"半導体層によって形成された第1領域および第2領域と、第1領域の両端部に設けられた1対の第1電極と、第2領域の両端部に設けられた1対の第2電極と、第1電極および第2電極を介して第1領域と第2領域を並列に接続する配線と、を備えた半導体温度センサであって、第1領域の半導体層には、第1導電型の不純物が第1濃度N1で導入されており、第2領域の半導体層には、第1導電型の不純物が第1濃度N1で導入されるとともに、第2導電型の不純物が、第1濃度よりも高い第2濃度N2で導入されており、第1領域の導電方向に垂直な断面の面積が断面積A1であり、導電方向の距離がL1であり、第1領域のキャリアの移動度が第1移動度μ1であり、第2領域の導電方向に垂直な断面の面積が断面積A2であり、導電方向の距離がL2であり、第2領域のキャリアの移動度が第2移動度μ2である場合に、下記式1を満たしている、半導体温度センサ。第2濃度N2は、第2領域の半導体層に第2導電型の不純物が固溶する限界の濃度である固溶限界濃度よりも高い、請求項1に記載の半導体温度センサ。第2領域の第2導電型の不純物は、イオン注入によって導入されている、請求項1または2に記載の半導体温度センサ。請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体温度センサを備えた半導体装置。半導体層の抵抗は、半導体層の不純物濃度に依存するため、特許文献1に記載の半導体温度センサでは、量産時に、抵抗体として利用する半導体層の不純物濃度がばらつくと、その温度検知性能がばらつく。このため、抵抗体として利用する半導体層は、不純物濃度の精度を高くすることができる方法を用いて製造する必要がある。その一方で、製造工程を簡略化するためには、不純物濃度の精度があまり高くない方法で製造された半導体層を利用して、半導体温度センサを製造できることが好ましい。不純物濃度の精度があまり高くない方法で製造された半導体層を利用して半導体温度センサを形成する場合、さらに高い精度で不純物を注入しても、半導体層の不純物濃度を調整することは困難である。本明細書が開示する半導体温度センサは、半導体層によって形成された第1領域および第2領域と、第1領域の両端部に設けられた1対の第1電極と、第2領域の両端部に設けられた1対の第2電極と、第1電極および第2電極を介して第1領域と第2領域を並列に接続する配線と、を備えている。第1領域の半導体層には、第1導電型の不純物が第1濃度N1で導入されている。第2領域の半導体層には、第1導電型の不純物が第1濃度N1で導入されるとともに、第2導電型の不純物が、第1濃度よりも高い第2濃度N2で導入されている。第1領域の導電方向に垂直な断面の面積が断面積A1であり、導電方向の距離がL1であり、第1領域のキャリアの移動度が第1移動度μ1であり、第2領域の導電方向に垂直な断面の面積が断面積A2であり、導電方向の距離がL2であり、第2領域のキャリアの移動度が第2移動度μ2である場合に、上記式1を満たしている。上記の半導体温度センサによれば、第1導電型の不純物濃度が高い第1領域と、第2導電型の不純物濃度が高い第2領域が並列に接続されているとともに、第1領域と第2領域のそれぞれの導電方向に垂直な断面積および導電方向の距離が上記式1を満たしている。このため、第1濃度N1に殆ど依存しない半導体温度センサを提供することができる。不純物濃度の精度があまり高くない方法で製造された第1導電型の半導体層を利用して半導体温度センサを形成する場合であっても、第2濃度N2を高精度に調整するのみで、半導体温度センサの温度検知精度を確保することができる。上記の半導体温度センサによれば、簡便に製造でき、かつ、高精度な半導体温度センサを提供することができる。第2濃度N2は、第2領域の半導体層に第2導電型の不純物が固溶する限界の濃度である固溶限界濃度よりも高いことが好ましい。また、第2領域の第2導電型の不純物は、イオン注入によって導入されていることが好ましい。上記の半導体センサは、半導体装置に備えられていてもよい。本明細書が開示する半導体温度センサは、半導体層によって形成された第1領域および第2領域を備えている。第1領域の半導体層および第2領域の半導体層の抵抗の温度変化を利用して、温度を検知する。半導体温度センサは、さらに、第1領域の両端部に設けられた1対の第1電極と、第2領域の両端部に設けられた1対の第2電極と、第1電極および第2電極を介して第1領域と第2領域を並列に接続する配線と、を備えている。第1領域の半導体層には、第1導電型の不純物が第1濃度N1で導入されている。第2領域の半導体層には、第1導電型の不純物が第1濃度N1で導入されるとともに、第2導電型の不純物が、第1濃度よりも高い第2濃度N2で導入されている。例えば、第1導電型がn型であり、第2導電型がp型である場合には、第1領域のキャリアは電子であり、第2領域のキャリアは正孔である。逆に、第1導電型がp型であり、第2導電型がn型である場合には、第1領域のキャリアは正孔であり、第2領域のキャリアは電子である。ここで、第1領域の導電方向に垂直な断面の面積が断面積A1であり、導電方向の距離がL1であり、第1領域のキャリアの移動度が第1移動度μ1であって、第2領域の導電方向に垂直な断面の面積が断面積A2であり、導電方向の距離がL2であり、第2領域のキャリアの移動度が第2移動度μ2である場合に、第1領域の抵抗R1と第2領域の抵抗R2は、下記式2および3に示されるとおりである。第1領域と第2領域は、並列に接続されているから、半導体温度センサのコンダクタンスG=1/R11/R2は、下記式4に示されるとおりである。第1領域と第2領域のそれぞれの導電方向に垂直な断面積および導電方向の距離は、上記式1を満たしているから、μ1A1/L1-μ2A2/L2=0である。これを上記式4に用いると、Gは下記式5に示すとおり、第1濃度N1に依存しないことがわかる。上記のとおり、本明細書が開示する半導体温度センサでは、そのコンダクタンスGが第1濃度に依存しないため、半導体温度センサの温度検知精度が第1濃度N1に依存しない。このため、量産において、第1濃度N1がばらついた場合であっても、半導体温度センサの温度検知精度を確保することができる。不純物濃度の精度があまり高くない方法例えば、CVD等によって半導体層を形成する方法を用いて第1導電型の不純物が導入された半導体層を第1領域および第2領域として用いる場合であっても、第2濃度N2を高精度に調整するのみで、半導体温度センサの温度検知精度を確保することができる。半導体温度センサの測定温度領域において、第1移動度μ1と第2移動度μ2の比であるμ2/μ1が変化する場合には、そのいずれかのμ2/μ1の値において上記式1を満たすように設計することが好ましい。すなわち、第1移動度μ1と第2移動度μ2の比であるμ2/μ1の半導体温度センサの測定温度領域における最大値および最小値が、それぞれμ2/μ1max,μ2/μ1minである場合に、下記式6を満たすように設計することが好ましい。上記式6の範囲でL1/A1/L2/A2の値を決定する方法について、具体例を挙げて説明する。例えば、幅広い測定温度領域において温度検知精度を高くしたいときには、上記式6のL1/A1/L2/A2の値がμ2/μ1maxとμ2/μ1minの平均値に等しくなるように、L1,A1,L2,A2の値を設計することが好ましい。また、特定の温度To°Cを超えたことを検知したいときには、L1/A1/L2/A2の値が、特定の温度Toにおけるμ2/μ1の値に等しくなるように、L1,A1,L2,A2の値を設計することが好ましい。第1領域および第2領域の半導体層の材料については、特に限定されないが、シリコン、炭化ケイ素等を例示することができる。また、第1領域および第2領域の結晶構造については、特に限定されない。例えば、シリコンを材料とする場合には、単結晶シリコンでもよいし、ポリシリコンでもよい。限定されないが、第1領域および第2領域の半導体層を、CVD等の半導体層の形成と不純物導入を同時に行うことができる方法によって形成する場合には、半導体層が形成される際に第1導電型の不純物が導入されることが好ましい。第2領域の第2導電型の不純物は、イオン注入等の不純物濃度を高精度に調整可能な方法によって導入されていることが好ましい。また、第2濃度N2は、第2領域の半導体層に第2導電型の不純物が固溶する限界の濃度である固溶限界濃度よりも高いことが好ましく、固溶限界濃度の2倍以上であれば、特に好ましい。固溶限界濃度は、第2濃度N2が固溶限界濃度よりも高いと、固溶限界濃度を超えた分の不純物は、第2領域の抵抗に影響しないため、固溶限界濃度を超えた範囲で第2濃度N2がばらついても、半導体温度センサのコンダクタンスGに影響しない。このため、第2濃度N2の濃度を固溶限界濃度よりも高くすることによって、半導体温度センサの温度検知精度に対する第2濃度N2の精度の影響を十分に小さくすることができる。さらに、第2濃度N2の濃度を固溶限界濃度の2倍以上に設計すれば、量産時に第2濃度N2がばらついた場合であっても、半導体温度センサの温度検知精度に対する影響をほぼ解消することができる。例えば、シリコンに対して、リンの固溶限界濃度は、1.5×1021cm-3であり、ボロンの固溶限界濃度は、6.5×1020cm-3である。半導体温度センサの半導体層の材料がシリコンであり、第2濃度N2がボロンの濃度である場合には、N2>6.5×1020cm-3であることが好ましく、N2≧1.3×1021cm-3であることが特に好ましい。半導体温度センサの半導体層の材料がシリコンであり、第2濃度N2がリンの濃度である場合には、N2>1.5×1021cm-3であることが好ましく、N2≧3.0×1021cm-3であることが特に好ましい。第1電極、第2電極および配線としては、従来公知の電極材料または配線材料を用いることができ、半導体分野で汎用されている電極材料または配線材料を用いることが好ましい。半導体素子とともに半導体基板の表面またはその一部に半導体温度センサを形成する場合には、共存する半導体素子に用いられている電極材料または配線材料の少なくとも一部と同じ材料を用いてもよく、別の材料を用いてもよい。共存する半導体素子に用いられている電極材料または配線材料と同じ材料を用いれば、半導体素子の電極を形成する工程において同時に第1電極、第2電極および配線を形成することができ、好ましい。また、第1電極、第2電極および配線は、それぞれ別の材料であってもよいし、一部または全部が同一の材料であってもよい。半導体温度センサは、半導体素子と同一の半導体基板内に形成されていてもよいし、半導体基板の表面に別に形成されていてもよい。半導体温度センサを設置する半導体基板に形成されている半導体素子の種類については、特に限定されない。また、半導体温度センサの形状および半導体基板内の設置位置についても、特に限定されない。また、1対の第1電極、第2電極は、それぞれ第1領域、第2領域の両端部に設けられていればよく、典型的には、電極面が互いに対向する位置に設けられるが、電極面が互いに対向していなくてもよい。第1領域および第2領域について、導電方向に垂直な断面の面積が一定でない場合には、変化する断面積の積分平均値を用いればよい。図1および図2に示すように、半導体装置10は、半導体基板100と、半導体温度センサ1と、表面電極121a~121dと、ゲート配線123と、ゲートパッド124とを備えている。半導体基板100は、セル領域と非セル領域とを備えている。非セル領域には、半導体基板100の周縁に沿ってセル領域の周りを取り囲むように形成された周辺耐圧層102が設けられている。半導体基板100のセル領域には、図2に示すように、半導体基板100の裏面に露出するp型のコレクタ層11と、コレクタ層11の表面に形成されたn型のドリフト層12が形成されている。セル領域においては、さらに、ドリフト層12の表面に形成されたp型のボディ層13と、ボディ層13の表面の一部に形成されたn型のエミッタ層14が形成されており、トレンチ型の絶縁ゲート16が設けられている。ボディ層13の一部およびエミッタ層14は、半導体基板100の表面に露出しており、表面電極121a~121dのいずれかに接している。絶縁ゲート16は、ゲート配線123に電気的に接続している。上記のとおり、半導体基板100のセル領域には、縦型のトレンチゲートを有するIGBTが形成されている。半導体温度センサ1は、半導体基板100平面視したときの中央に位置する非セル領域の表面に設けられている。この領域において、半導体基板100には、さらに、ドリフト層12の表面にp型の半導体層15が形成されている。半導体層15は、半導体基板100の表面に露出しており、ボディ層13よりも半導体基板100の深い位置まで伸びている。半導体層15の表面は、表面絶縁膜130によって覆われており、半導体温度センサ1は、表面絶縁膜130の表面に形成されている。半導体温度センサ1は、第1領域131と、第2領域132を備えている。第1領域131および第2領域132は、いずれも直方体形状のポリシリコンを材料とする半導体層であり、n型のドーパントとしてリンを含み、p型のドーパントとしてボロンを含んでいる。第1領域131は、n型の不純物リンの濃度が第1濃度N1=1.0×1020cm-3である半導体層であり、p型の不純物ボロンは含まれていないため、第1領域131のキャリアは電子である。第2領域は、n型の不純物リンの濃度が第1濃度N1であり、かつ、p型の不純物ボロンの濃度が第2濃度N2=1.4×1021cm-3である半導体層である。第2濃度N2は、第1濃度N1よりも高いため、第2領域132のキャリアは正孔である。第1領域131および第2領域132は、CVDによって同時に形成され、半導体層が形成される際にリンが第1濃度N1で導入されている。第2領域132については、半導体層を形成した後に、第2濃度N2となるようにボロンイオンが注入されている。第2領域のボロン濃度は、第2領域132のいずれの部分においても1.3×1021cm-3以上となっている。図3に模式的に示すように、半導体温度センサ1は、さらに、第1電極127a,128aと、第2電極127b,128bと、配線127,128とを備えている。第1電極127aおよび第2電極127bは、配線127と同一の金属層によって一体に形成されている。第1電極128aおよび第2電極128bは、配線128と同一の金属層によって一体に形成されている。なお、第1電極127a,128a、第2電極127b,128bおよび配線127,128は、アルミニウムを材料としており、ゲート配線123の一部と同一の材料であるため、ゲート配線123を形成する工程において同時に形成される。図2に示すように、第2領域132の表面は、絶縁層によって覆われており、その表面に第2電極127b,128bおよび配線127,128を含む金属層が形成されている。第2領域132の表面の絶縁層の一部には、コンタクトホールが形成されており、コンタクトホールにおいて、第2電極127b,128bは第2領域132と接している。第2電極127bと第2電極128bは、第2領域132を平面視したときの長方形形状の長手方向図1~図3に示すY方向の両端部において第2領域132と接している。第2電極127bと第2電極128bは、第2領域132をY方向に挟んで対向する位置に設けられている。図2には図示しないが、第1領域131も同様に、第1電極127a,128aと接続しており、第1電極127aと第2電極128aは、第1領域131をY方向に挟んで対向する位置に設けられている。第1領域131と第2領域132は、配線127,128によって並列に接続されており、配線127,128は、それぞれ電極パッド125,126に接続されている。図3に模式的に示すように、第1領域131を平面視すると、長方形状であり、長方形の長手方向Y方向の両端部に第1電極127a,128aが形成されており、第1領域131の導電方向は、Y方向である。第1電極127aと第1電極128aは、第1領域131を挟んで対向する位置に設けられている。第1領域131の導電方向の距離は、第1電極127aと第1電極128aとの電極間距離L1に等しい。また、導電方向に直交する方向図1~図3に示す、Y方向に直交するX方向の長さがW1であり、半導体基板100の深さ方向図1~図3に示す、X,Y方向に直交するZ方向の長さがt1図示していないであるから、導電方向に直交する断面の面積は、W1t1である。同様に、第2領域132を平面視すると、長方形状であり、長方形の長手方向Y方向の両端部に第2電極127b,128bが形成されており、第2領域132の導電方向は、Y方向である。第2電極127bと第2電極128bは、第2領域132を挟んで対向する位置に設けられている。第2領域132の導電方向の距離は、第2電極127bと第2電極128bとの電極間距離L2に等しい。また、X方向の長さがW2であり、Z方向の長さがt2図示していないであるから、導電方向に直交する断面の面積は、W2t2である。半導体温度センサ1の温度検知領域における第1領域131の電子の移動度はμ1であり、第2領域132の正孔の移動度はμ2である。第1移動度μ1と第2移動度μ2の比であるμ2/μ1は、半導体温度センサ1の測定温度領域において略一定であり、第1領域131と、第2領域132は、下記式7の関係を満たしている。このため、上記式5に示すように、半導体温度センサ1のコンダクタンスGは、第2濃度N2にのみ依存する。このため、量産において、第1濃度N1がばらついた場合であっても、半導体温度センサ1では、高い温度検知精度を確保することができる。さらに、第2濃度N2は、第2領域132のいずれの部分においても1.3×1021cm-3以上であり、これは、シリコンに対するリンの固有限界濃度の2倍以上である。このため、量産時に第2濃度N2がばらついた場合であっても、半導体温度センサ1では、高い温度検知精度を確保することができる。半導体温度センサ1は、第1領域131および第2領域132をCVDによって同時に形成することができ、さらに、半導体層の形成と同時に不純物としてリンを導入することができるので、製造工程が簡便である。簡便な製造工程を用いて、ロバスト性に優れた高精度な半導体温度センサを製造することが可能である。以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。"