"第1の整流素子、第1の自己消弧形スイッチング素子および電流検出器を直列に接続した第1の直列回路と、第2の整流素子および第2の自己消弧形スイッチング素子を直列に接続した第2の直列回路と、これら直列回路を並列に接続した並列回路にさらに並列に接続したコンデンサと、前記第1の直列回路の整流素子と自己消弧形スイッチング素子とを接続した第1の接続点にその一端が接続される第1のリアクトルと、前記第2の直列回路の整流素子と自己消弧形スイッチング素子とを接続した第2の接続点にその一端が接続される第2のリアクトルとを具備し、前記第1および第2のリアクトルのそれぞれの他端間に交流電圧を印加する一方、前記コンデンサの両端から直流電圧を取り出すことを特徴とする交流―直流電力変換装置。第1の整流素子および第1の自己消弧形スイッチング素子を直列に接続した第1の直列回路と、第2の整流素子、第2の自己消弧形スイッチング素子および電流検出器を直列に接続した第2の直列回路と、これら直列回路を並列に接続した並列回路にさらに並列に接続したコンデンサと、前記第1の直列回路の整流素子と自己消弧形スイッチング素子とを接続した第1の接続点にその一端が接続される第1のリアクトルと、前記第2の直列回路の整流素子と自己消弧形スイッチング素子とを接続した第2の接続点にその一端が接続される第2のリアクトルとを具備し、前記第1および第2のリアクトルのそれぞれの他端間に交流電圧を印加する一方、前記コンデンサの両端から直流電圧を取り出すことを特徴とする交流―直流電力変換装置。前記電流検出器は抵抗素子であることを特徴とする請求項1または2に記載の交流―直流電力変換装置。しかしながら、前述した特許文献2に開示される電源回路は、例えば入力電圧が正の場合、上述した経路に流れる電流は、ダイオード9負極性の場合はダイオード8に全て流れる。このためダイオード8,9における電力損失が大きくなる。すなわち数mΩ~数10mΩ程度のシャント抵抗における電力損失抵抗×電流の2乗よりもダイオード電流×順電圧降下における電力損失のほうが大きい。この大きな電力損失に耐えるためにはダイオード8,9の電流容量を大きくする必要があり、それゆれ電力変換装置が高コスト化し、また装置全体の変換効率が低下するという新たな問題が発生する。また、一般的にMOSFETなどのスイッチング素子にはボディダイオードが内蔵されている。このため特許文献2図6の構成にすると、スイッチング部とダイオードの2回路図6に図示した破線の箇所を1つのパッケージとして集積しなければならない。すると前述したようにダイオード部における電力損失が大きくなり、またパッケージ全体の温度も上昇する。このため、スイッチング部の損失も増加してしまうという新たな問題が生ずる。本発明は、このような課題を解決するべくなされたもので電流検出に係る電力損失を低減するとともに、電源装置の小型化、低コスト化を実現する交流―直流電力変換装置を提供することを目的とする。上述した目的を達成するべく本発明に係る交流―直流電力変換装置は、第1の整流素子、第1の自己消弧形スイッチング素子および電流検出器を直列に接続した第1の直列回路と、第2の整流素子および第2の自己消弧形スイッチング素を直列に接続した第2の直列回路と、これら直列回路を並列に接続した並列回路にさらに並列に接続したコンデンサと、前記第1の直列回路の整流素子と自己消弧形スイッチング素子とを接続した第1の接続点にその一端が接続される第1のリアクトルと、前記第2の直列回路の整流素子と自己消弧形スイッチング素子とを接続した第2の接続点にその一端が接続される第2のリアクトルとを具備し、前記第1および第2のリアクトルのそれぞれの他端間に交流電圧を印加する一方、前記コンデンサの両端から直流電圧を取り出すことを特徴としている。また、好ましくは前記電流検出器は抵抗素子であることが望ましい。したがって、上述した電力変換装置は、1つのシャント抵抗で電源回路に流れる電流を検出することができる。すなわち本発明の交流―直流電力変換装置は、従来2個必要だったシャント抵抗を1個に削減することができるので部品点数を削減でき装置の小形化、低コスト化が図れるだけでなく、シャント抵抗に生ずる電力損失も削減させることが可能になるという優れた効果を奏し得る。以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照しながら説明する。なお、図1~図4は本発明の実施形態の一例を示すものあって、図中、図5と同一の符号を付した部分は同一物を表わし、基本的な構成はこれら図5に示す従来のものと同様である。さて、この実施例1が特徴とするところは、一つの電流検出器だけで回路に流れる電流を検出可能としたことで交流―直流電力変換装置の小型化、高効率化を図った点にある。このような特徴ある本発明の実施例1に係る交流―直流電力変換装置について詳細に説明する。図1において1aおよび2aは、それぞれ第1および第2の自己消弧形スイッチング素子のMOSEFTである。また、3および4は、それぞれ第1および第2の整流素子のダイオードである。MOSFET1のドレインにはダイオード3のアノードが接続され、MOSFET1のソースには、電流検出器である抵抗素子シャント抵抗10の一端が接続されて第1の直列回路を構成する。またMOSFET2のドレインには、ダイオード4のアノードが接続されて第2の直列回路を構成する。なお、MOSFET1a,2aには、ボディダイオード1b,2bがそれぞれのドレイン―ソース間に接続された構成をとる。そしてこれら第1および第2の直列回路は、並列に接続される。具体的にはダイオード3,4のそれぞれカソードが直流正極性の直流ラインPに接続され、シャント抵抗10の他端とMOSFET2aのソースが直流負極性の直流ラインNに接続される。そして、直流ラインP,N間には直流平滑用のコンデンサ7が接続される。また第1の直列回路のダイオード3とMOSFET1aの接続点および第2の直列回路のダイオード4とMOSFET2aの接続点には、それぞれリアクトル5a,5bの一端が接続される。そしてこれらのリアクトル5a,5bの他端には交流電源6が接続される。このように構成された本発明の交流―直流電力変換装置は、シャント抵抗10によって検出された電圧値に変換された電流値が後述する電流検出回路図1には図示せずに与えられる。そして、この電流検出回路によって検出された電流値が、図示しないゲート制御部に与えられてMOSFET1a,2aがスイッチング制御される。図2は電流検出回路の一例を示すブロック図である。この図において20は電圧検出回路、21はサンプルホールド部、22は制御部ゲート駆動部である。前述したシャント抵抗10に流れる双方向の電流は、電圧検出回路20によって検出される。この電圧検出回路20は、例えば一般的な差動増幅回路やシャント抵抗用のアンプICを用いて構成すればよい。なお、後段の制御部22をマイコンで構成した場合、マイコンが備えるアナログ入力端子A/D変換入力には、負電圧を入力することができない。このためサンプルホールド部21の出力信号にオフセット電圧を重畳して負電圧がマイコンに入力されないようにするか電圧検出回路20を構成する前記アンプICの外部レファレンス機能を利用してもよい、あるいは全波整流回路により正極性の電圧に変換する。前述したように入力電圧が正の場合、シャント抵抗に流れる電流はパルス状の波形となるので、MOSFET1aのオン期間に同期してサンプルホールド部21が電圧検出回路20から出力される検出値をサンプルホールドする。MOSFET1aのオンオフタイミングに同期してサンプルホールドする技術は公知であるので説明を省略する。また、特にマイコンなどで制御を行う場合A/D変換が必要なことから、サンプル→A/D変換→制御演算→結果出力という動作をもともと行っているため、サンプルタイミングをMOSFET1aのゲート制御信号に同期させれば良い。この場合、マイコン内蔵のA/Dコンバータのサンプルホールド機能を利用できることはいうまでもない。次に図3は上述した交流―直流電力変換装置に入力される交流電圧および交流電流の波形の一例を示す図である。MOSFET1aから直流ラインNに流れる電流を正とすると、入力される交流電圧が正の場合、MOSFET1aがオンしているとき、制御部のスイッチングによってMOSFET1aがスイッチングされ、パルス状の電流正方向が流れる。一方、入力される交流電圧が負の場合は交流電源6に帰還する電流負方向が全て流れる。なお、交流入力電圧が負の期間にはMOSFET1aを常時オンとするいわゆる同期整流動作とすることで、その電流はMOSFET1aに流れる。この電流は、ボディダイオード1bとMOSEFT1aの分流になるが、一般的にボディダイオード1bの順電圧降下よりもMOSFET1aのオン抵抗における電圧降下のほうが低い。このため、オン抵抗側にほぼ流れる。かくして本発明の交流―直流電力変換装置は、特許文献2に記載される電源回路よりもスイッチング素子MOSFETにおける電力損失を低減することができる。また本発明の交流―直流電力変換装置は、電流検出器と検出回路を上述したように構成することで、シャント抵抗を従来の2個から1個に部品点数を削減することができる。これにより、装置を小形化、低コスト化することが可能となる。次に本発明の交流―直流電力変換装置に係る実施例2の形態について図4を参照しながら説明する。実施例2が上述した実施例1と異なるところは、電流検出器であるシャント抵抗を第2の直列回路に挿入した点にある。すなわち、MOSFET1aのドレインにはダイオード3のアノードが接続されて第1の直列回路を構成する。またMOSFET2aのドレインには、ダイオード4のアノードが接続されてMOSFET2aのソースには、電流検出器である抵抗素子シャント抵抗11の一端が接続されて第2の直列回路を構成する。なお、MOSFET1a,2aには、ボディダイオード1b,2bがそれぞれのドレイン―ソース間に接続された構成をとる。このように構成された実施例2の交流―直流電力変換装置にあっても、上述した実施例1の電力変換装置との回路の対称性から、シャント抵抗11には、交流入力電圧が負の場合にはMOSFET2aがオンしているときのパルス状の電流正方向が流れ、交流入力電流が正の場合は交流電源6に帰還する電流負方向が全て流れる。また、電流検出回路は実施例1と同様でよい。したがって、その説明は省略する。かくして本発明の交流―直流電力変換装置は、シャント抵抗を従来の2個から1個に部品点数を削減することができ、装置を小形化、低コスト化することができるとともに装置の変換効率を高めることができる等の実用上多大なる効果を奏する。"