"基板上に形成された、酸化銅からなる粒子を含む銅系粒子堆積層を、120°C以上において、ガス状のギ酸と、ガス状の1価のアルコール/エステル/ケトンから選択される少なくとも1種の有機溶剤との混合ガスにより処理することを特徴とする金属銅膜の作製方法。酸化銅が、酸化第一銅及び/又は酸化第二銅であることを特徴とする請求項1記載の金属銅膜の作製方法。酸化銅からなる粒子の一次粒径が、1~10000nmであることを特徴とする請求項1又は2記載の金属銅膜の作製方法。銅系粒子堆積層が、基板上に、印刷法で形成されることを特徴とする請求項1~3いずれかに記載の金属銅膜の作製方法。印刷法が、インクジェット印刷、ジェットディスペンサ、ディスペンサ、ニードルディスペンサ、スクリーン印刷、凸版印刷、凹版印刷、グラビア印刷、転写印刷、ソフトリソグラフ、ディップペンリソグラフ、粒子堆積法、カンマコータ、スリットコータ、ダイコータ、グラビアコータ、スプレーコータ、スピンコータ、ディップコータ、電着塗装から選択される少なくとも一つの方法である、請求項4記載の金属銅膜の作製方法。基板が、金属、プラスティック、ガラス、セラミックス、及びこれらの複合材料から選択される少なくとも一つであることを特徴とする請求項1~5いずれかに記載の金属銅膜の作製方法。請求項4~6いずれかに記載の金属銅膜の作製方法で作製された、印刷金属銅パターン。現在、印刷形成可能で、基板密着性、低体積抵抗率、深部金属性の良好な基板ダメージのない金属銅パターンが切望されている。本発明の目的は、基板密着性に優れ、低体積抵抗率であり、基板ダメージが少なく、銅の深部まで還元することが可能な、金属銅膜の作製方法を提供することである。さらに、金属銅膜の作製方法を用い、形成した印刷金属銅パターンを提供することである。前記課題を解決するための金属銅膜の作製方法として、銅系粒子分散液及びそれを印刷した銅系粒子堆積層が酸化銅からなる粒子を含み、さらに焼結方法としては、生成するギ酸銅が昇華により塗布部周辺に拡散するより早く、ギ酸銅分子に配位しやすい官能基を有するガスを、ギ酸ガスと共存させることで、120°C以上の温度で金属銅が析出し、その際、銅系粒子堆積層外への金属銅の析出が大幅に抑えられることを見出し、本発明に至った。すなわち本発明は、以下の通りである。1基板上に形成された、酸化銅からなる粒子を含む銅系粒子堆積層を、120°C以上において、ガス状のギ酸と、ガス状の1価のアルコール/エステル/ケトンから選択される少なくとも1種の有機溶剤との混合ガスにより処理することを特徴とする金属銅膜の作製方法。2酸化銅が、酸化第一銅及び/又は酸化第二銅であることを特徴とする1記載の金属銅膜の作製方法。3酸化銅からなる粒子の一次粒径が、1~10000nmであることを特徴とする1又は2記載の金属銅膜の作製方法。4銅系粒子堆積層が、基板上に、印刷法で形成されることを特徴とする1~3いずれかに記載の金属銅膜の作製方法。5印刷法が、インクジェット印刷、ジェットディスペンサ、ディスペンサ、ニードルディスペンサ、スクリーン印刷、凸版印刷、凹版印刷、グラビア印刷、転写印刷、ソフトリソグラフ、ディップペンリソグラフ、粒子堆積法、カンマコータ、スリットコータ、ダイコータ、グラビアコータ、スプレーコータ、スピンコータ、ディップコータ、電着塗装から選択される少なくとも一つの方法である、4記載の金属銅膜の作製方法。6基板が、金属、プラスティック、ガラス、セラミックス、及びこれらの複合材料から選択される少なくとも一つであることを特徴とする1~5いずれかに記載の金属銅膜の作製方法。74~6いずれかに記載の金属銅膜の作製方法で作製された、印刷金属銅パターン。本発明の金属銅膜の作製方法で作製された、印刷金属銅パターンでは、図1bに示すように、基板面付近に緻密な金属銅膜の析出が見られ、基板との接着性に優れる。本発明の金属銅膜の作製方法では、昇華性を有するギ酸第一銅を経由することから、昇華により銅原子は粒子外にも拡散でき、金属銅が析出したと考える。このことから、基板側に追随性を持たせた樹脂基板を用いることなく基板と金属銅膜の密着を得ることができる。一方、ギ酸銅分子に配位しやすい官能基を有する分子を共存させることから、銅系粒子堆積層外への金属銅の析出を大幅に抑える事ができる。以下、本発明を実施するための形態を示す。本発明の金属銅膜の作製方法は、基板上に形成された、酸化銅からなる粒子を含む銅系粒子堆積層を、120°C以上において、ガス状のギ酸と、ガス状の1価のアルコール/エステル/ケトンから選択される少なくとも1種の有機溶剤との混合ガスにより処理することを特徴とする。以下、本発明の金属銅膜の作製方法、及び金属銅膜の作製方法で作製された、印刷金属銅パターンについて説明する。本発明の印刷金属銅パターンは、通常、従来の銅系ナノ粒子の還元焼結では得られない、厚さ1μm以上の緻密な銅膜を有し、その結果、低抵抗、高接着性を有するが、まずその作製方法及び原理について説明する。図1aに示すように、基板上に銅系粒子堆積層を有する構造体を、120°C以上に加熱した状態で、ギ酸を含むガスと接触させる。銅系粒子堆積層中の酸化銅は、ギ酸と反応し、ギ酸銅を生じる。生じたギ酸銅は、昇華しガスとして拡散するか、金属銅、水、二酸化炭素に熱分解する。この方法では、昇華したギ酸銅が、比較的長距離を移動することができ、粒子間を酸化銅由来の銅で埋めることができる。このようにして形成された銅膜は図1bに示すように、厚さ1μm以上の緻密な銅膜となり、バルクの金属銅に近い性質を示すことになる。これに対して、従来の銅系ナノ粒子の200°C以下の還元焼結では、表面エネルギーにより高いエネルギー状態にある粒子表面の銅原子のみが融着してネッキングし、粒子間の隙間はそのまま残ることとなり、低抵抗とするには限度がある。以下、本発明の各構成要素について説明する。先ず、銅系粒子堆積層について詳細に説明する。銅系粒子堆積層銅系粒子堆積層は、酸化銅からなる粒子を含有する粒子の堆積した層からなり、酸化銅は、酸化第一銅及び/又は酸化第二銅であることが好ましい。銅系粒子堆積層に含まれる酸化銅の割合は、質量比で10質量以上であることが好ましく、50質量以上であることがより好ましく、60質量以上であることがさらに好ましく、70質量以上であることが特に好ましく、80質量以上であることが極めて好ましく、90質量以上であることが最も好ましい。酸化銅の割合が10質量未満であると、緻密な銅膜が形成できないため、好ましくない。酸化銅からなる粒子以外の粒子としては、酸化銅やギ酸銅の分解に対し触媒活性を有する金属成分、例えば銅、白金、パラジウム、ロジウム、金、銀、ニッケルなどを含んでいても良い。また、該銅系粒子堆積層から、ギ酸を含むガス処理により生成される金属銅膜の緻密性向上や内部応力の調整、銅系粒子堆積層外への金属銅の析出抑制など様々な目的に応じて、該銅系粒子堆積層に有機系や無機系、金属塩等の添加剤を含んでいても良い。該添加剤としては、例えば、2、2’-ビピリジル、オルトフェナントリン、フェロシアン化カリウム、ベンゾチアゾール、チアゾール、ニコチン酸、ベンゾトリアゾール、ポリ硫化カリウム、8-アザグアニン、8-アザキサンチン、8-アザヒポキサンチン、アデニン、8-アザアデニン、グアニン、ヒポキサンチン、ノルボルナジエン、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル、ポリエチレングリコールジメチルエーテル、シアン化ナトリウム、クプロン、硫化カリウム、硫化ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、ゲルマニウム酸ナトリウム、二酸化ゲルマニウム、スズ酸ナトリウム、モリブデン酸ナトリウム、メタバナジン酸ナトリウム、五酸化バナジウム、硫酸ナトリウム、硫酸カリウム、硫酸ニッケル、硫酸銅、硝酸銅、塩化銅、ギ酸銅、酢酸銅、ほう酸、しゅう酸カリウム、チオ尿素、アリルチオ尿素、チオリンゴ酸、チオグリコール酸、チオシアン酸、グリコール酸、炭酸ナトリウム、硝酸カリウム及び鉛塩類が挙げられるが、これらに限定されない。また、酸化銅からなる粒子は、一次粒径が1~10000nmであることが好ましく、2~5000nmであることがより好ましく、3~3000nmであることがさらに好ましい。酸化銅からなる粒子の一次粒径が10000nmより大きいと、緻密な銅膜が形成できないため好ましくない。なお、粒子の一次粒径とは、一般的に、一次粒子の数平均粒子径である。また、数平均粒子径は、例えば、レーザー回折散乱法により求めることが可能である。基板上に形成する、銅系粒子堆積層の厚みは、該銅系粒子堆積層に含まれる酸化銅が還元され金属銅膜が生成するときの体積収縮を考慮し、生成する金属銅膜の厚みよりも厚く形成する必要がある。よって、銅系粒子堆積層の厚みは、0.01μm以上であることが好ましい。銅系粒子堆積層の厚みが0.01μm未満であると、生成する金属銅膜に欠損を生じる可能性があるため好ましくない。また、厚すぎると酸化銅の還元が不十分になるおそれがあるため、100μm以下が好ましく、80μm以下がより好ましく、50μm以下が特に好ましい。続いて、銅系粒子堆積層の形成方法について詳細に説明する。銅系粒子堆積層の形成方法銅系粒子堆積層は、銅系粒子を含む分散液を調製し、該分散液を塗布液として基板上に塗布し、乾燥することにより形成することができる。なお、銅系粒子を含む分散液とは、酸化銅の粒子を含む分散液のことである。前記分散液中の銅系粒子の濃度は、塗布あるいは印刷手法に使用できる粘度、分散性から主に制約を受け、固形分として5~80質量とすることが好ましく、10~60質量とすることがより好ましく、10~50質量とすることがさらに好ましい。分散は、超音波分散機、ビーズミルなどのメディア分散機、ホモミキサーやシルバーソン攪拌機などのキャビテーション攪拌装置、アルティマイザーなどの対向衝突法、クレアSS5などの超薄膜高速回転式分散機、自転公転式ミキサなどを用いて行うことができる。該分散液の分散媒としては、銅系粒子を分散可能であれば良く、例えば、N-メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、プロピレンカーボネート、γ-ブチロラクトン、スルホラン、炭酸プロピレン、シクロヘキサノン、アニソール、N,N-ジメチルホルムアミド、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、1,3-ブチレングリコールジアセテート等が挙げられるが、これらに限定されない。これらの分散媒は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。また、分散液の表面張力を調整するための調整剤を含んでも良い。銅系粒子堆積層は、上記方法で調整した銅系粒子を含む分散液を調製し、該分散液を塗布液として基板上に塗布し、乾燥することにより形成することができる。銅系粒子堆積層のパターニングに用いる印刷法は、該銅系粒子堆積層を、基板の任意の場所に付着させられる手法であれば良く、このような手法として、インクジェット印刷、静電誘引法によるインクジェット印刷一般にスーパーインクジェットとも呼ばれる、ジェットディスペンサ、ディスペンサ、ニードルディスペンサ、スクリーン印刷、凸版印刷、凹版印刷、グラビア印刷、転写印刷、ソフトリソグラフ、ディップペンリソグラフ、粒子堆積法、カンマコータ、スリットコータ、ダイコータ、グラビアコータ、スプレーコータ、スピンコータ、ディップコータ、電着塗装を用いることができるが、これらに限定されない。また、前記の印刷法により作製された、金属銅膜は、印刷金属銅パターンとして使用できる。さらに、本発明の金属銅膜の作製方法により作製された、金属銅膜は、例えば、導体配線、バンプ、熱伝導路として好適であり、さらに、放熱性が要求される、熱交換機、放熱装置等に使用可能である。該分散液を塗布し、銅系粒子堆積層を形成するための下地となる基板は、該銅系粒子堆積層が形成可能な基板であれば良く、このような基板として、鉄、銅、金、銀、ニッケル、コバルト、クロムなどの金属及びこれらの金属を含んだ合金、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネートエステル樹脂、繊維強化樹脂、粒子充填樹脂、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリフェニレンスルフィド、架橋ポリビニル樹脂などのプラスティック、ガラス、セラミックス、その他の複合材料などが挙げられる。続いて、銅系粒子堆積層から、ギ酸を含むガス処理により作製される金属銅膜の作製方法について詳細に説明する。ガス処理本発明の金属銅膜の作製方法は、ガス状のギ酸と、ガス状の1価のアルコール/エステル/ケトンから選択される少なくとも1種の有機溶剤との混合ガスにより処理することを特徴とする。該有機溶剤は、ギ酸銅に配位するための極性があり、且つ有機溶剤の蒸気圧は、ギ酸と同等もしくはギ酸より高いものが好ましい。例えば、1価のアルコールでは、メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、エステルでは、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸イソプロピル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、ケトンでは、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン等が挙げられるが、これらに限定されない。また、混合ガス中の有機溶剤のガスの割合は、1~90体積であることが好ましく、2~80体積であることがより好ましく、3~70体積であることがさらに好ましい。混合ガスの作製方法は、1液状のギ酸と液状の有機溶剤を混合して混合液体とし、加熱、あるいは減圧してガス状にして、被処理物銅系粒子堆積層、以下同様。に導く。または、ギ酸及び有機溶剤と反応しないガスをキャリアーとして、該混合液体をバブリングしてキャリアーガスと共に混合ガスを被処理物に導く。2液状のギ酸と液状の有機溶剤を別々に加熱、あるいは減圧してガス状にして、ガス流路内で混合して混合ガスとし、被処理物に導く。または、ギ酸及び有機溶剤と反応しないガスをキャリアーとして、それぞれの液体をバブリングしてキャリアーガスと共に流路内で混合して混合ガスとし、被処理物に導く等の方法が、挙げられるが、これらに限定されない。なお、前記1の方法の場合、液状のギ酸と液状の有機溶剤の混合割合は、質量比で、ギ酸:有機溶剤=1~9:9~1が好ましく、5~9:5~1がより好ましい。該キャリアーガスは、ギ酸及び有機溶剤と反応しないガスであり、且つ銅系粒子分散液及び/又は銅系粒子堆積層に含まれる酸化銅、分散媒、表面調整剤、添加剤及び生成する金属銅と反応しないガスであることが好ましい。例えば、ヘリウム、ネオン、アルゴンなどの希ガス、窒素、二酸化炭素などが挙げられる。液状のギ酸が被処理物に付着すると、被処理物の温度は、ギ酸の沸点である100°Cまで下がり、還元が進行せず、酸化銅の一部はギ酸に溶け出し、堆積層の流失や塗布部位外への銅の析出が起こるなど問題が生じるため、液状のギ酸が被処理物に付かないようにすることが好ましい。ガス処理の前処理ガス処理の前処理として、印刷形成した銅系粒子堆積層に残存する分散媒を除去することが望ましい。除去方法としては、加熱除去、減圧除去などが挙げられるが、120°C以上に加熱した被処理物に該キャリアーガスを通じて除去する方法が好ましい。処理条件混合ガスによる処理温度は、金属銅が析出する温度である120°C以上であり、反応速度の点から140°C以上が好ましい。処理温度の上限は、基板の耐熱温度により規定されるが、250°C以下であることが好ましい。また、処理圧力は、特に制約なく、大気圧、減圧、加圧いずれの条件でも良い。また、混合ガスによる処理時間は、通常、5~180分間であり、10~120分間が好ましい。ガス処理の後処理処理に用いたガスが金属銅表面に残存すると金属銅の腐食の原因となる可能性が高いことから、ガス処理後にギ酸の除去工程を設けても良い。ギ酸ガスを含む混合ガスの除去方法としては、窒素などの無酸素ガス気流下での加熱、減圧下での加熱、あるいは水洗を用いることができる。無酸素ガス気流下での加熱としては、ギ酸ガス処理槽内でギ酸ガスを含まない無酸素ガスを供給しての加熱、無酸素ガスオーブン、無酸素ガス気流での熱源による加熱を用いることができる。減圧下での加熱としては、減圧槽内でガス処理した場合にはギ酸ガスの供給を停止しての減圧加熱、減圧オーブンを用いることができる。以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。実施例1銅系粒子分散液の調製銅系粒子分散液は、酸化銅ナノ粒子数平均一次粒径70nm、シーアイ化成株式会社製40gをポリ瓶に秤量し、固形分40質量になるようγ-ブチロラクトン和光純薬工業株式会社製を加え、密栓後振り混ぜた後、超音波ホモジナイザーUS-600TCVP、株式会社日本精機製作所製により19.5kHz、600Wで5分処理して調製した。銅系粒子堆積層サンプルの作製厚さ1mmのスライドガラスに該銅系粒子分散液を滴下し、ギャップ50μmに調整したベーカーアプリケータYBA型、ヨシミツ精機株式会社製により塗布した。その後、60°Cに加熱したホットプレート上に置き30分間乾燥し、厚さ15μmの銅系粒子堆積層サンプルを得た。混合ガス処理洗気瓶にギ酸和光純薬工業株式会社製及びメタノール和光純薬工業株式会社製を質量比7:3で入れ、窒素をバブリングして混合ガスの発生装置とした。銅系粒子堆積層サンプルは、オイルバスで加熱した平底のセパラブルフラスコの底に銅板を敷いた上にセットした。この表面にクロメルアルメル熱電対をセットしサンプル温度を測定した。このサンプルをセットしたセパラブルフラスコに窒素を流しながら240°Cのオイルバスで加熱しサンプルの温度が一定180°Cになった後、混合ガスの発生装置で発生させたギ酸メタノール混合ガスを含む窒素ガスをこのセパラブルフラスコに通じ、100分間ガス処理した。その際、黒色であった銅系粒子堆積層は、混合ガス導入後60分で全体が銅色に変化するのが認められた。処理後、混合ガスの発生装置をはずし、窒素を流しながらセパラブルフラスコを放冷し、サンプルが60°C以下になった後、サンプルを空気中に取り出した。表1に外観及び銅系粒子堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。なお、外観観察は、目視により行い、また、銅系粒子堆積層外への金属銅の析出の有無は、光学顕微鏡を用い確認した。銅系粒子堆積層外塗布部周辺への金属銅の析出量拡散量が、5μm未満の場合を無し、5~50μmの場合を少量、50μm超の場合を多量とした。以下、同様である。実施例2混合ガス処理におけるメタノールをエタノール和光純薬工業株式会社製に置き換えた以外は、実施例1と同様の条件で混合ガス処理を行った。表1に外観及び銅系粒子堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。実施例3混合ガス処理におけるメタノールを2-プロパノール和光純薬工業株式会社製に置き換えた以外は、実施例1と同様の条件で混合ガス処理を行った。表1に外観及び銅系粒子堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。実施例4混合ガス処理におけるメタノールをギ酸メチル和光純薬工業株式会社製に置き換えた以外は、実施例1と同様の条件で混合ガス処理を行った。表1に外観及び銅系粒子堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。実施例5混合ガス処理におけるメタノールをギ酸エチル和光純薬工業株式会社製に置き換えた以外は、実施例1と同様の条件で混合ガス処理を行った。表1に外観及び銅系粒子堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。実施例6混合ガス処理におけるメタノールをアセトン和光純薬工業株式会社製に置き換えた以外は、実施例1と同様の条件で混合ガス処理を行った。表1に外観及び銅系粒子堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。実施例7銅系粒子堆積層サンプル作製でのスライドガラスを、ポリイミド樹脂ユーピレックスS50、宇部興産株式会社製商品名、フィルム状厚さ50μmに置き換えた以外は、実施例1と同様の条件で混合ガス処理を行った。表1に外観及び銅系粒子堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。比較例1混合ガス処理において、混合ガスを、メタノールを含まないギ酸ガスとした以外は、実施例1と同様の条件で混合ガス処理を行った。表1に外観及び銅系粒子堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。比較例2混合ガス処理において、メタノールを水に置き換えた以外は、実施例1と同様の条件で混合ガス処理を行った。表1に外観及び銅系粒子堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。比較例3混合ガス処理において、メタノールをエチレングリコール和光純薬工業株式会社製に置き換えた以外は、実施例1と同様の条件で混合ガス処理を行った。表1に外観及び銅系粒子堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。実施例1~7では、銅系粒子堆積層外への金属銅の析出がなし、もしくは少量であった。一方、特定の有機溶剤を使用しない、比較例1~3では、銅系粒子堆積層外への金属銅の析出が多量であった。実施例1において作製した金属銅膜の断面SIM走査イオン顕微鏡観察像を図2に示した。また実施例1において、ガス処理時間を5分又は15分に短縮して作製した金属銅膜の断面SIM観察像を、図35分間及び図415分間にそれぞれ示した。図2から、金属銅の結晶が約1μm生成していたことがわかる。また図3及び図4から、スライドガラス上に金属銅の核が発生しており、時間の増加と共に金属銅が成長していたことがわかる。参考例1ギ酸銅IIを堆積層に用いた検証実験洗気瓶にメタノール和光純薬工業株式会社製を入れ、窒素をバブリングしてメタノールガスの発生装置とした。ギ酸銅II四水和物和光純薬工業株式会社製の粉末をスライドガラス上に設置したものを堆積層サンプルとし、オイルバスで加熱した平底のセパラブルフラスコの底に銅板を敷いた上にセットした。この表面にクロメルアルメル熱電対をセットしサンプル温度を測定した。このサンプルをセットしたセパラブルフラスコに窒素を流しながら180°Cのオイルバスで加熱しサンプルの温度が一定145°Cになった後、ガスの発生装置で発生させたメタノールガスを含む窒素ガスをこのセパラブルフラスコに通じ、10分間ガス処理した。その際、深緑色であったギ酸銅II四水和物は、メタノールガス導入後60分で全体が銅色に変化するのが認められた。処理後、メタノールガスの発生装置をはずし、窒素を流しながらセパラブルフラスコを放冷し、サンプルが60°C以下になった後、サンプルを空気中に取り出した。表2に外観及び堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。参考例2参考例1のメタノールをエタノール和光純薬工業株式会社製に置き換えた以外は、参考例1と同様の条件でガス処理を行った。表2に外観及び堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。参考例3参考例1のメタノールを2-プロパノール和光純薬工業株式会社製に置き換えた以外は、参考例1と同様の条件でガス処理を行った。表2に外観及び堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。参考例4参考例1のメタノールをギ酸メチル和光純薬工業株式会社製に置き換えた以外は、参考例1と同様の条件でガス処理を行った。表2に外観及び堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。参考例5参考例1のメタノールをギ酸エチル和光純薬工業株式会社製に置き換えた以外は、参考例1と同様の条件でガス処理を行った。表2に外観及び堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。参考例6参考例1のメタノールをアセトン和光純薬工業株式会社製に置き換えた以外は、参考例1と同様の条件でガス処理を行った。表2に外観及び堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。参考例7参考例1のメタノールを使用せず、窒素ガスのみ通じた以外は、参考例1と同様の条件でガス処理を行った。表2に外観及び堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。参考例8参考例1のメタノールを水に置き換えた以外は、参考例1と同様の条件でガス処理を行った。表2に外観及び堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。参考例9参考例1のメタノールをエチレングリコール和光純薬工業株式会社製に置き換えた以外は、参考例1と同様の条件でガス処理を行った。表2に外観及び堆積層外への金属銅の析出の有無を示した。参考例1~6では、堆積層外への金属銅の析出がなかった。一方、特定の有機溶剤を使用しない、参考例7~9では、堆積層外への金属銅の析出が多量であった。有機溶剤は、ギ酸銅に配位するための極性があり、ギ酸銅分子に配位しやすい官能基を有する、特定の有機溶剤ガスを、ギ酸銅に配位させることで、120°C以上の温度で金属銅が析出し、その際、銅系粒子堆積層外への金属銅の析出が大幅に抑えられることがわかる。よって、ギ酸ガスにより、酸化銅をギ酸銅とし、さらに、特定の有機溶剤ガスを、併用する方法が、有効であることがわかる。以上説明したとおり、本発明では、銅系粒子堆積層には酸化銅からなる粒子を含み、還元手法にはガス状のギ酸と、ガス状の1価のアルコール/エステル/ケトンから選択される少なくとも1種の有機溶剤との混合ガスを用いることにより、従来の銅系ナノ粒子の還元焼結では得られない、厚さ1μm以上の緻密な金属銅膜が得られた。さらに、銅系粒子堆積層外への金属銅の析出を大幅に抑えることができる。"