"柄の長手方向部分に流体通路を有する非通気性素材よりなる剛体製アームに下面が断面円弧状凹部を有するとともに、流体通路孔を備える非通気性素材よりなる剛体製ワッフルスラブ構造のパッド保持基板を軸承し、このパッド保持基板の環状下面に接着剤を介して可撓性ゴム膜表面に密着層が形成された積層構造の基板保持用パッドを前記可撓性ゴム膜面が接着側となるように貼付して、前記パッド保持基板下面の断面円弧状凹部を流体室に形成し、この流体室に面する前記パッド保持基板の流体通路孔に前記剛体製アームの柄に設けた流体通路が連通しており、この流体室により供給された加圧流体により前記積層構造の基板保持用パッドが膨張し、この流体室より流体を排出することにより前記基板保持用パッドが原型復帰できる構造とした半導体基板搬送用の基板保持用パッドを備えたアーム構造であり、基板保持用パッドの可撓性ゴム膜表面に形成された前記密着層は、ポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂層、アクリル系樹脂粘着剤層、および、合成ゴム系粘着剤層より選らばれた密着層で形成され、この密着層と半導体基板間の剥離力JISK-6854に準拠が10mN/12.7mm幅以下で、半導体基板を保持する前記基板保持用パッドを加工ステージより半導体基板と共に平行にずらす剪断力が1.0N/cm2以上であることを特徴とする、基板保持用パッドを備えたアーム構造。請求項1の基板保持用パッドを備えたアーム構造を用い、第一加工ステージ上に載置された半導体基板面上に基板保持用パッドを移動させ、ついで、基板保持用パッド面を半導体基板面上に押し付けて半導体基板を基板保持用パッド面に保持させ、然る後にアームの移動により半導体基板を保持する基板保持用パッドを第二加工ステージ上へと移送し、基板保持用パッドとパッド保持基板とで形成された前記流体室に加圧流体を供給して基板保持用パッドを膨張させることにより前記半導体基板を前記第二加工ステージ上へ載置する、ことを特徴とする、半導体基板の搬送方法。上記特許文献10記載のパッド搬送機構は、厚みが10~50μmと薄い半導体基板を基板の変形を引き起こす問題がない、あるいは、TSV基板のシリコーン基盤面から頭出しした銅プラグ電極を破損することなく基板を搬送できる優れたものである。しかし、研削加工や研磨加工された基盤面上に加工屑や研削砥粒残滓や研磨砥粒残滓が乾燥して固着するのを防ぐため前記加工が施された後に半導体基板の加工面を純水で洗浄し、純水の水膜を残してパッドで半導体基板の水膜面を保持して次の加工ステージへと移送される半導体基板の種類も多く、半導体基板の水膜面を保持して次の加工ステージ上へと移送された半導体基板を加工ステージに載せた後、半導体基板面よりパッドを剥離させる際、加工ステージに載置された半導体基板の位置がずれてしまう問題がある。本発明は、半導体基板のプリント配線面を保護テープや凝固剤、保持補強リングや補強円板を当てて搬送する必要がなく、厚みが10~50μmと極薄の半導体基板をも搬送でき、次の加工ステージ上への半導体基板の載置が容易なパッドを備えたアーム構造およびそれを用いて半導体基板を搬送する方法を提案するものである。特に、パッド保持面素材として特許文献10に記載される密着層が特許文献11記載の可撓性ゴム膜に積層、もしくは、前記密着層形成液状樹脂塗工剤を可撓性ゴム膜に塗布し、乾燥させて積層構造とした基板保持面形成材として利用するものである。請求項1の発明は、柄の長手方向部分に流体通路を有する非通気性素材よりなる剛体製アームに下面が断面円弧状凹部を有するとともに、流体通路孔を備える非通気性素材よりなる剛体製ワッフルスラブ構造のパッド保持基板を軸承し、このパッド保持基板の環状下面に接着剤を介して可撓性ゴム膜表面に密着層が形成された積層構造の基板保持用パッドを前記可撓性ゴム膜面が接着側となるように貼付して、前記パッド保持基板下面の断面円弧状凹部を流体室に形成し、この流体室に面する前記パッド保持基板の流体通路孔に前記剛体製アームの柄に設けた流体通路が連通しており、この流体室により供給された加圧流体により前記積層構造の基板保持用パッドが膨張し、この流体室より流体を排出することにより前記基板保持用パッドが原型復帰できる構造とした半導体基板搬送用の基板保持用パッドを備えたアーム構造であり、基板保持用パッドの可撓性ゴム膜表面に形成された前記密着層は、ポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂層、アクリル系樹脂粘着剤層、および、合成ゴム系粘着剤層より選らばれた密着層で形成され、この密着層と半導体基板間の剥離力JISK-6854に準拠が10mN/12.7mm幅以下で、半導体基板を保持する前記基板保持用パッドを加工ステージより半導体基板と共に平行にずらす剪断力が1.0N/cm2以上であることを特徴とする、基板保持用パッドを備えたアーム構造を提供するものである。請求項2の発明は、請求項1の基板保持用パッドを備えたアーム構造を用い、第一加工ステージ上に載置された半導体基板面上に基板保持用パッドを移動させ、ついで、基板保持用パッド面を半導体基板面上に押し付けて半導体基板を基板保持用パッド面に保持させ、然る後にアームの移動により半導体基板を保持する基板保持用パッドを第二加工ステージ上へと移送し、基板保持用パッドとパッド保持基板とで形成された前記流体室に加圧流体を供給して基板保持用パッドを膨張させることにより前記半導体基板を前記第二加工ステージ上へ載置する、ことを特徴とする、半導体基板の搬送方法を提供するものである。半導体基板のプリント配線面を保護テープで被覆、あるいは、更に保護テープで被覆された半導体基板を補強リングや補強円板を用いて搬送するという従来の搬送方法と比較して、直接、可撓性ゴム膜の膨張収縮を利用して半導体基板のシリコーン、ガラス、サファイア等の基盤面をパッドで保持して移送できるので、保護テープ等の副材の利用が省かれる搬送方法である。密着層は、常温で固体状態であり、粘着力が極めて小さい剥離力は10mN/12.7mm幅以下であるので、半導体基板の前記基盤表面に密着層残滓が残ることはない。また、搬送される半導体基板の前記加工基盤表面に洗浄液の水膜が形成された半導体基板であってもパッドの膨張により半導体基板の次加工ステージへの載置ができる。図1および図2に示されるように、本発明の半導体基板保持用のパッドを備えたアーム構造1は、柄3aの長手方向部分に流体通路3bを有する非通気性素材よりなる剛体製アーム3に下面が断面円弧状凹部2aを有するとともに、流体通路孔2bを備える非通気性素材よりなる剛体製ワッフルスラブ構造のパッド保持基板2を軸承し、このパッド保持基板の環状下面に接着剤Sを介して可撓性ゴム膜19a表面に密着層19bが形成された積層構造の基板保持用パッド19を前記可撓性ゴム膜面が接着側となるように貼付して、前記パッド保持基板下面の断面円弧状凹部を流体室2cに形成し、この流体室2cに面する前記パッド保持基板の流体通路孔2bに前記剛体製アームの柄3aに設けた流体通路3bが連通しており、この流体室2cにより供給された加圧流体により前記積層構造の基板保持用パッド19が膨張図2参照する。この流体室2cより流体を排出することにより前記基板保持用パッド19が原型復帰できる構造図1とした半導体基板搬送用の基板保持用パッドを備えたアーム構造1である。基板保持用パッドの可撓性ゴム19a膜素材としては、ゴム物質、ゴム物質と熱可塑性エラストマ-もしくは粘着性を有する熱可塑性樹脂の混合物が挙げられる。ゴム物質としては、ブチルゴム、クロロプレンゴム、シリコーンゴム、エチレンプロピレンエチリデンノルボルネン共重合体ゴム、エチレンプロピレンブタジエン共重合体ゴム、エチレンプロピレン共重合体ゴム、ブロム化スチレンブタジエンスチレンブロック共重合体ゴム、クロル化スチレンブタジエンスチレンブロック共重合体ゴム、ブロム化スチレンブタジエンスチレンブロック共重合体ゴムの水素添加物、ブタジエンアクリロニトリル共重合体ゴムの水素添加物、クロル化スチレンブタジエンスチレンブロック共重合体ゴムの水素添加物、ブロム化スチレンイソプレンスチレンブロック共重合体ゴム、クロル化スチレンイソプレンスチレンブロック共重合体ゴム、ブロム化スチレンイソプレンスチレンブロック共重合体ゴムの水素添加物、クロル化スチレンイソプレンスチレンブロック共重合体ゴムの水素添加物、フッ化ビニリデンエチレン共重合体ゴム等が挙げられる。これらは架橋されていてもよい。熱可塑性エラストマーまたは粘着性を有する熱可塑性樹脂としては、エチレン酢酸ビニル共重合体、軟質ポリ塩化ビニル、塩素化ポリエチレン、クロロスルホン化ポリエチレン、エチレンアクリル酸共重合体、エチレンアクリル酸メチル共重合体、エチレンアクリル酸エチル共重合体、エチレンアクリル酸メチル2-エチルヘキシルアクリレート共重合体等が挙げられる。混合物の場合、ゴム物質は両者中の10~97重量、好ましくは30~85重量、熱可塑性エラストマーまたは熱可塑性樹脂は90~3重量、好ましくは70~15重量の割合で用いられる。ゴム物質は、可撓性ゴム膜の延展性と、伸びに対する戻りの目的で、熱可塑性エラストマーまたは熱可塑性樹脂は、可撓性ゴム膜の強度、硬度、耐熱性向上の目的で使用される。ゴム物質、エラストマー、樹脂を含有する膜のマトリックス成分が常温10~30°Cで基板に対し、粘着性を示さないときは、プロセスオイル、石油樹脂、水素添加ヒマシ油、エポキシ化大豆油、アビエチン酸ロジン、ミルセンマレイン化物、テルペンフェノ-ル共重合体などの粘着付与物質を、膜のマトリックス成分のゴム物質、熱可塑性エラストマー、熱可塑性樹脂の合計量100重量部に対し、1~10重量部を含有させる。可撓性ゴム膜19aの物性としては、硬さJISK-6301が10~100、好ましくは35~85、引張強度JISK-6301が30~200kgf/cm2、好ましくは50~150kgf/cm2、引張伸度JISK-6301が50~1000、200~800、厚み0.03~3mm、好ましくは、0.05~1.5mmである。半導体基板と直接接触する前記密着層19bは、ポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂層、アクリル系樹脂粘着剤層、および、合成ゴム系粘着剤層より選らばれた密着層で形成され、この密着層と半導体基板間の剥離力JISK-6854に準拠が10mN/12.7mm幅以下で、半導体基板を保持する前記基板保持用パッドを加工ステージより半導体基板と共に平行にずらす剪断力が1.0N/cm2以上である。密着層19bの厚みは、5~100μm、好ましくは5~30μmである。前記可撓性ゴム膜19aとの接着力が50gf/25mm幅以下より低いときは、接着剤、粘着剤、または、プライマーの0.5~10μm層を可撓性ゴム膜19a上に設けてから密着層形成液状塗工剤を塗布し、乾燥させて密着層19bを形成させる。前記密着層19bは、市場で販売されている剥離紙/粘着剤層/ベースフィルム/密着層19b/剥離紙積層体よりなる両面固定シート、例えば、フジコピアン株式会社からFIXFILM商品名シリーズのSTD1,STD2,HG1,HG2密着層片面グレード名で、HGW1,HGW2密着層両面、あるいは丸石産業株式会社より販売されているQChuckシリーズ商品名の剥離紙/ポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂粘着剤層、合成ゴム系粘着剤層またはアクリル系粘着剤層/ベースフィルム/密着層19b/剥離紙積層体もしくは剥離紙/ポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂粘着剤層、合成ゴム系粘着剤層またはアクリル系粘着剤層/密着層19b/剥離紙積層体を購入し、剥離紙を引き剥がしてから用いてもよい。密着層19b素材としては、前述のゴム物質、熱可塑性エラストマー、熱可塑性樹脂等の素材の外に、ポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂層、重合ロジンエステル含有アクリル系樹脂粘着剤層、および、液状エポキシ樹脂ゴム、液状ブタジエンゴム、シリコーンゴム等の液状ゴムに石油樹脂、テルペンフェノール共重合体、アロオシメンテルペンフェノール共重合体、マレイン酸変性アロオシメンの水素添加物、マレイン酸変性ミルセンの水素添加物、エチレン酢酸ビニル共重合体等の粘着剤およびポリ四フッ化エチレン、メラミン、イソシアヌル酸、メラミンイソシアヌレート複塩、タルク等の滑剤、炭酸カルシウムやカオリンクレイなどの充填剤を配合して粘着力を低下させた合成ゴム系粘着剤層より選らばれた密着層が使用できる。滑剤や充填剤の配合量、用いるアクリレートモノマーの種類およびその共重合モル比の調整により被保持材半導体基板との剥離力の値を調整できる。密着層のポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂素材としては、両末端にのみビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーンと、両末端及び側鎖にビニル基を有する直鎖状ポリオルガノシロキサンからなるシリコーンと、末端にのみビニル基を有する分岐上ポリオルガノシロキサンからなるシリコーンと、末端及び側鎖にビニル基を有する分岐上ポリオルガノシロキサンからなるシリコーンとから選ばれる少なくとも1種のシリコーンを共重合および架橋させて得たポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂が利用できる。架橋剤としては、オルガノハイドロジエンポリシロキサンが好ましい。架橋促進剤としては、3-メチル-1-ブテン-3-オールが好ましい。架橋反応に用いる白金系触媒としては、塩化第一白金酸、塩化第二白金酸などの塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール化合物、アルデヒド化合物あるいは塩化白金酸と各種オレフィンとの鎖塩などがあげられる。架橋反応して得たポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂は、シリコーンゲルのような柔軟性を持ったものとなり、この柔軟性が被着体である半導体基板wとの密着を容易にさせる。このポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂から形成される密着層の硬度は、アスカーFP硬度25以上で、アスカーCSC2硬度で80以下である。前記剛体製アーム3、柄3aの素材としては、アルミニウム、ポリアセタール樹脂、ガラス繊維補強エポキシ樹脂、PEEK等が軽量であるので適切である。被保持材である半導体基板としては、シリコーン基盤、ガラス基盤、窒化珪素基盤、炭化珪素基盤、サファイア基盤等の基盤表面に配線プリントが施された半導体基板、TSV基板、SOI基板等が挙げられる。本発明の半導体基板保持用のパッドを備えたアーム構造1は、従来のバキューム吸着搬送パッドや基板搬送ロボットのアームハンド構造に替えて使用される。また、基板保持用パッド構造を従来のキャリア構造の可撓性ゴム膜に替えて使用される。半導体基板保持用のパッドを備えたアーム構造1の流体室2cに供給される流体としては、空気、窒素、炭酸ガス等の気体、水等の液体で、空気が安価であり、取り扱い易いので一番好ましい。加圧は、1.01~3.5PKaの圧力で充分である。加工ステージとしては、半導体基板収納カセット、ポーラスセラミック製バキュームチャック、半導体基板洗浄装置、エッチング装置などが挙げられる。本発明の基板保持用パッドを備えたアーム構造1を用い、第一加工ステージ上に載置された半導体基板w面上に基板保持用パッド19をアーム軸を前進、後退、回転、上昇あるいは下降させることにより移動させ、ついで、必要により加圧室2cに加圧気体を供給して基板保持用パッド19面を半導体基板w面上に押し付けて半導体基板を基板保持用パッド19面に保持させる。保持後、必要により加圧空気を流体室より排気する。然る後にアームの移動により半導体基板を保持する基板保持用パッド19を第二加工ステージ上へと移送する。基板保持用パッド19とパッド保持基板2とで形成された前記流体室2cに加圧気体を供給して基板保持用パッド19を膨張させることにより前記半導体基板wを基板保持用パッド19面より離して前記第二加工ステージ上へ載せるように移送する。この剥離工程の際、半導体基板wを自然落下させるか、基板保持用パッド19を第二加工ステージ上より遠ざかる上方向へ上昇させる。膨張した基板保持用パッド19面から半導体基板wが剥離した後、前記流体室2c内の加圧気体を排気して基板保持用パッド19面を収縮させて原型復帰させる。"