真空槽と、長尺の基板を巻き出し位置から巻き取り位置へと搬送するように前記真空槽内に配置された搬送系と、前記搬送系の搬送経路に設置された開口部と、前記開口部で前記基板に材料を付与するための成膜源と、を備え、前記搬送系は、前記基板を搬送する機能及び前記基板を冷却するためのガスを前記基板に向けて供給する機能を有するブローローラを含み、前記ブローローラは、i前記基板を支持するための円筒形の外周面と、前記外周面の周方向に沿って設けられた、前記ガスの供給経路としての複数の第1貫通孔とを有し、前記基板と同期して回転できる円筒形の第1シェルと、ii前記第1シェルの内部に配置され、前記基板と同期して回転することが禁止された内ブロックと、iii前記真空槽の外部から導入された前記ガスを保持するように前記第1シェルの内部において前記内ブロックによって規定された空間であって、前記第1シェルの回転軸を中心として前記第1シェルと前記基板との接触部分の角度で定義される抱き角の範囲内で前記複数の第1貫通孔に向けて前記ガスを導くように形成されており、前記第1シェルの径方向に関して相対的に広い寸法を有するマニホールドと、iv前記第1シェルの内部に形成された空間であって、前記抱き角の範囲外で前記複数の第1貫通孔に向けて前記ガスを導くように形成されており、前記径方向に関して相対的に狭い寸法を有する隙間部と、を含む、薄膜の製造装置。前記抱き角の範囲内のみで前記マニホールドが前記複数の第1貫通孔に向かい合うように、前記周方向に関する前記マニホールドの範囲が規定されている、請求項1に記載の薄膜の製造装置。前記内ブロックが前記抱き角の範囲外において円弧状の外周面を有し、前記内ブロックの前記外周面と前記第1シェルの内周面との間に前記隙間部が形成されている、請求項1に記載の薄膜の製造装置。前記搬送系が、前記基板の搬送方向に沿って前記ブローローラの上流側に配置された第1ローラと、前記基板の搬送方向に沿って前記ブローローラの下流側に配置された第2ローラと、を含み、前記第1ローラ、前記ブローローラ及び前記第2ローラの間の相対的な位置関係によって前記抱き角が規定されている、請求項1に記載の薄膜の製造装置。前記抱き角が30~180度の範囲にある、請求項1に記載の薄膜の製造装置。前記抱き角は、前記周方向に互いに隣り合う2つの前記第1貫通孔の各中心と前記第1シェルの前記回転軸とを結ぶことによって得られた2つの線分のなす角度よりも大きい、請求項1に記載の薄膜の製造装置。前記複数の第1貫通孔は、前記周方向に沿って等間隔で形成されている、請求項1に記載の薄膜の製造装置。前記複数の第1貫通孔は、i前記回転軸に平行な幅方向の所定位置において前記周方向に沿って設けられた第1グループと、ii前記幅方向に関して前記所定位置に隣接した位置において前記周方向に沿って設けられた第2グループと、を構成しており、前記第1グループに属する前記複数の第1貫通孔と、前記第2グループに属する前記複数の第1貫通孔とが、互い違いの配列を形成している、請求項1に記載の薄膜の製造装置。前記真空槽の前記外部から前記マニホールドに前記ガスを導入するためのガス流路を有し、前記内ブロックを固定している支持体と、前記第1シェルを前記支持体に回転可能に接続しているベアリングと、をさらに備えた、請求項1に記載の薄膜の製造装置。前記第1シェルの前記外周面に沿った円弧の形状を有し、前記第1シェルの前記外周面に向かい合う位置かつ前記抱き角の範囲外に設けられたガス漏れ削減部材をさらに備えた、請求項1に記載の薄膜の製造装置。前記搬送経路の第1成膜領域で前記基板の第1面に薄膜が形成された後、前記第1成膜領域よりも下流側に位置している第2成膜領域で前記基板の第2面に薄膜が形成されるように、前記開口部が前記搬送経路の2箇所に設置され、前記第1成膜領域を通過した後、前記第2成膜領域に達する前に、前記基板が前記ブローローラを通過して冷却されるように、前記搬送系が構築されている、請求項1に記載の薄膜の製造装置。前記第1シェルの前記回転軸に平行な幅方向に沿って、複数の前記マニホールドが形成されている、請求項1に記載の薄膜の製造装置。前記複数の第1貫通孔は、前記複数のマニホールドに対応する形で複数の列で設けられている、請求項12に記載の薄膜の製造装置。前記内ブロックを固定している支持体をさらに備え、前記支持体は、前記真空槽の前記外部から前記複数のマニホールドに前記ガスを導入するためのガス流路を有し、前記ガス流路は、前記複数のマニホールドのそれぞれに連通している、請求項12に記載の薄膜の製造装置。前記ガス流路は、i前記複数のマニホールドの全てと連通している第1ガス流路と、ii前記複数のマニホールドのうち、前記幅方向に関して両端に位置している2つの前記マニホールドよりも内側に形成された1つの前記マニホールド又は複数の前記マニホールドから選ばれる少なくとも1つと連通している第2ガス流路と、を有する、請求項14に記載の薄膜の製造装置。前記内ブロックは、前記複数のマニホールドのそれぞれを規定するように前記幅方向に並べられた複数の分割ブロックで構成されており、前記第1シェルは、前記複数の分割ブロックに対応する複数の第1分割シェルを有する、請求項12に記載の薄膜の製造装置。前記複数の第1分割シェルを前記複数の分割ブロックにそれぞれ接続している複数のベアリングをさらに備えた、請求項16に記載の薄膜の製造装置。前記内ブロックを固定している支持体と、前記複数の第1分割シェルを前記支持体に回転可能に接続している複数のベアリングと、をさらに備えた、請求項16に記載の薄膜の製造装置。前記第1シェルと前記内ブロックとの間に配置され、前記複数のマニホールドから前記第1シェルの前記複数の第1貫通孔に前記ガスを導く複数の第2貫通孔を有する円筒形の第2シェルをさらに備え、前記内ブロックは、前記複数のマニホールドのそれぞれを規定するように前記幅方向に並べられた複数の分割ブロックで構成されており、前記第2シェルは、前記複数の分割ブロックに対応する複数の第2分割シェルを有する、請求項12に記載の薄膜の製造装置。前記内ブロックを固定している支持体と、前記第2シェルを前記支持体に回転可能に接続している第1ベアリングと、前記第1シェルを前記第2シェルに回転可能に接続している第2ベアリングと、をさらに備えた、請求項19に記載の薄膜の製造装置。前記内ブロックを固定している支持体をさらに備え、前記支持体は、前記真空槽の前記外部から前記マニホールドに前記ガスを導入するためのガス流路と、当該支持体を冷却するための冷媒を流すための冷媒流路とを有する、請求項12に記載の薄膜の製造装置。前記第1シェルと前記内ブロックの間に配置され、前記マニホールドから前記第1シェルの前記複数の第1貫通孔に前記ガスを導く複数の第2貫通孔を有する円筒形の第2シェルをさらに備えた、請求項1に記載の薄膜の製造装置。前記内ブロックを固定している支持体と、前記第2シェルを前記支持体に回転可能に接続している第1ベアリングと、前記第1シェルを前記第2シェルに回転可能に接続している第2ベアリングと、をさらに備えた、請求項22に記載の薄膜の製造装置。前記支持体は、前記真空槽の前記外部から前記マニホールドに前記ガスを導入するためのガス流路を有する、請求項22に記載の薄膜の製造装置。前記第1シェル及び前記第2シェルが互いに独立して回転可能である、請求項22に記載の薄膜の製造装置。前記第2シェルは、円筒形の外周面を有し、前記複数の第2貫通孔は、i前記回転軸に平行な幅方向の所定位置において前記周方向に沿って設けられた第1グループと、ii前記幅方向に関して前記所定位置に隣接した位置において前記周方向に沿って設けられた第2グループと、を構成しており、前記第1グループに属する前記複数の第2貫通孔と、前記第2グループに属する前記複数の第2貫通孔とが、互い違いの配列を形成している、請求項22に記載の薄膜の製造装置。真空槽内に長尺の基板の搬送系を構築する工程と、前記搬送系の巻き出し位置から巻き取り位置へと長尺の基板を搬送する工程と、前記基板に材料が付与されるように、前記搬送系の搬送経路に設置された開口部に向けて成膜源から材料を蒸発させる工程と、を含み、前記搬送系は、前記基板を搬送する機能及び前記基板を冷却するためのガスを前記基板に向けて供給する機能を有するブローローラと、前記基板の搬送方向に沿って前記ブローローラの上流側に配置された第1ローラと、前記基板の搬送方向に沿って前記ブローローラの下流側に配置された第2ローラと、を有し、前記ブローローラは、i前記基板を支持するための円筒形の外周面と、前記外周面の周方向に沿って設けられた、前記ガスの供給経路としての複数の第1貫通孔とを有し、前記基板と同期して回転できる円筒形の第1シェルと、ii前記第1シェルの内部に配置され、前記基板と同期して回転することが禁止された内ブロックと、iii前記真空槽の外部から導入された前記ガスを保持するように前記第1シェルの内部において前記内ブロックによって規定された空間であって、前記第1シェルの回転軸を中心として特定の角度の範囲内で前記複数の第1貫通孔に向けて前記ガスを導くように形成されており、前記第1シェルの径方向に関して相対的に広い寸法を有するマニホールドと、iv前記第1シェルの内部に形成された空間であって、前記特定の角度の範囲外で前記複数の第1貫通孔に向けて前記ガスを導くように形成されており、前記径方向に関して相対的に狭い寸法を有する隙間部と、を含み、前記特定の角度が、前記第1シェルと前記基板との接触部分の角度で定義される抱き角の範囲に収まるように、前記搬送系を構築する工程において、前記第1ローラ、前記ブローローラ及び前記第2ローラの間の相対的な位置関係を設定する、薄膜の製造方法。真空中で基板を搬送する機能及び前記基板を冷却するためのガスを真空中で前記基板に向けて供給する機能を有する基板搬送ローラであって、i前記基板を支持するための円筒形の外周面と、前記外周面の周方向に沿って設けられた、前記ガスの供給経路としての複数の第1貫通孔とを有し、前記基板と同期して回転できる円筒形の第1シェルと、ii前記第1シェルの内部に配置され、前記基板と同期して回転することが禁止された内ブロックと、iii外部から導入された前記ガスを保持するように前記第1シェルの内部において前記内ブロックによって規定された空間であって、前記第1シェルの回転軸を中心として特定の角度の範囲内で前記複数の第1貫通孔に向けて前記ガスを導くように形成されており、前記第1シェルの径方向に関して相対的に広い寸法を有するマニホールドと、iv前記第1シェルの内部に形成された空間であって、前記特定の角度の範囲外で前記複数の第1貫通孔に向けて前記ガスを導くように形成されており、前記径方向に関して相対的に狭い寸法を有する隙間部と、を備えた、基板搬送ローラ。薄膜の生産性向上のためには成膜速度の高速化と、これに伴う冷却効率の向上が必要である。ガス冷却における冷却効率を上げるためには、冷却体と基板との間の圧力を高くすることが有効である。例えば、できるだけ冷却体と基板との間隔を小さくするとともに、冷却ガス量を多くする必要がある。しかし、前記した従来の構成では、真空槽内に導入するガスを増やすと冷却体と基板との間から漏れ出した冷却ガスによって真空度が悪化し、薄膜の品質の低下や異常放電等の課題を生じるので、導入ガス量には制限がある。また、排気ポンプの大型化が必要となり、設備コスト増大の課題がある。本発明の目的は、従来の課題を解決するもので、高速成膜に必要なガス冷却を、真空度の悪化を抑えて実現することである。すなわち、本発明は、真空槽と、長尺の基板を巻き出し位置から巻き取り位置へと搬送するように前記真空槽内に配置された搬送系と、前記搬送系の搬送経路に設置された開口部と、前記開口部で前記基板に材料を付与するための成膜源と、を備え、前記搬送系は、前記基板を搬送する機能及び前記基板を冷却するためのガスを前記基板に向けて供給する機能を有するブローローラを含み、前記ブローローラは、i前記基板を支持するための円筒形の外周面と、前記外周面の周方向に沿って設けられた、前記ガスの供給経路としての複数の第1貫通孔とを有し、前記基板と同期して回転できる円筒形の第1シェルと、ii前記第1シェルの内部に配置され、前記基板と同期して回転することが禁止された内ブロックと、iii前記真空槽の外部から導入された前記ガスを保持するように前記第1シェルの内部において前記内ブロックによって規定された空間であって、前記第1シェルの回転軸を中心として前記第1シェルと前記基板との接触部分の角度で定義される抱き角の範囲内で前記複数の第1貫通孔に向けて前記ガスを導くように形成されており、前記第1シェルの径方向に関して相対的に広い寸法を有するマニホールドと、iv前記第1シェルの内部に形成された空間であって、前記抱き角の範囲外で前記複数の第1貫通孔に向けて前記ガスを導くように形成されており、前記径方向に関して相対的に狭い寸法を有する隙間部と、を含む、薄膜の製造装置を提供する。別の側面において、本発明は、真空槽内に長尺の基板の搬送系を構築する工程と、前記搬送系の巻き出し位置から巻き取り位置へと長尺の基板を搬送する工程と、前記基板に材料が付与されるように、前記搬送系の搬送経路に設置された開口部に向けて成膜源から材料を蒸発させる工程と、を含み、前記搬送系は、前記基板を搬送する機能及び前記基板を冷却するためのガスを前記基板に向けて供給する機能を有するブローローラと、前記基板の搬送方向に沿って前記ブローローラの上流側に配置された第1ローラと、前記基板の搬送方向に沿って前記ブローローラの下流側に配置された第2ローラと、を有し、前記ブローローラは、i前記基板を支持するための円筒形の外周面と、前記外周面の周方向に沿って設けられた、前記ガスの供給経路としての複数の第1貫通孔とを有し、前記基板と同期して回転できる円筒形の第1シェルと、ii前記第1シェルの内部に配置され、前記基板と同期して回転することが禁止された内ブロックと、iii前記真空槽の外部から導入された前記ガスを保持するように前記第1シェルの内部において前記内ブロックによって規定された空間であって、前記第1シェルの回転軸を中心として特定の角度の範囲内で前記複数の第1貫通孔に向けて前記ガスを導くように形成されており、前記第1シェルの径方向に関して相対的に広い寸法を有するマニホールドと、iv前記第1シェルの内部に形成された空間であって、前記特定の角度の範囲外で前記複数の第1貫通孔に向けて前記ガスを導くように形成されており、前記径方向に関して相対的に狭い寸法を有する隙間部と、を含み、前記特定の角度が、前記第1シェルと前記基板との接触部分の角度で定義される抱き角の範囲に収まるように、前記搬送系を構築する工程において、前記第1ローラ、前記ブローローラ及び前記第2ローラの間の相対的な位置関係を設定する、薄膜の製造方法を提供する。さらに別の側面において、本発明は、真空中で基板を搬送する機能及び前記基板を冷却するためのガスを真空中で前記基板に向けて供給する機能を有する基板搬送ローラであって、i前記基板を支持するための円筒形の外周面と、前記外周面の周方向に沿って設けられた、前記ガスの供給経路としての複数の第1貫通孔とを有し、前記基板と同期して回転できる円筒形の第1シェルと、ii前記第1シェルの内部に配置され、前記基板と同期して回転することが禁止された内ブロックと、iii外部から導入された前記ガスを保持するように前記第1シェルの内部において前記内ブロックによって規定された空間であって、前記第1シェルの回転軸を中心として特定の角度の範囲内で前記複数の第1貫通孔に向けて前記ガスを導くように形成されており、前記第1シェルの径方向に関して相対的に広い寸法を有するマニホールドと、iv前記第1シェルの内部に形成された空間であって、前記特定の角度の範囲外で前記複数の第1貫通孔に向けて前記ガスを導くように形成されており、前記径方向に関して相対的に狭い寸法を有する隙間部と、を備えた、基板搬送ローラを提供する。さらに別の側面において、本発明は、真空槽と、i表面に沿って基板を搬送し、前記基板と同期して回転する、複数の貫通孔を有する第1シェルと、ii前記第1シェルの内部に配置され、前記基板と同期回転しない内ブロックと、iii前記第1シェルと前記内ブロックとの間であって、前記第1シェルと前記基板とが接触する抱き角の範囲の内側に設定された、前記基板を冷却するためのガスが導入されるマニホールドと、iv前記マニホールド以外に設定され、前記マニホールドに比べて前記内ブロックとの間の空間が小さい隙間部と、を有するブローローラを含む、前記真空槽内に配置された搬送系と、前記搬送系の搬送経路に設置された開口部と、前記開口部で前記基板に材料を付与するための成膜源と、を備えた、薄膜の製造装置を提供する。本発明によれば、第1シェルと基板との間に効率的に冷却ガスを送り込むことができる。そのため、冷却ガスの導入量を少なくしても第1シェルと基板との間のガス圧を高くすることができる。従って、真空度の悪化を抑えて基板のガス冷却を行うことができる。また、薄膜の製造装置をコンパクトに実現することができる。以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。成膜装置全体の構成の一例を、図1に模式的に示す。成膜装置20A薄膜の製造装置は、真空槽22、搬送系50A、成膜源19、遮蔽板29、原料ガス導入管30及び排気ポンプ35を備えている。搬送系50Aは、巻き芯ローラ23、ブローローラ6、搬送ローラ24、キャン27及び巻き芯ローラ26で構成されている。ブローローラ6は、基板21を搬送する機能及び基板21を冷却するためのガスを基板21に向けて供給する機能を有する。ブローローラ6も搬送ローラの1つである。ガス供給管52を通じて、真空槽22の外部からブローローラ6にガスが供給される。真空槽22は、内部空間を有する耐圧性の容器状部材である。真空槽22の内部空間に搬送系50A、成膜源19等が配置されている。巻き芯ローラ23は、軸心回りに回転可能に設けられているローラ状部材である。巻き芯ローラ23の表面に帯状で長尺の基板21が捲回されている。巻き芯ローラ23は、巻き芯ローラ23に最も近い搬送ローラ図1ではブローローラ6に向けて基板21を供給する。排気ポンプ35は真空槽22の外部に設けられて、真空槽22内部を薄膜の形成に適する減圧状態にする。排気ポンプ35は、例えば、油拡散ポンプ、クライオポンプ、ターボ分子ポンプ等を主ポンプとした各種真空排気系によって構成される。基板21には、各種金属箔、各種高分子フィルム、高分子フィルムと金属箔との複合体等を使用できる。金属箔としては、アルミ箔、銅箔、ニッケル箔、チタニウム箔、ステンレス箔が挙げられる。高分子フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリイミドが挙げられる。ただし、基板21の材料は特に限定されない。基板21として、上記材料に限定されない長尺基板を用いることができる。基板21の幅は、例えば50~1000mmである。基板21の望ましい厚みは、例えば3~150μmである。基板21の幅が50mm未満ではガス冷却時の基板21の幅方向へのガスロスが大きいが、本発明を適用できないということではない。基板21の厚みが3μm未満では基板21の熱容量が極めて小さいために熱変形が発生しやすいが、いずれも本発明が適用不可であることを示すものではない。基板21の搬送速度は、作製するべき薄膜の種類及び成膜条件によって異なるが、例えば0.1~500m/分である。搬送中の基板21に印加される張力は、基板21の材質、基板21の厚み、成膜速度等の条件によって適宜調節される。搬送ローラ24は、軸心回りに回転可能に設けられているローラ状部材である。搬送ローラ24は、巻き芯ローラ23から供給された基板21を成膜領域に誘導し、最終的に巻き芯ローラ26に導く。成膜領域に設けた開口部31を基板21がキャン27に沿って走行する際に、成膜源19から飛来した材料粒子が、必要に応じて原料ガス導入管30から導入された原料ガスと反応して基板21に堆積し、基板21の表面に薄膜が形成される。巻き芯ローラ26は、図示しない駆動手段例えばモータによって回転駆動可能に設けられているローラ状部材であり、薄膜が形成された基板21を巻き取って保存する。成膜源19には各種成膜源を用いることができる。例えば、抵抗加熱、誘導加熱、電子ビーム加熱等による蒸発源、イオンプレーティング源、スパッタ源、CVD源等を用いることができる。また、成膜源19にイオン源やプラズマ源を組み合わせて用いることも可能である。例えば、成膜源19は開口部31の鉛直下方に設けられている。成膜源19は、上部が開口している容器状部材であり、蒸発用坩堝がその具体的な一例であり、蒸発用坩堝の内部には材料が載置される。成膜源19の近傍には電子銃等の加熱手段が設けられ、この電子銃からの電子ビーム等によって、蒸発用坩堝の内部の材料が加熱されて蒸発する。材料の蒸気は鉛直上方に向けて移動し、開口部31を通って、基板21の表面に付着する。これにより、基板21の表面に薄膜が形成される。遮蔽板29は、成膜源19から飛来した材料粒子が基板21と接触する領域を開口部31のみに制限している。成膜装置20Aは、さらに、反応成膜用の成膜ガスを真空槽22の中に導入する手段を備えていてもよい。成膜ガスを導入する手段としては、例えば、図1の原料ガス導入管30である。原料ガス導入管30は、例えば、一端が成膜源19の鉛直上方に配置され、他端が真空槽22の外部に設けられた図示しない成膜反応用ガス供給手段に接続された管状部材であり、材料の蒸気に例えば酸素、窒素等を供給する。これによって、成膜源19から飛来した材料の酸化物、窒化物又は酸窒化物を主成分質量比で最も多く含まれた成分とする薄膜が基板21の表面に形成される。成膜反応用ガス供給手段には、ガスボンベ、ガス発生装置等がある。薄膜が形成された基板21は、別の搬送ローラ24を経由して巻き芯ローラ26に巻き取られる。巻き芯ローラ23から巻き芯ローラ26に至る基板搬送経路の途中に、ブローローラ6が設置されている。基板21はブローローラ6によって冷却される。ブローローラ6は、搬送系50Aに1つのみ設けられていてもよいし、本実施形態のように複数のブローローラ6が搬送系50Aに設けられていてもよい。さらに、ブローローラ6は、成膜前の基板21を冷却できる位置に設けられていてもよいし、成膜後の基板21を冷却できる位置に設けられていてもよい。図4にブローローラ6の斜視図を示す。図5にブローローラ6の縦断面図を示す。図6にブローローラ6の横断面図を示す。ブローローラ6は基板21と同期して回転する外シェル11第1シェルと、基板21と同期回転しない内ブロック12とを有する。外シェル11には貫通孔13が複数形成されている。例えば中空円柱の外シェル11の中空部分に内ブロック12が配置されている。外シェル11の直径は例えば40~1000mmである。外シェル11が大きい方が冷却能力は得やすいが、大きすぎると真空槽22の中で占有する体積が大きくなり、成膜装置20Aが大型化して設備コストが増大するおそれがある。また、直径が大きい程、熱膨張による変形の絶対値が大きくなるので、外シェル11の回転軸Oに平行な方向幅方向の長さが長い場合に外シェル11と内ブロック12との隙間精度を維持することが困難になる。一方、外シェル11の直径が小さくなると外シェル11の内周面の研削加工精度を確保することが困難となる。幅方向に関する外シェル11の長さ幅は、安定走行のために基板21の幅より長く設定されている。外シェル11の幅は、基板21の幅に応じて例えば100~800mmである。また、貫通孔13が形成されている領域における外シェル11の肉厚は例えば2~15mmである。肉厚が薄いと基板21に付与された張力によって外シェル11の変形がおきやすく、外シェル11が厚いと、貫通孔13を形成するための加工が難しくなる。図4に示すように、貫通孔13の直径、回転方向の孔ピッチA及び軸方向の孔ピッチBは、基板21の冷却条件や真空度条件に応じて適宜設定される。貫通孔13の直径は、例えば0.5~3mmである。貫通孔13の直径が大きすぎると冷却ガスの漏れが大きくなり、逆に貫通孔13の直径が小さくなると、貫通孔13を形成するための加工が困難になる。孔ピッチAは例えば10~50mmである。孔ピッチAは、また、外シェル11の回転方向の角度ピッチに換算して、例えば5~30度程度であってもよい。孔ピッチAが小さいと孔加工の数が増えて設備コストが増大する。孔ピッチAが大きすぎると外シェル11の回転位置による圧力変動が大きくなり、冷却能力の均一性が低下する。孔ピッチBは例えば10~200mmである。孔ピッチBは幅方向に均一ピッチである必要はなく、基板21の温度と冷却の状態に応じて適宜調整することができる。孔ピッチBが小さいと孔加工の数が増えて設備コストが増大するが、孔ピッチBが大きすぎると、幅方向の冷却能力の均一性が低下する。外シェル11と内ブロック12との間には、ガスが導入されるマニホールド14と、マニホールド14以外に設定された隙間部15とが形成されている。マニホールド14は、外シェル11と内ブロック12との間に形成された1以上の中空空間である。複数の中空空間が連結されてマニホールド14が構成されていてもよい。マニホールド14は例えば内ブロック12の一部をくり抜いて形成され、外シェル11の貫通孔13及びガス流路16ガス導入ポートにつながっている。ガス流路16から導入された冷却ガスがマニホールド14を介して貫通孔13に供給される。マニホールド14における外シェル11と内ブロック12との間隔を例えば5mm以上とすることにより、冷却ガスを高コンダクタンスで貫通孔13に導くことができる。隙間部15における外シェル11と内ブロック12との間隔は、マニホールド14に比べて小さく設定され、例えば30μm~200μmである。すなわち、外シェル11の径方向に関する隙間部15の寸法は、径方向に関するマニホールド14の寸法よりも小さい。間隔が大きすぎると隙間部15を介した貫通孔13からの冷却ガス漏れが多くなり、真空度が悪化する。間隔が小さすぎると、加工精度、熱膨張による変形等によって、外シェル11と内ブロック12とが接触し、回転異常やブローローラ6の損傷を発生するリスクが高まる。マニホールド14は、ブローローラ6に基板21が接触する抱き角の範囲の内側に設定される。これによって、マニホールド14を介して貫通孔13から放出される冷却ガスを外シェル11と基板21との間に閉じこめやすくなる。さらに好ましくは、抱き角の範囲の両側から孔ピッチA以上内側に入った範囲にマニホールド14を設定する。このようにすれば、マニホールド14を介して貫通孔13から放出される冷却ガスを外シェル11と基板21との間にさらに閉じこめやすくなる。さらに、外シェル11の外周面に近接して対向するガス漏れ削減部材が設けられていてもよい。これにより、抱き角の範囲以外での冷却ガスの漏れを一層小さくすることができる。ガス漏れ削減部材は、例えば、抱き角の範囲以外で外シェル11から50~300μm程度の位置で近接して配置される、湾曲した板材である。図9に示すように、ガス漏れ削減部材56は、例えば、第1シェル11の外周面11pに沿った円弧の形状を有する。第1シェル11の外周面11pに向かい合う位置かつ抱き角の範囲外にガス漏れ削減部材56を設けることができる。以上のようなブローローラ6の構造により、外シェル11の貫通孔13は外シェル11の回転に伴って、マニホールド14と隙間部15とに対向して移動する。ガス流路16から貫通孔13に至るコンダクタンスは、マニホールド14を経由した場合の方が、隙間部15を経由した場合に比べてはるかに大きい。そのため、基板21の無い状態では、マニホールド14に対向しているときに貫通孔13を外向きに通過する冷却ガスの量は、隙間部15に対向しているときに貫通孔13を通過する冷却ガスの量よりも多い。従って、抱き角の範囲の貫通孔13から効率的に冷却ガスを放出することができるので、外シェル11と基板21との間の冷却ガス圧を高くすることができる。基板21のある状態では、抱き角の範囲内で外シェル11と基板21との間に高圧力の冷却ガスが存在するので、外シェル11は基板21から効率的に受熱することができる。一方、抱き角の範囲外では外シェル11は内ブロック12に近接し、かつ外シェル11と内ブロック12との間に冷却ガスが保持されている。そのため、外シェル11は内ブロック12によって効率的に冷却される。このように外シェル11の回転に伴い、外シェル11は基板21の冷却と、内ブロック12への放熱とを周期的に繰り返すので、安定した冷却動作を長時間にわたって発揮できる。また、マニホールド14にガスを導入したとき、外シェル11の外周面11pと基板21との間の平均圧力が、例えば大気圧より低い。また、外シェル11の外周面11pと基板21との間隔の変化が、ガス導入の有無で100μm以下であってもよい。また、外シェル11の外周面11pと基板21との間の平均圧力による浮力は、基板21の搬送張力による、基板21のブローローラ6への垂直抗力よりも小さくてもよい。冷却ガスを導入したときの、外シェル11の外周面11pと、基板21との間の平均圧力を、大気圧より低くすることで、外シェル11の外周面11pと、基板21との間から漏れ出す冷却ガスの量を少なくできる。そのため、排気ポンプ35の負荷を小さくすることができる。なお、外シェル11と基板21との間隔の変化は、レーザー変位計を使用して測定できる。レーザー変位計によれば、レーザー変位計の測定ヘッドから対象物までの距離を測定できる。基板21が無い状態では、測定ヘッドから外シェル11までの距離は一定である。基板21がある状態では、測定ヘッドから基板21までの距離は変化する。基板21が無い状態で得た測定値から、基板21がある状態で得た測定値及び基板21の厚さを引くことにより、外シェル11と基板21との間隔を算出できる。平均圧力は、抱き角の範囲における基板21の全体での平均値を意味し、コンダクタンス、ガスの供給圧力及びガスの流量を用いて理論的に計算できる。コンダクタンスは、ガスの流路の形状貫通孔の径、貫通孔の長さ、マニホールドの寸法等及び外シェル11と基板21との間隔分布で決まる。また、外シェル11の回転ムラが閾値を越えたり、外シェル11の回転速度が閾値を下回ったりした場合に、外シェル11の外周面11pと基板21との間の平均圧力による浮力が、基板21の搬送張力による、基板21のブローローラ6への垂直抗力よりも小さいものと判断できる。外シェル11の回転は、速度ムラ計で測定可能である。速度ムラ計は、例えば、ゴムローラとロータリエンコーダとで構成される。本実施形態によれば、冷却ガスの導入量を少なくしてもブローローラ6と基板21との間のガス圧を高くすることができる。また、冷却機能をコンパクトに実現できるので、設備の大型化、高コスト化を抑制することができる。次に、本実施形態のブローローラ6の構造をより詳細に説明する。図4~図6に示すように、ブローローラ6は、円筒形の第1シェル11、第1シェル11の内部に配置された内ブロック12及び内ブロック12を固定している支持体17を備えている。第1シェル11の内部には、マニホールド14及び隙間部15が形成されている。第1シェル11は、基板21を支持するための円筒形の外周面11pと、外周面11pの周方向に沿って設けられた複数の貫通孔13第1貫通孔とを有する。第1貫通孔13は、マニホールド14から基板21へのガスの供給経路としての役割を担う。第1シェル11は、基板21と同期して回転できるように構成されている。具体的には、図5に示すように、第1シェル11の両端にベアリング54をそれぞれ設けることができる。ベアリング54によって、第1シェル11を支持体17に回転可能に接続できる。内ブロック12は、基板21と同期して回転することが禁止された部材である。本実施形態では、内ブロック12が支持体17に固定されている。支持体17は、例えば、真空槽22に固定されている。すなわち、内ブロック12の位置及び姿勢は真空槽22に対して固定されている。マニホールド14は、真空槽22の外部から導入されたガスを保持するように第1シェル11の内部において内ブロック12によって規定された空間である。マニホールド14は、抱き角の範囲内で複数の第1貫通孔13に向けてガスを導くように形成されている。第1シェル11の径方向に関して、マニホールド14は、相対的に広い寸法を有する。従って、先に説明したように、第1シェル11と基板21との間のガスの圧力は比較的高い圧力に維持される。抱き角の範囲内には、第1シェル11の周方向に関して、抱き角の範囲の一端又は両端がマニホールド14の範囲の一端又は両端に一致している場合も含まれる。ここで一致とは完全な一致を意味しない。第1シェル11の回転角度に換算して、例えば、抱き角の範囲からマニホールド14が約2~3度食み出ていたとしても、これは誤差にすぎず、抱き角の範囲の一端又は両端がマニホールド14の範囲の一端又は両端に一致しているものとみなす。隙間部15も第1シェル11の内部に形成された空間であって、抱き角の範囲外で複数の第1貫通孔13に向けてガスを導くように形成されている。第1シェル11の径方向に関して、隙間部15は、相対的に狭い寸法を有する。図7に示すように、抱き角は、第1シェル11の回転軸Oを中心として第1シェル11と基板21との接触部分の角度θで定義される。抱き角の大きさは特に限定されない。例えば30~180度又は45~120度の範囲に抱き角が収まっていると、第1シェル11の直径がある程度小さい場合でも、過度な曲げ応力を発生させることなく、基板21を円滑に搬送できる。搬送系50Aは、基板21の搬送方向に沿ってブローローラ6の上流側に配置された第1ローラと、基板の搬送方向に沿ってブローローラ6の下流側に配置された第2ローラと、を含む。抱き角は、第1ローラ、ブローローラ6及び第2ローラの間の相対的な位置関係によって規定されている。図1に示す成膜装置20Aでは、第1ローラは、巻き芯ローラ23又は搬送ローラ24である。第2ローラは、搬送ローラ24又は巻き芯ローラ26である。ここで、第1シェル11の回転軸Oを中心として特定の角度の範囲内で複数の第1貫通孔13に向けてガスを導くようにマニホールド14が形成されているものと仮定する。特定の角度が、抱き角の範囲に収まるように、搬送系50Aを構築することができる。薄膜を製造するためには、まず、真空槽22内に搬送系50Aを構築する。搬送系50Aの巻き出し位置巻き芯ローラ23から巻き取り位置巻き芯ローラ26へと基板21を搬送する。基板21に材料が付与されるように、搬送系50Aの搬送経路に設置された開口部31に向けて成膜源19から材料を蒸発させる。搬送系50Aを構築する工程において、特定の角度が抱き角の範囲に収まるように、第1ローラ巻き芯ローラ23、ブローローラ6及び第2ローラ搬送ローラ24の間の相対的な位置関係を設定する。図7に示すように、角度θで定義された抱き角は、周方向に互いに隣り合う2つの第1貫通孔13の各中心と第1シェル11の回転軸Oとを結ぶことによって得られた2つの線分のなす角度αよりも大きい。この関係によれば、複数の第1貫通孔13の少なくとも1つが必ずマニホールド14に向かい合うことができる。本実施形態では、抱き角の範囲内でのみマニホールド14が複数の第1貫通孔13に向かい合うように、周方向に関するマニホールド14の範囲角度範囲が規定されている。この構成によれば、第1シェル11と基板21との間のガスの圧力を高い圧力に維持しやすい。図6に示すように、内ブロック12は、抱き角の範囲外において円弧状の外周面を有する。内ブロック11の円弧状の外周面と第1シェル11の内周面との間に隙間部15が形成されている。この構成によれば、隙間部15の広さを一定に保持しやすい。すなわち、隙間部15の広さは一定であってもよい。広さが一定の範囲を隙間部15、それ以外の範囲をマニホールド14と考えることができる。図6に示すように、複数の第1貫通孔13は、周方向に沿って等間隔で形成されている。これにより、周方向の冷却能力の均一性を確保できる。図8は、第1シェル11の展開図である。複数の第1貫通孔13は、i回転軸Oに平行な幅方向WDの所定位置において周方向LDに沿って設けられた第1グループG1と、ii幅方向WDに関して所定位置に隣接した位置において周方向LDに沿って設けられた第2グループG2と、を構成している。第1グループG1に属する複数の第1貫通孔13と、第2グループG2に属する複数の第1貫通孔13とが、互い違いの配列を形成している。第1貫通孔13のこのような配列によれば、より均一な冷却が可能となる。ただし、複数の第1貫通孔13の配列は特に限定されず、例えば格子状に形成されていてもよい。図5に示すように、支持体17は、真空槽22の外部からマニホールド14にガスを導入するためのガス流路16ガス導入ポートを有する。支持体17と内ブロック12とが別々の部品で構成されていることは必須ではない。内ブロック12の一部が第1シェル11から突出し、その突出した部分が支持体17としての役割を担ってもよい。例えば、ブローローラ6に関して、外シェル11を直径120mm、幅120mm、肉厚6.5mm、貫通孔13を直径1mm、孔ピッチAを20度、孔ピッチBを38mmで3列構成、隙間部15における外シェル11と内ブロック12との間隔を100μmに設定する。このときに、ガス流路16からの冷却ガスとしてヘリウムガスを73sccmStandardCubicCentimeterperMinuteの流量で導入すると、ガス流路16からのガス導入をせずに、真空槽22の全体が100Paとなるようにヘリウムガスを真空槽22に導入した場合と同等のガス冷却能力が得られる。熱伝達係数は、ブローローラ6の表面を走行中の基板21の温度を熱電対等を用いて測定し、移動時間と基板21の温度の変化とから算出することができる。ガス冷却による熱伝達係数は基板21の種類にもよるが、例えば0.003W/cm2/Kである。例えばこの場合、真空槽22の一部に差圧構造を導入するだけでは、ヘリウムガス導入量は約680sccmが必要である。ブローローラ6によって、必要なガス導入量は1/9程度にまで低減することができる。以上のように、成膜装置20Aによれば、巻き芯ローラ23から送り出された基板21が、搬送ローラ24を経由して走行し、巻き芯ローラ26に巻き取られる。その途上において、開口部31において成膜源19から飛来した蒸気及び必要に応じて酸素、窒素等の供給を受けて基板21上に薄膜が形成され、また、ブローローラ6によって基板21が冷却される。これらの動作によって、成膜装置20Aは基板21の温度の上昇を抑制した巻き取り成膜を行うことができる。図2は、本発明の実施形態の別の一例を示す成膜装置の模式図である。図2において、図1と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。成膜装置20Bによれば、例えば、リチウムイオン二次電池用負極を形成できる。なお、以下に示す具体的数値は、あくまでも一例に過ぎず、本発明は、これらによって何ら限定されない。集電体となる古河サーキットフォイル社製の粗面化銅箔厚さ18μm、幅100mmを基板21として用い、集電体の両面上にそれぞれシリコン多層薄膜を厚さ8μmに、真空蒸着法によって形成する。排気ポンプ35として口径14インチの油拡散ポンプを2台備えた、容積0.4m3の真空槽22を0.002Paまで排気した後に、成膜材料であるシリコンを溶解する。シリコンの溶解は日本電子社製の270度偏向型電子ビーム蒸発源成膜源19を用いて行う。加速電圧-10kV、エミッション電流520~700mAの電子ビームを溶融シリコンに照射し、発生した蒸気を、キャン27に沿って走行中の基板21に差し向ける。シリコン薄膜の成膜幅が85mmとなるように、図示しないメタルマスク開口長は各100mmを基板21から約2mmの位置に設置する。搬送系50Bは、基板21の往復走行が可能となるように構成されている。一回の走行で基板21の両面に膜厚0.5μm程度のシリコン薄膜が一層ずつ形成される。往復走行しながら成膜を16回繰り返すことによって、約8μmのシリコン薄膜を形成できる。基板21の両面への各層の形成は、例えば、平均エミッション電流600mA、基板搬送速度2m/分、平均成膜速度80nm/秒で行う。ブローローラ6aは基板21の片面第一面にシリコン薄膜が形成された後、他面第二面への成膜が行われる前の搬送経路に設置される。ブローローラ6aに関して、外シェル11を直径120mm、軸方向長さ120mm、肉厚4mm、貫通孔13を直径1mm、孔ピッチAを20mm、孔ピッチBを30mmで3列構成、隙間部15における外シェル11と内ブロック12との間隔を80μmに設定する。ガス流路16からの冷却ガスとしてアルゴンガスを80sccm導入する。これによって基板21の各面への成膜開始時における基板21の温度をほぼ同一にすることができる。成膜開始時における基板21の温度を両面で均等とすることにより、薄膜の品質を同等とすることができるほか、熱膨張係数差等に起因した、成膜後の基板21の反りを小さくすることができる。また、第二面への成膜開始時の基板21の温度を低く抑えることによって、基板21の最高到達温度を低くすることができて、基板21の劣化を防止することができる。一例として、電池用極板として、銅箔基板上にシリコン薄膜の成膜を行った場合、温度上昇による銅箔の劣化については、例えば引っ張り試験等による機械的物性値の変化によって評価することができる。熱劣化した銅箔は引っ張り負荷に対する伸びの増加や、破断強度の低下等の現象を示す。これらの特性劣化は、リチウム二次電池極板に用いるシリコン薄膜が、リチウム吸蔵時に膨張するため、極板の変形や破断につながる。また、ブローローラ6bは、基板21の各走行において、成膜の完了後、巻き芯ローラ26に至るまでの間に設置されている。これによって、巻き取り時の基板21の温度を常温近くにすることができる。巻き取り時の基板21の温度を常温近傍とすることによって、巻き取り時の基板21の熱変形に起因する皺の発生を防ぎ、また巻き取り後の基板21の収縮による、巻き締まりの現象を防止することができる。ブローローラ6bに関して、外シェル11を直径80mm、軸方向長さ120mm、肉厚3mm、貫通孔13を直径1mm、孔ピッチAを15mm、孔ピッチBを30mmで3列構成、隙間部15における外シェル11と内ブロック12との間隔を50μmに設定する。ガス流路16からの冷却ガスとしてアルゴンガスを50sccm導入する。図2に示す成膜装置20Bによれば、搬送経路の第1成膜領域で基板21の第一面に薄膜が形成された後、第1成膜領域よりも下流側に位置している第2成膜領域で基板21の第二面に薄膜が形成されるように、開口部31が搬送経路の2箇所に設置されている。第1成膜領域を通過した後、第2成膜領域に達する前に、基板21がブローローラ66aを通過して冷却されるように、搬送系50Bが構築されている。このことは、図3に示す成膜装置20Cについても同様である。図3は、本発明の実施形態のさらに別の一例を示す成膜装置の模式図である。図3において、図1及び図2と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。成膜装置20Cによれば、例えば、リチウムイオン二次電池用負極を形成できる。集電体となる古河サーキットフォイル社製の粗面化銅箔厚さ18μm、幅200mmを基板21として用い、集電体の両面上にそれぞれシリコン酸化物多層薄膜を厚さ15μmに真空蒸着法によって形成する。排気ポンプ35として口径14インチの油拡散ポンプを2台備えた、容積0.4m3の真空槽22を0.002Paまで排気した後に、成膜材料であるシリコンを溶解する。シリコンの溶解は日本電子社製の270度偏向型電子ビーム蒸発源成膜源19を用いて行う。加速電圧-10kV、エミッション電流950mAの電子ビームを溶融シリコンに照射し、発生した蒸気を基板21に差し向ける。基板21は10°Cの冷却水によって冷却されている冷却体1から約0.5mmの位置を移動しており、冷却体1に沿って移動中にシリコン薄膜が形成される。基板21の幅方向の冷却体1の長さは90mmである。冷却体1はアルミニウムで構成されている。図10に断面模式図を示すように、冷却体1と基板21との間にガスを導入するために、冷却体1に冷却用ガス導入口36及びマニホールド32が設けられている。マニホールド32から冷却体1の表面に延びる細孔33が形成されており、細孔33を経由して冷却体1と基板21との間にガスを供給する。シリコン薄膜の成膜幅が180mmとなるように、メタルマスク25開口長は各150mmを基板21銅箔基板から約2mmの位置に設置する。また、基板21の成膜面側に設置した反応ガスノズルからメタルマスク25の開口部31に酸素ガスを差し向ける。これによって基板21上にシリコン酸化物薄膜が形成される。搬送系50Cは、基板21の往復走行が可能となるように構成されている。一回の走行で基板21の両面に膜厚1μm程度のシリコン薄膜が一層ずつ形成される。往復走行しながら成膜を15回繰り返すことによって、約15μmのシリコン酸化物薄膜を形成できる。基板21の両面への各層の形成は、例えば、平均エミッション電流950mA、基板搬送速度3.6m/分、平均成膜速度200nm/秒で行う。この時冷却ガスとしてアルゴンガス9sccmを、冷却体1と基板21との間に導入する。また、成膜反応用ガスとして、反応ガスノズルから酸素ガスを各開口部31に向けてそれぞれ30sccm導入する。ブローローラ6aは、基板21の片面第一面にシリコン薄膜が形成された後、他面第二面への成膜が行われる前の搬送経路に設置される。ブローローラ6aに関して、外シェル11を直径250mm、軸方向長さ400mm、肉厚4mm、貫通孔13を直径1mm、孔ピッチAを20mm、孔ピッチBを50mmで5列構成、隙間部15における外シェル11と内ブロック13との間隔を100μmに設定する。ガス流路16からの冷却ガスとして酸素ガスを250sccm導入する。また、外シェル11の外周面から200μmの位置に平均厚み5mmのアルミブロックガス漏れ削減部材を設置する。これによって基板21の各面への成膜開始時における基板21の温度をほぼ同一にすることができる。また、ブローローラ6bは、基板21の各走行において、成膜の完了後、巻き芯ローラ26に至るまでの間に設置されている。これによって、巻き取り時の基板21の温度を常温近くにすることができる。巻き取り時の基板21の温度を常温近傍とすることによって、巻き取り時の基板21の熱変形に起因する皺の発生を防ぎ、また巻き取り後の基板21の収縮による、巻き締まりの現象を防止することができる。ブローローラ6bの外シェル11を直径200mm、軸方向長さ400mm、肉厚3mm、貫通孔を直径1mm、孔ピッチAを15mm、孔ピッチBを50mmで5列構成、隙間部15における外シェル11と内ブロック12との間隔を60μmに設定する。ガス流路16からの冷却ガスとして酸素ガスを120sccm導入する。ブローローラ6に導入する冷却ガスとして、アルゴンガスと酸素ガスを用いる場合について述べたが、ヘリウムガス、ネオンガス、キセノンガス、クリプトンガス等の不活性ガスや、水素ガスを冷却ガスに用いてもよい。第1~第3変形例に係るブローローラ巻き取り式の薄膜の製造において、基板21が受ける熱負荷は、成膜物質の凝縮熱の他に成膜源19からの輻射熱等がある。そのため、熱負荷は基板21の幅方向で必ずしも一定ではない。従って、ガスを用いて基板21を冷却する場合の冷却強度も基板21の熱負荷状態に応じて基板21の幅方向で調整可能なことが望まれる。また、巻き取り式の薄膜製造に使用するガス冷却の機器は加工精度を確保することが容易で、基板21の張力による悪影響を受けないことが望まれる。以下に説明する第1~第3変形例は、上記の問題点を解決するもので、幅広の基板21の冷却に適合するガス冷却を、真空度の悪化を抑えて実現する。なお、図1~図10を参照して説明した実施形態の特徴は、技術的な矛盾を生じない限りにおいて、各変形例のブローローラ及びそれを用いた薄膜の製造に適用できる。第1~第3変形例に係るブローローラの概要は以下の通りである。図4~図9を参照して説明したブローローラにおいて、第1シェルの回転軸に平行な幅方向に沿って、複数のマニホールドが形成されていてもよい。本構成によって、貫通孔へのガス導入をマニホ-ルド毎に独立に行うことができる。また、内ブロックを固定する支持体が設けられていてもよい。支持体は、複数のマニホールドと連通するガス流路を有する。複数のマニホールドのうち、端部のマニホールドに導入するガス量よりも、端部のマニホールドの内側に形成された1つのマニホールド又は複数のマニホールドに導入するガス量を多くすることができる。本構成によって、基板の中央部を端部よりも強力に冷却することができる。また、ガス流路は、複数のマニホールドの全てと連通する第1ガス流路と、端部のマニホールドよりも内側に形成された1つのマニホールドと連通する第2ガス流路とを含んでいてもよい。端部のマニホールドよりも内側に複数のマニホールドが形成されている場合、第2ガス流路は、端部のマニホールドよりも内側に形成された複数のマニホールドから選ばれる少なくとも1つと連通していてもよい。本構成によって、冷却ガスの種類を基板の幅方向で変えることができる。また、内ブロックは、基板の幅方向に並び、複数のマニホールドに対応する複数の分割ブロックを有していてもよい。第1シェルが、分割ブロックに対応する複数の分割シェル第1分割シェルを有していてもよい。本構成によって、幅広の第1シェルを加工容易に得ることができる。また、内ブロックは、基板の幅方向に並び、複数のマニホールドに対応する複数の分割ブロックを有していてもよい。第1シェルが、分割ブロックに対応する、複数の分割シェルを有していてもよい。分割シェルが、それぞれ、内ブロック又は内ブロックを支持する支持体とベアリングを介して接続する機構を有していてもよい。本構成によって、第1シェルと内ブロックとの接触を防止することができる。また、第1シェルと内ブロックとの間に、内ブロックのマニホールドから第1シェルの貫通孔に冷却ガスを導く複数の貫通孔を有する第2シェルが設けられていてもよい。第1シェルと第2シェルとの間に空間が形成されていてもよく、第2シェルと内ブロックとの間に空間が形成されていてもよい。内ブロックが、基板の幅方向に並び、複数のマニホールドに対応して分割された複数の分割ブロックを有していてもよい。第2シェルは、分割ブロックに対応する複数の分割シェル第2分割シェルを有していてもよい。本構成によって、幅広の第2シェルを加工容易に得ることができる。また、内ブロックを固定する支持体と、第2シェルと内ブロック又は支持体とをベアリングを介して接続する第1接続機構と、第1シェルと第2シェルとをベアリングを介して接続する第2接続機構と、が設けられていてもよい。本構成によって、第2シェルを駆動回転し、第1シェルにより基板に擦過傷を生じることを防止することができる。また、支持体がローラを冷却する水を流す水流路を有していてもよい。本構成によって、ローラの温度上昇を防止することができる。次に、図面を参照しつつ、第1~第3変形例に係るブローローラを説明する。実施形態で説明した部材と同一の部材には同一の参照符号を付し、その説明を省略する。同様に、各変形例に共通する部材には、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。図11は、第1変形例に係るブローローラの縦断面図である。図11に示すように、ブローローラ60は、第1シェル11、内ブロック62及び支持体17を備えている。第1シェル11と内ブロック62との間には、ガスが導入されるマニホールド14と、マニホールド14以外に設定された隙間部15とが形成されている。マニホールド14は第1シェル11と内ブロック62との間に形成された中空空間であり、内ブロック62によって複数のマニホールド14が形成されている。詳細には、第1シェル11の回転軸Oに平行な幅方向に沿って、複数のマニホールド14が形成されている。マニホールド14は例えば内ブロック62の一部をくり抜いて形成され、第1シェル11の貫通孔13及び内ブロック62を支持する支持体17のガス流路16ガス導入ポートにつながっている。支持体17と内ブロック62は一体構造であってもよい。ガス流路16から導入された冷却ガスがマニホールド14を介して貫通孔13に供給される。マニホールド14における第1シェル11と内ブロック62との間隔を例えば5mm以上とすることにより、冷却ガスを高コンダクタンスで貫通孔13に導くことができる。また、マニホールド14を複数形成し、必要に応じて各マニホールド14の形状を変えることで、ガス流路16から貫通孔13に至るガス経路のコンダクタンスを独立に設定することができる。これによって基板21の幅方向のガス冷却の強度を変化させることが可能となる。複数の第1貫通孔13は、複数のマニホールド14に対応する形で複数の列で設けられている。そのため、第1シェル11と基板21との間の圧力を均一に保つことができる。支持体17は、真空槽22の外部から複数のマニホールド14にガスを導入するためのガス流路16を有する。ガス流路16は、複数のマニホールド14のそれぞれに連通している。これにより、各マニホールド14に冷却ガスを円滑に導くことができる。例えば、真空プロセスを用いた薄膜の形成において、基板21の幅方向の中央部が受ける熱負荷は、基板21の幅方向の端部が受ける熱負荷よりも大きい場合が多い。これは薄膜の膜厚が均等であってもなお、基板21の中央部付近では輻射熱に起因する熱負荷が端部に比べて大きいからである。このような場合に、ブローローラ60の各マニホールド14から第1シェル11の貫通孔13を介した冷却ガスの噴出が、基板21の中央部で相対的に多くなり、基板21の端部で相対的に少なくなるように、複数のマニホールド14のコンダクタンス設計を行ってもよい。このようにすれば、基板21が受ける熱負荷に応じて冷却強度を変化させることができる。基板21の幅方向の温度分布を小さくし、基板21の熱たわみ等を軽減することができる。また、図11に示すように、ガス流路16の系統を複数用意してもよい。すなわち、ガス流路16が、複数のマニホールド14の全てと連通している第1ガス流路7と、端部のマニホールド14よりも内側に形成されたマニホールド14と連通している第2ガス流路8とを有する。詳細には、第2ガス流路8は、複数のマニホールド14のうち、幅方向に関して両端に位置している2つのマニホールド14よりも内側に形成された複数のマニホールド14の少なくとも1つと連通している。これによって、基板21の幅方向でマニホールド14に導入されるガス量を変え、基板21が受ける熱負荷に応じて冷却強度を変化させることができる。また、第1ガス流路7のガスの種類を第2ガス流路8のガスの種類と異ならせることもできる。例えば、基板21の中央部で熱負荷が強い場合、特に金属箔基板を用いた場合等には、基板21の中央部が伸びやすい。これによって、基板21の中央部が、若干、ブローローラ60から浮き上がりやすい。このような場合、例えば第1ガス流路7にアルゴンガスを用い、第2ガス流路8にヘリウムガスを用いる。ヘリウムガスは、高価ではあるが、分子衝突が起きにくいのでブローローラ60と基板21との間隔が広くても冷却能力が得やすい。これにより、ブローローラ60から基板21が多少浮き上がっていたとしても、基板21の中央部付近を重点的に冷却することができる。図11では、第2ガス流路8は、両端の2つのマニホールド14よりも内側に形成された複数のマニホールド14のそれぞれと連通している。両端に位置している2つのマニホールド14よりも内側にマニホールド14が1つのみが形成されているときつまり、マニホールド14の数が3つのとき、第2ガス流路8は、中央部の1つのマニホールド14のみと連通しうる。このように、第2ガス流路8は、両端の2つのマニホールド14よりも内側に形成された1つのマニホールド14のみと連通しうる。また、中央部に複数のマニホールド14が形成されているとき、第2ガス流路8は、中央部の複数のマニホールド14から選ばれる少なくとも1つのみと連通しうる。隙間部15における第1シェル11と内ブロック62との間隔は、マニホールド14に比べて小さく設定され、例えば30μm~200μmである。間隔が大きすぎると隙間部15を介した貫通孔13からの冷却ガス漏れが多くなり、真空度が悪化する。間隔が小さすぎると、加工精度や、熱膨張による変形等によって、第1シェル11と内ブロック62とが接触し、回転異常やブローローラ60の損傷を発生するリスクが高まる。マニホールド14は、抱き角の範囲の内側に設定される。これによって、マニホールド14を介して貫通孔13から放出される冷却ガスを第1シェル11と基板21との間に閉じこめやすくなる。さらに好ましくは、抱き角の範囲の両側から孔ピッチA以上内側に入った範囲にマニホールド14を設定する。このようにすれば、マニホールド14を介して貫通孔13から放出される冷却ガスを第1シェル11と基板21との間にさらに閉じこめやすくなる。図12は、第2変形例に係るブローローラの縦断面図である。ブローローラ70は、第1シェル41、内ブロック65、支持体17及び複数のベアリング54を備えている。内ブロック65は、複数のマニホールド14のそれぞれを規定するように幅方向に並べられた複数の分割ブロック64で構成されている。第1シェル41は、複数の分割ブロック64に対応する複数の分割シェル40を有する。支持体17には、各分割ブロック64が固定されている。複数のベアリング54は、第1シェル41すなわち複数の分割シェル40を支持体17に回転可能に接続している。なお、支持体17は内ブロック65に一体に形成されていてもよい。この場合、複数のベアリング54は、第1シェル41複数の分割シェル40を複数の分割ブロック64にそれぞれ接続する役割を担う。内ブロック65は、基板21の幅方向に並んだ、マニホールド14の分割に対応した複数の分割ブロック64から構成することができる。さらに、第1シェル41を、分割ブロック64に対応する複数の分割シェル40から構成することができる。内ブロック65及び第1シェル41を複数に分割することにより、所望の冷却条件に応じたブローローラ70を、分割ブロック64及び分割シェル40の組み替えによって簡便に得ることができる。また、幅広のブローローラ70においても特に内面研削の加工精度を維持することが容易となる。さらに、複数の分割シェル40を、それぞれ内ブロック65又は内ブロック65を支持する支持体17とベアリング54を介して接続する。これにより、第1シェル41を短スパンで強固に支持することができるので、第1シェル41と内ブロック65との接触を防止することができる。図12に示すブローローラ70の構造により、第1シェル41の貫通孔13は第1シェル41の回転に伴って、マニホールド14と隙間部15とに対向して移動する。ガス流路16から貫通孔13に至るコンダクタンスは、マニホールド14を経由した場合の方が、隙間部15を経由した場合に比べてはるかに大きい。そのため、基板21の無い状態では、マニホールド14に対向しているときに貫通孔13を外向きに通過する冷却ガスの量は、隙間部15に対向しているときに貫通孔13を通過する冷却ガスの量よりも多い。従ってブローローラ70に基板21が接触する抱き角の範囲の貫通孔13から効率的に冷却ガスを放出することができるので、第1シェル41と基板21との間の冷却ガス圧を高くすることができる。基板21のある状態では、抱き角の範囲で第1シェル41と基板21との間に高圧力の冷却ガスが存在するので、第1シェル41は基板21から効率的に受熱することができる。一方、抱き角の範囲外では第1シェル41は内ブロック65に近接しており、かつ第1シェル41と内ブロック65との間に冷却ガスが保持されている。そのため、第1シェル41は内ブロック65によって効率的に冷却される。このように第1シェル41の回転に伴い、第1シェル41は基板21の冷却と、内ブロック65への放熱を周期的に繰り返すので、安定した冷却動作を長時間にわたって発揮できる。冷却ガスを導入したときの、第1シェル41の外周面と基板21との間の平均圧力を、大気圧より低くすることで、第1シェル41の外周面と基板21との間から漏れ出す冷却ガスの量を少なくできる。これにより、排気ポンプ35の負荷を小さくすることができる。また、ガスの導入量が少ないので、第1シェル41の外周面と基板21との間の平均圧力による浮力は、基板21の搬送張力による、基板21のブローローラ70への垂直抗力よりも小さい。そのため、第1シェル41の外周面と基板21との間隔の変化は、ガス導入の有無で例えば100μm以下である。すなわち、基板21の浮き上がりを防止し、基板21の冷却を効率良く行うことができる。基板21の幅方向に複数のマニホールド14が形成されていると、基板21の幅方向に最適の冷却条件を実現することができる。従って、冷却ガスの導入量を少なくしてもブローローラ70と基板21との間のガス圧を高くすることができる。また、冷却機能をコンパクトに実現できるので、設備の大型化、高コスト化を抑制することができる。例えば、ブローローラ70に関して、第1シェル41を直径110mm、幅120mm、肉厚6.5mm、貫通孔13を直径1mm、孔ピッチAを20度、孔ピッチBを19mmで5列構成、隙間部15における第1シェル41と内ブロック65との間隔を100μmに設定する。内ブロック65のマニホールド14を5分割し、ガス流路16からの冷却ガスとしてヘリウムガスを両端のマニホールド14に合計20sccm、中央部の3つのマニホールド14に合計53sccm導入すると、ガス流路16からのガス導入をせずに、真空槽22の全体が100Paとなるようにヘリウムガスを導入した場合と同等のガス冷却能力が得られる。熱伝達係数は、ブローローラ70の表面を走行中の基板21の温度を、熱電対等を用いて測定し、移動時間と基板21の温度の変化とから算出することができる。ガス冷却による熱伝達係数は基板21の種類にもよるが、例えば0.003W/cm2/Kである。例えばこの場合、真空槽22の一部に差圧構造を導入するだけでは、ヘリウムガス導入量は約680sccmが必要である。ブローローラ70によって、必要なガス導入量は1/9程度にまで低減することができる。また、基板21の中央部に、端部に比べてより多くのガスを流すことで、基板21の中央部での冷却を強化することができ、基板21の変形を効果的に抑制できる。ブローローラ70を用いた薄膜の製造をさらに具体的に説明する。例えば、図2を参照して説明した成膜装置20Bのブローローラ6に代えて、ブローローラ70を用いる。集電体となる古河サーキットフォイル社製の粗面化銅箔厚さ18μm、幅100mmを基板21として用い、集電体の両面上にそれぞれシリコン多層薄膜を厚さ8μmに、真空蒸着法によって形成する。排気ポンプ35として口径14インチの油拡散ポンプを2台備えた、容積0.4m3の真空槽22を0.002Paまで排気した後に、成膜材料であるシリコンを溶解する。シリコンの溶解は日本電子社製の270度偏向型電子ビーム蒸発源成膜源19を用いて行う。加速電圧-10kV、エミッション電流520~700mAの電子ビームを溶融シリコンに照射し、発生した蒸気を、キャン27に沿って走行中の基板21に差し向ける。シリコン薄膜の成膜幅が85mmとなるように、図示しないメタルマスク開口長は各100mmを基板21から約2mmの位置に設置する。搬送系50Bは、基板21の往復走行が可能となるように構成されている。一回の走行で基板21の両面に膜厚0.5μm程度のシリコン薄膜が一層ずつ形成される。往復走行しながら成膜を16回繰り返すことによって、約8μmのシリコン薄膜を形成できる。基板21の両面への各層の形成は、例えば、平均エミッション電流600mA、基板搬送速度2m/分、平均成膜速度80nm/秒で行う。ブローローラ70図2のブローローラ6aに対応は基板21の片面第一面にシリコン薄膜が形成された後、他面第二面への成膜が行われる前の搬送経路に設置される。ブローローラ70に関して、第1シェル41を直径120mm、軸方向長さ120mm、肉厚4mm、貫通孔13を直径1mm、孔ピッチAを20度、孔ピッチBを15mmで5列構成、隙間部15における第1シェル41と内ブロック65との間隔を80μmに設定する。ガス流路16からの冷却ガスとしてアルゴンガスを両端の2つのマニホールド14に合計20sccm、中央部の3つのマニホールド14に合計60sccm導入する。これによって基板21の各面への成膜開始時における基板21の温度をほぼ同一にすることができる。成膜開始時における基板21の温度を両面で均等とすることにより、薄膜の品質を同等とすることができるほか、熱膨張係数差等に起因した、成膜後の基板21の反りを小さくすることができる。また、第二面への成膜開始時の基板21の温度を低く抑えることによって、基板21の最高到達温度を低くすることができて、基板21の劣化を防止することができる。また、別のブローローラ70図2のブローローラ6bに対応は、基板21の各走行において、成膜の完了後、巻き芯ローラ26に至るまでの間に設置されている。これによって、巻き取り時の基板21の温度を常温近くにすることができる。巻き取り時の基板21の温度を常温近傍とすることによって、巻き取り時の基板21の熱変形に起因する皺の発生を防ぎ、また巻き取り後の基板21の収縮による、巻き締まりの現象を防止することができる。ブローローラ70に関して、第1シェル41を直径80mm、軸方向長さ120mm、肉厚3mm、貫通孔13を直径1mm、孔ピッチAを15度、孔ピッチBを15mmで5列構成、隙間部15における第1シェル41と内ブロック65との間隔を50μmに設定する。ガス流路16からの冷却ガスとしてアルゴンガスを両端の2つのマニホールドに合計14sccm、中央部の3つのマニホールド14に合計36sccm導入する。次に、図13は、第3変形例に係るブローローラの縦断面図である。ブローローラ80は、第1シェル51、第2シェル58、内ブロック65、支持体17、第1ベアリング54及び第2ベアリング55を備えている。第1シェル51は、先に説明した第1シェル11と概ね同じ構造を有する。第2シェル58は、図12を参照して説明した第1シェル41と概ね同じ構造を有する。本変形例において、第2シェル58は、第1シェル51と内ブロック65との間に配置されている。第2シェル58は、円筒の形状を有する。第2シェル58の回転軸は、第1シェル51の回転軸Oに一致していてもよいし、ずれていてもよい。第2シェル58は、第1シェル51の内径よりも小さい外径を有する。第2シェル58は、複数のマニホールド14から第1シェル51の複数の第1貫通孔13にガスを導く複数の第2貫通孔43を有する。内ブロック65は、複数のマニホールド14のそれぞれを規定するように幅方向に並べられた複数の分割ブロック64で構成されている。第2シェル58は、複数の分割ブロック64に対応する複数の分割シェル57第2分割シェルを有する。隙間部15の一部は、内ブロック65と第2シェル58との間に形成されており、隙間部15の他の一部は、第2シェル58と第1シェル51との間に形成されている。このように、ブローローラ80は、図12を参照して説明したブローローラ70をさらに別のシェルで被覆した構造を有している。支持体17には、内ブロック65が固定されている。支持体17は、真空槽22の外部からマニホールド14にガスを導入するためのガス流路16と、当該支持体17を冷却するための冷媒を流すための冷媒流路66とを有する。ガス流路16は、第1ガス流路7及び第2ガス流路8を有していてもよいし、1種類のガスのみをマニホールド14に供給できる単一の流路で構成されていてもよい。第1ベアリング54は、第2シェル58を支持体17に回転可能に接続している。第2ベアリング55は、第1シェル51を第2シェル58に回転可能に接続している。図13に示すように、第1シェル51と内ブロック65との間に、第2シェル58を配置することができる。第1シェル51と第2シェル58との間に空間が形成され、第2シェル58と内ブロック65との間に空間が形成されている。また、第2シェル58には、マニホールド14から第1シェル51の貫通孔13に冷却ガスを導く第2貫通孔43を形成することができる。第2シェル58を、内ブロック65を形成する分割ブロック64に対応する複数の分割シェル57第2分割シェルで形成することで、幅広のブローローラ80においても特に内面研削の加工精度を維持することが容易となる。また、第2シェル58を、内ブロック65又は内ブロック65を固定する支持体17にベアリング54を介して回転可能に接続することができる。さらに、第1シェル51と第2シェル58とをベアリング55を介して回転可能に接続することができる。これによって、第2シェル58を駆動回転し、第1シェル51により基板21に擦過傷を生じることを防止することができる。ブローローラ80は基板21の冷却を行うので、温度上昇を防ぐために冷却水の水流路66冷媒流路を支持体17に設けることが望ましい。冷却手段は水に限定されず、液状やガス状の各種冷媒を用いることができる。水流路66には、真空槽22の外部から水が供給される。水流路66を流れた水は、真空槽22の外部へと戻される。第1シェル51の貫通孔13は、第1シェル51の回転に伴って、第2シェル58を介して、マニホールド14及び隙間部15に対向して移動する。すなわち、第1シェル51は、第2シェル58を介して内ブロック65によって冷却される。ブローローラ80を用いた薄膜の製造をさらに具体的に説明する。例えば、図3を参照して説明した成膜装置20Cのブローローラ6に代えて、ブローローラ80を用いる。集電体となる古河サーキットフォイル社製の粗面化銅箔厚さ18μm、幅200mmを基板21として用い、集電体の両面上にそれぞれシリコン酸化物多層薄膜を厚さ15μmに真空蒸着法によって形成する。排気ポンプ35として口径14インチの油拡散ポンプを2台備えた、容積0.4m3の真空槽22を0.002Paまで排気した後に、成膜材料であるシリコンを溶解する。シリコンの溶解は日本電子社製の270度偏向型電子ビーム蒸発源成膜源19を用いて行う。加速電圧-10kV、エミッション電流950mAの電子ビームを溶融シリコンに照射し、発生した蒸気を基板21に差し向ける。基板21は10°Cの冷却水によって冷却されている冷却体1から約0.5mmの位置を移動しており、冷却体1に沿って移動中にシリコン薄膜が形成される。基板21の幅方向の冷却体1の長さは90mmである。冷却体1の構造は、図10を参照して先に説明した通りである。シリコン薄膜の成膜幅が180mmとなるように、メタルマスク25開口長は各150mmを基板21から約2mmの位置に設置する。また、基板21の成膜面側に設置した反応ガスノズルからメタルマスク25の開口部31に酸素ガスを差し向ける。これによって基板21上にシリコン酸化物薄膜が形成される。一回の走行で基板21の両面に膜厚1μm程度のシリコン薄膜が一層ずつ形成される。往復走行しながら成膜を15回繰り返すことによって、約15μmのシリコン酸化物薄膜を形成できる。基板21の両面への各層の形成は、例えば、平均エミッション電流950mA、基板搬送速度3.6m/分、平均成膜速度200nm/秒で行う。この時冷却ガスとしてアルゴンガス9sccmを、冷却体1と基板21との間に導入する。また、成膜反応用ガスとして、反応ガスノズルから酸素ガスを各開口部31に向けてそれぞれ30sccm導入する。ブローローラ80図3に示すブローローラ6aに対応は、基板21の片面第一面にシリコン薄膜が形成された後、他面第二面への成膜が行われる前の搬送経路に設置される。ブローローラ80に関して、第1シェル51を直径250mm、軸方向長さ400mm、肉厚4mm、貫通孔13を直径1mm、孔ピッチAを20度、孔ピッチBを25mmで9列構成、第1シェル51と第2シェル58との間隔を100μm、隙間部15における第2シェル58と内ブロック65との間隔を100μmに設定する。内ブロック65のマニホールド14を9分割し、ガス流路16からの冷却ガスとして酸素ガスを全てのマニホールド14にほぼ均等に合計200sccm、中央部の5つのマニホールド14にヘリウムガスを合計50sccm導入する。また、第1シェル51の外周面から200μmの位置に平均厚み5mmのアルミブロックガス漏れ削減部材を配置する。これによって基板21の各面への成膜開始時における基板21の温度をほぼ同一にすることができる。また、別のブローローラ80図3のブローローラ6bに対応は、基板21の各走行において、成膜の完了後、巻き芯ローラ26に至るまでの間に設置されている。これによって、巻き取り時の基板21の温度を常温近くにすることができる。巻き取り時の基板21の温度を常温近傍とすることによって、巻き取り時の基板21の熱変形に起因する皺の発生を防ぎ、また巻き取り後の基板21の収縮による、巻き締まりの現象を防止することができる。ブローローラ80に関して、第1シェル51を直径200mm、軸方向長さ400mm、肉厚3mm、貫通孔13を直径1mm、孔ピッチAを15度、孔ピッチBを25mmで9列構成、第1シェル51と第2シェル58との間隔を100μm、隙間部15における第2シェル58と内ブロック65との間隔を60μmに設定する。内ブロック65のマニホールド14を9分割し、ガス流路16からの冷却ガスとして酸素ガスを全てのマニホールド14にほぼ均等に合計100sccm、中央部の5つのマニホールド14にヘリウムガスを合計40sccm導入する。ブローローラ80の第2シェル58には、図示しないタイミングプーリーが設置されており、タイミングプーリーはタイミングベルトとモーターとによって駆動される。第2シェル58の角速度は、例えば、第1シェル51と同じ直径を有するローラが基板21の搬送速度と等しい速度で回転するための角速度に等しい。以上に説明したブローローラ70又は80によれば、基板21の幅方向に複数のマニホールド14が形成されている。そのため、冷却強度をガス導入量やガス種によって基板21の幅方向で調整できる。ブローローラ80は、内ブロック65、第1シェル51及び第2シェル58で構成されているので、加工精度を確保しやすい。また、第1シェル51及び第2シェル58がそれぞれベアリング機構で支持されているので、基板21の張力による、隙間部15の径方向の寸法の変化を小さくすることができる。そのため、幅広の基板21を用い、かつ冷却ガスの導入量を少なくしても、第1シェル41又は51と基板21との間のガス圧を高くすることができる。さらに、第2シェル58の導入と駆動により第1シェル51による基板21の擦過傷を防止することができる。従って、真空度の悪化を抑えてガス冷却が可能なガス冷却ローラをコンパクトに実現することができる。すなわち、ガス冷却ローラを用いたときの真空度悪化を抑え、基板21の効率的冷却が可能な成膜装置をコンパクトに実現することができる。第4変形例に係るブローローラ巻き取り式の薄膜製造において、生産性を高めるために、基板の搬送速度が高速になると、基板と搬送ローラとの間で速度差が生じた場合及びローラの表面が平滑でない場合に基板に擦過傷が入る場合がある。従って、ガス冷却を用いて基板を冷却する場合に基板の機械的ダメージ無く冷却可能なことが望まれている。また、巻き取り式の薄膜製造に使用するガス冷却の機器は加工精度を確保することが容易なことが望まれる。以下に説明する第4変形例は、上記の問題点を解決するもので、幅広の基板の冷却に適合するガス冷却を、真空度の悪化及び基板のダメージを抑制しつつ実現する。第4変形例に係るブローローラの概要は以下の通りである。図4~図9を参照して説明したブローローラにおいて、第1シェルと内ブロックとの間に配置され、マニホールドから第1シェルの複数の第1貫通孔にガスを導く複数の第2貫通孔を有する円筒形の第2シェルがさらに設けられていてもよい。本構成によって、基板と第1シェルとが触れている部分にガスを集中的に導く構造を内ブロックと第1シェルとで形成することができる。基板にダメージを与えずガスを第1シェルと基板との間に導く構造を第2シェルと第1シェルとで形成することができる。また、内ブロックを固定する支持体と、第2シェルと支持体とをベアリングを介して接続する第1接続機構と、第1シェルと第2シェルとベアリングを介して接続する第2接続機構とが設けられていてもよい。本構成によって、第2シェルの駆動が可能となり、第1シェルによる基板の擦過傷を防止することができる。また、支持体は、マニホールドと連通するガス流路を有していてもよい。ガス流路を介してマニホールドにガスを供給することができる。本構成によって、マニホールドから第1シェルの貫通孔に至る経路に円滑にガスを送ることができる。また、内ブロックが、基板の幅方向に並ぶ複数の分割ブロックを有し、第2シェルが、分割ブロックに対応して並ぶ分割シェルを有していてもよい。本構成によって、幅広の第2シェルを加工容易に得ることができる。好適な態様において、第2シェルの貫通孔が第2シェルの回転に伴って、内ブロックと隙間部とに対向して移動する。基板の無い状態では、マニホールドに対向しているときに第2シェルの貫通孔を外向きに通過するガスの量が、隙間部に対向しているときに第2シェルの貫通孔を通過するガスの量よりも多い。基板のない状態では、第1シェルの貫通孔を通過するガス量は、第1シェルの回転に伴って、抱き角の範囲と、抱き角以外の範囲とで増減する。基板のある状態では、第1シェルは回転に伴い、基板からの受熱と、第2シェルへの放熱を行う。基板のある状態では、第2シェルは回転に伴い、第1シェルからの受熱と、内ブロックへの放熱を周期的に繰り返す。ガスを導入したときの、第1シェルの外周面と基板との間の平均圧力が、大気圧より低い。本構成によって、ガス冷却における冷却ガスを効率的に用いることができる。また、第1シェルの外周面と基板との間隔の変化が、ガス導入の有無で100μm以下であってもよい。本構成によって、基板の冷却を効率良く行うことができる。好適な態様において、第1シェルの外周面と基板との間の平均圧力による浮力が、基板の搬送張力による、第1シェルへの垂直抗力よりも小さい。本構成によって、基板の浮き上がりを防止し、基板の冷却を効率良く行うことができる。また、第2シェルが第1シェルと独立して回転可能であってもよい。本構成によって、第2シェルを駆動した際の、第1シェルによる基板の擦過傷を軽減することができる。また、第1シェルの回転に伴って、第1シェルの貫通孔が第2シェルの貫通孔と対向可能であってもよい。本構成によって、冷却ガスを効率良く第1シェルと基板との間に保持することができる。また、貫通孔が第1シェルの周方向に均等に配置されており、かつ貫通孔の列が隣接する貫通孔の別の列と位相ずれの関係にあってもよい。本構成によって、冷却強度の変動を小さくすることができる。また、貫通孔が第2シェルの周方向に均等に配置されており、かつ貫通孔の列が隣接する貫通孔の列と位相ずれの関係にあってもよい。本構成によって、冷却強度の変動を小さくすることができる。次に、図面を参照しつつ、第4変形例に係るブローローラを説明する。実施形態及び先の変形例で説明した部材と同一の部材には同一の参照符号を付し、その説明を省略する。図14は、第4変形例に係るブローローラの縦断面図である。図14に示すように、ブローローラ90は、第1シェル51、第2シェル72、内ブロック12、支持体17、第1ベアリング54及び第2ベアリング55を備えている。すなわち、ブローローラ90は、第3変形例のブローローラ80と共通する構造2重シェル構造を有している。従って、ブローローラ80に関する説明は、ブローローラ90に援用できる。同様に、ブローローラ90に関する説明は、ブローローラ80に援用できる。ただし、ブローローラ90は、ブローローラ80のような幅方向の分割構造を有しておらず、比較的簡素である。支持体17には、内ブロック12が固定されている。支持体17は、真空槽22の外部からマニホールド14にガスを導入するためのガス流路16を有する。第1ベアリング54は、第2シェル72を支持体17に回転可能に接続している。第2ベアリング55は、第1シェル51を第2シェル72に回転可能に接続している。第1シェル51及び第2シェル72は、互いに独立して回転可能である。第1シェル51の回転軸Oは、第2シェル72の回転軸Oに一致している。ただし、第1シェル51と第2シェル72とが同軸であることは必須でない。第2シェル72は、円筒形の外周面を有する。第2シェル72に複数の第2貫通孔43が形成されている。複数の第2貫通孔43は、i第2シェル72の回転軸Oに平行な幅方向の所定位置において周方向に沿って設けられた第1グループと、ii幅方向に関して所定位置に隣接した位置において周方向に沿って設けられた第2グループと、を構成している。第1グループに属する複数の第2貫通孔43と、第2グループに属する複数の第2貫通孔43とが、互い違いの配列を形成していてもよい。このことは、図8を参照して説明した通りである。ブローローラ90をさらに詳しく説明する。ブローローラ90は基板21と同期して回転する第1シェル51と、基板21と同期回転しない内ブロック12とを有する。第1シェル51には貫通孔13第1貫通孔が複数形成されている。第1シェル51と内ブロック12との間には、第2シェル72が配置されている。第1シェル51と第2シェル72との間に空間が形成され、第2シェル72と内ブロック12との間に空間が形成されている。第2シェル72には複数の貫通孔43第2貫通孔が形成されている。中空円柱の第1シェル51の中空部分に第2シェル72が配置されている。また、中空円柱の第2シェル72の中空部分に内ブロック12が配置されている。第1シェル51の直径は例えば40~1000mmである。第1シェル51が大きい方が冷却能力は得やすいが、大きすぎると真空槽22の中で占有する体積が大きくなり、成膜装置20Aが大型化して設備コストが増大するおそれがある。また、直径が大きい程、熱膨張による変形の絶対値が大きくなるので、第1シェル51の軸方向長さが長い場合に第2シェル72との隙間精度を維持することが困難になる。一方、第1シェル51の直径が小さくなると第1シェル51の内面の研削加工精度を確保することが困難となる。第1シェル51の軸方向長さは、安定走行のために基板21の幅より長く設定されている。第1シェル51の幅は、例えば100~800mmである。また、貫通孔13が形成されている領域における第1シェル51の肉厚は例えば2~15mmである。肉厚が薄いと基板21に付与された張力によって第1シェル51の変形がおきやすく、第1シェル51が厚いと、貫通孔13を形成するための加工が難しくなる。第1シェル51における貫通孔13の配列、寸法等は、図4を参照して説明した通りである。第2シェル72の直径は例えば35~990mmである。第2シェル72が大きい方が冷却能力は得やすいが、大きすぎると真空槽22の中で占有する体積が大きくなり、成膜装置20Aが大型化して設備コストが増大する。また、直径が大きい程、熱膨張による変形の絶対値が大きくなるので、第2シェル72の軸方向長さが長い場合に内ブロック12との隙間精度を維持することが困難になる。一方、第2シェル72の直径が小さくなると第2シェル72の内面の研削加工精度を確保することが困難となる。第2シェル72の軸方向長さは、基板21の幅に応じて例えば100~800mmである。また、貫通孔43が形成されている領域における第2シェル72の肉厚は例えば2~15mmである。肉厚が薄いと第2シェル72の変形がおきやすく、第2シェル72が厚いと、貫通孔43を形成するための加工が難しくなる。第1シェル51の貫通孔13と同様、第2シェル72の貫通孔43の直径、回転方向の孔ピッチC図4の孔ピッチAに対応及び軸方向の孔ピッチD図4の孔ピッチBに対応は、基板21の冷却条件や真空度条件に応じて適宜設定される。貫通孔43の直径は、例えば1~10mmである。貫通孔43の直径が大きすぎると冷却ガスの漏れが大きくなり、逆に貫通孔43の直径が小さくなると、貫通孔43を形成するための加工が困難になる。孔ピッチCは例えば10~50mmである。孔ピッチCは、また、回転方向の角度ピッチに換算して、例えば5~30度程度であってもよい。孔ピッチCが小さいと孔加工の数が増えて設備コストが増大する。孔ピッチCが大きすぎると第2シェル72の回転位置による圧力変動が大きくなり、冷却能力の均一性が低下する。孔ピッチDは例えば10~200mmである。孔ピッチDは第2シェル72の軸方向幅方向に均一ピッチである必要はなく、基板21の温度と冷却の状態に応じて適宜調整することができる。孔ピッチDが小さいと孔加工の数が増えて設備コストが増大するが、孔ピッチDが大きすぎると、幅方向の冷却能力の均一性が低下する。第1シェル51の貫通孔13の孔ピッチBと、第2シェル72の貫通孔43の孔ピッチDは必ずしも同じである必要はない。しかし、孔ピッチBと孔ピッチDを同一とすると、以下の利益が得られる。すなわち、第1シェル51と第2シェル72が相対的に回転したときに、第1シェル51の径方向に関して、第1シェル51の貫通孔13が第2シェル72の貫通孔43に重なる。この場合、内ブロック12のマニホールド14から第2シェル72の貫通孔43を介して第1シェル51の貫通孔13にガスを効率良く流し易い。これにより、より少ない冷却ガス量で基板21の冷却が可能となる。第2シェル72と内ブロック12との間にはガスが導入されるマニホールド14と、マニホールド14以外に設定された隙間部15とが形成されている。隙間部15は、第2シェル72と第1シェル51との間にも形成されている。マニホールド14は第2シェル72と内ブロック12との間に形成された中空空間である。内ブロック12によって複数のマニホールド14が形成されていてもよい。マニホールド14は例えば内ブロック12の一部をくり抜いて形成され、第2シェル72の貫通孔43、第1シェル51の貫通孔13及び内ブロック12を支持する支持体17のガス流路16ガス導入ポートにつながっている。支持体17と内ブロック12は一体構造であってもよい。支持体17のガス流路16から導入された冷却ガスがマニホールド14及び貫通孔43を介して貫通孔13に供給される。マニホールド14における第2シェル72と内ブロック12との間隔を例えば5mm以上とすることにより、冷却ガスを高コンダクタンスで貫通孔43に導くことができる。また、マニホールド14を複数形成し、必要に応じて各マニホールド14の形状を変えることで、ガス流路16から、マニホールド14、第2シェル72の貫通孔43、第1シェル51の貫通孔13に至るガス経路のコンダクタンスを独立に設定することができる。これによって、基板21の幅方向のガス冷却の強度を変化させることが可能となる。例えば、真空プロセスを用いた薄膜の形成において、基板21の幅方向の中央部が受ける熱負荷は、基板21の幅方向の端部が受ける熱負荷よりも大きい場合が多い。これは薄膜の膜厚が均等であってもなお、基板21の中央部付近では輻射熱に起因する熱負荷が端部に比べて大きいからである。このような場合に、ブローローラ90のマニホールド14から貫通孔43及び貫通孔13を介した冷却用ガスの噴出が、基板21の中央部で相対的に多くなり、基板21の端部で相対的に少なくなるように、複数のマニホールド14のコンダクタンス設計を行ってもよい。このようにすれば、基板21が受ける熱負荷に応じて冷却強度を変化させることができる。基板21の幅方向の温度分布を小さくし、基板21の熱たわみ等を軽減することができる。ブローローラ90が複数のマニホールド14を有している場合、図11を参照して説明したように、ガス流路16が複数の流路で構成されていてもよい。隙間部15における第2シェル72と内ブロック12との間隔は、マニホールド14に比べて小さく設定され、例えば30μm~200μmである。間隔が大きすぎると隙間部15を介した貫通孔13からの冷却ガス漏れが多くなり、真空度が悪化する。間隔が小さすぎると、加工精度や、熱膨張による変形等によって、第2シェル72と内ブロック12とが接触し、回転異常やブローローラ90の損傷を発生するリスクが高まる。隙間部15における第1シェル51と第2シェル72との間隔は、例えば30μm~200μmである。第1シェル51の回転軸Oと第2シェル72の回転軸は必ずしも一致していなくともよい。例えば、抱き角の範囲での第1シェル51と第2シェル72との間隔が、抱き角の範囲外での第1シェル51と第2シェル72との間隔よりも若干広めになるような設定が可能である。間隔が大きすぎると抱き角の範囲外の貫通孔13からの冷却ガス漏れが多くなり、真空度が悪化する。間隔が小さすぎると、加工精度や、熱膨張による変形等によって、第1シェル51と第2シェル72とが接触し、回転異常やブローローラ80の損傷を発生するリスクが高まる。マニホールド14は、抱き角の範囲の内側に設定されている。これによって、マニホールド14を介して貫通孔13から放出される冷却ガスを第1シェル51と基板21との間に閉じこめやすくなる。さらに好ましくは、抱き角の範囲の両側から孔ピッチA以上内側に入った範囲にマニホールド14を設定する。このようにすれば、マニホールド14を介して貫通孔13から放出される冷却ガスを第1シェル51と基板21との間にさらに閉じこめやすくなる。ブローローラ90の内ブロック12を軸方向に分割すると、図15に示すブローローラ190が得られる。なお、内ブロックの分割構造については、第1変形例及び第2変形例で詳細に説明した通りである。第1シェル51と第2シェル72とは、ベアリング55を介して回転可能に接続されている。これによって、第2シェル72を駆動回転して、第1シェル51により基板21に擦過傷を生じることを防止することができる。ブローローラ80と同様に、ブローローラ90の支持体17に水流路66冷媒流路が設けられていてもよい。以上のようなブローローラ90の構造により、第1シェル51の貫通孔13は第1シェル51の回転に伴って、第2シェル72を介して、マニホールド14及び隙間部15に対向して移動する。ガス流路16から貫通孔13に至るコンダクタンスは、マニホールド14を経由した場合の方が、隙間部15を経由した場合に比べてはるかに大きい。そのため、基板21の無い状態では、マニホールド14に対向しているときに貫通孔13を外向きに通過する冷却ガスの量は、隙間部15に対向しているときに貫通孔13を通過する冷却ガスの量よりも多い。従って、抱き角の範囲の貫通孔13から効率的に冷却ガスを放出することができるので、第1シェル51と基板21との間の冷却ガス圧を高くすることができる。基板21のある状態では、抱き角の範囲で第1シェル51と基板21との間に高圧力の冷却ガスが存在するので、第1シェル51は基板21から効率的に受熱することができる。一方、抱き角の範囲外では第1シェル51は第2シェル72を介して内ブロック12に近接し、かつ第1シェル51と内ブロック72との間に冷却ガスが保持されている。そのため、第1シェル51は第2シェル72を介して内ブロック12によって効率的に冷却される。このように第1シェル51の回転に伴い、第1シェル51は基板21の冷却と、内ブロック12への放熱を周期的に繰り返すので、安定した冷却動作を長時間にわたって発揮できる。冷却ガスを導入したときの、第1シェル51の外周面と基板21との間の平均圧力は、大気圧より低いことが好ましい。第1シェル51の外周面と基板21との間から漏れ出す冷却ガスの量を少なくできるので、排気ポンプ35の負荷を小さくすることができる。また、ガスの導入量が少ないので、第1シェル51の外周面と基板21との間の平均圧力による浮力は、基板21の搬送張力による、基板21のブローローラ90への垂直抗力よりも小さい。そのため、通常第1シェル51の外周面と基板21との間隔の変化は、ガス導入の有無で100μm以下である。基板21の浮き上がりを防止し、基板21の冷却を効率良く行うことができる。第1シェル51と内ブロック12との間に第2シェル72を配置した本変形例の構成によって、基板21の擦過傷の防止と、冷却ガスの導入量を少なくしてもブローローラ90と基板21との間のガス圧を高くすることが可能なガスの吹き出し方向の制御とを両立することができる。また、冷却機能をコンパクトに実現できるので、設備の大型化、高コスト化を抑制することができる。図1に示す成膜装置20Aのブローローラ6に代えて、ブローローラ90を好適に使用できる。例えば、ブローローラ90に関して、第1シェル51を直径110mm、幅120mm、肉厚6.5mm、貫通孔13を直径1mm、孔ピッチAを20度、孔ピッチBを19mmで5列構成、第2シェル72の肉厚6mm、貫通孔43を直径3mm、孔ピッチCを15度、孔ピッチDを19mmで5列構成、隙間部15における第1シェル51と第2シェル72との間隔を120μm、第2シェル72と内ブロック12との間隔を100μmに設定する。内ブロック12のマニホールド14を5分割し、ガス流路16からの冷却ガスとしてヘリウムガスを両端のマニホールド14に合計20sccm、中央部の3つのマニホールド14に合計53sccm導入すると、ガス流路16からのガス導入をせずに、真空槽22の全体が100Paとなるようにヘリウムガスを導入した場合と同等のガス冷却能力が得られる。熱伝達係数は、ブローローラ90の表面を走行中の基板21の温度を、熱電対等を用いて測定し、移動時間と基板21の温度の変化とから算出することができる。ガス冷却による熱伝達係数は基板21の種類にもよるが、例えば0.003W/cm2/Kである。例えばこの場合、真空槽22の一部に差圧構造を導入するだけでは、ヘリウムガス導入量は約680sccmが必要である。ブローローラ90によって、必要なガス導入量は1/9程度にまで低減することができる。また、基板21の中央部での冷却を強化することができ、基板21の変形を効果的に抑制できる。また、第2シェル72の端部にタイミングプーリーや歯車等を設置し、第2シェル72を回転駆動させることができる。第2シェル72が回転することによって、ベアリング55で第2シェル72に連結されている第1シェル51も回転する。例えば、第1シェル51の外周面の速度がキャン27の外周面の速度と同じになる回転数で第2シェル72を回転駆動させる。これにより、基板21の張力で基板21を駆動源にして第1シェル51を回転させる必要がなくなるので、第1シェル51によって基板21が擦過傷を受けるのを防止することができる。ブローローラ90を用いた薄膜の製造をさらに具体的に説明する。例えば、図2を参照して説明した成膜装置20Bのブローローラ6に代えて、ブローローラ90を用いる。集電体となる古河サーキットフォイル社製の粗面化銅箔厚さ18μm、幅100mmを基板21として用い、集電体の両面上にそれぞれシリコン多層薄膜を厚さ8μmに、真空蒸着法によって形成する。排気ポンプ35として口径14インチの油拡散ポンプを2台備えた、容積0.4m3の真空槽22を0.002Paまで排気した後に、成膜材料であるシリコンを溶解する。シリコンの溶解は日本電子社製の270度偏向型電子ビーム蒸発源成膜源19を用いて行う。加速電圧-10kV、エミッション電流520~700mAの電子ビームを溶融シリコンに照射し、発生した蒸気を、キャン27に沿って走行中の基板21に差し向ける。シリコン薄膜の成膜幅が85mmとなるように、図示しないメタルマスク開口長は各100mmを基板21から約2mmの位置に設置する。搬送系50Bは、基板21の往復走行が可能となるように構成されている。一回の走行で基板21の両面に膜厚0.5μm程度のシリコン薄膜が一層ずつ形成される。往復走行しながら成膜を16回繰り返すことによって、約8μmのシリコン薄膜を形成できる。基板21の両面への各層の形成は、例えば、平均エミッション電流600mA、基板搬送速度2m/分、平均成膜速度80nm/秒で行う。ブローローラ90図2のブローローラ6aに対応は基板21の片面第一面にシリコン薄膜が形成された後、他面第二面への成膜が行われる前の搬送経路に設置される。ブローローラ90に関して、第1シェル51を直径120mm、軸方向長さ120mm、肉厚4mm、貫通孔13を直径1mm、孔ピッチAを20度、孔ピッチBを15mmで5列構成、第2シェル72を肉厚4mm、貫通孔43を直径2mm、孔ピッチCを10度、孔ピッチDを15mmで第1シェル51と同じ位置に5列構成、第1シェル51と第2シェル72との間隔を120μm、隙間部15における第1シェル51と内ブロック12との間隔を80μmに設定する。ガス流路16からの冷却ガスとしてアルゴンガスをマニホールド14の7箇所のポートに合計80sccm導入する。また、第2シェル72の端部に設けたタイミングプーリーに、図示しない駆動源からタイミングベルトによって駆動力を与え、毎分5回転で回転駆動させる。これによって第1シェル51もまた、ベアリング55を介してキャン27とほぼ等速で回転するので第1シェル51との摺動によって基板21に擦過傷が発生しない。成膜装置20Bにおいて、ブローローラ90とブローローラ80図13とを併用してもよい。ブローローラ80図2のブローローラ6bに対応は、基板21の各走行において、成膜の完了後、巻き芯ローラ26に至るまでの間に設置されている。これによって、巻き取り時の基板21の温度を常温近くにすることができる。巻き取り時の基板21の温度を常温近傍とすることによって、巻き取り時の基板21の熱変形に起因する皺の発生を防ぎ、また巻き取り後の基板21の収縮による、巻き締まりの現象を防止することができる。ブローローラ80の第1シェル51は5つの第1分割シェルに分割されていてもよい。例えば、第1シェル51に関して、直径80mm、軸方向長さ120mm、肉厚3mm、貫通孔13を直径1mm、孔ピッチAを15度、孔ピッチBを15mmで5列構成とする。第2シェル58も例えば5つの第2分割シェルに分割されていてもよい。第2シェル58に関して、肉厚5mm、貫通孔43を直径4mm、孔ピッチCを15度、孔ピッチDを15mmで第1シェル51と同じ位置に5列構成、第1シェル51と第2シェル58との間隔を100μm、隙間部15における第2シェル58と内ブロック65との間隔を50μmに設定する。内ブロック58のマニホールド14は5分割されており、ガス流路16からの冷却ガスとしてアルゴンガスを両端のマニホールド14に合計14sccm、中央部の3つのマニホールド14に合計36sccm導入する。次に、図15に示すブローローラ190は、図14に示すブローローラ90の内ブロック12を図11に示す分割された内ブロック62に置き換えたものである。このブローローラ190を成膜装置20Cに適用できる。すなわち、図3に示すブローローラ6に代えて、ブローローラ190を用いる。以下、ブローローラ80とブローローラ190とを併用した例を説明する。集電体となる古河サーキットフォイル社製の粗面化銅箔厚さ18μm、幅200mmを基板21として用い、集電体の両面上にそれぞれシリコン酸化物多層薄膜を厚さ15μmに真空蒸着法によって形成する。排気ポンプ35として口径14インチの油拡散ポンプを2台備えた、容積0.4m3の真空槽22を0.002Paまで排気した後に、成膜材料であるシリコンを溶解する。シリコンの溶解は日本電子社製の270度偏向型電子ビーム蒸発源成膜源19を用いて行う。加速電圧-10kV、エミッション電流950mAの電子ビームを溶融シリコンに照射し、発生した蒸気を基板21に差し向ける。基板21は10°Cの冷却水によって冷却されている冷却体1から約0.5mmの位置を移動しており、冷却体1に沿って移動中にシリコン薄膜が形成される。基板21の幅方向の冷却体1の長さは90mmである。冷却体1の構造は、図10を参照して先に説明した通りである。シリコン薄膜の成膜幅が180mmとなるように、メタルマスク25開口長は各150mmを基板21から約2mmの位置に設置する。また、基板21の成膜面側に設置した反応ガスノズルからメタルマスク25の開口部31に酸素ガスを差し向ける。これによって基板21上にシリコン酸化物薄膜が形成される。一回の走行で基板21の両面に膜厚1μm程度のシリコン薄膜が一層ずつ形成される。往復走行しながら成膜を15回繰り返すことによって、約15μmのシリコン酸化物薄膜を形成できる。基板21の両面への各層の形成は、例えば、平均エミッション電流950mA、基板搬送速度3.6m/分、平均成膜速度200nm/秒で行う。この時冷却ガスとしてアルゴンガス9sccmを、冷却体1と基板21との間に導入する。また、成膜反応用ガスとして、反応ガスノズルから酸素ガスを各開口部31に向けてそれぞれ30sccm導入する。ブローローラ80図3に示すブローローラ6aに対応は基板21の片面第一面にシリコン薄膜が形成された後、他面第二面への成膜が行われる前の搬送経路に設置される。ブローローラ80に関して、第1シェル51を分割無しの直径250mm、軸方向長さ400mm、肉厚4mm、貫通孔13を直径1mm、孔ピッチAを20度、孔ピッチBを25mmで9列構成、第2シェル58を9分割、肉厚3mm、貫通孔43を直径7mm、孔ピッチCを10度、孔ピッチDを25mmで第1シェル51の孔ピッチBの中間に8列構成、第1シェル51と第2シェル58との間隔を200μm、隙間部15における第2シェル58と内ブロック65との間隔を100μmに設定する。内ブロック65のマニホールド14を9分割し、第1ガス流路7からの冷却ガスとして酸素ガスを全てのマニホールド14にほぼ均等に合計200sccm導入し、第2ガス流路8を用いて中央部の5つのマニホールド14にヘリウムガスを合計50sccm導入する。また、第1シェル51の外周面から200μmの位置に平均厚み5mmのアルミブロックガス漏れ削減部材を配置する。これによって基板21の各面への成膜開始時における基板21の温度をほぼ同一にすることができる。また、ブローローラ190図3のブローローラ6bに対応は、基板21の各走行において、成膜の完了後、巻き芯ローラ26に至るまでの間に設置されている。これによって、巻き取り時の基板21の温度を常温近くにすることができる。巻き取り時の基板21の温度を常温近傍とすることによって、巻き取り時の基板21の熱変形に起因する皺の発生を防ぎ、また巻き取り後の基板21の収縮による、巻き締まりの現象を防止することができる。ブローローラ190の第1シェル51は分割無しの直径200mm、軸方向長さ400mm、肉厚3mm、貫通孔13を直径1mm、孔ピッチAを15度、孔ピッチBを25mmで9列構成、第2シェル72を分割無し、肉厚4mm、貫通孔43を3mm、孔ピッチCを5度、孔ピッチDを25mmで第1シェル51の孔ピッチBの中間に8列構成、第1シェル51と第2シェル72との間隔を100μm、隙間部15における第2シェル72と内ブロック62との間隔を60μmに設定する。内ブロック62のマニホールド14を9分割し、ガス流路16第1ガス流路7及び第2ガス流路8を含むからの冷却ガスとして酸素ガスを全てのマニホールド14にほぼ均等に合計100sccm、中央部の5つのマニホールド14にヘリウムガスを合計40sccm導入する。ブローローラ80の第2シェル58及びブローローラ190の第2シェル72にはそれぞれ図示しないタイミングプーリーが設置されている。タイミングプーリーはタイミングベルトとモーターとによって駆動される。第2シェル58の角速度は、例えば、第1シェル51と同じ直径を有するローラが基板21の搬送速度と等しい速度で回転するための角速度に等しい。第2シェル190の角速度は、例えば、第1シェル51と同じ直径を有するローラが基板21の搬送速度と等しい速度で回転するための角速度に等しい。本発明を実施するための形態として上記に具体的に述べたが、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明は、外シェル第1シェル、内ブロック、マニホールド及び隙間部を備えたブローローラを用いた薄膜の製造を包含する。さらに、外シェルと基板との間に効率的に冷却ガスを送り込み、外シェルの回転に伴い、基板からの受熱と、内ブロックへの放熱とを周期的に繰り返すことによって基板を冷却する技術を包含する。また、具体的な適用例として、実施形態では、リチウムイオン二次電池用負極を形成する場合を中心に述べたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、類似の構成で電気化学キャパシタ用の極板を形成することもできる。その他、透明電極フィルム、コンデンサ、装飾フィルム、太陽電池、磁気テープ、ガスバリア膜、各種センサ、各種光学膜、硬質保護膜等をはじめとする高速安定成膜が要求される様々な用途に本発明を適用することができる。また、各種デバイスの形成を行う薄膜の製造装置に本発明を応用することができる。