基板の主面に堆積された第1層に、第1方向に沿って並びかつ前記第1方向と交差する第2方向に沿って各々が延在する複数の第1溝を形成する工程と、前記主面の少なくとも1つの被加工領域における前記第1方向の長さをXとしたとき、前記少なくとも1つの被加工領域の各々の前記第1方向における中心から±X/4の範囲内で、前記第1層に対して少なくとも1つのアライメントマークを形成する工程と、前記第1溝が形成された前記第1層の上に第2層を積層する工程と、前記少なくとも1つの被加工領域の各々の上において前記第2層に対して前記アライメントマークを基準位置として、前記第2方向に沿って延在する第2溝を形成する工程とを備える、薄膜太陽電池の製造方法。前記少なくとも1つのアライメントマークは、前記少なくとも1つの被加工領域の各々の前記第1方向における中心に位置するアライメントマークを含む、請求項1に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記少なくとも1つの被加工領域は、前記第1方向に沿って並びかつ前記第1方向において各々が前記長さXを有する複数の被加工領域を含む、請求項1または2に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記第2溝が形成された前記第2層の上に第3層を積層する工程と、前記少なくとも1つの被加工領域の各々の上において前記第3層に対して、平面視において前記第2溝に平行にかつ前記第2溝と異なる位置に、前記アライメントマークを基準位置として第3溝を形成する工程とをさらに備える、請求項1~3のいずれか1項に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記アライメントマークを形成する工程は、前記複数の第1溝の少なくとも1つと交差するアライメント溝を形成する工程を含む、請求項1~4のいずれか1項に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記少なくとも1つのアライメントマークは、前記第1方向に並ぶ複数のアライメントマークを含む、請求項1~5のいずれか1項に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記少なくとも1つのアライメントマークは、前記第2方向において互いに異なる位置に配置された1対のアライメントマークを含む、請求項1~6のいずれか1項に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記複数の第1溝を形成する工程は、レーザ光を出射する少なくとも1つのレーザ照射部と、前記レーザ照射部を前記第1および第2方向の少なくともいずれかにおいて移動させる移動部と、前記少なくとも1つのアライメントマークを検出する撮像部とを有するレーザ加工装置を用いて行われる、請求項1~7のいずれか1項に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記少なくとも1つの被加工領域の個数と、前記少なくとも1つのレーザ照射部の個数とが同じであり、前記少なくとも1つの被加工領域の1つに対して前記少なくとも1つのレーザ照射部の1つが加工を行う、請求項8に記載の薄膜太陽電池の製造方法。上記従来の方法では、下流工程の加工における位置の基準となるアライメントマークが、特許文献1における特異部分である、初期溝に平行な一の側面の近傍に位置するので、一の側面に近い領域においては溝の位置精度が高くなる。しかしながら、一の側面に対向する他方の側面はアライメントマークから最も遠くに位置することになるので、他方の側面に近い領域において溝の位置精度が特に低くなる。すなわち上記従来の方法では、一の側面の近傍において溝の位置ずれを小さくすることができるものの、他方の側面の近傍において溝の位置ずれが大きくなるので、溝の位置ずれの最大値が大きくなってしまう。それによって、他方の側面の近傍にて溝の位置ずれにより光電変換装置として動作できなくなる領域が発生し、薄膜太陽電池の性能低下および動作不良が引き起こされ得る。本発明は、上記問題点を鑑みてなされたものであり、基板上に形成された層に溝を形成する複数の加工工程を有する薄膜太陽電池の製造方法において、形成される溝の位置ずれの最大値を抑制することができる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。本発明の薄膜太陽電池の製造方法は、次の工程を有する。基板の主面に堆積された第1層に、第1方向に沿って並びかつ第1方向と交差する第2方向に沿って各々が延在する複数の第1溝が形成される。主面の少なくとも1つの被加工領域における第1方向の長さをXとしたとき、少なくとも1つの被加工領域の各々の第1方向における中心から±X/4の範囲内で、第1層に対して少なくとも1つのアライメントマークが形成される。第1溝が形成された第1層の上に第2層が積層される。少なくとも1つの被加工領域の各々の上において第2層に対してアライメントマークを基準位置として、第2方向に沿って延在する第2溝が形成される。少なくとも1つのアライメントマークは、少なくとも1つの被加工領域の各々の第1方向における中心に位置するアライメントマークを含んでもよい。少なくとも1つの被加工領域は、第1方向に沿って並びかつ第1方向において各々が長さXを有する複数の被加工領域を含んでもよい。上記の薄膜太陽電池の製造方法は、さらに次の工程を有してもよい。第2溝が形成された第2層の上に第3層が積層される。少なくとも1つの被加工領域の各々の上において第3層に対して、平面視において第2溝に平行にかつ第2溝と異なる位置に、アライメントマークを基準位置として第3溝が形成される。上記のアライメントマークを形成する工程は、複数の第1溝の少なくとも1つと交差するアライメント溝を形成する工程を含んでもよい。上記の少なくとも1つのアライメントマークは、第1方向に並ぶ複数のアライメントマークを含んでもよい。上記の少なくとも1つのアライメントマークは、第2方向において互いに異なる位置に配置された1対のアライメントマークを含んでもよい。上記の複数の第1溝を形成する工程はレーザ加工装置を用いて行われてもよい。レーザ加工装置は、レーザ光を出射する少なくとも1つのレーザ照射部と、レーザ照射部を第1および第2方向の少なくともいずれかにおいて移動させる移動部と、少なくとも1つのアライメントマークを検出する撮像部とを有する。上記の少なくとも1つの被加工領域の個数と、上記の少なくとも1つのレーザ照射部の個数とは同じであってもよい。また、少なくとも1つの被加工領域の1つに対して、少なくとも1つのレーザ照射部の1つが加工を行ってもよい。本発明によれば、基板上に形成された層に溝を形成する複数の加工工程を有する薄膜太陽電池の製造方法において、形成される溝の位置ずれの最大値を抑制することができる以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。実施の形態1図1は、本発明の実施の形態1における薄膜太陽電池の構成を概略的に示す平面図である。図2は、図1の線IA-IAに沿う概略断面図A、および線IB-IBに沿う概略断面図Bである。本実施の形態の薄膜太陽電池1は、透明基板2と、透明電極膜3と、半導体光電変換膜4と、裏面電極膜5と、電極10とを有する。透明基板2上には、透明電極膜3、半導体光電変換膜4および裏面電極膜5がこの順序で積層されている。透明基板2は、たとえばガラス基板である。透明基板2は、本実施の形態においてはx方向およびy方向の各々に平行な辺を有する略長方形の形状を有する。図2Bに示すように、透明電極膜3には複数の第1分離溝6が形成されている。複数の第1分離溝6は、図1のx方向に互いに略一定の間隔を空け、かつy方向に沿って延びている。複数の第1分離溝6によって、透明電極膜3は複数の領域に分離されている。また第1分離溝6は半導体光電変換膜4で埋められている。図1および図2Bに示すように、半導体光電変換膜4および裏面電極膜5には、第2分離溝8が形成されている。第2分離溝8は、図1のx方向に互いに略一定の間隔を空け、かつy方向に沿って延びている。複数の第2分離溝8によって、裏面電極膜5および半導体光電変換膜4の積層膜は、複数のセル領域11に分離されている。図2Bに示すように、半導体光電変換膜4にはコンタクトライン7が形成されている。コンタクトライン7は、図1のx方向に互いに略一定の間隔を空け、かつy方向に沿って延びている。複数のコンタクトライン7によって半導体光電変換膜4は分離されている。またコンタクトライン7は、裏面電極膜5によって埋められており、x方向に隣り合うセル領域11間を電気的に直列に接続している。このように直列接続された複数のセル領域11の端子として、電極10が裏面電極膜5上に設けられている。次に、本実施の形態1における薄膜太陽電池1の製造方法について説明する。図3は、本発明の実施の形態1における薄膜太陽電池の製造方法を概略的に示すフロー図である。また図5~図16は、本発明の実施の形態1における薄膜太陽電池の製造方法を説明する図である。なお図6A、図8A、図10Aおよび図12Aのそれぞれは、図5、図7、図9および図11のy方向に沿う概略断面図であり、図6B、図8B、図10Bおよび図12Bのそれぞれは、図5、図7、図9および図11のx方向に沿う概略断面図である。図3のステップS1において、透明電極膜3第1層が堆積された主面被加工領域を有する透明基板2基板が準備される。主面は、x方向第1方向において長さXを有する。この時点で透明基板2および透明電極膜3の温度は、通常、室温程度となっている。透明基板2は、たとえば長辺1.4mおよび短辺1mの長方形の形状を有する大型のガラス基板である。また透明電極膜3の材料は、たとえば、SnO2酸化スズ、ITOIndiumTinOxideまたはZnO酸化亜鉛である。本実施形態では事前に透明電極膜3が積層された透明基板2を用いているが、透明電極膜3が積層されていない透明基板2を準備し、図3のS1と後述するS2との間に透明電極膜3を積層するステップを備えてもよい。そのとき、透明基板2および透明電極膜3の温度は、透明電極膜3を積層する装置および処理条件に依存し、通常、100°C~200°C程度となる。ここで透明導電膜3を積層する装置としては、CVDChemicalVaporDeposition装置やスパッタリング装置などを用いることができる。次に、S2にて、図5および図6に示すように、ピッチPTでx方向に沿って並び、かつx方向と交差するy方向第2方向に沿って各々が延在する第1分離溝6第1溝が透明電極膜3に形成される。なお、第1分離溝6の数は特に限定されず、製造する薄膜太陽電池の仕様に応じて任意に設定できる。ここで、S2における第1分離溝6の形成を行う装置として、レーザ加工装置を用いることができる。図4は、本実施の形態1におけるレーザ加工装置の一例としてのレーザ加工システム601である。レーザ加工システム601は、支持ローラ61と、X-Yロボット65と、レーザヘッド64aと、CCDChargeCoupledDeviceカメラ63a撮像部とを有する。レーザヘッド64aは、加工される膜の所定の領域へレーザ光を照射することにより、この膜に対してレーザスクライビングを行うものである。支持ローラ61は、透明基板2を固定するためのものである。X-Yロボット65は、xyz直交座標系において透明基板2の厚さ方向をz方向として、x方向およびy方向に移動可能に構成された駆動部である。すなわちX-Yロボット65は、支持ローラ61に対して、x方向およびy方向の各々に相対的に変位可能に構成されている。レーザヘッド64aは、X-Yロボット65に支持されている。レーザヘッド64aは、x方向およびy方向の各々において透明基板2に対して相対的に変位可能である。レーザヘッド64aが透明基板2に対してy方向に相対的に変位し、溝を伸展させることで、y方向に延在する溝を形成することができる。またレーザヘッド64aが透明基板2に対してx方向に相対的に変位し、溝の形成位置を変更することで、x方向に並ぶ複数の溝を形成することができる。CCDカメラ63aは、加工を所望の位置において行なうために、透明基板2およびその上に形成された膜を画像認識するためのものである。CCDカメラ63aはレーザヘッド64aに固定されていることが好ましい。これによりCCDカメラ63aとレーザヘッド64aとの相対位置が固定されるので、相対位置の変動にともなうアライメント誤差の発生を防止することができる。レーザ加工装置を用いたレーザスクライブによって透明電極膜3の一部が除去されることで、透明電極膜3を複数の領域に分離する第1分離溝6が形成される。このレーザスクライブは、たとえば透明電極膜3に透明基板2を介してレーザ光LM1が入射されることにより行なわれる。レーザ光LM1の波長は、たとえば1064nmである。次に、S3にて、図7および図8に示すように、透明電極膜3に、x方向に沿ったアライメント溝16を形成することで、アライメントマークMKtおよびMKuを含むアライメントマークMKが形成される。アライメントマークMKは、図7に示すように、主面のx方向における中心図中、一点鎖線から±X/4の範囲内の中心領域RSに配置される。具体的には、1対のアライメント溝16、すなわちアライメント溝16tおよびアライメント溝16uが、たとえば上述したレーザ光LM1の入射によって形成される。アライメント溝16tおよびアライメント溝16uのそれぞれは、透明電極膜3のy方向における一方端部および他方端部においてx方向に沿って延びるように形成される。アライメント溝16tは少なくとも1つの第1分離溝6に交差するように形成される。これにより、アライメント溝16tと第1分離溝6との交差によって、アライメントマークMKtが構成される。またアライメント溝16uは少なくとも1つの第1分離溝6に交差するように形成される。これにより、アライメント溝16uと第1分離溝6との交差によって、アライメントマークMKuが構成される。アライメント溝16tおよびアライメント溝16uのy方向における位置が異なることから、アライメントマークMKtおよびアライメントマークMKuは、y方向における位置が互いに異なる。好ましくはアライメント溝16tおよびアライメント溝16uの各々が、同じ第1分離溝6に交差するように形成される。この場合、アライメントマークMKtからアライメントマークMKuに向かう方向はy方向と一致する。本実施の形態においては、アライメント溝16tは複数の第1分離溝6と交差し、これにより複数のアライメントマークが構成される。また本実施の形態においては、アライメント溝16uは複数の第1分離溝6と交差し、これにより複数のアライメントマークが構成される。なおアライメント溝16tおよびアライメント溝16uは、必ずしも第1分離溝6の形成後に形成される必要はなく、第1分離溝6の形成前または形成中に形成されてもよい。また、図3においてS2とS3とは別ステップとしているが、両ステップは共にレーザ光LM1図6および図8により行なわれ得るので、図4のレーザ加工装置を用いて同じ装置内で実施することが好ましい。次にS4にて透明基板2の洗浄工程が行われる。これによりS3およびS4において生じたダストが除去される。次に透明基板2の洗浄工程が行われる。これによりステップS2およびS3において生じたダストが除去される。次にS5において、図9および図10に示すように、上記のようにアライメントマークMKtおよびアライメントマークMKuが形成された後に、第1分離溝6が形成された透明電極膜3上に半導体光電変換膜4第2層が積層される。半導体光電変換膜4の形成の際、透明基板2は加熱されることで熱膨張する。たとえばプラズマCVD装置を用いたとき、150~200°C程度に上昇し、基板が熱膨張する。半導体光電変換膜4は、たとえば、アモルファスシリコン薄膜からなるp層、i層およびn層が順次積層された構造を有し、200nm以上5μm以下の厚さを有する。次に透明基板2が成膜装置から搬出される。なおこの搬出後、透明基板2は一時的な保管場所に保管されてもよい。この保管中に透明基板2の温度は徐々に冷却される。よって保管時間のばらつきによって、次工程が開始される際の透明基板2の温度にばらつきが生じる。またバッチ処理が行なわれる場合は、1つのバッチ内において、各透明基板2が保管される時間が異なるだけでなく、各透明基板2の保管場所が厳密には異なる。よってバッチ内で次工程が開始される際の透明基板2の温度にばらつきが生じる。次にS6とS7において、図11および図12に示すように、y方向に沿って延在する複数のコンタクトライン7第2溝が形成される。S6およびS7において、S2およびS3と同様に、図4に例示されるレーザ加工システムが用いられる。以下、S6およびS7でのコンタクトライン7の形成方法の詳細について説明する。まず、S6においてレーザ加工システム601図4のCCDカメラ63aによってアライメントマークMKが検出される。具体的には、アライメントマークMKtおよびアライメントマークMKuの位置、すなわち、透明基板2の表面上におけるレーザヘッド64a図4の位置の基準としての位置基準位置が認識される。この検出の際、透明基板2の温度は、上述したように、半導体光電変換膜4の形成にともなう温度上昇の影響で高くなっている。このため透明基板2には熱膨張が生じている。次にS7において、検出されたアライメントマークの位置を基準として位置制御されたレーザヘッド64a図4によって、図11および図12に示すように、第1分離溝6のそれぞれから図5のピッチPTよりも小さい距離SHだけx方向にずらして配置されたコンタクトライン7が半導体光電変換膜4にレーザスクライブで形成される。このレーザスクライブは、たとえば半導体光電変換膜4に透明基板2を介してレーザ光LM2が入射されることにより行なわれる。レーザ光LM2の波長は、光の吸収が主に半導体光電変換膜4において生じるように選択され、たとえば532nmである。このレーザスクライブが行われる際に、特に生産効率が重視される場合において、透明基板2の温度がまだ室温まで冷却されていないことがある。この場合、熱膨張に起因して透明基板2が変形していることがある。また上述した理由により、透明基板2ごとに温度にばらつきがあり得る。この場合、透明基板2ごとに、熱膨張の程度にばらつきがある。また半導体光電変換膜4の膜応力のばらつきにより、透明基板2ごとに反りの程度にばらつきがあることがある。次にS8にて、図13に示すように、コンタクトライン7が形成された半導体光電変換膜4の上に、コンタクトライン7を埋める裏面電極膜5第3層が形成される。裏面電極膜5は、たとえばZnO層とAg銀層との積層体である。より具体的な方法を例示すると、まず透明基板2が成膜装置に搬入される。次に透明基板2が150~200°Cに加熱される。次にスパッタ法により裏面電極膜5の成膜が行なわれる。次に透明基板2が成膜装置から搬出される。この搬出後、透明基板2は一時的な保管場所に保管されてもよい。この保管中に透明基板2の温度は徐々に冷却される。よって保管時間のばらつきによって、次工程が開始される際の透明基板2の温度にばらつきが生じる。またバッチ処理が行なわれる場合は、1つのバッチ内において、各透明基板2が保管される時間が異なるだけでなく、各透明基板2の保管場所が厳密には異なる。よってバッチ内で次工程が開始される際の透明基板2の温度にばらつきが生じる。次にS9にて、図14に示すように、レーザ加工システム601を用いたレーザスクライブによって、半導体光電変換膜4および裏面電極膜5の各々の一部が除去される。これにより、半導体光電変換膜4および裏面電極膜5に対して、平面視においてコンタクトライン7に平行に、かつコンタクトライン7と異なる位置に、第2分離溝8第3溝が形成される。このレーザスクライブは、たとえば半導体光電変換膜4に透明基板2を介してレーザ光LM3が入射されることにより行なわれる。レーザ光LM3の波長は、光の吸収が主に半導体光電変換膜4において生じるように選択され、たとえば532nmである。上記のレーザスクライブの際のアライメントは、アライメントマークMK図7を基準位置として行われ得る。このレーザスクライブが行われる際に、特に生産効率が重視される場合において、透明基板2の温度がまだ室温まで冷却されていないことがある。この場合、熱膨張に起因して透明基板2が変形していることがある。また上述した理由により、透明基板2ごとに温度にばらつきがある。このため、透明基板2ごとに、熱膨張の程度にばらつきがある。また半導体光電変換膜4および裏面電極膜5の積層膜の膜応力のばらつきにより、透明基板2ごとに反りの程度にばらつきがある。次に、図15に示すように、レーザスクライブによって半導体光電変換膜4および裏面電極膜5の一部が除去されることで、半導体光電変換膜4および裏面電極膜5の各々の一部が除去される。これにより第2分離溝8の長手方向の両端図15Aの左右端の各々の近傍に周縁溝9が形成される。このレーザスクライブは、たとえば半導体光電変換膜4に透明基板2を介してレーザ光LM4が入射されることにより行なわれる。レーザ光LM4の波長は、光の吸収が主に半導体光電変換膜4において生じるように選択され、たとえば532nmである。次に、図16に示すように、レーザスクライブによって、周縁溝9のさらに外側図16Aの破線部の外側の領域と、第2分離溝8の延在方向に沿った外側図16Bの左右側の領域とにおいて、透明電極膜3、半導体光電変換膜4および裏面電極膜5が除去される。このレーザスクライブは、たとえば透明電極膜3に透明基板2を介してレーザ光LM5が入射されることにより行なわれる。レーザ光LM5の波長は、たとえば1064nmである。再び図1および図2Bを参照して、x方向の両端の裏面電極膜5の表面上に、y方向に延在する電極10が形成される。以上により薄膜太陽電池1が得られる。なお本実施の形態ではコンタクトライン7の形成工程および第2分離溝8の形成工程の両工程においてアライメントマークMK図7が用いられるが、一方の工程にのみアライメントマークMKが用いられてもよい。図17に、S6において従来技術と同じく基板端部のアライメントマークにて位置合わせを行った場合の比較例を示す。この比較例においては、アライメントマークの検出工程で、第1分離溝6とアライメント溝16によって構成され、かつx方向における基板の主面の左端部に位置するアライメントマークMZが検出され、S7の加工工程での加工位置合わせの基準として用いられる。このとき、熱膨張などの透明基板2の変形が生じている場合、基準となるアライメントマークに近い基板左端部近傍においては距離SH図11の精度が確保されるものの、基板左端部の反対側に位置する右端部に近付くほど熱膨張による基板の変形の影響が大きくなり、距離SHの誤差が大きくなる。このため、図17に示すように、第1分離溝6とコンタクトライン7との間の間隔が確保されない部分や、コンタクトライン7が第1分離溝6に対する所定の側図中、右側と反対側図中、左側に形成されてしまう部分が生じ得る。図18を参照して、これに対して本実施の形態によれば、用いられるアライメントマークMKは、x方向において基板中央部の領域内に配置されたものである。このとき、位置あわせの基準となるアライメントマークMKは、x方向における基板両端のいずれからもおおよそ等距離に位置し、片方に対して極端に遠くには位置しない。したがって、第1分離溝6のそれぞれに対応して設けられるコンタクトライン7の形成時に、熱膨張などの透明基板2の変形が生じている場合であっても、基板中央近傍を基準とすることでコンタクトライン7、すなわち半導体光電変換膜4に形成される複数の溝の位置ずれの最大値を従来技術と比較して抑制することができる。同様に第2分離溝8の位置ずれの最大値を抑制することができる。このように、薄膜太陽電池の製造工程における溝の位置ずれの最大値を抑制することができる。好ましくはアライメントマークMKtおよびアライメントマークMKuは、y方向における位置が互いに異なる1対のアライメントマークを含む。1対のアライメントマークが検出されることで、y方向、すなわちコンタクトライン7が延びるべき方向を精度よく認識することができる。本実施の形態のS7においては、S2と同じく図4に例示したレーザ加工システムが用いられており、複数のコンタクトライン7は、レーザヘッド64aから出射されたレーザ光によって半導体光電変換膜4が加工されることによって形成される。なお、アライメントマークを使用して加工位置合わせを行う加工装置であれば、レーザ加工装置以外の装置が用いられてもよく、たとえば、カッターなどによる接触加工装置を用いることもできる。なお各アライメント溝16は必ずしも全ての第1分離溝6と交差する必要はなく、たとえば、アライメント溝が断続的に形成されることで、一部の第1分離溝6のみと交差するようにアライメント溝が形成されていてもよい。実施の形態2図19~図21のそれぞれは、本発明の実施の形態2における薄膜太陽電池の製造方法の第1~第3工程を概略的に示す平面図である。本発明の実施の形態2は、実施の形態1の変形であり、アライメントマークが第1分離溝と独立して形成されている点で、実施の形態1と異なる。以下、本実施形態の説明において実施の形態1と共通の事項については説明を省略する場合がある。図19に示すように、本実施の形態においては、アライメントマークMK図7の代わりにアライメントマークMLが形成される。アライメントマークMLはアライメントマークMLtおよびMLuを含む。アライメントマークMLtおよびMLuの各々は、主面のx方向における中心図中、一点鎖線から±X/4の範囲内の中心領域RSに配置される。またアライメントマークMLtおよびMLuの各々は、第1分離溝6とは別に設けられる。アライメントマークMLtおよびMLuは、y方向における位置が互いに異なり、好ましくはアライメントマークMLtおよびMLuのそれぞれは、y方向において透明基板2の一方端部上および他方端部上に配置される。また好ましくはアライメントマークMKtとMKuを結んだ方向はy方向に平行である。アライメントマークMKtおよびMKuの数は特に限定されず、中心領域RSにおいてx方向に沿って並列に複数形成されてもよい。また、アライメントマークの数は第1分離溝6の数には左右されない。またアライメントマークMLのx方向における位置と、第1分離溝6のx方向における位置とをは異なっていてもよい。なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態1の構成とほぼ同じである。具体的には、図19の工程の後、図20および図21の工程を経て、薄膜太陽電池1図1および図2が形成される。本実施の形態によれば、第1分離溝6とは独立してアライメントマークを形成することができる。実施の形態3実施の形態3は、実施の形態1の変形であり、分離溝およびコンタクトラインを形成する加工装置の構成が異なる。以下、本実施形態の説明において実施の形態1と共通の事項については説明を省略する場合がある。図22は、本発明の実施の形態3における薄膜太陽電池の製造方法に用いられる加工装置の構成を概略的に示す斜視図である。本実施の形態のレーザ加工システム602は、第1のCCDカメラ63aおよび第1のレーザヘッド64aに加えて、同様の第2のCCDカメラ63bおよび第2のレーザヘッド64bを有する。好ましくは、各CCDカメラはそれぞれ対応する各レーザヘッドに固定されている。またレーザ加工システム602は、第1のx駆動部65aおよび第2のx駆動部65bとy駆動部65yとを有するX-Yロボットを含む。このX-Yロボットは、第1のレーザヘッド64aおよび第2のレーザヘッド64bの各々をx方向およびy方向に移動可能に構成された駆動部である。このX-Yロボットは、第1のレーザヘッド64aおよび第2のレーザヘッド64bの各々を、支持ローラ61によってレーザ加工システム602内に設置された透明基板2に対して、x方向およびy方向の各々に変位可能に構成されている。具体的には、各々がx方向に変位可能な第1のx駆動部65aおよび第2のx駆動部65bが、y方向に変位可能なy駆動部65yに取り付けられている。第1のx駆動部65aおよび第2のx駆動部65bのそれぞれは第1のレーザヘッド64aおよび第2のレーザヘッド64bを支持している。これによりy駆動部65yによってy方向に第1のレーザヘッド64aおよび第2のレーザヘッド64bの両方を一括して変位させることができ、かつ第1のレーザヘッド64aおよび第2のレーザヘッド64bの各々をx方向に独立して変位させることができる。なお、本実施形態ではy駆動部が第1のレーザヘッ64aと第2のレーザヘッド64bとで共通とされているが、個別のy駆動部が設けられていてもよい。図23~図25は、本発明の実施の形態3における薄膜太陽電池の製造方法の第1~第3工程を概略的に示す平面図である。まず図23に示すように、図5および図6実施の形態1と同様に、表面を有する透明基板2と、表面上に形成された透明電極膜3とが準備される。次に実施の形態1と同様に、図3に示すS2において、ピッチPTでx方向に沿って並び、かつx方向と交差するy方向に沿って各々が延在する第1分離溝6第1溝が透明電極膜3に形成される。ここで、本実施形態においては、透明電極膜3が堆積された透明基板2の主面が、x方向で分割した領域Ra第1領域および領域Rb第2領域の2つ領域被加工領域とに分けて取り扱われる。領域Raおよび領域Rbは、x方向に沿って並び、かつx方向において各々が長さXを有する。領域Raは図22のレーザ加工システムにおける第1のレーザヘッド64aを用いて溝が形成される領域であり、領域Rbは第2のレーザヘッド64bを用いて溝が形成される領域である。第1分離溝6の形成は、領域Raに対して第1分離溝6aを形成し、かつ領域Rbに対して第1分離溝6bを形成することによって行われる。領域Raおよび領域Rbの各々は、平面視において透明電極膜3が有する領域である。また透明電極膜3に第1のアライメントマークMKaおよび第2のアライメントマークMKbが形成される。第1のアライメントマークMKaは、図23に示すように、領域Raのx方向における中心図中、一点鎖線から±X/4の範囲内に配置される。同様に第2のアライメントマークMKbは、領域Rbのx方向における中心図中、一点鎖線から±X/4の範囲内に配置される。本実施形態では実施形態1と同様に、領域Raのy方向基板両端近傍に1対のアライメント溝16taおよびアライメント溝16uaが形成され、また領域Rbのy方向基板両端近傍に1対のアライメント溝16tbおよびアライメント溝16ubが形成される。アライメント溝16taおよびアライメント溝16uaのそれぞれは、透明電極膜3のy方向における一方端部および他方端部においてx方向に沿って延びるように形成される。アライメント溝16taは少なくとも1つの第1分離溝6aに交差するように形成される。これにより、アライメント溝16taと第1分離溝6aとの交差部によって、領域Raにおける第1のアライメントマークMKtaが構成される。またアライメント溝16uaは少なくとも1つの第1分離溝6aに交差するように形成される。これにより、アライメント溝16uaと第1分離溝6aとの交差部によって、領域Raにおける第1のアライメントマークMKuaが構成される。アライメント溝16taおよびアライメント溝16uaのy方向における位置が異なることから、第1のアライメントマークMKtaおよび第1のアライメントマークMKuaは、y方向における位置が互いに異なる。好ましくはアライメント溝16taおよびアライメント溝16uaは、少なくとも特定の一の第1分離溝6aに、共に交差するように形成される。この場合、第1のアライメントマークMKtaから第1のアライメントマークMKuaに向かう方向はy方向と一致する。以上により、領域Raにおいてx方向に並んだ複数のアライメントマークが構成される。好ましくは、複数のアライメントマークのうち、領域Raにおけるx方向の中心位置に最も近いアライメントマークMKtaを図3のS6のおける図23のレーザ加工システムの、第1のレーザヘッド64aの基準位置として用いる。好ましくは、この複数のアライメントマークのうち、複数の第1分離溝6aの最も中央に位置するものによって構成されるアライメントマークがアライメントマークMKtaとされる。また本実施の形態においては、アライメント溝16taは複数の第1分離溝6aと交差し、これにより複数のアライメントマークが構成される。好ましくは、この複数のアライメントマークのうち、複数の第1分離溝6aの最も中央に位置するものによって構成されるアライメントマークがアライメントマークMKtaとされる。また本実施の形態においては、アライメント溝16uaは複数の第1分離溝6aと交差し、これにより複数のアライメントマークが構成される。好ましくは、この複数のアライメントマークのうち、複数の第1分離溝6aの最も中央に位置するものによって構成されるアライメントマークがアライメントマークMKuaとされる。アライメント溝16tbおよびアライメント溝16ubのそれぞれは、透明電極膜3のy方向における一方端部および他方端部においてx方向に沿って延びるように形成される。アライメント溝16tbは少なくとも1つの第1分離溝6bに交差するように形成される。これにより、アライメント溝16tbと第1分離溝6bとの交差部によって、領域Rbにおける第2のアライメントマークMKtbが構成される。またアライメント溝16ubは少なくとも1つの第1分離溝6bに交差するように形成される。これにより、アライメント溝16ubと第1分離溝6bとの交差部によって、領域Rbにおける第2のアライメントマークMKubが構成される。アライメント溝16tbおよびアライメント溝16ubのy方向における位置が異なることから、第2のアライメントマークMKtbおよび第2のアライメントマークMKubは、y方向における位置が互いに異なる。好ましくはアライメント溝16tbおよびアライメント溝16ubは、少なくとも特定の一の第1分離溝6bに、共に交差するように形成される。この場合、第2のアライメントマークMKtbから第2のアライメントマークMKubに向かう方向はy方向と一致する。以上により、領域Rbにおいてx方向に並んだ複数のアライメントマークが構成される。好ましくは、複数のアライメントマークのうち、領域Rbにおけるx方向の中心位置に最も近いアライメントマークMKtbを図3のS6のおける図23のレーザ加工システムの、第2のレーザヘッド64bの基準位置として用いる。好ましくは、この複数のアライメントマークのうち、複数の第1分離溝6bの最も中央に位置するものによって構成されるアライメントマークがアライメントマークMKtbとされる。また本実施の形態においては、アライメント溝16tbは複数の第1分離溝6bと交差し、これにより複数のアライメントマークが構成される。好ましくは、この複数のアライメントマークのうち、複数の第1分離溝6bの最も中央に位置するものによって構成されるアライメントマークがアライメントマークMKtbとされる。また本実施の形態においては、アライメント溝16ubは複数の第1分離溝6bと交差し、これにより複数のアライメントマークが構成される。好ましくは、この複数のアライメントマークのうち、複数の第1分離溝6bの最も中央に位置するものによって構成されるアライメントマークがアライメントマークMKubとされる。なおアライメント溝16ta、16ua、16tb、および16ubは、必ずしも第1分離溝6の形成後に形成される必要はなく、第1分離溝6の形成前または形成中に形成されてもよい。次に、図24に示すように、上記のように第1のアライメントマークMKaおよび第2のアライメントマークMKbが形成された後に、第1分離溝6が形成された透明電極膜3を覆う半導体光電変換膜4が形成される。一般的に半導体膜形成プロセスは高温プロセスであるので、半導体光電変換膜4の形成の際、透明基板2は加熱されることで基板温度が上昇し熱膨張する。なおこのときの基板温度は、たとえば150~200°C程度である。主に図25を参照して、レーザ加工システム602の第1のCCDカメラ63aによってアライメントマークMKaが検出される。具体的には、第1のアライメントマークMKtaおよびMKuaの位置、すなわち、透明基板2の表面上における第1のレーザヘッド64aの位置の基準としての位置第1位置が認識される。また第2のCCDカメラ63bによって第2のアライメントマークMKbが検出される。具体的には、第2のアライメントマークMKtbおよびMKubの位置、すなわち、透明基板2の表面上における第2のレーザヘッド64bの位置の基準としての位置第2位置が認識される。これらの検出の際に透明基板2の温度は室温程度とは限らず、半導体光電変換膜4の形成にともなう温度上昇の影響で透明基板2に熱膨張が生じていることがある。上記第1位置の認識のためのアライメントマーク検出の際には、まず、領域Raにおけるx方向の中心位置に最も近い位置のアライメントマークMKaの検出が試みられる。検出が成功した場合、アライメントマークMKaの位置が認識され、レーザヘッド64aの位置の基準とすることができる。検出に失敗した場合、領域Raにおけるx方向の中心位置に近い位置の他の第1分離溝6aによって構成されるアライメントマークの検出が行われ、検出に成功した場合はそのアライメントマークが基準として用いられる。基準として用いられる他の第1分離溝6aによって構成されるアライメントマークは、領域Raのx方向の中心位置になるべく近いものであることが好ましい。上記第2位置の認識のためのアライメントマーク検出の際には、まず、領域Rbにおけるx方向の中心位置に最も近い位置のアライメントマークMKbの検出が試みられる。検出が成功した場合、アライメントマークMKbの位置が認識され、レーザヘッド64bの位置の基準とすることができる。検出に失敗した場合、領域Rbにおけるx方向の中心位置に近い位置の他の第1分離溝6bによって構成されるアライメントマークの検出が行われ、検出に成功した場合はそのアライメントマークが基準として用いられる。基準として用いられる他の第1分離溝6bによって構成されるアライメントマークは、領域Rbのx方向の中心位置になるべく近いものであることが好ましい。上記第1位置を基準として位置制御された第1のレーザヘッド64a図22によって、平面視図25の視野において第1分離溝6aのそれぞれからピッチPT図23よりも小さい距離SH図25だけx方向にずらして配置されたコンタクトライン7aが半導体光電変換膜4に形成される。また上記第2位置を基準として位置制御された第2のレーザヘッド64b図22によって、平面視図25の視野において第1分離溝6bのそれぞれからピッチPTよりも小さい距離SH図25だけx方向にずらして配置されたコンタクトライン7bが半導体光電変換膜4に形成される。コンタクトライン7aおよびコンタクトライン7bが形成される際に、レーザヘッド64aおよび64b図22は、互いに接触しないように位置制御される。このような位置制御は、X-Yロボットのx駆動部65aおよび65b図22が互いに接近し過ぎないように連動制御することによって行われ得る。これにより、レーザヘッド64aおよび64bが互いに接触することに伴う加工不良の発生を避けることができる。この後、実施の形態1または2と同様に、裏面電極膜5および第2分離溝8図2の形成などを経て、薄膜太陽電池1が得られる。第2分離溝8の形成は、上述したコンタクトライン7aおよびコンタクトライン7bの形成方法とほぼ同様に、領域Raと領域Rbそれぞれにて行うことができる。本実施の形態によれば、レーザ加工システム602図22には第1のレーザヘッド64aおよび第2のレーザヘッド64b図22が設けられている。これにより、レーザヘッドが1つしか設けられない場合に比して、加工の効率を高めることができる。具体的には、透明基板2の主面が、第1のレーザヘッド64aおよび第2のレーザヘッド64bのそれぞれが対応する2つの領域Ra、Rbに分けて扱われる。領域Raおよび領域Rbのそれぞれのx方向における中心近傍に配置されたアライメントマークの位置が加工の基準位置とされる。これにより、基準位置から、加工される領域の端部までの距離が実施形態1に比して半分程度になるので、基板の熱膨張による位置ずれの影響を略半分に低減することができる。よってより加工精度を向上させることができる。なおアライメント溝16taおよび16uaの各々は、必ずしも全ての第1分離溝6aと交差する必要はない。またアライメント溝16tbおよび16ubの各々は、必ずしも全ての第1分離溝6bと交差する必要はない。またアライメント溝16ta、16ua、16tb、および16ubの各々の代わりに、アライメントマークML図19:実施の形態2と同様のアライメントマークが設けられてもよい。本実施の形態においては、2つのレーザヘッドのそれぞれによって2つの領域が加工される場合について説明したが、3つ以上の数のレーザヘッドのそれぞれによって、同数の領域が加工されてもよい。たとえば、4つのレーザヘッドのそれぞれが、基板の主面上においてx方向に並ぶ4つの領域を加工してもよい。領域の数が多くなるほど、より基板の熱膨張による加工位置ずれを低減することができる点で好ましい。また、レーザ加工システム602のようにレーザヘッドを複数有するものによる工程と、レーザ加工システム601のように単数のレーザヘッドを有するものによる工程とが共に用いられてもよい。この場合、コンタクトライン7を形成する工程が熱膨張による位置ずれの影響を受けやすいので、レーザ加工システム602によって領域Raおよび領域Rbごとに加工されることが好ましい。なおレーザヘッドの数が多いほど加工システムのコストは増えるので、装置の加工精度、処理能力、および装置コストを鑑みて、適宜実施形態を選択できる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。