絶縁材からなるパッケージ基板と、前記パッケージ基板上にフリップチップ実装されたデバイスチップと、前記デバイスチップを封止する封止部と、を備え、前記封止部は、はんだで形成されていて、前記はんだは、前記デバイスチップのグランドパッドと前記パッケージ基板のグランド配線パターンとの間に延在して、前記グランドパッドと前記グランド配線パターンとは前記はんだにより接合されていることを特徴とする電子部品。前記パッケージ基板の周辺部に設けられ、前記はんだで形成された側部が接する金属パターンを備え、前記グランド配線パターンと前記金属パターンとは接続されていることを特徴とする請求項1記載の電子部品。前記グランドパッドは、方形形状をした前記デバイスチップの4つの角のうち少なくとも対向する2つの角に設けられていることを特徴とする請求項1または2記載の電子部品。前記グランドパッドは、前記デバイスチップの4つの角全てに設けられていることを特徴とする請求項3記載の電子部品。前記デバイスチップの4つの角のうち隣り合う2つの角に設けられた前記グランドパッドは、前記2つの角の両方と交わる辺に沿って延在して一体化していることを特徴とする請求項4記載の電子部品。前記グランドパッドは、前記デバイスチップの端部に接して設けられていることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項記載の電子部品。前記デバイスチップの入出力パッドと前記パッケージ基板の入出力パッドとはバンプにより接合されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項記載の電子部品。前記グランドパッドの大きさは、前記デバイスチップの前記入出力パッドよりも大きいことを特徴とする請求項7記載の電子部品。前記デバイスチップは弾性波チップであることを特徴とする請求項1から8のいずれか一項記載の電子部品。デバイスチップをパッケージ基板にフリップチップ実装する場合、デバイスチップの入出力パッド及びグランドパッドを、バンプを用いて、パッケージ基板のバンプパッドに接合させている。しかしながら、このような構造の場合、デバイスチップで発生した熱を十分に放熱することができないという課題がある。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、デバイスチップで発生した熱の放熱性を向上させることが可能な電子部品を提供することを目的とする。本発明は、絶縁材からなるパッケージ基板と、前記パッケージ基板上にフリップチップ実装されたデバイスチップと、前記デバイスチップを封止する封止部と、を備え、前記封止部は、はんだで形成されていて、前記はんだは、前記デバイスチップのグランドパッドと前記パッケージ基板のグランド配線パターンとの間に延在して、前記グランドパッドと前記グランド配線パターンとは前記はんだにより接合されていることを特徴とする電子部品である。本発明によれば、デバイスチップで発生した熱の放熱性を向上させることができる。上記構成において、前記パッケージ基板の周辺部に設けられ、前記はんだで形成された側部が接する金属パターンを備え、前記グランド配線パターンと前記金属パターンとは接続されている構成とすることができる。この構成によれば、封止部のはんだを、グランドパッドとグランド配線パターンとの間に延在させることを容易にできる。上記構成において、前記グランドパッドは、方形形状をした前記デバイスチップの4つの角のうち少なくとも対向する2つの角に設けられている構成とすることができる。この構成によれば、グランドパッドと封止部とを近接して配置できると共に、グランドパッドを2方向から封止部で囲むことができるため、デバイスチップで発生した熱の放熱性をより向上させることができる。上記構成において、前記グランドパッドは、前記デバイスチップの4つの角全てに設けられている構成とすることができる。この構成によれば、デバイスチップで発生した熱を4方向から放熱することができるため、より効率よく放熱することができる。上記構成において、前記デバイスチップの4つの角のうち隣り合う2つの角に設けられた前記グランドパッドは、前記2つの角の両方と交わる辺に沿って延在して一体化している構成とすることができる。この構成によれば、グランドパッドを3方向から封止部で囲むことができるため、デバイスチップで発生した熱の放熱性を更に向上させることができる。上記構成において、前記グランドパッドは、前記デバイスチップの端部に接して設けられている構成とすることができる。この構成によれば、グランドパッドの側面を封止部に接触させることができるため、放熱性をより向上させることができる。上記構成において、前記デバイスチップの入出力パッドと前記パッケージ基板の入出力パッドとはバンプにより接合されている構成とすることができる。上記構成において、前記グランドパッドの大きさは、前記デバイスチップの入出力パッドよりも大きい構成とすることができる。上記構成において、前記デバイスチップは弾性波チップである構成とすることができる。本発明によれば、デバイスチップで発生した熱の放熱性を向上させることができる。まず、比較例1に係る電子部品について説明する。なお、比較例1では、電子部品が弾性波デバイスである場合を例に説明する。図1は、比較例1に係る電子部品の断面図の例である。図1のように、パッケージ基板100の表面に、バンプパッド102と金属パターン104とが設けられている。バンプパッド102は、入力バンプパッド不図示、出力バンプパッド114、及びグランドバンプパッド116を含む。パッケージ基板100の裏面には、入力端子、出力端子、及びグランド端子を含むフットパッド106が設けられている。バンプパッド102とフットパッド106とは、パッケージ基板100内部の線路パターン108やビア配線110により電気的に接続されている。パッケージ基板100上には、弾性波チップ130が、バンプ160によりフリップチップ実装されている。図2aは、弾性波チップ130の表面図の例であり、図2bは、パッケージ基板100の表面図の例である。図2aのように、弾性波チップ130は、圧電基板132上に、IDT131、反射器図示せず、配線パターン134、入力パッド136、出力パッド138、及びグランドパッド140が形成されている。IDT131は、配線パターン134を介して、入力パッド136、出力パッド138、及びグランドパッド140に電気的に接続されている。図2bのように、パッケージ基板100の表面には、金属パターン104、入力バンプパッド112、出力バンプパッド114、及びグランドバンプパッド116が形成されている。図1に示す弾性波デバイスは、弾性波チップ130の入力パッド136、出力パッド138、及びグランドパッド140が、バンプ160により、パッケージ基板100の入力バンプパッド112、出力バンプパッド114、及びグランドバンプパッド116に接合されている。なお、図1は、図2bのA-A間に相当する箇所の断面を図示している。図1のように、弾性波チップ130は、封止部150により封止されている。封止部150は、弾性波チップ130の側方に位置する側部と上方に位置する上部とを有する。側部ははんだ封止部152で形成されていて、上部はリッド154で形成されている。封止部150を覆って、保護膜162が設けられている。比較例1では、弾性波チップ130で発生した熱の大部分は、バンプ160を介してパッケージ基板100側に伝わることによって放熱される。しかしながら、弾性波デバイスの小型化のために、バンプ160を大きくすることができず、その結果、弾性波チップ130のパッドとパッケージ基板100のバンプパッドとの接合面積が小さくなる。このため、弾性波チップ130で発生した熱を十分に放熱することができず、耐電力性が悪くなってしまう。そこで、このような点を改善すべく、デバイスチップで発生した熱の放熱性を向上させることが可能な電子部品の実施例を以下に説明する。図3は、実施例1に係る電子部品の断面図の例である。なお、以下の実施例においても、電子部品が弾性波デバイスである場合を例に説明する。図3のように、パッケージ基板10は、複数の層が積み重なり積層された積層基板である。積層された層として、例えばダイアタッチ層12と線路パターン/フットパッド層14とがある。パッケージ基板10の各層は、セラミックや樹脂等の絶縁材で形成されている。線路パターン/フットパッド層14の裏面には、入力端子、出力端子、及びグランド端子を含むフットパッド16が設けられている。ダイアタッチ層12の表面には、入力バンプパッド不図示、出力バンプパッド30、グランド配線パターン20、及び金属パターン22が設けられている。詳しくは後述するが、グランド配線パターン20と金属パターン22とは接続されている。入力バンプパッド、出力バンプパッド30、及びグランド配線パターン20とフットパッド16とは、パッケージ基板10の内部に設けられた導電性材料からなる線路パターン24及びビア配線26により電気的に接続されている。金属パターン22は、ダイアタッチ層12表面の外周部に設けられている。ダイアタッチ層12上には、弾性波チップ40がフリップチップ実装されている。弾性波チップ40は、例えばフェースダウンで実装されている。ここで、弾性波チップ40とダイアタッチ層12とについて説明する。図4aは、弾性波チップ40の表面図の例であり、図4bは、ダイアタッチ層12の表面図の例である。図4aのように、弾性波チップ40は、例えば弾性表面波チップであり、タンタル酸リチウムLT又はニオブ酸リチウムLN等の圧電基板42上に、アルミニウム又は銅等の金属膜により、機能部分であるIDT41、反射器図示せず、配線パターン44、入力パッド46、出力パッド48、及びグランドパッド50が形成されている。IDT41は、配線パターン44を介して、入力パッド46、出力パッド48、及びグランドパッド50に電気的に接続されている。圧電基板42は方形形状をしていて、その中央部にIDT41が形成されている。圧電基板42の4つの角のうち、対向する2つの角側に入力パッド46と出力パッド48とが形成されている。残りの対向する2つの角に、その角で交わる2つの辺に接して、グランドパッド50が形成されている。このように、グランドパッド50は弾性波チップ40の端部に接して設けられ、グランドパッド50の端面は弾性波チップ40の端面の一部を構成している。グランドパッド50は、入力パッド46及び出力パッド48よりも大きいパターンを有する。なお、入力パッド46及び出力パッド48は円形形状で、グランドパッド50は方形形状である場合を図示しているが、その他の形状の場合でもよい。しかしながら、グランドパッド50は、圧電基板42の角に、面積を大きくして設けられることが望ましいため、方形形状である場合が好ましい。図4bのように、ダイアタッチ層12の表面には、例えばAu等の金属膜により、入力バンプパッド28、出力バンプパッド30、グランド配線パターン20、及び金属パターン22が形成されている。金属パターン22は、ダイアタッチ層12の外周部を1周して設けられている。入力バンプパッド28、出力バンプパッド30、及びグランド配線パターン20は、弾性波チップ40をフリップチップ実装する際の、弾性波チップ40の入力パッド46、出力パッド48、及びグランドパッド50に対応する位置に設けられている。入力バンプパッド28、出力バンプパッド30、及びグランド配線パターン20は方形形状をしている。方形形状をしたグランド配線パターン20の2つの辺が金属パターン22と接続していて、これにより、グランド配線パターン20と金属パターン22とは一体となっている。なお、入力バンプパッド28及び出力バンプパッド30の形状は方形形状に限られず、円形形状等である場合でもよい。グランド配線パターン20は、グランドパッド50と同じ形状である場合が好ましく、金属パターン22との接続領域が大きくなるようなパターンである場合が好ましい。図3に示す弾性波デバイスは、弾性波チップ40の入力パッド46及び出力パッド48が、例えばAu又はその合金で形成されるバンプ52により、ダイアタッチ層12の入力バンプパッド28及び出力バンプパッド30に接合されている。弾性波チップ40のグランドパッド50とダイアタッチ層12のグランド配線パターン20との間には、例えばSn-Ag系のはんだ54が設けられていて、このはんだ54により、グランドパッド50とグランド配線パターン20とは接合されている。なお、図3は、図4bのA-A間に相当する箇所の断面を図示している。図3のように、弾性波チップ40は、パッケージ基板10上に設けられた封止部60により封止されている。弾性波チップ40は、例えば気密封止されている。封止部60は、弾性波チップ40の側方に位置する側部と上方に位置する上部とを有する。側部ははんだ封止部62で形成されていて、上部はリッド64で形成されている。はんだ封止部62は、例えばSn-Ag系のはんだで形成されていて、金属パターン22に接している。リッド64は、例えばコバール等の金属層で形成されていて、はんだ封止部62上から弾性波チップ40上に延在している。はんだ封止部62と、グランドパッド50とグランド配線パターン20との間のはんだ54とは、接続されて一体となっている。つまり、はんだ封止部62のはんだが、グランドパッド50とグランド配線パターン20との間にまで延在し、これによりはんだ54が形成されている。封止部60を覆うように、例えばNiめっきやCuめっき等の保護膜66が設けられている。次に、実施例1に係る電子部品の製造方法について説明する。図5aから図6cは、実施例1に係る電子部品の製造方法を示す断面図の例である。なお、図示の簡略化を図るため、パッケージ基板10内に形成する線路パターン24及びビア配線26については図示を省略する。図5aのように、多面取り用のパッケージ基板10の表面に、入力バンプパッド28図5aから図6cでは不図示、出力バンプパッド30、グランド配線パターン20、及び金属パターン22を形成する。パッケージ基板10の裏面に、フットパッド16を形成する。その後、弾性波チップ40を、パッケージ基板10上に、バンプ52を用いてフリップチップ実装する。このとき、弾性波チップ40の入力パッド46図5aから図6cでは不図示及び出力パッド48と、パッケージ基板10の入力バンプパッド28及び出力バンプパッド30と、をバンプ52により接合させる。弾性波チップ40のグランドパッド50と、パッケージ基板10のグランド配線パターン20とは接合させずに、両者の間に隙間70を形成する。このように、まずは、弾性波チップ40の入力パッド46と出力パッド48だけをバンプ52で接合させるため、図4aのように、入力パッド46と出力パッド48とは、弾性波チップ40の中央部に対して対称となるように設けられている場合が望ましい。また、隙間70の高さは、バンプ52の高さと同じになり、例えば10μmである。図5bのように、例えばSn-Ag系のはんだシート72とその上に重ね合わせたリッド64との積層体を、弾性波チップ40上に位置決めする。図5cのように、はんだシート72とリッド64との積層体の上側から、積層体を加熱加圧する。これにより、弾性波チップ40間の間隙にはんだが充填されて、弾性波チップ40の側面と金属パターン22の上面とに接して、はんだ封止部62が形成される。弾性波チップ40上にリッド64が形成される。また、弾性波チップ40間の間隙に充填されたはんだは、金属パターン22に接すると、金属パターン22とグランド配線パターン20とが接続しているために、グランド配線パターン20上に流れ込む。これにより、グランドパッド50とグランド配線パターン20との間にはんだ54が形成されて、グランドパッド50とグランド配線パターン20とが接合される。したがって、金属パターン22とグランド配線パターン20とは、はんだの濡れ性の高い金属で形成される場合が好ましい。図6aのように、弾性波チップ40間のリッド64、はんだ封止部62、及び金属パターン22の一部を取り除くよう、パッケージ基板10にハーフダイシングを行う。図6bのように、例えば電解めっき法を用いて、NiめっきやCuめっき等の保護膜66を形成する。図6cのように、弾性波チップ40間でパッケージ基板10をダイシングにより切断して、弾性波チップ40を個片化する。これにより、実施例1に係る電子部品が得られる。実施例1によれば、図3のように、弾性波チップ40を封止するはんだ封止部62のはんだは、グランドパッド50とグランド配線パターン20との間に延在してはんだ54を形成し、グランドパッド50とグランド配線パターン20とは、はんだ54により接合されている。比較例1で述べたように、バンプを用いてグランドパッドとグランド配線パターンとを接合させる場合では接合面積が小さくなるが、実施例1では、大きな接合面積で接合させることができる。また、はんだ54とはんだ封止部62とは接続されているため、弾性波チップ40で発生した熱は、パッケージ基板10側に加えてはんだ封止部62側にも伝わることになる。これらにより、弾性波チップ40で発生した熱の放熱性を向上させることができる。また、グランドパッド50とグランド配線パターン20とを大きな接合面積で接合させることができるため、その間の抵抗を小さくすることができる。このため、弾性波チップ40のグランドを強化することができ、電気的特性を改善することができる。さらに、グランドパッド50とグランド配線パターン20との接合面積を大きくできるため、弾性波チップ40とパッケージ基板10との接合を強固にすることができ、剛性を向上させることができる。また、グランドパッド50とグランド配線パターン20との間のバンプが不要となるため、バンプ工程の簡略化ができると共に、Auバンプ等の高価な材料の使用量が減るため、製造コストを低減できる。さらに、はんだ54とはんだ封止部62とが一体になっていることで、封止部60をより確実にグランドに落とすができ、シールド性を向上させることができる。図4bのように、はんだ封止部62が接する金属パターン22と、グランド配線パターン20とは、接続していることが望ましい。これにより、図5cで説明したように、はんだ封止部62を形成する工程によって、はんだ封止部62のはんだをグランドパッド50とグランド配線パターン20との間に延在させることを容易にできる。図4aのように、グランドパッド50は、方形形状をした弾性波チップ40の4つの角のうち少なくとも対向する2つの角に設けられている場合が好ましい。これにより、グランドパッド50とはんだ封止部62とを近接して配置できると共に、グランドパッド50を2方向からはんだ封止部62で囲むことができる。このため、弾性波チップ40で発生した熱の放熱性をより向上させることができる。また、対向する2つの角にグランドパッド50を設けることで、グランドパッド50をIDT41のより近くにまで伸ばすことができ、IDT41で発生する熱を効率よく放熱させることができる。図4aでは、グランドパッド50が、弾性波チップ40の端部に接して設けられた場合を示しているが、図7の弾性波チップ40aのように、グランドパッド50aが、弾性波チップ40aの端部よりも少し間隔を開けて内側に設けられている場合でもよい。しかしながら、図4aのように、グランドパッド50が、弾性波チップ40の端部に接して設けられている場合がより好ましい。これにより、グランドパッド50の側面をはんだ封止部62に接触させることができるため、放熱性をより向上させることができる。図3のように、封止部60は、はんだ封止部62上から弾性波チップ40上に延在する金属層からなるリッド64を有する場合が好ましい。リッド64を設けることで、弾性波デバイス全体をより保護することができる。また、リッド64により、はんだ封止部62を容易に形成することができる。なお、リッド64は樹脂で形成されている場合でもよい。しかしながら、リッド64をコバールのような金属で形成する場合、コバールは熱膨張係数がセラミックに近いため、圧電基板とセラミックとの熱膨張係数の差を吸収する効果が得られる。このため、弾性波チップ40に無駄な応力がかからず、信頼性を向上させる効果が期待できる。図3のように、封止部60を覆って保護膜66が設けられている場合が好ましい。これにより、はんだ封止部62が外力や熱により変形することを抑制でき、電子部品の耐熱温度を向上させることができる。保護膜66は、NiめっきやCuめっき等の金属膜の他にも、例えば樹脂膜等の絶縁膜を用いてもよい。図8aは、実施例1の変形例1に係る電子部品の断面図の例であり、図8bは、弾性波チップの表面図の例であり、図8cは、パッケージ基板の表面図の例である。なお、図8aは、図8cのA-A間に相当する箇所の断面を図示している。図8aから図8cのように、実施例1と異なる点は、パッケージ基板10上に、複数の弾性波チップ40がフリップチップ実装されていて、封止部60は複数の弾性波チップ40を封止している点である。実施例1の変形例1にように、パッケージ基板10上に複数の弾性波チップ40がフリップチップ実装されている場合でもよい。この場合でも、実施例1と同じように、弾性波チップ40で発生した熱の放熱性を向上させることができる。また、実施例1の変形例1に係る電子部品の一例として分波器が挙げられ、複数の弾性波チップ40に送信チップと受信チップとが含まれる。この場合、送信チップは受信チップに比べて発熱が大きいことから、少なくとも送信チップにおいて、はんだ封止部62のはんだが、グランドパッド50とグランド配線パターン20との間に延在する構成を適用することが好ましい。図9aは、実施例2に係る電子部品の断面図の例であり、図9bは、弾性波チップの表面図の例であり、図9cは、パッケージ基板の表面図の例である。なお、図9aは、図9cのA-A間に相当する箇所の断面を図示している。図9bのように、弾性波チップ40bは方形形状をしていて、4つの角全てに、その角で交わる2つの辺に接してグランドパッド50bが設けられている。入力パッド46aと出力パッド48aとは、対向する2つの辺の中央部分に設けられている。その他の構成は、実施例1の弾性波チップ40と同じである。図9cのように、ダイアタッチ層12の表面には、弾性波チップ40bをフリップチップ実装する際の、入力パッド46a、出力パッド48a、及びグランドパッド50bに対応する位置に、入力バンプパッド28a、出力バンプパッド30a、及びグランド配線パターン20aが設けられている。その他の構成は、実施例1のダイアタッチ層12と同じである。図9aに示す弾性波デバイスは、弾性波チップ40bの入力パッド46a及び出力パッド48aがバンプ52により、ダイアタッチ層12の入力バンプパッド28a及び出力バンプパッド30aに接合されている。グランドパッド50bは、はんだ54により、グランド配線パターン20aに接合されている。その他の構成は、実施例1の電子部品と同じである。実施例2によれば、図9bのように、グランドパッド50bは、方形形状をした弾性波チップ40bの4つの角全てに設けられている。これにより、弾性波チップ40bで発生した熱を4方向から放熱することができるため、より効率よく放熱することができる。よって、弾性波チップ40bで発生した熱の放熱性を更に向上させることができる。図10aは、実施例2の変形例1に係る電子部品の断面図の例であり、図10bは、弾性波チップの表面図の例であり、図10cは、パッケージ基板の表面図の例である。なお、図10aは、図10cのA-A間に相当する箇所の断面を図示している。図10aから図10cのように、実施例2と異なる点は、パッケージ基板10上に、複数の弾性波チップ40bがフリップチップ実装されていて、封止部60は複数の弾性波チップ40bを封止している点である。実施例2の変形例1のように、パッケージ基板10上に複数の弾性波チップ40bがフリップチップ実装されている場合でも、実施例2と同じように、弾性波チップ40bで発生した熱の放熱性を更に向上させることができる。また、実施例2の変形例1に係る電子部品の一例として分波器が挙げられる。この場合、実施例1の変形例1で説明したように、少なくとも送信チップにおいて、はんだ封止部62のはんだが、グランドパッド50bとグランド配線パターン20aとの間に延在する構成を適用することが好ましい。図11aは、実施例3に係る電子部品の断面図の例であり、図11bは、弾性波チップの表面図の例であり、図11cは、パッケージ基板の表面図の例である。なお、図11aは、図11cのA-A間に相当する箇所の断面を図示している。図11bのように、弾性波チップ40cは方形形状をしていて、対向する2つの辺それぞれに沿って、それぞれの辺の一端から他端に延在してグランドパッド50cが設けられている。入力パッド46bと出力パッド48bとは、他の対向する2つの辺の中央部分に設けられている。その他の構成は、実施例1の弾性波チップ40と同じである。図11cのように、ダイアタッチ層12の表面には、弾性波チップ40cをフリップチップ実装する際の、入力パッド46b、出力パッド48b、及びグランドパッド50cに対応する位置に、入力バンプパッド28b、出力バンプパッド30b、及びグランド配線パターン20bが設けられている。その他の構成は、実施例1のダイアタッチ層12と同じである。図11aに示す弾性波デバイスは、弾性波チップ40cの入力パッド46b及び出力パッド48bがバンプ52により、ダイアタッチ層12の入力バンプパッド28b及び出力バンプパッド30bに接合されている。グランドパッド50cは、はんだ54により、グランド配線パターン20bに接合されている。その他の構成は、実施例1の電子部品と同じである。実施例3によれば、図11bのように、グランドパッド50cは、弾性波チップ40cの4つの角のうち隣り合う2つの角に設けられたグランドパッドが、その2つの角の両方と交わる辺に沿って延在して一体化した形状をしている。これにより、グランドパッド50cは3方向からはんだ封止部62に囲まれるようになるため、弾性波チップ40cで発生した熱の放熱性を更に向上させることができる。実施例1から3において、はんだ封止部62のはんだとはんだ54とは、Sn-Ag系のはんだの場合に限られず、例えばSn-Au系、Sn-Cu系等の他の材料からなる場合でもよい。弾性波チップは、弾性表面波チップの他に、例えば弾性境界波チップ、圧電薄膜共振器チップ等の弾性波チップの場合でもよい。また、デバイスチップは弾性波チップの場合に限られず、半導体チップ等の他のデバイスチップの場合でもよく、このため、電子部品は弾性波デバイスに限らず他の電子部品の場合でもよい。以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。