シリコン層上に、厚さが0nmより大きく10nm以下のフッ素を含む薄膜層が設けられていることを特徴とする活物質。シリコン層上に、厚さが4nm以上9nm以下のフッ素を含む薄膜層が設けられていることを特徴とする活物質。請求項1または請求項2において、前記薄膜層は酸化シリコン層であることを特徴とする活物質。請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記シリコン層にはリンが含まれていることを特徴とする活物質。請求項1乃至請求項4のいずれか一において、前記薄膜層のフッ素濃度は、5.0×1019atomscm-3以上であることを特徴とする活物質。請求項1乃至請求項5のいずれか一において、前記薄膜層の窒素濃度は、6.0×1020atomscm-3以下であることを特徴とする活物質。請求項1乃至請求項6のいずれか一に記載の前記活物質の層が集電体上に設けられていることを特徴とする電極。正極と、請求項7に記載の電極を用いた負極と、フッ素を含む電解液と、を有する二次電池。請求項8において、前記集電体の材料は、チタンであることを特徴とする二次電池。請求項8または請求項9において、前記フッ素を含む電解液にはリチウムが含まれていることを特徴とする二次電池。集電体上に、CVD法により第1の堆積性ガスを用いてシリコン膜を形成し、該シリコン膜上に、CVD法によりフッ素を含む第2の堆積性ガスを用いてフッ素を含む薄膜を形成することを特徴とする電極の作製方法。請求項11において、前記フッ素を含む第2の堆積性ガスは、SiF4であることを特徴とする電極の作製方法。請求項11または請求項12において、前記第1の堆積性ガスはSiF4であることを特徴とする電極の作製方法。請求項11乃至請求項13のいずれか一において、前記第1の堆積性ガスにリンが含まれていることを特徴とする電極の作製方法。しかし、リチウムイオン電池の電解液として、フッ素を含む電解液例えば、エチレンカーボネートとジエチルカーボネートの混合液にLiPF6を溶解させたものを用いる場合、活物質層をシリコンにより形成すると、充放電により活物質層の表面に被膜が形成される。この被膜は、充放電を繰り返すことにより厚さを増し、蓄電装置のサイクル特性を低下させる原因となる。本発明の一態様は、活物質層をシリコンにより形成して、フッ素を含む電解液例えば、LiPF6を溶解させた電解液を用いた場合であっても、蓄電装置例えば、二次電池のサイクル特性を良好なものとすることを課題とする。本発明の一態様は、シリコン層の表面に所定の範囲の厚さを有する薄膜層が設けられており、該薄膜層にフッ素が含まれていることを特徴とする活物質である。なお、本明細書においてシリコン層とは、シリコンを主成分として含む層をいう。本発明の一態様は、シリコン層上に、厚さが0nmより大きく10nm以下のフッ素を含む薄膜層が設けられていることを特徴とする活物質である。前記構成の活物質において、前記薄膜層の厚さは4nm以上9nm以下であることが好ましい。前記薄膜層の厚さを4nm以上9nm以下とすると、劣化率を40未満まで抑えることができる。前記構成の活物質において、前記薄膜層は酸化シリコン層とすることができる。前記構成の活物質において、前記シリコン層にはリンが含まれていることが好ましい。活物質の導電性を高めるためである。前記構成の活物質において、前記薄膜層のフッ素濃度は、5.0×1019atomscm-3以上であることが好ましい。前記構成の活物質において、前記薄膜層には窒素が含まれ、該窒素濃度は、6.0×1020atomscm-3以下であることが好ましい。本発明の一態様は、前記構成の前記活物質の層が集電体上に設けられていることを特徴とする電極である。本発明の一態様は、正極と、前記構成の電極を用いた負極と、フッ素を含む電解液と、を有する二次電池である。前記構成の二次電池において、前記集電体の材料としては、例えばチタンを用いることができる。前記構成の二次電池において、前記フッ素を含む電解液にはリチウムが含まれているとよい。本発明の一態様は、集電体上に、CVD法により第1の堆積性ガスを用いてシリコン層を形成し、該シリコン層上に、CVD法によりフッ素を含む第2の堆積性ガスを用いてフッ素を含む薄膜を形成することを特徴とする電極の作製方法である。前記構成の電極の作製方法において、前記フッ素を含む第2の堆積性ガスとしては、SiF4を用いることが好ましい。前記構成の電極の作製方法において、前記第1の堆積性ガスはSiF4であることが好ましい。前記構成の電極の作製方法において、前記第1の堆積性ガスにリンが含まれていることが好ましい。なお、本発明はこれらに限定されない。例えば、活物質層がシリコン層である場合には、結晶性シリコン領域と、該結晶性シリコン領域上に突出する複数の突起を有するウィスカー状の結晶性シリコン領域と、を有していてもよい。更には、該結晶性シリコン領域に接して非晶質シリコン領域が設けられていてもよい。ウィスカー状の結晶性シリコン領域は、屈曲または枝分かれした部分を有していてもよい。または、フッ素を含む薄膜層が設けられた活物質、導電助剤、バインダ及び溶媒を混ぜてスラリーを形成し、該スラリーが集電体上に形成した塗布電極上に設けられていてもよい。シリコン電極を採用してフッ素を含む電解液例えば、LiPF6を溶解させた電解液を用いた場合であっても、二次電池のサイクル特性を良好なものとすることが可能な活物質層を得ることができ、サイクル特性が良好な二次電池を得ることができる。本発明の実施の形態について、図面を参照して以下に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されるものではない。本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解されるからである。したがって、本発明は以下に示す実施の形態及び実施例の記載内容のみに限定して解釈されるものではない。なお、図面を用いて本発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様である、二次電池の電極とその作製方法について説明する。図1は、本発明の一態様の電極の概略図を示す。図1に示す電極100は、少なくとも集電体102と、集電体102上に設けられた活物質層104と、を有し、活物質層104は、シリコン層106と、シリコン層106に接して設けられたフッ素を含む薄膜層108と、を有する。集電体102は、箔状、板状、または網状の導電性部材であればよく、導電性膜であってもよい。導電性膜としては、例えばPt膜、Al膜、Cu膜またはTi膜を用いることができる。または、Si、Ti、Nd、Sc、Moなどが添加されたAl合金膜を用いてもよい。このような導電性膜は、スパッタリング法、蒸着法、印刷法、インクジェット法またはCVD法プラズマCVD法、熱CVD法またはLPCVD法などにより形成することができる。集電体102上に設けられたシリコン層106は、スパッタリング法、蒸着法またはCVD法プラズマCVD法、熱CVD法またはLPCVD法などにより形成すればよい。なお、シリコン層106は、一導電型を付与する不純物元素を含んでいることが好ましい。一導電型を付与する不純物元素を含ませることで導電性を向上させることができるからである。一導電型を付与する不純物元素としては、P、As、Bなどが挙げられるが、Pを用いることが好ましい。Pを添加すると、導電性が高まる。このようなPを添加した形態は半導体装置のポリシリコン電極などに広く適用されているため、半導体製造工程にて汎用されている装置を使用することが可能であるため好ましい。シリコン層106に接して設けられたフッ素を含む薄膜層108は、厚さ10nm以下、好ましくは4nm以上9nm以下とする。フッ素を含む薄膜層108の厚さを4nm以上9nm以下とすると、後の実施例にて説明するように、劣化率を40未満まで抑えることができる。また、フッ素を含む薄膜層108が厚さ10nmよりも大きいと、電極と電解液との間の抵抗が増大してしまう。そのため、フッ素を含む薄膜層108は厚さ10nm以下とするとよい。フッ素を含む薄膜層108は、シリコンを主成分とすることが好ましい。フッ素を含む薄膜層108がシリコンを主成分とする場合には、SiF4ガスを用いて、CVD法プラズマCVD法、熱CVD法またはLPCVD法により形成すればよい。このようなフッ素を含む薄膜層108としては、例えば、フッ素を含むシリコン層またはフッ素を含む酸化シリコン層を用いることができる。フッ素を含むシリコン層またはフッ素を含む酸化シリコン層は、スパッタリング法、蒸着法またはCVD法プラズマCVD法、熱CVD法またはLPCVD法などにより形成すればよい。更には、後の実施例にて説明するように、フッ素を含む薄膜層108のフッ素濃度は、5.0×1019atomscm-3以上であり、窒素濃度は、6.0×1020atomscm-3以下であることが好ましい。窒素濃度は、1.0×1021atomscm-3以下であることがより好ましい。なお、フッ素濃度は可能な限り高いことが好ましく、窒素濃度及び酸素濃度は低いことが好ましい。なお、水素濃度は可能な限り低いことが好ましく、具体的には、1.0×1020atomscm-3以下であることが好ましい。以上説明した本実施の形態の電極は、フッ素を含む電解液例えば、LiPF6を溶解させた電解液を用いた場合であっても、サイクル特性を良好なものとすることが可能である。実施の形態2本実施の形態では、本発明の一態様である、二次電池の負極となる電極とその作製方法の実施の形態1とは異なる形態について図2及び図3を参照して説明する。図2は、本実施の形態の電極の一形態を示す。図2に示す電極200は、少なくとも集電体202と、活物質層204と、を有する。活物質層204は、集電体202の一表面上に設けられたシリコン層206と、シリコン層206上に設けられたフッ素を含む薄膜層208と、を有する。なお、シリコン層206は、結晶性シリコン領域206aと、結晶性シリコン領域206a上に設けられたウィスカー状の結晶性シリコン領域206bと、を有する図3B。次に、図2に示す電極を形成する方法について、図3を参照して説明する。まず、図3Aに示すように、集電体202上に、シリコン層206として結晶性シリコン層をLPCVD法により形成する。LPCVD法による結晶性シリコンの形成は550°C以上、LPCVD装置及び集電体202の耐熱温度以下で行うことが好ましく、より好ましくは580°C以上650°C以下で行う。また、原料ガスとしては、シリコンを含む堆積性ガスを用いることができる。なお、原料ガスに、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノンなどの希ガス、窒素及び水素の一以上を混合させてもよい。集電体202としては、実施の形態1の集電体102を用いることができる。なお、シリコン層206には、不純物として酸素が含まれていてもよい。シリコン層206に不純物として含まれる酸素は、LPCVD法で結晶性シリコン層を形成する際の加熱により、LPCVD装置の石英製のチャンバーから脱離した酸素が結晶性シリコン層に拡散したものである。なお、シリコン層206には、実施の形態1と同様に、一導電型を付与する不純物元素が添加されていてもよい。シリコン層206は、結晶性シリコン領域206aと、結晶性シリコン領域206a上に設けられたウィスカー状の結晶性シリコン領域206bと、を有する。なお、結晶性シリコン領域206aとウィスカー状の結晶性シリコン領域206bの界面は明確ではない。そのため、ウィスカー状の結晶性シリコン領域206bが有する複数の突起の間の谷のうち最も深い谷の底を通り、かつ集電体202の表面と平行な面を、結晶性シリコン領域206aとウィスカー状の結晶性シリコン領域206bの界面とする。結晶性シリコン領域206aは、集電体202を覆って設けられている。また、ウィスカー状の結晶性シリコン領域206bは、結晶性シリコン領域206aのランダムな位置からランダムな方向に向かって成長した複数の突起を有する。なお、ウィスカー状の結晶性シリコン領域206bが有する複数の突起は、円柱状または角柱状などの柱状でもよいし、円錐状または角錐状などの針状でもよい。なお、突起の頂部は、湾曲していてもよい。複数の突起では、柱状の突起と針状の突起が混在していてもよい。また、これらの突起は表面に凹凸を有していてもよい。突起の表面に凹凸を有することにより、シリコン層206の表面積を増大させることができる。本実施の形態に示す電極は、活物質層として機能する結晶性シリコン層がウィスカー状の結晶性シリコン領域206bを有するため、表面積が広く、高電流密度であるため、蓄電装置の放電容量及び充電容量を高めることができる。次に、図3Bに示すように、シリコン層206上に、フッ素を含む薄膜層208を形成する。このようにして本実施の形態の電極が完成する。以上説明した本実施の形態の電極は、フッ素を含む電解液例えば、LiPF6を溶解させた電解液を用いた場合であっても、サイクル特性を良好なものとすることが可能である。更には、結晶性シリコン層がウィスカー状であることで、表面積が広く、高電流密度であるため、蓄電装置の放電容量及び充電容量を高めることができる。実施の形態3本実施の形態では、本発明の一態様である、二次電池の負極となる電極とその作製方法の実施の形態1及び実施の形態2とは異なる形態について図4を参照して説明する。まず、活物質、導電助剤、バインダ及び溶媒を混ぜてスラリーを形成する。スラリーの調製は、バインダを含ませた溶媒に導電助剤を分散させ、そこに活物質を混ぜる。このとき分散性向上のために、溶媒の量を抑え固練りを行うことが好ましい。その後、溶媒を追加し、スラリーを作製する。活物質、導電助剤、バインダ及び溶媒の割合は適宜調整することができるが、導電助剤とバインダの比率を高めると、活物質量当たりの電池性能を向上させることができる。活物質は、リチウムと合金化する材料が好ましく、例えば、シリコン、スズ、アルミニウムまたはゲルマニウムを含む材料を用いることができる。本実施の形態では、粒状のシリコンを用いる。なお、活物質である粒状シリコンの粒径を小さくすると、容量及びサイクル特性ともに良好になり、粒径は100nm以下とすることが好ましい。本実施の形態では、粒状のシリコンの表面を覆ってフッ素を含む薄膜層を形成する。フッ素を含む薄膜層は、実施の形態1と同様に形成することができる。導電助剤は、その材料自身が電子導電体であり、電池装置内で他の物質と化学反応しないものであればよい。導電助剤としては、黒鉛、炭素繊維、カーボンブラック、アセチレンブラック、ケッチェンブラック、VGCF商標登録などの炭素系材料、銅、ニッケル、アルミニウムもしくは銀などの金属材料またはこれらの混合物の粉末や繊維などが例示できる。導電助剤とは、活物質間の導電性を助ける物質であり、離れている活物質の間に充填され、活物質同士の導通を可能とする。バインダとしては、澱粉、ポリイミド、ポリビニルアルコール、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、再生セルロース、ジアセチルセルロース、ポリビニルクロリド、ポリビニルピロリドン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポリプロピレン、EPDMEthylenePropyleneDieneMonomer、スルホン化EPDM、SBRStyreneButadieneRubber、ブタジエンゴム、フッ素ゴムもしくはポリエチレンオキシドなどの多糖類、熱可塑性樹脂またはゴム弾性を有するポリマーなどがある。溶媒としては、水、Nメチル-2ピロリドンまたは乳酸エステルなどを例示することができる。次に、前記スラリーを集電体302上に塗布し、ホットプレートまたはオーブンなどを用いて乾燥させる。SBRなどの水系バインダを用いる場合には、乾燥は50°C程度で行うことができる。また、PVdF、ポリイミドなどの有機系バインダを用いる場合には、乾燥は120°C程度で行うことが好ましい。その後、所望の形状に打ち抜き、本乾燥を行う。本乾燥は170°Cで10時間程度行うことが好ましい。このようにして集電体302上にスラリー層304が形成される。集電体302としては、例えば、銅箔、チタン箔、ステンレス箔などを用いることができる。また、集電体302の形状も特に限定されず、箔状、板状または網状などを用いることができる。以上説明した本実施の形態の電極300は、集電体302上にスラリー層304が設けられており、フッ素を含む電解液例えば、LiPF6を溶解させた電解液を用いた場合であっても、サイクル特性を良好なものとすることが可能である。実施の形態4本実施の形態では、本発明の一態様である蓄電装置について説明する。本実施の形態の蓄電装置は、実施の形態1乃至実施の形態3の電極を負極として採用した二次電池またはキャパシタである。図5Aは、本実施の形態の二次電池である蓄電装置400の平面図を示し、図5Bは、図5Aの一点鎖線A-Bの断面図を示す。図5Aに示す蓄電装置400は、外装部材402の内部に蓄電セル404を有し、蓄電セル404に接続された端子部406及び端子部408を有する。外装部材402としては、高分子フィルム、金属フィルム、金属ケースまたはプラスチックケースなどを用いることができる。図5Bに示すように、蓄電セル404は、負極412、正極414、負極412と正極414の間に設けられたセパレータ416、及び外装部材402によって囲まれた空間に充填された電解質418により構成されている。負極412は、負極集電体420及び負極活物質層422を有する。負極集電体420及び負極活物質層422は、実施の形態1乃至実施の形態3で説明したものを用いることができる。正極414は、正極集電体424及び正極活物質層426を有する。負極活物質層422は、負極集電体420の一方の面または双方の面に設けられている。正極活物質層426は、正極集電体424の一方の面または双方の面に設けられている。また、負極集電体420は、端子部408に接続されている。また、正極集電体424は、端子部406に接続されている。また、端子部406及び端子部408のそれぞれの一部は、外装部材402の外側に露出されている。なお、本実施の形態では、蓄電装置400の一例として、パウチされた薄型蓄電装置を示しているが、これに限定されない。蓄電装置400の一例としては、ボタン型蓄電装置、円筒型蓄電装置または角型蓄電装置などの様々な形状の蓄電装置を用いることができる。なお、蓄電装置400の構成については、正極、負極、及びセパレータが積層された構造に限定されず、正極、負極、及びセパレータが捲回された構造であってもよい。正極集電体424の材料としては、アルミニウムまたはステンレスなどを用いればよい。正極集電体424の形状は特に限定されず、箔状、板状または網状であってもよい。正極活物質層426がリチウム含有金属酸化物層であると、二次電池の放電容量が高く、安全性が高い。そのため、正極活物質層426の材料としては、例えば、LiFeO2、LiCoO2、LiNiO2、LiMn2O4、LiFePO4、LiCoPO4、LiNiPO4またはLiMn2PO4などを用いることができる。または、その他のリチウム化合物を材料として用いてもよい。なお、キャリアイオンが、リチウム以外のアルカリ金属イオンまたはアルカリ土類金属イオンの場合、正極活物質層426として前記リチウム化合物のリチウムに代えて、アルカリ金属例えば、NaやKなど、またはアルカリ土類金属例えば、Be、Mg、Ca、Sr、Baなどを用いることもできる。電解質418の溶質は、キャリアイオンであるリチウムイオンを移送可能であり、リチウムイオンが安定に存在する材料を用いる。電解質418の溶質としては、LiAsF6、LiBF4、LiPF6、LiC2F5SO22Nなどを例示することができる。なお、キャリアイオンが、リチウム以外のアルカリ金属イオンまたはアルカリ土類金属イオンの場合には、電解質418の溶質として、フッ素を含むナトリウム塩、フッ素を含むカリウム塩などのフッ素を含むアルカリ金属塩、またはフッ素を含むベリリウム塩、フッ素を含むマグネシウム塩、フッ素を含むカルシウム塩、フッ素を含むストロンチウム塩、フッ素を含むバリウム塩等のフッ素を含むアルカリ土類金属塩などを適宜用いることができる。また、電解質418の溶媒としては、リチウムイオンを移送可能な材料を用いる。電解質418の溶媒としては、非プロトン性有機溶媒が好ましい。非プロトン性有機溶媒としては、フルオロエチレンカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、γーブチロラクトン、アセトニトリル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフランなどを例示することができ、これらを単一の溶媒として用いてもよいし、混合させて用いてもよい。また、電解質418の溶媒としてゲル化される高分子材料を用いると、漏液を防止することができ、安全性を高めることができる。また、漏液を防止する構造を簡略化することができ、蓄電装置400の薄型化及び軽量化が可能である。ゲル化される高分子材料の代表例としては、シリコンゲル、アクリルゲル、アクリロニトリルゲル、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、フッ素系ポリマーなどがある。なお、本発明の一態様の蓄電装置では、電解質418にはフッ素を含む材料を用いるものとする。セパレータ416は、多孔質構造の絶縁物を用いればよい。セパレータ416の材料としては、セルロース紙、ポリエチレン、ポリプロピレンなどが例示することができる。または、本発明の一態様である蓄電装置は、リチウムイオンキャパシタであってもよい。本発明の一態様である蓄電装置をリチウムイオンキャパシタとする場合には、図7Bに示す二次電池の正極活物質層426に代えて、リチウムイオン及びアニオンの少なくともいずれか一方を可逆的に吸蔵できる材料を用いればよい。蓄電装置をキャパシタとする場合の正極活物質層426の材料としては、活性炭、導電性高分子、ポリアセン有機半導体PASを例示することができる。本実施の形態の蓄電装置は、電解液の溶媒にフッ素が含まれている場合であっても、充放電の繰り返しによる劣化を防止することができ、サイクル特性を向上させることができる。従って、長寿命化が可能である。実施の形態5本実施の形態では、実施の形態1乃至実施の形態3の電極を用いた蓄電装置、すなわち実施の形態4の蓄電装置の適用例を示す。図6は、電動式の車椅子500の斜視図である。電動式の車椅子500は、使用者が座る座部502と、座部502の後方に設けられた背もたれ504と、座部502の前下方に設けられたフットレスト506と、座部502の左右に設けられたアームレスト508と、背もたれ504の上部後方に設けられたハンドル510と、を有する。アームレスト508の一方には、車椅子の動作を制御するコントローラ512が設けられている。座部502前下方には一対の前輪516が、座部502の下方のフレーム514を介して設けられており、座部502の後下方には一対の後輪518が設けられている。後輪518は、モータ、ブレーキ及びギアなどを有する駆動部520に接続されている。座部502の下方には、バッテリー、電力制御部または制御手段などを有する制御部522が設けられている。制御部522は、コントローラ512及び駆動部520と接続されており、使用者によるコントローラ512の操作により、制御部522により駆動部520が駆動し、電動式の車椅子500の前進、後進及び旋回などの動作及び速度が制御される。実施の形態4の蓄電装置400を制御部522のバッテリーに用いることができる。制御部522のバッテリーは、プラグイン技術による外部から電力供給により充電をすることが可能である。図7Aは、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機530は、筐体532に表示部534が組み込まれている。筐体532は、さらに操作ボタン536、操作ボタン544、外部接続ポート538、スピーカー540、及びマイク542等を備えている。また、蓄電装置546は筐体532内に配置されており、外部接続ポート538より充電を行える。蓄電装置546に、実施の形態4で説明した蓄電装置400を適用することができる。図7Bは、電子書籍用端末の一例を示している。電子書籍用端末550は、第1の筐体552及び第2の筐体556の2つの筐体で構成されて、2つの筐体が軸部554により一体にされている。第1の筐体552及び第2の筐体556は、軸部554を軸として開閉動作を行うことができる。第1の筐体552には第1の表示部558が組み込まれ、第2の筐体556には第2の表示部560が組み込まれている。その他、第2の筐体556に、操作ボタン562、電源566、及びスピーカー564等を備えている。また、蓄電装置568は第2の筐体556内に内蔵されており、電源566より充電が可能である。蓄電装置568に、実施の形態4で説明した蓄電装置400を適用することができる。以上、本実施の形態にて例示したように、本発明の一態様である蓄電装置は様々な機器に適用することができる。本実施例では、実施の形態1で説明した本発明の一態様である電極を負極とした実施の形態4の二次電池についてサイクル特性を測定した。以下、この結果について説明する。まず、本実施例の負極となる電極の集電体102としては、Ti箔が用いられる。集電体102上の活物質層104に設けられたシリコン層106としては、リンを含むシリコン層が用いられる。活物質層104に設けられたフッ素を含む薄膜層108としては、フッ素を含む酸化シリコン層が用いられる。本実施例の電極の作製方法について以下に説明する。まず、Ti箔上にリンを含むシリコン層を1μmの厚さで形成する。リンを含むシリコン層は、シランガスの流量を60sccm、0.5ホスフィンガス水素ガス希釈の流量を110sccmとし、処理室内の圧力を153Pa、RF電源周波数を60MHz、RF電源の電力を100W、パルス周波数20kHz、デューティー比70として、平行平板型のプラズマ処理装置を用いて形成した。なお、ここでは、上部電極のヒーターの温度を400°C、下部電極のヒーターの温度を500°C、処理室のチャンバー壁を115°Cとし、上部電極と下部電極の間隔を20mmとした。次に、リンを含むシリコン層上にフッ素を含む薄膜層を形成する。フッ素を含む薄膜層は、フッ化シランガスの流量を60sccm、一酸化二窒素ガスの流量を1000sccm、アルゴンガスの流量を1000sccm、とし、処理室内の圧力を153Pa、RF電源周波数を60kHz、RF電源の電力を800Wとして、平行平板型のプラズマ処理装置を用いて形成した。なお、ここでは、上部電極のヒーターの温度を550°C、下部電極のヒーターの温度を500°C、処理室のチャンバー壁を115°Cとし、上部電極と下部電極の間隔を10mmとした。なお、ここで、フッ素を含む薄膜層の堆積速度は、約1nm/min.であり、該フッ素を含む薄膜層には、水素が1.3×1019atomscm-3以下、フッ素が1.0×1020atomscm-3以上、酸素が1.0×1022atomscm-3以上含まれるようにした。なお、ここで、フッ素を含む薄膜層を形成する際の上部電極と下部電極の間隔は10mmとしたが、これは、上部電極と下部電極の間隔を10mmとすると、フッ素を含む薄膜層中のフッ素は均一に分布しているからである。図10は、上部電極と下部電極の間隔を10mmとしたときのフッ素、水素、窒素、炭素、酸素及びシリコンのSIMS分析結果を示す。図11は、上部電極と下部電極の間隔を7mmとしたときのフッ素、水素、窒素、炭素、酸素及びシリコンのSIMS分析結果を示す。図11と図10を比較すると明らかなように、上部電極と下部電極の間隔を7mmとしたときよりも上部電極と下部電極の間隔を10mmとしたときのほうが、フッ素が均一に分布している。そして、電極として前記電極を用い、参照電極としてLi金属箔を用い、セパレータとしてポリプロピレンを用い、電解液としてエチレンカーボネートとジエチルカーボネートを1:1で混合した混合液に、LiPF6を1mol混合させたものを用いてコインセルを作製した。上記のようにして作製した二次電池を充放電測定機により測定した。充放電の測定には定電流方式を採用し、初回充電時の電流は0.05mAとし、その後の充電時の電流は0.15mAとし、上限電圧を1.0V、下限電圧を0.03Vとして行った。本実施例では、コインセルは4種類作製した。すなわち、フッ素を含む薄膜層の厚さが7nmの第1のコインセルと、フッ素を含む薄膜層の厚さが11nmの第2のコインセルと、フッ素を含む薄膜層の厚さが41nmの第3のコインセルと、フッ素を含む薄膜層が設けられていない第4のコインセルである。フッ素を含む薄膜層の厚さは、同じ条件でシリコンウェハー上に形成したものを分光エリプソメータにて測定したものである。これら4種類のコインセルのサイクル特性の測定結果の比較を図8に示す。図8によれば、第1のコインセルフッ素を含む薄膜層の厚さが7nmで、サイクル特性が最も高いことがわかる。また、第2のコインセルでは、第4のコインセルよりもサイクル特性が低いことがわかる。なお、二次電池の放電容量を算出する際には、活物質層の体積を厚さ1.0μm、直径12mmとして計算した。また、図9には、フッ素を含む薄膜層の厚さがそれぞれ異なる複数のサンプルについてサイクル特性を測定した結果を示す。ここで、図9に示すフッ素を含む薄膜層の厚さは、0nm、4.7nm、5.37nm、5.94nm、6.8nm、7.46nm、8.43nm、11.3nmとした。フッ素を含む薄膜層の厚さは、同じ条件でシリコンウェハー上に形成したものを分光エリプソメータにて測定したものである。劣化率は、2回目の充放電と15回目の充放電時のリチウム放出容量の差から算出した。なお、二次電池の活物質層の質量は、直径12mmのTiシート上に形成した膜をそれぞれ測定して算出したため、この質量は、フッ素を含む薄膜層を含むものである。この質量を用いて放電容量mAh/gを算出した。図9によれば、6.8nmのときに最も劣化率が低いといえる。図8及び図9によれば、フッ素を含む薄膜層は、0nmより大きく10nm以下程度であればよく、好ましくは4nm以上9nm以下程度であり、最も好ましくは7nmである。フッ素を含む薄膜層の厚さを前記範囲とすることで、サイクル特性が高く、劣化率が低い二次電池を得ることができる。