ユーザーデータ用に割り当てられたユーザーデータ用ワード線と、ランダマイズシードデータ用に割り当てられたランダマイズシードデータ用ワード線とを有し、入力データをランダマイズしたデータを前記ユーザーデータ用ワード線を用いて記憶するとともに、前記ランダマイズシードデータを前記ランダマイズシードデータ用ワード線を用いて記憶する不揮発性メモリセルアレイと、前記入力データを格納するビットラインデータ用ラッチと、前記ランダマイズシードデータ用ワード線を用いて読み出されたランダマイズシードデータを格納するランダマイズシードデータ用ラッチと、前記ビットラインデータ用ラッチに格納されているデータと前記ランダマイズシードデータ用ラッチに格納されている前記ランダマイズシードデータとの排他的論理和を、前記ユーザーデータ用ワード線を用いて前記不揮発性メモリセルアレイに書き込むデータとして求めるランダマイズ回路とを備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。前記不揮発性メモリセルアレイが、前記入力データをランダマイズしたデータを記憶するメインデータ領域と、前記ランダマイズシードデータの選択条件を記憶するランダマイズシード条件格納領域とに分割されていて、前記ユーザーデータ用ワード線が、前記メインデータ領域と前記ランダマイズシード条件格納領域とに対して共通に敷設されたものであり、前記メインデータ領域に前記ユーザーデータ用ワード線を用いて記憶されたデータのランダマイズシードの選択条件が、同一の前記ユーザーデータ用ワード線を用いて前記ランダマイズシード条件格納領域に記憶されることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。データの読み出し時には、前記ビットラインデータ用ラッチが、前記ユーザーデータ用ワード線を用いて読み出されたデータを格納し、前記ランダマイズ回路が、前記ビットラインデータ用ラッチに格納されているデータと前記ランダマイズシードデータ用ラッチに格納されている前記ランダマイズシードデータとの排他的論理和を、読み出しデータとして求めることを特徴とする請求項1又は2に記載の不揮発性半導体記憶装置。特許文献1に記載されている不揮発性半導体記憶装置では、書き込みデータの‘0’と‘1’の偏りを減らすため、累積値を用いる構成において、書き込みデータの累積値を保持、判定したり、判定結果に基づいてデータを選択したりするための回路や、累積値を用いない構成において、アドレスデータから疑似乱数を発生させる疑似乱数発生器が設けられている。このため、このような回路に割かれるレイアウト面積の削減が課題となっていた。本発明は、上記の課題を解決することができる不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明の不揮発性半導体記憶装置は、ユーザーデータ用に割り当てられたユーザーデータ用ワード線と、ランダマイズシードデータ用に割り当てられたランダマイズシードデータ用ワード線とを有し、入力データをランダマイズしたデータを前記ユーザーデータ用ワード線を用いて記憶するとともに、前記ランダマイズシードデータを前記ランダマイズシードデータ用ワード線を用いて記憶する不揮発性メモリセルアレイと、前記入力データを格納するビットラインデータ用ラッチと、前記ランダマイズシードデータ用ワード線を用いて読み出されたランダマイズシードデータを格納するランダマイズシードデータ用ラッチと、前記ビットラインデータ用ラッチに格納されているデータと前記ランダマイズシードデータ用ラッチに格納されている前記ランダマイズシードデータとの排他的論理和を、前記ユーザーデータ用ワード線を用いて前記不揮発性メモリセルアレイに書き込むデータとして求めるランダマイズ回路とを備えることを特徴とする。本発明の不揮発性半導体記憶装置では、入力データ記憶用の不揮発性メモリセルアレイ内に、ランダマイズシードデータが記憶される。そして、この入力データとランダマイズシードデータとの排他的論理和を求めることで、乱数化されたデータが不揮発性メモリセルアレイに書き込まれる。よって、書き込みデータの累積値を保持、判定したり、判定結果に基づいてデータを選択したりするための回路や、疑似乱数を発生させる疑似乱数発生器を設ける必要が無くなり、レイアウト面積を改善することができる。以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図1は、本発明の一実施形態としての不揮発性半導体記憶装置100の構成を示すブロック図である。また、図2は図1と同一の不揮発性半導体記憶装置100の構成を示すブロック図であるが、図1ではデータのプログラム時書き込み時のデータの流れを示しているのに対して、図2ではデータのリード時読み出し時のデータの流れを示している。不揮発性半導体記憶装置100は、不揮発性メモリセルアレイ10、ワードラインデコーダ20、ページバッファ30a、ページバッファ30b、周辺回路40等を備えて構成されている。なお、図1及び図2では、不揮発性半導体記憶装置100が備える構成として、本発明の特徴に係る部分の構成のみを示している。すなわち、不揮発性半導体記憶装置100は、図示していない構成として、外部の装置と接続される複数のI/O端子入出力端子、ライトイネーブル端子、リードイネーブル端子、レディ/ビジィ端子、電源端子、グランド端子等を備えている。また、不揮発性半導体記憶装置100は内部に、図示していない、制御回路、電源回路、各種レジスタ、タイミング生成回路等を備えている。不揮発性メモリセルアレイ10は、NAND型フラッシュメモリセル等の複数の不揮発性メモリセルを有して構成されている。不揮発性メモリセルアレイ10は、また、各不揮発性メモリセルを選択する際に使用される、図に向かって水平方向に敷設された複数のユーザーデータ用ワード線51及び1又は複数のランダマイズシードデータ用ワード線52と、垂直方向に敷設された複数のビット線61及び1又は複数のビット線62とを有している。複数のユーザーデータ用ワード線51は、外部から入力されたデータの記憶用に割り当てられたワード線である。1又は複数のランダマイズシードデータ用ワード線52は、入力データをランダマイズ疑似乱数化したり、ランダマイズしたデータから元の入力データを復元したりする際に用いられるランダマイズシードデータの記憶用に割り当てられたワード線である。ユーザーデータ用ワード線51とランダマイズシードデータ用ワード線52は、ワードラインデコーダ20によって選択される。また、不揮発性メモリセルアレイ10は、入力データをランダマイズしたデータを記憶するためのメインデータ領域1aに属するメモリセルアレイ10aと、ランダマイズシードデータの選択条件を記憶するためのランダマイズシード条件格納領域1bに属するメモリセルアレイ10bとに分割されている。また、ユーザーデータ用ワード線51及びランダマイズシードデータ用ワード線52は、メインデータ領域1aとランダマイズシード条件格納領域1bとに対して共通に敷設されている。本実施形態では、メインデータ領域1aにユーザーデータ用ワード線51を用いて記憶されたデータをランダマイズした際に使用されたランダマイズシードの選択条件すなわちランダマイズシードを特定するための情報が、同一のユーザーデータ用ワード線51を用いてランダマイズシード条件格納領域1bに記憶される。また、ビット線61はメインデータ領域1aに属するメモリセルアレイ10aに対して敷設され、ビット線62はランダマイズシード条件格納領域1bに属するメモリセルアレイ10bに対して敷設されている。なお、図1及び図2では、複数のユーザーデータ用ワード線51、ランダマイズシードデータ用ワード線52、ビット線61及びビット線62を1本のみ構成として示している。ページバッファ30aは、メインデータ領域1a内のメモリセルアレイ10aに対してデータをプログラムしたり、メモリセルからデータをリードしたりする際に、それらのデータを一時的に記憶する回路である。本実施形態のページバッファ30aは、特に、ランダマイズシードデータ用ラッチ31と、ビットラインデータ用ラッチ32と、ランダマイズ回路33とを有している。ランダマイズシードデータ用ラッチ31は、ランダマイズシードデータ用ワード線52を用いて読み出されたランダマイズシードデータを格納する際に使用されるラッチ回路である。ビットラインデータ用ラッチ32は、プログラム時には外部から入力された入力データを格納する際に使用され、リード時にはユーザーデータ用ワード線51を用いて読み出されたデータを格納する際に使用される。これらのランダマイズシードデータ用ラッチ31とビットラインデータ用ラッチ32は、複数のビット線61の本数分設けられている。ランダマイズ回路33は、ビットラインデータ用ラッチ32に格納されているデータとランダマイズシードデータ用ラッチ31に格納されているランダマイズシードデータとの排他的論理和をビット毎に求める回路である。ランダマイズ回路33が求めた排他的論理和は、プログラム時には、ユーザーデータ用ワード線51を用いて不揮発性メモリセルアレイ10のメモリセルアレイ10aに書き込まれる。また、ランダマイズ回路33が求めた排他的論理和は、リード時には、不揮発性半導体記憶装置100から出力される読み出しデータとなる。ページバッファ30bは、ランダマイズシード条件格納領域1b内のメモリセルアレイ10bに対してランダマイズシードデータの選択条件を表すデータをプログラムしたり、メモリセルからランダマイズシードデータの選択条件を表すデータをリードしたりする際に、それらのデータを一時的に記憶する回路である。このページバッファ30bは、選択条件用ビットラインデータ用ラッチ34を有している。本実施形態では、疑似乱数化に使用するランダマイズシードデータを不揮発性メモリセルアレイ10内に予め記憶しておくものであるが、ランダマイズシードデータは例えば次のように用意しておくことができる。まず、用意するランダマイズシードデータの個数は任意である。1個であってもよいし、複数であってもよい。また、複数の場合には、ランダマイズシードデータの選択処理が必要になるが、選択の仕方も任意に設定することができる。例えば、ユーザーが指定したアドレスの全部又は一部をデコードした結果に応じて選択するようにしたり、ランダマイズシードデータを2個用意する場合にはアドレスの任意の1ビットの値に応じて選択したりすることができる。また、疑似乱数化するか否かについても選択可能とすることができる。したがって、本実施形態において、ランダマイズシードデータの選択条件を表すデータは、例えば、疑似乱数化するか否かを表す1ビットのデータと、選択可能とするランダマイズシードデータの個数に応じたビット数のデータとを含むものとして構成することができる。よって、選択条件用ビットラインデータ用ラッチ34は、所定の複数ビット分設けられている。次に、周辺回路部40は、ランダマイズシードデータワードライン選択回路41と、ユーザーアドレスワードライン選択回路42とを有している。ランダマイズシードデータワードライン選択回路41は、プログラム時には、例えば外部から指定されたアドレスの値に基づいて複数用意されたランダマイズシードのうちのいずれか1つを選択する処理を行い、選択した結果を表すデータを、ページバッファ30bとワードラインデコーダ20とへ出力する。ただし、予め用意するランダマイズシードデータを1個とする場合には入力されたアドレスに基づく選択処理は省略することができる。また、リード時には、ランダマイズシードデータワードライン選択回路41は、ページバッファ30bの選択条件用ビットラインデータ用ラッチ34にラッチされているランダマイズシードデータの選択条件を表すデータに基づいて複数用意されたランダマイズシードのうちのいずれか1つを特定するデータを、ワードラインデコーダ20へ出力する。ページバッファ30bでは、プログラム時には、ランダマイズシードデータワードライン選択回路41から入力されたデータが選択条件用ビットラインデータ用ラッチ34にラッチされる。また、ワードラインデコーダ20では、プログラム時及びリード時に、ランダマイズシードデータワードライン選択回路41から入力されたデータに基づいて、所定のタイミングで所定のランダマイズシードデータ用ワード線52が選択される。ユーザーアドレスワードライン選択回路42は、外部から指定されたアドレスに基づいてユーザーデータ用ワード線51を選択するためのデータを生成し、ワードラインデコーダ20へ出力する。ワードラインデコーダ20では、ユーザーアドレスワードライン選択回路42から入力されたデータに基づいて、プログラム時及びリード時に、所定のタイミングで所定のユーザーデータ用ワード線51が選択される。次に、図1、図3及び図5を参照して、不揮発性半導体記憶装置100におけるプログラム時の動作について説明する。なお、各部の制御は、特に制御の主体を示していない場合、図示していない制御回路によって行われるものとする。まず、ユーザーによって外部から所定のアドレスとデータを指定してそのデータをプログラムせよとのコマンドが、不揮発性半導体記憶装置100に対して入力されたとすると、不揮発性半導体記憶装置100の所定の制御回路は、入力データをページバッファ30aのビットラインデータ用ラッチ32に格納するステップS11。次に、ランダマイズシードデータワードライン選択回路41は、外部から指定されたアドレスの値に基づいて複数用意されたランダマイズシードのうちのいずれか1つを選択する処理を行い、選択した結果を表すデータをワードラインデコーダ20へ出力する例えば図の矢印A2で示すデータが出力される。ワードラインデコーダ20は、ランダマイズシードデータワードライン選択回路41が指定するランダマイズシードデータ用ワード線52を選択して例えばアドレスA2のランダマイズシードデータ用ワード線52を選択して、ランダマイズシードデータのセンスを行い、センス結果例えばデータD2がメインデータ領域1aにあるページバッファ30aのランダマイズシードデータ用ラッチ31に格納されるステップS12。次に、ランダマイズ回路33が、メインデータ領域1aにあるページバッファ30a内のビットラインデータ用ラッチ32とランダマイズシードデータ用ラッチ31に格納している各データを用いて排他的論理和を求め、ランダマイズを行うステップS13。次に、ランダマイズシードデータワードライン選択回路41が、選択したランダムシードデータ用ワードライン52の選択条件を表す情報をランダマイズシード条件格納領域1b内のページバッファ30bの選択条件用ビットラインデータ用ラッチ34に格納するステップS14。次に、ユーザーが指定したアドレスに基づいてユーザーアドレスワードライン選択回路42から出力されたデータA1に応じてワードラインデコーダ20によって選択されたユーザーデータ用ワード線51例えばアドレスA1のユーザーデータ用ワード線51で選択されたメインデータ領域1a内の不揮発性メモリセルに、ランダマイズ回路33の出力データD1が、また、同一のユーザーデータ用ワード線51例えばアドレスA1のユーザーデータ用ワード線51で選択されたランダマイズシード条件格納領域1b内の不揮発性メモリセルに、選択条件用ビットラインデータ用ラッチ34にラッチされているデータD3が、同時にプログラムされるステップS15。以上の処理によって、不揮発性メモリセルアレイ10内では図5に示すようなデータがプログラムされる。すなわち、アドレスA1のユーザーデータ用ワード線51で選択されたメモリセルには、メインデータ領域1aにおいて入力データをアドレスA2のランダマイズシードD2で乱数化したデータD1が、そして、ランダマイズシード条件格納領域1bにおいてランダマイズシード条件を表すデータD3が、記憶される。ここで、ランダマイズシード条件を表すデータD3は、例えば乱数化の有り又は無しを表すデータ71と、ランダマイズシードデータD2のアドレスA2を表すデータ72を含んでいる。なお、アドレスA2のランダマイズシードデータ用ワード線52で選択されたメモリセルには、ランダマイズシードデータD2が予め記憶されている。また、アドレスA2のランダマイズシードデータ用ワード線52で選択されるランダマイズシード条件格納領域1b内のメモリセル73は使用されない。次に、図2、図4及び図5を参照して、不揮発性半導体記憶装置100におけるリード時の動作について説明する。なお、各部の制御は、特に制御の主体を示していない場合、図示していない制御回路によって行われるものとする。また、不揮発性メモリセルアレイ10内には図5に示すようなデータがプログラムされているものとする。まず、ユーザーによって外部から所定のアドレス図2のアドレスA1に対応するものであるとするを指定してそのアドレスをリードせよとのコマンドが、不揮発性半導体記憶装置100に対して入力されたとすると、ユーザーが指定したアドレスに対応した選択データA1がユーザーアドレスワードライン選択回路42から出力され、ワードラインデコーダによって対応するユーザーデータ用ワード線51この場合、アドレスA1のユーザーデータ用ワード線51が選択される。そして、アドレスA1のユーザーデータ用ワード線51のデータこの場合、データD1が、ビットラインデータ用ラッチ32に格納されるステップS21。同時に、同一ユーザーデータ用ワード線51この場合、アドレスA1のユーザーデータ用ワード線51上に格納されていたランダマイズシード条件格納領域1b内のデータこの場合、データD3が、選択条件用ビットラインデータ用ラッチ34にラッチされ、さらに、ランダマイズシードデータワードライン選択回路41に転送されるステップS22。次に、ランダマイズシードデータワードライン選択回路41が選択条件用ビットラインデータ用ラッチ34から転送されたデータこの場合、データD3に基づいて、ランダマイズシードデータ用ワード線52の選択結果この場合、A2を出力し、ワードラインデコーダ20は、ランダマイズシードデータワードライン選択回路41が指定するランダマイズシードデータ用ワード線52を選択してこの場合、アドレスA2のランダマイズシードデータ用ワード線52を選択して、ランダマイズシードデータのセンスを行い、センス結果データD2がメインデータ領域1aにあるページバッファ30aのランダマイズシードデータ用ラッチ31に格納されるステップS23。次に、ランダマイズ回路33が、ステップS21でビットラインデータ用ラッチ32に格納されたデータデータD1と、ステップS23でランダマイズシードデータ用ラッチ31に格納されたデータデータD2のランダマイズを行いすなわち排他的論理和を求め、データを復元するステップS24。そして、復元されたデータが出力されるステップS25。以上のように、本実施形態の不揮発性半導体記憶装置100では、入力データ記憶用の不揮発性メモリセルアレイ10内に、ランダマイズシードデータが記憶される。そして、この入力データとランダマイズシードデータとの排他的論理和を求めることで、乱数化されたデータが不揮発性メモリセルアレイ10に書き込まれる。よって、書き込みデータの累積値を保持、判定したり、判定結果に基づいてデータを選択したりするための回路や、疑似乱数を発生させる疑似乱数発生器を設ける必要が無くなり、レイアウト面積を改善することができる。また、ランダマイズシードデータを不揮発性メモリセルアレイ10上に置くことで容易に複数のパターンのランダマイズシードデータを格納することが出来るため、データの均一化が行い易くなる。なお、本発明の実施の形態は上記のものに限定されず、例えば、ランダマイズシードデータワードライン選択回路41とユーザーアドレスワードライン選択回路42の一部を一体として構成するようにしたり、予め用意するランダマイズシードデータを1個としてランダマイズシード条件格納領域1bに係る構成すなわちメモリセルアレイ10b、ページバッファ30b等を省略したりする変更等を適宜行うことができる。