半導体のキャリア寿命を測定する方法であって、前記半導体の表面における所定の範囲である第1照射範囲に対して第1光及び所定の測定波を照射したときに検出される前記第1照射範囲で反射された前記測定波の第1反射波の時間的な変化又は前記第1照射範囲で当該半導体を透過した前記測定波の第1透過波の時間的な変化と、前記第1照射範囲に対して前記第1光と波長が異なる第2光及び前記測定波を照射したときに検出される前記第1照射範囲で反射された前記測定波の第2反射波の時間的な変化又は前記第1照射範囲で当該半導体を透過した前記測定波の第2透過波の時間的な変化と、に基づいて、前記半導体における表面再結合の影響を含むキャリア寿命である第1の1次モードキャリア寿命を求める第1演算工程と、前記半導体の表面において前記第1照射範囲に含まれ且つ前記第1照射範囲よりも小さな第2照射範囲に対して前記第1光及び前記測定波を照射したときに検出される前記第2照射範囲で反射された前記測定波の第3反射波の時間的な変化又は前記第2照射範囲で当該半導体を透過した前記測定波の第3透過波の時間的な変化と、前記第2照射範囲に対して前記第2光及び前記測定波を照射したときに検出される前記第2照射範囲で反射された前記測定波の第4反射波の時間的な変化又は前記第2照射範囲で当該半導体を透過した前記測定波の第4透過波の時間的な変化と、に基づいて、前記半導体における表面再結合の影響を含むキャリア寿命である第2の1次モードキャリア寿命を求める第2演算工程と、前記半導体の表面における複数の部位に対して各部位における照射範囲の大きさが前記第2照射範囲と同じ大きさとなるように前記第1光及び前記第2光をそれぞれ照射すると共に前記各部位に対して前記測定光をそれぞれ照射することにより、前記各部位における前記第2の1次モードキャリア寿命をそれぞれ求める測定演算工程と、前記第1演算工程で求めた第1の1次モードキャリア寿命と前記第2演算工程で求めた第2の1次モードキャリア寿命との相関関係に基づいて前記測定演算工程において求められた前記各部位における第2の1次モードキャリア寿命をそれぞれ補正する補正工程と、前記補正工程によって補正された前記各部位における第2の1次モードキャリア寿命に基づいて前記半導体のキャリア寿命を求めるキャリア寿命導出工程と、を備えることを特徴とする半導体キャリア寿命測定方法。前記第1照射範囲に対して前記第1光と前記第2光とをそれぞれ照射すると共に前記第1照射範囲に対して前記測定波を照射する第1照射工程と、前記第1反射波又は前記第1透過波と前記第2反射波又は前記第2透過波とを検出する第1検出工程と、前記第2照射範囲に対して前記第1光と前記第2光とをそれぞれ照射すると共に前記第2照射範囲に対して前記測定波を照射する第2照射工程と、前記第3反射波又は前記第3透過波と前記第4反射波又は前記第4透過波とを検出する第2検出工程と、を備え、前記第1演算工程では、前記第1検出工程によって検出された前記第1反射波又は前記第1透過波と前記第2反射波又は前記第2透過波とから前記第1の1次モードキャリア寿命が求められ、前記第2演算工程では、前記第2検出工程によって検出された前記第3反射波又は前記第3透過波と前記第4反射波又は前記第4透過波とから前記第2の1次モードキャリア寿命が求められることを特徴とする請求項1に記載の半導体キャリア寿命測定方法。前記第1照射範囲に対して前記第2光を照射すると共に前記第1照射範囲に対して前記測定波を照射する第3照射工程と、前記第1反射波又は前記第1透過波を検出する第3検出工程と、前記第2照射範囲に対して前記第2光を照射すると共に前記第2照射範囲に対して前記測定波を照射する第4照射工程と、前記第2反射波又は前記第2透過波を検出する第4検出工程と、を備え、前記第2光の波長は、前記第1光の波長よりも小さく、前記第1演算工程は、前記第3検出工程において検出された前記第1反射波の時間的な変化又は前記第1透過波の時間的な変化を利用して前記第2反射波又は前記第2透過波の時間的な変化を推測する第1推測工程と、前記第1反射波又は前記第1透過波と前記推測工程において推測された第2反射波又は第2透過波とから前記第1の1次モードキャリア寿命を求める第1導出工程と、を有し、前記第2演算工程は、前記第4検出工程において検出された前記第3反射波の時間的な変化又は前記第3透過波の時間的な変化を利用して前記第4反射波又は前記第4透過波の時間的な変化を推測する第2推測工程と、前記第3反射波又は前記第3透過波と前記推測工程において推測された第4反射波又は第4透過波とから前記第2の1次モードキャリア寿命を求める第2導出工程と、を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体キャリア寿命測定方法。前記第2光は、可視光領域の波長又は紫外線領域の波長を有することを特徴とする請求項3に記載の半導体キャリア寿命測定方法。前記第1演算工程において求められた第1の1次モードキャリア寿命と前記第2演算工程において求められた第2の1次モードキャリア寿命との前記相関関係を表す補正係数を求める補正係数導出工程を、さらに備え、前記補正工程では、前記各部位における第2の1次モードキャリア寿命が前記補正係数導出工程において求められた補正係数を用いてそれぞれ補正されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体キャリア寿命測定方法。前記半導体の表面再結合速度を求める再結合速度導出工程をさらに備え、前記再結合速度導出工程は、前記第1反射波又は前記第1透過波と前記第2反射波又は前記第2透過波との比の対数に基づく値である第1差を求める第1差演算工程と、前記第3反射波又は前記第3透過波と前記第4反射波又は前記第4透過波との比の対数に基づく値である第2差を求める第2差演算工程と、前記半導体の表面における複数の部位に対して各部位における照射範囲の大きさが前記第2照射範囲と同じ大きさとなるように前記第1光及び第2光をそれぞれ照射すると共に前記各部位に対して前記測定光をそれぞれ照射することにより、前記各部位における前記第2差をそれぞれ求める差測定演算工程と、前記第1差演算工程で求めた第1差と前記第2差演算工程で求めた第2差との相関関係に基づいて前記差測定演算工程において求められた前記各部位における第2差をそれぞれ補正する第2差補正工程と、前記第2差補正工程によって補正された前記各部位における第2差に基づいて前記半導体の表面再結合速度を求める導出工程と、を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体キャリア寿命測定方法。前記再結合速度導出工程は、前記第1差演算工程において求められた第1差と前記第2差演算工程において求められた第2差との前記相関関係を表す差補正係数を求める差補正係数導出工程を、さらに備え、前記第2差補正工程では、前記各部位における第2差が前記差補正係数導出工程において求められた差補正係数を用いてそれぞれ補正されることを特徴とする請求項6に記載の半導体キャリア寿命測定方法。半導体のキャリア寿命を測定する装置であって、波長が互いに異なる第1光と第2光とを前記半導体の表面にそれぞれ照射すると共に、前記第1光及び前記第2光の各光をそれぞれ照射したときの前記半導体の表面における照射範囲を所定の大きさの第1照射範囲とこの第1照射範囲に含まれ且つ前記第1照射範囲よりも小さな第2照射範囲との間で切り換えるために前記各光の光線の直径をそれぞれ切り換え可能な光照射部と、前記半導体の表面に所定の測定波を照射する測定波照射部と、前記半導体で反射される前記測定波の反射波又は当該半導体を透過する前記測定波の透過波を検出する検出部と、前記光照射部と前記測定波照射部と前記検出部とをそれぞれ制御すると共に、前記検出部における検出結果に基づいて前記半導体のキャリア寿命を求める演算制御部と、前記演算制御部において求められたキャリア寿命を外部に出力する出力部と、を備え、前記演算制御部は、前記光照射部によって前記半導体の表面における特定の位置の前記第1照射範囲に対して前記第1光を照射すると共に前記測定波照射部によって前記第1照射範囲に対して所定の測定波を照射しつつ、前記検出部によって前記第1照射範囲で反射された前記測定波の第1反射波又は前記第1照射範囲で当該半導体を透過した前記測定波の第1透過波を検出する一方、前記光照射部によって前記第1照射範囲に対して前記第2光を照射すると共に前記測定波照射部によって前記第1照射範囲に対して前記測定波を照射しつつ、前記検出部によって前記第1照射範囲で反射された前記測定波の第2反射波又は前記第1照射範囲で当該半導体を透過した前記測定波の第2透過波を検出することにより、前記第1反射波又は前記第1透過波の時間的な変化と前記第2反射波又は前記第2透過波の時間的な変化とに基づいて前記半導体における表面再結合の影響を含むキャリア寿命である第1の1次モードキャリア寿命を求める第1演算部と、前記光照射部によって前記半導体の表面において前記第1照射範囲に含まれ且つ前記第1照射範囲よりも小さな第2照射範囲に対して前記第1光を照射すると共に前記第2照射範囲に対して前記測定波を照射しつつ、前記検出部によって前記第2照射範囲で反射された前記測定波の第3反射波又は前記第2照射範囲で当該半導体を透過した前記測定波の第3透過波を検出する一方、前記光照射部によって前記第2照射範囲に対して前記第2光を照射すると共に前記第2照射範囲に対して前記測定波を照射しつつ、前記検出部によって前記第2照射範囲で反射された前記測定波の第4反射波又は前記第2照射範囲で当該半導体を透過した前記測定波の第4透過波を検出することにより、前記第3反射波又は前記第3透過波の時間的な変化と前記第4反射波又は前記第4透過波の時間的な変化とに基づいて前記半導体における表面再結合の影響を含むキャリア寿命である第2の1次モードキャリア寿命を求める第2演算部と、前記光照射部によって前記半導体の表面における複数の部位に対して各部位における照射範囲の大きさが前記第2照射範囲と同じ大きさとなるように前記第1光及び第2光をそれぞれ照射すると共に前記測定波照射部によって前記各部位に対して前記測定光をそれぞれ照射しつつ、前記検出部によって前記各部位で反射される前記測定波の反射波又は前記各部位で前記半導体を透過する前記測定波の透過波をそれぞれ検出することにより、前記各部位における前記第2の1次モードキャリア寿命をそれぞれ求めてこれら第2の1次モードキャリア寿命を格納する測定演算部と、前記第1演算部において求められた第1の1次モードキャリア寿命と前記第2演算部において求められた第2の1次モードキャリア寿命との相関関係に基づいて前記測定演算部に格納された前記各部位における第2の1次モードキャリア寿命をそれぞれ補正する補正部と、前記補正部によって補正された前記各部位における第2の1次モードキャリア寿命に基づいて前記半導体のキャリア寿命を求めるキャリア寿命導出部と、を有することを特徴とする半導体キャリア寿命測定装置。前記光照射部は、前記第1光及び前記第2光をこれら各光の光線の直径が一定となるようにそれぞれ射出する光源部と、前記各光の光線の直径を、前記第1照射範囲に対応する大きさの第1直径と、前記第2照射範囲に対応し且つ前記第1直径よりも小さな第2直径と、の間で切り換え可能な切換部と、を有することを特徴とする請求項8に記載の半導体キャリア寿命測定装置。このような特許文献1および非特許文献1に開示の方法は、互いに異なる条件によって得られた各測定結果の間における差を利用することによりキャリア寿命を測定する。このため、前記各測定結果間の差が小さい場合には、前記各測定結果間の差における有効桁数が少なく、この結果、キャリア寿命を精度よく測定することが難しくなってしまう。本発明は、上述の事情に鑑みて為された発明であり、その目的は、キャリア寿命をより精度よく測定することができる半導体キャリア寿命測定方法及び半導体キャリア寿命測定装置を提供することである。本発明者は、種々検討した結果、上記目的は、以下の発明により達成されることを見出した。即ち、本発明の一態様にかかる半導体キャリア寿命測定方法は、半導体のキャリア寿命を測定する方法であって、前記半導体の表面における所定の範囲である第1照射範囲に対して第1光及び所定の測定波を照射したときに検出される前記第1照射範囲で反射された前記測定波の第1反射波の時間的な変化又は前記第1照射範囲で当該半導体を透過した前記測定波の第1透過波の時間的な変化と、前記第1照射範囲に対して前記第1光と波長が異なる第2光及び前記測定波を照射したときに検出される前記第1照射範囲で反射された前記測定波の第2反射波の時間的な変化又は前記第1照射範囲で当該半導体を透過した前記測定波の第2透過波の時間的な変化と、に基づいて、前記半導体における表面再結合の影響を含むキャリア寿命である第1の1次モードキャリア寿命を求める第1演算工程と、前記半導体の表面において前記第1照射範囲に含まれ且つ前記第1照射範囲よりも小さな第2照射範囲に対して前記第1光及び前記測定波を照射したときに検出される前記第2照射範囲で反射された前記測定波の第3反射波の時間的な変化又は前記第2照射範囲で当該半導体を透過した前記測定波の第3透過波の時間的な変化と、前記第2照射範囲に対して前記第2光及び前記測定波を照射したときに検出される前記第2照射範囲で反射された前記測定波の第4反射波の時間的な変化又は前記第2照射範囲で当該半導体を透過した前記測定波の第4透過波の時間的な変化と、に基づいて、前記半導体における表面再結合の影響を含むキャリア寿命である第2の1次モードキャリア寿命を求める第2演算工程と、前記半導体の表面における複数の部位に対して各部位における照射範囲の大きさが前記第2照射範囲と同じ大きさとなるように前記第1光及び前記第2光をそれぞれ照射すると共に前記各部位に対して前記測定光をそれぞれ照射することにより、前記各部位における前記第2の1次モードキャリア寿命をそれぞれ求める測定演算工程と、前記第1演算工程で求めた第1の1次モードキャリア寿命と前記第2演算工程で求めた第2の1次モードキャリア寿命との相関関係に基づいて前記測定演算工程において求められた前記各部位における第2の1次モードキャリア寿命をそれぞれ補正する補正工程と、前記補正工程によって補正された前記各部位における第2の1次モードキャリア寿命に基づいて前記半導体のキャリア寿命を求めるキャリア寿命導出工程と、を備えることを特徴とする。そして、本発明の他の一態様にかかる半導体キャリア寿命測定装置は、半導体のキャリア寿命を測定する装置であって、波長が互いに異なる第1光と第2光とを前記半導体の表面にそれぞれ照射すると共に、前記第1光及び前記第2光の各光をそれぞれ照射したときの前記半導体の表面における照射範囲を所定の大きさの第1照射範囲とこの第1照射範囲に含まれ且つ前記第1照射範囲よりも小さな第2照射範囲との間で切り換えるために前記各光の光線の直径をそれぞれ切り換え可能な光照射部と、前記半導体の表面に所定の測定波を照射する測定波照射部と、前記半導体で反射される前記測定波の反射波又は当該半導体を透過する前記測定波の透過波を検出する検出部と、前記光照射部と前記測定波照射部と前記検出部とをそれぞれ制御すると共に、前記検出部における検出結果に基づいて前記半導体のキャリア寿命を求める演算制御部と、前記演算制御部において求められたキャリア寿命を外部に出力する出力部と、を備える。そして、前記演算制御部は、前記光照射部によって前記半導体の表面における特定の位置の前記第1照射範囲に対して前記第1光を照射すると共に前記測定波照射部によって前記第1照射範囲に対して所定の測定波を照射しつつ、前記検出部によって前記第1照射範囲で反射された前記測定波の第1反射波又は前記第1照射範囲で当該半導体を透過した前記測定波の第1透過波を検出する一方、前記光照射部によって前記第1照射範囲に対して前記第2光を照射すると共に前記測定波照射部によって前記第1照射範囲に対して前記測定波を照射しつつ、前記検出部によって前記第1照射範囲で反射された前記測定波の第2反射波又は前記第1照射範囲で当該半導体を透過した前記測定波の第2透過波を検出することにより、前記第1反射波又は前記第1透過波の時間的な変化と前記第2反射波又は前記第2透過波の時間的な変化とに基づいて前記半導体における表面再結合の影響を含むキャリア寿命である第1の1次モードキャリア寿命を求める第1演算部と、前記光照射部によって前記半導体の表面において前記第1照射範囲に含まれ且つ前記第1照射範囲よりも小さな第2照射範囲に対して前記第1光を照射すると共に前記第2照射範囲に対して前記測定波を照射しつつ、前記検出部によって前記第2照射範囲で反射された前記測定波の第3反射波又は前記第2照射範囲で当該半導体を透過した前記測定波の第3透過波を検出する一方、前記光照射部によって前記第2照射範囲に対して前記第2光を照射すると共に前記第2照射範囲に対して前記測定波を照射しつつ、前記検出部によって前記第2照射範囲で反射された前記測定波の第4反射波又は前記第2照射範囲で当該半導体を透過した前記測定波の第4透過波を検出することにより、前記第3反射波又は前記第3透過波の時間的な変化と前記第4反射波又は前記第4透過波の時間的な変化とに基づいて前記半導体における表面再結合の影響を含むキャリア寿命である第2の1次モードキャリア寿命を求める第2演算部と、前記光照射部によって前記半導体の表面における複数の部位に対して各部位における照射範囲の大きさが前記第2照射範囲と同じ大きさとなるように前記第1光及び第2光をそれぞれ照射すると共に前記測定波照射部によって前記各部位に対して前記測定光をそれぞれ照射しつつ、前記検出部によって前記各部位で反射される前記測定波の反射波又は前記各部位で前記半導体を透過する前記測定波の透過波をそれぞれ検出することにより、前記各部位における前記第2の1次モードキャリア寿命をそれぞれ求めてこれら第2の1次モードキャリア寿命を格納する測定演算部と、前記第1演算部において求められた第1の1次モードキャリア寿命と前記第2演算部において求められた第2の1次モードキャリア寿命との相関関係に基づいて前記測定演算部に格納された前記各部位における第2の1次モードキャリア寿命をそれぞれ補正する補正部と、前記補正部によって補正された前記各部位における第2の1次モードキャリア寿命に基づいて前記半導体のキャリア寿命を求めるキャリア寿命導出部と、を有することを特徴とする。ここで、本発明に係る半導体キャリア寿命測定方法においては、例えば、第1の1次モードキャリア寿命と第2の1次モードキャリア寿命とが、半導体に対して互いに波長が異なる2種類の光をそれぞれ照射することにより求められてもよい。具体的には、上記の半導体キャリア寿命測定方法において、前記第1照射範囲に対して前記第1光と前記第2光とをそれぞれ照射すると共に前記第1照射範囲に対して前記測定波を照射する第1照射工程と、前記第1反射波又は前記第1透過波と前記第2反射波又は前記第2透過波とを検出する第1検出工程と、前記第2照射範囲に対して前記第1光と前記第2光とをそれぞれ照射すると共に前記第2照射範囲に対して前記測定波を照射する第2照射工程と、前記第3反射波又は前記第3透過波と前記第4反射波又は前記第4透過波とを検出する第2検出工程と、を備える。そして、前記第1演算工程では、前記第1検出工程によって検出された前記第1反射波又は前記第1透過波と前記第2反射波又は前記第2透過波とから前記第1の1次モードキャリア寿命が求められ、前記第2演算工程では、前記第2検出工程によって検出された前記第3反射波又は前記第3透過波と前記第4反射波又は前記第4透過波とから前記第2の1次モードキャリア寿命が求められる。これらの構成によれば、半導体表面における光励起光の照射範囲を小さくすることによってこの照射により生じたキャリアの拡散における半導体表面でのキャリアの再結合表面再結合の割合を増やし、このとき検出した半導体表面での測定波の反射波反射測定波の時間的な変化又は半導体を透過した測定波透過測定波の強度の時間的な変化を用いることにより、表面再結合の影響を除いた半導体内部バルクのキャリア寿命をより精度よく測定することができる。しかも、半導体表面における光の照射範囲を小さくして検出した反射測定波の強度の時間的な変化又は透過反射波の強度の時間的な変化を補正変換することでこれを光の照射範囲を大きくして検出した反射測定波又は透過測定波の強度の変化と擬制することができ、これにより、測定結果の解析における演算等を簡素化することが可能となる。その結果、半導体表面における光の照射範囲を小さくして検出した反射測定波又は透過測定波の測定結果を用いてもキャリア寿命を求めることが可能となる。詳しくは、従来の方法においては、互いに波長が異なる2種類の光の半導体における浸透長が異なることに起因する半導体表面における反射測定波又は透過測定波強度の変化の違い差を検出することにより、半導体表面でのキャリア消滅と半導体内部バルクでのキャリア消滅とを解析的に分け、測定結果からバルクのキャリア寿命を抽出していた。尚、互いに波長が異なる2種類の光を用いてそれぞれ検出した反射測定波又は透過測定波強度の変化のことを以下では単に2波長測定での測定結果ともいう。この方法では、キャリアの消滅に起因する反射測定波又は透過測定波強度の変化を測定するときに、光励起光の照射により励起されたキャリアの半導体での拡散において表面再結合の割合が大きいと換言すると、浸透長方向に拡散するキャリアの数に対する表面に沿った方向に拡散するキャリアの数の割合が大きいと、演算等が複雑となるため、表面でのキャリア消滅とバルクでのキャリア消滅とを解析的に分けることができず、これにより、2波長測定での測定結果からバルクのキャリア寿命を求めることができなかった。そのため、従来の方法においては、半導体表面における光の照射範囲を大きくして半導体でのキャリアの拡散における表面再結合の割合を小さくする換言すると、浸透長方向に拡散するキャリアの数に対する表面に沿った方向に拡散するキャリアの数の割合を小さくすることにより、キャリアの拡散を浸透長方向への1次元的な拡散と擬制していた。このようにキャリアの拡散を擬似的な1次元拡散とすることで、2波長測定での測定結果の解析における演算等が簡素化されるため、表面でのキャリア消滅とバルクでのキャリア消滅とを解析的に分けることが可能となり、これにより、2波長測定での測定結果からバルクのキャリア寿命を求めることができた。尚、以下では、半導体表面における光の照射範囲を大きくして反射測定波又は透過測定波強度を測定することを1次元拡散測定モードでの測定と称することがある。しかし、近年の成膜技術の進歩によって2波長測定での測定結果の差が小さくなり、そのため、前記測定結果から半導体表面でのキャリア消滅とバルクでのキャリア消滅とを解析的に分けることが困難となっていた。そこで、本発明においては、光励起光の照射範囲を小さくすることにより半導体でのキャリアの拡散における表面再結合の割合を大きくした状態で反射測定波又は透過測定波強度の変化を測定することによって、測定結果に含まれる表面再結合の成分が多くなり、これにより、2波長測定での測定結果の差を大きくすることができた。その結果、表面再結合の影響を除いた半導体内部バルクのキャリア寿命をより精度よく測定することが可能となる。尚、以下では、半導体表面における光の照射範囲を小さくして反射測定波又は透過測定波強度を測定することを3次元拡散測定モードでの測定と称することがある。しかも、半導体の所定の部位1箇所において検出された第1の1次モードキャリア寿命と第2の1次モードキャリア寿命との相関関係を用いて半導体の各部位における3次元拡散測定モードでの測定結果をそれぞれ補正することによって、この補正後の前記各部位における3次元拡散測定モードでの測定結果をそれぞれ1次元拡散測定モードでの測定結果と擬制することで解析における演算を簡素化することができ、これにより、前記各部位における3次元拡散測定モードでの測定結果からのキャリア寿命の導出を可能とした。ここで、半導体が所定の品質を有する場合即ち、半導体の表面再結合速度が小さい場合には、前記第1の1次モードキャリア寿命と前記第2の1次モードキャリア寿命とを求めるために、半導体に対して互いに波長が異なる2種類の光を照射しなくてもよい。即ち、上記の半導体キャリア寿命測定方法が、前記第1照射範囲に対して前記第2光を照射すると共に前記第1照射範囲に対して前記測定波を照射する第3照射工程と、前記第1反射波又は前記第1透過波を検出する第3検出工程と、前記第2照射範囲に対して前記第2光を照射すると共に前記第2照射範囲に対して前記測定波を照射する第4照射工程と、前記第2反射波又は前記第2透過波を検出する第4検出工程と、のみを備えるようにしてもよい。この場合、前記第2光の波長が前記第1光の波長よりも小さく、前記第1演算工程は、前記第3検出工程において検出された前記第1反射波の時間的な変化又は前記第1透過波の時間的な変化を利用して前記第2反射波又は前記第2透過波の時間的な変化を推測する第1推測工程と、前記第1反射波又は前記第1透過波と前記推測工程において推測された第2反射波又は第2透過波とから前記第1の1次モードキャリア寿命を求める第1導出工程と、を有し、前記第2演算工程は、前記第4検出工程において検出された前記第3反射波の時間的な変化又は前記第3透過波の時間的な変化を利用して前記第4反射波又は前記第4透過波の時間的な変化を推測する第2推測工程と、前記第3反射波又は前記第3透過波と前記推測工程において推測された第4反射波又は第4透過波とから前記第2の1次モードキャリア寿命を求める第2導出工程と、を有する。波長の大きな第1光を用いて検出した反射測定波又は透過測定波強度の変化は、照射直後から所定の時間が経過した後では、第1光よりも波長の小さな第2光を用いて検出した反射測定波又は透過測定波強度の変化と近似した挙動となる。そこで、上記の構成では、この第2光を用いて検出した反射測定波又は透過測定波強度の変化のうちの前記所定の時間が経過した後の部分を利用することにより、第1光を用いて検出した場合の反射測定波又は透過測定波強度の変化を推測する。これにより、第2光を用いた反射測定波又は透過測定波強度の変化しか検出しなくても、第2光を用いて実際に検出した反射測定波又は透過測定波強度の変化と、この変化から推測した反射測定波又は透過測定波強度の変化即ち、第1光を用いて検出した反射測定波又は透過測定波強度の変化に相当する反射測定波又は透過測定波強度の変化と、から上記のようにして半導体のキャリア寿命を精度よく求めることができる。このように、前記第1の1次モードキャリア寿命と前記第2の1次モードキャリア寿命とを求めるために互いに波長が異なる2種類の光を用いない場合には、浸透長の長い光即ち、短い波長の光を用いて検出した反射測定波又は透過測定波強度の変化から、浸透長の短い光即ち、長い波長の光を用いて検出した反射測定波又は透過測定波強度の変化を推測するため、前記第2光は、可視光領域の波長又は紫外線領域の波長を有することが好ましい。上記の半導体キャリア寿命測定方法は、前記第1演算工程において求められた第1の1次モードキャリア寿命と前記第2演算工程において求められた第2の1次モードキャリア寿命との前記相関関係を表す補正係数を求める補正係数導出工程を、さらに備え、前記補正工程では、前記各部位における第2の1次モードキャリア寿命が前記補正係数導出工程において求められた補正係数を用いてそれぞれ補正されることが好ましい。このように補正係数を求めることで、前記各部位における第2の1次モードキャリア寿命をそれぞれ補正する毎に、第1演算工程において求められた第1の1次モードキャリア寿命と前記第2演算工程において求められた第2の1次モードキャリア寿命との前記相関関係を求めなくてもよくなる。2波長測定での測定結果の差からは、半導体の表面再結合速度を求めることができる。そのため、上記の半導体キャリア寿命測定方法が前記半導体の表面再結合速度を求める再結合速度導出工程をさらに備えることで、半導体のキャリア寿命と共に半導体の表面再結合速度を求めることができる。この場合、前記再結合速度導出工程は、前記第1反射波又は前記第1透過波と前記第2反射波又は前記第2透過波との比の対数に基づく値である第1差を求める第1差演算工程と、前記第3反射波又は前記第3透過波と前記第4反射波又は前記第4透過波との比の対数に基づく値である第2差を求める第2差演算工程と、前記半導体の表面における複数の部位に対して各部位における照射範囲の大きさが前記第2照射範囲と同じ大きさとなるように前記第1光及び第2光をそれぞれ照射すると共に前記各部位に対して前記測定光をそれぞれ照射することにより、前記各部位における前記第2差をそれぞれ求める差測定演算工程と、前記第1差演算工程で求めた第1差と前記第2差演算工程で求めた第2差との相関関係に基づいて前記差測定演算工程において求められた前記各部位における第2差をそれぞれ補正する第2差補正工程と、前記第2差補正工程によって補正された前記各部位における第2差に基づいて前記半導体の表面再結合速度を求める導出工程と、を有する。また、前記再結合速度導出工程は、前記第1差演算工程において求められた第1差と前記第2差演算工程において求められた第2差との前記相関関係を表す差補正係数を求める差補正係数導出工程をさらに備えることが好ましい。この場合、前記第2差補正工程では、前記各部位における第2差が前記差補正係数導出工程において求められた差補正係数を用いてそれぞれ補正される。このように差補正係数を求めることで、前記再結合速度導出工程において、前記各部位における第2差をそれぞれ補正する毎に、第1差演算工程において求められた第1差と前記第2差演算工程において求められた第2差との前記相関関係を求めなくてもよくなる。本発明に係る半導体キャリア寿命測定装置においては、前記光照射部は、前記第1光及び前記第2光をこれら各光の光線の直径が一定となるようにそれぞれ射出する光源部と、前記各光の光線の直径を、前記第1照射範囲に対応する大きさの第1直径と、前記第2照射範囲に対応し且つ前記第1直径よりも小さな第2直径と、の間で切り換え可能な切換部と、を有することが好ましい。かかる構成によれば、光射出部において2つの光源部が在ればよく、装置の小型化及び構成の簡素化を図ることが可能となる。以上より、本発明によれば、キャリア寿命をより精度よく測定することができる半導体キャリア寿命測定方法及び半導体キャリア寿命測定装置を提供することができる。以下、本発明の第1実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。図1は、本実施形態の半導体キャリア寿命測定装置MAの構成を示す図であり、図2は、半導体キャリア寿命測定装置MAにおける演算制御部50の機能ブロック図である。本実施形態の半導体キャリア寿命測定装置MAは、図1に示されるように、光照射部パルス光照射部10と、測定波入出力部20と、検出部30と、ステージ40と、演算制御部50と、出力部60と、を備える。光照射部10は、測定対象の例えばシリコンウェハ等の半導体ウェハ被測定試料Xに、浸透長を異ならせるために互いに波長の異なる少なくとも2種類の光を射出照射する装置である。本実施形態の半導体キャリア寿命測定装置MAでは、光照射部10は、波長が互いに異なる2種類の光を射出するように構成されている。この光照射部10は、第1光源部11-1と、第2光源部11-2と、第1光学系12-1と、第2光学系12-2と、光源切換部13と、ビーム径切換部切換部14と、を備える。具体的に、第1光源部11-1は、演算制御部50の制御に従って第1波長の第1光L1を発光射出する。また、第2光源部11-2は、演算制御部50の制御に従って第2波長の第2光L2を発光射出する。これら第1及び第2光源部11-1、11-2は、例えばランプと波長フィルタとを備えた光源装置等であってもよいが、本実施形態では、比較的大きな出力が得られる、レーザ光を発光するレーザ光源装置を備える。第1及び第2光L1、L2は、それぞれ単色光であって、より大きな浸透長差より広い間隔で浸透長差が生じるように、その波長差がより大きいことより広い間隔であることが好ましい。例えば、第1光源部11-1は、赤外線領域における所定波長のレーザ光、即ち、赤外線レーザ光を発光する装置であり、第2光源部11-2は、紫外線領域における所定波長のレーザ光、即ち、紫外線レーザ光を発光する装置である。尚、第2光源部11-2は、可視光領域における所定波長のレーザ光、即ち、可視光レーザ光を発光する装置であってもよい。第1及び第2光源部11-1、11-2が射出する各光L1、L2の波長は、例えば、被測定試料Xの種類に応じて適宜に選択される。例えば、被測定試料Xがシリコンウェハである場合では、前記観点に加えて光励起の効率化や光源11の低コスト化等の観点から、第1及び第2光源部11-1、11-2の射出する各光L1、L2の波長は、1064nmと355nmとである。第1及び第2光L1、L2は、被測定試料Xに照射されることによって光励起によるキャリア電子と正孔ホールを被測定試料Xに生じさせ、半導体キャリア寿命測定装置MAは、この生じたキャリアの寿命キャリア寿命を測定する。そのため、第1及び第2光L1、L2は、点灯状態からステップ状に消灯状態に移行するものが好ましく、本実施形態では、例えばパルス光、より具体的には、パルスレーザ光である。尚、本実施形態において、第1光源部11-1が射出する光線第1光L1の直径であるビーム径と、第2光源部11-2が射出する光線第2光L2のビーム径とは、同一である。第1光学系12-1は、第1光源部11-1から射出される第1光L1を被測定試料Xまで案内するためのものである。本実施形態の第1光学系12-1は、例えば第1光源部11-1から射出された第1光L1を被測定試料Xへ向けてその光路を約90度曲げる第1ミラー12-11を有する。また、第2光学系12-2は、第2光源部11-2から射出される第2光L2を被測定試料Xまで案内するためのものである。本実施形態の第2光学系12-2は、例えば第2光源部11-2から射出された第2光L2を被測定試料Xへ向けてその光路を約90度曲げる第2ミラー12-21を有する。本実施形態の第2ミラー12-21は、第1ミラー12-11によって光路が曲げられた後の第1光L1の光路上に配置され、ダイクロイックミラー又はハーフミラーのように、第1光L1を透過するように構成されている。即ち、第1ミラー12-11によって光路を曲げられた第1光L1が第2ミラー12-21を介して被測定試料Xに到達する。これにより、第2ミラー12-21で反射された後の第2光L2と、第2ミラー12-21を透過した後の第1光L1とが共通の光路上を通過する。光源切換部13は、光照射部10から被測定試料Xへ射出される光を切り換える。本実施形態の光源切換部13は、例えば、シャッター装置であり、遮蔽部材13-1と、この遮蔽部材13-1の位置を演算制御部50の制御に従って切り換える切換部13-2と、を有する。遮蔽部材13-1は、第1及び第2光源部11-1、11-2から射出される第1及び第2光L1、L2が入射したときに反射や吸収等によって当該光L1、L2の光路上の進行を停止させる部材である。切換部13-2は、例えばアクチュエータ等であり、遮光部材13-1の位置を、第1光L1が通過する第1光路上の位置である第1位置と、第2光L2が通過する第2光路上の位置である第2位置との間で切り換える。尚、本実施形態では、光源切換部13によって被測定試料Xに照射される光が切り換えられるが、これに限定されない。例えば、演算制御部50が、第1光源部11-1を駆動して第1光L1を第1光源部11-1から射出させたときに第2光源部11-2を停止して第2光源部11-2からの第2光L2の射出を停止させる一方、第2光源部11-2を駆動して第2光L2を第2光源部11-2から射出させたときに第1光源部11-1を停止して第1光源部11-1からの第1光L1の射出を停止させることにより、被測定試料Xに照射される光の切り換えが行われてもよい。ビーム径切換部14は、光照射部10から射出される光光線の直径であるビーム径を切り換える。本実施形態のビーム径切換部14は、拡散部材14-1と、この拡散部材の位置を切り換える切換部14-2とを有し、光照射部10が被測定試料Xに射出照射する光光線L1、L2のビーム径を所定の第1ビーム径とこの第1ビーム径よりも小さな第2ビーム径との間で切り換える。このようにビーム径切換部14が第1及び第2光L1、L2のビーム径の大きさを切り換えることにより、被測定試料Xの表面光照射面:図1における上面における照射範囲照射領域の大きさが切り換えられる。本実施形態のビーム径切換部14は、光照射部10から射出された光の光照射面における照射範囲を、導波管アンテナ24の開口部24aの内径程度の大きさである第1照射範囲と、光照射面において第1照射範囲に含まれ且つ第1照射範囲よりも小さな第2照射範囲と、に切り換える。このビーム径切換部14が第1及び第2光L1、L2の照射範囲を切り換えて光照射面における照射範囲照射領域を大きくする以下、1次元拡散測定モードとも称する。と、被測定試料Xでのキャリアの拡散における表面再結合の割合が小さくなる換言すると、浸透長方向に拡散するキャリアの数に対する光照射面に沿った方向に拡散するキャリアの数の割合が小さくなるため、キャリアの拡散を浸透長方向への1次元的な拡散と擬制することが可能となる。これにより、キャリアの生成消滅過程で生じる被測定試料Xの導電率変化を当該被測定試料Xの光照射面で反射させた測定波マイクロ波等の強度の時間的な変化として検出してこれを解析する際に、当該解析における演算等を簡素化することができるため、前記反射させた測定波の検出結果から表面光照射面でのキャリア消滅とバルク被測定試料Xの内部でのキャリア消滅とを解析的に分けることが可能となる。一方、光照射面における第1及び第2光L1、L2の照射範囲照射領域を小さくする以下、3次元拡散測定モードとも称する。と、被測定試料Xでのキャリアの拡散における表面再結合の割合が大きくなる換言すると、浸透長方向に拡散するキャリアの数に対する光照射面に沿った方向に拡散するキャリアの数の割合が大きくなる。この場合、キャリアの生成消滅過程で生じる被測定試料Xの導電率変化を当該被測定試料Xの光照射面で反射させた測定波マイクロ波等の強度変化として検出してこれを従来の方法によって解析すると、演算等が極めて複雑となるため前記反射させた測定波の検出結果から表面光照射面でのキャリア消滅とバルク被測定試料Xの内部でのキャリア消滅とを解析的に分けることができなかった。しかし、前記反射させた測定波の検出結果には表面再結合の成分が多く含まれるため、本実施形態の半導体キャリア寿命測定装置MAのように、後述する方法によってこの検出結果を利用すれば、被測定試料Xのキャリア寿命τbをより精度よく測定することが可能となる。拡散部材14-1は、入射した光を拡散することにより射出する光のビーム径を広げる部材である。本実施形態の拡散部材14-1は、第1及び第2光源部11-1、11-2が射出する第1及び第2光L1、L2のビーム径を導波管アンテナ24の開口部24aの内径直径と同程度までそれぞれ広げる。例えば、図1に示す例では、第1及び第2光源部11-1、11-2が射出する第1及び第2光L1、L2のビーム径をそれぞれ7倍程度まで広げる。切換部14-2は、例えばアクチュエータ等であり、拡散部材14-1の位置を、第1光路と第2光路とが重なっている部位第1光路と第2光路とにおける第2ミラー12-21よりも下流側で且つ被測定試料Xよりも上流側の部位上の位置である拡散位置と、前記第1光路と第2光路とが重なっている部位上から退避した退避位置との間で切り換える。測定波入出力部20は、被測定試料Xの光照射面に所定の測定波を入射すると共に、被測定試料Xで所定の相互作用を受けた測定波を射出するための装置であり、測定波照射部の一例に相当する。本実施形態の半導体キャリア寿命測定装置MAにおける測定波入出力部20は、測定波生成部21と、サーキュレータ22と、導波管23と、導波管アンテナ24と、を備える。測定波生成部21は、演算制御部50の制御に従って前記所定の測定波を生成する装置である。本実施形態の半導体キャリア寿命測定装置MAでは、キャリアの生成消滅過程で生じる半導体の導電率変化を測定波の強度変化で取り出すため、前記所定の測定波としては、電磁波が用いられる。より具体的に、本実施形態では、測定波としてマイクロ波が用いられ、測定波生成部21は、前記マイクロ波を生成するマイクロ波発振器を備える。この測定波生成部21は、サーキュレータ22の1個の端子に接続され、測定波生成部21から放射された測定波は、サーキュレータ22に入射される。サーキュレータ22は、3つ以上の端子ポートを持ち、非可逆的に、一の端子の入力をサイクリックに他の端子へ出力するものである。本実施形態のサーキュレータ22は、3個の第1乃至第3端子を備え、第1端子に入射された測定波を第2端子へ射出し、第2端子に入射された測定波を第3端子へ射出する光学素子である。サーキュレータ22の第1端子は、測定波生成部21に接続され、その第2端子は、導波管23に接続され、そして、その第3端子は、測定波検出部31に接続される。導波管23は、測定波を導く伝播路を形成する部材であり、その一方端部にサーキュレータ22の第2端子が接続され、その他方端部に導波管アンテナ24が接続される。本実施形態では、測定波がマイクロ波であることから、導波管23は、マイクロ波導波管である。導波管アンテナ24は、導波管23を伝播して来た測定波を被測定試料Xへ放射すると共に、被測定試料Xと相互作用を受けた測定波を受信して導波管23へ導く。導波管アンテナ24は、被測定試料Xの光照射面に対する法線方向図1における上下方向に沿って配設されており、一方端部が導波管23に接続され、他方端部に開口部24aを備えている。この開口部24aは、測定波を被測定試料Xへ放射すると共に、被測定試料Xと相互作用を受けた測定波を受信するための開口である。そして、導波管アンテナ24の一方端部には、光照射部10から射出された第1及び第2光L1、L2を導波管アンテナ24内に案内するための開口部24bを備える。本実施形態では、測定波がマイクロ波であることから、導波管アンテナ24は、マイクロ波アンテナである。検出部30は、被測定試料Xで相互作用を受けた測定波を検出する装置であり、例えば、被測定試料Xで相互作用を受けた測定波の強度を検出する測定波検出部31を備える。本実施形態では、測定波がマイクロ波であることから、測定波検出部31は、マイクロ波検出器を備える。ステージ40は、被測定試料Xを支持すると共に演算制御部50の制御に従って被測定試料Xの位置を当該被測定試料Xの光照射面に沿った2次元方向即ち、光照射部10からの第1及び第2光L1、L2の照射方向に対して垂直若しくはほぼ垂直な面の方向に移動可能ないわゆるX-Yステージである。演算制御部50は、半導体キャリア寿命測定装置MAの全体制御を司る装置であり、例えば、マクロプロセッサやメモリ等を備えるマイクロコンピュータを備える。そして、演算制御部50は、図2にも示されるように、測定波検出部31で検出した、被測定試料Xで相互作用を受けた測定波の強度に基づいてキャリア寿命を演算する演算部51を備える。この演算部51は、例えば、測定波検出部31で検出した測定波の反射波反射測定波の強度に基づいてキャリア寿命を演算するキャリア寿命演算プログラムを実行することにより、機能的に、キャリア寿命導出部52と、表面再結合速度導出部53とを備える。キャリア寿命導出部52は、光照射面に対して互いに波長が異なる第1及び第2光L1、L2をそれぞれ照射することにより検出される反射測定波に基づいて被測定試料Xのキャリア寿命を求め、機能的に、第1演算部521と、第2演算部522と、第1補正係数導出部523と、第1測定演算部524と、第1補正部525と、寿命演算部キャリア寿命導出部526と、を備える。また、表面再結合速度導出部53は、光照射面に対して互いに波長が異なる第1及び第2光L1、L2を照射することにより検出される反射測定波に基づいて被測定試料Xの表面再結合速度Sを求め、機能的に、δ-S/Dテーブル記憶部531と、第1差演算部532と、第2差演算部533と、第2補正係数導出部差補正係数導出部534と、第2測定演算部535と、第2補正部536と、再結合速度演算部537と、を備える。第1演算部521は、1次元拡散測定モードでの測定を行い、即ち、照射範囲が第1照射範囲となるように第1及び第2光L1、L2を被測定試料Xに照射すると共に測定波を被測定試料Xに照射し、これにより検出された反射測定波強度の時間的な変化に基づいて第1の1次モードライフタイムτ1-1を求める。ここで、1次モードライフタイム1次モードキャリア寿命τ1とは、被測定試料Xにおける表面再結合の影響を含むキャリア寿命のことであり、被測定試料Xバルクのキャリア寿命τbよりも短い。具体的に、第1演算部521は、ビーム径切換部14における切換部14-2を制御して拡散部材14-1の位置を拡散位置に切り換える。これにより、光照射部10から照射される第1及び第2光L1、L2の光照射面における照射範囲が第1照射範囲となる。本実施形態の第1照射範囲は、上記のように導波管アンテナ24の開口部24aの内径と同程度の直径を有する。また、第1演算部521は、光源切換部13における切換部13-2を制御して遮光部材13-1の位置を第2位置に切り換える。これにより、光照射部10から射出される光が第1光L1となる。そして、第1演算部521は、照射範囲が第1照射範囲となるように光照射部10によって第1光L1を被測定試料Xに照射すると共に測定波入出力部20によって測定波を被測定試料Xに照射し、検出部30によって反射測定波強度の変化、即ち、第1光L1により励起されたキャリアの消滅に起因する反射測定波の強度の時間的な相対変化以下、単に第1光L1に対応する反射測定波強度の変化とも称する。を検出する。次に、第1演算部521は、光源切換部13における切換部13-2を制御して遮光部材13-1の位置を第1位置に切り換える。これにより、光照射部10から射出される光が第2光L2となる。そして、第1演算部521は、照射範囲が第1照射範囲となるように光照射部10によって第2光L2を被測定試料Xに照射すると共に測定波入出力部20によって測定波を被測定試料Xに照射し、検出部30によって反射測定波強度の変化、即ち、第2光L2により励起されたキャリアの消滅に起因する反射測定波の強度の時間的な相対変化以下、単に第2光L2に対応する反射測定波強度の変化とも称する。を検出する。第1演算部521は、第1照射範囲となるように第1及び第2光L1、L2を照射することによって検出部30で検出した第1光L1に対応する反射測定波強度の変化と第2光L2に対応する反射測定波強度の変化とに対して、下記の式1をそれぞれフィッティングする。具体的に、第1演算部521は、第1光L1に対応する反射測定波強度の変化における第1光L1を照射してから十分に時間が経過した部分と、第2光L2に対応する反射測定波強度の変化における第2光L2を照射してから十分に時間が経過した部分とに、下記の式1をそれぞれフィッティングする。そうすると、互いのτ1の部分が一致するため、第1演算部521は、この一致した部分を1次モードライフタイムτ1-1とする。ここで、Δn1は、第1光L1を用いて検出した反射測定波強度の変化である。第2演算部522は、3次元拡散測定モードでの測定を行い、即ち、照射範囲が第2照射範囲となるように第1及び第2光L1、L2を被測定試料Xに照射すると共に測定波を被測定試料Xに照射し、これにより検出された反射測定波強度の変化に基づいて第2の1次モードライフタイムτ1-2を求める。具体的に、第2演算部522は、ビーム径切換部14における切換部14-2を制御して拡散部材14-1の位置を退避位置に切り換える。これにより、光照射部10から照射される第1及び第2光L1、L2の被測定試料Xの光照射面における照射範囲が第1照射範囲よりも小さな第2照射範囲となる。本実施形態の第2照射範囲は、上記のように導波管アンテナ24の開口部24aの内径の1/7程度の直径を有する。また、第2演算部522は、光源切換部13における切換部13-2を制御して遮光部材13-1の位置を第2位置に切り換える。これにより、光照射部10から射出される光が第1光L1となる。そして、第2演算部522は、照射範囲が第2照射範囲となるように光照射部10によって第1光L1を被測定試料Xに照射すると共に、測定波入出力部20によって測定波を被測定試料Xに照射し、検出部30によって第1光L1に対応する反射測定波強度の変化を検出する。次に、第2演算部522は、光源切換部13における切換部13-2を制御して遮光部材13-1の位置を第1位置に切り換える。これにより、光照射部10から射出される光が第2光L2となる。そして、第2演算部522は、照射範囲が第2照射範囲となるように光照射部10によって第2光L2を被測定試料Xに照射すると共に、測定波入出力部20によって測定波を被測定試料Xに照射し、検出部30によって第2光L2に対応する反射測定波強度の変化を検出する。第2演算部522は、第2照射範囲となるように第1及び第2光L1、L2を照射することによって検出部30で検出した第1光L1に対応する反射測定波強度の変化と第2光L2に対応する反射測定波強度の変化とに対して、上記の式1をそれぞれフィッティングする。具体的に、第2演算部522は、第1演算子521同様に、第1光L1に対応する反射測定波強度の変化における第1光L1を照射してから十分に時間が経過した部分と、第2光L2に対応する反射測定波強度の変化における第2光L2を照射してから十分に時間が経過した部分とに、上記の式1をそれぞれフィッティングする。そうすると、互いのτ1の部分が一致するため、第2演算部522は、この一致した部分を第2の1次モードライフタイムτ1-2とする。第1補正係数導出部523は、第1演算部521で求められた第1の1次モードライフタイムτ1-1と、第2演算部522で求められた第2の1次モードライフタイムτ1-2と、から、第1補正係数Aを求め、これを格納記憶する。本実施形態の第1補正係数Aは、下記の式2に示されるように、第2の1次モードライフタイムτ1-2に対する第1の1次モードライフタイムτ1-1の比である。A=τ1-1/τ1-22第1測定演算部524は、ステージ40を制御して被測定試料Xを移動させて光照射面の複数の部位において3次元拡散測定モードでそれぞれ測定し、前記複数の部位における各部位での第2の1次モードライフタイムτ1-2をそれぞれ求め、これらを格納する。具体的に、第1測定演算部524は、切換部14-2によって拡散部材14-1の位置を退避位置に切り換えると共に、切換部13-2によって遮光部材13-1を第2位置に切り換えた状態でステージ40を制御する。そして、第1測定演算部524は、光照射面における前記複数の部位において照射範囲の大きさが第2照射範囲となるように第1光L1を照射すると共に当該部位に対して測定光を照射する一方、前記複数の部位において照射範囲の大きさが第2照射範囲となるように第2光L2を照射すると共に当該部位に対して測定光を照射する。第1測定演算部524は、このとき検出部30によって検出された第1光L1に対応する反射測定波強度の変化と、第2光L2に対応する反射測定波強度の変化と、に対し、上記と同様にして式1をフィッティングすることにより、前記複数の部位における各部位での第2の1次モードライフタイムτ1-2nをそれぞれ導出する。尚、前記各部位での第2の1次モードライフタイムτ1-2nのnは、光照射面において第2の1次モードライフタイムτ1-2を求めた部位を識別するための符号であって自然数である。第1補正部525は、第1測定演算部524に格納された前記各部位での第2の1次モードライフタイムτ1-2nを第1補正係数導出部523に格納された第1補正係数Aによってそれぞれ補正する。具体的には、第1補正部525は、前記各部位での第2の1次モードライフタイムτ1-2nに第1補正係数Aをそれぞれ乗じる。このように光照射面における特定の位置での第1の1次モードライフタイムτ1-1と第2の1次モードライフタイムτ1-2との対応関係から求めた補正係数Aを用いて前記各部位での第2の1次モードライフタイムτ1-2nをそれぞれ補正することにより、反射測定波の検出結果から被測定試料Xのキャリア寿命τbを求めるときの解析において、これら補正された前記各部位での第2の1次モードライフタイムτ1-2nを前記各部位での第1の1次モードライフタイムτ1-1nとそれぞれ擬制することができる。これにより、寿命演算部526での演算を容易化することが可能となる。寿命演算部526は、第1補正部525によって補正された前記各部位での第2の1次モードライフタイムτ1-2nに基づいて、前記各部位でのキャリア寿命各部位でのバルクライフタイムをそれぞれ求め、これら各部位でのキャリア寿命から被測定試料Xのキャリア寿命τbを求める。具体的に、寿命演算部526は、補正された前記各部位の第1次モードライフタイムτ1-2nを以下の式3のτ1に代入して前記各部位でのキャリア寿命をそれぞれ求め、これら各部位でのキャリア寿命から被測定試料Xバルクのキャリア寿命τbを求める。例えば、寿命演算部526は、前記各部位でのキャリア寿命の平均を被測定試料Xのキャリア寿命τbとしてもよい。ここで、Dは拡散係数であり、公知の常套手段によって予め求められて寿命演算部526に格納されている。また、αは、以下の式4の最低次の解として与えられる値である。この式4におけるdは、被測定試料Xの厚みであり、Sは被測定試料Xの表面再結合速度である。α×D/S=cotα×d/24δ-S/Dテーブル記憶部531は、δ-S/Dテーブルを格納記憶するものである。δ-S/Dテーブルは、δ値とS/D値との対応関係を示すいわゆるルックアップテーブルであり、例えばシミュレーション等によって予め求められ作成される。ここで、δ値とは、第1光L1を用いて検出した反射測定波強度と第2光L2を用いて検出して反射測定波強度との比の対数に基づく値であり、後述する式5により求められる。第1差演算部532は、1次元拡散測定モードでの測定を行って検出された反射測定波強度の変化の第1差δ1を求める。この第1差δ1は、測定波検出部31で検出された、第2光短波長光L2の照射による反射測定波強度に対する第1光長波長光L1の照射による反射測定波強度の自然対数値であり、以下の式5で表される。δ=ln第1光長波長光反射測定波強度/第2光短波長光反射測定波強度5本実施形態の第1差演算部532は、第1演算部521で用いられた第1光L1を用いて検出した反射測定波強度と第2光L2を用いて検出した反射測定波強度とを上記の式5に代入し、このδが所定時間を経過して一定値となったときの値を前記の第1差δ1として導出する。第2差演算部533は、3次元拡散測定モードでの測定を行って検出された反射測定波の時間的な相対変化の第2差δ2を求める。本実施形態の第2差演算部533は、第2演算部522で用いられた第1光L1を用いて検出した反射測定波強度と第2光L2を用いて検出した反射測定波強度とを上記の式5に代入し、このδが所定時間を経過して一定値となったときの値を前記の第2差δ2として導出する。第2補正係数導出部534は、第1差演算部532で求められた第1差δ1と第2差演算部533で求められた第2差δ2とから、第2補正係数Bを求め、これを格納記憶する。本実施形態の第2補正係数Bは、下記の式6に示されるように、第2差δ2に対する第1差δ1の比である。B=δ1/δ26第2測定演算部535は、ステージ40を制御して被測定試料Xを移動させることで光照射面の複数の部位において3次元拡散測定モードでそれぞれ測定し、前記複数の部位における各部位での第2差δ2nをそれぞれ求め、これらを格納する。本実施形態の第2測定演算部535は、第1測定演算部524で用いられた前記各部位での第1光L1を用いて検出した反射測定波強度の変化と第2光L2を用いて検出した反射測定波強度の変化とを上記の式5にそれぞれ代入することにより、前記各部位での第2差δ2nをそれぞれ導出する。尚、前記各部位での第2差δ2nのnは、光照射面において第2差δ2を求めた部位を識別するための符号であって自然数である。第2補正部536は、第2測定演算部535に格納された前記各部位での第2差δ2nを第2補正係数導出部534に格納された第2補正係数Bによってそれぞれ補正する。具体的には、第2補正部536は、前記各部位での第2差δ2nに第2補正係数Bをそれぞれ乗じる。このように被測定試料Xの光照射面における特定の位置での第1差δ1と第2差δ2との対応関係から求めた補正係数Bを用いて前記各部位での第2差δ2nをそれぞれ補正することにより、反射測定波の検出結果から被測定試料Xのキャリア寿命τbを求めるときの解析において、補正された前記各部位での第2差δ2nを前記各部位での第1差δ1nとそれぞれ擬制することができる。これにより、再結合速度演算部537での演算を容易化することができる。再結合速度演算部537は、第2補正部536で補正された前記各部位での第2差δ2nに基づいて表面再結合速度Sを求める。具体的に、再結合速度演算部537は、δ-S/Dテーブル記憶部531に格納されているδ-S/Dテーブルを用いて、前記各部位での第2差δ2nからS/Dをそれぞれ求め、寿命演算部526に格納されている拡散係数Dを用いることにより、前記各部位での表面再結合速度を求める。そして、再結合速度演算部537は、前記各部位での表面再結合速度から被測定試料Xの表面再結合速度Sを求める。例えば、再結合速度演算部537は、前記各部位での表面再結合速度の平均を被測定試料Xの表面再結合速度Sとしてもよい。出力部60は、液晶画面等の表示部61を有し、寿命演算部526と再結合速度演算部537とによって求められた被測定試料Xのキャリア寿命τbと表面再結合速度Sとを表示する。以上のような構成の半導体キャリア寿命測定装置MAでは、例えば、以下のようにして被測定試料X例えば半導体のバルクのキャリア寿命τbが測定される。図3は、本実施形態の半導体キャリア寿命測定装置MAの動作の一例を示すフローチャートである。先ず、測定対象である半導体ウェハは、その表面の汚れや表面ダメージ等が、事前に例えばケミカルエッチング等によって落とされ洗浄処理、自然酸化膜が付与された状態とされる。この洗浄処理後の半導体ウェハは、被測定試料Xとしてステージ40に配置される。そして、例えば、図略の測定開始の指示を半導体キャリア寿命測定装置MAに入力するためのスタートスイッチが操作されると、半導体キャリア寿命測定装置MAによる被測定試料Xのキャリア寿命τbの測定が開始され、所定の測定箇所を測定すべく、演算制御部50の制御に従ってステージ40が駆動制御され、被測定試料Xが所定の位置に移動する。被測定試料Xが前記所定の位置に配置されると、演算制御部50は、光照射面における特定の位置での1次元拡散測定モードでの測定を行う。即ち、演算制御部50は、照射範囲が第1照射範囲となるように第1及び第2光L1、L2を被測定試料Xにおける特定の位置に照射すると共に測定波を被測定試料Xに照射し、反射測定波を検出することによって、第1の1次モードライフタイムτ1-1を求めると共に第1差δ1を求める。具体的に、演算制御部50は、光照射部10から射出される光が第1光L1となるように光源切換部13の切換部13-2によって遮光部材13-1の位置を第2位置に切り換えると共に、第1光L1の被測定試料Xにおける照射範囲が第1照射範囲となる即ち、第1光L1のビーム径が大きくなるようにビーム径切換部14の切換部14-2によって拡散部材14-1の位置を拡散位置に切り換える。この状態で、演算制御部50は、光照射部10によって第1光L1を被測定試料Xに照射すると共に測定波入出力部20によって測定波を被測定試料Xに照射し、検出部30によって反射測定波強度の変化を検出詳しくは、反射測定波の強度の時間的な相対変化を検出するステップS1。また、演算制御部50は、光照射部10から射出される光を第1光L1から第2光L2に切り換えるために、光源切換部13の切換部13-2によって遮光部材13-1の位置を第1位置に切り換える。この状態で、演算制御部50は、光照射部10によって第2光L2を被測定試料Xにおける前記特定の位置に照射すると共に測定波入出力部20によって測定波を被測定試料Xに照射し、検出部30によって反射測定波強度の変化を検出詳しくは、反射測定波の強度の時間的な相対変化を検出するステップS2。尚、本実施形態では、ステップS1とステップS2とが順に行われるが、逆即ち、ステップS2、ステップS1の順に行われてもよい。詳しくは、演算制御部50は、測定波入出力部20によって測定波を被測定試料Xの前記特定の位置測定波照射領域に照射し、被測定試料Xで反射された測定波を検出部30によって検出し、この検出結果を検出部30から受信する。さらにより詳細には、演算制御部50の制御に従って測定波生成部21は、測定波を生成し、この生成された測定波は、サーキュレータ22の第1端子に入射する。第1端子から入射した測定波は、サーキュレータ22の第2端子から射出されて導波管23に入射し、導波管23内を伝播する。この導波管23内を伝播する測定波は、被測定試料Xの測定波照射領域を照射するべく、導波管アンテナ24の開口部24aから前記測定波照射領域に向けて放射される。そして、被測定試料Xで反射した測定波反射測定波は、導波管アンテナ24の開口部24aから入射して導波管アンテナ24で受信される。この反射測定波は、導波管23内を伝播し、サーキュレータ22の第2端子に入射する。この第2端子から入射した反射測定波は、サーキュレータ22の第3端子から射出されて検出部30に入射し、検出部30の測定波検出部31でその強度が検出される。この検出された反射測定波の強度は、検出部30の測定波検出部31から演算制御部50の演算部51へ出力される。一方、演算制御部50は、光照射部10によって第1及び第2光L1、L2が時分割で被測定試料Xの前記特定の位置である光照射領域測定波照射領域に照射される。具体的には、まず第1に、演算制御部50は、第1光源部11-1によってパルスレーザ光の第1光L1を射出し、この射出された第1光L1は、第1ミラー12-1で光路が屈曲され、導波管アンテナ24の開口部24bに入射する。この第1光L1は、導波管アンテナ24内を伝播し、被測定試料Xの光照射領域を照射するべく、導波管アンテナ24の開口部24aから前記光照射領域に向けて射出される。また、続いて第2に、演算制御部50は、第2光源部11-2によってパルスレーザ光の第2光L2を射出し、この射出された第2光L2は、第2ミラー12-2で光路が屈曲され、導波管アンテナ24の開口部24bに入射する。この第2光L2は、導波管アンテナ24内を伝播し、被測定試料Xの光照射領域を照射するべく、導波管アンテナ24の開口部24aから前記光照射領域に向けて射出される。これによって第1光L1を被測定試料Xに照射している場合に測定波を被測定試料Xに照射していれば、第1光L1による反射測定波強度の変化が測定波検出部31を介して演算部51に取り込まれ、また、第2光L2を被測定試料Xに照射している場合に測定波を被測定試料Xに照射していれば、第2光L2による反射測定波強度の変化が測定波検出部31を介して演算部51に取り込まれる。通常では、測定波が被測定試料Xに照射され、測定波を被測定試料Xに照射しながらパルスレーザ光の第1光L1又は第2光L2を照射することによって、パルスレーザ光の第1光L1又は第2光L2の照射直後消灯直後における反射測定波強度の変化が測定され、また、測定波を被測定試料Xに照射しながらパルスレーザ光の第2光L2又は第1光L1を照射することによって、パルスレーザ光の第2光L2又は第1光L1の照射直後消灯直後における反射測定波強度の変化が測定される。そして、第1及び第2光L1、L2の波長が互いに異なることで、被測定試料Xに対するそれらの浸透長も互いに異なり、この結果、浸透長が互いに異なる第1及び第2光L1、L2の照射による各反射測定波の強度がそれぞれ得られる。演算制御部50は、照射範囲が第1照射範囲となるビーム径で第1及び第2光L1、L2を照射することにより検出された第1光L1に対応する反射測定波強度の変化と第2光L2に対応する反射測定波強度の変化とから第1演算部521によって第1の1次モードライフタイムτ1-1を求めると共に第1差演算部532によって第1差δ1を求めるステップS3。光照射面における特定の位置での1次元拡散測定モードでの測定が終わると、次に、演算制御部50は、同じ位置前記特定の位置で3次元拡散測定モードでの測定を行う。即ち、演算制御部50は、照射範囲が第2照射範囲となるように第1及び第2光L1、L2を被測定試料Xに照射すると共に測定波を被測定試料Xに照射し、反射測定波強度の変化を検出することによって、第2の1次モードライフタイムτ1-2を求めると共に第2差δ2を求める。具体的に、演算制御部50は、光照射部10から射出される光が第1光L1となるように光源切換部13の切換部13-2によって遮光部材13-1の位置を第2位置に切り換えると共に、第1光L1の被測定試料Xにおける照射範囲が第2範囲となる即ち、第1光L1のビーム径が小さくなるようにビーム径切換部14の切換部14-2によって拡散部材14-1の位置を退避位置に切り換える。この状態で、演算制御部50は、光照射部10によって第1光L1を被測定試料Xに照射すると共に測定波入出力部20によって測定波を被測定試料Xに照射し、検出部30によって反射測定波強度の変化を検出詳しくは、反射測定波の強度の時間的な相対変化を検出するステップS4。また、演算制御部50は、光照射部10から射出される光を第1光L1から第2光L2に切り換えるために、光源切換部13の切換部13-2によって遮光部材13-1の位置を第1位置に切り換える。この状態で、演算制御部50は、光照射部10によって第2光L2を被測定試料Xに照射すると共に測定波入出力部20によって測定波を被測定試料Xに照射し、検出部30によって反射測定波強度の変化を検出詳しくは、反射測定波の強度の時間的な相対変化を検出するステップS5。尚、本実施形態では、ステップS4とステップS5とが順に行われるが、逆即ち、ステップS5、ステップS4の順に行われてもよい。演算制御部50は、照射範囲が第2照射範囲となるビーム径で第1及び第2光L1、L2を照射することにより検出された第1光L1に対応する反射測定波強度の相対変化と第2光L2に対応する反射測定波強度の相対変化とから第2演算部522によって第2の1次モードライフタイムτ1-2を求めると共に第2差演算部533によって第2差δ2を求めるステップS6。光照射面における特定の位置での1次元拡散測定モードによる測定と3次元拡散測定モードによる測定とがそれぞれ終わると、演算制御部50は、第1演算部521で求められた第1の1次モードライフタイムτ1-1、第2演算部522で求められた第2の1次モードライフタイムτ1-2、第1差演算部532で求められた第1差δ1、及び第2差演算部533で求められた第2差δ2から、第1補正係数導出部523及び第2補正係数導出部534によって第1補正係数A及び第2補正係数Bをそれぞれ求め、これらを第1補正係数導出部523と第2補正係数導出部534とに格納するステップS7。次に、演算制御部50は、光照射面の複数の部位において3次元拡散測定モードによる測定を行う。具体的に、演算制御部50は、第1測定演算部524によってステージ40を制御して被測定試料Xを移動させることで、光照射面の複数の部位において第1光L1による3次元拡散測定モードでそれぞれ測定することにより、前記複数の部位における各部位での第1光L1に対応する反射測定波強度の変化を検出するステップS8。また、演算制御部50は、第1測定演算部524によってステージ40を制御して被測定試料Xを移動させることで、光照射面の前記複数の部位において第2光L2による3次元拡散測定モードでそれぞれ測定することにより、前記複数の部位における各部位での第2光L2に対応する反射測定波強度の変化を検出するステップS9。尚、ステップS8とステップS9とにおいて第1及び第2光L1、L2が照射される光照射面における各部位は、それぞれ共通の部位である。また、ステップS8とステップS9とは順に行われてもよく、逆に即ち、ステップS9、ステップS8の順に行われてもよい。そして、演算制御部50は、このとき検出部30によって検出された前記各部位での第1光L1に対応する反射測定波強度の変化と、前記各部位での第2光L2に対応する反射測定波強度の変化とから、第1測定演算部524によって前記各部位での第2の1次モードライフタイムτ1-2nをそれぞれ導出すると共に、第2測定演算部535によって前記各部位での第2差δ2nをそれぞれ導出するステップS10。このように前記各部位での第2の1次モードライフタイムτ1-2nと前記各部位での第2差δ2nとがそれぞれ求められると、演算制御部50は、これら前記各部位での第2の1次モードライフタイムτ1-2nと前記各部位での第2差δ2nとを第1補正部525及び第2補正部536において補正係数A、Bを用いてそれぞれ補正するステップS11。演算制御部50は、寿命演算部526と再結合速度演算部537とによって、これら補正後の第2の1次モードライフタイムτ1-2nと補正後の第2差δ2nとから前記各部位でのキャリア寿命と表面再結合速度をそれぞれ求め、これらに基づいて被測定試料Xのキャリア寿命τbと表面再結合速度Sとを求めるステップS12。演算制御部50は、求めた被測定試料Xのキャリア寿命τbと表面再結合速度Sとを出力部60に出力し、これらを出力部60の表示部61に表示させる。尚、演算制御部50は、前記各部位でのキャリア寿命と表面再結合速度とを出力部60に表示させるように構成されてもよい。本実施形態に係る半導体キャリア寿命測定装置MA及びこれに実装された半導体キャリア寿命測定方法によれば、半導体ウェハ等の被測定試料Xの表面光照射面における光パルスレーザ光の照射範囲を小さくすることによってこの照射で生じたキャリアの拡散における前記表面でのキャリアの再結合表面再結合の割合を増やし、このとき検出した反射測定波強度の変化を利用することで、表面再結合の影響を除いた半導体内部のキャリア寿命τbをより精度よく測定することができる。しかも、光パルスレーザ光の照射範囲を小さくして検出した反射測定波強度の変化を補正係数Aを用いて変換して、これを光パルスレーザ光の照射範囲を大きくして検出した反射測定波強度の変化と擬制することにより測定結果の解析における演算等を簡素化することができ、これにより、測定結果からキャリア寿命τbを求めることが可能となる。詳しくは、従来の方法においては、互いに波長が異なる2種類の光パルスレーザ光の被測定試料Xへの浸透長が異なることに起因する反射測定波強度の変化をそれぞれ検出し、表面でのキャリア消滅と被測定試料Xの内部バルクでのキャリア消滅とを解析的に分けて測定結果からバルクのキャリア寿命を抽出していた。この方法では、キャリアの消滅に起因する反射測定波強度の変化を測定するときに、光パルスレーザ光の照射により励起されたキャリアの被測定試料Xでの拡散において表面再結合の割合が大きいと、演算等が複雑となるため表面でのキャリア消滅とバルクでのキャリア消滅とを解析的に分けることができず、これにより、2波長測定第1及び第2光L1、L2を用いた測定での測定結果からバルクのキャリア寿命τbを求めることができなかった。そのため、従来の方法においては、被測定試料Xの表面における光パルスレーザ光の照射範囲を大きくして被測定試料Xでのキャリアの拡散における表面再結合の割合を小さくすることにより、キャリアの拡散を浸透長方向への1次元的な拡散と擬制していた。このようにキャリアの拡散を擬似的な1次元拡散とすることで表面でのキャリア消滅とバルクでのキャリア消滅とを解析的に分けることが可能となり、これにより、2波長測定での測定結果からバルクのキャリア寿命を求めることができた。しかし、近年の半導体ウェハの表面に設けられる膜の成膜技術の進歩によって、図4に示されるように、2波長測定での測定結果の差が小さくなり、そのため、前記測定結果から半導体ウェハ表面でのキャリア消滅とバルクでのキャリア消滅とを解析的に分けることが困難となっていた。ここで、図4は被測定試料Xのキャリア密度の時間変化反射測定波の相対出力の時間変化と、互いに波長の異なる2種類の各光における反射測定波の相対出力の時間変化及び相対出力の差各光の反射測定波の比の自然対数値の時間変化とを示す図である。この図4の横軸は、マイクロ秒単位で表す経過時間であり、その縦軸は、キャリア密度反射測定波の相対強度に対応と各光における反射測定波の相対出力差δとである。そこで、本実施形態においては、光パルスレーザ光の照射範囲を小さくすることにより半導体ウェハ等の被測定試料Xでのキャリアの拡散における表面再結合の割合を大きくして反射測定波強度の変化を測定する3次元拡散測定モードで測定することによって、測定結果に含まれる表面再結合の成分を多くし、これにより、図5に示されるように、2波長測定での測定結果の差を大きくすることができた。その結果、表面再結合の影響を除いた半導体内部のキャリア寿命τbを精度よく測定することが可能となった。しかも、被測定試料X表面の特定の位置1箇所における2波長測定での測定結果から補正係数A、Bを求め、被測定試料Xの表面における各部位での3次元拡散測定モードでの測定結果τ1-2n、δ2nをこの補正係数A、Bによってそれぞれ補正変換することにより、測定結果の解析においてこれら補正後の3次元拡散測定モードでの測定結果τ1-2n、δ2nをそれぞれ1次元拡散測定モードでの測定結果τ1-1n、δ1nと擬制することができ、その結果、3次元拡散測定モードでの測定結果を用いた高精度なキャリア寿命の導出を可能とした。次に、本発明の第2実施形態について図6及び図7を参照しつつ説明するが、上記第1実施形態と同様の構成には同一符号を用いると共に詳細な説明を省略し、異なる構成ついてのみ詳細に説明する。図6は、本実施形態の半導体キャリア寿命測定装置MA1の構成を示す図であり、図7は、半導体キャリア寿命測定装置MA1における演算制御部50Aの機能ブロック図である。本実施形態の半導体キャリア寿命測定装置MA1は、図6に示されるように、光照射部10Aと、測定波入出力部20と、検出部30と、ステージ40と、演算制御部50Aと、出力部60と、を備える。光照射部10Aは、第2光源部11-2と、第2光学系12-2と、ビーム径切換部切換部14と、を備える。即ち、第1実施形態の光照射部10には、射出する光の波長が互いに異なる第1光源部11-1と第2光源部11-2との2個の光源部が設けられているが、当該実施形態の光照射部10Aには、1個の光源部第2光源部11-2のみが設けられている。従って、光照射部10Aは、1種類の波長の光第2光L2しか射出照射できず、当該光照射部10Aには、図6に示すような第1光学系12-1や光源切換部13も設けられていない。尚、本実施形態の半導体キャリア寿命測定装置MA1のように、互いに波長が異なる2種類の光第1及び第2光L1、L2を照射せずに1種類の光第2光L2しか照射しない場合には、浸透長の長いパルス光即ち、短い波長を有する光を用いて検出した反射測定波強度の変化から、浸透長の短い光即ち、長い波長を有する光を用いて検出した反射測定波強度の変化を推測するため、第2光L2は、可視光領域の波長又は紫外線領域の波長を有することが好ましい。演算制御部50Aは、図7にも示されるように、キャリア寿命を演算する演算部51を備え、この演算部51は、例えば、測定波検出部31で検出した反射測定波の強度に基づいてキャリア寿命を演算するキャリア寿命演算プログラムを実行することにより、機能的に、キャリア寿命導出部52Aと、表面再結合速度導出部53とを備える。キャリア寿命導出部52Aは、第1実施形態のキャリア寿命導出部52と異なり、第2光L2を照射することにより検出される反射測定波のみから被測定試料Xのキャリア寿命を求めることができる。このキャリア寿命導出部52Aは、機能的に、第1演算部521Aと、第2演算部522Aと、第1補正係数導出部523と、第1測定演算部524Aと、第1補正部525と、寿命演算部キャリア寿命導出部526と、を備える。第1演算部521Aは、第1推測部55と、第1導出部56とを有し、1次元拡散測定モードでの測定を行い、即ち、照射範囲が第1照射範囲となるように光照射部10Aによって第2光L2を被測定試料Xに照射すると共に測定波を被測定試料Xに照射し、これにより検出部30によって検出された反射測定波強度の変化を利用して第1の1次モードライフタイムτ1-1を求める。第1推測部55は、第2光L2のみを用いた1次元拡散測定モード光の照射範囲が第1照射範囲となる測定モードでの測定により検出された反射測定波強度の変化を利用して、第1光L1に対応する反射測定波強度の変化を推測する。具体的に、第1推測部55では、以下のようにして推測する。波長の大きな第1光L1を用いて検出した反射測定波強度の変化は、照射直後から所定の時間が経過した後では第1実施形態の式1のような挙動を示し、この挙動は、表面再結合速度Sが十分小さい場合には下記の式7によって近似できる。一方、第2光L2を用いて検出した反射測定波強度の変化は、照射直後から所定の時間が経過した後では、前記第1光L1と同様に、第1実施形態の式1のような挙動を示す。但し、第1光L1と第2光L2とでは、τ1の値は一致するが、bの値は互いに異なる。そこで、第1推測部55は、第2光L2のみを用いた1次元拡散測定モードでの測定により検出した反射測定波強度の変化のうちの前記所定の時間が経過した後の部分を利用することにより、第1光L1を用いて検出する場合の反射測定波強度の変化を推測する。詳しくは、第1推測部55は、第2光L2を用いて検出した反射測定波強度の変化に上記の式1でフィッティングを行い、τ1を求める。そして、第1推測部55は、このτ1を下記の式7に代入し、この代入したものを第1光L1に対応する反射測定波強度の変化であると擬制する。第1導出部56は、第2光L2を用いて実際に検出した反射測定波強度の変化と、第1推測部55によって推測した反射測定波強度の変化とから、第1実施形態における第1演算部521と同様にして、第1の1次モードライフタイムτ1-1を求める。第2演算部522Aは、第2推測部57と、第2導出部58とを有し、3次元拡散測定モード光の照射範囲が第2照射範囲となる測定モードでの測定を行い、即ち、照射範囲が第2照射範囲となるように光照射部10Aによって第2光L2を被測定試料Xに照射すると共に測定波を被測定試料Xに照射し、これにより検出部30によって検出された反射測定波強度の変化を利用して第2の1次モードライフタイムτ1-2を求める。第2推測部57は、第2光L2のみを用いた3次元拡散測定モードでの測定により検出された反射測定波強度の変化を利用して、第1光L1に対応する反射測定波強度の変化を推測する。具体的に、第2推測部57は、第1推測部55と同様に、第2光L2のみを用いた3次元拡散測定モードでの測定により検出した反射測定波強度の変化のうちの前記所定の時間が経過した後の部分を利用することにより、第1光L1を用いて検出する場合の反射測定波強度の変化を推測する。より具体的には、第2推測部57は、第1推測部55と同様に、第2光L2を用いて検出した反射測定波強度の変化に上記の式1でフィッティングを行うことによって第1光L1を用いて検出した場合の反射測定波強度の変化を推測する。第2導出部58は、第2光L2を用いて実際に検出した反射測定波強度の時間的な変化と、第2推測部57によって推測した反射測定波強度の時間的な変化とから、第1実施形態における第2演算部522と同様にして、第2の1次モードライフタイムτ1-2を求める。第1補正係数導出部523は、第1実施形態と同様に、第1の1次モードライフタイムτ1-1と第2の1次モードライフタイムτ1-2と、から第1補正係数Aを求め、これを格納記憶する。第1測定演算部524Aは、第1実施形態と同様に、ステージ40を制御して被測定試料Xを移動させて光照射面の複数の部位において3次元拡散測定モードでそれぞれ測定し、前記複数の部位における各部位での第2の1次モードライフタイムτ1-2をそれぞれ求め、これらを格納する。但し、本実施形態の光照射部10Aは、第2光L2しか射出できないため、第1測定演算部524Aでは、光照射面の複数の部位における各部位において、第2光L2を用いて検出した反射測定波強度の変化から、第1光L1を用いて検出する反射測定波強度の変化を推測している。即ち、第1測定演算部524Aは、前記各部位において第2光L2を用いて実際に検出した反射測定波強度の変化から第1光L1を用いて検出する反射測定波強度の変化を推測し、この推測した反射測定波強度の変化と前記の第2光L2を用いて実際に検出した反射測定波強度の変化とから、前記各部位での第2の1次モードライフタイムτ1-2nをそれぞれ導出する。表面再結合速度導出部53は、第2光L2を照射することにより検出される反射測定波に基づいて被測定試料Xの表面再結合速度Sを求め、機能的に、δ-S/Dテーブル記憶部531と、第1差演算部532と、第2差演算部533と、第2補正係数導出部差補正係数導出部534と、第2測定演算部535と、第2補正部536と、再結合速度演算部537と、を備える。第1差演算部532は、第1推測部55で推測された反射測定波強度の変化と、第2光L2を用いた1次元拡散測定モードでの測定により実際に検出された反射測定波強度の変化とから、第1実施形態と同様にして、第1差δ1を導出する。第2差演算部533は、第2推測部57で推測された反射測定波強度の変化と、第2光L2を用いた3次元拡散測定モードでの測定により実際に検出された反射測定波強度の変化とから、第1実施形態と同様にして、第2差δ2を導出する。第2測定演算部535は、第1実施形態と同様に、ステージ40を制御して被測定試料Xを移動させて光照射面の複数の部位において3次元拡散測定モードでそれぞれ測定し、前記複数の部位における各部位での第2差δ2nをそれぞれ求め、これらを格納する。但し、本実施形態の光照射部10Aは、第2光L2しか射出できないため、第2測定演算部535では、第1測定演算部524Aにおいて推測された前記各部位での反射測定波強度の変化と、第2光L2を用いて実際に検出した反射測定波強度の変化と、から、第1実施形態と同様にして、前記各部位での第2差δ2nをそれぞれ導出する。以上のような構成の半導体キャリア寿命測定装置MA1では、例えば、以下のようにして被測定試料X例えば半導体のバルクのキャリア寿命τbが測定される。図8は、本実施形態の半導体キャリア寿命測定装置MA1の動作の一例を示すフローチャートである。被測定試料Xが所定の位置に配置されると、演算制御部50Aは、光照射面における特定の位置での1次元拡散測定モードでの測定を行う。即ち、演算制御部50Aは、ビーム径切換部14の切換部14-2によって拡散部材14-1の位置を拡散位置に切り換えて光照射部10Aによる照射範囲が第1照射範囲となるようにする。この状態で、演算制御部50Aは、第2光L2を被測定試料Xにおける特定の位置に照射すると共に測定波入出力部20によって測定波を被測定試料Xに照射し、検出部30によって反射測定波強度の変化を検出するステップS20。そして、演算制御部50Aは、この実際に検出した反射測定波強度の変化に基づいて、第1光L1を用いて検出する反射測定波強度の変化を推測しステップS21、この推測した反射測定波強度の変化と前記の第2光L2を用いて実際に検出した反射測定波強度の変化とから第1の1次モードライフタイムτ1-1と第1差δ1とをそれぞれ求めるステップS22。1次元拡散測定モードでの測定が終わると、次に、演算制御部50Aは、光照射面における前記特定の位置での3次元拡散測定モードでの測定を行う。即ち、演算制御部50は、ビーム径切換部14の切換部14-2によって拡散部材14-1の位置を退避位置に切り換えて光照射部10Aによる照射範囲が第2照射範囲となるようにする。この状態で、演算制御部50Aは、第2光L2を被測定試料Xにおける特定の位置に照射すると共に測定波入出力部20によって測定波を被測定試料Xに照射し、検出部30によって反射測定波強度の変化を検出するステップS23。そして、演算制御部50Aは、この検出した反射測定波強度の変化に基づいて、第1光L1を用いて検出する反射測定波強度の変化を推測しステップS24、この推測した反射測定波強度の変化と前記の第2光L2を用いて実際に検出した反射測定波強度の変化とから第2の1次モードライフタイムτ1-2と第2差δ2とをそれぞれ求めるステップS25。光照射面における前記特定の位置での1次元拡散測定モードによる測定と3次元拡散測定モードによる測定とが終わると、演算制御部50は、第1の1次モードライフタイムτ1-1、第2の1次モードライフタイムτ1-2、第1差δ1、及び第2差δ2から、第1補正係数導出部523及び第2補正係数導出部534によって第1補正係数A及び第2補正係数Bをそれぞれ求め、これらを第1補正係数導出部523と第2補正係数導出部534とに格納するステップS26。次に、演算制御部50は、光照射面の複数の部位において3次元拡散測定モードによる測定を行う。具体的に、演算制御部50は、第1測定演算部524Aによってステージ40を制御して被測定試料Xを移動させることで光照射面の複数の部位において第2光L2を用いて反射測定波強度の変化をそれぞれ検出するステップS27。そして、演算制御部50Aは、これら第2光L2を用いて実際に検出した前記各部での反射測定波強度の変化に基づいて、第1光L1を用いて検出する前記各部での反射測定波強度の変化をそれぞれ推測しステップS28、この推測した前記各部での反射測定波強度の変化と前記の第2光L2を用いて実際に検出した前記各部での反射測定波強度の変化とから前記各部での第2の1次モードライフタイムτ1-2と第2差δ2とをそれぞれ求めるステップS29。このように前記各部位での第2の1次モードライフタイムτ1-2nと前記各部位での第2差δ2nとがそれぞれ求められると、演算制御部50Aは、これら第2の1次モードライフタイムτ1-2nと第2差δ2nとを第1補正部525及び第2補正部536において補正係数A、Bを用いてそれぞれ補正するステップS30。演算制御部50Aは、寿命演算部526と再結合速度演算部537とによって、これら補正後の第2の1次モードライフタイムτ1-2nと補正後の第2差δ2nとから前記各部位でのキャリア寿命と表面再結合速度をそれぞれ求め、これらに基づいて被測定試料Xのキャリア寿命τbと表面再結合速度Sとを求めるステップS31。演算制御部50は、求めた被測定試料Xのキャリア寿命τbと表面再結合速度Sとを出力部60に出力し、これらを出力部60の表示部61に表示させる。本実施形態に係る半導体キャリア寿命測定装置MA1及びこれに実装された半導体キャリア寿命測定方法によれば、第2光L2を用いた反射測定波強度の変化しか検出しなくても、第2光L2を用いて実際に検出した反射測定波強度の変化と、この反射測定波強度の変化から推測した反射測定波強度の変化第1実施形態において第1光L1を用いて検出した反射測定波強度の変化に相当と、から半導体のキャリア寿命τbを精度よく求めることができる。また、本実施形態の半導体キャリア寿命測定装置MA1によれば、第2光L2を射出する光源部第2光源部11-2のみが設けられていればよく、即ち、第1実施形態の半導体キャリア寿命測定装置MAのように2つの光源部第1及び第2光源部11-1、11-2を設ける必要がないことから当該測定装置MAに比べて光源部の数を減らすことができる。そのため、装置の小型化及び省コスト化等を図ることが可能となる。尚、本発明の半導体キャリア寿命測定方法、及びこの方法を用いたキャリア寿命測定装置は、上記第1及び第2実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。上記第1及び第2実施形態では、励起されたキャリアの消滅に起因する被測定試料Xの導電率変化を測定波の光照射面での反射波の強度変化として検出しているが、これに限定されず、光照射面から被測定試料Xを透過した測定波の透過波の強度変化として検出してもよい。また、上記第1及び第2実施形態では、互いに波長が異なる2種類の光第1及び第2光L1、L2だけで被測定試料Xのキャリア寿命を測定しているが、これに限定されない。即ち、前記2種類の光第1及び第2光L1、L2を含む3種類以上の光を用いて換言すると、互いに波長が異なる少なくとも2種類の光を用いて測定することにより、被測定試料Xのキャリア寿命を精度よく測定することができる。また、上記第1及び第2実施形態では、ビーム径切換部14が設けられることによって、被測定試料Xの光照射面における光励起光の照射範囲が第1照射範囲と第2照射範囲との間で切り換え可能となっているが、これに限定されない。例えば、半導体キャリア寿命測定装置に各照射範囲に対応した光源部がそれぞれ設けられてもよい。具体的には、第1実施形態の半導体キャリア寿命測定装置MAであれば、第1照射範囲に対応したビーム径の第1光L1を射出する光源部、第1照射範囲に対応したビーム径の第2光L2を射出する光源部、第2照射範囲に対応したビーム径の第1光L1を射出する光源部、及び、第2照射範囲に対応したビーム径の第2光L1を射出する光源部、の4つの光源部が設けられてもよい。また、第2実施形態の半導体キャリア寿命測定装置MA1であれば、第1照射範囲に対応したビーム径の第2光L2を射出する光源部、及び第2照射範囲に対応したビーム径の第2光L2を射出する光源部、の2つの光源部が設けられてもよい。