"n型半導体層と、前記n型半導体層上に形成される活性層と、前記活性層上に形成され最上部がp型GaN層であるp型半導体層と、前記p型GaN層上に形成されるITON酸窒化インジウムスズ層と、前記ITON層上に形成されるITO酸化インジウムスズ層と、前記ITO層上の一部に形成される第1の金属電極と、前記n型半導体層に接続して形成される第2の金属電極を有することを特徴とする半導体発光素子。前記p型GaN層と前記ITON層とのショットキー障壁高さが2.0eV以上3.2eV以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。前記ITON層の屈折率が2.11以上2.34以下であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体発光素子。前記ITO層の膜厚が130nm以上170nm以下であり、前記ITON層と前記ITO層の総膜厚が240nm以上310nm以下であることを特徴とする請求項3記載の半導体発光素子。前記ITON層内の窒素濃度が、前記p型GaN層との界面から、前記ITO層との界面に向けて低下していることを特徴とする請求項1ないし請求項4いずれか一項記載の半導体発光素子。もっとも、透明導電体にITON層を用いて低駆動電圧、高発光効率、かつ均一な発光強度分布を実現するための最適な膜構造は必ずしも明らかになっていない。本発明は、上記事情を考慮してなされたものであり、その目的とするところは、透明導電体にITON層を用いた低駆動電圧、高発光効率、かつ発光強度分布が均一化された半導体発光素子を提供することにある。本発明の一態様の半導体発光素子は、n型半導体層と、前記n型半導体層上に形成される活性層と、前記活性層上に形成され最上部がp型GaN層であるp型半導体層と、前記p型GaN層上に形成されるITON酸窒化インジウムスズ層と、前記ITON層上に形成されるITO酸化インジウムスズ層と、前記ITO層上の一部に形成される第1の金属電極と、前記n型半導体層に接続して形成される第2の金属電極を有することを特徴とする。上記態様の半導体発光素子において、前記p型GaN層と前記ITON層とのショットキー障壁高さが2.0eV以上3.2eV以下であることが望ましい。上記態様の半導体発光素子において、前記ITON層の屈折率が2.11以上2.34以下であることが望ましい。上記態様の半導体発光素子において、前記ITO層の膜厚が130nm以上170nm以下であり、前記ITON層と前記ITO層の総膜厚が240nm以上310nm以下であることが望ましい。上記態様の半導体発光素子において、前記ITON層内の窒素濃度が、前記p型GaN層との界面から、前記ITO層との界面に向けて低下していることが望ましい。本発明によれば、透明導電体にITON層を用いた低駆動電圧、高発光効率、かつ発光強度分布が均一化された半導体発光素子を提供することが可能となる。以下、図面を用いて実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号を付している。第1の実施の形態本実施の形態の半導体発光素子は、基板と、基板上に形成されるn型半導体層と、n型半導体層上に形成される活性層と、活性層上に形成され最上部がp型GaN層であるp型半導体層と、p型GaN層上に形成されるITON酸窒化インジウムスズ層と、ITON層上に形成されるITO酸化インジウムスズ層と、ITO層上の一部に形成される第1の金属電極と、n型半導体層に接続して形成される第2の金属電極を有する。本実施の形態の半導体発光素子は、p型GaN層上の透明導電体を、ITON層とITO層との積層構造とすることにより、p型GaN層と透明導電体との界面抵抗が低減されるとともに、透明導電体のシート抵抗も低減される。したがって、低駆動電圧、高発光効率、かつ発光強度分布が均一化された半導体発光素子の実現が可能となる。図1は、本実施の形態の半導体発光素子の模式断面図である。図1aが全体の構成を示し、図1bが活性層の構成を示している。本実施の形態の半導体発光素子はFU型の発光ダイオードである。図1aに示すように、本実施の形態の半導体発光素子においては、例えばサファイアからなる基板10の主面にバッファ層11が形成され、その上に、n型GaN層21と、n型GaNガイド層22と、が形成される。n型GaN層21およびn型GaNガイド層22は、n型半導体層20に含まれる。そして、n型GaNガイド層22の上に、発光部となる活性層40が形成され、その上に、p型GaN第1ガイド層51、電子オーバーフロー防止層であるp型AlGaN層52、p型GaN第2ガイド層53およびp型GaNコンタクト層54が、この順で形成される。p型GaN第1ガイド層51、p型AlGaN層52、p型GaN第2ガイド層53およびp型GaNコンタクト層54はp型半導体層50に含まれる。さらに、p型半導体層50の最上部のp型GaN層上に、ITON酸窒化インジウムスズ層60と、ITO酸化インジウムスズ層70とが、この順で形成される。そして、ITO酸化インジウムスズ層70上の一部に第1の金属電極としてp型電極80が形成される。p型電極80は、例えば、パラジウム-白金-金Pd/Pt/Auの複合膜である。また、n型半導体層50であるn型GaN層21の一部、ならびに、その一部に対応する活性層40、p型半導体層50、ITON酸窒化インジウムスズ層60およびITO酸化インジウムスズ層70が除去され、第2の金属電極としてn型電極90が形成される。すなわち、n型電極90は、n型半導体層50に接続される。n型電極90は、例えば、ニッケル-金Ni/Auの複合膜である。発光部である活性層40は、例えば図1bに示すように、障壁層バリア層41、中間層42、量子井戸層43、中間層44及び障壁層バリア層45の積層構造を1周期とする構成である。この積層構造が例えば複数繰り返される。中間層42、44を設けず、障壁層4145と量子井戸層43の積層繰り返し構造であっても良い。障壁層41は、InAlGaN一般的には、InxAlyGa1xyN0<x<1、0<y<1と表されるで形成されており、例えば、厚さ12.5nmのIn002Al033Ga065Nで形成される。中間層42は、InGaN一般的には、InxGa1xN0<x<1と表されるで形成されており、例えば、厚さ0.5nmのIn002Ga098Nで形成される。量子井戸層43は、InGaN一般的には、InxGa1xN0<x<1と表されるで形成されており、例えば、厚さ2.5nmのIn015Ga085Nで形成される。中間層44は、InGaN一般的には、InxGa1xN0<x<1と表されるで形成されており、例えば、厚さ0.5nmのIn002Ga098Nで形成される。障壁層45は、InAlGaN一般的には、InxAlyGa1xyN0<x<1、0<y<1と表されるで形成されており、例えば、厚さ11.5nmのIn002Al033Ga065Nで形成されている。本実施の形態の半導体発光素子は、p型半導体層50までは公知の製造方法を用いて製造される。そして、p型半導体層50の最上部のp型GaN層54の形成後、例えば、窒素雰囲気中での反応性スパッタ法によりITON層60を形成する。続けて酸素雰囲気中での反応性スパッタ法によりITO層70を形成する。その後、公知の方法で、p型電極80およびn型電極90を形成し、図1に示す半導体発光素子が形成される。図1に示す半導体発光素子は、p型電極80とn型電極90間に電圧を印加することで素子内に電流が流れ、活性層40で発光する。なお、ITON層60の形成については、窒素雰囲気中での反応性スパッタ法に代えて、一旦、酸素雰囲気中でITOを反応性スパッタ法により堆積した後、アンモニアNH3雰囲気中でアニールすることでITOを窒化することによっても形成可能である。この場合は、アニールの後に、ITO層70を形成すればよい。本発明者らの検討によれば、p型GaN層54とp型電極80の間の透明導電体をITON層の一層のみで形成すると、ITON層内を水平方向図1中左側から右側に向かう方向に流れる電流成分が減少し、結果的にp型電極80近傍にのみ電流が集中することが明らかになった。このため、発光がp型電極直下近傍に偏ってしまうという問題が生ずる。これは、ITONの体積抵抗率が、ITOに比べ2桁程度高いことに起因する。本実施の形態の半導体発光素子によれば、p型GaN層54と透明導電体とのコンタクト抵抗をITON層60により低減する。これにより、半導体発光素子の駆動電圧Vfを低下し、低駆動電圧化および高発光効率化が実現される。そして、ITO層70を積層することにより、透明導電体のシート抵抗を低減し、電流が透明導電体内を平行な方向に流れる電流成分の割合を増加させる。これにより、発光部における均一な発光を実現し、発光強度分布の均一化が実現される。ここで、例えば半導体発光素子が青色発光ダイオードである場合、高い発光効率を維持するためには、p型GaN層54とp型電極80間の透明導電体は、活性層40から発せられる波長450nmの青色の光を透過する必要がある。ITONの価電子帯上端は、窒素のnon-bondingstateで構成されている。ITONの窒素含有量が増加するにつれ、価電子帯上端のエネルギー準位が上昇し、ITONのバンドギャップが狭くなる。このことから、青色光を吸収しないために、ITONの吸収端エネルギーは2.8eV以上であることが望ましい。吸収端エネルギーが2.8eVとなるITONの窒素濃度では、p型GaN層54とITON層60のショットキー障壁高さは約2.0eVである。したがって、本実施の形態において、p型GaN層54とITON層60とのショットキー障壁高さが2.0eV以上であることが望ましい。ちなみに、p型GaNとITOのショットキー障壁高さは3.2eVであるため、p型GaN層54とITON層60とのショットキー障壁高さは必然的に3.2eV以下となる。また、波長450nmの青色光に対して、ITON層60の屈折率が2.11以上2.34以下であることが望ましい。p型GaNの屈折率は約2.48である。ITOの屈折率は1.8~2.2である。活性層40で発した光は、p型GaN層54とITON層60との界面、および、ITON層60とITO層70との界面の2つの界面で一部反射される。半導体発光素子の発光効率を向上させるためには、この2つの界面で反射され外部に出ない光を低減することが必要とされる。p型GaN層54の屈折率をnpGAN、ITON層60の屈折率をnITONとすると、光がp型GaN層54とITON層60との界面に垂直に入射したときの界面での垂直反射率R1は、式1で表わされる。ここで、p型GaN層54とITON層60の消衰係数の差は屈折率差に対して十分小さいため、無視した。同様に、ITO層70の屈折率をnITOとすると、ITON層60とITO層70との界面の反射率R2は、式2で表わされる。したがって、R1およびR2を最小化し、2つの界面で反射されることでロスする光を最小化するためには、nITONがnpGANとnITOとの相乗平均、すなわち、式3であることが望ましい。上述のように、波長450nmの青色光に対するp型GaNの屈折率npGANは約2.48であり、ITOの屈折率nITOは1.8~2.2である。よって、ITON層の屈折率nITONが2.11以上2.34以下であることが望ましい。ITON層の屈折率は窒素濃度を適切な値に設定することで所望の値にすることが可能である。また、ITO層70の膜厚は、130nm以上170m以下であることが望ましい。130nmより薄いと、シート抵抗が高すぎるため発光がp型電極80近傍に偏りすぎる恐れがあるからである。また、170nmを超えると、ITO層70での光の吸収量が無視できなくなる恐れがあるからである。また、ITO層70の膜厚が130nm以上170nm以下である場合、ITON層60とITO層70の総膜厚が240nm以上310nm以下であることが望ましい。図2は、本実施の形態の半導体発光素子の反射率のITON層膜厚依存性を示す図である。シミュレーションによる結果を示ししている。図3は、図2のシミュレーションに用いた素子構造の模式断面図である。反射率のITON膜厚依存性を、ITOの屈性率が1.8、1.9、2.0、2.1、2.2それぞれの場合で計算した。図3に示すように素子構造は、p型GaN層、ITON層、ITO層、SiO2層屈折率n=1.45、樹脂層屈折率n=1.4の積層構造とした。光の波長は450nmとした。また、ITO層の膜厚は150nmとした。また、ITON層の屈折率は、p型GaN層とITO層との屈折率の相乗平均とした。図2に示すように、ITON膜厚が0~300nmの範囲では、いずれの屈折率の場合も、反射率が低く谷となる膜厚がA,B,Cの3箇所あることが判明した。ここで、膜厚がAの箇所の場合、膜厚が薄すぎて光学的に不活性である恐れが高いこと、また、製造上膜厚の制御が困難であることから望ましくない。そして、膜厚がCの箇所の場合、膜厚が厚くなりITON層における光の吸収が増大するため好ましくない。したがって、ITON層の膜厚は、Bの箇所の膜厚に設定することが望ましい。なお、SiO2層の膜厚を100nm~500nmの範囲で変化させても、図2に示す結果に大きな変化はなかった。図4は、ITON層の最適膜厚のITO層膜厚依存性を示す図である。ITO層の膜厚を130nm~170nmの範囲で変化させた場合のBの箇所におけるITON層の膜厚をプロットした図である。ITOの屈性率が1.8、1.9、2.0、2.1、2.2それぞれの場合で計算した。図4から明らかなように、いずれの屈折率の場合もITON層のITO層に対する最適膜厚は、傾きがほぼ1の直線上にのる。したがって、反射率が最低となる条件ではITO層の膜厚図中tITOとITON層の膜厚図中tITONとの総和がほぼ一定となる。また、その一定値はITOの屈折率が変化しても、240nm以上310nm以下の範囲におさまっている。よって、反射率をおさえ、高い発光効率を実現する観点から、ITO層の膜厚が130nm以上170nm以下であり、ITON層とITO層の総膜厚が240nm以上310nm以下であることが望ましい。なお、ここでは波長が450nmの場合のシミュレーション結果を基に説明したが、波長が420nm以上480nm以下の範囲にあれば、波長の変化に伴う屈折率の変化は小さいため、ITON層とITO層の総膜厚の望ましい範囲は同様の範囲となる。また、ITON層60内の窒素濃度がp型GaN54との界面から、ITO層70との界面に向けて低下することが望ましい。ITON層60内の窒素濃度が高い方がp型GaN層54とITON層60との間のショットキー障壁が下げられる一方、ITON層60内の窒素濃度が低下すると屈折率が低下するため、ITO層70との界面で窒素濃度が0になるように濃度分布を制御することで、ITO層70との界面での光の反射率を0とすることが可能となるからである。第2の実施の形態本実施の形態の半導体発光素子は、p型電極とn型電極のパターンが異なること以外は、第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。図5は本実施の形態の電極のパターンを示す平面図である。図5aが第1の実施の形態の電極パターン、図5bが本実施の形態の電極パターンである図5bに示すように、p型電極80およびn型電極90のそれぞれに細線部80aおよび90aを設ける。このように、細線部80a、80bを設けることで、p型電極80とn型電極90間の電流の、活性層40への流れを一層均一化させ、発光強度分布を一層均一化させることが可能となる。したがって、第1の実施の形態の半導体発光素子より、より高発光効率、かつ発光強度分布が均一化された半導体発光素子が実現される。以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。上記、実施の形態はあくまで、例として挙げられているだけであり、本発明を限定するものではない。また、実施の形態の説明においては、半導体発光素子等で、本発明の説明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされる半導体発光素子に関わる要素を適宜選択して用いることができる。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての半導体発光素子は、本発明の範囲に包含される。本発明の範囲は、特許請求の範囲およびその均等物の範囲によって定義されるものである。"