支持板上に形成された金属層に接着層を形成する接着層形成工程と、前記接着層に電気又は電子的な部品を搭載する部品搭載工程とを含む部品内蔵基板の製造方法において、前記部品は部品本体と該部品本体の前記接着層側に突出している突出部とで形成されていて、前記接着層形成工程にて形成する接着層は少なくとも第1及び第2の接着体からなり、前記第1の接着体は前記突出部に対応した位置にのみ形成され、第2の接着体は前記第1の接着体が硬化した後に前記部品の前記接着層側の全面に対応した位置に形成され、前記接着層は前記第1の接着体が形成された位置を凸部とされ、前記第2の接着体のみが形成された位置が前記凸部より高さが低い凹部とされ、前記部品搭載工程にて、前記突出部を前記第1の接着体の位置に合わせて搭載することを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。前記第1の接着体と前記第2の接着体とは同一材料で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の部品内蔵基板の製造方法。前記第1の接着体と前記第2の接着体とは異なる材料で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の部品内蔵基板の製造方法。前記突出部は端子であり、前記部品搭載工程の後に行われ、前記部品に対して絶縁層となるべき絶縁基材を積層して前記絶縁基材内に前記部品を埋設する積層工程と、前記支持板を除去し、前記金属層及び前記接着層を貫通し前記端子まで到達するビアを形成するビア形成工程と、前記金属層表面及び前記ビア表面にめっきを析出させるめっき工程と、前記金属層を含む導体パターンを形成するパターン形成工程とをさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の部品内蔵基板の製造方法。前記接着層形成工程にて使用する前記支持板はアルミ板であり、前記金属層は前記アルミ板に貼り付けられた銅箔であることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。前記接着層形成工程にて使用する前記支持板はステンレスであり、前記金属層は前記ステンレスに析出された銅めっき箔であることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。前記部品搭載工程にて、複数の電極を有した半導体部品又は複数の電極を有した受動部品のいずれか又は両方を複数搭載することを特徴とする請求項1に記載の製造方法。前記積層工程にて、前記絶縁層の他、導通回路又は導通ビア又は導通貫通穴のいずれか又はこれらの組み合わせを有する回路基板を前記部品の側方に配置し、前記ビア形成工程にて、前記導電層と前記回路基板とを電気的に接続させるための接続ビアを形成することを特徴とする請求項4に記載の製造方法。前記ビア形成工程にて、前記接続ビアはフィルドビアであることを特徴とする請求項8に記載の部品内蔵基板を製造するための製造方法。前記ビア形成工程にて、前記接続ビアによる接続をエニーレイヤ構造とすることを特徴とする請求項8に記載の製造方法。前記ビアの形成工程にて、前記接続ビアは、前記ビアと同じかそれよりも大きい径に形成することを特徴とする請求項8に記載の製造方法。前記絶縁基材が硬化した前記絶縁層と、前記絶縁層内に埋設され、前記金属層と前記接着層を介して接着されている前記部品と、前記絶縁層の表面に形成されている前記導体パターンと、前記端子に対応した位置に前記第1の接着体が形成されている前記接着層と、前記導体パターンと前記端子とを電気的に接続するため、前記金属層及び前記接着層とを貫通して前記ビアに前記めっきが析出された状態の導通ビアとを備えたことを特徴とする請求項4に記載の部品内蔵基板の製造方法を用いた部品内蔵基板。前記第1及び第2の接着体はエポキシ系樹脂又はポリイミド系樹脂で形成されていることを特徴とする請求項12の発明に記載の部品内蔵基板。前記第1及び第2の接着体の合計厚みは10μm~120μmであることを特徴とする請求項12に記載の部品内蔵基板。前記第1の接着体のガラス転移温度が40°C~200°CTMA法であり、前記第2の接着体のガラス転移温度が前記第1の接着部のガラス転移温度以上であり且つ40°C~200°CTMA法の範囲であることを特徴とする請求項12に記載の部品内蔵基板。前記第1の接着体の厚みが5μm~60μm、前記第2の接着体の厚みが5μm~60μmであることを特徴とする請求項12に記載の部品内蔵基板。本発明は、上記従来技術を考慮したものであり、接着層にボイドが発生することを防止でき、特に内蔵すべき部品が凹凸形状を有していても確実にボイドの発生を防止することができる部品内蔵基板の製造方法及びこれを用いた部品内蔵基板を提供することを目的とする。本発明では、支持板上に形成された金属層に接着層を形成する接着層形成工程と、前記接着層に電気又は電子的な部品を搭載する部品搭載工程とを含む部品内蔵基板の製造方法において、前記部品は部品本体と該部品本体の前記接着層側に突出している突出部とで形成されていて、前記接着層形成工程にて形成する接着層は少なくとも第1及び第2の接着体からなり、前記第1の接着体は前記突出部に対応した位置にのみ形成され、第2の接着体は前記第1の接着体が硬化した後に前記部品の前記接着層側の全面に対応した位置に形成され、前記接着層は前記第1の接着体が形成された位置を凸部とされ、前記第2の接着体のみが形成された位置が前記凸部より高さが低い凹部とされ、前記部品搭載工程にて、前記突出部を前記第1の接着体の位置に合わせて搭載することを特徴とする部品内蔵基板の製造方法を提供する。好ましくは、前記第1の接着体と前記第2の接着体とは同一材料で形成されている。好ましくは、前記第1の接着体と前記第2の接着体とは異なる材料で形成されている。本発明はさらに、前記突出部は端子とし、前記部品搭載工程の後に行われ、前記部品に対して絶縁層となるべき絶縁基材を積層して前記絶縁基材内に前記部品を埋設する積層工程と、前記支持板を除去し、前記金属層及び前記接着層を貫通し前記端子まで到達するビアを形成するビア形成工程と、前記金属層表面及び前記ビア表面にめっきを析出させるめっき工程と、前記金属層を含む導体パターンを形成するパターン形成工程とをさらに備えている。好ましくは、前記接着層形成工程にて使用する前記支持板はアルミ板であり、前記金属層は前記アルミ板に貼り付けられた銅箔である。好ましくは、前記接着層形成工程にて使用する前記支持板はステンレスであり、前記金属層は前記ステンレスに析出された銅めっき箔である。好ましくは、前記部品搭載工程にて、複数の電極を有した半導体部品又は複数の電極を有した受動部品のいずれか又は両方を複数搭載する。好ましくは、前記積層工程にて、前記絶縁層の他、導通回路又は導通ビア又は導通貫通穴のいずれか又はこれらの組み合わせを有する回路基板を前記部品の側方に配置し、前記ビア形成工程にて、前記導電層と前記回路基板とを電気的に接続させるための接続ビアを形成する。好ましくは、前記ビア形成工程にて形成する前記接続ビアはフィルドビアである。好ましくは、前記ビア形成工程にて形成する前記接続ビアによる接続はエニーレイヤ構造である。好ましくは、前記ビアの形成工程にて、前記接続ビアは、前記ビアと同じかそれよりも大きい径に形成する。本発明では、前記絶縁基材が硬化した前記絶縁層と、前記絶縁層内に埋設され、前記金属層と前記接着層を介して接着されている前記部品と、前記絶縁層の表面に形成されている前記導体パターンと、前記端子に対応した位置に前記第1の接着体が形成されている前記接着層と、前記導体パターンと前記端子とを電気的に接続するため、前記金属層及び前記接着層とを貫通して前記ビアに前記めっきが析出された状態の導通ビアとを備えたことを特徴とする部品内蔵基板も提供する。好ましくは、前記第1及び第2の接着体はエポキシ系樹脂又はポリイミド系樹脂で形成されている。好ましくは、前記第1及び第2の接着体の合計厚みは10μm~120μmである。好ましくは、前記第1の接着体のガラス転移温度が40°C~200°CTMA法であり、前記第2の接着体のガラス転移温度が前記第1の接着部のガラス転移温度以上であり且つ40°C~200°CTMA法の範囲である。好ましくは、前記第1の接着体の厚みが5μm~60μm、前記第2の接着体の厚みが5μm~60μmである。本発明によれば、接着層形成工程にて第1の接着体を部品の突出部に対応した位置に予め形成して硬化させ、部品搭載工程にて部品の突出部を第1の接着体の位置に合わせて部品を搭載するので、突出部と第1の接着体とが突き合うことにより、これらの間にある第2の接着体が押し流されて部品の突出部以外の部分に流動する。したがって、部品の突出部に対して凹んでいる部品本体の部分に第2の接着体が行き渡ることになり、結果として接着層にボイドが発生することを防止でき、特に内蔵すべき部品が凹凸形状を有している場合であっても確実にボイドの発生を防止することができる。すなわち、特に部品本体の凹んだ部分にボイドを内包してしまうことが多い現状を回避でき、凹んだ部分であっても接着層を行き渡らせてボイドの発生を抑制できる。また、接着層を複数の接着体で形成することにより、1回当たりの接着体の塗布量を少なくすることができるため、このこともボイド削減に寄与している。このように塗布量が少ないことは、安定した接着層の形成を可能として、接着層全体として安定して精度のよい膜厚を形成することができる。これにより、絶縁性の向上を図れ、ビアを形成する場合にはその形状の安定化、さらには耐熱性も向上させることができ、製品全体として信頼性が向上する。なお、さらに第3の接着体等を用いて接着層を3層以上の構造としてもよい。これは、部品の形状や接着体の塗布量に合わせて接着体の印刷や硬化の回数を適宜設定して決定される。また、部品の接着層側の全面に対応した位置に形成された第2の接着体が第1の接着体を含む位置に形成されるため、接着層は第1の接着体によって凸部を有することになる。このため、接着層は凸部と凹部を有することになり、この凸部に対して部品の突出部を突き合わせることになる。したがって、このときに凸部と突出部とに押し流されることによって第2の接着体は凹部へ確実に流動する。凹部は部品の突出部以外の凹んだ部分に対応しているため、この間に確実に第2の接着体を流動させてボイドの発生を防止できる。すなわち、本発明は接着層に硬化した第1の接着体を部品の突出部に対応した位置に形成することが肝要であり、この第1の接着体が硬化しているため、突出部と突き当たることにより第2の接着体が押し流されて流動する。この流動を利用してボイドを確実に防止するものである。したがって、接着層の凸部と部品の突出部を突き合わせることにし、接着層の凹部は部品の凹んだ部分に対応させることにしている。また、第1の接着体と第2の接着体は同一材料であっても異なる材料であってもどちらでもよい。これは、コスト面や塗布性、接着性、絶縁性等を考慮して適宜選択可能である。また、同一の材料を用いてもボイド削減の効果が得られることは確認されている。また、前記絶縁基材として、好適には、熱膨張係数が前記部品に近いものを使用する。これにより、高温環境下での前記絶縁基材の挙動を部品に近づけることができ、内部にかかる応力など、熱による負荷を低減させることが可能となり、より効果的に接続信頼性を向上させることができる。また、本発明の部品内蔵基板によれば、導通ビアの形成は部品搭載面である接着層から行うこととなる。すなわち、前記部品の高さに関わらず導体パターンから前記部品までの導通ビア深さを全てそろえることが可能となる。したがって、ビア形成のための加工が容易となり、且つビア毎の形成性が均一となるため安定した接続信頼性を得ることが可能となる。本発明に係る部品内蔵基板の製造方法は、まず、図1~図3に示すように、接着層形成工程を行う。この工程は、まず、図1に示すように、例えば支持板11上に金属層12が形成されたものを用意する。なお、支持板11は、プロセス条件にて必要とされる程度の剛性を有する。支持板11は、支持基材として剛性のあるSUSステンレス板又はアルミ板等で形成されている。金属層12は例えば支持板11がSUS板であれば所定厚さの銅めっき箔を析出させたものである。あるいは金属層12は支持板11がアルミ板であれば銅箔を貼り付けたものである。そして、図2に示すように、金属層12上に第1の接着体10aを例えばディスペンサーや印刷等で塗布する。そして、第1の接着体10aを硬化させた後、図3に示すように、第2の接着体10bを塗布する。この第2の接着体10aも、ディスペンサーや印刷等で塗布される。限定されるものではないが1回の塗布でおよそ5μm~60μm程度が好適である。すなわち、第1及び第2の接着部の厚みは5μm~60μmが好適であり、形成される接着層10の厚みは、限定されるものではないが10μm~120μm程度のものが最適となる。これにより、それぞれの接着層10を一定の高さに揃えることができ、部品3の高さ方向に関する位置が正確となる。これらの第1の接着体10a及び第2の接着体10bは、いずれもエポキシ系やポリイミド系の樹脂で形成される。このようにして、第1の接着体10a及び第2の接着体10bで接着層10が形成される。なお、第1の接着体10aと第2の接着体10bとは同一材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。これは、コスト面や塗布性、接着性、絶縁性等を考慮して適宜選択可能である。また、同一の材料を用いてもボイド削減の効果が得られることは確認されている。ここで、図3に示すように、本発明に係る部品内蔵基板の製造方法が適用されるために用いられる電気又は電子的な部品3は、部品本体3aとこの部品本体3aから突出する突出部3b図の例では端子4を有するものである例えばチップコンデンサや抵抗等のチップ受動部品。すなわち、内蔵されるべき部品3は接着層10側に突出する部分を有している。上述した第1の接着体10aは突出部端子4に対応した位置にのみ形成される。そして、上述した第2の接着体10bは第1の接着体10aが硬化した後に部品3の接着層10側の全面に対応した位置に形成される。そして、図3及び図4に示すように、接着層10に部品3を搭載する部品搭載工程を行う。この工程は、まず図3で示すように部品3を矢印D方向に移動させる。そして、図4に示すように突出部3bを第1の接着体10aの位置に合わせて部品3を搭載する。このように、接着層形成工程にて第1の接着体10aを部品の突出部3bに対応した位置に予め形成して硬化させ、部品搭載工程にて部品3の突出部3bを第1の接着体10aの位置に合わせて部品を搭載するので、突出部3bと第1の接着体10aとが突き合うことにより、これらの間にある第2の接着体10bが押し流されて部品3の突出部以外の部分部品本体3aにおいて、突出部3b端子4に対して凹んでいる部分3cに流動する。したがって、部品3の突出部3bに対して凹んでいる部分3cに第2の接着体10bが行き渡ることになり、結果として接着層10にボイドが発生することを防止できる。特に内蔵すべき部品3が凹凸形状を有している場合であっても確実にボイドの発生を防止することができる。すなわち、特に部品本体の凹んだ部分3cにボイドを内包してしまうことが多い現状を回避でき、凹んだ部分3cであっても接着層10を行き渡らせてボイドの発生を抑制できる。また、接着層10を複数の接着体10a、10bで形成することにより、1回当たりの接着体の塗布量を少なくすることができるため、このこともボイド削減に寄与している。このように塗布量が少ないことは、安定した接着層10の形成を可能として、接着層10全体として安定して精度のよい膜厚を形成することができる。これにより、絶縁性の向上を図れ、ビアを形成する場合にはその形状の安定化、さらには耐熱性も向上させることができ、製品全体として信頼性が向上する。なお、接着層10は、さらに第3の接着体等を用いて3層以上の構造としてもよい。これは、部品3の形状や接着体の塗布量に合わせて接着体の印刷や硬化の回数を適宜設定して決定される。特に、図3を参照すれば、接着層10は第1の接着体10aが形成された部分が上方に突出して凸部5として形成され、第2の接着体10bのみで形成された部分が凹部8として形成されている。これは、第2の接着体10bをディスペンサーや印刷等を用いて硬化した第1の接着体10aの上から塗布するためである。接着層10は第1の接着体10aによって凸部5を有することになる。結果として接着層10は凸部5と凹部8を有することになり、この凸部5に対して部品3の突出部3bを突き合わせることになる。したがって、このときに凸部5と突出部3bとに押し流されることによって第2の接着体10bは凹部8へ確実に流動する。凹部8は部品の突出部以外の凹んだ部分3cに対応しているため、この間に確実に第2の接着体10bを流動させてボイドの発生を防止できる。すなわち、本発明は接着層10に硬化した第1の接着体10aを部品3の突出部3bに対応した位置に形成することが肝要であり、この第1の接着体10aが硬化しているため、突出部3bと突き当たることにより第2の接着体10bが押し流されて流動する。この流動を利用してボイドを確実に防止するものである。したがって、接着層10の凸部5と部品3の突出部3bとを突き合わせることにし、接着層10の凹部8は部品の凹んだ部分3cに対応させることにしている。なお、部品3は複数搭載してもよい。この場合、部品3の数に対応するだけ接着層10を形成する。上述したような部品搭載工程を行った後、積層工程と、ビア形成工程と、めっき工程と、パターン形成工程とを行う。積層工程は部品3に対して絶縁層2となるべき絶縁基材を積層して絶縁基材内に部品3を埋設するためのものである。この工程は、部品3に対して金属層12が配された側とは反対側にプリプレグ等の絶縁基材をレイアップし、これを真空下で加熱しながらプレスして行う。このプレスは、例えば真空加圧式のプレス機を用いて行われる。なお、絶縁基材は、熱膨張係数を部品3に近いものを使用すれば好ましい。積層後、支持板11は除去される。絶縁層2の一方の面には金属層12が、他方の面には別の金属層13が積層される。この後、ビア形成工程を行う。この工程は、まず、図5に示すように、レーザ等を用いて穴あけを行い、ビア13を形成するものである。具体的には、ビア13は金属層12から接着層10を通って端子4まで到達するように形成される。また、構造に応じて、各層間又は表裏の電気的な接続を得るため貫通導通孔又は他の導通ビアをこの時点で形成してもよい。ビア形成後、デスミア処理が施され、ビア形成の際に残留している樹脂が除去される。この後、図6に示すように、めっき処理導通処理を施し、ビア13内にめっきを析出し導通ビア7を形成する。そして、導電層形成工程を行う。この工程は、図7に示すように、エッチング等を用いて絶縁層2の両面に導体パターン6を形成し、導電層を形成するものである。例えば、上述したビア形成工程にて、部品3の両側にスルーホールを形成していれば、めっき処理後、このスルーホールは導通貫通孔18となる。そして、所定箇所にはソルダレジスト14が形成される。これにより、図8に示すように、部品内蔵基板1が製造される。そして、このような工程を経て得られた部品内蔵基板1は、図7に示すように、絶縁層2と、部品3と、導体パターン6と、接着層10と、導通ビア7とを備えている。絶縁層2は上述した絶縁基材プリプレグ等が硬化したものであり、部品3は接着層10を介して金属層12金属層12を含む導体パターン6と接着されたものである。導体パターン6は絶縁層2の表面に形成されていて、接着層10に含まれる第1の接着体10aは部品3の端子4に対応した位置に形成されている。そして、導通ビア7は導体パターンと端子4とを電気的に接続している。上述した積層工程にて、絶縁層2の他に導通回路又は導通ビア又は導通貫通穴のいずれか又はこれらの組み合わせを有する回路基板15を部品3の側方に配置し、導通ビア形成工程にて、導電層6と回路基板15とを電気的に接続させるための接続導通ビア16を形成すれば、図9に示すような基板17を形成できる。基板17はいわゆる4層基板である。例えば接続ビア16はフィルドビアを用いることができる。また、接続ビア16による接続をエニーレイヤ構造としてもよい。