コア層と、ビルドアップ層とを有する多層プリント配線基板であって、前記ビルドアップ層は、芯材と有機樹脂とフィラーを含む第1絶縁層と、その第1絶縁層に埋設された第1配線層と、第1絶縁層の第1配線層と接する面と反対側の面に形成された第2配線層と、前記第1と第2配線層間の導通が金属めっきビアからなる層を、少なくとも1層以上有し、前記第1配線層の厚みが前記第1絶縁層の厚みの25以上60以下であり、前記芯材の含有量が、前記第1絶縁層の10vol以上30vol以下であり、前記フィラーの含有量が前記第1絶縁層の30vol以上、60vol以下であり、前記芯材と第1配線層の間に前記フィラーが存在し、前記芯材と前記第1配線層との最短距離を前記フィラーの粒子径以上である多層プリント配線基板。前記第1絶縁層に含まれる芯材が、ガラス織布であることを特徴とする請求項1記載の多層プリント配線基板。前記第1絶縁層に含まれるフィラーに、粒子径が前記第1絶縁層の厚みの1以上12以下のフィラーが含まれている請求項1記載の多層プリント配線基板。前記第1絶縁層に含まれるフィラーが、MgO、Al2O3、MgOH2、AlOOH、AlOH3、BN、SiO2のうち少なくとも1つが含まれることを特徴とする請求項1記載の多層プリント配線基板。前記第1絶縁層の厚みが10μm以上100μm以下であることを特徴とする請求項1記載の多層プリント配線基板。芯材と有機樹脂とフィラーを含む第1絶縁層と、その第1絶縁層に埋設された第1配線層と、第1絶縁層の第1配線層と接する面と反対側の面に形成された第2配線層と、前記第1と第2配線層間の導通が金属めっきビアからなる層が、最外層または最外層から2層目のいずれか一方、あるいは両方に有ることを特徴とする請求項1記載の多層プリント配線基板。芯材と有機樹脂とフィラーを含む第1絶縁層と、その第1絶縁層に埋設された第1配線層と、第1絶縁層の第1配線層と接する面と反対側の面に形成された第2配線層と、前記第1と第2配線層間の導通が金属めっきビアからなる層が、最外層から2層目に有ることを特徴とする請求項1記載の多層プリント配線基板。前記第1絶縁層の熱伝導率が1.0W/mK以上5.0W/mK以下であることを特徴とする請求項1記載の多層プリント配線基板。芯材と有機樹脂とフィラーを含む第1絶縁層と、その第1絶縁層に埋設された第1配線層と、第1絶縁層の第1配線層と接する面と反対側の面に形成された第2配線層と、前記第1と第2配線層間の導通が金属めっきビアからなるビルドアップ層以外の、コア層の配線層間の電気的接続手段が導電性樹脂組成物で形成されていることを特徴とする請求項1記載の多層プリント配線基板。表層に第1配線を有するコア層を準備する第1工程と、前記コア層の両面に、プリプレグおよび金属導体箔を設置し、加熱及び加圧し、前記第1配線層を埋設し、第1絶縁層を形成し、成型体とする第2工程と、前記成型体にレーザー加工し、孔底に前記第1配線が露出してなる非貫通孔を設ける第3工程と、前記非貫通孔に無電解めっき、電解めっきのいずれか若しくは両方によって金属めっき膜を形成する第4工程を有する多層プリント配線基板であって、前記第1配線層の厚みが、前記プリプレグが加圧及び加熱工程で形成された第1絶縁層の厚みの25以上60以下であり、前記プリプレグが芯材と半硬化状態の有機樹脂とフィラーからなり、前記芯材の含有量が、前記第1絶縁層の10vol以上30vol以下であり、前記フィラーの含有量が前記第1絶縁層の30vol以上、60vol以下であり、前記芯材と第1の配線層の間に前記フィラーが存在し、前記芯材と前記第1配線層との最短距離を前記フィラーの粒子径以上としていることを特徴とする多層プリント配線基板の製造方法。特許文献1に開示された従来の多層プリント配線基板の場合、ビルドアップ層において、ビルドアップ層に埋め込まれた配線の厚みが高肉厚化した場合、ビルドアップ層を構成する芯材と接触し、あるいは絶縁信頼性が影響を受ける場合があった。上記の課題を解決するために、本発明は、コア層と、ビルドアップ層とを有する多層プリント配線基板であって、前記ビルドアップ層は、芯材と有機樹脂とフィラーを含む第1絶縁層と、その第1絶縁層に埋設された第1配線層と、第1絶縁層の第1配線層と接する面と反対側の面に形成された第2配線層と、前記第1と第2配線層間の導通が金属めっきビアからなる層を、少なくとも1層以上有し、前記第1配線層の厚みが前記第1絶縁層の厚みの25以上60以下であり、前記芯材の含有量が、前記第1絶縁層の10vol以上30vol以下であり、前記フィラーの含有量が前記第1絶縁層の30vol以上、60vol以下であり、前記芯材と第1の配線層の間に前記フィラーが存在し、前記芯材と前記第1配線層との最短距離を前記フィラーの粒子径以上である多層プリント配線基板とするものである。本発明によれば、コア層の表層に設けられたビルドアップ層であって、第1配線層を埋設してなるビルドアップ層において、ビルドアップ層に埋設された第1配線層と、ビルドアップ層を構成する芯材との間の接触を抑制することができるので、ビルドアップ層の熱伝導率と、その絶縁信頼性を共に高めることが可能となる。実施の形態1実施の形態1では、図1を用いて本願発明の多層プリント配線基板の一例について説明する。図1A、Bは、共にコア層とビルドアップ層とを有する実施の形態1で説明する本願発明の多層プリント配線基板の断面図である。図1A、Bに示すように、実施の形態1における多層プリント配線基板101は、コア層108と、コア層108の両面に形成された1層以上のビルドアップ層109とを有する。そしてビルドアップ層109は、第1絶縁層102等からなる1層以上の絶縁層を有し、そのコア層108側に、第1絶縁層102に埋設された第1配線層103と、コア層108側と異なる面に形成された第2配線層104とを有する。そして第1配線層103、第2配線層104の間を電気的に接続する金属めっきビア105を備えている。図1Aにおいて、多層プリント配線基板101におけるコア層108は、ビルドアップ層109側となる主平面に第1配線層103が形成されている。そしてコア層108は、第2絶縁層106を介して内側に第3配線層110を有し、その配線層間の導通をスルーホールめっき導体107が行なう。図1Bは、ビルドアップ層109を多層の絶縁層で形成した場合について説明する断面図である。図1Bに示すように、ビルドアップ層109を構成する絶縁層を複数層としても良い。次に図2A、Bを用いて他の多層プリント配線基板101の応用例について説明する。図2Aに示すようにコア層108は、ビルドアップ層109に、金属めっきビア105aを、コア層108に金属めっきビア105bを有するものであっても良い。あるいは図2Bに示すようにビアは、導電性樹脂組成物111を有するものであっても良い。図2Bに記載される導電性樹脂組成物111は、導電性フィラーと有機樹脂を含んでいる。導電性樹脂組成物111を構成する導電性フィラーは、例えば、金、銀、銅、パラジウムまたはニッケル等の金属粒子や合金粒子を用いることができる。銅は、導電性が高くマイグレーションも少ないため特に好ましい。有機樹脂は、基本的には第1もしくは第2絶縁層に用いる有機樹脂と同様の樹脂を使用することができ、同様の効果が得られる。また常温例えば、20~25°Cで液状の樹脂を用いた場合、無溶剤で導電性樹脂組成物111いわゆる導電ペーストを作製することができる。前述の図1A、B、図2A、Bにおいて、第1配線層103、第2配線層104は、電気伝導性材料、例えば金属導体箔115や導電性樹脂組成物111からなる。特に、導電性、熱伝導性および価格面から銅箔を用いることが好ましい。銅箔を用いる場合は、第1絶縁層102と第2絶縁層106との間の接着性を向上させるために、絶縁層と接触する面を粗面化することが望ましい。また銅箔には、絶縁層との接着性向上、更に耐酸化性向上のために、銅箔表面をカップリング処理したものや、銅箔表面に、錫、亜鉛またはニッケルをめっきしたものを使用することは有用である。次に図3を用いて、本願発明のビルドアップ層109において、第1絶縁層102に埋設された第1配線層103と、芯材112との接触を防止する様子を説明する。図3は、ビルドアップ層109の一部を模式的に断面で拡大して説明する断面図である。図3に示すように、実施の形態1の多層プリント配線基板101における第1絶縁層102の両面に形成された第1配線層103、第2配線層104を金属めっきビア105によって接続している。そして第1配線層103は、ビルドアップ層109を構成する第1絶縁層102に埋設されている。第1絶縁層102は、補強材となる芯材112や、有機樹脂113とフィラー114を含んでいる。図3に示すように、本実施の形態のビルドアップ層109において、ビルドアップ層109に埋設された第1配線層103と、芯材112との間には、優れた電気絶縁性を有するフィラー114が存在する。そしてこのフィラー114が、第1配線層103と芯材112との間を絶縁する一種の絶縁性のスペーサとして機能することで、第1配線層103と、芯材112との間の接触を防止し、第1絶縁層102の絶縁性を高める。なお図1A、B、図2A、Bや、後述する図4、図5等において、第1絶縁層102に含まれるフィラー114や芯材112は図示していない。また図3において、第1配線層103の厚みは第1絶縁層102の厚みの25以上60以下が望ましい。厚みが25未満の場合、第1配線層103によるヒートスプレッド効果が影響を受ける場合がある。また60以上となる場合、第1配線層103のパターニングが特殊となりコストアップする場合がある。また芯材112の含有量が第1絶縁層102の10vol以上30vol以下が望ましい。またフィラー114の含有量が前記絶縁層の30vol以上、60vol以下が望ましい。更に芯材112と第1配線層103の間にフィラー114を存在させることが望ましく、フィラー114の存在によって、芯材112と第1配線層103との最短距離が前記フィラー114の粒径以上とすることが可能となり、第1配線層103の厚みが厚くなった場合でも、芯材112と第1配線層103との接触を防止できる。このように本願発明において、フィラー114の含有量を高めることで、電気絶縁性を有するフィラー114が芯材112と第1配線層103との接触を防止する例えば、フィラー114が一種の絶縁スペーサとして寄与するためである。なおフィラー114の含有量が絶縁層の30vol未満の場合、芯材112と第1配線層103との接触防止効果に影響を与える場合がある。また60volを超えた場合、第1配線層103の埋込み性に影響を与える場合がある。また第1配線層103の厚みが第1絶縁層102の厚みの25未満の場合、第1配線層103を介した放熱性ヒートスプレッド性に影響がある場合がある。また第1配線層103の厚みが第1絶縁層102の厚みの60を超えた場合、第1配線層103と芯材112とが接触する可能性がある。また芯材112の、第1絶縁層102に対する含有率が10vol未満の場合、ビルドアップ層109の強度に影響がある場合がある。また30volを超える場合、第1配線層103と芯材112とが接触する可能性がある。またフィラー114による、芯材112と第1配線層103との接触の防止は、芯材112の隙間のみならず、芯材112を構成する複数のガラス繊維の隙間や、芯材112と芯材112を囲む有機樹脂113との隙間等への、めっき液等の侵入の防止効果も得られる。ここで有機樹脂113を構成する樹脂材料は、特に限定されるものではないが、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂等を用いることができ、エポキシ樹脂系、ポリイミド樹脂系、トリアジン樹脂系、フェノール樹脂系、イソシアネート樹脂系、メラミン樹脂系及びこれら樹脂の変性系樹脂が挙げられる。また、前記各種樹脂を2種類以上の混合の他、必要に応じて各種硬化剤、硬化促進剤を使用しても良い。エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、イソシアネート樹脂等を用いれば、第1絶縁層102等の耐熱性を高めることができる。また、エポキシ樹脂には強度、接着性等の特性も多層プリント配線基板に適している。樹脂に、硬化剤を使用する場合には、とくに限定されないが、例えばエポキシ樹脂に用いる場合には、アミン系やフェノール系の硬化剤を用いることができ、前記硬化剤は、単独で使用しても、複数種を併用することも可能であり、その種類及び量は、限定されるものではなく、適宜決められる。樹脂に、促進剤を使用する場合には、前述した硬化剤と同様に、種々使用することができ、具体的には、イミダゾール系化合物、有機リン系化合物、アミン及びアンモニウム塩等が用いられ、2種以上を併用しても良い。また、ゴムや熱可塑樹脂を添加してもよい。また、有機樹脂113は芯材112への含浸および塗工を容易にするために、溶剤に可溶することが望ましい。第1絶縁層102は、さらに湿潤分散剤、着色剤、カップリング剤または離型剤等を含んでいてもよい。湿潤分散剤を含むと、有機樹脂113中のフィラー114の分散を均一化できる。着色剤により絶縁層を着色すれば、自動認識装置の利用が容易となる。カップリング剤を含むと、有機樹脂113とフィラー114との接着強度が向上し、絶縁層の絶縁性を高めることができる。離型剤を含むと、金型との離型性が向上するため、生産性を向上できる。ここで金属めっきビア105は、電気伝導性を有する物質例えば銅、半田、金などの金属物から選ぶことが可能であり、例えば無電解めっきと電解めっきの組み合わせにより作製される銅によって形成される。なお本願発明において、ビルドアップ層において、これら金属めっきビア105を形成した場合であっても、ビルドアップ層に埋め込まれた配線の厚みが高肉厚化しても、ビルドアップ層を構成する芯材と接触し、めっき時に課題が発生することがない。実施の形態2実施の形態2では、実施の形態1で説明した多層プリント配線基板101の製造方法の一例を説明する。多層プリント配線基板101の製造方法の一例を、図面を参照しながら詳しく説明する。図4A、B、図5A、B、図6A、Bは、共に多層プリント配線基板の製造方法の一例を説明する断面図である。まずコア層108を用意する。その後、コア層108を図4Aに示すように配置し、その両表面に、硬化後に第1絶縁層を形成する未硬化の絶縁体プリプレグ119を配置する。さらに、第1絶縁層102の外表面それぞれに金属導体箔115を配置し、その後、加熱及び加圧を行なうことにより、プリプレグ119を軟化させ第1配線層103を第1絶縁層102に埋設する。その後、加熱及び加圧を続けることで、このプリプレグ119を硬化させて第1絶縁層102とし、所定の成型体116を形成する。加熱や加圧の条件はとくに限定されないが、プリプレグ119第1絶縁層102に含まれる有機樹脂113が軟化し、更に硬化するための熱量が加えられる必要がある。こうして図4Bに示すように、これら部材が一体化してなる成型体116を形成する。その後、図5Aに示すように、層間接続を形成する位置に従って、金属導体箔115を部分的に除去する。その方法としては、成型体116の金属導体箔115の表面にフォトレジスト膜を形成した後、フォトマスクを介してフォトレジスト膜を感光し、現像を行うことでフォトレジストをパターニングする。その後、レジストパターン以外の箔をエッチングし、層間接続を形成する位置の金属導体箔115を部分的に除去し、さらに、不要なフォトレジスト膜を除去する。フォトレジスト膜の形成には、液状のレジストやフィルムを用いることができる。その後、図5Bに示すように、その除去を行なった箇所に炭酸ガスレーザーによって層間接続を形成する部分において非貫通孔117を形成する。その後、図6Aに示すように、金属めっき118を非貫通孔117および金属導体箔115上に施すことで成型体116を形成する。その後、金属めっき118で形成された金属導体箔115との配線厚みが、第1配線層103に求められる厚みとなるようエッチングによるスェップ処理配線基板特有の処理であるなどを必要に応じて行なう。その後、更に処理後の金属導体箔115の表面にフォトレジスト膜を形成する。その後、前述の図5Bで述べたパターニングと同じ工程を用いて図6Bに示すように第2配線層104とする。このような多層化プロセスをさらに繰り返すことにより層間接続とし金属めっきビア105を有する第1絶縁層102に第1配線層103を埋め込んでおり、第1絶縁層102の層間接続として金属めっきビア105を有する多層プリント配線基板101が形成される。なお図4A、Bの工程において、前述の図3で示したように、第1配線層103を第1絶縁層102によって埋設する際に、第1配線層103の厚みが第1絶縁層102の厚みの25以上60以下、芯材112の含有量が第1絶縁層102の10vol以上30vol以下とすることは有用である。さらにフィラー114の含有量が前記絶縁層の30vol以上、60vol以下とすることで、芯材112と第1配線層103の間にフィラー114が存在させられ、芯材112と第1配線層103との最短距離が前記フィラー114の粒径以上とすることが可能となる。その結果、第1配線層103の厚みが厚くなった場合でも、芯材112と第1配線層103との接触を防止できる。更に図6A、Bで説明した金属めっき工程において、めっき液の第1絶縁層102等への侵入を防止し、その信頼性を高める。実施の形態3実施の形態3では、実施の形態1や2で説明した多層プリント配線基板101の構成部材等の最適化について、詳しく説明する。多層プリント配線基板101における絶縁性の評価としては、金属めっきビア105とそれと隣接するが金属めっきビア105とは直接導通接続されていない第1配線層103との絶縁信頼性を評価するために、第2配線層104と第1配線層103と金属めっきビア105から形成される第1の層間接続パターンを形成した。さらにその層間接続パターンとは直接導通接続されていないが、最も近接した距離が50μmとなるよう第1配線層103には第1の配線パターンを500個形成した。さらには、第1絶縁層102を挟む配線層間第1配線層103と第2配線層104間の絶縁信頼性を評価するために、金属めっきビア105によって直接、導通接続されていない各種、評価用の配線パターン図示していないをそれぞれ第1配線層103と第2配線層104に対応するように設けた。ここで、第2および第3の配線パターン共に信頼性等の評価用の配線パターンのライン幅は500μm、信頼性を評価する互いのパターンが正接する長さは20cmとなるよう評価パターンを500個形成した。これらの方法によって得られた多層プリント配線基板は、その後、多層プリント配線基板の表層にソルダーレジストさらには最外装の第2配線層104へ金めっき等の表面仕上げ処理を必要に応じて行った。次に、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明の範囲は実施の形態の内容により何ら限定して解釈されるものではない。コア層の形成工程についての説明まずコア層の形成工程について詳しく説明する。第2絶縁層として厚み100μmtを有し、その両面に第3配線層として18μmtの銅箔が積層されたCCLCCLは配線基板特有の名称を用い、その両面にレジストフィルムを貼り付け、露光及び現像し、エッチングにより配線パターンを形成し、両面配線基板を作製した。その形成された両面配線基板の上下に、半硬化状態の第2絶縁層106の材料を重ね、さらに第1配線層103に相当する銅箔を積層し、加熱プレスを実施した。その後、所定の層間導電の位置にドリルにて貫通孔を作成し、その貫通孔に、無電解めっき、電解めっき工程にて銅めっきを施し、スルーホールめっき導体107を形成した。その後、必要に応じて第1配線層103が所定の膜厚となるように、表層の銅配線層全体へのスェップ処理を行ない、その後、レジストフィルムを貼り付け、露光及び現像し、エッチングにより第1配線層103のパターン形成を行なった。さらには、貫通孔に於いては、エポキシ樹脂にて孔埋めを実施し、コア層108として4層スルーホール基板を形成した。ここで、コア層108に用いた第2絶縁層106において、その厚みは100μmtとし、芯材112としては、ガラス織布IPC規格2116を用い、有機樹脂113としては熱硬化型のエポキシ樹脂を用い、フィラー114としては平均粒子径0.8μmのAlOH3を用いた。また、第2絶縁層におけるガラス織布と有機樹脂113とフィラー114の体積比率は、48vol、8vol、44volとした。ビルドアップ層の形成工程についての説明次にビルドアップ層の形成工程について詳しく説明する。この4層スルーホール基板をコア層108として、その両面に、硬化後、第1絶縁層102を形成する半硬化状態の絶縁材料プリプレグ119を重ね、さらには第1配線層103に相当する銅箔を積層し、加熱及び加圧工程を実施した。その後レジストフィルムを貼り付け、露光及び現像し、エッチングにより、所定の層間接続位置の銅箔の除去を行ない、その層間接続位置に、炭酸ガスレーザーにて、孔径120μmの非貫通孔を形成した。その非貫通孔に、無電解めっき、電解めっき工程にて銅めっきを施し、金属導体をフィルドビア形状に形成し、金属めっきビア105を得た。その後、必要に応じて第1配線層103が所定の膜厚となるように、表層の銅配線層全体へのスェップ処理を行なった。その後、レジストフィルムを貼り付け、露光及び現像し、エッチングにより配線パターンの形成を実施し、多層プリント配線基板101とした。さらにその両面に、再びプリプレグ119等の材料を重ね、さらに第2配線層104に相当する銅箔を積層した。その後、加熱プレス、レーザー孔加工、めっき工程、配線パターン工程を繰り返し、実施例1の4層TH基板をコア層とし、その表層に2段のビルドアップ層109を有する、合計で配線層を8層有する図1Bの多層プリント配線基板を形成した。ここで、第1絶縁層102および第1配線層103については、以下の実施例および比較例にて示す条件において、それぞれ多層プリント配線基板101の作成を行なった。以下に、実験1として、本願発明の実施例1として試作した実施例1について説明する。実験1の説明:実施例1と比較例1、2についての比較実験実施例1の評価用の基板は、以下のようにして作成した。まず、第1絶縁層102として、厚みは70μmtとし、芯材112としては、ガラス織布IPC規格1037を用い、有機樹脂113としては熱硬化型のエポキシ樹脂を用い、フィラー114としては平均粒子径5μmのAlOH3と平均粒子径3μmのMgOを、AlOH3:MgO=1:2の割合で複合して用いた。また、第1絶縁層102における芯材112ガラス織布とフィラー114と有機樹脂113の体積比率は、16vol、48vol、36volとした。このとき実施例1において、芯材112ガラス織布を除く有機樹脂113とフィラー114の合計に対するフィラー114の割合はおよそ57volとなっている。第1配線層103の厚みとしては、積層時に古川電工製銅箔35μmを用い、めっき処理によって厚みが増加するが全面エッチング処理によって調整し、第1配線層103の厚みとして40μmを第1絶縁層102によって埋め込みを行なった。次に、比較例として、比較例1~比較例3の評価用の基板を以下のようにして作成した。比較例1の評価用の基板は、以下のようにして作成した。まず第1絶縁層102に、その厚みは70μmtとし、芯材112としては、ガラス織布IPC規格1280を用いた。また有機樹脂113としては熱硬化型のエポキシ樹脂を用い、フィラー114としては平均粒子径5μmのAlOH3を用いた。また第1絶縁層102における芯材112ガラス織布とフィラー114と有機樹脂113の体積比率は、35vol、10vol、55volとした。このとき、芯材112ガラス織布を除く有機樹脂113とフィラー114の合計に対するフィラー114の割合はおよそ15volとした。第1配線層103の厚みを積層時の銅箔厚みとめっき後の全面エッチング処理によって、12μmとした。比較例2の評価用の基板は、以下のようにして作成した。まず第1絶縁層102は比較例1と同じものを用い、第1配線層103の厚みを積層時の銅箔厚みとめっき後の全面エッチング処理によって、実施例1の評価用の基板と同じ40μmとした。比較例3の評価用の基板は、以下のようにして作成した。まず第1絶縁層102において、その厚みは70μmtとし、芯材112のみ実施例1とおなじガラス織布IPC規格1037を用いた。また有機樹脂113および、フィラー114としては、その成分および芯材112ガラス織布を除く有機樹脂113とフィラー114の合計に対するフィラー114の割合は比較例1と同じとした。そのとき比較例3において、第1絶縁層102における芯材112ガラス織布とフィラー114と有機樹脂113の体積比率は、16vol、13vol、71volとした。第1配線層103の厚みを積層時の銅箔厚みとめっき後の全面エッチング処理によって、実施例1と同じ40μmとした。以上で作成した、実施例1、比較例1、比較例2の評価用基板において、評価用の第1の層間接続パターン、評価用の第1の配線パターン、および評価用の第2の配線パターンと、評価用の第3の配線パターンの絶縁信頼を評価し、ショートの有無を調べた。更に実施例1、比較例1、比較例2のそれぞれの基板に、半導体の実装を行い、その動作時の温度上昇を、比較例1の基板の温度上昇を基準とし、それに対する各基板の温度上昇の割合を比較した。その温度上昇の割合Rは、比較例1の基板において、動作初期温度をT0、温度上昇が定常状態に達したときの半導体温度をT1とし、また、各基板の温度上昇が定常状態に達したときの半導体温度をT2としたとき、R=T2-T0/T1-T0×100で表した。ここで、実施例1、比較例1、比較例2のそれぞれの8層基板のビルドアップ層109に用いた第1絶縁層102と第1配線層103の構成と、絶縁信頼性の評価と半導体温度上昇の評価をまとめると以下の表1のようになった。表1において、比較例1に示す半導体温度上昇100においては、動作初期温度と同じ外気温T0=25°Cにおいて、45分後に半導体温度が90°Cまで上昇しており、その動作の保証に懸念が生じるレベルであった。それに対して、比較例2のように第1配線層103の厚みを40μmまで厚くすると、比較例1比較で、数値は90まで低下しており、つまり半導体温度上昇が10抑制され、半導体の動作保証に裕度が確保できるレベルであった。しかしながら、比較例2では第1配線層103の厚みが第1絶縁層102厚みの約57を占めるため、芯材112に第1配線層103に体積比率として35vol占める厚みが50μm前後あるガラス織布IPC規格1280を用いていると、後述する図7のように、ガラス織布芯材112が第1配線層103および第2配線層104に接触してしまい、絶縁信頼性の低下が発生してしまったため、と考えられた。こうした課題に対して、比較例3のように、ガラス織布の体積比率のみを16volまで低下させたガラス織布IPC規格1037を用いた場合では、発熱対策のために厚くした第1配線層103を用いても、ガラス織布芯材112と第1配線層103とが接触しない距離を確保することができる。しかしながら、後述する図7に示すように、第1配線層103を第1絶縁層102に埋め込む際の加熱及び加圧工程において、有機樹脂の流動が発生し、ガラス織布芯材112もそれに伴って移動してしまい、第1配線層103と接触してしまう場合があった。その結果、[表1]に示すように、比較例3においては、絶縁性が低下したと思われる。次に、比較例3の絶縁性が低下した原因について、図7を用いて考察する。図7は、比較例において絶縁性が低下した原因について説明する断面図である。図7は、特にビルドアップ層の第1絶縁層間の接続を金属めっきビアとした場合であって、第1絶縁層中の芯材の厚みを薄くし、かつ第1配線層の厚みを厚くした場合に発生する課題を説明している。例えば比較例3において、図7に示すように、ガラス織布等からなる芯材112が矢印120で示すように、例えば第1配線層103や第2配線層104に接触することで、絶縁性が低下したと考えられる。一方、本願発明の実施の各試作品の場合、前述の図3に示すように、フィラー114が、第1絶縁層102と芯材112との間に、必ず存在するため、第1絶縁層102と芯材112とが互いに接触することを防止し、図7に示すような課題は発生しない。すなわち本願発明の実施例1に示すように、ガラス織布の体積比率を16volまで低下させ、さらに、かつ、フィラー114を体積比率48volまで添加した場合では、前述の図3に示すように、ガラス織布芯材112と配線層間が接触しない距離を確保することができる。更に加熱及び加圧工程において有機樹脂113が流動を行なった際も、フィラー114がその流動を阻害するとともに、ガラス織布芯材112と第1配線層103との間に挟まることで、ガラス織布芯材112と第1配線層103との距離が少なくともフィラー114の粒径以上確保される、その結果とのガラス織布芯材112と第1配線層103の接触が回避されて、めっき液等の侵入が抑制され、その絶縁性が確保されることが判る。ここで実施例1での、ガラス織布を除く有機樹脂113とフィラー114の合計に対するフィラー114の割合はおよそ57volとなっており、この数値はフィラー114をほぼ球状とすると、その充填率は最密充填に近づく。有機樹脂113がフィラー114とフィラー114の間にのみ存在する形に近づいていることが容易に推察でき、この充填状態によって、加熱及び加圧工程におけるガラス織布芯材112と配線層との接触の阻害につながっていることも推察可能である。さらには、実施例1では、有機樹脂113より熱伝導率の高いフィラー114の添加量が増えることで、第1絶縁層102全体の熱伝導率も向上し、半導体の温度上昇がさらに抑制される効果が見られる。この結果、表1に示すように、さらに半導体の温度上昇が抑制でき、かつ絶縁信頼性を確保する多層プリント配線基板が得られることは言うまでもない。次に実施例1の構造を元に、更に実験2として、本願発明の応用について実験した結果を示す。実験2の説明:第1絶縁層102の厚みを変化させた場合についての実験結果の一例まず第1配線層103の厚みを変化させて、実施例2、実施例3、比較例4、比較例5となる評価用の基板を作成した。本願発明の実施例として実施例2となる評価用の基板を、本願発明との比較例として比較例4、比較例5となる評価用の基板を作成した。実施例2となる評価用の基板は、以下のようにして作成した。まず第1絶縁層102は比較例1と同じものを用い、第1配線層103の厚みを積層時の銅箔厚みとめっき後の全面エッチング処理によって、18μmとした。実施例3となる評価用の基板は、以下のようにして作成した。まず第1絶縁層102は比較例1と同じものを用い、第1配線層103の厚みを積層時の銅箔厚みとめっき後の全面エッチング処理によって、35μmとした。比較例4となる評価用の基板は、以下のようにして作成した。まず第1絶縁層102は比較例1と同じものを用い、第1配線層103の厚みを積層時の銅箔厚みとめっき後の全面エッチング処理によって、12μmとした。比較例5となる評価用の基板は、以下のようにして作成した。まず第1絶縁層102は比較例1と同じものを用い、第1配線層103の厚みを積層時の銅箔厚みとめっき後の全面エッチング処理によって、50μmとした。次に、本願発明の実施例である実施例1から実施例3、比較例である比較例4、比較例5となる評価用の基板となる8層基板のビルドアップ層109に用いた第1絶縁層102と第1配線層103の構成と、絶縁信頼性の評価と半導体温度上昇の評価をまとめると、以下の表2のようになる。表2において、半導体温度上昇の単位は°Cである。表2より、比較例4の第1配線層103の厚みが12μmでは、第1絶縁層102のフィラー114の体積分率を増加させても、半導体温度上昇は95と5程度しか抑制できておらず、不十分と考えられる。それに対して、実施例1から実施例3、のように、第1配線層103の厚みを厚くすると半導体温度の上昇は91以下とほぼ9以下の抑制が可能となっている。しかしながら、比較例5のように、第1配線層103の厚みが第1絶縁層102の厚みの71を占めるような場合では、加熱及び加圧工程において、第1配線層103の埋設不良が一部で発生してしまう。さらに半導体部品実装時のリフロー工程において、コア層との密着性を得ることが不可能であった。その結果、絶縁試験および半導体温度上昇の評価を行なうことができなかった未評価となった。また比較例4は、半導体温度上昇が95°Cと高いことより、半導体に対する冷却効果が低いことが判る。表2に示すように、本願発明の実施例1~実施例3は、絶縁信頼性試験において、ショート発生は無であった。また半導体温度上昇も、85°Cから91°Cであり、半導体の冷却効果があることが確かめられた。更に本願発明の応用範囲を調べるために、実験3として、更に実施例となる実施例4、実施例5、本願発明の比較例となる比較例6、比較例7を作成した。実験3の説明:第1絶縁層102における芯材の割合を変化させた場合の一例実施例1の構造から、第1絶縁層102における芯材112の割合を変化させて、実施例4、実施例5、比較例6、比較例7となる評価用の基板をそれぞれ作成した。実施例4となる評価用の基板は、以下のようにして作成した。まず第1配線層103の厚みは実施例1と同じとし、第1絶縁層102の厚みおよび有機樹脂113およびフィラー114の成分とガラス織布を除く有機樹脂113とフィラー114の合計に対するフィラー114の割合も実施例1と同じとした。さらに第1絶縁層102の芯材112のみ、ガラス織布IPC規格1027を用いた。こうして実施例4では、第1絶縁層102における芯材112ガラス織布とフィラー114と有機樹脂113の体積比率は13vol、50vol、37volとした。実施例5となる評価用の基板は以下のようにして作成した。まず第1配線層103の厚みは実施例1と同じとし、第1絶縁層102の厚みおよび有機樹脂113およびフィラー114の成分とガラス織布を除く有機樹脂113とフィラー114の合計に対するフィラー114の割合も実施例1と同じとした。また第1絶縁層102の芯材112のみ、ガラス織布IPC規格1067を用いた。その結果、第1絶縁層102における芯材112ガラス織布とフィラー114と有機樹脂113の体積比率は、20vol、46vol、34volとした。比較例6となる評価用の基板は、以下のようにして作成した。第1配線層103の厚みは実施例1と同じとし、第1絶縁層102の厚みおよび有機樹脂113およびフィラー114の成分とガラス織布を除く有機樹脂113とフィラー114の合計に対するフィラー114の割合も実施例1と同じとした。また第1絶縁層102の芯材112のみ、ガラス織布IPC規格1010を用いた。こうして比較例6では、第1絶縁層102における芯材112ガラス織布とフィラー114と有機樹脂113の体積比率は、8vol、52vol、40volとした。比較例7となる評価用の基板は以下のようにして作成した。まず第1配線層103の厚みは実施例1と同じとし、第1絶縁層102の厚みおよび有機樹脂113およびフィラー114の成分とガラス織布を除く有機樹脂113とフィラー114の合計に対するフィラー114の割合も実施例1と同じとした。また第1絶縁層102の芯材112のみ、ガラス織布IPC規格1280を用いた。比較例7において、第1絶縁層102における芯材112ガラス織布とフィラー114と有機樹脂113の体積比率は、35vol、37vol、28volとした。ここで、実施例1、実施例4、実施例5、比較例6、比較例7となる評価用の基板である、それぞれの8層基板のビルドアップ層109に用いた第1絶縁層102と第1配線層103の構成と、絶縁信頼性の評価と半導体温度上昇の評価をまとめると以下の表3のようになる。表3より、いずれの基板においても第1配線層103の厚みを40μmとしていることと、第1絶縁層102のフィラー114の割合を37vol以上としていることから、半導体の温度上昇は最大でも87と抑制されている。しかしながら、比較例7のように芯材112ガラス織布が第1絶縁層102の35volも占めるような場合では、フィラー114の充填にも関わらず、絶縁性に不具合が発生してしまっている。また、比較例6のように、芯材112ガラス織布が第1絶縁層102の8volしか存在しない場合では、絶縁信頼性や半導体の温度上昇には問題は見られないが、基材の機械的強度の低下が発生し、部品実装後の冷熱試験:-45°C30分⇔125°C30分において、はんだ寿命の低下による部品交渉の発生が生じてしまい、使用上の問題が生じている。一方、表3に示すように、本願発明の実施例1、実施例4、実施例5は、絶縁信頼性試験において、ショート発生は無であった。また半導体温度上昇も、84°Cから85°Cであり、半導体の冷却効果があることが確かめられた。実験4の説明:フィラー114の割合を変化させた場合の実験結果の一例次に実験4として、実施例1の構造から、第1絶縁層102におけるフィラー114の割合を変化させて、本願発明の実施例である実施例6、実施例7、本願発明の比較例である比較例8、比較例9となる評価用の基板を作成した。実施例6となる評価用の基板は以下のように作成した。まず第1絶縁層102として、厚みおよび芯材112は実施例1と同じとした。また有機樹脂113およびフィラー114の組成も実施例1と同じとした。一方、フィラー114の充填量を変化させ、第1絶縁層102における芯材112ガラス織布とフィラー114と有機樹脂113の体積比率を、16vol、34vol、50volとした。このとき、芯材112ガラス織布を除く有機樹脂113とフィラー114の合計に対するフィラー114の割合はおよそ40volとなった。第1配線層103の厚みとしては、実施例1と同じく40μmとして、第1絶縁層102によって埋め込みを行なった。実施例7となる評価用の基板は以下のように作成した。まず第1絶縁層102として、厚みおよび芯材112は実施例1と同じとした。有機樹脂113およびフィラー114の組成も実施例1と同じとした。その一方、フィラー114の充填量を変化させ、第1絶縁層102における芯材112ガラス織布とフィラー114と有機樹脂113の体積比率を、16vol、59vol、25volとした。このとき、芯材112ガラス織布を除く有機樹脂113とフィラー114の合計に対するフィラー114の割合はおよそ70volとなっている。第1配線層103の厚みとしては、実施例1と同じく40μmとして、第1絶縁層102によって埋め込みを行なった。比較例8となる評価用の基板は、以下のように作成した。まず第1絶縁層102として、厚みおよび芯材112は実施例1と同じとし、有機樹脂113およびフィラー114の組成も実施例1と同じとした。その一方、フィラー114の充填量を変化させ、第1絶縁層102における芯材112ガラス織布とフィラー114と有機樹脂113の体積比率を、16vol、25vol、59volとした。このとき、芯材112ガラス織布を除く有機樹脂113とフィラー114の合計に対するフィラー114の割合はおよそ30volとなった。第1配線層103の厚みとしては、実施例1と同じく40μmとして、第1絶縁層102によって埋め込みを行なった。比較例9となる評価用の基板は以下のようにして作成した。まず第1絶縁層102として、厚みおよび芯材112は実施例1と同じとした。また有機樹脂113およびフィラー114の組成も実施例1と同じとした、その一方、フィラー114の充填量を変化させ、第1絶縁層102における芯材112ガラス織布とフィラー114と有機樹脂113の体積比率を、16vol、63vol、21volとした。このとき、芯材112ガラス織布を除く有機樹脂113とフィラー114の合計に対するフィラー114の割合はおよそ75volとなった。第1配線層103の厚みとしては、実施例1と同じく40μmとして、第1絶縁層102によって埋め込みを行なった。実施例1、実施例6、実施例7、比較例8、比較例9となる各評価用の基板の、それぞれの8層基板のビルドアップ層109に用いた第1絶縁層102と第1配線層103の構成と、絶縁信頼性の評価と半導体温度上昇の評価をまとめると以下の表4のようになる。表4において、いずれの基板においても第1配線層103の厚みを40μmとしていることと、第1絶縁層102のフィラー114の割合を25vol以上としていることから、半導体の温度上昇は問題がないが、しかしながら、比較例8のように第1絶縁層102中のフィラー114の添加量を25volまで下げると、絶縁性に不具合が発生した。また、比較例9のように、フィラー114の体積比率を63volまで増やすと、有機樹脂の含有量が低下しているため、加熱及び加圧工程における有機樹脂の流動性成分が不足した。さらに第1配線層103の埋設不良が一部で発生した。さらに半導体部品実装時のリフロー工程において、コア層との密着性を得ることが不可能であり、絶縁試験および半導体温度上昇の評価にいたることが不可能であった。一方、表4に示すように、本願発明の実施例1、実施例6、実施例7は、絶縁信頼性試験において、ショート発生は無であった。また半導体温度上昇も、82°Cから87°Cであり、半導体の冷却効果があることが確かめられた。以上より、芯材112と有機樹脂113とフィラー114を含む第1絶縁層102と、その第1絶縁層102に埋設された第1配線層103と、第1絶縁層102の第1配線層103と接する面と反対側の面に形成された第2配線層104と、前記第1と第2配線層間の導通が金属めっきビア105からなる層を、少なくとも1層以上有する多層プリント配線基板101とすることが望ましい。さらに前記第1配線層103の厚みが前記第1絶縁層102の厚みの25以上60以下であり、前記芯材112の含有量が、前記第1絶縁層102の10vol以上30vol以下であることが望ましい。さらに前記フィラー114の含有量が前記第1絶縁層102の30vol以上、60vol以下であり、前記芯材112と第1配線層103の間に前記フィラー114が存在することが望ましい。さらに前記芯材112と前記第1配線層103との最短距離を前記フィラー114の粒子径以上としていることとすることで、放熱性に優れた多層プリント配線基板101を提供できる。こうすることで多層プリント配線基板101は、ビルドアップ層109の厚みを薄くし、あるいはビルドアップ層に埋設される第1配線層103の厚みを肉厚とした場合であっても、優れた絶縁信頼性を有しており、更にコア層との密着性や実装部品の衝撃信頼を有している。ここで、芯材112としては、特にガラス織布を用いたときには、フィルム材料などとは異なり織布構造をとるため、芯材112間に空隙があることから、芯材112中の絶縁性の低下が起こりやすく、また、同一体積含有量においても、その厚みが空隙のないフィルム材より厚くなるため、埋設された第1配線層103との接触が起こりやすく、本発明による絶縁性の確保の効果がより有効である。また、フィラー114としては平均粒子径5μmのAlOH3と平均粒子径3μmのMgOを用いたが、フィラー114の粒子径は、より大きいほど、芯材112と第1配線層103の間の距離を確保できるが、あまりに大きな粒子では均一な存在が不可能である。さらに第1絶縁層102の平滑性や配線パターニング性などを低下させてしまう。また、粒子径は小さいほど、有機樹脂113の加熱及び加圧工程での流動性を抑制するが、あまりに小さな粒子では存在していても接触の妨げになることが不可能なため、フィラー114の粒子径は第1絶縁層102の厚みの1以上12以下であることが望ましい。さらには、複数の粒子径のものを組み合わせることで、大きな粒子の間に小さな粒子が入り込み、充填性の向上を期待できる。さらに芯材112と第1配線層103の間の距離の確保と有機樹脂113の加熱及び加圧工程での流動性の抑制の2つの効果を、より効果的に得ることも可能である。このように、第1配線層103を形成する芯材112、フィラー114を最適化することで、第1配線層103の有機樹脂が半硬化状態のプリプレグ119を用いて、第1配線層103が形成されたコア層上に、加熱及び加圧形成して第1絶縁層102を設けることが可能となる。さらに第1配線層103の埋設と第1絶縁層102の形成とコア層108とビルドアップ層109の密着が同時に形成され、簡易に多層プリント配線基板を得られる。また、フィラー114の種類としては、MgO、Al2O3、MgOH2、AlOOH、AlOH3、BN、SiO2のうち少なくとも1つが含まれることが望ましい。また、複数組み合わせてもよい。難燃性をハロゲン化合物やアンチモン化合物を含まずに得るためには、MgOH2、AlOOH、AlOH3などの水酸化物や酸化物の水和物を含むことが望ましい。また特に熱伝導率の高いMgO、Al2O3、BNを用いることが、熱伝達性を考慮した多層プリント配線基板においてより効果的である。また第1絶縁層102の熱伝導率を1W/mK以上とすることで、より、多層プリント配線基板としての熱伝達性が向上する。また、第1絶縁層102において、熱伝導率、難燃性の確保に加えて機械的強度の確保などを、より低コストで実現するためには、フィラー114の種類を複数選択することと平行して前記の複数の粒子径の選択を併せて考慮することが、より望ましい。また、より高密度配線構造をとるため、ビルドアップ層109に用いられる第1絶縁層102の厚みは100μm以下が望ましい。さらに多層にビルドアップ層に設けた場合には、発熱する半導体部品が実装された最外層および最外層から2層目に、本発明を用いることが好ましい。しかしながら、発熱量の多い半導体部品とともに、サイズの大きな実装部品も併用される場合などには、機械的強度を重要として、実装信頼性を求める場合も生じる。そのような、場合においては、最外層においては、ガラス織布の厚みを制限せず、機械的強度を優先し、最外層から2層目に本発明を用いる構造としてもよい。その際、発熱量の多い半導体部品の直下にサーマルビアを配置して、その発熱量を最外層から本発明の2層目に伝えることで、実装部品の機械的強度と発熱部品の熱伝達性の並立が可能となる。また、本発明の説明においては、図1AやBに示すコア層に4層スルーホール基板を用いたが、図2Aに示すように絶縁層間の導通を金属めっき導体によって形成された基板を用いてもよく、さらには、図2Bに示すように、絶縁層間の導通を導電性樹脂組成物111で形成された基板を用いてもよい。特に、絶縁層間の導通を導電性樹脂組成物111で形成された基板を用いた場合には、全層IVH構造樹脂多層プリント配線基板と呼ばれる、より高密度配線である多層プリント配線基板を安価にリードタイムが短く形成が可能であるが、前述のようにその作成プロセス上の制限からコア層の熱伝達性においては、課題となっていた。以上のように、コア層108に絶縁層間の導通を導電性樹脂組成物111で形成された基板を用いて、本発明のビルドアップ層109を、前述のビルドアップ層の形成工程に述べた手法で付与することで、さらなる高密度配線と熱伝達性の両立する多層プリント配線基板101を提供する。