"入力光を分岐して第1の信号光及び第2の信号光を出力する第1の光カプラと、前記第1の光カプラに接続され、前記第1の信号光を伝搬する第1の光導波路と、前記第1の光導波路とは光路長が異なる前記第2の信号光を伝搬する第2の光導波路とを有し、前記第1の信号光と前記第2の信号光との間に位相差を与える光位相シフタと、前記光位相シフタの前記第1の光導波路及び前記第2の光導波路に接続され、前記第1の光導波路から出力される前記第1の信号光と前記第2の光導波路から出力される前記第2の信号光とを結合する第2の光カプラとを有し、前記第1の光導波路は、第1の導波路幅を有し、第1の曲率半径で屈曲する曲げ光導波路であり、前記第2の光導波路は、第2の導波路幅を有し、第2の曲率半径で屈曲する曲げ光導波路であり、前記第1の導波路幅と前記第2の導波路幅とが等しく、前記第1の曲率半径と前記第2の曲率半径との差は±20の範囲内であることを特徴とする光導波路素子。請求項1記載の光導波路素子において、前記第1の曲率半径と前記第2の曲率半径とが同じであることを特徴とする光導波路素子。請求項1又は2記載の光導波路素子において、前記第1の光導波路の曲げ角度と前記第2の光導波路の曲げ角度とが異なっていることを特徴とする光導波路素子。請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光導波路素子において、前記第1の光導波路は、屈曲部と前記第1の光カプラ及び第2の光カプラとの間に、第1の直線導波路及び第2の直線導波路をそれぞれ有し、前記第2の光導波路は、屈曲部と前記第1の光カプラ及び第2の光カプラとの間に、第3の直線導波路及び第4の直線導波路をそれぞれ有することを特徴とする光導波路素子。請求項4記載の光導波路素子において、前記第1の光導波路の前記屈曲部と前記第1の直線導波路及び前記第2の直線導波路との間及び前記第2の光導波路の前記屈曲部と前記第3の直線導波路及び前記第4の直線導波路との間にオフセットが設けられていることを特徴とする光導波路素子。請求項1乃至5のいずれか1項に記載の光導波路素子において、前記第1の光カプラは、2つの入力ポートと、2対の出力チャネルを形成する4つの出力ポートとを有し、前記第1の光導波路及び前記第2の光導波路は、前記2対の出力チャネルのうちの一方に接続されていることを特徴とする光導波路素子。請求項6記載の光導波路素子において、前記第1の光カプラの前記2つの入力ポートの一方に四位相変位変調信号が入力され、前記第1の光カプラの前記2つの入力ポートの他方に局発光が入力されることを特徴とする光導波路素子。請求項6記載の光導波路素子において、1つの入力ポートと2つの出力ポートとを有する第3の光カプラと、前記第3の光カプラの前記2つの出力ポートの一方と前記第1の光カプラの前記2つの入力ポートの一方とを接続する第3の光導波路と、前記第3の光導波路とは光路長が異なり、前記第3の光カプラの前記2つの出力ポートの他方と前記第1の光カプラの前記2つの入力ポートの他方とを接続する第4の光導波路とを更に有することを特徴とする光導波路素子。請求項8記載の光導波路素子において、前記第3の光カプラの前記1つの入力ポートに差分四位相変換変調信号光が入力されることを特徴とする光導波路素子。請求項6乃至9のいずれか1項に記載の光導波路素子と、前記第1の光カプラの他方の一対の出力ポート及び前記第2の光カプラの出力ポートから出力される光信号を電気信号に変換する光電変換部と、前記電気信号に基づいて前記入力光の識別処理を実行する演算部とを有することを特徴とする光ハイブリッド回路。しかしながら、上記従来の方法は、製造トレランスに対する対策について十分に考慮されていなかった。このため、導波路を製造する際の製造ばらつき等によって所定の位相変化量から大幅にずれてしまい、所望の特性を実現できないことがあった。本発明の目的は、製造トレランスが大きく製造誤差による特性劣化の少ない光導波路素子及び光ハイブリッド回路を提供することにある。実施形態の一観点によれば、入力光を分岐して第1の信号光及び第2の信号光を出力する第1の光カプラと、前記第1の光カプラに接続され、前記第1の信号光を伝搬する第1の光導波路と、前記第1の光導波路とは光路長が異なる前記第2の信号光を伝搬する第2の光導波路とを有し、前記第1の信号光と前記第2の信号光との間に位相差を与える光位相シフタと、前記光位相シフタの前記第1の光導波路及び前記第2の光導波路に接続され、前記第1の光導波路から出力される前記第1の信号光と前記第2の光導波路から出力される前記第2の信号光とを結合する第2の光カプラとを有し、前記第1の光導波路は、第1の導波路幅を有し、第1の曲率半径で屈曲する曲げ光導波路であり、前記第2の光導波路は、第2の導波路幅を有し、第2の曲率半径で屈曲する曲げ光導波路であり、前記第1の導波路幅と前記第2の導波路幅とが等しく、前記第1の曲率半径と前記第2の曲率半径との差は±20の範囲内である光導波路素子が提供される。開示の光導波路素子及び光ハイブリッド回路によれば、製造誤差による導波路幅のずれやモード揺らぎによる特性劣化を抑制することができる。これにより、製造トレランスを大幅に向上することができる。[第1実施形態]第1実施形態による光導波路素子及びその製造方法について図1乃至図11を用いて説明する。図1乃至図3は、本実施形態による光導波路素子の構造を示す平面図である。図4は、本実施形態による光導波路素子の構造を示す概略断面図である。図5は、光導波路の曲げ角度θ1の下限値と曲率半径Rとの関係をシミュレーションにより求めた結果を示すグラフである。図6は、光導波路のオフセットを説明する図である。図7は、製造ばらつきによる光導波路の幅の変動を説明する図である。図8は、光カプラと曲げ光導波路との間のオフセットと分岐特性との関係をシミュレーションにより求めた結果を示すグラフである。図9及び図11は、参考例による光導波路素子の構造を示す平面図である。図10は、導波路幅の設計値からのずれと分岐特性との関係をシミュレーションにより求めた結果を示すグラフである。はじめに、本実施形態による光導波路素子の構造について図1乃至図5を用いて説明する。図1に示すように、本実施形態による光導波路素子10は、MMI型の光カプラ20,30と、光カプラ20に信号光を入力する光導波路12,14と、光カプラ20,30間を接続する光導波路22,24と、光カプラ30から信号光を出力する光導波路32,34とを有している。光カプラ20は、2つの入力ポートA,Bと、2つの出力ポートC,Dとを有するMMI型の3dB光カプラであり、入力ポートAに接続された光導波路12又は入力ポートBに接続された光導波路14から入力された光信号を、出力ポートC,Dに均等に分岐する。光導波路22及び光導波路24は、一端部が光カプラ20の出力ポートC及び出力ポートDにそれぞれ接続されており、他端部が光カプラ30の入力ポートE及び入力ポートFにそれぞれ接続されている。光導波路22及び光導波路24は、等しい導波路幅と異なる光路長を有している。また、光導波路22及び光導波路24は、図2に示すように、曲率半径Rが実質的に等しい曲げ光導波路を有している。本実施形態による光導波路素子の光導波路22及び光導波路24のように、光導波路が複数の屈曲部を有する場合には、これら屈曲部の曲率半径Rを実質的に等しくする。また、光導波路22と光導波路24との間の光路長差は、例えば、それぞれの曲げ角度θ1及びθ2を変えることにより、設けることができる。例えば、光導波路22の曲げ角度θ1よりも光導波路24の曲げ角度θ2を大きくすることにより、光導波路24の光路長を光導波路22の光路長よりも長くすることができる。光導波路22と光導波路24との間には、曲げ角度θ1及びθ2を適宜調整することにより、光路長差に応じた所定の位相差を与えることができる。なお、本明細書において曲げ角度とは、曲げ光導波路の曲率中心と曲げ光導波路の端部とを結ぶことにより形成される扇形の中心角に相当する図2参照。光導波路22及び光導波路24には、例えば図3に示すように、導波路の形状が変化する部分にオフセットを設けるようにしてもよい。また、曲げ光導波路は、光カプラ20,30に直に接続してもよいし、例えば図3に示すように、直線導波路を介して光カプラ20,30接続するようにしてもよい。光カプラ30は、2つの入力ポートE,Fと、2つの出力ポートG,Hとを有するMMI型の3dB光カプラである。入力ポートE及び入力ポートFには、光導波路22及び光導波路24の他端部がそれぞれ接続されており、出力ポートG及び出力ポートHには、光導波路32及び光導波路34がそれぞれ接続されている。光カプラ30は、光導波路22,24から入力された光信号を、これら光信号間の位相差に応じた分岐比により、光導波路32,34から出力する。図1に示す光導波路素子10は、例えば図4に示すように、下部クラッド層としてのInP基板100と、GaInAsPコア層102と、上部クラッド層としてのInP層104との積層体をメサ型にパターニングしたハイメサ導波路により形成されている。このように、本実施形態による光導波路素子10は、光カプラ20からの2つの出力信号光に位相差を与える光導波路22及び光導波路24として、導波路幅が互いに等しいとともに、曲率半径が実質的に等しく曲げ角度が互いに異なる曲げ光導波路を用いている。例えば、曲率半径Rを500μm、曲げ角度θ1を4.0度、曲げ角度θ2を4.62度とすると、光導波路22と光導波路24との間には、およそ61.3nm程度の光路長差が生じる。このとき得られる位相差は、およそ0.253π[rad]となる。すなわち、光導波路22から出力される信号光に対して、光導波路24から出力される信号光は、位相が0.253π[rad]遅れることとなる。光導波路22及び光導波路24を形成する導波路として実質的に曲率半径が等しい曲げ光導波路を用いているのは、曲げ光導波路において高次モードや高次漏洩モードが励振した際に、両光導波路22,24において同じモードが励振して打ち消し合うようにするためである。こうすることにより、光導波路22と光導波路24との間の位相変化量を維持することができる。かかる観点から、光導波路22を形成する曲げ光導波路と光導波路24を形成する曲げ光導波路とは、曲率半径が同じであることが望ましいが、光導波路22に励振したモードと光導波路24に励振したモードとが効果的に打ち消し合う範囲であれば、必ずしも曲率半径が同じである必要はない。実質的に曲率半径が等しいとは、光導波路22に励振したモードと光導波路24に励振したモードとが効果的に打ち消し合い、所望の特性を得ることのできる範囲であることを意味するものである。例えば、本実施形態の光導波路素子を後述する第2又は第4実施形態に記載のような90度ハイブリッド回路に適用することを考慮すると、Qチャネル間偏差は±0.3dB以下に抑えることが望ましい。Qチャネル間偏差を±0.3dB以内に抑えることを基準にして光導波路22の曲げ光導波路の曲率半径と光導波路24の曲げ光導波路の曲率半径との違いの許容範囲を算出したところ、許容範囲は±20程度以下であった。すなわち、光導波路22の曲げ光導波路の曲率半径と光導波路24の曲げ光導波路の曲率半径との違いを±20以内とすることにより、Qチャネル間偏差を±0.3dB以内に抑えることができる。このことは、光導波路22の曲げ光導波路の曲率半径と光導波路24の曲げ光導波路の曲率半径との違いを±20以内とすることにより、光導波路22に励振したモードと光導波路24に励振したモードとが効果的に打ち消すことができることを意味するものである。曲率半径Rの値は、用いる導波路パラメータに依存するため一概に規定することはできないが、本実施形態に示すようなハイメサ導波路構造を有する光導波路素子の場合、下限値を100μm程度とすることが望ましい。曲率半径Rが小さくなるにつれ過剰損が増大するため、例えば90度ハイブリッド回路に適用する場合にあっては、Qチャネル間バランスをとることが困難になる。前述の下限値は、Qチャネル間偏差を±0.3dB以内に抑えることができることを前提として算出したものである。なお、光導波路22の曲率が小さくなり直線導波路に限りなく近づくと、光導波路22に高次モードや高次漏洩モードが励振しにくくなり、光導波路24に励振したモードを相殺する効果が損なわれる。かかる観点から、光導波路22の曲げ角度θ1は、曲率半径Rの値に応じて下限値を規定することが望ましい。図5は、光導波路22の曲げ角度θ1の下限値と曲率半径Rとの関係をシミュレーションにより求めた結果を示すグラフである。図5に示すように、曲げ角度θ1の下限値は、曲率半径Rの増加とともに減少する。例えば、曲率半径が100μmのとき、曲げ角度θ1の下限値は18度となる。曲率半径が200μmのとき、曲げ角度θ1の下限値は18度となる。曲率半径が300μmのとき、曲げ角度θ1の下限値は6度となる。曲率半径が500μmのとき、曲げ角度θ1の下限値は4度となる。曲率半径が1000μmのとき、曲げ角度θ1の下限値は2度となる。光導波路24の曲げ角度θ2は、光導波路22との光路長差によって所望の位相差が得られるように、光導波路22の曲げ角度θ1より大きい値を適宜選択する。次に、本実施形態による光導波路素子の製造トレランスについて図6乃至図11を用いて説明する。光導波路素子の導波路パラメータは、製造時のばらつき等により設計値からずれることがある。例えば、光カプラの入出力ポートにおけるオフセットが製造誤差により所定値からずれる場合、理論的に見積もったオフセットの値が実験値とずれる場合などのケースが考えられる。オフセットとは、例えば図6aに示すように、光カプラ80と曲げ光導波路84との間に直線導波路82が位置する場合において、直線導波路82と曲げ光導波路84との間に設けられるオフセットΔである。或いは、例えば図6bに示すように、光カプラ80に対して曲げ光導波路84が直に接続される場合において、直線導波路の仮想的な位置に対する曲げ光導波路84のオフセットΔである。または、例えば光導波路の幅そのものが所定値からずれるケースが考えられる。例えば、図7aに示すように、完成した光導波路86の幅が設計値Wよりも広いWδWになった場合が挙げられる。或いは、図7bに示すように、完成した光導波路46の幅が設計値Wよりも狭いW-δWになった場合が挙げられる。これらの原因によって導波路パラメータが設計値からずれると、位相変化量が設計値からずれることになり、分岐比を一定に保つことができなくなる。図8は、光カプラと曲げ光導波路との間のオフセットと分岐特性との関係をシミュレーションにより求めた結果を示すグラフである。図中、実線は図3に示す本実施形態の光導波路素子の特性図中、本発明と表すであり、点線は図9に示す参考例の光導波路素子の特性図中、参考例と表すである。参考例の光導波路素子は、図9に示すように、位相差を与える2つの光導波路26,28が異なるほかは、図3に示す本実施形態の光導波路素子と同様である。参考例の光導波路素子は、位相差を与える2つの光導波路26,28のうち、一方の光導波路26が直線導波路により形成され、他方の光導波路28が曲げ光導波路により形成されたものである。片方の光導波路28を曲げ光導波路とすることにより、光導波路26と光導波路28との光路長を変えることができ、光導波路26から出力される信号光と光導波路28から出力される信号光との間に位相差を与えることができる。図8の計算例では、光導波路22を通過する信号光と光導波路24を通過する信号光との間の位相変化量及び光導波路26を通過する信号光と光導波路28を通過する信号光との間の位相変化量を-π/4[rad]に設定した。また、光カプラ20と光導波路22,24,28の曲げ光導波路との間及び光カプラ30と光導波路22,24,28の曲げ光導波路との間に直線導波路が形成されているものとし、直線導波路と曲げ光導波路との間のオフセットΔを定義した図6a参照。また、光導波路素子の構造としては、図4に示すようなハイメサ導波路構造を想定し、GaInAsPコア層のバンドギャップ波長λgを1.05μm、入出力導波路幅を2.5μmとした。それぞれの光導波路素子は、単一モード条件を満足し、光信号を85:15の割合で非対称分岐させるものとして機能するように最適化した。図3に示す本実施形態の光導波路素子及び図9に示す参考例の光導波路素子では、遅延干渉計に曲げ光導波路を用いているため、モード揺らぎが発生する虞がある。通常、限られた範囲内でオフセットΔを適正化することにより、モード揺らぎによる特性劣化を低減することができる。この場合、いずれの光導波路素子の場合にも、最適なオフセットΔは、0.04μm程度と見積もられた。ただし、製造時の誤差によっては、最適なオフセットΔは必ずしも固定値にならない可能性がある。参考例の光導波路素子では、図8に示すように、オフセットΔが最適値の0.04μmからずれるにつれ、クロスポートへ結合する比率85、~0.7dB損失及びバーポートへ結合する比率15、~8.3dB損失が大幅に変化する。その変化量は、オフセットΔが±0.04μm変化する範囲において、±5及び±23にも及ぶ。オフセットΔに対して特性が大きく変化した原因は、最適なオフセットΔからずれるにつれ、曲げ光導波路において高次モード或いは高次漏洩モードが励振し、光導波路26,28間の光路長差ΔLPSに起因する所望の位相変化量が変わったためである。これに対し、本実施形態の光導波路素子では、図8に示すように、オフセットΔが最適値0.04μmから±0.04μmほど変化しても、クロスポート及びバーポートへ結合する比率はほとんど変化していない。最適値の場合に対する変化量は、何れの出力チャネルでも±1程度に収まっている。これは、本実施形態の光導波路素子においても、最適なオフセットΔからずれるにつれて曲げ光導波路において高次モード或いは高次漏洩モードが励振するものの、両アームの曲げ光導波路で同じモードが励振するため、所望の位相変化量が保たれるためである。なお、図8の計算例では、光カプラ20,30間の曲げ光導波路の前後に直線導波路が存在する場合を想定したが、例えば図6bに示すように、光カプラ20,30に曲げ光導波路が直に接続されている場合も同様である。カプラ設計例えば、MMI幅やMMI長が適正であれば、図8と同様の特性を得ることができる。ただし、カプラ設計が適正でない場合、光カプラ20,30間の曲げ光導波路の前後に直線導波路を設けた方が所望の特性を得やすい傾向になる。例えば、入力光波長依存性や製造誤差などにより、MMIカプラ設計が適正でなくなった場合、MMIカプラの入出力チャネルにおけるモード分布は所望の自己結像によるモード分布からずれることになる。その伝搬モードがそのまま曲げ光導波路へ入力されると、たとえオフセットΔを適正化してもモードミスマッチに起因する損失を得てしまうため、所望の特性改善を得にくくなる。本実施形態の光導波路素子は、図7に示すような導波路幅Wのばらつきに対する製造トレランスの面でも有利である。図10は、導波路幅の設計値からのずれと分岐特性との関係をシミュレーションにより求めた結果を示すグラフである。図中、実線は図3に示す本実施形態の光導波路素子の特性図中、本発明と表すであり、点線は図11に示す参考例の光導波路素子の特性図中、第1参考例と表すであり、点線は図9に示す参考例の光導波路素子の特性図中、第2参考例と表すである。シミュレーションに用いた計算条件は、図8のシミュレーションに用いた計算条件と同様である。第1参考例の光導波路素子は、図11に示すように、位相差を与える2つの光導波路26,28が異なるほかは、図3に示す本実施形態の光導波路素子と同様である。参考例の光導波路素子は、位相差を与える2つの光導波路26,28のうち、一方の光導波路26が直線導波路により形成され、他方の光導波路28が一部にテーパ領域を有するテーパ導波路により形成されたものである。図10に示すように、導波路幅が設計値通りの場合、すなわち導波路幅の設計値からのずれ量δWが0μmの場合、両アームの形状によらず、光導波路素子の分岐比は設計値85:15に近い値になっている。これに対し、ずれ量δWが-0.05μm~0.05μmの範囲内で変化すると、光導波路素子の分岐比は両アームの導波路形状に依存して大きく変化する。光位相シフタをテーパ導波路により形成した第1参考例の光導波路素子の場合、ずれ量δWの変化に対し、クロスポートへ結合する比率85:~0.7dBは、さほど影響しない。これに対し、バーポートへ結合する比率15:~8.3dBは、ずれ量δWに対して線形的に変化し、その変化率は±11程にもなる。このように、光位相シフタをテーパ導波路により形成した光導波路素子では、導波路幅が設計値からずれると、テーパ領域における位相変化が所定値からずれることになり、分岐比を一定に保つことができない。光位相シフタをテーパ導波路により形成した場合、特性劣化の度合いFM1は、下記の式1によって表すことができる。ここで、k0は真空中の波数を表し、LPSは位相変化領域長を表し、δn1及びδn2は両アームにおける導波路幅のずれに対する屈折率変化を表す。ブラケット<>は、両アームの導波路幅が一定ではないため、局所的に屈折率変化が異なることを表す。FM1∝k0<δn1>-<δn2>LPS...1式1に示すように、導波路幅のずれに対する特性劣化を緩和するためには、<δn1>-<δn2>又はLPSを低減することが重要である。しかしながら、これら2つのパラメータは、所望の位相変化を得るために一方を低減すると他方を増加せざるを得ない関係にある。したがって、光位相シフタをテーパ導波路により形成した光導波路素子では、製造トレランスの増大には限界がある。この限界を克服するためには、両アームに対する伝搬定数を等しくすることが最も有効である。一方、遅延干渉計の両アームの導波路幅が等しい第2参考例の光導波路素子及び本実施形態の光導波路素子の場合、ずれ量δWの変化に対し、何れの出力ポートへ結合する比率も、その変化率は±2.5程度以下に抑えられている。このように、遅延干渉計の両アームの導波路幅を等しくすることにより、光位相シフタをテーパ導波路により形成する場合と比較して、導波路幅のずれに対する特性劣化を緩和することができる。両アームの導波路幅を等しくして曲げ光導波路の遅延干渉計を形成した場合、特性劣化の度合いFM2は、下記の式2によって表すことができる。ここで、neqは導波路の実効屈折率であり、ΔLPSは両アーム間の光路長差を表す。FM2∝k0neqΔLPS...2式1と式2とを比較すると、実効屈折率neqは<δn1>-<δn2>よりも2桁ほど大きいものの、光路長差ΔLPSはLPSより2桁以上小さい。その結果、特性劣化の度合いFM2は、特性劣化の度合いFM1よりも小さくすることができ、導波路幅のずれに対する特性劣化を緩和することができる。図8及び図10に示す特性は、位相変化量Δθが-π/4[rad]の場合の計算結果であるが、本実施形態による光導波路素子における特性改善効果は、任意の位相変化量Δθについても常に成立する。したがって、本実施形態による光導波路素子によれば、伝搬モードの揺らぎ及び導波路幅のずれに対する製造トレランスを飛躍的に向上することができる。なお、図1及び図3に示す例では、MMIカプラへ結合する直線導波路或いは曲げ光導波路の幅が一定であるが、これに限定されるものではない。例えば、MMIカプラ領域へ接続する導波路の幅がテーパ形状に変化するような場合にも、図1及び図3に示す光導波路素子と同様の効果を得ることができる。次に、本実施形態による光導波路素子の製造方法について説明する。まず、n型又はアンドープのInP基板100上に、例えば有機金属気相成長MOVPE法により、膜厚0.5μmのアンドープのGaInAsPコア層102と、膜厚2μmのp型或いはアンドープのInP層104とをエピタキシャル成長する図4参照。GaInAsPコア層102の発光波長は、例えば1.05μmとする。次いで、InP層104上に、例えば蒸着法により、マスクとなるシリコン酸化膜図示せずを堆積する。次いで、フォトリソグラフィにより、シリコン酸化膜上に、光導波路素子の導波路パターンを有するフォトレジスト膜図示せずを形成する。次いで、フォトレジスト膜をマスクとしてシリコン酸化膜をエッチング後、パターニングしたシリコン酸化膜をマスクとして、InP層104、GaInAsPコア層102及びInP基板100を、例えばICP反応性イオンエッチングにより異方性エッチングする。これにより、高さ3.0μm程度のハイメサ導波路構造を形成し、本実施形態による光導波路素子を完成する。このように、本実施形態によれば、光位相シフタを形成する2つの光導波路を、導波路幅及び曲率半径が実質的に同じである曲げ光導波路を有する光導波路により形成するので、導波路幅のずれ及びモード揺らぎによる特性劣化を防ぐことができる。これにより、製造トレランスを大幅に向上することができる。第2実施形態第2実施形態による光導波路素子について図12乃至図19を用いて説明する。第1実施形態による光導波路素子と同様の構成要素には同様の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図12は、本実施形態による光導波路素子の構造を示す平面図である。図13は、本実施形態による光導波路素子の動作を説明する平面図である。図14及び図15は、入力チャネルから光信号を入射したときの光導波路素子の分岐特性を示すグラフである。図16及び図17は、光位相シフタ領域のオフセットとQチャネル間偏差との関係を示すグラフである。図18は、導波路幅のずれ量とQチャネル間偏差との関係を示すグラフである。図19は、本実施形態の変形例による光導波路素子の構造を示す平面図である。はじめに、本実施形態による光導波路素子について図12を用いて説明する。本実施形態による光導波路素子は、第1実施形態による光導波路素子の光位相シフタを、多値変調信号を復調する90度ハイブリッド回路に適用したものである。図12に示すように、2つの入力ポートと4つの出力ポートとを有するMMI型の光カプラ40と、2つの入力ポートと2つの出力ポートとを有するMMI型の光カプラ30とを有している。光カプラ40は、対モード干渉PI:pairedinterferenceに基づく2:4MMIカプラである。光カプラ40の入力ポートには、光導波路42,44が接続されている。光カプラ40の2対の出力チャネルのうち、一方の出力チャネルには、光導波路46,48が接続されている。光カプラ40他方の出力チャネルと光カプラ30との間には、光導波路22,24が接続されている。光導波路22,24は、第1実施形態による光導波路素子の光導波路22,24と同様であり、光位相シフタを形成するものである。光カプラ30の出力ポートには、光導波路32,34が接続されている。次に、本実施形態による光導波路素子の動作について図13を用いて説明する。図13に示すように、光カプラ40の入力ポートに、光導波路42を介して四位相変位変調QPSK:quadraturephaseshiftkeying信号を入射し、光導波路44を介して局発LO:localoscillator光を入射する。すると、光カプラ40の2対の出力チャネルには、入力信号が同相信号inphaseに変換されて出力される。2対の出力チャネルに出力された信号光のうち、光導波路22,24に出力される一対の出力チャネル成分は、光位相シフタである光導波路22,24及び光カプラ30によって直交位相信号quadratureに変換される。これにより、本実施形態による光導波路素子は、90度ハイブリッド回路として機能する。次に、本実施形態による光導波路素子の製造トレランスについて図14乃至図18を用いて説明する。直交位相信号におけるクロストークを解消するためには、光位相シフタ領域における位相変化量の総和θ1-θ2を-π/4[rad]に適正化することが重要である。製造工程などにより光位相シフタにおけるΔθが設計値からずれると、直交位相信号成分のみが特性劣化を受けることになる。通常、エラーを伴わない光信号処理を行うためには、光受信時、同相信号雑音比CMRR:commonmodeconstantratioと呼ばれるパラメータを20dB以下に抑えることが求められる。20dB以下のCMRRを得るためには、90度ハイブリッドにおけるI及びQチャネル間偏差を~0.9dB以内に抑えることが望ましい。ただし、バランスド光受信機balancedphotodiodeにおける受信感度のばらつきを考慮すると、90度ハイブリッドにおけるチャネル間偏差はより厳しい。図14及び図15は、いずれかの入力チャネルから光信号を入射したときの光導波路素子の分岐特性を示すグラフである。図14は、図11に示す本実施形態の光導波路素子の場合である。図15は、光位相シフタとして図11の光導波路22,24の代わりに図9の光導波路素子の光導波路26,28を用いた光導波路素子の場合である。光導波路素子の構造は、図4に示すようなハイメサ導波路構造を有し、GaInAsPコア層のバンドギャップ波長λgは1.05μmである。光導波路22,24,26,28のオフセットΔは、0.04μmに最適化されている。図14及び図15に示すように、いずれの光導波路素子の場合にも、良好な分岐特性を示しており、Iチャネル及びQチャネルともにチャネル間偏差が小さいことが判る。しかしながら、チャネル間偏差の製造ばらつきによる影響は、光位相シフタ領域の導波路構造に依存して顕著に相違する。図16及び図17は、光位相シフタ領域のオフセットΔとQチャネル間偏差との関係を示すグラフである。図16は、図12に示す本実施形態の光導波路素子の場合である。図17は、光位相シフタとして図12の光導波路22,24の代わりに図9の光導波路26,28を用いた光導波路素子の場合である。図16に示すように、本実施形態の光導波路素子では、オフセットΔの最適化と関係なく、Qチャネル間偏差は±0.3dB以内に収まっている。本実施形態の光導波路素子では、第1実施形態において述べたように、光位相シフタ領域でモード揺らぎが発生してもその影響を抑制することができるため、Qチャネル間偏差を常に一定に保つことができる。これに対し、光位相シフタとして図9の光導波路26,28を用いた光導波路素子では、オフセットΔが設計値0.04μmからずれるにつれ、Qチャネル間偏差が顕著に現れていることが判る。本実施形態による光導波路素子は、導波路幅のずれ量δWに対する特性劣化をも防ぐことができる。図18は、本実施形態の光導波路素子における導波路幅のずれ量とQチャネル間偏差との関係を示すグラフである。なお、Iチャネル間偏差は導波路幅のずれ量δWにほとんど影響されないため、図18では省略している。図18に示すように、本実施形態の光導波路素子では、導波路幅のずれ量δWが-0.05μm~0.05μmの範囲で変動しても、チャネル間偏差はCバンド帯域内で±0.2dB以内に収まっている。このことは、製造トレランスが飛躍的に改善されていることを示すものである。なお、図16乃至図18に示す特性改善効果は、図12に示す構造の光導波路素子に限定されるものではない。例えば、図19に示すように、光カプラ40の2対の出力チャネルについて、光位相シフタ及び光カプラ30に接続するポートを入れ替えても、同様の特性を得ることができる。図19に示す構造を用いた場合、同相信号と直交位相信号が出力するチャネルが入れ替わる関係になる。この場合、光カプラ40及び光カプラ30間の位相整合に求められる光位相シフタ領域における位相変化量の総和θ1-θ2は、π/4[rad]となる。また、図12及び図19に示す光導波路素子に適切な位相変化量の総和θ1-θ2は、-π/4又はπ/4に限定されるものではない。基本的に、位相変化量の総和θ1-θ2は、-π/4-s×π/2sは任意の自然数又はπ/4t×π/2tは任意の自然数にすれば、同様の特性を得ることができる。本実施形態による光導波路素子の製造方法は、加工するパターン形状が異なるほかは、第1実施形態による光導波路素子の製造方法と同様である。このように、本実施形態によれば、第1実施形態による光導波路素子を用いて90度ハイブリッド回路を形成するので、製造トレランスの大きい90度ハイブリッド回路を実現することができる。これにより、直交位相成分における過剰損失及びクロストークを抑制することができる。第3実施形態第3実施形態による光ハイブリッド回路について図20を用いて説明する。第1及び第2実施形態による光導波路素子と同様の構成要素には同様の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図20は、本実施形態による光ハイブリッド回路の構造を示す平面図である。はじめに、本実施形態による光ハイブリッド回路の構造について図20を用いて説明する。本実施形態による光ハイブリッド回路は、第2実施形態による光導波路素子を用いたコヒーレント光受信機である。すなわち、図20に示すように、第2実施形態による光導波路素子の光導波路46,48の出力側に、バランスド光検出器BPD:balancedphotodiode50を介してトランスインピーダンスアンプTIA:transimpedanceamplifier52が接続されている。トランスインピーダンスアンプ52には、AD変換部54が接続されている。また、光導波路32,34の出力側には、バランスド光検出器56を介してトランスインピーダンスアンプ58が接続されている。トランスインピーダンスアンプ58には、AD変換部60が接続されている。AD変換部54及びAD変換部60には、デジタル演算回路62が接続されている。次に、本実施形態による光ハイブリッド回路の動作について図20を用いて説明する。QPSK信号パルスと、QPSK信号パルスに時間的に同期したLO光とを、90度ハイブリッド回路の入力ポートである光導波路42,44に入射する。これにより、90度ハイブリッド回路の出力ポートである光導波路32,34,46,48からは、QPSK信号光の位相状態に応じた信号光が出力される。90度ハイブリッド回路から出力された信号光は、同相及び直交位相関係を有するチャネル同士が、それぞれ、バランスド光検出器50,56に入射され、バランスド光検出器50,56により光電変換される。バランスド光検出器50,56から出力される電流信号は、トランスインピーダンスアンプ52,58により電圧信号に変換される。電圧信号に変換されたアナログ電気信号は、AD変換部54,60によりデジタル信号に変換され、デジタル演算回路62に送られる。バランスド光検出器50,56は、上部及び下部のみへのフォトダイオードへの入力に対してそれぞれ1及び-1に相当する電流が流れ、両方のフォトダイオードへの同時入力に対して電流が流れない特徴を有する。したがって、デジタル演算回路62に送られたデジタル信号を信号処理することにより、QPSK信号光における位相情報を識別することができ、コヒーレント光受信機として機能させることができる。このように、本実施形態によれば、第2実施形態による光導波路素子を用いてコヒーレント光受信機を形成するので、製造トレランスの大きいコヒーレント光受信機を実現することができる。第4実施形態第4実施形態による光導波路素子について図21を用いて説明する。第1乃至第3実施形態による光導波路素子と同様の構成要素には同様の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図21は、本実施形態による光導波路素子の構造を示す平面図である。はじめに、本実施形態による光導波路素子の構造について図21を用いて説明する。本実施形態による光導波路素子は、差分四位相変位変調DQPSK:differentialquadraturephaseshiftkeying信号光に対応した90度光ハイブリッド回路である。図21に示すように、本実施形態による光導波路素子は、光カプラ40の前段の構造が異なるほかは、図12に示す第2実施形態による光導波路素子と基本的に同じである。光カプラ40の前段には、光導波路74,76を介して1入力2出力のMMI型の光カプラ70が設けられている。光カプラ40と光カプラ70とを接続する光導波路74,76は、互いに光路長が異なっている。入力信号光は、光導波路72を介して光カプラ70の入力ポートに入力される。本実施形態による光導波路素子には、LO光発生部は設けられていない。次に、本実施形態による光導波路素子の動作について図21を用いて説明する。光導波路72を介して光カプラ70にDQPSK信号光を入射すると、入射したDQPSK信号光は、光カプラ70によって光導波路74と光導波路76との2つの経路に分けられる。光導波路74と光導波路76との間には、DQPSK信号パルスの1ビットの遅延に相当する光路長差が設けられている。これにより、2つの経路に分けられた信号光同士は、-90度、90度、0度及び180度の4種類のうちのいずれかの位相差を有する。光カプラ70以降の動作は、第2実施形態による光導波路素子と同様である。これにより、本実施形態による光導波路素子は、90度光ハイブリッド回路として機能する。なお、光カプラ70の代わりに、Y分岐カプラ、2:2MMI又は2:2方向性結合器を用いることによっても、同様の90度光ハイブリッド動作を実現することができる。このように、本実施形態によれば、第1実施形態による光導波路素子を用いて90度ハイブリッド回路を形成するので、製造トレランスの大きい90度ハイブリッド回路を実現することができる。これにより、直交位相成分における過剰損失及びクロストークを抑制することができる。また、LO光源が不要となり、装置構成を簡略化することができる。第5実施形態第5実施形態による光ハイブリッド回路について図22を用いて説明する。第1、第2及び第4実施形態による光導波路素子及び第3実施形態による光ハイブリッド回路と同様の構成要素には同様の符号を付し、説明を省略し又は簡潔にする。図22は、本実施形態による光ハイブリッド回路の構造を示す平面図である。はじめに、本実施形態による光ハイブリッド回路の構造について図22を用いて説明する。本実施形態による光ハイブリッド回路は、第4実施形態による光導波路素子を用いたコヒーレント光受信機である。すなわち、図22に示すように、第4実施形態による光導波路素子の光導波路46,48の出力側に、バランスド光検出器50を介してトランスインピーダンスアンプ52が接続されている。トランスインピーダンスアンプ52には、AD変換部54が接続されている。また、光導波路32,34の出力側には、バランスド光検出器56を介してトランスインピーダンスアンプ58が接続されている。トランスインピーダンスアンプ58には、AD変換部60が接続されている。AD変換部54及びAD変換部60には、デジタル演算回路62が接続されている。次に、本実施形態による光ハイブリッド回路の動作について図20を用いて説明する。光導波路72を介して光カプラ70にDQPSK信号光を入射すると、入射したDQPSK信号光は、光カプラ70によって光導波路74と光導波路76との2つの経路に分けられる。光導波路74と光導波路76との間には、DQPSK信号パルスの1ビットの遅延に相当する光路長差が設けられている。2つの経路に分けられた信号光同士は、第4実施形態に示したように、信号光同士の相対位相差によって異なる出力形態となる。光導波路74及び光導波路76からの出力光は、90度ハイブリッド回路の入力ポートである光導波路42,44に入射する。これにより、90度ハイブリッド回路の出力ポートである光導波路32,34,46,48からは、DQPSK信号光の位相状態に応じた信号光が出力される。90度ハイブリッド回路から出力された信号光は、同相及び直交位相関係を有するチャネル同士が、それぞれ、バランスド光検出器50,56に入射され、バランスド光検出器50,56により光電変換される。バランスド光検出器50,56から出力される電流信号は、トランスインピーダンスアンプ52,58により電圧信号に変換される。電圧信号に変換されたアナログ電気信号は、AD変換部54,60によりデジタル信号に変換され、デジタル演算回路62に送られる。ここで、バランスド光検出器50,56は、上部及び下部のみへのフォトダイオードへの入力に対してそれぞれ1及び-1に相当する電流が流れ、両方のフォトダイオードへの同時入力に対して電流が流れない特徴を有する。したがって、デジタル演算回路62に送られたデジタル信号を信号処理することにより、DQPSK信号光における位相情報を識別することができ、コヒーレント光受信機として機能させることができる。このように、本実施形態によれば、第4実施形態による光導波路素子を用いてコヒーレント光受信機を形成するので、製造トレランスの大きいコヒーレント光受信機を実現することができる。また、LO光源が不要となり、装置構成を簡略化することができる。[変形実施形態]上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態に記載した光導波路素子の構造、構成材料、製造条件等は、一例を示したものにすぎず、当業者の技術常識等に応じて適宜修正や変更が可能である。例えば、上記実施形態では、InP系化合物半導体材料を用いて光導波路素子を形成する場合を示したが、光導波路素子を形成する材料はこれに限定されるものではない。例えば、GaAs系化合物半導体材料、Si系半導体材料、誘電体材料、高分子材料などを用いて光導波路素子を形成することによっても、上記実施形態の光導波路素子と同様の効果を得ることができる。また、上記実施形態では、ハイメサ導波路構造を有する光導波路素子を示したが、導波路の構造はこれに限定されるものではない。例えば、BHBuriedHetero構造、リッジ導波路構造などの他の導波路構造を有する光導波路素子に適用することもできる。以上の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。付記1入力光を分岐して第1の信号光及び第2の信号光を出力する第1の光カプラと、前記第1の光カプラに接続され、前記第1の信号光を伝搬する第1の光導波路と、前記第1の光導波路とは光路長が異なる前記第2の信号光を伝搬する第2の光導波路とを有し、前記第1の信号光と前記第2の信号光との間に位相差を与える光位相シフタと、前記光位相シフタの前記第1の光導波路及び前記第2の光導波路に接続され、前記第1の光導波路から出力される前記第1の信号光と前記第2の光導波路から出力される前記第2の信号光とを結合する第2の光カプラとを有し、前記第1の光導波路は、第1の導波路幅を有し、第1の曲率半径で屈曲する曲げ光導波路であり、前記第2の光導波路は、第2の導波路幅を有し、第2の曲率半径で屈曲する曲げ光導波路であり、前記第1の導波路幅と前記第2の導波路幅とが等しく、前記第1の曲率半径と前記第2の曲率半径との差は±20の範囲内であることを特徴とする光導波路素子。付記2付記1記載の光導波路素子において、前記第1の曲率半径と前記第2の曲率半径とが同じであることを特徴とする光導波路素子。付記3付記1又は2記載の光導波路素子において、前記第1の光導波路の曲げ角度と前記第2の光導波路の曲げ角度とが異なっていることを特徴とする光導波路素子。付記4付記1乃至3のいずれか1項に記載の光導波路素子において、前記第1の光導波路は、屈曲部と前記第1の光カプラ及び第2の光カプラとの間に、第1の直線導波路及び第2の直線導波路をそれぞれ有し、前記第2の光導波路は、屈曲部と前記第1の光カプラ及び第2の光カプラとの間に、第3の直線導波路及び第4の直線導波路をそれぞれ有することを特徴とする光導波路素子。付記5付記4記載の光導波路素子において、前記第1の光導波路の前記屈曲部と前記第1の直線導波路及び前記第2の直線導波路との間及び前記第2の光導波路の前記屈曲部と前記第3の直線導波路及び前記第4の直線導波路との間にオフセットが設けられていることを特徴とする光導波路素子。付記6付記1乃至5のいずれか1項に記載の光導波路素子において、前記第1の光カプラ、前記第2の光カプラ、前記第1の光導波路及び前記第2の光導波路は、ハイメサ導波路構造を有することを特徴とする光導波路素子。付記7付記1乃至6のいずれか1項に記載の光導波路素子において、前記第1の光カプラは、2つの入力ポートと、2対の出力チャネルを形成する4つの出力ポートとを有し、前記第1の光導波路及び前記第2の光導波路は、前記2対の出力チャネルのうちの一方に接続されていることを特徴とする光導波路素子。付記8付記1乃至7のいずれか1項に記載の光導波路素子において、前記第2の光カプラは、2つの入力ポートと2つの出力ポートを有する光カプラであることを特徴とする光導波路素子。付記9付記7又は8記載の光導波路素子において、前記第1の光カプラの前記2つの入力ポートの一方に四位相変位変調信号が入力され、前記第1の光カプラの前記2つの入力ポートの他方に局発光が入力されることを特徴とする光導波路素子。付記10付記7又は8記載の光導波路素子において、1つの入力ポートと2つの出力ポートとを有する第3の光カプラと、前記第3の光カプラの前記2つの出力ポートの一方と前記第1の光カプラの前記2つの入力ポートの一方とを接続する第3の光導波路と、前記第3の光導波路とは光路長が異なり、前記第3の光カプラの前記2つの出力ポートの他方と前記第1の光カプラの前記2つの入力ポートの他方とを接続する第4の光導波路とを更に有することを特徴とする光導波路素子。付記11付記10記載の光導波路素子において、前記第3の光カプラの前記1つの入力ポートに差分四位相変換変調信号光が入力されることを特徴とする光導波路素子。付記12付記7乃至11のいずれか1項に記載の光導波路素子と、前記第1の光カプラの他方の一対の出力ポート及び前記第2の光カプラの出力ポートから出力される光信号を電気信号に変換する光電変換部と、前記電気信号に基づいて前記入力光の識別処理を実行する演算部とを有することを特徴とする光ハイブリッド回路。"