基板上に一導電型を有する第1のシリコン半導体層と、前記第1のシリコン半導体層上に形成された第2のシリコン半導体層と、前記第2のシリコン半導体層上に形成された前記一導電型とは逆の導電型を有する第3のシリコン半導体層と、を有し、前記第2のシリコン半導体層の面方向の端部近傍を除く領域は、シリコンの結晶化を促進させる触媒材料を用いて結晶化させた結晶層であり、前記第2のシリコン半導体層の面方向の端部近傍は、前記触媒材料を用いずに結晶化させた結晶層、または非晶質層であることを特徴とする光電変換装置。基板上に一導電型を有する第1のシリコン半導体層と、前記第1のシリコン半導体層上に形成された第2のシリコン半導体層と、前記第2のシリコン半導体層上に形成された前記一導電型とは逆の導電型を有する第3のシリコン半導体層と、を有し、前記第2のシリコン半導体層の面方向の端部近傍を除く領域は、シリコンの結晶化を促進させる触媒材料を含む結晶層であり、前記第2のシリコン半導体層の面方向の端部近傍は、前記触媒材料を含まない結晶層、または非晶質層であることを特徴とする光電変換装置。基板上に一導電型を有する第1のシリコン半導体層と、前記第1のシリコン半導体層上に形成された第2のシリコン半導体層と、前記第2のシリコン半導体層上に形成された前記一導電型とは逆の導電型を有する第3のシリコン半導体層と、前記第3のシリコン半導体層上に形成された一導電型を有する第4のシリコン半導体層と、前記第4のシリコン半導体層上に形成された第5のシリコン半導体層と、前記第5のシリコン半導体層上に形成された第4のシリコン半導体層の有する前記一導電型とは逆の導電型を有する第6のシリコン半導体層と、を有し、前記第2のシリコン半導体層の面方向の端部近傍を除く領域は、シリコンの結晶化を促進させる触媒材料を用いて結晶化させた結晶層であり、前記第2のシリコン半導体層の面方向の端部近傍は、前記触媒材料を用いずに結晶化させた結晶層、または非晶質層であることを特徴とする光電変換装置。基板上に一導電型を有する第1のシリコン半導体層と、前記第1のシリコン半導体層上に形成された第2のシリコン半導体層と、前記第2のシリコン半導体層上に形成された前記一導電型とは逆の導電型を有する第3のシリコン半導体層と、前記第3のシリコン半導体層上に形成された一導電型を有する第4のシリコン半導体層と、前記第4のシリコン半導体層上に形成された第5のシリコン半導体層と、前記第5のシリコン半導体層上に形成された第4のシリコン半導体層の有する前記一導電型とは逆の導電型を有する第6のシリコン半導体層と、を有し、前記第2のシリコン半導体層の面方向の端部近傍を除く領域は、シリコンの結晶化を促進させる触媒材料を含む結晶層であり、前記第2のシリコン半導体層の面方向の端部近傍は、前記触媒材料を含まない結晶層、または非晶質層であることを特徴とする光電変換装置。請求項3または4において、前記第5のシリコン半導体層は、非晶質であることを特徴とする光電変換装置。請求項1乃至5のいずれか一項において、前記シリコンの結晶化を促進する触媒材料は、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Auから選ばれた一種または複数種類の元素であることを特徴とする光電変換装置。基板上に一導電型を付与する不純物を含む第1のシリコン半導体層を形成する工程と、前記第1のシリコン半導体層上に第2のシリコン半導体層として非晶質シリコン膜を形成する工程と、前記第2のシリコン半導体層表面の複数の領域にシリコンの結晶化を促進させる触媒材料を選択的に添加する工程と、前記第2のシリコン半導体層に加熱処理を施し、前記第2のシリコン半導体層を部分的に結晶化させる工程と、前記第2のシリコン半導体層上に一導電型とは逆の導電型を付与する不純物を含む第3のシリコン半導体層を形成する工程と、前記触媒材料が添加されていない領域で前記第1、第2及び第3のシリコン半導体層の積層を分断する工程と、を上記順序で行うことを特徴とする光電変換装置の作製方法。基板上に一導電型を付与する不純物を含む第1のシリコン半導体層を形成する工程と、前記第1のシリコン半導体層上に第2のシリコン半導体層として非晶質シリコン膜を形成する工程と、前記第2のシリコン半導体層表面の複数の領域にシリコンの結晶化を促進させる触媒材料を選択的に添加する工程と、前記第2のシリコン半導体層に加熱処理を施し、前記第2のシリコン半導体層を部分的に結晶化させる工程と、前記第2のシリコン半導体層上にリンまたは希ガスを含有する膜を形成する工程と、前記第2のシリコン半導体層及び前記リンまたは希ガスを含有する膜を加熱処理する工程と、前記リンまたは希ガスを含有する膜を除去する工程と、前記第2のシリコン半導体層上に一導電型とは逆の導電型を付与する不純物を含む第3のシリコン半導体層を形成する工程と、前記触媒材料が添加されていない領域で前記第1、第2及び第3のシリコン半導体層の積層を分断する工程と、を上記順序で行うことを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項8において、前記リンまたは希ガスを含有する膜は、絶縁膜または半導体膜であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項7乃至9のいずれか一項において、前記シリコンの結晶化を促進する触媒材料は、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Auから選ばれた一種または複数種類の元素であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。薄膜結晶シリコン系光電変換装置には、少なくとも数μmの膜厚を有する光電変換層が必要となる。そのため、短時間で結晶性の良い結晶シリコンの成長を可能とする触媒材料添加の手段を用いた熱処理固相成長法は、大変魅力的な手段である。上述したように触媒材料である重金属は、シリコン中に取り込まれると欠陥準位を形成し、素子の電気特性を悪化させる作用がある。しかしながら、実際には熱処理を終えた後のシリコン膜中では、触媒材料の元素が原子やイオンの形で一様に分散されているのではなく、金属の塊として偏析し、点在していることが確かめられている。触媒材料をシリコン膜中から取り除くゲッタリング工程を行うことは、電気特性の悪化防止には有効である。しかしながら、膜厚が厚い場合や触媒材料が他の元素と結合した場合などでは触媒材料を膜中から完全に取り除くことができないこともあった。特に、素子分離工程ではレーザ光照射などの熱工程が用いられるため、分断領域に偏析していた触媒材料がシリコン膜中に再拡散し、不純物準位の形成による電気特性の悪化や、セルの上下や隣り合うセル間でのショートやリークなどの不良を起こすことがあった。そのため、より安定した薄膜結晶シリコン系光電変換装置の工法開発が望まれている。従って、本発明の一態様は、触媒材料が起因したショートやリークなどの不良を抑制する結晶シリコン系光電変換装置の構成、及びその作製方法の提供を目的とする。本発明の一態様は、基板上に形成された非晶質シリコンに対して結晶化を促進する触媒材料を選択的に添加して結晶成長を行い、良質の光電変換層を形成するとともに、ショートやリークなどの不良を極力抑えることのできる光電変換装置及びその作製方法に関する。本明細書で開示する本発明の一態様は、基板上に一導電型を有する第1のシリコン半導体層と、第1のシリコン半導体層上に形成された第2のシリコン半導体層と、第2のシリコン半導体層上に形成された一導電型とは逆の導電型を有する第3のシリコン半導体層と、を有し、第2のシリコン半導体層の面方向の端部近傍を除く領域は、シリコンの結晶化を促進させる触媒材料を用いて結晶化させた結晶層であり、第2のシリコン半導体層の面方向の端部近傍は、触媒材料を用いずに結晶化させた結晶層、または非晶質層であることを特徴とする光電変換装置である。本明細書で開示する本発明の他の一態様は、基板上に一導電型を有する第1のシリコン半導体層と、第1のシリコン半導体層上に形成された第2のシリコン半導体層と、第2のシリコン半導体層上に形成された一導電型とは逆の導電型を有する第3のシリコン半導体層と、を有し、第2のシリコン半導体層の面方向の端部近傍を除く領域は、シリコンの結晶化を促進させる触媒材料を含む結晶層であり、第2のシリコン半導体層の面方向の端部近傍は、触媒材料を含まない結晶層、または非晶質層であることを特徴とする光電変換装置である。また、本明細書で開示する本発明の他の一態様は、基板上に一導電型を有する第1のシリコン半導体層と、第1のシリコン半導体層上に形成された第2のシリコン半導体層と、第2のシリコン半導体層上に形成された一導電型とは逆の導電型を有する第3のシリコン半導体層と、第3のシリコン半導体層上に形成された一導電型を有する第4のシリコン半導体層と、第4のシリコン半導体層上に形成された第5のシリコン半導体層と、第5のシリコン半導体層上に形成された第4のシリコン半導体層の有する一導電型とは逆の導電型を有する第6のシリコン半導体層とを有し、第2のシリコン半導体層の面方向の端部近傍を除く領域は、シリコンの結晶化を促進させる触媒材料を用いて結晶化させた結晶層であり、第2のシリコン半導体層の面方向の端部近傍は、触媒材料を用いずに結晶化させた結晶層、または非晶質層であることを特徴とする光電変換装置である。また、本明細書で開示する本発明の他の一態様は、基板上に一導電型を有する第1のシリコン半導体層と、第1のシリコン半導体層上に形成された第2のシリコン半導体層と、第2のシリコン半導体層上に形成された一導電型とは逆の導電型を有する第3のシリコン半導体層と、第3のシリコン半導体層上に形成された一導電型を有する第4のシリコン半導体層と、第4のシリコン半導体層上に形成された第5のシリコン半導体層と、第5のシリコン半導体層上に形成された第4のシリコン半導体層の有する一導電型とは逆の導電型を有する第6のシリコン半導体層と、を有し、第2のシリコン半導体層の面方向の端部近傍を除く領域は、シリコンの結晶化を促進させる触媒材料を含む結晶層であり、第2のシリコン半導体層の面方向の端部近傍は、触媒材料を含まない結晶層、または非晶質層であることを特徴とする光電変換装置である。シリコン薄膜の結晶化を促進させた触媒材料は膜中に偏析し、ショートやリークなどの不良要因となる。また、その不良の発生は光電変換装置の構造とその偏析位置に強く関係する。特に問題となるのは、シリコン膜が分断される領域近傍に偏析していた触媒材料である。シリコン膜の分断工程ではレーザなどを用いて熱的に分断する手法を用いるため、偏析していた触媒材料が再拡散し、セルの上下や隣り合うセル間でのショートやリークが起こりやすくなる。上述したシリコン半導体層の面方向とは、膜厚方向に対して垂直な方向を指し、その端部とは光電変換装置の素子分離のためにレーザ等で分断する部位を言う。つまり、光電変換装置の実質的な光吸収層には、触媒材料を用いた高品質の結晶層を設け、素子分離を行う領域近傍には、触媒材料を用いずに結晶化を行った結晶層を設けることが本発明の一態様における特徴の一つである。また、素子分離を行う領域近傍は結晶化をせずに非晶質層としても良い。この様に、予め素子分離を行う領域近傍を触媒材料を用いずに形成することでショートやリークなどの不良の発生を抑制することができる。また、本明細書で開示する本発明の他の一態様は、基板上に一導電型を付与する不純物を含む第1のシリコン半導体層を形成する工程と、第1のシリコン半導体層上に第2のシリコン半導体層として非晶質シリコン膜を形成する工程と、第2のシリコン半導体層表面の複数の領域にシリコンの結晶化を促進させる触媒材料を選択的に添加する工程と、第2のシリコン半導体層に加熱処理を施し、第2のシリコン半導体層を部分的に結晶化させる工程と、第2のシリコン半導体層上に一導電型とは逆の導電型を付与する不純物を含む第3のシリコン半導体層を形成する工程と、触媒材料が添加されていない領域で第1、第2及び第3のシリコン半導体層の積層を分断する工程と、を上記順序で行うことを特徴とする光電変換装置の作製方法である。また、本明細書で開示する本発明の他の一態様は、基板上に一導電型を付与する不純物を含む第1のシリコン半導体層を形成する工程と、第1のシリコン半導体層上に第2のシリコン半導体層として非晶質シリコン膜を形成する工程と、第2のシリコン半導体層表面の複数の領域にシリコンの結晶化を促進させる触媒材料を選択的に添加する工程と、第2のシリコン半導体層に加熱処理を施し、第2のシリコン半導体層を部分的に結晶化させる工程と、第2のシリコン半導体層上にリンまたは希ガスを含有する膜を形成する工程と、第2のシリコン半導体層及びリンまたは希ガスを含有する膜を加熱処理する工程と、リンまたは希ガスを含有する膜を除去する工程と、第2のシリコン半導体層上に一導電型とは逆の導電型を付与する不純物を含む第3のシリコン半導体層を形成する工程と、触媒材料が添加されていない領域で前記第1、第2及び第3のシリコン半導体層の積層を分断する工程と、を上記順序で行うことを特徴とする光電変換装置の作製方法である。ここで、シリコンの結晶化を促進させる触媒材料には、鉄Fe、ニッケルNi、コバルトCo、ルテニウムRu、ロジウムRh、パラジウムPd、オスミウムOs、イリジウムIr、白金Pt、銅Cu、金Auから選ばれた一種または複数種類の元素を用いることができる。また、これらの触媒材料は、上記元素の金属塩を水溶液等にしてシリコン半導体上に塗布することができる。また、スパッタ法や真空蒸着法等でシリコン半導体表面に直接付着させても良い。上記触媒材料をシリコン半導体表面に選択的に添加する工程は、シリコン表面に紫外線を選択的に照射し、上記水溶液に対して濡れ性のある酸化膜を選択的に形成する方法を用いることができる。また、マスクを用いて部分的に添加する方法やリフトオフ法などを用いても良い。また、第2のシリコン半導体層の結晶化後に触媒材料をゲッタリングする工程として、リンまたは希ガスアルゴンなどを含む絶縁膜または半導体膜を第2のシリコン半導体層上に形成し、加熱処理を行うこともできる。上記触媒材料のゲッタリング用に形成した膜にリンを含むシリコン半導体層を用いる場合は、そのまま半導体接合を形成しているn型半導体層とすることができる。ただし、一度取り除いて新たにn型半導体層を形成しても良い。本発明の一態様によれば、非晶質シリコンに触媒材料を選択的に添加して光吸収層となる領域の結晶化を行い、素子分離を行う領域近傍は非晶質のまま、または触媒材料を用いずに結晶化することで、光電変換装置のショートやリークなどの不良を抑制することができる。実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様である光電変換装置の構造、及びその作製方法について説明する。図1A、Bは、本発明の一態様における集積化した光電変換装置の断面図である。図1Aは、図1BのY1-Y2の分断面に相当し、光吸収層となる第2の半導体層を面方向に分断した状態を図示したものである。また、図1Bは、図1AのX1-X2で記した線に沿って厚さ方向に分断した状態を全ての層について図示したものである。本実施の形態における光電変換装置は、透光性絶縁基板100上に形成した透光性導電膜120、第1の半導体層140、第2の半導体層の第1の領域150a及び第2の領域150b、第3の半導体層160、並びに導電体層180からなり、隣り合うセルを直列に接続した集積型構造となっている。また、図示はしていないが、隣り合うセルが並列に接続されていても良い。なお、図1では透光性導電膜120を透光性絶縁基板100側に形成した基板側光入射の構造を示したが、形成した膜面側から光入射する構造としても良い。また、セルとは光電変換装置の基本単位で、ここではpin接合を有する一つの素子のことを言う。光入射側の電極となる透光性導電膜120には、インジウム錫酸化物ITO、酸化亜鉛ZnOまたは酸化錫SnO2などを用いることができる。第1の半導体層140には一導電型を有するシリコン半導体膜を用いることができ、第3の半導体層160には一導電型とは逆の導電型を有するシリコン半導体膜を用いることができる。第1の半導体層140及び第3の半導体層160は、非晶質層を用いることもできるが、低抵抗の結晶層または微結晶層を用いることが好ましい。本実施の形態では、一導電型にはp型を適用し、一導電型とは逆の導電型にはn型を適用するが、それぞれ逆の導電型を適用しても良い。裏面側の電極となる導電体層180には、アルミニウム、チタン、銀、ニッケル、ステンレスなどの金属、または、ニッケルペースト、銀ペースト、カーボンペーストなどの導電ペーストを用いることができる。次に、第2の半導体層について詳細を説明する。図1A、Bに示す第2の半導体層の第1の領域150aは、非晶質のシリコン半導体に触媒材料を選択的に添加し、加熱することによって形成した高品質の結晶層を含む領域である。加熱処理によって金属元素とシリコンとの合金が非晶質のシリコン半導体中に形成され、この合金を核として結晶化が進行し、第2の半導体層の第1の領域150aが形成される。一方、図1A、Bに示す第2の半導体層の第2の領域150bは、非晶質のシリコン半導体に触媒材料を添加せずに結晶化させた結晶層である。例えば、局所的にエキシマレーザ等を用いて結晶化させることもできる。このとき、既に触媒材料を添加して結晶化させた領域にもレーザ照射を行って更に結晶性を高めても良い。また、第2の半導体層の第2の領域150bは、非晶質層であっても良い。第1の領域150aにおける触媒材料を添加した非晶質シリコンの結晶化は、550°C程度の比較的低温で可能であり、触媒材料を添加していない第2の領域150bでは結晶化は起こらず、非晶質状態を維持している。ここで、第2の半導体層の第1の領域150a及び第2の領域150bは、高抵抗であり、実質的にi型と呼べる導電型である。第2の半導体層の第1の領域150a及び第2の領域150bのそれぞれの幅は任意であるが、第2の半導体層の第2の領域150bは、第2の半導体層の第1の領域150aに対する面積比率が小さくなるように形成する。該面積比率を小さくすれば、第2の半導体層の第2の領域150bが全く光電変換に寄与しないとしても素子全体の変換効率の低下を極力抑えることができる。ただし、後の分断工程は、第2の半導体層の第2の領域150bで行うため、その加工精度も考慮して、実施者が第2の半導体層の第1の領域150a及び第2の領域150bのそれぞれの幅を適宜決定すれば良い。この様に触媒材料を添加しない領域を形成し、その領域において素子分離を行うことが本発明の一態様における最大の特徴である。従来の触媒材料を用いた工法で形成した光電変換装置では、膜面全面に触媒材料を添加していたため、分断領域に偏析していた触媒材料がレーザ等の熱的な手段によりシリコン膜中に再拡散し、不純物準位の形成による電気特性の悪化や、セルの上下や隣り合うセル間でのショートやリークなどの不良を起こすことがあった。そのため、触媒材料のゲッタリング工程を取り入れることで上記の不良を低減する試みがなされた。しかしながら、例えば、半導体層の膜厚が厚過ぎる場合や半導体層中で触媒材料が酸素等の他の元素と結合した場合は触媒材料を取り除くのは困難であり、膜中の触媒材料を皆無とするには至らなかった。本発明の一態様では、同一基板上で複数に分断した素子を直列または並列に接続する集積型の光電変換装置において、その分断領域近傍は触媒材料を用いずに形成することでショートやリークなどの不良を抑制することができる。次に、図2及び図3の工程断面図を用いて本発明の一態様である光電変換装置の作製方法を説明する。まず、透光性絶縁基板100上に透光性導電膜120を形成する。透光性絶縁基板100としては、歪み点が550°C以上のものを用いることができる。また、図示はしないが透光性導電膜120の形成前に電流を収集するための櫛状の金属電極を設けても良い。透光性導電膜120としては、インジウム錫酸化物ITO、酸化亜鉛ZnOまたは酸化錫SnO2等を用いることができ、スパッタ法などを用いて0.1μm以上1μm以下の膜厚に形成することが好ましい。次に、素子分離のために透光性導電膜120の分断を行い、図2Aに示す分離溝121を形成する。分断は、レーザ加工等で行うことができる。このレーザ加工に用いられるレーザは、赤外光領域の連続発振またはパルス発振レーザを用いることが好ましい。例えば、Nd-YAGレーザ波長1064nmを用いることができる。続いて、第1の半導体層140を20nm以上150nm以下、好ましくは30nm以上100nm以下の厚さで形成する。本実施の形態では、プラズマCVD法を用い、p型を付与する不純物を含むドーピングガスを原料ガスに混合してp型の微結晶シリコン膜を形成する。p型を付与する不純物としては、代表的には周期表第13族元素であるホウ素またはアルミニウムなどが挙げられる。例えば、ジボラン等のドーピングガスをシラン等の原料ガスに混合してp型の微結晶シリコン膜を形成することができる。第1の半導体層140の上に非晶質半導体層150を形成する。この非晶質半導体層150の形成方法は特に限定されないが、1μm以上の厚みに形成することが好ましく、高速で形成できる方法が望ましい図2B参照。非晶質半導体層150は、例えばプラズマCVD法、減圧CVD法、スパッタ法、真空蒸着法などを用いて形成することができる。ここでは、プラズマCVD法を用いて厚さ5μmの非晶質シリコン膜を形成する。非晶質シリコン膜は、実質的に真性な非晶質シリコン膜であることが好ましい。原料ガスには、シランまたはジシランを用い、水素を添加しても良い。このとき、膜中に含まれる大気成分がドナーとなる場合があるため、導電型がよりi型に近づくように0.001atom以上0.1atom以下のホウ素Bを添加しても良い。次に、非晶質半導体層150を選択的に結晶化させ、高品質の結晶層を得るための触媒材料130を非晶質半導体層150上に選択的に添加する。例えば、第2の半導体層の第2の領域150bが500μm程度の幅で形成されるように触媒材料を選択的に添加する。ただし、前述したようにレーザ加工精度などを考慮して決定する必要がある。触媒材料130には鉄Fe、ニッケルNi、コバルトCo、ルテニウムRu、ロジウムRh、パラジウムPd、オスミウムOs、イリジウムIr、白金Pt、銅Cu、金Au、から選ばれた一種または複数種類の元素を用いることができる。本実施の形態では、上記金属元素の中で、その効果や再現性の点で非常に優れたニッケルを用いる。ニッケルは、ニッケルシリサイドを形成し、非晶質シリコン膜が結晶化する際の結晶核として機能する図2C参照。触媒材料を非晶質半導体層150上に選択的に塗布するには、予め非晶質半導体層上に選択的に薄い酸化膜を形成し、該酸化膜に対して濡れ性のある上記金属の塩を溶解した水溶液を塗布する方法を用いることができる。該酸化膜を形成する方法としては、紫外光照射やアンモニア過水またはオゾン水への浸漬などがあり、該酸化膜を選択的に形成する方法としては、メタルマスクやリフトオフ法などを用いることができる。なお、該酸化膜は図示されていない。本実施の形態では、メタルマスクを非晶質半導体層上に重ね、酸素を含む雰囲気中で、その上部から紫外線を照射することによって酸化膜を選択的に形成する。また、触媒材料となるニッケルは、酢酸ニッケルを水溶液とし、スピンコータを用いて該酸化膜上に選択的に塗布する。該酸化膜は非常に薄いもので、触媒材料は該酸化膜を通して非晶質半導体層表面に到達することができる。なお、酸化膜の形成されていない領域は、非晶質半導体層が露出しており、その表面は疎水性があるため酢酸ニッケル水溶液が塗布されない。上記と異なる方法として、スパッタ法や真空蒸着法を用いて触媒材料を非晶質半導体層上に直接付着させる手段を用いても良い。次に、電気炉を用い窒素雰囲気中において、450°Cの温度で1時間加熱することにより、非晶質半導体層150中の水素を離脱させる。これは、非晶質半導体層150中にダングリングボンドを意図的に形成することにより、結晶化時のしきい値エネルギーを下げるためである。そして窒素雰囲気中において、550°C、4時間以上8時間以下の加熱処理を施すことにより、非晶質半導体層150を結晶化させて、第2の半導体層の第1の領域150aとなる結晶性シリコン層を形成する。ここで、結晶化の際の温度を550°Cと低温にすることができるのは、ニッケルの触媒作用によるものである。上記加熱処理中、ニッケルは非晶質半導体層150を結晶化させながら膜中を移動する。また、ここで、ニッケルを塗布していない領域は結晶化せず、第2の半導体層の第2の領域150bは非晶質状態が維持される図2D参照。また、ラピッドサーマルアニールRTA法を用いて結晶化を行うこともできる。雰囲気には、窒素または希ガス等の不活性ガスを用い、600°C以上800°C以下の温度で3分以上9分以下の熱処理を行うことが好ましい。次に、第2の半導体層の第2の領域150bを結晶化させる工程を行っても良い。例えば、局所的にエキシマレーザ等を用いて結晶化させることができる。このとき、既に触媒材料を添加して結晶化させた領域にもレーザ照射を行って、更に結晶性を高めても良い。第2の半導体層の第2の領域150bを結晶化させることで、その領域の光電変換への寄与を高めることができる。ただし、前述したように第2の半導体層の第1の領域150aに対する第2の半導体層の第2の領域150bの面積比率は小さいため、電気特性向上への寄与も小さく、この工程は省いても良い。この様にして第2の半導体層の第1の領域150a及び第2の領域150bを形成した後、表面に残っている触媒材料及び酸化膜を希弗酸にて取り除き、第3の半導体層160を20nm以上150nm以下、好ましくは30nm以上100nm以下の厚さで形成する図3A参照。本実施の形態では、プラズマCVD法を用い、n型を付与する不純物を含むドーピングガスを原料ガスに混合して、n型の微結晶シリコン膜を第3の半導体層160として形成する。n型を付与する不純物としては、代表的には周期表第15族元素であるリン、ヒ素、またはアンチモンなどが挙げられる。例えば、ホスフィンなどのドーピングガスをシラン等の原料ガスに混合することで、n型の微結晶シリコン層を形成することができる。次に、素子分離のためのレーザ加工を行い、図3Bに示すように第1の半導体層140、第2の半導体層の第2の領域150b及び第3の半導体層160に分離溝151を形成する。このレーザ加工に用いられるレーザは、可視光領域または赤外光領域の連続発振またはパルス発振レーザを用いることが好ましい。例えば、Nd-YAGレーザの第二高調波波長532nmを用いることができる。ここで、該分離溝は、第2の半導体層の第2の領域150bが分断される様に形成することが重要である。レーザ加工の精度が低く、第2の半導体層の第1の領域150aを含んで分離溝が形成されるとショートやリークなどの不良を起こす場合がある。次に、図3Cに示すように裏面側の電極となる導電体層180を形成する。導電体層180には、アルミニウム、チタン、銀、ニッケル、ステンレスなどの金属、または、ニッケルペースト、銀ペーストまたはカーボンペーストなどの導電ペーストを用いることができる。本実施の形態では、スクリーン印刷法を用いてニッケルペーストで導電体層180を形成する。なお、第3の半導体層160と導電体層180の間に透光性導電膜を設けても良い。また、該透光性導電膜の表面に凹凸を設けても良い。この様な構成とすることで光閉じ込め効果を付与することができ、変換効率を向上させることができる。以上により、ショートやリークなどの不良を抑制し、良好な電気特性の得られる薄膜結晶シリコン系の集積型光電変換装置を提供することができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態2本実施の形態では、光電変換装置の作製工程の一部が実施の形態1とは異なる例について説明する。本実施の形態では、触媒材料を含んで結晶化された第2の半導体層の第1の領域150aに対してゲッタリング処理を行い、膜中に偏析した触媒材料を取り除く工程を行う例を説明する。なお、実施の形態1の様にゲッタリング処理を行わなくても光電変換装置を形成することは可能であるが、ゲッタリング処理を行うことで第2の半導体層の第1の領域150aに含まれる触媒材料を低減することができる。従って、ショートやリーク等の不良が起こる確率をより低減することができる。先ず、実施の形態1の図2に従って、透光性絶縁基板100上に透光性導電膜120を形成してレーザ加工を施し、第1の半導体層140、非晶質半導体層150を形成し、触媒材料の選択的添加を行って第2の半導体層の第1の領域150a及び第2の領域150bを形成する。ゲッタリング工程としては、先ず触媒材料を含んで結晶化された第2の半導体層上にPSGリンシリケ─トガラス210を形成する図4A参照。PSG210は、常圧CVD法で、シラン、ホスフィン、酸素の混合ガスを用い、450°Cの温度で形成することができる。PSG210のリン濃度は1wt以上30wt以下、好ましくは5wt以上10wt以下とする。PSG210は、加熱工程と組み合わせて第2の半導体層の第1の領域150a中に残存する触媒材料ここではニッケルをゲッタリングするためのものであるが、450°CでPSG210を形成するだけでも、ゲッタリングの効果は認められる。より効果的には、PSG210を形成した後に電気炉を用い窒素雰囲気中で熱処理温度500°C以上800°C以下、好ましくは550°Cで1時間以上4時間以下の加熱処理を行うと良い。この工程により、第2の半導体層の第1の領域150a内のニッケルの濃度を5×1018/cm3以下とすることができる。また、加熱処理は結晶化と同様にラピッドサーマルアニールRTA法を用いることもできる。この場合は、窒素または希ガス等の雰囲気下において、600°C以上800°C以下の温度で3分間以上9分間以下の熱処理を行うことが好ましい。次に、PSG210を希弗酸で除去し、触媒材料を取り除いた第2の半導体層の第1の領域150aの表面を露出させ、次工程を行う。ゲッタリング工程の別の手法として、PSG210の替わりに、リンを0.1~10wt添加したシリコン膜を用いることも可能であり、同様な効果を得ることができる。例えば、実施の形態1で説明した第3の半導体層に相当するリンを含むシリコン膜220を形成する。そして、窒素雰囲気中で熱処理温度500°C以上800°C以下、好ましくは550°Cで1時間以上4時間以下の加熱処理を行うことで触媒材料を第2の半導体層の第1の領域150a中から取り除くことができる図4B参照。また、前述したRTA法を用いることもできる。この状態では、リンを含むシリコン層は触媒材料を比較的高濃度に含有しているが、光電変換装置のn型半導体層とする場合には触媒材料の影響は問題にならない。そのため、そのままn型半導体層として使用することができる。一方で、リンを含むシリコン層を取り除いてまた新たにn型半導体層を形成しても良い。その場合は、リンを含むシリコン層を形成する前に紫外線照射やアンモニア過水またはオゾン水への浸漬によって極薄い酸化膜を形成しておくと良い。該シリコン層はTMAHテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液またはコリン水酸化2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムの水溶液等のアルカリ溶液で容易にエッチングをすることができる。そして、上記アルカリ溶液ではシリコン酸化膜はほとんどエッチングされないことから、該シリコン層のみを選択的に取り除くことができる。シリコン膜中へのリンの添加は、CVD法等で原料ガスとドーパントガスを混合して成膜する方法の他にリンイオンを注入する方法がある。例えば、プラズマド─ピング法により、第2の半導体層の第1の領域150aに直接リンイオンを注入することができる。ド─ズ量は1×1014個/cm2以上1×1017個/cm2以下が好ましく、代表的には、1×1016個/cm2とする。このド─ピング処理によって、リンが高濃度に含まれる注入層230が形成される図4C参照。その後の熱処理により、リンが高濃度に含まれる注入層230は触媒材料のゲッタリングに作用するとともに結晶化が促進されるため、n型の結晶性シリコン層に変成される。従って、このn型の結晶性シリコン層を光電変換装置のn型半導体層として使用することができる。更に他の方法としては、希ガスを含むシリコン膜240を用いる手段がある図4D参照。具体的にはヘリウムHe、ネオンNe、アルゴンAr、クリプトンKr、キセノンXeの1つ又は複数の希ガス元素を含むシリコン膜を第2の半導体層の第1の領域150a上に形成し、前述した温度及び時間で同様の加熱工程を行う。希ガスを含むシリコン膜240の膜厚は、20nm以上40nm以下であることが好ましい。希ガス元素を含有させることで該シリコン膜中にはダングリングボンドや格子歪み等が形成され、該シリコン膜中に触媒材料を誘導することができる。なお、該シリコン膜中に格子歪みを形成するには、珪素より原子半径の大きいアルゴンAr、クリプトンKr、キセノンXe等の元素を用いると効果的である。なお、シリコン膜中に希ガスを添加させるには、CVD法で原料ガスと希ガスとを混合して成膜する方法や、スパッタ法で添加したい希ガスをスパッタガスに用いて成膜する方法がある。ゲッタリング工程が終了した後は、前述したリンを含むシリコン膜を用いた場合と同様にアルカリ溶液にて希ガスを含むシリコン膜をエッチングしても良い。ただし、ゲッタリング用途に形成したシリコン膜を選択的に取り除くには、前述した様に該シリコン膜の形成前に第2の半導体層上に極薄い酸化膜等を形成しておくと良い。以上の手法を用いることで第2の半導体層の第1の領域150aから触媒材料を取り除くことができ、実施の形態1に従って、結晶化工程以降の工程を行うことで光電変換装置を完成させることができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態3本実施の形態では、実施の形態1または実施の形態2で説明した光電変換装置の構造とは異なる多接合型の光電変換装置及びその作製方法について説明する。多接合型光電変換装置は、光吸収波長範囲の異なる光電変換層を2つ以上備えた光電変換装置で、波長分布が広範囲に渡る太陽光から効率良く光電変換させることができる特徴を有している。薄膜型光電変換装置ではタンデム型やトリプル型などが知られており、主に非晶質シリコン系と結晶シリコン系の材料が光電変換層に用いられている。例えば、タンデム型では光入射側のトップセルに可視光領域の光吸収が大きい非晶質シリコン系材料を用い、ボトムセルには赤外光領域の光吸収が大きい結晶シリコン系の材料を用いる。このとき、通常はガラス基板等の透光性基板側から光入射をする仕様であるため、非晶質シリコン系のセルを先に形成し、結晶シリコン系のセルを後に形成する。本発明の一態様における結晶系シリコンの作製方法は、触媒材料を用い、比較的低温で形成できる。しかしながら、550°C程度の加熱工程が必要であり、上述の順序でタンデム型を形成すると非晶質シリコン系の光電変換層から水素が脱離し、電気特性が著しく悪化してしまう。従って、本発明の一態様における多接合型光電変換装置では、結晶シリコン系のセルを基板上に先に形成し、非晶質シリコン系のセルを後に形成することを特徴とする。本実施の形態ではその構造及び作製方法を説明する。図5は、本発明の一態様における多接合型タンデム型光電変換装置である。基板300上に導電体層320が形成され、その上部に第1の半導体層340、第2の半導体層の第1の領域350a及び第2の領域350b、第3の半導体層360からなるボトムセル310が形成されている。また、第4の半導体層540、第5の半導体層550、第6の半導体層560からなるトップセル510が中間層400を介してボトムセル310上に積層され、透光性導電膜380が隣接するセルを直列に接続するように形成されている。本実施の形態における多接合型光電変換装置は、トップセル510側から光入射を行うため、基板300は透光性を有する必要は無い。従って、基板300にはガラス以外にアルミナなどのセラミック基板や耐熱性の樹脂、または表面に絶縁処理を施したステンレスなどの金属基板を用いることもできる。導電体層320は実施の形態1では透光性導電膜を用いたが、ここでは、後の第2の半導体層を結晶化するための温度に耐えうる金属膜を用いる。具体的にはニッケル、ステンレス、チタン、タンタル、タングステン、モリブデンなどを使用でき、これらの金属で上下を挟み込む様にすればアルミニウムを用いることもできる。また、図示はしないが、導電体層320と第1の半導体層340の間に透光性導電膜を設けても良く、更に該透光性導電膜に凹凸を設けても良い。これらにより、光閉じ込め効果を付与することができ、変換効率を向上させることができる。ボトムセル310は、光吸収層となる第2の半導体層の第1の領域350aに触媒材料を用いて形成した高品質の結晶系シリコン薄膜を用いており、各層の厚さや組成は、実施の形態1で説明した構造と同様である。ただし、本実施の形態では、基板とは反対方向から光を入射するため、第1の半導体層340の導電型をn型、第3の半導体層360の導電型をp型とすることが好ましい。ただし、それぞれ逆の導電型とすることもできる。トップセル510は、光吸収層となる第5の半導体層550にi型の非晶質シリコン薄膜を用いている。第4の半導体層540には一導電型を有するシリコン半導体膜を用いることができ、第6の半導体層560には一導電型とは逆の導電型を有するシリコン半導体膜を用いることができる。第4の半導体層540及び第6の半導体層560は、非晶質層を用いることもできるが、低抵抗の結晶層または、微結晶層を用いることが好ましい。本実施の形態では、基板側とは反対方向から光を入射するため、第4の半導体層540の導電型をn型、第6の半導体層560の導電型をp型とすることが好ましい。また、それぞれ逆の導電型を適用することもできるが、ボトムセル310とトップセル510を直列に接続する場合は、第3の半導体層360と第4の半導体層540の導電型を逆の型とする必要がある。例えば、第3の半導体層360がp型の場合は、第4の半導体層540をn型とする。光入射側の電極となる透光性導電膜380には、インジウム錫酸化物ITO、酸化亜鉛ZnOまたは酸化錫SnO2などを用いることができる。トップセル510とボトムセル310は中間層400を介して接続される。この中間層には透光性導電膜380と主成分が同じ材料やワイドギャップ半導体を用いることができる。しかし、低抵抗であると透光性導電膜380とショートしてしまうため、例えば、酸化珪素などを添加した高抵抗の透光性導電膜などを用いると良い。具体的には1S/cm程度を上限とし、それ以下の電気伝導度を示す材料が好ましい。なお、この中間層400は光閉じ込め効果に寄与するが、省くこともできる。次に、図6の工程断面図を用いて本発明の一態様であるタンデム型の光電変換装置の作製方法を説明する。上述したように、導電体層320は実施の形態1では透光性導電膜を用いたが、本実施の形態では、第2の半導体層の結晶化工程の温度に耐えうる金属膜を用いる。また、導電体層320は素子分離のためにレーザ加工等で分断をしておく。この導電体層320以外は、実施の形態1に従った方法で結晶シリコン層を光吸収層に用いた光電変換層を形成することができ、ボトムセル310となる積層膜を形成する。該積層膜は、n型の第1の半導体層340、i型の第2の半導体層の第1の領域350a及び第2の領域350b、p型の第3の半導体層360からなり、それぞれ、実施の形態1の第1の半導体層140、第2の半導体層の第1の領域150a及び第2の領域150b、第3の半導体層160の作製方法と対応する。次に、該積層膜上に中間層400を形成する。中間層400には、酸化錫、インジウム錫酸化物、または酸化亜鉛などの透光性導電膜や、炭化珪素、窒化珪素、酸化珪素などのワイドギャップ半導体を用いることができる。また、上記材料を混合したものでも良く、ここでは、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタ法で形成する。次に、トップセル510となる積層膜を該中間層上に成膜する。本実施の形態では、第4の半導体層540としてp型のシリコン半導体膜を成膜し、第5の半導体層550としてi型のシリコン半導体膜を成膜し、第6の半導体層560としてn型のシリコン半導体膜を形成する。このうち、第4の半導体層540及び第6の半導体層560は、実施の形態1に記した第1の半導体層140及び第3の半導体層160と同様のシリコン膜を用いることができ、その成膜方法に従って形成することができる。第5の半導体層550も実施の形態1に記した非晶質半導体層150の成膜方法に従って形成することができる。ただし、本実施の形態においては、第5の半導体層550を非晶質のままトップセル510の光吸収層に用いるため、結晶化工程は行わない。この様にして、図6Aの積層構造を形成する。次に、該積層構造に分離溝511を形成して、素子を分離する。分離溝511は、実施の形態1に記した分離溝151と同様の手段によって形成することができる図6B参照。例えば、Nd-YAGレーザの第二高調波波長532nmを用いることができる。このとき、導電体層320には分離溝511が形成されない状態を図示してあるが、この加工制御は難しく、導電体層320に分離溝511が形成されていても良い。ここで、該分離溝は、第2の半導体層の第2の領域350bの領域が分断される様に形成することが重要である。レーザ加工の精度が低く、第2の半導体層の第1の領域350aを含んだ領域に分離溝が形成されるとショートやリークなどの不良を起こす場合がある。次に、透光性導電膜380をトップセル510上に形成する。透光性導電膜380は、実施の形態1で記した透光性導電膜120と同様の手段によって形成することができる。このとき、透光性導電膜380は、分離溝511にも形成され、導電体層320と接続されるが、上述した導電体層320に分離溝511が形成されている場合でも分離溝511の側面で良好に接続することができる。トップセル510上に形成した透光性導電膜380に分離溝381を形成し、分離した素子を直列に接続した集積化した光電変換装置を完成させる。分離溝381は、実施の形態1で記した分離溝121と同様の手段によって形成することができる。その他、フォトリソグラフィ工程とエッチング工程を用いて分離溝381を形成しても良い。なお、本実施の形態では、トップセル510とボトムセル310が直列に接続された構造について説明したが、トップセル510とボトムセル310の電力を別々に取り出せる構造にしても良い。この場合は、DC-DCコンバータを介してそれぞれのセルから電力を取り出し、該電力を合成する機構を充電回路などに接続する。以上により、ショートやリークなどの不良を抑制し、良好な電気特性の得られる多接合型の集積型光電変換装置を提供することができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。