テスタによって刺激が与えられるテスト対象のデバイスDUTにおける故障位置測定を行うシステムであって、フェムト秒パルス幅及びシリコンのバンドギャップより長い波長を有するレーザ光パルスを供給するレーザ光源と、前記レーザ光パルスを受け取り、前記レーザ光パルスを前記DUTの関心領域に送出する光学素子と、前記テスタから同期信号を受信し、前記同期信号に従って前記レーザ光源のタイミングを制御するタイミング電子回路とを備え、前記レーザ光パルスのパルス幅及び波長は、前記DUTにおいて2フォトン吸収を生じさせるように選択されるシステム。前記レーザ光源は、1250nmと1550nmとの間の波長のレーザ光パルスを供給する請求項1のシステム。前記レーザ光源は、約100フェムト秒のパルス幅のレーザ光パルスを供給する請求項2のシステム。前記光学素子は、レーザ走査顕微鏡LSMを含む請求項2のシステム。前記光学素子は、更にソリッドイマージョンレンズを含む請求項4のシステム。前記タイミング電子回路は、前記レーザ光パルスのタイミングを、前記DUTのスイッチング時間を増加又は減少させるように制御する請求項1のシステム。テスタからのテストベクトルによって刺激が与えられるテスト対象のデバイスDUTのスイッチング時間を変更する方法であって、フェムト秒パルス幅及びシリコンのバンドギャップより長い波長を有するレーザ光パルスを生成し、前記レーザ光パルスを前記DUTの関心領域に送出し、前記テスタからの同期信号に従って前記レーザ光源のタイミングを制御し、前記レーザ光パルスのパルス幅及び波長は、前記DUTにおいて2フォトン吸収を生じさせるように選択される方法。前記レーザ光パルスは、1250nmと1550nmとの間の波長を有する請求項7の方法。前記レーザ光パルスは、約100フェムト秒のパルス幅を有する請求項7の方法。前記タイミングの制御は、前記レーザ光パルスのタイミングを、前記DUTのスイッチング時間を増加又は減少させるように制御することを含む請求項7の方法。テスタによって刺激が与えられるテスト対象のデバイスDUTをテストする方法であって、前記テスタからのテストベクトルの第1の組を前記DUTに適用して、前記DUTの限界の設定を決定し、前記DUTの前記限界の設定に従って、前記テスタのテストベクトルの第2の組の電圧及び周波数を設定し、前記テスタからのテストベクトルの前記第2の組を前記DUTに繰り返し適用し、前記テスタから同期信号を受け取り、前記同期信号をレーザ光源に適用して、フェムト秒パルス幅及びシリコンのバンドギャップより長い波長を有するレーザ光パルスを受け取り、前記レーザ光パルスを前記DUTの関心領域に適用して、前記DUTのスイッチング時間を増加又は減少させ、前記DUTの出力を監視して、故障の位置を決定する方法。前記DUTの出力の監視は、各時点において前記DUTの合否を監視し、前記合否の結果をその時点の前記レーザ光パルスが照射する場所に関連付けることを含む請求項11の方法。前記限界の設定の決定は、テストベクトルの電圧及び周波数を、前記DUTが前記テストに不合格になる寸前になるように、又は前記テストにちょうど不合格になるように決定することを含む請求項11の方法。本発明の実施形態は、LADA技術を用いた故障位置測定を目的として、2フォトン吸収TPA:twophotonabsorptionをICへのキャリアの正確な注入に適用する。TPAを生じさせるために、本発明の実施形態は、適切なエネルギーを有するフェムト秒パルスレーザを使用する。この技術は、トランジスタにおける焦点に同時に到着する2個のフォトンに基づいており、このため、フォトンエネルギーの合計は、電子正孔対の生成に必要なものより大きい。2フォトンによる刺激は、テスト対象の半導体のバンドギャップより小さなフォトンエネルギーを有するフェムト秒レーザパルスによる励起を必要とする。より具体的には、入射レーザのフォトンエネルギーは、その物質のバンドギャップの半分に正確に等しい又はそれより大きいように設定される。2フォトン吸収はピーク強度の2乗に応じて決まるので、信号はレーザの焦点に強力に集中されて、故障位置測定の性能及び画像解像度を単一フォトンLADA技術に対して直ちに向上させる。本発明の実施形態は、また、テスタ例えばATEのクロックのエッジの遷移に対するレーザパルスのタイミングを正確に制御するために、タイミング電子回路を用いる。この種の制御により、注目しているトランジスタを通って伝搬する信号の遅延又は進みを精密に変更することができる。2フォトン技術の利点は、トランジスタにわずかな損失で到達され得る、より長い波長の光を利用することができるということである。例えば、1250nm光の2個のフォトンの場合には、これらのフォトンは、波長625nmの単一のフォトンの効果を生じ、LADA効果に必要な電子正孔対を生成する。これは、それだけで現在のシステムの分解能をほぼ1.21倍に向上させるであろう。更に、2フォトン生成の非線形な性質を利用することにより、電子正孔対の生成が行われる部分の体積を減少させることができる。単一フォトンLADAとは対照的に、2フォトン吸収によるキャリア生成は入射パワーとは非線形に変化し、実効的な焦点面積を半分に縮小し、軸方向の吸収深さを基板厚さと同等の値からわずか約100nmに縮小する。このため、2フォトン刺激によると、LADAキャリア生成体積を潜在的には2000分の1にも縮小することができる。図2は、本発明の実施形態を図示し、先行技術と同様にDUT210はATE215に結合されている。しかし、図2の実施形態においては、フェムト秒レーザパルスがパルスレーザ光源225によって生成され、レーザパルスは、チルト可能な鏡230及び235並びに対物レンズ240を用いて、DUT210上に焦点が合わせられる。レーザ光源は、シリコンのバンドギャップより長い、すなわち、1107nmより長い波長のレーザ光線を供給する。一実施形態では1550nmの波長が用いられ、他の実施形態では1340nm又は1250nmが用いられる。この実施形態では、チルト可能な鏡230及び235は、レーザ走査顕微鏡LSMとして実装されている。また、ソリッドイマージョンレンズSIL:solidimmersionlensが対物レンズ機構の一部として用いられるような実施形態もある。従来のLADAシステムでは、レーザは常に出力されている。しかし、本発明の実施形態によると、非常に短いパルスが使用される。したがって、レーザパルスがデバイスに到達するときにデバイス遷移が生じるということは重要である。これを実現するために、トリガー信号245がATEから得られてタイミング電子回路260に入力され、この回路はパルスレーザ225を制御してレーザパルスをATEのテスト信号に同期させる。図2に示されたシステムを用い、DUT210の限界の設定を決定するために、最初にテスタATE215が操作されてテストベクトルの組が適用される。すなわち、DUTがテストに不合格になる寸前の点又はテストにちょうど不合格になる点を決定するために、テストベクトルの電圧及び周波数が変更される。これが、そのDUTの合否境界である。そして、DUTをその合否境界で繰り返し刺激するための反復テスト信号を生成するために、この電圧及び周波数の設定が用いられる。DUTが境界条件で刺激されるときに、同期信号245がテスタ215からタイミング電子回路260に送信される。タイミング電子回路260は、レーザ光源225を制御して、フェムト秒パルス幅を有しシリコンのバンドギャップより長い波長を有するレーザパルスを得る。一般に、波長は約1250nmから1550nmであり、パルス幅は約100fsである。レーザパルスはDUT210上の関心領域をスキャンして、DUTのスイッチング時間を増加又は減少させ、DUTが境界を越えるようにする。すなわち、DUTが不合格になる寸前になるようにテストベクトルの電圧/周波数が設定されている場合には、DUTが不合格になるようにレーザパルスのタイミングが決められる。反対に、DUTがちょうど不合格なるようにテストベクトルの電圧/周波数が設定されている場合には、DUTがテストに合格するようにレーザパルスのタイミングが決められる。この間、DUTの出力は故障の位置を決定するために監視される。すなわち、DUTからの出力信号が不合格を示す瞬間レーザ光線がなければDUTは合格するであろうにおいて、DUT上の光線の位置が求められ、不合格の原因となっているトランジスタの位置を求めることができる。反対に、DUTからの出力信号が合格を示す瞬間レーザ光線がなければDUTは不合格となるであろうにおいて、DUT上の光線の位置が求められ、以前は不合格の原因となり、現在は合格しているトランジスタの位置を求めることができる。同期信号がテスタから得られるので、トランジスタに対する2フォトン効果の量を変化させるためにレーザパルスのタイミングが変更可能であるということが理解されるべきである。すなわち、DUTのスイッチング時間の量を増加又は減少させるために、レーザパルスのタイミングが変更可能である。この能力は、故障の位置に加えて故障の重大度を決定する助けになり得る。ここで説明されたプロセス及び技術は、本質的にいかなる特定の装置にも関係しておらず、構成要素のいかなる適切な組合せによっても実現され得る。更に、様々なタイプの汎用のデバイスをここに記載された教示に従って用いてもよい。また、ここに記載された方法のステップを実行するための専用の装置を構成することは、有益であることが分かるかも知れない。本発明を特定の例に関して説明したが、これは全ての点において、限定的ではなく例示的であることが意図されている。ハードウェア、ソフトウェア、及びファームウェアの多くの異なる組合せが本発明の実施に適することを当業者は理解するであろう。更に、ここに開示された本発明の明細書及び実施を考慮することにより、本発明の他の実施態様が当業者には明らかであろう。本明細書及び例は、例示としてのみ考慮されることが意図されており、本発明の本質的な範囲及び趣旨は以下の請求項に示されている。