メンブレンと、前記メンブレンの一方の側にガスを誘導するための第1の導管と、前記メンブレンの他方の側に液体を誘導するための第2の導管とを備え、前記メンブレンが前記液体に対して液親性である表面を有する加湿装置。前記表面が親水性である請求項1に記載の加湿装置。前記液体が、前記表面に対して、90°未満、または70°未満、または60°未満、好ましくは50°未満、さらに好ましくは30°未満の接触角を有する請求項1に記載の加湿装置。前記メンブレンが、使用中、前記液体に対しては非浸透的に機能し、前記液体の蒸気に対しては浸透的に機能する請求項1に記載の加湿装置。前記第2の導管に液体を供給する液体供給器をさらに備える請求項1に記載の加湿装置。前記第1の導管にガスを供給するガス供給器をさらに備える請求項1に記載の加湿装置。前記一方の側から離れる方にガスを誘導する第3の導管をさらに備える請求項1に記載の加湿装置。前記他方の側から離れる方に液体を誘導する第4の導管をさらに備える請求項1に記載の加湿装置。前記メンブレンがチューブの形態であり、好ましくは前記メンブレンの前記一方の側が前記チューブの内部である請求項1に記載の加湿装置。前記メンブレンがフッ素化スルホン酸共重合体からなる請求項1に記載の加湿装置。前記第2の導管の上流側の前記液体の温度を調節するためかつ/または前記メンブレンの上流側および/または下流側の前記ガスの温度を調節するための液体温度調節器をさらに備える請求項1に記載の加湿装置。前記液体またはガスが調節される温度および/または前記液体またはガスの流速を変化させるために前記液体温度調節器を制御する制御器をさらに備える請求項11に記載の加湿装置。前記制御器が、前記メンブレンの前記一方の側に入るガス温度または前記メンブレンの前記一方の側から出て行くガス温度に基づいて制御を行う請求項12に記載の加湿装置。前記第1に導管の上流側で前記ガスを事前加湿する事前加湿装置をさらに備える請求項1に記載の加湿装置。請求項1に記載の加湿装置を備える液浸リソグラフィ装置。加湿されたガスを前記第3の導管から吹き込むためのパージシステムをさらに備え、好ましくは、前記パージシステムが、液体閉じ込めシステム、乾燥ステーション、蒸発低減システムのうちの少なくとも1つである請求項15に記載の液浸リソグラフィ装置。メンブレンと、液体の温度を調節する液体温度調節器と、前記液体温度調節器から前記メンブレンの一方の側に液体を誘導する液体導管と、前記メンブレンの他方の側にガスを誘導するガス導管とを備え、前記メンブレンの前記他方の側の前記ガスの温度が、前記メンブレンの前記一方の側の液体の温度によって支配される、加湿装置。前記液体温度調節器が、前記ガスの実際の温度および/または所望の温度に基づいて、前記液体の所望の温度を表す制御信号を受け取る請求項17に記載の加湿装置。前記ガスの前記実際の温度が、前記メンブレンの前記他方の側を出て行くガスの温度である請求項18に記載の加湿装置。液体に対して液親性であるメンブレンの一方の側に前記液体を供給すること、および前記メンブレンの他方の側に加湿されるべきガスを供給することを含む、ガスを加湿する方法。前記メンブレンの前記他方の側に供給された前記ガスが、前記メンブレンの前記他方の側に供給される前に事前加湿される請求項20に記載の方法。前記メンブレンの一方の側に供給された前記液体が、その温度を調整されることによって前記ガスの温度を調節する請求項20に記載の方法。前記液体が、前記メンブレンに対して、90°未満、または70°未満、または60°未満、好ましくは50°未満、さらに好ましくは30°未満の接触角を有する請求項20に記載の方法。前記メンブレンが、前記ガスまたは前記液体がその中に供給される少なくとも1つの細長いパイプを含む請求項20に記載の方法。前記液体を供給することが、液体の流れを供給することを含む請求項20に記載の方法。前記メンブレンがフッ素化スルホン酸共重合体から製造される請求項20に記載の方法。請求項20の方法によって加湿されたガスを用いて、液浸リソグラフィ装置に液体を含ませる方法。前記ガスを供給することが、ガスの流れを供給することを含む請求項20に記載の方法。前記液体が水、好ましくは超純水である請求項20に記載の方法。液体の温度を制御し、該液体をメンブレンの一方の側に供給すること、加湿されるべきガスを前記メンブレンの他方の側に供給することを含み、前記メンブレンの前記他方の側のガスの温度が、前記メンブレンの前記一方の側の液体の温度によって支配される、ガスを加湿する方法。加湿ガスのための方法および装置を提供することが好ましい。本発明の一態様によれば、メンブレンと、前記メンブレンの一方の側にガスを誘導するための第1の導管と、前記メンブレンの他方の側に液体を誘導するための第2の導管とを備え、前記メンブレンが前記液体に対して液親性である加湿装置が提供される。本発明の一態様によれば、メンブレンと、液体の温度を調節するための液体温度調節器と、前記液体温度調節器から前記メンブレンの一方の側まで液体を誘導する液体導管と、前記メンブレンの他方の側までガスを誘導するガス導管とを備え、前記メンブレンの他方の側の前記ガスの温度が、前記メンブレンの一方の側の液体の温度によって支配される加湿装置が提供される。本発明の一態様によれば、液体に対して液親性であるメンブレンの一方の側に前記液体を供給すること、および加湿されるべきガスを前記メンブレンの他方の側に供給することを含むガスを加湿する方法が提供される。本発明の一態様によれば、液体の温度を調節し、その液体をメンブレンの一方の側に供給すること、および加湿されるべきガスを前記メンブレンの他方の側内供給することを含み、前記メンブレンの他方の側のガスの温度が、前記メンブレンの一方の側の液体の温度によって支配されるガスを加湿する方法が提供される。ここで、本発明の実施形態を添付の概略図を参照して単なる例示として説明するが、図中において対応する参照記号は対応する部品を指すものであることに留意されたい。図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。このリソグラフィ装置は、-放射ビームB例えばUV放射またはDUV放射を調整するように構成されたイルミネーションシステムイルミネータILと、-パターニングデバイス例えばマスクMAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造例えばマスクテーブルMTと、-基板例えばレジストコートウェーハWを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTと、-パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wの例えば1つまたは複数のダイを備えるターゲット部分Cに投影するように構成された投影システム例えば屈折投影レンズシステムPSと、を備える。イルミネーションシステムは、放射の誘導、成形、または制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、またはそれらの組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。支持構造は、パターニングデバイスを支持する、つまりその重さを支える。支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレームまたはテーブルでよく、必要に応じて固定式または可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書においてレチクルまたはマスクという用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語であるパターニングデバイスと同義とみなすことができる。本明細書において使用するパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用することができるどのようなデバイスも指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。パターニングデバイスは透過型でも反射型でもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型位相シフト、減衰型位相シフトのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリックス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリックスによって反射する放射ビームにパターンを与える。本明細書において使用する投影システムという用語は、例えば使用する露光放射、または液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システムおよび静電気光学システム、またはその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において投影レンズという用語を使用した場合、これはさらに一般的な投影システムという用語と同義とみなすことができる。ここに示している装置は透過タイプである例えば透過マスクを使用する。あるいは、装置は反射タイプでもよい例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、または反射マスクを使用する。リソグラフィ装置は2つデュアルステージまたはそれ以上の基板テーブルおよび/または2つ以上のマスクテーブルを有するタイプでよい。このようなマルチステージ機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、1つまたは複数の他のテーブルを露光に使用している間に1つまたは複数のテーブルで予備工程を実行することができる。図1を参照すると、イルミネータILは、放射源SOから放射ビームを受け取る。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別々の構成要素であってよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームは、放射源SOからイルミネータILへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムBDを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀灯である場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体型部品とすることもできる。放射源SOおよびイルミネータILは、必要であれば、ビームデリバリシステムBDとともに、放射システムと呼んでもよい。イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調節するためのアジャスタADを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常、それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるを調節することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布を持たせることができる。放射ビームBは、支持構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されたパターニングデバイス例えば、マスクMA上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクMAを通り抜けた後、放射ビームBは、投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点を合わせる。第2ポジショナPWおよび位置センサIF例えば、干渉装置、リニアエンコーダ、または容量センサを使って、例えば、様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置付けるように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサ図1には明示されていないを使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、マスクテーブルMTの移動は、第1ポジショナPMの一部を形成するロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めを使って達成することができる。同様に、基板テーブルWTの移動も第2ポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合はスキャナとは対照的に、マスクテーブルMTは、ショートストロークアクチュエータのみに接続されてよく、あるいは、固定されていてもよい。マスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2、および基板アライメントマークP1、P2を使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできるこれらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である。同様に、2つ以上のダイがマスクMA上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイとの間に置かれてもよい。例示の装置は、以下のモードの少なくとも1つで使用できる。1.ステップモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影するすなわち、単一静止露光。基板テーブルWTは、その後Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cが露光され得る。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一静止露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。2.スキャンモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影するすなわち、単一動的露光。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの拡大縮小率および画像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅非スキャン方向が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さスキャン方向が決定される。3.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持しながらマスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かすまたはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。上記使用モードの組合せおよび/または変形例、あるいは完全に異なる使用モードも採用可能である。特に液体閉じ込めシステムで、しかしそれだけでなく、乾燥ステーションなどの他のシステムで、液浸リソグラフィ装置においてさらに高い流速でガスを用いれば、例えば基板からの液浸液の蒸発は早くなることがある。この高い蒸発速度は装置を冷却し、装置の性能に有害な作用をもたらす。高湿度のガスが必要とされる別の領域は、基板の結像中に基板の上面全体が水に沈められる所謂オールウェット型液浸システムに用いられる。基板を覆っている水の蒸発に起因する有害な温度の変化を防ぐために、高湿度のガスを水面上にパージして、水面上の空気が飽和に近づき、それにより蒸発が排除されるようにする。このパージガスが供給されないと、通常の蒸発速度において温度を安定させておくためには、大量の水が必要となる。また、すべての光学センサ例:レベルセンサパージング、エンコーダセンサパージング等に対する障害を最小限に抑えるためには、加湿されたガスの流速を上げることが必要である。したがって、これらの増大された流れは、より効率的な加湿装置を必要とする。図6は液浸リソグラフィ装置に用いられるかもしれない一般的なパージガス供給システムを示す。このようなシステムは米国特許第2005/0051739号に詳細に記載されており、この文献を参照する。図6はパージガス供給システム100の実施を示す。しかし、図6に示したものと同様のシステムが、例えば液浸リソグラフィ装置のガスベアリングに用いられるガスを調整するために同様に用いられてもよい。図6の例では、パージガス入口110が、実質的に水分を含まない乾燥ガスを供給するパージガス供給装置図示せず、例えば、加圧ガス供給回路、圧縮乾燥空気を有するシリンダ等に接続されている。乾燥ガスはパージガス混合物生成器120を介して供給される。パージガス混合物生成器120では、以下にさらに詳細に説明するように、乾燥ガスがさらに浄化される。さらに、パージガス混合物生成器120は、パージガス出口130~132の一部のために乾燥ガスに水分を加える加湿装置150を含む。図6の例では、加湿装置150は単一のパージガス出口130に接続されている。その他のパージガス出口131、132は加湿装置150に接続されていない。このため、パージガス出口130においては、パージガスおよび水分を含んだパージガス混合物が提示され、その他のパージガス出口131、132においては、乾燥パージガスのみが提示される。これによって、パージガス混合物は、例えば図1の例の基板テーブルWTなどの、水分を必要とする化学物質を備えた表面付近のみに供給され得るが、リソグラフィ投影装置1の他の部分には、乾燥パージガス、すなわち水分を含まない、が供給され得る。しかし、加湿されたパージガスを用いる主たる理由は、特に非液浸型のリソグラフィ装置用の測定システムを妨げないためである。また、パージガスには水分が加えられるので、水分の相対湿度または相対純度などのパージガス混合物の特性を良好な精度で制御することができる。また、この加湿装置があるために、多少の水分をパージガスに加えることにより、パージガス混合物中に存在する水分の量を容易に調節することができるので、システムには柔軟性がある。図6の例のパージガス混合物生成器120は、流れ方向にこの順序で、浄化装置128、流量メータ127、弁125、リデューサ129、熱交換器126、および加湿装置150を含む。図6の例では、CDA源図示せずからの圧縮乾燥空気compresseddryairCDAが、パージガス入口110を介して浄化装置128に供給される。CDAは浄化器128によって浄化される。浄化器128は、平行な2つの流れ分岐部分128A、128Bを含み、これら分岐部分は各々、流れ方向にこの順序で、自動弁1281、1282、および再生成可能浄化デバイス1283、1284を含む。再生成可能浄化デバイス1283、1284は各々、加熱のための加熱要素を備え、これにより個々の浄化デバイス1283、1284を再生成する。流れ分岐部分は浄化デバイス1283、1284の下流側で、純度センサ1286によって制御される遮断弁1285に接続されている。再生成可能浄化器があるために、パージガスから除去された化合物で浄化器が飽和した場合、それらを再生成することによってシステムを長期間使用することができる。再生成可能浄化器は、例えば木炭フィルタにおいて行われる非再生成可能な化学的プロセスとは対照的に、例えば、吸着、触媒作用等の物理的プロセスを用いてガスから汚染化合物または粒子を除去する再生成フィルタとして知られたものなどの任意の適切なタイプのものであってよい。概して、再生成可能浄化器は有機材料を含まず、再生成可能浄化器は、例えば、パージガスの汚染物質、例えば金属、ゼオライト、チタン酸化物、ガリウムまたはパラジウム化合物等を物理的に結合するのに適した材料を含み得る。図6の例では、浄化デバイス1283、1284は交互に、CDAが浄化される浄化状態および再生成状態に置かれる。再生成状態では、浄化装置は個々の加熱要素を用いて再生成される。したがって、例えば、浄化デバイス1283がCDAを浄化する間、浄化デバイス1284が再生成される。浄化器128はこのようにして、一定の浄化レベルを維持しながら継続的に動作可能である。自動弁1281、1282はそれに対応する浄化デバイス1283、1284の動作に従って動作される。したがって、浄化デバイス1283、1284が再生成されるとき、それに対応する自動弁1281、1282は閉じられ、浄化デバイス1283、1284が浄化のために用いられるとき、それに対応する弁は開放される。浄化されたCDAは、純度センサ1286によって制御される遮断弁1285を介して送られる。このセンサは周知であり、簡潔にするためにさらに詳細には説明しない。純度センサ1286は、浄化されたCDAの純度が所定閾値より低くなったときに遮断弁1285を自動的に遮断する。したがって、純度レベルが不十分なパージガスによるリソグラフィ投影装置1の汚染は自動的に阻止される。浄化されたCDAの流れは流量メータ127を介して監視することができる。この流れは弁125を介して自動的に遮断することができる。リデューサ129はリデューサの出口に安定した圧力を供給し、これにより安定したパージガス圧が熱交換器126を介して制限部分に供給される。熱交換器126は浄化されたCDA温度を一定にする。特定の実施に適したガス温度を達成するために、熱交換器126は熱を引き出したり、浄化されたCDAに熱を加えたりする。リソグラフィ投影装置では、例えば、安定した処理条件が必要となり、したがって、経時的に一定であるガス温度を有するために熱交換器は浄化されたCDAの温度を安定させ得る。パージガス出口のパージガス温度にとって適した条件は、例えば、流速が50~60標準リットル/分液浸システムでは一般に、液体閉じ込めにガスが用いられるときは60~120標準リットル/分、基板を覆う水の蒸発を防ぐために用いられるときには100~120標準リットル/分および/または約22°Cのパージガス温度および/または30~99の範囲の相対湿度であることがわかっている。しかし、本発明はこれらの条件に限定されるものではなく、これらのパラメータに関する他の値が本発明のシステムにおいて同様に用いられてもよい。熱交換器126は制限部分143~145を介してパージガス出口130~132に接続されている。制限部分143~145は、パージガス出口130~132の各々において所望の固定されたパージガガスフローおよびパージガガス圧が得られるようにガスフローを制限する。これらのパージガス出口のパージガス圧の適した値は、例えば100mbarである。パージガス出口130~132の各々においてガスフローを調節可能にするために、調節可能な制限部分を用いることも可能である。加湿装置150は熱交換器の下流側の制限部分143とパージガス出口130との間に接続されている。図1および2の例では、パージガス出口130は基板テーブルWT付近に設けられている。加湿装置150は浄化されたCDAに水分を加え、ひいてはパージガス混合物を出口130に供給する。この例では、単一の出口においてのみパージガス混合物が放出される。しかし、例えば、多数のパージガス出口を別個の加湿装置に接続することによって、または2つ以上の出口を同一の加湿装置に接続することによって、2つ以上のパージガス出口においてパージガス混合物を放出することも可能である。図6に示した以外に、パージガス混合物生成器の異なる場所に加湿装置を設けることも可能である。例えば、加湿装置150は、弁143とパージガス出口130との間の代わりに、パージガス混合物生成器120と弁143との間に設けられてもよい。加湿装置150は制限部分として働いてもよく、そのような必要があれば、加湿装置150に接続された制限部分143を省いてもよい。本発明のパージガス供給システムの別の実施形態では、パージガス混合物の温度をよりよく制御するために追加の熱交換器図示せずがパージガス出口130に設けられる。図7および8は、図6のパージガス供給システムと一緒に用いてもよい本発明に係る加湿装置150を示す。加湿装置150の基本構成は図7aに示し、同じ原理で働くより複雑な構造を図7bに示す。図7aでは、加湿装置は、ガスを加湿するのに用いる液体通常は超純水に対しては非浸透性であるかのように機能し、その液体の蒸気に対しては浸透性に機能するメンブレン200を備える。メンブレンの水側を加圧することが可能であるべきでありこれは以下に記載するような親水性メンブレンに関しては必ずしも必要ではないが、水はメンブレンを通過してはならない。少なくとも、空気または窒素、酸素等の空気の成分を用いてガス側を加圧することもでき、ガスはまた、メンブレンを通過しない。液体はメンブレン材料を濡らし、その後蒸発する。このメンブレンは液体の蒸気のみを通過させることを可能にするので、液体分子はガスに入るときにメンブレンを離れることができる。メンブレンのガス側からの液体には僅かのガスが溶解する場合があるが、液体中に気泡は形成されない。したがって、メンブレンは液体の蒸気に対しては浸透性であるとみなすことができる。第1の導管210が加湿されるべきガスをメンブレン200の一方の側に誘導し、第2の導管220がガスを加湿するためにメンブレン200の他方の側に液体を誘導する。ガスがメンブレン200の一方の側に存在し、液体がメンブレン200の他方の側に存在するので、液体からの蒸気はメンブレン200を通過し、ガスを加湿する。加湿されたガスをメンブレン200から離れる方に誘導するための第3の導管230が設けられるように、かつ、液体をメンブレン200の他方の側から離れる方に誘導する第4の導管240が設けられるように、好ましくは、ガスの流れはメンブレン200を過ぎて供給される。これに類似する加湿装置が国際公開第2005/010619号に開示されており、この出願において述べられていることの大半が、特に、メンブレンの形状、どのように接続されるか等に関して、本願明細書において適用可能である。しかし、国際公開第2005/010619号に開示されているものとの大きな違いは、本発明のメンブレンには液親性表面が設けられていることにある。すなわち、メンブレン200の一方の側にある液体は、メンブレンに対して、90°未満、好ましくは70°未満、さらに好ましくは60°未満、さらにもっと好ましくは50°未満、最も好ましくは30°未満または20°未満もの接触角を有する。メンブレンとして使用するのに適した1クラスの材料は、合成イオン性ポリマーである重合フッ素化スルホン酸共重合体である。スルホン酸基は化学的に活性であるが、重合体マトリックス内で固定される。このような材料の1つは以下の化学式を有する:このメンブレンの親水性は、例えばメンブレンの一方の側または両側のコーティングによりおよび/または例えばメンブレンに電位を印加することによりもたらされてもよい。これらのタイプのメンブレンは従来、米国カリフォルニア州サンディエゴ所在のRasirc社によって商標Intaegerで販売されているものなどの蒸気浄化システムに用いられてきた。こういったメンブレンの利点は、低圧の液体をメンブレンの液体側に用いることができ、液体のガス側の蒸発効率がよりよいこと、すなわち、物質移動がメンブレンにわたってより大きいことにある。さらに、親水性メンブレンに関しては、疎水性メンブレンに比して実際のハードウェアが著しく低い10倍の圧力低下を有するように水を加圧する必要は必ずしもない。この特徴が本発明を実施可能にしているものである。メンブレンの表面積を最大化することが有利であり、好適な実施形態はメンブレンが中空繊維であり、液体が中空繊維の内側を通過し、ガスが中空繊維の外側の上を通過するしかし、この逆も可能である。このような一実施形態を図7bに示しており、液体はメンブレン200からなる中空繊維2000を介して供給される。図7bには1つの繊維のみが示されているが、当然、第2の導管220がいくつかの繊維に並列接続されてもよい。図7bの実施形態では、ガスは、中空繊維2000を囲繞するハウジング250に入り、導管210によってハウジング内に誘導された後に繊維の上を通され、その後、加湿されると、第3の導管230によってハウジング外にガスが誘導される。ガスの流れおよび液体の流れを供給するために、液体供給器およびガス供給器が必要である。これらは、例えば液体を供給するポンプおよび圧縮ガス源の形態を取ってもよい。図8は加湿装置の第2の実施形態を示しており、加湿装置150を出て行くガスの温度は、第2の導管220を介して加湿装置150に入ってくる液体の温度を注意深く制御することによって制御される。この目的のために、液体は第2の導管220に供給される前に液体調整装置1200によって調整される。調整装置1200は加湿装置150に入るまたは加湿装置150から出てくるガスの入力温度または出力温度に基づいて、液体の温度を所望の温度にする。したがって、この機能は加湿装置150によって自動的に実行されるので、パージガス供給システムの熱交換器126は必ずしも必要ではない。当然ながら、液体が再利用されるように、温度調整装置1200の後に第4の導管240が設けられてもよい。あるいは、パージガス供給システムのヒータ126に類似するヒータが、メンブレンの上流または下流でガスを加熱するために使用されてもよい。液体の蒸発時には温度損があるので、加熱が必要である。さらに、図8の加湿装置は2つのモジュールからなり得る。ローカルモジュールがパーツ150および1200を備え、これらは非常に高い相対湿度のガスが必要とされる場合に限り存在することができる。このため、第1の導管210には、装置1150によって加湿された事前加湿されたガスを供給することができる。ガスが加湿される場所からガスが実際に使用される場所までは大きな圧力低下が起こり得るので、この構成は特に良い。圧力低下がある場合、ガスの湿度も低下する。このため、パーツ150および1200を用いて比較的高い相対湿度を局所的にガスに与えれば、加湿装置と出口孔との間の圧力低下が最小化されるように、ガスの出口のより近くにモジュールを設置することが可能である。また、非常に高い湿度97を必要とするモジュールは数個だけしかないので、このように、そういう湿度を達成するのに用いられるエネルギーは低減される。加湿装置1150は、限定するものではないが、米国特許第2005/0051739号に開示されたような発泡加湿装置または国際公開第2005/010619号に開示されたような装置すなわち、疎液性メンブレンを備えた加湿装置を含むどのようなタイプのものであってもよいし、本発明に係り、図7に示したような加湿装置であってもよい。この事前加湿装置は、加湿された空気を約40~45の相対湿度または少なくとも97未満の相対湿度で約400リットル/分の流速で全モジュールに供給する。加湿装置1150はリソグラフィ装置全体に共通のものであってよく、この装置によって供給される液体の一部のみが必要に応じて加湿装置150に供給される。典型的には、モジュール全体の加湿された空気がクリーンルームで用いられる場合、加湿装置1150は相対湿度40~60のガスを供給する。これは80または90モジュール間の典型的な圧力低下での膨張の後では60であるまで増大されてもよい。この後加湿装置150を出たガスは少なくとも90、好ましくは97の相対湿度を有する。本明細書では、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及しているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドといった他の用途を有することが理解されるべきである。当業者には当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用されるウェーハまたはダイという用語の使用はすべて、それぞれより一般的な基板またはターゲット部分という用語と同義であると考えればよい。本明細書で参照した基板は、露光の前後に、例えば、トラック通常、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール、メトロロジーツール、および/または、インスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示を上記のような基板処理ツールおよびその他の基板処理ツールに適用してもよい。さらに、基板は、例えば、積層ICを作るために、複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語が、既に多重処理層を包含している基板を指すこともできる。本明細書で用いられている用語放射およびビームは、例えば、約365、248、193、157、もしくは126nm、またはその近辺の波長を有する紫外線UV放射を含む、あらゆる種類の電磁放射を包含している。用語レンズは、状況が許せば、屈折および反射光学コンポーネントを含む様々な種類の光学コンポーネントのどれか1つまたは組合せを指すことができる。本発明の特定の実施形態について上記において説明してきたが、本発明は、記載される以外の態様で実施されてもよいことを理解されたい。例えば、本発明は、上記に開示されている方法を記載する機械読取可能な命令の1つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムが記憶されているデータ記憶媒体例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスクの形態を取りうる。本発明は液浸リソグラフィ装置、限定するものではないが、特に、前述のタイプのものに適用することができる。上記の説明は、例示を意図したものであり、制限するものではない。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく記載の発明に変更を加えることもできる。