"ネットワーク内のナノスケール要素を配列させるための方法であって、物質層上に堆積されたナノスケール要素のネットワークを提供するステップと、前記ナノスケール要素の前記ネットワークの部分に方向性のある力を適用して、前記ナノスケール要素の少なくとも一部を秩序ネットワークに配列させるステップと、を含む方法。前記方向性のある力が、少なくとも1回、前記ナノスケール要素の前記ネットワークの部分に適用されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記方向性のある力が一方向に沿って適用されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記方向性のある力が複数の方向に沿って適用されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記方向性のある力が円弧方向に沿って適用されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記方向性のある力を前記ナノスケール要素の前記ネットワークの部分に繰り返し適用するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記方向性のある力の繰り返しの適用が、前記ナノスケール要素の前記ネットワークに亘る一定の経路に従うことを特徴とする請求項6に記載の方法。前記物質層が剛性であることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記物質層が、元素シリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、PTFE、有機ポリマー、pvc、スチレン、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート、炭化水素ポリマー、無機骨格ポリマー、窒化ホウ素、ガリウムヒ素、III/V族化合物、II/VI族化合物、木材、金属、合金、酸化金属、セラミック、及び、ガラスからなる群から選択されることを特徴とする請求項8に記載の方法。前記物質層が剛性構造の複合物質であることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記物質層が可撓性であることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記物質層が、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリメチルメタクリレート、ポリアミド、ポリサルフォン及び多環式オレフィンからなる群から選択されることを特徴とする請求項11に記載の方法。前記方向性のある力を適用するステップは、前記ナノスケール要素の少なくとも一部を、前記ナノスケール要素の前記ネットワークの少なくとも1つの所定領域内で所定の配向に配列させることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記方向性のある力を適用する前に、前記ナノスケール要素の前記ネットワークの一部上に潤滑媒体を堆積するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記潤滑媒体は、水、ハロカーボン液、液化ガス、ハイドロカーボン液、官能化有機液体、有機シロキサンベースの環状、線形液、二硫化モリブデン、窒化ボロン、グラファイト及びスチレンビーズからなるリストから選択された少なくとも1つの物質から構成されることを特徴とする請求項14に記載の方法。前記ナノスケール要素の前記ネットワークは、スピンコーティング工程、スプレーコーティング工程、ディップコーティング工程、シルクスクリーン印刷工程又はグラビア印刷工程の1つを介して形成されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記ナノスケール要素がナノチューブであることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記ナノチューブがカーボンナノチューブであることを特徴とする請求項17に記載の方法。前記ナノスケール要素の前記ネットワークが、カーボンナノチューブと他の物質の複合物質であることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記他の物質が、バッキーボール、アモルファスカーボン、銀ナノチューブ、量子ドット、コロイダルシルバー、単分散ポリスチレンビーズ及びシリカ粒子からなる群から選択されることを特徴とする請求項19に記載の方法。前記ナノスケール要素が官能化カーボンナノチューブであることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記官能化カーボンナノチューブは、当該カーボンナノチューブの側壁に電気絶縁バリアを提供する部分が付着したカーボンナノチューブであることを特徴とする請求項21に記載の方法。前記部分が有機官能基であることを特徴とする請求項22に記載の方法。前記部分がシリコン官能基であることを特徴とする請求項22に記載の方法。前記部分が、有機シリケート、酸化ケイ素、有機酸化ケイ素、メチルシルセスキオキサン、有機シロキサン、ジメチルシロキサン/ポリ有機エーテル、有機ポリマー、DNA及びポリアミドの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項22に記載の方法。前記ナノスケール要素がナノワイヤであることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記ナノスケール要素の前記ネットワークが、実質的にいずれの懸濁媒体をも有さないことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記方向性のある力が摩擦要素を通して適用されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記摩擦要素が、元素シリコン、ポリテトラフルオロエチレンPTFE、セルロースアセテート、セルロース例えばレーヨン、ポリエステル、ポリアミド例えばナイロン、ポリマー物質、並びに、スターチ及び水の半硬質スラリーからなる群から選択される少なくとも1つの物質を含むことを特徴とする請求項28に記載の方法。前記方向性のある力が研磨要素を通して適用されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記研磨要素が、前記ナノチューブファブリック層に平行な平面内で回転されることを特徴とする請求項30に記載の方法。前記研磨要素が、ポリエステルマイクロファイバー、ポリアミドマイクロファイバー、ポリエステル、ポリアミド、スチレン、ポリビニルアルコールフォーム、コットン、ウール、セルロース、及び、レーヨンの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項30に記載の方法。前記方向性のある力が、前記ナノチューブファブリック層上に円筒要素を回転させることにより適用されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記円筒要素が、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、タングステン、クロム、マンガン、マグネシウム、チタン、アルミニウム、スチール、ゴム、プラスチック、ポリスチレン、メラミン、シリコン、ポリカーボネート、ポリエチレン、磁器、酸化ケイ素、アルミナ、炭化ケイ素及び木材からなる群から選択された物質を含むことを特徴とする請求項33に記載の方法。前記方向性のある力がクライオキネティックスプレーを通して適用されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記クライオキネティックスプレーは、二酸化炭素CO2及びアルゴンArの1つを含むことを特徴とする請求項35に記載の方法。前記クライオキネティックスプレーは、直線方向に前記ナノチューブファブリック層に亘って移動されることを特徴とする請求項35に記載の方法。前記方向性のある力がロールトゥロールプロセス内で適用されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記方向性のある力が前記ナノスケール要素の前記ネットワークに直接的に適用されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記方向性のある力が介在物質を通して前記ナノスケール要素の前記ネットワークに適用されることを特徴とする請求項1に記載の方法。これら関連技術は、マー及びメルクロフによって教示された方法のように可動液体車両mobilizingfluidvehicleを必要としないが、それらは垂直成長したナノチューブの分布を必要とする。このような原位置で成長した垂直フィルムの製造及び使用が、特定の応用において制限的となる虞がある。例えば、垂直ナノチューブフィルムの成長は、典型的に、特定の工程条件例えば限定されないが、高温、特定のリジェント及び高ガス圧を必要とし、それは望ましくないものとなり、或いは、特定の半導体製造工程内で不都合となる虞がある。例えば、このような条件は、特定の基板材料と相容れないことがある。さらに、ナノチューブを成長させることに使用される触媒は、典型的に金属又は半金属であり、当該材料が高純度の応用において除去することが困難になる虞がある。さらに、原位置でのフィルムの成長は、ナノチューブ形成体の混合物例えば、半導体及び金属ナノチューブ、単層及び多層ナノチューブ、或いは、バッキーボールなどの他の物質、シリカ若しくは他の物質粒子で混合したナノチューブを形成する能力を制限する。さらに、垂直成長したフィルムの粗度は、チューブのつながりを強化する追加の液体処理なしに成長した場合、垂直チューブの密度及び均一性によって決定する。垂直ナノチューブフィルムの成長における当該制限は、それらの有効性を減少させ、且つ、それらの大規模な商業用途における応用性を制限する。これら及び他の類似の公知の方法は、ナノチューブ要素を整列又は配向させるいくつかの手段を提供するが、これらはナノチューブ要素の湿式懸濁液又は垂直配向に成長したナノチューブ要素のいずれかを必要とする点で制限される。多くの用途では、これら制限は、実質的に、商業的な応用におけるこれら技術の有効性を制限する。さらに、これら先行技術は、一方向に沿って整列したナノチューブ要素の配向を制限する傾向にある。すなわち、効率的且つ比較的簡易な乾式ナノチューブファブリック例えば、基板上でナノチューブ塗布溶液をスピンコーティングすることによって形成されたナノチューブファブリック内でナノチューブ要素を配列する方法が求められている。さらに、事前に選択された配向複数の方向に沿ったナノチューブ配向をも含むに従ってナノチューブファブリック内でナノチューブ要素を配列させる方法が求められている。本発明は、方向性のある力の適用を介してナノチューブファブリック層及びフィルム内のナノチューブ要素を配列させる方法に関する。特には、本発明は、ネットワーク内のナノスケール要素を配列させる方法を提供する。本方法は、第1に物質層上に堆積したナノスケール要素のネットワークを提供するステップを含む。本方法は、ナノスケール要素のネットワークの少なくとも一部に方向性のある力を適用して、ナノスケール要素の少なくとも一部を秩序ネットワークに配列させるステップをさらに含む。本発明の一形態によれば、ナノスケール要素のネットワークがナノチューブファブリックを含む。本発明の別形態によれば、ナノスケール要素は、カーボンナノチューブ、ナノワイヤ及びそれらの混合体を含む。本発明の別形態によれば、方向性のある力の適用の前に、潤滑媒体がナノスケール要素のネットワーク上に堆積される。本発明の別形態によれば、ナノチューブファブリック層を形成するための方法は、物質表面上に無秩序なunorderedナノチューブファブリック層を形成するステップと、該無秩序なナノチューブファブリック層上に方向性のある力を適用して、該無秩序なナノチューブファブリック層の少なくとも一部をナノチューブ要素の秩序orderedネットワークに変えるステップと、を含む。本発明の別形態によれば、耐穿刺性物質は、支持構造及び秩序ナノチューブファブリック要素を備えており、当該秩序ナノチューブファブリック要素が少なくとも1つの秩序ナノチューブファブリック層を備え、当該秩序ナノチューブファブリック要素が支持構造に固定されて、該秩序ナノチューブファブリック要素が該支持構造物質の少なくとも一部を被覆する。本発明の別形態によれば、秩序ナノチューブファブリック層は、ナノチューブ要素のネットワークを備え、該ナノチューブ要素の集合体が、実質的に均一な形態に配列されて、ナノチューブ要素の集合体が本質的に隣接ナノチューブ要素に平行に配置される。本発明の別形態によれば、秩序ナノチューブファブリック層は、一緒に高密度に充填された纏められたナノチューブ要素のネットワークを備え、該秩序ナノチューブファブリック層内のギャップを実質的に最小化する。本発明の別形態によれば、秩序ナノチューブファブリック層は、ナノチューブ要素のネットワークを備え、個別のナノチューブ要素が約1~2nmのギャップで隣接ナノチューブ要素から隔てられている。本発明の別形態によれば、秩序ナノチューブファブリック層は、ナノチューブ要素のネットワークを備え、個別のナノチューブ要素が約10nmのギャップで隣接ナノチューブ要素から隔てられている。本発明の別形態によれば、秩序ナノチューブファブリック層は、ナノチューブ要素のネットワークを備え、個別のナノチューブ要素が約50nmのギャップで隣接ナノチューブ要素から隔てられている。本発明の別形態によれば、秩序ナノチューブファブリック層は、官能化ナノチューブ要素のネットワークを備え、当該官能化要素が、隣接ナノチューブ要素の側壁から個別のナノチューブ要素の側壁を電気絶縁するような部分moietyでコーティングされている。本発明の別形態によれば、ナノチューブファブリック層は、ナノチューブ要素の秩序ネットワークを備え、実質的に全てのナノチューブ要素が、ナノチューブ要素の長軸に沿って複数の他のナノチューブ要素に平行であり、且つ、接触している。本発明の別形態によれば、ナノチューブファブリック層は、ナノチューブ要素の秩序ネットワークを備え、ナノチューブファブリックがミクロンサイズの粒子に不透過性である。本発明の別形態によれば、ナノチューブファブリック層は、ナノチューブ要素の秩序ネットワークを備え、ナノチューブファブリックがナノサイズの粒子に不透過性である。本発明の別形態によれば、無秩序なナノチューブファブリック層が、少なくとも1つのスピンコーティング工程を介して形成される。本発明の別形態の下で、無秩序なナノチューブファブリック層が、少なくとも1つのスプレーコーティング工程を介して形成される。本発明の別形態の下で、無秩序なナノチューブファブリック層が、少なくとも1つのディップコーティング工程を介して形成される。本発明の別形態の下で、無秩序なナノチューブファブリック層が、少なくとも1つのシルクスクリーン印刷工程を介して形成される。本発明の別形態の下で、無秩序なナノチューブファブリック層が、少なくとも1つのグラビア又は他の大きいフォーマットのフィルム印刷工程を介して形成される。本発明の別形態の下で、無秩序なナノチューブファブリック層上に円筒要素を回転させることにより、圧延力rollingforceが無秩序なナノチューブファブリック層上に適用される。本発明の別形態の下で、物質表面上に無秩序なナノチューブファブリック層をスライドさせることにより、摩擦力rubbingforceが無秩序なナノチューブファブリック層上に適用される。本発明の別形態の下で、柔軟フィルムをCNT表面に配置し、そして、加圧ガス、冷凍ガスのジェット又は他の粒子もしくは液体のジェットを介在柔軟層表面上に衝突させることにより、方向性のある力が無秩序なナノチューブファブリック層に適用される。本発明の別形態の下で、研磨物質を無秩序なナノチューブファブリック層の表面上に通過させることにより、研磨力polishingforceが無秩序なナノチューブファブリック層に適用される。本発明の別形態の下で、回転研磨物質を無秩序なナノチューブファブリック層の表面に適用することにより、研磨力が無秩序なナノチューブファブリック層に適用される。本発明の他の特徴及び利点は、以下の図面と共に提供される説明から明らかになるであろう。本開示は、ナノチューブファブリック層及びフィルム内のナノチューブ要素を当該層およびフィルム上に付加された方向性のある力directionalforceの適用を通して配列させる方法を教示する。これらアプローチは、堆積したナノチューブファブリック層内で領域を、実質的に整列したナノチューブ要素の1又は複数のネットワークに変え、つまり、当該領域では、ナノチューブ要素が実質的に均一な配列に配向され、それらがその側壁に沿って1つに集まる。このように、例えば、ナノチューブファブリックが形成され、これらは高い密度を有する。特定の応用では、当該秩序整列ナノチューブファブリック層は、ナノチューブ要素間に本質的にギャップ間隙及びボイド空孔有さないであろう。あるいは、別例では、特定の体積よりも大きいギャップ及びボイドが本質的に存在しない秩序ナノチューブファブリックが形成され得る。さらに別例では、ファブリック内のギャップ及びボイドの数が著しく減少したナノチューブファブリックを実現するように、この方法を使用してもよい。さらなる別例では、本発明の方法に従って配列された秩序ナノチューブファブリック層が、実質的に同じ方向に配向した複数のナノチューブ要素を含んでいる。本発明では、用語ネットワークは、基板の表面に亘って分散したナノチューブ要素の配列を意味することに注目すべきである。ある応用では、ナノチューブ要素のネットワークが比較的高密度であり、ナノチューブ要素が密に充填されており、場合によっては、隣接するナノチューブ要素に絡み合っている。他の応用では、ナノチューブ要素のネットワークは比較的低密度であり、個々のナノチューブ要素間にギャップ及びボイドを有する。ある応用では、低密度のまばらなネットワークを有する個別のナノチューブ要素が約1~2nmのギャップで分離され得る。他の応用では、このようなギャップが約10nmである。さらに他の応用では、このようなギャップが約50nmである。本開示に称されるナノチューブのファブリック繊維又は織布は、複数の相互接続されたカーボンナノチューブの層を含む。ナノチューブのファブリック又はナノファブリック本開示では、例えば不織カーボンチューブCNTファブリックは、例えば、互いに対して不規則に配列した複数の絡まったナノチューブの構造を有していてもよい。代替的に又は追加的に、例えば、本発明のナノチューブのファブリックは、ある程度のナノチューブの位置規則性例えば、それらの長軸に沿ってある程度の平行性を有していてもよい。この位置規則性は、比較的小さいスケールで見られ、そこでは、例えば、ナノチューブのフラットアレイ平坦配列が、それらの長軸に沿って、ほぼ1つのナノチューブ長及び10~20のナノチューブ幅のラフトraftに纏まって配列される。他例では、このような位置規則性が大きいスケールでも見られ、整列したナノチューブ領域が場合によっては実質的にファブリック層全体上に延在している。このようなより大きいスケールの位置規則性は、本発明にとって特に興味深い。ナノチューブのファブリックは、それらが形成されたナノチューブの望ましい物理的特性を保有する。例えば、ある電気的な応用では、ファブリックは好ましくは接触状態にある十分な量のナノチューブを有しており、少なくとも1つの抵抗金属又は半導体の経路がファブリック内の所定位置からファブリック内の別位置まで存在している。単層ナノチューブは、典型的には、約1~3nmの径を有し、多層ナノチューブは、典型的には、約3~30nmの径を有する。例えば、ナノチューブは約0.2ミクロンから約200ミクロンの範囲の長さを有し得る。ナノチューブは、湾曲して時折互いに交差してもよい。ファブリック内にはすなわち、横方向又は水平方向のいずれかのナノチューブの間のギャップが存在し得る。このようなファブリックは、単層ナノチューブ、多層ナノチューブ又はその両方を含み得る。ファブリックは、チューブが存在しない不連続な狭い領域を有し得る。ファブリックは、単層又は複数のファブリック層として準備され得る。ファブリックの厚みは、ナノチューブの実質的な単分子層と同じ厚みに選択可能であり、又は、より厚く例えば、数十ナノメータから数百ミクロンまでの厚みで選択可能である。ファブリックの多孔率は、高多孔率の低密度ファブリックから低多孔率の高密度ファブリックまで変化可能である。このようなファブリックは、例えば、様々な触媒と併せて化学気相堆積CVDプロセスを使用したナノチューブの成長によって準備可能である。このようなファブリックを生成するための他の方法は、適切な溶媒中に懸濁した母材ナノチューブによるスピンコーティング技術及びスプレーコーティング技術、シルクスクリーン印刷、グラビア印刷、及び、静電スプレーコーティングを使用することを含むことができる。このような溶媒において、他の物質のナノ粒子がナノチューブ懸濁液に混合可能であり、そして、スピンコーティング及びスプレーコーティングによって堆積され、ナノチューブ中に分散したナノ粒子を有するファブリックを形成する。このような例示の方法は、本開示の背景技術で挙げた関連技術においてより詳細に説明されている。本開示の多くは、ナノチューブファブリック内のナノチューブ要素の配列方法を説明するが、本発明の方法はこの点で限定されない。実際、本開示の方法は、複数のファブリック又はネットワーク内で高アスペクト比のナノスケールの要素つまり、長さと幅との比が約4:1のナノスケールチューブ類似構造であり、これら寸法の少なくとも1つつまり長さ又は幅が100nm未満であるを配列させることに使用可能である。このようなナノスケール要素は、限定されないが、単層ナノチューブ、多層ナノチューブ、ナノワイヤnanowires及びそれらの混合体を含む。ここに挙げたナノワイヤは、単一のナノワイヤ、不織ナノワイヤの集合体、ナノクラスタ、ナノファブリックを含む複数のナノチューブに絡み合った複数のナノワイヤ、ナノワイヤのマット等を意味するように意図されている。ナノワイヤナノロッド物質の例は、アルミナ、ビスマス、カドミウム、セレナイド、窒化ガリウム、金、ガリウムリン、ゲルマニウム、シリコン、リン化インジウム、酸化マグネシウム、酸化マンガン、ニッケル、パラジウム、炭化ケイ素、チタン、酸化亜鉛、及び、シリコンゲルマニウム又はコーティングされる他種のような追加の混合ナノワイヤである。さらに、本開示中のナノスケール要素のネットワークは、実質的に平坦な形状において、このように自由に形成され且つ堆積したナノスケール要素の配列として説明される。例示のナノスケール要素のネットワークは、限定されないが、本開示で説明されるとおり、ナノチューブファブリック層、及び、物質表面上に分散したナノワイヤの配列を含む。セン等による米国特許第7,375,369号及びゲンシウ等による米国特許出願第11/304,315号これら内容を本文に援用する。に記載されているとおり、ナノチューブファブリック及びフィルムは、例えば、限定されないが、複数のナノチューブ要素が水溶液に懸濁されたナノチューブ塗布溶液を基板素子に亘って適用することにより形成可能である。例えば、スピンコーティングプロセスを使用可能であり、基板要素に亘ってナノチューブ要素を均一に分布させ、実質的に均一なナノチューブ要素の層を作成する。他の場合では、他のプロセス限定されないが、スプレーコーティングプロセス、ディップコーティングプロセス、シルクスクリーン印刷プロセス及びグラビア印刷プロセスを使用可能であり、基板要素に亘ってナノチューブ要素を適用及び分布させる。他の場合では、物質表面上のナノチューブのCVD成長を使用可能であり、無秩序なナノチューブファブリック層を実現する。さらに、セン等による米国特許出願第61/304,045号その内容を本文に援用する。は、塗布溶液中で形成されるナノチューブファブリック層内のラフト化rafting、つまり、ナノチューブ要素がそれらの側壁に沿って1つに纏まり、高密度のラフト状構造を形成する傾向を促進又は抑制するために、ナノチューブ塗布溶液中の特定のパラメータ例えばナノチューブ密度又は特定のイオン種の濃度を調整する方法を教示する。ナノチューブファブリック層内のラフト化の発生を増加させることにより、当該ファブリック層の密度を増加可能であり、当該ファブリック層内のボイド及びギャップの数及びサイズの両方を減少させる。注目すべきであるが、本開示の実施形態において使用され且つ示されたナノチューブ要素が単層ナノチューブ、多層ナノチューブ又はこれらの組み合わせであってもよく、且つ、様々な長さであってもよい。さらに、ナノチューブは、導電性、半導電性又はこれらの組み合わせであってもよい。さらに、ナノチューブは例えば、ナノチューブに付随したアルコール、アルデヒド、ケトン又はカルボキシル部分を生成するように、硝酸で酸化することにより官能化されてもよい、あるいは、それらは官能化されなくてもよい。本開示の方法は、ナノチューブファブリック層内の官能化ナノチューブ要素を配列するのに非常に適していることに注目すべきである。ナノチューブ要素は、複数の動機のために官能化され得る。例えば、塗布溶液中のこれら要素の分散を付加するように、特定の部分をナノチューブ要素の側壁上に形成可能である。別例では、ナノチューブ要素の側壁上に形成された特定の部分が、ナノチューブファブリックの効率的な形成を補助する。さらなる例では、ナノチューブ要素は、該ナノチューブ要素の側壁を電気的に絶縁するように特定の部分で官能化可能である。ナノチューブ要素は、有機部分、シリカ部分又は金属部分又はそれらのいくつかの組み合わせをナノチューブ要素の側壁に付着することにより官能化可能である。このような部分は、ナノチューブ要素と共有結合するか、又は、π-π結合を通して固定された状態にある。ナノチューブファブリック層内のギャップ及びボイドの削減又は実質の排除は、均一なナノチューブの分散が必要である非常に小さい回路サイズを有する装置にとって特に有用である。例えば、ほとんどギャップ及びボイドを有さない、又は、非常に小さいギャップ及びボイドのみを有するファブリックがパターニング及びエッチングされたとき、残ったナノチューブ製品は、ファブリック内の大きいボイドの結果である欠けたナノチューブとは対照的なナノチューブを含有することを効果的に保証する。形状サイズが最新の実施されるリソグラフィ技術とともに減少するので、ナノチューブファブリック層内のギャップ及びボイドの最小化が、該ファブリックがエッチングされるときに機能的回路要素のより高い歩留まりを確実にするために、より重要となっている。例えば、ある応用では、先進のリソグラフィ技術が、最小形状サイズ例えば、約20nmを定める。僅かに該形状サイズよりも大きい例えば、約10nmよりも大きいナノチューブファブリック層内のボイド及びギャップは、結果として、非機能的な又は無効な回路要素を生成する虞がある。ナノチューブファブリック層内のギャップ及びボイドの最小化又はあるいは実質的な排除により、非機能的な又は無効な回路要素の発生率を著しく減少させることができる。ある応用では、ナノチューブファブリック層内のギャップ及びボイドの最小化又はあるいは実質的な排除により、該層から形成されるナノチューブスイッチング装置のアレイ配列の密度を増加可能である。バーティン等による米国特許出願第11/280,786号その内容を本文に援用する。は、不揮発性の2つのターミナル末端ナノチューブスイッチング構造を教示する。このナノチューブスイッチング構造は、少なくとも1つの実施形態において2つの電気的に絶縁された電極素子間に配置されたナノチューブファブリック製品を有する。バーティンが教示するように、異なる電圧を上記電極素子に亘って配置することにより、ナノチューブファブリック製品の抵抗状態を、複数の不揮発状態の間で切り替え可能である。つまり、実施形態によっては、ナノチューブファブリック製品は、相対的に高い抵抗状態結果として、本質的に2つの電極素子の間の開回路と相対的に低い抵抗状態結果として、本質的に2つの電極素子の間の短絡との間で繰り返し切り替え可能である。他の応用では、比較的低い濃度で整列したナノチューブファブリック場合によっては、約1つのナノチューブ厚が非常に有益となり得る。例えば、特定の論理用途は、電荷導電面として比較的薄いナノチューブファブリック層を利用する。このような用途は、ナノチューブファブリック層を通る導電経路が実質的に均一であることを必要とする。このような応用では、薄い及び/又は低密度のナノチューブファブリック層を、均一な方向に配列したナノチューブ要素の秩序ネットワークに配列することができる。ここでは、個別のナノチューブ要素が隣接するナノチューブ要素に重ならず又は接触しない傾向にある。このようなナノチューブスイッチング装置のアレイの製造は、ナノチューブファブリック層のパターニングを含み、これら複数のナノチューブファブリック製品を実現する。ナノチューブファブリック層内のギャップ及びボイドの数及びサイズは、このようなアレイ内のこれらナノチューブファブリック製品がパターニングされる形状寸法を制限し得る。例えば、個々のナノチューブスイッチング装置が約20nm四方であるつまり、各装置内のナノチューブファブリック製品が本質的に20nm×20nmであるナノチューブスイッチング装置アレイでは、ナノチューブファブリック層内の約10nmよりも大きいボイドが、例えば、非機能的な又は無効なナノチューブスイッチング装置を結果として生成する虞がある。例えば、典型的な無秩序なナノチューブファブリック層が、その表面の約25を超えるギャップを表し、典型的な秩序的なナノチューブファブリック層がその表面の約2を超えるギャップを表す。ナノチューブスイッチング要素のアレイの形成前にファブリック層内のギャップ数を最小化することにより、これら非機能的な又は無効なナノチューブスイッチング装置の発生を著しく減少させることができ、又は、ある応用では本質的に排除することができる。本開示の方法では、ナノチューブファブリックは典型的には他の物質層の上に例えば、1又は複数のスピンコーティング工程を通して形成される。ある応用では、この物質層はシリコンウエハである。他の応用では、この物質層は、限定されないが、タングステン、アルミニウム、銅、ニッケル、パラジウム、窒化チタン及び窒化タングステンのような導電物質である。さらに他の応用では、この物質層は、限定されないが、シリコン及びガリウムヒ素のような半導体物質である。他の応用では、この物質層は、限定されないが、酸化ケイ素及び酸化アルミニウムのような誘電体物質である。さらに別の応用では、この物質層は、限定されないが、ポリフルオレン、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリp-フェニレン硫化物及びポリp-フェニレンビニレンのような有機半導体物質である。ある応用では、物質層は、限定されないが、金属例えばスチール又はアルミニウム、セラミック又はガラスのような剛性物質から形成可能である。別の応用では、限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリメチルメタクリレート、ポリアミド、ポリサルフォン及び多環式オレフィンであるプラスチックフィルム又はシートのような可撓性物質から形成可能である。別の応用では、所望の限定されないが、酸化ケイ素のような界面物質が、限定されないが、スチールのような剛性物質の上に形成可能であり、基板に第1物質の所望の界面特性を第2物質の構造的特性で提供する剛性構造の複合物質を形成する。応用の必要性に応じて、このような物質層は、限定されないが、元素シリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、PTFE、有機ポリマー限定されないが、ポリエステル、pvc、スチレン、ポリビニルアルコール及びポリビニルアセテートを含む、炭化水素ポリマー限定されないが、ポリエチレン、ポリプロピレン及びポリセロシクスpolycellosicsを含む、無機骨格ポリマー限定されないが、シロキサン、ポリホスファゼンを含む、窒化ホウ素、ガリウムヒ素、III/V族化合物、II/VI族化合物、木材、合金及び酸化金属を含む金属限定されないが、スチール、アルミニウム、ニッケル、鉄、マンガン、チタン、銅、亜鉛及びスズを含む、セラミック限定されないが、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛を含む、及び、ガラス限定されないが、ケイ酸塩ガラス、ホウ素ケイ酸塩ガラス及びケイ酸ナトリウムガラスを含むから形成可能である。本発明のある実施形態では、本開示の方法によってナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられたナノチューブファブリック層を物質層から分離可能であり、独立したナノチューブファブリック層を実現する。別の応用では、例えば、大部分のナノチューブ要素が実質的に同じ方向に配向した秩序ナノチューブファブリック層は、比較的均一な例えば限定されないが、シート抵抗、電荷キャリアの均一性及び熱伝導のような電気的又は物理的特性を表すナノチューブファブリックを提供することに使用可能である。このような秩序ナノチューブファブリック層は、限定されないが不揮発スイッチング要素、ナノチューブファブリックに基づいた論理装置及び熱伝導構造のような電子装置及び要素の製造に有用である。他の応用では、実質的にギャップ及びボイドを有さない秩序ナノチューブファブリック層は隣接する物質層の上又は周りに保護バリア層を形成することに使用可能である。例えば、ナノチューブ要素の秩序ネットワークからなる薄いナノチューブファブリック層は、より厚い無秩序なナノチューブファブリック層上に形成可能である。このように、薄い秩序ナノチューブファブリック層本質的にギャップ及びボイドを有さないは、より厚い無秩序なナノチューブファブリック層、および、続くプロセスステップにおいて2つのナノチューブファブリック層上に堆積される任意の物質層例えばタングステンのような導電接触層の間にバリア層を提供する。別例では、最小のギャップ及びボイドを有する秩序ナノチューブファブリック層が、外部汚染物質例えば水、触媒金属及びアモルファスカーボンから下層の物質層を保護することに使用可能である。このような秩序ナノチューブファブリック層は、例えば、OLED有機発光ダイオードディスプレイ又は太陽電池のための実質的な疎水性保護層を形成することに使用可能である。別例では、このような秩序ナノチューブファブリック層は、梱包物のための保護包装を実現することに使用可能である。さらに別例では、このような秩序ナノチューブファブリック層は、車両のボディパネル上に防食層を形成することに使用可能である。他の応用では、秩序ナノチューブファブリック層は、低い又は減少した摩擦コーティングを物質層上に提供することに使用可能である。ある応用では、本開示の方法を介してナノチューブ要素が実質的に均一な方向に配向されている秩序ナノチューブファブリック層は低い摩擦係数を表す。このようなナノチューブファブリック層は、限定されないが、エンジンシリンダ、ピストン及びMEMS装置内の可動要素のような機械的システム内の可動部品間の摩擦を低減させることに使用可能である。また、このような秩序ナノチューブファブリック層は、限定されないが調理器具及びスキーのような所定の物体上に低摩擦コーティングを提供することに使用可能である。図1は、ナノファブリック120上の例示の方向性のある力の伝達又は転換を示す示力図である。図1に示すとおり、適用又は付加された力130が、角度θでナノチューブファブリック120の表面に伝えられるこの例では、ナノチューブファブリック120が物質層110上に形成されている。適用された力130の垂直成分130b及び水平成分130aがナノチューブファブリック120に作用して、適用された力130が方向150に沿ってナノチューブファブリック120に亘って移動される。適用された力130の水平成分130aが、ナノチューブファブリック120の面内でナノチューブファブリック120に亘って働くことにより、ナノチューブファブリック層に亘る方向性のある力を形成する。本開示の適用された力130の水平成分130aが本質的に摩擦力である実施形態によっては、適用された力130の垂直成分130bの大きさは、水平成分の大きさ、すなわち、方向性のある力の大きさを調節することに使用可能である。本開示に示されるとおり、ナノチューブファブリックに亘る方向性のある力の伝達は、ナノチューブファブリック内のナノチューブ要素を方向性のある力の経路に沿って実質的に配向した秩序ネットワークに配列させる傾向にある。ナノチューブファブリックに亘る方向性の力の伝達によってなされる仕事は、エネルギーをナノチューブファブリックに与え、それは個別のナノチューブ要素を配列することに使用される。本開示の実施形態によっては、方向性のある力の多数の反復つまり、ナノチューブファブリックに亘る方向性の力の多数の通過が、このようなエネルギーを付与して、より多くのナノチューブ要素を各連続的な通過で秩序配列に変える。本開示は、ナノチューブファブリックに亘って方向性のある力を1又は複数の方向に伝達するための複数の装置を教示する。ある実施形態では、方向性のある力がナノチューブファブリック上に一度適用される。他の実施形態では、方向性のある力が複数回適用され、ナノチューブファブリックに亘って、方向性のある力の各反復が実質的に同じ経路に従うこの経路に亘って前後に移動するか、又は、各反復のために開始位置に戻ることにより、方向性のある力が一方向にだけ適用される。ある実施形態では、強度及び方向の点で実質的に均一な方向性のある力が、ナノチューブファブリックに亘って適用されて、一方向に沿ってファブリック内のナノチューブ要素を配向させる。他の実施形態では、方向性のある力の強度及び方向が、ナノチューブファブリックの異なる領域ごとに選択されて、所定パターンにファブリック内のナノチューブ要素を配向させる。注目すべきであるが、本開示の好適な実施形態では、適用された力図1の130が非垂直角つまりθが90度でないで適用され、且つ、複数の反復のために適用される。さらに、少ないよりも、多い反復を使用することが好ましい。本質的に無秩序なナノチューブ要素のネットワークに亘って方向性のある力を適用することにより、ナノチューブ要素が本質的に秩序化した整列したネットワークになり、ナノチューブ要素間のギャップ及びボイドの数を著しく制限しある応用では、実質的に排除し、ナノチューブ要素を1又は複数の実質的に均一な方向に配向させる。図1の概略図が、ナノチューブファブリックに直接的に付加された直線方向の力の適用を示すが、本発明の方法がこの点に限定されないことに注目すべきである。本開示の方法に従って、当該方向性のある力を直接的に適用可能であり例えば、装置が方向性のある力を直接的にファブリック層内のナノチューブ要素に適用する又は伝達可能である例えば、方向性のある力が別の物質を通して適用される。さらに特定の応用では、ナノチューブファブリック層内の1又は複数のナノチューブ要素に直接的に適用された方向性のある力を、これら要素を通してファブリック層内の他のナノチューブ要素に伝達可能である。例示の方向性のある力は、限定されないが、圧延ローリング、摩擦ラビング、研磨ポリッシング及びクライオキネティック衝撃cryokineticimpingementを含む。このような力は、直線的につまり、直線に沿ってファブリック層の表面に亘って、円弧状に又は回転的に、適用可能である。前述したとおり、上述した方向性のある力が、自由に形成されて固定されたナノチューブファブリック上に適用可能であることに注目すべきである。つまり、実質的に乾燥し、完全に形成され、且つ、複数の自由なナノチューブ要素から形成されたナノチューブファブリックつまり、ナノチューブのある範囲の移動を可能にする任意の懸濁媒体を有さないナノチューブファブリック上である。すなわち、特定の応用の需要によって必要とされるとおり、ナノチューブ要素が精製純化され、選別され、選択され得るように、ナノチューブ要素が独立した処理において生成及び取得される。ある応用では、これにより、ナノチューブファブリック内のナノチューブ要素を配列させる方法を、該ファブリックを形成する方法から本質的に分離することを可能とする。このように本開示の方法は、限定されないが、スピンコーティング、スプレーコーティング、ディップコーティング、シルクスクリーン印刷及びグラビア印刷のような複数の堆積及び形成技術を通して所望の又は所定の密度、形状及び構成で形成したナノチューブファブリック層を配列させることに使用可能である。さらに、本発明の方法は、垂直成長したフィルムを必要としない。前述したとおり、実質的に整列した配列にそれらを平坦化するための方法と同様にこのような垂直成長したフィルムは、多くの応用において制限的である。例えば、垂直フィルムを平坦化するための従来の方法は、それらが一度平坦化されると、ナノチューブ要素を再配列させることができない点で制限される。示されるとおり、本開示の特定の実施形態では、複数回及び複数の方向に、自由に形成されて固定されたナノチューブファブリック層を配列させることに使用可能である。また、垂直成長フィルムは、ナノチューブフィルムが平坦でない物質層上に形成された応用においても制限され得る。堆積した触媒層から成長すると、このような応用において垂直成長したナノチューブは、下層の物質層のトポグラフィ形状に従う傾向にある。このような応用では、しかしながら、実質的な平坦頂面を提供するように、例えば、スピンコーティング処理を介して自由に形成されて固定されたナノチューブファブリックが比較的厚い層に堆積可能である。そして、本開示の方法は、この自由に形成されて固定されたナノチューブファブリックの一部又は全部を高密度な秩序化したナノチューブ要素のネットワークに配列させることに使用可能である。注目すべきであるが、垂直成長ナノチューブフィルムは、成長したナノチューブ要素の種類及び質の点で制限される一方で、自由に形成されて固定されたナノチューブファブリック層を独立して選択された場合によっては、純化及び/又は官能化されたナノチューブ要素から構成することが可能である。このように、本開示の方法は、所定の構成で形成されたナノチューブファブリック内のナノチューブ要素を配列させることに使用可能である。例えば、本開示の方法は、金属性ナノチューブ、半導体性ナノチューブ又はこれらの組み合わせから形成されたナノチューブファブリック内のナノチューブ要素を配列させることに使用可能である。同様に、本開示の方法は、単層ナノチューブ、多層ナノチューブ又はこれらの組み合わせから形成されたナノチューブファブリック内のナノチューブ要素を配列させることに使用可能である。さらに、本開示の方法は、ナノチューブ及び限定されないが、バッキーボール、シリカ粒子、アモルファスカーボン、銀ナノチューブ、量子ドット、コロイダルシルバー及び単分散ポリスチレンビーズのような他の物質の複合物質であるナノチューブファブリック内のナノチューブ要素を配列させることに使用可能である。さらに、本開示の方法は、官能化されて特定の電気特性を有し、或いは、所望の方法における特定の物理的又は化学的条件で反応するナノチューブ要素から形成されたナノチューブファブリック内のナノチューブ要素を配列させることに使用可能である。本発明のある実施形態では、ナノチューブファブリックに亘って物質表面を移動させることにより、方向性のある力がナノチューブファブリック上に適用される。別実施形態では、固定された物質表面に亘って例えば、基板要素に固定されたナノチューブファブリックを移動させることにより、方向性のある力が適用される。さらに、本開示の方法は、ナノチューブ要素及び他の物質の混合体を含むナノチューブファブリックを配列させることに使用可能である。このような物質は、限定されないが、バッキーボール、アモルファスカーボン、銀ナノチューブ、量子ドット約2~10nm、コロイダルシルバー約20nm、単分散ポリスチレンビーズ約200nm及びシリカ粒子600nm以下を含むことができる。本開示の方法は、単層ナノチューブ又は多層ナノチューブ又はこれらの組み合わせからなるナノチューブファブリック内のナノチューブ要素を配列させることに使用可能である。また、金属性ナノチューブ又は半導体性ナノチューブ又はこれらの組み合わせからなるナノチューブファブリック内のナノチューブ要素を配列させることに使用可能である。特定の応用では、ナノチューブファブリックの一部だけをナノチューブ要素の秩序ネットワークに配列させることが望まれている。このような応用は、特定の秩序領域と他の無秩序領域とを有するようにファブリックに要求し、或いは、ナノチューブファブリックの全多孔性が所定値だけ減少することを要求し、それは部分的なナノチューブファブリックの整列秩序化のみによって達成されるであろう。方向性のある力の強度、及び、方向性のある力がナノチューブファブリックに亘って伝達される回数つまり反復数の調整によって、ナノチューブファブリックが秩序化される度合いを簡単に制御できるので、本開示の方法は、ナノチューブフィルム内のナノチューブ要素の位置を調整するための従来の方法と比較してこのような応用に適している。部分的にナノチューブファブリック層を秩序化すること又は、ナノチューブファブリックの所定領域内のナノチューブのみを配列させることへの本開示のこのようなパラメータの使用は、続く図の説明において詳細に示され且つ説明される。図2Aは、互いに対して複数の配向に堆積された複数のナノチューブ要素210を備える実質的に無秩序なナノチューブファブリック層201を示す。当該ナノチューブファブリック層201では、ナノチューブ要素210間のギャップ及びボイドがファブリック層201を通して明らかである。換言すると、図2Aに示されたナノチューブファブリック層201は、単位断面積当たりのナノチューブ要素210が比較的少ない低密度のナノチューブ要素210を有するとして見なされ得る。図2Bは、図2Aに示した無秩序ナノチューブファブリック層201に合致するナノチューブファブリック層202を示すSEM画像である。図2Cは、実質的に秩序化整列したナノチューブ要素210のネットワークを備えるナノチューブファブリック層203を示す。つまり、ナノチューブファブリック層203内のナノチューブ要素210は、実質的に均一な配列に配置されて、隣接するナノチューブ要素210がそれらの側璧に沿って1つに纏まり、実質的にナノチューブ要素間のギャップを排除する。換言すると、図2Cに示された秩序ナノチューブファブリック層203は、単位断面積当たりのナノチューブ要素210が比較的多い高密度のナノチューブ要素210を有するとして見なされ得る。図2Dは、図2Cに示した無秩序ナノチューブファブリック層203に合致するナノチューブファブリック層204を示すSEM画像である。注目すべきであるが、図2A及び図2Cの図面は、本開示の方法を説明するために単に提供され、これら方法の例示を補助するようになされていることである。特には、図2A及び2Cで図示されたナノチューブ要素210の相対的なサイズ、位置及び密度は、無秩序なナノチューブファブリック層図2A及び秩序ナノチューブファブリック層図2Cの間で相対的な配向の変化を論理的に示すように設計され、且つ、均一なスケールに描写されていない。実際、当業者には明らかであるが、両方の例示のナノチューブファブリック層201及び203では、ナノチューブ要素210が、隣接するナノチューブ要素210間で実質的に重なり、接触した状態で、より緊密に1つに充填されるであろう。さらに、個別のナノチューブ要素210間のギャップサイズは、ナノチューブ要素210のサイズと比べて非常に小さいであろう。図2B及び2Dそれぞれ無秩序なナノチューブファブリック及び秩序ナノチューブファブリックの実際のSEM画像は、図2A及び2Cに示された本質的な略図を補うように、このようなファブリックの現実の画像を提供するように含まれている。図3A~3Fは、図2A及び2Bに図示されたナノチューブファブリック層201及び202のような実質的に無秩序なナノチューブファブリック層を図2C及び2Dに図示されたナノチューブファブリック層203及び204のようなナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えるための例示のプロセスを示している。図3A~3Fに詳述される当該例示のプロセスは、本開示の方法のディスカッション具体的には、無秩序なナノチューブファブリック層をナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えるための方向性のある力の使用を比較的高レベルで導入及び促進することを意図している。このように、図3A~3Fに詳述される例示のプロセスは、概観の目的で、最初に方向性のある力を適用するように圧延プロセスの使用を導入するが、このプロセスは、図7A~7Cの説明においてより詳細に説明される。さらに、本開示は、このような方向性のある力をナノチューブファブリック層に適用するための圧延、摩擦、研磨及びクライオキネティック凍結動的衝突を含む複数の他のプロセスを後続の図において詳述する。図3A~3Fに示された例示のプロセスにおいて、実質的に無秩序なナノチューブファブリック層が、3つの堆積工程を介して最初に形成される。つまり、3つの堆積工程例えば3つのスピンコーティング工程は、前に形成された層上に各連続層が形成されるように、3つの別々に堆積したナノチューブ要素の層を介して形成された無秩序なナノチューブファブリック層を実現するように実行される。前述したとおり、このような無秩序なナノチューブファブリック層は、限定されないが、スプレーコーティングプロセス、ディップコーティングプロセス、シルクスクリーン印刷プロセス及びグラビア印刷プロセスのような複数の堆積法を通して実現可能である。さらに、ある応用では、物質表面上のナノチューブのCVD成長が、無秩序なナノチューブファブリック層を実現することに使用可能である。個々の堆積層の厚みは、限定されないが、ナノチューブ塗布溶液の濃度、スピンコーティング工程に使用される基板の回転速度のような複数の要因を通して選択可能である。さらに、図3A~3Fにおいて示された例示のプロセスは、具体的に3つの堆積工程を示しているが、ナノチューブファブリック層の形成はこれに限定されない。実際、特定の応用の必要性に応じて、このようなナノチューブファブリック層は、1つの堆積工程又は複数の堆積工程において形成されてもよい。以下の図3A~3Fの説明で詳述されるとおり、ローラー装置が、無秩序なナノチューブファブリック層上に方向性のある力を適用することに使用される。この例示のプロセスでは、この方向性のある力は、直線経路に沿って無秩序なナノチューブファブリック層に亘って伝達され、下層のナノチューブ要素をこの直線経路に平行な実質的に均一な配向に調整する。また、ある応用では、個々の堆積層が、適用された方向性のある力の下で互いに圧縮して、結果として層全体の厚みを減少させる。このように、無秩序なナノチューブファブリック層の領域がナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられる。図3A~3Fに示された例示のプロセスでは、ナノチューブファブリック層の平面に垂直な力が、ナノチューブファブリック層に対してローラー装置を適用することに使用されて、結果として、ローラー装置が移動するとナノチューブファブリック層上に下方の圧力を生じる。実施形態によっては、この圧力は比較的に小さい例えば、ローラー要素がナノチューブファブリック層に亘って移動するときの実質的にローラー要素自体の重さであり、例えば約10パスカル。他の実施形態では、この力は大きい例えば約200パスカル。ローラー装置及びナノチューブファブリック層の間の適用された垂直の力によって提供された当該増加した圧力は、ナノチューブファブリック層に亘って伝達される方向性のある力を増加させる。上述したとおり、ローラー装置及びナノチューブファブリック層の間に増加した圧力を適用するために垂直の力を使用することと同様にこのような圧延工程は、図7A~7Cの説明においてより詳細に説明される。図3Aを参照すると、第1プロセスステップ301では、基板要素310が提供される。この基板要素310は、特定の応用の必要性に最も適合する複数の物質から形成可能である。例えば、ある応用では、基板要素310はシリコンウエハであってもよい。他の応用では、基板要素310は、限定されないがタングステン、アルミニウム、銅、ニッケル、パラジウム、窒化チタン及び窒化タングステンのような導電物質層であってもよい。さらに他の応用では、基板要素310は、限定されないが、シリコン及びガリウム砒素のような半導体物質層であってもよい。他の応用では、基板要素310は、限定されないが、酸化ケイ素及び酸化アルミニウムのような誘電体層であってもよい。他の応用では、基板要素310は、限定されないが、ポリフルオレン、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリp-フェニレン硫化物及びポリp-フェニレンビニレンのような有機半導体層であってもよい。ある応用では、基板要素310は、限定されないが、金属例えばスチール又はアルミニウム、セラミック又はガラスのような剛性物質から形成されてもよい。別の応用では、限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリメチルメタクリレート、ポリアミド、ポリサルフォン及び多環式オレフィンであるプラスチックフィルム又はシートのような可撓性物質から形成されてもよい。図3Bを参照すると、次のプロセスステップ302では、無秩序なナノチューブ要素320が基板要素310上に形成される。この第1層は、例えば、前述したスプレーコーティングプロセス、ディップコーティングプロセス、シルクスクリーン印刷プロセス及びグラビア印刷プロセスを介して形成可能である。また、ある実施形態では、このような層は、物質表面上のナノチューブのCVD成長を通して形成されてもよい。図3Cを参照すると、次のプロセスステップ303では、無秩序なナノチューブ要素320の第2層が第1層上に形成される。図3Dを参照すると、次のプロセスステップ304では、無秩序なナノチューブ要素320の第3層が第2層上に形成される。このように、実質的に無秩序なナノチューブネットワークの3つの個別の堆積層を本質的に備えるナノチューブファブリック層が基板要素310上に形成される。図3Eを参照すると、次のプロセスステップ305では、圧延装置330が使用されて、堆積ナノチューブファブリック層上に方向性のある力を適用する。この方向性のある力は、直線方向390に沿って無秩序なナノチューブファブリック層の表面上に伝達される。圧延装置330は、圧延要素330aを含んでおり、堆積ナノチューブファブリック層上を通過して、下層のナノチューブ要素を圧延方向390に平行な実質的に均一な配向に調整する。ある実施形態では、圧延要素330が堆積ナノチューブファブリック層上を1度通過する。他の応用では、圧延要素330が堆積ナノチューブファブリック層上を、実質的に各通過と同じ直線経路に従って複数回例えば、約50回、別例では、約250回通過する。図3Eに図示されていないが、実施形態によっては、限定されないが、PET層のような柔軟物質の中間バリア層が、圧延装置330の適用前に堆積ナノチューブファブリック層上に配置される。圧延要素330aは、限定されないが、限定されないが鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、タングステン、クロム、マンガン、マグネシウム、チタン、アルミニウム、及び、スチール類を含むそれらの合金のような金属、ゴムを含むポリマー、ポリスチレンを含むプラスチック、メラミン、シリコン、ポリカーボネート、磁器、酸化ケイ素及び他の結晶性固体を含むガラス、アルミナ、炭化ケイ素及び木材を含む複数の物質から形成可能である。図3Fを参照とすると、堆積ナノチューブファブリック層の圧延領域350が、構造306において示されているとおりナノチューブ要素320の秩序ネットワークに変えられている。図3Fに示されているとおり、この圧延領域350は、ナノチューブ要素320間にギャップ又はボイドを本質的に表していない。ある実施形態では、追加のプロセスステップは、ナノチューブ要素320の秩序ネットワークに高温アニールプロセスを提供するように使用されてもよく、例えば、基板要素310及びナノチューブファブリック層を特定応用の必要性に応じて400°Cから625°Cの範囲内で所定時間例えば約30分焼成する。この高温アニールプロセスは、実施形態によっては、ファブリックのさらなる処理の間の化学的又は物理的条件への連続的な曝露は、1度配向された秩序ナノチューブファブリック層を乱すことを防止することに有用である。例えば、ある実施形態では、このような高温アニールプロセスが、秩序ナノチューブファブリックを実質的な疎水性状態に変えることが可能であり、配列したナノチューブが水に曝されたときに反応することを防止する。しかしながら、注目すべきであるが、実施形態によっては、特定の化学的又は物理的条件への感度が特定の応用にとって有用であり得る。例えば、特定の化学的又は物理的条件に曝露されたときにファブリック内の局所的な変化を表す秩序ナノチューブファブリックは、センサ用途或いは保存及び/又は記録の用途において有用である。注目すべきであるが、図3A~3Fの図面は、本発明の方法を説明するために単に提供され、これら方法の例示を補助するようになされていることである。特には、図3A~3Fで図示された異なる構造要素の相対的なサイズが均一なスケールに描写されていない。実際、当業者には明らかであるが、ナノチューブ要素320が、圧延装置330よりも非常に小さく、この要素320間の実際のギャップサイズも同様である。図3A~3Fに図示された例示のプロセスが1つの直線経路に沿って方向性のある力を適用してナノチューブファブリック層を秩序整列状態に変えるが、本発明の方法はこの点で限定されない。実際、実施形態によっては、複数の方向性のある力が、複数の方向に連続して適用されることにより、ナノチューブファブリック層内で、隣接する秩序領域のナノチューブ要素が異なる方向に配向された複数の領域を実現可能である。他の応用では、回転方向の力を無秩序なナノチューブファブリック層上に適用可能であり、ナノチューブファブリック層内に秩序ナノチューブ要素の領域を形成する。図4~6は、異なる方向の力の適用を示し、本開示の方法に従ってナノチューブファブリックを整列したナノチューブ要素のネットワークに変える。図4を参照すると、無秩序なナノチューブファブリック層を、適用された直線的な力の使用を通して一方向に沿って実質的に配向して整列したナノチューブ要素のネットワークに変えるための例示の方法が示されている。例示のプロセスの最初に、複数のナノチューブ要素410を備える無秩序なナノチューブファブリック層401が提供される。そして、直線方向の力が無秩序なナノチューブファブリック層401上に適用される例えば、圧延力が図4に示された方向に50回適用されることにより、部分的な秩序ナノチューブファブリック層402を実現する。該部分的な秩序ナノチューブファブリック層402は、整列したナノチューブ要素の領域420を表し、そこでは、当該ナノチューブ要素は適用された力の方向に配向されている。これら領域420内のナノチューブ要素は、側壁に沿って纏まっており、結果として、これら領域420内にギャップ又はボイドを本質的に生成しない。そして、直線方向の力が再度同じ方向に沿って適用され例えば、同じ圧延力が50回適用され、秩序ナノチューブファブリック層403を実現する。秩序ナノチューブファブリック層403では、本質的に全てのナノチューブ要素410が、適用された力の方向に沿って実質的に均一な配向に変えられる。図4に示すとおり、秩序ナノチューブファブリック層403は実質的にギャップ及びボイドを有さない。図5を参照すると、無秩序なナノチューブファブリック層を、複数の方向に沿って適用された直線的な力の使用を通して複数の方向に実質的に配向して整列したナノチューブ要素のネットワークに変えるための例示の方法が示されている。例示のプロセスの最初に、複数のナノチューブ要素510を備える無秩序なナノチューブファブリック層501が提供される。そして、第1の直線方向の力が無秩序なナノチューブファブリック層501上に第1方向図5参照に適用されることにより、第1の部分的な秩序ナノチューブファブリック層502を実現する。この第1直線の力は、例えば、20回適用された摩擦の力である。第1の部分的な秩序ナノチューブファブリック層502は、整列したナノチューブ要素の領域520を表し、そこでは、当該ナノチューブ要素は第1の適用された力の第1方向に配向されている。これら領域520内のナノチューブ要素は、側壁に沿って纏まっており、結果として、これら領域520内にギャップ又はボイドを本質的に生成しない。そして、第2の直線方向の力が第2方向に沿って適用され図5参照、第2の部分的な秩序化ナノチューブファブリック層503を実現する。この第2の直線的な力は、例えば、第2方向に20回適用された別の摩擦の力であってもよい。第2の部分的な秩序ナノチューブファブリック層503は、複数の領域530を示し、そこでは、当該ナノチューブ要素が第2の適用された力の方向に配向されている。注目すべきであるが、秩序整列領域520内のナノチューブ要素510つまり、第1の直線的な力の適用によって配向されたナノチューブ要素は、一般的に、第2の直線方向の力の適用によって実質的に影響を受けない。つまり、一度、ナノチューブ要素510が第1方向に沿って実質的に配向された秩序ネットワークに十分に変えられた場合、当該領域内のナノチューブ要素は、その秩序状態を維持する傾向にあり、第2方向に適用された力に曝されたときでさえ、無秩序なナノチューブ要素よりももっと顕著に配向の変化に対抗する。注目すべきであるが、しかしながら、実施形態によっては、第2の直線方向の力の持続的な付加が、第2方向の力の向きに沿ってナノチューブの秩序ネットワークを再整列させる。図5に示すとおり、第2の秩序ナノチューブファブリック層503は、第1方向に沿って配向した領域520及び第2方向に沿って配向した領域530を含む。両方の領域のセット520及び530では、ナノチューブ要素510がそれらの側壁に沿って纏まり、結果として、これら領域520及び530が本質的にギャップ及びボイドを有さない。第2の部分的な秩序ナノチューブファブリック層503内の無秩序なナノチューブ要素510の残りの領域は、追加の方向性のある力の適用を通して秩序状態に変えることができる。図6を参照すると、回転方向の力の使用を通して無秩序なナノチューブファブリック層を複数の方向に実質的に配向したファブリック層の異なる領域を有する秩序的なナノチューブ要素のネットワークに変える例示のプロセスが図示されている。例示のプロセスの最初に、複数のナノチューブ要素610を備える無秩序なナノチューブファブリック層601が提供される。そして、回転方向の力が無秩序なナノチューブファブリック層601上に適用されることにより、部分的な秩序ナノチューブファブリック層602を提供する。このような回転方向の力は、例えば、1分当たり約60回転でウール研磨パッドを約90秒間回転させることにより適用可能であるこのような回転方向の力を適用するために適切な装置は図11A及び11Bに図示されており、以下に詳細に説明する。。部分的な秩序ナノチューブファブリック層602は、整列したナノチューブ要素の複数の領域620を表す。これら領域620ではナノチューブ要素は、その側壁に沿って纏まっており、結果として、これら領域620内にギャップ又はボイドを本質的に生成しない。回転方向の力によって、これら秩序領域620が異なる方向に配向する。部分的な秩序ナノチューブファブリック層602内の無秩序なナノチューブ要素610の残りの領域は、追加の方向性のある力の適用を通して秩序状態に変えることができる。注目すべきであるが、前述の概略図における部分的な秩序ナノチューブファブリック層つまり、図4、5及び6のナノチューブファブリック層402、502及び602が、最初に、適用された方向性のある力に応答する比較的狭い帯域にそれら自体を整列させ始めるナノチューブファブリック層を表している。この点で、さらに注目すべきであるが、これら概略図が、図20A及び25Bの例示のSEM画像内に描写された部分的な秩序ナノチューブファブリックに対応している。理論に縛られたくはないが、特定の実施形態では、無秩序なナノチューブファブリック内の特定数のナノチューブ要素が、適用される方向性のある力の方向に当初より配向されていることが信じられている。適用された方向性のある力に応答して、僅かに異なる配向に配置されているがこれら特定のナノチューブ要素に隣接するナノチューブ要素は、既に所望の方向に配向したナノチューブ要素の配向に適合するようにそれらの配向を調整する傾向にある。これら実施形態では、最終的にナノチューブファブリック層全体が実質的に均一な配向に調整されるまで、増大した方向性のある力の適用反復が、より多くの無秩序なナノチューブ要素を、これら当初のナノチューブ要素と一致する配向に調整させる傾向にあることが信じられている。実質的に無秩序なあるいは、ある応用では部分的に整列したナノチューブファブリックをナノチューブ要素の秩序ネットワークに配列させることに1又は複数の方向への比較的高いレベルの方向性のある力を具体的に利用することに関する本開示の方法を示すことにより、本開示はこのような方向性のある力を適用するための複数の方法を詳細に説明する。特には、図7A~7Bは、方向性のある力を適用するための圧延装置の使用を詳細に示す。図8A~8Bは、直線運動における方向性のある力を適用するための摩擦装置の利用を詳細に示す。図9A~9Bは、円弧運動の方向性のある力を適用するための摩擦装置の利用を詳細に示す。図10A~10Bは、直線方向への方向性のある力を適用するための研磨装置の利用を詳細に示す。図11A~11Bは、回転方向の力を適用するための研磨装置の利用を詳細に示す。図12A~12Bは、方向性のある力を適用するためのクライオキネティック衝撃装置の利用を詳細に示す。図13A~13Bは、大きいスケールで回転方向の力を適用するためのロールトゥロールroll-to-roll研磨装置の利用を詳細に示す。図7A~7Bを参照すると、直線方向の力をナノチューブファブリック層に亘って適用するのに適切な圧延装置が図示されている。図3A~3Fの例示のプロセスに簡潔に示したとおり、ある応用では、方向性のある圧延力は、形成ナノチューブ層上に円筒要素を1又は複数回で回転させることによって適用可能である。円筒要素は、限定されないが、限定されないが鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、タングステン、クロム、マンガン、マグネシウム、チタン、アルミニウム、及び、スチール類を含むそれらの合金のような金属、ゴムを含むポリマー、ポリスチレンを含むプラスチック、メラミン、シリコン、ポリカーボネート、磁器、酸化ケイ素及び他の結晶性固体を含むガラス、アルミナ、炭化ケイ素及び木材を含む複数の物質から形成可能である。実施形態によっては、この円筒要素は、ナノチューブファブリック層に直接的に適用される。他の実施形態では、限定されないが、ポリエチレンテレフタレートPETフィルムのような中間層が、ナノチューブファブリック層と円筒要素表面との間に存在する。実施形態によっては、円筒要素が形成ナノチューブ層上を1回転する。他の実施形態では、円筒要素が形成ナノチューブ層上を約50回転する。さらに他の実施形態では、円筒要素が形成ナノチューブ層上を約250回転する。実施形態によっては、円筒要素がナノチューブファブリック層上を通過するときに、追加の下方の力が適用されない。つまり、実質的に円筒要素の重量だけが、例えば、ローラー装置が移動したときにナノチューブファブリック層上に約500パスカルの圧力を提供する下方の付加力を占める。別実施形態では、例えば、押圧機構の利用を通して、或いは、一定距離で離間して保持された一対の円筒ローラーにナノファブリックでコーティングされた基板を通過させる圧延装置の利用を通して、追加の下方の力例えば、約50ニュートン、又は、別例では約500ニュートンが円筒要素に適用される。このような実施形態では、この追加の下方の力は、ローラー装置が通過するとナノチューブファブリック層上に非常に大きい圧力例えば約20,000パスカルを提供する。図7A及び7Bは、それぞれ斜視図及び応用概略図であり、本開示の方法に従って堆積ナノチューブファブリック層上に圧延力を適用するのに適切な例示の圧延装置700を表している。ナノチューブファブリック層でコーティングされた基板要素710が、方向790に沿って上方ローラー要素720と下方ローラー要素730との間を通過する。上方ローラー要素720は、調整機構740を通してフレーム750内で調整可能であり、所望の圧延力が方向795に沿って基板要素710上に適用され、且つ、それが上方及び下方ローラー要素720及び730間を通過したときに、方向790に沿って基板要素710上に堆積したナノチューブファブリック層に亘って伝達される。このように、圧延力が、1又は複数回でナノチューブファブリック層に亘って適用可能であり、ナノチューブ層を整列したナノチューブ要素のネットワークに変える。図19a~19C詳細に後述するは、このような方向性のある圧延力の適用後の例示のナノチューブファブリック層を示すSEM画像である。図8A~8Bを参照すると、直線方向の力をナノチューブファブリック層に亘って適用するのに適切な摩擦装置が図示されている。ある実施形態では図8A~8Bの例示の装置に示されているとおり、最初に基板層上にナノチューブファブリック層を形成し、続いて摩擦面に亘って当該ナノチューブファブリック層を1又は複数回、スライドさせるナノチューブファブリック層が摩擦面に直接的に接触することにより、方向性のある摩擦力をナノチューブファブリック層に適用可能である。別の実施形態では、摩擦面は、形成ナノチューブファブリック層上で移動可能である。つまり、例えば、図21の例示の装置のように、摩擦要素が移動する一方でナノチューブファブリック層が所定位置に固定される。本開示の方法では、摩擦要素が、平滑な界面をナノチューブファブリックに提供してナノチューブファブリックの擦り傷やスクラッチを最小化する平坦物質のシートを備える。このような摩擦面又は摩擦要素は、限定されないが、元素シリコンウエハ、ポリテトラフルオロエチレンPTFE、セルロースアセテート、セルロース例えばレーヨン、ポリエステル例えばポリエチレンテレフタレート及びポリブチレート、ポリアミド例えば、市販のナイロン、前述のポリマー材料型又は天然物質例えば、レザー、ファイバー又はシートのようなセルロース物質の混合を含む繊維性、泡状、ファブリック又はフィルム形態の高分子材料、及び、限定されないがスターチ及び水の半硬質スラリー半硬質スラリーを含む複数の物質から形成可能である。ある実施形態では、ナノチューブファブリック層が摩擦面上を1回通過する。他の実施形態では、ナノチューブファブリック層が摩擦面上を約20回通過する。さらに他の実施形態では、ナノチューブファブリック層が摩擦面上を約250回通過する。実施形態によっては、ナノチューブファブリック層が摩擦面上を1方向の動きで通過する。つまり、初期位置から設定距離だけ摩擦面に対して前進し、そして、摩擦面から持ち上げられ、続く摩擦路のために当該初期位置に戻る。他の実施形態では、ナノチューブファブリック層が摩擦面上を2方向の動きで通過する。つまり、初期位置から設定距離だけ摩擦面に対して前進し、そして、摩擦面に対して初期位置に再び後退する。ある実施形態では、方向性のある力に対して直角に適用される垂直の力が、基板要素又は摩擦面のいずれか一方又は両方に適用されることにより、2つの物質間の圧力を調整し、すなわち、ナノチューブファブリック層に亘って移動するときの方向性のある力の強度を調整する。実施形態によっては、追加の下方の力によって提供される圧力が約300~800パスカルである。他の実施形態では、この追加の下方の力で提供される圧力が1000パスカルよりも大きい。特定の実施形態では、このような圧力は、ファブリック層を損傷させ又は剥離させない限りにおいて、下層のナノチューブファブリック層内の整列秩序化の速度又は質を増大させる。図8A及び8Bは、それぞれ斜視図及び応用概略図であり、本発明の方法に従ってナノチューブファブリック層上に方向性のある摩擦力を適用するのに適切な例示の摩擦装置800を表している。この例では、ナノチューブファブリックが基板要素810上に形成され、そして、基板要素810が固定された摩擦面820に亘って移動される。ナノチューブファブリック層でコーティングされた基板要素810は、真空ポンプ870を使用してバキュームプレート840に対して固定され、ナノチューブファブリック層が摩擦面820に対向するように摩擦面820に対して配置されている。キャリア機構850が、バキュームプレート840の周囲に固定され、方向890に沿って摩擦面820に亘って基板要素810を前進させることに使用される。加重要素860が、バキュームプレート840の上に配置されて、ナノチューブファブリック層と摩擦面820との間に適用される圧力を増加させる。加重要素860によって方向895に提供された追加の力は、基板要素810を摩擦面820に亘って移動させるときに、ナノチューブファブリック層に亘って方向890に伝達される。このように、摩擦力は、1又は複数回でナノチューブファブリック層に亘って適用可能であり、ナノチューブ層を整列したナノチューブ要素のネットワークに変える。図20A~20C、21A~21C及び22A~22C詳細に後述するは、このような方向性のある摩擦力の適用後のナノチューブファブリック層を示すSEM画像である。図9A~9Bを参照すると、円弧運動で方向性のある力をナノチューブファブリック層に亘って適用するのに適切な摩擦装置が図示されている。ある実施形態では、円弧運動で形成ナノチューブファブリック層表面に亘って摩擦要素を通過することによって、方向性のある摩擦力をナノチューブファブリック層に適用することができる。例えば、基板要素上に堆積したナノチューブファブリック層に亘って浅い円弧で前後に摩擦パッドを通過するように、化学機械研磨CMP装置基板がCMP装置のバキュームプレートに固定位置に保持される。を使用可能である。このような摩擦パッドは、典型的には、ポリウレタン物質から形成可能である。しかし、限定されないが、ポリエステル及びポリアミドマイクロファイバー、ポリエステルの他の形態例えば、ポリエステルの繊維性、泡状、ファブリック又はフィルム形態、ポリアミド及び他のポリマー、スチレン、ポリビニルアルコールフォーム、コットン、ウール、セルロース、及び、レーヨンを含む他の物質からなってもよい。図9A及び9Bは、それぞれ斜視図及び応用概略図であり、本発明の方法に従ってナノチューブファブリック層上に円弧運動の方向性のある摩擦力を適用するのに適切な第1の例示の摩擦装置900を表している。ナノチューブファブリック層でコーティングされた基板要素910がキャリアアセンブリ組立体940内に配置される。装置表面970内の所定位置に固定された摩擦面920に亘って回動機構960で弧状に回転する調整可能なアーム950によってキャリアアセンブリ940を移動させることにより、基板要素910表面に堆積したナノチューブファブリック層を方向990に摩擦面920上に通過させる。このように、摩擦方向の力が1又は複数回でナノチューブファブリック層に亘って適用可能であり、ナノチューブ層を整列したナノチューブ要素のネットワークに変える。図23A~23C詳細に後述するは、このような方向性のある摩擦力の適用後のナノチューブファブリック層を示すSEM画像である。注目すべきであるが、図23A~23Cでは、広域な円弧運動で適用された摩擦方向の力を介して秩序化したナノチューブファブリックは、実質的に直線方向に整列する傾向にある。図10A~10Bを参照すると、直線運動で方向性のある力をナノチューブファブリック層に亘って適用するのに適切な研磨装置が図示されている。例えば柔軟な研磨物質限定されないが、ウール及びベロアでコーティングされると共にその長軸の周りを回転する硬質シリンダのような円筒研磨要素が、それがナノチューブファブリック層の領域上を直線的に繰り返し数分間移動するときに回転シリンダがナノチューブファブリック層に接触する、1分ごとに約15~20回転RPMで回転可能である。適切な研磨物質は、限定されないが、ポリエステル及びポリアミドマイクロファイバー、ポリエステルの他の形態例えば、ポリエステルの繊維性、泡状、ファブリック又はフィルム形態、ポリアミド及び他のポリマー、スチレン、ポリビニルアルコールフォーム、コットン、ウール、セルロース、及び、レーヨンを含み得る。ナノチューブファブリック層を移動するときに研磨物質に適用される力は、2つの物質間の圧力を増加させるように選択可能である。例えば、ある実施形態では、適用される力は、ナノチューブファブリック層に対して研磨物質のナップ表面のけばを約50圧縮させるように選択される。実施形態によっては、この力が完全に研磨物質のナップを圧縮すると共に研磨物質の裏打ちをナノチューブファブリック層に物理的に接触させることを防止することが重要である。このような実施形態では、この接触の結果、裏打ち層がナノチューブファブリック層を傷付け或いは損傷させる虞がある。ある実施形態では、この適用された力は、約5から100パスカルの圧力をナノチューブファブリック層に亘って生成する。他の実施形態では、この適用された力は、約500パスカルの圧力を生成する。図10A及び10Bは、それぞれ斜視図及び応用概略図であり、本開示の方法に従って堆積ナノチューブファブリック層上に方向性のある力を適用するのに適切な第2の例示の研磨装置1000を表している。ナノチューブファブリック層でコーティングされた基板要素1010がバキュームテーブル1070の所定位置に固定されている。円筒研磨要素1020がトラック要素1050内に配置されて、円筒研磨要素1020の表面を覆う研磨物質が、基板要素1010上に堆積したナノチューブファブリック層に対して配置される。円筒ローラー1020を方向1090に例えば60rpmで回転させ、そして、トラック要素1050内を移動させることにより、円筒研磨要素1020によって適用された力が、基板要素1010上に堆積されたナノチューブファブリック層に亘って伝達される。このように、研磨力が1又は複数回でナノチューブファブリック層に亘って適用可能であり、ナノチューブ層を整列したナノチューブ要素のネットワークに変える。図24A~24C詳細に後述するは、このような研磨の方向性のある力の適用後のナノチューブファブリック層を示すSEM画像である。図11A~11Bを参照すると、回転方向の力をナノチューブファブリック層上に適用するのに適切な研磨装置が図示されている。研磨要素を形成ナノチューブファブリック層の表面上で回転させることにより、回転方向の力をナノチューブファブリック層に適用可能である。例えば、研磨パッドをナノチューブファブリック層上に配置して、設定時間例えば約90秒回転させることができる。研磨要素のための適切な物質は、限定されないが、ポリエステル及びポリアミドマイクロファイバー、ポリエステルの他の形態例えば、ポリエステルの繊維性、泡状、ファブリック又はフィルム形態、ポリアミド及び他のポリマー、スチレン、ポリビニルアルコールフォーム、コットン、ウール、セルロース、及び、レーヨンを含み得る。ある実施形態では、特定のデニール仕様デニールは、繊維9000メートル当たりのグラム重量を示す織物の特性であるに従って選択可能である。実施形態によっては、ナノチューブファブリック層上を回転するときに2つの物質間の圧力を増加させるように、追加の力が研磨要素に適用される。研磨要素が回転されると、この追加の力がナノチューブファブリック層に亘って伝達される。ある実施形態では、この適用された力が、ナノチューブファブリック層に亘って約2から5パスカルの圧力を生成する。他の実施形態では、この適用された力は約100パスカルの圧力を生成する。図11A及び11Bは、それぞれ斜視図及び応用概略図であり、本開示の方法に従って堆積ナノチューブファブリック層上に回転研磨力を適用するのに適切な例示の装置1100を表している。ナノチューブファブリック層でコーティングされた基板要素1110がバキュームテーブル1170の所定位置に固定されている。研磨要素1120が回転アセンブリ1140内に固定され、且つ、調整アーム1150と共に配置されており、研磨要素1120が、基板要素1110上に堆積されたナノチューブファブリック層に対して配置されている。そして、研磨要素1120が方向1190に所定位置で例えば、1分当たり60回転で60秒間回転される。このように、回転研磨力がナノチューブファブリック層に亘って適用可能であり、ナノチューブ層を整列したナノチューブ要素のネットワークに変える。図25A~25C詳細に後述するは、このような研磨回転力の適用後のナノチューブファブリック層を示すSEM画像である。図12A~12Bを参照すると、方向性のある力をナノチューブファブリック層上に適用するのに適切なクライオキネティック衝撃装置が図示されている。クライオキネティックプロセスの使用を通して、方向性のある研磨力をナノチューブファブリック層に適用可能である。図12A~12Bは、本開示の方法での使用に適切な例示のクライオキネティック衝撃装置を表している。このような装置では、アプリケーションワンド散布棒、applicationwand1250が、挟角例えばナノチューブファブリック層平面に対して約15度で冷凍粒子1220のスプレーを比較的高速例えば、約60PSIGの圧力で推進するでナノチューブファブリック層1210上に向けるのに使用される。これら冷凍粒子1220の衝突が方向性のある力を提供し、アプリケーションワンド1250が方向1290に沿って移動されるとナノチューブファブリック層1210に亘って当該方向性のある力が伝達される。このようなシステムでは、冷凍粒子1220は、限定されないが、二酸化炭素CO2又はアルゴンのような冷凍ガスの米粒大の粒子例えば、約0.125インチ径である。図12A及び12Bは、それぞれ、クライオキネティック衝撃システムの斜視図及び応用概略図である。ナノチューブファブリックコーティングされたウエハ1210がバキュームプレート1230に固定されて、研磨工程の間、所定位置にそれを保持している。アプリケーションワンド1250が、エアホース1270及びペレット供給ホース1260によって、ナノチューブファブリックコーティングされたウエハ1210に亘って冷凍ペレット1220のスプレーを導くように供給される。ペレタイザーpelletizerユニット上のコントロール1280が、ストリーム流1220の速度及び量の制御を可能とする。例示の研磨工程では、アプリケーションワンド1250が、挟角で配置され、且つ、方向1290に沿ってナノチューブファブリックで覆われたウエハ1210に亘って移動される。図12A及び12Bに図示されていないが、実施形態によっては、クライオキネティックスプレー1220の適用の前に、限定されないが、PET層、プラスチック膜例えば、塩化ポリビニリデンに基づくサランラップ登録商標、又は、薄い箔フィルムのような柔軟物質の中間バリア層が、堆積ナノチューブファブリック層上に配置される。このような実施形態では、下層のナノチューブファブリック層1210を保護し、且つ、高速スプレー1220の下の個々のナノチューブ要素のアブレーション切削を防ぐことに、この柔軟物質の層を使用可能である。ある実施形態では、この柔軟物質の層は、ナノチューブファブリックにクライオキネティックスプレーの力を効率的に伝達することにも有用である。このように、研磨力が1又は複数回でナノチューブファブリック層に亘って適用可能であり、ナノチューブ層を整列したナノチューブ要素のネットワークに変える。図28A~28D詳細に後述するは、このようなクライオキネティック衝撃力の適用後のナノチューブファブリック層を示すSEM画像である。他の応用では、上述のクライオキネティック衝撃工程に対して類似の秩序化工程が、高圧ガス又は液体例えばエアガンのジェットの使用を通して実現可能である。このような高圧フロー研磨工程では、無秩序なナノチューブファブリック層上にガス例えば限定されないが窒素を流して、当該ファブリック層をナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えることにエアガンを使用可能である。クライオキネティック衝撃工程と同様に、ある実施形態では、高圧フロー工程が、限定されないが、PET層、プラスチック膜例えば、塩化ポリビニリデンに基づくサランラップ登録商標、又は、薄い箔フィルムのような柔軟保護層をエアフロー工程の間、ナノチューブファブリック層上に採用してもよい。例示の高圧エアフロー研磨工程は、図32A~32Dに示されており、詳細に後述する。図13A~13Bを参照すると、方向性のある力をナノチューブファブリック層上に適用するのに適切なロールトゥロールroll-to-roll研磨装置が図示されている。実質的に無秩序なナノチューブファブリック1310aでコーティングされた柔軟物質1310例えば限定されないが、紙、プラスチック、又は金属箔が、第1ローラー1350と第2ローラー1360との間で方向1395に沿って移動される。図13A~13Bに示された例示のロールトゥロール研磨装置では、円筒研磨要素1320が無秩序なナノチューブファブリック層に対して方向1390に沿って回転されて、それが第1及び第2ローラー1350及び1360の間でその下で直線的に移動される。このような円筒研磨要素1320の構成及び使用は、上述の図10a及び10Bの説明において詳細に示した。円筒研磨要素1320で適用された方向性のある力が、アプリケータ1340で堆積された無秩序なナノチューブファブリック層1310a内のナノチューブ要素を整列したナノチューブのネットワーク1310bに配列させる。このように、大きいスケールのナノチューブファブリックを秩序ナノチューブファブリック層に配列可能である。注目すべきであるが、円筒研磨要素1320が図13A及び13Bに示された一方で、本発明の方法はこの点に限定されない。実際、本開示内に示された圧延、摩擦及び研磨の方法のいずれかを、図13A及び13Bで示したロールトゥロールシステムで使用可能である。さらに、特定の応用では、図13A及び13Bで示したようなロールトゥロール研磨装置は、柔軟物質1310が第1ローラー1350と第2ローラー1360との間に移動されるときに、柔軟物質1310上にナノチューブファブリックを堆積して乾燥させることに使用可能なアプリケータ機構及び乾燥機構をさらに含んでもよい。他の応用では、圧電物質層を無秩序なナノチューブファブリック層上に配置し、ファブリック層に方向性のある力を適用することに使用することができる。このような応用では、圧電物質が、特定の電気刺激に反応して振動し、ナノチューブファブリック層上に伝達される摩擦力を効果的に生成する。ある実施形態では、圧電物質層は、当該方向性のある力をナノチューブファブリック層内の1又は複数の所定領域だけに適用するように形成される。このような実施形態では、これら所定領域がナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられ、残りの領域を実質的に無秩序なままにする。このような選択的に秩序化したナノチューブファブリック層は、例えば、フォトリソグラフィ工程におけるマスキング又はインプリンティングとして有用である。例示の圧電摩擦工程は、図30A~30Dに図示され、以下に詳述する。前述したとおり、CMP装置半導体製造設備で典型的に簡単に利用可能な研磨/平坦化装置は、ナノチューブファブリック上に方向性のある力を適用することに特定の応用において適切な装置である。例えば、図9A及び9Bで示した例示の装置の工程と類似の工程でCMP装置は、シリコンウエハ上に堆積されたナノチューブファブリック層上に研磨要素又は摩擦要素を円弧又は直線経路で通過させることに使用可能である。別例では、図11A及び11Bで示した例示の装置の工程と類似の工程でCMP装置は、シリコンウエハ上に堆積されたナノチューブファブリック層上に研磨要素又は摩擦要素を回転させることに使用可能である。特定の応用では、研磨要素又は摩擦要素は、潤滑媒体を使用してナノチューブファブリック層に適用可能である。このような潤滑媒体は、限定されないが、水、例えば限定されないが、ハロゲン含有のアルコール、亜硝酸アルキル、アルカノール、有機アミン、フッ素化化合物、並びに、ペルフルオロカーボン、ペルフルオロヘキサン、ペルフルオロヘプタンクロロカーボン、ペルフルオロヘキサン、ペルフルオロ2-ブチル-テトラヒドロフラン及びペルフルオロ化ポリエーテルを含むペルフルオロ化又は実質的にフッ素化したハロカーボン有機化合物を含む液体に含まれるハロカーボン、限定されないが、液体二酸化炭素CO2及び液体キセノンを含む液化ガス、限定されないが、C3-C12アルカン、C8-C16アリールアルカン、C10-C25アリールシクロアルカン、C6-C12芳香族、トルエン及びキシレンを含むハイドロカーボン液、限定されないが、これら含有ケトン、アルデヒド、エステル、エーテル、アミド、アルコール、C2-C12エーテル、DME、グリム、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、アセトン及びテトラヒドロフランを含む官能化有機液体、限定されないが、ポリジメチルシクロサン環状及び線形液及びポリフェニルシロキサン環状及び線形液の群を含む有機シロキサンベースの環状及び線形液cyclicandlinearliquids、及び、限定されないが、二硫化モリブデン、窒化ボロン、グラファイト及びスチレンビーズを含む固体を含むことができる。このような応用では、潤滑媒体は、研磨又は摩擦要素とナノチューブファブリック表面との間の抵抗引きずりを制限することによって方向性のある力の適用を補助する。例えば、摩擦要素が比較的高い圧力で適用される秩序化工程では、生成される方向性のある力がナノチューブファブリック全体に均一に適用されることを確実にすることに潤滑媒体を使用可能である。ある応用では、秩序化工程の前に研磨/摩擦パッドに潤滑媒体を適用可能である例えば、研磨/摩擦パッドが水で湿らされる。他の応用では、研磨/摩擦パッドの適用の前にナノチューブファブリック上に潤滑媒体を堆積可能である。このような応用では、ナノチューブファブリック内のナノチューブ要素が適用した潤滑媒体に実質的に全く再懸濁しないように、潤滑媒体が選択及び/又は適用される。注目すべきであるが、潤滑媒体の使用が上述したように特定の応用で有用である一方で、別の応用では、これが秩序化工程内で問題となる虞がある。特定の応用では、例えば、潤滑媒体の適用が、基板表面からナノチューブ要素を完全に取り除く虞がある。別例では、特定の応用において潤滑媒体が、ナノチューブ要素と物理的又は化学的に反応して、無秩序なナノチューブファブリック層を損傷するか、或いは、悪影響を与える虞がある。また注目すべきであるが、本発明の方法を介したナノチューブファブリック層内のナノチューブ要素の配列は、無秩序なナノチューブファブリック層と比較して非常に平滑なナノチューブファブリックをも提供する。ある応用では、より平滑な該ファブリック層は、続く物質層の堆積のために最適化した表面を提供する。例えば、このような秩序ナノチューブファブリック層は、層全体に亘って実質的に均一な厚みを有することが予期され、応用によっては、続いて堆積する層がナノチューブファブリック層を貫通し得るファブリック内の薄い領域の可能性を減少させる。この目的を達成するために、図14A及び14Bは、基板層1410上に堆積した実質的に無秩序なナノチューブファブリック層1420の断面視を示す。トップ物質層1430が、無秩序なナノチューブファブリック層1420上にさらに堆積されて3層構造を形成する。図14Aは、当該3層構造のSEM画像1401である。他方、図14Bは同構造の線図である。2つのイメージ1401及び1402に観察可能であるとおり、実質的に無秩序なナノチューブファブリック層1420は、非均一な厚みを表し、基板層1410とトップ物質層1430との間に多くの薄いスポット領域を提供する。反対に、図15A及び15Bは、基板層1510上に堆積した実質的な秩序ナノチューブファブリック層1520の断面視を示す。図14A及び14Bの先の構造と同様に、トップ物質層1530が、秩序ナノチューブファブリック層1520上にさらに堆積されて3層構造を形成する。図15Aは、当該3層構造のSEM画像1501である。他方、図15Bは同構造の線図である。2つのイメージ1501及び1502に観察可能であるとおり、実質的な秩序ナノチューブファブリック層1520は、図14A及び14Bの無秩序なナノチューブファブリック層1420と比較して著しく改善した厚み均一性を表し、基板層1510とトップ物質層1530との間により均一な分離距離を提供する。また注目すべきであるが、特定の実施形態では、秩序ナノチューブファブリック層は、無秩序なナノチューブファブリック層と比べて減少した摩擦係数を有し、低摩擦コーティングの作成に使用可能である。例えば、ナノチューブファブリックの層は、内燃エンジン内のシリンダ内面に形成されて秩序状態に変えられる。そして、当該秩序ファブリックは、シリンダ内を移動するピストンの摩擦係数を減少させるように使用可能である。別例では、秩序ナノチューブファブリック層は、ギア、ベアリング、シャフト及び機械化システム内の他の機械部品の合わせ面上に形成可能である。このようなコーティングは、これら部品の合わせ面間の摩擦を減少させ、摩耗を減らし、個々の部品、ひいては、システム自体の寿命を延ばす。別例では、このような秩序ナノチューブファブリック層が、微小電気機械システムMEMSにおいて、ナノスケールの低摩擦面及びコーティングを提供することに使用可能である。図16及び17は、無秩序なナノチューブファブリック層と比較して、秩序ナノチューブファブリック層の低減した摩擦係数を実証すべく、部分的な秩序ナノチューブファブリック層に実行された実験を示す。ナノチューブファブリック層1610がシリコン基板1670上に形成され、約4cm幅及び20cm長のストリップ切片に切断された。そして、ナノチューブファブリック層1610が、選択的に秩序状態に変えられて、図17に示すとおり、ストリップの長手方向に沿って5つの領域1710a~1710eを実現した。次に、剛性摩擦要素を形成するように、研磨パッド1650が切断SiO2ウエハ1640約4cm×4cmの寸法に被せられたと共に切断SiO2ウエハ1640に固定されて、選択的な秩序ナノチューブファブリック層1610上に配置された。加重要素1660約75gが研磨物質1650及びウエハピース1640で形成された当該剛性摩擦要素上に配置されることにより、摩擦要素がナノチューブファブリック層1610の長手方向に沿って引かれるときに下方の力を提供する。そして、方向1690に沿ってナノチューブファブリック層1610の長さに亘って研磨物質1650をスライドさせることに、プーリ要素1680と共に力計器1630が使用された。具体的に図17を参照すると、図16の方向1690に対応する方向1790に沿ってナノチューブファブリック層に亘って引かれたときに、力計器図16の1630を使用して観測された摩擦力が、剛性摩擦要素の物理的位置にプロット及びマッピングされている。上述したとおり、ナノチューブファブリック層のストリップ図16の1610が5つの領域に変えられている。領域1710a、1710c及び1710eは、実質的に無秩序なままであり、実験のための制御領域として働く。領域1710bは、方向1790に垂直に配向したつまり、摩擦要素の経路に垂直であるナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられている。領域1710dは、方向1790に平行に配向したつまり、摩擦要素の経路に平行であるナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられている。図17のプロットから明らかであるとおり、剛性摩擦要素が領域1710cの無秩序なナノチューブファブリック層上を通過したときに観測された摩擦力は約0.310Nであった。剛性摩擦要素が領域1710bの摩擦力の方向に対して垂直に配向したナノチューブファブリック層上を通過したときに観測された摩擦力は約0.245Nであり、制御領域1710a、1710c及び1710eに対して約21の摩擦が低減した。剛性摩擦要素が領域1710dの摩擦力の方向に対して平行に配向したナノチューブファブリック層上を通過したときに観測された摩擦力は約0.235Nであり、制御領域1710a、1710c及び1710eに対して約24の摩擦が低減した。また注目すべきであるが、本開示の多くが実質的に無秩序なナノチューブファブリックからナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えるプロセスを説明する一方で、本発明の方法はこの点に限定されない。実際、本開示の方法は、部分的な秩序化ナノチューブファブリック層をより高度に秩序化したナノチューブファブリック層に変えることにも採用可能である。例えば、セン等による米国特許出願第61/304,405号に教示された方法を介して形成されたラフト化したナノチューブファブリック層が、本開示の様々な実施形態で先に説明したような方向性のある力の適用を通して完全な秩序ナノチューブファブリック層に変えられてもよい。特定の応用では、方向性のある力を比較的厚いナノチューブファブリック層上に適用可能である。このような応用では、方向性のある力の繰り返しの適用であっても、厚いナノチューブファブリック層表面付近の該ナノチューブをナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えるだけである。つまり、生成した構造は、より厚い無秩序なナノチューブファブリック層に隣接形成された薄い秩序ナノチューブファブリック層として説明され得る。このような構造は、無秩序なナノチューブファブリック層を備える基板要素上に形成された秩序ナノチューブファブリック層を実現することに使用可能である。実施形態によっては、このような構造無秩序なナノチューブファブリック層上に形成された秩序ナノチューブファブリック層は、無秩序なナノチューブ層の反対表面に方向性のある力を適用することによってさらに調整可能であり、反対表面を整列したナノチューブ要素のネットワークに変える。このような実施形態の特定の応用では、元々堆積した厚いナノチューブファブリック層が犠牲基板要素上に堆積され、当該犠牲基板要素が除去されるか、又は、揮発されることにより、無秩序なナノチューブファブリック層の反対表面に当該力の適用を可能にする。このような実施形態の実施例によっては、生成した構造は、2つの薄い秩序ナノチューブファブリック層であって、それらの間に位置する無秩序なナノチューブ要素のより厚い層とともに形成されたものとして説明することができる。注目すべきであるが、本開示内の多くの図面及び例が、半導体製造に特に関係するプロセスを図示及び説明する一方で、本発明の方法はこれの点に限定されない。実際、秩序ナノチューブファブリック層からなるナノチューブファブリックを複数のシステム及び装置において使用可能である。例えば、特定の実施形態では、このようなナノチューブファブリックは、実質的に気体不透過性であり、ガス容器例えば、限定されないが酸素タンク及び救命具の製造に利用可能である。他実施形態では、このようなナノチューブファブリック層は、実質的に疎水性であり、耐湿コーティング例えば、ソーラーパネル又は防食コーティングに利用可能である。他の実施形態では、このようなナノチューブファブリック層は、特定の粒子状汚染物に不浸透性であり、保護バリア層の製造に利用可能である。他の実施形態では、このようなナノチューブファブリック層は、特定の生体有害物質例えば、バクテリアに不浸透性であり、バイオフィルタ等の製造に利用可能である。他の実施形態では、このようなナノチューブファブリックは、他の物質上に適用可能である透明又は半透明保護コーティングに利用可能である。例えば、車両シャーシ上で塗装の傷を防止し、又は、結合剤として安全ガラスとして利用可能である。他の実施形態では、このようなナノチューブファブリック比較的薄いままであるは、ストレス及び摩耗に高い耐性を有し、高いストレスを受ける部品例えば、内燃エンジンのピストンシリンダの製造に利用可能である。他の実施形態では、このようなナノチューブファブリックは、貫通に対する高い耐性を有し、車両のアーマープレート又は人用保護具のような耐穿刺性物質の製造に利用可能である。例えば、比較的薄い秩序ナノチューブファブリック層が、パディング詰め物物質と併せて利用可能であり、軽量防弾ベストを実現する。別例では、ナノチューブファブリックは、物質表面上に形成可能であり、そして、本開示の方法を通して秩序ネットワークに変えられて、戦車又は自動車に使用可能な比較的軽量な実質的な防弾パネルを実現する。この目的を達成するように、図18は、4つの個別の秩序ナノチューブファブリック層1820、1830、1840及び1850及び3つの無秩序ナノチューブファブリック層1825、1835及び1845を備える多層ナノチューブファブリック層1800の斜視図である。4つの秩序ナノチューブファブリック層1820、1830、1840及び1850が、別々に堆積され、且つ、続くナノチューブファブリック層が堆積される前にナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられている。さらに、秩序ナノチューブファブリック層1820、1830、1840及び1850の各々が、隣接する層と比べて異なる配向に沿った秩序状態に変えられている。つまり、第1秩序ナノチューブファブリック層1820は、第1方向に適用された直線力の使用を通して秩序状態に変えられ、且つ、第2秩序ナノチューブファブリック層1830は、第2方向に適用された直線力の使用を通して秩序状態に変えられている。その他についても同様である。前述したとおり、本開示の特定の実施形態では、比較的厚いナノチューブファブリック層上に適用された方向性のある力が、当該層の表面付近の該ナノチューブだけを秩序ネットワークに変える傾向にある。このように、ナノチューブファブリック要素1800は、用いられた秩序化プロセスから残った無秩序なナノチューブ要素の層1825、1835及び1845を含む。このように、複数のレベルのナノチューブファブリック要素1800が形成され、複数の独立した秩序ナノチューブファブリック層1820、1830、1840及び1850を備える。注目すべきであるが、多層ナノチューブファブリック要素1800図18参照は、秩序ナノチューブファブリック層1820、1830、1840及び1850の間に無秩序なナノチューブ要素1825、1835及び1845を含む一方で、本発明の方法はこの点で限定されない。実際、本開示の方法では、続く層の形成の前に、それぞれ別個に形成した層が、層表面だけが整列したものとは反対に厚い秩序ナノチューブファブリック層に変えられ、本質的に無秩序な層1825、1835及び1845を排除することができる。つまり、ファブリック層が、その厚全体に亘ってナノチューブ要素の秩序ナットワークを備える。本開示のある実施形態では、それぞれ個別に形成された層が、十分に薄いままで維持可能であるため、続く層の形成の前に方向性のある力を適用する間にナノチューブファブリック層が頂部から底部まで整列することを確実にする。他の実施形態では、それぞれ個別に形成された層が、方向性のある力の十分な反復に曝されることにより、続く層の形成の前に方向性のある力を適用する間にナノチューブファブリック層が頂部から底部まで整列することを確実にする。以下の例は、本開示の方法に従って、複数の無秩序なナノチューブファブリック層を個々のナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えることを示している。各例では、精製純化ナノチューブ塗布溶液が以下の方法を通して最初に実現された。50グラムの原料つまり、官能化されていないカーボンナノチューブCNTが、マイクロエレクトロニクスグレードの硝酸中に還流された。以下の例で使用されるような原料ナノチューブの供給は、多くのベンダー例えば、ThomasSwanから購入可能である。硝酸濃度、還流時間及び温度は、開始CMT物質に基づいて最適化された。例えば、CNTが、24~30時間、120°Cで高濃度硝酸70中に還流された。硝酸還流ステップの後、酸中のCNT懸濁液は、0.35から3の硝酸溶液8~16Lに希釈され、クロスフロー濾過CFFの複数の通過がなされる。CFFの最初の通過CFF1と呼ぶは、懸濁液中の酸及び溶解金属塩を除去可能である。CFF1ステップ中の懸濁液のpHは、各ステップの後に0.3~3の硝酸に物質を回収recoveringすることにより、1/-0.3で維持される。典型的に、5~11回のCFF1ステップが実行された。CFF1ステップの後、フィルタを通過しない残余分retentateがDI脱イオン水中に集められ、DI水の懸濁液のナノチューブのpHが水酸化アンモニウム濃度29で8/-0.2に増加され、超音波で処理された。この液体には、別のCFF通過のセットがなされるCFF2と呼ぶ。CFF2は、アモルファスカーボン不純物を溶液中から除去可能である。CFF2プロセスの後、残余分がDI水に集められて、DI水液のナノチューブのpHが8/-0.2に調整されて、冷却超音波槽4~5°Cで120分間超音波処理された。このプロセスステップで、CNT処方の所望の濃度又は光学密度が、CFF2膜からの残余分を回収することに使用されたDI水の容量を制御することによって達成可能である。例えば、最後のCFF2ステップの前、CNT処方の光学密度が2であり、容量が2Lである場合、この点で浸透を通して光学密度に僅かな損失が存在することを想定して、1Lのリカバリー容量recoveryvolumeが4付近の光学密度につながり得る。同様に、最後のCFF2ステップの前にDNT処方の光学密度が2であり、容量が16Lである場合、1Lのリカバリー容量が、光学密度32のCNT処方につながり得る。実施的に実現可能なCNT処方の濃度光学密度は、限定されないが、反応に使用される開始CNT電荷、反応条件、CFFステップの数、CFF膜の孔径、CFF膜表面積及びpHに依存する。最後に、水溶液が、約20~30分間、約70000~100000gで2又は3回、遠心分離される。特定の場合、沈降作用によって液中の残留金属又はカーボンナノ粒子を除去可能な遠心分離の通過の間、水溶液のpHが8/-0.2に調整される。遠心分離ステップの後、上澄みが集められて、最終的な精製ナノチューブ塗布溶液として使用された。最終的なナノチューブ塗布溶液の濃度は、使用された遠心分離条件に依存する。典型的には、約20/-5と予測される光学密度、及び、7/-0.5のpHを有するスピンコート塗布CNT溶液が使用された。さらに、以下の例の各々では、次に、この精製ナノチューブ塗布溶液が、基板層上にスピンコートされて、無秩序なナノチューブファブリック層を形成した。具体的には、3つのスピンコーティング工程が実行されて、例1、2、3、5、7、9、10、11、12、13、14、16、17、18、19及び20のナノチューブファブリック層を形成し、4つのスピンコーティング工程が実行されて、例4及び8のナノチューブファブリック層を形成し、1つのスピンコーティング工程が実行されて、例6のナノチューブファブリック層を形成し、且つ、5つのスピンコーティング工程が実行されて、例15のナノチューブファブリック層を形成した。例1、2、3、4、5、6、7、8、9、11、13、16、17、18、19及び20のナノチューブファブリック層が二酸化ケイ素基板上に形成された。例10のナノチューブファブリック層が1018低炭素鋼基板上に形成された。例12のナノチューブファブリック層がポリエチレンテレフタレートPET上に形成された。例14のナノチューブファブリック層が2024アルミニウム合金基板上に形成された。例15のナノチューブファブリック層が窒化チタンTiN基板上に形成された。全ての例にとって、スピンコーティング工程は以下のとおりである。原料ウエハが、300°Cのホットプレートで5分間、予備焼成された。ウエハが60rpmで回転する間、約3mlの調整された溶液がプラスチックピペットを介してウエハ上に散布された。30秒後、スピン速度が2秒間、500rpmに増加され、続いて、180秒間、50rpmに減少され、最後に、20秒間、2000rpmに増加された。例1~14では、各スピンコーティング工程の間、ウエハが300°Cのホットプレートに2分間配置された。例15では、各スピンコーティング工程の間、ウエハが500°Cの環境に5分間配置された。冷却サイクルの後、プロセス全体が再度繰り返されて、ウエハ上の塗布溶液の所望の数のコーティングを適用した。無秩序なナノチューブファブリック層がウエハ基板上に形成されると、方向性のある力がファブリック層表面上に適用されて以下の例のそれぞれに詳述される、ナノチューブファブリック層の少なくとも一部を、ナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えた。例20では、方向性のある力の適用の前に、シリコンナノワイヤの追加層が、ナノチューブファブリック層表面上に後述するようにスピンコーティング工程を介して適用された。最後に、アニールプロセス625°C、30分間が実行された。例1図19A~19Cは、異なる倍率それぞれ1901、1902及び1903における例示のナノチューブファブリック層のSEM画像であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液上述の3つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、各SEM画像内で示された方向に沿った方向性のある圧延力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。圧延力は、スチールハンドローラーを介して適用され、当該ローラーが、軽い圧力約2ニュートンで50回、ナノチューブファブリック層に対して直接的に回転された。図19A倍率10,000xの画像から明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、適用された圧延力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。例2図20A~20Cは、異なる倍率それぞれ2001、2002及び2003における例示のナノチューブファブリック層のSEM画像であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液上述の3つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、各SEM画像内で示された方向に沿った方向性のある摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。この摩擦力は、テフロン登録商標又はポリテトラフルオロエチレンシート上にウエハをナノチューブファブリック層がテフロン登録商標又はポリテトラフルオロエチレンシートに直接に接触するように下向きに配置し、150gの重りをウエハの反対側つまり、非コーティング側に配置し、そして、ウエハをテフロン登録商標又はポリテトラフルオロエチレンシートに沿って約5インチの距離で15回スライドさせることによって適用された。図20A倍率5,000xの画像から明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、当該適用された摩擦力から生成した整列したナノチューブの薄いバンド約2μm幅を表している。例3図21A~21Cは、異なる倍率それぞれ2101、2102及び2103における例示のナノチューブファブリック層のSEM画像であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液上述の3つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、各SEM画像内で示された方向に沿った方向性のある摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。この摩擦力は、テフロン登録商標又はポリテトラフルオロエチレンシート上にウエハをナノチューブファブリック層がテフロン登録商標又はポリテトラフルオロエチレンシートに直接に接触するように下向きに配置し、150gの重りをウエハの反対側つまり、非コーティング側に配置し、そして、ウエハをテフロン登録商標又はポリテトラフルオロエチレンシートに沿って約5インチの距離で25回スライドさせることによって適用された。図21A倍率5,000xの画像から明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、当該適用された摩擦力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。例4図22A~22Cは、異なる倍率それぞれ2201、2202及び2203における例示のナノチューブファブリック層のSEM画像であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液上述の4つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、各SEM画像内で示された方向に沿った方向性のある摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。この摩擦力は、300mmの二酸化ケイ素ウエハ上にウエハをナノチューブファブリック層が二酸化ケイ素ウエハ表面に直接に接触するように下向きに配置し、150gの重りを反対側つまり、非コーティング側に配置し、そして、ウエハを二酸化ケイ素ウエハに沿って約4インチの距離で250回スライドさせることによって適用された。図22A倍率5,000xの画像から明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、当該適用された摩擦力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。例5図23A~23Cは、異なる倍率それぞれ2301、2302及び2303における例示のナノチューブファブリック層のSEM画像であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液上述の3つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、各SEM画像内で示された方向に沿った円弧状摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。この摩擦力は、100回の円弧運動でウエハ上にウール研磨パッドを通過させることによって適用された。ウール研磨パッドは、ウエハ上を通過されるときに回転されない。図23A倍率10,000xの画像から明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、当該適用された円弧状の力の初期角度の実質的な直線的な接線方向に配向した秩序状態に変えられた。図23B倍率25,000xの画像から明らかであるとおり、適用された摩擦力の円弧方向に拘わらず、ナノチューブ要素が略直線配向に整列した。例6図24A~24Cは、異なる倍率それぞれ2401、2402及び2403における例示のナノチューブファブリック層のSEM画像であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液上述の1つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、各SEM画像内で示された方向に沿った直線的に付加された研磨力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。この研磨力は、50回の直線運動でウエハ上に円筒ベロアローラーを通過させることによって適用された。円筒ベロアローラーは、60rpmの速度で回転され、各通過で約0.4インチ/秒の一定速でウエハ上を通過した。図24C倍率75,000xの画像から明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、当該適用された研磨力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。例7図25A~25Cは、異なる倍率それぞれ2501、2502及び2503における例示のナノチューブファブリック層のSEM画像であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液上述の3つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、各SEM画像内で示された方向に沿った回転研磨力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。この研磨力は、ウエハ上に円形ウール研磨パッドを配置して、90秒間、60回転/分の速度で研磨パッドを回転させることによって適用された。図25B倍率25,000xの画像から明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、複数の方向に沿って配向した整列したナノチューブ要素の複数の領域に変えられた。例8図26A~26Cは、本開示の方法によって秩序状態に変えられる前の異なる倍率それぞれ2601、2602及び2603における例示のナノチューブファブリック層のSEM画像である。図26A~26Cのナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液上述の4つのスピンコーティング工程を介してSiウエハ上に形成された。次に、堆積ナノチューブファブリック層が、直線摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。直線摩擦力は、加重CMPパッド約75gをナノチューブファブリック層の長手方向に沿って20回スライドさせることによって適用される。図27A~27Bは、この直線摩擦力が図27A~27Cに示された方向に沿って適用された後の図26A~26Cの同ナノチューブファブリック層のSEM画像である。図27C倍率75,000xの画像から明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、適用された力の方向に配向したナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。例9図28A~28Cは、異なる倍率それぞれ2801、2802及び2803における例示のナノチューブファブリック層のSEM画像であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液上述の3つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、各SEM画像内で示された方向に沿ったクライオキネティック衝撃工程の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。図28Dは、クライオキネティック衝撃工程の適用の前の形成ナノチューブファブリック層のSEM画像2804であり、研磨力の適用前のナノチューブファブリック層の実質的に無秩序な状態を表している。ナノチューブファブリック層がシリコン基板上に形成されると、保護プラスチック層塩化ポリビニリデンに基づいたサランラップ登録商標が該ファブリック層上に配置された。そして、クライオキネティック衝撃銃Va-TranSystem,Incから入手可能な商業的ドライアイスクリーニングシステムを使用して、二酸化炭素の冷凍ペレットを10回通過でスプレーした。各通過は、10秒間でプラスチック層で保護されたウエハ表面に亘ってスプレーをスイープsweep、移動させることを含んでいる。各通過の間、保護プラスチック層は約30秒間で解凍するための時間を与えられる。図28C倍率75,000xの画像から明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、当該適用されたクライオキネティック衝撃力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。例10図29A~29Cは、1018低炭素鋼基板上に形成された例示のナノチューブファブリック層の形成及び続く秩序化を表すSEM画像である。図29Aは、ナノチューブファブリック層の堆積前の鋼基板のSEM画像2901である。図29Bは、精製ナノチューブ塗布溶液上述の3つのスピンコーティング工程を介して形成された実質的に無秩序な状態の例示のナノチューブファブリック層のSEM画像2902である。図29Cは、当該SEM画像2903内に示した方向に沿った方向性のある摩擦力の適用を通して、ナノチューブ要素の整列ネットワークに変えられた後の例示のナノチューブファブリック層のSEM画像2904である。鋼基板表面に沿った機械加工溝が、全3つのSEM画像2901、2902及び2903に現れており、SEM画像2903に示された適用された摩擦力の示された方向に直交するように延びている。この摩擦力は、レーヨン研磨パッド上にウエハを下向きに配置しつまり、ナノチューブファブリック層がレーヨン研磨パッドに直接に物理的に接触するようにウエハを配置し、そして、ウエハをパッド表面に沿って約6~8インチで50回スライドさせることによって適用された。この例で使用されたレーヨン研磨パッドは、SouthBayTechnology,Inc.のp/PRF12A-10のレーヨンファインポリッシングクロスである。図29Cから明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、当該適用された摩擦力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。例11図30A~30Cは、異なる倍率それぞれ3001、3002及び3003における例示のナノチューブファブリック層のSEM画像であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液上述の3つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、各SEM画像内で示された方向に沿った圧電性の生成摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。図30Dは、圧電性の生成摩擦力の適用の前の形成ナノチューブファブリック層のSEM画像3004であり、摩擦力の適用前のナノチューブファブリック層の実質的に無秩序な状態を表している。ナノチューブファブリック層がシリコン基板上に形成されると、保護プラスチック層塩化ポリビニリデンに基づいたサランラップ登録商標が該ファブリック層上に配置された。そして、y分極した圧電性結晶要素が、プラスチック層上に配置されて、当該要素が実質的にナノチューブファブリック層全体を被覆した。そして、重りと圧電性結晶との間に電気的絶縁を提供するようにPTFEフィルム層を使用して1.25ポンドの重りが圧電性結晶要素上に配置されたことで、結晶要素とナノチューブファブリック層との間に十分な圧力を維持する。次いで、圧電性結晶要素が、11kHz、10Vピークトゥピークで2.5時間、圧電増幅器によって駆動された。SEM画像2901、2902及び2903に示した方向が、圧電性結晶要素の振動軸を表している。図30C倍率75,000xの画像から明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、振動方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。例12図31A~31Cは、異なる倍率それぞれ3101、3102及び3103における例示のナノチューブファブリック層のSEM画像であり、当該ナノチューブファブリック層は、ポリエチレンテレフタレートPET基板上に形成され、各SEM画像内で示された方向に沿った方向性のある摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。この摩擦力は、レーヨン研磨パッド上にウエハを下向きに配置しつまり、ナノチューブファブリック層がレーヨン研磨パッドに直接に物理的に接触するようにウエハを配置し、そして、ウエハをパッド表面に沿って約6~8インチで50回スライドさせることによって適用された。この例で使用されたレーヨン研磨パッドは、SouthBayTechnology,Inc.のp/PRF12A-10のレーヨンファインポリッシングクロスである。図31C倍率75,000xの画像から明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、当該適用された摩擦力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。例13図32A~32Cは、異なる倍率それぞれ3201、3202及び3203における例示のナノチューブファブリック層のSEM画像であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液上述の3つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、各SEM画像内で示された方向に沿った高圧エアフロー研磨工程の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。図32Dは、高圧エアフロー研磨工程の適用の前の形成ナノチューブファブリック層のSEM画像3204であり、研磨力の適用前のナノチューブファブリック層の実質的に無秩序な状態を表している。ナノチューブファブリック層がシリコン基板上に形成されると、保護プラスチック層塩化ポリビニリデンに基づいたサランラップ登録商標が該ファブリック層上に配置された。そして、エアガンExairから入手可能なモデル番号1410SSの商用精密安全エアガンであり、モデル番号1110SSのナノサパーエアnanosupperairノズルを装着しているを使用して、20スイープsweep、100psiでナノチューブファブリック層上に窒素ガスN2をフローさせた。各スイープは、約10秒間、ジグザグパターンにプラスチック層で保護されたウエハ表面に亘ってエアガンを移動させることを含む。図32C倍率75,000xの画像から明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、エアフローの方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。例14図33A~33Cは、2024アルミニウム合金基板上に形成された例示のナノチューブファブリック層の形成及び続く秩序化を表すSEM画像である。図33Aは、精製ナノチューブ塗布溶液上述の3つのスピンコーティング工程を介して形成された実質的に無秩序な状態の例示のナノチューブファブリック層のSEM画像3301である。図33Bは、当該SEM画像3302内に示した方向に沿った方向性のある摩擦力の適用を通して、ナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた後の例示のナノチューブファブリック層のSEM画像3302である。この摩擦力は、レーヨン研磨パッド上にウエハを下向きに配置しつまり、ナノチューブファブリック層がレーヨン研磨パッドに直接に物理的に接触するようにウエハを配置し、そして、ウエハをパッド表面に沿って約6~8インチで50回スライドさせることによって適用された。この例で使用されたレーヨン研磨パッドは、SouthBayTechnology,Inc.のp/PRF12A-10のレーヨンファインポリッシングクロスである。図33Bから明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、当該適用された摩擦力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。注目すべきであるが、2024アルミニウム合金基板は、酸化アルミニウム表面コーティング内に大きいポア孔を表し、そこでは、ナノチューブファブリック層内のナノチューブ要素が表面から凹んだ位置に置かれる。これらポア領域内のナノチューブ要素は、整列の証拠をほとんど示さないが、より高密度の酸化アルミニウム面の表面上のナノチューブ要素つまり、ポア内でない該ナノチューブ要素が、非常に高度の整列アライメントを示している。これは、ファブリックとの接触が当該サンプルを整列させることに重要な特徴であることを示唆している。例15図34A~34Cは、異なる倍率それぞれ3401、3402及び3403における例示のナノチューブファブリック層のSEM画像であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液上述の5つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、各SEM画像内で示された方向に沿った方向性のある摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。この摩擦力は、20ROHMHAASSPM3100のCMPパッド上にウエハをナノチューブファブリック層がCMPパッド表面に直接接触するように下向きに配置することによって適用された。摩擦工程の開始前、CMP装置のヘッドに装填ロードされたウエハが、脱イオン化した水でスプレーされて、ウエハ表面上のナノチューブファブリック層とCMPパッドとの間の界面に潤滑媒体を提供する。CMPヘッドが、1.6インチの最大ストローク長において10ストローク/分の速度で5分間、CMPパッド上でウエハを前後に通過する。ウエハがその表面に亘って摩擦されるときにCMPパッドは回転されない。図34C倍率75,000xの画像から明らかであるとおり、ナノチューブファブリック層が、適用された摩擦力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。例16図35は、例示のナノチューブファブリック層のAFM画像3501であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液上述の3つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、電子制御された線形アクチュエータを介した摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。この例では、ニュートン線形アクチュエータモデル番号、CMA12CCCLが、ニューポート自在移動制御ドライバNewportuniversalmotioncontrollerdriverモデル番号、ESP300で駆動されて、シリコンウエハを例示のナノチューブファブリック層表面上で前後に移動させる。アクチュエータ及び移動制御ドライバの両方が、カリフォルニア州アーバインのNewportCorporationから入手可能である。この装置の使用は、当業者にとってよく知られている。シリコンウエハは、各ストローク1mmの距離で、合計100回の反復で移動された。また、アセンブリは、38gの下方の力ナノチューブファブリック層に対してシリコン摩擦面を押圧する力を提供した。図35から明らかであるとおり、ナノチューブファブリック層が、適用された摩擦力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。例17図36は、例示のナノチューブファブリック層のAFM画像3601であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液上述の3つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、電子制御された線形アクチュエータを介した摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。この例では、ニュートン線形アクチュエータモデル番号、CMA12CCCLが、ニューポート自在移動制御ドライバNewportuniversalmotioncontrollerdriverモデル番号、ESP300で駆動されて、シリコンウエハを例示のナノチューブファブリック層表面上で前後に移動させる。アクチュエータ及び移動制御ドライバの両方が、カリフォルニア州アーバインのNewportCorporationから入手可能である。この装置の使用は、当業者にとってよく知られている。シリコンウエハは、各ストローク1mmの距離で、合計1000回の反復で移動された。また、アセンブリは、42gの下方の力ナノチューブファブリック層に対してシリコン摩擦面を押圧する力を提供した。図36から明らかであるとおり、ナノチューブファブリック層が、適用された摩擦力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。例18図37は、例示のナノチューブファブリック層のAFM画像3701であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液上述の3つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、電子制御された線形アクチュエータを介した摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。この例では、ニュートン線形アクチュエータモデル番号、CMA12CCCLが、ニューポート自在移動制御ドライバNewportuniversalmotioncontrollerdriverモデル番号、ESP300で駆動されて、シリコンウエハを例示のナノチューブファブリック層表面上で前後に移動させる。アクチュエータ及び移動制御ドライバの両方が、カリフォルニア州アーバインのNewportCorporationから入手可能である。この装置の使用は、当業者にとってよく知られている。シリコンウエハは、各ストローク0.05mmの距離で、合計1000回の反復で移動された。また、アセンブリは、80gの下方の力ナノチューブファブリック層に対してシリコン摩擦面を押圧する力を提供した。図37から明らかであるとおり、ナノチューブファブリック層が、適用された摩擦力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。例19図38は、例示のナノチューブファブリック層のAFM画像3801であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液上述の3つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、電子制御された線形アクチュエータを介した摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。この例では、ニュートン線形アクチュエータモデル番号、CMA12CCCLが、ニューポート自在移動制御ドライバNewportuniversalmotioncontrollerdriverモデル番号、ESP300で駆動されて、シリコンウエハを例示のナノチューブファブリック層表面上で前後に移動させる。アクチュエータ及び移動制御ドライバの両方が、カリフォルニア州アーバインのNewportCorporationから入手可能である。この装置の使用は、当業者にとってよく知られている。シリコンウエハは、各ストローク0.01mmの距離で、合計1000回の反復で移動された。また、アセンブリは、28gの下方の力ナノチューブファブリック層に対してシリコン摩擦面を押圧する力を提供した。図38から明らかであるとおり、ナノチューブファブリック層が、適用された摩擦力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。例20図39A~39Dは、例示のシリコンナノワイヤ層と共に例示のナノチューブファブリック層を形成すること及び続く秩序化を表すSEM画像である。図39Aは、精製ナノチューブ塗布溶液上述の3つのスピンコーティング工程を介してシリコンウエハ上に最初に形成された例示のナノチューブファブリック層のSEM画像3901である。特に、単分散のシリコンナノワイヤミズーリ州のSigma-Aldrich,Inc.からモデル番号、730866で入手可能が、形成ナノチューブファブリック層に滴下して適用された。30滴が適用され、続く滴下が適用される前に各液滴を空気乾燥可能である。全30滴が適用された後、ナノチューブファブリック層及びシリコンナノワイヤ層でコーティングされたシリコンウエハが、2分間、300°Cで焼成された。図39B~39Dは、方向性のある摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた後の異なる倍率それぞれ3902、3903及び3904における例示のナノチューブファブリック及びシリコンナノワイヤ層のSEM画像である。この摩擦力は、レーヨン研磨パッド上にウエハを下向きに配置しつまり、ナノチューブファブリック及びシリコンナノワイヤ層がレーヨン研磨パッドに直接に物理的に接触するようにウエハを配置し、そして、ウエハをパッド表面に沿って約4インチで30回スライドさせることによって適用された。この例で使用されたレーヨン研磨パッドは、SouthBayTechnology,Inc.のp/PRF12A-10のレーヨンファインポリッシングクロスである。図39C倍率10,000xの画像から明らかであるとおり、ナノチューブファブリック層及びシリコンナノワイヤの両方が、当該適用された摩擦力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。本例は、限定されないが、ナノチューブ及びナノワイヤを含む高アスペクト比のナノスケール構造を整列秩序化させることに利用するための本開示の方法の普遍性を実証している。ナノチューブファブリック内のギャップ及びボイドを最小化し、又は、実質的に排除するための複数の技術を説明した。また、当該技術は、ファブリック内のナノチューブの位置を制御し、ナノチューブファブリック内のギャップの位置を制御し、且つ、ファブリック内のナノチューブの濃度を制御するように述べることができる。例えば、これら技術は、低い多孔率、高密度のファブリックを提供可能である。さらに、当該技術は、ナノチューブファブリック内のナノチューブのギャップを制御するように説明可能である。すなわち、最新リソグラフィの制限例えば、約20nm以下以下の装置を作成するための技術を開示した。また、低多孔性及び高密度なファブリックは、例えば、追加のナノチューブ要素でナノチューブフィルム内のギャップを満たすことでも作成可能である。さらに、ナノチューブファブリック層上に方向性のある力を伝達するための複数の方法及び装置を説明した。これら秩序化工程における方法のうちの1又は複数の選択及び使用は、本開示の方法のほとんどの応用において、工程中にナノチューブファブリック層内のナノチューブが損傷しない又は剥離しないような方法及び装置にのみ限定されるべきである。さらに、当業者が理解すべきであるが、ここに開示した方法で作成された秩序ナノチューブファブリックが、薄い強い耐久性のある膜が特定の機能のために要求される任意な装置、製品又はプロセスにおいて使用可能である。例えば、本開示の方法は、ファブリック内のナノチューブ要素の濃度又はファブリック内のギャップの数又はサイズが所定の許容範囲内に適合することが要求される、ナノチューブファブリックを使用する任意の用途に利用可能である。本発明は特定の実施形態に関して説明されたが、多くの他の変形及び改変並びに他の使用が当業者にとって明らかである。したがって、本発明はここにおける特定の開示によって限定されることはなく、添付のクレームで定められる。また、これらクレームは、説明したものへの修正及び改善を包含するものである。"