n型コンタクト層と、前記n型コンタクト層に隣接する第1の側部を有する光発生構造体であって、該光発生構造体が、量子井戸のセットを備え、前記n型コンタクト層のエネルギーと量子井戸の前記セット中のある一の量子井戸の電子基底状態エネルギーとの間の差が、該光発生構造体の材料における極性光学フォノンのエネルギーを上回り、該光発生構造体の幅が、該光発生構造体中に注入される電子による極性光学フォノン放出の平均自由行程に相当する、光発生構造体とを具備する、発光ヘテロ構造体。前記量子井戸の前記電子基底状態エネルギーが、ほぼ熱エネルギー分だけ前記極性光学フォノンの前記エネルギーを上回る、請求項1に記載のヘテロ構造体。障壁層をさらに備え、前記障壁層のエネルギーと量子井戸の前記セット中のある一の量子井戸の電子基底状態エネルギーとの間の差が、前記光発生構造体の前記材料における極性光学フォノンの前記エネルギーを上回る、請求項1に記載のヘテロ構造体。前記光発生構造体が、量子井戸の前記セットとの間でインターレース配置される障壁のセットを備え、障壁の前記セットが、量子井戸の前記セットの中の第1の量子井戸及び前記光発生構造体の前記第1の側部に直に隣接する第1の障壁を備え、前記第1の障壁の厚さが、電場内に注入された電子を加速して、前記第1の量子井戸におけるエネルギー状態に対して前記極性光学フォノンの前記エネルギーに到達させるのに十分なものであり、前記光発生構造体の残りの部分の厚さが、前記極性光学フォノンの放出の平均自由行程を上回る、請求項1に記載のヘテロ構造体。少なくとも部分的に透過性の基板であって、前記n型コンタクトが、該基板と前記光発生構造体との間に位置し、前記光発生構造体により発生される光に対して少なくとも部分的に透過性である、基板と、前記n型コンタクトとして前記光発生構造体の対向側部上に形成されるブラッグ反射構造体であって、前記光発生構造体により発生される光を前記基板の方向に反射するように構成される、ブラッグ反射構造体とをさらに備える、請求項1に記載のヘテロ構造体。前記光発生構造体と前記ブラッグ反射構造体との間に形成された電子障壁層をさらに備える、請求項5に記載のヘテロ構造体。前記n型コンタクトが、短周期超格子を備える、請求項5に記載のヘテロ構造体。複合コンタクトをさらに備え、前記複合コンタクトが、前記光発生構造体により発生される光に対して少なくとも部分的に透過性である接着層と、前記光発生構造体により発生される前記光の少なくとも一部分を反射するように構成された反射性金属層とを備える、請求項1に記載のヘテロ構造体。前記接着層が、ニッケル、パラジウム、モリブデン及びコバルトの中の1つからなる薄層を備え、前記反射性金属層が、アルミニウム、強化アルミニウム、ロジウム及び強化ロジウムの中の1つを含む、請求項8に記載のヘテロ構造体。前記接着層が、非均一層を備える、請求項8に記載のヘテロ構造体。前記非均一接着層が、フォトニック結晶を形成するように構成される、請求項10に記載のヘテロ構造体。前記複合コンタクトとして前記光発生構造体の対向側部上に位置する分散半導体ヘテロ構造ブラッグ反射DBR構造体をさらに備える、請求項8に記載のヘテロ構造体。複合コンタクトをさらに備え、ひ前記複合コンタクトの少なくとも1つの層が、グラフェンから形成される、請求項1に記載のヘテロ構造体。金属超格子コンタクトをさらに備え、ひ前記金属超格子が、第1の金属及び前記第1の金属とは異なる第2の金属からなる複数の交絡層を備え、前記金属超格子が、前記光発生構造体により発生される光に対して少なくとも部分的に透過性である、請求項1に記載のヘテロ構造体。n型コンタクト層と、前記n型コンタクト層に隣接する第1の側部を有する光発生構造体であって、該光発生構造体が、量子井戸のセットを備え、該光発生構造体の幅が、該光発生構造体中に注入される電子の極性光学フォノン放出の平均自由行程に相当する、光発生構造体と、前記第1の側部の対向側の前記光発生構造体の第2の側部の上に位置する障壁層であって、該障壁層のエネルギーと量子井戸の前記セット中のある一の量子井戸の電子基底状態エネルギーとの間の差が、前記光発生構造体の前記材料における極性光学フォノンのエネルギーを上回る、障壁層とを備える、発光ヘテロ構造体。前記光発生構造体が、量子井戸のセットとの間でインターレース配置される障壁のセットを備え、障壁の前記セットが、量子井戸の前記セットの中の第1の量子井戸及び前記光発生構造体の前記第1の側部に直に隣接する第1の障壁を備え、前記第1の障壁の厚さが、電場内に注入された電子を加速して、前記第1の量子井戸におけるエネルギー状態に対して前記極性光学フォノンの前記エネルギーに到達させるのに十分なものであり、前記光発生構造体の残りの部分の厚さが、前記極性光学フォノンの放出の平均自由行程を上回る、請求項15に記載のヘテロ構造体。複合コンタクトをさらに備え、前記複合コンタクトが、前記光発生構造体により発生される光に対して少なくとも部分的に透過性である接着層と、前記光発生構造体により発生される前記光の少なくとも一部分を反射するように構成された反射性金属層とを備える、請求項15に記載のヘテロ構造体。前記接着層が、ニッケル、パラジウム、モリブデン及びコバルトの中の1つからなる薄層を備え、前記反射性金属層が、アルミニウム、強化アルミニウム、ロジウム及び強化ロジウムの中の1つを含む、請求項17に記載のヘテロ構造体。n型コンタクト層と、前記n型コンタクト層に隣接する第1の側部を有する光発生構造体と、複合コンタクトとを具備する発光デバイスであって、前記複合コンタクトが、前記光発生構造体により発生される光に対して少なくとも部分的に透過性である接着層と、前記光発生構造体により発生される前記光の少なくとも一部分を反射するように構成された反射性金属層とを備える、発光デバイス。前記接着層が、ニッケル、パラジウム、モリブデン及びコバルトの中の1つからなる薄層を備え、前記反射性金属層が、アルミニウム、強化アルミニウム、ロジウム及び強化ロジウムの中の1つを含む、請求項19に記載のデバイス。前記光発生構造体が、量子井戸のセットであって、前記n型コンタクト層のエネルギーと量子井戸の前記セット中のある一の量子井戸の電子基底状態エネルギーとの間の差が、前記光発生構造体の材料における極性光学フォノンのエネルギーを上回る、量子井戸のセットと、量子井戸の前記セットとの間でインターレース配置される障壁のセットとを具備し、障壁の前記セットが、量子井戸の前記セットの中の第1の量子井戸及び前記光発生構造体の前記第1の側部に直に隣接する第1の障壁を備え、前記第1の障壁の厚さが、電場内に注入された電子を加速して、前記第1の量子井戸における前記電子基底状態エネルギーに対して前記極性光学フォノンの前記エネルギーに到達させるのに十分なものであり、前記光発生構造体の残りの部分の厚さが、前記光発生構造体中に注入される電子の極性光学フォノンの放出の平均自由行程を上回る、請求項19に記載のデバイス。0025添付図面は、縮尺通りではない場合があることを指摘しておく。図面は、本発明の典型的な態様のみを図示するように意図され、したがって本発明の範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。これらの図面においては、同様の番号を付けたものは、図面間において同様の要素を示す。0026上述のように、本発明の態様は、n型コンタクト層及びn型コンタクト層に隣接する光発生構造体を備える発光ダイオードを提供する。光発生構造体は、量子井戸のセットを備える。コンタクト層及び光発生構造体は、n型コンタクト層のエネルギーとある量子井戸の電子基底状態エネルギーとの間の差が、光発生構造体の材料における極性光学フォノンのエネルギーを上回るように構成され得る。さらに、光発生構造体は、その幅が、光発生構造体中に注入される電子による極性光学フォノン放出の平均自由行程に相当するように構成され得る。ダイオードは、障壁層を備えることが可能であり、この障壁層は、障壁層のエネルギーとある量子井戸の電子基底状態エネルギーとの差が、光発生構造体の材料における極性光学フォノンのエネルギーを上回るように構成され得る。ダイオードは、光発生構造体により発生された光に対して少なくとも部分的に透過性である接着層と、光発生構造体により発生された光の少なくとも一部を反射するように構成された反射性金属層とを備える、複合コンタクトを備えることが可能である。本明細書においては、特に断りのない限り、セットという用語は、1つ又は複数すなわち少なくとも1つを意味し、任意の解決策という表現は、任意の、現時点において公知である又は後に開発される解決策を意味する。さらに、本明細書においては、光という用語は、可視スペクトルの範囲内であるか範囲外であるかに関わらず、任意の波長の電磁放射を含むものと理解している。0027図面を参照すると、図1は、以前の解決策によるエネルギータブ4を備える深UV発光ヘテロ構造体2の例示的なバンド図を示す。特に、ヘテロ構造体2の光発生多重量子井戸MQW構造体6が、エネルギータブ4に限定される。しかし、本発明者等は、かかるバンド図は、例えば50超などの非常に高いAlモル分率の短波長構造体については実現が困難となり得ることを発見した。0028図2は、一実施形態による例示的な発光ヘテロ構造体10のバンド図を示す。この例においては、ヘテロ構造体10は、光発生構造体12と、光発生構造体12に隣接する少なくとも部分的に透過性の例えば半透過性又は透過性の注入クラッド層14とを備える。図示するように、光発生構造体12は、障壁バンド図においてより高いエネルギー及び量子井戸バンド図においてより低いエネルギーのインターレース配置組み合わせ配置型セットを備えることが可能である。この点で、光発生構造体12の各量子井戸は、1つ又は複数の隣接する障壁を有し、光発生構造体12の各障壁は、1つ又は複数の隣接する量子井戸を有する。ヘテロ構造体10においては、n型コンタクト層18のエネルギーと光発生構造体12の量子井戸における電子基底状態エネルギーレベルとの間のエネルギー差16は、光発生構造体12の材料内の極性光学フォノンのエネルギーEOPT-PHONONよりも若干大きい。一実施形態においては、エネルギー差16は、室温では約26ミリエレクトロンボルトmeVに相当するほぼ熱エネルギー分だけ極性光学フォノンのエネルギーを上回る。0029さらに、光発生構造体12の全幅13は、光発生構造体12の内に注入される電子による極性光学フォノン放出の平均自由行程に相当するように選択することが可能である。一実施形態においては、光発生構造体12の幅13は、例えば約10未満だけ平均自由行程を上回るなど、平均自由行程よりも若干大きくなるように設定される。一実施形態においては、光発生構造体の幅13は、約5未満だけ平均自由行程を上回る。しかし、他の実施形態においては、光発生構造体の幅13は、10超だけ極性光学フォノン放出の平均自由行程を越えることが可能であるものと理解している。ヘテロ構造体10のこの例示的な設計は、多重量子井戸への注入電子の遷移の強化、量子井戸内における注入電子の閉じ込め、及び多重量子井戸間における電子分布の均一性の向上の中の1つ又は複数を実現することが可能である。0030ヘテロ構造体10の種々の層は、任意の適切な材料組成を利用して形成することが可能である。例示的な一実施形態においては、層12、14、18は、異なるIII族窒化物材料組成物などの異なる大きなバンドギャップの半導体材料を使用して形成される。III族窒化物材料は、BWAlXGaYInZNここでは0≦W、X、Y、Z≦1、及びWXYZ=1であるなど、1つ又は複数のIII族元素例えばホウ素B、アルミニウムAl、ガリウムGa、及びインジウムInと、窒素Nとを含む。例示的なIII族窒化物材料には、任意のモル分率のIII族元素を含むAlN、GaN、InN、BN、AlGaN、AlInN、AlBN、AlGaInN、AlGaBN、AlInBN、及びAlGaInBNが含まれる。一実施形態においては、これらの材料には、AlN合金、GaN合金、InN合金、及び/又はBN合金の任意の組合せが含まれる。0031一実施形態においては、クラッド層14は、少なくとも部分的に透過性のマグネシウムMgドープされたAlGaN/AlGaN短周期超格子構造体SPSLを含む。別の実施形態においては、n型コンタクト層18は、光発生構造体12により発生される放射に対して少なくとも部分的に透過性であるAlGaNSPSLなどの短周期超格子から形成されたクラッド層を備える。0032図3は、別の実施形態による例示的な発光ヘテロ構造体20のバンド図を示す。ヘテロ構造体20においては、障壁層22が、クラッド層14に隣接してやはり設けられる。一実施形態においては、障壁層22は、障壁層22の幅に沿って傾斜アルミニウム組成又は変調アルミニウム組成を有するIII族窒化物材料を含むことが可能である。別の実施形態においては、障壁層22は、ヘテロ構造体20における材料品質を向上させることの可能な超格子構造体を備えることが可能である。障壁層22は、任意の解決策を利用して電子障壁層として及び/又はクラッド層として構成することが可能である。0033図4は、さらに別の実施形態による例示的な発光ヘテロ構造体30のバンド図を示す。ヘテロ構造体30においては、光発生構造体12の第1の障壁15の厚さ32電子の移動方向において測定される厚さは、n型コンタクト18から光発生構造体12内に注入された電子を加速して、量子井戸のエネルギー状態に対して極性光学フォノンのエネルギーEOPT-PHONONに到達させるのに十分なものとなるように選択される。さらに、光発生構造体12の残りの部分の厚さ34は、電子による極性光学フォノン放出の例えば若干超過した平均自由行程に相当するように選択され得る。0034図5は、さらに別の実施形態による例示的な発光ヘテロ構造体40のバンド図を示す。ヘテロ構造体40においては、p型障壁層42のエネルギーと光発生構造体12内の量子井戸における電子基底状態エネルギーとの間のエネルギー差44例えばバンドオフセットは、光発生構造体12の材料における極性光学フォノンのエネルギーEOPT-PHONONよりも若干大きい。一実施形態においては、このエネルギー差は、ほぼ熱エネルギー分だけ極性光学フォノンのエネルギーを上回る。障壁層42は、任意の解決策を利用して電子障壁層として及び/又はクラッド層として構成することが可能である。0035図6は、一実施形態による発光ダイオードLED用の例示的なヘテロ構造体50を示す。図示するように、ヘテロ構造体50は、基板52、n型コンタクト54、光発生構造体56、及びp型コンタクト58を備えることが可能である。一実施形態においては、基板52及びn型コンタクト54は、光発生構造体56により発生される光に対して少なくとも部分的に透過性であり、それにより、この透過性基板52を通りヘテロ構造体50から出る光発生構造体56により発生される光を抽出することが可能となる。さらに、ヘテロ構造体50は、ヘテロ構造体50の透過性側例えば透過性基板52ではなく光発生構造体56の対向側に、分散半導体ヘテロ構造ブラッグ反射DBR構造体60を備えることが可能である。DBR構造体60は、別様に設けられた場合よりも、光発生構造体56によって発生された光をより多く透過性基板52の外に反射するように構成され得る。さらに、ヘテロ構造体50は、DBR構造体60と光発生構造体56との間に位置する電子障壁層61を備えることが可能であり、この障壁層61は、光発生構造体56内に捕獲することなく、n型コンタクト54からp型コンタクト58への残留電子のオーバーフローを抑制することが可能である。電子障壁層61は、光発生構造体56により発生された光に対して少なくとも部分的に透過性となるように構成され得る。0036ヘテロ構造体50の種々の構成要素は、本明細書において説明するようなIII族窒化物材料などの任意の適切な材料から形成することが可能である。一実施形態においては、n型コンタクト54は、光発生構造体56により発生される放射に対して少なくとも部分的に透過性である短周期超格子から形成され、この短周期超格子は、より良好なドーパントイオン化、より良好な結晶品質、及び/又は放出された放射に対するより高い光学透過性により、より高い自由正孔濃度を実現することが可能である。他の一実施形態においては、n型コンタクト54例えば短周期超格子は、III族窒化物材料から形成される。0037追加の層複数可及び/又は構造体複数可をヘテロ構造体50に設けることが可能であると理解している。例えば、ヘテロ構造体50は、反射層、フォトニック結晶、ミラー、及び/又は同様のものを備えることが可能である。これらの層複数可及び/又は構造体複数可は、これらの追加的な層複数可及び/又は構造体が存在しない状態で放出される光量よりもヘテロ構造体50から放出される光量を増加させるような態様で、光発生構造体56により発生される光を送るように構成され得る。同様に、1つ又は複数の追加の層を、図6に図示する任意の層間に配置することが可能である。例えば、バッファ層及び/又は第2の層が、基板52の上に直に形成されてもよく、n型コンタクト54が、第2の層の上に直に形成されてもよい。0038一実施形態においては、ヘテロ構造体が、DBR構造体60と金属反射体などの反射体との間に位置する光発生構造体56を備えることが可能である。この例においては、DBR構造体60及び反射体例えば反射コンタクトは、共振光場の分散を確立することが可能であり、この共振光場の分散により、ヘテロ構造体からの光抽出効率を向上させることが可能となる。反射体は、光発生構造体56により発生される光に対して少なくとも部分的に反射性である任意のタイプの材料から形成することが可能である。一実施形態においては、反射体の材料は、光発生構造体56により放出される紫外光のピーク波長に対応する波長を含む紫外光範囲の反射性に応じて選択される。0039この点で、図7は、例示的な反射コンタクト用の種々のコーティングの反射係数を示す。例示の反射コンタクトは、とりわけアルミニウム、強化アルミニウム、一酸化アルミニウムケイ素、フッ化マグネシウムアルミニウム、ロジウム、強化ロジウム、金、及び/又は同様のものなどから形成され得る。図7に示すように、ロジウム及び強化ロジウムは、特に金と比較した場合に、紫外波長範囲内において良好な反射性を実現する。特に、強化ロジウムは、深紫外波長範囲例えば約0.3マイクロメートルμm未満の波長などにおいて優れた反射性を実現する。しかし、ロジウムは、AlGaN材料に対する良好なオーム接触をもたらさない。0040一実施形態においては、深紫外発光ダイオードなどの発光ダイオードが、複合反射コンタクトを備える。例えば、図8Aは、LED62の例示的な構成を示す。この構成は、ロジウム及び/又は強化ロジウムの層66に隣接する第1の金属からなる薄い例えば2~5ナノメートル厚の層64を備える複合コンタクト63を備える。層64は、この対応する厚さの層64にて発光ヘテロ構造体68により発生される光に対して少なくとも部分的に透過性となり、III族窒化物材料から形成されたヘテロ構造体などのヘテロ構造体68の表面に対するより厚い反射層66のオーム接触及び/又は接着の向上をもたらす、任意の金属から形成することが可能である。一実施形態においては、層64は、ニッケルNiから形成される。しかし、層64は、オキシ水酸化ニッケルNiOX、パラジウムPd、モリブデンMo、コバルトCo、及び/又は同様のものを含む任意の適切な材料から形成され得るものであると理解している。0041様々な代替的な複合コンタクト構成が可能である。例えば、図8Bは、複数の金属層74A~74Fから形成された複合コンタクト72例えば金属超格子を備えるLED70の例示的な構成を示す。これらの各金属層は、LED70の、III族窒化物材料から形成されたヘテロ構造体などの対応する発光ヘテロ構造体76により放出される光に対して少なくとも部分的に透過性又は反射性を有することが可能である。一実施形態においては、これらの金属層74A~74Fはそれぞれ、発光ヘテロ構造体76により放出される光に対して少なくとも部分的に透過性となるように構成される。例えば、金属層74A~74Fは、O2雰囲気内で酸化することが可能な、Ni、NiOX、Pd、Mo、Co、及び/又は同様のものから選択された2つの金属からなる交互の薄い例えば2~5ナノメートル厚の層を備えることが可能である。これらの複数の金属層74A~74Fを使用することにより、反射性/透過性の向上と、複合コンタクト72により反射される/複合コンタクト72を通過する放射の偏光制御とが可能となり得る。複合コンタクト72は、各2つの金属からなる3つの反復セットを備えるように図示されるが、複合コンタクト72は、2つ以上の金属の任意の組合せ及び任意の個数の層を備えることが可能であると理解している。0042別の実施形態においては、複合コンタクトが、グラフェンを含むことが可能である。例えば、複合コンタクト63の層64図8A及び/又は複合コンタクト72の層のセット74A~74Fを、グラフェンから形成することが可能であり、これは、対応するヘテロ構造体により発生される光に対して透過性を有し、非常に高い導電性を有するように構成することが可能である。複合コンタクト63の層66及び/又は複合コンタクト72のインターレース配置型層などの別の層が、グラフェンに隣接する金属薄層を備えることが可能であり、これは、複合コンタクト63、72における電流拡がりを向上させることが可能である。他の一実施形態においては、複合コンタクト63、73は、ヘテロ構造体により発生される光に対して少なくとも部分的に透過性である。LEDは、例えばテクスチャ表面などによりLEDからの光抽出を向上させるように構成された、グラフェンから形成されたコンタクトに隣接する1つ又は複数の層を備えることが可能であると理解している。0043さらに、この発光ダイオードの複合コンタクトは、1つ又は複数の非均一層を備えることが可能である。例えば、非均一層が、多様な厚さを有することが可能であり、及び/又はいくつかの領域において存在しないことが可能である。図8Cは、非均一透過性接着層84及び反射層86から形成される複合コンタクト82を備えるLED80の例示的な構成を示す。一実施形態においては、非均一透過性接着層84は、ニッケルを含み、反射層86は、強化ロジウムを含み、発光ヘテロ構造体88は、深紫外放射などの紫外放射を放出するIII族窒化物ヘテロ構造体を備える。この例においては、発光ヘテロ構造体88により放出される紫外放射は、透過性接着層84が存在しない領域においては透過性接着層84によって部分的に吸収されず、それにより、反射層86による紫外放射の直接反射が可能となる。0044さらに、透過性接着層84の分布が非均一であることにより、非均一電流がもたらされ得る。この非均一電流は、発光ヘテロ構造体88の表面との接着が透過性接着層84により向上した区域にほぼ限定される。その結果、これらの領域における電流密度は、均一な接着層の場合よりも高くなり、したがって放射性再結合が強化され得る。しかし、非均一透過性接着層84の構成は、LED80の信頼性の問題を引き起こし得るLED80内における局所的過熱を生じさせない範囲に電流の非均一性を限定するように構成することが可能である。0045非均一透過性接着層84は、発光ヘテロ構造体88の表面に沿って任意のタイプの分布を有することが可能である。例えば、図8Dは、非均一透過性接着層94及び反射層96から形成される複合コンタクト92を備える、LED90の例示的な構成を示す。一実施形態においては、非均一透過性接着層94は、ニッケルを含み、反射層96は、強化ロジウムを含み、発光ヘテロ構造体88は、深紫外放射などの紫外放射を放出するIII族窒化物ヘテロ構造体を備える。この例においては、透過性接着層94は、断続的なものであり、これにより反射性フォトニック結晶を形成する。反射性フォトニック結晶を形成することにより、複合コンタクト92の光反射を向上させることが可能になり、したがってLED90からの光の対応する光抽出を向上させることが可能となる。0046サンプルの透過性DUVLEDを実施形態に従って製造し、それと共に従来のDUVLEDを比較用に製造した。これらのDUVLEDは、深紫外範囲の中又は付近にピーク発光波長を有する放射を放出するように構成した。これらの透過性DUVLEDはそれぞれ、典型的なLEDの透過性傾斜p型AlGaNクラッド層及びp型GaNコンタクト層に替えて、クラッド層として透過性MgドープされたAlGaN/AlGaN短周期超格子構造体SPSLを備えていた。DUVLED構造体は、有機金属化学気相成長法MOCVD及びマイグレーション強化MOCVDの組合せによりサファイア基板上に成長させた。各DUVLEDは、その表面付近に偏光誘発される高い自由正孔濃度を生じさせ、p型コンタクトを向上させる、薄いp-GaNコンタクト層を備えていた。これらのDUVLEDについて、300ケルビンK例えば室温及び77Kのホール測定を行うと、9.8×1017cm-3及び9.6×1017cm-3の自由正孔濃度をそれぞれ示した。これは、2次元2D正孔ガスの形成と調和する。この測定された正孔移動度は、300Kでの7.6cm2/Vsから77Kでの11cm2/Vsへと上昇した。0047これらのDUVLEDの光透過性測定により、各DUVLEDについて、ピークLED発光波長にて最大で約80の透過率が示された。さらに、Alベース反射性コンタクト及びRhベース反射性コンタクトは、深紫外範囲内において60超の反射性を実現した。図9は、従来のDUVLED構造体及び透過性340ナノメートルDUVLED構造体の例示的な透過スペクトルを含むグラフを図示する。0048従来のNi/Auのp型コンタクト並びに吸収性及び透過性のp型クラッド層を有する340nmDUVLEDの順方向電圧Vfを測定すると、20mAにてそれぞれ5.2ボルトV及び6.1Vとなった。反射性p型コンタクトを使用することにより、コンタクト障壁間の電圧降下によってさらに約0.1~0.2VのVfの上昇が得られた。より短い発光波長については、SPSL間の電圧降下により、5.3Vから6.4VへのVfの上昇が生じた。従来の及び反射性のpコンタクトを有する透過性構造体330~340nm発光LEDの出力を測定すると、20mAにてそれぞれ0.83mW及び0.91mWとなった。基準ウェーハからなるデバイスは、同一電流にて0.36mWを示した。パッケージング前の310nmDUVLEDを検査すると、DUVLEDの効率において同様の上昇が見られた。この点で、図10は、反射性コンタクトを有する34nmDUVLED構造体の例示的な性能向上を示すグラフを図示する。0049本明細書にいて説明するヘテロ構造体及び/又はコンタクトの設計は、フリップチップ構成を使用したデバイスの形成においても使用することが可能である。例えば、図11は、一実施形態によるフリップチップLED100の例示的な構成を示す。一実施形態においては、LED100は、深紫外波長範囲において放射を放出するように構成された深紫外LEDを備えることが可能である。LED100は、マウント102を備えることが可能であり、このマウント102は、ボンディングパッド106のセット及びはんだバンプ108のセットを使用してデバイスヘテロ構造体104に装着される。0050一実施形態においては、マウント102は、静電放電ESD、電力サージ、及び/又は同様のものにより引き起こされるものなどの過渡電圧サージからヘテロ構造体104を保護するように構成される。さらに特定の実施形態においては、マウント102は、デバイスヘテロ構造体104に平行リークパスを与える若干導電性を有する材料から形成される。例えば、この導電性材料は、半絶縁性の炭化ケイ素SiCを含むことが可能であり、この炭化ケイ素には、4H-SiC、6H-SiC、3C-SiC、高純度SiC、及び/又は同様のものなどの様々なポリタイプのSiCの中の任意のものが含まれ得る。しかし、マウント102は、他のタイプの導電性材料及び/又はESD保護構成体を備えることが可能であると理解している。0051図示するように、デバイスヘテロ構造体104は、例えば反射性コンタクト110、透過性接着層112本明細書において説明するように均一又は非均一であることが可能である、p型コンタクト114、障壁層116、光発生構造体118、及びn型コンタクト120などを備えることが可能である。このヘテロ構造体104の構成要素はそれぞれ、本明細書において説明するように製造することが可能である。LED100の実施中に、反射性コンタクト110は、光発生構造体118により放出された紫外光などの光をn型コンタクト120の方向に反射することが可能である。n型コンタクト120は、この光に対して少なくとも部分的に透過性であることが可能であり、これによりLED100から光を放出する。一実施形態においては、n型コンタクト120lは、テクスチャ表面122を備えることが可能であり、このテクスチャ表面122は、LED100からの光の抽出を向上させるように構成される。0052本明細書において示し説明する様々なヘテロ構造体は、発光ダイオードLED、高輝度発光ダイオード、レーザ、及び/又は同様のものなどの様々なタイプのデバイスの一部として実装することが可能である。一実施形態においては、このデバイスは、作動中に紫外放射を放出するように構成される例えば紫外LED、紫外高輝度発光ダイオード、及び/又は同様のものなど。さらに特定の一実施形態においては、この紫外放射は、例えば210nm~365nmなどの深紫外放射を含む。0053本明細書においては、層が、対応する放射波長範囲内の光の少なくとも一部分を通過させ得る場合には、この層は、少なくとも部分的に透過性であるとする。例えば、層は、本明細書において説明する光発生構造体により放出される光紫外光又は深紫外光などのピーク発光波長に対応する放射波長範囲例えばピーク発光波長/-5ナノメートルに対して少なくとも部分的に透過性となるように構成され得る。本明細書においては、層が、放射の約0.001超を通過させ得る場合には、この層は、この放射に対して少なくとも部分的に透過性であるとする。さらに特定の一実施形態においては、少なくとも部分的に透過性の層は、放射の約5超を通過させ得るように構成される。同様に、層が、該当する光例えば光発生構造体のピーク発光付近の波長を有する光の少なくとも一部分を反射する場合には、この層は、少なくとも部分的に反射性を有する。一実施形態においては、少なくとも部分的に反射性を有する層は、放射の約5超を反射するように構成される。0054本明細書においては、構造体及び/又はこの構造体を備える対応する半導体デバイスを設計及び/又は製造する方法として示し説明したが、本発明の態様は、様々な代替的な実施形態をさらに提供するものであると理解している。例えば、一実施形態においては、本発明は、本明細書において説明するように設計及び製造されたデバイスの中の1つ又は複数を備える回路を設計及び/又は製造する方法を提供する。0055この点で、図12は、一実施形態による回路146を製造するための例示的な流れ図を示す。初めに、ユーザは、デバイス設計システム130を使用して、本明細書において説明する方法を利用してデバイス設計132を生成することが可能である。デバイス設計132は、プログラムコードを備えることが可能であり、このプログラムコードは、デバイス製造システム134により使用されて、デバイス設計132により規定される特徴に従って物理デバイス136のセットを生成することが可能である。同様に、デバイス設計132は、例えば回路中において使用するための利用可能構成要素として回路設計システム140に提供することが可能であり、ユーザは、この回路設計システム140を使用して、回路設計142を生成することが可能である例えば回路中に含まれる様々なデバイスに対して1つ又は複数の入力及び出力を接続することによって。この回路設計142は、本明細書において説明する方法を利用して設計されたデバイスを含むプログラムコードを備えることが可能である。いずれの場合においても、回路設計142及び/又は1つ若しくは複数の物理デバイス136は、回路製造システム144に提供することが可能であり、この回路製造システム144は、回路設計142に従って物理回路146を生成することが可能である。物理回路146は、本明細書において説明する方法を利用して設計された1つ又は複数のデバイス136を備えることが可能である。0056別の実施形態においては、本発明は、設計を行うためのデバイス設計システム130及び/又は本明細書において説明する方法を利用して半導体デバイス136を製造するためのデバイス製造システム134を提供する。この例においては、システム130、134は、汎用コンピュータデバイスを備え、このコンピュータデバイスは、本明細書において説明するような半導体デバイス136を設計及び/又は製造する方法を実装するようにプログラミングされる。同様に、本発明の一実施形態は、設計を行うための回路設計システム140及び/又は本明細書において説明する方法を利用して設計及び/又は製造された少なくとも1つのデバイス136を備える回路146を製造するための回路製造システム144を提供する。この例においては、システム140、144は、汎用コンピュータデバイスを備えることが可能であり、このコンピュータデバイスは、本明細書において説明するような少なくとも1つの半導体デバイス136を備える回路146を設計及び/又は製造する方法を実装するようにプログラミングされる。0057本発明の様々な態様の前述の説明は、例示及び説明を目的として提示した。したがって、包括的なものとなるように、及び開示したまさにその形態に本発明を限定するようには意図されておらず、多くの変形形態及び変更形態が可能であることは自明である。当業者には明らかであろうかかる変更形態及び変形形態は、添付の特許請求の範囲により規定されるような本発明の範囲内に含まれる。