最表面が窒化アルミニウム単結晶面である窒化アルミニウム種基板上に、化学気相成長法により窒化アルミニウム単結晶層を形成する第1の工程と、前記窒化アルミニウム単結晶層上に、光学素子層を形成して光学素子用積層体を得る第2の工程と、前記光学素子用積層体から前記窒化アルミニウム種基板を除去する第3の工程とを含む光学素子の製造方法。前記第1の工程における前記窒化アルミニウム単結晶層の厚みは50μm以上である請求項1に記載の光学素子の製造方法。前記第2の工程における前記光学素子層はLED素子層であることを特徴とする請求項1または2に記載の光学素子の製造方法。最表面が窒化アルミニウム単結晶面である窒化アルミニウム種基板と、前記窒化アルミニウム種基板上に形成された窒化アルミニウム単結晶層と、前記窒化アルミニウム単結晶層上に形成された光学素子層と、を有する光学素子用積層体。前記窒化アルミニウム単結晶層の240nmから300nmにおける吸収係数が30cm-1以下である請求項4に記載の光学素子用積層体。前記窒化アルミニウム単結晶層の転位密度が109cm-2未満である請求項4または5に記載の光学素子用積層体。光学素子を高効率で製造するうえでは、転位密度が低く、光透過効率の高い自立基板が不可欠である。本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであって、紫外線透過率が高く、しかも転位密度が低い窒化アルミニウム単結晶層を自立基板とする光学素子を提供することを目的とする。上記課題を解決する本発明は、下記事項を要旨として含む。1最表面が窒化アルミニウム単結晶面である窒化アルミニウム種基板上に、化学気相成長法により窒化アルミニウム単結晶層を形成する第1の工程と、前記窒化アルミニウム単結晶層上に、光学素子層を形成して光学素子用積層体を得る第2の工程と、前記光学素子用積層体から前記窒化アルミニウム種基板を除去する第3の工程とを含む光学素子の製造方法。2前記第1の工程における前記窒化アルミニウム単結晶層の厚みは50μm以上である1に記載の光学素子の製造方法。3前記第2の工程における前記光学素子層はLED素子層であることを特徴とする1または2に記載の光学素子の製造方法。4最表面が窒化アルミニウム単結晶面である窒化アルミニウム種基板と、前記窒化アルミニウム種基板上に形成された窒化アルミニウム単結晶層と、前記窒化アルミニウム単結晶層上に形成された光学素子層と、を有する光学素子用積層体。5前記窒化アルミニウム単結晶層の波長240nmから300nmにおける吸収係数が30cm-1以下である4に記載の光学素子用積層体。6前記窒化アルミニウム単結晶層の転位密度が109cm-2以下である4または5に記載の光学素子用積層体。本発明によれば、紫外線透過率が高く、しかも転位密度が低い窒化アルミニウム単結晶層を自立基板とする光学素子が製造できる。また、本発明に係わる光学素子用積層体は、窒化アルミニウム単結晶層と光学素子層の基板として、同種基板である窒化アルミニウム種基板を有するため、輸送時の破損等が起こりにくくハンドリングが容易である。本発明の光学素子の製造方法は、図1に示すように、最表面が窒化アルミニウム単結晶面11aである窒化アルミニウム種基板11上に、化学気相成長法により窒化アルミニウム単結晶層12を形成する第1の工程と、前記窒化アルミニウム単結晶層12上に、光学素子層20を形成して光学素子用積層体2を得る第2の工程と、前記光学素子用積層体2から前記窒化アルミニウム種基板11を除去する第3の工程とを含む。第1の工程本発明の第1の工程では、同種基板である窒化アルミニウム種基板11上に、化学気相成長法により窒化アルミニウム単結晶層12を形成して第1の積層体自立基板1を得る。最表面が窒化アルミニウム単結晶面11aである窒化アルミニウム種基板11の製造方法には特に限定はなく、公知の方法が用いられる。たとえば、窒化アルミニウム種基板11は、化学気相成長法により作製され、最表面に窒化アルミニウム単結晶面を有する窒化アルミニウム基板であってもよく、昇華法などの物理気相法により作製された窒化アルミニウム単結晶基板であってもよい。本発明の一実施形態として、化学気相成長法により作製され、最表面に窒化アルミニウム単結晶面を有する窒化アルミニウム単結晶種基板について、以下に説明する。化学気相成長法により作製され、最表面が窒化アルミニウム単結晶面の窒化アルミニウム種基板としては、たとえば、特開2010-89971に提案されるような窒化アルミニウム単結晶基板を用いてもよい。また、WO2009/090821、特開2010-10613に提案されるような窒化アルミニウム非単結晶層を含む窒化アルミニウム系積層体を用いてもよい。このような化学気相成長法で作製される種基板の中でも、種基板自体の生産性、下記に詳述する第3の工程の実施のし易さを考慮すると、窒化アルミニウム非単結晶層を含む窒化アルミニウム系積層体を用いることが好ましい。具体的には、多結晶、非晶質、又はこれらの混合からなる窒化アルミニウム非単結晶層上に、最表面を形成する窒化アルミニウム単結晶薄膜層が積層された窒化アルミニウム系積層体を用いることが好ましい。さらに、該窒化アルミニウム系積層体の生産性、最表面の結晶性を考慮すると、最表面を形成する窒化アルミニウム単結晶薄膜層の厚みが10nm以上1.5μm以下であって、該窒化アルミニウム非単結晶層の厚みが該窒化アルミニウム単結晶薄膜層の100倍以上である窒化アルミニウム系積層体を用いることが好ましい。このような窒化アルミニウム系積層体は、非単結晶層を有するため、紫外線透過率は低く、光学素子の構成部材としては不適当であるが、本発明では種基板自体が製造過程で除去されるため、最終製品となる光学素子においては特に問題とはならない。また、サファイア基板などの異種基板とは異なり、同じ窒化アルミニウムからなる積層体であるため、熱膨張係数差が小さいという利点もある。さらに、非単結晶層は、第3の工程で除去し易いという利点もある。上記のような窒化アルミニウム種基板11の最表面に位置する窒化アルミニウム単結晶面11a上に、化学気相成長法により窒化アルミニウム単結晶層12を形成する方法には特に限定はなく、公知の方法が用いられる。化学気相成長法としては、HVPE法等が一般的である。こうして得られる窒化アルミニウム単結晶層12は、波長240nmから300nmにおける吸収係数が30cm-1以下と低く、転位密度は109cm-2以下とすることができる。なお、第1の工程において形成される窒化アルミニウム単結晶層12の厚みは、製造コストの観点からは薄いほど好ましいが、製造工程におけるハンドリングを容易にし、またクラックなどの発生による歩留まり低下を抑制する、という観点から、50μm以上であることが好ましく、実用的な観点等から、さらに好ましくは100~300μm、特に100~250μmであることが好ましい。本発明によれば、窒化アルミニウム単結晶層12の厚みを500μm以下、さらには300μm以下、特には250μm以下としても、製造工程におけるハンドリングを容易にできる。これは、光学素子層20が、最終的に除去される窒化アルミニウム種基板11を有する第1の積層体自立基板上に形成されるためである。つまり、窒化アルミニウム種基板11を有するため、窒化アルミニウム単結晶層12の厚みが薄くても、第1の積層体自立基板が十分な強度を有するからである。さらに、本発明により得られる光学素子22は、比較的薄い厚みの窒化アルミニウム単結晶層12を有するため、紫外線透過率を高めることができる。窒化アルミニウム単結晶層12が厚くなると紫外線を透過し難くなるが、本発明の方法によれば、該単結晶層12を薄くできるため、この点でも有利となる。本発明において、窒化アルミニウム種基板11の厚みも、特に制限されるものではないが、下記に詳述する光学素子積層体の生産性、ハンドリング性、および第3の工程の容易さを考慮すると、100~500μmであることが好ましい。なお、該種基板として前記窒化アルミニウム系積層体を使用した場合には、該積層体自体の厚みが前記範囲を満足することが好ましい。また、窒化アルミニウム単結晶層12の形成後の表面粗さは、特に限定されるものではない。ただし、窒化アルミニウム単結晶層12の成長直後の表面が粗く、それによって第2の工程において形成される光学素子層の性能を低下させてしまう場合は、第1の工程終了後に窒化アルミニウム単結晶層12の表面研磨を行い、表面を平滑にすることが好ましい。第2の工程で高品質の光学素子層を得るためには、窒化アルミニウム単結晶層12の表面粗さが、二乗平均粗さRMS値で5nm以下であることが好ましく、さらに1nm以下であることが好ましい。この研磨を実施する場合も、種基板部分を有する基板を取り扱うため、十分な強度を有し、研磨を容易に行うことができる。第2の工程本発明の第2の工程では、第1の工程で得られた、第1の積層体自立基板1上に光学素子層20を形成して、第2の積層体、すなわち光学素子用積層体2を得る。窒化アルミニウム単結晶層12上に、光学素子層20を形成する方法には、特に限定はなく、公知の方法が用いられる。通常は、光学素子層20はMOCVD法等の化学気相成長法により形成される。本発明の一実施形態として、MOCVD法による光学素子層20の形成について以下に説明する。MOCVD法は、有機金属III族原料ガスと、窒素源原料ガスを基板上に供給し、該基板上に、III族窒化物単結晶層を成長させるものである。本発明で使用する原料ガスは、目的とするIII族窒化物単結晶層の組成に応じて、公知の原料が特に制限なく使用できる。具体的には、III族原料ガスとしては、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリメチルガリウム、トリエチルガリウム、又はトリメチルインジウムのガスを使用することが好ましい。なお、これらIII族原料は、成長させるIII族窒化物単結晶層の組成に応じて、その原料の種類、使用割合を適宜決定すればよい。また、窒素源ガスとしては、アンモニアガスを使用することが好ましい。さらに、導電性の制御を目的として添加する不純物原料ガスとしては、P型不純物原料ガスとしてビスシクロペンタジエニルマグネシウム、N型不純物原料ガスとしてモノシランもしくはテトラエチルシランを用いることが好ましい。また、本発明で使用するMOCVD装置については、本発明を実施できる構造であれば、特に制限されるものではなく、公知の装置、または市販のMOCVD装置を用いることができる。以下、一般的な光学素子であるLEDを製造する例について、詳しく説明する。また、以下に説明するLED構造は、基板上にN型III族窒化物半導体層、活性層、P型III族窒化物半導体層、P型III族窒化物コンタクト層を順次積層させた構造を例に説明しているが、本発明は以下の構造に限定されるものではない。まず、第1の工程で得られた第1の積層体1自立基板1をMOCVD装置内に設置した後、自立基板1を1050°C以上、さらに好ましくは1150°C以上に加熱し、水素雰囲気中で保持することにより自立基板表面のクリーニングを行った後、トリメチルアルミニウム、トリメチルガリウム、アンモニア、モノシランもしくはテトラエチルシラン、および原料ガスのキャリアガスとして水素、窒素などをMOCVD装置内に導入し、N型III族窒化物半導体層を形成する。また、上記N型III族窒化物半導体層を形成する前に、N型特性を向上させることを目的として、バッファ層を形成することも出来る。この場合、バッファ層としては、該III族窒化物半導体層および窒化アルミニウム単結晶層と同一もしくは中間の格子定数を有するN型III族窒化物層であることが好ましい。さらに、バッファ層は単一層でもよく、組成の異なる複数の積層体とすることもできる。次いで、トリメチルアルミニウム、トリメチルガリウム、アンモニア、および原料ガスのキャリアガスとして水素、窒素などをMOCVD装置内に導入し、発光層となる量子井戸構造を形成する。ここで、量子井戸構造とは、厚み数~数十nmの井戸層と、該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの大きい障壁層を組み合わせた積層構造であり、上記井戸層のバンドギャップエネルギーや障壁層膜厚などは、所望とする光学特性が得られるように適宜設定すればよい。また、上記原料に加えて、光学特性を向上させるなどの目的で、トリメチルインジウム、N型もしくはP型不純物原料を加えても良い。次いで、トリメチルアルミニウム、トリメチルガリウム、アンモニア、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム、および原料ガスのキャリアガスとして水素、窒素などをMOCVD装置内に導入し、P型III族窒化物半導体層を形成する。その後、トリメチルガリウム、アンモニア、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム、および原料ガスのキャリアガスとして水素、窒素などをMOCVD装置内に導入し、P型III族窒化物半導体コンタクト層を形成する。ここで、上記III族窒化物半導体層を形成する際の原料供給比、成長温度、V族元素窒素等とIII族元素との比V/III比などは、所望の光学特性および導電特性が得られるよう適宜設定すればよい。なお、本発明の光学素子用積層体2は、上記第2の工程を経て得られる中間生成物であり、窒化アルミニウム種基板と、該窒化アルミニウム種基板上に形成された光学特性に優れた窒化アルミニウム単結晶層と、該窒化アルミニウム単結晶層上に形成された光学素子とを含む。本発明の光学素子用積層体2は、光学素子の製造工程において、その移送、保管等を容易にし、製造効率を向上する。第3の工程本発明の第3の工程では、第2の工程で得られた光学素子用積層体2から窒化アルミニウム種基板11を除去して、光学素子22を得る。ここで、上記のプロセスによって製造した光学素子22をデバイスとして機能させる為には、所定の導電層を露出させるエッチング処理、導電層表面への電極形成処理など、素子化のための加工を施す必要がある。本発明の第3の工程は、前記素子化のための加工工程を行う前に行うこともできるし、素子化のための加工を行った後に実施することもできる。素子化のための加工工程と本発明の第3の工程を行う順序は、生産性やハンドリング性等を考慮して、本発明の実施に際し適宜決定すればよい。光学素子用積層体2から窒化アルミニウム種基板11を除去する方法には、特に限定はなく、研磨、反応性イオンエッチング、アルカリ溶液などを利用した湿式エッチングなどの公知の方法を用いることができるが、研磨によって除去することが好ましい。また、上記第3の工程終了後に、前記窒化アルミニウム種基板11を除去した側の、前記窒化アルミニウム単結晶層12表面に凹凸を形成することも、該光学素子の性能を向上させる手段として好適に用いることができる。例えばLEDに上記凹凸形成プロセスを適用した場合は、該凹凸の存在により、前記基板表面での全反射量が低減し、結果的にLEDの発光特性を向上させることが可能となる。このように得られた光学素子22は、必要に応じチップ化等の処理が施され、さまざまな用途に用いられる。光学素子としては、たとえば、LED発光ダイオードなどが挙げられる。上述した本発明の一実施形態では、化学気相成長法により作製される同種基板である窒化アルミニウム単結晶種基板11上に、化学気相成長法により窒化アルミニウム単結晶層12を形成して第1の積層体自立基板1を用意する。このとき、該窒化アルミニウム単結晶種基板11の転位密度が低いために、窒化アルミニウム単結晶層12、およびその上に形成される光学素子層20においても転位密度の低減が可能となる。しかも、該窒化アルミニウム単結晶層12は、化学気相成長法により形成されるため、低転位かつ高い紫外線透過効率を実現できる。さらに、該窒化アルミニウム単結晶層12と、光学素子層20との屈折効率差が小さいため、光取り出し効率も従来と比べ向上する。なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。例えば、窒化アルミニウム単結晶種基板11は上述の化学気相成長法以外にも、昇華法などの物理気相成長法によって作製されたものであっても良い。また、たとえば、上述した実施形態では、本発明に係わる光学素子として、紫外発光素子を例示したが、本発明に係る電子部品としては、発光ダイオード素子等の発光素子に限定されない。本発明の光学素子の製造方法は、たとえば、紫外線から赤外線までの幅広い領域の感度を有する半導体素子を封止した受光素子の製造にも応用できる。以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。窒化アルミニウム種基板11の準備窒化アルミニウム種基板11は、WO2009/090821に記載の方法により作製した。この窒化アルミニウム種基板11は、窒化アルミニウム単結晶面11aを構成する窒化アルミニウム単結晶薄膜層の厚みが200nmであって、その下の窒化アルミニウム非単結晶層窒化アルミニウム多結晶層の厚みが300μmである積層体を用いた。また、この窒化アルミニウム種基板11は、8mm角のものを2枚準備した。第1の工程2枚の前記窒化アルミニウム種基板11を窒化アルミニウム単結晶面11aが最表面となるようにHVPE装置内のサセプター上に設置した後、水素を10slm、アンモニアを200sccmの流量で流しながら、該窒化アルミニウム種基板11を1450°Cに加熱し、20分間保持することにより表面クリーニングを行った。次いで、500°Cに加熱した金属アルミニウムと塩化水素ガスを反応させて得られる三塩化アルミニウムガス5sccm、アンモニアガス15sccm、キャリアガスとして窒素1500sccm、水素5000sccmを窒化アルミニウム種基板11上に供給し、窒化アルミニウム単結晶層12を150μm成長させた。窒化アルミニウム単結晶層12の表面を微分干渉光学顕微鏡で観察し、いずれのサンプルも窒化アルミニウム単結晶層12の表面がクラックフリーであることを確認した。また、窒化アルミニウム単結晶層12の表面は、局所的には非常に平坦であるものの、8mm角全体としては、比較的大きな凹凸が基板全面に存在している状態であった。窒化アルミニウム単結晶層12の研磨、および評価次いで、上記窒化アルミニウム単結晶層12の表面をCMPChemicalMechanicalPolishing研磨によって、RMS値が1nm以下になるまで研磨し、第1の積層体1自立基板1を得た。ここで、作製した自立基板1の1枚について、窒化アルミニウム単結晶層12の特性を評価するため、裏面の窒化アルミニウム非単結晶層窒化アルミニウム多結晶層を機械研磨により除去し、その後CMP研磨によってRMS値が5nm以下になるまで研磨することにより、略両面鏡面状態の窒化アルミニウム単結晶層12の単体を取り出した。研磨後の窒化アルミニウム単結晶層12の膜厚は100μmであった。透過型電子顕微鏡を用いた平面観察によって加速電圧300kV、研磨後の窒化アルミニウム単結晶層12表面の貫通転位密度を測定したところ、3×108cm-2であった。また、紫外可視分光光度計島津製作所製UV-2550により、該窒化アルミニウム単結晶層12の透過率を測定したところ、波長240nmから350nmにおける外部透過率は40以上であった。また、窒化アルミニウム単結晶の屈折率を2.4とし、上記膜厚と透過率から吸収係数を算出したところ、波長240nmから350nmにおける吸収係数は20cm-1以下であった。第2の工程次いで、第1の積層体1自立基板1の1枚を、研磨された窒化アルミニウム単結晶層12表面が最表面となるようにMOCVD装置内のサセプター上に設置した。その後、水素を13slmの流量で流しながら、該自立基板1を1250°Cまで加熱し、10分間保持することで表面クリーニングを行った。次いで、自立基板1の温度を1200°Cとし、トリメチルアルミニウム流量が25μmol/min、アンモニア流量が1slm、全流量が10slm、圧力が50Torrの条件で、該窒化アルミニウム単結晶層12上に窒化アルミニウムバッファ層を厚さ0.1μm形成した。次いで、サセプター上の基板温度を1120°Cとし、トリメチルガリウム流量が20μmol/min、トリメチルアルミニウムが35μmol/min、アンモニア流量が1.5slm、全流量が10slm、圧力が50Torrの条件でAl0.7Ga0.3Nバッファ層を0.2μm形成した。さらに、テトラエチルシラン3nmol/minを同時に供給した以外はバッファ層と同条件で、N型Al0.7Ga0.3N層を1.2μm形成した。次いで、トリメチルガリウム流量を40μmol/min、トリメチルアルミニウムを3μmol/minとした以外はバッファ層と同条件で、Al0.3Ga0.7N井戸層を2nm形成した。次いで、バッファ層と同条件で障壁層を15nm形成した。この井戸層と障壁層の成長を3回繰り返すことにより3重量子井戸層を形成した。次いで、トリメチルガリウム流量を15μmol/minとし、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム0.8μmol/minを同時に供給した以外はバッファ層と同条件で、P型Al0.8Ga0.2N層を20nm形成した。次いで、トリメチルガリウム流量を40μmol/min、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム0.3μmol/min、アンモニア流量が2.0slm、全流量が8slm、圧力が150Torrの条件でP型GaNコンタクト層を0.2μm形成した。この基板をMOCVD装置から取り出し、窒素雰囲気中、20分間、800°Cの条件で熱処理を行った。次いで、ICPエッチング装置により該基板の一部をSiドーピングAl0.7Ga0.3N層が露出するまでエッチングした後、該露出表面に真空蒸着法によりTi20nm/Al100nm/Ti20nm/Au50nm電極を形成し、窒素雰囲気中、1分間、1000°Cの条件で熱処理を行った。次いで、上記P型GaNコンタクト層上に真空蒸着法によりNi20nm/Au100nm電極を形成し、窒素雰囲気中、5分間、500°Cの条件で熱処理を行った。以上のようにして、第1の積層体の窒化アルミニウム単結晶層12上に、光学素子層20が積層された第2の積層体2光学素子用積層体2を作製した。このようにして作製した光学素子用積層体2の直流10mA動作時における素子裏面から発光特性を評価したところ、発光波長265nmの微弱なシングル発光ピークを確認することができた。第3の工程前記光学素子用積層体2の裏面の窒化アルミニウム非単結晶層窒化アルミニウム多結晶層を機械研磨により除去し、その後CMP研磨によってRMS値が5nm以下になるまで研磨して、光学素子22を作製した。なお、この光学素子22の厚みは、約100μmであった。この光学素子22を光学素子用積層体2と同様の方法で発光測定を行ったところ、発光波長265nmのシングルピーク発光であり、この光学素子22の発光ピーク強度は、光学素子用積層体2の強度よりも10倍以上であることが確認された。