"少なくとも、第1ポートと接続する第1共振器と、第2ポートと接続する第2共振器と、前記第1共振器と前記第2共振器との段間に配置された第3共振器とを備え、各共振器は一端が設置され、他端が第1コンデンサを介して接地された第1インダクタと有するバンドパスフィルタであって、各共振器は誘電体層を積み重ねた積層体の内部に構成され、前記第1インダクタは、前記積層体に形成された第1グランド電極と誘電体層を介して対向する帯状電極と、前記帯状電極の一端側を前記第1グランド電極に接続する第1ビアホール電極と、前記第1コンデンサを構成するコンデンサ電極と前記帯状電極の他端側とを接続する第2ビアホール電極とで構成され、前記コンデンサ電極と前記帯状電極との間の誘電体層に前記第1グランド電極が配置されたことを特徴とするバンドパスフィルタ。第1ポートと第2のポートとの間に直列に接続された第2コンデンサを備え、前記第2コンデンサを構成するコンデンサ電極と前記第1グランド電極との間の誘電体層に前記第1コンデンサを構成するコンデンサ電極を配置したことを特徴とする請求項1に記載のバンドパスフィルタ。前記第1ビアホール電極と前記第2ビアホール電極は、その平面形状が楕円形又は長方形状であって、その長軸は、前記帯状電極の幅方向に延びることを特徴とする請求項1又は2に記載のバンドパスフィルタ。各共振器を構成する帯状電極と第1ビアホール電極と第2ビアホール電極は、積層体内に所定の間隔をもって並列に配置され、異なる共振器間において、帯状電極間、第1ビアホール電極間、第2ビアホール電極間のいずれかを異なる間隔で形成することを特徴とする請求項3に記載のバンドパスフィルタ。前記第2ビアホール電極は、平面形状が円形のビアホールを介して、前記第1コンデンサを構成するコンデンサ電極と接続することを特徴とする請求項3又は4のいずれかに記載のバンドパスフィルタ。第1共振器を構成するコンデンサ電極と第2共振器を構成するコンデンサ電極とが同じ誘電体層に形成され、前記第3共振器を構成するコンデンサ電極は異なる誘電体層に形成されたことを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載のバンドパスフィルタ。請求項1乃至6の何れかに記載のバンドパスフィルタが構成された積層体にスイッチング素子を搭載したことを特徴とする複合部品。請求項1乃至6の何れかに記載のバンドパスフィルタとともに積層体に構成された方向性結合器を含むことを特徴とする複合部品。前記方向性結合器を構成する主線路用ライン電極と副線路用ライン電極は、各共振器を構成する第1インダクタと積層方向に重ならず、前記第1グランド電極と第2グランド電極との間の誘電体層に形成されたことを特徴とする請求項8に記載の複合部品。特許文献1では、ストリップラインで共振器のインダクタを構成するが、ストリップラインを一面に構成し必要なライン長を確保しなければならず、バンドパスフィルタの小型化に制限があった。また低背化を図ろうとすると、ストリップラインとグランド面との間隔が狭くなり、所望のインピーダンスを得るためにはストリップラインの幅を狭小化せざるを得ず、その結果、ストリップラインの表面積が減じられてQの向上が思った程に得られず、伝送損失が増加してしまうといった問題があった。特許文献2では並列接続されたビアホールでなるインダクタで共振器を構成するが、バンドパスフィルタの小型化に伴って積層体の厚みは減少するばかりであり、ビアホール部の長さが十分に得られず、この場合もまた伝送損失が増加してしまうといった問題があった。そこで本発明では、共振器を小型なものとしながら伝送損失に優れたバンドパスフィルタと、更に方向性結合器等の高周波回路を複合した複合部品を提供することを目的とする。第1の発明は、少なくとも、第1ポートと接続する第1共振器と、第2ポートと接続する第2共振器と、前記第1共振器と前記第2共振器との段間に配置された第3共振器とを備え、各共振器は一端が設置され、他端が第1コンデンサを介して接地された第1インダクタと有するバンドパスフィルタであって、各共振器は誘電体層を積み重ねた積層体の内部に構成され、前記第1インダクタは、前記積層体に形成された第1グランド電極と誘電体層を介して対向する帯状電極と、前記帯状電極の一端側を前記第1グランド電極に接続する第1ビアホール電極と、前記第1コンデンサを構成するコンデンサ電極と前記帯状電極の他端側とを接続する第2ビアホール電極とで構成され、前記コンデンサ電極と前記帯状電極との間の誘電体層に前記第1グランド電極が配置されたことを特徴とするバンドパスフィルタである。第1~第3共振器の第1インダクタは、帯状電極と第1ビアホール電極と第2ビアホール電極によって、所望の線路長を確保した約1ターンのループ状線路に構成される。ループ状線路としてコイル状に構成することで第1インダクタを小型に構成することが出来る。各共振器のループ状線路は、積層体内に所定の間隔をもって並列配置される。ループ状線路間の間隔を適宜調整することで共振器間の結合を調整することが出来るが、帯状電極間、第1ビアホール電極間、第2ビアホール電極間の距離を夫々同じとしても良いし、少なくとも一つの間も距離を異ならせても良い。帯状電極間、第1ビアホール電極間、第2ビアホール電極間のいずれかで間隔を異ならせる場合には、結合を微調整するのが容易である。第1共振器と第2共振器を構成するループ状線路の長さを、第3共振器を構成するループ状線路の長さよりも長く構成することで、伝送特性を向上させることが出来て好ましい。各共振器を構成する帯状電極を複数の誘電体層に形成し、異なる誘電体層に形成された帯状電極を並列接続するのも好ましい。このような構成によれば、帯状電極部分での表面積を大きく出来、共振器のQを向上させることが出来る。また少なくとも1層の誘電体層上に平行形成された帯状電極の間隔を他の誘電体層上の帯状電極とは異ならせて結合を調整することも出来る。第1及び第2ビアホールの長さや帯状電極の長さは、形成されるインダクタや共振器間の結合に応じて設定されるが、帯状電極の長さが長いと、その分、平面に占める割合が増加してしまう。また帯状線路部分はストリップライン、あるいはマイクロストリップラインとして構成されるので、方向性結合や他のフィルタ等の高周波回路と複合する場合には干渉に配慮し、高周波回路を構成する電極パターンと十分な距離をもって配置する必要があるため、その分、バンドパスフィルタの外形を大きくせざるを得ない。従って、本発明においては、ループ状線路の長さLと帯状電極の長さlとの比l/Lを、0.7以下とするのが好ましく、帯状電極の長さを第1及び第2ビアホールの合計の長さよりも短く構成するのがより好ましい。なお、帯状電極が短すぎると第1及び第2ビアホール間で寄生キャパシタンスを形成しやすくなるとともに、磁束の打ち消し合い等が生じインダクタ成分が減少するため、比l/Lは0.25以上とするのが好ましい。本発明においては、共振器を構成する帯状電極と積層方向に重なる第1グランド電極を積層方向の一方側にのみ配置し、帯状電極の他方側には他のグランド電極を設けないマイクロストリップラインとすることで、帯状電極の幅を確保しながら所望のインピーダンスを得てバンドパスフィルタを小型化することが出来る。またグランド電極以外の電極パターンと、帯状電極、第1、第2ビアホールとの積層方向の重なりを減じることで、無用な寄生リアクタンスの形成を防ぐのが好ましい。本発明において、第1ポートと第2のポートとの間に直列に接続された第2コンデンサを備え、前記第2コンデンサを構成するコンデンサ電極と前記第1グランド電極との間の誘電体層に前記第1コンデンサを構成するコンデンサ電極を配置するのが好ましい。第2コンデンサは通過周波数帯域外に減衰極を形成するのに用いるが、そのコンデンサ電極とグランド電極との間に第1コンデンサを構成するコンデンサ電極を配置することで、期性容量の発生を抑制し、減衰極が生じる周波数のばらつきを低減することが出来る。また第1共振器を構成するコンデンサ電極と第2共振器を構成するコンデンサ電極とを同じ誘電体層に形成し、前記第3共振器を構成するコンデンサ電極を異なる誘電体層に形成するのも好ましい。共振器を多段接続することでフィルタ特性が向上するとともに、第3共振器のコンデンサ電極を、第1共振器のコンデンサ電極と第2共振器のコンデンサ電極とは異なる誘電体層に形成することで、平面的な広がりを抑えてバンドパスフィルタを小型に構成することが出来る。第1共振器と第2共振器を構成するコンデンサ電極は、他のグランド電極と第2コンデンサを構成するコンデンサ電極が形成された誘電体層を介して、複数の誘電体層に亘って形成すれば、形成面積を減少しながら必要な容量値を確保できるので好ましい。第1及び第2ビアホールは、平面形状が円形や、楕円形あるいは平面略長方形の長穴形状ビアホールを積層方向に接続して構成される。複数の円形状のビアホールを並列に並べてして構成しても良い。長穴形状ビアホールの長軸や円形状のビアホールの並びは、帯状電極の幅方向に延びる方向とするのが好ましい。ビアホールの断面形状は矩形状であるのが好ましいが、切頭円錐形状のビアホールとして断面が台形であっても構わない。レーザを用いてビアホールを形成する場合、切頭円錐形状のビアホールと成り易い。積層ずれなどの製造要因により隣り合う誘電体層間のビアホールの中心軸にずれが生じると、ずれ部分でインピーダンスの増加を招きインダクタのQを劣化させる場合がある。この為、工程上発生し得るずれ量を見込んでビアホールの断面形状を台形とし、異なる誘電体層に形成されたビアホール間の接続を、大面積側と小面積側とが重なるように構成すれば、インダクタのQの変動を抑えることが出来る。なお、隣り合う層に形成されたビアホールの中心軸ずれは50μm以下であるのが好ましく、断面が略台形のビアホールが連結される場合には、その下辺と上辺の差の絶対値は60μm以下であるのが好ましい。通常、誘電体層にパンチやレーザ加工により作成された貫通孔に、導体材料を印刷するなどして充填しビアホールを形成するが、その充填状態は誘電体層の面に対して、充填側は窪み易く、その反対側は突き出し易い傾向にある。誘電体層としてセラミックグリーンシートを用いる場合には、この様な充填状態にあるビアホールを積み重ねて圧着すると、連結されたビアホールの両端部が位置する誘電体層が突き出したり窪んだりするなどの変形が生じたりする場合がある。この様な傾向はビアホールの平面形状が長穴形状である場合に顕著となり、変形を生じた誘電体層上にコンデンサ用の電極パターンを有と、形成される容量値がばらつく場合がある。このため、帯状電極に繋がる第1、第2ビアホールの一方側には、それと重なる電極パターンを備えない様に構成し、またコンデンサ用の電極パターンと接続する部分のビアホールを長穴形状に変えて円形とするのが好ましい。この様な構成によれば、変形が抑制されてバンドパスフィルタの電気的特性のばらつきを抑制することが出来る。第2の発明は、第1の発明のバンドパスフィルタが構成された積層体にスイッチング素子を搭載したことを特徴とする複合部品である。第3の発明は、第1の発明のバンドパスフィルタが構成された積層体に方向性結合器を構成したことを特徴とする複合部品である。前記方向性結合器を構成する主線路用ライン電極と副線路用ライン電極は、各共振器を構成する第1インダクタと積層方向に重ならないように構成するのが好ましい。この様な構成によれば、方向性結合器とバンドパスフィルタの干渉を防ぎ、小型で有りながら優れた電気的特性を得ることが可能な複合部品を得ることが出来る。本発明においては、積層体内に構成されたバンドパスフィルタと方向性結合器との間を繋ぐスイッチング素子を、前記積層体上に搭載し、前記積層体の下面には前記スイッチング素子と接続する制御端子や高周波信号を扱う高周波端子が形成されているのが好ましい。スイッチング素子は、少なくとも一つの共通ポートと複数の単独ポートを備えた高周波スイッチである。高周波スイッチの共通ポートには前記バンドパスフィルタが接続され、単独ポートの何れかに前記方向性結合器が接続される。他の単独ポートの何れかには整合回路を接続しても良い。整合回路を構成するリアクタンス素子の少なくとも一部を、誘電体層に形成された整合回路用電極として形成しても良い。その場合は、整合回路用電極を、主線路用ライン電極と、副線路用ライン電極と、前記共振器を構成する帯状電極等と積層方向に重ならせない様に構成するのが好ましい。高周波スイッチはダイオードやトランジスタで構成されたダイオードスイッチやFETスイッチが例示される。複合部品が一つのアンテナに接続されて用いられる場合には、単極複投型スイッチを用い、複数のアンテナと接続する場合などには、複極複投型スイッチを用ても良い。図を用いて本発明について詳細に説明する。図1は本発明の一実施例に係るバンドパスフィルタの等価回路であり、図2はバンドパスフィルタの斜視図であり、図3はバンドパスフィルタの分解斜視図である。バンドパスフィルタ1を構成する直方体状の誘電体からなる積層体10は、例えば外形寸法が長さ2.5mm以下、幅1.5mm以下、厚み1.0mm以下の小型の積層体であり、その底面には端子電極入出力端子P1、P2、グランド端子GNDが形成されている。入出力端子P1、P2はどちらかが入力ポートまたは出力ポートとなる。以下説明を簡単にする為、入力ポートP1、出力ポートP2として説明する。バンドパスフィルタは、積層体内に設けられた複数の共振器を有し、入力ポートP1と接続する第1共振器と、出力ポートP2と接続する第2共振器と、回路上、第1及び第2共振器との間に配置され、誘導性結合する第3共振器を備えている。入力ポートP1と出力ポートP2との間にはコンデンサcb6が接続される。各共振器はインダクタlb1~lb3、コンデンサcb2~cb4を有している。第1共振器はインダクタlb3とコンデンサcb4を有し、第2共振器はインダクタlb1とコンデンサcb2を有し、第3共振器はインダクタlb2とコンデンサcb3を有している。インダクタlb1~lb3の一端はグランドと接続され、他端はコンデンサcb2~cb4と接続され、コンデンサcb2~cb4はグランドと接続される。バンドパスフィルタが構成された積層体1に0は、複数の誘電体層と低抵抗の導体で形成された複数の電極パターンが積層配置されている。インダクタlb1~lb3は、それぞれ帯状電極とビアホールとでなるループ状線路で構成される。コンデンサは前記帯状電極の下層側入出力端子形成面側に形成された複数の電極パターンによって構成され、ビアホールを介してインダクタlb1~lb3と接続される。図3を参照して積層構造について詳細に説明する。通常、誘電体層には複数のバンドパスフィルタ用の電極パターンが形成されるが、説明を簡単にするために、構成の最小単位、即ち、一つバンドパスフィルタの構成について説明する。1層目の誘電体層aの上面には略全面にグランド電極GNDが形成され、更に積層体10の底面に形成された端子電極と接続する為のビアホールが形成されている。図中、共振器のインダクタを構成するビアホール以外のビアホールは、黒丸として図示し特に符号等は付与しない。また、誘電体層は形成される電極パターン等、必要に応じて10μm~200μmの厚みのものが使用されたり、誘電体層間の間隔を確保する為に電極パターンを形成しない誘電体層、所謂ダミー層を設けたりする場合があるが、図3においては誘電体層の厚み等を省略して示している。2層目の誘電体層bの上面には共振器用のコンデンサ電極cb2、cb4が形成されている。3層目の誘電体層cの上面にはグランド電極GND以下図中、斜線で示すとともに、コンデンサ電極cb6が形成され、更にビアホール電極WHを構成する長穴形状ビアホールst10が形成されている。4層目の誘電体層dの上面にも共振器用のコンデンサ電極cb2、cb4が形成されている。前記コンデンサ電極cb6は2層目及び4層目に形成されたコンデンサ用電極cb2と積層方向に重なるように構成されている。またコンデンサ電極cb2、cb4の端部側には、長穴形状ビアホールst9が形成されている。5層目の誘電体層eの上にはグランド電極GNDと長穴形状ビアホールst8が形成されている。6層目の誘電体層fの上にはコンデンサ電極cb3とともに長穴形状ビアホールst7が形成されている。7層目の誘電体層gの上にはグランド電極GNDとともに長穴形状ビアホールst6が形成されている。8層目の誘電体層h、9層目の誘電体層i、10層目の誘電体層jには長穴形状ビアホールst3、st4、st5が形成されている。11層目の誘電体層k、12層目の誘電体層lには、所定の間隔をもって並列に並べられた帯状電極1b1,lb2,lb3とともに長穴形状ビアホールst1、st2が形成されている。11層目及び12層目の誘電体層の上に形成された帯状電極1b1,lb2,lb3は、長穴形状ビアホールst1よって並列接続される。13層目の誘電体層mにはグランド電極GNDが形成され、14層目の誘電体層nはダミー層となっている。各誘電体層に形成された帯状電極やコンデンサ電極は、ビアホールや長穴形状ビアホールで相互に接続されてバンドパスフィルタを構成する。図4は長穴形状ビアホールの平面図であり、図5は長穴形状ビアホールにより構成されたビアホール電極の部分断面図を示す。ビアホールは打ち抜き金型を用いたり、レーザ光を線状に移動させながら連続で照射したりして長穴形状に形成することが出来る。平面形状は長方形であったり楕円であったりする。なおビアホール寸法は積層体の外形寸法に応じて適宜設定され得るが、本実施例の様な小型の積層体である場合は、その寸法は、長軸長さが150μm~350μm、短軸長さが5μm~15μmとするのが好ましい。長穴形状ビアホールの長軸方向は帯状電極の幅方向となるように構成され、帯状電極の伸張方向に対して略垂直として形成される。また、レーザ光を線状に移動させながら不連続で照射するなどして長穴形状ビアホールを形成する場合もあるが、この場合には長穴形状ビアホールの長辺に複数の溝条が形成される場合もある。レーザ光の照射ピッチを狭くすることで、ほぼ溝条の無い状態とすることも出来る。図5はレーザにより形成した長穴形状ビアホールを用いたビアホール電極の部分断面図である。長穴形状ビアホールの長軸に沿って切断している。レーザ光の特性から長穴形状ビアホールは誘電体層への入射側の開口が大きく、反対側の開口が相対的に小径となり易く、その断面は台形状となる。このような形状の長穴形状ビアホールを重ねて連結ビアホールを形成する場合には、その外周側が鋸刃状と成り易い。連結ビアホールを通過する高周波電流は、表皮効果から連結ビアホールの外周近傍に集中して流れる事となる。鋸刃状部分の表面抵抗の増大によりQ値の低下を招くことが懸念されたが影響は無かった。図6にビアホール電極の他の態様を示す。本態様では並列に配列された複数ここでは3つの円形状のビアホールで形成する。ビアホールの数については帯状電極の幅の最大1.2倍を超えない寸法の範囲内で形成可能な数で構成され特に限定されない。なお、小型のバンドパスフィルタでは、ビアホールの孔径を70μm~150μmとするのが好ましい。図7はレーザにより形成したビアホールを用いたビアホール電極の部分断面図である。このビアホールの中心軸ずれは50μm以下であるのが好ましく、下辺長さltと上辺長さlblt>lbの差の絶対値は60μm以下であるのが好ましい。中心軸ずれや長さの差は長穴形状ビアホールで構成される場合も同様である。図8は共振器の積層構成の一例を説明するため断面図であって、帯状電極と連結ビアホールを含む断面拡大図である。帯状電極lb3は2層の誘電体層に形成され、ビアホール電極WHを介して、帯状電極lb3の下部に位置するグランド電極GNDやコンデンサ電極cb4と接続される。帯状電極lb3とビアホール電極WHとで構成されるループ状線路は共振器のインダクタを形成している。このような構成によって、バンドパスフィルタが小型化しても共振器間で所望の結合を得ることが容易となる。また、波長短縮効果によって共振器を小型に構成出来、もってバンドパスフィルタの小型化が容易となる。インダクタはλ/4共振器を構成するが、その形成においては、ループ状線路の内側面積帯状電極とビアホール電極とで囲まれた領域、帯状電極の両端の連結ビアホール間隔や、帯状電極と他の電極パターン間隔、波長短縮効果等を考慮する。ループ状線路の長さl1と帯状電極の長さlとの比l/l1は、0.25以上0.7以下とするのが好ましく、更に好ましくは帯状電極の長さをビアホール電極の合計長さよりも短く構成するのがより好ましい。また、帯状電極はストリップライン、あるいはマイクロストリップラインとして構成するが、優れた伝送特性を発揮させるのはグランド電極との間は少なくとも、100μm以上の間隔をもって形成するのが好ましい。本実施態様においては、積層体の誘電体層の材料として、樹脂やセラミック、及びその混合材料等、様々な誘電体を用いることが可能であり、目的とする周波数に応じた特性によって適宜選択され得るものである。小型でありながら、共振器としての性能が得られるようにするには、比誘電率εrが5~200程度の誘電体材料を用いるのが好ましい。セラミックス材料としてεrが10程度であればアルミナ系セラミックス、40以下であればチタン酸カルシウム系セラミックス、チタン酸マグネシウム系セラミックが、200以下であればチタン酸バリウム系セラミックスが挙げられる。他に温度特性や損失を考慮しながら選択される。各層の誘電体材料はドクターブレード法等の公知の技術によってシート化されて供される。共振器を構成する各電極は銀ペーストなどの良電導体を印刷して、誘電体層と一体焼結することで、厚みが数μm~20μmの導体膜として形成される。伝導体としては銀のほかに、金、銅、パラジウム、白金や銀パラジウム合金、銀白金合金を含むペーストが用いられる。その形成はスクリーン印刷法など公知の製造方法を採用できる。実施例1本実施では、バンドパスフィルタを含み、更に積層体に方向性結合器を一体化するとともに、バンドパスフィルタと方向性結合器に接続するスイッチ回路を構成するスイッチング素子を積層体に実装した複合部品について説明する。図9は複合部品を構成する積層体の外観斜視図であり、図10は積層体の分解平面図であり、図11は複合部品の上面平面図であり、図12は複合部品の等価回路図である。本発明に係る複合部品は、単極複投SP3Tスイッチとバンドパスフィルタと方向性結合器を含み、無線LANとブルートゥース登録商標の2つの通信システムに対応する。複合部品は複数のポートを有し、ポートANTは2つの通信システムの高周波信号が入出力するポートである。ポートRF1は無線LANの送信信号が入力するポートであり、以下Txと表記する場合もある。ポートRF2は無線LANの受信信号が入力するポートであり、以下Rxと表す場合がある。ポートRF3はブルートゥース登録商標の送受信信号が入出力するポートであり、以下BTと表す場合がある。ポートMTは無線LANの送信信号の一部を取り出すポートであり、ポートVC1,VC2,VC3はスイッチ回路を制御する信号を入力するポートである。バンドパスフィルタBPFは、ポートANTと単極複投スイッチSWの共通ポートと接続して、通信に必要な高周波信号を通過させる。単極複投スイッチSWはポートANTとポートRF1、ポートANTとポートRF2、ポートANTとポートRF3との間の接続を、ポートVC1、ポートVC2、ポートVC3から与えられるコントロール電圧に基づいて切り換える。ポートRF1と単極複投スイッチSWとの間には方向性結合器Cpが接続されており、無線LANの送信信号の一部を取り出す。得られた信号は別に設けられた検波回路へと出力する。ポートRF1との間に接続される方向性結合器Cpは主線路lc1と副線路lc2とを備え、副線路lc2の一端は抵抗Rcを介して接地され、他端はポートMTと接続する。主線路lc1に接続される並列コンデンサcc1は、主線路lc1とともに共振を生じさせて、ポートRF1に入力する高周波信号に含まれる高調波歪を除去する。単極複投スイッチSWと接続する信号経路にはDCカットコンデンサC1,C2,C3,C4が接続され、ポートVC1、VC2、VC3との間には、高周波ノイズを除去するバイパスコンデンサcv1、cv2,cv3が接続される。また、ポートRF2との間、ポートRF3との間にはそれぞれ整合回路IM1、IM2が接続される。整合回路IM1、IM2はリアクタンス素子で形成される。複合部品は、複数の誘電体層を積層してなる積層基板に構成される。整合回路IM1、IM2、方向性結合器Cpは、積層体にバンドパスフィルタBPFとともに積層体内に電極パターンを用いて構成される。なお一部の素子を積層体に実装しても良いし、方向性結合器CP自体を積層体に実装して構成しても良い。本実施例では積層体に、バンドパスフィルタBPF、方向性結合器Cp、整合回路IM1、IM2を構成するリアクタンス素子や、バイパスコンデンサcv1、cv2、cv3を構成するコンデンサがそれぞれ内蔵される。そしてDCカットコンデンサC1,C2,C3,C4と、抵抗Rc、単極複投スイッチSWが積層体の表面に実装される。積層体は2.2mm×2.2mm×0.65mmの矩形状に構成され、その下面には前記各ポートに対応する端子電極ANT、RF1,RF2,RF3,Vc1,Vc2,Vc3,GNDが形成されている。積層体は、その下部側に主にコンデンサを構成する電極パターンが配置された領域と、その上部側には主にインダクタを構成する電極パターンが形成された領域とに分かれて形成され、上部側の領域に形成されたバンドパスフィルタBPF,方向性結合器CP、整合回路IM1、IM2を構成するインダクタ用電極が積層方向に重ならない様に、それぞれ分かれて形成される。バンドパスフィルタBPFの構成は、図3に示したものと略同じであるので、異なる部分を主として積層体の構成を説明する。誘電体層aには接続の為のビアホールが複数形成され、誘電体層bには複数のビアホールとともにグランド電極GNDがほぼ全面に形成される。誘電体層cには共振器のコンデンサ電極cb2、cb4とともに、バイパスコンデンサ用電極VC3が形成される。誘電体層dにはグランド電極GNDとともに、バンドパスフィルタBPFのコンデンサ電極cb6が形成される。このグランド電極GNDはその一部の電極パターンが矩形に抜かれた抜き部THを備える。誘電体層eには共振器のコンデンサ電極cb2、cb4とともに、バイパスコンデンサ用電極VC2が形成される。前記抜き部THは、誘電体層c、eに形成された接地コンデンサ用電極cb2、cb4とバイパスコンデンサ用電極VC3との間と積層方向に重なる部位に位置する。この様な構成によって、多少の積層ずれが生じた場合であってもコンデンサcb2、cb4の静電容量に変化が生じるのを防いでいる。誘電体層fにはグランド電極GNDが形成され、誘電体層gには共振器のコンデンサ電極cb3とともにバイパスコンデンサ用電極CV1が形成され、誘電体層hにはグランド電極GNDが形成される。誘電体層a~hはコンデンサが主に形成された領域となる。誘電体層i、j、kには方向結合器CPの副線路用電極lc2が形成される。副線路用電極lc2と近接するビアホールとの間には誘電体層h、oに形成されたグランド電極GNDと接続するビアホールが配置され電磁気的な干渉を防いでいる。誘電体層j、kでは、前記ビアホールを接続する帯状のグランド電極GNDが形成される。誘電体層l、mには共振器用の帯状電極と、方向性結合器CPの主線路用電極lc1、整合回路IM1、IM2のインダクタ用電極lt,lrが形成される。誘電体層mには方向性結合器Cpの並列コンデンサ用のコンデンサ電極cc1も形成される。誘電体層nには方向性結合器Cpの主線路用電極lc1、整合回路M1,N2のインダクタ用電極lt,lrが形成される。誘電体層oにはグランド電極GNDが形成され、誘電体層Pには接続線路とともに整合回路IM2のインダクタ用電極lrが形成される。誘電体層qには実装部品のためのランドが形成される。ビアホール電極WHは平面略長方形の長穴形状ビアホールを積層方向に複数接続してなり、本実施例では長穴形状ビアホールの寸法をそれぞれ280μm×80μmとした。第1~第3共振器を構成するインダクタlb1~lb3は、ビアホール電極と帯状電極とでなるが、帯状電極の長さビアホール電極WHの対向する長辺間としてをそれぞれ500μmとし、幅を330μmとしている。またビアホール電極の間隔、帯状電極間の間隔を300μmとした。各共振器において、帯状電極と接続する接地側のビアホール電極の長さを350μmとした。コンデンサとの接続側のビアホール電極の長さを、第1及び第2共振器では395μm、第3共振器で350μmとした。図15に示す様に、ビアホール電極は帯状電極の幅中心と連結ビアホールの中心が一致するように形成し、ビアホール間のずれは帯状電極が形成された誘電体層に形成されたビアホールの中心に対して±20μmとなるように構成した。各共振器の帯状電極の長さlは500μmであって、各共振器のインダクタを構成する帯状電極長よりもビアホール電極の長さ合計が長くなるようにしている。ループ状線路の長さl1は第1及び第2共振器で1245μm、第3共振器で1200μmとなり、ループ状線路の長さl1と帯状電極の長さlとの比l/l1はそれぞれ、0.40、0.42となる。更に、実施例2としてビアホール電極WHを350μm×80μm長穴形状ビアホールとし、実施例3としてビアホール電極WHをφ80μm平面略円形ビアホールとし、他の構成は実施例1の構成と同様の試料を作製して、ネットワークアナライザにて高周波特性伝送特性を評価した。測定結果を通過帯域における挿入損失特性として表1に示す。本発明の実施例においては、いずれもバンドパスフィルタの性能として優れ、小型でありながら高周波特性に優れた複合部品を得ることが出来た。また、ビアホール電極形状を略円形状から長穴形状とし、更に長軸側の長さを長く構成することでインダクタのQが向上するとともに、通過帯域における伝送損失特性が向上した。なお通過帯域幅帯や域外減衰量についてはいずれの実施例も同程度であった。実施例4複合部品の他の構成について説明する。主な構成は実施例1と同様なので、相違する部分のみ説明する。図13は積層体の構成を説明するための分解図平面図である。実施例1とは、共振器を構成する帯状電極lb1~lb3を誘電体層n,oに形成し、誘電体層hに形成されたグランド電極GNDとの距離を更に大きくとったものである。その結果、ビアホール電極の長さが、第1~第3共振器で更に500μm長くなっている。更に図14に示す様に、帯状電極間L1-1、L1-2の間隔を370μmとし、ビアホール電極間L2-1,L2-2の間隔を300μmとして異ならせた。他の構成は実施例1と同様なので説明を省略する。得られた試料についてネットワークアナライザにて高周波特性を評価した。測定結果を図16~図18に示す。図16はポートANTとポートTxとの間の伝送特性であり、図17はポートANTとポートRxとの間の伝送特性であり、図18はポートANTとポートBTとの間の伝送特性である。何れの経路でも優れた伝送特性と帯域外減推量が得られた。なお帯域内の伝送特性は実施例2と略同様か若干優れていた。"