"半導体処理チャンバの基板処理領域内にあるパターン形成された基板上に存在するトレンチを、酸化ケイ素で充填する方法であって、第1のシリコン含有前駆体、第2のシリコン含有前駆体、及び酸素含有前駆体を同時進行的に前記基板処理領域に流し込むことによって、共形の酸化ケイ素ライナー層を形成すること、前記第1のシリコン含有前駆体はSi-O結合を含み、前記第2のシリコン含有前駆体は、Si-C結合とSi-N結合とを含み、及び前記第1のシリコン含有前駆体及び前記酸素含有前駆体を同時進行的に前記基板処理領域に流し込むことによって、酸化ケイ素間隙充填層を形成すること、の順次作業を含む方法。前記第1のシリコン含有前駆体は、オルトケイ酸テトラエチル、テトラメトキシシラン、及びトリエトキシシランから成る群から選択される少なくとも1つの前駆体を含む、請求項1に記載の方法。前記酸化ケイ素の堆積中に、前記第1のシリコン含有前駆体の流量は、毎分約500mg以上である、請求項2に記載の方法。前記酸素含有前駆体は、オゾンO3、酸素O2、及び酸素ラジカルOから成る群から選択される少なくとも1つの前駆体を含む、請求項1に記載の方法。前記方法は、前記共形の酸化ケイ素ライナー層を形成する前記作業中に、水蒸気を前記半導体処理チャンバに流し込むことを更に含む、請求項1に記載の方法。前記方法は、前記酸化ケイ素間隙充填層を形成する前記作業中に、水蒸気を前記半導体処理チャンバに流し込むことを更に含む、請求項1に記載の方法。前記第2のシリコン含有前駆体は、ヘキサメチルジシラザンを含む、請求項1に記載の方法。前記第2のシリコン含有前駆体を流すことは、前記共形の酸化ケイ素ライナー層の堆積中に、毎分1mgを超える流量で前記第2のシリコン含有前駆体を流すことを含む、請求項1に記載の方法。前記第2のシリコン含有前駆体は、テトラメチルジシラザンを含む、請求項1に記載の方法。前記共形の酸化ケイ素ライナー層と、前記酸化ケイ素間隙充填層とを用いて前記トレンチを充填することを含む、請求項1に記載の方法。前記トレンチの幅は40nm以下である、請求項1に記載の方法。前記トレンチは、前記共形の酸化ケイ素ライナー層が上に形成される、シリコン表面、窒化ケイ素表面、及び酸化ケイ素表面を含む、請求項1に記載の方法。前記共形の酸化ケイ素ライナー層を形成する前記作業中に、及び前記酸化ケイ素間隙充填層を形成する前記作業中に、前記パターン形成された基板の温度は、600°C未満である、請求項1に記載の方法。前記共形の酸化ケイ素ライナー層を形成する前記作業中に、及び前記酸化ケイ素間隙充填層を形成する前記作業中に、前記パターン形成された基板の温度は、400°C未満である、請求項1に記載の方法。前記共形の酸化ケイ素ライナー層を形成する前記作業中に、及び前記酸化ケイ素間隙充填層を形成する前記作業中に、前記基板処理領域の圧力は、700トルを下回る、請求項1に記載の方法。前記共形の酸化ケイ素ライナー層の厚さは、約40nm以下である、請求項1に記載の方法。前記共形の酸化ケイ素ライナー層の厚さは、約5nm~約30nmである、請求項1に記載の方法。前記酸化ケイ素間隙充填層の形成中に前記第2のシリコン含有前駆体を流すことを更に含み、前記酸化ケイ素間隙充填層形成中の前記第2のシリコン含有前駆体の前記基板処理領域への流量は、前記共形の酸化ケイ素ライナー層形成中の前記第2のシリコン含有前駆体の流量よりも少ない、請求項1に記載の方法。前記酸化ケイ素間隙充填層の形成中に、前記第2のシリコン含有前駆体の流れは、本質的に前記基板処理領域に進入しない、請求項1に記載の方法。添付の図において、同様のコンポーネント及び/又は構造物は、同じ参照符号を有し得る。更に、タイプが同じである種々のコンポーネントは、参照符号の後にダッシュを付し、同様のコンポーネント間の判別を行うための第2の符号を付すことによって、判別され得る。本明細書で第1の参照符号だけが使用されている場合、その表現は、第2の参照符号に関わらず、同じ第1の参照符号を有する同様のコンポーネントのいずれにも適用することができる。開示の態様は、基板上に酸化ケイ素層を堆積する方法に関連するものである。諸実施形態において、共形のライナー層を形成すべく、Si-O結合を有するシリコン含有前駆体、酸素含有前駆体、並びにSi-C結合及びSi-N結合の両方を有する第2のシリコン含有前駆体を半導体処理チャンバに流し込むことによって、酸化ケイ素層が堆積される。ライナー層が完成すると、Si-O結合を有するシリコン含有前駆体、酸素含有前駆体を半導体処理チャンバに流し込むことによって、間隙充填層が形成される。共形のライナー層が存在しているため、上記間隙充填層の、より滑らかに成長する能力、トレンチを充填する能力、並びに酸化ケイ素の充填材料内に存在するボイドの量及び/又は寸法を下げる能力が高まる。本発明の実施形態は、パターン形成された基板表面上のトレンチに酸化ケイ素を形成する方法に関するものである。本発明の実施形態では、2種類のシリコン含有前駆体を使って、共形の酸化ケイ素ライナー層が形成され、それら2種類のシリコン含有前駆体のうちの一方を用いずに、間隙充填酸化ケイ素層が形成される。第2のシリコン含有前駆体を組み入れることで、ライナー層の流動性が下がると共に、成長界面の平坦性が高まる。ひとたび酸化ケイ素ライナー層が完成されれば、より流動性の高い間隙充填酸化ケイ素層は、残りの間隙により容易に浸透することができる。正しいかどうか分からない仮説のメカニズムに特許請求の範囲の対象範囲を限定することを望まないことにより、酸化ケイ素ライナー層の表面は、間隙充填酸化ケイ素層が成長するための核形成部位をより多く提供することがあり得る。第2のシリコン含有前駆体は、第1のシリコン含有前駆体よりも部位選択性が低い状態で吸着する可能性がある。準大気圧CVDSubatmosphericCVD:SACVD及び関連のプロセスは、基板上に酸化ケイ素を形成すべく、シリコン含有前駆体及び酸素含有前駆体を半導体処理チャンバに流し込むことによって行われる。シリコン含有前駆体は、例えばオルトケイ酸テトラエチルを含むことができ、酸素含有前駆体は、オゾンO3、酸素O2、及び/又は酸素ラジカルを含むことができる。SACVDフィルムを形成する際に、水蒸気等の他の反応物1つ又は複数を基板処理領域に付加して、堆積材料の間隙充填能力を高めることができる。これはその技法の正式であるが適切でない頭字語であるが、SACVDプロセスは、極めて大気圧に近い圧力、又は更には大気圧を超える圧力で動作する場合があることに留意されたい。本明細書に提示の方法のプロセス圧力は、本発明の実施形態において、大気圧又は環境気圧より高い場合もあれば、低い場合もある。基板処理領域の圧力は、本明細書で説明されているような開示の実施形態において、共形の酸化ケイ素ライナー層の堆積時に、及び/又は酸化ケイ素間隙充填層の堆積時に、約700トル又は600トル以下とすることも可能である。オルトケイ酸テトラエチル及びオゾンから約600°C未満で成長した基板上の酸化ケイ素フィルムは、粗面を有することが分かっている。これは、原子間力顕微鏡法等の様々な表面画像化技法を用いて観察することができる。第2のシリコン含有前駆体、例えばヘキサメチルジシラザン又はテトラメチルジシラザン、を加えれば、結果として、後の堆積で表面粗さが小さくなることが分かっている。これら第2のシリコン含有前駆体を組み込むことは、ライナー層を形成する際に有用である。これについては、後で例示間隙充填プロセスについて論じる際に、更に詳細に説明する。本発明をより深く理解し、その真価を認識するために、ここで図1を参照する。同図は、開示の実施形態による酸化ケイ素間隙充填堆積プロセスのフローチャートである。本プロセスでは、最初に、パターン形成された基板が半導体処理チャンバに移送される作業110。作業115において、共形の酸化ケイ素ライナー層を形成するために、オゾンO3、水蒸気H2O、オルトケイ酸テトラエチル化学式、SiOC2H54及びヘキサメチルジシラザン化学式、CH33SiNHSiCH33が、同時進行的に基板処理領域に流し込まれる。第2のシリコン含有前駆体、即ち、本例ではヘキサメチルジシラザン、が存在する結果として、酸化ケイ素ライナー層は、円滑に成長する。諸実施形態において、本フィルムの成長界面は、パターン形成された表面から外方向に、実質的に均一に盛り上がる。共形の酸化ケイ素ライナー層の成長は、成長界面同士が接触して実質的にトレンチを充填してしまう前に停止させられる。次いで、残りの間隙は、水蒸気と、オゾンと、オルトケイ酸テトラエチルとを同時進行的に基板処理領域に流し込むことによって、間隙充填酸化ケイ素層によって充填される作業120。本発明の実施形態では、共形の酸化ケイ素ライナー層が存在しているため、間隙充填酸化ケイ素層は残りの間隙を充填することができ、ボイドも、ピンホールも、裂け目も残存しない。本フィルムを成長させた後、作業135において、チャンバから基板が取り出される。一般的に、水蒸気の流れは、共形の酸化ケイ素ライナー層及び間隙充填酸化ケイ素層の両方が成長するとき、いずれも成長しないとき、又は一方が成長するときに存在する。換言すると、水蒸気は任意選択である。開示の実施形態において、共形の酸化ケイ素ライナー層の厚さは、約40nm以下、約30nm以下、約25nm以下、約20nm以下、約15nm以下、又は約10nm以下とすることができる。実施形態において、その厚さは、間隙充填酸化ケイ素層の円滑な成長を可能にするが、トレンチを完全に充填するのを回避するのに十分なだけの核形成部位を作製するために、約5nm~30nm、又は約5nm~20nmとすることができる。間隙充填酸化ケイ素層は、比較的薄い共形の酸化ケイ素ライナー層を覆って堆積される。図2A~2C及び図3A~3Cは、酸化ケイ素間隙充填プロセスの断面図である。同図は、開示の実施形態による間隙充填プロセスの利点を示している。図2Aは、従来の高密度プラズマ化学気相堆積highdensityplasmachemicalvapordeposition:HDP-CVDを使って充填された狭い間隙の概略図を示している。帯電したプラズマ排出物で表面に衝撃処理を施すと、間隙の上端部付近の縁部にクリッピングが起こる。同概略図に、窒化ケイ素210-1の層に発生するクリッピングを示している。表面の滞留種に移動度が不足していることも、結果として、トレンチ同概略図に、シリコン基板200-1に入り込むトレンチとして示されているに酸化ケイ素の層220-1が形成されるときに、ボイド205-1の形成を招いている可能性がある。図2Bは、従来の高温SACVDプロセスの概略図を示している。同図において、シリコン基板200-2及び窒化ケイ素210-2に事前に形成されたトレンチの中心付近で、酸化ケイ素220-2の成長界面同士が接触しており、ボイド205-2この場合、裂け目の形態を成しているが残ることになる。こういった従来の間隙充填方法によって残された裂け目及びボイドは、完成後の装置の性能にとって有害である。図2Cは、本発明の実施形態による間隙充填プロセスの概略図を示している。トレンチは、露出したシリコン表面と、露出した窒化ケイ素表面と、露出した酸化ケイ素表面とを含む。この酸化ケイ素表面上に、共形の酸化ケイ素ライナー層が形成されている。共形の酸化ケイ素ライナー層が、トレンチの一部を充填しており、間隙充填酸化ケイ素層が、トレンチの残りを充填している。ライナー層と間隙充填層酸化ケイ素220-3を組み合わせることで、トレンチは、ボイドも裂け目も残存することなく充填される。間隙を充填する本プロセス特に、間隙充填酸化ケイ素層に関するものは、本明細書では、ボトムアップ式の間隙充填プロセスとして説明することができる。図3Aは、従来のSACVDプロセスを用いて、比較的高い基板温度540°Cで充填されたトレンチの、SEM断面図を示している。比較的高い基板温度は、形成しつつある酸化ケイ素の表面移動度を上げることによって、ボイドの発生を低減するのに役立つ。それでも、酸化ケイ素及び窒化ケイ素に形成された狭いトレンチ内に、ボイドが依然として見られる。図3Bは、同様の従来のSACVDプロセスを用いて、より低い基板温度380°Cで充填されたトレンチの、SEM断面図を示している。低い基板温度では、より大きなボイド出現しているが、これは、一部は、形成しつつある誘電体層の表面移動度が、540°Cの基板温度で堆積する場合に比べて低い結果である。図3Cは、本発明の実施形態による図1のプロセスを用いて充填されたトレンチの、SEM断面図を示している。本方法では、トレンチ内部、更にはトレンチ上方にボイド及び裂け目が発生することを回避できている。ボイドの大きさ及び/又は数量が減少したので、結果としてより稠密なフィルムが実現しており、結果として湿式エッチング速度wetetchrate:WERが低下すると共に、屈折率refractiveindex:RIが高くなることが分かった。一般的に、Si-O結合を有する第1のシリコン含有前駆体及び酸素前駆体の導入による酸化ケイ素ライナー層の成長は、Si-C結合及びSi-N結合両結合にとって、Si原子は、同じである場合もあれば、異なる場合もあるを有する第2のシリコン含有前駆体を更に含めることによって、より共形性の高いプロセスに変形させることができる。かかるシリコン含有前駆体例えば、テトラメチルジシラザン化学式、HCH32SiNHSiCH32H及び/又はヘキサメチルジシラザンが存在しているため、おそらくフィルム成長の部位選択性が低下することで、堆積の共形性が向上する。第2のシリコン含有前駆体を用いなければ、多孔性の成長パターンが起こる可能性がある。酸化ケイ素フィルムが、パターン形成されたウエハ上に成長されるのか、それともブランケットウエハ上に成長されるのかに関わらず、これらのより複雑な成長パターンは、本発明の実施形態において、ボイドを閉じ込めることができる。発明者らは、第2のシリコン含有前駆体を使ってひとたび共形の酸化ケイ素ライナーが成長されれば、その第2のシリコン含有前駆体の流れを減らして又は排除して、ボイドをあまり発生させない間隙充填酸化ケイ素層を成長できることを発見した。本発明の実施形態では、共形の酸化ケイ素ライナーが存在しているために、従来のSACVD化学物質における核形成部位の密度が高まり、これにより、多孔性成長モードが減少すると考えられる。ある実施形態では、バルク状の酸化ケイ素層が成長する際の第2のシリコン含有前駆体の流れは、共形の酸化ケイ素ライナー層が成長する際の第2のシリコン含有前駆体の流れよりも少なくなっている。別の実施形態では、バルク状の酸化ケイ素層が成長する際に、第2のシリコン含有前駆体は、本質的に流れない。本発明の実施形態において、ライナー層又はバルク状の間隙充填層の堆積中に、第1のシリコン含有前駆体の流量は、毎分約500mg以上とすることもできれば、毎分約1gm以上とすることもできる。流量は、本明細書では、プロセスの間に必ずしも一定ではない。異なる前駆体の流量は、様々な順序で開始し、終了することができ、それらの規模は、違っていてもよい。本明細書で指示されている質量流量の規模は、別段に記述していない限りは、プロセス中に使用されるおおよそのピーク流量に対して指定されるものである。Si-C結合及びSi-N結合が含まれる第2のシリコン含有前駆体の流量は、堆積時及び堆積後に酸化ケイ素ライナーの粗さが低下することと相関がある。本明細書で指示される流量の規模は、単一の300mm径ウエハ面積約700cm2の一方の面に堆積する場合のものである。複数枚のウエハ、大型若しくは小型のウエハ、両面堆積、又は別の形状寸法の基板例えば長方形の基板への堆積に対しては、堆積面積に応じて適切に補正する必要がある。他の前駆体と併用される第2のシリコン含有前駆体をある流量で流せば、下層材料の違いに関わらず、トレンチに組み込まれるボイドの量及び/又は大きさが低下することによって、充填性が向上する可能性がある。様々な実施形態において、300mmウエハ又は同様の面積の基板の場合、第2のシリコン含有前駆体流量は、前駆体が流れている期間の一部の時点又は全ての時点において、毎分約1mg以上、毎分約5mg以上、毎分約10mg以上、毎分約25mg以上、毎分約50mg以上、毎分約100mg以上、毎分約150mg以上、毎分約200mg以上、毎分約300mg以上、又は毎分約500mg以上とすることができる。一般的に、第1のシリコン含有前駆体には、1つ又は複数のSi-O結合が含まれる。本発明の実施形態において、第1のシリコン含有前駆体は、1つ又は複数のオルトケイ酸テトラエチルTEOSと呼ばれる場合がある、オルトケイ酸テトラメチル化学式、SiOCH34、TMOSと呼ばれる場合がある、及びトリエトキシシラン化学式、C2H5O3SiH、TRIESと呼ばれる場合があるを含むことが可能である。オルトケイ酸テトラエチル-オゾンプロセスに第2のシリコン含有前駆体を含めれば、成長しつつある酸化ケイ素ライナーの粗さが低下することが分かった。しかし、堆積材料の表面流動性も低下するたとえ水蒸気が含まれていても。結果として、裂け目を形成せずにトレンチを充填するためには、第2のシリコン含有前駆体の流れを低減し、又は排除して、共形性から流動性に成長を変化させなければならない。何度か測定を行ってきたが、それによれば、テトラメチルジシラザンと同様の結果を達成するのに、ヘキサメチルジシラザンの流量は、下げて使用するのがよい。しかし、表面材料及び表面状態が第2のシリコン含有前駆体の効果に影響を及ぼすことも分かっている。流量が増えると、結果として、後でフィルム成長プロセスの際に成長される酸化ケイ素フィルムの一部において、屈折率が高くなると共に、湿式エッチング速度が下がることになる。第2のシリコン含有前駆体は、基板と化学的に相互作用を行い、且つ、第1のシリコン含有前駆体多くの場合、オルトケイ酸テトラエチルよりも低い部位選択性を有する様々な前駆体とすることができる。基板温度が低い場合、第2のシリコン含有前駆体を少ししか用いずに、又は全く用いずにフィルムを成長させると、結果として、おそらく核形成部位付近の反応確率が増大することに起因して、優先的成長部位が生じる。本明細書に含まれる化学的メカニズムの説明は、本発明の実施形態を理解するのに役立つと思われるが、必ずしも正確ではなく、特許請求の範囲を限定することを意図されたものでもない。第2のシリコン含有前駆体は、Si-N結合及びSi-C結合の両方を実施形態において、各タイプの結合を1つ又は複数有している。これにより、シリコン含有前駆体及び酸素含有前駆体と併用したときに、部位選択性が低くなり、その結果、より均一な酸化ケイ素成長速度が実現していると思われる。開示の実施形態において、これら第2のシリコン含有前駆体は、テトラメチルジシラザン又はヘキサメチルジシラザン又は少なくとも1つのSi-C結合及び少なくとも1つのSi-N結合を含有した他の前駆体とすることができる。様々な実施形態において、共形の酸化ケイ素ライナー層又は間隙充填酸化ケイ素層を堆積する際の基板温度は、600°C未満、540°C未満、500°C未満、400°C未満、350°C未満、又は300°C未満とすることができる。様々な実施形態において、上記堆積の際の基板温度は、100°C超、150°C超、200°C超、又は300°C超とすることができる。更なる開示される実施形態に従って、基板温度に関する上記下限をそれぞれ任意の上限と組み合わせて、基板温度に関する更なる範囲を形成することができる。本明細書に記載の二重層ライナー層と間隙充填層は、100nm以下、50nm以下、40nm以下、又は30nm以下の幅を有するトレンチを充填するのに使用することができる。本発明の実施形態において、共形の酸化ケイ素ライナー層の厚さは、トレンチの幅の半分未満であり、トレンチの幅の4分の1未満であってもかまわない。更なるプロセスパラメータは、例示基板処理システムを説明する中で提示されるであろう。例示基板処理システム半導体処理ツール409内部の半導体処理チャンバ410の簡略図を示す図4Aに注目して、本発明の実施形態による半導体処理システムを使用する方法に対して行い得る改変について説明する。このシステムは、様々な半導体処理ステップを実施するのに適している。処理ステップの例として、CVDプロセスを挙げることができ、他には、リフロー、ドライブイン、洗浄、エッチング、及びゲッタリングといったプロセスがある。一枚の基板について、その基板をチャンバから取り出すことなく、多段階の処理を施すことも可能である。本システムの主たるコンポーネントの代表例として、ガス供給システム489からプロセスガス及び他のガスを取り込むチャンバ内部415、ポンピングシステム488、遠隔プラズマシステムremoteplasmasystem:RPS455、及びシステムコントローラ453が挙げられる。本発明を理解するために、これらのコンポーネント及び他のコンポーネントを以下に説明する。半導体処理チャンバ410は、ガス反応区域416を有するチャンバ内部415を収容した外装アセンブリ412を具備している。ガス反応区域416上方にガス分配プレート420が設けられている。これは、反応性ガス及びパージガス等の他のガスを、ガス分配プレート420の貫通孔を介して、垂直方向に移動可能なヒータ425基板支持ペデスタルと呼ばれる場合もあるの上にある基板図示せずまで散らばらせるためである。垂直方向に移動可能なヒータ425は、例えば基板の搬入出が可能な下方位置と、破線413で表されるガス分配プレート420に近接した処理位置との間で、制御可能に移動させることができる。或いは、エッチングプロセス又は洗浄プロセスといった他の目的のための他の位置まで制御可能に移動させることができる。中央ボード図示せずは、基板位置に関する情報を提供するためのセンサを具備している。ガス分配プレート420は、米国特許第6,793,733号に記載の様々なプレートとすることができる。これらのプレートは、基板の所でガスを配分する際の均一性を向上するものであり、ガスの濃度比を変化させる堆積プロセスでは特に有利である。いくつかの例において、プレートは、堆積ガスが、上記比が一方の方向に強く傾いているとき例えば、酸化剤含有ガスの濃度に比べてシリコン含有ガスの濃度が小さい場合は基板よりも遠くに放出され、濃度が変化するのに伴って例えば、その混合体中のシリコン含有ガスの濃度がより高くなるとより基板付近に放出されるような形で、垂直方向に移動可能なヒータ425又は可動基板支持ペデスタルと協働する。他の例において、ガス分配プレートのオリフィスは、ガスをより均一に混合する役割を果たすように設計される。垂直方向に移動可能なヒータ425は、セラミック内に封入された電気抵抗性の加熱エレメント図示せずを具備している。セラミックは、潜在的に腐食性のチャンバ環境から加熱エレメントを保護するものであり、ヒータが最高約800°Cの温度を達成することを許容する。例示実施形態では、垂直方向に移動可能なヒータ425の表面は全て、チャンバ内部415で露出しており、酸化アルミニウムAl2O3又はアルミナ又は窒化アルミニウムといったセラミック材料で作製されている。反応性ガス及びキャリアガスは、プロセスガス供給ライン443を経由してガス混合ボックスガス混合ブロックとも呼ばれる427に供給され、好ましくはそこで一緒に混合され、ガス分配プレート420まで送出される。ガス混合ブロック427は、プロセスガス供給ライン443及び洗浄/エッチングガス導管447に結合された、双入力混合ブロックであることが好ましい。ゲートバルブ428は、洗浄/エッチングガス導管447からのガス若しくはプラズマをガス混合ブロック427に開放し、又は密閉するように動作する。洗浄/エッチングガス導管447は、遠隔プラズマシステムRPS455からガスを取り込む。この遠隔プラズマシステムは、給入ガスを取り込むための給入ライン457を有している。堆積処理の間に、ガス分配プレート420に供給されるガスは、ガス供給矢印421で示すように基板表面の方に吐き出される。そこでは、そのガスは、基板表面全域で径方向に均一に、典型的には層流で分散されることになる。パージングガスは、ガス分配プレート420及び/又は流入ポート若しくは流入チューブ図示せずを経由し、外装アセンブリ412の壁好ましくは底部を経由して、チャンバ内部415に送入することができる。パージングガスは、流入ポートから上方向に流れ、垂直方向に移動可能なヒータ425を通過して、環状ポンピングチャネル440まで流れる。次いで、排出システムが、そのガスをガス排出矢印422で標示しているように環状ポンピングチャネル440に送り込み、排出ライン460を経由してポンピングシステム488まで排出する。このポンピングシステムは、1つ又は複数の真空ポンプを具備している。排出ガス及び同伴粒子は、スロットルバルブシステム463が制御する速度で、排出ライン460を経由して、環状ポンピングチャネル440から引き出される。遠隔プラズマシステムRPS455は、チャンバを洗浄する、又はプロセス基板から自然酸化物若しくは残留物をエッチングするといった、選択された用途用にプラズマを生成することができる。RPS455において給入ライン457を介して供給された前駆体から生成されたプラズマ種は、ガス分配プレート420を通して散らばらせるために、洗浄/エッチングガス導管447を介して、ガス反応区域416に送り込まれる。洗浄用途用の前駆体ガスの例として、フッ素、塩素、及び他の反応性元素を挙げることができる。RPS455で使用するための堆積前駆体ガスを適切に選択することによって、RPS455は、プラズマCVDフィルムを堆積するのにも適合させることができる。システムコントローラ453は、堆積システムの挙動及び動作パラメータを制御する。プロセッサ451は、プロセッサ451に連結されたメモリ452に格納されているコンピュータプログラム等の、システム制御ソフトウェアを実行する。メモリ452は、典型的には、スタティックランダムアクセスメモリキャッシュ、ダイナミックランダムアクセスメモリdynamicrandomaccessmemory:DRAM、ハードディスクドライブを組み合わせて構成されるが、もちろん、メモリ452は、固体メモリ装置等の他の種類のメモリで構成することも可能である。好適な実施形態における半導体処理ツール409は、上記メモリ手段に加え、フロッピディスクドライブ、USBポート、及びカードラック図示せずを具備している。プロセッサ451は、本明細書に開示の方法に従って本装置を動作させるようにプログラムされた、システム制御ソフトウェアに従って動作する。例えば、命令のセットは、特定のプロセスのタイミング、ガスの混合体、チャンバ圧力、チャンバ温度、プラズマ出力レベル、サセプタの位置、及び他のパラメータを決めることができる。それらの命令は、適切なハードウエアに伝達されるが、入出力I/Oモジュール450から生まれる信号を乗せたアナログ信号又はデジタル信号を搬送する直接ケーブル接続を経由して伝達されることが好ましい。プロセッサ451を動作させて様々な用途用に半導体処理ツール409を構成するのに、例えばUSBサムドライブ含む他のメモリ、フロッピディスクに格納されたコンピュータプログラム等の他のコンピュータプログラム、又はディスクドライブ若しくは他の適切なドライブに挿入された別のコンピュータプログラム製品も、使用可能である。プロセッサ451は、シングルボードコンピュータ、アナログ及びデジタルの入力/出力ボード、インターフェースボード、並びにステッパモータコントローラボードを収容したカードラック図示せずを有することができる。半導体処理ツール409の種々のパーツは、ボード、カードケージ、並びにコネクタの寸法及びタイプを規定するベルサモジュラーヨーロピアンVersaModularEuropean:VME規格に準拠している。VME規格は更に、16ビットデータバス及び24ビットアドレスバスを有するバス構造も規定している。本明細書に開示の実施形態は、直接ケーブル接続及びシングルプロセッサ451に依拠している。マルチコアプロセッサ、分散制御下のマルチプロセッサ、及びシステムコントローラと被制御体との間の無線通信を備えた代替実施形態も可能である。図4Bは、半導体処理チャンバ410に関連するユーザインターフェースの簡略図である。半導体処理ツール409は、図にあるように、複数の半導体処理チャンバ410を具備することができる。基板は、更なる処理に備えて、1つのチャンバから別のチャンバに移送することができる。場合によっては、それらの基板は、真空下又は選択されたガス下で移送される。ユーザとプロセッサとの間のインターフェースは、モニタ473a及びポインティングデバイス473bを介している。メインフレームユニット475は、半導体処理チャンバ410用の電気的機能、配管機能、及び他の支持機能を提供する。半導体処理システムの例示的実施形態と互換性のある例示メインフレームユニットは、現在のところ、カリフォルニア州、サンタクララのAPPLIEDMATERIALS,INC.から、PRECISION5000TM、CENTURA5200TM、PRODUCERGTTM、及びPRODUCERSETMシステムとして市販されている。いくつかの実施形態では、2台のモニタ473aが使用される。1台は、オペレータ用にクリーンルームの壁471に装着され、他方は、サービス技師用にクリーンルームの壁471後方に装着されている。両モニタ473aは、同時に同一の情報を表示する。ポインティングデバイス473bは、一方だけが使用が許可されている。触れられた区域は、強調された状態で色が変わる。或いは、新メニュー若しくはスクリーンを表示し、ライトペンと表示スクリーンとの間の通信の確認を行う。図4Cは、クリーンルームに設置されたガス供給パネル480との関係で、半導体処理チャンバ410の実施形態の概略的な全体像を示している。前に論じたように、半導体処理ツール409は、垂直方向に移動可能なヒータ425を有する半導体処理チャンバ410と、プロセスガス供給ライン443及び洗浄/エッチングガス導管447からの給入部を有するガス混合ブロック427と、給入ライン457を有するRPS455とを具備している。前述したように、ガス混合ブロック427は、プロセスガス供給ライン443及び給入ライン457を通過する堆積ガス1つ又は複数と洗浄ガス1つ又は複数又は他のガス1つ又は複数とを混合すると共に、チャンバ内部415に注入するように構成されている。RPS455は、洗浄/エッチングガス導管447が半導体処理チャンバ410沿いに、半導体処理チャンバ410上方に設置されたゲートバルブ428及びガス混合ブロック427まで立ち上がった状態で、半導体処理チャンバ410と一体的に設置され、且つその下方に装着されている。プラズマ出力ジェネレータ411及びオゾン発生器459は、洗浄室から離れた所に設置されている。ガス供給パネル480からの供給ライン483及び485は、プロセスガス供給ライン443に反応性ガスを提供する。ガス供給パネル480は、選択された用途用のプロセスガスを提供する反応物源490気体又は液体からのラインを具備している。ガス供給パネル480は、選択されたガスを、ガス混合ブロック427まで流れる前に混合する、ガス混合システム493を有している。いくつかの実施形態では、ガス混合システム493は、オルトケイ酸テトラエチルTEOS、ホウ酸トリエチルTEB、及びリン酸トリエチルTEPOといった反応液を気化するための液体注入システムを具備している。それら液体からの蒸気は、通常、ヘリウム等のキャリアガスと混ぜ合わされる。プロセスガス用の供給ラインは、iプロセスガスが供給ライン485若しくは給入ライン457に流入するのを自動的に又は手動的に遮断するのに使用可能な遮断バルブ495、及びii液体流量計401又は供給ラインを通過する気体若しくは液体の流れを測定する他のタイプのコントローラ、を含むことが可能である。例えば、シリコン源としてのオルトケイ酸テトラエチルを含む混合体は、酸化ケイ素フィルムを形成するための堆積プロセスにおいて、ガス混合システム493と併せて使用することができる。リン及びボロンといったドーパントの供給源の例として、TEPO及びTEBを挙げることができるが、これらも、ガス混合システム493に導入することができる。加えて、テトラメチルジシラザン又はヘキサメチルジシラザンといった第2のシリコン含有前駆体を、ガス混合システム493まで送出することができる。ガス混合システム493まで送出される前駆体は、室温及び室内圧力において液体の場合があり、従来のボイラータイプ又はバブラータイプのホットボックスで気化され得る。或いは、液体注入システムを使って、ガス混合システムに導入される反応液の容積をより大きく制御できるようにすることができる。その液体は、典型的には、供給ライン485加熱してもかまわない、ガス混合ブロック、及びチャンバまで送出される前に、微細水煙又は噴霧として、キャリアガス流に注入される。もちろん、ドーパント、シリコン、酸素、及び第2のシリコン含有前駆体の他の供給源も使用可能であることは認識されている。単体のガス分配ラインとして示しているものの、供給ライン485は、実際には、分離された複数のラインを含むことができる。これは、諸前駆体がチャンバ内部415にまだ流入しないうちに前駆体相互間反応が起こるのを阻止するためである。酸素O2、オゾンO3、及び/又は酸素ラジカルOといった1つ又は複数の供給源は、チャンバ付近又はチャンバ内で供給ライン485からの反応ガスと混ぜ合わされるように、別の供給ライン483を経由してチャンバに流れる。基板は、本明細書では支持基板とすることができ、その上に層が形成される場合もあれば、形成されない場合もある。その支持基板は、絶縁体の場合もあれば、様々なドーピング濃度及びドーピングプロファイルの半導体の場合もある。例えば、集積回路の製造業者が使用するようなタイプの半導体基板であってもかまわない。酸化ケイ素の層は、窒素、水素、炭素、及びその類似物といった他の元素成分をある濃度で含むことができる。いくつかの実施形態では、酸化ケイ素は、本質的にシリコン及び酸素から成る。前駆体なる用語は、表面から材料を除去し又はその上に材料を堆積する反応に関与する任意のプロセスガスを指すのに使用される。励起状態のガスは、ガス分子群の少なくとも一部が振動励起状態、解離状態、及び/又は電離状態にあるガスを表現している。ガス又は前駆体は、2以上のガス又は前駆体の組合せとすることができ、通常は液体又は固体であるが、一時的に他のキャリアガス又は不活性ガスと共に搬送される物質を含むことができる。不活性ガスなる文言は、フィルムをエッチングする際に、又はフィルムに組み込まれているときに、化学的結合を形成しない任意のガスを指す。代表的不活性ガスの例として希ガスが挙げられるが、典型的に微量がフィルム内に閉じ込められたときに化学的結合を形成しない限り、他のガスを含むことができる。トレンチなる用語は、全体にわたって使用されているが、エッチング後の形状寸法が大きな水平方向のアスペクト比を有することを暗黙的に意味するものではない。トレンチは、表面上方から見たときに、環状に見える場合もあれば、長円形、多角形、長方形の場合もあり、様々な他の形状であってもかまわない。ビアなる用語は、低水平方向アスペクト比のトレンチ上方から見たときにを指すのに使用される。そのトレンチは、垂直な電気接続を形成するように金属が充填されていてもよければ、充填されていなくてもよい。共形の層は、本明細書では、ある表面上のある材料の概して均一な層であって、その表面と同じ形状の層を指す。即ち、上記層の表面と被覆された表面とは、概して平行である。当業者であれば、堆積材料が100共形とは成り得ないことを認識するであろう。したがって、概してなる用語は、許容差を容認している。諸々の実施形態を開示してきたが、当業者であれば、開示の実施形態の精神から逸脱せずに、種々の変更形態、代替構造、及び均等物を使用できることを認識するであろう。加えて、本発明が無用に分かり難くならないように、多くの周知プロセス及び要素については説明を行っていない。したがって、上掲の説明は、本発明の範囲を限定するものと把握されるべきではない。値の範囲が与えられている場合、その範囲の上限と下限との間にある各中間値も、別段に明確に記述していない限りは、下限の単位の10分の1まで具体的に開示されていることが理解されよう。記載の範囲にある任意の記載値又は中間値と、その記載の範囲にある任意の他の記載値又は中間値との間の各狭い範囲は、包含されている。これら狭い範囲の上限及び下限は、独立して、その範囲に含めることもできれば、除外することもできる。更に、上下限の一方若しくは両方が狭い範囲に含まれない場合、又は両方が含まれる場合に、各範囲は、本発明の範囲内に包含され、記載の範囲で具体的に除外されたあらゆる限定に従う。記載の範囲が、上下限の一方又は両方を含む場合、これら含まれている上下限の一方又は両方を除外する範囲も含まれる。本明細書及び添付した特許請求の範囲で使用されているように、あるa、1つのan、及びそのtheなる単数形式は、別段に明確に記述していない限りは、複数の指示対象を含む。したがって、例えばあるプロセスに対する言及は、複数のかかるプロセスを含んでおり、その誘電体材料に対する言及は、1つ又は複数の誘電体材料、及び当業者に知られているその均等物、等に対する言及を含む。更に、備えるcomprise、備えたcomprising、具備するinclude、具備したincluding、及び含むincludesなる単語も、本明細書及び後掲の特許請求の範囲で使用される場合、記載の構造物、整数、コンポーネント、又はステップの存在を明言することが意図されている。但し、これらの単語は、1つ又は複数の他の構造物、整数、コンポーネント、ステップ、行為、又は群の存在を除外するものでもなければ、それらを追加することを除外するものでもない。"