"トランスコンダクタンスが負の温度特性を有する差動入力部に対し、平坦な温度特性を有する第1の定電流に正の温度特性を有する第2の定電流を加えた電流をバイアス電流として供給することを特徴とする電圧電流変換回路。前記差動入力部が2つの入力端子と第1の出力端子および第2の出力端子を有し、前記電圧電流変換回路は、前記第1の出力端子から出力される電流を入力とする電流吐き出し型の第1のカレントミラー回路と、前記第2の出力端子から出される電流を入力とする電流吸い込み型の第2のカレントミラー回路を有し、前記第1及び第2のカレントミラー回路はそれぞれ第1及び第2の出力端子を有し、前記第1のカレントミラー回路の第1の出力端子と前記第2のカレントミラー回路の第1の出力端子との接続点を前記電圧電流変換回路の第1の出力端子とし、前記第1のカレントミラー回路の第2の出力端子と前記第2のカレントミラー回路の第2の出力端子との接続点を前記電圧電流変換回路の第2の出力端子とし、前記第2の接続点に前記第1の定電流に比例した電流を出力する第3のカレントミラー回路の出力を接続することを特徴とする請求項1に記載の電圧電流変換回路。前記第1のカレントミラー回路における前記第1及び第2の出力端子の入力端子に対するミラー比をそれぞれa,bとし、前記第2のカレントミラー回路における前記第1及び第2の出力端子の入力端子に対するミラー比をそれぞれc,dとするとき、a=cとするとともに、b=dとすることを特徴とする請求項2に記載の電圧電流変換回路。前記差動入力部、前記第1のカレントミラー回路、前記第2のカレントミラー回路および前記第3のカレントミラー回路がMOSFETにより構成されることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の電圧電流変換回路。図4の電圧電流変換回路の温度特性を考えると、まず、差動入力部のトランスコンダクタンス=差動入力部を構成する2つトランジスタのドレイン電流の電流差/2つの入力電圧の電圧差は差動入力部を構成するPチャネルMOSトランジスタMP10,MP11のトランスコンダクタンスにより決まり、MOSトランジスタのトランスコンダクタンスはバイアス電流とMOSトランジスタのサイズに依存するとともに、負の温度特性を有する。なお、温度特性の正負は、温度特性を示す特性値の絶対値が温度共に上昇する場合を正、温度が上がると特性値の絶対値が小さくなる場合を負としている。したがい、差動入力部のトランスコンダクタンスも負の温度特性を有する。また、出力端子Out2のように、カレントミラー回路のミラー比を調整して入力オフセット電圧をもたせている場合、この入力オフセット電圧も温度特性を有している。差動入力部のトランスコンダクタンスや入力オフセット電圧に温度特性がある電圧電流変換回路を図3に示すようなDC/DCコンバータに適用すると、DC/DCコンバータにおける帰還ループの安定性や過電圧保護のしきい値電圧が温度依存性を有することになってしまい、DC/DCコンバータの安定性から好ましくない。出力端子Out2の場合に関し、類似の回路として、吐き出し型のカレントミラー回路と吸い込み型のカレントミラー回路を組み合わせて定電流を出力する定電流回路の温度特性をゼロにする手法は知られているが例えば、特許文献2を参照。、出力電流値を可変にして、かつ差動入力部とともに温度特性をゼロにする手法は知られていなかった。この発明は、差動入力部を有するとともに、カレントミラー回路のミラー比を調整して入力オフセット電圧をもたせた電圧電流変換回路であって、差動入力部のトランスコンダクタンスの温度特性がない温度特性がゼロである、もしくは平坦である電圧電流変換回路を提供することを目的とする。さらに、温度特性のない入力オフセット電圧も実現することができる電圧電流変換回路を提供することを目的とする。そこで、上記課題を解決するために、請求項1に係る発明は、トランスコンダクタンスが負の温度特性を有する差動入力部に対し、平坦な温度特性を有する第1の定電流に正の温度特性を有する第2の定電流を加えた電流をバイアス電流として供給する電圧電流変換回路であることを特徴とする。請求項2に係る発明は、請求項1に係る発明において、前記差動入力部が2つの入力端子と第1の出力端子および第2の出力端子を有し、前記電圧電流変換回路は、前記第1の出力端子から出力される電流を入力とする電流吐き出し型の第1のカレントミラー回路と、前記第2の出力端子から出力される電流を入力とする電流吸い込み型の第2のカレントミラー回路を有し、前記第1及び第2のカレントミラー回路はそれぞれ第1及び第2の出力端子を有し、前記第1のカレントミラー回路の第1の出力端子と前記第2のカレントミラー回路の第1の出力端子との接続点を前記電圧電流変換回路の第1の出力端子とし、前記第1のカレントミラー回路の第2の出力端子と前記第2のカレントミラー回路の第2の出力端子との接続点を前記電圧電流変換回路の第2の出力端子とし、前記第2の接続点に前記第1の定電流に比例した電流を出力する第3のカレントミラー回路の出力を接続することを特徴とする。請求項3に係る発明は、請求項2に係る発明において、前記第1のカレントミラー回路における前記第1及び第2の出力端子の入力端子に対するミラー比をそれぞれa,bとし、前記第2のカレントミラー回路における前記第1及び第2の出力端子の入力端子に対するミラー比をそれぞれc,dとするとき、a=cとするとともに、b=dとすることを特徴とする。請求項4に係る発明は、請求項1ないし3のいずれか1項に係る発明において、前記差動入力部、前記第1のカレントミラー回路、前記第2のカレントミラー回路および前記第3のカレントミラー回路がMOSFETにより構成されることを特徴とする。この発明の電圧電流変換回路は、平坦な温度特性を有する第1の定電流に正の温度特性を有する第2の定電流を加えた電流をバイアス電流として差動入力部に供給することにより、差動入力部の温度特性とバイアス電流の温度特性とを相殺させて差動入力部のトランスコンダクタンスの温度特性をゼロ平坦なものにすることができる。また、電流吐き出し型の第1のカレントミラー回路の出力と、電流吸い込み型の第2のカレントミラー回路の出力との接続点を電圧電流変換回路の出力端子とし、この接続点に第1の定電流に比例した電流を加えることにより、温度特性のない入力オフセット電圧も実現することができる。以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。図1に、本発明に係る電圧電流変換回路の構成例を示す。図4と同じ部位には同じ符号を付して、詳細な説明は省略する。図1に示す電圧電流変換回路はIb1とIb2の2つのバイアス電流源を用意する。Ib1は平坦な温度特性を有するバイアス電流源であり、Ib2は正の温度特性を有するバイアス電流源である。ここで、バイアス電流源IbIに関する平坦なとは、温度特性が完全にゼロのものだけを意味せず、電圧電流変換回路の変化が使用される温度範囲で無視できる程度のものも含む。また、バイアス電流源回路の構成例については後述する。バイアス電流源IbIからの電流Ib1はPチャネルMOSトランジスタMP03,MP04,MP05からなるカレントミラー回路によりコピーされて、差動入力部と出力端子Out2に供給される。また、バイアス電流源Ib2からの電流Ib2はPチャネルMOSトランジスタMP06,MP07からなるカレントミラー回路によりコピーされて、差動入力部に供給される。負の温度特性をもつ差動入力部に対し、正の温度特性をもつバイアス電流を供給することにより、差動入力部のトランスコンダクタンスの温度特性を平坦なものにすることができる。これは、差動入力部を構成するPチャネルMOSトランジスタMP10,MP11のサイズと、カレントミラー回路MP06,MP07のミラー比、およびカレントミラー回路MP03,MP05のミラー比を適切に調整することで実現できる。具体的には、所望のトランスコンダクタンスに対して、常温付近でのバイアス電流値と、差動入力部を構成するPチャネルMOSトランジスタMP10,MP11のサイズを選定した後、トランスコンダクタンスが負の温度特性を有していれば、MP03に対するMP05の比を減少させ、MP06に対するMP07の比を増加させることで、トランスコンダクタンスの温度係数が0になるように調整することで実現できる。トランスコンダクタンスが正の温度特性を有していれば、逆の調整を行えばよい。ある製造プロセスでの一例を挙げると、MP10とMP11:W/L=48μm/3μmIb1:2μA温度係数0,Ib2:2μA25°Cにおける値:Ib2の電流値は絶対温度に比例する。MP03:MP05=2:1,MP06:MP07=2:5である。差動入力段の第1の出力端子であるPチャネルMOSトランジスタMP10のドレインから出力される電流はNチャネルMOSトランジスタMN10,MN11からなるカレントミラー回路でコピーされた後、さらにPチャネルMOSトランジスタMP12,MP13,MP14からなる第1のカレントミラー回路によってコピーされて、第1の出力端子Out1および第2の出力端子Out2に供給される。ここで第1のカレントミラー回路は、差動入力段の第1の出力端子から出力される電流に比例した電流を吐き出す、電流吐き出し型のカレントミラー回路である。差動入力段の第2の出力端子であるPチャネルMOSトランジスタMP11のドレインから出力される電流はNチャネルMOSトランジスタMN12,MN13,MN14からなる第2のカレントミラー回路によってコピーされて、第1の出力端子Out1および第2の出力端子Out2に供給される。ここで第2のカレントミラー回路は、差動入力段の第2の出力端子から出力される電流に比例した電流を吸い込む、電流吸い込み型のカレントミラー回路である。本実施の形態においては、a=c,b=dとする。こうすることにより、出力端子Out1に関する入力オフセット電圧はゼロとなる。出力端子Out2に関しても、このままでは入力オフセット電圧はゼロとなってしまうが、さらにPチャネルMOSトランジスタMP03,MP04からなる第3のカレントミラー回路により電流Ib1に比例した電流を出力端子Out2に加えることにより、正の入力オフセット電圧を実現することができる。上述のように差動入力部のトランスコンダクタンスの温度特性が平坦になるよう構成し、温度特性がほぼ平坦な電流Ib1に比例した電流に基づき入力オフセット電圧を生成させているので、入力オフセット電圧もほぼ平坦とすることができる。また、PチャネルMOSトランジスタMP04からの電流を、さらにNチャネルMOSトランジスタからなるカレントミラー回路でコピーして、電流Ib1に比例した電流を出力端子Out2から吸い込むよう構成すれば、負の入力オフセット電圧を実現することができる。図2にほぼ平坦な温度特性を有する電流Ib1と正の温度特性を有する電流Ib2を生成する電流源回路の構成例を示す。図1に示す電流源回路はバンドギャップ回路を応用したものであって、PチャネルMOSトランジスタMP20~MP24,NチャネルMOSトランジスタMN20~MN25、演算増幅器AMP1,AMP2、抵抗R1~R4、ダイオードD1,D2を有している。説明を簡単にするために、抵抗R1~R4には温度特性が平坦なものが適用されているとする。ダイオードD2はダイオードD1と同じサイズのダイオードを複数並列に接続された構成となっていて、ダイオードD1,D2に同じ電流を流すときには、ダイオードD2に印加される電圧がダイオードD1に印加される電圧より低くなるようになっている。抵抗R1,R2の一端は結線されていて互いに同電位Vrとなっている。また、抵抗R1,R2の他端同士も演算増幅器AMP1により仮想短絡されることにより同電位になっているVx=Vy。したがい、抵抗R1,R2には等しい電圧が印加されて、抵抗R1の抵抗値R1と抵抗R2の抵抗値R2を等しくしておけば、2つの抵抗R1,R2には等しい電流が流れる。しかし、上述のようにダイオードD1,D2とでは印加電圧が異なるため、この電圧差が抵抗R3抵抗値もR3とするに印加される。この電圧差は概ね絶対温度に比例するので、抵抗R1,R2,R3には絶対温度に比例した電流が流れる。抵抗R1に流れる電流がPチャネルMOSトランジスタMP20,21からなるカレントミラー回路およびNチャネルMOSトランジスタMN21,MN22からなるカレントミラー回路によりコピーされて、正の温度特性を有する電流Ib2としてNチャネルMOSトランジスタMN22から供給される。一方、ダイオードD1,D2に印加される電圧の絶対値は負の温度特性を有していて、抵抗値R3とR2=R1の比を適切に設定することにより、電位Vrの温度特性を平坦にすることができる。演算増幅器AMP2により仮想短絡されて電位Vtは電位Vrに等しくなり、この電位Vtが抵抗R4に印加されるので、抵抗R4には平坦な温度特性を有する電流が流れる。この電流は、PチャネルMOSトランジスタMP23,MP24からなるカレントミラー回路およびNチャネルMOSトランジスタMN24,MN25によりコピーされて、平坦な温度特性を有する電流Ib1としてNチャネルMOSトランジスタMN25から供給される。"