ダイパッド、前記ダイパッドに繋がった吊りリード、および、前記ダイパッドの周辺に形成されたリードを有する単位リードフレームが複数形成されたリードフレームであって、前記ダイパッド、前記吊りリード、および、前記リードの中の少なくとも一つには、貫通溝、凹部および凸部の中の少なくとも一つを含む識別マークが形成されており、第1の前記単位リードフレームが有する前記識別マークと、第2の前記単位リードフレームが有する前記識別マークとは、前記単位リードフレーム内の位置および外観形状の少なくとも一方が異なるリードフレーム。請求項1に記載のリードフレームにおいて、前記識別マークは、前記ダイパッド、前記吊りリード、および、前記リードの中の少なくとも一つの表面に形成された凹部および凸部の少なくとも一方を含み、前記表面は、前記単位リードフレームに半導体素子を搭載した状態で前記半導体素子が位置する側の面であるリードフレーム。請求項2に記載のリードフレームにおいて、前記単位リードフレームに半導体素子を搭載した状態における平面視で、前記凹部または前記凸部の少なくとも一部は、前記半導体素子と重ならない位置に形成されているリードフレーム。請求項1から3のいずれか1項に記載のリードフレームにおいて、前記ダイパッド、前記吊りリード、および、前記リードの中の少なくとも一つは、前記単位リードフレームに半導体素子を搭載した状態で前記半導体素子が位置しない側の面の一部が凹部となった薄肉部を有し、前記識別マークは、前記薄肉部の一部を除去して形成された貫通溝を含むリードフレーム。請求項1から4のいずれか1項に記載のリードフレームにおいて、前記リードフレームは、前記単位リードフレームを複数有するブロックを複数有し、前記第1の単位リードフレームおよび前記第2の単位リードフレームは、同一のブロック内に位置するリードフレーム。請求項5に記載のリードフレームにおいて、複数の前記単位リードフレームは、前記ブロック内において格子状に配列されており、ブロック内における位置が同一である複数の前記単位リードフレームが有する前記識別マークの前記単位リードフレーム内の位置および外観形状は互いに一致するリードフレーム。請求項6に記載のリードフレームにおいて、前記ブロック内において前記第1の単位リードフレームよりも右側に位置する前記単位リードフレームが有する前記識別マークの前記単位リードフレーム内の位置は、前記第1の単位リードフレームが有する前記識別マークの前記単位リードフレーム内の位置よりも右側に位置するリードフレーム。請求項6または7に記載のリードフレームにおいて、前記ブロック内において前記第1の単位リードフレームよりも下側に位置する前記単位リードフレームが有する前記識別マークの前記単位リードフレーム内の位置は、前記第1の単位リードフレームが有する前記識別マークの前記単位リードフレーム内の位置よりも下側に位置するリードフレーム。金属板を準備する金属板準備工程と、前記金属板の表面に所定のパターンを有するマスクを位置させた後、エッチングにより、前記金属板の一部を除去するエッチング工程と、を有し、前記マスクが有する前記所定のパターンは、ダイパッド、前記ダイパッドに繋がった吊りリード、および、前記吊りリードに繋がったリードフレーム枠を有する単位リードフレームが複数形成されたリードフレームであって、前記ダイパッド、前記吊りリード、および、前記リードフレーム枠の中の少なくとも一つには、貫通溝、凹部および凸部の中の少なくとも一つを含む識別マークが形成されており、第1の前記単位リードフレームが有する前記識別マークと、第2の前記単位リードフレームが有する前記識別マークとは、前記単位リードフレーム内の位置および外観形状の少なくとも一方が異なるリードフレームを形成するためのパターンであるリードフレームの製造方法。請求項1から8のいずれか1項に記載のリードフレームが有する前記単位リードフレームに半導体素子を搭載した半導体装置。ダイパッドと、前記ダイパッドに繋がった吊りリードと、前記ダイパッドの周辺に形成されたリードと、を有する単位リードフレームと、前記単位リードフレームのダイパッド上に搭載された半導体素子と、前記単位リードフレーム、および、前記半導体素子を封止する封止樹脂と、を有し、前記ダイパッド、前記吊りリード、および、前記リードの中の少なくとも一つには、貫通溝、凹部および凸部の中の少なくとも一つを含む識別マークが形成されている半導体装置であって、複数の前記半導体装置の中の少なくとも2つの前記半導体装置の前記識別マークは、前記単位リードフレーム内の位置および外観形状の少なくとも一方が互いに異なる半導体装置。請求項11に記載の半導体装置において、複数の前記半導体装置の中の少なくとも2つの前記半導体装置の前記識別マークは、前記単位リードフレーム内の位置および外観形状が互いに一致する半導体装置。請求項11または12に記載の半導体装置において、前記識別マークは、前記ダイパッド、前記吊りリード、および、前記リードの中の少なくとも一つの表面に形成された凹部および凸部の少なくとも一方を含み、前記表面は、前記単位リードフレームに半導体素子を搭載した状態で前記半導体素子が位置する側の面である半導体装置。請求項13に記載の半導体装置において、前記単位リードフレームに半導体素子を搭載した状態における平面視で、前記凹部または前記凸部の少なくとも一部は、前記半導体素子と重ならない位置に形成されている半導体装置。請求項11から14のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記ダイパッド、前記吊りリード、および、前記リードの中の少なくとも一つは、前記単位リードフレームに半導体素子を搭載した状態で前記半導体素子が位置しない側の面の一部が凹部となった薄肉部を有し、前記識別マークは、前記薄肉部の一部を除去して形成された貫通溝を含む半導体装置。ダイパッド、前記ダイパッドに繋がった吊りリード、および、前記ダイパッドの周辺に形成されたリードを有する単位リードフレームが複数形成されたリードフレームを準備するリードフレーム準備工程と、複数の前記ダイパッド各々に半導体素子を載置する半導体素子載置工程と、前記半導体素子載置工程の後、前記単位リードフレームおよび前記半導体素子を封止樹脂で封止する封止工程と、前記半導体素子載置工程の後、前記単位リードフレーム単位で個片化する個片化工程と、を有し、前記リードフレームは、前記ダイパッド、前記吊りリード、および、前記リードの中の少なくとも一つに、貫通溝、凹部および凸部の中の少なくとも一つを含む識別マークが形成されており、第1の前記単位リードフレームが有する前記識別マークと、第2の前記単位リードフレームが有する前記識別マークとは、前記単位リードフレーム内の位置および外観形状の少なくとも一方が異なる半導体装置の製造方法。請求項16に記載の半導体装置の製造方法において、前記識別マークは、前記ダイパッド、前記吊りリード、および、前記リード中の少なくとも一つの表面に形成された凹部および凸部の少なくとも一方を含み、前記表面は、前記単位リードフレームに半導体素子を搭載した状態で前記半導体素子が位置する側の面である半導体装置の製造方法。請求項17に記載の半導体装置の製造方法において、前記単位リードフレームに半導体素子を搭載した状態における平面視で、前記凹部または前記凸部の少なくとも一部は、前記半導体素子と重ならない位置に形成されている半導体装置の製造方法。請求項16から18のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記ダイパッド、前記吊りリード、および、前記リードの中の少なくとも一つは、前記単位リードフレームに半導体素子を搭載した状態で前記半導体素子が位置しない側の面の一部が凹部となった薄肉部を有し、前記識別マークは、前記薄肉部の一部を除去して形成された貫通溝を含む半導体装置の製造方法。請求項16から19のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記リードフレームは、前記単位リードフレームを複数有するブロックを複数有し、前記第1の単位リードフレームおよび前記第2の単位リードフレームは、同一のブロック内に位置する半導体装置の製造方法。請求項20に記載の半導体装置の製造方法において、複数の前記単位リードフレームは、前記ブロック内において格子状に配列されており、ブロック内における位置が同一である複数の前記単位リードフレームが有する前記識別マークの前記単位リードフレーム内の位置および外観形状は互いに一致する半導体装置の製造方法。請求項21に記載の半導体装置の製造方法において、前記ブロック内において前記第1の単位リードフレームよりも右側に位置する前記単位リードフレームが有する前記識別マークの前記単位リードフレーム内の位置は、前記第1の単位リードフレームが有する前記識別マークの前記単位リードフレーム内の位置よりも右側に位置する半導体装置の製造方法。請求項21または22に記載の半導体装置の製造方法において、前記ブロック内において前記第1の単位リードフレームよりも下側に位置する前記単位リードフレームが有する前記識別マークの前記単位リードフレーム内の位置は、前記第1の単位リードフレームが有する前記識別マークの前記単位リードフレーム内の位置よりも下側に位置する半導体装置の製造方法。しかしながら、特許文献1乃至4に記載の技術のように、パッケージの裏面やリードフレームの所定位置などに所定の情報を印字する技術の場合、所定の情報を印字する工程を新たに設ける必要がある。本発明によれば、ダイパッド、前記ダイパッドに繋がった吊りリード、前記吊りリードに繋がったリードフレーム枠、および、前記リードフレーム枠に一端が繋がったリード、を有する単位リードフレームが複数形成されたリードフレームであって、前記ダイパッド、前記吊りリード、および、前記リードの中の少なくとも一つには、貫通溝、凹部および凸部の中の少なくとも一つを含む識別マークが形成されており、第1の前記単位リードフレームが有する前記識別マークと、第2の前記単位リードフレームが有する前記識別マークとは、前記単位リードフレーム内の位置および外観形状の少なくとも一方が異なるリードフレームが提供される。また、本発明によれば、金属板を準備する金属板準備工程と、前記金属板の表面に所定のパターンを有するマスクを位置させた後、エッチングにより、前記金属板の一部を除去するエッチング工程と、を有し、前記マスクが有する前記所定のパターンは、ダイパッド、前記ダイパッドに繋がった吊りリード、および、前記ダイパッドの周辺に形成されたリードを有する単位リードフレームが複数形成されたリードフレームであって、前記ダイパッド、前記吊りリード、および、前記リードの中の少なくとも一つには、貫通溝、凹部および凸部の中の少なくとも一つを含む識別マークが形成されており、第1の前記単位リードフレームが有する前記識別マークと、第2の前記単位リードフレームが有する前記識別マークとは、前記単位リードフレーム内の位置および外観形状の少なくとも一方が異なるリードフレームを形成するためのパターンであるリードフレームの製造方法が提供される。また、本発明によれば、前記リードフレームが有する前記単位リードフレームに半導体素子を搭載した半導体装置が提供される。また、本発明によれば、ダイパッドと、前記ダイパッドに繋がった吊りリードと、前記ダイパッドの周辺に形成されたリードと、を有する単位リードフレームと、前記単位リードフレームに搭載された半導体素子と、前記単位リードフレーム、および、前記半導体素子を封止する封止樹脂と、を有し、前記ダイパッド、前記吊りリード、および、前記リードの中の少なくとも一つには、貫通溝、凹部および凸部の中の少なくとも一つを含む識別マークが形成されている半導体装置であって、複数の前記半導体装置の中の少なくとも2つの前記半導体装置の前記識別マークは、前記単位リードフレーム内の位置および外観形状の少なくとも一方が互いに異なる半導体装置が提供される。また、本発明によれば、ダイパッド、前記ダイパッドに繋がった吊りリード、前記ダイパッドの周辺に形成されたリード、を有する単位リードフレームが複数形成されたリードフレームを準備するリードフレーム準備工程と、複数の前記ダイパッド各々に半導体素子を載置する半導体素子載置工程と、前記半導体素子載置工程の後、前記単位リードフレームおよび前記半導体素子と封止樹脂で封止する封止工程と、前記半導体素子載置工程の後、前記単位リードフレーム単位で個片化する個片化工程と、を有し、前記リードフレームは、前記ダイパッド、前記吊りリード、および、前記リードの中の少なくとも一つに、貫通溝、凹部および凸部の中の少なくとも一つを含む識別マークが形成されており、第1の前記単位リードフレームが有する前記識別マークと、第2の前記単位リードフレームが有する前記識別マークとは、前記単位リードフレーム内の位置および外観形状の少なくとも一方が異なる半導体装置の製造方法が提供される。本発明では、金属板をエッチングして、ダイパッド、当該ダイパッドに繋がった吊りリード、および、前記ダイパッドの周囲に形成されたリード、を有する単位リードフレームが複数形成されたリードフレームを形成する。そして、本発明では、これらを形成するエッチング処理と同一のエッチング処理により、ダイパッド、吊りリード、および、リードフレーム枠の中の少なくとも一つに、識別マークとなる貫通溝、凹部および凸部の中の少なくとも一つを形成する。このような本発明によれば、新たな製造工程を追加することなく、単位リードフレームに識別マークを付与することができる。結果、個片化後の各半導体装置が有する単位リードフレームが、リードフレーム内のどの位置にあったものかを認識することが可能となる。本発明によれば、新たな製造工程を追加することなく、個片化後の各半導体装置が有する単位リードフレームが、リードフレーム内のどの位置にあったものかを認識することが可能となる。本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下の構造図は全て本発明の実施の形態を模式的に示すものであり、特にことわりがない限り、構成要素の図面上の比率により、本発明による構造の寸法を規定するものではない。また、同様の構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。<リードフレームの構成>まず、本実施形態のリードフレームの構成について説明する。図1に、本実施形態のリードフレーム1の要部を模式的に示した平面図の一例を示す。リードフレーム1には、ダイパッド11、吊りリード12、リードフレーム枠19を有する単位リードフレーム10が複数形成されている。リードフレーム枠19は開口を有し、当該開口内にダイパッド11、リード不図示および4個の吊りリード12が位置する。4つの吊りリード12は、一端を介してダイパッド11と繋がり、他端を介してリードフレーム枠19と繋がることで、ダイパッド11及びリードフレーム枠19を接続している。なお、吊りリード12の数は4個の他、従来技術に準じて2個とすることもできる。リードはダイパッドの周辺に形成され、一端がリードフレーム枠に接続され、他端がダイパッドに向かう方に延伸するように形成されている。リードフレーム1は、単位リードフレーム10を複数有するブロック20を3個有し、各ブロック20は、25個の単位リードフレーム10を有している。複数の単位リードフレーム10は、ブロック20内において、例えば図1に示すように格子状に配列されてもよい。なお、ブロック20の数、及び、各ブロック20が有する単位リードフレーム10の数は設計的事項である。次に、図2A乃至D各々に、図1に示すリードフレーム1の単位リードフレーム10A乃至10Dの要部を抽出した拡大模式図を示す。図2A乃至Dに示すように、各ダイパッド11には、2つの貫通溝23からなる識別マークが形成されている。なお、貫通溝23は、リードフレーム1の表面から裏面まで貫通する溝である。貫通溝23の形状及び大きさは図示したものに限定されず、その他の変形例とすることができる。本実施形態では、この2つの貫通溝23からなる識別マークにより、ブロック20内における各単位リードフレーム10の位置を識別できるようになっている。具体的には、図2A乃至Dに示すダイパッド11の図中上側の辺に形成された識別マーク13A乃至13Dは、ブロック20内において各単位リードフレーム10が位置する列を示している。詳細には、ダイパッド11の図中上側の辺の長さをMとした場合、ブロック20内において左から1列目に位置する単位リードフレーム10Aが有する識別マーク13Aは、ダイパッド11の図中上側の辺の左端から約M/5離れた場所に位置する。そして、ブロック20内において左から2列目に位置する単位リードフレーム10Bが有する識別マーク13Bは、ダイパッド11の図中上側の辺の左端から約2M/5離れた場所に位置する。そして、ブロック20内において左から3列目に位置する単位リードフレーム10Cが有する識別マーク13Cは、ダイパッド11の図中上側の辺の左端から約3M/5離れた場所に位置する。そして、図1に示すように、ブロック20内において左から4列目及び5列目に位置する単位リードフレーム10各々が有する識別マークも、同様のルールに従った箇所に位置にする。なお、ブロック20内において左から1列目に位置する単位リードフレーム10Dが有する識別マーク13Dは、単位リードフレーム10Aが有する識別マーク13Aと同様、ダイパッド11の図中上側の辺の左端から約M/5離れた場所に位置する。本実施形態によれば、単位リードフレーム10がリードフレーム1から個別に切り離された後であっても、上述のようなルールに従いダイパッド11の図中上側の辺に形成された識別マークの位置を確認することで、ブロック20内において各単位リードフレーム10が位置していた列を識別することができる。次に、図2A乃至Dに示すダイパッド11の図中下側の辺に形成された識別マーク14A乃至14Dは、ブロック20内において単位リードフレーム10が位置する行を示している。詳細には、ダイパッド11の図中下側の辺の長さをMとした場合、ブロック20内において上から1行目に位置する単位リードフレーム10Aが有する識別マーク14Aは、ダイパッド11の図中下側の辺の右端から約M/5離れた場所に位置する。そして、ブロック20内において上から2行目に位置する単位リードフレーム10Dが有する識別マーク14Dは、ダイパッド11の図中下側の辺の右端から約2M/5離れた場所に位置する。そして、図1に示すように、ブロック20内において上から3行目、4行目及び5行目に位置する単位リードフレーム10各々が有する識別マークも、同様のルールに従った箇所に位置にする。なお、ブロック20内において上から1行目に位置する単位リードフレーム10B及び10Cが有する識別マーク14B及び14Cは、単位リードフレーム10Aが有する識別マーク14Aと同様、ダイパッド11の図中下側の辺の右端から約M/5離れた場所に位置する。本実施形態によれば、単位リードフレーム10がリードフレーム1から個別に切り離された後であっても、上述のようなルールに従いダイパッド11の図中下側の辺に形成された識別マークの位置を確認することで、ブロック20内において各単位リードフレーム10が位置していた行を識別することができる。なお、上述した、単位リードフレーム10内の識別マークの位置と、ブロック20内の単位リードフレーム10の位置との対応関係はあくまで一例であり、その他の対応関係とすることもできる。ここで、図1に示すように、本実施形態では、異なるブロック20内に位置する単位リードフレーム10が、互いに同じ識別マークを有する場合がある。例えば、図1中左端のブロック20内の1行目1列目に位置する単位リードフレーム10と、図1中真ん中および右端のブロック20内各々の1行目1列目に位置する単位リードフレーム10とは、同一の識別マークを有する。このように構成しても、本実施形態では、個片化後の各半導体装置が有する単位リードフレーム10が、リードフレーム1の各ブロック20内のどの位置にあったものか認識できる。ブロック20内の位置が分かることで、例えば後述する半導体装置の製造方法における樹脂封止工程において、キャビティ内のどの位置の単位リードフレーム10であったかを個片化後であっても認識することが出来るようになるため、樹脂封止時にゲート側の辺に位置していたのかなどを知ることができる。さらに、異なるブロック20内に位置し、ブロック内位置が同じ単位リードフレーム10が、互いに同じ識別マークを有するため、後述するリードフレームの製造工程にてブロック間で同一のエッチング用のパターンやマスク、また同一のエッチング条件で識別マークの形成を可能とするともに、リールtoリールのようにリードフレームの製造単位がリードフレームより大きな場合であっても、任意の位置から切り出しても同じリードフレームを得ることも可能となる。次に、図3Aに、図1に示す単位リードフレーム10Aをより詳細に示した平面模式図を示す。図3Aに示すように、ダイパッド11の周辺には複数のリード15が位置する。次に、図3Bに、図3Aのa-a断面模式図を示す。図3Bには、搭載予定の半導体素子17、接着剤18、及び、半導体素子17とリード15を繋ぐワイヤ16を点線で示している。図3Bに示すように、ダイパッド11は、単位リードフレーム10に半導体素子17を搭載した状態で半導体素子17が位置しない側の面の一部が凹部となった薄肉部30を有する。この薄肉部30は、同様の構成で、すべてのダイパッド11に対して共通に形成される。そして、識別マークは、薄肉部30の一部を除去して形成された貫通溝23からなる。<リードフレームの製造方法>次に、本実施形態のリードフレーム1の製造方法について、図4のフローチャートを用いて説明する。図4のフローチャートに示すように、本実施形態のリードフレーム1の製造方法は、金属板準備工程S10と、エッチング工程S20とを有する。金属板準備工程S10では、金属板を準備する。金属板としては、銅板、銅合金板など、従来技術に準じたあらゆるものを使用することができる。金属板の厚さ及び大きさは設計的事項である。エッチング工程S20は、金属板準備工程S10で準備した金属板が有する面に所定のパターンを有するマスクを位置させた後、エッチングにより、金属板の一部を除去する。本実施形態では、当該エッチングにより、金属板にダイパッド11、吊りリード12、リード15及びリードフレーム枠19などを形成するのみならず、同一のエッチング処理により上記識別マークをも形成する。すなわち、上記マスクが有する所定のパターンは、ダイパッド11、ダイパッド11に繋がった吊りリード12、吊りリード12に繋がったリードフレーム枠19、及び、一端がリードフレーム枠に接続されダイパッドの周辺に形成されたリード15を有する単位リードフレーム10が複数形成されたリードフレーム1を形成するためのパターンである。また、上記マスクが有する所定のパターンは、さらに、図2に示すような、ダイパッド11に貫通溝23からなる識別マークを形成するためのパターンである。エッチング工程S20におけるエッチング処理では、金属板に、金属板を貫通する溝、及び、貫通しない凹部を形成し、所定のパターンを形成するが、このようなエッチング処理は、従来技術に準じて実現することができる。なお、金属板を貫通する溝、及び、貫通しない凹部は1回のエッチング処理で形成されてもよいし、2回以上のエッチング処理で形成されてもよいが、識別マークを形成するためのエッチング処理は、ダイパッド11、吊りリード12、リード15及びリードフレーム枠19などを形成するためのエッチング処理と同一処理で実現される。このようにすることで、新たな工程を追加することなく、識別マークを形成することができる。なお、上記エッチング処理は、例えば、金属板の表面および裏面に所定のパターンを有するマスクを位置させた後、金属板の厚さの半分程度をエッチングする条件のウェットエッチングにより、金属板を貫通する溝、及び、貫通しない凹部を形成する処理であってもよい。かかる場合、表面に位置するマスク及び裏面に位置するマスクともに開口が形成された箇所には、金属板を貫通する溝が形成され、表面に位置するマスク及び裏面に位置するマスクのいずれか一方のみに開口を形成された箇所には、金属板を貫通しない凹部が形成される。エッチング工程S20の後、従来技術に準じて、リードフレーム1に、例えばNi/Pd/Auの3層で構成されたメッキを施してもよい。<半導体装置の構成>次に、本実施形態の半導体装置の構成について説明する。図5に本実施形態の半導体装置の断面模式図の一例を示す。本実施形態の半導体装置は、上述した本実施形態の単位リードフレーム10に半導体素子17を搭載したものである。すなわち、本実施形態の半導体装置は、ダイパッド11と、吊りリード12図5中、図示せずと、ダイパッド11の周辺に形成されたリード15と、ダイパッド11上に載置された半導体素子17と、半導体素子17及びリード15を接続するワイヤ16と、これらを封止する封止樹脂25とを有する。ダイパッド11の下面半導体素子17が形成される面と逆側の面の一部と、リード15の下面は封止樹脂25から露出している。封止樹脂25の側面はダイパッド11を含む面と垂直な面に含まれている。リード15の側面は封止樹脂25の側面を含む面に含まれ、リードフレームを構成する金属板の素材が露出している。そして、ダイパッド11には、貫通溝23を含む識別マークが形成されている。なお、複数の半導体装置の中の少なくとも2つの半導体装置の識別マークは、単位リードフレーム10内の位置が互いに異なる。半導体素子17、ワイヤ16及び封止樹脂25の構成は特段制限されず、従来技術に準じたあらゆる構成とすることができる。<半導体装置の製造方法>次に、本実施形態の半導体装置の製造方法について、図6のフローチャート及び図7の工程図を用いて説明する。図6のフローチャートに示すように、本実施形態の半導体装置の製造方法は、リードフレーム準備工程S11と、半導体素子載置工程S12と、封止工程S13と、個片化工程S14とを有する。リードフレーム準備工程S11では、図7Aに示すように、上述した本実施形態のリードフレーム1を準備する。すなわち、図1に示すように、ダイパッド11、ダイパッド11に繋がった吊りリード12、吊りリード12と繋がったリードフレーム枠19、および、前記リードフレーム枠19に一端が繋がったリード15、を有する単位リードフレーム10が複数形成されたリードフレーム1であって、ダイパッド11に貫通溝23を含む識別マークが形成されており、第1の単位リードフレーム10が有する識別マークと、第2の単位リードフレーム10が有する識別マークとは、単位リードフレーム10内の位置が異なるリードフレームを準備する。第1の単位リードフレーム10と第2の単位リードフレーム10は、同一のブロック20内に位置する。半導体素子載置工程S12では、図7Bに示すように、複数のダイパッド11各々に、接着剤18を介して、半導体素子17を載置する。その後、図7Cに示すように、半導体素子17と、リード15とを接続するワイヤ16を形成する。なお、接着剤18の構成は特段制限されず、従来技術に準じたあらゆる構成とすることができる。封止工程S13では、図7Dに示すように、ダイパッド11と、吊りリード12図7中、図示せずと、リード15と、リードフレーム枠19と、半導体素子17と、リード15と、ワイヤ16とを封止樹脂25で封止する。封止工程S13ではリードフレーム1の各ブロックに対応する凹部キャビティを備えた金型でリードフレーム1の上面を覆い、キャビティの側面に形成された樹脂流入孔ゲートから未硬化の樹脂を流し込み、その後硬化させることで、複数の単位リードフレーム10が1つの樹脂ブロック内に収まるように封止して良い。リードフレーム1にあらかじめNi/Pd/Auなどからなるメッキを行っていない場合は、封止工程後にSnを含むメッキ層をダイパッド11とリードの下面に形成しても良い。個片化工程S14では、図7Eに示すように、ダイシング装置2を用い、単位リードフレーム単位に半導体装置を個片化する。この時複数のリード15同士を接続していたリードフレーム枠19をダイシング装置2で除去することによりリード15同士を電気的に独立したものとして良い。<作用効果>本実施形態のリードフレームを用いて形成された本実施形態の半導体装置によれば、個片化後であっても、例えばX線装置を用いて各半導体装置が有する識別マークを観察することで、各半導体装置が有する単位リードフレーム10が、リードフレーム1内のどこに位置したものかを認識することができる。本実施形態によれば、新たな製造工程を追加することなく、各単位リードフレームに、識別マークを形成することができる。すなわち、製造効率の悪化、及び、製造コストの増加などの不都合が生じることなく、各単位リードフレームに、識別マークを形成することができる。また、本実施形態のリードフレームは、図3Bに示すように、複数のダイパッド11が共通に有する薄肉部30の一部を除去して、識別マークとなる貫通溝23を形成することができる。このため、図5に示すように、封止樹脂25による封止後、識別マークは封止樹脂25により覆われ、外部環境から保護される。結果、識別マークが壊れるなどの不都合を効果的に回避することができる。また、異なる識別マークが付与された半導体装置であっても、外見上は同一性が保たれるという優れた効果も実現される。また、ダイパッド11及びリード15の封止樹脂25から露出する面を外部端子とすることで、異なる識別マークが付与された半導体装置であっても、外部端子の平面形状を同一とすることができ、優れた基板実装性と接続信頼性を得ることができる。<本実施形態の変形例>本実施形態のリードフレーム1は、上述したリードフレームの製造方法に準じて製造可能な他の変形例を含む。以下で説明する変形例はいずれも、特別な言及がない限り、上記本実施形態の作用効果と同様の作用効果を実現することができる。例えば、上記例では、各単位リードフレーム10に形成された貫通溝23の各単位リードフレーム10内の位置により、ブロック20内における各単位リードフレーム10の位置を識別するよう構成したが、その他、複数の単位リードフレーム10各々に形成される貫通溝23の外観形状を互いに異なったものとし、貫通溝23の外観形状により、ブロック20内における単位リードフレーム10の位置を識別してもよい。また、上記例では、各単位リードフレーム10に形成された2つの貫通溝23の外観形状は互いに同じであったが、これらを互いに異なる形状とすることもできる。このようにすれば、ブロック20内における単位リードフレーム10の列を示す貫通溝23、及び、ブロック20内における単位リードフレーム10の行を示す貫通溝23を容易に識別することが可能となる。また、上記例では、ダイパッド11の図2中上側と下側の辺に識別マークとなる貫通溝23を形成したが、ダイパッド11の図2中右側と左側の辺に識別マークとなる貫通溝23を形成することもできる。また、吊りリード12及び/又はリードフレーム枠19に、識別マークとなる貫通溝23を形成することもできる。また、ダイパッド11、吊りリード12及びリードフレーム枠19の中の少なくとも1つに、識別マークとなる凹部及び/又は凸部を形成することもできる。また、上記例では、各単位リードフレーム10に形成された2つの識別マーク各々により、ブロック20内における単位リードフレーム10の行及び列各々を識別するよう構成したが、1つの識別マークにより行及び列を識別するよう構成することもできる。すなわち、1つの識別マークにより、同一のブロック20内に位置する複数の単位リードフレーム10各々を識別できるように構成してもよい。また、ブロック20内における単位リードフレーム10の位置を識別する情報に加えて、各単位リードフレーム10がいずれのブロック20に位置するかを示す情報以下、ブロック情報というを各単位リードフレームに形成することもできる。ブロック情報は、上記識別マークと同様に、ダイパッド11、吊りリード12及びダイパッド11の周辺に形成されたリード15の中の少なくとも1つに形成された貫通溝、凹部及び凸部の中の少なくとも1つを含んで構成されてもよい。例えば、ダイパッド11に形成した貫通溝により、ブロック20内における単位リードフレーム10の位置を識別し、吊りリード12に形成した貫通溝により、各単位リードフレーム10がいずれのブロック20に位置するかを識別するよう構成してもよい。また、上記例では、一括封止方式で利用されるリードフレーム1を前提に説明したが、その他、個別封止方式で利用されるリードフレーム1とすることもできる。かかる場合、識別マークにより、リードフレーム1の中のブロック20内における単位リードフレーム10の位置を識別するのでなく、リードフレーム1全体内における位置を識別することとなる。なお、単位リードフレーム10が、リードフレーム1内において格子状に配列されている場合には、上述したブロック20内における単位リードフレーム10の位置を識別する手段と同様にして、リードフレーム1全体内における単位リードフレーム10の位置を識別することができる。以上、本実施形態のリードフレーム1の変形例の一例を説明したが、すなわち、本実施形態のリードフレーム1は、リードフレーム1内における各単位リードフレーム10の位置を識別するための情報として、本実施形態のリードフレームの製造方法が有するエッチング工程S20において形成された識別マークを有するあらゆるリードフレーム1を含む。なお、エッチング工程S20において形成される識別マークは、ダイパッド11、吊りリード12及びダイパッド11の周辺に形成されたリード15の中の少なくとも1つに形成される貫通溝、凹部及び凸部の中の少なくとも1つを含んで構成され、第1の単位リードフレーム10が有する識別マークと、第2の単位リードフレーム10が有する識別マークとは、単位リードフレーム10内の位置及び外観形状の少なくとも一方が異なる識別マークである。以下、図面を用いて、より詳細に、本実施形態のリードフレーム1の変形例の一例を説明する。<変形例1>まず、図8及び9に変形例1を示す。図8は、本変形例のリードフレーム1の要部を模式的に示した平面図の一例を示す。図9A乃至D各々は、図8に示すリードフレーム1の単位リードフレーム10A乃至10Dの要部を抽出した拡大模式図を示す。図8及び9に示すリードフレーム1と、図1及び2に示すリードフレーム1とは、ブロック20内における単位リードフレーム10の行を識別するための識別マーク14A乃至14Dの位置が異なる以外は、同じ構成である。具体的には、図9A乃至Dに示す例では、識別マーク14A乃至14Dは、ダイパッド11の図中左側の辺に形成されている。本変形例の場合、ダイパッド11の図中左側の辺の長さをLとした場合、ブロック20内において上から1行目に位置する単位リードフレーム10Aが有する識別マーク14Aは、ダイパッド11の図中左側の辺の上端から約L/5離れた場所に位置する。そして、ブロック20内において上から2行目に位置する単位リードフレーム10Dが有する識別マーク14Dは、ダイパッド11の図中左側の辺の上端から約2L/5離れた場所に位置する。そして、図8に示すように、ブロック20内において上から3行目、4行目及び5行目に位置する単位リードフレーム10各々が有する識別マークも、同様のルールに従った箇所に位置にする。なお、ブロック20内において上から1行目に位置する単位リードフレーム10B及び10Cが有する識別マーク14B及び14Cは、単位リードフレーム10Aが有する識別マーク14Aと同様、ダイパッド11の図中左側の辺の上端から約L/5離れた場所に位置する。本変形例によれば、単位リードフレーム10がリードフレーム1から個別に切り離された後であっても、上述のようなルールに従いダイパッド11の図中左側の辺に形成された識別マークの位置を確認することで、ブロック20内において各単位リードフレーム10が位置していた行を識別することができる。また、本変形例によれば、ユーザは、2つの貫通溝23の位置関係により、2つの貫通溝23のいずれが、ブロック20内における単位リードフレーム10の行及び列のいずれを示すものか容易に特定することができる。そして、貫通溝23を観察する際、2つの貫通溝23が形成されたダイパッドの2つの辺が左側と上側になるようにセットして観察することで、ユーザは、直感的に、2つの貫通溝23の単位リードフレーム10内の位置から、ブロック20内において単位リードフレーム10が位置していた列及び行を認識することができる。本変形例のリードフレーム1は、上述した本実施形態のリードフレームの製造方法に準じて製造することができる。本変形例の半導体装置は、上述した本変形例の単位リードフレーム10に半導体素子17を搭載したものである。本変形例の半導体装置は、上述した本実施形態の半導体装置の製造方法に準じて製造することができる。<変形例2>次に、図10に変形例2を示す。図10A乃至C各々は、リードフレーム1が有する複数の単位リードフレーム10の中の一部の単位リードフレーム10の要部を抽出した拡大模式図を示す。本変形例では、ダイパッド11の外周沿いに複数の貫通溝23を一定の間隔で形成し、当該間隔が崩れた位置一定の間隔で規則正しく貫通溝23を形成した場合、本来貫通溝23が存在するはずであるが、実際には存在しない位置により、リードフレーム1内における単位リードフレーム10の位置を識別するよう構成されている。本変形例のリードフレーム1は、上述した本実施形態のリードフレームの製造方法に準じて製造することができる。本変形例の半導体装置は、上述した本変形例の単位リードフレーム10に半導体素子17を搭載したものである。本変形例の半導体装置は、上述した本実施形態の半導体装置の製造方法に準じて製造することができる。<変形例3>次に、図11及び12に変形例3を示す。図11A乃至C各々は、リードフレーム1が有する複数の単位リードフレーム10の中の一部の単位リードフレーム10の要部を抽出した拡大模式図を示す。図12Aは、図11Aに示す単位リードフレーム10をより詳細に示した平面模式図を示す。図12Bは、図12Aのb-b断面模式図を示す。図12Bには、搭載予定の半導体素子17、接着剤18、及び、半導体素子17とリード15を繋ぐワイヤ16を点線で示している。本変形例では、識別マークは、ダイパッド11の半導体素子17が載置される面に形成された凹部21を含んで構成される。この凹部21の少なくとも一部は、単位リードフレーム10に半導体素子17を搭載した状態における平面視で、半導体素子17と重ならないように構成される。本変形例では、ダイパッド11に、複数の凹部21を2重にドーナッツ状に一定間隔で形成し、外側に形成された凹部21の当該間隔が崩れた位置一定の間隔で規則正しく凹部21を形成した場合、本来凹部21が存在するはずであるが、実際には存在しない位置により、リードフレーム1内における単位リードフレーム10の位置を識別するよう構成されている。本変形例のリードフレーム1は、上述した本実施形態のリードフレームの製造方法に準じて製造することができる。次に、図13に本変形例の半導体装置の断面模式図の一例を示す。本変形例の半導体装置は、上述した本変形例の単位リードフレーム10に半導体素子17を搭載したものである。本変形例では、識別マークは、ダイパッド11の半導体素子17が載置される面に形成された凹部21を含んで構成されているので、図13に示すように、このような識別マークは、封止樹脂25による封止後、封止樹脂25により覆われ、外部環境から保護される。結果、識別マークが壊れるなどの不都合を効果的に回避することができる。また、異なる識別マークが付与された半導体装置であっても、外見上は同一性が保たれるという優れた効果も実現される。また、本変形例では、識別マークは、ダイパッド11の半導体素子17が載置される面に形成された凹部21を含んで構成され、凹部21の少なくとも一部は、単位リードフレーム10に半導体素子17を搭載した状態における平面視で、半導体素子17と重ならないように構成される。このような凹部21の存在により、封止樹脂25とダイパッド11との接触面積が大きくなり、結果、封止樹脂25の密着性が向上する。本変形例の半導体装置は、上述した本実施形態の半導体装置の製造方法に準じて製造することができる。なお、凹部21に代えて凸部とする変形例にすることもでき、かかる場合も同様の作用効果を実現できる。また、単位リードフレーム10に半導体素子17を搭載した状態で半導体素子17が位置する側の面であって、吊りリード12及び/又はリード15が有する面に、凹部21及び/又は凸部を形成した変形例にすることもでき、かかる場合も同様の作用効果を実現できる。<変形例4>次に、図14及び15に変形例4を示す。図14A乃至C、図15A乃至C各々は、リードフレーム1が有する複数の単位リードフレーム10の中の一部の単位リードフレーム10の要部を抽出した拡大模式図を示す。図14A乃至Cに示す変形例では、吊りリード12に形成された貫通溝22の位置ダイパッド11からの距離により、リードフレーム1内における単位リードフレーム10の位置を識別するよう構成されている。図15A乃至Cに示す変形例では、吊りリード12に一定の間隔で複数の貫通溝22を形成し、当該間隔が崩れた位置ダイパッド11からの距離により、リードフレーム1内における単位リードフレーム10の位置を識別するよう構成されている。ここで、図16Aに、吊りリード12に識別マークとして貫通溝22を形成する変形例の単位リードフレーム10をより詳細に示した平面模式図を示す。図16Bは、図16Aのc-c断面模式図を示す。図16Bには、搭載予定の半導体素子17、接着剤18、及び、半導体素子17とリード15を繋ぐワイヤ16を点線で示している。図16Bに示す例では、吊りリード12は、単位リードフレーム10に半導体素子17を搭載した状態で半導体素子17が位置しない側の面が凹部となった薄肉部30を有する。この薄肉部30は、同様の構成で、すべての吊りリード12に対して共通に形成される。そして、識別マークは、薄肉部30の一部を除去して形成された貫通溝22からなる。本変形例のリードフレーム1は、上述した本実施形態のリードフレームの製造方法に準じて製造することができる。本変形例の半導体装置は、上述した本変形例の単位リードフレーム10に半導体素子17を搭載したものである。本変形例の半導体装置は、上述した本実施形態の半導体装置の製造方法に準じて製造することができる。<変形例5>次に、図17に変形例5を示す。図17は本変形例の半導体装置の断面模式図の一例を示す。本変形例のリードフレーム1は、識別マークとして、単位リードフレーム10に半導体素子17を搭載した状態で半導体素子17が位置する側の面と反対側の面であって、ダイパッド11、吊りリード12及びリード15の中の少なくとも1つに形成された凹部24を含む。このような変形例の単位リードフレーム10に半導体素子17を搭載した場合、封止樹脂25による封止後、識別マークが外部環境にさらされてしまう。結果、識別マークが外部環境から影響を受けやすくなるほか、複数の半導体装置の外観が異なったものになってしまうなどの不都合が生じ得る。しかし、本変形例においても、単位リードフレーム10がリードフレーム1から個別に切り離された後であっても、識別マークを確認することで、リードフレーム1内において各単位リードフレーム10が存在した位置を識別することができる。また、本変形例では、識別マークは半導体装置の外観に現れているので、X線装置を用いずに、識別マークを観察することが可能となる。本変形例は、凹部24に代えて、封止後に外部環境にさらされる事となる貫通溝を、ダイパッド11、吊りリード12及びリード15の中の少なくとも1つに形成したものとすることもでき、上記と同様の作用効果を実現することができる。