"第一の光吸収層と、第二の光吸収層と、を有し、前記第一の光吸収層は、Ib族元素、IIIb族元素、およびVIb族元素を含み、フォトルミネッセンススペクトルまたはカソードルミネセンススペクトルにおいて半値幅が1meV以上15meV以下の発光ピークを含むp型半導体層であり、前記第二の光吸収層は、Ib族元素、IIIb族元素、およびVIb族元素を含み、前記Ib族元素と前記IIIb族元素の組成比が0.1以上1.0未満であり、前記第一の光吸収層の光入射面側に設けられている、ことを特徴とする太陽電池。前記第一の光吸収層に含まれるIb族元素と前記IIIb族元素の組成比が1.0であることを特徴とする請求項1記載の太陽電池。前記第一の光吸収層上に形成される第二の層に含まれるIb族元素およびIIIb族元素が第一の光吸収層に含まれるIb族元素およびIIIb族元素と同一であることを特徴とする請求項1または2いずれか一項に記載の太陽電池。前記第一の光吸収層および第二の光吸収層に含まれるIb族元素がCuであることを特徴とする請求項1~3いずれか一項に記載の太陽電池。前記第一の光吸収層上に形成される第二の光吸収層の厚さが1nm以上100nm以下の範囲であることを特徴とする請求項1~4いずれか一項に記載の太陽電池。Ib族元素とIIIb族元素の比が1.0より大きくなるように形成した後に、異相であるIb族-VIb族化合物を除去することにより形成される層を前記第一の光吸収層として用いる請求項1~5いずれか一項に記載の太陽電池。前記第二の光吸収層を真空蒸着法、スパッタリング法の中から選ばれる一種の方法により形成することを特徴とする請求項1~6いずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。前記第二の層を真空蒸着法、スパッタリング法の中から選ばれる一種の方法に加え、続く工程で熱処理を施すことにより形成することを特徴とする請求項1~7いずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。カルコパイライト型p型半導体に於けるIb族元素およびIIIb族元素の化学量論組成比はそれぞれ、Ib組成原子/IIIb組成原子=1.0である。以下、Ib組成原子/IIIb組成原子<1.0をIb-poor組成、Ib組成原子/IIIb原子>1.0をIb-rich組成と呼ぶ。一般的なカルコパイライト型p型光吸収層を用いた太陽電池において、光吸収層はIb-poor組成に調整され用いられる。これは光吸収層におけるIb/IIIb元素比が化学量論組成比を超え、Ib-rich組成になると、異相であるIb族元素とVIb族元素間の化合物、IbxVIbの析出が始まるためである。図3に一例として、Cu2SeおよびIn2Se3間の平衡状態相図を示す。この異相であるIbxVIbは導電性の高い材料であり、この異相が光吸収層中に存在すると下部裏面電極層および上部n型半導体層が短絡してしまい、太陽電池特性が大きく劣化してしまう。従って、これまで一般的にはIb-rich組成のカルコパイライト型p型半導体膜は光吸収層として用いられてこなかった。一方、Ibrich組成をもつカルコパイライト型p型半導体膜はIb-poor組成の膜に比べ、優れた電気的特性を持つという報告がある非特許文献2参照。非特許文献2によると、Cu-rich組成で形成されたCIGSe膜は欠陥密度が小さいとされている。この膜を太陽電池の光吸収層に用いた場合、光生成キャリアの輸送特性が高いため、高い変換効率が得られると考えられる。しかし、上述のとおり、Cu-rich組成を持つCISe、CGSe、CIGSeは、異相であるCuxSeを同時に持ち、これにより本来のCu-rich組成膜がもつ良好なキャリア輸送特性を活かすことができない。この課題を解決するために、異相であるIbxSeを選択的に除去する技術がある非特許文献3参照。シアン化カリウムKCN水溶液に浸漬することで選択的に異相であるIb族元素-VIb族元素化合物のみを膜からエッチングする技術である。これによりIb-rich組成で形成されたカルコパイライト型p型半導体膜のみを光吸収層として用いることができる。しかし、このKCNエッチングされた光吸収層、すなわち異相である導電性IbxSe層を持たない光吸収層を用い、太陽電池を作成しても、エッチング前に比べると特性は改善されるものの、本来のIb-rich組成膜がもつ良好なキャリア輸送特性から期待される高い開放電圧は得られず変換効率は低い。一般的に、半導体材料に光や電子線を照射するとフォトルミネッセンス以下PLと呼ぶおよびカソードルミネセンス以下CLと呼ぶと呼ばれる発光が得られる。太陽電池の光吸収層に用いられるカルコパイライト型p型半導体膜においても同様の発光が得られる。光吸収層に用いるカルコパイライト型半導体は通常ホールを多数キャリアとするp型半導体であるが、ホールを形成するアクセプタだけではなく電子を形成するドナー双方を持つ。PLスペクトル、CLスペクトルの形状はさまざまな要因で変化するが、その要因の一つとして、ドナー濃度およびアクセプタ濃度が挙げられる。これらの発光は二つの準位間でのエネルギー遷移、例えば伝導帯底部エネルギー準位-価電子帯頂部エネルギー準位間、ドナー準位-アクセプタ準位間、自由励起子が形成するエネルギー準位-価電子帯頂部エネルギー準位間などで起こる。p型半導体の多数キャリアはホールであるが、多数キャリアホールに対する少数キャリア電子による補償が多くなるとPLスペクトル、CLスペクトルの半値幅は広がってくる。これは先述のエネルギー準位の分布にゆらぎが生じ、各エネルギー準位間のエネルギーが変わり様々なエネルギーを持った発光が重なってくるためである。先述のように、PL、CLスペクトルは、半導体材料に存在するエネルギー準位の状態に強く依存する。半値幅の狭いPL、CLを観測できるp型半導体膜を光吸収層に用いた場合、先述のエネルギー準位のゆらぎが小さいため、キャリア再結合確率が減り、光生成キャリアの輸送特性が高くなる。これにより変換効率の改善が期待できる。カルコパイライト型p型半導体における低温10K以下測定時のPLスペクトルの半値幅はIb族/IIIb族組成比に影響を受けることが知られている非特許文献4参照。通常Ib-rich組成において、半値幅の狭い励起子発光が得られる。先述のように、PLまたはCLスペクトルの半値幅に寄与する要因のひとつとして、エネルギー準位のゆらぎの度合いがある。Ib-richにする以外にも、高いセレン分圧下における結晶成長によりSe空孔を減らしたり、膜中に混入するナトリウム濃度を低減することで、キャリア補償効果を減らし、半値幅の狭いPLまたはCLを得ることができる。しかし、いずれかの方法で作製したこの狭い半値幅のPLをもつ光吸収層を用い、太陽電池を作成しても、良好なキャリア輸送特性から期待される高い変換効率は得られない。本発明者らは、半値幅の狭いPLまたはCLが得られ、なおかつ導電性の高い異相を選択的に光吸収層から除去した光吸収層を用いたにもかかわらず、良好なキャリア輸送特性を活かすことができず変換効率の改善ができない理由として、以下のような問題があることを見出した。半値幅が狭いPLまたはCLスペクトルを持ちなおかつ異相を含まないカルコパイライトp型半導体を太陽電池の光吸収層に用いた場合の太陽電池特性の一例として、下記にCu-richCuInSe2薄膜に対しKCNエッチングを施すことで異相であるCuxSeを除去した層を光吸収層として用いた太陽電池の逆方向飽和電流密度j0および並列抵抗RPおよび開放電圧Voc、短絡電流密度Jsc、曲線因子FF、変換効率ηの値の一例を示す。なおこの層の10KケルビンにおけるPLスペクトルの半値幅は7meV、CLスペクトルの半値幅は7meVであった。j0:5.11x10-8A/cm2、RP:185Ωcm、VOC:0.400V、JSC:33.5mA/cm2、FF:0.603、η:8.08変換効率が高いCuInSe2太陽電池は一般的に、j0は10-7から10-11A/cm2オーダーの値を示し、Rpの値は500Ωcm以上である。それに比べ、Cu-richCuInSe2薄膜を光吸収層として用いた太陽電池はj0の値が大きく、RPの値が小さいことがわかる。一般的に、pn接合型太陽電池の等価回路は下式1で表される。このモデルを以下、単一ダイオードモデルと呼ぶ。j:電流密度j0:逆方向飽和電流密度jph:光電流密度e:電気素量V:電圧A:理想ダイオード因子kB:ボルツマン定数T:温度RS:直列抵抗RP:並列抵抗ここで、狭い半値幅のPL、CLが得られ、異相除去のためのKCNエッチングを施したCu-richCuInSe2薄膜を光吸収層として用いた太陽電池のVOCが低い原因を明らかにするため、式1を用いてシミュレーションを行った。パラメータとして、j0を変化させた場合の結果を図4、Rpを変化させた場合の結果を図5に示す。本発明者らは、この結果からVOCが低い原因は逆方向飽和電流j0が大きいことが主要因であることを見出した。一般的に、pn接合型半導体太陽電池において、逆方向飽和電流j0は、空乏層内での光生成キャリアの再結合、もしくはpn接合界面における光生成キャリアの再結合に起因する、と言われている。したがってKCNエッチングを施したIb-richカルコパイライト光吸収層を用いた太陽電池の効率が低い主要因は接合付近における光生成キャリアの再結合が大きいためと考えられる。以上のように、単層では電気的特性が良好で、半値幅の狭いPL、CLが得られる高いキャリア輸送特性が期待されるカルコパイライト型p型半導体膜であるが、光吸収層に応用し太陽電池を形成しても、n型半導体層との接合界面における光生成キャリアの再結合が高く、高いVOCが得ることが困難であるため、高い変換効率は達成されていない。上記目的を達成するために、本発明に係る太陽電池は、Ib族元素、IIIb族元素、およびVIb族元素を含み、フォトルミネッセンススペクトルまたはカソードルミネセンススペクトルにおいて半値幅が1meV以上15meV以下の発光ピークを含むp型半導体層である第一の光吸収層を備え、Ib族元素、IIIb族元素、およびVIb族元素を含み、Ib族元素とIIIb族元素の組成比が0.1以上1.0未満である第二の光吸収層を前記第一の光吸収層上に備える。上記本発明によれば、フォトルミネッセンススペクトルまたはカソードルミネセンススペクトルにおいて半値幅が1meV以上15meV以下の発光ピークを含むp型半導体層のみを光吸収層として備える従来の太陽電池に比べ、開放電圧を増加させ、結果的に変換効率を増加させることが可能となる。本発明者らは、上記Ib-poorの組成をもつ第二の光吸収層をフォトルミネッセンススペクトルまたはカソードルミネセンススペクトルにおいて半値幅が1meV以上15meV以下の発光ピークを含むp型半導体層である第一のp型光吸収層の上に形成し、その上にn型半導体層を形成することによってpn接合界面における光生成キャリアの再結合を低減することができ、その結果本発明の効果が得られる、と考える。下記に具体的な理由を示す。図6に、従来のフォトルミネッセンススペクトルまたはカソードルミネセンススペクトルにおいて半値幅が1meV以上15meV以下の発光ピークを含むp型半導体層のみを光吸収層として備える太陽電池のバンド構造の概略図、図7に本発明で得られる太陽電池のバンド構造の一例の概略図を示す。図7に示すように、第二の光吸収層によって光吸収層表面のバンドギャップを拡大することができる。これは価電子帯底部エネルギー位置EVが第一の光吸収層よりも低いことによるものである。これにより、この領域はn型半導体層との接合界面におけるホール注入に対する障壁層として働き、接合界面における光生成キャリアの再結合を低減することができ、その結果本発明の効果が得られる。上記本発明では、前記第一の光吸収層に含まれるIb族元素とIIIb族元素の組成比が1.0であることが好ましい。Ib族元素/IIIb族元素比が1.0より大きいと異相である導電性Ibx族-VIb族化合物の析出が起こり、太陽電池素子が短絡し特性が劣化しやすくなり本発明の効果が小さくなる傾向がある。1.0より小さいと先述のエネルギー準位のゆらぎが大きくなり、本発明の効果が小さくなる傾向がある。上記本発明では、前記第二の光吸収層に含まれるIb族元素およびIIIb族元素が第一の光吸収層に含まれるIb族元素およびIIIb族元素と同一であることが好ましい。これにより本発明の効果が顕著となる。上記本発明では、前記第一の光吸収層および第二の光吸収層に含まれるIb族元素がCuであることが好ましい。これにより本発明の効果がより顕著となる。上記本発明では、前記第一の光吸収層上に形成される第二の光吸収層の厚さが1nm以上100nm以下の範囲であることが好ましい。これにより本発明の効果がさらに顕著となる。前記フォトルミネッセンス測定において励起光依存性を測定したときに励起光強度Iexkとフォトルミネッセンス強度IPLの関係を下式2で表したとき1<k<2であることが好ましい。これにより本発明の効果は顕著となる。前記第一の光吸収層の製造工程において、いったんIb-rich成長させたのちに、過剰に析出するIb族-VIb族化合物を除去する工程を含むことが好ましい。これにより導電性の異相であるIb族-VIb族間化合物を光吸収層から除去することができ、本発明の効果が顕著となる。前記第二の光吸収層は真空蒸着法、スパッタリング法の中から選ばれる一種の方法により形成することが好ましい。これにより大面積に容易に均一な組成、膜厚分布を持ち、特性劣化の要因となる不純物成分の少ない第二の光吸収層を形成することができるため、本発明の効果が顕著となる。前記第二の光吸収層は真空蒸着法、スパッタリング法の中から選ばれる一種の方法に加え、続く工程で熱処理を施すことにより形成することが好ましい。これにより、第一のp型光吸収層から第二の光吸収層へのIb族元素の拡散量を正確に制御できるようになるとともに、第二の光吸収層の膜厚の値を正確に制御できるようになるため、本発明の効果が顕著となる。本発明によれば、フォトルミネッセンススペクトルまたはカソードルミネセンススペクトルにおいて半値幅が1meV以上15meV以下の発光ピークを含むカルコパイライトp型半導体膜を光吸収層として備える従来の太陽電池に比べ、開放電圧を増加させ、結果的に変換効率を増加させることができる太陽電池、および太陽電池の製造方法を提供することができる。以下、図面を参照しながら、本発明の好適な一実施形態について詳細に説明する。なお、図面において、同一又は同等の要素については同一の符号を付す。また、上下左右の位置関係は図面に示す通りである。また、説明が重複する場合にはその説明を省略する。太陽電池図2に示すように、本実施形態に係る太陽電池4は、ソーダライムガラス6と、ソーダライムガラス6上に形成された裏面電極層8と、裏面電極層8上に形成された第一のp型光吸収層10と、第一のp型光吸収層10上に形成された第二の光吸収層12と、第二の光吸収層12上に形成されたn型バッファ層14と、n型バッファ層14上に形成された半絶縁層16と、半絶縁層16上に形成された窓層18透明導電層と、窓層18上に形成された上部電極20取り出し電極と、を備える薄膜型太陽電池である。第一のp型光吸収層10は、Cu、Ag又はAu等のIb族元素、In、Ga又はAl等のIIIb族元素、さらにO、S、Se又はTe等のVIb族元素から構成されるp型化合物半導体層である。第一のp型光吸収層10の上に形成された第二の光吸収層12は、Cu、Ag又はAu等のIb族元素、In、Ga又はAl等のIIIb族元素、さらにO、S、Se又はTe等のVIb族元素から構成される層である。第一のp型光吸収層10のフォトルミネッセンススペクトルまたはカソードルミネッセンススペクトルはその発光ピークの半値幅が1meV以上15meV以下の発光ピークを含む。この発光スペクトルは10Kケルビン以下の低温で観測されるものである。第一のp型光吸収層10から得られるフォトルミネッセンススペクトルまたはカソードルミネセンススペクトルの半値幅が15meVより大きい場合、p型光吸収層のキャリア輸送特性は劣化してしまい、本発明の効果が得られなくなる。第一のp型光吸収層10から得られるフォトルミネッセンススペクトルまたはカソードルミネセンススペクトルの半値幅が1meVより小さい場合、その検出は困難であり、ノイズとの識別ができない。以下では、第一のp型光吸収層10または第二の光吸収層12におけるIb族元素の含有率原子とIIIb族元素の含有率原子の比をIb族元素/IIIb族元素比と記す。この発光を含む第一のp型光吸収層10上に形成された、第二の光吸収層12はCu、Ag又はAu等のIb族元素、In、Ga又はAl等のIIIb族元素、さらにO、S、Se又はTe等のVIb族元素から構成される層である。第二の光吸収層12におけるIb族元素/IIIb族元素比は0.1以上1.0未満である。第二の光吸収層に含まれるIb族元素/IIIb族元素比が0.1より小さい場合、IIIb族元素とVIb族元素間のみで化合物が生成され、光吸収およびキャリア輸送の妨げとなり特性が劣化してしまう。Ib族元素/IIIb族元素比が1.0より大きい場合、Ib族元素とVIb族元素間で導電性の化合物が生成され特性が劣化してしまう。またバンドギャップエネルギーが第一のp型光吸収層10と同一になってしまうため、目的であるホール障壁層としての役割を果たさなくなり、本発明の効果が得られなくなる。前記第一のp型光吸収層10におけるIb族元素/IIIb族元素比は1.0であることが好ましい。Ib族元素/IIIb族元素比が1.0より大きいと異相である導電性Ibx族-VIb族化合物の析出が起こり、太陽電池素子が短絡し特性が劣化しやすくなり本発明の効果が小さくなる傾向がある。1.0より小さいと先述のエネルギー準位のゆらぎが大きくなり、本発明の効果が小さくなる傾向がある。前記第一のp型光吸収層10上に形成される第二の光吸収層12に含まれるIb族元素およびIIIb族元素が第一のp型光吸収層10に含まれるIb族元素およびIIIb族元素と同一であることが好ましい。また、複数のIb族元素をそれぞれの層に用いる場合、その比率も同一であることが好ましい。同様に複数のIIIb族元素をそれぞれの層に用いる場合、その比率も同一であることが好ましい。これにより、本発明の効果を得やすくなる。第一のp型光吸収層10上に形成される第二の光吸収層12に含まれるIb族元素およびIIIb族元素が第一のp型光吸収層10に含まれるIb族元素およびIIIb族元素と同一でない場合、第一のp型光吸収層10と第二の光吸収層12のバンドギャップエネルギーが異なるものになる。これは主に伝導帯底部エネルギーEcの位置が変わることによるものである。第二の光吸収層12の伝導帯底部エネルギーEcの位置が第一のp型光吸収層10より小さい場合、接合界面の欠陥準位を介して多数キャリアの再結合が増加し開放電圧が低下してしまう。一方、第二の光吸収層12の伝導帯底部エネルギーEcの位置が第一のp型光吸収層10より大きい場合、このエネルギー差が光生成キャリアの障壁として働く。これにより取り出せるキャリアの数が減少してしまい、短絡電流密度Jscが低下してしまう。前記第一のp型光吸収層10および第二の光吸収層12に含まれるIb族元素がCuである場合、両層のバンドギャップエネルギーを約1.0eVから約3.5eVの広い範囲で調整することができ好ましい。第一のp型光吸収層10に含まれるVIb族元素がSeの場合、III族元素はInもしくはGa、またはInとGa、またはInとAlの組み合わせから選ばれる元素であることが好ましい。これにより太陽電池用光吸収層として適しているとされるバンドギャップエネルギー約1.0eV~約1.8eV間で調整することができる。第一のp型光吸収層10に含まれるVIb族元素がSの場合、IIIb族元素はInまたはInとGaの組み合わせであることが好ましい。これにより太陽電池用光吸収層として適しているとされるバンドギャップエネルギー約1.0eV~約1.8eV間で調整することができる。前記第一のp型光吸収層10上に形成される第二の光吸収層の厚さは1nm以上100nm以下であることが好ましい。1nmより薄い場合、トンネリング現象によりホール注入の障壁層としての機能が低下してしまう。また薄すぎるため形成が困難である。100nmより厚い場合、この第二の光吸収層の中でキャリア再結合が起こってしまうため特性が劣化しやすい傾向になる。第一のp型光吸収層10に対するフォトルミネッセンス測定において励起光依存性または励起電子線強度依存性を測定したときに励起光強度または励起電子線強度Iexkとフォトルミネッセンス強度IPLの関係を下式2で表したとき、kは1<k<2であることが好ましい。前記フォトルミネッセンス測定におけるkの値は、発光の起源を表すものであり、k値が前記範囲内にある発光は励起子発光である。励起子発光は、結晶性がきわめて良好な薄膜から得られるものである。結晶性がきわめて良好である薄膜は高いキャリア輸送特性を持つ。したがってk値が前記範囲内にあるフォトルミネッセンス発光が得られる膜を光吸収層に用いることで高い変換効率が得られる。太陽電池の製造方法本実施形態では、まず、ソーダライムガラス6上に裏面電極層8を形成する。裏面電極層8は、通常、Moから構成される金属層である。裏面電極層6の形成方法としては、例えばMoターゲットのスパッタリング等が挙げられる。ソーダライムガラス6上に裏面電極層8を形成した後、第一のp型光吸収層10を裏面電極層8上に形成する。第一のp型光吸収層10の形成方法としては、一段階同時真空蒸着法、二段階真空蒸着法、固相セレン化法又は気相セレン化法等が挙げられる。第一のp型光吸収層10はいったんIb族-VIb族組成が1.0より大きい値、すなわちIb-rich組成になるよう成膜することが好ましい。例えば、一段階真空蒸着法を用いる場合、IIIb族の蒸発圧力フラックスをIb族の蒸発圧力フラックスの7倍以下にすることが好ましい。7倍より大きい値にすると、Ib-rich組成は得られず、本発明の効果が小さくなる。例えば、二段階真空蒸着法を用いる場合、第一段階においてはIIIb族元素およびVIb族元素を同時に蒸着する。第二段階においてはIb族元素とVIb族元素を同時に蒸着し、Ib-rich組成になった時点で成膜を終了する。例えば、固相セレン化法、気相セレン化法を用いる場合、その前躯体としてCu2Se、Cu2S、Ag2Se、Ag2SをはじめとするIb族-VIb族元素化合物膜またはCu、AgをはじめとするIb族元素膜、およびIn2Se3、In2S3、Ga2Se3、Ga2S3、Al2Se3、Al2S3をはじめとするIIIb族-VIb族元素化合物膜、またはIn、Ga、AlをはじめとするIIIb族元素膜を成膜する。その後固体Seまたは固体Sもしくはセレン化水素雰囲気または硫化水素を含む雰囲気下で熱処理を施し、第一のp型光吸収層10を形成する。前躯体の形成には真空蒸着法、スパッタリング法、電析法、印刷法などを用いる。Ib族-VIb族元素化合物膜またはIb族元素膜と、IIIb族-VIb族元素化合物膜またはIIIb族元素膜の膜厚の比により、Ib-rich組成になるよう調整する。前記の方法で作製する第一のp型光吸収層10のIb族元素/IIIb族元素比はいったん1.1から1.6の範囲まで到達することが好ましい。これにより本発明の効果は顕著となる。比が1.1より小さい場合、キャリア輸送特性が比較的小さい膜となり、本発明の効果は小さい。比が1.6より大きい場合、通常膜表面のみに析出する導電性Ib族-VI族化合物が、膜中結晶粒界にも析出し、後の工程で完全に除去することが困難となり、本発明の効果が小さくなる傾向がある。前記第一のp型光吸収層10の形成後、過剰なIb族-VIb族化合物を除去することが好ましい。異相であるIb族-VIb族化合物の除去方法としてはシアン化カリウム水溶液への浸漬によるエッチング処理、または電気化学エッチングやフォーミングガス雰囲気下での熱処理による方法などが挙げられる。またはIIIb族とVIb族の同時蒸着を行うことで過剰なIb族-VIb族化合物と反応、消費させIb族-IIIb族-VIb族化合物を形成する方法を用いても良い。これらの方法により導電性であるIb-VIb族化合物、例えばCuxSe、CuxS、AgxSe、AgxSをはじめとする異相を第一のp型光吸収層10から除去することができ、本発明の効果は顕著となる。前記の方法で異相を除去した後、すなわち最終的に第一のp型光吸収層10として用いる層のIb族/IIIb族比は1.0であることが好ましい。この方法を取ることにより、導電性の異相であるIb族-VIb族化合物を含まず、なおかつ半値幅が狭いフォトルミネッセンスまたはカソードルミネッセンススペクトルをもつキャリア輸送特性の高い層を形成することができ、その層を本発明の太陽電池の第一のp型光吸収層10に用いることで良好な変換効率を得やすくなる。第一のp型光吸収層10形成後、第二の光吸収層12を第一のp型光吸収層10上に形成する。第二の光吸収層12の形成方法としては、以下の方法が挙げられる。第一の方法では、真空蒸着法により第一のp型光吸収層10上に第二の光吸収層12を形成する。具体例としては、ソーダライムガラス6、裏面電極層8および第一のp型光吸収層10を備える積層体以下基板と記す。を蒸着装置内に設置し、真空排気を行う。その後、基板を加熱しながらIIIb族元素およびVIb族元素を同時に蒸着する。第一の方法では、第一のp型光吸収層10から表面方向に拡散されるIb族元素と、蒸着されたIIIb族元素およびVIb族元素の反応により第二の光吸収層12を形成する。第一の方法では、蒸着装置内へ供給する各元素の蒸発量フラックスを調整することで組成、膜厚を前記の範囲内で適宜制御することが可能となる。第一の方法では、基板の温度を100~550°Cとすることが好ましい。基板の温度が低すぎる場合、IIIb族元素とVIb族元素の反応が起こりにくく、所望の第二の光吸収層12の組成、膜厚が得にくい傾向がある。一方、基板の温度が高過ぎる場合、基板が軟化して変形したり、溶解したりする傾向があり、また、成膜速度が著しく低下する傾向がある。これらの傾向は、基板の温度を上記の範囲内とすることにより抑制することができる。第一の方法において、基板温度は250~350°Cにすることがより好ましい。この範囲以下の温度で第二の光吸収層12を形成すると、IIIb族元素とVIb族元素間のみで化合物が生成されやすくなる、光吸収およびキャリア輸送の妨げとなり特性が劣化してしまう傾向がある。また第二の光吸収層12の結晶性が劣化し、良好な特性が得られない傾向がある。この範囲以上の温度で第二の光吸収層12を形成すると、第一のp型光吸収層10からのIb族元素の表面方向への過剰な拡散が起こりやすく、第一のp型光吸収層10のIb族/IIIb族元素比が減少する傾向があるとともに、第二の光吸収層12のIb族/IIIb族元素比が増加する傾向があり、組成制御が比較的困難となる。第一の方法において、基板温度を350~550°Cとする場合、IIIb族元素およびVIb族元素に加え、Ib族元素を合わせて蒸着することが好ましい。これにより、第一のp型光吸収層10から第二の光吸収層12へのIb族元素の過剰な拡散を抑えることができる。第一のp型光吸収層10からのIb族元素の表面方向への過剰な拡散が起こった場合、第一のp型光吸収層10のIb族/IIIb族元素比が減少する傾向があるとともに、第二の光吸収層12のIb族/IIIb族元素比が増加する傾向があり、組成制御が比較的困難となる。また、第一のp型光吸収層10からのIb族元素の膜表面方向すなわち第二の光吸収層12への過剰な拡散が起こった場合、第一のp型光吸収層から得られるフォトルミネッセンスまたはカソードルミネッセンススペクトルの半値幅が大きくなる傾向がある。これによりキャリア輸送特性が劣化しやすくなる。この傾向は第二の光吸収層12形成のための蒸着の際Ib族元素を添加することにより抑制することができる。第一の方法において用いるIIIb族元素は第一のp型光吸収層10に含まれるIIIb族元素と同一であることが好ましい。第一の方法においてIb族元素も併せて使用する場合は、第一のp型光吸収層10に含まれるIb族元素と同一であることが好ましい。これにより本発明の効果は顕著となる。第二の方法では、スパッタリング法により第一のp型光吸収層10上に第二の光吸収層12を形成する。具体例としては、ソーダライムガラス6、裏面電極層8および第一のp型光吸収層10を備える積層体以下基板と記す。およびIIIb族-VIb族化合物からなるスパッタリングターゲットを装置内に設置し、真空排気を行う。その後、基板を加熱しながら前記ターゲットをスパッタリングし第二の光吸収層12を形成する。第二の方法では、スパッタリング装置内へ設置するスパッタリングターゲットの各元素の組成を調整することで組成を前記の範囲内で適宜制御することが可能となる。第二の方法では、基板の温度を100~550°Cとすることが好ましい。基板の温度が低すぎる場合、IIIb族元素とVIb族元素の反応が起こりにくく、所望の第二の光吸収層12の組成、膜厚が得にくい傾向がある。一方、基板の温度が高過ぎる場合、基板が軟化して変形したり、溶解したりする傾向があり、また、成膜速度が著しく低下する傾向がある。これらの傾向は、基板の温度を上記の範囲内とすることにより抑制することができる。第二の方法において、基板温度は250~350°Cにすることがより好ましい。この範囲以下の温度で第二の光吸収層12を形成すると、IIIb族元素とVIb族元素間のみで化合物が生成されやすくなる、光吸収およびキャリア輸送の妨げとなり特性が劣化してしまう傾向がある。また第二の光吸収層12の結晶性が劣化し、良好な特性が得られない傾向がある。この範囲以上の温度で第二の光吸収層12を形成すると、第一のp型光吸収層10からのIb族元素の表面方向への過剰な拡散が起こった場合、第一のp型光吸収層10のIb族/IIIb族元素比が減少する傾向があるとともに、第二の光吸収層12のIb族/IIIb族元素比が増加する傾向があり、組成制御が比較的困難となる。第二の方法において、基板温度を350~550°Cとする場合、スパッタリングターゲットにIIIb族元素およびVIb族元素に加えてIb族元素を含むものを用いることが好ましい。これにより、第一のp型光吸収層10から第二の光吸収層12へのIb族元素の過剰な拡散を抑えることができる。第一のp型光吸収層10からのIb族元素の過剰な拡散が起こった場合、第一のp型光吸収層から得られるフォトルミネッセンスまたはカソードルミネッセンススペクトルの半値幅が大きくなる傾向がある。これによりキャリア輸送特性が劣化しやすくなる。この傾向はターゲットにIb族元素を添加することにより抑制することができる。第二の方法において、スパッタリングターゲットに含まれるIIIb族元素は第一のp型光吸収層10に含まれるIIIb族元素と同一であることが好ましい。第二の方法において、スパッタリングターゲットにIb族元素を加える場合は、Ib族元素も第一のp型光吸収層10に含まれるIb族元素と同一であることが好ましい。これにより本発明の効果は顕著となる。第三の方法では、前記第一の方法または第二の方法と同様の構成の装置を用いた真空蒸着法またはスパッタリング法により、IIIb族およびVIb族元素を含む層以下、表面前躯体層と記すを形成した後に熱処理を施すことにより第二の光吸収層12を形成する。第三の方法において、熱処理は固体VIb族元素またはセレン化水素または硫化水素を含む雰囲気で行うことが好ましい。第一のp型光吸収層10を加熱するとVIb族元素が脱離し、p型からn型に変化してしまう傾向がある。この傾向は熱処理を固体VIb族元素またはセレン化水素または硫化水素を含む雰囲気で行うことにより抑制することができる。第三の方法において、真空蒸着法またはスパッタリング法による成膜時の温度は200°C以下であることが好ましい。これにより第二の光吸収層の厚さの制御を行いやすくなる。第三の方法においては熱処理温度は250~550°Cとすることが好ましい。さらに250~350°Cとすることがより好ましい。熱処理温度が低すぎる場合、表面前躯体層が残留してしまう傾向がある。熱処理温度が高すぎる場合、基板が軟化して変形したり、溶解したりする傾向がある。また軟化や溶解しない程度の温度である350~550°Cにおいても、第一のp型光吸収層10からのIb族元素の表面方向への過剰な拡散が起こりやすくなる。第一のp型光吸収層10のIb族/IIIb族元素比が減少する傾向があるとともに、第二の光吸収層12のIb族/IIIb族元素比が増加する傾向があり、組成制御が比較的困難となる。第一のp型光吸収層10からのIb族元素の過剰な拡散が起こった場合、第一のp型光吸収層から得られるフォトルミネッセンスまたはカソードルミネッセンススペクトルの半値幅が大きくなる傾向がある。これによりキャリア輸送特性が劣化しやすくなる。これらの傾向は、基板の温度を上記の範囲内とすることにより抑制することができる。第三の方法において、熱処理温度を350~550°Cとする場合、真空蒸着法またはスパッタリング法による成膜時にIIIb族元素およびVIb族元素に加えてIb族元素を含ませることが好ましい。これにより、第一のp型光吸収層10から第二の光吸収層12へのIb族元素の過剰な拡散を抑えることができる。第一のp型光吸収層10からのIb族元素の過剰な拡散が起こった場合、第一のp型光吸収層から得られるフォトルミネッセンスまたはカソードルミネッセンススペクトルの半値幅が大きくなる傾向がある。これによりキャリア輸送特性が劣化しやすくなる。この傾向はターゲットにIb族元素を添加することにより抑制することができる。第三の方法において、真空蒸着法において用いるIIIb族元素またはスパッタリングターゲットに含まれるIIIb族元素は第一のp型光吸収層10に含まれるIIIb族元素と同一であることが好ましい。第三の方法において、真空蒸着に用いる蒸着源またはスパッタリングターゲットにIb族元素を加える場合は、Ib族元素も第一のp型光吸収層10に含まれるIb族元素と同一であることが好ましい。これにより本発明の効果は顕著となる。本実施形態では、第二の光吸収層12に含まれるIb族元素/IIIb族元素比は0.1以上1.0未満になるように形成条件を設定する。第一の方法の場合、基板の温度、各元素のフラックス量を調整することで、第二の光吸収層12の組成を前記の範囲内で適宜制御することが可能となる。第二の方法の場合、基板の温度、ターゲットに含まれる各元素の組成比を調整することで、第二の光吸収層12の組成を前記の範囲内で適宜制御することが可能となる。第三の方法の場合も第一の方法、第二の方法同様の方法で第二の光吸収層12の組成を前記の範囲内で制御可能である。本実施形態では、第二の光吸収層12の厚さは1nm以上100nm以下になるように形成条件を設定することが好ましい。第一の方法の場合、基板の温度、各元素のフラックス量、成膜時間を調整することで第二の光吸収層12の厚さを上記の範囲内で適宜制御することが可能となる。第二の方法の場合、基板の温度、基板とターゲットの距離、スパッタリング電力、成膜時間を調整することで第二の光吸収層12の厚さを上記の範囲内で適宜制御することが可能となる。第三の方法の場合も第一の方法、第二の方法同様の方法で第二の光吸収層12の厚さを前記の範囲内で制御可能である。それに加えて、熱処理温度および熱処理時間を調整することで第二の光吸収層12の厚さを前記の範囲内で適宜制御することが可能となる。第二の光吸収層12の形成後、第二の光吸収層12上にn型バッファ層14を形成する。n型バッファ層14としては、例えば、CdS層、ZnS,O,OH層、ZnMgO層又はZnOx,S1-x層xは1未満の正の実数等が挙げられる。CdS層及びZnS,O,OH層は、溶液成長法ChemicalBathDepositionにより形成することができる。ZnMgO層は、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition等の化学蒸着法又はスパッタリングにより形成することができる。ZnOx,S1-x層はALD法Atomiclayerdeposition等により形成することができる。n型バッファ層14の形成後、n型バッファ層14上に半絶縁層16を形成し、半絶縁層16上に窓層18を形成し、窓層18上に上部電極20を形成する。半絶縁層16としては、例えば、ZnO層、ZnMgO層等が挙げられる。窓層18はZnO:Al、ZnO:B、ZnO:Ga、ITO等が挙げられる。半絶縁層16および窓層18はMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition等の化学蒸着法又はスパッタリングにより形成することができる。上部電極20は例えばAl又はNi等の金属から構成される。上部電極20は抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着またはスパッタリングにより形成することができる。これにより、薄膜型太陽電池4が得られる。なお、窓層18上に反射防止層を形成してもよい。反射防止層としては、たとえばMgF2、TiO2、SiO2等が挙げられる。窓層18は抵抗加熱蒸着または電子ビーム蒸着、スパッタリング法などにより形成することができる。以上、本発明の好適な一実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば第一のp型光吸収層10および第二の光吸収層12を印刷法、電析法、化学溶液成長法、気相セレン化法、気相硫化法、固相セレン化法、固相硫化法またはそれらを組み合わせた方法により形成してもよい。上記実施形態に係る太陽電池4を製造することができる。以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。実施例1縦10cm×横10cm×厚さ1mmのソーダライムガラスを洗浄、乾燥した後、Mo単体から構成される膜状の裏面電極をDCスパッタリング法によりソーダライムガラス上に形成した。裏面電極の膜厚は1μmとした。なお、実施例1において、基板とは、各工程における被蒸着体または被測定物を意味する。引き続き、第一のp型光吸収層の形成を真空蒸着法によりPhysicalVapordeposition物理蒸着、以下PVDと呼ぶ装置にて行った。なおPVD装置における各工程の成膜前に、あらかじめ各原料元素のフラックス比と得られる膜に含まれる組成の関係を測定しておくことで、膜組成の調整を行った。各元素のフラックスは各Kセルの温度を調整することにより適宜変更した。実施例1の第一のp型光吸収層形成工程においては成膜直後のIb族/IIIb族組成比が1.01となるように各元素のフラックスを設定した。ソーダライムガラス上に形成された裏面電極をPVD装置のチャンバー内に設置し、チャンバー内を脱気した。真空装置内の到達圧力は1.0×10-8torrとした。その後、基板を540°Cまで加熱し温度が安定した後に、Cu、In、及びSeの各Kセルのシャッターを開き、Cu、In、及びSeを基板上に蒸着させた。この蒸着により基板上に約2μmの厚さの層が形成された時点で、Cu及びInの各Kセルのシャッターを閉じた。その後基板を200°Cまで冷却した後、SeのKセルのシャッターを閉じて、第一のp型半導体層の成膜を終了した。第一のp型光吸収層が含む各元素の組成分析をエネルギー分散型X線分光EnergyDispersiveSpectroscopy:EDX法により行った。成膜直後における第一のp型光吸収層のCu/In組成比は1.01であった。第一のp型光吸収層の形成後、基板をシアン化カリウム水溶液10wtに5分間浸漬し、第一のp型光吸収層に含まれる異相であるIb族-VIb族化合物の除去を行った。異相除去処理後の第一のp型光吸収層が含む各元素の組成分析をエネルギー分散型X線分光EnergyDispersiveX-RaySpectroscopy:EDX法により行った。異相除去処理後のp型光吸収層のCu/In組成比は0.98であった。第一のp型光吸収層の異相除去処理後、真空蒸着法により第二の光吸収層を第一のp型光吸収層上に形成した。以下、第二の光吸収層形成について説明する。基板をPVD装置のチャンバー内に設置し、チャンバー内を脱気した。真空装置内の到達圧力は1.0×10-8torrとした。その後、基板を300°Cまで加熱し温度が安定した後に、In、及びSeの各Kセルのシャッターを開き、In、及びSeを基板上に蒸着させた。この蒸着により基板上に約20nmの厚さの層が形成された時点で、InのKセルのシャッターを閉じた。本工程では第一のp型光吸収層から膜表面方向に拡散するIb族元素と本蒸着工程による表面からのIIIb族元素およびVIb族元素の供給によりIb族、IIIb族、VIb族の化合物からなる第二の光吸収層を形成した。その後基板を200°Cまで冷却した後、SeのKセルのシャッターを閉じて、第二の光吸収層の成膜を終了した。第二の光吸収層が含む各元素の組成分析をオージェ電子分光AugerElectronSpectroscopy:AES法により行った。第二の光吸収層のCu/In組成比は0.35であった。第二の光吸収層の形成後、50nmの厚さのn型半導体層であるCdSバッファ層を第二の光吸収層上に化学溶液成長ChemicalBathDeposition:CBD法により形成した。n型半導体層の形成後、50nmの厚さのi-ZnO層半絶縁層をn型半導体層上に形成した。引き続き同一のチャンバー内において0.5μmの厚さのZnO:Al層窓層をi-ZnO層上に形成した。窓層形成後に、第一のp型光吸収層のフォトルミネッセンス測定を行った。測定に用いる励起光源には514.5nmの波長を持つArイオンレーザを用いるとともに、測定時にはクライオスタッドにより基板を10Kケルビンまで冷却した。励起光強度を1mW/cm2から100mW/cm2まで変化させフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性の測定を行った。10mW/cm2測定時に得られたフォトルミネッセンススペクトルにおいて最も半値幅が狭い発光の半値幅は15meVであった。測定により得られたフォトルミネッセンス強度IPLと励起光強度Iexkの関係を下式2で表したとき、kの値は1.03であった。さらに、基板の一部を切断し、破断面から第一のp型光吸収層のカソードルミネッセンス測定を行った。測定はフォトルミネッセンス同様10Kケルビンにおいて行った。測定により得られたカソードルミネッセンススペクトルにおいて最も半値幅が狭い発光の半値幅は15meVであった。窓層形成後に50nmの厚さのNi、およびその上の1μmの厚さのAlから構成される上部電極を、ZnO:Al層上に形成した。i-ZnO層、ZnO:Al層及び上部電極は、それぞれスパッタリング法により形成した。これにより、実施例1の薄膜型太陽電池を得た。第一のp型光吸収層に用いた化合物、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後の第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、第一のp型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表1に示す。第二の光吸収層に用いた化合物、AES測定により得られた第二の光吸収層に含まれるIb族/IIIb族組成比、第二の光吸収層の膜厚、第二の光吸収層の製法および成膜温度を表2に示す。比較例1第一のp型光吸収層成膜工程において、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比が1.25になるようにフラックスを設定した。また第二の光吸収層は設けなかった。以上の事項以外は実施例1と同様の方法により比較例1の太陽電池を作製した。第一のp型光吸収層に用いた化合物、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後の第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、第一のp型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表1に示す。比較例2第一のp型光吸収層成膜工程において、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比が0.90となるようにフラックスを設定した。また異相除去処理を行わなかった。以上の事項以外は実施例1と同様の方法により比較例2の太陽電池を作製した。第一のp型光吸収層に用いた化合物、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後の第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、第一のp型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表1に示す。第二の光吸収層に用いた化合物、AES測定により得られた第二の光吸収層に含まれるIb族/IIIb族組成比、第二の光吸収層の膜厚、第二の光吸収層の製法および成膜温度を表2に示す。実施例2~6第一のp型光吸収層成膜工程において、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比が表1に示す値になるようにフラックスを設定した。以上の事項以外は実施例1と同様の方法により実施例2~6の太陽電池を作製した。第一のp型光吸収層に用いた化合物、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後の第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、第一のp型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表1に示す。第二の光吸収層に用いた化合物、AES測定により得られた第二の光吸収層に含まれるIb族/IIIb族組成比、第二の光吸収層の膜厚、第二の光吸収層の製法および成膜温度を表2に示す。実施例7~11、比較例3第一のp型光吸収層成膜工程において、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表3に示す値になるようにフラックスを設定した。第二の光吸収層成膜工程において、成膜温度を表4に示す値に設定した。以上の事項以外は実施例1と同様の方法により実施例7~11および比較例3の太陽電池を作製した。第一のp型光吸収層に用いた化合物、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後の第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、第一のp型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表3に示す。第二の光吸収層に用いた化合物、AES測定により得られた第二の光吸収層に含まれるIb族/IIIb族組成比、第二の光吸収層の膜厚、第二の光吸収層の製法および成膜温度を表4に示す。実施例12~14、比較例4第一のp型光吸収層成膜工程において、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表3に示す値になるようにフラックスを設定した。第一のp型光吸収層の異相除去処理後、真空蒸着法により第二の光吸収層を第一のp型光吸収層上に形成した。基板をPVD装置のチャンバー内に設置し、チャンバー内を脱気した。真空装置内の到達圧力は1.0×10-8torrとした。第二の光吸収層のIb族/IIIb族組成比が表4に示した値になるようにあらかじめ各元素のフラックスを設定した。その後、基板を表4に示す温度まで加熱し温度が安定した後に、Cu、In、及びSeの各Kセルのシャッターを開き、Cu、In、及びSeを基板上に蒸着させた。この蒸着により基板上に約20nmの厚さの層が形成された時点で、CuおよびInのKセルのシャッターを閉じた。その後基板を200°Cまで冷却した後、SeのKセルのシャッターを閉じて、第二の光吸収層の成膜を終了した。以上の事項以外は実施例1と同様の方法により実施例12~14および比較例4の太陽電池を作製した。第一のp型光吸収層に用いた化合物、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後の第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、第一のp型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表3に示す。第二の光吸収層に用いた化合物、AES測定により得られた第二の光吸収層に含まれるIb族/IIIb族組成比、第二の層の膜厚、第二の光吸収層の製法および成膜温度を表4に示す。実施例15~21第一のp型光吸収層として表5に示す材料を用いた。第一のp型光吸収層成膜工程において、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表5に示す値になるようにフラックスを設定した。第一のp型光吸収層が複数のIIIb族元素を含む場合、その組成が表5に示す値になるようにフラックスを設定した。基板を540°Cまで加熱した後に、表5に示す第一のp型光吸収層材料の元素のシャッターをそれぞれ開き、基板上に蒸着させた。以上の事項以外は実施例1と同様の方法により実施例15~21の太陽電池を作製した。第一のp型光吸収層に用いた化合物、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後の第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、第一のp型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表5に示す。第二の光吸収層に用いた化合物、AES測定により得られた第二の光吸収層に含まれるIb族/IIIb族組成比、第二の光吸収層の膜厚、第二の光吸収層の製法および成膜温度を表6に示す。比較例5~11p型光吸収層として表5に示す材料を用いた。第二の光吸収層は設けなかった。以上の事項以外は実施例15~21と同様の方法により比較例5~11の太陽電池を作製した。p型光吸収層に用いた化合物、成膜直後におけるp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後のIb族/IIIb族組成比、p型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表5に示す。実施例22第一のp型光吸収層として表7に示す材料を用いた。第一のp型光吸収層成膜工程において、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表7に示す値になるようにフラックスを設定した。以上の事項以外は実施例1と同様の方法により実施例22の太陽電池を作製した。第一のp型光吸収層に用いた化合物、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後の第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、第一のp型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表7に示す。第二の光吸収層に用いた化合物、AES測定により得られた第二の光吸収層に含まれるIb族/IIIb族組成比、第二の光吸収層の膜厚、第二の光吸収層の製法および成膜温度を表8に示す。実施例23第一のp型光吸収層として表7に示す材料を用いた。第一のp型光吸収層成膜工程において、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表7に示す値になるようにフラックスを設定した。第一のp型光吸収層の異相除去処理後、真空蒸着法により第二の光吸収層をp型光吸収層上に形成した。基板をPVD装置のチャンバー内に設置し、チャンバー内を脱気した。真空装置内の到達圧力は1.0×10-8torrとした。その後、基板を300°Cまで加熱し温度が安定した後に、Ga、及びSeの各Kセルのシャッターを開き、Ga、及びSeを基板上に蒸着させた。この蒸着により基板上に約20nmの厚さの層が形成された時点で、GaのKセルのシャッターを閉じた。本工程では第一のp型光吸収層から膜表面方向に拡散するIb族元素と本蒸着工程による表面からのIIIb族元素およびVIb族元素の供給により第二の光吸収層を形成した。その後基板を200°Cまで冷却した後、SeのKセルのシャッターを閉じて、第二の光吸収層の成膜を終了した。以上の事項以外は実施例1と同様の方法により実施例23の太陽電池を作製した。第一のp型光吸収層に用いた化合物、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後の第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、第一のp型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表7に示す。第二の光吸収層に用いた化合物、AES測定により得られた第二の光吸収層に含まれるIb族/IIIb族組成比、第二の光吸収層の膜厚、第二の光吸収層の製法および成膜温度を表8に示す。実施例24第一のp型光吸収層として表7に示す材料を用いた。第一のp型光吸収層の異相除去処理後、真空蒸着法により第二の光吸収層をp型光吸収層上に形成した。第一のp型光吸収層の異相除去処理後、基板をPVD装置のチャンバー内に設置し、チャンバー内を脱気した。真空装置内の到達圧力は1.0×10-8torrとした。その後、基板を300°Cまで加熱し温度が安定した後に、Cu、In、及びSeの各Kセルのシャッターを開き、Cu、In、及びSeを基板上に蒸着させた。この蒸着により基板上に約20nmの厚さの層が形成された時点で、Cu、InのKセルのシャッターを閉じた。本工程では第一のp型光吸収層から膜表面方向に拡散するIb族元素と本蒸着工程による表面からのIIIb族元素およびVIb族元素の供給により第二の光吸収層を形成した。その後基板を200°Cまで冷却した後、SeのKセルのシャッターを閉じて、第二の光吸収層の成膜を終了した。以上の事項以外は実施例15と同様の方法により実施例24の太陽電池を作製した。第一のp型光吸収層に用いた化合物、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後の第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、第一のp型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表7に示す。第二の光吸収層に用いた化合物、AES測定により得られた第二の光吸収層に含まれるIb族/IIIb族組成比、第二の光吸収層の膜厚、第二の光吸収層の製法および成膜温度を表8に示す。実施例25第一のp型光吸収層として表7に示す材料を用いた。以上の事項以外は実施例15と同様の方法により実施例25の太陽電池を作製した。第一のp型光吸収層に用いた化合物、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後のIb族/IIIb族組成比、p型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表7に示す。第二の光吸収層に用いた化合物、AES測定により得られた第二の光吸収層に含まれるIb族/IIIb族組成比、第二の光吸収層の膜厚、第二の光吸収層の製法および成膜温度を表8に示す。実施例26第一のp型光吸収層として表7に示す材料を用いた。表7に示す組成になるように各元素のフラックスを設定した。第一のp型光吸収層成膜工程においては、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表7に示す値になるようにフラックスを設定した。第一のp型光吸収層の異相除去処理後、真空蒸着法により第二の光吸収層をp型光吸収層上に形成した。第一のp型光吸収層の異相除去処理後、基板をPVD装置のチャンバー内に設置し、チャンバー内を脱気した。真空装置内の到達圧力は1.0×10-8torrとした。In、Gaの各フラックスの比を第一のp型光吸収層成膜工程と同じになるように各Kセルの温度を設定した。その後、基板を表8に示す温度まで加熱し温度が安定した後に、In、Ga、Seの各Kセルのシャッターを開き、In、Ga,及びSeを基板上に蒸着させた。この蒸着により基板上に約20nmの厚さの層が形成された時点で、InおよびGaのKセルのシャッターを閉じた。その後基板を200°Cまで冷却した後、SeのKセルのシャッターを閉じて、第二の光吸収層の成膜を終了した。以上の事項以外は実施例15と同様の方法により実施例26の太陽電池を作製した。第一のp型光吸収層に用いた化合物、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後の第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、第一のp型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表7に示す。第二の光吸収層に用いた化合物、AES測定により得られた第二の光吸収層に含まれるIb族/IIIb族組成比、第二の光吸収層の膜厚、第二の光吸収層の製法および成膜温度を表8に示す。実施例27第二の光吸収層形成工程におけるIn、Gaの各フラックスの比を、第二の光吸収層における組成比Ga/InGaが0.3になるように設定した。以上の事項以外は実施例26と同様の方法により実施例27の太陽電池を作製した。第一のp型光吸収層に用いた化合物、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後の第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、第一のp型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表7に示す。第二の光吸収層に用いた化合物、AES測定により得られた第二の光吸収層に含まれるIb族/IIIb族組成比、第二の光吸収層の膜厚、第二の光吸収層の製法および成膜温度を表8に示す。実施例28~29第一のp型光吸収層として表9に示す材料を用いた。第一のp型光吸収層成膜工程においては、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表9に示す値になるようにフラックスを設定した。複数のIIIb族元素の比が表9に示す値になるようにフラックスを設定した。以上の事項以外は実施例26と同様の方法により実施例28~29の太陽電池を作製した。第一のp型光吸収層に用いた化合物、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後のIb族/IIIb族組成比、第一のp型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表9に示す。第二の光吸収層に用いた化合物、AES測定により得られた第二の光吸収層に含まれるIb族/IIIb族組成比、第二の光吸収層の膜厚、第二の光吸収層の製法および成膜温度を表10に示す。実施例30~36第一のp型光吸収層として表11に示す材料を用いた。第一のp型光吸収層成膜工程においては、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表11に示す値になるようにフラックスを設定した。第一のp型光吸収層の異相除去処理後、真空蒸着法により第二の光吸収層を第一のp型光吸収層上に形成した。基板をPVD装置のチャンバー内に設置し、チャンバー内を脱気した。真空装置内の到達圧力は1.0×10-8torrとした。In、Gaの各フラックスの比を第一のp型光吸収層成膜工程と同じになるように各Kセルの温度を設定した。その後、基板を表12に示す温度まで加熱し温度が安定した後に、In、Ga、Seの各Kセルのシャッターを開き、In、Ga及びSeを基板上に蒸着させた。この蒸着により基板上に表12に示す厚さの層が形成された時点で、In、GaのKセルのシャッターを閉じた。その後基板を200°Cまで冷却した後、SeのKセルのシャッターを閉じて、第二の光吸収層の成膜を終了した。以上の事項以外は実施例26と同様の方法により実施例30~36の太陽電池を作製した。第一のp型光吸収層に用いた化合物、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後のIb族/IIIb族組成比、第一のp型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表11に示す。第二の光吸収層に用いた化合物、AES測定により得られた第二の光吸収層に含まれるIb族/IIIb族組成比、第二の光吸収層の膜厚、第二の光吸収層の製法および成膜温度を表12に示す。実施例37第一のp型光吸収層として表13に示す材料を用いた。第一のp型光吸収層成膜工程においては、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表13に示す値になるようにフラックスを設定した。第一のp型光吸収層の形成後、異相除去処理は行わず、第一のp型光吸収層の上に第二の光吸収層を形成した。以上の事項以外は実施例26と同様の方法により実施例37の太陽電池を作製した。第一のp型光吸収層に用いた化合物、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、第一のp型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表13に示す。第二の光吸収層に用いた化合物、AES測定により得られた第二の光吸収層に含まれるIb族/IIIb族組成比、第二の光吸収層の膜厚、第二の光吸収層の製法および成膜温度を表14に示す。実施例38第一のp型光吸収層として表13に示す材料を用いた。第一のp型光吸収層成膜工程においては、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表13に示す値になるようにフラックスを設定した。以上の事項以外は実施例26と同様の方法により実施例38の太陽電池を作製した。第一のp型光吸収層に用いた化合物、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後のIb族/IIIb族組成比、第一のp型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表13に示す。第二の光吸収層に用いた化合物、AES測定により得られた第二の光吸収層に含まれるIb族/IIIb族組成比、第二の光吸収層の膜厚、第二の光吸収層の製法および成膜温度を表14に示す。実施例39第一のp型光吸収層として表13に示す材料を用いた。第一のp型光吸収層成膜工程においては、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表13に示す値になるようにフラックスを設定した。第一のp型光吸収層成膜後、基板を急速加熱熱処理炉の中に設置した。フォーミングガスH295、N25を200sccmの流速で炉内に供給しながら加熱処理を行った。温度は400°C、昇温速度は400°C/min、熱処理時間は30sとした。熱処理後50°C/minの速度で50°Cまで冷却し、基板を取り出した。この処理により、第一のp型光吸収層に含まれる異相であるIb族-VIb族化合物の除去を行った。以上の事項以外は実施例26と同様の方法により実施例39の太陽電池を作製した。第一のp型光吸収層に用いた化合物、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後のIb族/IIIb族組成比、第一のp型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表13に示す。第二の光吸収層に用いた化合物、AES測定により得られた第二の光吸収層に含まれるIb族/IIIb族組成比、第二の光吸収層の膜厚、第二の光吸収層の製法および成膜温度を表14に示す。実施例40第一のp型光吸収層として表13に示す材料を用いた。第一のp型光吸収層成膜工程においては、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表13に示す値になるようにフラックスを設定した。第一のp型光吸収層成膜後、基板を3電極セルを備えた電解槽内に設置した。Pt板をカウンター電極、飽和カロメル電極を基準電極、基板上に露出させたMo裏面電極を作用極とした。電解槽内に0.1MのH2SO4溶液pH=1.2を満たし、電位を-0.5Vから0.5Vまで10mV/sのスキャンレートで変化させ電気化学エッチングを行った。この処理により、第一のp型光吸収層に含まれる異相であるIb族-VIb族化合物の除去を行った。以上の事項以外は実施例26と同様の方法により実施例40の太陽電池を作製した。第一のp型光吸収層に用いた化合物、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後のIb族/IIIb族組成比、p型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表13に示す。第二の光吸収層に用いた化合物、AES測定により得られた第二の光吸収層に含まれるIb族/IIIb族組成比、第二の光吸収層の膜厚、第二の光吸収層の製法および成膜温度を表14に示す。実施例41第一のp型光吸収層として表13に示す材料を用いた。第一のp型光吸収層成膜工程においては、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表13に示す値になるようにフラックスを設定した。第一のp型光吸収層成膜後、基板はそのまま同一のPVD装置の真空チャンバーに設置したままにし、基板温度を300度まで下げた。In、Gaの各フラックスの比を第一のp型光吸収層成膜工程と同じになるように各Kセルの温度を設定した。その後、In、Ga、Seの各Kセルのシャッターを開き、In、Ga,及びSeを基板上に蒸着させた。この蒸着により第一のp型光吸収層に存在する異相であるCuxSe相とInおよびGaを反応させ、異相を除去した。異相がなくなった時点で、InおよびGaのKセルのシャッターを閉じた。異相の存在のモニタリングはレーザ光による表面粗さ測定により行った。異相除去工程後、引き続きPVD装置において第二の光吸収層の成膜を行った。以上の事項以外は実施例26と同様の方法により実施例41の太陽電池を作製した。第一のp型光吸収層に用いた化合物、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後のIb族/IIIb族組成比、p型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表13に示す。第二の光吸収層に用いた化合物、AES測定により得られた第二の光吸収層に含まれるIb族/IIIb族組成比、第二の光吸収層の膜厚、第二の光吸収層の製法および成膜温度を表14に示す。実施例42第一のp型光吸収層として表15に示す材料を用いた。第一のp型光吸収層成膜工程においては、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表15に示す値になるようにフラックスを設定した。以上の事項以外は実施例26と同様の方法により実施例42の太陽電池を作製した。第一のp型光吸収層に用いた化合物、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後の第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、第一のp型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表15に示す。第二の光吸収層に用いた化合物、AES測定により得られた第二の光吸収層に含まれるIb族/IIIb族組成比、第二の光吸収層の膜厚、第二の光吸収層の製法および成膜温度を表16に示す。実施例43第一のp型光吸収層として表15に示す材料を用いた。第一のp型光吸収層成膜工程においては、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表15に示す値になるようにフラックスを設定した。第一のp型光吸収層の形成後、基板をシアン化カリウム水溶液10wtに5分間浸漬し、第一のp型光吸収層に含まれる異相であるIb族-VIb族化合物の除去を行った。その後第一のp型光吸収層が形成された基板をスパッタリング装置に設置し、スパッタリング法により第二の光吸収層の形成を行った。以下スパッタリング法による第二の光吸収層形成の詳細を説明する。スパッタリング装置内に基板を設置し、装置内を脱気した。到達圧力は1.0×10-6torrとした。脱気後、基板を300°Cに加熱した。その後Arガスをチャンバー内に供給し続けながら、チャンバー内でIn0.5Ga0.52Se3から構成されるターゲットをスパッタし対向して設置された基板に成膜した。成膜中はチャンバー内の気圧が1PaとなるようにArガスの流量を設定した。p型光吸収層から膜表面方向に拡散するIb族元素と本スパッタリング工程によるIn0.5Ga0.52Se3の供給により第二の光吸収層を形成した。第二の光吸収層の厚さが20nmになったところでスパッタリングを終了した。この工程により、第二の光吸収層を形成した。以上の事項以外は実施例26と同様の方法により実施例43の太陽電池を作製した。第一のp型光吸収層に用いた化合物、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後のIb族/IIIb族組成比、第一のp型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表15に示す。第二の光吸収層に用いた化合物、AES測定により得られた第二の光吸収層に含まれるIb族/IIIb族組成比、第二の光吸収層の膜厚、第二の光吸収層の製法および成膜温度を表16に示す。比較例12第一のp型光吸収層をスパッタリング法およびそれに引き続く熱処理により形成した。以下に詳細を示す。裏面電極が形成された基板をスパッタリング装置に設置し、スパッタリング法により前駆体層形成を行った。その後アニール炉に基板を設置し、加熱処理をすることにより第一のp型半導体層の形成を行った。以下スパッタリング法およびそれに引き続く熱処理による第一のp型半導体層形成の詳細を説明する。スパッタリング工程において、Arガスをチャンバー内に供給し続けながら、チャンバー内でCu-Ga合金Cu50Ga50atから構成されるターゲットをスパッタした後、Inメタルから構成されるターゲットをスパッタした。このスパッタリング工程により、Cu-Ga合金層、In層が順に積層する前駆体層を得た。なお、スパッタリング工程では、Cu-Ga層の厚さを670nm、In層の厚さを330nmとした。また、スパッタリング工程では、基板温度を200°Cとし、チャンバー内の気圧が1PaとなるようにArガスの流量を設定した。スパッタリング工程後の熱処理工程では、550°CのH2Se雰囲気中で前駆体層を1時間加熱することにより、前駆体層のセレン化を行い、厚さが2μmである第一のp型半導体層を形成した。異相除去処理後、第二の光吸収層は設けなかった。以上の事項以外は実施例26と同様の方法により比較例12の太陽電池を作製した。p型光吸収層に用いた化合物、成膜直後におけるp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後のIb族/IIIb族組成比、p型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表15に示す。実施例44第一のp型光吸収層を比較例12と同様にスパッタリング法およびそれに引き続く熱処理により形成した。第二の光吸収層を実施例43と同様にスパッタリング法により形成した。以上の事項以外は実施例26と同様の方法により実施例44の太陽電池を作製した。第一のp型光吸収層に用いた化合物、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後のIb族/IIIb族組成比、第一のp型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表15に示す。第二の光吸収層に用いた化合物、AES測定により得られた第二の光吸収層に含まれるIb族/IIIb族組成比、第二の光吸収層の膜厚、第二の光吸収層の製法および成膜温度を表16に示す。実施例45~49第一のp型光吸収層として表17に示す材料を用いた。p型光吸収層成膜工程においては、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表17に示す値になるようにフラックスを設定した。第一のp型光吸収層の形成後、基板をシアン化カリウム水溶液10wtに5分間浸漬し、第一のp型光吸収層に含まれる異相であるIb族-VIb族化合物の除去を行った。第一のp型光吸収層の異相除去処理後、真空蒸着法により第二の光吸収層を第一のp型光吸収層上に形成した。基板をPVD装置のチャンバー内に設置し、チャンバー内を脱気した。真空装置内の到達圧力は1.0×10-8torrとした。その後、基板を200°Cまで加熱し温度が安定した後に、In、Ga及びSeの各Kセルのシャッターを開き、In、Ga及びSeを基板上に蒸着させた。この蒸着により基板上に約20nmの厚さの層が形成された時点で、In及びGaのKセルのシャッターを閉じた。Seは引き続き供給を続けた。その後チャンバー内で基板を表18に示す熱処理温度まで加熱し熱処理を行った。熱処理時間は2minとした。その後基板を200°Cまで冷却した後にSeのKセルのシャッターを閉じて、第二の層の形成を終了した。以上の事項以外は実施例26と同様の方法により実施例45~49の太陽電池を作製した。第一のp型光吸収層に用いた化合物、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後のIb族/IIIb族組成比、第一のp型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表17に示す。第二の光吸収層に用いた化合物、AES測定により得られた第二の光吸収層に含まれるIb族/IIIb族組成比、第二の光吸収層の膜厚、第二の光吸収層の製法および成膜温度を表18に示す。実施例50~54第一のp型光吸収層として表17に示す材料を用いた。第一のp型光吸収層成膜工程においては、成膜直後におけるIb族/IIIb族組成比が表17に示す値になるようにフラックスを設定した。第一のp型光吸収層の形成後、基板をシアン化カリウム水溶液10wtに5分間浸漬し、第一のp型光吸収層に含まれる異相であるIb族-VIb族化合物の除去を行った。その後第一のp型光吸収層が形成された基板をスパッタリング装置に設置し、スパッタリング法により第二の光吸収層の形成を行った。以下スパッタリング法による第二の光吸収層形成の詳細を説明する。スパッタリング装置内に基板を設置し、装置内を脱気した。到達圧力は1.0x10-6torrとした。脱気後、基板温度は室温30°Cに保った。その後Arガスをチャンバー内に供給し続けながら、チャンバー内でIn0.5Ga0.52Se3から構成されるターゲットをスパッタし対向して設置された基板に成膜した。成膜終了後、基板を熱処理炉に移し熱処理を行った。熱処理工程では、H2Se雰囲気中で表18に示す温度で基板を2min加熱することにより、厚さが20nmである第二の光吸収層を形成した。熱処理後基板を50°Cまで冷却し取り出し第二の光吸収層形成工程を終了した。以上の事項以外は実施例26と同様の方法により実施例50~54の太陽電池を作製した。第一のp型光吸収層に用いた化合物、成膜直後における第一のp型光吸収層のIb族/IIIb族組成比、異相除去処理後のIb族/IIIb族組成比、第一のp型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルおよびカソードルミネッセンススペクトルにおける最も半値幅の狭い発光の半値幅の値、およびフォトルミネッセンス強度の励起光強度依存性測定におけるkの値、異相除去方法、を表17に示す。第二の光吸収層に用いた化合物、AES測定により得られた第二の光吸収層に含まれるIb族/IIIb族組成比、第二の光吸収層の膜厚、第二の光吸収層の製法および成膜温度を表18に示す。薄膜型太陽電池の評価実施例1~54、および比較例1~12の各太陽電池の特性を表19および表20に示す。第一の光吸収層と、第二の光吸収層と、を有し、前記第一の光吸収層は、Ib族元素、IIIb族元素、およびVIb族元素を含み、フォトルミネッセンススペクトルまたはカソードルミネセンススペクトルにおいて半値幅が1meV以上15meV以下の発光ピークを含むp型半導体層であり、前記第二の光吸収層は、Ib族元素、IIIb族元素、およびVIb族元素を含み、前記Ib族元素と前記IIIb族元素の組成比が0.1以上1.0未満であり、前記第一の光吸収層の光入射面側に設けられている実施例1~54の太陽電池の変換効率は、前記第一のp型光吸収層または第二の光吸収層を備えない比較例1~12に比べ、大きいことが確認された。第一の光吸収層と、第二の光吸収層と、を有し、前記第一の光吸収層は、Ib族元素、IIIb族元素、およびVIb族元素を含み、フォトルミネッセンススペクトルまたはカソードルミネセンススペクトルにおいて半値幅が1meV以上15meV以下の発光ピークを含むp型半導体層であり、前記第二の光吸収層は、Ib族元素、IIIb族元素、およびVIb族元素を含み、前記Ib族元素と前記IIIb族元素の組成比が0.1以上1.0未満であり、前記第一の光吸収層の光入射面側に設けられている実施例1~6の太陽電池の開放電圧および変換効率は、Ib族元素、IIIb族元素、およびVIb族元素を含み、フォトルミネッセンススペクトルまたはカソードルミネセンススペクトルにおいて半値幅が1meV以上15meV以下の発光ピークを含む第一のp型半導体層を備えるものの、第二の光吸収層を備えていない比較例1の太陽電池、およびIb族元素、IIIb族元素、およびVIb族元素を含み、該Ib族元素と該IIIb族元素の組成比が0.1以上1.0未満である第二の光吸収層を前記第一のp型光吸収層上に備えるものの、第一のp型光吸収層のフォトルミネッセンススペクトルまたはカソードルミネセンススペクトルにおいて半値幅が前記範囲1meV以上15meV以下の範囲外の40meVである比較例2の太陽電池に比べ、大きいことが確認された。第一の光吸収層と、第二の光吸収層と、を有し、前記第一の光吸収層は、Ib族元素、IIIb族元素、およびVIb族元素を含み、Ib族元素/IIIb族元素比が1.00であり、フォトルミネッセンススペクトルまたはカソードルミネセンススペクトルにおいて半値幅が1meV以上15meV以下の発光ピークを含むp型半導体層である実施例2~5、および実施例7~54の太陽電池の開放電圧および変換効率は、Ib族元素、IIIb族元素、およびVIb族元素を含み、フォトルミネッセンススペクトルまたはカソードルミネセンススペクトルにおいて半値幅が1meV以上15meV以下の発光ピークを含むp型半導体層であるものの、Ib族元素/IIIb族元素比が1.00でない実施例1および実施例6に比べ大きいことが確認された。第一の光吸収層と、第二の光吸収層と、を有し、前記第一の光吸収層は、Ib族元素、IIIb族元素、およびVIb族元素を含み、Ib族元素/IIIb族元素比が1.00であり、フォトルミネッセンススペクトルまたはカソードルミネセンススペクトルにおいて半値幅が1meV以上15meV以下の発光ピークを含むp型半導体層である第一のp型光吸収層と、Ib族元素、IIIb族元素、およびVIb族元素を含み、Ib族元素とIIIb族元素の組成比が0.1以上1.0未満である第二の光吸収層を前記第一のp型光吸収層上に備える実施例7~14の太陽電池の開放電圧および変換効率は、第二の層が含むIb族元素と該IIIb族元素の組成比が前記範囲外である比較例3~4の太陽電池に比べ、大きいことが確認された。種々のIb族元素、IIIb族元素、およびVIb族元素を含みIb族元素/IIIb族元素比が1.00であり、フォトルミネッセンススペクトルまたはカソードルミネセンススペクトルにおいて半値幅が1meV以上15meV以下の発光ピークを含むp型半導体層である第一のp型光吸収層と、Ib族元素、IIIb族元素、およびVIb族元素を含み、Ib族元素とIIIb族元素の組成比が0.1以上1.0未満である第二の光吸収層を前記第一のp型光吸収層上に備える実施例15~21の太陽電池の開放電圧および変換効率は、それぞれ同一の組成、同一のフォトルミネッセンスまたはカソードルミネッセンススペクトルの発光半値幅を持つ第一のp型光吸収層を備えるものの、第二の光吸収層を持たない比較例5~11の太陽電池に比べ、大きいことが確認された。種々のIb族元素、IIIb族元素、およびVIb族元素を含みIb族元素/IIIb族元素比が1.00であり、フォトルミネッセンススペクトルまたはカソードルミネセンススペクトルにおいて半値幅が1meV以上15meV以下の発光ピークを含むp型半導体層である第一のp型光吸収層と、前記第一のp型光吸収層と同一のIb族元素、IIIb族元素を第二の光吸収層に用いた実施例22、25の太陽電池の開放電圧および変換効率は、それぞれ同一の組成、同一のフォトルミネッセンスまたはカソードルミネッセンススペクトルの発光半値幅を持つ第一のp型光吸収層を備えるものの前記第一のp型光吸収層と異なるIb族元素、またはIIIb族元素を第二の光吸収層に用いた実施例23、24の太陽電池に比べ、大きいことが確認された。Ib族元素/IIIb族元素比が1.00であり、フォトルミネッセンススペクトルまたはカソードルミネセンススペクトルにおいて半値幅が1meV以上15meV以下の発光ピークを含むp型半導体層である第一のp型光吸収層と、前記第一のp型光吸収層と同一のIb族元素、IIIb族元素を第二の光吸収層に用い、なおかつ複数のIIIb族元素の組成比を第一のp型光吸収層と同一にした第二の光吸収層を備える実施例26の太陽電池の開放電圧および変換効率は、第二の層に含まれる複数のIIIb族元素の組成比が、第一のp型光吸収層と異なる実施例27に比べ、大きいことが確認された。Cu、IIIb族元素、およびVIb族元素を含み、CuとIIIb族元素の組成比が1.00であり、フォトルミネッセンススペクトルまたはカソードルミネセンススペクトルにおいて半値幅が1meV以上15meV以下の発光ピークを含むp型半導体層である第一のp型光吸収層と、Cu、IIIb族元素、およびVIb族元素を含み、Cuと該IIIb族元素の組成比が0.1以上1.0未満である第二の光吸収層を前記第一のp型光吸収層上に備える実施例28の太陽電池の変換効率は、光吸収層および第二の層に含まれるIb元素がCuでない実施例29の太陽電池に比べ、大きいことが確認された。Ib族元素、IIIb族元素、およびVIb族元素を含み、Ib族元素とIIIb族元素の組成比が1.00であり、フォトルミネッセンススペクトルまたはカソードルミネセンススペクトルにおいて半値幅が1meV以上15meV以下の発光ピークを含むp型半導体層である第一のp型光吸収層と、Ib族元素、IIIb族元素、およびVIb族元素を含み、Ib族元素とIIIb族元素の組成比が0.1以上1.0未満である第二の光吸収層を前記第一のp型光吸収層上に備え、前記第二の光吸収層の膜厚が1nm以上100nm以下である実施例31~35の太陽電池の開放電圧および変換効率は、膜厚が前記範囲外である実施例30、36の太陽電池に比べ、大きいことが確認された。前記フォトルミネッセンス測定において励起光依存性または励起電子線強度依存性を測定したときに励起光強度または励起電子線強度Iexkとフォトルミネッセンス強度IPLの関係を下式2で表したときkの値が1<k<2の範囲内である実施例1~6の太陽電池の開放電圧および変換効率は、前記範囲外である比較例2の太陽電池にくらべ、大きいことが確認された。前記第一のp型光吸収層の形成工程において、いったんIb族元素とIIIb族元素の比が1.0より大きくなるように成膜した後に、異相であるIb族-VIb族化合物を除去する工程を含む実施例38~41の太陽電池の開放電圧、変換効率は、異相除去工程を含まない実施例37の太陽電池に比べ、大きいことが確認された。"