第1面及び第2面を有し前記第2面に接続用パッドが形成された半導体基板の前記第1面から前記接続用パッドに到達する孔を開口する第1の工程と、前記第1面及び前記孔の内壁に絶縁膜を形成する第2の工程と、前記絶縁膜を覆って前記絶縁膜を保護する保護膜を形成する第3の工程と、前記孔内の前記絶縁膜のうち前記接続用パッドと対向する場所を開口する第4の工程と、前記絶縁膜及び前記保護膜と重ねてシード層を成膜する第5の工程と、前記シード層に重ねてめっき法により前記孔内に導体金属を充填し、前記導体金属と接続する端子を形成する第6の工程と、前記シード層をパターニングし前記端子を電気的に分離する第7の工程と、前記半導体基板には犠牲層が形成されており、前記犠牲層をエッチングして空洞を形成する第8の工程と、を有し、前記保護膜は前記犠牲層をエッチングするエッチング媒体に対する耐食性を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、前記保護膜は前記第1面及び前記孔の前記第1面側の内壁に配置された前記絶縁膜のうち前記接続用パッドと対向する場所を除いた場所を覆うことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項2に記載の半導体装置の製造方法であって、前記保護膜はスパッタ法により成膜され、前記孔の径はφ8~15μmであり、かつアスペクト比が3.3~5であることを特徴とする半導体装置の製造方法。半導体装置であって、第1面及び第2面を有し前記第2面に接続用パッドが形成された半導体基板の前記第1面から前記接続用パッドに到達する孔に導体金属を充填し、前記第1面及び前記孔の内壁に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜を覆って前記絶縁膜を保護する保護膜が形成され、前記保護膜は前記第1面及び前記孔の前記第1面側の内壁に配置された前記絶縁膜のうち前記接続用パッドと対向する場所を除いた場所を覆うことを特徴とする半導体装置。赤外線を検出する半導体装置を備えるセンサーであって、前記半導体装置が請求項4に記載の半導体装置であることを特徴とするセンサー。赤外線を検出する半導体装置を備える電子機器であって、前記半導体装置が請求項4に記載の半導体装置であることを特徴とする電子機器。しかしながら、特許文献1のように貫通電極を形成した構造の場合、貫通電極を形成した後で半導体基板に空洞を形成するときにはエッチングプロセスにより絶縁膜がエッチングされてしまう。例えば、貫通電極の導電電極と半導体基板を構成するシリコンとの間に絶縁膜が配置される。図3に従来品の貫通電極の構造を示す模式断面図を示す。図3に示すように、半導体基板1には孔10が形成され孔10の内部及び半導体基板1の第1面1aには絶縁膜2が成膜される。そして孔10内にはシード層3を介して貫通電極4が形成される。半導体基板1の第1面1aの絶縁膜2は露出した状態となっている。この絶縁膜を構成する絶縁材料は既存プロセスを応用し、効率よく製造するためにSiO2が使用されている。しかし、SiO2はMEMS構造体を形成する際に空洞を形成するエッチングプロセスにより反応し消失してしまうという課題があった。そこで、半導体基板をエッチングして空洞を形成するときにも絶縁膜に損傷を与えずに貫通電極を形成する方法が求められていた。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例にかかる半導体装置の製造方法は、第1面及び第2面を有し前記第2面に接続用パッドが形成された半導体基板の前記第1面から前記接続用パッドに到達する孔を開口する第1の工程と、前記第1面及び前記孔の内壁に絶縁膜を形成する第2の工程と、前記絶縁膜を覆って前記絶縁膜を保護する保護膜を形成する第3の工程と、前記孔内の前記絶縁膜のうち前記接続用パッドと対向する場所を開口する第4の工程と、前記絶縁膜及び前記保護膜と重ねてシード層を成膜する第5の工程と、前記シード層に重ねてめっき法により前記孔内に導体金属を充填し、前記導体金属と接続する端子を形成する第6の工程と、前記シード層をパターニングし前記端子を電気的に分離する第7の工程と、前記半導体基板には犠牲層が形成されており、前記犠牲層をエッチングして空洞を形成する第8の工程と、を有し、前記保護膜は前記犠牲層をエッチングするエッチング媒体に対する耐食性を有することを特徴とする。本適用例によれば、第1の工程において半導体基板の前記第1面側から前記接続用パッドに到達する孔を開口する。第2の工程では第1面及び孔の内壁に絶縁膜を形成する。絶縁膜により貫通電極と半導体基板とが絶縁される。第3の工程では絶縁膜を覆って絶縁膜を保護する保護膜を形成する。この保護膜は犠牲層をエッチングするエッチング媒体に対する耐食性を有している。第4の工程では孔内の絶縁膜のうち接続用パッドと対向する場所を開口する。第5の工程では絶縁膜及び前記保護膜と重ねてスパッタ法によりシード層を成膜する。第6の工程においてシード層に重ねてめっき法により孔内に導体金属を充填し、導体金属と接続する端子を形成する。第7の工程ではシード層をパターニングし端子を電気的に分離する。シード層は導電性があるので、シード層を除去することにより、端子を電気的に分離することができる。第8の工程では半導体基板に形成された犠牲層をエッチングして空洞を形成している。保護膜は犠牲層をエッチングするエッチング媒体に対する耐食性を有している。従って、第8の工程において犠牲層をエッチングするときに保護膜が腐食されることがない。第3の工程において絶縁膜を覆って保護膜を形成しているので、絶縁膜も犠牲層をエッチングするときに腐食されない。その結果、半導体基板をエッチングして空洞を形成するときにも絶縁膜に損傷を与えずに貫通電極を形成することができる。[適用例2]上記適用例に記載の半導体装置の製造方法では、前記保護膜は前記第1面及び前記孔の前記第1面側の内壁に配置された前記絶縁膜のうち前記接続用パッドと対向する場所を除いた場所を覆うことが好ましい。本適用例によれば、保護膜は接続用パッドと対向する場所に成膜されない。保護膜は除去するのが困難な膜である。従って、難加工材料である保護膜のパターニングを行なわなくてよい為、生産性良く貫通電極を形成することができる。[適用例3]上記適用例に記載の半導体装置の製造方法では、前記保護膜はスパッタ法により成膜され、前記孔の径はφ8~15μmであり、かつアスペクト比が3.3~5であることが好ましい。本適用例によれば、孔の径はφ8~15μmである。孔の径がφ8μm未満であるときと、アスペクト比が5を超えるときには孔内への貫通電極形成が困難となる。また、開口径がφ15μmを超えるときと、アスペクト比が3.3未満のときには、スパッタ法を用いても保護膜が孔の底にも形成されてしまい保護膜のパターニングが必要となる。保護膜は除去するのが困難な膜である。従って、本適用例では難加工材料である保護膜のパターニングを行なわなくてよい為、生産性良く貫通電極を形成することができる。[適用例4]本適用例に係わる半導体装置は、第1面及び第2面を有し前記第2面に接続用パッドが形成された半導体基板の前記第1面から前記接続用パッドに到達する孔に導体金属を充填し、前記第1面及び前記孔の内壁に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜を覆って前記絶縁膜を保護する保護膜が形成され、前記保護膜は前記第1面及び前記孔の前記第1面側の内壁に配置された前記絶縁膜のうち前記接続用パッドと対向する場所を除いた場所を覆うことを特徴とする。本適用例によれば、絶縁膜を覆って保護膜を形成しているので、絶縁膜も犠牲層をエッチングするときに腐食されない。その結果、半導体基板をエッチングして空洞を形成するときにも絶縁膜に損傷を与えずに貫通電極を形成することができる。[適用例5]本適用例に係わるセンサーは、赤外線を検出する半導体装置を備えるセンサーであって、前記半導体装置が上記に記載の半導体装置であることを特徴とする。本適用例によれば、センサーは内部に赤外線を検出する半導体装置を備えている。そして、その半導体装置に上記の半導体装置が用いられている。上記の半導体装置は品質良く製造された装置であることから、センサーは品質の良い半導体装置を備えたセンサーとすることができる。[適用例6]本適用例に係わる電子機器は、赤外線を検出する半導体装置を備える電子機器であって、前記半導体装置が上記に記載の半導体装置であることを特徴とする。本適用例によれば、電子機器は内部に赤外線を検出する半導体装置を備えている。そして、その半導体装置に上記の半導体装置が用いられている。上記の半導体装置は品質良く製造された装置であることから、電子機器は品質の良い半導体装置を備えた電子機器とすることができる。以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。第1実施形態図1は本実施形態の半導体装置の構成を示す模式断面図である。図1に示すように半導体装置11は半導体基板1を備えている。半導体基板1の材質はシリコンであり、半導体基板1の図中下側の面を第1面1aとし、図中上側の面を第2面1bとする。そして、第2面1bにはMEMS構造体5が形成されている。半導体基板1のMEMS構造体5と対向する場所には空洞9が形成されている。半導体基板1の第2面1bにはMEMS構造体5と接続する接続用パッドとしての端子5aが設置されている。そして、半導体基板1には第1面1aから第2面1bの端子5aに貫通する孔10が設けられている。この孔10の内壁には絶縁膜2が形成されている。絶縁膜2はSiO2からなる膜であり、半導体基板1の第1面1aを覆い、第1面1aから孔10の内壁にかけて連続して形成されている。また、半導体基板1の第1面1aには保護膜8が設けられている。さらに、孔10の内壁において第1面1a側に位置する絶縁膜2の上には保護膜8が設けられている。保護膜8の材料にはAL2O3等の絶縁性のある材料が用いられる。さらに、保護膜8の材料にはMEMS構造体形成時に半導体基板1をエッチングするエッチング媒体に対する耐性を有する材料が用いられる。半導体基板1の第1面1aの一部を覆ってシード層3が設けられている。さらに、孔10の内壁を覆ってシード層3が設けられている。シード層3の材料はシリコンと密着性の良い金属であれば良く、特に限定されない。シード層3の材料には、例えば、Cu、Au等の金属が用いられる。そして、孔10には導体金属としてのCuが充填されている。半導体基板1の第1面1aから第2面1bのMEMS構造体5の端子5aにおよぶ貫通電極4が形成されている。そして、貫通電極4と接続して半導体基板1の第1面1aには端子4aが形成されている。端子4aは孔10の径より大きく形成されており、ワイヤーボンディング等を用いて実装し易くなっている。孔10で開口された孔の径は、φ8~15μmの範囲に設定されるのが好ましい。そして、半導体基板1の厚みは孔10の開口径に対してアスペクト比が3.3~5となる関係に形成されるのが好ましい。孔10の径がφ8μm未満であるときと、アスペクト比が5を超えるときには孔10内への貫通電極4の形成が困難となる。また、孔10の径がφ15μmを超えるときと、アスペクト比が3.3未満のときには、スパッタ法を用いても保護膜8が孔10の底にも形成されてしまい保護膜8のパターニングが必要となる。保護膜8は除去するのが困難な膜である。従って、本実施形態では難加工材料である保護膜8のパターニングを行なわなくてよい為、生産性良く貫通電極4を形成することができる。次に、上記の半導体装置の製造方法について説明する。図2a~図2fは、貫通電極の形成プロセスを説明するための模式図である。図2aに示すように、第1の工程において半導体基板1を用意する。半導体基板1にはMEMS構造体5が形成され、半導体基板1においてMEMS構造体5と対向する場所には犠牲層6が形成されている。犠牲層6はSiO2からなる層である。半導体基板1の第1面1aから端子5aに向かって孔10を形成する。まず、第1面1aにフォトレジストを塗布し、孔10の形状にパターニングする。次に、ドライエッチング法を用いて半導体基板1に孔10を形成する。エッチングに使用するガスは、例えば、SF6、O2、C4F8等を用いることができる。次に、フォトレジストを除去して第1の工程を終了する。半導体基板1の厚さまたは孔10の深さは孔径に対するアスペクト比が3.3~5であるように設定し、半導体装置11の薄型化を実現する。本実施形態では、例えば、半導体基板1の厚みを50μm、孔10の孔径をφ15μmとする。続いて、第2の工程において、半導体基板1の第1面1a、及び孔10の内壁に絶縁膜2を成膜する。絶縁膜2の材質は無機材、有機材問わず絶縁性が確保できるものであればよい。本実施形態では、例えば、絶縁膜2の材質にSiO2を用いた。そして、CVD法を用いて2μmの厚みの絶縁膜2を成膜した。次に、図2bに示すように、第3の工程において半導体基板1の第1面1aに保護膜8をスパッタ法を用いて形成する。保護膜8の材質は空洞9を形成する際のエッチングプロセスで用いるエッチング媒体に耐えうる材質であれば良い。本実施形態では例えば、保護膜8の材質にAL2O3を用いている。保護膜8の膜厚は特に限定されないが本実施形態では例えば保護膜8の膜厚は150nmとする。孔10の径とアスペクト比を適切に設定し、スパッタの加工条件を調整することにより、保護膜8は半導体基板1の第1面1aと孔10の半導体基板1の第1面1a側のみに形成される。そして、保護膜8は第1面1a及び孔10の第1面1a側の内壁に配置された絶縁膜2のうち端子5aと対向する場所を除いた場所を覆う。保護膜8は除去するのが困難な膜である。従って、難加工材料である保護膜8のパターニングを行なわなくてよい為、生産性良く貫通電極4を形成することができる。第4の工程では、孔10において端子5aと対向する場所の絶縁膜2を開口し、孔10を端子5aまで拡張する。まず、第1面1aにフォトレジストを塗布し、開口する場所の形状にパターニングする。次に、ドライエッチング法を用いて絶縁膜2を開口する。エッチングに使用するガスは、例えば、SF6、O2、C4F8等を用いることができる。次に、フォトレジストを除去して第4の工程を終了する。次に図2cに示すように、第5の工程において半導体基板1の第1面1a及び孔10の内壁にシード層3を成膜する。シード層3を成膜する前に拡散防止層、密着層を形成してもよい。拡散防止層の材質にはTiWを用いることができる。シード層3の材質にはCuを用いることができる。拡散防止層及びシード層3の成膜はスパッタ法を用いて成膜を行う。拡散防止層及びシード層3の成膜の膜厚は特に限定されないが、例えば本実施形態では。拡散防止層の膜厚は300nmとし、シード層3の膜厚は500nmとする。次に図2dに示すように、第6の工程において孔10に導体金属を充填して貫通電極4を形成する。まず、めっきレジスト7を塗布し貫通電極4の形状にパターニングする。続いて、導体金属を電解めっき法を用いて孔10内に充填する。導体金属の種類は特に限定されないが、本実施形態では例えば、導体金属にCuを用いた。シード層3より半導体基板1の第2面1b側より第1面1aに向かってCuめっきが成長することにより、孔10内が導体金属によって充填される。これにより、導体金属からなる貫通電極4が形成される。次に、フォトレジストを除去して第6の工程を終了する。次に図2eに示すように、第7の工程においてシード層3をエッチングしてパターニングする。これにより、導電性のシード層3が除去されるので貫通電極4が電気的に分離される。次に図2fに示すように、第8の工程において半導体基板1に配置されている犠牲層6をエッチングして空洞9を形成する。本工程におけるエッチング媒体にはふっ酸ベーパーが用いられる。そして、半導体基板1が全体的にふっ酸ベーパーの雰囲気に曝される。保護膜8には犠牲層6をエッチングするエッチング媒体であるふっ酸ベーパーに対する耐食性を有するAL2O3が用いられている。従って、保護膜8に覆われた絶縁膜2は腐食されないようになっている。以上述べたように、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法によれば、以下の効果を得ることができる。1本実施形態によれば、保護膜8は犠牲層6をエッチングするエッチング媒体に対する耐食性を有している。従って、第8の工程において犠牲層6をエッチングするときに保護膜8が腐食されることがない。第3の工程において絶縁膜2を覆って保護膜8を形成しているので、絶縁膜2も犠牲層6をエッチングするときに腐食されない。その結果、半導体基板1をエッチングして空洞9を形成するときにも絶縁膜2に損傷を与えずに貫通電極4を形成することができる。2本実施形態によれば、保護膜8は端子5aと対向する場所に成膜されない。保護膜8は除去するのが困難な膜である。従って、難加工材料である保護膜8のパターニングを行なわなくてよい為、生産性良く貫通電極4を形成することができる。3本実施形態によれば、保護膜8はスパッタ法により成膜され、孔10の径はφ8~15μmであり、かつアスペクト比が3.3~5である。孔10の径がφ8μm未満であるときと、アスペクト比が5を超えるときには孔10内への貫通電極4の形成が困難となる。また、孔10の径がφ15μmを超えるときと、アスペクト比が3.3未満のときには、スパッタ法を用いても保護膜8が孔10の底にも形成されてしまい保護膜8のパターニングが必要となる。保護膜8は除去するのが困難な膜である。従って、本実施形態では難加工材料である保護膜8のパターニングを行なわなくてよい為、生産性良く貫通電極4を形成することができる。第2実施形態次に、半導体装置が搭載されたセンサーの一実施形態について図4を用いて説明する。図4aは、センサーの構造を示すブロック図である。図4bは、センサーアレイの配線図である。本実施形態のセンサーでは第1実施形態における半導体装置11が用いられている。尚、第1実施形態と同じ点については説明を省略する。図4aに示すように、センサー200は、センサーアレイ210と、行選択回路行ドライバー220と、読み出し回路230を含んでいる。センサーアレイ210には半導体装置11が設置されている。半導体装置11が備えるMEMS構造体5は赤外線を検出可能となっている。さらに、センサー200はA/D変換部240及び制御回路250を含んでいる。このセンサー200を用いることで、例えばナイトビジョン機器等に用いられる赤外線カメラ等を実現できる。センサーアレイ210には、二方向に複数のセンサーセルが配列配置される。また複数の行線ワード線、走査線と複数の列線データ線が設けられる。尚行線及び列線の一方の本数が1本であってもよい。例えば行線が1本である場合には、行線に沿った方向横方向に複数のセンサーセルが配列される。一方、列線が1本である場合には、列線に沿った方向縦方向に複数のセンサーセルが配列される。図4bに示すように、センサーアレイ210の半導体装置としての各センサーセル211は、各行線と各列線の交差位置に対応する場所に配置形成される。例えば、センサーセル211は、行線WL1と列線DL1の交差位置に対応する場所に配置されている。他のセンサーセル211も同様である。行選択回路220は、1つの行線または複数の行線に接続される。そして各行線の選択動作を行う。例えば、センサーアレイ210がQVGA320×240画素のセンサーアレイ210焦点面アレイのとき、行選択回路220は、行線WL0、WL1、WL2WL239を順次選択走査する動作を行う。即ちこれらの行線を選択する信号ワード選択信号をセンサーアレイ210に出力する。読み出し回路230は、1つの列線または複数の列線に接続される。そして各列線の読み出し動作を行う。例えば、センサーアレイ210がQVGAのとき、読み出し回路230は列線DL0、DL1、DL2DL319からの検出信号検出電流、検出電荷を読み出す動作を行う。図4aに戻って、A/D変換部240は、読み出し回路230において取得された検出電圧測定電圧、到達電圧をデジタルデータにA/D変換する処理を行う。そしてA/D変換後のデジタルデータDOUTを出力する。具体的には、A/D変換部240には、複数の列線の各列線に対応して各A/D変換器が設けられる。そして、各A/D変換器は、対応する列線において読み出し回路230により取得された検出電圧のA/D変換処理を行う。尚、複数の列線に対応して1つのA/D変換器を設け、この1つのA/D変換器を用いて、複数の列線の検出電圧を時分割にA/D変換してもよい。制御回路250はタイミング生成回路であり、制御回路250は各種の制御信号を生成する。そして、制御回路250は制御信号を行選択回路220、読み出し回路230、A/D変換部240に出力する。例えば、制御回路250は充電や放電リセットの制御信号を生成して出力する。或いは、制御回路250は各回路のタイミングを制御する信号を生成して出力する。センサー200は内部に赤外線を検出するセンサーセル211を備えている。そして、そのセンサーセル211に半導体装置11が用いられている。半導体装置11は品質良く製造された装置であることから、センサー200は品質の良い半導体装置11を備えたセンサーである。第3実施形態次に、半導体装置が搭載された電子機器の一実施形態について図5及び図6を用いて説明する。図5は、パソーナルコンピューターを示す概略斜視図であり、図6は、携帯電話を示す概略斜視図である。上記の半導体装置11を搭載した電子機器の一例として、図5に示すパソーナルコンピューターや、図6に示す携帯電話等を挙げることができる。電子機器としてのパソーナルコンピューター300は内部に赤外線を検出する赤外線センサーを備えている。そして、そのセンサーに半導体装置11が用いられている。半導体装置11は品質良く製造された装置であることから、パソーナルコンピューター300は品質の良い半導体装置11を備えた電子機器である。電子機器としての携帯電話400は内部に赤外線を検出する赤外線センサーを備えている。そして、そのセンサーに半導体装置11が用いられている。半導体装置11は品質良く製造された装置であることから、携帯電話400は品質の良い半導体装置11を備えた電子機器である。本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。