"互いに離隔される第1及び第2金属層を含む複数の金属層と、前記複数の金属層の間の上に前記複数の金属層間の間隔より広い幅を有し付着される第1絶縁フィルムと、前記複数の金属層のうち少なくとも一層上に配置されて前記第1及び第2金属層と電気的に接続される発光チップと、前記複数の金属層のうち少なくとも一層、前記第1絶縁フィルム及び前記発光チップ上に配置される樹脂層と、を含み、前記第1金属層は前記発光チップが配置される第1ベース部と、前記第1ベース部の外枠部に前記第1ベース部から折曲される第1サイド部と、を含む発光素子。前記複数の金属層のうち第2金属層は、前記第1金属層の第1ベース部に対応される第2ベース部と、前記第2ベース部の外枠部に前記第2ベース部から前記第1サイド部と対応するように折曲される第2サイド部と、を含む請求項1に記載の発光素子。前記第1金属層の第1サイド部または前記第2金属層の第2サイド部は、前記樹脂層の上面より高く突出される請求項2に記載の発光素子。前記第1金属層の第1サイド部または前記第2金属層の第2サイド部は前記発光チップの縁に配置される請求項2または3に記載の発光素子。前記第1金属層の第1サイドから折曲される第1外枠部と、前記第2金属層の第2サイド部から折曲される第2外枠部と、を含み、前記第1及び第2外枠部は前記第1及び第2ベース部の延長線に対して平行に配置される請求項2乃至4のうち何れか一項に記載の発光素子。前記第1金属層及び前記第2金属層の外枠部の上面の縁に第2絶縁フィルムを含む請求項1乃至5のうち何れか一項に記載の発光素子。前記第1金属層の第1ベース部及び前記第2金属層の第2ベース部の上面の縁に配置されてオープン領域を有する第2絶縁フィルムを含み、前記第2絶縁フィルムは、前記第1絶縁フィルムと接続される請求項5項に記載の発光素子。前記第2絶縁フィルムの上に前記第2絶縁フィルムの厚さ方向に突出するガイド部材を含む請求項6または7に記載の発光素子。前記ガイド部材は、樹脂物質または金属材質を含む請求項8に記載の発光素子。前記第1金属層の第1サイド部及び前記第2金属層の第2サイド部は前記発光チップより低い領域にて互いに対向するように配置され、前記第1金属層及び前記第2金属層の外枠部の上面の縁に第2絶縁フィルムを含む請求項2または3に記載の発光素子。前記複数の金属層の内側部は、外枠部より低い深さを有するキャビティを含む請求項2または3に記載の発光素子。前記キャビティの縁に前記第1金属層と前記第2金属層の内側部に対して斜めとなる傾斜部を含む請求項11に記載の発光素子。前記複数の金属層は、第1金属層と前記第2金属層の間に第3金属層を含み、前記発光チップは前記第3金属層の上に配置され前記第1及び第2金属層とワイヤで接続される請求項11に記載の発光素子。前記第1絶縁フィルムは、PIポリイミドフィルム、PETポリエチレンテレフタレートフィルム、EVAエチレンビニルアセテートフィルム、PENポリエチレンナフタレートフィルム、TACトリアセチルセルロースフィルム、PAIポリアミド-イミド、PEEKポリエーテル-エーテル-ケトン、パーフルオロアルコキシPFA、ポリフェニレンサルファイドPPS、樹脂フィルムのうち少なくとも一つを含む請求項11に記載の発光素子。前記樹脂層の上部において発光チップの方向に凹む凹部を備え、前記凹部は反射物質を含む請求項1に記載の発光素子。前記ガイド部材は、Ag、Al、Cu、Au、Ag-alloy、Al-alloy、Cu-alloy、Au-alloyのうち少なくとも一つを含む請求項8に記載の発光素子。本発明の実施形態は、新たなタイプの発光素子及びそれを備える照明システムを提供する。本発明の実施形態は、外側が折曲される金属層を支持する絶縁フィルムと前記期複数の金属層に電気的に接続される発光チップを含む発光素子及びそれを備える照明システムを提供する。本発明の実施形態は、発光チップの縁にガイド部材及びその内部に樹脂層を配置する発光素子及びそれを備える照明システムを提供する。本発明の実施形態による発光素子は、互いに離隔される第1及び第2金属層を含む複数の金属層と、前記複数の金属層の間の上に前記複数の金属層間の間隔より広い幅を有し付着される第1絶縁フィルムと、前記複数の金属層のうち少なくとも一層上に配置されて前記第1及び第2金属層と電気的に接続される発光チップと、前記複数の金属層のうち少なくとも一層、前記第1絶縁フィルム及び前記発光チップ上に配置される樹脂層を含め、前記第1金属層は前記発光チップが配置される第1ベース部と、前記第1ベース部の外枠部に前記第1ベース部から折曲される第1サイド部と、を含む。本発明の実施形態において、前記複数の金属層のうち第2金属層は前記第1金属層の第1ベース部に対応される第2ベース部、及び前記第2ベース部の外枠部に前記第2ベース部から前記第1サイド部と対応になるように折曲される第2サイド部を含む。本発明の実施形態において、前記第1金属層の第1サイド部または前記第2金属層の第2サイド部は前記樹脂層の上面より高く突出される。本発明の実施形態において、前記第1金属層の第1サイド部または前記第2金属層の第2サイド部は前記発光チップの縁に配置される。本発明の実施形態において、前記第1金属層の第1サイドから折曲される第2外枠部と、前記第2金属層の第2サイド部から折曲される第2外枠部と、を含め、前記第1及び第2外枠部は前記第1及び第2ベース部の延長線に対して変更に配置される。本発明の実施形態において、前記第1金属層及び前記第2金属層の外枠部の上面の縁に第2絶縁フィルムを含む。本発明の実施形態において、前記第1金属層の第1ベース部及び前記第2金属層の第2ベース部の上面の縁に配置されてオープン領域を有する第2絶縁フィルムを含め、前記第2絶縁フィルムは前記第1絶縁フィルムと接続される。本発明の実施形態において、前記第2絶縁フィルムの上に前記第2絶縁フィルムの厚さ方向に突出されるガイド部材を含む。本発明の実施形態において、前記ガイド部材は樹脂物質または金属材質を含む。本発明の実施形態において、前記第1金属層の第1サイド部及び前記第2金属層の第2サイド部は前記発光チップより低い領域にて互いに対応されるように配置され、前記第1金属層及び前記第2金属層の外枠部の上面の縁に第2絶縁フィルムを含む。本発明の実施形態において、前記複数の金属層の内側部は外枠部より低い深さを有するキャビティを含む。本発明の実施形態において、前記キャビティの縁に前記第1金属層と前記第2金属層の内側部に対して斜めの傾斜部を含む。本発明の実施形態において、前記複数の金属層は第1金属層と前記第2金属層の間に第3金属層を含め、前記発光チップは前記第3金属層の上に配置されて、前記第1及び第2金属層とワイヤで接続される。本発明の実施形態において、前記第1絶縁フィルムはPIポリイミドフィルム、PETポリエチレンテレフタレートフィルム、EVAエチレンビニルアセテートフィルム、PENポリエチレンナフタレートフィルム、TACトリアセチルセルロースフィルム、PAIポリアミド-イミド、PEEKポリエーテル-エーテル-ケトン、パーフルオロアルコキシPFA、ポリフェニレンサルファイドPPS、樹脂フィルムのうち少なくとも一つを含む。本発明の実施形態において、前記樹脂層の上部に発光チップ方向に凹む凹部及び前記凹部に反射物質を含む。本発明の実施形態は、テープ型の発光素子を提供することができる。本発明の実施形態は、パッケージ本体を用いなくて絶縁フィルムを介して金属層を支持する発光素子を提供することができる。本発明の実施形態は、発光素子の製造工程を改善させることができる。本発明の実施形態は、発光素子の厚さを減らすことができる。実施形態は、凹むキャビティまたは光遮断部を備える金属層を提供することによって、発光素子の光抽出効率を改善させることができる。本発明の実施形態は、発光素子の信頼性を改善させることができる。本発明の実施形態は、発光素子の小型化及び集積化を改善させることができる。本発明の実施形態は、発光素子及びそれを備える照明システムにおいての放熱効率を改善させることができる。実施形態の説明に当たって、各層膜、領域、パターン又は構造物が基板、各層膜、領域、パッド又はパターンの上onに又は下underに形成されると記載される場合、上onと下underは、直接directly又は他の層を介在してindirectly形成されることをすべて含む。また、各層の上又は下に対する基準は、図面を基準として説明する。図において各層の厚さや大きさは、説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、又は概略的に示された。また、各構成要素の大きさは、実際の大きさを全的に反映するのではない。以下、添付された図面を参照して、説明する。図1は、第1実施形態に係る発光素子を示す斜視図で、図2は、図1に示すA-Aから見た側断面図である。図1及び図2を参照すると、発光素子100はキャビティA1を形成する複数の金属層111、113と、前記複数の金属層111、113の境界部に配置される絶縁フィルム121と、前記複数の金属層111、113のうち何れか一つの金属層111の上に配置される発光チップ145と、前記発光チップ145をモールディングする樹脂層161を含む。前記複数の金属層111、113は少なくとも2個を含め、少なくとも2個の金属層111、113は互いに離隔されて物理的に離隔されるように配置される。前記金属層111、113は好ましくは、リードフレームのような金属プレートで具現されることができる。前記複数の金属層111、113は鉄Fe、銅Cu、Fe-Niのように鉄Feを含む合金alloy、アルミニウムAlまたはアルミニウムを含む合金類、またはCu-Ni、Cu-Mg-Snのように銅Cuを含む合金で形成されることができる。また前記金属層111、113は単層または多層に形成されることができる。前記金属層111、113の上面または/及び下面にはアルミニウムAl、銀Ag、金Auのような反射層またはボンディング層が形成されることができる。前記金属層111、113がリードフレームで具現される場合、機械的な強度が強く、熱伝導性が大きく、熱膨張係数が大きく、加工性が良好であり、曲げ動作を繰り返すときに損失がほぼなく、メッキと半田付けが容易であるという特性がある。前記第1金属層111と前記第2金属層113の表面には酸化防止コーティング層を形成することができ、これに対して限定するものではない。前記金属層111、113の厚さは実質的に15μm~300μmの厚さで形成されることができ、この厚さは好ましくは15μm~50μmの範囲に形成されることができて、発光素子全体を支持する支持フレームとして働き、また発光チップ41から生じる熱を伝導する放熱部材として動作することができる。前記金属層111、113は別途の本体、例えばPPAPolyphthalamideのような樹脂系の本体で金属層を固定する構造を使用しなくて、前記金属層111、113の一部を曲面形状や予め設定の角度に折曲させて使用することができる。前記複数の金属層111、113は内側にキャビティA1を備えて、前記キャビティA1は金属層111、113の外側上面に対して所定深さH1、例えば、350μm以上の深さに形成されることができる。前記複数の金属層111、113は第1金属層111と第1金属層113を含め、前記第1金属層111と前記第2金属層113は金属層のウエハに対してエッチングするかカッティングする工程を介して各々分割される。前記第1金属層111と前記第2金属層113の内側部領域に形成されるキャビティA1は上部が開放される形態である。前記キャビティA1は上部から見ると、多角形状、または円形状を含む。また前記第1金属層111と前記第2金属層113の内側部に形成されるキャビティA1は上部以外に他の側面領域がさらに開放されることができ、これに対して限定するものではない。前記第1金属層111と前記第2金属層113の間に対応される領域は分離部119によって物理的に離隔される。前記分離部119は例えば、Z軸方向のようにライン形状に形成されるか、多角形状に形成されることができる。前記分離部119は前記第1及び第2金属層111,113の間に一定の幅または領域によって異なる幅に形成されるか、ライン形状または屈曲の形状に形成されることができ、これに対して限定するものではない。前記第1金属層111と前記第2金属層113との間の間隔は10μm以上離隔されることができ、この間隔は二つの金属層111、113間の短絡や電気的な干渉を防止することができる距離である。前記第1金属層111または前記第2金属層113の外形状は多角形状であることができ、他の例として球面形状を含むことができる。第1金属層111はベース部111A、サイド部側部111B、及び外枠部111Cを含め、前記第2金属層1113はベース部113A、サイド部113B、及び外枠部113Cを含む。前記各の金属層111、113はZ軸方向の長さがX軸方向の幅よりは大きく形成されることができる。前記第1及び第2金属層111、113のベース部111A、113Aはボードboardの上にボンディングされるボンディング部であることができ、電源を各々供給することができる。前記第1金属層111のベース部111Aの上には前記発光チップ145が搭載され、前記発光チップ145は前記第1金属層111のベース部111Aに台ボンディングされて電気的に接続されて、第2金属層113とワイヤ152に接続されることができる。前記第1金属層111のサイド部111Bと前記第2金属層113のサイド部113BはキャビティA1のZ軸方向及びX軸方向を基準に互いに対向されるように形成される。前記第1金属層111のサイド部111Bと前記第2金属層113のサイド部113Bは前記発光チップ145の縁に斜めの面に対応される。前記第1金属層111のZ軸方向の両サイド部111Bは互いに対向され、第2金属層113のZ軸方向の両サイド部113Bは互いに対向される。図2のように、前記第1及び2金属層111、113のサイド部111B、113Bは前記ベース部111A、113Aの延長線上から所定角度131287387232401、例えば、実質的に15~90°の角度で斜めに延長されることができる。前記第1及び第2金属層111、113の外枠部111C、113Cは前記各サイド部111B、113Bから外側方向に水平に延長されることができる。前記第1金属層111の外枠部111Cと前記第2金属層113の外枠部113Cは前記発光チップ145に搭載されるベース部111A、113Aの延長線上に対して平行に配置される。前記第1及び第2金属層111、113の外枠部111C、113Cは発光素子100のベース部111A、113Aから離隔されているため、所定の外部空間S1が形成され、前記外部空間S1はサイド部111B、113Bから伝導される熱を効果的に放熱することができる。前記第1及び第2金属層111、113の外枠部111C、113Cは前記ベース部111A、113Aから段差を有するように形成され、発光素子100の外側縁に多角形状の枠を有する上面を提供することができる。実施形態においてキャビティA1の形状は多角形ではない円形状に提供されていることができるが、これに対して限定するものではない。前記第1及び第2金属層111、113の上面、下面、側面のうち少なくとも一つには凹凸構造に形成されることができ、前記凹凸構造は金属層111、113の表面積を増加させることになり、放熱効率を改善させることができる。絶縁フィルム121は前記第1金属層111及び前記第2金属層113の上面に付着される。絶縁フィルム121は前記第1金属層111と前記第2金属層113が対応される領域の上面に付着されることができる。前記絶縁フィルム121は、例えば隣接の二つの金属層111、113の分離部19より大きい幅を有し前記金属層111、113の上面に付着され、金属層111、113の間隔を予め定められた間隔に維持させて、金属層111、113を支持及び固定する。前記絶縁フィルム121は金属層111、113間に配置される分離部119をカバーし、この場合前記分離部119を介して樹脂層161を形成する過程にて液状の樹脂物が漏洩されることを防止することができる。前記絶縁フィルム121は金属層111、113のサイド部111B、113B、及び外枠部111C、113Cまで延長されることができる。前記絶縁フィルム121の幅W1は前記第1金属層111と前記第2金属層113間の間隔または分離部119より広い幅に形成されることができ、例えば数十μm以上好ましくは、20μm以上の幅に接着されることができる。前記絶縁フィルム121は透光性または非透光性フィルムを含め、例えば、PIポリイミドフィルム、PETポリエチレンテレフタレートフィルム、EVAエチレンビニルアセテートフィルム、PENポリエチレンナフタレートフィルム、TACトリアセチルセルロースフィルム、PAIポリアミド-イミド、PEEKポリエーテル-エーテル-ケトン、パーフルオロアルコキシPFA、ポリフェニレンサルファイドPPS、樹脂フィルPE、PP、PETなどを含むことができる。前記絶縁フィルム121と前記金属層111、113間には接着層が形成されることができ、前記接着層は絶縁フィルム121を前記金属層111、113上に付着させることができる。また前記絶縁フィルム121は両面または単面接着テープを含むことができる。前記絶縁フィルム121は所定の反射率、例えば、30以上の反射率を有することができ、このような反射特性は素子内部においての表面反射効率を改善させることができる。また前記絶縁フィルム121は光学的な機能を含むことができる。ここで、前記光学的機能は50以上の透過率を有する透光性フィルムを含め、好ましくは70以上の透過率を有するフィルムを含む。前記絶縁フィルム121は蛍光体を含むことができ、前記蛍光体は前記絶縁フィルム121の上面または下面に塗布されるか、内部に添加されることができる。前記蛍光体の種類はYAG系、シリケート系、室化物系の蛍光体のうち少なくとも一つを含むことができ、その発光波長は赤色、黄色、緑色などのような可視光線系を含むことができる。また前記絶縁フィル121は蛍光体フィルムで具現されることができ、前記蛍光体フィルムは前記発光チップ145から放出される光を吸収して他の波長の光を発光する。また前記絶縁フィルム121は耐湿性フィルムを含むことができ、この耐湿性フィルムは湿気が浸透することを抑制し、第1金属層111と第2金属層113の酸化防止及び短絡を防止することができる。前記絶縁フィルム121はフィルム類で形成されることができ、その表面例えば上面、下面、または外側面の一部が所定の凹凸パターンで形成されることができ、これに対して限定するものではない。前記絶縁フィルム121の厚さは前記金属層111、113の厚さT1より少なくとも厚くまたはその以上に形成されることができ、例えば30μm~500μmの厚さに形成されることができ、好ましくは40μm~60μmの厚さに形成されることができる。前記発光チップ145は前記第1金属層111の上に配置され、前記第1金属層111と第2金属層113に電気的に接続されることができる。前記発光チップ145は、赤色、緑色、青色、白色などの光を放出する可視光線帯域の発光ダイオードであるか紫外線UltraViolet帯域の発光ダイオードに具現されることができるが、これに限定されるものではない。前記発光チップ145は二つの電極が平行に配置される水平型チップ、または二つの電極が互いに反対側面に配置される垂直型チップに具現されることができる。前記水平型チップは少なくとも2個のワイヤに接続されることができて、垂直型チップは少なくとも1個のワイヤ152に接続されることができる。図1及び図2は、垂直型チップを例に挙げて示し、これに対して限定するものではない。前記発光チップ145は前記第1金属層111に伝導性接着剤で接着されることができる。ここで、前記発光チップ145の下部に電極が配置される場合、伝導性接着剤で付着され、第1金属層111と電気的に接続されることができる。前記発光チップ145は第1金属層111にダイボンディングされて、第2金属層113とワイヤ152で接続されることができる。また前記発光チップ145はフリップチップflipchipなどで前記第1金属層111と第2金属層113に電気的に接続されることができる。前記発光チップ145は第1金属層111上に配置された例に説明したが、第2金属層113の上に配置されることができ、これに対して限定するものではない。ここで、前記発光チップ145は80μmの厚さ以上に形成されることができ、前記ワイヤ152の頂点は前記発光チップ145の上面から100μm以上に離隔されるように配置されることができる。前記発光チップ145の上面には蛍光体層がコーティングされることができ、前記蛍光体層は前記発光チップ145の上面の内に形成されることができる。保護素子は前記第1金属層111と前記第2金属層113のうち少なくとも一つ上または下に配置される。前記保護素子はツェナーダイオードまたはTVStransientvoltagesuppressorダイオードのような種類の素子で配置されることができ、前記発光チップ145と電気的に接続されることができて、前記発光素子145を回路的に保護する。前記保護素子は第1及び第2金属層111、113に接続されて前記発光チップ145と並列に接続され、前記発光チップ145に印加される異常な電圧から前記発光チップ145を保護する。このような保護素子を備えないこともある。樹脂層161は第1及び第2金属層111、113のキャビティA1の領域に形成され、前記発光チップ145を密封する。前記樹脂層161は透光性樹脂系の物質を含め、例えばシリコンまたはエポキシを含むことができる。前記樹脂層161は80μm~500μmの厚さに形成されることができ、単層または多層に形成されることができ、多層である場合何れか一層は80μmより薄い厚さに形成されることができる。前記樹脂層161は多層である場合同一物質または他の物質で積層されることができ、また硬度が低い物質から硬度が高い物質の順に順次的に積層されるか、屈折率が高い物質から屈折率が低い物質の順に順次的に積層されることができる。前記樹脂層161は蛍光体を含むことができ、前記蛍光体は黄色、緑色、赤色などのような可視光線帯域の蛍光体を少なくとも一つ含むことができる。前記樹脂層161は透光性樹脂層と蛍光体層に区分されて積層されることができる。前記樹脂層161の上/下には蛍光体フィルム例えば、光励起フィルムPLFが配置されることができ、これに対して限定するものではない。前記樹脂層161の上面は図2の側断面図から見ると、フラットな面に形成されることができる。前記樹脂層161の上面は他の例といて、凹レンズ形状または凸レンズ形状を含むことができる。前記樹脂層161は前記第1及び第2金属層111、113の外側部111C、113Cの上に配置されることができ、これに対して限定するものではない。前記樹脂層161の上にはレンズが形成されることができ、前記レンズは凸レンズ形状、凹レンズ形状、凸と凹が混ざり合ったレンズ形状を含むことができ、また前記樹脂層161の上面に接触されるか離隔されることができ、これに対して限定するものではない。図3~図8は、図1に示す発光素子の製造過程を示す図である。図3を参照すると、金属層110は図1に示すように一つの発光素子を製造することができる大きさであるか、第1方向横または縦に配列される複数の発光素子を製造できるバー形状棒状の大きさに形成されるか、横及び縦方向に配列される複数の発光素子を製造できるマトリックス形態の大きさに形成されることができる。前記の複数の発光素子に製造される金属層は個別発光素子または2個以上の発光素子単位にカッティングして使用することができる。以下、実施形態の説明のために1個の発光素子を製造する金属層を説明する。前記金属層110は、好ましくは、リードフレームのような金属プレートで具現されることができ、その物質とは鉄Fe、銅Cu、Fe-Niのように鉄Feを含む合金alloy、またはアルミニウムAlまたはアルミニウムを含む合金類、またはCu-Ni、Cu-Mg-Snのように銅Cuを含む合金で形成されることができる。また前記金属層10は単層または多層金属に形成されることができて、その上面または/及び下面にはアルミニウムAl、銀Ag、金Au、半田レジストなどのような反射層またはボンディング層が形成されることができる。この金属層のメッキ過程やコーティング過程は絶縁フィルムの形成の前または後に行うことがある。前記金属層110の厚さは均一な厚さで形成されることができ、例えば、実質的に15μm~300μmの厚さで形成されることができ、このような厚さは発光素子全体を支持する支持フレームとして働く。この支持フレーム構造は別当の本体、例えばPPAPolyphthalamideのような樹脂系の本体と金属層を射出成形する工程を使用しないことから、前記金属層110の一部を予め設定の角度に曲げて使用することができる。前記金属層110は図3Aのように所定大きさを有するフラットなプレートに対してプレス装備を用いて図3BのようなキャビティA1形状を形成させることができる。前記キャビティA1は上側に対して所定深さH1の段差を有する形状に形成されることができる。前記金属層110はベース部110A、サイド部110B、及び外枠部110Cを含め、前記ベース部110Aは前記金属層110のキャビティA1の底面を形成し、前記サイド部110Bは前記キャビティA1の縁をカバーするように前記ベース部110Aから所定角度131287387232411で斜めに延長され、前記外枠部110Cは前記サイド部110Bから外側方向に折曲される。前記金属層110のサイド部110Bは前記ベース部110Aのすべての側方向をカバーするか、両側方向をカバーし残りは開放したオープンされる構造に形成されることができる。前記金像層110のキャビティA1は多角形状に形成されることができ、この場合キャビティA1の下部幅は上部幅より狭い幅に形成されることができる。前記金属層110のキャビティA1は他の形状例えば、円形状、楕円形状などを含むことができ、これに対して限定するものではない。前記金属層110びキャビティA1は外枠部領域に比べて凹む埋め込み構造で形成されることができる。図3及び図4を参照すると、前記金属層110の上面には絶縁フィルム121が形成される。前記絶縁フィルム121は前記金属層110の上面から中央側第1方向に沿って付着され、前記金属層110のベース部110A、サイド部110B及び外枠部110Cに沿って配置されることができる。前記絶縁フィルム121は前記金属層110を分離するための領域の上面に沿って付着されることができる。前記絶縁フィルム121は前記金属層110上に接着層を塗布した後付着されることができる。前記絶縁フィルム121の接着過程は前記金属層110上に絶縁フィルム121を付着した後所定の温度でラミネーティング処理過程を介して接着させることができる。ここで、実施形態は金属層110の上に絶縁フィルム121を付着した構成に説明したが、絶縁フィルム121の上に金属層110を付着することができ、このような工程の順序は互いに変更されることができる。前記絶縁フィルム121は所定の厚さ例えば、30μm~500μmの厚さを有するか、前記金属層110の厚さ以上に形成されることができる。前記絶縁フィルム121は絶縁性フィルムとして、光学的機能、熱伝導性機能、耐湿性機能のフィルムを選択的に含むことができる。前記絶縁フィルム121は単面または両面接着テープのように接着層を有するフィルムで形成されることができる。前記絶縁フィルム121は透光性材質である場合、蛍光体または/及び散乱剤を含むことができる。前記蛍光体または散乱剤は前記絶縁フィルム121の表面に塗布されるか内部に添加されることができる。または前記絶縁フィルム121は所定の反射率例えば30以上の反射特性反射率を有するフィルム類を含むことができる。前記絶縁フィルム121は他の物質例えば、サファイアAl2O3、SiO2、SiOx、SiOxNyなどの酸化物または窒化物のような絶縁物質で印刷するか絶縁材料をコーティングすることができ、この場合硬化される絶縁フィルム121はフレキシブルであるか所定の粘度を有する材料で形成されることができる。前記絶縁フィルム1211の幅W1は少なくとも20μm以上に形成されることができ、この幅W1は分割される金属層を指示することができる程度の幅を有する。前記絶縁フィルム121の幅W1の一部は他の部分より広い幅に形成されることができる。前記絶縁フィルム121の長さは前記金属層110の何れか一辺の長さと実際的に同一長さに形成されることができ、これに対して限定するものではない。図4及び図5を参照すると、図4の金属層110は図5のように少なくとも2個の金属層111、113に分割されることができる。ここで、図4の金属層110を分割する過程は例えば、前記リードフレーム110のエッチング表面を活性化させた後、フォトレジストを塗布し露光を行う現像工程を含む。そして現像工程が完了されるとエッチング工程を介して要する領域を分割して前記フォトレジストを剥離する。以後、金属層の表面にAgメッキなどを行ってボンディング可能な表面に処理する。図4の金属層110を引っ繰り返した後、図5に示すような状態にて金属層の上面すなわち、前記絶縁フィルム121が付着される面の反対側面を介してエッチングを行って図5のような2個以上の金属層111、113に分割する。前記金属層111、113の分割領域は分離部119によって形成され、前記絶縁フィルム121の中央領域と重なる。ここで、前記絶縁フィルム121は分割される金属層111、113の境界部上面を互いに支持し、前記第1金属層111と第2金属層113の間の分離部119を一定に維持させる。前記第1金属層111と前記第2金属層113の間の分離部119はその間隔が10μm以上に形成されることができ、このような空間は絶縁フィルム121の幅W1未満に形成されることができる。実施形態は、前記絶縁フィルム121と分離部119をライン形態に示して説明したが、半球形状、多角形状、斜線形状、直線と曲線が混合した形状などに形成されることができ、これに対して限定するものではない。図6及び図7を参照すると、前記発光チップ145は前記第1金属層111の上に搭載され、前記第1金属層111と第2金属層113に電気的に接続されることができる。前記発光チップ145は二つの電極が平行に配置される水平型チップ、または二つの電極が互いに反対側面に配置される垂直型チップに具現されることができる。前記発光チップ145は前記第1金属層111に伝導性接着剤で接着されて第1金属層111と電気的に接続され、第2金属層113とワイヤ152で接続される。前記発光チップ145は、赤色、緑色、青色、白色などの光を放出する可視光線帯域の発光ダイオードであるか紫外線UltraViolet帯域の発光ダイオードに具現されることができるが、これに限定されるものではない。ここで、前記発光チップ145は80μmの厚さ以上に形成されることができ、前記ワイヤ152の頂点は前記発光チップ145の上面から40μm以上により高く配置されることができる。前記第1及び第2金属層111、113の内部に形成されるキャビティA1には樹脂層161が形成され、前記樹脂層161は透光性樹脂系の物質を含め、例えばシリコンまたはエポキシを含むことができる。前記樹脂層161は80μm~500μmの厚さに形成されることができ、単層または多層に形成されることができ、多層である場合何れか一層は80μmより薄い厚さに形成されることができる。前記樹脂層161は多層である場合同一物質または他の物質で積層されることができ、また硬度が低い物質から順次的に積層するか、屈折率が高い物質から積層されるか、この逆に積層されることができる。前記樹脂層161の上面の一部は前記絶縁フィルム121の上面より高く形成されることができる。また前記樹脂層161はワイヤ151を覆う高さに形成されることができ、これに対して限定するものではない。前記樹脂層161は蛍光体を含むことができ、前記蛍光体は黄色、緑色、赤色などのような可視光線帯域の蛍光体を少なくとも一つ含むことができる。前記樹脂層161は透光性樹脂層と蛍光体層に区分されて積層されることができる。前記樹脂層161の上/下には蛍光体フィルム例えば、光励起フィルムPLFが配置されることができ、これに対して限定するものではない。前記樹脂層161の上にはレンズが形成されることができ、前記レンズは凸レンズ形状、凹レンズ形状、凸と凹が混在するレンズ形状を含むことができ、これに対して限定するものではない。前記レンズは前記樹脂層161の上面に接触されるか離隔されることができ、これに対して限定しない。図8及び図9は、第2実施形態に係る発光素子の斜視図及びその側断面図である。前記第2実施形態を説明することにおいて、前記第1実施形態と同一部分は第1実施形態を参照する。図8及び図9を参照すると、発光素子は隣接の第1金属層111と第2金属層113の対応領域に第1絶縁フィルム122が配置され、前記第1金属層111と第2金属層113の上面縁に沿って第2絶縁フィルム122Aが配置される。前記第2絶縁フィルム122Aは前記第1絶縁フィルム122から延長され、前記第1金属層111と前記第2金属層113の外枠部111C、113Cの上面に沿ってリング形状または環形状に形成されることができる。前記第2絶縁フィルム122Aの幅W2は前記各の金属層111、113の外枠部111C、113Cと同一幅またはその以下に形成されることができる。前記第2絶縁フィルム122Aは前記第1絶縁フィルム122とともに前記二つの金属層111、113を支持及び固定させる。前記第1及び第2絶縁フィルム122、122Aは前記第1金属層111と前記第2金属層113の間のベース部111A、113A上面と外枠部111C、113C上面に付着され、二つの金属層111、113間の間隔を支持し固定させることができる。前記第2絶縁フィルム122Aは二つの金属層111、113の上面縁に形成されることによって、樹脂層161が溢れることを防止することができる。また前記樹脂層161の縁は前記第2絶縁フィルム122Aの上面より低い高さに形成されることができ、これに対して限定するものではない。前記絶縁フィルム122、122Aが絶縁性フィルム類で付着されるため前記の領域以外にも他の領域にもさらに付着されることができる。図10は、第3実施形態に係る発光素子を示す側断面図である。図10を参照すると、発光素子は第2絶縁フィルム122A上にガイド部材131が形成される。前記ガイド部材131は前記第2絶縁フィルム122Aの上面に沿って形成される。例えば、前記第2絶縁フィルム122Aと前記ガイド部材131はリング形状または環形状に形成され、樹脂層161の縁をカバーする。前記ガイド部材131は前記第2絶縁フィルム122Aの幅よりは狭い幅を有志前記第2絶縁フィルム122Aの厚さ方向に突出される。前記ガイド部材131は実質的に15μm~500μmの厚さで形成されることができ、前記絶縁フィルム122、122Aの厚さと同じであるかまたは異なることができる。前記ガイド部材131はプリント方式、コーティング方式、フィルム接着方式のうち何れか一つの方式を利用することができ、プリント方式はプリントする領域を除いた領域にマスキングを行った後スクリーンプリント方式に形成されることができ、コーティング方式は望む領域の上に反射物質で塗布して形成することができ、フィルム接着方式は反射シートのようなフィルム類で接着させて形成することができる。ここで、前記ガイド部材131及び前記絶縁フィルム122、122Aの材質はワイヤボンディングまたはリフロー工程に伴う熱特性を考慮して選択されることができる。前記ガイド部材131はプリント方式で形成されることができ、その材質は半田レジストsolderresistのような樹脂材質、半田ペーストsolderpasteなどのような伝導性材質を含む。前記半田レジストは白色として、入射される光を効果的に反射させることができる。また前記ガイド部材131はAg、Al、Cu、Au、Ag-alloy、Al-alloy、Cu-alloy、Au-alloyなどの高反射物質を選択的に含むことができ、この反射物質は単層または多層に形成されることができる。また前記ガイド部材131は金属シード層例えば、Ag、Al、Niなどのペースト上にメッキ工程を行って形成することができる。またガイド部材131は非金属材料を含むことができ、前記非金属材料は、白色樹脂例えば、二酸化チタニウムTiO2を有する樹脂材料、ガラス繊維GlassFiberを有する樹脂材料例:PPA、または高分子物質シリコン系、エポキシ系などを含むことができる。前記ガイド部材131が絶縁特性と反射特性を有する場合前記絶縁フィルムを別途に形成しなくてもよいが、これに対して限定するものではない。前記ガイド部材131は50以上の反射特性を有する金属または非金属材料を含むことができ、好ましくは90以上の反射特性を有する。一方、前記ガイド部材131が絶縁材質である場合、前記ガイド部材131は前記金属層111、113から離隔されるように形成されることができる。すなわち、前記ガイド部材131は電気的な短絡を防止するために前記第2絶縁フィルム122Aの上面を外さないように形成することができる。前記ガイド部材131は前記第1絶縁フィルム122の上にも延長されることができ、これに対して限定するものではない。前記ガイド部材131はリング形状または環形状を含め、連続的な形状または不連続的な形状を含む。ここで、不連続形状である場合、前記第1金属層111と第2金属層113のうち何れか一フレームに接触されることができる。前記ガイド部材131は反射部材またはダムの役割を果たす障壁部であることができ、前記絶縁フィルム122、122Aより反射特性がさらによい材質で形成されることができる。前記樹脂層161は前記ガイド部材131の内側面に接触される高さに形成されることができる。また前記樹脂層161の表面は凸形状に形成されることができ、これに対して限定するものではない。また前記金属層161は単層または多層に形成されることができ、その表面は凹部または/及び凸部を含むことができる。図11は、第4実施形態に係る発光素子を示す側断面図である。図11に示すように、発光素子は、第1金属層111の内側部にキャビティA1が形成され、前記第1金属層111の外枠部111Cのうちいずれか一側面には第2金属層113が対応される。前記第1金属層111のベース部111Aはボンディング領域になり、サイド部111Bは前記ベース部111Aから2側、3側または4側方向を介して斜めの構造に延長されることができ、外枠部111Cはサイド部111Bから延長される。前記第1金属層111の外枠部111Cのうち少なくとも一側部には第2金属層113が対応され、前記第1金属層111の外枠部111Cと前記第2金属層113の間の領域の上には第1絶縁フィルム122が形成される。前記第1絶縁フィルム122は第1金属層111と前記第2金属層113の境界部上面に付着されて2個の金属層111、113の間隔を維持させ支持する。前記第2金属層113の他端部はほぼ垂直に下方向に折曲されるサイド部113F及び水平のベース部113Gに延長される。前記第2金属層113のベース部113Gは第2電源を供給する端子として使用することができる。前記第2金属層113には前記第1金属層111のベース部111Aに配置される発光チップ145とワイヤ152で接続される。前記ワイヤ152は前記発光チップ145の上面から所定の高さの差を有して前記第2金属層113にボンディングされることができる。前記第1金属層111と前記第2金属層113の境界部は第1絶縁フィルム122が付着され、第1金属層111の外枠部111Cと前記第2金属層113の上面縁に第2絶縁フィルム122Aが付着される。前記第1絶縁フィルム122と前記第2絶縁フィルム122Aは互いに接続されることができる。前記第2絶縁フィルム122Aの上にはガイド部材131が形成され、前記ガイド部材131は反射物質を含む。前記ガイド部材131の材質は上述の実施形態を参照する。前記樹脂層161Bは前記第1金属層111と前記第2金属層113によって形成されるキャビティA1内にモールディングされることができ、前記ガイド部材131によって溢れることを防止されることができる。前記樹脂層161Bの縁は前記ガイド部材131の上面と同一高さに形成されることができ、その表面がフラットであるか、凹むまたは凸の形状に形成されることができる。図12は、第5実施形態を示す側断面図であり、図13は、図12の金属層の上に絶縁フィルムが配置される例を示す斜視図である。図12を参照すると、発光素子は数なくとも2個の金属層111、113のうちいずれか一つの金属層を用いて光漏れ防止膜として使用するように配置することができる。第1金属層111は光遮断部111Hを含め、前記光遮断部111Hは前記第2金属層113との対応される側の半体側に前記第1金属層111の下面から所定角度131287387232422、例えば、70~120°の角度で折曲されることができ、その高さH3は前記発光チップ145との距離及び光分布を考慮した高さに、例えば、350μmに形成されることができる。前記第1金属層111の光遮断部111Hは光を反射させることができる。これによって、前記第1金属層111の光遮断部111Hは発光素子が図24のように配列されるとき、導光板1041の上面に接触され、前記導光板1041と発光素子の間の方向に漏洩される光を遮断させることができる。前記第1金属層111の光遮断部111Aは前記発光チップ145から放出される光が漏洩されることを遮断して、図24のようなバックライトユニットにおいての光漏れ現象を防止することができる。第1絶縁フィルム122は前記第1金属層111と前記第2金属層113の間の上面に付着され、第2絶縁フィルム122Aは前記第1金属層111と前記第2金属層113の上面領域の縁に配置されt前記第1絶縁フィルム122と接続される。前記第1絶縁フィルム122と前記第2絶縁フィルム122Aの間の第1金属層111上には発光チップ145が配置されて、第2金属層113上にはワイヤ152がボンディングされる。ガイド部材131は前記第2絶縁フィルム122Aの上に形成され、樹脂層161は前記ガイド部材131の内側領域にモールディングされる。前記第2絶縁フィルム122A及びガイド部材131は第1金属層111と第2金属層113の上面縁にリング形状に形成され、連続的な形状または不連続的な形状を含むか、上面が凹凸構造に形成されることができる。前記ガイド部材131の上端は前記第1金属層111の光遮断部111Hの上端より低く配置されることができる。前記第2絶縁フィルム122A及び前記ガイド部材131の内側領域A3は内部が開放されるオープン領域であることができる。図13は、図12の金属層の上に絶縁フィルムが配置される例を示す図である。図12及び図13を参照すると、絶縁フィルム122、122Aは前記第1及び第2金属層111、113の上面に付着される。図12に示す第2絶縁フィルム122Aの内側領域A3は前記第1絶縁フィルム122によって前記第1金属層111の内側領域A11と第2金属層113の内側領域A12に区分されることができる。ここで、前記内側領域A11、A12は四角形状に示したが、円形または多角形状に形成されることができる。まは前記第1金属層111の内側領域A11は発光チップをボンディングすることができる程度の大きさ例えば、発光チップから数mm以内の距離ほど離隔される大きさに形成されることができる。前記第2金属層113の内側領域A13はワイヤがボンディングされる領域の大きさ程度に開放状態とするオープンされることができる。前記第1金属層111から光遮断部111Hが折曲される部分には少なくとも一つの孔105が形成されることができ、前記孔105は複数で形成されることができ、前記折曲される部分に沿って所定間隔に離隔されて形成される。前記孔105は前記第1金属層111から光遮断部111Hを折曲させるとき前記光遮断部111Hの折曲が用意に行われるように働く。また他の例として、前記第1金属層111とそれの光遮断部111Hの間の折曲部分には溝が形成され、折曲が容易に行われるように働く。図14は、第6実施形態を示す側断面図であり、図15は、図14のB-Bからみた側断面図である。図14を参照すると、発光素子は金属層111,113の外枠部を内側部に対して垂直方向に折曲される光遮断部111H、113Hを含む。前記光遮断部111H、113Hは発光チップ141の両側方向またはすべての側方向に入射される光を反射させることができる。前記第1及び第2金属層111、113の光遮断部111H、113Hは例えば、前記発光チップ141と対応されて前記樹脂層163の頂点より高く形成されて、サイド方向への光漏れを防止することができる。実施形態は第1金属層111と第2金属層113の外枠部を垂直方向に折曲させて光遮断部111H、113Hとして用いることによって、図24のようなバックライトユニットの導光板1041の上面及び下面に接触することができるようにする。このとき前記発光素子の光遮断部111H、113Hは前記導光板図24中、1041の上側及び下側方向へ漏洩される光を効果的に遮断することができる。そして、第1絶縁フィルム122は第1及び第2金属層111、113の間の上面に付着され、第2絶縁フィルム123は前記第1及び第2金属層111、113の平坦な上面縁に形成され、二つの金属層111、113を支持する。前記第2絶縁フィルム122Aは発光チップ141をモールディングする樹脂層163が溢れることをを防止する。図15は図14のB-Bから見た側断面図であって、第1金属層111の他の側を示す図である。図15を参照すると、第1金属層111の他の外枠部は光遮断部111Hのような突出構造なしに平坦に形成され、樹脂層153の縁に第2絶縁フィルム122Aが配置される。ここで、前記第1金属層111の他の外枠部は平坦な構造ではなく傾斜を有する構造または前記光遮断部111Hの高さより低い高さの構造に突出されるように形成することができる。そして、第2金属層の他の外枠部に対しては前記第1金属層の説明を参照する。図16は、第7実施形態に係る発光素子の側断面図である。図16を参照すると、発光素子は第1金属層111と第2金属層113の外枠部に三角形または半球形状のような側部構造を含め、外枠部111E、113Eは平坦なプレートに形成されることができる。前記第1金属層111のサイド部111Dは発光チップ145が搭載される面に対して斜めの第1傾斜面、前記第1傾斜面から180°未満の内角θ3で折曲される第2傾斜面を含み、これは三角形の断面形状を含む。前記サイド部111Dは三角形の断面形状ではなく多角形または半球型形状を含みうるが、これに対して限定するものではない。前記第1金属層111の外枠部111Eは前記サイド部111Dから前記発光チップ145が搭載される面と水平になるか、より高くまたは低く形成されることができる。前記第2金属層113のサイド部113D及び外枠部113Eは前記第1金属層111と対称になる構造であって、第1金属層111の説明を参照する。前記第1及び第2金属層111、113のサイド部111D、113Dに形成される内角は前記発光チップ145から放出される光を反射させ、所望の指向角分布を有する角度に形成されることができる。また前記第1金属層111のサイド部111D及び前記第2金属層113のサイド部113Dは発光素子の強度を強化させることができる。第2絶縁フィルム123は前記第1及び第2金属層111、113の外枠部111E、113E上面に付着され、二つの金属層111、113の縁に沿ってフレーム形状、リング形状、またはループ形態を有し連続的な形状に形成されることができる。第3絶縁フィルム123は前記第1金属層111と前記第2金属層113の境界部上面に付着される第1絶縁フィルム122に連結されることができる。樹脂層162は前記第1及び第2金属層111、113の内側上に形成されて前記発光チップ145を密封する。ここで、前記第1及び第2金属層111、113のサイド部111D、113Dは前記樹脂層162が溢れることを防止することができる。前記樹脂層162はディスペンシング方法またはトランスファーモールディング方式で形成されることができ、これに対して限定するものではない。前記樹脂層162の上側中央領域には凹部168が形成され、前記凹部168は前記発光チップ145上に配置されて所定深さを有し下部から上部へ上がるほどより広い形態に形成される。前記凹部168の最大幅は発光チップ145より大きく形成されることができる。前記樹脂層162の凹部168には所定の反射物質169が形成されることができ、前記反射物質169はTiO2、SiO2などの散乱剤や拡散剤などを含むことができる。前記反射物質169は凹部168の方向に入射される光を反射させることによって、図23に示すようにトップビュー方式にて発光素子から放出される光分布においてのホットスポットが生じることを防止することができる。図17は、第8実施形態に係る発光素子の側断面図である。図17を参照すると、発光素子は第1金属層112と第2金属層114の外側部が発光チップ145が搭載される面に対して下方向に段差を有する構造を含む。前記第1金属層112の外側部は前記第1金属層112の内側部すなわち、発光チップが搭載される部分から下方向にほぼ垂直に折曲されるサイド部112Aと前記サイド部112Aから外側方向に折曲されて水平の外枠部112Bを含む。前記第2金属層114のサイド部114A及び外枠部114Bは前記第2金属層112のサイド部112Aと外枠部112Bと対称になるように形成されるので、上述の第1金属層112の説明を参照する。前記第1金属層112の外枠部112Bと前記第2金属層114の外枠部114Bは前記発光チップ145に搭載されるベース部に対して平行に配置される。前記第1金属層112のサイド部112Aと前記第2金属層114のサイド部114Aは前記発光チップ145より低い領域にて互いに対向するように配置される。発光チップ145は前記第1金属層112の内側部の上に配置され、前記第2金属層114の内側部とワイヤ152で接続される。前記金属層112、114の内側部と外側部間においての高さの差H1は発光チップ145の厚みより大きく形成されることができ、このような高さの差H1によって生成される空間は発光チップ145の下に提供されるので、放熱効率を改善させることができる。前記金属層112、114の外枠部112B、114Bはボンディング領域になることができる。ここで、前記金属層112、114の外枠部112B、114Bは発光素子の両側またはすべての側方向に提供されていることができ、このような外枠部112B、114Bの形態に従って第3絶縁フィルム123の付着領域が異なることができる。例えば、前記第1及び第3絶縁フィルム122、123は金属層112、114のサイド部112A及び内側部に沿って付着され、互いに接続されることができる。そして、前記第1金属層112と前記第2金属層114の内側部は外枠部112B、114Bから上方向に突出されていて、発光チップ145の縁に遮断部がないことから、発光チップ145から放出される光は180 ゚±10 ゚の指向分布で照射されることができる。第1絶縁フィルム122は互いに対応する第1金属層112と第2金属層114の上面に付着され、第3絶縁フィルム123は前記第1金属層112と前記第2金属層114の外枠部112B、114Bの上面に付着され、前記第1金属層112と第2金属層114の間隔を維持させて、発光素子を支持する。前記第3絶縁フィルム123は複数の金属層112、114の上面領域のうち外枠部縁にリング形状または環形状に形成され、前記第1絶縁フィルム122と接続されるか、分離されることができ、これに対して限定するものではない。樹脂層163は前記第1及び第2金属層111、113の上に形成されて前記発光チップ145、第1及び第3絶縁フィルム122、123をカバーする。また樹脂層163はトランスファモールディング方式で形成されることができ、その表面は凹凸形状のパターン163Aが形成されることができる。図18は、第9実施形態に係る発光素子を示す側断面図である。図18を参照すると、発光素子は3個の金属層を含む。前記3個の金属層は放熱フレームである第3金属層115、第1及び第2金属層111、113を含む。前記第3金属層は、中央領域にキャビティA1が形成され、前記キャビティA1は平坦なベース部115Aから斜めのサイド部115Bにより形成され、前記サイド部115Bは前記ベース部115Aの両側面またはすべての側面に配置されることができる。前記サイド部115Bの端部には水平に配置される外枠部115Cを含む。前記第3金属層115の両側に配置される外枠部115Cは第1金属層111及び第2金属層113に各々対応して形成される。第4絶縁フィルム125は前記第3金属層115の外枠部115Cと前記第1及び第2金属層111、113の対応領域の上に付着され、第5絶縁フィルム125Aは第1及び第2金属層111、113の縁の上面に沿ってフレーム形状、リング形状、またはループ形状で付着される。前記第5絶縁フィルム125Aは前記第4絶縁フィルム125に接続されることができ、この場合前記第1及び第2金属層111、113の上面から第3金属層115の上面に延長されることができる。発光チップ141は第2金属層115のベース部115A上に配置され、キャビティA1内に配置されることができる。前記第4絶縁フィルム125と第5絶縁フィルム125A間のオープン領域A2には第1及び第2金属層111、113が各々露出され、前記第1金属層111及び第2金属層113のオープン領域A2は前記キャビティA1を基準に互いに反対側に配置されることができる。オープン領域A2に配置される第1金属層111と前記第2金属層113は前記発光チップ141とワイヤ151、152で接続される。樹脂層161は前記発光チップ141と前記ワイヤ151、152を密封するためにモールディングされる。前記樹脂層161の表面は凸形状に突出されることができるが、これに対して限定するものではない。前記第5絶縁フィルム125Aの上面には反射物資のようなガイド部材がさらに形成されることができ、前記ガイド部材はリング形状、フレーム形状、またはループ形状を含む。実施形態に係る発光素子は中央側に放熱板である第3金属層115が下方向に突出されて、前記第3金属層115から上方向に段差を有する第1及び第2金属層111、113が配置される。これによって、第1及び第2金属層111、113とボンディングされるための発光モジュールのボードPCB内には前記第3金属層115が格納されることができる孔がさらに形成されることができる。図19は、第10実施形態に係る発光素子を示す側断面図で、図20は、図19の発光素子の平面図である。図19に示すように、発光素子は、第1~第3金属層111、113、115によってキャビティA1を形成する。前記第1及び第2金属層111、113は第3金属層115の両側に対応されるように配置され、前記第3金属層115の両側には図20のように前記第1及び第2金属層111、113のベース部111A、113A、サイド部111B、113B、及び外枠部111C、113Cを含む。前記第3金属層115はZ軸方向に沿って第1及び第2金属層111、113と対応されることができる。前記第1及び第2金属層111、113のベース部111A、113Aは前記第3金属層115の上面と同一平面上に配置されることができる。前記第3金属層115と前記第1及び第2金属層111、113間の上面には第6絶縁フィルム125Bが形成され、前記第6絶縁フィルム125Bは図20のように、Z軸方向に配列される第1及び第2金属層111、113の外枠部111C、113Cまで延長され、リング形状を含む。前記第3金属層115の上には発光チップ141が搭載され、前記第1及び第2金属層111、113とワイヤ151、152で接続される。図19の構造は図12及び図14の構造に適用して光遮断部を提供することができる。図20のように、前記第1及び第2金属層111、113の外枠部111C、113Cは各方向すなわち、X軸方向及びZ軸方向に各々分離されて配置されることができる。これによって、前記第1及び第2金属層111、113の外枠部111C、113C間にはカッティングされる領域C1が各々配置される。図21は、第11実施形態に係る発光素子を示す側断面図である。図21を参照すると、発光素子の第1金属層116と第2金属層117は光遮断部116A、117Aを含め、前記光遮断部116A、117Aは発光チップ145が搭載される面に対して垂直上方向に折曲されて互いに対向する形態に配置される。前記光遮断部116A、117Aの上端部116B、117Bは内側領域A5に所定角度θ4で折曲される。光遮断部116A、117Aとその上端部116B、117Bの内角θ4は100~170 ゚の範囲に形成されることができる。これによって上端部116B、117B間の間隔D2は光遮断部116A、117A間の間隔D3より狭いため、発光チップ145から放出される光は前記上端部116B、117B間の領域A5を介して樹脂層164の表面に放出される。前記発光素子は発光チップ145から放出される光の指向角分布を中央方向に集中させることができ、この場合樹脂層164の表面形状に応じて異なることができる。前記樹脂層164の表面は半球形状またはフラットな形状であるか、ラフな構造を有する形状を含むことができる。前記第1金属層116と前記第2金属層117の間には前記樹脂層164の一部164Aが埋められることができ、前記樹脂層164の一部164Aは前記第1金属層116と前記第2金属層117の対応側面に配置され、二つの金属層116、117を固定させる。前記第1金属層116と前記第2金属層117間の下面には第4絶縁フィルム125が付着され、前記第4絶縁フィルム125は第1金属層116と前記第2金属層117の下面に臨時に付着された後、前記樹脂層164の形成した後に除去されることができ、これに対して限定するものではない。前記各の実施形態の特徴は他の実施形態に選択的に適用されることができ、各の実施形態の特徴に限定しない。<発光チップ>実施形態に係る発光チップは図22及び図23を参照して、説明する。図22を参照すると、発光チップ141は基板211、バッファ層212、第1導電型半導体層213、活性層214、第2導電型半導体層215、第1電極216、及び第2電極217を含む。前記第1導電型半導体層213、活性層214及び第2導電型半導体層215は発光構造物210で定義されることができる。前記基板211はサファイア基板Al2O3、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2O3、導電性基板、そしてGaAsなどからなる群から選択されることができる。前記基板211は成長基板であることができ、前記成長基板の上にはInxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体に成長されることができる。前記バッファ層212は前記基板211と半導体との格子定数差を緩和させるための層として、2族~6族化合物半導体に形成されることができる。前記バッファ層212上にはドーピングされる3族-5族化合物半導体層がさらに形成されることができるが、これに対して限定するものではない。前記バッファ層212の上には第1導電型半導体層213が形成されて、前記第1導電型半導体層213の上には活性層224が形成され、前記活性層224上には第2導電型半導体層215が形成される。前記第1導電型半導体層213は第1導電型ドーパントがドーピングされる3族-5族元素の化合物半導体例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPなどで選択されることができる。前記第1導電型がN型半導体である場合、前記第1導電型ドーパントはSi、Ge、Sn、Se、TeなどのようなN型ドーパントを含む。前記第1導電型半導体層214は単層または多層に形成されることができるが、これに対して限定するものではない。前記活性層214は単一量子井戸構造、多重量子井戸構造、量子線構造、量子点構造に形成されることができる。前記活性層214は3族-5族元素の化合物半導体材料を利用して井戸層と障壁層の周期,例えばInGaN井戸層/GaN障壁層またはInGaN井戸層/AlGaN障壁層の周期に形成されることができる。前記活性層214の上または/及び下には導電型クラッド層が形成されることができ、前記導電型クラッド層はAlGaN系半導体に形成されることができる。前記活性層214上には前記第2導電型半導体層215が形成され、前記第2導電型半導体層215は第2導電型ドーパントがドーピングされる3族-5族元素の化合物半導体例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPなどから選択されることができる。前記第2導電型がP型半導体である場合、前記第2導電型ドーパントはMg、ZeなどのようなP型ドーパントを含む。前記第2導電型半導体層215は単層または多層に形成されることができ、これに対して限定するものではない。また前記第2導電型半導体層215上には第3導電型半導体層例えば、N型半導体層が形成されることができる。前記発光構造物235はN-P接合、P-N接合、N-P-N接合、P-N-P接合構造のうち少なくとも一つが形成されることができる。前記第2導電型半導体層215上には電流拡散層が形成されることができ、前記電流拡散層はITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxideなどから選択的に形成されることができる。前記第1導電型半導体層213上には第1電極216が形成され、第2導電型半導体層215上には第2電極217が形成されることができる。前記第1電極216及び第2電極217はワイヤを介して図1に示すような金属層に接続されることができる。図23は垂直型チップ構造を示す図面である。図23を参照すると、発光チップ145は、発光素子210の下にオーミック層221が形成され、前記オーミック層221下に反射層224が形成され、前記反射層224下に伝導性支持部材225が形成され、前記反射層224と前記発光構造物210の縁に保護層223が形成されることができる。このような発光素子145は図22の構造にて第1導電型半導体層213を露出するエッチング過程を行わなくて、第2導電型半導体層215上にオーミック層221及びチャネル層223、そして反射層225及び伝導性支持部材225を形成した後に、前記基板211及びバッファ層212を除去する方法で形成されることができる。前記オーミック層221は発光構造物210の下層例えば第2導電型半導体層215にオーミック接触され、その材料はITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及びこれらの選択的な組合に構成される物質うちから形成されることができる。また前記金属物質とIZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATOなどの透光性伝導性物質を利用して多層に形成でき、例えば、IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、AZO/Ag/Niなどで積層することができる。前記オーミック層221内部は電極216と対応されるように電流をブロッキング遮断する層がさらに形成されることができる。前記保護層223はITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2などから選択的に形成されることができる。前記保護層223はスパッタリング方法または蒸着方法などを利用して形成することができ、反射層224のような金属が発光構造物210の層を短絡させることを防止することができる。前記反射層224はAg、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及びこれらの選択的な組合に構成される物質で形成されることができる。前記反射層224は前記発光構造物210の幅より大きく形成されることができ、これは光反射効率を改善させることができる。前記伝導性支持部材225はベース基板として、銅Cu、金Au、ニッケルNi、モリブデンMo、銅-タングステンCu-W、キャリアウエハ例:Si、Ge、GaAs、ZnO、Sicなどで具現されることができる。前記伝導性支持部材225と前記反射層224間には接合層がさらに形成されることができ、前記接合層は二つの層を互いに接合させることができる。上述の図22及び図23に開示される発光チップは一例であり、上述の開示される特徴に限定するものではない。上記の発光チップは上記の発光素子の実施形態に選択的に適用されることができ、これに対して限定するものではない。<照明システム>上述の開示される実施形態の発光素子は発光チップをパッケージングする構造として、ボードの上に複数個配置して発光モジュールや照明ユニットなどのような照明システムに提供されることができる。上述の実施形態のうち選択される発光素子を照明システムに適用されることができる。実施の形態に係る発光素子は、照明ユニットに適用されることができる。前記照明ユニットは複数の発光素子が配列される構造を含め、図24及び図25に示す表示装置、図26に示す照明装置を含めて、照明灯、信号灯、車両前照灯、電光板などが含まれることができる。図24は実施形態に係る表示装置の分解斜視図である。図24を参照すると、実施形態に係る表示装置1000は導光板1041と、前記導光板1041に光を提供する発光モジュール1031と、前記導光板1041の下に反射部材1022と、前記導光板1041の上に光学シート1051と、前記光学シート1051の上に表示パネル1061と、前記導光板1041、発光モジュール1031及び反射部材1022を格納するボトムカバー1011を含むことができるが、これに限定されるものではない。前記ボトムカバー1011、反射シート1022、導光板1041、光学シート1051は、照明ユニット1050と定義されうる。前記導光板1041は、光を拡散させて面光源化させる機能を果たす。前記導光板1041は、透明な材質からなり、例えば、PMMApolymethylmetaacrylateのようなアクリル樹脂系、PETpolyethyleneterephthlate、PCpolycarbonate、COCcycloolefincopolymer及びPENpolyethylenenaphthalate樹脂のうち、何れか一つを含むことができる。前記発光モジュール1031は、前記導光板1041の少なくとも一側面に光を提供し、窮極的には、表示装置の光源として作用するようになる。前記発光モジュール1031は少なくとも一つを含め、前記導光板1041の一側面から直接又は間接的に光を提供できる。前記発光モジュール1031は基板1033と上記の実施形態に係る発光素子100とを含め、前記発光素子100は前記基板1033上に所定間隔で配列されうる。前記基板1033は回路パターン図示せずを含む印刷回路ボードPCB、PrintedCircuitBoardでありうる。ただし、前記基板1033は一般PCBのみだけでなく、メタルコアPCBMCPCB、MetalCorePCB、フレキシブルPCBFPCB、FlexiblePCBなどを含むこともでき、これに対して限定するものではない。前記発光素子100は、前記ボトムカバー1011の側面又は放熱プレート上に搭載される場合、前記基板1033は除去されうる。ここで、前記放熱プレートの一部は、前記ボトムカバー1011の上面に接触されうる。そして、前記複数の発光素子100は前記基板1033上に光が放出される出射面が前記導光板1041と所定距離が離隔されるように搭載されることができ、これに対して限定しない。前記発光素子100は、前記導光板1041の一側面である入光部に光を直接又は間接的に提供でき、これに対して限定しない。前記導光板1041下には、前記反射部材1022が配置されることができる。前記反射部材1022は、前記導光板1041の下面に入射された光を反射させて上に向かうようにすることによって、前記照明ユニット1050の輝度を向上させることができる。前記反射部材1022は、例えば、PET、PC、PVCレジンなどから形成されることができるが、これに対して限定しない。前記反射部材1022は、前記ボトムカバー1011の上面でありえ、これに対して限定しない。前記ボトムカバー1011は、前記導光板1041、発光モジュール1031及び反射部材1022などを収納できる。このために、前記ボトムカバー1011は、上面が開口したボックスbox形状を有する収納簿1012が備えられることができ、これに対して限定しない。前記ボトムカバー1011は、トップカバーと結合されることができ、これに対して限定しない。前記ボトムカバー1011は、金属材質又は樹脂材質から形成されることができ、プレス成形又は圧出成形などの工程を利用して製造できる。また、前記ボトムカバー1011は、熱導電性の良い金属又は非金属材料を含むことができ、これに対して限定しない。前記表示パネル1061は、例えば、LCDパネルとして、互いに対向する透明な材質の第1及び第2基板、そして第1及び第2基板の間に介在された液晶層を含む。前記表示パネル1061の少なくとも一面には、偏光板が付着されることができ、このような偏光板の付着構造に限定しない。前記表示パネル1061は、光学シート1051を通過した光により情報を表示するようになる。このような表示装置1000は、各種携帯端末機、ノート型パーソナルコンピュータのモニター、ラップトップコンピュータのモニター、テレビなどに適用されることができる。前記光学シート1051は、前記表示パネル1061と前記導光板1041との間に配置され、少なくとも一枚の透光性シートを含む。前記光学シート1051は、例えば拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートなどのようなシートのうち、少なくとも一つを含むことができる。前記拡散シートは、入射される光を拡散させ、前記水平又は/及び垂直プリズムシートは、入射される光を表示領域に集光させ、前記輝度強化シートは、損失される光を再使用して輝度を向上させる。また前記表示パネル1061上には、保護シートが配置されることができ、これに対して限定しない。ここで、前記発光モジュール1031の光経路上には、光学部材として、前記導光板1041、及び光学シート1051を含むことができ、これに対して限定しない。図25は、実施形態に係る表示装置を示した図である。図25に示すように、表示装置1100は、ボトムカバー1152、前記に開示された発光素子100が配列される基板1120、光学部材1154、及び表示パネル1155を含む。前記基板1120と前記発光素子100は、発光モジュール1060と定義できる。前記ボトムカバー1152、少なくとも一つの発光モジュール1060、光学部材1154は、ライトユニットと定義できる。前記ボトムカバー1152には、収納部1153を具備でき、これに対して限定しない。ここで、前記光学部材1154は、レンズ、導光板、拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートなどのうち、少なくとも一つを含むことができる。前記導光板は、PC材質又はPMMAPolymethymethacrylate材質からなることができ、このような導光板は除去されることができる。前記拡散シートは、入射される光を拡散させ、前記水平及び垂直プリズムシートは、入射される光を表示領域に集光させ、前記輝度強化シートは、損失される光を再使用して輝度を向上させる。前記光学部材1154は、前記発光モジュール1060上に配置され、前記発光モジュール1060から放出された光を面光源にするか、又は拡散、集光などを行うようになる。図26は、実施形態に係る照明装置の斜視図である。図26に示すように、照明装置1500は、ケース1510と、前記ケース1510に設置された発光モジュール1530と、前記ケース1510に設置され外部電源から電源が提供される接続端子1520を含むことができる。前記ケース1510は、放熱特性が良好な材質から形成されることが好ましく、例えば金属材質又は樹脂材質から形成されることができる。前記発光モジュール1530は、基板1532と、前記基板1532に搭載される実施形態に係る発光素子100とを含むことができる。前記発光素子100は、複数がマトリックス状又は所定間隔で離隔されて配列されうる。前記基板1532は、絶縁体に回路パターンが印刷されたものであってもよく、例えば、一般の印刷回路ボードPCB:PrintedCircuitBoard、メタルコアPCB、フレキシブルPCB、セラミックPCBなどがありうる。また、前記基板1532は、光を効率的に反射する材質から形成されるか、表面が光の効率的に反射されるカラー、例えば白色、銀色などのコーティング層からなりうる。前記基板1532上には、少なくとも一つの発光素子100が搭載されることができる。前記発光素子100の各々は、少なくとも一つの発光ダイオードLED:LightEmittingDiodeチップを含むことができる。前記LEDチップは、赤色、緑色、青色または白色の有色の光を各々発光する有色の発光ダイオード及び紫外線UV:UltraVioletを発光するUV発光ダイオードを含むことができる。前記発光モジュール1530は、色感及び輝度を得るために多様な発光素子100の組合わせを有するように配置されることができる。例えば、高演色性CRIを確保するために、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード及び緑色発光ダイオードを組み合わせて配置できる。前記接続端子1520は、前記発光モジュール1530と電気的に接続されて電源を供給できる。前記接続端子1520は、ソケット方式で外部電源にまわし挟まれて結合されるが、これに対して限定しない。例えば、前記接続端子1520は、ピンpin状に形成されて外部電源に挿入されるか、配線により外部電源に接続されることもできる。以上、実施の形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも一つの実施の形態に含まれ、必ず一つの実施の形態にのみ限定されることではない。なお、各実施の形態にて例示された特徴、構造、効果などは、実施の形態が属する分野の通常の知識を有する者により、他の実施の形態に対しても組合又は変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関係された内容は、本発明の範囲に含まれるものと解析されなければならない。また、上述の実施形態を中心として説明したがこれは但し例示に過ぎなく本発明を限定するものでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば本実施形態の本質的な特性を外さない範囲で以上に例示されない多様な変形と応用が可能であることがわかる。例えば、実施形態に具体的に示した各の構成要素は変形して実施することができる。そしてこのような変形と応用にかかる差異点は添付の請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれることに解析されるべきである。"