金属基材上の、少なくとも片面もしくは両面に、一部もしくは全面に、電析によりめっき皮膜を析出させた後に、前記めっき皮膜の表面平滑化を加工して得られる、LED用部品材料において、触針式表面粗さ計による測定での表面粗さRaを0.010μm以上であり、かつ原子間力顕微鏡による測定で表面粗さSaが50nm以下であることで、反射率と封止材との密着性が向上したことを特徴とするLED用部品材料。前記めっき皮膜がAu、Ag、Cu、Pt、Rh、Alのいずれか、またはそれらの合金からなることを特徴とする請求項1に記載のLED用部品材料。前記金属基材上に金属層がn層nは1以上の整数設けられ、かつ前記めっき皮膜が前記金属基材上に、直接、または前記金属層の少なくとも1層を介して設けられることを特徴する請求項1または請求項2記載のLED用部品材料。前記請求項1~3のいずれか1項に記載のLED用部品材料を用いることを特徴とするLED用部品。従来使用されているリードフレームにおいても可視光域で良好な反射率を有しているが、LED全体としての発光効率は未だに20程度である。リードフレーム材の反射率を向上させることで、LED一個辺りの輝度を向上させることが可能になる。反射効率増加による省電力化、照明辺りのLED使用個数減など、多くのメリットが見込める。リードフレームと封止材との密着性が悪いと、発生した剥離部よりガスが浸透し、銀などのリードフレーム表面は変色し、反射率が低下してしまう。封止材の密着性を向上させたリードフレームが求められる。しかしながら、特許文献1のように、銀またはその合金皮膜を単純に形成しただけの場合、特に近紫外域における反射率の低下が大きく、可視光域の約400nm付近から300nm付近の反射率低下が避けられないことが分かった。特許文献2のように、銀または銀合金の皮膜の結晶粒径を0.5μm~30μmとすると、可視光域の反射率は良好であり、全体的な反射率改善効果は認められる。しかし、特許文献2の図8および図9に見られるように、近紫外域、特に355nm付近に吸収ピークが見られており、375nmのLEDチップを使用するとわずかながら可視光領域よりも反射率が低い部分に相当することがわかる。特許文献3では銀合金反射膜の表面粗さを2.0nm以下とすることで400~450nmの波長領域の反射率の改善をしている。しかし近紫外域における吸収ピークに関しての記述が無い。また、合金化により加熱時の劣化を抑えているが、リードフレーム材として使用するために必要な封止材との密着性を向上させることには至っていない。リードフレーム材の反射皮膜の合金化、結晶粒径といったものでは、反射率を十分に満足できず課題を解決できない。LEDの発光効率は年々改善されているものの未だに20程度であるので、反射率が10低いことは輝度の大幅な低下を意味する。近紫外域から可視光域340~800nmの反射率改善が必要とされる。また、単に平滑にするだけでは、封止材との密着性が不十分であり課題を解決できない。高い反射率を長期に渡って保持するためにリードフレーム材と封止材との密着性を向上させる必要がある。したがって、本発明は、LEDフォトカプラフォトインタラプタなどに使用される光半導体装置用リードフレームにおいて、近紫外域から可視光域における反射率が良好で、高輝度かつ封止材との密着性に優れたリードフレームを提供することを課題とする。またこの光半導体装置用リードフレームを用いたLED用部品を提供することを課題とする。本発明者らは上記問題に鑑み誠意検討を進めた結果、導電性基体上の最表面の反射層が電気めっき法で形成された光半導体装置用リードフレームにおいて、フレームの表面形状をマクロに、かつ、ミクロに制御することで、反射率を向上させ、かつ、樹脂密着性を高くできることを見いだした。ミクロな表面形状において、表面粗さを小さく、かつ、所定範囲に設定することで、近紫外域、特に355nm付近に吸収ピークが消滅することが明らかになった。同時に可視光域全域においても反射率を向上させることを見出した。一方、マクロな表面形状において、一定範囲の表面粗さとすることで、リードフレーム材と封止材との密着性以下、樹脂密着性と表現するが向上することを見出した。表面の平滑性を、マクロな表面粗さ、ミクロな表面粗さという2つの表面粗さを制御することで、樹脂密着性を高めながら反射率を向上させることを見出した。本発明におけるマクロな表面粗さとは、触針式表面粗さ計の測定距離で得られる表面粗さのことである。具体的には基材自体の微小なうねりなどが数値として現れる。測定距離は数mm~数十mmの間が適切であり、実験の結果より4mmの測定距離がマクロな表面粗さを最も良く表し、樹脂密着性との相関があることが分かった。JISB6010-2001に基づく方法により表面粗さRaを求め、圧延方向、垂直方向の2方向をそれぞれ5点測定し、その平均値をマクロな表面粗さとした。本発明におけるミクロな表面粗さとは、原子間力顕微鏡AtomicForceMicroscope:AFMの観察視野で得られる表面粗さのことである。このミクロな表面粗さは、マクロな表面粗さでは測定することができないが、反射率に大きく影響する。具体的にはめっき上がりのデンドライト状の析出の頻度などがこの数値として現れる。表面の数十nmオーダーの凹凸が反射率を低減させる原因であることを見いだした。このミクロな表面粗さを測定するためには、AFMを用い、数ミクロン~数十ミクロン視野内にて測定することが適切であり、実験の結果より6.16ミクロン×6.16ミクロンの視野による測定がミクロな表面粗さを最も良く表わし、反射率との相関があることが分かった。AFMを用い、6.16ミクロン×6.16ミクロンの視野にてnmオーダーの微細な凹凸の表面粗さSaを求めた。なお、リードフレームの大きな表面キズ、圧延筋の影響を小さくするため、リードフレームの任意の5点において測定し、その平均値をミクロな表面粗さとした。マクロな表面粗さを残しながら、ミクロな表面粗さを極力押さえることで、波長340~400nmの近紫外域と400nm付近~800nm付近の可視光領域の光両方に対して反射率に優れながら、高い樹脂密着性を有する半導体装置用リードフレームを得ることを見出した。この知見に基づき本発明をなすに至った。マクロな表面粗さは、基材の中間圧延、または、最終圧延で決定することが可能である。圧延条件やロール番手などを変えることでマクロな表面粗さを変化させることが可能である。ミクロな表面粗さは、めっき後の最表面に微細粒子を用いた機械的な研磨などの処理を施すことで変化させることが出来る。例えば機械的な研磨の場合は、番手や研磨時間などを変えることでミクロな表面粗さを変えることが可能である。また非接触な研磨として、化学研磨、電解研磨などの手法を用いても良い。また、圧延などの塑性加工において、ミクロな表面粗さとマクロな表面粗さを同時に制御することも工業的に有用である。例えば、基材にめっき等で反射皮膜層を形成した後に圧延することにより、圧延条件を適宜設定することでマクロな表面粗さを制御しながら、表面粗度を小さくした平滑ロールにてミクロな表面粗さを制御することも可能である。本発明の特徴として、これまで反射率の向上に寄与するとされてきた結晶粒径、方位などの因子例えば特許文献2は本質的に向上させる因子でないことを研究により明らかにし、表面の平滑性のみが反射率に影響を及ぼすことを見出したところにある。これにより、表面平滑化を得るあらゆる塑性加工を施した場合でも、結晶粒径、方位などの因子を気にすることなく、表面の平滑性のみに着目すればよいことが明らかになった。また、反射率に影響を及ぼすミクロな表面粗さだけに注目し表面を平滑にするだけでなく、基材の小さなうねりなどに対応するマクロな表面粗さをあえて粗くすることで樹脂密着性を向上させることを明らかにした。表面平滑化は2つの表面粗さをバランスさせることで決まり、近紫外域から可視光域における反射率が良好で、高輝度かつ封止材との密着性に優れたリードフレームを提供することを可能にした。すなわち、上記課題は以下の手段により解決される。1金属基材上の、少なくとも片面もしくは両面に、一部もしくは全面に、電析によりめっき皮膜を析出させた後に、前記めっき皮膜の表面平滑化を加工して得られる、LED用部品材料において、触針式表面粗さ計による測定での表面粗さRaを0.010μm以上であり、かつ原子間力顕微鏡による測定での表面粗さSaが50nm以下であることで、反射率と封止材との密着性が向上したことを特徴とするLED用部品材料。2前記めっき皮膜がAu、Ag、Cu、Pt、Rh、Alのいずれか、またはそれらの合金からなることを特徴する1項に記載のLED用部品材料。3前記金属基材上に金属層がn層nは1以上の整数設けられ、かつ前記めっき皮膜が前記金属基材上に、直接、または前記金属層の少なくとも1層を介して設けられることを特徴する1または2項に記載のLED用部品材料。4前記1~3項のいずれか1項に記載のLED用部品材料を用いることを特徴とするLED用部品。本発明の半導体装置用リードフレームは、波長340~400nmの近紫外域と可視光領域400nm付近~800nm付近の双方の光領域に対して反射率に優れ、かつ高い樹脂密着性を有する。本発明のLED用部品材料の製造方法を説明すると、例えば、導電性の材料の両面または片面に金属めっきを施す。金属めっきは電気めっき法により前記金属材料表面に析出させる方法により行う。金属めっき皮膜はAu、Ag、Cu、Pt、Rh、Alのいずれか、またはそれらの合金から形成する。金属めっき方法自体は通常の方法で行うことができる。得られためっき表面に対してコロイダルシリカなどによる研磨で表面を平滑にする。めっき表面を平滑にする手段は、あらゆる塑性加工の何であっても構わない。本発明において金属基材上の金属めっき膜自体の厚さは、めっき条件やその後の加工の施し方によって定めることができ、上記の研磨後において、好ましくは0.01~20μm、より好ましくは0.1~10μmとする。金属基材としては特に制限はないが、銅または銅基合金、または鉄または鉄基合金等が用いられる。金属基材の最終圧延時のロール粗度を変えることでマクロな表面粗さを変化させることが出来る。マクロな表面粗さは触針式表面粗さ計で測定することが出来る。マクロな表面粗さは好ましくはRaが0.010μm以上、より好ましくは0.020μm以上、より好ましくは0.030μm以上であるようにすることで樹脂密着性が向上する。また、マクロな表面粗さが0.100μmを超えると、基材表面の起伏が大きくなるため封止材が起伏の谷に十分に入り込まない。本質的な樹脂密着性が低下する分けではないが、接触面積が減少するため、結果として樹脂密着性が減少する。これによりマクロな表面粗さは0.060μm以下が好ましい。金属基材上の、少なくとも片面もしくは両面に、一部もしくは全面に、電析によりめっき皮膜を析出させた後に、前記めっき皮膜の表面を加工して得られるLED用部品材料において、ミクロな表面の粗さを規制する。ミクロな表面粗さは原子間力顕微鏡による視野角6.16μm×6.16μmでの測定で得る。ミクロな表面粗さRaは、好ましくは50nm以下で、より好ましくは30nm以下、特に好ましくは10nm以下、最も好ましくは5nm以下とすることでLED用部品材料の反射率が向上する。また、ミクロな表面粗さが2.0nm程度以下になると、マクロな表面粗さに関係なく樹脂密着力が低下するため、ミクロな表面粗さは3.0nm以上が好ましい。本発明において、マクロな表面粗さは、はんだ濡れ性、樹脂密着性に寄与して、LEDに好適な特性を付与するとともに、優れた平滑性を維持する。ミクロな表面粗さの制御は、反射率に直接寄与し、この粗さが小さい方ほど反射率が向上する。本発明における反射率は、Agめっきの場合、可視光域例えば400~800nmで全反射率が80以上光をそのまま反射させる白色LED用、近紫外光域例えば375nmで全反射率が70以上紫外光域は黄色の蛍光体で青色の波長を跳ね返すことで白色にするLED用という態様が好ましい。以下に、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。金属基材は古河電気工業株式会社製銅基合金EFTEC64T-CC18045商品名を使用した。幅100mmである。以下に示す前処理を行った後、以下に示す電気めっき処理を施すことで銀めっき層を1.0μmの厚さで形成させた。前処理条件[電解脱脂]脱脂液:NaOH60g/リットル脱脂条件:2.5A/dm2、温度60°C、脱脂時間60秒[酸洗]酸洗液:10硫酸酸洗条件:30秒浸漬、室温[銀ストライクめっき]めっき液:KAgCN24.45g/リットル、KCN60g/リットルめっき条件:電流密度5A/dm2、温度25°C[銀めっきめっき液:AgCN50g/リットル、KCN100g/リットル、K2CO330g/リットルめっき条件:電流密度1A/dm2、温度30°C前記金属基材の圧延加工工程において、最後に実施される圧延時のロール粗度を変えることでマクロな表面粗さをある程度制御することが出来る。実際の条製品ではある程度ばらつきが出るため、条件を振って作成した条の中から望みの粗さになっているものを選択し、それに前記めっきを施した。ロール粗度が小さい場合にはマクロな表面粗さが小さい基材、ロール粗度が大きい場合はマクロな表面粗さが大きい基材を得ることが出来る。実験において、ロールの表面粗さRzが小さい順に、得られる蝕針式のマクロな表面粗さが、それぞれ、Ra≒0.005μm、0.01μm、0.02μm、0.03μm、0.04μmとなるように異なるロールを使用して、マクロな表面粗さを制御した。得られためっきサンプルに対して、前記金属基材において表面形状が異なるサンプルを使用し、かつ、コロイダルシリカによる研磨を表1に示す時間施すことで、望みの表面粗さを得られるようにした。ここで、0秒は研磨していないめっき上がりのサンプルという意味である。コロイダルシリカはOP-S懸濁液OPSIF-5リットル入り商品名、丸本ストルアス株を使用した。触針式表面粗さ計SE-30H:製品名、株小坂研究所製にてマクロな表面粗さRaを測定した。測定距離は4mm、針の速度は0.8mm/sである。AFMMobileS:製品名、Nanosurfでミクロな表面粗さSaを測定した。視野角は6.16μm×6.16μmである。それぞれのサンプルを2.5cm×2.5cmに切り出し、分光光度計U-4100商品名、株日立ハイテクノロジーズ製において、全反射率を300nm~800nmにかけて連続測定を実施した。実施例に示す波長は、紫外光領域の代表値として375nm、可視光領域の閾値として下限を400nm、上限を800nm、可視光領域中の青色、緑色、黄色、赤色の代表的な波長として、それぞれ450nm、520nm、590nm、660nm、である。それぞれの波長に対する全反射率を表1に示した。連続測定の結果から、各波長間で全反射率が急落することはないことを確認している。樹脂密着性は前記めっきが施された前記金属基材にLED用シリコーン封止樹脂の皮膜を形成させ、前記樹脂皮膜にクロスカット試験1mm×1mm、剥離テープ:631S25ポリエステルフィルム粘着テープ:株式会社寺岡製作所製を行うことで評価を行った。評価基準は以下のとおり。◎:全くハガレが無い優○:端に浮きが見られる良△:多少の剥離が認められる可×:剥離してしまう不可Au、Cu、Rh、Pt、AlでもAgと同様の方法で評価を行った。以下に結果を示す。前記実施例1にあるコロイダルシリカの研磨による表面の平滑化を、ロールの表面粗さを変えた圧延による表面の平滑化に変え、同様の評価を行った。前記Agめっき層を形成させた後に、圧延工程を通すため、マクロな表面粗さとミクロな表面粗さが同時に変化することになる。圧延加工率を変えることでマクロな表面粗さとミクロな表面粗さを同時に変えることが可能である。圧延に使用するロール粗度を変化させることで、ある程度ミクロな表面粗さを制御することが可能である。同じ圧延加工率においてもロール粗度が小さければミクロな表面粗さは小さくなる。