"触媒の存在下、1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンおよび1-クロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの少なくとも一方からなる原料化合物と、水素とを気相で反応させる2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法において、前記触媒が活性炭に担持されたパラジウム触媒であり、前記パラジウム担持活性炭が充填された触媒層に導入する前記原料化合物と前記水素の割合が、原料化合物中の塩素原子のモル数と水素のモル数の比H2/Clで表わして、0.7以下であることを特徴とする2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。前記パラジウム担持活性炭におけるパラジウムの担持量が、活性炭に対して0.1~10質量である請求項1に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。活性炭がヤシ殻活性炭である、請求項1または2に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。前記原料化合物中の塩素原子のモル数と前記水素のモル数の比H2/Clが0.1~0.6である、請求項1~3のいずれか1項に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。原料化合物が、1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペン、または、1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンと1-クロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンとの混合物であって両者の合計モル数に対する1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの割合が50モル以上の混合物、である、請求項1~4のいずれか1項に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。1-クロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンが、1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンと水素との反応による2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造において副生した化合物である、請求項1~5のいずれか1項に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。原料化合物と水素を触媒層のガス導入部に導入するとともに、該触媒層のガス導入部とガス排出部との間の少なくとも1か所から水素を導入し、触媒層のガス導入部に導入する水素を含めて水素の全量の原料化合物に対する割合を前記モル数の比とする、請求項1~6のいずれか1項に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンまたは1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンと1-クロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンとからなる原料化合物と、前記原料化合物中の塩素原子のモル数と水素のモル数の比H2/Clが0.7以下となる量の水素とを、活性炭に担持されたパラジウム触媒が充填された触媒層に導入し気相反応させて2,3,3,3-テトラフルオロプロペンを生成させ、生成した2,3,3,3-テトラフルオロプロペンを副生した1-クロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンから分離して2,3,3,3-テトラフルオロプロペンを単離し、前記副生した1-クロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンを1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンに配合して新たな原料化合物として前記水素との反応を行う、1-クロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンのリサイクルを少なくとも1回行うことを特徴とする2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。前記パラジウム担持活性炭におけるパラジウムの担持量が、活性炭に対して0.1~10質量である請求項8に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。前記原料化合物中の塩素原子のモル数と前記水素のモル数の比H2/Clが0.1~0.6となる量の水素を触媒層に導入する、請求項8または9に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。本発明は、過還元体であるHFC-254ebの副生を低減できる、2,3,3,3-テトラフルオロプロペンHFO-1234yfの製造方法の提供を目的とする。本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。[1]触媒の存在下、1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンおよび1-クロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの少なくとも一方からなる原料化合物と、水素とを気相で反応させる2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法において、前記触媒が活性炭に担持されたパラジウム触媒であり、前記パラジウム担持活性炭が充填された触媒層に導入する前記原料化合物と前記水素の割合が、原料化合物中の塩素原子のモル数と水素のモル数の比H2/Clで表わして、0.7以下であることを特徴とする2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。[2]前記パラジウム担持活性炭におけるパラジウムの担持量が、活性炭に対して0.1~10質量である、[1]に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。[3]活性炭がヤシ殻活性炭である、[1]または[2]に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。[4]前記原料化合物中の塩素原子のモル数と前記水素のモル数の比H2/Clが0.1~0.6である、[1]~[3]のいずれかに記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。[5]原料化合物が、1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペン、または、1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンと1-クロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンとの混合物であって両者の合計モル数に対する1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの割合が50モル以上の混合物、である、[1]~[4]のいずれかに記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。[6]1-クロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンが、1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンと水素との反応による2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造において副生した化合物である、[1]~[5]のいずれかに記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。[7]原料化合物と水素を触媒層のガス導入部に導入するとともに、該触媒層のガス導入部とガス排出部との間の少なくとも1か所から水素を導入し、触媒層のガス導入部に導入する水素を含めて水素の全量の原料化合物に対する割合を前記モル数の比とする、[1]~[6]のいずれかに記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。[8]1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンまたは1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンと1-クロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンとからなる原料化合物と、前記原料化合物中の塩素原子のモル数と水素のモル数の比H2/Clが0.7以下となる量の水素とを、活性炭に担持されたパラジウム触媒が充填された触媒層に導入し気相反応させて2,3,3,3-テトラフルオロプロペンを生成させ、生成した2,3,3,3-テトラフルオロプロペンを副生した1-クロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンから分離して2,3,3,3-テトラフルオロプロペンを単離し、前記副生した1-クロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンを1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンに配合して新たな原料化合物として前記水素との反応を行う、1-クロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンのリサイクルを少なくとも1回行うことを特徴とする2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。[9]前記パラジウム担持活性炭におけるパラジウムの担持量が、活性炭に対して0.1~10質量である、[8]に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。[10]前記原料化合物中の塩素原子のモル数と前記水素のモル数の比H2/Clが0.1~0.6となる量の水素を触媒層に導入する、[8]または[9]に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。本発明の製造方法によれば、過還元体であるHFC-254ebの副生を低減できる。本発明の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンHFO-1234yfの製造方法は、触媒の存在下、1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンCF3CF=CCl2、CFO-1214yaおよび1-クロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンCF3CF=CHCl、HCFO-1224ydの少なくとも一方からなる原料化合物ガスと、水素ガスとを反応させる。つまり、本発明の製造方法は、触媒の存在下、原料化合物と水素を気相反応させてHFO-1234yfを得る方法である。なお、原料化合物と水素を含むガスを以下原料混合ガスともいう。CFO-1214yaおよびHCFO-1224ydは、それぞれ下式1および2に示す反応によりHFO-1234yfを生成する。CF3CF=CCl22H2→CF3CF=CH22HCl1CF3CF=CHClH2→CF3CF=CH2HCl2原料化合物と水素の反応は、具体的には、例えば、パラジウム触媒を担持した活性炭を反応器に充填して触媒層を形成し、該触媒層に原料混合ガスを導入して反応させる方法が挙げられる。本発明の製造方法における触媒はパラジウム触媒であり、パラジウム触媒は活性炭に担持して用いる。パラジウム触媒としてはパラジウム単体のみならず、パラジウム合金であってもよい。また、パラジウムと他の金属との混合物やパラジウムと他の金属とを担体に別々に担持させた複合触媒であってもよい。パラジウム合金触媒としては、パラジウム/白金合金触媒やパラジウム/ロジウム合金触媒などが挙げられる。活性炭としては、木材、木炭、果実殻、ヤシ殻、泥炭、亜炭、石炭等を原料として調製したものが挙げられ、鉱物質原料よりも植物原料から得られたものが好ましく、ヤシ殻活性炭が特に好ましい。活性炭の形状としては、長さ2~5mm程度の成形炭、4~50メッシュ程度の破砕炭、粒状炭等が挙げられる。なかでも、4~20メッシュの破砕炭、または成形炭が好ましい。パラジウム担持活性炭におけるパラジウムの担持量は、活性炭に対して、0.1~10質量が好ましく、0.5~1質量がより好ましい。前記パラジウムの担持量が下限値以上であれば、原料化合物と水素の反応率が向上する。前記パラジウムの担持量が上限値以下であれば、反応熱による触媒層の過剰な温度上昇を抑制しやすく、副生物の生成を低減しやすい。パラジウムを担持した活性炭には、さらにパラジウム以外の金属を担持してもよい。パラジウム以外の金属としては、例えば、鉄、ルテニウム、オスミウム等の第8族元素;コバルト、ロジウム、イリジウム等の第9族元素;ニッケル、白金等の第10族元素;金が挙げられる。これらパラジウム以外の金属は、1種であっても、2種以上であってもよい。前記パラジウム以外の金属の割合は、パラジウムの100質量部に対して、0.01~50質量部が好ましい。前記パラジウム以外の金属が担持された複合触媒は、パラジウムが単独の触媒よりも触媒耐久性が高くなる傾向がある。本発明において触媒層は、前記パラジウム担持活性炭を反応器に充填することによって形成される。触媒層におけるパラジウム担持活性炭の充填密度は、0.5~1g/cm3が好ましく、0.6~0.8g/cm3がより好ましい。パラジウム担持活性炭の充填密度が下限値以上であれば、単位容積あたりのパラジウム担持活性炭の充填量が多く、反応させるガス量を多くすることができるため生産性が向上する。パラジウム担持活性炭の充填密度が上限値以下であれば、反応熱による触媒層の過剰な温度上昇を抑制しやすく、副生物の生成を低減しやすい。パラジウム担持活性炭の充填部分は、反応器内に1つあってもよく、2つ以上あってもよい。過還元体であるHFC-254ebの副生を低減する点から、触媒層に導入する原料化合物と水素の割合は、原料化合物中の塩素原子のモル数と水素のモル数との比H2/Clで表わして、その値を0.7以下とする。前記比H2/Clは、小さいほどHFC-254ebの副生を低減しやすく、0.6以下が好ましく、0.5以下がより好ましい。また、比H2/Clは、HFO-1234yfの収率の点から、0.1以上が好ましく、0.2以上がより好ましい。後述のように水素を分割導入する場合、同様に、触媒層に導入する原料化合物と触媒層に導入する水素の総量との割合は、上記モル数の比H2/Clを0.7以下とすることが好ましく、0.6以下とすることがより好ましく、0.5以下とすることがさらに好ましい。また、比H2/Clは、0.1以上が好ましく、0.2以上がより好ましい。触媒層の温度は、気相反応であることより、原料混合ガスの露点を越える温度とする。CFO-1214yaの沸点が46°Cであり、HCFO-1224ydの沸点が推定で4~10°Cである点、および反応性の点から、50°C以上が好ましい。反応率をより高くするためには60°C以上がより好ましく、80°C以上が特に好ましい。触媒層の温度は、触媒の劣化の進行に伴い次第に低下することで、反応率が低下するという問題がある。そのため、高い反応率を維持できるよう、触媒層の温度を十分な温度に保つ操作を行うことが好ましい。例えば、触媒層を熱媒などで外部から加熱してその温度を維持している場合は、熱媒の温度を徐々に上げて、触媒層の温度を高めることができる。なお、触媒層の温度とは、外部からの加熱により維持される触媒層の温度をいう。通常原料混合ガスは触媒層の一部の領域で反応し、反応熱の発生により反応域原料混合ガスが反応している領域は他の触媒層領域よりも高温となる。この反応域の触媒活性は経時的に低下することより、通常、反応域は原料混合ガスの導入部からガスの流れ方向の下流側に徐々に移動していく。また、反応域の下流側では反応域で生成した温度の高い生成ガスが流れ、通常、触媒層の温度よりも高温となり、反応域から離れるほど徐々に温度が低下していく。本発明の触媒層の温度とは反応域の上流側の温度、すなわち、熱媒などで外部から加熱してその温度を維持している触媒層の温度をいう。また、本発明の製造方法では、副生物の生成を抑制する点から、反応中の触媒層の最高温度を130°C以下に維持することが好ましく、100°C以下に維持することがより好ましい。つまり、本発明の製造方法では、反応熱による触媒層の過剰な温度上昇を抑制し、触媒層の最高温度を前記上限値以下にすることが好ましい。前記のように、原料混合ガスが反応している反応域およびその下流側の領域における温度は、反応熱により他の領域の触媒層の温度よりも高くなる。反応中の触媒層の最高温度とはこの反応熱の発生により他の領域よりも高温となった触媒層領域の最高温度をいう。反応中の触媒層の最高温度の測定法としては、例えば、挿し込み型の温度計を用いた下記測定法が挙げられる。触媒層における原料化合物と水素の反応は、まずガス導入部の触媒が反応に寄与し、該ガス導入部の触媒が劣化するとその下流側の触媒が反応に寄与するというように、触媒層における反応域がガス排出側に向かって徐々に移動していく。つまり、触媒層の最高温度を示す部分は、原料化合物ガスと水素ガスの反応域の移動と共に移動していくため、予め挿し込み型の温度計の計測部を触媒層のガス導入部に位置させておき、反応の進行と共に該計測部を移動させることで触媒層の最高温度を測定できる。反応中の触媒層の最高温度を前記上限値以下に維持する方法としては、触媒層の最高温度を低く制御しつつ、生産性を高く維持しやすい点から、触媒層に水素を分割して導入する方法方法αが好ましい。水素を触媒層の複数個所に分割して導入すれば、原料化合物の導入量を変化させずに触媒層の反応域を分散させられるため、反応熱の発生が一箇所に集中しない。そのため、生産性を低下させずに、触媒層の局所的な過剰発熱を容易に抑制できる。水素の分割導入とは、原料化合物と水素を触媒層のガス導入部に導入するとともに、触媒層のガス導入部とガス排出部との間の少なくとも1か所から水素を導入することをいう。すなわち、原料混合ガスを導入する導入部以外に触媒層の少なくとも1箇所、すなわち、合計2箇所以上、から水素を導入することをいう。具体的には、触媒層のガス導入部ガスの流れ方向の最上流側のガス導入部に導入する原料混合ガスは、触媒層に導入する水素の一部と原料化合物の全量との混合ガスとする。残余の水素はガスの流れ方向下流の触媒層に導入し、その導入位置の触媒層を流れるガス通常は、原料化合物の一部が水素と反応した後の、生成ガスに水素を混入し、該水素の導入位置から下流側の触媒層で未反応の原料化合物を水素と反応させ、触媒層出口ガスの流れ方向の最下流側のガス排出部から生成ガスを排出する。原料混合ガスの導入部と次の水素導入部との間で、原料混合ガス中の水素の少なくとも一部は原料化合物と反応していることが好ましい。また、ガスの流れ方向の最下流側の水素導入部は、その水素導入部とガス排出部との間の触媒層で導入された水素と原料化合物とが充分反応しうる位置に設けることが好ましい。方法αにおける水素の導入は、2箇所に分割導入しても、3箇所以上に分割導入してもよく、プロセスを簡略化できるという観点から、2箇所から分割導入することが好ましい。触媒層の2箇所以上に分割導入する水素の分割割合は、触媒層の最高温度を低く維持しやすい点から、分割される各々のガス量を等量とすることが好ましい。反応器内に触媒担持活性炭が充填された部分が2つ以上ある場合、水素の分割導入は、例えば、水素の一部を原料化合物と共に1段目の充填部に導入し、残部を2段目以降の充填部に導入する方法が挙げられる。また、方法α以外の触媒層の最高温度の制御方法としては、原料化合物および水素と共に触媒層に不活性ガスを流通させる方法方法βが挙げられる。不活性ガスを流通させ、触媒層中を流通する原料化合物および水素の濃度を調節することで、反応熱による触媒層の過剰な温度上昇を抑制できる。また、不活性ガス以外の希釈ガスを不活性ガスの代わりにまたは不活性ガスとともに使用することもできる。不活性ガスとしては、窒素ガス、希ガス、水素化反応に不活性なフロン類等が挙げられる。不活性ガス以外の希釈ガスとしては塩化水素などが挙げられる。触媒層への不活性ガスの導入量は、触媒層の最高温度を低く維持しやすく、副生物の生成を低減しやすい点、および触媒の劣化を抑制しやすい点から、原料化合物1モルに対して、0.1モル以上が好ましく、0.5モル以上がより好ましい。また、不活性ガスの導入量は、該不活性ガスの回収率の点から、原料化合物1モルに対して、10モル以下が好ましく、4モル以下がより好ましい。また、方法α、方法β以外の触媒層の最高温度の制御方法としては、触媒層の温度を、原料混合ガスの露点を下限として、より低い温度とする方法方法γが挙げられる。触媒層の温度を低く保つことで、反応熱のより迅速な除熱が可能となり、触媒層の過剰な温度上昇を抑制できる。方法γにおいては、触媒層が低い温度であるほどHFO-1234yfと分離困難な副生物の生成を抑制するのに有利である点、および、原料が液化した状態での反応では、HFO-1234yfが過剰に還元された副生物の生成が増加することによりHFO-1234yfの収率が低下する点から、前記触媒層の温度は、露点よりも高くかつ50°C未満とすることが好ましい。より好ましくは、露点よりも高くかつ30°C以下である。触媒層の最高温度の制御は、方法α、方法β、方法γ単独、またはそれぞれを2つ、または3つを併用することが好ましい反応圧力は、取り扱い性の点から、常圧が好ましい。原料化合物ガスの触媒に対する接触時間は、4~60秒が好ましく、8~40秒がより好ましい。この接触時間は、反応器に導入されるガス量と触媒層体積から計算される原料化合物ガスの接触時間である。本発明の製造方法では、触媒層における下式Iで表される原料化合物ガスの線速度uは反応管径によって異なるが、気相還元反応で通常使用される反応管径では0.1~100cm/秒が好ましく、1~30cm/秒がより好ましい。この線速度uは、反応器に導入されるガス量と触媒層体積から計算される原料化合物ガスの線速度である。前記原料化合物ガスの線速度uが下限値以上であれば、生産性が向上する。特にガス線速が1cm/秒以上であれば、ガスが触媒層を均一に流れやすい。前記原料化合物ガスの線速度uが上限値以下であれば、原料化合物と水素の反応率が向上する。特にガス線速が30cm/秒以下であれば、発熱による反応点付近の温度制御が容易になる。u=W/100×V/SIただし、式I中、Wは前記触媒層を流通する全ガス中の原料化合物ガスの濃度モルを示し、Vは前記触媒層を流通する全ガスの流量cm3/秒を示し、Sは前記触媒層のガスの流通方向に対する断面積cm2を示す。本発明の製造方法に用いる反応器としては、触媒担持担体を充填して触媒層を形成できる公知の反応器が挙げられる。反応器の材質としては、例えば、ガラス、鉄、ニッケル、またはこれらを主成分とする合金等が挙げられる。反応後の生成ガスには、目的物であるHFO-1234yfの他に、未反応の原料、反応中間体として生成したHCFO-1224yd、およびHClが含まれる。生成ガスに含まれるHClは、該生成ガスをアルカリ水溶液に吹き込んで中和することにより除去できる。前記アルカリ水溶液に用いるアルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられる。生成ガスからのHFO-1234yfの回収方法としては、例えば、分留等の公知の方法を採用できる。原料化合物ガスは、CFO-1214yaおよびHCFO-1224ydの少なくとも一方からなるガスである。CFO-1214yaは、公知の方法により製造できる。例えば、1,1-ジクロロ-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロパンCHCl2CF2CF3、HCFC-225caを、相間移動触媒の存在下にアルカリ水溶液と接触させて脱フッ化水素反応させる方法が挙げられる。該反応にはHCFC-225caを含むジクロロペンタフルオロプロパンHCFC-225を使用でき、前記相間移動触媒によりHCFC-225中のHCFC-225caのみが選択的に脱フッ化水素される。反応後、CFO-1214yaは蒸留等の公知の方法により分離回収できる。前記HCFC-225caを含むHCFC-225は、テトラフルオロエチレンとジクロロフルオロメタンを、塩化アルミニウム等の触媒の存在下で反応させることにより製造できる。該反応により得られるHCFC-225には、HCFC-225caと、1,3-ジクロロ-1,2,2,3,3-ペンタフルオロプロパンCHClFCF2CClF2、HCFC-225cbが主成分として含まれ、他に2,2-ジクロロ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンCHF2CCl2CF3、HCFC-225aa、2,3-ジクロロ-1,1,2,3,3-ペンタフルオロプロパンCHF2CClFCClF2、HCFC-225bb等が少量含まれる。前記HCFC-225caを含むHCFC-225は、市販品を用いてもよい。市販品としては、アサヒクリンAK225旭硝子社製、商品名、HCFC-225caの48モルと、HCFC-225cbの52モルの混合物等が挙げられる。前記相間移動触媒としては、テトラブチルアンモニウムブロマイドTBABが好ましい。HCFO-1224ydは、CFO-1214yaに水素を反応させてHFO-1234yfを得る際に中間体として生成する。反応後の生成ガスから回収したHCFO-1224ydは、CFO-1214yaと共に原料化合物として水素と反応させてもよく、CFO-1214yaとは別にHCFO-1224ydのみで水素と反応させてもよい。原料化合物としてCFO-1214yaとHCFO-1224ydの混合物を使用する場合、HCFO-1224ydは上記CFO-1214yaからHFO-1234yfを得る際の中間体であることから、通常、HCFO-1224ydの割合の少ない混合物が使用される。よって、CFO-1214yaとHCFO-1224ydの合計量に対するHCFO-1224ydの割合は50モル以下が好ましく、25モル以下がより好ましい。以上説明した本発明の製造方法によれば、活性炭に担持したパラジウム触媒を用いて、原料化合物と水素とを、原料化合物中の塩素原子のモル数と水素のモル数の比H2/Clが0.7以下となるような割合で触媒層に導入して気相反応させることで、過還元体であるHFC-254ebの副生が低減される。結果的に、生成ガス中の目的物であるHFO-1234yfと、HFO-1234yfに変換可能なHCFO-1224ydの量が増えるので、高純度なHFO-1234yfを効率良く生産できる。以下、実施例および比較例を示して本発明を詳細に説明する。ただし、本発明は以下の記載によっては限定されない。例1~3は実施例、例4および5は比較例である。[例1]HFO-1234yfCF3CF=CH2の製造には、図1に例示した反応装置101を用いた。反応装置101は、図1に示すように、2本の反応管110A、110Bと、それら反応管110A、110Bを浸漬する油浴130とを備えている。反応管110Aは、その入口111a側と出口112a側に2箇所の触媒充填部113a、114aを有する。同様に、反応管110Bは、その入口111b側と出口112b側に2箇所の触媒充填部113b、114bを有する。反応管110Aの出口112aと反応管110Bの入口111bは配管で連結されている。反応管110A、110Bとしては、内径2.54cm、長さ100cmのインコネル登録商標600製の反応管を用いた。また、粒度が4~8メッシュのヤシ殻活性炭に対して0.5質量のパラジウムを担持したパラジウム担持活性炭を用い、反応管110Aの触媒充填部113aおよび114aに前記パラジウム担持活性炭を充填し、それぞれ高さ40cmの触媒層120Aおよび触媒層120Bを形成した。同様に、反応管110Bの触媒充填部113bおよび114bに前記パラジウム担持活性炭を充填し、それぞれ高さ40cmの触媒層120Cおよび触媒層120Dを形成した。触媒層120A~120Dのパラジウム担持活性炭の充填密度は0.73g/cm3とした。次いで、触媒層120A~120Dが全て浸漬されるように、反応管110Aおよび反応管110Bを油浴130中に浸漬し、触媒層120A~120Dを80°Cに加熱した。次いで、CFO-1214yaCF3CF=CCl2とHCFO-1224ydCF3CF=CHClが6:1で混合された原料化合物ガスAと、水素ガスBを反応管110Aおよび110Bに流通させ、生成ガスCを得た。触媒層120A~120Dに対する原料化合物ガスAの接触時間は23秒とし、原料化合物ガスA中の塩素原子のモル数と、触媒層に導入する水素ガスBの総導入量のモル数との比H2/Clは0.43とした。原料化合物ガスAの線速度uは7cm/秒とした。また、水素ガスBは、総導入量の50を原料化合物ガスAと共に反応管110Aの入口111aから導入し、残りの50を反応管110Aと反応管110Bを連結する配管部分に導入した。すなわち、水素ガスBは、触媒層120A~120Dからなる長さ160cmの触媒層において、触媒層120A0cm地点と、触媒層120C80cm地点の2箇所に分割して導入した。また、反応中の触媒層120A~120Dの最高温度を、それら触媒層にそれぞれ挿入した挿し込み型の温度計140A~140Dにより測定したところ、100°C以下であった。[例2~3]比H2/Clを表1に示すとおりに変更した以外は、実施例1と同様にして生成ガスCを得た。[例4]パラジウム担持活性炭を、アルミナに対して0.5質量のパラジウムを担持させたパラジウム担持アルミナに変更し、比H2/Clを表1に示すとおりに変更した以外は、実施例1と同様にして生成ガスCを得た。[例5]比H2/Clを表1に示すとおりに変更した以外は実施例1と同様にして生成ガスCを得た。[評価方法]得られた生成ガスCをガスクロマトグラフィーGCにて分析し、下式II~IVによりHFO-1234yfへの変換率X単位:、HCFO-1224ydへの変換率Y単位:、およびHFC-254ebCF3CHFCH3への変換率Z単位:をそれぞれ算出した。X=[c/ab/2]×100IIY=[d/ab/2]×100IIIZ=[e/ab/2]×100IVただし、式中、aは原料化合物ガスA中のCFO-1214yaのモル数、bは原料化合物ガスA中のHCFO-1224ydのモル数、cは生成ガスC中のHFO-1234yfのモル数、dは生成ガスC中のHCFO-1224ydのモル数、eは生成ガスC中のHFC-254ebのモル数を示す。各例の評価結果を表1、生成ガスCのGC分析における面積比単位:を表2に示す。なお、表1におけるPd/Cは、ヤシ殻活性炭に担持したパラジウム触媒を示し、Pd/Al2O3はアルミナに担持したパラジウム触媒を意味する。また、表2におけるフロン番号1243zfおよび263fbの化合物は過還元体である副生物であり、フロン番号244ebおよび234eaの化合物は反応中間体として再利用可能な化合物である。表1および表2に示すように、活性炭に担持したパラジウム触媒を用い、比H2/Clを0.7以下とした例1~3は、アルミナに担持したパラジウム触媒を用いた例4、および比H2/Clが0.7超の例5に比べて、過還元体であるHFC-254ebの副生が低減された。また、例1~3は、変換率Xと変換率Yの合計値も高く、目的物であるHFO-1234yfと再利用可能なHCFO-1224ydへの変換率が高かった。また、例1~3を比較すると、比H2/Clが小さいほど、HFC-254ebの副生を低減する効果が高かった。"