"I-B族元素とガリウムとカルコゲン元素含有有機化合物とを含む単一源前駆体を溶媒に溶解させた原料溶液を用意する工程と、電極層の上に前記原料溶液を用いて第1の皮膜を作製し、該第1の皮膜を第1の圧力を有する雰囲気下で加熱することによって、前記カルコゲン元素含有有機化合物の有機成分を熱分解して第1の層を作製する工程と、該第1の層の上に前記原料溶液を用いて第2の皮膜を作製し、該第2の皮膜を前記第1の圧力よりも高い第2の圧力を有する雰囲気下で加熱することによって、前記カルコゲン元素含有有機化合物の有機成分を熱分解して第2の層を作製する工程と、前記第1の層および前記第2の層を加熱してI-III-VI族化合物を含む光電変換層としての半導体層を作製する工程とを具備することを特徴とする光電変換装置の製造方法。I-B族元素およびカルコゲン元素含有有機化合物を含むI族錯体と、ガリウムおよびカルコゲン元素含有有機化合物を含むガリウム錯体とを溶媒に溶解させた原料溶液を用意する工程と、電極層の上に前記原料溶液を用いて第1の皮膜を作製し、該第1の皮膜を第1の圧力を有する雰囲気下で加熱することによって、前記カルコゲン元素含有有機化合物の有機成分を熱分解して第1の層を作製する工程と、該第1の層の上に前記原料溶液を用いて第2の皮膜を作製し、該第2の皮膜を前記第1の圧力よりも高い第2の圧力を有する雰囲気下で加熱することによって、前記カルコゲン元素含有有機化合物の有機成分を熱分解して第2の層を作製する工程と、前記第1の層および前記第2の層を加熱してI-III-VI族化合物を含む光電変換層としての半導体層を作製する工程とを具備することを特徴とする光電変換装置の製造方法。前記原料溶液にインジウムを含ませる請求項1または2に記載の光電変換装置の製造方法。特許文献2に示される単一源前駆体等の原料溶液を用いて、特許文献1に示されるようなGaの濃度勾配を有する半導体層を形成する場合、Ga濃度を変えた複数の原料溶液を用意し、これらを用いて順に皮膜を積層させる必要がある。このような方法では、製造工程が複雑となる。本発明の目的は、Ga濃度勾配を有する半導体層を備えた光電変換装置を容易に作製することを目的とする。本発明の第1の実施形態に係る光電変換装置の製造方法は、I-B族元素とガリウムとカルコゲン元素含有有機化合物とを含む単一源前駆体を溶媒に溶解させた原料溶液を用意する工程と、電極層の上に前記原料溶液を用いて第1の皮膜を作製し、該第1の皮膜を第1の圧力を有する雰囲気下で加熱することによって、前記カルコゲン元素含有有機化合物の有機成分を熱分解して第1の層を作製する工程と、該第1の層の上に前記原料溶液を用いて第2の皮膜を作製し、該第2の皮膜を前記第1の圧力よりも高い第2の圧力を有する雰囲気下で加熱することによって、前記カルコゲン元素含有有機化合物の有機成分を熱分解して第2の層を作製する工程と、前記第1の層および前記第2の層を加熱してI-III-VI族化合物を含む光電変換層としての半導体層を作製する工程とを具備する。本発明の第2の実施形態に係る光電変換装置の製造方法は、I-B族元素およびカルコゲン元素含有有機化合物を含むI族錯体と、ガリウムおよびカルコゲン元素含有有機化合物を含むガリウム錯体とを溶媒に溶解させた原料溶液を用意する工程と、電極層の上に前記原料溶液を用いて第1の皮膜を作製し、該第1の皮膜を第1の圧力を有する雰囲気下で加熱することによって、前記カルコゲン元素含有有機化合物の有機成分を熱分解して第1の層を作製する工程と、該第1の層の上に前記原料溶液を用いて第2の皮膜を作製し、該第2の皮膜を前記第1の圧力よりも高い第2の圧力を有する雰囲気下で加熱することによって、前記カルコゲン元素含有有機化合物の有機成分を熱分解して第2の層を作製する工程と、前記第1の層および前記第2の層を加熱してI-III-VI族化合物を含む光電変換層としての半導体層を作製する工程とを具備する。本発明によれば、Ga濃度勾配を有する半導体層を備えた光電変換装置を容易に作製することが可能となる。以下に本発明の実施形態に係る光電変換装置の製造方法について図面を参照しながら詳細に説明する。<光電変換装置の構成>図1は、本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法を用いて作製した光電変換装置を示す断面図である。図1~図3において同じ構成のものには同じ符号を付している。光電変換装置11は、基板1と、第1の電極層2と、I-III-VI族化合物を含む第1の半導体層3と、第2の半導体層4と、第2の電極層5とを含んでいる。第1の半導体層3と第2の半導体層4は導電型が異なっており、第1の半導体層3と第2の半導体層4とで光照射により生じた正負のキャリアの電荷分離を良好に行うことができる。例えば、第1の半導体層3がp型であれば、第2の半導体層4はn型である。あるいは、第2の半導体層4が、バッファ層と第1の半導体層3とは異なる導電型の半導体層とを含む複数層であってもよい。本実施形態では、第1の半導体層3が一方導電型の光吸収層であり、第2の半導体層4がバッファ層と他方導電型半導体層とを兼ねている例を示している。また、本実施形態における光電変換装置11は第2の電極層5側から光が入射されるものを示しているが、これに限定されず、基板1側から光が入射されるものであってもよい。図1において、光電変換装置11は複数個の光電変換セル10が並べられて形成されている。光電変換セル10は、第1の半導体層3の基板1側に第1の電極層2と離間して設けられた第3の電極層6を具備している。そして、第1の半導体層3に設けられた接続導体7によって、第2の電極層5と第3の電極層6とが電気的に接続されている。図1においては、この第3の電極層6は、隣接する光電変換セル10の第1の電極層2が延伸されたものである。この構成により、隣接する光電変換セル10同士が直列接続されている。また、一つの光電変換セル10内において、接続導体7は第1の半導体層3および第2の半導体層4を貫通するように設けられており、第1の電極層2と第2の電極層5とで挟まれた第1の半導体層3と第2の半導体層4とで光電変換が行なわれる。基板1は、第1の半導体層3および第2の半導体層4を支持するためのものである。基板1に用いられる材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が挙げられる。第1の電極層2および第3の電極層6は、Mo、Al、TiおよびAu等から選ばれる導電体が用いられ、基板1上にスパッタリング法および蒸着法等から選ばれる方法で形成される。第1の半導体層3はI-III-VI族化合物を主に含んだ半導体層である。I-III-VI化合物とは、I-B族元素11族元素ともいうとIII-B族元素13族元素ともいうとVI-B族元素16族元素ともいうとの化合物であり、カルコパイライト構造を有し、カルコパイライト系化合物と呼ばれるCIS系化合物ともいう。I-III-VI化合物としては、例えば、CuIn,GaSe2CIGSともいう、CuIn,GaSe,S2CIGSSともいう、およびCuInSe2CISともいう等が挙げられる。なお、CuIn,GaSe2とは、CuとInとGaとSeとから主に構成された化合物をいう。また、CuIn,GaSe,S2とは、CuとInとGaとSeとSとを主成分として含む化合物をいう。第2の半導体層4は上記第1の半導体層3上に形成されている。本実施形態では、第1の半導体層3が一方導電型の光吸収層であり、第2の半導体層4がバッファ層と他方導電型半導体層とを兼ねている例を示している。リーク電流の低減という観点からは、第2の半導体層4は抵抗率が1Ωcm以上であってもよい。第2の半導体層4としては、CdS、ZnS、ZnO、In2Se3、InOH,S、Zn,InSe,OH、およびZn,MgO等が挙げられる。第2の半導体層4は、例えばケミカルバスデポジションCBD法等で形成される。なお、InOH,Sとは、InとOHとSとを主成分として含む化合物をいう。Zn,InSe,OHは、ZnとInとSeとOHとを主成分として含む化合物をいう。Zn,MgOは、ZnとMgとOとを主成分として含む化合物をいう。第2の半導体層4は、第1の半導体層3の吸収効率を高めるため、第1の半導体層3が吸収する光の波長領域に対して高い光透過性を有するものであってもよい。また、第2の半導体層4は、その厚みが10~200nmである。第2の半導体層4上に第2の電極層5がスパッタリング等で製膜される際のダメージが抑制される観点から言えば、第2の半導体層4の厚みは100~200nmとされ得る。第2の電極層5は、ITO、ZnO等の0.05~3.0μmの厚みを有する透明導電膜である。第2の電極層5は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長CVD法等で形成される。第2の電極層5は、第2の半導体層4よりも抵抗率の低い層であり、第1の半導体層3で生じた電荷を取り出すためのものである。電荷を良好に取り出すという観点からは、第2の電極層5の抵抗率が1Ωcm未満でシート抵抗が50Ω/□以下であってもよい。第2の電極層5としては、第1の半導体層3の吸収効率を高めるため、第1の半導体層3の吸収光に対して高い光透過性を有するものが用いられてもよい。光透過性を高めると同時に光反射ロス低減効果および光散乱効果を高め、さらに光電変換によって生じた電流を良好に伝送するという観点から、第2の電極層5は0.05~0.5μmの厚さであってもよい。また、第2の電極層5と第2の半導体層4との界面での光反射ロスを低減する観点からは、第2の電極層5と第2の半導体層4の屈折率は略等しくてもよい。光電変換セル10は、複数個が並べられて電気的に接続され、光電変換装置11と成る。隣接する光電変換セル10同士を容易に直列接続するために、図1に示すように、光電変換セル10は、第1の半導体層3の基板1側に第1の電極層2と離間して設けられた第3の電極層6を具備している。そして、第1の半導体層3に設けられた接続導体7によって、第2の電極層5と第3の電極層6とが電気的に接続されている。図1において、接続導体7は第2の電極層5が形成される際に、第2の電極層5と同じ工程で、第2の電極層5と一体化して形成されている例が示されているが、これに限定されない。例えば、導電性ペーストが充填されて形成されていてもよい。<第1の半導体層の製造方法>I-III-VI族化合物を含む第1の半導体層3は、以下に示す第1の方法または第2の方法によって作製される。<第1の方法>第1の方法では、先ず、I-B族元素とGaとカルコゲン元素含有有機化合物とを含む単一源前駆体が溶媒に溶解させた原料溶液第1の方法における原料溶液を第1の原料溶液ともいうが用意される。カルコゲン元素含有有機化合物とは、カルコゲン元素を含む有機化合物であり、炭素元素とカルコゲン元素との共有結合を有する有機化合物である。カルコゲン元素とは、VI-B族元素のうちのS、Se、Teをいう。カルコゲン元素含有有機化合物としては、例えば、チオール、スルフィド、ジスルフィド、チオフェン、スルホキシド、スルホン、チオケトン、スルホン酸、スルホン酸エステル、スルホン酸アミド、セレノール、セレニド、ジセレニド、セレノキシド、セレノン、テルロール、テルリド、ジテルリド等がある。特に、配位力が高く金属元素と安定な錯体を形成しやすいという観点からは、チオール、スルフィド、ジスルフィド、セレノール、セレニド、ジセレニド、テルロール、テルリド、ジテルリドが用いられてもよい。I-B族元素としてCuが用いられ、カルコゲン元素含有有機化合物としてフェニルセレノールが用いられた場合の単一源前駆体の構造の一例として、一般式1が挙げられる。この単一源前駆体は特許文献2に示されるような方法を用いて作製可能である。なお、一般式1中のPhはフェニル基を示す。第1の原料溶液に含まれる溶媒としては、単一源前駆体を溶解できるものであればよく、例えば、ピリジンやアニリン等の極性溶媒が用いられる。また、上記第1の原料溶液にInが含まれていてもよい。この場合、I-III-VI族化合物のIII-B族元素としてInとGaとが含まれることとなり、太陽光に対する吸収率が高まる。第1の原料溶液に含まれるInは、例えばInを含む単一源前駆体であってもよい。このような前駆体の構造の一例としては、一般式2が挙げられる。次に、上記第1の原料溶液が、例えば、スピンコータ、スクリーン印刷、ディッピング、スプレー、またはダイコータ等によって第1の電極層2上に膜状に被着され、乾燥されることにより、第1の皮膜が作製される。そして、この第1の皮膜が第1の圧力を有する雰囲気下で加熱されることによって、カルコゲン元素含有有機化合物の有機成分が熱分解された第1の層が作製される。なお、この熱分解時の雰囲気ガスとしては、窒素およびアルゴン等から選ばれる不活性ガス、水素等の還元ガスあるいはこれらの混合ガスが用いられ、加熱温度は、50~350°Cが採用される。次に、この第1の層上に、さらに上記第1の原料溶液が用いられて、上記第1の皮膜と同様の方法で第2の皮膜が作製される。そして、この第2の皮膜が、上記第1の圧力よりも高い第2の圧力を有する雰囲気下で加熱されることによって、カルコゲン元素含有有機化合物の有機成分が熱分解した第2の層が作製される。この第2の皮膜中の有機成分の熱分解時の雰囲気ガスおよび加熱温度としては、第1の皮膜中の有機成分の熱分解時に用いられる条件と同様の条件でもよい。一方、第2の圧力としては、第1の圧力よりも高く設定される。これにより、生成する第2の層中のGaの含有率を第1の層よりも低減することが可能となる。つまり、有機成分の熱分解時の雰囲気の圧力が高くなるほど、皮膜中のGaが皮膜外へ放出される。この現象についての詳細はよくわからないが、熱分解時の雰囲気圧力が高くなると皮膜中の単一源前駆体が分解されて、Gaとカルコゲン元素含有有機化合物との錯体が形成され、この錯体が気化等により皮膜外へ放出されるのではないかと考えられる。このような第1の圧力よりも高い第2の圧力を有する雰囲気下での加熱工程が用いられることにより、Ga濃度の異なる原料溶液が用意される必要はなく、1種類の第1の原料溶媒によってGa濃度勾配が容易に形成可能となる。よって、製造工程が簡略化される。なお、上記第2の層上に、熱分解時の雰囲気の圧力が高められながら、上記工程が繰り返されて、Ga濃度がさらに減少した第3の層、第4の層等がさらに形成されてもよい。次に、上記第1の層および第2の層が、さらに400~600°Cで加熱されることにより、I-III-VI族化合物の多結晶体が形成され、第1の半導体層3となる。この第1の半導体層3を形成するための加熱時の雰囲気ガスとしては、不活性ガス、還元ガスまたはこれらの混合ガスが用いられる。この雰囲気ガスには、カルコゲン元素が、例えば、Se蒸気、S蒸気、H2SeまたはH2Sとして混合されてもよい。<第2の方法>I-III-VI族化合物を含む第1の半導体層3を作製するための第2の方法について説明する。第2の方法では、先ず、I-B族元素およびカルコゲン元素含有有機化合物を含むI族錯体と、Gaおよびカルコゲン元素含有有機化合物を含むガリウム錯体とが溶媒に溶解された原料溶液第2の方法における原料溶液を第2の原料溶液ともいうが用意される。I-B族元素およびカルコゲン元素含有有機化合物を含むI族錯体は、カルコゲン元素含有有機化合物がI-B族元素に配位した錯体である。また、Gaおよびカルコゲン元素含有有機化合物を含むガリウム錯体は、カルコゲン元素含有有機化合物がGaに配位した錯体である。このようなI族錯体およびガリウム錯体は、例えば、I-B族元素の地金またはガリウムの地金がカルコゲン元素含有有機化合物を含む溶媒中に溶解されることにより作製される。つまり、I-B族元素の地金やGaの地金は、カルコゲン元素含有有機化合物と反応してI族錯体やGa錯体と成ることで溶媒中に溶解する。I族錯体の具体例としては、I-B族元素例えばCuとフェニルセレノールとの錯体がある。また、ガリウム錯体の具体例としては、Gaとフェニルセレノールとの錯体がある。カルコゲン元素含有有機化合物の配位力を高め、I族錯体またはガリウム錯体を良好に作製するという観点では、上記カルコゲン元素含有有機化合物を含む溶媒中にはルイス塩基性有機化合物が含まれていてもよい。ルイス塩基性有機化合物とは、ルイス塩基となり得る官能基を有する有機化合物のことである。ルイス塩基となり得る官能基としては、例えば、非共有電子対を有するV-B族元素15族元素とも言うを具備した官能基、および非共有電子対を有するVI-B族元素を具備した官能基等が挙げられる。ルイス塩基性有機化合物の具体例としては、ピリジン、アニリン等である。また、上記第2の原料溶液にInが含まれていてもよい。この場合、I-III-VI族化合物のIII-B族元素としてInとGaとが含まれることとなり、太陽光に対する吸収率が高まる。第2の原料溶液に含まれるInは、例えば、カルコゲン元素含有有機化合物がInに配位した錯体が挙げられる。次に、上記第2の原料溶液が第1の電極層2上に膜状に被着され、乾燥されることにより、第1の皮膜が作製される。そして、この第1の皮膜が第1の圧力を有する雰囲気下で加熱されることによって、カルコゲン元素含有有機化合物の有機成分が熱分解され、第1の層が作製される。第2の方法における熱分解時の各種条件は第1の方法と同様である。次に、この第1の層上に、さらに上記第2の原料溶液が用いられて、上記第1の皮膜と同様の方法で第2の皮膜が作製される。そして、この第2の皮膜が、上記第1の圧力よりも高い第2の圧力を有する雰囲気下で加熱されることによって、カルコゲン元素含有有機化合物の有機成分が熱分解して第2の層が作製される。これにより、第1の方法と同様、生成する第2の層中のGaの含有率を第1の層よりも低減することが可能となる。つまり、第2の方法においても、第1の方法と同様に、有機成分の熱分解時の雰囲気の圧力が高くなるほど、皮膜中のGaが皮膜外へ放出される。この現象についても詳細はよくわからないが、熱分解時の雰囲気圧力が高くなるとガリウム錯体が気化等により皮膜外へ放出されるのではないかと考えられる。このように第2の方法においても、第1の圧力よりも高い第2の圧力を有する雰囲気下での加熱工程が用いられることにより、Ga濃度の異なる原料溶液が用意される必要はなく、1種類の第2の原料溶媒によってGa濃度勾配が容易に形成可能となる。よって、製造工程が簡略化される。なお、上記第2の層上に、熱分解時の雰囲気の圧力が高められながら、上記工程が繰り返されて、Ga濃度がさらに減少した第3の層、第4の層等がさらに形成されてもよい。次に、上記第1の層および第2の層が、さらに400~600°Cで加熱されることにより、I-III-VI族化合物の多結晶体が形成され、第1の半導体層3となる。第2の方法における第1の半導体層3を形成するための加熱時の各種条件は第1の方法と同様である。<光電変換装置の変形例>次に本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法を用いて作製した光電変換装置の変形例を図2、図3に基づき説明する。図2は光電変換装置21の断面図であり、図3は光電変換装置21の斜視図である。図2、図3は、第2の電極層5上に集電電極8が形成されている点で図1の光電変換装置11と異なっている。図2、図3において、図1と同じ構成のものには、同じ符号が付されている。図2、図3に示すように、光電変換装置21は、図1と同様、互いに接続された複数の光電変換セル20を具備している。集電電極8は、第2の電極層5の電気抵抗を小さくするためのものである。第2の電極層5上に集電電極8が設けられることにより、第2の電極層5の厚さを薄くして光透過性を高めるとともに第1の半導体層3で発生した電流が効率よく取り出される。その結果、光電変換装置21の発電効率が高められる。集電電極8は、例えば、図3に示すように、光電変換セル20の一端から接続導体7にかけて線状に形成されている。これにより、第1の半導体層3の光電変換により生じた電荷が第2の電極層5を介して集電電極8に集電され、接続導体7を介して隣接する光電変換セル20に良好に伝達される。その結果、光電変換装置20の発電効率が高められる。集電電極8の幅は、第1の半導体層3への光を遮るのを低減するとともに良好な導電性を有するという観点からは、50~400μmとされ得る。また、集電電極8は、枝分かれした複数の分岐部を有していてもよい。集電電極8は、例えば、Ag等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた金属ペーストがパターン状に印刷され、これが硬化されることによって形成される。本発明の実施形態にかかる光電変換装置の製造方法について、以下のようにして評価した。本実施例においては半導体層としてCIGSが用いられた。まず、2種類の原料溶液第1の原料溶液および第2の原料溶液が調整された。これらの調整方法を以下に示す。<第1の原料溶液の調整>[a1]10ミリモルmmolのCuCH3CN4PF6と、20mmolのPC6H53とが、100mlのアセトニトリルに溶解された後、室温25°Cにおける5時間の攪拌によって第1錯体溶液が調製された。[a2]40mmolのナトリウムメトキシドNaOCH3と、カルコゲン元素含有有機化合物である40mmolのHSeC6H5とが、300mlのメタノールに溶解され、更に、6mmolのInCl3と4mmolのGaCl3とが溶解された後、室温における5時間の攪拌によって第2錯体溶液が調製された。[a3]工程[a1]で調製された第1錯体溶液に対して、工程[a2]で調製された第2錯体溶液が1分間に10mlの速度で滴下され、白い析出物沈殿物が生じた。上記滴下処理の終了後、室温における1時間の攪拌と、遠心分離機による沈殿物の抽出とが、順次に行われた。この沈殿物の抽出時には、遠心分離機によって一旦取り出された沈殿物を500mlのメタノールに分散させた後に遠心分離機で沈殿物を再度取り出す工程が2回繰り返され、最後にこの沈殿物が室温で乾燥されることで、一般式1および一般式2に示すような単一源前駆体の混合体を含む沈殿物が得られた。この単一源前駆体の混合体では、1つの錯体分子に、CuとGaとSeとが含まれるか、またはCuとInとSeとが含まれる。[a4]工程[a3]で得られた単一源前駆体を含む沈殿物に有機溶媒であるピリジンが添加されることで、単一源前駆体の濃度が45質量である第2の原料溶液が生成された。<第2の原料溶液の調整>[b1]カルコゲン元素含有有機化合物であるフェニルセレノールHSeC6H5が、ルイス塩基性有機溶剤であるアニリンに対して、同じmol数となるように溶解されて混合溶媒が調製された。[b2]次に、地金のCu、地金のIn、および地金のGaが、上記混合溶媒に直接溶解されることで第1の原料溶液が調製された各金属元素はフェニルセレノールと錯体を形成することにより混合溶媒中に溶解すると考えられる。この第2の原料溶液では、Cuの濃度が2.3質量、Inの濃度が3.2質量、Gaの濃度が1.3質量とされた。<第1の半導体層の作製>次に、ガラスを含む基板1の表面に、Mo等を含む第1の電極層2が成膜されたものが用意された。そして、窒素ガスの雰囲気下において第1の電極層2の上に上記第1の原料溶液がブレード法によって塗布され、第1の皮膜が形成された。そして、この第1の皮膜が、標準圧力101.3kPaの窒素ガスの雰囲気下において、300°Cで10分間加熱されることにより有機成分が除去され、第1の層が形成された。次に、この第1の層上に上記第1の原料溶液がブレード法によって塗布され、第2の皮膜が形成された。そして、この第2の皮膜が103.3kPaの窒素ガスの雰囲気下において、300°Cで10分間加熱されることにより有機成分が除去され、第2の層が形成された。さらに、この第2の層上に上記第1の原料溶液がブレード法によって塗布され、第3の皮膜が形成された。そして、この第3の皮膜が105.0kPaの窒素ガスの雰囲気下において、300°Cで10分間加熱されることにより有機成分が除去され、第3の層が形成された。次に、この第1~第3の層の積層体が標準圧力の水素ガスの雰囲気下において、550°Cで1時間加熱されることにより、主にCIGSから成る実施例1としての第1の半導体層3厚みは2μmが形成された。また、上記実施例1としての第1の半導体層3の作製工程において、第1の原料に代えて第2の原料溶液が用いられることによって、実施例2としての第2の半導体層3厚みは2μmが形成された。<光電変換装置の作製>次に、上述のように作製された実施例1としての第1の半導体層3および実施例2としての第1の半導体層3の上に、それぞれ、第2の半導体層4と第2の電極層5とが順に形成されて光電変換装置11が作製された。具体的には、アンモニア水に酢酸カドミウムおよびチオ尿素が溶解された溶液に、実施例1としての第1の半導体層3が形成された基板1および実施例2としての第1の半導体層3が形成された基板1がそれぞれ浸漬されることで、各第1の半導体層3の上に厚さが50nmのCdSを含む第2の半導体層4が形成された。更に、この第2の半導体層4の上に、スパッタリング法によってAlがドープされた酸化亜鉛を含む透明の導電膜が形成された。これらの各光電変換装置における第1の半導体層3に対して、X線光電子分光法XPSを用いた分析によって第1の半導体層3中に含まれるGaの含有率が測定された。なお、第1の半導体層3のGaの含有率の測定は、第1の電極層2側から第1の半導体層3の厚みの1/4の位置第1の電極層2側から0.5μmの位置における第1地点、第1の電極層2側から第1の半導体層3の厚みの1/2の位置第1の電極層2側から1μmの位置における第2地点、および、第1の電極層2側から第1の半導体層3の厚みの3/4の位置第1の電極層2側から1.5μmの位置における第3地点において行なわれた。図4および図5のグラフは実施例1および実施例2の各第1の半導体層3のGa含有率を示している。図4のグラフにおけるGa含有率は、III族元素の合計原子すなわち、InとGaの合計原子に対するGaの原子を示している。図5のグラフにおけるGa含有率は、Cuの原子に対するGaの原子を示している。これらのグラフより、実施例1および実施例2のいずれの場合においても、第1の半導体層3の第1の電極層2側から離れるに従いGa含有率が減少した勾配を有することが分かった。このように、本発明の光電変換装置の製造方法を用いることにより、Ga濃度の異なる複数の原料溶液を用いなくとも、一種類の原料溶液だけで容易にGa勾配を有する光電変換装置を容易に作製可能であることが示された。上記第1の実施例では第1の半導体層3を3層で構成した例を示したが、5層で構成した例を以下に示す。<第1の半導体層の作製>第1の電極層2の上に上記第1の原料溶液がブレード法によって塗布された後、窒素ガスの雰囲気下で、300°Cで10分間加熱されて有機成分が除去される工程が5回繰り返され、第1~第5の層が形成された。なお、各層の有機成分が除去されるときの雰囲気の圧力は、第1の層を形成する場合が、標準圧力101.3kPaとされ、第2の層が101.45kPaとされ、第3の層が101.5kPaとされ、第4の層が102.3kPaとされ、第5の層が103.3kPaとされた。そして、この第1~第5の層の積層体が標準圧力の水素ガスの雰囲気下において、550°Cで1時間加熱されることにより、主にCIGSから成る第1の半導体層3厚みは2μmが形成された。この第1の半導体層3に対して、X線光電子分光法XPSを用いた分析によって第1~第5の層の各層中に含まれるGaの含有率がそれぞれ測定された。図6および図7のグラフは第1~第5層のGa含有率を示している。横軸は、第1~第5の層を形成する際の有機成分が除去されるときの雰囲気の圧力の差圧を示しているすなわち、差圧が0kPaの時が第1の層であり、差圧が大きくなる順に第2の層、第3の層、第4の層、第5の層となっている。また、図6のグラフにおけるGa含有率は、III族元素の合計原子すなわち、InとGaの合計原子に対するGaの原子を示している。図7のグラフにおけるGa含有率は、Cuの原子に対するGaの原子を示している。これらのグラフより、第1の半導体層3の第1の電極層2側から離れるに従い第1の層から第5の層に向かう従いGa含有率が減少した勾配を有することが分かった。なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更が施されることは何等差し支えない。"