開口と側壁を有し底面に貫通孔を設けた金属容器の表面を化学変化させて絶縁層を形成したベース部材と、この絶縁層上に形成した貫通電極およびパターン電極と、前記ベース部材に搭載して前記貫通電極および所望の前記パターン電極に電気接続した電子デバイスと、この電子デバイスを前記ベース部材の内側に配置して封止するリッド部材とを備え、金属容器内に収容した前記電子デバイスを蓋った前記リッド部材の周辺部分と、前記ベース部材の周辺とを一体接合し気密封着したことを特徴とする薄型金属パッケージ。前記ベース部材は、母材金属の表面を化学変化させた酸化物皮膜または水酸化物皮膜からなる絶縁層で表面被覆したことを特徴とする請求項1に記載の薄型金属パッケージ。前記ベース部材は、アルミニウムまたはアルミ合金の母材金属の表面を陽極酸化させて形成したアルマイト絶縁層で表面被覆したことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の薄型金属パッケージ。前記電子デバイスは、水晶片、圧電素子片、半導体素子、センサ素子、フィルタ素子の少なくとも何れか1つを含んだことを特徴とする請求項1ないし請求項3の何れか一つに記載の薄型金属パッケージを用いた電子デバイス。ところが、特許文献1に示される小型電子部品は、機械的強度に注目して改善提案されたものであるが、実用化において絶縁材のコーティングに多くの問題を抱えていた。例えば、使用する部材間の熱膨張係数の不整合からコーティングや搭載部品に剥離や亀裂の発生など不具合が生じたりしていた。また、絶縁材のコーティングに伴う不具合として絶縁層の不均一化が生じ、複数の導出端子用導電路の表面状態にばらつきが生じて端子の接続面が不揃いになったり、導出部分相互の直立平行度で一部に傾きが生じて修正を余儀なくされたりしていた。加えて、コーティング作業では高度な熟練と多大の工数を必要とし、組立てに球形のスぺーサを必要とするので、結果的にパッケージ加工コストと共に選択材料の原価コストが高くなり、表面実装に適する低コスト金属パッケージの提供が難しいなどの欠点があった。特許文献2に示される薄型金属パッケージは、成膜速度が比較的速く常温常圧に近い温和な雰囲気下での作業条件も選択できるなど、特許文献1の欠点を解消するものと期待されたが、CVD法においては、表面被覆性は良好であるが反応ガス供給量の多い所と少ない所で膜厚の不均一が生じやすく、AD法においてもセラミック微粒子が当たりやすい平坦面と当たりにくい凹面内壁や貫通孔内壁などで膜厚が不均一となりやすい部位があり、小型パッケージにおいてもこれを完全に解消することができなかった。また、絶縁層に所定以上の厚みを必要とする場合に対応し難いことや高価な専用装置を必要とすることなど、依然として表面実装に適する金属パッケージを低コストで提供することは困難であった。したがって、本発明は上記の欠陥に鑑みて提案されたものであり、金属ケースの基材表面にこの基材から直接生成させた絶縁層を設けたことを特徴とする絶縁層付きベース部材を提供し、もって加工費を安価にする表面実装に好適な薄型金属パッケージを提供することを目的とする。本発明によると開口と側壁を有し底面に貫通孔を設けた金属容器の表面を化学変化させて絶縁層を形成したベース部材と、この絶縁層上に形成した貫通電極およびパターン電極と、ベース部材に搭載して貫通電極および所望のパターン電極に電気接続した電子デバイスと、この電子デバイスをベース部材の内側に配置して封止するリッド部材とを備え、金属容器内に収容した電子デバイスを蓋ったリッド部材の周辺部分と、ベース部材の周辺とを一体接合し気密封着した薄型金属パッケージを提供する。ここでベース部材は、その母材となる金属の表面を化学変化させた絶縁層で覆われており、この絶縁層上にパターン電極および貫通金属を設けた構造を有する。従って、本発明のベース部材に設けた絶縁層は、外側から被覆材料を供給してコーティングされた塗布皮膜や積層皮膜ではなく、ベース部材を構成する母材金属そのものの表面が化学反応により絶縁材に変化した絶縁層を用いている。ベース部材を構成する母材金属の表面を化学反応により直接変化させた絶縁層を用いるため、任意の厚さの均一な絶縁層を容易に得ることができる。ベース部材およびリッド部材ともに金属材を利用できるので、機械的強度、密封性、電磁遮蔽性能に優れた薄型金属パッケージを提供することができ、電子デバイスの特性安定化および高信頼性に寄与する。金属パッケージとすることで、旧来のセラミックパッケージに比べ寸法精度を向上でき、また、貫通電極にガラス封止を施す必要が無いので、パッケージ寸法のより一層の小型化が可能となる。本発明の実施形態は、開口と側壁を有し底面に貫通孔を設けた金属容器の表面を化学変化させて絶縁層を形成したベース部材と、この絶縁層上に形成した貫通電極およびパターン電極と、ベース部材に搭載して貫通電極および所望のパターン電極に電気接続した電子デバイスと、この電子デバイスをベース部材の内側に配置して封止するリッド部材とを備えた金属パッケージであって、貫通電極は貫通孔内壁の絶縁層に封着するとともにパターン電極と電気接続して、金属容器内の貫通電極に例えば半導体素子や圧電素子などの電子デバイスを接続し、さらに電子デバイスを蓋った金属板または金属キャップからなるリッド部材の周辺部分と、ベース部材の周辺とを一体接合し気密封着した薄型金属パッケージである。ここで、ベース部材に形成された絶縁層は、特に母材金属から直接生成させた金属酸化物、金属水酸化物等の絶縁性の金属化合物からなり、ベース部材を陽極酸化させて設けた陽極酸化膜が好適に利用できる。例えば、希硫酸、蓚酸、クロム酸、燐酸、硼酸などの水溶液を処理浴に用いて、ベース部材のアルミニウムまたはアルミ合金を陽極として電気分解することにより、ベース部材の表面を電気化学的に酸化させて多孔質アルミナAl2O3絶縁層を生成させ、これを水洗した後、必要に応じて沸騰水または酢酸ニッケルの高温水溶液、加圧水蒸気などで処理し、孔壁を水和膨張させて封孔させてもよい。また、少なくともベース部材とリッド部材の熱膨張係数を略同じ熱膨張係数に選定するのが好ましく、より好ましくはベース部材とリッド部材は同一金属を用いるのが良いが、リッド部材はベース部材と同じ絶縁層を設けた表面または絶縁層を施さない表面の何れかを選択できる。絶縁層を設けたベース部材の貫通孔に貫通電極用の金属ろう材を装着して、これを加熱溶融させて貫通孔に充填し封止する。このとき貫通孔内壁は絶縁層が形成してあるのでベース部材と貫通電極の金属ろう材とは絶縁が確保されて固着される。なお、金属ろう材の加熱手段は、熱による溶融であればよく特に限定しないが、例えば、通炉、レーザー加熱、高周波加熱などを好適に利用することができる。その後、ベース部材外側の絶縁層上にパターン電極を構成する金属ペースト材を印刷し、これを焼成してベース部材に固着させる。このときもパターン電極は、絶縁層を間に挟んでベース部材に固着されるので、ベース部材とパターン電極とは絶縁が確保され、同時にパターン電極の幾つかは貫通電極と接続される。そして、導電性接着剤または金属ペーストやバンプなどの金属材を用いて、ベース部材の内側に設けた貫通電極に電子デバイスのチツプを接続した後、ベース部材の開口をリッド部材で覆って、ベース部材とリッド部材の周辺をシーム溶接または低温ガラス封止を用いて接合し気密封止する。以下、図面を参照して本発明に係る実施例について説明する。本発明の実施例1の表面実装用薄型金属パッケージ30は、図1ないし図3に示すように、開口と側壁を有し底面に貫通孔を設けたアルミニウム製容器12の表面を陽極酸化させてアルマイト絶縁層13を形成したベース部材11と、この絶縁層13上に形成したSn-Cu合金の貫通電極14およびAgパターン電極15と、アルマイト製ベース部材11に搭載して貫通電極14および所定箇所のAgパターン電極15に電気接続された水晶片16と、この水晶片16をアルマイト製ベース部材11の内側に配置して封止するアルミ製リッド部材17とを備えた金属パッケージである。この表面実装用薄型金属パッケージ30は、図1に示すようにアルマイト絶縁層13を設けたベース部材11の貫通孔に貫通電極用のSn-Cu合金製はんだボールを装着して、炉中で加熱しはんだボールを溶融させて貫通孔を充填し気密封止する。このとき貫通孔内壁はアルマイト絶縁層13が形成されているのでベース部材11とSn-Cu合金の貫通電極14とは絶縁が確保されて固着される。その後、ベース部材11外側のアルマイト絶縁層上にパターン電極15を構成するAgペースト材を印刷し、これを焼成してアルマイト製ベース部材11に固着させる。このときもAgパターン電極15は、アルマイト絶縁層13を間に挟んでベース部材11に固着されるので、アルマイト製ベース部材11とAgパターン電極15とは絶縁が確保され、同時にAgパターン電極15の幾つかはSn-Cu合金の貫通電極14と接続される。そして、図3Bの断面図に示すように、導電性接着剤18を用いて、アルマイト製ベース部材11の内側に設けたSn-Cu合金の貫通電極14に水晶片16を接続した後、アルマイト製ベース部材11の開口をアルミ製リッド部材17で覆って、ベース部材11とリッド部材17の周辺をシーム溶接による溶接部19で接合し気密封止した薄型金属パッケージ30とする。本発明の実施例2の表面実装用薄型金属パッケージ40は、図4に示すように、開口と側壁を有し底面に貫通孔を設けたアルミニウム製容器42の表面を陽極酸化させてアルマイト絶縁層43を形成したベース部材41と、この絶縁層43上に形成したAu-Sn合金の貫通電極44およびAgパターン電極45と、アルマイト製ベース部材41に搭載して貫通電極44および所定箇所のAgパターン電極45に電気接続された水晶片46と、この水晶片46をアルマイト製ベース部材41の内側に配置して封止するアルミ製リッド部材47とを備えた金属パッケージである。この表面実装用薄型金属パッケージ40は、アルマイト絶縁層43を設けたベース部材41の貫通孔に貫通電極用のAu-Sn合金ロウ材からなる金属ボールを装着して、高周波で加熱し金属ボールを溶融させて貫通孔を充填し気密封止する。このとき貫通孔内壁はアルマイト絶縁層43が形成されているのでベース部材41とAu-Sn合金の貫通電極44とは絶縁が確保されて固着される。その後、ベース部材41外側のアルマイト絶縁層上にパターン電極45を構成するAgペースト材を印刷し、これを焼成してアルマイト製ベース部材41に固着させる。このときもAgパターン電極45は、アルマイト絶縁層43を間に挟んでベース部材41に固着されるので、アルマイト製ベース部材41とAgパターン電極45とは絶縁が確保され、同時にAgパターン電極45の幾つかはAu-Sn合金の貫通電極44と接続される。そして、図4Bの断面図に示すように、Sn-Agはんだペースト48を用いて、アルマイト製ベース部材41の内側に設けたAu-Sn合金の貫通電極44に水晶片46を接続した後、アルマイト製ベース部材41の開口を、該ベース部材と同様の絶縁層を有するアルマイト製リッド部材47で覆って、ベース部材41とリッド部材47の周辺を低融点ガラス材49で接合し気密封止した薄型金属パッケージ40とする。本発明の実施例1および実施例2の表面実装用薄型金属パッケージは、ベース部材およびリッド部材ともに熱伝導の良いアルミニウム材を用いているので、ベース部材とリッド部材をシーム溶接する際、欠陥のない連続溶接面が容易に形成でき効率好くパッケージを気密封止することができ、同一材料を用いているので熱膨張係数が同一のため高気密性かつ気密信頼性の高い金属パッケージを実現できる。また、金属製の筐体を用いることで、電磁遮蔽性能や放熱特性に優れ電子デバイスの特性安定化および高信頼性に寄与する。金属パッケージとすることで、旧来のセラミックパッケージに比べ寸法精度を向上でき、また、貫通電極にガラス封止を施す必要が無いので、パッケージ寸法のより一層の小型化が可能となる。また、本発明に係る電子デバイス16および46は水晶片に限定されず、水晶片に替えて、半導体素子、センサ素子、圧電素子片、フィルタ素子等を搭載した半導体デバイス、センサデバイス、圧電振動子、フィルタデバイスなどに変形が可能である。