"荷電粒子ビーム源と、該荷電粒子ビーム源から出射した荷電粒子ビームが照射する第1の矩形開口を有する第1成形スリットと、開口径が異なる複数の円形開口を有する第2成形スリットと、該第1成形スリットの開口を通過した荷電粒子ビームを第2成形スリット上に結像させる成形レンズと、該第1成形スリットの開口を通過した電子ビームを偏向させて前記第2成形スリット上の所望の円形開口に照射させる偏向器とを備え、第2成形スリットのいずれかの円形開口を通過した成形円形ビームを描画材料上にショットし、円形パターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、前記第2成形スリット上の異なった円形開口で形成された成形円形ビームを、描画材料上に中心位置を一致させ重ねてショットすることにより、所望のサイズの円形パターンを描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。円形パターンの直径サイズに応じた、ショットに用いる前記複数の円形開口の単独または組み合わせの種類と、照射量の関係をメモリに記憶させ、描画すべき円形パターンの直径サイズに基づき、前記メモリからショットに用いる前記複数の円形開口の単独または組み合わせの種類と、照射量のデータを読み出し、該データに基づいて、第2成形スリットのいずれかの円形開口を通過した成形円形ビームの単独ショットで円形パターンを描画するか、あるいは前記第2成形スリット上の異なった円形開口で形成された成形円形ビームを、描画材料上に中心位置を一致させ重ねてショットすることにより、円形パターンを描画することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画方法。前記第2成形スリット上の異なった円形開口で形成された成形円形ビームを、描画材料上に中心位置を一致させ重ねてショットする際、各ショットの照射時間を等しくしたことを特徴とする請求項1又は2記載の荷電粒子ビーム描画方法。荷電粒子ビーム源と、該荷電粒子ビーム源から出射した荷電粒子ビームが照射する第1の矩形開口を有する第1成形スリットと、開口径が異なる複数の円形開口を有する第2成形スリットと、該第1成形スリットの開口を通過した電子ビームを第2成形スリット上に結像させる成形レンズと、該第1成形スリットの開口を通過した電子ビームを偏向させて前記第2成形スリット上の所望の円形開口に照射させる偏向器とを備え、第2成形スリットのいずれかの円形開口を通過した成形円形ビームを描画材料上にショットし、円形パターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置において、円形パターンの直径サイズに応じた、ショットに用いる前記複数の円形開口の単独または組み合わせの種類と、照射量の関係を記憶させたメモリを設け、描画すべき円形パターンの直径サイズに基づき、前記メモリからショットに用いる前記複数の円形開口の単独または組み合わせの種類と、照射量のデータを読み出し、該データに基づいて、第2成形スリットのいずれかの円形開口を通過した成形円形ビームの単独ショットで円形パターンを描画するか、あるいは前記第2成形スリット上の異なった円形開口で形成された成形円形ビームを、描画材料上に中心位置を一致させ重ねてショットすることにより、円形パターンを描画することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。上述したように、成形ビームのショット時間入射エネルギー/ビーム照射量を調整してサイズ調整を実施すると、以下のような問題が発生する。すなわち、ビーム照射量でサイズ直径調整すると、レジスト感度により照射量に対するサイズの変化量が変わってしまう。このため、描画材料上に描画する際、レジストによっては所望の円サイズをカバーすることが出来なくなることがある。以下、この問題点を詳細に説明する。図9は、サイズが3段階に異なる3つの円形開口A、B、Cを使用して成形した3種類の径の電子ビームを使用し、ショット時間を変化させてビーム照射量を変化させることにより、現像後に得られる円形パターン直径を変化させた場合の例を示す図である。図9より、円形開口Aを使用して成形した電子ビームにより実現可能な直径の範囲と、円形開口Bを使用して成形した電子ビームにより実現可能な直径の範囲とは重なっており、また、円形開口Bを使用して成形した電子ビームにより実現可能な直径の範囲と、円形開口Cを使用して成形した電子ビームにより実現可能な直径の範囲とも重なっていることが分かる。従って、要求される円形パターンの直径D1から直径DNまで、3つの円形開口A、B、Cのいずれかを使用して成形した電子ビームについて、ショット時間を調節することにより、対応可能である。一方、同じ3つの円形開口A、B、Cを使用し、図9の場合とは感度及び/又は性能の異なるレジストについて測定した、ビーム照射量に対する現像後得られる円形パターンの直径の変化を図10に示す。このレジストは、入射エネルギーの変化による現像後得られる円形パターンの直径の変化幅が図10の場合のレジストよりも狭い。このため、図9の例の場合と異なり、図10では開口Aで得られる最大パターン直径と開口Bで得られる最小パターン直径とが重なっていない。同様に、開口Bで得られる最大パターン直径と開口Cで得られる最小パターン直径とも重なっていない。このような重ならない領域BD1,BD2が存在すると、この領域の直径の円形パターンを形成できないことになる。特に、現在開発されているレジストは、レジスト自身のボケを小さくして解像度を上げることを目指している。この方向性は、ビーム照射量の変化に対して現像後得られるパターン直径の変化が小さくなっていくことに結びつく。そのため、サイズ変化をビーム照射量で調整するのは次第に困難になりつつあると言える。本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであって、複数のサイズの異なった円形開口で成形された荷電粒子ビームを同じ位置で重ねて露光することにより、現像後得られる円形パターンのサイズの変化幅を増やすことができる荷電粒子ビーム描画方法及び装置を提供することを目的としている。上記の課題を解決するために、本発明の荷電粒子ビーム描画方法は、荷電粒子ビーム源と、該荷電粒子ビーム源から出射した荷電粒子ビームが照射する第1の矩形開口を有する第1成形スリットと、開口径が異なる複数の円形開口を有する第2成形スリットと、該第1成形スリットの開口を通過した荷電粒子ビームを第2成形スリット上に結像させる成形レンズと、該第1成形スリットの開口を通過した電子ビームを偏向させて前記第2成形スリット上の所望の円形開口に照射させる偏向器とを備え、第2成形スリットの円形開口を通過した成形円形ビームを描画材料上にショットし、円形パターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、前記第2成形スリット上の異なった円形開口で形成された成形円形ビームを描画材料上の中心位置を一致させ重ねてショットすることにより、所望のサイズの円形パターンを描画することを特徴とする。また、本発明の荷電粒子ビーム描画装置は、荷電粒子ビーム源と、該荷電粒子ビーム源から出射した荷電粒子ビームが照射する第1の矩形開口を有する第1成形スリットと、開口径が異なる複数の円形開口を有する第2成形スリットと、該第1成形スリットの開口を通過した電子ビームを第2成形スリット上に結像させる成形レンズと、該第1成形スリットの開口を通過した電子ビームを偏向させて前記第2成形スリット上の所望の円形開口に照射させる偏向器とを備え、第2成形スリットのいずれかの円形開口を通過した成形円形ビームを描画材料上にショットし、円形パターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置において、円形パターンの直径サイズに応じた、ショットに用いる前記複数の円形開口の単独または組み合わせの種類と、照射量の関係を記憶させたメモリを設け、描画すべき円形パターンの直径サイズに基づき、前記メモリからショットに用いる前記複数の円形開口の単独または組み合わせの種類と、照射量のデータを読み出し、該データに基づいて、第2成形スリットのいずれかの円形開口を通過した成形円形ビームの単独ショットで円形パターンを描画するか、あるいは前記第2成形スリット上の異なった円形開口で形成された成形円形ビームを、描画材料上に中心位置を一致させ重ねてショットすることにより、円形パターンを描画することを特徴とする。本発明によれば、複数のサイズの異なった円形成形スリットで形成された荷電粒子ビームを同じ位置で重ねて描画することにより、現像により得られる円形パターンのサイズ調整の幅を増やすことができ、ビーム照射量の変化に対して現像後得られるパターン直径の変化が小さいレジストを用いた場合であっても、所望の円形パターンサイズを得ることができる。以下、本発明の実施例について、詳細に説明する。図1は本発明方法を実施するための電子ビーム描画装置の構成例を示す図である。図1の装置は基本的には図7と同じ構成であり、図7と同一の構成要素には同一の符号が付されているが、図7では省略されているブランカーなどの構成要素が加えられている。図1において、1は荷電粒子ビームを発生する荷電粒子源としての電子銃であり、電子銃1から発生した電子ビームはブランカー2及び照射レンズ3を介して第1成形スリット4上に照射される。第1成形スリット4には矩形状開口が穿たれており、この開口を通過した矩形状断面を持った電子ビームは、成形レンズ6を介して同じく矩形状開口を有する第2成形スリット7に投射される。成形レンズ6は、開口4aの像を第2成形スリット7の開口の位置に結像し、この像の位置を、第1及び第2成形スリットの間に配置された成形偏向器5により変えることにより、第2成形スリット7の開口を通過する電子ビームの形状および断面積を変化させることができる。そして、第2成形スリット7の開口を通過した成形電子ビームは、縮小レンズ8、静電レンズ9、対物レンズ10、位置決め偏向器11、位置決め副偏向器12を介してステージ14上に載置された描画材料13に照射される。制御CPU21は、パターンデータメモリ22からパターンデータを読み出し、データ転送回路20を介してブランカー制御回路15、成形偏向器駆動回路16、静電レンズ駆動回路17,位置決め偏向器駆動回路18へ送る。更に、制御CPU21は、描画材料13のフィールド毎移動のために、ステージ駆動回路19を介して描画材料13が載せられたステージ14を制御する。このように構成された装置の動作を説明すれば、以下の通りである。先ず、矩形状断面の成形電子ビームを用いた基本的な描画動作について説明する。パターンデータメモリ22に格納されたパターンデータは、制御CPU21により逐次読み出され、データ転送回路20に供給される。このデータ転送回路20からのデータに基づき、成形偏向器駆動回路16は成形偏向器5を駆動し、また位置決め偏向器駆動回路18は位置決め偏向器11と位置決め副偏向器12を駆動する。この結果、各パターンデータに基づき、成形偏向器5により電子ビームの断面がデータに基づくパターン形状矩形に成形される。この時、ブランカー制御回路15からのブランキング信号によりブランカー2から電子ビームが1ショットずつ取り出されるため、データに基づくパターン形状に成形された成形ビームが順次描画材料13上にショットされ、所望の形状のパターン描画が行われる。また、位置決め偏向器駆動回路18の偏向範囲内における偏向位置によるフォーカスずれを補正するため、静電レンズ駆動回路17が位置決め偏向器駆動回路18と連動して静電レンズ9を動作させる。更に、描画材料13上の次の領域への描画の際には、制御CPU21からステージ駆動回路19への指令により、ステージ14は所定の距離例えば1フィールド分移動させられる。なお、ステージ14の移動距離は、図示しないレーザー測長器により監視されており、測長器からの測長結果に基づいてステージ14の位置は正確に制御されるようになっている。図1における第1成形スリット4及び第2成形スリット7は、図7に示される円形開口A小,B中,C大を有しており、円形パターン、若しくは円形パターンの集合を描画する場合、先に説明したように、第1成形スリット4を通過した電子ビームを第2成形スリット7の円形開口A,B,Cのいずれかに照射することにより、第2成形スリット7から円形開口A,B又はCの径に応じたサイズの円形の成形ビームが取り出されて順次描画材料13上にショットされる。先に説明した従来技術では、その時、ショットは1回で、そのショット時間照射時間/入射エネルギーを調節することにより、現像後に得られる円形パターンのサイズを調節しているが、本発明では、複数回、例えば2回のショットで1つの円形パターンを描画する。例えば最初に円形開口Aを使用した小径の円形成形ビームがショットされ、次に円形開口Bを使用した中径の円形成形ビームが同じ位置に重ねてショットされる。更に、それぞれのショットの際、ブランカー2によりビーム照射時間ビーム照射量をそれぞれのショットに対してコントロールすることにより、現像後に得られる円形パターンのサイズを精密に調節することが可能になる。図2においてA,Bは、円形開口AとBを通過し、それぞれのサイズ小径、中径に成形された電子ビームをショット時間Tでショットした時の入射エネルギー分布と、ショット時間をT/2としそれぞれの照射量を1/250にして照射した際の入射エネルギー分布を示す図である。Aにおいて、f1は円形開口Aによる小径ビームのショット時間Tの1回のショットでの入射エネルギー分布を、f2はその小径ビームをショット時間T/2でショットした時の入射エネルギー分布を示している。一方、Bにおいて、f3は円形開口Bによる中径ビームのショット時間Tの1回のショットでの入射エネルギー分布を、f4はその中径ビームをショット時間T/2でショットした時の入射エネルギー分布を示している。ここで、円形開口Aによる1/2の入射エネルギー分布f2と、円形開口Bによる1/2の入射エネルギー分布f4とを加算すると、ABにおいてf5で示すような入射エネルギー分布が得られる。このf5の入射エネルギー分布は、円形開口Aによるエネルギー分布f1より小さく、円形開口Bによるエネルギー分布f3よりも大きい強度を有していることがわかる。f5の入射エネルギー分布を同じレジスト解像レベルLで現像すると、得られる円形パターンの直径は、円形開口Aを用いた場合と円形開口Bを用いた場合の中間の値になっていることが分かる。図3は上記入射エネルギー分布f1,f3,f5を、中心を一致させ重ねて描いたものである。f5が分布のダレなどもなくちょうどf1とf3の間に入っていることから、径の異なる円形ビームを同一場所に重ねてショットし2回のショットで円形パターンを得ても、1回のショットで形成する場合f1,f3とレジストに与えるボケなどの特性は変化しないことが分かる。ここで、円形開口Aによる小径ビームを例えばショット時間55T/100でショットし、円形開口Bによる中径ビームもショット時間55T/100で同一場所にショットした場合には、2回のショットによる合成の入射エネルギー分布f5は、図3に比べてf3に近付いたものとなる。逆に、例えばそれぞれのショット時間を45T/100とした場合には、2回のショットによる合成の入射エネルギー分布f5は、図3に比べてf1に近付いたものとなる。従って、2回のショットのショット時間を調節することにより、現像後に得られる円形パターンのサイズを精密に調節することが可能になる。なお、上述の説明では、円形開口Aによる小径ビームと円形開口Bによる中径ビームによる2回のショットを例にとって説明したが、円形開口Bによる中径ビームと円形開口Cによる大径ビームによる2回のショットを組み合わせれば、全く同様に更に大きな径の円形パターンに適用することが出来ることは言うまでもない。また、上述の説明では、2回のショットにおけるショット時間を1:1で等しくした場合を例にとった。しかしながら、本発明はこれに限るものではなく、2回のショットにおけるショット時間を1:1から変化させて合成することもできる。例えば、1ショット目と2ショット目のショット時間比率を4:6と1ショット目を少なめにすることにより、2ショット目へのレジストヒーティングの影響を少なくすることができる。この結果、感度変化を発生させずに本来の感度に極力近い感度で適正なサイズのパターンを得ることができるようになる。図4は本発明の第1の動作を示すフローチャートである。図において、22はパターンデータメモリであり、描画すべき多数のパターンのパターンデータが所定のフォーマットで格納されている。データ転送回路20は、円形パターンのサイズと、そのショットサイズに応じて第2成形スリットで使用する円形開口の種類A,B,C,AB,BCとショット時間照射量を記憶したメモリ20aを備え、制御CPU21により1つずつ読み出されたデータを元に、以下に示すような動作を行なう。なお、このフローチャートは、円形パターンのパターンデータが読み出された場合について説明するものである。データ転送回路20は、制御CPU21からの指令に基づきパターンデータメモリ22から副偏向位置の範囲毎に円形パターンの描画データを読み出すS1。次に、この描画データの円形パターンのサイズに基づいてメモリ20aから円形パターンのサイズに対応した第2成形スリットで使用する円形開口の種類と電子ビームのショット時間を読み出すS2。メモリ20aには、この描画装置で描画可能な円形パターンの直径サイズがDoからD5の範囲である場合、図5に示すように、DoからD5の範囲を円形開口A,B,Cをそれぞれ単独で使用して描画する3つの範囲RaDo≦Ra<D1,RbD2≦Rb<D3,RcD4≦Rc≦D5に、範囲RaとRbの間で円形開口A,Bを使用する範囲RabD1≦Ra<D2と、範囲RbとRcの間で円形開口B,Cを使用する範囲RbcD3≦Ra<D4とを加えた5つの範囲に分け、各領域毎に、図5においてFa,Fab,Fb,Fbc,Fcで表される直径とショット時間ビーム照射量の関係曲線を示すテーブルあるいは近似式が記憶されている。そして、読み出された円形パターンのサイズが、範囲Ra,Rb又はRcにあった場合、S3,S4又はS5に移り、メモリ20aから読み出された円形開口A,B又はCとショット時間の情報に基づき、いずれかの円形開口を使用して形成した円形ビームを用い、読み出されたショット時間でショットを行い、読み出されたサイズの円形パターンを描画する。読み出された円形パターンのサイズが、範囲Rabにあった場合、S6に移り、メモリ20aから読み出された円形開口ABとショット時間の情報に基づき、円形開口Aを使用して形成した円形ビームと、円形開口Bを使用して形成した円形ビームを順次同じ位置に照射する。その際の各円形ビームのショット時間は、前述した1:1のケースでは、メモリ20aから読み出されたショット時間の1/2ずつとなる。読み出された円形パターンのサイズが、範囲Rbcにあった場合、S7に移り、メモリ20aから読み出された円形開口BCとショット時間の情報に基づき、円形開口Bを使用して形成した円形ビームと、円形開口Cを使用して形成した円形ビームを順次同じ位置に照射する。その際の各円形ビームのショット時間は、同様にメモリ20aから読み出されたショット時間の1/2ずつとなる。そして、S8において位置決め副偏向範囲の円形パターンの描画がすべて完了したかどうかチェックが行われ、未完了であれば、S2へ戻って次の円形パターンの描画が完了まで行われる。位置決め副偏向範囲の描画が完了した場合には、位置決め偏向器11で次の位置決め副偏向範囲に移動S9し、すべての位置決め副偏向範囲の円形パターン描画が完了するまで、S1に戻って次々と円形パターンの描画が行われる。図6は副偏向範囲の露光の説明図である。図6において、30~33は副偏向範囲である。この副偏向範囲は、位置決め副偏向器12で一度に露光できる範囲である。先ず、位置決め偏向器11で偏向開始ポイントをAの位置にもってくる。そして、位置決め副偏向器12による最初のショットa11が副偏向範囲にショットされる。それ以降、ショットa12~a55まで、次々とショットが行われ、このようなショットを副偏向範囲30内で繰り返す。そして、この副偏向領域の露光がショットa55で完了すると、今度は位置決め偏向器11で次の副偏向範囲31の開始位置Bに偏向させる。このような描画を繰り返して、その都度位置決め偏向範囲の描画が完了したかどうかチェックするS10。完了していない場合は、ステップS1に戻り次の位置決め偏向範囲毎に繰り返し描画が行なわれる。完了した場合には、制御CPU21がステージ駆動回路19を制御してステージ14を次の位置決め偏向器範囲へ移動するS11。この実施例によれば、メモリ20aに、円形パターンのサイズと、そのショットサイズに応じて第2成形スリットで使用する円形開口の種類A,B,C,AB,BCとショット時間照射量を記憶させたため、描画すべき円形パターンの直径サイズに応じて、使用する円形開口の種類と、ショット時間をメモリ20aから読み出して円形パターンをショットすることにより、所望のサイズの円形パターンを描画することができる。なお、上記例では、メモリ20aに、描画すべき円形パターンの直径サイズに応じて、使用する円形開口の種類と、ショット時間を記憶させたが、あらかじめ、ショット分割の際に、円形ショットの場合には、直径サイズに応じて、使用する円形開口の種類と、ショット時間を表すデータを円形ショットの描画データとして付加してパターンデータメモリに記憶させるようにしても良い。このようにすれば、図4におけるメモリ20aが不要となり、パターンデータメモリ22からショットデータを読み出すと、円形ショットの場合には、直径サイズに応じた、使用する円形開口の種類と、ショット時間を表すデータが一緒に読み出され、そのデータに基づいて、S3~S7に移って所望の円形パターンをショットすることができる。上述の実施例では、荷電粒子ビームとして電子ビームを用いた場合を例にとったが、本発明はこれに限るものではなく、各種のイオンビームを用いる場合にも同様に適用することができる。以上詳細に説明したように、本発明によれば第2のアパーチャの直径の異なる複数の円形開口を用いて形成した円形ビームを照射量調節して描画材料上の同じ位置に重ねて描画することにより、広いサイズ範囲の所望の円形パターンを描画することができる。"