"酸化物半導体層がゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するように設けられたトランジスタと、前記トランジスタのソース側又はドレイン側に接続された液晶を駆動する画素電極と、前記画素電極と対向するように設けられた対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に設けられた液晶層と、を有するユニットを一又は複数有するピクセルがマトリクス状に配置されて画像を表示する表示パネルを有し、前記液晶を駆動する電圧範囲において、前記トランジスタのオフ電流が室温にて10zA/μm未満、85°Cにて100zA/μm未満であることを特徴とする表示装置。請求項1において、前記表示パネルを照明する照明手段を有し、該照明手段の光源が発光ダイオード、又は有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする表示装置。請求項1又は2において、前記画素電極と液晶層の間、前記対向電極と前記液晶層の間に設けられた配向膜を有し、該配向膜は、光配向法又はラビング法で配向処理されていることを特徴とする表示装置。請求項1乃至3のいずれか一項において、前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁層を介して、前記酸化物半導体層の上方又は下方に配置されていることを特徴とする表示装置。請求項1乃至4のいずれか一項において、前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極は、金属窒化物であることを特徴とする表示装置。請求項1乃至4のいずれか一項において、前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極は、窒化タングステン、窒化チタン、又は窒化モリブデンであることを特徴とする表示装置。請求項1乃至6のいずれか一項において、前記トランジスタは、オン状態において電界効果移動度の最大値が、5cm2/Vsec以上であることを特徴とする表示装置。請求項1乃至6のいずれか一項において、前記トランジスタは、オン状態において電界効果移動度の最大値が、10cm2/Vsec以上150cm2/Vsec以下であることを特徴とする表示装置。請求項1乃至8のいずれか一項において、前記酸化物半導体層は、真性又は実質的に真性な半導体であって、該酸化物半導体層に前記トランジスタのチャネル形成領域が形成されることを特徴とする表示装置。請求項1乃至9のいずれか一項において、前記液晶を駆動する画素電極と接続され、かつ液晶層と並列に設けられた保持容量を有することを特徴とする表示装置。電子キャリア濃度が1018/cm3未満としても、酸化物半導体においては実質的にはn型であり、上記特許文献に開示される薄膜トランジスタのオンオフ比は103しか得られていない。このような薄膜トランジスタのオンオフ比が低い理由はオフ電流が高いことによるものである。例えば、液晶パネルでは、各画素に液晶を駆動する画素電極と並列に保持容量が設けられている。そしてトランジスタをオン状態にして、画素電極及び保持容量に画像信号を印加することにより、液晶に電位が印加され保持容量が所定の電位に充電される。そして、この書き込み動作が終了すると、次の画像信号が印加されるまでトランジスタはオフ状態となる。このとき、トランジスタのオフ電流が高いと、液晶に印加された電位は変動し、保持容量に蓄えられた電荷は放電してしまう。ある画素において、トランジスタのオフ電流iと、保持容量C、電圧変動V及び保持時間Tの関係は、CV=iTで表すことができる。例えば、トランジスタのオフ電流を0.1pA、保持容量の静電容量を0.1pF、1フレーム期間を16.6msとすると、1フレーム中の画素の電圧変動Vは次のようになる。0.1[pF]×V=0.1[pA]×16.6[ms]V=16.6[mV]液晶の最大駆動電圧を5Vとして256階調の表示を行おうとする場合、1階調分の階調電圧は約20mVとなる。上記のように、画素の電圧変動が16.6mVもある場合、これは約1階調分の階調電圧に相当する。また、画像表示を1024階調で行う場合には、1階調分の階調電圧は約5mVであるので、画素の電圧変動が16.6mVである場合には、4階調分の階調電圧に相当することになり、オフ電流による電圧変動の影響を無視することはできない。このように、表示パネルに用いるトランジスタは、オン状態の特性オン電流や電界効果移動度などばかりでなく、オフ電流の影響も考慮されたものでなければならない。そこで、本発明の一形態は、安定した電気的特性例えば、オフ電流がきわめて低減されているを有するトランジスタで構成される表示装置を提供することを目的とする。本発明の一形態は、オフ電流を極めて低いレベルにまで低減したトランジスタを用いることによって、画質の高い表示装置を提供するものである。本発明の一形態では、トランジスタを形成するための半導体材料としてシリコン半導体よりも禁制帯幅バンドギャップの広い半導体材料を用い、かかる半導体材料のキャリア供与体となる不純物の濃度を低減することで、オフ電流の低減を図っている。そのために、トランジスタの半導体層チャネル領域を形成する層としてエネルギーギャップが2eV以上、好ましくは2.5eV以上、より好ましくは3eV以上の酸化物半導体を用い、該酸化物半導体中のキャリア供与体となる不純物の濃度を低減させている。それにより、トランジスタのオフ電流を、室温にてチャネル幅1μm当たり10zA/μm未満、85°Cにて100zA/μm未満と極めて低いレベルにまで低減させることを可能としている。本発明の一形態は、酸化物半導体層がゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するように設けられたトランジスタと、トランジスタのソース側又はドレイン側に接続された液晶を駆動する画素電極と、画素電極と対向するように設けられた対向電極と、画素電極と前記対向電極との間に設けられた液晶層とを有するユニットを一又は複数有するピクセルがマトリクス状に配置されて画像を表示する表示パネルを有し、トランジスタのオフ電流が室温にてチャネル幅1μm当たり10zA/μm未満、85°Cにて100zA/μm未満である表示装置である。この表示装置において、通常液晶を駆動する画素電極と接続され、かつ液晶層と並列になるように設けられる保持容量は省略することも可能であり、また適宜保持容量を設けておくことも可能である。なお、ソース電極及びドレイン電極は金属窒化物を含んでいても良い。また、トランジスタのゲート電極は、絶縁層を介して酸化物半導体層の下側基板側又は上側基板側とは反対側若しくは両側に設けられていれば良い。また、トランジスタの特性としてオフ状態の特性ばかりでなく、オン状態の特性として、電界効果移動度の最大値が5cm2/Vsec以上、好ましくは10cm2/Vsec~150cm2/Vsecのものを用いる。トランジスタの動作を高速化することで、画素を高密度化したときにも、高速で書き込み動作等ができるようにするためである。本発明の一形態によれば、オフ電流が十分に低減されたトランジスタを用いることで、画素に印加した信号電圧を安定的に保持することが可能となる。それにより、画素に入力された信号を一定の状態画像信号が書き込まれた状態で保持することが可能となるので、安定した画像表示を行うことができる。また、画素の電圧変動を低減することにより、多階調表示を容易に実現することができる。発明の実施の形態について図面を用いて以下に説明する。但し、本明細書で開示される発明は以下の説明に限定されず、その発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細をさまざまに変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本明細書で開示される発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態において図面を参照して説明をする場合には、同じ構成要素を指す符号を異なる図面間で共通して用いる場合がある。なお、図面において示す構成要素、すなわち層や領域等の厚さ幅、相対的な位置関係等は、実施の形態において説明する上で明確性のために誇張して示される場合がある。実施の形態1本実施の形態では、本発明の液晶表示装置の一形態を、図1を用いて説明する。本実施の形態で例示する液晶表示装置100の各構成を、図1のブロック図に示す。液晶表示装置100は、電源116、表示制御回路113、表示パネル120を有する。透過型液晶表示装置、又は半透過型液晶表示装置の場合、さらに光源として照明手段バックライト部を設けるとよい。液晶表示装置100は、接続された外部機器から画像信号画像信号Dataが供給されている。なお、電源電位高電源電位Vdd、低電源電位Vss、及び共通電位Vcomは液晶表示装置の電源116をオン状態として電力供給を開始することによって供給され、制御信号スタートパルスSP、及びクロック信号CKは表示制御回路113によって供給される。なお高電源電位Vddとは、基準電位より高い電位のことであり、低電源電位Vssとは基準電位以下の電位のことをいう。なお高電源電位Vdd及び低電源電位Vssともに、トランジスタが動作できる程度の電位であることが望ましい。なお高電源電位Vdd及び低電源電位Vssを併せて、電源電圧と呼ぶこともある。共通電位Vcomは、画素電極に供給される画像信号の電位に対して基準となる固定電位であればよく、一例としてはグラウンド電位であってもよい。画像信号Dataは、ドット反転駆動、ソースライン反転駆動、ゲートライン反転駆動、フレーム反転駆動等に応じて適宜反転させて液晶表示装置100に供給される構成とすればよい。また、画像信号がアナログの信号の場合には、A/Dコンバータ等を介してデジタルの信号に変換して、液晶表示装置100に供給する構成とすればよい。本実施の形態では、共通電極128及び容量素子210の一方の電極には、電源116より表示制御回路113を介して固定電位である共通電位Vcomが与えられている。表示制御回路113は、表示パネル120に表示パネル画像信号Data、並びに制御信号具体的にはスタートパルスSP、及びクロック信号CK等の制御信号の供給または停止の切り替えを制御するための信号、電源電位高電源電位Vdd、低電源電位Vss、及び共通電位Vcomを供給する回路である。表示パネル120は液晶素子215を一対の基板第1の基板と第2の基板間に挟持する構成を有し、第1の基板には駆動回路部121、画素部122が設けられている。また、第2の基板には共通接続部コモンコンタクトともいう、及び共通電極128コモン電極、または対向電極ともいうが設けられている。なお、共通接続部は第1の基板と第2の基板とを電気的に接続するものであって、共通接続部は第1の基板上に設けられていてもよい。画素部122には、複数のゲート線124走査線、及びソース線125信号線が設けられており、複数の画素123がゲート線124及びソース線125に環囲されてマトリクス状に設けられている。なお、本実施の形態で例示する表示パネルにおいては、ゲート線124はゲート線側駆動回路121Aから延在し、ソース線125はソース線側駆動回路121Bから延在している。また、画素123はスイッチング素子としてトランジスタ214、該トランジスタ214に接続された容量素子210、及び液晶素子215を有する。液晶素子215は、液晶の光学的変調作用によって光の透過又は非透過を制御する素子である。液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界によって制御される。液晶にかかる電界方向は液晶材料、駆動方法、及び電極構造によって異なり、適宜選択することができる。例えば、液晶層の厚さ方向いわゆる縦方向に電界をかける駆動方法を用いる場合は液晶を挟持するように第1の基板に画素電極を、第2の基板に共通電極をそれぞれ設ける構造とすればよい。また、液晶に基板面内方向いわゆる横電界に電界をかける駆動方法を用いる場合は、同一基板に、画素電極と共通電極を設ける構造とすればよい。また画素電極及び共通電極は、多様な開口パターンを有する形状としてもよい。本実施の形態においては光学的変調作用によって光の透過又は非透過を制御する素子であれば、液晶材料、駆動方法、及び電極構造は特に限定されない。トランジスタ214は、画素部122に設けられた複数のゲート線124のうちの一つとゲート電極が接続され、ソース電極またはドレイン電極の一方が複数のソース線125のうちの一つと接続され、ソース電極またはドレイン電極の他方が容量素子210の一方の電極、及び液晶素子215の一方の電極画素電極と接続される。トランジスタ214は、オフ電流が低減されたトランジスタを用いることが好ましい。トランジスタ214がオフ状態のとき、トランジスタ214に接続された液晶素子215、及び容量素子210に蓄えられた電荷は、トランジスタ214を介して漏れ難く、トランジスタ214がオフ状態になる前に書き込まれた状態を、次に信号が書き込まれるまで安定して保持できる。従って、容量素子210を用いることなく、画素213を構成することもできる。このような構成とすることで、容量素子210は液晶素子215に加える電圧を極めて安定的に保持することができる。なお、容量素子210の電極は、別途設けた容量線に接続する構成としてもよい。駆動回路部121は、ゲート線側駆動回路121A、ソース線側駆動回路121Bを有する。ゲート線側駆動回路121A、ソース線側駆動回路121Bは、複数の画素を有する画素部122を駆動するための駆動回路であり、シフトレジスタ回路シフトレジスタともいうを有する。なお、ゲート線側駆動回路121A、及びソース線側駆動回路121Bは、画素部122と同じ基板に形成されるものでもよいし、別の基板に形成されるものであってもよい。なお駆動回路部121には、表示制御回路113によって制御された高電源電位Vdd、低電源電位Vss、スタートパルスSP、クロック信号CK、画像信号Dataが供給される。端子部126は、表示制御回路113が出力する所定の信号高電源電位Vdd、低電源電位Vss、スタートパルスSP、クロック信号CK、画像信号Data、共通電位Vcom等等を駆動回路部121に供給する入力端子である。共通電極128は、表示制御回路113に制御された共通電位Vcomを与える共通電位線と、共通接続部において電気的に接続する。共通接続部の具体的な一例としては、絶縁性球体に金属薄膜が被覆された導電粒子を間に介することにより共通電極128と共通電位線との電気的な接続を図ることができる。なお、共通接続部は、表示パネル120内に複数箇所設けられる構成としてもよい。また、液晶表示装置は、測光回路を有していてもよい。測光回路を設けた液晶表示装置は当該液晶表示装置がおかれている環境の明るさを検知できる。その結果、測光回路が接続された表示制御回路113は、測光回路から入力される信号に応じて、バックライト、サイドライト等の光源の駆動方法を制御することができる。なお、カラー表示を行う場合は、カラーフィルタを用いることで表示が可能である。また、他の光学フィルム偏光フィルム、位相差フィルム、反射防止フィルムなども用いることができる。透過型液晶表示装置、又は半透過型液晶表示装置の場合に用いられるバックライト等の光源は、液晶表示装置100の用途に応じて用いればよく、冷陰極管や発光ダイオードLEDなどを用いることができる。また複数のLED光源、または複数のエレクトロルミネセンスEL光源などを用いて面光源を構成してもよい。面光源として、3種類以上のLEDを用いてもよいし、白色発光のLEDを用いてもよい。なお、バックライトにRGBの発光ダイオード等を配置し、時分割によりカラー表示する継時加法混色法フィールドシーケンシャル法を採用するときには、カラーフィルタを設けない。実施の形態2本実施の形態においては、上記実施の形態1で説明した液晶表示装置を具備する電子機器の例について説明する。図2Aには、電子機器であるテレビ受像機の外観図について示したものである。図2Aでは、上記実施の形態1で述べた表示パネルを用いて作製された表示モジュール701が納められた筐体700に、スピーカ702、操作キー703、外部接続端子704、照度センサ705などを有する構成について示している。図2Aに示すテレビ受像機は、動画の他、文字情報または静止画表示を行うことができる。また、表示部の一部の領域のみを動画表示とし、その他の領域を静止画像表示とすることもできる。なお静止画の表示は、文字、図形、記号、写真、模様若しくは絵画若しくはこれらの結合又はこれらと色彩の結合を含むものである。図2Bには、テレビ受像機の主要な構成についてのブロック図を示す。図2Bに示すテレビ受像機710は、チューナ711、デジタル復調回路712、映像信号処理回路713、音声信号処理回路714、表示調節回路715、表示制御回路716、表示パネル717、ゲート線側駆動回路718、ソース線側駆動回路719、スピーカ720を有する。チューナ711はアンテナ721より映像信号と音声信号を受信する。デジタル復調回路712は、チューナ711からの信号を、デジタル信号の映像信号と音声信号に復調する回路である。映像信号処理回路713は、デジタル信号の映像信号を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する等の処理を行うための回路である。音声信号処理回路714は、デジタル信号の音声信号を、スピーカ720で音声として出力するための信号に変換する等の処理を行うための回路である。表示調節回路715は受信局受信周波数及び音量の制御情報を外部入力部722から受け、チューナ711又は音声信号処理回路714に信号を送信するための回路である。また、表示制御回路716、表示パネル717、ゲート線側駆動回路718、ソース線側駆動回路719は、それぞれ上記実施の形態1で説明した表示制御回路113、表示パネル120、ソース線側駆動回路121B、ゲート線側駆動回路121Aに相当する。すなわち、点線部723が、上記実施の形態1で述べた液晶表示装置100に相当する構成となる。なお、表示制御回路716の機能は、上述の映像信号処理回路713で兼ねる構成であってもよい。次いで図3Aには、電子機器である電子計算機パーソナルコンピュータ用途のモニターPCモニターともいうの外観図について示したものである。図3Aでは、上記実施の形態1で述べた表示パネルを用いて作製された表示モジュール801が納められた筐体800に、スピーカ802、外部接続端子803などを有する構成について示している。なお図3Aには、PCモニターであることを理解するために、ウインドウ型表示部804を示している。なお、図3Aでは、いわゆるデスクトップ型のPCモニターの構成について示しているが、他にもノート型パーソナルコンピュータ用途のPCモニターであってもよい。なおPCモニターの表示は、動画の他、文字、図形、記号、写真、模様若しくは絵画若しくはこれらの結合又はこれらと色彩の結合を含む静止画を含むものである。図3Bには、PCモニターの主要な構成についてのブロック図を示す。図3Bに示すPCモニター810は、映像信号処理回路813、音声信号処理回路814、表示制御回路816、表示パネル817、ゲート線側駆動回路818、ソース線側駆動回路819、スピーカ820を有する。映像信号処理回路813は、CPU等の外部演算回路821からの映像信号を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する等の処理を行うための回路である。音声信号処理回路814は、CPU等の外部演算回路821からの音声信号を、スピーカ820で音声として出力するための信号に変換する等の処理を行うための回路である。また映像信号処理回路813及び音声信号処理回路814は、キーボード等の外部操作手段822による操作に応じて、出力する信号を可変する。また、表示制御回路816、表示パネル817、ゲート線側駆動回路818、ソース線側駆動回路819は、それぞれ上記実施の形態1で説明した表示制御回路113、表示パネル120、ソース線側駆動回路121B、ゲート線側駆動回路121Aに相当する。すなわち、点線部823が、上記実施の形態1で述べた液晶表示装置100に相当する構成となる。なお、表示制御回路816の機能は、上述の映像信号処理回路813で兼ねる構成であってもよい。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態3本実施の形態では、本明細書に開示する液晶表示装置に用いることのできるバックライトバックライト部、バックライトユニットの構成の例について図4及び図5を用いて説明する。図4Aは、エッジライト方式と呼ばれるバックライト部5201と、表示パネル5207とを有している液晶表示装置の一例を示す。エッジライト式とは、バックライト部の端部に光源を配置し、その光源の光を発光面全体から放射する方式である。バックライト部5201は、拡散板5202拡散シートともいう、導光板5203、反射板5204、ランプリフレクタ5205及び光源5206によって構成される。なおバックライト部5201は他にも輝度向上フィルム等を設ける構成としてもよい。光源5206は必要に応じて発光する機能を有している。例えば、光源5206としては冷陰極管CCFL:ColdCathodeFluorescentLamp、発光ダイオード、又はEL素子などが用いられる。図4Bは、エッジライト式のバックライト部の詳細な構成を示す図である。なお、拡散板、導光板及び反射板などはその説明を省略する。図4Bに示すバックライト部5201は、光源として発光ダイオードLED5223を用いた構成である。例えば、白色に発する発光ダイオードLED5223がある間隔で配置される。そして、発光ダイオードLED5223からの光を効率よく反射させるため、ランプリフレクタ5222が設けられている。なおフィールドシーケンシャル方式と組み合わせて表示を行う場合には、光源として各色RGBの発光ダイオードLEDを用いる構成としてもよい。図4Cは、直下型と呼ばれるバックライト部と、液晶パネルとを有する液晶表示装置の一例を示す。直下型とは、発光面の直下に光源を配置することで、その光源の光を発光面全体から放射する方式である。バックライト部5290は、拡散板5291、遮光部5292、ランプリフレクタ5293、光源5294及び液晶パネル5295によって構成される。光源5294は、必要に応じて発光する機能を有している。例えば、光源5294としては、冷陰極管、発光ダイオード、又は発光素子であるEL素子例えば有機エレクトロルミネッセンス素子などが用いられる。なお、直下型と呼ばれるバックライト部において、光源にEL素子を用いることによりバックライト部の薄型化をはかることができる。EL素子を用いたバックライト部の一例を図5Aに示す。図5Aで示すバックライト部5290は、基板1020上に設けられたEL素子1025を含む。EL素子1025は、一対の電極陽極1001、陰極1002間に発光領域を含むEL層1003が挟まれた構造を有する。なお、EL素子1025を覆うように基板や保護膜などを設け、EL素子1025を封止する構成としてもよい。本実施の形態では、陽極1001を通過してEL層1003からの光を表示パネル5295に照射する構成であるので、陽極1001として光を透過する材料、例えば酸化インジウムスズITO等の材料を用いて構成すればよい。また陰極1002としては光を反射する材料、例えばアルミニウム膜等の材料を用いて構成すればよい。図5AのEL素子1025の素子構造の例を図5BCに示す。EL層1003は、少なくとも発光層1013を含んで形成されていればよく、発光層1013以外の機能層を含む積層構造であっても良い。発光層1013以外の機能層としては、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、バイポーラ性電子及び正孔の輸送性の高い物質の物質等を含む層を用いることができる。具体的には、正孔注入層1011、正孔輸送層1012、発光層1013、電子輸送層1014、電子注入層1015等の機能層を適宜組み合わせて用いることができる。次に、上述したEL素子1025に用いることができる材料について、具体的に説明する。陽極1001としては、仕事関数の大きい具体的には4.0eV以上が好ましい。金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム-酸化スズITO:IndiumTinOxide、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、酸化インジウム-酸化亜鉛IZO:IndiumZincOxide、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等の導電性金属酸化物が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル-ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム-酸化亜鉛IZOは、酸化インジウムに対し1~20wtの酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5~5wt、酸化亜鉛を0.1~1wt含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、陽極1001に用いられる材料としては、金Au、白金Pt、ニッケルNi、タングステンW、クロムCr、モリブデンMo、鉄Fe、コバルトCo、銅Cu、パラジウムPd、チタンTi、または金属材料の窒化物例えば、窒化チタン等、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、チタン酸化物等が挙げられる。陰極1002としては、仕事関数の小さい具体的には3.8eV以下であることが好ましい金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウムLiやセシウムCs等のアルカリ金属、およびマグネシウムMg、カルシウムCa、ストロンチウムSr等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金MgAg、AlLi、ユウロピウムEu、イッテルビウムYb等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することができる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金はスパッタリング法により形成することも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより成膜することも可能である。この他、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、または希土類金属の化合物例えば、フッ化リチウムLiF、酸化リチウムLiOx、フッ化セシウムCsF、フッ化カルシウムCaF2、フッ化エルビウムErF3などの薄膜と、アルミニウム等の金属膜とを積層することによって、陰極1002を形成することも可能である。次に、EL層1003を構成する各層に用いる材料について、以下に具体例を示す。正孔注入層1011は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン略称:H2Pcや銅フタロシアニンCuPc等のフタロシアニン系の化合物、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、N,N’-ビス[4-[ビス3-メチルフェニルアミノ]フェニル]-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:DNTPD等の芳香族アミン化合物、或いはポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸PEDOT/PSS等の高分子等によっても正孔注入層1011を形成することができる。さらに、トリスp-エナミン置換-アミノフェニルアミン化合物、2,7-ジアミノ-9-フルオレニリデン化合物、トリp-N-エナミン置換-アミノフェニルベンゼン化合物、アリール基が少なくとも1つ置換したエテニル基が一つ又は2つ置換したピレン化合物、N,N’-ジビフェニル-4-イル-N,N’-ジフェニルビフェニル-4,4’-ジアミン、N,N,N’,N’-テトラビフェニル-4-イルビフェニル-4,4’-ジアミン、N,N,N’,N’-テトラビフェニル-4-イル-3,3’-ジエチルビフェニル-4,4’-ジアミン、2,2’-メチレンジ-4,1-フェニレンビス[4,5-ビス4-メトキシフェニル-2H-1,2,3-トリアゾール]、2,2’-ビフェニル-4,4’-ジイルビス4,5-ジフェニル-2H-1,2,3-トリアゾール、2,2’-3,3’-ジメチルビフェニル-4,4’-ジイルビス4,5-ジフェニル-2H-1,2,3-トリアゾール、ビス[4-4,5-ジフェニル-2H-1,2,3-トリアゾール-2-イルフェニル]メチルアミン等を用いて正孔注入層1011を形成することができる。また、正孔注入層1011として、有機化合物と無機化合物好ましくは、有機化合物に対して電子受容性を示す無機化合物とを複合してなる正孔注入性複合材料を用いることができる。正孔注入性複合材料は、有機化合物と無機化合物との間で電子の授受が行われ、キャリア密度が増大するため、正孔注入性、正孔輸送性に優れている。また、正孔注入層1011として正孔注入性複合材料を用いた場合、陽極1001とオーム接触をすることが可能となるため、仕事関数に関わらず陽極1001を形成する材料を選ぶことができる。正孔注入性複合材料に用いる無機化合物としては、遷移金属の酸化物であることが好ましい。また元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中で安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。正孔注入性複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の化合物を用いることができる。なお、正孔注入性複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、正孔注入性複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。例えば、芳香族アミン化合物としては、N,N’-ジp-トリル-N,N’-ジフェニル-p-フェニレンジアミン略称:DTDPPA、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、N,N’-ビス[4-[ビス3-メチルフェニルアミノ]フェニル]-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:DNTPD、1,3,5-トリス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ベンゼン略称:DPA3B等を挙げることができる。正孔注入性複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、3-[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA1、3,6-ビス[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA2、3-[N-1-ナフチル-N-9-フェニルカルバゾール-3-イルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCN1等を挙げることができる。また、4,4’-ジN-カルバゾリルビフェニル略称:CBP、1,3,5-トリス[4-N-カルバゾリルフェニル]ベンゼン略称:TCPB、9-[4-N-カルバゾリル]フェニル-10-フェニルアントラセン略称:CzPA、1,4-ビス[4-N-カルバゾリルフェニル]-2,3,5,6-テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。また、正孔注入性複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、2-tert-ブチル-9,10-ビス4-フェニルフェニルアントラセン略称:t-BuDBA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuAnth、9,10-ビス4-メチル-1-ナフチルアントラセン略称:DMNA、2-tert-ブチル-9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン、9,9’-ビアントリル、10,10’-ジフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス2-フェニルフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス[2,3,4,5,6-ペンタフェニルフェニル]-9,9’-ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11-テトラtert-ブチルペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、1×10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有し、炭素数14~42である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。なお、正孔注入性複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル略称:DPVBi、9,10-ビス[4-2,2-ジフェニルビニルフェニル]アントラセン略称:DPVPA等が挙げられる。また、ポリN-ビニルカルバゾール略称:PVKやポリ4-ビニルトリフェニルアミン略称:PVTPA等の高分子化合物を用いることもできる。正孔輸送層1012は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、芳香族アミンすなわち、ベンゼン環-窒素の結合を有するものの化合物であることが好ましい。広く用いられている材料として、4,4’-ビス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル、その誘導体である4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル以下、NPBと記す、4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニル-アミノトリフェニルアミン、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミンなどのスターバースト型芳香族アミン化合物が挙げられる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送層1012は、単層のものだけでなく、上記物質の混合層、あるいは二層以上積層したものであってもよい。また、PMMAのような電気的に不活性な高分子化合物に、正孔輸送性材料を添加してもよい。また、ポリN-ビニルカルバゾール略称:PVKやポリ4-ビニルトリフェニルアミン略称:PVTPA、ポリ[N-4-{N’-[4-4-ジフェニルアミノフェニル]フェニル-N’-フェニルアミノ}フェニルメタクリルアミド]略称:PTPDMAポリ[N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ビスフェニルベンジジン]略称:Poly-TPDなどの高分子化合物を用いてもよく、さらに上記高分子化合物に上記正孔輸送性材料を適宜添加してもよい。さらに、トリスp-エナミン置換-アミノフェニルアミン化合物、2,7-ジアミノ-9-フルオレニリデン化合物、トリp-N-エナミン置換-アミノフェニルベンゼン化合物、アリール基が少なくとも1つ置換したエテニル基が一つ又は2つ置換したピレン化合物、N,N’-ジビフェニル-4-イル-N,N’-ジフェニルビフェニル-4,4’-ジアミン、N,N,N’,N’-テトラビフェニル-4-イルビフェニル-4,4’-ジアミン、N,N,N’,N’-テトラビフェニル-4-イル-3,3’-ジエチルビフェニル-4,4’-ジアミン、2,2’-メチレンジ-4,1-フェニレンビス[4,5-ビス4-メトキシフェニル-2H-1,2,3-トリアゾール]、2,2’-ビフェニル-4,4’-ジイルビス4,5-ジフェニル-2H-1,2,3-トリアゾール、2,2’-3,3’-ジメチルビフェニル-4,4’-ジイルビス4,5-ジフェニル-2H-1,2,3-トリアゾール、ビス[4-4,5-ジフェニル-2H-1,2,3-トリアゾール-2-イルフェニル]メチルアミン等も正孔輸送層1012に用いることができる。発光層1013は、発光性の物質を含む層であり、種々の材料を用いることができる。例えば、発光性の物質としては、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。以下に、発光層に用いることのできる有機化合物材料を説明する。ただし、EL素子1025に適用可能な材料はこれらに限定されるものではない。青色~青緑色の発光は、例えば、ペリレン、2,5,8,11-テトラ-t-ブチルペリレン略称:TBP、9,10-ジフェニルアントラセンなどをゲスト材料として用い、適当なホスト材料に分散させることによって得られる。また、4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル略称:DPVBiなどのスチリルアリーレン誘導体や、9,10-ジ-2-ナフチルアントラセン略称:DNA、9,10-ビス2-ナフチル-2-t-ブチルアントラセン略称:t-BuDNAなどのアントラセン誘導体から得ることができる。また、ポリ9,9-ジオクチルフルオレン等のポリマーを用いても良い。また、青色発光のゲスト材料としては、スチリルアミン誘導体が好ましく、N,N’-ビス[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N,N’-ジフェニルスチルベン-4,4’-ジアミン略称:YGA2Sや、N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルスチルベン-4,4’-ジアミン略称:PCA2Sなどが挙げられる。特にYGA2Sは、450nm付近にピークを有しており好ましい。また、ホスト材料としては、アントラセン誘導体が好ましく、9,10-ビス2-ナフチル-2-t-ブチルアントラセン略称:t-BuDNAや、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPAが好適である。特に、CzPAは電気化学的に安定であるため好ましい。青緑色~緑色の発光は、例えば、クマリン30、クマリン6などのクマリン系色素や、ビス[2-2,4-ジフルオロフェニルピリジナト]ピコリナトイリジウム略称:FIrpic、ビス2-フェニルピリジナトアセチルアセトナトイリジウムIrppy2acacなどをゲスト材料として用い、適当なホスト材料に分散させることによって得られる。また、上述のペリレンやTBPを5wt以上の高濃度で適当なホスト材料に分散させることによっても得られる。また、BAlq、ZnBTZ2、ビス2-メチル-8-キノリノラトクロロガリウムGamq2Clなどの金属錯体からも得ることができる。また、ポリp-フェニレンビニレン等のポリマーを用いても良い。また、青緑色~緑色の発光層のゲスト材料としては、アントラセン誘導体が効率の高い発光が得られるため好ましい。例えば、9,10-ビス{4-[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニル]アミノフェニル}-2-tert-ブチルアントラセン略称:DPABPAを用いることにより、高効率な青緑色発光が得られる。また、2位にアミノ基が置換されたアントラセン誘導体は高効率な緑色発光が得られるため好ましく、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPAが特に長寿命であり好適である。これらのホスト材料としてはアントラセン誘導体が好ましく、先に述べたCzPAが電気化学的に安定であるため好ましい。また、緑色発光と青色発光を組み合わせ、青色から緑色の波長領域に2つのピークを持つEL素子1025を作製する場合、青色発光層のホストにCzPAのような電子輸送性のアントラセン誘導体を用い、緑色発光層のホストにNPBのようなホール輸送性の芳香族アミン化合物を用いると、青色発光層と緑色発光層との界面で発光が得られるため好ましい。すなわちこの場合、2PCAPAのような緑色発光材料のホストとしては、NPBの如き芳香族アミン化合物が好ましい。黄色~橙色の発光は、例えば、ルブレン、4-ジシアノメチレン-2-[p-ジメチルアミノスチリル]-6-メチル-4H-ピラン略称:DCM1、4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-9-ジュロリジルエテニル-4H-ピラン略称:DCM2、ビス[2-2-チエニルピリジナト]アセチルアセトナトイリジウムIrthp2acac、ビス2-フェニルキノリナトアセチルアセトナトイリジウムIrpq2acacなどをゲスト材料として用い、適当なホスト材料に分散させることによって得られる。特に、ゲスト材料としてルブレンのようなテトラセン誘導体が、高効率かつ化学的に安定であるため好ましい。この場合のホスト材料としては、NPBのような芳香族アミン化合物が好ましい。他のホスト材料としては、ビス8-キノリノラト亜鉛II略称:Znq2やビス[2-シンナモイル-8-キノリノラト]亜鉛略称:Znsq2などの金属錯体を用いることができる。また、ポリ2,5-ジアルコキシ-1,4-フェニレンビニレン等のポリマーを用いても良い。橙色~赤色の発光は、例えば、4-ジシアノメチレン-2,6-ビス[p-ジメチルアミノスチリル]-4H-ピラン略称:BisDCM、4-ジシアノメチレン-2,6-ビス[2-ジュロリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン略称:BisDCJ、4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-9-ジュロリジルエテニル-4H-ピラン略称:DCM2、ビス[2-2-チエニルピリジナト]アセチルアセトナトイリジウム略称:Irthp2acac、などをゲスト材料として用い、適当なホスト材料に分散させることによって得られる。ビス8-キノリノラト亜鉛II略称:Znq2やビス[2-シンナモイル-8-キノリノラト]亜鉛略称:Znsq2などの金属錯体からも得ることができる。また、ポリ3-アルキルチオフェン等のポリマーを用いても良い。赤色発光を示すゲスト材料としては、4-ジシアノメチレン-2,6-ビス[p-ジメチルアミノスチリル]-4H-ピラン略称:BisDCM、4-ジシアノメチレン-2,6-ビス[2-ジュロリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン略称:BisDCJ、4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-9-ジュロリジルエテニル-4H-ピラン略称:DCM2、{2-イソプロピル-6-[2-2,3,6,7-テトラヒドロ-1,1,7,7-テトラメチル-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:DCJTI、{2,6-ビス[2-2,3,6,7-テトラヒドロ-8-メトキシ-1,1,7,7-テトラメチル-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イルエテニル]-4H-ピラン-4-イリデン}プロパンジニトリル略称:BisDCJTMのような4H-ピラン誘導体が高効率であり、好ましい。特に、DCJTI、BisDCJTMは、620nm付近に発光ピークを有するため好ましい。なお、発光層1013としては、上述した発光性の物質ゲスト材料を他の物質ホスト材料に分散させた構成としてもよい。発光性の高い物質を分散させるための物質としては、各種のものを用いることができ、発光性の高い物質よりも最低空軌道準位LUMO準位が高く、最高被占有軌道準位HOMO準位が低い物質を用いることが好ましい。発光性の物質を分散させるための物質としては、具体的には、トリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウムII略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウムIII略称:BAlq、ビス8-キノリノラト亜鉛II略称:Znq2、ビス[2-2-ベンゾオキサゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnPBO、ビス[2-2-ベンゾチアゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnBTZなどの金属錯体、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBD、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、2,2’,2’’-1,3,5-ベンゼントリイルトリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:TPBI、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCPなどの複素環化合物や、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、3,6-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DPCzPA、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、9,9’-ビアントリル略称:BANT、9,9’-スチルベン-3,3’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS、9,9’-スチルベン-4,4’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS2、3,3’,3’’-ベンゼン-1,3,5-トリイルトリピレン略称:TPB3、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、6,12-ジメトキシ-5,11-ジフェニルクリセンなどの縮合芳香族化合物、N,N-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:CzA1PA、4-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:DPhPA、N,9-ジフェニル-N-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPA、N,9-ジフェニル-N-{4-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]フェニル}-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPBA、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、NPBまたはα-NPD、TPD、DFLDPBi、BSPBなどの芳香族アミン化合物などを用いることができる。また、発光性の物質を分散させるための物質は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するためにルブレン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、発光性の物質へのエネルギー移動をより効率良く行うためにNPB、あるいはAlq等をさらに添加してもよい。発光性の物質を他の物質に分散させた構成とすることにより、発光層1013の結晶化を抑制することができる。また、発光性の物質の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。電子輸送層1014は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質としては、例えば、トリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウム略称:BAlqなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾオキサゾラト]亜鉛略称:ZnBOX2、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾチアゾラト]亜鉛略称:ZnBTZ2などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBDや、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCP、ビス[3-1H-ベンゾイミダゾール-2-イルフルオレン-2-オラト]亜鉛II、ビス[3-1H-ベンゾイミダゾール-2-イルフルオレン-2-オラト]ベリリウムII、ビス[2-1H-ベンゾイミダゾール-2-イルジベンゾ[b、d]フラン-3-オラト]フェノラトアルミニウムIII、ビス[2-ベンゾオキサゾール-2-イル-7,8-メチレンジオキシジベンゾ[b、d]フラン-3-オラト]2-ナフトラトアルミニウムIIIなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層1014として用いても構わない。また、電子輸送層1014は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。電子注入層1015は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入性の高い物質としては、フッ化リチウムLiF、フッ化セシウムCsF、フッ化カルシウムCaF2等のアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物が挙げられる。また、有機化合物好ましくは、電子輸送性を有する有機化合物と無機化合物好ましくは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、またはそれらの化合物とを複合してなる電子注入性複合材料を用いることもできる。電子注入性複合材料としては、例えばAlq中にマグネシウムMgを含有させたもの等を用いることができる。この様な構造とすることにより、陰極1002からの電子注入効率をより高めることができる。なお、電子注入層1015として、上述した電子注入性複合材料を用いた場合には、仕事関数に関わらずAl、Ag、ITO、珪素若しくは酸化珪素を含有したITO等様々な導電性材料を陰極1002の材料として用いることができる。以上の層を適宜組み合わせて積層することにより、EL層1003を形成することができる。なお、発光層1013を2層以上の積層構造としても良い。発光層1013を2層以上の積層構造とし、各々の発光層に用いる発光物質の種類を変えることにより様々な発光色を得ることができる。また、発光物質として発光色の異なる複数の発光物質を用いることにより、ブロードなスペクトルの発光や白色発光を得ることもできる。特に、高輝度が必要とされるバックライト用途には、発光層を積層させた構造が好適である。また、EL層1003の形成方法としては、用いる材料に応じて種々の方法例えば、乾式法や湿式法等適宜選択することができる。例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、インクジェット法、スピンコート法、等を用いることができる。また、各層で異なる方法を用いて形成してもよい。また、本実施の形態に示すEL素子1025の作製方法としては、ドライプロセス例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、ウェットプロセス例えば、インクジェット法、スピンコート法等を問わず、種々の方法を用いて形成することができる。なお、本実施の形態に示すEL素子1025の構成は、図5Cに示すように一対の電極間にEL層1003が複数積層された構造、所謂、積層型素子の構成であってもよい。但し、EL層1003が、例えばnnは2以上の自然数層の積層構造を有する場合には、mmは自然数、mは、1以上n-1以下番目のEL層と、m1番目のEL層との間には、それぞれ中間層1004が挟まれた構造を有する。なお、中間層1004とは、陽極1001と陰極1002に電圧を印加したときに、中間層1004に接して形成される陽極1001側の一方のEL層1003に対して電子を注入する機能を有し、陰極1002側の他方のEL層1003に正孔を注入する機能を有する。中間層1004は、上述した有機化合物と無機化合物との複合材料正孔注入性複合材料や電子注入性複合材料の他、金属酸化物等の材料を適宜組み合わせて形成することができる。なお、正孔注入性複合材料とその他の材料とを組み合わせて用いることがより好ましい。中間層1004に用いるこれらの材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、EL素子1025の低電流駆動、および低電圧駆動を実現することができる。積層型素子の構成において、EL層が2層積層された構成を有する場合において、第1のEL層から得られる発光の発光色と第2のEL層から得られる発光の発光色を補色の関係にすることによって、白色発光を外部に取り出すことができる。なお、第1のEL層および第2のEL層のそれぞれが補色の関係にある複数の発光層を有する構成としても、白色発光が得られる。補色の関係としては、青色と黄色、あるいは青緑色と赤色などが挙げられる。青色、黄色、青緑色、赤色に発光する物質としては、例えば、先に列挙した発光物質の中から適宜選択すればよい。以下に、第1のEL層および第2のEL層のそれぞれが補色の関係にある複数の発光層を有し、白色発光が得られる構成の一例を示す。例えば、第1のEL層は、青色~青緑色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示す第1の発光層と、黄色~橙色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示す第2の発光層とを有し、第2のEL層は、青緑色~緑色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示す第3の発光層と、橙色~赤色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示す第4の発光層とを有するものとする。この場合、第1のEL層からの発光は、第1の発光層および第2の発光層の両方からの発光を合わせたものであるので、青色~青緑色の波長領域および黄色~橙色の波長領域の両方にピークを有する発光スペクトルを示す。すなわち、第1のEL層は2波長型の白色または白色に近い色の発光を呈する。また、第2のEL層からの発光は、第3の発光層および第4の発光層の両方からの発光を合わせたものであるので、青緑色~緑色の波長領域および橙色~赤色の波長領域の両方にピークを有する発光スペクトルを示す。すなわち、第2のEL層は、第1のEL層とは異なる2波長型の白色または白色に近い色の発光を呈する。したがって、第1のEL層からの発光および第2のEL層からの発光を重ね合わせることにより、青色~青緑色の波長領域、青緑色~緑色の波長領域、黄色~橙色の波長領域、橙色~赤色の波長領域をカバーする白色発光を得ることができる。なお、上述した積層型素子の構成において、積層されるEL層の間に中間層を配置することにより、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での長寿命素子を実現することができる。また、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。なお図4A乃至C、図5A乃至Cで説明するバックライト部は、輝度を調整する構成としてもよい。例えば、液晶表示装置の周りの照度に応じて輝度を調整する構成としてもよいし、表示される画像信号に応じて輝度を調整する構成としてもよい。なお、カラー表示を行う場合は、カラーフィルタを組み合わせることで表示が可能である。また、他の光学フィルム偏光フィルム、位相差フィルム、反射防止フィルムなども組み合わせて用いることができる。なお、バックライトにRGBの発光ダイオード等を配置し、時分割によりカラー表示する継時加法混色法フィールドシーケンシャル法を採用するときには、カラーフィルタを設けない。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。実施の形態4本実施の形態では、本明細書に開示する液晶表示装置に適用できるトランジスタの例を示す。本明細書に開示する液晶表示装置に適用できるトランジスタの構造は特に限定されず、例えばゲート電極が、ゲート絶縁層を介して、酸化物半導体層の上側に配置されるトップゲート構造、又はゲート電極が、ゲート絶縁層を介して、酸化物半導体層の下側に配置されるボトムゲート構造のスタガ型及びプレーナ型などを用いることができる。また、トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、二つ形成されるダブルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、チャネル領域の上下にゲート絶縁層を介して配置された2つのゲート電極層を有する、デュアルゲート型でもよい。なお、図6A乃至Dにトランジスタの断面構造の一例を以下に示す。図6A乃至Dに示すトランジスタは、半導体として酸化物半導体を用いるものである。酸化物半導体を用いることのメリットは、トランジスタのオン状態における電界効果移動度最大値で5cm2/Vsec以上、好ましくは最大値で10cm2/Vsec~150cm2/Vsecと、トランジスタのオフ状態において低いオフ電流1aA/μm未満、さらに好ましくは室温にて10zA/μm未満、且つ、85°Cにて100zA/μm未満が得られることである。図6Aに示すトランジスタ410は、ボトムゲート構造のトランジスタの一つであり、逆スタガ型トランジスタともいう。トランジスタ410は、絶縁表面を有する基板400上に、ゲート電極層401、ゲート絶縁層402、酸化物半導体層403、ソース電極層405a、及びドレイン電極層405bを含む。また、トランジスタ410を覆い、酸化物半導体層403に積層する絶縁膜407が設けられている。絶縁膜407上にはさらに保護絶縁層409が形成されている。図6Bに示すトランジスタ420は、チャネル保護型チャネルストップ型ともいうと呼ばれるボトムゲート構造の一つであり逆スタガ型トランジスタともいう。トランジスタ420は、絶縁表面を有する基板400上に、ゲート電極層401、ゲート絶縁層402、酸化物半導体層403、酸化物半導体層403のチャネル形成領域を覆うチャネル保護層として機能する絶縁膜427、ソース電極層405a、及びドレイン電極層405bを含む。また、トランジスタ420を覆い、保護絶縁層409が形成されている。図6C示すトランジスタ430はボトムゲート型のトランジスタであり、絶縁表面を有する基板である基板400上に、ゲート電極層401、ゲート絶縁層402、ソース電極層405a、ドレイン電極層405b、及び酸化物半導体層403を含む。また、トランジスタ430を覆い、酸化物半導体層403に接する絶縁膜407が設けられている。絶縁膜407上にはさらに保護絶縁層409が形成されている。トランジスタ430においては、ゲート絶縁層402は基板400及びゲート電極層401上に接して設けられ、ゲート絶縁層402上にソース電極層405a、ドレイン電極層405bが接して設けられている。そして、ゲート絶縁層402、及びソース電極層405a、ドレイン電極層405b上に酸化物半導体層403が設けられている。図6Dに示すトランジスタ440は、トップゲート構造のトランジスタの一つである。トランジスタ440は、絶縁表面を有する基板400上に、絶縁層437、酸化物半導体層403、ソース電極層405a、及びドレイン電極層405b、ゲート絶縁層402、ゲート電極層401を含み、ソース電極層405a、ドレイン電極層405bにそれぞれ配線層436a、配線層436bが接して設けられ電気的に接続している。本実施の形態では、上述のとおり、半導体層として酸化物半導体層403を用いる。酸化物半導体層403に用いる酸化物半導体としては、四元系金属酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn-O系酸化物半導体や、三元系金属酸化物であるIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体、In-Sn-Zn-O系酸化物半導体、In-Al-Zn-O系酸化物半導体、Sn-Ga-Zn-O系酸化物半導体、Al-Ga-Zn-O系酸化物半導体、Sn-Al-Zn-O系酸化物半導体や、二元系金属酸化物であるIn-Zn-O系酸化物半導体、Sn-Zn-O系酸化物半導体、Al-Zn-O系酸化物半導体、Zn-Mg-O系酸化物半導体、Sn-Mg-O系酸化物半導体、In-Mg-O系酸化物半導体や、In-O系酸化物半導体、Sn-O系酸化物半導体、Zn-O系酸化物半導体などを用いることができる。また、上記酸化物半導体にSiO2を含んでもよい。ここで、例えば、In-Ga-Zn-O系酸化物半導体とは、インジウムIn、ガリウムGa、亜鉛Znを有する酸化物膜、という意味であり、その化学量論比はとくに問わない。また、InとGaとZn以外の元素を含んでもよい。また、酸化物半導体層403は、化学式InMO3ZnOmm>0、且つ、mは整数でないで表記される薄膜を用いることができる。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、またはGa及びCoなどがある。酸化物半導体層403を用いたトランジスタ410、420、430、440は、オフ状態における電流値オフ電流値を低くすることができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力を抑制する効果を奏する。また、酸化物半導体層403を用いたトランジスタ410、420、430、440は、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。よって、液晶表示装置の画素部に上記トランジスタを用いることで、色分離を抑制することができ、高画質な画像を提供することができる。また、上記トランジスタは、同一基板上に駆動回路部または画素部に作り分けて作製することができるため、液晶表示装置の部品点数を削減することができる。絶縁表面を有する基板400に使用することができる基板に大きな制限はないが、バリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板を用いる。ボトムゲート構造のトランジスタ410、420、430において、下地膜となる絶縁膜を基板とゲート電極層の間に設けてもよい。下地膜は、基板からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜による積層構造により形成することができる。ゲート電極層401の材料は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料またはこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層でまたは積層して形成することができる。ゲート絶縁層402は、プラズマCVD法又はスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、窒化アルミニウム層、酸化窒化アルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層、又は酸化ハフニウム層を単層で又は積層して形成することができる。例えば、第1のゲート絶縁層としてプラズマCVD法により膜厚50nm以上200nm以下の窒化シリコン層SiNyy>0を形成し、第1のゲート絶縁層上に第2のゲート絶縁層として膜厚5nm以上300nm以下の酸化シリコン層SiOxx>0を積層して、合計膜厚200nmのゲート絶縁層とする。ソース電極層405a、ドレイン電極層405bに用いる導電膜としては、例えば、Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wからから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元素を成分とする金属窒化物膜窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜等を用いることができる。また、Al、Cuなどの金属膜の下側又は上側の一方または双方にTi、Mo、Wなどの高融点金属膜またはそれらの金属窒化物膜窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜を積層させた構成としても良い。ソース電極層405a、ドレイン電極層405bに接続する配線層436a、配線層436bのような導電膜も、ソース電極層405a、ドレイン電極層405bと同じ材料を用いることができる。また、ソース電極層405a、ドレイン電極層405bこれと同じ層で形成される配線層を含むとなる導電膜としては導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウムIn2O3、酸化スズSnO2、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム酸化スズ合金In2O3―SnO2、ITOと略記する、酸化インジウム酸化亜鉛合金In2O3―ZnOまたはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。絶縁膜407、427、437は、代表的には酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、酸化物半導体層の上方に設けられる保護絶縁層409は、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、保護絶縁層409上にトランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化絶縁膜を形成してもよい。平坦化絶縁膜としては、ポリイミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料low-k材料等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、平坦化絶縁膜を形成してもよい。このようなトランジスタを用いた液晶表示装置の画素の一例を図13と図14に示す。図13は画素の平面図を示し、当該図中に示すA-B切断線に対応する断面図を図14に示す。なお、図13はトランジスタ410が形成された基板400の平面図を示すものであり、図14はトランジスタ410が設けられた基板400側の構成に加え、対向基板416や液晶層414が設けられている構成を示す。以下の説明では図13と図14の両方を参照して説明する。トランジスタ410の構成は図6Aと同様であり、ゲート電極層401、ゲート絶縁層402、酸化物半導体層403を有している。画素を構成する場合、ゲート電極層401は一方向に延在するように形成されている。酸化物半導体層403はゲート絶縁層402を介してゲート電極層401と重畳するように設けられている。ソース電極層405aとドレイン電極層405bは酸化物半導体層403の上層側に設けられているなお、ここではソース電極層405aとドレイン電極層405bという呼び方は、トランジスタ410に接続される電極として区別するために便宜的に用いている。ソース電極層405aはゲート電極層401と交差する方向に延在している。保護絶縁層409上には画素電極411が設けられ、コンタクトホール412によってドレイン電極層405bと接続されている。画素電極411は酸化インジウムスズ、酸化亜鉛、酸化スズなどの透光性電極材料で形成されている。また、保持容量419は適宜設ければ良く、これを設ける場合には、ゲート電極層401と同じ層で形成される容量配線層417、容量電極層418によって形成する。容量配線層417と容量電極層418の間には、誘電体としてゲート絶縁層402が延在しており、これにより保持容量419が形成される。画素電極411にはスリットを設けることで液晶の配向を制御することができる。このような構成は、VAVerticalAlignment方式において適用される。VA方式とは、液晶パネルの液晶分子の配列を制御する方式の一種である。VA方式は、電圧が印加されていないときにパネル面に対して液晶分子が垂直方向を向く方式である。なお、VA方式の他に、TNTwistedNematic方式、MVAMulti-domainVerticalAlignment方式、IPSIn-PlaneSwitching方式、CPAContinuousPinwheelAlignment方式、PVAPatternedVerticalAlignment方式などを適用することもできる。対向基板416側には対向電極415が設けられている。基板400と対向基板416の間には液晶層414が設けられている。また、液晶層414と接するように配向膜413が設けられている。配向膜413の配向処理は光配向法又はラビング法でなされている。液晶層414の液晶相は、ネマチック相、スメクチック相、コレステリック相、ブルー相などを用いることができる。酸化物半導体層403がゲート絶縁層402を介してゲート電極層401と重畳するように設けられたトランジスタ410と、トランジスタ410のソース側又はドレイン側に接続された液晶を駆動する画素電極411と、画素電極411と対向するように設けられた対向電極415と、画素電極411と対向電極415との間に設けられた液晶層414とで一つのユニットが形成される。このユニットを一又は複数用いて画素ピクセルを形成することができ、これをマトリクス状に配置することにより画像等を表示する表示パネルを構成することができる。このように、本実施の形態において、電界効果移動度が高く、オフ電流値が低い酸化物半導体層を含むトランジスタを用いることにより、低消費電力の液晶表示装置を提供することができる。実施の形態5本実施の形態は、酸化物半導体層を含むトランジスタ、及び作製方法の一例を図7を用いて詳細に説明する。上記実施の形態と同一部分又は同様な機能を有する部分は、上記実施の形態と同様に行うことができ、繰り返しの説明は省略する。また同じ箇所の詳細な説明は省略する。図7A乃至Eにトランジスタの断面構造の一例を示す。図7A乃至Eに示すトランジスタ510は、図6Aに示すトランジスタ410と同様なボトムゲート構造の逆スタガ型トランジスタである。以下、図7A乃至Eを用い、基板505上にトランジスタ510を作製する工程を説明する。まず、絶縁表面を有する基板505上に導電膜を形成した後、第1のフォトリソグラフィ工程によりゲート電極層511を形成する。なお、レジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。絶縁表面を有する基板505は、実施の形態4に示した基板400と同様な基板を用いることができる。本実施の形態では基板505としてガラス基板を用いる。下地膜となる絶縁膜を基板505とゲート電極層511との間に設けてもよい。下地膜は、基板505からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜による積層構造により形成することができる。また、ゲート電極層511の材料は、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。次いで、ゲート電極層511上にゲート絶縁層507を形成する。ゲート絶縁層507は、プラズマCVD法又はスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、窒化アルミニウム層、酸化窒化アルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層、又は酸化ハフニウム層を単層で又は積層して形成することができる。本実施の形態の酸化物半導体は、不純物を除去され、I型化又は実質的にI型化された酸化物半導体を用いる。このような高純度化された酸化物半導体は界面準位、界面電荷に対して極めて敏感であるため、酸化物半導体層とゲート絶縁層との界面は重要である。そのため高純度化された酸化物半導体に接するゲート絶縁層は、高品質化が要求される。例えば、μ波例えば周波数2.45GHzを用いた高密度プラズマCVDは、緻密で絶縁耐圧の高い高品質な絶縁層を形成できるので好ましい。高純度化された酸化物半導体と高品質ゲート絶縁層とが接することにより、界面準位を低減して界面特性を良好なものとすることができるからである。もちろん、ゲート絶縁層として良質な絶縁層を形成できるものであれば、スパッタリング法やプラズマCVD法など他の成膜方法を適用することができる。また、成膜後の熱処理によってゲート絶縁層の膜質、酸化物半導体との界面特性が改質される絶縁層であっても良い。いずれにしても、ゲート絶縁層としての膜質が良好であることは勿論のこと、酸化物半導体との界面準位密度を低減し、良好な界面を形成できるものであれば良い。また、ゲート絶縁層507、酸化物半導体膜530に水素、水酸基及び水分がなるべく含まれないようにするために、酸化物半導体膜530の成膜の前処理として、スパッタリング装置の予備加熱室でゲート電極層511が形成された基板505、又はゲート絶縁層507までが形成された基板505を予備加熱し、基板505に吸着した水素、水分などの不純物を脱離し排気することが好ましい。なお、予備加熱室に設ける排気手段はクライオポンプが好ましい。なお、この予備加熱の処理は省略することもできる。またこのような加熱処理は、絶縁層516の成膜前に、ソース電極層515a及びドレイン電極層515bまで形成した基板505にも同様に行ってもよい。次いで、ゲート絶縁層507上に、膜厚2nm以上200nm以下、好ましくは5nm以上30nm以下の酸化物半導体膜530を形成する図7A参照。なお、酸化物半導体膜530をスパッタリング法により成膜する前に、アルゴンガスを導入してプラズマを発生させる逆スパッタを行い、ゲート絶縁層507の表面に付着している粉状物質パーティクル、ごみともいうを除去することが好ましい。逆スパッタとは、ターゲット側に電圧を印加せずに、アルゴン雰囲気下で基板側にRF電源を用いて電圧を印加して基板近傍にプラズマを形成して表面を改質する方法である。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウム、酸素などを用いてもよい。酸化物半導体膜530に用いる酸化物半導体は、実施の形態4に示した酸化物半導体を用いることができる。また、上記酸化物半導体にSiO2を含んでもよい。本実施の形態では、酸化物半導体膜530としてIn-Ga-Zn-O系酸化物ターゲットを用いてスパッタリング法により成膜する。この段階での断面図が図7Aに相当する。また、酸化物半導体膜530は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガスと酸素の混合雰囲気下においてスパッタ法により形成することができる。酸化物半導体膜530をスパッタリング法で作製するためのターゲットとしては、例えば、組成比として、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol数比]の金属酸化物ターゲットを用い、In-Ga-Zn-O膜を成膜する。また、このターゲットの材料及び組成に限定されず、例えば、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]の金属酸化物ターゲットを用いてもよい。また、金属酸化物ターゲットの充填率は90以上100以下、好ましくは95以上99.9以下である。充填率の高い金属酸化物ターゲットを用いることにより、成膜した酸化物半導体膜は緻密な膜とすることができる。酸化物半導体膜530を、成膜する際に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基を含む化合物、又は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。減圧状態に保持された成膜室内に基板を保持し、基板温度を100°C以上600°C以下好ましくは200°C以上400°C以下とする。基板を加熱しながら成膜することにより、成膜した酸化物半導体膜に含まれる不純物濃度を低減することができる。また、スパッタリングによる損傷が軽減される。そして、成膜室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入し、上記ターゲットを用いて基板505上に酸化物半導体膜530を成膜する。成膜室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプ、例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。また、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素原子、水H2Oなど水素原子を含む化合物より好ましくは炭素原子を含む化合物も等が排気されるため、当該成膜室で成膜した酸化物半導体膜に含まれる不純物の濃度を低減できる。成膜条件の一例としては、基板とターゲットの間との距離を100mm、圧力0.6Pa、直流DC電源0.5kW、酸素酸素流量比率100雰囲気下の条件が適用される。なお、パルス直流電源を用いると、成膜時に発生する粉状物質パーティクル、ごみともいうが軽減でき、膜厚分布も均一となるために好ましい。次いで、酸化物半導体膜530を第2のフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層に加工する。また、島状の酸化物半導体層を形成するためのレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。また、ゲート絶縁層507にコンタクトホールを形成する場合、その工程は酸化物半導体膜530の加工時に同時に行うことができる。なお、ここでの酸化物半導体膜530のエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよく、両方を用いてもよい。例えば、酸化物半導体膜530のウェットエッチングに用いるエッチング液としては、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液、ITO07N関東化学社製などを用いることができる。次いで、酸化物半導体層に第1の加熱処理を行う。この第1の加熱処理によって酸化物半導体層の脱水化または脱水素化を行うことができる。第1の加熱処理の温度は、400°C以上750°C以下、または400°C以上基板の歪み点未満とする。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下450°Cにおいて1時間の加熱処理を行った後、大気に触れることなく、酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半導体層531を得る図7B参照。なお、加熱処理装置は電気炉に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を用いてもよい。例えば、GRTAGasRapidThermalAnneal装置、LRTALampRapidThermalAnneal装置等のRTARapidThermalAnneal装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光電磁波の輻射により、被処理物を加熱する装置である。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。高温のガスには、アルゴンなどの希ガス、または窒素のような、加熱処理によって被処理物と反応しない不活性気体が用いられる。例えば、第1の加熱処理として、650°C~700°Cの高温に加熱した不活性ガス中に基板を移動させて入れ、数分間加熱した後、基板を移動させて高温に加熱した不活性ガス中から出すGRTAを行ってもよい。なお、第1の加熱処理においては、窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスに、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、加熱処理装置に導入する窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、6N99.9999以上好ましくは7N99.99999以上即ち不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とすることが好ましい。また、第1の加熱処理で酸化物半導体層を加熱した後、同じ炉に高純度の酸素ガス、高純度のN2Oガス、又は超乾燥エア露点が-40°C以下、好ましくは-60°C以下を導入してもよい。酸素ガスまたはN2Oガスに、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、加熱処理装置に導入する酸素ガスまたはN2Oガスの純度を、6N以上好ましくは7N以上即ち、酸素ガスまたはN2Oガス中の不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とすることが好ましい。酸素ガス又はN2Oガスの作用により、脱水化または脱水素化処理による不純物の排除工程によって同時に減少してしまった酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素を供給することによって、酸化物半導体層を高純度化及び電気的にI型真性化する。また、酸化物半導体層の第1の加熱処理は、島状の酸化物半導体層に加工する前の酸化物半導体膜530に行うこともできる。その場合には、第1の加熱処理後に、加熱装置から基板を取り出し、フォトリソグラフィ工程を行う。なお、第1の加熱処理は、上記以外にも、酸化物半導体層成膜後であれば、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を積層させた後、あるいは、ソース電極層及びドレイン電極層上に絶縁層を形成した後、のいずれで行っても良い。また、ゲート絶縁層507にコンタクトホールを形成する場合、その工程は酸化物半導体膜530に第1の加熱処理を行う前でも行った後に行ってもよい。また、酸化物半導体層を2回に分けて成膜し、2回に分けて加熱処理を行うことで、下地部材の材料が、酸化物、窒化物、金属など材料を問わず、膜厚の厚い結晶領域非単結晶領域、即ち、膜表面に垂直にc軸配向した結晶領域を有する酸化物半導体層を形成してもよい。例えば、3nm以上15nm以下の第1の酸化物半導体膜を成膜し、窒素、酸素、希ガス、または乾燥空気の雰囲気下で450°C以上850°C以下、好ましくは550°C以上750°C以下の第1の加熱処理を行い、表面の領域に結晶領域板状結晶を含むを有する第1の酸化物半導体膜を形成する。そして、第1の酸化物半導体膜よりも厚い第2の酸化物半導体膜を形成し、450°C以上850°C以下、好ましくは600°C以上700°C以下の第2の加熱処理を行い、第1の酸化物半導体膜を結晶成長の種として、上方に結晶成長させ、第2の酸化物半導体膜を結晶化させ、結果として膜厚の厚い結晶領域を有する酸化物半導体層を形成してもよい。次いで、ゲート絶縁層507、及び酸化物半導体層531上に、ソース電極層及びドレイン電極層これと同じ層で形成される配線を含むとなる導電膜を形成する。ソース電極層、及びドレイン電極層に用いる導電膜としては、実施の形態4に示したソース電極層405a、ドレイン電極層405bに用いる材料を用いることができる。第3のフォトリソグラフィ工程により導電膜上にレジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行ってソース電極層515a、ドレイン電極層515bを形成した後、レジストマスクを除去する図7C参照。第3のフォトリソグラフィ工程でのレジストマスク形成時の露光には、紫外線やKrFレーザ光やArFレーザ光を用いるとよい。酸化物半導体層531上で隣り合うソース電極層の下端部とドレイン電極層の下端部との間隔幅によって後に形成されるトランジスタのチャネル長Lが決定される。なお、チャネル長L=25nm未満の露光を行う場合には、数nm~数10nmと極めて波長が短い超紫外線ExtremeUltravioletを用いて第3のフォトリソグラフィ工程でのレジストマスク形成時の露光を行うとよい。超紫外線による露光は、解像度が高く焦点深度も大きい。従って、後に形成されるトランジスタのチャネル長Lを10nm以上1000nm以下とすることも可能であり、回路の動作速度を高速化できる。また、フォトリソグラフィ工程で用いるフォトマスク数及び工程数を削減するため、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いてエッチング工程を行ってもよい。多階調マスクを用いて形成したレジストマスクは複数の膜厚を有する形状となり、エッチングを行うことでさらに形状を変形することができるため、異なるパターンに加工する複数のエッチング工程に用いることができる。よって、一枚の多階調マスクによって、少なくとも二種類以上の異なるパターンに対応するレジストマスクを形成することができる。よって露光マスク数を削減することができ、対応するフォトリソグラフィ工程も削減できるため、工程の簡略化が可能となる。なお、導電膜のエッチングの際に、酸化物半導体層531がエッチングされ、分断することのないようエッチング条件を最適化することが望まれる。しかしながら、導電膜のみをエッチングし、酸化物半導体層531を全くエッチングしないという条件を得ることは難しく、導電膜のエッチングの際に酸化物半導体層531は一部のみがエッチングされ、溝部凹部を有する酸化物半導体層となることもある。本実施の形態では、導電膜としてTi膜を用い、酸化物半導体層531にはIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体を用いたので、Ti膜のエッチャントとしてアンモニア過水31重量過酸化水素水:28重量アンモニア水:水=5:2:2を用いる。次いで、N2O、N2、またはArなどのガスを用いたプラズマ処理を行い、露出している酸化物半導体層の表面に付着した吸着水などを除去してもよい。プラズマ処理を行った場合、酸化物半導体層を大気に触れさせることなく、酸化物半導体層の一部に接する保護絶縁膜となる絶縁層516を形成する。絶縁層516は、少なくとも1nmの膜厚とし、スパッタ法など、絶縁層516に水、水素等の不純物を混入させない方法を適宜用いて形成することができる。絶縁層516に水素が含まれると、その水素の酸化物半導体層への侵入、又は水素による酸化物半導体層中の酸素の引き抜き、が生じ酸化物半導体層のバックチャネルが低抵抗化N型化してしまい、寄生チャネルが形成されるおそれがある。よって、絶縁層516はできるだけ水素を含まない膜になるように、成膜方法に水素を用いないことが重要である。酸化物半導体層に接して形成する絶縁層516は、水分や、水素イオンや、OH-などの不純物を含まず、これらが外部から侵入することをブロックする無機絶縁膜を用い、代表的には酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などを用いる。本実施の形態では、絶縁層516として膜厚200nmの酸化シリコン膜をスパッタリング法を用いて成膜する。成膜時の基板温度は、室温以上300°C以下とすればよく、本実施の形態では100°Cとする。酸化シリコン膜のスパッタ法による成膜は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、または希ガスと酸素の混合雰囲気下において行うことができる。また、ターゲットとして酸化シリコンターゲットまたはシリコンターゲットを用いることができる。例えば、シリコンターゲットを用いて、酸素を含む雰囲気下でスパッタ法により酸化シリコンを形成することができる。酸化物半導体膜530の成膜時と同様に、絶縁層516の成膜室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプクライオポンプなどを用いることが好ましい。クライオポンプを用いて排気した成膜室で成膜した絶縁層516に含まれる不純物の濃度を低減できる。また、絶縁層516の成膜室内の残留水分を除去するための排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。絶縁層516を、成膜する際に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基を有する化合物、又は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。次いで、不活性ガス雰囲気下、または酸素ガス雰囲気下で第2の加熱処理好ましくは200°C以上400°C以下、例えば250°C以上350°C以下を行う。例えば、窒素雰囲気下で250°C、1時間の第2の加熱処理を行う。第2の加熱処理を行うと、酸化物半導体層の一部チャネル形成領域が絶縁層516と接した状態で加熱される。以上の工程を経ることによって、酸化物半導体層に対して第1の加熱処理を行って水素、水分、水酸基又は水素化物水素化合物ともいうなどの不純物を酸化物半導体層より意図的に排除し、かつ不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成する主成分材料の一つである酸素を供給することができる。よって、酸化物半導体層は高純度化及び電気的にI型真性化する。以上の工程でトランジスタ510が形成される図7D参照。また、絶縁層516に欠陥を多く含む酸化シリコン層を用いると、酸化シリコン層形成後の加熱処理によって酸化物半導体層中に含まれる水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を拡散させ、酸化物半導体層中に含まれる該不純物をより低減させる効果を奏する。絶縁層516上にさらに保護絶縁層506を形成してもよい。保護絶縁層は、水分などの不純物を含まず、これらが外部から侵入することをブロックする無機絶縁膜を用い、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜などを用いる。本実施の形態では、RFスパッタ法は量産性が良いため、保護絶縁層506として窒化シリコン膜をRFスパッタ法を用いて形成する図7E参照。本実施の形態では、保護絶縁層506として、絶縁層516まで形成された基板505を100°C~400°Cの温度に加熱し、水素及び水分が除去された高純度窒素を含むスパッタガスを導入しシリコン半導体のターゲットを用いて窒化シリコン膜を成膜する。この場合においても、絶縁層516と同様に、処理室内の残留水分を除去しつつ保護絶縁層506を成膜することが好ましい。保護絶縁層の形成後、さらに大気中、100°C以上200°C以下、1時間以上30時間以下での加熱処理を行ってもよい。この加熱処理は一定の加熱温度を保持して加熱してもよいし、室温から、100°C以上200°C以下の加熱温度への昇温と、加熱温度から室温までの降温を複数回くりかえして行ってもよい。このように、本実施の形態を用いて作製した、高純度化された酸化物半導体層を含むトランジスタは、高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。よって、液晶表示装置の画素部に高純度化された酸化物半導体層を含むトランジスタを用いることで、色分離を抑制することができ、高画質な画像を提供することができる。また、高純度化された酸化物半導体層を含むトランジスタを有する駆動回路部と画素部を同一基板上に形成できるため、液晶表示装置の部品点数を削減することができる。高純度化された酸化物半導体を用いたトランジスタの電界効果移動度を求めた結果について説明する。上述した本実施の形態の作製方法に従って、高純度化された酸化物半導体膜厚50nmのIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体膜を用いてトランジスタL/W=10μm/50μmを作製し、基板温度を室温とし、ソース-ドレイン間電圧以下、ドレイン電圧またはVdというを10Vとし、ソース-ゲート間電圧以下、ゲート電圧またはVgというを-30V~30Vまで変化させたときのソース-ドレイン電流以下、ドレイン電流またはIdというの変化特性、すなわちVg-Id特性を測定した。なお、図8では、Vgを-5V~30Vまでの範囲で示している。図8に示すように高純度化された酸化物半導体層を含むトランジスタの電界移動度の最大値は、10.7cm2/Vsecであることが確認できる。高純度化された酸化物半導体を含むトランジスタを用いることにより、オフ状態における電流値オフ電流値をより低くすることができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度をより少なくすることができるため、消費電力を抑制する効果を高くできる。高純度化された酸化物半導体を用いたトランジスタのオフ電流を求めた結果について説明する。上述した本実施の形態の作製方法に従って、高純度化された酸化物半導体を用いてトランジスタを作製した。まず、高純度化された酸化物半導体を用いたトランジスタのオフ電流が十分に小さいことを考慮して、チャネル幅Wが1cmと十分に大きいトランジスタを用意してオフ電流の測定を行った。チャネル幅Wが1cmのトランジスタのオフ電流を測定した結果を図9に示す。図9において、横軸はゲート電圧Vg、縦軸はドレイン電流Idである。ドレイン電圧Vdが1Vまたは10Vの場合、ゲート電圧Vgが-5Vから-20Vの範囲では、トランジスタのオフ電流は、検出限界である1×10-13A以下であることがわかった。また、トランジスタのオフ電流ここでは、単位チャネル幅1μmあたりの値は10aA/μm1×10-17A/μm以下となることがわかった。次に、高純度化された酸化物半導体を用いたトランジスタのオフ電流をさらに正確に求めた結果について説明する。上述したように、高純度化された酸化物半導体を用いたトランジスタのオフ電流は、測定器の検出限界である1×10-13A以下であることがわかった。そこで、特性評価用素子を作製し、より正確なオフ電流の値上記測定における測定器の検出限界以下の値を求めた結果について説明する。電流測定方法に用いた特性評価用素子について、以下に説明する。特性評価用素子は、3つ並列に接続された測定系を用いる。それぞれの測定系は、容量素子、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタ、及び第4のトランジスタを有する。第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタ、及び第4のトランジスタは、本実施の形態に従って作製し、図7Dに示したトランジスタ510と同じ構造のものを使用した。一つの測定系は、第1のトランジスタのソース端子およびドレイン端子の一方と、容量素子の端子の一方と、第2のトランジスタのソース端子およびドレイン端子の一方は、電源V2を与える電源に接続する。また、第1のトランジスタのソース端子およびドレイン端子の他方と、第3のトランジスタのソース端子およびドレイン端子の一方と、容量素子の端子の他方と、第2のトランジスタのゲート端子とは、接続する。また、第3のトランジスタのソース端子およびドレイン端子の他方と、第4のトランジスタのソース端子およびドレイン端子の一方と、第4のトランジスタのゲート端子は、電源V1を与える電源に接続する。また、第2のトランジスタのソース端子およびドレイン端子の他方と、第4のトランジスタのソース端子およびドレイン端子の他方とを接続し、出力端子とする。なお、第1のトランジスタのゲート端子には、第1のトランジスタのオン状態と、オフ状態を制御する電位Vext_b2が供給され、第3のトランジスタのゲート端子には、第3のトランジスタのオン状態と、オフ状態を制御する電位Vext_b1が供給される。また、出力端子からは電位Voutが出力される。次に、上記の測定系を用いてオフ電流の測定を行う。まず初期化期間において第1のトランジスタのソース端子とドレイン端子の間、及び第3のトランジスタのソース端子とドレイン端子の間に電位差を付与する。初期化が終了した後は、第1と第3のトランジスタのオフ電流に起因し、時間の経過と共に第2のトランジスタのゲート端子の電位が変動する。従って、時間の経過と共に、出力端子の出力電位Voutの電位も変化することとなる。こうして得られた出力電位Voutから、オフ電流を算出することができる。第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第3のトランジスタ、及び第4のトランジスタは、それぞれチャネル長L=10μm、チャネル幅W=50μmの、高純度化した酸化物半導体を用いたトランジスタである。また、並列された3つ測定系において、第1の測定系の容量素子の容量値を100fFとし、第2の測定系の容量素子の容量値を1pFとし、第3の測定系の容量素子の容量値を3pFとした。なお、第1のトランジスタのソース端子とドレイン端子の間、及び第3のトランジスタのソース端子とドレイン端子の間に電位差を付与するために、V1とV2は適宜5V、あるいは0Vの電圧とした。また、測定は10~300secごとに行い、電位Voutの測定は100msecの期間行った。また、初期化終了後30000sec経過するまで測定を行った。図10には、上記電流測定によって算出されたオフ電流を示す。なお、図10は、ソース-ドレイン電圧Vと、オフ電流Iとの関係を表すものである。図10から、ソース-ドレイン電圧が4Vにおいて、オフ電流は約40zA/μmであることが分かった。また、ソース-ドレイン電圧が3.1Vにおいて、オフ電流は10zA/μm以下であることが分かった。なお、1zAは10-21Aを表す。以上、本実施の形態により、高純度化された酸化物半導体を用いたトランジスタでは、オフ電流が十分に小さくなることが確認された。実施の形態6本明細書に開示する液晶表示装置は、さまざまな電子機器遊技機も含むに適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。上記実施の形態で説明した液晶表示装置を具備する電子機器の例について説明する。図11Aは電子書籍E-bookともいうであり、筐体9630、表示部9631、操作キー9632、太陽電池9633、充放電制御回路9634を有することができる。図11Aに示した電子書籍は、様々な情報静止画、動画、テキスト画像などを表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報を操作又は編集する機能、様々なソフトウェアプログラムによって処理を制御する機能等を有することができる。なお、図11Aでは充放電制御回路9634の一例としてバッテリー9635、DCDCコンバータ以下、コンバータと略記9636を有する構成について示している。実施の形態1乃至5のいずれかで示した液晶表示装置を表示部9631に適用することにより低消費電力な電子書籍とすることができる。図11Aに示す構成とすることにより、表示部9631として半透過型、又は反射型の液晶表示装置を用いる場合、比較的明るい状況下での使用も予想され、太陽電池9633による発電、及びバッテリー9635での充電を効率よく行うことができ、好適である。なお太陽電池9633は、筐体9630の空きスペース表面や裏面に適宜設けることができるため、効率的なバッテリー9635の充電を行う構成とすることができるため好適である。なおバッテリー9635としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。また図11Aに示す充放電制御回路9634の構成、及び動作について図11Bにブロック図を示し説明する。図11Bには、太陽電池9633、バッテリー9635、コンバータ9636、コンバータ9637、スイッチSW1乃至SW3、表示部9631について示しており、バッテリー9635、コンバータ9636、コンバータ9637、スイッチSW1乃至SW3が充放電制御回路9634に対応する箇所となる。まず外光により太陽電池9633により発電がされる場合の動作の例について説明する。太陽電池で発電した電力は、バッテリー9635を充電するための電圧となるようコンバータ9636で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部9631の動作に太陽電池9633からの電力が用いられる際にはスイッチSW1をオンにし、コンバータ9637で表示部9631に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、表示部9631での表示を行わない際には、SW1をオフにし、SW2をオンにしてバッテリー9635の充電を行う構成とすればよい。次いで外光により太陽電池9633により発電がされない場合の動作の例について説明する。バッテリー9635に蓄電された電力は、スイッチSW3をオンにすることでコンバータ9637により昇圧または降圧がなされる。そして、表示部9631の動作にバッテリー9635からの電力が用いられることとなる。なお太陽電池9633については、充電手段の一例として示したが、他の手段によるバッテリー9635の充電を行う構成であってもよい。また他の充電手段を組み合わせて行う構成としてもよい。図12は、ノート型のパーソナルコンピュータであり、本体3001、筐体3002、表示部3003、キーボード3004などによって構成されている。実施の形態1乃至5のいずれかで示した液晶表示装置を表示部3003に適用することにより、低消費電力なノート型のパーソナルコンピュータとすることができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。"