"ガラスロッドの外周面上にガラス微粒子を溶着させ光ファイバ母材を製造する装置であって、プラズマ火炎によりガラス微粒子を加熱するプラズマバーナと、前記プラズマバーナにより加熱される前記ガラスロッドの被加熱部を囲む気密容器と、前記プラズマバーナとは別個に設けられ、前記気密容器内の前記ガラスロッドの被加熱部に向けてガラス微粒子を導入するとともに、前記気密容器内の前記ガラスロッドの被加熱部に溶着されるガラス微粒子の組成を修正するための組成修正用ガスを前記気密容器内に導入する導入部と、前記気密容器の内部を排気して陰圧にする排気部と、前記プラズマバーナ、前記気密容器、前記導入部および前記排気部を前記ガラスロッドの軸に平行な方向に相対的に移動させる移動機構と、を備えることを特徴とする光ファイバ母材製造装置。前記導入部が、前記ガラス微粒子および前記組成修正用ガスを混合して前記気密容器内に導入する、ことを特徴とする請求項1に記載の光ファイバ母材製造装置。前記導入部として、前記ガラス微粒子を前記気密容器内に導入するガラス微粒子導入部と、このガラス微粒子用導入部とは別個に設けられ、前記組成修正用ガスを前記気密容器内に導入する組成修正用ガス導入部と、を備えることを特徴とする請求項1に記載の光ファイバ母材製造装置。前記プラズマバーナのプラズマ発生用のコイルが前記気密容器の外部に設けられている、ことを特徴とする請求項1に記載の光ファイバ母材製造装置。前記プラズマバーナを構成する部品のうち前記気密容器の内部に存在するものが、ハロゲンガスにより腐食されず且つ導電性を有しない材料で構成または被覆されている、ことを特徴とする請求項1に記載の光ファイバ母材製造装置。前記気密容器内の前記ガラスロッドの被加熱部または形成されたガラス層の表面温度をモニタする温度モニタ部を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の光ファイバ母材製造装置。前記気密容器内の前記ガラスロッドの被加熱部または形成されたガラス層の外径をモニタする外径モニタ部を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の光ファイバ母材製造装置。前記導入部から前記気密容器内へ導入されるガラス微粒子の粒径および個数をモニタするガラス微粒子モニタ部を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の光ファイバ母材製造装置。前記ガラス微粒子モニタ部によりモニタされた粒径および個数の双方または何れか一方に基づいて前記導入部から前記気密容器内へのガラス微粒子導入量を調整する調整部を更に備えることを特徴とする請求項8に記載の光ファイバ母材製造装置。プラズマバーナのプラズマ火炎により加熱したガラス微粒子をガラスロッドの外周面上に溶着させ光ファイバ母材を製造する方法であって、前記プラズマバーナにより加熱される前記ガラスロッドの被加熱部を気密容器により囲み、前記プラズマバーナとは別個に設けられた導入部により、前記気密容器内の前記ガラスロッドの被加熱部に向けてガラス微粒子を導入するとともに、前記気密容器内の前記ガラスロッドの被加熱部に溶着されるガラス微粒子の組成を修正するための組成修正用ガスを導入し、前記気密容器の内部を排気して陰圧にし、前記プラズマバーナ、前記気密容器、前記導入部および前記排気部を前記ガラスロッドの軸に平行な方向に相対的に移動させる、ことを特徴とする光ファイバ母材製造方法。前記組成修正用ガスはハロゲン元素を含むガスであることを特徴とする請求項10に記載の光ファイバ母材製造方法。前記組成修正用ガスはフッ素元素またはホウ素元素を含むガスであることを特徴とする請求項10に記載の光ファイバ母材製造方法。前記組成修正用ガスは前記ガラス微粒子の屈折率を下げる添加物のガスであることを特徴とする請求項10に記載の光ファイバ母材製造方法。前記組成修正用ガスは前記ガラス微粒子の屈折率を上げる添加物のガスであることを特徴とする請求項10に記載の光ファイバ母材製造方法。一般にハロゲンガスは腐食性があることから、特許文献1に記載された光ファイバ母材製造方法は、製造設備のダメージを防止しつつ実施することは困難である。一方、特許文献2に記載された光ファイバ母材製造方法は、このような製造設備のダメージの問題がないものの、屈折率を調整したガラス微粒子が高価であることから、したがって、安価な光ファイバ母材または光ファイバを製造することが困難である。本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、製造設備のダメージを回避しつつ安価に光ファイバ母材を製造することができる装置および方法を提供することを目的とする。本発明の光ファイバ母材製造装置は、ガラスロッドの外周面上にガラス微粒子を溶着させ光ファイバ母材を製造する装置であって、プラズマ火炎によりガラス微粒子を加熱するプラズマバーナと、プラズマバーナにより加熱されるガラスロッドの被加熱部を囲む気密容器と、プラズマバーナとは別個に設けられ、気密容器内のガラスロッドの被加熱部に向けてガラス微粒子を導入するとともに、気密容器内のガラスロッドの被加熱部に溶着されるガラス微粒子の組成を修正するための組成修正用ガスを気密容器内に導入する導入部と、気密容器の内部を排気して陰圧にする排気部と、プラズマバーナ、気密容器、導入部および排気部をガラスロッドの軸に平行な方向に相対的に移動させる移動機構と、を備えることを特徴とする。本発明の光ファイバ母材製造装置は、導入部がガラス微粒子および組成修正用ガスを混合して気密容器内に導入してもよい。或いは、導入部として、ガラス微粒子を気密容器内に導入するガラス微粒子導入部と、このガラス微粒子用導入部とは別個に設けられ、組成修正用ガスを気密容器内に導入する組成修正用ガス導入部と、を備えることとしてもよい。本発明の光ファイバ母材製造装置は、プラズマバーナのプラズマ発生用のコイルが気密容器の外部に設けられているのが好ましい。また、プラズマバーナを構成する部品のうち気密容器の内部に存在するものが、ハロゲンガスにより腐食されず且つ導電性を有しない材料で構成または被覆されているのが好ましい。本発明の光ファイバ母材製造装置は、気密容器内のガラスロッドの被加熱部または形成されたガラス層の表面温度をモニタする温度モニタ部を更に備えるのが好ましい。気密容器内のガラスロッドの被加熱部または形成されたガラス層の外径をモニタする外径モニタ部を更に備えるのも好ましい。導入部から気密容器内へ導入されるガラス微粒子の粒径および個数をモニタするガラス微粒子モニタ部を更に備えるのも好ましく、この場合、ガラス微粒子モニタ部によりモニタされた粒径および個数の双方または何れか一方に基づいて導入部から気密容器内へのガラス微粒子導入量を調整する調整部を更に備えるのも好ましい。本発明の光ファイバ母材製造方法は、プラズマバーナのプラズマ火炎により加熱したガラス微粒子をガラスロッドの外周面上に溶着させ光ファイバ母材を製造する方法であって、プラズマバーナにより加熱されるガラスロッドの被加熱部を気密容器により囲み、プラズマバーナとは別個に設けられた導入部により、気密容器内のガラスロッドの被加熱部に向けてガラス微粒子を導入するとともに、気密容器内のガラスロッドの被加熱部に溶着されるガラス微粒子の組成を修正するための組成修正用ガスを導入し、気密容器の内部を排気して陰圧にし、プラズマバーナ、気密容器、導入部および排気部をガラスロッドの軸に平行な方向に相対的に移動させることを特徴とする。本発明の光ファイバ母材製造方法では、組成修正用ガスは、ハロゲン元素を含むガスであってもよいし、フッ素元素またはホウ素元素を含むガスであってもよい。また、組成修正用ガスは、ガラス微粒子の屈折率を下げる添加物のガスであってもよいし、ガラス微粒子の屈折率を上げる添加物のガスであってもよい。本発明によれば、製造設備のダメージを回避しつつ安価に光ファイバ母材を製造することができる。以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。図1は、本実施形態の光ファイバ母材製造装置1の構成を示す図である。光ファイバ母材製造装置1は、ガラスロッド2の外周面上にガラス微粒子3を溶着させ光ファイバ母材を製造する装置であって、気密容器10,プラズマバーナ11,ガラス微粒子導入部12,組成修正用ガス導入部13および排気部14を備える。なお、図1では、気密容器10の内部を示すために、気密容器10の一部の図示を省略している。ガラスロッド2は、シリカガラスを主成分とする略円柱形状のもので、VAD、OVD、MCVD、PCVDといった気相ガラス合成法により作成され、光を導波させるコアとなるべき部分を少なくとも有し、また、このコア部を取り囲むクラッド部をも有していてもよい。本実施形態では、このガラスロッド2の外周面上にジャケット層を形成して光ファイバ母材を製造する。本実施形態によるジャケット層の形成の前に、VAD、OVD、MCVD、ロッドインコラプス法やそれに類する方法により、ガラスロッド2の外周面上に光学クラッド部を形成してもよい。また、本実施形態によるジャケット層の形成の前に、ガラスロッド2の表面に存在する不純物を除去するために、酸水素やプラズマバーナにより火研することが好ましく、また、火研に替えてにHFにより表層を取り除くことも好ましい。このようなガラスロッド2を横型または縦型の旋盤に設置する。このとき、ガラスロッド2の両端にダミーガラスロッドを接続し、このダミーガラスロッドを旋盤において把持する。旋盤は、その設置したガラスロッド2の軸を中心にして該ガラスロッド2を回転させることができる。本実施形態の光ファイバ母材製造装置1は、このように旋盤に配置されたガラスロッド2の外周面上にガラス微粒子3を溶着させ光ファイバ母材を製造する装置である。気密容器10は、プラズマバーナ11により加熱されるガラスロッド2の被加熱部を囲む。気密容器10の内部から外部へ組成修正用ガスが漏洩することを防止する。また、気密容器10,プラズマバーナ11,ガラス微粒子導入部12,組成修正用ガス導入部13および排気部14を一体としてガラスロッド2の軸に平行な方向に相対的に移動させる移動機構が設けられている。プラズマバーナ11は、プラズマ火炎によりガラス微粒子3を加熱する。プラズマバーナ11のプラズマ火炎噴出し口は、そのプラズマ火炎がガラスロッド2の被加熱部を囲む気密容器10の内部に到達するように配置される。プラズマバーナ11の点火に際しては、プラズマバーナ11の周囲を取り囲むコイルに高周波電圧を引加した状態で該コイルの内部にカーボン等の導電性物体を挿入すると、誘導加熱された導電性物体によりプラズマが着火する。その点火の際には不純物が飛散しやすいことから、プラズマバーナ11の噴出し口がガラスロッド2に対向しない位置で点火すると良い。例えば、プラズマバーナ11をダミーロッドの位置までずらして点火すると良い。また、プラズマバーナ11と気密容器10との間に空隙が空いている場合は、その間から不活性ガスを流す機構を備えてもよい。これにより、ガラス組成を修正するためのガスが外部に漏れ出すことを防止することができ、また、ガラス組成を修正するためのガスによりプラズマバーナ11が侵食されることを防止することができる。プラズマバーナ11のプラズマ発生用のコイルは、気密容器10の外部に設けられているのが好ましい。プラズマバーナ11を構成する部品のうち気密容器10の内部に存在するものは、ハロゲンガスにより腐食されず且つ導電性を有しない材料で構成または被覆されているのが好ましい。このようにすることで、プラズマバーナ11のダメージを回避することができる。ガラス微粒子導入部12は、気密容器10内のガラスロッド2の被加熱部に向けてガラス微粒子シリカ微粒子3を導入する。ガラス微粒子導入部12の吹き出し口は、ガラスロッド2の被加熱部を囲む気密容器10の内部に配置される。ガラス微粒子導入部12の吹き出し口は、ガラスロッド2に対向しており、吹き出したガラス微粒子3がプラズマ火炎により加熱されてガラスロッド2に付着するように調整されている。ガラス微粒子導入部12の吹き出し口は、ガラスロッド2の外周面上におけるガラス微粒子3の堆積状態に応じて移動する機構を備えていることが望ましい。また、ガラス微粒子3の吹き出しは、ガラス微粒子3を運搬するキャリアガスを用いて行う。キャリアガスとしてはN2、O2が望ましい。また希ガスを用いても良い。ただし、希ガスは電離し易いので、バーナ11のダメージやスパークなどに注意が必要となる。組成修正用ガス導入部13は、気密容器10内のガラスロッド2の被加熱部に溶着されるガラス微粒子3の組成を修正するための組成修正用ガスを気密容器10内に導入する。組成修正用ガス導入部13のガス吹き出し口は、ガラスロッド2の被加熱部を囲む気密容器10の内部に配置される。組成修正用ガス導入部13のガス吹き出し口は、実質的にガラスロッド2に対向し、吹き出したガスがプラズマ火炎により加熱されたガラス微粒子3と反応するように調整されている。組成修正用ガス導入部13のガス吹き出し口は、ガラスロッド2の外周面上におけるガラス微粒子3の堆積状態に応じて移動する機構を備えていることが望ましい。組成修正用ガスは、ハロゲン元素を含むガスであってもよい。ハロゲンガスは、ガラスと作用して添加物として導入し易く、屈折率を制御するのに好適に用いることができる。また、組成修正用ガスは、例えばフッ素元素またはホウ素元素を含むガスが使用できる。フッ素元素またはホウ素元素を含むガスを用いることで、合成されたガラスの屈折率を低下させることができ、これにより安価に純シリカコアファイバを製造することができる。また、組成修正用ガスは、ガラス微粒子の屈折率を下げる添加物のガスであってもよく、ガラス微粒子の屈折率を上げる添加物のガスであってもよい。何れの場合にも、所望の屈折率分布を有する光ファイバ母材を安価に製造することができる。組成修正用ガスとしてハロゲン化ガスが好適に用いられる。ハロゲン化ガスとしてSiF4、CF4、CHF、SF6、C2F6が使用され得る。SF6といったガスを用いる場合は、ガラスでできたプラズマバーナ11を侵食するので、腐食性ガスが接するプラズマバーナ11の導入口は、導電性の無い防護膜でコーティングされていることが望ましい。なお、本実施形態では、組成修正用ガスとしてハロゲン化ガスに限らず、ガラスの屈折率を修正するためのガスや混合ガスを用いることができる。なお、ガラス微粒子導入部12は、プラズマバーナ11とは別個に設けられている。ガラス微粒子導入部12と組成修正用ガス導入部13とは、互いに別個に設けられていてもよいし、共通の導入部となっていてもよい。共通の導入部が用いられる場合、ガラス微粒子および組成修正用ガスを混合して気密容器10内に導入する。共通の導入部が用いられる場合、装置構成が簡素化される。排気部14は、気密容器10の内部を排気して陰圧にする。排気部14は、ガラスロッド2の被加熱部を囲む気密容器10に接続される。気密容器10内の圧力を測定する圧力計を別途設置して、その測定された圧力が所定の値となるように排気圧を制御する機構が備えられていることが望ましい。また、排気部14は、プラズマ火炎の安定性およびガラスロッド2へのガラス微粒子3の溶着を阻害しない位置に配置されていることが望ましい。本実施形態の光ファイバ母材製造装置1を用いて、ガラス微粒子導入部12により気密容器10内のガラスロッド2の被加熱部に向けてガラス微粒子3を導入するとともに、組成修正用ガス導入部13により気密容器10内に組成修正用ガスを導入し、排気部14により気密容器10の内部を排気して陰圧にする。ガラス微粒子導入部12からガラスロッド2の外周面に吹きつかれたガラス微粒子3は、プラズマバーナ11のプラズマ火炎により加熱され、組成修正用ガスにより組成が修正されて、ガラスロッド2の外周面上に溶着される。気密容器10,プラズマバーナ11,ガラス微粒子導入部12,組成修正用ガス導入部13および排気部14は、一体として、ガラスロッド2の軸に平行な方向に相対的にトラバースする。また、ガラスロッド2は軸の周りに回転する。これにより所望のガラス層厚となるまでガラス微粒子3の吹きつけを行い、所望の光ファイバ母材のジャケット層を形成する。本実施形態では、ハロゲンガス等の組成修正用ガスが必要箇所以外に拡散しないようにすることで製造設備のダメージを回避することができ、所望の屈折率分布を持った光ファイバ母材を安価に製造することができる。また、空間を限定するので、組成修正用ガスに使用量を削減することができる。ジャケット層形成過程において、気密容器10内のガラスロッド2の被加熱部または形成されたガラス層の表面温度を温度モニタ部によりモニタするのが好ましい。プロセス中のガラスロッド2または形成されたガラス層の表面温度を測定し、その測定した温度に基づいて所望の温度となるようにプラズマバーナ11のコイルに印加する電力やプラズマバーナ11内に流すガス流量を調整することができる。これにより、加熱不足によりガラス微粒子3が未焼結になることを防止することができ、また、過剰な加熱によりガラスロッド2が熱変形することを防止することができる。ジャケット層形成過程において、気密容器10内のガラスロッド2の被加熱部または形成されたガラス層の外径を外径モニタ部によりモニタするのも好ましい。外径測定器としてレーザ式外径モニタ例えば、KeyenceLS5000やCCDモニタKeyenceXG8000等が好適に用いられるが、実質的にガラスの外径を遠隔で測定できる手段であれば何れも用いることができる。測定した外径に基づいてガラス層の堆積回数を制御し、ジャケット層の厚み又は光ファイバ母材の外径を所望の値に制御することができる。特にCCDモニタを用いる場合には、外径を測定することができるだけでなく、形成したガラス層中に発生した気泡などの光ファイバの光学特性や機械特性に関して不適な状態を同時にモニタすることができるので望ましい。その際、プラズマ火炎によりCCD撮像視野が非常に周囲が明るくなるので、絞りやNDフィルタを用いてCCDカメラに入射する光量を事前し或いは動的に調節することが望ましい。また、ジャケット層形成過程において、ガラス微粒子導入部12から気密容器10内へ導入されるガラス微粒子3の粒径および個数をガラス微粒子モニタ部によりモニタするのも好ましい。このとき、更に、ガラス微粒子モニタ部によりモニタされた粒径および個数の双方または何れか一方に基づいて、ガラス微粒子導入部12から気密容器10内へのガラス微粒子3の導入量を調整するのも好ましい。これにより、所望の外径および屈折率分布を有する光ファイバ母材を容易に製造することができる。この様にして作成した光ファイバ母材の屈折率構造をプリフォームアナライザで検査する。その検査により良品であると判断された光ファイバ母材については、線引タワーに把持し、下端部を作業点以上の温度に加熱し、形成された種ガラスを適宜延伸して紡糸し、紡糸した光ファイバの外径を制御しながら、樹脂を付着させるダイス、樹脂を硬化させるUV炉等を経て光ファイバ素線となし、その光ファイバ素線を巻き取りボビンにより巻き取る。一般的に光ファイバの外周には、光ファイバに接し外力が直接に光ファイバに伝わらない様にする一次被覆層と、外傷を防止する二次被覆層とを含む2層以上の被覆層を設ける。それぞれの樹脂層を塗布するダイスは紡糸工程において直列的に配置されても良い。また2層を同時に排出するダイスにより塗布しても良く、この場合線引タワーの高さを低くすることができるので、線引建屋の建造コストを軽減することができる。また、紡糸後のガラスファイバの冷却速度を制御する装置を線引炉とダイスとの間に設けることで、ダイスに入る際の裸ファイバの表面温度を好適な温度に制御することができる。冷却速度を制御する装置内に流すガスのレイノルズ数は低いほうが、紡糸したファイバへ与えられる乱流の発生による振動が軽減されるため望ましい。また、ガラスファイバの冷却速度を制御することで、レイリ散乱を低減し、伝送損失の低い光ファイバを得ることもできる。樹脂を硬化させるためのUV炉は、UV光の強度のほかに炉内部の温度をフィードバック制御することで、樹脂の硬化速度を適切に制御することができる。UV炉としては、マグネトロンや紫外LEDが好適に用いられる。紫外LEDを用いる場合は、光源そのものは発熱しないので、炉内の温度が適切になる様に温風を入れる機構が別途備えられる。また、樹脂から脱離する成分がUV炉の炉心管の内面に付着し、被覆層に到達するUV光のパワーが線引中に変化するので、予め線引中のUV光パワーの減少度合いをモニタし、被覆層に照射されるUV光のパワーが一定となる様に、線引時間によりUV光パワーを調節しても良い。また、炉心管から漏れ出るUV光をモニタして、被覆層に照射されるUV光のパワーが一定となる様に制御しても良い。これにより、光ファイバ全長において均質な光ファイバの破断強度を得る事ができる。2層の被覆層のうち二次被覆層の対外傷性により適宜、二次被覆層を適切な厚みに設定することが好ましい。一般に、二次被覆層の厚みは、10μm以上、更に好ましくは20μm以上であることが好ましい。このようにして製造され巻き取りボビンにより巻き取られた光ファイバ素線は、必要に応じて被覆層に着色され、光ケーブルや光コードといった最終製品として使用される。本実施形態による光ファイバ母材製造の実施例について以下に説明する。なお、以下の実施例における各条件は例示にすぎず、得ようとするガラス組成、堆積レート、母材サイズ等により適宜に条件を修正することができる。実施例1外径50mmΦで長さ2000mmのガラスロッド2の外周面上にガラス微粒子3を吹き付けた。気密容器10内部の容積は約1200Lであった。用いたガラス微粒子3の平均粒径は86nmであった。ガラス微粒子導入部12によりガラス微粒子3を平均的に約20g/minの供給量となる様に吹き付けた。プラズマバーナ11のプラズマ火炎により加熱されたガラスロッド2の外表面温度を放射温度計により測定し、形成されたガラス層の外表面温度が1850°Cとなる様に制御した。また、組成修正用ガス導入部13よりSiF4を流量200cc/minとなる様に導入した。プラズマバーナ11、ガラス微粒子導入部12、組成修正用ガス導入部13、排気部14および気密容器10を、ガラスロッド2の軸方向に速度100mm/minで複数回トラバースした。形成したガラス層の外径を常時CCDモニタにより測定し、長手方向で外径が156mmになる様に、最後の10トラバース分についてガラス微粒子3の導入量を調整した。この様に形成したガラス層はFが添加され、屈折率が低下したジャケット層を得た。実施例2外径45mmΦで長さ3000mmのガラスロッド2の外周面上にガラス微粒子3を吹き付けた。気密容器10内部の容積は約1200Lであった。用いたガラス微粒子3の平均粒径は86nmであった。ガラス微粒子導入部12によりガラス微粒子3を平均的に約32g/minの供給量となる様に吹き付けた。プラズマバーナ11のプラズマ火炎により加熱されたガラスロッド2の外表面温度を放射温度計により測定し、形成されたガラス層の外表面温度が1780°Cとなる様に制御した。また、組成修正用ガス導入部13よりSiF4を流量400cc/minとなる様に導入した。プラズマバーナ11、ガラス微粒子導入部12、組成修正用ガス導入部13、排気部14および気密容器10を、ガラスロッド2の軸方向に速度60mm/minで複数回トラバースした。トラバース速度を低下させ、外表面温度の絶対値を低下させることにより、比較的長いガラスロッドでも垂れたわみによる変形を防止することができた。形成したガラス層の外径を常時CCDモニタにより測定し、長手方向で外径が141mmになる様に、最後の10トラバース分についてガラス微粒子3の導入量を調整した。この様に形成したガラス層はFが添加され、屈折率が低下したジャケット層を得た。実施例3外径42mmΦで長さ2000mmのガラスロッド2の外周面上にガラス微粒子3を吹き付けた。気密容器10内部の容積は約800Lであった。用いたガラス微粒子3の平均粒径は86nmであった。ガラス微粒子導入部12によりガラス微粒子3を平均的に約25g/minの供給量となる様に吹き付けた。プラズマバーナ11のプラズマ火炎により加熱されたガラスロッド2の外表面温度を放射温度計により測定し、形成されたガラス層の外表面温度が1850°Cとなる様に制御した。また、組成修正用ガス導入部13よりSiF4を流量100cc/minとなる様に導入した。プラズマバーナ11、ガラス微粒子導入部12、組成修正用ガス導入部13、排気部14および気密容器10を、ガラスロッド2の軸方向に速度100mm/minで複数回トラバースした。形成したガラス層の外径を常時CCDモニタにより測定し、各層毎に予め設定した外径になる様にガラス微粒子3の導入量を調整した。この様にして外径131mmΦの光ファイバ母材を得た。この様に形成したガラス層はFが添加され、屈折率が低下したジャケット層を得た。実施例4外径42mmΦで長さ2000mmのガラスロッド2の外周面上にガラス微粒子3を吹き付けた。気密容器10内部の容積は約500Lであった。用いたガラス微粒子3の平均粒径は86nmであった。ガラス微粒子導入部12によりガラス微粒子3を平均的に約25g/minの供給量となる様に吹き付けた。プラズマバーナ11のプラズマ火炎により加熱されたガラスロッド2の外表面温度を放射温度計により測定し、形成されたガラス層の外表面温度が2000°Cとなる様に制御した。また、組成修正用ガス導入部13よりSiF4を流量60cc/minとなる様に導入した。プラズマバーナ11、ガラス微粒子導入部12、組成修正用ガス導入部13、排気部14および気密容器10を、ガラスロッド2の軸方向に速度200mm/minで複数回トラバースした。形成したガラス層の外径を常時CCDモニタにより測定し、各層毎に予め設定した外径になる様にガラス微粒子3の導入量を調整した。この様にして外径131mmΦの光ファイバ母材を得た。この様に形成したガラス層はFが添加され、屈折率が低下したジャケット層を得た。気密容器10内部の容積を500Lしたことで、容積1000Lの場合と比べ導入ガスの収率が約25向上した。実施例5外径42mmΦで長さ2000mmのガラスロッド2の外周面上にガラス微粒子3を吹き付けた。気密容器10内部の容積は約500Lであった。用いたガラス微粒子3の平均粒径は86nmであった。用いたガラス微粒子3は予めCl2雰囲気に保持され表面の吸着水を取り除いたものを用いた。ガラス微粒子導入部12によりガラス微粒子3を平均的に約25g/minの供給量となる様に吹き付けた。プラズマバーナ11のプラズマ火炎により加熱されたガラスロッド2の外表面温度を放射温度計により測定し、形成されたガラス層の外表面温度が1900°Cとなる様に制御した。また、組成修正用ガス導入部13よりCF4を流量60cc/minとなる様に導入した。プラズマバーナ11、ガラス微粒子導入部12、組成修正用ガス導入部13、排気部14および気密容器10を、ガラスロッド2の軸方向に速度200mm/minで複数回トラバースした。形成したガラス層の外径を常時CCDモニタにより測定し、各層毎に予め設定した外径になる様にガラス微粒子3の導入量を調整した。この様にして外径131mmΦの光ファイバ母材を得た。この様に形成したガラス層はFが添加され、屈折率が低下したジャケット層を得た。"