"基板上に形成された膜であって、前記膜はケイ酸塩を含むことを特徴とする膜。基板の材質は、サファイア、雲母鉱物、石英鉱物、SrTiO3などのペロブスカイト系単結晶酸化物、シリコンウェハー、ZnOウェハー、GaNウェハーであることを特徴とする請求項1記載の膜。ケイ酸塩は、白雲母muscovite、黒雲母biotite、合成金雲母fluorophlogopite、タルクtalc、モンモリロン石montmorillonite、蛭石vermiculite、緑泥石chlorite、高陵石kaoliniteから選ばれるいずれか1種、またはいずれか2種以上の混合物であることを特徴とする請求項1記載の膜。膜の厚さは10~1000nmの範囲内にあることを特徴とする請求項1記載の膜。ケイ酸塩を含むターゲットにレーザーを照射して、基板上に膜を形成し、前記形成された膜をアニールすることを特徴とする膜の製造方法。ケイ酸塩は、白雲母muscovite、黒雲母biotite、金雲母plogopite、合成金雲母fluorophlogopite、タルクtalc、モンモリロン石montmorillonite、蛭石vermiculite、緑泥石chlorite、高陵石kaoliniteから選ばれるいずれか1種、またはいずれか2種以上の混合物であることを特徴とする請求項5記載の膜の製造方法。ケイ酸塩の平均粒径は1~100μmの範囲内にあることを特徴とする請求項5記載の膜の製造方法。レーザーフルエンスは175~350Jcm2の範囲内にあることを特徴とする請求項5記載の膜の製造方法。基板の材質は、サファイア、雲母鉱物、石英鉱物、SrTiO3などのペロブスカイト系単結晶酸化物、シリコンウェハー、ZnOウェハー、GaNウェハーであることを特徴とする請求項5記載の膜の製造方法。基板温度は室温~1000°Cの範囲内にあることを特徴とする請求項5記載の膜の製造方法。アニール温度は500~1000°Cの範囲内にあることを特徴とする請求項5記載の膜の製造方法。アニールをするときの雰囲気の圧力は10×107~10×102Torrの範囲内にあることを特徴とする請求項5記載の膜の製造方法。しかしながら、上述した非特許文献1~3は、雲母単結晶バルク体の合成方法に係るものであり、雲母薄膜の合成に関しては記述していないという問題がある。また、上述した非特許文献4は、天然雲母鉱物の結晶構造に関する実験であり、雲母薄膜の合成に関しては記述していないという問題がある。そのため、このような課題を解決する、新規な膜およびその製造方法の開発が望まれている。本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、新規な膜を提供することを目的とする。また、本発明は、前記膜の新規な製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決し、本発明の目的を達成するため、本発明の膜は、基板上に形成された膜であって、前記膜はケイ酸塩を含むことを特徴とする。本発明の膜の製造方法は、ケイ酸塩を含むターゲットにレーザーを照射して、基板上に膜を形成し、前記形成された膜をアニールすることを特徴とする。本発明は、以下に記載されるような効果を奏する。本発明の膜は、基板上に形成された膜であって、前記膜はケイ酸塩を含むので、新規な膜を提供することができる。本発明の膜の製造方法は、ケイ酸塩を含むターゲットにレーザーを照射して、基板上に膜を形成し、前記形成された膜をアニールするので、膜の新規な製造方法を提供することができる。以下、膜およびその製造方法にかかる発明を実施するための形態について説明する。本発明の膜は、基板上に形成された膜であって、前記膜はケイ酸塩を含むものである。本発明の膜の製造方法は、ケイ酸塩を含むターゲットにレーザーを照射して基板上に膜を形成し、前記形成された膜をアニールする方法である。膜の製造方法について説明する。ターゲットに含まれるケイ酸塩としては、白雲母muscovite、黒雲母biotite、金雲母plogopite、合成金雲母fluorophlogopite、タルクtalc、モンモリロン石montmorillonite、蛭石vermiculite、緑泥石chlorite、高陵石kaoliniteなどから選ばれるいずれか1種、またはいずれか2種以上の混合物を採用することができる。ターゲットに含まれるケイ酸塩の平均粒径は1~100μmの範囲内にあることが好ましい。ケイ酸塩の平均粒径が1μm以上であると、焼結性に優れているという利点がある。ケイ酸塩の平均粒径が100μm以下であると、成形体の密度向上という利点がある。ターゲットの作製方法としては、ホットプレス法、プレス成形焼成法、粉末射出成型焼結法、熱間等方圧焼結法HIP、放電プラズマ焼結法SPSなどを採用することができる。ホットプレス法において、焼結温度は500~1200°Cの範囲内にあることが好ましい。焼結温度が500°C以上であると、高密度で結晶構造を維持出来るという利点がある。焼結温度が1200°C以下であると、異相が形成されずに高密度焼結体が得られるという利点がある。ホットプレス法において、形成圧力は600~1000kgcm2の範囲内にあることが好ましい。形成圧力が600kgcm2以上であると、高密度なターゲットを作製することが可能であるという利点がある。形成圧力が1000kgcm2以下であると、水晶などの異相の形成を抑えることができるという利点がある。レーザーフルエンスは175~350Jcm2の範囲内にあることが好ましい。レーザーフルエンスが175Jcm2以上であると、雲母に含まれている元素すべてのアブレーション蒸発が可能であるという利点がある。レーザーフルエンスが350Jcm2以下であると、ドロップレットを抑えることが可能なため表面が平坦な膜を得られるという利点がある。レーザー波長は100~600nmの範囲内にあることが好ましい。レーザー波長が100nm以上であると、薄膜組成がターゲット組成に近づき、膜作製中に余計な反応を抑えることが可能であるという利点がある。レーザー波長が600nm以下であると、多光子吸収過程にもとづく雲母ターゲットのアブレーションが促進されるという利点がある。レーザーの繰り返し周波数は1~200Hzの範囲内にあることが好ましい。繰り返し周波数が1Hz以上であると、短時間で厚い膜を得ることができるという利点がある。繰り返し周波数が200Hz以下であると、表面の荒れを抑えることができ、平坦な膜が得られるという利点がある。基板の材質としては、サファイア、雲母鉱物、石英鉱物、SrTiO3などのペロブスカイト系単結晶酸化物、シリコンウェハー、ZnOウェハー、GaNウェハーなどを採用することができる。サファイア基板において、膜を形成する面は、C面、R面などを採用することができる。サファイア基板は、熱処理や溶液処理によって原子ステップ原子テラス構造を構成させたサファイア基板、リン酸溶液処理によって表面が親水化されたサファイア基板などを採用することができる。基板温度は室温~1000°Cの範囲内にあることが好ましい。基板温度が室温以上であると、堆積膜が雲母ターゲットと組成が同等になるという利点がある。基板温度が1000°C以下であると、真空アニールを行った時c軸配向した結晶膜を得られるという利点がある。膜を形成するときの雰囲気としては、酸素、フッ素、Ar、窒素、水蒸気、水素などから選ばれるいずれか1種、またはいずれか2種以上の混合物を採用することができる。雰囲気の圧力は10×108~760Torrの範囲内にあることが好ましい。雰囲気の圧力が10×108Torr以上であると、膜全体が結晶化している膜が得られるという利点がある。雰囲気の圧力が760Torr以下であると、雲母以外の異相の形成を抑えることが可能であるという利点がある。アニール温度は500~1000°Cの範囲内にあることが好ましい。また、アニール温度は920~980°Cの範囲内にあることがさらに好ましい。アニール温度が500°C以上であると、c軸配向した雲母の結晶膜が得られるという利点がある。アニール温度が920°C以上であると、この効果がより顕著になる。アニール温度が1000°C以下であると、脱水酸基反応を抑えることが可能で、雲母以外の異相の形成が抑えられるという利点がある。アニール温度が980°C以下であると、この効果がより顕著になる。アニール温度の保持時間は1~10時間の範囲内にあることが好ましい。保持時間が1時間以上であると、雲母が結晶化するという利点がある。保持時間が10時間以下であると、膜表面の荒れを抑えることが可能であるという利点がある。アニールをするときの雰囲気の圧力は10×107~10×102Torrの範囲内にあることが好ましい。雰囲気の圧力が10×107Torr以上であると、結晶化を促進するという利点がある。雰囲気の圧力が10×102Torr以下であると、雲母以外の異相の形成を抑えることが可能であり、かつc軸配向した膜を得ることができるという利点がある。前記の製造方法により作製された膜について説明する。膜に含まれるケイ酸塩としては、白雲母muscovite、黒雲母biotite、合成金雲母fluorophlogopite、タルクtalc、モンモリロン石montmorillonite、蛭石vermiculite、緑泥石chlorite、高陵石kaoliniteなどから選ばれるいずれか1種、またはいずれか2種以上の混合物を採用することができる。基板上に形成された膜の厚さは10~1000nmの範囲内にあることが好ましい。膜の厚さが10nm以上であると、真空アニールを行った際にc軸配向した膜が得られるという利点がある。膜の厚さが1000nm以下であると、膜が荒れずに、配向性の良い膜が得られるという利点がある。基板上に形成された膜の用途としては、層状構造を利用して、太陽電池の電極、触媒、ガスセンサー、燃料電池の電極、リチウム電池の電極、薄型表示素子の電極、バイオセンサー、化学反応チップ基材などを挙げることができる。なお、本発明は上述の発明を実施するための形態に限らず本発明の要旨を逸脱することなくその他種々の構成を採り得ることはもちろんである。つぎに、本発明にかかる実施例について具体的に説明する。ただし、本発明はこれら実施例に限定されるものではないことはもちろんである。本実施例で用いたパルスレーザー堆積法PLDPulsedLaserDepositionの装置構造について説明する。使用したPLDチャンバーを図1に示す。チャンバー内はロータリーポンプとターボ分子ポンプ9により、3×109Torrの超高真空に排気されている。バリアブルリークバルブを用いることで酸素ガス8をチャンバー内に導入し、1×101~1×109Torrの酸素雰囲気中での成膜が可能となっている。また、サファイア基板1は赤外ヒーター2により室温から600°Cの温度範囲まで加熱することが可能である。KrFエキシマレーザー4波長248nm、パルス幅20nsは、01~50Jcm2のエネルギー密度まで、1~20Hzの繰り返し周波数まで選択可能である。レーザーはレンズによって集光され、チャンバー内のセラミックターゲット7に照射することでこれを剥離アブレーションする。チャンバーにはRHEED銃5が取り付けられており、104Torrを超える高真空の場合には薄膜の結晶配向性評価をその場観察することが可能である。評価方法について説明する。発光分光分析OESOpticalEmissionSpectroscopy今回用いた発光分光法は膜の前駆体の飛行過程であるプラズマプルームをリアルタイムで計測することが可能である。図2に発光分光分析の装置構成を備えた成膜装置を示す。主な構成は真空チャンバー、KrFエキシマレーザー14、GatedIntensifiedCCDAndor社製DH514018F01、パルスジェネレーター16StanfordResearchSystem社製DG535の4つに分けることができる。レンズの焦点をプルーム11の広がる領域内に合わせることにより、プルーム11内部の一点~1mm3から発生する光を取り出すことができる。一方、ファイバーに集光された光は127mm分光器15OrielInstruments社製MS127iによって分光された後、GatedIntensifiedCCDICCD内のMCPMicroChannelPlateにより検出され、スペクトルデータがパソコン17により取り込まれる。なお本実験では、波長300~650nmの範囲で発光スペクトルの測定を行った。反射高速電子線回折反射高速電子線回折は、その装置の特性上insituでの観察が可能であるため、多くのPLD成膜装置に取り付けられている。RHEEDは10~50keV程度の電子線を試料表面に数度の浅い角度で入射させて、電子の波動性により結晶格子で回折された電子線を蛍光スクリーン上に投影することにより結晶の表面状態を調べる方法である。この方法において電子線は表面から原子数層分しか侵入しないため、表面の構造に非常に敏感である。X線解析XRDXRayDiffractionX線回折では、XRD装置MXPM18BrukerAXSを使用した。本発明では発散スリットを1°、散乱スリットを05°、受光スリットを015°と固定して測定をした。また、熱電子の電流は45mA、印加電圧は100Vの条件で行った。原子間力顕微鏡AFMAtomicForceSpectroscopy本実施例では薄膜表面の形状を調べるために原子間力顕微鏡を用いた。AFMは、大気圧下で原子レベルの分解能を有する顕微鏡であり、試料表面の微細形状のみならず、表面粗さなどの画像解析が容易にできるという特徴がある。AFMには探針の操作方式によりコンタクトモードとタッピングモードがあり、本実施例ではコンタクトモードにより観察を行った。誘導結合プラズマ発光分光分析ICPOESInducedcoupledPlasmaOpticalEmissionSpectroscopy薄膜全体の各元素の組成を分析する方法として誘導結合プラズマ発光分析がある。この方法では、まず試料を溶液にして、霧状にしてチャンバー内に噴霧し、約6000~8000Kといわれているアルゴンプラズマによるキャリアガスを通すことによって励起され、発光した原子スペクトル線を測定するものである。ラマン分光法ラマン分光法は光の散乱現象に基づく分光法の一種であり、化学結合の情報を得ることができる測定方法である。本実施例では、レーザー光源としてArイオンレーザーλ5145nmを用いた。測定範囲は100~3800cm1、露光時間は60sec、積算は3回行った。雲母ターゲットのレーザーアブレーションについて説明する。実験条件について説明する。ターゲットの作成原料として天然黒雲母ヤマグチマイカ製を用いてホットプレス法によってターゲット作製を行った。ホットプレス法の原理を図3に示す。セラミックス原料20を型に充填し真空中にて高温で加圧することにより焼結を促進するため、気孔が強制的に追い出され、結晶粒成長が抑制された微細均一な焼結体が得られる。平均粒径10μmに粉砕した黒雲母粉末を用いてホットプレスを行った。ターゲット作製条件は、焼結温度950°C、形成圧力700kgcm2、保持時間1hで行った。高密度なターゲットφ10cm,315gcm3の作製に成功した。ターゲットのXRD分析より、黒雲母のピークを観測することができた。また、誘導結合プラズマ発光分光分析の結果から雲母の主成分が観測された。以上の結果から黒雲母のターゲット作製に成功していることが確認できる。レーザーアブレーションの条件発光分光分析装置を用いて雲母ターゲットをパルスレーザーアブレーションした時に生じるプルームの発光スペクトル分析を行った。作製したターゲットをターゲットホルダーに固定してチャンバーを密封した後、ロータリーポンプおよびターボ分子ポンプを用いて真空引きを行う。およそ2~3時間の排気により、チャンバー内は~106Torrの高真空に達する。その後、所定のレーザーフルエンスエネルギー密度と周波数に設定したパルスレーザーをチャンバー内に入射してアブレートさせ、この時のプラズマプルームの観測を行った。表1に示したのはレーザーアブレーションの条件である。上述したようにレーザーにはKrFエキシマレーザーを用いて、レーザーフルエンスは10~46Jcm2の範囲で、繰り返し周波数は5Hzとした。基板への成膜条件使用する基板は、10mm×10mm程度の大きさにカットし、アセトン、エタノール、ELアセトン、ELエタノールを用いて超音波洗浄をそれぞれ5min行った後、乾燥窒素にて乾燥させて基板ホルダーに金属製のクランプを用いて取り付けた。成膜装置の詳細は上述したとおりである。薄膜作製の条件を表2に示す。上述したようにレーザーはKrFエキシマレーザーを用いた。レーザーフルエンスは発光分光分析の結果を参照して20Jcm2以上の強度で行った。基板はサファイア基板のC面ピークとよく一致する2。雲母が結晶化するとき、八面体シートが最初に配向していき、その後八面体シートの上下を挟むように四面体シートが形成さる3。黒雲母の結晶化には八面体を構成する陽イオンが異相を形成しないことが必要である。酸化を抑えることのできる真空アニールが、Feを多く含む黒雲母膜の合成を促進したと考える。以上の結果より、サファイア基板上に成膜した膜に関して真空アニールは非常に有効な手段であることが期待される。次に様々な条件で真空アニールを行った時の結晶構造の変化について記述する。真空アニールを用いた黒雲母薄膜の合成ステップサファイア基板に成膜した膜を700°Cから1000°Cでアニールを行い結晶性と表面構造を評価した。図9にX線解析のwidescanの結果をのせる。700~900°Cでは、黒雲母の005のピークしか観測できないが、950°Cでアニールを行った時、新たに007のピークを65°C付近に確認した2。1000°Cでアニールを行うと黒雲母以外の異相ピークを確認した。黒雲母は980°C付近で脱水酸化反応が始まりOH基が結晶中から抜けていく4。また真空雰囲気でアニールを行うと黒雲母の3八面体を構成するFe2がFe3に変化し1000°Cを超える温度でFe3O4が形成されると報告されている56。脱水酸基反応とFeの酸化が起きたため、1000°Cで真空アニールを行った時雲母以外の異相が構成されたと考える。図10に005のピークからBraggの式より算出した面間距離を真空アニール温度ごとにプロットしたグラフを、図11にSherrerの式より算出した粒径を真空アニール温度ごとにプロットしたグラフを示す。700°Cから950°Cとアニール温度が上昇するにつれてピークの強度が上昇し、FWHMが小さくなる傾向にある。真空アニールを行うことで結晶性が向上している。しかし1000°Cでアニールを行った時950°Cよりもピークの強度が小さくなり、FWHMも広がった。これは異相が形成されたため雲母の結晶性が悪くなっていることを示している。また図11に示す粒径と、図12にまとめるAFMからみた粒子サイズは700~950°Cの領域では近い値を示している。そのため950°Cの温度までは表面に観測される粒は雲母であるといえる。1000°Cでアニールを行った時の表面の粒子サイズと、シェラーの式より算出した雲母の粒径は一致しなかったが、Fe3O4のピークから算出した粒径とは似た値を示した。そのため1000°Cで真空アニールを行った時に表面に析出しているのはFe3O4であると考えられる。950°Cで真空アニールを行うことで雲母薄膜の合成に成功した事をXRDの結果より示した。950°Cで真空アニールを行った黒雲母膜のRHEED像を図13に、ラマン分光の結果を図15に、XPSの結果を図16に示す。RHEEDはストリークパターンを示しており、膜を30度回転することでストリークの線幅が変化した。そのため作製した薄膜はエピタキシャルであることが期待され、表面は雲母の劈開面と同じ三回対称構造であることを示している。ラマン分光の結果より600cm1以下の領域で八面体シートを形成する陽イオンの並進運動を、600~800cm1の領域で四面体シートを形成するSiObSiボンドの振動を、800~1150cm1の領域でSiOnbの伸縮モードを、3400~3800cm1の領域でOHの伸縮モード710をそれぞれ確認した。XPSはアルゴンイオンで3分間表面をエッチングしてから測定した。雲母の主要元素であるKAlSiFeSiMgOのピークを確認した。また7~10°の底角領域を40回積算してXRDを測定したところ001のピークを875°に観測することができた図14。950°Cで真空アニールを行った黒雲母膜のAFM像を図17に、天然の雲母鉱物の劈開面のAFM像と模式図を図18と図19にそれぞれ示す。AFMの結果より、雲母の劈開面と同様な周期的な原子像を観測できた。原子像にみられる空孔の大きさも、SiO4四面体シートが形成する空孔の直径と同じ52Åとなった1112。以上の結果より黒雲母膜の合成に成功していることを確認した[参考文献]1MYoshimotoetalApplPhysLett6726152MEJnnlonsonetalAmericanMineralogist247297713DokladyoftheAcademyofScienceoftheUSSREarthsciencesections3041319894FGridiBennadjietalAppliedClayScience382592675UsaChandraetalJPhysDApplPhys15233123406CChonetalClaysandClayMineralsVol51No551952820037WangetalLunarandPlanetaryScienceXXXIII8DAMckeownMIBellESEtzAmerMiner8410419AnupamKMisraSpectrochimicaActaPartA612281228710LVHaleyetalJRamanSpectroscopy1320320511GSpoistoTheSurfaceChemSoils23423412SNishimuraetalLangmuir104554"