"第1の界面活性剤、第2の界面活性剤、塩基性化合物及び水を含み、pHが8以上である表面処理組成物であって、前記第2の界面活性剤の重量平均分子量が前記第1の界面活性剤の重量平均分子量の1/2倍以下であり、かつ、前記第1の界面活性剤の含有量と前記第2の界面活性剤の含有量の合計が0.00001~0.1質量であることを特徴とする表面処理組成物。前記第1の界面活性剤の総炭素数と前記第2の界面活性剤の総炭素数の合計に対する前記第2の界面活性剤の総炭素数の割合が1~90であることを特徴とする請求項1に記載の表面処理組成物。前記第1の界面活性剤の重量平均分子量が500~20,000であることを特徴とする請求項1又は2に記載の表面処理組成物。前記第1の界面活性剤及び前記第2の界面活性剤がいずれもノニオン性界面活性剤であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の表面処理組成物。さらに、粒子成分を含むことを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の表面処理組成物。前記粒子成分が二酸化ケイ素であることを特徴とする請求項5に記載の表面処理組成物。さらに、濡れ剤を含むことを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の表面処理組成物。シリコンウェーハを表面処理する用途で用いられることを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の表面処理組成物。基板の表面を研磨又はリンスする用途で用いられることを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の表面処理組成物。請求項1~9のいずれか一項に記載の表面処理組成物を調製するためのキットであって、第1の界面活性剤と、前記第1の界面活性剤の重量平均分子量の1/2倍以下の重量平均分子量を有する第2の界面活性剤と、塩基性化合物とを含むことを特徴とするキット。請求項1~7のいずれか一項に記載の表面処理組成物を用いて基板の表面を研磨、洗浄、リンス又はエッチングすることを特徴とする表面処理方法。請求項1~7のいずれか一項に記載の表面処理組成物を用いて基板の表面を研磨又はリンスすることを特徴とする表面処理方法。前記基板がシリコンウェーハであることを特徴とする請求項11又は12に記載の表面処理方法。そこで本発明は、表面処理組成物中に含まれる塩基性化合物の作用によって起こり得る不均一又は過度なエッチングが原因の基板表面の荒れを抑制すること、すなわち基板表面のヘイズをより低減することができる表面処理組成物を提供することを主な課題とする。本発明の発明者は、鋭意研究の結果、塩基性化合物を含んだpHが8以上の表面処理組成物中に分子量の異なる少なくとも2種の界面活性剤を配合すること、より具体的には第1の界面活性剤と第1の界面活性剤の重量平均分子量の1/2倍以下の重量平均分子量を有する第2の界面活性剤とを組み合わせて配合することで、塩基性化合物による基板表面のエッチング作用がコントロールできることを見出した。本発明はこの知見に基づいてなされたものである。すなわち、上記の課題を解決するために、本発明の第1の態様では、第1の界面活性剤、第2の界面活性剤、塩基性化合物及び水を含み、pHが8以上である表面処理組成物であって、前記第2の界面活性剤の重量平均分子量が前記第1の界面活性剤の重量平均分子量の1/2倍以下であり、かつ、前記第1の界面活性剤の含有量と前記第2の界面活性剤の含有量の合計が0.00001~0.1質量である表面処理組成物を提供する。本発明の第2の態様では、前記第1の態様の表面処理組成物を調製するためのキットを提供する。本発明の第3の態様では、前記第1の態様の表面処理組成物を用いて基板を表面処理する方法を提供する。本発明によれば、塩基性化合物による基板表面のエッチング作用を好適にコントロールすることができ、その結果、基板表面の荒れを抑制してヘイズを低減することができる表面処理組成物及び表面処理方法が提供される。また、本発明によれば、そのような表面処理組成物を簡便に調製することができるキットも提供される。以下、本発明の実施形態を説明する。[1]本発明の表面処理組成物本発明の表面処理組成物は、第1の界面活性剤、第2の界面活性剤、塩基性化合物、及び水を含み、pHが8以上である。<界面活性剤>本発明の表面処理組成物中に含まれる第1の界面活性剤と第2の界面活性剤は分子量が相異なる。具体的には、第2の界面活性剤は、第1の界面活性剤の重量平均分子量の1/2倍以下の重量平均分子量を有する。第2の界面活性剤の重量平均分子量が第1の界面活性剤の重量平均分子量の1/2倍を上回る場合には、基板表面の荒れを抑制する十分な効果を得ることができない。表面処理組成物中の第1の界面活性剤の含有量と第2の界面活性剤の含有量の合計は、0.00001質量以上である必要があり、好ましくは0.0001質量以上である。第1の界面活性剤と第2の界面活性剤の含有量の合計が0.00001質量未満の場合には、基板表面の荒れを抑制する十分な効果を得ることができない。また、表面処理組成物中の第1の界面活性剤の含有量と第2の界面活性剤の含有量の合計は、0.1質量以下である必要があり、好ましくは0.05質量以下である。第1の界面活性剤と第2の界面活性剤の含有量の合計が0.1質量を超える場合には、基板表面の荒れを抑制する十分な効果を得ることができないだけでなく、表面処理組成物が泡立ちやすくなるという不都合も生じる。第1の界面活性剤と第2の界面活性剤を組み合わせて用いることにより基板表面の荒れが抑制される詳細なメカニズムは明らかではないが、以下のように推測される。すなわち、第1の界面活性剤と第2の界面活性剤はいずれも基板表面に吸着して、塩基性化合物の作用によって起こり得る不均一又は過度なエッチングから基板表面を保護する働きをするが、第1の界面活性剤は、分子量が比較的大きいために、第2の界面活性剤に比べて基板表面を保護する効果が大きい半面、隙間なく基板表面に吸着することはできない。一方、分子量の比較的小さい第2の界面活性剤は、第1の界面活性剤が吸着しきれない隙間を埋めるようにして基板表面に吸着することが可能である。そのため、第1の界面活性剤と第2の界面活性剤を組み合わせて用いることで基板表面を密に保護することができ、基板表面の荒れが抑制されると考えられる。第1の界面活性剤の総炭素数と第2の界面活性剤の総炭素数の合計に対する第2の界面活性剤の総炭素数の割合は、1以上であることが好ましく、より好ましくは5以上、さらに好ましくは15以上、最も好ましくは30以上である。この割合が1以上の場合、さらに言えば5以上、15以上又は30以上の場合には、基板表面の荒れをより一層抑制することができる。その理由は明らかではないが、第2の界面活性剤中の炭素原子は第2の界面活性剤が基板表面に吸着するときに吸着点として働くと考えられるため、第2の界面活性剤の総炭素数が増えることにより、第1の界面活性剤が吸着しきれない隙間を埋めるようにして基板表面に吸着する第2の界面活性剤の効果が発揮されやすくなると推測される。また、第1の界面活性剤の総炭素数と第2の界面活性剤の総炭素数の合計に対する第2の界面活性剤の総炭素数の割合は、90以下であることが好ましく、より好ましくは85以下、さらに好ましくは75以下、最も好ましくは65以下である。この割合が90以下の場合、さらに言えば85以下、75以下又は65以下の場合には、基板表面の荒れをより一層抑制することができる。その理由は明らかではないが、基板表面を保護する効果の大きい第1の界面活性剤の寄与が大きくなることが理由として推測される。なお、第1の界面活性剤の総炭素数及び第2の界面活性剤の総炭素数は、以下のようにして求めることができる。表面処理組成物中の各界面活性剤の含有量とその界面活性剤の重量平均分子量より界面活性剤のモル数を算出し、これにアボガドロ定数をかけ合わせて界面活性剤の分子鎖数を算出する。続いて、その界面活性剤の重量平均分子量と構造式から界面活性剤の一分子鎖あたりの平均炭素数を算出し、これに先に算出された界面活性剤の分子鎖数をかけ合わせる。すなわち、以下の式により各界面活性剤の総炭素数は算出することができる。各界面活性剤の総炭素数=界面活性剤の一分子鎖あたりの平均炭素数×界面活性剤の質量/界面活性剤の重量平均分子量×アボガドロ定数第1の界面活性剤の重量平均分子量は特に限定されないが、基板表面の荒れを抑制する効果をより向上させるためには、500~20,000であることが好ましく、より好ましくは1,000~10,000である。第2の界面活性剤の重量平均分子量は、第1の界面活性剤の重量平均分子量の1/2倍以下であれば特に限定されないが、基板表面の荒れを抑制する効果をより向上させるためには、200~10,000であることが好ましく、より好ましくは200~5,000、さらに好ましくは300~1,000である。第1の界面活性剤と第2の界面活性剤はそれぞれイオン性界面活性剤であってもよいしノニオン性界面活性剤であってもよいが、いずれもノニオン性界面活性剤であることが好ましい。ノニオン性界面活性剤を使用した場合には、カチオン性界面活性剤又はアニオン性界面活性剤を使用した場合と比べて表面処理組成物の泡立ちが抑えられるため、表面処理組成物の製造時及び使用時の取扱いが容易になる。また、ノニオン性界面活性剤は表面処理組成物のpHを変化させないため、製造時及び使用時に表面処理組成物のpHの制御が容易になる。さらに、ノニオン性界面活性剤は生分解性に優れ、また生体に対する毒性が弱いため、環境への影響が小さく取扱い上の懸念が少ない。本発明の表面処理組成物で使用される第1の界面活性剤及び第2の界面活性剤の種類は、特に限定されるものではないが、具体例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレングリセルエーテル脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルなどのポリオキシアルキレン付加物、ポリエチレングリコールやポリプロピレングリコールなどのオキシアルキレン重合体単体、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンのジブロック型やトリブロック型、ランダム型、交互型といった複数種のオキシアルキレンの共重合体が挙げられる。ポリオキシエチレンポリオキシアルキレン共重合体、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、及びポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルは第1の界面活性剤として好適に使用することができ、中でもトリブロック型のポリオキシエチレンポリオキシアルキレン共重合体が最も好ましい。第1の界面活性剤は、1種を単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、及びポリエチレングリコールは第2の界面活性剤として好適に使用することができ、中でもポリオキシエチレンアルキルエーテル、さらに言えば直鎖状ポリオキシエチレンアルキルエーテルが最も好ましい。第2の界面活性剤は、1種を単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。第1の界面活性剤のHLBHydrophileLipophileBalance値及び第2の界面活性剤のHLB値は特に限定されないが、良好な水溶解性が得られる点から、12以上であることが好ましい。第1の界面活性剤及び第2の界面活性剤のHLB値が12以上の場合には、第1の界面活性剤及び第2の界面活性剤が基板表面に残留しにくい。また、表面処理組成物の安定性が向上する。なお、ここでいうHLB値はグリフィン法で定義されるものである。グリフィン法では、20×親水部の分子量の総和/親水部と疎水部の分子量の総和でHLB値が計算される。親水部の例としてはオキシエチレン基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、エステルなどがあり、疎水部の例としてはオキシプロピレン基、オキシブチレン基、アルキル基などがある。<塩基性化合物>本発明の表面処理組成物は塩基性化合物を含み、塩基性化合物の添加により表面処理組成物のpHは8以上に調整されている。先にも説明したとおり、表面処理組成物のpHが8以上の場合、さらに言えば9以上の場合には、塩基性化合物によるエッチング作用が強まる結果、基板表面に荒れが生じやすくなる。しかし、上述した第1の界面活性剤及び第2の界面活性剤の作用により基板表面の荒れは抑制される。本発明の表面処理組成物で使用される塩基性化合物は特に制限されず、具体例としては、アンモニア、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、N-β-アミノエチルエタノールアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、無水ピペラジン、ピペラジン六水和物、1-2-アミノエチルピペラジン、およびN-メチルピペラジンが挙げられる。塩基性化合物は、1種を単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。表面処理組成物を用いて表面処理される基板がシリコンウェーハである場合、表面処理後の基板の金属汚染を抑える目的では、塩基性化合物は、アンモニア、アンモニウム塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属塩又は第四級アンモニウム水酸化物であることが好ましく、より好ましくはアンモニア、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム又は炭酸ナトリウムであり、さらに好ましくはアンモニア、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム又は水酸化テトラエチルアンモニウム、最も好ましくはアンモニアである。表面処理組成物中の塩基性化合物の含有量は、表面処理組成物のpHが8以上となるような範囲であれば特に限定されないが、一般的には0.0001質量~0.5質量である。ただし、表面処理組成物を用いて表面処理される基板がシリコンウェーハである場合には、表面処理組成物中の塩基性化合物の含有量は、0.0001質量~0.5質量であることが好ましく、より好ましくは0.001質量~0.25質量である。塩基性化合物の含有量が上記範囲内の場合には、塩基性化合物によるエッチング作用が第1の界面活性剤及び第2の界面活性剤の働きにより適度に緩和される点で実用上の利点がある。<水>表面処理組成物中の水は、表面処理組成物中の他の成分を溶解又は分散させる働きをする。水は、他の成分の作用を阻害する不純物をできるだけ含有しないことが好ましい。具体的には、イオン交換樹脂を使って不純物イオンを除去した後にフィルタを通して異物を除去したイオン交換水、あるいは純水、超純水又は蒸留水が好ましい。<粒子成分>表面処理組成物は粒子成分を含んでも良い。粒子成分は基板の表面を物理的に研磨する働きをする。使用される粒子成分の具体例としては、炭化ケイ素、二酸化ケイ素、アルミナ、セリア、ジルコニア及びダイヤモンドが挙げられるが、これらに限定されるものではない。中でもコロイダルシリカ、フュームドシリカ、ゾルゲル法シリカ等の二酸化ケイ素を用いた場合には、基板の表面粗さがより低減されるため好ましい。表面処理組成物を半導体基板の研磨、特にシリコンウェーハの研磨に用いる場合、表面処理組成物中に含まれる粒子成分はコロイダルシリカ又はフュームドシリカであることが好ましく、より好ましくはコロイダルシリカである。コロイダルシリカ又はフュームドシリカ、特にコロイダルシリカを使用した場合には、研磨により基板の表面に発生するスクラッチが減少する。粒子成分は、1種を単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。表面処理組成物を半導体基板の研磨、特にシリコンウェーハの研磨に用いる場合、表面処理組成物中の粒子成分は、気体吸着による粉体の比表面積測定法BET法により測定される比表面積から求められる平均一次粒子径が5~100nmであることが好ましく、より好ましくは10~40nmである。表面処理組成物を半導体基板の研磨、特にシリコンウェーハの研磨に用いる場合、表面処理組成物中の粒子成分の含有量は、0.01質量以上であることが好ましく、より好ましくは0.05質量以上である。粒子成分の含有量が0.01質量以上、さらに言えば0.05質量以上の場合には、基板の研磨速度が向上する。また、表面処理組成物中の粒子成分の含有量は、5質量以下であることが好ましく、より好ましくは1質量以下である。粒子成分の含有量が5質量以下、さらに言えば1質量以下の場合には、表面処理組成物の分散安定性が向上する。<濡れ剤>表面処理組成物は濡れ剤をさらに含んでも良い。濡れ剤は、基板の表面を親水性に保つのに効果的である。基板表面の濡れ性が低下すると、基板上に付着した異物が洗浄によって除去されずに残留をしやすい。基板上に異物が残留すると、基板の表面精度が低下する場合がある。使用される濡れ剤の例としては、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロースなどのセルロース誘導体;ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリ-N-ビニルホルムアミドなどのビニルポリマー;デンプン、シクロデキストリン、トレハロース、プルランなどの多糖類;ポリアクリルアミド;ポリメタクリル酸メチルが挙げられる。基板の表面に濡れ性を与える能力が高く、また容易に洗い落とすことができて基板上に残留しないことから、セルロース誘導体が好ましく、中でもヒドロキシエチルセルロースが特に好ましい。使用される濡れ剤の重量平均分子量は、一般的には30,000~2,000,000である。ただし、表面処理組成物を半導体基板の研磨、特にシリコンウェーハの研磨に用いる場合、濡れ剤の重量平均分子量は、50,000~1,000,000であることが好ましい。濡れ剤の重量平均分子量が1,000,000以下の場合には、表面処理組成物の分散安定性が向上する。濡れ剤の重量平均分子量が50,000以上の場合には、基板表面に濡れ性を与える働きが十分に発揮される。表面処理組成物中の濡れ剤の含有量は、一般的には0.001~1質量である。ただし、表面処理組成物を半導体基板の研磨、特にシリコンウェーハの研磨に用いる場合、濡れ剤の含有量は0.001~0.5質量であることが好ましい。濡れ剤の含有量が0.5質量以下の場合、表面処理組成物の分散安定性が向上する。濡れ剤の含有量が0.001質量以上の場合、基板表面に濡れ性を与える働きが十分に発揮される。本発明の表面処理組成物は、研磨、リンス、洗浄、エッチングといった表面処理を基板に行うのに用いられるものであり、中でも基板表面の荒れが特に問題となる最終研磨工程、リンス工程又は洗浄工程で好ましく用いられる。本発明の表面処理組成物を用いて表面処理される基板は特に限定されないが、塩基性化合物によるエッチングにより生じる表面の荒れが問題となりやすい半導体基板や磁性体基板、さらに言えばシリコン基板、SiO2基板、SOIsilicononinsulator基板、プラスチック基板、ガラス基板、石英基板が好適である。その中でも特に、平滑で精度の高い表面が必要とされるシリコンウェーハの表面処理において本発明の表面処理組成物は好ましく用いることができる。本発明の表面処理組成物は、上述した水以外の各成分を常法により水に溶解又は分散させることにより製造することができる。本発明の表面処理組成物は、以下の利点を有する。本発明の表面処理組成物は第1の界面活性剤と第2の界面活性剤を含有し、第2の界面活性剤の重量平均分子量が第1の界面活性剤の重量平均分子量の1/2倍以下であり、かつ、表面処理組成物中の第1の界面活性剤の含有量と第2の界面活性剤の含有量の合計が0.00001~0.1質量である。そのため、本発明の表面処理組成物によれば、表面処理後の基板表面の荒れを抑制することができる。従って、本発明の表面処理組成物は、基板の表面を研磨、リンス、洗浄又はエッチングする用途、中でも特に高い表面精度が求められるシリコンウェーハの表面を最終研磨する用途及び研磨後の基板表面をリンスする用途で好適に使用することができる。本発明の表面処理組成物は、以下のような実施形態として具体化されてもよい。本発明の表面処理組成物は、キレート剤をさらに含有してもよい。キレート剤を含有する場合、表面処理組成物による基板の金属汚染を抑えることができる。使用可能なキレート剤の例としては、例えば、アミノカルボン酸系キレート剤及び有機ホスホン酸系キレート剤が挙げられる。アミノカルボン酸系キレート剤には、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸、ニトリロ三酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸アンモニウム、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸ナトリウム、ジエチレントリアミン五酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸ナトリウム、トリエチレンテトラミン六酢酸及びトリエチレンテトラミン六酢酸ナトリウムが含まれる。有機ホスホン酸系キレート剤には、2-アミノエチルホスホン酸、1-ヒドロキシエチリデン-1,1-ジホスホン酸、アミノトリメチレンホスホン酸、エチレンジアミンテトラキスメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、エタン-1,1,-ジホスホン酸、エタン-1,1,2-トリホスホン酸、エタン-1-ヒドロキシ-1,1-ジホスホン酸、エタン-1-ヒドロキシ-1,1,2-トリホスホン酸、エタン-1,2-ジカルボキシ-1,2-ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、2-ホスホノブタン-1,2-ジカルボン酸、1-ホスホノブタン-2,3,4-トリカルボン酸及びα-メチルホスホノコハク酸が含まれる。本発明の表面処理組成物は、防腐剤のような公知の添加剤を必要に応じてさらに含有してもよい。[2]本発明のキット本発明のキットは、本発明の表面処理組成物を調製するためのものである。本発明のキットは、第1の界面活性剤と、第1の界面活性剤の重量平均分子量の1/2倍以下の重量平均分子量を有する第2の界面活性剤と、塩基性化合物とを含む。キットの一形態としては、水希釈により表面処理組成物を調製することができる表面処理組成物の原液の形態がある。このような原液の形態であれば、製品として流通時の取扱い性に優れる。また、水希釈という簡便な方法で表面処理組成物を調製することができることも利点である。キットの他の形態としては、表面処理組成物中の各成分をいくつかに分けて包装した多剤型キットがある。多剤型キットは、表面処理組成物中の各成分をそれぞれ別々に包装したものでもよいし、一部の成分については別の成分と混合した状態で包装したものでもよい。[3]本発明の表面処理方法本発明の表面処理方法は、本発明の表面処理組成物を用いて基板を表面処理する方法、より具体的には基板を研磨、リンス、洗浄又はエッチングする方法である。本発明の表面処理組成物は、通常の基板の表面処理で用いられるのと同じ装置及び条件で使用することができる。本発明の表面処理方法は、以下のような実施形態として具体化されてもよい。本発明の表面処理方法は、粒子成分を含有する表面処理組成物を用いて基板を研磨する方法であってもよい。この場合、研磨パッドを併せて使用してもよい。使用される研磨パッドは特に限定されないが、不織布タイプでもスウェードタイプでもよいし、あるいは粒子成分を含むものであっても粒子成分を含まないものであってもよい。本発明の表面処理方法により基板を研磨又はリンスする場合、表面処理組成物の使用時の温度は特に限定されないが、5~60°Cであることが好ましい。本発明の表面処理方法による基板の研磨は、基板のダメージ層を改善するための研磨であってもよいし、あるいは基板の表層を仕上げる最終研磨であってもよい。基板のダメージ層を改善するための研磨の研磨時間は、ダメージ層の深さにもよるが、一般的には0.1~10時間である。基板の表層を仕上げる最終研磨の研磨時間は、通常で30分以下である。本発明の表面処理方法により基板を洗浄する場合、ブラシ、ダイヤモンドドレッサー又は超音波を併せて使用してもよい。本発明の表面処理方法により基板を洗浄する場合、表面処理組成物の使用時の温度は特に限定されないが、10~90°Cであることが好ましい。洗浄時間は通常で1時間以下である。次に、本発明の実施例及び比較例を説明する。第1の界面活性剤、第2の界面活性剤、塩基性化合物、粒子成分及び濡れ剤の全部又は一部をイオン交換水に混合して実施例1~15及び比較例1~10の表面処理組成物を調製した。実施例1~15及び比較例1~10の各表面処理組成物中の第1の界面活性剤及び第2の界面活性剤の詳細を表1に示す。なお、表1には示していないが、実施例1~15及び比較例1~10の表面処理組成物はいずれも、粒子成分として平均一次粒子径が25nmのコロイダルシリカを0.18質量、塩基性化合物としてアンモニアを0.005質量、濡れ剤として重量平均分子量が250,000のヒドロキシエチルセルロースを0.01質量含有し、pHは10.2とした。コロイダルシリカの平均一次粒子径の値は、Micromeritics社製の表面積測定装置FlowSorbII2300を使って測定したものである。また、各表面処理組成物中の第1の界面活性剤の含有量と第2の界面活性剤の含有量の合計、並びに第1の界面活性剤の総炭素数と第2の界面活性剤の総炭素数の合計に対する第2の界面活性剤の総炭素数の割合についても表1に示す。実施例1~15及び比較例1~10の各表面処理組成物を用いて、シリコンウェーハの表面を表2に記載の条件で研磨した。使用したシリコンウェーハは、直径が200mmの円盤状であって、伝導型がP型、結晶方位が<100>、抵抗率が0.1Ωcm以上100Ωcm未満であり、株式会社フジミインコーポレーテッド製の研磨スラリー商品名GLANZOX1104を使って予備研磨してから用いた。実施例1~15及び比較例1~10の各表面処理組成物を用いて研磨後のシリコンウェーハの表面を、ケーエルエーテンコール社製のウェーハ検査装置SurfscanSP2のDWOモードで計測し、それに基づいて研磨後のシリコンウェーハ表面のヘイズレベルを評価した結果を表1のヘイズ欄に示す。同欄中、Aは比較例2と比較してヘイズレベルが10以上低減されたことを示し、Bはそれが5以上10未満であったこと、Cは5未満であったこと、Dは比較例2と比較してヘイズレベルの低減が確認されなかったことを示す。伝導型がP型、結晶方位が<100>、抵抗率が0.1Ωcm以上100Ωcm未満で60mm角のシリコンウェーハの表面を、株式会社フジミインコーポレーテッド製の研磨スラリー商品名GLANZOX1104を用いて予備研磨の後、実施例1~15及び比較例1~10の各表面処理組成物を用いて表3に記載の条件で研磨した。研磨後のシリコンウェーハの表面を7L/分の流量の流水で10秒間リンスし、その後、シリコンウェーハを垂直に立てて静置した。そして、30秒経過後に各シリコンウェーハの周縁からシリコンウェーハの表面のうち濡れている部分までの距離のうち最大のものを測定し、それに基づいて研磨後のシリコンウェーハ表面の濡れ性を評価した結果を表1の濡れ性欄に示す。同欄中、Aは、シリコンウェーハの周縁から濡れている部分までの最大の距離が5mm以下であったことを示し、Bはそれが5mm超40mm以下であったこと、Cは40mm超であったことを示す。表1に示すように、実施例1~15においては比較例1~10に比べて、ヘイズレベルが低いことがわかった。"