基板にハードマスク層を形成する工程と、前記ハードマスク層に段差を形成する工程と、前記段差を形成したハードマスク層にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層に均一なパターンを形成する工程と、前記パターニングされたレジスト層をエッチングマスクとして、前記ハードマスク層に異方性エッチングを行う工程と、前記パターニングされたハードマスク層をエッチングマスクとして、前記基板に異方性エッチングを行う工程と、を備え、前記レジスト層にパターンが形成される領域は、前記ハードマスク層に形成した段差の領域よりも大きいことを特徴とするパターン形成方法。前記ハードマスク層に異方性エッチングを行う工程において、前記段差を形成したハードマスクの上段部は基板表面を覆うように残存させ、且つ、前記段差を形成したハードマスクの下段部は基板表面を一部露出させることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。前記ハードマスク層に段差を形成する工程において、新たなハードマスク層を積層させることを特徴とするパターン形成方法。前記ハードマスク層に段差を形成する工程において、前記ハードマスク層は基板表面を覆うように残存させることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。請求項1乃至4のいずれか1項に記載のパターン形成方法を用いて作製することを特徴とするパターン形成体。しかしながら、上記形成方法では、微細かつ均一なパターンの形成を行う場合、フォギングの影響により寸法が変化した部位と、フォギングの影響を受けず寸法が変化しない部位が生じると、レジストパターン面内において寸法が不均一となる。特に、パターン外周部と中心部において寸法差が顕著に現れる。このレジストパターンをマスクとしてハードマスク層や基板のエッチングを行うと、面内寸法の均一なパターンを形成できない問題がある。また、既に段差を備えた基板に対して、新たにレジストのパターニングを行うことは以下の事由から困難である。また、段差の深さが大きければ大きいほど、難易度が上がることは言うまでもない。第1の事由としては、段差のある基板上にレジストをコートする際、レジスト膜の厚さが段差と同じかそれ以下だと凸部上のレジスト膜が薄くなってしまい、平坦なレジスト膜を得ることができない。このため、所望するレジストパターンを得ることが困難である。第2の事由としては、レジスト膜が平坦となるように充分にレジスト膜を厚くした場合、形成したレジストパターンのアスペクト比はレジスト膜の厚みに応じて高くなるため、レジストパターン倒れが発生する。このため、所望するレジストパターンを得ることが困難である。特に、段差を形成した後、所望のパターンを形成するにあたり、所望のパターンのために電子線を照射すると基板自体が帯電し、正確なパターン描写を行うことが困難であるという問題がある。本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、微細かつ均一なパターンの形成に好適なパターン形成方法およびパターン形成体を提供することを目的とする。請求項1に係る発明は、基板にハードマスク層を形成する工程と、前記ハードマスク層に段差を形成する工程と、前記段差を形成したハードマスク層にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層に均一なパターンを形成する工程と、前記パターニングされたレジスト層をエッチングマスクとして、前記ハードマスク層に異方性エッチングを行う工程と、前記パターニングされたハードマスク層をエッチングマスクとして、前記基板に異方性エッチングを行う工程とを備え、前記レジスト層にパターンが形成される領域は、前記ハードマスク層に形成した段差の領域よりも大きく設定して構成したパターン形成方法にある。また、請求項2に係る発明は、前記ハードマスク層に異方性エッチングを行う工程において、前記段差を形成したハードマスクの上段部は基板表面を覆うようにハードマスクを残存させ、且つ、前記段差を形成したハードマスクの下段部は基板表面を一部露出させるようにしたパターン形成方法にある。また、請求項3に係る発明は、前記ハードマスク層に段差を形成する工程において、新たなハードマスク層を積層させるようにしたパターン形成方法にある。また、請求項4に係る発明は、前記ハードマスク層に段差を形成する工程において、前記ハードマスク層は基板表面を覆うように残存させるようにしたパターン形成方法にある。また、請求項5に係る発明は、請求項1~4のいずれか1項によるパターン形成方法により作製したパターン形成体にある。本発明によれば、レジストパターンが形成される領域は、ハードマスク層に形成した段差の領域よりも大きくし、ハードマスクの上段部は基板表面を覆うようにハードマスクを残存させることと、下段部は基板表面が一部露出するようにハードマスク層へ異方性エッチングを行うことで、基板に均一なパターンを形成することができる。また、フォギングFogging補正が不要となるため、フォギング条件出し等の工程も不要となる。また、ハードマスク層に段差を形成する工程にあたり、ハードマスク層は基板に対してエッチング選択比が高い材料であるため、形成するハードマスク層の段差は、所望するパターンよりも、深さを小さくすることができる。また、ハードマスク層が基板表面を覆うように残存させることにより、レジストのパターン形成において、基板の帯電チャージアップを抑制することができる。また、ハードマスク層に異方性エッチングを行う工程にあたり、積層させるハードマスク層は、既に形成されているハードマスク層よりもエッチング選択比が高い材料であるため、ハードマスクの上段部は基板表面を覆うように残存させ、下段部は基板表面が一部露出したハードマスク層の形状を容易に形成できる。以下、本発明の実施の形態に係るパターン形成方法およびパターン形成体について図面を参照して説明する。図1は、本発明の一実施の形態に係るパターン形成体を形成するパターン形成方法の手順を示すものである。まず、基板11上に、ハードマスク層12を形成する図1a参照。このハードマスク層12の形成方法としては、ハードマスク層12に選択した材料に応じて、適宜公知の薄膜形成法を用いて形成してよい。例えば、スパッタ法などを用いられる。基板11は、用途に応じて適宜選択してよい。例えば、シリコン基板、石英基板、サファイア基板、SOI基板などが用いられる。前記ハードマスク層12は、選択した基板11に対して、後述する基板11に異方性エッチングを行う工程におけるエッチング選択比が高い材料であればよい。また、基板11は、石英基板であり、ハードマスク層12は、クロムからなる層であることが好ましい。石英基板は、一般的な露光光に対して透過性を有しており、特に、光インプリント法に用いるインプリントモールドや、フォトマスクなどの製造工程に本発明のパターン形成方法を用いる場合に好適である。このとき、石英基板に対するハードマスク層12としてはクロムからなる層を用いることで、一般的なエッチング条件において、ハードマスク層12を基板11に対してエッチング選択比を高く設定することができる。次に、ハードマスク層12に段差を形成して、ハードマスクパターン12p1を形成する工程に移行され、レジスト材料13が塗布されてハードマスク層12上に段差を形成する図1abcd参照。このとき、ハードマスク層に形成される段差の領域は、所望するパターンの領域と等しくする。このハードマスク層12に段差を形成する方法としては、レジストを用いたフォトリソグラフィ法や電子線描画法等を用いる。例えば、前記ハードマスク層12上に、レジスト膜を形成し、該レジスト膜にパターニングを行い、レジストパターンマスク14を形成する。次に、ハードマスク材料15を積層させる。前記ハードマスク材料15は、選択したハードマスク層12に対して、後述するハードマスクパターン12p1に異方性エッチングを行う工程におけるエッチング選択比が高い材料であればよい。このハードマスク材料15の形成方法としては、ハードマスク材料15に選択した材料に応じて、適宜公知の薄膜形成法を用いて形成してよい。例えば、スパッタ法などを用いられる。次に、該レジストパターンマスク14をリフトオフ工程を実施することにより、ハードマスク層12に段差を形成してもよい。ここで、前記ハードマスクパターン12p1は、基板11に対してエッチング選択比が高い材料であるため、形成するパターンに対応するハードマスクパターン12p1の段差は、所望するパターンよりも小さくすることができる。このため、レジストパターン倒壊を抑制することができる。尚、前記ハードマスク層12に形成する段差は、2段のみならず、より多段であってもよい。また、前記ハードマスクパターン12p1を形成するにあたり、ハードマスク層12は基板表面を覆うように残存させる。これにより、レジストパターンマスク14および17の形成において、基板の帯電チャージアップを抑制することができる。次に、レジスト材料16を塗膜する工程に移行され、ハードマスクパターン12p1を有する基板11上に、レジスト材料16を塗膜する図1e参照。レジスト材料16は、パターニングを行うフォトリソや電子線などに応じて、適宜選択してよい。また、レジスト材料16の塗膜形成方法としては、粘度に応じて適宜公知の薄膜形成技術を用いればよい。例えば、ダイコート法、スピンコート法などを用いてもよい。続いて、レジストパターンマスク17を形成する工程に移行され、レジスト材料16に、電子線を用いてレジストパターンマスク17を形成する図1f参照。描画後、現像処理を行いレジストパターンマスク17が形成される。現像処理は用いたレジスト膜に応じて適宜行ってよい。このとき、現像処理に際して、洗浄処理を行ってもよい。洗浄処理としては、現像液/異物を除去することができればよく、例えば、純水、超臨界流体などを用いて行ってもよい。また、フォトリソグラフィ法を用いてもよい。レジストパターンマスク17が形成される領域は、ハードマスクパターン12p1に形成した段差の領域よりも大きくする。これにより、レジストパターンマスク17の形成において、フォギングFoggingの影響による寸法差がパターン中心部に比べ顕著に現れる外周部を、ハードマスクパターン12p1に形成した段差領域外へ配置できる。次に、ハードマスクパターン12p1に異方性エッチングを行う工程に移行され、レジストパターンマスク17をマスクとしてハードマスクパターン12p1にエッチングを行う図1g参照。エッチングとしては、適宜公知の方法により行ってよい。例えば、ドライエッチング、ウェットエッチングなどを行ってもよい。ここで、ハードマスクパターン12p1の上段部と下段部に形成された材質のエッチング選択比が異なるため、ハードマスクパターン12p1の上段部に形成されたレジストパターンマスク17m1によりエッチングされた部位は、基板表面を覆うようにハードマスクパターン12p1を残存させることと、下段部に形成されたレジストパターンマスク17m2によりエッチングされた部位は、基板表面の一部が露出するようにハードマスクパターン12p1の異方性エッチングを行うことが可能である。エッチングの条件は、用いたレジスト/基板に応じて、適宜調節してよい。続いて、基板11に異方性エッチングを行う工程に移行され、ハードマスクパターン12p1が形成された側から、異方性エッチングを行い、パターン形成体18を形成する図1hi参照。エッチングとしては、適宜公知のエッチング方法を用いてよく、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチングなどを行ってもよい。また、エッチングの条件は、用いたハードマスク層/基板に応じて、適宜調節してよい。ここで、上記手順により形成したパターン形成体18をインプリントモールドとして活用した場合におけるインプリント法について図2を参照して説明を行う。まず、インプリントモールドを用いたインプリント法を行う工程において、転写基板21に転写材料22を積層する図2a参照。転写基板21は、使用する転写材料22に適するように適宜選択することができる。例えば、シリコン、石英ガラス、などが挙げられる。転写材料22は、所望する凹凸パターン、凹凸パターンの用途などに応じて適宜選択してよい。例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、ゾルゲル材料などを用いてもよい。特に、フッ素系UV硬化樹脂の場合、離型性に優れているため望ましい。そして、転写材料22の積層方法としては、転写材料の粘度に応じて、適宜公知の薄膜形成技術を用いればよい。例えば、ダイコート法、スピンコート法などを用いてもよい。次に、転写基板21とインプリントモールド18とを接近させ、転写材料22に対しパターンの転写を行い残膜つき樹脂パターン23を形成する図2b参照。このとき、インプリントモールドには、離型処理を施してもよい。転写材料22や、所望するパターンの精度に応じて、転写材料22の硬化を行ってもよい。例えば、転写材料22として熱硬化性樹脂を用いた場合、加熱により硬化を行ってよい。また、例えば、転写材料22として光硬化性樹脂を用いた場合、露光光により硬化を行ってもよい。続いて、このインプリント法により形成された樹脂パターン24を有するレジストパターンをマスクとして転写基板21にエッチングを施し、凹凸反転したインプリントモールドの複製版25を製造する図2cd参照。ここで、例えば残膜除去を行う工程に移行して所望する樹脂パターン24に応じて、残膜を除去する。この残膜とは、転写基板21とインプリントモールド18との間に存在した転写材料22であり、転写された樹脂パターン23が形成されていない部位をいう。残膜の除去は、選択した転写材料22に応じて適宜適した除去方法を用いてよい。例えば、転写材料22として、熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂を用いた場合、O2酸素RIE法を用いて除去してもよい。また、O2RIEの条件は、用いたレジスト/基板に応じて、適宜調節してよい。そして、エッチングを行う工程では、エッチングとしては、適宜公知の方法により行ってよい。例えば、ドライエッチング、ウェットエッチングなどを行ってもよく、エッチングの条件は、用いたレジスト/基板に応じて、適宜調節してよい。次に、本発明のパターン形成方法による具体的な実施例として、光インプリントモールドを作製した。実施例1まず、基板11上にハードマスク層12が10nm厚に形成された積層基板上にレジスト材料13を100nm厚にコートした図1a参照。このとき、基板11は石英基板であり、ハードマスク層12はクロム膜であり、レジスト材料13はネガ型電子線レジストである。次に、電子線描画装置にて、レジスト材料13に対して電子線を照射した後、現像液を用いた現像処理、リンス、およびリンス液の乾燥を行い、レジストパターン14を形成した図1b参照。このとき、リンス液には純水を用いた。次に、スパッタ装置を用いてハードマスク材料15を10nm積層した後、レジストパターン15をリフトオフ工程により除去し、ハードマスクパターン12p1を形成した図1cd参照。また、ハードマスクパターン12p1に形成される段差の領域は、所望するパターンの領域と等しくした。このとき、ハードマスク材料15は、シリコンである。次に、段差を形成したハードマスクパターン12p1が形成された基板11上にレジスト材料16を100nm厚にて塗膜した図1e参照。次に、電子線描画装置にて、レジスト材料16に対して電子線を照射した後、現像液を用いた現像処理、リンス、およびリンス液の乾燥を行い、レジストパターンマスク17を形成した図1f参照。リンス液には純水を用いた。このとき、レジストパターンマスク17が形成される領域は、ハードマスクパターン12p1に形成した段差の領域よりも大きくした。次に、レジストパターンマスク17をマスクとしてICPドライエッチング装置を用いたドライエッチングによって段差を形成したハードマスクパターン12p1のエッチングを行い、所望のパターンが形成されたハードマスクパターン12p2を形成した図1g参照。このとき、段差を形成したハードマスクパターン12p1の上段部に形成されたレジストパターンマスク17m1による部位はエッチングされず、基板11の表面を覆うようにハードマスクパターン12p2を残存させることと、下段部に形成されたレジストパターンマスク17m2によりエッチングされた部位は、基板11表面の一部が露出するようにハードマスクパターン12p2のエッチングを行う。段差を形成したハードマスクパターン12p1下段部であるクロム膜のエッチングの条件は、Cl2流量40sccm、O2流量10sccm、He流量80sccm、圧力30Pa、ICPパワー300W、RIEパワー30Wであった。次に、所望のパターンを形成したハードマスクパターン12p2をマスクとしてICPドライエッチング装置を用いたドライエッチングによって基板18を形成した図1h参照。このとき、基板である石英基板のエッチング条件は、C4F8流量10sccm、O2流量10~25sccm、Ar流量75sccm、圧力2Pa、ICPパワー200W、RIEパワー550Wであった。次に、所望のパターンを形成したハードマスクパターン12p2の剥離洗浄を行った図1i参照。このとき、所望のパターンを形成したハードマスクパターン12p2の剥離洗浄にはウェットエッチングを用いた。以上の手順によりパターン形成体18を作製することができる。実施例2実施例1で作製したパターン形成体18をインプリントモールドとして用いて、図2に示すように凹凸パターンが反転した樹脂パターン24を形成するインプリト法を行った。まず、転写基板21上に転写材料22として光硬化性樹脂を100nm厚に積層し、パターン形成体18を対向して配置した図2a参照。このとき、微細なインプリントモールドであるパターン形成体18のパターン面側には、離型剤としてフッ素系表面処理剤をあらかじめコートした。また、転写基板21はシリコン基板であった。次に、転写材料22とパターン形成体18を接触させ、パターン形成体18側から露光光を照射し、転写材料22を硬化させ、転写基板21とパターン形成体18とを遠ざけ、転写材料22に残膜つき樹脂パターン23を形成した図2b参照。このとき、微細なインプリントモールドであるパターン形成体18に荷重を1MPa加え、露光光であるUV光の照射量は400mJ/cm2であった。以上より、実施例1で作製したパターン形成体18の凹凸反転した微細な樹脂パターン23をインプリント法により形成することができた。次に、O2プラズマアッシング条件:O2流量500sccm、圧力30Pa、RFパワー1000Wによって残膜を除去し、樹脂パターン24を形成した図2c参照。次に、樹脂パターン24をマスクとして、ICPドライエッチング装置を用いたドライエッチングによって転写基板21のエッチングを行った図2d参照。このとき、基板であるシリコン基板のエッチング条件は、SF6流量40sccm、Ar流量75sccm、圧力2Pa、ICPパワー200W、RIEパワー300Wであった。以上の手順により実施例1で作製した微細なインプリントモールドであるパターン形成体18の凹凸反転した微細な複製版25を作製することができる。この発明は、上記実施形態に限ることなく、その他、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施し得ることが可能である。さらに、上記実施形態には、種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより、種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成発明として抽出され得る。