少なくとも一つのエッチング工程及び少なくとも一つの酸化工程を複数回行い、磁気トンネル接合層パターン及び前記磁気トンネル接合層パターンの少なくとも一つの側壁上に側壁絶縁層パターンを形成することを含む磁気トンネル接合構造体の製造方法。前記磁気トンネル接合層パターン及び前記側壁絶縁層パターンを形成する前に、基板上に第1磁性層、トンネル絶縁層、第2磁性層を順次に積層して磁気トンネル接合層を形成し、前記第2磁性層の領域上にマスクパターンを形成することを含む請求項1に記載の磁気トンネル接合構造体の製造方法。前記少なくとも一つのエッチング工程は、不活性ガス及び前記マスクパターンを利用して前記磁気トンネル接合層の一部をエッチングして第1エッチング生成物を形成する第1エッチング工程を含み、前記少なくとも一つの酸化工程は、前記磁気トンネル接合層のエッチング面上に付着した第1エッチング生成物を酸化させる第1酸化工程を含む請求項2に記載の磁気トンネル接合構造体の製造方法。前記少なくとも一つのエッチング工程と前記少なくとも一つの酸化工程は、前記第1エッチング工程によってエッチングされない前記磁気トンネル接合層の一部をエッチングして第2エッチング生成物を形成する第2エッチング工程、及び前記第2エッチング工程によって形成された前記第2エッチング生成物を酸化する第2酸化工程をさらに含む請求項3に記載の磁気トンネル接合構造体の製造方法。前記不活性ガスはNH3ガスを含む請求項3に記載の磁気トンネル接合構造体の製造方法。前記不活性ガスは、COガス及びSF6ガスのうち少なくとも一つをさらに含む請求項5に記載の磁気トンネル接合構造体の製造方法。前記少なくとも一つのエッチング工程及び前記少なくとも一つの酸化工程は、インサイチュin-situで行われる請求項1に記載の磁気トンネル接合構造体の製造方法。前記少なくとも一つの酸化工程は、200W以下の電力を利用して行われる請求項1に記載の磁気トンネル接合構造体の製造方法。前記少なくとも一つの酸化工程は、ラジカル酸化工程及びプラズマ酸化工程のうち少なくとも一つである請求項1に記載の磁気トンネル接合構造体の製造方法。前記トンネル絶縁層は、前記第2エッチング工程によってエッチングされる請求項4に記載の磁気トンネル接合構造体の製造方法。基板上にコンタクトプラグを含む第1層間絶縁層を形成し、前記第1層間絶縁層上に第1磁性層、トンネル絶縁層、及び第2磁性層を順次に積層して磁気トンネル接合層を形成し、前記第2磁性層上にマスクパターンを形成し、少なくとも一つのエッチング工程及び少なくとも一つの酸化工程を複数回行い、磁気トンネル接合層パターン及び前記磁気トンネル接合層パターンの少なくとも一つの側壁上に側壁絶縁層パターンを形成し、前記少なくとも一つのエッチング工程は、不活性ガスと前記マスクパターンを利用して前記磁気トンネル接合層の一部をエッチングする第1エッチング工程を含み、前記少なくとも一つの酸化工程は、前記磁気トンネル接合層のエッチング面に付着した第1エッチング生成物を酸化させる第1酸化工程を含む磁気メモリ素子の製造方法。前記磁気トンネル接合層パターン及び前記側壁絶縁層パターンを形成した後、前記側壁絶縁層パターンを利用して前記側壁絶縁層パターン周囲の前記第1層間絶縁層の一部をエッチングして前記側壁絶縁層パターン上に側壁保護層パターンを形成することをさらに含む請求項11に記載の磁気メモリ素子の製造方法。前記第1層間絶縁層の一部をエッチングすることは、不活性ガスを利用することを含む請求項12に記載の磁気メモリ素子の製造方法。前記側壁保護層パターンを形成した後、前記側壁保護層パターンにアッシングashing工程を行うことをさらに含み、前記アッシング工程は、酸素ガスまたは酸素プラズマを利用した少なくとも一つの処理を含む請求項12に記載の磁気メモリ素子の製造方法。前記第1層間絶縁層、前記磁気トンネル接合層パターン、及び前記側壁絶縁層パターン上にコンフォーマルに保護層を形成することをさらに含む請求項11に記載の磁気メモリ素子の製造方法。前記コンタクトプラグと前記第1磁性層が互いに直接接触している請求項11に記載の磁気メモリ素子の製造方法。前記第1層間絶縁層上に第2層間絶縁層形成し、前記第2層間絶縁層上にビットラインを形成することをさらに含む請求項11に記載の磁気メモリ素子の製造方法。前記不活性ガスはNH3ガスを含む請求項11に記載の磁気メモリ素子の製造方法。前記酸化工程は、200W以下の電力を利用して行われる請求項11に記載の磁気メモリ素子の製造方法。前記少なくとも一つのエッチング工程は、少なくとも2回のエッチング工程を含み、前記トンネル絶縁層は、前記少なくとも2回のエッチング工程のうち一つによってエッチングされる請求項11に記載の磁気メモリ素子の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、磁気トンネル接合構造体の短絡を防止し、抵抗特性を改善できる磁気トンネル接合構造体の製造方法を提供することにある。本発明が解決しようとする他の課題は、磁気トンネル接合構造体の短絡を防止し、抵抗特性を改善できる磁気メモリ素子の製造方法を提供することにある。本発明の技術的課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていないまた他の技術的課題は、次の記載から当業者に明確に理解できるであろう。前記技術的課題を達成するための本発明の磁気トンネル接合構造体の製造方法の一実施形態は、基板上に第1磁性層、トンネル絶縁層、及び第2磁性層を順次に積層して磁気トンネル接合層を形成し、前記第2磁性層上にマスクパターンを形成し、少なくとも1回のエッチング工程と少なくとも1回の酸化工程を複数回行い、磁気トンネル接合層パターン及び前記磁気トンネル接合層パターンの少なくとも一つの側壁上に側壁絶縁層パターンを形成し、前記少なくとも一つのエッチング工程は、不活性ガスと前記マスクパターンを利用して前記磁気トンネル接合層の一部をエッチングする第1エッチング工程を含み、前記少なくとも一つの酸化工程は、前記磁気トンネル接合層のエッチング面に付着した第1エッチング生成物を酸化する第1酸化工程を含む。前記他の技術的課題を達成するための本発明の磁気メモリ素子の製造方法の一実施形態は、前記第1層間絶縁層上に第1磁性層、トンネル絶縁層、及び第2磁性層を順次に積層して磁気トンネル接合層を形成し、前記第2磁性層上にマスクパターンを形成し、少なくとも一つのエッチング工程及び少なくとも一つの酸化工程を複数回行い、磁気トンネル接合層パターン及び前記磁気トンネル接合層パターンの少なくとも一つの側壁上に側壁絶縁層パターンを形成し、前記少なくとも一つのエッチング工程は、不活性ガスと前記マスクパターンを利用して前記磁気トンネル接合層の一部をエッチングする第1エッチング工程を含み、前記少なくとも一つの酸化工程は、前記磁気トンネル接合層のエッチング面に付着した第1エッチング生成物を酸化する第1酸化工程を含む。その他実施形態の具体的な内容は詳細な説明及び図面に含まれている。本発明の利点、特徴、及びそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に後述する実施形態を参照すると明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限定されるものではなく、異なる多様な形態で具現することが可能である。本実施形態は、単に本発明の開示が完全になるように、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に対して発明の範疇を完全に知らしめるために提供するものであり、本発明は、請求項の範疇によってのみ定義される。図面において層及び領域のサイズ及び相対的なサイズは説明の明瞭性のために誇張することがある。なお、明細書全体にかけて、同一の参照符号は同一の構成要素を指すものとする。本明細書で使用された用語は、実施形態を説明するためであり、本発明を制限しようとするものではない。本明細書において単数形は、文言で特別に言及しない限り、複数形をも含む。明細書で使用される含むcomprisesおよび/または含むcomprisingは、言及した構成要素、段階、動作、および/または素子は、一つ以上の他の構成要素、段階、動作、および/または素子の存在または追加を排除しない。第1、第2等が、多様な構成要素を説明するために使用される。しかしながら、これらの構成要素は、これらの用語によって制限されないことはもちろんである。これらの用語は単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下で言及される第1構成要素は、本発明の技術的思想内で第2素子、第2構成要素であり得ることはもちろんである。本明細書で記述する実施形態は本発明の概略図の平面図および断面図を参照して説明する。したがって、製造技術および/または許容誤差などによって例示図の形態を変形することがある。したがって、本発明の実施形態は、図示する特定の形態に制限されず、製造プロセスにより生成される形態の変化も含む。したがって、図面で例示する領域は概略的な属性を有し、図面で例示する領域の形態は素子の領域の特定形態を例示するためであり、発明の範疇を制限するためではない。他に定義されなければ、本明細書で使用されるすべての用語技術および科学的用語を含むは、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に共通に理解され得る意味において使用されるものである。また、一般的に使用される辞典に定義されている用語は、明確に特別に定義されていない限り理想的にまたは過度に解釈されない。図1は、本発明の一実施形態による磁気トンネル接合構造体の断面図である。図1を参照すると、磁気トンネル接合MTJ:MagneticTunnelJunction構造体10は、基板100上に順次に積層された第1磁性層パターン110、トンネル絶縁層パターン120、及び第2磁性層パターン130を含む磁気トンネル接合層パターン140及び磁気トンネル接合層パターン140の側壁上に形成された側壁絶縁層パターン150を含む。第1磁性層パターン110及び第2磁性層パターン130のうち片方は磁化方向が固定されている固定強磁性pinnedferromagnetic層パターンであり、他方は磁気トンネル接合層パターン140に印加される電流の方向に応じて磁化方向が変化する自由強磁性freeferromagnetic層パターンであり得る。第1磁性層パターン110及び第2磁性層パターン130は、コバルト鉄CoFe、ニッケル鉄NiFe、またはコバルト鉄ボロンCoFeBなどを利用して形成される。トンネル絶縁層パターン120は、アルミニウム酸化物またはマグネシウム酸化物などで形成される。側壁絶縁層パターン150は、磁気トンネル接合層パターン140の側壁に形成されており、前記側壁と接触して形成される。側壁絶縁層パターン150は、磁気トンネル接合層パターン140を形成するエッチング工程の際に発生し、磁気トンネル接合層パターン140の側壁に付着した生成物を酸化させて形成される。したがって、側壁絶縁層パターン150は、磁気トンネル接合層パターン140を形成する物質の酸化物で形成される。後述するが、磁気トンネル接合層パターン140は少なくとも2回以上、すなわち複数のエッチング工程により形成され、側壁絶縁層パターン150は、それぞれのエッチング工程後で行われた複数の酸化工程により形成される。図2は、本発明の一実施形態による磁気メモリ素子の断面図である。図2に図示する磁気メモリMRAM:MagneticRandomAccessMemory素子は、STTSpinTransferTorque磁気メモリ素子である。STT磁気メモリ素子は、スピン向きが揃った高密度の電流が磁性体に入射する場合、磁性体の磁化方向が電流のスピン方向と一致しなければ、電流のスピン方向に揃えようとする現象を利用する。STT磁気メモリ素子は、ディジットdigitラインを必要としないため、磁気メモリ素子の小型化が可能である。図2を参照すると、基板200の一定領域にアクセス素子が配置される。基板200は、シリコン基板、ガリウムヒ素基板、シリコンゲルマニウム基板、セラミック基板、石英基板またはディスプレイ用ガラス基板などであり得、SOISemiconductorOnInsulator基板であり得る。前記アクセス素子はMOSトランジスタであり得る。この場合、アクセストランジスタは、基板200の一定領域に形成された素子分離層201によって限定される活性領域に配置される。具体的には、前記アクセストランジスタは、前記活性領域内に配置され、互いに離隔したソース領域203及びドレーン領域202を含み、ソース領域203とドレーン領域202との間のチャンネル領域の上部に形成されたゲート電極212を含み得る。ゲート電極212は、前記活性領域の上部を横切るように延び、ワードラインの役割を果たす。ゲート電極212は、ゲート絶縁層211により前記活性領域から絶縁される。前記アクセストランジスタを有する基板200の上部に第1層間絶縁層210が形成され、ソース領域203に対応する第1層間絶縁層210の一定領域上にソースライン221が配置される。ソースライン221はゲート電極212と同一な方向に延びるように形成される。図2では、隣接するアクセストランジスタ間にソース領域203を共有するものを図示しているが、本発明はこれに限定されなく、隣接するアクセストランジスタ間にソース領域203及びドレーン領域202を共有しないこともある。第1層間絶縁層210内にはソースライン221とソース領域203を電気的に接続するソースラインコンタクトプラグ215及びドレーン領域202上に形成されたランディングコンタクトプラグ214が形成される。ソースライン221が配置された第1層間絶縁層210上には第2層間絶縁層220が形成される。第2層間絶縁層220内にはドレーン領域202上に形成されたランディングコンタクトプラグ214と電気的に接続される下部電極コンタクトプラグ222が形成される。第2層間絶縁層220上に磁気トンネル接合層パターン140及び側壁絶縁層パターン150を含む磁気トンネル接合構造体10が配置される。磁気トンネル接合層パターン140は、第2層間絶縁層220上に順次に積層された第1磁性層パターン110、トンネル絶縁層パターン120、及び第2磁性層パターン130を含む。磁気トンネル接合構造体10は、図1に図示する本発明の一実施形態による磁気トンネル接合構造体10と同一であるため、具体的な説明は省略する。磁気トンネル接合層パターン140とドレーン領域202は、ランディングコンタクトプラグ214及び下部電極コンタクトプラグ222を介して電気的に接続される。磁気トンネル接合構造体10が配置された基板200上に第3層間絶縁層240が形成される。第3層間絶縁層240上にゲート電極212と交差するようにビットライン250が配置される。ビットライン250と磁気トンネル接合層パターン140は上部電極コンタクトプラグ241を介して電気的に接続される。第1層間絶縁層210、第2層間絶縁層220及び第3層間絶縁層240は、例えば、シリコン酸化層またはシリコン酸窒化層などで形成される。ランディングコンタクトプラグ214、ソースラインコンタクトプラグ215、ソースライン221、下部電極コンタクトプラグ222、上部電極コンタクトプラグ241、ビットライン250は、例えば、W、Ru、Ta、Cu、Al、またはドーピングされたポリシリコンなどを利用して形成することができる。ビットライン250上には周辺回路部図示せずの回路との電気的接続のための金属配線がさらに形成されることもある。図3は、本発明の他の実施形態による磁気メモリ素子の断面図である。図3を参照すると、本発明の他の実施形態による磁気メモリ素子が図2に図示する本発明の一実施形態による磁気メモリ素子と違う点は、側壁絶縁層パターン150上に側壁保護層パターン230がさらに形成されたことである。側壁保護層パターン230は、磁気トンネル接合構造体10の周囲に位置する第2層間絶縁層220の一部をエッチングして発生する生成物が側壁絶縁層パターン150上に付着して形成される。磁気トンネル接合構造体10の周囲に位置する第2層間絶縁層220の一定領域にはリセスが形成される。側壁保護層パターン230は、側壁絶縁層パターン150に接触して形成される。図4は、本発明のまた他の実施形態による磁気メモリ素子の断面図である。図4を参照すると、本発明のまた他の実施形態による磁気メモリ素子が図2に図示する本発明の一実施形態による磁気メモリ素子と違う点は、第2層間絶縁層220及び磁気トンネル接合構造体10に沿ってコンフォーマルにconformally形成された保護層260をさらに含むことある。図1及び図5~図9を参照して本発明の一実施形態による磁気トンネル接合構造体の製造方法について説明する。図5~図9は、本発明の一実施形態による磁気トンネル接合構造体の製造方法を順に示す断面図である。図5を参照すると、基板100上に第1磁性層111、トンネル絶縁層121、及び第2磁性層131を順次に積層して磁気トンネル接合層141を形成する。第1磁性層111及び第2磁性層131は、コバルト鉄CoFe、ニッケル鉄NiFe、またはコバルト鉄ボロンCoFeBなどを利用して形成され、トンネル絶縁層121はアルミニウム酸化物またはマグネシウム酸化物などで形成され得る。第2磁性層131の一定領域上にマスクパターン300を形成する。図6を参照すると、マスクパターン300をエッチングマスクパターンとして利用して磁気トンネル接合層141の一部、例えば、第2磁性層131の一部をエッチングする第1エッチング工程を行う。磁気トンネル接合層141をエッチングするため、不活性ガスを使用する物理的エッチングphysicaletchを利用する。不活性ガスを使用する物理的エッチングを利用して磁気トンネル接合層141をエッチングすると、エッチングによって除去される磁気トンネル接合層141を構成する物質の一部が磁気トンネル接合層141のエッチング面に付着する。すなわち、第1エッチング工程から発生する生成物151が磁気トンネル接合層141のエッチング面に付着する。図6及び図7を参照すると、磁気トンネル接合層141のエッチング面に付着した生成物151を酸化させる第1酸化工程を行う。第1酸化工程によって磁気トンネル接合層141のエッチング面に付着した生成物151は絶縁特性を有する側壁絶縁層パターン150を形成することに使用される。図7及び図8を参照すると、第1エッチング工程によってエッチングされない磁気トンネル接合層141の一部をエッチングする第2エッチング工程を行う。第2エッチング工程では、例えば、第2磁性層131の残り部分、トンネル絶縁層121、及び第1磁性層111の一部がエッチングされ得る。第2エッチング工程で第2磁性層131を使用して第2磁性層パターン130を形成し、トンネル絶縁層121を使用してトンネル絶縁層パターン120を形成する。第2エッチング工程から発生する生成物も磁気トンネル接合層のエッチング面、例えば、第2磁性層パターン130の側壁、トンネル絶縁層パターン120の側壁、及びエッチングされた第1磁性層111の側壁に付着する。続いて第2エッチング工程から発生して磁気トンネル接合層のエッチング面に付着した生成物を酸化させる第2酸化工程を行い、第2磁性層パターン130の側壁、トンネル絶縁層パターン120の側壁、及びエッチングされた第1磁性層111の側壁まで側壁絶縁層パターン150が形成される。図8及び図9を参照すると、第2エッチング工程によってエッチングされない磁気トンネル接合層の残部をエッチングする第3エッチング工程を行う。第3エッチング工程で第1磁性層111を使用して第1磁性層パターン110を形成する。第1磁性層パターン110、トンネル絶縁層パターン120、及び第2磁性層パターン130は磁気トンネル接合層パターン140を形成する。第3エッチング工程から発生する生成物も磁気トンネル接合層のエッチング面、すなわち磁気トンネル接合層パターン140の側壁に付着する。続いて第3エッチング工程から発生して磁気トンネル接合層パターン140のエッチング面に付着した生成物を酸化させる第3酸化工程を行い、エッチングされた第1磁性層パターン110の側壁にも側壁絶縁層パターン150が形成されるようにする。前述した第1エッチング工程~第3エッチング工程は、不活性ガスを使用する物理的エッチングを利用するが、不活性ガスとしてはNH3ガスを利用することができ、NH3ガスにCOガスまたはSF6ガスなどが混合したガスを利用することもできる。前記第1酸化工程~第3酸化工程は、ラジカルradical酸化工程またはプラズマplasma酸化工程を利用することができる。また前記第1酸化工程~第3酸化工程は、200W以下の電力を利用して行うことができる。本実施形態では、磁気トンネル接合層図5の141の一部のみをエッチングするエッチング工程後、前記エッチング工程によって生成されて磁気トンネル接合層141のエッチング面に付着したエッチング生成物を酸化する酸化工程を直ちに行い、前記酸化工程後でエッチングされない磁気トンネル接合層141の一部をエッチングするまた他のエッチング工程及び前記また他のエッチング工程によって発生する生成物を酸化するまた他の酸化工程を行う。すなわち、エッチング工程及び前記エッチング工程後の酸化工程を含むエッチング及び酸化工程セットを複数回行う。本実施形態では、前記エッチング及び酸化工程セットを複数回行うため、それぞれの酸化工程の酸化率oxidationrateを調節することができる。酸化工程を高電力で行う場合、磁気トンネル接合層パターン図9の140、特に絶縁層パターン図9の120が損傷を受けることがある。しかし、本実施形態では、磁気トンネル接合層図5の141の一部のみをエッチングするエッチング工程後、前記エッチング工程によってのみ発生した生成物図5の151のみを酸化する酸化工程を行うことによって磁気トンネル接合層パターン図9の140、特に絶縁層パターン図9の120が損傷しない低電力、すなわち、200W以下の電力を利用してそれぞれの酸化工程を行うことができる。これに対し、磁気トンネル接合層図5の141を1回のエッチング工程によりパターニングした後に前記エッチング工程から発生した生成物を1回の酸化工程により酸化する場合には200Wを超える高電力を利用して酸化工程を行わなければならないため、前記酸化工程により磁気トンネル接合層パターン図9の140、特に絶縁層パターン図9の120が損傷を受けることがある。また、それぞれのエッチング工程後で行われるそれぞれの酸化工程はエッチング工程とインサイチュin-situで行う。前記エッチング工程及び前記酸化工程をインサイチュで行う場合、空気によって磁気トンネル接合構造体が腐食corrosionあるいは劣化現象を防止することができる。例えば、トンネル絶縁層図5の121は、1回のエッチング工程によってエッチングされることが好ましい。すなわち、それぞれのエッチング工程がトンネル絶縁層121内で終了しないようにする。仮に、n番目のエッチング工程がトンネル絶縁層121の一部のみをエッチングした状態で終了すると、トンネル絶縁層121の一部はn番目の酸化工程中に露出し得る。この場合、n番目の酸化工程によってトンネル絶縁層121の特性が劣化され得る。したがって、酸化工程の際、トンネル絶縁層121が露出しないようにするためにトンネル絶縁層121は、1回のエッチング工程によってエッチングされることが好ましい。磁気トンネル接合層図5の141のエッチング工程の際に発生するエッチング生成物は導電性を有している。しかし、このような生成物が磁気トンネル接合層パターン図9の140の側壁に付着すると、磁気トンネル接合層パターン140の抵抗分布特性を劣化させる。しかし、本実施形態では、このようなエッチング生成物を酸化させて側壁絶縁層パターン図9の150を形成することによって、磁気トンネル接合層パターン140の第1磁性層パターン110と第2磁性層パターン130と間の短絡を防止することができる。また、磁気トンネル接合層パターン140の抵抗分布特性の劣化を防止することができ、磁気トンネル接合層パターン140の第1磁性層パターン110と第2磁性層パターン130との間の短絡を防止するための追加のキャッピング層または保護層を形成する必要がないため、工程単純化及びコスト削減の効果がある。一方、本実施形態では、エッチング及び酸化工程のセットを3回行い、磁気トンネル接合構造体を形成することについて説明したが、本発明はこれに限定されなく、2回あるいは4回以上で行い、磁気トンネル接合構造体を形成できることはもちろんである。図9及び図1を参照すると、マスクパターン300を除去して磁気トンネル接合構造体10を完成させる。図2及び図10~図14を参照して本発明の一実施形態による磁気メモリ素子の製造方法について説明する。図10~図14は、本発明の一実施形態による磁気メモリ素子の製造方法を順に示す断面図である。図10を参照すると、基板200内に例えば、STIShallowTrenchIsolation法を利用して活性領域を定義する素子分離層201を形成する。活性領域上にゲート絶縁層211及びゲート電極212を形成する。ゲート電極212によって露出された基板200の活性領域に不純物を注入してソース領域203及びドレーン領域202を形成する。続いて、ゲート電極212が形成された基板200上に第1層間絶縁層210を形成する。ドレーン領域202及びソース領域203の一定領域を露出させるように第1層間絶縁層210の一定領域をエッチングしてコンタクトホールを形成した後、前記コンタクトホールを充填するランディングコンタクトプラグ214及びソースラインコンタクトプラグ215を形成する。続いて、ソースラインコンタクトプラグ215上にソースラインコンタクトプラグ215と電気的に接続されるソースライン221を形成する。ソースライン221が形成された基板200の全面上に第2層間絶縁層220を形成する。続いて、ランディングコンタクトプラグ214の一定領域を露出させるように第2層間絶縁層220の一定領域を除去してコンタクトホールを形成した後に、前記コンタクトホールを充填する下部電極コンタクトプラグ222を形成する。続いて、下部電極コンタクトプラグ222が形成された基板200上に第1磁性層111、トンネル絶縁層121、及び第2磁性層131を順次に積層して磁気トンネル接合層141を形成する。第2磁性層131の一定領域上にマスクパターン300を形成する。図11~図14を参照すると、図6~図9のようにマスクパターン300をエッチングマスクパターンとして利用して磁気トンネル接合層141の一部をエッチングするエッチング工程、及び前記エッチング工程によって発生した生成物151を酸化する酸化工程を含むエッチング及び酸化工程のセットを複数回、例えば3回行い、磁気トンネル接合層パターン140及び磁気トンネル接合層パターン140の側壁に形成される側壁絶縁層パターン150を形成する。図14及び図2を参照すると、マスクパターン300を除去した後に、磁気トンネル接合構造体10が形成された基板200上に第3層間絶縁層240を形成する。続いて、第2磁性層パターン130の一部を露出するように第3層間絶縁層240の一部を除去してコンタクトホールを形成した後、前記コンタクトホールを充填する上部電極コンタクトプラグ241を形成する。続いて第3層間絶縁層240上にゲート電極212と交差するビットライン250を形成する。図3及び図10~図15を参照して本発明の他の実施形態による磁気メモリ素子の製造方法について説明する。図15は、本発明の他の実施形態による磁気メモリ素子の製造方法の中間段階を示す断面図である。図10~図14で言及したように第2層間絶縁層220上に磁気トンネル接合構造体10を形成する。図15を参照すると、磁気トンネル接合構造体10をエッチングマスクパターンとして利用して磁気トンネル接合構造体10の周囲に位置する第2層間絶縁層220の一部をエッチングする。前記エッチングは、不活性ガスを利用する物理的エッチングを利用する。第2層間絶縁層220を、不活性ガスを利用して物理的エッチングを行い、エッチングによって除去される第2層間絶縁層220の物質の一部が側壁絶縁層パターン150上に付着し、これによって側壁絶縁層パターン150上に側壁保護層パターン230を形成する。第2層間絶縁層220は、シリコン酸化物またはシリコン酸化物などのような絶縁物質で形成されるため、第2層間絶縁層220のエッチングによって発生するエッチング生成物で形成された側壁保護層パターン230も絶縁特性を有する。一方、側壁保護層パターン230を形成した後、側壁保護層パターン230をさらに強固に形成するために酸素ガスを利用するアッシングashing工程または酸素プラズマ処理をさらに行うこともできる。続いて、図15及び図3を参照すると、マスクパターン300を除去した後、磁気トンネル接合構造体10及び側壁保護層パターン230が形成された基板200上に第3層間絶縁層240、上部電極コンタクトプラグ241、及びビットライン250を形成する。図4、図10~図14、及び図16を参照して本発明のまた他の実施形態による磁気メモリ素子の製造方法について説明する。図16は、本発明のまた他の実施形態による磁気メモリ素子の製造方法の中間段階を示す断面図である。図10~図14で言及したように第2層間絶縁層220上に磁気トンネル接合構造体10を形成する。図16を参照すると、第2層間絶縁層220及び磁気トンネル接合構造体10に沿ってコンフォーマルにconformally保護層260を形成する。保護層260は、シリコン酸化層、シリコン酸窒化層、またはシリコン窒化層などを利用して形成することができる。続いて、図16及び図4を参照すると、磁気トンネル接合構造体10及び保護層260が形成された基板200上に第3層間絶縁層240、上部電極コンタクトプラグ241、及びビットライン250を形成する。以上、添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で製造されることができ、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明の技術的思想や必須の特徴を変更しない範囲で他の具体的な形態で実施され得ることを理解することができる。したがって、上記実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定なものではないと理解しなければならない。