真空容器内に、メインロールと、ターゲットを載置できるマグネトロン電極とを備え、長尺基材を前記メインロールの表面に沿わせて搬送しながら前記長尺基材の表面に薄膜を形成する反応性スパッタリング装置であって、前記メインロールと前記マグネトロン電極とで挟まれる成膜空間を囲むように、前記成膜空間を挟んで前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側に、前記長尺基材の幅方向に延在する少なくとも1枚ずつの側壁を設け、前記側壁は前記マグネトロン電極とは電気的に絶縁されており、前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側のいずれか一方の側壁にガス排気口を備え、前記ガス排気口を備えていない方の側壁には前記長尺基材の幅方向に一列に並んだ複数のガス供給孔が形成するガス供給孔列を2列以上備え、前記ガス供給孔列のうち前記ターゲット表面に最も近い一列は、前記ターゲット表面近傍に非反応性ガスを供給するためのものであり、それ以外の前記ガス供給孔列は反応性ガスを供給するためのものである、反応性スパッタリング装置。前記ガス供給孔列のうち前記ターゲット表面に最も近いガス供給孔列と、前記ターゲット表面に2番目に近いガス供給孔列との間に、前記長尺基材の幅方向に延在する整流板を備える、請求項1に記載の反応性スパッタリング装置。前記メインロールの軸に対して垂直な断面において、前記2列以上のガス供給孔列のうち前記ターゲット表面に最も近いガス供給孔列と前記ターゲット表面に2番目に近いガス供給孔列との中間位置が、前記ガス排気口の面積の中心位置よりも鉛直方向上側にある、請求項1または2に記載の反応性スパッタリング装置。前記ガス排気口に金属メッシュが張られている、請求項1~3のいずれかに記載の反応性スパッタリング装置。請求項1~4のいずれかに記載の装置を用いて、前記ガス供給孔列のうち前記ターゲット表面に最も近い一列より非反応性ガスを供給し、他の前記ガス供給孔列より反応性ガスを供給し、前記マグネトロン電極に電力を印加することによりプラズマを生成させて前記長尺基材に薄膜を形成する、反応性スパッタリング方法。前記非反応性ガスをアルゴンとし、前記反応性ガスを窒素または酸素の少なくともいずれか一方を含むガスとし、前記ターゲットの材質を銅、クロム、チタン、アルミニウムのいずれかとした、請求項5に記載の反応性スパッタリング方法。本発明は、上述した従来の実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、長尺基材に成膜可能な反応性スパッタリング装置において、ターゲット表面の汚れを抑制し、成膜速度や膜質の均一性を長時間保てる反応性スパッタリング装置および方法を提供することにある。上記目的を達成するための本発明に係る反応性スパッタリング装置は、次の通りである。真空容器内に、メインロールと、ターゲットを載置できるマグネトロン電極とを備え、長尺基材をメインロールの表面に沿わせて搬送しながら長尺基材の表面に薄膜を形成する反応性スパッタリング装置であって、メインロールとマグネトロン電極とで挟まれる成膜空間を囲むように、成膜空間を挟んで長尺基材の搬送方向の上流側および下流側に、長尺基材の幅方向に延在する少なくとも1枚ずつの側壁を設け、側壁はマグネトロン電極とは電気的に絶縁されており、長尺基材の搬送方向の上流側および下流側のいずれか一方の側壁にガス排気口を備え、ガス排気口を備えていない方の側壁には長尺基材の幅方向に一列に並んだ複数のガス供給孔が形成するガス供給孔列を2列以上備え、ガス供給孔列のうちターゲット表面に最も近い一列は、ターゲット表面近傍に非反応性ガスを供給し、それ以外の前記ガス供給孔列からは反応性ガスを供給する、反応性スパッタリング装置を提供する。また、上述した装置であり、ガス供給孔列のうちターゲット表面に最も近いガス供給孔列と、ターゲット表面に2番目に近いガス供給孔列との間に、長尺基材の幅方向に延在する整流板を備える反応性スパッタリング装置を提供する。また、上述したいずれかの装置であり、メインロールの軸に対して垂直な断面において、長尺基材の搬送方向の上流側および下流側に設けられた側壁のいずれか一方に備えられた2列以上のガス供給孔列のうち、放電電極表面に近い2列の中間位置が、ガス排気口の面積の中心位置よりも鉛直方向上側にあることを特徴とする反応性スパッタリング装置を提供する。また、上述したいずれかの装置であり、ガス排気口に金属メッシュが張られている反応性スパッタリング装置を提供する。また、上述したいずれかの装置を用いて、ガス供給孔列のうちターゲット表面に最も近い一列より非反応性ガスを供給し、他のガス供給孔列より反応性ガスを供給し、マグネトロン電極に電力を印加することによりプラズマを生成させて長尺基材に薄膜を形成する、反応性スパッタリング方法を提供する。また、上述したスパッタリング方法を用いて、非反応性ガスをアルゴンとし、反応性ガスを窒素または酸素とし、ターゲットの材質を銅、クロム、チタン、アルミニウムのいずれかとした反応性スパッタリング方法を提供する。本発明によれば、長尺基材を搬送しながら基材表面に薄膜を生成する反応性スパッタリング装置において、ターゲット表面の汚れを抑制し、成膜速度や膜質の均一性を長時間保てる反応性スパッタリング装置および方法を提供することが出来る。以下、本発明の最良の実施形態の例を、長尺基材の表面に窒化銅膜を成膜する反応性スパッタリング装置に適用した場合を例にとって、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の反応性スパッタリング装置の一例の概略断面図である。図1において、本発明の反応性スパッタリング装置E1は、真空容器1を有する。真空容器1には、排気装置13が接続されている。真空容器1の内部には、巻き出しロール2と巻き取りロール3が備えられており、長尺基材5を巻き出してメインロール6まで搬送するためのガイドロール4が配置されている。メインロール6は、冷却機構等の温度調整機構を備えていても構わない。メインロール6を通った長尺基材5は、別のガイドロール4を経て、巻き取りロール3に巻き取られる。メインロール6と対向する位置に、電源12に接続され、ターゲット7を保持したマグネトロン電極8が配置されている。ターゲット7の材質は、例えば窒化銅を成膜する場合であれば銅を選択すればよいが、これに限定されず所望の膜の種類によって自由に選定できる。長尺基材5の搬送方向に対して上流側と下流側に、マグネトロン電極8を挟んで一枚ずつ側壁9aと9bが配置されている。上流側と下流側のいずれか一方の側壁図では側壁9aには、原料ガスを供給するためのガス供給孔列10a、10bが、残りの一方の側壁図では側壁9bには、ガス排気用のガス排気口11が設けられている。マグネトロン電極8の位置は、メインロール6とマグネトロン電極8が対向するように配置できれば、真空容器1内の構造を考慮して自由に選定できる。また、マグネトロン電極8の長尺基材5に対向する面の大きさ広さも、長尺基材5の大きさを考慮して選定できるが、長尺基材5の幅方向における端部まで成膜したい場合は、長尺基材5の幅よりもマグネトロン電極8における長尺基材5の幅方向の長さが大きくなる方が好ましい。マグネトロン電極8に保持されるターゲット7についても同様の考え方でその大きさを選定できる。マグネトロン電極8の内部には、磁石によるマグネトロン用磁気回路等の磁場発生手段を備える。磁場を用いることで、ターゲット7の表面に高密度プラズマを形成することができる。また、プラズマ形成中に熱が発生して内部の磁石が減磁する恐れがあるので、プラズマ発生電極内には冷却水流路が形成されている方が好ましい。電源12としては、DC電源、DCパルス電源、RF電源などを使用することができるが、放電安定性および成膜速度の観点からDCパルス電源を用いることが好ましい。図2は、図1の反応性スパッタリング装置E1におけるマグネトロン電極8および側壁9a、9b部分の拡大斜視図である。側壁9a、9bの大きさは、マグネトロン電極8の大きさと、マグネトロン電極8とメインロール6との距離によって選定される。側壁9a、9bは、マグネトロン電極8の側面図2において、マグネトロン電極8の左右と間隙を持っており、マグネトロン電極8と絶縁されている。その間隙の幅は、間隙での異常放電を抑制する目的で、1~5mmであることが好ましい。マグネトロン電極8と側壁9a、9bの間に絶縁物を挟んでも良い。放電を安定させる目的で、側壁9a、9bは各々が接地されていることが好ましい。このようにすることで、マグネトロン電極8内の磁気回路効果に加え、メインロール6とプラズマ発生電極8および側壁9aおよび9bで囲まれた領域、すなわち成膜空間に、プラズマを局在させて発生させやすくなる。また、真空容器1の内部の壁などへの不要な膜付着が防止できるため、好ましい。また、2枚の側壁9aと9bは、導線などの導体で接続するなどして同電位にしておいて構わない。さらに、2枚の側壁9aおよび9bを接地電位とせずに、電源12として2端子の非接地出力が可能な電源を用いて、出力の一方の端子をプラズマ発生電極8に、他方の端子を2枚の側壁9aおよび9bに接続することも、側壁9aおよび9bに薄膜が付着しても長時間安定に放電を継続することができるため、好ましい形態である。側壁9a、9bがないと、メインロール6および真空容器1にプラズマが広がってしまい、プラズマが不安定になりやすい。また、図2では長尺基材5の搬送方向に対して上流側と下流側に一枚ずつ側壁9aと9bを配置した場合を示しているが、長尺基材5の幅方向に対して手前側と奥側にも側壁を設けてマグネトロン電極8の側面全部を側壁で覆い、箱形のようにしても良い。現実的には、メインロール6の幅方向に長い場合が多く、それに応じてプラズマ発生電極8および側壁9a、9bもメインロール幅方向に長くなる。そのため、プラズマを囲い込むという目的において重要な意味を持つのは長尺基材5の搬送方向上下流側の側壁である。しかしながら、プラズマをより確実に局在化させるためには、長尺基材5の幅方向に対して手前側と奥側の側壁がある方がより好ましい。側壁9aが具備するガス供給孔列10a、10bは、複数のガス供給孔によって形成される。成膜空間に均一にガスを供給できれば、ガス供給孔の並び方に制限は無く、例えば斜めに並んでいても、格子状に並んでいても構わない。しかしながら、複数のガスを別の給気孔列10a、10bから導入することを考えると、長尺基材5の幅方向に一列に並んでいる方が装置製作の面では簡便である。また、ガス供給孔が並ぶ間隔も任意に決めて良いが、本発明者らの知見によると、成膜ムラが出難いためガス供給孔の間隔は5cm以下が好ましい。ガス供給孔列10a、10bのうちターゲット7の表面に最も近い一列図1および図2におけるガス供給孔列10bからは、非反応性ガスが供給される。それ以外のガス供給孔列図1および図2におけるガス供給孔列10aからは、反応性ガスが供給される。非反応性ガスとしては、例えばアルゴンなどの、ターゲット7の材料と化学反応を起こさないガスの中から任意のものを選定することができる。反応性ガスについては、例えば窒化銅を成膜する場合は窒素を選定すればよいが、これに限定されず所望の膜の種類に応じて自由に選定できる。ターゲット7の表面近傍にはマグネトロン放電による高密度プラズマ領域ができるが、その高密度プラズマ領域に非反応性ガスが供給されるように、ターゲット7の表面に最も近いガス供給孔列10bが配置されることが好ましい。具体的には、ターゲット7の表面近傍に非反応性ガスを供給するために、側壁9aにおけるガス供給孔列10bに含まれるガス供給孔の位置を以下のようにすることが好ましい。すなわち、ターゲット7表面における平行磁束密度ターゲット表面に対して平行方向の磁束密度が最大になる位置から、メインロール6に向けて垂直方向に平行磁束密度を測定していった時に、ターゲット7表面の平行磁束密度の最大値の50になる点を含むターゲット7表面と平行な面を基準面とし、その基準面よりもターゲット7側の領域にガス供給孔列10bが含まれることが好ましい。平行磁束密度を測る方法としては、例えば、KANETSU社製ガウスメータTM-201を用い、プローブ先端の測定部をターゲット7表面に直接コンタクトさせ、ターゲット7表面での最大磁束密度の位置を特定した後、その位置からメインロール6に向けてプローブを動かし、平行磁束密度を測定していく。対して、ガス供給孔列10aは、高密度プラズマ領域よりもメインロール6側に反応性ガスが供給されるように配置されることが好ましい。具体的には、上述した基準面よりもメインロール6側の領域に、ガス供給孔列10aがあることが好ましい。このようにガスを供給すると、マグネトロン放電によって成膜速度が向上できると同時に、ターゲット粒子と反応性ガスが反応して生じる成膜種がターゲット7の表面に付着するのを抑制することが出来、長時間安定したスパッタリングが行える。図6aに、本発明の反応性スパッタリング装置の一例のガス給気部分拡大側面図を、図6bに、本発明の反応性スパッタリング装置の一例のガス給気部分拡大背面図を示す。側壁9aには、任意の間隔と個数でガスが吹き出す貫通孔が設けてある。側壁9aにおいて、マグネトロン電極8と反対側の面には、ガス管15aおよび15bが取り付けられている。ガス管15aおよび15bには、側壁9aに設けた貫通孔に対応する箇所に、ガスが導入される孔が設けられている。側壁9aの貫通孔よりもガス管15aおよび15bに設ける孔を小さくすると、ガス管15aおよび15bから成膜空間へガスが通りやすくなるためが好ましい。ガス管15aおよび15bに接続されたガスパイプ16aおよび16bより導入された原料ガスは、ガス管15aおよび15bより各ガス供給孔へ分散して供給される。ガス供給孔の内径は、加工コストや、ガス供給孔へのプラズマ進入による放電状態の安定性などの観点から、0.1mm以上2mm未満であることが好ましい。本発明の反応性スパッタリング装置では、真空容器1内の圧力は低圧に保たれ、分子流に近い領域で成膜が行われるため、メインロール6の回転による随伴流は発生し難い。そのため、ガスの供給方向については、長尺基材5およびマグネトロン電極8の間に長尺基材5と略平行に導入できれば良い。成膜条件によりガスの流れが粘性流に近くなってくる可能性がある場合は、ガスの供給は長尺基材5の搬送方向上流から導入することが好ましい。側壁9aの対面にある側壁9bは、ガス排気口11を具備している。ガスを効率よく排気するために、ガス排気口11は排気装置13の接続口の近くに配置されるか、可能であればガス排気口11と排気装置13の接続口をダクトで繋ぐことが好ましい。また、ガス排気口11の開口幅については、ガス給気孔列10a、10bを側壁9b上へ投影した点全てを内包する範囲で開口していれば良い。長尺基材5搬送方向の上下流側の側壁9a、9bに挟まれ、かつ長尺基材5の幅方向に対して手前側と奥側に位置する側壁がない場合、薄膜形成に使われなかった排ガスは、主にガス排気口11および搬送方向に開いた部分より成膜空間から排気される。長尺基材5搬送方向の上下流側の側壁に挟まれ、かつ長尺基材5の幅方向に対して手前側と奥側の側壁ある場合、ガス排気口11より排気される。図3は、本発明の反応性スパッタリング装置の別の一例を示す第2の反応性スパッタリング装置E2の概略断面図である。図3の例においては、2列以上のガス供給孔列のうち、マグネトロン電極8に保持されたターゲット7の表面から最も近いガス供給孔列と、前記ターゲット7の表面から2番目に近いガス供給孔列との間に、長尺基材5の幅方向に延在する整流板17を備えている。整流板17があることにより、非反応性ガスの吹き出す方向がターゲット7の表面方向でなくても、ガスを整流板17によってターゲット7の表面に略平行な方向へ流すことができる。図4は、図3の反応性スパッタリング装置E2におけるマグネトロン電極8および側壁9a、9b部分の拡大斜視図である。整流板17は、側壁9aからガスが吹き出す方向に長さを持っている。ガス供給孔列10a、10bから導入されたガスは、低圧に保たれた成膜空間で拡散する。整流板17により、整流板17を挟んでターゲット7側のガス供給孔列9aから出た非反応性ガスと、メインロール6側のガス供給孔列9bから出た反応性ガスが成膜空間で混じり合い難くなり、非反応性ガスがターゲット7の表面に沿って流れやすくなる。本発明者らの知見によると、ガス流れの抑制効果や放電安定性などの観点から、整流板17の長尺基材5搬送方向の長さは15mm以上、かつ電極の長尺基材5の搬送方向における幅の25未満が好ましい。磁気回路によってプラズマが集中する領域に整流板17が掛からないようにするとさらに好ましい。図3の反応性スパッタリング装置E2における他の構成要素は、図1の反応性スパッタリング装置E1の構成要素と同じため、あるいは、実質的に同じであるため、図1における要素符号と同じ符号が、図3において用いられている。以下、他の図の相互間においても同じである。図5は、本発明の反応性スパッタリング装置の別の一例を示す第3の反応性スパッタリング装置E3の概略断面図である。図5の例においては、側壁9aに設けられた複数のガス供給孔列のうち、ターゲット7表面に最も近いガス供給孔列とターゲット7表面に2番目に近いガス供給孔列との中間位置が、ガス排気口11の面積の中心位置よりもメインロール6に垂直方向上側に位置されている。ガス排気口11をこのような配置にすることで、非反応性ガスがターゲット7表面近傍に沿ってさらに流れやすくなり、ターゲット7表面に汚れが付着し難く、安定した放電が実現できる。ガス排気口11の面積の中心位置とは、ガス排気口11の形状の重心を指す。例えば長方形であれば2本の対角線の交点が、円であれば円の中心点が面積の中心位置である。ガス排気口の形状が三角形の場合、三角形の3つの頂点のうち2つの頂点について、各頂点とその頂点に対向する辺の中点とを結ぶ線中線が交わる点が三角形の重心であり、排気口の面積における中心点となる。正方形や長方形のように対角線の長さが同じではない四角形の場合は以下のように重心を求める。四角形は、2本の対角線それぞれを使って2通りのやり方で2つの三角形に分割できる。分割した2つの三角形の重心を求め、その点同士を繋ぐと一本の線重心線が描ける。1本目の対角線で求めた重心線と、2本目の対角線を使って求めた重心線の交点が、この四角形の重心となる。五角形の場合も、三角形と四角形に2通り分割し、重心を求められる。それ以上の多角形の場合も分割の方法を工夫して重心を求められる。しかしながら、ガス排気口11の形状は、左右非対称であると排気にムラが出るため、楕円や長方形に近い形状であることが好ましい。また、本発明ではガス排気口11に金属メッシュが張られていることがより好ましい。ガス排気口11に金属メッシュを設けることにより、プラズマを成膜空間に局在化させることが可能となり、真空容器1内部の不要な場所での放電が発生することがなく、プラズマを安定して生成することができる。また、真空容器1の内壁への膜付着による汚れを防止でき、メンテナンス性が向上する。金属メッシュ13の材質としては、ステンレス、ニッケル、アルミニウムなど、金属であれば任意のものを用いることができる。またメッシュの目の粗さは、プラズマの漏洩や排気の流れなどの観点から、メッシュのピッチは0.5mm以上2mm以下、また開口率は30以上であることが好ましい。本発明の反応性スパッタリング装置は、長尺基材5への化合物薄膜の形成過程において、ターゲット7の表面が汚れて成膜の安定性が乱れることを極力防止し、膜質や成膜速度の低下を抑制し、安定して長時間に渡り良質な膜質を有する化合物薄膜を製造するのに、特に有効に機能する。反応性スパッタリング方法の具体例として、窒化銅膜を製造する方法について次に説明する。窒化銅膜形成方法の実施形態は、図1、図3、図5に示す反応性スパッタリング装置E1、E2、E3を使用した製造方法である。その例として、図1の反応性スパッタリング装置E1を使用した場合について記載する。真空容器1内の巻き出しロール2に、長尺基材5をセットし、ガイドロール4とメインロール6に巻き付けて、巻き取りロール3まで渡す。排気装置13により、真空容器1内を十分に真空排気する。その後、非反応性ガスとしてアルゴンをガスパイプ16bからガス管15bへ導入し、反応性ガスとして窒素をガスパイプ16aからガス管15aへ導入する。成膜空間に、ガス給気孔列10bより反応性ガスを、ガス供給孔10aより非反応性ガスを供給する。真空容器1内を、反応性スパッタリングを行う圧力に調整する。電源12からマグネトロン電極8に電力を供給し、マグネトロン電極8とメインロール6の間にプラズマを形成する。マグネトロン電極8に保持された金属などのターゲット7の表面にはマグネトロン電極8内部の磁気回路によって高密度のプラズマが形成される。ターゲット7よりスパッタによって成膜空間へと放出した粒子は、反応性ガスと反応して、成膜種となる。使用したガスは、ガス排気口11より成膜空間の外に排気される。巻き出しロール2から巻き取りロール3へ長尺基材5を搬送し、長尺基材5表面に成膜種を付着させ、膜を形成する。本発明の反応性スパッタリング方法において、非反応性ガスとしてはターゲット7の材料と化学反応を生じない希ガスを選択することが好ましく、製造コストの観点から特にアルゴンを選択することが好ましい。また、ターゲット7の材質を銅、クロム、チタン、アルミニウムのいずれかの金属から選択し、反応性ガスを窒素または酸素の少なくともいずれか一方を含むガスとすることで、これらの金属の窒化物、酸化物、あるいは酸化窒化物の薄膜を長尺基材表面に安定して形成することができる。このようにして成膜することにより、ターゲット7表面が汚れ難くなり、成膜速度と膜質が乱れることなく、安定して長時間の成膜を行うことが出来る。