"少なくともpn接合をもつ結晶シリコン基板上にパッシベーション膜が形成され、導電性ペーストの印刷と熱処理の工程を経て電極が形成される太陽電池において、光生成されたキャリアをシリコン基板から取出す取出し電極がシリコン基板に接触するように形成される第1電極と、前記第1電極で集められたキャリアを集める集電極が前記第1電極に接触するように形成される第2電極とを有し、前記第2電極とシリコン基板が、少なくとも第1電極と第2電極の接触点以外において部分的にしか又は全く接していないことを特徴とする太陽電池。前記第1電極と前記第2電極が接触する部分の面積を除いた第2電極とシリコン基板の非接触部の面積割合が、第2電極の幅と総延長で決まる面積から第1電極と該第2電極が接触する部分の面積を除いた面積に対して20以上である請求項1記載の太陽電池。前記第1電極は、第2電極と部分的に接触しているか、又は全体が重なり合っている請求項1又は2記載の太陽電池。前記第1電極は、B、Al、Ga、P、As、In、Sbの単体又は化合物を含有する導電性ペーストで形成され、前記シリコン基板の該電極下部分に該元素が高濃度に拡散された領域を有する請求項1乃至3のいずれか1項記載の太陽電池。前記パッシベーション膜は、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、酸化アルミニウム、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、酸化チタンのいずれか又はその組み合わせからなる請求項1乃至4のいずれか1項記載の太陽電池。前記第1電極と前記第2電極の組み合わせでなる集電極が、太陽電池の受光面又は非受光面あるいはその両方に形成されている請求項1乃至5のいずれか1項記載の太陽電池。請求項1乃至6のいずれか1項に記載の太陽電池を電気的に接続してなることを特徴とする太陽電池モジュール。しかしながら、ナロー接触型やポイント接触型の形成は工程数のみならず、パターニングのためにレジスト材料やエッチングペーストなどが新たに必要になることからコスト高であり、パッシベーションの効果による利得を十分に得ることができない。またレーザーを使用する方法は装置が高価であり、また金属膜の形成に蒸着などの煩雑な工程が必要になるので、やはりコスト的メリットが低減されてしまう。本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、電極/シリコン界面での電荷損失が少なく、短絡電流、開放電圧が改善されて、太陽電池特性の向上した、コスト的に安価に製造することができる太陽電池及び太陽電池モジュールを提供することを目的とする。本発明は、上記目的を達成するため、下記太陽電池及び太陽電池モジュールを提供する。[1]:少なくともpn接合をもつ結晶シリコン基板上にパッシベーション膜が形成され、導電性ペーストの印刷と熱処理の工程を経て電極が形成される太陽電池において、光生成されたキャリアをシリコン基板から取出す取出し電極がシリコン基板に接触するように形成される第1電極と、前記第1電極で集められたキャリアを集める集電極が前記第1電極に接触するように形成される第2電極とを有し、前記第2電極とシリコン基板が、少なくとも第1電極と第2電極の接触点以外において部分的にしか又は全く接していないことを特徴とする太陽電池。[2]:前記第1電極と前記第2電極が接触する部分の面積を除いた第2電極とシリコン基板の非接触部の面積割合が、第2電極の幅と総延長で決まる面積から第1電極と該第2電極が接触する部分の面積を除いた面積に対して20以上である[1]記載の太陽電池。[3]:前記第1電極は、第2電極と部分的に接触しているか、又は全体が重なり合っている[1]又は[2]記載の太陽電池。[4]:前記第1電極は、B、Al、Ga、P、As、In、Sbの単体又は化合物を含有する導電性ペーストで形成され、前記シリコン基板の該電極下部分に該元素が高濃度に拡散された領域を有する[1]~[3]のいずれかに記載の太陽電池。[5]:前記パッシベーション膜は、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、酸化アルミニウム、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、酸化チタンのいずれか又はその組み合わせからなる[1]~[4]のいずれかに記載の太陽電池。[6]:前記第1電極と前記第2電極の組み合わせでなる集電極が、太陽電池の受光面又は非受光面あるいはその両方に形成されている[1]~[5]のいずれかに記載の太陽電池。[7]:[1]~[6]のいずれかに記載の太陽電池を電気的に接続してなることを特徴とする太陽電池モジュール。集電極とシリコンの間にパッシベーション膜を完全又は部分的に残すことにより、電極/シリコン界面での電荷損失を低減させ、短絡電流、開放電圧が改善されて、太陽電池特性を向上させることができる。また、工程は従来のスクリーン印刷技術などで実現可能であり、コスト削減に極めて有効である。図2は、本発明の一実施例を示す太陽電池であり、この太陽電池は、シリコン基板201に不純物を高濃度拡散して拡散層202を形成すると同時にpn接合が形成され、これによって少なくともpn接合をもつシリコン基板201上にパッシベーション膜203が形成され、導電性ペーストの印刷と熱処理の工程を経て電極が形成される太陽電池であって、光生成されたキャリアをシリコン基板から取出す取出し電極がシリコン基板に接触するように形成される第1電極204と、第1電極204で集められたキャリアを集める集電極が第1電極204に接触するように形成される第2電極205とを有し、少なくとも第2電極205と高濃度拡散層202が、第1電極204と第2電極205の接触点以外において部分的にしか又は全く接していないことで、第2電極205下におけるシリコン表面パッシベーションが可能となる。なお、206は裏面電極である。この場合、前記第1電極と前記第2電極が接触する部分の面積を除いた第2電極とシリコン基板の非接触部の面積割合が、第2電極の幅と総延長で決まる面積から第1電極と該第2電極が接触する部分の面積を除いた面積に対して20以上、特に40~100であることが好ましい。また、前記第2電極は、前記第1電極に用いる導電性ペーストのガラスフリット含有割合よりも少ないガラスフリット含有量の導電性ペーストで形成されることが好ましく、前記第2電極は、ガラスフリット含有量が少なくとも2質量以下、好ましくは1質量以下である導電性ペーストで形成されることが好ましく、0質量でもよい。この場合、第1電極に用いる導電性ペーストのガラスフリット含有量は、8~20質量、特に8~10質量とすることが好ましい。8質量より少ないと高濃度拡散層との接触が不十分になり、電気抵抗が増加して太陽電池の特性が低下することがある。また20質量より多いと電気的に絶縁物であるガラス成分が過剰になり、電極自体の導電率が低下したり、電極と高濃度拡散層の間にガラス成分が過剰に入り込んだりして電気抵抗が増加して太陽電池の特性が低下することがある。図2の太陽電池は、第1電極204が第2電極205と部分的に接触されているものであるが、図3に示すように、第1電極304全体を第2電極305と重なり合うように形成することができる。なお、図3において、301はシリコン基板、302は高濃度拡散層、303はパッシベーション膜であり、306は裏面電極である。前記第1電極は、B、Al、Ga、P、As、In、Sbの単体又は化合物を含有する導電性ペーストで形成され、前記シリコン基板の該電極下部分に該元素が高濃度に拡散された領域を有することが好ましい。前記第2電極の導電率は前記第1電極の導電率よりも高いことが好ましい。なお、前記パッシベーション膜は、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、酸化アルミニウム、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、酸化チタンのいずれか又はその組み合わせからなることが好ましい。前記第1電極と前記第2電極の組み合わせでなる集電極が、太陽電池の受光面又は非受光面あるいはその両方に形成されていることが好ましい。本発明の太陽電池の作製方法の一例を以下に述べる。但し、本発明はこの方法で作製された太陽電池に限られるものではない。高純度シリコンにBあるいはGaのようなIII族元素をドープし、抵抗率0.1~5Ωcmとしたアズカット単結晶{100}p型シリコン基板表面のスライスダメージを、濃度5~60質量の水酸化ナトリウムや水酸化カリウムのような高濃度のアルカリ、もしくは、フッ酸と硝酸の混酸などを用いてエッチングする。単結晶シリコン基板は、CZ法、FZ法いずれの方法によって作製されてもよい。また、高純度シリコンにPあるいはSbのようなV族元素をドープし、抵抗率0.1~5Ωcmとした単結晶{100}n型シリコン基板を用いても良い。さらに単結晶シリコンに限らず、キャスト法やリボン成長法などで得られる多結晶シリコン基板を用いることもできる。引き続き、基板表面にテクスチャとよばれる微小な凹凸形成を行う。テクスチャは太陽電池の反射率を低下させるための有効な方法である。テクスチャは、加熱した水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等のアルカリ溶液濃度1~10質量、温度60~100°C中に10~30分程度浸漬することで容易に作製される。上記溶液中に、所定量の2-プロパノールを溶解させ、反応を制御することが多い。テクスチャ形成後、塩酸、硫酸、硝酸、フッ酸など、もしくはこれらの混合液の酸性水溶液中で洗浄する。コスト的及び特性的観点から、塩酸中での洗浄が好ましい。清浄度を向上するため、塩酸溶液中に、0.5~5質量の過酸化水素を混合させ、60~90°Cに加温して洗浄してもよい。この基板上に、オキシ塩化リンを用いた気相拡散法により高濃度拡散層を形成する。一方、n型基板を使用する場合の高濃度拡散層は、臭化ホウ素の気相拡散などにより形成する。一般的なシリコン太陽電池は、pn接合を受光面側にのみ形成する必要があり、これを達成するために基板同士を2枚重ね合わせた状態で拡散したり、片面の拡散層をアルカリ水溶液などでエッチングしたりして、裏面にpn接合ができないような工夫を施す必要がある。拡散後、表面にできたガラスをフッ酸などで除去する。次に、受光面の反射防止パッシベーション膜を形成する。成膜には化学気相堆積装置を用い窒化シリコン膜などを約100nm程度成膜する。反応ガスとして、モノシランSiH4及びアンモニアNH3を混合して用いることが多いが、NH3の代わりに窒素を用いることも可能であり、また、H2ガスによる成膜種の希釈やプロセス圧力の調整、反応ガスの希釈を行い、所望の屈折率を実現する。窒化シリコンに限らず、熱処理や原子層堆積などの方法による酸化シリコン、炭化シリコン、酸化アルミニウム、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、酸化チタンなどを替わりに用いてもよい。パッシベーション膜は、窒化シリコン膜に限られず、上述したように、酸化シリコン、炭化シリコン、酸化アルミニウム、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、酸化チタン等やこれらの組み合わせでもよく、これらは常法によって成膜し得る。次いで、上記基板の受光面に、第1電極に該当する取出し電極のみを図4aに示すようなパターニングの製版でスクリーン印刷する。Ag粉末とガラスフリットを有機バインダーと混合したAgペーストを印刷し、この後、熱処理によりシリコン窒化膜等のパッシベーション膜にAg粉末を貫通させ、電極とシリコンを導通させる。なお、図4中、401は第1電極印刷パターンであり、402は第2電極印刷パターンである。第1電極とシリコン基板のオーミック接触をより低抵抗にして太陽電池の曲線因子を高めるためには、第1電極下のシリコン基板に高濃度の不純物拡散層を形成するとよい。第1電極用導電性ペーストにB、Al、Ga、P、As、In、Sbの単体又は化合物を予め添加しておくことで、電極印刷後の焼成と同時にシリコン基板に高濃度拡散層を形成することが可能である。導電性ペーストへの不純物添加量は、導電性ペーストの組成により異なるが、金属とシリコンの仕事関数の関係から、一般的にはシリコン基板に形成される高濃度不純物拡散層における最大不純物濃度が2×1019atoms/cm3以上、好ましくは5×1019atoms/cm3以上になるように調整するのがよい。なお、その上限は2×1022atoms/cm3である。第1電極を形成した上に、第2電極に該当する集電極をスクリーン印刷する。第2電極の製版は、図4bに示すような集電極のみのパターンでもよいし、図4cのように取出し電極と集電極両方のパターニングがされているものを使い、第1電極を重ね塗りしてもよい。後者の場合において、第2電極の導電率を第1電極の導電率より高くすることにより、電極の抵抗損を低減させ、太陽電池の特性を更に改善することが可能である。第2電極用Agペーストには、第1電極形成領域以外のパッシベーション膜を残すため、第1電極用Agペーストに比べてパッシベーション膜の貫通性能が低くなるように添加物を調整したものを使う。導電性ペーストのパッシベーション膜貫通性能は、導電性ペースト中のガラスフリット含有量により制御が可能である。ガラスフリットには、B-Pb-O系、B-Si-Pb-O系、B-Si-Pb-Al-O系、B-Si-Bi-Pb-O系、B-Si-Zn-O系等のガラス材料を用いるのが好ましい。裏面電極は、Al粉末を有機物バインダーで混合したペーストをスクリーン印刷して形成する。印刷後、5~30分間,700~850°Cの温度で焼成して、裏面電極と第2電極が形成される。裏面電極及び受光面電極の焼成は一度に行うことも可能である。また各面の電極を形成する順番は入れ替えてもよい。また、電極の形成方法は、スクリーン印刷に限らず、ディスペンサーやエアゾル堆積などの方法でも可能である。以下、実験例と実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。[実験例]第2電極下に残るパッシベーション膜の面積即ち、該電極とシリコンの非接触面積と太陽電池特性の関係を調べた。Ag粉末と有機バインダーとB-Pb-O系ガラスフリットとを混合して作製したペーストを、高濃度拡散層とその上にシリコン窒化膜パッシベーション膜を100nm形成したシリコン基板上へ印刷し、焼成を行った。このようにしてできた太陽電池セルから全ての電極を王水で溶解し、電極形成領域をダイシングで切り出し、評価試料とした。該試料両面にプローブを当て、受光面にエアマス1.5の擬似太陽光を照射し、開放電圧を測定した。図5は、電極下に残るパッシベーション膜の面積割合と開放電圧との関係を示す。該パッシベーション膜面積割合は導電性ペースト条件毎に6サンプルの平均値とし、開放電圧は平均値及び最大値と最小値をプロットした。図5に示すように、電極下パッシベーション面積が20の付近から開放電圧の上昇率は鈍化し、40以上でほぼ飽和した。この結果から、第2電極下パッシベーション面積は、該電極面積に対して20以上、好ましくは40以上であることが好ましいといえる。図6は、上記検討に用いたAgペーストのガラスフリット含有量を横軸にとり、第2電極下に残るパッシベーション膜の面積割合を縦軸に示す。第2電極下パッシベーション面積が20及び40となるAgペーストのガラスフリット含有量はそれぞれ約2質量及び1質量であった。なお、上記第2電極下におけるパッシベーション面積は、図7で説明される。図7は、上記電極溶解後の太陽電池セルにおける第2電極形成領域の試料表面を模式的に示す。該パッシベーション面積は、第2電極形成領域701の内側において、第1電極と第2電極が重なる部分704を除いた面積正味第2電極面積から第2電極がパッシベーション膜705を貫通した部分702の総面積を引いた面積で定義される。パッシベーション面積割合はパッシベーション面積と正味第2電極面積の比である。パッシベーション面積の測定は、デジタル撮像機による表面画像取得と、その画像処理などで可能である。[実施例、比較例]本発明の有効性を確認するため、比較例として一般的な電極構造の太陽電池と、本発明の電極構造の太陽電池の発電性能比較を行った。拡散厚さ250μm、比抵抗1Ωcmの、ボロンドープ{100}p型アズカットシリコン基板100枚に対し、熱濃水酸化カリウム水溶液によりダメージ層を除去後、水酸化カリウム/2-プロパノール水溶液中に浸漬し、テクスチャ形成を行い、引き続き塩酸/過酸化水素混合溶液中で洗浄を行った。次に、オキシ塩化リン雰囲気下、870°Cで裏面同士を重ねた状態で熱処理し、pn接合を形成した。拡散後、フッ酸にてリンガラスを除去し、純水洗浄の後、乾燥させた。以上の処理の後、プラズマCVD装置を用いてシリコン窒化膜を受光面反射防止パッシベーション膜として試料全面に形成した。ここで、上記基板を50枚ずつAとBに分けて受光面の電極印刷を行った。Aには、第1電極と第2電極が同一スクリーンにパターニングされた製版図4cを使用し、第1電極と第2電極を同時に1回印刷し、乾燥した。Bには、第1電極のみがスクリーンにパターニングされた製版図4aを使用し、第1電極のみを印刷し、乾燥した。AとBで使用したAgペーストは同一のもので、B-Si-Bi-Pb-O系ガラスフリットを3質量添加し、更に高濃度拡散層形成のためリン化合物を3質量添加したものを用いた。次に、全基板の裏側全面にAlペーストをスクリーン印刷し、乾燥した。この後、780°Cの焼成を空気雰囲気下に行い、Ag電極にシリコン窒化膜を貫通させてシリコンと導通させると同時に、基板裏面のAl電極をシリコンと導通させた。Aは電極全面がシリコンと導通し、電極とシリコンの非接触面積が0であった。一方、Bには第2電極を形成するため、図4cの製版を使用し、第1電極と重なり合うように形成した。第2電極とシリコンの非接触面積が80になるようにガラスフリット添加量を調整し、かつ第1電極より高い導電率を持つように調合されたAgペーストをスクリーン印刷で塗付後、750°Cの熱処理を空気雰囲気下で行い硬化させた。AはBと熱履歴を同じくするため、Bと同じ焼成炉において空気雰囲気下で750°Cの熱処理を行った。A、B両者の太陽電池セルを、エアマス1.5の擬似太陽光を用いた電流電圧測定機で特性測定を行ったところ、表1に示すように、本発明を実施したBの特性がAの特性を優越する結果が得られた。"