"露光光で投影光学系及び前記露光光を透過する液体を介して基板を露光する際の重ね合わせ精度の計測方法であって、前記露光光で前記投影光学系及び前記液体を介して前記基板の複数の位置に第1マークの像を露光することと、前記露光光で前記投影光学系及び前記液体を介して前記基板の前記複数の位置の前記第1マークに対応させて第2マークの像を露光することと、前記投影光学系から離れた位置に配置されたマーク検出系を介して、前記基板の前記複数の位置の一部の第1組の複数の計測位置の前記第1マーク及びこれに対応する前記第2マークの第1の位置ずれ量を計測することと、前記基板が前記液体に接触しないように前記基板を所定角度だけ回転することと、前記マーク検出系を介して、前記基板の前記複数の位置のうち前記第1組の複数の計測位置と異なる複数の位置を含む第2組の複数の計測位置の前記第1マーク及びこれに対応する前記第2マークの第2の位置ずれ量を計測することと、を含むことを特徴とする重ね合わせ精度計測方法。前記マーク検出系を介して前記第1の位置ずれ量を計測する前に、前記マーク検出系を介して前記基板の複数の第1の位置合わせ用マークを検出して前記基板のショット配列を算出することと、前記マーク検出系を介して前記第2の位置ずれ量を計測する前に、前記マーク検出系を介して前記基板の複数の第2の位置合わせ用マークを検出して前記基板のショット配列を算出することと、を含み、前記複数の第1の位置合わせ用マークと前記複数の第2の位置合わせ用マークとは、少なくとも一部のマークが重複していることを特徴とする請求項1に記載の重ね合わせ精度計測方法。前記第1組の複数の計測位置は、前記基板の表面のほぼ一方の半面側の領域に配置され、前記第2組の複数の計測位置は、前記基板の表面のほぼ他方の半面側の領域に配置され、前記基板を回転する前記所定角度は180°であることを特徴とする請求項1又は2に記載の重ね合わせ精度計測方法。前記マーク検出系は複数であり、前記複数のマーク検出系のそれぞれの検出対象領域は第1方向に沿って一列に配置されることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の重ね合わせ精度計測方法。前記第1組及び前記第2組の複数の計測位置は、前記基板の表面でそれぞれ前記第1方向に沿って複数列に配置されることを特徴とする請求項4に記載の重ね合わせ精度計測方法。前記基板に前記第1マーク及び前記第2マークを露光するときには、前記基板の表面に前記液体に対して撥液性のコーティング膜が形成され、前記第1マーク及びこれに対応する前記第2マークの位置ずれ量を計測するときには、前記基板の表面に前記撥液性のコーティング膜が形成されないことを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の重ね合わせ精度計測方法。露光光で投影光学系を介して基板を露光する露光装置において、前記基板を移動するステージと、前記基板の露光中に、前記投影光学系と前記基板との間に前記露光光を透過する液体を供給し、前記供給された液体を回収する液体供給装置と、前記投影光学系とは独立に配置されて、前記基板のマークの位置を検出するマーク検出系と、前記基板を前記ステージから受け取り、所定角度回転した後に、再び前記ステージに受け渡す基板回転装置と、を備えることを特徴とする露光装置。前記ステージ、前記マーク検出系、及び前記基板回転装置を制御する制御装置を備え、前記制御装置は、前記基板の複数の位置に第1マークの像が露光され、前記基板の前記複数の位置の前記第1マークに対応させて第2マークの像が露光されているときに、前記マーク検出系に、前記基板の前記複数の位置の一部の第1組の複数の計測位置の前記第1マーク及びこれに対応する前記第2マークの第1の位置ずれ量を計測させ、前記基板回転装置を介して、前記基板が前記液体に接触しないように前記基板を所定角度だけ回転させ、前記マーク検出系に、前記基板の前記複数の位置のうち前記第1組の複数の計測位置と異なる複数の位置を含む第2組の複数の計測位置の前記第1マーク及びこれに対応する前記第2マークの第2の位置ずれ量を計測させることを特徴とする請求項7に記載の露光装置。前記制御装置は、前記マーク検出系に、前記第1の位置ずれ量を計測させる前に、前記基板の複数の第1の位置合わせ用マークを検出させ、該検出結果より前記基板のショット配列を算出し、前記マーク検出系に、前記第2の位置ずれ量を計測させる前に、前記基板の複数の第2の位置合わせ用マークを検出させ、該検出結果より前記基板のショット配列を算出するとともに、前記複数の第1の位置合わせ用マークと前記複数の第2の位置合わせ用マークとは、少なくとも一部のマークが重複していることを特徴とする請求項8に記載の露光装置。前記第1組の複数の計測位置は、前記基板の表面のほぼ一方の半面側の領域に配置され、前記第2組の複数の計測位置は、前記基板の表面のほぼ他方の半面側の領域に配置され、前記基板回転装置が前記基板を回転する前記所定角度は180°であることを特徴とする請求項8又は9に記載の露光装置。前記マーク検出系は複数であり、前記複数のマーク検出系のそれぞれの検出対象領域は第1方向に沿って一列に配置されることを特徴とする請求項7~10のいずれか一項に記載の露光装置。前記第1組及び前記第2組の複数の計測位置は、前記基板の表面でそれぞれ前記第1方向に沿って複数列に配置されることを特徴とする請求項11に記載の露光装置。請求項7~12のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板に感光パターンを形成することと、前記露光された基板を前記感光パターンに基づいて処理することと、を含むデバイス製造方法。従来の液浸法で露光を行う露光装置において、アライメント系を用いてウエハに形成された2層の重ね合わせ計測マークの位置ずれ量を高精度に計測するためには、ウエハの表面には液浸法で露光する際に使用される液体はないことが好ましいことがある。しかしながら、そのために、投影光学系とウエハとの間への液体の供給を停止すると、次に露光を開始する際に液体の流量及び温度等が安定化するまでに時間がかかる。従って、重ね合わせ精度の計測が終了してから露光開始までの時間を短縮するためには、液体の供給を停止しないことが好ましい。本発明は、このような事情に鑑み、重ね合わせ精度を高精度に計測できるとともに、重ね合わせ精度の計測終了から液浸法による露光開始までの時間を短縮できるようにすることを目的とする。本発明の第1の態様によれば、露光光で投影光学系及びその露光光を透過する液体を介して基板を露光する際の重ね合わせ精度の計測方法が提供される。この計測方法は、その露光光でその投影光学系及びその液体を介してその基板の複数の位置に第1マークの像を露光することと、その露光光でその投影光学系及びその液体を介してその基板のその複数の位置のその第1マークに対応させて第2マークの像を露光することと、その投影光学系から離れた位置に配置されたマーク検出系を介して、その基板のその複数の位置の一部の第1組の複数の計測位置のその第1マーク及びこれに対応するその第2マークの第1の位置ずれ量を計測することと、その基板がその液体に接触しないようにその基板を所定角度だけ回転することと、そのマーク検出系を介して、その基板のその複数の位置のうちその第1組の複数の計測位置と異なる複数の位置を含む第2組の複数の計測位置のその第1マーク及びこれに対応するその第2マークの第2の位置ずれ量を計測することと、を含むものである。また、第2の態様によれば、露光光で投影光学系を介して基板を露光する露光装置が提供される。この露光装置は、その基板を移動するステージと、その基板の露光中に、その投影光学系とその基板との間にその露光光を透過する液体を供給し、その供給された液体を回収する液体供給装置と、その投影光学系とは独立に配置されて、その基板のマークの位置を検出するマーク検出系と、その基板をそのステージから受け取り、所定角度回転した後に、再びそのステージに受け渡す基板回転装置と、を備えるものである。また、第3の態様によれば、本発明の露光装置を用いて物体に感光パターンを形成することと、その露光された物体をその感光パターンに基づいて処理することと、を含むデバイス製造方法が提供される。本発明によれば、基板の第1組の複数の計測位置で2つのマークの位置ずれ量を計測し、その基板が液体に接触しないようにその基板を回転した後、その基板の第2組の複数の計測位置で2つのマークの位置ずれ量を計測している。即ち、投影光学系とこれに対向する部材との間に液体を供給した状態で、かつ基板の表面の計測位置にその液体が供給されない状態で、重ね合わせ精度を高精度に計測できる。さらに、この計測終了後にすぐに液浸法を用いた露光を開始できる。従って、重ね合わせ精度の計測終了から液浸法による露光開始までの時間を短縮できる。本発明の実施形態の一例につき図面を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る露光装置EXの概略構成を示す。露光装置EXは、一例としてスキャニングステッパースキャナーよりなる走査露光型の投影露光装置走査型露光装置である。後述するように本実施形態では、投影光学系PLが設けられており、以下においては、投影光学系PLの光軸AXと平行にZ軸を取り、これに直交する面内でレチクルとウエハとが投影光学系PLに対して相対走査される方向にY軸を、Z軸及びY軸に直交する方向にX軸を取り、X軸、Y軸、及びZ軸の回りの回転傾斜方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向として説明を行う。図1において、露光装置EXは、露光用の照明光露光光ILによりレチクルRを照明する照明系10、レチクルRを保持して移動するレチクルステージRST、レチクルRを通過した照明光ILをウエハWの表面に投射する投影光学系PLを含む投影ユニットPU、ウエハWを保持して移動するウエハステージWST、及びこれらの制御系等を備えている。さらに、露光装置EXは、ウエハWのウエハマークの検出を行うウエハアライメント装置80、及びウエハステージWSTに対するウエハWの受け渡しを行うウエハローダ系WLを備えている。照明系10は、例えば特開2001-313250号公報対応する米国特許出願公開第2003/0025890号明細書などに開示されるように、光源と、照明光学系とを有し、照明光学系は、一例として回折光学素子または空間光変調器等を含む光量分布形成光学系と、オプティカルインテグレータフライアイレンズ又はロッドインテグレータなどと、レチクルブラインド等いずれも不図示とを有する。照明系10は、レチクルブラインドで規定されたレチクルRのパターン面レチクル面のスリット状の照明領域IARを照明光ILによりほぼ均一な照度分布で照明する。照明光ILとしては、一例としてArFエキシマレーザ光波長193nmが用いられている。なお、照明光としては、KrFエキシマレーザ光波長248nm、YAGレーザの高調波、固体レーザ半導体レーザなどの高調波、又は水銀ランプの輝線i線等なども使用できる。レチクルステージRSTの上面には、回路パターンなどが形成されたレチクルRが、例えば真空吸着により保持されている。レチクルステージRSTは、XY平面内で微少駆動可能であるとともに、走査方向Y方向に指定された走査速度で駆動可能となっている。レチクルステージRSTの移動面内の位置情報X方向、Y方向の位置、及びθz方向の回転角を含むは、レーザ干渉計よりなるレチクル干渉計116によって、移動鏡15を介して例えば0.5~0.1nm程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計116の計測値は、図3の主制御装置20に送られる。主制御装置20は、その計測値に基づいてレチクルステージ駆動系11を制御することで、レチクルステージRSTの位置及び速度を制御する。図1において、レチクルステージRSTの下方に配置された投影ユニットPUは、鏡筒40と、該鏡筒40内に所定の位置関係で保持された複数の光学素子を有する投影光学系PLとを含む。投影光学系PLは、例えば両側又はウエハ側に片側テレセントリックで所定の投影倍率β例えば1/4倍、1/5倍などを有する。投影光学系PLを介して照明領域IAR内のレチクルRの回路パターンの像が、ウエハWの一つのショット領域の露光領域IA照明領域IARに共役な領域に形成される。ウエハW半導体ウエハは、例えば直径が200mmから450mm程度の円板状のシリコン等よりなる基材の表面に、感光剤感光層であるフォトレジストを所定の厚さ例えば数10~200nm程度で塗布したものを含む。本実施形態のウエハWの各ショット領域には、これまでのパターン形成工程によって所定の単層又は複数層の回路パターン及び対応するウエハマークが形成されている。なお、露光装置EXでは、液浸法を適用した露光を行うため、投影光学系PLを構成する最も像面側ウエハW側の光学素子である先端レンズ191を保持する鏡筒40の下端部周囲を取り囲むように、局所液浸装置8の一部を構成するノズルユニット32が設けられている。ノズルユニット32は、露光用の液体Lqを供給可能な供給口と、液体Lqを回収可能な回収口とを有する。その供給口は、供給管31Aを介して、液体Lqを送出可能な液体供給装置5図3参照に接続されている。その回収口は、回収管31Bを介して、液体Lqを回収可能な液体回収装置6図3参照に接続されている。図3の液体供給装置5から送出された露光用の液体Lqは、図1の供給管31A、及びノズルユニット32の供給流路を流れた後、その供給口より照明光ILの光路空間に供給される。また、ノズルユニット32の回収口から回収された液体Lqは、回収管31Bを介して液体回収装置6に回収される。この動作によって、走査露光中、先端レンズ191とウエハWとの間の照明光ILの光路空間局所液浸空間を含む液浸領域14図2参照が液体Lqで満たされる。通常の露光時には、ウエハWの表面には液体Lqをはじく撥液性のコーティングトップコートが設けられていることが多い。また、一度その液体Lqの供給を停止してから、再び液体Lqの供給を開始する場合には、液体Lqの流量や温度等が安定化するまでにある程度の時間を要する。そのため、本実施形態では、走査露光をしていない期間、たとえばウエハのローディング及びアンローディング中、及びウエハのアライメント中においても、液浸領域14照明光ILが照射されていない場合もあるには常時液体Lqが供給され回収されている。この場合、投影光学系PLがウエハステージWSTから離れても、投影光学系PLの先端に対向する部材が存在するように、ウエハステージWSTとは独立に計測ステージMST図1では図示省略、図5A参照が配置されている。図1において、ベース盤12の上面にウエハステージWST、及び投影光学系PLの結像特性を計測する装置等を有する計測ステージMST図5A参照が配置されている。計測ステージMSTについては、例えば国際公開第2008/029757号パンフレット対応する米国特許出願公開第2008/094593号明細書に開示されている。ウエハステージWST及び計測ステージMSTの位置情報を計測するY軸干渉計16を含む干渉計システム118図3参照が設けられている。ウエハステージWSTは、X方向、Y方向に移動するステージ本体91と、ステージ本体91の上面に搭載されたウエハテーブルWTBと、ステージ本体91内に設けられて、ステージ本体91に対してZ方向、θx方向、及びθy方向にウエハテーブルWTBウエハWを相対的に微小駆動するZステージ不図示とを備えている。計測ステージMSTも同様に構成されている。ウエハステージWST及び計測ステージMSTは、図3のステージ駆動系124によって駆動される。ウエハテーブルWTBの中央には、ウエハWを真空吸着等によって保持するウエハホルダ不図示が設けられている。また、ウエハテーブルWTBの上面には、ウエハホルダ上に載置されるウエハの表面とほぼ同じ高さの、液体Lqに対して撥液化処理された表面撥液面を有し、かつ外形輪郭が矩形でその中央部にウエハホルダウエハの載置領域よりも一回り大きな円形の開口が形成された低熱膨張率のプレート撥液板28が設けられている。プレート28の一部には、ベースライン計測用の基準マークが形成されるとともに、レチクルRのパターンの像の位置を計測するためのスリットが形成された基準部材FM図2参照が設けられている。基準部材FMの底面には、そのスリットを通過した光束を受光する空間像計測装置45図3参照が設けられている。図2に示すように、プレート28の周囲の枠状の領域には後述のエンコーダシステムのための1対のYスケール39Y1,39Y2及び1対のXスケール39X1,39X2が形成されている。Yスケール39Y1,39Y2及びXスケール39X1,39X2はそれぞれY方向及びX方向に所定ピッチの回折格子である。その所定ピッチは例えば138nm~4μm程度である。図1において、ウエハテーブルWTBの-Y方向及び-X方向の端面は、それぞれ鏡面加工が施されて反射面とされている。干渉計16等はこれらの反射面にそれぞれ測長ビームを投射して、ウエハステージWSTのXY平面内の位置情報X方向、Y方向の位置、θx方向、θy方向、θz方向の角度を例えば0.5~0.1nm程度の分解能で計測し、この計測値を主制御装置20に供給する。計測ステージMSTの位置情報も同様に計測されている。但し、本実施形態では、ウエハステージWSTウエハテーブルWTBのXY平面内の位置情報は、主として、上述のYスケール及びXスケールなどを含む、後述するエンコーダシステムによって計測され、干渉計16等の計測値は、そのエンコーダシステムの計測値の長期的変動を補正する場合などに補助的に用いられる。また、干渉計16は、ウエハ交換のため、アンローディングポジション及びローディングポジション付近においてウエハテーブルWTBのY方向の位置等を計測するのにも用いられる。また、ウエハテーブルWTBの上面又は計測ステージMSTの上面には、後述するセカンダリのアライメント系のベースラインを計測するために、2次元マークよりなる多数の基準マークが形成されたX方向に細長い基準部材不図示が設けられている。本実施形態の露光装置EXでは、図1では図面の錯綜を避ける観点から図示が省略されているが、実際には、図2に示すように、投影光学系PLの光軸AXを通りかつY軸と平行な直線LV上で、光軸AXから-Y方向側に所定距離隔てた位置に検出中心を有するプライマリアライメント系以下、主アライメント系という。AL1が配置されている。不図示のメインフレームにアーム54を介して固定される主アライメント系AL1を挟んで、X方向の両側に、その直線LVに関してほぼ対称に検出中心が配置される2眼のセカンダリアライメント系以下、副アライメント系という。AL21,AL22、及び2眼の副アライメント系AL23,AL24がそれぞれ設けられている。すなわち、5眼のアライメント系AL1,AL21~AL24はその検出領域検出中心がX方向に沿って配置されている。各副アライメント系AL21~AL24は、それぞれ回転中心例えば中心Oを中心として回動可能なアーム56の先端回動端に固定されている。各アーム56は、それぞれバキュームパッド58を介して不図示のメインフレームに固定可能である。本実施形態では、各副アライメント系AL21~AL24は、その一部例えば、アライメント光を検出領域に照射し、かつ検出領域内の被検マークから発生する光を受光素子に導く光学系を少なくとも含む部分がアーム56に固定され、残りの一部はメインフレームに設けられる。主制御装置20の制御のもとで、回転駆動機構60を介して副アライメント系AL21~AL24のアーム56をそれぞれ回動することで、各検出領域のX位置が調整される。各検出領域のX位置は不図示のエンコーダによって計測されている。本実施形態では、アライメント系AL1,AL21~AL24として、それぞれ例えば画像処理方式のFIAFieldImageAlignment系が用いられている。このFIA系では、ウエハのレジストを感光させない広帯域の光又は選択された波長域の光を被検マークに照射し、その被検マークからの反射光により受光面に結像された被検マークの像を撮像素子CCD型又はCMOS型等を用いて撮像し、それらの撮像信号を信号処理部に出力する。この場合、例えば撮像素子内の所定画素の位置を基準として被検マークの像の位置を検出する。撮像素子の撮像面と共役な被検面上の視野が、アライメント系AL1,AL22~AL24の検出領域であり、その中心が検出中心である。その信号処理部では、その撮像信号を例えば所定の閾値でスライスして、対応するマークの検出中心に対するX方向、Y方向の位置ずれ量を求める。通常のアライメント時には、この位置ずれ量は主制御装置20を介して図3のEGA演算部134に供給される。EGA演算部134では、その位置ずれ量、各アライメント系のベースライン、及びウエハステージWSTの座標X,Yより、被検マークのステージ座標系X,Yでの座標を求める。このようにEGA演算部134で被検マークの座標を求めることを、以下ではアライメント系AL1,AL22~AL24を用いて被検マークの位置を検出するという。なお、後述の重ね合わせ精度計測時には、アライメント系AL1,AL22~AL24は2つのマークのX方向、Y方向の位置ずれ量を計測し、計測された位置ずれ量は主制御装置20を介して図3の重ね合わせ演算部135に供給される。また、アライメント系AL1,AL22~AL24はそれぞれベストフォーカス位置に対するデフォーカス量を計測するAF系不図示を備えている。ウエハアライメント装置80は、アライメント系AL1,AL21~AL24、主制御装置20、及びウエハステージWSTを含んで構成されている。本実施形態では5眼のアライメント系AL1,AL21~AL24を設けているため、アライメントを効率的に行うことができる。しかしながら、アライメント系の数は5つに限られるものでなく、2つ以上かつ4つ以下、あるいは6つ以上でも良いし、奇数ではなく偶数でも良い。また、ウエハローダ系WLは、X軸に平行なガイド部WL1と、ガイド部WL1に沿ってX方向に移動可能なスライド部WL2と、スライド部WL2の先端部に支持されてウエハを吸着保持するウエハアームWL3と、スライド部WL2に対してウエハアームWL3を180°回転する回転部WL4とを備えている。主制御装置20は、不図示の位置及び角度のセンサを含むウエハローダ駆動系125図3参照を介してウエハローダ系WLの動作を制御する。本実施形態の露光装置EXでは、図2に示すように、前述したノズルユニット32の周囲を四方から囲む状態で、エンコーダシステムの4つのヘッドユニット62A~62Dが配置されている。これらのヘッドユニット62A~62Dを構成する複数のYヘッド64及びXヘッド66は、メインフレーム不図示の底面に固定されている。図2において、ヘッドユニット62A,62Cは、投影ユニットPUの±X方向側に、それぞれ投影光学系PLの光軸AXを通りかつX軸と平行な直線LH上にX方向に所定間隔で配置された複数のYヘッド64を備えている。Yヘッド64は、それぞれYスケール39Y1又は39Y2を用いて、ウエハステージWSTウエハテーブルWTBのY方向の位置をレーザ干渉計と同じ程度の分解能で計測する。また、ヘッドユニット62B,62Dは、投影ユニットPUの±Y方向側にそれぞれ光軸AXを通りかつY軸と平行な直線LV上にY方向にほぼ所定間隔で配置された複数のXヘッド66を備えている。Xヘッド66は、それぞれXスケール39X1又は39X2を用いて、ウエハステージWSTウエハテーブルWTBのX方向の位置をレーザ干渉計と同じ程度の分解能で計測する。Yヘッド64及びXヘッド66の構成の一例は、国際公開第2008/029757号パンフレット及びこれに対応する米国特許出願公開第2008/094593号明細書に開示されている。図2のヘッドユニット62A及び62Cは、それぞれYスケール39Y1及び39Y2を用いて、ウエハステージWSTのY位置を計測する多眼のY軸のリニアエンコーダ以下、Yエンコーダと略述する70A及び70C図3参照を構成する。Yエンコーダ70A,70Cはそれぞれ複数のYヘッド64の計測値の切り替えを行う切り替え制御部を備えている。また、ヘッドユニット62B及び62Dは、それぞれXスケール39X1及び39X2を用いて、ウエハステージWSTのX位置を計測する、多眼のX軸のリニアエンコーダ以下、Xエンコーダと略述する70B及び70D図3参照を構成する。Xエンコーダ70B,70Dはそれぞれ複数のXヘッド66の計測値の切り替えを行う切り替え制御部を備えている。さらに、本実施形態では、後述するセカンダリアライメント系のベースライン計測時などに、ウエハステージWSTのY位置を計測するためのYヘッド不図示によって構成されるリニアエンコーダであるY軸エンコーダ70E,70F図3参照も設けられている。上述した6つのエンコーダ70A~70Fの計測値は、主制御装置20及びEGA演算部134に供給され、主制御装置20は、エンコーダ70A~70Fの計測値に基づいて、ウエハステージWST等のXY平面内の位置を制御する。本実施形態の露光装置EXは、図2に示すように、照射系90a及び受光系90bから成る、例えば特開平6-283403号公報対応する米国特許第5,448,332号明細書等に開示されるものと同様の構成の斜入射方式の多点焦点位置検出系以下、多点AF系と略述するを備えている。本実施形態では、一例として、前述のヘッドユニット62Cの-Y方向側に照射系90aが配置され、これに対向する状態で、前述のヘッドユニット62Aの-Y方向側に受光系90bが配置されている。図2の多点AF系90a,90bの複数の検出点は、被検面上でX方向に延びる細長い検出領域AF内にX方向に沿って所定間隔で配置される。本実施形態では、その複数の検出点は、例えば1行M列Mは検出点の総数又は2行N列Nは検出点の総数の1/2のマトリックス状に配置される。その検出領域AFは、X方向の長さがウエハWの直径と同程度に設定されているので、ウエハWをY方向に1回スキャンするだけで、ウエハWのほぼ全面でZ方向の位置情報面位置情報を計測できる。また、検出領域AFは、Y方向に関して、前述の液浸領域14露光領域IAとアライメント系AL1,AL21~AL24の検出領域との間に配置されているため、多点AF系とアライメント系とでその検出動作を並行して行うことが可能となっている。多点AF系は、投影ユニットPUを保持するメインフレームに設けても良い。さらに、前述したヘッドユニット62C及び62Aは、複数のYヘッド64を結ぶ直線LHを挟むX軸に平行な2本の直線にそれぞれ沿って且つ所定間隔で配置された複数のZセンサ74及び76を備えている。各Zセンサ74,76としては、例えばCDピックアップ方式のセンサが用いられている。Zセンサ74,76は計測フレーム21の底面に固定されている。また、この図2において、符号78は、多点AF系90a,90bのビーム路近傍に所定温度に温度調整されたドライエアーを、図2中の白抜き矢印で示されるように、例えばダウンフローにて送風する局所空調システムを示す。また、符号UP及びLPは、それぞれ投影光学系PLに対して-Y方向に所定間隔で並行に配置され、ウエハテーブルWTBに対してウエハのアンロード及びロードが行われるアンロードポジション及びローディングポジションを示す。図3には、露光装置EXの制御系の主要な構成が示されている。この制御系は、装置全体を統括的に制御するコンピュータから成る主制御装置20を中心として構成されている。上述のようにして構成された本実施形態の露光装置EXでは、前述したようなウエハテーブルWTBのXスケール、Yスケールの配置及び前述したようなXヘッド、Yヘッドの配置を採用したことから、図5Bなどに例示されるように、ウエハステージWSTの有効ストローク範囲では、必ず、Xスケール39X1,39X2とヘッドユニット62B,62DXヘッド66とがそれぞれ対向し、かつYスケール39Y1,39Y2とヘッドユニット62A,62CYヘッド64又は不図示のYヘッドとがそれぞれ対向するようになっている。このため、主制御装置20は、前述のウエハステージWSTの有効ストローク範囲では、エンコーダ70A~70Fの少なくとも3つの計測値に基づいて、ステージ駆動系124を構成する各モータを制御することで、ウエハステージWSTのXY平面内の位置θz方向の回転角を含むを、高精度に制御することができる。エンコーダ70A~70Fの計測値が受ける空気揺らぎの影響は、干渉計に比べては無視できるほど小さいので、空気揺らぎに起因する計測値の短期安定性は、干渉計に比べて格段に良い。露光装置EXによるウエハWの露光時には、先ずアライメント系AL1,AL22~AL24を用いてウエハWのウエハマークを検出することによって、ウエハのアライメントが行われる。続いて、ウエハステージWSTの移動によってウエハWが走査開始位置に移動するステップ移動。投影光学系PLとウエハWとの間の液浸領域14には、継続して液体Lqの供給及び回収が行われている。この状態で、照明光ILの照射を開始して、レチクルRのパターンの投影光学系PLによる像でウエハWを露光しつつ、レチクルステージRST及びウエハステージWSTを介してレチクルR及びウエハWを投影倍率を速度比として同期移動することで、ウエハWの一つのショット領域にレチクルRのパターンの像が走査露光される。このようにステップ移動と走査露光とを繰り返すステップアンドスキャン動作によって、ウエハWの全部のショット領域にレチクルRのパターンの像が露光される。以下、本実施形態の露光装置EXにおいて、主制御装置20の制御のもとで重ね合わせ精度を計測する方法の一例につき、図4のフローチャートを参照して説明する。先ず、図4のステップ302において、レチクルステージRSTに第1層目の重ね合わせ計測マーク用のパターン第1パターン及びウエハマーク用のパターンが形成されたレチクルR1をロードし、ウエハステージWSTに基材の表面に薄膜及びフォトレジスト層が形成されたウエハウエハWとするをロードする。そして、ウエハWの各ショット領域にレチクルR1のパターンの像を液浸法で走査露光する。次のステップ304において、ウエハWをコータデベロッパ不図示で現像し、エッチング装置不図示でエッチングする。これにより、図6Aに示すように、ウエハWの各ショット領域SAの第1層目に、それぞれX方向に配列された2つのラインアンドスペースパターン以下、LSパターンという50Xと、Y方向に配列された2つのLSパターンという50Yとからなる第1重ね合わせ計測マーク50が形成される。さらに、隣接するショット領域SA間のスクライブライン領域SLAにそれぞれ第1重ね合わせ計測マーク50と所定の位置関係で2次元のウエハマークWMが形成される。なお、図6A及びBでは、ウエハマークWM、第1重ね合わせ計測マーク50等は拡大して表されている。次のステップ306において、レチクルステージRSTに第2層目の重ね合わせ計測マーク用のパターン第2パターンが形成されたレチクルR2をロードし、ウエハステージWSTにフォトレジスト層が形成されたウエハWをロードする。一例として、図5Cに示すように、ウエハWのショット配列中でウエハマークを計測するアライメントショットASは、それぞれX方向に3つのショット領域を隔てて配置される第1列から第4列までの16個のショット領域であるとする。この場合、まず図5Aに示すように、ウエハステージWSTをY方向に移動して、3眼のアライメント系AL1,AL22,AL23で3個の第1列のアライメントショットASのウエハマークWM図6A参照の位置を検出する。なお、図5A等では、アライメント系AL1,AL22~AL24中でウエハマークの検出を行っているアライメント系には星印を付している。また、図5A、Bでは、説明の便宜上、ウエハマークがショット領域の内部にあるように示されている。次に、ウエハステージWSTをY方向に移動して、5眼のアライメント系AL1,AL22~AL24で5個の第2列のアライメントショットASのウエハマークの位置を検出する。このように、第1及び第2列のアライメントショットASに付設されたウエハマークWMの位置を検出する段階では、投影光学系PLの下方には計測ステージMSTが位置しており、液浸領域14は計測ステージMSTと投影光学系PLとの間に形成される。その後、ウエハステージWSTウエハWをさらにY方向に移動して、図5Bに示すように、5眼のアライメント系AL1,AL22~AL24で5個の第3列のアライメントショットASのウエハマークの位置を検出するときには、投影光学系PLの下方にはウエハステージWSTが位置しており、液浸領域14はウエハステージWSTと投影光学系PLとの間に形成される。従って、ウエハWのY方向の端部の表面に液体Lqがかかるようになる。さらに、ウエハステージWSTウエハWをY方向に移動して、3眼のアライメント系AL1,AL22,AL23で3個の第4列のアライメントショットASのウエハマークの位置を検出するときには、ウエハWの表面でY方向のほぼ1/3程度の領域に液体Lqがかかるようになる。しかしながら、アライメント系AL1,AL22~AL24によるウエハマークの検出は終了しているため、アライメント精度が低下することはない。EGA演算部134では、16個のウエハマークの座標から例えばEGA方式でウエハWのショット配列を算出し、算出結果を主制御装置20に送出する。そのショット配列に基づいてウエハWを移動することによって、ウエハWの各ショット領域にレチクルR2のパターンの像を液浸法で走査露光する。次のステップ308で、不図示のコータデベロッパでウエハWの現像が行われる。次のステップ310で、現像後のウエハWがウエハステージWSTにロードされる。図6Bに示すように、ウエハWの各ショット領域SAには、第1層目の第1重ね合わせ計測マーク50主尺に加えて、X方向に配列されたLSパターン52X及びY方向に配列されたLSパターン52Yよりなる第2層目の第2重ね合わせ計測マーク52ここではレジストパターン副尺が形成されている。一例として、LSパターン52Xは、第1重ね合わせ計測マーク50のX軸のLSパターン50Xの間に形成され、LSパターン52Yは、第1重ね合わせ計測マーク50のY軸のLSパターン50Yの間に形成されている。本実施形態では、露光装置EXの重ね合わせ精度を計測するために、アライメント系AL1,AL22~AL24を用いて、ウエハWの全部のショット領域から選択された所定の複数の計測対象のショット領域内の第1重ね合わせ計測マーク50と第2重ね合わせ計測マーク52とのX方向、Y方向の位置ずれ量ΔX,ΔYを計測する。その計測対象のショット領域は、ウエハWの全部のショット領域が好ましい。さらに、その計測対象のショット領域は、その全部のショット領域から選択された任意の配列の複数のショット領域でもよい。ここでは、説明の便宜上、一例としてアライメントショットASを計測対象のショット領域とする。また、図6Cに示すように、その位置ずれ量ΔXは、2つのLSパターン50XとLSパターン52XとのX方向の位置ずれ量であり、その位置ずれ量ΔYは、2つのLSパターン50YとLSパターン52YとのY方向の位置ずれ量である。これらの位置ずれ量ΔX,ΔYを計測するためには、ウエハWのアライメントを行って、計測対象のショット領域アライメントショットAS内の重ね合わせ計測マーク50,52をアライメント系AL1,AL22~AL24のうちのいずれかの検出領域内に移動する必要がある。さらに、図6Dの拡大断面図で示すように、重ね合わせ計測マーク50,52のLSパターン50X,52X等は、ウエハWの基材Waの上面に凹凸パターンとして形成されている。そして、計測工程を簡素化するために、計測対象のウエハWの表面には液浸法で露光する際に使用される液体Lqをはじく撥液性のコーティングトップコートは形成されていない。そのため、重ね合わせ計測マーク50,52間の位置ずれ量を高精度に計測するためには、重ね合わせ計測マーク50,52の表面に液体Lqがかかっていないことが好ましい。これに関して、図5A及びBに示すように、単にウエハWをY方向に移動しながら、アライメント系AL1,AL22~AL24を用いてウエハWの16個のアライメントショットASのウエハマークの位置を検出すると、ウエハWのY方向の端部に液浸領域14の液体Lqがかかることになる。この液体Lqは次第にウエハWの表面を流れるため、液体Lqがかかった部分では重ね合わせ計測マーク50,52の位置ずれ量を高精度に計測できない恐れがある。そこで、本実施形態では、以下のようにして、全部の計測対象のショット領域ここではアライメントショットASに確実に液体Lqがかからない状態で、これらのショット領域内の重ね合わせ計測マーク50,52の位置ずれ量を計測する。即ち、次のステップ312において、図7Aに示すように、ウエハステージWSTを駆動してウエハWをローディングポジションからY方向に移動し、3眼のアライメント系AL1,AL22,AL23によって、3つの第1列のアライメントショットASに付設されたウエハマークWMA1,MWC1,WMD1の位置を検出する。ウエハマークWMA1等は、図6BのウエハマークWMと同じ形状である。次に、図7Bに示すように、ウエハWをY方向に移動して、5眼のアライメント系AL1,AL22~AL24によって、5つの第2列のアライメントショットASに付設されたウエハマークWMA2,MWB2~WME2の位置を検出する。この段階では、投影光学系PLの液浸領域14は計測ステージMST上に形成されており、ウエハステージWST及びウエハWには液浸法で露光を行う際に使用される液体Lqはかかっていない。次のステップ314において、EGA演算部134は、検出された8個のウエハマークの座標から例えばEGA方式でウエハWのY方向のほぼ半面のショット領域の配列座標を算出する。なお、ウエハWのY方向のショット領域の配列数が奇数の場合には、ウエハWの中央のX方向に一列に配列されたショット領域の配列座標も算出される。次のステップ316において、ステップ314で算出された配列座標に基づいてウエハステージWSTを駆動して、図7Cに示すように、3眼のアライメント系AL1,AL22,AL23の検出領域にウエハWの3つの第1列のアライメントショットAS内の第1重ね合わせ計測マーク50A1,50C1,50D1及び第2重ね合わせ計測マーク52A1,52C1,52D1を移動する。重ね合わせ計測マーク50A1等は図6Cの第1重ね合わせ計測マーク50と同じ形状であり、重ね合わせ計測マーク52A1等は図6Cの第2重ね合わせ計測マーク52と同じ形状である。そして、アライメント系AL1,AL22,AL23によって重ね合わせ計測マーク50A1,50C1,50D1及び52A1,52C1,52D1間のX方向、Y方向の位置ずれ量を計測する。計測結果は主制御装置20を介して図3の重ね合わせ演算部135に供給される。なお、X方向及びY方向の位置ずれ量は、個別に計測してもよい。さらに、ウエハステージWSTを駆動して、図7Dに示すように、5眼のアライメント系AL1,AL22~AL24の検出領域にウエハWの5つの第2列のアライメントショットAS内の第1重ね合わせ計測マーク50A2~50E2及び第2重ね合わせ計測マーク52A2~52E2を移動する。そして、アライメント系AL1,AL22~AL24によって重ね合わせ計測マーク50A2~50E2及び52A2~52E2間のX方向、Y方向の位置ずれ量を計測する。計測結果は重ね合わせ演算部135に供給される。この段階では、投影光学系PLの液浸領域14は、計測ステージMST上に形成されており、ウエハWの表面に液浸法で使用される液体Lqはまったくかかっていない。図9Cに示すように、ステップ316で計測されたウエハWの第1列54A及び第2列54BのアライメントショットAS内の重ね合わせ計測マーク50,52間の位置ずれ量は、重ね合わせ誤差ベクトルOEV1~OEV8として重ね合わせ演算部135内の記憶部に記憶される。次のステップ318において、ウエハステージWSTの中心を図2のローディングポジションLPに移動し、ウエハWをウエハローダ系WLのウエハアームWL3に受け渡した後、回転部WL4によってウエハアームWL3ウエハWを180°回転する。その後、スライド部WL2をX方向に移動して、ウエハアームWL3からウエハステージWSTにウエハWをロードする。この結果、図8Aに示すように、図7Aの配置に対してウエハWはθz方向に180°回転している。次のステップ320において、図8Bに示すように、ウエハステージWSTを駆動してウエハWをY方向に移動して、3眼のアライメント系AL1,AL22,AL23によって、3つの第4列のアライメントショットASに付設されたウエハマークWMA4,MWD4,WMC4の位置を検出する。次に、図8Cに示すように、ウエハWをY方向に移動して、5眼のアライメント系AL1,AL22~AL24によって、5つの第3列のアライメントショットASに付設されたウエハマークWMA3,MWE3~WMB3の位置を検出する。この段階でも、投影光学系PLの液浸領域14は計測ステージMST上に形成されており、ウエハステージWST及びウエハWには液浸法で露光を行う際に使用される液体Lqはかかっていない。次のステップ322において、EGA演算部134は、検出された8個のウエハマークの座標から例えばEGA方式でウエハWのY方向回転前の-Y方向のほぼ半面のショット領域の配列座標を算出する。なお、ウエハWのY方向のショット領域の配列数が奇数の場合には、ウエハWの中央のX方向に一列に配列されたショット領域の配列座標も算出される。次のステップ324において、ステップ322で算出された配列座標に基づいてウエハステージWSTを駆動して、図9Aに示すように、3眼のアライメント系AL1,AL22,AL23の検出領域にウエハWの3つの第4列のアライメントショットAS内の第1重ね合わせ計測マーク50A4,50D4,50C4及び第2重ね合わせ計測マーク52A4,52D4,52C4を移動する。そして、アライメント系AL1,AL22,AL23によって重ね合わせ計測マーク50A4,50D4,50C4及び52A4,52D4,52C4間のX方向、Y方向の位置ずれ量を計測する。計測結果は重ね合わせ演算部135に供給される。さらに、ウエハステージWSTを駆動して、図9Bに示すように、5眼のアライメント系AL1,AL22~AL24の検出領域にウエハWの5つの第3列のアライメントショットAS内の第1重ね合わせ計測マーク50A3,50E3~50B3及び第2重ね合わせ計測マーク52A3,52E3~52B3を移動する。そして、アライメント系AL1,AL22~AL24によって重ね合わせ計測マーク50A3~50B3及び52A3~52B3間のX方向、Y方向の位置ずれ量を計測する。計測結果は重ね合わせ演算部135に供給される。この段階では、投影光学系PLの液浸領域14は、計測ステージMST上に形成されており、ウエハWの表面に液浸法で使用される液体Lqはまったくかかっていない。図9Dに示すように、ステップ324で計測されたウエハWの回転後の第3列54C及び第4列54DのアライメントショットAS内の重ね合わせ計測マーク50,52間の位置ずれ量は、重ね合わせ誤差ベクトルOEV9~OEV16として重ね合わせ演算部135内の記憶部に記憶される。次のステップ326において、重ね合わせ演算部135は、ステップ316及び324で計測された16個の重ね合わせ誤差ベクトルOEV1~OEV16を統計処理例えば平均値及び標準偏差等の算出して露光装置EXの重ね合わせ誤差を求める。求められた重ね合わせ誤差は主制御装置20に送出され、主制御装置20では、例えばその重ね合わせ誤差を許容値と比較し、比較結果を入出力装置を介してオペレータに出力する。その後、ウエハWのアンローディングが行われてステップ328、重ね合わせ精度の計測が終了する。この際に、投影光学系PLと計測ステージMSTとの間の液浸領域14には連続して液体が供給されている。従って、この直後から、レチクルRのパターンの像を所定ロット数のウエハに液浸法で露光できる。上述のように本実施形態の露光装置EXは、露光用の照明光ILで投影光学系PLを介してウエハWを露光する露光装置である。露光装置EXは、ウエハWを移動するウエハステージWSTと、ウエハWの露光中に、投影光学系PLとウエハWとの間に照明光ILを透過する液体Lqを供給し、その供給された液体を回収する液体供給装置5及び液体回収装置6と、投影光学系PLとは独立に配置されて、ウエハWのウエハマーク等のマークの位置を検出するアライメント系AL1,AL22~AL24と、ウエハマークをウエハステージWSTから受け取り、例えば180°回転した後に、再びウエハステージWSTに受け渡すウエハローダ系WLと、を備えている。さらに、露光装置EXは、ウエハステージWST、アライメント系AL1,AL22~AL24、及びウエハローダ系WLの動作を制御する主制御装置20を備えている。また、露光装置EXによる重ね合わせ精度の計測方法は、液浸法でウエハWの複数のショット領域に第1及び第2重ね合わせ計測マーク50,52用のパターンの像を順次露光するステップ302,306と、アライメント系AL1,AL22~AL24を介して、ウエハWの第1列及び第2列のアライメントショットAS内の計測位置で重ね合わせ計測マーク50,52間の位置ずれ量を計測するステップ316と、ウエハWが液体に接触しないようにウエハWを180°回転するステップ318と、アライメント系AL1,AL22~AL24を介してウエハWの第3列及び第4列のアライメントショットAS内の計測位置で重ね合わせ計測マーク50,52間の位置ずれ量を計測するステップ324と、を含んでいる。本実施形態によれば、ウエハWの第1列、第2列のアライメントショットAS内で重ね合わせ計測マーク50,52間の位置ずれ量を計測し、ウエハWが液体に接触しないようにウエハWを180°回転した後、ウエハWの第3列、第4列のアライメントショットAS内の重ね合わせ計測マーク50,52間の位置ずれ量を計測している。即ち、投影光学系PLとこれに対向する部材である計測ステージMSTとの間に液体Lqを供給した状態で、かつウエハWの表面の計測位置に液体Lqが供給されない状態で、重ね合わせ精度を高精度に計測できる。さらに、この計測終了後にすぐに液浸法を用いた露光を開始できる。従って、重ね合わせ精度の計測終了から液浸法による露光開始までの時間を短縮できる。なお、本実施形態では、ステップ318でウエハWを180°回転しているが、ウエハWの回転角は例えば90°程度でもよい。また、本実施形態では、ステップ312におけるウエハWのウエハマークの検出時、ステップ320におけるウエハWのウエハマークの検出時とでは、互いに異なるウエハマークを検出している。しかしながら、例えば投影光学系PLとアライメント系AL1,AL22~AL24との距離がより長い場合には、ステップ320において、アライメント系AL1,AL22~AL24によって、ステップ312で検出されたウエハマークの一部例えば第2列の少なくとも2個のアライメントショットASに付設されたウエハマークの位置を重複して検出してもよい。この場合には、重複して検出されたウエハマークの位置が合致するように、ステップ314で算出されたショット配列を180°回転した配列と、ステップ322で算出されたショット配列とを継ぎ合わせることによって、2つのショット配列を高精度に継ぎ合わせることができる。また、本実施形態では、重ね合わせ計測マーク50,52は凹凸のパターンであるが、重ね合わせ計測マーク50,52の位置ずれ量はフォトレジストの潜像段階で計測してもよい。また、本実施形態では、重ね合わせ計測マーク50,52の位置ずれ量は副アライメント系AL21~AL24でも計測しているが、例えば全部の重ね合わせ計測マーク50,52の位置ずれ量を主アライメント系AL1だけで計測してもよい。従って、副アライメント系AL21~AL24を設ける必要は必ずしもなく、さらにアライメント系の個数は任意である。また、本実施形態のウエハのアライメントショットは16個であるが、ウエハのアライメントショット計測対象のウエハマークの個数及び配列は任意である。さらに、重ね合わせ計測マーク50,52の位置ずれ量を計測するショット領域の配列及び個数も任意である。また、上記の各実施形態の露光装置を用いて半導体デバイス等の電子デバイスマイクロデバイスを製造する場合、電子デバイスは、図10に示すように、電子デバイスの機能性能設計を行うステップ221、この設計ステップに基づいたマスクレチクルを製作するステップ222、デバイスの基材である基板ウエハを製造するステップ223、前述した実施形態の露光装置EXによりレチクルのパターンを基板に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱キュア及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ224、デバイス組み立てステップダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む225、並びに検査ステップ226等を経て製造される。言い換えると、このデバイスの製造方法は、上記の実施形態の露光装置を用いて基板を露光することと、その露光された基板を処理すること現像等と、を含んでいる。この際に、重ね合わせ精度の計測の直後から液浸露光を開始できるため、電子デバイスを高いスループットで量産することができる。なお、上記の実施形態において、上述の走査露光型の露光装置スキャナの他に、ステップアンドリピート方式の投影露光装置ステッパー等も使用できる。また、上記の実施形態は、半導体デバイス製造用の露光装置に限らず、液晶表示素子やプラズマディスプレイなどを含むディスプレイの製造に用いられる、デバイスパターンをガラスプレート上に転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられるデバイスパターンをセラミックスウエハ上に転写する露光装置、並びに撮像素子CCDなど、有機EL、マイクロマシーン、MEMS、及びDNAチップなどの製造に用いられる露光装置などにも適用することができる。また、半導体素子などの電子デバイスマイクロデバイスだけでなく、光露光装置及びEUV露光装置などで使用されるマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。このように、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。"