"半導体素子に第1の順方向電流を印加して第1の順方向電圧を測定する工程と、前記半導体素子に前記第1の順方向電流より大きい第2の順方向電流を所定時間印加する工程と、前記所定時間後に、前記半導体素子に前記第1の順方向電流を印加して第2の順方向電圧を測定する工程と、前記第1の順方向電圧と前記第2の順方向電圧との差と、予め定めた規格値とを比較して、前記半導体素子が不良か否かを判定する工程と、を備えることを特徴とする半導体素子の検査方法。前記第2の順方向電流は、前記半導体素子の絶対最大定格順方向電流に略等しいことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の検査方法。前記所定時間は、前記絶対最大定格順方向電流のパルス継続時間に略等しいことを特徴とする請求項2に記載の半導体素子の検査方法。前記第1の順方向電流は、前記半導体素子の定格順方向電流に略等しいことを特徴とする請求項1乃至3に記載の半導体素子の検査方法。半導体素子に印加する順方向電流の大きさを設定する電流制御部と、前記半導体素子の順方向電圧を読み出す電圧読出部と、前記半導体素子に第1の順方向電流を印加したときに読み出される第1の順方向電圧と、前記半導体素子に前記第1の順方向電流より大きい第2の順方向電流を所定時間印加し、前記所定時間後に、前記半導体素子に前記第1の順方向電流を印加したときに読み出される第2の順方向電圧と、の差と、予め定めた規格値とを比較して、前記半導体素子が不良か否かを判定する判定部と、を備えることを特徴とする半導体素子の検査装置。前記第2の順方向電流は、前記半導体素子の絶対最大定格順方向電流に略等しいことを特徴とする請求項5に記載の半導体素子の検査装置。前記所定時間は、前記絶対最大定格順方向電流のパルス継続時間に略等しいことを特徴とする請求項6に記載の半導体素子の検査装置。前記第1の順方向電流は、前記半導体素子の定格順方向電流に略等しいことを特徴とする請求項5乃至7に記載の半導体素子の検査装置。半導体素子に順方向電流を印加する電流源と、前記電流源を制御して、前記半導体素子に印加される順方向電流の大きさを設定する電流制御部と、前記半導体素子の順方向電圧を計測する電圧計と、前記電圧計が示す前記順方向電圧を読み出す電圧読出部と、前記半導体素子に第1の順方向電流を印加したときに読み出される第1の順方向電圧と、前記半導体素子に前記第1の順方向電流より大きい第2の順方向電流を所定時間印加し、前記所定時間後に、前記半導体素子に前記第1の順方向電流を印加したときに読み出される第2の順方向電圧と、の差と、予め定めた規格値とを比較して、前記半導体素子が不良か否かを判定する判定部と、を備えることを特徴とする半導体素子の検査システム。前記第2の順方向電流は、前記半導体素子の絶対最大定格順方向電流に略等しいことを特徴とする請求項9に記載の半導体素子の検査システム。前記所定時間は、前記絶対最大定格順方向電流のパルス継続時間に略等しいことを特徴とする請求項10に記載の半導体素子の検査システム。前記第1の順方向電流は、前記半導体素子の定格順方向電流に略等しいことを特徴とする請求項9乃至11に記載の半導体素子の検査システム。大量の半導体素子のボンディング不良検査を行うためには、短時間で検査を行うことが求められる。また、検査システムが大規模なものであると、検査コストが高くなってしまう。本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、短時間で簡易に半導体素子を検査できる半導体素子の検査方法、検査装置および検査システムを提供するものである。本発明の一態様によれば、半導体素子に第1の順方向電流を印加して第1の順方向電圧を測定する工程と、前記半導体素子に前記第1の順方向電流より大きい第2の順方向電流を所定時間印加する工程と、前記所定時間後に、前記半導体素子に前記第1の順方向電流を印加して第2の順方向電圧を測定する工程と、前記第1の順方向電圧と前記第2の順方向電圧との差と、予め定めた規格値とを比較して、前記半導体素子が不良か否かを判定する工程と、を備えることを特徴とする半導体素子の検査方法が提供される。また、本発明の一態様によれば、半導体素子に印加する順方向電流の大きさを設定する電流制御部と、前記半導体素子の順方向電圧を読み出す電圧読出部と、前記半導体素子に第1の順方向電流を印加したときに読み出される第1の順方向電圧と、前記半導体素子に前記第1の順方向電流より大きい第2の順方向電流を所定時間印加し、前記所定時間後に、前記半導体素子に前記第1の順方向電流を印加したときに読み出される第2の順方向電圧と、の差と、予め定めた規格値とを比較して、前記半導体素子が不良か否かを判定する判定部と、を備えることを特徴とする半導体素子の検査装置が提供される。また、本発明の一態様によれば、半導体素子に順方向電流を印加する電流源と、前記電流源を制御して、前記半導体素子に印加される順方向電流の大きさを設定する電流制御部と、前記半導体素子の順方向電圧を計測する電圧計と、前記電圧計が示す前記順方向電圧を読み出す電圧読出部と、前記半導体素子に第1の順方向電流を印加したときに読み出される第1の順方向電圧と、前記半導体素子に前記第1の順方向電流より大きい第2の順方向電流を所定時間印加し、前記所定時間後に、前記半導体素子に前記第1の順方向電流を印加したときに読み出される第2の順方向電圧と、の差と、予め定めた規格値とを比較して、前記半導体素子が不良か否かを判定する判定部と、を備えることを特徴とする半導体素子の検査システムが提供される。本発明によれば、半導体素子に大きな順方向電流を印加してPN接合の温度を上昇させるため、短時間で簡易に半導体素子の検査を行うことができる。以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。まず、半導体素子としてLEDを例にとって、半導体素子の検査方法の原理について、説明する。図1は、LED100の概略断面図である。LED100は、アノードAを構成するP型半導体100aと、カソードKを構成するN型半導体100bとを有する。P型半導体100aは、例えば窒化ガリウム基板にアクセプタとなる不純物が添加された領域であり、N型半導体100bは、同基板にドナーとなる不純物が添加された領域である。P型半導体100aとN型半導体100bとの界面はPN接合と呼ばれる。カソードKからアノードAへの方向にはほとんど電流は流れないが、アノードAからカソードKへ、すなわち、P型半導体100aからN型半導体100bの方向には順方向電流IFが流れる。順方向電流IFが流れると、LED100はその材料に応じた色で発光する。このときアノードAとカソードKとの間に電位差が生じ、アノードAの電位が高くなる。この電位差を順方向電圧VFと呼ぶ。図2は、LED100の電圧-電流特性を模式的に示す図である。横軸は順方向電圧VFであり、縦軸は順方向電流IFである。曲線G1,G2はそれぞれ、PN接合の温度が常温である場合例えば25°Cおよび高い場合例えば150°Cの特性である。図示のように、一定の順方向電流IF0例えば、定格順方向電流、すなわち、LED100を発光させるための順電圧定格値を常温でLED100の順方向に印加した時に順方向に流れる電流値が印加されていても、PN接合の温度が高いほど、順方向電圧VFは低くなる。以下に説明するように、PN接合の温度によって順方向電圧VFが異なることを利用してLED100が不良か否かを判定できる。LED100等、PN接合を有する半導体素子の熱抵抗θja、すなわち、半導体素子から1Wの熱流を放出するために必要な温度差は、下記1式で表される。θja=Tj-Ta/Pd1ここで、TjはPN接合の温度°C、Taは周囲の温度°CおよびPdは最大許容電力Wである。PN接合の温度Tjを実測するのは困難であるが、PN接合の温度Tjが変化すると、これに比例して順方向電圧VFも変化することが知られている。すなわち、PN接合の温度Tjの変化量をΔTj、順方向電圧VFの変化量をΔVF、Kを比例定数として、下記2式が成立する。K=|ΔTj/ΔVF|2ここで、PN接合の温度Tjの変化を常温から高温とすると、ΔTj=Tj-Taであるので、1,2式より下記3式が成立する。θja=ΔVFK/Pd3すなわち、順方向電圧VFの変化量ΔVFは熱抵抗θjaと比例する。したがって、PN接合の温度を常温から高温に変化させたときの順方向電圧VFの変化量ΔVFが大きいLED100は、熱抵抗が大きい素子であり、不良と判定すべきことが分かる。以下、このことを利用して半導体素子を検査する方法について、説明する。図3は、LED100の検査システムの回路図である。検査システムは、電流源1と、電流計2と、電圧計3と、電流制御部4と、電圧読出部5と、判定部6とを備えている。なお、図3の検査システムの周囲の温度は常温であるとする。電流源1は被検査半導体素子であるLED100に順方向電流IFを印加する。順方向電流IFの大きさは電流制御部4により制御され、負荷であるLED100の抵抗値が多少変動しても一定の順方向電流IFを流すことができる。電流計2は電流源1とLED100との間に接続され、順方向電流IFの大きさを計測する。電圧計3はLED100と並列に接続され、LED100の順方向電圧VFの大きさを計測する。電圧読出部5は電圧計3が示すLED100の順方向電圧VFを読み出す。判定部6は、順方向電圧VFの計測結果に基づいて、LED100が不良か否かを判定する。電流制御部4、電圧読出部5および判定部6は、例えばマイコンに実装され、半導体素子の検査装置を構成する。図4は、LED100の検査手順を示すフローチャートである。また、図5は、LED100の検査において、半導体素子のPN接合に印加する順方向電流IFの大きさと時間との関係を示す図である。予め、電流制御部4が電流源1を制御し、LED100に対して、予め定めた順方向電流IF0第1の順方向電流を印加する図4におけるステップS1。ここで設定される順方向電流IF0は、例えばLED100の定格順方向電流である。次に、図5における時刻t1において、電圧読出部5は電圧計3が示す順方向電圧VF1第1の順方向電圧を読み出す図4におけるステップS2。順方向電流IF0を印加してから、順方向電圧VF1を読み出すまでに要する時間図5における時刻~t1は、例えば5ミリ秒程度の短い時間である。読み出された順方向電圧VF1は、例えば判定部6に記憶される。順方向電圧VF1は図2の常温での順方向電圧VF1に相当する。さらに、図5における時刻t2において、電流制御部4が電流源1を制御し、LED100に対して、順方向電流IF0より大きな順方向電流IFP第2の順方向電流を印加する図4におけるステップS3。順方向電流IFPは、例えばLED100の絶対最大定格順方向電流である。ここで、絶対最大定格順方向電流とは、LED100の順方向に周期的にパルス状に印加しても、LED100が破壊されない最大の電流値であり、定格順方向電流の1.3~1.4倍程度である。パルス継続時間と、1周期の時間内に占めるパルス発生時間の比率デューティ比とを規定することにより、絶対最大定格順方向電圧は決定される。この順方向電流IFPにより、LED100のPN接合には、順方向電流IFPと順方向電流IF0との差に相当する熱流の増加が生じる。この熱流を放出するために、上述の熱抵抗θjaによりPN接合の温度が上昇し、PN接合の温度は常温から上昇する。図4におけるステップS3で絶対最大定格順方向電流を印加することにより、LED100が破壊されることなく、かつ、短時間でPN接合の温度を上昇させることができる。そして、PN接合の温度が上昇して高温で安定するまでの時間が経過する図5における時刻t3まで待機する図4におけるステップS4。ステップS3で絶対最大定格順方向電流を印加する場合、待機する時間図5における時刻t2~t3は、上記のパルス継続時間とすることができる。パルス継続時間待機すれば、温度が安定することが実験的に知られているためである。待機する時間は、例えば10ミリ秒程度の短い時間で十分である。図5における時刻t3で、電流制御部4が電流源1を制御し、LED100に対して、再び順方向電流IF0を印加する図4におけるステップS5。そして、図5における時刻t4において、PN接合がまだ高温であるうちに、電圧読出部5は、電圧計3が示す順方向電圧VF2第2の順方向電圧を読み出す図4におけるステップS6。順方向電流IF0を印加してから、順方向電圧VF2を読み出すまでに要する時間図5における時刻t3~t4は、例えば5ミリ秒程度の短い時間である。読み出された順方向電圧VF2は、例えば判定部6に記憶される。順方向電圧VF2は図2の高温での順方向電圧VF2に相当する。そして、判定部6は、順方向電圧の変化量ΔVF=VF1-VF2を算出する図4におけるステップS7。判定部6は、予め定めた規格値とΔVFとを比較して、LED100が不良か否かを判定する図4におけるステップS8。より具体的には順方向電圧の変化量ΔVFが規格値より小さければステップS8のYES、判定部6はLED100を良品と判定するステップS9。一方、規格値以上であればステップS8のNO、上記3式より熱抵抗θjaが大きいと推測されるため、判定部6はLED100を不良品と判定するステップS10。以上で、1つのLED100の検査が終了し、次の被検査半導体素子であるLEDが図3の検査システムに接続されて、同様の検査を行う。このとき、次のLEDのPN接合は高温にはなっておらず常温であるため、図4の検査手順をすぐに実行することができる。このように、本実施形態の特徴の1つは、図4におけるステップS3で大きな順方向電流IFP例えば、絶対最大定格順方向電流を印加して、PN接合の温度を上昇させることである。仮に、恒温槽を設けてPN接合の温度を上昇させる場合、温度が上昇して一定になるまでに80秒程度の長い時間を要する。また、次の被検査半導体素子の検査を始めるためには、恒温槽内が常温になるまで待たなければならない。結果として半導体素子の検査に時間がかかってしまう。これに対し、本実施形態では、上述のように一連の手順に要する時間は、5105=20ミリ秒程度であり、検査時間を大幅に短縮できる。そのため、半導体素子を、抜き取り検査ではなく全数検査を行うことができ、製品の品質を向上できる。また、通常、半導体素子は搬送装置不図示を用いて個別に搬送されるが、搬送装置をも収容可能な大型の恒温槽を使用すると、検査システムのコストが高くなってしまう。これに対し、本実施形態では、図3に示す電流源1、電流計2および電圧計3を用いた簡易な回路と、電流制御部4、電圧読出部5および判定部6を含むマイコン等から構成される小型な検査システムで半導体素子の検査を行うことができる。なお、本実施形態では、LEDの検査について説明したが、本実施形態を整流ダイオードやトランジスタ等、PN接合を有する半導体素子全般の検査に適用することができる。また、電流制御部4、電圧読出部5および判定部6のうちの少なくとも一部を設けずに、手動で電流制御、電圧読み出しおよび判定を行ってもよい。このように、本実施形態では、半導体素子に大きな順方向電流を印加してPN接合の温度を上昇させ、高温時の順方向電圧を計測する。そして、常温時の順方向電圧との差に基づいて、半導体素子が良品か不良品かを判断する。そのため、簡易な検査システムで短時間に半導体素子の検査を行うことができる。上述した実施形態で説明した半導体素子の検査システムの少なくとも一部は、ハードウェアで構成してもよいし、ソフトウェアで構成してもよい。ソフトウェアで構成する場合には、半導体素子の検査システムの少なくとも一部の機能を実現するプログラムをフレキシブルディスクやCD-ROM等の記録媒体に収納し、コンピュータに読み込ませて実行させてもよい。記録媒体は、磁気ディスクや光ディスク等の着脱可能なものに限定されず、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体でもよい。また、半導体素子の検査システムの少なくとも一部の機能を実現するプログラムを、インターネット等の通信回線無線通信も含むを介して頒布してもよい。さらに、同プログラムを暗号化したり、変調をかけたり、圧縮した状態で、インターネット等の有線回線や無線回線を介して、あるいは記録媒体に収納して頒布してもよい。上記の記載に基づいて、当業者であれば、本発明の追加の効果や種々の変形を想到できるかもしれないが、本発明の態様は、上述した個々の実施形態には限定されるものではない。特許請求の範囲に規定された内容およびその均等物から導き出される本発明の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更および部分的削除が可能である。"