"式1の化合物:式中、使用された記号および添え字には以下が適用される:M1、M2は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、Pt、Pd、Ni、Ir、Rh、Cu、Ag、Au、Mo、W、Re、Ru又はOsからなる群から選択される金属であり、X、Y、Zは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、CR又はNであり、L1、L2は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、-NC-、-CN-、-NN-、-NO-、-NS-、-CC及び-C=CRから選択され、L3は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、金属原子M1又はM2の一方に配位する単座配位子又は二座配位子であり、L4は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、金属原子M1及びM2の双方に同時に配位する二座配位子であり、Rは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、H、D、F、Cl、Br、I、N2、CN、NO2、Si3、B2、CR1、P2、SR1、S2R1、OSO2R1、1~40個のC原子を有する直鎖アルキル、アルコキシ又はチオアルコキシ基、または、2~40個のC原子を有する直鎖アルケニル又はアルキニル基、または、3~40個のC原子を有する分岐又は環状アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ又はチオアルコキシ基各々は1以上のラジカルR1により置換されていてもよく、1つのCH2基又は2以上の非隣接CH2基は、R1C=CR1、C≡C、Si2、Ge2、Sn2、C=O、C=S、C=Se、C=NR1、P、SO、SO2、NR1、O、S又はCONR1により置き換えられていてもよく、1以上のH原子は、D、F、Cl、Br、I、CN又はNO2により置き換えられていてもよい。、または、5~60個の芳香環原子を有する芳香環又は芳香族複素環系各々は1以上のラジカルR1により置換されていてもよい。、または、5~40個の芳香環原子を有するアラルキル又はヘテロアラルキル基各々は1以上のラジカルR1により置換されていてもよい。、または、5~40個の芳香環原子を有するアリールオキシ又はヘテロアリールオキシ基各々は1以上のラジカルR1により置換されていてもよい。、または、10~40個の芳香環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基又はアリールヘテロアリールアミノ基各々は1以上のラジカルR1により置換されていてもよい。であり、ここで、2つの隣接するラジカルRもしくは1つのラジカルRとラジカルR1は、単環又は多環の、脂肪族環、芳香環およびまたはベンゾ縮合環系を互いに形成していてもよく、R1は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、H、D、F、Cl、Br、I、N2、CN、NO2、Si3、B2、CR2、P2、SR2、S2R2、OSO2R2、1~20個のC原子を有する直鎖アルキル、アルコキシ又はチオアルコキシ基、または、2~20個のC原子を有する直鎖アルケニル又はアルキニル基、または、3~20個のC原子を有する分岐又は環状アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ又はチオアルコキシ基各々は1以上のラジカルR2により置換されていてもよく、1つのCH2基又は2以上の非隣接CH2基は、R2C=CR2、C≡C、Si2、Ge2、Sn2、C=O、C=S、C=Se、C=NR2、P、SO、SO2、NR2、O、S又はCONR2により置き換えられていてもよく、1以上のH原子は、D、F、Cl、Br、I、CN又はNO2により置き換えられていてもよい。、または、5~60個の芳香環原子を有する芳香環又は芳香族複素環系各々は1以上のラジカルR2により置換されていてもよい。、または、5~40個の芳香環原子を有するアリールオキシ又はヘテロアリールオキシ基各々は1以上のラジカルR2により置換されていてもよい。、または、10~40個の芳香環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基又はアリールヘテロアリールアミノ基各々は1以上のラジカルR2により置換されていてもよい。であり、ここで、2以上の隣接するラジカルR1もしくは1つのラジカルR1とラジカルRは、単環又は多環の、脂肪族環又は芳香環系を互いに形成していてもよく、R2は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、H、D、F、CN、または、1~20個のC原子を有する脂肪族、芳香族およびまたは複素環式芳香族炭化水素ラジカルであり、これらは更に1以上のH原子がFにより置き換えられていてもよく、2以上の置換基R2は単環又は多環の、脂肪族環又は芳香環系を互いに形成していてもよく、m、nは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、0、1、2又は3であり、pは、1、2、3又は4であり、ここで、添え字m、n及びpは、金属M1及びM2の各々の配位数が2、4又は5となるように選択される。配位数が2の場合に、p、n、m、L3及びL4に以下:p=1、n=0およびm=1;またはp=1、n=1且つL3=単座配位子、およびm=0;またはp=2、n=0およびm=0が適用され、配位数が4の場合に、p、n、m、L3及びL4に以下:p=1、n=0およびm=3;またはp=1、n=1且つL3=単座配位子、およびm=2;またはp=1、n=2且つL3=単座配位子、およびm=1;またはp=1、n=1且つL3=二座配位子、およびm=1;またはp=1、n=3且つL3=単座配位子、およびm=0;またはp=1、n=2且つL3=1つの単座および1つの二座配位子、およびm=0;またはp=2、n=0、およびm=2;またはp=2、n=1且つL3=単座配位子、およびm=1;またはp=2、n=2且つL3=単座配位子、およびm=0;またはp=2、n=1且つL3=二座配位子、およびm=0;またはp=3、n=1且つL3=単座配位子、およびm=0;またはp=3、n=0、およびm=1;またはp=4、n=0、およびm=0;が適用され、配位数が5の場合に、p、n、m、L3及びL4に以下:p=1、n=1且つL3=単座配位子、およびm=3;またはp=1、n=2且つL3=単座配位子、およびm=2;またはp=1、n=1且つL3=二座配位子、およびm=3;またはp=1、n=3且つL3=単座配位子、およびm=3;またはp=1、n=2且つL3=1つの単座および1つの二座配位子、およびm=2;またはp=1、n=4且つL3=単座配位子、およびm=0;またはp=1、n=2且つL3=二座配位子、およびm=0;またはp=2、n=1且つL3=単座配位子、およびm=2;またはp=2、n=2且つL3=単座配位子、およびm=1;またはp=2、n=1且つL3=二座配位子、およびm=1;またはp=2、n=3且つL3=単座配位子、およびm=0;またはp=2、n=2且つL3=1つの単座および1つの二座配位子、およびm=0;またはp=3、n=1且つL3=単座配位子、およびm=1;またはp=3、n=2且つL3=単座配位子、およびm=0;またはp=3、n=0、およびm=2;またはp=4、n=1且つL3=単座配位子、およびm=0;またはp=4、n=0およびm=1が適用されることを特徴とする請求項1に記載の化合物。化合物が帯電していないことを特徴とする請求項1又は2に記載の化合物。金属M1及びM2が、下記組み合わせ:PtIIPtII、PtIIPdII、PtIINiII、PtIIIrI、PtIIRhI、PtIIAuIII、PtIICuI、PtIIAgI、PtIIAuI、PdIIPdII、PdIINiII、PIIIrI、PdIIRhI、PdIIAuIII、PdIICuI、PdIIAgI、PdIIAuI、NiIINiII、NiIIIrI、NiIIRhI、NiIIAuIII、NiIICuI、NiIIAgI、NiIIAuI、IrIIrI、IrIRhI、IrIAuIII、IrICuI、IrIAgI、IrIAuI、RhIRhI、RhIAuIII、RhICuI、RhIAgI、RhIAuI、AuIIICuI、AuIIIAgI、AuIIIAuI、CuICuI、CuIAgI、CuIAuI、AgIAgI、AgIAuI及びAuIAuIから選択されることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の化合物。M1及びM2は、同一となるように選択され、好ましくは、M1及びM2はPtIIに等しく、または、M1及びM2はPdIIに等しく、または、M1及びM2はAuIに等しいことを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の化合物。基X、Y及びZのうち最大で1つはNを表し、他の2つの基はCRを表すことを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の化合物。基X及びZは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、CRを表し、基YはCHを表すことを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の化合物。L1及びL2は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、-NC、-NN及び-CCからなる群から選択され、好ましくは-NC及び-CCからなる群から選択されることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の化合物。リガンドL1-X-Y-Z-L2は、式2~12の構造:式中、Rは請求項1に規定される同じ意味を有する。から選択されることを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載の化合物。2以上の隣接するラジカルRが互いに芳香環を形成している、あるいは、RとR1とが芳香環を形成していることを特徴とする請求項1~9のいずれか1項に記載の化合物。M1、M2は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、PtII、PdII、NiII、IrI、RhI、CuI、AgI及びAuIからなる群から選択され;L1-X-Y-Z-L2は、アニオン性リガンドであり;X、Y、Zは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、CR又はNであり、ここで、最大で基X、Y及びZのうちの1つがNを表し;L1、L2は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、-NC、-NN及び-CCからなる群から選択され;Rは、XまたはZ=CRに関して、RがXまたはZそれぞれに結合している場合、出現するごとに同一であるかまたは異なり、SiR13、1~20個のC原子を有する直鎖アルキル基、または、2~20個のC原子を有する直鎖アルケニル又はアルキニル基、または、3~20個のC原子を有する分岐又は環状アルキル、アルケニル又はアルキニル基各々は1以上のラジカルR1により置換されていてもよく、1つのCH2基又は2以上の非隣接CH2基は、R1C=CR1またはC≡CまたはOにより置き換えられていてもよく、ここで1以上のH原子は、D又はFにより置き換えられていてもよい。、または、5~30個の芳香環原子を有する芳香環又は芳香族複素環系各々は1以上のラジカルR1により置換されていてもよい。、または、5~30個の芳香環原子を有するアラルキル又はヘテロアラルキル基各々は1以上のラジカルR1により置換されていてもよい。からなる群から選択され;ここで、2つの隣接するラジカルRまたは1つのラジカルRとラジカルR1は、単環又は多環の、脂肪族環、芳香環および/またはベンゾ縮合環系を互いに形成していてもよく;pは、2、3または4であり;他の記号および添え字は、請求項1に規定される意味を有する;ことを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載の化合物。L3は、一酸化炭素、一酸化窒素、イソニトリル、アミン、ホスフィン、ホスフィット、アルシン、スチビン、エーテル、脂肪族又は芳香族硫化物、脂肪族又は芳香族セレニド、水素化物、重水素化物、ハロゲン化物F、Cl、Br及びI、アジド、アルキルアセチリド、アリール-又はヘテロアリールアセチリド、アルキル、アリール、水酸化物、シアン化物、シアネート、イソシアネート、チオシアネート、イソチオシアネート、脂肪族又は芳香族アルコレート、脂肪族又は芳香族チオアルコレート、アミド、カルボキシレート、窒素含有複素環、脂肪族及び芳香族ホスフィドPR2または脂肪族又は芳香族セレニドSeR、R-N=Mの形態の配位を生じる、O2、S2、ナイトレン、N3、ジアミン、イミン、ジイミン、ジホスフィン、1,3-ジケトンに由来する1,3-ジケトネート、3-ケトエステルに由来する3-ケトネート、アミノカルボン酸に由来するカルボキシレート、サリチルイミンに由来するサリチルイミネート、ジアルコールに由来するジアルコレート、ジチオールに由来するジチオレート、及び、金属と共に、少なくとも1つの金属-炭素結合を有するシクロメタル化5または6員環、特にシクロメタル化5員環を有する二座モノアニオン性リガンドから選択され、L4は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、H、O、S、Se、CO、C≡N、NO、アルキル基、C=CR2、-CR=CR-、オルト-フェニレン、ビスホスフィド、ビススルフィド、ビスホスフィン、ビスアミン、ビスアミド、カーボネート、チオカーボネート、イソニトリル、アセチリド、チオカルボニル、及び、式44~51のリガンド:式中、記号および添え字は、請求項1に規定される意味を有する。からなる群から選択されることを特徴とする請求項1~11のいずれか1項に記載の化合物。電子デバイスにおける請求項1~12のいずれか1項に記載の化合物の使用。有機エレクトロルミネッセンスデバイスOLED、PLED、有機集積回路O-IC、有機電界効果トランジスタO-FET、有機薄膜トランジスタO-TFT、有機発光トランジスタO-LET、有機太陽電池O-SC、有機光学検出器、有機感光体、有機電場消光デバイスO-FQD、発光電気化学電池LECまたは有機レーザーダイオードO-レーザーからなる群から特に選択され、請求項1~12のいずれか1項に記載の化合物を少なくとも1つ含む電子デバイス。請求項1~12のいずれか1項に記載の化合物が発光層において発光化合物として存在し、特に1以上のマトリックス材料と組み合わされて存在することを特徴とする請求項14に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。[実施例]以下の合成は、特に指示がなければ、乾燥させた溶媒において保護ガス雰囲気下で行う。金属錯体は、更に、遮光しながら扱う。溶媒及び試薬は、例えば、Sigma-ALDRICHまたはABCRから購入することができる。試薬の場合、角括弧内の符号または数値表示は、CAS番号に関する。例11-イソシアノ-2-イソシアノメチルベンゼンW.P.Weberら、Angew.Chem、Int.Ed.、1972、11、6、530と類似の手順。17.6ml220mmolのクロロホルム、500mgのベンジルトリエチルアンモニウムクロリド、次いで60mlの50重量NaOHを、12.2g100mmolの2-アミノメチルアニリン[4403-69-4]の100mlのジクロロメタン溶液に添加し、混合物を激しく撹拌する。短い誘導期の後、混合物は沸騰し始める。発熱反応が静まると、混合物を更に2h撹拌し、300mlの水及び200mlのジクロロメタンで希釈し、有機相を分離して取り除き、300mlの水で1回洗浄し、200mlの飽和塩化ナトリウム溶液で1回洗浄し、次いで炭酸カリウムで脱水する。真空中での蒸発後、油状残渣をバルブチューブにおいて2回蒸留する。収率:4.7g32mmol、32、純度:約97NMR。例22.92g20mmolの1-イソシアノ-2-イソシアノメチルベンゼンを、5.32g10mmolのテトラキスイソシアノメタン白金IIビステトラフルオロボレート[33989-89-8]の100mlのアセトニトリル溶液に添加し、混合物を50°Cで20h撹拌する。室温への冷却後、641mg20mmolのナトリウムメトキシドの50mlのメタノール溶液を添加し、混合物を室温で更に2h撹拌する。溶媒を真空中で除去し、残渣を100mlのジクロロメタンに溶解し、短いセライト層を通して懸濁液を濾過し、濾液を5mlまで蒸発させ、次いで30mlのヘキサンで覆う。40hの放置後、結晶を吸引濾過し、毎回20mlのヘキサンで3回洗浄し、減圧中で乾燥させ、次いで高真空中で分別昇華を2回施すp約106mbar、T約300°C。収率:2.13g2.2mmol、22、純度:>99.5NMR。例3Z-3,5-ジイソシアノ-2,2,6,6-テトラメチルヘプタ-3-エン18.2g100mmolのZ-1-tert-ブチル-3-イミノ-4,4-ジメチル-ペンタ-1エニルアミン[146138-03-6]、242ml3molのギ酸エチル及び500mgの酢酸ナトリウムの混合物を48h加熱還流する。次いで、過剰なギ酸エチル及び形成されたエタノールを蒸留して取り除き、結果として得られた油を真空中0.1mbar/T=25°Cで5h撹拌することにより後者を完全に除去する。油を200mlの1,2-ジクロロエタンに溶解し、9.8ml100mmolの四塩化炭素、15.3ml110mmolのトリエチルアミン及び55.2g210mmolのトリフェニルホスフィンを添加し、混合物を65°Cで4h撹拌し、次いで12h加熱還流する。冷却後、形成されたトリエチルアンモニウム塩酸塩を吸引濾過し、少量の1,2ジクロロエタンですすぎ、1,2-ジクロロエタンを真空中で除去し、残渣を300mlのシクロヘキサンに溶解し、トリフェニルホスフィン酸化物を濾過して取り除き、シクロヘキサンを真空中で除去し、残渣をシリカゲルシクロヘキサン:酢酸エチル、9:1でクロマトグラフする。収率:6.3g31mmol、31、純度:約95NMR。以下のリガンドが同様にして調製される。例84.17g20mmolのZ-3,5-ジイソシアノ-2,2,6,6-テトラメチルヘプタ-3-エン及び641mg20mmolのナトリウムメトキシドを、5.32g10mmolのテトラキスイソシアノメタン白金IIビステトラフルオロボレート[33989-89-8]の100mlのアセトニトリル溶液に添加し、混合物を50°Cで20h撹拌する。溶媒を真空中で除去し、残渣を100mlのジクロロメタンに溶解し、短いセライト層を通して懸濁液を濾過し、濾液を5mlの体積まで蒸発させ、次いで30mlのヘプタンで覆う。48hの放置後、結晶を吸引濾過し、毎回20mlのヘキサンで3回洗浄し、減圧中で乾燥させ、次いで高真空中で分別昇華を2回施すp約106mbar、T約320°C。収率:3.2g2.7mmol、27、純度:>99.5NMR。以下の錯体は、金属の出発材料とリガンドとの反応により同様に調製し、使用される金属の出発材料は、以下の化合物である:-テトラキスイソシアノメタン白金IIビステトラフルオロボレート[33989-89-8]-テトラキスイソシアノメタンパラジウムIIビステトラフルオロボレート[21797-13-7]-テトラキスイソシアノメタン銅Iペルクロレート[14057-91-1]-ビスイソシアノメタン金Iテトラフルオロボレート[100333-93-5]-シクロオクタジエニル-ビスイソシアノメタンイリジウムIテトラフルオロボレート[32679-03-1]-ジクロロ-2,2-ビスジフェニルホスフィノアセトニトリル白金II[937025-36-0]気相からの有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造及び特性評価本発明のエレクトロルミネッセンスデバイスは、例えば、WO2005/003253に記載されている通りに製造することができる。ここで、以下のデバイス構造が使用される:正孔注入層HIL20nmの2,2’,7,7’-テトラキスジ-パラ-トリルアミノスピロ-9,9’-ビフルオレン正孔輸送層HTL5nmのNPBN-ナフチル-N-フェニル-4,4‘-ジアミノビフェニル電子ブロッキング層EBLEBL1、15nmまたはEBL2、15nm発光層EMLマトリックスM1又はM2またはそれらの組合せ、40nm発光体:10体積ドーピング電子伝導体ETL20nmのBAlq陰極1nmのLiF、最上部に100nmのAl。EBL及びMの構造は、明確にするために以下で示される:これらのまだ最適化されていないOLEDは、標準的方法により特性評価され;この目的のために、電流/電圧/輝度特性線IUL特性線からのエレクトロルミネッセンススペクトル、輝度の関数としての外部量子効率で測定及び電圧Vで測定を求める。"