"搬入位置から搬出位置までウェハを吸着して搬送する搬送手段と、前記搬送手段に一体的に設けられ、前記搬送手段がウェハを吸着するまでの前記搬送手段の移動により前記ウェハのエッジを検出する2個の非接触型センサと、前記2個の非接触型センサによってそれぞれ検出された前記ウェハの計2箇所のエッジの位置に基づいて、前記ウェハの中心と前記搬送手段の中心とのずれ量を算出する算出手段と、前記算出手段により検出された前記ずれ量を相殺するように、前記搬送手段によって前記ウェハを前記搬入位置から前記搬出位置まで搬送させる制御手段と、を備えることを特徴とする半導体製造装置。前記算出手段は、前記2個の非接触型センサによってそれぞれ最初に検出された前記ウェハの計2箇所のエッジの位置に基づいて前記ずれ量を算出することを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。前記算出手段は、前記非接触型センサによって前記ウェハのオリエンテーションフラットのエッジが最初に検出された場合、前記2個の非接触型センサによってそれぞれ2回目に検出された前記ウェハの計2箇所のエッジの位置に基づいて前記ずれ量を算出することを特徴とする請求項2に記載の半導体製造装置。前記算出手段は、前記搬送手段の移動中に検出された前記ウェハのエッジの位置と前記搬送手段の中心の位置との前記搬送手段の移動方向における距離、および、前記ウェハの半径に基づいて前記ずれ量を算出することを特徴とする請求項1~3のいずれか一つに記載の半導体製造装置。前記ウェハの前記搬出位置は、前記搬送手段により搬送されてきたウェハを保持するチャックであり、前記搬送手段の中心は、前記チャックの中心に一致することを特徴とする請求項1~4のいずれか一つに記載の半導体製造装置。前記ウェハの搬入位置は、ウェハカセットであり、前記搬送手段は、前記ウェハカセットから前記チャックまで前記ウェハを搬送することを特徴とする請求項5に記載の半導体製造装置。前記2個の非接触型センサは、前記搬送手段の中心から等距離に配置されていることを特徴とする請求項1~6のいずれか一つに記載の半導体製造装置。搬入位置から搬出位置までウェハを吸着して搬送する搬送手段と、前記搬送手段に一体的に設けられた2個の非接触型センサと、を備えた半導体製造装置の制御方法であって、前記搬送手段によってウェハが吸着されるまでの前記搬送手段の移動により、前記2個の非接触型センサによってそれぞれ前記ウェハの計2箇所のエッジを検出する検出工程と、前記2個の非接触型センサによってそれぞれ検出された前記ウェハの計2箇所のエッジの位置に基づいて、前記ウェハの中心と前記搬送手段の中心とのずれ量を算出する算出工程と、前記搬送手段によって前記ウェハを吸着する吸着工程と、前記算出工程によって算出された前記ずれ量を相殺するように、前記搬送手段によって前記ウェハを前記搬入位置から前記搬出位置まで搬送させる制御工程と、を含むことを特徴とする半導体製造装置の制御方法。前記算出工程では、前記2個の非接触型センサによってそれぞれ最初に検出された前記ウェハの計2箇所のエッジの位置に基づいて前記ずれ量を算出することを特徴とする請求項8に記載の半導体製造装置の制御方法。前記算出工程では、前記非接触型センサによって最初に検出された前記ウェハのエッジが前記ウェハのオリエンテーションフラットのエッジであった場合、前記2個の非接触型センサによってそれぞれ2回目に検出された前記ウェハの計2箇所のエッジの位置に基づいて前記ずれ量を算出することを特徴とする請求項8または9に記載の半導体製造装置の制御方法。前記算出工程では、前記搬送手段の移動中に検出された前記ウェハのエッジの位置と前記搬送手段の中心の位置との前記搬送手段の移動方向における距離、および、前記ウェハの半径に基づいて前記ずれ量を算出することを特徴とする請求項8~10のいずれか一つに記載の半導体製造装置の制御方法。前記ウェハの前記搬出位置は、前記搬送手段により搬送されてきたウェハを保持するチャックであり、前記搬送手段の中心は、前記チャックの中心に一致することを特徴とする請求項8~11のいずれか一つに記載の半導体製造装置の制御方法。前記ウェハの前記搬入位置は、ウェハカセットであり、前記制御工程では、前記搬送手段によって前記ウェハカセットから前記チャックまで前記ウェハを搬送することを特徴とする請求項12に記載の半導体製造装置の制御方法。前記2個の非接触型センサは、前記搬送手段の中心から等距離に配置されていることを特徴とする請求項8~13のいずれか一つに記載の半導体製造装置の制御方法。しかしながら、従来のスピン処理装置においては、上記特許文献1に開示されているように、ウェハ保持機構にウェハエッジを接触させて物理的にウェハの中心出しを行っている。そのため、ウェハエッジ部分のチッピングやウェハ割れの発生を抑制することは困難である。また、上記特許文献4,5に開示された装置では、ウェハの中心出しを行うことができても、ウェハエッジを検出するためのセンサをウェハの搬送経路に設けていることによりウェハの搬送距離が長くなる。このため、タクトタイムが長くなり、生産性が低下するという問題がある。この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、ウェハエッジ部分のチッピングやウェハ割れの発生を抑制することができる半導体製造装置および半導体製造装置の制御方法を提供することを目的とする。また、この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、生産性を向上することができる半導体製造装置および半導体製造装置の制御方法を提供することを目的とする。上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体製造装置は、搬入位置から搬出位置までウェハを吸着して搬送する搬送手段と、前記搬送手段に一体的に設けられ、前記搬送手段がウェハを吸着するまでの前記搬送手段の移動により前記ウェハのエッジを検出する2個の非接触型センサと、前記2個の非接触型センサによってそれぞれ検出された前記ウェハの計2箇所のエッジの位置に基づいて、前記ウェハの中心と前記搬送手段の中心とのずれ量を算出する算出手段と、前記算出手段により検出された前記ずれ量を相殺するように、前記搬送手段によって前記ウェハを前記搬入位置から前記搬出位置まで搬送させる制御手段と、を備えることを特徴とする。また、この発明にかかる半導体製造装置は、上述した発明において、前記算出手段は、前記2個の非接触型センサによってそれぞれ最初に検出された前記ウェハの計2箇所のエッジの位置に基づいて前記ずれ量を算出することを特徴とする。また、この発明にかかる半導体製造装置は、上述した発明において、前記算出手段は、前記非接触型センサによって前記ウェハのオリエンテーションフラットのエッジが最初に検出された場合、前記2個の非接触型センサによってそれぞれ2回目に検出された前記ウェハの計2箇所のエッジの位置に基づいて前記ずれ量を算出することを特徴とする。また、この発明にかかる半導体製造装置は、上述した発明において、前記算出手段は、前記搬送手段の移動中に検出された前記ウェハのエッジの位置と前記搬送手段の中心の位置との前記搬送手段の移動方向における距離、および、前記ウェハの半径に基づいて前記ずれ量を算出することを特徴とする。また、この発明にかかる半導体製造装置は、上述した発明において、前記ウェハの前記搬出位置は、前記搬送手段により搬送されてきたウェハを保持するチャックであり、前記搬送手段の中心は、前記チャックの中心に一致することを特徴とする。また、この発明にかかる半導体製造装置は、上述した発明において、前記ウェハの搬入位置は、ウェハカセットであり、前記搬送手段は、前記ウェハカセットから前記チャックまで前記ウェハを搬送することを特徴とする。また、この発明にかかる半導体製造装置は、上述した発明において、前記2個の非接触型センサは、前記搬送手段の中心から等距離に配置されていることを特徴とする。また、上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体製造装置の制御方法は、搬入位置から搬出位置までウェハを吸着して搬送する搬送手段と、前記搬送手段に一体的に設けられた2個の非接触型センサと、を備えた半導体製造装置の制御方法であって、前記搬送手段によってウェハが吸着されるまでの前記搬送手段の移動により、前記2個の非接触型センサによってそれぞれ前記ウェハの計2箇所のエッジを検出する検出工程と、前記2個の非接触型センサによってそれぞれ検出された前記ウェハの計2箇所のエッジの位置に基づいて、前記ウェハの中心と前記搬送手段の中心とのずれ量を算出する算出工程と、前記搬送手段によって前記ウェハを吸着する吸着工程と、前記算出工程によって算出された前記ずれ量を相殺するように、前記搬送手段によって前記ウェハを前記搬入位置から前記搬出位置まで搬送させる制御工程と、を含むことを特徴とする。また、この発明にかかる半導体製造装置の制御方法は、上述した発明において、前記算出工程では、前記2個の非接触型センサによってそれぞれ最初に検出された前記ウェハの計2箇所のエッジの位置に基づいて前記ずれ量を算出する。また、この発明にかかる半導体製造装置の制御方法は、上述した発明において、前記算出工程では、前記非接触型センサによって最初に検出された前記ウェハのエッジが前記ウェハのオリエンテーションフラットのエッジであった場合、前記2個の非接触型センサによってそれぞれ2回目に検出された前記ウェハの計2箇所のエッジの位置に基づいて前記ずれ量を算出する。また、この発明にかかる半導体製造装置の制御方法は、上述した発明において、前記算出工程では、前記搬送手段の移動中に検出された前記ウェハのエッジの位置と前記搬送手段の中心の位置との前記搬送手段の移動方向における距離、および、前記ウェハの半径に基づいて前記ずれ量を算出することを特徴とする。また、この発明にかかる半導体製造装置の制御方法は、上述した発明において、前記ウェハの前記搬出位置は、前記搬送手段により搬送されてきたウェハを保持するチャックであり、前記搬送手段の中心は、前記チャックの中心に一致することを特徴とする。また、この発明にかかる半導体製造装置の制御方法は、上述した発明において、前記ウェハの前記搬入位置は、ウェハカセットであり、前記制御工程では、前記搬送手段によって前記ウェハカセットから前記チャックまで前記ウェハを搬送することを特徴とする。また、この発明にかかる半導体製造装置の制御方法は、上述した発明において、前記2個の非接触型センサは、前記搬送手段の中心から等距離に配置されていることを特徴とする。上述した発明によれば、搬送手段によりウェハの中央部を真空吸着してウェハを移動させることによって、ウェハエッジを他の物体に接触させずに、ウェハを搬送することができる。また、ウェハカセットのウェハ搬入搬出口側におけるウェハの2点のエッジの位置のみを検出することにより、ウェハの中心のずれ量を算出することができる。そして、そのずれ量に基づいて制御手段により搬送手段がチャックにウェハを渡す位置を制御することによって、ウェハの中心をチャックの回転の中心に一致させることができる。また、非接触型センサによって最初に検出されたウェハエッジがウェハのオリエンテーションフラットのエッジであった場合においても、非接触型センサによって検出されるウェハの他の2点のエッジの位置のみでウェハの中心のずれ量を算出することができる。また、上述した発明によれば、搬送手段に2個の非接触型センサが設けられていることにより、搬送手段がウェハカセットに挿入されたときに、ウェハの中心のずれ量を算出するためのウェハの2点のエッジがウェハカセット内で検出される。このため、ウェハの搬送経路を短縮することができる。本発明にかかる半導体製造装置および半導体製造装置の制御方法によれば、ウェハエッジ部分のチッピングやウェハ割れの発生を抑制することができるという効果を奏する。また、本発明にかかる半導体製造装置および半導体製造装置の制御方法によれば、生産性を向上することができるという効果を奏する。以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体製造装置および半導体製造装置の制御方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の実施の形態の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。実施の形態1本発明の実施の形態1にかかるスピン洗浄装置の構成について、図1,9,10を参照して説明する。図1は、本発明の実施の形態1にかかるスピン洗浄装置のウェハ搬送アームの構成を示す説明図である。図1aは、ウェハ搬送アームの構成を示す部分拡大側面図である。図1bは、ウェハ搬送アームの構成を示す部分拡大仰視図である。図9に示すように、本発明の実施の形態1にかかるスピン洗浄装置は、搬送手段としての機能を有するウェハ搬送アーム1、薬液貯蔵タンク2および処理室3を備えている。本発明の実施の形態1にかかるスピン洗浄装置は、ウェハ搬送アーム1の構成およびウェハの中心出し方法が従来のスピン洗浄装置と異なる。まず、本発明の実施の形態1にかかるスピン洗浄装置全体の構成について説明する。ウェハ搬送アーム1は、ロード側ウェハカセット4からその中のウェハを取り出して処理室3へ搬送する。また、ウェハ搬送アーム1は、処理室3から処理済のウェハWを取り出し、アンロード側ウェハカセット5へ搬送してその中に収納する。ウェハWを搬送する際、ウェハ搬送アーム1は、ウェハWを真空吸着する。図9には、ウェハ搬送アーム1の形状が概略的に示されている。ウェハ搬送アーム1の詳細な構成については後述する。薬液貯蔵タンク2は、洗浄用の薬液を貯留し、ノズル6を介して処理室3内へ薬液を供給する。図10に示すように、処理室3には、給気口7および排気口8が設けられている。処理室3内には、スピンチャック9、および遠心翼10を有する回転テーブル11が設けられている。スピンチャック9は、ウェハ搬送アーム1により給気口7から挿入されたウェハWを真空吸着し、数百~数千rpmで高速回転する。遠心翼10は、回転テーブル11とともに回転して、排気口8から空気とともに薬液を排出する。このスピン洗浄装置は、ロード側ウェハカセット4にウェハ搬送アーム1が挿入されたときに2点のウェハエッジを検出し、ウェハWの中心とウェハ搬送アーム1の中心とのずれ量を算出する。このずれ量の算出方法については後述する。ウェハ搬送アーム1は、この算出されたずれ量を相殺するように移動して、スピンチャック9にウェハWを搬送する。それによって、ウェハWをウェハ搬送アーム1からスピンチャック9に移す際に、ウェハWの中心とスピンチャック9の中心とが一致する。すなわち、ウェハの中心出しが行われる。次に、ウェハ搬送アーム1の構成について説明する。図1a,1bに示すように、ウェハ搬送アーム1は、アーム本体21、ウェハを吸着して保持するウェハ吸着アーム以下、第1アームとする22、第1アーム22に対向して設けられた第2アーム23を備えている。アーム本体21は、例えばスピン洗浄装置によりウェハの搬入搬出方向30に移動可能に支持されている。第1,2アーム22,23は、ウェハの搬入搬出方向30に長い板状部材で構成される。第1アーム22は、連結部材21aを介してアーム本体21の先端に設けられている。連結部材21aには、2本の第1アーム22が互いに離れて設けられている。また、連結部材21aには、2本の第1アーム22の間に設けられ、2本の第1アーム22をつなぐ第1板状部材24-1が接合されている。第1板状部材24-1の両端部の側面はそれぞれ対向する第1アーム22の側面に接している。2本の第1アーム22の各平坦面と第1板状部材24-1の平坦面とは同一平面をなし、例えば略コの字状をなす。平坦面とは、ウェハ搬送アーム1に保持されるウェハの主面に平行な面である。2本の第1アーム22の平坦面と第1板状部材24-1の平坦面とで形成される平坦面以下、第1アーム22の上面とする31には、ウェハのエッジ近傍部を吸着するパッド以下、ウェハ吸着パッドとする25が設けられている。具体的には、ウェハ吸着パッド25は、例えば、2本の第1アーム22の連結部材21a側の端部以下、固定端とするに対して反対側の各端部以下、自由端とする22aに1箇所ずつと、第1板状部材24-1に1箇所の計3箇所に配置されている。各ウェハ吸着パッド25は、図示しない共通の負圧発生源に接続されており、吸着手段としての機能を有する。ウェハ吸着パッド25により、ウェハの3箇所のエッジ近傍部がウェハ搬送アーム1に真空吸着される。3つのウェハ吸着パッド25を頂点とする三角形の重心以下、ウェハ吸着パッド25の重心とする26は、初期位置X=0、Y=0にあるウェハ搬送アーム1の中心であり、スピンチャックの回転の中心に一致する。第2アーム23は、連結部材21aを介してアーム本体21の先端に設けられている。また、第2アーム23は、2本の第1アーム22のそれぞれの上方に設けられている。2本の第2アーム23の間には、連結部材21aに連結され、当該2本の第2アーム23をつなぐ第2板状部材24-2が設けられている。2本の第2アーム23の各平坦面と第2板状部材24-2の平坦面は同一平面をなし、例えば第1アーム22の上面31と同形状の略コの字状をなす。2本の第2アーム23の平坦面と第2板状部材24-2の平坦面とで形成される平坦面以下、第2アーム23の下面とする32は、第1アーム22の上面31に対向する。第1アーム22および第2アーム23には、一対のレーザダイオード27およびフォトダイオード28からなる非接触型センサ29が設けられている。2本ずつ設けられた第1アーム22および第2アーム23の対向する部位にそれぞれ1つずつ非接触型センサ29が配置されている。また、非接触型センサ29は、例えば、第1アーム22に設けられたウェハ吸着パッド25よりも第1,2アーム22,23の自由端連結部材21aに接合された固定端に対して反対側の端部22a,23a側において、対向する2組の第1,2アーム22,23にそれぞれ設けられている。このような非接触型センサ29においては、レーザダイオード27から出射したレーザ光をフォトダイオード28で受光している間は、ウェハのエッジの検出に至らず、受光していたレーザ光がウェハのエッジにより遮られてフォトダイオード28で受光されなくなった時点で、ウェハのエッジが検出される。2個の非接触型センサ29によりそれぞれウェハの2点のエッジを検出することによって、ウェハの中心とウェハ搬送アーム1の中心とのずれ量が算出される。非接触型センサ29は、検出手段としての機能を有する。2個の非接触型センサ29は、ウェハ吸着パッドの25の重心26ウェハ搬送アーム1の中心から等距離にあり、かつ次のような寸法を満たす位置に配置される。ウェハの搬入搬出方向30に直交する方向における、2個の非接触型センサ29によるウェハエッジの検出位置の間の距離はfである。fは、スピンチャックの直径よりも大きく、かつ、オリエンテーションフラットの幅よりも大きい。第1アーム22のウェハの搬入搬出方向30の長さはeである。eは、例えば、ウェハの直径よりも長い。次に、ウェハカセットからウェハを取り出す手順について説明する。図2~図6は、ウェハカセットからウェハを取り出す手順を説明する説明図である。図2~図6において、aはウェハ搬送アーム1の要部側面図であり、bはウェハ搬送アーム1の要部仰視図である。まず、図2に示すように、多段構造のロード側ウェハカセット4のウェハ搬出口41側に、第1,2アーム22,23の自由端22a,23aがロード側ウェハカセット4側を向くようにウェハ搬送アーム1を配置する。次に、図2に矢印30aで示すように、ウェハWの下側の主面が第1アーム22の上面31と対向し、当該ウェハWの上側の主面が第2アーム23の下面32と対向するように、ロード側ウェハカセット4のスリット4a中間にウェハ搬送アーム1の第1,2アーム22,23を挿入する。図3に示すように、ウェハエッジが非接触型センサ29のレーザダイオード27とフォトダイオード28の間に位置したときに、フォトダイオード28がレーザダイオード27からのレーザ光を受光しなくなり、ウェハエッジが検出される。すなわち、ウェハ搬送アーム1にウェハWが吸着される前に、ウェハWのロード側ウェハカセット4のウェハ搬出口41側の2点のエッジが検出される。その後、図4に示すように、そのままウェハ搬送アーム1の第1,2アーム22,23を所定の位置まで挿入する。所定の位置とは、第1アーム22の上面31に設けられた3つのウェハ吸着パッド25がウェハWと対向する状態となる位置である。ロード側ウェハカセット4は、例えば、ウェハ搬出口41からウェハWの搬出方向30aに貫通する筒形状であってもよい。ウェハ搬送アーム1を所定の位置まで挿入したときに、第1,2アーム22,23の自由端22a,23aがロード側ウェハカセット4のウェハ搬出口41に対して反対側の開口部42から外部に出るため、ウェハWの直径とほぼ等しい幅および奥行きを有するロード側ウェハカセット4を用いることができる。非接触型センサ29により最初に検出されたウェハWの計2点のエッジの位置に基づいて、ウェハWの中心とウェハ搬送アーム1の中心とのずれ量が算出される。このとき、ウェハ搬送アーム1を所定の位置まで挿入したときのウェハ吸着パッド25の重心位置26を基準点として、ウェハWの中心とウェハ搬送アーム1の中心とのずれ量が算出される。ウェハWの中心とウェハ搬送アーム1の中心とのずれ量は、ウェハ搬送アーム1によりウェハWが吸着されるまでの間に算出されればよい。ウェハWの中心とウェハ搬送アーム1の中心とのずれ量の詳細な算出方法については後述する。次に、図5に矢印30bで示すように、ウェハ搬送アーム1を上昇させ、第1アーム22の上面31に設けられた3つのウェハ吸着パッド25によりウェハWを吸着する。次に、図6に矢印30cで示すように、ロード側ウェハカセット4からウェハ搬送アーム1の第1,2アーム22,23を引き抜く。以上の手順により、ロード側ウェハカセット4からウェハWを取り出すことができる。その後、ウェハWの中心とウェハ搬送アーム1の中心とのずれ量分だけウェハWの搬送位置を移動させるようにウェハ搬送アーム1を制御することより、ウェハWの中心とスピンチャック9の回転の中心とが一致するようにウェハWの中心出しが行われる。一方、処理済のウェハをウェハ搬送アームからアンロード側ウェハカセットに収納する際の手順は、おおよそ上述したウェハの取り出し手順の逆となる。また、ウェハをウェハ搬送アームからスピンチャックへ移す際の手順、および処理済のウェハをスピンチャックからウェハ搬送アームへ移す際の手順は、おおよそロード側ウェハカセットからウェハ搬送アームにウェハWを移す手順と同じである。次に、ウェハの中心とウェハ搬送アームの中心とのずれ量の算出方法について説明する。図7は、本発明の実施の形態1にかかるずれ算出方法を説明する図である。図7は、ウェハ搬送アーム1がロード側ウェハカセット不図示に挿入される前の状態である。図7において、X方向は、ロード側ウェハカセット内でのウェハ搬送アーム1の移動方向に直交し、かつウェハWの主面に平行な方向である。Y方向は、ロード側ウェハカセット内でのウェハ搬送アーム1の移動方向である。また、図7には、ウェハWの中心とウェハ搬送アームの中心とのずれ量を補正しない状態初期状態でウェハWが搬送されたときのウェハWとスピンチャック9との位置関係が明確になるように、スピンチャック9の位置を点線の円で示す。図7に示すように、ウェハWの半径をrとし、ウェハWの中心をPとし、ウェハ吸着時のウェハ搬送アーム1の中心ウェハ吸着パッドの重心位置、すなわちスピンチャック9の回転の中心に相当をQとする。また、2個の非接触型センサ29によるウェハエッジの検出位置をそれぞれS1およびS2とする。S1およびS2は、ロード側ウェハカセットに挿入されたウェハ搬送アーム1により最初に検出されるウェハエッジの位置である。S1とQとの間のY方向の距離およびS2とQとの間のY方向の距離をそれぞれaおよびbとする。さらに、S1およびS2を通る直線とS1を通るY方向に平行な直線とのなす角をθ1とし、S1およびS2を通る直線とS1およびPを通る直線とのなす角をθ2とし、S1およびPを通る直線とS1を通るY方向に平行な直線とのなす角をθ3とする。上述したように、2個の非接触型センサ29の間の距離、すなわちS1とS2との間のX方向の距離はfである。なお、図7では、便宜上、オリエンテーションフラットを省略してウェハWを円形としているが、例えば同図のS1とS2の間にオリエンテーションフラットが位置することになる。この場合、ウェハWの中心Pとウェハ搬送アーム1の中心QのX方向およびY方向のずれ量を、それぞれ、xおよびyとすると、θ1、θ2およびθ3について、次の1式~4式が成り立つ。これら1式~3式を変形して4式に代入すると、次の5式が得られる。この5式をxについて解くと、6式が得られる。また、Y方向の寸法については、次の7式と上記1式、2式、4式が成り立つ。これら1式、2式、7式を変形して4式に代入すると、次の8式が得られる。この8式をyについて解くと、9式が得られる。従って、ロード側ウェハカセット内でのウェハの位置がずれていると、ウェハWの中心Pとウェハ吸着時のウェハ搬送アーム1の中心Qとには、上記6式および上記9式で表される量のずれが生じることになる。上述したように、ウェハ吸着時のウェハ搬送アーム1の中心Qは、スピンチャック9の回転軸に一致しているので、ウェハWの中心Pとスピンチャック9の回転軸とは、これら二つの式で表される量だけ、ずれていることになる。このため、ウェハ搬送アーム1からスピンチャック9にウェハWを移す際に、ウェハWがX方向およびY方向へそのずれ量の分だけ移動していれば、ウェハWの中心がスピンチャック9の回転軸に一致することになる。そこで、実施の形態1にかかるスピン洗浄装置では、少なくとも、ウェハ搬送アーム1によりスピンチャック9にウェハWを移すときに、ウェハWが上記6式で表されるxに相当する分だけX方向へ移動し、かつ上記9式で表されるyに相当する分だけY方向へ移動するように、ウェハ搬送アーム1が制御される。ウェハ搬送アーム1がロード側ウェハカセット内のウェハWを吸着したときのウェハ搬送アーム1の中心は、初期位置X=0、Y=0にある。また、ウェハ搬送アーム1からスピンチャック9にウェハWを移してから洗浄処理を行うまでの間、洗浄処理の終了後にスピンチャック9からウェハ搬送アーム1にウェハWを移すまでの間、ウェハ搬送アーム1からアンロード側ウェハカセット内にウェハを収納するまでの間のそれぞれについては、ウェハ搬送アーム1の位置は特に問わないが、初期位置にあるのが望ましい。実施の形態2本発明の実施の形態2にかかるスピン洗浄装置およびずれ算出方法について説明する。図8は、本発明の実施の形態2にかかるずれ算出方法を説明する図である。実施の形態2にかかるずれ算出方法においては、非接触型センサ29によってウェハのオリエンテーションフラットOFのエッジが最初に検出された場合、非接触型センサ29によって2回目に算出されたウェハWのエッジの位置に基づいて、ウェハWの中心とウェハ搬送アーム1の中心とのずれ量を算出する。本発明の実施の形態2にかかるスピン洗浄装置の構成は、実施の形態1にかかるスピン洗浄装置と同じである。以下、実施の形態1と異なる構成についてのみ、説明する。図8に示すように、P、Q、r、fについては、実施の形態1と同様である。また、2個の非接触型センサのうちの一方の非接触型センサ59-1によるウェハエッジの検出位置をS11およびS3とし、他方の非接触型センサ59-2によるウェハエッジの検出位置をS2およびS4とする。S11およびS2は、ロード側ウェハカセットにウェハ搬送アーム1が挿入されたときに最初に検出されるウェハエッジの位置である。S3およびS4は、ロード側ウェハカセットにウェハ搬送アーム1が挿入されたときにS11およびS2の次2回目に検出されるウェハエッジの位置である。S11およびS2は、ウェハWのオリエンテーションフラットOFのエッジの位置であるか否かが判断される。具体的には、まず、S11およびS2に基づいて、実施の形態1と同様に、ウェハWの中心とウェハ搬送アーム1の中心とのずれ量を算出する。そして、S3およびS4に基づいて、実施の形態1と同様に、ウェハWの中心とウェハ搬送アーム1の中心とのずれ量を算出する。S11およびS2に基づいて算出されたウェハWの中心のずれ量と、S3およびS4に基づいて算出されたウェハWの中心のずれ量とが等しい場合、S11およびS2はウェハWのオリエンテーションフラットOFのエッジの位置ではないと判断される。一方、S11およびS2に基づいて算出されたウェハWの中心のずれ量と、S3およびS4に基づいて算出されたウェハWの中心のずれ量とが等しくない場合、S11またはS2がウェハWのオリエンテーションフラットOFのエッジの位置であると判断される。また、S11およびS2がウェハのオリエンテーションフラットOFのエッジの位置であるか否かを判断する別の方法は、次の通りである。S11とS2との間のY方向の距離およびS3とS4との間のY方向の距離をそれぞれcおよびdとする。cとdとが等しい場合、S11およびS2はウェハWのオリエンテーションフラットOFのエッジの位置ではないと判断される。一方、cとdとが等しくない場合具体的には、c>d、S11またはS2がウェハWのオリエンテーションフラットOFのエッジの位置であると判断される。S11およびS2はウェハWのオリエンテーションフラットOFのエッジの位置ではないと判断された場合、ウェハWの中心とウェハ搬送アーム1の中心とのずれ量は、実施の形態1と同様に算出される。一方、S11またはS2がウェハWのオリエンテーションフラットOFのエッジの位置であると判断された場合、ウェハWの中心とウェハ搬送アーム1の中心とのずれ量は、次のように算出される。非接触型センサにより最初に検出されたウェハエッジがウェハWのオリエンテーションフラットOFのエッジであった場合のずれ算出方法を、S11がウェハWのオリエンテーションフラットOFのエッジの位置である場合を例に説明する。ウェハWのオリエンテーションフラットOFのエッジはウェハWの円周上のエッジよりもウェハWの中心に近いため、ウェハWのオリエンテーションフラットOFのエッジとウェハWの円周上のエッジとの間のY方向の距離cは、ウェハWの円周上のエッジ間のY方向の距離dよりも長くなる。このため、S3およびS4に基づいて、ウェハWの中心とウェハ搬送アーム1の中心とのずれ量が算出される。具体的には、S3とQとの間のY方向の距離およびS4とQとの間のY方向の距離をそれぞれaおよびbとする。S3およびS4を通る直線とS3を通るY方向に平行な直線とのなす角をθ1とし、S3およびS4を通る直線とS3およびPを通る直線とのなす角をθ2とし、S3およびPを通る直線とS3を通るY方向に平行な直線とのなす角をθ3とする。この場合においても、ウェハWの中心Pとウェハ搬送アームの中心QのX方向のずれ量xは、θ1、θ2およびθ3について上記1式~4式が成り立つ。また、ウェハWの中心Pとウェハ搬送アームの中心QのY方向のずれ量yは、θ1、θ2およびθ3について1式、2式、4式、7式が成り立つ。このため、上記6式、9式に基づいて、a、b、S3とS4との間のX方向の距離f、ウェハWの半径rを用いて、実施の形態1と同様に、ウェハWの中心とウェハ搬送アーム1の中心とのずれ量を算出することができる。以上説明したように、各実施の形態によれば、ウェハ搬送アームによりウェハを真空吸着することによって、ウェハエッジを他の物体に接触させずに、ウェハを搬送することができる。また、ウェハカセットのウェハ搬入搬出口側におけるウェハの2点のエッジの位置のみを検出することにより、ウェハの中心のずれ量を算出することができる。そして、そのずれ量を相殺するようにウェハ搬送アームによるウェハの搬送位置を制御して、ウェハ搬送アームがスピンチャックにウェハを渡す位置を調整することによって、ウェハ搬送アームからスピンチャックにウェハを移す際にウェハの中心をスピンチャックの回転の中心に一致させることができる。従って、ウェハエッジ部分のチッピングやウェハ割れの発生を抑制することができ、確実にウェハの洗浄加工処理を行うことができる。また、非接触型センサによって最初に検出されたウェハエッジがウェハのオリエンテーションフラットのエッジであった場合においても、非接触型センサによって検出されるウェハの他の2点のエッジの位置のみでウェハの中心のずれ量を算出することができる。また、各実施の形態によれば、ウェハ搬送アームに2個の非接触型センサが設けられていることにより、搬送手段がウェハカセットに挿入されたときに、ウェハの中心のずれ量を算出するためのウェハの2点のエッジがウェハカセット内で検出される。このため、ウェハの搬送経路を短くすることができ、タクトタイムを短縮することができる。これにより、生産性を向上させることができる。なお、各実施の形態で説明したウェハ搬送アームの制御やウェハの中心のずれ量算出は、予め用意されたプログラムをパーソナルコンピュータやワークステーションなどのコンピュータで実行することにより実現することができる。このプログラムは、ハードディスク、フレキシブルディスク、CD-ROM、MO、DVDなどのコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録され、コンピュータによって記録媒体から読み出されることによって実行される。またこのプログラムは、インターネットなどのネットワークを介して配布することが可能な伝送媒体であってもよい。以上において本発明は、上述した実施の形態に限らず、種々変更可能である。例えば、非接触型センサのレーザダイオードとフォトダイオードの取り付け位置は逆でもよい。また、2個の非接触型センサは、ウェハカセット内に挿入される際のウェハ搬送アームの移動方向に垂直に並んで配置されていればよく、ウェハ搬送アーム上の任意の箇所に配置可能である。また、本発明は、ウェハの洗浄処理に限らず、ウェハの他の処理、例えばフォトレジストのスピン塗布処理などにも適用できる。さらに、本発明は、半導体ウェハに限らず、板状体を回転させながら処理を行う場合にも適用できる。"