"厚み方向の一の面側にストリップ導体である共通伝送線路および一対の分岐伝送線路が設けられ、前記共通伝送線路と前記一対の分岐伝送線路の各々との間に間隙が形成されているベース基板と、前記一対の分岐伝送線路に1対1で対応し、対応する分岐伝送線路と前記共通伝送線路との間を電気的にオンオフする一対の可動接点と、前記ベース基板の前記一の面に対向して配置され、前記一対の分岐伝送線路の各々と前記共通伝送線路との間の一方をオン状態にし他方をオフ状態にするように前記一対の可動接点を可動させる可動部とを備え、前記共通伝送線路は、端子と接続する主導体を有し、当該主導体の側縁と前記間隙との間の距離が使用周波数帯域の上限の波長の1/4未満になるように形成されていることを特徴とするスイッチ。前記可動部は、両端間の所定位置を通る軸を第1の支点として揺動する主可動部と、各々の先端が対向するように前記主可動部の前記両端から延びて設けられた一対の補助可動部とを有し、前記一対の補助可動部は、前記先端側に前記一対の可動接点が1対1で対応して設けられ、前記先端と基端との間の1点を第2の支点とし、前記主可動部の揺動に連動して揺動することを特徴とする請求項1記載のスイッチ。前記一対の分岐伝送線路に1対1で対応し、対応する分岐伝送線路と接地領域との間を電気的にオンオフする一対の接地用可動接点を備え、前記一対の接地用可動接点は、前記可動部の動きによって、前記一対の分岐伝送線路の各々について前記共通伝送線路との間がオフ状態である場合に前記接地領域との間がオン状態になるように可動することを特徴とする請求項1記載のスイッチ。前記一対の分岐伝送線路に1対1で対応するように前記一対の補助可動部の基端側に1対1で設けられ、対応する分岐伝送線路と接地領域との間を電気的にオンオフする一対の接地用可動接点を備え、前記一対の接地用可動接点は、前記主可動部および前記一対の補助可動部の揺動によって、前記一対の分岐伝送線路の各々について前記共通伝送線路との間がオフ状態である場合に前記接地領域との間がオン状態になるように可動することを特徴とする請求項2記載のスイッチ。前記ベース基板の厚み方向の他の面側には、地導体が設けられていることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のスイッチ。前記ベース基板の前記一の面側には、接地導体が前記一対の分岐伝送線路に並んで設けられていることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のスイッチ。電気信号に応じて前記一対の可動接点を電気的にオンオフさせるように前記可動部を駆動する駆動部を備えることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載のスイッチ。しかしながら、特許文献2に記載されたような従来のスイッチでは、図8aに示すように、一の端子電極41においてオープン構造になった経路がオープンスタブ42となる。このため、図8bに示すようにある周波数図8bでは33GHz付近においてリプルが発生するという問題があった。図8bに示すリプルは、オープンスタブ42の長さが信号の波長の{1/4n/2}n=0,1,2......倍となる周波数で発生する。上記問題は、使用周波数帯域が高周波である場合、短い長さのオープンスタブでも顕著に表われる。本発明は上記の点に鑑みて為され、本発明の目的は、使用周波数帯域においてリプルの発生を抑制することができるスイッチを提供することにある。本発明のスイッチは、厚み方向の一の面側にストリップ導体である共通伝送線路および一対の分岐伝送線路が設けられ、前記共通伝送線路と前記一対の分岐伝送線路の各々との間に間隙が形成されているベース基板と、前記一対の分岐伝送線路に1対1で対応し、対応する分岐伝送線路と前記共通伝送線路との間を電気的にオンオフする一対の可動接点と、前記ベース基板の前記一の面に対向して配置され、前記一対の分岐伝送線路の各々と前記共通伝送線路との間の一方をオン状態にし他方をオフ状態にするように前記一対の可動接点を可動させる可動部とを備え、前記共通伝送線路は、端子と接続する主導体を有し、当該主導体の側縁と前記間隙との間の距離が使用周波数帯域の上限の波長の1/4未満になるように形成されていることを特徴とする。このスイッチにおいて、前記可動部は、両端間の所定位置を通る軸を第1の支点として揺動する主可動部と、各々の先端が対向するように前記主可動部の前記両端から延びて設けられた一対の補助可動部とを有し、前記一対の補助可動部は、前記先端側に前記一対の可動接点が1対1で対応して設けられ、前記先端と基端との間の1点を第2の支点とし、前記主可動部の揺動に連動して揺動することが好ましい。このスイッチにおいて、前記一対の分岐伝送線路に1対1で対応し、対応する分岐伝送線路と接地領域との間を電気的にオンオフする一対の接地用可動接点を備え、前記一対の接地用可動接点は、前記可動部の動きによって、前記一対の分岐伝送線路の各々について前記共通伝送線路との間がオフ状態である場合に前記接地領域との間がオン状態になるように可動することが好ましい。このMEMSスイッチにおいて、前記一対の分岐伝送線路に1対1で対応するように前記一対の補助可動部の基端側に1対1で設けられ、対応する分岐伝送線路と接地領域との間を電気的にオンオフする一対の接地用可動接点を備え、前記一対の接地用可動接点は、前記主可動部および前記一対の補助可動部の揺動によって、前記一対の分岐伝送線路の各々について前記共通伝送線路との間がオフ状態である場合に前記接地領域との間がオン状態になるように可動することが好ましい。このMEMSスイッチにおいて、前記ベース基板の厚み方向の他の面側には、地導体が設けられていることが好ましい。このMEMSスイッチにおいて、前記ベース基板の前記一の面側には、接地導体が前記一対の分岐伝送線路に並んで設けられていることが好ましい。このMEMSスイッチにおいて、電気信号に応じて前記一対の可動接点を電気的にオンオフさせるように前記可動部を駆動する駆動部を備えることが好ましい。本発明では、共通伝送線路の主導体と間隙との間の距離が使用周波数帯域の上限の波長の1/4未満になるので、オフ状態におけるオープンスタブの長さを使用周波数帯域の上限の波長の1/4未満にすることができる。その結果、使用周波数帯域において、オープンスタブに起因するリプルの発生を抑制することができ、使用周波数帯域が高周波側に広がった場合に対応することができる。以下の実施形態1,2では、単極双投SPDT:SinglePoleDoubleThrough型のMEMSMicroElectroMechanicalSystemsスイッチについて説明する。実施形態1実施形態1に係るMEMSスイッチは、図1に示すように、ベース基板1と、可動部形成基板2とを備えている。図示していないが、MEMSスイッチは、カバー基板と、駆動部とをさらに備えている。ベース基板1は、絶縁性基板の一種であるガラス基板からなる基板101を用いて形成されている。基板101は、ガラス基板に限らず、例えば、高抵抗率のシリコン基板または低温同時焼成セラミック基板LowTemperatureCofiredCeramicSubstrate:LTCC基板などであってもよい。基板101として用いられるガラス基板のガラス材料としては、硼珪酸ガラスが採用されるが、硼珪酸ガラスに限らず、ソーダガラス、無アルカリガラス、石英ガラスなどであってもよい。ベース基板1は、矩形板状に形成されている。ベース基板1の一の面102側には、入力側伝送線路11と第1の出力側伝送線路12と第2の出力側伝送線路13と第1の接地パッド14と第2の接地パッド15との組み合わせが2組設けられている。入力側伝送線路11と第1の出力側伝送線路12との間には第1の間隙115が形成され、入力側伝送線路11と第2の出力側伝送線路13との間には第2の間隙116が形成されている。ベース基板1の他の面103には、入力端子16と第1の出力端子17と第2の出力端子18と地導体19との組み合わせが2組設けられている。本実施形態のベース基板1には、マイクロストリップライン構造が設けられている。入力側伝送線路11は、金属層などにより構成されたストリップ導体である。入力側伝送線路11に用いられる金属は、例えばAu、Ni、Cu、Pd、Rh、Pt、Ir、Osの群から選択される1種またはこれらの合金である。入力側伝送線路11は、入力端子16と接続する主導体111と、主導体111から分岐した第1の分岐導体112と、第1の分岐導体112とは別に主導体111から分岐した第2の分岐導体113とを備えている。主導体111は、長方形状に形成されている。第1の分岐導体112は第1の出力側伝送線路12に1対1で対応し、第2の分岐導体113は第2の出力側伝送線路13に1対1で対応している。入力側伝送線路11は、主導体111において、貫通孔配線114によって入力端子16と電気的に接続されている。第1の出力側伝送線路12および第2の出力側伝送線路13は、金属層などにより構成されたストリップ導体であり、ベース基板1の長手方向図1のx軸方向に沿って設けられている。第1の出力側伝送線路12および第2の出力側伝送線路13に用いられる金属は、例えばAu、Ni、Cu、Pd、Rh、Pt、Ir、Osの群から選択される1種またはこれらの合金である。第1の出力側伝送線路12は、貫通孔配線121によって第1の出力端子17と電気的に接続されている。第2の出力側伝送線路13は、貫通孔配線131によって第2の出力端子18と電気的に接続されている。第1の接地パッド14および第2の接地パッド15は、金属層などにより構成されている。第1の接地パッド14および第2の接地パッド15に用いられる金属は、例えばAu、Ni、Cu、Pd、Rh、Pt、Ir、Osの群から選択される1種またはこれらの合金である。第1の接地パッド14は、貫通孔配線141によって地導体19と電気的に接続されている。第2の接地パッド15は、貫通孔配線151によって地導体19と電気的に接続されている。カバー基板図示せずは、例えばガラス基板、高抵抗率のシリコン基板またはLTCC基板など、ベース基板1の基板101と同じ材料であり、ベース基板1の一の面102に対向して配置されている。可動部形成基板2は、シリコン基板からなる半導体基板を用いて形成されている。可動部形成基板2に用いられる半導体基板は、シリコン基板に限らず、例えば、シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層の3層構造を有するSOISiliconOnInsulator基板などであってもよい。また、上記半導体基板は、シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層の5層構造ダブルSOI構造を有するダブルSOI基板であってもよい。可動部形成基板2は、図1aに示すように、フレーム部21と、主可動部22と、複数図示例では2つの第1の補助可動部23,23と、複数図示例では2つの第2の補助可動部24,24とを備えている。可動部形成基板2は、ベース基板1とカバー基板図示せずとの間に配置されている。主可動部22と複数の第1の補助可動部23,23と複数の第2の補助可動部24,24との組み合わせは、可動部としての機能を有している。フレーム部21は、主可動部22よりも大きな長方形状に形成され、長手方向図1aのx軸方向の中心には、主可動部22に接続される一対の支持部211,211が設けられている。主可動部22は、略長方形状に形成され、長手方向図1aのx軸方向の中心で一対の支持部211,211に接続されてフレーム部21に支持された状態で、ベース基板1の一の面102に対向して配置されている。主可動部22は、駆動部図示せずによって、図2の矢印のように、フレーム部21に支持される位置を支点として揺動する。第1の補助可動部23および第2の補助可動部24の組み合わせは、主可動部22の長手方向の両端から長手方向に沿って延びて2組設けられている。第1の補助可動部23の先端231には、第1の可動接点25が設けられている。第2の補助可動部24の先端241には、第2の可動接点26が設けられている。第1の可動接点25は、第1の出力側伝送線路12に1対1で対応し、第1の出力側伝送線路12と入力側伝送線路11との間を電気的にオンオフする。第2の可動接点26は、第2の出力側伝送線路13に1対1で対応し、第2の出力側伝送線路13と入力側伝送線路11との間を電気的にオンオフする。第1の可動接点25および第2の可動接点26は、導電性が良好な金属材料などで形成されている。第1の可動接点25および第2の可動接点26は、例えば、スパッタ法、電気めっき法、真空蒸着法などを利用して形成される。なお、第1の可動接点25および第2の可動接点26の材料は、例えば、Au、Ag、Cr、Ti、Pt、Ru、Rh、Co、Ni、Cuの群から選択される1種またはこれらの合金であってもよい。また、第1の可動接点25および第2の可動接点26は、単層構造に限らず、多層構造であってもよい。第1の補助可動部23および第2の補助可動部24の先端231,241と基端232,242との間には、カバー基板側に突出する突片233,243が設けられている。第1の補助可動部23および第2の補助可動部24は、主可動部22の揺動に従って、突片233,243を支点として揺動する。つまり、第1の補助可動部23および第2の補助可動部24は、主可動部22の揺動に従って基端232,242が可動し、基端232,242と支点を挟んで位置する先端231,241は基端232,242とは反対側に可動する。上記より、第1の可動接点25は、主可動部22および第1の補助可動部23の揺動により、第1の出力側伝送線路12と入力側伝送線路11との間のオン状態とオフ状態とを切り替えるように可動する。第2の可動接点26は、主可動部22および第2の補助可動部24の揺動により、第2の出力側伝送線路13と入力側伝送線路11との間のオン状態とオフ状態とを切り替えるように可動する。このとき、第1の可動接点25および第2の可動接点26は、1つの可動部の揺動によって、第1の出力側伝送線路12と入力側伝送線路11との間および第2の出力側伝送線路13と入力側伝送線路11との間の一方をオン状態にし、他方をオフ状態にするように可動する。駆動部図示せずは、電磁駆動式であり、例えばカバー基板に収納された電磁石装置と、主可動部22に設けられた磁性体板からなるアーマチュアとを備えている。電磁石装置がアーマチュアを動かすことにより、駆動部は主可動部22を揺動させる。なお、駆動部は、電磁駆動式に限らず、静電駆動式であってもよい。また、駆動部の電磁石装置は、カバー基板ではなく、ベース基板1に収納されていてもよい。上記のような構成の本実施形態のMEMSスイッチにおいて、入力側伝送線路11は、主導体111と第1の間隙115との間の第1の距離L1および主導体111と第2の間隙116との間の第2の距離L2のいずれもが使用周波数帯域の上限の波長λの1/4未満になるように形成されている。第1の距離L1は、図1のx軸方向における第1の分岐導体112の基端から先端までの距離第1の分岐導体112の長さである。第2の距離L2は、図1のx軸方向における第2の分岐導体113の基端から先端までの距離第2の分岐導体113の長さである。第1の分岐導体112は、第1の可動接点25がオフ状態であって第2の可動接点26がオン状態である場合にオープンスタブとなる部分である。第2の分岐導体113は、第2の可動接点26がオフ状態であって第1の可動接点25がオン状態である場合にオープンスタブとなる部分である。オープンスタブとなる第1の分岐導体112および第2の分岐導体113の第1,2の距離L1,L2をλ/4未満とすることによって、オフ状態であっても、使用周波数帯域において、オープンスタブに起因するリプル図8b参照の発生を抑制することができる。図3は、入力側伝送線路11に第1の分岐導体112および第2の分岐導体113が存在しないように形成された場合を示す。図3に示す入力側伝送線路11は最も好ましい形状であり、オープンスタブが存在しない。したがって、いずれの周波数帯域においても、オープンスタブに起因するリプルは発生しない。ところで、本実施形態のMEMSスイッチは、図1に示すように、第1の補助可動部23の基端232側に第1の接地用可動接点27を備え、第2の補助可動部24の基端242側に第2の接地用可動接点28を備えている。第1の接地用可動接点27および第2の接地用可動接点28は、導電性が良好な金属材料などで形成されている。第1の接地用可動接点27および第2の接地用可動接点28は、例えばスパッタ法、電気めっき法または真空蒸着法などを利用して形成される。なお、第1の接地用可動接点27および第2の接地用可動接点28の材料は、例えば、Au、Ag、Cr、Ti、Pt、Ru、Rh、Co、Ni、Cuの群から選択される1種またはこれらの合金であってもよい。また、第1の接地用可動接点27および第2の接地用可動接点28は、単層構造に限らず、多層構造であってもよい。第1の接地用可動接点27は、第1の出力側伝送線路12に1対1で対応し、第1の出力側伝送線路12と第1の接地パッド14との間を電気的にオンオフする。第2の接地用可動接点28は、第2の出力側伝送線路13に1対1で対応し、第2の出力側伝送線路13と第2の接地パッド15との間を電気的にオンオフする。第1の接地用可動接点27は、主可動部22の揺動により、第1の出力側伝送線路12について入力側伝送線路11とオフ状態である場合に第1の接地パッド14とオン状態になるように可動する。第2の接地用可動接点28は、主可動部22の揺動により、第2の出力側伝送線路13について入力側伝送線路11とオフ状態である場合に第2の接地パッド15とオン状態になるように可動する。上記より、第1の接地用可動接点27および第2の接地用可動接点28は、1つの可動部の可動によって第1の出力側伝送線路12および第2の出力側伝送線路13の各々と接地パッド14,15との間を電気的にオンオフする。次に、本実施形態に係るMEMSスイッチの動作について図1,4,5を用いて説明する。本実施形態のMEMSスイッチの回路構成は図4に示すような構成である。まず、主可動部22の左側図1の左側がベース基板1のほうへ下がって右側図1の右側がカバー基板図示せずのほうへ上がるように駆動部図示せずが主可動部22を駆動すると、主可動部22の揺動と第1の補助可動部23および第2の補助可動部24の揺動とによって、図5の上段に示すように、第1の可動接点25はオン状態になり、第2の可動接点26はオフ状態になる。このとき、第1の接地用可動接点27はオフ状態になり、第2の接地用可動接点28はオン状態になる。これにより、第1の出力端子17はオン状態になり、第2の出力端子18はオフ状態になる。一方、主可動部22の左側図1の左側がカバー基板のほうへ上がって右側図1の右側がベース基板1のほうへ下がるように駆動部が主可動部22を駆動すると、主可動部22の揺動と第1の補助可動部23および第2の補助可動部24の揺動とによって、図5の下段に示すように、第1の可動接点25はオフ状態になり、第2の可動接点26はオン状態になる。このとき、第1の接地用可動接点27はオン状態になり、第2の接地用可動接点28はオフ状態になる。これにより、第1の出力端子17はオフ状態になり、第2の出力端子18はオン状態になる。以上の説明より、本実施形態のMEMSスイッチは、入力側伝送線路11の第1の分岐導体112および第2の分岐導体113の第1,2の距離L1,L2が使用周波数帯域の上限の波長λの1/4未満になる。これにより、オフ状態におけるオープンスタブの長さ=L1,L2を使用周波数帯域の上限の波長λの1/4未満にすることができる。その結果、使用周波数帯域において、オープンスタブに起因するリプルの発生を抑制することができ、使用周波数帯域が高周波側に広がった場合に対応することができる。また、本実施形態のMEMSスイッチは、入力側伝送線路11との間がオフ状態である出力側伝送線路1213に対して接地パッド1415との間をオン状態にする。これにより、上記出力側伝送線路1213からの電流漏れの発生を抑制することができる。つまり、アイソレーションを改善することができる。さらに、本実施形態のMEMSスイッチは、第1の可動接点25および第2の可動接点26を1つの可動部で可動させる。これにより、第1の可動接点25および第2の可動接点26に1対1で対応させて複数の可動部を備える場合より、構造を簡単にすることができる。実施形態2実施形態2に係るMEMSスイッチは、ベース基板1にマイクロストリップライン構造ではなく、図6に示すようにコプレナー線路CPW構造が設けられている点で、実施形態1に係るMEMSスイッチ図1参照と相違する。なお、実施形態1のMEMSスイッチと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。本実施形態のベース基板1には、第1の接地導体31と第2の接地導体32と第3の接地導体33との組み合わせが2組設けられている。なお、実施形態1のベース基板1図1参照と同様の機能については説明を省略する。第1の接地導体31および第2の接地導体32は、ベース基板1の長手方向図6のx軸方向に細長い線路状に形成されている。第1の接地導体31は、第1の接地用可動接点27が接触する第1の接地パッドを一部に含んでいる。第2の接地導体32は、第2の接地用可動接点28が接触する第2の接地パッドを一部に含んでいる。第3の接地導体33は、第1の出力側伝送線路12および第2の出力側伝送線路13と、第1の接地導体31および第2の接地導体32と平行に設けられている。本実施形態においても、主可動部22は、図7の矢印のように揺動する。本実施形態の主可動部22の揺動は、実施形態1の主可動部22の揺動図2参照と同様である。これにより、第1の補助可動部23および第2の補助可動部24も、実施形態1の第1の補助可動部23および第2の補助可動部24図2参照と同様に揺動する。上記より、本実施形態においても、第1の可動接点25は、主可動部22および第1の補助可動部23の揺動により、第1の出力側伝送線路12と入力側伝送線路11との間のオン状態とオフ状態とを切り替えるように可動する。第2の可動接点26は、主可動部22および第2の補助可動部24の揺動により、第2の出力側伝送線路13と入力側伝送線路11との間のオン状態とオフ状態とを切り替えるように可動する。また、本実施形態の入力側伝送線路11は、図6に示すように、第1の分岐導体112および第2の分岐導体113の各々の第1,2の距離L1,L2が使用周波数帯域の上限の波長λの1/4未満になるように形成されている。以上の説明より、本実施形態のMEMSスイッチでも、入力側伝送線路11との間がオフ状態である出力側伝送線路1213に対して接地導体3132との間をオン状態にする。これにより、上記出力側伝送線路1213からの電流漏れの発生を抑制することができる。なお、各実施形態のMEMSスイッチは、第1の接地用可動接点27および第2の接地用可動接点28を備えていない構成でもよい。上記の構成であっても、入力側伝送線路11の第1の分岐導体112および第2の分岐導体113の第1,2の距離L1,L2が使用周波数帯域の上限の波長λの1/4未満になることによって、オフ状態におけるオープンスタブの長さ=L1,L2を使用周波数帯域の上限の波長λの1/4未満にすることができる。これにより、使用周波数帯域において、オープンスタブに起因するリプルの発生を抑制することができ、使用周波数帯域が高周波側に広がった場合に対応することができる。また、各実施形態のMEMSスイッチは、入力側伝送線路11と第1の出力側伝送線路12と第2の出力側伝送線路13との組み合わせを2組ではなく1組のみ備えていてもよい。入力側伝送線路11と第1の出力側伝送線路12と第2の出力側伝送線路13との組み合わせが1組である場合、第1の接地用可動接点27と第2の接地用可動接点28との組み合わせも1組でよい。さらに、各実施形態のMEMSスイッチは、入力側と出力側とを反対にしてもよい。"