活性層と、前記活性層の上下に設けられた上部DBR及び下部DBRとにより、共振器構造が形成されているエピタキシャル基板に、前記活性層を励起する波長のレーザ光を照射する工程と、前記レーザ光を照射することにより励起された前記活性層から発せられたフォトルミネッセンス光を測定する工程と、前記フォトルミネッセンス光のピークを検出することにより、前記エピタキシャル基板の共振器構造の共振波長を検出する工程と、前記レーザ光を照射することにより生じた前記エピタキシャル基板からの散乱光を検出し、前記散乱光の強度に基づき前記エピタキシャル基板の表面の異物または凹凸の有無または大きさを推定する工程と、を有することを特徴とするエピタキシャル基板の測定方法。前記レーザ光の波長は、前記共振器構造が形成されているエピタキシャル基板の反射スペクトルにおける高反射領域の波長よりも短い波長であることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャル基板の測定方法。前記エピタキシャル基板は、区分領域ごとに区分されており、前記レーザ光の照射は、前記区分領域ごとに行なわれるものであることを特徴とする請求項1又は2に記載のエピタキシャル基板の測定方法。基板上に、前記上部DBR、前記活性層及び前記下部DBRをエピタキシャル成長させることによりエピタキシャル基板を形成する工程と、請求項1から3のいずれかに記載の測定方法により、前記エピタキシャル基板を測定する工程と、前記測定に基づき良品となるエピタキシャル基板に前記活性層に電流を注入し励起するための電極を形成する工程と、を特徴とする面発光レーザの製造方法。活性層と、前記活性層の上下に設けられた上部DBR及び下部DBRとにより、共振器構造が形成されているエピタキシャル基板にレーザ光を照射するためのレーザ光源と、前記レーザ光を照射することにより励起された前記活性層から発せられたフォトルミネッセンス光を検出する第1の光検出器と、前記レーザ光を照射することにより生じた前記エピタキシャル基板からの散乱光を検出する第2の光検出器と、を有し、前記第1の光検出器において検出されたフォトルミネッセンス光のピークを検出することにより、前記エピタキシャル基板の共振器構造の共振波長を検出し、前記第2の光検出器により検出された散乱光の光強度に基づき、前記エピタキシャル基板の表面の異物または凹凸の有無または大きさを推定することを特徴とするエピタキシャル基板の測定装置。前記エピタキシャル基板は、2次元的に移動可能なステージに設置されており、前記エピタキシャル基板は、区分領域ごとに区分されており、前記レーザ光は、区分領域ごとに照射し、前記フォトルミネッセンス光及び前記散乱光を検出するものであることを特徴とする請求項5に記載のエピタキシャル基板の測定装置。前記第2の光検出器は、複数設けられていることを特徴とする請求項5又は6に記載のエピタキシャル基板の測定装置。前記第1の光検出器と前記エピタキシャル基板との間には、光を波長ごとに分光する分光器が設けられていることを特徴とする請求項5から7のいずれかに記載のエピタキシャル基板の測定装置。これまでは、エピタキシャル基板に形成されたVCSEL構造の共振ピーク波長の測定は、共振ピーク波長を測定するための専用の測定装置により測定し、基板の表面における異物の大きさや個数等は、表面における異物や凹凸等の大きさや個数等を測定するための専用の測定装置により測定していた。このため、これらの測定には、2つの専用の測定装置が必要となり、また、各々測定を行なうことが必要となる。従って、各々の測定装置間においてエピタキシャル基板を移動する必要があり、エピタキシャル基板に異物等が付着する可能性が増加し、各々の測定を行なうため時間を要し面発光レーザの製造コストが増加してしまうといった問題点を有していた。また、各々の装置コストや各々の測定装置を設置するための専用のスペースを要するといった問題も有していた。本発明は、このような状況に鑑みなされたものであり、1つの装置により、VCSEL構造の形成されているエピタキシャル基板の共振波長と異物や凹凸等の大きさ等を同時に測定することのできるエピタキシャル基板の測定方法、面発光レーザの製造方法及びエピタキシャル基板の測定装置を提供することを目的とするものである。本発明は、活性層と、前記活性層の上下に設けられた上部DBR及び下部DBRとにより、共振器構造が形成されているエピタキシャル基板に、前記活性層を励起する波長のレーザ光を照射する工程と、前記レーザ光を照射することにより励起された前記活性層から発せられたフォトルミネッセンス光を測定する工程と、前記フォトルミネッセンス光のピークを検出することにより、前記エピタキシャル基板の共振器構造の共振波長を検出する工程と、前記レーザ光を照射することにより生じた前記エピタキシャル基板からの散乱光を検出し、前記散乱光の強度に基づき前記エピタキシャル基板の表面の異物または凹凸の有無または大きさを推定する工程と、を有することを特徴とする。また、本発明は、活性層と、前記活性層の上下に設けられた上部DBR及び下部DBRとにより、共振器構造が形成されているエピタキシャル基板にレーザ光を照射するためのレーザ光源と、前記レーザ光を照射することにより励起された前記活性層から発せられたフォトルミネッセンス光を検出する第1の光検出器と、前記レーザ光を照射することにより生じた前記エピタキシャル基板からの散乱光を検出する第2の光検出器と、を有し、前記第1の光検出器において検出されたフォトルミネッセンス光のピークを検出することにより、前記エピタキシャル基板の共振器構造の共振波長を検出し、前記第2の光検出器により検出された散乱光の光強度に基づき、前記エピタキシャル基板の表面の異物または凹凸の有無または大きさを推定することを特徴とする。本発明によれば、1つの装置により、VCSEL構造の形成されているエピタキシャル基板の共振波長と異物や凹凸等の大きさ等を同時に測定することのできるエピタキシャル基板の測定方法、面発光レーザの製造方法及びエピタキシャル基板の測定装置を提供することができる。これにより、測定装置間におけるエピタキシャル基板の移動を減らすことができ、エピタキシャル基板に異物が付着する可能性を減らすことができる。よって、低コストで信頼性の高い面発光レーザの製造を行なうことができる。本発明の実施の形態について説明する尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。第1の実施の形態共振波長の測定最初に、面発光レーザとなるエピタキシャル基板に形成されるVCSEL構造の反射スペクトル、共振波長、活性層のPL波長の関係について説明する。面発光レーザは、通常、活性層の上下に各々上部DBR及び下部DBRが設けられており、活性層を含んだ領域を共振器領域とする共振器構造が形成されている。このようなVCSEL構造が形成されたエピタキシャル基板の表面に光を照射し、エピタキシャル基板の表面からの反射光を計測することにより、図1に示すような反射スペクトルを得ることができる。図1に示されるように、高反射率の波長帯域高反射帯域Aの略中央において、反射率が急激に低下する波長λoがあり、この波長λoが共振波長である。この波長λoである共振波長は、上部DBR及び下部DBR、共振器領域の膜厚の制御等により、所定の範囲内で、任意に設定することができる。ここで、高反射帯域Aより短い波長となる波長λbのレーザ光をこのVCSEL構造が形成されたエピタキシャル基板に照射すると、波長λbにおける反射率は非常に低いため、活性層まで励起光となる波長λbの光を十分に入射させることができ、活性層を励起することができる。尚、活性層を励起するためには、活性層を形成している半導体材料のバンドギャップよりもエネルギーの高い光、即ち、波長の短い光を入射させる必要がある。よって、高反射帯域Aより長い波長の光では、活性層に光を入射することはできても、活性層を励起させることはできない。尚、活性層は、励起された活性層からの発光のピークが、高反射帯域Aの範囲内に存在するように形成されており、これにより、垂直方向のレーザ発振、即ち、面発光レーザ発振が可能となっている。また、励起された活性層からの光は、VCSEL構造により共振器構造が形成されているため、共振により共振波長である波長λoの光が外部に出射される。このため、VCSEL構造が形成されたエピタキシャル基板からのPL光について、波長と強度の関係について測定を行なうと、高反射帯域Aの範囲内では、共振波長に一致する波長λoの光においてのみ発光が観測される。即ち、このような測定により観測される波長の光は共振波長の光であり、これによりエピタキシャル基板に形成されるVCSEL構造の共振波長を測定することができる。異物等の測定次に、エピタキシャル基板等の基板の表面に付着している異物等の測定について説明する。通常、基板の表面に付着している異物等を測定する場合には異物測定装置が用いられる。このような異物測定装置は、基板の表面にレーザ光を一定スポット径本実施の形態においては、0.5mm以下に絞り込み照射する。基板の表面において、レーザ光が照射された領域に異物や凹凸等が存在していない場合には、基板からは正反射した正反射光のみが検出され、周辺に散乱される散乱光は殆ど検出されない。これに対し、基板の表面において、レーザ光が照射された領域に異物や凹凸等が存在している場合には、散乱光が発生するため散乱光が検出される。この散乱光は、異物や凹凸等の大きさに応じて強度が変化し、大きな異物や凹凸等が存在している場合には、散乱光の強度は強くなる。この散乱光は、正反射光が入射しない位置にフォトダイオード等の光検出器を設置し、この光検出器により検出することができる。図2に示されるように、異物等が一定形状であるものと仮定すると、異物の大きさ異物径と散乱光の強度散乱光強度とは、略正比例の関係にある。このことは経験的にも確認されており、基板等の表面に凹凸等が形成されている場合においても同様である。このため、散乱光を検出することにより、基板の表面において、レーザ光の照射された領域内に、異物や凹凸等が存在しているか否かを知ることができ、更には、散乱光の強度に基づき異物や凹凸等の大きさを知ることができる。尚、散乱光を検出するためのフォトダイオードを1つだけでなく、散乱角度の異なる位置に複数設けることにより、検出精度を向上させることも可能である。また、フォトダイオードに代えて、CCDChargeCoupledDevice等を用いてもよい。測定方法及び測定装置ところで、共振波長の測定と異物等の測定は、ともに基板にレーザ光を照射することにより行なわれる。よって、VCSEL構造が形成されているエピタキシャル基板に、共振波長を測定するための波長のレーザ光を照射することにより、共振波長の測定と異物等の測定とを同時に行なうことが可能である。これにより、共振波長の測定と異物等の測定に要する時間を短縮することができ、更には、面発光レーザの製造に要する時間を短縮することができる。また、共振波長の測定と異物等の測定を1台の測定装置により行なうことができる。よって、面発光レーザの製造コスト等を低減することができ、また、測定装置間においてエピタキシャル基板を移動させる頻度を減らすことができるため、エピタキシャル基板に異物等の付着する可能性を低減することができ、面発光レーザの歩留りを向上させることができる。本実施の形態では、測定対象となるエピタキシャル基板の表面の測定範囲において、所定の区分領域ごとに区分し、区分領域ごとに順次測定を行なう。例えば、区分領域は、縦横0.5mmピッチのマス目状の区分領域に区分する。エピタキシャル基板の測定は、各々の区分領域の中心位置にレーザ光を照射し、活性層が励起されることにより発せられた光を検出することにより共振波長を測定し、エピタキシャル基板からの散乱光を検出することにより、異物や凹凸等の有無や大きさ等を測定する。これにより、共振波長の測定と異物等の測定とを同時に行なうことができる。このようにして、縦横0.5mmのピッチで区分された区分領域における共振波長と異物や凹凸等の有無や大きさ等のデータを得ることができ、この測定を区部領域ごとに順次行なうことにより、測定範囲における共振波長と異物や凹凸等の有無や大きさ等のデータを得ることができる。このように得られた測定データは測定装置に接続された表示画面に表示させることにより、測定範囲における共振波長の面内分布と、異物や凹凸等の有無や大きさ等を同時に表示させることができ、エピタキシャル基板における共振波長の測定と異物等の測定とを同時に行い評価することができる。以上のように本実施の形態では、1つの測定装置により、エピタキシャル基板における共振波長の測定と異物等の測定とを同時に行なうことができるため、測定装置のコスト及び測定時間を短縮することができ、製造される面発光レーザのコストを低くすることができる。測定装置次に、図3に基づき本実施の形態における測定装置について説明する。本実施の形態における測定装置は、エピタキシャル基板10において共振波長と異物や凹凸等の有無や大きさ等の測定を行なうものであり、ステージ20、ステージコントローラ21、位置コントローラ22、レーザ光源30、ビームスプリッタ31、集光レンズ32、分光器33、光源モニタ用光検出器35、第1の光検出器41、第2の光検出器42、A/D変換器51及び52、コンピュータ60、表示部61等を有している。尚、光源モニタ用光検出器35、第1の光検出器41、第2の光検出器42は、フォトディテクタとなるフォトダイオードPD等により形成されている。ステージ20は、エピタキシャル基板10を設置するものであり、ステージコントローラ21により、エピタキシャル基板10の表面の所望の領域にレーザ光源30からの光を照射することができるよう2次元方向に移動させることができるものである。ステージコントローラ21は、位置コントローラ22と接続されており、更に、位置コントローラ22はコンピュータ60と接続されている。よって、コンピュータ60による制御により、位置コントローラ22及びステージコントローラ21を介し、ステージ20を所定の位置に移動させることができる。レーザ光源30は、エピタキシャル基板10における反射スペクトルの高反射帯域よりも、波長の短いレーザ光を出射することができる。例えば、780nm帯の面発光レーザを作製する場合には、レーザ光源30として、赤色帯の半導体レーザを用いてもよく、更に、より短波長のYAGレーザ等を用いてもよい。エピタキシャル基板10における反射スペクトルの高反射帯域よりも短い波長であれば、任意の波長のレーザ光源を用いることができる。また、レーザ光源30からのレーザ光は、エピタキシャル基板10の表面等における異物や凹凸等の検出にも用いるものであるため、レーザ光源30から出射されるレーザ光の出力は高いものであることが好ましい。また、図1に示されるように、高反射帯域Aよりも短い波長においては、VCSEL構造の形成されているエピタキシャル基板からの反射率は一様ではなく、反射率が高くなる波長と低くなる波長とがある。この反射率の変化は、VCSEL構造を形成している半導体層の膜厚等に依存するものであるため、エピタキシャル基板の面内において必ずしも一様ではない。即ち、同じ波長λbのレーザ光をエピタキシャル基板に照射した場合であっても、活性層に到達するレーザ光の強度は、面内において必ずしも同じではない。従って、励起された活性層から発せられるPL光の強度も変動しうる。しかしながら、本実施の形態では、共振波長を測定するものであるため、PL光の発光強度が変動していても問題はない。レーザ光源30から出射されたレーザ光は、ビームスプリッタ31により、直進するレーザ光と偏向されるレーザ光とに分離される。分離された偏向されたレーザ光は、集光レンズ32により、所定の大きさの光スポットとなるように集光され、エピタキシャル基板10に照射される。また、分離された直進するレーザ光は、フォトダイオードPD等により形成されている光源モニタ用光検出器35に入射し、光源モニタ用光検出器35より入射したレーザ光の光量に応じた電気信号が出力され、レーザ光源30にフィードバックされて、レーザ光源30からのレーザ光の出力を一定に保つことができる。尚、レーザ光の出力を一定に保つことができる方法であれば、他の方法であってもよい。レーザ光源30から出射された所定の大きさの光スポットのレーザ光をエピタキシャル基板10に照射することにより、エピタキシャル基板10に形成されたVCSEL構造の活性層は励起され、共振波長と同一の波長となる波長λoのPL光が発光する。発光したPL光は、集光レンズ32及びビームスプリッタ31を介し、分光器33に入射する。分光器33は、回折格子グレーティング等を有しており、分光器33に入射した光を回折格子等により分光させた後、フォトダイオードPD等により形成されている第1の光検出器41に入射させることによりPL光を検出し、共振波長を測定することができる。具体的には、分光器33はコンピュータ60に接続されており、コンピュータ60の制御により、分光器33に設けられた不図示のモータ等により回折格子を回転させる。これにより、所定の角度の回折格子により分光された波長の光のみを第1の光検出器41に入射させることができる。第1の光検出器41は、分光された波長のPL光の強度に応じて電気信号を出力し、出力された電気信号は、A/D変換器51を介し、コンピュータ60に入力される。コンピュータ60による制御により、不図示のモータ等により回折格子を回転させて分光器33において時間ごとに分光される波長の光を変化させているため、これに基づき、第1の光検出器41に入射するPL光の波長と第1の光検出器41において検出されたPL光の光量との関係を知ることができる。このようにして、第1の光検出器41において検出されたPL光の光強度に基づきエピタキシャル基板10における共振波長を測定することができる。また、レーザ光源30から出射された所定の大きさの光スポットのレーザ光をエピタキシャル基板10に照射することにより、エピタキシャル基板10からの散乱光をフォトダイオードPD等により形成されている第2の光検出器42により検出することができる。これにより、エピタキシャル基板10の表面における異物や凹凸等の有無や大きさ等の測定を行なうことができる。具体的には、第2の光検出器42は、第2の光検出器42に入射した散乱光の強度に応じた電気信号を出力し、電気信号はA/D変換器52を介し、コンピュータ60に入力する。コンピュータ60では、図2に示されるように、検出される散乱光の強度と異物や凹凸等との相関関係の情報を有しており、第2の光検出器42において検出された散乱光の光強度に基づき、異物や凹凸等の有無や大きさ等を推定することができる。尚、第2の光検出器42は、フォトダイオード以外にもCCD等を用いてもよい。また、散乱光を検出するための光検出器を複数設け、異なる方向、異なる角度の散乱光を検出することにより、エピタキシャル基板10の表面における異物や凹凸等の有無や大きさ等の測定の精度をより高めることができる。尚、コンピュータ60には、ディスプレイ等の表示部61が接続されており、測定されたエピタキシャル基板10の共振波長や異物や凹凸等の有無や大きさ等を表示させることができる。第2の実施の形態次に、第2の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第1の実施の形態における測定装置を用いたVCSEL構造が形成されているエピタキシャル基板10の測定方法及び面発光レーザの製造方法である。図4に基づき本実施に形態における測定方法について説明する。最初に、ステップ102S102において、エピタキシャル基板10をステージ20上に設置し、ステージ20によりエピタキシャル基板10を所定の位置に移動させる。尚、図5に示すように、エピタキシャル基板10において、測定範囲11を区分することにより、一回に測定される区分領域12が定められており、この区分領域12ごとに測定が行なわれる。区分領域12は、例えば、測定範囲11を縦横0.5mmピッチで区分されたものであり、区分領域12は、測定範囲11が2次元的に区分されている。尚、図5aは、エピタキシャル基板10の全体を示すものであり、図5bは、測定範囲11の要部を拡大した図である。次に、ステップ104S104において、ステージ20の位置情報を取得し、コンピュータ60の内部の不図示の記憶部等に記憶させる。この位置情報は、測定されるエピタキシャル基板10における区分領域12の位置情報であり、位置コントローラ22またはステージ20を制御するコンピュータ60等より取得することができる。次に、ステップ106S106において、レーザ光源30より発せられたレーザ光をエピタキシャル基板10に照射する。レーザ光は光スポット径が0.5mmとなるように集光され、区分領域12に照射する。次に、ステップ108S108において、エピタキシャル基板10におけるPL光の波長測定を行なう。具体的には、レーザ光源30より発せされたレーザ光をエピタキシャル基板10における所定の測定される区分領域12に照射することにより、エピタキシャル基板10に形成されたVCSEL構造における活性層を励起させ、PL光を発光させる。このPL光の強度を第1の光検出器41により測定することにより、PL光における波長に対する強度を測定する。このようにして、エピタキシャル基板10の測定される区分領域12における共振波長を測定することができる。測定により得られた共振波長は、コンピュータ60の内部に設けられた不図示の記憶部に、区分領域12の位置情報に対応して記憶される。次に、ステップ110S110において、エピタキシャル基板10からの散乱光を測定する。具体的には、第2の光検出器42により散乱光の強度を測定する。第2の光検出器42に入射した散乱光は、散乱光の強度に対応した電気信号に変換された後、A/D変換器52を介し、コンピュータ60に入力され、コンピュータ60の内部に設けられた不図示の記憶部に、区分領域12の位置情報に対応して記憶される。次に、ステップ112S112において、第2の光検出器42により検出された光強度に基づき、エピタキシャル基板10の表面に異物や凹凸等が存在しているか否かが判定され、更に、異物等が存在している場合には、異物等の大きさ等が判定される。具体的には、予め標準サンプル等を用いて図2に示されるような異物径と散乱強度との相関関係を調べておき、この相関関係より、第2の光検出器42において測定された散乱光の強度に基づき、異物等の有無や異物等の大きさを推定し判定する。次に、ステップ114S114において、異物等が存在している場合には、異物等の大きさが、コンピュータ60の内部に設けられた不図示の記憶部に、区分領域12の位置情報に対応して記憶される。これにより、所定の区分領域12に対応した共振波長と異物等の有無及び大きさの情報がコンピュータ60に記憶される。次に、ステップ116S116において、エピタキシャル基板10における測定範囲11のすべての区分領域12の測定が終了したか否かが判断される。エピタキシャル基板10における測定範囲11のすべての区分領域12の測定が終了したものと判断された場合には、ステップ120に移行し、終了していないものと判断された場合には、ステップ118に移行する。尚、エピタキシャル基板10における測定範囲11のすべての区分領域12の測定が終了した場合とは、図5aに示される測定範囲11が区分されている区分領域12のすべてにおいて、上記測定が終了していることを意味する。次に、ステップ118S118において、ステージ20によりエピタキシャル基板10を移動させる。具体的には、エピタキシャル基板10において、測定のなされていない次の区分領域12に、レーザ光を照射して測定を行なうため、ステージ20によりエピタキシャル基板10の位置を移動させる。この後、ステップ104に移行し、次の区分領域12において、上述した測定と同様の測定を行なう。次に、ステップ120S120において、エピタキシャル基板10の測定範囲11における共振波長と異物等の有無や大きさ等の面内分布をコンピュータ60に接続されている表示部61に表示させる。更に、エピタキシャル基板10における面内分布の情報をコンピュータ60の内部に設けられた不図示の記憶部に記憶させる。以上により、エピタキシャル基板10の共振波長と異物等の有無や大きさ等の面内分布を1つの装置で略同時に得ることができる。これにより、エピタキシャル基板10の測定時間を短縮することができ、短時間に低コストでエピタキシャル基板10の測定を行なうことができる。また、測定装置が1つであるため測定のコストや面発光レーザの製造コストをより一層低減することができる。尚、測定される区分領域12は、縦方向又は横方向の順に行ってもよく、エピタキシャル基板10を回転するように周囲より順に内側に向かって測定を行ってもよい。このように測定された結果に基づき、エピタキシャル基板10の良否が判断され、不良となるエピタキシャル基板10を取り除き、良品となるエピタキシャル基板10について、加工等をすることにより面発光レーザを製造することができる。具体的には、この後、メサの形成、電流狭窄構造の形成、上側電極、下側電極の形成等を行なうことにより、面発光レーザを作製することができる。尚、エピタキシャル基板10の良否は、共振波長が所定の波長の範囲内にある否か、エピタキシャル基板10の表面における異物や凹凸等が存在しているか否か、また、異物や凹凸等が存在している場合には、異物や凹凸等が所定の個数以下であるか等により判断される。このように、本実施の形態においては、エピタキシャル基板10の共振波長と異物等の有無や大きさ等を短時間に測定することができ、エピタキシャル基板10の良否も短時間で判断することができるため、エピタキシャル基板を低コストで測定することができ、更には、面発光レーザを低コストで製造することができる。第3の実施の形態次に、第3の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第1の実施の形態とは異なる構造のエピタキシャル基板10の測定装置である。図6に示されるように、本実施の形態における測定装置は、第1の光検出器141にフォトダイオードアレイPDアレイを用いた構造のものである。第1の光検出器141であるフォトダイオードアレイには、複数のフォトダイオードが、例えば、1次元状に配列されている。本実施の形態では、分光器133は回折格子が回転するものではなく、回折格子等が固定されているものである。尚、回折格子に代えてプリズム等を用いてもよい。エピタキシャル基板10のVCSEL構造の活性層にレーザ光を照射することにより生じたPL光は、分光器133により波長ごとに分光され、第1の検出器141における各々の波長に対応したフォトダイオードにおいて検出される。これにより、PL光のうち共振波長の光を連続的に測定することができる。本実施の形態における測定装置では、分光器133により分光したPL光を波長ごとに連続して測定することができるため、ステージ20を連続して動かしながら、エピタキシャル基板10測定を行なうことが可能となる。これにより、共振波長の測定と異物や凹凸等の有無や大きさ等の測定とをより短時間で行なうことができ、より一層コストを低減させることができる。また、本実施の形態は、フォトディテクタとなる第2の光検出器42、142が複数設けられており、第2の光検出器142は、フォトダイオードPD等により形成されており、A/D変換器152を介しコンピュータ60に接続されている。このように、第2の光検出器を複数設け、異なる方向、異なる角度の散乱光を検出することにより、異物や凹凸等の有無や大きさ等の測定の精度を高めることができる。図6では、第2の光検出器42、142を2つ設けた場合を示しているが、3つ以上の第2の光検出器を設けてもよい。尚、上記以外の内容については、第1の実施の形態と同様である。以上、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではない。