半導体チップと、一方の面に前記半導体チップを搭載し、他方の面に複数の電極を有する配線基板と、前記他方の面を被覆し、前記電極上に開口部を有するソルダーレジスト層と前記電極上に設けられた半田バンプとを備え、平面視において、前記半導体チップに重なる第一の前記電極と第一の前記半田バンプの接着面積をS1とし、前記半導体チップに重ならない、第二の前記電極と第二の前記半田バンプの接着面積をS2としたとき、S1>S2である、半導体装置。請求項1に記載の半導体装置において、前記第一の電極上の第一の前記開口部の径をR1とし、前記第二の電極上の第二の前記開口部の径をR2としたとき、R1>R2を満たす、半導体装置。請求項1に記載の半導体装置において、前記第一の電極上の第一の前記開口部の径をR1とし、前記第一の電極の径をL1とし、前記第二の電極上の第二の前記開口部の径をR2とし、前記第二の電極の径をL2としたとき、R1>L1、かつ、R2≦L2を満たす、半導体装置。請求項3に記載の半導体装置において、R2>R1を満たす、半導体装置。請求項1乃至4いずれか一項に記載の半導体装置において、前記第一の半田バンプと前記第二の半田バンプとの高さが等しい、半導体装置。半導体チップと、一方の面に前記半導体チップを搭載し、他方の面に複数の電極を有する配線基板と、前記他方の面を被覆し、前記電極上に開口部を有するソルダーレジスト層と前記電極上に設けられた半田バンプとを備え、平面視において、前記半導体チップに重なる第一の前記電極がNSMD構造であり、前記半導体チップに重ならない第二の前記電極がSMD構造である、半導体装置。半導体パッケージでは、実装基板の接続端子と半田バンプとを接合して半導体パッケージを実装基板に実装する際に、半田バンプの融点付近の温度で半導体パッケージに反りが発生する場合がある。半導体パッケージが上側に反った場合には、半導体パッケージの中央領域の半田バンプが実装基板の端子側に寄せられ、冷却後、半田バンプが配線基板から外れて接続不良となる場合があった。特許文献1、2では、半導体パッケージが反ったときに半導体パッケージと実装基板との間に生じる隙間の大きさにしたがって半田バンプの大きさを変化させている。より具体的には、生じる隙間の大きい領域には、相対的に大きい半田バンプを形成させ、生じる隙間が小さな領域には相対的に小さい半田バンプを形成させている。こうした構成により、半導体パッケージを実装基板に実装する際に、反りが生じて半田バンプが実装基板の端子側に寄せられたとしても、実装基板への接続を維持できると記載されている。しかしながら、特許文献1、2の方法では、半導体パッケージの反りの度合いを事前に予測する必要があり、半導体パッケージの反りの度合いは事前に予測することが難しいため、特許文献1、2の方法は実用的ではなかった。また、特許文献1、2の方法を用いると、半導体パッケージの領域によって、半田バンプの高さが異なるため、反りの度合いや形態によっては他のモードの実装不良が起きてしまう。本発明によれば、半導体チップと、一方の面に前記半導体チップを搭載し、他方の面に複数の電極を有する配線基板と、前記他方の面を被覆し、前記電極上に開口部を有するソルダーレジスト層と前記電極上に設けられた半田バンプとを備え、平面視において、前記半導体チップに重なる第一の前記電極と第一の前記半田バンプの接着面積をS1とし、前記半導体チップに重ならない、第二の前記電極と第二の前記半田バンプの接着面積をS2としたとき、S1>S2である、半導体装置が提供される。この発明によれば、S1>S2を満たすような構成をとることによって、半導体チップのエッジ付近よりも内側の領域の接着性を、半導体チップのエッジ付近よりも外側の領域の接着性よりも大きくすることができる。その結果、半導体パッケージに反りが生じて半田バンプが実装基板の端子側に寄せられたとしても、実装基板と半田バンプとの接着性を維持でき、配線基板と実装基板との電気的接続を保つことができる。さらに、本発明によれば、半導体チップと、一方の面に前記半導体チップを搭載し、他方の面に複数の電極を有する配線基板と、前記他方の面を被覆し、前記電極上に開口部を有するソルダーレジスト層と前記電極上に設けられた半田バンプとを備え、平面視において、前記半導体チップに重なる第一の前記電極がNSMD構造であり、前記半導体チップに重ならない第二の前記電極がSMD構造である、半導体装置が提供される。本発明によれば、実装信頼性に優れた半導体装置を提供することができる。以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には共通の符号を付し、適宜説明を省略する。また、本実施形態では、電極の一例としてランドを用いた場合を説明する。第一の実施形態の半導体装置図1は、第一の実施形態における半導体装置100の構成を示す断面図である。第一の実施形態における半導体装置100は、半導体パッケージ300と、実装基板400とを備えている。半導体パッケージ300は、半導体チップ101と、配線基板200と、ソルダーレジスト層107と、半田バンプ111とを備えている。配線基板200と実装基板300とを電気的に接続する半田バンプ111は開口部105図2参照を介してランド103上に設けられている。半導体パッケージ300はさらに、マウント材301、モールド樹脂303を備えている。半導体チップ101は、マウント材301を用いて配線基板200の一方の面201上に搭載され、一方の面201に形成されたチップ搭載面配線パターン205とボンディングワイヤ110でワイヤーボンディングされている。モールド樹脂303は、半導体チップ101、ボンディングワイヤ110、および配線基板200の一方の面201を封止している。チップ搭載面配線パターン205は、配線基板200を貫通して他方の面203に形成された実装面配線パターン207と接続されている。図2は、第一の実施形態における半導体装置100の半田バンプ111が取り付けられる前の構成を示す断面図である。図3は、配線基板200のうち、半田バンプ111が形成される面の平面図である。なお、図2は図3のAA断面を示している。配線基板200は、一方の面201に半導体チップ101を搭載し、他方の面203に複数のランド103を有している。配線基板200を構成する基材は、たとえばガラスエポキシ基材である。ソルダーレジスト層107は、配線基板200の一方の面201および他方の面203を被覆し、ランド103上に開口部105を有している。本実施形態の半導体装置100は、配線基板200の他方の面203が、平面視において半導体チップ101に重なる第一ランド103Aと第一ランド103A上に設けられた第一半田バンプ111Aとの接着面積S1が、半導体チップ101に重ならない第二ランド103Bと第二ランド103B上に設けられた第二半田バンプ111Bとの接着面積S2よりも大きくなるように形成されている。S1>S2を満たすように、ランド103、開口部105および半田バンプ111を形成することによって、半導体チップ101のエッジH付近よりも内側の領域図3の符号aで示す領域の接着性を、外側の領域図3の符号bで示す領域の接着性よりも大きくすることができる。とくに、半導体チップ101のエッジH付近の接着性が大きくなる。したがって、半導体パッケージ300に反りが生じても、実装基板400と半田バンプ111との接着を維持でき、配線基板200と実装基板400との電気的接続を保つことができる。つづいて、図4を用いながら、第一の実施形態における配線基板200の他方の面203の構造を具体的に説明する。なお、図4aは図3の符号aで示す領域におけるランド構造を表し、図4bは、図3の符号bで示す領域に位置するランド構造を表す。第一の実施形態における半導体パッケージ300では、半導体チップ101のエッジH付近よりも内側の領域aに位置するソルダーレジスト層107に形成された第一開口部105Aの径R1を、外側の領域bに位置する第二開口部105Bの径R2よりも大きくなるように形成されている。こうした構造により、上記で述べたS1>S2の条件を満たしている。なお、第一の実施形態では、第一ランドの径L1と第一開口部の径R1、第二ランドの径L2と第二開口部の径R2はそれぞれ等しい。すなわち、開口部の径Rが大きいほど、半田バンプ111とランド103との接着面積は大きくなる。また、第一の実施形態における半導体装置100では、第一半田バンプ111Aと第二半田バンプ111Bとの高さが等しいことが好ましい。半田バンプ111の高さが等しいと、配線基板200と実装基板400との距離を一定にすることができる。よって、実装信頼性により一層優れた半導体装置100が得られる。第一の実施形態では、第一半田バンプ111Aと第二半田バンプ111Bとの高さを等しくするためには、半田バンプを形成する時に供給する半田ペーストの量を調節することによって達成できる。具体的には、第一ランド103Aに供給する半田ペーストの量を第二ランド103Bに供給する半田ペーストの量よりも多くする。また、半田ボールを用いて半田バンプを形成する場合は、半田ボールの径を調節することによっても第一半田バンプ111Aと第二半田バンプ111Bとの高さを等しくすることができる。具体的には、第一ランド103Aに取り付ける半田ボールの径を第二ランド103Bに取り付ける半田ボールの径よりも大きくする。第一の実施形態の半導体装置の製造方法以下、第一の実施形態における半導体装置の製造方法について説明する。はじめに、配線基板200にチップ搭載面配線パターン205、実装面配線パターン207およびランド103を形成する。その後、配線基板200両面にソルダーレジスト層107を形成する。ソルダーレジスト層107全面にフォトレジストを塗布した後に、半導体チップ101の搭載部やランド103上のフォトレジストを除去してソルダーレジスト層107を露出する。なお、ソルダーレジスト層107には、フォトレジストの機能を持ったレジストを使用することもできる。この場合は、フォトレジストの塗布の工程を省略できる。ここで、半導体チップ101のエッジH付近よりも内側の領域aに位置する第一ランド103A上の開口部が、外側の領域bに位置する第二ランド103B上の開口部よりも大きくなるようにフォトレジストの除去をおこなう。つぎに、露出したソルダーレジスト層の除去をおこなって、開口部105を形成する。なお、半導体チップ101のエッジH付近よりも内側の領域aに位置するソルダーレジスト層107に形成された第一開口部105Aの径R1が、外側の領域bに位置する第二開口部105Bの径R2よりも大きくなる。つづいて、マウント材301を介してチップ搭載部305上に半導体チップ101を固着させ、ボンディングワイヤ110で半導体チップ101のチップ電極とチップ搭載面配線パターン205をボンディングする。その後、半導体チップ101、ボンディングワイヤ110、チップ搭載面配線パターン205等をモールド樹脂303で封止することによって、図2に示す様な半導体パッケージ300が得られる。その後、得られた半導体パッケージ300のソルダーレジスト層107の開口部105に半田ペーストを供給し、リフロー処理を行なうことによって半田バンプを形成する。なお、第一の実施形態では、第一半田バンプ111Aと第二半田バンプ111Bとの高さを等しくするために、第一ランド103Aに供給する半田ペーストの量を、第二ランド103Bに供給する半田ペーストの量よりも多くすることが好ましい。また、半田バンプは、あらかじめ作製した半田ボールをランド111に取り付けることによっても形成できる。なお、第一の実施形態では、半田ボールを用いる場合は、第一ランド103Aに取り付ける半田ボールの径を第二ランド103Bに取り付ける半田ボールの径よりも大きくすることが好ましい。こうすることで、第一半田バンプ111Aと第二半田バンプ111Bとの高さを等しくすることができる。最後に、実装基板400の接続端子401と半田バンプ111とを接合することによって半導体パッケージ300を実装基板400に実装し、図1に示した半導体装置100が得られる。第二の実施形態第二の実施形態における半導体装置100は、第一の実施形態とは、配線基板200の他方の面203の構造が異なる。よって、第二の実施形態については第一の実施形態と同様の部分の説明は適宜省略し、異なる部分を中心に説明する。図5は、第二の実施形態における半導体装置100の構成を示す断面図である。図6は、第二の実施形態における半導体装置100の半田バンプ111が取り付けられる前の構成を示す断面図である。図7は、配線基板200のうち、半田バンプ111が形成される面の平面図である。図6は図7のBB断面を示している。第二の実施形態の半導体装置100も、第一の実施形態と同様に、配線基板200の他方の面203が、平面視において半導体チップ101に重なる第一ランド103Aと第一ランド103A上に設けられた第一半田バンプ111Aとの接着面積S1が、半導体チップ101に重ならない第二ランド103Bと第二ランド103B上に設けられた第二半田バンプ111Bとの接着面積S2よりも大きくなるように形成されている。S1>S2を満たすように、ランド103、開口部105および半田バンプ111を形成することにより、半導体チップ101のエッジH付近よりも内側の領域図7の符号cで示す領域の接着性を、外側の領域図7の符号dで示す領域の接着性よりも大きくすることができる。したがって、半導体パッケージ300に反りが生じても、実装基板400と半田バンプ111との接着を維持でき、配線基板200と実装基板400との電気的接続を保つことができる。つづいて、図8を用いながら、第二の実施形態における配線基板200の他方の面203の構造をより具体的に説明する。なお、図8cは図7の符号cで示す領域に位置するランド構造を表し、図8dは、図7の符号dで示す領域に位置するランド構造を表す。第二の実施形態における半導体パッケージ300では、半導体チップ101のエッジH付近よりも内側の領域cに位置するソルダーレジスト層107に形成された第一開口部105Aの径をR1とし、第一ランド103Aの径をL1とし、外側の領域dに位置する第二開口部105Bの径をR2とし、第二ランド103Bの径をL2としたとき、R1>L1、かつ、R2≦L2を満たすように形成されている。こうした構造により、上記で述べたS1>S2の条件を満たしている。ここで、第一ランド103AのようにR1>L1を満たす構造は一般的に、NSMDNonSolderMaskDefined構造と呼ばれる。NSMDとは、ランドの径よりも開口部の径が大きく、かつ、ランドの外周が開口部の内側に位置する構造をいう。つまり、NSMDでは、ランド全体が開口部から露出している。そのため、開口部からランドの上面だけでなく側面も露出することになる。一方、第二ランド103Bのように、R2≦L2を満たす構造は一般的に、SMDSolderMaskDefined構造と呼ばれる。SMDとは、ランドの径よりも開口部の径が小さく、かつ、ランドの外周が開口部の外側に位置する構造をいう。つまり、SMDにおいて、ランドの端部はソルダーレジストで覆われており、ランドの面積よりも小さな面積の開口部がランドの中央部に形成されている。よって、開口部がランドに内包されているため、開口部から露出するランドの領域はランドの上面だけである。すなわち、NSMDの方がSMDよりも開口部から露出するランドの面が多く、ランド上に搭載される半田バンプとの接着面積を大きくしやすい。よって、こうした構成を取ることにより、NSMD構造である第一ランド103Aと第一半田バンプ111Aとの接着面積S1を、SMD構造である第二ランド103Bと、第二半田バンプ111Bとの接着面積S2よりも大きくすることができる。また、第二の実施形態における半導体装置100では、第一半田バンプ111Aと第二半田バンプ111Bとの高さが等しいことが好ましい。半田バンプ111の高さを揃えることにより、配線基板200と実装基板400との距離を一定にすることができる。その結果、実装信頼性により一層優れた半導体装置100が得られる。第二の実施形態では、半田ペーストの供給量が一定である場合、第一半田バンプ111Aと第二半田バンプ111Bとの高さを等しくするためには、第一開口部105Aの径R1を第二開口部105Bの径R2よりも小さくすることで達成できる。また、同一径の半田ボールを用いて半田バンプを形成する場合も同様で、第一開口部105Aの径R1を第二開口部105Bの径R2よりも小さくすることで達成できる。第二の実施形態の半導体装置の製造方法以下、第二の実施形態における半導体装置100の製造方法について、第一実施形態と異なる部分、すなわち配線基板200の他方の面203の形成を中心に説明する。ソルダーレジスト層107全面にフォトレジストを塗布した後に、半導体チップ101の搭載部、ランド103上のフォトレジストを除去してソルダーレジスト層107を露出する。ここで、半導体チップ101のエッジH付近よりも内側の領域cに位置する第一ランド103Aの径L1よりも開口部の径が大きくなるように、かつ、外側の領域dに位置する第二ランド103Bの径L2よりも開口部の径が小さくなるようにフォトレジストの除去をおこなう。つぎに、露出したソルダーレジスト層の除去をおこなって、開口部105を形成する。なお、半導体チップ101のエッジH付近よりも内側の領域cに位置するソルダーレジスト層107に形成された第一開口部105Aの径R1が、第一ランド103Aの径L1よりも大きくなる。また、外側の領域dに位置する第二開口部105Bの径R2が第二ランド103Bの径L2以下となる。すなわち、領域cに位置する第一ランド103AはNSMD構造に形成され、領域dに位置する第二ランド103BはSMD構造に形成される。つづいて、マウント材301を介してチップ搭載部305上に半導体チップ101を固着させ、ボンディングワイヤ110で半導体チップ101のチップ電極とチップ搭載面配線パターン205をボンディングし、その後、半導体チップ101、ボンディングワイヤ110、チップ搭載面配線パターン205等をモールド樹脂303で封止することによって、図6に示す様な半導体パッケージ300が得られる。その後、得られた半導体パッケージ300のソルダーレジスト層107の開口部105に半田ペーストを供給し、リフロー処理を行なうことによって半田バンプを形成する。なお、第二の実施形態では、半田ペーストの供給量が一定である場合や同一径の半田ボールを使用する場合は、第一半田バンプ111Aと第二半田バンプ111Bとの高さを等しくするために、第一開口部105Aの径R1を第二開口部105Bの径R2よりも小さく形成することが好ましい。こうすることで、第一半田バンプ111Aと第二半田バンプ111Bとの高さを等しくすることができる。最後に、実装基板400の接続端子401と半田バンプ111とを接合して半導体パッケージ300を実装基板400に実装し、図1に示した半導体装置100が得られる。以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。