フォトダイオードと、メタル層と、前記フォトダイオード及び前記メタル層の間に配され、前記メタル層から反射された光子を前記フォトダイオードの中央部分に屈折させる光子屈折用マイクロレンズと、を備える単位画素。前記光子屈折用マイクロレンズは、前記メタル層方向に膨らんでいる請求項1に記載の単位画素。前記光子屈折用マイクロレンズの最も厚い部分の厚さは、2000Åないし3500Å間の値を持つ請求項2に記載の単位画素。前記光子屈折用マイクロレンズ及び前記メタル層の間には、少なくとも一つの平坦化層を持つ請求項2に記載の単位画素。前記光子屈折用マイクロレンズの屈折率は、前記少なくとも一つの平坦化層の屈折率に比べて高い請求項4に記載の単位画素。前記平坦化層はシリコン酸化膜からなり、前記光子屈折用マイクロレンズはシリコン窒化膜からなる請求項5に記載の単位画素。複数の単位画素が2次元に配列された画素アレイと、前記画素アレイに配列された単位画素の動作を水平ライン単位で制御するロウデコーダと、前記画素アレイに配列された単位画素の動作を垂直ライン単位で制御するカラムデコーダと、を備え、前記単位画素それぞれは、フォトダイオードと、メタル層と、前記フォトダイオード及び前記メタル層の間に配され、前記メタル層から反射された光子を前記フォトダイオードの中央部分に屈折させる光子屈折用マイクロレンズと、を備えるバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサ。前記光子屈折用マイクロレンズは、前記メタル層方向に膨らんでいる請求項7に記載のバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサ。前記光子屈折用マイクロレンズの最も厚い部分の厚さは、2000Åないし3500Å間の値を持つ請求項8に記載のバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサ。請求項1に記載の光子屈折用マイクロレンズを備える単位画素を形成方法において、フォトダイオードと定義された領域の上部にアイランドを形成する段階と、常時アイランドをアニーリングして前記光子屈折用マイクロレンズを形成する段階と、を含む光子屈折用マイクロレンズを備える単位画素の形成方法。本発明が解決しようとする技術的課題は、入射されてフォトダイオードを通過した後、メタル層から反射されて再びフォトダイオードに戻る光子を、フォトダイオードの中心部分に屈折させる光子屈折用マイクロレンズを備える単位画素を提供することにある。本発明が解決しようとする他の技術的課題は、入射されてフォトダイオードを通過した後、メタル層から反射されて再びフォトダイオードに戻る光子を、フォトダイオードの中心部分に屈折させる光子屈折用マイクロレンズを備える単位画素で構成された画素アレイを備えるバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサを提供することにある。本発明が解決しようとするさらに他の技術的課題は、入射されてフォトダイオードを通過した後、メタル層から反射されて再びフォトダイオードに戻る光子を、フォトダイオードの中心部分に屈折させる光子屈折用マイクロレンズを備える単位画素の形成方法を提供することにある。前記技術的課題を解決するための本発明の一面による光子屈折用マイクロレンズを備える単位画素は、フォトダイオード、メタル層及び光子屈折用マイクロレンズを備える。前記マイクロレンズは、前記フォトダイオード及び前記メタル層の間に配され、前記メタル層から反射された光子を前記フォトダイオードの中央部分に屈折させる。前記技術的課題を解決するための本発明の他の一面による光子屈折用マイクロレンズを備える単位画素は、光子屈折用マイクロレンズ、平坦化層及びメタル層を備える。前記光子屈折用マイクロレンズは、基板に形成されたフォトダイオードの上部に具現される。前記平坦化層は、前記光子屈折用マイクロレンズの上部に形成される。前記メタル層は、前記平坦化層の上部に形成される。前記光子屈折用マイクロレンズは、前記メタル層方向に膨らんでいる形態を持つ。前記他の技術的課題を解決するための本発明によるバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサは、画素アレイ、ロウデコーダ及びカラムデコーダを備える。前記画素アレイは、複数の単位画素が2次元に配列されている。前記ロウデコーダは、前記画素アレイに配列された単位画素の動作を水平ライン単位で制御する。前記カラムデコーダは、前記画素アレイに配列された単位画素の動作を垂直ライン単位で制御する。前記単位画素それぞれは、フォトダイオード、メタル層及び前記フォトダイオード及び前記メタル層の間に配され、前記メタル層から反射された光子を前記フォトダイオードの中央部分に屈折させる光子屈折用マイクロレンズを備える。前記さらに他の技術的課題を解決するための本発明による光子屈折用マイクロレンズを備える単位画素の形成方法は、前記単位画素のフォトダイオードと定義された領域の上部にアイランドを形成する段階、及び常時アイランドをアニーリングして前記光子屈折用マイクロレンズを形成する段階を含む。本発明は、入射されてフォトダイオードを通過した後、メタル層から反射されて再びフォトダイオードに戻る光子がフォトダイオードの中心部分に屈折して集束されるので、メタル層から反射されて隣接する単位画素に遷移する光子の数を最小限に抑制できるようになって、単位画素間の相互干渉だけでなく光に対する感度も向上させることができる。本発明と本発明の動作上の利点及び本発明の実施によって達成される目的を十分に理解するためには、本発明の例示的な実施形態を説明する添付図面及び添付図面に記載された内容を参照しなければならない。以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を説明することによって、本発明を詳細に説明する。各図面に付された同一参照符号は、同一部材を表わす。本発明の核心アイディアは、光を受信するフォトダイオードとメタル層との間に一定の曲率を持つ光子屈折用マイクロレンズを配置させることである。このようにすることで、十分なエネルギを持つ光子がフォトダイオードを通過した後、メタル層で反射されて再びフォトダイオードに反射されて戻る時、隣接する単位画素ではなく、入射して貫通したフォトダイオードの中心部分に屈折して集束する。図1は、本発明による光子屈折用マイクロレンズを備える単位画素の断面構造を示す。図1に図示された断面構造100は、CMOSイメージセンサを構成する複数の単位画素のうち2つを表わす。本発明による光子屈折用マイクロレンズ110は、基板に形成された2個のフォトダイオードPD1、PD2の上部にそれぞれ形成される。光子屈折用マイクロレンズ110の上部には、平坦化層120、第1メタル層130、メタル層間絶縁層140及び第2メタル層150が形成される。各単位画素は、絶縁物の満たされたトレンチ160により区切られる。本発明による単位画素100は、バックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサに使われるものであって、図1を参照すれば、光は、1次的にフォトダイオードに先ず到達する。一般的なCMOSイメージセンサの場合、イメージセンサに入射される光は、2個のメタル層130、150、メタル層間絶縁体140及び平坦化層120を経由した後、最終的にフォトダイオードに入射される方式であった。この2つの方式の差異点については後述する。光子屈折用マイクロレンズ110は、上部の第1メタル層130に向かって膨らんでいる形態を持つ。膨らんでいる部分の厚さについて実験した結果、最も大きく膨らんでいる部分の厚さTは、2000Åないし3000Åの場合が最適であると判断され、3500Åまでは一定の性能を発揮できる。しかし、最も大きく膨らんでいる部分の厚さTが3500Åより厚い場合には、本発明で解決しようとする効果が減少する結果を得た。本発明で解決しようとする課題をさらに確実に達成するために、光子屈折用マイクロレンズ110を構成する物質の屈折率は、平坦化層120やメタル層間絶縁層140を構成する物質の屈折率に比べて高いことが望ましい。例えば、平坦化層120やメタル層間絶縁層140を構成する物質がシリコン酸化物である場合には、光子屈折用マイクロレンズ110を構成する物質としては、シリコン窒化物を使用する。以下では、本発明による光子屈折用マイクロレンズにおいて、メタル層で反射される光子が、いかなる方式でフォトダイオードの中心部分に屈折するかについて説明する。説明の便宜のために、一つの単位画素について説明する。また光という用語の代わりに光子を使用する。図2は、本発明による光子屈折用マイクロレンズで反射される光子の進行方向を示す。図2に図示された断面は、図1に図示された単位画素100がひっくり返った状態で、カラーフィルタ210、平坦化層220及び集光用マイクロレンズ230がさらに形成されたものである。基板の下方、すなわち、図1の下部基板を研磨した後、研磨されたところで光を受信するため、バックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサという。図2に図示された断面は、図1に図示された断面をひっくり返したものであるため、図1の下部は、図2では上部になる。図2を参照すれば、単位画素の左側角に入射される光子a及び右側角に入射される光子bが、集光用マイクロレンズ230で内部に屈折して、平坦化層220、カラーフィルタ210、フォトダイオードPDを通過する。相当数の光子は、フォトダイオード領域内で電子-正孔対を生成させるのに使われるが、図2に図示された2個の光子のように、フォトダイオードを通過する光子も発生する。フォトダイオードを通過した光子が第1メタル層130に反射され、反射される光子が隣接する単位画素に遷移する場合、クロストークが発生したという。本発明で提案する光子屈折用マイクロレンズは、第1メタル層130で反射された光子を該当フォトダイオードの中央部分に屈折させる。これを具体的に説明すれば、下記の通りである。単位画素の左側角に入射された光子aは、フォトダイオードPDを通過して進入した光子屈折用マイクロレンズ110で1次屈折した後、第1メタル層130で反射される。この時、第1メタル層130の表面が均一でないため、第1メタル層130で反射される光子aの進行方向は一定でなくなる。図1では、光子屈折用マイクロレンズ110の中央部分に反射されるように図示されているが、実際には、放射線方向のうちいずれか一方向に反射される。しかし、いかなる方向に反射されても、光子屈折用マイクロレンズ110に到達した光子aは、光子屈折用マイクロレンズ110の曲面によってフォトダイオードPDの中央部分に屈折される。また光子屈折用マイクロレンズ110を構成する物質が平坦化層120より屈折率の高い物質になっているので、光子aがフォトダイオードPDの中央部分に屈折される角度がさらに鋭利になる。単位画素の右側角に入射される光子bの場合も、前述した光子aと同様なので、ここでは説明を省略する。図3は、CMOSイメージセンサを構成する単位画素の回路図である。図3を参照すれば、単位画素300は、光を感知するフォトダイオードPD、フォトダイオードPDに集束された光子により生成された電荷をフローティング拡散領域F/Dに伝送する伝送トランジスタM1、フローティング拡散領域F/DをリセットさせるリセットトランジスタM2、フローティング拡散領域F/Dに伝達された電荷に対応する電気信号を生成する変換トランジスタM3、及び単位画素で変換された電気信号を外部に伝達する選択トランジスタM4を備える。伝送トランジスタM1は、伝送制御信号Tx、リセットトランジスタM2はリセット制御信号RE、選択トランジスタM4は、選択制御信号Sxにより動作が制御される。光を受信する方向によって、一般的なCMOSイメージセンサとバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサとを区別できる。すなわち、一般的なCMOSイメージセンサは、フォトダイオードのN型電極に入射される光LIGHT1を受信し、バックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサは、P型電極に入射される光LIGHT2を受信する。一般的なCMOSイメージセンサの場合、単位画素に入射される光LIGHT1のうち一部は、MOSトランジスタなどによりフォトダイオードに入射されることが遮断される。一方、バックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサの場合には、単位画素全体で光LIGHT2を受信できるため、光を受信する効率が、一般的なCMOSイメージセンサに比べて相対的に良好である。図4は、CMOS工程を用いて生成させた単位画素の断面図である。図4を参照すれば、CMOS工程を用いて形成させた単位画素400は、P-型基板にフォトダイオード及びMOSトランジスタを具現させたものであって、2個の電極を持つフォトダイオードの一電極は基板であり、他の一つの電極はN型の拡散領域である。MOSトランジスタは、フォトダイオードを形成する一つのN拡散領域及び2個の拡散領域Nの間に形成されたゲートにより形成され、MOSトランジスタのゲートに印加される信号により動作するが、ゲートは、基板の上部にシリコン酸化膜SiO2及びシリコン酸化膜上に形成させた多結晶シリコンで具現される。トランジスタのしきい電圧を調節するために、シリコン酸化膜は熱成長させることが望ましい。光LIGHT1がフォトダイオードのN拡散領域Nに印加される時、光LIGHT1を受信できる面積に比べて、光LIGHT2がフォトダイオードのP-基板に印加される時、光LIGHT2を受信できる面積が相対的に広いということが容易に分かる。本発明は、光LIGHT2がフォトダイオードのP-基板に印加される時に該当するバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサについてのものである。図5は、CMOSイメージセンサの単位画素断面図である。図5を参照すれば、CMOSイメージセンサの単位画素は、基板P-に形成されたフォトダイオード及びトランジスタの上部に第1平坦化層P/L1、カラーフィルタ、第2平坦化層P/L2及び集光用マイクロレンズが順次形成される。図5には詳細に図示されていないが、第1平坦化層P/L1の下部には、少なくとも一つの層間絶縁層及び少なくとも一つのメタル層がさらに含まれている。図5に図示されたCMOSイメージセンサの単位画素には、光LIGHT1が限定されたフォトダイオード領域とトランジスタが形成される部分とに共通で入射される。フォトダイオードは、一つの電極を構成する基板P-と、他の一つの電極を構成する最左側のN型拡散領域Nで具現される。光LIGHT1がフォトダイオードの他の一電極をなすN型拡散領域Nに入射される場合には、これをフォトダイオードで感知できる。しかし、トランジスタが具現されたところに入射された光LIGHT1は、トランジスタを構成する各種層間物質によりフォトダイオードの片側電極をなす基板P-に到達できなくなるので、それだけ光感知効率は減少する。図6は、本発明による光子屈折用マイクロレンズを備えていない場合の光子の伝達経路を示す。図6に図示されたCMOSイメージセンサの単位画素には、光LIGHT2がフォトダイオードの一電極をなす基板P-に入射され、図5に図示されたCMOSイメージセンサの単位画素に比べてさらに多くの光を受信できる構造であることが分かる。図6を参照すれば、集光用マイクロレンズ230、平坦化層220、カラーフィルタ210を通過した光子a、bがフォトダイオードPD及び平坦化層120を通過した後、第1メタル層130で反射される。光子a、bが反射される方向は、前述したように一定でない。光子が反射されて自分のフォトダイオードに再び集束される場合には問題がないが、隣接する画素のフォトダイオードに遷移される場合にクロストークが発生するということは明らかである。以下では、図1に図示した本発明による光子屈折用マイクロレンズを形成する方法について説明する。図7は、フォトダイオードを形成した時の単位画素の断面図である。図7に図示された2個のフォトダイオードPD1、PD2は、絶縁物質で満たされたトレンチ構造物160により互いに分離される。図8は、フォトダイオードの上部に一定の形態のアイランドを形成させた時の単位画素の断面図である。図8に図示されたフォトダイオードPD1、PD2と定義された領域より小さなサイズのアイランドを、フォトダイオードPD1、PD2の上部に形成させる。アイランドは、それぞれの単位画素毎に一つずつ形成させることが望ましく、アイランドのサイズは、選択される後続工程によって変わりうる。アイランドの形態は、フォトダイオードと定義された形態を一定の割合で縮少させることが望ましい。例えば、フォトダイオードの形態が方形ならば、アイランドの形態も方形とし、フォトダイオードの形態が方形以上の6角形または8角形ならば、アイランドの形態も6角形または8角形に具現することが望ましい。しかし、場合によってはアイランドの形態を円形とすることも可能である。アイランドを形成する過程は多様であるが、理解を助けるために一つの場合のみ例を挙げる。-先ず、光子屈折用マイクロレンズを具現する物質を塗布する。-アイランドを定義するマスクを作る。-マスクを用いてフォトレジスタにアイランドを定義し、-フォトレジスタのうちアイランドと定義された部分を除外した他の部分を除去した後-アイランドを具現するのに使われる物質をエッチングするのに使われるエッチング溶液を用いてアイランドを形成させる。図9は、フォトダイオードの上部に形成されたアイランドに熱を加えて光子屈折用マイクロレンズを形成させた時の単位画素の断面図である。図9に図示された光子屈折用マイクロレンズを形成させるためには、一般的なアニーリング工程を使用できる。図10は、光子屈折用マイクロレンズの上部に平坦化層及びメタル層を形成させた後の単位画素の断面図である。図10に図示された平坦化層120及び第1メタル層130は、単位画素を構成するトランジスタのような素子を具現するのに使われる一般的な工程によって生成される。光子屈折用マイクロレンズを形成させるために、追加工程を使用することも可能であるが、光子屈折用マイクロレンズに使われる物質と同じ物質が一般工程で使われ、アイランドを生成させるための追加工程が不要な場合には、アイランドを定義するマスクのみを製造する単純な作業を通じて、本発明による光子屈折用マイクロレンズを形成させることができる。図11は、本発明によるバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサの光に対する感度及びクロストークに対する実験結果である。図11には、3つの色Red、Green、Blueに対する感度及びクロストークCTの値を、光子屈折用マイクロレンズのない場合と光子屈折用マイクロレンズのある場合とで対比した。ここで3つの色Red、Green、Blueに対する感度は、量子効率と定義される値で比較した。量子効率は、一つの光子により生成される電子正孔対の数として定義される。図11を参照すれば、緑色Greenカラーフィルタを通過した光の場合、光子屈折用マイクロレンズのない時は量子効率が71であるのに対し、光子屈折用マイクロレンズを持つ時には量子効率が72.6に増大した。赤色Redのカラーフィルタを通過した光の場合、量子効率が52.3から53.8に増大した。青色Blueのカラーフィルタを通過した光の場合には、量子効率が49.0で同一であった。したがって、青色Blueを除外した緑色Green及び赤色Redカラーフィルタを通過した光の場合、本発明による光子屈折用マイクロレンズを使用することが、量子効率を増大させるということが分かる。特に、クロストークの値は、光子屈折用マイクロレンズを使用する前では16.4であったが、光子屈折用マイクロレンズを使用した後には16.0に低減した。ここで提示するクロストークの値は、一定の基準値を用いて正規化した値である。図12は、CMOSイメージセンサの構成を示す。図12を参照すれば、CMOSイメージセンサ1200は、ロウデコーダ1210、カラムデコーダ1220、画素アレイ1230、選択部1240及びバッファ1250を備える。画素アレイ1230には複数の単位画素が2次元に配列されている。ロウデコーダ1210は、画素アレイ1230に配列された単位画素の動作を水平ライン単位で制御する。カラムデコーダ1220は、選択部1240を制御して画素アレイ1230に配列された単位画素の動作を垂直ライン単位で制御する。画素アレイ1230から変換された電気信号は、バッファ1250を通じて出力される。画素アレイ1230を構成する単位画素が図1に図示された形態を持つ場合、本発明を実施したものになる。図13は、本発明による光子屈折用マイクロレンズを使用した小型カメラを示す。図13に図示されたカメラに本発明による光子屈折用マイクロレンズが具現されたCMOSイメージセンサが含まれる場合、本発明を実施したものになりうる。以上、本発明についての技術思想を添付図面と共に述べたが、これは本発明の望ましい実施形態を例示的に説明したものであり、本発明を限定するものではない。また当業者ならば、本発明の技術的思想の範ちゅうを逸脱しない範囲内で多様な変形及び摸倣が可能であるということは明らかである。