"周囲温度に応じて、水晶振動子を振動させる発振回路の制御信号を出力する関数発生回路であって、周囲温度を検出する温度検出回路と、前記温度検出回路により検出された周囲温度に基づいて、ベジェ曲線を前記制御信号として生成するベジェ曲線生成回路とを備えることを特徴とする、関数発生回路。前記ベジェ曲線生成回路は、前記温度検出回路により検出された周囲温度に応じて、ベジェ曲線の制御点を切り替える切替部を有する、請求項1に記載の関数発生回路。前記切替部は、前記温度検出回路により検出された周囲温度に応じて、メモリから読み出すベジェ曲線の定義データを切り替える、請求項2に記載の関数発生回路。前記切替部は、前記温度検出回路により検出された周囲温度に応じて、ベジェ曲線の生成部を切り替える、請求項2に記載の関数発生回路。前記ベジェ曲線は、2次ベジェ曲線である、請求項1から4のいずれか一項に記載の関数発生回路。前記ベジェ曲線生成回路は、制御信号発生回路の出力に第1の所定値を乗算する第1の乗算回路と、前記第1の乗算回路の出力に第2の所定値を加算する第1の加算回路と、前記第1の加算回路の出力の平方根を算出する平方根回路と、前記平方根回路の出力に第3の所定値を乗算する第2の乗算回路と、前記制御信号発生回路の出力に第4の所定値を乗算する第3の乗算回路と、前記第2の乗算回路の出力と前記第3の乗算回路の出力と第5の所定値とを加算する第2の加算回路とを有する、請求項5に記載の関数発生回路。前記ベジェ曲線は、以下の式で近似される、請求項5に記載の関数発生回路。請求項1から7のいずれか一項に記載の関数発生回路と、前記発振回路とを備える、水晶発振回路。請求項8に記載の水晶発振回路と、前記水晶振動子とを備える、水晶発振装置。検出された周囲温度に基づいて、ベジェ曲線を、水晶振動子を発振させる発振回路の制御信号として生成する制御信号生成方法。検出された周囲温度に基づいて、水晶振動子を発振させる発振回路の制御信号をベジェ曲線で近似するカーブフィッテング方法。しかしながら、水晶発振器の周波数温度特性を3次関数で近似するには精度上限界がある。特に、図3,4に示されるように、高温領域例えば、80°C以上と低温領域例えば、-30°C以下においては、式1の3次関数によって、水晶振動子を振動させる発振回路の制御信号を、水晶発振器の周波数温度特性によるTCXO出力の変動を精度良く補償可能な所望の温度補償曲線に近似させることは難しい。そこで、本発明は、水晶振動子を振動させる発振回路の制御信号を所望の温度補償曲線に容易に近似できる、関数発生回路、制御信号生成方法、カーブフィッテング方法等の提供を目的とする。上記目的を達成するため、本発明に係る関数発生回路は、周囲温度に応じて、水晶振動子を振動させる発振回路の制御信号を出力する関数発生回路であって、周囲温度を検出する温度検出回路と、前記温度検出回路により検出された周囲温度に基づいて、ベジェ曲線を前記制御信号として生成するベジェ曲線生成回路とを備えることを特徴とするものである。また、上記目的を達成するため、本発明に係る制御信号生成方法は、検出された周囲温度に基づいて、ベジェ曲線を、水晶振動子を発振させる発振回路の制御信号として生成するものである。また、上記目的を達成するため、本発明に係るカーブフィッテング方法は、検出された周囲温度に基づいて、水晶振動子を発振させる発振回路の制御信号をベジェ曲線で近似するものである。本発明によれば、水晶振動子を振動させる発振回路の制御信号を所望の温度補償曲線に容易に近似できる。以下、図面を参照しながら、本発明を実施するための形態の説明を行う。図5は、本発明の実施形態例であるTCXO100のブロック図である。TCXO100は、半導体集積回路ICで構成されている。TCXO100は、温度補償回路21と、ATカットの水晶振動子35を振動させる発振回路30と、メモリ40とを備えている。温度補償回路21は、周囲温度Tに応じて、発振回路30の制御電圧Vcを出力する関数発生回路である。発振回路30は、水晶振動子35を共振器として使用して、OSCOUT端子から出力される一定の発振周波数の発振出力を生成する。発振回路30に接続される水晶振動子35は、入力側のXT1端子と出力側のXT2端子を介してTCXO100に外付けされている。発振回路30は、例えば図2に示されるように、水晶振動子35が入出力部間に並列接続されたCMOSインバータ33と、CMOSインバータ35の入力部とグランドとの間に接続された可変容量素子31と、CMOSインバータ35の出力部とグランドとの間に接続された可変容量素子32と、CMOSインバータ35の入出力部間に並列接続された帰還抵抗34とを備えている。可変容量素子の具体例として、可変容量ダイオードバリキャップが挙げられる。発振回路30は、可変容量素子のそれぞれの両端に印加される制御電圧Vcに応じて、一定の発振周波数の発振出力をOSCOUT端子に出力する。なお、発振回路30は、この構成に限られるものではない。図5において、メモリ40は、温度補償回路21のベジェ曲線生成回路7がベジェ曲線を生成するために必要なデータ例えば、後述の、ベジェ曲線の制御点の座標データ又は定数a~eを記憶する装置である。メモリ40内のデータは、CLK端子とDATA端子を介して、TCXO100の外部から書き換え可能である。メモリ40には、製品出荷前の個々の製品毎に調整されたデータが記憶される。また、温度補償回路21は、温度検出回路2とベジェ曲線生成回路7とを備える関数発生回路である。温度検出回路2は、発振回路30を含むTCXO100及び/又は水晶振動子35の温度を周囲温度Tとして検出し、検出された周囲温度Tに応じた電圧を周囲温度Tの検出電圧VTとして1次の温度特性例えば、1次の負の温度特性で出力するものである。温度検出回路2は、例えば、周囲温度Tの増加に対して単調減少する1次の負の温度特性で変化する電圧を周囲温度Tの検出電圧VTとして出力する。ベジェ曲線生成回路7は、温度検出回路2により検出された周囲温度Tに応じて、ベジェ曲線を制御電圧Vcとして生成する。ベジェ曲線とは、m個の制御点を用いて描かれるm1次曲線である。制御点をB0B1...Bm1とすると、ベジェ曲線は、と表現される。Jiは、バーンスタイン基底関数のブレンディング関数である。式2において、パラメータtが0から1まで変化することで、B0とBm1を両端とするベジェ曲線が得られる。次に、m3とし、制御点をP0,P1,P2としたときの2次ベジェ曲線について図6を参照しながら説明する。ただし、x0≦x1≦x2とする。2次ベジェ曲線上の任意の点PBPyは、式34に示すtの関数ただし、0≦t≦1で表される。PBは、t0のときにP0、t1のときにP2となる。制御点P1の座標を変更することで、ベジェ曲線の曲がり度合いを調整することができる。式3をtについて整理すると、tについての2次方程式5となる。したがって、0≦t≦1であることから、tはPxを用いて式6で表される。式6を式4に代入すると、式7となる。すなわち、Pyは、Pxの関数となる。Pyが、制御電圧Vcに相当する。式7のabcdeは、式8~12に示されるように制御点P0P1P2で決まる定数であり、この3点の座標から容易に求めることができる。図7,8は、式7に基づいて2次ベジェ曲線を生成する回路例を示したブロック図である。図7,8の2次ベジェ曲線回路は、式3のPxを出力する制御信号発生回路8と、Pxに定数dを乗算した値を出力する第1の乗算回路9と、第1の乗算回路9から出力された乗算値に定数cを加算した値を出力する第1の加算回路10と、第1の加算回路10から出力された加算値の平方根を算出して出力する平方根回路11と、平方根回路11の出力値に定数bを乗算した値を出力する第2の乗算回路12と、Pxに定数eを乗算した値を出力する第3の乗算回路14と、第2の乗算回路12の出力値と第3の乗算回路14の出力値と定数aとを加算した値をPyとして出力する第2の加算回路15とから構成されている。図7に示した第1の回路例である2次ベジェ曲線回路16Aは、メモリ40図1参照内のROM41に予め記憶された3点P0,P1,P2の座標データに基づいて、定数abcdeをそれぞれ式8~12に従って演算するデジタル演算回路13を備えたものである。2次ベジェ曲線回路16Aは、デジタル演算回路13により演算された定数abcdeを用いて、式7に従ってPyを算出する。一方、図8に示した第2の回路例である2次ベジェ曲線回路16Bは、式8~12に従って予め演算された定数abcdeを格納するROM41を備えるものである。2次ベジェ曲線16Bは、ROM41から読み出した定数abcdeを用いて、式7に従ってPyを算出する。図7,8に例示される加算回路10,15、積算回路9,12,14、平方根回路11は、アナログ回路で構成できる。具体的には、加算回路10,15及び積算回路9,12,14は、演算増幅器を用いて構成可能である。平方根回路11は、その一例として、トランスリニア原理を用いた図9の回路が挙げられる。平方根回路は、周知であり、図9の構成に限られるものではない。図10は、2次ベジェ曲線回路を用いた温度補償回路21のブロック図の一例である。ベジェ曲線生成回路7は、温度検出回路2によって検出された周囲温度Tの検出電圧VTに応じて、ベジェ曲線の制御点を切り替える切替部として、スイッチ18を備えている。スイッチ18は、温度検出回路2によって検出された周囲温度Tの検出電圧VTに応じて、制御電圧Vcを生成するための2次ベジェ曲線の生成部を,複数のベジェ曲線生成部のうちのいずれかに切り替える。ベジェ曲線生成回路7は、2次ベジェ曲線の生成部として、生成するベジェ曲線の温度範囲が互いに異なる2つの2次ベジェ曲線回路17A,17Bを備えている。図11に示されるように、生成すべき制御電圧Vcの温度特性は、水晶発振器の周波数温度特性に対応するように2つの極値点が存在する。そのため、図10において、2次ベジェ曲線回路17Aは、変曲点温度T0に対して低温側の温度領域における制御電圧Vcを生成し、2次ベジェ曲線回路17Bは、変曲点温度T0に対して高温側の温度領域における制御電圧Vcを生成する。所望の温度補償曲線への制御電圧Vcのカーブフィッテングは、それぞれの温度領域の制御点P0P1P2の座標データの調整によって行われる。ベジェ曲線生成回路7は、温度検出回路2によって検出された周囲温度Tの検出電圧VTに応じて、スイッチ18を切り替えることにより、その検出された周囲温度Tにおける制御電圧Vcを生成する回路として、2次ベジェ曲線回路17Aと17Bのいずれかを選択する。また、ベジェ曲線の制御点を切り替える切替部としてのスイッチ18は、温度検出回路2によって検出された周囲温度Tの検出電圧VTに応じて、メモリ40内のROM41から読み出すベジェ曲線の定義データを切り替えるものでもよい。ベジェ曲線の定義データとは、例えば、上述の、各制御点Pの座標データ又は定数abcdeである。温度範囲毎の定義データがメモリに格納されている。ベジェ曲線生成回路7は、検出された周囲温度Tに対応する温度範囲のベジェ曲線の定義データを、図7又は8に例示される一つの2次ベジェ曲線回路に反映する。この構成により、複数のベジェ曲線生成回路を備える場合に比べて、回路規模を縮小できる。したがって、上述の実施形態によれば、制御電圧Vcを、水晶発振器の周波数温度特性によるTCXO出力の変動を精度良く補償可能な所望の温度補償曲線に容易に近似できる。すなわち、ベジェ曲線生成回路7によれば、所望の温度補償曲線の始点と終点の両端にベジェ曲線の制御点を設定し、その始点と終点との間に設定した制御点の座標データを変更することにより、その所望の温度補償曲線に精度良くカーブフィッテングする制御電圧Vcを生成することができる。このため、ベジェ曲線生成回路7を用いた温度補償回路21によれば、TCXOの温度補償範囲を例えば-30°C以下の低温領域と80°C以上の高温領域に広げても、その広げた温度領域において、制御電圧Vcを所望の温度補償曲線に柔軟にフィッテングすることができる。また、その広げた温度領域を精度良く補償するために、温度補償回路に4次以上の高次成分発生回路を設ける必要がないため、回路規模も抑えることができる。また、式7には2次以上の高次項は存在せず、さらに、平方根の項ではPxに含まれる雑音も1/2乗に圧縮される。このため、低雑音な温度補償回路を構成できる。以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形、改良及び置換を加えることができる。例えば、式7を1次の項を含まない式13に変形することにより、さらに低雑音な回路を構成できる。また、式7の√を含む項について着目し、式14のように変形する。式14では、kの値を変更することで、b’c’d’を変えられることから、bとcdの間でゲイン配分してもよいことがわかる。k1bとした場合には、b’1となる。したがって、図7,8の回路で、乗算回路12b倍アンプを省略できる。k√dとした場合には、d’1となる。したがって、図7,8の回路で、乗算回路9d倍アンプを省略できる。また、2次ベジェ曲線回路を用いた温度補償回路の場合、温度領域分割数を増やすにつれて高精度な制御電圧Vcを生成できる。また、m4以上の高次ベジェ曲線についても、上述と同様に、PyをPxの関数として表し、定数の演算をROM等のメモリやデジタル演算回路で行い、残りの演算をアナログ演算回路で行うことができる。また、m4以上の高次ベジェ曲線は2個以上の極値点を有するため、制御電圧Vcが定義される温度範囲を分割しなくても、所望の補償温度曲線への近似精度の高い温度補償回路を構成できる。また、上述の本発明の実施形態例では、検出された周囲温度に応じてベジェ曲線の制御点を切り替える切替部として、スイッチ18を例示した。スイッチ18は、トランジスタ等で構成されるハードウェアによって実現されてもよいが、中央演算処理装置CPUで処理されるプログラムによってソフトウェア上で実現されてもよい。"