"下記一般式1で表されるカルバゾール環構造を有する化合物1式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6は、互いに同一でも異なってもよく、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数5ないし10のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数5ないし10のシクロアルキルオキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基を表し、r1、r4、r5は同一でも異なってもよく、0または1~4の整数を表し、r2、r3、r6は同一でも異なってもよく、0または1~3の整数を表し、nは0または1の整数を表し、Ar1、Ar2、Ar3は互いに同一でも異なっていてもよく、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、または置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基を表す。但し、R1~R6の少なくともひとつ、またはAr1~Ar3の置換基の少なくともひとつは、重水素原子、もしくは重水素原子を含む置換基であるものとする。。前記一般式1において、Ar2が下記一般式2または3で表される1価基である、請求項1に記載のカルバゾール環構造を有する化合物2式中、R7、R8は、互いに同一でも異なってもよく、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数5ないし10のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数5ないし10のシクロアルキルオキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基を表し、r7は0または1~4の整数を表し、r8は0または1~3の整数を表し、Bは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素の2価基、置換もしくは無置換の芳香族複素環の2価基または置換もしくは無置換の縮合多環芳香族の2価基を表し、Ar4は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基または置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基を表す。但し、R7、R8の少なくともひとつ、もしくはAr4またはBの置換基の少なくともひとつは、重水素原子、もしくは重水素原子を含む置換基であるものとする。3式中、R9、R10は、互いに同一でも異なってもよく、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数5ないし10のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数5ないし10のシクロアルキルオキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基を表し、r9、r10は同一でも異なってもよく、0または1~3の整数を表し、Cは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素の2価基、置換もしくは無置換の芳香族複素環の2価基または置換もしくは無置換の縮合多環芳香族の2価基を表し、Ar5は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基または置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基を表し、W、X、Y、Zは炭素原子または窒素原子を表す。ここでW、X、Y、Zはそのいずれか1つのみが窒素原子であるものとし、この場合の窒素原子はR9の置換基を有さないものとする。但し、R9、R10の少なくともひとつ、もしくはAr5またはCの置換基の少なくともひとつは、重水素原子、もしくは重水素原子を含む置換基であるものとする。。前記一般式1においてnが0である、請求項1または請求項2に記載のカルバゾール環構造を有する化合物。前記一般式1においてnが1である、請求項1または請求項2に記載のカルバゾール環構造を有する化合物。下記一般式1’で表される、請求項4に記載のカルバゾール環構造を有する化合物1’式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6は、互いに同一でも異なってもよく、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数5ないし10のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数5ないし10のシクロアルキルオキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基を表し、r4、r5は同一でも異なってもよく、0または1~4の整数を表し、r1、r2、r3、r6は同一でも異なってもよく、0または1~3の整数を表し、Ar1、Ar2、Ar3は互いに同一でも異なっていてもよく、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、または置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基を表す。但し、R1~R6の少なくともひとつ、またはAr1~Ar3の置換基の少なくともひとつは、重水素原子、もしくは重水素原子を含む置換基であるものとする。。一対の電極とその間に挟まれた少なくとも一層の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記請求項1~5のいずれかに記載のカルバゾール環構造を有する化合物が、少なくとも一つの有機層の構成材料として用いられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。前記した有機層が正孔輸送層である請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記した有機層が正孔注入層である請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記した有機層が電子阻止層である請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記した有機エレクトロルミネッセンス素子において、更に燐光性の発光材料を含有する発光層を有することを特徴とする請求項6~9のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記した燐光性の発光材料がイリジウムまたは白金を含む金属錯体である請求項10に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。本発明の目的は、正孔の注入輸送性能に優れ、三重項励起子を閉じ込める高い能力を有し、電子阻止能力を有し、薄膜状態での安定性が高く、発光効率が高い優れた特性を有する有機化合物を提供し、更にこの化合物を用いて、高効率、高耐久性の有機EL素子、特に燐光発光有機EL素子を提供することにある。本発明の有機EL素子に用いられる、有機化合物が具備すべき物理的な特性としては、1正孔の注入特性がよいこと、2正孔の移動度が大きいこと、3高いT1を有すること、4電子阻止能力に優れること、5薄膜状態が安定であること6耐熱性に優れていることをあげることができる。また、本発明が提供しようとする有機EL素子が具備すべき物理的な特性としては、1発光効率および電力効率が高いこと、2発光開始電圧が低いこと、3実用駆動電圧が低いことをあげることができる。そこで本発明者らは上記の目的を達成するために、カルバゾール環構造が高いT1を有していること、電子阻止性に優れていること、正孔輸送性能に優れていることと、重水素原子で置換されることによる耐熱性や薄膜安定性への効果に期待して、カルバゾール環構造が連結した化合物を設計、選択し、該化合物を化学合成し、種々の有機EL素子を試作し、素子の特性評価を鋭意行った結果、本発明を完成するに至った。1すなわち、本発明は下記一般式1で表されるカルバゾール環構造を有する化合物である。1式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6は、互いに同一でも異なってもよく、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数5ないし10のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数5ないし10のシクロアルキルオキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基を表し、r1、r4、r5は同一でも異なってもよく、0または1~4の整数を表し、r2、r3、r6は同一でも異なってもよく、0または1~3の整数を表し、nは0または1の整数を表し、Ar1、Ar2、Ar3は互いに同一でも異なっていてもよく、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、または置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基を表す。但し、R1~R6の少なくともひとつ、またはAr1~Ar3の置換基の少なくともひとつは、重水素原子、もしくは重水素原子を含む置換基であるものとする。2また本発明は、前記一般式1において、Ar2が下記一般式2または3で表される1価基である、カルバゾール環構造を有する化合物である。2式中、R7、R8は、互いに同一でも異なってもよく、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数5ないし10のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数5ないし10のシクロアルキルオキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基を表し、r7は0または1~4の整数を表し、r8は0または1~3の整数を表し、Bは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素の2価基、置換もしくは無置換の芳香族複素環の2価基または置換もしくは無置換の縮合多環芳香族の2価基を表し、Ar4は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基または置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基を表す。但し、R7、R8の少なくともひとつ、もしくはAr4またはBの置換基の少なくともひとつは、重水素原子、もしくは重水素原子を含む置換基であるものとする。3式中、R9、R10は、互いに同一でも異なってもよく、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数5ないし10のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数5ないし10のシクロアルキルオキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基を表し、r9、r10は同一でも異なってもよく、0または1~3の整数を表し、Cは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素の2価基、置換もしくは無置換の芳香族複素環の2価基または置換もしくは無置換の縮合多環芳香族の2価基を表し、Ar5は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基または置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基を表し、W、X、Y、Zは炭素原子または窒素原子を表す。ここでW、X、Y、Zはそのいずれか1つのみが窒素原子であるものとし、この場合の窒素原子はR9の置換基を有さないものとする。但し、R9、R10の少なくともひとつ、もしくはAr5またはCの置換基の少なくともひとつは、重水素原子、もしくは重水素原子を含む置換基であるものとする。3また本発明は、前記一般式1においてnが0である、上記1または2に記載のカルバゾール環構造を有する化合物である。4また本発明は、前記一般式1においてnが1である、上記1または2に記載のカルバゾール環構造を有する化合物である。5また本発明は、一対の電極とその間に挟まれた少なくとも一層の有機層を有する有機EL素子において、上記1~4に記載のカルバゾール環構造を有する化合物が、少なくとも一つの有機層の構成材料として用いられていることを特徴とする有機EL素子である。6また本発明は、前記した有機層が正孔輸送層である上記5記載の有機EL素子である。7また本発明は、前記した有機層が正孔注入層である上記5記載の有機EL素子である。8また本発明は、前記した有機層が電子阻止層である上記5記載の有機EL素子である。9また本発明は、前記した有機EL素子において、更に燐光性の発光材料を含有する発光層を有することを特徴とする上記5~8のいずれか1項に記載の有機EL素子である。10また本発明は、前記した燐光性の発光材料がイリジウムまたは白金を含む金属錯体である上記9に記載の有機EL素子である。一般式1~3中のR1~R10で表される置換基を有していてもよい炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数5ないし10のシクロアルキル基における炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素原子数5ないし10のシクロアルキル基、としては、具体的に、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基、などをあげることができる。一般式1~3中のR1~R10で表される置換基を有している炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有している炭素原子数5ないし10のシクロアルキル基における置換基としては、具体的に、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、ニトロ基、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、スチリル基、フェノキシ基、トリルオキシ基、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基のような基をあげることができ、これらの置換基は更に置換されていてもよい。一般式1~3中のR1~R10で表される置換基を有していてもよい炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数5ないし10のシクロアルキルオキシ基における炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、炭素原子数5ないし10のシクロアルキルオキシ基としては、具体的に、メチルオキシ基、エチルオキシ基、n-プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、n-ブチルオキシ基、tert-ブチルオキシ基、n-ペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、1-アダマンチルオキシ基、2-アダマンチルオキシ基などをあげることができる。一般式1~3中のR1~R10で表される置換基を有している炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有している炭素原子数5ないし10のシクロアルキルオキシ基における置換基としては、具体的に、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、ニトロ基、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、スチリル基、フェノキシ基、トリルオキシ基、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基のような基をあげることができ、これらの置換基は更に置換されていてもよい。一般式1~3中のR1~R10、Ar1~Ar5、で表される置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基または置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基における芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または縮合多環芳香族基としては、具体的に、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、アセナフテニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピリジル基、フラニル基、ピラニル基、チエニル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、およびカルボリニル基などをあげることができる。好ましくは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基などをあげることができる。縮合多環芳香族の炭素数が増加するとT1が低くなるため、縮合多環芳香族の炭素数は20個以下であることが好ましい。一般式1~3中のR1~R10、Ar1~Ar5、で表される置換芳香族炭化水素基、置換芳香族複素環基または置換縮合多環芳香族基における置換基としては、具体的に、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、ニトロ基、炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素原子数5ないし10のシクロアルキル基、炭素原子数2ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、炭素原子数5ないし10のシクロアルキルオキシ基、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、スチリル基、フェノキシ基、トリルオキシ基、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基のような基をあげることができ、これらの置換基は更に置換されていてもよい。一般式1~3中のR1~R10、Ar1~Ar5で表される置換もしくは無置換のアリールオキシ基におけるアリールオキシ基としては、具体的に、フェノキシ基、ビフェニリルオキシ基、ターフェニリルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基、フェナントリルオキシ基、フルオレニルオキシ基、インデニルオキシ基、ピレニルオキシ基などをあげることができる。一般式1~3中のR1~R10、Ar1~Ar5で表される置換アリールオキシ基における置換基としては、具体的に、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、ニトロ基、炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素原子数5ないし10のシクロアルキル基、炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、炭素原子数5ないし10のシクロアルキルオキシ基、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、スチリル基、フェノキシ基、トリルオキシ基、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基のような基をあげることができ、これらの置換基は更に置換されていてもよい。一般式2~3中のBまたはCで表される、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素の2価基、置換もしくは無置換の芳香族複素環の2価基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族の2価基における芳香族炭化水素の2価基、芳香族複素環の2価基、縮合多環芳香族の2価基としては、具体的に、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、テトラキスフェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナントリレン基、フルオレニレン基、フェナントロリレン基、インデニレン基、ピレニレン基、アセナフテニレン基、フルオランテニレン基、トリフェニレニレン基、ピリジニレン基、ピリミジニレン基、キノリレン基、イソキノリレン基、インドリレン基、カルバゾリレン基、キノキサリレン基、ベンゾイミダゾリレン基、ピラゾリレン基、ナフチリジニレン基、フェナントロリニレン基、アクリジニレン基チエニレン基、ベンゾチエニレン基、ジベンゾチエニレン基などをあげることができる一般式2~3中のBまたはCで表される、置換芳香族炭化水素の2価基、置換芳香族複素環の2価基、置換縮合多環芳香族の2価基における置換基としては、具体的に、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、ニトロ基、炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素原子数5ないし10のシクロアルキル基、炭素原子数2ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、炭素原子数5ないし10のシクロアルキルオキシ基、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、スチリル基、フェノキシ基、トリルオキシ基、ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基のような基をあげることができ、これらの置換基は更に置換されていてもよい。本発明において、一般式1~3中のR1~R10の少なくともひとつ、もしくはAr1~Ar5またはB、Cの置換基の少なくともひとつは、重水素原子、もしくは重水素原子を含む置換基であることが好ましく、重水素原子、もしくは重水素原子を含む置換基は多い方がより好ましい。例えば、一般式1において、nが0でr1が4の時のR1の全て、nが1でr1が3の時のR1の全て、r2が3の時のR2の全て、r3が3の時のR3の全て、r4が4の時のR4の全て、nが1でr5が4の時のR5の全て、もしくは、nが1でr6が3の時のR6の全て、が重水素原子で置換されているのが好ましく、一般式2において、r7が4の時のR7の全て、もしくはr8が3の時のR8の全て、が重水素原子で置換されているのが好ましく、一般式3において、r9が3の時のR9の全て、もしくはr10が3の時のR10の全て、が重水素原子で置換されているのが好ましい。また、一般式1、一般式2または一般式3中のAr1~Ar5において、その全ての水素原子が重水素原子に置換されているか、もしくは置換基の全てが重水素原子で置換されている、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または縮合多環芳香族基であることが好ましい。また、一般式2または3中のB、Cにおいて、その全ての水素原子が重水素原子に置換されているか、もしくは置換基の全てが重水素原子で置換されている、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基または縮合多環芳香族基であることが好ましい。尚、一般式1で表されるカルバゾール環構造を有する化合物のうち、下記一般式1’で表される化合物が有機EL素子に用いるのに好ましい。1’式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6は、互いに同一でも異なってもよく、重水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数5ないし10のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数1ないし6の直鎖状もしくは分岐状のアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数5ないし10のシクロアルキルオキシ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基、置換もしくは無置換のアリールオキシ基を表し、r4、r5は同一でも異なってもよく、0または1~4の整数を表し、r1、r2、r3、r6は同一でも異なってもよく、0または1~3の整数を表し、Ar1、Ar2、Ar3は互いに同一でも異なっていてもよく、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香族複素環基、または置換もしくは無置換の縮合多環芳香族基を表す。但し、R1~R6の少なくともひとつ、またはAr1~Ar3の置換基の少なくともひとつは、重水素原子、もしくは重水素原子を含む置換基であるものとする。本発明の有機EL素子に用いられる、一般式1で表される、カルバゾール環構造を有する化合物は、三重項励起子を閉じ込める能力が高く、優れた電子阻止能力と耐熱性を有し、かつ薄膜状態が安定である。本発明の有機EL素子に用いられる、一般式1で表される、カルバゾール環構造を有する化合物は、有機EL素子、特に燐光発光有機EL素子の正孔注入層および/または正孔輸送層の構成材料として使用することができる。該化合物は、正孔の注入性が高く、移動度が大きく、T1が高く、しかも電子に対する安定性が高いため、燐光性の発光材料を含有する発光層内で生成した三重項励起子を閉じ込めることができ、更に正孔と電子が再結合する確率を向上させ、高発光効率を得ることができると共に、駆動電圧が低下して、有機EL素子の耐久性が向上するという作用を有する。本発明の有機EL素子に用いられる、一般式1で表される、カルバゾール環構造を有する化合物は、有機EL素子、特に燐光発光有機EL素子の電子阻止層の構成材料として使用することができる。三重項励起子を閉じ込める能力に優れていると共に正孔輸送性に優れ、かつ薄膜状態の安定性の高い材料を用いることにより、高い発光効率を有しながら、駆動電圧が低下し、電流耐性が改善されて、有機EL素子の最大発光輝度が向上するという作用を有する。本発明の有機EL素子に用いられる、一般式1で表される、カルバゾール環構造を有する化合物は、有機EL素子、特に燐光発光有機EL素子の発光層の構成材料としても使用することができる。該化合物は、正孔輸送性に優れ、かつバンドギャップが広いため、該化合物を発光層のホスト材料として用い、ドーパントと呼ばれている燐光発光体を担持させて、発光層として用いることにより、駆動電圧が低下し、発光効率が改善された有機EL素子を実現できるという作用を有する。本発明の有機EL素子は、正孔の移動度が大きく、優れた三重項励起子を閉じ込める能力を有し、かつ薄膜状態が安定なカルバゾール環構造を有する化合物を用いているため、高効率、高耐久性を実現することが可能となった。本発明で有機EL素子に用いられる、カルバゾール環構造を有する化合物は、有機EL素子、特に燐光発光有機EL素子の正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層の構成材料として有用であり、三重項励起子を閉じ込める能力に優れ、薄膜状態が安定で、耐熱性に優れている。本発明の有機EL素子は発光効率および電力効率が高く、このことにより素子の実用駆動電圧を低くさせることができる。更に発光開始電圧を低くさせ、耐久性を向上させることができる。本発明で使用されるカルバゾール環構造を有する化合物は新規な化合物であり、重水素化した原料を用いて公知の方法例えば、特許文献3参照によって合成できる。また、例えば以下の方法によっても合成できる。まず、相当する9位をアリール基で置換されたカルバゾールをN-ブロモスクシンイミドなどによるブロモ化を行うことによって、3-ブロモ-9-アリールカルバゾールなどのモノブロモカルバゾールまたは3,6-ジブロモ-9-アリールカルバゾールなどのジブロモカルバゾールを合成し例えば、非特許文献6参照、このモノブロモカルバゾールとピナコールボランやビスジボロンなどとの反応で合成されるボロン酸またはボロン酸エステル例えば、非特許文献7参照と、ジブロモカルバゾールまたはモノブロモカルバゾールをSuzukiカップリングなどのクロスカップリング反応例えば、非特許文献8参照を行うことによって、ビスN-アリール-9’H-カルバゾール-3’-イル-9-アリール-9H-カルバゾールまたはN-アリール-9’H-カルバゾール-3’-イル-9H-カルバゾールなどを合成することができる。また、N-アリール-9’H-カルバゾール-3’-イル-9H-カルバゾールと、種々のジハロゲノアリーレンとのウルマン反応などの縮合反応によって得られるN-アリール-9’H-カルバゾール-3’-イル-9-ハロゲノアリール-カルバゾールと9-アリールカルバゾールの3-ボロン酸またはボロン酸エステルをSuzukiカップリングなどのクロスカップリング反応例えば、非特許文献8参照を行うことによって、カルバゾール環構造を有する化合物を合成することができる。上記製造方法の中でカルバゾールまたはアリール基などの相当する位置を重水素原子で置換した原料を使用することによって、目的とする重水素置換されたカルバゾール環構造を持つ化合物を合成できる。一般式1で表されるカルバゾール環構造を有する化合物の中で、好ましい化合物の具体例を以下に示すが、本発明は、これらの化合物に限定されるものではない。化合物5化合物6化合物7化合物8化合物9化合物10化合物11化合物12化合物13化合物14化合物15化合物16化合物17化合物18化合物19化合物20化合物21化合物22化合物23化合物24化合物25化合物26化合物27化合物28化合物29化合物30化合物31化合物32化合物33化合物34化合物35化合物36化合物37化合物38化合物39化合物40化合物41化合物42化合物43化合物44化合物45化合物46化合物47化合物48化合物49化合物50化合物51化合物52化合物53化合物54これらの化合物の精製はカラムクロマトグラフによる精製、シリカゲル、活性炭、活性白土等による吸着精製、溶媒による再結晶や晶析法などによって行った。化合物の同定は、NMR分析によって行った。物性値として、ガラス転移点Tgと仕事関数の測定を行った。ガラス転移点Tgは薄膜状態の安定性の指標となり、仕事関数は正孔輸送性の指標となるものである。ガラス転移点Tgは、粉体を用いて高感度示差走査熱量計ブルカーエイエックスエス製、DSC3100Sによって求めた。仕事関数は、ITO基板の上に100nmの薄膜を作製して、理研計器製の大気中光電子分光装置AC-3型を用いて測定した。これらの化合物のT1は、測定した燐光スペクトルより算出できる。燐光スペクトルは市販の分光光度計を用いて測定できる。一般的な燐光スペクトルの測定方法としては溶媒に溶解し、低温下励起光を照射して測定する方法例えば、非特許文献9参照、あるいは、シリコン基板上に蒸着して薄膜とし、低温下励起光を照射して燐光スペクトルを測定する方法などがある例えば、特許文献8参照。T1は、燐光スペクトルの短波長側の第1ピークの波長あるいは短波長側の立ち上がり位置の波長を読み取り、下記の式に従って光のエネルギー値に換算することによって算出できる。T1は燐光発光体の三重項励起子の閉じ込めの指標となる。ここで、Eは光エネルギーの値を、hはプランク定数6.63×10-34Jsを、cは光速3.00×108m/sを、λは燐光スペクトルの短波長側の立ち上がるところの波長nmを表す。そして、1eVは1.60×10-19Jとなる。本発明の有機EL素子の構造としては、基板上に順次に、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極からなるもの、また、電子輸送層と陰極の間に更に電子注入層を有するものがあげられる。これらの多層構造においては有機層を何層か省略することが可能である。前記発光層、前記正孔輸送層、前記電子輸送層においては、それぞれが2層以上積層された構造であってもよい。本発明の有機EL素子の陽極としては、ITOや金のような仕事関数の大きな電極材料が用いられる。本発明の有機EL素子の正孔注入層として、本発明の一般式1で表されるカルバゾール環構造を有する化合物のほか、銅フタロシアニンに代表されるポルフィリン化合物、スターバースト型のトリフェニルアミン誘導体、分子中にトリフェニルアミン構造を3個以上、単結合またはヘテロ原子を含まない2価基で連結した構造を有するアリールアミン化合物などのトリフェニルアミン3量体および4量体、ヘキサシアノアザトリフェニレンのようなアクセプター性の複素環化合物や塗布型の高分子材料を用いることができる。これらの材料は蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって薄膜形成を行うことができる。本発明の有機EL素子の正孔輸送層として、本発明の一般式1で表されるカルバゾール環構造を有する化合物のほか、TPDやα-NPD、N,N,N’,N’-テトラビフェニリルベンジジンなどのベンジジン誘導体、TAPC、種々のトリフェニルアミン3量体および4量体などを用いることができる。これらは、単独で成膜してもよいが、他の材料とともに混合して成膜した単層として使用してもよく、単独で成膜した層同士、混合して成膜した層同士、または単独で成膜した層と混合して成膜した層の積層構造としてもよい。また、正孔の注入輸送層として、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン以後、PEDOTと略称する/ポリスチレンスルフォネート以後、PSSと略称するなどの塗布型の高分子材料を用いることができる。これらの材料は蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって薄膜形成を行うことができる。また、正孔注入層あるいは正孔輸送層において、該層に通常使用される材料に対し、更にトリスブロモフェニルアミンヘキサクロルアンチモンなどをPドーピングしたものや、TPDの構造をその部分構造に有する高分子化合物などを用いることができる。本発明の有機EL素子の電子阻止層として、本発明の一般式1で表されるカルバゾール環構造を有する化合物のほか、4,4’4’’-トリN-カルバゾリルトリフェニルアミン以後、TCTAと略称する、9,9-ビス[4-カルバゾール-9-イルフェニル]フルオレン、1,3-ビスカルバゾール-9-イルベンゼン以後、mCPと略称する、2,2-ビス4-カルバゾール-9-イルフェニルアダマンタンなどのカルバゾール誘導体、9-[4-カルバゾール-9-イルフェニル]-9-[4-トリフェニルシリルフェニル]-9H-フルオレンに代表されるトリフェニルシリル基とトリアリールアミン構造を有する化合物などの電子阻止作用を有する化合物を用いることができる。これらは、単独で成膜してもよいが、他の材料とともに混合して成膜した単層として使用してもよく、単独で成膜した層同士、混合して成膜した層同士、または単独で成膜した層と混合して成膜した層の積層構造としてもよい。これらの材料は蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって薄膜形成を行うことができる。本発明の有機EL素子の発光層として、Alq3をはじめとするキノリノール誘導体の金属錯体の他、各種の金属錯体、アントラセン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、ピレン誘導体、オキサゾール誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体などを用いることができる。また、発光層をホスト材料とドーパント材料とで構成してもよく、ホスト材料として、本発明の一般式1で表されるカルバゾール環構造を有する化合物のほか、前記発光材料に加え、チアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ポリジアルキルフルオレン誘導体などを用いることができる。またドーパント材料としては、キナクリドン、クマリン、ルブレン、ペリレンおよびそれらの誘導体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、アミノスチリル誘導体などを用いることができる。これらは、単独で成膜してもよいが、他の材料とともに混合して成膜した単層として使用してもよく、単独で成膜した層同士、混合して成膜した層同士、または単独で成膜した層と混合して成膜した層の積層構造としてもよい。また、発光材料として燐光性の発光材料を使用することも可能である。燐光性の発光体としては、イリジウムや白金などの金属錯体の燐光発光体を使用することができる。Irppy3などの緑色の燐光発光体、FIrpic、FIr6などの青色の燐光発光体、Btp2Iracacなどの赤色の燐光発光体などが用いられ、このときのホスト材料としては正孔注入輸送性のホスト材料として、4,4’-ジN-カルバゾリルビフェニル以後、CBPと略称するやTCTA、mCPなどのカルバゾール誘導体などに加え、本発明の一般式1で表されるカルバゾール環構造を有する化合物を用いることができる。電子輸送性のホスト材料として、p-ビストリフェニルシリルベンゼンや下記式で表される2,2’2’’--トリス1-フェニル-1H-ベンズイミダゾール以後、TPBIと略称するなどを用いることができる。燐光性の発光材料のホスト材料へのドープは濃度消光を避けるため、発光層全体に対して1~30重量パーセントの範囲で、共蒸着によってドープすることが好ましい。また、本発明の有機EL素子に用いられる一般式1で表されるカルバゾール環構造を有する化合物を用いて作製した発光層に、仕事関数の異なる化合物をホスト材料として用いて作製した発光層を隣接させて積層した構造の素子を作製することができる例えば、非特許文献10および非特許文献11参照。これらの材料は蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって薄膜形成を行うことができる。本発明の有機EL素子の正孔阻止層として、バソクプロイン以後、BCPと略称するなどのフェナントロリン誘導体や、アルミニウムIIIビス2-メチル-8-キノリナート-4-フェニルフェノレート以後、BAlqと略称するなどのキノリノール誘導体の金属錯体の他、各種の希土類錯体、オキサゾール誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体など、正孔阻止作用を有する化合物が用いられる。これらの材料は電子輸送層の材料を兼ねてもよい。これらは、単独で成膜してもよいが、他の材料とともに混合して成膜した単層として使用してもよく、単独で成膜した層同士、混合して成膜した層同士、または単独で成膜した層と混合して成膜した層の積層構造としてもよい。これらの材料は蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって薄膜形成を行うことができる。本発明の有機EL素子の電子輸送層として、Alq3、BAlqをはじめとするキノリノール誘導体の金属錯体のほか、各種金属錯体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、カルボジイミド誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、シロール誘導体などを用いることができる。これらは、単独で成膜してもよいが、他の材料とともに混合して成膜した単層として使用してもよく、単独で成膜した層同士、混合して成膜した層同士、または単独で成膜した層と混合して成膜した層の積層構造としてもよい。これらの材料は蒸着法の他、スピンコート法やインクジェット法などの公知の方法によって薄膜形成を行うことができる。本発明の有機EL素子の電子注入層として、フッ化リチウム、フッ化セシウムなどのアルカリ金属塩、フッ化マグネシウムなどのアルカリ土類金属塩、酸化アルミニウムなどの金属酸化物などを用いることができるが、電子輸送層と陰極の好ましい選択においては、これを省略することができる。更に、電子注入層あるいは電子輸送層において、該層に通常使用される材料に対し、更にセシウムなどの金属をNドーピングしたものを用いることができる。本発明の有機EL素子の陰極として、アルミニウムのような仕事関数の低い電極材料や、マグネシウム銀合金、マグネシウムインジウム合金、アルミニウムマグネシウム合金のような、より仕事関数の低い合金が電極材料として用いられる。本発明の有機EL素子の各層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄い場合、ピンホールなどの欠陥が生じる可能性が高くなり、膜厚が厚い場合、印加電圧が高くなる傾向にあるため、通常は0.1nm~1μmの範囲であり、0.3nm~500nmの範囲が好ましい。以下、本発明の実施の形態について、実施例により具体的に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。<3,6-ビス9’-フェニル-d5-9’H-カルバゾール-3-イル-9-フェニル-d5-9H-カルバゾール化合物11の合成>3-ブロモカルバゾールと3-4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル-9H-カルバゾールのカップリング反応によって合成した3,6-ビス9’H-カルバゾール-3-イル-9H-カルバゾール2.4gと、ブロモベンゼン-d52.3g、酢酸パラジウム77mg、ナトリウムターシャリーブトキシド1.65g、トルエン74mlをアルゴン置換した反応容器に加え、超音波を照射しながら30分間アルゴンガスを通気した。トリターシャリーブチルホスフィン0.3mlを加えて加熱し、90°Cで12時間攪拌した。50°Cまで冷却した後、メタノール5mlを加え、不溶物をろ過によって除き、ろ液を減圧下で濃縮した。トルエン70mlを加えて溶解し、シリカゲル7gを用いた吸着精製を行った。濃縮した後、メタノール50mlを加えて結晶を析出させ、トルエン/n-ヘキサンを用いた再結晶による精製を3回繰返した。更に、酢酸エチル20mlによる加熱しながらの分散洗浄を行うことによって精製して粗製物を得た。粗製物にトルエン50mlを加えて溶解し、活性白土1gを用いた吸着精製を行った後、メタノールで晶析することによって、3,6-ビス9’-フェニル-d5-9’H-カルバゾール-3-イル-9-フェニル-d5-9H-カルバゾールの白色粉体1.96g収率47を得た。得られた褐白色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。1H-NMR測定結果を図1に示した。1H-NMRTHF-d8で以下の20個の水素のシグナルを検出した。δppm=8.702H、8.602H、8.282H、7.86‐7.834H、7.54‐7.504H、7.43‐7.374H、7.272H。<3,6-ビス9’-フェニル-9’H-カルバゾール-3-イル-9-フェニル-d5-9H-カルバゾール化合物12の合成>9H-カルバゾールとブロモベンゼン-d5のカップリング反応を行った後に、ブロモ化を行うことによって合成した3,6-ジブロモ-9-フェニル-d5-9H-カルバゾール26.1gと、9-フェニル-3-4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル-9H-カルバゾール48.7g、トルエン326ml、エタノール82ml、2M炭酸カリウム水溶液95mlを窒素置換した反応容器に加え、超音波を照射しながら30分間窒素ガスを通気した。テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム2.23gを加えて加熱し、72°Cで6.5時間攪拌した。室温まで放冷した後、メタノール650mlを加え、析出する粗製物をろ過によって採取した。粗製物にトルエン1130mlを加えて溶解し、ジアミンシリカゲル18.5gを用いた吸着精製を行った後、更にシリカゲル18.5gを用いた吸着精製を行った。減圧下濃縮した後、トルエン/n-ヘキサンを用いた再結晶による精製を3回繰返した。メタノールによる加熱しながらの分散洗浄を行うことによって精製して3,6-ビス9’-フェニル-9’H-カルバゾール-3-イル-9-フェニル-d5-9H-カルバゾールの白色粉体32.3g収率69を得た。得られた白色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。1H-NMR測定結果を図2に示した。1H-NMRTHF-d8で以下の30個の水素のシグナルを検出した。δppm=8.702H、8.602H、8.282H、7.86‐7.834H、7.66‐7.658H、7.54‐7.496H、7.42-7.364H、7.272H。<3,6-ビス9’-フェニル-9’H-カルバゾール-3-イル-9-4-フェニル-d5フェニル-9H-カルバゾール化合物54の合成>9H-カルバゾールと1-ブロモ-4-フェニル-d5ベンゼンのカップリング反応を行った後に、ブロモ化を行うことによって合成した3,6-ジブロモ-9-4-フェニル-d5フェニル-9H-カルバゾール4.50gと、9-フェニル-3-4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル-9H-カルバゾール7.06g、トルエン67.5ml、エタノール17ml、2M炭酸カリウム水溶液14mlを窒素置換した反応容器に加え、超音波を照射しながら30分間窒素ガスを通気した。テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム324.4mgを加えて加熱し、72°Cで8.5時間攪拌した。室温まで放冷した後、メタノール130mlを加え、析出する粗製物をろ過によって採取した。粗製物にトルエン225mlを加えて溶解し、ジアミンシリカゲル3.5gを用いた吸着精製を行った後、更にシリカゲル7.5gを用いた吸着精製を行った。減圧下濃縮した後、トルエン/メタノールを用いた再結晶による精製を2回繰返した。更に1,2-ジクロロベンゼンを用いた再結晶による精製を2回繰返した後、メタノールによる加熱しながらの分散洗浄を行うことによって精製して3,6-ビス9’-フェニル-9’H-カルバゾール-3-イル-9-4-フェニル-d5フェニル-9H-カルバゾールの白色粉体4.22g収率56を得た。得られた白色粉体についてNMRを使用して構造を同定した。1H-NMR測定結果を図3に示した。1H-NMRTHF-d8で以下の34個の水素のシグナルを検出した。δppm=8.712H、8.612H、8.282H、7.952H、7.86‐7.844H、7.772H、7.65-7.608H、7.582H、7.50‐7.474H、7.42‐7.374H、7.272H。本発明で用いられる化合物および下記構造式の比較化合物55について、高感度示差走査熱量計ブルカーエイエックスエス製、DSC3100Sによってガラス転移点を求めた。ガラス転移点本発明実施例1の化合物155.0°C本発明実施例2の化合物159.7°C本発明実施例3の化合物163.8°C比較化合物55142.5°C比較化合物55本発明で用いられる化合物は100°C以上のガラス転移点を有しており、本発明で用いられる化合物において薄膜状態が安定であることを示すものである。そして、重水素原子で置換することによって、耐熱性や薄膜状態の安定性の向上を達成できることを示すものである。本発明で用いられる化合物および前記構造式の比較化合物55を用いて、ITO基板の上に膜厚100nmの蒸着膜を作製して、大気中光電子分光装置理研計器製、AC-3型で仕事関数を測定した。仕事関数本発明実施例1の化合物5.46eV本発明実施例2の化合物5.45eV本発明実施例3の化合物5.60eV比較化合物555.44eVこのように本発明で用いられる化合物はα-NPD、TPDなどの一般的な正孔輸送材料がもつ仕事関数5.4eVと比較して、好適なエネルギー準位を示しており、良好な正孔輸送能力を有していることが分かる。本発明で用いられる化合物について、1.0×10-5mol/Lの2-メチルテトラヒドロフラン溶液を調製した。調製した溶液を専用の石英管に入れ、純窒素を通気することによって酸素分を除き、更に酸素分が混入しないようにセプタムラバーによる栓をした。77Kに冷却した後、蛍光リン光分光光度計堀場製作所製、FluoroMax-4型を用い、励起光を照射して燐光スペクトルを測定した。燐光スペクトルの短波長側の第1ピークの波長を読み取り、該波長値を光のエネルギーに換算してT1を算出した。T1本発明実施例1の化合物2.74eV本発明実施例2の化合物2.75eV本発明実施例3の化合物2.68eVCBP2.56eVFIrpic2.62eVIrppy32.42eVα-NPD2.29eVこのように本発明で用いられる化合物は一般的に用いられている青色燐光材料であるFIrpic、緑色燐光材料であるIrppy3や一般的に用いられるホスト材料であるCBP、一般的に用いられる正孔輸送材料であるα-NPDがもつT1より大きい値を有しており、発光層で励起された三重項励起子を充分閉じ込める能力を有している。有機EL素子は、図4に示すような、ガラス基板1上に透明陽極2としてITO電極をあらかじめ形成したものの上に、正孔輸送層3、発光層4、正孔阻止層5、電子輸送層6、電子注入層7、陰極アルミニウム電極8の順に蒸着して作製した。具体的には、膜厚150nmのITOを成膜したガラス基板1を有機溶媒で洗浄した後に、酸素プラズマ処理にて表面を洗浄した。その後、このITO電極付きガラス基板を真空蒸着機内に取り付け0.001Pa以下まで減圧した。続いて、透明陽極2を覆うように正孔輸送層3として本発明実施例1の化合物化合物11を膜厚50nmとなるように形成した。この正孔輸送層3の上に、発光層4としてTPBIとIrppy3を、蒸着速度比がTPBI:Irppy3=928となる蒸着速度で二元蒸着を行い、膜厚20nmとなるように形成した。この発光層4の上に、正孔阻止層5としてBCPを膜厚10nmとなるように形成した。この正孔阻止層5の上に、電子輸送層6としてAlq3を膜厚30nmとなるように形成した。この電子輸送層6の上に、電子注入層7としてフッ化リチウムを膜厚0.5nmとなるように形成した。最後に、アルミニウムを膜厚150nmとなるように蒸着して陰極8を形成した。作製した有機EL素子について、大気中、常温で特性測定を行なった。作製した有機EL素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表1にまとめて示した。実施例7において、正孔輸送層3の材料として本発明実施例1の化合物化合物11に代えて本発明実施例2の化合物化合物12を膜厚50nmとなるように形成した以外は、同様の条件で有機EL素子を作製した。作製した有機EL素子について、大気中、常温で特性測定を行なった。作製した有機EL素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表1にまとめて示した。[比較例1]比較のために、実施例7において、正孔輸送層3の材料として本発明実施例1の化合物化合物11に代えて前記構造式の比較化合物55を膜厚50nmとなるように形成した以外は、同様の条件で有機EL素子を作製した。作製した有機EL素子について、大気中、常温で特性測定を行なった。作製した有機EL素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表1にまとめて示した。[比較例2]比較のために、実施例7において、正孔輸送層3の材料として本発明実施例1の化合物化合物11に代えてα-NPDを膜厚50nmとなるように形成した以外は、同様の条件で有機EL素子を作製した。作製した有機EL素子について、大気中、常温で特性測定を行なった。作製した有機EL素子に直流電圧を印加したときの発光特性の測定結果を表1にまとめて示した。表1に示す様に、電流密度10mA/cm2の電流を流したときの駆動電圧は、正孔輸送層の材料として、本発明の実施例1~2の化合物化合物11および化合物12を使用した場合5.44~5.55Vは比較化合物55を用いた場合5.41Vとほぼ同程度であって、α-NPDを用いた場合6.54Vより大きく低電圧化した。そして、発光輝度、発光効率、電力効率のいずれにおいても、本発明の実施例1~2の化合物化合物11および化合物12を用いた場合は、α-NPDを用いた場合より大きく向上しており、比較化合物55を用いた場合よりも向上する結果となった。上記と同一の有機EL素子を用いて発光開始電圧を測定した結果を以下に示した。有機EL素子正孔輸送層材料発光開始電圧[V]実施例7化合物112.7実施例8化合物122.7比較例1比較化合物552.7比較例2α-NPD2.9その結果、実施例7~8では、比較化合物55を使用した比較例1と同程度の発光開始電圧を維持しており、α-NPDを使用した比較例2に対し、低電圧化していることが分かる。以上のように、本発明で用いられる一般式1で表されるカルバゾール環構造を有する化合物を正孔輸送層の材料として用いた有機EL素子は、一般的に用いられているα-NPDを正孔輸送層の材料として用いた有機EL素子より、発光輝度、発光効率や電力効率の大きな向上を達成できることがわかった。そして、重水素原子で置換されていない比較化合物55を正孔輸送層の材料として用いた有機EL素子と比較しても、発光輝度、発光効率、電力効率の向上を達成できることがわかった。"