"ディスク状記憶媒体の構成基材に対し熱インプリントによる凹凸パターンの形成を行うためのインプリント用モールドの基になるインプリント用モールドブランクであって、80~350°Cの範囲における熱膨張係数が70×107/°C以上である基板と、前記基板よりも低い熱膨張係数を有する、前記基板上に積層された凹凸パターンを形成するためのパターニング層と、を備えることを特徴とするインプリント用モールドブランク。0°Cから400°Cに昇温させた場合における、前記基板の歪率と、前記パターニング層の歪率の差が0.4以下であることを特徴とする請求項1に記載のインプリント用モールドブランク。ディスク状記憶媒体の構成基材に対し熱インプリントによる凹凸パターンの形成を行うためのインプリント用モールドの基になるインプリント用モールドブランクであって、80~350°Cの範囲における熱膨張係数が70×107/°C以上である基板と、前記凹凸パターンのパターニングが可能であり前記基板とは異なる熱膨張係数の材料により、応力を低減する態様で、前記基板上に成膜されたパターニング層と、を備えることを特徴とするインプリント用モールドブランク。ディスク状記憶媒体の構成基材に対し熱インプリントによる凹凸パターンの形成を行うためのインプリント用モールドの基になるインプリント用モールドブランクであって、前記構成基材に対応する熱膨張係数を有する基板と、前記凹凸パターンのパターニングが可能であり前記基板とは異なる熱膨張係数の材料により、応力を低減する態様で、前記基板上に成膜されたパターニング層と、を備えることを特徴とするインプリント用モールドブランク。前記パターニング層は、応力を低減する態様として、超薄膜状となる厚さに成膜されていることを特徴とする請求項3または4記載のインプリント用モールドブランク。前記基板が、ガラス基板であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載のインプリント用モールドブランク。前記パターニング層は、形成すべき前記凹凸パターンの深さxとすると、前記凹凸パターンの底部における膜厚yとするが、x<yを満たす厚さで成膜されていることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載のインプリント用モールドブランク。前記基板は、アルカリ金属含有ガラス材からなり、前記パターニング層は、前記基板に含有されていたアルカリ金属イオンが当該パターニング層の少なくとも界面部分に拡散する状態に成膜されていることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載のインプリント用モールドブランク。前記パターニング層は、シリコンを形成材料として成膜されていることを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載のインプリント用モールドブランク。前記パターニング層は、シリコン層を含む積層構造で成膜されており、前記基板から前記パターニング層において、その熱膨張係数が順に小さくなるように積層されていることを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載のインプリント用モールドブランク。前記基板は、化学強化ガラス材からなることを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載のインプリント用モールドブランク。請求項1~11のいずれか1項に記載のインプリント用モールドブランクを用いて、前記パターニング層に凹凸パターンを形成することにより製造されたインプリント用モールド。前記パターニング層の最表層部分に酸化膜が形成されていることを特徴とする請求項12記載のインプリント用モールド。ところで、ディスク状記憶媒体の構成基材については、化学強化処理がされたアルカリ金属含有ガラス材が用いられることが多い。その理由は、アルカリ金属含有ガラス材は、アルカリ金属を高濃度で含有しているため、石英等に比べて融点が低く製造しやすいことが挙げられる。また、表面のアルカリ金属をイオン交換することにより化学強化処理がされていると、ガラス材の表層部が圧縮応力層となり、当該表層部以外の深層部が引張応力層となるので、更なる機械的強度の向上が図れるからである。また、ディスク状記憶媒体の構成基材としては、これが装着されるHDDの他の構成基材との関係から、高熱膨張性を有することが要求されている。上記のような化学強化処理がされたアルカリ金属含有ガラス材は、高熱膨張性をも有するという特徴がある。しかしながら、化学強化処理がされたアルカリ金属含有ガラス材からなるディスク状記憶媒体の構成基材については、熱インプリントにより凹凸パターンを形成しようとすると、以下に述べるような問題が生じてしまう。例えば、石英基板自体をパターニングして得られるインプリント用モールドを用いる場合には、熱インプリントによりディスク状記憶媒体の構成基材に対して凹凸パターンを形成しようとしたところ、石英モールドが破損してしまった。この現象は、石英と化学強化処理がされたアルカリ金属含有ガラス材との熱膨張係数の差に起因するものと考えた。本発明は、以上の事情を勘案して案出されたもので、ディスク状記憶媒体の構成基材に対して熱インプリントにより凹凸パターンを形成する場合であっても、モールド材と被インプリント材との熱膨張特性の差に起因した、インプリント用モールドが割れる等の破損が生じてしまうことなく、高強度で、微細な凹凸パターンを形成することを可能にするインプリント用モールドブランクおよびパターン転写性の高いインプリント用モールドを提供することを目的とする。本発明者らは、高熱膨張性を有する熱膨張係数が大きいディスク状記憶媒体の構成基材以下、メディア基板と呼ぶに熱インプリントするためのモールドとして、モールド変形を防ぐために、メディア基板と同じ材料化学強化処理がされたアルカリ金属含有ガラス材で形成すること試みた。これにより、熱膨張係数差の解消を図ることができると考えたためである。しかしながら、微細パターンの形成はできなかった。この理由として、化学強化処理がされたアルカリ金属含有ガラス材は、アルカリ金属を含有しているため、石英等の場合とは異なり、微細な凹凸パターンを形成することが非常に困難であるためであると考えた。つまり、化学強化処理がされたアルカリ金属含有ガラス材自体をパターニングすることは、非常に困難である。この点については、化学強化処理がされたアルカリ金属含有ガラス材自体をパターニングするのではなく、例えば特許文献1に開示されたような積層構造を採用して対応することも考えられる。すなわち、インプリント用モールドにおける台座を化学強化処理がされたアルカリ金属含有ガラス材によって形成するとともに、当該インプリント用モールドにおける薄片型をパターニング可能な材料によって形成するのである。ところが、化学強化処理がされたアルカリ金属含有ガラス材と熱膨張係数が同一または略同等の材料としては、例えばステンレス材が挙げられるが、必ずしも微細加工技術との相性が良いとは言えない。つまり、化学強化処理がされたアルカリ金属含有ガラス材と熱膨張係数が同一または略同等の材料は、微細加工技術との相性が悪いことから、石英やシリコン等の場合とは異なり、当該材料自体に対する微細なパターニングが必ずしも容易ではない。上述した目的達成のために、本願発明者は、先ず、石英基板自体をパターニングして得られるインプリント用モールドを用いる場合に、モールド自体の割れ等の破損が生じてしまう理由を検討した。その結果、割れ等の破損が生じてしまう理由は、上述したように石英モールドと化学強化処理がされたアルカリ金属含有ガラス材被転写基板との熱膨張係数の差に起因するが、さらに詳しくは熱膨張係数の差に起因して発生する熱応力によるものであるとの考えに至った。ここで、熱応力とは、拘束されている物体に熱変化が加わったときに発生する内部応力のことをいう。拘束のない物体であれば熱変化が加わっても自由膨張または自由収縮するが、物体が拘束されているとこの変形を妨げるように熱応力が発生する。したがって、互いに拘束された物体間に熱膨張係数の差があると、その差に起因して一方の物体に熱応力が発生してしまい、これにより割れ等の破損が生じ得るのである。熱応力を発生させないためには、物体間で熱膨張係数の差が生じないようにすることが一般的な考えである。ところが、上述したように、熱インプリント時のモールド破損を防ぐために、モールド材としての選択肢として、化学強化処理がされたアルカリ金属含有ガラス材についても、またこれと熱膨張係数が同一または略同等の材料ステンレスやSUS等についても、微細な凹凸パターンの形成に適しているとは言えない。なお、熱膨張係数が異なる材料同士が接している状態で物体に熱変化が加わった場合、熱膨張の大きい材料側に圧縮応力熱膨張が大きい材料側と引っ張り応力熱膨張が小さい材料側が発生し、界面にはせん断応力が発生する。このせん断応力よりも密着力が低くなると破損はがれ等が生じうる。この問題に対処すべく、熱インプリントにおける従来技術例えば特許文献1においては、インプリントモールド自体においても略均一の熱膨張特性を有することが要求されている。このような熱インプリントモールド-被インプリント基板間、および熱インプリントモールド内の問題点につき、さらに鋭意検討を重ねた結果、本願発明者は、単に熱膨張係数を揃えるという従来の一般的な考えに捉われることなく、熱応力を低減する態様で形成された層構造モールドという従来にはない全く新たな構成を採用することで、熱インプリントモールド内に熱膨張係数の差があっても問題解決が図れるのではないかとの着想を得た。本発明は、上述した本願発明者らによる新たな知見に基づいてなされたものである。本発明の第1の態様は、ディスク状記憶媒体の構成基材に対し熱インプリントによる凹凸パターンの形成を行うためのインプリント用モールドの基になるインプリント用モールドブランクであって、80~350°Cの範囲における熱膨張係数が70×107/°C以上である基板と、前記基板よりも低い熱膨張係数を有する、前記基板上に積層された凹凸パターンを形成するためのパターニング層と、を備えることを特徴とするインプリント用モールドブランクである。本発明の第2の態様は、第1の態様のインプリント用モールドブランクにおいて、0°Cから400°Cに昇温させた場合における、前記基板の歪率と、前記パターニング層の歪率の差が0.4以下であることを特徴とする。本発明の第3の態様は、ディスク状記憶媒体の構成基材に対し熱インプリントによる凹凸パターンの形成を行うためのインプリント用モールドの基になるインプリント用モールドブランクであって、80~350°Cの範囲における熱膨張係数が70×107/°C以上である基板と、前記凹凸パターンのパターニングが可能であり前記基板とは異なる熱膨張係数の材料により、応力を低減する態様で、前記基板上に成膜されたパターニング層と、を備えることを特徴とするインプリント用モールドブランクである。本発明の第4の態様は、ディスク状記憶媒体の構成基材に対し熱インプリントによる凹凸パターンの形成を行うためのインプリント用モールドの基になるインプリント用モールドブランクであって、前記構成基材に対応する熱膨張係数を有する基板と、前記凹凸パターンのパターニングが可能であり前記基板とは異なる熱膨張係数の材料により、応力を低減する態様で、前記基板上に成膜されたパターニング層と、を備えることを特徴とするインプリント用モールドブランクである。本発明の第5の態様は、第3または第4の態様のインプリント用モールドブランクにおいて、前記パターニング層は、応力を低減する態様として、超薄膜状となる厚さに成膜されていることを特徴とする。本発明の第6の態様は、第1~第5のいずれか1態様のインプリント用モールドブランクにおいて、前記基板が、ガラス基板であることを特徴とする。本発明の第7の態様は、第1~第6のいずれか1態様のインプリント用モールドブランクにおいて、前記パターニング層は、形成すべき前記凹凸パターンの深さxとすると、前記凹凸パターンの底部における膜厚yとするが、x<yを満たす厚さで成膜されていることを特徴とする。本発明の第8の態様は、第1~第7のいずれか1態様のインプリント用モールドブランクにおいて、前記基板は、アルカリ金属含有ガラス材からなり、前記パターニング層は、前記基板に含有されていたアルカリ金属イオンが当該パターニング層の少なくとも界面部分に拡散する状態に成膜されていることを特徴とする。本発明の第9の態様は、第1~第8のいずれか1態様のインプリント用モールドブランクにおいて、前記パターニング層は、シリコンを形成材料として成膜されていることを特徴とする。本発明の第10の態様は、第1~第8のいずれか1態様のインプリント用モールドブランクにおいて、前記パターニング層は、シリコン層を含む積層構造で成膜されており、前記基板から前記パターニング層において、その熱膨張係数が順に小さくなるように積層されていることを特徴とする。本発明の第11の態様は、第1~第10のいずれか1態様のインプリント用モールドブランクにおいて、前記基板は、化学強化ガラス材からなることを特徴とする。本発明の第12の態様は、第1~第11のいずれか1態様のインプリント用モールドブランクを用いて、前記パターニング層に凹凸パターンを形成することにより製造されたことを特徴とするインプリント用モールドである。本発明の第13の態様は、第12の態様のインプリント用モールドおいて、前記パターニング層の最表層部分に酸化膜が形成されていることを特徴とする。本発明によれば、ディスク状記憶媒体の構成基材に対して熱インプリントにより凹凸パターンを形成する場合であっても、インプリント用モールドに割れ剥離パターン破壊等の破損が生じてしまうことなく、転写性の高い、微細な凹凸パターンを形成することができる。以下、本発明の実施形態を、図面に基づいて説明する。本実施形態では、以下の順序で項分けをして説明を行う。1.インプリント用モールドブランクの構成2.インプリント用モールドの製造手順3.熱インプリントによるパターン転写手順4.本実施形態の効果5.変形例等<1.インプリント用モールドブランクの構成>先ず、本実施形態におけるインプリント用モールドブランクの構成について説明する。インプリント用モールドブランクは、インプリント用モールドの基になるものである。すなわち、インプリント用モールドブランクは、転写すべき凹凸パターンが未形成のものであり、これに転写すべき凹凸パターンを形成すると、インプリント用モールドを構成することになる。凹凸パターンの転写先は、DTRやBPM等のディスク状記憶媒体の構成基材である。この構成基材は、化学強化処理がされたアルカリ金属含有ガラス材によって形成されているものとする。化学強化処理がされたアルカリ金属含有ガラス材のとしては、質量表示にて、SiO2を57~75、Al2O3を5~20ただし、SiO2とAl2O3の合計量が74以上、ZrO2を0を超え5.5以下、Li2Oを1を超え9以下、Na2Oを5~18ただし、質量比Li2O/Na2Oが0.5以下、K2Oを0~6、MgOを0~4、CaOを0を超え5以下ただし、MgOとCaOの合計量は5以下であり、かつCaOの含有量はMgOの含有量よりも多く、SrOおよびBaOを合計で0~3、TiO2を0~1、含むガラス清澄剤として、SnO2、CeO2、Sb2O3などを添加してもよいが挙げられる。また、重量で、62~75のSiO2、5~15のAl2O3、4~10のLi2O、4~12のNa2O、および5.5~15のZrO2を含有し、かつNa2O/ZrO2の重量比が0.5~2.0であり、さらにAl2O3/ZrO2の重量比が0.4~2.5であるガラス、及びこれをNaイオンおよび/またはKイオンを含有する処理浴でイオン交換処理して得られた化学強化ガラスが挙げられる。このような化学強化処理がされたアルカリ金属含有ガラス材以下、単に強化ガラス材という。は、石英等に比べて、機械的強度に優れるという特徴を持つ。また、アルカリ金属含有ガラス材は、石英等を用いた場合に比べて、高熱膨張性を有するという特徴を持つ。具体的には、100~300°Cの範囲における平均線熱膨張係数について、石英が6×107/°C程度、シリコンが25×107/°C程度であるのに対して、例えばアルカリ金属含有ガラス材の平均線熱膨張係数は92×107/°C程度である。また、強化ガラス材は、半導体製造プロセスで用いられる微細加工技術を利用した微細なパターン形成が非常に困難であるという特徴を持つ。また、強化ガラス材は、化学強化処理がされているので、強化前はガラス表層にリチウムLiが多量に分布していても、強化後にはイオン交換によってガラス表層にナトリウムNa、カリウムK等が多量に分布することになるという特徴を持つ。また、強化ガラス材は、量産効果による低コスト化が期待できるという特徴を持つ。これらの特徴を有する強化ガラス材を形成材料として用いたディスク状記憶媒体の構成基材に対して、熱インプリントによる微細な凹凸パターンの形成を行うために、本実施形態におけるインプリント用モールドブランクは、以下に述べるように構成されている。図1は、本実施形態のインプリント用モールドブランクの構成例を示す模式図である。図例のように、本実施形態のインプリント用モールドブランク1は、ガラス基板2と、そのガラス基板2上に成膜されたパターニング層3と、を備えた積層構造によって構成されている。ガラス基板2は、インプリント用モールドブランク1の基材となるものである。そのために、ガラス基板2は、一度に転写すべき凹凸パターンを形成可能な平面的な大きさ例えばφ65mmに形成されているとともに、少なくともパターン転写時の加圧にも耐え得る強度すなわち破損や変形等が生じない程度の強度を確保可能な板厚0.635mm、0.8mm、6.35mmなどに形成されている。また、ガラス基板2は、熱インプリントによりパターン転写を行うことを考慮して、パターン転写先であるディスク状記憶媒体の構成基材に対応する熱膨張係数を有するように構成されている。ここで、構成基材に対応するとは、当該構成基材における熱膨張係数と同一または略同等の熱膨張係数を有することを意味する。略同等とは、技術常識から判断して同一の場合と同じように取り扱っても支障が生じない程度に熱膨張係数が近い場合のことをいい、具体的には熱膨張係数が例えば±2ppm/°C以内の範囲にあることをいう。なお、熱膨張係数の測定法としては、日本光学硝子工業会規格JOGIS08-1975光学ガラスの熱膨張の測定方法が挙げられる。このような熱膨張係数を有するものとしては、ディスク状記憶媒体の構成基材の形成材料である強化ガラス材が挙げられる。つまり、ガラス基板2は、アルカリ金属を高濃度で含有するアルカリ金属含有ガラス材で、かつ、化学強化処理がされた後のガラス材である化学強化ガラス材を用いて形成される。したがって、ガラス基板2は、パターン転写先であるディスク状記憶媒体の構成基材と同様に、例えば100~300°Cの範囲JOGIS08-1975熱膨張測定温度範囲、さらに好ましくは80~350°Cの範囲熱インプリント温度範囲における熱膨張係数が70×107/°C以上となる。パターニング層3は、微細な凹凸パターンの形成を可能にすべく、微細なパターン形成が困難なガラス基板2上に重ねて成膜されたものである。そのために、パターニング層3は、半導体製造プロセスで用いられる微細加工技術を利用した微細な凹凸パターンのパターニングが可能な材料によって形成されている。このようなパターニングが可能な材料としては、例えばシリコンSiが挙げられる。すなわち、パターニング層3は、例えばSiを形成材料として成膜されている。ただし、例えばSiは、ガラス基板2の形成材料である強化ガラス材とは異なる熱膨張係数の材料である。具体的には、Siは、例えば100~300°Cの範囲における平均線熱膨張係数が25×107/°C程度である。このことから、パターニング層3は、ガラス基板2を形成する強化ガラス材の熱膨張係数との差の影響を排除すべく、熱応力を低減する態様で、ガラス基板2上に成膜されている。応力を低減する態様とは、ガラス基板2によって拘束されているパターニング層3に熱変化が加わっても、これによりパターニング層3に発生する熱応力を、一般的成膜態様の場合に比べて低減させることができるような態様のことをいう。このような態様の具体例としては、例えば、超薄膜状となる厚さにパターニング層3が成膜されている態様が挙げられる。ここで超薄膜とは、nmオーダーの厚さの膜のことをいい、具体的には数百nm以下で、好ましくは数十nm程度の厚さの膜のことをいう。因みに、このような超薄膜の定義に対して、薄膜はμmオーダーの厚さの膜をいうものとする。つまり、常識的な一般的成膜態様であれば薄くても薄膜状の成膜を行うところ例えば特許文献1参照、それよりも熱応力を低減する態様として、例えば超薄膜状となる厚さにパターニング層3を成膜するのである。超薄膜状にパターニング層3を成膜すると、熱応力の低減が可能となる理由は、以下のとおりである。例えば、パターニング層3の膜厚方向と直交する方向特に、半径方向における熱応力について考える。ガラス基板2とパターニング層3とは、熱膨張係数に差があることから、加熱時の変形量膨張量が異なり、これにより熱応力が発生する。その場合に、ガラス基板2は、パターニング層3に比べて伸び量が大きいため、圧縮方向の応力が生じる。これに対して、パターニング層3は、引っ張り方向の応力が生じる。したがって、パターニング層3が厚いと、その厚さに比例して断面積も増加することから、より大きな引っ張り力となり、加熱時にガラス基板2の変形凹状といった不具合を生じる結果をもたらす。ガラス基板20とパターン層3との間には、せん断応力が発生する。このせん断応力は、パターニング層3の引っ張り力によってもたらされるため、膜厚の増大による引っ張り力の増加は、せん断力も増加させる。また、例えば、パターニング層3の膜厚方向における熱応力について考えると、この場合、熱応力の大きさは、パターニング層3の熱膨張係数、温度変化量および膜厚寸法に比例する。したがって、膜厚寸法が小さければ、当然に、熱応力の低減が可能となる。なお、成膜後におけるパターニング層3の破壊ガラス基板2からの剥がれに関しては、ガラス基板2とパターニング層3の熱膨張差、パターニング層3に形成するパターン形状サイズやアスペクト比等を含む、ガラス基板2とパターニング層3の密着性等の影響を受けるが、パターニング層3の厚さは関係しないと思われる。つまり、パターニング層3を超薄膜状に成膜しても、パターン形成後のパターン層全面においてある程度の残膜があれば、これによりパターニング層3の剥離や、パターン自体が破壊し易くなるといったことは生じないと思われる。このような超薄膜状のパターニング層3は、熱応力を低減するという点では、その厚さが薄ければ薄いほど好ましい。ただし、パターニング層3は、凹凸パターンがパターニングされるものであるため、当該凹凸パターンの形成が可能であり、かつ、当該凹凸パターンの形成後もパターン自体の破損等が生じない程度の厚さを有している必要がある。これらのことから、パターニング層3の厚さについては、以下のように設定することが考えられる。すなわち、パターニング層3は、形成すべき凹凸パターンの深さxとすると、当該凹凸パターンの底部における膜厚ここでは残膜厚とも呼び、yとするが、x<yを満たす厚さで成膜されているものとする後述する図2参照。x>yとなってしまうと、生じるせん断応力に残膜厚yが耐えきれず、パターン破壊が生じる恐れがあるからである。より好ましくは、2x<yを満たす厚さで成膜されているものとする。なお、凹凸パターンの深さxは、ディスク状記憶媒体の構成基材に形成すべき凹凸パターンによって規定される。以上の条件を満たしつつ、パターニング層3の厚さは、極力薄くすることが好ましい。また、パターニング層3は、0°Cから400°Cに昇温させた場合における、前記ガラス基板の歪率と、前記パターニング層の歪率の差が0.4以下であるように決定することで、熱応力を低減させることができる。0.4を超える材料にすると、超薄膜状としても、インプリント時にパターンの破壊を招きやすい。また、パターニング層3は、熱応力を低減する態様およびガラス基板2との密着性を向上する態様として、ガラス基板2に含有されていたアルカリ金属イオンがパターニング層3の層内に拡散する状態に成膜されている。つまり、ガラス基板2とパターニング層3との間熱膨張特性が異なる材料同士の界面には、ガラス基板2に含有されていたアルカリ金属イオンのパターニング層3の層内への拡散を阻害する遮蔽層等が存在していない。このようにパターニング層3が成膜されていれば、例えば熱インプリントの際の加熱時に、パターニング層3の層内へアルカリ金属イオンが拡散し、これによりガラス基板2とパターニング層3とでアルカリ金属イオンの分布が徐々に変化することになり、両者の間に組成の連続性が生じ得ることになる。したがって、アルカリ金属イオンの拡散が生じていない場合に比べると、パターニング層3における熱応力を低減でき、またパターニング層3とガラス基板2との密着性が向上すると思われ、その結果、高いパターン転写性を実現できる。さらに、パターニング層3は、その最表層部分に酸化膜ただし不図示が形成されていることが好ましい。具体的には、例えばパターニング層3の形成材料がSiである場合、酸化膜としてSiO2膜が形成されていることが好ましい。このような酸化膜は、成膜後のパターニング層3に対する酸化処理を経て形成されるものであってもよいし、あるいは成膜後のパターニング層3の自然酸化によって形成されるものであってもよい。パターニング層3の最表層部分に酸化膜が形成されていると、パターニング層3へ凹凸パターンを形成するためのマスク材料例えば、Crハードマスクとの界面において組成ミキシングが生じるのを防ぐことができるため、結果として、高いパターン転写性を実現できる。<2.インプリント用モールドの製造手順>次に、以上のような構成のインプリント用モールドブランクを基にして、インプリント用モールドを製造する場合の手順について説明する。図2は、本実施形態のインプリント用モールドの製造手順の概要を示す説明図である。上述した構成のインプリント用モールドブランク1に対して、そのインプリント用モールドブランク1におけるパターニング層3に凹凸パターン4を形成したものが、本実施形態におけるインプリント用モールド5である。このようなインプリント用モールド5の製造手順は、大別すると、パターニング工程ステップ10、以下ステップをSと略す。と、洗浄剥離工程S20とを備える。パターニング工程S10では、ハードマスク形成、ナノインプリント、および、ドライエッチングを行う。詳しくは、先ず、インプリント用モールドブランク1におけるパターニング層3をパターニングする際のマスクとして、パターニング層3の層上にハードマスク層ただし不図示を形成する。ハードマスク層の形成にあたり、その成膜材料、成膜手法、成膜厚さ等については、公知技術を利用して適宜設定すればよい。具体的には、Siを形成材料とするパターニング層3に対して、例えば、クロムCr層を、スパッタリング法を利用して、その後に行うエッチング処理を経ても残存してマスク機能を失わない程度の厚さ例えば4nm程度で形成することが考えられる。このとき、パターニング層3の最表層部分に酸化膜が形成されていると、パターニング層3に対するパターニング性能を向上させる上で好ましいものとなる。何故ならば、例えばSi層からなるパターニング層3の上にCr層からなるハードマスク層を形成する場合、SiとCrとの界面において組成ミキシングがあると、エッチング選択比の低下等によりSiパターニング性能が低下するため、Si層とCr層とは非連続性不連続性であることが好ましいからである。つまり、Si層の最表層部分にSiO2膜が形成されていれば、Si層とCr層との非連続性を実現させることができるので、SiO2膜が無い場合に比べてパターニング性能を向上させることができる。ハードマスク層の形成後は、次いで、そのハードマスク層に対するパターニングを行う。具体的には、製造すべきインプリント用モールド5がワーキングレプリカの場合であれば、その基になるマスターモールドにおけるパターンを、例えば光インプリントを利用してハードマスク層に転写する。ただし、ハードマスク層に対するパターニングは、必ずしもナノインプリント技術を利用したものである必要はなく、例えば製造すべきインプリント用モールド5がマスターモールドの場合であれば、電子線描画等のリソグラフィ技術を利用して行ってもよい。いずれの場合も、パターニングの手法等は、公知技術により行えばよい。ハードマスク層に対するパターニングを行った後は、次いで、そのパターニング後のハードマスク層をマスクにして、パターニング層3に対するエッチングを行い、パターニング層3に凹凸パターン4を形成する。このとき、パターニング層3がSi層であれば、フッ素系ガスを用いたドライエッチングを行うことが考えられる。ただし、必ずしもこれに限定されることはなく、パターニング層3の形成材料等を考慮しつつ、公知技術を適宜選択的に利用して行えばよい。なお、パターニング層3に対するエッチングの際には、形成すべき凹凸パターン4の深さxと、当該凹凸パターン4の底部における膜厚yが、少なくともx<y、より好ましくは2x<yを満たすように、エッチング条件例えばエッチング処理時間を適宜調整する。以上のようなパターニング工程S10を経てパターニング層3に凹凸パターン4を形成した後は、次いで、洗浄剥離工程S20を行う。洗浄剥離工程S20では、アルカリ洗浄、硫酸過水剥離、化学薬品例えばCr剥離液、メガソニック洗浄超音波洗浄等を用いて、洗浄処理および不要な膜の剥離処理を行う。以上の各工程S10,S20を経ることで、インプリント用モールドブランク1からインプリント用モールド5が製造される。このようにして製造されたインプリント用モールド5において、凹凸パターン4が形成された後のパターニング層3は、少なくとも最表層部分が、熱インプリント工程におけるパターン転写対象物であるパターン被転写層と反応しない材料で形成されていることが必要である。反応してしまう材料であると、熱インプリント工程後、パターン被転写層の一部がモールドの凹凸パターンに残存し、転写特性が低下してしまう。例えば、凹凸パターンが形成された後のパターニング層の最表層部分に酸化膜ただし不図示が形成されていることが好ましい。具体的には、例えばパターニング層3の形成材料がSiである場合、そのパターニング層3の露出面凹凸パターン4の凹部内も含むに、酸化膜としてSiO2膜が形成されていることが好ましい。このような酸化膜は、パターニング後のパターニング層3に対する酸化処理を経て形成されるものであってもよいし、あるいはパターニング後のパターニング層3の自然酸化によって形成されるものであってもよい。<3.熱インプリントによるパターン転写手順>次に、以上のような手順で製造されたインプリント用モールド5を用いて、強化ガラス材からなるディスク状記憶媒体の構成基材に対し、熱インプリントによるパターン転写を行う場合の手順について説明する。図3は、本実施形態のインプリント用モールドを用いた熱インプリントによるパターン転写の概要を示す説明図である。熱インプリントによるパターン転写を行う場合には、先ず、パターン転写対象物であるディスク状記憶媒体の構成基材6における面上に、パターン被転写層7の形成を行う。パターン被転写層7は、熱インプリントによりパターン転写を行うために熱可塑性材料を用いて形成するが、熱可塑性材料の中でも特に構成基材6に対応する熱膨張係数を有する材料を用いて形成することが好ましい。このような形成材料としては、構成基材6が一般的なメディア基板である強化ガラス材からなる場合であれば、例えばパラジウムPdを主成分とする金属ガラスを用いることが考えられる。なお、パターン被転写層7の形成手法や形成厚さ等については、公知技術を利用して実現すればよいため、ここではその説明を省略する。構成基材6上にパターン被転写層7を形成したら、その後は、構成基材6におけるパターン被転写層7の形成面側と、インプリント用モールド5におけるパターン形成面側とを、互いに対向する状態にセットする。そして、インプリント用モールド5と構成基材6をパターン被転写層7のガラス転移温度以上に加熱してパターン被転写層7の形成材料を軟化させ、その温度を保ったままインプリント用モールド5を構成基材6に対して押し付けて加圧し、一定時間その状態を保持する。一定時間が経過すると、その後は、インプリント用モールド5と構成基材6をパターン被転写層7のガラス転移温度以下に冷却してパターン被転写層7の形成材料を硬化させ、インプリント用モールド5と構成基材6とを分離離型する。以上のような手順を経ることで、インプリント用モールド5における微細な凹凸パターンが、パターン転写対象物であるディスク状記憶媒体の構成基材6の側へ転写されることになる。このとき、インプリント用モールド5のパターニング層3における最表層部分に酸化膜が形成されていると、パターン被転写層7に対するパターニング性能を向上させる上で好ましいものとなる。何故ならば、パターニング層3の最表層部分に酸化膜が形成されていれば、例えばパターニング層3の層内にアルカリ金属イオンが拡散していても、そのアルカリ金属イオンがパターニング層3の表面に露出してしまうことがないからである。つまり、パターン被転写層7への凹凸パターンの転写にあたり、その転写に悪影響を及ぼし得るものがパターニング層3の層内に存在していても、パターニング層3の最表層部分は酸化膜に覆われているので、当該悪影響例えば表面の荒れの発生を排除することができる。また、パターニング層3の最表層部分に酸化膜が形成されていれば、その酸化膜によって、パターン被転写層7の形成材料であるPd金属ガラスとパターニング層3の形成材料であるSiとの反応を抑制することができ、これによりパターン転写性を向上させることも期待できる。<4.本実施形態の効果>本実施形態で説明したインプリント用モールドブランク1およびインプリント用モールド5によれば、以下のような効果が得られる。本実施形態においては、ガラス基板2がディスク状記憶媒体の構成基材6に対応する熱膨張係数を有しており、パターニング層3が熱応力を低減する態様でガラス基板2上に成膜されている。したがって、熱インプリントによるパターン転写に用いる場合であっても、ディスク状記憶媒体の構成基材6との熱膨張差に起因するモールド割れ等の破損が生じてしまうことがない。しかも、本実施形態においては、ガラス基板2上にパターニング層3を成膜するので、ガラス基板2を直接的にパターニングする場合とは異なり、ガラス基板2としてパターニングが困難な強化ガラス材を使用することができる。また、パターニング層3の形成材料は、ガラス基板2と異なる熱膨張係数で良いため、例えばSiのような成膜およびパターニングが容易な材料を使用することができる。つまり、本実施形態においては、単に熱膨張係数を揃えるという従来の一般的な考えに捉われることなく、熱応力を低減する態様で形成された層構造という従来にはない全く新たな構成を採用する。そのため、ガラス基板2とパターニング層3との間で、それぞれの形成材料に熱膨張係数の差があっても、パターニング層3の成膜態様によって、その差が実質的に解消されたのと略同じ状態が得られる。その結果、ディスク状記憶媒体の構成基材6に対して熱インプリントにより凹凸パターンを形成する場合であっても、インプリント用モールド5に割れ等の破損が生じてしまうことなく、微細な凹凸パターンを適切かつ容易に形成できるのである。また、本実施形態においては、例えば、100~300°Cの範囲における熱膨張係数が70×107/°C以上であるガラス基板2を用いる。つまり、ガラス基板2は、ディスク状記憶媒体の構成基材6として多く用いられる高熱膨張性ガラスである。したがって、熱インプリントによるパターン転写に用いる場合であっても、ディスク状記憶媒体の構成基材6との熱膨張差が生じてしまうことがない。また、ディスク状記憶媒体の構成基材6と同じガラス材が使用可能となるので、インプリント用モールドブランク1のコスト抑制が確実に図れるようになる。また、本実施形態においては、パターニング層3が、熱応力を低減する態様として、超薄膜状となる厚さに成膜されている。このように、パターニング層3を超薄膜状とすることで、ガラス基板2との熱膨張差により生じる問題が低減される。つまり、ガラス基板2とパターニング層3とに熱膨張係数の差があっても、その差を無視できる程度の超薄膜状にパターニング層3を成膜することで、モールド割れ等の発生を未然に防止することができる。しかも、パターニング層3の膜厚をコントロールすればよいので実現容易である。また、本実施形態においては、形成すべき凹凸パターン4の深さxと、その凹凸パターン4の底部における膜厚yとが、x<yを満たすようにパターニング層3が成膜されている。このように、x<yを満たせば好ましくは、2x<y、パターニング層3が超薄膜状であっても、凹凸パターン4に部分的な破損が生じるといった不具合を回避することができる。なお、パターニング層3における熱応力低減に関しては、実際には膜厚yが大きな影響を及ぼすと考えられる。このことから、パターニング層3については、上述した条件を満たしつつ、膜厚yを極力薄くすることが好ましい。また、本実施形態においては、熱応力を低減する態様およびガラス基板2との密着性を向上する態様として、ガラス基板2内のアルカリ金属イオンが拡散し得る状態にパターニング層3が成膜されている。このように、パターニング層3の層内にアルカリ金属イオンを拡散させることで、ガラス基板2との熱膨張差が低減される。つまり、ガラス基板2とパターニング層3とに熱膨張係数の差があっても、アルカリ金属イオンの拡散によってガラス基板2とパターニング層3との間に組成の連続性が生じるので、当該連続性が生じない場合に比べると熱膨張係数の差を無視できるようになり、その結果としてモールド割れ等の発生を未然に防止することができる。しかも、ガラス基板2内のアルカリ金属イオンをパターニング層3の層内に拡散させればよい。すなわち、例えば、両者の間に障壁となるものを設けたりせず、またアルカリ金属イオンが拡散し易い材料例えばSiでパターニング層3を成膜する、といったことを行えばよいので、その実現が容易である。また、本実施形態においては、パターニング層3がSiを形成材料として成膜されている。つまり、パターニング層3がSiなので、超薄膜状の成膜を容易に行うことができるとともに、凹凸パターン4のパターニングを容易に行うことができる。また、本実施形態においては、ガラス基板2が化学強化ガラス材からなる。つまり、熱インプリントに際しては、インプリント用モールド5に対して、加熱だけでなく加圧も行われるが、本実施形態で説明したように、ガラス基板2に化学強化ガラス材を用いれば、当該ガラス基板2の強度向上が図れるので、加圧に対する耐性を向上させることができる。また、強度向上により、取り扱いの不備による損傷発生を低減させ得るようにもなる。また、本実施形態で説明したように、インプリント用モールドブランク1の状態において、パターニング層3の最表層部分に酸化膜が形成されていれば、パターニング層3に対するパターニング性能を向上させる上で好ましいものとなる。パターニング層3とその上に形成されるハードマスク層とは、界面において組成の非連続性不連続性があることが好ましいからである。また、本実施形態で説明したように、インプリント用モールド5の状態において、パターニング層3の最表層部分に酸化膜が形成されていれば、凹凸パターンが転写されるパターン被転写層7に対するパターニング性能を向上させる上で好ましいものとなる。パターン被転写層7への凹凸パターンの転写にあたり、その転写に悪影響を及ぼし得るものがパターニング層3の層内に存在していても、当該悪影響を排除できるからである。<5.変形例等>以上に本発明の実施形態を説明したが、上記の開示内容は、本発明の例示的な実施形態を示すものである。すなわち、本発明の技術的範囲は、上記の例示的な実施形態に限定されるものではない。以下に、上述した実施形態以外の変形例について説明する。上述した実施形態では、パターニング層3がSiを形成材料とする単層構造である場合を例に挙げた。ただし、パターニング層3は、このような例に限定されることはなく、Si層を含む積層構造で成膜されており、ガラス基板2の側から当該パターニング層3において、その熱膨張係数が順に小さくなるように積層されている積層構造であってもよい。この積層構造についてさらに詳しく説明すると、パターニング層3は、その表面側すなわちガラス基板2から遠い側に配されたSi層を備えている。そして、Si層とガラス基板2との間に、Si以外の形成材料からなる層を、少なくとも一層備えている。Si以外の形成材料としては、例えばクロムCrを用いることが考えられる。Crは、熱膨張係数の値が、Siの熱膨張係数の値と強化ガラス材の熱膨張係数の値との中間程度68×107/°C程度に位置する。このようなCr層をSi層とガラス基板2との間に挟んだ積層構造であれば、パターニング層3とガラス基板2との熱膨張差に起因する問題を低減できる。詳しくは、Si層とガラス基板2との間にCr層を挟むことで、Cr層はアルカリ金属イオン拡散層、またSi層はパターン形成層としての役割に特化させる。つまり、Cr層には、アルカリ金属イオンの拡散により、ガラス基板2との密着性を向上させる役割を担わせる。なお、Cr層とSi層は、金属同士のため密着性は高い。一方、Si層には、上述した実施形態で説明したように、微細な凹凸パターンの形成を可能にする役割を担わせる。したがって、このような積層構造のパターニング層3によれば、熱応力を低減する態様およびガラス基板2との密着性を向上する態様を、好適に実現することができ、その結果、高いパターン転写性を実現できる。次に、実施例を挙げて、本発明を具体的に説明する。ただし、本発明が、以下の実施例に限定されないことは勿論である。本実施例では、インプリント用モールドブランク1を構成するガラス基板2として、平面的な大きさが65cmφで板厚が0.635mm厚に加工されたものを用いた。用いたガラス基板2を、表1に示す。また、本実施例で用いたガラス基板2の80~350°Cの範囲における平均熱膨張係数は92×107/°Cであった。そして、そのガラス基板2をスパッタリング装置に導入し、Siを形成材料とする単層構造のパターニング層3を、85nm厚の超薄膜状に形成した。このようにして、本実施例におけるインプリント用モールドブランク1を作成した。その後、インプリント用モールドブランク1におけるパターニング層3に対して、光インプリントを利用したパターニングを行って、60nmピッチのBPM用パターンを形成するための凹凸パターンを、そのパターン深さxが30nmとなるように形成した。このような凹凸パターンがパターニングされたパターニング層3は、パターン深さxが30nmであり、凹凸パターンの底部における膜厚yが85nm-30nm=55nmなので、x<yという条件を満たす。このようにして、本実施例におけるインプリント用モールド5を作成した。上述のインプリント用モールド5について、走査型電子顕微鏡を用いて、パターニング層3における形成パターンを観察した。図4は、実施例における形成パターンについての走査型電子顕微鏡観察結果を示す説明図であり、aは倍率が50000倍の場合を示す図、bは倍率が100000倍の場合を示す図である。図例のように、パターニング層3における形成パターンについては、走査型電子顕微鏡観察の結果、パターニング層3が超薄膜状であるにもかかわらず、パターン欠陥が発生しておらず、微細パターンが高精度に形成されていることがわかる。その後、本実施例におけるインプリント用モールド5を用いて、BPM用の構成基材6の面上にPd金属ガラスによる層が形成されたものに対して、熱インプリントによるパターン転写を行った。熱インプリントの条件は、加熱温度が340°C、加圧力が40MPa、保持時間が10秒である。以上のような熱インプリントによるパターン転写を行ったところ、インプリント用モールド5に割れ等の破損が生じてしまうことなく、構成基材6の側に対して微細な凹凸パターンを形成可能であることが確認できた。"