"以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法;a基板の主面上にレジストを塗布する工程、b投影光学系と液浸水を介して、前記レジストに露光光を照射して、マスクのパターン像を前記レジストに転写する工程、c前記b工程の後、前記レジストに現像処理を施して、前記基板の主面上にレジストパターンを形成する工程、を有し、さらに、前記b工程は、b-1前記レジストに露光光を照射しているときは、前記投影光学系ならびに前記液浸水を供給および回収するノズル部の下方に、前記基板を支持する第1ステージを位置させた状態で、前記投影光学系の光学素子の下面および前記ノズル部の下面と、前記レジストとの間の第1液浸領域に前記液浸水を保持する工程、b-2前記レジストに露光光を照射していないときは、前記投影光学系および前記ノズル部の下方に、前記第1ステージとは異なる第2ステージを位置させた状態で、前記投影光学系の前記光学素子の下面および前記ノズル部の下面と、前記第2ステージの上面との間の第2液浸領域に前記液浸水を保持する工程、を有し、ここで、前記b-1工程における前記第1液浸領域に保持された前記液浸水の横方向の拡がりが、前記b-2工程における前記第2液浸領域に保持された前記液浸水の横方向の拡がりよりも小さい。請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記ノズル部は、前記光学素子の周囲に設けられており、前記ノズル部の下面には前記液浸水を供給する液体供給口と前記液浸水を回収する液体回収口とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記液浸水の供給量、回収量、または供給量および回収量を制御することにより、前記第1液浸領域に保持される前記液浸水の量を前記第2液浸領域に保持される前記液浸水の量よりも少なくすることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記第2ステージの液体接触面の撥水性が、前記レジストの表面の撥水性よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記第2ステージの液体接触面の動的後退接触角が65°よりも低く、前記レジストの表面の動的後退接触角が65°以上84°以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記第2ステージの前記第2液浸領域の周囲に撥水板が設けられており、前記撥水板の撥水性は、前記第2ステージの液体接触面の撥水性よりも高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法;a基板の主面上にレジストを塗布する工程、b投影光学系と液浸水を介して、前記レジストに露光光を照射して、マスクのパターン像を前記レジストに転写する工程、c前記b工程の後、前記レジストに現像処理を施して、前記基板の主面上にレジストパターンを形成する工程、を有し、さらに、前記b工程は、b-1前記レジストに露光光を照射しているときは、前記投影光学系ならびに前記液浸水を供給および回収するノズル部の下方に、前記基板を支持する第1ステージを位置させた状態で、前記投影光学系の光学素子の下面および前記ノズル部の下面と、前記レジストとの間の第1液浸領域に前記液浸水を保持する工程、b-2前記レジストに露光光を照射していないときは、前記投影光学系および前記ノズル部の下方に、前記第1ステージとは異なる第2ステージを位置させた状態で、前記投影光学系の前記光学素子の下面および前記ノズル部の下面と、前記第2ステージの上面との間の第2液浸領域に前記液浸水を保持する工程、を有し、ここで、前記液浸水の供給量、回収量、または供給量および回収量を制御することにより、前記b-1工程における前記第1液浸領域に保持される前記液浸水の量を前記b-2工程における前記第2液浸領域に保持される前記液浸水の量よりも少なくする。請求項7記載の半導体装置の製造方法において、前記ノズル部は、前記光学素子の周囲に設けられており、前記ノズル部の下面には前記液浸水を供給する液体供給口と前記液浸水を回収する液体回収口とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項7記載の半導体装置の製造方法において、前記液浸水の供給量または回収量は、前記液浸水の流量により制御されることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項7記載の半導体装置の製造方法において、前記液浸水の供給量は前記液浸水の供給圧力により制御され、前記液浸水の回収量は前記液浸水の回収圧力により制御されることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項7記載の半導体装置の製造方法において、前記第1液浸領域に保持された前記液浸水の横方向の拡がりが、前記第2液浸領域に保持された前記液浸水の横方向の拡がりよりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法;a基板の主面上にレジストを塗布する工程、b投影光学系と液浸水を介して、前記レジストに露光光を照射して、マスクのパターン像を前記レジストに転写する工程、c前記b工程の後、前記レジストに現像処理を施して、前記基板の主面上にレジストパターンを形成する工程、を有し、さらに、前記b工程は、b-1前記レジストに露光光を照射しているときは、前記投影光学系ならびに前記液浸水を供給および回収するノズル部の下方に、前記基板を支持する第1ステージを位置させた状態で、前記投影光学系の光学素子の下面および前記ノズル部の下面と、前記レジストとの間の第1液浸領域に前記液浸水を保持する工程、b-2前記レジストに露光光を照射していないときは、前記投影光学系および前記ノズル部の下方に、前記第1ステージとは異なる第2ステージを位置させた状態で、前記投影光学系の前記光学素子の下面および前記ノズル部の下面と、前記第2ステージの上面との間の第2液浸領域に前記液浸水を保持する工程、を有し、ここで、前記第2ステージの液体接触面の撥水性が、前記レジストの表面の撥水性よりも低い。請求項12記載の半導体装置の製造方法において、前記ノズル部は、前記光学素子の周囲に設けられており、前記ノズル部の下面には前記液浸水を供給する液体供給口と前記液浸水を回収する液体回収口とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項12記載の半導体装置の製造方法において、前記第2ステージの液体接触面の動的後退接触角が65°よりも低く、前記レジストの表面の動的後退接触角が65°以上84°以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項12記載の半導体装置の製造方法において、前記第2ステージの前記第2液浸領域の周囲に撥水板が設けられており、前記撥水板の撥水性は、前記第2ステージの液体接触面の撥水性よりも高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項12記載の半導体装置の製造方法において、前記第1液浸領域に保持された前記液浸水の横方向の拡がりが、前記第2液浸領域に保持された前記液浸水の横方向の拡がりよりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。液浸露光装置では、液浸供給部から投影光学系の下面と基板との間の液浸領域へ液浸水が供給され、液浸回収部によって液浸領域の液浸水が回収される。しかし、液浸露光の際、基板の主面上に塗布されたレジストまたはレジストの表面に塗布された有機系材料TopCoatの剥離などに起因した微小な異物が液浸回収部の流路等に次第に蓄積されてしまう。上記微小な異物は、その後の液浸露光の際に、再び液浸水の中に混入して、液浸露光の対象であるレジスト等の表面に付着する可能性がある。本発明者が検討したところ、基板の主面上に形成される転写パターンレジストに対して液浸露光および現像処理を施すことにより形成されるレジストパターンには、上記微小な異物に起因した形状不良等が確認され、これを原因とする5~7程度の半導体装置の製造歩留まりの低下が発生した。本発明の目的は、液浸露光方法を用いて基板の主面上に形成される転写パターンの形状不良を防止して、半導体装置の製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち、代表的なものの一実施の形態を簡単に説明すれば、次のとおりである。この実施の形態は、液浸露光方法を用いてマスクのパターン像を基板に投影露光する半導体装置の製造工程において、レジストに露光光を照射するときは、投影光学系の光学素子の下面およびノズル部の下面とレジストとの間の第1液浸領域に液浸水が保持されており、フォーカスまたは光学系アライメント等の調整を行うときは、投影光学系の光学素子の下面およびノズル部の下面と計測ステージの上面との間の第2液浸領域に液浸水が保持されており、第1液浸領域に保持された液浸水の横方向の拡がりを、第2液浸領域に保持された液浸水の横方向の拡がりよりも小さくするものである。本願において開示される発明のうち、代表的なものの一実施の形態によって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。液浸露光方法を用いて基板の主面上に形成される転写パターンの形状不良を防止して、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。以下の実施の形態において、便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等個数、数値、量、範囲等を含むに言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素要素ステップ等も含むは、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。また、以下の実施の形態で用いる図面においては、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。また、以下の実施の形態においては、電界効果トランジスタを代表するMISFETMetalInsulatorSemiconductorFieldEffectTransistorをMISと略し、pチャネル型のMISFETをpMISと略し、nチャネル型のMISFETをnMISと略す。また、以下の実施の形態において、ウエハと言うときは、SiSilicon単結晶ウエハを主とするが、それのみではなく、SOISiliconOnInsulatorウエハ、集積回路をその上に形成するための絶縁膜基板等を指すものとする。その形も円形またはほぼ円形のみでなく、正方形、長方形等も含むものとする。また、以下の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。まず、本発明の実施の形態による半導体装置の製造方法がより明確となると思われるため、本発明者によって検討された液浸露光において生じた転写パターンの形状不良等の発生モデルついて、図11および図12を用いて簡単に説明する。図11aおよびbはそれぞれ本発明に先駆けて本発明者によって検討された液浸露光装置に備わる露光ステージの液浸領域および計測ステージの液浸領域を説明する概略図、図12は本発明に先駆けて本発明者によって検討された液浸露光装置に備わる露光ステージの液浸領域を説明する概略図である。図11aおよびbに示すように、液浸露光装置には、基板の露光を行う露光ステージ101と、フォーカスFocusまたは光学系アライメントAlignment等の調整以下、単に計測という場合もあるを行う計測ステージ102とが備わっている。露光ステージ101では、投影光学系100の下面と、基板104の主面上に塗布されたレジストレジストのみだけでなく、その表面に有機系材料TopCoatを塗布したレジストも含む104aの表面との間に液浸水LQが保持されている。さらに、投影光学系100の周囲にはノズル部103が設置されており、投影光学系100の下面およびノズル部103の下面と、基板104の主面上に塗布されたレジスト104aの表面との間に液浸水LQが保持される液浸領域101aを有している。ノズル部103は、例えば液浸水LQを供給する液浸供給部図示は省略と、さらにその外側に設けられた液浸水LQを回収する液浸回収部103bとから構成される。従って、投影光学系100の下面およびノズル部103の下面は、液浸領域101aの液浸水LQと接触している。一般に、ノズル部103の撥水性は低く、また、レジスト104aの撥水性は低く、これらの動的後退接触角は、例えば65°以上84°以下である。そのため、露光ステージ101では、液浸水LQが横方向露光ステージ101の上面と平行する方向に拡がって基板104の外部へ漏れやすい。そこで、露光ステージ101では、基板104の周囲に撥水性の高い撥水板105を設置することにより、液浸水LQが基板104の外部へ漏れないようにしている。ノズル部103の下面と基板104の主面上に塗布されたレジスト104aの表面との間隔は、例えば1mm以下である。計測ステージ102では、投影光学系100の下面およびノズル部103の下面と、計測ステージ102の上面との間に液浸水LQが保持される液浸領域102aを有している。従って、投影光学系100の下面およびノズル部103の下面は、液浸領域102aの液浸水LQと接触している。計測ステージ102では、計測ステージ102に、例えば動的後退接触角が100°程度の撥水性の高い材料を用いることにより、液浸水LQが液浸領域102aの外部へ漏れないようにしている。ノズル部103の下面と計測ステージ102の上面との間隔は、例えば1mm以下である。ところで、露光ステージ101の液浸領域101aにおける液浸水LQの横方向の拡がりSLQ1は、液浸水LQの供給量および回収量などにも依存するが、ノズル部103の撥水性が低いことおよびレジスト104aの撥水性が低いことから、一般的に大きくなる。液浸水LQの横方向の拡がりSLQ1が大きい状態になると、ノズル部103の液浸供給部および液浸回収部103bの下面のほぼ全面が液浸水LQに浸り、液浸水LQ中の微小な異物106がノズル部103の液浸回収部103bの下面に付着することがある。一方、計測ステージ102の液浸領域102aにおける液浸水LQの横方向の拡がりSLQ2は、液浸水LQの供給量および回収量などにも依存するが、計測ステージ102の撥水性が高いことから、一般的に小さくなる。従って、計測ステージ102の液浸領域102aにおける液浸水LQの横方向の拡がりSLQ2は、露光ステージ101の液浸領域101aにおける液浸水LQの横方向の拡がりSLQ1よりも小さくなる。そのため、液浸露光を終えた後、計測のためにノズル部103を露光ステージ101から計測ステージ102へ移動した際、ノズル部103の液浸回収部103bの下面においては、その全面は液浸水LQに浸らず、一部領域しか液浸水LQに浸らない。そして、ノズル部103の液浸回収部103bの液浸水LQに浸らない領域に付着した異物106は乾燥して、そのまま固着する。再び、計測を終えた後、液浸露光のためにノズル部103は計測ステージ102から露光ステージ101へ移動するが、図12に示すように、ノズル部103の液浸回収部103bの下面は液浸水LQに浸る。そして、ノズル部103の液浸回収部103bの下面が液浸水LQに浸る状態と浸らない状態とが繰り返されることによって、徐々に固着する異物106の数が多くなり、また異物106が大きくなる。そして、ノズル部103の液浸回収部103bの下面に固着した異物106が剥離して再び液浸水LQの中に混入し、液浸露光の際にレジスト104aの表面に落下して、転写パターンの形状不良等の原因となる。例えばノズル部103の液浸回収部103bの下面に付着した異物106を除去する方法として、液浸水LQを故意に揺らす方法が考えられるが、定期的に液浸露光装置を停止する必要があり、稼働率の低下を招くという課題がある。実施の形態本実施の形態による液浸露光方法について図1~図4を用いて説明する。図1は本実施の形態による液浸露光装置を示す概略構成図、図2aからdは本実施の形態による液浸露光装置に備わる露光ステージおよび計測ステージの一連の動作を説明する概略図、図3は本実施の形態による液浸露光装置に備わる露光ステージの液浸領域および計測ステージの液浸領域を説明する概略図、図4は本実施の形態で使用する液浸水の撥水性の定義を説明する模式図である。図1に示すように、液浸露光装置1は、マスクMを支持するマスクステージ2と、基板SWを支持する露光ステージ第1ステージ3と、フォーカスまたは光学系アライメント等の調整を行う計測ステージ第2ステージ4と、マスクステージ2に支持されているマスクMを露光光ELで照射する照明光学系5と、露光光ELで照明されたマスクMのパターン像を露光ステージ3に支持されている基板SWに投影露光する投影光学系6と、液浸露光装置1全体の動作を統括制御する制御装置7とを備えている。液浸露光装置1は、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸方式を適用した露光装置であり、基板SW上に液体を供給する液体供給機構8と、基板SW上の液体を回収する液体回収機構9とを備えている。また、液浸露光装置1は、投影光学系6に備わる像面側終端部の光学素子レンズ10と、その光学素子10と対向して配置された基板SW実際には基板SWの主面上に塗布されたレジスト、またはそのレジストの表面に塗布された有機系材料TopCoatとの間に液浸水LQを満たす液浸方式を採用し、この投影光学系6と基板SWとの間の液浸水LQおよび投影光学系6を介してマスクMを通過した露光光ELを基板SWに照射することによってマスクMのパターン像を基板SWに投影露光する。また、液浸露光装置1は、液体供給機構8から供給された液浸水LQの圧力を調整する圧力調整機構11を備えている。圧力調整機構11は、液体供給機構8から供給される液浸水LQの供給圧力を調整する供給圧調整部11aと、液体回収機構9が回収する液浸水LQの回収圧力を調整する回収圧調整部11bとを備えている。圧力調整機構11の動作は制御装置7により制御される。また、液浸露光装置1は、マスクMと基板SWとを走査方向における互いに異なる向き逆方向に同期移動しつつマスクMのパターン像を基板SWに投影露光する走査型露光装置である。照明光学系5は、マスクステージ2に支持されているマスクMを露光光ELで照射するものであり、マスクM上の所定の照射領域は照明光学系5により均一な照度分布の露光光ELで照射される。照明光学系5から射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから照射される輝線g線、h線、i線またはKrFエキシマレーザ光波長248nm等の遠視外光DUV光、あるいはArFエキシマレーザ光波長193nmまたはF2レーザ光波長157nm等の真空紫外光VUV光などが用いられる。液浸水LQには純水例えば屈折率1.44が用いられる。純水はArFエキシマレーザ光のみならず、例えば輝線g線、h線、i線またはKrFエキシマレーザ光等の遠視外光も透過可能である。マスクステージ2は、マスクMを支持して移動可能であり、例えばマスクMを真空吸着または静電吸着により固定している。制御装置7が、レーザ干渉計12aの計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置13を駆動することでマスクステージ2に支持されているマスクMの位置決めを行う。投影光学系6は、マスクMのパターン像を所定の投影倍率で基板SWに投影露光するものであって、像面側終端部に設けられた光学素子10を含む複数の光学素子で構成されており、これら光学素子は鏡筒14により支持されている。投影光学系6は、投影倍率が、例えば1/4または1/5の縮小系である。なお、投影光学系6は等倍系または拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系6の像面側終端部に設けられた光学素子10の下面に液浸水LQが接触する。光学素子10は螢石で形成されている。螢石表面、あるいはフッ化マグネシウムMgF2、アルミナAl2O3、または酸化シリコンSiO2等を付着させた螢石表面は水との親水性が高いので、光学素子10の下面の全面に液浸水LQを密着させることができる。すなわち、光学素子10の下面と液浸水LQとの密着性が高いことから、光学素子10と基板SWとの間の光路を液浸水LQで確実に満たすことができる。なお、光学素子10は、水との親水性が高い石英であってもよい。また、光学素子10の下面に親水化親液化処理を施して、液浸水LQとの親水性をより高めるようにしてもよい。露光ステージ3は、基板SWを支持して移動可能であり、XYステージと、XYステージ上に搭載されたZチルトステージとを含んで構成されている。制御装置7が、レーザ干渉計12bの計測結果に基づいて露光ステージ駆動装置15の動きを制御することで露光ステージ3に支持されている基板SWの位置決めを行う。露光ステージ3では、投影光学系6の投影領域AR1を含み、投影領域AR1よりも横方向の面積が大きくかつ基板SWよりも横方向の面積が小さい液浸領域第1液浸領域AR2を有しており、少なくともマスクMのパターン像を基板SW上に転写している間、この液浸領域AR2には、液体供給機構8から供給される液浸水LQが保持されている。露光ステージ3上には、露光ステージ3に支持された基板SWを囲むように撥水板プレート部材16が設けられている。撥水板16は環状部材であって、基板SWの外側に配置されている。撥水板16は、露光ステージ3に支持された基板SWの主面とほぼ同じ高さ面一の平坦面平坦部を有している。また、撥水板16は、例えばポリ四フッ化エチレンテフロン登録商標などの撥水性を有する材料によって形成されている。そのため、その表面は撥水性を有する。なお、例えば所定の金属などで撥水板16を形成し、その金属製の撥水板16の表面に対して撥水処理を施すことで、その表面を撥水性にしてもよい。計測ステージ4は、移動可能であり、XYステージと、XYステージ上に搭載されたZチルトステージとを含んで構成されている。制御装置7により、計測ステージ駆動装置図示は省略の動きを制御している。計測ステージ4では、投影光学系6の投影領域AR1を含み、露光ステージ3の液浸領域AR2よりも横方向の拡がりが大きい液浸領域第2液浸領域AR3を有しており、フォーカスまたは光学系アライメント等の各種計測を行っている間、この液浸領域AR3には、液体供給機構8から供給される液浸水LQが保持されている。計測ステージ4上には、液浸領域AR3を囲むように撥水板プレート部材17が設けられている。撥水板17は、計測ステージの主面とほぼ同じ高さ面一の平坦面平坦部を有している。また、撥水板17は、例えばポリ四フッ化エチレンテフロン登録商標などの撥水性を有する材料によって形成されている。そのため、その表面は撥水性を有する。なお、例えば所定の金属などで撥水板17を形成し、その金属製の撥水板17の表面に対して撥水処理を施すことで、その表面を撥水性にしてもよい。液体供給機構8は、所定の液浸水LQを投影光学系6の像面側に供給するためのものであって、液浸水LQを送出可能な液体供給部8aと、液体供給部8aにその一端部を接続する供給管8bとを備えている。液体供給部8aは、液浸水LQを収容するタンクおよび加圧ポンプ等を備えている。液体供給機構8により露光ステージ3の液浸領域AR2または計測ステージ4の液浸領域AR3に液浸水LQが供給される。なお、液体供給部8aのタンクおよび加圧ポンプは、必ずしも液浸露光装置1が備えている必要はなく、液浸露光装置1が設置される工場などの設備を代用することもできる。液体回収機構9は、液浸水LQを回収するためのものであって、液浸水LQを回収可能な液体回収部9aと、液体回収部9aにその一端部を接続する回収管9bとを備えている。液体回収部9aは、例えば真空ポンプ等の真空系吸引装置、回収された液浸水LQと気体とを分離する気液分離部、および回収した液浸水LQを収容するタンク等を備えている。なお、真空系として、液浸露光装置1に真空ポンプを設けずに、液浸露光装置1が配置される工場の真空系を用いるようにしてもよい。投影光学系6の像面側終端部に設けられた光学素子10の周囲にはノズル部流路形成部材18が配置されている。ノズル部18は、中央に開口部光透過部18aが形成された環状部材であり、開口部18aには光学素子10が収容されている。ノズル部18は、例えばアルミニウムAl、チタンTi、ステンレス鋼、ジェラルミン、およびこれらを含む合金によって形成可能である。あるいは、ノズル部18は、ガラス石英等の光透過性を有する透明部材光学部材によって構成してもよい。ノズル部18は、露光ステージ3の液浸領域AR2および計測ステージ4の液浸領域AR3に対向するように配置された液体供給口18bを備えている。液体供給口18bはノズル部18の下面に設けられている。また、ノズル部18は、その内部に液体供給口18bに対応した供給流路18cを有している。供給流路18cの一端部は供給管8bを介して液体供給部8aに接続され、他端部は液体供給口18bに接続されている。供給管8bの途中には、液体供給部8aから送出され、液体供給口18bのそれぞれに対する単位時間あたりの液体供給量を制御する流量制御器マスフローコントローラ8cが設けられている。流量制御器8cによる液体供給量の制御は制御装置7の指令信号の下で行われる。また、ノズル部18は、露光ステージ3の液浸領域AR2および計測ステージ4の液浸領域AR3に対向するように配置された液体回収口18dを備えている。液体回収口18dはノズル部18の下面に設けられている。さらに、ノズル部18は、その内部に液体回収口18dに対応した回収流路18eを有している。回収流路18eの一端部は回収管9bを介して液体回収部9aに接続され、他端部は液体回収口18dに接続されている。液体供給部8aおよび流量制御器8cのそれぞれの動作は制御装置7により制御される。すなわち、液体供給部8aから供給される単位時間当たりの液浸水LQの量は制御装置7により制御可能であり、さらに、液体供給口18bから供給される単位時間当たりの液浸水LQの量は、制御装置7により制御可能である流量制御器8cにより個別的に調整される。液体供給部8aにより液浸水LQが送出され、供給管8bおよび供給流路18cを介して、液体供給口18bより液浸水LQが供給される。このとき、液体供給口18bは投影光学系6の投影領域AR1の外側に配置されており、その液体供給口18bを介して、投影領域AR1の外側から液浸水LQは供給される。液体回収部9aの動作は制御装置7により制御される。すなわち、液体回収部9aによる単位時間当たりの液浸水LQの量は制御装置7により制御可能である。液体回収口18dから回収された液浸水LQは、ノズル部18の回収流路18eおよび回収管9bを介して液体回収部9aに回収される。このとき、液体回収口18dは液体供給口18bの外側に配置されており、その液体回収口18dを介して、液体供給口18bの外側から液浸水LQは回収される。なお、本実施の形態では、供給管8bは1つの液体供給部8aに接続されているが、供給管8bの数に対応した液体供給部8aを複数例えば2つ設け、供給管8bのそれぞれを上記複数の液体供給部8aのそれぞれに接続するようにしてもよい。また、回収管9bは1つの液体回収部9aに接続されているが、回収管9bの数に対応した液体回収部9aを複数例えば2つ設け、回収管9bのそれぞれを上記複数の液体回収部9aのそれぞれに接続するようにしてもよい。圧力調整機構11は、液体供給機構8から供給された液浸水LQの圧力を調整する機能を有しており、液体供給機構8から供給される液浸水LQの供給圧力を調整する供給圧調整部11aと、液体回収機構9へ回収される液浸水LQの回収圧力を調整する回収圧調整部11bとを備えている。次に、露光ステージ3および計測ステージ4の配置について説明する。露光時には、露光ステージ3が投影光学系6およびノズル部18の下に移動して液浸領域AR2に液浸水LQを保持し、計測ステージ4は所定の位置で待機している。これら以外の時、例えば基板SWの交換時、または計測時フォーカスまたは光学系アライメント等の各種調整時には、計測ステージ4が投影光学系6およびノズル部18の下に移動して液浸領域AR3に液浸水LQを保持する。これら2つの状態間を移行する際には、露光ステージ3および計測ステージ4が近接した状態で移動することにより、露光ステージ3と計測ステージ4との間で液浸水LQが受け渡される。次に、露光ステージ3および計測ステージ4の一連の動作等について図2を用いて説明する。図2aからdは露光ステージ3および計測ステージ4の一連の動作を説明する概略図である。まず、図2aに示すように、露光時には、露光ステージ3が投影光学系6およびノズル部18の下に位置し、計測ステージ4は所定の位置で待機する。次に、図2bに示すように、露光終了後、計測ステージ4が投影光学系6およびノズル部18の下方向に移動して、露光ステージ3に近接する。次に、図2cに示すように、露光ステージ3と計測ステージ4とがスクラム動作で液浸水LQを受け渡す。次に、図2dに示すように、露光ステージ3上の基板SWを交換している間に、計測ステージ4においてフォーカスまたは光学系アライメント等の各種調整を行う。露光時前述の図2aは、露光ステージ3において、投影光学系6の下面およびノズル部18の下面と基板SWの主面上に塗布されたレジストレジストのみだけでなく、その表面に有機系材料TopCoatを塗布したレジストも含むの表面との間の液浸領域AR2に液浸水LQが保持される。ノズル部18の下面とレジストの表面との間隔は、例えば1mm以下である。また、計測時前述の図2dでは、計測ステージ4において、投影光学系6の下面およびノズル部18の下面と計測ステージ4の上面との間の液浸領域AR3に液浸水LQが保持される。ノズル部18の下面と計測ステージ4の上面との間隔は、例えば1mm以下である。ここで、液浸水LQの体積を調整することによって、露光ステージ3の液浸領域AR2における液浸水LQの横方向露光ステージ3の上面と平行する方向の拡がりを、計測ステージ4の液浸領域AR3における液浸水LQの横方向計測ステージ4の上面と平行する方向の拡がりよりも小さくする。次に、露光ステージ3の液浸領域AR2における液浸水LQおよび計測ステージ4の液浸領域AR3における液浸水LQのそれぞれの横方向の拡がりを調整する第1の方法および第2の方法について以下に説明する。まず、第1の方法を前述の図1を用いて説明する。第1の方法として、露光ステージ3の液浸領域AR2および計測ステージ4の液浸領域AR3にそれぞれ供給される液浸水LQの供給量、回収量、または供給量および回収量を制御することにより、液浸領域AR2に保持される液浸水LQの量を液浸領域AR3に保持される液浸水LQの量よりも少なくする。具体的には、液浸水LQの流量を液体供給部8aの供給量と液体回収部9aの回収量とによって制御する。さらに、これらに加えて流量制御器8cにより個別的に液浸水LQの流量を制御してもよい。例えば露光ステージ3の液浸領域AR2に供給される液浸水LQの流量をLm3/sec、計測ステージ4の液浸領域AR3に供給される液浸水LQの流量をLαm3/secとすることができる。または、液浸水LQの供給圧力を圧力調整機構11の供給圧調整部11aにより制御し、回収圧力を圧力調整機構11の回収圧調整部11bにより制御する。例えば液浸水LQの標準の供給圧力をXkPaとした場合、露光ステージ3の液浸領域AR2に供給される液浸水LQの供給圧力をX-β′kPa、計測ステージ4の液浸領域AR3に供給される液浸水LQの供給圧力をXβkPaとすることができる。また、例えば液浸水LQの標準の回収圧力をYkPaとした場合、露光ステージ3の液浸領域AR2から回収される液浸水LQの回収圧力をYγ′kPa、計測ステージ4の液浸領域AR3から回収される液浸水LQの供給圧力をY-γkPaとすることができる。なお、液浸水LQの流量の制御と、液浸水LQの供給圧力および回収圧力の制御とを併用してもよい。次に、第2の方法を図3を用いて説明する。図3は液浸露光装置に備わる露光ステージ3の液浸領域AR2および計測ステージ4の液浸領域AR3を説明する概略図である。第2の方法として、液浸水LQが接触する計測ステージ4の上面液体接触面の撥水性を、基板SWの主面上に塗布されているレジストレジストのみだけでなく、その表面に有機系材料TopCoatを塗布したレジストも含む19の撥水性よりも低くする。レジスト19の動的後退接触角は65°以上84°以下であることから、例えば計測ステージ4に、動的後退接触角が65°よりも低い材料を用いる。計測ステージ4の全体を動的後退接触角が65°よりも低い撥水性を有する材料で構成してもよく、または計測ステージ4の液体接触面のみに動的後退接触角が65°よりも低い撥水性を有する薄膜を形成してもよい。投影光学系6の光学素子10の下面、およびノズル部18の下面は親水性を有している。例えば投影光学系6の光学素子10の下面およびノズル部18の下面に、アルコールなど極性の大きい分子構造の物質で薄膜を形成する、またはMgF2、Al2O3、またはSiO2などを形成することにより、投影光学系6の光学素子10の下面およびノズル部18の下面を親水性とすることができる。また、計測ステージ4の上面はレジスト19の撥水性よりも低い撥水性を有していることから、計測ステージ4の液浸領域AR3における液浸水LQの横方向の拡がりを、露光ステージ2の液浸領域AR2における液浸水LQの横方向の拡がりよりも大きくすることができる。この際、計測ステージ4では、液浸水LQが液浸領域AR3の外部へ漏れやすくなるため、液浸領域AR3の周囲には計測ステージ4の上面よりも撥水性の高い撥水板20が設置されている。なお、レジスト19またはレジスト19の表面の有機系材料TopCoatの撥水性を、例えば動的後退接触角が84°よりも高くすることにより、露光ステージ3の液浸領域AR2における液浸水LQの横方向の拡がりを、計測ステージ4の液浸領域AR3における液浸水LQの横方向の拡がりよりも小さくすることは可能である。しかし、レジスト19またはレジスト19の表面の有機系材料TopCoatの撥水性が高くなると、液浸水LQがはじかれて液浸露光が困難となることが考えられるため、これらの撥水性は、例えば動的後退接触角で65°以上84°以下、計測ステージ4の液上面の撥水性は、例えば動的後退接触角で64°程度が最も適すると考えられる。液浸水LQの拡がりは、例えば液浸露光装置1に設置されたCCDChargeCoupledDeviceカメラ等によって確認することができる。なお、本実施の形態では、撥水性の定義に動的後退接触角D-RCAを用いた。動的後退接触角とは、図4に示すように、固体、液体、気体の三相の界面で、液滴の界面が動く動的な状況後退接触角をもつにおける液滴の接線と対面のなす角度のことをいう、液体が表面に馴染みやすくなるにつれ、接触角は小さくなる。しかし、撥水性の定義には、動的後退接触角以外にも種々あり、その定義方法により撥水性の仕様は異なる。このように、露光ステージ3の液浸領域AR2における液浸水LQの横方向の拡がりを、計測ステージ4の液浸領域AR3における液浸水LQの横方向の拡がりよりも小さくすることにより、以下の効果を得ることができる。すなわち、露光ステージ3では、液浸水LQにノズル部18の液浸回収口18dも浸るので、液浸水LQの中の微小な異物がノズル部18の液浸回収口18d等に付着することがある。しかし、計測ステージ4の液浸領域AR3における液浸水LQの横方向の拡がりが露光ステージ3の液浸領域AR2における液浸水LQの横方向の拡がりよりも大きいことから、露光時に異物が付着したノズル部18の液浸回収口18dは常に液浸水LQに浸る状態となる。従って、露光時にノズル部18の液浸回収口18d等に付着した異物が乾燥することがなく、固着しないので、異物数の増加および異物が大きくなるのを防ぐことができる。これにより、液浸露光の際、基板SWの主面上に塗布されたレジスト19の表面への異物の付着を抑制して、転写パターンの形状不良等を防止することができる。次に、本実施の形態による半導体装置の製造方法を図5~図10を用いて工程順に説明する。ここでは、一例として本発明をCMISComplementaryMetalInsulatorOxideSemiconductorデバイスの製造に適用した場合を示すが、他の半導体素子の製造に適用できることは言うまでもない。まず、図5に示すように、例えば単結晶シリコンからなる半導体基板ウエハと称する平面略円形状の半導体の薄板21を用意する。次に、半導体基板21の主面の素子分離領域に絶縁膜からなる分離部22を形成する。続いて、nMISが形成される領域nMIS形成領域の半導体基板21にp型の導電性を示す不純物をイオン注入してp型ウェル23を形成し、同様に、pMISが形成される領域pMIS形成領域の半導体基板1にn型の導電性を示す不純物をイオン注入してn型ウェル24を形成する。次に、半導体基板21の主面p型ウェル23およびn型ウェル24のそれぞれの表面にゲート絶縁膜25を形成する。続いてnMIS形成領域のゲート絶縁膜25上にnMISのゲート電極を構成する導電体膜26Anを形成し、同様に、pMIS形成領域のゲート絶縁膜25上にpMISのゲート電極を構成する導電体膜26Apを形成する。導電体膜26Anは、例えばn型の導電性を示す不純物が導入された多結晶シリコン膜であり、導電体膜26Apは、例えばp型の導電性を示す不純物が導入された多結晶シリコン膜である。次に、導電体膜26An,26Ap上にレジスト27を塗布した後、前述した液浸露光装置1を用いてマスクMに形成されたマスクパターンMPをレジスト27に液浸露光する。その後、現像処理を行い、図6に示すように、導電体膜26An,26Apを加工する際のマスクとなるレジストパターン27aを形成する。液浸露光装置1では、露光時の異物に起因したレジストパターン27aの形状不良等を防止することができるので、例えば45nm幅の細線を有するレジストパターン27aを歩留まり良く形成することができる。次に、レジストパターン27aをマスクとしたドライエッチングにより導電体膜26An,26Apを加工することにより、nMIS形成領域のゲート絶縁膜25上にnMISのゲート電極26nを形成し、同様に、pMIS形成領域のゲート絶縁膜25上にpMISのゲート電極26pを形成する。次に、図7に示すように、レジストパターン27aを除去した後、nMISのゲート電極26nおよびpMISのゲート電極26pのそれぞれの側壁にサイドウォール28を形成する。続いて、nMISのゲート電極26nの両側のp型ウェル23にn型の導電性を示す不純物をイオン注入し、nMISのソースドレインとして機能するn型半導体領域29をゲート電極6nおよびサイドウォール28に対して自己整合的に形成する。同様に、pMISのゲート電極26pの両側のn型ウェル24にp型の導電性を示す不純物をイオン注入し、pMISのソースドレインとして機能するp型半導体領域30をゲート電極26pおよびサイドウォール28に対して自己整合的に形成する。次に、図8に示すように、半導体基板21の主面上に絶縁膜31を形成する。続いて絶縁膜31上にレジストを塗布した後、前述した液浸露光装置1を用いて液浸露光を行う。その後、現像処理を行い、絶縁膜31を加工する際のマスクとなるレジストパターン32を形成する。液浸露光装置1では、露光時の異物に起因したレジストパターン32の形状不良等を防止することができるので、例えば70nm幅の溝を有するレジストパターン32を歩留まり良く形成することができる。次に、レジストパターン32をマスクとしたドライエッチングにより絶縁膜31を加工することにより、接続孔33を形成する。この接続孔33はn型半導体領域29上またはp型半導体領域30上などの必要部分に形成する。次に、図9に示すように、レジストパターン32を除去した後、接続孔33の内部に、例えばタングステンW膜を主導体とするプラグ34を形成する。続いて、半導体基板21の主面上にストッパ絶縁膜35および配線形成用の絶縁膜36を順次形成する。ストッパ絶縁膜35は絶縁膜36への溝加工の際にエッチングストッパとなる膜であり、絶縁膜36に対してエッチング選択比を有する材料を用いる。ストッパ絶縁膜35は、例えばプラズマCVDChemicalVaporDeposition法により形成される窒化シリコン膜とし、絶縁膜36は、例えばプラズマCVD法により形成される酸化シリコン膜とすることができる。次に、絶縁膜36上にレジストを塗布した後、前述した液浸露光装置1を用いて液浸露光を行う。その後、現像処理を行い、ストッパ絶縁膜35および絶縁膜36を加工する際のマスクとなるレジストパターン37を形成する。液浸露光装置1では、露光時の異物に起因したレジストパターン37の形状不調等を防止することができるので、例えば70nm幅の溝を有するレジストパターン37を歩留まり良く形成することができる。次に、レジストパターン37をマスクとしたドライエッチングによりストッパ絶縁膜35および絶縁膜36の所定の領域に凹形状の配線溝38を形成する。次に、図10に示すように、半導体基板21の主面上にバリアメタル膜39を形成する。バリアメタル膜39は、例えば窒化チタンTiN膜、タンタルTa膜、または窒化タンタルTaN膜等である。続いて、CVD法またはスパッタリング法によりバリアメタル膜39上に銅Cuのシード層図示は省略を形成し、さらに電解めっき法を用いてシード層上に銅めっき膜40を形成する。銅めっき膜40により配線溝38の内部を埋め込む。次に、配線溝38の内部以外の領域の銅めっき膜40、シード層、およびバリアメタル膜39をCMPChemicalMechanicalPolishing法により除去して、銅膜を主導体とする第1層目の配線を形成する。なお、本実施の形態では、第1層目の配線を構成する主導体である銅膜を電解めっき法により形成したが、CVD法、スパッタリング法、またはスパッタリフロー法などにより形成してもよい。その後、図示は省略するが、さらに上層の配線を形成した後、最上層の配線上に外部からの水分や不純物の侵入防止およびα線の透過の抑制を行うパッシベーション膜を形成する。次に、レジストパターンをマスクとしたエッチングによりパッシベーション膜を加工して、最上層の配線の一部ボンディングパッド部を露出させた後、露出した最上層の配線に接続してバンプ下地電極を形成し、バンプ下地電極に接続してバンプ電極を形成することにより、本実施の形態である半導体装置が略完成する。なお、このバンプ電極は外部接続用電極となる。この後、ウエハから半導体チップに個々に切り分けられ、パッケージ基板等に実装されるが、それらの説明は省略する。このように、本実施の形態では、液浸露光装置1を用いて基板SWの主面上に形成されるレジストパターンにおいて、液浸露光の際に発生する異物の付着に起因した形状不良等が防止できるので、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、前述した実施の形態では、露光ステージの液浸領域における液浸水の横方向の拡がりおよび計測ステージの液浸領域における液浸水の横方向の拡がりを調整する方法として、第1の方法および第2の方法を説明したが、これに限定されるものではない。また、第1の方法と第2の方法とを併用してもよい。"