荷電粒子と、原子、分子、粒子、亜原子粒子、およびイオンに由来する荷電粒子と、のイオン移動度及び質量対電荷比にしたがって、イオンを分離するために分離装置内の単一の室を使用する方法であって、前記方法は、1前記分離装置内の単一の室中でイオン移動度に基づく質量分析のシステムを提供する工程であって、前記装置は複数の電極から構成され、前記複数の電極間に電界を生成するようにされ、前記システムは、同じ前記室内で、荷電粒子と、原子、分子、粒子、亜原子粒子、およびイオンに由来する荷電粒子と、のイオン移動度及び質量対電荷比にしたがって、イオンを分離できる、イオン移動度に基づく質量分析のシステムを提供する工程と、2前記分離装置を作動する工程であって、前記イオンの、イオン移動度、電荷、サイズ、質量、及び断面積に基づいて、イオンを分離する、前記分離装置を作動する工程と、を含む方法。前記方法は、前記分離装置内の単一の室中で、前記イオンをトラップする工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。前記方法は、イオン移動度によって選択されたイオン又は質量対電荷比によって選択されたイオンを断片化する工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。前記方法は、イオン移動度、質量対電荷比、又はそれらの任意の組合せにしたがって、分離された前記イオンを分析する工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。前記方法は、1前記分離装置内の単一の室中でイオン移動度に基づく分析を実行する工程と、2前記分離装置内の単一の室中で質量分析を実行する工程とをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記方法は、1前記分離装置内の単一の室中で質量分析を実行する工程と、2前記分離装置内の単一の室中でイオン移動度に基づく分析を実行する工程と、をさらに含む、請求項1に記載の方法。前記方法は、イオン移動度に基づく分析及び質量分析の個別手順を、前記単一の室中で任意の順番で実行する工程をさらに含み、それによって前記イオンを処理する、請求項1に記載の方法。前記方法は、イオン移動度に基づく分析及び質量分析の前記手順を、前記単一の室中で任意の回数で実行する工程をさらに含むが、一度に1つの手順のみを実行し、それによって前記イオンを処理する、請求項7に記載の方法。前記方法は、イオン移動度に基づく分析及び質量分析の前記手順を個別的にではなく、前記単一の室中で同時の様態で実行する工程をさらに含み、それによって、前記手順が順次に実行されたとした場合とは異なる種類のイオンを選択する、請求項7に記載の方法。前記方法は、前記分離装置内の単一の室がその内部で直交流イオン移動度分析の手順も実行するように、前記分離装置内の単一の室を変更する工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。前記方法は、イオン移動度に基づく分析、質量分析、及び直交流イオン移動度分析の個別手順を、前記単一の室中で任意の順番で実行する工程をさらに含み、それによって前記イオンを処理する、請求項10に記載の方法。前記方法は、イオン移動度に基づく分析、質量分析、及び直交流イオン移動度分析の個別手順を、前記単一の室内で任意の回数で実行する工程をさらに含み、それによって前記イオンを処理する、請求項11に記載の方法。前記方法は、1第1の複数の電極及び第2の複数の電極を提供する工程であって、前記第1の複数の電極及び前記第2の複数の電極は、これらの間に電界を生成するように配置される、第1の複数の電極及び第2の複数の電極を提供する工程と、2前記第1の複数の電極に印加される電位を供給するための第1の手段を提供する工程と、3前記第2の複数の電極に印加される電位を供給するための第2の手段を提供する工程とをさらに含む、請求項1に記載の方法。分離装置内の単一の室で、荷電粒子と、原子、分子、粒子、亜原子粒子、及びイオンに由来する荷電粒子との、イオン移動度及び質量対電荷比にしたがって、イオンを分離するシステムであって、前記システムは、第1の複数の電極及び第2の複数の電極であって、前記単一の室内でこれらの間に電界を生成するように配置される、第1の複数の電極及び第2の複数の電極と、前記第1の複数の電極に印加される電位を供給する第1の手段と、前記第2の複数の電極に印加される電位を供給する第2の手段と、から構成されるシステム。前記システムは検出器をさらに含む、請求項14に記載のシステム。前記第1の複数の電極及び前記第2の複数の電極は、少なくとも2つの同心円筒、少なくとも2枚の実質的に平行な板、複数の直線棒、及び同心円筒内部の中心棒から構成される電極の群から選択される、請求項15に記載のシステム。前記電極は、4つの同軸に位置合わせされた環状棒の群から構成されており、第1の環状棒が第2の環状棒と共平面にかつ前記第2の環状棒の直径の内側に配置されており、第3の環状棒が第4の環状棒と共平面にかつ前記第4の環状棒の直径の内側に配置されており、前記第1及び第2の環状棒は前記第3及び第4の環状棒に平行とされており、さらに共通の回転軸に対する前記4つの環状棒の断面は、前記4つの環状棒が4辺構造のコーナーを形成することを示す、請求項15に記載のシステム。前記少なくとも2つの同心円筒は、第1の円筒及び第2の円筒からさらに構成される、請求項16に記載のシステム。前記検出器は、前記第1の円筒と前記第2の円筒との第1の端部に配置される、請求項18に記載のシステム。前記検出器は、ファラデー検出器、電子増倍管、マルチチャネル板、質量分析器、イオン移動度分析器、アレイ検出器、画像電流検出器、前記電極それ自体、電荷結合検出器、光子生成検出器、及びイオン/光子変換装置から構成される検出器の群から選択される、請求項15に記載のシステム。前記システムはイオン源からさらに構成され、前記イオン源は、前記単一の室にイオンを引き渡すための入口に隣接して配置される、請求項15に記載のシステム。前記システムはイオンを分析する手段からさらに構成され、前記分析する手段は、前記システムが特定のイオン移動度の少なくとも1つの種類のイオンを選択することのみを可能とする能力を備える、請求項14に記載のシステム。前記システムはイオンを分析する手段からさらに構成され、前記分析する手段は、前記システムが特定の質量対電荷比の少なくとも1つの種類のイオンを選択することのみを可能とする能力を備える、請求項14に記載のシステム。前記システムはイオンを測定する手段からさらに構成され、前記測定する手段は、イオン移動度のある範囲を走査する能力を備える、請求項23に記載のシステム。前記システムはイオンを測定する手段からさらに構成され、前記測定する手段は、イオンの質量対電荷比のある範囲を走査する能力を備える、請求項23に記載のシステム。前記電位を供給する第1の手段は、高電界非対称波形を生成する手段をさらに備え、前記電位を供給する第2の手段は、イオン移動度に基づく分析器として動作するときに、異なる電位を生成する手段を備える、請求項14に記載のシステム。前記高電界非対称波形は連続的に又は段階的に変更可能であり、それによって対象となる特定のイオンをいずれも選択する、請求項26に記載のシステム。本発明の目的は、イオン移動度に基づく測定と質量分析MSとを共に実行する能力を同じ装置において組み合わせるシステムを提供することである。1つの好ましい実施形態では、本発明は単一組の複数の電極であり、イオンの試料に対してイオン移動度に基づく分析と質量分析とを共に実行するために、単一組の複数の電極に異なる電位が異なる時間に印加されるが、そこでは、荷電粒子と、原子、分子、粒子、亜原子粒子、及びイオンに由来する荷電粒子と、を閉じ込め、分離し、かつ分析するために、イオン移動度に基づく分析及び質量分析を、任意の順序で、任意の回数で、かつ分離された又は重畳された手順として実行することによってイオンが処理される。本発明の第1の態様では、様々な電極に印加され得る電位は、本システムがイオン移動度に基づく手順、MS手順、又は両手順の重畳作業を実行できるように変更可能である。本発明の第2の態様では、イオン移動度に基づく手順もしくはMS手順のいずれかの間に、又はこれらの手順が相互に重畳されている手順の間に、イオン断片化の工程が挿入可能である。本発明の第3の態様では、本システムは、イオン移動度に基づく手順とMS手順との両方のために同じシステムを使用することによって、手持ち作業用に小型で持ち運び可能にすることができる。本発明の第4の態様では、本システムは直交流イオン移動度分析を可能にするように変更され得る。本発明のこれらならびに他の目的、特徴、利点、及び別法による態様は、添付の図面と併せて採用された以下の詳細な説明を考慮することによって当業者には明白になろう。他の態様1では、荷電粒子と、原子、分子、粒子、亜原子粒子、およびイオンに由来する荷電粒子と、のイオン移動度及び質量対電荷比にしたがって、イオンを分離するために単一装置を使用する方法であって、前記方法において、1単一装置中のイオン移動度に基づく質量分析のシステムを提供する工程であって、前記単一装置は少なくとも2つの電極から構成され、前記2つの電極間に電界を生成するようにされている、イオン移動度に基づく質量分析のシステムを提供する工程と、2前記イオンの、イオン移動度、電荷、サイズ、質量、及び断面積に基づいて、イオンを分離する工程と、を含む方法である。他の態様2では、前記方法において、前記単一装置中で、前記イオンをトラップする工程をさらに含む、他の態様1に記載の方法である。他の態様3では、前記方法において、イオン移動度によって選択されたイオン又は質量対電荷比によって選択されたイオンを断片化する工程をさらに含む、他の態様1に記載の方法である。他の態様4では、前記方法において、イオン移動度、質量対電荷比、又はそれらの任意の組合せにしたがって、分離された前記イオンを分析する工程をさらに含む、他の態様1に記載の方法である。他の態様5では、前記方法では、1前記単一装置を使用してイオン移動度に基づく分析を実行する工程と、2前記単一装置を使用して質量分析を実行する工程とをさらに含む、他の態様1に記載の方法である。他の態様6では、前記方法において、1前記単一装置を使用して質量分析を実行する工程と、2前記単一装置を使用してイオン移動度に基づく分析を実行する工程と、をさらに含む、他の態様1に記載の方法である。他の態様7では、前記方法において、イオン移動度に基づく分析及び質量分析の個別手順を、任意の順番で実行する工程をさらに含み、それによって前記イオンを処理する、他の態様1に記載の方法である。他の態様8では、前記方法において、イオン移動度に基づく分析及び質量分析の前記手順を、任意の回数で実行する工程をさらに含むが、一度に1つの手順のみを実行し、それによって前記イオンを処理する、他の態様7に記載の方法である。他の態様9では、前記方法において、移動度、質量対電荷比、又は移動度と質量対電荷比との任意の組合せにしたがって、選択されたイオンを断片化する工程をさらに含む、他の態様8に記載の方法である。他の態様10では、前記方法において、イオン移動度に基づく分析及び質量分析の前記手順を個別的にではなく同時の様態で実行する工程をさらに含み、それによって、前記手順が順次に実行されたとした場合とは異なる種類のイオンを選択する、他の態様7に記載の方法である。他の態様11では、前記方法において、前記単一装置が直交流イオン移動度分析の手順も実行するように、前記単一装置を変更する工程をさらに含む、他の態様1に記載の方法である。他の態様12では、前記方法において、イオン移動度に基づく分析、質量分析、及び直交流イオン移動度分析の個別手順を任意の順番で実行する工程をさらに含み、それによって前記イオンを処理する、他の態様11に記載の方法である。他の態様13では、前記方法において、イオン移動度に基づく分析、質量分析、及び直交流イオン移動度分析の個別手順を任意の回数で実行する工程をさらに含み、それによって前記イオンを処理する、他の態様12に記載の方法である。他の態様14では、前記方法では、1第1の電極及び第2の電極を提供する工程であって、前記第1の電極及び前記第2の電極は、これらの間に電界を生成するように配置される、第1の電極及び第2の電極を提供する工程と、2前記第1の電極に印加される電位を供給するための第1の手段を提供する工程と、3前記第2の電極に印加される電位を供給するための第2の手段を提供する工程とをさらに含む、他の態様1に記載の方法である。他の態様15では、荷電粒子と、原子、分子、粒子、亜原子粒子、及びイオンに由来する荷電粒子との、イオン移動度及び質量対電荷比にしたがって、イオンを分離するシステムであって、前記システムにおいて、第1の電極及び第2の電極であって、これらの間に電界を生成するように配置される、第1の電極及び第2の電極と、前記第1の電極に印加される電位を供給する第1の手段と、前記第2の電極に印加される電位を供給する第2の手段と、から構成されるシステムである。他の態様16では、前記システムにおいて、検出器をさらに含む、他の態様15に記載のシステムである。他の態様17では、前記第1の電極及び前記第2の電極は、少なくとも2つの同心円筒、少なくとも2つの同心球体、複数の積層板、少なくとも2枚の実質的に平行な板、少なくとも2枚の実質的に平行ではない板、複数の直線棒、複数の弓形棒、複数の抵抗電極、複数の弓形電極、及び同心円筒内部の中心棒から構成される電極の群から選択される、他の態様16に記載のシステムである。他の態様18では、前記電極は、4つの同軸に位置合わせされた環状棒の群から構成されており、第1の環状棒が第2の環状棒と共平面にかつ前記第2の環状棒の直径の内側に配置されており、第3の環状棒が第4の環状棒と共平面にかつ前記第4の環状棒の直径の内側に配置されており、前記第1及び第2の環状棒は前記第3及び第4の環状棒に平行とされており、さらに共通の回転軸に対する前記4つの環状棒の断面は、前記4つの環状棒が4辺構造のコーナーを形成することを示す、他の態様16に記載のシステムである。他の態様19では、前記少なくとも2つの同心円筒は、第1の円筒及び第2の円筒からさらに構成される、他の態様17に記載のシステムである。他の態様20では、前記検出器は、前記第1の円筒と前記第2の円筒との第1の端部に配置される、他の態様19に記載のシステムである。他の態様21では、前記検出器は、ファラデー検出器、電子増倍管、マルチチャネル板、質量分析器、イオン移動度分析器、アレイ検出器、画像電流検出器、前記電極それ自体、電荷結合検出器、光子生成検出器、及びイオン/光子変換装置から構成される検出器の群から選択される、他の態様16に記載のシステムである。他の態様22では、前記システムにおいてイオン源からさらに構成され、前記イオン源は、そこにイオンを引き渡すための入口に隣接して配置される、他の態様16に記載のシステムである。他の態様23では、前記システムにおいてイオンを分析する手段からさらに構成され、前記分析する手段は、前記システムが特定のイオン移動度の少なくとも1つの種類のイオンを選択することのみを可能とする能力を備える、他の態様15に記載のシステムである。他の態様24では、前記システムにおいてイオンを分析する手段からさらに構成され、前記分析する手段は、前記システムが特定の質量対電荷比の少なくとも1つの種類のイオンを選択することのみを可能とする能力を備える、他の態様15に記載のシステムである。他の態様25では、前記システムにおいてイオンを測定する手段からさらに構成され、前記測定する手段は、イオン移動度のある範囲を走査する能力を備える、他の態様24に記載のシステムである。他の態様26では、前記システムにおいてイオンを測定する手段からさらに構成され、前記測定する手段は、イオンの質量対電荷比のある範囲を走査する能力を備える、他の態様24に記載のシステムである。他の態様27では、前記電位を供給する第1の手段は、高電界非対称波形を生成する手段をさらに備え、前記電位を供給する第2の手段は、イオン移動度に基づく分析器として動作するときに、異なる電位を生成する手段を備える、他の態様15に記載のシステムである。他の態様28では、前記波形は連続的に又は段階的に変更可能であり、それによって対象となる特定のイオンをいずれも選択する、他の態様27に記載のシステムである。他の態様29では、前記電位を供給する第1の手段は、定電位を生成する手段をさらに備え、前記電位を供給する第2の手段は、質量分析器として動作するときに、対称波形を生成する手段を備える、他の態様27に記載のシステムである。他の態様30では、前記波形は連続的に又は段階的に変更可能であり、それによって対象となる特定のイオンをいずれも選択する、他の態様29に記載のシステムである。他の態様31では、前記イオン移動度に基づく手順を実行するため、かつ前記質量分析器の手順を実行するために、前記システムにおいて前記電位を同時に生成する手段をさらに備える、他の態様29に記載のシステムである。他の態様32では、前記システムにおいて、前記システムが内部のガスを交換するための手段をさらに備え、前記システムの内部のガスは、実行すべき手順のために最適化される、他の態様15に記載のシステムである。他の態様33では、前記システムは、当該システムからガスを除去する手段をさらに備える、他の態様15に記載のシステムである。他の態様34では、前記システムは、当該システムにガスを追加する手段をさらに備える、他の態様15に記載のシステムである。他の態様35では、前記システムは、当該システム内部の圧力を動的に変化させる手段をさらに備え、それによって実行すべき前記手順のために前記システムである。内部の圧力を最適化する、他の態様15に記載のシステムである。他の態様36では、前記システムにおいて、第3の電極及び第4の電極をさらに備えており、前記第1、第2、第3、及び第4の電極は、直線的な四重極を形成するように配置される、他の態様15に記載のシステムである。他の態様37では、前記第1の円筒と前記第2の円筒との第2の端部に別の検出器が配置される、他の態様20に記載のシステムである。他の態様38では、前記システムでは、基板上に配置された抵抗パッチからさらに構成されており、前記第1の電極及び前記第2の電極は、前記抵抗パッチの上に配置されており、それによってポテンシャル場の勾配を形成する、他の態様15に記載のシステムである。他の態様39では、単一装置においてイオン移動度に基づく質量分析手順を実行するためのシステムであって、前記システムでは、第1の電極及び第2の電極であって、これらの間に電界を生成するように配置される、第1の電極及び第2の電極と、前記第1の電極に対して、動的共通モード電位を印加するための第1の電源と、前記システムをイオン移動度に基づく分析動作モードで動作させるときに、前記第2の電極に対して、非対称波形を印加するための第2の電源と、から構成されるシステムである。他の態様40では、前記システムでは、前記第1の電極に対して、振動するRF電位を印加するための第3の電源と、動的共通モード電位を印加するための第4の電源と、からさらに構成される、他の態様39に記載のシステムである。ここで、本発明の様々な要素に参照符号が付けられ、さらに当業者が本発明を作製しかつ使用できるように本発明を論じる図面を参照する。以下の説明は、本発明の原理の例示に過ぎず、添付の特許請求の範囲を狭めるものと見なすべきではないことを理解されたい。本発明の利点のすべてを完全に開示するために説明を要する本発明の様々な実施形態が存在する。したがって、1つの好ましい実施形態が存在するのではなく、むしろ異なる利点を有する様々な実施形態が存在することを理解すべきである。それらが説明される順序によって最良の実施形態に関するものであるという想定が示唆されるものではない。本発明は、荷電粒子と、原子、分子、粒子、亜原子粒子、及びイオンに由来する荷電粒子と、を包含する様々な粒子の閉込み、分離、及び分析を実行するものであることも理解すべきである。簡略にするために、これらの粒子のすべてが本文書を通してイオンと呼ばれる。最も単純に言えば、本発明は、質量分析MS手順及びイオン移動度に基づく分析手順を単一の装置で実行するために機器と回路とを組み合わせるものである。さらに詳細には、FAIMSは、イオン移動度に基づく分析手順のために使用されている。FAIMSとMSの両手順は、回路パスに簡単な変更を行い、それによって、以下に説明する単一装置内部の電極に印加される電位を変更することによって実行可能である。図1は、本発明の原理にしたがって作製される第1の実施形態を示す概要図である。本実施形態では、質量分析とFAIMSとを共に実行できる単一装置分離装置内の単一室10が、外部円筒形電極14と同軸配置された環状棒電極12として示されている。FAIMSを実行するために、典型的にこの環状棒電極12は定電位又はグラウンド接地に維持されるのが典型であり、非対称FAIMS波形が外部円筒形電極14に印加される。定電位又はグラウンドが印加されている場合は常に、動的又は一定の共通モード電位が使用可能であることに留意するべきである。FAIMS手順の間に、すべてのイオンが内部環状棒電極12と外部円筒形電極14との間で往復振動する。それらの低電界イオン移動度とそれらの高電界イオン移動度との組合せによって特定されたイオンのみが、単一装置10の中に閉じ込められる。その他のすべてのイオンは、環状棒電極12及び外部円筒形電極14の方で失われる。望ましい電位がスイッチ16及び18によって電極12及び14に印加される。スイッチ16はグラウンドを内部環状棒電極12に印加しているところが示されており、スイッチ18はFAIMS波形を印加しているところが示されている。したがって、FAIMS構成において単一装置を動作させるように望ましい電位を印加することによって、イオンがイオン移動度にしたがって選択される。有利なことに、同じ単一装置10は、図2に示すように動作可能である。図2は、スイッチ16及び18がそれらの交互位置に移動されていることを示す。これらの新たな交互スイッチ位置では、振動する高周波電位が内部環状棒電極12に印加され、かつ外部円筒形電極14は定電位に維持されるが、それはこの場合にグラウンドにあるものとして示されている。この場合も動的共通モード電位が使用可能であることに留意される。この動作モードでは、単一装置10中のすべてのイオンが、最初に閉じ込められ、次いで、それらの質量対電荷比にしたがってトラップから順次に放出される。放出は、重畳直流電圧を変更することにより、又は印加された電位の振幅、周波数、もしくは他の態様を変更することにより、高周波電界を変化させることによって実現される。任意適切なイオン化の技法を使用して単一装置10内部でイオンを発生させるか、又は単一装置に引き渡すためにイオンを発生させ得ることが理解されるべきである。以下は一般的に使用されるイオン化の技法の幾つかの一覧である。即ち、電子衝撃、化学イオン化、高速イオン又は原子衝撃、電界脱離、レーザ脱離、プラズマ脱離、熱スプレー、電気スプレー、光イオン化、誘導結合プラズマ、及び他の任意のイオン化の方法である。この一覧は代表的なものとしてのみ考えられるべきであり、本発明の単一装置10で同様に使用可能な他の適切なイオン化法を排除しようとするものではない。例えば、イオンは、単一装置10に引き渡されるのではなく、装置自体の内部で生成され得る。単一装置10は、最初にFAIMSモードで動作され、それによって固有のイオン移動度にしたがってイオンを選択し、次いでITMSモードに切り換えられてイオンの質量を特定する。このような様態で単一装置20を動作させることによって、イオンを同定するために少なくとも2つの固有に異なる化学特異的な識別情報を入手することができる。ここで明白にすべきことは、単一装置10はその動作モードの融通性が大きいことである。例えば、単一装置10は、最初にITMSモードで動作し、次いでFAIMSモードで動作することが可能である。しかも、単一装置10は、任意の数のFAIMS及びITMS手順を任意所望の順番で実行するように動作させることもできる。したがって、本発明は、任意の順序のITMS及びFAIMS手順を実行することが可能であり、かつ任意の回数で実行することが可能である。本発明の別の利点は、ITMS及びFAIMSの動作モードのみが、単一装置10を使用して実行可能な唯一の手順ではないことである。したがって、図1及び図2に示した単一装置10の構成は、他の作業も実行可能である。さらには、単一装置10の構成は、変更可能でありかつ依然として望ましいFAIMS及びITMS手順が実行可能である一方で、他の異なる手順も実行可能である。FAIMS及びITMS手順に加え得る有用な手順の1つの実施形態は、イオン断片化の手順である。衝突誘起解離又は他の任意の手段を使用してイオン移動度で選択されたイオン又は質量で選択されたイオンを断片化することがしばしば望ましい。例えば、断片化は、幾つかを列挙してみると、粒子衝突;表面誘起断片化;可視、紫外、及び赤外法を含む光誘起断片化;電子ビーム;エネルギーイオンビーム;低エネルギー電子付着;ならびに電子抽出によって実行することができる。単一装置10又は他の構成を使用して可能であり、かつ当業者に知られている断片化を実行する任意の他の手段はすべて、本発明の範囲内に包含される実行可能な断片化法であると考えられるべきである。今や単一装置の構成は、図1及び図2に例示されているもの以外に他の形態も取り得ることが理解されているので、この単一装置は直交流イオン移動度の動作モードも含み得ることが理解されるはずである。FAIMS、ITMS、及び直交流イオン移動度分析が実施可能な単一装置は、直交流イオン移動度分析を可能にする特徴的構造を備えるために変更されねばならない。直交流イオン移動度分析器CIMAでは、電界に対向するガス流の成分がチャンネル内部に確立される。イオンは、経路を通じて運ばれ、特定のイオン移動度のイオンが対向する電界及び流れ場によって閉じ込められ、かつ、イオンが経路の端部に到達するときに検出される。経路の端部にある検出器は、イオン移動度によって選択されたイオンの連続的な流れを捕捉する。様々なイオンが、電界の変更及び/又は流れ場の速度の変更によって選択される。他の動作モードを可能にするために、単一装置10に僅かな変更さえ行えばよいことを前に述べた。CIMAの場合では、望ましいガス流を生成できるようにするために、中心円筒形棒12を長さに沿って貫通部を有する中空円筒に置き換えることができる。直交流イオン移動度分析が実行可能なシステムの断面概要図として図3が提示されている。図3は、2つの同心金属円筒22、24の間の間隙即ち空間26によって形成されるドリフト領域即ち、直交流領域を示す。ここでは単一装置20が、封止される密閉容器即ち筐体28の中に収容されることになり、それによって、CIMAの動作モードで単一装置20を動作させるために要する適切な圧力及び一定のガス流を維持する。CIMAモードで動作する間、筐体28は最初に空気を除去し、次いで窒素ガスの中に浸けられる。内部及び外部円筒22、24は、これらの両方の円筒22、24が電極として機能するように少なくとも2つの電圧源大地を電圧源と考えれば図示せずに接続される。円筒22、24は異なる電位に設定され、それによって第1の円筒22と第2の円筒24との間に電位を発生させる。本発明によって教示されたCIMAに関する追加的な情報のために、本出願は、2004年4月9日に出願された米国特許非仮出願第10/821660号の主題のすべてを参照により組み込む。図3に示した実施形態の構成では、電位の望ましい範囲が概ね数百ボルトから数千ボルトまでに亘ることになる。しかし、円筒22、24の間に確立される如何なる大きさの電界に対しても、平衡効果を創出するに足る十分な強さを要する対向ガス流が存在することを銘記すべきである。しかしながら、本発明の望ましい性能に応じて、電位及び対向流体流を増減することが可能である。CIMAモードの重要な態様は、円筒22、24の間の直交流領域30内に確立される電界と共に、電界に対向する直交ガス流を生成することである。したがって、ガスの直交流の速度は、当業者に知られた任意適切な値に設定される。ガスの直交流は、ガスを第1の円筒22の中に流し、そのガスが穴32を通って外向きに直交流領域30内に誘導され、次いで第2の円筒24中の穴32を通って筐体28内の空間34の中に誘導されることによって生成されるものとして図3に示されている。ガスの直交流が線36によって表される。図3は、ベンチュリエア装置38がガスの直交流を第1の円筒22の中に誘導することを示す。排出口40も筐体28の中に示されている。本図は、試料入口42、検出器44、エンドキャップ46、及び円筒22、24間を貫通するイオンの経路48を示す。図4は、貯蔵リング状イオントラップ50の斜視図である。リング状イオントラップ50は、4つの同軸に位置合わせされた環状棒の一群から基本的に構成され、そこでは第1の環状棒52が、第2の環状棒54と共平面にかつその直径の内側に配置され、さらに第3の環状棒56が、第4の環状棒56と共平面にかつその直径の内側に配置される。第1の環状棒52及び第2の環状棒54は、第3の環状棒56及び第4の環状棒58に平行である。図5は、図4に示した貯蔵リング状イオントラップ50の概要図である。図6は、図4の貯蔵リング状イオントラップ50の断面図である。共通の回転軸60に対する4つの環状棒52、54、56、58の断面は、これらの4つの環状棒が点線62によって示した正方形のコーナーを形成することを示すことに留意されたい。これらの4つの環状棒は正方形のコーナーに限定されるものではなく、当業者に知られた任意適切な形状であり得ることに留意される。例えば、同じ直径ではない棒、又はテーパ付きの棒、又は断面図で見たときに菱形の形状を作成するようにずらした棒を考えられたい。図7は、図6に示した断面図の斜視図である。これらの棒に対する電位の印加は、本構成を所望通りに機能させるように様々な方式で実施可能である。例えば、2つの外側の棒54、58には正の電位が印加可能であり、他方で2つの内側の棒52、56には負の電位が印加可能である。それとは異なり、内側棒52及び外側棒54に正の電位が印加され、かつ内側棒56及び外側棒58に負の電位が印加されると、貯蔵リング状イオントラップ50は異なる様態で機能することになる。図8は、平面開放型の貯蔵リング状イオントラップ70の斜視図である。この構成が本発明の目的に見合った最良のモードであると考えられることに留意される。特に、少なくともFAIMS及びITMSの動作モードを実行するための単一装置のこのような特定の構成から作成される電位場の向きの線の様々な例示が挙げられている。図9は、図8の平面開放型の貯蔵リング状イオントラップ70の断面図である。図10は、図9に示した平面開放型の貯蔵リング状イオントラップ70の断面斜視図である。図11は、典型的なFAIMS波形のグラフである。この波形は、短い高電界と、より長い低電界とを有することに留意されたい。図12は、ITMSのための典型的な印加RF高周波電界のグラフである。この波形は平衡されていることに留意されたい。図13は、リング82及びエンドキャップ84を含む通常のイオントラップ80の斜視図である。図14は、図13に示した従来のイオントラップ80の断面斜視図である。従来のイオントラップはリング82及びエンドキャップ84を含むことが分かる。この通常のイオントラップ80を使用してFAIMS及びITMSの動作モードを実行することもできる。図15は、RFが図8の平面開放型の貯蔵リング状イオントラップ70に印加されるときに存在する電位場の向きの線の例示である。これらの電位場の向きの線を見通すために、これらの電位場の向きの線が発出されている貯蔵リング状イオントラップ70の断面図が示されている。これは明らかに断面図の半分に過ぎない。図16は、FAIMSの高電界非対称波形が印加されるときに存在する電位場の向きの線の例示である。図17は、FAIMSの低電界非対称波形が印加されるときに存在する電位場の向きの線の例示である。図18は、RF及び高電界非対称波形が相互に重畳されるときに存在する電位場の向きの線の例示である。図19は、RF及び低電界非対称波形が相互に重畳されるときに存在する電位場の向きの線の例示である。本発明に応用できる有用な概念は、シミングの概念である。シミングとは、追加的な電極が、本発明の単一装置を形成している板、円筒、及び他の構造の端部に巧みに配置される過程である。追加的な電極は、電位場の向きの線を変更するために追加される。これらの追加的な電極に電位を印加することによって、これらの線を実質的に真っ直ぐにしたり、又はそれらを相互に実質的に平行にしたりすることができる。この作用は、電位場の向きの線がイオンに対して及ぼす影響のためにFAIMS及びITMSの動作モードにおける本発明の性能向上をもたらす。しかし、シミングの影響は電位場の向きの線を真っ直ぐにすることに限定されない。理想的な電界断面が真っ直ぐでもまた平行でもない線を有してもよい。したがって、シミングは、任意特定の応用例のために、たとえその応用例に弓状の電位場の向きの線が必要であっても、理想的な電界断面を創出するように実行可能である。具体的に説明されていない本発明の他の態様が存在する。例えば、本発明は、単一装置がFAIMS、ITMS、及び他の様々な動作を実行可能にすることを理解すべきである。これらの手順を実行するために、単一装置の環境の変更を要する場合がある。例えば、何らかのイオン移動度に基づく手順、断片化手順、及び質量分析手順を実行するために、圧力の変更を要する場合がある。これらの異なる手順を実行するために単一装置内部のガスの変更を要する場合もあるし、又は同じ手順の作業間でガスの変更を要する場合さえもある。重要なことは、本発明は、実行すべき特定の手順を最適化するために単一装置内部で圧力及び/又はガスを変更する態様を包含することである。本発明の別の態様は、典型的な回路基板上に配置された抵抗電極を使用することによってさえも単一装置を作製できることである。回路基板上に配置される抵抗材料のパッチを考えられたい。導電性材料のリングを形成するオーバーレイが抵抗パッチ上に配置される。次いで電位が導電性材料に印加され、かくして、別個の電極を使用することなく好ましい電位場断面を作成する機械的に簡素な方式を提供する。図20は、本発明の単一装置として同様に機能可能な四重極100が斜視図で示されている。しかし、四重極100の機能は、本文書で説明した他の装置とは異なることになる。具体的には、それは四重極内部からイオンを抽出することがより困難になり得る点で性能が異なることになる。しかし、エンドキャップ102の追加は、これらのエンドキャップばかりでなく、四重極100の棒104にもRF電界を印加できることを意味する。FAIMS波形、共通モード電位、及びRF電位を生成するのに別体の電源を必要としないことも述べておくべきである。このような構成は、スイッチに対する必要性も変更することになる。しかし、電位を電子的に追加又は分割するためのシステムを追加する必要が生じ得る。以上に説明した配置は本発明の原理の応用を例示するに過ぎないことを理解すべきである。本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、数多くの変型及び別法による配置が当業者によって案出可能である。添付の特許請求の範囲は、このような変型及び配置を網羅しようとするものである。