"デジタル式印刷方法であって、基板の上に配置された正孔を注入するピクセルのアレイと、正孔を注入するピクセルのアレイの上に配置された電荷移動層とを備え、正孔を注入するピクセルのアレイのそれぞれのピクセルが電気的に隔離されており、個々にアドレス指定可能であるような、ナノサイズ対応の画像形成体を与えることと;前記電荷移動層の表面に負の表面電荷を作成することと;正孔を注入するピクセルのアレイの1つ以上のピクセルを選択的にアドレス指定し、選択的にアドレス指定された1つ以上のピクセルに対応する前記負の表面電荷の一部分を放電させることによって、潜像を作成することと;現像サブシステムおよびナノサイズ対応の画像形成体によって作られた現像爪に近い位置に、帯電したオフセットインクと、場合により帯電したフレキソインクとを含むインクを与えることと;現像爪で、与えられた前記インクを用いて前記潜像を静電的に現像し、ナノサイズ対応の画像形成体の電荷移動層上に、現像された画像を作成することと;このナノサイズ対応の画像形成体から媒体に前記現像された画像を転写することとを含む、デジタル式印刷方法。前記ナノサイズ対応の画像形成体が、それぞれの薄膜トランジスタが、正孔を注入するピクセルのアレイの1個のピクセルに接続するように、前記基板の上に配置された薄膜トランジスタのアレイをさらに備えている、請求項1に記載の方法。前記電荷移動層が、電気的に不活性なポリマーに分散した電荷を移動する低分子を含み、ここで、この電荷を移動する低分子が、ピラゾリン、ジアミン、ヒドラゾン、オキサジアゾール、スチルベン、アリールアミン、N,N’-ジフェニル-N,N’-ビスアルキルフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンアルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル、およびこれらの混合物からなる群から選択され;N,N’-ジフェニル-N,N’-ビスクロロフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミン;N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ジ-p-トリル-[p-ターフェニル]-4,4-ジアミン;N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ジ-m-トリル-[p-ターフェニル]-4,4-ジアミン;N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ジ-o-トリル-[p-ターフェニル]-4,4-ジアミン;N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ビス-4-イソプロピルフェニル-[p-ターフェニル]-4,4-ジアミン;N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ビス-2-エチル-6-メチルフェニル-[p-ターフェニル]-4,4-ジアミン;N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ビス-2,5-ジメチルフェニル-[p-ターフェニル]-4,4’-ジアミン;N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス3-クロロフェニル-[p-ターフェニル]-4,4-ジアミン;およびこれらの混合物からなる群から選択され、電気的に不活性なポリマーが、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスチレン、アクリレートポリマー、ビニルポリマー、セルロースポリマー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリシクロオレフィン、ポリスルホン、エポキシ、これらのランダムコポリマーまたは交互コポリマーからなる群から選択される、請求項1に記載の方法。前記帯電したオフセットインクが、帯電したUVオフセットインク、帯電した無水オフセットインク、または帯電した水系オフセットインクをさらに含み;場合により帯電したフレキソインクは、場合により帯電したUVフレキソインクをさらに含み;与えられた前記インクは、場合により帯電した炭化水素系液体インクをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記現像した画像を前記ナノサイズ対応の画像形成体から媒体に転写する工程が、与えられたインクがUV硬化性である場合、前記現像した画像を部分的にUV硬化させ、前記ナノサイズ対応の画像形成体の上に、部分的に硬化した、現像した画像を作成することと;前記部分的に硬化した、現像した画像を前記媒体に転写することと;前記部分的に硬化した、現像した画像を、前記媒体の上で硬化させることとをさらに含む、請求項1に記載の方法。デジタル印刷システムであって、基板の上に配置されている正孔を注入するピクセルのアレイと、正孔を注入するピクセルのアレイの上に配置されている電荷移動層とを備え、正孔を注入するピクセルのアレイのそれぞれのピクセルが電気的に隔離され、個々にアドレス指定可能であるような、静電潜像を作成するためのナノサイズ対応の画像形成体と;ナノサイズ対応の画像形成体の電荷移動層の表面を均一に帯電させ、電荷移動層に実質的に均一な負の表面電荷を作成するための第1の帯電サブシステムと;ナノサイズ対応の画像形成体に接続しており、前記負の表面電荷の一部分を放電し、前記ナノサイズ対応の画像形成体の上に潜像を作成するためのデジタル潜像作成サブシステムと;前記現像サブシステムおよび前記ナノサイズ対応の画像形成体によって作られた現像爪を通し、前記潜像を、帯電したオフセットインクと、場合により帯電したフレキソインクとを含むインクで現像させるための現像サブシステムと;前記現像した画像を前記ナノサイズ対応の画像形成体から媒体に転写するための転写固定サブシステムとを備える、デジタル印刷システム。前記正孔を注入するピクセルのアレイのそれぞれのピクセルが、1つ以上のナノサイズの炭素材料と共役ポリマーとを含み;前記ナノサイズの炭素材料が、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、グラフェンのうち1つ以上を含み;ここで、共役ポリマーが、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン、アルキル置換されたEDOT、フェニル置換された3,4-エチレンジオキシチオフェン、ジメチル置換されたポリプロピレンジオキシチオフェン、シアノビフェニル置換された3,4-エチレンジオキシチオフェン、テラデシル置換されたポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン、ジベンジル置換されたポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン、スルホネート置換されたポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン、デンドロン置換されたポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン-ポリスチレンスルホン酸の複合体、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項6に記載のシステム。前記ナノサイズ対応の画像形成体の電荷移動層が、約5μm~約45μmの範囲の厚みを有する、請求項6に記載のシステム。前記正孔を注入するピクセルのアレイのそれぞれのピクセルが、約10ohm/sq.~約5,000ohm/sq.の表面抵抗を有する、請求項6に記載のシステム。オフセット印刷/フレキソ印刷方法であって、基板の上に配置された正孔を注入するピクセルのアレイと、正孔を注入するピクセルのアレイの上に配置された電荷移動層とを備え、正孔を注入するピクセルのアレイのそれぞれのピクセルが、前記基板に配置されている薄膜トランジスタのアレイによって電気的に隔離されており、個々にアドレス指定可能であるような、ナノサイズ対応の画像形成体を与えることと;前記正孔を注入するピクセルのアレイの反対側の電荷移動層の表面に、負の表面電荷を作成することと;正孔を注入するピクセルのアレイの1つ以上のピクセルを選択的にアドレス指定し、前記電荷移動層と、選択的にアドレス指定されたそれぞれの1つ以上のピクセルとの界面に正孔を注入し、選択的にアドレス指定された1つ以上のピクセルに対応する負の表面電荷の一部分を放出させることによって、潜像を作成することと;場合により、現像サブシステムおよびナノサイズ対応の画像形成体によって作られた現像爪に近い位置に与えられたUV硬化性インクを帯電させ、場合により帯電したUV硬化性インクが、帯電したUV硬化性オフセットインクと、場合により帯電したUV硬化性フレキソインクとを含むことと;現像爪で、場合により帯電したUV硬化性インクを用いて潜像を静電的に現像し、ナノサイズ対応の画像形成体の上に、現像された画像を作成することと;前記現像した画像を部分的にUV硬化させ、前記ナノサイズ対応の画像形成体の上に、部分的に硬化した、現像した画像を作成することと;前記部分的に硬化した、現像した画像を前記媒体に転写することと;前記部分的に硬化した、現像した画像を、前記媒体の上で硬化することとを含む、オフセット印刷/フレキソ印刷方法。種々の実施形態によれば、本教示は、デジタル式の印刷方法を含む。デジタル式の印刷方法は、ナノサイズ対応の画像形成体を用いてもよく、この画像形成体は、基板に配置された、正孔を注入するピクセルのアレイと、正孔を注入するピクセルのアレイに配置され、各ピクセルが電気的に隔離されており、個々にアドレスを指定することが可能な電荷移動層とを備えている。例えば、正孔を注入するピクセルのアレイの1つ以上のピクセルを選択的にアドレス指定し、選択的にアドレス指定された1つ以上のピクセルに対応する負の表面電荷の一部分を放電させることによって、負の表面電荷が電荷移動層の表面に生成し、潜像を作成することができる。次いで、現像サブシステムおよびナノサイズ対応の画像形成体によって作られた現像爪に近い位置にインクを与えてもよい。与えられたインクは、帯電したオフセットインクと、場合により、帯電したフレキソインクとを含んでいてもよい。次いで、現像爪で、与えられたインクを用いて潜像を静電的に現像し、ナノサイズ対応の画像形成体の電荷移動層上に、現像された画像を作成し、次いで、このナノサイズ対応の画像形成体から媒体上に転写してもよい。図1は、本教示の種々の実施形態にかかる例示的なデジタル式のオフセット印刷システム100の一部分を模式的に示す。例示的なデジタル式のオフセット印刷システム100は、静電的な潜像を作成するためのナノサイズ対応の画像形成体102を備えていてもよい。ナノサイズ対応の画像形成体102は、方向101に回転することができる。ナノサイズ対応の画像形成体図2は、本教示の種々の実施形態にかかる例示的なナノサイズ対応の画像形成体102、202の一部分の断面図を模式的に示す。ナノサイズ対応の画像形成体102、202は、正孔を注入するピクセルのアレイ225のそれぞれのピクセル225が、電気的に隔離されており、個々にアドレス指定することが可能なような、基板210の上に配置された正孔を注入するピクセルのアレイ225を備えていてもよい。また、ナノサイズ対応の画像形成体102、202は、各薄膜トランジスタ255が、ピクセル225のアレイの1個のピクセル225と接続することができるように、基板210の上に配置されている薄膜トランジスタのアレイ250を備えていてもよい。ナノサイズ対応の画像形成体102、202は、さらに、正孔を注入するピクセルのアレイ225の上に配置されている電荷移動層240を備えていてもよく、電荷移動層240は、正孔を注入するピクセルのアレイ225とは反対側に配置されている表面241を備えていてもよい。電荷移動層240は、1つ以上のピクセル225を表面241に与えることによって、正孔を移動するような構成であってもよい。本明細書で使用される場合、用語正孔を注入するピクセルおよび正孔を注入するピクセルのアレイは、それぞれ、用語ピクセルおよびピクセルのアレイとほぼ同じ意味で用いられる。本明細書で使用される場合、句個々にアドレス指定可能なは、正孔を注入するピクセルのアレイのそれぞれのピクセルが特定可能であり、その付近または周囲にあるピクセルとは独立して特定され、操作されることが可能なことを意味する。例えば、図2を参照すると、各ピクセル225A、225Bまたは225Cは、その付近または周囲にあるピクセルとは独立して個々にオンまたはオフにすることができる。しかし、ある実施形態では、ピクセル225A~Cを個々にアドレス指定しているのにもかかわらず、ピクセル群例えば、2個以上のピクセル225A~Bが一緒に選択され、アドレス指定されてもよく、すなわち、ピクセル群225A~Bを、他のピクセル225Cまたは他のピクセル群示されていないとは独立して、一緒にオンまたはオフにすることができる。種々の実施形態では、アレイ220のそれぞれのピクセル225は、ナノサイズの炭素材料の層を含んでいてもよい。他の実施形態では、アレイ220のそれぞれのピクセル225は、有機共役ポリマーの層を含んでいてもよい。さらにいくつかの他の実施形態では、アレイ220のそれぞれのピクセル225は、ナノサイズの炭素材料および有機共役ポリマーの混合物例えば、1つ以上の有機共役ポリマーに分散したナノサイズの炭素材料を含むの層を含んでいてもよい。特定の実施形態では、1つ以上のナノサイズの炭素材料および/または有機共役ポリマーを含む層の表面抵抗は、約10ohm/sq.~約10,000ohm/sq.、または約10ohm/sq.~約5,000ohm/sq.、または約100ohm/sq.~約2,500ohm/sq.であってもよい。ナノサイズの炭素材料および有機共役ポリマーは、潜像を静電的に生成するための正孔注入材料として作用してもよい。ナノサイズの炭素材料および有機共役ポリマーを正孔注入材料として利用する利点のひとつは、これらを、例えば、フォトリソグラフィー、インクジェット印刷、スクリーン印刷、転写印刷などのような種々の加工技術でパターン化することができることである。ナノサイズの炭素材料を含む、正孔を注入するピクセル本明細書で使用される場合、句ナノサイズの炭素材料は、ナノサイズ例えば、約1000nm未満の少なくとも1つの寸法を有する炭素含有材料を指す。いくつかの実施形態では、ナノサイズの炭素材料としては、例えば、単層カーボンナノチューブSWNT、二層カーボンナノチューブDWNT、多層カーボンナノチューブMWNT;官能化されたカーボンナノチューブを含むナノチューブ;および/または、グラフェンおよび官能化されたグラフェンが挙げられ、ここで、グラフェンは、ハニカム結晶格子に密に充填された、sp2混成軌道で結合した炭素原子の単一平面状シートであり、厚みは、実際には、それぞれの原子が表面原子であるような1原子分の厚みである。カーボンナノチューブ例えば、精製後に合成したカーボンナノチューブのようなは、層の数、直径、長さ、キラリティ、および/または欠陥率に関して、構造的なカーボンナノチューブの混合物であってもよい。例えば、キラリティは、カーボンナノチューブが金属性であるか、または半導体性であるかを示す場合がある。金属性のカーボンナノチューブは、約33金属性であってもよい。カーボンナノチューブは、直径が、約0.1nm~約100nm、または約0.5nm~約50nm、または約1.0nm~約10nmの範囲であってもよく、長さが、約10nm~約5mm、または約200nm~約10μm、または約500nm~約1000nmの範囲であってもよい。特定の実施形態では、1つ以上のナノサイズの炭素材料を含む層に含まれるカーボンナノチューブの濃度は、約0.5重量~約99重量、または約50重量~約99重量、または約90重量~約99重量の範囲であってもよい。いくつかの実施形態では、カーボンナノチューブをバインダー材料と混合し、1つ以上のナノサイズの炭素材料の層を作成してもよい。バインダー材料は、当業者に既知の任意のバインダーポリマーを含んでいてもよい。種々の実施形態では、それぞれのピクセル225内のナノサイズの炭素材料の層は、溶媒を含むコーティング可能なカーボンナノチューブ層を含んでいてもよい。溶媒を含むコーティング可能なカーボンナノチューブ層を、カーボンナノチューブの水系分散物またはアルコール分散物からコーティングしてもよく、カーボンナノチューブは、界面活性剤、DNAまたはポリマー材料によって安定化されていてもよい。他の実施形態では、カーボンナノチューブの層としては、カーボンナノチューブコンポジットが挙げられ、限定されないが、カーボンナノチューブポリマーコンポジットおよび/またはカーボンナノチューブに充填された樹脂が挙げられる。いくつかの実施形態では、ナノサイズの炭素材料の層は、薄くてもよく、厚みが約1nm~約1μm、または約50nm~約500nm、または約5nm~約100nmの範囲であってもよい。有機共役ポリマーを含む、正孔を注入するピクセル種々の実施形態では、それぞれのピクセル225に含まれる有機共役ポリマーの層としては、任意の適切な材料、例えば、エチレンジオキシチオフェンEDOTまたはその誘導体に基づく共役ポリマーを挙げることができる。共役ポリマーとしては、限定されないが、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPEDOT、アルキル置換されたEDOT、フェニル置換されたEDOT、ジメチル置換されたポリプロピレンジオキシチオフェン、シアノビフェニル置換された3,4-エチレンジオキシチオフェンEDOT、テラデシル置換されたPEDOT、ジベンジル置換されたPEDOT、イオン基で置換されたPEDOT、例えば、スルホネート置換されたPEDOT、デンドロン置換されたPEDOT、例えば、デンドロン化ポリパラ-フェニレンなど、およびこれらの混合物が挙げられる。さらなる実施形態では、有機共役ポリマーは、PEDOTおよび、例えば、ポリスチレンスルホン酸PSSを含む複合体であってもよい。PEDOT-PSS複合体の分子構造は、以下のように示すことができる。例示的なPEDOT-PSS複合体は、テンプレートポリマーPSSが存在する状態で、EDOTの重合によって得ることができる。PEDOT-PSS複合体を含む層の導電性は、2個以上の極性基を有する化合物例えば、エチレングリコールなどをPEDOT-PSS水溶液に加えることによって、制御する例えば、高めることができる。このような添加剤は、PEDOT-PSS複合体のPEDOT鎖の配座変化を誘発することができる。また、PEDOTの導電性を、酸化工程中に調節することもできる。PEDOT-PSSの水系分散物は、H.C.Starck,Inc.ボストン、MAからBAYTRONP登録商標として市販されている。MylarにコーティングされたPEDOT-PSS膜は、OrgaconTM膜Agfa-GevaertGroup、モルツェル、ベルギーで市販されている。また、PEDOTは、例えば、水系媒体または非水系媒体から、電子が豊富なEDOT系モノマーの電気化学的酸化を用いて、化学重合によって得てもよい。PEDOTの電気化学的合成は、少量のモノマーを用いてもよく、重合時間を短くしてもよく、電極に支えられている膜および/または自立型の膜を得ることができる。種々の実施形態では、ピクセル225のアレイは、まず、ナノサイズの炭素材料および/または有機共役ポリマーの層を基板210の上に作成することによって作成されてもよい。任意の適切な方法例えば、浸漬コーティング、スプレーコーティング、スピンコーティング、ウェブコーティング、ドローダウンコーティング、フローコーティング、および/または押出ダイコーティングを用い、この層を作成してもよい。次いで、基板210の上のナノサイズの炭素材料および/または有機共役ポリマーを含む層を、パターン化するか、またはそれ以外の方法で処理し、ピクセル225のアレイを作成してもよい。適切なナノ加工技術限定されないが、フォトリソグラフィーによるエッチング、または直接的なパターン化を用い、ピクセル225のアレイを作成してもよい。例えば、この材料を、ナノインプリンティング、インクジェット印刷および/またはスクリーン印刷によって直接パターン化してもよい。結果として、アレイ220のそれぞれのピクセル225は、少なくとも1つの寸法例えば、長さまたは幅が、約100nm~約500μm、または約1μm~約250μm、または約5μm~約150μmの範囲であってもよい。限定されないが、マイラー、ポリイミドPI、可とう性ステンレス鋼、ポリエチレンナフタレートPEN、可とう性ガラスのような任意の適切な材料を基板210で用いてもよい。電荷移動層再び図2を参照すると、ナノサイズ対応の画像形成体202は、1つ以上のピクセル225を、ピクセル225のアレイとは反対側の表面241に提供することによって、正孔を移動するような構成の電荷移動層240を備えていてもよい。電荷移動層240は、表面電荷を選択的に散逸するために、電荷移動層240を通して正孔または電子を移動することができる材料を含んでいてもよい。特定の実施形態では、電荷移動層240は、電気的に不活性なポリマーに溶解しているか、分子として分散した、電荷を移動する低分子を含んでいてもよい。一実施形態では、電荷を移動する低分子を電気的に不活性なポリマーに溶解させ、ポリマーを含む均一な相を作成してもよい。別の実施形態では、電荷を移動する低分子を、分子スケールでポリマーに分子として分散させてもよい。任意の適切な電荷を移動する低分子、または電気的に活性な低分子を、電荷移動層240で用いてもよい。いくつかの実施形態では、電荷を移動する低分子は、電荷移動層とピクセル225との界面に生成した自由正孔を、電荷移動層240を通って表面241に移動させることができるようなモノマーを含んでいてもよい。例示的な電荷を移動する低分子としては、限定されないが、ピラゾリン、例えば、1-フェニル-3-4’-ジエチルアミノスチリル-5-4-ジエチルアミノフェニルピラゾリン;ジアミン、例えば、N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス3-メチルフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンTPD;他のアリールアミン、例えば、トリフェニルアミン、N,N,N’,N’-テトラ-p-トリル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンTM-TPD;ヒドラゾン、例えば、N-フェニル-N-メチル-3-9-エチルカルバジルヒドラゾン、4-ジエチルアミノベンズアルデヒド-1,2-ジフェニルヒドラゾン;オキサジアゾール、例えば、2,5-ビス4-N,N’-ジエチルアミノフェニル-1,2,4-オキサジアゾール;スチルベン;アリールアミンなどが挙げられる。例示的なアリールアミンは、以下の式/構造式中、Xは、アルキル、アルコキシ、アリール、およびその誘導体のような適切な炭化水素;ハロゲン、またはこれらの混合物であり、特に、ClおよびCH3からなる群から選択される置換基であるおよび以下の式を有する分子式中、X、Y、Zは、独立して、アルキル、アルコキシ、アリール、ハロゲン、またはこれらの混合物であり、YおよびZの少なくとも1つが存在するであってもよい。アルキルおよび/またはアルコキシ基は、例えば、1~約25個の炭素原子、または1~約18個の炭素原子、または1~約12個の炭素原子を含んでいてもよく、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル,および/またはこれらの対応するアルコキシドであってもよい。アリール基は、例えば、約6~約36個の炭素原子を含んでいてもよい例えば、フェニルなど。ハロゲンとしては、塩素、臭素、ヨウ素および/またはフッ素が挙げられる。また、種々の実施形態にしたがって、置換アルキル、置換アルコキシ、置換アリールを用いてもよい。電荷移動層240に使用可能な特定のアリールアミンの例としては、限定されないが、N,N’-ジフェニル-N,N’-ビスアルキルフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンアルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシルなどからなる群から選択され;N,N’-ジフェニル-N,N’-ビスハロフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンハロ置換基は、クロロ置換基である;N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ジ-p-トリル-[p-ターフェニル]-4,4-ジアミン、N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ジ-m-トリル-[p-ターフェニル]-4,4-ジアミン、N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ジ-o-トリル-[p-ターフェニル]-4,4-ジアミン、N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ビス-4-イソプロピルフェニル-[p-ターフェニル]-4,4-ジアミン、N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ビス-2-エチル-6-メチルフェニル-[p-ターフェニル]-4,4-ジアミン、N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ビス-2,5-ジメチルフェニル-[p-ターフェニル]-4,4’-ジアミン、N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス3-クロロフェニル-[p-ターフェニル]-4,4-ジアミンなどが挙げられる。任意の他の既知の電荷移動層分子を選択してもよい。上述のように、適切な電気的に活性な低分子の電荷移動分子または電荷移動化合物を、電気的に不活性なポリマー膜形成材料に溶解または分子的に分散させてもよい。所望な場合、電荷移動層240内の電荷移動材料としては、ポリマー系の電荷移動材料、または低分子電荷移動材料とポリマー系の電荷移動材料との組み合わせが挙げられる。限定されないが、ポリN-ビニルカルバゾール;ポリビニルピレン;ポリ-ビニルテトラフェン;ポリビニルテトラセンおよび/またはポリビニルペリレンのような任意の適切なポリマー系電荷移動材料を用いてもよい。任意の適切な電気的に不活性なポリマーを、電荷移動層240で用いてもよい。典型的な電気的に不活性なポリマーとしては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスチレン、アクリレートポリマー、ビニルポリマー、セルロースポリマー、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリシクロオレフィン、ポリスルホン、エポキシ、これらのランダムコポリマーまたは交互コポリマーが挙げられる。しかし、電荷移動層240で、任意の他の適切なポリマーを利用してもよい。種々の実施形態では、電荷移動層240は、横方向の電荷移動LCMの耐性を高めるための1つ以上の材料を場合により含んでいてもよく、この材料は、限定されないが、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、例えば、テトラキスメチレン3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシヒドロシンナメートメタンIRGANOX登録商標1010、CibaSpecialtyChemicalタリタウン、NYから入手可能、ブチル化ヒドロキシトルエンBHT、他のヒンダードフェノール系酸化防止剤SUMILIZERTMBHT-R、MDP-S、BBM-S、WX-R、NW、BP-76、BP-101、GA-80、GMおよびGSSumitomoChemicalAmerica、Inc.ニューヨーク、NYから入手可能、IRGANOX登録商標1035、1076、1098、1135、1141、1222、1330、1425WL、1520L、245、259、3114、3790、5057、565CibaSpecialtiesChemicalsタリタウン、NYから入手可能、ADEKASTABTMAO-20、AO-30、AO-40、AO-50、AO-60、AO-70、AO-80、AO-330AsahiDenkaCo.、Ltd.から入手可能;ヒンダードアミン酸化防止剤、例えば、SANOLTMLS-2626、LS-765、LS-770、LS-744SANKYOCO.、Ltd.から入手可能、TINUVIN登録商標144および622LDCibaSpecialtiesChemicalsタリタウン、NYから入手可能、MARKTMLA57、LA67、LA62、LA68、LA63AmfineChemicalCorporationアッパーサドルリバー、NJから入手可能、SUMILIZER登録商標TPSSumitomoChemicalAmerica、Inc.ニューヨーク、NYから入手可能;チオエーテル酸化防止剤、例えば、SUMILIZER登録商標TP-DSumitomoChemicalAmerica、Inc.ニューヨーク、NYから入手可能;ホスファイト酸化防止剤、例えば、MARKTM2112、PEP-8、PEP-24G、PEP-36、329K、HP-10AmfineChemicalCorporationアッパーサドルリバー、NJから入手可能;他の分子、例えば、ビス4-ジエチルアミノ-2-メチルフェニルフェニルメタンBDETPM、ビス-[2-メチル-4-N-2-ヒドロキシエチル-N-エチル-アミノフェニル]-フェニルメタンDHTPMなどが挙げられる。電荷移動層240は、電荷移動層合計の約0~約20重量、約1~約10重量、または約3~約8重量の量で酸化防止剤を含んでいてもよい。電気的に不活性なポリマーに分散した電荷移動分子または電荷移動化合物を含む電荷移動層240は、電荷移動層240に存在している静電電荷が、この層の上に静電潜像を作成し、この潜像が保存されることが防止され得るように導かれていない程度まで、絶縁体であってもよい。一方、電荷移動層240は、正孔を注入するピクセルのアレイ225のそれぞれのピクセル225内に1つ以上のナノサイズの炭素材料および有機共役ポリマーを含む層から正孔を注入することができ、これらの正孔が、電荷移動層240自体を通って、表面241上にある負の表面電荷を選択的に放電させることができるという点で、電気的に活性であってもよい。任意の適切な技術および従来の技術を利用し、ピクセル225のアレイの上に電荷移動層240を作成し、塗布してもよい。例えば、電荷移動層240は、1回のコーティング工程または複数回のコーティング工程で作成されてもよい。これらの応用技術としては、噴霧、浸漬コーティング、ロールコーティング、ワイヤ捲きロッドコーティング、インクジェットコーティング、リングコーティング、グラビア処理、ドラムコーティングなどが挙げられる。堆積したコーティングの乾燥は、例えば、オーブンによる乾燥、赤外線照射による乾燥、風乾などの任意の適切な従来の技術によって行うことができる。乾燥後の電荷移動層240は、厚みが、約1μm~約50μm、約5μm~約45μm、または約15μm~約40μmの範囲であってもよいが、この範囲から外れた厚みを有していてもよい。任意要素の接着層ある実施形態では、ナノサイズ対応の画像形成体202は、基板210と、ピクセル225のアレイのそれぞれのピクセル225との間に配置されている接着層271を場合により含んでいてもよい。任意要素の接着層に利用可能な例示的なポリエステル樹脂としては、ポリアリレートポリビニルブチラール、例えば、ユニチカ株式会社大阪、日本から入手可能なU-100;VITELPE-100、VITELPE-200、VITELPE-200D、VITELPE-222すべてBostikウォーワトサ、WIから入手可能;RohmHassフィラデルフィア、PAから入手可能なMOR-エステルTM49000-Pポリエステル;ポリビニルブチラールなどが挙げられる。任意要素の正孔遮蔽層また、ナノサイズ対応の画像形成体202は、ピクセル225内に1つ以上のナノサイズの炭素材料および/または有機共役ポリマーを含む層と、電荷移動層240との間に配置された正孔遮蔽層275を場合により含んでいてもよい。ある実施形態では、任意要素の接着層273は、電荷移動層240と正孔遮蔽層275との間、および/または正孔遮蔽層275と、1つ以上のナノサイズの炭素材料および有機共役ポリマーの層を含むピクセル225との間に配置されていてもよい。正孔遮蔽層275は、ポリマー、例えば、ポリビニルブチラール、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリウレタンなど;窒素を含有するシロキサン、または窒素を含有するチタン化合物、例えば、トリメトキシシリルプロピレンジアミン、加水分解したトリメトキシシリルプロピルエチレンジアミン、N-β-アミノエチルγ-アミノ-プロピルトリメトキシシラン、イソプロピル4-アミノベンゼンスルホニル、ジドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルジ4-アミノベンゾイルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリN-エチルアミノ-エチルアミノチタネート、イソプロピルトリアントラニルチタネート、イソプロピルトリN,N-ジメチルエチルアミノチタネート、チタニウム-4-アミノベンゼンスルホネートオキシアセテート、チタニウム4-アミノベンゾエートイソステアレートオキシアセテート、[H2NCH24]CH3SiOCH32、γ-アミノブチルメチルジエトキシシラン、[H2NCH23]CH3SiOCH32γ-アミノプロピルメチルジエトキシシランを含んでいてもよい。正孔遮蔽層275は、厚みが、約0.005μm~約0.5μm、または約0.01μm~約0.1μm、または約0.03μm~約0.06μmの範囲であってもよい。第1の帯電サブシステム再び図1を参照すると、例示的なデジタル式のオフセット印刷システム100は、ナノサイズ対応の画像形成体102の電荷移動層表面の表面を均一に帯電させるための第1の帯電サブシステム116を備えていてもよい図2の202および図3Aの302Aも参照。図3A~3Dは、本教示の種々の実施形態にかかるナノサイズ対応の画像形成体302A~Dの静電潜像を作成する例示的な方法を模式的に示す。例えば、図3Bに示されているように、実質的に均一な負の表面電荷360を、図3Aのナノサイズ対応の画像形成体302Aの表面341の上に作成してもよい。電場を与えることが可能な例示的なサブシステムとしては、コロトロン、スコロトロン、ディスコロトロン、バイアスチャージロール、バイアス転写ロールなどが挙げられる。デジタル潜像作成サブシステム図1に示されるように、例示的なデジタル式のオフセット印刷システム100は、ナノサイズ対応の画像形成体102の電荷移動層表面の表面に、潜像170を作成するための、ナノサイズ対応の画像形成体102に接続したデジタル潜像作成サブシステム109を備えていてもよい。種々の実施形態では、デジタル潜像作成サブシステム109は、アレイ220の1つ以上の薄膜トランジスタのアドレスを指定するような構成のプロセッサを備えていてもよい。図3Cは、ナノサイズ対応の画像形成体302C、静電潜像作成器の一部分を模式的に示し、ここで、ピクセル325Aにバイアスをかけ、ピクセル325Bはバイアスをかけないことによって、ピクセル325Aを選択的にアドレス指定することができる。結果として、ピクセル325Aに配置されている1つ以上のナノサイズの炭素材料および/または共役ポリマーは、正孔365を、ピクセル325Aと電荷移動層340との界面に注入することができる。図3Cに示されるように、電荷移動層340は、正孔365を表面341に移動させ、負の表面電荷360を中和して潜像370を作成することができる。図3Dは、1つ以上のピクセル325を選択的にアドレス指定し、選択的にアドレス指定された1つ以上のピクセル325に対応する電荷移動層340の表面341の上にある負の表面電荷360の一部分を放電させることによって作成された潜像370を含む、静電潜像作成器302Dの一部分を模式的に示す。現像サブシステム図1に示されるように、例示的なデジタル式のオフセット印刷システム100は、液体系インク105の容器と、場合により、第2の帯電器117とをさらに備えていてもよい。ある実施形態では、場合により配置されている第2の帯電器117は、現像サブシステム104の一部分であってもよい。他の実施形態では、第2の帯電器117は、別個のユニットであってもよい。場合により配置されている第2の帯電器117は、現像爪103の前に、インク105に電荷を加え、帯電したインク105’を作成するような構成であってもよく、その結果、潜像170または370を、現像爪103に通して現像し、現像した画像145を作成してもよい。例えば、フレキソインク、UVフレキソインク、オフセットインク、UVオフセットインク、水分を含まないオフセットインク、水系オフセットおよび/または炭化水素例えば、アイソパー系の液体インクのような、任意の適切な液体系インクを用いてもよい。また、例示的なオフセットインクとしては、限定されないが、UVivid820SeriesUVフレキソインク、UVivid850SeriesUVフレキソインク、UVivid800SeriesUVフレキソインクすべて、FUJIFILMNorthAmericaCorporationカンザスシティ、KSによって製造;TKTokaALPOGQMDI無水オフセットインク、BestOneMixingInk、UVBFInk、UVVNLInksすべて、SpectroPrintingInk,LLCラルストン、NEによって製造;MegamiInkManufacturer,Ltd.東京、日本によって製造される、Megacureシリーズ、MegacureMWSOシリーズ、MegacurePVシリーズ、MegacureHBシリーズUVオフセットインク;AtlanticPrintingInk,Ltd.タンパ、FLによって製造される、Royalcolor、NWUV-16-846、NWUV-16-848/849UVフレキソインク、NWS2-10-931水系フレキソインクが挙げられる。フレキソ系インクを例示的なフレキソ印刷で用いる特定の実施形態では、第2の帯電器117は、任意要素であってもよく、すなわち、システム100から外されてもよい。例えば、潜像170または370を、現像爪103を通し、帯電しているか、または帯電していないフレキソインクおよびUVフレキソインクで現像し、画像形成体102の上に、現像したフレキソ系画像を作成してもよい。部分硬化サブシステムある実施形態では、例示的なデジタル式印刷システム100は、UV硬化性インクを用いる場合には、場合により、現像した画像145を硬化させるためのUV硬化ユニット160a~bを備えていてもよい。UV硬化ユニット160a~bは、例えば、UVランプまたはUVLEDデバイスを備えていてもよい。例示的な実施形態では、UV硬化性インク145を参照を、転写固定プロセスの前にUV硬化ユニット160aで部分的に硬化させてもよく、転写固定プロセスの後に、第2の硬化ユニット160bを用いて最終的に硬化させてもよい。UV硬化性インクとしては、例えば、UVフレキソインクまたはUVオフセットインクが挙げられる。転写固定サブシステム種々の実施形態では、例示的なデジタル式のオフセット印刷システム100は、図1に示されるように、媒体106の上に、現像した画像145を転写し、固定するための転写固定サブシステム108を備えていてもよい。使用するインクに依存して、例えば、熱、圧力、および/またはUV照射によって、現像した画像を媒体106の上に固定することができる。ある実施形態では、現像サブシステム104は、部分的に硬化した、現像した画像145を硬化させるための最終的な硬化ユニットをさらに備えていてもよい。クリーニングサブシステムある実施形態では、デジタル式のオフセット印刷システム100は、転写固定プロセスの後で、次の印刷サイクルの前に、ナノサイズ対応の画像形成体102の上に残ったオフセットインクを洗浄するためのクリーニングサブシステム107をさらに備えていてもよい。ある実施形態では、クリーニングサブシステムは、対応するクリーニングブレードを備えていてもよい。このブレードは、ナノサイズ対応の画像形成体102を擦り、その下を通ろうとする任意の現像材料を擦り落とすことができる。他の実施形態では、クリーニングサブシステム107は、回転ブラシクリーナーを備えていてもよく、ナノサイズ対応の画像形成体102に対し、現像材料を除去し、研磨剤を用いないという点で、より効果的であろう。種々の実施形態によれば、媒体の上に画像をデジタル印刷するための方法400が存在する。この方法は、ナノサイズ対応の画像形成体例えば、図1~3に示されるような、ナノサイズ対応の画像形成体102、202、302を与える工程481を含んでいてもよい。ナノサイズ対応の画像形成体は、基板210の上に配置された、正孔を注入するピクセル225のアレイ220と、正孔を注入するピクセル225のアレイの上に配置された電荷移動層240とを備えていてもよく、このアレイのそれぞれのピクセル225は、電気的に隔離されており、個々にアドレス指定することができる。また、ナノサイズ対応の画像形成体は、それぞれの薄膜トランジスタ255が、ピクセル225のアレイの1個以上のピクセル225に接続することができるように、基板210とアレイ220の間に配置された、薄膜トランジスタのアレイ250を備えていてもよい。また、この方法400は、電荷移動層の表面に負の表面電荷を作成する工程482を含んでいてもよく、この表面は、正孔を注入するピクセルのアレイとは反対側に配置される。方法400は、図3A~3Dに示されるように、1つ以上の正孔を注入するピクセルを選択的または個々にアドレス指定し、選択的にアドレス指定された1つ以上のピクセルに対応する負の表面電荷の一部分を電荷移動層上に放電させることによって、電荷移動層の表面に潜像を作成する工程483をさらに含んでいてもよい。例えば、図3Cに示されるように、1つ以上のアドレス指定されたピクセル325は、1つ以上のピクセル325と電荷移動層340との界面で正孔を放出することができ、電荷移動層340は、さらに、この正孔をその表面341に移動させることができる。種々の実施形態では、1つ以上の正孔を注入するピクセルを選択的にアドレス指定する工程483は、1つ以上の正孔を注入するピクセルに、1つ以上の正孔を注入するピクセルと電荷移動層との界面で、正孔を放出することができるか、または正孔を注入することができないように、薄膜トランジスタによって電気的なバイアスをかけることを含んでもよい。また、方法400は、現像爪に近い位置にインクを与える工程484を含んでいてもよい。例示的なオフセットインクを用いる一実施形態では、オフセットインクを帯電させ、例えば、帯電器図1の117を参照によって、帯電したオフセットインクを作成することができる。例示的なフレキソインクを用いる別の実施形態では、フレキソインクの帯電は、任意であってよい。方法400は、現像爪で、帯電したオフセットインクまたは帯電していないフレキソインクを用いて潜像を静電的に現像し、ナノサイズ対応の画像形成体の電荷移動層上に、現像された画像を作成する工程485をさらに含んでいてもよい。さらに、媒体の上に画像をデジタル印刷する方法400は、媒体の上で現像した画像を転写固定する工程486をさらに含んでいてもよい。方法400は、印刷プロセスの後に、ナノサイズ対応の画像形成体102を洗浄する工程をさらに含んでいてもよい。この様式では、方法400は、静電潜像または表面電荷コントラストを作成し、この静電潜像または表面電荷コントラストを現像し、感光体、レーザラスタ出力スキャナROSまたはプレート現像を用いることなく、現像した画像を印刷することができる。感光体、レーザーROS、プレート現像がないと、印刷プロセスが単純になり、単位製造コストUMCおよびランニングコストも低くすることができる。いくつかの実施形態では、図4の方法について上に記載した工程を加えてもよく、省いてもよく、組み合わせてもよく、変更してもよく、または異なる順序で行ってもよい。いくつかの実施形態では、電荷極性は、陽電荷と負電荷が逆転してもよく、または正孔に関連する電荷と電子に関連する電荷とが逆転してもよい。例示的な実施形態では、例示的なカーボンナノチューブおよび/またはPEDOTを含むナノサイズ対応の画像形成体102を、ドラム構造内の活性なマトリックス骨格に組み込んでもよい。または、ナノサイズ対応の画像形成体102は、例えば、ポリイミド、ポリエチレンナフタレートPENまたはポリエチレンテレフタレートPETのような可とう性基板を用いたベルト形状であってもよい。まず、ナノサイズ対応の画像形成体102を、コロナデバイスによって負に帯電させてもよい。次いで、選択されたピクセルのバイアスに依存して、デジタル静電潜像を作成してもよく、さらに、帯電していないフレキソインクまたは帯電したフレキソインクによって、静電的に現像し、すでに正に帯電したオフセットインクを、別のコロナデバイスによって帯電させてもよい。インク画像を媒体の上に注入し、デジタル式のオフセット/フレキソ印刷を行ってもよい。場合により、UV硬化性インクを用いてもよい。転写固定する前に、UV硬化性インクを、UVランプまたはUVLEDデバイスで部分的に硬化させ、別のUV硬化デバイスを用いて最終的に硬化させてもよい。実施例1-カーボンナノチューブ膜および電荷移動層を含む二層画像形成体の調製まず、単層カーボンナノチューブCNT膜の層を、4種類のMylar基板それぞれに、Mylar基板上のそれぞれのCNT膜が、約100Ω/sq、約250Ω/sq、約1000Ω/sq、約2500Ω/sqの表面抵抗を有するように正孔注入層として堆積させることによって、4種類の二層画像形成体A、B、C、Dを作成した。次いで、テトラヒドロフランおよびトルエンの混合溶媒比率70:30中にN,N’-ジフェニル-N,N-ビス3-メチルフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンTPDおよびPCZ200ポリカーボネートを含有する、約14wt.固形分の溶液を、実験室用のドローダウンコーターによって、3~5milのドローバーを用いて上述の4種類のCNT膜Mylarの上にそれぞれコーティングし、厚みが約20μmの電荷移動層CTLを作成した。CTLの厚みは、コーティング溶液の固形分濃度およびドローバーの濡れたギャップによって制御した。得られた二層画像形成体A、B、C、Dを約30分間風乾した後、約100°Cで約2時間減圧乾燥した後、電気的に評価した。実施例2-PEDOTおよび電荷移動層を含む二層画像形成体の調製まず、PEDOT層を、3種類のMylar基板それぞれに、3種類のMylar基板上のそれぞれのPEDOT膜が、約350Ω/sq、約1500Ω/sq、約2500Ω/sqの表面抵抗を有するように堆積させることによって、3種類の二層画像形成体E、F、Gを作成した。約350Ω/sq.~約1500Ω/sq.の表面抵抗を有するPEDOT膜をAgfa-GevaertGroupモルツェル、ベルギーから得た。表面抵抗が約2500Ω/sqのPEDOT膜を、OrgaconfilmsLtd.から購入したPEDOTインクを用い、ウェブコーターを用いて内部をコーティングした。次いで、テトラヒドロフランおよびトルエンの混合溶媒比率70:30中にN,N’-ジフェニル-N,N-ビス3-メチルフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンTPDおよびPCZ200ポリカーボネートを含有する、約14wt.固形分の溶液を、実験室用のドローダウンコーターによって、3~5milのドローバーを用いて上述の3種類のPEDOT膜Mylarの上にそれぞれコーティングし、厚みが約20μmの電荷移動層CTLを作成した。CTLの厚みは、コーティング溶液の固形分濃度およびドローバーの濡れたギャップによって制御した。得られた二層画像形成体E、F、Gを約30分間風乾した後、約100°Cで約2時間減圧乾燥した後、電気的に評価した。実施例3-二層画像形成体の充電-放電特性図5に模式的に示されているように、実施例1および実施例2の二層画像形成体の充電-放電特性を、社内の静電スキャナ500を用いて評価した。電気的に接触させるために、それぞれの二層画像形成体502のCTL層の上で、金のドット592を蒸発させた。高電圧電源によってそれぞれの二層画像形成体502を帯電させ、静電電圧計ESVを用いて表面電位をモニタリングした。高電圧電源およびESVは、Trek610B型コロトロール電源およびTrek368A型高速静電電圧計を含む静電スキャナの部品であり、両方ともTREK,Inc.ニューヨークから得た。モーションレススキャナをXerox内部で構築した。二層画像形成体は、測定中は静電状態であったため、表面の帯電および表面電位のモニタリングは、静電スキャナの中の電気回路によって電気的に制御されていた。典型的には、帯電とモニタリングとの間に約0.1sの遅れがあった。図6Aは、実施例1のCNT二層画像形成体の充填-放電曲線を示し、一方、図6Bは、CNT膜をTi/Zr金属層と置き換えたコントロール二層画像形成体の充填-放電曲線を示す。図6Aに示されるように、CNT二層画像形成体を容量充電する。コントロールとは異なり、CNT二層画像形成体は、二層画像形成体に電場が確立されるとすぐに、迅速に放電した。CNT二層画像形成体の初期放電速度dV/dtは、カーボンナノチューブ膜の表面抵抗に敏感であることがわかった。PEDOT二層画像形成体は、同様に充電し、放電することがわかった。結果を表1にまとめている。"