"第1半導体層、第2半導体層、及び前記第1及び第2半導体層の間に形成される活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物の下面に接触する絶縁層と、前記発光構造物の下に配置され、前記絶縁層が配置されるパターンが形成された保護層と、含む、発光素子。第1半導体層、第2半導体層、及び前記第1及び第2半導体層の間に形成される活性層を含む発光構造物と、前記第1半導体層に接触する少なくとも2つ以上の突起が形成された保護層と、前記少なくとも2つ以上の突起の間に形成されたパターン内に配置され、前記第1半導体層に接触する絶縁層と、を含む、発光素子。前記パターンの深さは、前記保護層の厚さ対比0.3倍~0.7倍である、請求項1または2に記載の発光素子。前記保護層の厚さは、1μm~10μmである、請求項1~3のいずれか1項に記載の発光素子。前記保護層は、チタンTi、ニッケルNi、白金Pt、鉛Pb、ロジウムRh、イリジウムIr、鉄Fe、モリブデンMo、バナジウムV及びタングステンWのうち少なくとも一つを含む、請求項1~4のいずれか1項にに記載の発光素子。前記パターンは、少なくとも一側面がオープンされたパターンである、請求項1~5のいずれか1項に記載の発光素子。前記保護層は、前記発光構造物と垂直的に重なり合い、前記発光構造物の一部分に接触する、請求項1~6のいずれか1項に記載の発光素子。前記パターンの断面形状は、多角形または半円形である、請求項1~7のいずれか1項に記載の発光素子。前記絶縁層は、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiOx、TiO2及びAlNのうち少なくとも一つを含む、請求項1~8のいずれか1項に記載の発光素子。前記パターンは、少なくとも一つの溝を含む、請求項1に記載の発光素子。前記保護層は、前記第1半導体層の下に隣接し、前記パターンが形成された第1面と、前記第1面と対向し、前記基板上に隣接した第2面と、を含む、請求項1~10のいずれか1項に記載の発光素子。前記保護層は、第1厚さを有する第1領域と、前記第1領域を取り囲み、かつ、前記パターンが形成された第2領域と、を含む、請求項1~11のいずれか1項に記載の発光素子。前記第2領域は、前記第1厚さよりも厚い第2厚さを有する、請求項12に記載の発光素子。前記第1領域上に配置され、前記第1半導体層の下面に接触する電極層と、を含む、請求項12または13に記載の発光素子。前記保護層と前記電極層との間に反射層を含み、前記反射層の幅は、前記電極層の幅と同一である、または、狭い、請求項14に記載の発光素子。前記反射層は、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au及びHfのうち少なくとも一つを含む、請求項15に記載の発光素子。前記第1半導体層と前記電極層との間に電流閉じ込め層をさらに含み、前記電流閉じ込め層は、前記保護層及び前記絶縁層の少なくとも一方と同じ材質からなる、請求項14または15に記載の発光素子。前記少なくとも2つ以上の突起の少なくとも一方は、前記第1半導体層内に挿入された、請求項2に記載の発光素子。第1半導体層、第2半導体層及び前記第1及び第2半導体層の間に形成される活性層を含む発光構造物と、前記第1半導体層の下面の一部分に接触する絶縁層と、前記第1半導体層の下に配置され、前記絶縁層と接触しない前記第1半導体層の下面に接触する保護層と、含む、発光素子。前記絶縁層及び前記保護層は、交互に配置された、請求項19に記載の発光素子。請求項1~20のいずれか1項に記載の発光素子を含む照明システム。実施例は、発光効率が向上し、安全性及び信頼性の向上した発光素子、照明システムを提供する。実施例に係る発光素子は、第1半導体層、第2半導体層、及びこれら第1及び2半導体層の間に活性層を含む発光構造物と、前記発光構造物の下面に接触する絶縁層と、前記発光構造物の下に配置され、前記絶縁層が配置されるパターンが形成された保護層と、を含むことができる。他の実施例に係る発光素子は、第1半導体層、第2半導体層及び前記第1及び第2半導体層の間に活性層を含む発光構造物と、前記第1半導体層に接触する少なくとも2つ以上の突起が形成された保護層と、前記少なくとも2つ以上の突起の間に配置され、前記第1半導体層に接触する絶縁層と、を含むことができる。さらに他の実施例に係る発光素子は、第1半導体層、第2半導体層及び前記第1及び第2半導体層の間に形成される活性層を含む発光構造物と、前記第1半導体層の第1領域に接触する絶縁層と、前記第1半導体層の下に配置され、前記絶縁層が配置され、前記第1領域以外の前記第1半導体層の第2領域に接触される保護層と、を含むことができる。実施例によれば、発光効率が向上し、安全性及び信頼性の向上した発光素子を提供することができる。本発明の利点及び特徴、並びにそれらを達成する方法は、添付の図面と共に詳細に後述される実施例から明確になるであろう。ただし、本発明は、以下に開示される実施例に限定されるものではなく、様々な形態で具現することができる。したがって、以下の実施例は、本発明の開示を完全にさせ、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者に発明の範ちゅうを完全に理解してもらうために提供されるもので、よって、本発明は請求項の範ちゅうによって定義されるべきである。したがって、実施例において、周知の工程段階、周知の素子構造及び技術は、本発明が曖昧に解析されることを避けるために適宜省略するものとする。明細書全体を通じて同一の参照符号は、同一の構成要素を示している。空間的に相対する用語である下below、下beneath、下部lower、上above、上部upperなどは、図面に示すように、一つの素子または構成要素と他の素子または構成要素との相関関係を容易に記述するために使用されるものでよい。空間的に相対する用語は、図面に示した方向に加えて、使用時または動作時に素子の互いに異なる方向を含む用語として理解されるべきである。例えば、図面に示している素子をひっくり返す場合、他の素子の下belowまたは下beneathと記述された素子は、他の素子の上aboveに置かれることができる。したがって、例示的な用語である下は、下及び上のいずれをも含むことができる。素子は、他の方向にも配向されることがあり、そのため、空間的に相対する用語は、配向によって解釈されればよい。本明細書で使われた用語は、実施例を説明するためのもので、本発明を制限するためのものではない。本明細書において、単数形は、語句で特に言及しない限り、複数形も含むとする。明細書でいう含んでいるcomprises及び/または含むcomprisingは、言及した構成要素、段階、動作及び/または素子に加えて、一つ以上の他の構成要素、段階、動作及び/または素子が存在または追加されることを排除しない。別の定義がない限り、本明細書におけるあらゆる用語技術及び科学的用語を含むは、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者に共通して理解できる意味として使用されればよい。また、辞書に定義されている一般的な用語は、特に明白に定義されていない限り、理想的にまたは過度に解釈しないとする。図面において、各層の厚さや大きさは、説明の便宜及び明確さのため、誇張、省略または概略して示した。また、各構成要素の大きさや面積は、実際の大きさや面積を全的に反映するものではない。また、実施例において、発光素子の構造を説明しながら言及する角度及び方向は、図面に示したものを基準とする。明細書において、発光素子をなす構造についての説明において角度に対する基準点と位置関係を明確に言及しない場合は、関連図面を参照すればいい。図1は、実施例に係る発光素子の上面図であり、図2は、図1におけるA-A線断面図であり、図3は、図1におけるB-B線断面図である。図1乃至図3を参照すると、発光素子100は、基板110、及び基板110上の発光構造物160を含むことができる。基板110は、熱伝導性に優れた物質で形成することができ、また、導電性物質で形成することができ、例えば、金属物質または導電性セラミックを用いて形成すればよい。基板110は、単一層にしてもよく、二重構造またはそれ以上の多重構造にしてもよい。実施例において、基板110は導電性を有するものとしたが、これに限定されず、導電性を有しなくてもよい。すなわち、基板110は、金属物質から形成される場合、例えば、金Au、ニッケルNi、タングステンW、モリブデンMo、銅Cu、アルミニウムAl、タンタルTa、銀Ag、白金Pt、クロムCrから選ばれるいずれか一つで形成してもよく、二つ以上の合金で形成してもよく、異なる二つ以上の物質を積層して形成してもよい。このような基板110は、発光素子100から発生する熱を放出しやすくし、発光素子100の熱的安全性を向上させることができる。また、基板110は、半導体物質で形成される場合、例えば、ケイ素Si、ゲルマニウムGe、ガリウムヒ素GaAs、酸化亜鉛ZnO、シリコンカーバイドSiC、シリコンゲルマニウムSiGe、窒化ガリウムGaN、酸化ガリウムGa2O3のようなキャリアウエハーで形成することができる。基板110は、光透過性を有すればよく、例えば、基板110は、ケイ素Siを一定の厚さ以下にする場合に光透過性が得られるが、これに限定される。基板110は、熱伝導性の大きい物質で形成することができる。基板110の屈折率は、光抽出効率のために、発光構造物160の屈折率よりも小さくすればいい。また、基板110は、光抽出効率を上げるために、上面にPSSPatternedSubstrate構造を有することができるが、これに限定されない。このような基板110は、発光素子100から発生する熱を放出しやすくし、発光素子100の熱的安全性を向上させることができる。基板110を形成する方法は、電気化学的な金属蒸着方法や共晶eutecticメタルを用いたボンディング方法などを用いることができる。基板110上には接着層111を積層することができる。この接着層111は、電流印加中に電極層140の原子が電場により移動するエレクトロマイグレーションelectromigration現象を最小化する目的で形成する。また、接着層111は、下部物質との接着力に優れた金属物質または接着材の少なくとも一つを含むことができる。接着層111上には、電流の拡散を防止する拡散防止層図示せずを形成することができ、これに限定されない。接着層111または拡散防止層は、例えば、銅Cu、ニオブNb、スズSn、インジウムIn、スカンジウムSc、タンタルTa、バナジウムV、シリコンSi、銀Ag、金Au、亜鉛Zn、アンチモンSb、アルミニウムAl、ゲルマニウムGe、ハフニウムHf、ランタニウムLa、マグネシウムMg、マンガンMn、ニッケルNi、パラジウムPd、タングステンW、ルテニウムRu、モリブデンMo、イリジウムIr、ロジウムRh、タンタルTa、ジルコニウムZrまたはチタンTiの少なくとも一つを含む金属または合金で形成することができる。このため、接着層111は、単層または多層構造にすることができる。発光構造物160は、第1半導体層162、第2半導体層164、及び第1及び第2半導体層162,164の間に形成される活性層166を含むことができる。第1半導体層162は、半導体化合物で形成されればよく、例えば、3族-5族、2族-6族などの化合物半導体とすることができ、第1導電型ドーパントがドープされてもよい。例えば、第1半導体層162をp型半導体層とし、活性層166に正孔を注入することができる。例えば、p型半導体層は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInNなどから選ばれるいずれかで形成すればよく、Mg、Zn、Ca、Sr、Baなどのp型ドーパントがドープされてよい。第1半導体層162の上部には活性層166を配置することができる。活性層166は、電子と正孔が再結合する領域を含み、電子と正孔が再結合することによって低いエネルギー準位に遷移し、それに相応する波長を有する光を生成することができる。活性層166は、例えば、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料を含んでなり、二重接合構造、単一井戸構造または多重井戸構造にすることができる。したがって、活性層166では、より多くの電子が量子井戸層の低いエネルギー準位に集まり、その結果、電子と正孔の再結合確率が増加し、発光効果の向上が図られる。また、量子線Quantumwire構造または量子点Quantumdot構造を含んでもよい。活性層166の上または/及び下には、導電型クラッド層図示せずが形成されてもよく、該導電型クラッド層は、活性層における障壁層のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有する半導体で形成されればよい。例えば、導電型クラッド層は、GaN、AlGaN、InAlGaNまたは超格子構造などを含むことができる。また、導電型クラッド層は、n型またはp型のドーパントでドープされてよい。活性層166の上部には第2半導体層164を形成することができる。ここで、第2半導体層164は、半導体化合物で形成すればよく、例えば、3族-5族、2族-6族などの化合物半導体にすることができ、また、第2導電型ドーパントがドープされてよい。例えば、第2半導体層164はn型半導体層にすることができ、n型半導体層は、GaN層、AlGaN層、InGaN層などのようなGaN系化合物半導体のいすれか一つからなることができ、n型ドーパントがドープされてよい。第2半導体層164は、例えば、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えば、InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InNなどから選ばれるいずれかで形成することができ、Si、Ge、Snなどのn型ドーパントがドープされてよい。一方、発光構造物160は、第2半導体層164上に、第2半導体層164と反対の極性を有する第3導電型半導体層図示せずを含むことができる。また、第1半導体層162をP型半導体層にし、第2半導体層164をN型半導体層にしてもよい。こうすると、発光構造物160は、N-P接合、P-N接合、N-P-N接合及びP-N-P接合構造の少なくとも一つを含むことができる。上記の第1半導体層162、活性層166及び第2半導体層164は、有機金属化学蒸着法MOCVD;MetalOrganicChemicalVaporDeposition、化学蒸着法CVD;ChemicalVaporDeposition、プラズマ化学蒸着法PECVD;Plasma-EnhancedChemicalVaporDeposition、分子線成長法MBE;MolecularBeamEpitaxy、水素化物気相成長法HVPE;HydrideVaporPhaseEpitaxy、スパッタ法Sputteringなどの方法を用いて形成することができ、これに限定されない。また、第1半導体層162及び第2半導体層164中の導電型ドーパントのドープ濃度は、均一または不均一にすることができる。すなわち、複数の半導体層の構造は様々にすることができ、これに限定されない。また、第1半導体層162がn型半導体層を含み、第2半導体層164がp型半導体層を含んでもよい。すなわち、第1半導体層162と第2半導体層164は、活性層166を挟んで形成される位置が互いに換わっても構わないが、下記では、第1半導体層162がp型半導体層を含んでなり、基板110に近接するとする。第2半導体層164の一部または全体領域上には凹凸168を形成することができ、これに限定されない。ここで、基板110と発光構造物160との間には、反射膜130及び電極層140を形成することができる。反射膜130は、発光構造物160の活性層166で発生した光の一部が、基板110に向かう場合、該光を発光素子100の上部方向に反射させることで、発光素子100の光抽出効率を向上させることができる。したがって、反射膜130は、反射率の高い物質で形成すればよい。反射層130は、例えば、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、AuまたはHfの少なくとも一つを含む金属または合金で形成することができる。または、これらの金属または合金に加えて、ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATOなどの透光性の導電性物質を用いて多層にしてもよく、具体的には、IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、AZO/Ag/Ni、Ag/Cu、Ag/Pd/Cuなどに積層することができる。電極層140は、第1半導体層162にオーミック接触し、発光構造物160への電源の供給を円滑にさせる。電極層140は、透光性導電層と金属を選択的に使用することができ、例えば、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、ニッケルNi、白金Pt、ルテニウムRu、イリジウムIr、ロジウムRh、タンタルTa、モリブデンMo、チタンTi、銀Ag、タングステンW、銅Cu、クロムCr、パラジウムPd、バナジウムV、コバルトCo、ニオブNb、ジルコニウムZr、Ni/IrOx/Au、またはNi/IrOx/Au/ITOの少なくとも一つを用いて単層または多層にすることができる。一方、反射膜130と電極層140は、互いに異なる幅に形成することができ、同時焼成過程を経て形成されるため、接合力に優れている。実施例において、反射膜130と電極層140は、異なる幅に形成するとしたが、これに限定されず、互いに同一の幅にしてもよく、さらに電極層140の形状も特に限定されない。ここで、電極層140は、外周部の側面から突延した突出部140aを有することができる。突出部140aは絶縁層150の一部と重なり合い、絶縁層150の一部を支持することができる。また、電極層140と発光構造物160との間には電流閉じ込め層170を配置することができ、これに限定されない。電極層140は、例えば、電流閉じ込め層170が中心部に配置されるように溝図示せずを有してもよく、これに限定されない。すなわち、電流閉じ込め層170は、電極パッド180と垂直方向に少なくとも一部が重なるように形成されればよく、これにより、電極パッド180と基板110との間の最短距離で電流が集中する現象を緩和し、発光素子100の発光効率を向上させることができる。電流閉じ込め層170は、電気絶縁性を有する材質、反射膜130または接着層111に比べて電気伝導性の低い材質、及び第1半導体層162とショートキー接触を形成する材質のうち少なくとも一つを用いて形成することができ、例えば、ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、ZnO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiOx、TiO2、Ti、Al、Crの少なくとも一つを含む。一方、電流閉じ込め層170は、反射膜130と電極層140との間に形成されてもよく、これに限定されない。実施例において、電流閉じ込め層170は電極層140上に配置されるとしたが、電流閉じ込め層170は、保護層120または絶縁層150に兼ねさせてもよい。すなわち、保護層120は、反射膜130及び電極層140が水平方向に分離された場合、分離された反射膜130及び電極層140の両側面に接して第1半導体層162に接触することで、電流閉じ込め層170の役割を担うことができ、この場合、保護層120の少なくとも一部分は、後述する電極パッド180と重なることができる。また、絶縁層150は、保護層120のパターン内に配置されることによって、基板110及び電極層140の少なくとも一方から供給される電流が保護層120を通って第1半導体層162に供給されることを防ぐ電流閉じ込め層170として機能することができ、これに限定されない。ここで、接着層111と発光構造物160との間には、反射膜130及び電極層140が配置される一部側面に絶縁層150が配置されるパターン図示せずが形成された保護層120を配置することができる。保護層120は、発光構造物160の内側及び外側に配置することができる。例えば、第1半導体層162の下部周面において上記パターンを除く部分と接触配置されながら側面が外側に露出され、かつ、第1半導体層162の中心部に対応する部分、すなわち反射膜130及び電極層140が第1半導体層162に接触するように、第1半導体層162の内側に配置されればよい。すなわち、保護層120の内側部は、第1半導体層162の下に配置されて、第1半導体層162と重なり合うことができる。保護層120の外側部は、第1半導体層162の下において第1半導体層162の側面よりも外側に向かって配置されればよい。この時、保護層120の外側部は第1半導体層162の側面よりも外側領域である保護領域に配置されて、発光構造物160の側面を保護することができ、この保護領域は、発光構造物160と基板110との間に段差形成された構造で、発光素子100の上部の周縁領域となることができ、これに限定されない。保護層120は、例えば、金属物質及び絶縁物質の少なくとも一つを含むことができ、金属物質には、電極層140をなす物質に比べて電気伝導性の低い物質を使用することによって、電極層140に印加される電源が保護層120に印加されることを防ぐことができる。このような保護層120は、チタンTi、ニッケルNi、白金Pt、鉛Pb、ロジウムRh、イリジウムIr及びタングステンWの少なくとも一つを含むことができ、保護層120は多層に形成してもよい。この場合、保護層120の上記パターンには絶縁層150を配置することができ、保護層120は、上記パターン以外の部分が第1半導体層162に接触し、発光構造物160のエッチング工程時にエッチングストップを認識しやすくすることができる。ここで、保護層120の厚さは、1μm~10μmが好ましい。1μm未満では、工程が困難になり、10μmよりも厚いと、電極層140に電源が円滑に供給されないことがある。ここで、保護層120は、第1半導体層162に隣接した第1面図示せず、及び該第1面に対向し且つ基板110に隣接する第2面図示せずを含むことができ、上記パターンは第1面に形成されればいい。実施例において、上記パターンは、少なくとも一つの溝図示せずを含むことができ、この溝は、四角形のものを示したが、多角形状、円形状またはエッジ部を丸めた形状のものにしてもよく、これに限定されない。また、上記パターンは互いに離隔した第1及び第2溝図示せずを含み、第1及び2溝の形状及び幅の少なくとも一方は同一にすることができ、これに限定されない。上記パターンの深さ図示せずは、保護層120の厚さの0.3倍~0.7倍でよい。すなわち、パターンの深さが0.7倍を超えると、保護層120に溝ではなく孔が形成されることがあり、0.3倍未満にすると、絶縁層150が絶縁機能を充分に果たすことができない他、有効な結合力の増加も期待できない。絶縁層150は、保護層120を金属物質とした場合、第1半導体層162の厚さが薄いことから生じうる活性層166とのショート発生を防止することができ、信頼性の向上が図られる。絶縁層150は、酸化アルミニウムAl2O3、酸化シリコンSiO2、窒化シリコンSi3N4、窒化アルミニウムAlN及び酸化チタンTiOxの少なくとも一つを含むことができる。また、絶縁層150は、上記パターンの形状と同様に形成することができ、該パターンの内部にのみ形成することができる。第2半導体層164の上部には電極パッド180を形成することができ、電極パッド180が形成されていない第2半導体層164の表面の一部領域または全体領域に、所定のエッチング方法で、光抽出効率を向上させるための凹凸168を形成することができる。ここで、電極パッド180は、凹凸168が形成されていない平坦な面に形成されてもよく、凹凸パターン168が形成されている上部面に形成されてもよく、特に限定されない。電極パッド180は、凹凸168の形状によって電極の配置が変更することがあり、これに限定されない。上述したとおり、図2及び図3を比較してみると、保護層120に上記パターンが形成された部分では絶縁層150が第1半導体層162と接触し、上記パターンが形成されていない部分では保護層120が第1半導体層162と接触することがわかる。このように、保護層120と絶縁層150が第1半導体層162と交互に接触することから、発光構造物160のエッチング工程時にエッチングストップを認識しやすくなる。また、保護層120は、絶縁層150及び第1半導体層162の接触面積を拡大することができ、結果として結合力を増大させることができる。図4は、図1に示すチャンネル層である保護層の第1及び第2面を示す部分斜視図である。図4のaを参照すると、保護層120の第1面ss1は、反射膜130及び電極層140が配置され、第1厚さ図示せずを有する第1領域s1、及び第1領域s1を包囲しながらパターンhが形成された第2領域s2を含むことができる。ここで、第2領域s2には、第1半導体層162に接触する複数の突起dと、突起d同士間に第1及び第2溝h1,h2とを含む、複数の溝図示せずが形成されたパターンhを含むことができる。第2領域s2は、上記第1厚さよりも厚い第2厚さ図示せずで形成することができ、第1厚さと第2厚さとの差は、反射膜130と電極層140との総厚さによって可変できる。例えば、第2厚さは、第1厚さ、反射膜130及び電極層140の厚さを合算した厚さにすることができ、こうすると、第1半導体層162の平坦な面に接触しやすくなる。突起dは、第1半導体層162と接触して結合力を増大させることができ、突起dは、第1半導体層162の下面に接触するとして説明するが、第1半導体層162の内部に一部が挿入され、結合力をより増大させることもでき、これに限定されない。第1及び第2溝h1,h2には絶縁層150を形成することができる。第1及び第2溝h1,h2は、両側が開放された形状のものが示されているが、多角形の溝とし、3面が閉じた形状のものにしてもよく、これに限定されない。ここで、第1及び第2溝h1,h2は、互いに異なる幅にすることができ、これに限定されない。ここで、絶縁層150は、第1及び第2溝h1,h2内にのみ形成でき、第1及び第2溝h1,h2よりも小さく形成することができる。図4のbを参照すると、保護層120の第2面ss2は、第1面ss1に対向する面であり、接着層111を挟んで基板110と接着する面でよい。ここで、第2面ss2は、平坦flatに形成してもよく、接着力を増大させるためにパターンが形成されてもよく、これに限定されない。すなわち、絶縁層150は、図1に示すように、第1半導体層162と重なってもよいが、重ならなくてもよく、これに限定されない。図5は、実施例に係る発光素子を含む発光素子パッケージの断面図である。図5を参照すると、発光素子パッケージ200は、キャビティが形成されたボディー210、ボディー210の底面に実装された発光素子220、及び該キャビティに充填される樹脂物230を含むことができ、樹脂物230は蛍光体240を含むことができる。ボディー210は、ポリフタルアミドPPA:Polyphthalamideのような樹脂材質、シリコンSi、アルミニウムAl、窒化アルミニウムAlN、液晶ポリマーPSG、photosensitiveglass、ポリアミド9TPA9T、シンジオタクチックポリスチレンSPS、金属材質、サファイアAl2O3、酸化ベリリウムBeO、印刷回路基板PCB:PrintedCircuitBoard、セラミックのうち少なくとも一つで形成することができる。ボディー210は、射出成形、エッチング工程などにより形成することができ、これに限定されない。ボディー210の内側面は、傾斜面とすることができる。このような傾斜面の角度によって、発光素子530から放出される光の反射角が変わり、これによって、外部に放出される光の指向角を調節することができる。ボディー510に形成されるキャビティ520を上から見た形状は、円形、四角形、多角形、楕円形などの形状とすることができ、特に角部を曲線にした形状とすることもできるが、これに限定されない。発光素子220はボディー210の底面に実装され、一例として、発光素子220には、図1を参照して説明した発光素子を用いることができる。発光素子220は、例えば、赤色、緑色、青色、白色などの光を放出する有色発光素子、または紫外線を放出するUVUltraViolet発光素子でよいが、これに限定されない。また、発光素子は一つ以上実装されればいい。一方、ボディー210は、第1電極252及び第2電極254を含むことができる。第1電極252及び第2電極254は、発光素子220と電気的に連結されて、発光素子220に電源を供給することができる。第1電極252及び第2電極254は互いに電気的に分離され、かつ、発光素子220から発生した光を反射させて光効率を増大させることができる他、発光素子220から発生した熱を外部に排出することができる。このような第1電極252及び第2電極254は、金属材質、例えば、チタンTi、銅Cu、ニッケルNi、金Au、クロムCr、タンタルTa、白金Pt、スズSn、銀Ag、リンP、アルミニウムAl、インジウムIn、パラジウムPd、コバルトCo、シリコンSi、ゲルマニウムGe、ハフニウムHf、ルテニウムRu、鉄Feのうち一つ以上の物質または合金を含むことができる。また、第1電極252及び第2電極254は単層または多層構造に形成することができ、特に限定されない。樹脂物230はキャビティに充填され、且つ蛍光体240を含むことができる。樹脂物230は、透明なシリコン、エポキシ、及びその他樹脂材質からなることができ、キャビティ内に充填した後、これを紫外線または熱で硬化する方式で形成することができる。蛍光体240は、発光素子220から放出される光の波長に応じて種類が選択され、発光素子パッケージ200が白色光を具現できるようにすればよい。樹脂物230に含まれている蛍光体240には、発光素子220から放出される光の波長に応じて、青色発光蛍光体、青緑色発光蛍光体、緑色発光蛍光体、黄緑色発光蛍光体、黄色発光蛍光体、黄赤色発光蛍光体、オレンジ色発光蛍光体、及び赤色発光蛍光体のいずれか一つを適用することができる。すなわち、蛍光体240は、発光素子220から放出される第1光を有する光により励起されて第2光を生成することができる。例えば、発光素子220が青色発光ダイオードであり、蛍光体240が黄色蛍光体である場合、黄色蛍光体は青色光により励起されて黄色光を放出でき、青色発光ダイオードから発生した青色光と、青色光により励起されて発生した黄色光とが混色することで、発光素子パッケージ200は白色光を提供することができる。同様に、発光素子220が緑色発光ダイオードの場合は、マゼンタmagenta蛍光体、または青色と赤色の蛍光体を混用する場合を挙げることができ、発光素子220が赤色発光ダイオードの場合は、シアンCyan蛍光体または青色と緑色蛍光体を混用する場合を挙げることができる。このような蛍光体240は、YAG系、TAG系、硫黄化物系、シリケート系、アルミネート系、窒化物系、カーバイド系、ニトリドシリケート系、ホウ酸塩系、フッ化物系、リン酸塩系などの公知の蛍光体でよい。図6は、実施例に係る発光素子を含む照明装置を示す斜視図であり、図7は、図6に示す照明装置のC-C断面図である。以下では、実施例に係る照明装置300の形状をより詳細に説明するために、照明装置300を、長さ方向Z、長さ方向Zと垂直である水平方向Y、そして長さ方向Z及び水平方向Yと垂直である高さ方向Xとして説明する。すなわち、図7は、図6の照明装置300を長さ方向Zと高さ方向Xの面に沿って切断し、水平方向Yから見た断面図である。図6及び図7を参照すると、照明装置300は、ボディー310、ボディー310に締め付けられるカバー330、及びボディー310の両端に配置される仕上げギャップ350を含むことができる。ボディー310の下部面には発光素子モジュール340が取り付けられ、ボディー310は、発光素子モジュール340から発生した熱がボディー310の上部面から外部に放出されうるように、伝導性及び熱発散効果に優れた金属材質で形成すればよい。発光素子モジュール340は、PCB基板342及び発光素子図示せずを有してなる発光素子パッケージ344を含む。発光素子パッケージ344は、PCB基板342上に多色、多列で実装されてアレイをなすことができ、等間隔で実装したり、必要によって様々な離隔間隔で実装したりし、明るさなどを調節することができる。ここで、PCB基板342には、MCPCBMetalCorePCBまたはFR4材質のPCBなどを用いることができる。カバー330は、ボディー310の下部面を取り囲むように円形の形状にしてもよいが、これに限定されない。カバー330は、内部の発光素子モジュール340を外部の異物などから保護する。また、カバー330は、発光素子パッケージ344から発生した光の眩しさを防止し、外部に光を均一に放出できるように拡散粒子を含むことができ、また、カバー330の内面及び外面の少なくとも一方にはプリズムパターンなどが形成されてよい。また、カバー330の内面及び外面の少なくとも一方には蛍光体が塗布されてもよい。一方、発光素子パッケージ344から発生した光は、カバー330から外部に放出されるので、カバー330は光透過率に優れたものとしなければならず、かつ、発光素子パッケージ344から発生した熱に耐えうる充分の耐熱性を有していなければならない。そのため、カバー330は、ポリエチレンテレフタルレートPolyethylenTerephthalate;PET、ポリカーボネートPolycarbonate;PCまたはポリメチルメタクリレートPolymethylMethacrylate;PMMAなどを含む材質で形成すると好ましい。仕上げギャップ350は、ボディー310の両端に配置され、電源装置図示せずを密閉する機能を担うことができる。また、仕上げギャップ350には電源ピン352が設けられているため、実施例に係る照明装置300は、既存の蛍光灯を除去した端子に別途の装置無しで直接使用することが可能である。図8は、第1実施例に係る、発光素子を含む液晶表示装置の分解斜視図である。図8は、エッジ-ライト方式の液晶表示装置400であり、この液晶表示装置400は、液晶表示パネル410と、液晶表示パネル410に光を提供するためのバックライトユニット470と、を含むことができる。液晶表示パネル410は、バックライトユニット470から提供される光を用いて画像を表示することができる。液晶表示パネル410は、液晶を挟んで互いに対向するカラーフィルタ基板412及び薄膜トランジスタ基板414を含むことができる。カラーフィルタ基板412は、液晶表示パネル410を介してディスプレイされる画像の色を具現することができる。薄膜トランジスタ基板414は、駆動フィルム417を介して、多数の回路部品が実装される印刷回路基板418と電気的に接続している。薄膜トランジスタ基板414は、印刷回路基板418から提供される駆動信号に応答して、印刷回路基板418から提供される駆動電圧を液晶に印加することができる。薄膜トランジスタ基板414は、ガラスやプラスチックなどのような透明な材質の基板上に薄膜として形成された薄膜トランジスタ及び画素電極を含んでなることができる。バックライトユニット470は、光を出力する発光素子モジュール420、発光素子モジュール420から提供される光を面光源の形態に変えて液晶表示パネル410に提供する導光板430、導光板430から提供された光の輝度分布を均一にし、垂直入射性を向上させる複数のフィルム450,466,464、及び導光板430の後方に放出される光を導光板430へと反射させる反射シート440から構成される。発光素子モジュール420は、複数の発光素子パッケージ424と、複数の発光素子パッケージ424が実装されてアレイをなすPCB基板322と、を含むことができる。一方、発光素子パッケージ424に含まれる発光素子は、図1に説明されたとおりである。一方、バックライトユニット470は、導光板430から入射する光を液晶表示パネル410の方向に拡散させる拡散フィルム466、及び拡散された光を集光して垂直入射性を向上させるプリズムフィルム450を含むことができ、プリズムフィルム450を保護するための保護フィルム464を含むことができる。図9は、第2実施例に係る、発光素子を含む液晶表示装置の分解斜視図である。ただし、図8で説明した部分についての重複説明は省略する。図9は直下方式の液晶表示装置500であり、この液晶表示装置500は、液晶表示パネル510と、液晶表示パネル510に光を提供するためのバックライトユニット570と、を含むことができる。液晶表示パネル510は、図8で説明したとおりである。バックライトユニット570は、複数の発光素子モジュール523と、反射シート524と、発光素子モジュール523及び反射シート524が収納される下部シャーシー530と、発光素子モジュール523の上部に配置される拡散板540と、複数の光学フィルム560と、を含むことができる。発光素子モジュール523は、複数の発光素子パッケージ522と、複数の発光素子パッケージ522が実装されてアレイをなすPCB基板521と、を含むことができる。反射シート524は、発光素子パッケージ522から発生した光を、液晶表示パネル510の方向に反射させ、光の利用効率を向上させる。一方、発光素子モジュール523から発生した光は拡散板540に入射し、拡散板540の上部には光学フィルム560が配置される。光学フィルム560は、拡散フィルム566、プリズムフィルム550及び保護フィルム564を含んでなることができる実施例で、照明装置及びバックライトユニットは照明システムに含まれることができ、これに限定されない。以上各実施例に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも一つの実施例に含まれ、必ずしも一つの実施例にのみ限定されるわけではない。さらに、各実施例で例示された特徴、構造、効果などは、実施例の属する分野における通常の知識を有する者により、他の実施例に対して組み合わせまたは変形して実施することも可能である。したがって、これら組み合わせと変形に関する内容は、本発明の範囲に含まれるものと解釈すべきである。また、以上では実施例を挙げて本発明を説明してきたが、これは単なる例示に過ぎず、本発明を限定するものではない。したがって、本発明の属する分野における通常の知識を有する者には、実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲で、以上に例示していない様々な変形及び応用が可能になるであろう。例えば、実施例に具体的に示した各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形と応用に関する差異点は、添付した請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈すべきである。"