基板上に備えられたボトムゲート電極と、前記ボトムゲート電極の上部に備えられた絶縁層と、前記絶縁層の上部にアイランド状にパターニングされ、帯電体によって発生した電流が流れるチャネルが形成されたアクティブ層と、前記アクティブ層の上部に備えられ、第1及び第2コンタクトホールが形成されたエッチング停止層と、前記第1及び第2コンタクトホールを充填し、前記エッチング停止層の上部に相互対向するように形成されたソース及びドレイン電極と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタセンサー。前記第1及び第2コンタクトホールは、前記アクティブ層のコーナーに対応する領域に対角線に対向するように形成されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタセンサー。前記第1及び第2コンタクトホールは、前記アクティブ層の辺に対応する領域に対向するように形成されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタセンサー。前記ソース及びドレイン電極と同一層で前記ソース及びドレイン電極と接触せず、前記エッチング停止層の上部に対向するように形成された第1及び第2トップゲート電極をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタセンサー。前記第1及び第2トップゲート電極に周期的にスイングする電圧を印加して、前記チャネルを流れる電流の方向を調節することを特徴とする請求項4に記載の薄膜トランジスタセンサー。前記アクティブ層は、中央にホールを備え、前記ホールによって前記チャネルが分離されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタセンサー。前記分離された各チャネルに流れる電流量を基にして、前記帯電体のタッチ方向及びタッチ強度を感知することを特徴とする請求項6に記載の薄膜トランジスタセンサー。前記アクティブ層は、酸化物半導体であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタセンサー。前記ボトムゲート電極は、所定間隔分離されて、前記アクティブ層の辺に対応する領域に対向するように形成された第1ボトムゲート電極及び第2ボトムゲート電極を備えることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタセンサー。前記第1及び第2ボトムゲート電極に周期的にスイングする電圧を印加して、前記チャネルを流れる電流の方向を調節することを特徴とする請求項9に記載の薄膜トランジスタセンサー。基板上に備えられたボトムゲート電極と、前記ボトムゲート電極の上部に備えられた絶縁層と、前記絶縁層の上部にアイランド状にパターニングされ、中央にチャネルを分離するホールを備えたアクティブ層と、前記アクティブ層の上部に備えられ、第1及び第2コンタクトホールが形成されたエッチング停止層と、前記エッチング停止層の上部の前記アクティブ層の外郭に形成された電極層と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタセンサー。前記第1及び第2コンタクトホールは、前記アクティブ層の4つのコーナーのうち、対角線に対向する二つのコーナーに対称形成され、前記電極層は、前記第1及び第2コンタクトホールを充填し、前記二つのコーナーに対応する領域に対称形成されたソース及びドレイン電極と、前記ソース及びドレイン電極と接触せずに、残りの二つのコーナーに対応する領域に対称形成された第1及び第2トップゲート電極と、を備えることを特徴とする請求項11に記載の薄膜トランジスタセンサー。前記第1及び第2コンタクトホールは、前記アクティブ層の4つの辺のうち、相互対向する2つの辺に対称形成され、前記電極層は、前記第1及び第2コンタクトホールを充填し、前記二つの辺に対応する領域に対称形成されたソース及びドレイン電極と、前記ソース及びドレイン電極と接触せずに残りの二つの辺に対応する領域に対称形成された第1及び第2トップゲート電極と、を備えることを特徴とする請求項11に記載の薄膜トランジスタセンサー。前記アクティブ層は、酸化物半導体であることを特徴とする請求項11に記載の薄膜トランジスタセンサー。前記アクティブ層は、In、Ga、Zn、Sn、Sb、Ge、Hf、Al及びAsを含むグループから選択される少なくとも一つ以上の物質を含むことを特徴とする請求項14に記載の薄膜トランジスタセンサー。前記第1及び第2トップゲート電極に周期的にスイングする電圧を印加して、前記チャネルを流れる電流の方向を調節することを特徴とする請求項12または13に記載の薄膜トランジスタセンサー。前記アクティブ層は、長方形または正方形であることを特徴とする請求項11に記載の薄膜トランジスタセンサー。基板上に所定間隔分離されて備えられた第1及び第2ボトムゲート電極と、前記第1及び第2ボトムゲート電極の上部に備えられた絶縁層と、前記絶縁層の上部にアイランド状にパターニングされ、中央にチャネルを分離するホールを備えたアクティブ層と、前記アクティブ層の上部に備えられ、第1及び第2コンタクトホールが形成されたエッチング停止層と、前記第1及び第2コンタクトホールを充填し、前記エッチング停止層の上部に相互対向するように形成されたソース及びドレイン電極と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタセンサー。前記第1及び第2コンタクトホールは、前記アクティブ層の4つの辺のうち、相互対向する2つの辺に対称形成され、前記ソース及びドレイン電極は、前記第1及び第2コンタクトホールを充填し、前記二つの辺に対応する領域に対称形成され、前記第1及び第2ボトムゲート電極は、残りの二つの辺に対応する領域に対称形成されたことを特徴とする請求項18に記載の薄膜トランジスタセンサー。前記アクティブ層は、酸化物半導体であることを特徴とする請求項18に記載の薄膜トランジスタセンサー。前記アクティブ層は、In、Ga、Zn、Sn、Sb、Ge、Hf及びAsを含むグループから選択される少なくとも一つ以上の物質を含むことを特徴とする請求項20に記載の薄膜トランジスタセンサー。前記第1及び第2ボトムゲート電極に周期的にスイングする電圧を印加して、前記チャネルを流れる電流の方向を調節することを特徴とする請求項18に記載の薄膜トランジスタセンサー。前記アクティブ層は、長方形または正方形であることを特徴とする請求項18に記載の薄膜トランジスタセンサー。所定角度に回転して配された薄膜トランジスタアレイを一つのセルとして備える薄膜トランジスタセンサーにおいて、前記薄膜トランジスタが、基板上に備えられたボトムゲート電極と、前記ボトムゲート電極の上部に備えられた絶縁層と、前記絶縁層の上部にアイランド状にパターニングされ、中央にチャネルを分離するホールを備えたアクティブ層と、前記アクティブ層の上部に備えられ、第1及び第2コンタクトホールが形成されたエッチング停止層と、前記第1及び第2コンタクトホールを充填し、前記エッチング停止層の上部に相互対向するように形成されたソース及びドレイン電極と、前記エッチング停止層の上部に相互対向するように形成された第1及び第2トップゲート電極と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタセンサー。前記セルは、90°角度に回転して配された4つの薄膜トランジスタを備えることを特徴とする請求項24に記載の薄膜トランジスタセンサー。所定角度に回転して配された薄膜トランジスタアレイを一つのセルとして備える薄膜トランジスタセンサーにおいて、前記薄膜トランジスタが、基板上に所定間隔分離されて備えられた第1及び第2ボトムゲート電極と、前記第1及び第2ボトムゲート電極の上部に備えられた絶縁層と、前記絶縁層の上部にアイランド状にパターニングされ、中央にチャネルを分離するホールを備えたアクティブ層と、前記アクティブ層の上部に備えられ、第1及び第2コンタクトホールが形成されたエッチング停止層と、前記第1及び第2コンタクトホールを充填し、前記エッチング停止層の上部に相互対向するように形成されたソース及びドレイン電極と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタセンサー。前記セルは、90°角度に回転して配された4つの薄膜トランジスタを備えることを特徴とする請求項26に記載の薄膜トランジスタセンサー。前記セルは、二つの薄膜トランジスタをそれぞれ90°回転して配された4つの薄膜トランジスタを備えることを特徴とする請求項26に記載の薄膜トランジスタセンサー。基板上にボトムゲート電極を形成する工程と、前記ボトムゲート電極の上部に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の上部にアイランド状にパターニングされ、中央にホールを備えたアクティブ層を形成する工程と、前記アクティブ層の上部に第1及び第2コンタクトホールを備えたエッチング停止層を形成する工程と、前記第1及び第2コンタクトホールを充填し、前記エッチング停止層の上部に相互対向するソース及びドレイン電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタセンサーの製造方法。前記第1及び第2コンタクトホールは、前記アクティブ層のコーナーに対応する領域に対角線に対向するように形成されたことを特徴とする請求項29に記載の薄膜トランジスタセンサーの製造方法。前記第1及び第2コンタクトホールは、前記アクティブ層の辺に対応する領域に対向するように形成されたことを特徴とする請求項29に記載の薄膜トランジスタセンサーの製造方法。前記ソース及びドレイン電極の形成工程と同時に、前記ソース及びドレイン電極と同一層に前記ソース及びドレイン電極と接触せず、前記エッチング停止層の上部に対向するように第1及び第2トップゲート電極を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項29に記載の薄膜トランジスタセンサーの製造方法。前記ボトムゲート電極を形成する工程は、所定間隔分離されて前記アクティブ層の辺に対応する領域に対向する第1ボトムゲート電極及び第2ボトムゲート電極を形成する工程を含むことを特徴とする請求項29に記載の薄膜トランジスタセンサーの製造方法。前記アクティブ層は、酸化物半導体であることを特徴とする請求項29に記載の薄膜トランジスタセンサーの製造方法。本発明が解決しようとする課題は、安定して帯電体のタッチ強度及びタッチ方向を検出できるTFTセンサーを提供することである。前記課題を達成するために、本発明の望ましい一実施形態によるTFTセンサーは、基板上に備えられたボトムゲート電極と、前記ボトムゲート電極の上部に備えられた絶縁層と、前記絶縁層の上部にアイランド状にパターニングされ、帯電体によって発生した電流が流れるチャネルが形成されたアクティブ層と、前記アクティブ層の上部に備えられ、第1及び第2コンタクトホールが形成されたエッチング停止層と、前記第1及び第2コンタクトホールを充填し、前記エッチング停止層の上部に相互対向するように形成されたソース及びドレイン電極と、を備えうる。前記第1及び第2コンタクトホールは、前記アクティブ層のコーナーに対応する領域に対角線で対向するか、または前記アクティブ層の辺に対応する領域に対向するように形成されうる。前記ソース及びドレイン電極と同一層で、前記ソース及びドレイン電極と接触せずに前記エッチング停止層の上部に相互対向するように形成された第1及び第2トップゲート電極をさらに備えうる。前記第1及び第2トップゲート電極に周期的にスイングする電圧を印加して、前記チャネルを流れる電流の方向を調節しうる。前記アクティブ層は、中央にホールを備え、前記ホールによって前記チャネルが分離され、前記分離された各チャネルに流れる電流量を基にして、前記帯電体のタッチ方向及びタッチ強度を感知しうる。前記アクティブ層は、酸化物半導体でありうる。前記ボトムゲート電極は、所定間隔分離されて、前記アクティブ層の辺に対応する領域に相互対向するように形成された第1ボトムゲート電極及び第2ボトムゲート電極を含みうる。ここで、前記第1及び第2ボトムゲート電極に周期的にスイングする電圧を印加して、前記チャネルを流れる電流の方向を調節しうる。本発明の望ましい一実施形態によるTFTセンサーは、基板上に備えられたボトムゲート電極と、前記ボトムゲート電極の上部に備えられた絶縁層と、前記絶縁層の上部にアイランド状にパターニングされ、中央にチャネルを分離するホールを備えたアクティブ層と、前記アクティブ層の上部に備えられ、第1及び第2コンタクトホールが形成されたエッチング停止層と、前記エッチング停止層の上部の前記アクティブ層の外郭に形成された電極層と、を備えうる。前記第1及び第2コンタクトホールは、前記アクティブ層の4つのコーナーのうち、対角線に対向する2つのコーナーに対称形成され、前記電極層は、前記第1及び第2コンタクトホールを充填し、前記2つのコーナーに対応する領域に対称形成されたソース及びドレイン電極と、前記ソース及びドレイン電極と接触せずに、残りの2つのコーナーに対応する領域に対称形成された第1及び第2トップゲート電極と、を備えうる。前記第1及び第2コンタクトホールは、前記アクティブ層の4つの辺のうち、相互対向する2つの辺に対称形成され、前記電極層は、前記第1及び第2コンタクトホールを充填し、前記2つの辺に対応する領域に対称形成されたソース及びドレイン電極と、前記ソース及びドレイン電極と接触せずに、残りの2つの辺に対応する領域に対称形成された第1及び第2トップゲート電極と、を備えうる。前記アクティブ層は、酸化物半導体として、In、Ga、Zn、Sn、Sb、Ge、Hf、Al及びAsを含むグループから選択される少なくとも一つ以上の物質を含みうる。前記第1及び第2トップゲート電極に周期的にスイングする電圧を印加して、前記チャネルを流れる電流の方向を調節しうる。前記アクティブ層は、長方形または正方形でありうる。本発明の望ましい一実施形態によるTFTセンサーは、基板上に所定間隔分離されて備えられた第1及び第2ボトムゲート電極と、前記第1及び第2ボトムゲート電極の上部に備えられた絶縁層と、前記絶縁層の上部にアイランド状にパターニングされ、中央にチャネルを分離するホールを備えたアクティブ層と、前記アクティブ層の上部に備えられ、第1及び第2コンタクトホールが形成されたエッチング停止層と、前記第1及び第2コンタクトホールを充填し、前記エッチング停止層の上部に相互対向するように形成されたソース及びドレイン電極と、を備えうる。前記第1及び第2コンタクトホールは、前記アクティブ層の4つの辺のうち相互対向する2つの辺に対称形成され、前記ソース及びドレイン電極は、前記第1及び第2コンタクトホールを充填し、前記2つの弁に対応する領域に対称形成され、前記第1及び第2ボトムゲート電極は、残りの2つの弁に対応する領域に対称形成されうる。前記アクティブ層は、酸化物半導体として、In、Ga、Zn、Sn、Sb、Ge、Hf、Al及びAsを含むグループから選択される少なくとも一つ以上の物質を含みうる。前記第1及び第2ボトムゲート電極に周期的にスイングする電圧を印加して、前記チャネルを流れる電流の方向を調節しうる。前記アクティブ層は、長方形または正方形でありうる。本発明の望ましい一実施形態によるTFTセンサーは、所定角度に回転して配されたTFTアレイを一つのセルで備えうる。前記セルは、90°の角度に回転して配された4つのTFT、または2つのTFTをそれぞれ90°回転して配された4つのTFTを備えうる。本発明の望ましい一実施形態によるTFTセンサーの製造方法は、基板上にボトムゲート電極を形成する工程と、前記ボトムゲート電極の上部に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の上部にアイランド状にパターニングされ、中央にホールを備えたアクティブ層を形成する工程と、前記アクティブ層の上部に第1及び第2コンタクトホールを備えたエッチング停止層を形成する工程と、前記第1及び第2コンタクトホールを充填し、前記エッチング停止層の上部に相互対向するソース及びドレイン電極を形成する工程と、を含みうる。前記第1及び第2コンタクトホールは、前記アクティブ層のコーナーに対応する領域に対角線に対向するように形成されるか、または前記アクティブ層の辺に対応する領域に対向するように形成されうる。前記ソース及びドレイン電極の形成工程と同時に、前記ソース及びドレイン電極と同一層に前記ソース及びドレイン電極と接触せずに、前記エッチング停止層の上部に対向するように、第1及び第2トップゲート電極を形成する工程と、をさらに含みうる。前記ボトムゲート電極を形成する工程は、所定間隔分離されて前記アクティブ層の辺に対応する領域に対向する第1ボトムゲート電極及び第2ボトムゲート電極を形成する工程と、を含みうる。前記アクティブ層は、酸化物半導体でありうる。本発明は、酸化物半導体をアクティブ層で備え、分離型トップゲート電極またはボトムゲート電極を備えたTFTセンサーを利用して、帯電体のタッチをセンシングしうる。したがって、別途のセンシング回路及びアルゴリズムを要求しない。以下、本発明の望ましい実施形態を、添付した図面を参照して説明する。図面上の同じ符号は、同じ要素を表す。下記で、本発明の説明において、関連した公知機能または構成についての具体的な説明が、本発明の要旨を不明確にすると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。本発明の実施形態を説明する図面において、複数の層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して表した。ある層や領域は、明細書の明確性のために、厚さを拡大して表した。また、層、膜、領域、板の部分が他の部分上にあるとする時、これは、他の部分のその真上にある場合だけでなく、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。図1は、本発明の望ましい一実施形態による薄膜トランジスタTFT:ThinFilmTransistorセンサーの平面図である。図1を参照すれば、本発明のTFTセンサーは、ボトムゲート電極が一体型であり、トップゲート電極が分離型である。前記TFTセンサーは、ボトムゲート電極BGの上部に第1及び第2トップゲート電極TG1TG2、ドレイン電極120D及びソース電極120Sを同一平面上に備える2次元構造である。基板100上に正方形のボトムゲート電極BGが備えられる。前記ボトムゲート電極BGは、アクティブ層115に形成されたチャネルに流れる電流を制御する。前記ボトムゲート電極BGの上部には、チャネルを分離する分離ホールH1が形成された正方形のアクティブ層115が備えられる。前記分離ホールH1は、アクティブ層115の中央に位置し、アクティブ層115は、酸化物半導体で形成され、ドーナッツ形状を有する。前記分離ホールH1のサイズは、センサーの静的分解能及び方向感知性能を考慮して決定されうる。前記分離ホールH1が大きくなれば、静的分解能は低下する一方、方向感知性能は良く、逆の場合、静的分解能は向上する一方、方向感知性能は低い。前記アクティブ層115のドレイン領域及びソース領域は、コンタクトホールH21H22を通じてドレイン電極120D及びソース電極120Sと接触する。前記ドレイン電極120D及び前記ソース電極120Sは、前記正方形の4つのコーナー領域のうち、対角線に相互対向する2つのコーナー領域に備えられる。第1トップゲート電極TG1及び第2トップゲート電極TG2は、ドレイン電極120D及びソース電極120Sと同じ層に対角線に相互対向する残りの2つのコーナー領域に備えられる。前記分離ホールH1によって、ドレイン電極120Dからソース電極120Sに流れる電流Idsは、第1トップゲート電極TG1方向の第1チャネル[1]及び第2トップゲート電極TG2方向の第2チャネル[2]に流れうる。図2A及び図2Bは、図1のTFTセンサーの駆動方法を説明する概略図である。図2Aを参照すれば、TFTセンサーのボトムゲート電極BGに電圧を印加した状態で、第1トップゲート電極TG1と第2トップゲート電極TG2とに異なる極性の電圧が周期的に印加される。この時、第1チャネル[1]に流れる電流と第2チャネル[2]に流れる電流との和、すなわち、全体電流Idsの量は、経時的に変化なしに一定である。トップゲート電極TGに負の電圧を印加すれば、チャネルが狭くなって、電流が減少し、トップゲート電極TGに正の電圧を印加すれば、チャネルが広くなって、電流が増加する。したがって、トップゲート電極TGに印加される電圧の極性を利用して、チャネルに流れる電流の強度を調節しうる。これにより、二つのチャネルに流れる電流の方向を調節しうる。例えば、第1トップゲート電極TG1に正の電圧を印加し、第2トップゲート電極TG2に負の電圧を印加すれば、ほとんどの電流は、第1チャネル[1]を通じて流れる。第1トップゲート電極TG1に負の電圧を印加し、第2トップゲート電極TG2に正の電圧を印加すれば、ほとんどの電流は、第2チャネル[2]を通じて流れる。すなわち、全体電流Idsの量は、変化なしに同一であり、二つのチャネルに流れる電流量の変化によって、電流の方向を調節しうる。図2Bを参照すれば、第1トップゲート電極TG1と第2トップゲート電極TG2それぞれによって、異なる時間に第1チャネル[1]と第2チャネル[2]とに電流が流れる。外部帯電体によって、接触または非接触による表面帯電が発生すれば、アクティブ層115のチャネルで電流量が変わる。例えば、第1トップゲート電極TG1の周辺に外部帯電体の接触または非接触がある場合、第1トップゲート電極TG1が開かれる瞬間、第1チャネル[1]に流れる電流Ids’が増加する。外部帯電体が第2トップゲート電極TG2の周辺に接触または非接触した場合、第2トップゲート電極TG2が開かれる瞬間、第2チャネル[2]に流れる電流Ids’が増加する。したがって、時間的な差を置いて増加する電流量から、帯電体が第1トップゲート電極TG1の周辺から第2トップゲート電極TG2の周辺に移動したことが分かる。すなわち、第1トップゲート電極TG1及び第2トップゲート電極TG2での電流量の差から、帯電体の移動方向が分かり、電流量から帯電強度が分かる。図3Aないし図6Bは、図1のTFTセンサーの製造工程を概略的に示した斜視図及び断面図である。図3A及び図3Bを参照すれば、基板100上にボトムゲート電極BGを形成する。前記基板100は、SiO2を主成分とする透明なガラス材質で形成されうる。また、前記基板100は、プラスチック材質を含みうる。前記基板100は、メタルホイルとフレキシブル基板とを備えうる。前記ボトムゲート電極BGを形成する前に、基板100上にバッファ層をさらに形成しうる。前記バッファ層は、基板100から前記基板100の上部に配列される層に不純物の浸透を遮断する役割を行える。バッファ層は、SiO2及びまたはSiNxを含みうる。前記ボトムゲート電極BGは、基板100の上部に金属層を蒸着し、前記金属層を正方形にパターニングすることによって形成される。前記ボトムゲート電極BGの金属層は、Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo、W、Ti、またはAlNd、MoW合金のような金属または金属の合金で形成されうるが、これに限定されず、隣接層との密着性、積層される層の平坦性、電気抵抗及び加工性を考慮して、多様な材料を使用しうる。前記ボトムゲート電極BGが形成された基板100上に、ゲート絶縁膜113が形成される。前記ゲート絶縁膜113は、酸化シリコンまたは窒化シリコンのような絶縁性物質で形成され、例えば、TEOSTetraEthylOrthoSilicate酸化膜で形成されうる。もちろん、それ以外にも、絶縁性有機物で形成されることもある。図4A及び図4Bを参照すれば、ゲート絶縁膜113が積層された基板100上に、アクティブ層115を形成する。前記アクティブ層115は、In、Ga、Zn、Sn、Sb、Ge、Hf、Al及びAsを含むグループから選択される少なくとも一つ以上の元素を含有する酸化物半導体を含みうる。例えば、前記酸化物半導体として、ZnO、SnO2、In2O3、Zn2SnO4、Ga2O3及びHfO2を含むグループから選択される少なくとも一つを含みうる。また、前記アクティブ層115は、透明な酸化物半導体で形成されうる。透明な酸化物半導体は、例えば、酸化亜鉛、酸化スズ、Ga-In-Zn酸化物、In-Zn酸化物、In-Sn酸化物を含み、これらに限定されない。前記アクティブ層115は、物理的な蒸着法であるスパッタリング法を利用して形成しうる。前記アクティブ層115は、素子で要求される抵抗値によって、酸素流量をコントロールして形成されうる。前記アクティブ層115は、酸化物半導体層を蒸着した後、前記酸化物半導体層をボトムゲート電極BGに対応する正方形にパターニングすることによって形成される。前記アクティブ層115の中央には、下部のゲート絶縁膜113を露出する分離ホールH1が形成される。アクティブ層115は、分離ホールH1によってドーナッツ形状を有する。前記分離ホールH1は、ゲート絶縁膜113及びボトムゲート電極BGまで貫通して形成されることもある。図5A及び図5Bを参照すれば、アクティブ層115が形成された基板100上に、エッチング停止層117を形成する。前記エッチング停止層117は、酸化シリコンまたは窒化シリコンのような絶縁性物質で形成されるが、必ずしもこれらに限定されるものではない。前記エッチング停止層117は、低温CVD工程によって形成されうる。前記エッチング停止層117は、アクティブ層115の分離ホールH1を埋め込む。前記エッチング停止層117は、正方形の4つのコーナー領域のうち、二つのコーナー領域に第1コンタクトホールH21と第2コンタクトホールH22とを対称的に備える。第1コンタクトホールH21と第2コンタクトホールH22とは、アクティブ層115のドレイン領域及びソース領域を露出する。図6A及び図6Bを参照すれば、エッチング停止層117が形成された基板100上に、ドレイン電極120D、ソース電極120S、第1及び第2トップゲート電極TG1TG2を形成する。前記エッチング停止層117の上部に金属層を積層し、前記金属層を4つの電極にパターニングすることによって、ドレイン電極120D、ソース電極120S、第1及び第2トップゲート電極TG1TG2を形成しうる。前記金属層は、導電性のある物質であって、例えば、Cr、Pt、Ru、Au、Ag、Mo、Al、W、CuまたはAlNdのような金属またはITOIndiumTinOxide、GIZOGalliumIndiumZincOxide、GZOGalliumZincOxide、AZOAllumiumZincOxide、IZOまたはAZOのような金属または導電性酸化物でありうる。また、前記金属層は、ボトムゲート電極BGの形成に使われた金属層と同じ物質でもありうる。前記ドレイン電極120Dは、第1コンタクトホールH21を埋め込んで正方形の一コーナー領域に形成され、前記ソース電極120Sは、第2コンタクトホールH22を埋め込んで、前記ドレイン電極120Dと対角線方向に対向するコーナー領域に形成される。もちろん、第1コンタクトホールH21上にソース電極120Sが形成され、第2コンタクトホールH22上にドレイン電極120Dが形成されもする。前記ドレイン電極120D及び前記ソース電極120Sは、第1コンタクトホールH21及び第2コンタクトホールH22を通じて、アクティブ層115のドレイン領域及びソース領域とそれぞれ接触する。前記第1トップゲート電極TG1と前記第2トップゲート電極TG2とは、第1コンタクトホールH21及び第2コンタクトホールH22が形成されていない残りのコーナー領域にそれぞれ対称的に形成される。前記第1及び第2トップゲート電極TG1TG2、ドレイン電極120D及びソース電極120Sの上部にパッシベーション層または窒化シリコンのような絶縁性物質で形成され、絶縁性有機物がさらに形成されることもある。図7は、本発明の望ましい他の実施形態によるTFTセンサーの平面図である。図7を参照すれば、本発明のTFTセンサーは、ボトムゲート電極が一体型であり、トップゲート電極が分離型である。前記TFTセンサーは、ボトムゲート電極BGの上部に第1及び第2トップゲート電極TG1TG2、ドレイン電極220D及びソース電極220Sを同一平面上に備えたTFTを備える。基板200上に正方形のボトムゲート電極BGが備えられる。前記ボトムゲート電極BGの上部には、チャネルを分離する分離ホールH1が形成された正方形のアクティブ層215が備えられる。前記分離ホールH1は、アクティブ層215の中央に位置し、アクティブ層215は、酸化物半導体で形成され、ドーナッツ形状を有する。前記分離ホールH1のサイズは、静的分解能及び方向感知性能を考慮して決定されうる。前記分離ホールH1が大きくなれば、静的分解能は低下する一方、方向感知性能が良く、逆の場合、静的分解能は向上する一方、方向感知性能は低い。前記アクティブ層215のドレイン領域及びソース領域は、コンタクトホールH21H22を通じてドレイン電極220D及びソース電極220Sと接触する。前記ドレイン電極220D及びソース電極220Sは、前記正方形の4つの辺のうち、相互対向する2つの辺に対応して備えられる。第1トップゲート電極TG1及び第2トップゲート電極TG2は、ドレイン電極120D及びソース電極120Sと同じ層に相互対向する残りの2つの辺に対応して備えられる。前記分離ホールH1によって、ドレイン電極220Dからソース電極220Sに流れる電流Idsは、第1トップゲート電極TG1方向の第1チャネル[1]及び第2トップゲート電極TG2方向の第2チャネル[2]に流れうる。図7のTFTセンサーの駆動方法は、図2A及び図2Bの説明と同じであるので、詳細な説明は、省略する。図8Aないし図11Bは、図7のTFTセンサーの製造工程を概略的に示した斜視図及び断面図である。図8A及び図8Bを参照すれば、基板200上にボトムゲート電極BGを形成する。前記基板200は、SiO2を主成分とする透明なガラス材質で形成されうる。また、前記基板200は、プラスチック材質を含みうる。前記基板200は、メタルホイルとフレキシブル基板とを備えうる。前記ボトムゲート電極BGを形成する前に、基板200上にバッファ層をさらに形成しうる。前記バッファ層は、基板200から前記基板200の上部に配列される層への不純物の浸透を遮断する役割を行える。バッファ層は、SiO2及びまたはSiNxを含みうる。前記ボトムゲート電極BGは、基板200の上部に金属層を蒸着し、前記金属層を正方形にパターニングすることによって形成される。前記ボトムゲート電極BGの金属層は、Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo、W、Ti、またはAlNd、MoW合金のような金属または金属の合金で形成されうるが、これらに限定されず、隣接層との密着性、積層される層の平坦性、電気抵抗及び加工性を考慮して、多様な材料を使用しうる。前記ボトムゲート電極BGが形成された基板200上に、ゲート絶縁膜213が形成される。前記ゲート絶縁膜213は、酸化シリコンまたは窒化シリコンのような絶縁性物質で形成され、例えば、TEOS酸化膜で形成されうる。もちろん、それ以外にも、絶縁性有機物で形成されることもある。図9A及び図9Bを参照すれば、ゲート絶縁膜213が積層された基板200上にアクティブ層215を形成する。前記アクティブ層215は、In、Ga、Zn、Sn、Sb、Ge、Hf、Al及びAsを含むグループから選択される少なくとも一つ以上の元素を含有する酸化物半導体を含みうる。例えば、前記酸化物半導体として、ZnO、SnO2、In2O3、Zn2SnO4、Ga2O3及びHfO2を含むグループから選択される少なくとも一つを含みうる。また、前記アクティブ層215は、透明な酸化物半導体で形成されうる。透明な酸化物半導体は、例えば、酸化亜鉛、酸化スズ、Ga-In-Zn酸化物、In-Zn酸化物、In-Sn酸化物を含み、これらに限定されない。前記アクティブ層215は、物理的な蒸着法であるスパッタリング法を利用して形成しうる。前記アクティブ層215は、素子で要求される抵抗値によって、酸素流量をコントロールして形成されうる。前記アクティブ層215は、酸化物半導体層を蒸着した後、前記酸化物半導体層をボトムゲート電極BGに対応する正方形にパターニングすることによって形成される。前記アクティブ層215の中央には、下部のゲート絶縁膜213を露出する分離ホールH1が形成される。アクティブ層215は、分離ホールH1によってドーナッツ形状を有する。前記分離ホールH1は、ゲート絶縁膜213及びボトムゲート電極BGまで貫通して形成されもする。図10A及び図10Bを参照すれば、アクティブ層215が形成された基板200上にエッチング停止層217を形成する。前記エッチング停止層217は、酸化シリコンまたは窒化シリコンのような絶縁性物質で形成されるが、必ずしもこれらに限定されるものではない。前記エッチング停止層217は、低温CVD工程によって形成されうる。前記エッチング停止層217は、アクティブ層215の分離ホールH1を埋め込む。前記エッチング停止層217は、正方形の4つの辺のうち、二つの辺の中央に、第1コンタクトホールH21と第2コンタクトホールH22とを対称的にそれぞれ備える。第1コンタクトホールH21と第2コンタクトホールH22とは、アクティブ層215のドレイン領域及びソース領域を露出する。図11A及び図11Bを参照すれば、エッチング停止層217が形成された基板200上に、ドレイン電極220D、ソース電極220S、第1及び第2トップゲート電極TG1TG2を形成する。前記エッチング停止層217の上部に金属層を積層し、前記金属層を4つの電極にパターニングすることによって、ドレイン電極220D、ソース電極220S、第1及び第2トップゲート電極TG1TG2を形成しうる。前記金属層は、導電性のある物質であって、例えば、Cr、Pt、Ru、Au、Ag、Mo、Al、W、CuまたはAlNdのような金属またはITO、GIZO、GZO、AZO、IZOまたはAZOのような金属または導電性酸化物でありうる。また、前記金属層は、ボトムゲート電極BGの形成に使われた金属層と同じ物質でもありうる。前記ドレイン電極220Dは、第1コンタクトホールH21を埋め込み、正方形の一辺の中央に形成される。前記ソース電極220Sは、第2コンタクトホールH22を埋め込み、前記ドレイン電極220Dと対称的に向かう辺の中央に形成される。もちろん、第1コンタクトホールH21上にソース電極220Sが形成され、第2コンタクトホールH22上にドレイン電極220Dが形成されもする。前記ドレイン電極220D及び前記ソース電極220Sは、第1コンタクトホールH21及び第2コンタクトホールH22を通じて、アクティブ層215のドレイン領域及びソース領域とそれぞれ接触する。前記第1トップゲート電極TG1と前記第2トップゲート電極TG2とは、第1コンタクトホールH21及び第2コンタクトホールH22が形成されていない残りの辺に沿って対称的に向かうように形成される。前記第1及び第2トップゲート電極TG1TG2、ドレイン電極220D及びソース電極220Sの上部に、パッシベーション層または窒化シリコンのような絶縁性物質で形成され、絶縁性有機物がさらに形成されることもある。図12Aないし図12Cは、本発明の他の実施形態によるTFTセンサーを示す。図12Aないし図12Cを参照すれば、本発明のTFTセンサーは、ボトムゲート電極BGの上部に、第1及び第2トップゲート電極TG1TG2、ドレイン電極320D及びソース電極320Sを同一平面上に備えたTFTを備える。本実施形態は、TFTセンサーが長方形である点で、正方形である図1のTFTセンサーと相異なる。以下では、図1のTFTセンサーと同じ内容についての詳細な説明は、省略する。基板300上に長方形のボトムゲート電極BGが備えられる。前記ボトムゲート電極BGを形成する前に、基板300上にバッファ層をさらに形成しうる。前記ボトムゲート電極BGの上部には、ゲート絶縁膜313が形成される。前記ゲート絶縁膜313の上部には、チャネルを分離する分離ホールH1が形成された長方形のアクティブ層315が備えられる。アクティブ層315は、酸化物半導体で形成され、アクティブ層315の中央で長辺に沿って位置する前記分離ホールH1によって、ドーナッツ形状を有する。前記アクティブ層315のドレイン領域及びソース領域は、アクティブ層315の上部のエッチング停止層317に形成された第1及び第2コンタクトホールH21H22によって露出される。前記第1コンタクトホールH21と第2コンタクトホールH22とは、長方形の単辺に沿って相互対称的に対向するように形成される。前記第1コンタクトホールH21と第2コンタクトホールH22とを埋め込み、ドレイン電極320D及びソース電極320Sがエッチング停止層317の上部に形成される。前記ドレイン電極320D及びソース電極320Sは、前記アクティブ層315のドレイン領域及びソース領域とそれぞれ接触する。前記ドレイン電極320D及び前記ソース電極320Sは、長方形の単辺に沿って相互対称的に対向するように形成される。第1トップゲート電極TG1及び第2トップゲート電極TG2は、ドレイン電極320D及びソース電極320Sと同じ層に長方形の長辺に沿って相互対称的に対向するように形成される。前記第1トップゲート電極TG1及び前記第2トップゲート電極TG2は、前記ドレイン電極320D及び前記ソース電極320Sと相互オーバーラップするか、または接触しない。前記分離ホールH1によって、ドレイン電極320Dからソース電極320Sに流れる電流Idsは、第1トップゲート電極319a方向の第1チャネル[1]及び第2トップゲート電極319b方向の第2チャネル[2]に流れうる。図12AのTFTセンサーの駆動方法は、図2A及び図2Bの説明と同じであるので、詳細な説明は省略する。図13Aないし図13Cは、本発明の他の実施形態によるTFTセンサーを示す。図13Aないし図13Cを参照すれば、本発明のTFTセンサーは、ボトムゲート電極BGの上部に、第1及び第2トップゲート電極TG1TG2、ドレイン電極420D及びソース電極420Sを同一平面上に備えたTFTを備える。本実施形態は、TFTセンサーが長方形である点で、図1のTFTセンサーと相異なる。以下では、図1のTFTセンサーと同じ内容についての詳細な説明は、省略する。基板400を形成する前に、基板400上にバッファ層をさらに形成しうる。前記ボトムゲート電極BGの上部には、ゲート絶縁膜413が形成される。前記ゲート絶縁膜413の上部には、チャネルを分離する分離ホールH1が形成された長方形のアクティブ層415が備えられる。アクティブ層415は、酸化物半導体で形成され、アクティブ層415の中央で長辺に沿って位置する前記分離ホールH1によって、ドーナッツ形状を有する。前記アクティブ層415のドレイン領域及びソース領域は、アクティブ層415の上部のエッチング停止層417に形成された第1及び第2コンタクトホールH21H22によって露出される。前記第1コンタクトホールH21と第2コンタクトホールH22とは、長方形の長辺に沿って相互対称的に対向するように形成される。前記第1コンタクトホールH21と第2コンタクトホールH22とを埋め込み、ドレイン電極420D及びソース電極420Sがエッチング停止層417の上部に形成される。前記ドレイン電極420D及びソース電極420Sは、前記アクティブ層415のドレイン領域及びソース領域とそれぞれ接触する。前記ドレイン電極420D及び前記ソース電極420Sは、長方形の長辺に沿って相互対称的に対向するように形成される。第1トップゲート電極TG1及び第2トップゲート電極TG2は、ドレイン電極420D及びソース電極420Sと同じ層に長方形の単辺に沿って相互対称的に対向するように形成される。前記第1トップゲート電極TG1及び前記第2トップゲート電極TG2は、前記ドレイン電極420D及び前記ソース電極420Sと相互オーバーラップするか、または接触しない。前記分離ホールH1によって、ドレイン電極420Dからソース電極420Sに流れる電流Idsは、第1トップゲート電極TG1方向の第1チャネル[1]及び第2トップゲート電極TG2方向の第2チャネル[2]に流れうる。図13AのTFTセンサーの駆動方法は、図2A及び図2Bの説明と同じであるので、詳細な説明は、省略する。図14は、本発明の望ましい一実施形態によるTFTアレイを示す。図14を参照すれば、TFTを時計回り方向または逆時計回り方向に90°間隔で方向を変えつつ複数個配置させて、TFTアレイを形成する。図14の実施形態は、第1TFTA、第1TFTAを時計回り方向に90°回転した第2TFTB、第2TFTBを時計回り方向に90°回転した第3TFTC、第3TFTCを時計回り方向に90°回転した第4TFTDに形成されたアレイを一つの感知セルとして構成したセンサーである。各TFTは、同一層上に第1トップゲート電極TG1、第2トップゲート電極TG2、ドレイン電極D、ソース電極Sを備える。このようなアレイ構造は、左右上下に対する方向センシング感度の高いセンサーを形成しうる。図15は、本発明の望ましい他の実施形態によるTFTアレイを示す。図15を参照すれば、TFTを90°ほど方向を変えて複数個配置させて、TFTアレイを形成する。図15の実施形態は、第1TFTA、第1TFTAを逆時計回り方向に90°回転した第2TFTB、第2TFTBと同じ構造の第3TFTC、第3TFTCを時計回り方向に90°回転した第4TFTDで形成されたアレイを一つの感知セルとして構成したセンサーである。対角線方向のTFTの構造が同一である。各TFTは、同一層上に第1トップゲート電極TG1、第2トップゲート電極TG2、ドレイン電極D、ソース電極Sを備える。このようなアレイ構造は、同じ方向への電流強度を重畳させうるため、電流強度に敏感なセンサーを形成しうる。図14及び図15の実施形態では、図1のTFTを利用したTFTアレイを示しているが、前記実施形態は、図7、図12A及び図13AのTFTを利用したTFTアレイにも適用されうる。図16及び図17は、本発明の望ましい他の実施形態によるTFTセンサーを示す。図16及び図17を参照すれば、本発明のTFTセンサーは、ボトムゲート電極が分離型である。本発明のTFTセンサーは、第1ボトムゲート電極BG1と第2ボトムゲート電極BG2とを備え、前記第1及び第2ボトムゲート電極BG1BG2の上部に、第1及び第2ボトムゲート電極BG1BG2と垂直にドレイン電極520D及びソース電極520Sを備える。基板500上に、第1ボトムゲート電極BG1と第2ボトムゲート電極BG2とを所定間隔離隔して形成する。前記基板500は、SiO2を主成分とする透明なガラス材質で形成されうる。また、前記基板500は、プラスチック材質を含みうる。前記基板500は、メタルホイル及びフレキシブル基板を備えうる。前記第1ボトムゲート電極BG1と第2ボトムゲート電極BG2とを形成する前に、基板500上にバッファ層をさらに形成しうる。前記バッファ層は、基板500から前記基板500の上部に配列される層への不純物の浸透を遮断する役割を行える。バッファ層は、SiO2及びまたはSiNxを含みうる。前記第1ボトムゲート電極BG1と前記第2ボトムゲート電極BG2とは、Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo、W、Ti、またはAlNd、MoW合金のような金属または金属の合金で形成されうるが、これに限定されず、隣接層との密着性、積層される層の平坦性、電気抵抗及び加工性を考慮して、多様な材料を使用しうる。前記第1ボトムゲート電極BG1、及び前記第2ボトムゲート電極BG2の上部にゲート絶縁膜513が形成される。前記ゲート絶縁膜513は、酸化シリコンまたは窒化シリコンのような絶縁性物質で形成され、例えば、TEOS酸化膜で形成されうる。もちろん、それ以外にも、絶縁性有機物などで形成されもする。前記ゲート絶縁膜513の上部には、チャネル分離のための分離ホールH1が形成された正方形または長方形のアクティブ層515が備えられる。アクティブ層515は、酸化物半導体で形成され、アクティブ層515の中央に位置する分離ホールH1によってドーナッツ形状を有する。前記アクティブ層515は、In、Ga、Zn、Sn、Sb、Ge、Hf、Al及びAsなど、3族及び4族元素を含むグループから選択される少なくとも一つ以上の元素を含有する酸化物半導体を含みうる。例えば、前記酸化物半導体として、ZnO、SnO2、In2O3、Zn2SnO4、Ga2O3及びHfO2を含むグループから選択される少なくとも一つを含みうる。また、前記アクティブ層515は、透明な酸化物半導体で形成されうる。透明な酸化物半導体は、例えば、酸化亜鉛、酸化スズ、Ga-In-Zn酸化物、In-Zn酸化物、In-Sn酸化物を含み、これらに限定されない。前記アクティブ層515の上部に、エッチング停止層517を形成する。前記エッチング停止層517は、長方形の二つの辺に沿って、第1コンタクトホールH21と第2コンタクトホールH22とを対称的に備える。前記第1コンタクトホールH21と前記第2コンタクトホールH22とは、第1ボトムゲート電極BG1と第2ボトムゲート電極BG2とに対して垂直方向に形成される。前記エッチング停止層517は、酸化シリコンまたは窒化シリコンのような絶縁性物質で形成されるが、必ずしもこれらに限定されるものではない。前記エッチング停止層517は、低温CVD工程によって形成されうる。前記エッチング停止層517の上部に、ドレイン電極520D及びソース電極520Sが形成される。前記ドレイン電極520D及びソース電極520Sは、第1コンタクトホールH21と第2コンタクトホールH22とを通じて、アクティブ層515のドレイン領域及びソース領域とそれぞれ接触する。前記ドレイン電極420D及び前記ソース電極420Sは、第1ボトムゲート電極BG1及び第2ボトムゲート電極BG2の両端部とそれぞれオーバーラップされる。ボトムゲート分離型TFTは、第1及び第2ボトムゲート電極BG1BG2が、ボトムゲート電極が一体型であり、トップゲート電極が分離型であるTFTの第1及び第2トップゲート電極TG1TG2の機能を行う。図16及び図17は、正方形のTFTセンサーを示しているが、長方形のアクティブ層を使用したTFTセンサーも同じ構成を有する。図18A及び図18Bは、図16のTFTセンサーの駆動方法を説明する概略図である。図18Aを参照すれば、TFTセンサーの第1ボトムゲート電極BG1と第2ボトムゲート電極BG2とに極性の異なる電圧が周期的に印加される。この時、第1チャネル[1]に流れる電流と第2チャネル[2]に流れる電流との和、すなわち、全体電流Idsの量は、経時的に変化せずに一定である。ボトムゲート電極BGに印加される電圧の極性を利用して、チャネルに流れる電流の強度を調節しうる。これにより、二つのチャネルに流れる電流の方向を調節しうる。例えば、第1ボトムゲート電極BG1に正の電圧を印加し、第2ボトムゲート電極BG2に負の電圧を印加すれば、ほとんどの電流は、第1チャネル[1]を通じて流れる。第1ボトムゲート電極BG1に負の電圧を印加し、第2ボトムゲート電極BG2に正の電圧を印加すれば、ほとんどの電流は、第2チャネル[2]を通じて流れる。すなわち、全体電流Idsの量は、変化せずに同一であり、二つのチャネルに流れる電流量が変わることによって、電流の方向を調節しうる。図18Bを参照すれば、外部帯電体のTFTの上部接触または非接触による表面帯電が発生すれば、アクティブ層515のチャネルで電流量が変わる。例えば、第1ボトムゲート電極BG1の周辺に外部帯電体の接触または非接触がある場合、瞬間的に第1チャネル[1]に流れる電流Idsが増加する。外部帯電体が第2ボトムゲート電極BG2の周辺に接触または非接触の場合、瞬間的に第2チャネル[2]に流れる電流Idsが増加する。したがって、外部帯電体が第1ボトムゲート電極BG1の周辺から第2ボトムゲート電極BG2の周辺に移動したことが分かる。すなわち、第1ボトムゲート電極BG1と第2ボトムゲート電極BG2とでの電流量の差から、帯電体の移動方向が分かり、電流量から帯電強度が分かる。図19は、図16のTFTアレイを示す。図19を参照すれば、2次元TFTを90°ほど方向を変えて複数配置させて、TFTアレイを形成する。図19の実施形態は、第1TFTA、第1TFTAを逆時計回り方向に90°回転した第2TFTB、第2TFTBと同じ構造の第3TFTC、第3TFTCを時計回り方向に90°方向に回転した第4TFTDで形成されたアレイを、一つの感知セルとして構成したセンサーである。対角線方向のTFTの構造が同一である。説明の便宜上、前記実施形態は、NMOSトランジスタを中心に説明したが、アクティブ層をpタイプに形成したPMOSトランジスタにも同一に適用されうる。この時、pタイプのアクティブ層は、Cu酸化物層、Ni酸化物層またはTiドーピングされたNi酸化物層であるか、1族、2族及び5族元素のうち少なくとも一つがドーピングされたZnO系酸化物層またはAgがドーピングされたZnO系酸化物層であるか、またはPbS層、LaCuOS層またはLaCuOSe層でありうる。本発明は、図面に示された実施形態を参照して説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これらから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということが分かるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。