"ウェハを載置しかつ回転させることが可能な回転台と、任意のターゲットの位置を検出することが可能なセンサとを有する装置を準備する工程と、前記センサから前記ターゲットの位置を検出するためのエネルギ線を出射する出射部と、前記回転台に対して偏心がないように載置された前記ウェハの最外周から偏心の許容量だけ離れた位置と、前記ターゲットの位置とが一直線上に並ぶように前記センサの位置を調整する工程と、前記ウェハを前記回転台に載置する工程と、前記ウェハが載置された前記回転台を回転させながら、前記出射部から出力される前記エネルギ線の前記ウェハでの反射の有無を検出することにより、前記ウェハの前記回転台に対する偏心の有無を検出する工程とを備える、検出方法。前記センサの位置を調整する工程は、調整用ウェハを前記回転台に対して偏心がないように前記回転台に載置する工程と、前記調整用ウェハが載置された前記回転台を回転させながら、前記出射部から前記ターゲットの方向に出射される前記エネルギ線の前記調整用ウェハでの反射の有無を検出することにより、前記調整用ウェハの位置に対する前記エネルギ線の位置を判定する工程と、前記エネルギ線の位置を判定する工程において得られた前記エネルギ線の位置に応じて前記センサの前記調整用ウェハに対する位置を変更する工程とを有する、請求項1に記載の検出方法。前記調整用ウェハは、外周の一部に、平面視における突起部を有し、前記エネルギ線の位置を判定する工程においては、前記出射部から出力される前記エネルギ線が反射する場所が前記突起部である場合と前記突起部以外である場合との間の前記エネルギ線の反射の変化の有無を検出する、請求項2に記載の検出方法。前記偏心の有無を検出する工程の前に、前記ウェハに供給液を供給する工程と、前記供給液が供給された前記ウェハが載置された前記回転台を回転させ、前記ウェハから前記供給液を飛散させる工程とを行なう、請求項1~3のいずれかに記載の検出方法。前記供給液を飛散させる工程における前記エネルギ線の反射の位置の時間変化を示すデータを基準データと比較することにより、前記センサの位置を再確認する、請求項4に記載の検出方法。しかし特開2004-179211号公報に開示のようにCCDカメラで回転する半導体ウェハのエッジ位置を直接検出する方法は、特に当該ウェハが高速で回転するときの検出感度が低下する可能性がある。高速で回転する半導体ウェハのエッジを検出し、かつエッジリンス液を供給するノズルが当該半導体ウェハのエッジの形状に追随する性能を有するためには、高度な機構とシーケンス制御とが要求される。本発明は、以上の問題に鑑みなされたものである。その目的は、高度な機構およびシーケンス制御を要さずに、回転台に載置される半導体ウェハの偏心の程度を検出し、エッジリンスがなされる幅を容易に管理するための検出方法を提供することである。本発明の一実施例による検出方法は以下の構成を備えている。まずウェハを載置しかつ回転させることが可能な回転台と、任意のターゲットの位置を検出することが可能なセンサとを有する装置が準備される。上記センサからターゲットの位置を検出するためのエネルギ線を出射する出射部と、回転台に対して偏心がないように載置されたウェハの最外周から偏心の許容量だけ離れた位置と、ターゲットの位置とが一直線上に並ぶようにセンサの位置が調整される。上記ウェハが回転台に載置される。上記ウェハが載置された回転台を回転させながら、出射部から出力されるエネルギ線のウェハでの反射の有無を検出することにより、ウェハの回転台に対する偏心の有無が検出される。本実施例の製造方法によれば、ウェハが回転台に対して最大許容量以上の偏心を有するように配置されれば、センサの出射部から、たとえば装置を構成する部品の一部など任意の位置に向けて出射されるエネルギ線が、途中のウェハにおいて反射されるようになる。したがって、このウェハからの反射の有無を検出することにより、回転するウェハの外周部の状態を追随することなく、ウェハが回転台に対して許容量以上の偏心を有するか否かを判定することができる。以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。実施の形態1まず、本実施の形態に用いられる装置の構成について図1を用いて説明する。図1を参照して、本実施の形態の処理装置は、半導体ウェハの表面にフォトレジストやリンス液などの供給液を塗布供給するための装置である。当該装置は、回転台TABと、変位センサSSRセンサと、整流板TGTターゲットと、塗布カップCPとを主に有している。回転台TABは、処理を行なう半導体ウェハなどを載置し、かつ載置された半導体ウェハなどの外周部に対してエッジリンスを行なうために当該半導体ウェハを回転させる部材である。回転台TABは、半導体ウェハなどが直接載置されるテーブルと、回転台TABが回転する中心軸AXSとを有し、さらに回転台TABには、図示されないがスピンチャックなどの、載置された半導体ウェハなどを回転台TABに吸着固定させるための設備が搭載されている。図1においては、後述する調整用ウェハM-WFRが回転台TABのテーブルに載置されている。ここで回転台TABのうち半導体ウェハなどが直接載置されるテーブルは、たとえば円形状を有しており、当該テーブルの半径は、処理を行なおうとする半導体ウェハの半径とテーブルに対して半導体ウェハに許容される偏心量との和よりも小さいことが好ましい。言い換えれば当該テーブルの直径は、処理を行なおうとする半導体ウェハの直径と、テーブルに対して半導体ウェハに許容される偏心量の2倍との和よりも小さいことが好ましい。したがって図1に示すように、当該テーブルの直径は、たとえば処理しようとする半導体ウェハの直径よりも小さくてもよい。整流板TGTは、たとえば回転台TABの中心軸AXSの近傍に開口を有する環状の平面形状を有している。整流板TGTは、回転台TABが高速で回転することにより当該処理装置の塗布カップCPの内部に発生する気流を整流する役割を有する。したがって整流板TGTは上記の整流作用を向上することが可能な任意の形状を有することが好ましい。塗布カップCPは、半導体ウェハに塗布されるフォトレジストなどの供給液が、半導体ウェハの回転の際に装置の外部へ飛散することを抑制し、当該供給液の飛散物ミストをたとえば回転台TABの下方に配置された廃液管など所望の方向へ導く役割を有する。変位センサSSRは、たとえば電磁波、荷電粒子、音波などのエネルギ線を出射しこれを任意のターゲットに照射することにより、当該ターゲットの位置または変位を計測することが可能な設備である。上記のエネルギ線を用いれば、ターゲットに接触することなく精密な計測を行なうことができる。一例として、図1における変位センサSSRはエネルギ線として赤外線センサを用いていわゆる距離検出を行なう設備を用いるものとする。具体的には、まず変位センサSSRの出射部から波長が約650nmの赤外光を出射し、当該赤外光を計測しようとするターゲットに照射する。当該赤外光はターゲットに照射されることによりそこで反射される。ターゲットから反射される当該赤外光を変位センサSSRが受ける。図1において図示されない変位センサSSRに接続された分析装置を用いて、変位センサSSRが受けた赤外光を分析することにより、変位センサSSR出射部から赤外光が照射されたターゲットまでの距離を検出する。本実施の形態における変位センサSSRは、回転台TABに載置された半導体ウェハが回転台TABのテーブルに対して有する偏心の有無を検出するために用いられる。なおここで偏心の有無とは、許容量以上の偏心を有するか否かを意味するものとする。そのためには変位センサSSRの特に出射部の位置が精密に調整される必要がある。すなわち実際の半導体ウェハの処理に先立ち、変位センサSSRの位置が精密に調整されることが好ましい。次に図2~図4を用いて変位センサSSRの位置の調整について説明する。まず図2および図3を用いて、変位センサSSRの位置の調整に用いるウェハについて説明する。図2を参照して、変位センサSSRの位置を調整するためには、調整用ウェハM-WFRが用いられる。調整用ウェハM-WFRは上記の調整専用のウェハであり、実際に処理しようとする半導体ウェハの直径とほぼ同じ直径を有することが好ましく、たとえば直径が150mmのシリコン製のウェハが用いられることが好ましい。調整用ウェハM-WFRは基本的には上記の直径を有するが、一部に半径が他の領域よりも大きくなるように最外周が外側に突出した領域である突起部PRTが形成されている。一例として突起部PRTは、図2において調整用ウェハM-WFRの最外周の左側および右側の2か所に形成されているが、突起部PRTの形成される数などの態様はこれに限られない。突起部PRTにおける他の領域との半径の差は突出量として表わせる。すなわち図2および図3を参照して、図に示す調整用ウェハM-WFRは基本的に処理しようとする半導体ウェハと同じ直径150mmであるが、突起部PRTの突出量が0.5mmであるため、突起部PRTにおいては半径が75.5mmとなっている。また一例として、図2の突起部PRTの描く円弧は当該ウェハM-WFRの中心に対する角度が10°となっている。突起部PRTの突出量は、回転台TABのテーブルに対して処理用の半導体ウェハを載置した際における当該テーブルに対しての偏心の最大許容量とほぼ等しいことが好ましい。したがって図2および図3の態様を有する調整用ウェハM-WFRは、偏心の最大許容量が0.5mmである直径150mmの半導体ウェハを処理する際に用いられることが好ましい。次に図4を用いて、変位センサSSRの位置の調整方法について説明する。図4Aを参照して、まず回転台TABのテーブルに所望の大きさであり所望の突起部PRTを有する調整用ウェハM-WFRが載置される。この調整用ウェハM-WFRは、たとえばクランプ機構を調整するための治具図示せずを用いて、テーブルに対して偏心をほぼまったく有さないように載置することができる。調整用ウェハM-WFRが図示されないスピンチャックにより回転台TABのテーブルに吸着された上で、回転台TABに備え付けの図示されないモータを駆動させ、回転台TABをその中心軸AXSを中心として回転させる。これに伴い調整用ウェハM-WFRは任意の回転速度、たとえば1分間に3000回転する速さで、回転台TABの中心軸AXSを中心として回転する。上記のように回転台TAB調整用ウェハM-WFRを回転させながら、変位センサSSRからターゲットに向けて、赤外光などのエネルギ線を出射する。ここでターゲットとしては変位センサSSRの周囲に存在する任意の場所を用いることができるが、当該装置に固定され動かない場所とすることが好ましく、たとえば整流板TGTの表面の1点Dとすることが好ましい。より具体的には、図4A、Bのように変位センサSSR、調整用ウェハM-WFR、整流板TGTがこの順に上から下へ並ぶように配置される場合、変位センサSSRの出射部から直下の方向を向くベクトルと整流板TGTの表面との交点に、変位センサSSRからのエネルギ線が照射されるターゲットDが配置される。ここで直下とは、出射部から回転台TABに載置された調整用ウェハM-WFRの主表面に垂直な方向出射部からターゲットの方向に関する真下を意味する。さらに言い換えれば、平面視において変位センサSSRの出射部とターゲットの1点Dとは同じ位置となるように重なる。たとえば出射部が、平面視において、調整用ウェハM-WFRの突起部PRT以外の領域の最外周よりも外側でありかつ突起部PRTの最外周よりも内側の位置にある場合には、調整用ウェハM-WFRの回転による変位に応じて、図4A、Bに示す態様の双方が出現する。すなわち、回転により調整用ウェハM-WFRの突起部PRTが出射部の直下およびその近傍図4Aの丸点線で囲んだ領域Aに現れた際には、図4Aのように変位センサSSRからの出射光は突起部PRTの1点Cにおいて反射される。このとき変位センサSSRに接続された図示されない分析装置は、変位センサSSRから調整用ウェハM-WFRまでの距離d1を測定する。なおここでは図を見やすくするため反射光は出射光に対して僅かに角度を有するように描写している。一方、回転により調整用ウェハM-WFRの突起部PRTが領域Aに現れない際には、図4Bのように変位センサSSRからの出射光は整流板TGTの1点Dにおいて反射される。このとき上記分析装置は、変位センサSSRから整流板TGTまでの距離d2を測定する。この場合、上記距離の測定を一定時間継続すれば、変位センサSSRの分析装置は、図4Aに示す距離d1と図4Bに示す距離d2とのデータを交互に繰り返し検出する。このように距離の測定結果が時間変化する場合、距離が変化する瞬間ごとにd1からd2へ変わる場合、d2からd1へ変わる場合ともにd1とd2との間での距離の変化を示すパルスが出力される。このようなパルスが検出された場合、変位センサSSRは平面視において、処理しようとする半導体ウェハに偏心がまったくない場合の最外周よりも偏心の許容量以下だけ外側に配置されていると判断することができる。一方、出射部が平面視において、調整用ウェハM-WFRの突起部PRT以外の領域の最外周よりも内側の位置である場合には、調整用ウェハM-WFRの回転による変位にかかわらず、常時図4Aのように変位センサSSRからの出射光は調整用ウェハM-WFRにおいて反射される。この場合、上記距離の測定を一定時間継続すれば、変位センサSSRの分析装置は、常時一定の距離d1を検出する。この場合は上記のように計測される距離が変化することによるパルスが出力されない。すなわちこのようなデータが検出された場合、変位センサSSRは平面視において、処理しようとする半導体ウェハに偏心がまったくない場合の最外周またはそれよりも内側に配置されていると判断することができる。さらに、出射部が平面視において、調整用ウェハM-WFRの突起部PRTの最外周よりも外側の位置である場合には、調整用ウェハM-WFRの回転による変位にかかわらず、常時図4Bのように変位センサSSRからの出射光は整流板TGTにおいて反射される。この場合、上記距離の測定を一定時間継続すれば、変位センサSSRの分析装置は、常時一定の距離d2を検出する。この場合も上記のように計測される距離が変化することによるパルスが出力されない。すなわちこのようなデータが検出された場合、変位センサSSRは平面視において、処理しようとする半導体ウェハに偏心がまったくない場合の最外周よりも偏心許容量を越える量だけ外側に配置されていると判断することができる。以上の測定結果を用いて、変位センサSSRの出射部の平面視における位置が、調整用ウェハM-WFRの突起部PRTの最外周の位置とほぼ重なるように、変位センサSSRの位置が調整される。すなわち上記所望の位置に変位センサSSRを合わせることができるまで、上記の調整用ウェハM-WFRを回転させながらエネルギ線の調整用ウェハM-WFRでの反射の有無および、調整用ウェハM-WFRでの反射がある状態とない状態とが切り替わる際に出力されるパルスの有無を検出する処理を繰り返す。調整用ウェハM-WFRの位置に対するエネルギ線の位置を判定し、その結果エネルギ線の位置に応じてセンサSSRの位置を変更する処理を繰り返す。このような方法で変位センサSSRの位置が調整できるのは、調整用ウェハM-WFRがその外周部の一部に突起部PRTを有するためである。調整用ウェハM-WFRの突起部PRTを利用することにより、エネルギ線の反射の変化の有無を検出することができる。エネルギ線の反射の変化の有無と、変位センサSSRと出射光が反射された箇所までの距離のデータとを参照することにより、変位センサSSRの調整用ウェハM-WFRに対する位置関係および、変位センサSSRの位置をどのように調整すべきであるかを把握することができる。変位センサSSRの出射部の平面視における位置が、調整用ウェハM-WFRの突起部PRTの最外周の位置とほぼ重なるように調整された状態で、実際に処理を行なう半導体ウェハを用いた処理がなされる。次に図5~図7を用いて実際に処理を行なう半導体ウェハの偏心量の測定について説明する。まず図5を用いて、実際に処理を行なう半導体ウェハが載置された処理装置について説明する。図5を参照して、図1の処理装置の回転台TABのテーブルには実際に処理を行なう半導体ウェハWFRが載置される。図5の処理装置はリンス液ノズルR-NZLを有している。リンス液ノズルR-NZLは、半導体ウェハWFRの特に外周部に塗布されたフォトレジストを除去するエッジリンスを行なうためのリンス液RISを供給するノズルである。したがってリンス液ノズルR-NZLはその先端部がフォトレジストが塗布された半導体ウェハWFRの外周部を向くように固定されている。次に図6~図7を用いて、半導体ウェハWFRの位置の調整方法について説明する。図6を参照して、たとえば半導体ウェハWFRが回転台TABのテーブルに対してまったく偏心を有さないように回転台TABの中心軸AXSと半導体ウェハWFRのウェハ中心WCとが平面視においてほぼ重なるように載置される場合には、半導体ウェハWFRの最外周より最大の偏心許容量たとえば0.5mmだけ外側図6の左側に出射光が出射される。これは変位センサSSRの出射部が平面視において、偏心なく載置された半導体ウェハWFRの最外周から偏心許容量だけ外側の位置に配置されるように、事前に調整されているためである。すなわちここでは出射部と、偏心なく回転台TABに載置された半導体ウェハWFRの最外周から最大の偏心許容量だけ外側に離れた位置と、任意のターゲットたとえば整流板TGTの表面の1点Dの位置とが一直線上に並ぶようにセンサSSRの位置が調整されていることを前提としている。図6の場合は回転台TABが中心軸AXSを中心に回転すれば、変位センサSSRの出射光は、半導体ウェハWFRの回転による変位にかかわらず整流板TGTの1点Dにおいて反射され、常時一定の距離d2が測定される。半導体ウェハWFRが回転台TABに対して偏心を有さない最大許容量未満の偏心を有するように載置された場合についても同様である。このため、測定される距離の変化により発生するパルスは検出されない。これに対して、半導体ウェハWFRが回転台TABに対して偏心許容量以上の偏心を有するように載置された場合には、半導体ウェハWFRの回転による変位に応じて、図7A、Bに示す態様の双方が出現する。具体的には、中心軸AXSを中心に回転するために、半導体ウェハWFRが出射部の直下およびその近傍図7Aの丸点線で囲んだ領域Bに現れる場合がある。この場合には変位センサSSRからの出射光は半導体ウェハWFRの1点Cにおいて反射され、分析装置は距離d1を測定する。一方、回転により半導体ウェハWFRが領域Bに現れない場合には、図7Bのように変位センサSSRからの出射光は整流板TGTの1点Dにおいて反射され、分析装置は距離d2を測定する。この場合、上記距離の測定を一定時間継続すれば、変位センサSSRの分析装置は、図7Aに示す距離d1と図7Bに示す距離d2とのデータを交互に繰り返し検出する。このように距離の測定結果が時間変化するため、距離が変化する瞬間ごとにをパルスが出力される。このようなパルスが検出された場合、当該装置はアラームを発報することにより作業者に対して偏心量が異常であることを知らせる。この場合は一旦装置を停止し、半導体ウェハWFRの偏心量がより少なくなるように載置し直した上で、再度上記と同様に半導体ウェハWFRを回転させながら半導体ウェハWFR上における変位センサSSRからのエネルギ線の反射の有無を検出する。この工程を繰り返すことにより、偏心が許容範囲内となるように半導体ウェハWFRが載置される。以上のように本実施の形態においては、半導体ウェハWFRを回転台TABに載置し、これを回転させながら変位センサSSRの出射部から出力されるエネルギ線が半導体ウェハWFRで反射される場合図7A参照の有無を検出することにより、半導体ウェハWFRが許容量以上の偏心を有するか否かを検出する。上記のパルスが検出されアラームが発報される場合には、半導体ウェハWFRは許容量以上の偏心を有するように載置されていることが判断できる。逆に上記のパルスが検出されない場合には、半導体ウェハWFRの偏心量は許容範囲内に収まっていることがわかる。次に、本実施の形態の作用効果について説明する。本実施の形態においては、変位センサSSRが処理装置に固定された任意のターゲットここでは整流板TGTの1点Dまでの距離を測定する際に、回転する半導体ウェハWFRが変位センサSSRの出射光を遮ることによるパルスの発生を検出することにより、半導体ウェハWFRの偏心量を判定する。変位センサSSRの出射光は回転する半導体ウェハWFRの最外周を追随するわけではなく、整流板TGTの1点Dなど固定された位置をターゲットとして測定し、その際偏心に起因して偶発的に発生する計測距離の変化をパルスとして検出する。このため、当該偏心量を高精度に判定することができる。実施の形態2実施の形態1で述べた半導体ウェハWFRの回転台TABに対する偏心の有無の検出は、実際にはフォトレジストやリンス液などの供給液が塗布供給された上で行なわれる。このため特に、当該供給液が供給された半導体ウェハWFRを処理装置内で回転させると、供給液が処理装置内で飛散するために当該供給液のミストが装置内に漂う場合がある。図8を参照して、当該処理装置はフォトレジストPHRを供給するノズルであるレジストノズルP-NZLおよび裏面リンス液ノズルBR-NZLを有している。回転台TABのテーブルに載置された半導体ウェハWFRには、レジストノズルP-NZLから供給されるフォトレジストPHRが塗布される。また塗布されたフォトレジストPHRのうち半導体ウェハWFRの裏面側に回り裏面に付着したフォトレジストPHRが、裏面リンス液ノズルBR-NZLから供給されるリンス液RISにより除去される。これらのフォトレジストPHRおよびリンス液RISが半導体ウェハWFRに供給される間、半導体ウェハWFRは回転台TABにより回転している。また変位センサSSRは実施の形態1と同様に位置を調整された上で、任意のターゲット1点Dに向けて出射部からエネルギ線を出射する。図9の縦軸は測定する距離が変化することにより変位センサSSRの分析装置が出力するパルスが検出される1分間当たりの回数を示しており、横軸は変位センサSSRの分析装置が上記モニタリングを行なう時間秒を示している。図9を参照して、図8の状態で、回転台TAB半導体ウェハWFRを1分間に3000回転させながら、時刻t=0から、載置された半導体ウェハWFRの表面にフォトレジストPHRが供給され始める。フォトレジストが供給された後、時刻t=7.5頃から、半導体ウェハWFRの回転により半導体ウェハWFRの表面のフォトレジストPHRが振り切られて飛散する。ただしt=0から、既に供給されたフォトレジストが振り切られて飛散し始めている。その後、時刻t=31.3頃から、裏面リンス液ノズルBR-NZLから半導体ウェハWFRの裏面にリンス液RISが供給される。リンス液RISが供給されつつ半導体ウェハWFRの裏面から振り切られて飛散する状態が、およそt=55まで続く。リンス液RISの飛散が終わった後、時刻t=55頃から、引き続き半導体ウェハWFRが1分間に3000回転の速さで回転することにより、裏面上のリンス液RISを乾燥させる。図9より、フォトレジストPHRを塗布する段階では1分間に約15000回のパルスが検出され、リンス液でウェハを裏面洗浄する段階では最高でt=31.3前後に約4500回、その後t=47.1前後においても最高で約2000回のパルスが検出された。しかしt=55以降はパルスがまったく検出されなかった。半導体ウェハWFRは1分間に3000回転するため、半導体ウェハWFRの許容偏心量以上の偏心に起因するパルスは、図7A、Bの各状態が交互に1分間に3000回発生することを考慮すれば、1分間に3000回出現することがわかる。しかし特にフォトレジストおよびリンス液の供給時には、パルスの検出回数が上記の3000回よりもはるかに多くなっている。フォトレジストおよびリンス液の供給時には、供給したフォトレジストまたはリンス液が半導体ウェハWFRの回転により飛散する。この飛散した供給液ミストが処理装置内の空中に漂う。このとき変位センサSSRの出射部から出射されるエネルギ線が、たとえば整流板TGTにおいて反射する場合とは異なる位置であるミストに当たって反射するため、変位センサSSRが検出する距離のデータが変化する。このためにミストに起因するパルスが多数発生する。したがって半導体ウェハWFRの偏心に起因するパルスに加えてミストに起因するパルスが発生する分だけパルスの発生する回数が増加し、図9のようなデータを出力しているものと考えられる。すなわちミストに起因するパルスは、半導体ウェハWFRの偏心の有無を判定するデータを検出するうえではノイズとなる。したがって偏心の有無の判定は、供給液のミストの振り切り飛散が終わった後図9におけるt=55以降に行なうことが好ましい。逆に言えば、偏心の有無の判定の前に、半導体ウェハWFRにフォトレジストPHRなどの供給液を供給し、当該半導体ウェハWFRを回転させて供給液を飛散させる工程を行なうことが好ましい。このようにすれば、ミストに起因するノイズが取り除かれた状態で半導体ウェハWFRの偏心に起因するパルスのみを検出することができるため、より信頼性の高いデータを検出することができる。たとえば図9においては、t=55以降はパルスの検出がほとんどなくなっている。t=55以降においてはミストの飛散がほとんどないため、パルスの検出は半導体ウェハWFRの偏心に起因するもののみとなる。したがって、t=55以降にパルスの検出がほとんどないことから、半導体ウェハWFRは回転台TABに対して偏心を有さない許容量未満の偏心を有することがわかる。逆にたとえばt=55以降においてパルスを検出する場合、これは半導体ウェハWFRの偏心に起因するものであるため、その検出量は半導体ウェハWFRの回転数と同じ、1分間に約3000回となる。このように、供給液のミストの飛散が終了した後にパルスを検出すれば、半導体ウェハWFRの偏心の有無に応じた信頼度の高いデータを出力することができる。実施の形態3実施の形態2の図9におけるミストに起因するパルスは、変位センサSSRの位置が適正であるか否かを判断するために用いることができる。以下においてそのことについて説明する。実施の形態1,2で変位センサSSRを調整用ウェハM-WFRにより適正な位置に調整した状態で半導体ウェハWFRの偏心の有無を判断する。しかしたとえば、図9に示す時間E裏面からリンス液を供給する工程を行なう間において検出される、主にミストに起因するエネルギ線の反射の位置の変化を示すパルスの時間変化波形が想定外の波形を示す場合がある。ミストに起因するパルスが適正な波形を有するか否かは、出力されたデータパルスの波形を、あらかじめ半導体ウェハWFRの偏心の量ごとに蓄積されたミストによるパルスのデータ基準データと比較することにより判断することができる。基準データは、変位センサSSRを適正な位置実施の形態1において調整用ウェハM-WFRにより調整された位置に調整した状態で、半導体ウェハWFRの回転台TABのテーブルに対する偏心の量を様々に変化させたとえば偏心量0から0.05mmずつ増加させたそれぞれに対して、実施の形態2と同様の処理を行ない、それぞれの偏心の量に対して図9と同様に作成されたデータである。このときいずれのデータを検出する際にも、フォトレジストPHRやリンス液RISなどの供給液を供給する量やタイミングなどの条件をほぼ同じにすることが好ましい。上記の基準データを準備した上で、実際に処理しようとする半導体ウェハWFRに対して、実施の形態2と同様の処理を行なう。このとき供給されるリンス液RISなどの供給液を供給する量やタイミングなどの条件は、基準データの作成の際とほぼ同様となるようにすることが好ましい。このときのミストに起因するパルスのデータが、予め半導体ウェハWFRの偏心の量ごとに蓄積された基準データのいずれとも大きく異なる場合がある。たとえばパルスの検出される回数が基準データのいずれよりも極度に多い場合、あるいはパルスの検出される回数の高低差が非常に大きく、その高低の周期が非常に短い場合などである。上記の場合には、変位センサSSRの位置が基準データを取得したときの変位センサSSRの位置すなわち適正な位置とは異なると判断することができる。この場合は再度、実施の形態1と同様に調整用ウェハM-WFRを用いて変位センサSSRの位置を調整することにより、当該装置が検出する半導体ウェハWFRの偏心の量をより信頼性の高いものとすることができる。このような供給液に起因するミストの波形の判断は、供給液を供給する飛散させる工程の最中に行なってもよいし、その後の偏心の有無を判断する工程まで一通り終えた後に行なってもよい。一方、ミストに起因するパルスのデータが、基準データのいずれかとほぼ同様の傾向を示す場合には、変位センサSSRは所望の位置に配置されていると判断することができる。この場合には、ミストを振り切った後に出力される、半導体ウェハWFRの偏心の量に応じたパルス出力のデータの信頼性は高く、当該データを用いて実施の形態2と同様に半導体ウェハWFRの偏心の有無を判定することができる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"