"第1の取り付け面を有する半導体センサ素子と、第2の取り付け面を有する基部と、前記第1の取り付け面と前記第2の取り付け面との間に挟まれたスペーサとを備え、前記半導体センサ素子と前記基部がワイヤボンディングされる、センサ装置であって、前記スペーサは、前記第1の取り付け面と前記第2の取り付け面の少なくとも一方とダイボンド樹脂によって接着される被取り付け面を有し、前記被取り付け面の総面積が、前記第1の取り付け面の総面積よりも小さい、ことを特徴とする、センサ装置。前記半導体センサ素子は、前記基部とワイヤボンディングされるボンディング領域を有し、該ボンディング領域は、前記被取り付け面の法線方向に位置する、請求項1に記載のセンサ装置。前記半導体センサ素子は、ガラス基板と、該ガラス基板に接合するセンサ部とを有し、前記ガラス基板が、前記第1の取り付け面を有し、前記センサ部が、前記ボンディング領域を有する、請求項2に記載のセンサ装置。前記スペーサは、前記基部に形成された部位である、請求項1から3のいずれか一項に記載のセンサ装置。前記スペーサは、前記基部に塗布されたレジスト膜によって形成された部位である、請求項4に記載のセンサ装置。前記スペーサが、前記半導体センサ素子に形成された部位である、請求項1から3のいずれか一項に記載のセンサ装置。前記半導体センサ素子は、半導体圧力センサ素子であって、前記基部は、前記半導体圧力センサ素子に圧力を導入する圧力導入口を有し、前記スペーサは、前記圧力導入口の周りに設けられた、請求項1から6のいずれか一項に記載のセンサ装置。半導体センサ素子を基部に実装する方法であって、前記半導体センサ素子の第1の取り付け面と前記基部の第2の取り付け面との間に挟まれるスペーサは、前記第1の取り付け面の総面積よりも小さい総面積を有する被取り付け面を有していて、前記被取り付け面にダイボンド樹脂を塗布する工程と、前記第1の取り付け面と前記第2の取り付け面の少なくとも一方と前記被取り付け面とを前記ダイボンド樹脂によってダイボンディングする工程と、前記半導体センサ素子と前記基部とをワイヤボンディングする工程とを有することを特徴とする方法。しかしながら、ビーズを混ぜ込んだダイボンド樹脂は、ダイボンド樹脂を供給するディスペンサのニードルをつまりやすくするおそれがある。また、ビーズをダイボンド樹脂に混ぜ込むことにより、ダイボンド樹脂の塗布性が低下する。更に、管理の困難性例えば、ダイボンド樹脂の保存の困難性やビーズの分散の制御の困難性及びビーズをダイボンド樹脂に混ぜ込むことによるコストの増加により、作業性や生産性が低下するおそれがある。そこで、本発明は、ダイボンド樹脂にビーズを混ぜ込まなくても、ワイヤボンディング強度を向上させることができる、センサ装置及び半導体センサ素子の実装方法の提供を目的とする。上記目的を達成するため、本発明に係るセンサ装置は、第1の取り付け面を有する半導体センサ素子と、第2の取り付け面を有する基部と、前記第1の取り付け面と前記第2の取り付け面との間に挟まれたスペーサとを備え、前記半導体センサ素子と前記基部がワイヤボンディングされる、センサ装置であって、前記スペーサは、前記第1の取り付け面と前記第2の取り付け面の少なくとも一方とダイボンド樹脂によって接着される被取り付け面を有し、前記被取り付け面の総面積が、前記第1の取り付け面の総面積よりも小さい、ことを特徴とするものである。また、上記目的を達成するため、本発明に係る半導体センサ素子の実装方法は、半導体センサ素子を基部に実装する方法であって、前記半導体センサ素子の第1の取り付け面と前記基部の第2の取り付け面との間に挟まれるスペーサは、前記第1の取り付け面の総面積よりも小さい総面積を有する被取り付け面を有していて、前記被取り付け面にダイボンド樹脂を塗布する工程と、前記第1の取り付け面と前記第2の取り付け面の少なくとも一方と前記被取り付け面とを前記ダイボンド樹脂によってダイボンディングする工程と、前記半導体センサ素子と前記基部とをワイヤボンディングする工程とを有することを特徴とするものである。本発明によれば、ダイボンド樹脂にビーズを混ぜ込まなくても、ワイヤボンディング強度を向上させることができる。以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。以下の実施例では半導体圧力センサ素子を例に説明するが、本発明は、これに限定されないことは言うまでもない。例えば、加速度センサ、半導体マイクなどの半導体技術を使って形成されるセンサ素子であれば良い。図4は、回路基板21及び回路基板21に実装された圧力センサ装置2の断面図である。本発明の一実施形態である圧力センサ装置2は、実装基板12の搭載面12Aにシリコン樹脂等のダイボンド樹脂15を接着剤として接着された半導体圧力センサ素子11がハウジング16によってパッケージされた構造を有している。圧力センサ装置2は、実装基板12の取り付け面12Bに設けられた端子19と回路基板21の被取り付け面21Aに設けられた不図示のランドとがはんだ32ではんだ付けされることによって、回路基板21の被取り付け面21Aに固定されている。回路基板21は、圧力センサ装置2によって検出された圧力情報を使用する圧力計等の電子機器の基板である。回路基板21は、被取り付け面21Aと被取り付け面21Aの反対側にある裏面21Bとを有する。実装基板12は、半導体圧力センサ素子11を固定するための、圧力センサ装置2の基部である。実装基板12は、半導体圧力センサ素子11が実装される搭載面12Aを有する。半導体圧力センサ素子11は、ボンディングワイヤ13によって、搭載面12Aに形成されたワイヤボンディングパッド14に、ワイヤボンディングされている。半導体圧力センサ素子11は、実装基板12の搭載面12Aにエポキシ樹脂等の接着剤31で接着されたハウジング16に収容されている。半導体圧力センサ素子11は、ハウジング16に筒状に形成された圧力供給口17から供給される気体等の流体の圧力を被測定圧として検出する。半導体圧力センサ素子11は、圧力を検出するダイヤフラム11bが形成された素子であり、ダイヤフラム11bの歪みを抵抗値の変化として検出する半導体歪みゲージ方式の素子でもよいし、ダイヤフラム11bの変位を静電容量の変化として検出する静電容量方式の素子でもよいし、他の検出方式で被測定圧を検出する素子でもよい。半導体圧力センサ素子11は、ダイヤフラム11bがハウジング16の圧力供給口17と実装基板12の圧力導入口18との間に挟まれるように、圧力供給口17の下方且つ圧力導入口18の上方に設置される。ダイヤフラム11bの歪み又は、変位は、圧力供給口17から印加される被測定圧と圧力導入口18から印加される大気圧との圧力差に応じて変化するので、その歪み量又は、変位量を抵抗値又は、静電容量値の変化量として検出することによって、被測定圧を測定することができる。半導体圧力センサ素子11は、ダイヤフラム11bと、ダイヤフラム11bを下方から支持する枠部11aとを備える。枠部11aは、ダイヤフラム11bの圧力導入口18側の下面を四方取り囲むように、該下面の周縁に搭載面12Aの方向に伸びて形成される。半導体圧力センサ素子11は、方形環状の枠部11aがダイボンド樹脂15によって実装基板12の搭載面12Aにダイボンディングされることによって、実装される。半導体圧力センサ素子11の実装基板12への実装についての詳細説明は、後述する。圧力導入口18は、実装基板12の搭載面12Aと取り付け面12Bとの間に形成された第1の貫通孔であり、圧力導入口22は、回路基板21の被取り付け面21Aと裏面21Bとの間に形成された第2の貫通孔である。圧力導入口22の口径は、圧力導入口18の口径よりも大きい。圧力センサ装置2は、実装基板12の圧力導入口18と回路基板21の圧力導入口22とが連通するように、実装基板12の取り付け面12Bと回路基板21の被取り付け面21Aとが対向した状態で、端子19にはんだ32が付くことによって回路基板21に表面実装される。これにより、ハウジング16外部の大気圧を半導体圧力センサ素子11のダイヤフラム11bに導くことができる。圧力導入口18は、実装基板12の搭載面12Aと取り付け面12Bとを貫通するように、半導体圧力センサ素子11のダイヤフラム11bの下方に形成されている。18Aは、圧力導入口18の搭載面12A側の開口部であり、18Bは、圧力導入口18の取り付け面12B側の開口部である。図4、図5cに示されているように、実装基板12は、円環凹状の段部41を有する。段部41は、取り付け面12Bに形成されたレジスト膜12B1の一部を除去することによって、レジスト膜除去部42圧力導入口18に接する部位と端子19との間に形成される。図5には、端子19として、複数の端子19a~19nが例示されている。このように形成された段部41によって、圧力センサ装置2が回路基板21にはんだ付けされるときに、取り付け面12Bの端子19に付いたはんだ内の液状化したフラックスが、レジスト膜12B1の表面上を伝わって圧力導入口18の開口部18Bを塞ぐことを防止できる。図5は、実装基板12の具体例を示した外形図である。図5aは、実装基板12の搭載面12A側から見た平面図である。図5bは、実装基板12の側面12C側から見た側面図である。図5cは、実装基板12の取り付け面12B側から見た下面図である。この実装基板12の材質は、FR4である。図5において、梨地模様部は、レジスト膜が無く、金めっき処理を施した電極部位である。また、格子部は、レジスト膜が無く、銅箔も無い、実装基板12の基材12D図7b参照の部位である。12A1,12B1,12B2は、基材12Dの表面に形成されたレジスト膜である。実装基板12の周縁部に形成された複数の端子1919a~19nは、不図示の配線パターンを介して、ワイヤボンディングパッド14に電気的に接続されている。各端子19は、側面12Cを介して搭載面12Aと取り付け面12Bにわたって形成されている。レジストスペーサ5252a,52b,52c,52dは、半導体圧力センサ素子11の枠部11aを載せるための台座である。レジストスペーサ52は、搭載面12A側のレジスト膜12A1を除去することによって、圧力導入口18の開口部18Aと端子19との間に形成された凸部である。51は、レジスト膜12A1を除去することによって露出したレジスト膜除去面である。つまり、レジストスペーサ52は、レジスト膜除去面51に対して突き出ていて、圧力導入口18の開口部18Aの周りに、開口部18Aと間隔を空けて形成されている。開口部18Aと間隔を空けてレジストスペーサ52を設けることによって、半導体圧力センサ素子11をレジストスペーサ52に接着させるためにレジストスペーサ52に塗布されたダイボンド樹脂が、開口部18Aに流れて到達しにくくなる。その結果、圧力導入口18がそのダイボンド樹脂によって塞がりにくくすることができる。また、各レジストスペーサ52を圧力導入口18の開口部18Aの円周方向に等間隔に配置することで、半導体圧力センサ素子11を各レジストスペーサ52に安定して接着できる。レジストスペーサ52の高さ厚みは、ダイボンド樹脂の粘度等を考慮すると、通常のダイボンディング時の樹脂層厚み例えば、20μm以上30μm以下の厚み以下であると好適であるが、使用するダイボンド樹脂の粘度や濡れ性、ダイボンド荷重によって変わり得る。次に、レジストスペーサ52が設けられた実装基板12に半導体圧力センサ素子11を実装する方法について、図6,7,8に従って説明する。図6は、半導体圧力センサ素子11の実装方法を示したフローチャートである。図7は、図6のステップS10のダイボンド樹脂塗布工程を表す図である。図8は、図6のステップS20のダイボンディング工程とステップS30のワイヤボンディング工程を表す図である。図7aと図8aは、実装基板12の平面図を表す。図7bと図8bは、実装基板12の断面図を表す。ダイボンド樹脂塗布工程図6のステップS10において、図7に示されるように、レジストスペーサ52の全体が覆われるようにダイボンド樹脂15をレジストスペーサ52の上方から塗布する。この場合、通常の塗布条件と同じ条件で塗布できる。図7aの斜線部は、ダイボンド樹脂15が塗布された範囲を表している。このようにダイボンド樹脂15を塗布することによって、レジストスペーサ52それぞれの上側平面である被取り付け面52a1,52b1,52c1,52d1上に、ダイボンド樹脂15が盛られる。次に、ダイボンディング工程図6のステップS20において、図8に示されるように、半導体圧力センサ素子11の枠部11aの下側平面である取り付け面11a1を、被取り付け面52a1,52b1,52c1,52dにダイボンド樹脂15を挟んで接着する。次に、ワイヤボンディング工程図6のステップS30において、図8に示されるように、半導体圧力センサ素子11の上面に形成されたワイヤボンディングパッド11cと実装基板12の搭載面12Aに形成されたワイヤボンディングパッド14とを、ボンディングワイヤ13でワイヤボンディングする。最初に、キャピラリから供給されるボンディングワイヤ13の先端のワイヤボール13aをワイヤボンディングパッド11cに接触させた状態で、超音波と荷重と熱をワイヤボール13aに伝えることによって、ワイヤボール13aとワイヤボンディングパッド11cがボンディングされる。そして、キャピラリをワイヤボンディングパッド14上に移動させて、ボンディングワイヤ13に超音波と荷重と熱を伝えることによって、ボンディングワイヤ13とワイヤボンディングパッド14がボンディングされる。ワイヤボンディングパッド11cは、半導体圧力センサ素子11の上面のダイヤフラム11bの周縁部に形成されている。ワイヤボンディングパッド11cは、その外形を半導体圧力センサ素子11の上面から投影すると、レジストスペーサ52の被取り付け面52a1等がその投影範囲に重複するような位置に配置されている。すなわち、ワイヤボンディングパッド11cは、半導体圧力センサ素子11が実装基板12に実装された状態で、レジストスペーサ52の被取り付け面52a1,52b1,52c1,52d1のうちの少なくとも一つの被取り付け面の法線上に位置するように、ダイヤフラム11bの周縁部に形成されている。ダイボンド強度向上の点で、レジストスペーサ52の被取り付け面52a1等がその投影範囲に単に一部だけ重複するよりも、完全に含まれた方が好ましい。ここで、取り付け面11a1と被取り付け面52a1等との間の低弾性率例えば、1MPa以下のダイボンド樹脂15が厚すぎると、ワイヤボンディング工程で超音波と荷重と熱をワイヤボール13aに伝える際に、半導体圧力センサ素子11が傾いて沈み込み、ワイヤボンディング強度が低下するなどの不具合が発生してしまう。これに対し、本実施例では、レジストスペーサ52の台座の形状構成によって、ダイボンド樹脂塗布工程で、レジストスペーサ52の被取り付け面52a1,52b1,52c1,52d1に過剰なダイボンド樹脂15が供給されても、余分なダイボンド樹脂15は、被取り付け面52a1,52b1,52c1,52d1よりも低位のレジスト膜除去面51に流れ落ち、レジストスペーサ52の脇に逃がすことができる。その結果、被取り付け面52a1,52b1,52c1,52d1に盛られたダイボンド樹脂15の厚みが必要以上に厚くならないため、ワイヤボンディング工程で超音波と荷重と熱をワイヤボール13aに伝えても、半導体圧力センサ素子11の沈み込みとワイヤボンディング強度の低下を抑えることができる。また、被取り付け面52a1,52b1,52c1,52d1は、取り付け面11a1の面積S1が、被取り付け面52a1,52b1,52c1,52d1の総面積S2即ち、被取り付け面52a1,52b1,52c1,52d1の面積の総和よりも大きくなるように、形成されている。換言すると、被取り付け面52a1,52b1,52c1,52d1の総面積S2は、取り付け面11a1の総面積S1よりも小さい。取り付け面11a1は、方形環状であって、均一な平面を有する。図7aに示された一点鎖線に囲まれた方形環状領域S1は、取り付け面11a1の面積を表す。被取り付け面52a1,52b1,52c1,52d1の総面積S2が取り付け面11a1の面積S1よりも小さくなるように、被取り付け面52a1,52b1,52c1,52d1を形成することで、取り付け面11a1の下方に空間を形成できる。つまり、被取り付け面52a1,52b1,52c1,52d1の総面積S2が取り付け面11a1の面積S1よりも小さいので、ダイボンディング工程で、取り付け面11a1が被取り付け面52a1,52b1,52c1,52d1にダイボンド樹脂15を挟んで接する際に、ダイボンド樹脂15を、レジスト膜除去面51に流れ落としてレジストスペーサ52の脇すなわち、取り付け面11a1の下方の空間に逃がしやすくすることができる。その結果、取り付け面11a1と被取り付け面52a1,52b1,52c1,52d1との間に挟まれたダイボンド樹脂15の厚みが必要以上に厚くならない。よって、ワイヤボンディング工程で超音波と荷重と熱をワイヤボール13aに伝えても、半導体圧力センサ素子11の沈み込みとワイヤボンディング強度の低下を抑えることができる。また、ダイボンディング工程で、取り付け面11a1と被取り付け面52a1,52b1,52c1,52d1との間に挟まれたダイボンド樹脂15に加わる荷重は、総面積S2が総面積S1よりも小さい場合、総面積S2が総面積S1よりも大きい場合に比べて大きくなる。ダイボンディング工程で半導体圧力センサ素子11の実装基板12への実装時の実装荷重が、総面積S2が総面積S1よりも小さい場合と総面積S2が総面積S1よりも大きい場合と同じであれば、被取り付け面52a1等に加えられる応力は増加するからである。したがって、総面積S2を総面積S1よりも小さくすることによって、取り付け面11a1と被取り付け面52a1等との間に挟まれたダイボンド樹脂15の厚みを薄くすることができるため、ワイヤボンディング工程で超音波と荷重と熱をワイヤボール13aに伝えても、半導体圧力センサ素子11の沈み込みとワイヤボンディング強度の低下を抑えることができる。図9は、ワイヤボンディング強度の測定結果を示したグラフである。レジストスペーサ52が有る場合図7,8参照とレジストスペーサ52が無い場合図1参照の2種類の実装基板12に、半導体圧力センサ素子11を互いに同じ条件で実装し、半導体センサ素子11と実装基板12との接着強度ダイシェア強度、及び半導体圧力センサ素子11とワイヤボール13aとの接合強度ボールシェア強度を測定した。図9に示した測定結果は、レジストスペーサ52が無い場合のダイシェア強度及びボールシェア強度を1としたときの、レジストスペーサ52が有る場合のダイシェア強度及びボールシェア強度を示している。図9に示されるように、レジストスペーサ52が有る場合、レジストスペーサ52が無い場合に比べて、ダイシェア強度が約8倍に向上し、ボールシェア強度が約4倍に向上した。また、被取り付け面52a1,52b1,52c1,52dの総面積S1を、取り付け面11a1の総面積S2よりも小さくすることによって、文字通り、半導体圧力センサ素子11の取り付け面11a1と実装基板12の搭載面12Aとの接面の面積が小さくなる。したがって、その接面の面積が小さくなるので、外部から実装基板12に加えられる応力や半導体圧力センサ素子11と実装基板12との熱膨張率の差によって生ずる応力を吸収緩和する効果が大きくなり、半導体圧力センサ素子11の検出精度を高めることができる。また、ダイボンド樹脂15にビーズを混ぜる必要が無く、余分なコストがかからない。ビーズを混ぜないため、ダイボンド樹脂の塗布条件を従来の通常の塗布条件から変える必要もない。また、ビーズ入り樹脂の場合、基板に塗布された樹脂の中に存在するビーズが不確定なため、ビーズ入り樹脂の場合に比べて、スペーサ台座としての効果が安定且つ確実に得られる。また、ビーズ入り樹脂の場合に比べて、接合強度が確保しやすい。また、ビーズの潰れや破砕を考慮する必要が無いため、ダイボンディング時の荷重制御の要求精度を低くすることができる。また、実装基板12のレジスト膜を除去することによって台座を生成しているので、ガラススペーサのような別部品を必要としない。よって、半導体圧力センサ素子11をシンプルな構造で製造できる。以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。例えば、半導体圧力センサ素子11の枠部11aの取り付け面11a1にダイボンド樹脂15を介して接着される被取り付け面を有する台座の形状として、図10~図15のような変形例が考えられる。図10~図15に示したいずれの台座に関しても、台座の被取り付け面の総面積は、半導体圧力センサ素子11の枠部11aの取り付け面11a1の総面積よりも小さい。図10は、方形環状に形成されたレジストスペーサ53を示した図である。図10の形状にすることによって、ワイヤボンディング強度を向上させることができる。また、ダイボンド樹脂15がレジストスペーサ53に沿って付着するので、大気導入口18へのダイボンド樹脂15の流れを調整しやすい。図11は、枠部11aの取り付け面11a1の四隅に対向する位置に形成されたレジストスペーサ54を示した図である。図12は、1個当たりの被取り付け面の面積が、例えば、上述のレジストスペーサ52の被取り付け面の面積よりも、小さいレジストスペーサ55を示した図である。図13は、圧力導入口18から放射状に伸びたレジストスペーサ56を示した図である。図13の形状にすることによって、半導体圧力センサ素子11が予定されている実装位置よりずれた場合における許容誤差を大きくとることができる。図14は、円環状に形成されたレジストスペーサ57を示した図である。図14の形状にすることによって、ダイボンド樹脂15がレジストスペーサ57に沿って付着するので、大気導入口18へのダイボンド樹脂15の流れを調整しやすい。図15は、メタルスペーサ58を示した図である。メタルスペーサ58は、レジスト膜によって形成されたものではなく、実装基板12の内層の銅箔で形成することもできる。或いは、メタルスペーサ58は、実装基板12に金メッキなどの金属を塗布することで形成することもできる。図16は、本発明の一実施形態である圧力センサ装置3の断面図である。上述の実施形態と同様の構成についてはその説明を省略する。圧力センサ装置3は、半導体圧力センサ素子10と半導体回路素子基板81との積層構造スタック構造が、実装基板12にダイボンド樹脂15で接着される構造を有する。半導体圧力センサ素子10は、MEMSMicroElectroMechanicalSystemsセンサチップ60と、ガラス基板61とを有している。MEMSセンサ60の枠部61aの底面とガラス基板61の上面とが陽極接合されることによって、MEMSセンサチップ60の枠部61aで囲まれた空間は、ガラス基板61で封止される。MEMSセンサチップ60は、上述の半導体圧力センサ素子11と同一の構成を有する圧力センサ部である。ガラス基板61の取り付け面61a1と半導体回路素子基板81の搭載面81Aとの間には、上述のレジストスペーサ52等と同様に、ガラススペーサ62が挟まれている。ガラススペーサ62は、レジストスペーサ52等と同一の構成を有しているとよく、例えば、X軸方向に互いに対向して配置された2つのガラススペーサ62a,62cと、Y軸方向に互いに対向して配置された2つのガラススペーサ62b,62d不図示とから構成されている。ガラススペーサ62は、例えば、MEMSセンサチップ60の枠部61aの底面とガラス基板61との接合工程の前に、ガラス基板61の取り付け面61a1に一体的に形成される。具体的には、ガラススペーサ62は、エッチング、サンドブラストなどの方法によって、取り付け面61a1に直接形成されるとよい。ガラススペーサ62は、搭載面81Aとダイボンド樹脂15によって接着される被取り付け面62a1,62b1,62c1,62d1を有する。図16には、ガラススペーサ62aの被取り付け面62a1と、ガラススペーサ62cの被取り付け面62c1が図示され、ガラススペーサ62bの被取り付け面62b1とガラススペーサ62dの被取り付け面62d1については省略されている。また、被取り付け面62a1,62b1,62c1,62d1は、取り付け面61a1の面積S3が、被取り付け面62a1,62b1,62c1,62d1の総面積S4即ち、被取り付け面62a1,62b1,62c1,62d1の面積の総和よりも大きくなるように、形成されている。換言すると、被取り付け面62a1,62b1,62c1,62d1の総面積S4は、取り付け面61a1の総面積S3よりも小さい。取り付け面61a1は、方形であって、均一な平面を有する。被取り付け面62a1,62b1,62c1,62d1の総面積S4が取り付け面61a1の面積S3よりも小さくなるように、被取り付け面62a1,62b1,62c1,62d1を形成することで、取り付け面61a1の下方に空間を形成できる。つまり、被取り付け面62a1,62b1,62c1,62d1の総面積S4が取り付け面61a1の面積S3よりも小さいので、ダイボンディング工程で、搭載面81Aが被取り付け面62a1,62b1,62c1,62d1にダイボンド樹脂15を挟んで接する際に、ダイボンド樹脂15を、ガラススペーサ62の脇すなわち、取り付け面61a1の下方の空間に逃がしやすくすることができる。その結果、取り付け面61a1と被取り付け面62a1,62b1,62c1,62d1との間に挟まれたダイボンド樹脂15の厚みが必要以上に厚くならない。よって、ワイヤボンディング工程で超音波と荷重と熱をワイヤボール13aに伝えても、半導体圧力センサ素子10の沈み込みとワイヤボンディング強度の低下を抑えることができる。また、ダイボンディング工程で、取り付け面61a1と被取り付け面62a1,62b1,62c1,62d1との間に挟まれたダイボンド樹脂15に加わる荷重は、総面積S4が総面積S3よりも小さい場合、総面積S4が総面積S3よりも大きい場合に比べて大きくなる。ダイボンディング工程で半導体圧力センサ素子10の半導体回路素子基板81への実装時の実装荷重が、総面積S4が総面積S3よりも小さい場合と総面積S4が総面積S3よりも大きい場合と同じであれば、被取り付け面62a1等に加えられる応力は増加するからである。したがって、総面積S4を総面積S3よりも小さくすることによって、取り付け面61a1と被取り付け面62a1等との間に挟まれたダイボンド樹脂15の厚みを薄くすることができるため、ワイヤボンディング工程で超音波と荷重と熱をワイヤボール13aに伝えても、半導体圧力センサ素子10の沈み込みとワイヤボンディング強度の低下を抑えることができる。なお、ガラススペーサ62は、ガラス基板61と一体的に形成された部位ではなく、ガラス基板61とは別のガラス部品であってもよい。また、ガラススペーサ62は、ガラス以外の材質で形成されたスペーサ例えば、半導体回路素子基板81の搭載面81Aに凸状に形成されたレジストスペーサに置き換えてもよい。この場合のスペーサの被取り付け面は、ダイボンド樹脂を介してガラス基板61の取り付け面61a1に接着されるとよい。このように、ガラススペーサ62によって、半導体回路素子基板81のワイヤボンディングパッド83と圧力センサ素子10のワイヤボンディングパッド61cとを結ぶボンディングワイヤ73Aのボンダビリティを確保できる。また、ワイヤボンディングパッド61cは、半導体圧力センサ素子10が半導体回路素子基板81に実装された状態で、ガラススペーサ62の被取り付け面62a1,62b1,62c1,62d1のうち少なくとも一つの被取り付け面の法線上に位置するように、ダイヤフラム61bの周縁部に形成されている。これにより、ボンディングワイヤ73Aのワイヤボンディング強度を更に上げることができる。また、レジストスペーサ52の被取り付け面の総面積は、半導体回路素子基板81の下側の取り付け面81Bの面積よりも小さくしているため、半導体回路素子基板81のワイヤボンディングパッド82と実装基板12のワイヤボンディングパッド14とを結ぶボンディングワイヤ73Bのボンダビリティについては、レジストスペーサ52によってボンダビリティを確保できる。また、ワイヤボンディングパッド61cは、半導体回路素子基板81が実装基板12に実装された状態で、レジストスペーサ52の被取り付け面のうち少なくとも一つの被取り付け面の法線上に位置するように、ダイヤフラム61bの周縁部に形成されている。これにより、ボンディングワイヤ73Aのワイヤボンディング強度を更に上げることができる。図17は、本発明の一実施形態である圧力センサ装置4の断面図である。上述の実施形態と同様の構成についてはその説明を省略する。圧力センサ装置4は、半導体圧力センサ素子10と半導体回路素子基板81との積層構造スタック構造が、セラミックパッケージ91に接着される構造を有する。半導体圧力センサ素子10と半導体回路素子基板81とのワイヤボンディング、半導体回路素子基板81とセラミックパッケージ91とのワイヤボンディングについても、図16の場合と同様である。半導体回路素子基板81とセラミックパッケージ91とのワイヤボンディングについては、セラミックパッケージ91の内部に一体形成されたセラミックスペーサ9292a,92cによって、半導体回路素子基板81とセラミックパッケージ91とのワイヤボンダビリティを確保できる。セラミックスペーサの場合もレジストスペーサやガラススペーサと同様に、セラミックスペーサの被取り付け面に盛られたダイボンド樹脂15の厚みが必要以上に厚くならないため、ワイヤボンディング工程で超音波と荷重と熱をワイヤボール13aに伝えても、半導体圧力センサ素子10の沈み込みとワイヤボンディング強度の低下を抑えることができる。"