"電子機器に搭載される冷却部と、冷却水を貯留する冷却水タンクと、前記冷却水タンクと前記冷却部との間で冷却水を循環させる循環ポンプと、前記冷却部と前記冷却水タンクとの間に配置されて冷却水が通る第1の配管と、前記第1の配管の途中に配置されて前記第1の配管を通る冷却水のpHが所定範囲から外れたときに前記第1の配管に流れる冷却水の少なくとも一部をバイパスさせるバイパス部と、イオン交換樹脂が配置され、前記バイパス部によりバイパスされた冷却水が通るイオン交換部と、前記イオン交換部を通過した冷却水に腐食防止剤を添加する腐食防止剤添加部と、前記腐食防止剤が添加された冷却水を前記冷却水タンクと前記冷却部との間で循環する冷却水に合流させる第2の配管とを有することを特徴とする電子機器冷却システム。前記バイパス部が、pHによって体積変化するpH応答性高分子を含むpH応答バルブを有することを特徴とする請求項1に記載の電子機器冷却システム。前記バイパス部は、前記冷却水のpHが7乃至9の範囲から外れたときに、前記第1の配管に流れる冷却水の少なくとも一部をバイパスさせることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子機器冷却システム。前記腐食防止剤添加部は、前記イオン交換部を通過した冷却水に、前記腐食防止剤とともにpH調整剤を添加することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電子機器冷却システム。前記バイパス部と前記イオン交換部との間に配置されて前記バイパス部でバイパスされた冷却水が通る第3の配管と、前記第3の配管内の圧力の変化を検出する圧力検出部と、前記圧力検出部から出力される信号に応じて作動し、前記第1の配管を流れる冷却水を前記第3の配管を介して前記イオン交換部に移送するバイパスポンプとを有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の電子機器冷却システム。冷却水中のpH及び腐食防止剤の濃度を管理して金属の腐食や樹脂の劣化を防止する電子機器冷却システムを提供することを目的とする。開示の技術の一観点によれは、電子機器に搭載される冷却部と、冷却水を貯留する冷却水タンクと、前記冷却水タンクと前記冷却部との間で冷却水を循環させる循環ポンプと、前記冷却部と前記冷却水タンクとの間に配置されて冷却水が通る第1の配管と、前記第1の配管の途中に配置されて前記第1の配管を通る冷却水のpHが所定範囲から外れたときに前記第1の配管に流れる冷却水の少なくとも一部をバイパスさせるバイパス部と、イオン交換樹脂が配置され、前記バイパス部によりバイパスされた冷却水が通るイオン交換部と、前記イオン交換部を通過した冷却水に腐食防止剤を添加する腐食防止剤添加部と、前記腐食防止剤が添加された冷却水を前記冷却水タンクと前記冷却部との間で循環する冷却水に合流させる第2の配管とを有する電子機器冷却システムが提供される。上記一観点に係る電子機器冷却システムによれば、冷却水中のpH及び腐食防止剤の濃度を管理して金属の腐食や樹脂の劣化を防止できる。以下、実施形態について説明する前に、実施形態の理解を容易にするための予備的事項について説明する。水冷式冷却システムでは、冷却水中に腐食防止剤インヒビターを添加して金属の腐食を防止している。しかし、水冷式冷却システムを長期間使用すると、種々の原因により冷却水中にイオンが溶け込み、冷却水が酸性又はアルカリ性になることがある。冷却板や配管等に使用される銅等の金属は、酸性の液に接触すると金属イオンが溶出して腐食の原因となる。また、樹脂製の配管やOリング等が酸性又はアルカリ性の液に接触すると、樹脂が劣化して液漏れの原因となる。イオンによる金属の腐食や樹脂の劣化を防止するために、冷却水中のイオンをイオン交換樹脂で吸着し、除去することが考えられる。しかし、イオン交換樹脂によって腐食防止剤も吸着されてしまうため、単にイオン交換樹脂を使用するだけでは腐食を十分に防止することができない。以下の実施形態では、冷却水中のpH及び腐食防止剤の濃度を管理して金属の腐食や樹脂の劣化を防止する電子機器冷却システムについて説明する。1.第1の実施形態電子機器冷却システム図1は、第1の実施形態に係る電子機器冷却システムの構成を説明する図である。本実施形態に係る電子機器冷却システムは、冷却板21と、熱交換器24と、冷却水タンク30と、循環ポンプ31と、pH応答バルブ25a,25bと、イオン交換部27a,27bと、腐食防止剤タンク28a,28bとを有する。冷却板21は銅等の熱伝導性が良好な金属により形成され、内側には冷却水が通流する空間が設けられている。この冷却板21は、電子機器10内の半導体装置又はその他の電子部品に取り付けられる。冷却板21は、冷却部の一例である。本実施形態では、図1のように、電子機器10内の複数の電子部品に冷却板21が取り付けられている。そして、複数図1では3個の冷却板21がホース23により直列に接続されて1つの冷却板群を形成し、複数の冷却板群図1では4つの冷却板群がインレット側マニホールド22aとアウトレット側マニホールド22bとの間に並列に接続されている。インレット側マニホールド22aには、冷却水タンク30に貯留された冷却水が配管11、循環ポンプ31及び配管12を介して供給される。インレット側マニホールド22aに供給された冷却水は、ホース23を介して各冷却板23に供給され、アウトレット側マニホールド22bに到達する。冷却水が冷却板21を通る際に、電子部品で発生した熱を吸収して、冷却水の温度が上昇する。アウトレット側マニホールド22bは配管13を介して熱交換器24に接続されている。熱交換器24は例えば冷却水が通流する配管と、配管に接続された多数の放熱フィンと、放熱フィン間にエアーを通流させる送風ファンとを有し、配管を通る冷却水を冷却する。熱交換器24で冷却された冷却水は、配管14を介して冷却水タンク30に戻る。配管14は、第1の配管の一例である。配管14の途中にはpH応答バルブ25a,25bが接続されている。配管14を通る冷却水のpHが9よりも高いときはpH応答バルブ25aが開になり、冷却水のpHが7よりも低いときはpH応答バルブ25bが開になる。pH応答バルブ25a,25bの詳細な説明は後述する。pH応答バルブ25a,25bは、バイパス部の一例である。配管14を通る冷却水のpHが9よりも高くなってpH応答バルブ25aが開になると、配管14を通る冷却水の一部がpH応答バルブ25aを介して配管15a内に流入する。配管15aには圧力計17aが取り付けられており、配管15a内に冷却水が流入すると圧力計17aが圧力の変化を検出する。そして、圧力計17aから出力される信号に基づいてバイパスポンプ26aが作動する。このバイパスポンプ26aの作動により、配管14を通る冷却水の一部がイオン交換部27aに移送される。配管15a及び後述する配管15bは、第3の配管の一例である。また、圧力計17a及び後述する圧力計17bは、圧力検出部の一例である。なお、配管15a内に流入する冷却水の圧力がイオン交換部27aを通過できる程度に高い場合は、圧力計17a及びバイパスポンプ26aを設けなくてもよい。また、圧力計17a以外の方法で配管15a内への冷却水の流入を検出し、バイパスポンプ26aを作動させるようにしてもよい。イオン交換部27aにはイオン交換樹脂が配置されており、イオン交換樹脂により冷却水中のイオンが吸着される。イオン交換部27aのイオン交換樹脂は陰イオンを吸着するものであればよいが、陽イオン及び陰イオンの両方を吸着する混床型イオン交換樹脂を使用してもよい。混床型イオン交換樹脂として、シグマアルドリッチ社製アンバーライトIRN150を例示することができる。イオン交換部27aでは、冷却水中に含まれるイオンだけでなく、腐食防止剤も吸着される。すなわち、イオン交換部27aを冷却水が通ることにより、冷却水中のイオン及び腐食防止剤が除去される。イオン交換部27aと冷却水タンク30との間には配管16aが接続されており、イオン交換部27aを通過後の冷却水は配管16aを通って冷却水タンク30に戻る。配管16aにはバルブ29aを介して腐食防止剤タンク28aが接続されている。この腐食防止剤タンク28aには腐食防止剤とpH調整剤とを含む液体が貯留されており、バルブ29aを介して配管16aを通る冷却水に腐食防止剤及びpH調整剤が添加される。腐食防止剤タンク28a、バルブ29a、後述する腐食防止剤タンク28b及びバルブ29bは、腐食防止剤添加部の一例である。また、配管16a及び後述する配管16bは、第2の配管の一例である。本実施形態では、バルブ29aがバイパスポンプ26aに連動して開閉するものとする。すなわち、ポンプ16aが作動している間はバルブ29aは開状態となり、配管16aを通る冷却水に腐食防止剤及びpH調整剤が一定の割合で添加される。そして、ポンプ16aが停止している間は、バルブ29aは閉状態になる。なお、pH応答バルブ25aの開閉を検知してバルブ29aを開閉するようにしてもよい。バルブ29aに替えて、腐食防止剤タンク28aと配管16aとの間に、ポンプ16aと連動する定量ポンプを配置してもよい。本実施形態では、腐食防止剤としてBTABenzotriazoleを使用し、pH調整剤として水酸化ナトリウムNaOHを使用するものとする。腐食防止剤タンク28aには、冷却水中の腐食防止剤の規定濃度に対して100倍程度の濃度の液体を貯留しておく。例えば、腐食防止剤タンク29aに貯留する液体中のBTA濃度を1wtとし、水酸化ナトリウムの濃度を0.2wtとする。そして、配管16aを通る冷却水1Lリットルに対し腐食防止剤タンク29a中の液体を10mLの割合で添加する。腐食防止剤はBTAに限定されるものではなく、市販のものを使用してもよい。また、pH調整剤として水酸化ナトリウム以外の薬剤を使用してもよく、pH調整剤の添加により冷却水のpHが中性から弱アルカリ性pH7~pH9の範囲内になればよい。なお、pH調整剤の添加は必須ではないが、冷却水のpHを安定させるために、本実施形態のように冷却水中にpH安定剤を添加することが好ましい。pH調整剤の添加により配管14を通る冷却水のpHが中性から弱アルカリ性の範囲内になると、pH応答バルブ25aは閉状態になる。これにより配管15a内の圧力が減少し、圧力計17aからの信号によりバイパスポンプ26aが停止するとともに、バルブ29aが閉となる。一方、配管14を通る冷却水のpHが7よりも低くなってpH応答バルブ25bが開になると、配管14を通る冷却水の一部がpH応答バルブ25bを介して配管15b内に流入する。配管15bには圧力計17bが取り付けられており、配管15b内に冷却水が流入すると圧力計17bが圧力の変化を検出して、バイパスポンプ26bが作動する。このバイパスポンプ26bの作動により、配管14を通る冷却水の一部がイオン交換部27bに移送される。イオン交換部27bにはイオン交換樹脂が配置されており、イオン交換樹脂により冷却水中のイオン及び腐食防止剤が吸着される。イオン交換部27bのイオン交換樹脂は陽イオンを吸着するものであればよいが、混床型イオン交換樹脂を使用してもよい。イオン交換部27bと冷却水タンク30との間には配管16bが接続されており、イオン交換部27bを通過後の冷却水は配管16bを通って冷却水タンク30に戻る。配管16bにはバルブ29bを介して腐食防止剤タンク28bが接続されている。この腐食防止剤タンク28bにも腐食防止剤及びpH調整剤を含む液体が貯留されており、バルブ29bを介して配管16bを通る冷却水に腐食防止剤及びpH調整剤が添加され、冷却水のpHが中性から弱アルカリ性の範囲内に調整される。バルブ29bは、バイパスポンプ26bの作動に同期して開閉する。本実施形態では、上述したように、電子機器10から排出される冷却水中のpHが中性から弱アルカリ性の範囲pH7~pH9から外れると、pH応答バルブ25a又はpH応答バルブ25bが開状態となる。そして、イオン交換部27a又はイオン交換部27bに配置されたイオン交換樹脂により冷却水中のイオン及び腐食防止剤が除去された後、腐食防止剤タンク28a又は腐食防止剤タンク28bから冷却水中にpH調整剤及び腐食防止剤が添加される。pH調整剤及び腐食防止剤が添加された冷却水は、配管16a,16bを介して冷却水タンク30に入り、熱交換器24から配管14を介して直接冷却水タンク30に入った冷却水と合流する。その後、冷却水タンク30から循環ポンプ31を介して電子機器10に供給される。このようにして冷却水のpH及び腐食防止剤濃度を管理することにより、冷却システム内の金属部品の腐食及び樹脂部品の劣化が抑制され、液漏れ等の不具合の発生が回避される。その結果、冷却システムの信頼性が向上するという効果を奏する。pH応答バルブ図2aはpH応答バルブの一例を示す縦断面図、図2bは図2aのI-I線の位置における横断面図である。また、図3は、pH応答バルブが開の状態を示す縦断面図である。なお、図2a及び図3中の矢印は、冷却水の流れ方向を示している。図2aのように、pH応答バルブ25は、配管14に接続される主流路41と、配管15a又は配管15bに接続される分岐流路42とを有する。また、主流路41と分岐流路42との接続部内側には、pHに感応して伸縮する積層構造体40と、積層構造体40の周囲を囲むメッシュ43とが配置されている。メッシュ43は、冷却水中に混入した固形物を除去するためのものである。積層構造体40は、pH応答性高分子層52を一対の多孔質板51で挟んで形成したサンドウィッチ構造体50を、スペーサ53を挟んで複数積層したものである。積層構造体40の積層方向の一端側図2aでは上側は主流路41と分岐流路42との接続部の内壁面に固定され、他端側図2aでは下側には円形のバルブ板54が取り付けられている。積層構造体40が収縮した状態では、主流路41の外側に配置されたOリング47にバルブ板54の縁部が密着して、分岐流路42には冷却水が流れない。冷却水のpHが所定の範囲になると、図3のようにpH応答性高分子層52が膨張し、積層構造体40が伸長して、バルブ板54とOリング47との間に隙間が発生する。この隙間を通って冷却水の一部が主流路41から分岐流路42に流れるようになる。pH応答性高分子層52は、pHの変化によって高分子の物理的状態自己会合が変化するpH応答性高分子により形成されている。pH応答性高分子には、例えばアクリル酸AAc、メタクリル酸MAAc、無水マレイン酸MAnh、マレイン酸MAc、AMPS2-アクリルアミド-2-メチル-1-プロパンスルホン酸、N-ビニルホルムアミドNVA、N-ビニルアセトアミドNVA、アミノエチルメタクリレートAEMA、ホスホリルエチルアクリレートPEA、及びメタクリレートPEMAなどのpH感受性ビニルモノマーがある。この種のpH応答性高分子は、ポリリシン又はポリグルタミン酸などのアミノ酸からポリペプチドとして合成することができる。また、リゾチーム、アルブミン及びカゼインなどのタンパク質、アルギン酸、ヒアルロン酸、カラギーナン、キトサン及びカルボキシメチルセルロースなどの多糖類、又はDNAなどの核酸などの天然高分子から誘導することもできる。pH応答性高分子の別の例として、アミノ基とカルボキシル基とを有する高分子共重合体から調整したものがある。高分子の組み合わせによって、中性の領域では収縮しており、酸性又はアルカリ性の領域で膨潤するマトリックスが得られる。この例として、例えば2-ジメチルアミノエチルメタアクリレートと2-ヒドロキシエチルメタアクリレートとの共重合体、及びアクリル酸と2-ヒドロキシエチルメタアクリレートとの共重合体などがある。pH応答性高分子が体積変化するpHは、高分子ゲルの構造及び組成により、種々設計可能である。ところで、本実施形態では、pH応答性高分子層52を支持する基板として多孔質板51を使用している。これは、pH応答性高分子層52と冷却水との接触面積を大きくしてpH応答性高分子層52の応答性を良好にするためである。以下、pH応答性高分子層52を多孔質板51に固定化する方法について説明する。ここでは、pH応答性高分子として、2-ジメチルアミノエチルメタアクリレートと2-ヒドロキシエチルメタアクリレートとの共重合体、及びアクリル酸と2-ヒドロキシエチルメタアクリレートとの共重合体を使用するものとする。2-ジメチルアミノエチルメタアクリレートと2-ヒドロキシエチルメタアクリレートとの共重合体は、酸性側で膨潤する。一方、アクリル酸と2-ヒドロキシエチルメタアクリレートとの共重合体は、アルカリ性側で膨潤する。多孔質板51の材質は、上述のpH応答性高分子を結合させることができるものであれば特に制限されない。例えば、多孔質板51は、金属材料、炭素材料、半導体材料及びその複合材料、無機材料、並びに有機材料などから形成することができる。金属材料として、例えば白金、白金黒、金、パラジウム、ロジウム、銀、水銀、タングステン、銅、及びそれらの化合物などを使用することができる。また、炭素材料として、グラファイト及びカ-ボンファイバーなどを使用することができる。更に、半導体材料及びその複合材料として、単結晶シリコン、アモルファスシリコン、炭化ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ素及びSOIシリコンオンインシュレータなどを使用することができる。更にまた、無機材料として、ガラス、石英ガラス、アルミナ、サファイア、セラミクス、フォルステライト、及び感光性ガラスなどを使用することができる。更にまた、有機材料として、高分子材料などを使用することができる。pH応答性高分子を多孔質板51に結合させる方法として、高分子の合成分野において公知の方法を適宜用いることができる。pH応答性高分子は、多孔質板51にグラフト結合させることが好ましい。ここでグラフト結合とは、幹となる基材、好ましくは高分子基材に、pH応答性高分子を枝状に結合させることをいう。pH応答性高分子を基材にグラフト結合させる方法としては、例えば、基材に放射線、電子線、又はプラズマ等を照射して表面近傍に活性種を発生させ、これを開始点としてモノマーを重合させる方法がある。また、基材表面に化学的処理を施して反応性基を発生させ、その反応性基と反応可能な官能基を有するpH応答性高分子と結合させる方法もある。更に、反応性基を持つ高分子で基材を構成し、その反応性基と反応可能な官能基を有するpH応答性高分子と結合させる方法もある。ここで、反応性基としては、カルボキシル基、アルデヒド基、アミノ基、イミノ基、スルホン酸基、エポキシ基、イソシアネート基、酸クロリド基、ヒドロキシ基、チオール基、及びジスルフィド基等の官能基を例示できる。多孔質板51として高分子基材を用いる場合、pH応答性高分子をグラフト結合させることにより、高分子基材とpH応答性高分子で構成されるグラフト共重合体が得られる。グラフト共重合体とは、幹となる単量体単位のところどころに他種の単量体単位が側鎖として配列した構造をもつ共重合体をいう。以下、多孔質板にpH応答性高分子をグラフト結合させる具体的な方法について説明する。ここでは、多孔質基板として、平均孔径が10μmのポリプロピレン製の不織布を使用した。そして、この不織布をアルゴン雰囲気下でプラズマを照射して、表面に活性種を発生させた。酸性側で開となるpH応答バルブを作製するために、2-ジメチルアミノエチルメタアクリレート、2-ヒドロキシエチルメタアクリレート、及びエチレングリコールジメタアクリレートの混合液にアルキルフェノン系光重合開始剤Chiba社製、Irgacure651を添加した液体を用意した。一方、アルカリ性側で開となるpH応答バルブを作製するために、アクリル酸、2-ヒドロキシエチルメタアクリレート、及びエチレングリコールジメタアクリレートの混合液にアルキルフェノン系光重合開始剤Chiba社製、Irgacure651を添加した液体を用意した。これらの液体をプラズマ照射後の不織布の上に滴下した後、紫外線を照射して重合反応させた。このようにして、多孔質板にpH応答性高分子をグラフト結合させることができた。図4は、横軸にpHをとり、縦軸にバルブ開度をとって、pH応答バルブ25a,25bの動作を示す図である。pH応答バルブ25aは、pHが9以下のときに閉となり、pHが9よりも高くなると開になる。pH応答バルブ25bは、pHが7よりも低いときに開となり、pHが7以上になると閉になる。2.第2の実施形態図5は、第2の実施形態に係る電子機器冷却システムの構成を説明する図である。なお、本実施形態が第1の実施形態と異なる点は、pH応答バルブ25a,25bに替えてpH応答バルブ35を使用していることにあり、その他の構成は基本的に第1の実施形態と同じである。そのため、図5において図1と同一物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。本実施形態では、熱交換器24と冷却水タンク30との間を接続する配管14の途中にpH応答バルブ35が接続されている。pH応答バルブ35は四方バルブであり、配管14を流れる冷却水のpHが7よりも低いときには冷却水の一部が配管15bに流れ、配管14を流れる冷却水のpHが9よりも高いときには冷却水の一部が配管15aに流れる。図6,図7はpH応答バルブ35の構造を示す断面図である。図6は冷却水のpHが中性から弱アルカリ性pH7~pH9の範囲内のときの状態を示し、図7は冷却水のpHがアルカリ性のときの状態を示している。なお、図6,図7中の矢印は、冷却水の流れる方向を示している。図6,図7のように、pH応答バルブ35は、配管14に接続される主流路61と、配管15aに接続される分岐流路62aと、配管15bに接続される分岐流路62bとを有する。また、主流路61と分岐流路62a,62bとの接続部内側には、pHに感応して伸縮する積層構造体60a,60bと、積層構造体60a,60bを囲むメッシュ63a,63bとが配置されている。メッシュ63aとメッシュ63bとの間には支持板64が配置されている。積層構造体60aは支持板64の上側に固定され、積層構造体60bは支持板64の下側に固定されている。積層構造体60aは、pH応答性高分子層72aを一対の多孔質板71で挟んで形成したサンドウィッチ構造体70aを、スペーサ73を挟んで複数積層したものである。pH応答性高分子層72aは、pHが7よりも低いときに膨張するpH応答性高分子により形成されている。積層構造体60aの上部には円形のバルブ板74aが取り付けられており、積層構造体70aが収縮した状態では主流路61の外側に配置されたOリング67aにバルブ板74aの縁部が密着して、分岐流路62aには冷却水が流れない。冷却水のpHが7よりも低くなると、図6のようにpH反応性高分子層72aが膨張し、積層構造体60aが伸長して、バルブ板74aとOリング67aとの間に隙間が発生する。この隙間を通って冷却水の一部が主流路61から分岐流路62aに流れる。これと同様に、積層構造体60bは、pH応答性高分子層72bを一対の多孔質板71で挟んで形成したサンドウィッチ構造体70bを、スペーサ73を挟んで複数積層したものである。pH応答性高分子層72bは、pHが9よりも高いときに膨張するpH応答性高分子により形成されている。積層構造体60bの下部には円形のバルブ板74bが取り付けられており、積層構造体70bが収縮した状態では主流路61の外側に配置されたOリング67bにバルブ板74bの縁部が密着して、分岐流路62bには冷却水が流れない。冷却水のpHが9よりも高くなると、pH反応性高分子層72bが膨張し、積層構造体60bが伸長して、バルブ板74bとOリング67bとの間に隙間が発生する。この隙間を通って冷却水の一部が主流路61から分岐流路62bに流れる。本実施形態においても、第1の実施形態と同様の効果が得られる。3.第3の実施形態図8は、第3の実施形態に係る電子機器冷却システムの構成を説明する図である。図8において、図1と同一物には同一符号を付している。本実施形態においては、熱交換器24と冷却水タンク30との間を接続する配管14の途中に、pH応答バルブ25a,25bが直列に接続されて配置されている。pH応答バルブ25aは、冷却水のpHが9以下のときに閉状態となり、pHが9よりも高いときは開状態となる。また、pH応答バルブ25bは、冷却水のpHが7よりも低いときに開状態となり、pHが7以上のときは閉状態となる。冷却水のpHが7から9の範囲内の場合は、pH応答バルブ25a,25bはいずれも閉状態であるので、熱交換器24を出た冷却水は分岐流路15aを通ることなく冷却水タンク30に入る。一方、冷却水のpHが9よりも高い場合はpH応答バルブ25aが開状態となり、冷却水のpHが7よりも低い場合はpH応答バルブ25bが開状態となるので、いずれの場合も配管14を通る冷却水の一部が配管15aに流れる。そして、配管15a内の圧力の変化を圧力計17aが検出し、バイパスポンプ26aが作動して、イオン交換部27aに冷却水が移送される。イオン交換部27aには混床型イオン交換樹脂が配置されており、イオン交換部27aで冷却水中のイオン及び腐食防止剤が除去される。その後、腐食防止剤タンク28aからバルブ29aを介して冷却水中に腐食防止剤及びpH調整剤が添加される。本実施形態においては、冷却水が酸性及びアルカリ性のいずれであってもpH応答バルブ25a,25bにより配管14を流れる冷却水の一部が配管15aに流れる。そして、イオン交換部27aで冷却水中のイオン及び腐食防止剤を除去した後、腐食防止剤タンク28aから冷却水に腐食防止剤及びpH調整剤を添加する。本実施形態においても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態においては、バイパスポンプ、イオン交換部及び腐食防止剤タンク等が1組でよいので、第1の実施形態に比べて設備コストが低くなるという利点がある。4.実験本願発明者らは、上述した第1~第3の実施形態に係る電子機器冷却システムを作製した。また、比較例として、図9のようにpH応答バルブ、イオン交換部及び腐食防止剤タンク等がなく、熱交換器24を通過した冷却水が配管14を通って冷却水タンク30に戻る電子機器冷却システムを作製した。そして、これらの冷却システムの冷却水循環流路内に試験片を配置し、試験片の侵食度、pHの変化、腐食防止剤インヒビター濃度の変化及び導電率の変化を調べた。ここで、試験片として、50mm×30mm×3mmの銅板を使用した。銅板はその全面を400番の研磨布で研磨し、水で洗浄した後、メタノール及びアセトンで脱脂した。そして、乾燥後の試験片の重量を測定した。冷却水として、BTAを100ppm、水酸化ナトリウムを20ppmの濃度で含む純水を使用した。試験片に接触する冷却水の温度は60°Cとした。試験開始から90日経過後及び180日経過後に試験片を取り出した。そして、試験片に付着した腐食生成物を除去した後、メタノール及びアセトンで洗浄し、乾燥後の試験片の重量を測定した。その後、下記1式により、腐食度Wを算出した。腐食度Wは、試験片の単位表面積1dm2に対する1日当たりの腐食減料mgであり、その単位はmmdである。W=M1-M2/S×T...1ここで、Wは腐食度mdd、M1は試験片の試験前の重量mg、M2は試験片の試験後の重量mg、Sは試験片の表面積dm2、Tは試験開始後からの経過日数である。また、下記2式により、侵食度Pを算出した。侵食度Pは1年当たりの侵食深さをmmで表したものであり、その単位はmm/yである。P=W×365×104/d...2ここで、Pは侵食度mm/y、Wは腐食度mdd、dは試験片の密度g/cm3である。なお、冷却水中の腐食防止剤インヒビターの濃度は、紫外線分光光度計日立製作所製U-1100により測定した。また、冷却水の導電率及びpHは、卓上型メータ堀場製作所製F-55により測定した。これらの測定結果を、まとめて図10に示す。図10からわかるように、第1~第3の実施形態では、試験開始後0日目から180日目まで冷却水のpHがほぼ一定である。これは、イオン交換樹脂と腐食防止剤及びpH調整剤とにより水質が一定に保持された結果によるものと考えられる。また、第1~第3の実施形態では、冷却水の伝導率が150μS/cm~160μS/cm程度であり、それ以上上昇しないことがわかる。更に、第1~第3の実施形態では、冷却水中の腐食防止剤インヒビターの濃度が100ppm程度とほぼ一定であり、試験開始から180日経過した後でも侵食度が0.005mm/y以下と極めて少ないものであった。一方、比較例では、日数の経過にともなって冷却水中のpHの値及び腐食防止剤インヒビターの濃度が低くなり、侵食度が大きくなった。また、比較例では、冷却水中のイオンを除去する部分がないため、日数の経過とともに冷却液中のイオン濃度が上昇して導電率も上昇した。侵食度の増大は、冷却水中のイオン濃度の上昇に起因していると考えられる。これらの実験結果から、第1~第3の実施形態に係る電子機器冷却システムにより、金属の腐食やイオンによる樹脂の劣化が抑制されることが確認された。以上の諸実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。付記1電子機器に搭載される冷却部と、冷却水を貯留する冷却水タンクと、前記冷却水タンクと前記冷却部との間で冷却水を循環させる循環ポンプと、前記冷却部と前記冷却水タンクとの間に配置されて冷却水が通る第1の配管と、前記第1の配管の途中に配置されて前記第1の配管を通る冷却水のpHが所定範囲から外れたときに前記第1の配管に流れる冷却水の少なくとも一部をバイパスさせるバイパス部と、イオン交換樹脂が配置され、前記バイパス部によりバイパスされた冷却水が通るイオン交換部と、前記イオン交換部を通過した冷却水に腐食防止剤を添加する腐食防止剤添加部と、前記腐食防止剤が添加された冷却水を前記冷却水タンクと前記冷却部との間で循環する冷却水に合流させる第2の配管とを有することを特徴とする電子機器冷却システム。付記2前記バイパス部が、pHによって体積変化するpH応答性高分子を含むpH応答バルブを有することを特徴とする付記1に記載の電子機器冷却システム。付記3前記バイパス部は、冷却水のpHが7乃至9の範囲から外れたときに、前記第1の配管に流れる冷却水の少なくとも一部をバイパスさせることを特徴とする付記1又は2に記載の電子機器冷却システム。付記4前記腐食防止剤添加部は、前記イオン交換部を通過した冷却水に、前記腐食防止剤とともにpH調整剤を添加することを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の電子機器冷却システム。付記5前記バイパス部と前記イオン交換部との間に配置されて前記バイパス部でバイパスされた冷却水が通る第3の配管と、前記第3の配管内の圧力の変化を検出する圧力検出部と、前記圧力検出部から出力される信号に応じて作動し、前記第1の配管を流れる冷却水を前記第3の配管を介して前記イオン交換部に移送するバイパスポンプとを有することを特徴とする付記1乃至4のいずれか1項に記載の電子機器冷却システム。付記6前記イオン交換部に配置されるイオン交換樹脂が、陽イオン及び陰イオンの両方を吸着する混床型イオン交換樹脂であることを特徴とする付記1乃至5のいずれか1項に記載の電子機器冷却システム。付記7前記pH応答性高分子が、一対の多孔質板に挟まれて支持されていることを特徴とする付記2乃至6のいずれか1項に記載の電子機器冷却システム。付記8前記バイパス部が、冷却水が酸性のときにpH応答性高分子が膨張して前記第1の配管に流れる冷却水の少なくとも一部をバイパスさせる第1のpH応答バルブと、冷却水がアルカリ性のときにpH応答性高分子が膨張して前記第1の配管に流れる冷却水の少なくとも一部をバイパスさせる第2のpH応答バルブとを有することを特徴とする付記2に記載の電子機器冷却システム。付記9前記バイパス部が、冷却水が酸性のときに膨張する第1のpH応答性高分子と、冷却水がアルカリ性のときの膨張する第2のpH応答性高分子との両方を備えたpH応答バルブを有することを特徴とする付記2に記載の電子機器冷却システム。"