"透明な基板と、基板の一方の側に配置された導電性の接点層と、導電性の接点層の、基板と逆側に配置された層構造と、を備えた、有機層を有する光活性素子において、この層構造が、第一の電荷型の荷電粒子を伝導するための第一のドーピングされた第一の電荷型の有機荷電粒子伝導層と、この荷電粒子伝導層の、基板と逆側に配置された、光エネルギーを電気エネルギーに変換するための有機光活性層と、を有し、この荷電粒子伝導層が、この光活性層よりも大きな光学バンドギャップを有する、素子。第二の電荷型が第一の電荷型と逆の電荷型として、当該の層構造が、当該の光活性層よりも大きな光学バンドギャップを有する、第二の電荷型の荷電粒子を伝導するための第二のドーピングされた第二の電荷型の有機荷電粒子伝導層を更に有し、第一と第二の荷電粒子伝導層の間に、当該の光活性層が配置されている、請求項1に記載の素子。当該の光活性層が、電気的な観点においてドーピングされていないか、或いは第一と第二の荷電粒子伝導層の中の少なくとも一方と比較して、僅かにしかドーピングされていない請求項2に記載の素子。第二の電荷型の荷電粒子伝導層がp型にドーピングされており、その結果、この荷電粒子伝導層がp型の特性を有する請求項2又は3に記載の素子。当該の荷電粒子伝導層が、それぞれ光活性層の吸収挙動と異なる吸収挙動を有する材料から構成されている請求項2から4までのいずれか一つに記載の素子。当該の荷電粒子伝導層と光活性層の材料は、それぞれ光活性層と各荷電粒子伝導層の間の電荷の移動が一方の型の荷電粒子に対してのみエネルギー的に可能であり、他方の型の荷電粒子に対してはエネルギー障壁が形成されるように選定されている請求項2から5までのいずれか一つに記載の素子。当該の一方の荷電粒子伝導層と他方の荷電粒子伝導層によって、当該の光活性層内の荷電粒子に作用して、それぞれ荷電粒子伝導層と光活性層の境界面の方向に荷電粒子を移動させる電界が形成されている請求項2から6までのいずれか一つに記載の素子。当該の層構造の、基板と逆側に配置された更に別の導電性の接点層を有する請求項1から7までのいずれか一つに記載の素子。当該の第一の電荷型の荷電粒子伝導層が、当該の光活性層と導電性の接点層を分離しており、当該の第二の電荷型の荷電粒子伝導層が、当該の光活性層と更に別の導電性の接点層を分離している請求項8に記載の素子。第一の電荷型の荷電粒子を伝導するための第一の電荷型のドーピングされた更に別の有機荷電粒子伝導層と、この荷電粒子伝導層の、基板と逆側に配置された、光エネルギーを電気エネルギーに変換するための更に別の有機光活性層と、を備えた更に別の層構造を有し、この更に別の荷電粒子伝導層が、この更に別の光活性層よりも大きな光学バンドギャップを有し、この更に別の層構造が、当該の層構造とこの更に別の導電性の接点層の間に配置されている、請求項8に記載の素子。当該の更に別の層構造が、当該の更に別の光活性層よりも大きな光学バンドギャップを有する、第二の電荷型の荷電粒子を伝導するための第二の電荷型のドーピングされた更に別の有機荷電粒子伝導層を有し、当該の更に別の光活性層が、更に別の第一と第二の荷電粒子伝導層の間に配置されている、請求項10に記載の素子。当該の第一の電荷型の荷電粒子伝導層が、当該の光活性層と導電性の接点層を分離しており、当該の更に別の第二の電荷型の荷電粒子伝導層が、当該の更に別の光活性層と更に別の導電性の接点層を分離している請求項11に記載の素子。当該の層構造の光活性層が、それぞれ同じ光吸収形態を有するとともに、それぞれ光学的に薄く、その結果、これらの層が、最大吸収時において、光の少なくとも50を伝導するか、或いは当該の個々の構造の光活性層が、互いに補完し合う異なる光吸収スペクトルを有する請求項10から12までのいずれか一つに記載の素子。同じ吸収スペクトルを持つ光学的に薄い複数の光活性層と、補完し合う異なる吸収スペクトルを持つ光活性層とを有する、少なくとも三つの層構造が配備されている請求項10から13までのいずれか一つに記載の素子。当該の少なくとも一つの層構造の光活性層が、異なる吸収スペクトルを持つ複数の層から構成されている請求項10から14までのいずれか一つに記載の素子。当該のn番目の層構造の第二の電荷型の荷電粒子伝導層とn1番目の層構造の第一の電荷型の荷電粒子伝導層との間に、金属、塩、無機材料又は有機材料から成る一つの層が配備されている請求項10から15までのいずれか一つに記載の素子。当該のn番目の層構造の第二の電荷型の荷電粒子伝導層とn1番目の層構造の第一の電荷型の荷電粒子伝導層との間に、金属、塩、無機材料又は有機材料から成る複数の層が配備されている請求項10から15までのいずれか一つに記載の素子。当該のn番目の層構造の第二の電荷型の荷電粒子伝導層とn1番目の層構造の第一の電荷型の荷電粒子伝導層との間に、有機又は無機半導体材料から成る一つ以上のドーピングされた層が配備されている請求項16又は17に記載の素子。当該のn番目の層構造の第二の電荷型の荷電粒子伝導層とn1番目の層構造の第一の電荷型の荷電粒子伝導層との間に、金属、塩又はその他の無機材料、有利にはTCO透明導電性酸化物から成る一つの透明又は半透明の層、或いはその層が複数配備されている請求項16から18までのいずれか一つに記載の素子。当該のn番目の層構造の第二の電荷型の荷電粒子伝導層とn1番目の層構造の第一の電荷型の荷電粒子伝導層との間に、金属、塩、無機材料又は有機材料の微小クラスターから成る一つの層、或いはその層が複数配備されている請求項16から19までのいずれか一つに記載の素子。当該のn番目の層構造の第二の電荷型の荷電粒子伝導層とn1番目の層構造の第一の電荷型の荷電粒子伝導層との間に、これらの個別の層構造を個々に接触させるための透明又は半透明の接点が配備されている請求項10から20までのいずれか一つに記載の素子。この光活性素子内での光の分布を考慮して、すべての層構造が等しい光電流を供給するように、当該の層の厚さ、特に光活性層の厚さが選定されている請求項10から21までのいずれか一つに記載の素子。当該の接点層の中の一方が透明に構成され、他方の接点層が反射形に構成されている請求項8から22までのいずれか一つに記載の素子。当該の第一の電荷型の荷電粒子伝導層が、当該の層構造の光活性層と導電性の接点層を分離している請求項1から11までのいずれか一つに記載の素子。当該の第一の電荷型の荷電粒子伝導層がn型にドーピングされており、その結果、この荷電粒子伝導層がn型の特性を有する請求項1から24までのいずれか一つに記載の素子。当該の荷電粒子伝導層は、層構造からの励起子又は荷電粒子対が望ましくない再結合中心と遭遇しないように、当該の接点層の析出前、析出中及び析出後において、当該の光活性層を分離している請求項1から25までのいずれか一つに記載の素子。入射光の光路が、当該の光活性層内において、光閉じ込め構成を用いて長くされている請求項1から26までのいずれか一つに記載の素子。当該の光閉じ込め構成は、当該のドーピングされた荷電粒子伝導層が光活性層に対する滑らかな境界層と接点層に対する周期な微細構造を持つ境界面とを有することよって形成されている請求項27に記載の素子。この素子が、周期的な微細構造を持つ基板上に構成され、当該のドーピングされた荷電粒子伝導層が、この素子の全体的な面上において均一な機能を保証する形態で配備されている請求項27又は28に記載の素子。複数の光閉じ込め構成が用いられている請求項27から29までのいずれか一つに記載の素子。当該の接点層が、金属、透明な導電性酸化物又は導電性ポリマー、特にPEDOT:PSSから構成されている請求項1から30までのいずれか一つに記載の素子。当該の光活性層の位置が光の強度分布に関して最適化されるように、当該の荷電粒子伝導層の厚さが選定されている請求項1から31までのいずれか一つに記載の素子。当該の一つ以上の荷電粒子伝導層におけるドーピング濃度が、勾配を有し、その荷電粒子伝導層におけるドーピング濃度が、光活性層の方向に対して低下して行く請求項1から32までのいずれか一つに記載の素子。少なくとも一つのドーピングエージェントが、無機材料である請求項1から33までのいずれか一つに記載の素子。当該の光活性層の成分が完全に又は部分的に無機材料から構成されている請求項1から34までのいずれか一つに記載の素子。当該の荷電粒子伝導層の成分が完全に又は部分的に無機材料から構成されている請求項1から35までのいずれか一つに記載の素子。当該のp型のドーピングのために、有機アクセプター分子、特に、キノン、テトラシアノキノジメタンF4-TCNQなどのTCNQ誘導体、ジシアノキノジイミンDCNQI誘導体、より高度なキノンの相応の誘導体ナフトキノン及びアントラキノン誘導体から成るグループの中の分子が用いられている請求項4に記載の素子。p型にドーピングされた荷電粒子伝導層に関するホスト材料として、aテトラフェニルジアミンTPDの誘導体、特にメトキシ基グループやメチル基グループなどの電子供与性置換基によって、そのイオン化エネルギーが低減されたTPD誘導体、及びそのスピロ誘導体、bトリフェニルアミン誘導体、特にトリスジフェニルアミントリフェニルアミンTDATAの誘導体、トリアミノフェニル誘導体、トリフェニルベンゼン誘導体、cチオフェン環を用いることによって、ドナー特性を持つようになったオリゴマー、特にオリゴチオフェン、dオリゴパラフェニレンビニレンOPPVの誘導体、eポルフィリン又はフタロシアニン、fペリレン又はテリレン誘導体、から成る材料グループの中の一つの材料が用いられている請求項4又は37に記載の素子。n型にドーピングされた荷電粒子伝導層に関するホスト材料として、aペリレン又はナフタリンのテトラカルボン酸ジイミドPTCDI,NTCDI、二無水物PTCDA,NTCDA、ビスイミダゾールPTCBI,NTCBIの誘導体、bC60やC70などのフラーレンとその誘導体、cフッ素や塩素などの電子求引性置換基によって、その電子親和力を高めたフタロシアニン又はポルフィリン、dキノンeフッ素、塩素、CF3、CNなどの置換基によって電子親和力を高めたオリゴマー、例えばフッ化オリゴフェニル、fオキサジアゾル誘導体、から成る材料グループの中の一つの材料が用いられている請求項25に記載の素子。当該の光活性層には、請求項38に記載された材料グループの中の主としてドナー形の物質と請求項39に記載された材料グループの中の主としてアクセプター形の物質とが含まれている請求項1から39までのいずれか一つに記載の素子。当該の荷電粒子伝導層の中の一つ以上がドーピングされていないか、或いは部分的にしかドーピングされていない請求項1から40までのいずれか一つに記載の素子。以上のことから、この発明の課題は、有機層を有する太陽電池において、再結合損失又は不活性な領域の発生を大幅に低減させることである。この発明では、この課題は、請求項1の特徴によって解決される。この発明の特に有利な実施形態は、従属請求項2~41に提示されている。この発明は、pi型、ni型、pin型のいずれか一つの個別のダイオード構造請求項1に対応、図1を参照から構成することも、pi型、ni型、pin型のいずれか一つのダイオードを複数積み重ねた構造請求項10に対応、図2を参照から構成することも可能である太陽電池を実現することを目指している。以下では、個々の場合において、これら三つの構造の中の一つを特に意味していない限りは、pi型、ni型、pin型のいずれか一つのダイオード構造を、単に構造と称する。この場合、pは、少なくとも一つのp型にドーピングされた層p層を、iは、電気的な意味でドーピングされていないか、或いは少なくとも光子を吸収して、電流の生成に寄与する、比較的僅かにしかドーピングされていない層i層を、nは、少なくとも一つのn型にドーピングされた層n層を表すものとする。この課題及び従来技術の最後に述べた問題の解決は、この発明にもとづき、再結合可能な励起子も、少数荷電粒子も存在しない、バンドギャップを高くした層ワイドギャップ層によって、再結合ゾーン又は接点電極を活性領域から分離することによって可能となる。更に、これらの層は、接点層又は再結合ゾーンの析出前、析出中及び析出後において、活性層としてのi層を破壊的な影響から保護する役割を果たしている。ワイドギャップ伝導層図1の符号2a,4a及び図2の符号2b,4b,6b,8b等で表示されているは、その吸収挙動が、活性層の吸収挙動と著しく異なる材料である。それらが可視太陽スペクトルの紫外又は近紫外領域のみを吸収する場合、特に有利である。それによって、活性層において、主要な吸収が起こることが保証される。更に、励起子が、ワイドギャップ層への遷移ゾーンで反射されて、光活性プロセスを避けられないようにすることができる。多数荷電粒子に対するワイドギャップのp層又はn層の伝導特性は、ドーピングされていない層に対して相応にp型又はn型にドーピングすることによって決定的に改善され、その結果層厚を広範囲に変更して、大部分の光を活性なi層に集中させて、それによって最適化することができる。個々のダイオード構造に印加する電圧を最大化することと、その境界面において少ない損失で再結合させることの要求は、同様にワイドギャップ層をn型又はp型にドーピングすることによって達成される。入射光の光路の拡張とそれによる高い内部及び外部量子効率での変換は、請求項27による有利な実施形態によっても達成される。光トラップは、ドーピングされた伝導層が、i層に対する滑らかな境界層と当該の接点面に対する周期な微細構造を持つ境界面とを有することよって形成することができる。任意に多数の構造を積み重ねることが可能であること請求項10によって、個々の構造を薄く保持して、それらの構造が、ほんの僅かな再結合損失とそれによって高い内部及び外部量子効率を持つようにすることができる。そうすることによって、電池構造を統合して、直列抵抗を小さく、光電圧を最大に、光子フローの光電流への変換を最適にすることができる。請求項16~20に提示されている通り、一つの層又は層の組合せによって、閉じ込め方向における損失の少ない再結合又は個々の構造間の遷移ゾーンでの通過方向における生成が促進される。更に、n番目とn1番目のpi型,ni型,pin型のいずれか一つの構造間の遷移ゾーンの形状を有利にしている。請求項16~20による層は、ドーピングエージェント又は技術的な順序において次の別の材料に対する拡散障壁としての役割、或いは次の層の成長を誘導する目的を有するものである。この発明による光活性素子のi層での光電流の生成は、以下の作用原理の中の一つ又は組合せに準拠するものである。a光子の吸収と、その結果起こる励起子の生成と励起子の電界による自由荷電粒子への分離b第一の材料における光子の吸収と、その結果起こる励起子の生成、励起子の別の材料との境界面への拡散、励起子の境界面での自由荷電粒子への分離c少なくとも成分K1とK2から構成される多成分材料の中の一つ以上の成分による光子の吸収と、K1又はK2で発生した励起子のK1における電子及びK2における正孔への分離、荷電粒子の両方の成分の相互浸透網目構造への運び去りd少なくとも一つのp型又はn型にドーピングされた多成分層を含む、一つの層又は層体系におけるcにもとづく生成更に、正孔伝導層をp型にドーピングするために、有機アクセプター分子を用い、このために、キノン、テトラシアノキノジメタンF4-TCNQなどのTCNQ誘導体、ジシアノキノジイミンDCNQI誘導体、より高度なキノンの相応の誘導体ナフトキノン及びアントラキノン誘導体から成るグループの中の分子を用いることができる。また、p型伝導層に関するホスト材料として、aテトラフェニルジアミンTPDの誘導体、特にメトキシ基グループやメチル基グループなどの電子供与性置換基によって、そのイオン化エネルギーが低減されたTPD誘導体、及びそのスピロ誘導体、bトリフェニルアミン誘導体、特にトリスジフェニルアミントリフェニルアミンTDATAの誘導体、トリアミノフェニル誘導体、トリフェニルベンゼン誘導体、cチオフェン環を用いることによって、ドナー特性を持つようになったオリゴマー、特にオリゴチオフェン、dオリゴパラフェニレンビニレンOPPVの誘導体、eポルフィリン又はフタロシアニン、fペリレン又はテリレン誘導体、から成る材料グループの中の一つの材料を用いることができる。更に、n型伝導層に関するホスト材料として、aペリレン又はナフタリンのテトラカルボン酸ジイミドPTCDI,NTCDI、二無水物PTCDA,NTCDA、ビスイミダゾールPTCBI,NTCBIの誘導体、bC60やC70などのフラーレンとその誘導体、cフッ素や塩素などの電子求引性置換基によって、その電子親和力を高めたフタロシアニン又はポルフィリン、dキノンeフッ素、塩素、CF3、CNなどの置換基によって電子親和力を高めたオリゴマー、例えばフッ化オリゴフェニル、fオキサジアゾル誘導体、から成る材料グループの中の一つの材料を用いることができる。以下において、二つの実施例にもとづき、この発明をより詳しく説明する。この発明による個別ダイオード構造方式の有機太陽電池構造の図1に図示した有利な実施形態は、以下の層を含む。0a支持体、基板1aベース接点大抵は、透明であり、任意選択による有機又は無機接点中継層を有する2ap型又はn型にドーピングされたワイドギャップ荷電粒子伝導層3a活性層4an型又はp型にドーピングされたワイドギャップ荷電粒子伝導層5aカバー接点、この下の任意選択による有機又は無機接点中継層これによると、有利には、素子は、pin型又はnip型の層構造から構成される。pin型又はnip型の構造は、それ自体それぞれ二つ以上の有機荷電粒子伝導層2aと4a及び有機層2aと有機層4a間に有る光を吸収する層体系3aから構成される。更に、完全な構造2は、接点層1aと5aを含み、それらは、それぞれ透明な接点層として実現することもできる。層2a又は4aは、p型又はn型にドーピングされており、層3aは、ドーピングされていないか、或いは非常に僅かにp型又はn型にドーピングされている。層3aは、ドーピングを除いて単一成分であるか、或いは相互浸透網目構造方式に対応した二つの成分から成る混合層である。励起子が、二つの材料間の混合層内の内部相間又は二つの層の境界層で自由荷電粒子に効率的に分離されるように、これらの材料を選定する。図2に図示されている通り、この発明によるスタック方式の有機太陽電池構造の有利な実施形態は、以下の層を含む。0b支持体、基板1bベース接点大抵は、透明であり、任意選択による有機又は無機接点中継層を有する2bp型又はn型にドーピングされたワイドギャップ荷電粒子伝導層3b第一の活性層4bn型又はp型にドーピングされたワイドギャップ荷電粒子伝導層5b遷移層、再結合ゾーン6bp型又はn型にドーピングされたワイドギャップ荷電粒子伝導層7b第二の活性層8bn型又はp型にドーピングされたワイドギャップ荷電粒子伝導層[繰り返し]N-1bn型又はp型にドーピングされたワイドギャップ荷電粒子伝導層Nbカバー接点、この下の任意選択による有機又は無機接点中継層これによると、有利には、素子は、少なくとも二つの積み重ねられたpin型又はnip型の層構造から構成される。pin型又はnip型の構造は、それ自体それぞれ二つ以上の有機荷電粒子伝導層2aと4a、6bと8b等及び有機層2b,6b等と有機層4b,8b等間に有る光を吸収する層体系3b,7b等から構成される。更に、完全な構造2は、接点層1bとNb及びn番目とn1番目のpin型nip型電池間におけるそれぞれ一つの遷移層体系を含み、これらの接点層は、それぞれ透明な接点層として実現することもできる。層2b,6b等又は4b,8b等は、p型又はn型にドーピングされており、層3b,7b等は、ドーピングされていないか、或いは非常に僅かにp型又はn型にドーピングされている。層3b,7b等は、ドーピングを除いて単一成分であるか、或いは相互浸透網目構造方式に対応した二つの成分から成る混合層である。励起子が、二つの材料の間混合層内の内部相間又は二つの層の境界層で自由荷電粒子に効率的に分離されるように、これらの材料を選定する。荷電粒子伝導層2b,4b,6b等は、光活性とはしないが、ドーピングすることができる。この発明では、各ダイオード構造において、伝導層の中の少なくとも一つをドーピングする。各荷電粒子伝導層は、荷電粒子の種類正孔又は電子を効率的に運び去る役割を果たす。更に、これらの層は、接点又は再結合層5b,9b等から活性層を分離して、そのことによって、一つのダイオードからの励起子又は荷電粒子対が、望ましくない再結合中心と遭遇するのを防止している。図解のために、二つのpin型電池から成る光活性素子の例で、この機能方法を説明する。単一又は多重のpin型電池は、同様に機能する。このようなスタック型電池は、図3aに、そのエネルギー準位図は、図3bに図示されている。より良い全体像のためには、同じく伝導層、活性層、遷移層は、それぞれ一つの個別層だけから構成されているものと仮定する。この場合、出来る限り広いスペクトル領域を活用するためには、第一のpin型電池3bの活性層は、二番目のpin型電池の活性層7bとは異なる吸収範囲をカバーするようにする。更に、これらの活性層は、相互浸透網目構造の観点において、それぞれ二つの材料の混合物から構成されているものと仮定する。ここで、光によって、第一の混合層3bのドーピングされていない材料において、励起子が生成されるようにする。励起子は、この材料内を拡散して、混合層内のドメイン境界にまで到達する。励起子は、そこで分離され、その際正孔は、ドナー形の材料に、電子は、アクセプター形の材料に留まる。次に、これら二つの荷電粒子は、相応にドーピングされた伝導層に移動する。この場合、良好な遷移ゾーンが保証されるとともに、各荷電粒子伝導層は、電子を接点1bに、正孔を遷移層5bに効率的に伝導する役割を果たす。第二のpin型電池6b,7b,8bにおけるプロセスも、同様に進行する。ここで、両方の接点1b,9bには、荷電粒子が存在することとなる。しかし、電流の流れを保証するためには、遷移層5bの方向に供給された両方の荷電粒子が、互いに再結合しなければならず、それとともに回路が閉じることとなる。この再結合では、出来る限り小さいエネルギー損失だけが生じるようにする。このことは、以下でより詳しく説明する通り、隣接する伝導層の中の少なくとも一つをドーピングすることによって、並びに場合によっては遷移層5bを配備することによって達成される。高濃度でドーピングされた伝導層を使用する場合、状況によっては、このような遷移層は不要である。このようなスタック型電池では、個々の電池で生成される電流、即ち、吸収されて、荷電粒子に変換される光子の数を均衡させることが、特に重要である。この発明では、このことは、層厚の調整と相応の異なる吸光率を持つ材料の選定の両方又は一方によって保証される。以下では、この素子の機能方法を、エネルギー準位図にもとづき、更により詳しく説明する。図3bは、pin型二重スタック構造の例における、HOMO最高被占分子軌道とLUMO最低空分子軌道準位の模式図を示している。ここでも、荷電粒子の生成活性層、3bと7b、正孔の伝導4bと8b、電子の伝導2bと6bのための層だけが、それぞれ簡略化された形で図示されている。ここでは、又もや光によって、各活性層において、励起子が生成される。ここで、励起子は、ほぼその場で正孔と電子に崩壊する相互浸透網目構造と比較か、さもなければ分離用の境界層に当たるまで活性層内を広く拡散して、それによって分解する。この発明では、励起子の拡散プロセスによって、分離されない励起子が、隣接するワイドギャップ伝導層によって反射されて、一層の分解とそれによって荷電粒子の生成を引き起こすことを保証するものである。これらの発生した荷電粒子は、n型又はp型にドーピングされた層2b,6b又は4b,8bの異なるフェルミ準位を等しくすることによって形成した印加電界によって、活性層の境界にまで伝導して、伝導層によって収容することができる。有利には、活性層と伝導層間での電荷の移動が、一つの種類の荷電粒子に対してのみn層には電子、p層には正孔、エネルギー的に可能であるように、これらの材料を選定する。ここで、有利な実施形態では、エネルギー準位は、図3bに図示した通り、等エネルギーで互いに隣接している。それぞれ別の種類の荷電粒子に対しては、エネルギー障壁が形成されている。層2bと8bの荷電粒子は、接点1b又は9bに直接移動することができる。この場合、伝導層のドーピングは、接点への移動が、強いエネルギーバンド分裂、従って空乏領域の低減による理想的には適合されていない仕事関数を用いても緩和される準オーム接触ので、有利な効果を奏する。層4b正孔と6b電子内の荷電粒子は、遷移層5bに移動して、そこで再結合する。その遷移は、特に前述したドーピングの有利な影響準オーム接触によって促進される。光学的な定数と伝導層の層厚を最適に選定することによって、活性領域内での吸収を向上させる目的で光を集中させることは、同じくこの発明の対象である。この発明の観点において、電荷伝導層は、有利には電気的に有効なドーピングという意味においてドーピングされる。有機分子系の場合、モル比でのドーピング濃度は、典型的には1:10~1:10,000の範囲に有る。ドーピングエージェントが、基質分子よりも著しく小さい場合、例外的に基質分子よりも多くのドーピングエージェントを層内に存在させることもできる5:1まで。ドーピングエージェントは、有機物又は無機物とすることができる。この発明の主要な点は、伝導層のドーピングによって得られる。一つには、ドーピングによって、伝導特性が決定的に改善され、その結果損失抵抗による電圧降下が最小化される。更に、ドーピングは、二つのpin型電池間の遷移ゾーンでの再結合又は生成挙動に有利に作用する。この場合、高濃度にドーピングすることは、この遷移ゾーンの両側における空乏領域の幅を狭くすることをも意味し、その結果例えば、量子力学的なトンネル効果によって高い障壁も容易に克服することが可能となる。このpn型遷移ゾーンは、ワイドギャップ材料を使用することによって、一層光活性ではなくなり、そのため照明した際に、利用可能な光電圧を低減する逆電圧を発生させなくなる。上述したスタック型電池の別の有利な実施形態は、二つのpin型電池間の遷移ゾーンに、更に一つの遷移層場合によっては、複数の層を設けることにある。この層は、薄く実現して、再結合中心を更に設ける役割を持たせることができる。この層を金属クラスター又は超極薄な金属層から構成することは、特に目的に適ったことである。図5には、上述したpin型単一構造とpin型二重構造の機能を示すために、白と黒の特性曲線を図示している。図4は、二重構造の層の並びを表している。この単一構造は、基板から始まる第一の部分電池に対応しており、その際接触させるために、1nmの厚さの金層に代わって、約40nmの金層を配備している。ここに図示した電池は、未だ全く最適化されていない。開放端子電圧開放電圧UOCをほぼ倍増すると、この動作方法が正しいものとなる。"