"画素単位で励起光を出射する光源部と、量子ドットを含んで構成され、前記画素単位で発光光を出射する発光層とを備え、前記量子ドットは、前記励起光に基づいてその励起光よりも長波長側の発光光を生成する表示装置。前記量子ドットでは、励起過程において、前記励起光のエネルギーを得ることにより、価電子帯に位置する電子が、伝導帯のうちの主量子数n≧2の量子準位に励起され、緩和過程において、前記n≧2の量子準位に励起された電子が、n=1の量子準位に緩和され、再結合過程において、前記n=1の量子準位と前記価電子帯の量子準位とのエネルギー差に対応する波長を有する、前記長波長側の発光光が出射される請求項1に記載の表示装置。前記n≧2の量子準位と前記価電子帯の量子準位とのエネルギー差が、前記励起光のエネルギーと略等しい請求項2に記載の表示装置。前記光源部は、前記励起光としてのレーザ光を発するレーザ光源と、前記レーザ光を前記画素単位で変調する光変調素子とを有する請求項1に記載の表示装置。前記光変調素子が液晶素子であり、前記液晶素子は、互いに対向する一対の基板と、前記一対の基板間に封入された液晶層と、前記一対の基板のうちの前記レーザ光原側の基板上に配設された入射側偏光板と、前記一対の基板のうちの前記発光層側の基板上に配設された出射側偏光板とを有する請求項4に記載の表示装置。前記レーザ光における偏光方向と、前記入射側偏光板における偏光軸とが、互いに略一致している請求項5に記載の表示装置。前記レーザ光原が半導体レーザである請求項4に記載の表示装置。前記発光層が、前記画素単位で色分けされた複数色の発光層からなり、前記複数色の発光層では、前記量子ドットが前記励起光に基づいて互いに異なる波長の発光光を生成する請求項1に記載の表示装置。表示装置を備え、前記表示装置は、画素単位で励起光を出射する光源部と、量子ドットを含んで構成され、前記画素単位で発光光を出射する発光層とを有し、前記量子ドットは、前記励起光に基づいてその励起光よりも長波長側の発光光を生成する電子機器。画素単位で励起光を出射する光源部を形成する工程と、前記画素単位で発光光を出射する発光層を、量子ドットを用いて形成する工程とを含み、前記量子ドットでは、前記励起光に基づいてその励起光よりも長波長側の発光光を生成するようにする表示装置の製造方法。上記特許文献1における量子ドットを用いた表示装置では、励起光を発する光源としてレーザ光源を用いている。このような手法を利用した表示装置では、光の利用効率の向上が求められることから、光の利用効率を向上し易くすることが可能な表示装置の提案が望まれる。本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、光の利用効率を向上し易くすることが可能な表示装置およびその製造方法ならびに電子機器を提供することにある。本開示の表示装置は、画素単位で励起光を出射する光源部と、量子ドットを含んで構成され、画素単位で発光光を出射する発光層とを備えている。量子ドットは、励起光に基づいてその励起光よりも長波長側の発光光を生成する。本開示の表示装置の製造方法は、画素単位で励起光を出射する光源部を形成する工程と、画素単位で発光光を出射する発光層を量子ドットを用いて形成する工程とを含み、この量子ドットでは、励起光に基づいてその励起光よりも長波長側の発光光を生成するようにしたものである。本開示の電子機器は、上記本開示の表示装置を備えたものである。本開示の表示装置およびその製造方法ならびに電子機器では、光源部から画素単位で励起光が出射され、この励起光に基づいて、量子ドットを含む発光層から画素単位で発光光が出射される。この際、量子ドットでは、励起光に基づいてその励起光よりも長波長側の発光光が生成される。これにより、簡易な構成で励起光から発光光への波長変換がなされる。本開示の表示装置およびその製造方法ならびに電子機器によれば、発光層に含まれる量子ドットにおいて、励起光に基づいてその励起光よりも長波長側の発光光を生成するようにしたので、簡易な構成で励起光から発光光への波長変換を行うことができ、光の利用効率を向上し易くすることが可能となる。以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.実施の形態半導体レーザ,液晶素子,量子ドットを含む複数色発光層を用いた例2.適用例表示装置の電子機器への適用例3.変形例<実施の形態>[表示装置1の構成]図1は、本開示の一実施の形態に係る表示装置表示装置1の断面構成を模式的に表したものである。この表示装置1は、レーザ光源11と、光学部材としての反射板121、導光板122および拡散板123と、光変調素子液晶素子14と、発光層量子ドット含有層15と、駆動部16とを備えている。これらのうち、反射板121、導光板122、拡散板123、光変調素子14および発光層15は、背面裏面側から観察面表示面,前面側に向かって、この順に積層されている。なお、レーザ光源11、反射板121、導光板122、拡散板123および光変調素子14が、本開示における光源部画素単位で励起光を出射する光源部の一具体例に対応している。レーザ光源11レーザ光源11は、ここでは導光板122の側面側に配設されており、後述する発光層15へ向けて励起光としてのレーザ光L0を発する光源である。このレーザ光源11としては、各種のレーザ光源を用いることが可能であるが、例えば半導体レーザを用いるのが好適である。図2は、半導体レーザからなるレーザ光源11の詳細構成例を模式的に斜視図で表わしたものである。この半導体レーザでは、図中に示したZ軸方向に沿って、電極111n、n型基板110n、n型クラッド層112n、活性層113、p型クラッド層112p、絶縁層114およびp型コンタクト層115p、ならびに電極111pが、この順に積層されている。つまり、この半導体レーザは、いわゆるダブルヘテロDH:DoubleHetero構造を有している。電極111nは、キャリアとしての電子を注入するための電極であり、例えばAuGe合金等の金属材料からなる。電極111pは、キャリアとしての正孔ホールを注入するための電極であり、例えばTi/Pt/Au等の金属材料からなる。n型基板110nは、例えばn型のガリウム砒素n-GaAs等の半導体材料からなる基板である。p型コンタクト層115pは、例えばp型のガリウム砒素p-GaAs等の半導体材料からなるコンタクト層である。絶縁層114は、電流狭窄層として機能するものであり、例えば酸化シリコンSiO2等の絶縁材料からなる。n型クラッド層112nは、光やキャリア電子の閉じ込め作用を有する層であり、例えばn型のアルミニウムガリウム砒素n-AlGaAs等の半導体材料からなる。p型クラッド層112pは、光やキャリアホールの閉じ込め作用を有する層であり、例えばp型のアルミニウムガリウム砒素p-AlGaAs等の半導体材料からなる。なお、これらの他にも、InGaN系やCdZnMgSSe系の半導体材料を用いたものが挙げられる。活性層113は、レーザ光L0が出射される層であり、例えばガリウム砒素GaAs,InGaN,CdSe等の半導体材料からなる。このような構成の半導体レーザでは、DH構造の面内方向に沿って強く偏光TE偏光したレーザ光L0ここでは、偏光方向P1がX軸方向が、活性層113から出射される。また、このレーザ光L0は、Z軸方向に長軸方向を有すると共にX軸方向に短軸方向を有するファーフィールドパターンFFP:FarFieldPatternとなっている。光学部材導光板122は、レーザ光源11から入射したレーザ光L0を光変調素子14発光層15側へと導くための光学部材である。反射板121は、導光板122から背面側光変調素子14とは反対側へ出射されようとするレーザ光L0を反射させ、光変調素子14側へと戻すための光学部材である。拡散板123は、導光板122から光変調素子14側へ出射されたレーザ光L0を拡散させ、輝度の面内ばらつきを低減させるための光学部材である。光変調素子14光変調素子14は、拡散板123から入射したレーザ光L0を画素ここでは、赤色画素10R,緑色画素10G,青色画素10B単位で変調する機能を有する素子であり、ここでは一例として、液晶素子を用いて構成されている。図3は、液晶素子からなる光変調素子14の詳細構成例を模式的に断面図で表わしたものである。この液晶素子では、光入射側拡散板123側から光出射側発光層15側に向かって、図中に示したZ軸方向に沿って、入射側偏光板141A、基板140A、画素電極142A、液晶層143、共通電極142B、基板140Bおよび出射側偏光板141Bが、この順に積層されている。基板140A,140B互いに対向する一対の基板はそれぞれ、光透過性を有する基板であり、例えばガラス基板等を用いて構成されている。これらのうち、基板140Aには、薄膜トランジスタTFT:ThinFilmTransistor等の素子や配線いずれも図示せずが形成されている。入射側偏光板141Aおよび出射側偏光板141Bはそれぞれ、入射光のうちの特定の偏光成分を選択的に透過させると共に他の偏光成分を吸収する機能を有する光学素子である。これらの入射側偏光板141Aおよび出射側141Bは、互いの透過軸偏光軸同士が直交するように配置されるクロスニコル配置か、あるいは、互いの透過軸偏光軸同士が平行となるように配置されるパラレルニコル配置。例えば、図3に示した例では、入射側偏光板141Aの偏光軸P21がX軸方向に沿って配置されていると共に、出射側偏光板141Bの偏光軸P22がY軸方向に沿って配置されており、クロスニコル配置となっている。画素電極142Aは、画素赤色画素10R,緑色画素10G,青色画素10Bごとに個別に形成された電極である。一方、共通電極142Bは、各画素に共通となるように基板140B上に一様に形成された電極である。液晶層143は、基板140A,140B間画素電極142A,共通電極142B間に挿設封入されており、各種の液晶材料を用いて構成することが可能である。ここで本実施の形態では、例えば図4に示したように、入射側偏光板141Aおよび導光板122等が、Y軸方向を長軸方向とすると共にX軸方向を短軸方向とする矩形状となっている。また、この矩形状の導光板122の側面側にそれぞれ、複数のレーザ光源11が並んで配置されている。そして、以下詳述するように、各レーザ光源11から出射されるレーザ光L0における偏光方向と、入射側偏光板141Aにおける偏光軸透過軸とが、互いに略一致望ましくは一致するように配置されている。具体的には、図5Aに示した例では、短軸方向であるX軸方向に沿って配置された複数のレーザ光源11xから出射されるレーザ光L0における偏光方向P32xがそれぞれ、X軸方向となっている。また、長軸方向であるY軸方向に沿って配置された複数のレーザ光源11yから出射されるレーザ光L0における偏光方向P32yがそれぞれ、Z軸方向となっている。そして、入射側偏光板141Aにおける偏光軸透過軸P31の方向が、X軸方向およびZ軸方向となっている。一方、図5Bに示した例では、短軸方向であるX軸方向に沿って配置された複数のレーザ光源11xから出射されるレーザ光L0における偏光方向P32xがそれぞれ、Z軸方向となっている。また、長軸方向であるY軸方向に沿って配置された複数のレーザ光源11yから出射されるレーザ光L0における偏光方向P32yがそれぞれ、Y軸方向となっている。そして、入射側偏光板141Aにおける偏光軸透過軸P31の方向が、Y軸方向およびZ軸方向となっている。駆動部16駆動部16は、光変調素子14の動作光変調動作を制御する光変調素子14を駆動するものである。具体的には、光変調素子14が例えば前述した構成の液晶素子からなる場合には、画素単位の映像信号に基づいて各画素電極142Aと共通電極142Bとの間に電圧を印加することにより、各画素での光変調動作を制御する。これにより、液晶素子からなる光変調素子14において、画素赤色画素10R,緑色画素10G,青色画素10B単位で光変調動作がなされるようになっている。発光層15発光層15は、例えばポリスチレン等の樹脂材料などに量子ドットを含んで構成されており、光変調素子14から出射されたレーザ光励起光L0に基づいて、画素赤色画素10R,緑色画素10G,青色画素10B単位で各色の発光光表示光を出射する層である。この発光層15は、ここでは、赤色画素10Rに配設された赤色発光層15Rと、緑色画素10Gに配設された緑色発光層15Gと、青色画素10Bに配設された青色発光層15Bとからなる。換言すると、発光層15が、赤色画素10R,緑色画素10G,青色画素10B単位で色分けされた複数色の発光層赤色発光層15R,緑色発光層15G,青色発光層15Bからなる。そして、これらの複数色の発光層における量子ドットでは、励起光L0に基づいて互いに異なる波長色の発光光赤色発光光,緑色発光光,青色発光光を生成するようになっている。このような量子ドットの材料としては、例えば、CdSe,CdS,ZnS:Mn,InN,InP,CuCl,CuBr,Siなどが挙げられ、それらの量子ドットの粒径一辺方向のサイズは、例えば2~20nm程度である。また、上記の量子ドットの材料のうち、赤色発光材料としては例えばInP等が挙げられ、緑色発光材料としては例えばCdSe等が挙げられ、青色発光材料としては例えばCdS等が挙げられる。このような発光層15では、例えば図6A~Cに示したように、量子ドットにおけるサイズ粒径Rや材料の組成を変化させることで、発光波長光子エネルギーに対応も変化するようになっている。これにより、赤色発光層15R、緑色発光層15Gおよび青色発光層15Bにおいて、異なる波長色の発光光赤色発光光,緑色発光光,青色発光光を得ることが可能となっている。ここで、本実施の形態では、発光層15赤色発光層15R、緑色発光層15Gおよび青色発光層15Bに含まれる量子ドットが、励起光レーザ光L0に基づいてその励起光L0よりも長波長側の発光光を生成するようになっている。換言すると、量子ドットにおいて、相対的に短波長側の励起光L0から、相対的に長波長側の発光光への波長変換を行う。これにより、詳細は後述するが、簡易な構成で励起光L0から発光光への波長変換がなされるようになっている。[表示装置1の製造方法]この表示装置1は、例えば次のようにして製造することができる。すなわち、まず、画素単位で励起光レーザ光L0を出射する光源部を、レーザ光源11、反射板121、導光板122、拡散板123および光変調素子14を用いて形成する。具体的には、例えば図2に示したDH構造からなる半導体レーザを、例えばフォトリソグラフィー技術を用いて形成することにより、レーザ光源11を製造する。また、前述した構成の反射板121、導光板122および拡散板123を、この順で互いに貼り合わせることにより、光源部内の光学部材を形成する。そして、この光学部材導光板122の側面側にレーザ光源11を配置すると共に、拡散板123上に光変調素子14を貼り合わせることにより、上記した光源部が製造される。ここで、光変調素子14が、例えば図3に示した構成の液晶素子からなる場合には、この光変調素子14は、例えば以下のようにして形成する。すなわち、まず、ガラス基板等を用いて、TFT基板としての基板140Aと、基板140Bとをそれぞれ形成する。そののち、基板140Aの一方の面上に画素電極142Aを、他方の面上に入射側偏光板141Aをそれぞれ形成すると共に、基板140Bの一方の面上に共通電極142Bを、他方の面上に出射側偏光板141Bをそれぞれ形成する。そして、これらの基板140A,140Bを、画素電極142Aおよび共通電極142Bが互いに向かい合うようにして配置し、基板140A,140B間に液晶を注入することにより、液晶層143を形成する。これにより、図3に示した液晶素子からなる光変調素子14が形成される。次いで、光変調素子14上に発光層15を、量子ドットを用いて形成する。具体的には、前述した量子ドットの材料およびサイズ粒径を制御しつつ、この量子ドットを前述した樹脂材料等に混ぜて、画素赤色画素10R,緑色画素10G,青色画素10Bごとに塗り分けて塗布する。この際、前述したように量子ドットでは、励起光L0に基づいてその励起光L0よりも長波長側の発光光が生成されるように形成する。これにより、光変調素子14上に発光層15赤色発光層15R、緑色発光層15Gおよび青色発光層15Bが形成される。以上により、図1に示した表示装置1が完成する。[表示装置1の作用効果]1.基本動作この表示装置1では、例えば図7に示したように、光源部レーザ光源11、反射板121、導光板122、拡散板123および光変調素子14から、画素赤色画素10R,緑色画素10G,青色画素10B単位で励起光としてのレーザ光L0が出射される。そして、この励起光L0に基づいて、量子ドットを含む発光層15から、画素単位で表示光としての発光光L1赤色発光光L1r,緑色発光光L1g,青色発光光L1bが出射される。具体的には、レーザ光源11から出射されたレーザ光励起光L0は、導光板122、反射板121および拡散板123を介して、光変調素子14へ入射する。この光変調素子14では、画素単位でレーザ光L0が変調されたのち、発光部15側へレーザ光L0が出射される。これにより、発光層15側へ出射される励起光L0の輝度が、画素単位で制御される。例えば、図7に示した例では、赤色画素10Rおよび緑色画素10Gではそれぞれ、光変調素子14から変調された励起光L0が赤色発光層15Rおよび緑色発光層15Gへと出射され、赤色発光光L1rおよび緑色発光光L1gが出射されている。一方、青色画素15Bでは、光変調素子14から変調された励起光L0が青色発光層15Bへと出射されず、その結果、青色発光光L1bが出射されないようになっている。以上のようにして、表示装置1において映像表示がなされる。このような、レーザ光励起光L0と量子ドットを含む発光層15とを用いた表示装置1では、従来の一般的な液晶表示装置と比べ、例えば以下の利点を有している。すなわち、まず、導光板122への励起光L0の入射時においてレーザ光L0の指向性に起因してカップリング効率が高いことや、カラーフィルタが不要であること等から、光学的なロスが少なく、表示輝度が向上すると共に低消費電力化も図られる。また、自発光型の表示装置であることから、視野角特性が向上する視野角依存性が低減する。更に、レーザ光L0の短パルス駆動が可能であることや、量子ドットの蛍光寿命が短いこと等から、ns~μsオーダーでの高速動作が可能となる。加えて、このような高速動作が可能であることから動画特性に優れ、例えば時間分割方式の3D3次元ディスプレイに適用した場合であっても、優れた動画特性を示すことが可能となる。また、レーザ光源L0を励起光として用いていることから、発光光L1赤色発光光L1r,緑色発光光L1g,青色発光光L1bにおけるスペクトルのピーク半値幅が狭くなり、その結果、広色域表示を行うことが可能となる色再現性が広い表示装置を得ることが可能となる。2.特徴的部分の作用ここで本実施の形態では、上記のような表示動作の際に、発光層15に含まれる量子ドットにおいて、励起光L0に基づいてその励起光L0よりも長波長側の発光光L1が生成される。具体的には、赤色発光層15Rに含まれる量子ドットでは、相対的に短波長側の励起光L0に基づいて、相対的に長波長側の赤色発光光L1rが生成される励起光L0から赤色発光光L1rへの波長変換が行われる。また、緑色発光層15Gに含まれる量子ドットでは、相対的に短波長側の励起光L0に基づいて、相対的に長波長側の緑色発光光L1gが生成される励起光L0から緑色発光光L1gへの波長変換が行われる。更に、青色発光層15Bに含まれる量子ドットでは、相対的に短波長側の励起光L0に基づいて、相対的に長波長側の青色発光光L1bが生成される励起光L0から青色発光光L1bへの波長変換が行われる。これにより本実施の形態では、例えば、逆に長波長側の励起光から短波長側の発光光への波長変換を行う場合例えば、SHGSecondHarmonicGeneration;第2高調波発生を用いて波長変換を行う場合等と比べ、簡易な構成で励起光L0から発光光L1への波長変換がなされる。ここで、このような量子ドットにおける発光光L1の生成動作励起光L0から発光光L1への波長変換動作の詳細を説明する前に、量子ドットに関する電子エネルギーの遷移の原理について説明する。まず、量子ドットのような極めて小さな範囲に閉じ込められた一次元の領域での自由電子の運動については、ポテンシャルエネルギーU=0であることから、シュレディンガー方程式は、以下の1式のようになる。Eψ=-h2/8π2m∇2ψ......1ここで、この方程式を満たす波動関数および電子エネルギーはそれぞれ、以下の2式および3式のようにして表わされる。波動関数:ψ=Asinnπx/Ln:1以上の整数......2電子エネルギー:En=nh2/8mL2n:1以上の整数......3A:定常波の振幅の定数、L:量子ドットの大きさサイズ、n:主量子数、x:電子の位置0<x<L、h:プランク定数、m:電子の有効質量ここで、上記したように、nは主量子数であり、0ではない1以上の整数であることからこのような電子のエネルギーは、以下の性質を持つ。A電子エネルギーは閉じ込められた領域の大きさで決まり、大きさの2乗に反比例するB電子エネルギーは連続的な変化せず、主量子数に従って離散的に変化する量子ドットに閉じ込められた電子エネルギーの変化遷移では、上記Aにより、決まったサイズの量子ドットを作製することができれば、量子ドットの中の電子エネルギーの大きさが決まる。また、上記Bにより、量子ドットの電子エネルギーが離散的に変化することから、光の吸収エネルギーも離散的になる。これを前提として、本実施の形態の発光層15内の量子ドットでは、具体的には例えば図8A~Cの過程を経ることにより、発光光L1の生成動作励起光L0から発光光L1への波長変換動作がなされる。すなわち、まず、図8Aに示した励起過程では、励起光L0のエネルギーを得ることにより、価電子帯に位置する電子eが、伝導帯のうちの主量子数n≧2の量子準位ここでは一例として、n=3の量子順位に励起される。なお、このとき、元の価電子帯の量子順位には、ホール正孔hが位置することになる。次いで、図8Bに示した緩和過程では、励起過程においてn≧2の量子準位ここではn=3の量子順位に励起された電子eが、基底状態であるn=1の量子準位に緩和される。そして、図8Cに示した再結合過程では、n=1の量子準位と価電子帯の量子準位とのエネルギー差に対応する波長励起光L0よりも長波長側の波長を有する発光光L1L1r,L1g,L1bが出射される。このとき、励起過程におけるn≧2の量子準位と価電子帯の量子準位とのエネルギー差が、励起光L0のエネルギーと略等しく例えば、±10nmの波長範囲内なっている望ましくは、等しくなっていることが好ましい。これにより、量子ドットを含む発光層15において、特に励起光L0の吸収率が高くなり、薄膜でも高い発光輝度が得られるからである。このことから、励起光L0としては、本実施の形態のように、波長範囲が非常に狭いレーザ光を用いるのが望ましいと言える。ここで、図9A~Cに示した実施例では、青色発光層15B内の量子ドットとして、粒径サイズR=6.0nmのCdS図9Aを用い、緑色発光層15G内の量子ドットとして、粒径R=4.3nmのCdSe図9Bを用い、赤色発光層15R内の量子ドットとして、粒径R=4.8nmのInP図9Cを用いている。なお、ここでは量子ドットの粒径Rにばらつきがない場合を想定しているため、各量子ドットにおける吸収スペクトルが線スペクトルとなっている。この実施例では、主量子数n=2において、図9A~Cのいずれにおいても、波長λ=420nm青紫色の波長領域となっている。一方、主量子数n=1において、図9Aでは波長λ=461nm青色光の波長領域、図9Bでは波長λ=571nm緑色光の波長領域、図9Cでは波長λ=641nm赤色光の波長領域となっている。これらのことから、この実施例では、波長λ=420nmの励起光L0に基づいて、赤色発光層15R内の量子ドットにおいて、波長λ=641nmの赤色発光光L1rが生成される。また、波長λ=420nmの励起光L0に基づいて、緑色発光層15G内の量子ドットにおいて、波長λ=571nmの緑色発光光L1gが生成される。更に、波長λ=420nmの励起光L0に基づいて、青色発光層15B内の量子ドットにおいて、波長λ=461nmの青色発光光L1bが生成される。すなわち、単一波長の励起光L0に基づいて、発光層15において画素ごとに、赤色発光光L1r,緑色発光光L1g,青色発光光L1bがそれぞれ効率良く生成されることを意味している。その結果、この実施例では例えば図10Aに示したように、赤色発光光L1r,緑色発光光L1g,青色発光光L1bのスペクトルがそれぞれ、発光強度輝度が高くかつ半値幅が狭いものとなる。具体的には、図10Bに示した比較例青色光を用いて黄色Ye蛍光体を励起させることを利用して白色光を得る白色LEDLightEmittingDiodeと、カラーフィルタとを用いた液晶表示装置の例と比べ、約2.5倍の積分強度を得ることが可能となっている。このようにして発光スペクトルの半値幅が狭くなることで、鮮やかな色表現が可能になると共に、R,G,Bの三原色で表現できる色域が広がり、結果として色再現性が良くなる。なお、これに対して図10Bに示した比較例では、上記した構成の白色LEDにおいて、例えば元々の青色光のうちの約15程度がロス損失する一方、残りの約85の青色光が黄色蛍光体に吸収され、この黄色蛍光体の量子効率=70で黄色光が生成されるものとする。すると、このときの白色LEDの分光スペクトルと、各色のカラーフィルタを透過して得られるR,G,Bの各色光の分光スペクトルは、上記実施例と比べ、輝度が非常に低く、かつ半値幅が非常に広いものとなっている。また、このとき白色LEDにおける青色LEDの分光の積分強度に比べ、各分光スペクトルでは顕著な光学ロスが発生していることが分かる。以上のように本実施の形態では、発光層15赤色発光層15R、緑色発光層15Gおよび青色発光層15Bに含まれる各量子ドットにおいて、励起光L0に基づいてその励起光L0よりも長波長側の発光光L1L1r,L1g,L1bを生成する。これにより、簡易な構成で励起光L0から発光光L1への波長変換を行うことができ、光の利用効率を向上し易くすることが可能となる。また、レーザ光源11から出射されるレーザ光L0における偏光方向と、入射側偏光板141Aにおける偏光軸透過軸とが、互いに略一致するようにしたので、入射側偏光板141Aにおける光透過率を高くし、光学ロスを低減することができる。その結果、その後に励起光L0が入射する発光層15内の量子ドットにおいて、効率良く発光光L1を生成することができ、表示装置1における高輝度化および低消費電力化を図ることが可能となる。<適用例>次に、図11~図15を参照して、上記実施の形態に係る表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態に係る表示装置は、テレビジョン装置,デジタルカメラ,ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、この表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。適用例1図11は、上記表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル511およびフィルターガラス512を含む映像表示画面部510を有しており、この映像表示画面部510が上記表示装置により構成されている。適用例2図12は、上記表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部521、表示部522、メニュースイッチ523およびシャッターボタン524を有しており、その表示部522が上記表示装置により構成されている。適用例3図13は、上記表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体531,文字等の入力操作のためのキーボード532および画像を表示する表示部533を有しており、その表示部533が上記表示装置により構成されている。適用例4図14は、上記表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部541,この本体部541の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ542,撮影時のスタート/ストップスイッチ543および表示部544を有している。そして、その表示部544が上記表示装置により構成されている。適用例5図15は、上記表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体710と下側筐体720とを連結部ヒンジ部730で連結したものであり、ディスプレイ740,サブディスプレイ750,ピクチャーライト760およびカメラ770を有している。そのディスプレイ740またはサブディスプレイ750が、上記表示装置により構成されている。<変形例>以上、実施の形態および適用例を挙げて本開示の技術を説明したが、本技術はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、発光層が、画素単位で色分けされた複数色の発光層からなり、これら複数色の発光層において、量子ドットが励起光に基づいて互いに異なる波長の発光光を生成する場合について説明したが、これには限られない。すなわち、本技術は、発光層が単一色の発光層からなる場合にも適用することが可能である。また、上記実施の形態等では、画素単位で励起光を発する光源部が、レーザ光源半導体レーザ等と光変調素子液晶素子等とを用いて構成されている場合について説明したが、光源部の構成はこれには限られず、他の構成であってもよい。すなわち、例えば、レーザ光源としては半導体レーザには限られず、他のレーザ光源を用いるようにしてもよい。具体的には、例えば、Arガスレーザ発振波長=457nmを用いてもよい。また、半導体レーザやガスレーザから射出されたレーザ光を、SHGを用いて波長変換することで短波長化し、励起光として用いるようにしてもよい。この場合、例えば、AlGaAs系の半導体レーザ発振波長=840nmを用い、SHGとしてLiNbO3材料を用いることで、420nmの波長からなる励起光を得ることができる。また、励起光を発する光源であれば、レーザ光源でなくてもよい。ただし、半値幅が狭く指向性が強い励起光を発するレーザ光源を用いたほうが、量子ドットにおいて吸収波長が狭い波長範囲で強く吸収されると共に、導光板へのカップリング効率も高くなること等から、望ましいと言える。更に、液晶素子からなる光変調素子の構成は、上記実施の形態で挙げたものには限られず、他の構成であってもよい。例えば、入射側偏光板141Aについては必ずしも存在しなくてもよく、出射側偏光板141Bだけを用いるようにしてもよい。これは、例えばレーザ光を励起光として用いた場合には、レーザ光における強い偏光性に起因して、入射側偏光板を無くしても光学的なロスをある程度低く抑えることが可能であるためである。なお、光変調素子としても、液晶素子以外の他の光変調素子であってもよい。なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。1画素単位で励起光を出射する光源部と、量子ドットを含んで構成され、前記画素単位で発光光を出射する発光層とを備え、前記量子ドットは、前記励起光に基づいてその励起光よりも長波長側の発光光を生成する表示装置。2前記量子ドットでは、励起過程において、前記励起光のエネルギーを得ることにより、価電子帯に位置する電子が、伝導帯のうちの主量子数n≧2の量子準位に励起され、緩和過程において、前記n≧2の量子準位に励起された電子が、n=1の量子準位に緩和され、再結合過程において、前記n=1の量子準位と前記価電子帯の量子準位とのエネルギー差に対応する波長を有する、前記長波長側の発光光が出射される上記1に記載の表示装置。3前記n≧2の量子準位と前記価電子帯の量子準位とのエネルギー差が、前記励起光のエネルギーと略等しい上記2に記載の表示装置。4前記光源部は、前記励起光としてのレーザ光を発するレーザ光源と、前記レーザ光を前記画素単位で変調する光変調素子とを有する上記1ないし3のいずれかに記載の表示装置。5前記光変調素子が液晶素子であり、前記液晶素子は、互いに対向する一対の基板と、前記一対の基板間に封入された液晶層と、前記一対の基板のうちの前記レーザ光原側の基板上に配設された入射側偏光板と、前記一対の基板のうちの前記発光層側の基板上に配設された出射側偏光板とを有する上記4に記載の表示装置。6前記レーザ光における偏光方向と、前記入射側偏光板における偏光軸とが、互いに略一致している上記5に記載の表示装置。7前記レーザ光原が半導体レーザである上記4ないし6のいずれかに記載の表示装置。8前記発光層が、前記画素単位で色分けされた複数色の発光層からなり、前記複数色の発光層では、前記量子ドットが前記励起光に基づいて互いに異なる波長の発光光を生成する上記1ないし7のいずれかに記載の表示装置。9表示装置を備え、前記表示装置は、画素単位で励起光を出射する光源部と、量子ドットを含んで構成され、前記画素単位で発光光を出射する発光層とを有し、前記量子ドットは、前記励起光に基づいてその励起光よりも長波長側の発光光を生成する電子機器。10画素単位で励起光を出射する光源部を形成する工程と、前記画素単位で発光光を出射する発光層を、量子ドットを用いて形成する工程とを含み、前記量子ドットでは、前記励起光に基づいてその励起光よりも長波長側の発光光を生成するようにする表示装置の製造方法。"