"過硫酸アンモニウム、有機酸、アンモニウム塩、含フッ素化合物、グリコール系化合物及びアゾール系化合物を含むことを特徴とするエッチング液。前記アンモニウム塩は、前記エッチング液中において0.01wt以上5wt以下であることを特徴とする請求項1に記載のエッチング液。前記アンモニウム塩は、CH3COONH4、NH4NO3、NH42HPO4、NH4H2PO4、NH4PO4、NH42SO4、またはこれらの組み合わせから選ばれた少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項2に記載のエッチング液。前記グリコール系化合物は、前記エッチング液中において0.01wt以上10wt以下であることを特徴とする請求項1に記載のエッチング液。前記グリコール系化合物はR1R2Hで表わされる化合物を含み、R1はOHまたはCH3CX2nOであり、前記XはH、OH及びCH3のうちの一種であり、前記nは0以上7以下であり、前記R2はCH2CH2OmまたはCHCH3CH2Omであり、前記mは1以上8以下であることを特徴とする請求項4に記載のエッチング液。前記有機酸は、前記エッチング液中において0.1wt以上30wt以下であることを特徴とする請求項1に記載のエッチング液。前記有機酸は、シュウ酸、オキサロ酢酸、フマル酸、リンゴ酸、コハク酸、酢酸、酪酸、パルミチン酸、酒石酸、アスコルビン酸、尿酸、スルホン酸、スルフィン酸、ギ酸、クエン酸、イソクエン酸、αケトグルタル酸、グリコール酸、またはこれらの組み合わせから選ばれた少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項6に記載のエッチング液。前記過硫酸アンモニウムは、前記エッチング液中において0.1wt以上30wt以下であり、前記含フッ素化合物は、前記エッチング液中において0.01wt以上5wt以下であり、前記アゾール系化合物は、前記エッチング液中において0.01wt以上2wt以下であることを特徴とする請求項1に記載のエッチング液。前記含フッ素化合物は、HF、NaF、NaHF2、NH4F、NH4HF2、NH4BF4、KF、KHF2、AlF3、HBF4、LiF4、KBF4、CaF2、またはこれらの組み合わせから選ばれた少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項8に記載のエッチング液。前記アゾール系化合物は、ベンゾトリアゾールbenzotriazole、アミノテトラゾールaminotetrazole、アミノテトラゾールポタシウム塩aminotetrazoleofpotassiumsalt、イミダゾールimidazole、ピラゾールpyrazole、またはこれらの組み合わせから選ばれた少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項9に記載のエッチング液。前記金属配線は、銅膜、銅合金膜及びチタン膜/銅膜の二重膜のうちの一つであることを特徴とする請求項1に記載のエッチング液。前記過硫酸アンモニウムは、前記エッチング液中において0.1wt以上30wt以下であり、前記有機酸は、前記エッチング液中において0.1wt以上30wt以下であり、前記アンモニウム塩は、前記エッチング液中において0.01wt以上5wt以下であり、前記含フッ素化合物は、前記エッチング液中において0.01wt以上5wt以下であり、前記グリコール系化合物は、前記エッチング液中において0.01wt以上10wt以下であり、前記アゾール系化合物は、前記エッチング液中において0.01wt以上2wt以下であることを特徴とする請求項1に記載のエッチング液。残余物として水をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載のエッチング液。基板の上に銅を含む単一膜またはチタン及び銅を含む二重膜を形成することと、前記単一膜または前記二重膜をエッチング液でエッチングすることと、を含み、前記エッチング液は、過硫酸アンモニウム、有機酸、アンモニウム塩、含フッ素化合物、グリコール系化合物及びアゾール系化合物を含むことを特徴とする金属配線の形成方法。前記二重膜は、チタンを含む下部膜及び銅を含む上部膜を備え、前記二重膜をエッチング液でエッチングすることは、前記上部膜及び前記下部膜を一括してエッチングすることを特徴とする請求項14に記載の金属配線の形成方法。前記エッチング液中において、前記過硫酸アンモニウムは0.1wt以上30wt以下であり、前記有機酸は、0.1wt以上30wt以下であり、前記アンモニウム塩は、0.01wt以上5wt以下であり、前記含フッ素化合物は0.01wt以上5wt以下であり、前記グリコール系化合物は0.01wt以上10wt以下であり、前記アゾール系化合物は0.01wt以上2wt以下であることを特徴とする請求項14に記載の金属配線の形成方法。前記アンモニウム塩は、CH3COONH4、NH4NO3、NH42HPO4、NH4H2PO4、NH4PO4、NH42SO4よりなる群から選ばれた少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項16に記載の金属配線の形成方法。前記グリコール系化合物はR1R2Hで表わされる化合物を含み、R1はOHまたはCH3CX2nOであり、前記XはH、OH及びCH3のうちの一つであり、前記nは0以上7以下であり、前記R2はCH2CH2OmまたはCHCH3CH2Omであり、前記mは1以上8以下であることを特徴とする請求項17に記載の金属配線の形成方法。前記有機酸は、シュウ酸、オキサロ酢酸、フマル酸、リンゴ酸、酢酸、コハク酸、酪酸、パルミチン酸、酒石酸、アスコルビン酸、尿酸、スルホン酸、スルフィン酸、ギ酸、クエン酸、イソクエン酸、αケトグルタル酸、グリコール酸、またはこれらの組み合わせから選ばれた少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項18に記載の金属配線の形成方法。前記含フッ素化合物は、HF、NaF、NaHF2、NH4F、NH4HF2、NH4BF4、KF、KHF2、AlF3及びHBF4、LiF4、KBF4、CaF2、またはこれらの組み合わせから選ばれた少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項19に記載の金属配線の形成方法。前記アゾール系化合物は、ベンゾトリアゾールbenzotriazole、アミノテトラゾールaminotetrazole、アミノテトラゾールポタシウム塩aminotetrazoleofpotassiumsalt、イミダゾールimidazole、ピラゾールpyrazole、またはこれらの組み合わせから選ばれた少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項20に記載の金属配線の形成方法。本発明が解決しようとする課題は、高い安定性と工程上のマージンprocessmarginを確保し、且つ、銅膜を均一に滑らかなテーパーsmoothtaperにエッチングし得る優れたエッチング液及びこれを用いた金属配線の形成方法を提供するところにある。本発明の一実施形態に係るエッチング液は、過硫酸アンモニウム、有機酸、アンモニウム塩、含フッ素化合物、グリコール系化合物及びアゾール系化合物を含む。本発明の他の実施形態に係る金属配線の形成方法は、基板の上に銅を含む単一膜またはチタン及び銅を含む二重膜を形成することと、前記単一膜または前記二重膜をエッチング液でエッチングすることと、を含み、前記エッチング液は、過硫酸アンモニウム、有機酸、アンモニウム塩、含フッ素化合物、グリコール系化合物及びアゾール系化合物を含む。このように、本発明の一実施形態によれば、過酸化水素を使用しないことから、発熱現象やエッチング液の安定性の低下、高価な安定化剤の添加などによる問題を生じさせることなく、銅を良好なエッチング速度で滑らかなテーパーにエッチングすることができ、エッチング液の安定性を確保してエッチング液の性能を長期に亘って維持することができる他、エッチング工程上のマージンを十分に確保してコストを削減することができる。本発明の一実施形態に係るエッチング液は、過硫酸アンモニウムNH42S2O8;APSammoniumpersulfate、有機酸、含フッ素化合物、アンモニウム塩、グリコール系化合物、アゾール系化合物と残部に相当する水を含む。酸化剤としての過硫酸アンモニウムは、銅膜をエッチングする主成分であり、反応式1に示す反応によって銅膜をエッチングして安定化させた化合物を形成する。S2O8-22Cu→2CuSO4反応式1本発明の実施形態において、過硫酸アンモニウムとしては、半導体工程用の純度を有するものを用いることができる。本発明の実施形態に係るエッチング液において、過硫酸アンモニウムは、エッチング液の重量を基準として0.1重量以上30重量以下を占めるものであってもよい。前記エッチング液において、過硫酸アンモニウムが0.1重量よりも少なく添加される場合には、銅膜がエッチングし難く、30重量よりも多く添加される場合には、銅膜のエッチング速度が速過ぎて工程上の調節が困難になる。本発明の実施形態において、有機酸は、銅膜をエッチングする補助酸化剤assistanceoxidantであり、銅のエッチング過程で溶出された銅イオンによるエッチング速度の低下現象を防ぐキレート剤chelatingagentの役割を果たす。本発明の実施形態において、有機酸は、その種類が特に限定されることはないが、代表例としてシュウ酸、オキサロ酢酸、フマル酸、リンゴ酸、コハク酸、酢酸、酪酸、パルミチン酸、酒石酸、アスコルビン酸、尿酸、スルホン酸、スルフィン酸、ギ酸、クエン酸、イソクエン酸、αケトグルタル酸、コハク酸、グリコール酸などがあり、特に、クエン酸とグリコール酸を用いることが好ましい。本発明の実施形態において、有機酸としては、半導体工程用の純度を有するものを用いることができる。本発明の実施形態に係るエッチング液において、有機酸は、エッチング液の重量を基準として0.1重量以上30重量以下を占めるものであってもよい。前記エッチング液における有機酸の含量が0.1重量よりも少量であれば、補助酸化剤としての役割を果たすことができず、30重量よりも多量であれば、銅膜のエッチングが速過ぎて配線が短絡されるという不良が生じる虞がある。本発明の実施形態において、アンモニウム塩は、銅膜のエッチング速度を調節して銅膜のテーパ角taperangleを増加させる主成分であり、その種類が特に限定されることはないが、NH4で解離可能な化合物としてCH3COONH4、NH4NO3、NH42HPO4、NH4H2PO4、NH4PO4、NH42SO4などがあり、特に、CH3COONH4、NH4H2PO4を用いることが好ましい。本発明の実施形態において、アンモニウム塩としては、半導体工程用の純度を有するものを用いることができる。本発明のエッチング液において、アンモニウム塩は、エッチング液の重量を基準として0.01重量以上5重量以下を占めるものであってもよい。前記エッチング液において、アンモニウム塩の含量が0.01重量よりも少量であれば、エッチング速度が調節不可となり、5重量よりも多量添加する場合には銅膜のエッチングが不均一となるか、あるいは、エッチングされなくなる。本発明の実施形態において、含フッ素化合物は、銅下部のチタン膜をエッチングする主成分であり、フッ素を含んでいる化合物のことをいう。その種類が特に限定されることはないが、本発明の実施形態において、含フッ素化合物の例としては、HF、NaF、NaHF2、NH4F、NH4HF2、NH4BF4、KF、KHF2、AlF3、HBF4、LiF4、KBF4、及びCaF2などが挙げられる。本発明の実施形態に係るエッチング液において、含フッ素化合物は、0.01重量以上5重量以下を占めるものであってもよい。前記エッチング液において、含フッ素化合物が0.01重量よりも少量であれば、チタン膜がエッチングし難くなり、5重量より多量添加される場合には、チタン膜下部のガラス及び絶縁膜をエッチングしてエッチング不良を生じさせる虞がある。本発明の実施形態において、グリコール系化合物は、銅膜のエッチング速度を遅らせてCDスキューCutDimensionCDSkewを減らすと共に、テーパ角を増加させる主成分であり、下部ガラスや絶縁膜のエッチングを抑える特性も有している。本発明の実施形態において、グリコール系化合物は、その種類が特に限定されることはないが、R1R2Hで表わされ得る。前記R1はOHまたはCH3CX2nOであり、前記XはH、OH及びCH3のうちの一つであり、前記nは0以上7以下であり、前記R2はCH2CH2OmまたはCHCH3CH2Omであり、前記mは1以上8以下であってもよい。好ましくは、前記nは0以上3以下であり、前記mは1以上4以下である。本発明のエッチング液において、グリコール系化合物は、0.01重量以上10重量以下を占める。前記エッチング液において、グリコール系化合物が0.01重量よりも少量であれば、銅膜のエッチング速度が調節し難くなり、10重量よりも多量添加する場合に銅膜をエッチングし難くなる。本発明の実施形態において、アゾール系化合物とは、窒素を元素として含有し、少なくとも一つ以上の非炭素元素を環中に備えている5員へテロ環化合物5-memberedheterocyclecompoundのことをいう。特に限定されることはないが、本発明の実施形態において、アゾール系化合物の例としては、ベンゾトリアゾールbenzotriazole、アミノテトラゾールaminotetrazole、イミダゾールimidazole、ピラゾールpyrazoleなどが挙げられる。本発明の実施形態に係るエッチング液において、アゾール系化合物は0.01重量以上2重量以下を占めるものであってもよい。アゾール系化合物は、銅膜のエッチングを抑えて銅と他の金属の多層膜において金属間のエッチング速度を調節する役割を果たし、配線のカットディメンション損失cutdimensionloss、CDlossを低減し、金属配線をゲート及びデータ配線として使用可能にする。アゾール系化合物が本発明の実施形態に係るエッチング溶液に添加されない場合には、銅に対するエッチング速度を調節することができないだけではなく、CD損失が大きくなり、配線の直線性もまた低下して量産工程への適用時に深刻な問題を引き起こす恐れがある。本発明の実施形態において、水は、明示的な言及がなくても、エッチング液の全量において、水を除くその他の成分の重量和の100に対する残部である。本発明の実施形態において、水としては、半導体工程に用いられる十分な純度を有する水または超純水を用いることができる。本発明において開示するエッチング液またはエッチング液組成物の範囲には、上記の重量比の範囲内に含まれているエッチング液はもとより、たとえ組成がその重量比範囲の数値外にあるか、あるいは、上記で例示した成分の置換があるとしても、その変化された組成がこの分野において通常の知識を有する者にとって前記エッチング液組成と実質的に均等であることが自明であれば、そのような構成までも含まれる。図1Aは、比較例に係るエッチング液と関連し、保管日数storagedaysに対するEPD時間EtchingPointDetectorEPDTimeを示すグラフである。図1Bは、本発明の一実施形態に係るエッチング液と関連し、保管日数に対するEPD時間EPDTimeを示すグラフである。図2Aは、比較例に係るエッチング液と関連し、保管日数に対するCDスキューCDSkewを示すグラフである。図2Bは、本発明の一実施形態に係るエッチング液と関連し、保管日数に対するCDスキューCDSkewを示すグラフである。図3Aは、比較例に係るエッチング液と関連し、保管日数に対するテーパ角taperangleT/Aを示すグラフである。図3Bは、本発明の一実施形態に係るエッチング液と関連し、保管日数に対するテーパ角T/Aを示すグラフである。図4乃至図6は、本発明の一実施形態に係るエッチング液と関連し、銅イオン濃度に対するEPD時間EPDTime、CDスキューCDSkew及びテーパ角T/Aをそれぞれ示すグラフである。以下、図1乃至図6に基づき、本発明の実施形態に係る効果を、比較例と比較して説明する。[比較例]比較例に相当するエッチング液は、過硫酸アンモニウム、無機酸、アセト塩、含フッ素化合物及びアゾール系化合物を含む。チタン膜/銅膜の二重層を基板の上に形成し、前記二重層の上にフォトレジストパターンを形成した後、前記比較例に相当するエッチング液を用いて前記二重層をパターニングした。二重層は、基板の上にゲート線及びソース/ドレイン電極をそれぞれ形成するように、形成及びパターニングした。図1A、図2A及び図3Aを参照すると、常温保管3日後にEPD時間が増加し、CDスキューが増加し、テーパ角が減少し、経時的にエッチング特性が悪くなることを確認することができる。これは、酸化剤として用いる過硫酸アンモニウムAPSが常温で容易に分解されてしまい、銅に対するエッチング率が低下するためである。[実施形態]本発明の実施形態に係る金属配線のエッチング液は、過硫酸アンモニウムAPS、有機酸、アンモニウム塩、含フッ素化合物、グリコール系化合物及びアゾール系化合物を含む。本発明の実施形態に係る金属配線のエッチング液は、前記比較例に係るエッチング液と比較して、無機酸を有機酸に置き換え、アセト塩をアンモニウム塩に置き換え、グリコール系化合物が追加されたものである。チタン膜/銅膜の二重層を基板の上に形成し、前記二重層の上にフォトレジストパターンを形成した後に、前記エッチング液を用いて前記二重層をエッチングした。このとき、パネルのサイズ23’’及び40’’ごとにそれぞれエッチング工程を行い、二重層は、基板の上にゲート線及びソース/ドレイン電極をそれぞれ形成するように、形成及びエッチングした。図1B、図2B及び図3Bを参照すると、常温保管後7日が経過しても、EPD時間、CDスキュー及びテーパ角がばらつくことなく維持される点について、比較例に比べて長期保管時にもエッチング特性が保たれていることを確認することができる。このように、本発明の実施形態に係るエッチング液は、無機酸の代わりに有機酸を用いることにより、銅イオンの増加に伴うエッチング不良の現象を改善し、テーパ角T/Aの上昇のためのアンモニウム塩と、テーパ角及びエッチング速度の制御のためのグリコール系化合物を添加することにより、エッチング特性を改善することができる。図4乃至図6は、エッチングしようとする金属配線のエッチング処理数thenumberofetchingtreatmentsの増加時にエッチング液中の銅イオンが増加してエッチング能力に及ぼす影響を調べるためのグラフである。すなわち、銅イオンの濃度を1000ppm、2000ppm、3000ppm、4000ppmまで増加させながらEPD時間、CDスキュー及びテーパ角をそれぞれ測定した。図4乃至図6を参照すると、本発明の実施形態に係るエッチング液は、銅イオンを4000ppmまで増加してもエッチング特性に大きな変化がないという点で、多数のチタン膜/銅膜をエッチングしても初期の性能を維持し得るということを確認することができる。図7乃至図16は、本発明の実施形態1乃至実施形態10のエッチング液でチタン/銅二重膜をエッチングした銅層の側面をそれぞれ示す顕微鏡写真である。図17は、本発明の実施形態1のエッチング液でチタン/銅二重膜を常温保管において経過日数に応じてエッチングした実験において、エッチングされた銅層の側面を示す顕微鏡写真である。図18は、チタン/銅二重膜の銅層のエッチング処理をシミュレーションするために、本発明の実施形態1のエッチング液0ppm/0hrと比較して、保管期間の増加とともに汚染銅イオン濃度を増加させた本発明の実施形態1のエッチング液1000ppm/3hr,2000ppm/6hr,3000ppm/9hr,及び4000ppm/12hrでエッチングした場合のチタン/銅二重膜のエッチングされた銅層の側面を示す顕微鏡写真である。以下、表1乃至表6及び図7乃至図18に基づき、本発明の実施形態に係るエッチング液についてより具体的に説明する。下記の実施形態に示す構成はあくまでも発明の理解への一助となるためのものであり、いかなる場合でも、本発明の技術的範囲を実施形態において提示した実施形態に制限しようとするものではない。本発明の実施形態に係るエッチング液を、表1に示す実施形態1乃至実施形態4の方法と同様にして製造してそのエッチング性能を比較した。実施形態1乃至実施形態4の組成は表1に示し、全ての数値は重量wt単位である。具体的には、チタン膜/銅膜の二重膜を、時間基準でゲート電極は200を超えて、ソース/ドレインS/D電極は300を超えてエッチングしたオーバーエッチングOveretchingにより、各実施形態のエッチング液を用いた場合の、エッチング速度、CDスキュー及びテーパ角をそれぞれ評価した。また、電子走査顕微鏡写真によりエッチングされた銅層の断面を観察した。その結果を表2と図7乃至図10に示す。エッチング終点etchingendingpointとは、エッチング液によって銅単一膜のエッチングが完了してガラス基板のガラスが露出された状態のことを言う。エッチング終点の値が小さいほどより良好なエッチング能力及びより高速なエッチング速度を示す。CDスキューCutDimensionskewとは、フォトレジスト末端と銅末端との間の距離のことを言うが、段差が出ることなく、且つ、均一なテーパエッチングが行われるためには、この距離は適切な範囲にある必要がある。テーパ角は、エッチングされた金属膜の側面から見た傾斜であり、約45°乃至約60°が適切な値である。上記表2に示すように、本発明の実施形態に係るエッチング液は、優れたエッチング速度とCDスキューを示し、テーパプロファイルを35°乃至50°に調節可能にするということが分かる。なお、図7乃至図10に示すように、パターンの直進性に優れており、しかも、安定性が良好であるというメリットがある。本発明の実施形態に係るエッチング液を表3に示す実施形態5乃至実施形態10の方法と同様に製造して、そのエッチング性能を比較した。これは、実施形態1乃至実施形態4とは異なり、有機酸1、アンモニウム塩及びグリコール系化合物の含量に変化を加えた後に測定した。実施形態5乃至実施形態10の組成は表3に示し、全ての数値は重量単位である。有機酸1はクエン酸、有機酸2はグリコール酸に相当する。具体的に、チタン膜/銅膜の二重膜を、時間基準でゲートGate電極は200を超えて、ソース/ドレインS/D電極は300超えてエッチングしたオーバーエッチングOveretchingにより、各実施形態のエッチング液を用いた場合のエッチング速度、CDスキュー及びテーパ角をそれぞれ評価した。また、電子走査顕微鏡写真によりエッチングされた銅層の断面を観察した。その結果を表4と図11乃至図16に示す。上記表4から明らかなように、実施形態5において有機酸1を0.1重量含有する場合には、銅エッチング終点の値が高過ぎて補助酸化剤としての役割を果たすことができず、実施形態6において有機酸1を30重量含有する場合には、銅エッチング終点の値が低過ぎて銅膜のエッチングが速過ぎて配線が短絡するという不良を生じさせる恐れがある。実施形態7においてアンモニウム塩を0.01重量含有する場合には、ゲートテーパ角が小さくなり、エッチング速度を調節し難く、実施形態8においてアンモニウム塩を5重量含有する場合には、銅エッチング終点の値が高過ぎて銅膜エッチングが不均一となるか、あるいは、エッチングされなくなる。実施形態9においてグリコール系化合物を0.01重量含有する場合にはゲートテーパ角が小さくなり、エッチング速度が調節し難く、実施形態10においてグリコール系化合物を10重量含有する場合にはソース/ドレインCDスキューが小さくなり、銅膜がエッチングし難くなる。前記実施形態5乃至実施形態10から明らかなように、本発明の実施形態に係るエッチング液は、有機酸は、0.1wt以上30wt以下、アンモニウム塩は、0.01wt以上5wt以下、グリコール系化合物は、0.01wt以上10wt以下であることが好ましい。また、本発明の実施形態1に係るエッチング液を、保管安定性及び処理数についてのエッチング性能を検証するために製造した。保管安定性は、常温25°Cにおいて7日間行い、処理数は、1時間当たりに銅イオンを350ppmずつ汚染して12時間かけて評価した。表5は、保管安定性の評価結果であり、表6は、処理数に対するエッチング結果を示す。上記表5と図17から明らかなように、本発明の実施形態に係るエッチング液は、初期常温保管7日までエッチング特性の変化がないことから、初期の性能を維持することができるという利点がある。上記表6と図18から明らかなように、本発明の実施形態に係るエッチング液は、銅イオンの濃度が4000ppmになるまでエッチング特性の変化がないことから、多数のチタン膜/銅膜の二重膜をエッチングしたとしても、初期の性能を維持することができるという利点がある。本発明の他の実施形態に係る金属配線の形成方法は、基板の上に銅を含む単一膜またはチタン及び銅を含む二重膜を形成することと、前記単一膜または前記二重膜をエッチング液でエッチングすることと、を含む。前記エッチング液としては、上述した本発明の一実施形態に係るエッチング液を用いることができる。前記基板の上に形成する単一膜または二重膜は、薄膜トランジスタ表示板においてゲート線またはデータ線から形成可能であり、特に、ゲート線またはデータ線がチタン膜/銅膜の二重膜から形成された場合に、本発明の一実施形態に係るエッチング液を用いて一括エッチングを行うことが可能である。ここで、チタン膜が下部膜であってもよく、銅膜が上部膜であってもよい。以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲において定義している本発明の基本概念を用いた当業者の種々の変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属するものである。"