非金属材料からなる基板表面に金属層を用いて被覆する方法であって、前記非金属材料からなる基板が設けられる工程aと、前記基板の少なくとも1つの表面の少なくとも一部が、該特定の表面領域を増加させるために、物理的処理又は化学的処理に晒される工程bと、前記工程bにおいて処理された前記基板の前記表面が、酸化処理に晒される工程cと、前記工程cにおいて処理された前記基板の前記表面が、少なくとも1つの金属の少なくとも1つのイオン及びその対イオンを含有する溶液に接触され、前記金属は、元素周期表の第IB族及び第VIII族の金属から構成される群から選択される工程dと、少なくとも1つの前記表面の前記少なくとも一部の上で前記基板を構成する前記非金属材料に化学的に付着する少なくとも1つの金属のイオンを含む基板が得られる工程eと、少なくとも1つの前記表面の前記少なくとも一部の上で前記基板を構成する前記非金属材料に化学的に付着する少なくとも1つの金属の前記イオンが、還元処理に晒されて、少なくとも1つの前記表面の前記少なくとも一部の上で前記基板を構成する前記非金属材料に化学的に付着する少なくとも1つの金属の原子を含む基板が得られる工程fと、前記工程fにおいて得られた少なくとも1つの金属の粒子を含む前記表面が、少なくとも1つの金属のイオンを含有する溶液に接触される工程gと、前記基板の前記処理された表面上に、少なくとも1つの金属層によって形成された被覆層が得られる工程hと、前記工程a~工程hは、選択的に、各工程の前又は後に、1つ又は複数の洗浄工程を有する、ことを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記工程b及び工程cは、単一の工程b ́として実行され、前記処理は酸化処理である、ことを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記工程fの前記金属及び前記工程gの前記イオンの前記金属は、同じものである、ことを特徴とする方法。請求項1~3のいずれか1項に記載の方法において、前記工程f及び前記工程gは、単一の工程f ́として実行される、ことを特徴とする方法。請求項1~4のいずれか1項に記載の方法において、前記工程bは、物理的処理によって実行される、ことを特徴とする方法。請求項5に記載の方法において、前記物理処理は、衝撃処理の群から選択される、ことを特徴とする方法。請求項1~4のいずれか1項に記載の方法において、前記工程b、前記工程b ́又は前記工程cは、酸化処理によって実行される、ことを特徴とする方法。請求項1~7のいずれか1項に記載の方法において、前記酸化処理は、化学的酸化処理の群から選択される、ことを特徴とする方法。請求項1~8のいずれか1項に記載の方法において、前記工程dで用いられた前記金属イオンの前記金属は、銅イオン、銀イオン、ニッケルイオン、白金イオン、パラジウムイオン、及びコバルトイオンから選択される、ことを特徴とする方法。請求項1~9のいずれか1項に記載の方法において、前記工程dで用いられた前記金属イオンの前記金属は、銅及びニッケルからなる群から選択される、ことを特徴とする方法。請求項1~10のいずれか1項に記載の方法において、前記化学的酸化処理は、フェトン試薬、アルコール性カリウム水酸化物、強酸、水酸化ナトリウム、強酸化作用剤、及びオゾンからなる群のうちのいずれか1つ又はその組み合わせである、ことを特徴とする方法。請求項11に記載の方法において、前記強酸は、塩酸、硫黄酸、硝酸、過塩素酸、亜リン酸、リン酸、次亜リン酸、シュウ酸及び酢酸からなる群のうちのいずれか1つ又はそれらの組み合わせである、ことを特徴とする方法。請求項11に記載の方法において、前記強酸化作用剤は、KMnO4及びKClO3からなる群のうちのいずれか1つ又はその組み合わせである、ことを特徴とする方法。請求項11に記載の方法において、前記化学的酸化処理は、電気化学的処理である、ことを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記還元溶液は、水酸化ホウ素ナトリウム溶液、ジメチルアミンボラン溶液及びヒドラジン溶液からなる群から選択される還元試薬を含んでいる、ことを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記工程f ́の前記溶液は、前記金属のイオン、前記金属のイオンを錯体化する錯化剤、還元剤及びpH調節剤を含んでいる、ことを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記各工程の前及び間において、前記基板の前記表面及び/又は前記基板は、少なくとも1つの洗浄溶液を用いて洗浄される、ことを特徴とする方法。請求項17に記載の方法において、前記洗浄溶液は、前記基板の前記表面及び/又は前記基板と接触している間にかき混ぜられる、ことを特徴とする方法。請求項1~18のいずれか1項に記載の方法において、金属化工程をさらに含む、ことを特徴とする方法。請求項19に記載の方法において、前記金属化工程は、電気めっき処理工程を含む、ことを特徴とする方法。非金属材料からなる基板であって、前記基板の表面は、金属活性化層を用いて被覆されており、前記金属活性化層は、金属リガンドの相互作用を通じて、前記基板の構成金属に直接に結合する金属の原子から構成されており、その結合は、カルボキシル基-COOH、ヒドロキシル基-OH、アルコキシル基-OR、カルボニル基-C=O、ペル炭酸基-CO-O-OH、ニトロ基N=O、又はアミド基-CONHによってなされ、前記金属活性化層は、自己触媒的堆積法によって堆積される同一又は異なる金属層によって被覆されている、ことを特徴とする基板。ABSからなる基板であって、その基板表面は、銅からなる金属活性化層を用いて被覆されており、前記銅原子は、金属リガンドの相互作用を通じて、前記基板のABS構成要素と結合しており、前記金属活性化層は、自己触媒的堆積によって堆積される銅層を用いて被覆されている、ことを特徴とする基板。本発明は、有毒で汚染のある反応材料を利用しないが追加工程や追加される層を設けることなく、より単純な被覆工程を開発することにより、非金属材料を被覆するための上記の方法の種々の工程を単純化することを可能とすると共に、より環境に優しく且つより安価に実現することを可能とする。本発明はそれゆえ、金属層を用いて非金属材料からなる基板の表面を被覆するための方法に関し、下記の工程を含んでいる。工程a上記非金属材料からなる基板が設けられる。工程b上記基板の少なくとも1つの表面の少なくとも一部が、該特定の表面領域を増加させるために、物理的処理又は化学的処理に晒される。工程c工程bにおいて処理された上記基板の上記表面が、酸化処理に晒される。工程d工程cにおいて処理された上記基板の上記表面が、少なくとも1つの金属の少なくとも1つのイオン及びその対イオンを含有する溶液に接触され、金属は、元素周期表の第IB族及び第VIII族の金属から構成される群から選択される。工程e少なくとも1つの表面の少なくとも一部の上で基板を構成する非金属材料に化学的に付着する少なくとも1つの金属のイオンを含む基板が得られる。工程f少なくとも1つの上記表面の上記少なくとも一部の上で上記基板を構成する上記非金属材料に化学的に付着する少なくとも1つの金属の上記イオンが、還元処理に晒されて、少なくとも1つの上記表面の上記少なくとも一部の上で上記基板を構成する上記非金属材料に化学的に付着する少なくとも1つの金属の原子を含む基板が得られる。工程g工程fにおいて得られた少なくとも1つの金属の粒子を含む上記表面が、少なくとも1つの金属のイオンを含有する溶液に接触される。工程h上記基板の上記処理された表面上に、少なくとも1つの金属層によって形成された被覆層が得られる。上記各工程は、選択的に、各工程の前又は後に、1つ又は複数の洗浄工程を有する。工程gは自動触媒堆積工程であり、無電解として設計されている。化学的にイオン及び/又は原子に結合するという表現は、上記材料の表面に、キレート化によって結合される原子又はイオン、及び/又は、例えば、カルボキシル-COOH、ヒドロキシル-OH、アルコキシル-OR、カルボニル-C=O、ペル炭酸-CO-O-OH、ニトロN=O、又はアミド-CONHの機能又は基による錯体形成によって結合される原子又はイオンを意味するものと理解される。工程fでは、上記基板を構成する非金属材料に付着される少なくとも1つの金属の原子が、金属リガンド相互作用によって付着される。一実施形態では、活性化工程dは、単一金属のイオン及びその対イオンを含有する溶液に接触させることにより、実行される。一実施形態では、工程b及び工程cは、単一の工程b ́として実行され、その処理は酸化処理である。一実施形態では、工程fの金属と工程gのイオンの金属とは、同じものである。一実施形態では、工程fと工程gとは、単一の工程f ́として実行される。被覆工程の間では、非金属材料からなる上記基板の表面は、最初に、その表面に対する上記金属層の良好な接着性が得られるように準備しておかなければならない。上記基板の表面はその全ての汚染物質が除去されており、同時に、本方法の工程bの間におけるさらなる被覆の密着性のためのキーリングkeyingの起伏を生成している。上記基板の表面は、完全に又は部分的に、例えば酸化工程に対して耐性のある保護用光沢塗装膜など、当業者によく知られたマスク技術を用いて処理されてもよい。一実施形態では、工程bは、物理的処理によって実行される。用語物理的処理は、低密着層を除去すると共に表面粗さを増加させるための処理を意味するものと理解される。一実施形態では、物理的処理は、衝撃処理の群から選択される。一実施形態では、工程b又は工程b ́又は工程cは、酸化処理によって実行される。用語酸化処理は、表面粗さを増加させることによってその表面、それゆえ工程bのための表面における特定表面領域を準備すると共に、工程cのための金属カチオンをキレートし且つ/又は錯体化することが可能な機能を生成するための如何なる処理を意味するものと理解される。一実施形態では、酸化処理は化学的酸化処理の群から選択される。一実施形態では、酸化処理は電気化学的酸化処理の群から選択される。一実施形態では、酸化処理は物理的酸化処理の群から選択される。本発明によると、上記基板は、ナノ粒子、マイクロ粒子、化粧品の詰め物、電気素子、ドアハンドル、家庭用品、メガネ、装飾品、自動車本体素子、航空機胴体又は翼素子、フレキシブル導体又はコネクターであってもよい。用語非金属材料とは、有機材料の類、鉱物材料の類及び混合物の類に属する如何なる材料を意味するものと理解される。制限しない例として、木、紙、ボード、セラミック、プラスチック、シリコン、織物、ガラスを挙げることができる。一実施形態では、有機材料はプラスチック材料から選択される。用語金属層は、厚さが数ナノメートルから数百ミクロンまでの、基板表面に堆積される金属及び/又は金属酸化物からなる薄膜を意味するものと理解される。一実施形態では、非金属材料は、一次元及び三次元の天然の、人工の、合成の、熱硬化性プラスチック、熱硬化性、熱安定性及びエラストマーの重合体を含む群から選択される重合体である。一実施形態では、非金属材料は、さらに、フィラー、可塑剤及び添加剤を含む群から選択される少なくとも1つの素子を含んでもよい。一実施形態では、フィラーは、シリカ、タルク、ガラスファイバー、及びガラス玉を含む群から選択される鉱物フィラーである。一実施形態では、フィラーは、穀粉及びセルロースパルプを含む群から選択される有機フィラーである。添加剤は、例えば、その色、その交差結合、そのすべり、その劣化への耐性、火に対する耐性、及び/又はバクテリア及び/又は細菌の攻撃に対する耐性のような、非金属材料の特性を向上させるために用いられる。一実施形態では、重合体は、熱硬化性プラスチックからなる共重合体であって、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリエーテル、ビニルポリマー、ビニリデンポリマー、スチレンポリマー、メタクリルアクリルポリマー、ポリアミド、フルオロポリマー、セルロースポリマー、ポリアリレンスルホン、多硫化物、ポリアリルエーテルケトン、ポリアミデイミド、ポリエーテルイミド、ポリベンズイミダゾール、ポリインデン/クマロン、ポリパラ-キシリレンからなる群のうちのいずれか1つそれ自体、それらの混合、共重合体又は組み合わせとして選択されてもよい。ポリエステルは、グリコールによって改質された又はされていないポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリアクチド、ポリカーボネートからなる群のうちのいずれか1つそれ自体、それらの混合、共重合体又は組み合わせとして選択されてもよい。ポリエーテルは、ポリキシメチレン、ポリキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリフェニレンエーテルからなる群のうちのいずれか1つそれ自体、それらの混合、共重合体又は組み合わせとして選択されてもよい。ビニルポリマーは、選択的に、塩化ポリビニルクロライド、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート、ポリビニルアセタール、ポリビニルホルマール、ポリビニルフルオライド、ポリビニルクロライド/ビニルアセテート、からなる群のうちのいずれか1つそれ自体、それらの混合、共重合体又は組み合わせとして選択されてもよい。ビニリデンポリマーは、ポリビニリデンクロライド、ポリビニリデンフルオライドからなる群のうちのいずれか1つそれ自体、それらの混合、共重合体又は組み合わせとして選択されてもよい。スチレンポリマーは、ポリスチレン、ポリスチレン/ブタジエン、ポリアクリロニトリル/ブタジエン/スチレン、ポリアクリロニトリル/スチレン、ポリアクリロニトリル/エチレン/プロピレン/スチレン、ポリアクリロニトリル/スチレン/アクリレートからなる群のうちのいずれか1つそれ自体、それらの混合、共重合体又は組み合わせとして選択されてもよい。メタクリルアクリルポリマーは、ポリアクリロニトリル、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレートからなる群のうちのいずれか1つそれ自体、それらの混合、共重合体又は組み合わせとして選択されてもよい。ポリアミドは、ポリカプロラクタム、ポリヘキサメチレンアジポアミド、ポリオーラアミド、ポリエーテルブロックアミド、ポリメタ-キシレンアジポアミド、ポリメタ-フェニレンイソフォタラミドisoph-thalamideからなる群のうちのいずれか1つそれ自体、それらの混合、共重合体又は組み合わせとして選択されてもよい。フルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ペリフルオロポリエチレン/プロピレン、ポリビニリデンフルオライドからなる群のうちのいずれか1つそれ自体、それらの混合、共重合体又は組み合わせとして選択されてもよい。セルロースポリマーは、セルロースアセテート、セルロースナイトレート、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、エチルメチルセルロースからなる群のうちのいずれか1つそれ自体、それらの混合、共重合体又は組み合わせとして選択されてもよい。ポリアリレンスルホンポリマーは、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリルスルホンからなる群のうちのいずれか1つそれ自体、それらの混合、共重合体又は組み合わせとして選択されてもよい。ポリサルファイドはポリフェニレンサルファイドであってもよい。ポリアリルエーテルケトンポリマーは、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトンからなる群のうちのいずれか1つそれ自体、それらの混合、共重合体又は組み合わせとして選択されてもよい。一実施形態では、上記重合体は、それ自身、共重合体として、混合として、又は組み合わせとしての、尿素ホルムアルデヒド、メラミンホルムアルデヒド/ポリエステルのようなアミノプラスチック、それ自身、共重合体として、混合として、又は組み合わせとしての、ポリウレタン、不飽和ポリエステル、ポリシロキサン、フェノールホルムアルデヒド、エポキシ、アリル又はビニルエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリ尿素、ポリイソシアヌレート、ポリビスマレイミド、ポリベンゾイミダゾール、ポリジシクロペンタジエンからなる群から選択される、熱可塑性の共重合体である。一実施形態では、共重合体は、アクリロニトリル-ブタジエン-スチレンABS、アクリロニトリル-ブタジエン-スチレン/ポリカーボネートABS/PC、メチル-メタクリレートアクリロニトリル-ブタジエン-スチレンMABS、ナイロンのようなポリアミドPA、ポリアミン、ポリアクリル酸、ポリアニリン、ポリエチレンテレフタレートPETから選択される。一実施形態では、工程dで用いられる金属イオンの金属は、銅イオン、銀イオン、ニッケルイオン、白金イオン、パラジウムイオン及びコバルトイオンから選択される。一実施形態では、銅及びニッケルから構成される群から選択される。一実施形態では、金属イオンの金属は銅である。一実施形態では、工程g又は工程f ́に用いられる金属イオンの金属は周期表のIB族及びVIII族の元素から選択される。一実施形態では、工程g又は工程f ́に用いられる金属イオンの金属は、銅イオン、銀イオン、金イオン、ニッケルイオン、白金イオン、鉄イオン及びコバルトイオンから選択される。一実施形態では、工程g又は工程f ́に用いられる金属イオンの金属は、銅及びニッケルからなる群から選択される。一実施形態では、工程g又は工程f ́に用いられる金属イオンの金属は、銅である。一実施形態では、工程g又は工程f ́に用いられる金属イオンの金属は、銅ニッケルである。本発明によると、衝撃処理の群は、サンドブラスティング、ショットピーニング法、マイクロピーニング法及び研磨剤による研磨を含んでいる。用語化学的酸化処理は、基板の表面を酸化するための処理を意味するように理解されており、それは、その表面に酸素リッチな基、例えば、金属カチオンを化学的に結合することを可能とする、カルボキシル基-COOH、ヒドロキシル基-OH、アルコキシル基-OR、カルボニル基-C=O、ペル炭酸基-CO-O-OH、ニトロ基N=O及びアミド基-CONHを付着又は導入し、それから、キレート化及び/又は錯体化によって還元された金属を付着又は導入することで基板表面を酸化するための処理を意味するように理解される。本発明によると、化学的酸化処理は、フェントン試薬、アルコール性カリウム水酸化物、強酸、水酸化ナトリウム、強酸化作用剤、及びオゾンからなる群のうちのいずれか1つ又はその組み合わせである。一実施形態では、強酸は、塩酸、硫黄酸、硝酸、過塩素酸、亜リン酸、リン酸、次亜リン酸、シュウ酸及び酢酸からなる群のうちのいずれか1つ又はそれらの組み合わせである。一実施形態では、強酸化作用剤は、KMnO4及びKClO3からなる群のうちのいずれか1つ又はその組み合わせである。一実施形態では、強酸化作用剤は、KMnO4である。酸化処理は、基板を構成する材料の性質に応じて選択され、下記の表1に例を用いて示しており、基板がABS又はABS/PCからなるときに適用され得る種々の化学的酸化処理が存在する。下記の表2は、基板の性質に応じて種々の処理を示している。一実施形態では、強酸の質量比は5と100との間にある。一実施形態では、強酸の質量比は50と95との間にある。一実施形態では、強酸の質量比は70と90との間にある。一実施形態では、強酸の処理時間は20秒と5時間との間にある。一実施形態では、強酸の処理時間は30秒と3時間との間にある。一実施形態では、強酸の処理時間は30秒と2時間との間にある。一実施形態では、フェントン化学試薬による処理時間は5分と5時間との間にある。一実施形態では、フェントン化学試薬による処理時間は10分と3時間との間にある。一実施形態では、フェントン化学試薬による処理時間は15分と2時間との間にある。一実施形態では、フェントン化学試薬による処理時間は約25分である。一実施形態では、アルコール性カリウム水酸化物による処理のために、カリウム水酸化物は、溶媒として、メタノール、エタノール及びプロパノールからなる群から選択されるアルコールを含有する溶液中に希釈される。一実施形態では、上記カリウム水酸化物は、溶媒としてエタノールを含有する溶液中に希釈される。一実施形態では、上記アルコール溶液中の上記カリウム水酸化物の濃度は、0.1Mと10Mとの間にある。一実施形態では、上記アルコール溶液中の上記カリウム水酸化物の濃度は、0.5Mと5Mとの間にある。一実施形態では、上記アルコール溶液中の上記カリウム水酸化物の濃度は、約3.5である。一実施形態では、アルコール性カリウム水酸化物による処理期間は、5分と5時間との間にある。一実施形態では、アルコール性カリウム水酸化物による処理期間は、1分と3時間との間にある。一実施形態では、アルコール性カリウム水酸化物による処理期間は、5分と1時間との間にある。一実施形態では、水酸化ナトリウムによる処理の場合、該水酸化ナトリウムの質量比は、10と100との間にある。一実施形態では、水酸化ナトリウムによる処理の場合、該水酸化ナトリウムの質量比は、15と70との間にある。一実施形態では、水酸化ナトリウムによる処理の場合、該水酸化ナトリウムの質量比は、20と50との間にある。一実施形態では、強酸化作用剤による処理のために、強酸化剤溶液は中性、酸性又は塩基性である。一実施形態では、強酸化作用剤溶液は酸性である。一実施形態では、強酸化作用剤は、塩酸、硫黄酸、硝酸、シュウ酸、リン酸、次亜リン酸、又は亜リン酸中における、KMnO4及びKClO3からなる群のうちのいずれか1つ又はその組み合わせから選択される。一実施形態では、KMnO4又はKClO3の濃度は、10mMと1Mとの間にある。一実施形態では、KMnO4又はKClO3の濃度は、0.1mMと0.5Mとの間にある。一実施形態では、KMnO4又はKClO3の濃度は、約0.2Mである。一実施形態では、上記酸の濃度は、0.1Mと10Mとの間にある。一実施形態では、上記酸の濃度は、0.5Mと5Mとの間にある。一実施形態では、上記酸の濃度は、約3.5Mである。一実施形態では、強酸化作用剤による処理期間は、1分と3時間との間にある。一実施形態では、強酸化作用剤による処理期間は、5分と1時間との間にある。一実施形態では、強酸化作用剤による処理期間は、6分と30分との間にある。一実施形態では、強酸化作用剤による処理時間は、約15分である。一実施形態では、化学的酸化処理は、電気化学的処理である。本発明によると、工程dの少なくとも1つの金属の対イオンは、四フッ化物、硫酸塩、臭化物、フッ化物、ヨー化物、硝酸塩、リン酸塩、及び塩化物イオンからなる群のうちから選択される。一実施形態では、少なくとも1つの金属の少なくとも1つのイオンとその対イオンを含有する工程dの溶液は、塩基性溶液である。一実施形態では、上記塩基性溶液は7よりも大きいpHを有している。一実施形態では、上記塩基性溶液はpH9とpH11との間のpHを有している。一実施形態では、上記塩基性溶液はpH約10である。一実施形態では、工程dによる処理期間は30秒と2時間との間にある。一実施形態では、工程dによる処理期間は1分と1時間との間にある。一実施形態では、工程dによる処理期間は約15分である。本発明によると、工程fの還元処理の還元溶液は塩基性である。一実施形態では、上記還元溶液は、水酸化ホウ酸ナトリウム、ジメチルアミンボラン、及びヒドラジン溶液からなる群から選択される還元剤を含む。一実施形態では、上記還元剤は、水酸化ホウ酸ナトリウム溶液である。一実施形態では、上記水酸化ホウ酸ナトリム溶液は中性又は塩基性のpHを有する。一実施形態では、上記ジメチルアミンボラン溶液は塩基性のpHを有する。一実施形態では、上記pHは塩基性であって、溶液内の水酸化ナトリウムが溶媒として用いられる。一実施形態では、上記水酸化ナトリウムの濃度は、10-4と5Mとの間にある。一実施形態では、上記水酸化ナトリウムの濃度は、0.05Mと1Mとの間にある。一実施形態では、上記水酸化ナトリウムの濃度は、約0.1Mである。一実施形態では、工程fの還元溶液における上記還元剤の濃度は、10-4と5Mとの間にある。一実施形態では、工程fの還元溶液における上記還元剤の濃度は、0.01Mと1Mとの間にある。一実施形態では、工程fの還元溶液における上記還元剤の濃度は、約0.3Mである。一実施形態では、上記還元工程は、10°Cと90°Cとの間にある温度にて実行される。一実施形態では、上記還元工程は、30°Cと70°Cとの間にある温度にて実行される。一実施形態では、上記還元工程は、約50°Cである。一実施形態では、上記還元工程の期間は、30秒と1時間との間にある。一実施形態では、上記還元工程の期間は、1分と30分との間にある。一実施形態では、上記還元工程の期間は、2分と20分との間にある。一実施形態では、工程f ́の溶液は、上記金属のイオン、上記金属のイオンの錯化剤、還元剤、及びpH調節剤を含んでいる。一実施形態では、工程f ́の上記溶液は、水溶液である。一実施形態において、工程f ́の上記溶液は、Ag、Ag2、Ag3、Au、Co2、Cu、Cu2、Fe2、Ni2、Pd、及びPtから選択される金属カチオンを含有する無電解槽溶液である。一実施形態では、工程f ́の上記溶液は、Co、Cu、Cu2、Ni2、Pd、及びPtから選択される金属カチオンを含有する無電解槽溶液である。一実施形態において、少なくとも1つの金属のイオンを含有する工程gの上記溶液は、水溶液である。一実施形態では、工程gの上記溶液は、Ag、Ag2、Ag3、Au、Co2、Cu、Cu2、Fe2、Ni2、Pd、及びPtから選択される金属カチオンを含有する無電解槽溶液である。一実施形態では、工程gの上記溶液は、Cu2及びNi2から選択される金属カチオンを含有する無電解槽溶液である。一実施形態では、工程gの期間は1分と1時間との間にある。本発明によると、本方法の各工程の前及び間に、基板の表面及び/又は基板は、少なくとも1つの洗浄溶液を用いて一回又は複数回の洗浄が行われる。一実施形態では、上記洗浄溶液は同じものである又は異なるものである。一実施形態では、上記洗浄溶液は、水、蒸留水、脱イオン水、又は洗浄剤を含有する水溶液からなる群から選択される。一実施形態では、水溶液に含有される上記洗浄剤は、TDF4及び水酸化ナトリウムを含有する群から選択される。一実施形態では、上記水酸化ナトリウムの濃度は、0.01Mと1Mとの間にある。一実施形態では、上記洗浄溶液は、基板の表面及び/又は基板に接触している間にかき混ぜられる。一実施形態では、上記のかき混ぜは、スターラーstirrer、再循環ポンプ、エアーバブリング又はガスバブリング、超音波電解槽又はホモゲナイザーhomogenizerを用いて実行される。一実施形態では、各洗浄工程の期間は1秒と30分との間にある。一実施形態では、各洗浄工程の期間は5秒と20分との間にある。一実施形態では、各種の工程の溶液を用いた、基板の表面及び/又は基板との接触は、電解槽中への浸漬により、又はスプレイspraying及び/又はスプラッシュsplashingにより、実行される。一実施形態では、上記接触動作が電解槽への浸漬によって実行されるとき、上記電解槽の均質化は、スターラーstirrer、再循環ポンプ、エアーバブリング又はガスバブリング、超音波電解層又はホモゲナイザーhomogenizerを用いて実行される。本発明はまた、本発明の方法によって得られた基板に関し、非金属材料からなる上記基板の表面は金属層を用いて被覆されている。本発明は、非金属材料からなる基板に関し、上記基板の表面は、金属活性化層を用いて被覆されており、上記金属活性化層は、金属リガンドの相互作用を通じて、上記基板の構成金属に直接に結合する金属の原子から構成されており、その結合は、カルボキシル基-COOH、ヒドロキシル基-OH、アルコキシル基-OR、カルボニル基-C=O、ペル炭酸基-CO-O-OH、ニトロ基N=O、又はアミド基-CONHによってなされ、上記金属活性化層は、自己触媒的堆積法によって堆積される同一又は異なる金属層によって被覆されている。一実施形態では、本発明は、ABSからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のABS構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、ABSからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のABS構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、ABS/PCからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のABS/PC構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、ABS/PCからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のABS/PC構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、PAからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のPA構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、PAからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のPA構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、PCからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のPC構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、PCからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のPC構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、MABSからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のMABS構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、MABSからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のMABS構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、PPからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のPP構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、PPからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のPP構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、PPSからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のPPS構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、PPSからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のPPS構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積された銅層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、ABSからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のABS構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、ABSからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のABS構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、ABS/PCからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のABS/PC構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、ABS/PCからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のABS/PC構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、PAからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のPA構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、PAからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のPA構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、PCからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のPC構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、PCからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のPC構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、MABSからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のMABS構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、MABSからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のMABS構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、PPからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のPP構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、PPからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のPP構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、PPSからなる基板に関し、その表面は銅からなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のPPS構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。一実施形態では、本発明は、PPSからなる基板に関し、その表面はニッケルからなる活性層によって被覆されており、その原子は、金属リガンド相互作用を通じて、基板のPPS構成要素に結合されており、上記活性層は自己触媒堆積によって堆積されたニッケル層を用いて被覆されている。本発明はまた、本発明に係る方法に関し、さらに、金属化工程を含んでいる。一実施形態では、上記金属化工程は電気めっき処理である。本発明及びその実施形態は、後述する実施例において例示されている。実施例1I.銅層を用いたアクリロニトリル-ブタジエン-スチレンABS及びアクリロニトリル-ブタジエン-スチレン/ポリカーボネートABS/PCの被覆銅層を用いて非金属材料からなる基板を被覆するための方法は、4つの工程硝酸を用いた化学的酸化処理/キレート化及び/又は錯体化/還元/無電解槽で実行された。I.1硝酸を用いた化学的酸化処理純粋の硝酸が50°Cまで熱せされた。アクリロニトリル-ブタジエン-スチレンABS及びアクリロニトリル-ブタジエン-スチレン/ポリカーボネートPCのシートがこの溶液に浸漬された。このシートはそれから、水槽1lで二度洗浄された。I.2銅イオンのキレート化及び/又は錯体化硫酸銅23.7gが水1000ml及び水酸化アンモニウム30mlからなる溶液中に可溶化された。工程I.1の化学的酸化処理が実行された部分がこの溶液中で8分間浸漬された。このABSの部分はそれから0.2Mの水酸化ナトリウム水溶液中で洗浄された。I.3銅イオンの還元処理水酸化ホウ素ナトリウムNaBH40.316g、0.8×10-2molが25mlの0.1M水酸化ナトリウム溶液に溶解された。この溶液は水槽を用いて80°Cまで加熱されてそのサンプルはその中に浸漬された。12分後、そのサンプルは乾燥される前にMilliQ水を用いて洗浄された。I.4無電解銅槽MacDermidMCopper登録商標溶液MCopper登録商標85B溶液100mlを含有する溶液が準備された。次に、Mcopper登録商標85A溶液40ml、それから、Mcopper登録商標85D溶液30ml、Mcopper登録商標85G溶液40ml、最後に、37のホルムアルデヒド5mlが加えられた。溶液の水位を溶液1lに到達させた。槽は機械的攪拌によって60°Cまで加熱された。ABSシートがそれから導入された。その部分は、3分間の浸漬の後、化学銅金属フィルによって覆われた。その銅層は裸眼で視認された。I.5無電解槽別の実施形態では、無電解槽は、PegCopper100溶液40ml、PegCopper200溶液100ml、30mlのPegCopper400、及び2mlのPegCopper500ぺガステックによって供給される製品であるを含有する準備された溶液である。次に、3.5mlのPegCopperが加えられた。1l得るために水位一杯まで水を満たし、その混合物は50°Cまで加熱された。処理されるその部分がそれから導入された。その部分は、3分間の浸漬の後、化学銅金属フィルによって覆われた。その銅層は裸眼で視認された。実施例2II.銅層を用いたポリアミド基板の被覆被覆処理がMinion登録商標ポリアミドからなる基板を用いて実行された。II.1塩酸及びイソプロパノールを用いた化学的酸化処理ポリアミド基板が130mlの水、28mlの塩酸37M及び55mlのイソプロパノールを含有する水溶液中に、28°Cで17分間浸漬された。この基板はそれから水で洗浄された。II.2銅イオンのキレート化及び/又は錯体化実施例1のステップI.2のそれと類似する方法によると、銅イオンは基板の表面にキレートされた。II.3銅イオンの還元処理I.3で上述した動作方法によると、キレートされた銅は基板の表面で還元された。II.4無電解銅槽実施例1で上述されたステップI.4又はI.5のそれに類似する方法によると、ポリアミド基板は化学的銅金属フィルムによって被覆された。その銅層は裸眼で視認された。実施例3III銅槽を用いたポリカーボネート基板の被覆被覆方法がLexan登録商標ポリカーボネート基板を用いて実施された。III.1強酸を用いた化学的酸化処理ポリカーボネート基板は、強酸混合物34の硝酸と66の硫酸を含有する溶液中に25°Cで5分間浸漬され、それから、濃縮された硫酸層に25°Cで3分間浸漬された。全体のアセンブリは、5Nの水酸化カリウム溶液に65°Cで5分間中和された。ポリカーボネート基板はそれから水を用いて洗浄された。III.2銅イオンのキレート化及び/又は錯体化実施例1で上述したステップI.2のそれに類似する方法によると、銅イオンは基板の表面にキレートされた。III.3銅イオンの還元処理I.3で上述した動作方法によると、キレートされた銅は基板の表面で還元された。III.4無電解銅槽実施例1で上述したステップI.4又はI.5におけるそれと類似する方法によると、ポリカーボネート基板は化学的銅金属フィルムによって被覆された。その銅層は裸眼で視認された。実施例4NFISO2409/NFT30-038標準による接着テスト及びDINISO9227標準による腐食テストが、実施例1から3で得られた基板の上で実施された。その性能はこれらのテストの要件を用いて編集されて、先行技術の方法によって得られた基板を用いて実現された性能に匹敵した。