"10~50体積の銀粒子の焼結体を含み且つ体積抵抗率が3~100μΩcmであることを特徴とする、銀導電膜。前記銀導電膜中に含まれる銀粒子の焼結体の量が30~50体積であることを特徴とする、請求項1に記載の銀導電膜。前記銀導電膜の表面抵抗率が0.5Ω/□以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の銀導電膜。前記銀導電膜の厚さが1~6μmであることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載の銀導電膜。50~70質量の銀粒子を含む銀粒子分散液を基板に塗布した後に焼成することにより、請求項1乃至4のいずれかに記載の銀導電膜を基板上に形成することを特徴とする、銀導電膜の製造方法。前記銀粒子分散液の基板への塗布が、フレキソ印刷によって行われることを特徴とする、請求項5に記載の銀導電膜の製造方法。前記銀粒子分散液の基板への塗布が、フレキソ印刷を複数回繰り返すことによって行われることを特徴とする、請求項5に記載の銀導電膜の製造方法。前記銀粒子分散液の基板への塗布が、フレキソ印刷を2~4回繰り返すことによって行われることを特徴とする、請求項5に記載の銀導電膜の製造方法。前記銀粒子の平均粒径が20nm以下であることを特徴とする、請求項5乃至8のいずれかに記載の銀導電膜の製造方法。請求項1乃至4のいずれかに記載の銀導電膜により形成されたRFIDタグ用アンテナ。請求項1乃至4のいずれかに記載の銀導電膜により形成されたRFIDタグ用アンテナと、ICチップとを備えたRFIDタグ。特許文献1の方法では、電気抵抗が低いICタグ用アンテナを大量生産して製造コストを低減することができるが、銀粒子の含有量が少ない導電性インクを使用して厚さ0.1~0.5μmの薄い導電膜を形成しており、導電膜中の銀の割合がほぼ100と高いため、金属箔を基材に転写する方法や金属箔をエッチングする方法と同様に、屈曲性が悪いという問題がある。したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、電気特性および屈曲性に優れたICタグ用アンテナなどの導電回路を安価に大量生産可能な銀導電膜およびその製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、10~50体積の銀粒子の焼結体を含み且つ体積抵抗率が3~100μΩcmである銀導電膜を製造することによって、電気特性および屈曲性に優れたICタグ用アンテナなどの導電回路を安価に大量生産可能な銀導電膜を製造することができることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明による銀導電膜は、10~50体積の銀粒子の焼結体を含み且つ体積抵抗率が3~100μΩcmであることを特徴とする。この銀導電膜中に含まれる銀粒子の焼結体の量が30~50体積であるのが好ましい。また、この銀導電膜の表面抵抗率が0.5Ω/□以下であるのが好ましく、厚さが1~6μmであるのが好ましい。また、本発明による銀導電膜の製造方法は、50~70質量の銀粒子を含む銀粒子分散液を基板に塗布した後に焼成することにより、上記の銀導電膜を基板上に形成することを特徴とする。この銀導電膜の製造方法において、銀粒子分散液の基板への塗布が、フレキソ印刷によって行われるのが好ましく、フレキソ印刷を複数回繰り返すことによって行われるのが好ましく、フレキソ印刷を2~4回繰り返すことによって行われるのがさらに好ましい。また、この銀導電膜の製造方法において、銀粒子の平均粒径が20nm以下であるのが好ましい。さらに、本発明によるRFIDタグ用アンテナは、上記の銀導電膜により形成される。また、本発明によるRFIDタグは、上記の銀導電膜により形成されたRFIDタグ用アンテナと、ICチップとを備えている。なお、本明細書中において、銀粒子の平均粒径とは、銀粒子の透過型電子顕微鏡写真TEM像による一次粒子径の平均値である一次粒子平均径をいう。本発明によれば、電気特性および屈曲性に優れたICタグ用アンテナなどの導電回路を安価に大量生産可能な銀導電膜を製造することができる。本発明による銀導電膜の実施の形態は、10~50体積の銀粒子の焼結体を含み且つ体積抵抗率が3~100μΩcmである。銀導電膜中の銀粒子の焼結体の量が10体積未満では、銀導電膜中の銀粒子の焼結体の量が少な過ぎて導電性が悪化し、ICタグ用アンテナの形成に使用した場合に、ICタグ用アンテナとして機能しなくなる。一方、銀導電膜中の銀粒子の量が50体積を超えると、ICタグ用アンテナの形成に使用した場合に、ICタグの屈曲時に屈曲面に応力が集中してしまい、屈曲面にクラックが発生し易くなる。その結果、電気特性の悪化や断線が生じ易くなり、ICタグ用アンテナとして機能しない可能性が高くなる。特に、銀導電膜中の銀粒子の量が30~50体積であれば、ICタグ用アンテナの形成に使用した場合に、周波数955MHzの通信距離が従来の通信距離と同等以上の4.0m以上になり、さらに屈曲性も良好であるため、銀導電膜中の銀粒子の量が30~50体積であるのがさらに好ましい。また、銀導電膜の体積抵抗率が3~100μΩcmの範囲では、ICタグ用アンテナの形成に使用した場合に、通信距離を長くしてリーダライタとのICタグのデータの送受信を確実に行うことができるため、ICタグ用アンテナによる送受信時のデータ損失が生じ難くなる。また、この銀導電膜の表面抵抗率は0.5Ω/□以下であるのが好ましい。銀導電膜の表面抵抗率が0.5Ω/□以下の範囲では、ICタグ用アンテナの形成に使用した場合に、通信距離を長くしてリーダライタとのICタグのデータの送受信を確実に行うことができるため、ICタグ用アンテナによる送受信時のデータ損失が生じ難くなる。さらに、この銀導電膜の厚さは1~6μmであるのが好ましい。銀導電膜の厚さは、薄くなるほどコスト的に有利になるが、1μm未満になると、ICタグ用アンテナなどの形成に使用した場合に、表皮効果によりUHF帯における電気抵抗が増大して通信距離が短くなる。また、本発明による銀導電膜の製造方法の実施の形態では、50~70質量の銀粒子を含む銀粒子分散液を基板に塗布した後に焼成することにより、上記の銀導電膜を基板上に形成する。銀粒子分散液中の銀粒子の含有量が50質量未満では、上記の銀導電膜を基板上に形成し難くなり、銀導電膜中の銀粒子の焼結体の量が少な過ぎるために導電性が悪化して電気抵抗が高くなり、70質量を超えると、銀粒子分散液の粘度が高くなって、フレキソ印刷などにより塗布するのが困難になる。この銀導電膜の製造方法において、銀粒子分散液の基板への塗布が、フレキソ印刷によって行われるのが好ましく、フレキソ印刷を複数回繰り返すことによって行われるのが好ましい。特に、フレキソ印刷を2~4回繰り返すと、基板上に形成される銀導電膜中の銀粒子の焼結体の量と銀導電膜の電気抵抗のバランスが良好になるため、フレキソ印刷を2~4回繰り返すのがさらに好ましい。また、この銀導電膜の製造方法において、銀粒子の平均粒径が20nm以下であるのが好ましく、5~15nmであるのが好ましい。銀粒子の平均粒径が数nm~十数nm程度になると、比表面積が大きくなって融点が劇的に低下するため、300°C以下の低温で焼成しても銀粒子同士を焼結させることができるすなわち、銀ナノ粒子の低温焼結性を得ることができるが、銀粒子の平均粒径が20nmより大きくなると、銀ナノ粒子の低温焼結性を得ることが困難になる。なお、銀粒子の平均粒径一次粒子平均径は、例えば、60質量のAg粒子平均粒径10nmの銀粒子と3.0質量の塩化ビニルコポリマーラテックスと2.0質量のポリウレタンシックナーと2.5質量のプロピレングリコールとを含むAgインクピーケムアソシエイツインク社製のPFI-700型などの銀粒子を含むAgインク2質量部をシクロヘキサン96質量部とオレイン酸2質量部の混合溶液に添加し、超音波によって分散させた後、得られた分散溶液を支持膜付きCuマイクログリッドに滴下して乾燥させ、このマイクログリッド上の銀粒子を透過型電子顕微鏡日本電子株式会社製のJEM-100CXMark-II型により加速電圧100kVとして明視野で観察した像を倍率300,000倍で撮影し、得られたTEM像から算出することができる。この銀粒子の一次粒子平均径の算出は、例えば、画像解析ソフト旭化成エンジニアリング株式会社製のA像くん登録商標を使用して行うことができる。この画像解析ソフトは、色の濃淡で個々の粒子を識別して解析するものであり、例えば、300,000倍のTEM像に対して粒子の明度を暗、雑音除去フィルタを有、円形しきい値を20、重なり度を50とする条件で円形粒子解析を行って、200個以上の粒子について一次粒子径を測定し、その数平均径を求めて一次粒子平均径とすることができる。なお、TEM像中に凝結粒子や異形粒子が多数ある場合には、測定不能とすればよい。以下、本発明による銀導電膜およびその製造方法の実施例について詳細に説明する。[実施例1~4]まず、60質量のAg粒子平均粒径10nmの銀粒子と、3.0質量の塩化ビニルコポリマーラテックスと、2.0質量のポリウレタンシックナーと、2.5質量のプロピレングリコールとを含むAgインクピーケムアソシエイツインク社製のPFI-700型を用意した。次に、フレキソ印刷機日本電子精機株式会社製の多目的微細印刷機JEMFlexと、フレキソ印刷版株式会社渡辺護三堂製、印刷版の材質は旭化成株式会社製の板状感光性樹脂AWPグレードDEF、表面加工150ライン、96DOTを使用し、アニロックス容量8cc/m2400線/インチ、印刷速度20m/分、印刷回数をそれぞれ1回実施例1、2回実施例2、3回実施例3および4回実施例4として、基材デュポンテイジンフィルム社製のPETポリエチレンテレフタレートフィルムメリネックス545Melinex:登録商標10上に、図1に示すように、3cm×15cm程度の大きさの略矩形の5枚の膜12を形成するように上記のAgインクを印刷した後、ホットプレート上で印刷物を140°Cで30秒間熱処理して焼成することによって導電膜銀導電膜を得た。次に、作製した導電膜を基板とともに5.0mm×78.5mmの大きさの2枚の略矩形に切断し、図2に示すように、粘着性剥離フィルムリンテック株式会社製の型式PET38上に貼り付けてダイポールアンテナ14を作製した後、このダイポールアンテナ14のICチップ実装部に異方性導電接着剤ACP京セラケミカル株式会社製のTAP0604CAu/Niコートポリマー粒子を薄く塗布し、このACP上にICチップImpinj社製のMonza216を配置し、熱圧着装置ミュールバウワー社製のTTS300により160°Cの温度で1.0Nの圧力を加えて10秒間密着させ、ICチップ16をダイポールアンテナ14に固定して接続させることによって、ダイポールアンテナ14にICチップ16を実装した。このようにして作製したICチップ実装ダイポールアンテナについて、導電膜の膜厚、電気抵抗ライン抵抗および表面抵抗率を測定するとともに、導電膜の体積抵抗率および導電膜中の金属Agの割合を算出した。導電膜の膜厚は、レーザーマイクロスコープKEYENCE社製の型式VK-9700を用いて、導電膜が形成された基材の表面と導電膜の表面との高低差を100箇所測定し、平均値を算出することによって求めた。その結果、導電膜の膜厚は、実施例1では1.4μm、実施例2では2.1μm、実施例3では3.0μm、実施例4では3.6μmであった。導電膜の電気抵抗ライン抵抗は、ダイポールアンテナの一方の導電膜5.0mm×78.5mmの長手方向の電気抵抗をテスターCUSTOM社製の型式CDM-03Dにより測定した。その結果、導電膜の電気抵抗は、実施例1では5.0Ω、実施例2では1.3Ω、実施例3では0.8Ω、実施例4では0.6Ωであった。導電膜の表面抵抗率は、導電膜を2.0cm×2.0cmの大きさにカットし、表面抵抗率測定器三菱化学アナリティック株式会社製のロレスターGPを用いて、4端子法により測定した。その結果、導電膜の表面抵抗率は、実施例1では0.25Ω/□、実施例2では0.06Ω/□、実施例3では0.03Ω/□、実施例4では0.02Ω/□であった。導電膜の体積抵抗率は、導電膜の膜厚、電気抵抗および面積ダイポールアンテナの一方の導電膜の面積5.0mm×78.5mmから求めた。その結果、導電膜の体積抵抗率は、実施例1では44.6μΩcm、実施例2では17.4μΩcm、実施例3では15.3μΩcm、実施例4では13.6μΩcmであった。導電膜中の金属Agの割合は、印刷面積2.6cm×13.1cmの導電膜を既知の重量の濃硝酸溶液に溶解し、溶液中のAg濃度をICP発光分析法より求めて、導電膜中のAgの重量gを算出した後、Agの密度10.5g/cm3からAgの体積cm3を求めるとともに、導電膜の膜厚と印刷面積2.6cm×13.1cmから導電膜の体積を求め、Agの体積cm3×100/導電膜の体積cm3から算出した。その結果、導電膜中のAgの割合は、実施例1では22.4体積、実施例2では31.0体積、実施例3では37.1体積、実施例4では48.3体積であった。次に、作製したICチップ実装ダイポールアンテナについて、電波暗箱マイクロニクス社製のMY1530中において、通信距離測定器Voyantic社製のtagformanceを用いて、800MHz~1100MHzの周波数領域ISO/IEC18000-6C規格に準拠の通信距離Theoreticalreadrangeforwardを測定した。なお、この測定に先立って、この条件における環境設定tagformance付属のリファレンスタグによる設定を行った。その結果、周波数955MHzの通信距離は、実施例1では3.8m、実施例2では4.2m、実施例3では4.4m、実施例4では4.2mであった。次に、図3に示すように、本実施例で作製した導電膜を5.0mm×20.0mmの大きさの略矩形の導電膜12’に切断して、粘着性剥離フィルムリンテック株式会社製の型式PET3818上に貼り付けて屈曲試験用サンプル20を作製した。この屈曲試験用サンプル20の導電膜12’の部分を、図4に示すように、R=0.5mmの鉄製の柱22に5.0Nの力で擦り付けて、90°屈曲させた状態で矢印方向に10cm動かす動作をそれぞれ10回、100回および500回行った後のライン抵抗テスターを測定し、それぞれの動作後のライン抵抗×100/試験前のライン抵抗から抵抗悪化率ライン抵抗が変化しない場合では100を求めた。その結果、抵抗悪化率は、実施例1および2では10回後、100回後、500回後のいずれも100であり、実施例3では10回後および100回後で100、500回後で125であり、実施例4では10回後で100、100回後で150、500回後で180であった。これらの実施例1~4の条件および結果を表1~表3に示す。[比較例1、実施例5~7]まず、実施例1~4で使用したAgインクに、塩化ビニルコポリマーラテックスとポリウレタンシックナーとプロピレングリコールを加えて、50質量のAg粒子平均粒径10nmの銀粒子と、18.4質量の塩化ビニルコポリマーラテックスと、2.0質量のポリウレタンシックナーと、2.5質量のプロピレングリコールとを含むAgインクを用意した。このAgインクを用いた以外は、実施例1~4と同様の方法により、印刷回数をそれぞれ1回比較例1、2回実施例5、3回実施例6および4回実施例7として、導電膜を得た後、ICチップ実装ダイポールアンテナおよび屈曲試験用サンプルを作製し、導電膜の膜厚、電気抵抗および表面抵抗率を測定するとともに、導電膜の体積抵抗率および導電膜中のAgの割合を算出した。また、実施例1~4と同様の方法により、ICチップ実装ダイポールアンテナの通信距離を測定するとともに、屈曲試験用サンプルの抵抗悪化率を求めた。その結果、導電膜の膜厚は、比較例1では1.7μm、実施例5では2.5μm、実施例6では3.4μm、実施例7では4.8μmであり、導電膜の電気抵抗は、比較例1ではオーバーロードOLで測定不能、実施例5では5.0Ω、実施例6では2.5Ω、実施例7では1.5Ωであり、導電膜の表面抵抗率は、比較例1ではオーバーロードOLで測定不能、実施例5では0.43Ω/□、実施例6では0.18Ω/□、実施例7では0.10Ω/□であった。また、導電膜の体積抵抗率は、比較例1ではオーバーロードOLで算出不能、実施例5では78.7μΩcm、実施例6では53.5μΩcm、実施例7では46.1μΩcmであった。また、導電膜中のAgの割合は、比較例1では8.5体積、実施例5では15.5体積、実施例6では17.5体積、実施例7では18.8体積であった。また、周波数955MHzの通信距離は、比較例1では0.0m、実施例5では3.7m、実施例6では3.7m、実施例7では3.8mであった。さらに、抵抗悪化率は、比較例1ではオーバーロードOLで算出不能であり、実施例5~7では10回後、100回後、500回後のいずれも100であった。これらの実施例5~7および比較例1の条件および結果を表1~表3に示す。[実施例8~10、比較例2]まず、実施例1~4で使用したAgインクを3000rpmで10分間遠心分離処理を行った後、上澄み液を除去して、Ag粒子の濃度を70質量に調整したAgインクを用意した。このAgインクを用いた以外は、実施例1~4と同様の方法により、印刷回数をそれぞれ1回実施例8、2回実施例9、3回実施例10および4回比較例2として、導電膜を得た後、ICチップ実装ダイポールアンテナおよび屈曲試験用サンプルを作製し、導電膜の膜厚、電気抵抗および表面抵抗率を測定するとともに、導電膜の体積抵抗率および導電膜中のAgの割合を算出した。また、実施例1~4と同様の方法により、ICチップ実装ダイポールアンテナの通信距離を測定するとともに、屈曲試験用サンプルの抵抗悪化率を求めた。その結果、導電膜の膜厚は、実施例8では1.7μm、実施例9では2.5μm、実施例10では2.8μm、比較例2では3.1μmであり、導電膜の電気抵抗は、実施例8では3.1Ω、実施例9では1.1Ω、実施例10では0.6Ω、比較例2では0.4Ωであり、導電膜の表面抵抗率は、実施例8では0.19Ω/□、実施例9では0.06Ω/□、実施例10では0.03Ω/□、比較例2では0.01Ω/□であった。また、導電膜の体積抵抗率は、実施例8では32.8μΩcm、実施例9では17.4μΩcm、実施例10では10.8μΩcm、比較例2では7.9μΩcmであった。また、導電膜中のAgの割合は、実施例8では25.6体積、実施例9では32.7体積、実施例10では43.3体積、比較例2では54.7体積であった。また、周波数955MHzの通信距離は、実施例8では3.8m、実施例9では4.2m、実施例10では4.2m、比較例2では4.4mであった。さらに、抵抗悪化率は、実施例8では10回後、100回後、500回後のいずれも100であり、実施例9では10回後および100回後で100、500回後で120であり、実施例10では10回後で100、100回後で110、500回後で150であり、比較例2では10回後で100、100回後で350、500回後で1200であった。これらの実施例8~10および比較例2の条件および結果を表1~表3に示す。[実施例11~13、比較例3、4]アニロックス容量20cc/m2150線/インチとした以外は、実施例1~4と同様の方法により、印刷回数をそれぞれ1回実施例11、2回実施例12、3回実施例13、4回比較例3および8回比較例4として、導電膜を得た後、ICチップ実装ダイポールアンテナおよび屈曲試験用サンプルを作製し、導電膜の膜厚、電気抵抗および表面抵抗率を測定するとともに、導電膜の体積抵抗率および導電膜中のAgの割合を算出した。また、実施例1~4と同様の方法により、ICチップ実装ダイポールアンテナの通信距離を測定するとともに、屈曲試験用サンプルの抵抗悪化率を求めた。その結果、導電膜の膜厚は、実施例11では2.2μm、実施例12では3.6μm、実施例13では5.6μm、比較例3では7.5μm、比較例4では11.4μmであり、導電膜の電気抵抗は、実施例11では1.1Ω、実施例12では0.5Ω、実施例13では0.1Ω、比較例3では0.1Ω、比較例4では0.1Ωであり、導電膜の表面抵抗率は、実施例11では0.06Ω/□、実施例12では0.02Ω/□、実施例13では0.01Ω/□、比較例3では0.01Ω/□、比較例4では0.01Ω/□であった。また、導電膜の体積抵抗率は、実施例11では15.4μΩcm、実施例12では11.5μΩcm、実施例13では3.6μΩcm、比較例3では4.8μΩcm、比較例4では7.3μΩcmであった。また、導電膜中のAgの割合は、実施例11では28.5体積、実施例12では38.5体積、実施例13では49.2体積、比較例3では54.9体積、比較例4では70.1体積であった。また、周波数955MHzの通信距離は、実施例11では3.9m、実施例12では4.2m、実施例13では4.5m、比較例3では4.5m、比較例4では4.7mであった。さらに、抵抗悪化率は、実施例11では10回後、100回後、500回後のいずれも100であり、実施例12では10回後および100回後で100、500回後で125であり、実施例13では10回後で100、100回後で150、500回後で180であり、比較例3では10回後で200、100回後で400、500回後で1400であった。なお、比較例4では、10回以内に断線したため、抵抗悪化率を求めることができなかった。これらの実施例11~13および比較例3~4の条件および結果を表1~表3に示す。[比較例5~8]まず、実施例1~4で使用したAgインクに、塩化ビニルコポリマーラテックスとポリウレタンシックナーとプロピレングリコールを加えて、40質量のAg粒子平均粒径10nmの銀粒子と、33.8質量の塩化ビニルコポリマーラテックスと、2.0質量のポリウレタンシックナーと、2.5質量のプロピレングリコールとを含むAgインクを用意した。このAgインクを用いた以外は、実施例1~4と同様の方法により、印刷回数をそれぞれ1回比較例5、2回比較例6、3回比較例7および4回比較例8として、導電膜を得た後、ICチップ実装ダイポールアンテナおよび屈曲試験用サンプルを作製し、導電膜の膜厚、電気抵抗および表面抵抗率を測定するとともに、導電膜の体積抵抗率および導電膜中のAgの割合を算出した。また、実施例1~4と同様の方法により、ICチップ実装ダイポールアンテナの通信距離を測定するとともに、屈曲試験用サンプルの抵抗悪化率を求めた。その結果、導電膜の膜厚は、比較例5では1.5μm、比較例6では2.4μm、比較例7では3.6μm、比較例8では5.0μmであり、導電膜の電気抵抗は、比較例5ではオーバーロードOLで測定不能、比較例6では280.0Ω、比較例7では75.0Ω、比較例8では36.0Ωであり、導電膜の表面抵抗率は、比較例5ではオーバーロードOLで測定不能、比較例6では114.0Ω/□、比較例7では35.5Ω/□、比較例8では7.4Ω/□であった。また、導電膜の体積抵抗率は、比較例5ではオーバーロードOLで算出不能、比較例6では4280μΩcm、比較例7では1705μΩcm、比較例8では1140μΩcmであった。また、導電膜中のAgの割合は、比較例5では5.7体積、比較例6では6.4体積、比較例7では5.9体積、比較例8では7.0体積であった。また、周波数955MHzの通信距離は、比較例5では0.0m、比較例6では0.0m、比較例7では1.8m、比較例8では2.1mであった。さらに、抵抗悪化率は、比較例5ではオーバーロードOLで算出不能であり、比較例6~8では10回後、100回後、500回後のいずれも100であった。これらの比較例5~8の条件および結果を表1~表3に示す。[比較例9~10]実施例1~4において得られた導電膜の代わりに、それぞれ厚さ1μm比較例9および3μm比較例10のAg箔竹内金属箔工業株式会社製、100mm×100mmを切断して導電膜導電膜中のAgの割合は100として使用した以外は、実施例1~4と同様の方法により、ICチップ実装ダイポールアンテナおよび屈曲試験用サンプルおよび屈曲試験用サンプルを作製し、導電膜の電気抵抗および表面抵抗率を測定するとともに、導電膜の体積抵抗率を算出した。また、実施例1~4と同様の方法により、ICチップ実装ダイポールアンテナの通信距離を測定するとともに、屈曲試験用サンプルの抵抗悪化率を求めた。その結果、導電膜の電気抵抗は、比較例9では0.2Ω、比較例10では0.1Ωであり、導電膜の表面抵抗率は、比較例9では0.01Ω/□、比較例10では0.01Ω/□であった。また、導電膜の体積抵抗率は、比較例9では1.6μΩcm、比較例10では1.9μΩcmであった。また、周波数955MHzの通信距離は、比較例9では4.0m、比較例10では4.4mであった。さらに、抵抗悪化率は、比較例9では10回後で100、100回後で200、500回後で800であり、比較例10では10回後で100、100回後で150、500回後で400であった。これらの比較例9~10の条件および結果を表1~表3に示す。[比較例11~13]実施例1~4において得られた導電膜の代わりに、それぞれ厚さ3μm比較例11、6μm比較例12および12μm比較例13のAl箔竹内金属箔工業株式会社製、100mm×100mmを切断して導電膜導電膜中のAlの割合は100として使用した以外は、実施例1~4と同様の方法により、ICチップ実装ダイポールアンテナおよび屈曲試験用サンプルおよび屈曲試験用サンプルを作製し、導電膜の電気抵抗および表面抵抗率を測定するとともに、導電膜の体積抵抗率を算出した。また、実施例1~4と同様の方法により、ICチップ実装ダイポールアンテナの通信距離を測定するとともに、屈曲試験用サンプルの抵抗悪化率を求めた。その結果、導電膜の電気抵抗は、比較例11では0.2Ω、比較例12では0.2Ω、比較例13では0.2Ωであり、導電膜の表面抵抗率は、比較例11~13のいずれも0.01Ω/□であった。また、導電膜の体積抵抗率は、比較例11では3.8μΩcm、比較例12では7.6μΩcm、比較例13では15.3μΩcmであった。また、周波数955MHzの通信距離は、比較例11では4.4m、比較例12では4.4m、比較例13では4.4mであった。さらに、抵抗悪化率は、比較例11では10回後で167、100回後で633、500回後で断線し、比較例12では10回後で100、100回後で100、500回後で1200であり、比較例13では10回後は100、100回後で100、500回後で800であった。これらの比較例11~13の条件および結果を表1~表3に示す。"