絶縁性ガスを封入した容器内部に、絶縁物で支持した高電圧導体を密閉してなる密閉型開閉装置において、前記高電圧導体表面に、抵抗特性を有する材料もしくはこれを混入させた樹脂からなる抵抗膜を設けたことを特徴とする密閉型開閉装置。前記抵抗膜は、その体積抵抗率を1E7Ωcm以上で且つ1E11Ωcm以下としたことを特徴とする請求項1に記載の密閉型開閉装置。前記抵抗膜をダイヤモンドライクカーボンから構成したことを特徴とする請求項1又は2に記載の密閉型開閉装置。しかしながら、従来技術である、高電圧導体への絶縁コーティング技術に関しては、次のような課題が指摘されていた。すなわち、絶縁膜11の表面が帯電した場合、膜11自体が絶縁性であるため、帯電電荷が高電圧導体1側へ漏洩して消失するのに、非常に長い時間を要する。帯電電荷は直流電界を生じるので、絶縁膜11は集塵性が高くなる。したがって、絶縁膜11が帯電していると、微細金属粉5は絶縁膜11表面に付着し易い。また、微細金属粉5が帯電した場合にも同様な懸念が生じる。そもそも微細金属粉5は絶縁ガス3等との摩擦で容易に帯電し、しかも軽量なので、AC電圧の印加に伴って生じる電界によっても動き易い。したがって、微細金属粉5が高電圧導体1近くを浮遊するとき、AC電圧によって動くことで、高電圧導体1に到達、付着する可能性は高い。微細金属粉5が高電圧導体1表面に付着したとしても、微細金属粉5の電荷極性が高電圧導体1へのAC印加電圧の極性と同じであれば、微細金属粉5は絶縁膜11表面に留まることはない。なぜなら、この場合は微細金属粉5に対し高電圧導体1から離脱する方向の静電気力が作用するからである。しかし、絶縁膜11の場合には、微細金属粉5の電荷極性が帯電電荷であるため、長い時間一定に保たれることになる。その結果、微細金属粉5の電荷極性と、高電圧導体1へのAC印加電圧の極性とは異なることが多く、微細金属粉5には絶縁膜11表面に吸着する方向に静電作用が働く。したがって、絶縁膜11表面には微細金属粉5が滞留し、集積し易い。つまり、微細金属粉5の多くが、密閉容器4の大型化の要因となる近傍金属粉6や付着金属粉7となってしまうことになる。先に説明したように、近傍金属粉6や付着金属粉7は、絶縁設計への制約条件となるので、これらの金属粉6、7の発生を回避することが望ましい。そこで、密閉型開閉装置にて優れた絶縁信頼性と縮小化を確保するためには、高電圧導体1表面から放射される初期電子を抑制することに加え、高電圧導体1表面への微細金属粉5の滞留、集積を確実に防ぐことが課題となっていた。本発明の実施形態は、上記の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、高電圧導体表面に存在する微細金属粉が高電圧導体表面またはその近傍に滞留、集積することを防ぐと共に、絶縁破壊の発生に必要な高電圧導体表面からの初期電子供給を抑えることにより、絶縁信頼性が高く、且つコンパクトな密閉型開閉装置を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明の実施形態は、絶縁性ガスを封入した容器内部に絶縁物で支持した高電圧導体を密閉してなる密閉型開閉装置において、高電圧導体の表面に、抵抗特性を有する抵抗膜を設けたことを特徴としている。[作用効果]以上のような構成を有する第1の実施形態では、図2に示すように、仮に抵抗膜12が帯電した場合でも、帯電電荷17を抵抗膜12の漏れ抵抗RLを通して比較的短時間で漏洩させることができる。つまり、抵抗膜12は直流電界を短時間で減衰させることが可能であり、集塵性を低減させることができる。したがって、抵抗膜12はその表面に微細金属粉5を集め難く、仮に抵抗膜12付近に微細金属粉5が浮遊、飛来していても、微細金属粉5が抵抗膜12表面に付着することがない。また、上記の体積抵抗率を有する抵抗膜12は、時定数がAC電圧の極性変化の時間よりも短いため、図3に示すように、万一、微細金属粉5が抵抗膜12に付着したとしても、金属粉5の電荷極性を、高電圧導体1へのAC印加電圧の極性と同じにし易い。したがって、金属粉5に作用する静電気力16を、金属粉5が高電圧導体1周辺から離脱する方向図3の上方向とすることができ、たとえ微細金属粉5が抵抗膜12に付着したとしても、金属粉5は高電圧導体1から離脱し易い。一方、高電圧導体1に対し雷インパルス電圧のような高い電圧が印加された場合には、抵抗膜12の時定数は雷インパルスの継続時間に対して長いので、抵抗膜12は絶縁膜として作用することになる。したがって、高電圧導体1表面からの初期電子の電界放射を抑制することができ、高電圧導体1表面から絶縁ガス3への放電を防いで、絶縁破壊の発生を確実に防止することが可能である。また、第1の実施形態では、図8にて示した従来例の絶縁膜11に代わり、抵抗膜12が、高電圧導体1表面のミクロンオーダの凹凸14を覆うことになる。そのため、高電圧導体1表面からの初期電子供給を抑えることができる。したがって、高電圧導体1と浮遊する金属粉5との間の微小ギャップ10の放電を確実に防ぐことができる。以上述べたように、第1の実施形態においては、抵抗膜12のコーティングにより高電圧導体1表面からの初期電子供給を抑制すると同時に、万が一抵抗膜12や微細金属粉5が帯電したとしても、抵抗膜12であるが故に、その表面に微細金属粉5が滞留、集積することを防ぐことができる。このため、仮に密閉容器4内に微細金属粉5が存在したとしても、この金属粉5が近傍金属粉6や付着金属粉7になることは稀であり、金属粉6、7による絶縁性能への影響を回避することが可能である。その結果、高電圧導体1の表面電界8を高くして、密閉容器4のコンパクト化を十分に進めることができる。すなわち、金属粉6、7などによる絶縁設計への制約条件の低減化を図ることが可能であり、高電圧導体1表面の設計電界を高く設定することができる。これにより、絶縁設計の合理化並びに装置の縮小化を実現可能であり、絶縁信頼性の向上に寄与することができる。第2の実施形態[構成]続いて、図4を用いて第2の実施形態を説明する。図4に示すように、第2の実施形態は、図1に示した抵抗膜12を、ダイヤモンドライクカーボン膜以下、DLC膜13から構成したことを特徴とするものである。[作用効果]以上の構成を有する第2の実施形態では、上記第1の実施形態の持つ作用効果に加えて、次のような独自の作用効果を有している。すなわち、第2の実施形態において、抵抗膜12として用いたDLC膜13は、膜表面の潤滑性や剥離性が極めて良好である。したがって、高電圧導体1付近に飛来する微細金属粉5が、DLC膜13に付着したとしても、DLC膜13上から滑り落ちて留まることがない。このため、DLC膜13への微細金属粉5の滞留時間を大幅に短縮化することができ、微細金属粉5による絶縁性能への影響を確実に回避することが可能である。また、DLC膜13は、その体積抵抗率を容易に変化させることができるので、所望の体積抵抗率を容易に得ることができる。その結果、抵抗膜12に付着した金属粉5の電荷極性を、高電圧導体1へのAC印加電圧の極性と同じにすることが簡単にでき、高電圧導体1周辺から金属粉5を排除することが可能である。つまり、高電圧導体1表面に微細金属粉5が付着したり、周辺に滞留したりすることがなく、高電圧導体1の表面電界8をより高くして、さらなるコンパクト化と絶縁信頼性の向上を図ることができる。他の実施形態なお、本明細書はおいては、本発明に係る複数の実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであって、発明の範囲を限定することを意図していない。これらの実施形態は、その他の様々な形態で実施されるこが可能であり、発明の範囲を逸脱しない範囲で、種々の省略や置き換え、変更を行うことが可能である。これらの実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。1...高電圧導体2...絶縁物3...絶縁ガス4...容器5...微細金属粉6...近傍金属粉7...付着金属粉8...表面電界9...局所電界集中10...微小ギャップ11...絶縁膜12...抵抗膜13...DLC膜14...高電圧導体上の凹凸15...高電圧導体からの電荷16...静電気力17...帯電電荷