高周波電力により発生させたプラズマによって基板を処理するプラズマ処理装置であって、高周波電力を発生させる高周波電源と、前記高周波電源から高周波電力が供給されてプラズマを生成させるためのプラズマ生成電極と、前記高周波電源と前記プラズマ生成電極との間に介在し、伝送路のインピーダンスと負荷のインピーダンスとを整合させる単一の整合器と、前記整合器と前記プラズマ生成電極との間に介在し、これらの間のインピーダンスを調整するインピーダンス調整回路とを具備し、前記整合器は、プラズマと前記インピーダンス調整回路とを一つの負荷としてインピーダンスの整合をとり、前記インピーダンス調整回路によりインピーダンスを調整することにより、前記整合器の出力インピーダンスがプラズマのインピーダンスよりも高い所定の値に調整されることを特徴とする基板処理装置。前記インピーダンス調整回路は、一つの可変容量を有し、前記可変容量によりインピーダンスを調整することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。前記インピーダンス調整回路は、さらに一つ以上の固定容量を有し、前記固定容量によりインピーダンスの微調整を行うことを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。前記固定容量は、切り替え可能なように設けられ、必要に応じていずれか一つまたは2つ以上選択可能となっていることを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。高周波電力により発生させたプラズマによって基板を処理するプラズマ処理装置であって、高周波電力を発生させる高周波電源と、第1の給電点およびこの第1の給電点と対向する位置に設けられた第2の給電点とを有し、前記高周波電源から前記第1の給電点および前記第2の給電点に高周波電力が供給されてプラズマを生成するプラズマ生成電極と、前記高周波電源と前記プラズマ生成電極との間に介在し、伝送路のインピーダンスと負荷のインピーダンスとを整合させる単一の整合器と、前記整合器と前記第1の給電点との間に介在し、これらの間のインピーダンスを調整する第1のインピーダンス調整回路と、前記整合器と前記第2の給電点との間に介在し、これらの間のインピーダンスを調整する第2のインピーダンス調整回路とを具備し、前記整合器は、プラズマと前記第1および第2のインピーダンス調整回路とを一つの負荷としてインピーダンスの整合をとり、前記第1および第2のインピーダンス調整回路によりインピーダンスを調整することにより、前記整合器の出力インピーダンスがプラズマのインピーダンスよりも高い所定の値に調整されることを特徴とする基板処理装置。高周波電力により発生させたプラズマによって複数の基板を処理するプラズマ処理装置であって、高周波電力を発生させる高周波電源と、前記複数の基板のそれぞれに対応して設けられ、前記高周波電源から高周波電力が供給されてプラズマを生成させるための複数のプラズマ生成電極と、前記高周波電源と前記複数のプラズマ生成電極との間に介在し、伝送路のインピーダンスと負荷のインピーダンスとを整合させる単一の整合器と、前記整合器と前記複数のプラズマ生成電極のそれぞれとの間に設けられ、これらの間のインピーダンスを調整する複数のインピーダンス調整回路とを具備し、前記整合器は、プラズマと前記複数のインピーダンス調整回路とを一つの負荷としてインピーダンスの整合をとり、前記複数のインピーダンス調整回路によりインピーダンスを調整することにより、前記整合器の出力インピーダンスがプラズマのインピーダンスよりも高い所定の値に調整されることを特徴とする基板処理装置。高周波電力により発生させたプラズマによって複数の基板を処理するプラズマ処理装置であって、高周波電力を発生させる高周波電源と、前記複数の基板のそれぞれに対応して設けられ、第1の給電点およびこの第1の給電点と対向する位置に設けられた第2の給電点とを有し、前記高周波電源から前記第1の給電点および前記第2の給電点に高周波電力が供給されてプラズマを生成する複数のプラズマ生成電極と、前記高周波電源と前記複数のプラズマ生成電極との間に介在し、伝送路のインピーダンスと負荷のインピーダンスとを整合させる単一の整合器と、前記複数のプラズマ生成電極のそれぞれにおいて、前記整合器と前記第1の給電点との間に介在し、これらの間のインピーダンスを調整する複数の第1のインピーダンス調整回路と、前記複数のプラズマ生成電極のそれぞれにおいて、前記整合器と前記第2の給電点との間に介在し、これらの間のインピーダンスを調整する複数の第2のインピーダンス調整回路とを具備し、前記整合器は、プラズマと前記複数の第1および第2のインピーダンス調整回路とを一つの負荷としてインピーダンスの整合をとり、前記複数の第1および第2のインピーダンス調整回路によりインピーダンスを調整することにより、前記整合器の出力インピーダンスがプラズマのインピーダンスよりも高い所定の値に調整されることを特徴とする基板処理装置。前記インピーダンス調整回路または前記第1および第2のインピーダンス調整回路は、一つの可変容量と、一つ以上の固定容量を有し、前記可変容量によりインピーダンスを調整し、前記固定容量によりインピーダンスの微調整を行うことを特徴とする請求項5から請求項7のいずれか1項に記載の基板処理装置。前記固定容量は、切り替え可能なように設けられ、必要に応じていずれか一つまたは2つ以上選択可能となっていることを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。前記整合器の出力インピーダンスは、20Ω以上35Ω以下であることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の基板処理装置。以上のように整合器の出力インピーダンスが低いことに起因する問題点についてはいまだ有効な解決策が得られておらず、電極の電圧分布を均一にするための文献2、3等に記載された技術も未だ不十分である。本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、整合器や伝送線路の発熱やパワーロス、さらには整合器や伝送線路の組み付けの違いによるインピーダンスの変動による電流差が生じにくい基板処理装置を提供することを課題とする。また、以上の点に加え、さらに大型基板に対応して大型化した電極の電圧分布を、相互干渉による整合不良や電力ロス等を生じることなく均一にすることができる基板処理装置を提供することを課題とする。上記課題を解決するため、本発明の第1の観点では、高周波電力により発生させたプラズマによって基板を処理するプラズマ処理装置であって、高周波電力を発生させる高周波電源と、前記高周波電源から高周波電力が供給されてプラズマを生成させるためのプラズマ生成電極と、前記高周波電源と前記プラズマ生成電極との間に介在し、伝送路のインピーダンスと負荷のインピーダンスとを整合させる単一の整合器と、前記整合器と前記プラズマ生成電極との間に介在し、これらの間のインピーダンスを調整するインピーダンス調整回路とを具備し、前記整合器は、プラズマと前記インピーダンス調整回路とを一つの負荷としてインピーダンスの整合をとり、前記インピーダンス調整回路によりインピーダンスを調整することにより、前記整合器の出力インピーダンスがプラズマのインピーダンスよりも高い所定の値に調整されることを特徴とする基板処理装置を提供する。上記第1の観点において、前記インピーダンス調整回路は、一つの可変容量を有し、前記可変容量によりインピーダンスを調整するものとすることができる。また、前記インピーダンス調整回路は、さらに一つ以上の固定容量を有し、前記固定容量によりインピーダンスの微調整を行うものとすることができる。前記固定容量は、切り替え可能なように設けられ、必要に応じていずれか一つまたは2つ以上選択可能となっていることが好ましい。本発明の第2の観点では、高周波電力により発生させたプラズマによって基板を処理するプラズマ処理装置であって、高周波電力を発生させる高周波電源と、第1の給電点およびこの第1の給電点と対向する位置に設けられた第2の給電点とを有し、前記高周波電源から前記第1の給電点および前記第2の給電点に高周波電力が供給されてプラズマを生成するプラズマ生成電極と、前記高周波電源と前記プラズマ生成電極との間に介在し、伝送路のインピーダンスと負荷のインピーダンスとを整合させる単一の整合器と、前記整合器と前記第1の給電点との間に介在し、これらの間のインピーダンスを調整する第1のインピーダンス調整回路と、前記整合器と前記第2の給電点との間に介在し、これらの間のインピーダンスを調整する第2のインピーダンス調整回路とを具備し、前記整合器は、プラズマと前記第1および第2のインピーダンス調整回路とを一つの負荷としてインピーダンスの整合をとり、前記第1および第2のインピーダンス調整回路によりインピーダンスを調整することにより、前記整合器の出力インピーダンスがプラズマのインピーダンスよりも高い所定の値に調整されることを特徴とする基板処理装置を提供する。本発明の第3の観点では、高周波電力により発生させたプラズマによって複数の基板を処理するプラズマ処理装置であって、高周波電力を発生させる高周波電源と、前記複数の基板のそれぞれに対応して設けられ、前記高周波電源から高周波電力が供給されてプラズマを生成させるための複数のプラズマ生成電極と、前記高周波電源と前記複数のプラズマ生成電極との間に介在し、伝送路のインピーダンスと負荷のインピーダンスとを整合させる単一の整合器と、前記整合器と前記複数のプラズマ生成電極のそれぞれとの間に設けられ、これらの間のインピーダンスを調整する複数のインピーダンス調整回路とを具備し、前記整合器は、プラズマと前記複数のインピーダンス調整回路とを一つの負荷としてインピーダンスの整合をとり、前記複数のインピーダンス調整回路によりインピーダンスを調整することにより、前記整合器の出力インピーダンスがプラズマのインピーダンスよりも高い所定の値に調整されることを特徴とする基板処理装置を提供する。本発明の第4の観点では、高周波電力により発生させたプラズマによって複数の基板を処理するプラズマ処理装置であって、高周波電力を発生させる高周波電源と、前記複数の基板のそれぞれに対応して設けられ、第1の給電点およびこの第1の給電点と対向する位置に設けられた第2の給電点とを有し、前記高周波電源から前記第1の給電点および前記第2の給電点に高周波電力が供給されてプラズマを生成する複数のプラズマ生成電極と、前記高周波電源と前記複数のプラズマ生成電極との間に介在し、伝送路のインピーダンスと負荷のインピーダンスとを整合させる単一の整合器と、前記複数のプラズマ生成電極のそれぞれにおいて、前記整合器と前記第1の給電点との間に介在し、これらの間のインピーダンスを調整する複数の第1のインピーダンス調整回路と、前記複数のプラズマ生成電極のそれぞれにおいて、前記整合器と前記第2の給電点との間に介在し、これらの間のインピーダンスを調整する複数の第2のインピーダンス調整回路とを具備し、前記整合器は、プラズマと前記複数の第1および第2のインピーダンス調整回路とを一つの負荷としてインピーダンスの整合をとり、前記複数の第1および第2のインピーダンス調整回路によりインピーダンスを調整することにより、前記整合器の出力インピーダンスがプラズマのインピーダンスよりも高い所定の値に調整されることを特徴とする基板処理装置を提供する。上記第2~第4の観点において、前記インピーダンス調整回路、または前記第1および第2のインピーダンス調整回路は、一つの可変容量と、一つ以上の固定容量を有し、前記可変容量によりインピーダンスを調整し、前記固定容量によりインピーダンスの微調整を行うものとすることができる。この場合に、記固定容量は、切り替え可能なように設けられ、必要に応じていずれか一つまたは2つ以上選択可能となっていることが好ましい。上記第1~第4の観点において、前記整合器の出力インピーダンスは、20Ω以上35Ω以下であることが好ましい。本発明の第1の観点によれば、単一の整合器とプラズマ生成電極との間にインピーダンス調整回路を介在させ、それにより整合器とプラズマ生成電極間のインピーダンスを調整し、整合器は、プラズマとインピーダンス調整回路とを一つの負荷として整合をとり、整合器の出力インピーダンスをプラズマインピーダンスよりも高い所定の値に調整するので、整合器に流れる電流および整合器から流れる電流を従来よりも小さくすることができる。このため、発熱やパワーロス等を抑えることができる。また、可変コンデンサをより小電流用のものとすることができ、コスト的にも有利である。さらに、整合器や伝送線路の微妙な組み付けの違いなどによるインピーダンスの変動があっても、インピーダンスの変動率を小さくすることができる。このため、電流差は小さく、電極に投入されるパワーのばらつきを小さくすることができる。さらにまた、インピーダンス調整回路にも機差が存在するが、インピーダンス調整回路によるインピーダンスの調整により機差の調整を行うことができる。また、本発明の第2の観点によれば、単一の整合器とプラズマ生成電極の第1の給電点との間に第1のインピーダンス調整回路を介在させ、単一の整合器とプラズマ生成電極の第1の給電点と対向する位置に設けられた第2の給電点との間に第2のインピーダンス調整回路を介在させて、整合器は、プラズマと前記第1および第2のインピーダンス調整回路とを一つの負荷としてインピーダンスの整合をとり、整合器の出力インピーダンスをプラズマインピーダンスよりも高い所定の値に調整するので、上記第1の観点と同様の効果を奏する他、大型の基板に対応して電極が大型化した場合でも、プラズマ生成電極の電圧分布を、相互干渉による整合不良や電力ロス等を生じることなく均一にすることができるといった効果を奏する。すなわち、最終的なインピーダンス整合は1つの整合器で行うため、整合器の相互干渉の問題は生じず、また、高価な大電流用可変コンデンサを2個用いた整合器は1個のみであるため、コストを抑えることができる。さらに、整合器の出力インピーダンスが高いため、整合器から第1および第2のインピーダンス調整回路に至る伝送路に供給される電力は比較的低パワーであり、電力ロスは少ない。さらにまた、第1および第2のインピーダンス調整回路により、インピーダンスの調整ができるので、プラズマ生成電極の両側から投入されるパワーのばらつきを極めて有効に抑制することができ、電圧分布の均一性を極めて高いものとすることができる。本発明の第3の観点および第4の観点は、それぞれ第1の観点および第2の観点の基板処理装置を、複数のプラズマ生成電極を備えて複数の基板を処理するバッチ処理装置に適用したものであり、さらに、プラズマ生成電極間のインピーダンスの不揃いも調整することができるといった効果が付加される。以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。<第1の実施形態>まず、第1の実施形態について説明する。図1は本発明の第1の実施形態に係る基板処理装置を示す断面図である。基板処理装置100は、基板に対してプラズマ処理を施す平行平板型のプラズマ処理装置として構成されている。この基板処理装置100は、基板Sを収容し、プラズマ処理を行うチャンバ1を有している。チャンバ1は保安接地されている。チャンバ1内には平行平板電極を構成するカソード電極2およびアノード電極3が配置されている。カソード電極2は上部電極として構成され、高周波電力が供給されるプラズマ生成電極として機能する。また、カソード電極2は処理ガスをチャンバ1内に導入するシャワーヘッドとして機能する。一方、アノード電極3は下部電極として構成され、基板Sを載置する載置台として機能する。カソード電極2は絶縁部材4を介してチャンバ1の天壁に支持されており、アノード電極3は絶縁部材5を介してチャンバ1の底壁に支持されている。なお、アノード電極3は接地されている。また、基板処理装置100は、さらにカソード電極2に高周波電力RF電力を供給する高周波電源6と、負荷のインピーダンスを伝送路のインピーダンスに整合させる整合器7と、インピーダンスを調整するインピーダンス調整回路8とを備えている。そして、高周波電源6とカソード電極2の裏面中央を結ぶ銅板または銅棒からなる伝送路9に、高周波電源6側から順に整合器7およびインピーダンス調整回路8が接続されている。整合器7は、図2に示すように、伝送路9の入力側と出力側とを繋ぐ伝送ライン21と、伝送ライン21の分岐点22から分岐して設けられた第1の可変コンデンサ23と、伝送ライン21の分岐点22の出力側に設けられた第2の可変コンデンサ24と、分岐点22の入力側に設けられたコイルインダクタ25とを有している。そして、第1の可変コンデンサ23と第2の可変コンデンサ24のポジション容量を自動的に調整して、自動的に伝送路9のインピーダンス50Ωと負荷のインピーダンスとの整合をとるようになっている。インピーダンス調整回路8は、図3に示すように、伝送路9の入力側と出力側とを繋ぐ伝送ライン31と、伝送ライン31に設けられた可変コンデンサ可変容量32と、固定コンデンサ固定容量33とを有する。可変コンデンサ32はインピーダンス変換および機差の調整に用いられるものであり、そのポジション容量は手動で調整される。また、固定コンデンサ33は、高周波回路を構成する各部材の組みつけ方の微妙な違いにより、高周波の経路ごと、あるいは処理装置ごとにばらつきの発生する容量を微調整するためのものであり、例えば切替タップで切り替え可能に設けられており、必要に応じていずれか一つまたは2つ以上の固定容量を選択することができる。なお、図3では固定コンデンサ33は3個設けられているが、1個以上であればよい。1個の場合にはオンオフ可能として容量の調整を行うようにすればよい。また、可変コンデンサ32で微調整可能な場合は可変コンデンサ32のみでもよい。インピーダンス調整回路8は、主に可変コンデンサ32により整合器7とカソード電極2間のインピーダンスを調整し、入力インピーダンスがプラズマのインピーダンスより高い所定の値、例えば25~40Ω程度となるようにし、出力インピーダンスがプラズマのインピーダンスに対応する1~数Ωになるようにする。インピーダンス調整回路8を設けることにより、整合器7はプラズマとインピーダンス調整回路8とを一つの負荷として整合をとることとなり、整合器7の出力インピーダンスは、従来のようなプラズマのインピーダンス1~数Ω程度ではなく、インピーダンス調整回路8によりプラズマのインピーダンスより高い所定のインピーダンス、例えば20~35Ω程度に調整することができる。すなわち、整合させる負荷のインピーダンスを従来よりも高いインピーダンスとするので、整合器7からの出力電流を従来よりも小さくすることができる。なお、プラズマのインピーダンスは、プラズマを生成した際に特定の整合器でインピーダンス整合を行い、整合した際の可変コンデンサの値を把握し、その整合器をチャンバから外してそのポジションをそのままにした状態でアウト側からインピーダンスを測定することにより求めることができる。すなわち、このように測定されるインピーダンスはプラズマのインピーダンスの共役インピーダンスとなるから、この値からプラズマのインピーダンスを簡単に求めることができる。カソード電極2の内部にはガス拡散空間10が形成されており、このガス拡散空間10には処理ガス供給機構11からガス供給路12を介して処理ガスが供給され、ガス拡散空間10から下方に貫通して設けられた複数のガス吐出孔13からシャワー状に処理ガスが吐出される。アノード電極3内にはヒーター14が埋設されている。そして、図示しない電源からヒーター14に給電されることによりヒーター14が発熱し、アノード電極3上の基板Sが所定温度に加熱されるようになっている。チャンバ1の底部にはチャンバ1内を排気するための排気配管15が接続されている。排気配管15には自動圧力制御バルブAPC16と排気装置17が設けられており、自動圧力制御バルブAPC16によりチャンバ1内の圧力を制御しつつ排気装置17によりチャンバ1内が所定の真空雰囲気に制御される。チャンバ1の側壁には基板Sの搬入出を行うための搬入出口18が設けられており、搬入出口18はゲートバルブ19により開閉可能となっている。基板処理装置100の各構成部は、制御部コンピュータ20により制御される。制御部20はマイクロプロセッサを備えたコントローラと、オペレータが基板処理装置100を管理するためのコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置100の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェースと、基板処理装置100で実行される各種処理をコントローラの制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて基板処理装置100に所定の処理を実行させるための処理レシピが格納された記憶部とを有している。処理レシピ等は記憶媒体に記憶されおり、記憶部において記憶媒体から読み出して実行される。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよいし、CD-ROM、DVD、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。レシピ等は、必要に応じてユーザーインターフェースからの指示等にて記憶部から読み出し、コントローラに実行させることで、コントローラの制御下で、基板処理装置100での所望の処理が行われる。このように構成される基板処理装置100においては、まず、ゲートバルブ19を開けて、搬入出口18から搬送装置図示せずにより基板Sをチャンバ1内に搬入し、載置台として機能するアノード電極3の上に載置する。搬送装置をチャンバ1から退避させ、ゲートバルブ19を閉じた後、排気装置17によりチャンバ1内を排気してその中を所定の真空雰囲気とする。このとき、アノード電極3上の基板Sは、ヒーター14により所定温度に加熱される。そして、処理ガス供給機構11からガス供給配管12を経てカソード電極2のガス拡散空間10に処理ガスを供給し、カソード電極2の下面に形成された複数のガス吐出孔13から処理ガスをシャワー状に吐出させるとともに、高周波電源6から整合器7およびインピーダンス調整回路8を経てカソード電極2に高周波電力を供給する。これにより、対向するカソード電極2とアノード電極3との間に高周波電界が生じ、この高周波電界により生成された処理ガスのプラズマにより、ヒーターで加熱された基板S上で所定のプラズマ処理、例えばプラズマCVDが行われる。このとき、基板Sが太陽電池パネルやフラットパネル等に用いる大型基板である場合には、高周波電源6から供給される高周波電力のパワーが大きいものとなり、整合器として従来と同様、プラズマインピーダンスである1~数Ωと低いインピーダンスに整合させるものを用いると、整合器に流れる電流および整合器から流れる電流が極めて大きくなり発熱やパワーロス等が生じやすくなるとともに、可変コンデンサとして大電流用のものを用いる必要がありコストも高くなる。また、このように出力インピーダンスが低いと、整合器や伝送線路の微妙な組み付けの違いなどによるインピーダンスのわずかな差でもインピーダンスの変動率が大きくなってしまう。すなわち、整合器の製造過程では、材料のばらつきやネジ等の部品の個体差により、整合器7の機差として0.5Ω程度のインピーダンスの変動が生じ、従来のように出力インピーダンスが1Ω程度であると、50もの大きな変動率となってしまう。このようなインピーダンスの変動が大きな電流差となって現れ、カソード電極に投入されるパワーに大きなばらつきが生じてしまい、製品の特性に影響を及ぼす。これに対して、本実施形態の場合には、整合器7とプラズマ生成電極であるカソード電極2との間にインピーダンス調整回路8を介在させ、その可変コンデンサ32により整合器7とカソード電極2間のインピーダンスを調整し、整合器7は、プラズマとインピーダンス調整回路8とを一つの負荷として整合をとるので、整合器7の出力インピーダンスをプラズマインピーダンスよりも高い所定の値、例えば20~35Ω程度とすることができ、整合器7に流れる電流および整合器7から流れる電流を従来よりも小さくすることができる。このため、発熱やパワーロス等を抑えることができる。また、可変コンデンサをより小電流用のものとすることができ、コスト的にも有利である。さらに、整合器7の微妙な組み付けの違いなどによるインピーダンスの変動があっても、インピーダンスの変動率を小さくすることができる。すなわち、整合器7の出力インピーダンスを30Ωとした場合、インピーダンスの機差が0.5Ωあったとしても、インピーダンスの変動率は約2程度であり、変動率は小さい。このため、電流差は小さく、電極に投入されるパワーのばらつきを小さくすることができる。インピーダンス調整回路8にも機差が存在するが、可変コンデンサ32による容量調整または固定コンデンサ33の切り替えまたはオンオフによる容量の微調整により機差の調整を行うことができる。なお、伝送路9のインピーダンスは50Ωであるから、整合器7の出力インピーダンスを50Ω以上にすることは無意味であり、出力インピーダンスは50Ωより小さくなる。<第2の実施形態>次に、第2の実施形態について説明する。図4は、第2の実施形態に係る基板処理装置を示す模式図である。本実施形態に係る基板処理装置100′の基本構成は第1の実施形態の基板処理装置100と同様であるから、図4において図1と同じものには同じ符号を付して説明を省略する。本実施形態では、2つのインピーダンス調整回路8a、8bを有し、これらインピーダンス調整回路8a、8bを介してカソード電極の両側の互いに対向した給電点から給電するようになっている点が第1の実施形態とは異なっている。具体的には、整合器7から下方に延びた伝送路9が、伝送路9a、9bに分岐してカソード電極2の互いに対向する両側の給電点に接続され、この伝送路9a、9bにそれぞれインピーダンス調整回路8a、8bが介在されている。インピーダンス調整回路8a、8bの構造はインピーダンス調整回路8と同じである。本実施形態では、両側のインピーダンス調整回路8a、8bの間のインピーダンスのばらつきを調整するために、1個以上の切り替えまたはオンオフ可能な固定コンデンサ33を用いる。本実施形態の基板処理装置100′においても、第1の実施形態の基板処理装置100と同様にしてプラズマ処理、例えばプラズマCVD処理が行われる。そして、第1の実施形態と同様、インピーダンス調整回路8a、8bの可変コンデンサによりインピーダンスを調整して、整合器7の出力インピーダンスをプラズマのインピーダンスよりも高い所定の値とするので、整合器7に流れる電流および整合器7から流れる電流を従来よりも小さくすることができ、発熱やパワーロス等を抑えることができる。また、可変コンデンサをより小電流用のものとすることができ、コスト的にも有利である。さらに、整合器7の機差によるインピーダンスの変動があっても、インピーダンスの変動率を小さくすることができ、電流差は小さく、電極に投入されるパワーのばらつきを小さくすることができる。さらにまた、インピーダンス調整回路8a、8bの機差は、その可変コンデンサによる容量調整または固定コンデンサの切り替えまたはオンオフによる容量の微調整により調整することができる。また、本実施形態では、このような効果に加え、大型の基板に対応して電極が大型化した場合でも、カソード電極2の電圧分布を、相互干渉による整合不良や電力ロス等を生じることなく均一にすることができるといった効果を奏する。すなわち、電極カソード電極の電圧分布を均一にする技術として、上記特許文献2のようにカソード電極の両側にそれぞれ整合器を介して給電する技術の場合には、2つの整合器が同一の負荷に接続されるため、相互干渉による整合不良が発生するおそれがあり、かつ、高価な大電流用の可変コンデンサを2個備えた整合器の数量が増加するため、装置コストが高いものとなってしまう。また、特許文献3のように、一つの整合器から分岐して電極の両端に給電する技術の場合には、整合器から電極に至るまでの経路が長く、その経路が低インピーダンスであるため、結果的に高パワーの高周波電力が流れる経路が長く、電力ロスが極めて大きいものとなる。これに対して、本実施形態では、最終的なインピーダンス整合は1つの整合器7で行うため、整合器の相互干渉の問題は生じず、また、高価な大電流用可変コンデンサを2個用いた整合器は1個のみであるため、コストを抑えることができる。さらに、整合器7の出力インピーダンスが高いため、整合器7からインピーダンス調整回路8a、8bに至る伝送路9a、9bに供給される電力は比較的低パワーであり、電力ロスは少ない。さらにまた、インピーダンス調整回路8a、8bの固定コンデンサにより、インピーダンスの微調整ができるので、カソード電極2の両側から投入されるパワーのばらつきを極めて有効に抑制することができ、電圧分布の均一性を極めて高いものとすることができる。このように、特許文献2および3に記載された技術の問題点を解消しつつ、カソード電極2の両側から均一に高周波電力を供給することができ、大型の電極を用いた場合でも電圧分布を均一にすることができる。<第3の実施形態>次に、第3の実施形態について説明する。図5は、第3の実施形態に係る基板処理装置を示す模式図である。本実施形態に係る基板処理装置200は、基本的に、第1の実施形態の基板処理装置100を複数の基板のプラズマ処理を行う装置バッチ式装置に適用したものである。したがって、図5において図1と同じ機能を有するものには同じ符号を付して説明する。基板処理装置200は、複数の基板に対してプラズマ処理を施す平行平板型のプラズマ処理装置として構成されており、複数図5では3枚の基板Sを収容し、プラズマ処理を行うチャンバ1を有している。チャンバ1は実施形態1と同様、保安接地されている。チャンバ1内には、カソード電極2およびアノード電極3が上下方向に対向して配置された平行平板電極が上下方向に複数対図5では3対配置されている。アノード電極3は下部電極として構成され、基板処理装置100同様、基板Sの載置台として機能し、ヒーター14が埋設され、接地されている。カソード電極2は、上部電極として構成され、高周波電力が供給されるプラズマ生成電極として機能するが、第1の実施形態と異なり、シャワーヘッドの機能を有していない。これらカソード電極2およびアノード電極3は、支持部材22によりチャンバ1に支持されている。なお、昇降機構を設けて、カソード電極2またはアノード電極3を昇降させることにより、カソード電極2とアノード電極3との間の距離を調節可能としてもよい。基板処理装置200は、基板処理装置100と同様、さらに、カソード電極2に高周波電力RF電力を供給する高周波電源6と、負荷のインピーダンスを伝送路のインピーダンスに整合させる整合器7と、インピーダンスを変換するインピーダンス調整回路8とを備えている。高周波電源6と整合器7は一台ずつ設けられ、高周波電源6から延びる銅板または銅棒からなる伝送路9に、整合器7が接続され、整合器7を経た後の伝送路9から分岐した伝送路21が各カソード電極2の上面中央に接続され、これら伝送路21に各カソード電極2に対応するようにインピーダンス調整回路8が接続されている。すなわち、共通の高周波電源6からの高周波電力が共通の整合器7を経て、各カソード電極2に対応して設けられた複数のインピーダンス調整回路8によりインピーダンスが変換されて各カソード電極2に供給される。本実施形態では、処理ガス供給機構11から延びるガス供給路12はチャンバ1の天壁に接続されている。もちろん、第1の実施形態と同様、各カソード電極2をシャワーヘッドとして機能させて各カソード電極から処理ガスをシャワー状に導入するようにしてもよい。チャンバ1の側壁上部および下部に排気配管15が接続され、排気配管15には自動圧力制御バルブAPC16と排気装置17が設けられており、自動圧力制御バルブAPC16によりチャンバ1内の圧力を制御しつつ排気装置17によりチャンバ1内が所定の真空雰囲気に制御される。チャンバ1の側壁には複数の基板を一括して搬送可能な搬送口図示せずが設けられており、搬送口はゲートバルブ図示せずにより開閉可能となっている。基板処理装置200の各構成部は、第1の実施形態に係る基板処理装置100と同様に、制御部コンピュータ20により制御されるようになっている。本実施形態の基板処理装置200においても、第1の実施形態の基板処理装置100と同様にしてプラズマ処理、例えばプラズマCVD処理が行われる。すなわち、複数枚3枚の基板Sを各アノード電極3上に載置し、チャンバ1内を排気してその中を所定の真空雰囲気とし、ヒーター14により基板Sを所定温度に加熱しつつ、処理ガス供給機構11からガス供給配管12を経てチャンバ1内に処理ガスを導入し、共通の高周波電源6から共通の整合器7および各カソード電極2に対応して設けられたインピーダンス調整回路8を経てカソード電極2に高周波電力を供給する。これにより、各平行平板電極において対向するカソード電極2とアノード電極3との間に高周波電界が生じ、この高周波電界により生成された処理ガスのプラズマにより、ヒーター14で加熱された基板S上で所定のプラズマ処理、例えばプラズマCVDが行われる。本実施形態においても、インピーダンス調整回路8を設け、その可変コンデンサ32によりインピーダンスを調整して整合器7の出力インピーダンスをプラズマのインピーダンスよりも高くするので、整合器7に流れる電流および整合器7から流れる電流を従来よりも小さくすることができ、発熱やパワーロス等を抑えることができる。また、可変コンデンサをより小電流用のものとすることができ、コスト的にも有利である。さらに、整合器7や伝送線路の機差によるインピーダンスの変動があっても、インピーダンスの変動率を小さくすることができる。さらにまた、本実施形態では、複数のカソード電極2を用いるため、カソード電極2とチャンバ壁との相対的な位置関係等によって各電極間でプラズマインピーダンスに差が生じ、これも製品の特性に影響を及ぼすが、各カソード電極2に接続されたインピーダンス調整回路8の固定コンデンサ33の切り替えまたはオンオフによる容量の微調整によりカソード電極2間のインピーダンスのばらつきを調整することができ、製品の特性のばらつきを抑制することができる。<第4の実施形態>次に、第4の実施形態について説明する。図6は、第4の実施形態に係る基板処理装置を示す模式図である。本実施形態に係る基板処理装置200′は、基本的に、第2の実施形態の基板処理装置100′を、第3の実施形態と同様、複数の基板のプラズマ処理を行う装置バッチ式装置に適用したものである。したがって、図6において図4、図5と同じものには同じ符号を付して説明を省略する。本実施形態では、各カソード電極2において、それぞれ2つのインピーダンス調整回路8a、8bが配置され、これらインピーダンス調整回路8a、8bを介して各カソード電極2の両側から給電するようになっている点が第3の実施形態とは異なっている。具体的には、チャンバ1の上方に配置されている共通の高周波電源6からその下に配置されている共通の整合器7を経て延びる伝送路9が伝送路9a、9bに分岐し、伝送路9a、9bがチャンバ1の両側壁下方に延び、伝送路9aから分岐した複数の伝送路21aがそれぞれ個別のインピーダンス調整回路8aを介して各カソード電極2の一端に接続され、伝送路9bから分岐した複数の伝送路21bがそれぞれ個別のインピーダンス調整回路8bを介して各カソード電極2の他端に接続されている。すなわち、共通の高周波電源6からの高周波電力が共通の整合器7を経て、複数のカソード電極2の一方側に対応して設けられた複数のインピーダンス調整回路8aおよび複数のカソード電極2の他方側に対応して設けられた複数のインピーダンス調整回路8bによりインピーダンスが変換されて各カソード電極2の両側から各カソード電極2に供給される。本実施形態の基板処理装置200′においても、第3の実施形態の基板処理装置200と同様にして複数枚3枚の基板Sを各アノード電極3上に載置し、ヒーター14により基板Sを所定温度に加熱しつつ、チャンバ1内に処理ガスを導入し、共通の高周波電源6から共通の整合器7および各カソード電極2に両側に対応して設けられたインピーダンス調整回路8a、8bを経て両側からカソード電極2に高周波電力を供給し、各平行平板電極において対向するカソード電極2とアノード電極3との間に生成された処理ガスのプラズマにより、基板S上で所定のプラズマ処理、例えばプラズマCVDが行われる。本実施形態の基板処理装置200′においても、インピーダンス調整回路8a、8bを設け、その可変コンデンサ32によりインピーダンスを調整して整合器7の出力インピーダンスをプラズマのインピーダンスよりも高くするので、整合器7に流れる電流および整合器7から流れる電流を従来よりも小さくすることができ、発熱やパワーロス等を抑えることができる。また、可変コンデンサをより小電流用のものとすることができ、コスト的にも有利である。さらに、整合器7や伝送線路の機差によるインピーダンスの変動があっても、インピーダンスの変動率を小さくすることができる。また、本実施形態では、最終的なインピーダンス整合は1つの整合器7で行うため、整合器の相互干渉の問題は生じず、また、高価な大電流用可変コンデンサを2個用いた整合器は1個のみであるため、コストを抑えることができる。さらに、整合器7の出力インピーダンスが高いため、整合器7からインピーダンス調整回路8a、8bに至る伝送路9a、9bに供給される電流は比較的低く、電力ロスは少ない。さらにまた、インピーダンス調整回路8a、8bは固定コンデンサ33によりインピーダンスの微調整ができるので、カソード電極2の両側から投入されるパワーのばらつきを極めて有効に抑制することができ、電圧分布の均一性を一層高めることができるとともに、カソード電極2間のインピーダンスのばらつきを調整することができ、製品の特性のばらつきを抑制することができる。<変形例等>なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、インピーダンス調整回路の可変コンデンサとして、入力インピーダンスがプラズマのインピーダンスより高い所定の値となり、出力インピーダンスがプラズマのインピーダンスに対応する値になるようインピーダンスを調整するための手動調整用のものを想定しているが、これを自動のインピーダンス調整を行えるようにして、整合器の自動の可変コンデンサの役割の一部を担わせるようしてもよい。これにより、整合器と合わせてより広い範囲でインピーダンス整合をとることができる。また、基板処理装置におけるプラズマ処理としてプラズマCVDを例示したが、本発明では原理上、これに限定されるものではないことはいうまでもなく、プラズマエッチング等、他のプラズマ処理に適用することができる。さらに、上記実施形態では平行平板電極の上部電極に高周波電力を導入し下部電極を接地したが、上部電極を接地し下部電極に高周波電力を導入してもよいし、上部電極および下部電極の両方に高周波電力を導入してもよい。さらにまた、本発明をバッチ式装置に適用する場合、一度に処理する基板の数は3枚に限るものではない。さらにまた、本発明に適用される基板は特に限定されるものではなく、太陽電池用基板やフラットパネルディスプレイFPD用ガラス基板等、種々の基板に適用可能である。