表面が平坦な透明電極が一面側に形成された第1透光性基板の他面側と第2透光性基板との間に、透光性を有する透明層中に前記透明層と異なる屈折率を有する透光性材料からなり粒径が異なる複数の粒子が分散配置された光散乱層を備えること、を特徴とする薄膜光電変換装置用基板。前記粒子の粒径分布が、0.1μm~2.0μmの範囲であること、を特徴とする請求項1に記載の薄膜光電変換装置用基板。前記光散乱層は、前記透明層中に分散配置される前記粒子の粒径分布の範囲がそれぞれ異なる複数の層が積層されてなること、を特徴とする請求項1または2に記載の薄膜光電変換装置用基板。前記光散乱層は、前記粒子の粒径分布が0.1μm~0.5μmの範囲である第1光散乱層と、前記粒子の粒径分布が0.5μm~0.8μmの範囲である第2光散乱層と、前記粒子の粒径分布が0.8μm~2.0μmの範囲である第3光散乱層と、が前記第1透光性基板側から順に積層されてなること、を特徴とする請求項3に記載の薄膜光電変換装置用基板。前記粒子が高分子樹脂からなること、を特徴する請求項1乃至4のいずれか1つに記載の薄膜光電変換装置用基板。前記粒子が酸化珪素からなること、を特徴する請求項1乃至4のいずれか1つに記載の薄膜光電変換装置用基板。前記透明電極が、酸化亜鉛、酸化インジウム錫および酸化スズのうちのいずれか1つ以上からなること、を特徴とする請求項1乃至6のいずれか1つに記載の薄膜光電変換装置用基板。請求項1乃至7のいずれか1つに記載の薄膜光電変換装置用基板の前記透明電極上に、光電変換を行う光電変換層と裏面電極とをこの順で含むこと、を特徴とする薄膜光電変換装置。第1透光性基板の一面上に表面が平坦な透明電極を形成する第1工程と、前記第1透光性基板の他面側と第2透光性基板との間に、透光性を有する透明層中に前記透明層と異なる屈折率を有する透光性材料からなり粒径が異なる複数の粒子が分散配置された光散乱層を形成する第2工程と、を含むことを特徴とする薄膜光電変換装置用基板の製造方法。前記第2工程は、前記第1透光性基板の他面側の外周縁部または前記第2透光性基板の一面側の外周縁部にシール剤を形成する工程と、前記第1透光性基板の他面上における前記シール剤で囲まれた領域または前記第2透光性基板の一面上における前記シール剤で囲まれた領域に、透光性材料からなり粒径が異なる複数の粒子を含有するとともに前記粒子と異なる屈折率を有する透光性の充填剤を塗布する工程と、前記第1透光性基板の他面側と前記第2透光性基板の一面側とを対向させた状態で前記第1透光性基板と前記第2透光性基板とを重ねて、前記第1透光性基板と前記第2透光性基板との間の前記シール剤で囲まれた領域に前記充填剤を封入する工程と、前記充填剤を硬化させる工程と、を含むことを特徴とする請求項9に記載の薄膜光電変換装置用基板の製造方法。前記充填剤を塗布する工程では、前記充填剤に含有される前記粒子の粒径分布の範囲がそれぞれ異なる複数の充填剤を順次積層して塗布すること、を特徴とする請求項10に記載の薄膜光電変換装置用基板の製造方法。前記充填剤は、前記粒子の粒径分布が0.1μm~0.5μmの範囲である第1充填剤と、前記粒子の粒径分布が0.5μm~0.8μmの範囲である第2充填剤と、前記粒子の粒径分布が0.8μm~2.0μmの範囲である第3充填剤と、が前記第1透光性基板側から順に積層されること、を特徴とする請求項11に記載の薄膜光電変換装置用基板の製造方法。請求項9~12のいずれか1つに記載の薄膜光電変換装置用基板の製造方法により透光性基板の一面側に透光性を有して表面が平坦な透明電極を形成するとともに前記透光性基板の他面側に前記光散乱層を形成する工程と、前記透明電極上に光電変換を行う光電変換層を形成する工程と、前記光電変換層上に裏面電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする薄膜光電変換装置の製造方法。請求項8に記載の薄膜光電変換装置の少なくとも2つ以上が電気的に接続されてなること、を特徴とする薄膜光電変換モジュール。しかしながら、上記の特許文献1のように二回のエッチング工程でダブルテクスチャを形成する方法では、凹凸ピッチの短い凹凸を形成するときにエッチング速度がばらつくため長い凹凸ピッチの凹凸が消失する、という問題があった。また、凹凸ピッチの短い凹凸が不規則な位置に発生するため、所望の凹凸ピッチを有する凹凸を形成することが困難であった。一方、上記の特許文献2のようにCVD法による二回製膜で透明導電膜およびダブルテクスチャ構造を形成することで、凹凸ピッチの短い凹凸形状のばらつきを抑制することができる。しかしながら、小山部で構成される長い凹凸ピッチの凹凸の凸間が急峻な谷になるため、透明導電膜上に形成される光電変換層、特に結晶性が重要となる微結晶シリコン膜にはそこを基点とした欠陥が生じ、発電特性が低下する、という問題があった。また、製膜工程が複数になるため製造方法が複雑となる、という問題があった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、上層に形成される光電変換層の欠陥発生を抑制するとともに薄膜光電変換装置の光電変換効率を向上可能な薄膜光電変換装置用基板とその製造方法、薄膜光電変換装置とその製造方法、薄膜光電変換モジュールを得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる薄膜光電変換装置用基板は、表面が平坦な透明電極が一面側に形成された第1透光性基板の他面側と第2透光性基板との間に、透光性を有する透明層中に前記透明層と異なる屈折率を有する透光性材料からなり粒径が異なる複数の粒子が分散配置された光散乱層を備えること、を特徴とする。本発明によれば、上層に形成される光電変換層の欠陥発生を抑制するとともに薄膜光電変換装置の光電変換効率を向上可能な薄膜光電変換装置用基板、薄膜光電変換装置および薄膜光電変換モジュールが得られる、という効果を奏する。以下に、本発明にかかる薄膜光電変換装置用基板とその製造方法、薄膜光電変換装置とその製造方法、薄膜光電変換モジュールの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1にかかる薄膜光電変換装置の概略構成を示す断面図である。実施の形態1にかかる薄膜光電変換装置は、透明電極2が形成された第1透光性基板3と第2透光性基板4との間に、シール剤5で囲まれた領域6を有する。この領域6内には、粒径の異なる多数の微粒子7により構成される微粒子群を含む透明層である充填剤8からなる光散乱層9が形成されている。また、第1透光性基板3における光散乱層9と反対側の面上には、光電変換層11と裏面電極12とがこの順で積層されている。この薄膜光電変換装置においては、第2透光性基板4側から太陽光Lが入射する。また、実施の形態1にかかる薄膜光電変換装置用基板1は、実施の形態1にかかる薄膜光電変換装置のうち透明電極2、第1透光性基板3、第2透光性基板4、シール剤5、光散乱層9により構成される。第1透光性基板3としては、たとえば透光性を有する絶縁基板が用いられる。このような第1透光性基板3および第2透光性基板4には、通常は透過率の高い材質が用いられ、例えば可視から近赤外領域までの吸収が小さいガラス基板が使用される。ガラス基板としては無アルカリガラス基板を用いてもよく、また、安価な青板ガラス基板を用いてもよい。ただし、第1透光性基板3および第2透光性基板4は必ずしもガラスである必要はなく、光を透過する基板であれば、樹脂等の基板を用いることも可能である。また、これらの材料の上に不純物の阻止層として、スパッタリング法などで酸化珪素などのアンダーコート層を設けたものが使用できる。第2透光性基板4は、光散乱層9の保護および機械強度向上に必要となり、たとえば透光性を有する絶縁基板が用いられる。第2透光性基板4としては、第1透光性基板3と同等の光学特性を有する材料を用いることが好ましく、同一の材質であることが好ましいが、これに限定されない。また、実施の形態1にかかる薄膜光電変換装置では後述するように光散乱層9で光を散乱させるためテクスチャ等の凹凸は不要である。このため、第1透光性基板3および第2透光性基板4の表面は平坦な面とされていてよい。透明電極2は、光透過性を有する透明導電膜からなる。透明電極の材料としてはたとえば酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム錫ITO:IndiumTinOxide、酸化スズSnO2などの透明導電膜や、これらにアルミニウムAl、ガリウムGa、インジウムIn、ホウ素B、イットリウムY、シリコンSi、ジルコニウムZr、チタンTi、マンガンMnから選択した少なくとも1種類以上の元素を添加した透明導電膜を使用することができる。また、透明電極2は、上述したTCO膜にドーパントとしてアルミニウムAl、ガリウムGa、インジウムIn、ホウ素B、イットリウムY、シリコンSi、ジルコニウムZr、チタンTi、フッ素Fから選択した少なくとも1種類以上の元素を用いた透光性の膜によって構成されてもよい。透明電極2の膜厚は、導電性を維持するため、0.5μm~1μm程度が好ましい。このような透明電極2は、スパッタリング法、電子ビーム堆積法、常圧化学気相成長CVD:ChemicalVaporDeposition法、低圧CVD法、有機金属化学気相蒸着法MOCVD:MetalOrganicChemicalVaporDeposition法、ゾルゲル法、印刷法、スプレー法等の種々の方法により作製することができる。また、透明電極2における光電変換層11側の表面は平坦な面とされている。このため、透明電極2における表面状態に起因した光電変換層11の欠陥の発生が防止されており、発電特性の良好な薄膜光電変換装置が実現されている。ここで、本実施の形態における平坦な面とは、算術平均粗さRaが5nm以下である面を意味する。光電変換層11は、PN接合またはPIN接合を有し、入射する光により発電を行う薄膜半導体層が1層または複数層以上積層されて構成される。このような光電変換層11としては、たとえばシリコン系の半導体を主成分とする材料を用いることができ、水素化アモルファスシリコン、水素化微結晶シリコン、水素化アモルファスシリコンゲルマニウム、水素化微結晶シリコンゲルマニウム、水素化アモルファス炭化シリコン、水素化微結晶炭化シリコン、水素化アモルファス酸化シリコン、水素化微結晶酸化シリコン、などを用いることができる。また、これらの薄膜半導体層の積層体を用いることができる。これらの製法としては、CVD法が一般的である。CVD法としては、常圧CVD、減圧CVD、プラズマCVD、熱CVD、ホットワイヤーCVD、MOCVD法等が挙げられる。裏面電極12は、導電膜からなり、光反射が大きく、導電率が高い程好ましい。裏面電極12は、可視光の反射率の高い銀Ag、アルミニウムAl、チタンTiもしくはパラジウムPdなどの金属材料、またはこれらの合金、またはこれらの窒化物、酸化物などにより形成することができる。裏面電極12は、光電変換層11で吸収されなかった光を反射して再度光電変換層11に戻すため、光電変換効率の向上に寄与する。また、反射率を向上させるため、上記金属材料と光電変換層11との層間に酸化錫、酸化亜鉛、ITOなどの透明導電性酸化物材料や、これらの透明導電性酸化物材料にアルミニウムAlやガリウムGaといった金属を添加した材料からなる透明導電層を挿入してもよい。微粒子7は、充填剤8と異なる屈折率を有する透光性材料からなり、充填剤8中において略均一に分散配置されている。このような材料としては、たとえば高分子材料や酸化珪素SiO2等の無機材料を用いることができる。微粒子7の粒径は、0.1μm~2μmである。また、微粒子7の吸収係数は、少なくともシリコン系材料からなる薄膜光電変換装置が吸収する波長300μm~1200μmの範囲では小さいことが好ましい。一般的に、粒径が数μm以下の微粒子は光を散乱し、入射光を拡散させる。微粒子による光の散乱は、光の波長と微粒子のサイズとの関係で振る舞いが異なり、その光散乱機構は微粒子の粒径に依存することが知られている。光の波長と微粒子のサイズに関わるパラメータとして、サイズパラメータxがあり、下記の数式1で表される。数式1において、rは微粒子の粒径、λは光の波長である。サイズパラメータxが1より非常に小さい場合には、微粒子による光散乱はレイリー散乱モデルで説明される。これは、粒径が光の波長に比べて非常に小さい場合に対応する。一般に光散乱強度を示す散乱係数は、光の波長の4乗に反比例する。サイズパラメータxが1に近い場合には、微粒子による光散乱はミー散乱モデルで説明される。これは、微粒子の粒径が光の波長とほぼ同程度である場合に対応する。一般に、ミー散乱では光の波長に対する粒径比が大きくなると前方散乱が増加する。また、ミー散乱では光散乱強度の光の波長依存性は小さい。本実施の形態では、第1透光性基板3と第2透光性基板4との間に、粒径0.1μm~2.0μmの微粒子7が光散乱層9中に分散して存在する。上記の光散乱モデルによると、第2透光性基板4に照射された光のうち、波長が0.3μm~2.0μm付近の光がミー散乱により散乱される。したがって、本実施の形態にかかる薄膜光電変換装置薄膜光電変換装置用基板1では、シリコン系材料からなる薄膜光電変換装置で吸収する広い波長範囲の光が散乱する。なお、発電公理を向上させるためには波長が300nm以上1200nm以下の太陽光の全てを散乱させることが必要となる。このため、それぞれの波長の光を散乱させるために、異なる粒径を有する微粒子を光散乱層9中に均一に分布させることが好ましい。一般に粒径分布は、レーザを照射し、その回折および散乱光の強度、パターンから算定することができるレーザ回折法。充填剤8は、微粒子7と異なる屈折率を有する透光性材料からなり、所望の分散配置で微粒子を保持する。このような材料としては、たとえば高分子樹脂材料を用いることができる。また、充填剤8の材料としては、紫外線等の光により硬化する光硬化性材料や、熱により硬化する熱硬化性材料を用いることが好ましい。このような材料を用いることにより、後述するように薄膜光電変換装置の製造が容易になる。次に、上記のように構成された実施の形態1にかかる薄膜光電変換装置の製造方法について図2-1~図2-7を参照して説明する。図2-1~図2-7は、実施の形態1にかかる薄膜光電変換装置の製造方法を模式的に説明する断面図である。まず、第1透光性基板3としてガラス基板を用意する。ただし、第1透光性基板3は必ずしもガラス基板である必要はなく、樹脂等の基板を用いることも可能である。次に、この透光性基板3の一面上に、表面が平坦な透明電極2を公知の方法で形成する図2-1。例えば、透光性基板3上に酸化亜鉛ZnO膜からなる透明電極2をスパッタリング法により形成する。透明電極2は、プラズマCVD法等の他の方法により作製してもよい。次に、第1透光性基板3の他面側透明電極2が形成されていない側の面の外周縁部に沿って所定の高さのシール剤5を形成する図2-2。次に、第1透光性基板3の他面上におけるシール剤5で囲まれた領域6に、微粒子7と異なる屈折率を有する透光性の光硬化性材料からなる硬化前の充填剤8’を塗布する図2-3。硬化前の充填剤8’は、粒径が0.1μm~2μmの微粒子7を含んでいる。このとき充填剤8内に気泡が混入しないよう、硬化前の充填剤8’の塗布後に減圧下で脱ガス処理を施してもよい。ここで、微粒子7は高分子材料からなり、その屈折率は充填剤8と異なる。微粒子7は、硬化前の充填剤8’中に均一に分散配置される。硬化前の充填剤8’としては、微粒子7と異なる屈折率を有する透光性の光硬化性材料を用いる。次に、硬化前の充填剤8’を塗布した第1透光性基板3の他面側に第2透光性基板4を重ね合わせて接着する図2-4。このときシール剤5上に接着剤10を塗布して接着強度を高めることが好ましい。次に、硬化前の充填剤8’を硬化させるために、第2透光性基板4を介して硬化前の充填剤8’に紫外線光UVを照射する図2-5。これにより硬化前の充填剤8’が硬化して充填剤8となり、光散乱層9が形成される図2-6。また、硬化前の充填剤8’に熱硬化樹脂を用いた場合は、紫外線照射の代わりにアニール処理を施して、硬化前の充填剤8’を硬化させることにより光散乱層9が形成される。以上の処理により、実施の形態1にかかる薄膜光電変換装置用基板1が得られる。次に、透明電極2上に、たとえばアモルファスシリコンa-Siからなる光電変換層11を公知の方法で形成する図2-7。例えばプラズマCVD法により透明電極2側から順に、p型半導体層、光吸収層、n型半導体層の各層を透明電極2上に第1透光性基板3の主面に略平行に積層形成する。次に、光電変換層11上に裏面電極12を公知の方法で形成する図2-7。例えば、光電変換層11上に銀Ag膜からなる裏面電極12をスパッタリング法により形成する。また、成膜方法として、CVD法などの他の成膜方法を用いてもよい。以上の処理により、図1に示す実施の形態1にかかる薄膜光電変換装置が得られる。以上のような実施の形態1においては、充填剤8の内部に粒径の異なる複数の種類の微粒子7が分散配置されてなる光散乱層9を第1透光性基板3の光入射側透明電極2と反対側に有するため、薄膜光電変換装置で吸収される広範囲な波長の光を散乱できる。すなわち、大きい粒径の微粒子7で長波長領域の入射光を、小さい粒径の微粒子7で短波長領域の入射光を散乱して薄膜光電変換装置内に入射させることができる。そして、粒径0.1μm~2.0μmの微粒子7を充填剤8の内部に分散配置することにより、0.3μm~2.0μmの波長の光を散乱して薄膜光電変換装置内に入射させることができる。これにより、薄膜光電変換装置での太陽光の利用効率を向上させることができる。また、第1透光性基板3の光入射側透明電極2と反対側において微粒子7により光を散乱させることができるため、従来では入射した光を散乱させるために透明電極2の表面に設けられていた凹凸が不要であり、透明電極2における光電変換層11側の表面を平坦に維持できる。これにより、実施の形態1にかかる薄膜光電変換装置においては、透明電極2上に形成される光電変換層11の透明電極2の表面形状に起因した欠陥の発生が防止されており、良好な発電特性が得られる。また、光散乱構造である光散乱層9は塗布工程を用いて形成できるため、CVDなどの製膜工程が増加することが無く、製造工程が簡便である。したがって、実施の形態1によれば、光散乱層9の高い光散乱効果によって短波長領域から長波長までの広い領域の光に対して良好な透過散乱性能を実現し、広い波長領域の光を有効に利用可能な光電変換効率に優れた薄膜光電変換装置が簡便な製造方法により得られる。なお、上記においては透明電極2の形成直後に光散乱層9を形成し、その後に光電変換層11を形成する場合について説明したが、透明電極2の形成に引き続いて光電変換層11を先に形成し、その後に光散乱層9を形成してもよい。この場合は、光電変換層11の形成のための200°C付近の高温プロセスが光散乱層9の形成後にないため、微粒子7、充填剤8等に耐熱性の低い材料を使用することができ、材料選択の自由度が大きくなる。また、上記においては第1透光性基板3の他面上におけるシール剤5で囲まれた領域に硬化前の充填剤8’を塗布して第2透光性基板4を貼り合わせる場合について説明したが、第2透光性基板4の一面側の外周縁部にシール剤5を形成して該シール剤5で囲まれた領域に硬化前の充填剤8’を塗布して第1透光性基板3を貼り合わせてもよい。実施の形態2.図3は、本発明の実施の形態2にかかる薄膜光電変換装置の概略構成を示す断面図である。実施の形態2にかかる薄膜光電変換装置は、実施の形態1にかかる薄膜光電変換装置の構成において、光散乱層9の代わりに光散乱層109を有する。図3において、図1と同じ構成については図1と同じ符号を付している。すなわち、実施の形態2にかかる薄膜光電変換装置は、第1透光性基板3と第2透光性基板4との間に、シール剤5で囲まれた領域6を有する。領域6内には、光散乱層109が形成されている。また、第1透光性基板3における光散乱層109と反対側の面上には、光電変換層11と裏面電極12とがこの順で積層されている。この薄膜光電変換装置においては、第2透光性基板4側から太陽光Lが入射する。光散乱層109は、第1光散乱層109aと第2光散乱層109bと第3光散乱層109cとの三層が第1透光性基板3側から順に積層形成されている。第1光散乱層109aは、充填剤108aの内部に、粒径分布が0.1μm~0.5μmの範囲の異なる粒径を有する複数の微粒子107aが分散配置されて構成されている。第2光散乱層109bは、充填剤108bの内部に、粒径分布が0.5μm~0.8μmの範囲の異なる粒径を有する複数の微粒子107bが分散配置されて構成されている。第3光散乱層109cは、充填剤108cの内部に、粒径分布が0.8μm~2.0μmの範囲の異なる粒径を有する複数の微粒子107cが分散配置されて構成されている。なお、充填剤108aと充填剤108bと充填剤108cとを総称して充填剤108と呼ぶ場合がある。実施の形態1で示したように、粒径が0.1μm~2.0μmの微粒子7により波長0.3μm~1.2μmの光は散乱し、これはミー散乱モデルで説明される。ミー散乱モデルによると、光の波長に対する微粒子の粒径比が大きくなると、光の照射方向に対して前方への光散乱強度が増加する。実施の形態2にかかる光散乱層109では、上記のように光の入射側である第2透光性基板4側から光電変換素子が形成される第1透光性基板3側に向かって、微粒子の粒径が減少している。これより、例えば太陽光が実施の形態2にかかる薄膜光電変換装置に照射された場合は、まず第3光散乱層109cの領域で、波長が0.8μm以上の長波長光が散乱され、それ以下の波長光は透過するか、または前方に散乱される。次に、光散乱層109bの領域で、波長が0.5μm~0.8μm付近の光が散乱される。光散乱層109cで散乱された長波長光は光散乱層109bを透過し、波長が0.5μm以下の光は光散乱層109bを透過するか、または前方に散乱される。その後、光散乱層109aの領域で、波長が0.5μm以下の光が散乱される。光散乱層109cおよび光散乱層109bで散乱された光は、光散乱層109aを透過するか、または前方に散乱される。したがって、実施の形態2にかかる薄膜光電変換装置薄膜光電変換装置用基板101では、シリコン系材料からなる薄膜光電変換装置で吸収する広い波長範囲の光が散乱する。次に、上記のように構成された実施の形態2にかかる薄膜光電変換装置の製造方法について図4-1~図4-7を参照して説明する。図4-1~図4-7は、実施の形態2にかかる薄膜光電変換装置の製造方法を模式的に説明する断面図である。まず、第1透光性基板3としてガラス基板を用意する。ただし、第1透光性基板3は必ずしもガラス基板である必要はなく、樹脂等の基板を用いることも可能である。次に、この透光性基板3の一面上に、表面が平坦な透明電極2を公知の方法で形成する図4-1。例えば、透光性基板3上に酸化亜鉛ZnO膜からなる透明電極2をスパッタリング法により形成する。透明電極2は、プラズマCVD法等の他の方法により作製してもよい。次に、第1透光性基板3の他面側透明電極2が形成されていない側の面の外周縁部に沿って所定の高さのシール剤5を形成する図4-2。次に、第1透光性基板3の他面上におけるシール剤5で囲まれた領域6に、微粒子を含んだ硬化前の充填剤を塗布する図4-3。ここでは、微粒子を含んだ硬化前の充填剤として、硬化前の充填剤108a’と硬化前の充填剤108b’と硬化前の充填剤108c’とを用意する。硬化前の充填剤108a’は、粒径分布が0.1μm~0.5μmの範囲の異なる粒径を有する複数の微粒子107aを含有する。硬化前の充填剤108b’は、粒径分布が0.5μm~0.8μmの範囲の異なる粒径を有する複数の微粒子107bを含有する。硬化前の充填剤108c’は、粒径分布が0.8μm~2.0μmの範囲の異なる粒径を有する複数の微粒子107cを含有する。なお、微粒子107aと微粒子107bと微粒子107cとを総称して微粒子107と呼ぶ場合がある。ここで、微粒子107aと微粒子107bと微粒子107cとには、微粒子7と同様の材料が用いられる。また、硬化前の充填剤108a’と硬化前の充填剤108b’と硬化前の充填剤108c’とには、硬化前の充填剤8と同様の材料が用いられる。ここでは、硬化前の充填剤108a’と硬化前の充填剤108b’と硬化前の充填剤108c’とに、光硬化性材料を用いる。そして、第1透光性基板3の他面上におけるシール剤5で囲まれた領域6に、硬化前の充填剤108a’を塗布する。このとき充填剤8内に気泡が混入しないよう、硬化前の充填剤108a’の塗布後に減圧下で脱ガス処理を施してもよい。その後、領域6の硬化前の充填剤108a’上に、硬化前の充填剤108b’と硬化前の充填剤108c’とを同様にして順次塗布する。次に、硬化前の充填剤108a’と硬化前の充填剤108b’と硬化前の充填剤108c’とを塗布した第1透光性基板3の他面側に第2透光性基板4を重ね合わせて接着する図4-4。このときシール剤5上に接着剤10を塗布して接着強度を高めることが好ましい。次に、硬化前の充填剤108a’と硬化前の充填剤108b’と硬化前の充填剤108c’とを硬化させるために、第2透光性基板4を介して硬化前の充填剤108a’と硬化前の充填剤108b’と硬化前の充填剤108c’とに紫外線光UVを照射する図4-5。これにより硬化前の充填剤108a’と硬化前の充填剤108b’と硬化前の充填剤108c’とが硬化して、それぞれ充填剤108aと充填剤108bと充填剤108cとなり、第1光散乱層109aと第2光散乱層109bと第3光散乱層109cとが形成される図4-6。また、硬化前の充填剤108a’と硬化前の充填剤108b’と硬化前の充填剤108c’に熱硬化樹脂を用いた場合は、紫外線照射の代わりにアニール処理を施して、硬化前の充填剤108a’と硬化前の充填剤108b’と硬化前の充填剤108c’を硬化させることにより第1光散乱層109aと第2光散乱層109bと第3光散乱層109cとが形成される。以上の処理により、実施の形態2にかかる薄膜光電変換装置用基板101が得られる。次に、透明電極2上に、たとえばアモルファスシリコンa-Siからなる光電変換層11を公知の方法で形成する図4-7。例えばプラズマCVD法により透明電極2側から順に、p型半導体層、光吸収層、n型半導体層の各層を透明電極2上に第1透光性基板3の主面に略平行に積層形成する。次に、光電変換層11上に裏面電極12を公知の方法で形成する図4-7。例えば、光電変換層11上に銀Ag膜からなる裏面電極12をスパッタリング法により形成する。また、成膜方法として、CVD法などの他の成膜方法を用いてもよい。以上の処理により、図3に示す実施の形態2にかかる薄膜光電変換装置が得られる。以上のような実施の形態2においては、充填剤の内部にそれぞれ異なる粒径分布を有する複数の種類の微粒子が分散配置された第1光散乱層109aと第2光散乱層109bと第3光散乱層109cとを第1透光性基板3の光入射側透明電極2と反対側に有するため、薄膜光電変換装置で吸収される広範囲な波長の光を散乱できる。すなわち、大きい粒径の微粒子群が含まれる第3光散乱層109cで0.8μm以上の長波長領域の光を、中間の粒径の微粒子群bが含まれる第2光散乱層109bで0.5μm~0.8μm付近の光を、小さい粒径の微粒子群が含まれる第1光散乱層109aで波長が0.5μm以下の光をそれぞれ散乱して薄膜光電変換装置内に入射させることができる。そして、粒径分布を異ならせて粒径0.1μm~2.0μmの微粒子107を複数層の充填剤108の内部に分散配置することにより、0.3μm~2.0μmの波長の光を散乱して薄膜光電変換装置内に入射させることができる。これにより、薄膜光電変換装置での太陽光の利用効率を向上させることができる。また、第1透光性基板3の光入射側透明電極2と反対側において微粒子107により光を散乱させることができるため、従来では入射した光を散乱させるために透明電極2の表面に設けられていた凹凸が不要であり、透明電極2における光電変換層11側の表面を平坦に維持できる。これにより、実施の形態2にかかる薄膜光電変換装置においては、透明電極2上に形成される光電変換層11の透明電極2の表面形状に起因した欠陥の発生が防止されており、良好な発電特性が得られる。また、光散乱構造である光散乱層9は塗布工程を用いて形成できるため、CVDなどの製膜工程が増加することが無く、製造工程が簡便である。したがって、実施の形態2によれば、実施の形態1の場合と同様に、光散乱層9の高い光散乱効果によって短波長領域から長波長までの広い領域の光に対して良好な透過散乱性能を実現し、広い波長領域の光を有効に利用可能な光電変換効率に優れた薄膜光電変換装置が簡便な製造方法により得られる。なお、上記においては透明電極2の形成直後に光散乱層109を形成し、その後に光電変換層11を形成する場合について説明したが、透明電極2の形成に引き続いて光電変換層11を先に形成し、その後に光散乱層109を形成してもよい。この場合は、光電変換層11の形成のための200°C付近の高温プロセスが光散乱層109の形成後にないため、微粒子107、充填剤108等に耐熱性の低い材料を使用することができ、材料選択の自由度が大きくなる。また、上記においては第1透光性基板3の他面上におけるシール剤5で囲まれた領域に硬化前の充填剤108’を塗布して第2透光性基板4を貼り合わせる場合について説明したが、第2透光性基板4の一面側の外周縁部にシール剤5を形成して該シール剤5で囲まれた領域に硬化前の充填剤108’を塗布して第1透光性基板3を貼り合わせてもよい。また、上記の実施の形態で説明した構成を有する薄膜光電変換セルを透光性基板上に複数形成し、隣接する薄膜光電変換セル同士を電気的に直列または並列に接続することにより、良好な光閉じ込め効果を有し、光電変換効率に優れた薄膜光電変換モジュールが実現できる。この場合は、例えば隣接する薄膜光電変換セルの一方の透明電極と他方の裏面電極とを電気的に接続すればよい。