基板側からN型半導体層、活性層、P型半導体層およびITO層が順次積層した少なくとも一つの発光セルを有する発光ダイオードであって、前記ITO層は、底部が前記P型半導体層に達する接点溝と、前記接点溝に充填された接点接続部と、を有し、前記P型半導体層は前記接点部の底部に、前記P型半導体層と前記接点接続部との間の電流の流れを遮断する電流遮断層を有することを特徴とするITO層を有する発光ダイオード。前記電流遮断層は、不活性ガスを用いた前記ITO層のドライエッチング過程において、前記不活性ガスとの衝突により形成されたものであることを特徴とする請求項1に記載のITO層を有する発光ダイオード。前記接点接続部は、下側の一部が前記接点溝の内側において前記ITO層の内側面と接しており、上側の一部が前記接点溝の外側において前記ITO層の上部表面と接しているP型接点パッドであることを特徴とする請求項1に記載のITO層を有する発光ダイオード。前記少なくとも一つの発光セルは、互いに離隔して形成された複数の発光セルであり、前記N型半導体層の一部には、N型接点パッドが形成されたことを特徴とする請求項1に記載のITO層を有する発光ダイオード。前記接点溝と前記N型接点パッドを連結する配線をさらに備えるが、前記配線は、互いに隣接した発光セル間の電気的連結のために、蒸着またはメッキ方式で形成された導電性材料層からなり、前記接点接続部は、前記導電性材料層の一部分であることを特徴とする請求項4に記載のITO層を有する発光ダイオード。前記導電性材料層と各発光セルの表面との電気絶縁のために、前記発光セルと前記導電性材料層との間に形成された透明絶縁層をさらに備えることを特徴とする請求項5に記載のITO層を有する発光ダイオード。上述した発光ダイオードにおいて、発光セルのそれぞれの光出射面に形成された透明電極層の光透過性及び電流特性の向上に対する深い考慮が要求され、これにより、本発明では、透明電極層として光透過性に優れたITO層を用いるが、そのITO層の問題点として指摘されてきた電流特性を改善した発光ダイオードを提案する。したがって、本発明の目的は、P型半導体層上のITO層に対する電流拡散の効率を高めることにより、輝度及び発光性能が大きく向上した発光ダイオード及びその製造方法を提供することである。本発明の一側面により、基板上に、N型半導体層、活性層、及びP型半導体層を有する少なくとも一つの発光セルが形成された発光ダイオードの製造方法が提供される。前記発光ダイオードの製造方法は、a前記P型半導体層の上面にITO層を有する少なくとも一つの発光セルを形成するステップと、b前記ITO層に配線連結のための接点溝をドライエッチングにより形成するステップと、c配線連結のために、前記接点溝に導電性材料からなる接点接続部を充填するステップと、を含む。好ましくは、前記ステップbは、不活性ガスを前記ITO層に衝突させ、そのITO層の一部をエッチングするドライエッチング工程からなるが、前記ドライエッチングにより露出した前記P型半導体層の表面に不活性ガスを衝突させ、電流遮断層を形成することをさらに含む。また、前記ステップc以前に、前記N型半導体層の一部を接点領域として露出させ、前記接点領域上にN型接点パッドを形成することをさらに含むことが好ましい。本発明の一実施例による発光ダイオードの製造方法であって、前記ステップcにおいて、前記接点溝内に充填される前記接点接続部は、下側の一部が前記接点溝の内側において前記ITO層の内側面と接しており、上側の一部が前記接点溝の外側において前記ITO層の上部の表面と接しているP型接点パッドであってもよい。また、本発明の他の実施例による発光ダイオードの製造方法であって、前記少なくとも一つの発光セルは、互いに離隔して形成された複数の発光セルであり、前記ステップaは、前記発光セルのそれぞれのN型半導体層の一部を、N型接点パッドの形成のための接点領域として露出させることをさらに含んでもよい。好ましくは、前記ステップcは、蒸着またはメッキ方式により、導電性材料層からなる配線を、互いに隣接した発光セル間の電気的連結のために形成することを含むが、前記接点接続部は、前記導電性材料層の一部として形成される。この際、前記ステップbは、b-1前記ステップaで形成された発光セルを全体的に覆う透明絶縁層を、前記基板上に形成するステップと、b-2前記配線が連結される部分を露出させるために、前記透明絶縁層をパターニングエッチングするが、前記透明絶縁層のパターニングエッチングにより、前記ITO層の前記接点溝を一緒に形成するステップと、を含むことが好ましい。より好ましくは、前記ステップcは、c1前記透明絶縁層が形成された発光セルと前記基板を全体的に覆うように、導電性材料層を蒸着またはメッキ方式で形成するステップと、c2前記発光セルの接点溝から、これと隣接した他の発光セルの前記N型接点パッド上に延長される導電性材料層を、前記配線として残し、残りの導電性材料層をエッチング除去するステップと、を含む。本発明の他の側面により、基板と、前記基板上に形成され、N型半導体層、活性層、及びP型半導体層を順次に有し、前記P型半導体層の上面にはITO層が形成される少なくとも一つの発光セルと、配線の連結のために、前記ITO層に所定の深さで形成される接点溝と、前記配線の一端において前記接点溝に充填される接点接続部と、を備えるITO層を有する発光ダイオードが提供される。本発明は、接点接続部、すなわち、配線の一端部または配線の一端のP型接点パッドがITO層に形成された接点溝の内側面と接する構造により、ITO層の発光面積を減らさなくても、P型半導体層上のITO層に対する電流拡散の効率を高め、これにより、輝度及び発光性能が大きく向上した発光ダイオードを具現することができる。接点接続部としてP型接点パッドを有する本発明の一実施例による発光ダイオードにおいて、前記P型接点パッドが、ITO層の上面と、そのITO層の接点溝の内側面に同時に接することができ、これは、前記ITO層とP型接点パッドとの間の接触面積をより拡張させ、ITO層に対する電流拡散の効率をより高めるのに寄与する。例えば、交流電源により動作される交流駆動型発光ダイオードのように、複数の発光セルを有する本発明の他の実施例による発光ダイオードにおいて、配線が蒸着またはメッキで形成された導電性材料層からなり、配線短絡等が防止され、この際、接点接続部が導電性材料層の一部からなったまま、ITO層の接点溝の内側面と接することにより、ITO層に対する電流拡散の効率を高めることができる。また、本発明の実施例により、P型半導体層が接点接続部が接する位置に、ドライエッチング工程中に電流特性が変化して形成された電流遮断層を有してもよく、この電流遮断層は、P型半導体層に電流が直接流れることを完全に遮断し、ITO層への電流拡散の効率をより高めるのに大きく寄与することができる。以下、添付した図面に基づき、本発明の実施例について詳述する。以下に紹介される実施例は、本発明の思想を当業者に充分伝達するために、例として提供されるものである。したがって、本発明は、後述する実施例に限定されず、他の形態に具体化され得る。なお、図面において、構成要素の幅、長さ、厚さ等は、便宜のために誇張して表現されることもある。明細書の全体にわたって、同一の参照番号は、同一の構成要素を示す。図1は、本発明の第1の実施例による発光ダイオードを示す断面図である。本発明の第1の実施例による発光ダイオード1は、交流電源により動作するように構成された交流駆動型発光ダイオードである。交流電源により動作する従来の交流駆動型発光ダイオードとしては、国際公開番号WO2004/023568A1号に発光要素を有する発光装置LIGHTEMITTINGDEVICEHAVINGLIGHTEMITTINGELEMENTSという題目で、サカイ等Sakaietalにより開示されたことがある。図1を参照すると、本実施例による発光ダイオード1は、ベースをなす基板100と、複数の発光セル200とを備える。前記基板100は、絶縁または導電性の基板からなってもよく、本実施例では、サファイア基板が用いられるが、炭化ケイ素SiC等のような他の基板が用いられてもよい。また、基板100と発光セル200との間には、発光セル200の下層と基板100との間の格子不整合を緩和させるためのバッファ層120が介在されてもよい。本実施例におけるように、前記基板100がサファイアのように絶縁性である場合、前記バッファ層120は、導電性物質で形成されてもよい。この場合、前記バッファ層120は、発光セル200を電気的に分離させるために、各発光セル200に対応して互いに離隔する。一方、前記基板100が伝導性であるものと仮定すると、前記バッファ層120は、基板100と発光セル200を電気的に絶縁させるために、絶縁物質または半絶縁物質で形成されるが、例えば、AlN、GaN等の窒化物がバッファ層120として多用されている。上述のように、前記基板100上には、複数の発光セル200が形成される。前記複数の発光セル200のそれぞれは、N型半導体層220、活性層240、及びP型半導体層260が連続的に積層された構造をなす。図示のように、活性層240は、上述したメサの形成により、N型半導体層220の一部領域上に限定的に形成され、前記活性層240上には、P型半導体層260が形成される。したがって、前記N型半導体層220の上部の一部領域は、活性層240と接合されており、上面の残りの一部領域は、上述したP型半導体層260及び活性層240の部分的な除去により外部に露出される。本発明の実施例において、発光セル200のそれぞれのP型半導体層260及びN型半導体層220には、発光ダイオード1に対する電流印加のための電極構造がそれぞれ設けられる。特に、P型半導体層260上の電極構造は、光透過性と電気的特性に対する慎重な考慮が要求される。前記P型半導体層260の上面には、上述した光透過性と電気的特性が考慮されたインジウムスズ酸化物からなるITO層290が透明電極層として形成され、本明細書では、用語の発光セルを、上述したN型半導体層220、活性層240、及びP型半導体層260と一緒にITO層290を含む意味として定義する。各発光セル200の構成要素をより具体的に説明すると、N型半導体層220は、AlxInyGa1-x-yN0≦x、y、xy≦1で形成されてもよく、N型クラッド層を有してもよい。また、P型半導体層260は、P型AlxInyGa1-x-yN0≦x、y、xy≦1で形成されてもよく、P型クラッド層を有してもよい。前記N型半導体層220は、シリコンSiをドープして形成してもよく、P型半導体層260は、亜鉛ZnまたはマグネシウムMgをドープして形成してもよい。また、活性層240は、電子及び正孔が再結合する領域であり、InGaNを有してなる。前記活性層240をなす物質の種類により、発光セルから抽出される発光波長が決定される。前記活性層240は、量子井戸層とバリア層が繰り返して形成された多層膜であってもよい。前記量子井戸層とバリア層は、一般式AlxInyGa1-x-yN0≦x、y、xy≦1で表れる2元または4元化合物半導体層であってもよい。また、上述したITO層290は、90以上の高い可視光線透過率を有し、各発光セル200の発光効率、さらには、発光ダイオード1の発光効率の向上に寄与する。この際、前記ITO層290がN型であるという点で、P型半導体層260との間でオーム接触が形成されないこともあり得るが、ITO層290とP型半導体層260との間にオーム接触を形成するためのトンネル構造を採用すると、両層間のオーム接触がよく形成され得る。図示されてはいないが、前記トンネル構造は、P型半導体層260とITO層290との間にインジウムInまたはN型ドーパントをデルタドープ方式で介在して形成されてもよい。図1の拡大図に示すように、前記ITO層290の上面には、配線400の一端部を連結するための接点溝294が形成される。前記接点溝294は、ドライエッチング工程により所定の深さで形成されるものであり、導電性材料層からなる配線400の一端部が充填される。前記接点溝294は、ITO層290の発光面積の縮小を最小化するとともに、ITO層290と配線400との間の接触面積を拡張させることにより、配線400を介したITO層290への電流拡散の効率を高めるものであって、以下の説明によりさらに確実に理解されるだろう。この際、前記接点溝294内に充填される配線の一端部は、配線400とITO層290を電気的に連結させる部分に該当されるので、本実施例の説明では、接点接続部402として定義する。本発明の実施例により、前記接点溝294は、ITO層290からP型半導体層260の表面まで延長されている。また、前記接点溝294には、例えば、メッキまたは蒸着方式で形成される配線400の一端の接点接続部402が充填される。また、接点溝294内に充填された接点接続部402は、前記接点溝294の形成により露出するP型半導体層260の表面と接しており、側面側には、接点溝294の内側のITO層290と接しているようになる。この際、前記配線400がメッキまたは蒸着方式で一体形成される導電性材料層のみからなるが、前記配線を発光セルの上方に浮いているエアブリッジ配線とする場合、前記接点溝294に充填される接点接続部402は、P型の接点パッドまたは電極パッドであってもよい。前記配線400は、自体の接点接続部402が発光セル200の接点溝294に充填されたまま、その他端部が隣接した他の発光セル200のN型半導体層220上の接点領域に連結される。前記接点領域には、配線400と直接接合されるN型の接点パッド222が形成されている。また、前記配線400は、透明絶縁層410により発光セル200の表面に対して電気的に絶縁されている。前記透明絶縁層410は、半導体層220、240、260及びITO層290を有する発光セル200の表面を全体的に覆うように形成されるものであり、その少なくとも一部は、配線400と発光セル200との間の電気絶縁のために、その両部分間に位置する。また、前記透明電極層410は、配線400が連結される両部分、すなわち、上述した接点溝294の上方とN型接点パッド222の上方にそれぞれ開口部412、414が設けられている。本実施例では、前記透明絶縁層410として酸化ケイ素膜SiO2を用いるが、これは、本発明を限定するものではなく、任意の異なる透明な絶縁性物質により形成されてもよい。一方、前記P型半導体層260は、前記接点溝294の底部に電流遮断層262をさらに有してもよい。この電流遮断層262は、前記配線400の接点接続部402と接するP型半導体層260の制限された領域に形成される。前記電流遮断層262は、上述した接点溝294の形成のためのドライエッチングによる衝撃により、P型半導体層260の一部の電気的特性が変化することにより形成される。また、前記電流遮断層262は、配線400の一端部とP型半導体層260との間の電流を遮断する役割をし、ITO層290へのより幅の広い電流拡散が可能となる。上述した構成により、本実施例による発光ダイオード1は、ITO層290の発光面積を大きく減らさなくても、配線400とITO層290との間の接触面積が増加され得る。特に、前記配線400の一部である接点接続部402がITO層290の接点溝294の内面に接し、その接点溝294の内面がITO層290への電流拡散が容易な位置であるので、前記接点溝294と配線400との連結構造により、配線400からITO層290への電流拡散の効率はさらに高めることができる。さらに、本実施例による交流駆動型発光ダイオード1は、上述した配線400及び透明絶縁層410を覆うことができる絶縁保護膜420をさらに有してもよい。この絶縁保護膜420は、配線400が水分により汚染されることを防止し、外圧により配線400が損傷することを防止する。以下、図2乃至図9を参照して、本発明の一実施例による発光ダイオードの製造方法を説明する。図2を参照すると、先ず、基板100上にバッファ層120を形成し、前記バッファ層120上にN型半導体層220、活性層240、及びP型半導体層260を順次に形成する。前記バッファ層120及び半導体層220、240、260は、有機金属化学気相蒸着法MOCVD、分子線エピタキシー法MBE、またはハイドライド気相成長法HVPE等を用いて形成されてもよい。また、前記半導体層220、240、260は、同一の工程チェンバにて連続的に形成されてもよい。この際、前記バッファ層120は、AlNまたは半絶縁GaN層のような絶縁性物質膜で形成されてもよいが、場合に応じて、導電性物質膜、例えば、N型GaN層またはアンドープGaN層で形成されてもよい。すなわち、前記基板100がサファイアのような絶縁性基板である場合、前記バッファ層は、導電性物質膜で形成されてもよい。図3を参照すると、前記P型半導体層260上にITO層290が形成される。前記ITO層290の形成前に、ITO層290とP型半導体層260との間のオーム接触の形成のために、略5~50Åのデルタドープ層からなるトンネル構造を形成する工程が行われてもよい。また、前記ITO層290の形成は、後述するメサ形成工程後に行われてもよい。図4を参照すると、メサ形成工程により、複数の発光セル220が基板100上に形成される。この工程は、露光を用いるエッチング方式により行われるものであり、N型半導体層220、活性層240、P型半導体層260、及びITO層290を有する複数の発光セル200を、基板100上にて互いに離隔して形成させ、また、P型半導体層260及び活性層240の一部が除去され、N型半導体層220の上面の一部が上方に露出した領域、すなわち、接点領域が形成される。図5を参照すると、前記N型半導体層220の接点領域には、N型接点パッド222が形成される。その後、発光セル200を有する基板100に透明絶縁層410が蒸着方式で形成される。前記透明絶縁層410は、発光セル200の側壁及び上部面を覆い、その発光セル200間の基板100を全体的に覆う。したがって、上述したITO層290と接点パッド222も、前記透明絶縁層410により覆われる。前記透明絶縁層410は、化学気相蒸着法CVDを用いて、例えば、酸化ケイ素膜で形成されてもよい。この際、前記透明絶縁層410が発光セル200の側面まで容易に覆うために、上述したメサ形成工程において、発光セル200の側面を傾斜して形成することが好ましい。図6を参照すると、前記透明絶縁層410上に感光膜511を塗布し、配線連結のための開口部が形成される部分の感光膜を除去し、エッチングする部分を定義する工程が行われる。その後、図6及び図7に示すように、透明絶縁層410に第1及び第2の開口部412、414を形成し、その第1の開口部412と連通する接点溝294をITO層290に形成するためのパターニングドライエッチング工程が行われる。本実施例でのドライエッチング工程は、不活性ガスであるArをエッチングの表面に衝突させ、物理的に透明絶縁層410及びITO層290の一部を剥ぎ取る方式で行われる。この際、前記ドライエッチングにより形成される接点溝294は、その深さがP型半導体層260の表面に達するように定められる。また、接点溝294がP型半導体層260の表面に達するように、ITO層290がエッチングされた後、上述したドライエッチング工程を持続すると、電流遮断層262がP型半導体層260の表面に形成される。この電流遮断層262は、上述したArがP型半導体層260の表面に衝突し、その衝突したP型半導体層260の表面の一部の電気的性質が変化して形成されるものである。その後、図8及び図9に示すような配線連結工程が行われる。配線連結のためには、先ず、蒸着方式またはメッキ方式により、透明絶縁層410が形成された発光セル200及びその発光セル200間の基板を覆う導電性材料層400aを図8に示すように形成する。その後、発光セル200から光が出射される領域を隠さないように、その領域に相応する導電性材料層400aの一部を除去すると、図9に示すような導電性材料層の構造の配線400が形成される。したがって、前記配線400は、自身の一端部、すなわち、接点接続部402が透明絶縁層410の第1の開口部412を経てITO層290上の接点溝294に充填され、これから延長された他端部は、前記第2の開口部414を経てN型半導体層220上のN型接点パッド222に連結される。本実施例の配線連結工程とは異なり、導電性材料層を除去する工程無しにも、配線400を図9のような形態で形成することができるが、これは、透明絶縁層410の形成の感光膜を用いて、配線が形成される領域を予め定義することにより具現され得る。上記した工程が完了した後、配線400及び透明絶縁層410を覆う絶縁保護膜420を形成してもよく、絶縁保護膜420が形成された発光ダイオード1は、図1によく示されている。上述のように、本発明の実施例による発光ダイオード1は、配線400の一端部が、ITO層290の接点溝294の内面と幅広く接することにより、配線400とITO層290との間の接触面積は大きく拡張する。また、配線400がP型半導体層260と接するが、その接する部分にて電流遮断層262がP型半導体層に流れる電流を遮断するので、ITO層290への電流拡散の効率をさらに高めることができる。以下では、本発明の第2の実施例による発光ダイオードについて説明する。この第2の実施例による発光ダイオードを説明するにおいて、上述した第1の実施例の構成要素と同一の機能を有する構成要素については、同一の図面符号を使用し、上述した第1の実施例と重複する説明は、発明の要旨を明らかにするために省略する。図10は、本発明の第2の実施例による発光ダイオードを示す断面図である。図10に示すように、本実施例による発光ダイオード1は、ベースをなす基板100と、その上に形成される一つの発光セル200とを備える。上述した実施例と同様に、前記発光セル200は、N型半導体層220、活性層240、及びP型半導体層260が連続的に積層された構造をなし、活性層240は、上述したメサの形成により、N型半導体層220の一部領域上に限定的に形成され、前記活性層240上には、P型半導体層260が形成される。したがって、前記N型半導体層220は、一部領域が活性層240と接合されており、残りの領域がN型接点パッド222の形成のための接点領域として露出される。また、P型半導体層260上には、ITO層290が形成される。本実施例により、前記ITO層290の上面には、配線図示せずと連結される接点接続部として、P型接点パッド402が設けられる。前記P型接点パッド402は、ワイヤボンディングにより、配線の一端に連結される部分であり、上述した実施例において、配線の一部からなる接点接続部402図1参照と同様に、ITO層290の接点溝292に充填され、配線をITO層290に連結させる部分である。本実施例によるP型接点パッド402とITO層290の連結構造は、後述するように、ITO層290の発光面積の縮小を最小化するとともに、ITO層290とP型接点パッド402との間の接触面積を拡張させ、特に、P型接点パッド402からITO層290への電流拡散の効率を高めることができるようになる。このため、ITO層290の上面、特に、P型接点パッド402が形成される位置には、接点溝292が形成される。上述した実施例と同様に、前記接点溝292は、ITO層290からP型半導体層260の表面まで延長される。また、前記接点溝292には、例えば、メッキまたは蒸着方式により、P型接点パッド402の一部が充填される。また、前記接点溝292内に充填されたP型接点パッド402は、その上側の一部が前記接点溝292の外側のP型半導体層260の上面と接しており、その下側の一部は、前記接点溝292の内側にてITO層290の内側面と接している。このような構造により、本実施例による発光ダイオードは、ITO層290の発光面積を大きく減らさなくても、P型接点パッド402とITO層290との間の接触面積を増加させることができ、さらには、P型接点パッド402がITO層290の上面及び接点溝292の内側面と同時に接する構造により、ITO層290に対する電流拡散の効率をさらに高めることができる。上述した実施例と同様に、本実施例によるP型半導体層260も、電流遮断層262を有する。この電流遮断層262は、上述したP型接点パッド402と接するP型半導体層260の制限された領域に形成される。前記電流遮断層262は、上述した実施例において説明したように、接点溝292の形成のためのドライエッチング中にP型半導体層260の一部の電気的特性が変化することにより形成される。以下、図11乃至図16を参照して、上述した発光ダイオードの製造方法を説明する。図11を参照すると、先ず、基板100上にバッファ層120を形成し、前記バッファ層120上にN型半導体層220、活性層240、及びP型半導体層260を順次に形成する。その後、上述したP型半導体層260の上面に図12に示すようなITO層290が形成される。図13乃至図15を参照すると、前記ITO層290にP型接点パッドが充填される接点溝292が形成される。本実施例では、接点溝292を先ず形成し、その後、N型半導体層220の一部を露出させるメサ形成工程が行われるが、メサ形成工程後に接点溝を形成してもよい。先ず、接点溝292が形成される位置を限定するように、感光膜511をITO層290の上面に塗布した後、ドライエッチングにより、ITO層290からP型半導体層260の表面に達する接点溝292を形成する。上述したドライエッチング工程を持続すると、図15に示すような電流遮断層262が、P型半導体層260の表面に形成される。この電流遮断層262は、上述したArがP型半導体層260の表面に衝突し、その衝突したP型半導体層260の表面の一部の電気的性質が変化して形成されるものであり、これは、上述した実施例において既に説明されている。その後、N型接点パッドが形成される位置を設けるためのメサ形成工程が行われる。前記工程は、前記N型接点パッドが形成される位置に相応するように、ITO層290、P型半導体層260、及び活性層240を部分的にエッチングし、N型半導体層220の一部を、図16のような形態で露出させる工程からなる。その後、メッキまたは蒸着方式により、N型接点パッド222及びP型接点パッド402を形成する工程が行われる。図10に示すように、N型接点パッド222及びP型接点パッド402は、それぞれITO層290の上面及びN型半導体層220の接点領域上に形成され、その形成順序は、製造者により選択され得るものであり、本発明を限定するものではない。本発明の好適な実施例により、前記P型接点パッド402は、前記接点溝292に充填される下部と前記接点溝292を覆うように、前記下部よりも大きなサイズで形成された上部を有する。前記P型接点パッド402の下部がITO層290の接点溝292の内側面に接し、前記P型接点パッド402の上部がITO層290の上面に接することにより、P型接点パッド402とITO層290との間の接触面積は大きく拡張される。一方、上述した接点溝292の形成のためのドライエッチング工程は、電流遮断層262を形成する役割以外に、接点溝292の内側面の感光膜を確実に除去する役割をする。ウェットエッチング工程が、エッチングの表面に多数の感光膜の残渣を残すものとは異なり、ドライエッチング工程は、感光膜の残渣を確実に除去することができる。ITO層290の接点溝の内側面に残留する感光膜の残渣は、エッチング後の除去が極めて困難であり、感光膜の残渣が残留した接点溝292内に接点パッドまたは配線の一端部が充填される場合、前記感光膜の残渣は、配線及び/又はP型接点パッドからITO層290への正常的な電流拡散を防止し、発光ダイオードの輝度を大きく低下させることができる。図17及び図18は、それぞれドライエッチング工程で形成された接点溝と、ウェットエッチング工程で形成された接点溝とを比較するための写真であり、図18のように、ウェットエッチング工程により形成された接点溝の周縁に、多数の感光膜の残渣が残留することが確認されたのに対して、図17のように、ドライエッチング工程により形成された接点溝内には、感光膜の残渣が殆ど残留しないことが確認された。