"一般式Iここで、RはC1~C4アルキル基又はヒドロキシシクロヘキシル基を表わし、Xはカルボキシル基、ヒドロキシル基、カルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、C1~C4アルコキシカルボニル基又はベンジルオキシカルボニル基を表わす。で示される化合物又はその塩を主成分とすることを特徴とする除草剤用薬害軽減剤。一般式Iで示される化合物におけるXが、Rを含む基の4位に結合する請求項1に記載の除草剤用薬害軽減剤。一般式Iで示される化合物におけるRがメチル基であり、Xがカルボキシル基又はヒドロキシル基である請求項2に記載の除草剤用薬害軽減剤。一般式Iで示される化合物におけるRがメチル基であり、Xがカルバモイル基又はジメチルカルバモイル基である請求項2に記載の除草剤用薬害軽減剤。一般式Iで示される化合物におけるRがメチル基であり、Xがメトキシカルボニル基又はベンジルオキシカルボニル基である請求項2に記載の除草剤用薬害軽減剤。一般式Iで示される化合物におけるRが4-ヒドロキシシクロヘキシル基であり、Xがカルボキシル基又はヒドロキシル基である請求項2に記載の除草剤用薬害軽減剤。一般式Iで示される化合物の塩が、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩、イソプロピルアンモニウム塩、トリメチルスルホニウム塩、トリエタノールアミンとの塩若しくはジメチルジステアリルアンモニウム塩から選ばれる化合物である請求項1乃至6のいずれかに記載の除草剤用薬害軽減剤。一般式Iで示される化合物の塩が、カルシウム塩、トリエタノールアミン塩又はジメチルジステアリルアンモニウム塩であると共に、Xがカルボキシル基である請求項7に記載の除草剤用薬害軽減剤。A請求項1~8のいずれかに記載の除草剤用薬害軽減剤と、Bスルホニル尿素系化合物、スルホンアミド系化合物、クロロアセトアニリド系化合物、チオカルバマート系化合物、ピリミジニルオキシチオ安息香酸系化合物、テトラゾリノン系化合物、トリアゾール系化合物、ピラゾール系化合物、シクロヘキサンジオン系化合物、フェノキシカルボン酸系化合物、オキサジノン系化合物、ジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物及びイソオキサゾリン系化合物、又はそれらの塩類から選ばれる1又は2以上の除草活性化合物、を含有することを特徴とする薬害が軽減された除草剤組成物。スルホニル尿素系化合物が、ベンスルフロンメチル、ピラゾスルフロンエチル、ハロスルフロンメチル、アジムスルフロン、シノスルフロン、シクロスルファムロン、フルセトスルフロン、イマゾスルフロン、エトキシスルフロン又はプロピリスルフロンである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。スルホンアミド系化合物がペノキススラムである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。クロロアセトアニリド系化合物がブタクロール、プレチラクロール又はテニルクロールである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。チオカルバマート系化合物がチオベンカルブ、エスプロカルブ又はモリネートである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。ピリミジニルオキシチオ安息香酸系化合物がピリミノバックメチル、ピリフタリド、ビスピリバックナトリウム又はピリベンゾキシムである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。テトラゾリノン系化合物がフェントラザミドである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。トリアゾール系化合物がカフェンストロール又はイプフェンカルバゾンである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。ピラゾール系化合物がピラゾレート、ピラゾキシフェン、ピラクロニル又はベンゾフェナップである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。シクロヘキサンジオン系化合物がベンゾビシクロン、メソトリオン又はテフリルトリオンである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。フェノキシカルボン酸系化合物が2,4-D、MCPA、MCPB又はクロメプロップである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。オキサジノン系化合物がオキサジクロメホンである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。ジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物がピリミスルファンである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。イソオキサゾリン系化合物がフェノキサスルホン又はピロキサスルホンである請求項9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。A請求項1~8のいずれかに記載の除草剤用薬害軽減剤と、Bスルホニル尿素系化合物、スルホンアミド系化合物、クロロアセトアニリド系化合物、チオカルバマート系化合物、ピリミジニルオキシチオ安息香酸系化合物、テトラゾリノン系化合物、トリアゾール系化合物、ピラゾール系化合物、シクロヘキサンジオン系化合物、フェノキシカルボン酸系化合物、オキサジノン系化合物、ジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物及びイソオキサゾリン系化合物、又はそれらの塩類から選ばれた1又は2以上の除草活性化合物を、同時に施用するか或いは近接施用することを特徴とする、該除草活性化合物による作物の薬害軽減方法。一般式I’ここで、R1はメチル基を表わし、X1はR1を含む基の4位に結合するC1~C4アルコキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、カルバモイル基又はジメチルカルバモイル基を表わす。で示される化合物。一般式I’’ここで、R2はメチル基を表わし、X2はRを含む基の4位に結合するカルボキシル基を表わす。で示される化合物のカルシウム塩、トリエタノールアミン塩又はジメチルジステアリルアンモニウム塩。本発明の課題は、このような事情の下、除草活性成分が、これを単に施用した場合にはイネ等の対象作物の生育障害や生育抑制、分けつ抑制、横化などの薬害症状が発現するようなものであっても、対象作物の当該薬害症状を、種類の異なる除草活性成分を複数併用することなく、しかも除草効果を犠牲にすることなく、軽減又は防止しうる除草剤用薬害軽減剤、薬害が軽減された除草剤組成物及び作物の薬害軽減方法を提供することにある。本発明者らは、前記した好ましい特性を有する除草剤組成物を開発するために種々研究を重ねた結果、公知の除草活性化合物であるスルホニル尿素系化合物、スルホンアミド系化合物、クロロアセトアニリド系化合物、チオカルバマート系化合物、ピリミジニルオキシチオ安息香酸系化合物、テトラゾリノン系化合物、トリアゾール系化合物、ピラゾール系化合物、シクロヘキサンジオン系化合物、フェノキシカルボン酸系化合物、オキサジノン系化合物、ジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物及びイソオキサゾリン系化合物、又はそれらの塩類に、それ自体では格別農薬活性を示さない特定の化合物を配合してなる除草剤組成物が課題解決に資することを見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至った。即ち、本発明は、以下のとおりの除草剤用薬害軽減剤、薬害が軽減された除草剤組成物及び該除草剤による、特にイネ科植物に対する薬害軽減方法を提供するものである。1一般式Iここで、RはC1~C4アルキル基又はヒドロキシシクロヘキシル基を表わし、Xはカルボキシル基、ヒドロキシル基、カルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、C1~C4アルコキシカルボニル基又はベンジルオキシカルボニル基を表わす。で示される化合物又はその塩を主成分とすることを特徴とする除草剤用薬害軽減剤。2一般式Iで示される化合物におけるXが、Rを含む基の4位に結合する前記1に記載の除草剤用薬害軽減剤。3一般式Iで示される化合物におけるRがメチル基であり、Xがカルボキシル基又はヒドロキシル基である前記2に記載の除草剤用薬害軽減剤。4一般式Iで示される化合物におけるRがメチル基であり、Xがカルバモイル基又はジメチルカルバモイル基である前記2に記載の除草剤用薬害軽減剤。5一般式Iで示される化合物におけるRがメチル基であり、Xがメトキシカルボニル基又はベンジルオキシカルボニル基である前記2に記載の除草剤用薬害軽減剤。6一般式Iで示される化合物におけるRが4-ヒドロキシシクロヘキシル基であり、Xがカルボキシル基又はヒドロキシル基である前記2に記載の除草剤用薬害軽減剤。7一般式Iで示される化合物の塩が、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩、イソプロピルアンモニウム塩、トリメチルスルホニウム塩、トリエタノールアミンとの塩若しくはジメチルジステアリルアンモニウム塩から選ばれる化合物である1乃至6のいずれかに記載の除草剤用薬害軽減剤。8一般式Iで示される化合物の塩が、カルシウム塩、トリエタノールアミン塩又はジメチルジステアリルアンモニウム塩であると共に、Xがカルボキシル基である7に記載の除草剤用薬害軽減剤。9A前記1~8のいずれかに記載の除草剤用薬害軽減剤と、Bスルホニル尿素系化合物、スルホンアミド系化合物、クロロアセトアニリド系化合物、チオカルバマート系化合物、ピリミジニルオキシチオ安息香酸系化合物、テトラゾリノン系化合物、トリアゾール系化合物、ピラゾール系化合物、シクロヘキサンジオン系化合物、フェノキシカルボン酸系化合物、オキサジノン系化合物、ジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物及びイソオキサゾリン系化合物、又はそれらの塩類から選ばれる1又は2以上の除草活性化合物、を含有することを特徴とする薬害が軽減された除草剤組成物。10スルホニル尿素系化合物が、ベンスルフロンメチル、ピラゾスルフロンエチル、ハロスルフロンメチル、アジムスルフロン、シノスルフロン、シクロスルファムロン、フルセトスルフロン、イマゾスルフロン、エトキシスルフロン又はプロピリスルフロンである前記9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。11スルホンアミド系化合物がペノキススラムである前記9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。12クロロアセトアニリド系化合物がブタクロール、プレチラクロール又はテニルクロールである前記9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。13チオカルバマート系化合物がチオベンカルブ、エスプロカルブ又はモリネートである前記9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。14ピリミジニルオキシチオ安息香酸系化合物がピリミノバックメチル、ピリフタリド、ビスピリバックナトリウム又はピリベンゾキシムである前記9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。15テトラゾリノン系化合物がフェントラザミドである前記9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。16トリアゾール系化合物がカフェンストロール又はイプフェンカルバゾンである前記9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。17ピラゾール系化合物がピラゾレート、ピラゾキシフェン、ピラクロニル又はベンゾフェナップである前記9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。18シクロヘキサンジオン系化合物がベンゾビシクロン、メソトリオン又はテフリルトリオンである前記9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。19フェノキシカルボン酸系化合物が2,4-D、MCPA、MCPB又はクロメプロップである前記9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。20オキサジノン系化合物がオキサジクロメホンである前記9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。21ジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物がピリミスルファンである前記9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。22イソオキサゾリン系化合物がフェノキサスルホン又はピロキサスルホンである前記9に記載の薬害が軽減された除草剤組成物。23A前記1~8のいずれかに記載の除草剤用薬害軽減剤と、Bスルホニル尿素系化合物、スルホンアミド系化合物、クロロアセトアニリド系化合物、チオカルバマート系化合物、ピリミジニルオキシチオ安息香酸系化合物、テトラゾリノン系化合物、トリアゾール系化合物、ピラゾール系化合物、シクロヘキサンジオン系化合物、フェノキシカルボン酸系化合物、オキサジノン系化合物、ジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物及びイソオキサゾリン系化合物、又はそれらの塩類から選ばれた1又は2以上の除草活性化合物を、同時に施用するか或いは近接施用することを特徴とする、該除草活性化合物による作物の薬害軽減方法。24一般式I’ここで、R1はメチル基を表わし、X1はR1を含む基の4位に結合するC1~C4アルコキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、カルバモイル基又はジメチルカルバモイル基を表わす。で示される化合物。25一般式I’’ここで、R2はメチル基を表わし、X2はR2を含む基の4位に結合するカルボキシル基を表わす。で示される化合物のカルシウム塩、トリエタノールアミン塩又はジメチルジステアリルアンモニウム塩。本発明の除草剤用薬害軽減剤及び薬害が軽減された除草剤組成物は、広範な除草活性化合物について、それを単に施用した場合にはイネ等の対象作物の生育障害や生育抑制、分けつ抑制、黄化などの薬害症状を生じさせるものであっても、十分な除草効果を犠牲にすることなく、対象作物の薬害症状を軽減又は防止しうるので、対象作物の薬害症状を軽減又は防止する除草剤用薬害軽減剤又は薬害が軽減された除草剤組成物、特にイネ作用或いは水田イネ作用の薬害軽減剤又は農薬組成物として有用である。又、本発明方法は、対象作物、特にイネの生育障害や生育抑制、黄化などの薬害症状が発現するような除草活性化合物の施用量であっても、本発明の薬害軽減剤の併用により薬害症状を軽減又は防止しうるので、除草活性化合物による作物の薬害軽減方法として有用である。本発明の除草剤用薬害軽減剤において主成分として使用する、一般式Iで表される化合物中、Rはメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基やt-ブチル基等のC1~C4アルキル基又はヒドロキシシクロヘキシル基を表わし、Xはカルボキシル基、ヒドロキシル基、カルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、C1~C4アルコキシカルボニル基又はベンジルオキシカルボニル基を表わしている。特に好ましい化合物は、一般式Iで示される化合物におけるXが、Rを含む基の4位に結合した化合物であり、具体的には例えば、Rがメチル基でXがカルボキシル基である4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸、Rがメチル基でXがヒドロキシル基である4-tert-ブチルシクロヘキサノール、Rがメチル基でXがカルバモイル基である4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド、Rがメチル基でXがジメチルカルバモイル基である4-tert-ブチル-N,N-ジメチルシクロヘキサンカルボキサミド、Rがメチル基でXがメトキシカルボニル基である4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸メチル、Rがメチル基でXがベンジルオキシカルボニル基である4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸ベンジル、Rが4-ヒドロキシシクロヘキシル基でXがカルボキキシル基である4-1-4-ヒドロキシシクロヘキシル-1-メチルエチルシクロヘキサンカルボン酸、Rが4-ヒドロキシシクロヘキシル基でXがヒドロキキシル基である2,2’-ビス4-ヒドロキシシクロヘキシルプロパン、の中から選ばれる。尚、本発明の除草剤用薬害軽減剤は、1又は2以上の一般式Iで表される化合物それ自体でも、後述する農薬用担体を併用してもよい。本発明の除草剤用薬害軽減剤において主成分として使用する、一般式Iで表される化合物は、塩、特に除草剤の成分として使用できる塩であっても良く、この塩としては、具体的には例えば、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩、イソプロピルアンモニウム塩、トリメチルスルホニウム塩、トリエタノールアミンとの塩若しくはジメチルジステアリルアンモニウム塩等を挙げることができる。又、本発明で使用する一般式Iで表される化合物は、幾何異性体cis体及びtrans体及びそれらのあらゆる比率の混合物も含むものである。上記塩中、特にカルシウム塩、トリエタノールアミン塩又はジメチルジステアリルアンモニウム塩が好ましく、この場合の上記Xはカルボキシル基となる。尚、上記一般式Iで表される化合物の中でも下記I’で表される化合物は新規化合物である。上記一般式I’において、R1はメチル基を表わし、X1はR1を含む基の4位に結合するC1~C4アルコキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、カルバモイル基又はジメチルカルバモイル基を表わしている。又、上記一般式Iで表される化合物の中でも下記I’’で表される化合物のカルシウム塩、トリエタノールアミンとの塩又はジメチルジステアリルアンモニウム塩も新規化合物である。上記一般式I’’において、R2はメチル基を表わし、X2はRを含む基の4位に結合するカルボキシル基を表わしている。上記一般式Iで表される化合物は、例えば以下に示す方法により製造することができるが、これらの方法に限定されるものではない。製造方法1一般式Iの1種である、次の一般式Iaで表される化合物は、下記に例示する反応式からなる方法により製造することができる。式中、R及びX1は前記した通りであり、Qはハロゲン原子、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、ピリジル基又はイミダゾリル基オキシ基、ハロアルキルカルボニルオキシ基、ハロアルコキシカルボニルオキシ基又はベンゾイルオキシ基等の脱離基を表す。工程1即ち、一般式IIで表される化合物は、一般式IIIで表される化合物とハロゲン化剤、酸無水物、酸ハロゲン化物又は脱水縮合剤とを、溶媒中又は無溶媒中で反応させることによって製造することができる。本工程で使用できるハロゲン化剤としては、例えば塩化オキザリル又は塩化チオニル等、酸無水物としては、例えば無水酢酸又は無水トリフルオロ酢酸等、酸ハロゲン化物としては、例えば塩化アセチル又は塩化プロピル等、脱水縮合剤としては、ジシクロヘキシルカルボジイミドDCC、N-3-ジメチルアミノプロピル-N’-エチルカルボジイミドWSC、N,N-カルボニルジイミダゾール、2-クロロ-1,3-ジメチルイミダゾリウムクロリド又はヨウ化-2-クロロ-1-ピリジニウム等を挙げることができる。ハロゲン化剤、酸無水物、酸ハロゲン化物の使用量は、一般式IIIで表される化合物1モルに対して0.01~20モルの範囲から適宜選択すればよく、好ましくは1~10モルである。脱水縮合剤の使用量は、一般式IIIで表される化合物1モルに対して0.5~10モルの範囲から適宜選択すればよく、好ましくは1.0~1.2モルである。溶媒としては本反応を阻害しないものであればよく、例えばジクロロメタン又はクロロホルム等のハロゲン炭化水素類、ジエチルエーテル又はテトラヒドロフラン等のエーテル類、ベンゼン又はトルエン等の芳香族炭化水素類が挙げられる。溶媒の使用量は一般式IIIで表される化合物1モルに対して0.01~100Lであり、好ましくは0.1~10Lである。反応温度は-20°Cから使用する不活性溶媒の沸点域の範囲から選択すればよく、好ましくは0°C~100°Cの範囲で行うのがよい。反応時間は反応温度、反応基質、反応量等により異なるが、通常10分~48時間である。この反応の目的物である一般式IIで表される化合物は、反応終了後、常法により反応系から採取され、必要に応じてカラムクロマトグラフィー、再結晶等の操作によって精製することもできる。工程2一般式IIで表される化合物と、C1~C4アルコール、ベンジルアルコール、アンモニア又はジメチルアミンとを溶媒中、塩基の存在下又は非存在下で反応させることにより、一般式Iaの化合物を製造することができる。ここで使用するC1~C4アルコール、ベンジルアルコール、アンモニア又はジメチルアミンの使用量は、一般式IIで表される化合物1モルに対して0.5~10モルの範囲から適宜選択すればよく、好ましくは1.0~1.2モルである。本工程で使用できる塩基としては、例えばトリエチルアミン、ピリジン、4-ジメチルアミノピリジン、N,N-ジメチルアニリン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エンDBU等の有機アミン類;炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム等の金属炭酸塩類;炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等の金属炭酸水素塩類;酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸カルシウム、酢酸マグネシウム等の金属酢酸塩類に代表される金属カルボン酸塩類;ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムターシャリーブトキシド、カリウムメトキシド、カリウムターシャリーブトキシド等の金属アルコキシド;水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物;水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化カルシウム等の金属水素化物等が挙げられる。塩基の使用量は、一般式IIで表される化合物1モルに対して0.5~10モルの範囲から適宜選択すればよく、好ましくは1.0~1.2モルである。本工程で使用できる溶媒としては、本反応の進行を阻害しないものであればよく、例えば、アセトニトリル等のニトリル類;ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、モノグライム、ジグライム等のエーテル類;ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類;ベンゼン、クロロベンゼン、ニトロベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類;N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド等のアミド類;1,3-ジメチル-2-イミダゾリノン等のイミダゾリノン類;ジメチルスルホキシド等の硫黄化合物類等を使用することができ、更にこれらの混合溶媒も使用することができる。反応温度は-20°Cから使用する不活性溶媒の沸点域の範囲から選択すればよく、好ましくは0°C~100°Cの範囲で行うのがよい。又、四級アンモニウム塩等の相間移動触媒を用いて、二層系で反応させることもできる。反応時間は反応温度、反応基質、反応量等により異なるが、通常10分~48時間である。反応の目的物である一般式Iaで表される化合物は、反応終了後、常法により反応系から採取され、必要に応じてカラムクロマトグラフィー、再結晶等の操作によって精製することもできる。製造方法2式中、Rは前記した通りであり、R3は、C1~C4アルキル基又はベンジル基を表す。即ち、一般式Ibで表される化合物は、一般式IIIで表される化合物とアルキル化剤とを、塩基存在下に反応させることによって製造することができる。本工程でのアルキル化剤の使用量は、一般式IIIで表される化合物1モルに対して3.0~10.0モルの範囲から適宜選択すればよく、好ましくは3.0~6.0モルである。使用できる塩基としては、前記製造方法1の工程2で説明した塩基と同様のものを挙げることができる。塩基の使用量は、一般式IIIで表される化合物1モルに対して30~10モルの範囲から適宜選択すればよく、好ましくは3.0~6.0モルである。使用できるアルキル化剤としては、例えば、ジメチル硫酸、ジエチル硫酸等のジアルキル硫酸;ヨウ化メチル、ヨウ化エチル、ベンジルクロリド、ベンジルブロマイド、プロパギルブロマイド、ブロモ酢酸エチル、クロロアセトニトリル等のハロゲン化アルキル;p-トルエンスルホン酸エトキシエチル、メタンスルホン酸シクロペンチル等のスルホン酸エステルなどを挙げることができる。使用できる溶媒としては、前記製造方法1の工程2で説明した溶媒と同様のものを挙げることができる。反応温度は-20°Cから使用する不活性溶媒の沸点域の範囲から選択すればよく、好ましくは0°C~100°Cの範囲で行うのがよい。反応時間は反応温度、反応基質、反応量等により異なるが、通常10分~48時間である。反応の目的物である一般式Ibで表される化合物は、反応終了後、常法により反応系から採取され、必要に応じてカラムクロマトグラフィー、再結晶等の操作によって精製することもできる。製造方法3式中、Rは前記した通りであり、Mはアルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム、イソプロピルアンモニウム、トリメチルスルホニウム、トリエタノールアンモニウム又はジメチルジステアリルアンモニウムを表す。即ち、一般式Icで表される化合物は、一般式IIIで表される化合物と塩基性物質とを反応させることにより製造することができる。本反応で使用できる塩基性物質としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、アンモニア、イソプロピルアミン、トリエタノールアミン、トリメチルスルホニウムヒドロキシド等が挙げられる。塩基性物質の使用量は、一般式IIIで表される化合物1モルに対して1.0~10.0モルの範囲から適宜選択すればよく、好ましくは1.0~3.0モルである。本反応は場合によっては溶媒を使用して行うことができる。溶媒としては、本反応の進行を阻害しないものであればよく、メタノール、エタノール、プロパノール又はイソプロパノール等のアルコール類、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン又はジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、ベンゼン、クロロベンゼン、ニトロベンゼン又はトルエン等の芳香族炭化水素類、水等を使用することができ、これらの溶媒は単独でもしくは混合して使用することができる。反応温度は-10°Cから使用する不活性溶媒の沸点域であり、好ましくは0°C~使用する不活性溶媒の沸点である。反応時間は反応温度、反応量等により一定しないが、一般的には1~48時間の範囲から選択すればよい。更に、一般式Icで表される化合物のアルカリ金属塩と、塩化ジメチルジステアリルアンモニウム等の四級アンモニウム塩又は塩化カルシウム等のアルカリ土類金属塩等とを塩交換反応させることによりアルカリ土類金属塩や四級アンモニウム塩等の別の塩に変換することもできる。四級アンモニウム塩又はアルカリ金属塩の使用量は、一般式Icで表される化合物のアルカリ金属塩1モルに対して1.0~10.0モルの範囲から適宜選択すればよく、好ましくは1.0~3.0モルである。尚、この塩交換反応で使用できる溶媒、反応温度及び反応時間は、前記製造方法2と同様である。一方、本発明の薬害が軽減された除草剤組成物は、A成分:上記一般式Iで表される化合物を主成分とする除草剤用薬害軽減剤B成分:1又は2以上の特定の除草活性化合物を含有することを特徴とするものである。A成分と組み合わせて使用するB成分の除草活性化合物としては、例えばクロジナホップclodinafop-propargyl、シハロホップブチルcyhalofop-butyl、ジクロホップメチルdiclofop-methyl、ジクロホップPメチルdiclofop-P-methyl、フェノキサプロップPエチルfenoxaprop-P-ethyl、フルアジホップfluazifop-butyl、フルアジホップPfluazifop-P-butyl、ハロキシホップhaloxyfop、ハロキシホップ-エトティルhaloxyfop-etotyl、ハロキシホップPhaloxyfop-P、メタミホップmetamifop、プロパキザホップpropaquizafop、キザロホップquizalofop-ethyl、キザロホップPエチルquizalofop-P-ethyl、キザロホップPテフリルquizalofop-P-tefuryl、フェンチアプロップエチルfenthiaprop-ethyl、アロキシジムalloxydim、ブトロキシジムbutroxydim、クレトジムclethodim、シクロキシジムcycloxydim、プロホキシジムprofoxydim、セトキシジムsethoxydim、テプラロキシジムtepraloxydim、トラルコキシジムtralkoxydim、アミノピラリドaminopyralid、ピノキサデンpinoxaden、イマザメタベンズimazamethabenz-methyl、イマザモックスimazamox、イマザピクimazapicアミン等との塩を含む、イマザピルimazapyrイソプロピルアミン等の塩を含む、イマザキンimazaquin、イマゼタピルimazethapyr、ビスピリバックナトリウムbispyribac-sodium、ピリベンゾキシムpyribenzoxim、ピリフタリドpyriftalid、ピリミノバックメチルpyriminobac-methyl、ピリチオバックナトリウムpyrithiobac-sodium、ピリミスルファンpyrimisulfan、フルカルバゾンナトリウムflucarbazone-sodium、チエンカルバゾンthiencarbazoneナトリウム塩、メチルエステル等を含む、プロポキシカルバゾンナトリウムpropoxycarbazone-sodium、プロカルバゾンナトリウムprocarbazone-sodium、アミドスルフロンamidosulfuron、アジムスルフロンazimsulfuron、ベンスルフロンメチルbensulfuron-methyl、クロリムロンエチルchlorimuron-ethyl、クロルスルフロンchlorsulfuron、シノスルフロンcinosulfuron、シクロスルファムロンcyclosulfamuron、エタメトスルフロンメチルethametsulfuron-methyl、エトキシスルフロンethoxysulfuron、フラザスルフロンflazasulfuron、フルピルスルフロンflupyrsulfuron-methyl-sodium、フォラムスルフロンforamsulfuron、ハロスルフロンメチルhalosulfuron-methyl、イマゾスルフロンimazosulfuron、ヨードスルフロンメチルナトリウムiodosulfulon-methyl-sodium、メソスフロンメチルmesosulfuron-methyl、メトスルフロンメチルmetsulfuron-methyl、ニコスルフロンnicosulfuron、オキサスルフロンoxasulfuron、プリミスルフロンprimisulfuron-methyl、プロスルフロンprosulfuron、ピラゾスルフロンエチルpyrazosulfuron-ethyl、リムスルフロンrimsulfuron、スルホメツロンメチルsulfometuron-methyl、スルフォスルフロンsulfosulfuron、チフェンスルフロンメチルthifensulfuron-methyl、トリアスルフロンtriasulfuron、トリベニュロンメチルtribenuron-methyl、トリフロキシスルフロンナトリウムtrifloxysulfuron-sodium、トリフルスルフロンメチルtriflusulfuron-methyl、トリトスルフロンtritosulfuron、オルトスルファムロンorthosulfamuron、プロピリスルフロンpropyrisulfuron、メタゾスルフロンmetazosulfuron、フルセトスルフロンflucetosulfuron、クロランスラムメチルcloransulam-methyi、ジクロスラムdiclosulam、フロラスラムflorasulam、フルメツラムflumetsulam、メトスラムmetosulam、ペノキススラムpenoxsulam、ピロクススラムpyroxsulam、HNPC-C-9908コード番号、デスメディファムdesmedipham、フェンメディファムphenmedipham、クロリダゾンchloridazon、ブロムピラゾンbrompyrazon、アメトリンametryn、アトラジンatrazine、シアナジンcyanazine、デスメトリンdesmetryne、ジメタメトリンdimethametryn、エグリナジンeglinazine-ethyl、プロメトンprometon、プロメトリンprometryn、プロパジンpropazine、シマジンsimazine、シメトリンsimetryn、テルブメトンterbumeton、テルブチラジンterbuthylazine、テルブトリンterbutryn、トリエタジンtrietazine、メタミトロンmetamitron、メトリブジンmetribuzin、アミカルバゾンamicarbazone、ブロマシルbromacil、レナシルlenacil、ターバシルterbacil、ペンタノクロールpentanochlor、プロパニルpropanil、クロルブロムロンchlorbromuron、クロロトルロンchlorotoluron、クロロクスロンchloroxuron、ジメフロンdimefuron、ジウロンdiuron、エチジムロンethidimuron、フェニュロンfenuron、フルオメツロンfluometuron、イソプロツロンisoproturon、イソウロンisouron、リニュロンlinuron、メタベンズチアズロンmethabenzthiazuron、メトブロムロンmetobromuron、メトキスロンmetoxuron、モノリニュロンmonolinuron、ネブロンneburon、シデュロンsiduron、テブチウロンtebuthiuron、メトベンズロンmetobenzuron、ベンタゾンbentazone、ブロモフェノキシムbromofenoxim、ブロモキシニルbromoxynil酪酸、オクタン酸又はヘプタン酸等のエステル体を含む、アイオキシニルioxynil、ピリダフォルpyridafol、ピリデートpyridate、ジクワットdiquat、パラコートparaquatdichloride、アシフルオルフェンacifluorfen-sodium、ビフェノックスbifenox、クロメトキシフェンchlomethoxyfen、エトキシフェンethoxyfen-ethyl、フルオログリコフェンfluoroglycofen-ethyl、ホメサフェンfomesafen、ラクトフェンlactofen、オキシフルオルフェンoxyfluorfen、シニドンエチルcinidon-ethyl、フルミクロラックペンチルflumiclorac-pentyl、フルミオキサジンflumioxazin、クロルフタリムchlorphthalim、オキサジアルギルoxadiargyl、オキサジアゾンoxadiazon、ペントキサゾンpentoxazone、フルアゾレートfluazolate、ピラフルフェンエチルpyraflufen-ethyl、ベンズフェンジゾンbenzfendizone、ブタフェナシルbutafenacil、サフルフェナシルsaflufenacil、フルチアセットメチルfluthiacet-methyl、チジアジミンthidiazimin、アザフェニジンazafenidin、カルフェントラゾンエチルcarfentrazone-ethyl、スルフェントラゾンsulfentrazone、ベンカルバゾンbencarbazone、ノルフルラゾンnorflurazon、ジフルフェニカンdiflufenican、ピコリナフェンpicolinafen、ベンゾビシクロンbenzobicyclon、メソトリオンmesotrione、ピラスルホトールpyrasulfotole、イソキサフルトールisoxaflutole、イソキサクロルトールisoxachlortole、ベンゾフェナップbenzofenap、ピラゾレートpyrazolate、ピラゾキシフェンpyrazoxyfen、スルコトリオンsulcotrione、テフリルトリオンtefuryltrion、テムボトリオンtembotrione、ピラスルホトールpyrasulfotole、トプラメゾンtopramezone、ビシクロピロンbicyclopyrone、4-クロロ-5-1,3-ジオキソシクロヘキサ-2-イルカルボニル-2,3-ジヒドロベンゾチオフェン-1,1-ジオキシド、アクロニフェンaclonifen、クロマゾンclomazone、アミトロールamitrole、グリホサートglyphosateナトリウム、アミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ジメチルアミン又はトリメシウム等の塩を含む、ビラナホスbilanafos、グルホシネートglufosinateアミン又はナトリウム等の塩を含む、アシュラムasulam、プロピザミドpropyzamide、テブタムtebutam、クロルタルジメチルchlorthal-dimethyl、ベンフルラリンbenfluralin、ブトラリンbutralin、ジニトラミンdinitramine、エタルフルラリンethalfluralin、フルクロラリンfluchloralin、オリザリンoryzalin、ペンジメタリンpendimethalin、プロジアミンprodiamine、トリフルラリンtrifluralin、アミプロホスメチルamiprofos-methyl、ブタミホスbutamifos、ジチオピルdithiopyr、チアゾピルthiazopyr、カルベタミドcarbetamide、クロルプロファムchlorpropham、プロファムpropham、スエップswep、カルブチレートkarbutilate、ジフェナミドdiphenamid、ナプロパミドnapropamide、ナプロアニリドnaproanilide、アセトクロ-ルacetochlor、アラクロールalachlor、ブタクロールbutachlor、ブテナクロールbutenachlor、ジエタチルdiethatyl-ethyl、ジメタクロールdimethachlor、ジメテナミドdimethenamid、ジメテナミドPdimethenamid-P、メタザクロールmetazachlor、メトラクロールmetolachlor、ペトキサミドpethoxamid、プレチラクロールpretilachlor、プロパクロールpropachlor、プロピソクロールpropisochlor、S-メトラクロールS-metolachlor、テニルクロールthenylchlor、フルフェナセットflufenacet、メフェナセットmefenacet、フェントラザミドfentrazamide、フェノキサスルホンfenoxasulfone、ピロキサスルホンpyroxasulfone、イソキサベンisoxaben、ジクロベニルdichlobenil、クロルチアミドchlorthiamid、フルポキサムflupoxame、ジノテルブdinoterb、DNOCアミン又はナトリウム等の塩を含む、ベンフレセートbenfuresate、エトフメセートethofumesate、ダラポンdalapon、フルプロパネートflupropanate、TCAナトリウム、カルシウム又はアンモニア等の塩を含む、ベンスリドbensulide、ブチレートbutylate、シクロエートcycloate、ジメピペレートdimepiperate、EPTC、エスプロカルブesprocarb、モリネートmolinate、オルベンカルブorbencarb、ペブレートpebulate、プロスルホカルブprosulfocarb、チオベンカルブthiobencarb、チオカルバジルtiocarbazil、トリアレートtri-allate、バーナレートvernolate、クロランベンchloramben、2,3,6-TBA、ジカンバdicambaアミン、ジエチルアミン、イソプロピルアミン、ジグリコールアミン、ナトリウム又はリチウム等の塩を含む、2,4,5-T、2,4-Dアミン、ジエチルアミン、トリエタノールアミン、イソプロピルアミン、ナトリウム又はリチウム等の塩を含む、2,4-DB、クロメプロップclomeprop、ジクロルプロップdichlorprop、ジクロルプロップ-Pdichlorprop-P、MCPA、MCPAチオエチルMCPA-thioethyl、MCPBナトリウム塩、エチルエステル等を含む、メコプロップmecopropナトリウム、カリウム、イソプロピルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミン等の塩を含む、メコプロップ-Pカリウム塩mecoprop-P、クロピラリドclopyralid、フルロキシピルfluroxypyr、ピクロラムpicloram、トリクロピルtriclopyr、トリクロピル-ブトティルtriclopyr-butotyl、キンクロラックquinclorac、キンメラックquinmerac、ナプタラムnaptalamナトリウム等との塩を含む、ジフルフェンゾピルdiflufenzopyr、フラムプロップMflamprop-Mメチル、エチル、イソプロピルエステルを含む、フラムプロップflampropメチル、エチル、イソプロピルエステルを含む、クロルフルレノールchlorflurenol-methyl、シンメチリンcinmethylin、クミルロンcumyluron、ダイムロンdaimuron、メチルダイムロンmethyldymuron、ジフェンゾコートdifenzoquat、エトベンザニドetobenzanid、ホサミンfosamine、ピリブチカルブpyributicarb、オキサジクロメホンoxaziclomefone、アクロレインacrolein、AE-F-150944コード番号、アミノシクロピラクロルaminocyclopyrachlor、シアナミドcyanamide、ヘプタマロキシログルカンheptamaloxyloglucan、インダジフラムindaziflam、トリアジフラムtriaziflam、キノクラミンquinoclamine、エンドタール二ナトリウム塩endothal-disodium、フェニソファムphenisopham、BDPTBDPT、BAU-9403コード番号、SYN-523コード番号、SYP-249コード番号、JS-913コード番号、IR-6396コード番号、メチオゾリンmetiozolin、トリアファモンTriafamone、HW-02コード番号、BCS-AA10579コード番号、フルフェンピルエチルflufenpyr-ethyl、プロフルアゾールprofluazol、ピラクロニルpyraclonil、SYP-298コード番号、SYP-300コード番号、ベフルブタミドbeflubutamid、フルリドンfluridone、フルロクロリドンflurochloridone、フルルタモンflurtamone、アニロホスanilofos、ブロモブチドbromobutide、カフェンストロールcafenstrole、インダノファンindanofan、ピペロホスpiperophos、イプフェンカルバゾンipfencarbazone、ベナゾリンbenazolin等の化合物が挙げられる。前記B成分の除草活性化合物として特に好ましい化合物は、例えばベンスルフロンメチル、ピラゾスルフロンエチル、ハロスルフロンメチル、アジムスルフロン、シノスルフロン、シクロスルファムロン、フルセトスルフロン、イマゾスルフロン、エトキシスルフロン又はプロピリスルフロン等のスルホニル尿素系化合物;例えばペノキススラム等のスルホンアミド系化合物;例えばブタクロール、プレチラクロール又はテニルクロール等のクロロアセトアニリド系化合物;例えばチオベンカルブ、エスプロカルブ又はモリネート等のチオカルバマート系化合物;例えばピリミノバックメチル、ピリフタリド、ビスピリバックナトリウム又はピリベンゾキシム等のピリミジニルオキシチオ安息香酸系化合物;例えばフェントラザミド等のテトラゾリノン系化合物;例えばカフェンストロール又はイプフェンカルバゾン等のトリアゾール系化合物;例えばピラゾレート、ピラゾキシフェン、ピラクロニル又はベンゾフェナップ等のピラゾール系化合物;例えばベンゾビシクロン、メソトリオン又はテフリルトリオン等のシクロヘキサンジオン系化合物;例えば2,4-D、MCPA、MCPB又はクロメプロップ等のフェノキシカルボン酸系化合物;オキサジクロメホン等のオキサジノン系化合物;例えばピリミスルファン等のジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物;例えばフェノキサスルホン又はピロキサスルホン等のイソオキサゾリン系化合物等;又はそれらの塩類;が挙げられる。本発明の除草剤組成物に用いられる上記B成分は、そのほとんどが例えば、ザペスティサイドマニュアルThePseticideManual第14版[ブリティッシュクロッププロテクションカウンシルBritishCropProtectionCouncil発行、2006年]、WO94/008999号公報、WO00/021924号公報及びWO03/061388号公報に記載されている公知のものである。又、ピリミスルファン、即ちN-[2-[4,6-ジメトキシピリミジン-2-イルヒドロキシメチル]-6-メトキシメチルフェニル]ジフルオロメタンスルホンアミドは、WO00/006553号公報に記載されている。又、フェノキサスルホン、即ち3-2,5-ジクロロ-4-エトキシベンジルスルホニル-4,5-デヒドロ-5,5-ジメトキシイソオキサゾールは、WO01/012613号公報に記載されている。又、ピロキサスルホン、即ち3-[5-ジフルオロメトキシ-1-メチル-3-トリフルオロメチルピラゾール-4-イルメチルスルホニル]-4,5-ジヒドロ-5,5-ジメチルイソオキサゾールは、WO02/062770号公報に記載されている。一方、上記除草活性化合物の塩としては、例えば、ナトリウム又はカリウム等のアルカリ金属の塩;カルシウム、マグネシウム又はバリウム等のアルカリ土類金属の塩;マンガン、銅、亜鉛又は鉄等の遷移金属の塩;アンモニウム塩;塩酸、臭化水素酸、リン酸又は硫酸等の無機酸との塩;メタンスルホン酸等のC1~C4アルキルスルホン酸、ベンゼンスルホン酸若しくはトルエンスルホン酸等の芳香族スルホン酸、シュウ酸、マレイン酸、フマル酸、乳酸、酒石酸、アジピン酸又は安息香酸等の有機酸との塩を挙げることができる。尚、本発明の除草剤組成物においては、更に、前記以外の除草活性化合物を組み合わせて用いてもよい。本発明の除草剤組成物において、A成分とB成分との使用割合は、両者の種類、対象作物の種類や生育時期、例えばイネ等における移植期などにより適宜変動することができるが、B成分の質量に対してA成分の質量が通常0.1~200倍量である。本発明の除草剤組成物において、A成分の施用量については特に限定されるものではないが、農地1ヘクタール当たり、通常、10~5000g、好ましくは50~3000g、更に好ましくは100~2000gの範囲で選ばれる。本発明の除草剤組成物において、B成分の施用量については特に限定されるものではないが、農地1ヘクタール当たり、通常、スルホニル尿素系化合物では、1~200g、好ましくは5~100g、スルホンアミド系化合物では、5~50g、好ましくは10~30g、クロロアセトアニリド系化合物では、50~3000g、好ましくは100~2000g、チオカルバマート系化合物では、500~5000g、好ましくは1000~4000g、ピリミジニルオキシチオ安息香酸系化合物では、5~500g、好ましくは10~200g、テトラゾリノン系化合物では、50~1000g、好ましくは100~500g、トリアゾール系化合物では、50~1000g、好ましくは100~500g、ピラゾール系化合物では、100~5000g、好ましくは500~3000g、シクロヘキサンジオン系化合物では、5~1000g、好ましくは10~500g、フェノキシカルボン酸系化合物では、50~2000g、好ましくは100~1000g、オキサジノン系化合物では、5~200g、好ましくは10~100g、ジフルオロメタンスルホニルアニリド系化合物では、5~200g、好ましくは10~100g、イソオキサゾリン系化合物では50~1000g、好ましくは100~500g、の範囲で選ばれる。本発明の除草剤組成物は、必要に応じ農薬製剤に通常用いられる添加成分を含有することができる。この添加成分としては、固体担体又は液体担体等の担体、界面活性剤、結合剤、粘着付与剤、増粘剤、着色剤、拡展剤、展着剤、凍結防止剤、固結防止剤、崩壊剤、分解防止剤等が挙げられる。その他必要に応じ、防腐剤や、植物片等を添加成分として用いてもよい。これらの添加成分は単独で用いてもよいし、又、2種以上を組み合わせて用いてもよい。上記添加成分について説明する。固体担体としては、例えば石英、クレー、カオリナイト、ピロフィライト、セリサイト、タルク、ベントナイト、酸性白土、アタパルジャイト、ゼオライト、珪藻土等の天然鉱物質類;炭酸カルシウム、硫酸アンモニウム、硫酸ナトリウム、塩化カリウム等の無機塩類;合成ケイ酸、合成ケイ酸塩、デンプン、セルロース、植物粉末等の有機固体担体;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリデン等のプラスチック担体等が挙げられる。液体担体としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール等の一価アルコール類や、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、グリセリン等の多価アルコール類のようなアルコール類;プロピレン系グリコールエーテル等の多価アルコール系化合物類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類;エチルエーテル、ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類;ノルマルパラフィン、ナフテン、イソパラフィン、ケロシン、鉱油等の脂肪族炭化水素類;ベンゼン、トルエン、キシレン、ソルベントナフサ、アルキルナフタレン等の芳香族炭化水素類;ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類;酢酸エチル、ジイソプロピルフタレート、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、アジピン酸ジメチル等のエステル類、γ‐ブチロラクトン等のラクトン類;ジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N‐アルキルピロリジノン等のアミド類;アセトニトリル等のニトリル類;ジメチルスルホキシド等の硫黄化合物類;大豆油、ナタネ油、綿実油、ヒマシ油等の植物油;水等を挙げることができる。界面活性剤としては、例えばソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン樹脂酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸ジエステル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンジアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルホルマリン縮合物、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマー、アルキルポリオキシエチレンポリプロピレンブロックポリマーエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸アミド、ポリオキシエチレン脂肪酸ビスフェニルエーテル、ポリアルキレンベンジルフェニルエーテル、ポリオキシアルキレンスチリルフェニルエーテル、アセチレンジオール、ポリオキシアルキレン付加アセチレンジオール、ポリオキシエチレンエーテル型シリコーン、エステル型シリコーン、フッ素系界面活性剤、ポリオキシエチレンひまし油、ポリオキシエチレン硬化ひまし油等の非イオン性界面活性剤;アルキル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテル硫酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、リグニンスルホン酸塩、アルキルスルホコハク酸塩、ナフタレンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、ナフタレンスルホン酸のホルマリン縮合物の塩、アルキルナフタレンスルホン酸のホルマリン縮合物の塩、脂肪酸塩、ポリカルボン酸塩、N‐メチル‐脂肪酸サルコシネート、樹脂酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルリン酸塩等のアニオン性界面活性剤;ラウリルアミン塩酸塩、ステアリルアミン塩酸塩、オレイルアミン塩酸塩、ステアリルアミン酢酸塩、ステアリルアミノプロピルアミン酢酸塩、ポリオキシエチレンアルキルアミン、アルキルトリメチルアンモニウムクロライド、アルキルジメチルベンザルコニウムクロライド等のアルキルアミン塩等のカチオン界面活性剤;アミノ酸型又はベタイン型等の両性界面活性剤等が挙げられる。又、結合剤や粘着付与剤としては、例えばカルボキシメチルセルロースやその塩、デキストリン、水溶性デンプン、キサンタンガム、グアーガム、蔗糖、ポリビニルピロリドン、アラビアゴム、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート、ポリアクリル酸ナトリウム、平均分子量6000~20000のポリエチレングリコール、平均分子量10万~500万のポリエチレンオキサイド、燐脂質例えばセファリン、レシチン等等が挙げられる。増粘剤としては、例えばキサンタンガム、グアーガム、ウェランガム、カルボキシメチルセルロース、ポリビニルピロリドン、カルボキシビニルポリマー、アクリル系ポリマー、デンプン系化合物及び水溶性多糖類のような水溶性高分子;高純度ベントナイト、フュームドシリカfumedsilica,ホワイトカーボンのような無機微粉等が挙げられる。着色剤としては、例えば酸化鉄、酸化チタン、プルシアンブルーのような無機顔料;アリザリン染料、アゾ染料、金属フタロシアニン染料のような有機染料等が挙げられる。拡展剤としては、例えばシリコーン系界面活性剤、セルロース粉末、デキストリン、加工デンプン、ポリアミノカルボン酸キレート化合物、架橋ポリビニルピロリドン、マレイン酸とスチレン類の共重合体、メタアクリル酸系共重合体、多価アルコールからなるポリマーとジカルボン酸無水物とのハーフエステル、ポリスチレンスルホン酸の水溶性塩等が挙げられる。展着剤としては、例えばパラフィン、テルペン、ポリアミド樹脂、ポリアクリル酸塩、ポリオキシエチレン、ワックス、ポリビニルアルキルエーテル、アルキルフェノールホルマリン縮合物、合成樹脂エマルション等が挙げられる。凍結防止剤としては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン等の多価アルコール類等が挙げられる。固結防止剤としては、例えばデンプン、アルギン酸、マンノース、ガラクトース等の多糖類、ポリビニルピロリドン、フュームドシリカfumedsilica,ホワイトカーボン、エステルガム、石油樹脂等が挙げられる。崩壊剤としては、例えばトリポリリン酸ソーダ、ヘキサメタリン酸ソーダ、ステアリン酸金属塩、セルロース粉末、デキストリン、メタクリル酸エステル系の共重合体、ポリビニルピロリドン、ポリアミノカルボン酸キレート化合物、スルホン化スチレンイソブチレン無水マレイン酸共重合体、デンプンポリアクリロニトリルグラフト共重合体等が挙げられる。分解防止剤としては、例えばゼオライト、生石灰、酸化マグネシウム等の乾燥剤、サリチル酸系、ベンゾフェノン系等の紫外線吸収剤等が挙げられる。防腐剤としては、例えばソルビン酸カリウム、1,2-ベンズチアゾリン-3-オン等が挙げられる。植物片としては、例えばおがくず、ヤシガラ、トウモロコシ穂軸、タバコ茎等が挙げられる。本発明の除草剤組成物に上記添加成分を含有させる場合、その含有割合は、質量基準で、担体では通常5~95、好ましくは20~90、界面活性剤では通常0.1~30、好ましくは0.5~10、その他の添加剤では0.1~30、好ましくは0.5~10の範囲で選ばれる。本発明の除草剤組成物は、液剤、乳剤、水和剤、粉剤、油剤、顆粒水和剤、フロアブル剤、乳懸濁剤、粒剤、ジャンボ剤、サスポエマルション、マイクロカプセル等の任意の剤型に製剤化して使用される。この製剤化時に、B成分以外の農薬、例えば他の除草剤、殺虫剤、殺菌剤、植物成長調節剤や、肥料等との混合組成物とすることもできる。又、本発明の除草剤組成物は、上記任意の製剤を水溶性フィルムで包装した形態にしてもよく、この形態で施用すると、省力化に資し、又、安全性を高めることができる。本発明の除草剤組成物は、雑草の発生前から生育期までの任意の時期に施用して、雑草防除と対象作物への薬害軽減とを共に発現させることができ、対象作物としては、イネが本発明の除草剤組成物の適用効果が最も顕著なので好ましい。一方、本発明の該除草活性化合物による作物の薬害軽減方法においては、上記A成分とB成分を同時に施用してもよいし、又、近接施用してもよい。ここで近接施用とは、上記B成分による対象作物の薬害が顕現しないうちに、上記B成分の施用からの期間を近接させて上記A成分を施用することを意味する。又、同時施用については、レディミックスの形態で適用することができ、例えばあらかじめ製剤化された本発明組成物を用いてもよいし、又、上記A成分とB成分とを別個に用意し、使用時に混合される現場調合物の形態で、即ちタンクミックスの形態で適用することもできる。本発明の除草剤組成物の製造方法は特に制限されないが、通常、以下の方法が用いられる。1全原料の混合品に適当量の水を加えて混練後、一定の大きさの穴を開けたスクリーンから押し出し造粒し乾燥する方法。2薬害軽減剤、除草活性化合物及び界面活性剤を有機溶剤に溶解又は懸濁し、担体に吸着させる方法。3全原料の混合品を、適当な粉砕機で混合粉砕する方法。次に、実施例により本発明を実施するための最良の形態を説明するが、本発明はこれらのみに限定されるべきものではない実施例1~10水耕試験ムラシゲスクーグ培地用塩類和光純薬株式会社製の25水溶液に、各種の薬害軽減剤、即ちA成分を10ppmの濃度になるように添加し、更に所定量の除草活性成分、即ちB成分を添加した。該溶液50mLを三角フラスコに分取し、各種の液体培地を調製した。又、同様にして、ムラシゲスクーグ培地用塩類25水溶液のみを50mL入れた液体培地以下無処理培地と称するを調製した。育苗用培土で2葉期まで生育させたイネ金南風を、根部を1cmの長さを残して切断した。根部を切断したイネを上記の培地に浸漬し、グロースチャンバー内で25°C、明期:16時間、暗期:8時間の条件で生育させた。7日後に根部の長さを測定した。その測定値の平均値n=3をとり、無処理区の測定値の平均値に対する百分率無処理区比を求めた。結果を表1に示す。比較例1~6A成分を添加しなかったこと以外は実施例と同様にして調製した液体培地により、あらかじめ1cmの長さに根部を切断したイネを生育させ、7日後に根部の長さを測定した。その測定値の平均値n=3をとり、無処理区の測定値の平均値に対する百分率無処理区比を求めた。結果を表1に示す。尚、無処理区とは、前記無処理培地で作物を生育させた作物区分を意味する。実施例11~34水耕試験ムラシゲスクーグ培地用塩類和光純薬株式会社製の25水溶液に、各種の薬害軽減剤、即ちA成分を2.5ppmの濃度になるように添加し、更に所定量の除草活性成分、即ちB成分を添加した。該溶液50mLを三角フラスコに分取し、各種の液体培地を調製した。又、同様にして、ムラシゲスクーグ培地用塩類25水溶液のみを50mL入れた液体培地以下無処理培地と称するを調製した。育苗用培土で2葉期まで生育させたイネ金南風を、根部を1cmの長さを残して切断した。根部を切断したイネを上記の培地に浸漬し、グロースチャンバー内で25°C、明期:16時間、暗期:8時間の条件で生育させた。14日後に草丈の長さを測定した。その測定値の平均値n=3をとり、無処理区の測定値の平均値に対する百分率無処理区比を求めた。結果を表2に示す。比較例7~12A成分を添加しなかったこと以外は実施例と同様にして調製した液体培地により、あらかじめ1cmの長さに根部を切断したイネを生育させ、14日後に草丈の長さを測定した。その測定値の平均値n=3をとり、無処理区の測定値の平均値に対する百分率無処理区比を求めた。結果を表2に示す。尚、無処理区とは、前記無処理培地で作物を生育させた作物区分を意味する。表1及び表2から明らかなように、実施例のイネのほうが比較例よりも根部又は草丈が長くなり、根部抑制の薬害が軽減されていること分かる。実施例35~40ポット試験フェノキサスルホン2部、ピリミスルファン0.5部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム70.5部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、フェノキサスルホン及びピリミスルファンを含有する粒剤を得た。育苗用培土で2葉期まで生育させたイネ金南風を、根部を1cmの長さを残して切断した。根部を切断したイネを、土壌を充填した面積1/5000aのワグネルポットに、茎葉基部の深度が1cmとなるように移植した。イネを移植したワグネルポットに注水し、水面から土壌表面までの深さが4cmとなるように管理した。イネの移植から3日後に、前記の除草剤化合物、即ちB成分を含有する粒剤を20mg処理し、更に所定量の各種の薬害軽減剤、即ちA成分を水面に処理した後、温室内でイネを生育させた。粒剤の処理から12日後、20日後及び30日後にイネの生育状況を達観調査し、薬害の発現程度を0~100の指数で評価し0=無処理区と同等の生育状況;100=完全枯死、その指数の平均値n=3を求めた。結果を表3に示す。比較例13A成分を処理しなかったこと以外は実施例と同様にして、イネを移植したワグネルポットに粒剤を処理し、イネを生育させた。粒剤の処理から12日後、20日後及び30日後にイネの生育状況を達観調査し、薬害の発現程度を0~100の指数で評価し0=無処理区と同等の生育状況;100=完全枯死、その指数の平均値n=3を求めた。結果を表3に示す。尚、無処理区とは、前記B成分を含有する粒剤を施用せず、又A成分も処理せずに作物を生育させた作物区分を意味する。以下、本発明組成物の各種製剤についてその例を示す。尚、以下の記載において、部は質量部を意味する。実施例414-tert-ブチルシクロヘキサノール2部、フェノキサスルホン2部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム69部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4-tert-ブチルシクロヘキサノール及びフェノキサスルホンを含有する粒剤を得た。実施例424-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸5部、フェノキサスルホン2部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム66部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びフェノキサスルホンを含有する粒剤を得た。実施例432,2’-ビス4-ヒドロキシシクロヘキシルプロパン10部、フェノキサスルホン2部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム61部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、2,2’-ビス4-ヒドロキシシクロヘキシルプロパン及びフェノキサスルホンを含有する粒剤を得た。実施例444-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸10部、フェノキサスルホン10部、フュームドシリカホワイトカーボン5部、アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム塩10部及びクレー65部を衝撃式粉砕機により混合粉砕することにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びフェノキサスルホンを含有する水和剤を得た。実施例454-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸2部、フェノキサスルホン4部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩5部、プロピレングリコール10部、キサンタンガム0.3部及び水78.7部を湿式粉砕機により、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びフェノキサスルホンを含有するフロアブル剤を得た。実施例464-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸8部、フェノキサスルホン8部、酵素変性デキストリン3部、アセチレンジオール3部、含水プラスチック中空ビーズ12部、無水硫酸ナトリウム20部及び尿素46部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径5mmのスクリーンより押し出し造粒した。長さ3~20mmに整粒した後、品温60°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びフェノキサスルホンを含有する浮遊拡散型粒剤を得た。実施例474-tert-ブチルシクロヘキサノール5部、フェノキサスルホン2部、ベンスルフロンメチル1部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム65部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4-tert-ブチルシクロヘキサノール、フェノキサスルホン及びベンスルフロンメチルを含有する粒剤を得た。実施例484-tert-ブチルシクロヘキサノール10部、ピリミスルファン1部、アルファー化でんぷん3部、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム1部及びクレー85部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温60°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4-tert-ブチルシクロヘキサノール及びピリミスルファンを含有する粒剤を得た。実施例494-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸5部、ピリミスルファン2部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩5部、プロピレングリコール10部、キサンタンガム0.3部及び水77.7部を湿式粉砕機により、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びピリミスルファンを含有するフロアブル剤を得た。実施例502,2’-ビス4-ヒドロキシシクロヘキシルプロパン2部、ピリミスルファン3部、酵素変性デキストリン3部、アセチレンジオール3部、含水プラスチック中空ビーズ12部、無水硫酸ナトリウム20部及び尿素57部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径5mmのスクリーンより押し出し造粒した。長さ3~20mmに整粒した後、品温60°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、2,2’-ビス4-ヒドロキシシクロヘキシルプロパン及びピリミスルファンを含有する浮遊拡散型粒剤を得た。実施例514-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸10部、ピリミノバックメチル1部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム62部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びピリミノバックメチルを含有する粒剤を得た。実施例524-tert-ブチルシクロヘキサノール10部、ピリミノバックメチル2部、ベンスルフロンメチル3部、酵素変性デキストリン3部、アセチレンジオール3部、含水プラスチック中空ビーズ12部、無水硫酸ナトリウム20部及び尿素47部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径5mmのスクリーンより押し出し造粒した。長さ3~20mmに整粒した後、品温60°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4-tert-ブチルシクロヘキサノール、ピリミノバックメチル及びベンスルフロンメチルを含有する浮遊拡散型粒剤を得た。実施例532,2’-ビス4-ヒドロキシシクロヘキシルプロパン5部、チオベンカルブ5部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、フュームドシリカホワイトカーボン5部、珪藻土10部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム48部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温50°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、2,2’-ビス4-ヒドロキシシクロヘキシルプロパン及びチオベンカルブを含有する粒剤を得た。実施例544-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸10部、フェントラザミド3部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム60部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びフェントラザミドを含有する粒剤を得た。実施例554-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸10部、オキサジクロメホン1部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩5部、プロピレングリコール10部、キサンタンガム0.3部及び水73.7部を湿式粉砕機により、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びオキサジクロメホンを含有するフロアブル剤を得た。実施例564-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸5部、カフェンストロール2部、ベンゾビシクロン4部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩5部、プロピレングリコール10部、キサンタンガム0.3部及び水73.7部を湿式粉砕機を用いて、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸、カフェンストロール及びベンゾビシクロンを含有するフロアブル剤を得た。実施例574-tert-ブチルシクロヘキサノール5部、ブタクロール5部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、フュームドシリカホワイトカーボン5部、珪藻土10部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム48部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温50°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4-tert-ブチルシクロヘキサノール及びブタクロールを含有する粒剤を得た。実施例584-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸20部、ペノキススラム1部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム52部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びペノキススラムを含有する粒剤を得た。実施例594-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸3部、オキサジクロメホン1部、クロメプロップ3部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩5部、プロピレングリコール10部、キサンタンガム0.3部及び水77.7部を湿式粉砕機を用いて、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸、オキサジクロメホン及びクロメプロップを含有するフロアブル剤を得た。実施例604-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸4部、ベンゾフェナップ8部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム61部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸及びベンゾフェナップを含有する粒剤を得た。実施例614-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド5部、フェノキサスルホン2部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム66部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びフェノキサスルホンを含有する粒剤を得た。実施例624-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド10部、フェノキサスルホン10部、フュームドシリカホワイトカーボン5部、アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム塩10部及びクレー65部を衝撃式粉砕機により混合粉砕することにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びフェノキサスルホンを含有する水和剤を得た。実施例634-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド2部、フェノキサスルホン4部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩5部、プロピレングリコール10部、キサンタンガム0.3部及び水78.7部を湿式粉砕機により、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びフェノキサスルホンを含有するフロアブル剤を得た。実施例644-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド8部、フェノキサスルホン8部、酵素変性デキストリン3部、アセチレンジオール3部、含水プラスチック中空ビーズ12部、無水硫酸ナトリウム20部及び尿素46部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径5mmのスクリーンより押し出し造粒した。長さ3~20mmに整粒した後、品温60°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びフェノキサスルホンを含有する浮遊拡散型粒剤を得た。実施例654-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド5部、フェノキサスルホン2部、ベンスルフロンメチル1部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム65部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド、フェノキサスルホン及びベンスルフロンメチルを含有する粒剤を得た。実施例664-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド10部、ピリミスルファン1部、アルファー化でんぷん3部、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム1部及びクレー85部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温60°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びピリミスルファンを含有する粒剤を得た。実施例674-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド5部、ピリミスルファン2部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩5部、プロピレングリコール10部、キサンタンガム0.3部及び水77.7部を湿式粉砕機により、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びピリミスルファンを含有するフロアブル剤を得た。実施例684-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド2部、ピリミスルファン3部、酵素変性デキストリン3部、アセチレンジオール3部、含水プラスチック中空ビーズ12部、無水硫酸ナトリウム20部及び尿素57部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径5mmのスクリーンより押し出し造粒した。長さ3~20mmに整粒した後、品温60°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びピリミスルファンを含有する浮遊拡散型粒剤を得た。実施例694-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド10部、ピリミノバックメチル1部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム62部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びピリミノバックメチルを含有する粒剤を得た。実施例704-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド10部、ピリミノバックメチル2部、ベンスルフロンメチル3部、酵素変性デキストリン3部、アセチレンジオール3部、含水プラスチック中空ビーズ12部、無水硫酸ナトリウム20部及び尿素47部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径5mmのスクリーンより押し出し造粒した。長さ3~20mmに整粒した後、品温60°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド、ピリミノバックメチル及びベンスルフロンメチルを含有する浮遊拡散型粒剤を得た。実施例714-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド5部、チオベンカルブ5部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、フュームドシリカホワイトカーボン5部、珪藻土10部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム48部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温50°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びチオベンカルブを含有する粒剤を得た。実施例724-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド10部、フェントラザミド3部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム60部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びフェントラザミドを含有する粒剤を得た。実施例734-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド10部、オキサジクロメホン1部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩5部、プロピレングリコール10部、キサンタンガム0.3部及び水73.7部を湿式粉砕機により用いて、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びオキサジクロメホンを含有するフロアブル剤を得た。実施例744-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド5部、カフェンストロール2部、ベンゾビシクロン4部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩5部、プロピレングリコール10部、キサンタンガム0.3部及び水73.7部を湿式粉砕機により、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド、カフェンストロール及びベンゾビシクロンを含有するフロアブル剤を得た。実施例754-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド5部、ブタクロール5部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、フュームドシリカホワイトカーボン5部、珪藻土10部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム48部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温50°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びブタクロールを含有する粒剤を得た。実施例764-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド20部、ペノキススラム1部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム52部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びペノキススラムを含有する粒剤を得た。実施例774-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド3部、オキサジクロメホン1部、クロメプロップ3部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩5部、プロピレングリコール10部、キサンタンガム0.3部及び水77.7部を湿式粉砕機により、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド、オキサジクロメホン及びクロメプロップを含有するフロアブル剤を得た。実施例784-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド4部、ベンゾフェナップ8部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム61部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70°Cで流動層乾燥機により乾燥し、篩分けることにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド及びベンゾフェナップを含有する粒剤を得た。次に、本発明の除草活性化合物による作物の薬害軽減方法についてその例を示す。実施例794-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸10部、アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム塩2部、珪藻土30部及びクレー58部を衝撃式粉砕機により混合粉砕することにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸を含有する水和剤を得た。別に、フェノキサスルホン2部、酵素変性デキストリン1部、ジオクチルスルホサクシネートナトリウム塩1部、ベントナイト25部及び炭酸カルシウム61部に適量の水を加えて混練した後、押し出し造粒機を用いて目開き径1mmのスクリーンより押し出し造粒した。品温70°Cで流動層乾燥機で乾燥し、篩分けることにより、フェノキサスルホンを含有する粒剤を得た。この水和剤と粒剤を水田雑草へ同時に施用した。実施例80前記実施例79で製造したフェノキサスルホンを含有する粒剤を水田雑草へ施用し、3日後、前記実施例79で製造した4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸を含有する水和剤を水田雑草へ施用した。実施例81前記実施例79で製造した4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸を含有する水和剤を水田雑草へ施用し、7日後、前記実施例79で製造したフェノキサスルホンを含有する粒剤を水田雑草へ施用した。実施例824-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド10部、アルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム塩2部、珪藻土30部及びクレー58部を衝撃式粉砕機により混合粉砕することにより、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボンキサミドを含有する水和剤を得た。別に、ピリミスルファン2部、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテルサルフェートナトリウム塩5部、プロピレングリコール10部、キサンタンガム0.3部及び水82.7部を湿式粉砕機を用いて、ガラス製ビーズを粉砕媒体として混合粉砕することにより、ピリミスルファンを含有するフロアブル剤を得た。この水和剤とフロアブルを水田雑草へ同時に施用した。実施例83前記実施例82で製造したピリミスルファンを含有するフロアブルを水田雑草へ施用し、5日後、前記実施例82で製造した4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミドを含有する水和剤を水田雑草へ施用した。実施例84前記実施例82で製造した4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミドを含有する水和剤を水田雑草へ施用し、5日後、前記実施例82で製造したピリミスルファンを含有するフロアブルを水田雑草へ施用した。実施例854-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸メチルの製造氷冷下メタノール160mLに塩化アセチル1.8g22.7mmolを加え、10分間攪拌した後、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸5.36g29.1mmolを加え、室温で18時間攪拌した。反応溶液を水に注ぎ、ジエチルエーテルで抽出し、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下留去し、得られた残渣を、酢酸エチル:ヘキサン=1:20の混合液を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、4-t-ブチルシクロヘキサンカルボン酸メチル5.59gを無色液体として得た。屈折率20°C1.452cis体:trans体=3.4:1実施例864-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸ベンジルの製造4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸4.0g21.7mmolをN,N-ジメチルホルムアミド25mLに溶解し、炭酸カリウム6.0g43.5mmol、ベンジルブロミド4.8g28.1mmolを加え、室温で20時間攪拌した。反応溶液を水に注ぎ、酢酸エチルで抽出し、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧下留去し、得られた残渣を、酢酸エチル:ヘキサン=1:20の混合液を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸ベンジル5.65gを無色液体として得た。屈折率20°C1.503cis体:trans体=3:1実施例874-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミドの製造4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸10.0g54.3mmolを塩化メチレン50mLに溶解し、触媒量のN,N-ジメチルホルムアミドを加え、氷冷下で塩化オキサリル20.7g163mmolを滴下し、室温で3時間攪拌した。減圧下溶媒を留去し、過剰量の30アンモニア水に氷冷下で滴下し、室温で10分間攪拌した。この溶液を塩化メチレン30mLで4度抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去し、得られた残渣を、酢酸エチル:ヘキサン=4:1の混合液を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボキサミド6.4gを無色結晶として得た。融点151~153°Ccis体:trans体=4:1実施例884-tert-ブチル-N,N-ジメチルシクロヘキサンカルボキサミドの製造4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸1.0g5.4mmolを塩化メチレン10mLに溶解し、触媒量のN,N-ジメチルホルムアミド、塩化オキサリル2.1g16.5mmolを加え、加熱還流した。3時間後、氷冷下で過剰量の40ジメチルアミン水溶液に加え、室温で5分間攪拌した。この溶液に0.5Mクエン酸水溶液100mLを加え、塩化メチレン20mLで4度抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去し、得られた残渣を、酢酸エチル:ヘキサン=1:2~1:1のグラジエント混合液を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、4-tert-ブチル-N,N-ジメチルシクロヘキサンカルボキサミドのcis体0.89g及びtrans体0.23gを無色結晶として得た。融点44~46°Ccis体,81~82°Ctrans体実施例894-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸カルシウム塩の製造4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸5.0g27.2mmolに蒸留水20mLを加え、33水酸化ナトリウム水溶液4.0gを滴下し、室温で3時間撹拌した。反応溶液に、50塩化カルシウム2水和物水溶液3.5gを滴下し、さらに蒸留水90mLを加え、室温で30分間攪拌した。得られた沈殿物をろ過し、重量変化がなくなるまで減圧乾燥して、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸カルシウム塩6.0gを無色結晶として得た。実施例904-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸トリエタノールアミン塩の製造4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸3.0g16.3mmolをテトラヒドロフラン50mLに溶解し、トリエタノールアミン2.4g16.3mmolを加え、室温で12時間攪拌した。減圧下溶媒を留去し、ヘキサン30mLを加えた。得られた結晶をろ過し、ジイソプロピルエーテルで洗浄し、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸トリエタノールアミン塩2.8gを無色結晶として得た。融点69~72°Ccis体:trans体=2.4:1実施例914-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸ジメチルジステアリルアンモニウム塩の製造4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸1.5g8.14mmolをテトラヒドロフラン90mLに溶解し、10水酸化ナトリウム水溶液3.6mLを加え、80°Cで30分攪拌した。反応液を室温まで冷却し、塩化ジメチルジステアリルアンモニウム4.77g8.14mmolを加え、80°Cで2時間攪拌した後、室温で12時間攪拌した。減圧下溶媒を留去し、得られた残渣を水10mL、ジエチルエーテル20mLで洗浄し、4-tert-ブチルシクロヘキサンカルボン酸ジメチルジステアリルアンモニウム塩を1.4g得た。屈折率20°C1.471cis体:trans体=2.2:1"