"レジスト層が形成された基板を載置するための回転駆動される載置台と、当該載置台に載置される基板上に水を含有する光反応性処理液を供給するための処理液供給手段と、当該処理液供給手段によって基板上に供給された光反応性処理液よりなる液膜を介して当該基板におけるレジスト層に紫外光を照射するための紫外線ランプとを備えており、前記載置台に載置された基板におけるレジスト層上の各部分が、当該載置台の回転に伴って、前記紫外線ランプによって形成される照射領域および非照射領域を交互に通過することを特徴とするレジスト除去装置。前記紫外線ランプが載置台の上方領域における当該載置台の回転軸を含む平面によって区画される一方側に配置されることにより前記照射領域および前記非照射領域が形成されることを特徴とする請求項1に記載のレジスト除去装置。前記紫外線ランプが中心波長172nmの紫外光を放射するエキシマランプであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のレジスト除去装置。前記載置台が、自転すると共に、その自転軸が当該自転軸に垂直な平面において円運動するように回転駆動されることを特徴とする請求項1~請求項3のいずれかに記載のレジスト除去装置。レジスト層が形成された基板を回転させると共に、当該基板上に水を含有する光反応性処理液を供給した状態において、基板上に供給される光反応性処理液よりなる液膜を介して当該基板におけるレジスト層に紫外光を照射する照射期間と、紫外光を照射しない非照射期間とが交互に設けられてなるレジスト除去処理工程を有することを特徴とするレジスト除去方法。前記レジスト除去処理工程において、非照射期間が80μ秒間以上であることを特徴とする請求項5に記載のレジスト除去方法。前記レジスト除去処理工程を経た基板に対して酸化性洗浄処理液による洗浄処理を行う工程を有することを特徴とする請求項5または請求項6に記載のレジスト除去方法。本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、高い効率でレジストを除去することのできるレジスト除去装置およびレジスト除去方法を提供することにある。本発明のレジスト除去装置は、レジスト層が形成された基板を載置するための回転駆動される載置台と、当該載置台に載置される基板上に水を含有する光反応性処理液を供給するための処理液供給手段と、当該処理液供給手段によって基板上に供給された光反応性処理液よりなる液膜を介して当該基板におけるレジスト層に紫外光を照射するための紫外線ランプとを備えており、前記載置台に載置された基板におけるレジスト層上の各部分が、当該載置台の回転に伴って、前記紫外線ランプによって形成される照射領域および非照射領域を交互に通過することを特徴とする。本発明のレジスト除去装置においては、前記紫外線ランプが載置台の上方領域における当該載置台の回転軸を含む平面によって区画される一方側に配置されることにより前記照射領域および前記非照射領域が形成されることが好ましい。本発明のレジスト除去装置においては、前記紫外線ランプが中心波長172nmの紫外光を放射するエキシマランプであることが好ましい。本発明のレジスト除去装置においては、前記載置台が、自転すると共に、その自転軸が当該自転軸に垂直な平面において円運動するように回転駆動されることが好ましい。本発明のレジスト除去方法は、レジスト層が形成された基板を回転させると共に、当該基板上に水を含有する光反応性処理液を供給した状態において、基板上に供給される光反応性処理液よりなる液膜を介して当該基板におけるレジスト層に紫外光を照射する照射期間と、紫外光を照射しない非照射期間とが交互に設けられてなるレジスト除去処理工程を有することを特徴とする。本発明のレジスト除去方法においては、前記レジスト除去処理工程において、非照射期間が80μ秒間以上であることが好ましい。本発明のレジスト除去方法においては、前記レジスト除去処理工程を経た基板に対して酸化性洗浄処理液による洗浄処理を行う工程を有することが好ましい。本発明のレジスト除去装置においては、レジスト層の形成された基板におけるレジスト層上の各部分が、載置台の回転に伴って、紫外線ランプによって形成される照射領域および非照射領域を交互に通過する構成を有するものであることから、当該レジスト層における光反応性処理液の液膜を介して紫外光の照射された部分のレジストが分解されることによって生じるレジストの分解物と、当該光反応性処理液において紫外光の照射によって発生されるヒドロキシラジカルとが反応することによって生成される水和物に対して、照射領域を通過する期間においては紫外光が照射されるものの、非照射領域を通過する期間においては紫外光が照射されることがない。そのため、生成された水和物は、照射領域を通過する期間においては、紫外光の照射によって分解され、その分解生成物が基板上に残留することとなるが、非照射領域を通過する期間においては、紫外光の照射によって分解されることなく、光反応性処理液に溶解した状態となり、当該光反応性処理液と共に、回転によって発生される遠心力によって基板上を流動することによって除去されることとなる。従って、本発明のレジスト除去装置によれば、光反応性処理液よりなる液膜を介して紫外光がレジスト層に照射されることによって分解されたレジストの分解物を、基板におけるレジスト層上の各部分が非照射領域を通過する期間において、効率的に基板上から除去することができるため、レジストを高い効率で除去することができる。本発明のレジスト除去装置においては、紫外線ランプとして中心波長172nmの紫外光を放射するエキシマランプを用いることにより、水からヒドロキシラジカルを発生させることができるため、光反応性処理液として水を用いることができ、また、光反応性処理液としてオゾン水を用いた場合においては、光反応性処理液におけるヒドロキシラジカルの発生量が大きくなることから、より一層効率的にレジストを除去することができる。本発明のレジスト除去方法においては、レジスト除去処理工程において、照射期間と非照射期間とが交互に設けられていることから、基板に形成されたレジスト層における光反応性処理液の液膜を介して紫外光の照射された部分のレジストが分解されることによって生じるレジストの分解物と、当該光反応性処理液において紫外光の照射によって発生されるヒドロキシラジカルとが反応することによって生成される水和物に対して、照射期間においては紫外光が照射されるものの、非照射期間においては紫外光が照射されることがない。そのため、生成された水和物は、照射期間においては、紫外光の照射によって分解され、その分解生成物が基板上に残留することとなるが、非照射期間においては、紫外光の照射によって分解されることなく、光反応性処理液に溶解した状態となり、当該光反応性処理液と共に、回転によって発生される遠心力によって基板上を流動することによって除去されることとなる。従って、本発明のレジスト除去方法によれば、光反応性処理液よりなる液膜を介して紫外光が照射されることによって分解されたレジストの分解物を、非照射期間において、効率的に基板上から除去することができるため、レジストを高い効率で除去することができる。以下、本発明の実施の形態について説明する。<第1の実施の形態>図1は、本発明のレジスト除去装置の構成の一例を示す説明図であり、図2は、図1のA-A線の断面図である。第1のレジスト除去装置10は、例えばシリコン製の基板の表面に、例えばノボラック系樹脂およびポリメタクリル酸メチル樹脂PMMA樹脂などの公知のレジストよりなるレジスト層が形成されてなるものを処理対象体被処理基板とするものである。この第1のレジスト除去装置10は、処理対象体である円板状の被処理基板Wよりも僅かに大径の円板状の形状を有する、被処理基板Wを載置するための載置部13Aと、この載置部13Aの中心を回転中心とし、当該載置部13Aを自転するように回転駆動するための駆動部13Bとよりなる載置台13を備えており、この載置台13が、開閉可能な被処理基板Wの取り出し口図示せずを有すると共に、内部に密閉空間を形成することのできる筐体11内に収容されてなる構成を有するものである。この筐体11内には、載置台13の上方に、当該載置台13に載置される被処理基板W上に光反応性処理液を供給するための処理液供給手段15と、当該処理液供給手段15によって被処理基板W上に供給される光反応性処理液よりなる液膜17を介して当該被処理基板Wにおけるレジスト層に紫外光を照射するための紫外線ランプ21よりなる光源が設けられている。また、処理液供給手段15と、光源との間には、処理液供給手段15によって被処理基板W上に光反応性処理液が供給される際に生じる液はねに起因して光反応性処理液が紫外線ランプ21に付着することを防止するための平板状の液はね防止部材18が設けられている。この図の例において、被処理基板Wは、載置台13の回転に伴って、その中心P1図5参照を回転中心として回転自転されるように、載置台13の載置部13A上において、当該載置部13Aの中心に、被処理基板Wの中心P1が重なるように配置される。そして、筐体11内における載置台13の上方においては、液はね防止部材18が、当該載置台13の回転軸Cを含む平面に沿って伸びるよう、筐体11の天面部11Aおよび互いに対向する一対の側面部11B,11Cに固定されることによって配設されており、この液はね防止部材18によって区画される載置台13の上方領域における一方側図1および図2における左方側には光源が配置され、また、他方側図1および図2における右方側には処理液供給手段15が配置されている。また、この光源によっては、載置台13の載置部13A上には、光源の配置されている一方側の半円状の領域にのみ光源からの紫外光が照射される。すなわち、載置部13A上には、一方側に半円状の照射領域が形成されると共に、他方側に半円状の非照射領域が形成される。この図の例においては、光源は、被処理基板Wの外径よりも長尺な全長を有する、複数図の例においては3つの紫外線ランプ21によって構成されており、これらの複数の紫外線ランプ21は、各々、互いに対向する、液はね防止部材18に垂直な一対の側面部11B11Cに設けられたランプ保持部12により、当該液はね防止部材18に平行に保持され、等間隔に並列配置されている。載置台13においては、駆動部13Bによる載置部13Aの回転速度が、回転によって生じる遠心力が被処理基板W上において光反応性処理液を載置部13Aの径方向外方に向かって流動させることのできる大きさとなると共に、当該載置部13Aに載置される被処理基板Wのレジスト層上における各部分が非照射領域を通過するのに要する時間、すなわち紫外光が照射されない非照射期間が80μ秒間以上となるように制御されることが好ましい。具体的には、例えば100~6000rpmである。また、載置台13を構成する載置部13Aとしては、例えば金属材料、樹脂材料などの材質よりなるものを用いることができるが、光反応性処理液、紫外光およびヒドロキシラジカルに対する耐久性の観点からは、アルミニウム、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイミドよりなるものが好ましい。処理液供給手段15は、回転された状態の被処理基板W上に光反応性処理液を供給し、その回転によって生じる遠心力を利用して、当該被処理基板W上に流動する光反応性処理液よりなる液膜17を形成することのできるものであれば、種々の構成のものを用いることができる。この図の例においては、処理液供給手段15は、先端に光反応性処理液の供給口16Aが形成されたL字状の供給管16を備えており、当該供給管16が、ランプ保持部12が設けられている側面部11B,11Cに垂直な側面部11Dから液はね防止部材18に向かって当該側面部11Dに垂直に伸び、側面部11Dと液はね防止部材18との間の領域において、供給口16Aが載置部13Aにおける被処理基板Wが配置される領域と対向するように配置されている。また、処理液供給手段15による光反応性処理液の供給は、被処理基板Wに形成される液膜17を、当該被処理基板Wにおけるレジスト層上において、所期の厚みとすることができれば、連続的であっても断続的であってもよく、また供給速度は、固定的一定であっても変則的であってもよい。液膜17の厚みレジスト層上における厚みは、光源からの紫外光の波長によって異なるが、例えば光源を構成する紫外線ランプ21として中心波長が172nmの紫外光を放射するものを用いた場合においては、20μm以下であることが好ましい。液膜17の厚みが過大である場合には、紫外光が液膜17を構成する光反応性処理液に吸収されることに起因して被処理基板Wにおけるレジスト層に十分な紫外光が照射されなくなるおそれがある。また、液膜17に紫外光が照射されることによって発生するヒドロキシラジカルが、液膜17の表層において発生されるものであり、その上、寿命が数十μ秒間であることから、発生したヒドロキシラジカルが、液膜17の底層において生成されるレジストの分解物と反応することなく消失してしまうおそれがある。処理液供給手段15によって供給される光反応性処理液は、少なくとも水を含有し、紫外光が照射されることによって酸化性ラジカル、具体的にはヒドロキシラジカルが発生するものである。光反応性処理液としては、純水、純水にオゾンが溶解されてなるオゾン水などを用いることができる。具体的には、紫外線ランプ21が波長177nmを超える紫外光を放射するものである場合には、オゾン水が用いられ、また、紫外線ランプ21が波長177nm以下の紫外光を放射するものである場合においては、オゾン水または純水を用いることができるが、レジスト除去効率の観点から、オゾン水が好適である。光反応性処理液としてオゾン水を用いる場合においては、オゾン水におけるオゾン濃度が1ppm以上であることが好ましい。オゾン濃度を1ppm以上とすることにより、十分な量のヒドロキシラジカルを発生させることができる。紫外線ランプ21としては、波長261nm以下の紫外光を放射するランプが用いられる。具体的には、高圧水銀ランプおよびエキシマランプなどが用いられ、特に水からヒドロキシラジカルを発生させることのできる波長177nm以下の真空紫外光を高い効率で放射することができることから、中心波長が172nmの紫外光を放射するエキシマランプが好適に用いられる。ここに、第1のレジスト除去装置10の光源を構成する紫外線ランプ21として用いられるエキシマランプについて、図3および図4を用いて説明する。図3は、本発明のレジスト除去装置の紫外線ランプとして用いられるエキシマランプの構成の一例を示す説明用斜視図であり、図4は、図3におけるB-B線の断面図である。このエキシマランプ22は、例えば石英ガラスなどの真空紫外光を透過する材料によって構成され、両端が気密に封止されて内部に放電空間Sが形成された、断面矩形状の中空長尺状の放電容器23を備えており、この放電容器23の内部には、発光ガスとして希ガスが封入されている。放電容器23における長辺面の外表面には、一対の網状の電極25A25Bが長尺な方向に伸びるよう対向して配置されており、これにより、互いに離間して形成された一対の電極25A,25B間に誘電体である放電容器23が介在された状態とされている。この電極25A25Bは、例えば銅と低融点ガラスとが混合されてなる導電性ペーストよりなる電極材料を放電容器23に網状に塗布して焼成処理することによって形成することができる。また、放電容器23の内表面には、紫外光を反射するための反射膜26が設けられている。この反射膜26は、放電容器23の内表面における、一方の電極25Aに対応する領域にわたって形成されており、この反射膜26が形成されていることによって他方の電極25Bが形成されている外表面側から高い効率で紫外光が放射されることとなる。このような構成のエキシマランプ22においては、電極25A,25Bに接続された高周波電源29から高周波高電圧が入力されることにより、放電容器23の内部において発光ガスが励起されることによってエキシマ放電が生じ、このエキシマ放電によって真空紫外光波長200nm以下の紫外光が放射されることとなる。また、発光ガスとしてキセノンガスを用いることにより、中心波長172nmの真空紫外光が放射されることとなる。液はね防止部材18は、紫外線ランプ21に、被処理基板W上に光反応性処理液が供給される際に生じる液はねに起因して光反応性処理液が付着することを抑制することのできるものであればよいが、遮光性を有するものであることが好ましい。液はね防止部材18が遮光性を有するものであることにより、液はね防止部材18によって照射領域と非照射領域との境界位置を制御することができるため、光源の設計の自由度が大きくなる。この第1のレジスト除去装置10においては、紫外線ランプ21として真空紫外線を放射するものを用いる場合においては、真空紫外光が酸素に吸収されることから、筐体11内は、例えば窒素などの真空紫外線を吸収することのない不活性ガスが充填されてなる不活性ガス雰囲気とされることが好ましい。このような構成の第1のレジスト除去装置10においては、本発明のレジスト除去方法によって被処理基板Wにおけるレジスト層の除去が行われる。すなわち、被処理基板Wを回転させると共に、当該被処理基板W上に光反応性処理液を供給した状態において、被処理基板W上に供給される光反応性処理液よりなる液膜17を介して当該被処理基板Wにおけるレジスト層に紫外光を照射する照射期間と、紫外光を照射しない非照射期間とを交互に設けることによってレジスト除去処理を行い、このようなレジスト除去処理が行われるレジスト除去処理工程を経ることにより、被処理基板Wにおけるレジスト層の除去が行われる。具体的には、筐体11内において、載置台13の載置部13Aにおける所定の位置に被処理基板Wを配置し、必要に応じて筐体11内を不活性ガス例えば、窒素ガスによって置換して不活性ガス雰囲気とした後、駆動部13Bによって載置部13Aを回転駆動すると共に、処理液供給手段15から光反応性処理液を供給することによって被処理基板W上に液膜17を形成する。このように、載置台13の回転に伴って回転自転する被処理基板W上に光反応性処理液による液膜17が形成された状態において、光源を構成する複数の紫外線ランプ21を一斉に点灯させることにより、レジストの除去処理が行われる。このレジスト除去処理中においては、図5に示すように、被処理基板Wは、載置台13の回転に伴って矢印方向に回転自転されることにより、当該被処理基板W上における各部分が、紫外線ランプ21よりなる光源によって形成される半円状の照射領域と、半円状の非照射領域とを交互に通過し、照射領域においてのみ紫外光が照射されることとなる。図5において、照射領域は斜線を付して示されており、回転された状態の被処理基板W上における、例えば照射領域の任意の位置X1に配置されている部分には、そのX1の位置からX2の位置に移動するまでの間には紫外光が照射され、またX2の位置からX3の位置に移動するまでの間には紫外光が照射されることはない。而して、被処理基板Wの上における各部分においては、照射領域を通過する期間、すなわち紫外光が照射される照射期間において、液膜17を介してレジスト層に紫外光が照射されることによって当該レジスト層における紫外光が照射された部分のレジストが分解されると共に、液膜17を構成する光反応性処理液に紫外光が照射されることによって当該光反応性処理液からヒドロキシラジカルが発生し、このレジストの分解物とヒドロキシラジカルとが反応することにより、親水基例えば、カルボキシル基およびヒドロキシ基等を有する水和物分解レジスト水和物が生成される。ここに、光反応性処理液がオゾン水である場合においては、光反応性処理液中に存在するオゾンに紫外光が照射されることによって下記の反応式1に示す発生過程によってヒドロキシラジカルHOが発生し、また、特に紫外線ランプ21が波長177nm以下の紫外光を放射するものである場合においては、光反応性処理液中に存在する純水に紫外光が照射されることによって下記の反応式2に示す反応が生じ、純水からもヒドロキシラジカルHOが発生される。なお、光反応性処理液が純水である場合においては、紫外線ランプ21として波長177nm以下の紫外光を放射するものを用いることが必要とされ、その光反応性処理液においては、下記の反応式2に示す発生過程によってヒドロキシラジカルが発生することとなる。反応式1O3hνλ<310nm→O1DO2H2OO1D→2OHOHO3→O2HO2HO2O3→2O2OH反応式2H2Ohνλ<177nm→H2O1DH2OO1D→2OHこのようにして生成された分解レジスト水和物は、水に対する溶解性を有するものであることから、光反応性処理液に溶解されるものの、紫外光が照射されることにより、当該分解レジスト水和物における親水基が切断される分解反応逆反応が生じ、この分解レジスト水和物における親水基が切断される分解反応以下、水和物分解反応ともいう。によっては光反応性処理液に溶解しない生成物が生成されることとなる。その結果、照射期間においては、生成された分解レジスト水和物のうちの大部分が水和物分解反応によって親水基が切断され、その水和物分解反応の生成物が被処理基板W上に残留することとなる。この照射期間においては、生成された分解レジスト水和物は、その大部分が水和物分解反応によって分解されてしまうが、残りの一部分は、光反応性処理液に溶解された状態となり、載置台13が回転駆動することによって生じる遠心力、および光反応性処理液が連続的あるいは断続的に供給されることによって生じる物理的作用により、被処理基板W上を流動する光反応性処理液と共に被処理基板W上から除去される、あるいは光反応性処理液中に残存することとなる。一方、被処理基板Wにおける各部分が、非照射領域を通過する期間、すなわち紫外光が照射されない非照射期間においては、紫外光が照射されないことから、レジスト層を構成するレジストの分解反応および光反応性処理液からのヒドロキシラジカルの発生反応が生じることはないが、分解レジスト水和物が水和物分解反応によって分解されることもないため、照射期間において生成され、水和物分解反応によって分解されることなく残存した分解レジスト水和物は、光反応性処理液に溶解される。また、被処理基板W上には、照射期間において生成された分解レジスト水和物の他、照射期間において生成されたレジストの分解物、ヒドロキシラジカルおよび水和物分解反応の生成物が存在することから、これらが反応する、具体的にはレジストの分解物とヒドロキシラジカルとが反応する、あるいは水和物分解反応の生成物とヒドロキシラジカルとが反応することによって新たに分解レジスト水和物が生成され、これらの分解レジスト水和物も光反応性処理液に溶解される。そして、光反応性処理液に溶解された状態の分解レジスト水和物は、載置台13が回転駆動することによって生じる遠心力、および光反応性処理液が連続的あるいは断続的に供給されることによって生じる物理的作用により、光反応性処理液と共に被処理基板W上から除去されることとなる。ここに、非照射期間は、80μ秒間以上であることが好ましく、更に好ましくは100μ秒間以上である。非照射期間が80μ秒間以上であることにより、非照射期間において、照射期間において生成されたレジストの分解物、ヒドロキシラジカルおよび水和物分解反応の生成物が反応することによって生成される分解レジスト水和物を高い確率で被処理基板W上から除去することができる。この非照射期間においては、照射期間にて生成されて液膜17中に残存した分解レジスト水和物、および当該非照射期間において新たに生成された分解レジスト水和物が、分解されることなく光反応性溶液に溶解されて光反応性処理液と共に被処理基板W上から除去されることにより、当該被処理基板Wのレジスト層において新たなレジスト面が露出される。そして、この露出されたレジスト面に対しては、回転されている被処理基板Wが一巡を終えた後の新たな照射期間において、紫外光が照射されることとなる。このようにして、レジストの除去処理が行われるレジスト除去処理工程においては、被処理基板W上の各部分に紫外光が照射される照射期間と、紫外光が照射されない非照射期間とが交互に繰り返され、これにより、当該被処理基板Wにおけるレジスト層上の各部分において、紫外光の照射された部分が分解され、その分解物から生成される分解レジスト水和物が除去されることが繰り返されることとなる。また、本発明のレジスト除去方法においては、レジスト除去処理工程のみ、すなわちレジスト除去処理のみによって被処理基板Wにおけるレジスト層の除去を行うこともできるが、レジスト除去処理工程を経た被処理基板Wに対して、酸化性洗浄処理液による洗浄処理を後処理として行うことが好ましい。レジスト除去処理工程を経た被処理基板Wが更に洗浄処理を行う洗浄処理工程を経ることにより、レジスト除去処理によっては長い時間を要してしまうレジスト残渣の除去を、洗浄処理によって短時間で行うことができるため、被処理基板Wにおけるレジスト層の除去を短時間で行うことができる。この洗浄処理工程において行われる洗浄処理は、洗浄処理対象体である被処理基板Wを、酸化性洗浄処理液に浸漬することによって湿式洗浄するものである。酸化性洗浄処理液としては、例えば過酸化水素水と硫酸とが、容量比過酸化水素水:硫酸が1:4となる割合で混合されてなる混合溶液が用いられる。また、洗浄処理の処理条件としては、処理温度が80~170°Cであり、処理時間が5分間以内である。ここに、酸化性洗浄処理液による洗浄処理は、従来公知のレジスト除去方法においても用いられているが、本発明のレジスト除去方法に係る洗浄処理工程においては、当該洗浄処理工程の前の工程であるレジスト除去処理工程にてレジストを高い効率で除去することができるため、従来公知のレジスト除去方法において行われている洗浄処理に比して、その処理温度を、前述のように低い温度とすることができてレジスト残渣を除去するために大きな熱エネルギーが必要とされることがない。従って、本発明のレジスト除去方法によれば、酸化性洗浄処理液による洗浄処理を行う洗浄工程を経る場合であっても、被処理基板Wにおけるレジスト層の除去を低エネルギーで行うことができる。以上のように、第1のレジスト除去装置10おいては、被処理基板Wにおけるレジスト層上の各部分が、載置台13の回転に伴って、光源によって形成される照射領域および非照射領域を交互に通過する構成を有するものであることから、液膜17を介して被処理基板Wにおけるレジスト層に紫外光が照射されることによって分解されたレジストの分解物を、非照射領域を通過する非照射期間において、効率的に被処理基板W上から除去することができるため、レジストを高い効率で除去することができる。更に、第1のレジスト除去装置10においては、光源を構成する紫外線ランプ21として、中心波長172nmの紫外光を放射するエキシマランプを用いることにより、水からヒドロキシラジカルを発生させることができるため、光反応性処理液として水を用いることができ、また、光反応性処理液としてオゾン水を用いた場合においては、光反応性処理液におけるヒドロキシラジカルの発生量が大きくなることから、より一層効率的にレジストを除去することができる。また、第1のレジスト除去装置10においては、液はね防止部材18が設けられていることから、処理液供給手段15によって被処理基板W上に光反応性処理液が供給される際に生じる液はねに起因して光反応性処理液が紫外線ランプ21に付着し、その光反応性処理液に含まれているレジストの分解物、あるいは分解レジスト水和物によって紫外線ランプ21からの光の放射が阻害されることを抑制することができる。また、第1のレジスト除去装置10においては、処理液供給手段15が液はね防止部材18によって区画される載置台13の上方領域における他方側に配置され、当該他方側に光反応性処理液の供給口16Aが設けられていることから、光反応性処理液に溶解された状態の分解レジスト水和物を被処理基板W上からの除去するために、光反応性処理液が連続的あるいは断続的に供給されることによって生じる物理的作用を効率的に利用することができるため、より一層効率的にレジストを除去することができる。<第2の実施の形態>図6は、本発明のレジスト除去装置の構成の他の例を示す説明図である。第2のレジスト除去装置30は、筐体11内に、載置台13と、処理液供給手段15と、光源とが収容されてなり、光源として、紫外線ランプが載置台13の上方領域の全域に配置されてなる構成のものを備えており、光源を構成する紫外線ランプの点灯状態を制御することによって載置台13の載置部13A上に、光源からの紫外光が照射される照射領域と、紫外光が照射されない非照射領域を形成する構成を有するものである。この図の例においては、処理液供給手段15は、先端に光反応性処理液の供給口31Aが形成された直管状の供給管31を備えており、当該供給管31が筐体11の天面部11Aから載置台13に向かって当該天面部11Aに垂直に伸び、載置台13の載置部13Aの中心回転中心において、供給口31Aが載置部13Aと対向するように配置されている。この第2のレジスト除去装置30は、光源を構成する紫外線ランプ21A,21Bが載置台13の上方領域の全域に配置されていること、処理液供給手段15が載置台13の回転軸C上に供給口31Aが位置するように配置されていること、および液はね防止部材が設けられていないこと以外は、第1のレジスト除去装置10と同様の構成を有している。第2のレジスト除去装置30において、光源は、載置台13の上方領域における当該載置台13の回転軸Cを含む平面によって区画される一方側図6における左方側に位置する複数図の例においては3つの紫外線ランプ21Aよりなる紫外線ランプ群以下、第1のランプ群ともいう。と、他方側図6における右方側に位置する複数図の例においては3つの紫外線ランプ21Bよりなる紫外線ランプ群以下、第2のランプ群ともいう。とにより構成されている。また、光源には、第1のランプ群または第2のランプ群のいずれか一方のみが点灯状態とされるように制御するための点灯制御手段図示せずが設けられている。この光源によっては、第1のランプ群または第2のランプ群のいずれか一方のみが点灯状態とされることにより、載置台13の載置部13A上には、点灯状態とされているランプ群の配置されている側以下、点灯ランプ群配置側ともいう。の半円状の領域にのみ光源からの紫外光が照射される。すなわち、載置部13A上には、点灯ランプ群配置側に半円状の照射領域が形成されると共に、点灯状態とされていないランプ群の配置されている側に半円状の非照射領域が形成される。この図の例において、第1ランプ群と第2ランプ群とは載置台13の上方領域における当該載置台13の回転軸Cを含む平面に関して対称な構成を有しており、この第1のランプ群を構成する紫外線ランプ21Aおよび第2のランプ群を構成する紫外線ランプ21Bは、被処理基板Wの外径よりも長尺な全長を有しており、並列配置されている。また、この第1のランプ群と第2のランプ群との間には処理液供給手段15が設けられている。光源を構成する第1のランプ群と、第2のランプ群とは、交互に点灯状態とされることが好ましい。第1のランプ群と第2のランプ群とを交互に点灯状態とする場合においては、各ランプ群の点灯状態とされる時間が2分間以下であることが好ましい。このような構成の第2のレジスト除去装置30においては、被処理基板Wにおけるレジスト層上の各部分が、載置台13の回転に伴って、光源によって形成される照射領域および非照射領域を交互に通過する構成を有するものであることから、第1のレジスト除去装置10と同様に、光反応性処理液よりなる液膜17を介して被処理基板Wにおけるレジスト層に紫外光が照射されることによって分解されたレジストの分解物を、非照射領域を通過する非照射期間において、効率的に被処理基板W上から除去することができるため、レジストを高い効率で除去することができる。また、第2のレジスト除去装置30においては、光源を構成する第1のランプ群と、第2のランプ群とを交互に点灯状態とすることにより、筐体11および載置台13などの構成部材において、第1のランプ群が配置されている一方側あるいは第2のランプ群が配置されている他方側のいずれか一方のみに、紫外線ランプが点灯されることに伴って高温とされることに起因する変形などの弊害が生じることを抑制することができる。<第3の実施の形態>図7は、本発明のレジスト除去装置の構成の更に他の例を示す説明図であり、図8は、図7のレジスト除去装置における載置台および紫外線ランプと、当該載置台に配置される被処理基板との位置関係を示す説明図である。第3のレジスト除去装置40は、筐体11内に、載置台41と、処理液供給手段15と、紫外線ランプ21よりなる光源とが収容されてなり、載置台41における載置部41A上に、被処理基板Wの全域に紫外光を照射することのできるような大きさの照射領域が形成されると共に、被処理基板Wの全域に紫外光が照射されることのないような大きさの非照射領域が形成される構成を有するものである。この図の例において、処理液供給手段15は、先端に光反応性処理液の供給口31Aが形成された直管状の供給管31を備えており、当該供給管31が筐体11の天面部11Aから載置台41に向かって当該天面部11Aに垂直に伸び、供給口31Aが載置部41Aと対向するように配置されている。この第3のレジスト除去装置40は、載置台41が、被処理基板Wの外径よりも僅かに大きな半径を有する円板状の載置部41Aを有していること、光源を構成する紫外線ランプ21が載置台13の上方領域における当該載置台41の回転軸Cを含む平面によって区画される一方側図7および図8における左方側の一部分にのみ配置されていること、処理液供給手段15が載置台41の上方領域における当該載置台41の回転軸Cを含む平面によって区画される一方側、すなわち光源の配置されている側に配置されていること、および液はね防止部材が設けられていないこと以外は、第1のレジスト除去装置10と同様の構成を有している。第3のレジスト除去装置40を構成する載置台41は、被処理基板Wの外径よりも僅かに大きな半径を有する円板状の載置部41Aと、この載置部41Aの中心P2を回転中心とし、当該載置部41Aを自転するように回転駆動するための駆動部41Bとを備えてなるものである。この載置台41は、第1のレジスト除去装置10と同様に、駆動部41Bによる載置部41Aの回転速度が、回転によって生じる遠心力が被処理基板W上において光反応性処理液を載置部41Aの径方向外方に向かって流動させることのできる大きさとなると共に、当該載置部41Aに載置される被処理基板W上の各部分において紫外光が照射されない非照射期間が80μ秒間以上となるように制御されることが好ましい。具体的には、例えば100~6000rpmである。この図の例においては、被処理基板Wは、載置部41A上おいて、当該載置部41Aの中心P2と載置部41Aの周縁との間の領域に配置され、載置台41Aの回転に伴って、載置部41Aの中心P2の周りを回転する。第3のレジスト除去装置40において、光源によっては、載置台41の載置部41A上には、光源の配置されている一方側の一部分に対応する領域にのみ光源からの紫外光が照射される。すなわち、載置部41A上には、光源の配置されている一方側の一部の領域に被処理基板Wよりも大きな寸法大きな面積を有する照射領域が形成されると共に、当該一方側における、載置台41の上方領域における他方側図7および図8における右方側との境界領域および他方側の半円状の領域全域にわたって非照射領域が形成される。この図の例において、光源は、被処理基板Wの外径よりも長尺な全長を有する、複数図の例においては6つの紫外線ランプ21によって構成されており、これらの複数の紫外線ランプ21が、被処理基板W上の全域を照射することのできるような大きさの照射領域を形成するように等間隔で並列配置されており、また複数の紫外線ランプ21のうちの中央に位置する2本の紫外線ランプ21間には処理液供給手段15が設けられている。このような構成の第3のレジスト除去装置40においては、被処理基板Wにおけるレジスト層上の各部分が、載置台41の回転に伴って、光源によって形成される照射領域および非照射領域を交互に通過する構成を有するものであることから、第1のレジスト除去装置10と同様に、光反応性処理液よりなる液膜17を介して被処理基板Wにおけるレジスト層に紫外光が照射されることによって分解されたレジストの分解物を、非照射領域を通過する非照射期間において、効率的に被処理基板W上から除去することができるため、レジストを高い効率で除去することができる。<第4の実施の形態>図9は、本発明のレジスト除去装置の構成のまた更に他の例を示す説明図である。第4のレジスト除去装置は、載置台51が自転すると共に、その自転軸が当該自転軸に垂直な平面において円運動するように回転駆動されること、および光源を構成する紫外線ランプが載置台51の上方領域における当該載置台51の回転軸を含む平面によって区画される一方側図9における左方側の一部分にのみ配置されていること以外は、第1のレジスト除去装置10と同様の構成を有するものである。第4のレジスト除去装置を構成する載置台51は、被処理基板Wの外形よりも僅かに大きな外形を有する円板状の載置部51Aと、この載置部51Aを、その中心を回転中心として自転させると共に、自転する載置部51Aの自転軸が、当該自転軸に垂直な平面において円運動公転するように回転駆動するための駆動部とを備えてなるものである。この載置台51においては、載置部51Aの自転速度は、例えば100~6000rpmとされ、また載置部51Aの自転軸の円運動速度公転速度は、当該載置部51Aの自転速度よりも速い速度とされる。この図の例において、被処理基板Wは、載置台51の自転に伴って、その中心P1を回転中心として回転自転されるように、載置台51の載置部51A上において、当該載置部51Aの中心に、被処理基板Wの中心P1が重なるように配置される。また図9には、載置部51Aの自転軸の円運動の軌跡を一点鎖線で示す。また、図9には、駆動部によって回転駆動されて任意の位置に移動した状態の載置部51Aを二点鎖線で示し、その状態における載置部51Aおよび被処理基板Wの中心P1を、符号に括弧を付けて示す。また、第4のレジスト除去装置を構成する光源は、載置部51Aの外形よりも長尺な全長を有する紫外線ランプ21よりなり、載置部51Aの自転軸が円運動公転することに伴って揺動運動された状態においても、当該載置部51A上のいずれかの部分に照射領域が形成され、かつ載置部51A上のいずれの部分においても照射領域が形成された後に非照射領域が形成されるように配置されている。このような構成の第4のレジスト除去装置においては、載置台51を自転させると共に公転させることにより、この載置台51に載置された被処理基板Wにおけるレジスト層上の各部分が、載置台51の自転および揺動運動に伴って、紫外線ランプ21によって形成される照射領域および非照射領域を交互に通過する構成を有するものであることから、第1のレジスト除去装置10と同様に、光反応性処理液よりなる液膜を介して被処理基板Wにおけるレジスト層に紫外光が照射されることによって分解されたレジストの分解物を、非照射領域を通過する非照射期間において、効率的に被処理基板W上から除去することができるため、レジストを高い効率で除去することができる。以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変更を加えることができる。例えば、本発明のレジスト除去装置は、回転駆動する載置台に載置された被処理基板におけるレジスト層上の各部分を、当該載置台の回転に伴って、処理液供給手段から供給された光反応性処理液によって当該レジスト層上に液膜が形成された状態において、紫外線ランプによって形成される照射領域および非照射領域を交互に通過させることのできる構成のものであれば、構成要素の各々が種々の構成を有するものであってもよい。具体的には、例えば載置台は、被処理基板載置することができ、かつ載置された状態の被処理基板Wを回転させることのできるものであれば、種々の構成のものを用いることができる。また、本発明のレジスト除去方法は、本発明のレジスト除去装置によって実施されることに限定されるものではない。"