"基板がキャリアヘッドに保持されているとき前記基板を研磨するための少なくとも1つの研磨ステーションと、保持リングを有する前記キャリアヘッドにおよびそれから前記基板を移送するための移送ステーションとの間で移動経路において移動可能なキャリアヘッドと、前記キャリアヘッドの前記移動経路に配置され、前記保持リングの状態を示すメトリックを提供するように動作可能なセンサとを備える装置。前記センサが超音波センサである、請求項1に記載の装置。前記センサが渦電流センサである、請求項1に記載の装置。前記センサが光センサである、請求項1に記載の装置。前記移送ステーションの本体に配置され、前記保持リングが前記移送ステーションの前記本体に位置合わせされるとき前記保持リングの方に光を誘導するように位置づけられた複数の導波路を、前記センサが備える、請求項4に記載の装置。前記センサが送信機と受信機とを備える、請求項4に記載の装置。前記移送ステーションが、水源と流体連通する1つまたは複数のノズルを備える、請求項1に記載の装置。前記移送ステーションが、流体を含むように成形される本体を備える、請求項2に記載の装置。前記基板が第1の半径を含み、前記センサが前記第1の半径よりも大きい第2の半径で位置づけられる、請求項7に記載の装置。キャリアヘッドに結合された保持リングの少なくとも1つの表面をモニタする方法であって、研磨モジュールに配置されたセンサデバイスの近傍にキャリアヘッドを移動させるステップと、前記センサデバイスからのエネルギーを前記保持リングの方に送出するステップと、前記保持リングから反射されたエネルギーを受け取るステップと、前記受け取ったエネルギーに基づいて前記保持リングの状態を決定するステップとを含む方法。前記送出され受け取られるエネルギーが音波である、請求項10に記載の方法。前記送出され受け取られるエネルギーが光信号である、請求項10に記載の方法。前記送出され受け取られるエネルギーが磁界である、請求項10に記載の方法。前記エネルギーが液体により送出され受け取られる、請求項10に記載の方法。前記研磨モジュールに配置されたロードカップアセンブリの近傍に前記キャリアヘッドを移動させるステップであり、前記センサデバイスが前記ロードカップアセンブリの本体に配置される、ステップをさらに含む、請求項10に記載の方法。理解しやすくするために、可能な場合、図に共通な同一の要素を示すのに同一の参照番号が使用される。1つの実施形態で開示されている要素は、特別な記述なしに他の実施形態で有利に利用できることが企図されている。本発明は、概して、保持リングの摩耗を決定し、かつ/または保持リングの寿命を評価するための研磨システム内の保持リングのモニタリングを容易にする方法および装置を提供する。保持リングの物理的な取扱いまたは研磨システムの運転停止を必要とすることなしに、保持リングをモニタするオンツールモニタデバイスが説明される。さらに、モニタデバイスからのデータはコントローラに供給され、後続の研磨プロセスを調整するのに利用されうる。図1は、研磨モジュール105および基板移送デバイスを有し、電気化学機械研磨および/または化学機械研磨に好適である研磨システム100の平面図である。研磨モジュール105は、環境制御された筐体115に配置された第1の研磨ステーション110A、第2の研磨ステーション110B、および第3の研磨ステーション110Cを含む。カルーセル125などの基板移送デバイスは、研磨ステーション110A、110B、および110Cの間で基板を移動させる。研磨ステーション110A、110B、110Cのいずれも平坦化または研磨プロセスを行い、基板のフィーチャ側から材料を除去してフィーチャ側に平面表面を形成することができる。モジュール105は、カリフォルニア州、サンタクララにあるAppliedMaterials,Inc.から入手できるREFLEXION登録商標、REFLEXION登録商標LK、REFLEXION登録商標LKECMP商標、MIRRAMESA登録商標、およびREFLEXIONGT商標研磨システムなどのより大きい研磨システムの一部とすることができるが、他の研磨システムを利用することができる。他のタイプの研磨パッド、ベルト、割り出し可能なウエブタイプのパッド、またはそれらの組合せを使用するものと、研磨表面に対して基板を回転、直線、または他の平面の動きで移動させるものとを含む他の研磨モジュールは、やはり、本明細書で説明される実施形態から利益を得るように適合することができる。1つの実施形態では、研磨モジュール105の110A~110Cの研磨ステーションの各々は従来の化学機械研磨CMPプロセスを行うように構成される。代替として、第1の研磨ステーション110Aは電気化学機械平坦化ECMPプロセスを行うように適合することができ、一方、第2の研磨ステーション110Bおよび第3の研磨ステーション110CはCMPプロセスを行うことができる。プロセスの1つの実施形態では、基板内に形成され、バリア層で覆われたフィーチャ輪郭と、バリア層の上に配置された導電性材料とを有する基板は、第1と第2の研磨ステーション110A、110Bの2段階でCMPプロセスによって除去される導電性材料を、基板上に平坦化された表面を形成するために第3のステーション110Cで第3のCMPプロセスによって処理されるバリア層とともに有することができる。1つの実施形態では、システム100は、研磨ステーション110A、110B、および110Cと、移送ステーション120と、カルーセル125とを支持するモジュール基部118を含む。研磨ステーション110A、110B、および110Cの各々は、研磨プロセスの間研磨表面175に研磨流体を供給するように適合された研磨流体デリバリアーム128を含む。複数の調整デバイス130がモジュール基部118に結合されて示されており、研磨ステーション110A、110B、および110Cの各々に対して調整デバイス130を選択的に配置するために方向Aに移動可能である。移送ステーション120は、一般に、湿式ロボット140を介して基板135をシステム100におよびそれから移送しやすくする。湿式ロボット140は、一般に、移送ステーション120とファクトリインターフェース図示せずとの間で基板135を移送し、ファクトリインターフェースは洗浄モジュール、計測デバイス、および1つまたは複数の基板ストレージカセットを含むことができる。移送ステーション120は、第1のバッファステーション145、第2のバッファステーション150、移送ロボット155、およびロードカップアセンブリ160を備える。移送ロボット155は、第1のバッファステーション145と、第2のバッファステーション150と、ロードカップアセンブリ160との間で基板を移送する。ロードカップアセンブリ160は、コントローラに結合されているモニタデバイス162を含む。カルーセル125は複数のアーム170を含み、各アーム170はキャリアヘッド165A~165Dを支持する。キャリアヘッド165Cおよび165Dならびに2つのアーム170の一部は、移送ステーション120および研磨ステーション110Cの研磨表面175を見ることができるように仮想線で示されている。研磨表面175は、回転可能なプラテンこの図には図示せずに配置されたパッドアセンブリの上部表面を備える。キャリアヘッド165A~165Dの各々はアクチュエータ168を含む。カルーセル125は、移送ステーション120と研磨ステーション110A、110B、および110Cとの間でキャリアヘッド165A~165Dを移動させ、アクチュエータ168は、カルーセル125に対してキャリアヘッド165A~165Dを移動させるように適合される。カルーセル125は、キャリアヘッド165A~165Dが、ユーザによって定義されたシーケンスで研磨ステーション110A、110B、110Cと移送ステーション120との間で移動されうるように割り出し可能である。キャリアヘッド165A~165Dの各々は、研磨プロセスの間1つの基板135を研磨ステーション110A~110Cに保持する。研磨ステーション当たり1つを超えるキャリアヘッドを含むREFLEXIONGT商標研磨システムなどの他の研磨モジュールは、やはり、本明細書で説明される実施形態から利益を得るように適合することができる。キャリアヘッド165A~165Dの各々は各アーム170の長手軸に移動可能である。研磨済み基板135は、移送ステーション120で各キャリアヘッド165A~165Dから移送することができる。さらに、未研磨基板135は移送ステーション120で各キャリアヘッド165A~165Dに移送することができる。キャリアヘッド165Dに関連して示されているように、キャリアヘッド165Dは、破線で示された移動経路164でアーム170の長手軸に沿って移動可能であり、それにより、キャリアヘッド165Dはロードカップアセンブリ160にアクセスし、基板の移送を容易にすることができる。1つの実施形態では、カルーセル125が左回り方向方向Bに連続して進められ、研磨ステーション110A~110Cおよび移送ステーション120の上にキャリアヘッド165A~165Dを移動させる。処理の間、4つのキャリアヘッド165A~165Dのうちの3つは、その中に保持された基板を有し、研磨ステーション110A、110B、110Cの上に配置され、その上で研磨プロセスが行われる。基板135は、同じキャリアヘッド165A~165Dに保持されながらステーション間で基板が移動されることによって連続して処理される。1つの例では、3つのキャリアヘッド165A~165Cは基板を含み、研磨ステーション110A、110B、および110Cの研磨表面175の方に基板135を押しつける。研磨の間、基板を含むキャリアヘッド165A~165Cは右回り方向方向Cに回転され、一方、研磨表面175は左回り方向方向Dに回転される。この例ではキャリアヘッド165A~165Cとして示されている3つのキャリアヘッドがステーション110A~110Cで利用されているので、キャリアヘッド165Dは、基板移送プロセスが行われる移送ステーション120に隣接している。キャリアヘッド165Dは、3つのキャリアヘッド165A~165Cが研磨プロセスを行っているので、ある期間の間活動停止とすることができる。この期間中、キャリアヘッド165Dは、移送ステーション120において、次のサイクルに研磨ステーション110Aで使用するように準備される。キャリアヘッド165Dは移動経路164に沿って進み、移送ステーション120の非常に近くに存在することができる。キャリアヘッド165Dが移送ステーション120に存在する間に、キャリアヘッド165Dは、研磨済み基板135を取り出し、洗浄され、研磨ステーション110Aでの研磨プロセスのための新しい未研磨基板135を受け取ることができる。1つの実施形態では、キャリアヘッド165Dは、移送ステーション120に配置されたモニタデバイス162を使用して検査される。研磨表面175は基板135から材料を機械的に除去しやすくするために粗化される。研磨パッドの研磨表面175はポリマー材料とすることができ、ポリマー材料は研磨プロセスの間の基板135からの材料の除去を容易にするためにもっぱら誘電体とすることができる。代替として、研磨パッドの研磨表面175は、電気化学機械研磨ECMPプロセスにおける基板からの材料の電気化学溶解を容易にするために少なくとも部分的に導電性とすることができる。使用することができる好適なポリマー材料には、ポリウレタン、ポリカーボネート、フルオロポリマー、PTFE、PTFA、ポリフェニレンサルファイドPPS、またはそれらの組合せ、および基板表面の研磨で使用される他の研磨材料が含まれる。1つの実施形態では、研磨パッドの研磨表面175は、半導体基板の研磨で有用な研磨パッドの製造で一般に使用される開放気孔または閉鎖気孔ポリウレタン材料などのポリマー材料を含む。別の実施形態では、研磨パッドの研磨表面175は固定研磨剤を含むことができる。研磨流体は、一般に、研磨の間研磨パッドの研磨表面175に供給される。研磨流体は、研磨プロセスおよび使用される研磨パッドのタイプに応じてスラリまたは電解質流体とすることができる。図2は、図1の移送ステーション120の1つの実施形態の部分断面図である。前述のように、移送ステーション120は、第1のバッファステーション145に隣接するロードカップアセンブリ160を含む。第1のバッファステーション145は、基板135を支持するように構成される入力または出力バッファステーションとすることができる。移送ロボット155は、第1のバッファステーション145と、基板をキャリアヘッド165Dに移送しやすくするロードカップアセンブリ160との間で基板135を移送する。1つの実施形態では、第1のバッファステーション145は研磨済み基板135を支持して、湿式ロボットロボット140図1が後続の研磨および/またはストレージのためにファクトリインターフェースに基板135を移送することができるようにする。別の実施形態では、第1のバッファステーション145は未研磨基板135を支持して、キャリアヘッド165Dが、研磨ステーション110Aで研磨するために基板135を受け取ることができるようにする。1つの実施形態では、移送ロボット155は、第1のバッファステーション145とロードカップアセンブリ160との間で基板135を移送して、キャリアヘッド165Dが図2に仮想線で示したように基板135を受け取ることができるように構成される。キャリアヘッド165Dはシャフト200に結合され、シャフト200は、アーム170に対して直線運動Xおよび/またはY方向でキャリアヘッド165Dを横方向に移動するように構成されたモータ215に結合される。キャリアヘッド165Dは、アーム170に対してZ方向にキャリアヘッド165Dを上昇または下降させるためにアクチュエータまたはモータ210をさらに含む。キャリアヘッド165Dは、さらに、アーム170に対して回転軸のまわりにキャリアヘッド165Dを回転させるように適合される回転アクチュエータまたはモータ220に結合される。キャリアヘッド165Dに配置されたモータ210、215、および220は、さらに、研磨パッドの研磨表面175図1に対してキャリアヘッド165Dを移動させるように構成される。1つの実施形態では、モータ210、215、および220は、回転研磨表面175に対してキャリアヘッド165Dを回転させ、ならびに処理の間研磨パッドの研磨表面175に対してキャリアヘッド165Dに保持された基板135を押しつけるように下向きの力を与えるように構成される。図2に示されたキャリアヘッド165Dの構造および動作は図1のキャリアヘッド165A~165Cを代表しており、キャリアヘッド165A~165Cは簡潔にするためにこれ以上説明されない。キャリアヘッド165Dは、保持リング230によって囲まれた本体225を含む。キャリアヘッド165Dは、可撓性膜240に隣接する1つまたは複数のブラダ235A、235Bをさらに含む。可撓性膜240は、基板135がキャリアヘッド165Dに保持されているとき基板135の裏側に接触する。ブラダ235Aおよび235Bは、可撓性膜240に力を加えるためにブラダ235Aおよび235Bに流体を選択的に供給する第1の可変圧力源245Aに結合される。1つの実施形態では、ブラダ235Aは可撓性膜240の外側ゾーンに力を加え、一方、ブラダ235Bは可撓性膜240の中央ゾーンに力を加える。ブラダ235Aおよび235Bから可撓性膜240に加えられる力は基板135の一部に伝えられ、研磨パッド図示せずの研磨表面の方に基板135の一部を押しつけるのに使用することができる。第1の可変圧力源245Aは、可撓性膜240による基板135の個別の領域への力を制御するためにブラダ235Aおよび235Bの各々に流体を独立して供給するように構成される。さらに、真空ポート図示せずをキャリアヘッド135に設け、基板135の裏側を吸引し、キャリアヘッド165Dに基板135を保持しやすくすることができる。利用することができるキャリアヘッド165Dの例には、カリフォルニア州、サンタクララのAppliedMaterials,Inc.から入手できるTITANHEAD商標、TITANCONTOUR商標、およびTITANPROFILER商標キャリアヘッドが含まれる。1つの実施形態では、保持リング230はアクチュエータ232によって本体225に結合される。アクチュエータ232は第2の可変圧力源245Bによって制御される。第2の可変圧力源245Bは流体をアクチュエータ232に供給するか、またはそれから除去し、それにより、保持リング230はキャリアヘッド165Dの本体225に対して少なくともZ方向に移動する。第2の可変圧力源245Bは、モータ210によって与えられた移動と無関係に保持リング230のZ方向移動を行うように適合される。第2の可変圧力源245Bは、アクチュエータ232および/または保持リング230に負圧または正圧を加えることによって保持リング230の移動を行うことができる。1つの態様では、圧力を保持リング230に加えて、研磨プロセスの間研磨パッド図示せずの研磨表面175図1の方に保持リング230を押しつける。第1の可変圧力源245Aおよび第2の可変圧力源245Bの各々は、研磨プロセスの間基板135のゾーンへの圧力を自動的に制御する研磨方策を実行しやすくするためにコントローラに結合することができる。保持リング230は研磨プロセスの間研磨表面175に接触する。保持リング230は、さらに、研磨表面175に研磨流体を輸送しやすくし、かつ研磨表面175との接触から摩擦により熱を生成することができる。流体輸送と生成された熱とを利用して研磨プロセスの間利益を得ることができる。研磨表面175との接触のために、保持リング230は摩耗する。保持リング230の表面の摩耗は研磨プロセスに影響を与え、保持リング230は最終的に交換を必要とすることになる。したがって、保持リング230の厚さを定期的に評価して、摩耗と交換時間間隔とを決定しなければならない。1つの実施形態では、保持リング230の表面は、ロードカップアセンブリ160に配置されたモニタデバイス162でモニタされる。キャリアヘッド165Dがロードカップアセンブリ160に隣接しているとき保持リング230の表面を感知することができ、保持リング230の摩耗を表すデータをコントローラに送ることができる。コントローラはモニタと通信し、データをユーザに表示することができる。モニタデバイス162からのデータを使用して保持リング230の状態を予測および/または確認し、保持リング230の状態を利用して保持リング230の寿命および交換を決定する。1つの実施形態では、データは保持リング230の厚さを示す。代替としてまたは追加として、コントローラはシステムコントローラとすることができ、システムコントローラは、データを分析し、プロセス方策における是正措置を実施して、研磨プロセスにおいて保持リング230の摩耗を補償することができる。したがって、モニタデバイス162からのデータは保持リング230の寿命および交換を決定するのに使用され、さらに、研磨プロセスを調整するために制御ノブとして利用されうる。さらに、多数の保持リング付きキャリアヘッドを有するシステムでは、モニタデバイス162からのデータを利用して、個々の保持リングのプロセス方策を、システムの他のキャリアヘッドの他の保持リングから独立して調整することができる。例えば、個々の保持リングが異なる速さで摩耗することがあるので、あるキャリアヘッドのある保持リングのプロセス方策を調整することがあり、一方、残りのキャリアヘッドの他の保持リングの他のプロセス方策は同じままであることがある。図3は、図1の研磨システム100で利用することができる移送ステーション120の別の実施形態の概略断面図である。移送ステーション120はロードカップアセンブリ160を含み、キャリアヘッド165Dはロードカップアセンブリ160に隣接して配置される。この実施形態では、ロードカップアセンブリ160は、キャリアヘッド165Dが、図1の研磨ステーション110A~110Cでの研磨に利用されていないときキャリアヘッド165Dを洗浄するように適合された洗浄ステーション300として構成される。1つの実施形態では、ロードカップアセンブリ160は、基部309に結合される基準円すいまたはリング307を有する本体305を含む。リング307および基部309は第1のアクチュエータ310Aによってモジュール基部118に対して移動することができる。第1のアクチュエータ310Aを利用して、モジュール基部118に対して少なくとも直線方向Z方向に本体305を移動させることができる。ロードカップアセンブリ160は、基板135仮想線で示されたを支持するように適合されたペデスタル320をさらに含む。ペデスタル320は、ペデスタル320の支持表面321を上昇および降下させるように適合された第2のアクチュエータ310Bに結合される。第2のアクチュエータ310Bは、本体305に対してZ方向に支持表面321を移動させることによって基板135をキャリアヘッド165Dにまたはそれから移送しやすくする。本体305は、基板がペデスタル320上にないときキャリアヘッド165Dを洗浄するのに利用される複数のノズル315をさらに含む。ノズル315は加圧流体供給源330と流体連通する。加圧流体供給源330は脱イオン水などの流体を含み、流体はノズル315を通して与えられ、キャリアヘッド165Dを洗浄する。1つの実施形態では、ペデスタル320の支持表面321は、ノズル315からの洗浄流体がキャリアヘッド165Dに当たるように多数の開区域を有するリングとして構成される。洗浄流体は、キャリアヘッド165Dに保持されていることがある研磨プロセスからの研磨液体および他のデブリを洗浄する。洗浄ステーション300は、基部309に形成された開口325をさら含み、開口325は、キャリアヘッド165Dから移動された流体および研磨デブリを選択的に取り除くように廃液管として適合される。この実施形態では、洗浄ステーション300は、コントローラに結合されたセンサ335を備えるモニタデバイス162を含む。センサ335は保持リング230の厚さTを測定するように適合される。1つの実施形態では、センサ335は超音波センサである。センサ335は、音波を送受信するために本体305に結合させるか、またはその中に埋め込むことができる。音波はコントローラに送信され、保持リング230の厚さTを示すメトリックが生成される。1つの実施形態では、保持リング230は、上部部分355Aおよび下部部分355Bなどの2つの環状部分を備える。1つの実施形態では、上部部分355Aおよび下部部分355Bは、金属材料、セラミック材料、またはプラスチック材料などのCMPプロセスにおいて化学的に不活性である材料を含むことができる。1つの実施形態では、下部部分355Bは、プラスチック、例えば、ポリフェニレンサルファイドPPS、ポリエーテルエーテルケトンPEEK、炭素含有PEEK材料、TEFLON登録商標含有PEEK材料、または複合材料を含む。上部部分355Aは、下部部分355Bよりも高い剛性または密度である材料を含むことができる。1つの実施形態では、上部部分355Aはステンレス鋼、アルミニウム、モリブデン、またはセラミック材料を含む。動作の1つの例では、センサ335は、本体305のランド区域345の活性表面340に取り付けられる。ランド区域345はリング307の底面の領域として画定することができ、保持リング230の下部部分355Bはリング307の表面に接触する。活性表面340は、保持リング230が位置づけられるランド区域345においてリング307の表面とじかに面することができる。1つの実施形態では、音波は保持リング230の下部部分355Bにまたはそれを通して送信され、上部部分355Aから反射される。反射された信号はコントローラに送信され、保持リング230の下部部分355Bの厚さTを決定するために利用される。時間経過に伴う厚さTの変化は保持リング230の摩耗を示す。図4は、図1の研磨システム100で利用することができる移送ステーション120の別の実施形態の概略断面図である。この実施形態では、ロードカップアセンブリ160は、図3に示された実施形態と実質的に同様とすることができる洗浄ステーション400として構成される。図3の移送ステーション120と同様である移送ステーション120の要素は簡潔にするために繰り返されない。この実施形態では、モニタデバイス162は、下部部分355Bの厚さTを測定するように適合された渦電流センサであるセンサ335を備える。この実施形態では、下部部分355Bの接触表面405はリング307の活性表面340に接触する。他の実施形態では、保持リング230がリング307から離されているとき、センサ335を利用することができる。1つの態様では、渦電流センサとして適合されたセンサ335を利用して、活性表面340と、保持リング230の上部部分355Aの接触表面405との間の変位を測定することができる。変位は、保持リング230の少なくとも下部部分355Bの厚さの変化に対応する。変位は、保持リング230の下部部分355Bが活性表面340に接触するとき、または下部部分355Bが活性表面340から一定の距離で保持されるとき決定することができる。図5Aは、1つまたは複数の溝500を有する保持リング230の1つの実施形態の部分平面図である。1つまたは複数の溝500の各々は、保持リング230の接触表面405と溝500の底部505との間を所望の深さで保持リング230に形成される。保持リング230に配置された溝500の各々を利用して、研磨プロセスの間研磨流体の輸送を強化することによって研磨しやすくすることができる。図5Bは、図1の研磨システム100および図5Aに示された保持リング230で利用することができる移送ステーション120の別の実施形態の概略断面図である。保持リング230は、接触表面405および底部505によって画定された深さD’を有する1つまたは複数の溝500を備える。溝500の深さD’の変化は保持リング230の厚さの変化に対応する。1つの実施形態では、センサ335は、リング307に結合するか、またはその内に埋め込むことができる。センサ335は、光センサ、渦電流センサ、超音波センサ、または他の好適なセンシングデバイスとすることができる。1つの実施形態では、センサ335は、接触表面405に当たる信号510として示された音波を送受信するように構成された超音波センサである。音波は、保持リング230が乾いていることを感知しようと湿っていることを感知しようといずれにしても、コントローラに送信され、溝500の深さD’、したがって、保持リング230の厚さを示すメトリックが生成される。したがって、溝500の深さが接触表面405と底部505との間で測定され、保持リング230とロードカップアセンブリ160の他の部分との間の物理的接触なしに摩耗が決定される。キャリアヘッド165Dは所定の回転速度で回転して、保持リング230の多数の場所でセンシングを行うことができる。このように、多数の溝500をモニタすることができる。代替として、キャリアヘッド165Dは静止しており、単一の溝500を感知することができる。別の実施形態では、制御された空気カラムまたは液体カラムを利用して、信号510を取り囲み、保持リング230とセンサ335との間のインターフェースを制御することができる。例えば、バブラ図示せずを利用して、信号510の経路を取り囲む円筒状空気カラムを形成することができる。1つの実施形態では、モニタデバイス162の位置は基板135の区域の外側にあり、それにより、基板135、または対象でないキャリアヘッド165Dの一部を意図せずに感知するのが防止される。例えば、基板135は、円形基板の場合に第1の半径R1を含む。1つの実施形態では、第1の半径R1は、200mm直径の基板では約100mmの半径を含む。別の実施形態では、第1の半径R1は、300mm直径の基板では約150mmの半径を含む。1つの実施形態では、モニタデバイス162は、第1の半径R1よりも大きい、またはそれの外側にある第2の半径R2で位置づけられる。第2の半径R2は、200mmの基板では中心線C’から約105mmから約120mmなどの約100mmよりも大きくすることができる。別の例では、第2の半径R2は、300mmの基板では中心線C’から約155mmから約170mmなどの約150mmよりも大きくすることができる。中心線C’は、ロードカップアセンブリ160の幾何学中心および/またはキャリアヘッド165Dの中心とすることができる。したがって、モニタデバイス162のこの位置づけにより、基板135、または対象でないキャリアヘッド165Dの一部を意図せずに感知するのが防止される。図6は、図1の研磨システム100で利用することができる移送ステーション120の別の実施形態の概略断面図である。この実施形態では、ロードカップアセンブリ160は図3、4、および5に示された実施形態と同様である。図3~5の移送ステーション120と同様である移送ステーション120の要素は簡潔にするために繰り返されない。1つの実施形態では、保持リング230は、図5の保持リング230の実施形態と同様の1つまたは複数の溝500を備える。この実施形態では、モニタデバイス162は超音波センサであるセンサ335を備えるが、光センサ、渦電流センサ、または他の好適なセンシングデバイスを利用することができる。1つの実施形態では、センサ335は、保持リング230がセンサ335の視線または視野内にあるときに利用することができる。他の実施形態では、センサ335は、保持リング230がロードカップアセンブリ160に少なくとも部分的に配置されるときに利用することができる。1つの態様では、センサ335は、センサ335に隣接して配置された管状導管600を含む。管状導管600は流体供給源605に結合され、流体供給源605はセンサ335の信号経路を取り囲むように脱イオン水などの流体を供給する。流体を利用して、センサ335からの信号に影響を与えることがある制御されていない空気を排除する。1つの実施形態では、保持リング230の接触表面405はリング307の活性表面340に直接接触する。別の実施形態では、管状導管600はアクチュエータ610に結合され、アクチュエータ610は管状導管600をリング307の活性表面340に対して出し入れさせることができる。管状導管600は、キャリアヘッド165Dがリング307に接触していない場合、仮想線で示されたように接触表面405の方に保持リング230の接触表面405の近傍の位置まで作動されうる。管状導管600はセンサ335の少なくとも一部を含むことができ、センサ335の少なくとも一部は管状導管600によって保持リング230の接触表面405の方に移動する。アクチュエータ610は、さらに、センサ335が必要でないとき管状導管600を引っ込めることができる。図7は方法700の1つの実施形態を示す流れ図である。705において、保持リング230を有するキャリアヘッド165Dがモニタデバイス162の近傍に移動される。1つの実施形態では、モニタデバイス162は研磨モジュール105内のロードカップアセンブリ160に配置される。他の実施形態では、モニタデバイス162は移送ステーション120に隣接するか、または移送ステーション120に隣接するキャリアヘッド165Dの移動経路にあるか、または研磨モジュール105の他の位置にあることができる。モニタデバイス162はセンサ335を含み、エネルギーが710において示されるようにセンサ335から送出される。エネルギーは、超音波、光波、または磁界もしくは磁気信号とすることができる。715において、保持リング230から反射されたエネルギーがセンサ335で受け取られる。反射されたエネルギーは保持リング230の1つまたは複数の内側または外側表面からのものでありうる。720において、保持リングの状態が、受け取ったエネルギーに基づいて決定される。反射された信号はコントローラに供給され、保持リング230の状態、例えば、保持リング230またはその一部の厚さ、または保持リング230の厚さに関連しうる保持リング230の溝500の深さを示すメトリックを得ることができる。このデータを利用して、保持リング230の交換時間間隔および/または後続の研磨プロセスの変数の調整を決定することができる。本明細書で説明される実施形態は、本明細書で説明されるキャリアヘッド165A~165Dなどの研磨ステーションのキャリアヘッドに配置された保持リング230の表面の状態をモニタするための方法および装置を提供する。オンツールで取り付けることができ、1つの実施形態では研磨サイクルの間に保持リング230の状態を感知することができるモニタデバイス162が説明される。保持リング230のセンシングは、ルーチンモニタリングの一部として予め定義された時間間隔で、またはユーザ選好に基づいて選ばれた時間間隔でユーザによって設定されうる。モニタデバイス162からのデータは、保持リング230の摩耗をモニタし、保持リング230の寿命を決定し、かつ/または保持リング230の交換時間間隔を決定するのに使用することができるコントローラに供給される。1つの態様では、モニタデバイス162からのデータは、保持リング230の寿命を予測し、実用的な寿命の限界での保持リング230の交換を容易にするのに使用することができる。別の態様では、モニタデバイス162からのデータを使用して、保持リング230が完全には磨滅していない場合でも、寿命を予測し、好都合な交換時間間隔に役立てることができる。本明細書で説明されるようなモニタデバイス162の実施形態は、キャリアヘッド165A~165Dおよび保持リング230の物理的取扱いおよび/またはそれらとの機械的接触を最小にするか、または排除する。例えば、カリパスなどの機械的測定デバイスは保持リング230との接触を必要とする。機械的測定デバイスとの接触は測定の間に保持リング230を損傷することがあり、その結果として、処理の間に研磨表面175が損傷されることがある。測定はツール内で行うことができ、研磨システムを運転停止する必要がない。さらに、測定のために保持リング230を完全に乾燥させる必要があるわけではない。モニタデバイス162はオンツールで取り付けられ、その結果、環境は、環境制御された筐体115図1に閉じ込められる。したがって、本明細書で説明されるようなモニタデバイス162は、キャリアヘッド165A~165Dの取扱いまたは接触による損傷、および/または研磨モジュール105の環境の破壊の潜在的に少ない保持リング230のモニタリングを実現する。この方法および装置は、さらに、時間がかかり、不正確であることがある目視検査を排除または最小にする。さらに、研磨システムは保持リング230の測定および/または観察のために運転停止を必要としないので、スループットを最大化することができる。さらに、保持リング230の摩耗データは研磨プロセスの間の制御変数として使用することができる。例えば、保持リング230が溝500を含み、溝500が所定の量の摩耗を示す場合、1つまたは複数の研磨パラメータは、研磨均一性に関していかなる保持リング230の厚さ効果も補償するように調整することができる。1つの例では、キャリアヘッド165A~165Dの回転速度および下向きの力などの研磨パラメータは、保持リング230の摩耗の原因を明らかにし、摩耗の少ない保持リング230の研磨効果を模擬するように調整することができる。1つの態様では、キャリアヘッド165A~165Dの回転速度は、研磨流体の輸送を容易にし、摩耗の少ない保持リング230の効果と実質的に等価である研磨表面175上の熱を生成するように加速することができる。別の例では、保持リング230の摩耗データを利用して、保持リング230の寿命の間ウエハ内不均一性を最小にすることができる。保持リング230の摩耗データは、図2に示されたキャリアヘッド165Dなどのマルチゾーンキャリアヘッドのブラダ235Aおよび235Bに結合される自動処理制御システムで利用することができる。さらに、自動処理制御システムは、図2に示されたキャリアヘッド165Dのアクチュエータ232と連通することができる。1つの態様では、外側ゾーンブラダ235Aに加えられ、かつ/またはアクチュエータ232により保持リング230に加えられる圧力は、保持リング230の厚さの変化に応じて変更することができる。ブラダ235Aおよび235Bによって基板に加えられる圧力および/または保持リング230に加えられる圧力への変更は、保持リング230の厚さデータに基づいて実時間で行うことができる。したがって、研磨される基板の除去速度、除去プロファイル、および/またはトポグラフィは、保持リング230の摩耗に基づいて研磨パラメータを操作することによって制御することができる。さらに、研磨パラメータをキャリアヘッド165A~165Dごとに調整することができるので、キャリアヘッド間の変動を最小にすることができる。本明細書で説明される実施形態は、保持リングの状態を決定し、かつ/または保持リングの寿命を評価するために研磨システム内の保持リングをモニタしやすくする方法および装置を提供する。1つの実施形態では、装置が提供される。この装置は、基板がキャリアヘッドに保持されているとき基板を研磨するための少なくとも1つの研磨ステーションと、保持リングを有するキャリアヘッドにおよびそれから基板を移送するための移送ステーションとの間で移動経路において移動可能なキャリアヘッドと、キャリアヘッドの移動経路に配置され、保持リングの状態を示すメトリックを提供するように動作可能なセンサとを含む。別の実施形態では、基板移送デバイスと少なくとも1つのキャリアヘッドとの間で基板を移送するために研磨モジュールに配置された移送ステーションが提供される。移送ステーションは、基板、および少なくとも1つのキャリアヘッドに結合される保持リングの少なくとも一部を受け取るように大きさを合わされる本体を有するロードカップアセンブリと、本体に配置され、保持リングの状態を示すメトリックを提供するように動作可能なセンサとを含み、基板は第1の半径を含み、センサは第1の半径よりも大きい第2の半径で本体に位置づけられる。前述の内容は本発明の実施形態に関するが、本発明の他の実施形態およびさらなる実施形態が本発明の基本的な範囲から逸脱することなしに考案されうる。"