基板と、前記基板の上に位置する第1電極層と、前記第1電極層の上に位置する光吸収層と、前記光吸収層の上に位置し、投光性伝導性物質を含む第2電極層と、前記第2電極層の上に位置し、投光性伝導性物質を含むグリッド電極と、を含むことを特徴とする、太陽電池。前記グリッド電極が透明伝導性物質を含むことを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。前記グリッド電極がアルミニウムドーピングされた酸化亜鉛aluminumdopedzincoxide;AZO、ふっ素ドーピングされた酸化スズfluorinedopedtinoxide;FTO、ガリウムドーピングされた酸化亜鉛galliumdopedzincoxide;GZO、及びボロンドーピングされた酸化亜鉛borondopedzincoxide;BZOからなる群から選択された物質を少なくとも1つ含むことを特徴とする、請求項2に記載の太陽電池。前記グリッド電極の一部が前記第2電極層と一体形成されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。前記グリッド電極は金属を含むことを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。前記グリッド電極は、少なくとも2層の金属層が積層して形成されることを特徴とする、請求項5に記載の太陽電池。前記グリッド電極は、前記第2電極層の上に位置し、ニッケルNi、銀Ag、白金Pt、及びこれらを含む合金からなる群から選択された物質を含む第1金属層と、前記第1金属層の上に位置し、金Auを含む第2金属層と、を含むことを特徴とする、請求項6に記載の太陽電池。前記グリッド電極は、前記第2電極層の上に位置し、透明伝導性物質を含む第1層と、前記第1層の上に位置し、金属を含む第2層と、を含むことを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。前記第1層がアルミニウムドーピングされた酸化亜鉛、ふっ素ドーピングされた酸化スズ、ガリウムドーピングされた酸化亜鉛、及びボロンドーピングされた酸化亜鉛からなる群から選択された物質を少なくとも1つ含み、前記第2層は、ニッケル、銀、白金、金、及びこれらを含む合金からなる群から選択された物質を少なくとも1つ含むことを特徴とする、請求項8に記載の太陽電池。前記第2電極層の厚さに対する前記グリッド電極の厚さの割合が0.5乃至3であることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。本発明の目的は、有効領域を減少させないながらも集電特性を向上して光電変換効率が向上できる太陽電池を提供することにある。本発明に従う太陽電池は、基板、上記基板の上に位置する第1電極層、上記第1電極層の上に位置する光吸収層、上記光吸収層の上に位置し、投光性伝導性物質を含む第2電極層、及び上記第2電極層の上に位置し、投光性伝導性物質を含むグリッド電極を含む。上記グリッド電極は透明伝導性物質を含むことができる。上記グリッド電極がアルミニウムドーピングされた酸化亜鉛aluminumdopedzincoxide;AZO、ふっ素ドーピングされた酸化スズfluorinedopedtinoxide;FTO、ガリウムドーピングされた酸化亜鉛galliumdopedzincoxide;GZO、及びボロンドーピングされた酸化亜鉛borondopedzincoxide;BZOからなる群から選択された物質を少なくとも1つ含むことができる。上記グリッド電極の一部が上記第2電極層と一体形成される。上記グリッド電極は金属を含むことができる。上記グリッド電極は、少なくとも2層の金属層が積層して形成される。上記グリッド電極は、上記第2電極層の上に位置し、ニッケルNi、銀Ag、白金Pt、及びこれらを含む合金からなる群から選択された物質を含む第1金属層、及び上記第1金属層の上に位置し、金Auを含む第2金属層を含むことができる。上記グリッド電極は、上記第2電極層の上に位置し、透明伝導性物質を含む第1層、及び上記第1層の上に位置し、金属を含む第2層を含むことができる。上記第1層がアルミニウムドーピングされた酸化亜鉛、ふっ素ドーピングされた酸化スズ、ガリウムドーピングされた酸化亜鉛、及びボロンドーピングされた酸化亜鉛からなる群から選択された物質を少なくとも1つ含むことができる。上記第2層は、ニッケル、銀、白金、金、及びこれらを含む合金からなる群から選択された物質を少なくとも1つ含むことができる。上記第2電極層の厚さに対する上記グリッド電極の厚さの比率が0.5乃至3でありうる。本発明に従う太陽電池は、投光性伝導性物質を含むグリッド電極を形成して、有効領域を低減させないながらも集電特性を向上させることができる。これによって、太陽電池の光電変換効率を効果的に向上させることができる。また、グリッド電極が反射防止壁として機能して光電変換効率をより向上させることができる。この際、グリッド電極は透明伝導性物質または薄い厚さの金属層で形成される。グリッド電極の一部を透明伝導性物質で形成してグリッド電極の一部と第2電極層とを一体形成すれば、工程を単純化しながら接合特性を向上させることができる。グリッド電極の一部を金属層で形成すれば、優れる電気伝導性を有する金属に集電特性をより向上させることができる。本発明を説明するに当たって、各層膜、領域、パターン、または構造物が、基板、各層膜、領域、パッド、またはパターンの上onに、または下underに形成されるという記載は、直接directlyまたは他の層を介して形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各層膜、領域、パターン、または構造物の厚さやサイズは説明の明確性及び便宜のために変形できるので、実際のサイズを全的に反映するものではない。以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明すると、次の通りである。図1は、本発明の第1実施形態に従う太陽電池の概略的な断面図である。図1を参照すると、実施形態に従う太陽電池100は、基板10、この基板10の上に位置する第1電極層31、光吸収層33、第2電極層39、及びグリッド電極42を含む。そして、バリア層20、バッファ層35、及び高抵抗バッファ層37を含むことができる。これをより詳しく説明すれば、次の通りである。基板10はプレート形状を有し、これに形成される第1電極層31、光吸収層33、第2電極層39などを支持する。このような基板10は、ガラスまたはプラスチックなどの絶縁体で形成される。一例として、基板10がソーダライムガラスsodalimeglassでありうる。しかしながら、実施形態はこれに限定されるものではなく、基板10が金属基板からなることができる。即ち、要求される太陽電池の特性によって、基板10をリジッドligidな物質で形成したり、またはフレキシブルflexibleな物質で形成することができる。基板10の上に形成されるバリア層20は、基板10の物質が第1電極層31側に広がることを防止する役割をする。このようなバリア層20は酸化物を含むことができる。一例として、バリア層20は、酸化アルミニウム、酸化チタニウム、酸化マグネシウム、酸化タングステンなどを含むことができる。このようなバリア層20は必ず必要とするものではなく、省略することができる。バリア層20の上に第1電極層31が位置する。第1電極層31は伝導性のある多様な物質を含むことができるが、例えば、モリブデンMo、銅Cu、ニッケルNi、アルミニウムAl、これらの合金などを含むことができる。このような第1電極層31は、多様な工程により形成できる。一例として、第1電極層31はスパッタリング工程によりモリブデンを蒸着して形成することができる。また、第1電極層31は2つ以上の層を含むことができるが、この各々の層は同じ金属で構成されることもでき、互いに異なる金属で構成されることもできる。このように2つ以上の層を含む第1電極層31は、工程条件が互いに異なる2回の工程により形成できる。第1電極層31の上に光吸収層33が位置する。このような光吸収層33は、非シリコン系半導体物質からなることができる。一例として、光吸収層33がIIIIIV族化合物を含むことができる。例えば、光吸収層33が銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CIGS系化合物、銅-インジウム-セレナイド系CIS系化合物、または銅-ガリウム-セレナイド系CGS系化合物を含むことができる。または、光吸収層33がIIIV族化合物またはIIIIV族化合物を含むことができる。例えば、光吸収層33は、カドミウムCd-テルニウムTe化合物、またはガリウムGa-砒素As化合物を含むことができる。このような光吸収層33のエネルギーバンドギャップbandgapは、約1eV乃至1.8eVでありうる。しかしながら、実施形態はこれに限定されるものではなく、光吸収層33が多様なエネルギーバンドギャップを有することができることは勿論である。このような光吸収層33は多様な方法により形成できるが、一例として、蒸発法またはスパッタリング工程などにより形成できる。一例として、蒸発法またはスパッタリング法を用いてCIGS系光吸収層33を形成する方法をより詳しく説明すれば、次の通りである。蒸発法では、銅、インジウム、ガリウム、及びセレニウムを同時または区分して蒸発させてCIGS系光吸収層33を形成することができる。スパッタリング法を用いる場合には、スパッタリング工程により金属プリカーサ膜を形成した後、セレン化selenization工程を遂行してCIGS系光吸収層33を形成することができる。即ち、スパッタリング法において、銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用して、銅、インジウム、及びガリウムを含む金属プリカーサ膜を形成し、以後にセレン化工程を遂行してCIGS系光吸収層33を形成することができる。または、スパッタリング工程とセレン化工程を同時に進行してCIGS系光吸収層33を形成することもできる。前述した方法では、CIGS系光吸収層33を形成することを例示したが、所望の物質によって、ターゲット、蒸発物質などを異にして多様な種類の光吸収層33を形成することができる。この光吸収層33の上にバッファ層35が位置することができる。バッファ層35は、第2電極29との格子定数差及びエネルギーバンドギャップ差を緩和するための層であって、一例として、硫化カドミウムCdSまたは硫化亜鉛ZnSなどからなることができる。このようなバッファ層35は、化学溶液成長法chemicalbathdepositon;CBDにより形成できる。一例として、化学溶液成長法を用いて硫化カドミウムを含むバッファ層35を形成する方法をより詳しく説明すれば、次の通りである。硫化カドミウムを含むバッファ層35は、Cd2及びS2-を過飽和した状態で含んだバッファ層形成溶液に光吸収層33をディッピングdippingした後、一定の反応温度に維持して形成される。一例として、バッファ層形成溶液がカドミウムアセテートcadmiumacetate及びチオウレアthioureaを含むことができ、緩衝剤及びアンモニアなどをさらに含むことができる。そして、反応温度は約50°C乃至約100°Cでありうる。しかしながら、実施形態はこれに限定されるものではない。このバッファ層35の上に高抵抗バッファ層37が位置する。高抵抗バッファ層37は、第2電極層39の形成時、バッファ層35の損傷を防止するために形成される層である。一例として、高抵抗バッファ層37は酸化亜鉛ZnOからなることができる。しかしながら、実施形態はこれに限定されるものではなく、多様な方法を用いて多様な物質で構成された高抵抗バッファ層37を形成することができる。この高抵抗バッファ層37の上に第2電極層または、ウィンドウ層39が位置する。このような第2電極層39は透明で、光の入射が可能であり、伝導性により電極として機能できる投光性伝導性物質で形成される。また、n型半導体の特性を有するので、バッファ層35と共にn型半導体層を形成してp型半導体層である光吸収層33とpn接合を形成することができる。このために、第2電極層39は、例えば、アルミニウムドーピングされた酸化亜鉛aluminumdopedzincoxide;AZO、ふっ素ドーピングされた酸化スズfluorinedopedtinoxide;FTO、ガリウムドーピングされた酸化亜鉛galliumdopedzincoxide;GZO、ボロンドーピングされた酸化亜鉛borondopedzincoxide;BZOなどの透明伝導性物質で形成される。この第2電極層39の上にグリッド電極42が位置する。本実施形態では、グリッド電極42と第2電極層39が同じ物質からなることができる。これによって、グリッド電極42と第2電極層39との接合特性を向上することができる。一例として、グリッド電極42がアルミニウムドーピングされた酸化亜鉛、ふっ素ドーピングされた酸化スズ、ガリウムドーピングされた酸化亜鉛、ボロンドーピングされた酸化亜鉛などの透明伝導性物質を含むことができる。即ち、グリッド電極42が投光性伝導性物質からなることができる。これによれば、グリッド電極42が形成された部分で透明伝導性物質の厚さが厚くなるので、他の部分より抵抗を低めることができ、これによって、集電特性を向上させることができる。そして、本実施形態では、グリッド電極42が投光性伝導性物質で形成されて、従来の金属グリッドによって発生していた死角地帯をなくすことができる。即ち、本実施形態では投光性伝導性物質を含むグリッド電極42によって集電特性を向上させて太陽電池100の電気的特性を向上させると共に、有効領域を増やすことができる。結果的に、太陽電池100の光電変換効率を向上させることができる。第2電極層39の厚さT1は0.5乃至1mmでありうる。この際、第2電極層39の厚さT1に対するグリッド電極42の厚さT2の割合T2/T1が0.5乃至5でありうる。この割合T2/T1を満たすと、グリッド電極42による抵抗低減効果を一定水準以上に維持することができる。また、グリッド電極42が反射防止壁antireflectionwallとして機能して太陽電池100の内部に入射される光量を増加させて光電変換効率を向上させることができる。上記割合T2/T1が3を超過する場合には、グリッド電極42の厚さが厚くて安定した形成が困難であり、グリッド電極42の厚さT2により太陽電池100の厚さが厚くなることがある。また、上記割合T2/T1が0.5未満であれば、抵抗低減効果が所望の水準より低いことがある。しかしながら、実施形態はこのような割合に限定されるものではない。本実施形態において、グリッド電極42が第2電極層39と一体形成される。これによって、互いに異なる物質を使用して別途にグリッド電極42を形成する場合に比べて工程を単純化することができる。ここで、第2電極層39及び/またはグリッド電極42は、スパッタリング法、蒸発法、噴霧法などの方法により形成される。しかしながら、実施形態はこれに限定されるものではなく、多様な方法により第2電極層39及び/またはグリッド電極42が形成できることは勿論である。図1ではグリッド電極42が直四角形の断面を有するものと図示したが、実施形態はこれに限定されるものではない。したがって、図2に示すように、グリッド電極42aが上部に行くほど、幅が狭くなる断面の形状を有することができる。以下、図3及び図4を参照して他の実施形態に従う太陽電池を詳細に説明する。第1実施形態と同一または極めて類似の部分に対しては詳細な説明を省略し、互いに異なる部分に対してのみ詳細に説明する。図3は、本発明の第2実施形態に従う太陽電池の概略的な断面図である。図3を参照すると、本実施形態のグリッド電極44は、第2電極層39と同じ物質で構成される第1層44aと、この第1層44aより低い抵抗を有する物質で構成される第2層44bを含む。一例として、第1層44aは第2電極層39と同じ物質であるアルミニウムドーピングされた酸化亜鉛、ふっ素ドーピングされた酸化スズ、ガリウムドーピングされた酸化亜鉛、ボロンドーピングされた酸化亜鉛などの透明伝導性物質で形成される。そして、第2層44bは、ニッケル、銀、白金、金、これらを含む合金などの金属で形成される。このような第2層44bは透過性を有することができる程度の薄い厚さで形成されて金属からなるが、透過性を有することができる。このように、グリッド電極44は透明伝導性物質を含む第1層44aと投光性を有する金属層からなる第2層44bを含むので、グリッド電極44が投光性伝導性物質からなる。本実施形態では、グリッド電極44の一部である第1層44aを第2電極層39と同じ物質で形成して、第2電極層39とグリッド電極44との接合特性を向上させることができる。そして、グリッド電極44の他の一部である第2層44bを第2電極層39より低い抵抗の金属で形成して、抵抗低減効果を向上させることができる。即ち、本実施形態ではグリッド電極44が互いに異なる物質である第1層44aと第2層44bを含んで接合特性と抵抗特性を同時に向上させることができる。これによって、太陽電池の光電変換効率をより向上させることができる。図4は、本発明の第3実施形態に従う太陽電池の概略的な断面図である。図4を参照すると、本実施形態のグリッド電極46は、互いに異なる金属層である第1金属層46aと第2金属層46bが第2電極層39の上に順次に積層して形成される。一例として、第1金属層46aは、ニッケルNi、銀Ag、白金Pt、これらを含む合金などで形成され、第2金属層46bは金Auを含むことができる。このような第1金属層46aと第2金属層46bは、透過性を有することができる程度の薄い厚さで形成されるので、グリッド電極46が透過性及び伝導性を有することができる。本実施形態では、グリッド電極46が金属からなって抵抗をより低減させることができる。これによって、太陽電池の光電変換効率をより向上させることができる。グリッド電極46の抵抗及び透過性を考慮すれば、第2電極層39の厚さT3に対するグリッド電極46の厚さT4の割合T4/T3が0.3乃至1でありうる。このような第1及び第2金属層46a、46bは、マスク図示せずを用いた蒸発法、スパッタリング法等により形成される。しかしながら、実施形態はこれに限定されるものではなく、多様な方法により形成できることは勿論である。図4及び前述した説明では、グリッド電極46が第1及び第2金属層46a、46bの2層を含むものと図示及び説明したが、実施形態はこれに限定されるものではない。したがって、グリッド電極46は3層以上の金属層が積層して形成されることもできる。即ち、グリッド電極46が少なくとも2層の金属層が積層して形成されればよい。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。