"金属基板および前記金属基板の表面に形成された電気絶縁層を備える絶縁層付基板と、前記電気絶縁層上に形成されたアルカリ供給層と、前記アルカリ供給層上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成され、化合物半導体層から構成される光電変換層と、前記光電変換層上に形成された上部電極とを有し、前記アルカリ供給層は、酸化ケイ素を主成分とし、かつナトリウム化合物を含む化合物であり、前記ナトリウム化合物の含有量がNa換算で7~20at.であることを特徴とする光電変換素子。前記化合物半導体は、少なくとも1種のカルコパイライト構造の化合物半導体である請求項1に記載の光電変換素子。前記化合物半導体は、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とからなる少なくとも1種の化合物半導体である請求項2に記載の光電変換素子。前記Ib族元素は、CuおよびAgからなる群より選択された少なくとも1種であり、前記IIIb族元素は、Al,Ga及びInからなる群より選択された少なくとも1種であり、前記VIb族元素は、S,Se,及びTeからなる群から選択された少なくとも1種である請求項3に記載の光電変換素子。前記光電変換層は、複数の開溝部によって複数の素子に分割され、かつ該複数の素子は、電気的に直列接続されたものである請求項1~4のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記アルカリ供給層は、ナトリウム化合物を含むケイ酸塩ガラスにより構成される請求項1~5のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記アルカリ供給層は、スパッタ法により形成された層である請求項1~6のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記アルカリ供給層は、厚さが50nm~200nmである請求項1~7のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記下部電極は、Moからなり、その厚みは、200nm~600nmである請求項1~8のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記下部電極の厚みは、200nm~400nmである請求項9に記載の光電変換素子。前記アルカリ供給層と前記電気絶縁層との間に、アルカリ金属の前記絶縁層付基板への拡散を少なくとも防止する拡散防止層を有する請求項1~10のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記拡散防止層は、窒化物である請求項11に記載の光電変換素子。前記窒化物は、絶縁体である請求項12に記載の光電変換素子。前記窒化物は、TiN、ZrN、BN、またはAlNにより構成されている請求項12または13に記載の光電変換素子。前記窒化物は、AlNである請求項14に記載の光電変換素子。前記拡散防止層は、その厚みが、10nm~200nmである請求項11~15のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記拡散防止層は、その厚みが、10nm~100nmである請求項16のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記金属基板は、金属基材とAl基材とが積層されて一体化された積層板である請求項1~17のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記金属基板は、金属基材とAl基材とが加圧接合により一体化された積層板である請求項18に記載の光電変換素子。前記金属基材は、鋼材、合金鋼材、Ti箔又はTi箔と鋼材との2層基材である請求項19に記載の光電変換素子。前記合金鋼材は、炭素鋼、フェライト系ステンレスからなるものである請求項20に記載の光電変換素子。前記電気絶縁層は、アルミニウムの陽極酸化膜である請求項1~21のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記金属基材と前記光電変換層との線熱膨張係数の差が、3×10-6/°C未満である請求項18~22のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記金属基材と前記光電変換層との線熱膨張係数の差が、1×10-6/°C未満である請求項23に記載の光電変換素子。前記金属基板が、炭素鋼又はフェライト系ステンレスからなる合金鋼材とAl基材とが加圧接合により一体化された積層板からなるものであり、前記下部電極が、Moからなるものであり、前記光電変換層が、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とからなる少なくとも1種の化合物半導体を主成分とする層である請求項1~24のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記陽極酸化膜は、ポーラス構造を有する請求項1~25のいずれか1項に記載の光電変換素子。請求項1~26のいずれか1項に記載の光電変換素子を有することを特徴とする薄膜太陽電池。金属基板の表面に電気絶縁層を形成し、絶縁層付基板を得る工程と、前記電気絶縁層上に、酸化ケイ素を主成分とし、かつナトリウム化合物を含む化合物であり、前記ナトリウム化合物の含有量がNa換算で7~20at.のアルカリ供給層を形成する工程と、前記アルカリ供給層上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極上に光電変換層を形成する工程と、前記光電変換層上に上部電極を形成する工程とを有することを特徴とする光電変換素子の製造方法。前記金属基板は、金属基材とAl基材とが積層されて一体化された積層板であり、前記絶縁層付基板を得る工程は、前記Al基材を陽極酸化処理して、前記Al基材の表面に陽極酸化膜を形成する工程である請求項28に記載の光電変換素子の製造方法。上述したように、青板ガラスSLG以外の金属板等を太陽電池の基板として使用する場合、光電変換層の変換効率を向上させるために、別途Naなどのアルカリ金属を供給しなければならない問題がある。例えば、陽極酸化アルミニウム基板においても、基板上に形成したCIGS光電変換層に適切な濃度のNaを拡散させ、CIGS結晶品質を向上させ、変換効率向上実現するためにNa供給層を形成することが必要とされる。しかしながら、上述の特許文献1~11に記載の従来技術のように、光電変換層にNaを拡散させるべく、裏面電極上に蒸着法、スパッタリング法またはコート等によってNaの層を形成するものでは、潮解性などのため、成膜されるNa層が変質して剥離しやすいものになってしまうなどの問題点が指摘されている。また、特許文献12のように、金属基板を使用する際に、絶縁層としてガラス層を形成しているが、金属基板の種類によって、金属基板と光電変換層の熱膨張係数差が大きい場合には、成膜時の高温により剥離が生じてしまうという問題があるし、金属基板と光電変換層の熱膨張係数差が小さい場合には、高温には耐えるかもしれないが、そもそもガラス層の厚みが薄く十分な耐電圧が得られないという問題もある。また、ガラス層には、Na等のアルカリ金属イオンが含まれているため、このアルカリ金属イオンが光電変換層の成膜中に光電変換層に拡散するが、同時に金属基板にも拡散していくという欠点もある。このため、金属基板に変質が起きたり、剥離が起きたりする原因となるし、光電変換層に必要な量のNaを拡散させることができないという問題もあった。また、特許文献13に開示の光電変換層へのNaの供給方法では、基板にもNaが拡散されるため、光電変換層側に拡散するNa量を十分な量にするには供給層の厚みを十分に厚くする必要がある。このとき厚みが増すとこの供給層を起点として剥離が生じることが確認されている。さらに、非特許文献1に開示のTi箔基板では、絶縁性確保が困難であり、集積化構造の太陽電池を形成できないという欠点がある。また、非特許文献1に開示のジルコニア基板では、フレキシブルな光電変換素子や太陽電池を形成できないという欠点もあるし、また、コストが高いという欠点もある。また、一般的に、例えば、絶縁層と裏面電極層または光電変換材料層などとの接合部分は、熱膨張率の違いなどにより剥離しやすいという問題がある。特に、陽極酸化アルミニウム基板の場合、拡散したNaは、陽極酸化膜の膜質を変化させ、CIGS成長後の歪が大きくなり、CIGSの剥離が生じるという問題がある。また、太陽電池のコストを下げ、生産性を上げるために、短時間の成膜時間内に基板側から光電変換層側へアルカリ金属を拡散する方法が必要とされている。本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、光電変換層へのアルカリ金属の供給量を十分に確保するとともに、精密かつ再現性良く制御することができ、変換効率を高めることができ、軽量で、絶縁性に優れ、かつフレキシブルな光電変換素子、薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、上記目的に加え、絶縁層とその上に形成される層との密着性に優れ、好適な耐電圧特性や耐熱特性を持つ光電変換素子、薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明の第1の態様は、金属基板および前記金属基板の表面に形成された電気絶縁層を備える絶縁層付基板と、前記電気絶縁層上に形成されたアルカリ供給層と、前記アルカリ供給層上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成され、化合物半導体層から構成される光電変換層と、前記光電変換層上に形成された上部電極とを有し、前記アルカリ供給層は、酸化ケイ素を主成分とし、かつナトリウム化合物を含む化合物であり、前記ナトリウム化合物の含有量がNa換算で7~20at.であることを特徴とする光電変換素子を提供するものである。なお、アルカリ供給層のナトリウム化合物の含有量は、Na2O換算では、主成分が酸化ケイ素で、かつナトリウム化合物を含む化合物の総量に対して10~30である。また、上記目的を達成するために、本発明の第2の態様は、金属基板の表面に電気絶縁層を形成し、絶縁層付基板を得る工程と、前記電気絶縁層上に、酸化ケイ素を主成分とし、かつナトリウム化合物を含む化合物であり、前記ナトリウム化合物の含有量がNa換算で7~20at.のアルカリ供給層を形成する工程と、前記アルカリ供給層上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極上に光電変換層を形成する工程と、前記光電変換層上に上部電極を形成する工程とを有することを特徴とする光電変換素子の製造方法を提供するものである。ここで、前記金属基板は、金属基材とAl基材とが積層されて一体化された積層板であり、前記絶縁層付基板を得る工程は、前記Al基材を陽極酸化処理して、前記Al基材の表面に陽極酸化膜を形成する工程であるのが好ましい。本発明の各態様において、前記化合物半導体は、少なくとも1種のカルコパイライト構造の化合物半導体であるのが好ましく、また、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とからなる少なくとも1種の化合物半導体であるのがより好ましく、また、前記Ib族元素は、CuおよびAgからなる群より選択された少なくとも1種であり、前記IIIb族元素は、Al,Ga及びInからなる群より選択された少なくとも1種であり、前記VIb族元素は、S,Se,及びTeからなる群から選択された少なくとも1種であるのがさらに好ましい。また、前記光電変換層は、複数の開溝部によって複数の素子に分割され、かつ該複数の素子は、電気的に直列接続されたものであることが好ましい。また、前記アルカリ供給層は、ナトリウム化合物を含むケイ酸塩ガラスにより構成されることが好ましく、また、前記アルカリ供給層は、スパッタ法により形成された膜であることが好ましい。前記アルカリ供給層は、厚さが50nm~200nmであることが好ましい。また、前記下部電極は、Moからなり、その厚みは、200nm~600nmであるのが好ましく、200nm~400nmであるのがより好ましい。また、前記アルカリ供給層と前記電気絶縁層との間に、アルカリ金属の前記絶縁層付基板への拡散を少なくとも防止する拡散防止層を有することが好ましい。また、前記拡散防止層は、窒化物であることが好ましく、また、前記窒化物は、絶縁体であるのが好ましく、TiN、ZrN、BN及びAlNの少なくとも1種であるのがより好ましく、AlNであるのが最も好ましい。また、前記拡散防止層は、その厚みが、10nm~200nmであるのが好ましく、10nm~100nmであるのがより好ましい。また、前記金属基板は、金属基材とAl基材とが積層されて一体化された積層板であるのが好ましく、前記金属基材と前記Al基材とが加圧接合により一体化された積層板であるのがより好ましい。また、前記金属基材は、鋼材、合金鋼材、Ti箔又はTi箔と鋼材との2層基材であるのが好ましく、前記合金鋼材は、炭素鋼、フェライト系ステンレスからなるものであるのが好ましく、また、前記金属基材と前記光電変換層との熱膨張係数差が、3×10-6/°C未満であるのが好ましく、1×10-6/°C未満であるのがより好ましい。また、前記電気絶縁層は、アルミニウムの陽極酸化膜であることが好ましい。また、前記金属基板が、炭素鋼又はフェライト系ステンレスからなる合金鋼材とAl基材とが加圧接合により一体化された積層板からなるものであり、前記下部電極が、Moからなるものであり、前記光電変換層が、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とからなる少なくとも1種の化合物半導体を主成分とする層であるのが好ましい。また、前記陽極酸化膜は、ポーラス構造を有するのが好ましい。また、上記目的を達成するために、本発明の第3の態様は、上記第1の態様の光電変換素子を有することを特徴とする薄膜太陽電池を提供するものである。本発明によれば、ナトリウム化合物の含有量がNa換算で7~20at.のアルカリ供給層を設けることにより、光電変換層へのアルカリ金属の供給量を精密かつ再現性良く制御することができる。このため、光電変換効率の高い光電変換素子を得ることができる。また、本発明によれば、拡散防止層を設けることにより、光電変換層へのアルカリ金属の拡散量を増加させることができるため、より変換効率の良い光電変換層を得ることができる。しかも、拡散防止層を設けることにより、アルカリ供給層の厚さを薄くしても、変換効率の良い光電変換層を得ることができる。特に、アルカリ供給層がソーダライムガラスSLGの場合には、その層の厚さを薄くすることにより、アルカリ供給層が剥離の起点となるのを防止することができ、更に、アルカリ供給層の成膜時間を短縮することができ、生産性を向上させることができる。また、本発明によれば、拡散防止膜と金属基板や光電変換層との熱膨張係数を揃えることができ、その結果、拡散防止膜と金属基板や光電変換層との密着性を確保することができ、また、向上させることができ、金属基板と光電変換層との剥離を防ぐことができる。さらには、本発明においては、絶縁層付基板に電気絶縁層が形成されており、更に拡散防止層を絶縁体で構成することにより、絶縁層付基板の絶縁性耐電圧特性を更に向上させることができる。また、本発明によれば、フレキシブル性を持つ絶縁層を有するアルミニウムAlを主成分とする金属基板を用いることができるので、高温でもひずみが少なくクラックが生じないといった特性を持つ基板とすることができる。以下、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の光電変換素子、薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法を詳細に説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る光電変換素子を有する薄膜太陽電池を示す模式的断面図である。図1に示す本実施形態の薄膜太陽電池30は、太陽電池モジュール又はこの太陽電池モジュールを構成する太陽電池サブモジュールとして用いられるもので、例えば、接地された略長方形状の金属基板15及び金属基板15上に形成された電気的な絶縁層16からなる絶縁層付基板10以下単に基板10というと、絶縁層16上に形成されたアルカリ供給層50と、アルカリ供給層50に形成され、直列に接続された複数の発電セル太陽電池セル54、複数の発電セル54の一方に接続される第1の導電部材42、およびその他方に接続される第2の導電部材44からなる発電層56と、を有する。なお、ここでは、1つの発電セル54と、これに対応する基板10およびアルカリ供給層50の各部分からなるものを光電変換素子40と呼ぶが、図1に示す薄膜太陽電池30自体を光電変換素子と呼んでもよい。まず、本発明の実施形態に係る光電変換素子を有する薄膜太陽電池に用いられる基板について説明する。図2aは、図1に示す本発明の実施形態に係る光電変換素子を有する薄膜太陽電池に用いられる基板を示す模式的断面図であり、bは、本発明の実施形態に係る光電変換素子を有する薄膜太陽電池に用いられる基板の他の例を示す模式的断面図である。図2aに示すように、基板10は、金属基材12およびアルミニウムを主成分とするアルミニウム基材14以下、Al基材14というからなる金属基板15と、絶縁層16とを有する絶縁層付基板である。基板10においては、金属基材12の表面12aにAl基材14が形成されて金属基板15を構成し、金属基板15のAl基材14の表面14aに絶縁層16が形成されている。また、金属基板15は、金属基材12とAl基材14とが積層されて一体化されたもの、すなわち、Alクラッド基材又はAlクラッド基板である。本実施形態の基板10は、光電変換素子および薄膜太陽電池の基板に利用されるものであり、例えば、平板状である。基板10の形状および大きさ等は適用される光電変換素子および薄膜太陽電池の大きさ等に応じて適宜決定される。薄膜太陽電池に用いる場合、基板10は、例えば、一辺の長さが1mを超える四角形状または矩形状である。基板10において、金属基材12には、平板状又は箔状金属材が用いられるが、例えば、炭素鋼およびフェライト系ステンレス鋼等の鋼材が用いられる。金属基材12に用いられる鋼材は、アルミニウム合金より300°C以上での耐熱強度が高く、基板10は所定の耐熱性が得られる。上述の金属基材12に用いられる炭素鋼は、例えば、炭素含有量が0.6質量以下の機械構造用炭素鋼が用いられる。機械構造用炭素鋼としては、例えば、一般的にSC材と呼ばれるものが用いられる。また、フェライト系ステンレス鋼としては、SUS430、SUS405、SUS410、SUS436、SUS444等を用いることができる。鋼材としては、これ以外にも、一般的にSPCC冷間圧延鋼板と呼ばれるものが用いられる。なお、金属基材12は、上記以外にも、コバール合金、チタンまたはチタン合金により構成してもよい。チタンとしては、純Tiが用いられ、チタン合金としては、展伸用合金であるTi-6Al-4V、Ti-15V-3Cr-3Al-3Snが用いられる。これらの金属も、平板状又は箔状で用いられる。金属基材12としては、アルミニウムおよびアルミニウム合金よりも熱膨張係数が小さく、剛性が高く、しかも耐熱性が高い金属または合金であることが好ましい。金属基材12の厚さは、可撓性に影響するので、過度の剛性不足を伴わない範囲で薄くすることが好ましい。本実施形態の基板10においては、金属基材12の厚さは、例えば、10~800μmであり、好ましくは30~300μmである。より好ましくは50~150μmである。金属基材12の厚さを薄くすることは、原材料コストの面からも好ましい。金属基材12を可撓性を有するもの、すなわち、フレキシブルなものとする場合、金属基材12は、フェライト系ステンレス鋼が好ましい。Al基材14は、主成分がアルミニウムAlで構成されるものであり、主成分がアルミニウムとは、アルミニウム含有量が90質量以上であることをいう。Al基材14としては、例えば、アルミニウムまたはアルミニウム合金が用いられる。Al基材14に用いられるアルミニウムまたはアルミニウム合金は、不要な金属間化合物を含まないことが好ましい。具体的には不純物の少ない、99質量以上の純度のアルミであることが好ましい。純度としては、例えば、99.99質量Al、99.96質量Al、99.9質量Al、99.85質量Al、99.7質量Al、99.5質量Al等が好ましい。また、アルミニウム合金には、金属間化合物を作りにくい元素を添加したものを用いることができる。例えば、純度が99.9質量のAlにマグネシウムを2.0~7.0質量添加したアルミニウム合金である。マグネシウム以外では、Cu、Siなど、固溶限界の高い元素を添加することができる。Al基材14のアルミニウムの純度を高めることにより、析出物に起因する金属間化合物を避けることができ、絶縁層16の健全性を増すことができる。これは、アルミニウム合金の陽極酸化を行った場合、金属間化合物が起点となって、絶縁不良を起こす可能性があり、金属間化合物が多いと、その可能性が増えることによるものである。また、Al基材14の厚さは、例えば、5~150μmであり、好ましくは10~100μmである。より好ましくは20~50μmである。また、Al基材14の表面粗さは、例えば、算術平均粗さRaで1μm以下である。好ましくは、0.5μm以下、より好ましくは、0.1μm以下である。なお、Al基材14の表面は、鏡面仕上げされていてもよい。この鏡面仕上げは、例えば、特許第4212641号公報、特開2003-341696号公報、特開平7-331379号公報、特開2007-196250号公報、特開2000-223205号公報に記載の方法によりなされる。基板10において、絶縁層16は、絶縁性とハンドリング時の機械衝撃による損傷を防止するためのものである。この絶縁層16は、陽極酸化膜アルミニウム陽極酸化膜アルミナ膜により構成されるものである。絶縁層16は、陽極酸化膜に限定されるものではなく、例えば、蒸着法、スパッタ法、CVD法により形成されたものであってもよい。絶縁層16の厚さは5μm以上が好ましく、10μm以上が更に好ましい。絶縁層16の厚さが過度に厚い場合、可撓性が低下すること、および絶縁層16の形成に要するコスト、時間がかかるため好ましくない。現実的には、絶縁層16の厚さは、最大50μm以下、好ましくは30μm以下である。このため、絶縁層16の好ましい厚さは、0.5~50μmである。また、絶縁層16の表面18aの表面粗さは、例えば、算術平均粗さRaで1μm以下であり、好ましくは、0.5μm以下、より好ましくは、0.1μm以下である。基板10の強度は、500°C以上に熱処理をされている中での引張強度が5MPa以上あることが必要で、好ましくは10MPa以上ある。また、500°C以上で熱処理されている中で、クリープ変形を起こさないため、500°C、10分間保持された際、最大0.1の塑性変形を起こす強度が0.2MPa以上あることが好ましく、より好ましくは0.4MPa以上、更に好ましくは1MPa以上である。なお、基板10は、金属基材12、Al基材14および絶縁層16のいずれも可撓性を有するもの、すなわち、フレキシブルなものとすることにより、基板10全体として、フレキシブルなものになる。これにより、例えば、ロールツーロール方式で、基板10の絶縁層16側に、後述するアルカリ供給層、拡散防止層、下部電極となる裏面電極、光電変換層、上部電極となる透明電極等を形成することができる。また、本実施形態においては、基板10を、金属基材12とAl基材14とが積層されて一体化された金属基板15およびこの金属基板15のAl基材14の表面14aに形成された絶縁層16を備える絶縁層付基板とすることにより、例えば、温度500°C以上の成膜工程を経ても高い絶縁性および高い強度を維持することができ、しかも、歪の発生も抑制されるため、温度が500°C以上の高温で、種々の膜を、例えば、ロールツーロール方式で形成することが可能である。また、本実施形態の基板10においては、金属基材12とAl基材14の2層構造の金属基板15を有する構成としたが、本発明は、金属基材12は、少なくとも1層であればよいため、1層のものに限定されるものではなく複数層でもよい。図2bに示す基板10aのように、金属基材は、例えば、第1の金属基材13aと第2の金属基材13bとを有する2層構造であってもよい。この場合、例えば、第1の金属基材13aがチタンまたはチタン合金により構成され、第2の金属基材13bが金属基材12と同じく鋼材により構成される。なお、第2の金属基材13bがチタンまたはチタン合金により構成され、第1の金属基材13aが金属基材12と同じく鋼材により構成されてもよい。さらには、基板として、金属基材12の表面12aおよび裏面にAl基材14が形成され、この各Al基材14の表面14aに絶縁層16が形成されている構成としてもよい。この場合、金属基材12を中心として、対称にAl基材14および絶縁層16が形成される。なお、金属基材12と2つのAl基材14とが積層されて一体化されたものが金属基板となる。次に、本実施形態の基板10の製造方法について説明する。まず、金属基材12を準備する。この金属基材12は、形成する基板10の大きさにより、所定の形状および大きさに形成されている。次に、金属基材12の表面12aに、Al基材14を形成する。これにより、金属基板15が構成される。金属基材12の表面12aに、Al基材14を形成する方法としては、金属基材12とAl基材14との密着性が確保できる一体化結合ができていれば、特に限定されるものではない。このAl基材14の形成法としては、例えば、蒸着法、スパッタ法等の気相法、メッキ法、および表面清浄化後の加圧接合法を用いることができる。Al基材14の形成法としては、コストと量産性の観点からロール圧延等による加圧接合が好ましい。次に、金属基板15のAl基材14の表面14aに絶縁層16を形成する。こうして、基板10が得られる。以下、絶縁層16である陽極酸化膜の形成方法について説明する。絶縁層16である陽極酸化膜を形成する場合、金属基材12を陽極とし、陰極と共に電解液に浸漬させ、陽極陰極間に電圧を印加することにより陽極酸化膜を形成することができる。このとき、金属基材12が電解液に接触すると、Al基材14と局部電池を形成するため、電解液に接触する金属基材12をマスキングフィルム図示せずにより、マスクして絶縁しておく必要がある。すなわち、Al基材14の表面14a以外の金属基材12の端面および裏面を、マスキングフィルム図示せずを用いて絶縁しておく必要がある。陽極酸化処理前には、必要に応じてAl基材14の表面に洗浄処理研磨平滑化処理等を施す。陽極酸化時の陰極としてはカーボンまたはAl等が使用される。電解質としては、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、およびアミドスルホン酸等の酸を、1種または2種以上含む酸性電解液を用いる。陽極酸化条件は使用する電解質の種類にもより特に限定されるものではない。陽極酸化条件としては、例えば、電解質濃度1~80質量、液温5~70°C、電流密度0.005~0.60A/cm2、電圧1~200V、電解時間3~500分の範囲にあれば適当である。電解質としては、硫酸、リン酸、シュウ酸またはこれらの混合液が好ましい。このような電解質を用いる場合、電解質濃度4~30質量、液温10~30°C、電流密度0.002~0.30A/cm2、および電圧20~100Vとすることが好ましい。陽極酸化処理時には、Al基材14の表面14aから略垂直方向に酸化反応が進行し、Al基材14の表面14aに陽極酸化膜が生成される。上述の酸性電解液を用いた場合、陽極酸化膜は、多数の平面視略正六角形状の微細柱状体が隙間なく配列し、各微細柱状体の中心部には丸みを帯びた底面を有する微細孔が形成され、微細柱状体の底部にはバリヤ層通常、厚さ0.02~0.1μmが形成されたポーラス型となる。このようなポーラス構造を有する陽極酸化膜は、非ポーラス構造の酸化アルミニウム単体膜と比較して膜のヤング率が低いものとなり、曲げ耐性および高温時の熱膨張差により生じるクラック耐性が高いものとなる。なお、酸性電解液を用いず、ホウ酸等の中性電解液で電解処理すると、ポーラスな微細柱状体が配列した陽極酸化膜でなく緻密な陽極酸化膜非ポーラスな酸化アルミニウム単体膜となる。酸性電解液でポーラスな陽極酸化膜を生成後に、中性電解液で再電解処理するポアフィリング法によりバリヤ層の層厚を大きくした陽極酸化膜を形成してもよい。バリヤ層を厚くすることにより、より絶縁性の高い被膜とすることができる。陽極酸化処理に用いる電解液は、好ましくは、硫酸水溶液またはシュウ酸水溶液を用いる。陽極酸化膜の健全性はシュウ酸水溶液が優れ、連続処理生産性は硫酸水溶液が優れる。絶縁層16である陽極酸化膜の好ましい厚さは、上述のように、0.5~50μmである。この厚さは、定電流電解、定電圧電解の電流、電圧の大きさおよび電解時間により制御可能である。陽極酸化により形成された絶縁層16について、特に絶縁性を高めたい場合、ホウ酸液中で封孔処理する。封孔処理は、電気化学的な方法、化学的な方法が知られているが、アルミニウム、アルミニウム合金を陽極にした電気化学的な方法陽極処理が特に好ましい。電気化学的な方法は、アルミニウムまたはその合金を陽極にして直流電流を加え、封孔処理する方法が好ましい。電解液はホウ酸水溶液が好ましく、ホウ酸水溶液にナトリウムを含むホウ酸塩を添加した水溶液が好ましい。ホウ酸塩としては、八ほう酸二ナトリウム、テトラフェニルほう酸ナトリウム、テトラフルオロほう酸ナトリウム、ペルオキソほう酸ナトリウム、四ほう酸ナトリウム、メタほう酸ナトリウムなどがある。これらのホウ酸塩は、無水または水和物として入手することができる。封孔処理に用いる電解液として、0.1~2mol/Lのホウ酸水溶液に、0.01~0.5mol/Lの四ほう酸ナトリウムを添加した水溶液を用いることが特に好ましい。アルミニウムイオンは0~0.1mol/L溶解していることが好ましい。アルミニウムイオンは、電解液中へ封孔処理により化学的または電気化学的に溶解するが、予めホウ酸アルミニウムを添加して電解する方法が特に好ましい。また、アルミニウム合金中に含まれる微量元素が溶解していても良い。好ましい封孔処理条件は、液温10~55°C特に好ましくは10~30°C、電流密度0.01~5A/dm2特に好ましくは0.1~3A/dm2、電解処理時間0.1~10分特に好ましくは1~5分である。電流は、交流、直流、交直重畳電流を用いることが可能であり、電流の与え方は、電解初期から一定でも漸増法を用いてもよいが、直流を用いる方法が特に好ましい。電流の与え方は、定電圧法、定電流法どちらを用いても良い。このときの基板と対極間の電圧は、100~1000Vであることが好ましく、電圧は電解浴組成、液温、アルミニウム界面の流速、電源波形、基板と対極との間の距離、電解時間などによって変化する。基板表面の電解液流速並びに流速の与え方、電解槽、電極、電解液の濃度制御方法は、前記陽極酸化処理に記載の公知の陽極酸化処理方法、並びに封孔処理の方法を用いることが可能である。ホウ酸ナトリウムを含むホウ酸水溶液中で陽極酸化処理する際の膜厚は100nm以上が好ましく、更に好ましくは300nm以上である。上限は多孔質陽極酸化皮膜の膜厚になる。これにより、特に高温強度が必要で、可撓性のメリットがある、薄膜太陽電池の基板に用いることができる。また、化学的な好ましい方法は、陽極酸化処理後にポアおよびまたは空孔にSi酸化物を充填した構造にすることも可能である。Si酸化物による充填はSi-O結合を有する化合物を含む溶液を塗布、または、珪酸ソーダ水溶液1号珪酸ソーダまたは3号珪酸ソーダ、1~5質量水溶液、20~70°Cに、1~30秒間浸漬後に水洗乾燥し、更に200~600°Cで1~60分間焼成する方法も可能である。化学的な好ましい方法として、前記珪酸ソーダ水溶液のほかに、フッ化ジルコン酸ソーダおよびまたはリン酸2水素ナトリウムの単体または混合比率が重量比で5:1~1:5の混合水溶液の、濃度1~5質量の液に、20~70°Cで1~60秒浸漬することで封孔処理をおこなう方法を用いることもできる。なお、陽極酸化処理については、例えば、公知のいわゆるロールツーロール方式の陽極酸化処理装置により行うことができる。次に、陽極酸化処理後に、マスキングフィルム図示せずを剥がす。これにより、基板10を形成することができる。本発明の基板10は、絶縁層16としてフレキシブル性を持つ陽極酸化皮膜を有するアルミニウムAlを主成分とするAl基材14を有する金属基板15を用いることができるので、高温でもひずみが少なくクラックが生じないといった優れた特性を持つ。次に、図1に示す本実施形態の薄膜太陽電池30の光電変換素子40について説明する。本実施形態の薄膜太陽電池例えば、薄膜太陽電池サブモジュール30においては、上述の基板10の表面、すなわち、絶縁層16の表面16aにアルカリ供給層50が形成されている。この薄膜太陽電池30は、複数の光電変換素子40と、第1の導電部材42と、第2の導電部材44とを有する。光電変換素子40は、薄膜太陽電池30を構成するものであり、基板10と、アルカリ供給層50と、裏面電極32、光電変換層34、バッファ層36および透明電極38により構成される発電セル太陽電池セル54とを備える。上述のように、絶縁層16の表面16aにアルカリ供給層50が形成されている。このアルカリ供給層50の表面50aに、発電セル54の裏面電極32と光電変換層34とバッファ層36と透明電極38とが順次積層されている。裏面電極32は、隣り合う裏面電極32と分離溝P133を設けてアルカリ供給層50の表面50aに形成されている。分離溝P133を埋めつつ光電変換層34が裏面電極32の上に形成されている。この光電変換層34の表面にバッファ層36が形成されている。これらの光電変換層34とバッファ層36とは、裏面電極32にまで達する溝P237により、他の光電変換層34とバッファ層36と離間されている。この溝P237は、裏面電極32の分離溝P133とは異なる位置に形成されている。また、この溝P237を埋めつつバッファ層36の表面に透明電極38が形成されている。透明電極38、バッファ層36および光電変換層34を貫き裏面電極32に達する開口溝P339が形成されている。薄膜太陽電池30においては、各光電変換素子40は、裏面電極32と透明電極38により、基板10の長手方向Lに、電気的に直列に接続されている。本実施形態の光電変換素子40は、集積型の光電変換素子太陽電池と呼ばれるものであり、例えば、裏面電極32がモリブデン電極で構成され、光電変換層34が、光電変換機能を有する半導体化合物、例えば、CIGS層で構成され、バッファ層36がCdSで構成され、透明電極38がZnOで構成される。なお、光電変換素子40は、基板10の長手方向Lと直交する幅方向に長く伸びて形成されている。このため、裏面電極32等も基板10の幅方向に長く伸びている。図1に示すように、右側の端の裏面電極32上に第1の導電部材42が接続されている。この第1の導電部材42は、後述する負極からの出力を外部に取り出すためのものである。本来、右側の端の裏面電極32上には光電変換素子40が形成されるが、例えば、レーザースクライブまたはメカニカルスクラブにより、光電変換素子40を取り除いて、裏面電極32を表出させている。第1の導電部材42は、例えば、細長い帯状の部材であり、基板10の幅方向に略直線状に伸びて、右端の裏面電極32上に接続されている。また、図1に示すように、第1の導電部材42は、例えば、銅リボン42aがインジウム銅合金の被覆材42bで被覆されたものである。この第1の導電部材42は、例えば、超音波半田により裏面電極32に接続される。この第2の導電部材44は、後述する正極からの出力を外部に取り出すためのものである。第2の導電部材44も、第1の導電部材42と同様に細長い帯状の部材であり、基板10の幅方向に略直線状に伸びて、左端の裏面電極32に接続されている。本来、左端の裏面電極32上には光電変換素子40が形成されるが、例えば、レーザースクライブまたはメカニカルスクラブにより、光電変換素子40を取り除いて、裏面電極32を表出させている。第2の導電部材44は、第1の導電部材42と同様の構成のものであり、例えば、銅リボン44aがインジウム銅合金の被覆材44bで被覆されたものである。第1の導電部材42と第2の導電部材44とは、錫メッキ銅リボンでもよい。また、第1の導電部材42および第2の導電部材44、それぞれの接続も超音波半田に限定されるものではなく、例えば、導電性接着剤、導電性テープを用いて接続してもよい。なお、本実施形態の光電変換素子40の光電変換層34は、例えば、CIGSで構成されており、公知のCIGS系の太陽電池の製造方法により製造することができる。また、裏面電極32の分離溝P133、裏面電極32にまで達する溝P237、裏面電極32に達する開口溝P339は、レーザースクライブまたはメカニカルスクライブにより形成することができる。薄膜太陽電池30では、光電変換素子40に、透明電極38側から光が入射されると、この光が透明電極38およびバッファ層36を通過し、光電変換層34で起電力が発生し、例えば、透明電極38から裏面電極32に向かう電流が発生する。なお、図1に示す矢印は、電流の向きを示すものであり、電子の移動方向は、電流の向きとは逆になる。このため、光電変換部48では、図1中、左端の裏面電極32が正極プラス極になり、右端の裏面電極32が負極マイナス極になる。本実施形態において、薄膜太陽電池30で発生した電力を、第1の導電部材42と第2の導電部材44から、薄膜太陽電池30の外部に取り出すことができる。なお、本実施形態において、第1の導電部材42が負極であり、第2の導電部材44が正極である。また、第1の導電部材42と第2の導電部材44とは極性が逆であってもよく、光電変換素子40の構成、薄膜太陽電池30構成等に応じて、適宜変わるものである。また、本実施形態においては、各光電変換素子40を、裏面電極32と透明電極38により基板10の長手方向Lに直列接続されるように形成したが、これに限定されるものではない。例えば、各光電変換素子40が、裏面電極32と透明電極38により幅方向に直列接続されるように、各光電変換素子40を形成してもよい。光電変換素子40において、裏面電極32および透明電極38は、いずれも光電変換層34で発生した電流を取り出すためのものである。裏面電極32および透明電極38は、いずれも導電性材料からなる。光入射側の透明電極38は透光性を有する必要がある。裏面電極32は、例えば、Mo、Cr、またはW、およびこれらを組合わせたものにより構成される。この裏面電極32は、単層構造でもよいし、2層構造等の積層構造でもよい。裏面電極32は、Moで構成することが好ましい。また、裏面電極32の形成方法は、特に制限されるものではなく、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法等の気相成膜法により形成することができる。裏面電極32は、一般的に厚さが800nm程度であるが、裏面電極32は、厚さが200nm~600nmであることが好ましく、200nm~400nmであることがより好ましい。このように裏面電極32の膜厚を一般的なものよりも薄くすることにより、後述するように、光電変換層34へのアルカリ供給層50からのアルカリ金属の拡散速度を上げることができる。しかも、裏面電極32の材料費を削減でき、さらには裏面電極32の形成速度も速くすることができる。透明電極38は、例えば、Al、B、Ga、Sb等が添加されたZnO、ITOインジウム錫酸化物、またはSnO2およびこれらを組合わせたものにより構成される。この透明電極38は、単層構造でもよいし、2層構造等の積層構造でもよい。また、透明電極38の厚さは、特に制限されるものではなく、0.3~1μmが好ましい。また、透明電極38の形成方法は、特に制限されるものではなく、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法等の気相成膜法または塗布法により形成することができる。バッファ層36は、透明電極38の形成時の光電変換層34を保護すること、透明電極38に入射した光を光電変換層34まで透過させるために形成されている。このバッファ層36は、例えば、CdS、ZnS、ZnO、ZnMgO、またはZnSO、OHおよびこれらの組合わせたものにより構成される。バッファ層36は、その厚さが、30~100nmが好ましい。また、このバッファ層36は、例えば、CBDケミカルバス法により形成される。光電変換層34は、透明電極38およびバッファ層36を通過して到達した光を吸収して電流が発生する層であり、光電変換機能を有する。本実施形態において、光電変換層34の構成は、特に制限されるものではなく、例えば、少なくとも1種のカルコパイライト構造の化合物半導体で構成される。また、光電変換層34は、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とからなる少なくとも1種の化合物半導体であってもよい。さらに光吸収率が高く、高い光電変換効率が得られることから、光電変換層34は、CuおよびAgからなる群より選択された少なくとも1種のIb族元素と、Al、GaおよびInからなる群より選択された少なくとも1種のIIIb族元素と、S、SeおよびTeからなる群から選択された少なくとも1種のVIb族元素とからなる少なくとも1種の化合物半導体であることが好ましい。この化合物半導体としては、CuAlS2、CuGaS2、CuInS2、CuAlSe2、CuGaSe2、CuInSe2CIS、AgAlS2、AgGaS2、AgInS2、AgAlSe2、AgGaSe2、AgInSe2、AgAlTe2、AgGaTe2、AgInTe2、CuIn1-xGaxSe2CIGS、CuIn1-xAlxSe2、CuIn1-xGaxS、Se2、AgIn1-xGaxSe2、およびAgIn1-xGaxS、Se2等が挙げられる。光電変換層34は、CuInSe2CIS、および/又はこれにGaを固溶したCuIn、GaSe2CIGSを含むことが特に好ましい。CISおよびCIGSはカルコパイライト結晶構造を有する半導体であり、光吸収率が高く、高い光電変換効率が報告されている。また、光照射等による効率の劣化が少なく、耐久性に優れている。光電変換層34には、所望の半導体導電型を得るための不純物が含まれる。不純物は隣接する層からの拡散、および/又は積極的なドープによって、光電変換層34中に含有させることができる。光電変換層34中において、I-III-VI族半導体の構成元素および/又は不純物には濃度分布があってもよく、n型、p型、およびi型等の半導体性の異なる複数の層領域が含まれていても構わない。例えば、CIGS系においては、光電変換層34中のGa量に厚み方向の分布を持たせると、バンドギャップの幅/キャリアの移動度等を制御でき、光電変換効率を高く設計することができる。光電変換層34は、I-III-VI族半導体以外の1種又は2種以上の半導体を含んでいてもよい。I-III-VI族半導体以外の半導体としては、Si等のIVb族元素からなる半導体IV族半導体、GaAs等のIIIb族元素およびVb族元素からなる半導体III-V族半導体、およびCdTe等のIIb族元素およびVIb族元素からなる半導体II-VI族半導体等が挙げられる。光電変換層34には、特性に支障のない限りにおいて、半導体、所望の導電型とするための不純物以外の任意成分が含まれていても構わない。また、光電変換層34中のI-III-VI族半導体の含有量は、特に制限されるものではない。光電変換層34中のI-III-VI族半導体の含有量は、75質量以上が好ましく、95質量以上がより好ましく、99質量以上が特に好ましい。なお、本実施形態においては、光電変換層34が、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とからなる化合物半導体で構成される場合、金属基材12は炭素鋼またはフェライト系ステンレス鋼により構成され、裏面電極32は、モリブデンにより構成されることが好ましい。CIGS層の成膜方法としては、1多源同時蒸着法、2セレン化法、3スパッタ法、4ハイブリッドスパッタ法、および5メカノケミカルプロセス法等が知られている。1多源同時蒸着法としては、3段階法JRTuttleetalMatResSocSympProcVol426p143等と、ECグループの同時蒸着法LStoltetal:Proc13thECPVSEC1451等とが知られている。前者の3段階法は、高真空中で最初にIn、Ga、及びSeを基板温度300°Cで同時蒸着し、次に500~560°Cに昇温してCu及びSeを同時蒸着後、In、Ga、及びSeをさらに同時蒸着する方法である。後者のECグループの同時蒸着法は、蒸着初期にCu過剰CIGS、後半でIn過剰CIGSを蒸着する方法である。CIGS膜の結晶性を向上させるため、上記方法に改良を加えた方法として、aイオン化したGaを使用する方法HMiyazakietalphysstatsolVol2032006p2603等、bクラッキングしたSeを使用する方法第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集2007秋北海道工業大学7P-L-6等、cラジカル化したSeを用いる方法第54回応用物理学会学術講演会講演予稿集2007春青山学院大学29P-ZW-10等、d光励起プロセスを利用した方法第54回応用物理学会学術講演会講演予稿集2007春青山学院大学29P-ZW-14等等が知られている。2セレン化法は2段階法とも呼ばれ、最初にCu層/In層またはCu-Ga層/In層等の積層膜の金属プリカーサをスパッタ法、蒸着法、または電着法などで成膜し、これをセレン蒸気またはセレン化水素中で450~550°C程度に加熱することにより、熱拡散反応によってCuIn1-xGaxSe2等のセレン化合物を生成する方法である。この方法を気相セレン化法と呼ぶ。このほか、金属プリカーサ膜の上に固相セレンを堆積し、この固相セレンをセレン源とした固相拡散反応によりセレン化させる固相セレン化法がある。セレン化法においては、セレン化の際に生ずる急激な体積膨張を回避するために、金属プリカーサ膜に予めセレンをある割合で混合しておく方法TNakadaetalSolarEnergyMaterialsandSolarCells35204214等、及び金属薄層間にセレンを挟み例えば、Cu層/In層/Se層...Cu層/In層/Se層と積層する多層化プリカーサ膜を形成する方法TNakadaetalProcof10thEuropeanPhotovoltaicSolarEnergyConference887890等が知られている。また、グレーデッドバンドギャップCIGS膜の成膜方法として、最初にCu-Ga合金膜を堆積し、その上にIn膜を堆積し、これをセレン化する際に、自然熱拡散を利用してGa濃度を膜厚方向で傾斜させる方法があるKKushiyaetalTechDigest9thPhotovoltaicScienceandEngineeringConfMiyazaki1996p149等。3スパッタ法としては、CuInSe2多結晶をターゲットとした方法、Cu2SeとIn2Se3をターゲットとし、スパッタガスにH2Se/Ar混合ガスを用いる2源スパッタ法JHErmeretalProc18thIEEEPhotovoltaicSpecialistsConf16551658等、およびCuターゲットと、Inターゲットと、SeまたはCuSeターゲットとをArガス中でスパッタする3源スパッタ法TNakadaetalJpnJApplPhys32L1169L1172等が知られている。4ハイブリッドスパッタ法としては、前述のスパッタ法において、CuとIn金属は直流スパッタで、Seのみは蒸着とするハイブリッドスパッタ法TNakadaetalJpnApplPhys3447154721等が知られている。5メカノケミカルプロセス法は、CIGSの組成に応じた原料を遊星ボールミルの容器に入れ、機械的なエネルギーによって原料を混合してCIGS粉末を得、その後、スクリーン印刷によって基板上に塗布し、アニールを施して、CIGSの膜を得る方法であるTWadaetalPhysstatsolVol2032006p2593等。その他のCIGS成膜法としては、スクリーン印刷法、近接昇華法、MOCVD法、及びスプレー法ウェット成膜法などが挙げられる。例えば、スクリーン印刷法ウェット成膜法またはスプレー法ウェット成膜法等で、Ib族元素、IIIb族元素、及びVIb族元素を含む微粒子膜を基板上に形成し、熱分解処理この際、VIb族元素雰囲気での熱分解処理でもよいを実施するなどにより、所望の組成の結晶を得ることができる特開平9-74065号公報、特開平9-74213号公報等。また、本実施形態においては、金属基材12と光電変換層34との線熱膨張係数の差は、3×10-6/°C未満であることが好ましい。光電変換層34として用いられる主たる化合物半導体の線熱膨張係数は、III-V族系の代表であるGaAsで5.8×10-6/°C、II-VI族系の代表であるCdTeで4.5×10-6/°C、I-III-VI族系の代表であるCuInGaSe2で10×10-6/°Cである。基板10上に光電変換層34として、化合物半導体を500°C以上の高温で成膜した後に室温にまで冷却する際、金属基材12との熱膨張差が大きいと、剥離等の成膜不良が生じる。また、金属基材12との熱膨張差に起因する化合物半導体内の強い内部応力により、光電変換層34の光電変換効率が低下する可能性がある。金属基材12と光電変換層34化合物半導体の線熱膨張係数の差が3×10-6/°C未満であると、剥離等の成膜不良が生じにくくなり、好ましい。より好ましくは、線熱膨張係数の差は、1×10-6/°C未満である。ここで、熱膨張係数、および熱膨張係数の差は、いずれも室温23°Cの値である。アルカリ供給層50は、光電変換層34CIGS層にアルカリ金属イオン、例えば、NaNaを拡散させるために、光電変換層34の成膜時に、例えば、アルカリ金属を供給するためのものである。アルカリ供給層50は、酸化ケイ素を主成分とし、かつナトリウム化合物を含む化合物により構成されるものである。アルカリ供給層50において、ナトリウム化合物例えば、酸化物:Na2Oとして含有量濃度は、主成分が酸化ケイ素で、かつナトリウム化合物を含む化合物の総量に対して、Na2O換算で10~30Na換算では7~20at.である。このナトリウム化合物の含有量濃度は、アルカリ供給層50が形成された時点の含有量であってもよいし、光電変換素子40が形成された時点の含有量であってもよい。なお、アルカリ供給層50のナトリウム化合物の含有量は、上述のNa2O換算で15~25Na換算では10~16at.であることが好ましい。アルカリ供給層50は、Naが化学的に安定でハンドリングが容易な化合物が得られやすいこと、加熱によってアルカリ供給層50から放出されやすいこと、および光電変換層34の結晶性向上効果が高いことから、ナトリウム化合物を含むものである。アルカリ供給層50は、Na2O換算での含有量が10~30Na換算では7~20at.であれば、その組成は、特に限定されるものではなく、例えば、1種又は2種以上のアルカリ金属及び/又はアルカリ土類金属を含むものであってもよい。アルカリ供給層50は、ナトリウム化合物を含み、酸化ケイ素を主成分とする化合物からなる絶縁性材料により構成される。このアルカリ供給層50は単層構造でもよいし、組成の異なるものが積層された複数層構造でもよい。本発明において、アルカリ供給層50は、Na2O換算での含有量が10Na換算で7at.未満では、光電変換層34に拡散するアルカリ金属の量が少なく、変換効率が悪い。また、光電変換層34に拡散するアルカリ金属の量が少ない場合、十分にアルカリ金属をアルカリ供給層50に供給するためには厚くする必要がある。アルカリ供給層50を厚くした場合、剥離の起点となる可能性があるため、厚くすることができない。一方、アルカリ供給層50は、Na2O換算での含有量が30Na換算で20at.を超えるものについては、スパッタ法を用いてアルカリ供給層50の形成に用いられるターゲットに組成ムラが生じる等、ターゲットの製作が困難になる。本実施形態において、アルカリ供給層50は、例えば、ナトリウム化合物を含むケイ酸塩ガラスにより構成することができる。アルカリ供給層50が、ナトリウム化合物を含むケイ酸塩ガラス化合物の場合には、ケイ酸塩ガラスの全体総量に対するナトリウム化合物の含有量がNa2O換算で10~30である。具体的には、アルカリ供給層50として、例えば、下記表1に示すように、ナトリウム化合物としてナトリウム酸化物Na2Oが含有されているソーダライムガラスを用いることができる。この場合、ナトリウム化合物の含有量とは、下記表1に示すソーダライムガラスにおけるナトリウム酸化物Na2Oの含有量のことである。下記表1に示すソーダライムガラスは、Na2Oの含有量が15である。すなわち、ナトリウム化合物の含有量がNa2O換算で15Na換算では10at.である。なお、ソーダライムガラスは、青板ガラス、またはソーダ石灰シリカガラスともいう。なお、上記表1に示すソーダライムガラスにおいては、ナトリウム酸化物Na2Oの含有量が増減するとNa2Oの量が増減し、それに伴い、SiO2等の量が減増する。また、アルカリ供給層50として、ソーダライムガラス層を形成する場合、例えば、ソーダライムガラスを蒸着源とするRFスパッタ法及び蒸着法等のPVD法物理気相成長法を用いることができる。また、アルカリ供給層50の膜厚が厚いと剥離しやすくなるため、アルカリ供給層50の厚さは、50~200nmが好ましい。本実施形態においては、アルカリ供給層50のナトリウム化合物の含有量濃度が、Na2O換算で10~30Na換算では7~20at.であるため、アルカリ供給層50の膜厚が50~200nmと薄くても光電変換層34に変換効率を向上させるに十分なアルカリ金属を供給することができる。このように本発明では、アルカリ供給層50の厚さを薄くできるので、アルカリ供給層50が剥離の起点となるのを防止することができるし、アルカリ供給層50などの成膜時間を短縮することができ、太陽電池の生産性を向上させることができる。特に、ナトリウム化合物の含有量が多い程、上述の光電変換層34に変換効率を向上させること、およびアルカリ供給層50などの成膜時間を短縮できるという効果が得られやすい。このため、アルカリ供給層50におけるナトリウム化合物の含有量は、Na2O換算で30Na換算では20at.の上限値に近いことが好ましい。また、本発明では、アルカリ供給層50から光電変換層34へのNaなどのナトリウムの拡散量をアルカリ供給層50の膜厚によって良好かつ適切に制御することができる。次に、本実施形態の薄膜太陽電池30の製造方法について説明する。まず、上述のようにして形成された基板10を用意する。次に、基板10の絶縁層16の表面16aに、アルカリ供給層50として、例えば、ナトリウム化合物の含有量がNa2O換算で10~30のソーダライムガラス層を、成膜装置を用いてRFスパッタ法により形成する。次に、アルカリ供給層50の表面50aに裏面電極32となるモリブデン膜を、例えば、成膜装置を用いて、スパッタ法により形成する。次に、モリブデン膜を、例えば、レーザースクライブ法を用いて第1の位置をスクライブして、基板10の幅方向に伸びた分離溝P133を形成する。これにより、分離溝P133により互いに分離された裏面電極32が形成される。次に、裏面電極32を覆い、かつ分離溝P133を埋めるように、光電変換層34p型半導体層となる、例えば、CIGS層を上述のいずれかの成膜方法により、成膜装置を用いて形成する。次に、CIGS層上にバッファ層36となるCdS層n型半導体層を、例えば、CBDケミカルバス法により形成する。これにより、pn接合半導体層が構成される。次に、レーザースクライブ法を用いて分離溝P133の第1の位置とは異なる第2の位置をスクライブして、基板10の幅方向に伸びた、裏面電極32にまで達する溝P237を形成する。次に、バッファ層36上に、溝P237を埋めるように、透明電極38となる、例えば、Al、B、Ga、Sb等が添加されたZnO層を、成膜装置を用いて、スパッタ法または塗布法により形成する。次に、レーザースクライブ法を用いて分離溝P133の第1の位置および溝P237の第2の位置とは異なる第3の位置をスクライブして、基板10の幅方向に伸びた、裏面電極32にまで達する開口溝P339を形成する。こうして、基板10、およびアルカリ供給層50の積層体上に、複数の発電セル54を形成し、発電層56を形成する。次に、基板10の長手方向Lにおける左右側の端の裏面電極32上に形成された各光電変換素子40を、例えば、レーザースクライブまたはメカニカルスクラブにより取り除いて、裏面電極32を表出させる。次に、右側の端の裏面電極32上に第1の導電部材42を、左側の端の裏面電極32上に第2の導電部材44を、例えば、超音波半田を用いて接続する。これにより、図1に示すように、複数の光電変換素子40が直列に接続された薄膜太陽電池30を製造することができる。次いで、得られた薄膜太陽電池30の表面側に封止接着層図示せず、水蒸気バリア層図示せずおよび表面保護層図示せずを配置し、薄膜太陽電池30の裏面側、すなわち、基板10の裏面側に封止接着層図示せずおよびバックシート図示せずを配置して、例えば、真空ラミネート法によりラミネート加工してこれらを一体化する。これにより、薄膜太陽電池モジュールを得ることができる。本実施形態においては、ナトリウム化合物の含有量がNa2O換算で10~30Na換算で7~20at.のアルカリ供給層50を設けることにより、光電変換層34CIGS層へのアルカリ金属の供給量を精密かつ再現性良く制御できる。これにより、光電変換素子40の変換効率を高めることができるとともに、光電変換素子40を歩留まりよく製造することができる。また、本実施形態においては、上述のように基板10を、金属基材12とAl基材14とが積層されて一体化された金属基板15およびこの金属基板15のAl基材14の表面14aに形成された絶縁層16を備える絶縁層付基板とすることにより、例えば、温度500°C以上の成膜工程を経ても高い絶縁性および高い強度を維持することができ、温度が500°C以上の高温での製造工程が可能である。このため、500°C以上で光電変換層として化合物半導体を形成することができる。光電変換層を構成する化合物半導体は、高温で形成した方が、光電変換特性を向上させることができるため、これによっても、光電変換特性を向上させた光電変換層34を有する光電変換素子40を製造することができる。しかも、温度が500°C以上の高温での製造工程が可能であるため、製造時のハンドリング等に制限をなくすことが可能となる。このように、基板10は耐熱性に優れるため、耐久性および保存寿命に優れた薄膜太陽電池30を得ることができる。このため、太陽電池サブモジュールや薄膜太陽電池モジュールについても耐久性および保存寿命が優れる。また、本実施形態においては、基板10は、ロールツーロール方式で製造されるものであり、可撓性を有する。このため、光電変換素子40、薄膜太陽電池30も、例えば、基板10を長手方向Lに搬送しつつ、ロールツーロール方式で製造することができる。このように、薄膜太陽電池30を安価なロールツーロール方式で製造することができるため、薄膜太陽電池30の製造コスト低くすることができる。これにより、太陽電池サブモジュールや薄膜太陽電池モジュールのコストを低くすることができる。次に、本発明の第2の実施形態について説明する。図3は、本発明の第2の実施形態に係る薄膜太陽電池を構成する薄膜太陽電池サブモジュールを示す模式的断面図である。なお、本実施形態において、図2aに示す基板10および図1に示す第1の実施形態の薄膜太陽電池30と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。本実施形態の薄膜太陽電池30aは、第1の実施形態の薄膜太陽電池30に比して、アルカリ供給層50が絶縁層16の表面16aに形成されているのではなく、絶縁層16の表面16aに形成された拡散防止層52の表面52aにアルカリ供給層50が形成されている点が異なり、それ以外の構成は、第1の実施形態の薄膜太陽電池30と同様である。本実施形態においては、拡散防止層52がアルカリ供給層50と絶縁層16との間に形成されている。なお、本実施形態においても、1つの発電セル54と、これに対応する基板10、拡散防止層52およびアルカリ供給層50の各部分からなるものを光電変換素子40と呼ぶが、図3に示す薄膜太陽電池30a自体を光電変換素子と呼んでもよい。本実施形態においても、図2bに示す基板10aを用いてよいことはもちろんである。本実施形態の拡散防止層52は、アルカリ供給層50に含まれるアルカリ金属が基板10に拡散するのを防止するとともに、光電変換層34へのアルカリ金属の拡散量を増加させるためのものである。拡散防止層52は、例えば、窒化物で構成することができ、更には絶縁体であることが好ましい。具体的には、拡散防止層52としては、窒化物である場合、TiN9.4×10-6/°C、ZrN7.2×10-6/°C、BN6.4×10-6/°C、AlN5.7×10-6/°Cを用いることができる。このうち、拡散防止層52は、基板10の絶縁層16、アルミニウム陽極酸化膜との熱膨張係数差が小さい材料であることが好ましいことから、ZrN、BN、AlNが好ましい。これらのうち、絶縁体は、BN、AlNであり、これらが、拡散防止層52としては、より好ましい。さらに、アルミニウム陽極酸化膜との熱膨張係数差が最も小さいAlNが最も好ましい。このように、拡散防止層52と基板10や光電変換層34との熱膨張係数を揃えることができ、その結果、拡散防止層52と基板10や光電変換層34との密着性を確保することができ、また、向上させることができ、基板10と光電変換層34との剥離を防ぐこともできる。また、拡散防止層52は、酸化物で構成してもよい。この場合、酸化物としては、TiO29.0×10-6/°C、ZrO27.6×10-6/°C、HfO26.5×10-6/°C、Al2O38.4×10-6/°Cを用いることができる。拡散防止層52は、酸化物で構成した場合でも、更には絶縁体であることが好ましい。ここで、酸化物膜は膜中にNaを含有することにより、基板10へのNaの拡散を防止するが、窒化物膜は膜中にNa等のアルカリ金属を含有しにくく、窒化物膜内への拡散を妨げることにより、アルカリ供給層50よりも上層の光電変換層34CIGS層へのNaの拡散を促していると考えられる。このことから、拡散防止層52としては、窒化物の拡散防止層の方が酸化物の拡散防止層よりも光電変換層34CIGS層中へのアルカリ金属を拡散させる効果が得られる。このため、窒化物の拡散防止層の方がより好ましい。拡散防止層52は、厚さが厚い方が、基板10への拡散防止機能と、光電変換層34へのアルカリ金属の拡散量を増加させる機能が高まるため好ましい。しかしながら、膜厚が厚い場合、剥離の起点になることから、拡散防止層52は、厚さが10nm~200nmであることが好ましく、より好ましくは10~100nmである。上述したように、拡散防止層52が絶縁体で構成されている場合には、基板10の絶縁層16に加え、更に基板10の絶縁性耐電圧特性および耐熱特性を更に向上させることができ、耐電圧特性の高い光電変換素子40及び太陽電池30を得ることができる。本実施形態の薄膜太陽電池30aは、第1の実施形態の薄膜太陽電池30と比して、絶縁層16の表面16aに、例えば、成膜装置を用いてスパッタ法により、TiN膜、ZrN膜、BN膜またはAlN膜を、拡散防止層52として形成する以外は、第1の実施形態の薄膜太陽電池30の製造方法と同様であるため、その詳細な説明は省略する。本実施形態においても、図3に示すように、複数の光電変換素子40が電気的に直列に接続された薄膜太陽電池30aを製造することができる。次いで、得られた薄膜太陽電池30aの表面側に封止接着層図示せず、水蒸気バリア層図示せずおよび表面保護層図示せずを配置し、薄膜太陽電池30aの裏面側、すなわち、基板10の裏面側に封止接着層図示せずおよびバックシート図示せずを配置して、例えば、真空ラミネート法によりラミネート加工してこれらを一体化する。これにより、薄膜太陽電池モジュールを得ることができる。なお、本実施形態においては、拡散防止層52を設けただけであるため、第1の実施形態の薄膜太陽電池30と同様の効果を得ることができる。さらには、拡散防止層52を設けることにより、光電変換層34へのアルカリ金属の拡散量を増加させることができるため、より変換効率の良い光電変換素子40を得ることができる。また、拡散防止層52を設けることにより、アルカリ供給層50の厚さを薄くしても、第1の薄膜太陽電池30と同程度の変換効率の良い光電変換素子40を得ることができる。このように、アルカリ供給層50の厚さを薄くすることができるため、アルカリ供給層50を速くつくることができ、光電変換素子40の製造レートを高めることができる。また、アルカリ供給層50が剥離の起点となることも抑制することができる。さらに、本実施形態においては、絶縁層16が形成されており、更に拡散防止層52を絶縁体で構成することにより、基板10の絶縁性耐電圧特性を更に向上させることができる。しかも、上述のように、基板10は耐熱性に優れる。これにより、耐久性および保存寿命がより優れた薄膜太陽電池30aとすることができる。このため、太陽電池サブモジュールや薄膜太陽電池モジュールについても耐久性および保存寿命が更に優れる。本発明は、基本的に以上のようなものである。以上、本発明の光電変換素子、薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更をしてもよいのはもちろんである。以下、本発明の光電変換素子の実施例について具体的に説明する。本実施例では、以下に示す実施例1~9、比較例1を作製し、光電変換層のナトリウム化合物の含有量、および光電変換素子の変換効率について検討した。実施例1市販のフェライト系ステンレス鋼材材質SUS430と、純度が4Nの高純度のアルミニウム材以下、Al材というとを用いて、冷間圧延法により加圧接合、減厚することにより、フェライト系ステンレス鋼材の厚さが50μm、Al材の厚さが30μmの3層のクラッド材を形成し、金属基板を得た。この金属基板の構成は、Al材30μm/フェライト系ステンレス鋼材50μm/Al材30μmである。この金属基板に対して、金属基板のステンレス鋼面と端面をマスキングフィルムで被覆した。その後、エタノールを用いて超音波洗浄し、酢酸過塩素酸溶液を用いて電解研磨した後、80g/Lシュウ酸溶液中で40Vの定電圧電解することにより、絶縁層として厚さが10μmの陽極酸化膜をAl材の表面に形成した。陽極酸化処理後のAl材の厚さは15μmであった。以上の工程により、陽極酸化膜10μm/Al材15μm/フェライト系ステンレス鋼材50μm/Al材15μm/陽極酸化膜10μmという構造の絶縁層付基板を得た。次に、この絶縁層付基板の片面にアルカリ供給層Na供給源として、青板ガラスSLGを200nmの厚さにRFスパッタリング法により成膜した。この青板ガラスのナトリウム酸化物ナトリウム化合物の含有量はNa2O換算で10Na換算では7at.である。なお、表2ではNa換算値を示す。アルカリ供給層上に、裏面電極として、Moを800nmの厚さにDCスパッタ法により形成した。次に、光電変換層半導体層として、裏面電極上に、基板温度を550°Cとして、CuIn0.7Ga0.3Se2を成膜した。CuIn0.7Ga0.3Se2は、KセルknudsenCell:クヌーセンセルを蒸発源として用いた蒸発法を用いて、2μmの厚さに形成した。次に、光電変換層CIGS層の表面にCdSバッファ層を、50nmの厚さにCBD法化学析出法により成膜した。次いで、CdSバッファ層の表面にZnO層を、50nmの厚さにスパッタ法により形成した。さらに、透明電極層としてAl-ZnO層を、300nmの厚さにスパッタ法により形成した。最後に、Al-ZnO層の表面に、取出し電極として、Al層を蒸着法により形成した。これを実施例1とした。実施例2実施例1と同じ絶縁層付金属基板を用い、この絶縁層付金属基板の片面にアルカリ供給層Na供給源として、青板ガラスを200nmの厚さにRFスパッタリング法により成膜した。この青板ガラスのナトリウム酸化物の含有量はNa2O換算で15Na換算では10at.である。なお、表2ではNa換算値を示す。次に、アルカリ供給層上に、裏面電極として、Moを800nmの厚さにDCスパッタ法により形成した。この裏面電極上に、光電変換層CIGS層、CdSバッファ層、ZnO層、Al-ZnO層および取出し電極の順で、上述の実施例1と同様にして、形成した。これを実施例2とした。実施例3実施例1と同じ絶縁層付金属基板を用い、この絶縁層付金属基板の片面にアルカリ供給層Na供給源として、青板ガラスを200nmの厚さにRFスパッタリング法により成膜した。この青板ガラスのナトリウム酸化物の含有量はNa2O換算で20Na換算では14at.である。なお、表2ではNa換算値を示す。次に、アルカリ供給層上に、裏面電極として、Moを800nmの厚さにDCスパッタ法により形成した。この裏面電極上に、光電変換層CIGS層、CdSバッファ層、ZnO層、Al-ZnO層および取出し電極の順で、上述の実施例1と同様にして、形成した。これを実施例3とした。実施例4実施例1と同じ絶縁層付金属基板を用い、この絶縁層付金属基板の片面にアルカリ供給層Na供給源として、青板ガラスを100nmの厚さにRFスパッタリング法により成膜した。この青板ガラスのナトリウム酸化物の含有量はNa2O換算で20Na換算では14at.である。なお、表2ではNa換算値を示す。次に、アルカリ供給層上に、裏面電極として、Moを800nmの厚さにDCスパッタ法により形成した。この裏面電極上に、光電変換層CIGS層、CdSバッファ層、ZnO層、Al-ZnO層および取出し電極の順で、上述の実施例1と同様にして、形成した。これを実施例4とした。実施例5実施例1と同じ絶縁層付金属基板を用い、この絶縁層付金属基板の片面にアルカリ供給層Na供給源として、青板ガラスを200nmの厚さにRFスパッタリング法により成膜した。この青板ガラスのナトリウム酸化物の含有量はNa2O換算で20Na換算では14at.である。なお、表2ではNa換算値を示す。次に、アルカリ供給層上に、裏面電極として、Moを400nmの厚さにDCスパッタ法により形成した。この裏面電極上に、光電変換層CIGS層、CdSバッファ層、ZnO層、Al-ZnO層および取出し電極の順で、上述の実施例1と同様にして、形成した。これを実施例5とした。実施例6実施例1と同じ絶縁層付金属基板を用い、この絶縁層付金属基板の片面に、拡散防止層として、窒化アルミニウムAlNを100nmの厚さに反応性スパッタリング法により成膜した。次に、拡散防止層上にアルカリ供給層Na供給源として、青板ガラスを200nmの厚さにRFスパッタリング法により成膜した。この青板ガラスのナトリウム酸化物の含有量はNa2O換算で15Na換算では10at.である。なお、表2ではNa換算値を示す。次に、アルカリ供給層上に、裏面電極として、Moを800nmの厚さにDCスパッタ法により形成した。この裏面電極上に、光電変換層CIGS層、CdSバッファ層、ZnO層、Al-ZnO層および取出し電極の順で、上述の実施例1と同様にして、形成した。これを実施例6とした。実施例7実施例1と同じ絶縁層付金属基板を用い、この絶縁層付金属基板の片面に、拡散防止層として、窒化チタンTiNを100nmの厚さに反応性スパッタリング法により成膜した。次に、拡散防止層上にアルカリ供給層Na供給源として、青板ガラスを200nmの厚さにRFスパッタリング法により成膜した。この青板ガラスのナトリウム酸化物の含有量はNa2O換算で15Na換算では10at.である。なお、表2ではNa換算値を示す。次に、アルカリ供給層上に、裏面電極として、Moを800nmの厚さにDCスパッタ法により形成した。この裏面電極上に、光電変換層CIGS層、CdSバッファ層、ZnO層、Al-ZnO層および取出し電極の順で、上述の実施例1と同様にして、形成した。これを実施例7とした。実施例8実施例1と同じ絶縁層付金属基板を用い、この絶縁層付金属基板の片面にアルカリ供給層Na供給源として、青板ガラスを200nmの厚さにRFスパッタリング法により成膜した。この青板ガラスのナトリウム酸化物の含有量はNa2O換算で25Na換算では16at.である。なお、表2ではNa換算値を示す。次に、アルカリ供給層上に、裏面電極として、Moを800nmの厚さにDCスパッタ法により形成した。この裏面電極上に、光電変換層CIGS層、CdSバッファ層、ZnO層、Al-ZnO層および取出し電極の順で、上述の実施例1と同様にして、形成した。これを実施例8とした。実施例9実施例1と同じ絶縁層付金属基板を用い、この絶縁層付金属基板の片面にアルカリ供給層Na供給源として、青板ガラスを200nmの厚さにRFスパッタリング法により成膜した。この青板ガラスのナトリウム酸化物の含有量はNa2O換算で30Na換算では20at.である。なお、表2ではNa換算値を示す。次に、アルカリ供給層上に、裏面電極として、Moを800nmの厚さにDCスパッタ法により形成した。この裏面電極上に、光電変換層CIGS層、CdSバッファ層、ZnO層、Al-ZnO層および取出し電極の順で、上述の実施例1と同様にして、形成した。これを実施例9とした。実施例10実施例1と同じ絶縁層付金属基板を用い、この絶縁層付金属基板の片面に、拡散防止層として、酸化アルミニウムAl2O3を100nmの厚さに反応性スパッタリング法により成膜した。次に、拡散防止層上にアルカリ供給層Na供給源として、青板ガラスを200nmの厚さにRFスパッタリング法により成膜した。この青板ガラスのナトリウム酸化物の含有量はNa2O換算で15Na換算では10at.である。なお、表2ではNa換算値を示す。次に、アルカリ供給層上に、裏面電極として、Moを800nmの厚さにDCスパッタ法により形成した。この裏面電極上に、光電変換層CIGS層、CdSバッファ層、ZnO層、Al-ZnO層および取出し電極の順で、上述の実施例1と同様にして、形成した。これを実施例10とした。比較例1実施例1と同じ絶縁層付金属基板を用い、この絶縁層付金属基板の片面にアルカリ供給層Na供給源として、青板ガラスを200nmの厚さにRFスパッタリング法により成膜した。この青板ガラスのナトリウム酸化物の含有量はNa2O換算で5Na換算では3at.である。なお、表2ではNa換算値を示す。次に、アルカリ供給層上に、裏面電極として、Moを800nmの厚さにDCスパッタ法により形成した。この裏面電極上に、光電変換層CIGS層、CdSバッファ層、ZnO層、Al-ZnO層および取出し電極の順で、上述の実施例1と同様にして、形成した。これを比較例1とした。以上の実施例1~9、比較例1の光電変換素子についての拡散防止層の有無、拡散防止層の構成、アルカリ供給層の構成、裏面電極の構成を下記表2に示す。本実施例では、実施例1~9、比較例1の光電変換素子について、光電変換層CIGS層のNa濃度アルカリ含有量を測定した。このNa濃度の測定は、SIMS二次イオン質量分析計を用いた、測定のための一次イオン種はO2とし、加速電圧は6.0kVとした。光電変換層CIGS層中のNa濃度は厚さ方向に分布を持つが積分し平均値を導出し、この平均値をNa濃度の評価に用いた。その結果を下記表2に示す。また、実施例1~9、比較例1の光電変換素子について光電変換効率を評価した。作製した光電変換素子について、AirMassAM=1.5、100mW/cm2の擬似太陽光を用いて光電変換効率を評価した。実施例1~9、比較例1の光電変換素子について、それぞれ、8個のサンプルを作製した。各実施例1~9、比較例1の各光電変換素子について上記条件で光電変換効率を測定し、その中での最高値に対して80以上の光電変換効率であった光電変換素子のサンプルを合格品とし、それ以外のものを不合格品とした。合格品の平均値を各実施例1~9、比較例1の光電変換素子の変換効率とした。その結果を下記表2に示す。上記表2に示すように、実施例1~3と比較例1を比べると、アルカリ供給層の厚さが同じ場合にはアルカリ供給層に含まれるNa濃度が高い方がCIGS層中のNa濃度が高くなる。また、それに伴い変換効率が改善される。また、実施例3、実施例4を比べると、アルカリ供給層に含まれるNa濃度が同じ場合、アルカリ供給層の厚さが厚いほうが、CIGS層のNaの濃度が高くなる、すなわち、CIGS層に含まれるNa量が多くなる。また、実施例3、実施例5を比べると、アルカリ供給層に含まれるNa濃度と、アルカリ供給層の厚さが同じ場合、裏面電極であるMo膜の膜厚が薄いほうがCIGSにNaが拡散しやすく、CIGS層のNaの濃度が高くなる、すなわち、CIGS層に含まれるNa量が多くなる。また、実施例2、実施例6、実施例7を比べてみると、拡散防止層が存在する方がCIGS層のNaの濃度が高くなる、すなわち、CIGS層に含まれるNa量が多くなる。また、実施例6、実施例7の比較から、窒化物の拡散防止層であれば拡散防止層の効果としては、大差がない。また、ここから拡散防止層が存在すれば、アルカリ供給層SLG層中のNa濃度が低くても、また、アルカリ供給層の厚さが薄くてもCIGS層中に多くのNaを供給することができる。また、実施例6、実施例7、実施例10を比べてみると、拡散防止層は、酸化物よりも窒化物の方がCIGS層中に多くのNaを供給することができ、それに伴い変換効率が改善される。また、実施例8、9においては、アルカリ供給層SLG層の厚さが200nmと厚いため、ナトリウム酸化物の含有量がNa換算で16at.でも20at.Na2O換算で25でも30でも、CIGS層に十分なNa量が供給される。このため、変換効率は、他のNa濃度よりも向上するものの、ナトリウム酸化物の含有量がNa換算で16at.Na2O換算で25以上では、特にこれ以上、効率向上には寄与しない。以下、本発明の光電変換素子の実施例について具体的に説明する。本実施例では、以下に示す実施例11~38、比較例10~14を作製し、光電変換層のナトリウム化合物の含有量、および光電変換素子の変換効率について検討した。なお、実施例11~38および比較例10~14以外にも、さらにこれらの比較のために、非特許文献1に開示されたものを比較例15~19とした。実施例11市販のフェライト系ステンレス鋼材材質:SUS43012と、アルミ純度が4Nの高純度のアルミニウム材以下、Al材という14とを用いて、冷間圧延法により加圧接合、減厚することにより、フェライト系ステンレス鋼材の厚さが100μm、Al材の厚さが30μmの3層のクラッド材を形成し、金属基板15を得た。この金属基板15の構成は、Al材30μm/フェライト系ステンレス鋼材100μm/Al材30μmである。この金属基板15に対して、金属基板15のステンレス鋼面と端面をマスキングフィルムで被覆した。その後、エタノールを用いて超音波洗浄し、酢酸過塩素酸溶液を用いて電解研磨した後、1Mマロン酸溶液中で、電圧80V、温度80°Cで定電圧電解することにより、絶縁層16として厚さが10μmの陽極酸化膜をAl材14の表面に形成した。陽極酸化処理後のAl材14の厚さは15μmであった。以上の工程により、陽極酸化膜10μm/Al材15μm/フェライト系ステンレス鋼材100μm/Al材15μm/陽極酸化膜10μmという構造の絶縁層付基板10を得た。次に、絶縁層付基板の片面にアルカリ供給層50Na供給源として、青板ガラスSLGを50nmの厚さにRFスパッタリング法により成膜し、青板ガラス層以下、SLG層というを得た。このSLG層のナトリウム酸化物ナトリウム化合物の含有量はNa2O換算での含有量が10Na換算で7at.である。さらに、アルカリ供給層50上に、裏面電極32として、Mo膜を400nmの厚さにDCスパッタ法により形成した。次に、Kセルを蒸着源として用いた蒸着法を用いて、基板温度を520°Cとし、裏面電極32上に光電変換層34としてCuIn0.7Ga0.3Se2を2μmの厚さに形成した。次に、光電変換層34の表面にCdSバッファ層36を、50nmの厚さにCBD法により成膜した。次いで、CdSバッファ層36上に透明電極層38としてAl-ZnO層を、200nmの厚さにスパッタ法により形成した。最後に、透明電極層38であるAl-ZnO層の表面に、取出し電極として、Al層第1及び第2導電部材42および44を蒸着法により形成し、光電変換素子を得た。こうして得られた光電変換素子を実施例11とした。なお、本実施例では、アルカリ供給層として、SLG層を、RF電源を用いて、ターゲットサイズが直径8インチのソーダライムガラスターゲットを用い、パワー密度が2W/cm2、成膜圧力が1.2PaArO2雰囲気の成膜条件で形成した。この場合、成膜レートは、4nm/分であった。一方、裏面電極32として形成されるMo膜を、パルスDC電源を用いて、ターゲットサイズが直径8インチ、パワー密度が7W/cm2、成膜圧力が0.5PaAr雰囲気の成膜条件で形成した場合、成膜レートは300nm/分である。アルカリ供給層として形成したSLG層は、成膜レートがMo膜の約1/75であった。実施例12~実施例15実施例12~15は、実施例11に比して、SLG層アルカリ供給層の厚さが異なる以外は、上述の実施例11と同様の構成である。実施例12は、SLG層の厚さが100nmであり、実施例13は、SLG層の厚さが150nmであり、実施例14は、SLG層の厚さが200nmであり、実施例15は、SLG層の厚さが250nmである。実施例16~実施例20実施例16は、実施例11に比して、アルカリ供給層のナトリウム酸化物の含有量がNa2O換算で15Na換算では10at.である以外は、上述の実施例11と同様の構成である。実施例17~20は、アルカリ供給層のナトリウム酸化物の含有量がNa2O換算で15Na換算では10at.である点、およびSLG層アルカリ供給層の厚さが異なる点以外は、上述の実施例11と同様の構成である。実施例17は、SLG層の厚さが100nmであり、実施例18は、SLG層の厚さが150nmであり、実施例19は、SLG層の厚さが200nmであり、実施例20は、SLG層の厚さが250nmである。実施例21~23実施例21は、実施例11に比して、絶縁層付金属基板の片面に拡散防止層として、窒化アルミニウムAlNが100nmの厚さに反応性スパッタリング法により成膜され、この拡散防止層上に、厚さが200nmのSLG層アルカリ供給層が形成されている点、およびアルカリ供給層のナトリウム酸化物の含有量がNa2O換算で15Na換算では10at.である点以外は、上述の実施例11と同様の構成である。実施例22は、実施例11に比して、絶縁層付金属基板の片面に拡散防止層として、窒化チタンTiNが100nmの厚さに反応性スパッタリング法により成膜され、この拡散防止層上に、厚さが200nmのSLG層アルカリ供給層が形成されている点、およびアルカリ供給層のナトリウム酸化物の含有量がNa2O換算で15Na換算では10at.である点以外は、上述の実施例11と同様の構成である。実施例23は、実施例11に比して、絶縁層付金属基板の片面に拡散防止層として、酸化アルミニウムAl2O3が100nmの厚さに反応性スパッタリング法により成膜され、この拡散防止層上に、厚さが200nmのSLG層アルカリ供給層が形成されている点、およびアルカリ供給層のナトリウム酸化物の含有量がNa2O換算で15Na換算では10at.である点以外は、上述の実施例11と同様の構成である。実施例24~28実施例24は、実施例11に比して、SLG層アルカリ供給層のナトリウム酸化物の含有量がNa2O換算で20Na換算では14at.である以外は、上述の実施例11と同様の構成である。実施例25~28は、実施例11に比して、SLG層アルカリ供給層のナトリウム酸化物の含有量がNa2O換算で20Na換算では14at.である点、およびSLG層アルカリ供給層の厚さが異なる点以外は、上述の実施例11と同様の構成である。実施例25は、SLG層の厚さが100nmであり、実施例26は、SLG層の厚さが150nmであり、実施例27は、SLG層の厚さが200nmであり、実施例28は、SLG層の厚さが250nmである。実施例29~33実施例29は、実施例11に比して、アルカリ供給層のナトリウム酸化物の含有量がNa2O換算で25Na換算では16at.である以外は、上述の実施例11と同様の構成である。実施例30~33は、実施例11に比して、アルカリ供給層のナトリウム酸化物の含有量がNa2O換算で25Na換算では16at.である点、およびSLG層アルカリ供給層の厚さが異なる点以外は、上述の実施例11と同様の構成である。実施例30は、SLG層の厚さが100nmであり、実施例31は、SLG層の厚さが150nmであり、実施例32は、SLG層の厚さが200nmであり、実施例33は、SLG層の厚さが250nmである。実施例34~38実施例34は、実施例11に比して、SLG層アルカリ供給層のナトリウム酸化物の含有量がNa2O換算で30Na換算では20at.である以外は、上述の実施例11と同様の構成である。実施例35~38は、実施例11に比して、SLG層アルカリ供給層のナトリウム酸化物の含有量がNa2O換算で30Na換算では20at.である点、およびアルカリ供給層の厚さが異なる点以外は、上述の実施例11と同様の構成である。実施例35は、SLG層の厚さが100nmであり、実施例36は、SLG層の厚さが150nmであり、実施例37は、SLG層の厚さが200nmであり、実施例38は、SLG層の厚さが250nmである。比較例10~比較例14比較例10は、実施例11に比して、SLG層アルカリ供給層のナトリウム酸化物の含有量がNa2O換算で5Na換算では3at.である以外は、上述の実施例11と同様の構成である。比較例11~14は、実施例11に比して、SLG層アルカリ供給層のナトリウム酸化物の含有量がNa2O換算で5Na換算では3at.である点、およびSLG層アルカリ供給層の厚さが異なる点以外は、上述の実施例11と同様の構成である。比較例11は、SLG層の厚さが100nmであり、比較例12は、SLG層の厚さが150nmであり、比較例13は、SLG層の厚さが200nmであり、比較例14は、SLG層の厚さが250nmである。比較例15~19比較例15~19は、非特許文献1に開示されたものである。非特許文献1に開示されたものであることを明確にするために、下記表3の比較例15~19の備考の欄には、文献と記している。比較例15においては、厚さが20μmのTi箔基板に用い、このTi箔基板上に、裏面電極として、Moが800nmの厚さにスパッタ法により形成されている。裏面電極上に、光電変換層34として、3段階法を用いてCuIn、GaSe2が形成されている。なお、CuIn、GaSe2の成膜温度は、1段階目が350°Cであり、2段階目、3段階目は550°Cである。比較例16は、比較例15に比して、Ti箔基板上に、アルカリ供給層として、厚さが50nmのSLG層が形成されている以外は、上述の比較例15と同様の構成である。比較例17は、比較例15に比して、Ti箔基板上に厚さが120nmのSLG層が形成されている以外は、上述の比較例15と同様の構成である。比較例18は、比較例15に比して、Ti箔基板上に厚さが150nmのSLG層が形成されている以外は、上述の比較例15と同様の構成である。比較例19は、比較例15に比して、Ti箔基板上に厚さが230nmのSLG層が形成されている以外は、上述の比較例15と同様の構成である。以上の実施例11~38、比較例10~19の光電変換素子についての拡散防止層の有無、拡散防止層の構成、アルカリ供給層の構成、裏面電極の構成を下記表3に示す。なお、表3ではナトリウム酸化物の含有量はNa換算値で示す。本実施例では、実施例11~38、比較例10~14の光電変換素子について、光電変換層CIGS層のNa濃度アルカリ含有量を測定した。このNa濃度の測定は、SIMS二次イオン質量分析計を用いた、測定のための一次イオン種はO2とし、加速電圧は6.0kVとした。光電変換層CIGS層中のNa濃度は厚さ方向に分布を持つが積分し平均値を導出し、この平均値をNa濃度の評価に用いた。その結果を下記表3に示す。また、実施例11~38、比較例10~14の光電変換素子について光電変換効率を評価した。作製した光電変換素子について、AirMassAM=1.5、100mW/cm2の擬似太陽光を用いて光電変換効率を評価した。実施例11~38、比較例10~14の光電変換素子について、それぞれ、8個のサンプルを作製した。各実施例11~38、比較例10~14の各光電変換素子について上記条件で光電変換効率を測定し、その中での最高値に対して80以上の光電変換効率であった光電変換素子のサンプルを合格品とし、それ以外のものを不合格品とした。合格品の平均値を各実施例11~38、比較例10~14の光電変換素子の変換効率とした。その結果を下記表3に示す。実施例11~38、比較例10~14のうち、実施例21~23以外のもの結果を図4に示す。なお、作製した8個の光電変換素子のサンプルのうち、半数以上が不合格品であるものについては、下記表3に※印を付した。また、比較例15~19は、非特許文献1に示されているように、AirMassAM=1.5、100mW/cm2の条件で光電変換効率が測定されている。この比較例20~25の結果も下記表3および図4に示す。ここで、図4において、α1は実施例11~15をプロットしたものであり、α2は実施例16~20をプロットしたものであり、α3は実施例24~28をプロットしたものであり、α4は実施例29~33をプロットしたものであり、α5は実施例34~38をプロットしたものであり、α6は比較例10~14をプロットしたものであり、α7は比較例15~19をプロットしたものである。上記表3に示す実施例11~38および比較例10~14において、CIGS層のNa量が少なく変換効率が10前後のものは、いずれも性能としては大差なく、変換効率が10前後のバラツキは、誤差の範囲に含まれる。上記表3に示すように、実施例11~38と比較例10~14を比べると、アルカリ供給層の厚さが同じ場合には、アルカリ供給層に含まれるNa濃度が高い方がCIGS層中のNa濃度が高くなる傾向にあり、Na濃度が高くなるに伴い変換効率が改善される。また、アルカリ供給層のNa濃度が同じ、一群の実施例11~15図4ではα1、一群の実施例16~20図4ではα2、一群の実施例24~28図4ではα3、一群の実施例29~33図4ではα4、一群の実施例34~38図4ではα5を比べてみると、アルカリ供給層のNa濃度が同じ場合、アルカリ供給層が厚い方が、CIGS層のNaの濃度が高くなる。上記表3および図4に示すように、実施例11~38α1~α5は、ある一定の厚みのNa供給層がないと変換効率の改善の効果が見られない。また、実施例11~38α1~α5の絶縁層付基板陽極酸化基板は、比較例15~19α7の基板よりも必要なアルカリ量が多い、もしくはCIGS層側に拡散しにくい傾向がある。しかしながら、アルカリ供給層のNa濃度が16at.Na換算、かつアルカリ供給層が200nm以上の実施例32、33、およびアルカリ供給層のNa濃度が20at.Na換算、かつアルカリ供給層が100nm以上の実施例35~38のように、アルカリ供給層のNa濃度を高くすると、アルカリ元素と陽極酸化膜との反応による膜変質に起因すると思われる、剥離やクラックのために素子異常が増加すると考えられる。また、アルカリ供給層の厚さが同じで、拡散防止層がある実施例21~23と、拡散防止層がない実施例19とを比べてみると、拡散防止層がある実施例21~23の方が、CIGS層中に多くのNaを供給することができ、それに伴い変換効率が改善される。このことから、拡散防止層が存在すれば、アルカリ供給層中のNa濃度が低くても、アルカリ供給層の厚さが薄くてもCIGS層中に多くのNaを供給することができ、変換効率改善のためのアルカリ供給層を薄くできることは明らかである。このように、成膜レートの低いアルカリ供給層を薄くできるため、生産性を向上させることができる。さらには、拡散防止層により絶縁層付基板側へのアルカリ元素の拡散が抑制されるため、アルカリ元素と陽極酸化膜との反応による膜変質を抑制でき、ひいては膜変質による絶縁層付基板の剥離も抑制することができる。なお、実施例21~23において、拡散防止層が窒化物である実施例21、実施例22は、拡散防止層の効果としては大差がないものの、実施例21、実施例22の方が、拡散防止層が酸化物である実施例23よりもCIGS層中に多くのNaを供給することができる。"