透光性基板と、前記透光性基板の上にオーミック層と、前記オーミック層の上に形成され、第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、及び前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層との間に活性層を含んで光を生成する発光構造物と、前記透光性基板の下面に電極層と、前記透光性基板を貫通して前記発光構造物及び前記電極層を電気的に連結する導電ビアと、を含み前記透光性基板は、下面の面積が上面の面積より大きいことを特徴とする発光素子。前記透光性基板の厚さは100μm乃至1000μmであることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記透光性基板は、サファイアAl2O3、ガラス材質、GaN、ZnO、またはAlNのうち、いずれか1つで形成されたことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記透光性基板の屈折率は前記発光構造物の屈折率より小さいことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。上記オーミック層及び上記透光性基板の間に接合層が形成されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記接合層は、SOGSpinOnGlass、Sol-Gel、ITO、ZnO、SiOxのうち、いずれか1つで形成されたことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記透光性基板の側面は前記透光性基板の下面から20°~70°の範囲内の角度で傾斜させて形成されたことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記透光性基板の側面は、平面、凹形状の曲面、または凸形状の曲面のうち、少なくとも1つの形状を有することを特徴とする請求項6に記載の発光素子。前記透光性基板は光変換層を含み、前記光変換層は蛍光体を含んで入射される光の波長を変化させることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記オーミック層は、前記発光構造物とオーミック接触を形成し、金属酸化物、金属窒化物、または金属薄膜のうち、いずれか1つで形成されたことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記オーミック層は、前記透光性基板上の一部領域に選択的に形成されたことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記透光性基板の上に前記発光構造物とショットキー接触を形成する反射層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記反射層は、前記透光性基板上の一部領域に選択的に形成されたことを特徴とする請求項12に記載の発光素子。前記曲面は、前記透光性基板の側面の上部または下部に選択的に形成されることを特徴とする請求項8に記載の発光素子。前記導電ビアは、前記発光構造物とショットキー接触を形成することを特徴とする請求項1に記載の発光素子。本発明の目的は、新たな構造を有する発光素子、発光素子パッケージ、発光素子の製造方法、及び照明システムを提供することにある。本発明の他の目的は、光抽出効率が向上した発光素子、発光素子パッケージ、発光素子の製造方法、及び照明システムを提供することにある。本発明に従う発光素子は、透光性基板と、上記透光性基板の上にオーミック層と、上記オーミック層の上に形成され、第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、及び上記第1導電型半導体層と上記第2導電型半導体層との間に活性層を含んで光を生成する発光構造物と、上記透光性基板の下面に電極層電極層と、上記透光性基板を貫通して上記発光構造物及び上記電極層を電気的に連結する導電ビアと、を含む前記透光性基板は、下面の面積が上面の面積より大きい。本発明に従う発光素子パッケージは、パッケージ胴体と、上記パッケージ胴体に設けられた第1電極及び第2電極と、上記胴体の上に配置されて上記第1電極及び第2電極に電気的に連結される発光素子と、を含み、上記発光素子は、透光性基板と、上記透光性基板の上にオーミック層と、上記オーミック層の上に形成され、第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、及び上記第1導電型半導体層と上記第2導電型半導体層との間に活性層を含んで光を生成する発光構造物と、上記透光性基板の下面に電極層と、上記透光性基板を貫通して上記発光構造物及び上記電極層を電気的に連結する導電ビアと、を含む前記透光性基板は、下面の面積が上面の面積より大きい。本発明に従う照明システムは、照明システムにおいて、上記照明システムは、基板と、上記基板の上に配置される発光素子を含む発光モジュールを含み、上記発光素子は、透光性基板と、上記透光性基板の上にオーミック層と、上記オーミック層の上に形成され、第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、及び上記第1導電型半導体層と上記第2導電型半導体層との間に活性層を含んで光を生成する発光構造物と、上記透光性基板の下面に電極層と、上記透光性基板を貫通して上記発光構造物及び上記電極層を電気的に連結する導電ビアと、を含む前記透光性基板は、下面の面積が上面の面積より大きい。本発明に従う発光素子の製造方法は、成長基板の上に発光構造物、オーミック層、及び第1接合層を順次に形成して第1胴体を形成するステップと、透光性基板の上に上記第1接合層と接合される第2接合層を形成し、上記透光性基板を貫通するホールを形成して第2胴体を形成するステップと、上記第1接合層及び上記第2接合層を対向して接合することで、上記第1胴体及び上記第2胴体をボンディングするステップと、上記成長基板を除去するステップと、上記ホールを導電性物質で充填して導電ビアを形成し、上記透光性基板の下面に電極層を形成するステップと、を含む。本発明によると、新たな構造を有する発光素子、発光素子パッケージ、発光素子の製造方法、及び照明システムが得られる。また、本発明によると、光抽出効率が向上した発光素子、発光素子パッケージ、発光素子の製造方法、及び照明システムが得られる。本発明を説明するに当たって、各層膜、領域、パターン、または構造物が、基板、各層膜、領域、パッド、またはパターンの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の層を介してindirectly形成される全てのものを含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するのではない。以下、添付図面を参照しつつ本発明に従う発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ、及び照明システムについて説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る発光素子100の断面図である。図1を参照すると、上記発光素子100は、透光性基板110と、上記透光性基板110の上にオーミック層157と、上記オーミック層157の上に形成されて光を生成する発光構造物145と、上記透光性基板110の下面に形成された電極層132と、上記透光性基板110を貫通して上記発光構造物145及び上記電極層132を電気的に連結する導電ビア131と、を含むことができる。上記発光構造物145は複数の化合物半導体層を含むことができる。例えば、上記発光構造物145は、第1導電型半導体層130、上記第1導電型半導体層130の下に活性層140、及び上記活性層140の下に第2導電型半導体層150を含むことができる。上記発光構造物145で生成された光は上記発光構造物145から直接放出されるか、上記透光性基板110を透過して放出できる。特に、上記透光性基板110の厚さは上記発光構造物145の厚さに比べて厚く形成されて、上記透光性基板110の側方向に光を効果的に放出させることができるので、上記発光素子100の発光効率が向上することができる。また、上記発光構造物145と上記透光性基板110との間には上記オーミック層157が形成されて、上記電極層132から伝えられた電源電圧を上記発光構造物145の全領域に対し、スプレッディングspreadingつまり、拡散させて印加させることで提供することができる。上記透光性基板110の上には格子定数差を緩和するために、バッファ層図示せず及び/またはアンドープド窒化物層図示せずが形成されることもできる。以下、第1実施形態に従う発光素子100に対し、各構成要素を中心として詳細に説明する。上記透光性基板110は、光を透過する材質、例えば、サファイアAl2O3、ガラス材質、GaN、ZnO、AlNなどで形成できる。この際、上記透光性基板110は、上記発光構造物145より小さい屈折率を有する材質で形成されることが好ましい。この場合、上記発光構造物145から生成される光を屈折率の差により、一層効果的に放出できるためである。上記透光性基板110は、例えば100μm乃至1000μmの厚さを有することができる。このような厚さは上記発光構造物145の厚さより厚いので、上記発光素子100の側方向を通じて効果的に光を放出できる。一方、上記透光性基板110の側面にはラフネスroughness;凹凸部が形成されて、上記発光素子100の側方向を通じた光抽出効率を極大化することもできる。上記透光性基板110の上には上記オーミック層157が形成できる。上記オーミック層157は、上記発光構造物145とオーミック接触ohmiccontactを形成して、上記電極層132から伝えられた電源電圧を上記発光構造物145の全領域に対してスプレッディングspreadingさせながら提供することができる。上記オーミック層157は、上記発光構造物145で生成された光が上記オーミック層157を透過して上記透光性基板110に円滑に入射できるようにするために、透明な材質で形成できる。具体的に説明すれば、上記オーミック層157は、透明な材質の金属酸化物または金属窒化物、例えば、ITO、IZOIn-ZnO、GZOGa-ZnO、AZOAl-ZnO、AGZOAl-GaZnO、IGZOIn-GaZnO、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITOのうち、少なくとも1つを含むことができる。または、上記オーミック層157は、数乃至数十ナノメートルnm厚さ単位の金属薄膜層で形成されて光を透過することもできる。この場合、上記オーミック層157は、Ni、Pt、Ir、Rh、Agのうち、少なくとも1つを含むことができる。一方、上記オーミック層157の形態は、実施形態に従う発光素子100の設計によって多様に変形可能であり、これに対して限定するのではない。これに対しては詳細に後述する。上記オーミック層157及び上記透光性基板110の間には2層の間を強固に結合する接合層120が形成できる。上記接合層120は、接合力を有しながら透明な材質で形成されることができ、例えば、SOGSpinOnGlass、Sol-Gel、ITO、ZnO、SiOxのうち、いずれか1つで形成できる。上記オーミック層157の上には上記発光構造物145が形成できる。上記発光構造物145は光を生成する構造物であって、例えば、第2導電型半導体層150、活性層140、及び第1導電型半導体層130が順次に積層された構造を有することができる。上記第2導電型半導体層150は、例えば、p型半導体層で具現できるが、上記p型半導体層は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN、InNなどから選択されることができ、Mg、Znなどのp型ドーパントがドーピングできる。上記第2導電型半導体層150の上には上記活性層140が形成できる。上記活性層140は、上記第1導電型半導体層130を通じて注入される電子または、正孔と上記第2導電型半導体層150を通じて注入される正孔または、電子とが接合して、上記活性層140の形成物質に従うエネルギーバンドEnergyBandのバンドギャップBandGap差によって光を放出する層である。上記活性層140は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造MQW:MultiQuantumWell、量子線構造、及び量子点構造のうち、いずれか1つで形成できるが、これに限定されるのではない。上記活性層140は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料で形成できる。上記活性層140が上記多重量子井戸構造MQWで形成された場合、上記活性層140は複数の井戸層と複数の障壁層が積層されて形成されることができ、例えば、InGaN井戸層/GaN障壁層の周期で形成できる。上記活性層140の上及び/または下にはn型またはp型ドーパントがドーピングされたクラッド層図示せずが形成されることができ、上記クラッド層図示せずはAlGaN層またはInAlGaN層で具現できる。上記第1導電型半導体層130は、第1導電型半導体層のみを含むか、上記第1導電型半導体層の上にアンドープド半導体層などをさらに含むことができるが、これに対して限定するのではない。上記第1導電型半導体層は、例えば、n型半導体層を含むことができるが、上記n型半導体層は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN、InNなどから選択されることができ、Si、Ge、Snなどのn型ドーパントがドーピングできる。上記アンドープド半導体層は、導電型ドーパントがドーピングされないので、上記第1導電型半導体層または上記第2導電型半導体層150に比べて低い電気伝導性を有する層であって、上記第1導電型半導体層の結晶性の向上のために成長できる。一方、前述とは異なり、上記第1導電型半導体層130がp型半導体層を含み、上記第2導電型半導体層150がn型半導体層を含むこともできる。また、上記第1導電型半導体層130の上にはn型またはp型半導体層を含む第3導電型半導体層図示せずが形成されることもでき、これによって、上記発光素子100は、np、pn、npn、pnp接合構造のうち、少なくともいずれか1つを有することができる。また、上記第1導電型半導体層及び上記第2導電型半導体層の内の導電型ドーパントのドーピング濃度は、均一または不均一に形成できる。即ち、上記発光構造物145の構造は多様に形成されることができ、これに対して限定するのではない。上記発光構造物145の上面にはラフネスroughnessまたはパターンが形成できる。上記ラフネスまたはパターンにより多様な入射角度を有する光を放出させることができるので、上記発光素子100の光抽出効率が向上することができる。上記発光構造物145の少なくとも側面には保護部材155が形成できる。上記保護部材155は上記発光構造物145が外部電極などと電気的にショートshortすることを防止できる。上記保護部材155は電気絶縁性を有する材質、例えば、SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2のうち、少なくとも1つが選択されて形成できる。上記発光構造物145の上面には電極160が形成できる。上記電極160は、上記電極層132と共に上記発光構造物145に電源を提供することができる。上記電極160は、例えば、Al、Ti、Cr、Ta、Ag、Rh、Pt、Au、Cu、Ni、Pd、In、La、Sn、Si、Ge、Zn、Mg、NiCr、PdCr、CrPt、NiTi、TiN、CrN、SiC、SiCN、InN、AlGaN、InGaN、希土類金属及び合金、金属性シリサイド、半導体性シリサイド、CNTNs、透明導電性酸化物、透明導電性窒化物のうち、少なくとも1つを含む単層または多層構造で形成できる。上記オーミック層157及び上記第2導電型半導体層150の間には電流遮断層CurrentBlockingLayer;CBL図示せずが形成できる。上記電流遮断層図示せずは上記電極160と垂直方向に少なくとも一部が重畳されるように形成されることができ、これによって上記電極160と上記透光性基板110との間の最短距離に電流が集中する現象を緩和して、上記発光素子100の発光効率を向上させることができる。上記電流遮断層図示せずは、上記反射層158または上記オーミック層157より電気伝導性の低い物質、上記第2導電型の半導体層150とショットキー接触を形成する物質、または電気絶縁性物質を用いて形成することができ、例えば、ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、ZnO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O、TiOx、Ti、Al、Crのうち、少なくとも1つを含む。上記透光性基板110下面には上記電極層132が形成され、上記透光性基板110を貫通して上記電極層132及び上記発光構造物145を電気的に連結するように少なくとも1つの上記導電ビア131が形成できる。上記導電ビア131は、電極160と垂直方向に少なくとも一部が重畳されるように形成されることができ、上記透光性基板110の側面に形成されることもできるが、これに対して限定するのではない。上記電極層132が上記透光性基板110の下面に形成されるので、上記発光素子100は外部電極にダイボンディング方式により設置できる。上記電極層132は、外部電極から供給を受けた電源を上記導電ビア131を通じて上記発光構造物145に伝達する。このために、上記導電ビア131の一端は上記電極層132に接触し、他端は上記オーミック層157または上記発光構造物145のうち、少なくとも1つに接触できる。上記電極層132及び上記導電ビア131は、好ましくは、上記発光構造物145から入射される光を効果的に反射できる高反射率の材質、例えば、Ag、Rh、Ni、Au、Pd、Ir、Ti、Pt、W、Alのうち、少なくとも1つを含むように形成できる。したがって、上記電極層132及び上記導電ビア131に入射される光は反射されて上記透光性基板110の側面を通じて効果的に外部に放出できる。以下、第1実施形態に従う発光素子100の製造方法について詳細に説明する。図2乃至図8は、本発明の第1実施形態に係る発光素子100の製造方法を説明する図である。図2を参照すると、成長基板101の上に上記発光構造物145を成長して形成し、上記発光構造物145の上に上記オーミック層157を形成し、上記オーミック層157の上に第1接合層120aを形成して第1胴体Mを提供することができる。上記成長基板101は、例えば、サファイアAl2O3、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、LiAl2O3、InP、BN、AlN、またはGeのうち、少なくとも1つの材質に選択できる。上記発光構造物145は、上記成長基板101の上に、例えば、有機金属化学蒸着法MOCVD;MetalOrgancChemicalVaporDepositionを、化学蒸着法CVD;ChemicalVaporDeposition、プラズマ化学蒸着法PECVD;PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition、分子線成長法MBE;MolecularBeamEpitaxy、水素化物気相成長法HVPE;HydrideVaporPhaseEpitaxyなどの方法を用いて形成されることができ、これに対して限定するのではない。上記オーミック層157及び上記第1接合層120aは、スパッタリングSputtering、PECVD、電子ビームEbeam蒸着などの蒸着方式や、スピンコーティング、ディップコーティングなどのコーティング方式により形成できるが、これに対して限定するのではない。上記第1接合層120aは、光を透過しながら、上記第1胴体Mと後述する第2胴体Nとを強固に結合できる材質で形成できる。図3を参照すると、透光性基板110の上面に上記第1接合層120aと接合される第2接合層120bを形成し、上記透光性基板110を貫通するホール111を形成することによって、第2胴体Nを提供することができる。上記ホール111は、例えば、レーザードリリングLaserDrilling、エッチングなどにより形成できる。上記ホール111は1つだけ図示されたが、その数に対して限定するのではない。図4を参照すると、上記第1接合層120a及び上記第2接合層120bを対向して接合することで、上記第1胴体M及び第2胴体Nをボンディングすることができる。この際、上記第1接合層120a及び上記第2接合層120bは互いに結合されて上記接合層120をなすことができる。図5を参照すると、互いにボンディングされた上記第1胴体M及び上記第2胴体Nから上記成長基板101が除去できる。上記成長基板101は、レーザーリフトオフLLO;LaserLiftOff工程及びエッチング工程のうち、少なくとも1つにより除去できるが、これに対して限定するのではない。図6を参照すると、上記ホール111を導電性物質で充填して上記導電ビア131を形成し、上記透光性基板110の下面に上記電極層132を形成できる。上記導電ビア131及び上記電極層132は、メッキ、蒸着などの方法により形成されることができ、互いに同一な材質で形成されることもできる。一方、上記接合層120の一部が上記ホール111の内に残存する場合、これをエッチングなどにより除去した後、上記導電ビア131を形成することができ、これに対して限定するのではない。上記導電ビア131及び上記電極層132は、好ましくは、上記発光構造物145から入射される光を効果的に反射できる高反射率の材質、例えば、Ag、Rh、Ni、Au、Pd、Ir、Ti、Pt、W、Alのうち、少なくとも1つを含むように形成できる。図7を参照すると、上記発光構造物145にアイソレーションIsolationエッチングを行い、上記発光構造物145の上面にラフネスまたはパターンを形成することができる。上記アイソレーションエッチングは、複数個の発光素子を個別素子単位に区分するために実施できる。上記ラフネスまたはパターンは、光抽出効率の向上のために形成することができ、例えばエッチング工程またはパターニングにより形成できる。また、上記アイソレーションエッチングにより露出された上記オーミック層157の少なくとも一部を除去することができる。露出された上記オーミック層157を除去することによって、上記発光素子100が外部電極などと電気的にショートshortされる虞が最小化できる。但し、これに対して限定するのではない。図8を参照すると、上記発光構造物145の上に上記電極160を形成し、上記発光構造物145の側面に上記保護部材155を形成して、第1実施形態に従う発光素子100を提供することができる。上記電極160は、蒸着、メッキなどの方式により形成できるが、これに対して限定するのではない。上記保護部材155は、スパッタリングSputtering、PECVD、電子ビームEbeam蒸着などの方式により形成できる。また、上記保護部材155は、上記発光構造物145の側面だけでなく、上面の周り領域にさらに形成されることもでき、これに対して限定するのではない。一方、後続の工程として複数個の発光素子を個別素子単位に分離するためのチップ分離工程が実施できる。上記チップ分離工程は、一般的に、例えばレーザースクライビングLaserScribing工程、ブレーキング工程などにより実施できる。本発明に従う発光素子100は、金属材質の基板の代わりに上記透光性基板110を使用することができるので、チップ分離のための上記レーザースクライビングLaserScribing工程及びブレーキング工程が容易に実施できる。延いては、上記チップ分離工程を上記アイソレーションエッチング工程と別途に実施せず、同時に実施して上記発光素子100の製造工程の効率性を高めることもできる。以下、上記オーミック層157の形態に従う多様な実施形態を説明する。但し、前述した説明と重複する内容は省略または簡略に説明する。図9乃至図11は、上記オーミック層157の形態に対する多様な実施形態を説明する図である。第2実施形態図9を参照すると、第2実施形態に従う発光素子100Bは、透光性基板110と、上記透光性基板110の上に接合層120と、上記接合層120の上の一部領域に選択的に形成されたオーミック層157bと、上記オーミック層157b及び上記接合層120の上に形成されて光を生成する発光構造物145と、上記透光性基板110の下面に形成された電極層132と、上記透光性基板110を貫通して上記発光構造物145及び上記電極層132を電気的に連結する導電ビア131を含むことができる。上記オーミック層157bは、上記接合層120の上の一部領域に選択的に形成できる。したがって、上記発光構造物145の下面は、上記オーミック層157b及び上記接合層120と接触されるようになる。また、上記導電ビア131は、一端が上記発光構造物145と接触するように形成できる。この際、上記接合層120が絶縁材質で形成され、上記発光構造物145が上記オーミック層157bとオーミック接触をなし、上記導電ビア131が上記発光構造物145とショットキー接触をなす材質で形成される場合、電源が上記電極160と上記導電ビア131との間の最短距離に流れることが防止されて、上記発光構造物145の内に電源電圧が均等にスプレッディングできる。第3実施形態図10を参照すると、第3実施形態に従う発光素子100Cは、透光性基板110と、上記透光性基板110の上に接合層120と、上記接合層120の上の一部の領域に選択的に形成されたオーミック層157c及び反射層158と、上記オーミック層157c及び反射層158の上に形成されて光を生成する発光構造物145と、上記透光性基板110の下面に形成された電極層132と、上記透光性基板110を貫通して上記発光構造物145及び上記電極層132を電気的に連結する導電ビア131と、を含むことができる。上記オーミック層157c及び反射層158は、上記接合層120の上に形成できる。この際、図示されたように、上記オーミック層157c及び反射層158は選択的にパターンを有するように形成できる。上記オーミック層157cは光を透過する材質で形成され、上記反射層158は光を反射する材質で形成できる。したがって、上記発光構造物145で生成された光のうち、上記オーミック層157cに入射される光は透過されて上記透光性基板110に入射され、上記反射層158に入射される光は上記発光構造物145に反射される過程を経て外部に抽出できる。上記反射層158は、例えば、Ag、Rh、Ni、Au、Pd、Ir、Ti、Pt、W、Alのうち、少なくとも1つで形成できる。一方、上記反射層158及び上記導電ビア131が上記発光構造物145とショットキー接触をなす場合、電源が上記電極160と上記導電ビア131との間の最短距離に流れることが防止されて、上記発光構造物145の内に電源電圧が均等にスプレッディングできる。第4実施形態図11を参照すると、第4実施形態に従う発光素子100Dは、透光性基板110と、上記透光性基板110の上に接合層120及び反射層158dと、上記接合層120及び反射層158dの上にオーミック層157と、上記オーミック層157の上に形成されて光を生成する発光構造物145と、上記透光性基板110の下面に形成された電極層132と、上記透光性基板110を貫通して上記発光構造物145及び上記電極層132を電気的に連結する導電ビア131と、を含むことができる。上記反射層158dは、光を反射する材質、例えばAg、Rh、Ni、Au、Pd、Ir、Ti、Pt、W、Alのうち、少なくとも1つで形成されることができ、選択的に形成できる。したがって、上記発光構造物145で生成された光のうち、上記反射層158dに入射される光は、上記発光構造物145に向けて反射される過程を経て外部に抽出できる。また、上記発光構造物145で生成された光のうち、上記反射層158dの間に入射される光は、上記透光性基板110に入射されて上記透光性基板110の側面を通じて外部に抽出できる。但し、これに対して限定するのではない。一方、上記導電ビア131は、一端が上記発光構造物145とショットキー接触をなすように形成される場合、電源が上記電極160と上記導電ビア131との間の最短距離に流れることを防止することによって、上記発光構造物145の内に電源電圧が均等にスプレッディングされるようにすることができる。以下、第5実施形態に従う発光素子100Eについて詳細に説明する。但し、前述した説明と重複する内容は省略または簡略に説明する。図12は、第5実施形態に従う発光素子100Eを説明する図である。第5実施形態に従う発光素子100Eは、第1実施形態に従う発光素子100に比べて光変換層の存否を除いては同一である。図12を参照すると、第5実施形態に従う発光素子100Eは、光変換層115を含む透光性基板110と、上記透光性基板110の上にオーミック層157と、上記オーミック層157の上に形成されて光を生成する発光構造物145と、上記透光性基板110の下面に形成された電極層132と、上記透光性基板110を貫通して上記発光構造物145及び上記電極層132を電気的に連結する導電ビア131と、を含むことができる。上記透光性基板110は、上記光変換層115を含むことができる。上記光変換層115は、上記透光性基板110の上部領域、中間領域、下部領域のうち、少なくとも1つの領域に形成されるか、側面領域に形成されることもでき、これに対して限定するのではない。上記光変換層115は、例えば、樹脂またはシリコン材質に蛍光体を含んで形成できる。上記光変換層115は上記蛍光体を含むので、上記発光構造物145で生成されて上記光変換層115に入射される光の波長を変化させることができる。例えば、上記発光構造物145で生成された第1光が上記光変換層115に入射される場合、上記光変換層115に含まれた蛍光体が上記第1光により励起されて第2光を生成することができる。したがって、上記発光素子100Eは上記第1光と第2光とが混色された光を放出することができる。例えば、上記光変換層115が黄色蛍光体を含み、上記発光構造物145が青色光を生成する場合、実施形態に従う発光素子100Eは白色光を放出できる。以下、第6実施形態に従う発光素子100Fについて詳細に説明する。但し、前述した説明と重複する内容は省略または簡略に説明する。図13は、第6実施形態に従う発光素子100Fを説明する図である。第6実施形態に従う発光素子100Fは、第1実施形態に従う発光素子100に比べて透光性基板の形状を除いては同一である。図13を参照すると、第6実施形態に従う発光素子100Fの透光性基板110は、下段の隅が一部除去できる。これによって、上記透光性基板110の上面と下面との面積が相異することがある。例えば前記透光性基板は、下面の面積が上面の面積より大きい場合がある。このように、上記隅が除去されて形成された上記透光性基板110の側面は、平面、凹または凸形状の曲面などの形状を有することができ、これによって、上記透光性基板110の面積は下部領域から上部領域へ行くほど概ね大きくなるように形成できるが、これに対して限定するのではない。前記曲面は上記透光性基板110の側面の上部または下部に選擇的に形成される。上記透光性基板110がこのような形状を有することによって体積が減るようになるので、上記透光性基板110の外部に放出できず、内部に閉じ込められる光量を最小化して上記発光素子100Fの光抽出効率を向上させることができる。前記透光性基板の側面は前記透光性基板の下面から20°~70°の範囲内の角度図13内のθで傾斜させて形成されることができる。また、上記透光性基板110の側面を曲面で形成することによって、光抽出効率を向上させることもできる。図14は、本発明の実施形態に係る発光素子100を含む発光素子パッケージの断面図である。図14を参照すると、実施形態に従う発光素子パッケージは、胴体部20と、上記胴体部20に設けられた第1電極層31及び第2電極層32と、上記胴体部20に設置されて上記第1電極層31及び第2電極層32と電気的に連結される実施形態に従う発光素子100と、上記発光素子100を囲むモーディング部材40と、を含む。上記胴体部20は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成されることができ、上記発光素子100の周囲に斜面が形成できる。上記第1電極層31及び第2電極層32は互いに電気的に分離され、上記発光素子100に電源を提供する。また、上記第1電極層31及び第2電極層32は、上記発光素子100で発生した光を反射させて光効率を増加させることができ、上記発光素子100で発生された熱を外部に排出させる役目をすることもできる。上記発光素子100は、上記胴体部20の上に設置されるか、上記第1電極層31または第2電極層32の上に設置できる。そして、上記発光素子100は、ワイヤーボンディング方式、ダイボンディング、フリップチップ方式などにより、上記第1、2電極層31、32と電気的に連結されて光を生成することができ、これに対して限定するのではない。上記モーディング部材40は、上記発光素子100を囲んで上記発光素子100を保護することができる。また、上記モーディング部材40には蛍光体が含まれて上記発光素子100から放出された光の波長を変化させることができる。上記発光素子パッケージは、上記に開示された実施形態の発光素子のうち、少なくとも1つを、1つまたは複数個で搭載することができ、これに対して限定するのではない。実施形態に従う発光素子パッケージは、複数個が基板の上にアレイされ、上記発光素子パッケージの光経路の上に光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シートなどが配置できる。このような発光素子パッケージ、基板、及び光学部材は、ライトユニットとして機能することができる。更に他の実施形態は、前述した実施形態に記載された半導体発光素子または発光素子パッケージを含む表示装置、指示装置、及び照明システムで具現されることができ、例えば、照明システムは、ランプ、及び街灯を含むことができる。図15は、本発明の実施形態に係る発光素子パッケージを使用したバックライトユニットを示す図である。但し、図15のバックライトユニット1100は照明システムの一例であり、これに対して限定するのではない。図15を参照すると、上記バックライトユニット1100は、ボトムフレーム1140と、上記ボトムフレーム1140の内に配置された光ガイド部材1120と、上記光ガイド部材1120の少なくとも一側面または下面に配置された発光モジュール1110を含むことができる。また、上記光ガイド部材1120の下には反射シート1130が配置できる。上記ボトムフレーム1140は、上記光ガイド部材1120、上記発光モジュール1110、及び上記反射シート1130が収納できるように、上面が開口されたボックスbox形状で形成されることができ、金属材質または樹脂材質で形成されることができるが、これに対して限定するのではない。上記発光モジュール1110は、基板と、上記基板に搭載された複数個の実施形態に従う発光素子パッケージを含むことができる。上記複数個の発光素子パッケージは、上記光ガイド部材1120に光を提供することができる。図示したように、上記発光モジュール1110は、上記ボトムフレーム1140の内側面のうち、少なくともいずれか1つに配置されることができ、これによって上記光ガイド部材1120の少なくとも1つの側面に向けて光を提供することができる。但し、上記発光モジュール1110は、上記ボトムフレーム1140の下に配置されて、上記光ガイド部材1120の底面に向けて光を提供することもでき、これは上記バックライトユニット1100の設計に従い多様に変形可能であるので、これに対して限定するのではない。上記光ガイド部材1120は、上記ボトムフレーム1140の内に配置できる。上記光ガイド部材1120は、上記発光モジュール1110から提供を受けた光を面光源化して、表示パネル図示せずにガイドすることができる。上記光ガイド部材1120は、例えば、導光板LGP;LightGuidePanelでありうる。上記導光板は、例えばPMMApolymethylmetaacrylateのようなアクリル樹脂系列、PETpolyethyleneterephthlate、PCpolycarbonate、COC、及びPENpolyethylenenaphthalate樹脂のうちの1つで形成できる。上記光ガイド部材1120の上側には光学シート1150が配置されることもできる。上記光学シート1150は、例えば拡散シート、集光シート、輝度上昇シート、及び蛍光シートのうち、少なくとも1つを含むことができる。例えば、上記光学シート1150は、上記拡散シート、集光シート、輝度上昇シート、及び蛍光シートが積層されて形成できる。この場合、上記拡散シート1150は、上記発光モジュール1110から出射された光を均等に拡散させてあげて、上記拡散された光は上記集光シートにより表示パネル図示せずに集光できる。この際、上記集光シートから出射される光はランダムに偏光された光であるが、上記輝度上昇シートは上記集光シートから出射された光の偏光度を増加させることができる。上記集光シートは、例えば、水平または/及び垂直プリズムシートでありうる。また、上記輝度上昇シートは、例えば、照度強化フィルムDualBrightnessEnhancementfilmでありうる。また、上記蛍光シートは蛍光体が含まれた透光性プレートまたはフィルムとなることができる。上記光ガイド部材1120の下には上記反射シート1130が配置できる。上記反射シート1130は、上記光ガイド部材1120の下面を通じて放出される光を上記光ガイド部材1120の出射面に向けて反射することができる。上記反射シート1130は、反射率の良い樹脂材質、例えば、PET、PC、PVCレジンなどで形成できるが、これに対して限定するのではない。図16は、本発明の実施形態に係る発光素子パッケージを使用した照明ユニットの斜視図である。但し、図16の照明ユニット1200は照明システムの一例であり、これに対して限定するのではない。図16を参照すると、上記照明ユニット1200は、ケース胴体1210と、上記ケース胴体1210に設けられた発光モジュール1230と、上記ケース胴体1210に設けられ、外部電源から電源の供給を受ける連結端子1220と、を含むことができる。上記ケース胴体1210は、放熱特性が良好な材質で形成されることが好ましく、例えば金属材質または樹脂材質で形成されることができる。上記発光モジュール1230は、基板300と、上記基板300に搭載される少なくとも1つの実施形態に従う発光素子パッケージ200を含むことができる。上記基板300は、絶縁体に回路パターンが印刷されたものであることがあり、例えば、一般の印刷回路基板PCB:PrintedCircuitBoard、メタルコアMetalCorePCB、軟性FlexiblePCB、セラミックPCBなどを含むことができる。また、上記基板300は、光を効率的に反射する材質で形成されるか、表面の光が効率的に反射されるカラー、例えば白色、銀色などで形成できる。上記基板300の上には、上記少なくとも1つの実施形態に従う発光素子パッケージ200が搭載できる。上記発光素子パッケージ200は、各々少なくとも1つの発光ダイオードLED:LightEmittingDiodeを含むことができる。上記発光ダイオードは、赤色、緑色、青色、または白色の有色光を各々発光する有色発光ダイオード、及び紫外線UV:UltraVioletを発光するUV発光ダイオードを含むことができる。上記発光モジュール1230は、色感及び輝度を得るために多様な発光ダイオードの組合せを有するように配置できる。例えば、高演色性CRIを確保するために、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、及び緑色発光ダイオードを組み合わせて配置できる。また、上記発光モジュール1230から放出される光の進行経路上には蛍光シートがさらに配置されることができ、上記蛍光シートは上記発光モジュール1230から放出される光の波長を変化させる。例えば、上記発光モジュール1230から放出される光が青色波長帯を有する場合、上記蛍光シートには黄色蛍光体が含まれることができ、上記発光モジュール1230から放出された光は上記蛍光シートを経て最終的に白色光と見られるようになる。上記連結端子1220は、上記発光モジュール1230と電気的に連結されて電源を供給することができる。図16の図示によれば、上記連結端子1220は、ソケット方式により外部電源に回して嵌合されるが、これに対して限定するのではない。例えば、上記連結端子1220は、ピンpin形態で形成されて外部電源に挿入されるか、配線により外部電源に連結されることもできる。前述したような照明システムは、上記発光モジュールから放出される光の進行経路上に、光ガイド部材、拡散シート、集光シート、輝度上昇シート、及び蛍光シートのうち、少なくともいずれか1つが配置されて、希望する光学的効果が得られる。