液晶表示パネルで使用するための単位画素であって、画素電極と、前記画素電極上の第1の配向膜を有する第1の基板と、前記第1の基板と離隔し、これに対向して配置された第2の基板と、前記第2の基板は、第2の配向膜を有し、前記第1の基板と前記第2の基板の間に配置された液晶層と、前記第1の配向膜及び前記第2の配向膜に隣接した液晶分子の配向により定義された複数の配向ベクトルにより発生した複数のドメイン配向ベクトルにより区分される複数のドメインとを具備し、前記複数のドメインの各々は、前記画素電極に形成された複数のスリットを有し、上記複数のドメイン内のスリットの方向は相互に異なり、前記複数のドメインの各ドメイン内で、前記画素電極上の前記第1の配向膜に隣接した液晶分子の前記配向ベクトルと前記スリットが伸張する方向の間の角度で定義されるスリット角が45度より小さいことを特徴とする単位画素。前記スリット角は、37.5°以下であることを特徴とする請求項1に記載の単位画素。前記スリット角は、25.0°以上であることを特徴とする請求項2に記載の単位画素。前記スリット角は、30.0°以上であることを特徴とする請求項3に記載の単位画素。前記スリットの幅は、3.2μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の単位画素。前記スリットの幅は、3.0μm以下であることを特徴とする請求項5に記載の単位画素。液晶表示パネルで使用するための単位画素であって、複数の画素電極と、前記画素電極上の第1の配向膜を有する第1の基板と、前記第1の基板と離隔し、これに対向して配置された第2の基板と、前記第2の基板は、第2の配向膜を有し、前記第1の基板と前記第2の基板の間に配置された液晶層と、前記第1の配向膜及び前記第2の配向膜に隣接した液晶分子の配向により定義された複数の配向ベクトルにより発生した複数のドメイン配向ベクトルにより区分される複数のドメインとを具備し、前記複数の画素電極の中の少なくとも1つは、スリットを有し、前記複数の画素電極は、それぞれ前記複数のドメインを有し、前記少なくとも1つの画素電極以外の画素電極は、前記スリットを有しておらず、前記少なくとも1つの画素電極上の前記複数のドメインの各ドメイン内で、前記配向ベクトルと前記スリットが伸張する方向の間の角度で定義されるスリット角が45度より小さいことを特徴とする単位画素。前記スリット角は、37.5°以下であることを特徴とする請求項7に記載の単位画素。前記スリットの幅は、3.2μm以下であることを特徴とする請求項7に記載の単位画素。前記画素電極に画素電圧を印加する薄膜トランジスタをさらに有し、前記スリットが形成された画素電極及び前記スリットが形成されない画素電極は、同一の薄膜トランジスタにより画素電圧の印加を受けることを特徴とする請求項7に記載の単位画素。前記薄膜トランジスタは、前記スリットが形成されない画素電極と前記スリットが形成された画素電極の間に位置することを特徴とする請求項10に記載の単位画素。液晶表示パネルで使用するための単位画素であって、画素電極と、前記画素電極上の第1の配向膜を有する第1の基板と、前記第1の基板と離隔し、これに対向して配置された第2の基板と、前記第2の基板は、第2の配向膜を有し、前記第1の基板と前記第2の基板の間に配置された液晶層と、前記第1の配向膜及び前記第2の配向膜に隣接した液晶分子の配向により発生した複数のドメイン配向ベクトルにより区分される複数のドメインとを具備し、前記複数のドメインの各々は、前記画素電極に形成された複数のスリットと、前記スリット間に交互に形成され、前記画素電極と接続された複数のスリットブランチとを含み、相互に隣接した前記ドメインの各々にある前記スリット及び前記スリットブランチは、前記隣接したドメインの少なくとも1つの境界領域に配置され、前記スリットブランチは、前記少なくとも1つの境界領域でスリットステムに接続されることを特徴とする単位画素。ドメイン境界テクスチャは、前記隣接したドメイン間の境界に現れ、前記スリットステムの幅は、前記ドメイン境界テクスチャの幅より狭いことを特徴とする請求項12に記載の単位画素。前記スリットステムの幅は、10μm以下であることを特徴とする請求項13に記載の単位画素。前記スリットステムの幅は、前記スリットブランチの幅と同一であることを特徴とする請求項14に記載の単位画素。前記スリットステムの幅は、前記スリットブランチの幅と前記ドメイン境界テクスチャの幅の間であることを特徴とする請求項14記載の単位画素。前記複数のドメインの各ドメイン内で、前記スリットを有する画素電極上の前記第1の配向膜に隣接した液晶分子の前記配向ベクトルと前記スリットの伸張方向の間の角度として定義されるスリット角が45°より小さいことを特徴とする請求項12に記載の単位画素。液晶表示パネルで使用するための単位画素であって、画素電極及びその上に形成され光照射により作られた第1の配向膜を有する第1の基板と、前記第1の基板と離隔し、これに対向して配置された第2の基板と、前記第2の基板は、光照射により作られた第2の配向膜を有し、前記第1の基板と前記第2の基板の間に配置された液晶層と、前記第1の配向膜及び前記第2の配向膜に隣接した液晶分子の配向により形成された複数の配向ベクトルにより区分される複数のドメインと、前記画素電極に形成された開口に対応する複数のスリットとを具備し、前記画素電極は、前記スリットが集中的に形成されたスリット領域及び前記スリットが形成されない非スリット領域を有することを特徴とする単位画素。同一の画素電圧が前記スリット領域及び前記非スリット領域に印加されることを特徴とする請求項18に記載の単位画素。前記画素電極は、相互に離隔するように配置される第1及び第2の微細画素電極を有し、前記スリット領域は、前記第1の微細画素電極上に形成され、前記非スリット領域は、前記第2の微細画素電極上に形成されることを特徴とする請求項18に記載の単位画素。前記単位画素は、隣接したドメインの間又はドメインのエッジに現れるテクスチャを有し、前記スリット領域は、前記テクスチャと重なることを特徴とする請求項18に記載の単位画素。前記テクスチャの幅は、前記スリット領域の幅より狭いことを特徴とする請求項21に記載の単位画素。しかしながら、中間層液晶分子612、614、及び615とは異なり、配向膜隣接液晶分子611及び613の極角及び方位角は、上述したように、画素電極500と共通電極460間に印加された様々な階調レベル電圧又は電界により変化されず、第1及び第2の配向膜110及び120の配向ベクトル310、320、330、及び340により決定される。したがって、図1Dを参照して説明したように、高階調レベル電圧が画素電極500と共通電極460間に印加される場合に、配向膜隣接液晶分子611及び613は、これらを通過する光の偏光を楕円偏光又は円偏光に変換せず、これにより、単位画素を通過する光の量が減少するように作用する。したがって、配向膜隣接液晶分子611及び613のプレチルトの極角及び方位角を調整可能であるようにすることにより単位画素を通過する光量を増加させることが要求される。したがって、配向膜隣接液晶分子の極角及び方位角を調整するために画素電極に形成されたスリットの方向と配向膜隣接液晶分子の配向間の角度が単位画素を通過した光量を増加させるのに重要であるという事実が本発明者により発見された。画質を向上させるために、単位画素は、複数の副画素電極を有する方法を採用することが考えられる。この場合、所定の階調レベルにおいて、異なる電圧は副画素電極に印加され、副画素電極上の液晶分子は、異なる方式で配列される。しかし、異なる電圧を副画素電極に印加するために、単位画素は、副画素電極に接続された複数のトランジスタ又はキャパシタを有するので、複数の薄膜トランジスタ、キャパシタ、及び電荷カップラーchargecouplerのような光遮断部材が単位画素に配置される場合に、画素電極の光通過面積及び単位画素の透過率が減少する問題がある。したがって、この部材を除去するか又はその面積を減少させることが要求される。したがって、本発明は、上述した従来技術の問題点を解決するために提案されたものであり、その目的は、配向膜に隣接した液晶分子の主軸のプレチルトの極角及び方位角を調整することにより単位画素を通過した光の量を増加させる液晶表示パネルを提供することにある。本発明の他の目的は、単位画素の開口率及び光透過率が改善された液晶表示パネルを提供することにある。本発明のまた他の目的は、微細画素を有する単位画素の画素電極の面積が増加された液晶表示パネルを提供することにある。上記のような目的を達成するために、本発明の実施形態の一態様によれば、液晶表示パネルで使用するための単位画素が提供される。上記単位画素は、画素電極と、上記画素電極上の第1の配向膜を有する第1の基板と、上記第1の基板と離隔し、これに対向して配置された第2の基板と、上記第2の基板は、第2の配向膜を有し、上記第1の基板と上記第2の基板の間に配置された液晶層と、上記第1の配向膜及び上記第2の配向膜に隣接した液晶分子の配向により定義された複数の配向ベクトルにより発生した複数のドメイン配向ベクトルにより区分される複数のドメインとを具備し、上記複数のドメインの各々は、上記画素電極に形成された複数のスリットを有し、上記複数のドメイン内のスリットの方向は相互に異なり、上記複数のドメインの各ドメイン内で、上記画素電極上の上記第1の配向膜に隣接した液晶分子の上記配向ベクトルと上記スリットが伸張する方向の間の角度で定義されるスリット角が45度より小さいことを特徴とする。上記スリット角は、37.5°以下である。上記スリット角は、25.0°以上である。上記スリット角は、30.0°以上である。上記スリットの幅は、3.2μm以下である。上記スリットの幅は、3.0μm以下である。本発明の実施形態の他の態様によれば、液晶表示パネルで使用するための単位画素が提供される。上記単位画素は、複数の画素電極と、上記画素電極上の第1の配向膜を有する第1の基板と、上記第1の基板と離隔し、これに対向して配置された第2の基板と、上記第2の基板は、第2の配向膜を有し、上記第1の基板と上記第2の基板の間に配置された液晶層と、上記第1の配向膜及び上記第2の配向膜に隣接した液晶分子の配向により定義された複数の配向ベクトルにより発生した複数のドメイン配向ベクトルにより区分される複数のドメインとを具備し、上記複数の画素電極の中の少なくとも1つは、スリットを有し、上記複数の画素電極は、それぞれ上記複数のドメインを有し、上記少なくとも1つの画素電極以外の画素電極は、上記スリットを有しておらず、上記少なくとも1つの画素電極上の上記複数のドメインの各ドメイン内で、上記配向ベクトルと上記スリットが伸張する方向の間の角度で定義されるスリット角が45度より小さいことを特徴とする。前記スリット角は、37.5°以下である。前記スリットの幅は、3.2μm以下である。上記単位画素を含む液晶パネルは、上記画素電極に画素電圧を印加する薄膜トランジスタをさらに含み、上記スリットが形成された画素電極及び上記スリットが形成されない画素電極は、同一の薄膜トランジスタにより画素電圧の印加を受ける。上記薄膜トランジスタは、上記スリットが形成されない画素電極と上記スリットが形成された画素電極の間に位置する。本発明の実施形態のさらに他の態様によれば、液晶表示パネルで使用するための単位画素が提供される。上記単位画素は、画素電極と、上記画素電極上の第1の配向膜を有する第1の基板と、上記第1の基板と離隔し、これに対向して配置された第2の基板と、上記第2の基板は、第2の配向膜を有し、上記第1の基板と上記第2の基板の間に配置された液晶層と、上記第1の配向膜及び上記第2の配向膜に隣接した液晶分子の配向により発生した複数のドメイン配向ベクトルにより区分される複数のドメインとを具備し、上記複数のドメインの各々は、上記画素電極に形成された複数のスリットと、上記スリット間に交互に形成され、上記画素電極と接続された複数のスリットブランチとを含み、相互に隣接した上記ドメインの各々にある上記スリット及び上記スリットブランチは、上記隣接したドメインの少なくとも1つの境界領域に配置され、上記スリットブランチは、上記少なくとも1つの境界領域でスリットステムに接続されることを特徴とする。ドメイン境界テクスチャは、上記隣接したドメイン間の境界に現れ、上記スリットステムの幅は、上記ドメイン境界テクスチャの幅より狭い。上記スリットステムの幅は、10μm以下である。上記スリットステムの幅は、上記スリットブランチの幅と同一である。上記スリットステムの幅は、上記スリットブランチの幅と上記ドメイン境界テクスチャの幅の間である。上記複数のドメインの各ドメイン内で、上記スリットを有する画素電極上の上記第1の配向膜に隣接した液晶分子の上記配向ベクトルと上記スリットの伸張方向の間の角度として定義されるスリット角が45°より小さい。本発明の実施形態のさらなる他の態様によれば、液晶表示パネルで使用するための単位画素が提供される。上記単位画層は、画素電極及びその上に形成され光照射により作られた第1の配向膜を有する第1の基板と、上記第1の基板と離隔し、これに対向して配置された第2の基板と、上記第2の基板は、光照射により作られた第2の配向膜を有し、上記第1の基板と上記第2の基板の間に配置された液晶層と、上記第1の配向膜及び上記第2の配向膜に隣接した液晶分子の配向により形成された複数の配向ベクトルにより区分される複数のドメインと、上記画素電極に形成された開口に対応する複数のスリットとを具備し、上記画素電極は、上記スリットが集中的に形成されたスリット領域及び上記スリットが形成されない非スリット領域を有する。同一の画素電圧が上記スリット領域及び上記非スリット領域に印加される。上記画素電極は、相互に離隔するように配置される第1及び第2の微細画素電極を有し、上記スリット領域は、上記第1の微細画素電極上に形成され、上記非スリット領域は、上記第2の微細画素電極上に形成される。上記単位画素は、隣接したドメインの間又はドメインのエッジに現れるテクスチャを有し、上記スリット領域は、上記テクスチャと重なる。上記テクスチャの幅は、上記スリット領域の幅より狭い。本発明による光配向工程技術により製造された配向膜及びスリットを有する画素電極を含む単位画素は、配向膜隣接液晶分子がスリットの伸張方向に沿って配列されるに従って透過率が増加する。単一画素電圧が単位画素の複数の微細画素電極に印加されることにより、単位画素の設計を簡素化することができる。また、画素電極上の液晶分子が様々な方向に配列されるので、液晶表示パネルの様々な角度において高品質画像を見ることができる。本発明の他の目的、利点、及び顕著な特徴は、添付の図面及び本発明の実施形態による以下の詳細な説明から、この分野の当業者に明確になるはずである。以下、本発明の好適な一実施形態を、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。下記の説明において、詳細な構成および要素のような本発明の詳細な説明で定義される特徴は、本発明の実施形態の包括的な理解を助けるために提供される。したがって、本発明の範囲及び趣旨を逸脱することなく、ここに説明された実施形態の様々な変更及び変形が可能であるということは、当該技術分野における通常の知識を有する者には明らかである。また、明瞭性と簡潔性の観点から、当業者に良く知られている機能や構成に関する具体的な説明は、省略する。図面を通して、同一の構成要素及び部分には、可能な限り同一の符号及び番号を共通使用するものとする。添付の図面を参照して、本発明の実施形態に従って、光配向工程技術を適用した複数のドメインを有する単位画素及びこれを有する液晶表示パネルに関する説明がなされる。本発明の実施形態の下記の説明で様々な数値が開示されているが、そのような数値が請求範囲に記載されない限り、そのような数値は、請求範囲を限定しないことに留意すべきである。本明細書において、液晶表示パネルがノーマリーブラックモードにある、すなわち、駆動電圧が単位画素の2つの電極間に印加されない場合に、液晶層内の液晶分子は、基板に実質的に垂直であり、偏光板の透過軸が相互に垂直であるように配置されることにより、光が単位画素を通過しない垂直配向VerticalAlignment;VAモードを有する液晶表示パネルを例に挙げて説明されることに留意すべきである。また、本発明において、液晶分子が配向膜の垂直方向に関して傾斜した角度又は配向は、液晶分子の主軸又は長軸に関して傾斜した角度又は配向に対応することに留意すべきである。図2は、スリットが形成された画素電極を有する単位画素の液晶分子の配列を示す概念図である。この配列は、本発明の実施形態による単位画素内の複数のドメインの中の1つのドメインで高階調レベル電圧が画素電極と共通電極間に印加される際になされる。本発明の実施形態の特徴に従って、単位画素は、第1の配向膜110の下に配置される画素電極500の一部分を除去することにより作られたスリット503を有する。第1の配向膜110は、ここで本出願明細書の一部として結合され、本願出願人に譲渡された2010年7月1日付で公開された大韓民国特許公開公報第2010-0072682号及び2010年2月17日付で公開された大韓民国特許公開公報第2010-0018479号に開示された上述の光配向工程技術により形成される。上述したように、第1の配向膜110に隣接した液晶分子625の配向は、第1の配向膜110に垂直であるx-z平面に平行である平面上にx軸の負方向に配向された方向を示す第2の配向ベクトル320により示すことができる。スリット電極又はスリットブランチ505は、相互に分離されるように図示されているが、全体的に接続された画素電極の部分であり、画素電極に印加された画素電圧のレベルに比例する強度のフリンジフィールド507は、相互に隣接するスリット電極505の間に形成される。第1の配向膜隣接液晶分子621は、スリット503上の液晶分子623とスリット電極505上の液晶分子625とに区分される。スリット電極505上に配置された第1の配向膜隣接液晶分子625の配向は、単位画素にどの電圧又は電界が印加される場合にも変更されない。他方、スリット503上に配置された第1の配向膜隣接液晶分子623について、単位画素の画素電極500に印加される電圧、すなわち電界が増加する際に、これらの主軸の方位角は、第2の配向ベクトル320の方向から第4のドメイン配向ベクトル390の方向に変更され、これらの主軸の極角は、第1の配向膜110に水平方向に変更される。すなわち、x軸の負方向が基準方位角である際に、スリット上液晶分子623は、スリット電極505に印加された電圧のレベルに比例して0°と45°間の範囲で変更される方位角を有する。画素電極と共通電極間の電界が増加する際に、中間層液晶分子629の方位角も第4のドメイン配向ベクトル390に実質的に平行となるように変更されることにより、変更された方位角を有するスリット上液晶分子623とともに単位画素を通過した光量を増加することができる。したがって、本発明の特徴により、スリット503上の液晶分子の主軸の配向は、画素電極500に印加された画素電圧のレベルに従って変更されるので、単位画素を通過する光量を増加させることができる。図3Aは、複数のスリットを有する画素電極とその上の液晶分子のプレチルトが形成された配向膜とを有する単位画素の第1の基板の平面図を示す。図3Bは、図3Aの第1の基板と向かい合う単位画素の第2の基板の平面図を示す。図3Cは、図3Aの第1の基板と図3Bの第2の基板とが結合された単位画素を図3AのラインIII-III’に沿って切断した断面図を示す。図3A乃至図3Cを参照すると、単位画素の第1の基板101は、第1の基板101に配置された画素電極の一部を除去することにより作られたスリット503を有する画素電極500を有し、他方、第2の基板103は、スリットなしに第2の基板103の全面に配置された共通電極460を有する。本発明の特徴に従うと、与えられたドメインにおいて、スリット503を有する画素電極上の配向膜上の液晶分子の配向の方向とスリット503の伸張方向間の角度は、ドメイン内の配向膜の配向がドメイン配向ベクトルと交差する角度より小さい。言い換えれば、与えられたドメインにおいて、画素電極500のスリットの伸張方向が配向膜の配向、すなわち、配向膜上の液晶分子の主軸の方向と交差する角度は、45°より小さい。図3Aを参照すると、第1の基板101は、第1の基本基板図示せず、ゲートライン410、データライン420、薄膜トランジスタ430、画素電極500、ストレージ電極440、及び第1の配向膜図示せずを含む。薄膜トランジスタ430は、ゲートライン410及びデータライン420の信号により画素電圧を画素電極500に供給する。第1の配向膜110は、画素電極500上に配置され、上述の光配向工程技術で作られたx軸に平行である第1及び第2の配向ベクトル310及び320を有し、液晶分子と接触する。図3Bを参照すると、第2の基板103は、第2の基本基板図示せず、ブラックマトリックス450、カラーフィルター470、共通電極図示せず、及び第2の配向膜図示せずを有する。カラーフィルター470は、赤色、緑色、及び青色のような単位画素の基本色の中の1つの色のフィルターを示す。共通電極は、第2の基板103の全面にわたって形成され、一定の基準電圧は、液晶表示パネル上のすべての単位画素の共通電極に供給される。したがって、単位画素の液晶分子の配列は、画素電極500と共通電極間の電圧、すなわち、電界により調整される。第2の配向膜は、共通電極上に配置され、上述の光配向工程により作られたy軸に平行である第3及び第4の配向ベクトル330及び340を有し、液晶分子と接触する。本発明の特徴による画素電極500は、ドメイン210、220、230、及び240のそれぞれで相互に異なる方向に伸張される第1乃至第4のスリット510、520、530、及び540を有する。ドメイン210、220、230、及び240内のスリット510、520、530、及び540が形成された第1の基板101上の配向膜の各配向ベクトル310及び320とスリット510、520、530、及び540の各伸張方向間の角度以下、‘スリット角’と称する。は、各ドメイン210、220、230、240で各配向ベクトル310、320と各ドメイン配向ベクトル360、370、380、及び390間の角度より小さい。図示するように、スリット510、520、530、及び540を、所定のパターンを有するマスクを用いて画素電極500の一部を除去することにより製造でき、各スリット503を、同一の画素電圧が印加されるスリット電極505間に配置できることを当該技術分野における通常の知識を有する者であれば容易に理解するのであろう。また、図示されていないが、第2の基板103の共通電極がその一部を除去することにより形成されたスリットを有してもよいことは、当該分野における通常の知識を有する者であれば容易に分かる。画素電極500のスリット503と同様に、共通電極460のスリットは、その上の液晶分子が共通電極460と画素電極500間に印加された電圧に従って配列が変更されるように作用する。この作用は、単位画素の透過率の向上に寄与する。しかしながら、共通電極の物質が共通電極から過度に除去されると、一定の基準電圧を共通電極に印加することが難しくなるので、スリットの面積は制限されることが好ましい。したがって、共通電極に形成されるスリットの面積は、画素電極に形成されるスリットの面積より小さくするとよい。これにより、共通電極のスリット密度は、画素電極のスリット密度より小さくなる。液晶表示パネルの透過率を向上させるために、液晶分子は、液晶表示パネルの透過軸と適切な角度で交差するようにすることが必要である。例えば、最高階調レベルの電圧が単位画素に印加される場合に、液晶分子が透過軸と45°の角度で交差するようにこれらの方位角を変更するに従って、第1の透過軸111に沿って通過した直線偏光された光は、液晶分子を通過しつつ円偏光に変換されなければならない。液晶分子の中で、液晶層の中間部分にある液晶分子629は、画素電極500と共通電極460間に印加された階調レベル電圧に従ってそれらの方位角が容易に変化する。他方、画素電極500と共通電極460上の配向膜110及び120に隣接して位置した液晶分子625及び627は、画素電極500と共通電極460間に印加された階調レベル電圧に関係なく配向膜110及び120のプレチルトにより決定された一定の方位角を有する。しかしながら、図2及び図3Cに示すように、画素電極の一部を除去することにより作られたスリット503上の第1の配向膜110上の液晶分子623は、スリット503周囲のスリット電極505に印加された電圧に従ってそれらの方位角及び極角が変わるということが本発明者により観察された。したがって、単位画素の透過率を向上させるためには、スリット503上の液晶分子623の方位角及び/又は極角を変更する必要がある。スリット503上の液晶分子を通過した光が通過するスリット光経路701に配置され、共通電極460上の第2の配向膜120上に隣接した液晶分子627は、画素電極500と共通電極460間に印加された階調レベル電圧に関係なく、第2の配向膜120のプレチルトにより定められた一定の方位角及び極角を有し、他方、スリット503上にあり、第1の配向膜110に隣接した液晶分子623は、階調レベル電圧に従ってそれらの方位角及び極角が変更される。また、スリット光経路701に沿って通過した光は、第2の配向膜120に隣接した液晶分子627を通過した後に、第2の基板103上の偏光板図示せずを所定の偏光ではない偏光で通過することができるということが発明者により観察された。例えば、最高階調レベルの画素電圧が単位画素の画素電極500に印加される場合に、第1の基板101上の偏光板図示せずを直線偏光で通過した光は、第2の基板103上の偏光板図示せずを直線偏光でない楕円偏光で通過することができる。さらに、画素電極500のスリット電極505を通過する光の経路である電極ブランチ光経路703は、単位画素に存在し、電極ブランチ光経路703を通過した光は、第2の基板103上の偏光板を直線偏光で通過することを考慮すると、スリット503上の液晶分子623の方位角及び/又は極角に影響を及ぼすスリットの伸張方向及びスリット角についての臨界的又は適切な範囲を探し出すことが要求される。図4Aは、本発明の実施形態による第2のドメインでスリットの伸張方向に関連した配向ベクトルとこれらの方位角及び極角ベクトルとを示す平面図である。図4B及び図4Cは、本発明を説明するための方位角ベクトル及び極角ベクトルをそれぞれ示すベクトル図である。図4Aに示すように、第1の配向ベクトル310と、第1の配向ベクトル310に直交し、同一の大きさを有する第3の配向ベクトル330と、第1の配向ベクトル310と第3の配向ベクトル330との和を示す第2のドメイン配向ベクトル370と、第1の配向ベクトル310に平行である偏光軸111とを有する偏光板と、第3の配向ベクトル330に平行である偏光軸121を有する偏光板とに関する説明は、上述した通りである。第1の配向膜110上の液晶分子の配向により決定された第1の配向ベクトル310及び第2の配向膜120上の液晶分子の配向により決定された第3の配向ベクトル330は、相互に直交し、これらの絶対値が相互に同一であるので、第1の配向ベクトル310と第2のドメイン配向ベクトル370間の角度は、45°である。画素電圧が画素電極に印加される際に、スリット方位角ベクトル521は、第2のスリット520上の液晶分子の主軸の方位角の変更により発生された方位角ベクトルであり、画素電圧が画素電極に印加される際に、スリット極角ベクトル525は、第2のスリット520上の液晶分子の主軸の極角の変更により発生された極角ベクトルであると仮定される。スリット方位角ベクトル521及びスリット極角ベクトル525がスリット上及びスリット電極上の液晶分子の主軸の平均的な変更を考慮して決定されることに留意すべきである。図4B及び図4Cを参照すると、第1の方位角配向ベクトル311及び第1の極角配向ベクトル315は、第1の配向ベクトル310の方位角及び極角のベクトル成分であり、第3の方位角配向ベクトル331及び第3の極角配向ベクトル335は、第3の配向ベクトル330の方位角及び極角のベクトル成分である。第1の方位角配向ベクトル311及び第3の方位角配向ベクトル331が相互に直交し、同一の絶対値を有するために、2つの配向ベクトル311及び331のベクトル和は、第2のドメイン方位角配向ベクトル371であり、第2のドメイン方位角配向ベクトル371と第1の方位角配向ベクトル311間の角度βは、45°である。したがって、画素電極内にスリットがない場合に、第2のドメイン方位角配向ベクトル371は、第2のドメイン配向ベクトル370の方位角ベクトル成分となる。一方、画素電極内にスリットがある場合に、画素電圧が画素電極に印加される際に、第1の変更された方位角配向ベクトル312は、第2のスリット520上の液晶分子の主軸の方位角の変更により発生されたスリット方位角ベクトル521と第1の方位角配向ベクトル311との和により発生される。第2の配向膜120の下に配置された共通電極にはスリットがなく、第3の方位角配向ベクトル331と和をなす別途のベクトルがないために、第2の変更されたドメイン方位角配向ベクトル372は、第1の変更された方位角配向ベクトル312と第3の方位角配向ベクトル331との和により発生されることにより、第2の変更されたドメイン方位角配向ベクトル372と第1の方位角配向ベクトル311間の変更された方位角αは、角度β=45°より大きい。すなわち、第2のドメイン内のスリットを有する画素電極上の液晶分子の主軸の方位角の平均は、45°より大きい。しかしながら、上述したように、1つのドメイン内の液晶分子の主軸の方位角の平均が45°である際に、バックライトアセンブリ図示せずから入射する光は、第1の透過軸111に沿って直線偏光され、その後に、ドメイン内の液晶分子により円偏光され、第2の透過軸121に沿って直線偏光されるために、画素電圧の印加により第2のスリット上の液晶分子の変更された方位角による楕円偏光を円偏光に近くするために、第2のドメイン方位角αを45°に近接するように減少させることが要求される。他方、極角ベクトルと関連した図4Cを参照すると、第1の極角配向ベクトル315及び第3の極角配向ベクトル335は、第1の方位角配向ベクトル311及び第3の方位角配向ベクトル331と関連して説明したように、それぞれ第1の配向ベクトル310及び第3の配向ベクトル330の極角ベクトル成分である。第1及び第3の極角配向ベクトル315及び335が相互に直交し、同一の絶対値を有するために、これらの2つのベクトルの和は、第2のドメイン極角配向ベクトル373であり、第2のドメイン極角配向ベクトル373と第1の極角配向ベクトル315の間の角度δは、45°である。画素電圧が画素電極に印加される場合に、第2のスリット520上の液晶分子の主軸の極角が増加するために、第1の極角配向ベクトル315と同一の方向を有するスリット極角ベクトル525が存在し、これにより、第1の極角配向ベクトル315とスリット極角ベクトル525との和である第1の変更された極角配向ベクトル316が存在する。上述したように、第2の配向膜120の下に配置された共通電極上にはスリットがないために、第1の変更された極角配向ベクトル316と第3の極角配向ベクトル335との和は、第2の変更された極角配向ベクトル375となり、第2の変更された極角配向ベクトル375と第1の変更された極角配向ベクトル316の間の変更された極角εは、角度δ=45°より小さい。上述したように、第2のドメイン内のスリット上の液晶分子を通過する光が円偏光されることが望ましいために、変更された極角εは、角度δに近接する必要がある。結果的に、第2のドメインの透過率を向上させるために、スリット方位角ベクトル521及びスリット極角ベクトル525の大きさを調整することにより変更された方位角α及び変更された極角εを45°に近くすることが要求される。このようにするためには、第2のドメイン内の第1の配向ベクトル310と第2のスリット520の伸張方向の間の角度であるスリット角の臨界的又は適切な範囲を探し出す必要がある。図5Aは、上述した臨界的又は適切なスリット角を探し出すための実験に使用された単位画素の第1の基板101の拡大した概略平面図であり、図5Bは、図5AのラインVb~Vb’に沿って切断された拡大した概略断面図である。図3Aに示すものとは異なり、単位画素内の第1の基板上の画素電極は、相互に離隔した複数の微細画素電極又は第1及び第2の画素電極560及び570を含み、各微細画素電極上には、プレチルトが光配向工程により形成される第1の配向膜図示せずが塗布されている。各微細画素電極は、複数のドメインを有し、各ドメインは、隣接ドメインとは異なる方向に伸張するスリット503を有する。透過率実験に使用される液晶表示LCDパネルは、下記の表1に示されている条件を有する。図示されなかったが、図5Aの第1の基板101と液晶層を通して向かい合う第2の基板103は、図3Bに示すように、単一共通電極と、共通電極上に形成され、第1の基板101上のデータライン420及び電圧印加領域435と向かい合うブラックマトリックスと、ブラックマトリックスにより囲まれたカラーフィルターと、これらの上に配置され、光配向工程によりプレチルトが形成される第2の配向膜とを有する。上述したように、共通電極内にはスリットが形成されない。図5A及び図5Bを参照すると、第1の基本基板401上には、Al、Cu、Mo、又はNi導電層を構成する第1及び第2のゲートライン411及び413と第1のキャパシタ電極442とが形成され、これらの上には、窒素酸化物NOxのような物質を構成するゲート絶縁層415が形成される。ゲート絶縁層415上の第1及び第2の薄膜トランジスタ431及び433の領域には、アモルファスシリコンで形成された半導体層437及びアモルファスシリコンに不純物をドーピングすることにより作られたオーミックコンタクト層438が順次に形成される。第1及び第2の薄膜トランジスタ431及び433のオーミックコンタクト層438の上には、Al、Cu、Mo、又はNi導電層を構成する第1及び第2のソース電極421及び422と、第1乃至第3のドレーン電極423、425、及び426と、第2のキャパシタ電極443とが形成され、これらの上には、炭素化合物を構成する保護層417が塗布される。保護層417上には、スリット503及びスリット電極505が形成される。第1の薄膜トランジスタ431の第1のソース電極421は、データライン420に接続され、そのドレーン電極423及び425は、第1及び第2の接触部432及び434を通して第1及び第2の画素電極560及び570に接続される。第2の薄膜トランジスタ433の第2のソース電極422は、第2のドレーン電極425に接続され、第2の薄膜トランジスタ433のドレーン電極426に接続された第2のキャパシタ電極443は、第1の画素電極560の周辺部の下のストレージ電極から突出した第1のキャパシタ電極442をそれらの間に介在されたゲート絶縁層415と重畳することによりダウンキャパシタ441を形成する。第1の薄膜トランジスタ431がターンオンとなる場合に、データライン420上の電圧は、第1及び第2の画素電極560及び570に印加され、第2の薄膜トランジスタ433がターンオンとなる場合に、第2の画素電極570上の電圧は、第1及び第2のキャパシタ電極442及び443により形成されたダウンキャパシタ441により充電された電圧の量だけ減少される。本発明の実施形態において、第2の画素電極570に印加される電圧のレベルは、第1の画素電極560に印加される電圧のレベルの約80であった。図5Aから分かるように、第1の画素電極560の垂直長さが第2の画素電極570の垂直長さのほぼ1/2倍であり、電圧印加領域435の垂直長さのほぼ2倍であるために、第2の画素電極570、第1の画素電極560、及び電圧印加領域の面積の比率は、4:2:1である。図5Cは、図5Aの第1の基板が適用された単位画素を有する液晶表示パネルのスリット角透過率グラフである。図5Cのスリット角透過率グラフを得るために使用される第1の配向膜110及び第2の配向膜120のプレチルト角、すなわち、1.0°から3.0°の範囲内のプレチルト角に対して、スリット角509が22.5°、30.0°、37.5°、及び45.0°で増加するに従う透過率の測定値が示されている。単位画素の透過率は、その単位画素を有する液晶表示パネルから出る光の量を液晶表示パネルに入射する光の量に割った百分率であり、最大の光の量が液晶表示パネルを通過できる表1に示す最高階調レベルの電圧が単位画素に印加された場合に測定された。図5Cから分かるように、単位画素の透過率は、その配向膜のプレチルト角に関係なく、単位画素の画素電極のスリット角が45°より小さい際に増加する傾向がある。また、透過率は、配向膜のすべてのプレチルト角に対して、45°より小さい特定のスリット角で最大値を有することが観察された。したがって、単位画素の画素電極のスリット角が45°より小さい際に、透過率がさらに高いということが発明者により確認された。さらに、単位画素の配向膜のプレチルト角が1.0°である場合に、約25°と45°の間のスリット角での透過率は、45°のスリット角での透過率よりさらに高いことが分かった。なお、光配向工程技術を用いて製造された液晶表示パネルの配向膜のプレチルト角が1.0°以下に減少される場合に、配向膜隣接液晶分子のプレチルト角を保持することが難しいため、1.0°以下のプレチルト角に対して実験を行っていない。また、光配向工程技術を用いて製造された液晶表示パネルの配向膜のプレチルト角が3.0°以上に増加する場合に、単位画素のドメイン境界で輝度が減少するドメイン境界テクスチャ現象、ブラック階調からホワイト階調に容易に転換されないブラック残像現象、及び最高階調レベルでさらに低い階調レベルの輝度より低い輝度が現れる階調反転現象のような液晶表示パネルの表示品質の問題点が現れるため、3.0°以下のプレチルト角に対して実験を行った。したがって、単位画素のスリットのスリット角は、45°より小さいことが好ましい。より望ましくは、画素電極のスリットのスリット角は、30.0°から37.5°以下であることがよいということが発明者により発見された。上述した図5Aに示す微細画素電極560及び570のスリット幅及びスリット電極幅以下、スリットピッチと称する。の和が7μmである場合に、スリット角の範囲が透過率を向上させるために重要であるということが説明されたが、スリット及びスリット電極の幅も重要であるということが発明者により発見された。図6は、図5Aの領域VIaを拡大することにより得られた画素電極を有する単位画素の概略平面図であり、単位画素に形成された画素電極のスリット503、スリット電極505、及びスリットピッチ‘p’を示す。異なるスリットピッチ‘p’に対する実験を通して得られた透過率は、図7に示す。図7は、図5A及び図6に示す単位画素の画素電極の異なるスリットピッチ‘p’と透過率の間の関係を示すグラフである。測定に使用された単位画素のスリットピッチは、6μm及び7μmであり、スリット及びスリット電極の幅は、相互に同一であった。単位画素の他の条件に対しては、表1に提示された詳細が使用された。ピッチ、すなわち、スリット幅が透過率に及ぼす影響を確認するために、画素電極にスリットが形成されない単位画素の透過率も図7に示される。画素電極にスリットがない単位画素の透過率と比べると、画素電極のスリットピッチ‘p’が6.0μm、すなわち、スリット幅wsが3.0μmである単位画素の透過率は高いが、画素電極のスリットピッチ‘p’が7.0μm、すなわち、スリット幅wsが3.5μmである単位画素の透過率は低い。したがって、画素電極にスリットがない液晶表示パネルの透過率より高い透過率を有する液晶表示パネルを考慮する際に、スリットピッチ‘p’は、約6.0μm、すなわち、スリット幅wsが約3.0μmであることが好ましい。本実験に使用された工程装置、すなわち、光リソグラフィー装置の限界により6.0μm以下のスリットピッチ‘p’を有する画素電極に対する実験が不能であることに留意すべきである。しかしながら、6.0μm以下のスリットピッチ‘p’を有する画素電極に対しても単位画素の透過率を向上させることができるということが発明者により推定される。画素電極のスリット幅が単位画素の透過率に及ぼす影響をさらに確認するために、様々なスリット幅が適用された画素電極を有する単位画素の透過率を図8に示すように測定した。図8は、図5Aに示す画素電極に適用された様々なスリット幅及びそのスリット幅が適用された単位画素の透過率を示すグラフである。透過率は、画素電極のスリット503の幅を3.0μmから3.6μmまで0.2μmずつ増加させることにより測定された。上述した他のグラフと同様に、このグラフも画素電極にスリットがない単位画素の透過率を比較例として示す。図8から分かるように、単位画素のスリット幅は、単位画素の透過率に反比例し、スリット幅が3.2μmより小さいと、画素電極にスリットがない場合より単位画素の透過率が高い。他方、スリット幅が3.4μmより大きいと、画素電極にスリットがない場合より単位画素の透過率が低い。したがって、画素電極のスリット幅は、3.4μmより小さくすることが好ましい。図5Aと比べると、図9は、図5Aの第2の薄膜トランジスタ433、ダウンキャパシタ441、及び第1の画素電極560のスリットを有しない単位画素の例を示す。図5Aの第2の薄膜トランジスタ433及びダウンキャパシタ441を省略することができるために、電圧印加領域435の面積を減少させることができ、この減少された面積だけ画素電極の面積を増加させることができるので、単位画素の透過率を向上させることができる。また、多くの熱を発生させ得るダウンキャパシタは、図9の単位画素に使用されないので、液晶表示パネルの劣化を防止することができる。単位画素の特性がスリット角又はスリット幅に基づいて変更され得ることをすでに上述した。しかしながら、別の方法では、単位画素の透過率又は視認性は、画素電極内のスリットの配置又は形態を変更することにより変更され得る。図10A乃至図10Fは、本発明の実施形態によるスリットが画素電極の様々な位置に配置される単位画素の第1の基板の拡大した概略平面図である。これらの実施形態は、単位画素の透過率の向上、階調反転の縮小、ドメイン境界テクスチャの減少、及び視認性の改善のために、図3A、図5A、及び図9に示す単位画素の画素電極を変形したものである。説明の便宜のために、単位画素に含まれるゲート電極、データ電極、ストレージ電極、及び薄膜トランジスタのような電圧印加回路は、図面に示さない。また、画素電極を有する第1の基板と向かい合う第2の基板上のブラックマトリックス及びカラーフィルターも省略される。図10Aは、単位画素のドメインの画素電極がスリット領域及び非スリット領域に区分されることを示す単位画素の第1の基板の拡大した概略平面図である。スリット領域581は、スリット503が集中的に配置された領域であり、非スリット領域583は、スリットが配置されない領域である。上述したように、階調電圧が印加される場合に、スリット領域581のスリット503上の配向膜隣接液晶分子が非スリット領域583内の画素電極上の配向膜隣接液晶分子と異なって配列され、単位画素の各ドメインでのスリット領域581の液晶分子及び非スリット領域583の液晶分子の配向が相互に異なるため、液晶表示パネルの透過率又は視認性を改善することができる。また、単一画素電圧が図10Aに示す単位画素100の画素電極500に印加されるので、単位画素100で薄膜トランジスタ及び様々な種類の信号電極の面積が減少し、画素電極500の面積が増加することにより透過率が向上するということは、当該分野における通常の知識を有する者であれば容易に分かる。図10Aに示す画素電極のスリット領域581は、ドメインの中央部分に配置され、これらのスリット503の幅及びスリット角は、調節可能である。画素電極500のスリット領域581の面積と非スリット領域583の面積との比とを調節することにより、単位画素の透過率を改善させることができ、階調反転を減少させることができる。その結果、高品質の映像を液晶表示パネルの様々な角度で見ることができるように視野角特性を向上させることができる。上述したように、スリット領域の面積及びスリット幅を様々な方法で調整することは、図10Aの実施形態だけでなく、上述、或いは後述する他の実施形態のスリット領域又はスリットにも適用され得ることは、当該分野における通常の知識を有する者であれば容易に分かる。図10Bは、単位画素100のスリット領域581が画素電極500の中央部分に配置された単位画素の第1の基板の拡大した概略平面図である。ドメイン境界テクスチャ591は、単位画素のドメインが相互に隣接する部分に形成され、ドメイン境界テクスチャ591の一部分は、スリット領域581と重なり、残りの部分は、非スリット領域583と重なる。非スリット領域583と重なるドメイン境界テクスチャに位置した液晶分子は、通常のドメイン境界テクスチャ領域に配置された液晶分子と類似して配列される。他方、上述したように、スリット503は、透過軸111及び121と交差する各ドメイン配向ベクトル360、370、380、及び390と類似した方向に伸張され、スリット領域581に配置された液晶分子は、それらの方位角及び極角がスリット503の伸張方向及びスリット503上の液晶分子の配向に基づく方法で配列されることにより、スリット領域581と重なるドメイン境界領域を通過する光の量を増加させ、ドメイン境界テクスチャの幅を減少させる。図10A及び図10Bを参照すると、スリット領域581及び非スリット領域583が相互に接する部分には、2つの領域581及び583の特性を有するスリットエッジ領域585が存在する。スリットエッジ領域585に配置された液晶分子がスリット領域581に配置された液晶分子よりドメイン配向ベクトルの方向にあまり影響を及ぼさないので、スリットエッジ領域585の輝度は、スリット領域581の輝度よりさらに低い。したがって、単位画素の透過率を高めるために、スリットエッジ領域585の面積を減少させなければならない。図10Bに示すスリット領域581が画素電極500の中央に集中的に形成されるので、図10Bのスリットエッジ領域585の面積は、図10Aの4つのスリット領域581のスリットエッジ領域585の和より小さいことは、当該分野における通常の知識を有する者であれば容易に分かる。スリット領域581は、画素電極又はドメインの中央部分だけではなくエッジ部分に位置してもよい。図10Cは、単位画素100のスリット領域581は、画素電極500の1対の長辺に配置され、フリンジフィールドテクスチャ595と重なる単位画素の第1の基板の拡大した概略平面図である。スリット領域581上の液晶分子は、非スリット領域583上の液晶分子よりそれらの極角がさらに大きく、それらの方位角がスリット503の伸張方向により大きく影響を受けるので、単位画素の第1の基板の画素電極500のエッジと第2の基板の共通電極間に形成されたフリンジフィールドに配置され、画素電極500とは反対に傾斜する液晶分子の数を減少させる。したがって、単位画素のエッジでさらに多くの光が通過することができ、フリンジフィールドテクスチャ595の面積を減少させることができる。また、図10Cに示すスリット領域581がドメイン境界テクスチャ591の一部と重なるので、ドメイン境界テクスチャ591の面積は、重なる領域で減少することができる。フリンジフィールドテクスチャ595又はドメイン境界テクスチャ591の面積を減少させるために、スリット領域581は、テクスチャが形成された領域だけに形成されてもよい。例えば、スリット領域581は、図10Dに示すように、フリンジフィールドテクスチャ595が現れる領域だけに形成されてもよく、又は図10Eに示すように、画素電極500のエッジに沿って位置してもよい。別の方法では、スリット領域581は、図10Fに示すように、ドメイン境界テクスチャ591が現れる領域だけに形成されてもよい。図10D乃至図10Fに示す実施形態において、スリット領域581の面積がテクスチャの面積より大きく設定される際に、単位画素のテクスチャの幅を効率的に減少することができることに留意すべきである。複数のスリット角は、1つのドメインに形成されてもよい。例えば、スリット角509は、図10Gに示すように連続して変更されてもよい。具体的に、スリット503があるドメインの外縁からそれに隣接する他のドメインに伸張される間に、それらのスリット角509は、45°より小さい範囲内で徐々に減少する。スリット角509が継続して変更されるので、スリット503上の液晶分子を、ある階調レベル信号に対して様々な方位角で配置することができ、液晶表示パネル上に表示される映像は、様々な方向からでも同一の品質で視認されることができる。さらに、スリット503は、ドメイン境界又は画素電極のエッジにも形成されるので、テクスチャ図示せずの面積を減少することができる。図示していないが、ドメインが様々なスリット角を有する際に、テクスチャを有する領域のスリット角は、テクスチャがない領域のスリット角とは異ならせることができる。例えば、液晶分子がドメインでの配向膜の配向方向に平行に配列されるに従い、ドメイン境界テクスチャが発生するので、ドメイン境界テクスチャ領域のスリット角は、テクスチャがない領域のスリット角よりさらに大きくなり得る。スリット角は、スリットがドメインでの配向膜の配向方向と交差する角であるので、スリット角が大きくなるほど、液晶分子が配向方向に平行に配列される面積、すなわち、テクスチャの面積が減少する。単位画素のドメインは、単位画素の一方向に連続して配置されてもよく、スリット領域は、ドメインの一部分のみに形成されてもよい。図10Hは、単位画素100の垂直方向に沿って順次に配置されるドメイン210、220、230、及び240を示す。ドメイン210、220、230、及び240において異なる方向に向かうドメイン配向ベクトル360、370、380、及び390は、透過軸111及び121に対して45°の角度をなす。ドメイン210、220、230、及び240は、45°より小さいスリット角をなすスリットを含むスリット領域581を有し、同一のドメイン配向ベクトルを有するドメイン内の液晶分子の配向の数は、複数である。単位画素において、スリット領域581は、ジグザグに、すなわち、垂直又は列方向に交互に配列される。図10A乃至図10Hを参照して、単位画素が1つの画素電極を有する実施形態について説明したが、単位画素の画素電極は、複数の微細画素電極に分割されてもよい。図10Iは、3つの微細画素電極560、571、及び573を有する単位画素100の第1の基板の拡大した概略平面図である。図10Iにおいて、スリット領域581は、中央微細画素電極560のみに形成されたが、図10A乃至図10Hに示す様々な形態を有するスリットが他の微細画素電極571及び573に形成され得ることは、当該分野における通常の知識を有する者であれば容易に分かる。図11は、画素電極のスリット503、スリット電極505、及びスリット電極505を接続するスリットブリッジ502を示す図10Bの領域XIを拡大することにより得られた単位画素の第1の基板の拡大した概略平面図である。スリット電極505を接続するスリットブリッジ502の幅wbは、ドメイン境界テクスチャ591の幅wDBTより狭い。最高階調レベルの電圧が単位画素に印加される際に、ドメイン境界テクスチャ591の幅wDBTは、隣接したドメインの最大輝度と最小輝度との間の差を半分にすることにより得られた輝度値を最大輝度から減算することにより決定された値以下の輝度値を有し、隣接したドメイン間の境界に現れる暗い領域を定める幅である。上述したように、ドメイン境界テクスチャ591とスリット領域581とが重なる部分の幅は、ドメイン境界テクスチャ591とスリット領域581とが重ならない部分の幅すなわち、スリットブリッジ502の幅よりさらに狭い。しかしながら、ドメイン境界テクスチャ591と重なるスリット領域581内のスリット電極505が相互に分離されると、画素電圧は、スリット電極505に円滑に印加されず、スリット503上の液晶分子の方位角及び極角は、要求される角度と異なってしまい、ドメイン境界テクスチャ591の幅が狭くなる効果を減少させる恐れがある。そこで、隣接したスリット電極又はスリットブランチ505は、図11に示すように、スリットブリッジ又はスリットステム502により相互に接続される。電圧がスリットブリッジ又はスリットステム502に印加される際に、スリット503のスリットブリッジ502に接続された部分上の液晶分子は、要求される配向と異なって配列されることがあるので、発明者は、スリットブリッジの幅wbができるだけ狭いことがよいと考えた。例えば、スリットブリッジ502の幅wbをドメイン境界テクスチャ591の幅wDBTより狭くなるように設定することにより、スリット503のスリットブリッジ502に接続された部分がドメイン境界テクスチャ591内に配置されるように工夫する必要がある。通常、ドメイン境界テクスチャの幅wDBTが約10μmとして測定されるために、スリットブリッジの幅wbは、10μm未満に設定されることが好ましい。また、スリットブリッジの幅wbを、スリット電極505の幅weだけ狭く設定することによりスリットへの円滑な電圧の印加を可能にする。あるいは、スリットブリッジの幅wbは、スリット電極の幅weとドメイン境界テクスチャの幅wDBTの間の幅を有してもよい。液晶表示パネルの工程設備の製造能力を考慮する際に、通常、スリット電極の幅weは約3μmとして決定されるので、スリットブリッジの幅wbは、3μm又はそれ以上に決定されることが好ましい。他方、図10C乃至図10Eに示すように、スリット電極を画素電極のエッジにより相互に分離することができるので、スリットブリッジが電圧をスリットに円滑に印加することができるように、画素電極のエッジに配置された相互に隣接するスリット電極を接続する必要がある。スリットブリッジが画素電極のエッジに形成されるフリンジフィールドテクスチャの幅の減少に寄与できるので、画素電極のエッジに配置されたスリットブリッジの幅wbは、ドメイン境界領域に配置されたスリットブリッジの幅の設定のようにフリンジフィールドテクスチャの幅より狭く設定されてもよい。別の方式では、スリットブリッジの幅wbは、スリット電極の幅weと類似して設定されてもよく、又はそれより広く設定されてもよいことに留意すべきである。以上、本発明を具体的な実施形態を参照して詳細に説明してきたが、本発明の範囲及び趣旨を逸脱することなく様々な変更が可能であるということは、当業者には明らかであり、本発明の範囲は上述の実施形態に限定されるべきではなく、特許請求の範囲の記載及びこれと均等なものの範囲内で定められるべきである。