"下記一般式1で表されることを特徴とするフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオン。式1中、Mはヒ素又はアンチモンからなる15族半金属元素Vであり、L1、L2が有機シロキソ基又はフッ化物イオンからなる同一の軸配位子であり、前記軸配位子が有機シロキソ基の場合には、R1~R8の少なくとも1つがアルキル基、アリル基、アリール基、アルキニル基、並びにヘテロ原子を含む前記置換基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アミド基、エステル基およびハロゲンの群から選択される置換基であり、前記軸配位子がフッ化物イオンの場合には、R1~R8の少なくとも1つがアルキル基、アリル基、アリール基、アルキニル基、並びにヘテロ原子を含む前記置換基、アミド基およびエステル基の群から選択される置換基である。前記軸配位子が、下記一般式2で表される有機シロキソ基であることを特徴とする請求項1に記載のフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオン。式2中、R9~R11のうちの2つが炭素数3以下のアルキル基であり、残りの1つが炭素数1~12であるアルキル基又はベンジル基である。前記軸配位子が、トリメチルシロキソ基又はベンジルジメチルシロキソ基であることを特徴とする請求項2に記載のフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオン。R1~R8の少なくとも1つが、炭素数4以下のアルキル基又はヘテロ原子を含む前記アルキル基であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載のフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオン。R1~R8の少なくとも1つがn-ブトキシル基又はt-ブチル基であることを特徴とする請求項4に記載のフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオン。請求項1~5のいずれか1項に記載のフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンと、その対陰イオンとからなるフタロシアニン-15族半金属元素V塩であって、Mがアンチモンであり、前記対陰イオンがPF6-、BF4-、ClO4-、CF3SO3-、CF3C6H4SO3-、I3-の群から選択されることを特徴とするフタロシアニン-15族半金属元素V塩。請求項1~5のいずれか1項に記載のフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンと、その対陰イオンとからなるフタロシアニン-15族半金属元素V塩であって、Mがヒ素であり、前記対陰イオンがPF6-、BF4-、ClO4-、CF3SO3-、CF3C6H4SO3-、I3-、AsF4-の群から選択されることを特徴とするフタロシアニン-15族半金属元素V塩。下記一般式3で表されるフタロシアニン-15族半金属元素V塩を有機溶媒に溶解して、塩含有溶液を調製後、前記塩含有溶液を加熱する工程と、前記塩含有溶液に有機ケイ素化合物を添加する工程と、を有することを特徴とするフタロシアニン-15族半金属元素V塩の製造方法。3式3中、Mはヒ素又はアンチモンからなる15族半金属元素Vであり、R1~R8の少なくとも1つがアルキル基、アリル基、アリール基、アルキニル基、並びにヘテロ原子を含む前記置換基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アミド基、エステル基およびハロゲンの群から選択される置換基であり、Y-が対陰イオンである。前記有機ケイ素化合物が、下記一般式4で表されることを特徴とする請求項8に記載のフタロシアニン-15族半金属元素V塩の製造方法。式4中、R9~R11のうちの2つが炭素数3以下のアルキル基であり、残りの1つが炭素数1~12であるアルキル基又はベンジル基であり、Xがハロゲン、アセトアミド基、ハロゲン置換アセトアミド基の群から選択される置換基である。前記有機ケイ素化合物が、N,O-ビストリメチルシリルトリフルオロアセトアミド又はベンジルクロオジメチルシランであることを特徴とする請求項9に記載のフタロシアニン-15族半金属元素V塩の製造方法。前記対陰イオンY-がPF6-、BF4-、ClO4-、CF3SO3-、CF3C6H4SO3-、I3-の群から選択されることを特徴とする請求項8~10のいずれか1項に記載のフタロシアニン-15族半金属元素V塩の製造方法。下記一般式5で表されるフタロシアニン-15族半金属元素III塩を有機溶媒に溶解して、塩含有溶液を調製する工程と、前記塩含有溶液にXeF2を添加する工程と、を有することを特徴とするフタロシアニン-15族半金属元素V塩の製造方法。5式5中、Mはヒ素又はアンチモンからなる15族半金属元素IIIであり、R1~R8の少なくとも1つがアルキル基、アリル基、アリール基、アルキニル基、並びにヘテロ原子を含む前記置換基、アミド基およびエステル基の群から選択される置換基であり、残りが水素原子であり、Y-が対陰イオンである。前記対陰イオンY-がPF6-、BF4-、ClO4-、CF3SO3-、CF3C6H4SO3-、I3-、AsF4-の群から選択されることを特徴とする請求項12に記載のフタロシアニン-15族半金属元素V塩の製造方法。本発明は、電子受容性が高く、可視光から近赤外光に対する応答性が高く、かつ、一般的な有機溶剤に対する溶解度が高いn型有機半導体材料を開発することを課題とする。上記事情を鑑み、本発明者は、軸配位子が有機ケイ素化合物であるフタロシアニン-アンチモン錯体において、フタロシアニン骨格のベンゼンの水素原子を1以上所定の置換基とすることにより、電子受容性が高く、可視光から近赤外光に対する応答性が高く、かつ、一般的な有機溶剤に対する溶解度が高いn型有機半導体材料とすることができることを見出した。また、軸配位子がフッ化物イオンであるフタロシアニン-ヒ素錯体においても、電子受容性が高く、可視光から近赤外光に対する応答性が高く、かつ、R1~R8の少なくとも1つがアルキル基、アリル基、アリール基、アルキニル基、並びにヘテロ原子を含む前記置換基、アミド基およびエステル基の群から選択される置換基である場合には、一般的な有機溶剤に対する溶解度が高いn型有機半導体材料とすることができることを見出し、本発明を完成した。本発明は、以下の構成を有する。本発明のフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンは、下記一般式1で表されることを特徴とする。式1中、Mはヒ素又はアンチモンからなる15族半金属元素Vであり、L1、L2が有機シロキソ基又はフッ化物イオンからなる同一の軸配位子であり、前記軸配位子が有機シロキソ基の場合には、R1~R8の少なくとも1つがアルキル基、アリル基、アリール基、アルキニル基、並びにヘテロ原子を含む前記置換基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アミド基、エステル基およびハロゲンの群から選択される置換基であり、残りが水素原子であり、前記軸配位子がフッ化物イオンの場合には、R1~R8の少なくとも1つがアルキル基、アリル基、アリール基、アルキニル基、並びにヘテロ原子を含む前記置換基、アミド基およびエステル基の群から選択される置換基であり、残りが水素原子である。本発明のフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンは、前記軸配位子が、下記一般式2で表されることが好ましい。式2中、R9~R11のうちの2つが炭素数3以下のアルキル基であり、残りの1つが炭素数1~12であるアルキル基又はベンジル基である。本発明のフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンは、前記軸配位子が、トリメチルシロキソ基又はベンジルジメチルシロキソ基であることが好ましい。本発明のフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンは、R1~R8の少なくとも1つが、炭素数4以下のアルキル基又はヘテロ原子を含む前記アルキル基であることが好ましい。本発明のフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンは、R1~R8の少なくとも1つがn-ブトキシル基又はt-ブチル基であることが好ましい。本発明のフタロシアニン-15族半金属元素V塩は、先に記載のフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンと、その対陰イオンとからなるフタロシアニン-15族半金属元素V塩であって、Mがアンチモンであり、前記対陰イオンがPF6-、BF4-、ClO4-、CF3SO3-、CF3C6H4SO3-、I3-の群から選択されることを特徴とする。本発明のフタロシアニン-15族半金属元素V塩は、先に記載のフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンと、その対陰イオンとからなるフタロシアニン-15族半金属元素V塩であって、Mがヒ素であり、前記対陰イオンがPF6-、BF4-、ClO4-、CF3SO3-、CF3C6H4SO3-、I3-、AsF4-の群から選択されることを特徴とする。本発明のフタロシアニン-15族半金属元素V塩の製造方法は、下記一般式3で表されるフタロシアニン-15族半金属元素V塩を有機溶媒に溶解して、塩含有溶液を調製後、前記塩含有溶液を加熱する工程と、前記塩含有溶液に有機ケイ素化合物を添加する工程と、を有することを特徴とする。式3中、Mはヒ素又はアンチモンからなる15族半金属元素Vであり、R1~R8の少なくとも1つがアルキル基、アリル基、アリール基、アルキニル基、並びにヘテロ原子を含む前記置換基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アミド基、エステル基およびハロゲンの群から選択される置換基であり、残りが水素原子であり、Y-が対陰イオンである。本発明のフタロシアニン-15族半金属元素V塩の製造方法は、前記有機ケイ素化合物が、下記一般式4で表されることが好ましい。式4中、R9~R11のうちの2つが炭素数3以下のアルキル基であり、残りの1つが炭素数1~12であるアルキル基又はベンジル基であり、Xがハロゲン、アセトアミド基、ハロゲン置換アセトアミド基の群から選択される置換基である。本発明のフタロシアニン-15族半金属元素V塩の製造方法は、前記有機ケイ素化合物が、N,O-ビストリメチルシリルトリフルオロアセトアミド又はベンジルクロロジメチルシランであることが好ましい。本発明のフタロシアニン-15族半金属元素V塩の製造方法は、前記対陰イオンY-がPF6-、BF4-、ClO4-、CF3SO3-、CF3C6H4SO3-、I3-、AsF4-の群から選択されることが好ましい。本発明のフタロシアニン-15族半金属元素V塩の製造方法は、下記一般式5で表されるフタロシアニン-15族半金属元素III塩を有機溶媒に溶解して、塩含有溶液を調製する工程と、前記塩含有溶液にXeF2を添加する工程と、を有することを特徴とする。式5中、Mはヒ素又はアンチモンからなる15族半金属元素IIIであり、R1~R8の少なくとも1つがアルキル基、アリル基、アリール基、アルキニル基、並びにヘテロ原子を含む前記置換基、アミド基およびエステル基の群から選択される置換基であり、残りが水素原子であり、Y-が対陰イオンである。本発明のフタロシアニン-15族半金属元素V塩の製造方法は、前記対陰イオンY-がPF6-、BF4-、ClO4-、CF3SO3-、CF3C6H4SO3-、I3-の群から選択されることが好ましい。本発明のフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンは、一般式1で表される構成なので、還元電位を-0.693Vより正にして電子受容性を高くでき、吸収波長ピークを710nm以上にして近赤外光に対する応答性を高くでき、かつ、CH2Cl2,CHCl3,アセトン、アセトニトリル、エタノール、酢酸エチル、ベンゼン、トルエンのいずれかの有機溶媒中で飽和濃度を10-2M超にして、一般的な有機溶剤に対する溶解度を高くできる。これにより、スピンコーティングや溶媒キャスト等の塗布法により大面積薄膜化を容易に実施可能な、可視近赤外光応答n型有機半導体材料として利用できる。本発明のフタロシアニン-15族半金属元素V塩は、先に記載のフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンと、その対陰イオンとからなるフタロシアニン-15族半金属元素V塩であって、Mがアンチモンであり、前記対陰イオンがPF6-、BF4-、ClO4-、CF3SO3-、CF3C6H4SO3-、I3-の群から選択される構成なので、還元電位を-0.693Vより正にして電子受容性を高くでき、吸収波長ピークを710nm以上にして近赤外光に対する応答性を高くでき、かつ、CH2Cl2,CHCl3,アセトン、アセトニトリル、エタノール、酢酸エチル、ベンゼン、トルエンのいずれかの有機溶媒中で飽和濃度を10-2M超にして、一般的な有機溶剤に対する溶解度を高くできる。これにより、スピンコーティングや溶媒キャスト等の塗布法により大面積薄膜化を容易に実施可能な、可視近赤外光応答n型有機半導体材料として利用できる。本発明のフタロシアニン-15族半金属元素V塩は、先に記載のフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンと、その対陰イオンとからなるフタロシアニン-15族半金属元素V塩であって、Mがヒ素であり、前記対陰イオンがPF6-、BF4-、ClO4-、CF3SO3-、CF3C6H4SO3-、I3-、AsF4-の群から選択される構成なので、電子受容性を高くでき、近赤外光に対する応答性を高くでき、かつ、有機溶媒中で飽和濃度を10-2M超にして、一般的な有機溶剤に対する溶解度を高くできる。これにより、スピンコーティングや溶媒キャスト等の塗布法により大面積薄膜化を容易に実施可能な、可視近赤外光応答n型有機半導体材料として利用できる。本発明のフタロシアニン-15族半金属元素V塩の製造方法は、一般式3で表されるフタロシアニン-15族半金属元素V塩を有機溶媒に溶解して塩含有溶液を調製後、前記塩含有溶液を加熱する工程と、前記塩含有溶液に有機ケイ素化合物を添加する工程と、を有する構成なので、軸配配位子を水酸基から有機シロキソ基にしたフタロシアニン-15族半金属元素V塩を容易に製造することができる。本発明のフタロシアニン-15族半金属元素V塩の製造方法は、一般式5で表されるフタロシアニン-15族半金属元素III塩を有機溶媒に溶解して、塩含有溶液を調製する工程と、前記塩含有溶液にXeF2を添加する工程と、を有する構造なので、フッ素からなる軸配位子を形成したフタロシアニン-15族半金属元素V塩を容易に製造することができる。以下、本発明の実施形態であるフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオン、その塩及びその塩の製造方法について説明する。本発明の実施形態<フタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオン>本発明の実施形態であるフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンは、先に記載の一般式1で表される。<中心元素M>式1中、中心元素Mは、15族半金属元素のヒ素又はアンチモンである。これらの元素は、フタロシアニンの中心元素として安定な5価を形成し、存在できる。一方、15族元素であっても、中心元素Mとして、窒素Nは好ましくない。イオン半径が小さすぎ、安定なフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンを形成できないためである。また、15族元素であっても、中心元素Mとして、ビスマスBiは好ましくない。複数回作成を試みたが、安定したフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンを形成できなかったためである。15族のリンPについては、中心元素Mとして、安定な錯体を形成できるかどうか不明である。<軸配位子L1、L2>式1中、L1、L2が有機シロキソ基又はフッ化物イオンからなる同一の軸配位子である。軸配位子L1、L2が、先に記載の一般式2で表される有機シロキソ基であることが好ましい。軸配位子L1、L2として有機シロキソ基を用いることにより、溶解度を高めることができる。式2中、置換基R9~R11の2つの置換基が炭素数3以下のアルキル基であり、残りの1つの置換基が炭素数1~12であるアルキル基又はベンジル基であることが好ましい。例えば、トリメチルシシロキソ基又はベンジルジメチルシロキソ基を挙げることができる。L1、L2がフッ化物イオンからなる同一の軸配位子であってもよい。フッ化物イオンを軸配位子L1、L2に用いると、フタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンを安定化できる。<周辺置換基R1~R8>以下、R1~R8を周辺置換基と呼ぶ。軸配位子L1、L2が有機シロキソ基の場合には、周辺置換基R1~R8の少なくとも1つがアルキル基、アリル基、アリール基、アルキニル基、並びにヘテロ原子を含む前記置換基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アミド基、エステル基およびハロゲンの群から選択される置換基である。すなわち、R1~R8の少なくとも1つが炭素原子を含む置換基、ニトロ基、又はハロゲンの置換基である。残りは水素原子である。周辺置換基R1~R8のうちの炭素原子を含む置換基、ニトロ基、又はハロゲンの数は1以上であれば特に限定されない。周辺置換基R1~R8のすべてを、炭素原子を含む置換基、ニトロ基、又はハロゲンとしてもよい。周辺置換基R1~R8の組み合わせとしては、例えば、R1とR2がアルキル基であり、R3~R8が水素原子である組み合わせを挙げることができる。或いは、R1がアルキル基であり、R2がアリル基であり、R3~R8が水素原子である組み合わせを挙げることができる。或いは、R1がアルキル基であり、R2~R7がニトロ基であり、R8が水素原子である組み合わせを挙げることができる。或いは、R1がアルキル基であり、R2~R8がアリル基である組み合わせを挙げることができる。軸配位子L1、L2がフッ化物イオンの場合には、R1~R8の少なくとも1つがアルキル基、アリル基、アリール基、アルキニル基、並びにヘテロ原子を含む前記置換基、アミド基およびエステル基の群から選択される置換基である。残りは水素原子である。周辺置換基R1~R8のうちの炭素原子を含む置換基の数は1以上であれば特に限定されない。周辺置換基R1~R8のすべてを、炭素原子を含む置換基としてもよい。周辺置換基R1~R8の組み合わせとしては、例えば、R1とR2がアルキル基であり、R3~R8が水素原子である組み合わせを挙げることができる。或いは、R1がアルキル基であり、R2がアリル基であり、R3~R8が水素原子である組み合わせを挙げることができる。或いは、R1がアルキル基であり、R2~R7がアリル基であり、R8が水素原子である組み合わせを挙げることができる。或いは、R1がアルキル基であり、R2~R8がアリル基である組み合わせを挙げることができる。周辺置換基R1~R8はすべて同じでも良く、また逆に全て異なっていても良い。アルキル基として、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等、アリール基としてフェニル基、ナフチル基等を挙げることができ、ハロゲンとしてクロロ、ブロモ等を挙げることができる。周辺置換基R1~R8の少なくとも1つが、炭素数4以下のアルキル基又はヘテロ原子を含む前記アルキル基であることが好ましい。例えば、周辺置換基R1~R8の少なくとも1つに用いるアルキル基アルキル置換体としては、下記化学式6に表されるt-ブチル基R=-CCH33を挙げることができ、含ヘテロ原子置換基含ヘテロ原子アルキル置換体としては、下記化学式7に表されるn-ブトキシル基R=-OCH23CH3を挙げることができる。本発明の実施形態であるフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンで、例えば、R1,3,5,7=H,R2,4,6,8=tBuの場合に、上記の表記法では単一の異性体だけを示しているが、置換基の位置の違いに基づく4種類の位置異性体例えばR1,4,5,7=H,R2,3,6,8=tBu等がある。実際の生成物は、これらの混合物である。軸配位子L1、L2の溶解度に対する効果についてフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンは、有機溶媒に対する溶解度を高くすることを要する。スピンコーティング技術に供するためである。軸配位子L1、L2を有機シロキソ基にすることにより、溶解度を高めることができる。例えば、トリメチルシロキソ基は、最もアルキル鎖の短い有機シロキソ基であるが、周辺置換基R1~R8が水素である無置換のフタロシアニン化合物でも所望の溶解度を得ることができる。また、ベンジルジメチルシロキソ基にすれば、溶解度をより高めることができる。なお、メチル基よりも炭素数の多いエチル、プロピル、ブチル等で置換されたシロキソ基を軸配位子に導入した場合、トリメチルシロキソ基と同等以上の溶解度を得ることができるが、合成工程における立体障害の影響により、収率が低下する。一方、アルキル置換されていないシロキソ基、例えば、-O-SiH3は、十分な溶解度を得ることができない。また、-O-SiH3は溶解度の向上が見込めないだけではなく、大気中で発火する可能性がある。軸配位子L1、L2としてフッ化物イオンを用いた場合、溶解度の向上は期待できない。よって、高い溶解性が得られる周辺置換基R1~R8を用いることを要する。周辺置換基R1~R8の溶解度に対する効果について軸配位子L1、L2が有機シロキソ基又はフッ化物イオンいずれの場合であっても、周辺置換基R1~R8がすべて水素原子の場合には、すなわち、無置換体R1~R8=Hの場合には、有機溶媒に対する溶解度が低く好ましくない。軸配位子L1、L2が有機シロキソ基の場合には、周辺置換基R1~R8の少なくとも1つがアルキル基、アリル基、アリール基、アルキニル基、並びにヘテロ原子を含む前記置換基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アミド基、エステル基およびハロゲンの群から選択される置換基であり、残りが水素原子である。軸配位子L1、L2で溶解度をかなり稼いでいるので、周辺置換基R1~R8で溶解度を上げる必要はなく、周辺置換基R1~R8がすべてニトロ基、シアノ基、ハロゲン等、カルボキシル基であっても溶解度を高くすることができる。ブトキシル基やフェノキシル基を周辺置換基R1~R8とするアンチモンのフタロシアニン錯体が、t-ブチル置換体と同様に高い溶解度を有する非特許文献5ことから、アルキル基等の炭化水素以外にも、アルコキシル基やフェノキシル基等の含ヘテロ原子炭化水素も同様に、満足すべき溶解度が得られることを容易に類推できる。軸配位子L1、L2がフッ化物イオンの場合には、周辺置換基R1~R8の少なくとも1つがアルキル基、アリル基、アリール基、アルキニル基、並びにヘテロ原子を含む前記置換基、アミド基およびエステル基の群から選択される置換基であることを要する。軸配位子L1、L2がフッ化物イオンの場合には、軸配位子L1、L2で溶解度を稼げないので、周辺置換基R1~R8のいずれかをニトロ基、シアノ基、カルボキシル基およびハロゲンとして、残りをすべて水素原子とすると、溶解度が低下するという問題が発生するため、周辺置換基R1~R8で溶解度を上げる必要があるためである。周辺置換基R1~R8の少なくとも1つがアルキル基、アリル基、アリール基、アルキニル基、並びにヘテロ原子を含む前記置換基、アミド基およびエステル基の群から選択される置換基であれば、残りがニトロ基、シアノ基、ハロゲン等、カルボキシル基又は水素原子のいずれか又はこれらの組み合わせであっても、溶解度を高くすることができる。しかし、周辺置換基R1~R8がすべてニトロ基、シアノ基、ハロゲン等、カルボキシル基、水素原子のいずれか又はこれらの組み合わせの場合は、無置換体と同程度の溶解度しか期待できない。軸配位子L1、L2の安定性に対する効果について軸配位子L1、L2として有機シロキソ基を用いることにより、強固なAs-O結合を形成でき、フタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンの安定性を高めることができる。Sbに関しても、強固なSb-O結合を形成でき、錯陽イオンの安定性を高めることができる。また、軸配位子L1、L2としてフッ化物イオンを用いることにより、強固なAs-F結合を形成でき、フタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンの安定性を高めることができる。Sbに関しても、強固なSb-F結合を形成でき、錯陽イオンの安定性を高めることができる。後述するように、Br-を軸配位子L1、L2とする錯体においては室温で容易に軸配位子L1、L2のBr-を失うとともに元の三価の錯体に戻り比較例4、また、Cl-を軸配位子L1、L2とする錯体においては軸配位子L1、L2のCl-が他の配位子例えばOH-に容易に置換された比較例5。これはAs-ClおよびAs-Brの結合が、As-FまたはAs-O結合に比べて弱いためであると考えている。軸配位子L1、L2の還元電位に対する効果についてフタロシアニンにおける酸化還元電位は、一般に、中心金属M上の軸配位子L1、L2の性質には大きな影響を受けないことが知られている非特許文献21、16。実際、第一還元電位が既知の無置換フタロシアニンーアンチモンV錯体について比較すると、L1,L2=Cl-0.22V;非特許文献6およびX=Br-0.21V;非特許文献17、L1,L2=-OSiCH33の場合は-0.28V図9であり、軸配位子依存性は小さいことが判る。フタロシアニンにおける酸化還元電位は、むしろ、周辺置換基R1~R8の性質に基づく変化の方が支配的になることが予想される。周辺置換基R1~R8の還元電位に対する効果について周辺置換基R1~R8の少なくとも1つを電子吸引性電子受容性の置換基とすることにより、還元電位を基準電極Fc/Fcに対して-1.256V以上にすることができる。なお、還元電位はFc/Fcに対して-0.8V以上にすることが好ましく、Fc/Fcに対して-0.6V以上にすることがより好ましい。電子吸引性電子受容性の大きい置換基を用いたり、電子吸引性電子受容性の置換基の数を多くすることにより、還元電位をより正側にして、n型特性を高めることができる。アンチモンを中心元素Mとした錯体におけるフタロシアニンの還元電位は、周辺置換基R1~R8のσp値と良い線形の相関を示した図12。周辺置換基がOnBu基、tBu基等の電子供与性の含ヘテロ原子炭化水素、アルキル基であるフタロシアニンはσp値が負の値を持つが、フタロシアニン錯体自身は強い電子受容性を持った。従って、σp値が既知の周辺置換基R1~R8例えば、非特許文献9には多くの周辺置換基R1~R8についてσp値が記載されているのフタロシアニンについても、その周辺置換基R1~R8に応じた還元電位を持つことが予想される。フタロシアニンの還元電位と周辺置換基R1~R8のσp値の間には強い線形の相関があり非特許文献10、σp値が正の大きい値を取るほど、還元電位は正にシフトすることが知られている。軸配位子L1、L2の光吸収に対する効果について軸配位子L1、L2を有機シロキソ基にした場合、アルキル基の種類を変更しても、光吸収ピーク波長は大きく変わらない。一般に、フタロシアニンの最も強い光吸収帯Q帯の吸収極大波長は中心金属M上の軸配位子L1、L2の性質には大きな影響を受けないことが知られている非特許文献12、21、16。実際、フタロシアニン-アンチモンV錯陽イオン無置換体のQ帯極大波長は、軸配位子としてトリメチルシロキソ基でエンドキャップした場合L1=L2=Clは707nmであり、軸配位子としてOHでエンドキャップした場合L1=L2=OHは710nmである非特許文献6、17、4。そのため、シロキソ基におけるアルキル基の種類によってフタロシアニンのQ帯極大波長が大きく変わることは考えにくい。軸配位子L1、L2をフッ化物イオンにした場合も、光吸収ピーク波長は大きく変わらない。軸配位子としてClでエンドキャップした場合L1=L2=Brは726nmであり、軸配位子としてBrでエンドキャップした場合は742nmであり、軸配位子L1、L2としてOHでエンドキャップした場合L1=L2=OHは710nmである非特許文献6、17、4。そのため、軸配位子L1、L2をフッ化物イオンとしてもフタロシアニンのQ帯極大波長が大きく変わることは考えにくい。また、t-ブチル置換フタロシアニンーアンチモンV錯体についてのQ帯極大波長は、L1、L2=Cl739nm、L1、L2=Br742nm、L1、L2=OH722nm、L1、L2=-OSiCH33の727nmそれぞれ、非特許文献22、17、10、図6であり、軸配位子依存性は決して大きくはない。周辺置換基R1~R8の光吸収に対する効果について周辺置換基R1~R8の少なくとも1つを、炭素原子を含む置換基、ニトロ基、又はハロゲンのいずれかの基とすることにより、無置換の場合に比べて、フタロシアニンの最も強い光吸収帯Q帯の吸収極大波長光吸収ピーク波長を少なくとも710nm以上に長波長シフトさせることができる。炭素原子を含む置換基として、アルキル基等の炭化水素以外にも、アルコキシル基やフェノキシル基等の含ヘテロ原子炭化水素も同様に、700nmより長波長の光を強く吸収させる効果を有することが予想される。フタロシアニンの最も強い光吸収帯Q帯の吸収極大波長は、一般に、電子供与性の周辺置換基R1~R8の場合は、無置換の場合とほとんど変わらないか、長波長シフトする傾向にある。これにより、近赤外光に応答性を高めることができ、太陽光を有効活用可能なn型有機半導体材料にできる。一方、周辺置換基R1~R8の少なくとも1つを電子吸引性電子受容性の置換基としても、フタロシアニンの最も強い光吸収帯Q帯の吸収極大波長を無置換体とほとんど変化させることができない非特許文献12。なお、周辺置換基R1~R8をすべて水素原子とした場合には、すなわち、無置換体R=Hの場合には、光吸収ピーク波長を710nm以上とすることができない。よって、一般的に用いられている置換基を導入する限り、Q帯極大波長の位置はほぼ同じ位置か、或いはそれよりも長波長側に現れることが予想される。<フタロシアニン-15族半金属元素V塩>本発明の実施形態であるフタロシアニン-15族半金属元素V塩は、本発明の実施形態であるフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンと、その対陰イオンY-とからなり、一般式8に表されるフタロシアニン-15族半金属元素V塩である。式8中、周辺置換基R1~R8及び軸配位子L1、L2は一般式1に記載したものと同一である。Mがアンチモンである場合には、対陰イオンY-がPF6-、BF4-、ClO4-、CF3SO3-、CF3C6H4SO3-、I3-の群から選択されることが好ましい。また、Mがヒ素であり、対陰イオンY-がPF6-、BF4-、ClO4-、CF3SO3-、CF3C6H4SO3-、I3-、AsF4-の群から選択されることが好ましい。対陰イオンY-としてこれらを用いることにより、安定な化合物とすることができる。フタロシアニン-15族半金属元素V塩は分子全体で1に帯電しており、その電荷を中和するために、対陰イオンY-が存在している。例えば、対陰イオンY-としてPF6-を用いることにより、既知の陰イオンの塩として単離することができ、化合物の組成を元素分析によって容易に決定することができる。<軸配位子L1、L2が有機シロキソ基のフタロシアニン-15族半金属元素V塩の製造方法>本発明の実施形態であるフタロシアニン-15族半金属元素塩の製造方法は、塩含有溶液加熱工程と、有機ケイ素化合物添加工程とを有する。<塩含有溶液加熱工程>まず、一般式3で表される軸配位子が水酸基であるフタロシアニン-15族半金属元素V塩を有機溶媒に溶解して塩含有溶液を調製する。前記有機溶媒としては、脱水アセトニトリル市販等を用いることができる。式3中、Mがヒ素又はアンチモンからなる15族半金属元素Vであり、R1~R8の少なくとも1つがアルキル基、アリル基、アリール基、アルキニル基、並びにヘテロ原子を含む前記置換基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アミド基、エステル基およびハロゲンの群から選択される一の置換基であり、残りが水素原子であり、Y-が対陰イオンである。Y-は、PF6-、BF4-、ClO4-、CF3SO3-、CF3C6H4SO3-、I3-、AsF4-の群から選択される対陰イオンである。これにより、反応を安定に進行させることができるとともに、本発明の実施形態であるフタロシアニン-15族半金属元素V塩を安定な化合物として容易に製造することができる。次に、その塩含有溶液を加熱する。前記加熱温度としては、前記有機溶媒が蒸発しない温度であればよく、例えば、30~80°Cとする。加熱時間は、塩含有溶液の濃度によって適宜設定することが好ましく、例えば、5~30分とする。<有機ケイ素化合物添加工程>次に、その塩含有溶液を加熱した状態で、有機ケイ素化合物を添加する。これにより、中心元素が五価のヒ素又はアンチモンであり、軸配位子が水酸基であるフタロシアニン-15族半金属元素V塩と有機ケイ素化合物とを反応させて、軸配配位子を水酸基から、アルキルシロキソ基又はベンジルシロキソ基等の有機シロキソ基にすることができる。添加後、攪拌することが好ましい。これにより、より速やかに反応させることができる。前記有機ケイ素化合物は、一般式4で表されることが好ましい。式4中、R9~R11のうちの2つが炭素数3以下のアルキル基であり、残りの1つが炭素数1~12であるアルキル基又はベンジル基であり、Xがハロゲン、アセトアミド基、ハロゲン置換アセトアミド基の群から選択される置換基である。前記有機ケイ素化合物は、下記化学式9で表されるN,O-ビストリメチルシリルトリフルオロアセトアミドBSTFAと略称する。、又は、下記化学式10で表されるベンジルクロオジメチルシランBCDMSと略称する。を挙げることができる。これらの化合物を用いることにより、軸配位子L1、L2が、トリメチルシリル基又はベンジルジメチルシリル基であるフタロシアニン-15族半金属元素V塩を、速やかに、かつ、収率高く形成できる。下記化学反応式11は、水酸基のシロキソ基化の反応機構の一例を示す図である非特許文献13および14。Xは、アルキルケイ素化合物としてBSTFAを用いた場合を示している。Zは、フタロシアニン誘導体である。化学反応式11に示すように、原料が有する水酸基の酸素原子上の孤立電子対が有機ケイ素化合物のケイ素原子に対して二分子的求核置換反応SN2反応を行い、5配位中間体を形成してから、軸配位子をトリメチルシロキソ基とする。このとき、酸HXも同時に生成する。有機ケイ素化合物のケイ素原子周りの立体障害が大きければ、5配位中間体の形成が起こりにくい。そのため、有機ケイ素化合物として、ケイ素原子周りの2つの置換基が炭素数3以下のアルキル基であることが好ましい。これにより、立体障害を小さくでき、容易に、かつ、速やかに5配位中間体を形成することができる。R9~R11のうちの2つが炭素数2以下のアルキル基であることがより好ましく、炭素数1以下のアルキル基であることが更に好ましい。これにより、より立体障害を小さくできる。残りの1つの置換基が炭素数1~12であるアルキル基又はベンジル基である有機ケイ素化合物を用いることが好ましい。これにより、軸配位子を容易に、かつ、速やかに水酸基をアルキルシロキソ基又はベンジルシロキソ基に置換することができる。炭素数13以上とした場合には、前記反応を妨げる場合が生じ、好ましくない。反応過程では、溶液の光吸収スペクトルを測定することが好ましい。これにより、反応状況を測定でき、反応させる量を正確に制御することができ、有機ケイ素化合物を無駄にすることなく、製造コストを安価にすることができる。光吸収スペクトルの測定条件は、適宜設定する。以上の工程により、軸配位子が有機シロキソ基であるフタロシアニン-15族半金属元素V塩を合成することができる。反応完了後、精製工程を行うことが好ましい。これにより、不純物をより取り除くことができ、生成物の純度を高めることができる。精製工程は、ろ過、乾燥、有機溶媒への溶解、純水洗浄、再結晶の工程を適宜選択して組み合わせることにより実施できる。精製工程の一例を示す。まず、反応溶液をろ過して不溶物を取り除く。次に、例えば、ロータリーエバポレータを用いて、ろ液を乾固する。次に、乾固生成物をアセトニトリルに溶解してから、ろ過して微量の不溶物を取り除く。次に、水に、ろ液を滴下することにより、固体を得る。次に、得られた固体を、所定温度で、所定時間、真空乾燥する。例えば、所定温度は60°Cとし、真空乾燥の時間は一昼夜とする。次に、真空乾燥生成物を所定量のジクロロメタンに溶解してから、ろ過して微量の不溶物を取り除く。次に、ろ液に、ヘキサンを加えることにより、固体を再び析出させる。反応終了後の溶液にヘキサンを加えることにより、生じた固体を集めることができる。次に、得られた固体をジクロロメタンに溶解してから、ヘキサンを加えることにより、再結晶させる。次に、再結晶体をろ過により集め、更に、ヘキサンで洗浄してから、所定温度で、所定時間、真空乾燥する。例えば、所定温度は80°Cとし、真空乾燥の時間は12時間とする。以上の精製工程により、高純度の生成物を得ることができる。有機ケイ素化合物として、例えば、市販のN,O-ビスt-ブチルジメチルシリルアセトアミドを用いてもよい。これにより、トリメチルシリルの代わりにt-ブチルジメチルシリルを導入できる。置換基R1~R8の少なくとも1つがアルキル基、アリル基、アリール基、アルキニル基、並びにヘテロ原子を含む前記置換基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アミド基、エステル基およびハロゲンの群から選択される一の置換基であれば、軸配位子である水素原子を有機シロキソ基に置換する反応を妨げることはない。また、これらの周辺置換基は、原料の合成工程において、支障となることはない。まず、ジシアノアルキルベンゼンとSbI3とから、三価アンチモン錯体を合成する際において支障となることはない特許文献4、非特許文献4、5および11。次に、これらの周辺置換基は、三価アンチモン錯体から安息香酸過酸化物のような酸化剤を用いて、ヒドロキソ錯体を合成する際において支障となることはない特許文献3、非特許文献4、5および10。アミノ基又は水酸基を用いると、原料の合成工程において支障となる場合が発生するので好ましくない。<軸配位子L1、L2がフッ化物イオンのフタロシアニン-15族半金属元素V塩の製造方法>本発明の実施形態であるフタロシアニン-15族半金属元素塩の製造方法は、塩含有溶液調整工程と、XeF2添加工程とを有する。<塩含有溶液調製工程>まず、一般式5で表される軸配位子が無いフタロシアニン-15族半金属元素III塩を有機溶媒に溶解して塩含有溶液を調製する。前記有機溶媒としては、CH2Cl2市販等を用いることができる。式5中、Mがヒ素又はアンチモンからなる15族半金属元素IIIであり、R1~R8の少なくとも1つがアルキル基、アリル基、アリール基、アルキニル基、並びにヘテロ原子を含む前記置換基、アミド基およびエステル基の群から選択される置換基であり、残りが水素原子であり、Y-が対陰イオンである。Y-は、PF6-、BF4-、ClO4-、CF3SO3-、CF3C6H4SO3-、I3-、AsF4-の群から選択される対陰イオンである。これにより、反応を安定に進行させることができるとともに、フタロシアニン-15族半金属元素III塩を安定な化合物として取り扱うことができる。フタロシアニン-15族半金属元素III塩で、例えば、R1,3,5,7=H,R2,4,6,8=tBuの場合に、この表記法では単一の異性体だけを示しているが、置換基の位置の違いに基づく4種類の位置異性体例えばR1,4,5,7=H,R2,3,6,8=tBu等があり、実際の生成物は、これらの混合物である。<XeF2添加工程>調製した塩含有溶液に、フッ化キセノンXeF2を添加して、軸配位子が無いフタロシアニン-15族半金属元素V塩とフッ化キセノンXeF2とを反応させる。添加後、室温で攪拌することが好ましい。これにより、より速やかに反応させることができる。以上の工程により、軸配位子がフッ化物イオンであるフタロシアニン-15族半金属元素V塩を合成することができる。反応過程では、溶液の光吸収スペクトルを測定することが好ましい。これにより、反応状況を測定でき、反応させる量を正確に制御することができ、XeF2を無駄にすることなく、製造コストを安価にすることができる。光吸収スペクトルの測定条件は、適宜設定する。反応完了後、精製工程を行うことが好ましい。これにより、不純物をより取り除くことができ、生成物の純度を高めることができる。精製工程は、ろ過、乾燥、有機溶媒への溶解、純水洗浄、再結晶の工程を適宜選択して組み合わせることにより実施できる。本発明の実施形態であるフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンは、一般式1で表される構成なので、還元電位をFc/Fcに対して-0.693Vより正にでき、吸収波長ピークを710nm以上にでき、かつ、CH2Cl2,CHCl3,アセトン、アセトニトリル、エタノール、酢酸エチル、ベンゼン、トルエンのいずれかの有機溶媒中で飽和濃度を10-2M超にでき、電子受容性が高く、近赤外光に対する応答性が高く、かつ、一般的な有機溶剤に対する溶解度が高いn型有機半導体材料とすることができる。一般的な有機溶剤に対する溶解度が高いことより、スピンコーティングや溶媒キャスト等の塗布法により大面積薄膜化を容易に実施することができ、可視近赤外光応答n型有機半導体薄膜製作用のフタロシアニン-15族半金属元素V錯体として利用することができる。本発明の実施形態であるフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンは、軸配位子L1、L2が、一般式2で表される構成なので、飽和濃度を10-2M超にできる。本発明の実施形態であるフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンは、軸配位子L1、L2が、トリメチルシロキソ基又はベンジルジメチルシロキソ基である構成なので、飽和濃度を10-2M超にできる。本発明の実施形態であるフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンは、R1~R8の少なくとも1つが、炭素数4以下のアルキル基又はヘテロ原子を含む前記アルキル基である構成なので、710nmより長波長側の光に対応することができる。本発明の実施形態であるフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンは、R1~R8の少なくとも1つがn-ブトキシル基又はt-ブチル基である構成なので、710nmより長波長側の光に対応することができる。本発明の実施形態であるフタロシアニン-15族半金属元素V塩は、本発明のフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンと、その対陰イオンとからなるフタロシアニン-15族半金属元素V塩であって、Mがアンチモンであり、対陰イオンY-がPF6-、BF4-、ClO4-、CF3SO3-、CF3C6H4SO3-、I3-の群から選択される構成なので、安定な化合物として製造できる。本発明の実施形態であるフタロシアニン-15族半金属元素V塩は、本発明のフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオンと、その対陰イオンとからなるフタロシアニン-15族半金属元素V塩であって、Mがヒ素であり、対陰イオンY-がPF6-、BF4-、ClO4-、CF3SO3-、CF3C6H4SO3-、I3-、AsF4-の群から選択される構成なので、安定な化合物として製造できる。本発明の実施形態であるフタロシアニン-15族半金属元素V塩の製造方法は、一般式3で表されるフタロシアニン-15族半金属元素V塩を有機溶媒に溶解して、塩含有溶液を調製後、前記塩含有溶液を加熱する工程と、前記塩含有溶液に有機ケイ素化合物を添加する工程と、を有する構成なので、軸配配位子を水酸基から有機シロキソ基にして、一般式8で表されるフタロシアニン-15族半金属元素V塩を容易に製造することができる。本発明の実施形態であるフタロシアニン-15族半金属元素V塩の製造方法は、前記有機ケイ素化合物が、一般式4で表される構成なので、立体障害を少なくして、中間体を形成することができ、一般式8で表されるフタロシアニン-15族半金属元素V塩を容易に製造することができる。本発明の実施形態であるフタロシアニン-15族半金属元素V塩の製造方法は、前記有機ケイ素化合物が、N,O-ビストリメチルシリルトリフルオロアセトアミド又はベンジルクロロジメチルシランである構成なので、立体障害を少なくして、中間体を形成することができ、一般式8で表されるフタロシアニン-15族半金属元素V塩を容易に製造することができる。本発明の実施形態であるフタロシアニン-15族半金属元素V塩の製造方法は、前記対陰イオンY-がPF6-、BF4-、ClO4-、CF3SO3-、CF3C6H4SO3-、I3-の群から選択される構成なので、安定な化合物を製造できる。本発明の実施形態であるフタロシアニン-15族半金属元素V塩の製造方法は、一般式5で表されるフタロシアニン-15族半金属元素III塩を有機溶媒に溶解して、塩含有溶液を調製する工程と、前記塩含有溶液にXeF2を添加する工程と、を有する構成なので、フッ化物イオンからなる軸配位子を形成し、一般式8で表されるフタロシアニン-15族半金属元素V塩を容易に製造することができる。なお、フタロシアニン-15族半金属元素III塩は、ある程度溶解度が無いと、反応させにくいため、溶解度の低いニトロシアノカルボキシル基、ハロゲンをR1~R8に含めるのは好ましくない。本発明の実施形態であるフタロシアニン-15族半金属元素V塩の製造方法は、前記対陰イオンY-がPF6-、BF4-、ClO4-、CF3SO3-、CF3C6H4SO3-、I3-、AsF4-の群から選択される構成なので、一般式8で表されるフタロシアニン-15族半金属元素V塩を容易に製造することができる。本発明の実施形態であるフタロシアニン-15族半金属元素V錯陽イオン、その塩及び塩の製造方法は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で、種々変更して実施することができる。本実施形態の具体例を以下の実施例で示す。しかし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例1<テトラn-ブトキシルフタロシアニン錯体:[SbtObpcOSiMe32]PF6の合成>まず、86mg0.078mmolの[SbtObpcOH2]PF6一般式2においてR1、R3、R5、R7=-OCH23CH3であり、Y-=PF6-である。を50mlの脱水アセトニトリル市販に溶解してから、60°Cに加熱した。次に、0.63ml2.30mmolのBSTFAを添加し、撹拌を行った。さらに、10分後に、0.21ml0.78mmolのBSTFAを追加した。図1は、実施例1の反応溶液の光吸収スペクトル変化を示すグラフである。破線は、BSTFAの1回目の添加前の光吸収スペクトルであり、実線はBSTFAの1回目の添加後の光吸収スペクトルである。図1に示すように、BSTFAの1回目の添加前、溶液の強い吸収帯原料の吸収帯のピーク波長は710.8nmであった。しかし、BSTFAの1回目の添加後、強い吸収帯のピーク波長は714.7nmにシフトした。また、BSTFAの2回目の添加後、強い吸収帯のピーク波長はシフトしなかった。これにより、BSTFAの1回目の添加で反応が完了したと推察した。次に、反応溶液をろ過して不溶物を取り除いた。次に、ろ液をロータリーエバポレータにより乾固して黒色の固体としてから、この黒色固体を15mlのアセトニトリルに溶解した。次に、ろ過して微量の不溶物を取り除いてから、ろ液を100mlの水に滴下して、黒緑色の固体を得た。次に、得られた黒緑色の固体を60°Cで一昼夜真空乾燥してから、得られた黒緑色の固体68mgを6mlのジクロロメタンに溶解した。次に、ろ過して微量の不溶物を取り除いてから、25mlのヘキサンを加えて固体を再び析出させた。さらに、6mlのジクロロメタンに溶解してから、25mlヘキサンを加えて再結晶させた。次に、この固体をろ過により集めて、80°Cで12時間真空乾燥させた。以上の工程により、38mg0.030mmolの固体実施例1化合物を得た。収率39。表1は、実施例1化合物の質量分析結果及び元素分析結果である。実施例2<テトラt-ブチルフタロシアニン錯体:[SbtbpcOSiMe32]PF6の合成>まず、100mg0.097mmolの[SbtbpcOH2]PF6一般式2においてR1、R3、R5、R7=-CCH33であり、Y-=PF6-である。を50mlの脱水アセトニトリルに溶解してから、60°Cに加熱した。次に、0.79ml2.90mmolのBSTFAを添加し、撹拌を行った。さらに、10分後に、0.26ml0.97mmolのBSTFAを追加し、撹拌を行った。図2は、実施例2の反応溶液の光吸収スペクトル変化を示すグラフである。破線は、BSTFAの1回目の添加前の光吸収スペクトルであり、実線はBSTFAの1回目の添加後の光吸収スペクトルである。図2に示すように、BSTFAの1回目の添加前、溶液の強い吸収帯原料の吸収帯のピーク波長は723.8nmであった。しかし、BSTFAの1回目の添加後、強い吸収帯のピーク波長は733.2nmにシフトした。また、BSTFAの2回目の添加後、強い吸収帯のピーク波長はシフトしなかった。これにより、BSTFAの1回目の添加で反応が完了したと推察した。次に、10分後に反応溶液をろ過して不溶物を取り除いた。次に、ろ液をロータリーエバポレータにより乾固して黒色の固体としてから、この黒色固体を15mlのアセトニトリルに溶解した。次に、ろ過して微量の不溶物を取り除いてから、ろ液を100mlの水に滴下して、黒緑色の固体を得た。次に、得られた黒緑色の固体を60°Cで一昼夜真空乾燥してから、得られた黒緑色固体68mgを5mlのCH2Cl2に溶解した。次に、ろ過して微量の不溶物を取り除いてから、100mlのヘキサンを加えて固体を再び析出させた。次に、5mlのCH2Cl2に溶解してから、100mlヘキサンを加えて再結晶させた。次に、この固体をろ過により集めて、80°Cで12時間真空乾燥させた。以上の工程により、46mg0.039mmolの固体実施例2化合物を得た。収率40。表2は、実施例2化合物の質量分析結果及び元素分析結果である。実施例3<テトラt-ブチルフタロシアニン錯体:[SbtbpcOH2]I3のシリル化>まず、20mg0.016mmolの[SbtbpcOH2]I3一般式2においてR1、R3、R5、R7=-CCH33であり、Y-=I3-である。を10mlの脱水アセトニトリルに溶解してから、60°Cに加熱した。次に、0.080ml0.31mmolのBSTFAを添加し、撹拌を行った。さらに、10分後に、0.021ml0.08mmolのBSTFAを追加し、撹拌を行った。光吸収スペクトルで反応を追跡し、反応が完了したことを確認してから、反応溶液をろ過して不溶物を取り除いた。次に、ろ液をロータリーエバポレータにより乾固して黒色の固体としてから、この黒色固体を5mlのアセトニトリルに溶解した。次に、ろ過して微量の不溶物を取り除いてから、ろ液を10mlの水に滴下して、黒緑色の固体を得た。次に、得られた黒緑色の固体を60°Cで一昼夜真空乾燥してから、得られた黒緑色固体を5mlのベンゼンに溶解した。次に、ろ過して微量の不溶物を取り除いてから、50mlのヘキサンを加えて固体を再び析出させた。次に、この固体をろ過により集めて、80°Cで12時間真空乾燥させた。以上の工程により、3.2mgの固体実施例3化合物を得た収率15。なお、光吸収スペクトルと赤外吸収スペクトルから、I3-塩である他は実施例2試料と同じ生成物が得られたことを確認した。実施例4<ベンジルジメチルシロキソ基を軸配位子とするテトラt-ブチルフタロシアニン-アンチモンV:[SbtbpcOSiCH2C6H5CH322]PF6の合成>まず、20mg0.017mmolの[SbtbpcOH2]PF6一般式2においてR1、R3、R5、R7=-CCH33であり、Y-=PF6-である。を200mlの脱水CH2Cl2に溶解してから、溶液に0.36gの無水炭酸ナトリウム3.4mmolを加え、さらに7.9g0.43mmolのBCDMSを添加し室温で3時間撹拌を行った。次に、光吸収スペクトルで反応を追跡し、反応が完了主吸収帯の変化;723→729nmしたことを確認してから、反応溶液をろ過して不溶物を取り除いた。次に、ろ液をロータリーエバポレータにより約30mlまで濃縮し、100mlのヘキサンを加えて濃緑色の固体を析出させた。次に、得られた黒緑色の固体を60°Cで一昼夜真空乾燥した。以上の工程により、23.6mgの固体実施例4化合物を得た。なお、質量分析および赤外スペクトルから、この固体に目的とする化合物が含まれていることを確認した。しかし、得られた化合物の純度が低く、また収率も低かったことから、この合成方法についてはこれ以上の検討は行わなかった。比較例1<無置換フタロシアニン錯体:[SbpcOSiMe32]PF6の合成>まず、50mg0.061mmolの[SbpcOH2]PF6図2においてR=H,Y-=PF6-を50mlの脱水アセトニトリルに溶解した。次に、60°Cに加熱したのち、0.50ml1.80mmolのBSTFAを添加し、撹拌を行った。さらに、10分後に、0.08ml0.31mmolのBSTFAを追加し、撹拌を行った。なお、BSTFAの1回目及び2回目の添加の前後で、反応溶液の光吸収スペクトル変化を観測した。図3は、比較例1の反応溶液の光吸収スペクトル変化を示すグラフである。破線は、BSTFAの1回目の添加前の光吸収スペクトルであり、実線は原料0.012mmolに対して約30倍約15倍過剰;0.35mmolのBSTFAの1回目の添加後の光吸収スペクトルである。図3に示すように、BSTFAの1回目の添加前、溶液の強い吸収帯原料の吸収帯のピーク波長は699.7nmであった。しかし、BSTFAの1回目の添加後、強い吸収帯のピーク波長は703.2nmにシフトした。また、BSTFAの2回目の添加後、強い吸収帯のピーク波長はシフトしなかった。これにより、BSTFAの1回目の添加で反応が完了したと推察した。次に、反応溶液をろ過して不溶物を取り除いた。次に、ろ液をロータリーエバポレータにより乾固して黒色の固体としてから、この黒色固体を5mlのアセトニトリルに溶解した。次に、この溶液をろ過して微量の不溶物を取り除いてから、ろ液を50mlの水に滴下して、黒緑色の固体を得た。次に、得られた黒緑色の固体を60°Cで一昼夜真空乾燥してから、得られた黒緑色の固体33mgを5mlのジクロロメタンに溶解した。次に、この溶液をろ過して微量の不溶物を取り除いてから、ろ液に50mlのヘキサンを加えて固体を再び析出させた。さらに、5mlのジクロロメタンに溶解して、50mlヘキサンを加えて再結晶させた。この固体をろ過により集めた。次に、80°Cで12時間真空乾燥させ、27mg0.028mmolの固体比較例1化合物を得た。収率は47であった。表3は、比較例1化合物の質量分析結果及び元素分析結果である。比較例2典型的なp型半導体であるフタロシアニンの例として、通常の方法非特許文献8に従い、無置換フタロシアニン-亜鉛錯体[Znpc]を合成した。<元素分析結果>元素分析結果C,H,Nが理論値と極めて近いことから、実施例1、2及び比較例1化合物がそれぞれ目的の化合物であることが分かった。<質量分析結果>図4は、実施例2化合物の質量分析結果及び理論スペクトルである。図4に示すように、溶液中における質量分析結果は、自然同位体分布に基づく理論スペクトルに極めて似ていることから、陽イオン部分の構造を確認できた。<赤外吸収スペクトル>図5は、実施例1、2及び比較例1化合物の赤外吸収スペクトルIRスペクトルである。これらのIRスペクトルは拡散反射法で測定した。実線はそれぞれ実施例1、2及び比較例1化合物のIRスペクトル、つまり、シリル化後のスペクトルであり、点線はそれぞれ実施例1、2及び比較例1化合物の原料化合物のIRスペクトルである。図5で、920cm-1付近の強い吸収帯及び1250cm-1付近の強い吸収帯はそれぞれSi-O伸縮振動及びSi-C伸縮振動に帰属すると考えられるので、-OSiCH33基の存在が支持される。また、図5で印を付した特徴的な840cm-1及び560cm-1付近の吸収帯はそれぞれP-F伸縮振動及びF-P-F変角振動に帰属すると考えられるので、原料の対陰イオンに由来するPF6-の存在が支持される。<1H-NMRスペクトル>図6は、実施例1化合物の1H-NMRスペクトル溶媒CD2Cl2である。図6において、8-10ppmに現れる3本の多重線それぞれ4H分はフタロシアニン骨格のベンゼン環のプロトンに帰属し、4.68ppmに現れる三重線8H分は周辺置換基の酸素に隣接したCH2に帰属し、2.15および1.80ppmに現れる多重線それぞれ8H分はそれぞれ周辺置換基中のCH2酸素原子に近い方がより低磁場側に帰属し、1.19ppmに現れる三重線12Hは周辺置換基中のCH3に帰属し、-2.46ppmに現れる一重線18Hは軸配位子中のトリメチルシリルのメチルプロトンに帰属する。なお、5.2ppm付近及び1.5ppm付近のシグナルはそれぞれ溶媒の残留プロトン及び溶媒中の不純物に帰属する。図6の1H-NMRスペクトルにおいて、TMSテトラメチルシランより高磁場に現れる一重線-2.46ppm;18H、-OSiCH33によって、軸配位子-OSiCH33基の存在が支持される。つまり、Si-CH3の化学シフトがTMSよりも大きく高磁場シフトしているのは、フタロシアニン環のπ共役系による環電流遮蔽効果によるものと考えられ、-OSiCH33基がフタロシアニン環に対して垂直方向に位置するという式1の化学構造を強く支持する。<有機溶媒への溶解性>実施例1、2化合物は、CH2Cl2,CHCl3,アセトン、アセトニトリル、エタノール、酢酸エチル、ベンゼン、トルエンの一般的な有機溶媒には、非常に良く溶解した。特に、CH2Cl2、アセトン及びアセトニトリルでは飽和濃度が10-2M超であった。これらの溶解度は、実施例1、2化合物のそれぞれの原料である水酸基を軸配位子とする化合物に比較して一桁以上向上した。なお、ヘキサンでは飽和濃度が10-6M未満であり、ほとんど溶けなかった。更に、水には不溶であった。比較例1化合物無置換体R=Hの溶解度は、比較例1化合物の原料である水酸基を軸配位子とする化合物に比較して二桁以上向上した非特許文献4。しかし、比較例1化合物は、実施例1、2化合物に対して、有機溶媒に対する溶解性が低かった。<光吸収スペクトル>図7は、実施例1、2、比較例1、2化合物の光吸収スペクトル溶媒CH2Cl2である。一点破線;比較例1、実線;実施例1、破線;実施例2、点線;比較例2である。吸光光度法による測定が可能な上限までの濃度範囲でスペクトルの濃度依存性は無視できるほど小さかった。なお、濃度範囲は、0-6.87×10-5M比較例1、0-1.46×10-4M実施例1、0-9.76×10-5M実施例2であった。図7に示すように、実施例1、2、比較例1、2化合物いずれの吸収スペクトル形状も、一般的なフタロシアニンの特徴的な吸収スペクトル形状と類似するものであった。また、最も強い吸収帯Q帯と呼ばれるは1000~1200cm-1程度、長波長側にシフトし、近赤外領域に現れた。吸収極大はそれぞれ、671nm比較例2、707nm比較例1、719nm実施例2、736nm実施例1であった。以上の結果から分かるとおり、実施例1、2化合物は近赤外領域の光を強く吸収したlogε=ca.5。また、これらの吸収帯の長波長シフトは、CH2Cl2溶液中に限ったことではなく他の溶媒中でも観測され、その吸収帯の位置は図6に示すように溶媒の屈折率によって規則的に変化する非特許文献4および5。図8は、実施例1、2及び比較例1化合物のQ帯の吸収極大位置の溶媒依存性である。●;比較例1、▲;実施例1、▼;実施例2である。図8において、縦軸はQ帯の極大位置波数単位/エネルギー単位であり、横軸はOnsagerの分極関数fn2である。fn2の式中の変数nは溶媒の屈折率である。また、図8中の整数1~12は溶媒の種類の番号である。各番号に対応する溶媒を以下に示す。1;アセトニトリル、2;アセトン、3;酢酸エチル、4;ニトロメタン、5;テトラヒドロフラン、6;ジクロロメタン、7;クロロホルム、8;ベンゼン、9;クロロベンゼン、10;オルト-ジクロロベンゼン、11;ニトロベンゼン、12;オルト-ジブロモベンゼン。図8に示すように、実施例1、2及び比較例1化合物はそれぞれ線形の溶媒依存性を示した。図9は、実施例1、2、比較例1、2化合物のCVである。点線;比較例2、破線;比較例1、実線;実施例2、一点破線;実施例1である。ローマ数字I~IIIはそれぞれ第一、第二、第三還元波を意味する。CV条件は、溶媒CH2Cl2、支持電解質CH3CH2CH2CH24NPF6-0.1M、作用電極;グラッシーカーボン、対向電極;白金、仮の参照電極AgCl/Ag、電位掃引速度;100mV/sとした。図9から、実施例1、2、比較例1化合物の第一還元波から第三還元波までに対応する還元電位E1/2、ΔE、ipc/ipaを算出し、表4にまとめた。図9、表4によると、比較例1化合物軸配位子:-OSiCH33の第一還元電位は-0.28Vであり、既知の他の無置換フタロシアニンーアンチモンV化合物軸配位子:Cl-0.22Vおよび軸配位子:Br-0.21V;非特許文献17と比較すると、還元電位の軸配位子依存性は小さいことが判る。これは、フタロシアニンにおける酸化還元電位は中心金属上の軸配位子の性質には大きな影響を受けないとの指摘と整合する非特許文献15、16。還元電位に関しては、むしろ周辺置換基Rの性質に基づく変化の方が支配的になると予想できる。なお、図9に示す実施例1、2、比較例1化合物と、比較例2化合物とを比較すると、第一還元電位は1V程度、正にシフトした。これは、中心元素を亜鉛ZnからアンチモンVに変更した作用効果であると考察した。図10は、実施例2化合物を第一還元電位近傍で定電位電解した際の光吸収スペクトル変化を示すグラフである。破線;電解前スペクトル、実線;電解後スペクトルである。測定条件は、第一還元波近傍;-0.59V近傍、定電位電解時間;10分間、溶媒;CH2Cl2、支持電解質;CH3CH2CH2CH24NPF6-0.1M、作用電極;白金網、対向電極;白金、仮の参照電極;AgCl/Agとした。図10に示すように、電解前後で光吸収スペクトルは劇的に変化した。また、この光吸収スペクトルは再酸化によって元の形に戻る可逆的な変化であった。このことから、第一還元がフタロシアニン色素で起こっていることが実験的に証明されたと考察した。すなわち、第一還元はtbpc2-からtbpc3-への還元以下、tbpc2-/3-と記載する。第二還元以降も同様であると考察した。第二および第三還元も、各還元波間の電位差と既知のフタロシアニン化合物の各還元波間の電位差が非常に近いことから非特許文献6、第一還元同様にフタロシアニン骨格で起こっており、第二、第三還元波はそれぞれtbpc3-/4-とtbpc4-/5-に帰属すると考察した。図11は、比較例1化合物を第一還元電位近傍で定電位電解した際の光吸収スペクトル変化を示すグラフである。破線;電解前スペクトル、実線;電解後スペクトルである。測定条件は、第一還元波近傍;-0.25V近傍、定電位電解時間;15分間、溶媒;CH2Cl2、支持電解質;CH3CH2CH2CH24NPF6-0.1M、作用電極;白金網、対向電極;白金、仮の参照電極;AgCl/Agとした。図11に示すように、電解前後で光吸収スペクトルは劇的に変化した。また、この光吸収スペクトルは再酸化によって元の形に戻る可逆的な変化であった。このことから、第一還元がフタロシアニン色素で起こっていることが実験的に証明されたと考察した。すなわち、第一還元はpc2-からpc3-への還元以下、pc2-/3-と記載する。第二還元以降も同様であると考察した。第二および第三還元も、各還元波間の電位差と既知のフタロシアニン化合物の各還元波間の電位差が非常に近いことから非特許文献6、第一還元同様にフタロシアニン骨格で起こっており、第二、第三還元波はそれぞれpc3-/4-とpc4-/5-に帰属すると考察した。図12は、実施例1、2並びに比較例1化合物の第一~第三還元電位E1/2の周辺置換基R1~R8依存性である。横軸はハメットのσpである。なお、ハメットのσpは、有機反応における自由エネルギー直線関係に関するパラ位の置換基定数である非特許文献7。図12に示すように、実施例1、2並びに比較例1化合物の第一~第三還元電位E1/2を周辺置換基R1~R8のハメットのσpに対してプロットすると大変良い相関が得られ、各化合物の還元電位は周辺置換基R1~R8のハメットのσpに直線的に依存した。なお、この直線関係は当該発明における化合物に限定されることはなく、既にLeverによって多くのフタロシアニンの酸化還元がRの種類と数によって決定されることが報告されている非特許文献9。また、電子供与性の置換基ほど還元電位が負の大きい値をとる、すなわち、還元されにくいことが判った。このことから、第一~第三還元はフタロシアニン骨格で起こっているものと結論付けられる。ここで特記すべきは、実施例1、2並びに比較例1化合物の電子受容性の高さである。一般に、フタロシアニン化合物は酸化され易く、還元されにくいために非特許文献8:第一酸化電位=0.29V.vs.Fc/Fc、p型半導体として知られている。フタロシアニン化合物の酸化還元電位が周辺置換基R1~R8のσp値と良い相関があることは知られており非特許文献9、仮に強い電子吸引性置換基として知られるシアノ基σp=0.66やニトロ基σp=0.78を有するフタロシアニンであっても1Vのシフトは計算上では期待されない。以上により、これらの化合物の強い電子受容性は五価アンチモンの存在によって引き起こされると結論される。次に、フタロシアニン-ヒ素V塩の実施例について説明する。まず、下記化学式12で表される中心元素として三価のヒ素を有するフタロシアニン錯体を用意した。原料として用いたヒ素IIIフタロシアニン化合物は、R1,3,5,7=H,R2,4,6,8=tBu,Y-=PF6-の塩である。この表記法では単一の異性体だけを示しているが、実際には、置換基の位置の違いに基づく4種類の位置異性体例えばR1,4,5,7=H,R2,3,6,8=tBu等の混合物である。この化合物は、非特許文献5に記載した方法で合成したが、化学的に不安定であり、精製操作中にヒ素がフタロシアニン環から容易に脱離することが確認された。従って、陽イオン部分については質量分析から、対陰イオンについては300-400nmに現れるI3-に特徴的な光吸収帯によって確認するに留め、原料を単離して元素分析等による同定を行うための努力は行わなかった。次に、前記フタロシアニン錯体を脱水CH2Cl2市販に溶解した溶液にフッ化キセノンを加え、溶液の光吸収スペクトルを測定することにより、反応を追跡した。反応終了後の溶液にヘキサンを加えることで生じた固体を集め、ヘキサンで洗浄したのち乾燥した。下記化学式13で表されるフタロシアニン-ヒ素V塩が、実施例5、6、実施例3、3-2の方法で合成した塩である。実施例6、比較例3-2のフタロシアニン錯体は、R1,3,5,7=H,R2,4,6,8=tBu,Y-=PF6-の塩である。この表記法では単一の異性体だけを示しているが、実際には、置換基の位置の違いに基づく4種類の位置異性体例えばR1,4,5,7=H,R2,3,6,8=tBu等の混合物であった。実施例5<ジフルオロテトラt-ブチルフタロシアニナトヒ素V錯体四フッ化亜ヒ酸塩、[AstbpcF2]AsF4、の合成>10ml用テフロン製バイアル中で102mg0.084mmolの[Astbpc]I3化学式13においてR1,3,5,7=H,R2,4,6,8=-CCH33,Y-=I3-を3mlの脱水CH2Cl2に溶解し、200mg0.68mmolのXeF2を添加し、室温で激しく15分間攪拌すると溶液の色は濃緑色から黒褐色に変化した。図13は、フッ化キセノンXeF2による酸化に伴う光吸収スペクトル変化を示すグラフである。実線は反応前、破線は原料0.003mmolに対して約20倍のXeF210mg;0.059mmolを加えた後のスペクトルである。反応溶液の光吸収スペクトルは、767nmに観測された強い吸収帯原料の吸収帯が728nmにシフトした図13。次に、この溶液を素早く8mlのヘキサンに投入して、緑色の反応生成物を沈殿させた。この際、ヘキサンに投入する作業に手間取ると、生成物が分解する場合があり、注意が必要であった。例えば、1時間程度放置した場合、目的とする生成物が分解して赤褐色の溶液へと変化した。次に、反応生成物固体を遠心分離により母液から分離し、混合溶媒CH2Cl2/ヘキサン;1ml/8mで上澄みがほとんど無色になるまでこの場合4回洗浄を繰り返した。次に、80°Cで一夜真空乾燥した。さらに、この固体を3mlのCH2Cl2に溶解してから、その溶液をろ過して微量の不溶物を除去した。溶媒を留去した後に、再び1mlのCH2Cl2に溶解し、8mlのヘキサンを加えて固体を析出再結晶させ、遠心分離により固体を分離した。この再結晶の操作を2回繰り返し、得られた緑色の固体を、80°Cで1時間真空乾燥して、固体生成物実施例5化合物を得た。質量分析ESI、溶媒;CH2Cl2結果:m/z=849AstbpcF2。45mg0.045mmolの目的の固体を得た収率54。元素分析結果:炭素57.55;水素5.01;窒素10.95理論値:炭素57.61;水素4.83;窒素11.20、[AstbpcF2]AsF4C38H34N8As2F6として。元素分析結果は錯体の対陰イオンがAsF4-塩であることを示唆した。しかし、AsF4-イオンの存在を裏付ける実験的証拠が得られなかったため、実施例6で述べるように、イオン交換によるPF6塩の合成を行った。実施例6<ジフルオロテトラt-ブチルフタロシアニナトヒ素V錯体六フッ化リン酸塩、[AstbpcF2]PF60.5H2O、の合成>実施例5と同様の方法で合成した11.9mg0.017mmolの[AstbpcF2]AsF4を4mlの脱水アセトニトリルに溶解し、4.5mlの脱水アセトニトリルに0.39mmolのAgPF6を溶かした溶液を添加し、室温で15分間攪拌した。さらに、0.5mlの脱水アセトニトリルに0.043mmolのAgPF6を溶かした溶液を添加し、15分間攪拌した。この間、溶液の光吸収スペクトルに変化が起こらないことを確認した。この溶液をろ過して不溶物を取り除いた後、ロータリーエバポレータで20mlまで濃縮し、40mlの蒸留水が入ったガラス製ビーカーに投入し、緑色の反応生成物を沈殿させた。固体をろ過して、80°Cで一昼夜真空乾燥して、11.9mgのPF6塩粗生成物固体を得た。この固体をCH2Cl2/ヘキサン5ml/50mlから2回再結晶し、固体をろ過により集めて室温で3時間真空乾燥して、6mg0.006mmolの目的の固体実施例6化合物を得た収率36。元素分析結果:炭素52.78;水素4.85;窒素10.24理論値:炭素57.95;水素4.86;窒素11.26、[AstbpcF2]PF60.5H2OC48H49O0.5N8AsPF8として。比較例3<ジヒドロキソテトラt-ブチルフタロシアニナトヒ素V錯体、[AstbpcOH2]I3、の合成の試み>100mg0.084mmolの[Astbpc]I3を34ml0.18molの過安息香酸t-ブチルに溶解し、60°Cで30分撹拌した。この間、溶液の色は濃緑色から黒褐色へと変化し、図13と同様のスペクトル変化主吸収帯の変化;767→714nm;CH2Cl2溶液が観測された。反応溶液に300mlのヘキサンを加えて生成物を析出し、遠心分離により、青色の上澄みを廃棄し、固体を分離した。この固体をろ過して集め、約30mlのヘキサンで洗浄してから、室温で2時間真空乾燥し、63mgの粗生成物を得た。さらに、5mlのCH2Cl2に溶解し、50mlのヘキサンを加えることで再び析出させて、ろ過により固体を母液から分離した上澄みがほとんど無色になるまで、この操作を2回繰り返した。室温で3時間真空乾燥し、43mg0.035mmolの固体比較例3化合物を得た。対陰イオンがI3-であると仮定して、収率は[Astbpc]I3に対して42であった。質量分析ESI、溶媒;アセトニトリル結果:m/z=845AstbpcOH2。比較例3-2<ジヒドロキソテトラt-ブチルフタロシアニナトヒ素V錯体、[AstbpcOH2]PF6、の合成>実施例5と同様の方法で合成した51.8mg0.042mmolの[AstbpcOH2]I3を20mlの脱水アセトニトリルに溶解し、4.5mlの脱水アセトニトリルに0.35mmolのAgPF6を溶かした溶液を添加し、室温で15分間攪拌した。さらに、0.5mlの脱水アセトニトリルに0.070mmolのAgPF6を溶かした溶液を添加し、15分間攪拌した。この間、溶液の光吸収スペクトルを測定し、300-400nmに現れるI3-に特徴的な吸収帯が消失することを確認した。この溶液をろ過して不溶物を取り除いた後、ろ液に40mlの水を加え、沈殿した固体をろ過で集め、80°Cで24時間真空乾燥した。元素分析結果:炭素58.89;水素5.23;窒素11.17理論値:炭素58.18;水素5.09;窒素11.31、[AstbpcOH2]PF6C48H50O2N8AsPF6として。得られた濃緑色の固体をCH2Cl2/ヘキサン3ml/50mlから4回再結晶し、固体をろ過により集めて室温で24時間真空乾燥させ、28mg0.028mmolの目的の固体比較例3-2化合物を得た収率64。比較例4<ジブロモテトラt-ブチルフタロシアニナトヒ素V錯体、[AstbpcBr2]AsBr4、の合成の試み>52mg0.044mmolの[Astbpc]I3を1mlのCH2Cl2に溶解し、50μlの臭素0.97mmolを添加してから、室温で1時間撹拌を行った。この間、溶液の色は濃緑色から黒褐色へと変化し、図13と同様のスペクトル変化主吸収帯の変化;767→736nm;CH2Cl2溶液が観測された。溶媒および過剰の臭素を留去して黒色の固体とした。この黒色固体を1mlのCH2Cl2に溶解し、8mlのヘキサンを加えて黄緑色の生成物を析出させ、遠心分離により、赤褐色の上澄みを廃棄し、固体を分離した。得られた固体を再び1mlのCH2Cl2に溶解し、8mlのヘキサンを加えて黄緑色の生成物を析出させる操作を、上澄みがほとんど無色になるまで4回繰り返した。得られた黄緑色固体を60°Cで一夜真空乾燥して、56mg0.041mmolの固体比較例4化合物を得た。実施例5と同様に、対陰イオンがAsBr4-であると仮定して収率は[Astbpc]I3に対して93であった。質量分析ESI、溶媒;CH2Cl2結果:m/z=969Astbpc79Br2および971Astbpc79Br81Br。この錯体は実施例5に比べて不安定であり、CH2Cl2溶液中で1時間以内に約50が[Astbpc]に再還元されるか、或いはヒ素が離脱してH2tbpcすることが明らかになったため、それ以上の単離のための検討は行わなかった。比較例5<ジクロロテトラt-ブチルフタロシアニナトヒ素V錯体、[AstbpcCl2]AsCl4、の合成の試み>107mg0.090mmolの[Astbpc]I3を1.5ml19mmolの塩化スルフリルSO2Cl2と直接室温で40分反応させた。この間、溶液の色は濃緑色から黒褐色へと変化し、図13と同様のスペクトル変化主吸収帯の変化;767→737nm;CH2Cl2溶液が観測された。反応溶液に8mlのヘキサンを加えて生成物を析出させ、遠心分離により赤褐色の上澄みを廃棄し、固体を分離した。この固体を0.5mlのベンゼンに溶解し、9mlのヘキサンを加えることで再び析出させて、遠心分離により固体を母液から分離した上澄みがほとんど無色になるまで、この操作を2回繰り返した。80°Cで一夜真空乾燥して、95mg0.086mmolの固体を得た。実施例5と同様に対陰イオンがAsCl4-であると仮定して収率は[Astbpc]I3に対して96であった。質量分析ESI、溶媒;CH2Cl2結果:m/z=881Astbpc35Cl2および883Astbpc35Cl37Cl。この錯体は実施例5に比べて不安定であり、ベンゼン溶液中で3時間以内に約9が分解し、またCH2Cl2溶液中においても2時間以内に約3の錯体からヒ素が離脱することが明らかになった。また、実施例6同様にイオン交換によってPF6-塩に変換することも試みたが、軸配位子の塩化物イオンが水酸基に置き換わることが判り、これ以上の単離のための検討は行わなかった。<実験結果考察>図14は、実施例5において得られた化合物の質量分析ESI-MS;溶媒CH2Cl2結果ならびに自然同位体分布に基づく理論的マススペクトルである。実施例で得られた化合物が目的とした化合物であることは、その元素分析C,H,N結果が理論値と極めて近いことから証拠付けられる。また、溶液中における質量分析ESI;図14が同位体の自然分布に基づいた計算スペクトルに極めて似ていることから、陽イオン部分の構造が確認される。図15は、実施例5及び実施例6において得られた化合物の赤外吸収スペクトルである。実線および破線はそれぞれ実施例5AgPF6処理前ならびに実施例6AgPF6処理後のスペクトルを示す。図15中の印を付した吸収帯は対陰イオンPF6-に由来し、また印を付した吸収帯はAs-F結合に由来する。得られた化合物の赤外吸収スペクトル図15において、685cm-1付近にAs-F伸縮振動に帰属される特徴的な吸収帯をしめす。実施例5に比して実施例6における685nm-1付近の吸収帯の線幅が狭く、また強度も低くなっていることは、実施例5がAsF4-塩であると仮定しかつ実施例6で対印イオンをPF6-塩に置換していることを考慮すると矛盾なく説明することができる。実施例6における対陰イオンがPF6-であることは、特徴的な840および560cm-1付近の吸収帯それぞれP-F伸縮振動およびF-P-F変角振動と帰属されるが観測されることから容易に確かめられる。有機溶媒への溶解性実施例5及び実施例6で得られた物質は、一般的な有機溶媒CH2Cl2,CHCl3,アセトン、アセトニトリル、エタノール、酢酸エチル、ベンゼン、トルエンに非常に良く溶解アセトン、アセトニトリル、およびCH2Cl2中で飽和濃度>10-2Mした。一方、ヘキサンにはほとんど溶けず<10-6M、水には不溶であった。可視近赤外光応答性当該発明による化合物は可視~近赤外領域の光を強くlogε=ca.5吸収した。図16は、実施例6および比較例3-2で得られた化合物のCH2Cl2溶液中における光吸収スペクトルである実線:実施例6、破線:比較例3-2。比較のために一般的なフタロシアニン色素比較例1、亜鉛錯体のスペクトルも示している点線。吸収スペクトルは一般的なフタロシアニンのスペクトルに特徴的な形となっていた。最も強い吸収帯Q帯と呼ばれるは1000~1200cm-1程度長波長側にシフトし、可視~近赤外領域に現れた。また、この吸収帯の長波長シフトはCH2Cl2溶液中に限ったことではなく、非特許文献6、7に報告されている通り、溶媒の屈折率によって規則的に変化した図17。また、吸光光度法による測定が可能な上限0-1.20×10-4Mまでの濃度範囲でスペクトルの濃度依存性は無視できるほど小さかった。図17は、実施例6において得られた化合物のQ帯最も強い吸収帯の吸収極大位置の溶媒依存性である。縦軸はQ帯の極大位置を波数エネルギー単位、横軸はOnsagerの分極関数式中の変数nは溶媒の屈折率をそれぞれ示す。図17中の整数1~12は以下のように測定に用いた溶媒の種類を示す;1;メタノール、2;アセトニトリル、3;アセトン、4;テトラヒドロフラン、5;ジクロロメタン、6;ベンゼン、7;オルト-ジクロロベンゼン、8;ニトロベンゼン、9;クロロナフタレン。電子受容性図18は、実施例6実線において得られた化合物のCVである溶媒CH2Cl2、支持電解質CH3CH2CH2CH24NPF6-0.1M、作用電極;グラッシーカーボン、対向電極;白金、仮の参照電極AgCl/Ag、電位掃引速度;100mV/s。比較例2のCVも示している破線。比較例2は、一般的なフタロシアニン色素実施例5と同じフタロシアニンの亜鉛錯体図18中、ローマ数字I~IIはそれぞれ第一、第二還元波を意味する。CVにより、実施例6で得られた化合物のCH2Cl2溶液中における還元電位を決定した。フェロセンの酸化波の半波電位Fc/Fcを基準として半波電位E1/2=-0.45VΔE=80mVおよび-0.90VΔE=88mVにipc/ipa還元ピーク電流と再酸化ピーク電流の比=1の二つの還元波がそれぞれ観測された。ここで、E1/2は各還元波の半波電位E1/2=EpaEpc/2、ΔEは還元電流ピーク電位と再酸化電流ピーク電位の差ΔE=Epa-Epcを表す。これらの還元波のうち、電位が正の側の波を第一還元波、負の側を第二還元波と呼ぶことにする。第二還元も、各還元波間の電位差と既知のフタロシアニン化合物の各還元波間の電位差非特許文献4が非常に近いことから、第一還元同様にフタロシアニン骨格で起こっていると考えられる。すなわち、第二還元波はそれぞれtbpc3-/4-と帰属される。図18に示すように、ヒ素IIIフタロシアニン化合物実施例6の第一還元電位が、従来型のフタロシアニンの代表格である亜鉛フタロシアニン化合物比較例2に比して1V程度正にシフトしたことを示した。一般にフタロシアニン化合物は酸化され易く、還元されにくいために第一酸化電位=0.29V.vs.Fc/Fc;非特許文献8:出典では0.71Vvs.SCE、p型の半導体として知られている。フタロシアニン化合物の酸化還元電位が周辺置換基Rのシグマ値σp;有機反応における自由エネルギー直線関係に関するパラ位の置換基定数:非特許文献7と良い相関があることは知られており非特許文献9、仮に強い電子吸引性置換基として知られるシアノ基σp=0.66やニトロ基σp=0.78を有するフタロシアニンであっても1Vのシフトは計算上では期待されない。しかし、従って、物質の強い電子受容性は五価ヒ素の存在によって引き起こされると結論される。ここで、特記すべきは実施例6で得られた化合物の電子受容性の高さである。図19は、実施例5で得られた化合物の第一還元波近傍-0.48Vで15分間定電位電解した際の光吸収スペクトル変化である溶媒CH2Cl2、支持電解質CH3CH2CH2CH24NPF6-0.1M、作用電極;白金網、対向電極;白金、仮の参照電極AgCl/Ag。実線および破線はそれぞれ電解前および電解後のスペクトルを示す。電解に伴って光吸収スペクトルは劇的に変化した。この光吸収スペクトルは再酸化によって元の形に戻り、この変化は電解に伴う可逆的な変化であった。このことから、第一還元がフタロシアニン骨格で起こっているすなわちtbpc2-からtbpc3-への還元;tbpc2-/3-と記載し、第二還元も同様ことが実験的に証明された。比較例4および比較例5において、三価のヒ素錯体に臭素および塩化スルフリルを作用させることによりBr-およびCl-をそれぞれ軸配位子とする錯体が生成することを質量分析によって確認した。しかしながら、前者においては室温で容易に軸配位子のBr-を失うとともに元の三価の錯体に戻り、また後者においては軸配位子のCl-が他の配位子例えばOH-に容易に置換された。これはAs-ClおよびAs-Brの結合が弱いためであると考えられる。実施例7<ジフルオロテトラt-ブチルフタロシアニナトアンチモンV錯体四フッ化アンチモンIII酸塩、[SbtbpcF2]SbF4、の合成の試み>10ml用テフロン製バイアル中で15mg0.012mmolの[Sbtbpc]I3化学式16においてM=Sb,R1,3,5,7=H,R2,4,6,8=-CCH33,Y-=I3-を1mlの脱水CH2Cl2に溶解し、27mg0.158mmolのXeF2を添加し、室温で激しく2分間攪拌すると溶液の色は濃緑色から黒褐色に変化した。図20は、フッ化キセノンXeF2による酸化に伴う光吸収スペクトル変化を示すグラフである。実線は反応前、破線はXeF2を加えた後のスペクトルである。反応溶液の光吸収スペクトルは、764nmに観測された強い吸収帯原料の吸収帯が732nmにシフトした図20。次に、この溶液を素早く16mlのヘキサンに投入して、緑色の反応生成物を沈殿させた。この際、ヘキサンに投入する作業に手間取ると、生成物が分解する場合があり、注意が必要であった。例えば、1時間程度放置した場合、目的とする生成物が分解して赤褐色の溶液へと変化した。次に、反応生成物固体を遠心分離により母液から分離し、混合溶媒CH2Cl2/ヘキサン;1ml/16mで上澄みがほとんど無色になるまでこの場合3回洗浄を繰り返した。次に、80°Cで一夜真空乾燥した。さらに、この固体を3mlのCH2Cl2に溶解してから、その溶液をろ過して微量の不溶物を除去した。溶媒を留去した後に、再び1mlのCH2Cl2に溶解し、16mlのヘキサンを加えて固体を析出再結晶させ、遠心分離により固体を分離した。この再結晶の操作を2回繰り返し、得られた緑色の固体を、80°Cで1時間真空乾燥して、固体生成物実施例7化合物を得た。質量分析ESI、溶媒;CH2Cl2結果:m/z=895121SbtbpcF2および897123SbtbpcF2。3mg0.003mmolの目的の固体を得た収率25。t-ブチルフタロニトリルとSbF3の混合物を加熱することによっても、実施例7と同じ錯陽イオンの塩を得ることはできる。しかし未反応のt-ブチルフタロニトリルとSbF3、無金属フタロシアニン、その他副生成物が多量に系に存在し、目的とする化合物の精製はXeF2を用いた場合よりはるかに煩雑である。"