基材及び前記基材上の複合シリコン膜を有し、かつ前記複合シリコン膜が、アモルファスシリコン由来の第1のシリコン層、及び前記第1のシリコン層上のシリコン粒子由来の第2のシリコン層を有する、半導体積層体。前記複合シリコン層の凸部の高さが100nm以下である、請求項1に記載の半導体積層体。請求項1又は2に記載の半導体積層体を有する、半導体デバイス。太陽電池である、請求項3に記載の半導体デバイス。前記複合シリコン層が、セレクティブエミッタ型太陽電池のセレクティブエミッタ層、又はバックコンタクト型太陽電池のバックコンタクト層を形成するためのものである、請求項4に記載の半導体デバイス。前記複合シリコン層が、裏面電界層又は表面電界層を形成するためのものである、請求項4又は5に記載の半導体デバイス。電界効果トランジスタである、請求項3に記載の半導体デバイス。下記の工程を含む、半導体積層体の製造方法:a基材上にアモルファスシリコン層を形成する工程、b前記アモルファスシリコン層上にシリコン粒子分散体を塗布し、乾燥させることによって、アモルファスシリコン層上にシリコン粒子層が積層されている未処理積層体を形成する工程、及びc前記未焼成積層体に光照射を行って、アモルファスシリコン由来の第1のシリコン層及び前記第1のシリコン層上のシリコン粒子由来の第2のシリコン層を有する複合シリコン層を形成する工程。前記アモルファスシリコン層の厚さが300nm以下である、請求項8に記載の方法。前記シリコン粒子層の厚さが300nm以下である、請求項8又は9に記載の方法。前記シリコン粒子の平均一次粒子径が100nm以下である、請求項8~10のいずれか一項に記載の方法。前記光照射を、レーザーを用いて行う、請求項8~11のいずれか一項に記載の方法。請求項8~12のいずれか一項に記載の方法によって得られる、半導体積層体。請求項8~12のいずれか一項に記載の方法によって半導体積層体を作ることを含む、半導体デバイスの製造方法。請求項14に記載の方法によって得られる、半導体デバイス。上記のように、半導体デバイスの製造においては、平坦な表面を有するシリコン層が必要とされている。したがって、本発明では、平坦な表面を有するシリコン層が基材上に形成された半導体積層体、及びそのような半導体積層体の製造方法を提供する。1基材及び上記基材上の複合シリコン膜を有し、かつ上記複合シリコン膜が、アモルファスシリコン由来の第1のシリコン層、及び上記第1のシリコン層上のシリコン粒子由来の第2のシリコン層を有する、半導体積層体。2上記複合シリコン層の凸部の高さが100nm以下である、上記1項に記載の半導体積層体。3上記1又は2項に記載の半導体積層体を有する、半導体デバイス。4太陽電池である、上記3項に記載の半導体デバイス。5上記複合シリコン層が、セレクティブエミッタ型太陽電池のセレクティブエミッタ層、又はバックコンタクト型太陽電池のバックコンタクト層を形成するためのものである、上記4項に記載の半導体デバイス。6上記複合シリコン層が、裏面電界層又は表面電界層を形成するためのものである、上記4又は5項に記載の半導体デバイス。7電界効果トランジスタである、上記3項に記載の半導体デバイス。8下記の工程を含む、半導体積層体の製造方法:a基材上にアモルファスシリコン層を形成する工程、b上記アモルファスシリコン層上にシリコン粒子分散体を塗布し、乾燥させることによって、アモルファスシリコン層上にシリコン粒子層が積層されている未処理積層体を形成する工程、及びc上記未焼成積層体に光照射を行って、アモルファスシリコン由来の第1のシリコン層及び上記第1のシリコン層上のシリコン粒子由来の第2のシリコン層を有する複合シリコン層を形成する工程。9上記アモルファスシリコン層の厚さが300nm以下である、上記8項に記載の方法。10上記シリコン粒子層の厚さが300nm以下である、上記8又は9項に記載の方法。11上記シリコン粒子の平均一次粒子径が100nm以下である、上記8~10項のいずれか一項に記載の方法。12上記光照射を、レーザーを用いて行う、上記8~11項のいずれか一項に記載の方法。13上記8~12項のいずれか一項に記載の方法によって得られる、半導体積層体。14上記8~12項のいずれか一項に記載の方法によって半導体積層体を作ることを含む、半導体デバイスの製造方法。15上記14項に記載の方法によって得られる、半導体デバイス。本発明の半導体積層体では、複合シリコン層が平坦な表面を有することができ、したがってその上に絶縁層、電極等を堆積させたときに、良好な特性を有する半導体デバイスを得ることができる。また、半導体積層体を製造する本発明の方法では、表面の凹凸を除去する追加の工程なしに、基材上の複合シリコン層が平坦な表面を有することができる。《半導体積層体》本発明の半導体積層体は、基材及び基材上の複合シリコン膜を有し、この複合シリコン膜が、アモルファスシリコン由来の第1のシリコン層、及び第1のシリコン層上のシリコン粒子由来の第2のシリコン層を有する。なお、本発明の半導体積層体の複合シリコン層においては、アモルファスシリコン由来の第1のシリコン層とこの第1のシリコン層上のシリコン粒子由来の第2のシリコン層との界面が明確である必要はなく、これらの層の間で組成が徐々に変化している遷移層を有意の厚さで有することもできる。本発明の半導体積層体は、複合シリコン層の凸部の高さが、100nm以下、90nm以下、80nm以下、70nm以下、60nm以下、又は50nm以下である。なお、本発明に関して、複合シリコン層の凸部の高さは、SEMの断面観察像における平坦部を基準とした凸部の高さを意味する。本発明の半導体積層体は例えば、本発明の方法によって製造することができる。《半導体デバイス》本発明の半導体デバイスは、本発明の半導体積層体を有する。本発明の半導体デバイスが電界効果トランジスタ又は太陽電池である場合、複合シリコン層が平坦な表面を有することによって、この複合シリコン層上に、絶縁層、電極等を堆積させたときに、安定な特性を提供できる。本発明の半導体デバイスは例えば、太陽電池である。具体的には、本発明の半導体デバイスが太陽電池である場合、複合シリコン層にドーパントを含有させ、この複合シリコン層をドーパント注入層として用いることによって、セレクティブ選択エミッタ型太陽電池、バックコンタクト型太陽電池を得ることができる。また同様に、複合シリコン層にドーパントを含有させ、この複合シリコン層をドーパント注入層として用いることによって、裏面電界BSF:BackSurfaceField層及び/又は表面電界FSF:FrontSurfaceField層を有する太陽電池を得ることができる。したがって例えば、本発明のセレクティブエミッタ型太陽電池500aでは、図4に示すように、n型半導体層12、12a及びp型半導体層14、14aを有する半導体基材10を有し、半導体基材10の受光面側表面に受光面側電極22及び保護層24が配置されており、半導体基材10の裏面側表面に裏面側電極32及び保護層34が配置されている。この図では、入射光を矢印100として示している。この太陽電池500aでは、n型半導体層12、12aのうちの電極22に接触する箇所が、ドーパント注入層52としての複合シリコン層に由来するn型ドーパントによってドーパント濃度を高められて、セレクティブエミッタ層12aにされている。また、この太陽電池500aは、p型半導体層14、14aのうちの裏面側が高ドープされてなる裏面電界層14aを有する。なお、この太陽電池の裏面電界層14aは、図4の部分図500bで示すように、ドーパント注入層70としての複合シリコン層に由来するp型ドーパントによってドーパント濃度を高めて形成することもできる。また例えば、本発明のバックコンタクト型太陽電池600aでは、図5に示すように、n型又はp型半導体からなる半導体基材10を有し、半導体基材10の受光面側表面に保護層24が配置されており、半導体基材10の裏面側表面に裏面側電極22、32及び保護層34が配置されている。この図では、入射光を矢印100として示している。この太陽電池600aでは、n型半導体からなる半導体基材10のうちの電極32、34に接触する箇所が、ドーパント注入層52、62としての複合シリコン層に由来するn型及びp型ドーパントによってドーパント濃度を高められて、バックコンタクト層12a、14aにされている。また、この太陽電池600aでは、半導体基材10のうちの受光面側が、n型に高ドープされてなる表面電界層12bを有している。なお、この太陽電池600aの表面電界層12bは、図5の部分図600bで示すように、ドーパント注入層80としての複合シリコン層に由来するn型ドーパントによってドーパント濃度を高めて形成することもできる。本発明の半導体デバイスは例えば、電界効果トランジスタである。具体的には、本発明の半導体デバイスが電界効果トランジスタである場合、本発明の複合シリコン層を活性層として用いることができる。《半導体積層体の製造方法》半導体積層体を製造する本発明の方法は、下記の工程を含む:a基材上にアモルファスシリコン層を形成する工程、bアモルファスシリコン層上にシリコン粒子分散体を塗布し、乾燥させることによって、アモルファスシリコン層上にシリコン粒子層が積層されている未処理積層体を形成する工程、及びc未処理積層体に光照射を行って、アモルファスシリコン由来の第1のシリコン層及びこの第1のシリコン層上のシリコン粒子由来の第2のシリコン層を有する複合シリコン層を形成する工程。このような本発明の方法によれば、本発明の半導体積層体を製造できる。本発明にて得られる半導体積層体は、図1aに示すような態様である。アモルファスシリコン層320及びシリコン粒子層330の積層体を基材10上に有する場合左図、レーザーによる融解、又は焼結は、アモルファスシリコン層とシリコン粒子層の両方で生じる。したがって、レーザー照射を行った場合、シリコン粒子層とアモルファスシリコン層は同様に融解し、アモルファスシリコン由来のシリコン層320aとシリコン粒子由来のシリコン層330a、330bとが一体化して、複合シリコン層320a、330a、330bが形成される右図。これによれば、表面が平坦な半導体積層体を得ることができる。したがって、複合シリコン層形成においては、アモルファスシリコン層とシリコン粒子層の一体化により、半導体積層体形成に要する時間は短くて済むため、例えば、パルスレーザー等などを用いたシリコン粒子の融解又は焼結において、レーザーのパルス幅に起因してシリコンの加熱時間が制約される場合でも、表面を平坦化することにおいて顕著な効果が達成できる。これに対して、単独のアモルファスシリコン層に光照射を行って半導体積層体を製造する場合、得られるシリコン層は、図1bに示すように、表面に凸部320bを有している。これは、アモルファスシリコン層が融解した後で結晶を形成しながら凝固する場合、粒界三重点において最終段に凝固が起こり、この粒界三重点における凝固の際に、体積膨張によって凸部320bが生じることによる。また、単独のシリコン粒子層に光照射を行って半導体積層体を製造する場合、得られるシリコン層は、図1cに示すように、粒子の焼結によって生じる比較的大きい粒子330cを有しており、それによって表面が大きい凹凸を有している。なお、シリコン粒子層及びその上のアモルファスシリコン層を有する積層体に光照射を行って半導体積層体を製造する場合、得られるシリコン層中に空気層が残り、ボイドとなる可能性がある。これは、一般に球形であるシリコン粒子を堆積させたときには、粒子間に空隙が存在しているので、その上にアモルファスシリコン層を堆積させ、そして焼結を行わせると、焼結後にもシリコン粒子間の空隙が残ってしまうことによる。《半導体積層体の製造方法-工程a》半導体積層体を製造する本発明の方法の工程aでは、基材上にアモルファスシリコン層を形成する。基材本発明の方法で用いられる基材は、本発明の目的及び効果を損なわない限り制限されるものではない。したがって例えば、基材としてはシリコン基材、ガラス基材などを用いることができる。アモルファスシリコン層本発明の方法で用いられるアモルファスシリコン層は、本発明の目的及び効果を損なわない限り制限されるものではなく、したがって例えばスパッタリング、化学気相成長法CVD等によって形成された層を用いることができる。このアモルファスシリコン層の厚さは、300nm以下、250nm以下、又は200nm以下であってよい。また、このアモルファスシリコン層の厚さは、50nm以上、又は100nm以上であってよい。《半導体積層体の製造方法-工程b》半導体積層体を製造する本発明の方法の工程bでは、アモルファスシリコン層上にシリコン粒子分散体を塗布し、乾燥させることによって、アモルファスシリコン層上にシリコン粒子層が積層された未処理積層体を形成する。このシリコン粒子層の厚さは、300nm以下、250nm以下、又は200nm以下であってよい。また、このシリコン粒子層の厚さは、50nm以上、又は100nm以上であってよい。粒子シリコン粒子分散体に含まれるシリコン粒子は、シリコンからなる粒子であれば、本発明の目的及び効果を損なわない限り制限されるものではない。このようなシリコン粒子としては、例えば特許文献4及び5で示されるようなシリコン粒子を用いることができる。具体的には、このシリコン粒子としては、レーザー熱分解法、特にCO2レーザーを用いたレーザー熱分解法によって得られたシリコン粒子を挙げることができる。分散体の粒子は、粒径が比較的小さいことが、光照射によって粒子を溶融及び焼結し、平坦な表面を有する半導体積層体を形成するために好ましいことがある。例えば、粒子の平均一次粒子径は、1nm以上、又は3nm以上であって、100nm以下、30nm以下、20nm以下、又は10nm以下であることが好ましい。ここで、本発明においては、粒子の平均一次粒子径は、走査型電子顕微鏡SEM:ScanningElectronMicroscope、透過型電子顕微鏡TEM等による観察によって、撮影した画像を元に直接粒子径を計測し、集合数100以上からなる粒子群を解析することで、数平均一次粒子径として求めることができる。なお、実施例においては、シリコン粒子の平均一次粒子径は、TEM観察を行い、10万倍の倍率により画像解析を行うことで行うことができる。シリコン粒子は、p型又はn型ドーパントによってドープされていてもよい。p型又はn型ドーパントは、例えばホウ素B、アルミニウムAl、ガリウムGa、インジウムIn、チタンTi、リンP、ヒ素As、アンチモンSb、又はそれらの組み合わせからなる群より選択される。また、シリコン粒子がドーピングされている程度は、ドーパント注入層としての複合シリコン層及び基材における所望のドーパント濃度等に依存して決定することができる。具体的には例えば、粒子は、ドーパントを、1×1020atoms/cm3以上、5×1020atoms/cm3以上、又は1×1021atoms/cm3以上含むことができる。分散媒分散体の分散媒は、本発明の目的及び効果を損なわない限り制限されるものではなく、したがって例えば本発明で用いるシリコン粒子と反応しない有機溶媒を用いることができる。具体的にはこの分散媒は、非水系溶媒、例えばアルコール、アルカン、アルケン、アルキン、ケトン、エーテル、エステル、芳香族化合物、又は含窒素環化合物、特にイソプロピルアルコールIPA、N-メチル-2-ピロリドンNMP等であってよい。また、アルコールとしては、エチレングリコールのようなグリコール2価アルコールを用いることもできる。なお、分散媒は、本発明で用いる粒子の酸化を抑制するために、脱水溶媒であることが好ましい。乾燥この乾燥は、分散体から分散媒を実質的に除去することができる方法であれば特に限定されず、例えば分散体を有する基材を、ホットプレート上に配置して行うこと、加熱雰囲気に配置して行うこと等ができる。乾燥温度は例えば、基材、分散体の粒子を劣化等させないように選択することができ、例えば50°C以上、70°C以上、90°C以上であって、100°C以下、150°C以下、200°C以下、又は250°C以下であるように選択できる。《半導体積層体の製造方法-工程c》半導体積層体を製造する本発明の方法の工程cでは、未処理積層体に光照射を行って、アモルファスシリコン由来の第1のシリコン層及びこの第1のシリコン層上のシリコン粒子由来の第2のシリコン層を有する複合シリコン層を形成する。照射される光ここで照射される光としては、上記のような複合シリコン層の形成を達成できれば任意の光を用いることができる。例えば、照射される光としては、単一波長からなるレーザー光、特に波長600nm以下、500nm以下又は400nm以下であって、300nm以上の波長を有するレーザー光を用いることができる。また、複合シリコン層への光照射は、特定の帯域の波長範囲例えば200~1100nmの光を一度に照射するフラッシュランプ、例えばキセノンフラッシュランプを用いて行うこともできる。また、上記のような複合シリコン層の形成を達成できれば、パルス状の光、連続発振される光などの光を任意に用いることができる。例えば、光照射をパルス状の光を用いて行う場合、パルス状の光の照射回数は例えば、1回以上、2回以上、5回以上、又は10回以上であって、300回以下、200回以下、又は150回以下にすることができる。また、パルス状の光の照射エネルギーは例えば、15mJ/cm2shot以上、50mJ/cm2shot以上、200mJ/cm2shot以上、350mJ/cm2shot以上、又は400mJ/cm2shot以上であって、2000mJ/cm2shot以下、1500mJ/cm2shot以下、1000mJ/cm2shot以下、800mJ/cm2shot以下、又は600mJ/cm2shot以下にすることができる。さらに、パルス状の光の照射時間は、例えば200ナノ秒/shot以下、100ナノ秒/shot以下、50ナノ秒/shot以下にすることができる。ここで、光の照射回数が少なすぎる場合には、所望の焼結を達成するために必要とされる1回のパルス当たりのエネルギーが大きくなり、したがってドーパント注入層が破損する恐れがある。また、1回あたりの照射エネルギーが少なすぎる場合には、焼結温度に達しない。また、焼結温度に達する場合であっても、エネルギーが少なすぎる場合には、必要とされる積算のエネルギーを得るために必要な照射の回数が多くなるため、処理時間が長くなる可能性がある。なお、照射エネルギー、照射回数等の最適な条件は、使用する光照射の波長、粒子の特性等に依存しており、当業者であれば、本願明細書を参照して実験を行うことによって最適な値を求めることができる。照射雰囲気分散体粒子を焼結するための光照射は、非酸化性雰囲気、例えば水素、希ガス、窒素、及びそれらの組合せからなる雰囲気において行うことが、分散体粒子の酸化を防ぐために好ましい。ここで、希ガスとしては、特にアルゴン、ヘリウム、及びネオンを挙げることができる。なお、雰囲気が水素を含有することは、分散体粒子の還元作用があり、酸化された表面部分を還元して、連続層を形成するために好ましいことがある。また、非酸化性雰囲気とするために、雰囲気の酸素含有率は、1体積以下、0.5体積以下、0.1体積以下、又は0.01体積以下とすることができる。《半導体デバイスの製造方法》半導体デバイス、例えば電界効果トランジスタFET又は太陽電池を製造する本発明の方法は、本発明の方法によって半導体積層体層を作る工程を含む。例えば、電界効果トランジスタを製造する本発明の方法は更に、ゲート絶縁体を製造する工程、ソース及びドレイン電極を製造する工程等を含むことができる。また例えば、太陽電池を製造する本発明の方法では、本発明の方法で得られる複合シリコン層を、セレクティブエミッタ型太陽電池のセレクティブエミッタ層、又はバックコンタクト型太陽電池のバックコンタクト層を形成するために用いることができる。また、太陽電池を製造する本発明の方法では、本発明の方法で得られる複合シリコン層を、裏面電界層又は表面電界層を形成するために用いることができる。実施例1シリコン粒子分散体の調製リンPドープシリコン粒子を、SiH4ガス及びPH3ガスを原料として、CO2レーザーを用いたレーザー熱分解LP:LaserPyrolysis法により作製した。得られたリンドープシリコン粒子は、平均一次粒子径が約7nmであった。このリンドープシリコン粒子を、イソプロピルアルコールIPA中に超音波分散させて、固形分濃度2wtのリンドープシリコン粒子分散体を得た。なお、シリコン粒子の平均一次粒子径は、TEM観察を行い、10万倍の倍率により画像解析を行うことで行った。500個以上の集合を元に、シリコン粒子分散体の平均一次粒子径分散を算出した。基材の準備ホウ素Bドープシリコン基材厚さ280μm、比抵抗5Ωcm以下を、アセトン及びイソプロピルアルコール中で各5分間ずつ超音波洗浄し、洗浄液FrontierCleaner、関東化学製でパーティクル除去を行い、その後、5フッ化水素水溶液中で10分間にわたって酸化層を除去し、清浄化された基材を準備した。アモルファスシリコン層の形成洗浄後の基材に対し、スパッタリング装置によってアモルファスシリコン層を形成した。スパッタリング条件は、圧力4×10-3Torr、コンデンサー300pf、Ar流量100sccm、電力300W、スパッタ時間20分厚さ150nmとした。シリコン粒子層の形成リンドープシリコン粒子分散体を、アモルファスシリコン層を形成した基材上に数滴滴下し、500rpmで5秒間にわたって、そして4000rpmで10秒間にわたって、スピンコートすることにより、アモルファスシリコン層上にシリコン粒子分散体を塗布した。リンドープシリコン粒子分散体が塗布された基材を、70°Cのホットプレート上で乾燥させることによって、シリコン粒子分散体中の分散媒であるイソプロピルアルコールを除去し、それによってアモルファスシリコン層上にシリコン粒子層厚さ200nmを有する未処理積層体を形成した。光照射次に、未処理積層体に対して、レーザー光照射装置Quantronix社製、商品名Osprey355-2-0を用いて、アルゴン雰囲気でYVO4レーザー波長355nmを照射し、焼成して、複合シリコン層を有する半導体積層体を得た。ここで、照射したYVO4レーザーは、断面が直径100μmの円形であり、それを基材上で走査させることにより、未処理積層体を処理して複合シリコン膜を得た。レーザー光照射条件は、照射エネルギー500mJ/cm2shot、ショット数20回、及び照射時間30ナノ秒/ショットとした。評価-表面形態観察作製された複合シリコン層の表面形態を、電界放射型走査電子顕微鏡FE-SEM日立ハイテクノロジーズ製、S5200型にて観察した。この表面形態観察結果を図2に示す。図2からは、この複合シリコン層が、平坦な表面を有することが観察される。具体的には、この複合シリコン層の凸部の高さ、すなわち平坦部を基準とした凸部の高さは、50nm程度であった。比較例1アモルファスシリコン層の形成を行わなかったこと、すなわちシリコン粒子層のみを用いたこと以外は実施例1と実質的に同様にして、半導体積層体を得た。評価-表面形態観察作製されたシリコン粒子由来のシリコン層の表面形態を、実施例1と同様にして観察した。この表面形態観察結果を図3に示す。図3からは、このシリコン層が、実施例1についての図2と比較して平坦化されていないことが観察される。具体的には、このシリコン層の凸部の高さ、すなわち平坦部を基準とした凸部の高さは、100nm以上であった。ただし、このシリコン層は明確な平坦部を有しておらず、したがって正確な凸部の高さの評価は困難であった。