支持基板と、前記支持基板上に配置され、p型化合物半導体層、活性層、及びn型化合物半導体層を有する半導体積層構造体と、前記支持基板と前記半導体積層構造体との間に配置され、前記半導体積層構造体にオーミックコンタクトする反射金属層と、前記半導体積層構造体上に配置される第1の電極パッドと、前記第1の電極パッドから延長され、前記n型化合物半導体層に接触する接触領域を有する電極延長部と、前記支持基板と前記半導体積層構造体との間に配置され、前記電極延長部の前記接触領域下の前記p型化合物半導体層の表面領域を覆う下部絶縁層と、前記第1の電極パッドと前記半導体積層構造体との間に介在された上部絶縁層と、を備えることを特徴とする発光ダイオード。バリアメタル層をさらに有し、前記反射金属層は、前記半導体積層構造体を露出させる溝領域を有し、前記下部絶縁層は、前記反射金属層と前記支持基板との間に配置され、前記溝領域に充填されると共に、前記反射金属層を覆い、前記反射金属層を露出させる開口部を有し、前記バリアメタル層は、前記支持基板と前記下部絶縁層との間に配置され、前記下部絶縁層の開口部により露出した前記反射金属層を覆うことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。前記第1の電極パッド及び前記電極延長部は、前記溝領域の上部に配置されることを特徴とする請求項2に記載の発光ダイオード。前記反射金属層は、複数のプレートからなり、前記下部絶縁層は、前記複数のプレートの側面及び周縁部を覆い、前記下部絶縁層の開口部によって前記複数のプレートがそれぞれ露出されることを特徴とする請求項2に記載の発光ダイオード。前記下部絶縁層は、前記半導体積層構造体を露出させる少なくとも一つの溝を有し、前記反射金属層は、前記下部絶縁層と前記支持基板との間に配置され、前記少なくとも一つの溝に充填されて前記半導体積層構造体にオーミックコンタクトすることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。前記下部絶縁層の溝の側壁は、傾斜していることを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオード。前記支持基板と前記反射金属層との間に配置され、前記反射金属層の周縁部を覆い、前記反射金属層を取り囲むバリアメタル層をさらに有することを特徴とする請求項6に記載の発光ダイオード。前記反射金属層の周縁部は、前記下部絶縁層と前記支持基板との間に配置されると共に、前記半導体積層構造体の周縁部と前記支持基板の周縁部との間に配置されることを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオード。前記下部絶縁層は、複数の溝を有し、前記第1の電極パッド及び前記電極延長部は、前記下部絶縁層領域の上部に配置されることを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオード。前記支持基板は、タングステンWまたはモリブデンMoの少なくとも一つを含む第1の金属層と、前記第1の金属層よりも熱膨張係数が高く、前記第1の金属層の上下面にそれぞれ配置された第2の金属層とを有することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。前記第2の金属層は、銅Cuを含むことを特徴とする請求項10に記載の発光ダイオード。前記第1の金属層及び前記第2の金属層の間にそれぞれ接合層が配置されたことを特徴とする請求項10に記載の発光ダイオード。前記接合層は、Ni、Ti、Cr、Ptの少なくとも一つを含む請求項12に記載の発光ダイオード。前記支持基板と前記半導体積層構造体との間に介在するボンディングメタルと、前記ボンディングメタルと対称に、前記第2の金属層の下面に形成された下部ボンディングメタルとをさらに有することを特徴とする請求項10に記載の発光ダイオード。前記半導体積層構造体は、粗い表面を有し、前記上部絶縁層は、前記粗い表面を覆い、前記粗い表面に沿って凹凸面を形成することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。前記半導体積層構造体は、滑らかな表面を有し、前記第1の電極パッド及び前記電極延長部は、前記滑らかな表面上に配置されることを特徴とする請求項15に記載の発光ダイオード。前記電極延長部は、前記半導体積層構造体の滑らかな表面に接触されることを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオード。前記粗い表面は、前記電極延長部よりも下方に配置されることを特徴とする請求項15に記載の発光ダイオード。複数の第1の電極パッドと、前記複数の第1の電極パッドからそれぞれ延びる複数の電極延長部とを有することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、電流分散性能を改善した高効率発光ダイオード及びその製造方法を提供することにある。また、他の目的は、光抽出効率が改善された高効率発光ダイオード及びその製造方法を提供することにある。また、他の目的は、発光ダイオードの製造工程中、エピタキシャル層の損傷を減らすことができる発光ダイオード及びその製造方法を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明の一実施態様による発光ダイオードは、支持基板と、前記支持基板上に配置され、p型化合物半導体層、活性層、及びn型化合物半導体層を有する半導体積層構造体と、前記支持基板と前記半導体積層構造体との間に配置され、前記半導体積層構造体にオーミックコンタクトする反射金属層と、前記半導体積層構造体上に配置される第1の電極パッドと、前記第1の電極パッドから延長され、前記n型化合物半導体層に接触する接触領域を有する電極延長部と、前記支持基板と前記半導体積層構造体との間に配置され、前記電極延長部の前記接触領域下の前記p型化合物半導体層の表面領域を覆う下部絶縁層と、前記第1の電極パッドと前記半導体積層構造体との間に介在された上部絶縁層と、備える。前記上部絶縁層を第1の電極パッドと半導体積層構造体との間に配置することにより、第1の電極パッドから直接半導体積層構造体に電流が集中して流れることを防止することができる。さらには、前記電極延長部領域の下方のp型化合物半導体層を下部絶縁層で覆うので、前記電極延長部から電流が垂直方向に集中して流れることをさらに防止することができる。いくつかの実施例において、前記反射金属層は、前記半導体積層構造体を露出させる溝領域を有してもよい。また、前記下部絶縁層は、前記反射金属層と前記支持基板との間に配置し、前記溝領域に充填されると共に、前記反射金属層を覆い、前記反射金属層を露出させる開口部を有してもよい。これに加えて、前記発光ダイオードは、前記支持基板と前記下部絶縁層との間に配置し、前記下部絶縁層の開口部に露出した前記反射金属層を覆うバリアメタル層をさらに有してもよい。さらに、前記第1の電極パッド及び前記電極延長部は、前記溝領域の上部に配置されてもよい。また、前記反射金属層は、複数のプレートからなってもよい。前記下部絶縁層は、前記複数のプレートの側面及び周縁部を覆い、前記下部絶縁層の開口部によって前記複数のプレートがそれぞれ露出する。一方、前記発光ダイオードは、複数の第1の電極パッドと、前記複数の第1の電極パッドからそれぞれ延長される複数の電極延長部とを有してもよい。いくつかの実施例において、前記下部絶縁層は、前記半導体積層構造体を露出させる少なくとも一つの溝を有してもよい。さらには、前記反射金属層は、前記下部絶縁層と前記支持基板との間に位置し、前記少なくとも一つの溝を満たして前記半導体積層構造体にオーミックコンタクトしてもよい。また、前記下部絶縁層の溝の側壁は、傾斜していてもよい。さらには、前記発光ダイオードは、前記支持基板と前記反射金属層との間に配置し、前記反射金属層の周縁部を覆い、前記反射金属層を取り囲むバリアメタル層をさらに有してもよい。これにより、前記反射金属層は、保護層、バリアメタル層、及び半導体積層構造体によって発光ダイオード内に埋め立てられ、よって発光ダイオードの外部に露出しない。また、前記反射金属層の周縁部は、前記下部絶縁層と前記支持基板との間に位置すると共に、前記半導体積層構造体の周縁部と前記支持基板の周縁部との間に位置してもよい。これにより、前記反射金属層の周縁部が下部絶縁層の下方に位置するので、反射金属層の周縁部の近くにおいてバリアメタル層にクラックが発生しても、このようなクラックによって発光ダイオードの電気的特性や信頼性に影響を及ぼすことを防止することができる。さらに、前記反射金属層の周縁部を前記半導体積層構造体の外側に配置することにより、前記クラックによって反射金属層の特性が変形されても、反射金属層のオーム特性が悪くなることを防止し、また、前記クラックが半導体積層構造体に影響を及ぼすことを遮断することができる。一方、前記下部絶縁層は、複数の溝を有してもよく、前記第1の電極パッド及び前記電極延長部は、前記下部絶縁層領域の上部に位置してもよい。すなわち、前記第1の電極パッド及び前記電極延長部は、前記下部絶縁層内の複数の溝の領域上に配置されず、よって、電極延長部から垂直方向に電流が集中することが防止することができる。いくつかの実施例において、前記支持基板は、タングステンWまたはモリブデンMoの少なくとも一つを含む第1の金属層と、前記第1の金属層よりも熱膨張係数が高く、前記第1の金属層の上下面に配置された第2の金属層とを有してもよい。前記第2の金属層は、銅Cuを含んでもよい。さらには、前記第1の金属層及び前記第2の金属層の間にそれぞれ接合層が形成されてもよい。前記接合層は、Ni、Ti、Cr、Ptの少なくとも一つを含んでもよい。一方、前記発光ダイオードは、前記支持基板と前記半導体積層構造体との間に介在されたボンディングメタルをさらに含んでもよい。さらには、前記発光ダイオードは、前記ボンディングメタルと対称に、前記第2の金属層の下面に形成された下部ボンディングメタルをさらに含んでもよい。一方、前記半導体積層構造体は、粗い表面を有してもよく、前記上部絶縁層は、前記粗い表面を覆ってもよい。このとき、前記上部絶縁層は、前記粗い表面に沿って凹凸面を形成してもよい。上部絶縁層に凹凸面を形成することにより、前記上部絶縁層の上部面で発生する内部全反射を減少させることができ、これにより光抽出効率をさらに向上させることができる。一方、前記半導体積層構造体は、滑らかな表面を有し、前記第1の電極パッド及び前記電極延長部は、前記滑らかな表面上に位置してもよい。さらには、前記電極延長部は、前記半導体積層構造体の滑らかな表面に接触してもよい。また、前記粗い表面は、前記電極延長部よりも下方に位置してもよい。本発明によると、第1の電極パッドと半導体積層構造体との間に上部絶縁層が介在され、電流分散性能が改善された発光ダイオードが提供される。さらには、上部絶縁層が半導体積層構造体の粗い表面に沿って凹凸面を有するように形成されることにより、発光ダイオードの光抽出効率が改善される。また、電極延長部の下方のp型化合物半導体層の表面が絶縁層で覆われているので、前記電極延長部から垂直方向に電流が集中することを防止することができる。以下、添付した図面に基づき、本発明の好適な実施例について詳述する。以下に説明される実施例は、本発明の思想を、当業者に十分に伝達するために、例として提供されるものである。従って、本発明は、後述する実施例に限定されず、他の形態に具体化され得る。なお、図面において、同一の参照番号は、同一の構成要素を示し、構成要素の幅、長さ、厚さ等は、説明の便宜のために誇張して表現されることもある。図1は、本発明の一実施例による高効率発光ダイオードを説明するための断面図である。図1に示すように、本実施例による高効率発光ダイオードは、支持基板41と、支持基板41上に配置された半導体積層構造体30と、半導体積層構造体30と支持基板41との間に配置される中間層と、を備える。中間層には、オーミックコンタクト、反射、及び支持基板41と半導体積層構造体30との接合のために、多層構造の金属層が含まれてもよい。支持基板41は、化合物半導体層を成長させるための成長基板と区別されるものであり、成長基板上に成長された化合物半導体層に付着した二次基板である。成長基板は、III族窒化物半導体の成長に適したサファイア基板であることが好ましく、この場合、支持基板41についてもサファイア基板を用いると、成長基板と支持基板41が同一の熱膨張係数を有するので、支持基板41をボンディングし、成長基板を除去するとき、ウエハの撓みを防止することができるため好ましい。半導体積層構造体30は、支持基板41上に配置されるものであり、活性層27、活性層27の両側のp型化合物半導体層29、及びn型化合物半導体層25を有する。ここで、半導体積層構造体30は、一般の垂直型発光ダイオードと同様に、p型化合物半導体層29がn型化合物半導体層25に比べて支持基板41側の近くに位置する。本実施例において、半導体積層構造体30は、支持基板41の一部領域上に位置し、半導体積層構造体30のない支持基板41上の残りの領域にp型のボンディングパッド70を配置してもよい。支持基板41が絶縁性を有するので、半導体積層構造体30と支持基板41との間において、導電性を有する中間層の一部が、半導体積層構造体30の横方向に延長され、その延長された部分がp型のボンディングパッド70と接続されてもよい。p型化合物半導体層29、活性層27、及びn型化合物半導体層25は、III-N系化合物半導体、例えば、Al、Ga、InN半導体で形成されてもよい。n型化合物半導体層25及びp型化合物半導体層29は、それぞれ単一層または多重層であってもよい。例えば、n型化合物半導体層25及び/またはp型化合物半導体層29は、コンタクト層とクラッド層を有してもよく、また超格子層をさらに有してもよい。また、活性層27は、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造であってもよい。抵抗が相対的に小さいn型化合物半導体層25が支持基板41の反対側に位置することにより、n型化合物半導体層25の上部面に粗表面roughenedsurfaceまたはテクスチャード加工表面texturedsurfaeを形成することが容易であり、粗表面またはテクスチャード加工表面は、活性層27で生成した光の抽出効率を向上させる。支持基板41がサファイア基板のような絶縁基板ではなく、金属または導電性半導体からなる場合、p型ボンディングパッドは、支持基板41の底面に形成されてもよい。また、p-オーミック電極31が支持基板41と半導体積層構造体30との間に位置し、p型化合物半導体層29にオーミックコンタクトしてもよい。また、n-電極パッド51が半導体積層構造体30上に位置し、電極延長部51aはn-電極パッド51から延長されて形成される。n-電極パッド51及び電極延長部51aは、n型化合物半導体層25上にオーミックコンタクトしてもよい。また、高効率発光ダイオードは、p-オーミック電極31と支持基板41との間に、バリアメタル層35とボンディングメタル43を順に含み、バリアメタル層35は、p-オーミック電極31と接しており、ボンディングメタル43は、上下にバリアメタル層35と支持基板41とにそれぞれ接している。本実施例において、ボンディングメタル43は、半導体積層構造体30を支持基板41にボンディングすることに用いられる。このとき、ボンディングメタル43は、半導体積層構造体30側のボンディング金属層と支持基板41側の他のボンディング金属層とをボンディングすることにより形成されてもよく、共晶ボンディングeutecticbondingによって、支持基板41と半導体積層構造体30とを接着させる。ボンディングメタル43は、Au-Sn合金を含むことが好ましい。本実施例において、p-オーミック電極31は、Agのような反射性金属を含むオーム反射金属層であり、p-オーミック電極31内の一部領域が、同一の高さに配置され、溝領域312として残されている。理解の便宜のために、溝領域312は、図1において点線で示される。溝領域312は、後述するように、n型化合物半導体層25上のn-電極パッド51の位置に対応するように、p型化合物半導体層29の隅部cornerに近接して配置される。本実施例において、溝領域312は、その下方に位置するバリアメタル層35によって充填される。バリアメタル層35は、p型化合物半導体層29に対してオーミックコンタクトされにくく、例えば、ニッケルのような金属で形成され、これにより、溝領域312では電流の流れが抑制され得る。n-電極パッド51にボンディングワイヤwが接続されてもよく、電極延長部51aがn-電極パッド51から延長されて形成される。図2は、n型化合物半導体層25の上面を示す平面図である。図2を参照すると、n-電極パッド51は、n型化合物半導体層25の中央領域から外れて、n型化合物半導体層25の隅部に近接して位置し、これにより、ボンディングワイヤWによってn型化合物半導体層25上の発光領域が覆われることを最小化することができる。また、電極延長部51aは、n-電極パッド51から線形に延長される。さらに具体的には、電極延長部51aは、n-電極パッド51を始点としてさらにn-電極パッド51に戻る閉ループ状の外部電極パターン512と、両端が外部電極パターン512の異なる二つの位置に接続される複数の内部電極パターン514とを有してもよい。さらに図1を参照すると、n-電極パッド51は、上述したように、p-オーミック電極31が存在しない溝領域312の対向領域、すなわち、溝領域312の真上の領域に位置する。また、電極延長部51aは、n-電極パッド51からp-オーミック電極31の領域の上部に延びている。したがって、n型化合物半導体層25上のn-電極パッド51と、その真下にあるp型化合物半導体層29上の溝領域312との間には、電流の経路が実質的に遮断される。これにより、n型化合物半導体層25上の電極延長部51aを経た電流が増加し、電極延長部51aとp-オーミック電極31との間の電流もさらに増加する。これにより、電流の拡散がさらに効率的に行われ得る。このとき、n型化合物半導体層25の上面を過度に覆い過ぎない範囲で、電極延長部51aのパターンを適切に調節することにより、電流の拡散効率をさらに高めることができる。図3のa及びbは、溝領域312の有無によって、電極延長部51aが電流拡散の増加に寄与する程度の差を比較するための図であって、溝領域312がある場合図3のa参照が、溝領域がない場合図3のb参照に比べて、電極延長部51aとp-オーミック電極31との間の電流がさらに増加するということを図式的に示している。図4は、本発明の他の実施例による高効率発光ダイオードを示す断面図である。図4を参照すると、本実施例による高効率発光ダイオードは、上述した発光ダイオードとほぼ類似しているが、DBRで構成された絶縁膜22以下、絶縁DBRというが、溝領域312に充填され、p型化合物半導体層29に接している点において異なる。DBR22は、その周辺のp-オーミック電極31、すなわち、オーム反射金属層とともに、半導体積層構造体30の下部に位置するp型化合物半導体層29に接している。絶縁DBR22は、例えば、SixOyNz、TixOy、TaxOy、NbxOyから選択された少なくとも二つの高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層して形成されてもよい。交互に積層される高屈折率層と低屈折率層の光学的厚さを調節し、特定波長の光に対する反射率を極大化することができる。このとき、絶縁DBR22は、活性層27で生成された光のような特定波長に対して反射率を高めるために、各層を同一の光学的厚さで形成してもよい。これとは異なり、絶縁DBR22を、相対的に広い範囲の波長領域に対して反射率を高めるために、反射波長の異なる複数のDBRを積層して形成してもよい。このとき、各絶縁DBR22の反射波長は、高屈折率層と低屈折率層の光学的厚さによって調節される。絶縁DBR22は、特定波長の光を反射するにあたっては、垂直方向に一つの高屈折率層と一つの低屈折率層が繰り返し積層されてなる単一DBRを有することが好ましい。しかし、上述したような発光ダイオードが、白色光を放出する発光ダイオードパッケージに適用される白色発光ダイオードである場合、絶縁DBR22が二つ以上に積層された絶縁DBR部を有する構造によって、光効率をさらに向上させることに寄与することができる。以下では、二つ以上の異なる波長の光を反射することに適した二つ以上の絶縁DBR部が積層された構造であって、上述した発光ダイオードに適用可能な絶縁DBRの他の例について説明する。図5を参照すると、本実施例の絶縁DBR22は、第1の絶縁DBR部222及び第2の絶縁DBR部224を有する。第1の絶縁DBR部222は、第1の材料層222aと第2の材料層222bの複数の対が繰り返して形成され、第2の絶縁DBR部224は、第3の材料層224aと第4の材料層224bの複数の対が繰り返して形成される。第1の絶縁DBR部222の第1の材料層222a及び第2の材料層222bの複数の対は、青色波長領域の光に比べて赤色波長領域の光、例えば、550nmまたは630nmの光に対する反射率が相対的に高く、第2の絶縁DBR部224の第3の材料層224a及び第4の材料層224bの複数の対は、赤色または緑色波長領域の光に比べて青色波長領域の光、例えば、460nmの光に対する反射率が相対的に高くてもよい。第1の絶縁DBR部222内の第1及び第2の材料層222a、222bの光学的厚さが、第2の絶縁DBR部224内の第3及び第4の材料層224a、224bの光学的厚さよりも厚いが、これに限定されるものではなく、その反対であってもよい。第1の材料層222aは、第3の材料層224aと同一の材料、すなわち、同一の屈折率を有してもよく、第2の材料層222bは、第4の材料層224bと同一の材料、すなわち、同一の屈折率を有してもよい。例えば、第1の材料層222a及び第3の材料層224aは、TiO2屈折率n:約2.5で形成されてもよく、第2の材料層222b及び第4の材料層224bは、SiO2屈折率n:約1.5で形成されてもよい。一方、第1の材料層222aの光学的厚さは、第2の材料層222bの光学的厚さと実質的に整数倍の関係を有し、好ましくは、これらの光学的厚さは、実質的に互いに同一であってもよい。また、第3の材料層224aの光学的厚さは、第4の材料層224bの光学的厚さと実質的に整数倍の関係を有し、好ましくは、これらの光学的厚さは、実施的に互いに同一であってもよい。また、第1の材料層222aの光学的厚さが、第3の材料層224aの光学的厚さよりも厚く、第2の材料層222bの光学的厚さが第4の材料層224bの光学的厚さよりも厚くてもよい。第1乃至第4の材料層222a、222b、224a、224bの光学的厚さは、各材料層の屈折率及び/または実際の厚さを調節して制御することができる。本実施例によって、相対的に長波長の可視光線に対して反射率の高い第1の絶縁DBR部222と、相対的に短波長の可視光線に対して反射率の高い第2の絶縁DBR部224とが互いに積層された構造の絶縁DBR22が提供される。この絶縁DBR22は、これらの第1の絶縁DBR部222と第2の絶縁DBR部224との組合せによって、可視光線領域の広い波長帯域にわたって高い反射率を示すことができる。単一DBRは、特定の波長範囲の光に対する反射率は高いが、他の波長範囲の光に対する反射率が相対的に低いので、白色光を放出する発光ダイオードパッケージにおいて光効率の向上に限界がある。しかし、二つ以上のDBR部で構成された図5に示すような絶縁DBR22の場合、青色波長領域の光のみならず、緑色波長領域の光及び赤色波長領域の光に対しても高い反射率を有することができるので、発光ダイオードパッケージの光効率を改善することができる。さらに、第1の絶縁DBR部222を第2の絶縁DBR部224に比べて半導体積層構造体の近くに配置することにより、その逆で配置する場合と比べて、絶縁DBR22内での光損失を減少させることができる。本実施例において、第1の絶縁DBR部222と第2の絶縁DBR部224の二つの反射器reflectorについて説明しているが、さらに多数のDBRが用いられてもよい。この場合、相対的に長波長に対して反射率の高いDBRが半導体積層構造体に相対的に近くに位置することが好ましい。また、本実施例において、第1の絶縁DBR部222内の第1の材料層222aの厚さは互いに異なってもよく、また、第2の材料層222bの厚さは互いに異なってもよい。また、第2の絶縁DBR部224内の第3の材料層224aの厚さは互いに異なってもよく、また、第4の材料層224bの厚さは互いに異なってもよい。本実施例において、材料層222a、222b、224a、224bが、SiO2またはTiO2で形成されるものと説明しているが、これに限定されるものではなく、他の材料層、例えば、Si3N4化合物半導体等で形成されてもよい。但し、第1の材料層222aと第2の材料層222bの屈折率の差、及び第3の材料層224aと第4の材料層224bの屈折率の差がそれぞれ0.5よりも大きいことが好ましい。また、第1の絶縁DBR部222内の第1の材料層と第2の材料層との対の数、及び第2の絶縁DBR部224内の第3の材料層と第4の材料層との対の数は、多いほど、反射率が増加し、これらの対の合計は、20以上であってもよい。図6は、本発明のまた他の例による絶縁DBR22を説明するための断面図である。本実施例による絶縁DBR22では、第1の材料層222aと第2の材料層222bの複数の対と、第3の材料層224aと第4の材料層224bの複数の対が、それぞれ混合している。すなわち、第3の材料層224aと第4の材料層224bの少なくとも一つの対が、第1の材料層222aと第2の材料層222bの複数の対の間に位置し、また、第1の材料層222aと第2の材料層222bの少なくとも一つの対が、第3の材料層224aと第4の材料層224bの複数の対の間に位置する。ここで、第1乃至第4の材料層222a、222b、224a、224bの光学的厚さは、可視光線領域の広い範囲にわたって光に対する高い反射率を有するように制御される。図7は、本発明のまた他の実施例による発光ダイオードを説明するための概略的なレイアウト図であって、図8乃至図10は、それぞれ、図7のA-A線、B-B線、C-C線に沿った断面図である。図7において、半導体積層構造体30の下方に位置する反射金属層31及び下部絶縁層33を点線で示す。図7乃至図10を参照すると、発光ダイオードは、支持基板41、半導体積層構造体30、反射金属層31、下部絶縁層33、バリアメタル層35、上部絶縁層47、n-電極パッド51、及び電極延長部51aを備える。また、発光ダイオードは、ボンディングメタル143を備えてもよい。支持基板41は、化合物半導体層を成長させるための成長基板と区別され、既に成長させた化合物半導体層に付着したattached二次基板である。支持基板41は、導電性基板、例えば、金属基板または半導体基板であってもよいが、これに限定されるものではなく、サファイアのような絶縁基板であってもよい。半導体積層構造体30は、支持基板41上に位置し、p型化合物半導体層29、活性層27、及びn型化合物半導体層25を有する。ここで、半導体積層構造体30は、一般の垂直型発光ダイオードと同様に、p型化合物半導体層29がn型化合物半導体層25に比べて支持基板41の近くに位置する。半導体積層構造体30は、支持基板41の一部領域上に位置してもよい。すなわち、支持基板41が半導体積層構造体30に比べて相対的に広い面積を有し、半導体積層構造体30は、支持基板41の周縁部edgeにより取り囲まれた領域内に位置する。n型化合物半導体層25、活性層27、及びp型化合物半導体層29は、図1を参照して説明したものと同様であるので、詳細な説明を省略する。p-電極は、p型化合物半導体層29と支持基板41との間に位置し、反射金属層31及びバリアメタル層35を有してもよい。反射金属層31は、半導体積層構造体30と支持基板41との間において、p型化合物半導体層29にオーミックコンタクトする。反射金属層31は、例えば、Agのような反射層を有してもよい。反射金属層31は、半導体積層構造体30の領域の下方に限定されて位置してもよい。反射金属層31は、図7に示すように、複数のプレートplatesで形成されてもよく、複数のプレート間に溝が形成される。溝を通じて半導体積層構造体30が露出する。下部絶縁層33が、反射金属層31と支持基板41との間において、反射金属層31を覆う。下部絶縁層33は、反射金属層31、例えば、複数のプレートの側面及び周縁部を覆い、反射金属層31を露出させる開口部を有する。下部絶縁層33は、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜の単一層または多重層で形成されてもよく、また、屈折率の相違した絶縁層、例えば、SiO2/TiO2またはSiO2/Nb2O5を繰り返して積層した分布ブラッグ反射器DBRであってもよい。下部絶縁層33によって、反射金属層31の側面が外部に露出することを防止することができる。また、下部絶縁層33は、半導体積層構造体30の側面の下方に位置してもよく、よって、半導体積層構造体30の側面からの漏れ電流を防止することができる。バリアメタル層35は、下部絶縁層33の下方で下部絶縁層33を覆い、下部絶縁層33の開口部を介して反射金属層31に接続される。バリアメタル層35は、反射金属層31の金属物質、例えば、Agの拡散を防止して反射金属層31を保護する。バリアメタル層35は、例えば、Ni層を含んでもよい。バリアメタル層35は、支持基板41の前面上に位置してもよい。一方、支持基板41は、バリアメタル層35上にボンディングメタル43を介してボンディングされてもよい。ボンディングメタル43は、例えば、Au-Snで共晶ボンディングを用いて形成されてもよい。これとは異なり、支持基板41は、例えば、メッキ技術を用いてバリアメタル層35上に形成されてもよい。支持基板41が導電性基板である場合、p-電極パッドの機能を行うことができる。これとは異なり、支持基板41が絶縁基板である場合、支持基板41上に位置するバリアメタル層35上にp-電極パッドが形成されてもよい。一方、半導体積層構造体30の上面、すなわち、n型化合物半導体層25の表面は粗い表面Rと滑らかな表面を有してもよい。図8乃至図10に示すように、n-電極パッド51及び電極延長部51aは、滑らかな表面上に配置される。図示したように、n-電極パッド51及び電極延長部51aは、滑らかな表面上に限定されて配置され、滑らかな表面の幅に比べて狭い幅を有してもよい。したがって、半導体積層構造体30にアンダーカット等の発生により、電極パッドや電極延長部が剥離することを防止し、信頼性を高めることができる。一方、粗い表面Rは、滑らかな表面よりも下方に位置してもよい。すなわち、粗い表面Rは、電極パッド51及び電極延長部51aの下方に配置される。一方、n-電極パッド51は、半導体積層構造体30上に位置し、n-電極パッド51から電極延長部51aが延長される。半導体積層構造体30上に複数のn-電極パッド51が位置してもよく、n-電極パッド51からそれぞれ電極延長部51aが延長されてもよい。電極延長部51aが半導体積層構造体30に電気的に接続され、n型化合物半導体層25に直接接続することができる。n-電極パッド51はまた、反射金属層31の溝領域の上部に位置してもよい。すなわち、n-電極パッド51の下方には、p型化合物半導体層29にオーミックコンタクトする反射金属層31がなく、その代わりに下部絶縁層33が位置する。さらには、電極延長部51aも、反射金属層31の溝領域の上部に位置する。図7に示すように、複数のプレートからなる反射金属層31において、プレート間の領域の上部に電極延長部51aが位置してもよい。好ましくは、反射金属層31の溝領域、例えば、複数のプレート間の領域の幅は、電極延長部51aの幅よりもさらに広い。これにより、電極延長部51aから真下に電流が集中的に流れることを防止することができる。一方、上部絶縁層47がn-電極パッド51と半導体積層構造体30との間に介在される。上部絶縁層47によって、n-電極パッド51から直接半導体積層構造体30に電流が流れることが防止され、特に、n-電極パッド51の真下の一部に電流が集中することを防止することができる。また、上部絶縁層47は、粗い表面Rを覆う。このとき、上部絶縁層47は、粗い表面Rに沿って形成された凹凸面unevensurfaceを有してもよい。上部絶縁層47の凹凸面は、膨らんだ形状を有してもよい。上部絶縁層47の凹凸面によって、上部絶縁層47の上部面で発生する内部全反射internaltotalreflectionを減少させることができる。また、上部絶縁層47は、半導体積層構造体30の側面を覆って、半導体積層構造体30を外部環境から保護することができる。さらには、上部絶縁層47は、半導体積層構造体30を露出させる開口部を有してもよく、電極延長部51aは、開口部内に位置して半導体積層構造体30に接触してもよい。図11乃至図15は、本発明の一実施例による発光ダイオードを製造する方法を説明するための断面図である。ここで、これらの断面図は、図7のA-A線による断面図である。図11を参照すると、成長基板21上に、n型半導体層25、活性層27、及びp型半導体層29を有する半導体積層構造体30が形成される。成長基板21は、サファイア基板であってもよいが、これに限定されるものではなく、他の異種基板、例えば、シリコン基板であってもよい。n型及びp型半導体層25、29は、それぞれ単一層または多重層構造で形成されてもよい。また、活性層27は、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造で形成されてもよい。化合物半導体層は、III-N系化合物半導体層で形成されてもよく、有機金属化学気相成長MOCVD法または分子線エピタキシーMBE等の工程によって、成長基板21上に成長される。一方、化合物半導体層を形成する前、バッファ層図示せずが形成されてもよい。バッファ層は、成長基板21と化合物半導体層の格子不整合latticemismatchを減らすために用いられ、窒化ガリウムまたは窒化アルミニウム等の窒化ガリウム系物質層であってもよい。図12を参照すると、半導体積層構造体30上に反射金属層31が形成される。反射金属層31は、半導体積層構造体30を露出させる溝を有する。例えば、反射金属層31は、複数のプレートからなってもよく、複数のプレート間に溝が形成されてもよい図7参照。次いで、反射金属層31を覆う下部絶縁層33が形成される。下部絶縁層33は、反射金属層内の溝を満たし、反射金属層の側面及び周縁部を覆う。また、下部絶縁層33は、反射金属層31を露出させる開口部を有する。下部絶縁層33は、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜で形成されてもよく、屈折率の相違した絶縁層を交互に積層することにより、分布ブラッグ反射器DBRとして形成されてもよい。下部絶縁層33上にバリアメタル層35が形成される。バリアメタル層35は、下部絶縁層33に形成された開口部に充填されることにより、反射金属層31に接することができる。図13を参照すると、バリアメタル層35上に支持基板41が付着される。支持基板41は、半導体積層構造体30とは別に形成された後、ボンディングメタル43を介してバリアメタル層35上にボンディングされる。これとは異なり、支持基板41は、バリアメタル層35上においてメッキされて形成される。その後、成長基板21が除去され、半導体積層構造体30のn型化合物半導体層25の表面が露出する。成長基板21は、レーザリフトオフ技術を用いて除去される。図14を参照すると、露出したn型半導体層25上にマスクパターン45が形成される。マスクパターン45は、反射金属層31の溝に対応するn型半導体層25の一部領域を覆い、その他の領域を露出させる。特に、マスクパターン45は、以降、n-電極パッド及び電極延長部が形成されるn型半導体層25の領域を覆う。マスクパターン45は、フォトレジストのようなポリマーで形成されてもよい。次いで、マスクをエッチングマスクとして用い、n型半導体層25の表面を異方性エッチングすることにより、n型半導体層25に粗い面Rを形成する。その後、マスクパターン45が除去される。マスクパターン45が位置するn型半導体層25の表面の一部領域は、滑らかな表面を維持する。一方、半導体積層構造体30をパターニングして、チップ分割領域が形成され、下部絶縁層33が露出する。チップ分割領域は、粗い表面Rを形成する前または後に形成されてもよい。図15を参照すると、粗い表面Rが形成されたn型半導体層25上に上部絶縁層47を形成する。上部絶縁層47は、粗い表面Rに沿って形成され、粗い表面Rに対応する凹凸面を有する。上部絶縁層47は、n-電極パッド51が形成される滑らかな表面を覆う。また、上部絶縁層47は、チップ分割領域に露出した半導体積層構造体30の側面を覆ってもよい。但し、上部絶縁層47は、電極延長部51aが形成される領域の滑らかな表面を露出させる開口部47aを有する。次いで、上部絶縁層47上にn-電極パッド51を形成すると共に、開口部47a内に電極延長部を形成する。電極延長部は、n-電極パッド51から延長され、半導体積層構造体30に電気的に接続する。その後、支持基板は、チップ分割領域に沿って個別チップに分割されることにより、発光ダイオードが完成する図8参照。図16は、本発明のまた他の実施例による発光ダイオードを説明するための概略的なレイアウト図であって、図17乃至図19は、それぞれ、図16のA-A線、B-B線、C-C線に沿った断面図である。図16において、半導体積層構造体30の下方に位置する反射金属層31及び下部絶縁層33を点線で表示する。図16乃至図19を参照すると、発光ダイオードは、先に図7乃至図10を参照して上述した発光ダイオードとほぼ同一であるが、特定の材料及び構造の支持基板60を有することが異なる。本実施例において、支持基板60は、既に成長された化合物半導体層に付着した二次基板であって、導電性基板、例えば、金属基板であってもよい。支持基板60は、支持基板60の中央に位置する第1の金属層64と、第1の金属層64の上下に互いに対称に配置された第2の金属層62、66とを有して構成される。第1の金属層64は、例えば、タングステンWまたはモリブデンMoの少なくとも一つを有してもよい。第2の金属層62、66は、第1の金属層64よりも熱膨張係数がさらに高い材質であって、例えば、銅Cuを有してもよい。第1の金属層64と第2の金属層62および第1の金属層64と第2の金属層66の間には、接合層63、65が形成されている。また、ボンディングメタル43と第2の金属層62との間にも、接合層61が形成されている。これらの接合層61、63、65は、Ni、Ti、Cr、Ptの少なくとも一つを有してもよい。さらに、第1の金属層64の下方に位置する第2の金属層66の下面には、接合層67を介して下部ボンディングメタル68が形成されてもよい。下部ボンディングメタル68は、支持基板60と半導体積層構造体30との間に介在されたボンディングメタル43と対称な構造であり、ボンディングメタル43と同一の材質からなり、例えば、AuまたはAu-Sn80/20wtであってもよい。下部ボンディングメタル68は、支持基板60を電子回路またはPCB基板に付着するために用いられてもよい。本実施例において、支持基板60は、第1の金属層64と、第1の金属層64の上下面に互いに対称に形成された第2の金属層62、66とを有する構造である。第1の金属層64を構成する、例えば、タングステンWまたはモリブデンMoは、第2の金属層62、66を構成する、例えば、銅Cuに比べて相対的に低い熱膨張係数及び相対的に高い強度を有する。第1の金属層64の厚さは、第2の金属層62、66の厚さに比べてさらに厚く形成される。これにより、第1の金属層64の上下面に第2の金属層62、66を形成することが、その反対構造第2の金属層の上下面に第1の金属層が形成される構造を有するよりも、工程においてさらに好ましい。また、支持基板60が、成長基板と半導体積層構造体30の熱膨張係数と類似した熱膨張係数を有するように、第1の金属層64の厚さと第2の金属層62、66の厚さが適宜調節されてもよい。支持基板60は、半導体積層構造体30と別途に形成された後、ボンディングメタル43を介してバリアメタル層35上にボンディングされてもよい。ボンディングメタル43は、例えば、AuまたはAu-Sn80/20wtで共晶ボンディングを用いて形成されてもよい。これとは異なり、支持基板60は、バリアメタル層35上においてメッキまたは蒸着されて形成されてもよい。例えば、支持基板60は、整流器を用いて金属を析出する電解メッキ方式、還元剤を用いて金属を析出する無電解メッキ方式でメッキされてもよく、熱蒸着、電子線蒸着、スパッタリング、化学気相蒸着等の方式で蒸着されてもよい。図20乃至図22は、本発明の一実施例による発光ダイオードを製造する方法を説明するための断面図である。ここで、これらの断面図は、図16のA-A線による断面図である。図20を参照すると、先ず、図10を参照して説明したように、成長基板21上に、n型半導体層25、活性層27、及びp型半導体層29を有する半導体積層構造体30が形成される。その後、図12を参照して説明したように、半導体積層構造体30上に、反射金属層31、下部絶縁層33、及びバリアメタル層35が形成される。次いで、バリアメタル層35上に支持基板60が付着される。支持基板60は、半導体積層構造体30とは別に形成された後、ボンディングメタル43を介してバリアメタル層35上にボンディングされてもよい。支持基板60は、図16乃至図19を参照して説明したように、支持基板60の中央に位置する第1の金属層64と、第1の金属層64の上下に互いに対称に配置された第2の金属層62、66とを有する。第1の金属層64は、例えば、タングステンWまたはモリブデンMoの少なくとも一つを有してもよい。第2の金属層62、66は、第1の金属層64よりも熱膨張係数がさらに高い材質であって、例えば、銅Cuを有してもよい。第1の金属層64と第2の金属層62および第1の金属層64と第2の金属層66の間には、接合層63、65が形成されている。また、ボンディングメタル43と第2の金属層62との間にも、接合層61が形成されている。これらの接合層61、63、65は、Ni、Ti、Cr、Ptの少なくとも一つを有してもよい。さらに、第2の金属層66の下面には、接合層67を介して下部ボンディングメタル68が形成されてもよい。下部ボンディングメタル68は、支持基板60を電子回路またはPCB基板に付着するために用いられてもよい。本実施例において、支持基板60は、第1の金属層64と、第1の金属層64の上下面に互いに対称に形成された第2の金属層62、66とを有する構造である。第1の金属層64を構成する、例えば、タングステンWまたはモリブデンMoは、第2の金属層62、66を構成する、例えば、銅Cuに比べて相対的に低い熱膨張係数及び相対的に高い強度を有する。第1の金属層64の厚さは、第2の金属層62、66の厚さに比べてさらに厚く形成される。また、支持基板60が、成長基板と半導体積層構造体30の熱膨張係数と類似した熱膨張係数を有するように、第1の金属層64の厚さと第2の金属層62、66の厚さが適宜調節されてもよい。このような支持基板60の構造によって、支持基板60の接合による熱工程時またはその以降の工程において、成長基板21、半導体積層構造体30、支持基板60間の熱膨張係数の差によるストレスを効果的に緩和させることができ、化合物半導体層の損傷及び撓む現象を抑制することができる。支持基板60を接合するためには、高温雰囲気high-temperatureatmosphereが必要であり、接合が容易に行われるようにするために、支持基板60に圧力が加えられてもよい。このような圧力は、高温のチェンバの上部に配置された圧力印加プレートを用いて接合工程中にのみ加えられ、接合以降は圧力を加えないものであってもよい。または、圧力は、支持基板60と成長基板21を両側で固定させるホルダーによって印加され、よって、圧力は、高温雰囲気のチェンバとは別に印加されてもよい。これにより、支持基板60を接合した後、常温でも圧力が維持される。支持基板60の接合後、成長基板21を除去する工程は、研磨工程またはレーザリフトオフ工程が用いられてもよい。この場合、熱膨張係数の差による撓みを緩和するために、成長基板21を載置するホルダーを撓みが緩和される程度に加熱してもよい。また、レーザリフトオフ工程では、成長基板21が分離される過程で発生するガス及びレーザビーム照射による衝撃によって、支持基板60と半導体積層構造体が破損することを防止するために、成長基板21と支持基板60を固定させるホルダーを装着した状態でレーザリフトオフ工程を実行してもよい。一方、支持基板60は、例えば、メッキ技術を用いてバリアメタル層35上に形成されてもよい。支持基板60が形成された後、成長基板21が除去され、半導体積層構造体30のn型半導体層25の表面が露出する。成長基板21は、レーザリフトオフ工程を通じて、成長基板21の方向にレーザを照射し、成長基板21を分離して除去することができる。こりとき、レーザは、成長基板21のエネルギーバンドギャップよりも小さなエネルギーを有し、バッファ層のエネルギーバンドギャップよりも大きなエネルギーを有するように選択される。図21を参照すると、図14を参照して説明したように、露出したn型半導体層25上にマスクパターン45が形成され、マスクをエッチングマスクとして用い、n型半導体層25の表面を異方性エッチングすることにより、n型半導体層25に粗い表面Rを形成する。その後、マスクパターン45が除去される。一方、半導体積層構造体30をパターニングしてチップ分割領域が形成され、下部絶縁層33が露出する。チップ分割領域は、粗い表面Rを形成する前または後に形成されてもよい。図22を参照すると、図15を参照して説明したように、粗い表面Rが形成されたn型半導体層25上に上部絶縁層47が形成される。次いで、上部絶縁層47上にn-電極パッド51を形成すると共に、開口部47a内に電極延長部を形成する。電極延長部は、n-電極パッド51から延長され、半導体積層構造体30に電気的に接続する。その後、支持基板は、チップ分割領域に沿って個別チップに分割することにより、発光ダイオードが完成する図17参照。図23は、垂直型発光ダイオードにおいて発生し得る問題点を説明するために、反射金属層の周縁部を示すSEM断面写真である。図23を参照すると、p型半導体層29上に反射金属層31が形成され、反射金属層31の周縁部は、絶縁層33で覆われる。絶縁層33は、反射金属層31を露出させる溝写真には示されていないを有するようにパターニングされている。絶縁層33及び溝によって露出した反射金属層31上にバリアメタル層35が形成される。次いで、バリアメタル層35上にボンディングメタル43が形成され、ボンディングメタル43を介して、その上に支持基板写真には示されていないが付着される。反射金属層31は、銀Agを含み、下部絶縁層33は、一般にSiO2で形成され、バリアメタル層35は、Pt、Ni、Ti、及びWを繰り返し積層し、またはこれらの合金で形成される。図23に示すように、反射金属層31の周縁部の付近において、絶縁層33及びバリアメタル層35にクラックが発生している。このようなクラックは、絶縁層33を用いていない場合、すなわち、バリアメタル層35を直接反射金属層31上に形成した場合も発生することが確認された。クラックは、反射金属層31の付近において幅が広く形成され、反射金属層31から遠ざかるほど幅が小さくなり、バリアメタル層のほぼ全ての厚みにわたって繋がって形成されている。このようなクラックは、反射金属層31の熱膨張係数が、絶縁層33及びバリアメタル層35の熱膨張係数に比べて相対的に大きいので発生するものと予想される。すなわち、熱工程が進行するとき、反射金属層31が、絶縁層33及びバリアメタル層35に比べて相対的にさらに大きく膨張するため、反射金属層31の周縁部にストレスが集中し、これにより、反射金属層31に近い絶縁層33でクラックが発生し、バリアメタル層35に転移するtransferものと判断される。クラックの発生により、反射金属層31の周縁部の付近において反射金属層の電気的特性が変形し、さらには、反射金属層31とp型半導体層29との間で界面剥離等の問題が発生し、反射金属層のオーム特性が悪くなる。また、クラックがp型半導体層29の表面上で発生するため、発光ダイオードの信頼性が悪化するものと予想される。したがって、以下では、特に反射金属層の外部に露出することを防止すると共に、反射金属層の周縁部の付近で発生するクラックによって、電気的特性及び信頼性が悪化することを防止することができる特徴を有する発光ダイオードについて説明する。図24は、本発明のまた他の実施例による発光ダイオードを説明するための概略的なレイアウト図であって、図25乃至図27は、それぞれ、図24のA-A線、B-B線、C-C線による断面図である。図24において、半導体積層構造体30の下方に位置する保護層131内の溝131a及び反射金属層133を点線で表示する。図24乃至図27を参照すると、発光ダイオードは、図7乃至図10を参照して説明した発光ダイオードとほぼ類似しているが、保護層131、反射金属層133、バリアメタル層135に関して差がある。以下では、重複を避けるために、図7乃至図10と同一の構成要素については説明を省略し、差異点について詳細に説明する。保護層131は、半導体積層構造体30と支持基板41との間に位置し、半導体積層構造体30、例えば、p型化合物半導体層29を露出させる溝131aを有する。保護層131は、半導体積層構造体30を露出させる複数の溝131aを有してもよい。溝131aの側壁は、図示したように傾斜してもよい。これにより、溝131aの側壁において、反射金属層133及びバリアメタル層135にクラックが形成することを防止または緩和することができる。また、保護層131は、半導体積層構造体30の外部に延長され、半導体積層構造体30の側面の下方に位置し、反射金属層133の上部面が半導体積層構造体30側に露出することを防止する。保護層131は、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜の単一層または多重層であってもよく、また、屈折率の異なる絶縁層、例えば、SiO2/TiO2またはSiO2/Nb2O5を繰り返して積層した分布ブラッグ反射器DBRであってもよい。また、保護層131は、半導体積層構造体30、例えば、p型化合物半導体層29にショットキーコンタクトするTiのような金属層であってもよい。反射金属層133は、保護層131と支持基板41との間に位置し、保護層131の溝131aに充填されて、半導体積層構造体30、例えば、p型化合物半導体層29にオーミックコンタクトする。反射金属層133は、例えば、Agのような反射層を有してもよい。反射金属層133の周縁部133aまたは側面は、保護層131の下方に位置する。すなわち、反射金属層133の周縁部は、保護層131と支持基板41との間に位置する。さらには、反射金属層133の周縁部133aは、図24に示すように、半導体積層構造体30の周縁部と支持基板41の周縁部との間に位置してもよい。すなわち、反射金属層133の周縁部133aで取り囲まれた領域の上部領域内に半導体積層構造体30が限定されて位置する。一方、バリアメタル層135は、反射金属層133と支持基板41との間に位置し、反射金属層133の周縁部133aを覆って反射金属層133を取り囲む。すなわち、反射金属層133の側面及び下部面がバリアメタル層135で覆われる。バリアメタル層135は、反射金属層133の金属物質、例えば、Agの移動を防止するとともに、反射金属層133の側面が外部に露出することを防止する。バリアメタル層135は、例えば、Pt、Ni、Ti、Wまたはこれらの合金を有してもよく、支持基板41の全面上に位置してもよい。一方、n-電極パッド51は、半導体積層構造体30上に位置し、n-電極パッド51から電極延長部51aが延長する。半導体積層構造体30上に複数のn-電極パッド51が位置してもよく、n-電極パッド51からそれぞれ電極延長部51aに延長してもよい。電極延長部51aが半導体積層構造体30に電気的に接続され、n型化合物半導体層25に直接接触することができる。また、n-電極パッド51は、保護層131の領域の上部に位置してもよい。すなわち、n-電極パッド51の真下では、反射金属層133がp型化合物半導体層29にオーミックコンタクトせず、その代わりに保護層131が位置する。さらには、電極延長部51aも、保護層131の上部に位置してもよい。これにより、電極延長部51aから真下に電流が集中的に流れることを防止することができる。図28乃至図31は、本発明の一実施例による発光ダイオードを製造する方法を説明するための断面図である。ここで、これらの断面図は、それぞれ、図24のA-A線による断面図である。図28を参照すると、先ず、図11を参照して説明したように、成長基板21上に、n型半導体層25、活性層27、及びp型半導体層29を有する半導体積層構造体30が形成される。半導体積層構造体30上に保護層131が形成される。保護層131は、半導体積層構造体30を露出させる溝図24の131a参照を有する。溝131aの側壁は、傾斜して形成されてもよい。保護層131は、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜で形成されてもよく、屈折率の相違した絶縁層を交互に積層することにより、分布ブラッグ反射器で形成されてもよい。または、保護層131は、半導体積層構造体30、例えば、p型化合物半導体層29にショットキーコンタクトする金属層で形成されてもよい。保護層131上に反射金属層133が形成される。反射金属層133は、保護層131を覆い、保護層131内の溝に充填されて半導体積層構造体30にオーミックコンタクトする。反射金属層133は、銀Ag等の反射性金属を含む。一方、反射金属層133の周縁部は、保護層131上に位置する。反射金属層133は、個々の発光ダイオード領域毎に連続的な一つの板状に形成されてもよい。次いで、反射金属層133上にバリアメタル層135が形成される。バリアメタル層135は、反射金属層133の上部面を覆い、また反射金属層133の周縁部133aを覆って、それを取り囲む。図29を参照すると、図13を参照して説明したように、バリアメタル層135上に支持基板41が付着される。その後、成長基板21が除去され、半導体積層構造体30のn型半導体層25の表面が露出する。図30を参照すると、露出したn型半導体層25上にマスクパターン45が形成される。マスクパターン45は、保護層131の領域の上部のn型半導体層25の一部領域を覆い、その他の領域を露出させる。特に、マスクパターン45は、以降、n-電極パッド及び電極延長部が形成されるn型半導体層25の領域を覆う。マスクパターン45は、フォトレジストのようなポリマーで形成されてもよい。次いで、マスクをエッチングマスクとして用い、n型半導体層25の表面を異方性エッチングすることにより、n型半導体層25に粗い面Rを形成する。その後、マスクパターン45が除去される。マスクパターン45が位置するn型半導体層25の表面は、滑らかな表面を維持する。一方、半導体積層構造体30をパターニングして、チップ分割領域が形成され、保護層131が露出する。チップ分割領域は、粗い表面Rを形成する前または後に形成されてもよい。反射金属層133の周縁部は、チップ分割領域に露出した保護層131の下方に位置する。したがって、反射金属層133は、保護層131によって外部に露出することが防止される。図31を参照すると、図15を参照して説明したように、粗い表面Rが形成されたn型半導体層25上に上部絶縁層47を形成する。上部絶縁層47は、電極延長部51aが形成される領域の滑らかな表面を露出させる開口部47aを有する。次いで、上部絶縁層47上にn-電極パッド51を形成すると共に、開口部47a内に電極延長部を形成する。電極延長部は、n-電極パッド51から延長し、半導体積層構造体30に電気的に接続する。その後、チップ分割領域に沿って支持基板41を分割することにより、個々の発光ダイオードチップに分割され、発光ダイオードが完成する図25参照。このとき、保護層131、バリアメタル層135、及び支持基板41が一緒に分割され、よって、これらの側面は互いに平行となる。一方、反射金属層は、分割された支持基板の周縁部で取り囲まれた領域内に位置し、これにより、反射金属層133は、外部に露出せず、発光ダイオード内に埋め込まれる。