基板上に、シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜とを積層するシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法であって、前記シリコン窒化物膜を成膜するガス中に、ボロンを添加することを特徴とするシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法。基板上に、シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜とを積層するシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法であって、1前記シリコン酸化物膜及び前記シリコン窒化物膜の積層膜が形成される複数の基板を、これら基板それぞれの側部を保持した状態で処理室に収容し、2前記シリコン酸化物膜を成膜する際、前記処理室にシリコン酸化物原料ガスと酸化剤とを供給し、3前記シリコン窒化物膜を成膜する際、前記処理室にシリコン原料ガスと窒化剤とボロン含有ガスとを供給し、4前記2の手順と前記3の手順とを繰り返し、前記複数の基板それぞれの表面及び裏面上に、前記シリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層膜を形成することを特徴とするシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法。前記シリコン酸化物膜を成膜する際の成膜温度と、前記シリコン窒化物膜を成膜する際の成膜温度との温度差が、50°C~150°Cの範囲にあることを特徴とする請求項2に記載のシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法。前記シリコン酸化物膜を成膜する際の成膜温度と、前記シリコン窒化物膜を成膜する際の成膜温度とが同じであることを特徴とする請求項2に記載のシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法。前記ボロン含有ガスが三塩化ボロンであることを特徴とする請求項1から請求項4いずれか一項に記載のシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法。前記シリコン原料ガスがジクロロシランであり、前記窒化剤がアンモニアであることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法。前記シリコン窒化物膜がSiaBbNcからなる膜であり、前記SiaBbNcの原子組成比が、a=25~17atm、b=22~32atm、c=53~51atmの範囲に制御されることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法。前記基板がシリコンウエハであり、前記SiaBbNcからなる膜が前記シリコンウエハに与えるストレスが、100~600MPaの範囲に制御されることを特徴とする請求項7に記載のシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法。前記シリコン窒化物膜が、含有されるシリコン原子の数がボロン原子の数よりも少ないSiBN膜であることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法。前記シリコン窒化物膜がSiaBbNcからなる膜であり、前記SiaBbNcの原子組成比が、a=20~17atm、b=28~32atm、c=52~51atmの範囲に制御されることを特徴とする請求項9に記載のシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法。前記基板がシリコンウエハであり、前記SiaBbNcからなる膜が前記シリコンウエハに与えるストレスが、100~300MPaの範囲に制御されることを特徴とする請求項10に記載のシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法。前記シリコン窒化物膜が、含有されるシリコン原子の数がボロン原子の数以上であるSiBN膜であることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法。前記シリコン窒化物膜がSiaBbNcからなる膜であり、前記SiaBbNcの原子組成比が、a=25~24atm、b=22~24atm、c=53~52atmの範囲に制御されることを特徴とする請求項12に記載のシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法。前記基板がシリコンウエハであり、前記SiaBbNcからなる膜のヘイズレベルが、0.005~0.01ppmの範囲に制御されることを特徴とする請求項13に記載のシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法。基板上に、シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜とを積層するシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層膜を成膜する成膜装置であって、シリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層膜が形成される基板を複数枚、これら基板それぞれの側部を保持した状態で収容する処理室と、前記処理室内に、処理に使用するガスを供給するガス供給機構と、前記処理室内を排気する排気機構と、前記ガス供給機構及び前記排気機構を制御するコントローラと、を具備し、前記コントローラが、請求項2に記載の2から4の手順が実施されるように前記ガス供給機構及び前記排気機構を制御することを特徴とする成膜装置。内部に、シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜とが繰り返し積層された積層膜を有する半導体装置の製造方法であって、1前記シリコン酸化物膜及び前記シリコン窒化物膜の積層膜が形成される複数の基板を、これら基板それぞれの側部を保持した状態で処理室に収容し、2前記シリコン酸化物膜を成膜する際、前記処理室にシリコン酸化物原料ガスと酸化剤とを供給し、3前記シリコン窒化物膜を成膜する際、前記処理室にシリコン原料ガスと窒化剤とボロン含有ガスとを供給し、4前記2の手順と前記3の手順とを繰り返し、前記複数の基板それぞれの表面及び裏面上に、前記シリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層膜を形成し、5前記積層膜の形成終了後、前記基板それぞれの裏面に形成された前記積層膜を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記シリコン酸化物膜を成膜する際の成膜温度と、前記シリコン窒化物膜を成膜する際の成膜温度との温度差が、50°C~150°Cであることを特徴とする請求項16に記載の半導体装置の製造方法。前記シリコン酸化物膜を成膜する際の成膜温度と、前記シリコン窒化物膜を成膜する際の成膜温度とが同じであることを特徴とする請求項16に記載の半導体装置の製造方法。上記積層構造は、シリコン膜とシリコン酸化物膜、ノンドープシリコン膜とドープトシリコン膜の他、シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜の組み合わせも考えられる。しかしながら、シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜との積層構造においては、積層数が増えるにつれ、室温下における半導体ウエハの反りが少しずつ大きくなり、やがて半導体ウエハが割れてしまう、という事情がある。この事情は、シリコン窒化物膜を、特に、ジクロロシランDCSガスとアンモニアNH3ガスとを用いて成膜した場合に顕著である。この発明は、シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜との積層数を増やしても、これらの膜を積層した積層構造が形成される基板の反りの増大を抑制することが可能なシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法、並びにその積層方法を実行することが可能な成膜装置及びその積層方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。この発明の第1の態様に係るシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法は、基板上に、シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜とを積層するシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法であって、前記シリコン窒化物膜を成膜するガス中に、ボロンを添加する。この発明の第2の態様に係るシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法は、基板上に、シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜とを積層するシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法であって、1前記シリコン酸化物膜及び前記シリコン窒化物膜の積層膜が形成される複数の基板を、これら基板それぞれの側部を保持した状態で処理室に収容し、2前記シリコン酸化物膜を成膜する際、前記処理室にシリコン酸化物原料ガスと酸化剤とを供給し、3前記シリコン窒化物膜を成膜する際、前記処理室にシリコン原料ガスと窒化剤とボロン含有ガスとを供給し、4前記2の手順と前記3の手順とを繰り返し、前記複数の基板それぞれの表面及び裏面上に、前記シリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層膜を形成する。この発明の第3の態様に係る成膜装置は、基板上に、シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜とを積層するシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層膜を成膜する成膜装置であって、シリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層膜が形成される基板を複数枚、これら基板それぞれの側部を保持した状態で収容する処理室と、前記処理室内に、処理に使用するガスを供給するガス供給機構と、前記処理室内を排気する排気機構と、前記ガス供給機構及び前記排気機構を制御するコントローラと、を具備し、前記コントローラが、上記第2の態様に係るシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法の2から4の手順が実施されるように前記ガス供給機構及び前記排気機構を制御する。この発明の第4の態様に係る半導体装置の製造方法は、内部に、シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜とが繰り返し積層された積層膜を有する半導体装置の製造方法であって、1前記シリコン酸化物膜及び前記シリコン窒化物膜の積層膜が形成される複数の基板を、これら基板それぞれの側部を保持した状態で処理室に収容し、2前記シリコン酸化物膜を成膜する際、前記処理室にシリコン酸化物原料ガスと酸化剤とを供給し、3前記シリコン窒化物膜を成膜する際、前記処理室にシリコン原料ガスと窒化剤とボロン含有ガスとを供給し、4前記2の手順と前記3の手順とを繰り返し、前記複数の基板それぞれの表面及び裏面上に、前記シリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層膜を形成し、5前記積層膜の形成終了後、前記基板それぞれの裏面に形成された前記積層膜を除去する。この発明によれば、シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜との積層数を増やしても、これらの膜を積層した積層構造が形成される基板の反りの増大を抑制することが可能なシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法、並びにその積層方法を実行することが可能な成膜装置及びその積層方法を用いた半導体装置の製造方法を提供できる。以下、この発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。なお、全図にわたり、共通の部分には共通の参照符号を付す。シリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法基板上に、シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜とを多数積層した基板を、成膜温度から室温に戻すと基板が割れてしまう、という事情は、特に、シリコン窒化物膜が基板、例えば、シリコンウエハに対してストレスを与えていることが要因である、と推測される。そこで、本件の発明者等は、シリコン窒化物膜が基板に与えるストレスの緩和に努めた。このような背景のもと、本件の発明者等は、シリコン窒化物膜を成膜する際、その成膜ガス中にボロンを添加すると、シリコン窒化物膜が基板、例えば、シリコンウエハに与えるストレスを緩和できることを見出した。成膜ガス中にボロンを添加することで成膜されるシリコン窒化物膜は、窒化シリコンSiNにボロンBが含有されたSiBN膜となる。しかし、機能的には、窒化シリコンSiN膜と変わりがない。このため、シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜との積層膜、例えば、SiO2膜とSiN膜との積層膜のうち、SiN膜を置き換えることができる。図1は、SiBN膜中のボロン濃度と、SiBN膜がシリコンウエハに与えるストレスとの関係を示す図である。図1に示すように、ボロン濃度が0atm、即ち、窒化シリコンSiN膜では、シリコンウエハに与えるストレスが約1142MPaである。これに対して、ボロン濃度が約23であるSiBN膜では、シリコンウエハに与えるストレスが約545MPaとなり、ストレスが緩和されることが認められた。さらに、ボロン濃度を順次高めていくと、ボロン濃度が約27であるSiBN膜ではストレスが約338MPa、ボロン濃度が約29であるSiBN膜ではストレスが約271MPa、ボロン濃度が約31であるSiBN膜ではストレスが約168MPa、ボロン濃度が約34であるSiBN膜ではストレスが約8MPaと低下していく。なお、上記SiBN膜の成膜に使用されるガスの一例は、シリコン原料ガス:ジクロロシランSiH2Cl2:DCS窒化剤:アンモニアNH3ボロン含有ガス:三塩化ボロンBCl3である。バッチ式の縦型成膜装置を用いて、膜厚が約50nmのSiBN膜をCVD法により成膜するときの条件の一例は、次の通りである。DCS流量:NH3流量=1:1~1:20BCl3流量=10sccm~150sccm成膜温度=600°C~800°Cまた、ボロン濃度を変化させるためには、DCS流量:NH3流量及び処理温度を一定としてBCl3流量を変化させれば良い。このように、シリコン窒化物膜を成膜する際、その成膜ガス中にボロンを添加し、ボロンを含有したシリコン窒化物膜、例えば、SiBN膜を成膜することで、シリコンウエハに与えるストレスが、窒化シリコン膜よりも小さい膜を得ることができる。このようなSiBN膜は、半導体集積回路装置に内在するシリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜とを複数層積み重ねた積層構造、例えば、SiO2膜とSiN膜とを複数層積み重ねた積層構造のうち、SiN膜を置き換えることができる。SiN膜をSiBN膜に置き換えることで、シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜との積層数を増やしても、これらの膜を積層した積層構造が形成される基板の反りの増大を抑制することが可能なシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法を得ることができる。さらに、発明者等はボロン濃度毎のSiBN膜の原子組成を調べた。図2は、SiBN膜中のボロン濃度とSiBN膜の原子組成比との関係を示す図である。図2に示すように、SiBN膜は、ボロン濃度を高めると、窒素原子Nの原子組成比原子組成百分率はほとんど変わらないかまたは僅かに減少、シリコン原子Siの原子組成比については減少する、という性質が明らかとなった。例えば、ボロン原子の原子組成比が約22atmのときには、窒素原子の原子組成比は約53atm、シリコン原子の原子組成比は約25atmである。組成式で表すと、Si25B22N53となる。ボロン原子の原子組成比が約32atmに高まると、窒素原子の原子組成比は約51atm、シリコン原子の原子組成比は約17atmとなる。組成式で表すと、Si17B32N51となり、シリコン原子は減少、ボロン原子は増加、窒素原子は僅かに減少する。このように、SiBN膜においては、ボロン濃度を高めていくと、シリコン原子の多くが、ボロン原子によって置換されていく傾向が見られる。また、発明者等は、ボロン濃度毎のSiBN膜の平坦性を調べた。図3は、SiBN膜中のボロン濃度とSiBN膜のヘイズとの関係を示す図である。なお、図3には図1に示したボロン濃度とストレスとの関係も併記されており、左縦軸がストレス、右縦軸がヘイズとなっている。図中、ヘイズのプロット点は白抜きのひし形、ストレスのプロット点は黒丸で示されている。図3に示すように、ボロン濃度が高まっていくと、ヘイズレベルが上がっていく。つまり、SiBN膜の表面に微小な凹凸が増え、SiBN膜の平坦性が悪化する。このことから、SiBN膜中のボロン濃度には、ヘイズレベルを根拠とした上限値を規定するのが良い。例えば、ヘイズレベルとしては0.02ppm以下が良い。このことから、図3に示すように、SiBN膜中のボロン濃度の上限値は約32atmに定めることが良い。また、SiBN膜中のボロン濃度の下限値については、ストレスを根拠として規定するのが良い。例えば、ストレスとしては、窒化シリコン膜ボロン濃度=0atmに比較して、半減されることが良い。例えば、SiBN膜中のボロン濃度が約22atm以上になると、ストレスは半減する。このことから、図3に示すように、SiBN膜中のボロン濃度の下限値は約22atmに定めることが良い。このようにSiBN膜中のボロン濃度を、22atm以上32atm以下の範囲矢印iで示すに制御することで、シリコンウエハに与えるストレスが窒化シリコン膜に比較しておよそ半減される100MPa以上600MPa以下で、かつ、ヘイズレベルが0.005ppm以上0.02ppm以下のSiBN膜を得ることができる。このようにボロン濃度が制御されたSiBN膜を原子組成で表すと、上述の図2に示したように、SiaBbNcの原子組成比が、a=25~17atm、b=22~32atm、c=53~51atmと表すことができる。また、SiBN膜中のボロン濃度を、28atm以上32atm以下の範囲矢印iiで示すにさらに狭めると、ストレスが100MPa以上300MPa以下となるストレスがさらに小さいSiBN膜を得ることができる。このようにボロン濃度が制御されたSiBN膜を原子組成で表すと、同じく図2に示されているように、SiaBbNcの原子組成比が、a=20~17atm、b=28~32atm、c=52~51atmと表すことができる。また、上記範囲のSiBN膜は、含有されるシリコン原子の数がボロン原子の数よりも少ないSiBN膜であるとも言える。つまり、含有されるシリコン原子の数がボロン原子の数よりも少ないSiBN膜によれば、ストレスがさらに小さく、かつ、平坦性も十分なレベルにあるSiBN膜が得られる、という利点があるということである。このようなSiBN膜中のボロン濃度が28atm以上32atm以下のSiBN膜によれば、例えば、SiBN膜中のボロン濃度が22atm以上28atm未満のSiBN膜に比較して、ストレスをさらに小さくでき、シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜との積層数を、基板、例えばシリコンウエハの反りを抑制しつつ、さらに増やすことができる、という利点を得ることができる。一方、SiBN膜中のボロン濃度が22atm以上28atm未満のSiBN膜には、SiBN膜中のボロン濃度が28atm以上32atm以下のSiBN膜に比較してヘイズレベルを小さくできる傾向があり平坦性に優れる、という利点がある。このため、積層数が少ない場合や、精度の高い平坦性が要求される場合には、SiBN膜中のボロン濃度が22atm以上28atm未満のSiBN膜が採用されると良い。なお、図3中のボロン濃度が約27atmの結果では、ヘイズレベルが0.02ppmと、近似直線から逸脱した値が見られている。これは、例えば、プロセスの揺らぎの影響であろう、と推測される。実際の半導体集積回路装置の製造プロセスのように、プロセスを厳密に管理すれば、その前後のプロット点から考えて、ヘイズレベルは0.01ppm近傍または0.01ppm未満にすることができるであろう。また、ヘイズレベルのみを考慮すると、SiBN膜中のボロン濃度を、22atm以上24atm以下の範囲矢印iiiで示すとすると、窒化シリコン膜のヘイズレベル約0.011ppmよりも良い、約0.005ppm以上0.01ppm以下のヘイズレベルとすることができる。しかも、ストレスも窒化シリコン膜の半分以下である。より精度の高い平坦性が要求される場合には、SiBN膜中のボロン濃度が22atm以上24atm以下のSiBN膜が採用されると良い。このようにボロン濃度が制御されたSiBN膜を原子組成で表すと、同じく図2に示されているように、SiaBbNcの原子組成比が、a=25~24atm、b=22~24atm、c=53~52atmと表すことができる。また、上記範囲のSiBN膜は、含有されるシリコン原子の数がボロン原子の数以上であるSiBN膜であるとも言える。つまり、含有されるシリコン原子の数がボロン原子の数以上であるSiBN膜によれば、窒化シリコン膜よりも平坦性が良く、また、ストレスも小さいSiBN膜が得られる、という利点があるということである。半導体装置の製造方法及び成膜装置次に、この発明の一実施形態に係るシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法を利用した半導体装置の製造方法の一例、及び成膜装置の一例を説明する。まず、成膜装置を説明する。図4は、一実施形態に係るシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法を実施することが可能な成膜装置の一例を概略的に示す断面図である。図4に示すように、成膜装置100は、下端が開口された有天井の円筒体状の処理室101を有している。処理室101の全体は、例えば、石英により形成されている。処理室101内の天井には、石英製の天井板102が設けられている。処理室101の下端開口部には、例えば、ステンレススチールにより円筒体状に成形されたマニホールド103がOリング等のシール部材104を介して連結されている。マニホールド103は処理室101の下端を支持している。マニホールド103の下方からは、被処理体として複数枚、例えば、50~100枚の半導体ウエハ、本例では、シリコンウエハWを多段に載置可能な石英製のウエハボート105が処理室101内に挿入可能となっている。ウエハボート105は複数本の支柱106を有し、支柱106に形成された溝により複数枚のシリコンウエハWが支持されるようになっている。ウエハボート105は、石英製の保温筒107を介してテーブル108上に載置されている。テーブル108は、マニホールド103の下端開口部を開閉する、例えば、ステンレススチール製の蓋部109を貫通する回転軸110上に支持される。回転軸110の貫通部には、例えば、磁性流体シール111が設けられ、回転軸110を気密にシールしつつ回転可能に支持している。蓋部109の周辺部とマニホールド103の下端部との間には、例えば、Oリングよりなるシール部材112が介設されている。これにより処理室101内のシール性が保持されている。回転軸110は、例えば、ボートエレベータ等の昇降機構図示せずに支持されたアーム113の先端に取り付けられている。これにより、ウエハボート105および蓋部109等は、一体的に昇降されて処理室101内に対して挿脱される。成膜装置100は、処理室101内に、処理に使用するガスを供給する処理ガス供給機構114と、処理室101内に、不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構115と、を有している。処理ガス供給機構114は、シリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜を形成するために、シリコン原料ガス供給源114a、シリコン酸化物原料ガス供給源114b、窒化剤を含むガス供給源114c、酸化剤を含むガス供給源114dを含んでいる。さらに、処理ガス供給機構114は、シリコン窒化物膜を成膜する成膜ガス中にボロンを添加するために、ボロン含有ガス供給源114eを含んでいる。シリコン原料ガスの一例はジクロロシラン、シリコン酸化物原料ガスの一例はテトラエトキシシランSiC2H5O4:TEOS、窒化剤を含むガスの一例はアンモニア、酸化剤を含むガスの一例は酸素O2、並びにボロン含有ガスの一例は三塩化ボロンである。不活性ガス供給機構115は、不活性ガス供給源120を含んでいる。不活性ガスは、パージガス等に利用される。不活性ガスの一例は窒素N2ガスである。シリコン原料ガス供給源114aは、流量制御器121a及び開閉弁122aを介して、分散ノズル123に接続される。分散ノズル123は石英管よりなり、マニホールド103の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びる。分散ノズル123の垂直部分には、複数のガス吐出孔124が所定の間隔を隔てて形成されている。シリコン原料ガスは、各ガス吐出孔124から水平方向に処理室101内に向けて略均一に吐出される。なお、本例では、分散ノズルは、4本用意されている。図4中ではそのうちの2本、1分散ノズル123、125のみを示す。分散ノズル125もまた石英管よりなり、マニホールド103の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びる。そして、分散ノズル125の垂直部分にも、複数のガス吐出孔126が所定の間隔を隔てて形成されている。図示せぬ残り2本の分散ノズルもまた、分散ノズル123、125と同様の構成である。シリコン酸化物原料ガス源114bもまた、流量制御器121b及び開閉弁122bを介して、上記分散ノズル123に接続される。窒化剤を含むガス供給源114cは、流量制御器121c及び開閉弁122cを介して、分散ノズル125に接続される。酸化剤を含むガス供給源114dは、流量制御器121d及び開閉弁122dを介して、図示せぬ別の分散ノズルに接続される。ボロン含有ガス供給源114eは、流量制御器121e及び開閉弁122eを介して、図示せぬさらに別の分散ノズルに接続される。不活性ガス供給源120は、流量制御器121f及び開閉弁122fを介して、ノズル128に接続されている。ノズル128は、マニホールド103の側壁を貫通し、その先端から不活性ガスを、水平方向に処理室101内に向けて吐出させる。処理室101内の、分散ノズル123及び125と反対側の部分には、処理室101内を排気するための排気口129が設けられている。排気口129は処理室101の側壁を上下方向へ削りとることによって細長く形成されている。処理室101の排気口129に対応する部分には、排気口129を覆うように断面がコの字状に成形された排気口カバー部材130が溶接により取り付けられている。排気口カバー部材130は、処理室101の側壁に沿って上方に延びており、処理室101の上方にガス出口131を規定している。ガス出口131には、真空ポンプ等を含む排気機構132が接続される。排気機構132は、処理室101内を排気することで処理に使用した処理ガスの排気、及び処理室101内の圧力を処理に応じた処理圧力とする。処理室101の外周には筒体状の加熱装置133が設けられている。加熱装置133は、処理室101内に供給されたガスを活性化するとともに、処理室101内に収容された被処理体、本例ではシリコンウエハWを加熱する。成膜装置100の各部の制御は、例えばマイクロプロセッサコンピュータからなるコントローラ150により行われる。コントローラ150には、オペレータが成膜装置100を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、成膜装置100の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース151が接続されている。コントローラ150には記憶部152が接続されている。記憶部152は、成膜装置100で実行される各種処理をコントローラ150の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて成膜装置100の各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわちレシピが格納される。レシピは、例えば、記憶部152の中の記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよいし、CDROM、DVD、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。レシピは、必要に応じて、ユーザーインターフェース151からの指示等にて記憶部152から読み出され、読み出されたレシピに従った処理をコントローラ150が実行することで、成膜装置100は、コントローラ150の制御のもと、所望の処理が実施される。本例では、コントローラ150の制御のもと、以下に説明する一実施形態に係るシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法を利用した半導体装置の製造方法に従った処理を順次実行する。図5A~図5Eは、一実施形態に係るシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法を利用した半導体装置の製造方法の一例を示す断面図である。まず、図5Aに示すように、複数のシリコンウエハWを、ウエハボート105に多段載置する。例えば、複数のシリコンウエハWは、ウエハボート105に設けられた複数本の支柱106それぞれに設けられた溝106aに支持される。次いで、ウエハボート105に多段載置された複数のシリコンウエハWを、処理室101内に挿入する。次に、図5Bに示すように、シリコン酸化物原料ガス及び酸化剤を含むガスを、シリコン酸化物原料ガス供給源114b及び酸化剤を含むガス供給源114dから処理室101内に供給し、複数のシリコンウエハWの表面、裏面及び側面に、第1層シリコン酸化物膜1-1を形成する。シリコン酸化物膜1-1の成膜条件の一例は、TEOS流量=50sccm~500sccmO2流量=10sccm~20sccm成膜温度=550°C~700°Cである。この成膜条件では、シリコン酸化物膜1-1として、膜厚約50nmのSiO2膜が形成される。次いで、不活性ガスを不活性ガス供給源120から処理室101内に供給し、処理室101内をパージする。次に、シリコン原料ガス、窒化剤を含むガス及びボロン含有ガスを、シリコン原料ガス供給源114a、窒化剤を含むガス供給源114c及びボロン含有ガス供給源114eから処理室101内に供給し、複数のシリコンウエハWの表面、裏面及び側面に形成されたシリコン酸化物膜1-1上に、第1層シリコン窒化物膜2-1を形成する。シリコン窒化物膜2-1の成膜条件の一例は、前述した通り、DCS流量:NH3流量=1:1~1:20BCl3流量=10sccm~150sccm成膜温度=600°C~800°Cである。この成膜条件では、シリコン窒化物膜2-1として、膜厚約50nmのSiBN膜が形成される。このようにして、シリコン酸化物膜1-1及びシリコン窒化物膜2-1の第1層積層構造3-1が形成される。次いで、不活性ガスを不活性ガス供給源120から処理室101内に供給し、処理室101内をパージする。この後、上記シリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層構造3の形成を、所定の積層数Nとなるまで繰り返す。これにより、シリコンウエハWの表面、裏面及び側面には、図5Cに示すようにN層の積層構造3-1~3-Nが形成される。成膜装置100を用いた成膜プロセスは、ここまでである。成膜装置100を用いた成膜プロセスにおいて、シリコン酸化物膜の成膜温度と、シリコン窒化物膜の成膜温度とは、できるだけ近い方が良い。即ち、両者の成膜温度が離れていると、ヒータ133の設定温度の変更など、成膜温度の変更に要する時間、及び処理室101の内部の温度が安定するまでに要する時間が長くなり、スループットに大きく影響するからである。両者の成膜温度の温度差は、処理室101の容積にもよるが、おおよそ約50°C~150°Cの範囲に収めることができれば、スループットの著しい低下を抑制することができる。好ましくは、両者の成膜温度は、同じであることが良い。両者の成膜温度が同じであれば、成膜温度の変更に要する時間、及び処理室101内の温度が安定するまでに要する時間がなくなり、成膜シーケンスの上では、最高のスループットを得ることが可能となる。本例では、TEOSによるSiO2膜の成膜温度と、DCS-NH3-BCl3によるSiBN膜の成膜温度とを同じとし、SiO2膜とSiBN膜とを連続的、かつ、繰り返し成膜した。なお、積層数Nは20~40であった。また、SiO2膜及びSiBN膜の1層当たりの処理時間には、50~80分の時間が必要なことから、スループットをさらに上げるためには、本例のように、一度に50~150枚のシリコンウエハWをウエハボート105に載置し、一括して成膜処理することが可能なバッチ式の縦型成膜装置が適している。次に、図5Dに示すように、ウエハボート105を処理室101から取り出し、さらに、シリコンウエハWをウエハボート105から取り出す。次に、図5Eに示すように、シリコンウエハWに、裏面エッチング及びベベルエッチングを行い、第1層積層構造3-1~第N層積層構造3-Nを含む積層構造体4を、シリコンウエハWの裏面及び側面近傍から除去する。積層構造体4を、シリコンウエハWの裏面及び側面近傍から除去する理由は、シリコンウエハWの裏面平坦性を維持し、積層構造体4が形成された後も、例えば、露光プロセスなどの製造プロセスを精度良く行われるようにするためである。さて、図6Aに示すように、シリコンウエハWの表面、裏面及び側面に、上記積層構造体4が形成されている場合には、このシリコンウエハWを室温に戻しても、シリコンウエハWには反りが生じない。これは、積層構造体4がシリコンウエハWの表面及び裏面のそれぞれに形成されているため、積層構造体4がシリコンウエハWに与えるストレスが、表面と裏面とで均衡するためである。しかし、裏面エッチング及びベベルエッチングを行い、積層構造体4をシリコンウエハWの裏面及び側面から除去してしまうと、図6Bに示すように、シリコンウエハWが反りだす。この反り量は、積層構造体4に含まれる積層構造3の積層数が増えるにつれ、増大してくる。シリコンウエハWに与えられるストレスが大きくなるためである。シリコンウエハWの強度が限界を超えると、図6Bに示すように、シリコンウエハWにクラック5が入り、やがて割れてしまう。この点、一実施形態に係るシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法によれば、上述した通り、積層構造体4に含まれたシリコン窒化物膜3がシリコンウエハWに与えるストレスを緩和できる。このため、積層構造体4内のシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層数を増やしても、図6Cに示すように、シリコンウエハWの反りの増大を抑制することが可能となる。このような一実施形態に係るシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法は、例えば、トランジスタやメモリセルなどの素子を、シリコンウエハWの表面から上層に向けて積み上げていく、いわゆる素子の3次元化が図られた半導体集積回路装置の製造方法への適用に有効である。このように、この発明の一実施形態によれば、シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜との積層数を増やしても、これらの膜を積層した積層構造が形成される基板の反りの増大を抑制することが可能なシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法、並びにその積層方法を実行することが可能な成膜装置を得ることができる。以上、この発明を一実施形態に従って説明したが、この発明は、上記一実施形態に限定されることは無く、種々変形可能である。また、この発明の実施形態は、上記一実施形態が唯一の実施形態でもない。例えば、上記一実施形態における積層構造3は、下層にシリコン酸化物膜1、上層にシリコン窒化物膜2を備えていたが、反対に、上層にシリコン酸化物膜1、下層にシリコン窒化物膜2を備えるようにしても良い。また、基板としては、半導体ウエハ、例えば、シリコンウエハに限定されるものでもなく、本発明は、LCDガラス基板等の他の基板にも適用することが可能である。その他、この発明はその要旨を逸脱しない範囲で様々に変形することができる。