光透過側から順に少なくとも、一導電型層、光電変換層、逆導電型層を含む非晶質シリコン系光電変換ユニットと、一導電型層、光電変換層、逆導電型層を含む結晶質シリコン系光電変換ユニットとを積層してなる積層型光電変換装置であって、前記非晶質シリコン系光電変換ユニットの逆導電型層および/または前記結晶質シリコン系光電変換ユニットの一導電型層が、シリコンオキサイドからなり、その前記非晶質シリコン系光電変換ユニットの逆導電型層および/または前記結晶質シリコン系光電変換ユニットの一導電型層の厚さが140~240nmであることを特徴とする、積層型光電変換装置。前記シリコンオキサイドの波長600nmにおける屈折率が2.2以下であることを特徴とする、請求項1に記載の積層型光電変換装置。前記非晶質シリコン系光電変換ユニットの光電変換層の厚さが90~200nmであることを特徴とする、請求項1または2に記載の積層型光電変換装置。前述した通り、結晶質シリコン光系電変換層の製膜速度は非晶質シリコン系光電変換層の製膜速度に比べてそれほど大きくできないことから、特許文献1に開示された技術によれば、高い光安定化効率は得られるが生産性は高くない。一方で、特許文献2に開示された技術によれば、生産性は格段に向上するがその光安定化効率は十分ではなく、また、透明導電膜としてSdrの大きいものを用いると性能が低下する傾向がある。本発明においては、以上のような課題を解決し、光安定化性能、生産性の両面に渡って、従来の薄膜系光電変換装置を凌駕することを目的としている。本発明による積層型光電変換装置は、光透過側から順に少なくとも、一導電型層、光電変換層、逆導電型層を含む非晶質シリコン系光電変換ユニットと、一導電型層、光電変換層、逆導電型層を含む結晶質シリコン系光電変換ユニットとを積層してなる積層型光電変換装置であって、前記非晶質シリコン系光電変換ユニットの逆導電型層および/または前記結晶質シリコン系光電変換ユニットの一導電型層が、シリコンオキサイドからなり、その前記非晶質シリコン系光電変換ユニットの逆導電型層および/または前記結晶質シリコン系光電変換ユニットの一導電型層の厚さが140~240nmであることを特徴とする。シリコンオキサイド層は、これと接する非晶質シリコン系光電変換層内または結晶質シリコン系光電変換層内に内部電界を生じさせる役割を果たすと共に、非晶質シリコン系光電変換層で吸収されるべき700nm以下の波長の光を反射させ、結晶質シリコン系光電変換層で吸収されるべき700nm以上の波長の光を反射ロスなく透過させる選択反射、透過の役割を果たす。シリコンオキサイド層はそれ自身の吸収を低く抑えるため、波長600nmにおける屈折率が2.2であることが好ましい。また、非晶質シリコン系光電変換層は光劣化を抑制し性能向上を図るために、その厚さが90~200nmであることが好ましい。本発明においては、当業者の常識では通常考えないような厚みを有する、光電変換層と同等以上の厚い導電型層を備え、その導電型層がシリコンオキサイドを材料として使用することで、効果的な選択反射、透過を実現できる。加えて、非晶質シリコン系光電変換層の厚さが薄く、かつ透明導電膜のSdrが大きくても、特許文献2において示されるようなリークに伴うVocの低下やFFの低下が発生せず、極めて高い光安定化性能が得られる。以下に、本発明の実施の形態としてのシリコンハイブリッド太陽電池を、図1を参照しつつ説明する。透光性基板1の上に透明導電膜2が形成されている。透光性基板1としては、ガラス、透明樹脂等から成る板状部材やシート状部材が用いられる。透明導電膜2としては酸化錫、酸化亜鉛等の金属酸化物が用いられる。透明導電膜2はCVD、スパッタ、蒸着等の方法を用いて形成される。透明導電膜2は、形成条件の工夫によりその表面に微細な凹凸を生じさせて入射光の散乱を増大させる効果を有している。凹凸の高低差は0.05~0.3μm程度であり、シート抵抗は5~20Ω/□程度であり、表面面積比Sdrは20~60程度に設定される。入射光の散乱をより効果的に増大させるためには、Sdrの値は大きいほうがよいが、Sdrの値が大きすぎると透明導電膜2の表面が鋭く尖ることになるので、その上に形成される光電変換ユニットの厚さが薄い場合には、リーク等が生じやすくなる。したがって、Sdrは30~50程度であることが好ましい。透明導電膜2の上にはトップセルである非晶質シリコン系光電変換ユニット3が形成される。非晶質シリコン系光電変換ユニット3は非晶質p型シリコンカーバイド層3p、非晶質i型シリコンバッファ層3b、非晶質i型シリコン系光電変換層3i、結晶化前i型シリコン層3bi、n型シリコンオキサイド層3nから成り立っている。ここで結晶化前層とは、所定の形成条件で例えば50nm以上の厚さまで堆積すれば結晶化が始まるが、それと同一条件で例えば15nm程度の厚さに堆積した場合には結晶化に至っていない層を意味する。非晶質i型シリコン系光電変換層3iの厚さは90~200nmであることが好ましい。非晶質i型シリコン系光電変換層3iの材料にはシリコンのみならず、炭素、ゲルマニウム等のバンドギャップ調整元素が含まれていてもよい。n型シリコンオキサイド層3nは、波長700nm以下の光を効果的に反射し、700nm以上の光を透過させ、かつその層での光の吸収ロスをできる限り小さくするために、その厚さを140~240nmの範囲に設定する。また、波長600nmにおける屈折率が2.2以下であることが望ましく、更に、導電率は10-8~10-4S/cm程度であることが望ましい。n型シリコンオキサイド層3nには、窒素、炭素等の元素が含まれていても良い。なお本発明において、厚さの測定は断面TEM写真による実測で求めることができる。本発明の各種の層の厚さについては、実質的に平滑なガラス基板の上に、所定の製膜条件で、製膜時間のみを長短変化させることによって複数の厚みの単層サンプルを作製し、それぞれ断面TEM写真による厚さの実測等を繰り返すことによって、たとえば製膜時間と実測厚さとの検量線を作成することが可能である。このような方法で、本発明の各種の層の厚さについては、ある所定の製膜条件で、製膜時間を実測制御することによって、被着する層の厚さを制御することができる。本発明の実施例や比較例の層の厚さは、通常は上記のように予め得られた検量線を元にして計算される厚さを意味する。また、本発明の積層型光電変換装置を得た後に、1非晶質シリコン系光電変換ユニットの逆導電型層の厚さ、2結晶質シリコン系光電変換ユニットの一導電型層の厚さ、3非晶質シリコン系光電変換ユニットの逆導電型層の厚さと結晶質シリコン系光電変換ユニットの一導電型層の厚さの合計、4非晶質シリコン系光電変換ユニットの光電変換層の厚さ、それぞれについては、断面TEM写真を撮影することによって、確認可能である。なお、下地の凹凸などを反映して各層の厚さが一義的に見積もることが難しい場合であっても、断面TEM写真のY座標の10点平均などによって凹凸の影響を差し引くことによって、各層の厚さを計算することが、可能である。非晶質シリコン系光電変換ユニット3の上にボトムセルである結晶質シリコン系光電変換ユニット4が形成されている。結晶質シリコン系光電変換ユニット4は結晶質p型シリコン層4p、結晶質i型シリコン系光電変換層4i、および結晶質n型シリコン層4nから成り立っている。結晶質i型シリコン系光電変換層4iの厚さは、生産性やトップセルの分光感度積分電流とのバランスから、900~1200nmであることが望ましく、その材料にはシリコンのみならず、ゲルマニウム等のバンドギャップ調整元素が含まれていても良い。結晶質n型シリコン層4nの代わりに、n型シリコンオキサイドを始めとする低屈折率層と結晶質n型シリコン層を積層したものを用いてもよい。非晶質シリコン系光電変換ユニット3、および結晶質シリコン系光電変換ユニット4以下、この両方のユニットをまとめて単に光電変換ユニットと称するの形成には高周波プラズマCVD法が適している。光電変換ユニットの形成条件としては、基板温度100~250°C、圧力30~1500Pa、高周波パワー密度0.01~0.5W/cm2が好ましく用いられる。光電変換ユニット形成に使用する原料ガスとしては、SiH4、Si2H6等のシリコン含有ガスまたは、それらのガスと水素を混合したものが用いられる。光電変換ユニットにおけるp型またはn型層を形成するためのドーピングガスとしては、B2H6またはPH3等が好ましく用いられる。また、シリコンオキサイド層の形成においては、上記のガスに加えてCO2が好ましく用いられる。n型シリコン層4nの上には裏面電極層5が形成される。裏面電極層5にはAg、Alまたはそれらの合金が好ましく用いられる。裏面電極層5とn型シリコン層4nとの間には、裏面電極層5からn型シリコン層4nへの金属の拡散を防止するため、透明反射層5tを挿入してもよい。透明反射層5tにはZnO、ITO等の高抵抗で透明性の優れた金属酸化物が用いられる。透明反射層5tおよび裏面電極層5の形成においては、スパッタ、蒸着等の方法が好ましく用いられる。裏面電極層5には上記金属の代わりに、ZnO等の透明性の高い金属酸化物のみを用いてもよい。その場合には裏面電極層のシート抵抗が30Ω/□以下、より好ましくは15Ω/□以下となるように、裏面電極層の厚さを設定する。以上の説明は、非晶質シリコン系光電変換ユニット3のn型シリコンオキサイド層3nと結晶質シリコン系光電変換ユニット4の結晶質p型シリコン層4pとが接する構造について行ったが、n型結晶質シリコン層と厚さ140~240nmのp型シリコンオキサイド層との組合せでもよいし、n型シリコンオキサイド層とp型シリコンオキサイド層との組合せでかつ両者の厚さの合計が140~240nmの範囲にあってもよい。更に、上記の説明は非晶質シリコン系光電変換ユニット3と結晶質シリコン系光電変換ユニット4を積層した2段の積層型太陽電池について行ったが、シリコンに炭素やゲルマニウム等のバンドギャップ調整元素を加えてもよいし、非晶質シリコン系光電変換ユニット3、結晶質シリコン系光電変換ユニット4の上に更に結晶質シリコン系光電変換ユニットを積層した3段タンデム構造としてもよい。以下に、本発明によるシリコン系積層型薄膜太陽電池として実施例1~9を、図2を参照しつつ、比較例1~10と比較しながら説明する。実施例1図2は、実施例1で作製した集積型シリコンハイブリッド太陽電池を模式的に示す断面図である。まず、透光性基板1として1200mm×998mm×5mm厚の白板ガラスを用いた。透光性基板1の一主面上に、酸化錫からなる表面に微細な凹凸構造を有する透明導電膜2を熱CVD法により形成した。透明導電膜2の厚さは750nm、透明導電膜2側よりC光源で測定したヘイズ率は15、シート抵抗は13Ω/□であった。また、一辺が5μmの正方形領域を各辺256分割して観察したAFM像から得られたSdrは48であった。なお、図示していないが、透光性基板1の他主面上にはシリカ微粒子から成る反射防止膜が形成されている。次に、透明導電膜2を複数の帯状パタ-ンへと分割するためにYAG基本波パルスレーザーを透光性基板1に照射することにより、幅20μmの透明電極層分離溝2aを形成し、超音波洗浄および乾燥を行った。さらに、非晶質シリコン系光電変換ユニット3を形成するために、透明導電膜2が形成された透光性基板1を高周波プラズマCVD装置内に導入し、厚さ10nmの非晶質p型シリコンカーバイドp型a-SiC層3pを形成した。引き続いて厚さ10nmの非晶質i型シリコンバッファ層3b、厚さ100nmの非晶質i型シリコン系光電変換層3i、厚さ10nmの結晶化前i型シリコン層3bi、厚さ170nmのn型シリコンオキサイド層3nを順次積層した。p型a-SiC層3pの形成においては、SiH4、水素、水素希釈されたB2H6、CH4を反応ガスとして用いた。n型シリコンオキサイド層3nの形成においては、SiH4、水素、水素希釈されたPH3、CO2を反応ガスとして用い、具体的には、基板温度170~200°C、基板製膜面と放電電極間の距離7~15mm、圧力350~1500Pa、高周波パワー密度0.1~0.3W/cm2とした。また、これと同一CVD条件でガラス上に100nm形成した単膜の屈折率は、波長600nmにおいて1.95~1.85、導電率は1×10-8~3×10-5S/cm、XPSで測定した膜中酸素量は51~54原子であった。ラマン散乱スペクトルの測定を行ったところ、結晶シリコンに起因するピークが観測された。次に、結晶質シリコン系光電変換ユニット4を形成するために、引き続きプラズマCVD装置を用いて厚さ15nmのp型結晶質シリコン層4p、厚さ1000nmの結晶質i型シリコン系光電変換層4i、厚さ30nmのn型シリコンオキサイド層4n、厚さ7nmのn型結晶質シリコン層図示せずを順次積層した。その後、非晶質シリコン系光電変換ユニット3及び結晶質シリコン系光電変換ユニット4を複数の帯状パターンへと分割するために、大気中に基板を取り出し、YAG第2高調波パルスレーザーを透光性基板1に照射することにより幅40μmの接続溝4aを形成した。次に、厚さ80nmのZnOから成る透明反射層図示せずと厚さ200nmのAgから成る裏面電極層5をDCスパッタ法によって形成した。最後に、非晶質シリコン系光電変換ユニット3、結晶質シリコン系光電変換ユニット4、及び裏面電極層5を複数の帯状パターンへと分割するために、YAG第2高調波パルスレーザーを透光性基板1に照射することにより、幅40μmの裏面電極層分離溝5aを形成し、図2に示すような左右に隣接する短冊状ハイブリッド太陽電池が電気的に直列接続された集積型シリコンハイブリッド太陽電池を作製した。この集積型シリコンハイブリッド太陽電池は、幅9.1mm×長さ1170mmのハイブリッド太陽電池が53段直列、2並列接続されて構成されている。実施例1で作製した集積型シリコンハイブリッド太陽電池上に、さらに小さな集積型の太陽電池領域を形成するために、透明導電膜2、非晶質シリコン系光電変換ユニット3、結晶質シリコン系光電変換ユニット4、及び裏面電極層5の全てを図3に示すように矩形状に除去する太陽電池分離溝6aをYAG基本波パルスレーザーとYAG第2高調波パルスレーザーを透光性基板1に続けて照射することにより形成した。これにより、1200mm×998mmの透光性基板1上に、幅9.1mm×長さ100mmのハイブリッド太陽電池が11段直列接続された集積型シリコンハイブリッド太陽電池ミニモジュール以下単にミニモジュールと称すを複数個形成した。これらのミニモジュール群を、透光性基板1を図3の分割線7aに沿って切断することにより125mm×125mmの大きさに分割した後、裏面電極層5の上に封止樹脂層を介して有機保護層共に図示せずを載せて封止した。こうして得られた封止ミニモジュール群のうち2個につき、エアマス1.5に近似されたスペクトルでエネルギー密度100mW/cm2の擬似太陽光を、測定雰囲気及び太陽電池の温度25±1°Cの条件下で照射し、ミニモジュールの電流-電圧特性を測定した。得られた開放電圧を11で割って1段当りに換算した開放電圧Voc、短絡電流をユニットセルの面積である9.1cm2で割って得られた短絡電流密度Jsc、曲線因子FF、変換効率Effの測定結果2個の平均値を表1に示す。次に、先のミニモジュール群に、照射エネルギー密度500mW/cm2の擬似太陽光をミニモジュールの裏面電極の表面温度50±2°Cの条件で20時間照射し、更に100mW/cm2の擬似太陽光をミニモジュールの裏面電極の表面温度50±2°Cの条件で550時間照射した。光照射後のミニモジュール群のEffの平均値を併せて表1に示す。表1は、実施例および比較例で示したシリコンハイブリッド太陽電池の光照射前後の太陽電池特性を示した表である。実施例2実施例2においては、実施例1と比較して透明導電膜2のヘイズ率が23、シート抵抗が10Ω/□、Sdrが31に変更され、他は実施例1と全く同様にして太陽電池の作製を行った。実施例2で作製したミニモジュールの光照射前後の出力測定結果を表1に示す。比較例1比較例1においては、実施例1と比較してn型シリコンオキサイド層3nの厚さが20nmに変更され、他は実施例1と全く同様にして太陽電池の作製を行った。比較例1で作製したミニモジュールの光照射前後の出力測定結果を表1に示す。比較例2比較例2においては、実施例2と比較してn型シリコンオキサイド層3nの厚さが20nmに変更され、他は実施例2と全く同様にして太陽電池の作製を行った。比較例2で作製したミニモジュールの光照射前後の出力測定結果を表1に示す。実施例3、4、5実施例3、4、5においては、実施例1と比較してn型シリコンオキサイド層3nの厚さが150、200、220nmに変更され、他は実施例1と全く同様にして太陽電池の作製を行った。実施例3、4、5で作製したミニモジュールの光照射後のEffを表1に示す。比較例3、4、5、6比較例3、4、5、6においては、実施例1と比較してn型シリコンオキサイド層3nの厚さが60、100、130、250nmに変更され、他は実施例1と全く同様にして太陽電池の作製を行った。比較例1で作製したミニモジュールの光照射後のEffを表1に示す。実施例6、7実施例6、7においては、実施例1と比較して非晶質i型シリコン系光電変換層3iの厚さが120nmに変更され、更にn型シリコンオキサイド層3nの厚さが160、200nmに変更され、他は実施例1と全く同様にして太陽電池の作製を行った。実施例6、7で作製したミニモジュールの光照射後のEffを表1に示す。比較例7、8、9比較例7、8、9においては、実施例6と比較してn型シリコンオキサイド層3nの厚さが100、130、250nmに変更され、他は実施例6と全く同様にして太陽電池の作製を行った。比較例7、8、9で作製したミニモジュールの光照射後のEffを表1に示す。実施例8、9実施例8、9においては、実施例1と比較して非晶質i型シリコン系光電変換層3iの厚さが150nmに変更され、更にn型シリコンオキサイド層3nの厚さが160、200nmに変更され、他は実施例1と全く同様にして太陽電池の作製を行った。実施例8、9で作製したミニモジュールの光照射後のEffを表1に示す。比較例10比較例10においては、実施例8と比較してn型シリコンオキサイド層3nの厚さが100nmに変更され、他は実施例8と全く同様にして太陽電池の作製を行った。比較例10で作製したミニモジュールの光照射後Effを表1に示す。実施例1と2との比較から、本発明においては、非晶質i型シリコン系光電変換層3iの厚さが100nmと非常に薄いにもかかわらず、低コストで供給可能なSdrの大きい透明導電膜を使用しても極めて高いVocが得られ、光照射後EffもSdrの小さいものと大差なく、10を大きく超えるものが得られることがわかる。これは従来技術では成し得なかったことである。次に、図4の実施例1、3、4、5と比較例1、3、4、5、6の比較から、n型シリコンオキサイド層3nの厚さには適切な範囲が存在し、従来技術の範囲である130nm以下では一旦Effが飽和傾向にあるが、更に厚さを増加させていくと再びEffが増加を示し、140~240nmの範囲で従来技術よりも高いEffが得られ、200nm付近で最大値を取ることがわかる。この理由は必ずしも明確ではないが、以下のように考えられる。n型シリコンオキサイド層3nの厚さを変えていくと、図5のように100nm程度まではトップセルの電流が伸びていくが、その後一旦低下傾向を示す。しかしながら更に厚さを厚くしていくと、再度トップセルの電流が伸び、200nm程度でピーク値を示す。簡易な光学計算ではこのような挙動は示さず、100nm付近でピーク値を示した後、一旦20nmの場合と同等の電流値となり、再度上昇するような振動波形となるので、厚くすると何らかの光閉じ込め効果が発現するものと考えられる。一方で、トップセルとボトムセルの分光感度積分電流の和は、図6に示すように、n型シリコンオキサイド層3nの厚さが20nmのときをピークとして、その厚さ方向に電流の和が振動するような傾向を示す。このことから、トップセル電流と、トップセルとボトムセルの電流の和が同時に最大値を示す200nm付近の厚さで出力電流が最大となり、光照射後の効率も最大になるものと考えられる。なお、図5、図6においては、n型シリコンオキサイド層3nの厚さが20nmのときの電流値を1として規格化している。従来は、導電型層を兼ねるシリコンオキサイド層の厚さを必要以上に厚くすることは、その層内での光吸収損失があることに加えて、トップセル側への光の反射効果も減少するという実験および光学計算の結果から、130nmを超えるものについては検討がなされていなかった。この常識を打ち破り非常に厚い導電型層を用いることで、本発明に示す高い変換効率が達成できたと考えられる。