電極と、前記電極上の一部に形成されたAg層と、前記電極上でかつ前記Ag層の周囲に形成されたNi層と、前記Ag層に対向して配置された半導体素子と、前記Ag層と前記半導体素子の矩形の接合面とが接合されたBiを主成分とする接合部とを備え、前記Ag層は、前記半導体素子の接合面を包含し、前記接合面の外周の外側に形成された、各辺をその長さの最大で0.3倍、4辺の外側へ延伸させた外周を持つ領域である、半導体装置。前記Ag層の近傍の前記Ni層上に形成された、BiとNiの金属間化合物を更に備えた、請求項1記載の半導体装置。前記Ag層は、前記半導体素子の接合面を包含し、前記接合面の外周の外側に形成された、各辺をその長さの最大で0.1倍、4辺の外側へ延伸させた外周を持つ領域である、請求項1記載の半導体装置基板と、前記基板に実装された、請求項1記載の半導体装置と、前記Ag層の近傍の前記Ni層上に形成された、BiとNiの金属間化合物とを備えた、実装構造体。Ag層及びそのAg層の周囲に形成されたNi層を表面に有する電極の前記Ag層上に、Biを含む接合材料を介して接合部を形成することにより半導体素子を接合する接合動作を有する半導体装置の製造工程と、前記半導体装置を基板にはんだ材料により実装する実装工程とを備え、前記接合部の前記半導体素子との接合面は、矩形状であり、前記Ag層は、前記半導体素子の接合面を包含し、前記接合面の外周の外側に形成された、各辺をその長さの最大で0.3倍、4辺の外側へ延伸させた外周を持つ領域である、実装構造体の製造方法。しかしながら、特許文献1のパワー半導体モジュール601におけるパワー半導体素子602と電極603とを接合する接合部604には、融点262°CのBi-Ag系はんだ材料が用いられている。パワー半導体モジュール601の電極603は基板607にリフロー工法により実装されるが、この実装に使用されるはんだ材料606は一般的にSn系鉛フリーのはんだ材料例えばSn-3重量Ag-0.5重量Cuであれば融点217°Cが用いられる。そのため、リフロー温度は260°Cに上げられ、装置の温度バラつき±5°C程度を考慮すると最大265°Cまで加熱されることになる。そのため、このリフローの際に、パワー半導体モジュール601におけるパワー半導体素子602と電極603とを接合する接合部604融点262°Cが再溶融する場合があり、パワー半導体素子602と電極603とを接合する接合部604の厚み減少、配線間のショート等の不具合が発生する要因となる。本発明は、従来の実装構造体の課題を考慮し、不具合の発生を低減することが可能な半導体装置、実装構造体及び実装構造体の製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、第1の本発明は、電極と、前記電極上の一部に形成されたAg層と、前記電極上でかつ前記Ag層の周囲に形成されたNi層と、前記Ag層に対向して配置された半導体素子と、前記Ag層と前記半導体素子の矩形の接合面とが接合されたBiを主成分とする接合部とを備え、前記Ag層は、前記半導体素子の接合面を包含し、前記接合面の外周の外側に形成された、各辺をその長さの最大で0.3倍、4辺の外側へ延伸させた外周を持つ領域である、半導体装置である。第2の本発明は、前記Ag層の近傍の前記Ni層上に形成された、BiとNiの金属間化合物を更に備えた、第1の本発明の半導体装置である。第3の本発明は、前記Ag層は、前記半導体素子の接合面を包含し、前記接合面の外周の外側に形成された、各辺をその長さの最大で0.1倍、4辺の外側へ延伸させた外周を持つ領域である、第1の本発明の半導体装置である。第4の本発明は、基板と、前記基板に実装された、第1の本発明の半導体装置と、前記Ag層の近傍の前記Ni層上に形成された、BiとNiの金属間化合物とを備えた、実装構造体である。第5の本発明は、Ag層及びそのAg層の周囲に形成されたNi層を表面に有する電極の前記Ag層上に、Biを含む接合材料を介して接合部を形成することにより半導体素子を接合する接合動作を有する半導体装置の製造工程と、前記半導体装置を基板にはんだ材料により実装する実装工程とを備え、前記接合部の前記半導体素子との接合面は、矩形状であり、前記Ag層は、前記半導体素子の接合面を包含し、前記接合面の外周の外側に形成された、各辺をその長さの最大で0.3倍、4辺の外側へ延伸させた外周を持つ領域である、実装構造体の製造方法である。本発明によれば、不具合の発生を低減することが可能な半導体装置、実装構造体及び実装構造体の製造方法を提供することが出来る。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。実施の形態1本発明にかかる実施の形態1における実装構造体について説明するとともに、本発明の半導体装置についても同時に述べる。図1は、本発明の実施の形態1における実装構造体110の断面構成図である。図1に示すように、本実施の形態1における実装構造体110は、本発明の半導体装置の一例に対応するパワー半導体モジュール100と、基板101とを備えており、パワー半導体モジュール100は、はんだ材料109によって基板101に実装されている。このパワー半導体モジュール100は、半導体素子102と電極103が接合された接合構造体106と、半導体素子102とワイヤ107によってボンディングされた電極108と、接合構造体106を封止する封止樹脂105とを備えている。図2は、本実施の形態1のパワー半導体モジュール100の断面構成図である。図2に示すように、本実施の形態1のパワー半導体装置の電極103の表面には、Ag層201が形成されており、このAg層201の周囲を囲むようにNi層202が形成されている。そして、半導体素子102の電極103側の下面102aには、バリアメタル層204が設けられており、このバリアメタル層204とAg層201の間には、接合材料104による接合部304が形成されている。この接合部304の半導体素子102側の接合面305が図示されている。後述するが、この接合面305は平面視において矩形状に形成されており、本実施の形態では半導体素子も矩形状に形成されている。そして、Ni層202のAg層201側の端に、Bi3Ni金属間化合物301が形成されている。次に、本発明にかかる実施の形態1の実装構造体の製造方法について説明するとともに、各構成についても詳しく説明する。まず、始めに本発明の接合動作の一例に対応する接合構造体106の製造方法について図3~図5を用いて詳細に説明する。図3~図5は、実装構造体を構成する接合構造体106の製造方法を示すフロー図である。図3aは、電極103を製造設備のレール上に供給する工程図である製造設備は図示せず。図3bは、図3aの平面構成図である。電極103を供給するに際しては、水素5を含んだ窒素雰囲気中で、電極103が320°Cに加熱される。Cu合金で構成された電極103には、表面処理層として、予め電解めっき法により、厚み3μmのAg層201、及び、厚み3μmのNi層202が成膜されている。そして、Ag層201は電極103の中央部に形成されており、Ni層202がAg層201を取り囲むように形成されている。次に、電極103上にBi層203を具備した半導体素子102が載置される。図4aは、Bi層203を具備した半導体素子102を、電極103の表面処理層であるAg層201の上に載置する工程図である。図4bは、図4aの平面構成図である。半導体素子102を載置するに際しては、前述の電極103の供給工程と同様に、水素5を含んだ窒素雰囲気中で、電極103が320°Cに加熱されている。Siで構成され、厚み0.3mm、4mm×5mmの大きさの半導体素子102の下面102aには、予め蒸着法により、Si側からCr0.1μm/Ni1μm/Cu3μmの多層よりなるバリアメタル層204が成膜されており、また電気めっき法によりバリアメタル層204上に厚み30μmのBiよりなるBi層203が成膜されている。ここで、バリアメタル層204、及びBi層203を成膜する目的を説明する。まず、始めにBi層203は、後にBiが溶解する温度まで加熱された電極103に載置し、溶解により濡れ性を確保した上で凝固させ、電極103と半導体素子102とを接合させる為に成膜されている。次に、バリアメタル層204のCrは、半導体素子102のSiとオーミック接合により導通を確保する為に成膜されている。また、バリアメタル層204のNiは、半導体素子102のデバイスにCu成分が拡散するとことによるデバイスの機能低下を防ぐため、Cuの拡散を防止する為に成膜されている。最後に、バリアメタル層204のCuは、BiのNiへの拡散を防ぐために成膜されている。これは、BiとNiは界面にBi3Ni金属間化合物が形成し、この金属化合物層は脆いため、例えばパワー半導体モジュールの使用時に熱応力により変形する際に亀裂の起点となる可能性があるからである。又、Cuを選定する理由としては、Biに対する溶解量が少ない0.4at程度金属である為である。厚みに関しては、1μm以上あればBiの拡散を防ぐことが可能であるが、電気めっき法での成膜厚みバラつき2μmを考慮し、3μmとしている。このBi層203が電極103の表面処理層であるAg層201に接するように、半導体素子102が50gf~150gf程度の荷重で、電極103の上に載置される。本発明の実施の形態1では60gfの荷重で、半導体素子102が電極103の上に載置された。ここで、図4bに示すように、平面視において、接合部304の半導体素子102側の接合面305の縦と横の長さをそれぞれM、Lとすると、Ag層201の外周も矩形状に形成されている。そして、Ag層201の外周は、接合面305の外周の外側に位置し、平面視において、接合面305はAg層201と重心が一致し、各辺の比が、1:1.2となる相似形となっている。すなわち、Ag層201の縦の辺の長さは、1.2Mとなり、横の辺の長さは、1.2Lに形成されている。次に、図5aは、溶融したBi層203にAg層201の一部が拡散した状態の接合材料104を自然冷却により凝固させる工程図である。図5bは、図5aの平面構成図である。図5a、bの工程では、水素5を含んだ窒素雰囲気中で自然冷却させ、接合材料104が凝固することにより接合部304が形成され、電極103と半導体素子102が接合され、接合構造体106が製造される。ここで、図5bに示すように、半導体素子102の縦横の長さをMLとすると、接合材料104は、縦方向に最大0.1Mずつ、横方法に最大0.1Lずつ拡がる。次に、接合材料104について説明する。図4ab、及び図5a、bのBi層203が溶融して凝固するまでの間、Biには電極103の表面処理層であるAg層201が拡散する。BiはAgとBi-3.5重量Agの2元共晶を形成する為、Biに対してAgが拡散した後の接合材料104の融点は262°Cとなる。電極103の表面処理層としてAg層201を形成する目的としては、溶融Biの濡れ性を確保する為である。つまり、Ag層201が存在することにより、半導体素子102の下部全面に対する溶融Biの濡れ性を確保することができる。以上のような工程により、接合構造体106が製造される。続いて、ワイヤ107を用いて半導体素子102と電極108間のボンディングが行われる。尚、ワイヤボンディングでなく、リボンボンディングでも良い。その後、封止樹脂105による封止が行われ、図6に示すパワー半導体モジュール100が製造される。このパワー半導体モジュール100が、本発明の半導体装置の一例に対応する。このように製造されたパワー半導体モジュール100が、はんだ材料109を用いて基板101に実装され、図1及び図2に示すような実装構造体が作製される。この実装のリフローの際、最高温度が265°Cとなり、接合材料104の融点262°Cを超える場合があるため、接合材料104の再溶融が生じる場合がある。この再溶融による接合材料104の溶出が発生すると、本実施の形態1では、電極103の表面処理層としてNi層202を成膜していることにより、接合材料104にNiが拡散し、図2に示すように、NiとBiによるBi3Ni金属間化合物301が形成する。このNiとBiによるBi3Ni金属間化合物301の融点が高いため、リフロー温度プロファイル下では、接合材料104が溶出したとしても固体状態のBi3Ni金属間化合物が形成される。このように溶出した接合部材104から金属間化合物が形成されて固まるとともに、更なる溶出もせき止められるため、本実施の形態では接合材料のリフロー時の再溶融による溶出が抑制される。図1及び図2に示すような、上記実施の形態1のパワー半導体モジュール100を基板101に実装させた際の接合材料104の濡れ拡がり面積の変化率N数=20の平均値を算出した。また、基板101に実装させる際のはんだ材料109は、一般的に用いられるSn-3重量Ag-0.5重量Cu融点217°Cが用いられた。はんだ材料109は鉛を含有しないSn系のはんだであれば、Sn-3重量Ag-0.5重量Cuに限らず、例えばSn-0.7重量Cu融点227°C、Sn-3.5重量Ag-0.5重量Bi-6.0重量In融点220°C等を用いてもよい。そして、パワー半導体モジュール100の基板101への実装の際のリフロー温度プロファイルは、予備加熱温度150°C~180°Cが2分、230°C以上が30秒、ピークトップ265°Cが5秒とした。ピークトップ温度は、パワー半導体モジュール等の熱容量の大きい部品においても十分に電極103と基板101に対してはんだ材料109の良好な濡れ性を確保する温度とした。尚、接合材料104の濡れ拡がり面積の変化率の算出方法は、次の式1で与えられる。式1濡れ拡がり面積の変化率=リフロー後の接合材料104の濡れ拡がり面積―リフロー前の接合材料104の濡れ拡がり面積/リフロー前の接合材料104の濡れ拡がり面積×100又、リフロー前後での接合材料104の濡れ拡がり面積はX線観察により計測し、変化率が10未満を○、10以上30未満を△、30以上を×と区別し、変化率30未満○、△を良品としている。ここで、接合材料の濡れ拡がり面積の変化率の閾値を30とした理由は、濡れ拡がり面積の変化率が30以上となると、半導体素子102と電極103とを接合するワイヤ107の接合不良や半導体素子102下部に存在する接合材料104の量の減少による不具合が発生する可能性を有する為である。尚、従来例として、表面処理層としてNi層202が存在しない従来の電極を用いた。上記の事例により完成させた本発明にかかる実施の形態1の接合構造体を用いたパワー半導体モジュールの接合材料の濡れ拡がり面積の変化率は4であったことから、○とし、良品と判定できる。この実施の形態1のパワー半導体モジュール100は、後述する表1の実施例3の試料8に対応する。一方、従来例の表面処理層としてNi層202が存在しない従来の電極を用いたパワー半導体モジュールの濡れ拡がり面積の変化率は35であったことから、×とし、良品ではないと判定できる。この従来例のパワー半導体モジュールの結果も、後述する表1に試料16として示す。本実施の形態1で形成される金属間化合物301は、EDXエネルギー分散型X線分光器によりBiとNiが原子量比で3対1よりなるBi3Niであることが確認された。又、このBi3Ni金属間化合物は融点が469°Cであるが為に、リフロー温度プロファイル下では固体状態を保持し、接合材料104の溶出を抑制すると考えられる。一方、表面処理層としてNi層202が存在しない従来の電極を用いたパワー半導体モジュールでは、接合材料104の再溶融により溶出が起こった際、濡れ拡がりが進んだ結果として、濡れ拡がり面積の変化率が35となっている。以上より、本発明にかかる実施の形態1の接合構造体によれば、パワー半導体モジュールの基板実装時のリフロー温度である260°C程度に加熱される際リフロー装置の温度バラつき±5°Cを考慮した場合、ピークトップ265°C、電極上の表面処理層であるNi層とBiを主成分とする接合材料との拡散反応により形成されるBi3Niにより、接合材料の溶出を防ぎ、リフロー前後での接合材料の濡れ拡がり面積の変化率を目標値である30未満とすることが可能となる。これにより、リフロー温度に対するパワー半導体モジュールの一般的な耐熱温度保証である260°Cの要求温度までリフロー装置の温度バラつき±5°Cを考慮した場合、ピークトップ265°C、半導体素子102と電極103とを接合する接合材料104の接合品質を低下させないようにすることが出来るため、耐熱性を向上させることが可能となる。実施例次に、電極103上のAg層201、Ni層202の配置及び厚みを変化させた比較例1、実施例1~3、及び比較例2を用いて、パワー半導体モジュールを基板に実装させた際の濡れ拡がり面積の変化率N数=20の平均値及び製品歩留まりを確認した。尚、詳しくは後述するが、Ag層201とNi層202の配置を異ならせた比較例1、2及び実施例1、2、3のそれぞれの例において、Ag層201とNi層202の厚みを異ならせた3種類の試料が用いられた。すなわち、比較例1として3種類の試料1、2、3が用いられ、実施例1として3種類の試料4、5、6が用いられ、実施例2として3種類の試料7、8、9が用いられ、実施例3として3種類の試料10、11、12が用いられ、比較例2として3種類の試料13、14、15が用いられた。製品歩留まりの確認方法は、低温側が-45°C、高温側が125°Cの温度サイクル試験300サイクル後に製品を超音波映像で観察し、接合構造体の接合材料のクラック、剥離を判定し、接合部の表面積に対してクラック、剥離が20未満の製品歩留まりN数=20を算出した。製品歩留まりの判定は、80以上をOK、80未満をNGと区別するようにし、80以上OKを良品としている。次に、実施例1~3及び比較例1、2におけるAg層201とNi層202の配置について説明する。図7aは、比較例1の接合構造体を用いたパワー半導体モジュールの基板実装後リフロー後の接合構造体の断面構成図である。又、図7bは、比較例1において、半導体素子を電極に接合する際図2bの平面構成図であり、接合部304の半導体素子102側の接合面305、Ag層201、及びNi層202の位置関係のみを示した図である。同様に、図8a~図11aは、それぞれ実施例1~3、及び比較例2の接合構造体を用いたパワー半導体モジュールの基板実装後リフロー後の接合構造体の断面構成図である。又、図8b~図11bは、それぞれ実施例1~3、及び比較例2において、半導体素子102を電極に接合する際図2bの平面構成図であり、接合部304の半導体素子102側の接合面305、Ag層201、及びNi層202の位置関係のみを示した図である。尚、これら図7ab~図11a、bのAg層201、Ni層202の厚みは3μmであり、それぞれ後述する表1に示すように、比較例1の試料2、実施例1の試料5、実施例2の試料8、実施例3の試料11、比較例2の試料14に対応する。又、これらの図において、打点部はAg層201、斜線部はNi層202、波線部はBi3NiのBi3Ni金属間化合物301であり、太線枠は接合面305の外周を示す。尚、本実施例、及び比較例では、半導体素子102の下面102aと、接合面305の形状及び大きさは一致している。上記実施例1~3及び比較例1、2のいずれの場合においても、リフロー前の、Bi層203が溶融して凝固するまでの工程において、接合面305の辺の長さをL、Mとした場合、接合材料104は、半導体素子102側の接合面305の辺の両方の側に各々の長さの10、つまり0.1L、0.1Mの長さ分最大濡れ拡がっている。それに対して、比較例1では、図7a、bに示すように、平面視において、電極103上のNi層202は、接合面305の外周部から内側に0.2L、0.2Mの長さまで成膜されており、残りの部分はAg層201としている。この比較例1の構造では、リフロー前の電極103への接合時の加熱の際、接合材料104がNi層202上に配置されているため、リフロー前の状態においてもBi3Ni金属間化合物301が形成されている。又、実施例1の図8a、bでは、平面視において電極103の接合面305が投影される以外の部分にはNi層202が成膜されており、投影される部分にはAg層201が成膜されている。ここで電極103の接合面305が投影される部分の面積は接合面305の表面積L×Mの値に等しい。尚、リフロー前の電極103への接合時の加熱によって、接合材料104は0.1L、0.1Mの長さ分最大濡れ拡がることになるため、本実施例1の構造では、接合材料104がNi層202上に配置することになり、リフロー前の状態においてもBi3Ni金属間化合物301が形成される場合がある。又、実施例2の図9a、bでは、平面視において電極103の接合面305が投影される部分、及び接合面305の外周部から外側に0.1L、0.1Mの長さまでAg層201が成膜されており、残りの部分にはNi層202が成膜されている。尚、リフロー前の電極103への接合時の加熱によって、接合材料104は0.1L、0.1Mの長さ分最大濡れ拡がることになるが、本実施例2の構成では、接合材料104がNi層202上に届かないため、リフロー前にはBi3Ni金属間化合物301は形成されていない。又、実施例3の図10a、bでは、平面視において電極103の接合面305が投影される部分及び接合面305の外周部から外側に0.3L、0.3Mの長さまでAg層201が成膜され、残りの部分にはNi層202が成膜されている。尚、リフロー前の電極103への接合時の加熱によって、接合材料104は0.1L、0.1Mの長さ分最大濡れ拡がることになるが、本実施例3の構成では、接合材料104がNi層202上に届かないため、リフロー前にはBi3Ni金属間化合物301は形成されていない。又、比較例2の図11a、bでは、平面視において電極103の接合面305が投影される部分及び接合面305の外周部から外側に0.5L、0.5Mの長さまでAg層201が成膜され、残りの部分にはNi層202が成膜されている。尚、リフロー前の電極103への接合時の加熱によって、接合材料104は0.1L、0.1Mの長さ分最大濡れ拡がることになるが、本比較例2の構成では、接合材料104がNi層202上に届かないため、リフロー前にはBi3Ni金属間化合物301は形成されていない。これら比較例1、実施例1、実施例2、実施例3、及び比較例2の接合構造体を用いたパワー半導体モジュールを基板に実装させた際の濡れ拡がり面積の変化率式1参照N数=20の平均値及び製品歩留まりの結果を表1に示す。ここで、各例において、Ni層202、Ag層201の厚みはそれぞれ3μmを標準として、1μm、5μmと下限、上限を変化させている。具体的には、下記表1に示すように、比較例1の試料1、2、3のそれぞれにおけるNi層とAg層の厚みは、試料1では、Ni層1μm、Ag層5μmであり、試料2では、Ni層3μm、Ag層3μmであり、試料3では、Ni層5μm、Ag層1μmである。実施例1の試料4、5、6のそれぞれにおけるNi層とAg層の厚みは、試料4では、Ni層1μm、Ag層5μmであり、試料5では、Ni層3μm、Ag層3μmであり、試料6では、Ni層5μm、Ag層1μmである。実施例2の試料7、8、9のそれぞれにおけるNi層とAg層の厚みは、試料7では、Ni層1μm、Ag層5μmであり、試料8では、Ni層3μm、Ag層3μmであり、試料9では、Ni層5μm、Ag層1μmである。実施例3の試料10、11、12のそれぞれにおけるNi層とAg層の厚みは、試料10では、Ni層1μm、Ag層5μmであり、試料11では、Ni層3μm、Ag層3μmであり、試料12では、Ni層5μm、Ag層1μmである。比較例2の試料13、14、15のそれぞれにおけるNi層とAg層の厚みは、試料13では、Ni層1μm、Ag層5μmであり、試料14では、Ni層3μm、Ag層3μmであり、試料15では、Ni層5μm、Ag層1μmである。尚、1μmを下限とした理由は、Ni層202、Ag層201のそれぞれの成膜厚みバラつきが1μmであることによる。5μmを上限とした理由は、5μm以上のめっき成膜ではめっき表面に異常析出が形成する為である。又、上述した従来例についても試料16として、下記表1に評価結果を示した。表1表1の結果から、比較例1、及び実施例1~3の試料1~12の接合構造体を用いたパワー半導体モジュールのリフロー前後での濡れ拡がり面積の変化率は30未満であったことから良品と判定できる。これは、上述した様に接合材料104の再溶融により溶出が起こっても、電極103の表面処理層としてNi層202を成膜していることにより、融点が469°CのBi3Ni金属間化合物301が形成し、リフロー温度プロファイル下では固体状態となるため、接合材料104の溶出を抑制することが出来、濡れ拡がり面積の変化率を30未満にすることが可能となっていると考えられる。しかしながら、表1の比較例2の試料13~15では濡れ拡がり面積の変化率が30以上となっていることに関しては、リフロー前の接合材料の濡れ広がった部分から、Ni層202に接触するまでの距離が長い為、濡れ拡がり面積の変化率が大きくなる為と考えられる。一方で、表1の実施例1~3の試料4~12では温度サイクル試験結果がOKになっているのに対して、比較例1の試料1~3、及び比較例2の試料13~15でNGになっていることに関して説明する。まず、比較例1の試料1~3で温度サイクル試験結果がNGとなっていることに関しては、温度サイクル試験の温度変化によって接合構造体には熱膨張率差に基づく熱応力が発生する。この際、試料1~3の接合構造体は熱応力がかかる部分に、上述したように脆い金属化合物層Bi3Niが形成されていることによりが例えばパワー半導体モジュールの使用時にクラックの起点となったと考えられる。次に、比較例2の試料13~15で温度サイクル試験結果がNGとなっていることに関しては、上述したようにリフロー前後での接合材料の濡れ拡がり面積の変化率が大きくなり、半導体素子102下部の接合材料104が減少し、温度サイクル試験の温度変化で接合構造体にかかる熱膨張率差に基づく耐熱応力が低下し、クラックが発生したためと考えられる。以上のことから、実施例1~3の試料4~12の構造が、リフロー前後での濡れ拡がり面積変化率の判定が良品の試料であり、かつ温度サイクル試験の判定が良品であることを両立することが出来ることが分かる。尚、実施例3については、Ag層201の面積は2.56ML1.6M×1.6Lとなっており、リフロー前の面積1.44ML1.2M×1.2L10拡がった状態であるため、仮に、接合材料104が均等に全方向に溶出するとした場合にはNi層202に到達するまでに約78面積が増加することになるが、接合材料104は均等に溶出するわけではなく、実施例3のAg層201の配置で、面積変化率30の閾値以内にすることが出来る。そのため、Bi3Ni金属間化合物301は、溶出した接合材料104がNi層202に届いた部分にのみ形成されることになる。Ag層201、Ni層202の厚みに関しては、各々1~5μmであればよいが、望ましくは、リフロー前後の面積変化率の小さい厚みであり、Ag層201は1μm、Ni層202は5μmである。尚、Ag層201、Ni202層の配置について、本実施例1~3では平面視において電極103の表面上に半導体素子102側の接合面305の重心及び対角線が一致するようにAg層201の大きさを変化させて、その周囲に接するNi層202を形成したが、必ずしも接合面305の辺の長さL、Mに対して一定の割合で大きくした四辺形でなくてもよい。例えば図12aのように縦M、横1.6Lの大きさの四辺形状のAg層201の周囲にNi層202層が接していてもよい。又、図12bに示すように、電極103の表面上に半導体素子102側の接合面305の重心を原点とし、接合面305の長辺の中点同士、短辺の中点同士を結んだ直交座標において、Ag層201の外周201aが、0.5L≦X≦0.8L、-0.8L≦X≦-0.5L、かつ0.5M≦Y≦0.8M、-0.8M≦Y≦-0.5Mを満たす領域内に位置しておればよく、図にしめすような曲線状の外周201aを有するAg層201の周囲にNi層202層が接していてもよい。又、図13に示すように、接合面305の外周から接合面305の外側に位置する仮想の矩形状の枠400までの間の領域S図中白で示されており、接合面305の外周及び枠400の線上を含むに、Ag層201の外周が位置すればよい。接合面305の長さLの2辺を辺305a1、305a2とし、長さMの2辺を辺305b1、305b2とし、辺305a1と平行であって、その外側に位置する枠の辺を辺400a1とし、辺305a2と平行であって、その外側に位置する枠400の辺を辺400a2とし、辺305b1と平行であって、その外側に位置する枠400の辺を辺400b1とし、辺305b2と平行であって、その外側に位置する枠の辺を辺400b2とする。そして、枠400の辺400a1と接合面305の辺305a1との間隔は、接合面305の辺305b1、305b2の長さMの0.3倍であり、枠400の辺400a2と接合面305の辺305a2との間隔は、接合面305の辺305b1、305b2の長さMの0.3倍である。又、枠400の辺400b1と接合面305の辺305b1との間隔は、接合面305の辺305a1、305a2の長さLの0.3倍であり、枠400の辺400b2と接合面305の辺305b2との間隔は、接合面305の辺305a1、305a2の長さLの0.3倍である。ようするに、半導体素子と、前記半導体素子に対向して配置された電極と、前記電極上に形成されたAg層と、前記Ag層の周囲に形成されたNi層と、前記半導体素子と前記電極を接合する、前記Ag層上に形成されたBiを含む接合部とを備え、平面視において、前記接合部の前記半導体素子側との接合面は、矩形状であり、長さLの2つの辺A、A及び長さMの2つの辺B、Bによって形成されており、前記接合面の外周から前記接合面の外側に位置する仮想の矩形状の枠までの領域に、前記Ag層の外周が位置し、前記接合面の辺Aと、その辺Aの外側に配置された前記枠の辺との間隔は、前記接合面の辺Bの長さMの0.3倍であり、前記接合面の辺Bと、その辺Bの外側に配置された前記枠の辺との間隔は、前記接合面の辺Aの長さLの0.3倍である、半導体装置であればよい。尚、表1の実施例2と実施例3の判定結果が○であり、実施例4の判定結果が△であることから、枠400の辺400a1と接合面305の辺305a1との間隔は、接合面305の辺305b1、305b2の長さMの0.1倍以内であり、枠400の辺400a2と接合面305の辺305a2との間隔は、接合面305の辺305b1、305b2の長さMの0.1倍以内である方がより好ましい。又、枠400の辺400b1と接合面305の辺305b1との間隔は、接合面305の辺305a1、305a2の長さLの0.1倍以内であり、枠400の辺400b2と接合面305の辺305b2との間隔は、接合面305の辺305a1、305a2の長さLの0.1倍以内である方がより好ましい。ようするに、前記接合面の辺Aと、その辺Aの外側に配置された前記枠の辺との間隔は、前記接合面の辺Bの長さMの0.1倍であり、前記接合面の辺Bと、その辺Bの外側に配置された前記枠の辺との間隔は、前記接合面の辺Aの長さLの0.1倍である方がより好ましい。尚、本発明の辺A、Aの一例は、本実施の形態の辺305a1、305a2に対応し、本発明の辺B、Bの一例は、本実施の形態の辺305b1、305b2に対応する。尚、上述した領域SにAg層201の外周201aが位置する場合、実施例1~3に示すように、Ag層201の形成範囲によっては、リフロー前の電極103への接合の時に、Bi3Ni金属間化合物301が形成されている場合と形成されていない場合があり、リフロー後には、実施例1~3の全てにおいてBi3Ni金属間化合物が形成されることになる。本実施例では、半導体素子102の辺の長さをL、Mとした場合具体的には4mm、5mm、接合材料104は半導体素子の辺の両方の側に各々の長さの10、つまり0.1L、0.1Mの長さ分最大濡れ拡がっているが、半導体素子102と電極103を接合材料104により接合させる条件例えばBi層の厚み、半導体素子の押し込み量、速度、下死点時間が異なれば接合材料の濡れ拡がり面積が異なってくることが考えられる。本実施例では半導体素子102のバリアメタル層204上に厚み30μmのBiよりなるBi層203を成膜したが、Bi層203の厚みが薄くなれば濡れ拡がり面積も小さくなり、Bi層203の厚みが厚くなれば濡れ拡がり面積も大きくなると考えられる。この場合においても、本実施例のごとくリフロー前後での濡れ拡がり面積の変化率及び、温度サイクル試験の判定の両方を満足するような電極103上のAg層201、Ni層202の配置を決定すればよい。すなわち、まず始めに濡れ拡がり面積の変化率の観点でAg層201、Ni層202の配置を考えると、リフロー前後の接合材料の変化率30を未満にする領域を決め、次に、温度サイクル試験の評価を実施し、必要な場合はAg層の領域を狭めていけばよい。以上のように、本発明の実装構造体によれば、パワー半導体モジュールの電極が基板に実装される工程において、リフロー装置の温度バラつき±5°C程度を考慮した最大265°Cまで加熱される際、電極上のNi層とBiを主成分とする接合材料との拡散反応により形成されるBi3Ni融点470°Cにより、接合材料が溶融したとしても拡散反応による高融点化で溶出を防ぎ、接合品質を低下させずに、パワー半導体モジュールの基板に対する接合品質を確保するリフロー温度の要求リフロー装置の温度バラつき±5°C程度を考慮した最大265°Cまで耐熱性を向上させることが可能となる。尚、上記実施の形態では、接合部304の半導体素子102側への接合面304aの大きさL×Mは、半導体素子102の下面102aの大きさL×Mと一致していたが、接合面304aが下面102aより小さくても良い。すなわち、図2bでは、半導体素子102の下面102aの全体にバリアメタル層204が形成され、そのバリアメタル層204の下側にBi層203が形成されていたが、半導体素子102の下面102aの一部分にバリアメタル層204及びBi層203が形成され、そのBi層203によって接合部304が形成してもよい。又、上記実施の形態では、平面視において接合面305は、その隣接する辺の長さは異なっていたが4辺の長さが同じ、正方形状であってもよい。