主ドーパントしてのリンと、p型不純物であって、前記リンよりも偏析係数が小さい第1の副ドーパントと、n型不純物であって、前記リンよりも偏析係数が小さい第2の副ドーパントとが添加されたシリコン融液を準備する工程と、前記シリコン融液からチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を成長させる工程とを備えた、n型シリコン単結晶の製造方法。前記第1の副ドーパントはアルミニウムであり、前記第2の副ドーパントはアンチモンであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が100以上2000以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が0.5以上172以下である、請求項1に記載のn型シリコン単結晶の製造方法。前記第1の副ドーパントはガリウムであり、前記第2の副ドーパントはアンチモンであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が25.5以上190以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が1.4以上60以下である、請求項1に記載のn型シリコン単結晶の製造方法。前記第1の副ドーパントはインジウムであり、前記第2の副ドーパントはアンチモンであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が500以上3300以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が1.4以上51.6以下である、請求項1に記載のn型シリコン単結晶の製造方法。前記第1の副ドーパントはアルミニウムであり、前記第2の副ドーパントはアンチモンであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が198以上202以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が9.9以上10.2以下である、請求項1に記載のn型シリコン単結晶の製造方法。前記第1の副ドーパントはガリウムであり、前記第2の副ドーパントはアンチモンであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が49.5以上50.5以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が9.7以上10.0以下である、請求項1に記載のn型シリコン単結晶の製造方法。主ドーパントしてのリンとp型不純物であって、前記リンよりも偏析係数が小さい第1の副ドーパントと、n型不純物であって、前記リンよりも偏析係数が小さい第2の副ドーパントとを備えた、n型シリコン単結晶。前記第1の副ドーパントはアルミニウムであり、前記第2の副ドーパントはアンチモンであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が100以上2000以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が0.5以上172以下である、請求項7に記載のn型シリコン単結晶。前記第1の副ドーパントはガリウムであり、前記第2の副ドーパントはアンチモンであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が25.5以上190以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が1.4以上60以下である、請求項7に記載のn型シリコン単結晶。前記第1の副ドーパントはインジウムであり、前記第2の副ドーパントはアンチモンであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が500以上3300以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が1.4以上51.6以下である、請求項7に記載のn型シリコン単結晶。前記第1の副ドーパントはアルミニウムであり、前記第2の副ドーパントはアンチモンであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が198以上202以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が9.9以上10.2以下である、請求項7に記載のn型シリコン単結晶。前記第1の副ドーパントはガリウムであり、前記第2の副ドーパントはアンチモンであって、前記第1の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が49.5以上50.5以下であり、かつ前記第2の副ドーパントの前記シリコン融液中の濃度を前記主ドーパントの前記シリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が9.7以上10.0以下である、請求項7に記載のn型シリコン単結晶。特許文献1に記載の方法では、シリコン融液に添加される主ドーパントしてリンが使用され、副ドーパントとして、リンよりもシリコン単結晶に対する偏析係数が小さいガリウム、インジウムまたはアルミニウムが使用される。これらの副ドーパントの偏析係数は、主ドーパントのリンの偏析係数に比べて一桁以上小さい。そのため、CZ法によってn型シリコン単結晶を成長させるに従って、副ドーパントのシリコン融液中への濃縮が急激に進んでしまう。結果として、固化率が高いところで副ドーパントがシリコン単結晶に急激に取り込まれる。主ドーパントのリンはn型不純物であり、副ドーパントのガリウム、インジウムおよびアルミニウムはp型不純物であるため、副ドーパントがシリコン単結晶に取り込まれると、主ドーパントのキャリアを打ち消す。そのため、固化率の高いところでシリコン結晶中のキャリア濃度が減少し、シリコン単結晶の比抵抗が急激に増加する。従って、従来の方法で成長させたn型シリコン単結晶の比抵抗のばらつきは非常に大きかった。本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであり、比抵抗のばらつきが小さいn型シリコン単結晶およびその製造方法を提供することを目的とする。本発明に係るn型シリコン単結晶の製造方法は次の工程を有する。主ドーパントしてのリンと、p型不純物であって、リンよりも偏析係数が小さい第1の副ドーパントと、n型不純物であって、リンよりも偏析係数が小さい第2の副ドーパントとが添加されたシリコン融液が準備される。シリコン融液からチョクラルスキー法によりシリコン単結晶が成長される。ここで、偏析係数とはシリコン単結晶に対する偏析係数である。このように、第1の副ドーパントによって、主ドーパントによるn型シリコン単結晶の比抵抗の変化を抑制し、かつ第2の副ドーパントによって、第1の副ドーパントによるn型シリコン単結晶の比抵抗の急激な上昇を抑制する。結果として、比抵抗のばらつきが小さいn型シリコン単結晶を得ることができる。上記のn型シリコン単結晶の製造方法において好ましくは、第1の副ドーパントはアルミニウムであり、第2の副ドーパントはアンチモンである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が100以上2000以下であり、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が0.5以上172以下である。ここで、シリコン融液中の濃度とは、シリコン単結晶が引上げられる前の初期のシリコン融液中の濃度である。上記のn型シリコン単結晶の製造方法において好ましくは、第1の副ドーパントはガリウムであり、第2の副ドーパントはアンチモンである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が25.5以上190以下であり、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が1.4以上60以下である。上記のn型シリコン単結晶の製造方法において好ましくは、第1の副ドーパントはインジウムであり、第2の副ドーパントはアンチモンである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が500以上3300以下であり、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が1.4以上51.6以下である。上記のn型シリコン単結晶の製造方法において好ましくは、第1の副ドーパントはアルミニウムであり、第2の副ドーパントはアンチモンである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が198以上202以下であり、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が9.9以上10.2以下である。上記のn型シリコン単結晶の製造方法において好ましくは、第1の副ドーパントはガリウムであり、第2の副ドーパントはアンチモンである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が49.5以上50.5以下であり、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が9.7以上10.0以下である。本発明に係るn型シリコン単結晶は、主ドーパントしてのリンと第1の副ドーパントと第2の副ドーパントとを有している。第1の副ドーパントは、p型不純物であって、リンよりも偏析係数が小さい。第2の副ドーパントは、n型不純物であって、リンよりも偏析係数が小さい。このように、第1の副ドーパントによって、主ドーパントによるn型シリコン単結晶の比抵抗の変化を抑制し、かつ第2の副ドーパントによって、第1の副ドーパントによるn型シリコン単結晶の比抵抗の急激な上昇を抑制する。結果として、比抵抗のばらつきが小さいn型シリコン単結晶を得ることができる。上記のn型シリコン単結晶において好ましくは、第1の副ドーパントはアルミニウムであり、第2の副ドーパントはアンチモンである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が100以上2000以下であり、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が0.5以上172以下である。上記のn型シリコン単結晶において好ましくは、第1の副ドーパントはガリウムであり、第2の副ドーパントはアンチモンである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が25.5以上190以下であり、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が1.4以上60以下である。上記のn型シリコン単結晶において好ましくは、第1の副ドーパントはインジウムであり、第2の副ドーパントはアンチモンである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が500以上3300以下であり、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が1.4以上51.6以下である。上記のn型シリコン単結晶において好ましくは、第1の副ドーパントはアルミニウムであり、第2の副ドーパントはアンチモンである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が198以上202以下であり、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が9.9以上10.2以下である。上記のn型シリコン単結晶において好ましくは、第1の副ドーパントはガリウムであり、第2の副ドーパントはアンチモンである。第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率が49.5以上50.5以下であり、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が9.7以上10.0以下である。本発明によれば、比抵抗のばらつきが小さいn型シリコン単結晶を得ることができる。以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照符号を付しその説明については繰り返さない。まず、本実施の形態のn型シリコン単結晶を製造するための製造装置について図1を用いて説明する。図1に示すように、シリコン単結晶製造装置10は、チャンバー2と、ヒータ6と、ルツボ8と、ルツボ支持軸13と、引上げワイヤ14とを主に有している。チャンバー2の内壁には断熱材3が設けられている。チャンバー2の上部にはアルゴンArなどの不活性ガスを導入するための給気口4が設けられており、チャンバー2の底部にはチャンバー2内のガスを排気するための排気口5が設けられている。ルツボ8には原料となるシリコン融液7が充填される。ヒータ6はルツボ8の周辺部に設けられており、シリコン原料を融解させることでシリコン融液7を作製可能である。ルツボ支持軸13は、ルツボ8の下端部からチャンバーの底部に向かって延在しており、ルツボ支持軸駆動装置12によって回転自在に支持されている。引上げワイヤ14は、シリコン単結晶1を引上げるためのものであり、引上げワイヤ駆動装置15によって上下に移動可能である。次に、本実施の形態のn型シリコン単結晶の製造方法について図1および図2を用いて説明する。図2に示すように、本実施の形態に係るn型シリコン単結晶は、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造するものであり、シリコン融液準備工程S1と、シリコン単結晶成長工程S2と、シリコン単結晶切断工程S3とを主に有している。シリコン融液準備工程S1では、シリコン原料をルツボ8に充填し、ヒータ6で加熱すすることでシリコン原料を融解する。シリコン原料には、主ドーパントと、第1の副ドーパントと、第2の副ドーパントとの3種類のドーパントが添加される。主ドーパントは、n型不純物であるリンPである。第1の副ドーパントは、主ドーパントであるリンPよりもシリコン単結晶に対する偏析係数が小さく、導電型がp型の不純物である。第1の副ドーパントは、たとえば、アルミニウムAl、ガリウムGa、インジウムInなどの第III族元素である。第2の副ドーパントは、主ドーパントであるリンPよりもシリコン単結晶に対する偏析係数が小さく、導電型がn型の不純物である。第2の副ドーパントは、たとえば、アンチモンSbなどの第V族元素である。本実施の形態では、シリコン原料として半導体級シリコンが用いられる。半導体級シリコンとは、金属級シリコンよりも不純物濃度が少ないすなわちシリコン純度が高いシリコン原料である。半導体級シリコンのシリコン純度は、たとえば99.99999999911Nである。シリコン原料に添加される主ドーパント、第1の副ドーパントおよび第2の副ドーパントは、3つ同時にシリコン融液に添加されてもよいし、それぞれのドーパントが別々に添加されてもよい。たとえば、初めに主ドーパントをシリコン融液7に添加し、その後第1の副ドーパント、次に第2の副ドーパントを添加してもよい。シリコン単結晶成長工程S2では、まず、シードチャック16に取付けた種結晶17を、シリコン融液7の表面に降下させて浸漬させる。その後、引上げワイヤ14を引上げワイヤ駆動装置15によって巻き取ることによって、シリコン単結晶1の引上げを行う。シリコン単結晶1がコーン部拡張部の成長を経て目標とする直径に達した後に、直胴部11を所定の長さまで成長させる。シリコン単結晶切断工程S3では、まず、直胴部11を所定の長さまで成長させた後、引上げワイヤ14の巻き取りを停止させる。その後、ルツボ8を降下させることによって、シリコン融液7からシリコン単結晶1を切断する。シリコン単結晶1の引上げ軸方向に垂直な平面でシリコン単結晶1をスライスすることにより、シリコンウエハが得られる。次に、シリコン単結晶の比抵抗と固化率との関係のシミュレーション結果について、図3を用いて説明する。図3の横軸は固化率を表している。固化率とは、シリコン融液に含まれる原料シリコンの総質量に対する結晶化したシリコンの質量の比をいう。図3の縦軸は、シリコン単結晶1の引上げ軸D方向の比抵抗の比率を表している。ここで比抵抗は、シリコン単結晶の中心すなわち引上げ軸での比抵抗である。また、比抵抗の比率とは、ある固化率での比抵抗を固化率0での比抵抗で規格化した値である。図3において、サンプル101は、主ドーパントとしてリンP、第1の副ドーパントとしてアルミニウムAl、第2の副ドーパントとしてアンチモンSbが添加されたシリコン融液から、チョクラルスキー法によって形成された3種類のドーパントを含むn型シリコン単結晶である。シリコン融液中のホウ素濃度は、3.4×1015atoms/cm3である。シリコン融液中のアルミニウムの濃度をリンの濃度で除したときの濃度比率第1の濃度比率は112であり、シリコン融液中のアンチモンの濃度をリンの濃度で除したときの濃度比率第2の濃度比率は1.7である。一方、サンプル102は、主ドーパントとしてリンP、副ドーパントとしてアルミニウムAlが添加されたシリコン融液から、チョクラルスキー法によって形成された2種類のドーパントを含むn型シリコン単結晶である。シリコン融液中のホウ素濃度は、2.9×1014atoms/cm3である。シリコン融液中のアルミニウムの濃度をリンの濃度で除したときの濃度比率第1の濃度比率は112である。図3から分かるように、2種類のドーパントを含むサンプル102は、固化率が0.5程度より大きくなると抵抗率の比率が急激に増大する。しかしながら、3種類のドーパントを含むサンプル101は、固化率が0から0.7程度の範囲においては抵抗率の比率の変化αが小さい。固化率が0から0.7までの範囲において、シリコン単結晶サンプル101の引上げ軸方向の比抵抗のばらつきは14.6以下程度と非常に小さい。なお、比抵抗のばらつきは、式1で定義された値である。ここで、比抵抗の最大値は、引上げ軸方向におけるシリコン単結晶の比抵抗の最大値であり、比抵抗の最小値とは引上げ軸方向におけるシリコン単結晶の比抵抗の最小値である。特に、IGBTなどのパワーデバイスに使用される基板には、高い比抵抗と小さい比抵抗のばらつきとが求められる。具体的には、n型シリコン単結晶の比抵抗としては、6Ωcm以上が望ましく、好ましくは50Ωcm以上であり、さらに好ましくは100Ωcm以上である。また、n型シリコン単結晶の比抵抗のばらつきとしては、固化率0~0.7の範囲において50以下程度が望ましく、好ましくは20以下であり、さらに好ましくは15以下、さらに好ましくは12以下である。次に、本実施の形態のシリコン単結晶の比抵抗のばらつきが小さくなるメカニズムについて説明する。シリコン融液にリン主ドーパントのみが添加された場合、シリコン単結晶が成長するすなわち固化率が大きくなるにしたがって、シリコン単結晶中のリン濃度が高くなる。そのため、シリコン単結晶のボトム側で比抵抗が小さくなる。これは、シリコン単結晶に対するリンの偏析係数が0.38程度であり、1未満であるためにシリコン単結晶が成長するに伴ってシリコン融液中のリンの濃度が増加する。その結果、シリコン単結晶へ取り込まれるリンの割合が高くなり、比抵抗が小さくなるからである。シリコン融液中にアルミニウムが添加された場合も同様に、シリコン単結晶が成長するにしたがって、シリコン単結晶中のアルミニウム濃度が高くなる。そのため、シリコン単結晶のボトム側で比抵抗が小さくなる。アルミニウムのシリコン単結晶に対する偏析係数は0.002程度であり、リンよりも小さい。それゆえ、シリコン単結晶の成長に伴うシリコン融液中のアルミニウムの濃縮化の速度は、リンの濃縮化の速度よりも速い。したがって、シリコン単結晶の成長に伴う比抵抗の低下の速度も、アルミニウムを添加した場合の方がリンを添加した場合よりも早くなる。シリコン融液中にリン主ドーパントとアルミニウム第1の副ドーパントとが添加された場合は、リンがn型不純物であり、アルミニウムがp型不純物であるために、互いに発生させた反対の導電型のキャリアを打ち消し合う。したがって、シリコン単結晶にリンとともにアルミニウムを添加することで、n型キャリアの密度を減少させて比抵抗を増大させることができる。また、シリコン単結晶の成長に伴う不純物濃度の増加の速度は、リンを添加する場合よりもアルミニウムを添加する場合の方が大きい。したがって、シリコン単結晶の成長に伴うリンの濃度の増加によるn型キャリア密度の増加を、アルミニウムの濃度の増加によるp型キャリア密度の増加により打ち消すことで、シリコン単結晶の成長に伴う比抵抗の低下の速度を低減することができる。固化率が小さいときは、シリコン単結晶の成長に伴う比抵抗の低下の速度を低減することができるが、固化率が大きくなると、アルミニウムの濃度の増加によるp型キャリア密度の増加が優勢になり、シリコン単結晶の成長に伴って比抵抗が大きくなってくる。シリコン融液中にリン主ドーパントよりも偏析係数の小さいアンチモン第2の副ドーパントを添加した場合、固化率が小さい場合はアンチモンによるn型キャリアはほとんどシリコン単結晶に取込まれない。しかしながら、固化率が大きくなってきたときにアンチモンは徐々にシリコン単結晶に取込まれていき、n型キャリアを増加させていく。その結果、比抵抗は徐々に小さくなってくる。それゆえ、アンチモンの添加により、固化率が大きいところでシリコン単結晶の比抵抗が大きくなることを抑制することができる。結果として、シリコン単結晶の引上げ軸方向の比抵抗のばらつきを低減することができる。このように、n型不純物であって主ドーパントよりも偏析係数の小さい第2の副ドーパントをシリコン融液中に添加することによって、固化率が大きいところでシリコン単結晶の比抵抗が急激に増加する速度を遅くすることができる。それゆえ、固化率が大きい値でもシリコン単結晶の比抵抗が大きくなりすぎないため、広い固化率の範囲で所望の比抵抗を維持することができ、シリコン単結晶の歩留まりを向上することができる。実施の形態1表1は、シリコン融液に添加される主ドーパントとしてリンP、第1の副ドーパントとしてアルミニウムAl、第2の副ドーパントとしてアンチモンSbが使用される場合の、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第1の濃度比率を100以上程度、2100以下程度の範囲で変化させ、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第2の濃度比率を0.5以上程度、181以下程度の範囲で変化させたときの、シリコン単結晶の比抵抗の最大値、最小値および引上げ軸線方向の比抵抗のばらつきのシミュレーション結果を示している。この場合のホウ素濃度は5.09×1013atoms/cm3以上程度、3.48×1015atoms/cm3以下程度である。この場合、比抵抗の最大値が7.5Ωcm以上程度、186.5Ωcm以下程度であり、比抵抗の最小値が6.4Ωcm以上程度、158.4Ωcm以下程度であって、引上げ軸方向の比抵抗のばらつきが、50.4以下程度である、n型シリコン単結晶を得ることができる。より好ましくは、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第1の濃度比率が100以上程度、2000以下程度の範囲であって、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第2の濃度比率が0.5以上程度、172以下程度の範囲である。この場合のホウ素濃度は7.25×1013atoms/cm3以上程度、3.48×1015atoms/cm3以下程度である。この場合、比抵抗の最大値が7.5Ωcm以上程度、186.1Ωcm以下程度であり、比抵抗の最小値が6.4Ωcm以上程度、158.4Ωcm以下程度であって、引上げ軸方向の比抵抗のばらつきが、50.4以下程度である、n型シリコン単結晶を得ることができる。より好ましくは、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第1の濃度比率が198以上程度、202以下程度の範囲であって、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第2の濃度比率が9.9以上程度、10.2以下程度の範囲である。この場合のホウ素濃度は2.37×1014atoms/cm3以上程度、4.28×1014atoms/cm3以下程度である。この場合、比抵抗の最大値が50.0Ωcm以上程度、97.3Ωcm以下程度であり、比抵抗の最小値が44.2Ωcm以上程度、84.1Ωcm以下程度であって、引上げ軸方向の比抵抗のばらつきが、14.8以下程度である、n型シリコン単結晶を得ることができる。実施の形態2表2は、シリコン融液に添加される主ドーパントとしてリンP、第1の副ドーパントとしてガリウムGa、第2の副ドーパントとしてアンチモンSbが使用される場合の、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第1の濃度比率を20.0以上程度、200以下程度の範囲で変化させ、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第2の濃度比率を0.5以上程度、63以下程度の範囲で変化させたときの、シリコン単結晶の比抵抗の最大値、最小値および引上げ軸線方向の比抵抗のばらつきのシミュレーション結果を示している。この場合のホウ素濃度は9.56×1013atoms/cm3以上程度、2.61×1015atoms/cm3以下程度である。この場合、比抵抗の最大値が8.5Ωcm以上程度、191.5Ωcm以下程度であり、比抵抗の最小値が6.3Ωcm以上程度、162.6Ωcm以下程度であって、引上げ軸方向の比抵抗のばらつきが、38.5以下程度である、n型シリコン単結晶を得ることができる。より好ましくは、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第1の濃度比率が25.5以上程度、190以下程度の範囲であって、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第2の濃度比率が1.4以上程度、60以下程度の範囲である。この場合のホウ素濃度は9.56×1013atoms/cm3以上程度、2.61×1015atoms/cm3以下程度である。この場合、比抵抗の最大値が8.5Ωcm以上程度、180.0Ωcm以下程度であり、比抵抗の最小値が7.2Ωcm以上程度、155.8Ωcm以下程度であって、引上げ軸方向の比抵抗のばらつきが、38.5以下程度である、n型シリコン単結晶を得ることができる。より好ましくは、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第1の濃度比率が49.5以上程度、50.5以下程度の範囲であって、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第2の濃度比率が9.7以上程度、10.0以下程度の範囲である。この場合のホウ素濃度は1.58×1014atoms/cm3以上程度、2.21×1014atoms/cm3以下程度である。この場合、比抵抗の最大値が100.2Ωcm以上程度、149.6Ωcm以下程度であり、比抵抗の最小値が89.4Ωcm以上程度、129.1Ωcm以下程度であって、引上げ軸方向の比抵抗のばらつきが、14.7以下程度である、n型シリコン単結晶を得ることができる。実施の形態3表3は、シリコン融液に添加される主ドーパントとしてリンP、第1の副ドーパントとしてインジウムIn、第2の副ドーパントとしてアンチモンSbが使用される場合の、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第1の濃度比率を450以上程度、3400以下程度の範囲で変化させ、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第2の濃度比率を0.6以上程度、54以下程度の範囲で変化させたときの、シリコン単結晶の比抵抗の最大値、最小値および引上げ軸線方向の比抵抗のばらつきのシミュレーション結果を示している。この場合のホウ素濃度は1.00×1014atoms/cm3以上程度、3.06×1015atoms/cm3以下程度である。この場合、比抵抗の最大値が7.5Ωcm以上程度、150.0Ωcm以下程度であり、比抵抗の最小値が6.3Ωcm以上程度、131.9Ωcm以下程度であって、引上げ軸方向の比抵抗のばらつきが、35.0以下程度である、n型シリコン単結晶を得ることができる。より好ましくは、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第1の濃度比率が500以上程度、3300以下程度の範囲であって、かつ第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除した値第2の濃度比率が1.4以上程度、51.6以下程度の範囲である。この場合のホウ素濃度は1.00×1014atoms/cm3以上程度、3.06×1015atoms/cm3以下程度である。この場合、比抵抗の最大値が7.5Ωcm以上程度、150.0Ωcm以下程度であり、比抵抗の最小値が6.4Ωcm以上程度、131.9Ωcm以下程度であって、引上げ軸方向の比抵抗のばらつきが、35.0以下程度である、n型シリコン単結晶を得ることができる。上記のように、リン主ドーパントと、p型不純物であって、リンよりも偏析係数が小さい第1の副ドーパントと、n型不純物であって、主ドーパントのリンよりも偏析係数が小さい第2の副ドーパントとが添加された初期のシリコン融液から、チョクラルスキー法によって成長されたn型シリコン単結晶は、リン主ドーパントと、p型不純物であって、主ドーパントであるリンよりも偏析係数が小さい第1の副ドーパントと、n型不純物であって、主ドーパントであるリンよりも偏析係数が小さい第2の副ドーパントとを含んでいる。そして、第1の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第1の濃度比率と、第2の副ドーパントのシリコン融液中の濃度を主ドーパントのシリコン融液中の濃度で除したときの第2の濃度比率が実施の形態1~3に記載された範囲であれば、その範囲の第1の濃度比率と第2の濃度比率である主ドーパントと第1の副ドーパントと第2の副ドーパントとを含むn型シリコン単結晶を得ることができる。次に、シリコン単結晶1に含有されるドーパント濃度を測定する方法について説明する。ドーパントとしてのリン、アルミニウム、ガリウム、インジウム、アンチモンなどの元素のシリコン単結晶1中の濃度は、SIMSSecondaryIonMassSpectroscopyなどの公知の方法で測定することができる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態および実施例ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。