基板硬化及び処理モジュールであって、オゾンを含む雰囲気内で誘電体層を硬化するための硬化チャンバ、及び水蒸気を含む雰囲気内で前記硬化済みの誘電体層を処理するための処理チャンバであって、前記硬化チャンバは前記処理チャンバに対して垂直に配置される、硬化チャンバ及び処理チャンバと、前記硬化チャンバ及び前記処理チャンバに動作可能なように結合される加熱システムであって、前記硬化チャンバの第1の温度を約150°C~約200°Cに調整し、前記処理チャンバの第2の温度を約80°C~約100°Cに調整するように動作する、加熱システムと、前記硬化チャンバ及び前記処理チャンバ両方へのアクセスドアであって、各アクセスドアは、基板を受けるために開いた位置に移動するように動作可能であり、前記基板が硬化又は処理されている間、閉じた密閉位置に移動するように動作可能である、アクセスドアとを備える、モジュール。前記硬化チャンバ及び前記処理チャンバは同時に複数の基板を受けることができる、請求項1に記載のモジュール。前記複数の基板は前記硬化チャンバ又は前記処理チャンバ内で互いに対して垂直に配置される、請求項2に記載のモジュール。前記モジュールはバッチ基板硬化及び処理モジュールである、請求項2に記載のモジュール。前記硬化チャンバ及び前記処理チャンバに結合されるガス分配システムを更に備え、前記ガス分配システムは、前記硬化チャンバにオゾンを含む硬化ガスを導入し、前記処理チャンバに水蒸気を含む処理ガスを導入するように動作可能である、請求項1に記載のモジュール。前記硬化チャンバから前記硬化ガスを排気し、前記処理チャンバから前記処理ガスを排気するように構成されるガス排気システムを更に備える、請求項5に記載のモジュール。基板処理システムであって、複数の堆積チャンバと、前記堆積チャンバのうちの1つとロードロック基板保持エリアとの間で基板を移動させるように動作可能な第1のロボットアームと、前記ロードロック基板保持エリアと基板硬化及び処理モジュールの硬化チャンバとの間で前記基板を移動させるように動作可能な第2のロボットアームとを備え、前記基板硬化及び処理モジュールは前記ロードロック基板保持エリアに取り付けられ、前記基板硬化及び処理モジュールは、オゾンを含む雰囲気内で誘電体層を硬化するための前記硬化チャンバ、及び水蒸気を含む雰囲気内で前記硬化済みの誘電体層を処理するための処理チャンバであって、前記硬化チャンバは前記処理チャンバに対して垂直に配置される、前記硬化チャンバ及び処理チャンバと、前記硬化チャンバ及び前記処理チャンバに動作可能なように結合される加熱システムであって、前記硬化チャンバの第1の温度を約150°C~約200°Cに調整し、前記処理チャンバの第2の温度を約80°C~約100°Cに調整するように動作する、加熱システムと、前記硬化チャンバ及び前記処理チャンバ両方へのアクセスドアであって、各アクセスドアは、基板を受けるために開いた位置に移動するように動作可能であり、前記基板が硬化又は処理されている間、閉じた密閉位置に移動するように動作可能である、アクセスドアとを備える、システム。前記第2のロボットアームは前記硬化チャンバから前記基板を取り出し、前記基板を前記処理チャンバに供給するように動作可能である、請求項7に記載のシステム。複数の基板硬化及び処理モジュールを備え、各モジュールは前記ロードロック基板保持エリアに取り付けられる、請求項7に記載のシステム。前記硬化チャンバ及び前記処理チャンバは同時に複数の基板を受けることができる、請求項7に記載のシステム。図1は、互いに対して垂直に配置される硬化チャンバ102及び処理チャンバ104を含む基板硬化及び処理モジュール100を示す。モジュール100において、硬化チャンバは処理チャンバ102の上方に垂直に配置されるように示されるが、更なる実施形態では、この順序を入れ替えて、硬化チャンバの上方に処理チャンバを配置することができる。また、モジュール100は、両面が硬化チャンバ102及び処理チャンバ104の内部にそれぞれ露出している共通壁110によって、2つのチャンバが分離されることも示す。更なる実施形態は、硬化チャンバ102の底部及び処理チャンバ104の上部をそれぞれ画定する2つの別々の壁を有することができる。別々の壁は互いに可逆的に、又は永久に取り付けられる場合があるか、代替的には、それらの壁は間隙によって分離される場合があり、その間隙は断熱材料で満たされる場合があるか、又は満たされない場合がある。いずれのチャンバもアクセスドア106a~bを含み、アクセスドアは1つ又は複数の基板108a~cを受けるために開いた位置に移動するように動作可能であり、基板が硬化又は処理されている間、閉じた密閉位置に移動するように動作可能である。モジュール100は基板ラック112a~bを示し、基板ラックはチャンバ内に同時に複数の基板108a~cを保持することができる。これにより、モジュール100はバッチ硬化及び処理モジュールになり、そのモジュールは複数の基板例えば、2枚以上の基板、3枚以上の基板、4枚以上の基板、5枚以上の基板、10枚以上の基板等において同時に硬化ステップ及び処理ステップを実行することができる。更なる実施形態は、垂直、水平及び/又は環状方向において並進可能とすることができるプラテンのような、基板を保持するための代替の構造体を含むことができる。これらの代替の構造体は、単一の基板又は複数の基板を保持するように動作可能とすることができる。モジュール100はロボットアーム114から基板を受けることができ、ロボットアームは、硬化チャンバ102及び処理チャンバ104の内外に基板を移動させるように動作可能な位置決めアーム116を有する。位置決めアーム116は、基板108a~cを硬化チャンバ102の基板ラック112aの中に置くことができ、後に硬化済みの基板を硬化チャンバから取り出すことができる。また、位置決めアーム116は、硬化済みの基板を硬化チャンバ102から処理チャンバ104の基板ラック112bに移送することもできる。また、アーム116は硬化済み及び処理済みの基板を処理チャンバ104から取り出すこともできる。図示される実施形態では、位置決めアーム116は、モジュール100のチャンバの中に延び、且つモジュール100のチャンバから後退することができ、更には、チャンバ間を垂直方向に移動することができる。アーム116は、モジュール100の近くにある基板保持エリアから基板を受けるか、又は基板保持エリアに基板を置くために回転することもできる。モジュール100は、チャンバの雰囲気条件及び温度を制御するために、硬化チャンバ及び処理チャンバにそれぞれ結合されるガス分配システム118及び加熱システム122も含むこともできる。先に言及されたように、基板硬化は基板を約150°C~約200°Cにおいてオゾン含有雰囲気に暴露することを含むことができ、基板処理は硬化済みの基板を約80°C~約100°Cにおいて水蒸気含有雰囲気に暴露することを含むことができる。ガス分配システム118は、ガス供給源図示せずから硬化チャンバ102及び処理チャンバ104へのガスの流れを制御するように動作可能である。モジュール100において、供給機構は、ガスをガス供給システムから各チャンバに輸送するガス導管120a~bを含む。ガス供給システムは、ガスをモジュール100のチャンバから除去するガス戻り管図示せずも含むことができる。ガス戻り管は真空ポンプ及び排気管に結合することができ、真空ポンプ及び排気管はモジュール100に流体結合される。ガス分配システム118によって硬化チャンバ102に供給されるガスは、数あるガスの中でも、酸素分子、オゾン、アルゴン及び窒素分子を含むことができる。それらのガスは混合され、単一の流れとして硬化チャンバ102に送られる場合があるか、又は別々に供給され、チャンバ内で初めて混合される場合がある。分配システム118によって処理チャンバ104に供給されるガスは、数あるガスの中でも、水蒸気、アルゴン及び窒素分子を含むことができる。加熱システム122は、硬化チャンバ102及び処理チャンバ104両方の加熱素子図示せずに動作可能なように結合される。これらの加熱素子は、硬化チャンバ102の温度を処理チャンバ104の温度と異なる温度にできるように、加熱システム122によって独立制御される。それらのチャンバ内に独立した温度センサ図示せずが存在し、チャンバ温度を監視し、加熱システム122にチャンバ内の温度を調整し、且つ/又は維持するためのフィードバックを与えることができる。ここで図2及び図3を参照すると、本発明の実施形態による1対の基板硬化及び処理モジュール202a~bを含む基板処理システム200が示される。システム200の市販品の例は、California州SantaClaraのAppliedMaterialsによって製造されるCentura商標、Producer商標及びEterna商標システムの特定の構成を含むことができる。図2に示されるように、モジュール202a~bはロードロックチャンバ204の両端に、且つシステム200のファクトリーインターフェースFI206の後方に配置される。図示されるシステム200の構成において、この配置によって、システムの全幅を広げることなく、且つシステムの正面に可逆的に結合される4つのFOUPのうちの2つ208a~bを動かすことなく、FI206の後方にモジュール202a~bが置かれる。モジュール202a~bは、ロードロックチャンバ204に可逆的に、且つ実質的に漏れのないように結合することができる。その結合機構は、可逆的な留め具例えば、ねじボルト、ねじ等と、モジュール202a~bをロードロックチャンバに漏れのないように結合するガスケットとを含むことができる。ロボットアームがロードロックチャンバとモジュールとの間で基板を移送できるようにするために、ロードロックチャンバ204は、モジュール202a~bの硬化チャンバ及び処理チャンバのアクセスドアと位置合わせされる開口部を含む。FOUP208a~dを通してシステムに基板ウエハを与えることができ、FOUPはFI206に密封結合することができる。FI内に配置されるロボットアーム図示せずの助けを借りて、基板はFI206を通り抜け、ロードロックチャンバ204に入ることができる。その後、別のロボットアームが基板をロードロックチャンバ204から処理チャンバ210a~fのうちの1つに移送することができ、それらの処理チャンバは基板上に1つ又は複数の未硬化の誘電体層を堆積する。堆積後に、ロボットアームは基板を処理チャンバ210a~fからロードロックチャンバ204に移送して戻すことができ、最初のロボットアームが、チャンバ内の開いているアクセスドアを通して、モジュール202a~bのうちの一方のモジュールの硬化チャンバの中に基板を置くことができる。上記の図1の説明において言及されるように、ロボットアームが未硬化の基板を硬化チャンバの中に置いた後に、ガス分配システム及び加熱システムが硬化チャンバ内の環境を硬化状態に調整している間、アクセスドアは閉じた密閉位置にすることができる。基板上の1つ又は複数の誘電体層が硬化されると、アクセスドアを開けることができ、ロボットアームが硬化済みの基板を取り出し、同じモジュール202a~bの処理チャンバに移送することができる。ガス分配システム及び加熱システムがチャンバの環境を処理状態に調整し、硬化済み及び処理済みの基板を作製している間、処理チャンバのアクセスドアは閉じた密閉位置にすることができる。処理プロセスの終了時に、アクセスドアを開けることができ、ロボットアームが硬化済み及び処理済みの基板をモジュール210a~bから取り出し、基板をFOUP208a~dに戻すことができ、そして、基板はシステム200から取り出されるのを待つ。代替的には、硬化済み、処理済みの基板は、更なる堆積、エッチング、CMP等のために処理チャンバ210a~fのうちの1つ又は複数に移送して戻すことができ、その後、最終的に、FOUP208a~dのうちの1つに移送することができる。図4A及び図4Bは、本発明の実施形態による基板処理システム400の簡略化された正面斜視図及び背面斜視図をそれぞれ示しており、1対の基板硬化及び処理モジュール402a~bが、1組の基板処理チャンバ406a~fと連係するロードロックチャンバ404の両側に配置される。これらの図は、ファクトリーインターフェース図示せずに取り付けられるロードロックチャンバの正面に対して概ね平面的になるように、ロードロックチャンバの両側に取り付けられるモジュール402a~bを示す。先に言及されたように、モジュール402a~bのこの構成によれば、システム400の幅を広げることなく、又はロードロックチャンバ406とFIとの結合を妨げることなく、それらのモジュールを基板処理システム400全体と一体化できるようになる。図5は、FI504に隣接して配置される基板硬化及び処理モジュール502を有する基板処理システム500の簡略化された俯瞰図を示す。FIに隣接して硬化及び処理モジュール502を配置することによって、FIの背面にある堆積チャンバ図示せずからの基板の移動を短くできるようになり、且つ硬化及び処理モジュール502からFIの正面に位置するFOUP506a~dに基板を供給できるようになる場合がある。硬化及び処理モジュールはFIの片側又は両側に位置することができる。幾つかの実施形態を説明してきたが、本発明の趣旨から逸脱することなく、種々の変更形態、代替構成及び均等物を用いることができることは当業者によって認識されよう。更に、本発明を不必要にわかりにくくするのを避けるために、幾つかのよく知られているプロセス及び素子は示されていない。したがって、上記の説明は、本発明の範囲を限定するものと解釈されるべきではない。或る範囲の値が与えられる場合、文脈において他に明示されない限り、その範囲の上限と下限との間に存在する、下限の単位の10分の1までの各介在値も具体的に開示されるものと理解されたい。規定された範囲内の任意の規定値又は介在値と、その規定された範囲内の任意の他の規定値又は介在値との間にある、更に狭い各範囲も包含される。これらの更に狭い範囲の上限及び下限は、独立して、その範囲内に含まれるか、又はその範囲から除外されることがあり、規定された範囲内の任意の具体的に除外される限界値に応じて、更に狭い範囲内に上限及び下限のうちの一方、若しくは両方が含まれるか、又はいずれも含まれない各範囲も本発明内に包含される。規定された範囲が、限界値の一方又は両方を含む場合、それらの含まれる限界値の一方又は両方を除外する範囲も含まれる。本明細書及び添付の特許請求の範囲において用いられるとき、単数形1つの、及びそのは、文脈において他に明示されない限り、複数の指示物を含む。したがって、例えば、1つのプロセスへの言及は、複数のそのようなプロセスを含み、その基板への言及は、1つ又は複数の基板及び当業者に既知であるその均等物への言及を含み、他も同様である。本明細書において、及び添付の特許請求の範囲において使用されるときに、単語備える又は含むは、規定された特徴、完全体、構成要素又はステップの存在を規定することを意図するが、それらの単語は1つ又は複数の他の特徴、完全体、構成要素、ステップ、動作又はグループの存在又は追加を排除しない。