"所定の厚さをもって対向する第1面および第2面を有するセラミック部材と、前記第1面側に実装されたセンサ部と、前記第2面側に固定された複数の金属ピンと、前記セラミック部材を貫通して前記センサ部と前記金属ピンとを接続する複数の内部配線と、前記第2面側の周端部に形成され、溶接により筐体と接合する金属部材と、を備えることを特徴とするセンサユニット。前記第1面側において前記センサ部を覆って前記セラミック部材の周縁部に固定された絶縁材キャップと、この絶縁材キャップの内壁面に形成された金属膜シールド部材とを備えることを特徴とする請求項1に記載のセンサユニット。前記金属部材は、前記金属ピンと対向する内周壁にテーパー状切り欠き部が形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載のセンサユニット。前記セラミック部材を貫通する前記複数の内部配線の夫々を取り囲んで形成されたシールド部材を備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のセンサユニット。前記複数の金属ピンの夫々を取り囲んで形成されたシールド部材を備えることを特徴とする請求項4に記載のセンサユニット。前記セラミック部材を貫通する前記複数の内部配線の全体を囲んで形成されたシールド部材を備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のセンサユニット。前記セラミック部材は多層セラミック部材で形成され、前記内部配線は、各多層セラミック部材間の貫通配線で接続されると共に、前記シールド部材は、各多層セラミック部材上に生成されたリング状の金属プリントを貫通配線で接続して形成されることを特徴とする請求項4または6に記載のセンサユニット。前記絶縁材キャップの内壁面に形成された前記金属膜シールド部材は、前記セラミック部材の側壁面の前記第2面側まで延長されていることを特徴とする請求項2に記載のセンサユニット。図9、図10に示した構成において、フレームグランドFGにノイズが印加された場合を考える。フレームグランドに印加されたノイズは、ガラス材50による封着部分の寄生容量を介して、金属ピン40へ入り、信号ラインへ伝わることになる。図11は、ノイズと寄生容量とセンサ部により形成される等価回路である。図11Aは、電磁駆動のH型振動子よりなるセンサ部10に、ノイズVniが印加された場合の等価回路である。Ch1およびCh2は金属ピン40とフレームグランドFG間の容量、R1~R3は振動子抵抗、Vnoは出力ノイズ電圧を示す。出力ノイズVnoは差動増幅器Qに入力される。図11Bは、図11Aを簡略化した等価回路である。この等価回路におけるノイズの伝達特性Gは、式1で表される。図11Bは、ブリッジ回路構成になっているため、R1とR2,Ch1とCh2のバラツキが大きいときに、ノイズが伝わりやすくなることがわかる。R1とR2は、半導体プロセスにより形成されるため、バラツキを小さくすることができる。一方で、Ch1とCh2のバラツキは、機械的な精度に依存するため、R1とR2のバラツキに比べて、大きくなる傾向がある。フレームグランドFGと金属ピン40間の寄生容量Chは、式2で表される。耐圧構造を確保する為、ガラス材50による封着部における貫通穴30cの径bと金属ピン40の径aの比は、ba2~3となる。金属ピン40とフレームグランドFG間の寄生容量のバラツキは、封着径比ba、封着長L、封着中心ズレの3項目になる。図12は、封着部の構成と寄生容量との関係を説明する特性図である。図12Aは封着径比baによる寄生容量のバラツキ、図12A ́は封着径比baによる感度のバラツキを示す。図12Bは封着長Lによる寄生容量のバラツキ、図12B ́は封着長Lによる感度のバラツキを示す。図12Cは封着中心ズレによる寄生容量のバラツキ、図12C ́は封着中心ズレによる感度のバラツキを示す。図13は、図12の数値をまとめた寄生容量の測定値を示す表である。パラメータとしてガラス比誘電率ε7、金属ボディのガラス挿入部穴径b3mm、金属ピン径a1mm、封着長L7mmとした場合、式2により寄生容量Ch25pFと計算される。バラツキについて実測値と計算値は一致している。平均値の差異については、封着径比は寸法管理が可能なのでバラツキの範囲内に収まり、封着中心ズレは感度が小さいので無視できる。封着長については、封着部にメニスカス50aが形成されるので高精度の寸法管理ができないことがバラツキの主要因である。図14は、寄生容量のバラツキΔCを式1に代入して、得られる従来構成例によるノイズ伝達特性Gの周波数特性を算出した結果を示す特性図である。図14に示す通り、ΔCが大きくなるに従い、ノイズの影響を受けやすくなることがわかる。本発明の目的の第1は、信号ラインとフレームグランド間の寄生容量とそのバラツキを抑えてノイズの減衰を図る共に、高圧高耐圧特性を備えるセンサユニットを実現することにある。本発明の目的の第2は、シールド構成を強化することにより、センサ部の電気的フローティング化を強化し、更にノイズの減衰を図ることにある。このような課題を達成するために、本発明は次の通りの構成になっている。1所定の厚さをもって対向する第1面および第2面を有するセラミック部材と、前記第1面側に実装されたセンサ部と、前記第2面側に固定された複数の金属ピンと、前記セラミック部材を貫通して前記センサ部と前記金属ピンとを接続する複数の内部配線と、前記第2面側の周端部に形成され、溶接により筐体と接合する金属部材と、を備えることを特徴とするセンサユニット。2前記第1面側において前記センサ部を覆って前記セラミック部材の周縁部に固定された絶縁材キャップと、この絶縁材キャップの内壁面に形成された金属膜シールド部材とを備えることを特徴とする1に記載のセンサユニット。3前記金属部材は、前記金属ピンと対向する内周壁にテーパー状切り欠き部が形成されていることを特徴とする1または2に記載のセンサユニット。4前記セラミック部材を貫通する前記複数の内部配線の夫々を取り囲んで形成されたシールド部材を備えることを特徴とする1乃至3のいずれかに記載のセンサユニット。5前記複数の金属ピンの夫々を取り囲んで形成されたシールド部材を備えることを特徴とする4に記載のセンサユニット。6前記セラミック部材を貫通する前記複数の内部配線の全体を囲んで形成されたシールド部材を備えることを特徴とする1乃至3のいずれかに記載のセンサユニット。7前記セラミック部材は多層セラミック部材で形成され、前記内部配線は、各多層セラミック部材間の貫通配線で接続されると共に、前記シールド部材は、各多層セラミック部材上に生成されたリング状の金属プリントを貫通配線で接続して形成されることを特徴とする4または6に記載のセンサユニット。8記絶縁材キャップの内壁面に形成された前記金属膜シールド部材は、前記セラミック部材の側壁面の前記第2面側まで延長されていることを特徴とする2に記載のセンサユニット。本発明によれば次のような効果を期待することができる。1内部配線をもつセラミック部材100の構成により、従来構造の金属ボディ30と金属ピン40を貫通穴30C内で近接して配置させるガラス封着部に生ずる大きな寄生容量の発生を回避し、寄生容量を大幅に低減させてノイズ利得を低減させることができる。2センサ部を覆ってセラミック部材の周縁部に固定された絶縁材キャップの内壁面に形成された金属膜シールド部材および内部配線や金属ピンのシールド構造の採用によるフローティング化により、信号ラインの寄生容量を小さく且つそのバラツキを抑えることが可能となり、ノイズ利得の低減に貢献することができる。3内部配線をもつセラミック部材の採用により、ガラス封着部をもつ従来構造に比較して、高圧高耐圧のセンサユニットを実現することができる。以下本発明を、図面を用いて詳細に説明する。図1は、本発明を適用したセンサユニットの一実施例を示す断面図である。図9で説明した従来構成と同一要素には同一符号を付して説明を省略する。センサ部10と支持台20の構成および封液カプセル60は、図9に示した構成と同一である。本発明の構成上の特徴部は、所定の厚さをもって対向する第1面100aおよび第2面100bを有するセラミック部材100の第1面100a側に支持台20を介してセンサ部10が実装されている。セラミック部材100の第2面100b側には、複数の金属ピン40が固定されている。セラミック部材100と支持台20を貫通してセンサ部10と金属ピン40とを電気的に接続する複数の内部配線200が設けられている。更に、第2面100b側の周端部にはリング状の金属部材300が接合固定されている。金属部材300の材質としては、セラミック部材100と膨張係数の近い低膨張材であるコバール鉄、ニッケル、コバルト合金の採用が有効である。コバールの膨張係数は、6e―620°C~100°C、セラミックアルミナの膨張係数は、6e―620°C~100°Cである。セラミックとコバールの接合は一般的に行われている。第1面100a側においてセンサ部10を覆ってセラミック部材100の周縁部には、絶縁材キャップ400が固定され、この絶縁材キャップの内壁面には、無電解メッキ処理などによる金属膜シールド部材500が蒸着または塗装により形成されている。図示されていないが、この金属膜シールド部材500は回路コモンに配線接続される。図9に示す従来構成では、パラメータとして、ガラス材の比誘電率ε7、金属ボディガラス挿入部穴径b3mm、金属ピン径a1mm、封着長L7mmとした場合、寄生容量Chは、Ch25pFと計算される。一方、図1に示す本発明構成による貫通配線を持つセラミック部材100は、ガラス封着構造と同レベルの耐圧構造を得る場合、パラメータは次のようになる。電極取出し部穴径A9mm、ピン間隔B3mm、セラミック部材100の比誘電率ε9とする。このようなパラメータによるセラミック部材100とフレームグランドとなる金属部材300間の寄生容量Ch’は、2式の計算でCh’019pFとなる。このような寄生容量のオーダーであると、フレームグランドとなる金属部材300とセラミック部材100間より、金属ピン40とフレームグランドとなる金属部材300間の大気の影響を受けるため、寄生容量は従来のガラス封着構造の1/10程度となる。図2は、センサユニットの筐体への接合関係を示す断面図である。図10に示した従来の構成との相違は、筐体80との溶接接合構造である。本発明では、金属部材300の外周端部と筐体80とを溶接90で接合固体し、金属部材300をフレームグランドFG電位としている。このように、貫通する内部配線200を有するセラミック部材100は、ハーメチック構造を有し、フレームグランドFG電位から絶縁されている。従って、このセラミック部材100上にセンサ部10が実装されるセンサユニット1は、それ自身でフローティング構造となっている。本発明で使用する、貫通した内部配線200を有するセラミック部材100としては、多層セラミック部材の採用が有効である。セラミック部材を貫通する内部配線200は、各多層セラミック部材間の貫通配線で接続される。更に、セラミック部材100内に形成されるシールド部材は、各多層セラミック部材上に生成されたリング状の金属プリントを貫通配線で接続して形成される。図3は、本発明を適用したセンサユニットの他の実施例を示す断面図である。耐圧構造を考慮し、金属部材300内周部にテーパー状切り欠き部300aを形成することにより、寄生容量をガラス封着構造の約1/20にすることが可能である。図4は、本発明の効果を説明するノイズ伝達特性図である。図14に示した従来構成のノイズ伝達特性に比較し、寄生容量のバラツキが2桁小さくなることにより、伝達特性は40dB減衰し、ノイズに対する脆弱性は大きく改善されていることが分かる。図5乃至図8は、本発明を適用したセンサユニットの更に他の実施例を示す断面図であり、シールド構造の変形実施例を示す。図5の実施例では、セラミック部材100内を貫通する複数の内部配線200の夫々を取り囲むシールド部材600を備え、絶縁キャップ400の内周面に形成された金属膜シールド500とともに電気的に接続して回路コモンに接続し、フローティングされたセンサユニット1を実現している。図6の実施例では、図5のシールド構造600に加えて、このシールド構造を金属ピン40の夫々に延長したシールド構造600aを備える。これによりセンサユニット1のフローティング効果をより向上させることができる。図7の実施例では、セラミック部材100を貫通する複数の内部配線200の全体を囲んで形成されたシールド部材700を備える。図7Aは、セラミック部材100の第2面100b側に、金属部材300の高さを超える延長絶縁材800を接続し、内部配線200をこの延長絶縁材を貫通させ、この延長部分の内部配線を含めてシールド部材700を延長する。このようなシールド構造により、金属ピン40と金属部材300間の寄生容量を低減させることができる。図7Bは、図7Aに示した延長絶縁材800に代えてセラミック部材100の延長部を備えるものであり、シールド効果は同一である。図8実施例は、図7Aの変形であり、金属膜シールド部材500をセラミック材100の側面全体に延長した延長部500aにより、セラミック材100内の内部配線200をシールドし、セラミック材100の第2面100b側でシールド部材700に接続している。シールド効果は図7Aと同一である。以上説明した実施例のセンサユニット1は、センサ部10として差圧圧力伝送器に適用される振動式のセンサを例示したが、これに限定されるものではなく、ジャンクション式温度センサを真空封止したデバイス等にも応用が可能である。以上説明した実施例のセラミック材100として多層セラミック部材を例示したが、これに限定されるものではなく、粉末セラミックを焼き固めて実現することもできる。この場合には、シールド部材600、700は金属円筒部材で構成される。"