"プローブカードに取り付けられて検査対象物に略垂直をなすように配置される垂直型プローブ針において、胴部がSiO2の絶縁皮膜で被覆されるとともに、複数の粒状突起を有する金属皮膜が先端部に形成されたことを特徴とする垂直型プローブ針。前記絶縁皮膜は、前記先端部の最頂部から20~60μmの距離に前記先端部側の端縁が位置するように形成されたことを特徴とする請求項1記載の垂直型プローブ針。前記先端部の最頂部は、縦断面視して26~45μmの曲率半径を有する円弧状に形成されたことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の垂直型プローブ針。金属細線の胴部を覆うようにSiO2の絶縁皮膜を形成する工程と、ニッケル,銅,銀,金,亜鉛,鉛,白金,パラジウム及びこれらを含む合金のうちの少なくとも1種類の金属体を陽極とし,前記金属細線を陰極としてメッキ液に浸漬して,この陰極と前記陽極の間にパルス波形の電流を印加する工程と、を備え、前記金属細線の先端部に複数の粒状突起を有する金属皮膜を形成することを特徴とする垂直型プローブ針の製造方法。前記絶縁皮膜は、前記先端部の最頂部から20~60μmの距離に前記先端部側の端縁が位置するように形成されることを特徴とする請求項4記載の垂直型プローブ針の製造方法。前記金属細線を前記メッキ液に浸漬する前に、前記先端部の最頂部を,縦断面視して26~45μmの曲率半径を有する円弧状に加工する工程を備えたことを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の垂直型プローブ針の製造方法。しかしながら、上述の従来技術である特許文献1に開示された発明では、圧縮コイルスプリングの外径によってプローブの外径が決まってしまうため、プローブ全体の径を小さくすることができず、結果としてプローブの配置密度を高めることができないという課題があった。また、測定対象物との接触によりプローブの先端が摩耗し易いという課題もあった。また、特許文献2に開示された発明においては、プローブの径が細い場合、先端部の加工が容易でないという課題があった。また、本発明のプローブにおける先端部の加工は、V字状の断面を有するバイトをプローブの母材の一端面に対して略直交するように接触させ、押圧力を加えながら直線的に往復運動させることにより行われる。そのため、上記突起はプローブの長手方向に対して直交する平面上に形成される。従って、通電検査時にプローブがたわむなどして、複数の突起が形成されたプローブの端面全体が被検査体に対して不均一に接触した場合、前述の効果が発揮されないおそれがある。すなわち、本発明は特許文献2の明細書中の段落[0006]にも記載されているようにスプリングプローブには適しているものの、図12を用いて説明した前述の垂直型プローブ針には適用できないという課題があった。なお、本発明をスプリングプローブに適用した場合には、特許文献1に記載の発明と同様の課題を有することになる。本発明は、このような従来の事情に対処してなされたものであり、検査対象物に対する接触安定性の低下を防ぎ、長時間繰り返し使用することが可能な垂直型プローブ針とその製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、請求項1記載の発明は、プローブカードに取り付けられて検査対象物に略垂直をなすように配置される垂直型プローブ針において、胴部がSiO2の絶縁皮膜で被覆されるとともに、複数の粒状突起を有する金属皮膜が先端部に形成されたことを特徴とするものである。このような構造の垂直型プローブ針においては、複数の粒状突起によって検査対象物との接触圧が略均一に分散されるため、検査対象物に対する接触抵抗が安定するとともに、繰り返し使用しても金属皮膜が摩耗し難いという作用を有する。また、プローブカードに用いた場合、隣接する垂直型プローブ針の胴部同士がオーバードライブ時に接触しても短絡するおそれがない。さらに、胴部には金属皮膜が形成されないことから、金属皮膜の被着によって胴部の径が増大する、いわゆる針太りが発生しない。また、請求項2記載の発明は、請求項1記載の垂直型プローブ針において、絶縁皮膜は、先端部の最頂部から20~60μmの距離に先端部側の端縁が位置するように形成されたことを特徴とするものである。このような構造の垂直型プローブ針においては、金属皮膜が絶縁皮膜の端縁に向かって最頂部から20μm以上にわたって形成されるため、繰り返し使用しても粒状突起が剥離し難いという作用を有する。また、金属皮膜が絶縁皮膜の端縁に向かって最頂部から60μmを超えて形成されることがないため、粒径のそろった粒状突起が形成されるという作用を有する。また、請求項3記載の発明は、請求項1又は請求項2に記載の垂直型プローブ針において、先端部の最頂部は、縦断面視して26~45μmの曲率半径を有する円弧状に形成されたことを特徴とするものである。このような構造の垂直型プローブ針においては、先端部の最頂部を縦断面視した場合の曲率半径が26μm以上であるため、電気メッキによって金属皮膜を形成する際に金属イオンの析出が先端部の中心部に集中し難いという作用を有する。また、先端部の最頂部を縦断面視した場合の曲率半径が45μm以下であることから、電気メッキによって金属皮膜を形成する際に金属イオンの析出が最頂部の角部に集中し難いという作用を有する。また、請求項4記載の発明である垂直型プローブ針の製造方法は、金属細線の胴部を覆うようにSiO2の絶縁皮膜を形成する工程と、ニッケル,銅,銀,金,亜鉛,鉛,白金,パラジウム及びこれらを含む合金のうちの少なくとも1種類の金属体を陽極とし,金属細線を陰極としてメッキ液に浸漬して,この陰極と陽極の間にパルス波形の電流を印加する工程と、を備え、金属細線の先端部に複数の粒状突起を有する金属皮膜を形成することを特徴とするものである。このような垂直型プローブ針の製造方法によれば、メッキ液中の金属細線の周辺で金属イオン濃度の低下と回復が逐次繰り返されるため、金属細線に対して瞬間的に大きな電流が断続的に印加される。その結果、金属細線の先端部に、複数の粒状突起を有する金属皮膜が形成される。また、金属皮膜の形成される領域が絶縁皮膜によって制限されるという作用を有する。請求項5記載の発明は、請求項4記載の垂直型プローブ針の製造方法において、絶縁皮膜は、先端部の最頂部から20~60μmの距離に先端部側の端縁が位置するように形成されることを特徴とするものである。本請求項記載の発明は、請求項2に記載された物の発明を方法の発明としてとらえたものであるため、請求項2記載の発明と同様の作用を有する。請求項6記載の発明は、請求項4又は請求項5に記載の垂直型プローブ針の製造方法において、金属細線をメッキ液に浸漬する前に、先端部の最頂部を,縦断面視して26~45μmの曲率半径を有する円弧状に加工する工程を備えたことを特徴とするものである。本請求項記載の発明は、請求項3に記載された物の発明を方法の発明としてとらえたものであるため、請求項3記載の発明と同様の作用を有する。本発明の請求項1記載の垂直型プローブ針によれば、検査対象物の表面に形成された酸化膜を先端部で容易に突き破ることができる。これにより、検査精度が向上する。また、この高い検査精度を長時間維持することが可能である。さらに、胴部の径が細い垂直型プローブ針を製造できるため、プローブカードに多数の垂直型プローブ針を取り付ける際に、その配置密度を高めることが可能である。また、本発明の請求項2記載の垂直型プローブ針によれば、高い検査精度を長時間維持できるという請求項1記載の発明の効果がより一層発揮される。本発明の請求項3記載の垂直型プローブ針によれば、粒径のそろったきれいな略球形の粒状突起が先端部の表面に略均一に形成されるため、請求項1又は請求項2に記載の発明の効果がより一層発揮される。本発明の請求項4記載の垂直型プローブ針の製造方法によれば、請求項1記載の発明である垂直型プローブ針を容易に製造することができる。その際、大掛かりな製造設備を用いる必要がないため、製造コストを安くすることが可能である。また、絶縁皮膜が金属細線の側面に被着する領域を変更することで、金属皮膜が被着する領域を容易に調節することが可能である。本発明の請求項5記載の垂直型プローブ針の製造方法によれば、請求項4記載の発明の効果に加えて、請求項2記載の発明である垂直型プローブ針を安価に製造できるという効果を奏する。本発明の請求項6記載の垂直型プローブ針の製造方法によれば、請求項4又は請求項5に記載の発明の効果に加えて、請求項3記載の発明である垂直型プローブ針を安価に製造できるという効果を奏する。本発明の垂直型プローブ針に関し、その構造、作用及び効果について図1乃至図11を用いて従来技術と比較しながら説明するとともに、その製造方法についても具体的に説明する。図1aに示すように、本実施例の垂直型プローブ針は、母材が線径0.02~0.04mm、長さ3.0~6.0mmの金属細線1からなり、胴部1bがSiO2の絶縁皮膜2で被覆されるとともに,粒状突起3aを有する金属皮膜3が先端部1aに形成された構造となっている。また、垂直型プローブ針の基端部1cには、胴部1bが前述の支持板52a図12a又は図12bを参照から抜け落ちないように、支持板52aに係止する段差部4が形成されている。なお、図1bに示すように、胴部1bの長さ方向に平行に測定した場合の絶縁皮膜2の先端部1a側の端縁2aから最頂部5までの距離をLとする。また、本願明細書では、最頂部5及びその近傍を含む領域を先端部1aといい、側面のうち先端部1aに含まれる部分を除いた領域を胴部1bというものとする。このような構造の垂直型プローブ針においては、検査対象物との接触圧が複数の粒状突起3aに略均一に分散されるという作用を有する。この場合、検査対象物に対する接触抵抗が安定する。また、検査対象物との接触圧を高めることができるため、検査対象物の表面に形成された酸化膜が垂直型プローブ針の先端部1aによって突き破られ易くなる。これにより、検査精度が向上する。加えて、検査対象物に垂直型プローブ針の先端部1aを繰り返し接触させても金属皮膜3が摩耗し難いため、上述の高い検査精度を長時間維持することが可能である。さらに、垂直型プローブ針をプローブカードに用いた場合、胴部1bが絶縁皮膜2で被覆されているため、隣接するプローブ同士がオーバードライブ時に接触しても短絡するおそれがない。また、絶縁皮膜2で被覆された胴部1bには金属皮膜3が形成されないため、金属皮膜3の被着によって胴部1bの径が増大する、いわゆる針太りの発生が防止される。この場合、胴部1bの径が必要以上に太くならないため、多数の垂直型プローブ針をプローブカードに取り付ける際に、その配置密度を高めることができる。ここで、金属細線1に対して電解メッキを用いて金属皮膜3を形成する方法について説明する。まず、タングステン、レニウムタングステン、ベリリウム銅、銅銀合金等からなる金属細線1において、最頂部5から距離Lの位置まで絶縁皮膜2が形成されないようにマスキングを行った後、化学気相成長法ChemicalVaporDepositionにより胴部1bにSiO2の絶縁皮膜2を形成する。次に、金属細線1を陰極としてメッキ液に浸漬し、陰極と陽極の間にパルス波形の電流を発生させる。そして、メッキ液は、ニッケル,銅,銀,金,スズ,亜鉛,鉛,クロム,白金,パラジウム,イリジウム及びロジウムのうちの少なくとも1種類を含み、陽極は、ニッケル,銅,銀,金,亜鉛,鉛,白金,パラジウム及びこれらを含む合金のうちの少なくとも1種類の金属によって形成されるものを使用する。なお、本実施例では、マスキングを行った後に絶縁皮膜2を形成しているが、このような方法に限らず、例えば、金属細線1の側面全体に絶縁皮膜2を形成した後、被覆を要しない部分の絶縁皮膜2を後から剥離するようにしても良い。また、絶縁皮膜2の形成には化学気相成長法に限らず、例えば、真空蒸着等の方法を用いることもできる。上記構造のメッキ装置を用いて、陰極と陽極の間にパルス波形の電流を印加すると、金属細線1の先端部1aに金属イオンが析出し、金属皮膜3が部分的に形成される。一方、金属細線1の周辺では金属イオンの濃度が低下する。次に、金属皮膜3が先端部1aの全体に形成される前に、パルス波形の電流を小さくすると、金属イオンが析出しなくなり、金属皮膜3の成長が停止する。これにより、無数の微小な粒状突起3aが形成される。このとき、メッキ液中の金属イオンの消費も止まるが、金属細線1の周辺では、周囲から金属イオンが移動することで、金属イオンの濃度は高くなる。この状態で、パルス波形の電流を大きくすると、金属細線1には、瞬間的に大きな電流が流れる。この電流は粒状突起3aに集中し易いため、粒状突起3aを核としてその表面に金属イオンが析出する。以下、このような操作を繰り返すことにより、粒状突起3aはさらに大きく成長する。なお、生成される粒状突起3aの粒径や密度は、印加されるパルス波形の電流の大きさや周期に応じて異なる。上記製造方法においては、メッキ液に浸漬された金属細線1の周辺で金属イオン濃度の低下と回復が逐次繰り返されることにより、瞬間的に大きな電流が金属細線1に対して断続的に印加される結果、複数の粒状突起3aを有する金属皮膜3が金属細線1の先端部1aに形成されるという作用を有する。従って、このような製造方法によれば、大掛かりな製造設備を用いることなく、上述の構造を有する垂直型プローブ針を容易に、かつ、安価に製造することができる。また、印加するパルス波形の電流の大きさや周期を変更することで、粒状突起3aの粒径や密度を容易に調節することが可能である。さらに、金属皮膜3の形成される領域が絶縁皮膜2によって制限されるため、絶縁皮膜2が金属細線1の側面に被着する領域を変更することにより、金属皮膜3が被着する領域を容易に調節できる。本発明の垂直型プローブ針を用いてコンタクト試験を行った結果について、従来技術と比較しながら図2乃至図6を用いて説明する。なお、レーザー顕微鏡の倍率はいずれも3000倍であり、3次元形状の測定に使用した非接触形状測定装置はキーエンス社製のVK-9700及びOLYMPUS社製のOLS4000である。そして、コンタクト試験には、表面に酸化アルミニウムのスパッタ等ドライ皮膜が被着された電極を使用した。さらに、図2及び図4に先端部の形状が示される垂直型プローブ針では、最頂部5図1参照の曲率半径が26~45μmとなっている。また、以下の試験に用いた垂直型プローブ針を製造するにあたり、前述のパルス波形の電流の大きさや周期についてはすべて同じ条件に統一した。図2a及び図2bは本発明の垂直型プローブ針において図1bに示した距離Lが60μmの場合を示している。一方、図3a及び図3bは粒状突起を有する金属皮膜が先端部に形成されていない従来の垂直型プローブ針の場合を示している。なお、図2c及び図3cはいずれも横軸が電極の表面に対する垂直型プローブ針の接触回数コンタクト回数を示し、縦軸が垂直型プローブ針の先端部の抵抗値を示している。図2a及び図2bでは、粒径のそろったきれいな略球形の粒状突起粒径は5~20μmが形成されている。そして、図2cに示すように5000回のコンタクト試験を行っても抵抗値が変化していない。すなわち、このような垂直型プローブ針を通電検査等に用いることによれば、高い検査精度を長時間維持することが可能である。これに対し、図3a及び図3bに示すように粒状突起を有する金属皮膜が先端部に形成されていない従来の垂直型プローブ針を用いてコンタクト試験を行った場合、図3cに示すように抵抗値は最大で50Ωに達している。また、常に抵抗値がばらついており、接触抵抗が安定していないことがわかる。これは、従来の垂直型プローブ針では、電極の表面の酸化アルミニウムの皮膜を容易に突き破ることができないことを示している。図4a乃至図4cは本発明の垂直型プローブ針において図1bに示した距離Lがそれぞれ20μm,60μm及び70μmの場合を示している。また、図5a及び図5bはそれぞれ図4a及び図4bに示した垂直型プローブ針について5000回のコンタクト試験を行った後の状態を示している。図4a及び図4bでは、いずれも粒径のそろったきれいな略球形の粒状突起粒径は5~20μmが形成されているのに対し、図4cでは粒状突起の粒径が不ぞろいとなっている。これは、距離Lが長くなると、金属イオンの析出が先端部に集中しないため、粒状突起が均一に成長し難いことを示している。また、図4a及び図4bに示した垂直型プローブ針を用いてコンタクト試験を行ったところ、図示していないが、抵抗値は図2cの場合と同様であった。なお、5000回のコンタクト試験を行った後でも、図5a及び図5bに示すように粒状突起の状態はほとんど変化していない。以上のことから、粒径がそろった粒状突起を垂直型プローブ針の先端部に形成するためには、少なくとも上述の距離Lを70μmよりも短くすることが必要であり、望ましくは60μm以下にすると良いことがわかる。図6a及び図6bは本発明の垂直型プローブ針において図1bに示した距離Lが15μmの場合についてコンタクト試験を行う前及びコンタクト試験を500回行った後の垂直型プローブ針の先端部の状態を示しており、図6cはそのコンタクト試験の結果を示している。図6aでは図4a及び図4bの場合と同様に、粒径のそろったきれいな略球形の粒状突起粒径は5~20μmが形成されている。しかし、コンタクト試験が500回を超えた時点で、図6bに示すように粒状突起が剥離していた。そして、図6cに示すようにコンタクト試験が400回を超えたあたりから、抵抗値にばらつきが生じ始めている。このように、距離Lが15μmの場合には、先端部に形成された粒状突起が剥離し易い。従って、抵抗値が低い状態を長時間保つためには、距離Lを15μmよりも長くし、望ましくは20μm以上にすることが必要である。なお、前述したように、印加するパルス波形の電流の大きさや周期を変更すると、粒状突起の粒径や密度の調節をすることは可能であるが、パルス波形の電流の条件を変更することのみでは、剥離し難く、かつ粒径がそろった粒状突起を形成することは容易でない。図7a及び図7bは最頂部5がドーム形状の場合及び平坦な形状の場合をそれぞれ示している。また、図8乃至図10はともに図7aに対応し、最頂部5の曲率半径がそれぞれ9~21μm、26~45μm及び47~55μmの場合を示している。さらに、図11は図7bに対応し、最頂部5が平坦な形状の場合を示している。そして、図8b,図9b,図10b及び図11bは図7cのA-A断面における2次元形状に相当する。なお、曲率半径の値に幅があるのは、測定する箇所により測定値にばらつきがあるためである。図8aでは、図4aや図4bの場合のようにきれいな略球形の粒状突起は形成されていない。これは、図8bに示すように垂直型プローブ針の先端部の中心が尖っているため、金属イオンの析出が中心部に集中してしまうことによるものと考えられる。この場合、前述のコンタクト試験において接触値が小さくなるという効果は期待できない。一方、先端部の縦断面の2次元形状が図9bで表わされる場合には、図9aに示すように、粒径のそろったきれいな略球形の粒状突起が形成される。なお、粒状突起の粒径は5~20μmであり、粒の高さは1~2μmである。先端部の縦断面の2次元形状が図10bで表わされる場合には、図10aに示すように、粒径のそろった粒状突起が形成される。なお、粒状突起の粒径は5~20μmであり、粒の高さは0.2μm程度である。すなわち、粒状突起は図4aや図4bのようにきれいな粒径とはならず、つぶれたような形状となる。この場合、前述のコンタクト試験において抵抗値が小さくなるという効果は期待できない。また、図11aでは、図4aや図4bとは異なり、中心が陥没したような形状の金属皮膜が形成されている。これは、先端部の縦断面の2次元形状が図11bで表わされる場合には、金属イオンの析出が最頂部の角部に集中してしまうことによるものと考えられる。この場合も、前述のコンタクト試験において抵抗値が小さくなるという効果は期待できない。以上説明したように、粒径のそろったきれいな略球形の粒状突起を垂直型プローブ針の先端部に略均一に形成するためには、最頂部の曲率半径を21μmよりも大きくし、かつ、47μmよりも小さくする必要がある。そして、望ましくは最頂部の曲率半径を26~45μmとすると良い。なお、前述したパルス波形の電流の条件を変更する方法では、粒径のそろったきれいな略球形の粒状突起を形成することは容易でない。"