複数の表示電極を配置した前面基板と、前記表示電極に交差するようにアドレス電極を配置し前記アドレス電極上に絶縁体層を配置した背面基板とを備え、前記絶縁体層にはSiO2を主成分とするフィラーを含み、前記フィラーの平均粒径Rμmと、前記絶縁体層の膜厚Tμmとが、0.2≦R/T≦1の関係であり、前記フィラーを除く前記絶縁体層の比誘電率が8以上であり、前記フィラーの比誘電率が5以下である、プラズマディスプレイパネル。前記絶縁体層の膜厚Tμmが5μm~15μm、前記低誘電率フィラーの平均粒径Rμmが1μm~5μmである、請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。請求項1のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記アドレス電極と前記絶縁層を同一工程において焼成する、プラズマディスプレイパネルの製造方法。ところで近年の省エネルギーへの関心の高揚に伴い、PDPの省電力化が求められている。PDPを発光させるためには各セルに放電を起こすための電圧電流を印加する必要があり、その際に電力が消費される。PDPを省電力化するためには、放電を起こすために必要な電圧電流を低減させることが必要である。PDPに必要な放電は大きく分けて3種類ある。すなわち、1放電制御を安定化させるための初期化放電、2発光セルを選択するためのアドレス放電、3映像を映し出すための維持放電、の3種類である。近年のPDPではアドレス放電に要する電力Wの比率が相対的に高まっているため、アドレス放電の電力Wすなわち電圧V電流Iを低減させることが重要となってきている。アドレス放電の電圧Vを低下させるためには、絶縁体層33の比誘電率を上げることが有効である。アドレス放電は前面板20に設けられた表示電極24と背面板30に設けられたアドレス電極32の間の電荷量Qが一定以上になると生じる。電荷量Qはアドレス放電の電圧Vと、表示電極24とアドレス電極32の間の静電容量Cverの積で決まるので、静電容量Cverを大きくする、すなわち絶縁体層33の比誘電率を上げることがアドレス放電の電圧Vを低下させることにつながるのである。しかし、絶縁体層33の比誘電率を上げると、アドレス放電の電流Iが上昇してしまうという別の課題が発生する。これは絶縁体層33の比誘電率の上昇に伴って、隣どうしのアドレス電極32の間の静電容量Cinが大きくなることが原因である。静電容量Cinが大きくなると、アドレス放電の電圧Vの印加時にアドレス電極32の間に漏れる電流が大きくなる。よって結果的にアドレス放電の電流Iが上昇してしまうのである。以上のように、絶縁体層33の比誘電率を変更すると、電流Vと電流Iに対して逆の作用をもたらす。よって絶縁体層33の誘電率を単純に変更するだけではアドレス放電に要する電力Wを低下させることは困難であり、Cverを大きくし、かつCinを小さくする技術が必要となる。このための1つの解決策として、前記アドレス電極上の前記絶縁体層の空隙率を、前記アドレス電極上以外の前記絶縁体層の空隙率よりも小さくすることが挙げられる。この解決策は次のような効果を狙った解決策である。すなわち、空隙率が大きな絶縁体は空隙部分の比誘電率が1と小さいため、その比誘電率が実効的に小さくなる。よって前記アドレス電極上の絶縁体層の空隙率を小さくすることによりCverを大きく保ちつつ、前記アドレス電極上以外の前記絶縁体層の空隙率を大きくすることによりCinを相対的に小さくできるのである。しかしこの解決策には問題点がある。前記アドレス電極上以外の前記絶縁体層の空隙率を大きくすると、PDPの駆動時に絶縁体層が絶縁破壊を起こし、駆動回路が破壊したり背面基板のデータ電極が断線したりするためPDPの品質を著しく低下させるのである。これは空隙が多くなることにより絶縁体層の中に局所的に偏在する可能性が高まり、実効的に絶縁体膜厚が薄い箇所が生じ、そこを基点に絶縁破壊が起こるためである。空隙率を比較的小さく保ちつつ、Cverを大きくし、かつCinを小さくする別の解決策が必要となる。本発明はこのような現状に鑑みなされたもので、アドレス放電の電力を低減した高品質で省電力なPDPを提供することを目的とする。上記の目的を達成するために本発明のPDPは、複数の表示電極を配置した前面基板と、前記表示電極に交差するようにアドレス電極を配置し前記アドレス電極上に絶縁体層を配置した背面基板とを備え、前記絶縁体層にはSiO2を主成分とするフィラーを含み、前記フィラーの平均粒径Rμmと、前記絶縁体層の膜厚Tμmとが、0.2≦R/T≦1の関係であり、前記フィラーを除く前記絶縁体層の比誘電率が8以上であり、前記フィラーの比誘電率が5以下であることを特徴とする。このように本発明によれば、アドレス放電の電力を低減した高品質で省電力なPDPを提供することが可能となる。以下、本発明の実施の形態におけるPDPについて、図面を用いて説明する。実施の形態本実施の形態におけるPDPの構成および特徴について説明する。図1は、本発明の実施の形態におけるPDPの概略構成を示す断面斜視図である。図1において、PDP10は、前面板20と背面板30とから構成され、前面板20と背面板30とは放電空間40を形成するように対向配置されている。前面板20は、フロート法により形成された硼珪素ナトリウム系ガラスなどの前面ガラス基板21上に、走査電極22と維持電極23とで対をなすストライプ状の複数の表示電極24が形成されている。また、隣接する表示電極24の間には、光遮蔽部となるブラックストライプ25が形成されている。また、表示電極24とブラックストライプ25とを覆って誘電体層26が形成され、さらに誘電体層26を覆って酸化マグネシウムMgOからなる保護層27が形成されている。一方、背面板30は、背面ガラス基板31上に、前面板20の表示電極24と直交する方向にアドレス電極32が形成され、アドレス電極32を覆って絶縁体層33が設けられている。また、絶縁体層33上には、例えばストライプ状、井桁状の隔壁34が設けられ、隔壁34の側面と絶縁体層33の表面には蛍光体層35が設けられている。蛍光体層35は隣接する隔壁34によって仕切られた放電空間40に、それぞれ赤色に発光する赤色蛍光体層35R、緑色に発光する緑色蛍光体層35G、青色に発光する青色蛍光体層35Bが順に形成されている。PDPの隔壁34は、表示電極24と平行な横隔壁と横隔壁に直交する縦隔壁とにより井桁状に形成されており、縦隔壁は横隔壁の高さよりも若干高くなるように形成される。本発明ではこの他に面一の井桁形状にも適応できるものである。また横隔壁を除いたストライプ状の隔壁にも適応できるものである。前面板20に設けられた表示電極24を構成する走査電極22および維持電極23は、それぞれ透明電極およびバス電極により構成されている。バス電極Agなどの材料からなり、それぞれ透明電極に電気的に接続されている。以上の前面板20と背面板30とを、表示電極24とアドレス電極32とが直交し内部に微小な放電空間40を形成するように隔壁34を挟んで対向配置して、周囲を封着部材により封止する。その後、放電空間40に、NeおよびXeなどを混合した放電ガスを所定の圧力で封入してPDPを完成させ、表示電極24に映像信号電圧を選択的に印加することによって放電ガスを放電させ、それによって発生した紫外線が各色の蛍光体層35を励起して、赤色、緑色、青色の各色を発光させることによりカラー画像を表示する。PDPの製造方法について次に、背面板30の製造方法について説明する。まず背面ガラス基板31上に、銀Ag材料を含むペーストをスクリーン印刷する方法や、金属膜を全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングする方法などによりアドレス電極32用の構成物となる材料層を形成し、それを所望の温度で焼成することによりアドレス電極32を形成する。次に、アドレス電極32が形成された背面ガラス基板31上にダイコート法などによりアドレス電極32を覆うように絶縁体ペーストを塗布して絶縁体ペースト層を形成する。その後、絶縁体ペースト層を焼成することにより絶縁体層33を形成する。なお、絶縁体ペーストはガラス粉末などの絶縁体材料とバインダおよび溶剤を含んだ塗料である。具体的には、本発明の実施の形態において絶縁体ペーストは、ガラス成分20重量~45重量、フィラー15重量~50重量、バインダ10重量~20重量、溶剤20重量~30重量の配合比のものを用いた。また絶縁性フィラーとガラス成分の比率を変更することで、絶縁体層33の空隙率を変更できる。後述する実験結果においてはこれらの配合比を変更して試料を作成し検討した。特に、ガラス成分40重量~45重量、フィラー15重量~20重量とすることで良好な結果が得られた。この中でフィラーは、SiO2やTiO2のような絶縁性をもった物質で構成されたフィラーであるが、後述する実験結果においてはフィラーの材料と粒径を変更して試料を作成し検討した。特にフィラーの材料の主成分をSiO2とし、その平均粒径Rμmと絶縁体層33の膜厚Tμmの関係を0.2≦R/T≦1とすることで良好な結果が得られた。ここで平均粒径Rμmは、フィラーを粒度分布測定器で計測して算出されたD50の値を用いている。また、主成分がSiO2というのはフィラー全体に占めるSiO2の割合が概ね8割以上であることを示す。ガラス成分の軟化点Tgは、後述する背面基板の焼成温度に近いことが望ましい。Tgが小さすぎると、焼成の初期段階からガラスの軟化が進むため、同時に焼成されているアドレス電極から発生するガスが絶縁体中に気泡として閉じ込められ易い。この気泡はアドレス電極上の絶縁体の空隙率を実効的に大きくするため、望ましくない。Tgを比較的大きくすれば、アドレス電極からのガスが出た後で絶縁体の緻密化が進むことになるためこの問題が解決される。後述する実験結果においては、ガラス成分の軟化点Tgを540°C~570°Cとし、焼成温度を585°C~600°Cとすることで良好な結果が得られた。なお、このアドレス電極から生じる気泡は、ガラス成分の軟化点Tgを制御しなくても、アドレス電極を形成後に一度焼成を行い、その後絶縁体を形成して再度焼成を行うプロセスでも減らすことできる。しかしこの方法は焼成を複数回に分ける必要があり製造コストの上昇につながるため、本発明のように軟化点Tgを制御する方法がよりよいものである。次に、絶縁体層33上に隔壁材料を含む隔壁形成用ペーストを塗布して所定の形状にパターニングすることにより、隔壁材料層を形成した後、背面基板全体を焼成することにより隔壁34を形成する。ここで、絶縁体層33上に塗布した隔壁用ペーストをパターニングする方法としては、フォトリソグラフィ法やサンドブラスト法を用いることができる。次に、隣接する隔壁34間の絶縁体層33上および隔壁34の側面に蛍光体材料を含む蛍光体ペーストを塗布し、焼成することにより蛍光体層35が形成される。以上の工程により、背面ガラス基板31上に所定の構成部材を有する背面板30が完成する。このようにして所定の構成部材を備えた前面板20と背面板30とを走査電極22とアドレス電極32とが直交するように対向配置して、その周囲をガラスフリットで封着し、放電空間40にNe、Xeなどを含む放電ガスを封入することによりPDP10が完成する。本発明の絶縁体層について以下、本発明の絶縁体の作成方法を説明する。絶縁体は、図1に示すように背面ガラス基板31とアドレス電極32の上にシート状に塗布される。塗布にはダイコート法を用いており、ペーストを塗布した後、乾燥工程、焼成工程を経てシート化される。先に述べたように、従来技術のPDPにおいてはアドレス放電の電力が大きいという課題があった。これに対し発明者等は、前記絶縁体層に低誘電率フィラーが含まれており、その平均粒径Rμmと膜厚Tμmの関係が0.2≦R/T≦1の関係で表されることで、上記課題を解決することを見出した。ここで平均粒径Rμmと膜厚Tμmの比であるR/Tの値は、アドレス放電の電力に密接に関わっている。ここで表示電極24とアドレス電極32間の静電容量をCver、隣接するアドレス電極32間の静電容量をCinとする。R/Tの値を大きくすると、表示電極24とアドレス電極32の間の静電容量Cverが隣どうしのアドレス電極32の間の静電容量Cinに対して大きくなるというサイズ効果が現れてくる。これはCverに対しては低誘電率フィラーがそれ以外の材料と並列に作用するのに対し、Cinに対しては直列に作用することに起因する。この効果は前述のとおりアドレス放電時の電流Vと電流Iの両方を低減するのに効果的であり、アドレス放電の電力低減につながる。R/Tの値が小さくなると低誘電率フィラーのサイズ効果が失われていき、CverとCinが同じ値に近づいていく。ただしR/Tの値を1以上にすると、絶縁体層の表面にフィラーが露出することになるため、隔壁34の形成に支障をきたすこととなる。具体的には隔壁の幅にムラができたり、隔壁が倒れたりしてPDPの品質を著しく低下させることとなる。この低誘電率フィラーのサイズ効果を十分に出すためには、低誘電率フィラーとその他の材料の比誘電率との差が大きくなければいけない。低誘電率フィラーの比誘電率が5以下であり、その他の材料の比誘電率が8以上であればよい。発明者等の検討ではSiO2を低誘電率フィラーの材料として用いた。また、低誘電率フィラーのサイズ効果を十分に出すために、低誘電率フィラーの配合比は少なくとも15重量は必要である。ただし配合比が30重量を超えると絶縁体層の焼結性が大幅に低下してしまうため、15~30重量の間にすることが妥当である。また、本発明においてはアドレス電極上空隙率の前記絶縁体層の空隙率と前記アドレス電極上以外の前記絶縁体層の空隙率がいずれも0.1~5の範囲となることが重要である。空隙率が5を超えるとPDPパネルの放電中に絶縁体層が絶縁破壊を起こし、PDPの品質を損ねることにつながる。空隙率が0.1を下回ると前記絶縁体層の反射率が著しく小さくなるためPDPの発光輝度が下がることになり、やはりPDPの品質を損ねることにつながる。これは、空隙率が小さくなったことによって前記絶縁体層の空隙の界面において反射する光が少なくなり、前記全面基板から取り出される光の量が少なくなることに起因する。この0.1~5という空隙率は前述のガラス成分とフィラーの配合比に調整することによって実現できた。ここで空隙率とは、絶縁体層33の中で絶縁体層33が存在していない部分の体積の割合であって、以下の方法で測定される。1背面板30を割断し、絶縁体層33の断面が露出したサンプルを切り出す。2絶縁体層33を二次電子走査型電子顕微鏡SEMにて撮像する。3撮像された誘電体断面の画像から、空隙率を算出する。また誘電体の断面は、SEM撮像時のコントラストを上げ、かつ割断時の割れ具合による測定ばらつきを防止するため、空隙部や周辺を樹脂でコートすることが望ましい。本測定は、日立製作所製走査型電子顕微鏡S-3000を用いて行った。算出に用いた撮像は反射電子計測モードで、加速電圧15kV、ワークディスタンス15mmにて行った。以上の検討を行った結果、本発明の実施の形態では、アドレス放電電力を低減させながらPDPの品質を保つことができていることが判明した。以上のように、本発明の実施の形態におけるPDPは、複数の表示電極を配置した前面基板と、表示電極に交差するようにアドレス電極を配置しアドレス電極上に絶縁体層を配置した背面基板との間に、放電空間が形成されるように対向配置したPDPであって、複数の表示電極を配置した前面基板と、前記表示電極に交差するようにアドレス電極を配置し前記アドレス電極上に絶縁体層を配置した背面基板を持ったプラズマディスプレイパネルにおいて、前記絶縁体層に低誘電率フィラーが含まれており、その平均粒径Rμmと膜厚Tμmの関係が0.2≦R/T≦1の関係で表されることを特徴とする。また、前記絶縁体層全体の比誘電率が8以上であり、低誘電率フィラーの比誘電率εが5以下であることを特徴とする。また、低誘電率フィラーがSiO2を主成分とする材料であることを特徴とする。また、前記絶縁体層の膜厚Tμmが5~15μm、前記低誘電率フィラーの平均粒径Rμmが1~5μmであることを特徴とする。また、複数の表示電極を配置した前面基板と、前記表示電極に交差するようにアドレス電極を配置し前記アドレス電極上に絶縁体層を配置し、前記絶縁体層の上に隔壁を形成した背面基板との間に、放電空間が形成されるように対向配置したプラズマディスプレイパネルであって、アドレス電極上空隙率の前記絶縁体層の空隙率と前記アドレス電極上以外の前記絶縁体層の空隙率がいずれも0.1~5の範囲であることを特徴とする。また、背面基板の作成時、アドレス電極と絶縁体層を個別に焼成するのではなく、両者をパターニングした後に同時に焼成を行うというプロセスを経ることを特徴とする。これによって、アドレス放電の電力を低減した、高品質な省電力PDPを提供することが可能となる。