"外部から与えられる物理量を検出する検出部、当該検出部が検出した信号を増幅する増幅トランジスタ、および当該増幅トランジスタが増幅した信号を選択的に信号線に出力する選択トランジスタを含む画素が行列状に2次元配置されてなり、前記選択トランジスタは、ディプレッション型トランジスタであり、前記増幅トランジスタに対して前記信号線側に直列に配置されており、前記選択トランジスタをオフするときのゲート電圧を、当該選択トランジスタが形成されているウェルの電圧よりもオフ側の電圧に設定する物理量検出装置。前記選択トランジスタをオフするときのゲート電圧が、負電圧である請求項1記載の物理量検出装置。前記信号線に定電流源が接続されており、前記信号線に対応する画素内の前記選択トランジスタの全てがオフのときに前記定電流源をオフさせる請求項1記載の物理量検出装置。前記信号線には当該信号線の電位を選択的に所定の電圧にするスイッチ素子が接続さており、前記スイッチ素子を通して前記信号線の電位を前記所定の電圧にした後、前記選択トランジスタをオンすることで、前記画素の信号を前記信号線に出力する請求項1記載の物理量検出装置。前記画素は、電荷保持部と、前記検出部で検出された物理量に応じた信号電荷を前記電荷保持部に転送する転送トランジスタとを有し、前記転送トランジスタがオフするときのゲート電圧を当該転送トランジスタが形成されているウェルの電圧よりもオフ側の電圧に設定した場合において、前記選択トランジスタがオフするときのゲート電圧を、前記転送トランジスタがオフするときのゲート電圧と共用する請求項1記載の物理量検出装置。外部からの入射光を信号電荷に変換する光電変換素子、当該光電変換素子の信号電荷に応じた電圧を増幅する増幅トランジスタ、および当該増幅トランジスタが増幅した信号を選択的に信号線に出力する選択トランジスタを含む画素が行列状に2次元配置されてなる固体撮像装置と、被写体からの光を前記固体撮像装置の撮像面上に導く光学系とを具備し、前記選択トランジスタは、ディプレッション型トランジスタであり、前記増幅トランジスタに対して前記信号線側に直列に配置されており、前記選択トランジスタをオフするときのゲート電圧は、当該選択トランジスタが形成されているウェルの電圧よりもオフ側の電圧である撮像装置。前記選択トランジスタをオフするときのゲート電圧が、負電圧である請求項6記載の撮像装置。前記信号線に定電流源が接続されており、前記信号線に対応する画素内の前記選択トランジスタの全てがオフのときに前記定電流源をオフさせる請求項6記載の撮像装置。しかしながら、上述した従来技術は、上記問題1の解決策としては有効であるものの、上記問題2、即ち選択トランジスタ105に起因するノイズに対しては効果があまり無い。その理由は、選択トランジスタ105のゲート電圧を上げることで、バルク側でなく、酸化膜界面を流れる電流成分の割合が高くなるために、画素電流一定の条件の下ではむしろノイズが多くなる。すなわち、選択トランジスタ105に起因するノイズが増える方向に作用する。また、画素100と同一チップ上に昇圧回路を搭載することは、コストアップや不良の発生、あるいは外付け容量が新たに必要になることによるモジュールの大型化などの不利益につながる。しかも、画素100の4つのトランジスタ102~105のうち、選択トランジスタ105については、単なるスイッチでしかないと考えられていたことから、従来は、選択トランジスタ105の有限なオン抵抗に起因する1/fノイズやバーストノイズに対する考慮はなされておらず、設計上のケアもなされていなかった。ここでは、物理量検出装置として固体撮像装置を例に採ってその問題点について説明したが、画素を選択する選択トランジスタを有する他の物理量検出装置においても同様のことが言える。そこで、本発明は、画素内の選択トランジスタの有限なオン抵抗に起因する1/fノイズやバーストノイズなどを低減可能な物理量検出装置および撮像装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明では、外部から与えられる物理量を検出する検出部、当該検出部が検出した信号を増幅する増幅トランジスタ、および当該増幅トランジスタが増幅した信号を選択的に信号線に出力する選択トランジスタを含む画素が行列状に2次元配置されてなり、前記選択トランジスタは、ディプレッション型トランジスタであり、前記増幅トランジスタに対して前記信号線側に直列に配置されており、前記選択トランジスタをオフするときのゲート電圧を、当該選択トランジスタが形成されているウェルの電圧よりもオフ側の電圧に設定する構成を採っている。上記構成の物理量検出装置において、選択トランジスタがディプレッション型トランジスタであることで、当該選択トランジスタのゲート電圧をよりオン側の電圧に設定しなくても、オン抵抗が下がる。また、選択トランジスタにおいて、酸化膜界面でなく、バルク側を流れる電流成分の割合が高くなる。さらに、選択トランジスタを増幅トランジスタに対して信号線側に直列に配置することにより、選択トランジスタのゲートに負電圧を与えても、ゲート-ドレイン間の電位差が小さく抑えられる。本発明によれば、選択トランジスタをディプレッション型トランジスタとしたことで、選択トランジスタのオン抵抗が下がり、しかも当該選択トランジスタにおいてバルク側を流れる電流成分の割合が高くなるために、選択トランジスタの有限なオン抵抗に起因する1/fノイズやバーストノイズなどを低減できる。また、これを電源電圧の低電圧化と両立できる。さらに、選択トランジスタを増幅トランジスタに対して信号線側に直列に配置することにより、選択トランジスタのゲートに負電圧を与えても、ゲート-ドレイン間の電位差が小さく抑えられるので、選択トランジスタの信頼性を確保できる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。ここでは、外部から与えられる物理量を検出する物理量検出装置として、例えば、被写体を経た入射光の光強度を検出する固体撮像装置を例に挙げて説明するものとする。図1は、本発明の一実施形態に係る固体撮像装置の構成の概略を示すシステム構成図である。本実施形態では、固体撮像装置として、例えばCMOSイメージセンサを例に挙げて説明するものとする。図1に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置10は、半導体基板チップ11上に、画素アレイ部12、垂直駆動回路13、カラム回路群14、水平駆動回路15、水平信号線16、出力回路17、制御回路18および負電圧生成回路19などが搭載されたシステム構成となっている。画素アレイ部12は、入射光をその光強度に応じた電荷量に光電変換する光電変換素子を含む画素20が行列状マトリックス状に多数2次元配置された構成となっている。画素20の具体的な回路構成については後述する。画素アレイ部12には、行列状の画素配置に対して画素行ごとに画素駆動配線121が配線され、画素列ごとに垂直信号線122が配線されている。垂直駆動回路13は、画素アレイ部12の各画素20を行単位で順次選択走査し、その選択行の各画素に対して画素駆動配線121を通して必要な駆動パルス制御パルスを供給する。ここでは、図示を省略するが、垂直駆動回路13は、画素20を行単位で順に選択して当該選択行の各画素20の信号を読み出す読み出し動作を行うための読み出し走査系と、当該読み出し走査系による読み出し走査よりもシャッタ速度に対応した時間分だけ前に同じ行の画素20の光電変換素子にそれまでに蓄積された電荷を捨てるリセットするシャッタ動作を行うためのシャッタ走査系とを有する構成となっている。そして、シャッタ走査系によるシャッタ走査によって光電変換素子の不要な電荷がリセットされたタイミングから、読み出し走査系による読み出し走査によって画素20の信号が読み出されるタイミングまでの期間が、画素20における信号電荷の蓄積時間露光時間となる。すなわち、電子シャッタ動作とは、光電変換素子に蓄積された信号電荷をリセットし、新たに信号電荷の蓄積を開始する動作である。選択行の各画素20から出力される信号は、垂直信号線122の各々を通してカラム回路群14に供給される。カラム回路群14は、画素アレイ部12の例えば画素列ごとに、即ち画素列に対して1対1の対応関係をもって各カラム回路が配置され、1行分の各画素20から出力される信号を画素列ごとに受けて、その信号に対して画素固有の固定パターンノイズを除去するためのCDSや信号増幅などの信号処理を行う。カラム回路群14の各カラム回路に、A/Dアナログ/デジタル変換機能を持たせた構成を採ることも可能である。水平駆動回路15は、水平走査回路151および水平選択スイッチ群152によって構成されている。水平走査回路151は、シフトレジスタなどによって構成され、水平選択スイッチ群152の各スイッチを順に選択走査することにより、カラム回路群14の各カラム回路で信号処理後の1行分の信号を水平信号線16に順番に出力させる。出力回路17は、カラム回路群14の各カラム回路から水平選択スイッチ群152および水平信号線16を通して順に供給される信号に対して種々の信号処理を施して出力信号OUTとして出力する。出力回路17では、例えば、バッファリング処理だけを行う場合もあるし、あるいはバッファリング処理の前に黒レベル調整、列ごとのばらつきの補正、信号増幅、色関係処理などを行う場合もある。制御回路18は、図示せぬインターフェースを介して本固体撮像装置10の動作モードなどを指令するデータを基板外部から受け取り、また本固体撮像装置10の情報を含むデータを外部に出力するとともに、垂直同期信号Vsync、水平同期信号HsyncおよびマスタークロックMCKに基づいて、垂直駆動回路13、カラム回路群14および水平駆動回路15などの動作の基準となるクロック信号や制御信号などを生成し、これら各回路に対して与える。負電圧生成回路19は、チャージポンプ回路などによって構成され、電源電圧Vddを基に負電圧を生成し、この生成した負電圧を垂直駆動回路13に供給する。CMOSイメージセンサでは、例えば、暗電流の低減を目的として、画素20内の転送トランジスタがオフするときのゲート電圧を当該転送トランジスタが形成されているウェルの電圧よりもオフ側の電圧、本例では負電圧にするために負電圧生成回路が設けられている例えば、特開2002-217397号公報参照。この負電圧生成回路を負電圧生成回路19として用いることができる。画素回路図2は、回路例1に係る画素20Aの回路構成を示す回路図である。図2に示すように、本回路例1に係る画素20Aは、光電変換素子であるフォトダイオード21に加えて、転送トランジスタ22、リセットトランジスタ23、増幅トランジスタ24および選択トランジスタ25の4つのトランジスタを有する回路構成となっている。ここでは、4つのトランジスタ22~25として、例えばNチャネルMOSトランジスタを用いている。この画素20Aに対して、画素駆動配線121として、転送配線121A、リセット配線121Bおよび選択配線121Cが同一行の画素に対して共通に配線されている。図2において、フォトダイオード21は、受光した光をその光強度に応じた電荷量の光電荷ここでは、電子に光電変換する。フォトダイオード21のカソードは、転送トランジスタ22を介して増幅トランジスタ24のゲートと電気的に接続されている。この増幅トランジスタ24のゲートと電気的に繋がったノードをFDフローティングディフュージョン部26と呼ぶ。このFD部26は、フォトダイオード21から転送された信号電荷を保持するとともに、当該信号電荷を電圧に変換する機能を持つ。転送トランジスタ22は、フォトダイオード21のカソードとFD部26との間に接続され、ゲートに転送配線121Aを介して転送パルスTRFが与えられることによってオン状態となり、フォトダイオード21で光電変換され、ここに蓄積された光電荷をFD部26に転送する。リセットトランジスタ23は、ドレインが電源電圧Vddの電源配線に、ソースがFD部26にそれぞれ接続され、ゲートにリセット配線121Bを介してリセットパルスRSTが与えられることによってオン状態となり、フォトダイオード21からFD部26への信号電荷の転送に先立って、FD部26の電荷を電源Vdd配線に捨てることによって当該FD部26をリセットする。増幅トランジスタ24は、ゲートがFD部26に、ドレインが電源電圧Vddの電源配線にそれぞれ接続され、リセットトランジスタ23によってリセットされた後のFD部26の電位をリセットレベルとして出力し、さらに転送トランジスタ22によってフォトダイオード21から信号電荷が転送された後のFD部26の電位を信号レベルとして出力する。選択トランジスタ25は、例えば、ドレインが増幅トランジスタ24のソースに、ソースが垂直信号線122にそれぞれ接続されている。すなわち、選択トランジスタ25は、増幅トランジスタ24と垂直信号線122との間に、当該増幅トランジスタ24に対して直列に接続されている。この選択トランジスタ25は、ゲートに選択配線121Cを介して選択パルスSELが与えられることによってオン状態となり、画素20Aを選択状態として増幅トランジスタ24で増幅された信号を垂直信号線122に出力する。図3は、回路例2に係る画素20Bの回路構成を示す回路図であり、図2と同等部分には同一符号を付して示している。図3に示すように、本回路例2に係る画素20Bは、回路例1に係る画素20Aと同様に、光電変換素子であるフォトダイオード21に加えて、転送トランジスタ22、リセットトランジスタ23、増幅トランジスタ24および選択トランジスタ25の4つのトランジスタを有する回路構成となっている。本回路例2に係る画素20Bにおいて、回路例1に係る画素20Aと異なるのは、選択トランジスタ25が電源Vdd配線と増幅トランジスタ24との間に、当該増幅トランジスタ24に対して直列に接続されている点である。すなわち、選択トランジスタ25は、ドレインが電源Vdd配線に、ソースが増幅トランジスタ24のドレインにそれぞれ接続され、ゲートに選択配線121Cを介して選択パルスSELが与えられることによってオン状態となり、増幅トランジスタ24のドレインに電源電圧Vddを供給することによって画素20Bを選択状態とする。垂直駆動回路図4は、垂直駆動回路13の構成の一例を示すブロック図である。図4に示すように、垂直駆動回路13は、行選択回路131、マルチプレクサ132、レベルシフタ133およびバッファ134を有する構成となっている。ここでは、グランドや電源の入力系については省略して示している。行選択回路131は、シフトレジスタあるいはデコーダなどによって構成され、制御回路18から供給される走査信号あるいはアドレス信号に従って画素アレイ部12の画素行を選択走査する。マルチプレクサ132は、制御回路18から供給される画素駆動パルスを、行選択回路131によって選択走査された画素行に対して転送パルスTRF、リセットパルスRSTおよび選択パルスSELとして出力する。レベルシフタ133は、マルチプレクサ132から与えられる画素駆動パルスの高レベルおよび低レベルをそれぞれ所定のレベルにシフトレベル変換する。レベルシフタ133には、負電圧生成回路19で生成された負電圧が供給されている。レベルシフタ133でレベルシフトされた画素駆動パルス、即ち転送パルスTRF、リセットパルスRSTおよび選択パルスSELは、低インピーダンスのバッファ134を通して、画素駆動配線121即ち、転送配線121A、リセット配線121Bおよび選択配線121Cに与えられる。上記構成の固体撮像装置10において、本発明では、画素20内の選択トランジスタ25としてディプレッション型トランジスタを用いたことを特徴としている。選択トランジスタ25がディプレッション型トランジスタであることにより、従来のように選択トランジスタ25のゲート電圧を昇圧しなくても、しきい値落ちを減少させることにより低電圧動作を可能にし、かつ当該選択トランジスタ25のオン抵抗を下げることができる。さらに、ゲート電圧を昇圧する従来技術の場合と違い、1/fノイズやバーストノイズが減少する。これは、ディプレッション化することで、選択トランジスタ25において、酸化膜界面でなく、バルク側を流れる電流成分の割合が高くなるからと考えられる。ところで、ディプレッション型トランジスタは、接地グランド電圧、即ちトランジスタが形成されているウェルと同じ電圧に対して電流が切れない、即ちオフできない特性を持つために、通常、スイッチ素子としては使用されない。選択トランジスタ25は、スイッチの役割を持ち、かつ、そのソース側は、図2に示すように、垂直信号線122に接続された定電流源30の負荷トランジスタ31を通じて接地電圧になろうとするために、この例にもれない。しかし、本発明ではあえて、選択トランジスタ25としてディプレッション型トランジスタを使う構成を採っている。ディプレッション型トランジスタでも、選択トランジスタ25をオンしている状態とオフしている状態のポテンシャル差により行を選択する機能は果たすことができる。ここで、選択トランジスタ25に流れる電流値は、定電流源の電流値が例えば垂直信号線1本あたり数μAであるために大電流でないが、選択トランジスタ25で電流を切れることが望ましい。これは、消費電力の増加や、電流が特定の画素に流れてその画素の特性が変化したり、熱電子白点が発生したりすることがあるからである。そこで、本発明においては、選択トランジスタ25としてディプレッション型トランジスタを使う上で、選択トランジスタ25で電流を切れるようにするために、次の2つの手法の少なくとも一方を採用することが有効である。1本の垂直信号線122に接続された画素20の全選択トランジスタ25をオフするときに定電流源30もオフする。選択トランジスタ25をオフするときにゲートに負電圧を与える。これら2つの手法の一方、または両方を採用することにより、選択トランジスタ25をディプレッション型トランジスタとしても、当該選択トランジスタ25で電流を切れるようにすることができるために、消費電力の増加や一部画素の特性変化や熱電子白点を防止した上で、ディプレッション型トランジスタによる作用効果、即ち選択トランジスタ25の有限なオン抵抗に起因する1/fノイズやバーストノイズの低減効果を得ることができる。続いて、後者の手法、即ち選択トランジスタ25をオフするときにゲートに負電圧を与える具体的な実施例について以下に説明する。[第1実施例]第1実施例では、画素20内の選択トランジスタ25をオフときに、そのゲート電圧を当該選択トランジスタ25が形成されているウェルの電圧よりもオフ側、本例では負電圧に設定することを特徴としている。具体的には、既存の負電圧生成回路19図1参照で生成される負電圧を利用し、図4に示すレベルシフタ133におけるレベルシフトレベル変換により、画素駆動パルスのうち、特に選択パルスSELについては、その低レベルを負電圧生成回路19の負電圧に設定することで、選択トランジスタ25をオフするときにゲートに負電圧を与えるようにする。なお、定電流源30において、負荷トランジスタ31は、ゲートにしきい値よりもわずかに高い電圧が印加されることで、数μAなどの小さな定電流を垂直信号線122を通して選択トランジスタ25に流すことになる。選択トランジスタ25の基準電圧はそのバックバイアスであるPウェルの電圧である。そして、Pウェルの電圧は接地電圧になっている。接地電圧である基準電圧に対してゲートに負電圧をかけることで、選択トランジスタ25がディプレッション型トランジスタでも電流をカットすることができる。上述したように、選択トランジスタ25としてディプレッション型トランジスタを使う上で、画素20内の選択トランジスタ25をオフするときに、そのゲート電圧を当該選択トランジスタ25が形成されているウェルの電圧よりもオフ側、本例では負電圧に設定することにより、選択トランジスタ25がオフの時には確実に電流を遮断するようにした上で、ディプレッション型トランジスタによる作用効果、即ち選択トランジスタ25の有限なオン抵抗に起因する1/fノイズやバーストノイズの低減効果を得ることができる。また、既存の負電圧生成回路19を利用し、当該負電圧生成回路19で生成され、転送トランジスタ22がオフするときにそのゲート電圧に与えられる負電圧を選択トランジスタ25のゲート電圧の低レベルとして共用するようにしているために、本実施例を採用するためだけに負電圧生成回路19を配置する必要がない。したがって、本実施例を採用することによるコストアップや不良の発生、外付け容量が新たに必要になることによるモジュールの大型化などの不利益につながることもない。選択トランジスタ25をオフするときにゲートに負電圧を与える本実施例の構成を採る場合は、画素20として回路例1に係る画素20A、即ち選択トランジスタ25を増幅トランジスタ24に対して垂直信号線122側に直列に配置した画素構成を採ることが望ましい。その理由は、回路例2に係る画素20Bの場合は、選択トランジスタ25においてゲートが負電圧、ドレインが電源電圧Vddになり、ゲート-ドレイン間の電位差が大きくなるために、選択トランジスタ25の信頼性の点で難があるのに対して、回路例1に係る画素20Aの場合は、選択トランジスタ25のゲートに負電圧を与えても、ゲート-ドレイン間の電位差を小さく抑えることができるからである。なお、図4において、レベルシフタ133は、レベルシフト機能を持つ単位回路が、転送パルスTRF、リセットパルスRSTおよび選択パルスSELの各々に対応して行ごとに設けられた構成となっている。そして、負電圧生成回路19で生成された負電圧は、先述した暗電流の低減を目的として、転送パルスTRF用の単位回路に負側電源電圧として、本実施例の1/fノイズやバーストノイズの低減を目的として、選択パルスSEL用の単位回路に負側電源電圧従来は、接地電圧としてそれぞれ供給されることになるが、リセットパルスRST用の単位回路にも負側電源電圧として負電圧を供給することにしても構わない。これにより、転送パルスTRF用、選択パルスSEL用およびリセットパルスRST用の各単位回路に負側電源電圧として負電圧を共通に供給する構成とすることができるために、レベルシフタ133の構成の簡素化を図ることができる。[第2実施例]第1実施例では、負荷トランジスタ31を数μA程度の電流を流す定電流源30として用いていたのに対して、第2実施例では、負荷トランジスタ31を定電流源ではなく、スイッチ素子として動作させる構成を採っている。具体的には、図2において、負荷トランジスタ31のゲートに図5に示すスイッチングパルスLOADを印加することで、負荷トランジスタ31にスイッチ素子としての役割を持たせる。ここでは、負荷トランジスタ31が単にスイッチとして動作するため、負荷トランジスタ31がオンのときに数十μA以上の大電流が流せるようにする。具体的には、例えば、オン時のゲート電圧の高レベル、即ちスイッチングパルスLOADの高レベルを電源電圧Vddにする。選択トランジスタ25については、第1実施例と同様に、ディプレッション型トランジスタとし、またそのオフ時のゲート電圧を負電圧としている。次に、第2実施例に係る手法を適用した場合の画素20および負荷トランジスタ31の動作について、図5のタイミングチャートを用いて説明する。垂直信号線122に接続された全ての画素の選択トランジスタ25をオフした状態選択パルスSELが低レベルの状態で、負荷トランジスタ31をスイッチング駆動するスイッチングパルスLOADをアクティブ例えば、電源電圧Vddとする。すると、負荷トランジスタ31がオン状態となって、垂直信号線122の電位を所定の電圧、本例では接地電圧とする。垂直信号線122の電位が低レベルの間に、リセットパルスRSTをアクティブ高レベルとすることで、リセットトランジスタ23がオン状態となって選択行の画素20のFD部26をリセットする。その後、選択行の選択パルスSELをアクティブ高レベルとすることで、選択トランジスタ25がオンする。これにより、垂直信号線122の電位は、FD部26の電位に対応した電圧に向けて収束する。これは、FD部26がリセットトランジスタ23によってリセットされた状態を反映している。垂直信号線122の電位がFD部26の電位に対応した電圧に向けてある程度収束した段階で、カラム回路群14図1参照の対応するカラム回路が垂直信号線122の電位をリセットレベルとしてサンプリングする。しかる後、選択パルスSELを非アクティブ負電圧、例えば-1Vにし、選択トランジスタ25をオフさせる。次に、再び、スイッチングパルスLOADによって負荷トランジスタ31をオンさせることで、垂直信号線122の電位を低レベルにするとともに、垂直信号線122の電位が低レベルの間に、転送パルスTRFをアクティブ高レベルにすることで、転送トランジスタ22がオン状態となり、フォトダイオード21で光電変換された信号電荷をFD部26へ転送する。その後、選択行の選択パルスSELをアクティブとすることで、選択トランジスタ25がオンする。これにより、垂直信号線122の電位は、FD部26の電位に対応した電圧に向けて収束する。今回は、フォトダイオード21から信号電荷が転送され、FD部26に保持された状態を反映している。垂直信号線122の電位がある程度収束した段階で、先のカラム回路が垂直信号線122の電位を信号レベルとしてサンプリングする。しかる後、選択パルスSELを非アクティブにし、選択トランジスタ25をオフさせる。カラム回路群14の対応するカラム回路は、1回目にサンプリングしたリセットレベルと、2回目にサンプリングした信号レベルとの差をとることで、画素固有の固定パターンノイズを除去する処理を行い、固定パターンノイズを含まない信号とする。上述したように、負荷トランジスタ31を定電流源ではなくスイッチとして動作させ、短いパルスにより垂直信号線122の電位を低レベルにした後に、定電流を流さない状態で画素20から信号を読み出すことにより、負荷トランジスタ31での電圧ロスをなくすことができるために低電圧化を図ることができ、また垂直信号線122には充放電電流のみが流れることになるために消費電力を低減できる。なお、短いパルスにより垂直信号線122の電位を低レベルにするために、負荷トランジスタ31を定電流源ではなく低インピーダンスのスイッチとしている。この場合、選択トランジスタ25を単純にディプレッション化すると、負荷トランジスタ31に印加するスイッチングパルスLOADのアクティブ期間に選択トランジスタ25がオフできず、例えば第1実施例の場合よりも10倍~100倍といった大電流が流れてしまうことになる。このときには、第1実施例で選択トランジスタ25を単純にディプレッション化したときと同様の問題が深刻になることに加えて、グランド配線や電源配線の電圧降下も問題となってくる。したがって、選択トランジスタ25をオフするときのゲート電圧を負電圧にして当該選択トランジスタ25をスイッチ動作させ、電流を切ることが特に有効となる。なお、上記実施形態では、回路例1,2の画素20A,20Bの4つのトランジスタ22~25としてNチャネルのMOSトランジスタを用いた場合を例に挙げたが、PチャネルのMOSトランジスタを用いた構成を採ることも可能である。この場合は、負電圧生成回路19に代えて昇圧回路を設け、選択トランジスタ25をオフするときのゲート電圧を電源電圧Vddを超える電圧とすれば良い。また、上記実施形態では、外部から与えられる物理量を検出する物理量検出装置として、被写体を経た入射光の光強度を検出する固体撮像装置を例に挙げたが、固体撮像装置に限られるものではなく、検出電極と指の表面との間に指紋の凹凸に応じて形成される静電容量を検出する指紋検出装置静電容量検出装置、あるいは、外部から与えられる物理量として圧力や化学物質の分布などを検出する検出装置であっても良く、外部から与えられる物理量を検出する検出部および当該検出部の信号を選択的に信号線に出力する選択トランジスタを含む画素が行列状に2次元配置されてなる物理量検出装置全般に適用可能である。[適用例]先述した実施形態に係る固体撮像装置10は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置において、その撮像デバイス画像入力デバイスとして用いて好適なものである。ここに、撮像装置とは、撮像デバイスとしての固体撮像装置、当該固体撮像装置の撮像面受光面上に被写体の像光を結像させる光学系および当該固体撮像装置の信号処理回路を含むカメラモジュール例えば、携帯電話等の電子機器に搭載されて用いられる、当該カメラモジュールを搭載したデジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムを言うものとする。図6は、本発明に係る撮像装置の構成の一例を示すブロック図である。図6に示すように、本例に係る撮像装置は、レンズ41を含む光学系、撮像デバイス42、カメラ信号処理回路43等によって構成されている。レンズ41は、被写体からの像光を撮像デバイス42の撮像面に結像する。撮像デバイス42は、レンズ41によって撮像面に結像された像光を画素単位で電気信号に変換して得られる画像信号を出力する。この撮像デバイス42として、先述した実施形態に係る固体撮像装置10が用いられる。カメラ信号処理回路43は、撮像デバイス42から出力される画像信号に対して種々の信号処理を行う。上述したように、ビデオカメラや電子スチルカメラ、さらには携帯電話等のモバイル機器向けカメラモジュールなどの撮像装置において、その撮像デバイス42として先述した実施形態に係る固体撮像装置10を用いることで、当該固体撮像装置10では画素内の選択トランジスタの有限なオン抵抗に起因する1/fノイズやバーストノイズを低減できるために、極めてノイズの少ない撮像画像を得ることができる。"