"基板を下面において保持する基板保持ステージを有する基板保持部と、上記基板保持ステージの下方に配設され、上方の基板に薬液を付着させる薬液吐出ノズルを有する薬液吐出部を具備することを特徴とするスピンコーター。基板保持ステージと薬液吐出ノズルとの間隔が0.5~10cmである請求項1記載のスピンコーター。薬液吐出ノズルから基板に向けて吐出した薬液の余剰分を回収する薬液回収部を有する請求項1又は2記載のスピンコーター。薬液回収部で回収した薬液を薬液吐出ノズルに循環する循環機構を有する請求項3記載のスピンコーター。太陽電池用シリコン基板に対する拡散剤塗布用である請求項1~4のいずれか1項記載のスピンコーター。太陽電池用シリコン基板表面又は裏面のSiO2膜の選択的エッチング除去の際のエッチング液塗布用である請求項1~4のいずれか1項記載のスピンコーター。本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、薬液の反対面へのまわりこみを抑制するスピンコーターを提供することを目的とする。本発明は、上記目的を達成するため、基板を下面において保持する基板保持ステージを有する基板保持部と、上記基板保持ステージの下方に配設され、上方の基板に薬液を付着させる薬液吐出ノズルを有する薬液吐出部を具備することを特徴とするスピンコーターを提供する請求項1。これにより、薬液の反対面へのまわり込みが抑制される。この場合、基板保持ステージと薬液吐出ノズルとの間隔が0.5~10cmであることが好ましく、これにより基板面内に薬液を均一に塗布することができる請求項2。更に、薬液吐出ノズルから基板に向けて吐出した薬液の余剰分を回収する薬液回収部を有することが好ましく、これにより薬液を有効利用することができる請求項3。また、薬液回収部で回収した薬液を薬液吐出ノズルに循環する循環機構を有すると効率的である請求項4。本発明のスピンコーターは、太陽電池用シリコン基板に対する拡散剤塗布用請求項5、あるいは太陽電池用シリコン基板表面又は裏面のSiO2膜の選択的エッチング除去の際のエッチング液酸塗布用請求項6として有用である。本発明のスピンコーターを用いることで、反対面への薬液のまわりこみを抑制することができる。本発明のスピンコーターは、太陽電池製造工程への利用に有効である。この場合、リン拡散剤等の拡散剤を塗布する場合に用いれば、通常の太陽電池製造工程では必須工程である基板側面のpn接合分離工程が不要となるだけでなく、裏面の再結合によるロスを低減できこれにより変換効率は向上する。また、表面あるいは裏面のみの選択エッチングにも利用することができ、短絡電流が減少してしまったり、更にはパッシベーション膜としての機能も低下して開放電圧が低下してしまうというような影響を排除することができる。本発明のスピンコーターは、基板を下面において保持する基板保持ステージを有する基板保持部と、上記基板保持ステージの下方に配設され、上方の基板に薬液を付着させる薬液吐出ノズルを有する薬液吐出部を具備するもので、このように基板保持部と、薬液吐出部と、更に必要により薬液回収部とを有する。この場合、基板保持部は基板を固定するステージとこれに機械的連結してステージを回転させるモーターとを備え、薬液吐出部は薬液吐出ノズル、薬液供給ポンプ及びこれらを連結する配管を備え、薬液回収部は回収用孔、回収タンク及びこれを配設する配管を備える。図1は本発明の実施例に係るスピンコーターを示す。このスピンコーター10は、凹状基体12と、この凹状基体12に着脱可能に装着される蓋体14とからなり、内部を薬液処理室16とする収容体18の上記処理室16に存して基板1を保持する板状の基板保持ステージ20が配設されている。このステージ20には、数~数十個の空孔が形成されており、図示していないが、真空ポンプ等を用いてこれら空孔によって基板1を真空吸着することにより、基板1をステージ20の下面において保持するようになっている。上記ステージ20の上面中央部には、上記蓋体14上に配設された回転モータ22のモータ軸24が連結されており、このモータ軸24の回転によりステージ20が回転し、これと一体に基板1が回転するようになっている。この場合、毎分100~10,000回転程度で高速回転することで、薬液を基板全面に展開する役割を果たす。上記ステージ20の下方には、処理室16に存して、薬液吐出ノズル26が配設されている。このノズル26は、上記凹状基体12を気密に貫通する薬液供給配管28によって薬液供給ポンプ30と連結されている。更に、このポンプ30は、薬液タンク32と配管34を介して連結され、このタンク32内の薬液がポンプ30により上記薬液供給配管28を通ってノズル26よりその上方に存する基板1に向けて噴出するようになっている。この場合、ノズル26は、先端が0.1~数mmの大きさに開口されており、薬液を基板1の第一主表面図1において下面に吐出する。ポンプ30は、基板1とノズル26との間隔分以上の水頭を薬液に与え、薬液を基板1に到達させ、付着させる役割を果たす。通常のスピンコーターを用いた場合、塗布剤は重力と表面張力の兼ね合いで、少なからず第二主表面側にまわりこんでしまう。図1に示すように、薬液吐出部を基板保持部よりも鉛直下側に配置することで、余剰薬液は反対面にまわりこむ前に遠心力で飛散するため、第二主表面へのまわりこみを防止できる。基板保持ステージと薬液吐出ノズルとの間隔は0.5~10cmが好ましい。狭すぎると均一な塗膜が得られなくなり、広すぎると薬液の飛散が激しくなってまわりこみが発生してしまう。上記凹状基体12の底部には、回収用孔36が形成され、この回収用孔36には、回収用配管38の一端が連結し、その他端は上記薬液タンク回収タンク32と連結し、上記ノズル26から噴出して基板1に付着し、遠心力により基板1から飛散した余剰薬液は収容体18内壁を伝い、回収用孔36へ流れ込み、上記薬液タンク回収タンク32に回収される。この場合、上記例は、薬液タンクと回収タンクとを一致させたが、薬液タンクと別途に回収タンクを設けるようにしてもよく、またこれら両タンクを配管で連結して回収タンク内の薬液を薬液タンクに供給するようにしてもよい。また、回収タンクには薬液を追加で供給できるようにしておき、回収タンクと薬液供給ポンプを配管で連結しておけば、回収された薬液を再び吐出部に戻し、再使用することができる。なお、薬液回収部は本質的には不必要である。本発明のスピンコーターは太陽電池の作製において有効に利用できる。本発明のスピンコーターを用いた太陽電池の作製方法の一例を、図2、3をもとに以下に述べる。但し、本発明の利用はこの方法で作製された太陽電池に限られるものではなく、また当然、一般の半導体デバイスプロセスにおいても利用することができる。高純度シリコンにホウ素あるいはガリウムのようなIII族元素をドープし、比抵抗0.1~5Ωcmとしたアズカット単結晶{100}P型シリコン基板201、301の表面のスライスダメージを、濃度5~60質量の水酸化ナトリウムや水酸化カリウムのような高濃度のアルカリ水溶液、もしくは、ふっ酸と硝酸の混酸等を用いてエッチングする。単結晶シリコン基板は、CZ法、FZ法のいずれの方法によって作製されてもよい。引き続き、基板表面にテクスチャとよばれる微小な凹凸形成を行う。テクスチャは太陽電池の反射率を低下させるための有効な方法である。テクスチャは、加熱した水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム等のアルカリ水溶液濃度1~10質量、温度60~100°C中に10~30分程度浸漬することで形成される。上記溶液中に、所定量の2-プロパノールを溶解させ、反応を促進させることが多い。テクスチャ形成後、塩酸、硫酸、硝酸、ふっ酸等、もしくはこれらの混合液の酸性水溶液中で洗浄する。経済的及び効率的見地から、塩酸中での洗浄が好ましい。清浄度を向上するため、塩酸溶液中に、0.5~5質量の過酸化水素水を混合させ、60~90°Cに加温して洗浄してもよい。このようにして用意した基板201[図2A],301[図3A]に対し、例えば、以下のような工程において本発明のスピンコーターが利用できる。1拡散剤塗布に利用する場合本発明のスピンコーターは拡散剤の塗布に利用できる。例えば、上記基板201の一方の面上に、リンを含有させた0.5~5ミリリットルの塗布剤を、毎分1,000~5,000回転の速度で、本発明のスピンコーターを用いて塗布する。この基板を800~1,000°Cの温度雰囲気中で熱処理してリンを基板中に拡散させ、表面近傍にのみ薄いn型層拡散層202を形成する[図2B]。本発明のスピンコーターは、基板下面から塗布剤を吐出するため、反対面へのまわりこみが全く発生しない。従って、従来のスピンコーターでは発生してしまう裏面側への不要な拡散層が形成されることがなくなり、太陽電池を形成した際には、内部並列抵抗の低下や裏面での再結合に伴う変換効率の低下が生じない。拡散工程の後、表面に形成したリンガラスを数~数十のふっ酸等で除去後、受光面の反射防止膜203の形成を行う[図2C]。製膜にはプラズマCVD装置を用い、SiNx膜を約100nm製膜する。反応ガスとして、モノシランSiH4及びアンモニアNH3を混合して用いることが多いが、NH3の代わりに窒素を用いることも可能であり、また、プロセス圧力の調整、反応ガスの希釈、更には、基板に多結晶シリコンを用いた場合には基板のバルクパッシベーション効果を促進するため、反応ガスに水素を混合することもある。なお、拡散剤はリン拡散剤に限定されるものではなく、種々の拡散剤塗布にも用いることができる。次に、裏面のほぼ全面に、Alアルミニウム粉末を有機物バインダで混合したペーストを、スクリーン印刷法等で印刷し、Al層Al電極205を製膜する[図2D]。印刷後、5~30分間,700~850°Cの温度で焼成して裏面電極が形成される。裏面電極形成は製造コスト観点からは印刷法によるほうが好ましいが、蒸着法、スパッタ法等で作製することも可能である。受光面電極207も蒸着法、スパッタ法、スクリーン印刷法いずれかの方法で形成される[図2E]。スクリーン印刷法の場合は、Ag銀粉末とガラスフリットを有機物バインダと混合したAgペーストをスクリーン印刷した後、熱処理によりSiNx膜にAg粉末を貫通させファイアースルー、電極とシリコンを導通させる。なお、工数の削減という観点から、裏面電極及び受光面電極の焼成は一度に行うことも可能であり、望ましい。このように作製された太陽電池は、上述のように、従来のスピンコーターでは発生してしまう裏面側への不要な拡散層が形成されることがなくなる。このため、通常の太陽電池製造工程では必須工程である基板側面のpn接合分離工程が不要となるだけでなく、裏面での再結合に伴う変換効率の低下が生じない。2酸化膜エッチングに利用する場合本発明のスピンコーターは基板の片面エッチングにも利用できる。例えば、具体的方法を図3をもとに以下に記述する。テクスチャ形成済み基板301上に、オキシ塩化リンを用いた気相拡散法によりエミッタ層拡散層302を形成する[図3B]。一般的なシリコン太陽電池は、pn接合を受光面にのみ形成する必要があり、これを達成するために基板同士を2枚重ね合わせた状態で拡散したり、拡散前に裏面にSiO2膜やSiNx膜等を拡散マスクとして形成して、裏面にpn接合ができないような工夫を施す必要がある。もちろん前述のように、本発明のスピンコーターを用いて拡散層を形成すれば、簡便で更に変換効率を高めることができる。拡散工程の後、表面に形成したリンガラスを数~数十のふっ酸等で除去後、反射防止膜として酸化膜308を形成する[図3C]。酸化膜は、ドライ酸化、ウェット酸化、パイロジェニック酸化等に代表される熱酸化法の他、テトラエトキシシランと酸素、オゾンや、N2Oとモノシラン等のガスをプラズマや熱で反応させるCVD法等で形成することができる。酸化膜は表面をパッシベーションする役割も担っており、高効率の太陽電池を製造するためには熱酸化法が最適である。例えば、酸素雰囲気下1,000~1,100°Cで30~180分程度熱処理することで、90~130nm程度の酸化膜が成長し、反射防止膜として最適な膜厚とできる。熱酸化膜308は、この形成方法の原理上、必ず基板両面に成長してしまう。このため、不要な裏面側の膜はふっ酸等で除去する必要がある。0.5~5ミリリットルのふっ酸等のエッチング液を毎分1,000~5,000回転の速度で、本発明のスピンコーターを用いて裏面側に塗布することで、裏面のみ選択的にエッチングする[図3D]。本発明のスピンコーターは基板下面から塗布剤を吐出するため、反対面である受光面へのまわりこみが全く発生しない。従って、従来のスピンコーターでは発生してしまう受光面の反射防止膜のエッチングが進行しないため、短絡電流が減少してしまったり、更にはパッシベーション膜としての機能も低下して開放電圧が低下してしまうというような影響を排除することができる。なお、この例は、裏面の熱酸化膜を除去する例であるが、このような使用法は裏面の選択的エッチングに限られず、表面の選択的エッチングにも使用でき、同様の効果が得られる。次に、裏面のほぼ全面に、Al粉末を有機物バインダで混合したペーストを、スクリーン印刷法等で印刷しAl層Al電極305を製膜する[図3E]。印刷後、5~30分間,700~850°Cの温度で焼成して裏面電極が形成される。裏面電極形成は製造コスト観点からは印刷法によるほうが好ましいが、蒸着法、スパッタ法等で作製することも可能である。受光面電極307も蒸着法、スパッタ法、スクリーン印刷法いずれかの方法で形成される[図3F]。スクリーン印刷法の場合は、Ag粉末とガラスフリットを有機物バインダと混合したAgペーストをスクリーン印刷した後、熱処理によりSiNx膜にAg粉末を貫通させファイアースルー、電極とシリコンを導通させる。なお、工数の削減という観点から、裏面電極及び受光面電極の焼成は一度に行うことも可能であり、望ましい。以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。[実施例、比較例]本発明の有効性を確認するため、本発明のスピンコーターを用いて実際に太陽電池を作製し、太陽電池特性の比較を行った。比較例として、通常のスピンコーターを用いた太陽電池も作製した。厚さ250μm、比抵抗1Ωcmの、ホウ素ドープ{100}P型アズカットシリコン基板18枚に対し、熱濃水酸化カリウム水溶液によりダメージ層を除去後、水酸化カリウム/2-プロパノール水溶液中に浸漬しテクスチャ形成を行い、引き続き塩酸/過酸化水素混合溶液中で洗浄を行った。次に、燐酸を拡散源とする拡散剤を、それぞれのスピンコーターを用い各9枚ずつ塗布した。条件を等しくするため、塗布量は基板1枚あたり5ミリリットル、毎秒3,000回転で10秒間処理を行った。本発明のスピンコーターを用いると、裏面への塗布剤のまわりこみが全く生じていないことが目視にて観察された。この基板を、870°Cで熱処理し、エミッタ層を形成した。拡散後、ふっ酸にてガラスを除去し、洗浄、乾燥させた。以上の処理の後、プラズマCVD装置を用いてSiNx膜を受光面反射防止膜として全試料に対し形成した。次に、全試料に対し、裏面電極としてAlペーストを裏面全面にスクリーン印刷し乾燥した。次いで、受光面の第一電極層としてAgペーストをスクリーン印刷後乾燥した。最後に780°Cの空気雰囲気下で焼成し太陽電池を作製した。作製された太陽電池を25°C、100mW/cm2、スペクトルAM1.5グローバルの擬似太陽光照射時の電気特性測定結果9枚の平均値を表1に示す。本発明のスピンコーターを用いることで、リン拡散剤の裏面へのまわりこみが抑制され、内部並列抵抗の改善により形状因子が大幅に改善した。また、同時に、裏面のリン拡散層が形成されなくなることで、裏面での再結合が抑制され、開放電圧も向上して、変換効率が向上した。"