"光電極と、上記光電極と対向して設けられた対極と、上記光電極と上記対極との間に設けられた電解質層とを備え、上記光電極は、増感色素を担持した多孔質金属酸化物層と、上記多孔質金属酸化物層上に配置された電極層とを備え、上記電極層は、上記下地層と、上記下地層上に配置された導電層とを備え、上記導電層は、Taを主成分とする色素増感太陽電池。上記導電層は、上記下地層により、結晶配向が制御された結晶膜である請求項1に記載の色素増感太陽電池。上記結晶膜は、110配向に制御されたものである請求項2に記載の色素増感太陽電池。上記Taは、α相Taを含む請求項1に記載の色素増感太陽電池。上記電極層は、上記下地層と上記多孔質金属酸化物層との間に配置された密着層をさらに備えた請求項1に記載の色素増感太陽電池。上記下地層は、Tiを主成分とする請求項1に記載の色素増感太陽電池。上記下地層は、Nをさらに含む請求項6に記載の色素増感太陽電池。上記密着層は、TaまたはCrを含む請求項1に記載の色素増感太陽電池。上記導電層の厚さは、1000nm以下である請求項1に記載の色素増感太陽電池。上記下地層の厚さは、5nm以上である請求項1に記載の色素増感太陽電池。多孔質金属酸化物層上に、下地層を形成する工程と、物理的気相成長法により、上記下地層上にTaを主成分とする導電層を形成する工程とを備えた色素増感太陽電池の製造方法。上記下地層は、Tiを主成分とする請求項11に記載の色素増感太陽電池の製造方法。上記Taは、α相Taを含む請求項11に記載の色素増感太陽電池の製造方法。上記物理的気相成長法は、スパッタリング法である請求項11に記載の色素増感太陽電池の製造方法。上記下地層を形成する工程の前に、上記多孔質金属酸化物層上に、密着層を形成する工程をさらに備えた請求項11に記載の色素増感太陽電池の製造方法。上記密着層は、TaまたはCrを含む請求項15に記載の色素増感太陽電池の製造方法。バックコンタクト型色素増感太陽電池では、大面積のセルを作製し、発電効率を高めるため、より表面抵抗率の低い取り出し電極を用いることが望ましい。したがって、本技術の目的は、バックコンタクト電極の抵抗を低下でき、これにより、光電変換効率を高めることができる色素増感太陽電池および色素増感太陽電池の製造方法を提供することにある。上述した課題を解決するために、第1の技術は、光電極と、光電極と対向して設けられた対極と、光電極と対極との間に設けられた電解質層とを備え、光電極は、増感色素を担持した多孔質金属酸化物層と、多孔質金属酸化物層上に配置された電極層とを備え、電極層は、下地層と、下地層上に配置された導電層とを備え、導電層はTaを主成分とする色素増感太陽電池である。第2の技術は、多孔質金属酸化物層上に、下地層を形成する工程と、物理的気相成長法により、下地層上にTaを主成分とする導電層を形成する工程とを備えた色素増感太陽電池の製造方法である。第1の技術では、多孔質金属酸化物層上に配置された電極層は、下地層と、下地層上に配置された導電層とを備え、導電層はTaを主成分とする。これにより、導電層の抵抗を低抵抗化することができる。その結果、電極層における電子の拡散移動度を大きくすることで、色素増感太陽電池の光電変換効率を向上することができる。第2の技術では、多孔質金属酸化物層上に、下地層を形成する工程と、物理的気相成長法により、下地層上にTaを主成分とする導電層を形成する工程とを備える。下地層上にTaを主成分とする導電層を形成することで、下地層により、結晶配向が制御された導電層を形成することができる。これにより、導電層の抵抗を低抵抗化することができる。その結果、電極層における電子の拡散移動度を大きくすることで、色素増感太陽電池の光電変換効率を向上することができる。本技術によれば、光電変換効率を向上できる色素増感太陽電池および色素増感太陽電池の製造方法を提供できる。以下、本技術の実施形態について図面を参照して説明する。なお、説明は、以下の順序で行う。1.第1の実施形態色素増感太陽電池の第1の例2.第2の実施形態色素増感太陽電池の第2の例3.他の実施形態変形例1.第1の実施形態まず、本技術の理解を容易にするため、バックコンタクト型色素増感太陽電池の原理について説明する。図1は、バックコンタクト型色素増感太陽電池の原理を説明するための概念図である。透明基材111側から入射した光Lは、透明基材111を透過し、半導体電極層に含まれるTiO2112に担持された色素121により吸収される。光を吸収した色素は基底状態Sから励起状態Sとなり、電子eを放出できる状態となる。色素から放出された電子eは、速やかに色素121からTiO2112の伝導帯コンダクションバンド;ConductionBandに注入され、その後バックコンタクト電極113に移動する。次に、電子eはバックコンタクト電極113を通り、外部回路200を経由して対極117に向かう。そして、電解質層に含まれるメディエーターI3が電子eを受け取り酸化還元伝達物質Iに還元され、一方、電子eを失った色素は、電解質層の酸化還元伝達物質Iから電子eを受け取り、電子eを放出したメディエーターI3は、再び対極の表面で電子eを受け取る。この一連の反応により、起電力Vが発生する。こうして光電変換が行われる。バックコンタクト型色素太陽電池では、導電層のない透明基材111側から光Lを取り込む構造を有し、電子取り出し電極バックコンタクト電極113は半導体電極の背面に形成される。このため、電子取り出し電極は、光学的に透明である必要性はない。電子取り出し電極は、電子取り出し効率の高い電極にすることが重要である。半導体電極であるTiO2酸化チタンに注入された多量の電子を効率よくセルモジュールから取り出すためには、半導体電極上に形成された取り出し電極内で、電子の移動度が高い必要がある。電極内の電子移動は、外部電界を印加していないため、ドリフト移動度よりも拡散移動度が支配的である。電子の拡散移動度を高くするためには、低電極抵抗にするために低体積抵抗率材を用いるか、または、電極材の幅、厚さを調整することで表面抵抗を低減する。低抵抗率材としては、Tiの他Cu、またはAl電極、W電極、Mo電極等の電極配線材料があるが、色素増感太陽電池の構造的特徴から、バックコンタクト電極113は、電解質と接触するため、耐久性および信頼性の点で、使用する材料の選択に制限が生じる。特に、従来のように単層で低抵抗化を図る場合には、選択できる材料が限定されるため、高発電効率を得るためには、セル構造や電極構造で、バックコンタクト電極113の低抵抗化を実現することが重要である。このような技術的背景に鑑みて、以下に説明する本技術の第1の実施形態による色素増感太陽電池は、電極構造により、バックコンタクト電極の低抵抗化を実現するものである。色素増感太陽電池の構成例本技術の第1の実施形態による色素増感太陽電池の構成例について説明する。図2は、本技術の第1の実施形態による色素増感太陽電池の構成例を示す断面図である。この色素増感太陽電池は、いわゆるバックコンタクト型の色素増感太陽電池であり、図2に示すように、光電極用の基材11、光電極21、バックコンタクト電極13、電解質層16、対極17、並びに対極用の基材18を備える。光電極21は、多孔質金属酸化物層12と、多孔質金属酸化物層12上に配置されたバックコンタクト電極13とから構成されている。バックコンタクト電極13は、下地層13bと、下地層13b上に配置された導電層13aとから構成されている。この色素増感太陽電池では、基材11上に多孔質金属酸化物層12とバックコンタクト電極13とがこの順で形成されたものと、基材18上に対極17が形成されたものとが、電解質層16を介して、対向配置されている。バックコンタクト電極バックコンタクト電極13は、多孔質金属酸化物層12上に配置された下地層13bと、下地層13b上に配置された導電層13aとから構成されている。導電層13aを構成する材料としては、電解質層に対する耐腐食性が高く、抵抗率の低い材料が用いられる。このような材料としては、例えば、Taが挙げられる。導電層13aは、抵抗率がより低いことが求められることから、導電層13aを構成するTaは、β相Taよりも、α相Taであることが好ましい。導電層13aを構成するTaは、全てがα相Taであってもよく、β相Taとα相Taが混在していてもよい。下地層13bを構成する材料としては、例えば、Tiが挙げられる。バックコンタクト電極13を導電層13aと下地層13bとの2層構造にすることによって、導電層13aの抵抗を低下できる。これは以下のメカニズムによるものと考えられる。すなわち、バックコンタクト電極13の一般的な材料としては、Tiが用いられる。Tiより抵抗率の低い材料として、Taがあるが、Ta単層膜を下地層13b例えば、Ti層等なしで作製した場合、その体積抵抗率は、典型的には104Ωcm台を示し、Ti単層膜の典型的な体積抵抗率と比較して、低いとはいえない。これは、下地層13bなしで、物理的気相成長法で作製したTa単層膜が、抵抗率の高いβ相Ta膜となることによる。低表面抵抗を有するバックコンタクト電極13を形成するためには、導電層13aとしてのTa膜を抵抗率のより低い、体心立方格子を有するα相Ta膜にすることが好ましい。ここで、Ta膜の抵抗率を下げるためには、窒素導入によりTaN膜とすることで、低抵抗膜にすることが、一般的に行われている。しかしながら、窒化処理を行うことで、金属バルク材より体積抵抗率は高くなり、表面抵抗については、金属バルク材の電極より、高抵抗側での電極設計となる。従って、電子取り出し電極バックコンタクト電極13の設計では、可能な限り金属膜のみで構成された電極構造の方が望ましい。そこで、第1の実施形態では、バックコンタクト電極13を下地層13bと、下地層13b上に配置された導電層13aとの2層構造にすることで、下地層13bにより、配向制御された低抵抗の導電層13aを形成することができる。具体的には、導電層13として、例えば、下地層13bにより、110配向に制御されたα相Ta膜を形成することができる。これにより、導電層13aの抵抗を低下することができるので、これを用いた色素増感太陽電池では、光電変換効率を向上することができる。導電層13bの膜厚は、特に限定されるものではないが、通常、例えば、1000nm以下に設定される。導電層13bの体積抵抗率は、例えば、1.23×105Ωcm以上となる。導電層13bの表面抵抗率は、1Ω/□以下であることが好ましい。下地層13aの膜厚は、特に限定されるものではないが、通常、例えば、5nm以上に設定される。多孔質金属酸化物層多孔質金属酸化物層12は、基材11上に配置される。多孔質金属酸化物層12は、例えば、金属酸化物微粒子からなり、必要に応じて、バインダーをさらに含むようにしてもよい。バインダーとしては、例えば、有機バインダーおよび無機バインダーの少なくとも一種を用いることができる。無機バインダーとしては、例えば、金属アルコキシドまたはその加水分解体、金属塩等を用いることができ、有機バインダーとしては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリアミドイミド、ポリフッ化ビニリデン等を用いることができる。バインダーの種類はこれらに限定されるものではなく、また、これらを2種以上組み合わせて用いることもできる。金属アルコキシドまたはその加水分解体は、例えば、下記一般式1で示されるものを用いることができる。上記一般式1中にて、金属アルコキシドまたはその加水分解体は、モノマーm=0、オリゴマーm=1~10、およびポリマーm>10のいずれでもよく、これらの2種類以上を混合して用いることもできる。Mは金属イオンであり、チタンTiイオン、アルミニウムAlイオン、ケイ素Siイオン、バナジウムVイオン、ジルコニウムZrイオン、ニオブNbイオン、タンタルTaイオン、マグネシウムMgイオン、ケイ素Siイオン、ホウ素Bイオン、タングステンWイオン、スズSnイオン、およびストロンチウムSrイオンからなる群から選ばれた少なくとも1種類であることが好ましい。アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基n=1、エトキシ基n=2、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基以上、n=3、n-ブトキシ基、i-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基以上、n=4、2-エチルヘキソキシ基、その他の低級および高級アルコール由来のアルコキシ基を用いることができる。アルコキシドがアセチルアセトン等のβ-ジケトン類で修飾されていてもよい。アルコキシ基の一部がヒドロキシ基で置換されていてもよい。金属酸化物粒子は、半導体粒子であることが好ましい。半導体微粒子の材料として、例えば、シリコンに代表される元素半導体のほかに、各種の化合物半導体、ペロブスカイト構造を有する化合物等を用いることができる。これらの半導体は、光励起下で伝導帯電子がキャリアとなり、アノード電流を与えるn型半導体であることが好ましい。このような半導体は、具体的に例示すると、酸化チタンTiO2、酸化亜鉛ZnO、酸化タングステンWO3、酸化ニオブNb2O5、酸化チタンストロンチウムSrTiO3、および酸化スズSnO2等であり、これらの中でもアナターゼ型の酸化チタンTiO2が特に好ましい。半導体の種類はこれらに限定されるものではなく、また、これらの2種以上を混合して用いることもできる。金属酸化物粒子の形状としては、球状、楕円体状、針状、板状、鱗片状、チューブ状、棒状、不定形状等が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。金属酸化物粒子の粒子径は、多孔質金属酸化物層12の比表面積を大きくするため、一次粒子の平均粒子径が1nm以上100nm以下であることが好ましい。多孔質金属酸化物層33に光拡散機能を付与するため、一次粒子の平均粒子径が100nmよりも大きく10000nm以下である微粒子を含有してもよい。多孔質金属酸化物層12の導電性を向上させるため、一次粒子の粒子形状が針状であって、その平均短軸径が、好ましくは0.1μmよりも大きく1μm以下であり、またその平均長軸長が、好ましくは1μm以上10μm以下である微粒子を含有してもよい。また、有機物のみから構成される有機フィラーまたは有機化合物を、多孔質金属酸化物層形成用組成物に添加することが好ましい。後述する焼成工程で焼き飛ばすことによって多孔質金属酸化物層12の多孔質性をアップすることができる。これにより電解液中のイオンがよりスムーズに動けるようになり、変換効率が向上する。添加する有機フィラーとしては、例えば、粒径が100nm以上20μm以下のPMMAフィラー、ポリスチレンフィラー等を用いることができる。有機化合物としては、例えば、エチルセルロース等を用いることができる。対極対極17は導電性物質であれば任意のものを用いることができるが、絶縁性の物質でも、光電極21に面している側に導電性の触媒層が設置されていれば、これも使用可能である。ただし、対極17の材料としては電気化学的に安定である材料を用いることが好ましく、具体的には、白金、金、カーボン、導電性ポリマー等を用いることが望ましい。また、酸化還元の触媒効果を向上させる目的で、光電極21に面している側は微細構造で表面積が増大していることが好ましく、例えば、白金であれば白金黒状態に、カーボンであれば多孔質状態になっていることが望まれる。白金黒状態は白金の陽極酸化法、白金化合物の還元処理等によって、また多孔質状態のカーボンは、カーボン微粒子の焼結や有機ポリマーの焼成等の方法により形成することができる。また、透明導電性基板上に白金等の酸化還元触媒効果の高い金属を配線するか、表面に白金化合物を還元処理することにより、透明な対極として使用することもできる。基材光電極用の基材11としては、透明性を有するものであればよく特に限定されるものではなく種々の基材を用いることができ、例えば、透明性を有する無機基材またはプラスチック基材を用いることができる。これらの基材の中でも、加工性、軽量性等を考慮すると、透明プラスチック基板を用いるのが好ましい。基材11の形状としては、例えば、透明性を有するフィルム、シート、基板等を用いることができる。この基材の材料としては、色素増感太陽電池外部から侵入する水分やガス等の遮断性、耐溶剤性、耐候性等に優れるものが好ましい。無機基材の材料としては、例えば、石英、サファイア、ガラス等が挙げられる。プラスチック基材の材料としては、例えば、公知の高分子材料を用いることができる。公知の高分子材料としては、具体的には例えば、トリアセチルセルロースTAC、ポリエステルTPEE、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリイミドPI、ポリアミドPA、アラミド、ポリエチレンPE、ポリアクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレンPP、ジアセチルセルロース、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂PMMA、ポリカーボネートPC、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、シクロオレフィンポリマーCOP等があげられる。これらの無機基材の材料およびプラスチック基材の材料の中でも特に可視光領域の透過率が高い基材を用いることが好ましいが、これに限定されるものではない。また、基材11の厚さは特に制限されず、光の透過率、色素増感太陽電池の内部と外部との遮断性等によって自由に選択することができる。具体的には、基材11としてプラスチック基材を用いる場合には、その厚さは、生産性の観点から38μm~500μmであることが好ましいが、この範囲に特に限定されるものではない。対極用の基材18としては、透明性を有するものに特に限定されるものではなく、不透明性のものを用いることができ、例えば、不透明性または透明性を有する無機基材またはプラスチック基材等の種々の基材を用いることができる。無機基材またはプラスチック基材の材料としては、例えば、上述の光電極用の基材11の材料として例示したものを同様に用いることができるが、それ以外にもSUS基材等の金属基材等の不透明な基材を用いることも可能である。電解質層電解質層16は、例えば、多孔質金属酸化物層12と対極17との間に設けられるが、多孔質金属酸化物層12および対極17に電解質層16を含浸させてもよい。電解質層16は、例えば、電解質および溶媒からなる電解液により構成される。電解質は、ヨウ素I2と金属ヨウ化物もしくは有機ヨウ化物との組み合わせ、臭素Br2と金属臭化物あるいは有機臭化物との組み合わせのほか、フェロシアン酸塩/フェリシアン酸塩やフェロセン/フェリシニウムイオン等の金属錯体、ポリ硫化ナトリウム、アルキルチオール/アルキルジスルフィド等のイオウ化合物、ビオロゲン色素、ヒドロキノン/キノン等を用いることができる。上記金属化合物のカチオンとしてはLi、Na、K、Mg、Ca、Cs等、上記有機化合物のカチオンとしてはテトラアルキルアンモニウム類、ピリジニウム類、イミダゾリウム類等の4級アンモニウム化合物が好ましいが、これらに限定されるものではなく、また、これらを2種類以上混合して用いることもできる。この中でも、I2とLiI、NaIやイミダゾリウムヨーダイド等の4級アンモニウム化合物とを組み合わせた電解質層3が好ましい。電解質塩の濃度は溶媒に対して0.05~5Mが好ましく、さらに好ましくは0.2~3Mである。I2やBr2の濃度は0.0005~1Mが好ましく、さらに好ましくは0.001~0.3Mである。また、開放電圧を向上させる目的で4-tert-ブチルピリジンに代表されるアミン系化合物からなる添加剤を加えてもよい。上記溶媒としては、例えば、水、アルコール類、エーテル類、エステル類、炭酸エステル類、ラクトン類、カルボン酸エステル類、リン酸トリエステル類、複素環化合物類、ニトリル類、ケトン類、アミド類、ニトロメタン、ハロゲン化炭化水素、ジメチルスルホキシド、スルフォラン、N-メチルピロリドン、1,3-ジメチルイミダゾリジノン、3-メチルオキサゾリジノン、炭化水素等が挙げられるが、これらに限定されるものではなく、また、これらを2種類以上混合して用いることもできる。さらに、溶媒としてテトラアルキル系、ピリジニウム系、イミダゾリウム系4級アンモニウム塩のイオン液体を用いることも可能である。色素増感太陽電池の漏液、電解質層16の揮発を低減する目的で、上記電解液へゲル化剤、ポリマー、架橋モノマー等を溶解させるほか、無機セラミック粒子を分散させてゲル状電解質として使用することも可能である。ゲルマトリクスと電解質液との比率は、電解液が多ければイオン導電率は高くなるが、機械的強度は低下し、逆に電解液が少なすぎると機械的強度は大きいがイオン導電率は低下するため、電解液はゲル状電解質の50~99質量が好ましく、80~97質量がより好ましい。また、上記電解質液と可塑剤とをポリマーに溶解させ、可塑剤を揮発除去することで全固体型の色素増感太陽電池を実現することも可能である。絶縁層図示は省略するが、バックコンタクト電極13と、対極17との間に、バックコンタクト電極13と対極17との接触を防止するための多孔質状の層、多孔質フィルム等のセパレータ、またはスペーサ等の絶縁層を設置してもよい。具体的には、セパレータとしては、PEフィルム、PPフィルム、PVDFフィルム、PANフィルム、PMMAフィルム、不織布等を用いることができる。また、スペーサとしては、シリカ粒子、PMMA粒子、PS粒子等の粒子径の整った粒子を用いることもできる。絶縁層の厚みは、典型的には、例えば10nm以上500um以下である。なお、絶縁層の厚みは、この範囲に限定されるものではない。色素増感太陽電池の製造方法上述した色素増感太陽電池は、例えば、以下のようにして製造できる。光電極の形成多孔質金属酸化物層の形成基材11上に塗布する金属酸化物半導体微粒子分散液を調製する。金属酸化物半導体微粒子を溶媒中に分散させることにより、金属酸化物半導体微粒子分散液を調製する。分散方法としては、公知の方法、例えば、攪拌処理、超音波分散処理、ビーズ分散処理、混錬処理、およびホモジナイザー処理等を用いることができる。必要に応じて、無機バインダとして金属アルコキシド等を混合する。例えば、調製した金属酸化物半導体微粒子分散液を、塗布法または印刷法等を用いて基材11上に塗布することにより、基材11上に分散液層を形成後、溶媒を乾燥させることにより、多孔質金属酸化物層12を形成する。塗布方法としては、例えば、マイクログラビアコート法、ワイヤーバーコート法、ダイレクトグラビアコート法、ダイコート法、ディップ法、スプレーコート法、リバースロールコート法、カーテンコート法、コンマコート法、ナイフコート法、スピンコート法等を用いることができる。また、印刷方法としては、例えば、凸版印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法、凹版印刷法、ゴム版印刷法、およびスクリーン印刷法等を用いることができる。焼成次に、上述で得た積層体基材11/多孔質金属酸化物層12を焼成し、多孔質金属酸化物層12における金属酸化物半導体微粒子間の電子的な接続を向上させる。焼成温度に特に制限はないが、焼成温度は、通常、例えば40°C以上1000°C以下であり、40°C以上600°C以下であることが好ましい。焼成時間に特に制限はないが、通常、30秒間以上10時間以下程度である。バックコンタクト電極の形成次に、多孔質金属酸化物層12上にバックコンタクト電極13を形成する。下地層13bの形成まず、多孔質金属酸化物層12上に下地層13bとしてのTi膜を物理的気相成長法により形成する。物理的気相成長法は、薄膜化する薄膜原料を熱やプラズマ等のエネルギーで一旦蒸発または気化し、基板上に薄膜化する方法である。物理的気相成長法としては、例えば、真空蒸着法、反応性スパタッリング法等のスパッタリング法、イオンプレーティング法、MBE分子線エキピタシー法、レーザアブレーション法等が挙げられる。典型的には、スパッタリン法が用いられる。例えば、スパッタリング法を用いる場合、ターゲット材が金属であるため、DCスパッタリング法、RFスパタッリング法、ACスパッタリング法の何れも用いることができる。また、枚葉式、ロールコータの選択は、多孔質金属酸化物層12の形成方法によって、決められることになる。多孔質金属酸化物層12である、TiO2層をロールツーロールの塗布方式で作製した場合には、バッチ方式のスパッタリング法が大面積の電極形成には有効である。被成膜層となる多孔質金属酸化物層12は、バックコンタクト電極13と異なる工程で作製されるために、表面に各種の不純物を吸着している。これらの吸着物は、多孔質金属酸化物層12とバックコンタクト電極13との付着性等の物理的信頼性の低下を引き起こしたり、半導体電極多孔質金属酸化物層12と取り出し電極バックコンタクト電極13間の電子の移動阻害の要因となる可能性があるため、バックコンタクト電極13の形成前に、取り除かれることが好ましい。したがって、多孔質金属酸化物層12の表面は、必要に応じて、物理的、電気的接触を高めるために、O2、Ar、N2の雰囲気中でグロー放電処理を行い活性化させることが好ましい。導電層13aの形成次に、下地層13b上に導電層13aとしてのTa膜を、物理的気相成長法により形成する。歩留まり向上の点から、下地層13bの成膜方式と、導電層13aの成膜方式とが同じであることが好ましい。下地層13b上に導電層13aとしてのTa膜を形成することによって、110配向に制御されたTa膜を形成できる。色素担持多孔質金属酸化物層12に光増感色素を吸着させる。色素を吸着させる方法に特に制限はないが、例えば、色素分子を溶解させた溶液を調製し、積層体基材11/多孔質金属酸化物層12/下地層13b/導電層13aを色素溶液に浸漬する、または、多孔質金属酸化物層12に色素溶液を塗布、噴霧、または滴下する等により、多孔質金属酸化物層12に色素溶液をしみこませた後、溶媒を蒸発させる。次に、対極用の基材18上に、例えば塗布法により対極17を形成し、矩形状の穴を有するシリコンゴムシート等の絶縁層図示省略を、対極17に貼り付けることにより、電解質層16が配置される空間を形成する。この空間に電解質層16として、例えばゲル状の電解質を配置し、上記で得た積層体を、光電極21と対極17とが電解質16を介して対向するように配置し、電解質層16が配置された空間の開口を覆う。以上により、色素増感太陽電池を作製できる。色素増感太陽電池の動作上述した色素増感太陽電池の動作について説明する。光電極用の基材11側から入射した光Lは、基材11を透過し、多孔質金属酸化物層12の色素により吸収される。光を吸収した色素は励起状態となり、電子を放出できる状態となる。色素から放出された電子は、速やかに色素から多孔質金属酸化物層12の金属酸化物微粒子のコンダクションバンドに注入され、その後、多孔質金属電極層13に向かう。次に、電子は多孔質金属電極層13を通り、例えば外部回路等を経由して対極17に向かう。そして、電解質層16に含まれるイオンが電子を受け取る一方、電子を失った色素は、電解質層16のイオンから電子を受け取り、電子を放出したイオンは、再び対極17の表面で電子を受け取る。この一連の反応により、光電極21と対極17との間に起電力が発生する。こうして光電変換が行われる。本技術の第1の実施形態による、バックコンタクト型色素増感太陽電池では、より抵抗の低いバックコンタクト電極取り出し電極を構成することができ、その結果、光電変換効率を高めることができる。2.第2の実施形態本技術の第2の実施形態による色素増感太陽電池の構成例について説明する。図3は、本技術の第2の実施形態による色素増感太陽電池の構成例を示す断面図である。この色素増感太陽電池は、いわゆるバックコンタクト型の色素増感太陽電池であり、図3に示すように、光電極用の基材11、光電極21、バックコンタクト電極13、電解質層16、対極17、並びに対極用の基材18を備える。光電極21は、多孔質金属酸化物層12と、バックコンタクト電極13とから構成されている。バックコンタクト電極13は、導電層13a、下地層13b、密着層13cとから構成されている。この色素増感太陽電池では、基材11上に多孔質金属酸化物層12とバックコンタクト電極13とがこの順で形成されたものと、基材18上に対極17が形成されたものとが、電解質層16を介して、対向配置されている。密着層13c以外の構成は、第1の実施形態と同様である。説明の重複を避けるため、以下では、密着層13cの構成例および密着層13cの形成方法を中心に説明し、第1の実施形態と重複する説明は適宜省略する。密着層密着層13cは、バックコンタクト電極13と多孔質金属酸化物層12との物理的、電気的接触を高めるために、下地層13bと、多孔質金属酸化物層12との間に配置される。密着層13cの材料としては、Cr、Ta等が挙げられる。密着層13cは、物理的気相成長法、化学的気相成長法等の気相法により形成できる。また、電気めっき、無電界めっき、塗布法、ゾル-ゲル法等の液相法により形成してもよい。本技術の具体的な実施例について説明する。本技術は、これに限定されるものではない。<試験例1>バックコンタクト電極に用いる低抵抗材としては、一般的には抵抗率の低いTiが用いられている。Ti電極の抵抗率は、物理的気相成長法の一つである、スパッタリング法を用いた場合、導入ガス、印加電圧により低抵抗膜を作製することが可能である。以上のことを確認するため、成膜条件の違いによる、Ti単層膜の体積抵抗率を測定した。図4に、Ti電極をスパッタリングにより成膜する場合の成膜条件と体積抵抗率との関係を示す。図4に示すように、Arガス流量や印加電力を調整することで、低抵抗のTi単層膜を形成することができる。一方、その最小となる抵抗率は、そのバルク材料の抵抗率が下限値となる。表1に、Ti膜サンプルA~サンプルE、バルク材料TiサンプルFの体積抵抗率、膜厚100nm、膜厚250nm、膜厚500nm、膜厚1000nmの表面抵抗率、表面抵抗率10Ω、1Ω、2.5Ωを得るために必要な膜厚を示す。なお、表面抵抗率は、JISK7194に準拠した4端子4短針法にて測定することにより求めた。体積抵抗率は、上述のようにして求めた表面抵抗率を、触針式段差計により測定したTi単層膜の膜厚を用いて、下記の式Aにより求めた。また、表面抵抗率10Ω、1Ω、2.5Ωを得るために必要な各膜厚は、各表面抵抗率と、求めた各体積抵抗率とを下記の式Aに代入することにより求めた。ρs=ρv/t式Aρs:表面抵抗率Ω/□、ρv体積抵抗率Ωcm、t:膜厚cm<実施例1-1~実施例1-6>バックコンタクト電極の作製まず、以下のように、バックコンタクト電極を含む積層体を作製後、作製したバックコンタクト電極について、体積抵抗率および表面抵抗率を測定した。基材光電極用の基材には、PET基板を用いた。多孔質金属酸化物層の形成多孔質金属酸化物層は以下に示した方法で形成した。下記のようにして調製した金属酸化物半導体微粒子分散液を、バーコーター44を用いて基材上に塗布した後、大気中で80°Cで2分乾燥することにより形成し、その後、大気中、150°Cで30分焼成した。金属酸化物半導体微粒子分散液の調製デグサ社製のP25TiO2微粒子、アナターゼ型結晶80とルチル型結晶20との混合物、一次粒子の平均粒子径:約21nmを、酸化チタン含有率が30質量になるようにエタノールと混合し、アジターと直径0.65mmのジルコニアビーズとを用いて24時間ビーズ分散処理を行った。富士チタン工業株製のTA-300TiO2微粒子、アナターゼ型結晶、一次粒子の平均粒子径:約390nmを、酸化チタン含有率が20質量になるようにエタノールと混合し、アジターと直径0.65mmのジルコニアビーズとを用いて24時間ビーズ分散処理を行った。上記2つのTiO2分散液、DBTブチルチタネートダイマー、エタノールを混合し、均一になるように攪拌した。P25の濃度は14質量、TA-300の濃度は3.5質量、DBTの濃度は2.5質量とした。バックコンタクト電極の作製スパッタリング法により、多孔質金属酸化物層上に、2層構造のバックコンタクト電極として、下地層としてのTi膜、導電層としてのTa膜をこの順で形成し、2層構造のバックコンタクト電極を含む積層体を作製した。実施例1-1~実施例1-6において、Ta膜の膜厚は、350nmにし、Ti膜の膜厚は、スパッタリング条件を適宜変えて、図5A、図5Bに示す各膜厚で形成し、これにより、2層構造のバックコンタクト電極を作製した。<比較例1-1>スパッタリング法により、多孔質金属酸化物層上に、単層構造のバックコンタクト電極として、Ta膜を形成したこと以外は、実施例1-1と同様にして、単層構造のバックコンタクト電極を含む積層体を作製した。<体積抵抗率の測定>実施例1-1~実施例1-6および比較例1-1のバックコンタクト電極について、以下のように体積抵抗率を測定した。Ti膜の膜厚に対して、体積抵抗率をプロットしたグラフを図5Aに示す。なお、バックコンタクト電極の体積抵抗率は、絶縁基板上に、上記のバックコンタクト電極の作製と同条件で電極層を形成し、電極層の表面抵抗率×厚さにより求めた。電極層の表面抵抗率は、4端子4短針法にて測定した。電極層の厚さは、段差計により測定した。<表面抵抗率の測定>実施例1-1~実施例1-6および比較例1-1のバックコンタクト電極について、以下のように表面抵抗率を測定した。Ti膜の膜厚に対して、バックコンタクト電極の表面抵抗率をプロットしたグラフを図5Bに示す。なお、バックコンタクト電極の表面抵抗率は、絶縁基板上に、上記のバックコンタクト電極の作製と同条件で電極層を形成し、この電極層の表面抵抗率を4端子4短針法にて測定することにより求めた。図5Aおよび図5Bに示すように、下地層としてのTi膜を形成した場合の実施例1-1~実施例1-6では、下地膜を形成しなかった比較例1-1よりも、表面抵抗率および体積抵抗率が低下した。下地層を形成しない比較例1-1では、体積抵抗率が1.4×104Ωcmとなり、典型的なTi単層膜よりも高抵抗膜となってしまった。一方、導電層としてのTa膜の下地層として、Ti膜を形成した場合には、体積抵抗率が2×105Ωcmとなり、典型的なTiバルク材の半分程度の体積抵抗率を示した。XRD測定実施例1-1の2層構造のバックコンタクト電極のうち、導電層としてのTa膜について、XRDX‐raydiffraction測定を行い、Ta膜の結晶構造を解析した。測定結果のXRDスペクトルを図6Aに示す。また、比較例1-1の単層構造のバックコンタクト電極Ta単層膜について、XRD測定を行い、Ta膜の結晶構造を解析した。測定結果のXRDスペクトルを図6Bに示す。図6Bの矢印bのピークに示すように、比較例1-1のTa単層膜は、β相Taとなっており、高抵抗膜の結晶構造を示した。一方で、図6Aに示すように、実施例1-1の2層構造のバックコンタクト電極のXRDスペクトルでは、β相に相当する回折ピークが消えており、矢印aに示すα相Taの強いピークが観察された。このことから、実施例1-1のバックコンタクト電極では、2層構造とすることでTa膜の結晶構造が低抵抗体となっていることが考えられた。<実施例2-1~実施例2-5>スパッタリング法により、多孔質金属酸化物層上に、2層構造のバックコンタクト電極として、Ti膜、Ta膜をこの順で形成し、2層構造のバックコンタクト電極を含む積層体を作製した。実施例2-1~実施例2-5において、Ti膜の膜厚は、25nmに一定にし、Ta膜の膜厚は、スパッタリング条件を適宜変えて、図7A、図7Bに示す各膜厚で形成し、これにより、2層構造のバックコンタクト電極を作製した。<体積抵抗率の測定>実施例2-1~実施例2-5のバックコンタクト電極について、体積抵抗率を測定した。Ta膜の膜厚に対して、体積抵抗率をプロットしたグラフを図7Aに示す。なお、バックコンタクト電極の体積抵抗率は、絶縁基板上に、上記のバックコンタクト電極の作製と同条件で電極層を形成し、電極層の表面抵抗率×厚さにより求めた。電極層の表面抵抗率は、4端子4短針法にて測定した。電極層の厚さは、段差計により測定した。<表面抵抗率の測定>実施例2-1~実施例2-5のバックコンタクト電極について、表面抵抗率を測定した。Ta膜の膜厚に対して、表面抵抗率をプロットしたグラフを図7Bに示す。なお、バックコンタクト電極の表面抵抗率は、絶縁基板上に、上記のバックコンタクト電極の作製と同条件で電極層を形成し、この電極層の表面抵抗率を4端子4短針法にて測定することにより求めた。図7Aおよび図7Bに示すように、バックコンタクト電極の表面抵抗率は、Ta膜の膜厚調整によって行うことが可能であることがわかった。なお、厚膜化による表面抵抗率の調整は、電池構造の仕様によっては、選択枝のひとつであるが、例えば、ロールツーロールの生産方式をとるフィルム構造体の場合には、電極内のクラックの要因となり得るため、1000nm以下の膜厚にすることが望ましい。図7Bに示すように、導電層としてのTa膜厚が1000nmで、0.19Ω/□の表面抵抗率を有するバックコンタクト電極を実現できた。この値は、同図中に示す、同膜厚のTi単層膜参考例2-1の表面抵抗率の約1/2であった。<実施例3-1>スパッタリング法により、多孔質金属酸化物層上に、2層構造のバックコンタクト電極として、Ti膜、Ta膜をこの順で形成した。スパッタリング条件は、以下とした。なお、スパッタリングの際には、成膜の前に真空度を105Pa台でプロセスガスArを導入した。Ti膜の抵抗率は、印加電力とArガス流量で変わるため、できるだけ高印加電極、低Arガス流量にすることにより低抵抗膜となる。以上のこと以外は、実施例1-1と同様にして、バックコンタクト電極を含む積層体を得た。次に、バックコンタクト電極の表面抵抗率および体積抵抗率を測定した。その結果、以下の測定値を得た。スパッタリング条件Ti膜:膜厚25nmスパッタリングパワー:2kW成膜時間:76秒Arガス流量:100sccmスパッタリング圧力:0.13PaRotation:60rpmOrifice:60ターゲット組成:Ti純度4N5成膜速度:2.651nm/秒Ta膜:膜厚180nmスパッタリングパワー:0.9kW成膜時間:907秒Arガス流量:50sccmスパッタリング圧力:0.07PaRotation:60rpmOrifice:60ターゲット組成:Ta成膜速度:0.222nm/秒表面抵抗率Ω/□:1.1体積抵抗率Ωcm:2.22×105光電極の形成その後、積層体を、Z991色素溶液色素濃度:0.5mmol/l、共吸着剤ドデシルホスホン酸:0.025mmol/l、溶媒:アセトニトリル/t-ブタノール=1/1体積比に12時間浸漬した。以上により、光電極を得た。色素増感太陽電池の作製次に、以下のようにして、バックコンタクト型の色素増感太陽電池を作製した。まず、光電極をハサミを用いて15mm×25mmのサイズにカットした。次に、対向電極として、SUS板に塗布法によって厚さ10μmのカーボン層を成膜し、それを用いた。7mm×8mm四角穴の開いた厚さ50μmのシリコーンゴムシートをカーボン層上に貼った。次に、メトキシアセトニトリルに、1.4Mのヨウ化1-プロピル-3-メチルイミダゾリウムと、0.15Mのヨウ素と、0.1Mのヨウ化ナトリウムと、0.2Mの4-tert-ブチル-ピリジンとを溶解させた溶液とデグサ社製R805SiO2微粒子、BET比表面積150±25m2/gとを92:8の質量比で混合したゲル状の電解質を使用した。これをカーボン層上のシリコーンゴムシートの四角穴部に適量盛った。次に、光電極を、対極層としてのカーボン層上のシリコーンゴムシートの四角穴部を覆うように配置した。この際、多孔質金属電極層と、カーボン層とが向かい合うように光電極を配置した。光電極の多孔質金属酸化物層上に、上述で用意した光電極用基板フィルム基板PETフィルムを被せ、該フィルム基板と対向電極のSUS基板とをクリップ留めすることにより、バックコンタクト型色素増感太陽電池を作製した。<色素増感太陽電池の評価>4.5mm×4.5mmの角孔のあいた正方形マスクを用いて疑似太陽光AM1.5、100mW/cm2を照射しながら、作製したバックコンタクト型色素増感太陽電池のV-I特性を24°Cにて評価した。図8に、この色素増感太陽電池のV-I曲線を示す。試験例2また、以下に説明する、単層構造のバックコンタクト電極を備えたバックコンタクト型色素増感太陽電池を3サンプル、2層構造のバックコンタクト電極を備えたバックコンタクト型色素増感太陽電池を2サンプル作製した。各サンプルについて、試験例1と同様にして、バックコンタクト電極の表面抵抗率、光電変換効率を測定した。表面抵抗率に対して、光電変換効率をプロットしたグラフを図9に示す。図9中、○印が単層構造Ti単層膜のバックコンタクト電極を備えたバックコンタクト型色素増感太陽電池のデータを示し、□印が2層構造Ta膜/Ti膜のバックコンタクト電極を備えたバックコンタクト型色素増感太陽電池のデータを示す。バックコンタクト型色素増感太陽電池;単層構造バックコンタクト電極をスパッタリング法により、Ti膜単層で形成した。以上のこと以外は、実施例3-1と同様にして、バックコンタクト型色素増感太陽電池を作製した。このバックコンタクト型色素増感太陽電池を、Ti膜形成の際のスパッタリング条件を適宜変え、2サンプル作製した。バックコンタクト型色素増感太陽電池;2層構造スパッタリング条件を適宜変え、実施例3-1と同様のバックコンタクト型色素増感太陽電池を3サンプル作製した。図9に示すように、単層構造のバックコンタクト電極より、2層構造のバックコンタクト電極のサンプルの方が、表面抵抗率が向上しており、また、表面抵抗率を向上させることで、光電変換効率を向上できた。<実施例4-1>スパッタリング法により、多孔質金属酸化物層上に、3層構造のバックコンタクト電極として、密着層としてCr膜、下地層としてTi膜、導電層としてTa膜をこの順で形成した。スパッタリング条件は、以下とした。以上のこと以外は、実施例1-1と同様にして、バックコンタクト電極を含む積層体を作製した。バックコンタクト電極について、試験例1と同様にして、表面抵抗率および体積抵抗率を測定した。その結果、以下の測定値を得た。スパッタリング条件Cr膜:膜厚100nmスパッタリングパワー:2.1kW成膜時間:170秒Arガス流量:50sccmスパッタリング圧力:0.01PaRotation:60rpmOrifice:60ターゲット組成:CrTi膜:膜厚5nmスパッタリングパワー:2.1kW成膜時間:17秒Arガス流量:70sccmスパッタリング圧力:0.09PaRotation:60rpmOrifice:60ターゲット組成:TiTa膜:膜厚375nmスパッタリングパワー:0.9kW成膜時間:1834秒Arガス流量:50sccmスパッタリング圧力:0.06PaRotation:60rpmOrifice:60ターゲット組成:Ta表面抵抗率Ω/□:0.49体積抵抗率Ωcm:2.21×105<実施例5-1>スパッタリング法により、多孔質金属酸化物層上に、3層構造のバックコンタクト電極として、密着層としてTa膜、下地層としてTi膜、導電層としてTa膜をこの順で形成した。スパッタリング条件は、以下とした。以上のこと以外は、実施例1-1と同様にして、バックコンタクト電極を含む積層体を作製した。バックコンタクト電極について、試験例1と同様にして、表面抵抗率および体積抵抗率を測定した。その結果、以下の測定値を得た。Ta膜:膜厚10nmスパッタリングパワー:1.4kW成膜時間:35秒Arガス流量:50sccmスパッタリング圧力:0.06PaRotation:60rpmOrifice:60ターゲット組成:TaTi膜:膜厚5nmスパッタリングパワー:2kW成膜時間:17秒Arガス流量:100sccmスパッタリング圧力:0.13PaRotation:60rpmOrifice:60ターゲット組成:Ti純度4N5Ta膜:膜厚350nmスパッタリングパワー:0.9kW成膜時間:1780秒Arガス流量:50sccmスパッタリング圧力:0.06PaRotation:60rpmOrifice:60ターゲット組成:Ta表面抵抗率Ω/□:0.56体積抵抗率Ωcm:2.01×105得られた実施例4-1および実施例5-1でも、抵抗率の低いバックコンタクト電極を得られることが確認できた。また、参考例として測定したArガス流量に対して、Cr膜の抵抗率をプロットした図10に示すように、Cr膜は、Ti膜同様に印加電力、Arガス流量により抵抗率が変化するため、抵抗率の低いバックコンタクト電極を得るためには、スパッタリング条件を高印加電力、低Arガス流量に調整することが好ましいことがわかった。3.他の実施形態以上、本技術の実施形態および実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態および実施例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の実施形態および実施例において挙げた構成、方法、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、形状、材料および数値等を用いてもよい。例えば、第1の実施形態では、下地層13bの材料として、Ti、導電層13aの材料として、Taを用いた例について説明したが、下地層13bの材料、導電層13aの材料は、これに限定されるものではない。第1の実施形態において、例えば、下地層13bの材料は、Tiの他にAuを用いてもよい。また、第2の実施形態では、下地層13bの材料として、Ti、導電層13aの材料として、Ta、密着層13cの材料として、Cr、Taを用いた例について説明したが、下地層13b、密着層13cの材料は、これに限定されるものではない。例えば、下地層13bの材料は、Tiの他に、Nb、W、Pd、Pt、Re、Moを用いてもよい。例えば、密着層13cの材料は、Cr、Taの他にAuを用いてもよい。第2の実施形態において、密着層13cの結晶構造の違いで下地層13bおよび導電層13aのうちの少なくとも何れかの結晶配向を制御するようにしてもよい。例えば、下地層13bに、抵抗率が結晶異方性により変化する材料を適用し、密着層13cの結晶構造により、下地層13bの結晶配向を制御することで、下地層13bの抵抗率を制御するようにしてもよい。本技術は、以下の構成をとることもできる。[1]光電極と、上記光電極と対向して設けられた対極と、上記光電極と上記対極との間に設けられた電解質層とを備え、上記光電極は、増感色素を担持した多孔質金属酸化物層と、上記多孔質金属酸化物層上に配置された電極層とを備え、上記電極層は、上記下地層と、上記下地層上に配置された導電層とを備え、上記導電層は、Taを主成分とする色素増感太陽電池。[2]上記導電層は、上記下地層により、結晶配向が制御された結晶膜である[1]に記載の色素増感太陽電池。[3]上記結晶膜は、110配向に制御されたものである[2]に記載の色素増感太陽電池。[4]上記Taは、α相Taを含む[1]~[3]の何れかに記載の色素増感太陽電池。[5]上記電極層は、上記下地層と上記多孔質金属酸化物層との間に配置された密着層をさらに備えた[1]~[4]の何れかに記載の色素増感太陽電池。[6]上記下地層は、Tiを主成分とする[1]~[5]の何れかに記載の色素増感太陽電池。[7]上記下地層は、Nをさらに含む[6]の何れかに記載の色素増感太陽電池。[8]上記密着層は、TaまたはCrを含む[1]~[7]の何れかに記載の色素増感太陽電池。[9]上記導電層の厚さは、1000nm以下である[1]~[8]の何れかに記載の色素増感太陽電池。[10]上記下地層の厚さは、5nm以上である[1]~[9]の何れかに記載の色素増感太陽電池。[11]多孔質金属酸化物層上に、下地層を形成する工程と、物理的気相成長法により、上記下地層上にTaを主成分とする導電層を形成する工程とを備えた色素増感太陽電池の製造方法。[12]上記下地層は、Tiを主成分とする[11]に記載の色素増感太陽電池の製造方法。[13]上記Taは、α相Taを含む[11]~[12]の何れかに記載の色素増感太陽電池の製造方法。[14]上記物理的気相成長法は、スパッタリング法である[11]~[13]の何れかに記載の色素増感太陽電池の製造方法。[15]上記下地層を形成する工程の前に、上記多孔質金属酸化物層上に、密着層を形成する工程をさらに備えた[11]~[14]の何れかに記載の色素増感太陽電池の製造方法。[16]上記密着層は、TaまたはCrを含む[15]に記載の色素増感太陽電池。"