少なくとも2種類の異なる誘電体を積層し、前記異なる誘電体をイオン性物質で接合した、超格子構造を有する強誘電体薄膜。前記誘電体がペロブスカイト構造を有する酸化物である、請求項1に記載の超格子構造を有する強誘電体薄膜。前記誘電体がNbO6八面体、TaO6八面体もしくはTiO6八面体を単位格子内に少なくとも1個内包した層状ペロブスカイト構造を有する酸化物である、請求項1又は2に記載の超格子構造を有する強誘電体薄膜。前記誘電体が厚み5nm以下、横サイズ100nm~100μmのナノシート状の酸化物である、請求項1から3のいずれかに記載の超格子構造を有する強誘電体薄膜。前記誘電体が以下の組成式で表される層状酸化物のいずれか又はその水和物を剥離して得られたものである、請求項1から4のいずれかに記載の超格子構造を有する強誘電体薄膜。組成式AxMyNb2O7d、AxMyM’2O7d、AxCa2Nb3O10d、AxCa2-yMyNb3-zM’zO10d、AxM2M’3O10d、もしくはAx[Can1Nan3NbnO3n1d]Aは、H、Li、Na、K、Rb、Csから選ばれる少なくとも1種であり、0≦x≦1;Mは、Sr、Ba、Pb、Biあるいは希土類元素La、Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luから選ばれる少なくとも1種であり、0<y≦1;M’は、Ti、Mg、Mn、Cu、Zn、Nb、Taから選ばれる少なくとも1種であり、0<z≦3;n=38;d=02。前記誘電体が以下の組成式で表されるナノシート状のペロブスカイト酸化物である、請求項1から5のいずれかに記載の超格子構造を有する強誘電体薄膜。組成式MyNb2O7d、MyM’2O7d、Ca2Nb3O10d、Ca2-yMyNb3-zM’zO10d、M2M’3O10d、もしくは[Can1Nan3NbnO3n1d]Mは、Sr、Ba、Pb、Biあるいは希土類元素La、Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luから選ばれる少なくとも1種であり、0<y≦1;M’は、Ti、Mg、Mn、Cu、Zn、Nb、Taから選ばれる少なくとも1種であり、0<z≦3;n=38;d=02。厚さが1nm~50nmである、請求項1から6のいずれかに記載の超格子構造を有する強誘電体薄膜。電極基板に請求項1から7のいずれかに記載の強誘電体薄膜を付着させた強誘電体素子。第1の電極基板に請求項1から7のいずれかに記載の強誘電体薄膜を付着させ、前記強誘電体薄膜の前記第1の電極基板とは反対側の面に第2の電極を配置する、強誘電体素子の製造方法。Langmuir‐Blodgett法により前記誘電体を前記第1の電極基板の表面上に緻密かつ隙間なく被覆した単層膜を形成して前記単層膜を前記第1の電極基板に付着する工程を繰り返して前記超格子構造を有する強誘電体薄膜を作製する、請求項9に記載の強誘電体素子の製造方法。前記第1の電極基板をカチオン性有機ポリマー溶液中に浸漬して前記第1の電極基板または前記第1の電極基板上に既に吸着された前記誘電体の表面に前記有機ポリマーを吸着させた後、前記誘電体を懸濁させたコロイド溶液中に浸漬することにより前記誘電体を静電的相互作用によって前記誘電体の表面上に吸着させて超格子構造を有する強誘電体薄膜を作製する、請求項9に記載の強誘電体素子の製造方法。前記誘電体を静電的相互作用によって前記第1の基板上に吸着させる工程において超音波を付与して誘電体同士の重複部分を除去する、請求項11に記載の強誘電体素子の製造方法。超格子構造を有する強誘電体薄膜を生成した後に紫外線を照射して前記有機ポリマーを除去する、請求項11に記載の強誘電体素子製造方法。前記イオン性物質は前記紫外線の照射により前記有機ポリマーから生成される、請求項13に記載の強誘電体素子の製造方法。前記強誘電体薄膜は層状物質を剥離剤を用いて剥離することによって生成され、前記強誘電体薄膜を生成した後に紫外線を照射して前記剥離剤を除去し、前記イオン性物質は前記紫外線の照射により前記剥離剤から生成される、請求項9から12のいずれかに記載の強誘電体素子の製造方法。本発明は、上記のような問題点を解消し、厚さを非常に薄くしてもサイズ効果を発現しない強誘電体薄膜及びその製造方法、並びにこの強誘電体薄膜を使用した強誘電体素子とその製造方法を提供することを目的とする。本発明の一側面によれば、少なくとも2種類の異なる誘電体を積層し、前記異なる誘電体をイオン性物質で接合した、超格子構造を有する強誘電体薄膜が与えられる。ここで、前記誘電体はペロブスカイト構造を有する酸化物であってよい。また、前記誘電体はNbO6八面体、TaO6八面体もしくはTiO6八面体を単位格子内に少なくとも1個内包した層状ペロブスカイト構造を有する酸化物であってよい。また、前記誘電体は厚み5nm以下、横サイズ100nm~100μmのナノシート状の酸化物であってよい。また、前記誘電体は以下の組成式で表される層状酸化物のいずれか又はその水和物を剥離して得られたものであってよい。組成式AxMyNb2O7d、AxMyM’2O7d、AxCa2Nb3O10d、AxCa2-yMyNb3zM’zO10d、AxM2M’3O10d、もしくはAx[Can1Nan3NbnO3n1d]Aは、H、Li、Na、K、Rb、Csから選ばれる少なくとも1種であり、0≦x≦1;Mは、Sr、Ba、Pb、Biあるいは希土類元素La、Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luから選ばれる少なくとも1種であり、0<y≦1;M’は、Ti、Mg、Mn、Cu、Zn、Nb、Taから選ばれる少なくとも1種であり、0<z≦3;n=38;d=02。また、前記誘電体は以下の組成式で表されるナノシート状のペロブスカイト酸化物であってよい。組成式MyNb2O7d、MyM’2O7d、Ca2Nb3O10d、Ca2yMyNb3zM’zO10d、M2M’3O10d、もしくは[Can1Nan3NbnO3n1d]Mは、Sr、Ba、Pb、Biあるいは希土類元素La、Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luから選ばれる少なくとも1種であり、0<y≦1;M’は、Ti、Mg、Mn、Cu、Zn、Nb、Taから選ばれる少なくとも1種であり、0<z≦3;n=38;d=02。また、強誘電体薄膜の厚さは1nm~50nmであってよい。本発明の他の側面によれば、電極基板に上記いずれかの強誘電体薄膜を付着させた強誘電体素子が与えられる。本発明の更に他の側面によれば、第1の電極基板に上記いずれかの強誘電体薄膜を付着させ、前記強誘電体薄膜の前記第1の電極基板とは反対側の面に第2の電極を配置する、強誘電体素子の製造方法が与えられる。また、Langmuir‐Blodgett法により前記誘電体を前記第1の電極基板の表面上に緻密かつ隙間なく被覆した単層膜を形成して前記単層膜を前記第1の電極基板に付着する工程を繰り返して前記超格子構造を有する強誘電体薄膜を作製してよい。また、前記第1の電極基板をカチオン性有機ポリマー溶液中に浸漬して前記第1の電極基板または前記第1の電極基板上に既に吸着された前記誘電体の表面に前記有機ポリマーを吸着させた後、前記誘電体を懸濁させたコロイド溶液中に浸漬することにより前記誘電体を静電的相互作用によって前記誘電体の表面上に吸着させて超格子構造を有する強誘電体薄膜を作製してよい。また、前記誘電体を静電的相互作用によって前記第1の基板上に吸着させる工程において超音波を付与して誘電体同士の重複部分を除去してよい。また、超格子構造を有する強誘電体薄膜を生成した後に紫外線を照射して前記有機ポリマーを除去してよい。また、前記イオン性物質は前記紫外線の照射により前記有機ポリマーから生成してよい。また、前記強誘電体薄膜は層状物質を剥離剤を用いて剥離することによって生成され、前記強誘電体薄膜を生成した後に紫外線を照射して前記剥離剤を除去し、前記イオン性物質は前記紫外線の照射により前記剥離剤から生成されてよい。本発明により、これまで強誘電体として使えなかった誘電体材料でも、その組み合わせにより、誘電体同士をイオン性物質で柔らかくつなぎ、イオンを動きやすくすることで、安定した強誘電性を実現でき、強誘電体薄膜を作製することが可能になり、誘電体材料の応用領域とともに、強誘電体材料の選択の幅を大きく拡大することができる。また、ペロブスカイト構造酸化物の有する独自の高誘電特性および高い構造制御性を活用することが可能になり、強誘電特性と高誘電特性を同時に実現することができる。また、NbO6八面体、TaO6八面体もしくはTiO6八面体を単位格子内に少なくとも1個内包した層状ペロブスカイト構造の有する独自の高誘電特性および高い構造制御性を活用することが可能になり、優れた強誘電特性と高誘電特性を同時に実現することができる。また、厚み5nm以下の極薄いナノシート状の酸化物を用いることで、ナノレベルの強誘電体薄膜の製造と設計が可能となる。また、高誘電体材料として知られるNbO6八面体、TaO6八面体もしくはTiO6八面体を基本ブロックとして内包したペロブスカイト酸化物を単体のナノシートとして抽出し、人為的な再構築が可能となったため、ナノレベルの薄膜において、従来のペロブスカイトよりも高い誘電率を有する強誘電体薄膜の製造と設計が可能となる。また、NbO6八面体、TaO6八面体もしくはTiO6八面体を内包したナノシート状のペロブスカイト酸化物の有する高い電子分極特性および大きな表面歪みを活用することが可能となり、室温で安定な強誘電特性と高誘電特性を同時に実現することができる。また、50nm以下のナノスケールの薄さでも機能する強誘電体薄膜の提供できたため、従来の強誘電体薄膜では到達困難であった薄膜化と高容量化を同時に達成できる。また、自立性が弱いナノシート状ペロブスカイト酸化物でも、電極基板に保持することで取扱いが容易になり、本発明の強誘電体薄膜を利用した素子の生産性を確保することが出来る。また、本発明の強誘電体薄膜を利用したコンデンサ構造素子が提供され、強誘電体素子の生産性、安定性を確保することが出来る。また、Langmuir‐Blodgett法を用いることにより、ナノシート状ペロブスカイト酸化物が基板表面上に緻密かつ隙間なく被覆した高品位強誘電体薄膜の製造が可能になったため、回路の漏れ電流の原因となる欠陥を除去、低減した高性能の強誘電体素子を低コストかつ室温での溶液プロセスで直接製造することができる。また、従来の強誘電体薄膜プロセスと異なり、高温でのアニール等が不要な、室温での溶液プロセスが可能になったため、従来の素子製造工程における基板界面劣化、組成ズレなどの問題を回避して、高性能の強誘電体素子を提供することができる。また、ビーカーとピンセットを利用した、低コストかつ室温での溶液プロセスが可能になったため、従来の強誘電体薄膜プロセスの主流である、大型の真空装置や高価な成膜装置を必要としない、低コスト、低環境プロセスを実現できる。また、さらに、ナノシート状ペロブスカイト酸化物が基板表面上に緻密かつ隙間なく被覆した高品位強誘電体薄膜の製造が可能になったため、回路の漏れ電流の原因となる欠陥を除去、低減した高性能の強誘電体素子を提供することができる。また、有機物を除去した無機強誘電体素子の製造が可能となったため、従来の素子製造プロセスの熱処理工程に付随した、基板界面劣化、組成ズレなどの問題を一掃して、高性能の強誘電体素子を提供することができる。本発明者等は、極薄膜において、強誘電性の発現機構であるところの正規位置からの各構成原子の変位量が大きいほど、優れた強誘電特性自発分極率等を示すことが成立する最適な構造を鋭意検討し、強誘電体とはならない誘電体でも接合界面をイオン性物質で柔らかくつなぎ、誘電体内のイオンを動きやすくすることで強誘電性を示すという原理を発見し、この知見をさらに応用して本発明を得るに至った。ここで言う誘電体でも接合界面をイオン性物質で柔らかくつなぐとは、誘電体同士を金属イオン、多原子イオン、錯イオン、クラスターイオンなどのイオン性物質を介して静電的に結合することを意味している。これは、従来の強誘電体超格子例えば、BaTiO3とSrTiO3等における界面状態とは全く異なっている。より具体的には、従来の強誘電体超格子においては、誘電体同士が金属酸素結合によって強固に結合し、誘電体の各構成原子の位置が上下左右固定されているのに対し、本発明においては誘電体同士がイオン性物質を介して上下が静電的に結合しているのみで、左右方向に対しては自由度を有する柔らかい界面を有していることが特徴である。本発明は上記のとおりの特徴をもつものであるが、以下にその実施の形態について説明する。図1は、本発明の一実施の形態に係る2種類の誘電性ナノシート状ペロブスカイト酸化物からなる超格子構造を有する強誘電体薄膜の断面構造を概略的に例示した図である。図1において、1は原子平坦性エピタキシャルSrRuO3からなる下部電極基板以下、単に基板ということがある、2、2’は基板1上に形成された2種類の誘電性ナノシート状ペロブスカイト酸化物以下、ペロブスカイトナノシートというからなる超格子構造、3は金からなる上部電極である。そして、この図1の実施形態では、SrRuO3からなる下部電極基板1上にペロブスカイトナノシート2、2’を交互に積層した超格子構造を形成した例を示している。なお、本発明においては、下部電極基板1は、原子平坦性エピタキシャル基板に限定されることはなく、金、白金、銅、アルミ等の金属電極、NbドープSrTiO3等の伝導性ペロブスカイト基板、ITO、GaドープZnO、NbドープTiO2等の透明酸化物電極、Si、ガラス、プラスチックなど、他の種類の基板上に同様にペロブスカイトナノシート薄膜が配設されていてもよい。上部電極3についても、下部電極基板1と同様に、多様な材料、構成をとることができる。強誘電体薄膜の構成層となるペロブスカイトナノシート2例えばCa2Nb3O10、2’例えばLaNb2O7は、層状ペロブスカイト酸化物をソフト化学的な処理により結晶構造の基本最小単位である層1枚にまで剥離することにより得られる、2次元異方性を有するナノ物質である。ペロブスカイトナノシート2、2’は、互いに異なる以下に例示するようなペロブスカイト酸化物を主成分とするナノシートであってよい。本発明の強誘電体素子は、主としてこのような誘電性のペロブスカイトナノシートの積層をもって構成されるものであるが、ここで、たとえば好適にはペロブスカイトナノシートは、厚み5nm以下数原子に相当、横サイズ100nm~100μmの粒子サイズを有してよい。このようなペロブスカイトナノシートは、層状ペロブスカイト酸化物より剥離されて得られる。ここで使用できる層状ペロブスカイト酸化物には多様なものがあるが、たとえば好適には、高機能の誘電体ブロックであるNbO6八面体、TaO6八面体もしくはTiO6八面体を内包した次のものを例示することができる。組成式HxLaNb2-zTazO7、LixLaNb2-zTazO7、NaxLaNb2-zTazO7、KxLaNb2-zTazO7、RbxLaNb2-zTazO7、CsxLaNb2-zTazO7、HxCeNb2-zTazO7、LixCeNb2-zTazO7、NaxCeNb2-zTazO7、KxCeNb2-zTazO7、RbxCeNb2-zTazO7、CsxCeNb2-zTazO7、HxSmNb2-zTazO7、LixSmNb2-zTazO7、NaxSmNb2-zTazO7、KxSmNb2-zTazO7、RbxSmNb2-zTazO7、CsxSmNb2-zTazO7、HxEuNb2-zTazO7、LixEuNb2-zTazO7、NaxEuNb2-zTazO7、KxEuNb2-zTazO7、RbxEuNb2-zTazO7、CsxEuNb2-zTazO7、HxGdNb2-zTazO7、LixGdNb2-zTazO7、NaxGdNb2-zTazO7、KxGdNb2-zTazO7、RbxGdNb2-zTazO7、CsxGdNb2-zTazO7、HxTbNb2-zTazO7、LixTbNb2-zTazO7、NaxTbNb2-zTazO7、KxTbNb2-zTazO7、RbxTbNb2-zTazO7、CsxTbNb2-zTazO7、HxDyNb2-zTazO7、LixDyNb2-zTazO7、NaxDyNb2-zTazO7、KxDyNb2-zTazO7、RbxDyNb2-zTazO7、CsxDyNb2-zTazO7、HxHoNb2-zTazO7、LixHoNb2-zTazO7、NaxHoNb2-zTazO7、KxHoNb2-zTazO7、RbxHoNb2-zTazO7、CsxHoNb2-zTazO7、HxErNb2-zTazO7、LixErNb2-zTazO7、NaxErNb2-zTazO7、KxErNb2-zTazO7、RbxErNb2-zTazO7、CsxErNb2-zTazO7、HxTmNb2-zTazO7、LixTmNb2-zTazO7、NaxTmNb2-zTazO7、KxTmNb2-zTazO7、RbxTmNb2-zTazO7、CsxTmNb2-zTazO7、HxYbNb2-zTazO7、LixYbNb2-zTazO7、NaxYbNb2-zTazO7、KxYbNb2-zTazO7、RbxYbNb2-zTazO7、CsxYbNb2-zTazO7、HxLuNb2-zTazO7、LixLuNb2-zTazO7、NaxLuNb2-zTazO7、KxLuNb2-zTazO7、RbxLuNb2-zTazO7、CsxLuNb2-zTazO7、HxSrNb2-zTazO7、LixSrNb2-zTazO7、NaxSrNb2-zTazO7、KxSrNb2-zTazO7、RbxSrNb2-zTazO7、CsxSrNb2-zTazO7、HxBaNb2-zTazO7、LixBaNb2-zTazO7、NaxBaNb2-zTazO7、KxBaNb2-zTazO7、RbxYbNb2-zTazO7、CsxYbNb2-zTazO7、HxPbNb2-zTazO7、LixPbNb2-zTazO7、NaxPbNb2-zTazO7、KxPbNb2-zTazO7、RbxPbNb2-zTazO7、CsxPbNb2-zTazO7、HxBiNb2-zTazO7、LixBiNb2-zTazO7、NaxBiNb2-zTazO7、KxBiNb2-zTazO7、RbxBiNb2-zTazO7、CsxBiNb2-zTazO7、HCa2Nb3O10、LiCa2Nb3O10、NaCa2Nb3O10、KCa2Nb3O10、RbCa2Nb3O10、CsCa2Nb3O10、LixK1-xCa2Nb3O10、HSr2Nb3O10、LiSr2Nb3O10、NaSr2Nb3O10、KSr2Nb3O10、RbSr2Nb3O10、CsSr2Nb3O10、HBa2Nb3O10、LiBa2Nb3O10、NaBa2Nb3O10、KBa2Nb3O10、RbBa2Nb3O10、CsBa2Nb3O10、HPb2Nb3O10、LiPb2Nb3O10、NaPb2Nb3O10、KPb2Nb3O10、RbPb2Nb3O10、CsPb2Nb3O10、HCa2Nb3-zTazO10、LiCa2Nb3-zTazO10、NaCa2Nb3-zTazO10、KCa2Nb3-zTazO10、RbCa2Nb3-zTazO10、CsCa2Nb3-zTazO10、HSr2Nb3-zTazO10、LiSr2Nb3-zTazO10、NaSr2Nb3-zTazO10、KSr2Nb3-zTazO10、RbSr2Nb3-zTazO10、CsSr2Nb3-zTazO10、HBa2Nb3-zTazO10、LiBa2Nb3-zTazO10、NaBa2Nb3-zTazO10、KBa2Nb3-zTazO10、RbBa2Nb3-zTazO10、CsBa2Nb3-zTazO10、HPb2Nb3-zTazO10、LiPb2Nb3-zTazO10、NaPb2Nb3-zTazO10、KPb2Nb3-zTazO10、RbPb2Nb3-zTazO10、CsPb2Nb3-zTazO10、KLa2Ti2NbO10、CsLa2Ti2NbO10、HLa2Ti2NbO10、HCaLaNb2TiO10、HLa2Ti2NbO10、LiEu2Ti2NbO10、NaEu2Ti2NbO10、CsEu2Ti2NbO10、KLaNb2O7、RbLaNb2O7、Rb2-xLaNb2O7、NaLaSrNb2MnO9、KLaSrNb2MnO9、RbLaSrNb2MnO9、RbLaSrNb2MgO9、RbLaSrNb2CuO9、RbLaSrNb2ZnO9、CsLaSrNb2CuO9、HCa2Ta3O10、LiCa2Ta3O10、NaCa2Ta3O10、KCa2Ta3O10、RbCa2Ta3O10、CsCa2Ta3O10、HSr2Ta3O10、LiSr2Ta3O10、NaSr2Ta3O10、KSr2Ta3O10、RbSr2Ta3O10、CsSr2Ta3O10、HBa2Ta3O10、LiBa2Ta3O10、NaBa2Ta3O10、KBa2Ta3O10、RbBa2Ta3O10、CsBa2Ta3O10、HPb2Ta3O10、LiPb2Ta3O10、NaPb2Ta3O10、KPb2Ta3O10、RbPb2Ta3O10、CsPb2Ta3O10、CaNaTa3O9、Ca2Ta2TiO9、SrLaTi2TaO9、LiLaTa2O7、H2SrTa2O7、SrTa2O60≦x≦1;0<z≦3剥離のための処理は、ソフト化学処理と呼ぶことができるものである。ここでのソフト化学処理とは、酸処理とコロイド化処理を組み合わせた処理である。すなわち、層状構造を有するペロブスカイト酸化物の粉末もしくは単結晶に塩酸などの酸水溶液を接触させ、生成物をろ過、洗浄後、乾燥させると、処理前に層間に存在していたアルカリ金属イオンがすべて水素イオンに置き換わり、水素型物質が得られる。次に、得られた水素型物質をアミンなどの水溶液中に入れ撹拌すると、コロイド化する。このとき、層状構造を構成していた層が1枚1枚にまで剥離する。膜厚はサブnm~nmの範囲で制御可能である。このようにして剥離したペロブスカイトナノシートから、本発明者らがすでに提案しているLangmuir‐Blodgett法以下、単にLB法ということがある。詳細は非特許文献1を参照のことを利用して、超格子構造を有する強誘電体薄膜を形成することができる。LB法とは、粘土鉱物あるいは有機ナノ薄膜の製膜法として知られる手法であり、両親媒性分子を利用して気-水界面上において会合膜を形成し、これを基板に転写させることで、均一なモノレイヤー膜を作製する手法である。ペロブスカイトナノシートの場合には、低濃度のペロブスカイトナノシートゾル溶液を用いると、両親媒性であるカチオン性分子を用いることなく、気-水界面にナノシートが吸着し、さらにバリヤにより、気-水界面に吸着したナノシートを寄せ集めることで、ペロブスカイトナノシートが基板表面上に緻密かつ隙間なく被覆した高品位単層膜の製造が可能になる。そして、上記のLB法を少なくとも2種類のペロブスカイトナノシートに対して行い、異種のペロブスカイトナノシートを交互に積層することで、超格子構造を有する強誘電体薄膜が提供される。また、上記のLB法以外でも、本発明者らがすでに提案している交互自己組織化積層技術特許文献1、特許文献2を参照のことにより、同様のペロブスカイトナノシートの超格子構造を有する強誘電体薄膜を形成することができる。実際の操作としては、基板を1.有機ポリカチオン溶液に浸漬する2.純水で洗浄する3.ペロブスカイトナノシートゾル溶液に浸漬する4.純水で洗浄するという一連の操作を少なくとも2種類のペロブスカイトナノシートに対して順次行うことを1サイクルとして、これを必要回数分反復する。有機ポリカチオンとしては、実施例記載のポリエチレンイミンPEI、さらに同様なカチオン性を有するポリジアリルジメチルアンモニウム塩化物PDDA、塩酸ポリアリルアミンPAHなどが適当である。また、交互積層に際しては、基板表面に正電荷を導入することができれば基本的に問題ない。よって、有機ポリマーの代わりに、正電荷を持つ無機高分子、多核水酸化物イオンを含む無機化合物を使用することもできる。さらに、本発明においては、強誘電体薄膜の構成層となるペロブスカイトナノシート単層を形成する方法として、ペロブスカイトナノシートを基板表面上に隙間なく被覆し、ペロブスカイトナノシート相互の重複を除去もしくは低減する単層膜の形成方法が提供される。この方法においては、基板表上にペロブスカイトナノシートを隙間なく被覆するため、カチオン性有機ポリマー溶液中に基板を浸漬して基板表面に有機ポリマーを吸着させた後、ペロブスカイトナノシート薄片粒子を懸濁させたコロイド溶液中に浸漬することにより、ナノシートを静電的相互作用によって基板上に自己組織的に吸着させることで、単層を形成することができる。また、ペロブスカイトナノシート同士の重複部分を除去、低減するため、アルカリ水溶液中で超音波処理することで単層膜を形成できる。この方法により、LB法と同等の、ペロブスカイトナノシートが基板表面上に緻密かつ隙間なく被覆した高品位単層膜の製造が可能になる。そして、上記の方法を少なくとも2種類のペロブスカイトナノシートに対して適用して異種のペロブスカイトナノシートを交互に積層することで、超格子構造を有する強誘電体薄膜が提供される。さらには、以上の方法において、紫外線照射を用いて有機ポリマーを除去することにより、無機強誘電体薄膜の形成が可能となる。ここでの紫外線照射は、層状ペロブスカイト酸化物の光触媒有機物分解反応が活性となるバンドギャップ以下の波長を含む紫外線照射であればよく、より好適には1mW/cm2以上のキセノン光源を用いて12時間以上照射することが望ましい。この手法により、誘電体同士を、多原子イオンを介して静電的に柔らかく結合した超格子構造を有する強誘電体薄膜が提供される。本発明では、上記の方法を工程の少なくとも一部として含む強誘電体超薄膜またはその素子の製造方法が与えられる。たとえば以下の実施例に示した形態では、層状ペロブスカイト酸化物KCa2Nb3O10、KLaNb2O7を出発原料としてペロブスカイトナノシートCa2Nb3O10、LaNb2O7を作製し、図1に示したように、原子平坦性エピタキシャルSrRuO3基板上にLB法あるいは交互自己組織化積層技術により超格子構造を有する強誘電体薄膜を作製している。なお、本発明は以下の実施例によって限定されるものでないことは言うまでもない。本実施例においては、層状ペロブスカイト酸化物例えばKCa2Nb3O10、KLaNb2O7を出発原料としてペロブスカイトナノシートCa2Nb3O10、LaNb2O7を作製し、図1に示したように、下部電極基板である原子平坦性エピタキシャルSrRuO3基板1上に、LB法により前記ペロブスカイトナノシート2、2’からなる超格子構造を以下のように作製した。第1の層状ペロブスカイト酸化物KCa2Nb3O10は、炭酸カリウム、炭酸カルシウムおよび酸化ニオブを、K:Ca:Nb比にして1.1:2:3の割合に混合し、1473Kで12時間焼成して得られたものである。第2の層状ペロブスカイト酸化物KLaNb2O7は、炭酸カリウム、酸化ランタンおよび酸化ニオブを、K:La:Nb比にして1.1:1:2の割合に混合し、1173Kで1時間仮焼後、再度混合し、1423Kで24時間焼成して得られたものである。夫々の粉体5gずつを室温にて5規定の硝酸溶液200cm3中で酸処理を行ない、第1及び第2の水素交換型層状ペロブスカイト酸化物HCa2Nb3O1015H2O、HLaNb2O7025H2Oを得、次いで、夫々の水素交換型層状ペロブスカイト酸化物0.4gずつにテトラブチルアンモニウム水酸化物以下、TBAOHと記載する水溶液100cm3を加えて室温にて7日間撹拌、反応させて、組成式が夫々Ca2Nb3O10、LaNb2O7で表される厚さがそれぞれ約15nm、約11nm、横サイズ100nm~2μm、サイズ500nm~5μmの長方形状のナノシート2、2’が分散した2種類の乳白色状のゾル溶液を作製した。原子平坦性エピタキシャルSrRuO3からなる下部電極となる伝導性基板1をオゾン雰囲気で紫外線照射することで表面洗浄を行った。1dm3のメスフラスコに夫々のペロブスカイトナノシートゾル溶液8cm3を超純水中に分散させた。この分散溶液を半日~1日程度放置し、次いで、アセトンによりよく洗浄したLBトラフに分散溶液を展開後、水面の安定および下層液の温度が一定となるように30分間待った。その後、上記で準備した基板1をLB製膜装置にセットし、以下に示す一連の操作を2種類のペロブスカイトナノシートに対して順次行うことを1サイクルとし、このサイクルを繰り返して異種のペロブスカイトナノシートを交互に積層することで、強誘電体薄膜に好適な超格子構造が提供された。もちろん、最終回のサイクルを途中で打ち切るなどして、2種類のナノシートの積層枚数が互いに異なるようにすることもできる。これは他の実施例でも同様である。[1]圧縮速度05mm/分でバリヤを移動させて表面を圧縮することにより、気-水界面上に分散した一方の種類のペロブスカイトナノシートを寄せ集め、一定圧力になった後30分間静置する。このようにして、気-水界面にてペロブスカイトナノシートを並置一体化したモノレイヤー膜を形成する。[2]引き上げ速度08mm/分で基板1を垂直に引き上げて前記モノレイヤー膜を基板に付着させることで、一方の種類のペロブスカイトナノシートが緻密にパックされた薄膜を得る。こうして得られた超格子構造を有する薄膜に対し、キセノン光源を用いて紫外線照射1mW/cm2、72時間し、ペロブスカイトナノシートの光触媒反応を利用して、剥離剤として用いたTBAOHを分解、除去した薄膜を得た。図2は、このようにして作製した、Ca2Nb3O10とLaNb2O7とを交互に3層ずつ積層した超格子構造に対し、高分解能透過型電子顕微鏡観察により薄膜の断面構造を評価した結果である。基板上にナノシートが原子レベルで平行に累積した積層構造が確認されており、また各層の厚みは約16nm、約12nmで、これらが交互に3層ずつ積層した超格子構造を有していた。これより、ナノシート単層膜の緻密性、平滑性を維持して交互に積層した高品位超格子膜が実現していることが確認できた。また、赤外吸収測定の結果、Ca2Nb3O10とLaNb2O7との層間には、TBAOHの分解により生成したアンモニウムイオンNH4が配位し、Ca2Nb3O10とLaNb2O7とが柔らかくつながり、各構成原子が動きやすい構造を有していることを確認した。これにより、本発明の実施例は誘電体同士の接合界面を、イオン性物質を介して柔らかくつなぎ、誘電体内のイオンを動きやすくした超格子構造を有していることが実証された。図2においてさらに注目すべきは下部電極である基板1とペロブスカイトナノシート薄膜の間に、既往の強高誘電体薄膜において問題となっている、製造工程における熱アニールによる基板界面の劣化や組成ズレに付随する低誘電率層や界面層の形成が見られない点である。これは、本実施例のナノシート薄膜の製造工程が、基板界面劣化、組成ズレの影響のない、室温での溶液プロセスを利用していることによる画期的な効果である。図3は、このようにして作製した、Ca2Nb3O10とLaNb2O7とを交互に5層ずつ積層した超格子構造に対し、上部電極として金ドット電極を形成とした薄膜素子、すなわち強誘電体素子における残留分極特性を示したものである。残留分極特性は、ラジアントテクノロジー社製強誘電体テストシステムPrecisionPremierIIにより、室温で印加電界を1000kV/cmから1000kV/cmまで変化させた時における残留分極値を計測したものである。図3には、比較のため、Ca2Nb3O10、LaNb2O7をそれぞれ単体で10層積層した多層膜の結果を併せて示した。図3から明らかなように、Ca2Nb3O10、LaNb2O7を交互に5層ずつ積層した超格子構造でのみ、室温での強誘電性を示唆するヒステリシス特性が観測された。他方、Ca2Nb3O10、LaNb2O7をそれぞれ単体で10層積層した多層膜は、超格子構造で観測されたヒステリシス特性は見られなかった。表1は、Ca2Nb3O10、LaNb2O7を交互に3層、5層及び10層ずつ積層した超格子構造の薄膜素子強誘電体素子における残留分極値と比誘電率をまとめたものである。比誘電率はアジレントテクノロジー社製高精度LCRメーター4284Aにより周波数10kHzでの静電容量を計測し、比誘電率を算定した結果である。表1によれば、Ca2Nb3O10とLaNb2O7とを交互に積層した超格子構造からなる強誘電体薄膜の残留分極値は、84、14、28nmと極薄にもかかわらず、いずれも室温で安定した強誘電ヒステリシス特性を示し、残留分極値はそれぞれ9、11、12μC/cm2であった。また、前記超格子構造からなる強誘電体薄膜の比誘電率は、積層数によらず100以上という高い比誘電率を示した。以上より、50nm以下のナノスケールの膜厚にもかかわらず、室温で安定な強誘電特性と高誘電特性を同時に実現する強誘電体薄膜を作製することができた。本実施例においては、第1及び第2の層状ペロブスカイト酸化物KCa2Nb3O10、KLaNb2O7を出発原料に、第1及び第2のペロブスカイトナノシートCa2Nb3O10、LaNb2O7を作製し、図1に示したように、下部電極基板である原子平坦性エピタキシャルSrRuO3基板1上に、交互自己組織化積層技術によりこれら2種類のペロブスカイトナノシート2、2’からなる超格子構造を以下のように作製した。実施例1と同様の方法により、第1及び第2の層状ペロブスカイト酸化物KCa2Nb3O10、KLaNb2O7を単層剥離し、組成式が夫々Ca2Nb3O10、LaNb2O7で表される厚さが夫々約15nm、約11nm、横サイズ100nm~2μm、サイズ500nm~5μmの長方形状のナノシート2、2’が分散した乳白色状のゾル溶液を作製した。原子平坦性エピタキシャルSrRuO3からなる下部電極となる伝導性基板1をオゾン雰囲気で紫外線照射することで表面洗浄し、次いで、この基板を塩酸:メタノール=1:1の溶液に20分間浸漬した後、濃硫酸中に20分間浸漬することにより、親水化処理を行った。この基板1を以下に示す一連の操作を2種類のナノシート2、2’について順次行うことを1サイクルとし、このサイクルを必要回数分反復することで、所望の超格子構造を有する薄膜を作製した。例えば、図1の構造はこのサイクルを3回繰り返した結果を示す。[1]上記ポリカチオン溶液としてPEI溶液に20分間浸漬する[2]MilliQ純水で充分に洗浄する[3]撹拌した上記ナノシートゾル溶液の一方の中に浸漬する[4]20分経過後にMilliQ純水で充分に洗浄する[5]得られた薄膜をpH11のTBAOH水溶液中に浸漬しながら、超音波洗浄槽ブランソン製、42kHz、90Wにて20分間超音波処理する。こうして得られた超格子構造を有する薄膜に対し、キセノン光源を用いて紫外線照射1mW/cm2、72時間し、ペロブスカイトナノシートの光触媒反応を利用して、有機ポリマーが分解、除去された薄膜を得た。また、赤外吸収測定の結果、Ca2Nb3O10とLaNb2O7との層間には有機ポリマーの分解により生成したアンモニウムイオンNH4が配位し、Ca2Nb3O10とLaNb2O7とが柔らかくつながり、各構成原子が動きやすい構造を有していることを確認した。これにより、この実施例でも誘電体同士の接合界面を、イオン性物質を介して柔らかくつなぎ、誘電体内のイオンを動きやすくした超格子構造が実現されていることを実証できた。このように作製したCa2Nb3O10、LaNb2O7を交互に3層、5層積層した超格子構造の薄膜素子、つまり強誘電体素子に対し、実施例1と同様の手法、測定条件によって残留分極値と比誘電率の評価を行ったところ、表1と同じ結果を得た。すなわち、本実施例2では実施例1とは異なる素子作製手法で作製されたものであるが、誘電体同士の接合界面を、イオン性物質を介して柔らかくつなぎ、誘電体内のイオンを動きやすくした超格子構造という共通の構造を有し、また上述した共通の作用効果が得られる。この事実によっても、この共通の構造によりこの共通の作用効果が得られるという本発明のモデルの正当性が補強される。本実施例においては、第1及び第2の層状ペロブスカイト酸化物KCa2Nb3O10、KSr2Nb3O10を出発原料に、第1及び第2のペロブスカイトナノシートCa2Nb3O10、Sr2Nb3O10を作製し、図1に示したように、下部電極基板である原子平坦性エピタキシャルSrRuO3基板1上に、LB法によりペロブスカイトナノシート2、2’からなる超格子構造を以下のように作製した。第1及び第2の層状ペロブスカイト酸化物KCa2Nb3O10、KSr2Nb3O10は、炭酸カリウム、炭酸カルシウムあるいは炭酸ストロンチウム、および酸化ニオブをK:CaSr:Nb比にして1.1:2:3の割合に混合し、1473Kで12時間焼成して得られたものである。これらの粉体夫々5gを室温にて5規定の硝酸溶液200cm3中で酸処理を行ない、第1及び第2の水素交換型層状ペロブスカイト酸化物を得、次いで、これらの水素交換型層状ペロブスカイト酸化物夫々04gにテトラブチルアンモニウム水酸化物以下、TBAOHと記載する水溶液100cm3を加えて室温にて7日間撹拌、反応させて、夫々組成式Ca2Nb3O10、Sr2Nb3O10で表される厚さ1.5nm、横サイズ500nm~5μmの長方形状のナノシート2、2’が分散した乳白色状の第1及び第2のゾル溶液を作製した。原子平坦性エピタキシャルSrRuO3からなる下部電極となる伝導性基板1をオゾン雰囲気で紫外線照射することで表面洗浄を行った。第1及び第2のゾル溶液用に1dm3のメスフラスコを2つ用意し、各ペロブスカイトナノシートゾル溶液8cm3を超純水中に分散させた。これらの分散溶液を半日~1日程度放置し、次いで、アセトンによりよく洗浄したLBトラフに分散溶液を展開後、水面の安定および下層液の温度が一定となるのを目的に30分間待った。その後、上記で準備した基板1をLB製膜装置にセットし、以下に示す一連の操作を2種類の分散溶液に対して順次行うことを1サイクルとして、異種のペロブスカイトナノシートを交互に積層することで、強誘電体薄膜に好適な超格子構造が提供された。[1]圧縮速度05mm/分でバリヤを移動させて表面を圧縮することにより、気-水界面上に分散した一方のペロブスカイトナノシートを寄せ集め、一定圧力になった後30分間静置する。このようにして、気-水界面にてペロブスカイトナノシートを並置一体化したモノレイヤー膜を形成する。[2]引き上げ速度08mm/分で基板1を垂直に引き上げ、前記モノレイヤー膜が基板に付着し、一方のペロブスカイトナノシートが緻密にパックされた薄膜を得る。こうして得られた超格子構造を有する薄膜に対し、キセノン光源を用いて紫外線照射1mW/cm2、72時間し、ペロブスカイトナノシートの光触媒反応を利用して、剥離剤として用いたTBAOHを分解、除去した薄膜を得た。また、赤外吸収測定の結果、Ca2Nb3O10とSr2Nb3O10との層間には、TBAOHの分解により生成したアンモニウムイオンNH4が配位し、Ca2Nb3O10とSr2Nb3O10とが柔らかくつながり、各構成原子が動きやすい構造を有していることを確認した。これにより、本発明の誘電体同士の接合界面を、イオン性物質を介して柔らかくつなぎ、誘電体内のイオンを動きやすくした超格子構造がここでも実現できていることがわかった。表2は、このように作製したCa2Nb3O10とSr2Nb3O10とを交互に3層及び5層積層した超格子構造の薄膜素子、つまり強誘電体素子における残留分極値と比誘電率をまとめたものである。残留分極特性は、ラジアントテクノロジー社製強誘電体テストシステムPrecisionPremierIIにより、室温で印加電界を1000kV/cmから1000kV/cmまで変化させた時における残留分極値を計測したものである。比誘電率はアジレントテクノロジー社製高精度LCRメーター4284Aにより周波数10kHzでの静電容量を計測し、比誘電率を算定した結果である。表2によれば、Ca2Nb3O10とSr2Nb3O10とを交互に積層した超格子構造からなる強誘電体薄膜の残留分極値は、96、16nmと極薄にもかかわらず、室温で安定した強誘電ヒステリシス特性を示し、残留分極値は10、7μC/cm2であった。また、前記超格子構造からなる強誘電体薄膜の比誘電率は、積層数によらず200以上という高い比誘電率を示した。以上より、50nm以下のナノスケールの膜厚ながら、室温で安定な強誘電特性と高誘電特性を同時に実現する強誘電体薄膜を作製することができた。また、本実施例3では実施例1、2とは異なる非誘電体ナノシートの組み合わせにおいても強誘電特性が実現できたことから、本発明のモデルの正当性を更に確認することができた。本実施例においては、3種類の層状ペロブスカイト酸化物KLaNb2O7、KCa2Nb3O10、KSr2Nb3O10を出発原料に、3種類のペロブスカイトナノシートLaNb2O7、Ca2Nb3O10、Sr2Nb3O10を作製し、図1に示したように、下部電極基板である原子平坦性エピタキシャルSrRuO3基板1上に、LB法により前記ペロブスカイトナノシート2、2’、2’’からなる超格子構造を以下のように作製した。前記ペロブスカイトナノシート2、2’、2’’は、夫々層状ペロブスカイト酸化物KLaNb2O7、KCa2Nb3O10、KSr2Nb3O10を出発原料とし、上記実施例1から3と同じ方法にて作製した。原子平坦性エピタキシャルSrRuO3からなる下部電極として使用する伝導性基板1をオゾン雰囲気で紫外線照射することで表面洗浄を行った。3つの1dm3のメスフラスコ中で、夫々のペロブスカイトナノシートゾル溶液8cm3を超純水中に分散させた。この分散溶液を半日~1日程度放置し、次いで、アセトンによりよく洗浄したLBトラフに分散溶液を展開後、水面の安定および下層液の温度が一定となるように30分間待った。その後、上記で準備した基板1をLB製膜装置にセットし、以下に示す一連の操作を3種類のペロブスカイトナノシートに対して行うのを1サイクルとし、異種のペロブスカイトナノシートを交互に積層することで、強誘電体薄膜に好適な超格子構造が提供された。[1]圧縮速度05mm/分でバリヤを移動させて表面を圧縮することにより、気-水界面上に分散したペロブスカイトナノシートを寄せ集め、一定圧力になった後30分間静置する。このようにして、気-水界面にてペロブスカイトナノシートを並置一体化したモノレイヤー膜を形成する。[2]引き上げ速度08mm/分で基板1を垂直に引き上げ、前記モノレイヤー膜が基板に付着し、ペロブスカイトナノシートが緻密にパックされた薄膜を得る。こうして得られた超格子構造を有する薄膜に対し、キセノン光源を用いて紫外線照射1mW/cm2、72時間し、ペロブスカイトナノシートの光触媒反応を利用して、剥離剤として用いたTBAOHを分解、除去した薄膜を得た。また、赤外吸収測定の結果、LaNb2O7、Ca2Nb3O10、Sr2Nb3O10の層間には、TBAOHの分解により生成したアンモニウムイオンNH4が配位し、誘電体同士が柔らかくつながり、各構成原子が動きやすい構造を有していることを確認した。これにより、ここでも本発明の誘電体同士の接合界面を、イオン性物質を介して柔らかくつなぎ、誘電体内のイオンを動きやすくした超格子構造が実現されたことを実証できた。表3は、このように作製した2LaNb2O7、2’Ca2Nb3O10、2’’Sr2Nb3O10を、2→2’→2’’の順で3回繰り返して積層した超格子構造の薄膜素子強誘電体素子における残留分極値と比誘電率をまとめたものである。残留分極特性は、ラジアントテクノロジー社製強誘電体テストシステムPrecisionPremierIIにより、室温で印加電界を1000kV/cmから1000kV/cmまで変化させた時における残留分極値を計測したものである。比誘電率はアジレントテクノロジー社製高精度LCRメーター4284Aにより周波数10kHzでの静電容量を計測し、比誘電率を算定した結果である。表3によれば、LaNb2O7、Ca2Nb3O10、Sr2Nb3O10を交互に積層した超格子構造からなる強誘電体薄膜の残留分極値は、88nmと極薄にもかかわらず、室温で安定した強誘電ヒステリシス特性を示し、残留分極値は10μC/cm2であった。また、前記超格子構造からなる強誘電体薄膜の比誘電率は、積層数によらず120という高い比誘電率を示した。以上より、50nm以下のナノスケールの膜厚にもかかわらず、室温で安定な強誘電特性と高誘電特性を同時に実現する強誘電体薄膜を作製することができた。また、本実施例4では、実施例1から3とは異なり、3種類の誘電体ナノシートの組み合わせにおいても強誘電特性が実現できた。これより、本発明のモデルは誘電体ナノシートの種類が2種類よりも多い場合でも成立することが確認できた。以上、実施例1~4で示したように、本発明の超格子構造からなる薄膜を構成することにより、これまで強誘電体として使えなかった材料でも、その組み合わせにより強誘電体として変換することが可能となった。これにより、誘電体材料の応用領域とともに、強誘電体材料の選択の幅が大きく拡大した。本発明によれば、誘電体同士の接合界面を、イオン性物質を介して柔らかくつなぎ、誘電体内のイオンを動きやすくした超格子構造を形成することで、誘電体を強誘電体に変換することができる。上述した本発明の実施例においては、2種類以上の誘電体ペロブスカイトナノシートにより超格子構造を形成することで、本発明の効果が得られることを示した。しかし、異種材料間に分子を配した同様の構造は他のペロブスカイト構造酸化物でも形成可能であり、こうした構造においても同様の強誘電体効果が発現する。また、本実施例では、誘電体同士の接合界面を柔らかくつなぐイオン性物質としてアンモニウムイオンNH4を用いたが、同様の構造は、金属イオン、多原子イオン、錯イオン、クラスターイオンなどの他のイオン性物質においても形成可能であり、こうした構造においても同様の強誘電体効果を得ることができる。また、本発明の強誘電体薄膜は、10nmレベルの薄膜領域において、安定な強誘電特性を示すと共に、100以上の高い比誘電率を有する高誘電特性を有する。従って、本発明により、ナノ領域においても安定な強誘電特性と高い誘電率を同時に実現する、サイズ効果のない強誘電特性を得ることができるという画期的な効果が得られる。なお、多層膜化するに当たり、上部電極基板に対しても、上記実施例1から4の手法に基づき、強誘電体薄膜を付着させ、両者を併せて多層化することも本発明の範囲に含まれる。以上のようにして得られた強誘電体薄膜を不揮発性強誘電体メモリ等に適用することにより、既往の強誘電体薄膜が不可能であった膜厚10nmレベルまでの薄膜化が可能となり、小型であるとともに、極薄膜の特徴である低電圧動作による低消費電力のメモリ素子を得ることができる。さらに、メモリやトランジスタの高集積化において、たとえばトレンチ型やスタック型のような種々の形態で任意に設計できるという優れた効果も得られる。以上、原子平坦性エピタキシャルSrRuO3基板上に超格子構造からなる強誘電体薄膜を形成して不揮発性強誘電体メモリに適用する例によって本発明を説明してきたが、本発明に係る強誘電体薄膜は、単独で薄膜コンデンサとしても利用でき、また、トランジスタ用ゲート絶縁体、携帯電話用積層コンデンサ、高周波デバイス、アクチュエータなどに利用して、同様の優れた効果を奏することができる。本発明の実施例で利用したペロブスカイトナノシートは、室温での自己組織化などのソフト化学反応を利用することにより素子の作製が可能であるため、従来の半導体製造行程における熱アニールによる基板界面劣化、組成ズレなどの問題を回避可能で、かつ様々な材料との融合が可能である。さらに、本発明では、従来の半導体プロセスや誘電体薄膜プロセスの主流である、大型の真空装置や高価な成膜装置を必要としない、低コスト、低環境プロセスを実現することができる。また、本発明の強誘電体薄膜は、鉛などの毒性元素を含まない、環境に優しい材料であり、地球環境保護に貢献するエコロジカルな材料としても重要な役割を果たすことが期待される。以上、本発明の強誘電体薄膜を、強誘電体薄膜が基幹部品となっている不揮発性強誘電体メモリ、トランジスタ用ゲート絶縁体、携帯電話用積層コンデンサ、高周波デバイス、アクチュエータなどの電子材料、IT技術分野、ナノエレクトロニクスなどの技術分野に使用すれば極めて有用である。