"5~14重量のチタニアおよび86~95重量のシリカから本質的になるシリカチタニアガラスであって、前記ガラスが600~2500ppmの範囲のヒドロキシル含有量[OH]を有し、ΔCTEが20°C~100°Cの範囲の温度にわたって75ppb/°K未満であり、膨張性δCTE/dTが1.6ppb/°K2未満である、シリカチタニアガラス。前記ヒドロキシル含有量[OH]が800~2000ppmの範囲であることを特徴とする請求項1記載のシリカチタニアガラス。前記ガラスが、6.5~9重量のチタニアおよび91~93.5重量のシリカからなることを特徴とする請求項1記載のシリカチタニアガラス。前記ΔCTEが、20°C~100°Cの温度範囲にわたり65ppb/°Kより低いことを特徴とする請求項1記載のシリカチタニアガラス。前記ガラスが、1010°C以下の焼きなまし点を有することを特徴とする請求項1記載のシリカチタニアガラス。前記ガラスが、1000°C以下の焼きなまし点を有することを特徴とする請求項1記載のシリカチタニアガラス。前記ガラスが、950°C未満の仮想温度TFおよび≧800ppmのOH含有量を有することを特徴とする請求項1記載のシリカチタニアガラス。前記ガラスが、900°C未満の仮想温度TFおよび≧800ppmのOH含有量を有することを特徴とする請求項1記載のシリカチタニアガラス。膨張性δCTE/dTが、20°Cにおいて1.5ppb/°K2未満であることを特徴とする請求項1記載のシリカチタニアガラス。膨張性δCTE/dTが1.4ppb/°K2未満であることを特徴とする請求項1記載のシリカチタニアガラス。600~2500ppmの範囲のヒドロキシル含有量[OH]を有するシリカチタニアガラスの製造方法であって、シリカ前駆体およびチタニア前駆体をシリカ-チタニアスートに変換するための、少なくとも1つのバーナーを提供し、前記少なくとも1つのバーナーにおいて、シリカ-チタニアスートを形成し、a前記スートを堆積し、単一の工程において実質的に同時に、≧3の水蒸気分圧を有する雰囲気下でガラスへと固化する工程、およびb前記スートを堆積して多孔質のプリフォームを形成し、前記多孔質のプリフォームを、≧3気圧の圧力における純水蒸気の雰囲気下でガラスへと固化する工程からなる群より選択される1つの工程を行い、前記固化されたガラスを、1010°C以下の焼きなまし点未満でアニールして、950°C未満の仮想温度TFを有するガラスを形成し、前記ガラスが100°C/時間以下の速度で焼きなまし点まで加熱され、1~8時間、前記焼きなまし点で保持され、前記焼きなまし点から≧10°C/時間の冷却速度で冷却される、各工程を有してなる方法。前記ガラスが、前記焼きなまし点から、≧5°C/時間の冷却速度で冷却されることを特徴とする請求項11記載の方法。前記ガラスが、前記焼きなまし点から、≧3°C/時間の冷却速度で冷却されることを特徴とする請求項11記載の方法。水の分圧が少なくとも4であることを特徴とする請求項11記載の方法。前記シリカ-チタニアスートが、多孔質のプリフォームとして沈着し、前記多孔質のプリフォームが、純水蒸気中で固化されて、600~2500ppmの範囲のOHレベルをもたらすことを特徴とする請求項10記載の方法。前記シリカ-チタニアスートが多孔質のプリフォームとして堆積し、前記多孔質のプリフォームが3気圧に加圧された水蒸気中で固化されて、600~2500ppmの範囲のOHレベルをもたらすことを特徴とする請求項10記載の方法。EUVリソグラフィに利用するためのシリカチタニアガラスの現在および来るべき変化の結果として、改善が必要とされている。本開示は、現行のガラスに対して膨張性が改善された新規のシリカチタニアガラスに関する。本明細書に示されるように、本開示の教示は、より低いTFおよび改善された膨張性を得るために[OH]含有量を低減する必要があるという先行技術の教示に対し反論するものである。本開示は、低い仮想温度TFおよび増大した[OH]含有量を有するシリカチタニアガラスチタニアをドープしたシリカガラスとしても知られるを対象とし、前記[OH]含有量は600ppm~2500ppmの範囲である。1つの実施の形態では、[OH]含有量は800~2000ppmの範囲である。本開示に従ったシリカチタニアガラスは、5重量~14重量のチタニア含有量を有する。1つの実施の形態では、チタニア含有量は6.5重量~9重量の範囲にある。膨張性が改善された、開示されるシリカチタニアガラスは、例えば、限定されることなく、半導体光学、マスクおよびステージ、ナノインプリント技術、および宇宙用途における光学用ミラーに使用することができる。別の実施の形態では本開示は、低い仮想温度TFおよび増大する[OH]含有量を有するシリカチタニアガラスの製造方法を対象とし、600ppm~2500ppmの範囲の[OH]含有量は、選択され、制御された2500ppmを使用して、例えば600ppm以下の[OH]などのより低い[OH]を有するガラスと比較して、所定のアニーリング速度またはサイクルで、より低い仮想温度および改善された熱膨張挙動を有するシリカチタニアガラスの形成を可能にする。1つの実施の形態では、[OH]は600ppmより大きく、TFは950°C未満である。別の実施の形態では、[OH]は600ppmより大きく、TFは900°C未満である。追加の実施の形態では、シリカチタニアガラスは、950°C未満の仮想温度TFおよび≧800ppmのOH含有量を有する。さらなる実施の形態では、ガラスは、900°C未満の仮想温度TFおよび≧800ppmのOH含有量を有する。追加の実施の形態では本開示は、ΔCTEが20°C~100°Cの温度間隔にわたり75ppb/°K未満である、シリカチタニアガラスに関する。1つの態様では、ΔCTEは、20°C~100°Cの温度間隔にわたり70ppb/°K未満である。さらなる態様では、ΔCTEは、20°C~100°Cの温度間隔にわたり、65ppb/°K未満である。本開示は、膨張率δCTE/dTが20°Cにおいて1.6ppb/°K2未満のシリカチタニアガラスも対象とする。1つの実施の形態では、δCTE/dTは1.5ppb/°K2未満である。別の実施の形態では、δCTE/dTは1.4ppb/°K2未満である。本開示は、シリカチタニアガラスの製造方法も対象とする。1つの実施の形態では、シリカ-チタニアはスートトゥガラス法で製造することができ、ここで、シリカ-チタニアスートは、微粒子として容器に、またはプリフォームとして皿patenまたはマンドレルに堆積され、スートまたはプリフォームの固化は、3より大きい水の分圧における固化温度で行われる。別の実施の形態では、水の分圧は4より大きい。別の実施の形態では、シリカチタニアガラスの製造には直接法が用いられる。本開示に従った直接法では、シリカ-チタニア粒子は、バーナーにおけるシリカ前駆体およびチタニア前駆体材料の燃焼によって形成され、粒子は3より大きい水の分圧を有する雰囲気下でガラスへと固化され、固化は粒子の形成およびそれらの容器内における堆積と実質的に同時に起こる。直接法では、シリカ-チタニア粒子の形成とガラスへの固化との時間間隔は3秒未満であり、典型的には2秒未満である。1つの実施の形態では、固化は、3より大きい水の分圧を有する雰囲気下で生じる。別の実施の形態では、水の分圧は4より大きい。アニーリングスケジュールの目的は、一定のおよび制御された仮想温度をガラスに与えることである。本明細書に記載されるシリカチタニアガラスは、1040°C以下の焼きなまし点を有する。本明細書に示す例は、約1010°Cの焼きなまし点を有する。1つの実施の形態では、仮想温度はガラスの焼きなまし点未満であろうことから、アニーリングは、ガラスを室温RT,約18~25°Cからガラスの焼きなまし点以下の選択温度まで加熱することによって行われる。任意の速度で加熱することができ、例えば、選択加熱速度は25°C/時間~150°C/時間である。ガラスは、次に、ガラスの厚さに応じて、1時間~500時間、選択温度で保持され、ガラス全体が公称上、均一な仮想温度に達することを確実にする。1つの実施の形態では、ガラスは、75~125時間、その温度で保持される。1つの実施の形態では、ガラスは、室温から所望の仮想温度に近い温度に至るまで、50°C/時間未満の速度で加熱される。別の実施の形態では、ガラスは、室温から600°Cに至るまで50~100°C/時間の速度で、600°Cから800°Cに至るまで25~50°C/時間の速度で、および、800°Cから、840°C~1010°Cにおける所望の仮想温度に近い温度に至るまで10~25°C/時間の速度で、加熱される。ガラスは、その温度で1~200時間保持される。ガラスは、例えば≦10°C/時間の速度で冷却することができる。別の実施の形態では、冷却速度は≦5°C/時間である。別の実施の形態では、冷却速度は≦3°C/時間である。これから、添付の図面に例証される幾つかの好ましい実施の形態に関連して、本発明を詳細に説明する。好ましい実施の形態の説明において、多くの具体的詳細は、本発明の完全な理解を提供する目的で記載される。しかしながら、本発明が、これらの具体的詳細の一部またはすべてを用いずに実施できる場合があることは、当業者には明らかであろう。他の事例では、周知の特性および/または工程段階は、本発明を不必要に不明瞭にしないために、詳細に説明していない。加えて、共通または類似の要素を識別するために、同様または同一の参照番号が用いられる。本明細書ではシリカチタニアガラス、チタニアをドープしたシリカおよび類似の用語は、SIO2およびTiO2からなるガラスを意味する。ガラスは微量金属および他の元素を汚染物質として含みうるが、微量金属の合計は、20ppm未満であるべきであり、好ましくは10ppm未満であり;ハロゲンの合計は50ppm未満であり、好ましくは25ppm未満である。高OHのチタニア含有ガラスを製造できるさまざまな方法が存在する。1つの実施の形態では、ガラスは、シリカおよびチタニアの有機前駆体をバーナーに供給し、そこで燃焼を行う直接法によって作製される。典型的な有機前駆体は、シリカではOMCTSオクタメチルシクロテトラシロキサン、チタニアではTTPチタンテトライソプロポキシド、Ti4である。これらの前駆体は、単一の工程で、実質的に同時に堆積および固化されてシリカチタニアガラスを形成するように、それらが反応し、シリカおよびチタニアスート粒子を形成する高温の加熱炉の空洞内に注入され、ここで、スート粒子が堆積する。高OHのガラスを製造するために、重要なことは、堆積の間に、堆積チャンバにおける気相の水の分圧を高く維持することである。水蒸気は、発生させて、チャンバ内に直接注入することができる。水蒸気は、メタンの燃焼:CH4O2→H2OCOおよび/または、酸素の存在する度合いに応じてCO2などによって、これらの反応から発生させることができよう。水蒸気は、水素含有有機前駆体と酸素の反応:例えば、PMCTSおよびTTPの有機部分から発生させることもできる。加えて、水蒸気は、意図的に加えることができ、あるいは、ある程度の湿度レベルを有する同伴空気として、チャンバに入ることもある。水の分圧が高くなると、ガラス中に、より高いOHレベルを生じる。1つの実施の形態では、水の分圧は、≧3より大きい。別の実施の形態では、水の分圧は≧4である。別の実施の形態では、本開示に従った高OHシリカチタニアガラス組成物は、例えば、限定されることなく、VAD気相軸付法、OVD外部蒸着法、PSDまたはIVD内部蒸着法などのスートトゥガラス法によって製造され、ここで、有機前駆体は、第1の工程において、燃焼し、多孔質のスートとして堆積する。その後の工程では、スートは固化温度で固化される。固化の間、これらの工程における雰囲気は、通常、低いOH雰囲気である、ヘリウム単独である。本開示に従って、ヘリウムは、約3を超える水蒸気分圧を含む。一部の事例では、スートは、600ppm~2500ppmのOHレベルを得るために、3気圧に加圧された純水蒸気または水蒸気下で固化されうる。上記方法は、高OHレベルのシリカチタニアガラスを製造できる方法である。ガラス気体が生じ、完全に固化された後、次の工程は、ガラスを100°C/時間未満の速度でアニールし、所望する低いTFを得ることである。低いTFガラスは望ましいことから、3°C/時間未満の冷却速度が好ましい。TiO2濃度およびアニーリング速度は、所望のクロスオーバー温度および膨張性挙動を獲得するために、調整することができる。一例として、さらに多くのチタニアを加えてクロスオーバー温度を上昇させることができ、幾つかの例では、クロスオーバー温度を低下させるために減らすこともできる。図9は、容器内でシリカ-チタニアスートを製造し、堆積し、固化するための装置を例証しており、ここで、破線の矢印110は、本開示に従った水蒸気を含む気体雰囲気の導入を示している。この装置を使用して、スートを、a1つの工程で収集および固化する直接法か、またはb第1の工程で収集し、第2の工程で固化することができる。図10に例証される装置は、一般に、02メートル~2メートル、またはそれ以上の範囲の直径および厚さを有するブールを形成するために用いられる。直接法の一例として、シリカ前駆体48の起源46およびチタニア前駆体60の起源58が提供される。シリカ前駆体48およびチタニア前駆体60は、典型的には、シロキサン、アルコキシド、および四塩化物である。特に一般的に用いられるシリカ前駆体の1つは、OMCTSである。特に一般的に用いられるチタニア前駆体の1つは、Ti4である。前駆体起源46、58は、噴霧器、蒸発槽、または前駆体48、60を蒸気の状態に変換するのに適切な他の装置であって差し支えない。窒素などのキャリアガス50は、起源46の基部またはその近くに導入される。キャリアガス50は、シリカ前駆体48の蒸気を同伴し、分配システム54を通過して混合マニホルド56に至る。キャリアガスのバイパス流は、蒸気質のシリカ前駆体の流れの飽和を防ぐために、52において導入される。例えば窒素などの不活性ガス62の流れは、蒸気の飽和を防ぐために、蒸気質のチタニア前駆体と接触させることができる。例えば窒素などの不活性のキャリアガス64は、チタニア前駆体60の蒸気を同伴し、分配システム66を通じて、混合マニホルド56まで蒸気を運び、ここで、シリカ前駆体48の蒸気と混合される。あるいは、チタニア前駆体60とシリカ前駆体48は、混合マニホルド56に液体の状態で送達されてもよい。混合マニホルド56内の混合物は、加熱されたヒュームライン68を通過して、炉クラウン72上に取り付けられたバーナー70に至る。この図では、2つのバーナー70が示されている。しかしながら、3つ以上のバーナーを用いて、堆積空洞74全体にわたるより良好な熱制御および材料の分配を可能にすることができる。加熱炉76は、回転および振動能力を有していて差し支えなく、クラウン72を支持する静止壁78を備えていてもよい。格納容器80は、静止壁78内に配置される。格納容器80は、回転のために支持され、振動台84に取り付けられることによっても振動する、基部82を備える。格納容器80は、振動台84の上に取り付けられた気流壁86に取り囲まれている。動作制御用シール88が静止壁78と格納容器80の間に形成される。堆積空洞74は、静止壁78の上部に形成された複数のドラフトポート94によって通気される。ドラフトポート94は、周囲圧力に関して堆積空洞74に陰圧を生じさせるダクトによって、適切な排気システム図示せずに接続される。燃料93および酸素95を予混合チャンバ97内で予混合し、その後、ヒュームライン99を通じてバーナー70に移す。バーナー70が燃料/酸素混合物に着火し、堆積空洞74を加熱する炎を生じる。バーナー70に注入される蒸気質の反応物質は、それらが反応し、火炎加水分解または熱分解を介してチタニアがドープされたシリカ粒子を形成する、バーナー70から出る。スートは下方に向かい、102に示されるように、平面100に堆積する。平面100は、清潔なカレット106を有する格納容器80のライナー104を満たすことによって提供されて差し支えないが、ガラス板などの平面を提供する他の手段も用いられうる。スートは格納容器80に堆積されることから、平面100は基部82を通じて回転および振動し、シリカの均質性を改善する。スートの堆積の間、加熱炉76は、周囲空気でドラフトされ、堆積空洞74の温度は、モニタされ、かつ、格納容器80の垂直位置を調整することによって、所望の処理温度で維持される。直接法では、温度は、シリカ-チタニア粒子が形成され、かつ実質的に同時にガラスへと固化されるように、固化温度に維持される。このような時間は、一般に3秒未満であり、典型的には2秒未満である。本開示によれば、ガラスにおいて高い[OH]濃度を得るため、本開示に記載される水蒸気の分圧は、破線矢印110に例証されるように、図9の加熱炉の一部の上部に選択量の水蒸気を含む気体を注入することによって、装置内で維持される。代わりの実施の形態では、蒸気、加圧容器図示せずからの高温蒸気は、破線矢印110で表されうる供給ラインを通じて、図9の加熱炉の上部に注入することができる。スート粒子102は、加熱炉76内部でチタニアがドープされたシリカガラスへと固化される。必要に応じて、ガラスのCTEに大きなばらつきを生じさせる結果となりうる不均一な反応は、スート粒子102が完全に固化するのに必要とされる未満の処理温度を保持することによって、最小限に抑えることができよう。堆積後、スート粒子102は、本明細書に記載されるように、加熱炉内の水蒸気の分圧を、高[OH]ガラスが形成される分圧に維持しながら、ガラスへと固化されうる。前述の通り、シリカチタニアガラスは、第1の工程において有機前駆体が燃焼し、多孔質のスートとして堆積する、VAD、OVD、PSD、またはIVDなどのスートトゥガラス法によって製造することもできる。その後の工程で、スートは、固化工程において固化される。一例として、VAD法は、5~14重量のTiO2含有量を有する固化されたシリカチタニアガラスの製造に用いられる。VAD法は、SHayashietalDevelopmentofSyntheticSilicaGlassbytheVADMethodSumitomoVol423pages127に記載されている[PhoenixTranslationsによる翻訳]。図10aおよび10bは、図10aに例証するように、シリカおよびチタニア前駆体をバーナー52内で燃焼し、スートを回転ベイト50上に堆積することによって、多孔質のシリカ-チタニアスートマトリクスを形成する工程を例証している。ベイト50は、円筒形のスートプリフォーム58を形成するための工程の間に徐々に上昇する。プリフォーム58は、ひとたび形成されると、図10bに示すように、加熱器54で加熱することによって固化される。[OH]を調整するため、少なくとも3の水蒸気分圧を含む気体が、固化工程の間にプリフォーム58によって、およびそこを通じて流れる。図10bに例証するように、プリフォームは、プリフォーム内の気体を排出し、それによって固化工程の間のガラス内の内包物空隙の形成を回避できるようにするため、図10aとは逆になっている。焼結は、図10bに例証するように、マトリクスの下端から上端まで行われる。本開示に従った高い[OH]レベルは、上記のように、水蒸気または蒸気の注入によって達成することができる。図1は、Cervit30、ULE36および米国特許第3,390,855号明細書の材料918AS参照番号3および900°Cで加熱処理後の918AS参照番号34についてのCTEの比較を示している。ガラス918ASの膨張性は、他の材料よりも広い温度範囲にわたって一定であるが、この材料の不利な点は、単相のガラスではなく、チタニア晶子を含むガラスであることである。チタニア晶子は、研磨を、特に、<1.5Armsの粗さレベルまで、さらに困難にする可能性を有する。これは、EUV用途のため、材料は、晶子を含まないか、または実質的に晶子を含まず、低い熱膨張および1.5nmrmsの高研磨性能など、他の望ましい特性を有するガラスであることが好ましい。図2は、米国特許第3,690,855号明細書から得た材料の熱処理の影響を示している。これらの高チタニア含有ガラスにおける熱処理は、チタニア晶子の沈殿を生じる結果となる。このことからも、材料は、多相の材料よりも容易に研磨できる単相ガラスであることが好ましい。図3Aおよび3Bは、ShelbyDensityofTiO2dopedvitreoussilicaPhysChemofGlassesVol465pages494499に基づいた仮想温度の計算に用いられる方法を例証している。図3Aは、図3Bに示すAgarwalDavisTomozawaの方程式Tomozawa方程式、式1について、切片におけるTiO2濃度の影響を例証している。図3Bは、仮想温度についてのTomozawa方程式における切片aを計算するための式1の使用を例証している:V=AB/Tf→Tf°C={41000÷最大ピーク-A}-273式1Vは2260cm1最大ピーク値におけるバンド位置であり、Aは切片であり、Bは傾き43809.21であるAAgarwalKMDavisMTomozawaJNonCrystallineSolidsVol185pages191198参照。図3Bにおいて、記号○参照番号10は、本開示のデータを表している。図4は、公称上800ppmのOHおよび7.4重量のチタニアを有する、所定のチタニアをドープしたシリカガラスについてのアニーリング速度のログ関数としての仮想温度の変化を例証している。冷却またはアニーリング速度は、約1000°Cから約800°Cまで一定である。図5は、公称上800ppmのOHを有するチタニア含有シリカガラスの粘性挙動を例証している。そのCTEは、20°Cにおいて、公称上、-15ppb/Kおよび5ppb/Kである。図6は、気相における水の分圧と、ガラス中の得られた[OH]との半経験的関係を例証している。それは、ガラス中の所望の[OH]を達成するための、標的に対する水の公称分圧を実証する。約3000ppmよりもはるかに高い[OH]レベルでは、システムを加圧する必要があろう。欧州特許第1608598号明細書は、最大で600ppmのOHおよび異なる仮想温度を有するガラスの、温度に対するCTEのグラフを含んでいる。しかしながら、この特許は、改善された膨張特性とともに、より低いTF値を得るための手段として、高OHを特定していない。よって、この特許は、より低い[OH]レベルにおいてのみ、低いTF値を有するガラスを得ることについて記載しており;改善された膨張特性とともに、より低いTF値を得るための手段として、高OHを特定しておらず、実際、本開示の段落[0025]および[0026]からは、かけ離れた教示であると見なすことができよう。図7は、7.4重量のチタニアガラスを含むシリカガラスの熱膨張におけるアニーリングの影響を例証するグラフである。参照番号40は、製造後に加熱炉内で単純に冷却した、アニールしていないガラスを表している。参照番号42は、約1010°Cのアニーリング温度まで加熱し、3°C/時間の速度で冷却したガラスを表している。図8は、公称上800ppmのOHおよび7.4重量のTiO2を有するチタニアシリカガラスの温度の関数としての膨張率を例証している。図11のグラフは、異なるOH含有量および、~7.4重量のTiO2の公称上同一のチタニア含有量を有する一連のシリカチタニアガラスのアニーリング冷却速度に対する仮想温度Tfを例証している。例えば、880~940ppmのOHを含むガラスが10°C/時間の速度で冷却される場合、冷却されたガラスの最終的な仮想温度Tfは、およそ920°Cであろう。同一のガラスが1°C/時間の速度で冷却される場合には、最終的な仮想温度は、およそ880°Cであろう。図11で用いられたガラスは、公称上7.4重量のチタニアを含んでいた。図12は、本明細書に記載される熱処理に供される前に決定される、所定のOH含有量を有するガラスについての特定の仮想温度を得るために用いるべき冷却速度を決定するための指針として使用することができる。よって、本開示は、本質的に、5~14重量のチタニアおよび86~95重量のシリカからなるシリカチタニアガラスを対象とし、前記ガラスは、600~2500ppmの範囲のヒドロキシル含有量[OH]を有し、ΔCTEは、20°C~100°Cの温度範囲にわたって75ppb/°K未満であり、膨張率δCTE/dTは1.6ppb/°K2未満である。シリカチタニアガラスは、800~2000ppmの範囲のヒドロキシル含有量[OH]を有しうる。1つの実施の形態では、シリカチタニアガラスは、6.5~9重量のチタニアおよび91~935重量のシリカを含む。1つの実施の形態では、シリカチタニアガラスのΔCTEは、20°C~100°Cの温度範囲にわたって65ppb/°K未満である。本明細書のシリカチタニアガラスは1010°C以下の焼きなまし点を有し、ガラスは950°C未満の仮想温度TFを有する。1つの実施の形態では、仮想温度TFは900°C未満である。さらには、シリカチタニアガラスは、1.5ppb/°K2未満の膨張率δCTE/dTを有する。1つの実施の形態では、膨張率δCTE/dTは、1.4ppb/°K2未満である。本開示はまた、600~2500ppmの範囲のヒドロキシル含有量[OH]を有するシリカチタニアガラスの製造方法も対象とし、前記方法は、装置、すなわちシリカ前駆体およびチタニア前駆体をシリカ-チタニアスートに変換するための少なくとも1つのバーナーを提供し;前記少なくとも1つのバーナーにおいてシリカ-チタニアスートを形成し、a単一の工程において実質的に同時に、前記スートを堆積し、≧3の水蒸気分圧を有する雰囲気下でガラスへと固化する工程、およびb前記スートを堆積して多孔質のプリフォームを形成し、≧3の水蒸気分圧を有する雰囲気下で前記スートをガラスへと固化する工程からなる群より選択される1つの工程を行い、前記固化されたガラスを、1010°C以下の焼きなまし点でアニーリングして950°C未満の仮想温度TFを有するガラスを形成する、各工程を有してなる。1つの態様では、水の分圧は少なくとも4である。別の態様では、シリカ-チタニアスートは、多孔質のプリフォームとして堆積し、前記多孔質のプリフォームは、純水蒸気の雰囲気下で固化され、600~2500ppmのOHレベルを得る。別の態様では、シリカ-チタニアスートは、多孔質のプリフォームとして堆積し、前記多孔質のプリフォームは、3気圧に加圧された水蒸気例えば、加熱された圧力チャンバを使用するなど下で固化され、600~2500ppmのOHレベルを得る。図10に例証される装置は、iシリカ-チタニアスートを製造し、それを容器中の粉末として堆積するため、あるいはiiスートを製造し、それを実質的に同時に堆積および固化するために使用することができる。両方の場合において、スートは、≧3の水蒸気分圧を含む雰囲気下で堆積することができる。図10a/10bに例証される装置、および類似の装置は、一般に、その後にガラスへと固化される多孔質のプリフォームを作るために、使用されうる。この事例では、スートは、i任意の水の分圧蒸気を含む雰囲気下で堆積することができるが、>3の水蒸気中で固化すべきではない、またはii3気圧に加圧された水蒸気中で固化することができる例えば、加熱された圧力チャンバを用いて。仮想温度が焼きなまし点未満であろうことから、室温RT約18~25°Cから焼きなまし点未満の選択温度までガラスを加熱することによって、一定のおよび制御された仮想温度をガラスに与えることを目的として、アニーリングを行った。加熱は任意の速度で行うことができ、例えば、加熱速度は25°C/時間~150°C/時間である。1つの実施の形態では、加熱速度は25°C/時間未満でありうる。ガラスは、ガラスの厚さに応じて1~500時間、選択温度で保持し、ガラス全体に公称上、均一な仮想温度に達することを確実にすることができる。1つの実施の形態では、ガラスを、75~150時間、選択温度で保持した。次に、ガラスを、100°C/時間未満の速度で冷却した。1つの実施の形態では、ガラスを、≦10°C/時間の速度で冷却した。別の実施の形態では、ガラスを≦5°C/時間の速度で冷却した。さらなる実施の形態では、冷却速度は、≦3°C/時間であった。1つの実施の形態では、ガラスを、室温から焼きなまし点に至るまで、50°C/時間未満の速度で加熱した。別の実施の形態では、ガラスを、室温から焼きなまし点に至るまで、25°C/時間未満の速度で加熱した。ガラスを焼きなまし点の温度で1~200時間の範囲で保持したが、正確な時間は、ガラスが全体的に実質的に均一な温度に達するように、アニーリングされるガラスの厚さに依存する。一例を挙げれば、ガラスは、室温から600°Cまで、50~100°C/時間の速度例えば60~75°C/時間で加熱され、600°Cから800°Cに至るまで、25~50°C/時間の速度例えば30~40°C/時間で加熱され、800°Cから1010°Cに至るまで、10~25°C/時間の速度例えば10~15°C/時間で加熱される。ガラスを、焼きなまし点の温度で、75~150時間、保持した。次に、ガラスを焼きなまし点の温度から室温まで、≦5°C/時間の速度で冷却した。別の例では、ガラスを、室温から1010°Cの焼きなまし点まで、5~10°C/時間の速度例えば10°C/時間で加熱し、焼きなまし点の温度で75~150時間、保持した。次いで、ガラスを≦3°C/時間の速度で室温まで冷却した。本発明を、限られた数の実施の形態について説明してきたが、本開示の利益を有する当業者は、本明細書に記載される本発明の範囲から逸脱しない他の実施の形態も考案できることを理解するであろう。したがって、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によってのみ、制限されるべきである。"