"[A]下記式1で表される構造単位Iを有する重合体、及び[B]下記式2で表される感放射線性酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物。式1中、R1は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。A及びBは、それぞれ独立して、硫黄原子又は酸素原子である。nは0~2の整数である。R2~R10は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又は炭素数3~6のシクロアルキル基である。但し、R2~R10のうちのいずれか2つが互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に炭素数5~8の環構造を形成していてもよい。nが2の場合、複数のR9及びR10は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。式2中、R11は、環構造を含む1価の有機基である。R12は、フッ素化メチレン基又は炭素数2~10のフッ素化アルキレン基である。但し、SO3-に直接結合する上記フッ素化アルキレン基の炭素原子はフッ素原子を少なくとも1つ有する。Xは、オニウムカチオンである。上記Xが、下記式3で表される請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。式3中、R13~R15は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数1~10のアルコキシ基、-S-R16基又はヘテロ原子を2つ以上有する基である。R16は、アルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。上記R11が含む環構造が、炭素数6~20の多環の脂環式基又は核原子数6~20の多環の複素環基である請求項1又は請求項2に記載の感放射線性樹脂組成物。nが0であり、かつR2~R8が水素原子である請求項1、請求項2又は請求項3に記載の感放射線性樹脂組成物。[A]重合体が、下記式4で表される構造単位IIをさらに有する請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の感放射線性樹脂組成物。式4中、R17は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R18~R20は、それぞれ独立して、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数4~20の脂環式基又は炭素数6~20の芳香族炭化水素基である。但し、R18及びR19が互いに結合して、それぞれが結合している炭素原子と共に脂環式基を形成していてもよい。また、上記アルキル基、脂環式基及び芳香族炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。[C]下記式5で表される化合物をさらに含有する請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の感放射線性樹脂組成物。式5中、R21~R23は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数1~10のアルコキシ基、-S-R24基又はヘテロ原子を2つ以上有する基である。R24は、アルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。M-は、OH-、RmCOO-又はRm-SO3-である。Rmは、アルキル基、アリール基又はアラルキル基である。但し、上記アルキル基、アリール基及びアラルキル基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。また、M-がRm-SO3-の場合、SO3-がフッ素原子を有する炭素原子と直接結合する場合はない。[A]重合体が、ラクトン構造を含む構造単位、環状カーボネート構造を含む構造単位、及びスルトン構造を含む構造単位からなる群より選択される少なくとも1種の構造単位IIIをさらに有する請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の感放射線性樹脂組成物。本発明は以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、感度等の基本特性を十分に満足し、MEEF及びLWRに代表されるリソグラフィー性能に優れる感放射線性樹脂組成物を提供することである。上記課題を解決するためになされた発明は、[A]下記式1で表される構造単位Iを有する重合体以下、[A]重合体ともいう、及び[B]下記式2で表される感放射線性酸発生体以下、[B]酸発生体ともいうを含有する感放射線性樹脂組成物である。式1中、R1は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。A及びBは、それぞれ独立して、硫黄原子又は酸素原子である。nは0~2の整数である。R2~R10は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又は炭素数3~6のシクロアルキル基である。但し、R2~R10のうちのいずれか2つが互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に炭素数5~8の環構造を形成していてもよい。nが2の場合、複数のR9及びR10は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。式2中、R11は、環構造を含む1価の有機基である。R12は、フッ素化メチレン基又は炭素数2~10のフッ素化アルキレン基である。但し、SO3-に直接結合する上記フッ素化アルキレン基の炭素原子はフッ素原子を少なくとも1つ有する。Xは、オニウムカチオンである。本発明の感放射線性樹脂組成物は、[B]酸発生体を含有し、露光により[B]酸発生体から酸が発生するが、[A]重合体が、上記式1で表される2つのヘテロ原子を含む極性の高い酸解離性基を有することから、上記酸との相互作用が高まり、酸の拡散を抑制することができる。また、当該感放射線性樹脂組成物は、[B]酸発生体が上記式2で表される環構造を含む嵩高い構造であることから、[A]重合体との相互作用が高まり、酸の拡散をさらに効果的に抑制することができる。その結果、未露光部における酸解離性基の解離が抑えられ、当該感放射線性樹脂組成物によれば、MEEF及びLWRに優れるレジストパターンの形成が可能となる。上記Xが、下記式3で表されることが好ましい。式3中、R13~R15は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数1~10のアルコキシ基、-S-R16基又はヘテロ原子を2つ以上有する基である。R16は、アルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。このように[B]酸発生体のオニウムカチオンを上記特定構造とすることで、発生する酸の拡散をより抑制することができる。その結果、当該感放射線性樹脂組成物はMEEF及びLWRにより優れるレジストパターンの形成が可能となる。上記R11が含む環構造が、炭素数6~20の多環の脂環式基又は核原子数6~20の多環の複素環基であることが好ましい。このように[B]酸発生体のアニオン部分が、嵩高い上記多環の基を有することで、酸の拡散をさらに抑制することができる。その結果、当該感放射線性樹脂組成物は、MEEF及びLWRにより優れるレジストパターンの形成が可能となる。上記nが0であり、かつR2~R8が水素原子であることが好ましい。このように[A]重合体が含む構造単位Iを極性の高い上記特定の構造とすることで、[B]酸発生体から発生する酸との相互作用がさらに高まり、酸の拡散をより制御することができる。これにより、当該感放射線性樹脂組成物は、MEEF及びLWRにより優れるレジストパターンの形成が可能となる。[A]重合体が、下記式4で表される構造単位IIをさらに有することが好ましい。式4中、R17は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R18~R20は、それぞれ独立して、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数4~20の脂環式基又は炭素数6~20の芳香族炭化水素基である。但し、R18及びR19が互いに結合して、それぞれが結合している炭素原子と共に脂環式基を形成していてもよい。また、上記アルキル基、脂環式基及び芳香族炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。このように[A]重合体が、上記特定構造の酸解離性基を有する構造単位IIをさらに有することで、当該感放射線性樹脂組成物のパターン形成性が向上し、MEEF及びLWRにより優れるレジストパターンの形成が可能となる。当該感放射線性樹脂組成物は、[C]下記式5で表される化合物以下、[C]化合物ともいうをさらに含有することが好ましい。式5中、R21~R23は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数1~10のアルコキシ基、-S-R24基又はヘテロ原子を2つ以上有する基である。R24は、アルキル基又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。M-は、OH-、RmCOO-又はRm-SO3-である。Rmは、アルキル基、アリール基又はアラルキル基である。但し、上記アルキル基、アリール基及びアラルキル基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。また、M-がRm-SO3-の場合、SO3-がフッ素原子を有する炭素原子と直接結合する場合はない。[C]化合物は、露光により[B]酸発生体から生じる酸の、レジスト塗膜中における拡散現象を制御し、未露光部における好ましくない化学反応を抑制する作用を有する。従って、当該感放射線性樹脂組成物は[A]重合体及び[B]酸発生体に加えて、[C]化合物を含有することで、より酸の拡散長を短くでき酸の拡散をさらに抑制できる。これにより、当該感放射線性樹脂組成物は、MEEF及びLWRにより優れるレジストパターンの形成が可能となる。[A]重合体は、ラクトン構造を含む構造単位、環状カーボネート構造を含む構造単位、及びスルトン構造を含む構造単位からなる群より選択される少なくとも1種の構造単位IIIをさらに有することが好ましい。[A]重合体がこのような構造単位を有することで、当該感放射線性樹脂組成物から得られるレジスト膜の基板への密着性を向上させることができる。なお、本明細書における感放射線性樹脂組成物の放射線とは、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線、EUV等を含む概念である。本発明の感放射線性樹脂組成物は、感度等の基本性能を備えつつ、MEEF及びLWRに優れるレジストパターンを形成することができる。そのため、当該感放射線性樹脂組成物は、微細パターンを高精度にかつ安定して形成することができ、今後更に微細化が進行すると予想される半導体デバイス製造用に好適に用いることができる。<感放射線性樹脂組成物>本発明の感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体及び[B]酸発生体を含有する。また、当該感放射線性樹脂組成物は好ましくは[C]化合物を含有する。さらに、当該感放射線性樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない限り、その他の任意成分を含有していてもよい。以下、各成分について詳述する。<[A]重合体>[A]重合体は、酸解離性基を有する構造単位として、上記式1で表される構造単位Iを必須成分として含む。また、好適成分として後述の上記式3で表される構造単位II、ラクトン構造等を含む構造単位IIIを有する。当該感放射線性樹脂組成物は、構造単位I及びIIを有することにより、[B]酸発生体から発生する酸を触媒として酸解離性基が解離し、現像液に対する溶解速度が変化し、レジストパターンを形成する。さらに、[A]重合体が、構造単位IIIをさらに有することにより、当該感放射線性樹脂組成物から得られるレジスト膜の基板への密着性を向上させることができる。また、本発明の効果を妨げない限り、後述構造単位IV等の他の構造単位を含んでいてもよい。以下、各構造単位を詳述する。[構造単位I]構造単位Iは、上記式1で表される。上記式1中、R1は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。A及びBは、それぞれ独立して、硫黄原子又は酸素原子である。nは0~2の整数である。R2~R10は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又は炭素数3~6のシクロアルキル基である。但し、R2~R10のうちのいずれか2つが互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に炭素数5~8の環構造を形成していてもよい。nが2の場合、複数のR9及びR10は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。上記R2~R10が表す炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基等が挙げられる。これらのうち、メチル基及びエチル基が好ましい。上記R2~R10が表す炭素数3~6のシクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロへキシル基等が挙げられる。上記R2~R10のうち、いずれか2つが互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に形成する炭素数5~8の環構造としては、例えばシクロペンタン環、シクロへキサン環、シクロオクタン環等が挙げられる。これらのうち、シクロペンタン環及びシクロヘキサン環が好ましい。上記nが0であり、R2~R10が水素原子であることが好ましい。構造単位Iを極性の高い上記特定構造とすることで、発生する酸の拡散をさらに抑制できる。結果として、当該感放射線性樹脂組成物はMEEF、及びLWRにより優れるレジストパターンの形成が可能となる。構造単位Iの具体例としては、下記式1-a~1-hで表される構造単位が挙げられる。上記式1-a~1-h中、R1、A、B及びnは上記式1と同義である。pは1~4の整数である。これらのうち、上記式1-aで表される構造単位が好ましい。式1-aで表される構造単位としては、例えば下記式で表される構造単位が挙げられる。上記式中、R1は、上記式1と同義である。[A]重合体における構造単位Iの含有割合としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、2モル~60モルが好ましく、5モル~40モルがより好ましく、5モル~30モルがさらに好ましい。構造単位Iの含有率を上記範囲とすることで、本願発明の効果がいかんなく奏される。なお、[A]重合体は、構造単位Iを2種以上含んでいてもよい。構造単位Iを与える単量体としては、下記式で表される単量体等が挙げられる。[構造単位II][A]重合体は、上記式4で表される構造単位IIを有することが好ましい。[A]重合体が、上記特定構造の酸解離性基を有する構造単位IIをさらに有することで、当該感放射線性樹脂組成物は、パターン形成性が向上し、MEEF及びLWRにより優れるレジストパターンの形成が可能となる。上記式4中、R17は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R18~R20は、それぞれ独立して、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数4~20の脂環式基又は炭素数6~20の芳香族炭化水素基である。但し、R18及びR19が互いに結合して、それぞれが結合している炭素原子と共に脂環式基を形成していてもよい。また、上記アルキル基、脂環式基及び芳香族炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。上記R18~R20が表す炭素数1~4の直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、tert-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基等が挙げられる。上記R18~R20が表す炭素数4~20の脂環式基、及びR18とR19とが互いに結合して、それぞれが結合している炭素原子と共に形成していてもよい脂環式基としては、例えばアダマンタン骨格、ノルボルナン骨格等の有橋式骨格を有する多環の脂環式基;シクロペンタン、シクロヘキサン等のシクロアルカン骨格を有する単環の脂環式基が挙げられる。また、これらの基は、例えば炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種以上で置換されていてもよい。上記R18~R20が表す炭素数6~20の芳香族炭化水素基としては、例えばベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ピレン、ピセン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、メシチレン、クメン等の芳香族炭化水素基から1個の水素原子を除いた基等が挙げられる。構造単位IIとしては、下記式で表される構造単位が好ましい。上記式中、R25は、上記式3と同義である。R26は、炭素数1~4のアルキル基である。mは、1~6の整数である。これらのうち、より好ましい構造単位として、下記式2-1~2-20で表される構造単位が挙げられる。上記式中、R25は上記式3と同義である。これらのうち、上記式2-2、2-3及び2-13で表される構造単位がさらに好ましい。[A]重合体において、構造単位IIの含有割合としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、5モル~80モルが好ましく、10モル~80モルがより好ましく、20モル~70モルが特に好ましい。構造単位IIの含有割合を上記範囲とすることで、得られるレジストパターンのリソグラフィー性能がより向上する。なお、[A]重合体は構造単位IIを2種以上有していてもよい。構造単位IIを与える単量体としては、例えばメタアクリル酸-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸-ビシクロ[2.2.2]オクタ-2-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[5.2.1.02,6]デカ-7-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[3.3.1.13,7]デカ-1-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[3.3.1.13,7]デカ-2-イルエステル等が挙げられる。[構造単位III][A]重合体は、ラクトン構造を含む構造単位、環状カーボネート構造を含む構造単位、及びスルトン構造を含む構造単位からなる群より選択される少なくとも1種の構造単位IIIをさらに有することが好ましい。構造単位IIIを有することで、レジスト膜の基板への密着性を向上できる。構造単位IIIとしては、例えば下記式で示される構造単位等が挙げられる。上記式中、R27は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R28は、水素原子又はメチル基である。R29は、水素原子又はメトキシ基である。Z1は、単結合又はメチレン基である。Z2は、メチレン基又は酸素原子である。a及びbは、0又は1である。これらのうち、構造単位IIIとしては、下記式で示される構造単位が好ましい。上記式中、R30は、水素原子又はメチル基である。[A]重合体において、構造単位IIIの含有割合としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、0モル~70モルが好ましく、20モル~60モルがより好ましい。構造単位IIIの含有割合を上記範囲とすることで、レジストと基板との密着性を向上させることができる。一方、70モルを超えると、良好なパターンが得られないおそれがある。構造単位IIIを与える単量体としては、例えば国際公開2007/116664号パンフレットに記載の単量体等が挙げられる。[構造単位IV][A]重合体は、親水性官能基を有する構造単位以下、構造単位IVともいうを含んでいてもよい。[A]重合体が構造単位IVをさらに含むことで、レジストパターンのリソグラフィー性能をより向上できる。構造単位IVとしては、例えば下記式で表される構造単位が挙げられる。上記式中、R31は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。[A]重合体における構造単位IVの含有割合としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して0モル~30モルが好ましく、5モル~20モルがより好ましい。[A]重合体は、構造単位IVを2種以上有していてもよい。<[A]重合体の合成方法>[A]重合体は、例えば所定の各構造単位に対応する単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより製造できる。例えば、単量体及びラジカル開始剤を含有する溶液を、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法、単量体を含有する溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法、各々の単量体を含有する複数種の溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法等の方法で合成することが好ましい。これらの方法における反応温度は開始剤種によって適宜決定すればよい。通常30°C~180°Cであり、40°C~160°Cが好ましく、50°C~140°Cがより好ましい。滴下時間は、反応温度、開始剤の種類、反応させる単量体等の条件によって異なるが、通常、30分~8時間であり、45分~6時間が好ましく、1時間~5時間がより好ましい。また、滴下時間を含む全反応時間も、滴下時間と同様に条件により異なるが、通常、30分~8時間であり、45分~7時間が好ましく、1時間~6時間がより好ましい。上記重合に使用されるラジカル開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、2,2’-アゾビス4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2-シクロプロピルプロピオニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオニトリル等が挙げられる。これらの開始剤は2種以上を混合して使用してもよい。重合溶媒としては、重合を阻害する溶媒重合禁止効果を有するニトロベンゼン、連鎖移動効果を有するメルカプト化合物等以外の溶媒であって、その単量体を溶解可能な溶媒であれば限定されない。重合溶媒としては、例えば、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステルラクトン系溶媒、ニトリル系溶媒及びその混合溶媒等が挙げられる。これらの溶媒は、単独又は2種以上を併用できる。重合反応により得られた樹脂は、再沈殿法により回収することが好ましい。すなわち、重合反応終了後、重合液を再沈溶媒に投入することにより、目的の樹脂を粉体として回収する。再沈溶媒としては、アルコール類やアルカン類等を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。再沈殿法の他に、分液操作やカラム操作、限外ろ過操作等により、単量体、オリゴマー等の低分子成分を除去して、樹脂を回収することもできる。[A]重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量Mwは、特に限定されないが、1,000以上500,000以下が好ましく、2,000以上400,000以下がより好ましい。なお、[A]重合体のMwが1,000未満であると、レジストとしたときの耐熱性が低下する傾向がある。一方、[A]重合体のMwが500,000を超えると、レジストとしたときの現像性が低下する傾向がある。また、[A]重合体のGPCによるポリスチレン換算数平均分子量Mnに対するMwの比Mw/Mnは、通常1以上5以下であり、1以上3以下が好ましく、1以上2以下がより好ましい。Mw/Mnをこのような範囲とすることで、フォトレジスト膜が解像性能に優れたものとなる。なお、本明細書のMw及びMnは、GPCカラム東ソー製、G2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を用い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより測定した値をいう。<[B]酸発生体>[B]酸発生体は、上記式2で表される感放射線性酸発生体である。[B]酸発生体は、露光工程において酸を発生し、その酸により、[A]重合体中に存在する酸解離性基を解離させる。その結果、[A]重合体が現像液に難溶性となる。[B]酸発生体が、上記式2で表される環構造を含む嵩高い構造であることで、重合体成分との相互作用が高まるため、当該感放射線性樹脂組成物は、酸の拡散を効果的に抑制することができる。その結果、未露光部における酸解離性基の解離が抑えられ、当該感放射線性樹脂組成物を用いると、MEEF及びLWRに優れるレジストパターンの形成が可能となる。なお、当該感放射線性樹脂組成物における[B]酸発生体の含有形態としては、後述するような化合物の態様以下、この態様を[B]酸発生剤とも称するでも、重合体の一部として組み込まれた態様でも、これらの両方の態様でもよい。[B]酸発生体は、上記式2で示されるように、R11-R12-SO3-で表されるアニオンと、Xで表されるオニウムカチオンとからなる。上記式2中、R11は、環構造を含む1価の有機基である。R12は、炭素数1~10のフッ素化アルキレン基である。Xはオニウムカチオンである。上記R11が表す環構造を含む1価の有機基における環構造としては、脂環式基、芳香環、複素環基等が挙げられる。上記脂環式基としては、例えばシクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロデカン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロデセン、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、シクロオクタジエン、シクロデカジエン等の単環の脂環式基;ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン、ノルボルナン、アダマンタン、ビシクロ[2.2.1]ヘプテン、ビシクロ[2.2.2]オクテン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デセン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デセン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデセン等の多環の脂環式基等が挙げられる。上記芳香環としては、例えばベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ピレン、ピセン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、メシチレン、クメン等が挙げられる。上記複素環基としては、例えばラクトン基、ピロール環基、フラン環基、チオフェン環基、ピラゾール環基、イソキサゾール環基、イソチアゾール環基、ピリジン環基、イミダゾール環基、チアゾール環基、ピリミジン環基、ピリダジン環基、オキサゾール環基、ピペリジン環基、ピペラジン環基、ピラジン環基、ピラン環基等の単環の複素環基;ノルボルナンラクトン基、インドール環基、キノリン環基、イソキノリン環基、キナゾリン環基、ベンゾフラン環基、ベンゾチオフェン環基、シンノリン環基、カルバゾール環基、ベンゾイソキサゾール環基、ベンゾチアゾール環基、ベンゾイソチアゾール環基、ベンズオキサゾール環基、ベンズイミダゾール環基、プリン環基、インダゾール環基等の多環の複素環基等が挙げられる。これらのうち、炭素数6~20の多環の脂環式基及び核原子数6~20の多環の複素環基が好ましく、ノルボルナン、アダマンタン及びノルボルナンラクトン環がより好ましい。[B]酸発生体のアニオン部分が、嵩高いこれらの基を有することで、酸の拡散をさらに抑制することができる。その結果、当該感放射線性樹脂組成物は、MEEF及びLWRにより優れるレジストパターンの形成が可能となる。上記R11が表す環構造を含む1価の有機基は、上記環構造を1種又は2種以上含むことができる。また、上記R11が表す環構造を含む1価の有機基としては、上記環構造のみからなる基、上記環構造と、炭素数1~10の鎖状炭化水素基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、イミノ基及びアミド基からなる群より選択される1種以上の基とを組み合わせた基等が挙げられる。上記R12が表すフッ素化メチレン基及び炭素数2~10のフッ素化アルキレン基としては、下記式6で表される基が好ましい。上記式6中、mは1~10の整数である。Rf1及びRf2はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子又は炭素数1~4のフッ素化アルキル基である。但し、mが2以上の場合、複数のRf1及びRf2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、SO3-に直接結合する炭素原子が有するRf1又はRf2はフッ素原子である。はSO3-と結合する部位である。上記Rf1及びRf2で表される炭素数1~4のフッ素化アルキル基としては、例えばフッ素化メチル基、フッ素化エチル基、フッ素化n-プロピル基、フッ素化i-プロピル基、フッ素化n-ブチル基、フッ素化t-ブチル基等が挙げられる。上記mは、2~6の整数であることが好ましい。上記Rf1及びRf2としては、水素原子及びフッ素原子が好ましい。上記R11-R12-SO3-で表されるアニオンとしては、例えば下記式で表されるアニオン等が挙げられる。これらのうち、2-4、2-5、2-6及び2-13が好ましい。上記式2中、Xで表されるオニウムカチオンとしては、例えばスルホニウムカチオン、チオフェニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、ピリジニウムカチオン等が挙げられる。これらのうち、スルホニウムカチオン及びチオフェニウムカチオンが好ましく、上記式3で表されるカチオンがより好ましい。[B]酸発生体のオニウムカチオンを上記3で表される特定構造とすることで、発生する酸の拡散をより抑制することができる。その結果、当該感放射線性樹脂組成物はMEEF及びLWRにより優れるレジストパターンの形成が可能となる。上記式3中、R13~R15は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数1~10のアルコキシ基、-S-R16基、又はヘテロ原子を2つ以上有する基である。R16は、アルキル基、又はアリール基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。上記R13~R15が表す炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル、n-ヘキシル基、i-ヘキシル基等が挙げられる。上記R13~R15が表す炭素数3~12のシクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。上記R13~R15が表す炭素数1~10のアルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基等が挙げられる。上記R16基が表すアルキル基としては、例えば上記R13~R15が表す炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基として例示した基と同様の基、上記R13~R15が表す炭素数3~12のシクロアルキル基として例示した基と同様の基等が挙げられる。上記R16基が表すアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。上記へテロ原子としては、例えば酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ハロゲン原子等が挙げられる。上記Xで表されるオニウムカチオンとしては、トリフェニルスルホニウムカチオンが特に好ましい。これらの[B]酸発生体は、2種以上を併用してもよい。[C]酸発生体が剤である場合の使用量としては、当該感放射線性樹脂組成物により形成されるレジスト塗膜の感度及び現像性を確保する観点から、[A]重合体100質量部に対して、0.1質量部以上25質量部以下が好ましく、1質量部以上20質量部以下がより好ましい。<[C]化合物>当該感放射線性樹脂組成物は、さらに[C]化合物を含有していてもよい。[C]化合物は、露光により[B]酸発生体から生じる酸の、レジスト塗膜中における拡散現象を制御し、未露光部における好ましくない化学反応を抑制する作用を有するものである。従って、当該感放射線性樹脂組成物は[A]重合体及び[B]酸発生体に加えて、[C]化合物を含有することで、より酸の拡散長を短くでき酸の拡散をさらに抑制できる。結果として当該感放射線性樹脂組成物はMEEF及びLWRに優れるレジストパターンの形成が可能となる。[C]化合物は、上記式5で表される。式5中、R21~R23は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基又はヒドロキシル基である。M-は、OH-、R24COO-又はR24-SO3-である。R24は、アルキル基、アリール基又はアラルキル基である。但し、上記アルキル基、アリール基及びアラルキル基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。また、M-がR24-SO3-の場合、SO3-がフッ素原子を有する炭素原子と直接結合する場合はない。上記R21~R23が表すハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。上記R21~R23が表すアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロプル基、n-ブチル基、i-ブチル基等の鎖状のアルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基等のシクロアルキル基等が挙げられる。上記R21~R23が表すアルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。上記R24が表すアルキル基としては、例えば上記R21~R23が表すアルキル基として例示した基と同様の基が挙げられる。好ましい[C]化合物としては、下記式で表される化合物が挙げられる。これらのうち、上記式C-1及びC-2で表される化合物が好ましい。[C]化合物として上記好ましい化合物を用いることで、酸拡散制御剤としてより高度に機能し、酸の拡散をさらに抑制できる。結果として、当該感放射線性樹脂組成物は、MEEF及びLWRにより優れる。これらの[C]化合物は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。当該感放射線性樹脂組成物における[C]化合物の使用量としては、[A]重合体100質量部に対して、0.1質量部以上20質量部以下が好ましく、1質量部以上15質量部以下がより好ましい。[C]化合物の使用量が0.1質量部未満では、MEEFの低減が達成されない不都合がある等、本願発明の効果がいかんなく発揮されない場合がある。一方、15質量部を超えると、当該感放射線性樹脂組成物の感度低下、レジスト透過率低下による形状悪化が観測される場合がある。<溶媒>当該感放射線性樹脂組成物は通常、溶媒を含有する。溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒及びその混合溶媒等が挙げられる。これらの溶媒は、2種以上を併用してもよい。アルコール系溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、n-プロパノール、iso-プロパノール、n-ブタノール、iso-ブタノール、sec-ブタノール、tert-ブタノール、n-ペンタノール、iso-ペンタノール、2-メチルブタノール、sec-ペンタノール、tert-ペンタノール、3-メトキシブタノール、n-ヘキサノール、2-メチルペンタノール、sec-ヘキサノール、2-エチルブタノール、sec-ヘプタノール、3-ヘプタノール、n-オクタノール、2-エチルヘキサノール、sec-オクタノール、n-ノニルアルコール、2,6-ジメチル-4-ヘプタノール、n-デカノール、sec-ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec-テトラデシルアルコール、sec-ヘプタデシルアルコール、フルフリルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5-トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等のモノアルコール系溶媒;エチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-ブチレングリコール、2,4-ペンタンジオール、2-メチル-2,4-ペンタンジオール、2,5-ヘキサンジオール、2,4-ヘプタンジオール、2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール系溶媒;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ-2-エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等の多価アルコール部分エーテル系溶媒等が挙げられる。ケトン系溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル-iso-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、エチル-n-ブチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジ-iso-ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、アセトフェノン等のケトン系溶媒が挙げられる。アミド系溶媒としては、例えばN,N’-ジメチルイミダゾリジノン、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルプロピオンアミド、N-メチルピロリドン等が挙げられる。エステル系溶媒としては、例えばジエチルカーボネート、プロピレンカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ-バレロラクトン、酢酸n-プロピル、酢酸iso-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸iso-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n-ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸iso-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル等が挙げられる。その他の溶媒としては、例えばn-ペンタン、iso-ペンタン、n-ヘキサン、iso-ヘキサン、n-ヘプタン、iso-ヘプタン、2,2,4-トリメチルペンタン、n-オクタン、iso-オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n-プロピルベンゼン、iso-プロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、iso-ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ-iso-プロピルベンセン、n-アミルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒;ジクロロメタン、クロロホルム、フロン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の含ハロゲン溶媒等が挙げられる。これらの溶媒のうち、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、シクロヘキサノンが好ましい。<その他の任意成分>当該感放射線性樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、[D]フッ素原子含有重合体、[B]酸発生体以外の酸発生剤、脂環式骨格化合物、界面活性剤、増感剤等のその他の任意成分を含有できる。以下、これらの任意成分について詳述する。かかるその他の任意成分は、それぞれを単独で又は2種以上を混合して使用することができる。また、その他の任意成分の配合量は、その目的に応じて適宜決定することができる。[フッ素原子含有重合体]当該感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体よりもフッ素原子含有率が高い重合体を含有していてもよい。当該感放射線性樹脂組成物が、[D]フッ素原子含有重合体を含有することで、レジスト膜を形成した際に、膜中の[D]フッ素原子含有重合体の撥油性的特徴により、その分布がレジスト膜表面近傍で偏在化する傾向があるので、液浸露光時における酸発生剤や酸拡散制御剤等が液浸媒体に溶出することを抑制することができる。また、この[D]フッ素原子含有重合体の撥水性的特徴により、レジスト膜と液浸媒体との前進接触角が所望の範囲に制御でき、バブル欠陥の発生を抑制できる。さらに、レジスト膜と液浸媒体との後退接触角が高くなり、水滴が残らずに高速でのスキャン露光が可能となる。このように当該感放射線性樹脂組成物が[D]フッ素原子含有重合体を含有することにより、液浸露光法に好適なレジスト塗膜を形成することができる。上記[D]フッ素含有重合体としては、フッ素原子を有している限り、特に限定されないが、[A]重合体よりフッ素原子含有率質量が高いことを必須とする。[A]重合体よりフッ素原子含有率が高いことで、上述の偏在化の度合いがより高くなり、得られるレジスト塗膜の撥水性及び溶出抑制性等の特性が向上する。本発明における[D]フッ素原子含有重合体は、フッ素原子を構造中に含む単量体を1種類以上重合することにより形成される。フッ素原子を構造中に含む重合体を与える単量体としては、主鎖にフッ素原子を含む単量体、側鎖にフッ素原子を含む単量体、主鎖と側鎖とにフッ素原子を含む単量体が挙げられる。主鎖にフッ素原子を含む重合体を与える単量体としては、例えばα-フルオロアクリレート化合物、α-トリフルオロメチルアクリレート化合物、β-フルオロアクリレート化合物、β-トリフルオロメチルアクリレート化合物、α,β-フルオロアクリレート化合物、α,β-トリフルオロメチルアクリレート化合物、1種類以上のビニル部位の水素がフッ素又はトリフルオロメチル基等で置換された化合物等が挙げられる。側鎖にフッ素原子を含む重合体を与える単量体としては、例えばノルボルネンのような脂環式オレフィン化合物の側鎖がフッ素又はフルオロアルキル基やその誘導体、アクリル酸又はメタクリル酸のフルオロアルキル基やその誘導体のエステル化合物、1種類以上のオレフィンの側鎖二重結合を含まない部位がフッ素原子又はフルオロアルキル基やその誘導体等が挙げられる。主鎖と側鎖とにフッ素原子を含む重合体を与える単量体としては、例えばα-フルオロアクリル酸、β-フルオロアクリル酸、α,β-フルオロアクリル酸、α-トリフルオロメチルアクリル酸、β-トリフルオロメチルアクリル酸、α,β-トリフルオロメチルアクリル酸等のフルオロアルキル基やその誘導体のエステル化合物、1種類以上のビニル部位の水素がフッ素原子又はトリフルオロメチル基等で置換された化合物の側鎖をフッ素原子又はフルオロアルキル基やその誘導体で置換したもの、1種類以上の脂環式オレフィン化合物の二重結合に結合している水素をフッ素原子又はトリフルオロメチル基等で置換し、かつ側鎖がフルオロアルキル基やその誘導体等が挙げられる。なお、この脂環式オレフィン化合物とは、環の一部が二重結合である化合物を示す。[D]フッ素原子含有重合体が有する構造単位としては、下記式で表される構造単位以下、構造単位Vともいうが挙げられる。上記式中、R32は水素、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Yは連結基である。R33は少なくとも一つ以上のフッ素原子を含有する炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体である。Yが示す連結基としては、例えば単結合、酸素原子、硫黄原子、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、アミド基、スルホニルアミド基、ウレタン基等が挙げられる。構造単位Vを与える単量体としては、例えば2-[1-エトキシカルボニル-1,1-ジフルオロブチル]メタアクリル酸エステル、トリフルオロメチルメタアクリル酸エステル、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロi-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロi-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロt-ブチルメタアクリル酸エステル、2-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロシクロヘキシルメチルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-ヘプタデカフルオロデシルメタアクリル酸エステル、1-5-トリフルオロメチル-3,3,4,4,5,6,6,6-オクタフルオロヘキシルメタアクリル酸エステル等が挙げられる。[D]フッ素原子含有重合体は、構造単位Vを2種以上含有していてもよい。構造単位Vの含有割合は、フッ素原子含有重合体における全構造単位を100モルとした場合に、通常5モル以上、好ましくは10モル以上、より好ましくは15モル以上である。この構造単位Vの含有率が5モル未満であると、70度以上の後退接触角を達成できない場合や、レジスト塗膜からの酸発生剤等の溶出を抑制できないおそれがある。[D]フッ素原子含有重合体は、構造単位V以外にも、例えば現像液に対する溶解速度を制御するために酸解離性基を有する構造単位や、ラクトン骨格、水酸基、カルボキシル等、又は基板からの反射による光の散乱を抑えるために芳香族化合物に由来する構造単位等の他の構造単位を1種類以上含有することができる。上記酸解離性基を有する他の構造単位としては、上記構造単位IIで例示した構造単位と同様の構造単位が適用できる。上記ラクトン骨格を含有する他の構造単位としては、上記構造単位IIIで例示した構造単位と同様の構造単位が適用できる。上記水酸基を含有する他の構造単位としては、上記構造単位IVで例示した構造単位と同様の構造単位が適用できる。上記芳香族化合物に由来する他の構造単位を生じさせる好ましい単量体としては、例えば、スチレン、α-メチルスチレン、2-メチルスチレン、3-メチルスチレン、4-メチルスチレン、2-メトキシスチレン、3-メトキシスチレン、4-メトキシスチレン、4-2-t-ブトキシカルボニルエチルオキシスチレン2-ヒドロキシスチレン、3-ヒドロキシスチレン、4-ヒドロキシスチレン、2-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、3-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、4-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、2-メチル-3-ヒドロキシスチレン、4-メチル-3-ヒドロキシスチレン、5-メチル-3-ヒドロキシスチレン、2-メチル-4-ヒドロキシスチレン、3-メチル-4-ヒドロキシスチレン、3,4-ジヒドロキシスチレン、2,4,6-トリヒドロキシスチレン、4-t-ブトキシスチレン、4-t-ブトキシ-α-メチルスチレン、4-2-エチル-2-プロポキシスチレン、4-2-エチル-2-プロポキシ-α-メチルスチレン、4-1-エトキシエトキシスチレン、4-1-エトキシエトキシ-α-メチルスチレン、メタアクリル酸フェニル、メタアクリル酸ベンジル、アセナフチレン、5-ヒドロキシアセナフチレン、1-ビニルナフタレン、2-ビニルナフタレン、2-ヒドロキシ-6-ビニルナフタレン、1-ナフチルメタアクリレート、2-ナフチルメタアクリレート、1-ナフチルメチルメタアクリレート、1-アントリルメタアクリレート、2-アントリルメタアクリレート、9-アントリルメタアクリレート、9-アントリルメチルメタアクリレート、1-ビニルピレン等が挙げられる。他の構造単位の含有割合としては、[D]フッ素原子含有重合体における全構造単位を100モルとした場合に、通常80モル以下、好ましくは75モル以下、より好ましくは70モル以下である。[D]フッ素原子含有重合体のMwとしては、1,000~50,000が好ましく、1,000~30,000がより好ましく、1,000~10,000が特に好ましい。フッ素原子含有重合体のMwが1,000未満の場合、十分な前進接触角を得ることができない。一方、Mwが50,000を超えると、レジストとした際の現像性が低下する傾向にある。[D]フッ素原子含有重合体のMwとMnとの比Mw/Mnとしては、通常1~3であり、好ましくは1~2である。上記感放射線性組成物における[D]フッ素原子含有重合体の含有割合としては、[A]重合体100質量部に対して、0~50質量部が好ましく、0~20質量部がより好ましく、0.5~10質量部が特に好ましく、1~8質量部が最も好ましい。上記感放射線性樹脂組成物における上記[D]フッ素原子含有重合体の含有率を上記範囲とすることで、得られるレジスト塗膜表面の撥水性及び溶出抑制性をより高めることができる。[[D]フッ素原子含有重合体の合成方法]上記[D]フッ素原子含有重合体は、例えば所定の各構造単位に対応する単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより合成できる。上記重合に使用される溶媒としては、例えば[A]重合体の合成方法で挙げたものと同様の溶媒が挙げられる。上記重合における反応温度としては、通常40°C~150°C、50°C~120°Cが好ましい。反応時間としては、通常1時間~48時間、1時間~24時間が好ましい。[[B]酸発生体以外の酸発生剤]当該感放射線性樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で[B]酸発生体以外の酸発生剤を含有してもよい。このような酸発生剤としては、例えば[B]酸発生体以外のオニウム塩化合物、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物等が挙げられる。オニウム塩化合物としては、例えばスルホニウム塩テトラヒドロチオフェニウム塩を含む、ヨードニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等が挙げられる。スルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート等が挙げられる。これらのうち、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネートが好ましい。テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート等が挙げられる。これらのテトラヒドロチオフェニウム塩のうち、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート及び1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネートが好ましい。ヨードニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート等が挙げられる。これらのヨードニウム塩のうち、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネートが好ましい。スルホンイミド化合物としては、例えばN-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド等が挙げられる。これらのスルホンイミド化合物のうち、N-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミドが好ましい。これらの[B]酸発生体以外の酸発生剤は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。[脂環式骨格化合物]脂環式骨格化合物は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等をさらに改善する作用を示す成分である。脂環式骨格化合物としては、例えば1-アダマンタンカルボン酸、2-アダマンタノン、1-アダマンタンカルボン酸t-ブチル等のアダマンタン誘導体類;デオキシコール酸t-ブチル、デオキシコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸2-エトキシエチル等のデオキシコール酸エステル類;リトコール酸t-ブチル、リトコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸2-エトキシエチル等のリトコール酸エステル類;3-[2-ヒドロキシ-2,2-ビストリフルオロメチルエチル]テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、2-ヒドロキシ-9-メトキシカルボニル-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン等が挙げられる。[界面活性剤]界面活性剤は塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する作用を示す成分である。界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn-オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn-ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤の他、以下商品名として、KP341信越化学工業製、ポリフローNo.75、同No.95以上、共栄社化学製、エフトップEF301、同EF303、同EF352以上、トーケムプロダクツ製、メガファックF171、同F173以上、大日本インキ化学工業製、フロラードFC430、同FC431以上、住友スリーエム製、アサヒガードAG710、サーフロンS-382、同SC-101、同SC-102、同SC-103、同SC-104、同SC-105、同SC-106以上、旭硝子製等が挙げられる。[増感剤]増感剤は、放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを[C]酸発生体に伝達しそれにより酸の生成量を増加する作用を示すものであり、当該感放射線性樹脂組成物のみかけの感度を向上させる効果を有する。増感剤としては、例えばカルバゾール類、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、フェノール類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等が挙げられる。<感放射線性樹脂組成物の調製方法>当該感放射線性樹脂組成物は、例えば上記溶媒中で[A]重合体、[B]酸発生体、[C]化合物及びその他の任意成分を所定の割合で混合することにより調製できる。溶媒としては、[A]重合体、[B]酸発生体、[C]化合物及びその他の任意成分を溶解又は分散可能であれば特に限定されない。当該感放射線性樹脂組成物は通常、その使用に際して、全固形分濃度が1質量~30質量、好ましくは1.5質量~25質量となるように溶媒に溶解した後、例えば孔径0.2μm程度のフィルターでろ過することによって、調製される。<レジストパターンの形成方法>本発明の感放射線性樹脂組成物を用いて、例えば下記工程によりレジストパターンを形成することができる。1当該感放射線性樹脂組成物の塗膜を基板上に形成する工程以下、工程1ともいう、2上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程以下、工程2ともいう、及び3上記放射線が照射された塗膜を現像する工程以下、工程3ともいうを有する。以下、各工程を詳述する。当該感放射線性樹脂組成物を用いることで、MEEF及びLWRに優れるレジストパターンを形成できる。従って、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EUV等の放射線であっても、当該感放射線性樹脂組成物から微細パターンを高精度にかつ安定して形成することができ、今後更に微細化が進行すると予想される半導体デバイス製造用に好適に用いることができる。[工程1]本工程では、感放射線性樹脂組成物又はこれを溶媒に溶解させて得られた当該感放射線性樹脂組成物の溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の塗布手段によって、シリコンウエハー、二酸化シリコン、反射防止膜で被覆されたウエハー等の基板上に所定の膜厚となるように塗布し、場合によっては通常70°~160°C程度の温度でプレベークPBすることにより塗膜中の溶媒を揮発させレジスト膜を形成する。[工程2]本工程では、工程1で形成されたレジスト膜に場合によっては、水等の液浸媒体を介して、放射線を照射し露光させる。なお、この際所定のパターンを有するマスクを通して放射線を照射する。放射線としては、目的とするパターンの線幅に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線、EUV等から適宜選択して照射する。これらのうち、ArFエキシマレーザー波長193nm、KrFエキシマレーザー波長248nmに代表される遠紫外線が好ましく、EUV極紫外線、波長13.5nm等のより微細なパターンを形成可能な光源であっても好適に使用できる。次いで、ポストエクスポージャーベークPEBを行うことが好ましい。このPEBにより、[A]重合体の酸解離性基の脱離を円滑に進行させることが可能となる。PEBの加熱条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成によって適宜選定することができるが、通常50°C~180°C程度である。[工程3]本工程は、露光されたレジスト膜を、現像液で現像することによりレジストパターンを形成する。現像後は、水で洗浄し、乾燥することが一般的である。現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも1種を溶解したアルカリ水溶液が好ましい。なお、液浸露光を行う場合は、工程2の前に、液浸液とレジスト膜との直接の接触を保護するために、液浸液不溶性の液浸用保護膜をレジスト膜上に設けてもよい。液浸用保護膜としては、工程3の前に溶媒により剥離する溶媒剥離型保護膜例えば、特開2006-227632号公報等参照、工程3の現像と同時に剥離する現像液剥離型保護膜例えば、WO2005-069076号公報、WO2006-035790号公報等参照のいずれを用いてもよい。以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。ここで、部は、特記しない限り質量基準である。実施例および比較例における各物性値の測定評価は、下記に示す方法により行った。[分子量Mw、Mn測定方法]各重合体の分子量Mw、Mn測定には、東ソー社製GPCカラムG2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を用い、流量1.0mL/分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより測定した。また、分散度MwMnは各分子量Mw、Mnの測定結果より算出した。[13C-NMR分析]それぞれの重合体の13C-NMR分析は、核磁気共鳴装置JNM-ECX400、日本電子製を使用し、測定した。[単量体由来の低分子量成分の量の測定]ジーエルサイエンス製IntersilODS25μmカラム4.6mmφ×250mmを用い、流量1.0mL/分、溶出溶媒アクリロニトリル/0.1リン酸水溶液の分析条件で、高速液体クロマトグラフィーHPLCにより測定した。[A]重合体、[A]重合体に相当する比較例用の重合体、及び[D]フッ素原子含有重合体の合成に使用した単量体の構造を下記に示す。<[A]重合体の合成>[合成例1]構造単位Iを与える上記化合物M-12.87g10モル、構造単位IIを与える上記化合物M-311.56g45モル及び化合物M-42.00g5モル、並びに構造単位IIIを与える上記化合物M-613.57g40モルを、60gの2-ブタノンに溶解し、アゾビスイソブチロニトリルAIBN2.51gを添加して単量体溶液を調製した。30gの2-ブタノンを入れた500mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、撹拌しながら80°Cに加熱し、調製した単量体溶液を滴下漏斗にて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合溶液を水冷して30°C以下に冷却した。600gのメタノール中に冷却した重合溶液を投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別した白色粉末を120gのメタノールで2回洗浄した後、ろ別し、50°Cで17時間乾燥させて白色粉末状の重合体A-1を得た18g、収率60。得られた重合体A-1のMwは4,200であり、Mw/Mnは1.46であり、低分子量成分の残存割合は1であった。また、13C-NMR分析の結果、化合物M-1由来の構造単位:化合物M-3由来の構造単位:化合物M-4由来の構造単位:化合物M-6由来の構造単位の含有率8.3:44.2:4.3:43.2モルの共重合体であった。[合成例2~6]表1に記載の単量体を所定量配合した以外は、合成例1と同様に操作して重合体A-2~A-5及びa-1を得た。また、得られた各重合体のMw、Mw/Mn、収率及び各重合体における各単量体に由来する構造単位の含有率を合わせて表1に示す。<[D]フッ素原子含有重合体の合成>[合成例7]単量体M-535.83g70モル、単量体M-714.17g30モルを2-ブタノン50gに溶解した後、更に開始剤としてジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネート5.17g8モルを投入し、溶解した単量体溶液を準備した。次に、温度計および滴下漏斗を備えた500mLの三つ口フラスコに50gの2-ブタノンを投入し、30分窒素パージした。窒素パージの後、フラスコ内をマグネティックスターラーで攪拌しながら80°Cになるように加熱した。滴下漏斗を用い、予め準備しておいた単量体溶液を3時間かけて滴下した。滴下開始時を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液は水冷により30°C以下に冷却した。冷却後、分液漏斗へ反応溶液、150gのヘキサン、600gのメタノール、30gの水を注ぎ激しく攪拌した後、静置した。混合溶液は2層に分離し、3時間静置した後に下層樹脂溶液を分取した。エバポレーターを用いて分取した樹脂溶液をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液へと溶剤置換し、共重合体のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液159.2gを得た。ホットプレートを用いて固形分濃度を求めた結果、共重合体濃度は20.1、収率は64であった。この共重合体を樹脂D-1とした。この共重合体は、Mwが6,900であり、Mw/Mnが1.34であった。13C-NMR分析の結果、化合物M-5由来の繰り返し単位:化合物M-7由来の繰り返し単位の含有比率は70.5:29.5モルであった。<感放射線性樹脂組成物の調製>[実施例1][A]重合体としての共重合体A-1100質量部、[B]酸発生剤としての後述するB-111質量部、[C]化合物としての後述するC-16.4質量部、[D]フッ素原子含有重合体としての共重合体D-13質量部、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルE-11,980質量部及びシクロヘキサノンE-2848質量部並びにγ-ブチロラクトンF-1200質量部を添加し、各成分を混合して均一溶液とした。その後、孔径200nmのメンブランフィルターを用いてろ過することにより、感放射線性樹脂組成物を調製した。[実施例2~9及び比較例1~3]表2に示す種類、量の各成分を使用した以外は実施例1と同様に操作して、各感放射線性樹脂組成物を調製した。各実施例及び比較例の調製に用いた[B]酸発生剤、及び[C]化合物は以下の通りである。<[B]酸発生剤>下記式で表される化合物<[C]化合物>下記式で表される化合物<評価>下記のようにレジストパターンを形成し、各種物性を評価した。結果を表2にあわせて示す。[感度の評価]下層反射防止膜ARC66、日産化学社を形成した12インチシリコンウェハ上に、感放射線性樹脂組成物によって、膜厚75nmの被膜を形成し、120°Cで60秒間ソフトベークSBを行った。次に、この被膜を、ArFエキシマレーザー液浸露光装置NSRS610C、NIKON社を用い、NA=1.3、ratio=0.800、Annularの条件により、46nmライン92nmピッチのパターン形成用のマスクパターンを介して露光した。露光後、各感放射線性樹脂組成物について100°Cで60秒間ポストベークPEBを行った。その後、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形成した。このときのパターン形成用のマスクパターンを介して露光した部分が線幅46nmのラインを形成する露光量を最適露光量Eopとした。この最適露光量を感度mJ/cm2とした。なお、測長には走査型電子顕微鏡日立ハイテクノロジーズ社、CG4000を用いた。感度が50mJ/cm2以下であれば、良好であると判断した。[LWR]上記Eopにて形成された線幅46nmのラインを、走査型電子顕微鏡日立ハイテクノロジーズ社、CG4000を用い、パターン上部から観察し、任意の10点において線幅を測定した。線幅の測定値の3シグマ値ばらつきをLWRnmとした。このLWRの値が5.8nm以下であれば形成されたパターン形状が良好であると評価した。[MEEF]前記、最適露光量にて92nmピッチにおけるライン幅のターゲットサイズを43nm、44nm、45nm、46nm、47nm、48nm、49nmとするマスクパターンをそれぞれ用い、ピッチ92nmのLSパターンを形成し、レジスト膜に形成されたライン幅を測長SEM日立社、CG4000にて測定した。このとき、ターゲットサイズnmを横軸に、各マスクパターンを用いてレジスト膜に形成されたライン幅nmを縦軸にプロットしたときの直線の傾きをMEEFとして算出した。その値が1に近いほどマスク再現性が良好であり、更にMEEFの値が低い程、マスク作成コストを低減できる。表2に示される結果から明らかなように、当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジストパターンは、基本特性である感度を十分満足し、更にMEEF、及びLWRに優れることがわかった。"