"第1導電層と第2導電層の間に絶縁層が積層された積層構造を有する変位センサであって、基板と、基板に対して積層方向を含む少なくとも2軸方向に変位可能に支持された可動質量体と、第1導電層に形成されており、基板に対して位置を固定されている第1固定電極と、第1導電層に形成されており、可動質量体に対して位置を固定されており、第1固定電極に対して積層方向に直交する方向に対向して配置されている第1可動電極と、第1導電層および第2導電層の一方に形成されており、基板に対して位置を固定されている第2固定電極と、第1導電層および第2導電層の他方に形成されており、可動質量体に対して位置を固定されており、第2固定電極に対して積層方向に対向して配置されている第2可動電極を備えており、第1導電層において絶縁層から遠い側を外側とし、絶縁層に近い側を内側としたときに、第1固定電極および第1可動電極の一方の外側端部が、第1固定電極および第1可動電極の他方の外側端部よりも内側にあり、第1固定電極および第1可動電極の前記一方の内側端部が、第1固定電極および第1可動電極の前記他方の内側端部よりも外側にあるように、第1固定電極と第1可動電極が形成されている変位センサ。第1導電層において絶縁層から遠い側を外側とし、絶縁層に近い側を内側としたときに、第1可動電極の外側端部が第1固定電極の外側端部よりも内側にあり、第1可動電極の内側端部が第1固定電極の内側端部よりも外側にあるように、第1固定電極と第1可動電極が形成されている、請求項1の変位センサ。第1導電層において絶縁層から遠い側を外側とし、絶縁層に近い側を内側としたときに、第1可動電極の内側端部および第1固定電極の内側端部のいずれも、第1導電層に形成されている第2固定電極または第2可動電極の内側端部よりも外側にあるように、第1固定電極と第1可動電極が形成されている、請求項1または2の変位センサ。請求項1の変位センサを製造する方法であって、第1導電層を備える第1ウェハを準備する工程と、第1導電層の表面に第1溝部を形成する工程と、第1導電層の第1溝部に絶縁層を形成する工程と、第1導電層を貫通する貫通孔を形成する工程と、第1導電層の貫通孔に、第1導電層とは異なる材料を含む貫通マークを形成する工程と、第2導電層を備える第2ウェハを準備する工程と、第2導電層の表面に絶縁層を形成する工程と、第1導電層の第1溝部に形成された絶縁層と第2導電層の表面に形成された絶縁層が当接するように、第1ウェハと第2ウェハを接合して第3ウェハを形成する工程と、第3ウェハの前記貫通マークが露出している表面に、前記貫通マークの位置を基準として利用し、第1溝部に対応する位置に第2溝部を形成する工程と、第3ウェハの第1導電層を異方性エッチングにより選択的に除去する工程と、第3ウェハの絶縁層を等方性エッチングにより選択的に除去する工程を備える方法。請求項1の変位センサを製造するために用いられる、第1導電層と第2導電層の間に絶縁層が積層された積層構造を有する半導体ウェハであって、第1導電層の絶縁層と対向する面に溝部が形成されており、第1導電層を貫通して絶縁層に達する貫通孔が形成されており、第1導電層の溝部に絶縁層が形成されており、貫通孔に第1導電層とは異なる材料を含む貫通マークが形成されている半導体ウェハ。前記溝部に絶縁膜で覆われた空洞部が形成されている請求項5の半導体ウェハ。上記のような変位センサでは、可動質量体が基板に対して積層方向に相対変位したときに、それに追従して第1可動電極も第1固定電極に対して積層方向に相対変位する。この際に、第1固定電極と第1可動電極の対向面積が変化して、第1固定電極と第1可動電極を用いた変位量の検出値に影響を及ぼしてしまうことがある。第1固定電極と第1可動電極は、可動質量体の基板に対する、積層方向に直交する方向の変位量を検出するためのものであり、可動質量体の積層方向の変位の影響を受けてしまうと、正確な変位量を検出することができなくなってしまう。2軸方向の変位をそれぞれ検出可能な変位センサにおいて、積層方向の変位の影響を受けることなく、積層方向に直交する方向の変位量を正確に検出することが可能な技術が期待されている。本明細書は、上記の課題を解決する技術を提供する。本明細書では、2軸方向の変位をそれぞれ検出可能な変位センサにおいて、積層方向の変位の影響を受けることなく、積層方向に直交する方向の変位量を正確に検出することが可能な技術を開示する。本明細書は、第1導電層と第2導電層の間に絶縁層が積層された積層構造を有する変位センサを開示する。その変位センサは、基板と、基板に対して積層方向を含む少なくとも2軸方向に変位可能に支持された可動質量体と、第1導電層に形成されており、基板に対して位置を固定されている第1固定電極と、第1導電層に形成されており、可動質量体に対して位置を固定されており、第1固定電極に対して積層方向に直交する方向に対向して配置されている第1可動電極と、第1導電層および第2導電層の一方に形成されており、基板に対して位置を固定されている第2固定電極と、第1導電層および第2導電層の他方に形成されており、可動質量体に対して位置を固定されており、第2固定電極に対して積層方向に対向して配置されている第2可動電極を備えている。その変位センサは、第1導電層において絶縁層から遠い側を外側とし、絶縁層に近い側を内側としたときに、第1固定電極および第1可動電極の一方の外側端部が、第1固定電極および第1可動電極の他方の外側端部よりも内側にあり、第1固定電極および第1可動電極の前記一方の内側端部が、第1固定電極および第1可動電極の前記他方の内側端部よりも外側にあるように、第1固定電極と第1可動電極が形成されている。この変位センサでは、第1固定電極と第1可動電極の間の静電容量の変化を検出することにより、積層方向に直交する方向での可動質量体の変位量を検出することができる。また、第2固定電極と第2可動電極の間の静電容量の変化を検出することで、積層方向での可動質量体の変位量を検出することができる。この変位センサでは、第1固定電極および第1可動電極の一方の外側端部が、第1固定電極および第1可動電極の他方の外側端部よりも内側にあり、第1固定電極および第1可動電極の前記一方の内側端部が、第1固定電極および第1可動電極の前記他方の内側端部よりも外側にあるように、第1固定電極と第1可動電極が形成されている。従って、可動質量体が基板に対して積層方向に相対変位した場合でも、第1固定電極と第1可動電極の対向面積が変化しない。第1固定電極と第1可動電極を用いた可動質量体の変位量の検出において、可動質量体の他軸方向への変位の影響を排除することができる。上記の変位センサは、第1導電層において絶縁層から遠い側を外側とし、絶縁層に近い側を内側としたときに、第1可動電極の外側端部が第1固定電極の外側端部よりも内側にあり、第1可動電極の内側端部が第1固定電極の内側端部よりも外側にあるように、第1固定電極と第1可動電極が形成されていることが好ましい。上記の変位センサでは、第1可動電極の内側端部が第1固定電極の内側端部よりも絶縁層から離されている。このような構成とすることによって、第1可動電極と第2導電層に形成された部材の間の距離を確保し、両者の間の寄生容量を小さく抑えることができる。第1可動電極と第1固定電極の間の静電容量の変化を検出する際に、第1可動電極と第2導電層に形成された部材の間の寄生容量の影響を抑制することができる。上記の変位センサは、第1導電層において絶縁層から遠い側を外側とし、絶縁層に近い側を内側としたときに、第1可動電極の内側端部および第1固定電極の内側端部のいずれも、第1導電層に形成されている第2固定電極または第2可動電極の内側端部よりも外側にあるように、第1固定電極と第1可動電極が形成されていることが好ましい。上記の変位センサでは、第2固定電極と第2可動電極の間の距離を離してしまうことなく、第1固定電極と第1可動電極のいずれについても、第2導電層に形成された部材との間の距離を確保することができる。このような構成とすることによって、第1固定電極と第2導電層に形成された部材との間の寄生容量、および第1可動電極と第2導電層に形成された部材との間の寄生容量を小さく抑えることができる。第1可動電極と第1固定電極の間の静電容量の変化を検出する際に、これらの寄生容量が及ぼす影響を抑制することができる。上記の変位センサは、以下の方法によって製造することができる。その方法は、第1導電層を備える第1ウェハを準備する工程と、第1導電層の表面に第1溝部を形成する工程と、第1導電層の第1溝部に絶縁層を形成する工程と、第1導電層を貫通する貫通孔を形成する工程と、第1導電層の貫通孔に第1導電層とは異なる材料を含む貫通マークを形成する工程と、第2導電層を備える第2ウェハを準備する工程と、第2導電層の表面に絶縁層を形成する工程と、第1導電層の第1溝部に形成された絶縁層と第2導電層の表面に形成された絶縁層が当接するように第1ウェハと第2ウェハを接合して第3ウェハを形成する工程と、第3ウェハの前記貫通マークが露出している表面に前記貫通マークの位置を基準として利用し第1溝部に対応する位置に第2溝部を形成する工程と、第3ウェハの第1導電層を異方性エッチングにより選択的に除去する工程と、第3ウェハの絶縁層を等方性エッチングにより選択的に除去する工程を備えている。上記の変位センサは、第1導電層と第2導電層の間に絶縁層が積層された積層構造を有する、以下のような半導体ウェハから製造することができる。その半導体ウェハは、第1導電層の絶縁層と対向する面に溝部が形成されており、第1導電層を貫通して絶縁層に達する貫通孔が形成されており、第1導電層の溝部に絶縁層が形成されており、貫通孔に第1導電層とは異なる材料を含む貫通マークが形成されている。上記の半導体ウェハは、溝部に絶縁膜で覆われた空洞部が形成されているように構成することができる。本明細書の技術によれば、2軸方向の変位をそれぞれ検出可能な変位センサにおいて、積層方向の変位の影響を受けることなく、積層方向に直交する方向の変位量を正確に検出することができる。好ましい実施例の特徴を最初に列記する。特徴1第1導電層は不純物を添加した単結晶シリコンであり、絶縁層は酸化シリコンであり、第2導電層は不純物を添加した単結晶シリコンである。実施例1以下では図1-図4を参照しながら、実施例1に係る加速度センサ2の構造について説明する。図2、図3に示すように、加速度センサ2は、導電体からなる第1層10と、絶縁体からなる第2層20と、導電体からなる第3層30の積層構造を有している。具体的には、本実施例の加速度センサ2では、第1層10は不純物を添加した単結晶シリコンからなり、第2層20は酸化シリコンからなり、第3層30は不純物を添加した単結晶シリコンからなる、いわゆるSOISilicononInsulator構造を有している。図1-図3に示すように、加速度センサ2は、支持基板100と、プルーフマス102と、支持梁104と、枠状支持部106を備えている。支持基板100は第1層10に形成されている。プルーフマス102、支持梁104、枠状支持部106は第3層30に形成されている。枠状支持部106は、第2層20に形成された絶縁支持部108を介して、支持基板100に対して固定されている。支持梁104はX方向図1の左右方向に沿って伸びており、枠状支持部106とプルーフマス102の間を連結している。プルーフマス102は、矩形の平板形状に形成されている。図2および図3に示すように、プルーフマス102は、支持基板100から間隙を隔てて、支持基板100に対して略平行となるように、支持梁104によって支持されている。支持梁104は、Y方向図1の上下方向およびZ方向図1の紙面垂直方向についての曲げ剛性およびせん断剛性が低くなるように、細長い形状に形成されている。従って、例えばプルーフマス102にY方向の慣性力が作用すると、支持梁104がY方向に撓んで、プルーフマス102は支持基板100に対してY方向に相対変位する。また、プルーフマス102にZ方向の慣性力が作用すると、支持梁104がZ方向に撓んで、プルーフマス102は支持基板100に対してZ方向に相対変位する。このときの支持梁104の撓み量は、プルーフマス102に作用する慣性力の大きさに応じたものとなる。言い換えると、支持基板100に対するプルーフマス102の相対変位量は、プルーフマス102に作用する加速度の大きさに応じたものとなる。従って、支持基板100に対するプルーフマス102の変位量を検出することで、加速度センサ2に作用している加速度を検出することができる。加速度センサ2は、Y方向変位検出部110と、Z方向変位検出部111を備えている。図1および図2に示すように、Y方向変位検出部110は、固定電極支持部112と、固定電極支持部112から伸びる櫛歯状の固定電極114と、プルーフマス102から伸びる櫛歯状の可動電極116を備えている。固定電極支持部112、固定電極114および可動電極116は、第3層30に形成されている。固定電極支持部112は、第2層20に形成された絶縁支持部113を介して、支持基板100に対して固定されている。固定電極114と可動電極116は、Y方向に関して互いに対向するように配置されている。固定電極114と可動電極116の間には、両者の対向面積と距離に応じた静電容量が構成される。固定電極114に対して可動電極116がY方向に変位すると、固定電極114と可動電極116の間のY方向の距離が変化し、それに応じて固定電極114と可動電極116の間の静電容量の大きさが変化する。この静電容量の変化を検出することで、プルーフマス102の支持基板100に対するY方向の変位量を検出することができる。なお、本実施例の加速度センサ2では、プルーフマス102に対して一方側例えば図1の上側に配置されたY方向変位検出部110と、他方側例えば図1の下側に配置されたY方向変位検出部110の出力を組み合わせて用いることで、製造公差等に起因する容量誤差を補正することができる。図2および図3に示すように、Z方向変位検出部111は、固定電極としての役割を果たす支持基板100と、可動電極としての役割を果たすプルーフマス102から構成されている。支持基板100とプルーフマス102の間には、両者の対向面積と距離に応じた静電容量が構成される。支持基板100に対してプルーフマス102がZ方向に変位すると、支持基板100とプルーフマス102の間の静電容量の大きさが変化する。この静電容量の変化を検出することで、プルーフマス102の支持基板100に対するZ方向の変位量を検出することができる。後述するように、本実施例の加速度センサ2では、プルーフマス102と、支持梁104と、枠状支持部106と、可動電極116が、第3層30の単結晶シリコンをトリミングすることで、継ぎ目無く一体的に形成されている。従って、プルーフマス102と、支持梁104と、枠状支持部106と、可動電極116は、互いに同電位に保たれている。加速度センサ2は、枠状支持部106の電位Z方向変位検出部111の可動電極であるプルーフマス102の電位でもあり、Y方向変位検出部110の可動電極116の電位でもあるを検出する第1表面電極118と、支持基板100の電位すなわち、Z方向変位検出部111の固定電極の電位を検出する第2表面電極120と、Y方向変位検出部110の固定電極支持部112の電位すなわち、Y方向変位検出部110の固定電極114の電位を検出する第3表面電極122を備えている。これらの表面電極からの出力に基づいて、図示しない演算回路で演算処理を行うことで、加速度センサ2に作用するY方向およびZ方向の加速度をそれぞれ検出することができる。図2に示すように、本実施例の加速度センサ2では、可動電極116の上端が固定電極114の上端よりも低く、かつ可動電極116の下端が固定電極114の下端よりも高くなるように、Y方向変位検出部110が形成されている。従って、Z方向に関して、プルーフマス102が支持基板100に近づく方向に相対変位した場合でも、図4のAに示すように、可動電極116と固定電極114の対向面積が変化しない。また、Z方向に関して、プルーフマス102が支持基板100から遠ざかる方向に相対変位した場合でも、図4のBに示すように、可動電極116と固定電極114の対向面積が変化しない。従って、Y方向変位検出部110での検出結果に対して、プルーフマス102のZ方向の変位が影響を及ぼすことを防止することができる。また、本実施例の加速度センサ2では、可動電極116の下端は固定電極114の下端よりも高くなるように形成されているため、図4のAに示すように、プルーフマス102が支持基板100に対して沈み込んだ場合でも、支持基板100と可動電極116の間の距離が確保されている。支持基板100と可動電極116の間の寄生容量が常に小さく抑えられており、この寄生容量が加速度センサ2の検出値に及ぼす影響を抑制することができる。なお、本実施例の加速度センサ2には、貫通マーク124が形成されている。貫通マーク124については、以下の加速度センサ2の製造方法の説明の中で詳述する。以下では図5-図13を参照しながら、本実施例の加速度センサ2の製造方法について説明する。図5-図13は、図1のA-A線断面、すなわち、図2の断面に相当する。まず、図5に示すように、不純物を添加した単結晶シリコンからなるシリコンウェハ202を用意した後、反応性イオンエッチングReactiveIonEtchingRIE法によって、シリコンウェハ202の表面に、広く浅い溝部204と、細く深い溝部206をそれぞれ形成する。次いで、図6に示すように、熱酸化処理によって、シリコンウェハ202の表面に酸化膜208を成膜する。この工程によって、広く浅い溝部204と、細く深い溝部206に、それぞれ酸化膜208が埋め込まれる。次いで、図7に示すように、シリコンウェハ202の表面の酸化膜208をエッチバック処理する。この工程によって、シリコンウェハ202の表面の平滑部および広く浅い溝部204に形成された酸化膜208が除去される。なお、この工程では、細く深い溝部206に埋め込まれた酸化膜208は、除去されることなく残留する。次いで、図8に示すように、熱酸化処理によって、シリコンウェハ202の表面に改めて酸化膜210を成膜する。この工程で成膜される酸化膜210は、図5で成膜される酸化膜208よりも薄く形成される。この工程によって、広く浅い溝部204には、その内壁面を覆うように酸化膜210が成膜される。次いで、図9に示すように、不純物を添加した単結晶シリコンからなるシリコンウェハ214を別個に用意し、表面に酸化膜212を成膜した後、シリコンウェハ202と接合する。この際に、シリコンウェハ202の表面広く浅い溝部204と、細く深い溝部206が形成されている側の面と、シリコンウェハ214の表面酸化膜212が形成されている側の面を合わせるように接合する。次いで、図10に示すように、シリコンウェハ202とシリコンウェハ214を接合したウェハの表面シリコンウェハ202の背面に相当するを研磨する。これによって、SOISilicononInsulatorウェハ216が得られる。SOIウェハ216は、不純物が添加された単結晶シリコンからなる第1層10と、酸化シリコンからなる第2層20と、不純物が添加された単結晶シリコンからなる第3層30の積層構造を有している。SOIウェハ216は、第3層30の第2層20に面する部分に、酸化膜210、212で覆われた空洞部218が形成されている。空洞部218は、広く浅い溝部204の内部に形成されている。また、SOIウェハ216は、第3層30を貫通する貫通マーク124が表面に露出している。貫通マーク124は、細く深い溝部206の内部に充填された酸化膜208から構成されている。SOIウェハ216の外部からは空洞部218の位置を直接的に計測することはできないが、SOIウェハ216を製造する際に、細く深い溝部206と広く浅い溝部204の位置関係を予め取得しておくことで、SOIウェハ216の表面に露出した貫通マーク124の位置から、空洞部218が形成されている位置を推定することができる。次いで、図11に示すように、RIE法によって、SOIウェハ216の表面に、広く浅い溝部222を形成する。広く浅い溝部222は、空洞部218の上方の位置に形成される。次いで、図12に示すように、RIE法によって、第3層30をトリミングする。これによって、第3層30に、プルーフマス102、支持梁104、枠状支持部106、固定電極支持部112、固定電極114、可動電極116が形成される。次いで、図13に示すように、犠牲層である第2層20を選択的にエッチングして除去する。これによって、第2層20から、絶縁支持部108および絶縁支持部113を除いて、酸化膜208、210、212が除去される。これによって、図1から図3に示す加速度センサ2が製造される。実施例1の他の製造方法以下では図14-図21を参照しながら、実施例1の加速度センサ2の他の製造方法について説明する。図14-図21は、図1のA-A線断面、すなわち、図2の断面に相当する。まず、図14に示すように、不純物を添加した単結晶シリコンからなるシリコンウェハ302を用意した後、反応性イオンエッチングReactiveIonEtchingRIE法によって、シリコンウェハ302の表面に、広く浅い溝部304を形成する。次いで、図15に示すように、熱酸化処理によって、シリコンウェハ302の表面に酸化膜306を成膜する。次いで、図16に示すように、酸化膜RIE法によって、酸化膜306に細い溝308を形成し、さらにシリコンディープRIE法によって、細い溝308の下方のシリコンウェハ302に、細く深い溝部310を形成する。次いで、図17に示すように、化学気相蒸着ChemicalVaporDepositionCVD法によって、酸化膜306の表面に、ポリシリコン312を蒸着させる。この工程によって、細く深い溝部310にポリシリコン312が埋め込まれる。次いで、図18に示すように、シリコンウェハ202の表面のポリシリコン312をエッチバック処理して除去し、さらに酸化膜306を除去する。この工程によって、シリコンウェハ302の表面からポリシリコン312と酸化膜306が除去される。なお、この工程では、広く浅い溝部304に形成された酸化膜306も除去されるが、細く深い溝部310に埋め込まれたポリシリコン312は、除去されることなく残留する。次いで、図19に示すように、CVD法によって、シリコンウェハ302の表面に改めて酸化膜314を成膜する。この工程によって、広く浅い溝部304に、酸化膜314が埋め込まれる。次いで、図20に示すように、化学機械研磨ChemicalMechanicalPolishingCMP法によって、シリコンウェハ302の表面の酸化膜314を除去する。なお、この工程では、広く浅い溝部304に埋め込まれた酸化膜314は、除去されることなく残留する。次いで、図21に示すように、不純物を添加した単結晶シリコンからなるシリコンウェハ318を別途用意し、表面に酸化膜316を成膜した後、シリコンウェハ302と接合する。この際に、シリコンウェハ302の表面広く浅い溝部304、細く深い溝部310が形成されている側の面と、シリコンウェハ318の表面酸化膜316が形成されている側の面を合わせるように接合する。次いで、図22に示すように、シリコンウェハ302とシリコンウェハ318を接合したウェハの表面シリコンウェハ302の背面に相当するを研磨する。これによって、SOISilicononInsulatorウェハ320が得られる。SOIウェハ320は、不純物を添加した単結晶シリコンからなる第1層10と、酸化シリコンからなる第2層20と、不純物を添加した単結晶シリコンからなる第3層30の積層構造を有している。SOIウェハ320は、第3層30の第2層20に面する部分に、酸化膜314が充填された充填部322が形成されている。充填部322は、広く浅い溝部304の内部に形成されている。また、SOIウェハ320は、第3層30を貫通する貫通マーク124が表面に露出している。貫通マーク124は、細く深い溝部310の内部に充填されたポリシリコン312から構成されている。SOIウェハ320の外部からは充填部322の位置を直接的に計測することはできないが、SOIウェハ320を製造する際に、細く深い溝部310と広く浅い溝部304の位置関係を予め取得しておくことで、SOIウェハ320の表面に露出した貫通マーク124の位置から、充填部322が形成されている位置を推定することができる。次いで、図23に示すように、RIE法によって、SOIウェハ320の表面に、広く浅い溝部326を形成する。広く浅い溝部326は、充填部322の上方の位置に形成される。次いで、図24に示すように、RIE法によって、第3層30をトリミングする。これによって、第3層30に、プルーフマス102、支持梁104、枠状支持部106、固定電極支持部112、固定電極114、可動電極116が形成される。次いで、図25に示すように、犠牲層である第2層20を選択的にエッチングして除去する。これによって、第2層20から、絶縁支持部108および絶縁支持部113を除いて、酸化膜314、316が除去される。これによって、図1から図3に示す加速度センサ2が製造される。実施例1の変形例図2に示すように、実施例1の加速度センサ2では、支持基板100と固定電極114の間の間隔は、支持基板100とプルーフマス102の間の間隔と同一としている。これとは異なり、図26に示すように、固定電極114と支持基板100の間の間隔を、プルーフマス102と支持基板100の間の間隔よりも大きく形成してもよい。このような加速度センサ4は、図5の工程で広く浅い溝部204を形成する際、あるいは図14の工程で広く浅い溝部304を形成する際に、固定電極114に対応する位置に、さらに深さの浅い溝部を形成しておいて、その溝部に空洞部218または充填部322を形成することで、製造することができる。加速度センサ4では、支持基板100と固定電極114の間の間隔、および支持基板100と可動電極116の間の間隔が、いずれもプルーフマス102と支持基板100の間の間隔よりも大きい。これにより、可動電極116と支持基板100の間の寄生容量と、固定電極114と支持基板100の間の寄生容量の双方を小さく抑えることができる。これらの寄生容量が加速度センサ2の検出値に及ぼす影響を抑制することができる。上記の実施例では、可動電極116の上端が固定電極114の上端よりも低く、可動電極116の下端が固定電極114の下端より高くなるように、Y方向変位検出部110を形成する場合について説明した。これとは異なり、固定電極114の上端が可動電極116の上端よりも低く、固定電極114の下端が可動電極116の下端よりも高くなるように、Y方向変位検出部110を形成してもよい。このような構成とした場合でも、Y方向変位検出部110での検出結果に対して、プルーフマス102のZ方向の変位が影響を及ぼすことを防止することができる。また、このような構成とした場合には、支持基板100と固定電極114の間の寄生容量を小さく抑えることができ、この寄生容量が加速度センサ2の検出値に及ぼす影響を抑制することができる。実施例2以下では図27-図29を参照しながら、実施例2に係る加速度センサ6の構造について説明する。以下の説明では、実施例1の加速度センサ2と同様の構成については、同一の参照符号を付して詳細は説明を省略する。加速度センサ6は、支持基板400と、プルーフマス402と、支持梁104と、枠状支持部106を備えている。支持基板400は第1層10に形成されている。図29に示すように、プルーフマス402は、第1層10に形成された下側領域404と、第2層20に形成された絶縁領域406と、第3層30に形成された上側領域408を備えている。プルーフマス402の下側領域404は分離溝によって支持基板400から分離されている。加速度センサ6に加速度が作用すると、プルーフマス402の下側領域404と絶縁領域406と上側領域408は一体となって運動する。プルーフマス402は支持梁104を介して枠状支持部106に支持されている。図27および図28に示すように、加速度センサ6は、Y方向変位検出部110と、Z方向変位検出部411を備えている。Y方向変位検出部110の可動電極116は、プルーフマス402の上側領域408から伸びている。Z方向変位検出部411は、第1層10に形成された固定電極414と、プルーフマス402の上側領域408に形成された可動電極416を備えている。固定電極414は、分離溝によって支持基板400から分離されているが、絶縁支持部108を介して枠状支持部106に固定されている。固定電極414と可動電極416は、Z方向に関して互いに対向するように配置されている。固定電極414と可動電極416の間には、両者の対向面積と距離に応じた静電容量が構成される。支持基板400に対してプルーフマス402がZ方向に変位すると、固定電極414と可動電極416の間の距離が変化し、固定電極414と可動電極416の間の静電容量の大きさが変化する。この静電容量の変化を検出することで、プルーフマス402の支持基板400に対するZ方向の変位量を検出することができる。本実施例の加速度センサ6では、プルーフマス402の上側領域408と、支持梁104と、枠状支持部106と、可動電極116が、第3層30の単結晶シリコンをトリミングすることで、継ぎ目無く一体的に形成されている。従って、プルーフマス402の上側領域408と、支持梁104と、枠状支持部106と、可動電極116は、互いに同電位に保たれている。加速度センサ6は、枠状支持部106の電位Z方向変位検出部411の可動電極416の電位でもあり、Y方向変位検出部110の可動電極116の電位でもあるを検出する第1表面電極118と、Z方向変位検出部411の固定電極414の電位を検出する第2表面電極420と、Y方向変位検出部110の固定電極支持部112の電位すなわち、Y方向変位検出部110の固定電極114の電位を検出する第3表面電極122を備えている。これらの表面電極からの出力に基づいて、図示しない演算回路で演算処理を行うことで、加速度センサ6に作用するY方向およびZ方向の加速度をそれぞれ検出することができる。図28に示すように、本実施例の加速度センサ6も、実施例1の加速度センサ2と同様に、Y方向変位検出部110が、可動電極116の上端が固定電極114の上端よりも低く、かつ可動電極116の下端が固定電極114の下端よりも高くなるように形成されている。従って、プルーフマス402が支持基板400に対してZ方向に変位した場合でも、可動電極116と固定電極114の対向面積が変化しない。Y方向変位検出部110での検出結果に対して、プルーフマス402のZ方向の変位が影響を及ぼすことを防止することができる。また、本実施例の加速度センサ6も、実施例1の加速度センサ2と同様に、可動電極116の下端は固定電極114の下端よりも高くなるように形成されている。従って、プルーフマス402が支持基板400に対して沈み込んだ場合でも、支持基板400と可動電極116の間の距離が確保されている。支持基板400と可動電極116の間の寄生容量が常に小さく抑えられており、この寄生容量が加速度センサ6の検出値に及ぼす影響を抑制することができる。本実施例の加速度センサ6も、実施例2の加速度センサ2と同様に、図5-図13に示す製造方法、あるいは図14-図21に示す製造方法によって製造することができる。なお、本実施例の加速度センサ6でも、支持基板100と固定電極114の間の間隔を、実施例1の加速度センサ2のように、支持基板100とプルーフマス102の間の間隔と同一とすることもできるし、実施例1の変形例の加速度センサ4のように、プルーフマス102と支持基板100の間の間隔よりも大きく形成することもできる。本実施例の加速度センサ6は、上記のように、可動電極116の上端が固定電極114の上端よりも低く、可動電極116の下端が固定電極114の下端より高くなるように、Y方向変位検出部110を形成することができる。また、これとは異なり、固定電極114の上端が可動電極116の上端よりも低く、固定電極114の下端が可動電極116の下端よりも高くなるように、Y方向変位検出部110を形成することもできる。以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。例えば、上記の実施例では、支持梁104が第3層30に形成されている構成について説明した。これとは異なり、支持梁104を第1層10に形成する構成としてもよいし、支持梁104を第1層10および第3層30の積層構造とする構成としてもよいし、支持梁104を第1層10、第2層20および第3層30の積層構造とする構成としてもよい。上記の実施例では、導電体からなる第1層10と、絶縁体からなる第2層20と、導電体からなる第3層30が積層された三層構造の加速度センサ2,4,6について説明したが、さらに複数の層が積層されていてもよい。上記の実施例では、第1層10が不純物を添加された単結晶シリコンからなり、第2層が酸化シリコンからなり、第3層30が不純物を添加された単結晶シリコンからなる加速度センサ2,4,6について説明したが、第1層10、第2層20および第3層30の材料はこれに限定されるものではない。第1層10と第3層30が導電体からなり、第2層20が絶縁体からなる構成であれば、他の材料のものであってもよい。上記の実施例では、本発明の変位センサを加速度センサとして利用する場合を例として説明したが、本発明が適用可能な範囲はこれに限られない。例えば、プルーフマスを加振するアクチュエータを設けて、プルーフマスに角速度が作用したときのコリオリ力に起因するプルーフマスの変位を検出する構成とすることで、本発明の変位センサを角速度センサとして利用することもできる。また、圧力、外力に応じてプルーフマスが変位する構成とすれば、本発明の変位センサを圧力センサ、外力センサとして利用することもできる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。"