光源が第1の波長の光を放射する照明デバイス内で使用するための光学的変換層であって、580~700nmの範囲内の中央放射波長CWLを有する半導体ナノ粒子のうちの少なくとも1種を備える変換層において、450nmで007と2の間の光学濃度ODを有し、455nmでの吸収と560~700nmの範囲内の吸収の最大値との吸収比ARが351より大きく、前記第1の波長の前記光の少なくとも一部を前記第1の波長よりも長い第2の波長の光に変換するために使用され得ることを特徴とする、変換層。前記ナノ粒子がシード型ナノ粒子SNPである、請求項1に記載の変換層。前記シード型ナノ粒子がナノロッドシード型粒子RSNPである、請求項2に記載の変換層。前記ARが71より大きい、請求項1に記載の変換層。455nmでの吸収と520~580nmの波長範囲内の吸収の最大値との間のARが61より大きいことをさらに特徴とする、請求項1に記載の変換層。約5nmより小さいフォトルミネセンスPL偏移を有し、前記PL偏移が、トルエン中でOD70を有する白色光を提供する、請求項40に記載の照明デバイス。前記光源が少なくとも1つの発光ダイオードであり、前記変換層が前記照明デバイスの光出力を増大し、CCT80を有する白色光を提供する、請求項40に記載の照明デバイス。a第1の波長の光源光を放射する光源と、b520~580nmの範囲内の中央放射波長を有する半導体ナノ粒子のうちの少なくとも1種を備える変換層であって、405nmで005と2の間の光学濃度を有し、405nmでの吸収と520~600nmの範囲内の吸収の最大値との吸収比が351より大きく、前記第1の波長の前記光の少なくとも一部を前記第1の波長よりも長い第2の波長の光に変換するために使用されることを特徴とする変換層とを備える、照明デバイス。前記ナノ粒子がシード型ナノ粒子である、請求項45に記載の照明デバイス。前記シード型ナノ粒子がナノロッドシード型粒子である、請求項46に記載の照明デバイス。前記光源が少なくとも1つの発光ダイオードLEDであり、前記変換層が前記照明デバイスの光出力を増大し、CCT70を有する白色光を提供する、請求項45に記載の照明デバイス。前記光源が少なくとも1つの発光ダイオードLEDであり、前記変換層が前記照明デバイスの光出力を増大し、CCT80を有する白色光を提供する、請求項45に記載の照明デバイス。第1の波長の光源光を放射する光源と、520~700nmの範囲内のそれぞれ異なる中央放射波長を有する半導体ナノ粒子のうちの少なくとも2つの異なる種を備える変換層であって、455nmで007と25の間の光学濃度を有し、405nmでの吸収と520~700nmの範囲内の吸収の最大値との吸収比が31より大きく、前記第1の波長の前記光の少なくとも一部を前記第1の波長よりも長い他の波長の光に変換するために使用されることを特徴とする変換層とを備える、照明デバイス。前記ナノ粒子がシード型ナノ粒子である、請求項50に記載の照明デバイス。前記シード型ナノ粒子がナノロッドシード型粒子である、請求項51に記載の照明デバイス。前記光源が少なくとも1つの発光ダイオードであり、前記変換層が前記照明デバイスの光出力を増大し、CCT70を有する白色光を提供する、請求項50に記載の照明デバイス。前記光源が少なくとも1つの発光ダイオードであり、前記変換層が前記照明デバイスの光出力を増大し、CCT80を有する白色光を提供する、請求項50に記載の照明デバイス。上記のQD変換層の多くの欠陥に鑑みて、そのような欠陥のない変換層が必要とされ、そうした変換層を有することは有利であろう。具体的には、同じ色および異なる色の両方の再吸収、クラスタリングおよび高い充填効果ならびにFRETを無視できるナノ粒子ベースの薄い変換層が必要とされ、そうした変換層を有することは有利であろう。定義用語コア材料は、コアが作られる半導体材料のことを言う。材料は、IIVI、IIIV、IVVI、またはIIIIVI2半導体またはそれらの組合せであってよい。例えば、シードコア材料は、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、GaAs、GaP、GaAs、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、AlSb、Cu2S、Cu2Se、CuInS2、CuInSe2、Cu2S4、Cu2S4、それらの合金およびそれらの混合物から選択することができる。用語シェル材料は、非球状の細長いシェルのそれぞれが作られる半導体材料のことを言う。材料は、IIVI、IIIVIVVI、またはIIIIVI2半導体またはそれらの組合せであってよい。例えば、シェル材料は、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、GaAs、GaP、GaAs、GaSb、GaN、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、AlSb、Cu2S、Cu2Se、CuInS2、CuInSe2、Cu2S4、Cu2S4、それらの合金およびそれらの混合物から選択することができる。用語ホストマトリックスは、SNPまたは他の好適なナノ粒子を組み込む材料のことを言う。ホストマトリックスは、ポリマー、エポキシ、シリコーン、ガラスまたはシリコーンとエポキシのハイブリッドであってよい。ポリマーの具体的な例としては、フッ素化ポリマー、ポリアクリルアミドポリマー、ポリアクリル酸ポリマー、ポリアクリロニトリルポリマー、ポリアニリンポリマー、ポリベンゾフェノンポリマー、ポリポリマー、シリコーンポリマー、アルミニウムポリマー、ポリビスフェノールポリマー、ポリブタジエンポリマー、ポリジメチルシロキサンポリマー、ポリエチレンポリマー、ポリイソブチレンポリマー、ポリプロピレンポリマー、ポリスチレンポリマーおよびポリビニルポリマー、ポリビニルブチラールポリマーまたはパーフルオロシクロブチルポリマーが挙げられる。用語リガンドは、ナノ粒子の外面コーティングのことを言う。コーティングは、SNPを不動態化し、凝塊または凝集を防止し、ナノ粒子間のファンデルワールス結合力に打ち勝つ。通常使用されるリガンドは、ホスフィンおよびトリオクチルホスフィン酸化物、トリオクチルホスフィン、トリブチルホスフィンなどホスフィン酸化物、ドデシルホスホン酸、トリデシルホスホン酸、オクタデシルホスホン酸またはヘキシルホスホン酸などのホスホン酸、ドデシルアミン、テトラデシルアミン、ヘキサデシルアミンまたはオクタデシルアミンなどのアミン、ヘキサデカンチオールまたはヘキサンチオールなどのチオール、メルカプトプロピオン酸またはメルカプトウンデカン酸などのメルカプトカルボン酸およびミリスチン酸またはパルミチン酸などのその他の酸である。本発明の実施形態は、光学的な変換層にその独特の光学特性をもたらす必要な特性を有する、少なくとも1つのSNP種およびまたは他のナノ粒子を組み込む、光学的な変換層または単に層を開示する。本発明の実施形態にしたがう1つのそのような層は、今後SNP変換層または単にSNP層と呼ばれる。SNP層の部分を表すSNPサブレイヤ、および複数のSNP層を有する構造を表すSNPマルチレイヤも、今後言及されることになる。同様の用語が、RSNPベースの層に関して、SNPをRSNPで置き換えて使用されることになる。明確化のため、今後本記載では、層は変換層と等価である。本発明の実施形態は、光を変換するためのSNP変換層の応用例、具体的には、異なる色の光を作るため、短波長からVISNIRレンジのより長い波長へ、LEDの単色放射を変換する応用例をさらに開示する。具体的には、本発明のSNP層は、1つまたは複数のLEDとともに使用され、高エネルギー効率および高CRI演色評価指数および所望のCCT相関色温度など良好な光学特性を有する白色光デバイスを提供することができる。他の照明の応用例において、SNP層は、大きな色域カバレージ、または特定の色帯域など、必要で有利なスペクトル出力を提供することができる。一実施形態において、SNP層は、本質的に単色で放射する、1つの種類種のSNPを含むことができる。別の実施形態において、SNP層は、様々な色で放射する、複数の種類のSNPの混合物を含むことができる。いくつかの実施形態において、SNP層は、リガンドを有する場合もリガンドを有さない場合もある、ホストマトリックスに組み込まれるSNPを備えることができる。SNP層構造は、いくつかのサブレイヤを含むことができ、サブレイヤのそれぞれは、SNPの混合物を含むことができ、またはサブレイヤのそれぞれは、異なる種類のSNPを含むことができる。いくつかの実施形態において、SNP層の厚さは、200μm以下でありうる。いくつかの実施形態において、SNP層の厚さは、50μm以下でありうる。いくつかの実施形態において、SNP層の厚さは、2μm以下でありうる。他の実施形態において、SNP層は、約50nmと1000nmの間の範囲の厚さを有することができる。いくつかの実施形態において、SNP層は、ポリマーマトリックス、エポキシまたは樹脂の中に、高い充填率を有するSNPを含むことができる。いくつかの実施形態において、高い充填率は、最大40であってよい。いくつかの実施形態において、高い充填率は、最大80であってよい。いくつかの実施形態において、高い充填率は、最大100であってよい。本明細書に開示の実施形態にしたがうSNP変換層は、QD変換層において知られておらず、以前に見出されていない、機能性および有利な性質を提供する。本明細書に開示の実施形態にしたがうSNP変換層は、以下を含む。無視できる再吸収同じ色および異なる色の両方。SNP変換層内の再吸収は、赤色吸収が低いので、QD変換層における再吸収と比較して著しく減少する。一般に、再吸収は、エネルギーの損失をもたらす。例えば、典型的な08のQYを仮定する。単一の再吸収イベントにおいて、QYは、08x08064に減少する。2回のそのようなイベントにおいて、QYは、083051にさらに減少する。この損失は、SNP変換層においては避けられる。したがって、効率が改善される。再吸収は赤方偏移ももたらし、赤方偏移もそのようなSNP変換層において避けられる。無視できる再吸収の態様は、1つの色自体例えば、赤からより赤い色にのみ存在するのではなく、緑色放射SNPまたは蛍光体にも存在する。すなわち、QD変換層では、赤色QDが緑色放射を再吸収し、効率の減少および色偏移をもたらすこととなる。SNP変換層では、この再吸収が最小化される。同一の色および異なる色両方の再吸収を避ける機能は、密度が高いか低いかに関わらず、SNP層の独特の特徴である。青色励起から赤色放射への、エネルギーの非常に効率的な集中。SNP変換層は、スペクトル的な意味で、本質的に光学的アンテナの役割を果たす。SNP変換層は、青色および強い赤色フォトルミネセンスPLで非常に高い吸収を有し、最小の赤色再吸収を伴うので、SNP変換層は、通常のQD変換層よりもこの役割をはるかに効率的に行う。上記項を参照されたい。FRET回避または最小化。通常のQD変換層では、FRETの典型的な長さの規模は、約10nmであり、1R6の依存性を有し、ここで、Rは2つのQD粒子間の距離である。例えば、初期放射QYが08である場合、QYは、単一のFRETプロセス後に064に減少する。FRETは赤方偏移ももたらすが、赤方偏移はSNP層では避けられる。密度が高いSNP変換層SNP間の距離が短く、例えば0~50nmは、その独特の特性のため、密度が高いQD層で通例遭遇されるFRETに関連する、損失および欠陥を避けることになる。例示的には、本発明の変換層内でSNPに適用される密度が高いとは、ホストマトリックス中に分散された、約85のSNPおよび約15のリガンドを含みうる。一実施形態において、SNP層はLEDなどの光学デバイス上にコーティングされ、その放射スペクトルを改善しうる。別の実施形態において、別個のSNP層が、同じ目的のため、1つまたは複数のLEDにより放射される光の光路内に配置されてよい。さらに別の実施形態において、複数の異なるSNP変換サブレイヤを備える、層状SNP構造が、LED上にコーティングされてよい。さらに別の実施形態において、層状SNP構造が、LEDによって放射される光の光路内に配置されてよい。いくつかの実施形態において、SNP層は、LEDからカップリング層によって離間されて良く、カップリング層は、空気間隙、短波長UV、青色通過フィルタ、長波長例えば、緑色または赤色反射フィルタなどの光学フィルタ、または反射によるエネルギー損失を最小化する屈折率整合層であってよい。LEDとSNP層との間の間隔を使用して、例えば、LEDからSNP層への熱の流れに起因する加熱を最小化することができる。LEDとSNP変換層または層状構造の組合せは、照明デバイスすなわち、家庭用ライト、看板用ライト、車両用ライト、携帯用ライト、バックライトまたは任意の他のライトで使用することができる。いくつかの実施形態において、照明デバイスは、レンズ、導波路、散乱体、反射素子、屈折素子または回折素子などの光学素子をさらに備えることができる。光学素子は、SNP層と光源との間または光路内のSNP層の前、または層の側面に配置することができる例えば、散乱光を使用する反射素子。いくつかの実施形態において、照明デバイスは、LEDおよび1つまたは複数のSNP層に加えて、上のリストからの2つ以上の光学素子の組合せを含むことができる。本発明の非限定的な実施形態が、添付の図面を参照して、例としてのみ本明細書において記載される。SNP層、LED光を調節するために使用されるSNP層およびそうした層を含む照明デバイスの実施形態が、ここでより詳細に記載される。具体的には、そのような層の有利な性質および特徴が、図2~4を参照して、次に記載される。以下に述べる様々なSNP層は、以下の実施例に詳述される手順を使用して調製することができる。ここで、図2A、図2Bへの参照をすると、図2A、図2Bは、既知の従来型のCdSeZnSコアシェルQD層、および本発明の実施形態にしたがう2つの種類のRSNP層、すなわち緑色放射RSNP層およびオレンジ色放射RSNP層、の吸収と放射との比較を示す。この比較は、450nmの励起波長で一致させた吸収を有するQD層対SNP層の、吸収と正規化された放射との間のものである。緑色RSNP層は、4x27nmの寸法を有するCdSeCdSコアシェルRSNPを含み、540nmの中心波長またはピーク波長において、29nmの半値全幅を有して放射した。オレンジ色RSNP層は、5x40nmの寸法を有するCdSeCdSRSNP、600nmにおけるCWLおよび28nmのFWHMを含んだ。オレンジ色放射層および緑色放射層の両方は、同様のやり方で調製され、両方とも、42mmの直径を備える190μm厚であった。QDおよびRSNPナノ粒子の両方のPL量子収量は、同様であり、50程度であった。これは典型的な値である。他の調製されたサンプルにおいて、QYは、5~100、非常にしばしば20~90の間、さらに非常にしばしば50~80の間の範囲であった。吸収は、相対的光学濃度単位で測定され、ここで示されるスケールは、便宜上01の範囲に正規化される。重要なことに、図2Aにおける緑色発光層に関し、放射波長範囲例えば、520~550nm内のQD層のODは、RSNP層のODよりも10倍064対0065高い。図2Bにおけるオレンジ色放射層に関するOD差は、さらに高い0575対0037、約15倍。他の例図示せずにおいて、QD層の放射範囲内のODは、RSNP層の放射範囲内のODより3~30倍高いことが見出された。したがって、自己吸収に起因する損失は、QD層の場合に著しく、RSNP層の場合に無視できる。この性質は、本発明の様々なSNP層で密度が高いか否かに関わらず使用され、量子ドットに基づく既存の層よりはるかに優れた製品を提供する。本発明者らは、本発明のSNP層が、青色励起から赤色放射へのエネルギーの、非常に効率的な集中の特徴を有することをさらに確認した。SNP層は、スペクトル的な意味で、本質的に光学的アンテナの役割を果たす。SNP層は、青色および強い赤色PLで非常に高い吸収を有し、最小の赤色再吸収を伴うので、SNP層は、通常のQD層よりもこの役割をはるかに効率的に行う。図3を参照されたい。図3は、下記の実施例1に記載されるように調製された3種類のRSNP層の正規化された吸収曲線を示し、それぞれの場合で、異なる全体寸法およびほぼ同様の放射スペクトルを有する、赤色放射RSNPを備えており、曲線300は、622nm放射を有する58x16nmRSNPに関し、曲線302は、625nm放射を有する45x45nmRSNPに関し、曲線304は、628nm放射を有する45x95nmRSNPに関するものである。これらの曲線は、異なる変換層における集中効果を例示する。吸収曲線は、455nmにおいて、OD1に正規化される。455nmにおける吸収と各放射波長における吸収との吸収比は、長さ16、45および95nmのRSNPを有するSNP層に関し、それぞれ15、112および123である。このことは、集中がより長いRSNPを備える層に関しより効率的であり、吸収比がRSNP長を変えることにより調整可能であることを示す。ロッド形状でないSNPに関して、シェル対コア直径比を増加することにより、同様の調整を達成することができることに留意されたい。この調整可能性は、SNP層で非常に有用である。というのは、調整可能性によってSNP層が効率的なスペクトルアンテナの役割を果たし、青色光を光源および応用例で所望の赤色光に変換することが可能になるからである。SNP層のこの特殊な特性から得られる追加のパラメータは、SNP層の特殊な特性によって、可視スペクトルの異なるスペクトル領域間の光を効率的に平衡させ、必要な特性を有する光を得ることができることである。本発明者らは、密度の高いSNPを有する層が、密度の高いQDを有する層よりも著しく小さなFRET損失を有することを、さらに確認した。図4は、QDおよびRSNPの密度の高い変換層におけるFRET効果を概略的に例示する。図4Aは、QD変換層の場合に、いくつかのQDがドナーの役割を果たし、いくつかがアクセプタの役割を果たし、ドナーとアクセプタの間の典型的な距離が矢印430で表される様子を示す。そのような典型的なQD変換層において、より小さなQDがより大きいQDに対しドナーの役割を果たし、より大きいQDがアクセプタの役割を果たす。典型的な中心間距離は、約10nmのFRET距離の程度であり、このため、FRETがそのような密度の高いQD変換層内で効率的である。図4Bは、SNP層の場合に、特殊な幾何形状によって、他のRSNP450と、それと比較してわずかに青い色を放射するRSNP440との間で、平均して大きな距離をもたらす様子を示す。この場合の典型的なコア間距離は、RSNP長のおよそ半分であり、FRET距離を超えるように設計され、FRETプロセスの可能性が著しく減少することをもたらす。繰り返すと、既知のQDは、そのような大きい距離を実現せず、その結果、密度の高い層配置において、QDのFRET損失は固有のものであり、変換効率の減少をもたらす。加えて、密度の高いQD変換層において、FRETプロセスは、放射の赤方偏移をもたらす。対照的に、本明細書において開示されるSNP層において、放射は調整された所望の波長に維持され、必要な色およびより高いエネルギー効率を実現する。再び強調すると、本発明のSNP層の光学特性は、少ない再吸収ならびに小さなエネルギー移動損失および小さな光の色変化に起因する、既存のQD変換層を超える著しい利点を提供する。再吸収を最小化する能力は、より高い吸収SNPのより長い光路およびまたはより高い濃度によるが使用され得ることを意味する。結果として、青色光またはUVLED光の著しい吸収を達成することができ、本明細書において開示されるSNP変換層のスペクトルアンテナ特性によって例示される、より高い効率のデバイスが可能となる。既知のQD変換層において、上に記載のように、QD材料のクラスタの形成が、FRETを介してエネルギー損失をもたらす可能性がある。低い充填でさえクラスタリングは起こる場合があり、一方密度が高くない状態で高い充填が起こる場合がある後者は極端に高い充填と相関する。QDはクラスタ内で密度が高いので、隣り合うQD間の距離が小さく、エネルギー移動プロセスが著しくなる可能性がある。これらのことにより、デバイスの放射出力および効率を減少させることになり、光の色出力にも影響をおよぼすことになる。変換層内のSNPクラスタリングは、エネルギー移動損失をもたらさず、したがって効率の損失または光の色出力の変化が避けられる。したがって、SNPに基づくデバイスは、クラスタが形成される場合であっても、機能することになる。このことにより、より薄い層の使用が可能となる。光変換のための既知のQD材料は、FRETによるものなどの機構による損失を避けるため、低充填率でホスト材料マトリックス内に埋め込まれる。結果として、QD変換層は厚くなければならないが典型的には、ほとんどの場合、100μmより厚い、それでも変換のため青色光の効果的な吸収を達成するための十分な量の材料を含み、それにより、本質的に再吸収損失をもたらす。加えて、厚い層のため、製造方法は正確さが減少し、より資源を消費する。著しく対照的に、高充填率SNP層は、非常に薄く作ることができる。例えば、薄いSNP層は、スピンコーティング堆積技法を使用して製造することができ、層が、それぞれ510nm厚および230nm厚である実施例4および実施例5を参照されたい。一般に、本発明のSNPRSNP変換層について、吸収および放射を制御して、調整された色および光学特性、出力および効率を提供することができる。密度の高い、高充填の薄いSNP層は、数ミリメートルから数センチメートルおよびさらに長い、大きな長さのスケールにわたって優れた均一性で作ることができるという追加の利点を有する。高充填率SNP層は、ポリマー、エポキシまたは樹脂マトリックスを使用して、または単に密集したSNPの層を有することにより調製することができる。ポリマーまたは添加剤は、酸化または光分解を防止するため、光学的に活性なナノ粒子をカプセル化するためなど、追加の目的の役割を果たし、照明デバイス内に機械的に簡単に組み込むための媒体の役割および層の屈折率および表面粗さに起因する、層からの光抽出も増大させることができる媒体の役割を果たすことができる。ホスト材料マトリックスは、層内の散乱を増大させることができる、SiO2、Al、BaSO4またはTiO2などの拡散性粒子のためのマトリックスの役割も果たすことができる。充填率を使用して、SNP層の屈折率を制御することができる。低充填率の層は、15ほどの低さおよびさらに低い屈折率を有する場合があり、一方高充填率の層は、18およびさらに高い屈折率を有する場合がある。典型的には、13~15の屈折率を有するポリマーに関し、屈折率は、約15の充填率まで変化しない。典型的には、リガンドでは、屈折率は18以上であってよい。表1表3は、本発明にしたがい作られた、SNPRSNP変換層の様々な例示的な実施形態を要約する。有利な物理パラメータおよび光学的性能を有する変換層の他の実施形態が可能であり、本明細書において開示される教示にしたがって作ることができる。したがって、これらの例示的な実施形態は、いずれにしても、本発明を限定するものと考えるべきではない。表1内のマーキング:AR赤色は、455nmにおける吸収と580~700nmの間の波長範囲での最大の吸収との比である。すなわち、AR赤色AR緑色は、455nmにおける吸収と520~580nmの間の波長範囲での最大の吸収との比である。すなわち、AR緑色ODは、455nmで測定された。PL赤方偏移は、低ODにおいてトルエン中で測定されたCWLと、サンプル用に測定されたCWLの間の、ナノメートル単位の差である。リガンドは、定義中に与えられたリストから選択することができる。ポリマーは、定義中に与えられたリストから選択することができる。好適な光学特性および機械特性を有するシリコーンは、様々な民間の供給業者から選択することができる。表2内のマーキング:AR緑色は、455nmにおける吸収と520~580nmの間の波長範囲での最大の吸収との比である。すなわち、AR緑色ODは、405nmで測定された。PL赤方偏移は、低ODにおいてトルエン中で測定されたCWLと、サンプル用に測定されたCWLの間の、ナノメートル単位の差である。リガンドは、定義中に与えられたリストから選択することができる。ポリマーは、定義中に与えられたリストから選択することができる。好適な光学特性および機械特性を有するシリコーンは、様々な民間の供給業者から選択することができる。表3内のマーキング:AR緑色は、405nmにおける吸収と520~580nmの間の波長範囲での最大の吸収との比である。すなわち、AR緑色AR赤色は、455nmにおける吸収と580~680nmの間の波長範囲での最大の吸収との比である。すなわち、AR赤色ODは、580~680nmで放射するナノ粒子に関して455nmで、520~580nmで放射するナノ粒子に関して405nmで測定された。PL赤方偏移は、低ODにおいてトルエン中で測定されたCWLと、サンプル用に測定されたCWLの間の、ナノメートル単位の差である。リガンドは、定義中に与えられたリストから選択することができる。ポリマーは、定義中に与えられたリストから選択することができる。好適な光学特性および機械特性を有するシリコーンは、様々な民間の供給業者から選択することができる。図5Aは、本発明の一実施形態にしたがうSNP層502aを含む、照明デバイス500aを概略的に示す。好適な光源504a例示的に、UV光を放射するLEDにより作られる光は、SNP層502aに向けられる。層502aは、青色およびまたはUVからより長い波長に光を変換するSNPを備える。異なる集団のSNP異なるコアまたはシェルサイズまたは材料を有するは、異なる色を放射することになる。SNP層により放射される色は、光源504aにより作られる光と組み合わされ、または独立して使用されて、異なる光の組合せを形成することができる。放射のスペクトル特性を改善し調整するために、2種類以上のSNP、例えば青色、緑色および赤色放射SNPの混合物その光は、例示的にRGBとマークされるを使用することができる。白色光を実現するように様々な色を選択することができる。特定の照明の応用例で所望されるように、他の色の組合せが、SNP変換層を調整することにより生成することができる。図5Bは、本発明の別の実施形態にしたがうSNP層502aを含む、照明デバイス500bを概略的に示す。この実施形態において、好適な光源504bにより作られる光例示的には、LED放射青色光は、SNP層502bにより部分的に変換されないすなわち、影響を受けずに通過するままとなる。層502bは、青色およびより短い波長から緑色および赤色に光を変換するSNPを組み込む。層502bは、吸収されない光を調整されたパターンで拡散および混合する、拡散性の構造または粒子をさらに組み込み、層502bに組み込まれるSNPのフォトルミネセンスの、空間的な性質および光学的な性質に一致させる。すなわち、これらの構造は、入射する青色光およびSNP放射される光の両方を散乱し、それによって、組み合わされた光がSNP層を白色光として出るとき、組み合わされた光は同じ角度転換を有する。加えて、白色は、LEDの青色光に加えて高品質の緑色光および赤色光を有し、ディスプレイのバックライト用の広い色域を実現する。図6Aは、本発明のさらに別の実施形態にしたがうSNP層602aを含む、照明デバイス600aを概略的に示す。この実施形態において、混色光源604aは、SNP層602aにより改善または補正される。層602aは、異なるコアまたはシェルサイズ、異なる材料およびまたは異なるスペクトル特性を有することができる、複数のSNP種を含む。SNPは、混色光源を改善された混色光に変換する役割を果たす。実施形態において、照明デバイスから出力される改善された混色光は、2500~6000Kの範囲のCCTを有し、高CRIを有する白色光であってよい。別の実施形態において、改善された混色光は、2700~4500Kの範囲のCCTを有し、高CRIを有する白色光であってよい。光源光が、高CCT例えば5000~10000Kを有する白色光であってよい。別法として、光源光が、白色光とは定義できないが、可視スペクトルの範囲内の光を含む光の組合せであってよい。改善点としては、例えば放射に赤色光を加え、このことにより、より低いCCTおよびより良いCRIを実現することが含まれる。図6Bは、本発明のさらに別の実施形態にしたがうSNP層602bを含む、照明変換デバイス600bを概略的に示す。この実施形態において、層602bは、層602a内のように複数のSNP種に加え、光源604bからの吸収されない光を調整されたパターンで拡散および混合する拡散性の構造または粒子を含み、さらに改善された混色光を作る。代替実施形態において、照明デバイスは単一のSNP層の代わりに使用することができる複数のSNP層を含み、SNP層のそれぞれが別個の機能を実現することができる。伝達され放射される光の伝達特性例えば、均質化を分散および制御することは、小さなSiO2ビーズなどの屈折粒子、金属粒子などの反射粒子、もしくはBaSO4およびTiO2などの光拡散粒子のいずれかをSNP変換層のうちの1つまたは複数に組み込むことによって、パターニング例えば拡散性の層を加えることによって、または層のうちの少なくとも1つの表面をパターニングすることによって達成することができる。図7は、本発明の実施形態にしたがうSNP変換層を含む、照明デバイス700を概略的に示す。デバイス700は、青色またはUVLED光源、任意選択のスペーサ層またはスペーサとしての空気704、SNP変換層706、任意選択の封止層708、所望の指向性への光抽出のための任意選択の伝達可能光学素子710、光をコリメートまたは合焦するレンズ712などの任意選択の屈折素子、および大きな角度から補正された出力方向に放射を集めて向けるための、LED素子の背後および周りに配置される任意選択の反射素子714を含む。いくつかの実施形態において、LEDチップからの光抽出を増加させるために、高い充填率を有するSNP層の高い屈折率が好ましい。図8は、本発明の別の実施形態にしたがうSNP層を含む、照明デバイス800を概略的に示す。デバイス800において、光学フィルタ806は、SNP層802とLED放射チップ804の間にある。光学フィルタ806は、短波長820例えば、青色またはUV光を透過し、より長い波長例えば、緑色または赤色光822を反射するフィルタであり、このことにより、光のリサイクリングおよびより効率的なデバイスを実現する。光のリサイクリングがSNP層内の放射される光の光路を増す一方で、低い自己吸収に起因して、いかなる余分な損失も最小化されることになる。対照的に、QD層を用いると、余分な損失が著しくなる。光源とSNP層の間の光学素子は、光源の特性を整形する、さもなければ制御するためにも使用可能である。デバイス700と同様に、デバイス800は、所望の指向性への光抽出のための任意選択の伝達可能光学素子810、光をコリメートまたは合焦するレンズ812などの任意選択の屈折素子、および大きな角度から補正された出力方向に放射を集めて向けるための、LED素子の背後および周りに配置される任意選択の反射素子814をさらに備える。LED素子からある距離にSNP層を配置することによって、SNP層における光の強度および温度レベルを減少させ、このことによりSNP層の耐久性を増加することができる。図9は、本発明のさらに別の実施形態にしたがうSNP層を含む、照明デバイス900を概略的に示す。デバイス900は、色変換し、かつ光を拡散するようにも働く曲がった光学素子902と適合するよう整形されるSNP層、LED904、および例えば空間的なパターニングまたは光学的なフィルタリング例えば、追加のUVフィルタリングのために使用される追加の層906を含む。SNP層は、薄いが効率的であることができ、このことは、厚いQD変換層の性能を超える著しい長所を表す。図10Aは、その中に埋め込まれるSNP層1006aを有する導波路アセンブリ1004aに結合されるLED1002aを示す。導波路は、底部における反射層1008a拡散性または反射性、パターン付けされたまたは均一であってよいおよび任意選択の光抽出層1010aを含む。図10Bは、その上部面1008上に配置されるSNP層1006bを有する導波路アセンブリ1004bに結合されるLED1002b、および任意選択の光抽出層1010bを概略的に示す。両方の実施形態において、SNP層は、導波路の縁部1012aまたは縁部1012bを通り、LEDから来て放射される光によって励起されるよう示される。光が導波路内を伝播するとき、光はSNP層を何度も繰り返し通過する。SNP層内で変換された光は、次いで、数ミリメートルから数センチメートル、数十センチメートルの範囲であり得る、比較的長い距離にわたって導波路を横切って伝達される。この応用例では、SNP層の低自己吸収が、重要な場合がある。なぜなら、光が長い光路を進行するからである。反射およびまたは拡散光学素子1008a、1008b、1010a、1010bおよび1012bは、光が必要でない方向に放射され得る、デバイスの全ての区域に配置することができる。これらの素子は、光を導波路内に戻し、その効率を増加することになる。実施例実施例1:ポリマーホスト内にRSNP変換層を有し赤色光を提供する照明デバイスRSNPを、非特許文献2に記載の手順と同様の手順にしたがって合成した。第1のステップにおいて、38nmの直径を有するCdSeコアを合成した。第2のステップにおいて、CdSeコアをシードとして使用して、赤色放射CdSeCdSRSNPを合成した。結果として得られるRSNPを、トルエン溶液内で測定したとき、33x7nmの寸法を有し、放射最大値が635nmで、30nmのFWHMであった。RSNP変換層を次のように調製した。05gのポリビニルブチラールcoビニルアルコールcoビニルアセテートPVB、強い接着性、光学的な透明度、多くの表面への粘着性、強靱性および可撓性を必要とする用途で通常使用され、SigmaAldrich3PlautSt、RabinPark、Rehovot76100、イスラエルから市販されている樹脂を4mlのトルエンに溶解した。12mgのRSNPを1mlのトルエンに溶解し、RSNP溶液を形成した。RSNP溶液を、撹拌しながらポリマー混合物に加えた。混合物を、パターン容器に移し、パターン容器を乾燥器内に入れ、15時間真空にして、その後混合物は固体となった。結果として得られた膜厚は190μmであった。変換層の光学特性を、図11に提示しており、図11では、吸収点線およびPL実線スペクトルを示す。最大放射は、635nmにおける、30nmのFWHMを有するものである。吸収ODは、455nmで118、540nmで007、および600~750nmで80、および85さえ有し、特に、CCT89を有する白色放射を実現する。本発明のSNP変換層が埋め込まれたポリマーをさらに調製し、狭いFWHM60nmおよびFWHM40nmでさえを有する、3つ以上の原色からなるディスプレイ用途用の白色を実現することができる。本発明は、例として提供され、本発明の範囲を限定する意図ではない、本発明の実施形態を参照して記載されてきた。記載の実施形態は様々な特徴を備えており、特徴の全てが本発明の全ての実施形態で必要なわけではない。本発明のいくつかの実施形態は、単に、特徴のうちのいくつか、または特徴の可能な組合せを使用する。記載された発明の実施形態の変形形態、および記載された実施形態で言及されたものとは異なる組合せの特徴を備える本発明の実施形態を、当業者は想到するであろう。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によってのみ限定される。本明細書内で挙げられた全ての特許、特許出願および公報は、各個の特許、特許出願および公報が、参照により本明細書に組み込まれることを、具体的かつ個別に示す場合と同じ範囲で、特許、特許出願および公報の全体が、ここで参照により本明細書に組み込まれる。加えて、本出願における任意の参照の引用または特定は、そのような参照が本発明に対し従来技術として入手可能であることを承認するものと解釈するべきではない。