"長尺で線状の開口部と、前記開口部の長手方向と平行な向きに長尺な形状をもち、かつ、前記開口部と連通し、かつ、誘電体部材で囲まれた長尺チャンバと、前記長尺チャンバ内にガスを導入するためのガス供給配管と、前記開口部の長手方向と平行な向きに長尺な形状をもつコイルと、前記コイルに接続された高周波電源と、基材載置台と、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備えた装置において、前記誘電体部材と、前記誘電体部材よりも外側に配置されたカバーによって囲まれた空間が、冷媒流路を構成し、かつ、前記誘電体部材と前記カバーとが支柱によって接続されていること、を特徴とするプラズマ処理装置。前記コイルは、全体として一つのスパイラル形状のスパイラルコイルをなす、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記スパイラルコイルは、平面状である、請求項2記載のプラズマ処理装置。前記チャンバの前記スパイラルコイルに近い側の内壁面は、前記スパイラルコイルがなす平面と平行な平面である、請求項3記載のプラズマ処理装置。前記チャンバは、少なくとも片方が溝を備えた2枚の誘電体板に挟まれた空間として構成されている、請求項2記載のプラズマ処理装置。前記チャンバの外形は、前記スパイラルコイルの外形よりも大きい、請求項2記載のプラズマ処理装置。前記チャンバの深さ=前記チャンバの、前記スパイラルコイルから前記チャンバへの方向の長さと定義するとき、前記チャンバの深さが0.5mm以上7mm以下である、請求項2記載のプラズマ処理装置。前記チャンバの深さ=前記チャンバの、前記スパイラルコイルから前記チャンバへの方向の長さと定義するとき、前記チャンバの深さが1mm以上5mm以下である、請求項2記載のプラズマ処理装置。前記開口部は、前記チャンバにおいて、前記スパイラルコイルとは反対側に設けられている、請求項2記載のプラズマ処理装置。前記開口部から前記チャンバへの向きと、前記スパイラルコイルから前記チャンバへの向きが、互いに垂直である、請求項2記載のプラズマ処理装置。前記コイルは、前記チャンバを取り囲むように配置されており、かつ、全体として一つのソレノイド状をなす、請求項1記載のプラズマ処理装置。誘電体部材で囲まれた長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、前記チャンバに形成されたスリット状の開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、前記チャンバの長手方向と平行な向きに長尺な形状をもつコイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させるプラズマ処理方法であって、互いに支柱によって接続された、前記誘電体部材と、前記誘電体部材よりも外側に配置されたカバーによって囲まれた空間に冷媒を流しつつ、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに前記チャンバと前記基材とを相対的に移動しながら前記基材の表面を処理すること、を特徴とするプラズマ処理方法。しかしながら、半導体の結晶化など、ごく短時間だけ基材の表面近傍を高温処理する用途に対して、従来の熱プラズマを大面積に発生させる技術は有効ではなかった。従来例に示した特許文献2に記載の、熱プラズマを大面積に発生させる技術においては、広幅化はされるものの、広幅化された領域における温度分布は100°C以上となっており、均一な熱処理の実現は不可能である。また、従来例に示した特許文献3、4に記載の、熱プラズマを大面積に発生させる技術においては、本質的には熱プラズマを揺動させるものであるから、実質的に熱処理されている時間は、回転させずに走査した場合と比べて短くなるので、大面積を処理する時間が特段短くなるものではない。また、均一処理のためには回転速度を走査速度に比べて十分に大きくする必要があり、ノズルの構成が複雑化することは避けられない。また、従来例に示した特許文献5に記載の技術は溶接技術であり、大面積を均一に処理するための構成ではない。仮にこれを大面積処理用途に適用しようとしても、この構成においては点状のアークが帯状電極に沿って振動するので、時間平均すると均一にプラズマが発生するものの、瞬間的には不均一なプラズマが生じている。したがって、大面積の均一処理には適用できない。また、従来例に示した特許文献6に記載の技術は、非特許文献1や特許文献1に開示されているDCアーク放電を用いたものと異なり、誘導結合型の高周波プラズマトーチであることが特徴である。無電極放電であることから、熱プラズマの安定性に優れ時間変化が小さい、電極材料の基材への混入コンタミネーションが少ないという利点がある。さて、誘導結合型プラズマトーチにおいては、高温プラズマから絶縁体材料を保護するために、絶縁体材料を二重管構成としてその間に冷媒を流す方法が一般的に採用されている。しかしながら、従来例に示した特許文献6に記載の技術においては、絶縁体材料が扁平な直方体状をなしていることから、これを単純に二重管構成としただけでは、十分な流量の冷媒を流すことができない。なぜなら、絶縁体材料は一般に金属に比べて機械的強度に劣るため、絶縁体材料を長尺方向に余りに長くすると、二重管の内圧を高くできなくなるからである。このため、大面積を均一に処理するのに限界がある。なお、点状の熱プラズマであっても、その直径が大きければ大面積処理の際の走査回数を減らせるため、用途によっては短時間で処理できる。しかし、熱プラズマの直径が大きいと、走査時に熱プラズマが基材上を通過する時間が実質的に長くなるため、ごく短時間だけ基材の表面近傍のみを高温処理することはできず、基材のかなり深い領域までが高温になり、例えばガラス基板の割れや膜剥がれなどの不具合を生じることがある。また、従来例に示した特許文献9に記載の技術では、先に述べた誘導結合型の高周波プラズマトーチと比較して、熱プラズマの安定性に劣り時間変化が大きい、電極材料の基材への混入コンタミネーションが多いという欠点がある。本発明はこのような課題に鑑みなされたもので、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。本願の第1発明のプラズマ処理装置は、長尺で線状の開口部と、前記開口部の長手方向と平行な向きに長尺な形状をもち、かつ、前記開口部と連通し、かつ、誘電体部材で囲まれた長尺チャンバと、前記チャンバ内にガスを導入するためのガス供給配管と、前記開口部の長手方向と平行な向きに長尺な形状をもつコイルと、前記コイルに接続された高周波電源と、基材載置台と、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備えた装置において、前記誘電体部材と、前記誘電体部材よりも外側に配置されたカバーによって囲まれた空間が、冷媒流路を構成し、かつ、前記誘電体部材と前記カバーとが支柱によって接続されていることを特徴とする。このような構成により、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができる。本願の第1発明のプラズマ処理装置において、好適には、前記コイルが、全体として一つのスパイラル形状をなすことが望ましい。このような構成により、簡単な構成でプラズマ処理装置を実現できる。また、この場合、好適には、前記スパイラルコイルが、平面状であることが望ましい。このような構成により、より簡単な構成でプラズマ処理装置を実現できる。また、好適には、前記チャンバの前記スパイラルコイルに近い側の内壁面が、前記スパイラルコイルがなす平面と平行な平面であることが望ましい。このような構成により、プラズマ発生効率の良いプラズマ処理装置を実現できる。また、好適には、前記チャンバが、少なくとも片方が溝を備えた2枚の誘電体板に挟まれた空間として構成されていることが望ましい。このような構成により、簡単な構成でプラズマ処理装置を実現できる。また、好適には、前記チャンバの外形が、前記スパイラルコイルの外形よりも大きいことが望ましい。このような構成により、プラズマ発生効率の良いプラズマ処理装置を実現できる。また、好適には、前記チャンバの深さ=前記チャンバの、前記スパイラルコイルから前記チャンバへの方向の長さと定義するとき、前記チャンバの深さが0.5mm以上7mm以下であることが望ましい。さらに好適には、前記チャンバの深さが1mm以上5mm以下であることが望ましい。このような構成により、プラズマ発生効率の良いプラズマ処理装置を実現できる。また、前記開口部が、前記チャンバにおいて、前記スパイラルコイルとは反対側に設けられていてもよいし、前記開口部から前記チャンバへの向きと、前記スパイラルコイルから前記チャンバへの向きが、互いに垂直であってもよい。あるいは、前記コイルが、前記チャンバを取り囲むように配置されており、かつ、全体として一つのソレノイド状をなす構成であってもよい。このような構成により、簡単な構成でプラズマ処理装置を実現できる。本願の第2発明のプラズマ処理方法は、誘電体部材で囲まれた長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、前記チャンバに形成されたスリット状の開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、前記チャンバの長手方向と平行な向きに長尺な形状をもつコイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させるプラズマ処理方法であって、互いに支柱によって接続された、前記誘電体部材と、前記誘電体部材よりも外側に配置されたカバーによって囲まれた空間に冷媒を流しつつ、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに前記チャンバと前記基材とを相対的に移動しながら前記基材の表面を処理することを特徴とする。このような構成により、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができる。本発明によれば、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができる。以下、本発明の実施の形態におけるプラズマ処理装置について図面を用いて説明する。実施の形態1以下、本発明の実施の形態1について、図1及び図2を参照して説明する。図1aは、本発明の実施の形態1におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図である。図1bは、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に平行で、かつ、基材に垂直な面で切った断面図である。図1bは図1aの破線で切った断面図、図1aは図1bの破線で切った断面図である。また、図2は、図1に示した誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図であり、各部品一部の斜視図を並べたものである。図1及び図2において、基材載置台1上に基材2が載置されている。誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、導体製の平面状のスパイラルコイル3が第一石英板4及び第二石英板5の近傍に配置される。誘電体製の長尺チャンバは、第二石英板5、第三石英板6によって囲まれた空間長尺チャンバ内部の空間7により画定される。長尺チャンバのスパイラルコイル3に近い側の内壁面は、スパイラルコイル3がなす平面と平行な平面である。このような構成では、スパイラルコイル3の任意の部位において、スパイラルコイル3から長尺チャンバまでの距離が等しくなるので、小さい高周波電力で誘導結合性プラズマの発生が可能となり、効率の良いプラズマ生成が実現できる。また、長尺チャンバの外形は、スパイラルコイル3の外形よりも大きく構成される。このような構成も、スパイラルコイル3の任意の部位において、スパイラルコイル3から長尺チャンバまでの距離が等しくなることに繋がるので、プラズマ発生効率の良いプラズマ処理装置を実現できる。誘導結合型プラズマトーチユニットTは、全体が接地された導体製のシールド部材図示しないで囲われ、高周波の漏洩ノイズが効果的に防止できるとともに、好ましくない異常放電などを効果的に防止できる。長尺チャンバ内部の空間7は、第二石英板5の片面をなす平面と、第三石英板6に設けられた凹部溝に囲まれている。つまり、長尺チャンバ全体が誘電体で囲まれている構成である。長尺チャンバ内部の空間7に発生したプラズマは、長尺チャンバにおけるスリット状の開口部としてのプラズマ噴出口8より基材2に向けて噴出する。また、長尺チャンバの長手方向とプラズマ噴出口8の長手方向とは平行に配置されている。また、プラズマ噴出口8は、長尺チャンバにおいて、スパイラルコイル3とは反対側に設けられている。第二石英板5に設けられた凹部溝と、第一石英板4の片面をなす平面長尺チャンバに向かう面に囲まれたプラズマガスマニホールド9が設けられている。プラズマガス供給配管10よりプラズマガスマニホールド9に供給されたガスは、第二石英板5に設けられた長尺のガス導入部としてのプラズマガス供給穴11貫通穴を介して、長尺チャンバ内部の空間7に導入される。このような構成により、長手方向に均一なガス流れを簡単に実現できる。プラズマガス供給配管10へ導入するガスの流量は、その上流にマスフローコントローラなどの流量制御装置を備えることにより制御される。プラズマガス供給穴11は、長尺のスリットであるが、丸い穴状のものを長手方向に複数設けてもよい。スパイラルコイル3の中心軸は、長尺チャンバの長手方向、及び、プラズマ噴出口8の長手方向と平行に配置されている。また、スパイラルコイル3の長手方向に平行でスパイラルコイル3の中心を通る直線図2の点線Aと、長尺チャンバの長手方向に平行で長尺チャンバの中心を通る直線図2の点線Bと、プラズマガス供給穴11の長手方向に平行でプラズマガス供給穴11の中心を通る直線図2の点線Cと、プラズマ噴出口8の長手方向に平行でプラズマ噴出口8の中心を通る直線図2の点線Dが、互いに平行、かつ同一平面上に配置されている。このような構成により、均一なプラズマを得つつ、プラズマを発生させる部分の体積を最小にできるので、プラズマ発生効率の良いプラズマ処理装置を実現できる。また、基材載置台1に近い部分に、シールドガス供給口としてのシールドガスノズル13が配置され、その内部にはシールドガスマニホールド14が設けられる。このように、2系統のガス導入が準備されており、プラズマ生成に適したプラズマガスとは別にシールドガスを供給して、大気中の酸素、二酸化炭素など、処理に不要、あるいは悪影響を及ぼすガスのプラズマ照射面への混入を低減することが可能となる。なお、シールドガス供給口は、プラズマ噴出口8の長尺方向と平行な向きに長尺な形状をもつスリットであってもよいし、あるいは、プラズマ噴出口8の長尺方向と平行な向きに並んだ多数の穴であってもよい。スパイラルコイル3は冷媒流路15内に設けられ、冷媒流路15は、冷媒ケース16と第一石英板4、第二石英板5によって囲まれた空間からなる。また、冷媒ケース17と第三石英板6によって囲まれた空間も冷媒流路15となっている。第二石英板5、第三石英板6の冷媒流路15の内壁面をなす面に、複数のタップ18が接合されている。タップ18は誘電体製で、石英、セラミックス、樹脂などから選定される。接合は、溶接法によるものの他、各種接着剤を用いて行うことが可能である。タップ18には、冷媒ケース16、17に設けられた貫通穴を介して、誘電体製のボルト19がねじ込まれている。ボルト19の頭部と冷媒ケース16、17の間にはオーリングが設けられている。つまり、誘電体部材としての第二石英板5及び第三石英板6と、これらよりも外側に配置されたカバーとしての冷媒ケース16によって囲まれた空間が、冷媒流路を構成し、かつ、第二石英板5及び第三石英板6と冷媒ケース16とが、支柱としてのタップ18及びボルト19によって接続されている構成である。また、スパイラルコイル3の高周波電力供給部及び接地部に、2つのタップ20が設けられている。タップ20は導体製で、銅、真鍮などから選定される。タップ20には、冷媒ケース16に設けられた貫通穴を介して、導体製のボルト21がねじ込まれている。ボルト21の頭部と冷媒ケース16の間にはオーリングが設けられている。ボルト21と冷媒ケース16の間に、図示しない銅板などが挟みこまれ、高周波系の配線がなされる。冷媒ケース16、17に設けられた冷媒配管23を介して、冷媒流路15内に冷媒、例えば冷却水が導入され、排出される。なお、冷媒ケース16と第二石英板5、冷媒ケース17と第三石英板6のあたり面にも、図示しないオーリングが設けられている。このように、スパイラルコイル3の周囲、及び、長尺チャンバを構成する部材である第二石英板5、第三石英板6の周囲に、冷媒としての冷却水が流れ、スパイラルコイル3、第二石英板5、第三石英板6の冷却が実現される。また、タップ18にボルト19をねじ込む構造とすることにより、大量の冷媒を流して冷媒流路15内部の内圧水圧が高くなった場合においても、第二石英板5、第三石英板6の変形が起きにくい。つまり、本実施の形態においては、従来例に示した特許文献6に記載の技術において二重管構成として水冷した場合に比べて、はるかに大量の冷媒を流すことができ、効果的な冷却が可能である。剛性をさらに高めるために、冷媒ケース16、17の材料や厚さを工夫することも可能である。長方形のスリット状のプラズマ噴出口8が設けられ、基材載置台1或いは、基材載置台1上の基材2は、プラズマ噴出口8と対向して配置されている。この状態で、長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、プラズマ噴出口8から基材2に向けてガスを噴出させながら、図示していない高周波電源よりスパイラルコイル3に高周波電力を供給することにより、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、プラズマ噴出口8からプラズマを基材2に照射することにより、基材2上の薄膜22をプラズマ処理することができる。プラズマ噴出口8の長手方向に対して垂直な向きに、長尺チャンバと基材載置台1とを相対的に移動させることで、基材2を処理する。つまり、図1aの左右方向へ、図1bの紙面に垂直な方向へ、誘導結合型プラズマトーチユニットTまたは基材載置台1を動かす。長尺チャンバ内に供給するガスとして種々のものが使用可能だが、プラズマの安定性、着火性、プラズマに暴露される部材の寿命などを考えると、不活性ガス主体であることが望ましい。なかでも、Arガスが典型的に用いられる。Arのみでプラズマを生成させた場合、プラズマは相当高温となる10,000K以上。なお、本構成においては、プラズマ噴出口8の長手方向の長さが、基材2の幅以上となっているので、一度の走査誘導結合型プラズマトーチユニットTと基材載置台1とを相対的に移動することで基材2の表面近傍の薄膜22の全体を処理することができる。このようなプラズマ処理装置において、長尺チャンバ内にガス噴出口よりArまたはArH2ガスを供給しつつ、プラズマ噴出口8から基材2に向けてガスを噴出させながら、図示していない高周波電源より13.56MHzの高周波電力を、スパイラルコイル3に供給することにより、長尺チャンバ内部の空間7に高周波電磁界を発生させることでプラズマを発生させ、プラズマ噴出口8からプラズマを基材2に照射するとともに走査することで、半導体膜の結晶化などの熱処理を行うことができる。プラズマ発生の条件としては、プラズマ噴出口8と基材2間の距離=3~50mm、走査速度=50~3000mm/s、プラズマガス総流量=1~100SLM、ArH2ガス中のH2濃度=0~10、シールドガスN2流量=1~100SLM、高周波電力=0.5~10kW程度の値が適切である。ただし、これらの諸量のうち、ガス流量及び電力は、プラズマ噴出口8の長さ100mm当たりの値である。ガス流量や電力などのパラメータは、プラズマ噴出口8の長さに比例した量を投入することが適切と考えられるためである。このように、プラズマ噴出口8の長手方向と、基材載置台1とが平行に配置されたまま、プラズマ噴出口8の長手方向とは垂直な向きに、長尺チャンバと基材載置台1とを相対的に移動するので、生成すべきプラズマの長さと、基材2の処理長さがほぼ等しくなるように構成することが可能となる。また、長尺チャンバをその中心軸に垂直な面で切った断面の幅図1aにおける、長尺チャンバ内部の空間7の幅は、プラズマ噴出口8の幅図1aにおける隙間の幅よりも少し大きい程度でよい。つまり、生成すべきプラズマの体積を、従来と比較して極めて小さくすることができる。その結果、電力効率が飛躍的に高まる。なお、長尺チャンバ内部の空間7の深さを、=長尺チャンバの、スパイラルコイル3から長尺チャンバへの方向の長さと定義すると、長尺チャンバ内部の空間7の深さは図1aのdに相当する。長尺チャンバ内部の空間7の長さ長手方向の大きさを95mmとして深さdを変化させて大気圧にて実験したところ、深さdが1mm以上5mm以下のときに、高周波電力10kW以下でArガスによる熱プラズマの発生に成功した。高周波電力をさらに上げれば、深さdが0.5mm以上7mm以下でも熱プラズマが発生するものと考えられるが、この範囲から外れれば、大気圧での誘導結合性プラズマ処理が困難である。この実験結果から、深さdは0.5mm以上7mm以下であることが望ましく、さらに好適には、深さdは1mm以上5mm以下であることが望ましいといえる。このことは、長尺チャンバ内部の空間7の体積が小さくてよいということをも示しており、従来例に比較して高い電力効率が得られるものと考えられる。実施の形態2以下、本発明の実施の形態2について、図3及び図4を参照して説明する。図3aは、本発明の実施の形態2におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図である。図3bは、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に平行で、かつ、基材に垂直な面で切った断面図である。図3bは図3aの破線で切った断面図、図3aは図3bの破線で切った断面図である。また、図4は、図3に示した誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図であり、各部品一部の斜視図を並べたものである。図3及び図4において、基材載置台1上に基材2が載置されている。誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、誘電体製の長尺チャンバは、蓋24の下方に設けられた石英板25、筒状の石英管28、筒状で片方の開口部の幅が狭くなっている石英ノズル29によって囲まれた空間長尺チャンバ内部の空間7により画定される。石英管28の下面と、石英ノズル29の上面は環状に隙間無く接合されている。導体製の螺旋状のソレノイドコイル27が、長尺チャンバを取り囲むように、石英管28の周囲に配置される。長尺チャンバのソレノイドコイル27に近い側の内壁面は、ソレノイドコイル27が全体として構成する筒状の形状と平行な面を構成している。このような構成では、ソレノイドコイル27の任意の部位において、ソレノイドコイル27から長尺チャンバまでの距離が等しくなるので、小さい高周波電力で誘導結合性プラズマの発生が可能となり、効率の良いプラズマ生成が実現できる。誘導結合型プラズマトーチユニットTは、全体が接地された導体製のシールド部材図示しないで囲われ、高周波の漏洩ノイズが効果的に防止できるとともに、好ましくない異常放電などを効果的に防止できる。長尺チャンバ内部の空間7は、石英板25、石英管28、石英ノズル29に囲まれている。つまり、長尺チャンバ全体が誘電体で囲まれている構成である。長尺チャンバ内部の空間7に発生したプラズマは、長尺チャンバにおけるスリット状の開口部石英ノズル29の下方に設けられた、幅が狭い方の開口部としてのプラズマ噴出口8より基材2に向けて噴出する。また、長尺チャンバの長手方向とプラズマ噴出口8の長手方向とは平行に配置されている。蓋24に設けられた凹部溝と、石英板25の片面をなす平面長尺チャンバと反対側の面に囲まれたプラズマガスマニホールド9が設けられている。プラズマガス供給配管10よりプラズマガスマニホールド9に供給されたガスは、石英板25に設けられた長尺のガス導入部としてのプラズマガス供給穴11貫通穴を介して、長尺チャンバ内部の空間7に導入される。このような構成により、長手方向に均一なガス流れを簡単に実現できる。プラズマガス供給配管10へ導入するガスの流量は、その上流にマスフローコントローラなどの流量制御装置を備えることにより制御される。プラズマガス供給穴11は、長尺のスリットであるが、丸い穴状のものを長手方向に複数設けてもよい。ソレノイドコイル27の中心軸は、長尺チャンバの中心軸、プラズマ噴出口8の中心軸と一致するように配置されている。なお、この中心軸は、図3a及びbに示されている破線である。また、基材載置台1に近い部分に、シールドガス供給口としてのシールドガスノズル13が配置され、その内部にはシールドガスマニホールド14が設けられる。このように、2系統のガス導入が準備されており、プラズマ生成に適したプラズマガスとは別にシールドガスを供給して、大気中の酸素、二酸化炭素など、処理に不要、あるいは悪影響を及ぼすガスのプラズマ照射面への混入を低減することが可能となる。なお、シールドガス供給口は、プラズマ噴出口8の長尺方向と平行な向きに長尺な形状をもつスリットであってもよいし、あるいは、プラズマ噴出口8の長尺方向と平行な向きに並んだ多数の穴であってもよい。ソレノイドコイル27は冷媒流路15内に設けられ、冷媒流路15は、冷媒ケース16と冷媒流路蓋26、石英管28によって囲まれた空間からなる。石英管28の冷媒流路15の内壁面をなす面に、複数のタップ18が接合されている。タップ18は誘電体製で、石英、セラミックス、樹脂などから選定される。接合は、溶接法によるものの他、各種接着剤を用いて行うことが可能である。タップ18には、冷媒ケース16に設けられた貫通穴を介して、誘電体製のボルト19がねじ込まれている。ボルト19の頭部と冷媒ケース16の間にはオーリングが設けられている。つまり、誘電体部材としての石英管28と、これらよりも外側に配置されたカバーとしての冷媒ケース16によって囲まれた空間が、冷媒流路を構成し、かつ、石英管28と冷媒ケース16とが、支柱としてのタップ18及びボルト19によって接続されている構成である。また、ソレノイドコイル27の高周波電力供給部及び接地部に、2つのタップ20が設けられている。タップ20は導体製で、銅、真鍮などから選定される。タップ20には、冷媒ケース16に設けられた貫通穴を介して、導体製のボルト21がねじ込まれている。ボルト21の頭部と冷媒ケース16の間にはオーリングが設けられている。ボルト21と冷媒ケース16の間に、図示しない銅板などが挟みこまれ、高周波系の配線がなされる。冷媒ケース16に設けられた図示しない冷媒配管を介して、冷媒流路15内に冷媒、例えば冷却水が導入され、排出される。なお、冷媒ケース16と冷媒流路蓋26及び石英ノズル29のあたり面、及び、冷媒流路蓋26と石英管28のあたり面にも、オーリングが設けられている。このように、ソレノイドコイル27の周囲、及び、長尺チャンバを構成する部材である石英管28、石英ノズル29の周囲に、冷媒としての冷却水が流れ、ソレノイドコイル27、石英管28、石英ノズル29の冷却が実現される。また、タップ18にボルト19をねじ込む構造とすることにより、大量の冷媒を流して冷媒流路15内部の内圧水圧が高くなった場合においても、石英管28、石英ノズル29の変形が起きにくい。つまり、本実施の形態においては、従来例に示した特許文献6に記載の技術において二重管構成として水冷した場合に比べて、はるかに大量の冷媒を流すことができ、効果的な冷却が可能である。剛性をさらに高めるために、冷媒ケース16の材料や厚さを工夫することも可能である。長方形のスリット状のプラズマ噴出口8が設けられ、基材載置台1或いは、基材載置台1上の基材2は、プラズマ噴出口8と対向して配置されている。この状態で、長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、プラズマ噴出口8から基材2に向けてガスを噴出させながら、図示していない高周波電源よりソレノイドコイル27に高周波電力を供給することにより、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、プラズマ噴出口8からプラズマを基材2に照射することにより、基材2上の薄膜22をプラズマ処理することができる。プラズマ噴出口8の長手方向に対して垂直な向きに、長尺チャンバと基材載置台1とを相対的に移動させることで、基材2を処理する。つまり、図3aの左右方向へ、図3bの紙面に垂直な方向へ、誘導結合型プラズマトーチユニットTまたは基材載置台1を動かす。長尺チャンバ内に供給するガスとして種々のものが使用可能だが、プラズマの安定性、着火性、プラズマに暴露される部材の寿命などを考えると、不活性ガス主体であることが望ましい。なかでも、Arガスが典型的に用いられる。Arのみでプラズマを生成させた場合、プラズマは相当高温となる10,000K以上。なお、本構成においては、プラズマ噴出口8の長手方向の長さが、基材2の幅以上となっているので、一度の走査誘導結合型プラズマトーチユニットTと基材載置台1とを相対的に移動することで基材2の表面近傍の薄膜22の全体を処理することができる。このようなプラズマ処理装置において、長尺チャンバ内にガス噴出口よりArまたはArH2ガスを供給しつつ、プラズマ噴出口8から基材2に向けてガスを噴出させながら、図示していない高周波電源より13.56MHzの高周波電力を、ソレノイドコイル27に供給することにより、長尺チャンバ内部の空間7に高周波電磁界を発生させることでプラズマを発生させ、プラズマ噴出口8からプラズマを基材2に照射するとともに走査することで、半導体膜の結晶化などの熱処理を行うことができる。プラズマ発生の条件としては、プラズマ噴出口8と基材2間の距離=3~50mm、走査速度=50~3000mm/s、プラズマガス総流量=1~100SLM、ArH2ガス中のH2濃度=0~10、シールドガスN2流量=1~100SLM、高周波電力=0.5~10kW程度の値が適切である。ただし、これらの諸量のうち、ガス流量及び電力は、プラズマ噴出口8の長さ100mm当たりの値である。ガス流量や電力などのパラメータは、プラズマ噴出口8の長さに比例した量を投入することが適切と考えられるためである。このように、プラズマ噴出口8の長手方向と、基材載置台1とが平行に配置されたまま、プラズマ噴出口8の長手方向とは垂直な向きに、長尺チャンバと基材載置台1とを相対的に移動するので、生成すべきプラズマの長さと、基材2の処理長さがほぼ等しくなるように構成することが可能となる。また、長尺チャンバをその中心軸に垂直な面で切った断面の幅図3aにおける、長尺チャンバ内部の空間7の幅は、プラズマ噴出口8の幅図3aにおける隙間の幅よりも少し大きい程度でよい。つまり、生成すべきプラズマの体積を、従来と比較して極めて小さくすることができる。その結果、電力効率が飛躍的に高まる。実施の形態3以下、本発明の実施の形態3について、図5を参照して説明する。図5は本発明の実施の形態3におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図であり、各部品一部の斜視図を並べたものである。実施の形態2においては、石英管28の冷媒流路15の内壁面をなす面に円筒部材を接合し、その円筒部材にタップ18を設けていたが、実施の形態3においては、図5に示すように、石英管28の冷媒流路15の内壁面をなす面に柱状部材30を接合し、一つの柱状部材30に複数のタップ18を設けている。このような構成により、長尺方向の石英管28の剛性が高まるため、より大量の冷媒を流すことができ、効果的な冷却が実現できる。以上述べたプラズマ処理装置及び方法は、本発明の適用範囲のうちの典型例を例示したに過ぎない。例えば、誘導結合型プラズマトーチユニットTを、固定された基材載置台1に対して走査してもよいが、固定された誘導結合型プラズマトーチユニットTに対して、基材載置台1を走査してもよい。また、スパイラルコイル3が平面状である場合を例示したが、スパイラルコイル3は必ずしも平面でなくてもよい。例えば、渦の中央部に向かうにつれて、徐々にスパイラルコイル3と第一石英板4との距離が遠くなるような、所謂釣鐘型スパイラルコイルを用いた構成であってもよい。また、プラズマ噴出口8が、長尺チャンバにおいて、スパイラルコイル3とは反対側に設けられている場合を例示したが、プラズマ噴出口8から長尺チャンバへの向きと、スパイラルコイル3から長尺チャンバへの向きが、互いに垂直となるような構成であってもよい。また、本発明の種々の構成によって、基材2の表面近傍を高温処理することが可能となるが、従来例で詳しく述べたTFT用半導体膜の結晶化や太陽電池用半導体膜の改質に適用可能であることは勿論、プラズマディスプレイパネルの保護層の清浄化や脱ガス低減、シリカ微粒子の集合体からなる誘電体層の表面平坦化や脱ガス低減、種々の電子デバイスのリフロー、固体不純物源を用いたプラズマドーピングなど、さまざまな表面処理に適用できる。また、太陽電池の製造方法としては、シリコンインゴットを粉砕して得られる粉末を基材上に塗布し、これにプラズマを照射して溶融させ多結晶シリコン膜を得る方法にも適用可能である。また、プラズマの着火を容易にするために、着火源を用いることも可能である。着火源としては、ガス給湯器などに用いられる点火用スパーク装置などを利用できる。また、説明においては簡単のため熱プラズマという言葉を用いているが、熱プラズマと低温プラズマの区分けは厳密には難しく、また、例えば、田中康規熱プラズマにおける非平衡性プラズマ核融合学会誌、Vol.82、No.82006pp.479-483において解説されているように、熱的平衡性のみでプラズマの種類を区分することも困難である。本発明は、基材を熱処理することを一つの目的としており、熱プラズマ、熱平衡プラズマ、高温プラズマなどの用語にとらわれず、高温のプラズマを照射する技術に関するものに適用可能である。また、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理する場合について詳しく例示したが、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理する場合においても、本発明は適用できる。プラズマガスに反応ガスを混ぜることにより、反応ガスによるプラズマを基材へ照射し、エッチングやCVDが実現できる。あるいは、プラズマガスとしては希ガスまたは希ガスに少量のH2ガスを加えたガスを用いつつ、シールドガスとして反応ガスを含むガスを供給することによって、プラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射し、エッチング、CVD、ドーピングなどのプラズマ処理を実現することもできる。プラズマガスとしてアルゴンを主成分とするガスを用いると、実施例で詳しく例示したように、熱プラズマが発生する。一方、プラズマガスとしてヘリウムを主成分とするガスを用いると、比較的低温のプラズマを発生させることができる。このような方法で、基材をあまり加熱することなく、エッチングや成膜などの処理が可能となる。エッチングに用いる反応ガスとしては、ハロゲン含有ガス、例えば、CxFyx、yは自然数、SF6などがあり、シリコンやシリコン化合物などをエッチングすることができる。反応ガスとしてO2を用いれば、有機物の除去、レジストアッシングなどが可能となる。CVDに用いる反応ガスとしては、モノシラン、ジシランなどがあり、シリコンやシリコン化合物の成膜が可能となる。あるいは、TEOSTetraethoxysilaneに代表されるシリコンを含有した有機ガスとO2の混合ガスを用いれば、シリコン酸化膜を成膜することができる。その他、撥水性親水性を改質する表面処理など、種々の低温プラズマ処理が可能である。従来技術例えば、特許文献7に記載のものに比較すると、誘導結合型であるため、単位体積あたり高いパワー密度を投入してもアーク放電に移行しにくいため、より高密度なプラズマが発生可能であり、その結果、速い反応速度が得られ、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することが可能となる。"