"交流電力が印加される第1電極と、接地された第2電極と、前記第1電極の外周に形成され被処理部材の被処理面に供給される反応ガスが通過する反応ガス流路と、前記反応ガス流路の外周に形成された排気流路と、前記排気流路の外周に形成されたカーテンガス供給路とを有する大気圧プラズマ処理ヘッドと、前記反応ガス流路から供給される反応ガスに、前記被処理面が曝されるように前記大気圧プラズマ処理ヘッドに対向して前記被処理部材を保持し、前記大気圧プラズマ処理ヘッドと前記被処理部材とを相対的に移動させる移動手段と、前記反応ガス流路に前記反応ガスを通過させ、前記カーテンガス供給路にカーテンガスを通過させるガス供給部と、前記排気流路から前記大気圧プラズマ処理ヘッドと前記被処理面との間のガスを排気させる排気部と、前記ガス供給部と前記排気部とを制御する制御部と、を備え、前記制御部は、交流電力の印加によって前記第1電極と前記第2電極との間に電界を発生させた状態の大気雰囲気中において、前記反応ガス流路から供給される前記反応ガスの流量よりも前記排気流路から排気される流量が多く、前記排気流路から排気される流量よりもカーテンガス供給路から供給されるカーテンガスの流量が多くなるように制御し、前記移動手段によって前記大気圧プラズマ処理ヘッドと前記被処理部材が相対移動される場合には、相対移動しない場合に比べて、前記反応ガス流路からの反応ガスの総流量と前記カーテンガス供給路からのカーテンガスの総流量を略一定としつつ、前記大気圧プラズマ処理ヘッドに対する前記被処理部材の相対的な移動方向と反対方向側からの前記反応ガスの流量および前記カーテンガスの流量を増加させ、前記被処理部材の相対的な移動方向側の前記反応ガスの流量および前記カーテンガスの流量を減少させ、前記被処理部材と前記大気圧プラズマ処理ヘッド間のガス流が、前記カーテンガス供給路の外周部で前記大気圧プラズマ処理ヘッド外部に向かい、前記排気流路の回収部で前記排気流路に向かうように排気流量を制御することを特徴とする大気圧プラズマ処理装置。前記第1電極にシリコンターゲットを配置したことを特徴とする請求項1に記載の大気圧プラズマ処理装置。前記第1電極が、前記排気流路の出口および前記カーテンガス供給路の出口よりも前記被処理部材から離れた位置に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の大気圧プラズマ処理装置。前記反応ガス流路から前記排気流路に至る部分に突起を設けたことを特徴とする請求項1に記載の大気圧プラズマ処理装置。前記大気圧プラズマ処理ヘッドの外周部であって、前記被処理部材と対向する位置に突起を設けたことを特徴とする請求項1に記載の大気圧プラズマ処理装置。前記大気圧プラズマ処理ヘッドと前記被処理部材との間に流速測定センサを設けたことを特徴とする請求項1に記載の大気圧プラズマ処理装置。前記大気圧プラズマ処理ヘッドと前記被処理部材との間のプラズマ放電エリア近傍で前記被処理部材を加熱する加熱部をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の大気圧プラズマ処理装置。前記加熱部は、非接触式の加熱装置であることを特徴とする請求項7に記載の大気圧プラズマ処理装置。前記移動手段は、誘電体で構成されて前記被処理部材を保持するステージを備えることを特徴とする請求項1に記載の大気圧プラズマ処理装置。交流電力が印加される第1電極と、接地された第2電極と、前記第1電極の外周に形成され被処理部材の被処理面に供給される反応ガスが通過する反応ガス流路と、前記反応ガス流路の外周に形成された排気流路と、前記排気流路の外周に形成されたカーテンガス供給路とを有する大気圧プラズマ処理ヘッドを用いた大気圧プラズマ処理方法であって、大気雰囲気中において、第1電極に交流電圧を印加して、前記第1電極と前記第2電極との間に電界を発生させるステップと、前記反応ガス流路に前記反応ガスを通過させ、前記カーテンガス供給路にカーテンガスを通過させ、前記排気流路から前記大気圧プラズマ処理ヘッドと前記被処理面との間のガスを排気させるステップと、前記反応ガス流路から供給される反応ガスに、前記被処理面が曝されるように前記大気圧プラズマ処理ヘッドに前記被処理部材を対向させるとともに、前記大気圧プラズマ処理ヘッドと前記被処理部材とを相対的に移動させるステップと、を備え、前記反応ガス流路から供給される前記反応ガスの流量よりも前記排気流路から排気される流量が多く、前記排気流路から排気される流量よりもカーテンガス供給路から供給されるカーテンガスの流量が多く設定され、前記大気圧プラズマ処理ヘッドと前記被処理部材が相対移動されるステップにおいて、相対移動しない場合に比べて、前記反応ガス流路からの反応ガスの総流量と前記カーテンガス供給路からのカーテンガスの総流量を略一定としつつ、前記大気圧プラズマ処理ヘッドに対する前記被処理部材の相対的な移動方向と反対方向側からの前記反応ガスの流量および前記カーテンガスの流量を増加させ、前記被処理部材の相対的な移動方向側の前記反応ガスの流量および前記カーテンガスの流量を減少させ、前記被処理部材と前記大気圧プラズマ処理ヘッド間のガス流が、前記カーテンガス供給路の外周部で前記大気圧プラズマ処理ヘッド外部に向かい、前記排気流路の回収部で前記排気流路に向かうように排気流量が制御されることを特徴とする大気圧プラズマ処理方法。しかしながら、プラズマ処理ヘッドと基板とを相対的に移動させる必要が生じた場合、プラズマ処理ヘッドと基板を静止した状態でのプラズマ処理とは、プラズマ処理ヘッドと基板との間での各ガスの速度や向きが異なってしまうため、放電の均質化が難しいという問題があった。また、相対的な移動の影響を軽減するために、ガス供給量を増加させれば、ガスの消費量の増大に伴う製造コストの増大を招いてしまうという問題があった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ガスの消費量の増大を抑えつつ、プラズマ処理ヘッドと基板とを相対的に移動させた場合の放電の均質化を図ることのできる大気圧プラズマ処理装置を得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、交流電力が印加される第1電極と、接地された第2電極と、第1電極の外周に形成され被処理部材の被処理面に供給される反応ガスが通過する反応ガス流路と、反応ガス流路の外周に形成された排気流路と、排気流路の外周に形成されたカーテンガス供給路とを有する大気圧プラズマ処理ヘッドと、反応ガス流路から供給される反応ガスに、被処理面が曝されるように大気圧プラズマ処理ヘッドに対向して被処理部材を保持し、大気圧プラズマ処理ヘッドと被処理部材とを相対的に移動させる移動手段と、反応ガス流路に反応ガスを通過させ、カーテンガス供給路にカーテンガスを通過させるガス供給部と、排気流路から大気圧プラズマ処理ヘッドと被処理面との間のガスを排気させる排気部と、ガス供給部と排気部とを制御する制御部と、を備え、制御部は、交流電力の印加によって第1電極と第2電極との間に電界を発生させた状態の大気雰囲気中において、反応ガス流路から供給される反応ガスの流量よりも排気流路から排気される流量が多く、排気流路から排気される流量よりもカーテンガス供給路から供給されるカーテンガスの流量が多くなるように制御し、移動手段によって大気圧プラズマ処理ヘッドと被処理部材が相対移動される場合には、相対移動しない場合に比べて、反応ガス流路からの反応ガスの総流量とカーテンガス供給路からのカーテンガスの総流量を略一定としつつ、大気圧プラズマ処理ヘッドに対する被処理部材の相対的な移動方向と反対方向側からの反応ガスの流量およびカーテンガスの流量を増加させ、被処理部材の相対的な移動方向側の反応ガスの流量およびカーテンガスの流量を減少させ、被処理部材と大気圧プラズマ処理ヘッド間のガス流が、カーテンガス供給路の外周部で大気圧プラズマ処理ヘッド外部に向かい、排気流路の回収部で排気流路に向かうように排気流量を制御することを特徴とする。本発明によれば、ガスおよび排気の流量を制御することで、大気雰囲気中におけるプラズマ処理において、ガスの消費量の増大を抑えつつ、プラズマ処理ヘッドと基板とを相対的に移動させた場合の放電の均質化を図ることができるという効果がある。以下に、本発明の実施の形態にかかる大気圧プラズマ処理装置および大気圧プラズマ処理方法を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1にかかる大気圧プラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。図1に示すように、大気圧プラズマ処理ヘッド1は、反応ガスを矢印2に沿ってプラズマ発生領域に供給する機能と、不活性ガスからなるカーテンガスを矢印3に沿ってプラズマ発生領域の周囲に供給する機能を有する。また、大気圧プラズマ処理ヘッド1は、未反応状態の反応ガス、プラズマで分解されたガス、基板と反応して生成された反応生成ガス、およびカーテンガス以下、これらのガスを総称して未反応ガス等と呼ぶ場合があるを矢印4に沿って排気する機能を有している。図2は、大気圧プラズマ処理ヘッドの上面図である。本実施の形態1にかかる大気圧プラズマ処理装置は、図1、2に示すように、平板形状の固体ソース14と接触して高周波電力を印加できる冷却機構10を搭載した高周波電極11入力側高周波電極11a第1電極とアーク発生を防止する絶縁体12、その外周部に配置される流路形成部材13と高周波電力を投入される固体ソース14、高周波電極11に高周波電力を印加する電源15、および被処理部材である基板被処理部材19の被処理面が反応ガス流路と略平行となるように基板19を保持し、接地されたステージ20を備える。なお、ステージ20は、接地側高周波電極11b第2電極としても機能する。また、固体ソース14については、以下の説明において、物理的な成膜を行う場合にはターゲットとも呼び、単なる表面処理を行う場合には電極とも呼ぶ。また、化学的な成膜を行う場合に固体ソース14と呼ぶ。流路形成部材13によって、反応ガスを矢印2に沿って供給する反応ガス流路16、不活性ガスからなるカーテンガスを矢印3に沿って供給するカーテンガス供給路17、および未反応ガス等を矢印4に沿って排気する排気流路18が形成される。反応ガス流路16、カーテンガス供給路17、排気流路18は、入力側高周波電極11aの周囲を囲むように形成されている。なお、各流路16,17,18は、図2に示すように4つの区画に分割されている反応ガス流路16a~16d,カーテンガス供給路17a~17d,排気流路18a~18d。また、排気流路18は反応ガス流路16の外周に形成され、カーテンガス供給路17は排気流路18の外周に形成される。すなわち、各流路16,17,18は、入力側高周波電極11aから外側に向けて、反応ガス流路16、排気流路18、カーテンガス供給路17の順に並ぶように形成されている。高周波電極11の材料としては、例えば、銅、アルミニウム、ステンレス、真鍮などを使用可能であり、内部に冷却水を導入して冷却を図る冷却機構10が備わっている。また、高周波電極11の周囲は、基板19側も含めて、固体ソース14以外は絶縁体12が備えられてアーク発生を防止している。高周波電極11としては、通常高周波電極としてよく用いられている13.56MHzだけでなく、安定したプラズマ放電が可能な周波数なら、低周波の数KHzから高周波の数百MHzの範囲であってもよい。絶縁体12としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、酸化アルミニウム、酸化チタンや石英などが使用できる。反応ガスは反応ガス流路16を矢印2が示す方向に通過し、基板19と固体ソース14間に供給される。また、高周波電極11間、すなわち入力側高周波電極11aと接地側高周波電極11bとの間に存在する隙間領域がプラズマ発生領域となる。なお、入力側高周波電極11aは、大気圧プラズマ処理ヘッド1の他の部分よりもステージ20から離れた位置に設けられる。これにより、プラズマ発生領域に反応ガスが流入しやすくなり、排気流路18へと流れる反応ガス量を減少させることが可能となる。なお、反応ガス流路16から排気流路18に至る部分に突起を設けてもよい。この場合にも、排気流路18側に反応ガスが流れにくくなる分、プラズマ発生領域に反応ガスが流入しやすくなり、排気流路18へと流れる反応ガス量を減少させることが可能となる。流路形成部材13は、使用する未反応ガス等と反応しない材料により構成されることが望ましく、アルミ、ステンレスや酸化アルミニウムなどで構成されることが好ましい。反応ガス流路16は、入力側高周波電極11aを外側から囲むように形成されており、反応ガス供給部ガス供給部31が接続されている。この反応ガス供給部31から反応ガスが供給される。また、排気流路18は、プラズマ発生領域を外側から囲うように設けられている。排気流路18には、排気ファン排気部33が接続されており、排気ファン33を運転させることで排気流路18を通して、未反応ガス等を排気ガス処理部図示せずへと排出することができる。排気流路18よりも外側には、カーテンガスを矢印3に沿って供給するカーテンガス供給路17が設けられており、基板19側がカーテンガスの噴出口となる。カーテンガス供給路17には、カーテンガス供給部ガス供給部32が接続されている。このカーテンガス供給部32からカーテンガスが供給される。カーテンガス供給路17から噴出された不活性ガスは、基板19に対して噴きつけられ、一部は排気流路18から吸引され、残りは外部雰囲気中に放出される。図3は、ステージ20と大気圧プラズマ処理ヘッド1が互いに静止しているときの、基板19と大気圧プラズマ処理ヘッド1との間のガスの流れの様子を示す大気圧プラズマ処理装置の断面図である。ステージ20と大気圧プラズマ処理ヘッド1が静止しているときは、図3に示すように、反応ガスの流量とカーテンガスの流量と排気の流量との必要な関係は、反応ガス<排気<カーテンガスの関係を満たす必要がある。このような関係を満たすことで、プラズマ発生領域が正圧となり、反応ガスや未反応ガス等は、カーテンガスの流れによりブロックされすべて排気流路18から排気される。さらに、カーテンガスは、外部雰囲気中にも放出され、外部雰囲気がプラズマ発生領域に流入しない。図4は、ステージ20と大気圧プラズマ処理ヘッド1が相対移動しているときの、基板19と大気圧プラズマ処理ヘッド1との間のガスの流れの様子を示す大気圧プラズマ処理装置の断面図である。ステージ20は、移動手段38によって移動される。移動手段38は例えばモータである。なお、大気圧プラズマ処理ヘッド1が移動するように構成してもかまわない。ステージ20と大気圧プラズマ処理ヘッド1が相対移動して基板19の全面を処理する場合、例えば大気圧プラズマ処理ヘッド1が静止して、ステージ20が矢印Xに示す向きに移動する場合には、総流速の向きが静止状態に対して逆転する箇所ができてしまう。ここで、ステージ20の移動速度に打ち勝つだけ、反応ガスおよびカーテンガスの供給量を全体的に増加させ、排気流量も増加させれば、総流速の向きの逆転を解消することができる。しかしながら、移動速度の上昇に応じてガス量を増加させる手法では、反応ガス量およびカーテンガスの消費量も増加してしまいコストが増加してしまう。そこで、反応ガスの供給量およびカーテンガスの供給量を抑えるために、上流側大気圧プラズマ処理ヘッド1に対するステージ20の相対的な移動方向と反対方向側では反応ガスの供給量およびカーテンガスの供給量を増大させ、下流側大気圧プラズマ処理ヘッド1に対するステージ20の相対的な移動方向側では反応ガスの供給量およびカーテンガスの供給量を減少させるとともに、排気量をそれに応じて適切に配分する。なお、反応ガスの供給量およびカーテンガスの供給量の調節は、制御部40によって行われる。制御部40は、例えば、移動手段38からステージ20の移動する速度のフィードバックを受けて、反応ガス供給部31やカーテンガス供給部32に設けられたバルブの開度を調節して各ガスの供給量を調節する。このように、ステージ20と大気圧プラズマ処理ヘッド1の相対移動の方向に応じて、カーテンガス量、排気量をコントロールして、図3に示すようなガスの流れが生じるようにすれば、ガスの供給量を抑えることができ、反応ガスなどが外部雰囲気に流出しにくくなる。また、プラズマ発生領域内に外部雰囲気が流入しにくくなり、均質な放電が可能な大気圧プラズマ処理装置を構成することができる。このような構成を有する大気圧プラズマ処理装置での処理例をシリコン膜の成膜を例に挙げて説明する。まず、高周波電極11に電源15をつなぎ、固体ソース14のある入力側高周波電極11a側に電力を投入する準備をし、接地側高周波電極11bを兼ねるステージ20を接地する。高周波電力は以下で述べるガスや排気流量が安定した後に投入する。基板19はシリコンを成膜する面にプラズマが照射できるように、被処理面を上に向けてステージ20上に配置される。固体ソース14は、9999999以上のシリコン板で構成されている。次に、反応ガス流路16に反応ガスを流し、カーテンガス供給路17にカーテンガスを流し、排気流路18を通して排気を行う。ここで、反応ガス流路16には、反応ガスとして400sccmの水素ガスを流す。より具体的には、4つの区画に分割された各反応ガス流路16a,16b,16c,16dに、各々100sccmの水素ガスを流す。また、カーテンガス供給路17には、カーテンガスとして5000sccmの不活性ガスヘリウムを流す。より具他的には、4つの区画に分割された各カーテンガス供給路17a,17b,17c,17dに、各々1250sccmの不活性ガスを流す。また、排気流路18の排気流量は1000sccmで、4つの区画に分割された各排気流路18a,18b,18c,18dから各々250sccmずつ排気する。このときの流量関係は、反応ガス<排気量<カーテンガス量を満たしている。そして、図3に示すように第1のガス流2121a,21c、第2のガス流2222a,22c、第3のガス流2323a,23c、第4のガス流2626a,26cが、矢印に示す向きに流れており、未反応ガス等は外部雰囲気へ流出せず、プラズマ発生領域内に外部雰囲気が流入しない条件を満たしている。基板19と大気圧プラズマ処理ヘッド1が静止している場合は上記の流量でよいが、大型基板などに成膜する際には、ヘッドと基板を相対移動させる必要がある。例えば、図4に示すように、ステージ20が矢印Xに示す方向に速度Vで移動した場合、静止状態と同じガス量の供給では、各ガス流21,22,23,26の流れの向きが図3とは逆向きになる場合がある。図4に示す例では、第1のガス流21のうち上流側の第1のガス流21aと、第2のガス流22のうち下流側の第2のガス流22cと、第3のガス流23のうち上流側の第3のガス流23aと、第4のガス流26のうち下流側の第4のガス流26cが、流れの向きが図3とは逆向きになっている。すなわち、ステージ20の移動する速度Vが、各ガス流21,22,23,26の速度と同程度以上になった場合は、流れの向きが逆向きとなり、未反応ガス等は外部雰囲気へ流出せず、プラズマ発生領域内に外部雰囲気が流入しない条件を満たさなくなる。これを回避するためには、ステージ20の移動する速度Vに打ち勝つ速度になるように、反応ガス、カーテンガス、排気量を増加させる必要がある。しかしながら、カーテンガスや反応ガス量を増加させると、コスト増につながってしまう。そこで本実施の形態1では、反応ガス供給量、カーテンガス供給量、排気量をステージ移動時の上流側、下流側で調節する。例えば、ステージ20が図4の矢印Xに示す方向に移動している場合、上流側の反応ガス流路16aに水素ガス250sccmを、下流側の反応ガス流路16cに水素ガス50sccmを、側面の反応ガス流路16b、d図2も参照には各々水素ガス50sccmを供給する。さらに、上流側のカーテンガス供給路17aにヘリウム2000sccmを、下流側のカーテンガス供給路17cにヘリウム500sccmを、側面のカーテンガス供給路17b、dには各々ヘリウム500sccmを供給する。また、上流側の排気流路18aは1500sccm、下流側の排気流路18cは500sccm、側面の排気流路18b、dは各々500sccmの排気を行う。このようにガス量の調整を行うことで、各ガス流21a,22c,23aの向きが図3に示す静止状態と同様の向きとなり、未反応ガス等は外部雰囲気へ流出せず、プラズマ発生領域内に外部雰囲気が流入しない条件を満たす。さらに、反応ガスの流れが安定するので、放電も安定する。つまり、基板19と大気圧プラズマ処理ヘッド1との間のガス流の流れの方向が大事である。次に、ステージ20の移動する速度Vと第1のガス流21aの速度との関係を図5に示す。なお、図4で矢印Xの示す方向を正の方向とし、その反対方向を負の方向としている。また、ここでの流速は、基板19と大気圧プラズマ処理ヘッド1との間隔の中央での値とする。静止状態ステージ20の移動する速度が0m/sでの反応ガス流路16aの流速0.06m/sとカーテンガス供給路17aでの流速0.08m/s、排気流路18aでの流速0.02m/sのときに、第1のガス流21aは-0.05m/sとなり、図3に示す向きに流れる。ここで、ステージ20の移動する速度を0.01m/sにしたときは、図5に示すように第1のガス流21aの速度が若干低下するだけで、未反応ガス等は外部雰囲気へ流出せず、プラズマ発生領域内に外部雰囲気が流入しない条件を満たす。次に、ステージ20の移動する速度を0.1m/sに増加させたときは、図5に示すように第1のガス流21aの速度は0.03m/sとなる。したがって、図4で示したように、流速の向きが反対となり、未反応ガス等は外部雰囲気へ流出せず、プラズマ発生領域内に外部雰囲気が流入しない条件を満たさなくなっている。このとき、下流側の排気流路18cの流速を0.05m/sに増加させ、下流側のカーテンガス供給路17cの流速を0.04m/sに減少させ、下流側の反応ガス流路16cの流速を0.04m/sに減少させ、上流側の排気流路18aの流速を0.1m/sに増加させ、上流側のカーテンガス供給路17aの流速を0.1m/sに増加させ、上流側の反応ガス流路16aの流速を0.08m/sに増加させると、図5に示す上流下流の制御ありの第1のガス流21aの速度-0.04m/sとなり、流速の向きが静止時と同じ向きに維持される。すなわち、未反応ガス等は外部雰囲気へ流出せず、プラズマ発生領域内に外部雰囲気が流入しない条件を満たしている。つまり、第1のガス流21aの速度がステージ20の移動する速度より十分に早ければ、流量制御を行わなくとも上記の条件を満たすが、ステージ20の移動する速度が第1のガス流21aの速度を超えると、上記の条件を満たさなくなる。ここでは、第1のガス流21aを挙げて説明したが、他のガス流でも同様である。したがって、高速でステージ20を移動させる場合には、各ガス流21a,22c,23aの流速を上げる手段を講じることで、各ガス流21,22,23の向きを上記の条件を満たす向きに制御することができる。例えば、基板19と大気圧プラズマ処理ヘッド1との距離を小さくする、各流路の出口にしぼりを設け、流速を高速にするなどの手段を講じることで、高速でステージ20を移動させる場合にも安定した成膜が可能となる。また、固体ソース14への反応ガスの流入を容易にするために、固体ソース14の高さを流路形成部材13よりも基板19から離れた位置にすることで、固体ソース14への反応ガスの供給をスムーズにする効果がある。このようにして、プラズマ発生領域内に酸素がほとんど存在しない清浄な環境を作り出す。そして、固体ソース14例えば、シリコン固体ソースを冷却機構10で冷却し、低温を維持する。ここで、基板19は、ステージ20内に組み込まれたヒータ図示せずで加熱されて高温を維持している。水素化物が揮発性であるシリコン固体ソース14に電源15から高周波電極11に高周波電界を印加すると、反応ガス流路16から流れてくる反応ガス、例えば水素ガス流により、固体ソース14と基板19との間で、水素プラズマによる励起した原子状水素との化学反応による固体ソース14のシリコンの水素化物SiHxx=1,2...の生成、揮発によるエッチング、および、エッチングにより生成された水素化物がプラズマ中で再分解されることによる固体ソース物質の堆積の両工程が同時に起こる。この反応速度は、低温側の固体ソース14の表面ではエッチングの方が大きく、堆積の方が小さい。一方、高温側の基板19の表面では、堆積の速度が大きく、エッチングの速度が小さい。したがって、両者の温度差を適度に大きくしておくことにより、エッチングおよび堆積の速度差が大きくなり、低温側の固体ソースから高温側の基板への比較的高速の物質移動が生じ、基板19上にシリコンが堆積される。このような密閉空間の減圧下で行われていない物質移動は、大気圧プラズマ化学輸送法と呼ばれている。低温の温度として例えば15°C、高温の温度として例えば300°Cなどとすることで、高温側と低温側の温度差を285°C程度とすることが好ましい。したがって、低温側を-35°Cとすると、高温側は250°C程度とすることが好ましいが、温度差が100°C以上であれば、温度の組み合わせは適宜変更可能である。また、基板19と大気圧プラズマ処理ヘッド1との間隔は、シリコンの水素化物が基板まで到達しなければならないため、5mm程度以下とするのが好ましい。可能であれば、1mm以下の方が、基板19と大気圧プラズマ処理ヘッド1との間での流速が高まるため、同じ流量でもスキャン速度を速くすることが可能となるのはいうまでもない。このようにすることで、周囲雰囲気をパージガスで覆う必要がなく、簡便な構成かつ低コストで大気圧プラズマ処理が可能な大気圧プラズマ処理装置が実現される。図13は、上述した大気圧プラズマ処理装置による大気圧プラズマ処理方法の概略的な手順を示したフローチャートである。まず、基板19がステージ20上に保持されるステップS1。そして、カーテンガスおよび反応ガスが供給され、排気流路からの排気が行われるステップS2。そして、入力側高周波電極11aに交流電圧が印加されるステップS3。そして、ステージ20が移動されて、大気圧プラズマ処理ヘッド1と基板19とが相対的に移動されるとステップS4、上流側でのカーテンガスおよび反応ガスの供給量が増加され、下流側でのカーテンガスおよび反応ガスの供給量が減少されるステップS5。なお、ステップS5において、排気量が増加されるが、その際、下流側よりも上流側での増加量が大きくなるように制御される。なお、ここでは固体ソース14を使用した成膜例を挙げたが、反応ガスにアルゴンガス、ターゲット14として、Siや金、銀、銅、チタン、アルミなどの金属や、アルミナ、ジルコニアなどのセラミックを使用することで、通常のスパッタリング装置と同様に成膜することが可能となるのは、いうまでもない。また、大気圧プラズマ処理ヘッド1の形状を、四角柱形状として図示しているがこれに限られない。例えば、円筒形状であってもよいし、他の形状であってもよい。実施の形態2.図6は、本発明の実施の形態2にかかる大気圧プラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。なお、上記実施の形態と同様の構成については、同様の符号を付して詳細な説明を省略する。本実施の形態2では、大気圧プラズマ処理ヘッド1に固体ソース14やターゲット14を使用せずに、電極14が表面に露出している点を特徴とする。電極14には、例えばアルミニウム、ステンレス、銅などを用いることができ、電極として機能するものであれば他の金属であってももちろん構わない。例えば、反応ガスとして、モノシランガス、水素ガス、ヘリウムガスを反応ガス流路16に流し、カーテンガスとしてアルゴンをカーテンガス供給路17に流し、排気流路18から排気を行う。ガス流の向きが図3に示す向きとなるように、上記実施の形態1と同様に各ガスの供給量や排気量を調節する。次に、高周波電極11に高周波電力を印加すると、高周波電極11間にプラズマが発生し、基板19上にシリコン膜を成膜することができる。高周波電極11は冷却機構10で冷却することで、高周波電力による加熱を防ぐことができ、高周波電極の発熱に起因した熱電子発生によるアーク転移を防止することができる。高周波電極11としては、通常高周波電極としてよく用いられている13.56MHzだけでなく、安定したプラズマ放電が可能な周波数なら、低周波の数KHzから高周波の数百MHzの範囲であってもよい。また、成膜する膜材質にもよるが、基板19を載せるステージ20に加熱機構を搭載することで、良好な膜を得ることができる。たとえば、シリコン成膜では、基板温度を200°Cから400°Cの範囲とすることが望ましい。基板19と大気圧プラズマ処理ヘッド1を相対的に移動して、大面積に成膜する際には、実施の形態1で説明した、上流と下流で、カーテンガス量や排気量を調節することで、図3と同様なガス流の向きにすることで、安全で安価に成膜することができる。実施の形態3.図7は、本発明の実施の形態3にかかる大気圧プラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。なお、上記実施の形態と同様の構成については、同様の符号を付して詳細な説明を省略する。本実施の形態3では、大気圧プラズマ処理ヘッド1の外周部に突起30を設ける点を特徴とする。このようにすることで、カーテンガス供給路17から外部雰囲気へ流出するガス流23a,23cの速度を増大させて、より少ないガス量で、外部雰囲気の流入を抑える効果がある。したがって、安全で安価に成膜することができる。実施の形態4.図8は、本発明の実施の形態4にかかる大気圧プラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。なお、上記実施の形態と同様の構成については、同様の符号を付して詳細な説明を省略する。本実施の形態4では、反応ガス流路16に水素などを流し、水素プラズマを発生させ、基板19の表面処理を行う点を特徴とする。例えば、反応ガスとして、水素ガスを反応ガス流路16に流し、カーテンガスとして窒素をカーテンガス供給路17に流し、排気流路18から排気を行う。ガス流の向きが図3に示す向きとなるように、上記実施の形態1と同様に各ガスの供給量や排気量を調節する。次に、高周波電極11に高周波電力を印加すると、高周波電極11間や基板19との間に水素プラズマが発生し、基板19上に水素プラズマを照射することができる。高周波電極11は冷却機構10で冷却することで、高周波電力による加熱を防ぐことができ、高周波電極の発熱に起因した熱電子発生によるアーク転移を防止することができる。高周波電極11としては、通常高周波電極としてよく用いられている13.56MHzだけでなく、安定したプラズマ放電が可能な周波数なら、低周波の数KHzから高周波の数百MHzの範囲であってもよい。また、同様に反応ガスとして、アルゴンなどを供給しても、そのプラズマを照射することが可能となる。また、照射するプラズマの種類にもよるが、基板19を移動して、大面積に成膜する際には、実施の形態1で説明した、上流と下流で、反応ガス量カーテンガス量や排気量を調節することで、図3と同様なガス流の向きにすることで、安全で安価になおかつ均質な表面処理を行うことができる。ここでは、水素ガスの例を挙げたが、反応ガスとして、アルゴンガス、酸素ガス、窒素ガスなどを単体や複数の組み合わせで放電させることで、周囲を清浄な環境を保ったまま、基板を放電処理し、表面改質などに使用できることは言うまでもない。実施の形態5.図9は、本発明の実施の形態5にかかる大気圧プラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。なお、上記実施の形態と同様の構成については、同様の符号を付して詳細な説明を省略する。本実施の形態5では、流速を測定するエアフローセンサ流速測定センサ25を大気圧プラズマ処理ヘッド1に取り付けた点を特徴とする。エアフローセンサ25を設けることで、基板19と大気圧プラズマ処理ヘッド1との間での流速を直接測定することができるため、上流と下流での反応ガス量カーテンガス量や排気量の調節を行うことが可能となる。これにより、より少ない流量で、未反応ガス等は外部雰囲気へ流出せず、プラズマ発生領域内に外部雰囲気が流入しない条件図3に示すガス流の向きを満たすことが可能となる。また、流速を測定して、ガス流量だけではなく、基板19と大気圧プラズマ処理ヘッド1との間隔もフィードバック制御を行う。こうすることで、ステージ20の速度を高速にした際も、安定した処理が可能となる。実施の形態6.図10は、本発明の実施の形態6にかかる大気圧プラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。なお、上記実施の形態と同様の構成については、同様の符号を付して詳細な説明を省略する。本実施の形態6では、接地側高周波電極11bをステージ20と別個に設けている。また、接地側高周波電極11bのサイズを、入力側高周波電極11aと同程度のサイズとしている。また、基板19の加熱が必要な際には、非接触の加熱機構27で、ステージ20を加熱する。この構成により、非接触の加熱機構27で、プラズマ放電エリア近傍のみを加熱することができる。したがって、必要な個所のみを加熱することができ、エネルギー効率の向上を図ることができる。また、入力側高周波電極11aと接地側高周波電極11bのサイズが同程度であるので、プラズマ密度を高めることができるため、エネルギー効率が高くなる効果がある。さらに、ステージ20は、高周波電極11間に位置するので、石英、セラミックなどの誘電体をはじめ、ほとんどの非金属材料を用いることが可能となる。ただし、ステージ20を非接触加熱する必要がある際には、赤外線の透過率が低いステージ20にする必要がある。赤外線の透過率が高い石英などを利用した際には、赤外線吸収率が高くなるように、表面のコーティングなどを行う必要がある。さらに、ここでは、ステージ20を使用した例を挙げているが、基板被処理部材を移動手段38で直接移動できるようにすれば、ステージ20はなくてもよい。また、固体ソースターゲットや電極14のサイズが大きく、基板温度の昇温が不十分となるような場合には、接地側高周波電極11bをメッシュ形状とし、電極内でも非接触で加熱できる構成をとることも可能である。この構成により、必要な個所のみを加熱することができれば、エネルギー効率が高くなる効果がある。実施の形態7.図11-1は、本発明の実施の形態7にかかる大気圧プラズマ処理装置の概略構成を示す断面図であり、ステージが矢印Xに示す方向に移動している状態を示す図である。なお、上記実施の形態と同様の構成については、同様の符号を付して詳細な説明を省略する。本実施の形態7では、一部の反応ガス流路を排気ファン33に接続することで、高周波電極11間にガスのよどみが生じないようにする。図11-1では、ステージ20が矢印Xに示す方向に移動する。そして、ステージ20の移動方向に対して下流側に位置する反応ガス流路16cが排気ファン33に接続されている。反応ガス流路16aでは基板19側に向けてガスが流れ、反応ガス流路16cでは、基板19と大気圧プラズマ処理ヘッド1との間の空間から排気が行われる。これにより、基板19と大気圧プラズマ処理ヘッド1との間の空間で反応ガス流路16aから反応ガス流路16cに向かうガスの流れが生成されるため、高周波電極11間にガスのよどみが発生しにくくなる。なお、図11-2に示すように、ステージ20が矢印Yに示す方向に移動する場合には、ステージ20の移動方向に対して下流側に位置する反応ガス流路16aを排気ファン33に接続すればよい。反応ガス流路16cでは基板19側に向けてガスが流れ、反応ガス流路16aでは、基板19と大気圧プラズマ処理ヘッド1との間の空間から排気が行われる。これにより、基板19と大気圧プラズマ処理ヘッド1との間の空間で反応ガス流路16cから反応ガス流路16aに向かうガスの流れが生成されるため、高周波電極11間にガスのよどみが発生しにくくなる。なお、ステージ20が静止している状態であっても、図11-1や図11-2に示すように、反応ガス流路の一部を排気ファン33に接続すれば、高周波電極11間でガスの流れが一方向に向かうため、よどみが生じるのを抑えることができる。図12-1は、実施の形態7の変形例1にかかる大気圧プラズマ処理装置の概略構成を示す断面図であり、ステージが矢印Xに示す方向に移動している状態を示す図である。本変形例1では、反応ガス流路1616a~16dの間で、反応ガス流量を調節することで、高周波電極11間にガスのよどみが生じないようにする。図12-1では、ステージ20が矢印Xに示す方向に移動する。そして、ステージ20の移動方向に対して下流側に位置する反応ガス流路16cの反応ガス流量を、上流に位置する反応ガス流路16aの反応ガス流量よりも弱くする。これにより、高周波電極11間でガスの流れが一方向に向きやすくなり、よどみが生じるのを抑えることができる。なお、図12-2に示すように、ステージ20が矢印Yに示す方向に移動する場合には、ステージ20の移動方向に対して下流側に位置する反応ガス流路16aの反応ガス流量を、上流に位置する反応ガス流路16cの反応ガス流量よりも弱くする。これにより、高周波電極11間でガスの流れが一方向に向きやすくなり、よどみが生じるのを抑えることができる。なお、ステージ20が静止している状態であっても、図12-1や図12-2に示すように反応ガス流量を調整すれば、高周波電極11間でガスの流れが一方向に向きやすくなっているため、よどみが生じるのを抑えることができる。"