"第1及び第2の主面を有し、n型及びp型のうちの一方の第1の導電型を有する結晶性半導体基板と、前記第1の主面の上に形成されており、前記第1の導電型を有する第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に形成されている第1の電極と、前記第1の主面の上に形成されており、n型及びp型のうちの他方の第2の導電型を有する第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上に形成されている第2の電極と、を備える太陽電池であって、前記第1及び第2の電極は、前記第1の主面の端縁部を除く領域に形成されており、前記第1及び第2の電極が形成されていない前記第1の主面の端縁部の少なくとも一部の上に形成されている非晶質半導体層をさらに備える、太陽電池。前記非晶質半導体層は、水素を含む、請求項1に記載の太陽電池。前記非晶質半導体層は、真性な非晶質半導体からなる非晶質半導体層を含む、請求項1または2に記載の太陽電池。前記非晶質半導体層は、前記第1の主面の上に形成されており、真性な非晶質半導体からなる第1の非晶質半導体層と、前記第1の非晶質半導体層の上に形成されており、前記第1の導電型を有する第2の非晶質半導体層とを有する、請求項3に記載の太陽電池。前記非晶質半導体層を覆うように形成されている絶縁層をさらに備える、請求項1~4のいずれか一項に記載の太陽電池。前記絶縁層は、酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンにより形成されている、請求項5に記載の太陽電池。前記絶縁層を覆うように形成されているさらなる非晶質半導体層をさらに備える、請求項5または6に記載の太陽電池。前記さらなる非晶質半導体層は、前記第1または第2の半導体層と一体に形成されている、請求項7に記載の太陽電池。前記第1の主面の前記第1及び第2の電極が形成されている領域において、前記第1の電極と前記第2の電極との間の領域にも非晶質半導体層が形成されている、請求項1~8のいずれか一項に記載の太陽電池。前記非晶質半導体層は、前記第1及び第2の電極が形成されていない前記第1の主面の端縁部の実質的に全体を覆うように形成されている、請求項1~9のいずれか一項に記載の太陽電池。前記第2の半導体層の中央部を除く両端部の上に設けられている絶縁層をさらに備え、前記第1の半導体層は、前記第1の主面の前記第2の半導体層に隣接した部分の上と、前記絶縁層の少なくとも一部の上に跨がって設けられている、請求項1~10のいずれか一項に記載の太陽電池。前記非晶質半導体層は、前記第1及び第2の電極のいずれにも電気的に接続されていない、請求項1~11のいずれか一項に記載の太陽電池。第1及び第2の主面を有し、n型及びp型のうちの一方の第1の導電型を有する結晶性半導体基板と、前記第1の主面の上に形成されており、前記第1の導電型を有する第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に形成されている第1の電極と、前記第1の主面の上に形成されており、n型及びp型のうちの他方の第2の導電型を有する第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上に形成されている第2の電極と、を備える太陽電池の製造方法であって、前記第1及び第2の電極を、前記第1の主面の端縁部を除く領域に形成し、前記第1及び第2の電極が形成されていない前記第1の主面の端縁部の少なくとも一部の上に非晶質半導体層を形成する、太陽電池の製造方法。前記第1の主面の上に前記第1の導電型を有する半導体層を形成する工程と、前記第1の導電型を有する半導体層をパターニングすることにより、前記第1の導電型を有する半導体層から、前記第1の半導体層と、前記非晶質半導体層とを形成する工程と、を備える、請求項13に記載の太陽電池の製造方法。前記第1の導電型を有する半導体層の一部の上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の上から、前記第1の導電型を有する半導体層の前記絶縁層から露出した部分をエッチングすることにより前記第1の主面の一部を露出させると共に、前記第1の半導体層と前記非晶質半導体層とを形成する工程と、前記絶縁層と前記第1の主面の露出部とを覆うように前記第2の導電型を有する半導体層を形成する工程と、前記第2の導電型を有する半導体層のうち、前記第1の半導体層の上に位置する絶縁層を覆っている部分の少なくとも一部を除去することにより、前記第2の半導体層を形成すると共に、前記第1の半導体層の上に位置する絶縁層の少なくとも一部を露出させる工程と、前記第2の導電型を有する半導体層の上から、前記絶縁層の露出部をエッチングにより除去し、前記第1の半導体層を露出させる工程と、を備える、請求項14に記載の太陽電池の製造方法。前記第2の半導体層を前記第1の半導体層よりも先に形成する、請求項13に記載の太陽電池の製造方法。前記第1の主面の上に前記第2の導電型を有する半導体層を形成する工程と、前記第2の導電型を有する半導体層をパターニングすることにより、前記第2の導電型を有する半導体層から、前記第2の半導体層と、前記非晶質半導体層とを形成する工程と、前記第2の導電型を有する半導体層を形成した後に前記第1の半導体層を形成する工程と、を備える、請求項16に記載の太陽電池の製造方法。前記第2の導電型を有する半導体層の一部の上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の上から、前記第2の導電型を有する半導体層の前記絶縁層から露出した部分をエッチングすることにより前記第1の主面の一部を露出させると共に、前記第2の半導体層と前記非晶質半導体層とを形成する工程と、前記絶縁層と前記第1の主面の露出部とを覆うように前記第1の導電型を有する半導体層を形成する工程と、前記第1の導電型を有する半導体層のうち、前記第2の半導体層の上に位置する絶縁層を覆っている部分の少なくとも一部を除去することにより、前記第1の半導体層を形成すると共に、前記第2の半導体層の上に位置する絶縁層の少なくとも一部を露出させる工程と、前記第1の導電型を有する半導体層の上から、前記絶縁層の露出部をエッチングにより除去し、前記第2の半導体層を露出させる工程と、を備える、請求項17に記載の太陽電池の製造方法。裏面接合型の太陽電池の光電変換効率をさらに高めたいという要望がある。本発明は、斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、光電変換効率の高い太陽電池を提供することにある。本発明に係る太陽電池は、結晶性半導体基板と、第1の半導体層と、第1の電極と、第2の半導体層と、第2の電極とを備えている。結晶性半導体基板は、第1及び第2の主面を有する。結晶性半導体基板は、n型及びp型のうちの一方の第1の導電型を有する。第1の半導体層は、第1の主面の上に形成されている。第1の半導体層は、第1の導電型を有する。第1の電極は、第1の半導体層の上に形成されている。第2の半導体層は、第1の主面の上に形成されている。第2の半導体層は、n型及びp型のうちの他方の第2の導電型を有する。第2の電極は、第2の半導体層の上に形成されている。第1及び第2の電極は、第1の主面の端縁部を除く領域に形成されている。本発明に係る太陽電池は、非晶質半導体層をさらに備えている。非晶質半導体層は、第1及び第2の電極が形成されていない第1の主面の端縁部の少なくとも一部の上に形成されている。なお、本発明において、結晶性半導体基板とは、単結晶半導体基板または多結晶半導体基板を意味するものとする。すなわち、本発明において、結晶性半導体基板は、単結晶半導体基板に限定されない。一方、非晶質半導体には、微結晶半導体を含むものとする。微結晶半導体とは、非晶質半導体中に析出している半導体結晶の平均粒子径が1nm~50nmの範囲内にある半導体をいう。本発明に係る太陽電池の製造方法は、第1及び第2の主面を有し、n型及びp型のうちの一方の第1の導電型を有する結晶性半導体基板と、第1の主面の上に形成されており、第1の導電型を有する第1の半導体層と、第1の半導体層の上に形成されている第1の電極と、第1の主面の上に形成されており、n型及びp型のうちの他方の第2の導電型を有する第2の半導体層と、第2の半導体層の上に形成されている第2の電極とを備える太陽電池の製造方法に関する。本発明に係る太陽電池の製造方法では、第1及び第2の電極を、第1の主面の端縁部を除く領域に形成する。第1及び第2の電極が形成されていない第1の主面の端縁部の少なくとも一部の上に非晶質半導体層を形成する。本発明によれば、光電変換効率の高い太陽電池を提供することができる。以下、本発明の好ましい実施形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる一例である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。《第1の実施形態》太陽電池1の構成まず、本実施形態に係る太陽電池1の構成について、図1~図3を参照しながら詳細に説明する。なお、図1は、太陽電池1の平面図である。図1においては、説明の便宜上、IN積層体12及びIP積層体13を描画しているが、太陽電池1を平面視した際には、IN積層体12及びIP積層体13は、n側またはp側電極14,15の下に位置しているため、視認することはできない。太陽電池1は、裏面接合型の太陽電池である。なお、本実施形態の太陽電池1単体では、十分に大きな出力が得られない場合は、太陽電池1は、複数の太陽電池1が配線材により接続された太陽電池モジュールとして利用されることもある。図2及び図3に示すように、太陽電池1は、半導体基板10を備えている。半導体基板10は、第2の主面としての受光面10aと、第1の主面としての裏面10bとを有する。半導体基板10は、受光面10aにおいて、光11を受光することによってキャリアを生成する。ここで、キャリアとは、光が半導体基板10に吸収されることにより生成する正孔及び電子のことである。半導体基板10は、n型またはp型の導電型を有する結晶性半導体基板により構成されている。結晶性半導体基板の具体例としては、例えば、単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板などの結晶シリコン基板が挙げられる。以下、本実施形態では、半導体基板10がn型の結晶性シリコン基板により構成されている例について説明する。半導体基板10の受光面10aの上には、i型非晶質半導体層17iが形成されている。i型非晶質半導体層17iは、真性な非晶質半導体以下、真性な半導体をi型半導体とする。からなる。本実施形態においては、半導体層17iは、具体的には、i型のアモルファスシリコンにより形成されている。半導体層17iの厚みは、発電に実質的に寄与しない程度の厚みである限りにおいて特に限定されない。半導体層17iの厚みは、例えば、数Å~250Å程度とすることができる。半導体層17iの上には、n型非晶質半導体層17nが形成されている。n型非晶質半導体層17nは、半導体基板10と同じ導電型を有する。すなわち、半導体層17nは、n型のドーパントが添加されており、n型の導電型を有する非晶質半導体層である。具体的には、本実施形態では、半導体層17nは、n型アモルファスシリコンからなる。半導体層17nの厚みは、特に限定されない。半導体層17nの厚みは、例えば、20Å~500Å程度とすることができる。半導体層17nの上には、反射防止膜としての機能と保護膜としての機能とを兼ね備えた絶縁層16が形成されている。絶縁層16は、例えば、SiO2などの酸化ケイ素、SiNなどの窒化ケイ素、SiONなどの酸窒化ケイ素により形成することができる。絶縁層16の厚みは、付与しようとする反射防止膜の反射防止特性などに応じて適宜設定することができる。絶縁層16の厚みは、例えば80nm~1μm程度とすることができる。半導体基板10の裏面10bの上には、IN積層体12とIP積層体13とが形成されている。図1に示すように、IN積層体12とIP積層体13とのそれぞれは、くし歯状に形成されている。IN積層体12とIP積層体13とは互いに間挿し合うように形成されている。このため、裏面10b上において、IN積層体12とIP積層体13とは、交差幅方向yに垂直な方向xに沿って交互に配列されている。図2に示すように、方向xにおいて隣り合うIN積層体12とIP積層体13とは接触している。すなわち、本実施形態では、IN積層体12とIP積層体13とによって、裏面10bの実質的に全体が被覆されている。なお、IN積層体12の幅W1図2を参照と、方向xにおけるIN積層体12の間隔W2とのそれぞれは、例えば、100μm~1.5mm程度とすることができる。幅W1と間隔W2とは、互いに等しくてもよいし、異なっていてもよい。IN積層体12は、裏面10bの上に形成されているi型非晶質半導体層12iと、i型非晶質半導体層12iの上に形成されているn型非晶質半導体層12nとの積層体により構成されている。半導体層12iは、上記半導体層17iと同様に、i型半導体からなる。半導体層12iの厚みは、発電に実質的に寄与しない程度の厚みである限りにおいて特に限定されない。半導体層12iの厚みは、例えば、数Å~250Å程度とすることができる。半導体層12nは、上記半導体層17nと同様に、n型のドーパントが添加されており、半導体基板10と同様に、n型の導電型を有する。具体的には、本実施形態では、半導体層12nは、n型アモルファスシリコンからなる。半導体層12nの厚みは、特に限定されない。半導体層12nの厚みは、例えば、20Å~500Å程度とすることができる。IN積層体12の方向xにおける中央部を除く両端部の上には、絶縁層18が形成されている。IN積層体12の方向xにおける中央部は、絶縁層18から露出している。絶縁層18の方向xにおける幅W3は特に限定されず、例えば、幅W1の約1/3程度とすることができる。また、絶縁層18間の方向xにおける間隔W4も特に限定されず、例えば、幅W1の約1/3程度とすることができる。絶縁層18の材質は、特に限定されない。絶縁層18は、例えば、SiO2などの酸化ケイ素、SiNなどの窒化ケイ素、SiONなどの酸窒化ケイ素により形成することができる。また、絶縁層18は、酸化チタンや酸化タンタルなどの金属酸化物により形成することもできる。なかでも、絶縁層18は、窒化ケイ素により形成されていることが好ましい。また、絶縁層18は、水素を含んでいることが好ましい。IP積層体13は、裏面10bのIN積層体12から露出した部分と、絶縁層18の端部との上に形成されている。このため、IP積層体13の両端部は、IN積層体12と高さ方向zにおいて重なっている。IP積層体13は、裏面10bの上に形成されているi型非晶質半導体層13iと、i型非晶質半導体層13iの上に形成されているp型非晶質半導体層13pとの積層体により構成されている。半導体層13iは、i型半導体からなる。半導体層13iの厚みは、発電に実質的に寄与しない程度の厚みである限りにおいて特に限定されない。半導体層13iの厚みは、例えば、数Å~250Å程度とすることができる。半導体層13pは、p型のドーパントが添加されており、p型の導電型を有する非晶質半導体層である。具体的には、本実施形態では、半導体層13pは、p型のアモルファスシリコンからなる。半導体層13pの厚みは、特に限定されない。半導体層13pの厚みは、例えば、20Å~500Å程度とすることができる。このように、本実施形態では、結晶性の半導体基板10と半導体層13pとの間に、実質的に発電に寄与しない程度の厚みの半導体層13iが設けられている。これにより、半導体基板10とIP積層体13との接合界面における小数キャリアの再結合を抑制することができる。その結果、光電変換効率の向上を図ることができる。なお、半導体層17n、12n、13p、17i、12i、13iのそれぞれは水素を含むものであることが好ましい。半導体層12nの上には、正孔を収集するn側電極14が形成されている。一方、半導体層13pの上には、電子を収集するp側電極15が形成されている。なお、絶縁層18の上における電極14と電極15との間の間隔W5は、例えば、幅W3の1/3程度とすることができる。上述の通り、本実施形態では、IN積層体12とIP積層体13とのそれぞれはくし歯状に形成されている。このため、電極14,15は、バスバー及び複数のフィンガーを含むくし歯状に形成されている。もっとも、電極14,15は、複数のフィンガーのみにより構成されており、バスバーを有さない所謂バスバーレス型の電極であってもよい。なお、電極14,15は、キャリアを収集できるものである限りにおいて特に限定されない。電極14,15は、例えば、Cu,Agなどの金属や、それらの金属のうちの一種以上を含む合金により形成することができる。また、電極14,15は、例えば、ITOインジウム錫酸化物などのTCOTransparentConductiveOxide等により形成することもできる。電極14,15は、上記金属、合金またはTCOからなる複数の導電層の積層体により構成されていてもよい。図1に示すように、第1及び第2の電極14,15は、第1の主面10aの端縁部を除く中央部に形成されている。本実施形態においては、第1の主面10aのうち、第1及び第2の電極14,15が形成されている中央部を、領域10a1とする。第1の主面10aのうち、第1及び第2の電極14,15が形成されていない端縁部を、領域10a2とする。本実施形態では、第1の主面10aが露出している領域10a2の少なくとも一部の上には、非晶質半導体層32が形成されている。具体的には、本実施形態では、領域10a2の実質的に全体が半導体層32により覆われている。半導体層32は、水素を含んでいることが好ましい。図3に示すように、半導体層32は、i型非晶質半導体層32iと、n型非晶質半導体層32nとを有する。半導体層32iは、領域10a2の上に形成されている。半導体層32iは、真性な非晶質半導体からなる。半導体層32iは、例えば、i型のアモルファスシリコンにより形成することができる。半導体層32iは、半導体層12iと同一の材料からなることが好ましい。なお、半導体層32iの厚みは、特に限定されない。半導体層32iの厚みは、例えば、数Å~250Å程度とすることができる。半導体層32nは、半導体層32iの上に形成されている。半導体層32nは、半導体基板10と同じn型の導電型を有している。半導体層32nは、例えば、n型のアモルファスシリコンにより形成することができる。半導体層32nは、半導体層12nと同一の材料からなることが好ましい。なお、半導体層32nの厚みは、特に限定されない。半導体層32nの厚みは、例えば、20Å~500Å程度とすることができる。半導体層32の上には、絶縁層33が形成されている。この絶縁層33により半導体層32の実質的に全体が覆われている。絶縁層33は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化チタンや酸化タンタルなどの金属酸化物により形成することができる。なかでも、絶縁層33は、酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンにより形成されていることが好ましい。絶縁層33は、絶縁層18と同一の材料からなることが好ましい。なお、絶縁層33の厚みは、特に限定されない。絶縁層33の厚みは、例えば、10nm~1μm程度とすることができる。絶縁層33の上には、非晶質半導体層34が形成されている。この半導体層34により絶縁層33の実質的に全体が覆われている。半導体層34は、i型非晶質半導体層34iと、p型非晶質半導体層34pとを有する。半導体層34iは、絶縁層33の上に形成されている。半導体層34iは、真性な非晶質半導体からなる。半導体層34iは、例えば、i型のアモルファスシリコンにより形成することができる。本実施形態においては、半導体層34iは、最も領域10a2側に位置している半導体層13iと一体に形成されている。半導体層34pは、半導体層34iの上に形成されている。半導体層34pは、p型の非晶質半導体からなる。半導体層34pは、例えば、p型のアモルファスシリコンにより形成することができる。本実施形態では、半導体層34pは、半導体層13pと一体に形成されている。ところで、領域10a2において、結晶性半導体基板10の表面が露出している場合、半導体基板10の露出部において小数キャリアの再結合が生じやすい。従って、光電変換効率が低くなりやすい。それに対して本実施形態では、領域10a2の上に、非晶質半導体層32が形成されている。特に、本実施形態では、領域10a2の実質的に全体が非晶質半導体層32により覆われている。このため、半導体基板10の裏面10bの露出面積を小さくすることができる。従って、領域10a2における小数キャリアの再結合を効果的に抑制することができる。その結果、高い光電変換効率を実現することができる。また、本実施形態では、半導体層32が水素を含んでいるため、領域10a2における小数キャリアの再結合をより効果的に抑制することができる。その結果、より高い光電変換効率を実現することができる。また、半導体層32のうち、半導体基板10に接触している半導体層32iは、真性な半導体からなる。このため、半導体層32iには、欠陥が少ない。従って、領域10a2における小数キャリアの再結合をより効果的に抑制することができる。その結果、より高い光電変換効率を実現することができる。また、本実施形態では、半導体層32iの上に、半導体基板10と同じ導電型を有する半導体層32nが形成されている。このため、半導体層32i、32nの積層体により、BSFBackSurfaceField効果が奏される。その結果、さらに高い光電変換効率を実現することができる。なお、電極14,15を裏面10bの端縁まで形成し、領域10a2を設けないことも考えられる。しかしながら、例えば電極14,15の形成時に半導体基板10を固定するための領域が第1の主面10aに必要になるなどの理由から、領域10a2を設けないことは困難である。本実施形態では、半導体層32の上に、絶縁層33が形成されている。このため、例えば、重金属イオン、アルカリ金属イオン、遷移金属イオンなどが半導体層32内に侵入し、半導体層32に欠陥が生じることを効果的に抑制することができる。その結果、高い光電変換効率を長期間にわたって維持することができる。絶縁層33は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンにより形成されていることが好ましく、窒化シリコンにより形成されていることがより好ましい。絶縁層33の耐候性、ガスバリア性を向上でき、各種イオンの半導体層32内への侵入をより効果的に抑制できるためである。本実施形態では、領域10a1の電極14,15相互間の電極が形成されていない領域が半導体層12iにより覆われている。従って、領域10a1の電極14,15相互間の電極が形成されていない領域における小数キャリアの再結合も効果的に抑制することができる。従って、より高い光電変換効率を実現することができる。次に、図4~図13を主として参照しながら、本実施形態の太陽電池1の製造方法について説明する。なお、図7~図13は、図3と同様に、端縁部を含む部分の断面図である。まず、半導体基板10図5を参照を用意する。次に、図4に示すように、ステップS1において、半導体基板10の受光面10a及び裏面10bの洗浄を行う。半導体基板10の洗浄は、例えば、HF水溶液などを用いて行うことができる。次に、図4及び図5に示すように、ステップS2において、半導体基板10の受光面10aの上に半導体層17iと半導体層17nとを形成すると共に、裏面10bの上にi型非晶質半導体層21とn型非晶質半導体層22とを形成する。半導体層17i,17n,21,22のそれぞれの形成方法は、特に限定されない。半導体層17i,17n,21,22は、例えば、プラズマCVD法等のCVDChemicalVaporDeposition法やスパッタリング法等の薄膜形成法により形成することができる。次に、図4及び図6に示すように、ステップS3において、半導体層17nの上に絶縁層16を形成すると共に、半導体層22の上に絶縁層23を形成する。なお、絶縁層16,23の形成方法は特に限定されない。絶縁層16,23は、例えば、スパッタリング法やCVD法等の薄膜形成法などにより形成することができる。次に、図4及び図7に示すように、ステップS4において、絶縁層23をエッチングすることにより、絶縁層23の一部分を除去する。具体的には、絶縁層23のうち、後の工程で半導体基板10にp型半導体層を接合させる領域の上に位置する部分を除去する。これにより、絶縁層23aと、図3に示す絶縁層33とを形成する。なお、絶縁層23のエッチングは、絶縁層23が酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる場合は、例えば、HF水溶液等の酸性のエッチング液を用いて行うことができる。次に、図4及び図8に示すように、ステップS5において、絶縁層23a、33をマスクとして用いて、半導体層21と半導体層22とを、アルカリ性のエッチング液を用いてエッチングすることにより、半導体層21及び半導体層22の絶縁層23a、33により覆われている部分以外の部分を除去する。これにより、裏面10bのうち、上方に絶縁層23が位置していない部分を露出させると共に、半導体層21,22から、半導体層12i,12n,32i,32nを形成する。ここで、上述の通り、本実施形態では、絶縁層23a、33が酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる。このため、酸性のエッチング液による絶縁層23a、33のエッチング速度は高いものの、アルカリ性のエッチング液による絶縁層23a、33のエッチング速度は低い。一方、半導体層21,22は非晶質シリコンからなる。このため、半導体層21,22に関しては、酸性のエッチング液によるエッチング速度が低く、アルカリ性のエッチング液によるエッチング速度が高い。このため、ステップS4において用いた酸性のエッチング液によって、絶縁層23a、33はエッチングされるものの、半導体層21,22は、実質的にエッチングされない。一方、ステップS5において用いたアルカリ性のエッチング液によって半導体層21,22はエッチングされるものの、絶縁層23a、33は実質的にエッチングされない。従って、ステップS4及びステップS5において、絶縁層23a、33または半導体層21,22を選択的にエッチングすることができる。次に、図4及び図9に示すように、ステップS6において、裏面10bを覆うように、i型非晶質半導体層24とp型非晶質半導体層25とをこの順番で順次形成する。非晶質半導体層24,25の形成方法は特に限定されない。半導体層24,25は、例えば、スパッタリング法やCVD法などの薄膜形成法により形成することができる。次に、図4及び図10に示すように、ステップS7において、半導体層24,25の絶縁層23aの上に位置している部分の一部分をエッチングする。これにより、非晶質半導体層24,25から半導体層13i,13p,34i,34pを形成する。このステップS7においては、非晶質半導体層24,25に対するエッチング速度が絶縁層23a、33に対するエッチング速度よりも大きな第1のエッチング剤を使用する。このため、絶縁層23a、33と非晶質半導体層24,25のうち、非晶質半導体層24,25が選択的にエッチングされる。なお、第1のエッチング剤の具体例としては、NaOHを含むNaOH水溶液などが挙げられる。次に、図4及び図11に示すように、ステップS8において絶縁層23aのエッチングを行う。具体的には、半導体層13i,13p,34i,34pの上から、第2のエッチング剤を用いて、絶縁層23の露出部をエッチングにより除去する。これにより、半導体層12nを露出させると共に、絶縁層23aから絶縁層18を形成する。このステップS8においては、絶縁層23aに対するエッチング速度が半導体層13i,13p,34i,34pに対するエッチング速度よりも大きな第2のエッチング剤を使用する。このため、絶縁層23aと半導体層13i,13p,34i,34pのうち、絶縁層23aが選択的にエッチングされる。なお、第2のエッチング剤の具体例としては、HFを含むHF水溶液などが挙げられる。次に、図4に示すように、ステップS9において、半導体層12n及び半導体層13pのそれぞれの上に電極14,15を形成する電極形成工程を行うことにより、太陽電池1を完成させることができる。電極14,15の形成方法は、電極の材質に応じて適宜選択することができる。詳細には、本実施形態では、以下のようにして電極14,15が形成される。まず、図12に示すように、TCOからなる導電層26と、Cuなどの金属や合金からなる導電層27とを、プラズマCVD法等のCVDChemicalVaporDeposition法やスパッタリング法等の薄膜形成法によりこの順番で形成する。次に、図13に示すように、導電層26,27の絶縁層18の上に位置している部分を、例えば、フォトリソグラフィー法などにより分断する。この際に、半導体層13i、13p、34i、34pも同時に分断しておく。次に、導電層27の上にめっき膜を形成することにより、電極14,15を完成させることができる。このように、本実施形態に係る太陽電池1の製造方法では、半導体層32をIN積層体12と共通のプロセスにより形成する。絶縁層33を絶縁層18と共通のプロセスにより形成する。従って、製造工程を煩雑化させることなく、少ないプロセスで容易に太陽電池1を製造することができる。ところで、例えば、絶縁層33の上に非晶質半導体層が形成されておらず、絶縁層33が露出していても、半導体層32への各種イオンの侵入を抑制することができる。しかしながら、絶縁層33が露出していると、例えば、絶縁層23aをエッチングして絶縁層18を形成する工程や、導電層26,27の分断工程などにおいて、絶縁層33が損傷したり、除去されてしまったりする場合がある。それに対して本実施形態では、絶縁層33は、半導体層34により覆われている。このため、絶縁層23aのエッチング工程や導電層26,27の分断工程などにおいて絶縁層33が損傷したり除去されたりすることを効果的に抑制することができる。また、本実施形態では、半導体層34を、領域10a2に隣接するIP積層体13と一体に形成する。従って、太陽電池1の製造プロセスを簡略化することができる。第1の実施形態の変形例第1の変形例図14は、第1の実施形態の変形例第1の変形例に係る太陽電池の端縁部の略図的断面図である。上記第1の実施形態では、領域10a2において、半導体基板10の裏面10bの上には、i型非晶質半導体層32iが形成されており、i型非晶質半導体層32iの上に、n型非晶質半導体層32nが形成されている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、領域10a2において、半導体基板10の裏面10bの直上にn型非晶質半導体層を形成してもよい。また、図14に示すように、裏面10bの上に、i型非晶質半導体層34iと、p型非晶質半導体層34pとの積層体からなる非晶質半導体層34を設けてもよい。また、裏面10bの直上にp型非晶質半導体層を形成してもよい。これらの場合であっても、領域10a2の上に非晶質半導体層が形成されているため、上記第1の実施形態と同様に、高い光電変換効率を実現することができる。なお、図14に示す第1の変形例に係る太陽電池では、半導体層34の上には、絶縁層は形成されていない。半導体層34は、電極14,15のいずれにも電気的に接続されていない。以下、本発明の好ましい形態の他の例について説明する。なお、以下の説明において、上記第1の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。第2の実施形態図15は、第2の実施形態における太陽電池の略図的平面図である。図16は、第2の実施形態における太陽電池の中央部の略図的断面図である。図17は、第2の実施形態における太陽電池の端縁部の略図的断面図である。上記第1の実施形態に係る太陽電池1では、n型非晶質半導体層12nのx方向における両端部の上に絶縁層18が形成されており、絶縁層18の上にp型非晶質半導体層13pの一部が位置している例について説明した。それに対して本実施形態では、p型非晶質半導体層13pの上に絶縁層18が形成されており、絶縁層18の上にn型非晶質半導体層12nの一部が位置している。すなわち、太陽電池2と太陽電池1とでは、p型非晶質半導体層13pを含む半導体層13と、n型非晶質半導体層12nを含む半導体層12との位置関係が逆になっている。それに伴い、n側電極14とp側電極15との位置関係も太陽電池2と太陽電池1とで逆となっている。それら以外の点については、太陽電池2は、第1の実施形態に係る太陽電池1と実質的に同様の構成を有する。ところで、本実施形態のように半導体基板10がn型である場合は、少数キャリアは、ホールとなる。このため、太陽電池1の光電変換効率を高める観点からは少数キャリアであるホールの再結合による消失を抑制することが重要となる。ここで、p型非晶質半導体層13pの下方で生成した少数キャリアホールは、p側電極15により集電されるまでの移動距離が短い。このため、p型非晶質半導体層13pの下方で生成した少数キャリアは、p側電極15に収集されるまでに再結合により消失し難い。一方、n型非晶質半導体層12nの下方で生成した少数キャリアは、p側電極15により集電されるまでに移動しなければならない距離が長い。このため、n型非晶質半導体層12nの下方で生成した少数キャリアは、p側電極15に収集されるまでに再結合により消失しやすい。従って、少数キャリアの再結合を抑制する観点からは、n型非晶質半導体層12n及びp型非晶質半導体層13pの幅を小さくすると共に、n型非晶質半導体層12nの幅をp型非晶質半導体層13pに対して相対的に小さくすることが好ましい。そうすることにより、少数キャリアがp側電極15により収集されるまでに移動しなければならない距離を短くすることができる。しかしながら、絶縁層の下に位置している半導体層には、絶縁層を設けるための領域と、電極と半導体層とを接触させるための領域との両方を設ける必要がある。このため、絶縁層の下に位置している半導体層は、それほど幅を小さくすることはできない。よって、第1の実施形態に係る太陽電池1のように、絶縁層18の下にn型非晶質半導体層12nが位置している場合は、n型非晶質半導体層12nの幅を十分に小さくすることができない。それに対して本実施形態に係る太陽電池2では、絶縁層18の下にp型非晶質半導体層13pが位置しており、n型非晶質半導体層12nの上には、絶縁層が形成されていない。このため、n型非晶質半導体層12nの幅を、p型非晶質半導体層13pに対して相対的に小さくすることが容易になる。従って、n型非晶質半導体層12nの下方で生成した正孔がp側電極15により収集されるまでに移動しなければならない距離を短くすることができる。その結果、少数キャリアの再結合を抑制することができる。よって、太陽電池2の光電変換効率を改善することができる。光電変換効率をさらに改善する観点からは、p型非晶質半導体層13pのx方向に沿った幅がn型非晶質半導体層12nのx方向に沿った幅の1.1倍以上であることが好ましく、1.5倍以上であることがより好ましい。なお、本実施形態では、半導体基板10がn型であるため、絶縁層18の下に位置する半導体層をp型にすることが好ましいが、半導体基板がp型である場合は、絶縁層の下に位置する半導体層をn型にすることが好ましい。すなわち、半導体層の下に位置する半導体層は、半導体基板とは異なる導電型を有していることが好ましい。太陽電池2の製造方法図18は、第2の実施形態における太陽電池の製造工程を表すフローチャートである。図19~図27は、第2の実施形態における太陽電池の製造工程を説明するための略図的断面図である。次に、図18~図27を参照しながら太陽電池2の製造方法の一例について説明する。なお、図19~図27は、図16と同様に、端縁部を含む部分の断面図である。なお、以下の説明において、上記第1の実施形態と実質的に同様の工程は、第1の実施形態において例示した具体的方法により行うことができるため、第1の実施形態の記載を援用し、説明を省略する。まず、半導体基板10を用意する。次に、図18に示すように、ステップS11において、第1の実施形態のステップS1と同様に、半導体基板10の受光面10a及び裏面10bの洗浄を行う。次に、ステップS12において、半導体基板10の受光面10aの上に半導体層17iと半導体層17nとを形成すると共に、裏面10bの上にi型非晶質半導体層21とp型非晶質半導体層40とを形成する。次に、ステップS13において、半導体層17nの上に絶縁層16を形成すると共に、半導体層40の上に絶縁層23を形成する。次に、ステップS14において、絶縁層23をエッチングすることにより、絶縁層23の一部分を除去する。具体的には、絶縁層23のうち、後の工程で半導体基板10にn型半導体層を接合させる領域の上に位置する部分を除去する。これにより、絶縁層23aと、絶縁層33とを形成する。次に、ステップS15において、絶縁層23a、33をマスクとして用いて、半導体層21と半導体層40とを、アルカリ性のエッチング液を用いてエッチングすることにより、半導体層21及び半導体層40の絶縁層23a、33により覆われている部分以外の部分を除去する。これにより、裏面10bのうち、上方に絶縁層23が位置していない部分を露出させると共に、半導体層21,40から、半導体層13i,13p,34i,34pを形成する。次に、ステップS16において、裏面10bの露出部を覆うように、i型非晶質半導体層24とn型非晶質半導体層41とをこの順番で順次形成する。次に、ステップS17において、半導体層24,41の絶縁層23aの上に位置している部分の一部分をエッチングする。これにより、非晶質半導体層24,41から半導体層12i,12n,32i,32nを形成する。次に、ステップS18において絶縁層23aのエッチングを行う。具体的には、半導体層12i,12n,32i,32nの上から、第2のエッチング剤を用いて、絶縁層23の露出部をエッチングにより除去する。これにより、半導体層13pを露出させると共に、絶縁層23aから絶縁層18を形成する。次に、ステップS19において、半導体層12n及び半導体層13pのそれぞれの上に電極14,15を形成する電極形成工程を行うことにより、太陽電池1を完成させることができる。具体的には、本実施形態では、まず、TCOからなる導電層26と、Cuなどの金属や合金からなる導電層27とを、プラズマCVD法等のCVDChemicalVaporDeposition法やスパッタリング法等の薄膜形成法によりこの順番で形成する。次に、導電層26,27の絶縁層18の上に位置している部分を、例えば、フォトリソグラフィー法などにより分断する。この際に、半導体層12i、12n、32i、32nも同時に分断しておく。次に、導電層27の上にめっき膜を形成することにより、電極14,15を完成させることができる。本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、製造工程を煩雑化させることなく、少ないプロセスで容易に太陽電池2を製造することができる。また、絶縁層33が半導体層32により覆われているため、太陽電池2の製造工程において絶縁層33が損傷したり除去されたりすることを効果的に抑制することができる。また、本実施形態では、半導体層32を、領域10a2に隣接するIN積層体12と一体に形成する。従って、太陽電池2の製造プロセスを簡略化することができる。また、本実施形態では、p型非晶質半導体層13pをn型非晶質半導体層12nよりも先に形成する。具体的には、ステップS1において基板10の洗浄を行った直後に、半導体層13i、13pを裏面10bの上に形成する。このため、半導体層13i、13pを形成する直前の裏面10bの清浄度をより高めることができる。よって、より高品位なpn接合を形成することができる。従って、より高い光電変換効率を得ることができる。第2の実施形態の変形例第2の変形例図28は、第2の実施形態の変形例第2の変形例に係る太陽電池の端縁部の略図的断面図である。上記第2の実施形態では、領域10a2において、半導体基板10の裏面10bの上には、i型非晶質半導体層34iが形成されており、i型非晶質半導体層34iの上に、p型非晶質半導体層34pが形成されている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、領域10a2において、半導体基板10の裏面10bの直上にp型非晶質半導体層を形成してもよい。また、図28に示すように、裏面10bの上に、i型非晶質半導体層32iと、n型非晶質半導体層32nとの積層体からなる非晶質半導体層32を設けてもよい。また、裏面10bの直上にn型非晶質半導体層を形成してもよい。これらの場合であっても、領域10a2の上に非晶質半導体層が形成されているため、上記第2の実施形態と同様に、高い光電変換効率を実現することができる。なお、図28に示す第1の変形例に係る太陽電池では、半導体層32の上には、絶縁層は形成されていない。半導体層32は、電極14,15のいずれにも電気的に接続されていない。変形例第1及び第2の実施形態では、n型非晶質半導体層12nと裏面10bとの間にi型非晶質半導体層12iが設けられている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、i型非晶質半導体層を設けず、裏面10bの直上にn型非晶質半導体層を設けてもよい。また、第1及び第2の実施形態では、p型非晶質半導体層13pと裏面10bとの間にi型非晶質半導体層13iが設けられている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、i型非晶質半導体層を設けず、裏面10bの直上にp型非晶質半導体層を設けてもよい。"