"白金化合物の薄膜を有する半導体基板を準備する工程と、薄膜除去液を準備する工程と、前記半導体基板に前記薄膜除去液を適用して前記白金化合物の薄膜を除去する工程とを含む半導体基板製品の製造方法であって、前記薄膜除去液が、ハロゲン分子、ハロゲンイオン、及び水を組み合わせて含む半導体基板製品の製造方法。前記薄膜除去液が、水に相溶する有機溶媒をさらに含む請求項1に記載の半導体基板製品の製造方法。前記薄膜除去液が、酸をさらに含む請求項1または2に記載の半導体基板製品の製造方法。前記ハロゲンイオンとして、ヨウ化物イオンI-と、塩化物イオンCl-及び/又は臭化物イオンBr-とを組み合わせて用いる請求項1~3のいずれかに記載の半導体基板製品の製造方法。前記白金化合物がNiPtである請求項1~4のいずれかに記載の半導体基板製品の製造方法。前記半導体基板が、さらに、金属ケイ化物、ニッケル、タングステン、アルミニウム、及び窒化ケイ素の少なくとも一種を含む別の薄膜を有し、前記別の薄膜に対して、前記白金化合物の薄膜を選択的に除去する請求項1~5のいずれかに記載の半導体基板製品の製造方法。前記白金化合物の薄膜の除去を、前記薄膜除去液を50~80°Cに加温した状態で行う請求項1~6のいずれかに記載の半導体基板製品の製造方法。白金化合物の薄膜を有する半導体基板に適用して前記白金化合物の薄膜を除去する薄膜除去液であって、ハロゲン分子とハロゲンイオンと水とを組み合わせて含む薄膜除去液。水に相溶する有機溶媒が共存する請求項8に記載の薄膜除去液。さらに、酸が共存する請求項8又は9に記載の薄膜除去液。塩化物イオン及び/又は臭化物イオンが共存することを特徴とする請求項8~10のいずれかに記載の薄膜除去液。白金化合物の薄膜を有する半導体基板に適用して前記白金化合物の薄膜を除去する薄膜除去液のキットであって、ハロゲンイオンと水を含むA液と、ハロゲン分子を含むB液とを組み合わせたキット。前記B液に有機溶媒を含有させる請求項12に記載のキット。このようにして目的とする電極を作製した後に、電極を構成することなく残留した未反応のPtを含む薄膜は、目的とする半導体構造を得るべく、後に除去する必要がある。しかし、Ptの特性からその薄膜を除去するのは容易ではない。酸化溶解力が強い王水系硝酸HNO3と塩酸HClとの混合水溶液、あるいはSPM系硫酸H2SO4と過酸化水素H2O2との混合水溶液の適用が考えられる。しかしながら、このような王水系やSPM系薬液は、共存する他部材を酸化したり、腐食溶解させたりしてしまい、そのまま半導体製造に適用することは難しい。王水系でのPtの溶解プロセスは以下のように考えられる。塩酸と硝酸とが接触することにより、Pt溶解に必要な塩化ニトロシル、塩素が生成される。しかし、共に酸化力が強いため、他の部材に悪影響を及ぼしているものと推定される。王水HNO33HCl→NOClCl22H2O1また、Ptの溶解は以下のような反応式に基づいてなされうる。Pt2NOClCl22HCl→H2[PtCl6]2NO2ところで、Ptを用いた電極としては、接触抵抗低減とリーク電流低減のため、上述のようにNiPtの合金ないしは金属間化合物の薄膜が採用されている。近年、より微細化され、ショットキー障壁の高いPtの含有率を増やす傾向にある。Ptは上述のように溶解除去が容易ではなく、NiPt膜の完全な除去と金属シリサイド等の損傷抑制との両立が益々困難になっている。また、王水では、酸化剤成分がガスCl2、NOClとして揮発しやすいため、溶液経時安定性バスライフが不足する。この時間を延長することが望まれていた。さらに、王水でNiPt膜を溶解すると、露出したNiPtSiが酸化を受けやすいだけでなく、アニール時に酸化膜が著しく成長してしまう問題がある。これらを抑制することが望まれていた。本発明は上記問題を解決するためになされたものであり、白金Pt化合物の薄膜を、他の部材を過度に酸化腐食することなしに除去する半導体基板製品の製造方法、これに用いられる薄膜除去液の提供を目的とする。また、上記の特性を利用して、特定構造を有する半導体デバイス、特にゲート構造部分の電極作成工程において前記の選択的薄膜除去を実現する半導体基板製品の製造方法、これに用いられる薄膜除去液の提供を目的とする。上記の課題は下記の手段によって解決された。1白金化合物の薄膜を有する半導体基板を準備する工程と、薄膜除去液を準備する工程と、前記半導体基板に前記薄膜除去液を適用して前記白金化合物の薄膜を除去する工程とを含む半導体基板製品の製造方法であって、前記薄膜除去液が、ハロゲン分子、ハロゲンイオン、及び水を組み合わせて含む半導体基板製品の製造方法。2前記薄膜除去液が、水に相溶する有機溶媒をさらに含む1に記載の半導体基板製品の製造方法。3前記薄膜除去液が、酸をさらに含む1または2に記載の半導体基板製品の製造方法。4前記ハロゲンイオンとして、ヨウ化物イオンI-と、塩化物イオンCl-及び/又は臭化物イオンBr-とを組み合わせて用いる1~3のいずれかに記載の半導体基板製品の製造方法。5前記白金化合物がNiPtである1~4のいずれかに記載の半導体基板製品の製造方法。6前記半導体基板が、さらに、金属ケイ化物、ニッケル、タングステン、アルミニウム、及び窒化ケイ素の少なくとも一種を含む別の薄膜を有し、前記別の薄膜に対して、前記白金化合物の薄膜を選択的に除去する1~5のいずれかに記載の半導体基板製品の製造方法。7前記白金化合物の薄膜の除去を、前記薄膜除去液を50~80°Cに加温した状態で行う1~6のいずれかに記載の半導体基板製品の製造方法。8白金化合物の薄膜を有する半導体基板に適用して前記白金化合物の薄膜を除去する薄膜除去液であって、ハロゲン分子とハロゲンイオンと水とを組み合わせて含む薄膜除去液。9水に相溶する有機溶媒が共存する8に記載の薄膜除去液。10さらに、酸が共存する8又は9に記載の薄膜除去液。11塩化物イオン及び/又は臭化物イオンが共存することを特徴とする8~10のいずれかに記載の薄膜除去液。12白金化合物の薄膜を有する半導体基板に適用して前記白金化合物の薄膜を除去する薄膜除去液のキットであって、ハロゲンイオンと水を含むA液と、ハロゲン分子を含むB液とを組み合わせたキット。13前記B液に有機溶媒を含有させる12に記載のキット。本発明の製造方法及び薄膜除去液によれば、白金Pt化合物の薄膜を、他の部材を過度に酸化腐食することなしに除去することができる。また、上記の特性を利用して、特定構造を有する半導体デバイス、特にゲート構造部分の電極作成工程において前記の選択的薄膜除去を実現することができる。さらに、本発明によれば、必要によりキット化して溶液経時安定性バスライフを高めることができる。また、NiPtSiのアニール時の酸化膜の成長を抑制することができるという利点を有する。本発明者らは上述した課題を解決するために鋭意検討を重ねた。金の溶解に一般に使用されている酸化力の強い王水硝酸と塩酸の混合液の利用が考えられ、これを加熱することで白金を溶解することができる。しかし、他の部材の酸化腐食も激しい。王水より弱い酸化力のハロゲン分子とハロゲンイオンを含む除去液を用いたところ、Pt系薄膜を溶解することができることを確認した。そして、このとき、シリサイド化合物や各種の電極材料の酸化腐食を抑えた選択的なエッチング性を発揮することを発見し、本発明をなすに至った。以下、本発明についてその好ましい実施形態を中心に説明する。ゲート構造とシリサイド化工程図1は、本発明の薄膜除去液を用いた、ゲート構造のトランジスタの製造方法を示す工程図である。AはMOSトランジスタの形成工程、Bは金属膜のスパッタ工程、Cは1回目のアニール工程、Dは金属膜の選択除去工程、Eは2回目のアニール工程である。なお、図ではハッチングを示していないが、基板の断面図を示している。図に示すように、シリコン基板1の表面に形成されたゲート絶縁膜2を介してゲート電極3を形成する。次いで、シリコン基板1の、ゲート電極3の両側にエクステンション領域を別途形成してもよい。その後、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜からなるサイドウォール5を形成してイオン注入を行い、ソース領域6及びドレイン領域7を形成する。次いで、図に示すように、NiPt膜8を形成し、急速アニール処理を施す。このことによって、NiPt膜8中の元素をシリコン基板中に拡散させてシリサイド化させる。この結果、ゲート電極3の上部はシリサイド化されて、NiPtSiゲート電極部3Aが形成される。これとともに、ソース電極6及びドレイン電極7の上部もシリサイド化されて、NiPtSiソース電極部6A及びNiPtSiドレイン電極部7Aが形成される。このとき、必要により、図1Eに示したようにアニールすることにより電極部材を所望の状態に変化させることができる。前記1回目と2回目のアニール温度は特に限定されないが、例えば、400~900°Cで行うことができる。次いで、シリサイド化に寄与せずに残ったNiPt膜8は、本発明の薄膜除去液を用いることによって除去することができる図1CD。このとき、図示したものは大幅に模式化して示しており、実際には、シリサイド化された層3A,6A,7Aの上部に堆積して残るNiPt膜があってもよい。本発明の薄膜除去液により、これを除去することもまた好ましい。半導体基板ないしその製品の構造も極めて簡略化して図示しており、必要に応じて、必要な部材があるものとして解釈すればよい。処理温度本発明の製造方法においては、その薄膜除去液を、室温に保持したまま薄膜の除去に供することもできるし、所定の温度まで加熱した後に残留薄膜の除去に供するようにすることもできる。一般的には、室温以上に加熱した場合において酸化力が増大し、目的とする薄膜をより短時間で除去することができるようになる。好ましい加熱温度は、数十度程度であり、例えば約30~80°Cが好ましく、50~80°Cがより好ましい。有機溶媒水に相溶する有機溶媒としては、沸点が少なくとも60°C以上の揮発性の低いものが好ましい。分類としては、アルコール類ジオール類含む、エーテル類、ケトン類、エステル類、アミド類、イミド類、ヘテロ環類、などが挙げられる。これら有機溶剤を2種以上含有する場合には、その全部または一部を上記化合物群の同じ群の中から選択してもよく、異なる化合物群の中から選択してもよい。アルコール類、エーテル類としては、炭素数1~10のアルコールが挙げられ、これらは飽和、不飽和、環状いずれの構造であってもよく、水酸基を2以上有するポリオールであってもよい。具体的には、メタノール、エタノール、1-プロパノール、n-プロピルアルコール、ヘキサノールなどの直鎖アルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、1,4-ブタンジオール、2,3-ブタンジオール、2-エトキシエタノール、2-2-エトキシエトキシエタノール、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセタート、ジエチレングリコール-n-ブチルエーテル、1,6-ヘキサンジオールなどのジオール、1,2,4-ブタントリオール、1,2,3-プロパントリオール、1,2,3-ヘキサントリオール、1,2,3-ヘプタントリオールなどのトリオール、1-ペンタノール、1-ヘキサノールなどの環状アルコールが挙げられる。これらのうち、エチレングリコール、プロピレングリコール、1,4-ブタンジオール、ジエチレングリコール-n-ブチルエーテルが望ましい。ケトン類、エステル類としては、炭素数3~10のケトン、またはエステルが挙げられ、具体的には、シクロヘキサノン、ジオキサン、4-ヒドロキシ-2-メチルペンタノン、γブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、二塩基酸エステルDBEなどがある。これらのうち、炭酸エチレン、または炭酸プロピレンが好ましい。アミド類、イミド類としては、アミド基、イミド基を有すれば、ニトロ基、フェニル基、ハロゲンなどの他の置換基を有していてもよい。より具体的には、N,N-ジメチルアセトアミドDMAc、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミドDMF、N,N-ジエチルホルムアミド、N-メチルアセトアミド、N-メチルプロピオンアミド、N,N-ジエチルアセトアセトアミド、N,N-ジエチルアセトアミド、が挙げられる。これらのうち、N-メチルホルムアミド、またはN,N-ジメチルアセトアミドが好ましい。含窒素五員環化合物としては、ピロリジノン、イミダゾリジノン、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、テトラゾールもしくはトリアゾール誘導体などの化合物が挙げられる。より具体的には、N-メチルピロリドンNMP、2-ピロリジノン、1-エチル-2-ピロリジノン、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、2-イミダゾリジノン、2-イミノ-1-メチル-4-イミダゾリジノン、1-メチル-2-イミダゾリジノン、2,5-ビス1-フェニル-1,1,3,4-オキサゾール、2,5-ビス1-フェニル-1,3,4-チアゾール、γ-ブチロラクトンなどである。これらのうち、NMP、2-ピロリジノン、または1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノンが好ましい。これらの有機溶媒に限定されないが、有機溶剤の中では、窒素含有の有機溶媒が好ましい。より好ましくは含窒素五員環化合物である。特に好ましくは、N-メチルピロリドンである。これらの中から選ばれた有機溶剤は、除去液中、1~88質量含有することが好ましく、20~70質量がより好ましい。なお、本明細書において特定の名称ないし化学式で化合物を示すとき、あるいは化合物という語を末尾に付して呼ぶときには、当該化合物そのものに加え、その塩、錯体、そのイオンを含む意味に用いる。また、所望の効果を奏する範囲で、所定の形態で修飾された誘導体を含む意味である。また、本明細書において置換無置換を明記していない置換基については、その基に任意の置換基を有していてもよい意味である。これは置換無置換を明記していない化合物についても同義である。酸本発明において用いられる酸としては、無機酸と有機酸のいずれでも構わない。無機酸としては、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、塩素酸、過塩素酸、ヨウ化水素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、臭化水素酸、臭素酸、過臭素酸、過硫酸、炭酸、亜リン酸、次亜リン酸などが挙げられる。有機酸としては、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、o-スルホサリチル酸、p-クロロスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、クエン酸、マロン酸、リンゴ酸、酒石酸、ジグリコール酸、グリコール酸、マレイン酸、フタル酸、フマル酸、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、グルタミン酸、サリチル酸などが挙げられる。本発明において用いられる酸は、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、メタンスルホン酸、クエン酸、マロン酸、酒石酸、リンゴ酸がさらに好ましい。本発明で使用できる酸濃度は、いくつでも構わないが、添加する場合5mM以上であることが望ましく、5~500mMであることがより好ましい。酸を上記下限値以上に使用することでNi溶解性が一層良化し、好ましい。一方、上記上限値以下に使用することが有機溶剤を添加したときの溶解性の点から好ましい。ハロゲン分子本発明の薄膜除去液にはハロゲン分子を適用する。ハロゲン分子としては、塩素分子Cl2、ヨウ素分子I2、窒素分子Br2が挙げられ、中でもヨウ素分子が好ましい。ハロゲン分子の含有量は特に限定されないが、除去液中、01~20質量であることが好ましく、03~10質量であることがより好ましい。ハロゲン分子を、有機溶媒を上記下限値以上に使用することでハロゲン分子特に、I2の溶解性が一層良化し、好ましい。一方、上記上限値以下に使用することでハロゲンイオン特に、Iを含む塩の溶解性の点から好ましい。が一層良化し好ましい。ハロゲンイオン本発明の薄膜除去液は、ハロゲンイオンを適用する。ハロゲンイオンとしては塩素イオンCl-、ヨウ素I-窒素イオンBr-が挙げられ、中でもヨウ素イオンが好ましい。本発明において、ハロゲン分子に対するハロゲンイオンのモル比は、特に限定されずいくつでも剥離性能を示せばよいが、1:0.5~1:20が好ましく、1:0.7~1:10がより好ましい。ハロゲンイオンを上記下限値以上に使用することでハロゲン分子の溶解が一層良化し、好ましい。一方、上記上限値以下に使用することでハロゲンイオンを含む塩の溶解性の点から好ましい。本発明で使用するハロゲンイオンは、ヨウ化物イオンの塩で言えば、例えば、ヨウ化水素酸、ヨウ化アルカリ金属塩例えばヨウ化カリウム、ヨウ化アンモニウム塩例えば、ヨウ化アンモニウム、ヨウ化テトラメチルアンモニウム、ヨウ化ドデシルトリメチルアンモニウム、が使用できる。特に、ヨウ化水素酸、またはヨウ化アンモニウム塩が望ましい。本発明においては、前記ハロゲンイオンとして、ヨウ化物イオンI-と、塩化物イオンCl-及び/又は臭化物イオンBr-とを組み合わせて用いることが好ましい。これにより、エッチング力を調節することができ、半導体基板の状態に合わせた配合として対応することができる。ヨウ化物イオン100質量部に対して、塩化物イオン及び臭化物イオンはそれぞれ10~1000質量部であることが好ましく、30~400質量部で調節することがより好ましい。なお、本明細書において、特定の剤を組み合わせた液あるいは組み合わせて含む液とは、当該剤を含有する液組成物を意味するほか、使用前にそれぞれの剤ないしそれを含有する液を混合して用いるキットとしての意味を包含するものである。例えば、水とハロゲン分子とを含むA液と、ハロゲンイオンを含むB液とのキットとして流通させて、半導体製造現場で調液して使用してもよい。このとき、B液に有機溶媒を含有させることが好ましい。A液には有機溶媒を含有させてもよいが、水の比率が50質量以上であることが好ましい。B液には水を含有させてもよいが、有機溶媒の比率が50質量以上であることが好ましい。このようにキット化することにより、シェルフライフ保管期間をより長くすることができ好ましい。上述した薄膜除去液の成分組成は、特開2004-211142、特開平4-21726、特開平4-6229、特開2006-291341、国際公開第2007/049750パンフレット、特開2010-229429を参考にすることができる。白金化合物本発明においては、白銀化合物の薄膜を上記除去液により除去する。白金化合物とは、白金そのもののほか、NiPtなどの合金や金属間化合物、複合化合物を含む概念である。白金化合物の薄膜の厚さは特に限定されないが、通常この種の素子に適用される厚さであることが実際的である。本発明で剥離するものがNiPtのとき、Pt含率がいくつでも構わないが、Pt含率3原子以上のNiPtを剥離するのに有効であり、5原子以上15原子以下のNiPtの剥離にさらに有効である。一方、本発明の好ましい実施形態によれば、前記半導体基板が、金属ケイ化物、ニッケル、タングステン、アルミニウム、及び窒化ケイ素の少なくとも一種を含む別の薄膜を有し、前記別の薄膜に対して、前記白金化合物の薄膜を選択的に除去することができる。金属ケイ化物としては、白金を含むケイ化物であることが好ましく、ニッケル-白金シリサイドNiPtSiであることがより好ましい。白金化合物薄膜のエッチングレートRPtとそれ以外の化合物の薄膜のエッチングレートROt選択比RPt/ROtは2以上であることが好ましく、10以上であることがより好ましい。特に上限はないが、100以下であることが実際的である。本発明の薄膜除去液を用いて剥離する材料は、NiとPtの合金が存在する半導体基板、シリコンウェハ、などの半導体材料が挙げられる。本発明の薄膜除去液は所望の効果を奏する範囲で、他の除去液と組み合わせて用いることを妨げるものではない。本明細書において、半導体基板とは、ウェハのみではなくそこに回路構造が施された基板構造体全体を含む意味で用いる。半導体基板部材とは、上記で定義される半導体基板を構成する部材を指し1つの材料からなっていても複数の材料からなっていてもよい。なお、加工済みの半導体基板を半導体基板製品として区別して呼ぶことがあり、これに必要によりさらに加工を加えダイシングして取り出したチップ及びその加工製品を半導体素子という。半導体基板ないしその製品の上下は特に定めなくてもよいが、本明細書において、図示したものに基づいて言えば、ゲート電極3の側を上部天部の方向とし、シリコン基板1の側を下部底部の方向とする。次に、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。実施例1NiPt合金の溶解試験を行った。ヨウ化カリウム12g/L、ヨウ素12g/L、脱イオン水55g、イソプロピルアルコール121gを混合し、200gの溶液を調製した溶液101。次に2×2cmのNiPtPt含率10原子を蒸着したウェハを液温60°C、弱撹拌しながら前記溶液に1分間浸漬させて溶解速度を測定した。また、他の部材に対するダメージ酸化進行、腐食性を確認するため、W、Al、SiNのウェハを用いて溶解試験を行った。NiPtの溶解速度は重量法で算出し、Al、Wの溶解速度については国際電気アルファ株式会社製VR-200を用いて行いて膜厚差を測定し算出した。すなわち、溶解速度Åmin=溶解前の厚さ-溶解後の厚さ/溶解時間で算出した。SiNの酸化進行速度については、ジェーエーウーラムジャパン株式会社製VASE多入射角分光エリプソメーターを用いて膜厚差を測定し、上記同様の式で算出した。その結果を表1に示す。また、比較のために王水硝酸12質量と塩酸11質量を混合。加熱し、温度が50°Cになった時点でウェハ浸漬とSPM90°Cに加熱した濃硫酸と35過酸化水素を混合。温度が160°Cまで上昇した時点でウェハ浸漬でも同じように溶解速度を測定した。本発明の薬液は、Pt及びNiPtを溶解可能であるが、他の部材に対するダメージが極めて低いことがわかる。実施例2シリコン基板上にNiPtPt含有量10原子膜を厚さ20nmにスパッタリング法を用いて形成した。その後、400°C、30分の条件で急速熱アニール処理RTAを行い、NiPt膜とシリコン基板とを反応させ、NiPt膜をシリサイド化させた。ヨウ化カリウム12g、ヨウ素12g、臭化カリウム8.6g、脱イオン水46.4g、イソプロピルアルコールIPA121gを混合し、200gの溶液を調製した溶液201。ヨウ化カリウム12g、ヨウ素12g、硫酸1g、脱イオン水54g、イソプロピルアルコール121gを混合し、200gの溶液を調製した溶液202。ヨウ化カリウム12g、ヨウ素12g、クエン酸CA2g、脱イオン水53g、イソプロピルアルコール121gを混合し、200gの溶液を調製した溶液203。溶液1Aは、実施例1のものを使用した。これらの薬液を200mlガラスビーカーに入れ、攪拌子で250回転/分で攪拌しながら、スターラー付ホットプレート上で70°Cに加熱し、上記シリコン基板2×2cmを浸漬した。NiPt膜が完全に除去されるまでの時間を計測した。実施例3実施例1における溶液101のIPA量を60.5質量から65質量および70質量に替えた以外は、実施例1と同様に溶解試験を行った。その結果、有機溶剤の増量に伴いNiの溶解速度は低下したが、Ptの溶解速度は下がらず選択エッチングをしたい場合に好ましい結果となった。実施例4実施例1における溶液101のIPAを、炭酸エチレン、1,4-ブタンジオール、プロピレングリコール、N-メチルホルムアミド、NMPに替えた以外は、実施例1と同様に溶解試験を行った。その結果、各種有機溶剤を使用してもPtの溶解速度は高い値を維持できることがわかった。本発明の薄膜除去液によれば、NiPt膜を十分に早い速度で除去可能であり、またその配合により除去能力を調節可能であることがわかった。"