"基板を回転させながらレジストを滴下して回転延伸させる塗布部と、前記基板に前記レジストが塗布された試料を加熱する加熱部と、前記加熱部で加熱されている前記試料の重量を計量する計量部と、前記計量部により計量された前記試料の重量に基づいて、前記試料に塗布されたレジストから一定量の溶媒が揮発するまで前記加熱部に加熱を行わせ前記基板上にレジスト層を成膜する工程を実行し、さらに、前記塗布部と前記加熱部を同様に制御して前記試料に成膜されたレジスト層上に新たなレジスト層を成膜する工程を所定回数繰り返し実行し、前記試料に複数のレジスト層を積層する制御を行う制御部と、を有するレジスト膜形成装置。形成する前記レジスト膜のうち、最下層のレジスト層から最上層のレジスト層にかけて前記溶媒の揮発量の閾値を大きい値に設定し、前記制御部は、各レジスト層の溶媒の揮発量が対応する閾値に達するまで前記加熱部による加熱を行うよう制御する請求項1に記載のレジスト膜形成装置。前記試料が前記加熱部で加熱されているときに前記試料の水平度を維持する水平度維持部、をさらに有する請求項2に記載のレジスト膜形成装置。前記加熱部は、閉じた空間に前記試料を閉じ込めて加熱する請求項3に記載のレジスト膜形成装置。前記塗布部の回転ステージ上に配置されて前記試料を上面に載置する搬送トレイと、前記塗布部と前記加熱部との間で前記試料を載置した状態の前記搬送トレイを搬送する搬送部と、をさらに有する請求項4に記載のレジスト膜形成装置。前記基板の上面かつ外周部付近に円筒状の容器、が設けられる請求項5に記載のレジスト膜形成装置。前記円筒状の容器の下面に粘着剤が塗布され、前記円筒状の容器の下面と前記基板の上面とが密着している請求項6に記載のレジスト膜形成装置。前記塗布部が配置された空間と前記搬送部が配置された空間を仕切るための第1仕切り部と、前記搬送部が配置された空間と前記加熱部が配置された空間を仕切るための第2仕切り部と、をさらに有し、前記制御部は少なくとも、前記塗布部によるレジスト塗布中は第1仕切り部を閉じ、前記加熱部による加熱中は第2仕切り部を閉じるように制御する請求項1に記載のレジスト膜形成装置。基板を回転させながらレジストを滴下して回転延伸させることと、前記基板に前記レジストが塗布された試料を加熱することと、加熱されている前記試料の重量を計量することと、計量された前記試料の重量に基づいて、前記試料に塗布されたレジストから一定量の溶媒が揮発するまで加熱を行い前記基板上にレジスト層を成膜する工程を実行することと、さらに、前記試料に成膜されたレジスト層上に新たなレジスト層を成膜する工程を所定回数繰り返し実行し、前記試料に複数のレジスト層を積層することを含むレジスト膜形成方法。基板を回転させながらレジストを滴下して回転延伸させること、前記基板に前記レジストが塗布された試料を加熱すること、加熱されている前記試料の重量を計量すること、計量された前記試料の重量に基づいて、前記試料に塗布されたレジストから一定量の溶媒が揮発するまで加熱を行い前記基板上にレジスト層を成膜する工程を実行すること、さらに、前記試料に成膜されたレジスト層上に新たなレジスト層を成膜する工程を所定回数繰り返し実行し、前記試料に複数のレジスト層を積層すること、前記複数のレジスト層からなるレジスト膜に、半透過部を有するマスクを介し光を照射して露光すること、露光後の前記試料を現像して前記レジスト膜に所定パターンを形成すること、を含む金型原版製造方法。リソグラフィ技術を応用して、特に3次元形状を形成する際、高さ方向に従来の半導体やMEMSMicroElectroMechanicalSystemsで実施された範囲を大きく超える領域でのレジストの厚膜塗布が必要である。そのためには、各レジスト層の形成、積層の工程において、さらに精密な露光形状を必要とされる。本開示は、上記の状況を考慮してなされたものであり、レジスト層から適正量の溶媒を揮発させて、露光後の正確なレジストパターンを実現する。本開示の一側面において、基板を回転させながらレジストを滴下して回転延伸させ、基板にレジスト4塗布された試料を加熱する。このとき、計量部により加熱されている試料の重量を計量する。そして、計量された試料の重量に基づいて、試料に塗布されたレジストから一定量の溶媒が揮発するまで加熱を行い基板上にレジスト層を成膜する工程を実行する。さらに、試料に成膜されたレジスト層上に新たなレジスト層を成膜する工程を所定回数繰り返し実行し、試料に複数のレジスト層を積層することにより厚膜のレジスト膜を形成する。本開示の一側面によれば、積層する各レジスト層の溶媒の揮発量を個別に管理しながら加熱を実行できるので、各レジスト層から適正量の溶媒を揮発させることができる。本開示の一側面によれば、レジスト層の溶媒の揮発量を管理しながらレジスト層を積層することにより、各レジスト層から適正量の溶媒を揮発させて、露光後の正確なレジストパターンを実現できる。以下に添付図面を参照しながら、本開示を実施するための形態の例以下、本例ともいうについて説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能又は構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複する説明を省略する。なお、説明は以下の順序で行うものとする。1.一実施形態オーブン室:計量器を備える例2.その他<1.一実施形態>以下、本開示の一実施形態に係るレジスト膜形成方法を利用した金型原版製造方法を説明する。[金型原版製造方法]図5は、本開示の一実施形態におけるレジスト膜形成方法を利用した金型原版製造方法の概要を示す説明図である。本開示の一実施形態における金型原版製造方法には、大きく分けて、レジスト塗布工程、加熱工程、露光工程、現像工程及び転写工程があり、塗布工程と加熱工程を繰り返し行うことによって基板へのレジストの厚膜塗布を実現している。レジスト塗布工程スピンコーター1を利用してガラスなどの基板2を水平面で回転一例として1000rpm、20秒間させながらレジスト4を滴下して回転延伸させ、試料上にレジストを均一に塗布する工程である。スピンコーター1は塗布部5の一要素である。このレジスト塗布工程において、基板2の周囲もしくは基板2の上面かつ外周部に土手部3壁を設けることが望ましい。土手部3を設けることにより、塗布後に径方向に延伸したレジストの円周部が土手部3に接触及び係止され、レジストの厚膜塗布が可能となる。一例としてフッ素樹脂のポリ四フッ化エチレンである所謂テフロン登録商標を用いて、高さ0.6mmの土手部3を設ける。レジスト4は、パターン形成に必要な、光や電子線などの光量子に対して感光性を持つ材料であればよい。一例として、本例では、光、X線又は電子ビームの照射により、現像液に不溶性又は難溶性となり、現像後まで基板表面に残る特性を持つネガ型レジストを用いる。目的の形状に応じて逆の特性を持つポジ型レジストを適宜用いることも可能である。加熱工程レジスト4が塗布された基板2、すなわち試料をオーブンなど箱型の加熱部6で加熱する工程ベークとも呼ばれるである。箱形の閉じた空間を持つ加熱部6で加熱することにより、熱せられた空気と試料から発生する蒸気を箱内に閉じ込め、レジスト層の過熱や溶剤の蒸発し過ぎを防止して、溶剤の揮発量の調節が容易になる。本例では、一つのレジスト層を100°Cで5分間加熱する。この加熱工程において、加熱されている試料の重量を計量する。そして、計量された試料の重量に基づいて、試料に塗布されたレジストから一定量の溶媒が揮発するまで加熱を行い、基板2上にレジスト層Rnを成膜する。この計量と計量結果に基づく制御を行うことが、本開示の大きな特徴である。計量方法については、図6を参照して後述する。なお、この加熱工程においても、試料に土手部3が設けてあることにより、径方向に延伸したレジストの周縁部が土手部3に接触及び係止され、熱で流れだすことを防止し、レジストの厚膜塗布が可能となる。上記のレジスト塗布工程と加熱工程を所定回数繰り返して試料にレジスト層を積層し、基板2上に複数のレジスト層からなるレジスト膜Rを目的の厚さに形成する。露光工程複数のレジスト層Rnが積層されてなるレジスト膜Rに、露光量の部分的な制御のために半透過部を持たせたマスクを介して光を照射する工程である。例えば、DMDデジタルミラーデバイス等を搭載した露光装置によって、所定パターンが形成されたマスク7を介してレジスト層が積層されたレジスト膜Rに光源8の光を照射する。マスク7には、レジスト膜Rを3次元加工するために半透過部を有するグレートーンマスクあるいはハーフトーンマスクと呼ばれるものを使用する。現像工程露光後の試料を現像してレジスト膜Rに、3次元の所定パターンを形成する工程である。例えば、露光した試料を現像液に浸し、レジスト膜の露光されなかった部分を除去する。一般に、現像後に、レジスト膜R内に浸透した現像液をリンス液で洗い流す処理や、付着した現像液やリンス液を揮発させる目的のためにポストベークと呼ばれる加熱処理が行われることが多い。本開示においても、リンス液による洗浄やポストベークを行ってもよい。上記現像工程が終了すると、3次元の所定パターンを形成した金型原版が得られる。この金型原版の3次元の所定パターンを樹脂等に転写してレプリカ金型を作製する。[レジスト膜形成装置の構成例]次に、金型原版製造工程におけるレジスト塗布工程及び加熱工程を実行し、レジスト膜を形成するレジスト膜形成装置について説明する。図6は、本開示の一実施形態におけるレジスト膜形成装置の構成例を示す説明図である。本開示の一実施形態におけるレジスト膜形成装置10は、レジストを塗布するスピンコーター室20、搬送室30、試料を加熱するオーブン室40の3つの空間から構成される。スピンコーター室20には、塗布部5として、スピンコーター1と、試料の上面からレジスト4を塗布するためのレジスト供給部ノズル24が具備されている。スピンコーター室20の下部にスピンコーター1回転部の一例の回転ステージがあり、回転ステージの上面には搬送トレイ22が配置されている。試料を搬送トレイ22に載置した状態で回転し、ノズル24よりレジスト4を滴下する。搬送トレイ22及び基板2の上面には、レジスト4の厚塗りを可能とするスピンカップ23が、スピンコーター1の回転によっても位置ずれしないよう設置されている。スピンカップ23は、土手部3と同機能を有し、一例として基板2と対向する側の底部が存在しない、円筒状もしくは円錐状の容器である。スピンカップ23の形状は、塗布中の排気やレジストの跳ね返り、後の加熱時に発生する蒸気の対流加熱効率や品質などを考慮してある。スピンカップ23は、基板2の上面に設けられ、円筒状の筒部もしくは円錐状の円錐面の下面が基板2の上面の外周部付近に位置している。このスピンカップ23の下面には、接着剤23sが塗布されており、この下面と基板2の上面が密着している。それにより、試料とスピンカップ23との隙間からレジストが漏れ出ることを防止している。また、スピンカップの上面には蓋部が設けられ、この蓋部におけるレジスト4の滴の落下コースに当たる部分にレジスト滴通過用の穴23hが形成されている。スピンコーター室20とオーブン室40の中間には、搬送室30が設けられている。搬送室30内には、試料、スピンカップ23及び搬送トレイ22の3点を同時に搬送するための搬送部31が存在する。搬送部31は、搬送ロボット32を有し、搬送ロボット32の第1アーム33と第2アーム34を移動させて搬送トレイ22を、スピンコーター室20とオーブン室40間で搬送する。オーブン室40には、試料を加熱するための加熱部6を有する。本例では、一例として加熱部6にオーブンを適用している。オーブンは、熱せられた空気と試料から発生する蒸気をその内部に閉じ込め、レジスト層の過熱や溶剤の蒸発し過ぎを防止して、溶剤の揮発量の調節を容易にする。加熱部6の下側には、試料に塗布したレジスト内の溶媒の揮発量を測定するために、試料の重量を計量する計量器42計量部の一例が設けられている。計量器42はその上面が水平となるように設置されている。さらに、加熱中に試料の水平が維持できるために計量器42の下側に、精密な水平度の維持を行う水平器43水平度維持部の一例が設けてある。スピンコーター室29と搬送室30、及び搬送室30とオーブン室40との間には、それぞれ仕切り部として、第1シャッター21及び第2シャッター41が存在する。スピンコーター室20と搬送室30間にある第1シャッター21は、スピンコーター室20で塗布したレジストが搬送室30内の搬送ロボット32へ飛散することを防止するためのものである。また、搬送室30とオーブン室40間にある第2シャッター41は、オーブン室40からの温風がスピンコーター室20へ流入することにより、スピンコーター室20内の試料が加熱されてレジストから溶媒が揮発するのを防止するために設けられている。レジスト膜形成装置10は、スピンコーター室20、搬送室30及びオーブン室40が備えるこれらの各設備の動作を制御するための制御装置50を備える。制御装置50は、塗布部5のレジスト供給動作を制御する供給制御回路52、スピンコーター1の回転動作を制御する回転駆動回路53、第1及び第2シャッター21,41の開閉動作を制御する開閉駆動回路54、並びに搬送ロボット32の搬送動作を制御する搬送駆動回路55、加熱部6の加熱動作を制御する加熱制御回路56を備える。また計量器42から入力されるアナログ信号の測定データをデジタル信号に変換して出力するアナログ-デジタル変換回路以下、ADCと記す。57、及びレジスト層から揮発する溶媒の許容量の閾値を記憶する不揮発性のメモリ素子58記憶部の一例を備える。なお、揮発性のメモリ素子を使用する場合は、制御装置50を稼動するたびに予め閾値をメモリ素子に記憶させる必要がある。メモリ素子58には、レジスト塗布条件、レジスト加熱条件、溶媒の揮発量の閾値などが記憶されている。さらに、これらの各回路52~57やメモリ素子58に制御信号を出力したり、データの入出力を行ったりし、各回路52~57やメモリ素子58の動作の制御及び演算を実行する制御部51を備える。制御部51は、例えばMPUMicroProcessingUnitなどの演算処理装置が適用され、メモリ素子58に記憶されたプログラムやデータに基づいて、目的とする制御及び演算を実行する。[レジスト膜形成方法]まず、スピンコーター室20において、スピンコーター1の回転ステージの上に設置された搬送トレイ22に基板2を配置する。制御部51は、監視員の手動入力による信号もしくはセンサ図示略から出力される信号を検出して、搬送トレイ22に基板2が配置されたことを確認した後、メモリ素子58に記憶されたプログラムに従って供給制御回路52に制御信号を出力する。供給制御回路の制御の下、レジスト供給部のノズル24から適量のレジスト4を供給する。ノズル24から供給されたレジスト4は、スピンカップ23の上面蓋部に形成されたレジスト供給用の穴23hを通過して、基板2に滴下される。基板2にレジスト4を滴下した後、制御部51は、回転駆動回路53に制御信号を出力し、スピンコーター1の回転ステージを回転させる。スピンコーター1の回転ステージを所定の回転数で数十秒間、例えば1000rpmで20秒間回転させる。基板2に滴下されたレジスト4は、回転の遠心力により径方向に延伸し、基板2上に第1のレジスト層が均一に塗布される初回のレジスト塗布工程。スピンコーター1の回転数が大きいほど、回転延伸後のレジスト層の膜厚が薄くなる。一般に、膜厚が薄いほど、加熱処理時の管理がしやすいとされる。一方、本開示の一実施形態に係るレジスト膜形成方法によれば、積層する各レジスト層の溶媒の揮発量を管理しながら加熱成膜するので、従来よりも膜厚の薄いレジスト層でも均一性のよいレジスト層を成膜することができる。したがって、スピンコーター1の回転数を例えば1000rpmに下げ、一つのレジスト層の膜厚を厚くしてレジスト膜を構成するレジスト層の層数を少なく抑えられる。それゆえ、レジスト層の成膜工程塗布工程、加熱工程が減り、レジスト膜形成時間及び金型原版製造時間を短縮できる。第1層のレジスト層を塗布した後、制御部51は、スピンコーター1の回転を停止させ、開閉駆動回路54に制御信号を出力し、第1及び第2シャッター21,41を順次開ける。そして、搬送駆動回路55に制御信号を出力して搬送ロボット32を制御し、スピンコーター室20にある第1のレジスト層が塗布された基板2試料が載置された搬送トレイ22を、搬送室30を経由してオーブン室40へ搬送し、計量器42の上面に載置する。搬送ロボット32の第1及び第2アーム33,34が搬送室30側へ戻った後、第2シャッター41が閉じられる。このときスピンコーター室20への温風の流入を防止する目的で、第1シャッター21を第2シャッター41に優先して閉じるとよい。制御部51は、計量器42からの出力信号を検出するなどして、試料を載せた搬送トレイ22がオーブン室40の計量器42に配置されたことを確認した後、計量器42から加熱前加熱直後の試料の重量を測定したデータを取得する。その後、制御部51は、メモリ素子58に記憶されたプログラムに従って加熱制御回路56に制御信号を出力し、試料を一定温度で加熱する。計量器42は、試料の加熱中、試料の重量を測定したデータを、定期的にADC57を通じて制御部51へ供給する初回の加熱工程。なお、制御部51は、試料がオーブン室40へ搬送されるまでに、オーブン室40内の環境を加熱時と同じ状態にしておくとよい。制御部51は、加熱前の試料の重量と加熱中の試料の重量から、第1のレジスト層の溶媒の揮発量を随時計算し、その結果をメモリ素子58に記憶された第1のレジスト層の揮発量の閾値と比較する。第1のレジスト層の溶媒の揮発量が規定の溶媒の揮発量に達している場合、制御部51は、開閉駆動回路54及び搬送駆動回路55へ制御信号を出力し、第2シャッター41を開ける。そして、搬送ロボット32により試料が載置された搬送トレイ22を搬送室30へ搬送し、第2シャッター41を閉じる。次に、制御部51は、第1シャッター21を開けさせ、搬送トレイ22をスピンコーター室20へ再度搬送し、スピンコーター1の回転ステージの上に配置し、第1シャッター21を閉じる。制御部51は、供給制御回路52及び回転駆動回路53を制御し、試料すなわち基板2の第1のレジスト層の上に、さらに第2のレジスト層を均一に塗布する2回目のレジスト塗布工程。レジスト層を重ねても、試料上に固定されたスピンカップによって、レジストの厚膜塗布が可能となる。試料に第2のレジスト層を塗布後、制御部51は、開閉駆動回路54及び搬送駆動回路55を制御し、第2のレジスト層が塗布された試料が載置された搬送トレイ22をオーブン室40へ搬送し、上記の加熱処理を再度実行する2回目の加熱処理。そして、制御部51は、加熱前の試料の重量と加熱中の試料の重量から、第2のレジスト層の溶媒の揮発量を随時計算し、その結果をメモリ素子58に記憶された第2のレジスト層の揮発量の閾値と比較する。第2のレジスト層の溶媒の揮発量が規定の溶媒の揮発量に達している場合、制御部51は、試料を載せた搬送トレイ22をオーブン室40からスピンコーター室20へ搬送し、試料に第3のレジスト層の塗布を行う。また、第3のレジスト層を塗布後、試料を載せた搬送トレイ22をスピンコーター室20からオーブン室40へ搬送し、試料の加熱を行う。そして、制御部51は、加熱前の試料の重量と加熱中の試料の重量から、第3のレジスト層の溶媒の揮発量を随時計算し、その結果をメモリ素子58に記憶された第3のレジスト層の揮発量の閾値と比較し、比較結果に応じて次の制御を行う。このようなレジスト塗布工程と加熱工程を繰り返し実行することにより、目標の層数となるまで試料にレジスト層を積層し、レジストの溶媒の残存量が適量に調整された厚膜のレジスト膜Rを形成する3回目以降のレジスト塗布工程及び加熱工程。試料に厚膜のレジスト膜Rを形成した後、図5に示したように、複数のレジスト層が積層されてなるレジスト膜Rに、露光量の部分的な制御のために半透過部を持たせたマスク7を介して光を照射する露光工程。そして、露光後の試料を現像液に浸して現像する現像工程。現像が完了すると、レジスト膜Rに3次元の所定パターンを形成した金型原版が得られる。この3次元の所定パターンの構造を持つ金型原版を加熱し、それを樹脂等に押し当てて樹脂に3次元の所定パターンの構造を転写することでレプリカ金型を作製する。このレプリカを用いて成形品の生産を行う。[金型原版についての測定データ]以下、本開示による方法で製造された金型原版についての測定データを元に、本開示の一実施形態による効果を説明する。図7は、ある試料についてレジスト膜の膜厚を測定した箇所を示している。図8は、その試料についてレジスト膜の膜厚を測定した結果を示すグラフである。図7に示す試料61は、本開示のレジスト膜形成方法を用いてレジスト膜を形成した試料を、一例として矩形に切り出したものである。この例では、矩形の長手方向に沿った4箇所地点1~4の膜厚を測定している。この測定データを、図8に示すように、横軸に測定箇所、縦軸に膜厚をとり、従来の手法による測定データとともにプロットした。図8に示すように、従来の手法改善前:破線では、測定箇所によってレジスト膜の膜厚に約78μmの差があったが、本開示の一実施形態に係るレジスト膜形成方法改善後:実線では、例えば500μm厚のレジスト膜の膜厚の差が約12μmと大幅に改善されている。これは、複数のレジスト層が積層されてなるレジスト膜の膜厚が、測定箇所に関わらずほぼ均一であることを示している。図9は、試料に対するベーク時間分と溶媒残量の関係を示したグラフである。ベーク時間は、レジスト層ごとの加熱時間を積算した時間である。図9の例では、あるレジストを用いてレジスト膜を形成したときの加熱処理の積算時間が40分を超えると、溶媒残量が9以下に減少し、溶媒残りが発生しないという結果が得られた。図10は、本開示の一実施形態に係るレジスト膜形成方法により形成されたレジスト膜の一例の断面図である。図10に示すように、本開示の一実施形態に係るレジスト膜形成方法によりを用いることにより、500μmの厚みを持つレジスト膜Rの膜厚を均一に形成することができている。図11A~Cは、従来の加工技術機械加工を用いて生成された金型原版の表面を撮影した写真例であり、図11Aは螺旋加工による加工表面、図11Aはライン走査送りによる加工表面、図11Cは非球面加工旋盤を用いた加工表面を示している。図11A~図11Cの例では、いずれも金型原版表面に明部71と暗部72の繰り返しが出現していることから、表面が平坦ではないことがわかる。これに対し、本開示の一実施形態に係るレジスト膜形成方法によれば、図10に示すように厚膜例えば500μmであっても均一性の高いレジスト膜が形成されるので、試料金型原版の表面を精度よく平坦にすることができる。以上説明したように、本開示の一実施形態によれば、レジスト層の溶媒の揮発量を管理しながらレジスト層を積層することにより、各レジスト層において均一な溶媒の揮発量を確保できる。それゆえ、露光後のレジスト膜にクリアなパターン形成が実現され、また露光後の現像において現像残りが発生しない。したがって、従来例えば100μmと比較して、積層後のレジスト膜が厚膜例えば500μmであっても均一性及び品質の高いレジスト膜を形成できる。また、オーブン室においてオーブン加熱を実施したことのより、最下層もしくはこれに近い層のレジスト層の過熱が抑制され、現像残りが発生せず、品質のよいレジスト膜を形成できる。さらに、オーブン室内の加熱部の下側に、精密に水平度を維持する水平器を設置したことにより、加熱時に水平度を確保して、塗布後のレジストの面内均一性を良好にすることができる。<2.その他>上述の一実施形態に係るレジスト膜形成方法において、複数のレジスト層を構成する各レジスト層の溶媒の揮発量の閾値を一定値としてもよいが、図1のように早い段階で成膜されたレジスト層は加熱機会が増え溶媒の揮発量が多くなる傾向にあることを反映して、レジスト層ごとに閾値を異ならせてもよい。一例として、早い段階で成膜されるレジスト層の溶媒の揮発量の閾値を小さく設定し、遅い段階で成膜されるレジスト層の溶媒の揮発量の閾値を順次大きくして目標とするレジスト膜全体の揮発量に近づける又は同じ値に設定する。このように、レジスト層ごとに段階的に揮発量の閾値を適切に設定した場合、レジスト層の加熱を個別に調整して残存する溶媒を適切な量に調整することができる。それゆえ、複数のレジスト層から形成したレジスト膜の現像残りの防止に繋がり、金型原版の品質向上が図られる。また、図6に示すレジスト膜形成装置においては、1室のスピンコーター室20と1室のオーブン室40を設け、搬送部31により搬送トレイ22がこれらの間を往復するように構成することによって、レジスト膜の厚膜化を実現している。さらに、積層する層分のスピンコーター室20とオーブン室40を設けて、シリアルな成膜工程ライン工程を実行するようにしてもよい。なお、本開示は以下のような構成も取ることができる。1基板を回転させながらレジストを滴下して回転延伸させる塗布部と、前記基板に前記レジストが塗布された試料を加熱する加熱部と、前記加熱部で加熱されている前記試料の重量を計量する計量部と、前記計量部により計量された前記試料の重量に基づいて、前記試料に塗布されたレジストから一定量の溶媒が揮発するまで前記加熱部に加熱を行わせ前記基板上にレジスト層を成膜する工程を実行し、さらに、前記塗布部と前記加熱部を同様に制御して前記試料に成膜されたレジスト層上に新たなレジスト層を成膜する工程を所定回数繰り返し実行し、前記試料に複数のレジスト層を積層する制御を行う制御部と、を有するレジスト膜形成装置。2形成する前記レジスト膜のうち、最下層のレジスト層から最上層のレジスト層にかけて前記溶媒の揮発量の閾値を大きい値に設定し、前記制御部は、各レジスト層の溶媒の揮発量が対応する閾値に達するまで前記加熱部による加熱を行うよう制御する前記1に記載のレジスト膜形成装置。3前記試料が前記加熱部で加熱されているときに前記試料の水平度を維持する水平度維持部、をさらに有する前記1又は2に記載のレジスト膜形成装置。4前記加熱部は、閉じた空間に前記試料を閉じ込めて加熱する前記1~3のいずれかに記載のレジスト膜形成装置。5前記塗布部の回転ステージ上に配置されて前記試料を上面に載置する搬送トレイと、前記塗布部と前記加熱部との間で前記試料を載置した状態の前記搬送トレイを搬送する搬送部と、をさらに有する前記1~4のいずれかに記載のレジスト膜形成装置。6前記基板の上面かつ外周部付近に円筒状の容器、が設けられる前記1~5のいずれかに記載のレジスト膜形成装置。7前記円筒状の容器の下面に粘着剤が塗布され、前記円筒状の容器の下面と前記基板の上面とが密着している前記6に記載のレジスト膜形成装置。8前記塗布部が配置された空間と前記搬送部が配置された空間を仕切るための第1仕切り部と、前記搬送部が配置された空間と前記加熱部が配置された空間を仕切るための第2仕切り部と、をさらに有し、前記制御部は少なくとも、前記塗布部によるレジスト塗布中は第1仕切り部を閉じ、前記加熱部による加熱中は第2仕切り部を閉じるように制御する前記1~7のいずれかに記載のレジスト膜形成装置。9基板を回転させながらレジストを滴下して回転延伸させることと、前記基板に前記レジストが塗布された試料を加熱することと、加熱されている前記試料の重量を計量することと、計量された前記試料の重量に基づいて、前記試料に塗布されたレジストから一定量の溶媒が揮発するまで加熱を行い前記基板上にレジスト層を成膜する工程を実行することと、さらに、前記試料に成膜されたレジスト層上に新たなレジスト層を成膜する工程を所定回数繰り返し実行し、前記試料に複数のレジスト層を積層することを含むレジスト膜形成方法。10基板を回転させながらレジストを滴下して回転延伸させること、前記基板に前記レジストが塗布された試料を加熱すること、加熱されている前記試料の重量を計量すること、計量された前記試料の重量に基づいて、前記試料に塗布されたレジストから一定量の溶媒が揮発するまで加熱を行い前記基板上にレジスト層を成膜する工程を実行すること、さらに、前記試料に成膜されたレジスト層上に新たなレジスト層を成膜する工程を所定回数繰り返し実行し、前記試料に複数のレジスト層を積層すること、前記複数のレジスト層からなるレジスト膜に、半透過部を有するマスクを介し光を照射して露光すること、露光後の前記試料を現像して前記レジスト膜に所定パターンを形成すること、を含む金型原版製造方法。なお、上述した一実施形態例における一連の処理は、ハードウェアにより実行することができるが、ソフトウェアにより実行させることもできる。一連の処理をソフトウェアにより実行させる場合には、そのソフトウェアを構成するプログラムが専用のハードウェアに組み込まれているコンピュータ、または、各種の機能を実行するためのプログラムをインストールしたコンピュータにより、実行可能である。例えば汎用のパーソナルコンピュータなどに所望のソフトウェアを構成するプログラムをインストールして実行させればよい。また、上述した一実施形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記録した記録媒体を、システムあるいは装置に供給してもよい。また、そのシステムあるいは装置のコンピュータまたはMPU及びCPU等の演算制御装置が記録媒体に格納されたプログラムコードを読み出し実行することによっても、機能が実現されることは言うまでもない。この場合のプログラムコードを供給するための記録媒体としては、例えば、フレキシブルディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、CD-ROM、CD-R、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ROMなどを用いることができる。また、コンピュータが読み出したプログラムコードを実行することにより、上述した実施の形態の機能が実現される。加えて、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているOSなどが実際の処理の一部又は全部を行う。その処理によって上述した実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。また、本明細書において、時系列的な処理を記述する処理ステップは、記載された順序に沿って時系列的に行われる処理はもちろん、必ずしも時系列的に処理されなくとも、並列的あるいは個別に実行される処理例えば、並列処理あるいはオブジェクトによる処理をも含むものである。以上、本開示は上述した各実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された要旨を逸脱しない限りにおいて、その他種々の変形例、応用例を取り得ることは勿論である。すなわち、上述した各実施形態の例は、本開示の好適な具体例であるため、技術的に好ましい種々の限定が付されている。しかしながら、本開示の技術範囲は、各説明において特に本開示を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。例えば、以下の説明で挙げる使用材料とその使用量、処理時間、処理順序および各パラメータの数値的条件等は好適例に過ぎず、また説明に用いた各図における寸法、形状および配置関係も概略的なものである。"