"支持基板と、上記支持基板の表面に設けられた窒化物半導体薄膜と、上記窒化物半導体薄膜上に気相成長され形成された窒化物半導体エピタキシャル層と、を備える半導体ウェハにおいて、上記窒化物半導体薄膜は、GaN基板に設けられたイオン注入層を境として上記GaN基板から剥離されたGaN薄膜であって、上記GaN薄膜は000-1窒素面側を上記支持基板側に有し、0001Ga面側を上記窒化物半導体エピタキシャル層の気相成長面として有することを特徴とする半導体ウェハ。上記気相成長面は、0°以上8°未満のオフ角を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェハ。上記気相成長面は、1°以上3°未満のオフ角を有することを特徴とする請求項1に記載された半導体ウェハ。上記支持基板はSi基板であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載された半導体ウェハ。基板と、上記基板の表面に設けられた窒化物半導体薄膜と、上記窒化物半導体薄膜上に形成された複数の窒化物半導体エピタキシャル層と、を備える半導体ウェハにおいて、上記窒化物半導体薄膜は、000-1窒素面から任意の方向にオフカットされたGaN基板に設けられたイオン注入層を境として、上記GaN基板から剥離されたGaN薄膜であって、上記GaN薄膜は000-1窒素面側を上記基板側に有し、0001Ga面側を上記窒化物半導体エピタキシャル層の気相成長面として有することを特徴とする半導体ウェハ。Si基板と、上記Si基板の表面に設けられた窒化物半導体薄膜と、上記窒化物半導体薄膜上に形成された複数の窒化物半導体エピタキシャル層と、を備える高周波電子デバイス用半導体ウェハにおいて、上記窒化物半導体薄膜は、000-1窒素面から任意の方向にオフカットされたGaN基板に設けられたイオン注入層を境として、上記GaN基板から剥離されたGaN薄膜であって、上記GaN薄膜は000-1窒素面側を上記Si基板側に有し、0001Ga面側を上記窒化物半導体エピタキシャル層の気相成長面として有し、かつ上記気相成長面は、1°以上3°未満のオフ角を有することを特徴とする高周波電子デバイス用半導体ウェハ。しかしながら、HVPE法により成長するGaN基板は、1枚あたりの製造に要する時間が非常に長いため、サファイア基板などと比べて単価が桁違いに高い。すなわち、単結晶窒化物半導体基板はコストが極めて高いという問題を抱えており、低価格が要求される青色LEDや高周波電子デバイスなどへの応用は、現時点では、実用上ほとんど不可能な状態にある。そこで、本発明の目的は、低転位密度の窒化物半導体薄膜をシリコン基板、あるいは任意の材質からなる支持基板上に形成し、窒化物半導体薄膜上にエピタキシャル層を成長した半導体ウェハを提供することにある。本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、本願発明の第一の態様は、支持基板と、上記支持基板の表面に設けられた窒化物半導体薄膜と、上記窒化物半導体薄膜上に気相成長され形成された窒化物半導体エピタキシャル層と、を備える半導体ウェハにおいて、上記窒化物半導体薄膜は、GaN基板に設けられたイオン注入層を境として上記GaN基板から剥離されたGaN薄膜であって、上記GaN薄膜は000-1窒素面側を上記支持基板側に有し、0001Ga面側を上記窒化物半導体エピタキシャル層の気相成長面として有する。上記気相成長面は、0°以上8°未満のオフ角を有してもよい。上記気相成長面は、1°以上3°未満のオフ角を有してもよい。上記支持基板はSi基板であってもよい。本願発明の第二の態様は、基板と、上記基板の表面に設けられた窒化物半導体薄膜と、上記窒化物半導体薄膜上に形成された複数の窒化物半導体エピタキシャル層と、を備える半導体ウェハにおいて、上記窒化物半導体薄膜は、000-1窒素面から任意の方向にオフカットされたGaN基板に設けられたイオン注入層を境として、上記GaN基板から剥離されたGaN薄膜であって、上記GaN薄膜は000-1窒素面側を上記基板側に有し、0001Ga面側を上記窒化物半導体エピタキシャル層の気相成長面として有する。本願発明の第三の態様は、Si基板と、上記Si基板の表面に設けられた窒化物半導体薄膜と、上記窒化物半導体薄膜上に形成された複数の窒化物半導体エピタキシャル層と、を備える高周波電子デバイス用半導体ウェハにおいて、上記窒化物半導体薄膜は、000-1窒素面から任意の方向にオフカットされたGaN基板に設けられたイオン注入層を境として、上記GaN基板から剥離されたGaN薄膜であって、上記GaN薄膜は000-1窒素面側を上記Si基板側に有し、0001Ga面側を上記窒化物半導体エピタキシャル層の気相成長面として有し、かつ上記気相成長面は、1°以上3°未満のオフ角を有する。本願発明の製造方法に係る第一の態様は、第1の窒化物半導体基板の表面近傍にイオンを注入する工程と、その第1の窒化物半導体基板の表面側を第2の基板に重ね合わせる工程と、重ね合わせた上記2枚の基板を熱処理する工程と、イオン注入された層を境として上記第1の窒化物半導体基板の大部分を上記第2の基板から引き剥がす工程とを含む。本願発明の製造方法に係る第二の態様は、第1の窒化物半導体基板の表面近傍にイオンを注入する工程と、その第1の窒化物半導体基板を熱処理する工程と、上記第1の窒化物半導体基板の表面側を第2の基板に貼り合わせる工程と、イオン注入された層を境として上記第1の窒化物半導体基板の大部分を上記第2の基板から引き剥がす工程とを含む。上記イオンの注入は、窒化物半導体基板の表面から2μm以下の深さに濃度ピークを有するように行うとよい。上記第1の窒化物半導体基板は、厚さが400μm程度であるとよい。上記熱処理は、水素、窒素、アンモニア、酸素、アルゴン、ネオン、ヘリウムのいずれかの単体ガス、あるいはこれらの混合ガスからなるガス雰囲気中にて、温度800°C以上で2時間以上行うとよい。本発明によれば、低転位密度の窒化物半導体薄膜を、低い製造コストで、シリコン基板、あるいは任意の材質からなる基板上に形成することができるという優れた効果を発揮する。以下、本発明の好適実施の形態を添付図面にしたがって説明する。まず、本実施の形態に係る製造方法を用いて作製した半導体基板を図2eで説明する。図2eに示すように、本実施の形態に係る半導体基板半導体ウェハー、あるいはテンプレート基板1は、第2の基板としての単結晶のシリコン基板2上に、低転位密度の単結晶窒化物半導体薄膜としてのGaN薄膜3を形成したものである。この半導体基板1は、後述するように、青色LEDや高周波電子デバイス例えば、高周波トランジスターなどの基板として使用される。第2の基板としては、ガラス、金属からなるものを用いてもよい。窒化物半導体薄膜としては、インジウム、ガリウム、アルミニウム、及び窒素からなるもの例えば、AlN薄膜などであればよい。次に、半導体基板1の製造方法を図1および図2で説明する。図1a~図1dは、本発明の好適な実施の形態である半導体基板の製造工程の一部熱処理するまでの工程を示す断面図である。図2a~eは、本発明の好適な実施の形態である半導体基板の製造工程の一部熱処理後の工程を示す断面図である。まず、図1aに示すように、第1の窒化物半導体基板として、低転位密度の単結晶のGaN基板11厚さdを用意する。このGaN基板11は、ウルツ鉱型GaNからなり、表面側が000-1窒素面、裏面側が0001ガリウム面となるように配置される。図1bに示すように、GaN基板11の表面近傍に上方からイオンを注入し、GaN基板11の表面から数μm程度の深さにイオン注入層12を形成する。注入するイオンは、水素、窒素、酸素、ネオン、アルゴンのうちの1種あるいは2種以上のイオンからなるものを用いる。本実施の形態では、注入するイオンとして、水素および窒素イオンを用いた。このとき、GaN基板11の表面からイオン注入層12の上面までに、最終的に得たいGaN薄膜3図2e参照となる薄膜11aが形成される。図1cに示すように、単結晶シリコン基板2を用意し、GaN基板11の表面側をシリコン基板2の表面に重ね合わせ、密着させる。その後、重ね合わせた2枚のGaN基板11、シリコン基板2に熱処理を施し、貼り合わせる。さて、この熱処理の際、GaN基板11中に形成したイオン注入層12内部では、イオンによって誘起された欠陥に起因して多数のダングリングボンドが平面状に形成されるため、イオン注入層12が図1dに示すような亀裂層13となる。すると亀裂層13の平面に沿って、熱応力等によって亀裂が発生し、亀裂層13を境としてGaN基板11は上下に分離する。この現象を利用すると、図2aに示すように、シリコン基板2に貼り合わせられた表面付近の薄膜11a図1参照を残して、亀裂層13を境としてGaN基板11の大部分11Aをシリコン基板2から引き剥がすことができる。つまり、薄膜11aは、GaN基板11からシリコン基板2に転写され、GaN薄膜3となる。その後、図2bに示すように、引き剥がされたGaN基板11の大部分11Aは、亀裂層13を除去することで、図2cに示すようなGaN基板21となる。このGaN基板21は、厚さd2が図1aのGaN基板11の厚さdよりも、若干薄くなっただけなので、第1の窒化物半導体基板として再利用できる。一方、図2dに示すように、GaN薄膜3が表面に貼り付いたシリコン基板2は、さらなる熱処理を施して亀裂層13を除去すると、図2eで説明した半導体基板1が得られる。本実施の形態の作用を説明する。本実施の形態に係る製造方法は、まず、GaN基板11中にイオン注入層12を形成し、そのGaN基板11をシリコン基板2に重ね合わせ、熱処理して貼り付ける。この際、イオン注入層12が亀裂層13となるため、亀裂層13を境にしてGaN基板11の大部分11Aをシリコン基板2から剥がすことで、シリコン基板2上にGaN薄膜3を形成した半導体基板1が得られる。他方、GaN基板11の大部分11Aは、亀裂層13を除去してGaN基板21となるため、GaN基板11として再利用できる。つまり、この製造方法を用いると、低転位密度であるが高価格という問題を抱える単結晶窒化物半導体基板例えば、GaN基板11のたった1枚から、低価格な基板例えば、シリコン基板2上に低転位密度の窒化物半導体薄膜例えば、GaN薄膜3を大量に転写でき、しかも低転位密度の窒化物半導体薄膜を有する半導体基板を大量に複製できる。特に、低価格な基板としては、単結晶窒化物半導体基板よりも数桁のオーダで安価なシリコン基板を使えばよい。すると、低転位密度の窒化物半導体薄膜を有する半導体基板の1枚あたりの単価を、単結晶窒化物半導体基板1枚と比較して、劇的に下げることができる。したがって、本実施の形態に係る製造方法によれば、低転位密度の窒化物半導体薄膜を、低い製造コストで、シリコン基板2、あるいは任意の材質からなる基板上に形成することができる。上記実施の形態では、イオン注入後のGaN基板11とシリコン基板2を重ね合わせ、これら2枚の基板11,2を熱処理して貼り合わせる例で説明したが、イオン注入後のGaN基板11を熱処理し、熱処理後のGaN基板11をシリコン基板2に貼り合わせてもよい。また、上記実施の形態では、窒化物半導体薄膜としてGaN薄膜3を形成する例で説明したが、窒化物半導体膜としてAlN薄膜を形成する場合には、第1の窒化物半導体基板としてウルツ鉱型AlNからなるAlN基板を用いる。実施例1まず、HVPE法によって成長させた低転位密度の単結晶のGaN基板11を用意する。GaN基板11の表面側は、000-1窒素面となるように配置される。GaN基板11の厚さdは400μm程度である。このGaN基板11の表面近傍に、水素及び窒素イオンをイオン注入法により注入し、イオン注入層12を形成する。イオン注入は、GaN基板11の表面から2μm以下の深さにその濃度ピークを有するように行うことが望ましい。実施例1では、イオン注入のエネルギーを400keVとした。次に、100あるいは111の面方位をもつ単結晶のシリコン基板2を用意し、このシリコン基板2とイオン注入済みのGaN基板11表面を洗浄後、表面同士を重ね合わせ、密着させる。この重ね合わせた基板11,2をガス置換可能なアニール炉に導入し、炉内で温度800°C以上の条件で、2時間以上の結合アニール熱処理を施し、シリコン基板2とイオン注入済みのGaN基板11を貼り合わせる。実施例1では、アニール炉内のガス雰囲気を水素と窒素の混合ガスとした。ガス雰囲気としては、水素、窒素、アンモニア、酸素、アルゴン、ネオン、ヘリウム等の単体ガス、あるいはこれらの混合ガスからなるものを用いてもよい。結合アニールの際、イオン注入層12が亀裂層13となるため、亀裂層13を境としてGaN基板11の大部分11Aをシリコン基板2から引き剥がすことができる。結果として貼り合わせた基板11,2は、厚さが398μm程度になったGaN基板11の大部分11Aと、低転位密度であり厚さが2μm程度のGaN薄膜3が表面に貼り付いたシリコン基板2との2つに分離される。このうち引き剥がされたGaN基板11の大部分11Aは、亀裂層13をケミカルメカニカルポリッシュ法などによって処理して除去することにより、GaN基板21これはGaN基板11とほぼ同一構造となり、再度、図1b以降に示すようなイオン注入によるシリコン基板2上へのGaN薄膜3の形成プロセスへ利用することができる。なぜならば、GaN基板21は、厚さd2がGaN基板11の厚さdよりも約0.5程度薄くなった以外は、プロセス使用前と状態が変わらないためである。すなわち、1枚のGaN基板11は、理想的には数十回~百回程度の再利用、使い回しが可能である。低転位密度の単結晶のGaN基板11は1枚あたりの価格は高いが、上記のような単結晶のGaN基板21を再利用しつつ低転位密度のGaN薄膜3を増殖させるプロセスは、半導体基板の製造コストを著しく低減する効果がある。一方、厚さ2μm程度の低転位密度のGaN薄膜3が表面に貼り付いたシリコン基板2は、さらなる熱処理を施して、イオン注入及びダングリングボンド形成によるダメージを除去亀裂層13を除去すると、優れた特性信頼性をもつ窒化物半導体デバイスを形成するための、低価格な半導体基板1として使用することができる。ここで、半導体基板1の窒化物半導体膜上にエピタキシャル層を形成して作製した半導体ウェハを用いて作製した窒化物半導体デバイスの一例を説明する。具体的な応用例としては、図3に示すような青色LED31や、図4に示すような高周波トランジスター41がある。図3に示すように、青色LED31は、半導体基板1の上に、MOVPE法を用いてn型GaNエピタキシャル層32、InGaNとGaNからなるマルチカンタムウェル層33、p型GaNエピタキシャル層34を順次エピタキシャル成長させた後、p型GaNエピタキシャル34層の上に透明電極からなる電流拡散層35を形成し、所定のフォトリソグラフィー法で電流拡散層35の上にp型電極36を、半導体基板1の裏面にn型電極37をそれぞれ形成して構成される。この青色LED31は、デバイス構造中に非発光再結合中心となるような結晶欠陥が少ないため、高発光強度、長素子寿命という優れた特性を有する。また、図4に示すように、高周波トランジスター41は、半導体基板1の上に、MOVPE法を用いて半絶縁GaNエピタキシャル層42、アンドープAlGaNエピタキシャル層43を順次エピタキシャル成長させた後、所定のフォトリソグラフィー法でアンドープAlGaNエピタキシャル層43の上に、ソース電極44、ゲート電極45、ドレイン電極46、SiNxパッシベーション膜47をそれぞれ形成して構成される。この高周波トランジスター41は、デバイス構造中に電子散乱要因となるような結晶欠陥が少ないため、高速、高出力という優れた特性を有する。実施例2第1の窒化物半導体基板としてウルツ鉱型AlNからなるAlN基板を用い、実施例1と同様の方法で、シリコン基板2上にAlN薄膜を形成して半導体基板を作製した。実施例2によっても、実施例1と同様の作用効果が得られ、低転位密度の窒化物半導体薄膜を有する半導体基板を低コストで作製できる。実施例3実施例1のGaN基板11の代わりに、000-1窒素面から任意の方向に0°以上8°未満、望ましくは1°以上3°未満の範囲でオフカットされた面が表面側となるように配置されたGaN基板を用い、実施例1と同様にして基板上にGaN薄膜を形成し、半導体基板を作製した。オフカットを0°以上8°未満の範囲にするのは、オフカットが8°以上になると、GaN基板上にエピタキシャル成長したGaN薄膜の表面モフォロジ形態が著しく劣化するからである。作製した半導体基板上に、MOVPE法で複数のエピタキシャル層を順次エピタキシャル成長させると、各エピタキシャル層のモフォロジが良好となる。実施例4実施例1のシリコン基板2の代わりに、ガラス基板あるいは金属基板を用い、実施例1と同様にして基板上にGaN薄膜3を形成し、半導体基板を作製した。第2の基板としては、工業面での技術的蓄積からシリコンを用いることが望ましいが、実施例4のようにガラスや金属などのさらに安価な材料からなる基板を用いれば、実施例1と比べて、低転位密度の窒化物半導体薄膜を有する半導体基板をさらに低コストで作製できる。"