"基板上にターゲット金属を有する放射線透過型ターゲットであって、前記基板の前記ターゲット金属を有する面とは反対側の面に帯電防止部を有することを特徴とする放射線透過型ターゲット。前記基板は炭素もしくは炭素の化合物からなることを特徴とする請求項1に記載の放射線透過型ターゲット。前記ターゲット金属はタングステン、タンタル、白金またはこれらとレニウムを含む合金からなることを特徴とする請求項1または2に記載の放射線透過型ターゲット。前記帯電防止部はハフニウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金、チタン、鉛、ビスマスまたはこれらの合金からなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の放射線透過型ターゲット。絶縁管の一端に陰極、他端に陽極を備えて内部が密閉された外囲器と、前記外囲器内に配置された電子源と、前記陽極に電気的に接続され、前記電子源から放出された電子の照射により放射線を発生させるターゲット金属を有するターゲットと、を有する透過型放射線管であって、前記ターゲットが、ターゲット金属が電子源と対向するように配置された、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の放射線透過型ターゲットであることを特徴とする透過型放射線管。請求項5に記載の透過型放射線管を備えた放射線発生装置と、前記放射線発生装置から放出され被検体を透過した放射線を検出する放射線検出器と、を備えたことを特徴とする放射線撮影装置。しかしながら、特許文献1は、帯電防止に関して、以下のような課題があった。すなわち、X線透過窓の基板の内面にターゲット金属以外の金属からなる帯電防止膜を形成し、その帯電防止膜上にターゲット金属を蒸着したものであるから、X線透過窓の基板の内面は帯電防止膜による帯電を防ぐことができる。しかし、外面つまりX線透過窓のターゲット材料形成面と反対側の面はX線透過窓の基板であるセラミックまたはガラスの絶縁表面が露出している。そのため、ターゲット基板に衝突した電子、或いは放出電子によりイオン化した正イオンがターゲット基板に付着することにより帯電を引き起こす。その結果、帯電による電位上昇によって放電を引き起こしたり、ターゲット基板の帯電により安定動作が妨げられたりと課題となっていた。本発明は、上記課題を解決し、帯電防止が図られ、安定動作できる放射線管を提供することを目的とする。本発明の放射線透過型ターゲットは、基板上にターゲット金属を有する放射線透過型ターゲットであって、前記基板の前記ターゲット金属を有する面とは反対側の面に帯電防止部を有することを特徴とする。本発明によれば、基板のターゲット金属形成面と反対側の面の帯電を有効に防止でき、放射線管の安定した動作を確保することができる。以下、図面を参照して本発明の放射線透過型ターゲット及びこれを用いた透過型放射線管の好適な実施形態をX線管を例にとり説明する。但し、以下の実施形態に記載されている構成部材の材質、寸法、形状、相対配置等は、特に記載がない限り本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図1は本実施形態のX線管の構成図であり、図1aは本実施形態のX線管を陰極、陽極、絶縁管、電子源及びターゲットを含む平面で切断したときの断面模式図であり、図1bは図1aにおけるターゲット周辺部の拡大図である。X線管1は、筒形の絶縁管4の一端に陰極2、他端に陽極3を備えて内部が密閉された外囲器と、外囲器内に配置された電子源5と、陽極3に配置されたターゲット11とからなる真空管である。電子源5は、電子を放出する電極である。電子源5には電子放出素子として冷陰極、熱陰極のいずれも用いることができるが、本実施形態のX線管1に適用する電子源5としては、大電流を安定して取り出せる含浸型カソード熱陰極を好適に用いることができる。含浸型カソードは、電子放出部エミッタ近傍のヒーターに通電することによりカソードの温度を上昇させて電子を放出する。グリッド電極6は、電子源5から放出された電子を真空中に引き出すために所定の電圧が印加される電極であり、電子源5から所定の距離だけ離して配置されている。グリッド電極6の形状、孔径、開口率等は、電子線の引き出し効率やカソード近傍の排気コンダクタンスを考慮して決定される。通常、線径50μm程度のタングステンメッシュを好適に用いることができる。集束電極7は、グリッド電極6によって引き出された電子線の広がりビーム径を制御するための電極である。通常、集束電極7には数百V~数kV程度の電圧が印加されてビーム径の調節を行う。電子源5近傍の構造や印加電圧によっては集束電極7を省略し、電界によるレンズ効果のみによって電子線を集束することも可能である。陰極2は絶縁部材8を有する。絶縁部材8には電子源駆動用端子9とグリッド電極用端子10が、陰極2とは電気的に絶縁されるように固定されている。電子源駆動用端子9、グリッド電極用端子10はX線管1内の電子源5、グリッド電極6からX線管1の外部へと引き出されている。集束電極7は陰極2に固定され、陰極2と同電位に規定されている。但し、集束電極7も陰極2と絶縁して別の電位を与えられるようにしても良い。陽極3は、ターゲット11に電気的に接続されている。陽極3とターゲット11の接合は、熱的接合の他、真空の保持を考慮してろう附けや溶接が好適である。通常、陽極3には数十kV~百kV程度の電圧が印加される。電子源5により発生しグリッド電極6により引き出された所定のエネルギーを有する電子線は、集束電極7により陽極3上のターゲット11へと向けられ、陽極3に印加された電圧により加速されてターゲット11に衝突する。電子線の衝突によりターゲット11からX線が発生し全方向に放射される。全方向に放射されたX線のうちターゲット11を透過したX線がX線管1の外部に取り出される。ターゲット11は、図1bに示した様にX線を透過する基板13の電子線照射面電子源と対向する面に、電子線の衝突によってX線を発生するターゲット金属12を有るす。また、ターゲット11は、基板13の電子照射面とは反対側の面に、電位規定構造を有する帯電防止部14を有する。ターゲット金属12は、通常、原子番号26以上の金属からなる薄膜を用いることができる。具体的にはタングステン、モリブデン、クロム、銅、コバルト、鉄、ロジウム、レニウム、タンタル、白金等、又はこれらの合金材料からなる薄膜を好適に用いることができる。これらのうちでも、タングステン、タンタル、白金またはこれらとレニウムを含む合金からなる薄膜をより好適に用いることができる。ターゲット金属12は、高温での化学反応による熱CVD法により、緻密で高純度の組成膜を強い密着力で得ることが出来る。またスパッタリング等の物理成膜によっても、スパッタリングの条件を選択することにより緻密な膜構造を取るように形成することができる。ターゲット金属12の厚さは、加速電圧によって電子線浸入深さ即ちX線発生領域が異なるため最適な値が異なるが、百kV程度の加速電圧を印加する場合には通常、数μm~十μm程度の厚さである。基板13は、X線の透過率が高く、熱伝導率が高く、真空封止に耐える必要があり、ダイヤモンド、炭化ケイ素、炭化アルミ、グラファイト等の炭素もしくは炭素の化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、ベリリウム等を好適に用いることができる。X線の透過率がアルミニウムよりも低く熱伝導率がタングステンよりも高い、ダイヤモンド、窒化アルミ、窒化ケイ素を用いるのがより好ましい。特にダイヤモンドは、他の材料に比べて熱伝導率が極めて高く、X線の透過率も高く、真空を保持しやすいため、より優れている。基板13の厚さは、上記の機能を満足すれば良く、材料によって異なるが、0.1mm以上2mm以下が好ましい。帯電防止部14は、X線の透過率が高い導電性の金属からなれば良く、耐熱性に優れた高融点金属が好ましい。具体的には、タングステン、モリブデン、クロム、銅、コバルト、鉄、ロジウム、レニウム、ハフニウム、タンタル、オスミウム、イリジウム、白金、金、チタン、鉛、ビスマス等、又はこれらの合金材料を用いることができる。好ましくは、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金、チタン、鉛、ビスマスまたはこれらの合金を用いることができる。また、ターゲット金属12と同一金属を用いることが好ましい。帯電防止部14は、図1aに示す様に、例えば熱CVD法やスパッタリング等の物理成膜等によって形成した帯電防止膜であってもよいし、図2に示す様に、例えば金属板を張り付ける等により形成した帯電防止層であってもよい。帯電防止部の厚みは、特に限定されないが、0.05μm以上30μm以下が好ましい。絶縁管4は、ガラスやセラミック等の絶縁部材で形成された絶縁性を有する管であり、筒形の形状を有する。形状に制約は多くないが、小型化や作り易さの観点からすると円筒形が好ましい。角筒形としても良い。絶縁管4の両端はそれぞれ陰極2、陽極3とろう附けや溶接によって接合される。X線管1内の真空度を良くするために加熱排気を行う場合には、陰極2、陽極3、絶縁管4及び絶縁部材8は熱膨張率が近い材料を用いるのが良い。例えば陰極2及び陽極3にはコバールやタングステン、絶縁管4及び絶縁部材8にはホウケイ酸ガラスやアルミナを用いると良い。次に、本発明の放射線撮影装置について説明する。本発明の放射線撮影装置は、透過型放射線管を備えた放射線発生装置と、放射線発生装置から放出され被検体を透過した放射線を検出する放射線検出器とを備える。図1のX線管を用いたX線撮影装置の例を図3を用いて説明する。本実施形態のX線撮影装置は、X線発生装置30、X線検出器31、信号処理部32、装置制御部33、および表示部34を備えており、X線発生装置30は、X線管28と電圧制御部29を備えている。X線発生装置30から放射されたX線は、被検体35を介してX線検出器31に検出され、被検体35のX線透過画像が得られる。X線検出器31は、信号処理部32を介して装置制御部33に接続されている。また、装置制御部33には、表示部34および電圧制御部29が接続されている。装置制御部33は、X線撮影装置における処理を統括制御する。例えば、X線発生装置30とX線検出器31とによるX線撮影を制御する。また例えば、X線発生装置30の駆動を制御し、電圧制御部29を介してX線管28に印加される電圧信号を制御する。撮影されたX線透過画像は表示部34に表示される。以上説明の様に、本実施形態のX線管によれば、電子源5より発生した電子ビームはターゲット金属12、基板13および帯電防止部14を通過して帯電することなく安定して動作する事ができる。更にターゲット金属12で発生したX線は基板13、帯電防止部14を透過し外部に放射され、被検体35を介してX線検出器31に検出される。得られた画像はコントラストのある鮮明なX線画像を得る事が出来る。<実施例1>本実施例のX線管の構成図を図1に示す。図1のX線管の構成の説明は上述のとおりであるため省略する。陰極2及び陽極3にはコバール、絶縁管4及び絶縁部材8にはアルミナを用い、これらを溶接によって接合した。絶縁管4は円筒形とした。電子源5には東京カソード研究所社製含浸型カソードを用いた。このカソードは電子放出部エミッタが含浸された円柱形状をしており、筒形のスリーブ上端に固定されている。スリーブ内にはヒーターが取り付けられており、このヒーターに電子源駆動用端子9より通電することによってカソードが加熱されて電子が放出される。電子源駆動用端子9は絶縁部材8にろう附けした。ターゲット11は、板厚0.5mmのシリコンカーバイド製の基板13の上に、ターゲット金属12として膜厚5μmのタングステン膜が形成されてなる。また、ターゲット金属12を有する面とは反対側の面には帯電防止部14として膜厚0.1μmのタングステン膜が形成されてなる。ターゲット11は陽極3にろう附けした。電子源5とターゲット12の間には電子源5に近い順にグリッド電極6と集束電極7を配置した。グリッド電極6はグリッド電極用端子10から通電され、電子源5から電子を効率良く引き出す。グリッド電極用端子10は電子源駆動用端子9と同様に絶縁部材8にろう附けした。集束電極7は陰極2に溶接し、陰極2と同電位に規定した。集束電極7はグリッド電極6によって引き出された電子線のビーム径を絞り、電子線を効率良くターゲット12に照射する。陰極2、陽極3、および絶縁管4の外径はΦ56mm、集束電極7の外形はほぼ円柱でΦ25mmであり、それぞれの中心を合わせている。絶縁管4の長さは70mmであり、集束電極7は陰極2よりも40mm突き出ているため、集束電極7の端部の絶縁管4への投影位置とは、絶縁管4の内壁に沿って、陰極2から40mmの位置である。絶縁管4は陰極2から20mmのところまで壁厚が10mm、それ以外は壁厚5mmである。上記のように構成されたX線管1は、最後に、加熱しながら、陰極2に溶接された不図示の排気管から排気し、封止される。比較例として、帯電防止部14を有さないターゲット11を用いた以外は本実施例と同様にしてX線管を作製した。上記2つのX線管からX線を発生させた。比較例のX線管は絶縁表面が露出しているのでターゲット11に衝突した電子或いは放出電子によりイオン化した正イオンがターゲット11に付着することにより帯電を引き起こした。その結果、帯電による電位上昇によって放電したり、ターゲット11の帯電により安定動作ができなかった。一方、本実施例のX線管は、帯電防止部14の効果で帯電防止が図られ、安定動作をすることができた。<実施例2>図2に示す様に、ターゲット11の電位規定部14を、膜厚20μmのタングステン材料を張り付けて形成した以外は実施例1と同様にしてX線管を作製した。本実施例のX線管1からX線を発生させたところ実施例1と同様に帯電防止部14の効果で帯電防止が図られ、安定動作をすることができた。よって、本実施例のX線管1は放電させることなく安定動作を実現した。<実施例3>実施例1,2のX線管を搭載したX線発生装置を用いた、図3に示すX線撮影装置により撮影をしたところ、得られた画像はターゲットの帯電による画像の乱れや不安定動作を解消し、鮮明なX線画像を得る事ができた。"