"光源と、前記光源からの光束を回転多面鏡に線像として結像させる第1の光学系と、前記回転多面鏡により偏向された光束を像面上に点像として結像させる第2の光学系と、を有する光走査装置において、前記回転多面鏡により偏向走査される主走査方向を第1の方向、副走査方向を第2の方向、前記第1の方向および前記第2の方向に垂直な方向を第3の方向とした場合、前記回転多面鏡を偏向走査させた時の、走査開始端、中央、走査終了端における前記回転多面鏡の回転中心から前記回転多面鏡の光束反射位置までの距離をα1,α2,α3とし、前記回転多面鏡を偏向走査させた時の、走査開始端、中央、走査終了端における前記像面から、前記光束が前記第2の方向において集光する近軸焦点位置までの距離をβ1,β2,β3とした時、α2<α1,α3およびβ2<β1,β3、もしくは、α2>α1,α3およびβ2>β1,β3を満たすことを特徴とする光走査装置。前記中央における前記第2の方向の深度をγ2、前記走査開始端、前記走査終了端における深度をγ1,γ3とした時、次式1および2γ2-γ1/2≦β1-β2≦γ2-γ11γ2-γ3/2≦β3-β2≦γ2-γ32が成立することを特徴とする請求項1に記載の光走査装置。前記距離α1,α2,α3、および前記距離β1,β2,β3が、α2<α1,α3およびβ2<β1,β3を満たすことを特徴とする請求項1に記載の光走査装置。前記第3の方向の光線の進む方向を方向、反対方向を-方向とし、前記走査開始端および前記走査終了端の前記第2の方向における近軸焦点位置は、中央走査時の前記第2の方向における近軸焦点位置に比べ、方向側であることを特徴とする請求項1から3までのいずれかに記載の光走査装置。前記走査開始端および前記走査終了端の前記第2の方向における近軸焦点位置は、略一致していることを特徴とする請求項1から4までのいずれかに記載の光走査装置。前記第2の方向の前記走査開始端、および前記走査終了端のビームウェスト位置は、各々の近軸焦点位置よりも像面側にあることを特徴とする請求項1から5までのいずれかに記載の光走査装置。前記第2の光学系は、前記第1の方向および前記第2の方向にパワーを有する1の光学素子からなることを特徴とする請求項1から6までのいずれかに記載の光走査装置。前記光源を、少なくとも2つ以上有することを特徴とする請求項1から7までのいずれかに記載の光走査装置。前記第2の光学系は、前記第2の方向に関して前記光線が進む方向を凸とするメニスカス形状であることを特徴とする請求項1から8までのいずれかに記載の光走査装置。複数の像担持体と、前記複数の像担持体の画像情報に応じて変調された光により走査する請求項1から9までのいずれかに記載の光走査装置と、を有することを特徴とする画像形成装置。しかしながら、上記特許文献に記載のポリゴンミラーの面倒れ補正方法では、電歪素子特許文献1や光源特許文献2などの素子数の増加によるコストアップが必須となるという問題や、面倒れ補正のための制御システムが必要となり複雑になる上、非連続孤立ドットやラインな画像に対し、ラインやドットが不安定になってしまうと等の問題があった。そこで本発明は、新たな光学素子や制御システム等を導入することなく、面倒れによるピッチむらに対し安定的に動作する光走査装置、および該光走査装置を備えた画像形成装置を提供することを目的とする。かかる目的を達成するため、本発明に係る光走査装置は、光源と、光源からの光束を回転多面鏡に線像として結像させる第1の光学系と、回転多面鏡により偏向された光束を像面上に点像として結像させる第2の光学系と、を有する光走査装置において、回転多面鏡により偏向走査される主走査方向を第1の方向、副走査方向を第2の方向、第1の方向および第2の方向に垂直な方向を第3の方向とした場合、回転多面鏡を偏向走査させた時の、走査開始端、中央、走査終了端における回転多面鏡の回転中心から回転多面鏡の光束反射位置までの距離をα1,α2,α3とし、回転多面鏡を偏向走査させた時の、走査開始端、中央、走査終了端における像面から、光束が第2の方向において集光する近軸焦点位置までの距離をβ1,β2,β3とした時、α2<α1,α3およびβ2<β1,β3、もしくは、α2>α1,α3およびβ2>β1,β3を満たすものである。また、本発明に係る画像形成装置は、複数の像担持体と、複数の像担持体の画像情報に応じて変調された光により走査する本発明に係る光走査装置と、を有することを特徴とするものである。本発明によれば、ビーム径を劣化させない範囲で副走査像面湾曲をピッチむらに対して最適化し、画質の向上を図ることができる。以下、本発明に係る構成を図面に示す実施の形態に基づいて詳細に説明する。本実施形態に係る光走査装置100は、光源光源1と、光源からの光束を回転多面鏡ポリゴンミラー5に線像として結像させる第1の光学系線像結像光学系、シリンドリカルレンズ4と、回転多面鏡により偏向された光束を像面上に点像として結像させる第2の光学系走査光学系、走査レンズ6と、を有する光走査装置光走査装置100において、回転多面鏡により偏向走査される主走査方向を第1の方向、副走査方向を第2の方向、第1の方向および第2の方向に垂直な方向を第3の方向とした場合、回転多面鏡を偏向走査させた時の、走査開始端、中央、走査終了端における回転多面鏡の回転中心から回転多面鏡の光束反射位置までの距離をα1,α2,α3とし、回転多面鏡を偏向走査させた時の、走査開始端、中央、走査終了端における像面から、光束が第2の方向において集光する近軸焦点位置までの距離をβ1,β2,β3とした時、α2<α1,α3およびβ2<β1,β3、もしくは、α2>α1,α3およびβ2>β1,β3を満たすものである。なお、本実施形態において、主走査方向とは、ポリゴンミラー5により偏向走査される方向、副走査方向とはポリゴンミラー5の回転中心の方向をいい、また、主走査方向および副走査方向に直交する方向すなわち、光線の進む方向を第3の方向という。光走査装置[1]図1は、本発明に係る光走査装置の一実施形態の要部構成図である。図1は、シングルビーム方式の光走査装置100を示しており、半導体レーザである光源1から放射された発散性の光束は、カップリングレンズ2により、光束の形態は弱い発散性の光束に変換される。カップリングレンズ2を透過した光束は、アパーチャ3の開口部を通過する際、光束周辺部が遮断されてビーム整形され、線像結像光学系であるシリンドリカルレンズ4に入射する。シリンドリカルレンズ4は、パワーのない方向を主走査方向に向け、副走査方向には正のパワーを持ち、入射してくる光束を副走査方向にのみ集束させ、光偏向器であるポリゴンミラー5の偏向反射面近傍に、主走査方向に長い線像として集光させる。ポリゴンミラー5の偏向反射面により反射された光束は、ポリゴンミラー5の等速回転に伴い等角速度的に偏向しつつ、走査光学系をなす1枚の走査レンズ6を透過し、折り曲げミラー7により光路を折り曲げられ、被走査面の実体をなす光導電性の感光体8被走査面8上に光スポット点像として集光し、被走査面8を光走査する。偏向光束は感光体8の表面を光走査するのに先立ってミラー9により反射され、結像レンズ10により受光素子11に集光される。受光素子11は光束を受光することによって信号を出力し、受光素子11の出力に基づき、光走査の書き込み開始タイミングが決定される。走査光学系は、光偏向器5により偏向される光束を被走査面8上に光スポットとして集光させる光学系であって、図1に示す例では、1枚の走査レンズ6により構成されている。光走査装置[2]図2は、本発明に係る光走査装置の別の実施形態を示しており、マルチビーム方式の光走査装置100である。図2に示す例では、光源1は、4つの発光源ch1~ch4を等間隔で1列に配列した半導体レーザアレイで構成されている。ここでは、4つの発光源を副走査方向に配列した例を示しているが、半導体レーザアレイの発光源は、副走査方向に対し傾けて配列してもよい。4つの発光源ch1~ch4から放射された4つの光束は、楕円形のファーフィールドパタンの長軸方向が主走査方向に向いた発散性の光束である。4つの光束は、これに共通のカップリングレンズ2により、以後の光学系にカップリングされる。カップリングされた各光束の形態は、以後の光学系の光学特性に応じ、弱い発散性の光束や弱い集束性の光束となることも、平行光束となることもできる。カップリングレンズ2を透過した4光束は、アパーチャ3でビーム整形され、共通の線像結像光学系であるシリンドリカルレンズ4の作用により、それぞれ副走査方向に集束され、光偏向器であるポリゴンミラー5の偏向反射面近傍に、それぞれが主走査方向に長い線像として、互いに副走査方向に分離して結像する。ポリゴンミラー5が回転駆動されることにより、その偏向反射面により4つの光束が等角速度的に偏向され、偏向された4光束は、走査光学系をなす1枚の走査レンズ6を透過し、折り曲げミラー7により光路を折曲げられ、被走査面8の実体をなす感光体8の表面に、副走査方向に分離した4つの光スポットとして集光し、被走査面8の4走査線を同時に光走査する。上記偏向光束の1つは、感光体8の表面を光走査するのに先立って走査レンズ6を透過し、そのあとミラー9により反射され、レンズ10により受光素子11に集光される。受光素子11は光束を受光することによって検出信号を出力し、この信号の出力に基づき、4光束各々の光走査の書き込み開始タイミングが決定される。画像形成装置次に、本発明にかかる画像形成装置の一実施形態について説明する。図3は画像形成装置の要部構成図を示している。図3において、画像形成装置1000は、感光性の像担持体1110として、円筒状に形成された光導電性の感光体を有している。像担持体1110の周囲には、帯電手段としての帯電ローラ1121、現像装置1131、転写ローラ1141、クリーニング装置1151が配備されている。なお、帯電手段として、コロナチャージャを用いることもできる。像担持体1110および帯電ローラ1121の上方には、レーザ光束LBにより光走査を行う光走査装置1171本実施形態に係る光走査装置100であるが設けられ、帯電ローラ1121と現像装置1131との間で、光書き込みによる露光を行うようになっている。また、符号1161は定着装置、符号1181は給紙カセット、符号1191はレジストローラ対、符号1201は給紙コロ、符号1211は転写紙の搬送路、符号1221は排紙ローラ対、符号1231はトレイ、符号Pはシート状記録媒体としての転写紙をそれぞれ示している。画像形成を行うときは、光導電性の感光体である像担持体1110が時計回りに等速回転される。その表面が帯電ローラ1121により均一帯電され、帯電された像担持体1110の表面に、光走査装置1171がレーザ光束LBで光書き込みを行うことにより露光されて静電潜像が形成される。形成された静電潜像は所謂ネガ潜像であって画像部が露光されている。上記静電潜像は現像装置1131により反転現像され、像担持体1110上にトナー画像が形成される。転写紙Pを収納したカセット1181は、画像形成装置1000の本体に脱着可能であり、図のごとく装着された状態において、収納された転写紙Pの最上位の1枚が給紙コロ1201により引き出される。引き出された転写紙Pは、その先端部をレジストローラ対1191に銜えられる。レジストローラ対1191は、像担持体1110上のトナー画像が転写位置へ移動するのにタイミングを合わせて、転写紙Pを転写部としての転写ローラ1141へ送り込む。転写部に送り込まれた転写紙Pは、トナー画像と重ね合わせられ、転写ローラ1141の作用によりトナー画像が転写紙Pに静電転写される。転写紙Pは定着装置1161へ送られ、定着装置1161において転写紙Pにトナー画像が定着され、転写紙Pは搬送路1211を通り、排紙ローラ対1221によりトレイ1231上に排出される。トナー画像が転写された後の像担持体1110の表面は、クリーニング装置1151によりクリーニングされ、残留トナーや紙粉等が除去される。光走査装置1171として、本実施形態に係る光走査装置100を用いることにより、極めて良好な画像形成を実行することができる。また、複数の感光性の像担持体を配列し、各像担持体に対してそれぞれに対応する光走査装置により光走査を行って各色に対応する潜像を形成し、これらの潜像を現像手段で可視化して転写紙などの転写媒体に重ねて転写することにより、カラー画像を得るようにした、いわゆるタンデム方式のカラー画像形成装置を構成することができる。このカラー画像形成装置の各光走査装置として、上記光走査装置100を用いることにより、後述するように、極めて良好なカラー画像を形成することができる。走査光学系上述のように、光走査装置における重要な特性として走査線ピッチがあり、また、ピッチむらを発生させる主要な原因は、光偏向器として用いられるポリゴンミラー5の面倒れである。即ち、ポリゴンミラー5の偏向反射面5aが、ポリゴンミラー5の回転軸5bに対して完全に平行になっていないと、偏向光束が、個々の偏向反射面5aに応じて副走査対応方向へ変動して、光スポットの結像位置が被走査面8上で副走査方向に変動し、ピッチむらが生じる。ピッチむらの発生を光学的に防止する方法として、光源側からの光束を、ポリゴンミラー5の偏向反射面5a近傍に主走査対応方向光源1から被走査面8に至る光路上で主走査方向に対応する方向に長い線像として結像させ、走査結像光学系により偏向反射面5a近傍と被走査面位置とを副走査対応方向に関して共役関係とする面倒れ補正方法が知られている。この方法であれば、新たな光学素子および制御システム等を導入することなく、面倒れに対し安定的な光走査装置を提供することができる。しかしながら、ポリゴンミラー5は偏向反射面の回転軸5bが偏向反射面とずれているため、偏向反射面の回転に従い、上記線像の結像位置と偏向反射面とがずれる所謂、サグの問題がある。図4を参照してこの点について説明する。図4は、ポリゴンミラー5における偏向反射面5aと、光源側からの光束光束の主光線Lとの位置関係を示している。ポリゴンミラー5の偏向反射面5aは、ポリゴンミラー5の時計回りの回転に伴って、5a1,5a2,5a3のように変化し、それに伴い、光源側からの光束Lの主光線の反射位置は、位置:M-,M0,Mのように変化する。光源側からの光束Lは反射位置:M0に線像として結像する。このため、光源側からの光束は反射位置:M,M-に入射するときは、偏向反射面5aと線像の結像位置との間にずれが生じ、反射位置:M,M-に入射するとき光束はまだ結像していない。上記偏向反射面と反射位置のずれが、サグであり、一般には、図4に示すように反射位置:M0の両側に非対称に発生する図4では入射位置:M-でのサグの方がMでのサグよりも大きいが、ポリゴンミラー5と入射側光学系シリンドリカルレンズ4との位置関係を調整することにより、反射位置:M0の両側にサグが対称に発生するようにすることも可能である。なお、走査結像光学系は、一般に、サグが0となる反射位置:M0で反射された光束の主光線が走査結像光学系の光軸に合致するように配備される。図5は、偏向反射面5aの位置と被走査面8の位置とを、走査レンズ6が副走査方向において略共役な関係としている状態を示している。図5aに示すように、反射位置:p0で反射される光束主走査対応方向に長い線像はp0に一致しているは上記共役関係により、結像位置:q0と被走査面8が一致する。また、面倒れが生じる場合、即ち、偏向反射面5aが回転軸5bに対し傾いた場合符号5a’で示すにおいても、偏向反射面5aの位置と被走査面8の位置は共役の関係になっているために、偏向反射面5aで反射された光束は被走査面8上で略集光する。この時ビームが照射される副走査方向の位置について、所望の位置図5の光軸から外れることは無い。一方、図5bに示すように、反射位置:p1で反射される光束入射光束は、ポリゴンミラー5のサグの影響を受け、偏向反射後にr1の位置において一旦集束する。従来の光学系においては、被走査面8上に集光させる様、像高毎に主走査形状を設計することが多い。故にr1から発散した光束は、被走査面8上に集光されることとなるq1。この時ポリゴンミラー5の反射位置:p1の共役点は、被走査面8より手前s1となるため、面倒れが生じる、即ち、偏向反射面5aが回転軸5bに対し傾いた場合符号5a’で示すにおいては、結像位置は面倒れ前q1と同様被走査面8上となるが、ビームが照射される副走査方向の位置については、方向に位置が変動する。これがポリゴンミラー5のサグに伴うピッチむらとなる。特に、マルチビーム方式の光学系においては、シングルビーム光学系に比べ像面に対し直角から角度を有して入射する傾向にあり、ポリゴン面倒れによる副走査方向の光線ぶれピッチむらの影響は大きくなる傾向にある。また、特に、単玉光学系においては、設計パラメータ数の制約上この傾向が顕著である。具体的には、例えば、マルチビーム光学系において従来と同様、副走査像面湾曲を0.5mm以下とした場合、ポリゴンミラー5の面倒れ量が90sの時の走査ピッチむらは7μm以上となる。1200dpi書込の場合、走査線間隔は21μmとなるため、ピッチの1/3が変動することになり、この構成では濃度ムラなどの画像劣化が発生する。濃度ムラを低減させるためには、走査ピッチむらは6μm以下となることが望ましい。以上説明したように、ポリゴン面倒れによるピッチむらは、ポリゴンのサグの影響を大きく受けるものである。また、像高間の像面湾曲のバランスを取るためには、一般に、ポリゴンミラー面の主走査中心付近に入射光を当て、左右のバランスを取ることが必要であるが、この時、中央像高付近はポリゴンミラー面と像面が共役の関係にあり、面倒れが起きた場合においてもピッチむらは小さい。しかしながら、周辺像高においてはサグの影響により、像面側の共役点が像面位置からずれ、ポリゴンミラー5の面倒れが起きた場合において、ピッチむらが発生することとなる。そこで、本実施形態に係る光走査装置100では、係るポリゴンミラー5のサグに伴うピッチむらの低減のため、ポリゴンミラー5のサグ量に応じて、像高被走査面上の主走査位置毎に近軸焦点位置を異ならせることとしたものである。すなわち、ポリゴンミラー5を偏向走査させた時の、走査開始端、中央、走査終了端におけるポリゴンミラー5の回転軸5bからポリゴンミラー5の光束反射位置までの距離をα1,α2,α3とし、ポリゴンミラー5を偏向走査させた時の、走査開始端、中央、走査終了端における像面から、光束が副走査方向において集光する近軸焦点位置までの距離をβ1,β2,β3とした時、α2<α1,α3およびβ2<β1,β3、もしくは、α2>α1,α3およびβ2>β1,β3を満たすようにしたものである。これにより、走査光学系の副走査像面湾曲を、周辺像高において変化させ、面倒れ時のピッチむらを小さくすることにより、ビーム径を劣化させない範囲で副走査像面湾曲をピッチむらに対して最適化し、画質の向上を図ることができる。図6aは、本実施形態に係る光走査装置100の走査光学系における像高毎のポリゴンミラー5の回転軸5bと反射点との距離サグ量の変化を示すグラフである。また、図6bは、副走査方向の像面湾曲特性を示したものである。いずれも像高0付近を中心に、周辺像高に行くにつれサグ量および副走査方向に集光する像面からの距離が大きくなっていることがわかる。図6に示す例では、ポリゴンミラー5の回転軸と反射面の距離については、像高-163.5mm,0mm,163.5mm時にそれぞれ18.703mm,18.096mm,19.491mmと変化し、副走査像面湾曲量については、0.97mm,0.11mm,1.26mmと変化している。ここで、像面湾曲のは、近軸集光位置が光束の進む方向に近軸焦点位置がずれていることを示している。上述のように、像高間の像面湾曲のバランスを取るためには、一般的にはポリゴンミラー面の主走査中心付近に入射光を当て、左右のバランスを取ることが多いが、図5で示した様に、周辺像高においては像側の共役点s1が被走査面8より手前側にあることとなる周辺像高におけるポリゴンミラー5の中心から反射点までの距離は、中央像高における距離よりも長い。すなわち、光線の進む方向を、反対方向を-とした場合、-方向にくることとなる。これに対し、共役点s1を被走査面上に持ってきて、周辺像高において、ピッチむらを小さくするためには、集光点副走査方向における近軸焦点位置を被走査面8から光の進む方向方向側へ持ってくる必要がある。このように、中央像高に対しサグ量が増加する場合においては、副走査像面湾曲は中央像高に対し方向に変化させることで、ピッチむらを低減することができる。本構成により、例えば、ポリゴンミラー5の面倒れ量が90sの時の走査ピッチむらは5.8μm以下であった。これにより、人間の目で画像を見た場合においても、顕著な画質の劣化を感じることはない。また、本実施形態に係る光走査装置100では、走査光学系は一般にサグが0となる反射位置:M0で反射された光束の主光線が、走査光学系の光軸、即ち、中央像高付近に合致するように配備されることが好ましい。また、サグ量は中央像高付近で最も小さくなり、周辺像高において最も大きくなるため、副走査像面湾曲は周辺像高における像面湾曲が大きい二次形状になることが好ましい。一般に、中央像高のビーム径深度は、周辺像高の深度に比べ広いため、副像面湾曲が二次形状であれば、周辺像高のピント位置に像面を合わせた場合においても、中央像高のピントは出やすい。即ち、全像高においてビーム径を劣化させることなく、ピッチむらを最適化することができる。また、上述のように、像高間の像面湾曲のバランスを取るためには、一般的にはポリゴンミラー面の主走査中心付近に入射光を当て、左右のバランスを取ることが多いため、この時、走査開始端、走査終了端のポリゴンミラー5の中心から反射点までの距離は略同等となることが多い。よって、周辺像高においてピッチむらを小さくする際、周辺像高の近軸像面位置は走査開始端および走査終了端で一致する。このような構成にすることにより、全像高においてビーム径を劣化させることなく、ピッチむらを最適化することができる。図7a,bに、主走査方向、副走査方向についての、走査光学系の中央像高および周辺像高における深度カーブを示す。なお、横軸は光軸方向の像面からの距離デフォーカスmmを、縦軸は副走査方向のビーム径μmを示している。光走査装置100を搭載する画像形成装置1000では、所望の画像を形成する上で必要なビーム径の大きさが規定されるが、ビーム径がこの規定の大きさ以下の条件を満たす全像高での光軸方向の距離を深度と言う図7中Lで示す。尚、本実施形態では、ビームウェスト位置におけるビーム径から10um以下となるデフォーカス量を深度としている。図7に示すように、一般に中央像高の深度は周辺像高の深度に比べ広いため、副走査像面湾曲を大きくすることは、被走査面上の像面上のビーム径を太らすことと同義となるが、副走査像面湾曲が二次形状であれば、周辺像高のビームウェスト位置に像面を合わせた場合においても、中央像高のビーム径は深度が広いため太りにくい。すなわち、全像高においてビーム径を劣化させることなく、ピッチむらを最適化することができる。また、周辺像高の副走査像面湾曲を中央に対し大きくする場合、両者の深度カーブが交わり、全像高の深度が狭まることは望ましくない。一般に、中央像高の深度は周辺像高に比べ広い。そのため周辺像高の深度カーブが、中央像高の深度カーブの内側に入る様に配置すれば、全像高の深度が狭まることはなくなる。換言すれば、周辺像高と中央像高の深度の差の分だけ、周辺像高の副走査像面湾曲は中央像高に対し大きくしても良いといえる。そこで、例えば、像面からの副走査像面湾曲量をβ1,β2,β3に対して、走査開始端、中央、走査終了端における副走査方向の深度をγ1,γ2,γ3とした場合、次式1および2が成立することが好ましい。γ2-γ1/2≦β1-β2≦γ2-γ11γ2-γ3/2≦β3-β2≦γ2-γ32さらに、β1-β2およびβ3-β2がγ2-γ1/2を下回るとピッチむらの改善効果がでにくくなるため、ピッチむらとビーム径のバランスを取るためには、周辺像高の像面湾曲変動量は中央に対しγ2-γ1/2より大きいことが望ましい。例えば、本実施形態にかかる走査光学系実施例1参照においては、β1=0.97mm,β2=0.11mm,β3=1.26mmに対し、γ1=14.5mm,γ2=16mm,γ3=14.5mmとなり、いずれも条件を満たしている。また、周辺像高の副走査像面湾曲を大きくすると、全像高の像面上での深度が狭くなるため、周辺像高のビームウェスト位置が、先に示した近軸像面位置に対し像面側-側となるように配置することも好ましい。例えば、図7bに示すように、像高161.5mm時の近軸焦点位置が1mmであることに対し、ブームウェスト位置は-2mmの位置となっている。このようにすることで、周辺像高の深度ができる限り像面デフォーカス0の位置に対し左右対称になるように配置することができ、製品ばらつきに対し像面上で安定的にビーム径を維持することができる。なお、走査レンズ6を2枚以上用いる走査光学系においては、設計パラメータ数が増えるため、副走査像面湾曲を劣化大きくさせることなく、ピッチむらを低減させる方法も考えられる。しかしながら、設計パラメータ数が少ない単玉光学系においては、ピッチむらを低減させることは難しいため、ここまで述べた光走査装置100における走査光学系は、特に、単玉光学系の光走査装置に好適である。また、走査レンズ6の入射面、射出面は共に光線が進む方向を凸とするメニスカス形状であることが望ましい。図5bに示したように、ポリゴンミラー5の偏光反射面5aが倒れした場合、走査レンズ6に入射する光線は副断面において光軸から傾いた方向で入射する。この時、走査レンズ6の入射面形状が、光線が進む方向を凸とするメニスカス形状であれば、光線入射角度ブレの影響が小さく、両凸形状に比べピッチむらを小さくすることができ、画質の向上を図ることができる。また、以上説明した走査光学系は、特に、マルチビーム光学系の光走査装置図2において有効である。図8に、後述する実施例1に即した走査光学系の被走査面8への入射角度を、後述する比較例1シングルビーム光学系と比較して示す。シングルビーム方式の場合は、被走査面8に対し略垂直に像面に光束は入射することができるが、マルチビーム光学系においては、周辺ビームはそれぞれ像面に対し垂直から角度を持った状態に入射する。これはポリゴンミラー5の面が倒れた場合の像面上の副走査方向移動量としては、シングルビーム光学系に比べマルチビーム光学系の方が大きいことを示す。具体的には、比較例1においては被走査面8の入射角は0°であることに対し、実施例1のマルチビーム光学系においては、最大で0.03°の角度を持った状態で被走査面8に入射する。尚、上述の実施形態は本発明の好適な実施の例ではあるがこれに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変形実施可能である。<実施例1>以下に、本発明に係る光走査装置の走査光学系の実施例を示す。なお、本実施例における光走査装置100の光学配置は、図9に示す通りである。実施例1における走査レンズ面の形状等は、以下の式による。先ず、主走査断面内における非円弧形状を周知の多項式3で表す。X=Y2/R/[1√{1-1KY/R2}]A1YA2Y2A3Y3A4Y4A5Y5A6Y63なお、主走査断面内の近軸曲率半径:R、光軸からの主走査方向の距離:Y、円錐定数:K、高次の係数:A1,A2,A3,A4,A5,A6,、光軸方向のデプス:Xである。上記3式において、奇数次の係数:A1,A3,A5,の1以上が0でないとき、主走査方向に非対称形状となる。また、副走査断面内の曲率曲率半径の逆数が主走査方向光軸位置を原点とする座標:Yで示すにおいて変化する場合、副走査断面内の曲率:CYは、次式4で表される。CY={1/r0}B1YB2Y2B3Y3B4Y4B5Y5B6Y64なお、r0は、副走査断面内における光軸上の曲率半径を表し、B1,B2,B3,等は高次の係数を表す。4式において、Yの奇数次係数:B1,B3,B5,の1以上が0でないとき、副走査断面内の曲率半径の変化は、主走査方向に非対称となる。またYの係数:B1,B2,B3,が全て0であるとき、曲率一定面となる。なお、特殊トーリック面の解析表現は上に挙げたものに限らず種々の表現が可能であり、この発明における面形状が上記式による表現に限定されるものではない。実施例1では、光源1として、4ch-LDA、波長:655nm、ピッチ間隔:30um、光源回転角:82.511°のものを用いた。また、カップリングレンズ2として、焦点距離:27mm、カップリング作用:光源1からの光束の平行光化のものを用いた。また、シリンドリカルレンズ4として、副走査方向の焦点距離:48mmのものを用いた。また、ポリゴンミラー5として、偏向反射面数:6、内接円半径:18mm、光源側からの光束の入射角と走査光学系の光軸とがなす角:68度のものを用いた。ポリゴンミラー5と被走査面8との間にある光学系のデータを図10に示す。なお、曲率半径を、主走査方向につきR、副走査方向につきr、屈折率をnで表している。また、R、rは、近軸曲率半径である。図10において、X,Yは、面番号:i~i1における頂点間の光軸方向および主走査方向の距離を表す。例えば、面番号:0偏向反射面におけるX=55.077、Y=-0.892は、偏向反射点位置像高:0を与える反射位置に対して走査レンズ6の入射面面番号:1の頂点が、光軸方向X方向に55.077mm、主走査方向Y方向に-0.892mm、それぞれ離れていることを意味する。また、面番号:1におけるX=21.0は走査レンズ6の光軸上の肉厚を与える。入射面面番号:i=1は曲率一定面であり、かつ、主走査断面内の形状は上記4式で表される非円弧形状である。入射面の主走査方向と副走査方向の係数を図11に示す。また、射出面面番号:i=2は特殊面で、主走査断面内の形状は光軸に対称的な非円弧形状である。射出面の主走査方向と副走査方向の係数を図12に示す。なお、実施例1の走査光学系の中心像高における副走査方向の横倍率:βは、β=3.05である。また、図13に、実施例1における像面湾曲a:実線は副走査像面湾曲、破線は主走査像面湾曲と等速度特性b:リニアリティを示す。尚、図13以降の図は4ch-LDAの端のチャンネルCh1の光学特性を示したものである。また、図7は、実施例1における光スポットの像高ごとの、スポット径の深度曲線光スポットのデフォーカスに対するスポット径の変動を示したものであるが、ラインスプレッド関数の1/e2強度で定義されるスポット径として主走査65±10μm、副走査80±10μm程度を意図している。なお、実施例1では、走査光学系をなす走査レンズ6をプラスチック材料で構成しているが、これに限られるものではなく、ガラス材料を用いても良い。また、走査光学系を偏心させることで、より好ましく収差補正を行うことが可能である。実施例1においては、走査レンズ6を被走査面8の法線に対して0.25度チルトすることで上記の良好な性能を実現している。<比較例1>次に、比較例として、従来の走査光学系の例シングルービーム光学系、単玉光学系を示す。なお、光源として、シングルLD、波長:655nmのもの、カップリングレンズとしては、焦点距離:15mmのもの、シリンドリカルレンズとして、副走査方向の焦点距離:48mmのもの、ポリゴンミラーとして、偏向反射面数:6内接円半径:18mm、光源側からの光束の入射角と走査光学系の光軸とがなす角:68度のものを用いた。比較例1におけるポリゴンミラーと被走査面との間にある光学系のデータを図14に示す。なお、曲率半径を、主走査方向につきR、副走査方向につきr、屈折率をnで表している。また、R、rは、近軸曲率半径である。また、X、Yは、面番号:i~i1における頂点間の光軸方向および主走査方向の距離を表す。入射面面番号:i=1は曲率一定面であり、かつ、主走査断面内の形状は上記4式で表される非円弧形状である。入射面の主走査方向と副走査方向の係数を図15に示す。また、射出面面番号:i=2は特殊面で、主走査断面内の形状は光軸に対称的な非円弧形状である。射出面の主走査方向と副走査方向の係数を図16に示す。なお、比較例1の走査光学系の中心像高における副走査方向の横倍率:βは、β=3.73である。また、図17に、比較例1における像面湾曲a:実線は副走査像面湾曲、破線は主走査像面湾曲と等速度特性b:リニアリティを示す。また、図18に、比較例1における光スポットの像高ごとの、スポット径の深度曲線光スポットのデフォーカスに対するスポット径の変動を示す。尚、図18aは主走査方向、bは副走査方向に関するものである。図17および図18より、比較例1においては、副走査方向の近軸焦点位置とビームウェスト位置が±1mm前後でありおよそ一致していることが分かる。以上のように、実施例1に示す走査レンズ6によれば、比較例1に比して、例えば、図7に示されているように、主走査方向、副走査方向とも良好な深度を有しており、被走査面8の位置精度に対する許容度が高いことを確認することができる。また、図13に示すように、周辺像高においてデフォーカス位置を側に大きくして、共役点を被走査面8に近づけることに成功している。これにより、本発明の有効性を確認することができる。"