"ガス配管、前記ガス配管のガス吐出口付近に高周波電圧が印加される一対の電極、および前記ガス吐出口付近の前記ガス配管を支持するガス配管支持部材を有するガス吐出部と、前記ガス吐出部の前記ガス吐出口付近に付着した吸着ガスを脱離させる吸着ガス脱離部と、前記ガス吐出部から吐出されるプラズマガスを用いてプラズマ処理する加工対象を保持する加工対象保持部と、を備え、前記吸着ガス脱離部は、前記ガス配管支持部材に対して接触することで前記ガス吐出口周囲に密閉した空間を形成するチャンバと、前記チャンバ内を排気する排気手段と、前記チャンバ内の前記吸着ガスの濃度を測定するガス分析手段と、を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。前記ガス配管支持部材と前記チャンバとの接触する領域の前記空間の外周にOリングを備えることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記ガス吐出部を加熱する加熱手段をさらに備えることを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマ処理装置。前記加熱手段は、前記ガス吐出部の前記ガス吐出口付近に設けられることを特徴とする請求項3に記載のプラズマ処理装置。前記加熱手段は、前記吸着ガス脱離部の前記チャンバに設けられることを特徴とする請求項3に記載のプラズマ処理装置。前記吸着ガス脱離部と前記加工対象保持部を、前記ガス吐出部に対して上下に可動させ、前記ガス吐出部を、前記吸着ガス脱離部と前記加工対象保持部に対して水平方向に可動させる可動手段をさらに備えることを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。ガス配管、前記ガス配管のガス吐出口付近に高周波電圧が印加される一対の電極、および前記ガス配管を支持するガス配管支持部材を有するガス吐出部と、前記ガス吐出部から吐出されるプラズマガスを用いてプラズマ処理する加工対象を保持する加工対象保持部と、チャンバ、前記チャンバ内を排気する排気手段、および前記チャンバ内の前記吸着ガスの濃度を測定するガス分析手段を有する吸着ガス脱離部と、を備えるプラズマ処理装置における吸着ガス除去方法であって、前記ガス吐出口周囲に密閉した空間を形成するように、前記ガス吐出部の前記ガス配管支持部材と前記吸着ガス脱離部の前記チャンバとを接触させる接触工程と、前記排気手段によって前記チャンバ内を排気する排気工程と、前記排気工程中に、前記ガス分析手段によって測定された前記チャンバ内の前記吸着ガスの濃度を測定する濃度測定工程と、前記吸着ガスの濃度が所定値以下である場合に、前記排気手段による前記チャンバ内の排気を停止する排気停止工程と、前記ガス吐出部からガスを吐出するガス吐出工程と、前記チャンバ内の圧力が所定の圧力になった場合に、前記ガス吐出部と前記吸着ガス脱離部とを引き離す引き離し工程と、を含むことを特徴とする吸着ガス除去方法。前記排気工程中に前記ガス吐出部を加熱することを特徴とする請求項7に記載の吸着ガス除去方法。前記引き離し工程では、前記ガス吐出部から前記ガスを吐出させた状態のまま前記ガス吐出部と前記吸着ガス脱離部とを引き離し、前記引き離し工程の後に、前記ガス吐出部を前記加工対象保持部上まで移動させることを特徴とする請求項7または8に記載の吸着ガス除去方法。前記引き離し工程では、前記ガス吐出部の前記ガス吐出口と前記吸着ガス脱離部の上面との間の距離が、前記ガス吐出部の前記ガス吐出口と前記加工対象保持部の上面との間の距離と一致するように、前記ガス吐出部と前記吸着ガス脱離部とを引き離すことを特徴とする請求項7~9のいずれか1つに記載の吸着ガス除去方法。上記特許文献1に記載の技術は、周囲雰囲気からの混入を抑制するための構造であるが、減圧下と異なり大気圧下であるが故の課題もある。それはチャンバ等のガスの接する壁面からのガス放出である。壁面でのガス吸着、脱離は圧力が低いほど低い濃度で平衡状態になり、減圧下ほど吸着ガスの影響を受け難い。一方、大気圧下では、高濃度で平衡状態になるため、脱離した吸着ガスが高濃度で存在することになる。そのため、大気圧下での高品質な成膜を実現するためには、吸着ガスの低減が重要となる。つまり、大気圧下でプラズマ処理を行う際には、壁面に吸着している吸着ガス濃度を下げることが必要であるが、プラズマ処理を行う筺体内を真空排気しない開放型の装置では、壁面に吸着している水分や様々な吸着ガスを除去することができないという問題点があった。この発明は、上記に鑑みてなされたもので、大気圧下のプラズマ処理装置での吸着ガスを除去することができるプラズマ処理装置および吸着ガス除去方法を得ることを目的とする。上記目的を達成するため、この発明にかかるプラズマ処理装置は、ガス配管、前記ガス配管のガス吐出口付近に高周波電圧が印加される一対の電極、および前記ガス吐出口付近の前記ガス配管を支持するガス配管支持部材を有するガス吐出部と、前記ガス吐出部の前記ガス吐出口付近に付着した吸着ガスを脱離させる吸着ガス脱離部と、前記ガス吐出部から吐出されるプラズマガスを用いてプラズマ処理する加工対象を保持する加工対象保持部と、を備え、前記吸着ガス脱離部は、前記ガス配管支持部材に対して接触することで前記ガス吐出口周囲に密閉した空間を形成するチャンバと、前記チャンバ内を排気する排気手段と、前記チャンバ内の前記吸着ガスの濃度を測定するガス分析手段と、を備えることを特徴とする。この発明によれば、ガス吐出部のガス吐出口付近に付着した吸着ガスを脱離させる吸着ガス脱離部を備えるようにしたので、ガス吐出部近傍の雰囲気中に存在する吸着ガスの脱離による不純物を低減させ、プラズマ処理時の吸着ガスによる酸化や窒化などの悪影響を防止することができるという効果を有する。以下に添付図面を参照して、この発明の実施の形態にかかるプラズマ処理装置および吸着ガス除去方法を詳細に説明する。なお、これらの実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。実施の形態1.図1は、実施の形態1によるプラズマ処理装置の構成の一例を模式的に示す断面図である。プラズマ処理装置は、処理ガスを吐出してプラズマ化するガス吐出部10と、吸着ガスを除去する吸着ガス脱離部30と、処理対象である基板52を載置するステージ51と、を備える。ガス吐出部10は、ガス配管11を備える。ガス配管11の一方の端部は、図示しないガス供給部に接続され、他方の端部は、ガス吐出口111となり、プラズマ処理時に処理対象に対向して配置される。ガス配管11上には、ガスのオン/オフを切り替えるガスバルブ12が設けられている。なお、ガス供給部として、プラズマ処理に必要な処理ガスのほかに、吸着ガス除去時に使用するアルゴンガスや窒素ガスなどの不活性ガスなど、用途に応じて複数のガス種が設けられる。ガス配管11のガス吐出口111近傍の周囲には、ガス配管11の長手方向に延在した一対の電極13a,13bが互いに平行に配置されている。一方の電極13aは接地され、他方の電極13bは高周波電源14に接続されている。これらの電極13a,13bの間に高周波電圧を印加することで、ガス配管11中を流れるガスをプラズマ化する。また、ガス配管11のガス吐出口111近傍の周囲には、吸着ガスの脱離処理時に吸着ガスの脱離を促進するヒータ15が設けられる。ヒータ15には、ヒータ用電源16が接続されている。ガス配管11のガス吐出口111近傍と、電極13a,13bおよびヒータ15は、配管支持部材17によって支持されている。なお、配管支持部材17は、内部の電極13a,13bとの間の絶縁を保つようにアルミナなどの誘電体で覆われている。また、配管支持部材17は、後述する吸着ガス脱離部30のチャンバ31の蓋部材としても機能し、配管支持部材17のサイズは、チャンバ31の開口部321を覆うことができる大きさとされる。吸着ガス脱離部30は、吸着ガス脱離処理時にガス吐出部10の配管支持部材17と密着し、ガス吐出口111から吐出されるガスを貯留することができるガス排気空間32を構成するチャンバ31を備える。チャンバ31は、たとえばプレート状を有するステンレス等の金属部材からなり、金属部材の上面の一部に設けられた凹部がガス排気空間32となっている。ガス排気空間32の開口部321は、通常は開放された状態となっており、吸着ガス脱離処理時にガス吐出部10の配管支持部材17によって覆われる。また、開口部321と対向する側には排気口322が設けられており、配管35を介して真空ポンプなどの排気部34と接続されている。排気部34として、102Pa程度までの低真空を実現するソープションポンプドライポンプなどの低真空ポンプを用いることができるが、吸着ガスの脱離を促進させるために、102Pa以下の超高真空を実現するターボ分子ポンプやスパッタイオンポンプやチタンサブリメーションポンプ、クライオポンプ、クライオソープションポンプなどの超高真空ポンプを用いることが望ましい。配管35上には、排気部34によるガス排気空間32内のガスの排気状態を調節するバルブ36が設けられている。チャンバ31の上面の開口部321の外周には溝331が形成され、この溝331内にOリング33が設けられている。このOリング33は、チャンバ31がガス吐出部10の配管支持部材17と接触密着した際に、ガス排気空間32内を気密に保持する役割を有する。また、吸着ガス脱離部30は、ガス排気空間32内の圧力を計測する圧力計37と、ガス排気空間32内の吸着ガスの有無を分析するガス分析部38と、を備える。これらの圧力計37とガス分析部38とはガスの排気経路上に設けられればどの位置に設けられてもよい。圧力計37としては、ガス排気空間32内の圧力に応じてピラニ真空計やB-AゲージBayardAlperthotcathodeionizationgaugeなどを用いることができ、ガス分析部38としては、四重極型質量分析計などを用いることができる。ステージ51は、プラズマ処理時にガス吐出部10に対向して配置され、基板52を保持する。ここでは、基板52は、基板52の上面とステージ51の上面とが一致するように、ステージ51上に設けられた凹部511内に載置される場合が示されている。図1に示されるように、ガス吐出部10は、吸着ガス脱離部30とステージ51に対向して配置される。また、プラズマ処理時には、ガス吐出部10がステージ51上に配置され、吸着ガス脱離処理時には、ガス吐出部10が吸着ガス脱離部30と密着して配置されるように、ガス吐出部10と、吸着ガス脱離部30およびステージ51との間の位置を移動させる図示しない可動機構が設けられる。具体的には、吸着ガス脱離処理時には、ガス吐出部10のガス吐出口111の位置が、吸着ガス脱離部30のガス排気空間32の開口部321内に位置するように、ガス吐出部10と吸着ガス脱離部30とが配置されるとともに、ガス吐出部10と吸着ガス脱離部30の少なくともいずれか一方には、高さ方向に移動する可動機構が設けられる。ただし、吸着ガス脱離部30に可動機構を設けた場合には、ガス吐出部10に上下の可動機構を設ける必要がないという利点を有する。また、吸着ガス脱離処理時とプラズマ処理時とで、ガス吐出部10の位置を、吸着ガス脱離部30とステージ51との間で水平方向に移動可能なように、ガス吐出部10と、吸着ガス脱離部30およびステージ51との間の少なくともいずれか一方には、水平面内で移動可能な可動機構が設けられる。つぎに、このような構成のプラズマ処理装置の動作について、プラズマ処理時と吸着ガス脱離処理時について説明する。<プラズマ処理時>図2は、プラズマ処理の様子を模式的に示す図である。プラズマ処理時には、ガス吐出部10と吸着ガス脱離部30とを上下に離した状態にし、処理対象である基板52を配置したステージ51をガス吐出部10のガス吐出口111に対向して配置する。ついで、ガス供給部から処理ガスを供給し、ガスバルブ12を開けると、ガス配管11中を処理ガスが流れ、ガス吐出口111から吐出される。その後、電極13aを接地した状態で、高周波電源14から電極13bに高周波電圧を印加し、ガス配管11中を流れる処理ガスをプラズマ化する。このプラズマ内に存在する粒子を、ガス流によって処理対象に噴き付けることで、基板52の表面に、成膜などの必要な処理が施される。<吸着ガス脱離処理>図3は、吸着ガス脱離処理の様子を模式的に示す図である。この吸着ガス脱離処理は、上記したプラズマ処理工程に入る前に行われる。まず、ガス吐出部10と吸着ガス脱離部30の少なくとも一方を移動させ、ガス吐出口111にガス排気空間32が通じるように、両者を密着させた後、ガスバルブ12を閉じる。これによって、チャンバ31の開口部321が配管支持部材17で覆われた状態となる。ついで、吸着ガス脱離部30の排気部34を稼働させ、ガス排気空間32内を排気する。このとき、ガス吐出部10のヒータ用電源16をオンにして、ヒータ15を加熱してもよい。これによって、ガス配管11内や配管支持部材17の下面吸着ガス脱離部30側の面に吸着したガス吸着ガスを効率的に放出させることができる。また、排気部34として、超高真空ポンプを用いることで、吸着ガスをより多く脱離させることができる。排気中に、ガス分析部38で、吸着ガスの脱離程度をモニタし、吸着ガスの濃度が所定値以下となるまで排気を行う。なお、吸着ガスとして、水分や炭化水素系のガスなどを例示することができる。その後、吸着ガスの濃度が所定値以下になった場合には、排気部34に接続されるバルブ36を閉め、ガスバルブ12を開け、ガス供給部からたとえば窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスをガス排気空間32に供給する。そして、ガス配管11内およびガス排気空間32の圧力を常圧に戻す。さらに、不活性ガスを供給し、圧力計37でガス排気空間32内の圧力をモニタし、ガス排気空間32外の圧力よりも内部の圧力の方が高くなる陽圧になった時点で、図示しない可動機構を動作させてガス吐出部10を吸着ガス脱離部30から引き離し、本来のプラズマ処理を行う位置に移動させる。図1に示されるように、ガス吐出部10と、吸着ガス脱離部30およびステージ51との間は水平面内で互いに移動可能に構成されている。この場合も、ガス吐出部10を水平面内で移動可能に構成してもよいし、吸着ガス脱離部30およびステージ51を水平面内で移動可能に構成してもよいし、両者を水平面内で移動可能に構成してもよい。上記ガス吐出部10をプラズマ処理を行う位置に移動させるときに、不純物等の拡散による混入を抑制するためにガス配管11からは不活性ガスを常に流した状態を保つ。また、ガス吐出部10と吸着ガス脱離部30との間の距離として、図2に示すプラズマ処理時と同じ距離を維持したまま移動させると、ガス配管11から出る清浄なガス流がヘッド下面に接触する状態を維持できることから、不純物とガスの再吸着を抑制することが可能になる。その際、図1に示されるように、基板52の上面とステージ51の上面との間に段差が生じないように、ステージ51に凹部511を設ける構造とすると、さらに効果的である。そして、ガス吐出部10がステージ51上の所定の位置まで移動すると、上記したプラズマ処理が行われる。なお、上記したプラズマ処理と吸着ガス脱離処理とは、ガス吐出部10のガスバルブ12、高周波電源14およびヒータ用電源16と、吸着ガス脱離部30の排気部34、バルブ36、圧力計37およびガス分析部38と、ガス吐出部10、吸着ガス脱離部30およびステージ51と、可動機構と、を制御手段で制御することによって実現することが可能である。実施の形態1では、ガス吐出部10に吸着ガス脱離部30を密着させ、排気部34でガス排気空間32内を排気し、ガス分析部38で吸着ガスや不純物の濃度が所定値以下となったところで、ガス排気空間32内を常圧に戻し、陽圧となったところでガス吐出部10から吸着ガス脱離部30を引き離し、プラズマ処理を行うようにした。これによって、ガス吐出部10のガス吐出口111付近の構成部材に付着した吸着ガスや不純物が放出されるので、大気圧下でもガス吐出部10近傍の雰囲気中に存在する吸着ガスの脱離による不純物を低減させ、プラズマ処理への悪影響を抑制することができるという効果を有する。また、排気中にヒータ15でガス吐出口111近傍を加熱することで、吸着ガスなどの放出を促進することができるという効果も有する。さらに、ガス吐出部10から吸着ガス脱離部30を引き離す際に、不活性ガスを吐出させた状態でプラズマ処理位置まで移動させるようにしたので、吸着ガスを脱離させた後の再吸着を抑制することが可能になり、吸着ガスを低減させた状態を維持することが可能になるという効果も有する。さらにまた、プラズマ処理時のギャップを保ち、ガス吐出部10をプラズマ処理時の位置に戻すようにしたので、吸着ガスを脱離させた面をガスで覆うことが可能になり、清浄度を維持したままプラズマ処理工程に移ることができるという効果も有する。また、ガス吐出部10と吸着ガス脱離部30とを密着させる際に、吸着ガス脱離部30をガス吐出部10に対して上下させるように可動機構を設けることで、ガス吐出部10は水平方向の可動機構のみ具備していればよく、ガス吐出部10の軽量化を図ることができる。さらに、ガス吐出部10の配管支持部材17と吸着ガス脱離部30のチャンバ31との間にOリング33を配置することで、高真空領域まで排気可能になり、吸着ガスをさらに低減することができる。実施の形態2.実施の形態1では、ヒータをガス吐出部側に設けていたが、実施の形態2では、ヒータを吸着ガス脱離部側に設ける場合を示す。図4は、実施の形態2によるプラズマ処理装置の構成の一例を模式的に示す断面図である。このプラズマ処理装置は、ガス吐出部10に設けられていたヒータが外され、吸着ガス脱離部30のチャンバ31の上部にヒータ39が設けられる構造となっている。これによって、吸着ガス脱離処理時には、吸着ガス脱離部30のヒータ39を加熱し、このヒータ39からの熱伝導を利用してガス吐出部10に付着した吸着ガスを放出させる。なお、実施の形態1と同一の構成要素には同一の符号を付してその説明を省略する。また、このような構成のプラズマ処理装置の動作は、実施の形態1と同様であるので、その説明も省略する。実施の形態2によれば、ガス吐出部10からヒータ15を外し、吸着ガス脱離部30にヒータを設けたので、ガス吐出部10の軽量化を図ることができ、ガス吐出部10の移動機構を簡便にすることができるという効果を有する。また、既存のガス吐出部10を有するプラズマ処理装置に対しても、その構造を変えずに、吸着ガス脱離処理を行うことが可能な吸着ガス脱離部30を設けることができるという効果を有する。"