"基板上において、透光性電極と、前記透光性電極と前記基板との間に配置された光反射性電極と、前記透光性電極と前記光反射性電極とに挟持された光電変換層とを有する光電変換素子と、前記光電変換素子に電気的に接続された少なくとも1つのトランジスターを具備する画素回路と、前記光電変換素子と前記少なくとも1つのトランジスターとは、前記基板上において異なる層に配置されており、前記光反射性電極と同層に配置され、前記少なくとも1つトランジスターの半導体層上に平面的に重なると共に固定電位に接続された遮光膜と、を備えたことを特徴とする光電変換装置。前記光反射性電極と前記遮光膜とが同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。前記遮光膜は、前記少なくとも1つのトランジスターのゲート電極の少なくとも一部と平面的に重ならないように配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換装置。前記画素回路は、前記光反射性電極に電気的に接続され、前記光電変換素子をリセットするための第1トランジスターと、前記光反射性電極に電気的に接続され、前記光電変換層に光が入射して前記光電変換素子に生じたリーク電流を増幅するための第2トランジスターと、前記第2トランジスターと読み出し配線とに電気的に接続され、前記第2トランジスターによって増幅された前記リーク電流を前記読み出し配線に選択的に流すための第3トランジスターとを備え、前記遮光膜は、前記第2トランジスターの半導体層上に平面的に重なると共に、前記第2トランジスターのゲート電極の少なくとも一部と平面的に重ならないように配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換装置。前記遮光膜は、さらに、前記第1トランジスターの半導体層上および前記第3トランジスターの半導体層上に平面的に重なるように配置されていることを特徴とする請求項4に記載の光電変換装置。前記光電変換素子と前記画素回路とを有する複数の画素を有し、前記透光性電極は前記複数の画素に跨って配置され、且つ固定電位に接続されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の光電変換装置。前記光電変換素子と前記画素回路とを有する複数の画素を有し、前記透光性電極は前記複数の画素ごとに独立して配置され、且つ固定電位に接続されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の光電変換装置。請求項1乃至7のいずれか一項に記載の光電変換装置を備えたことを特徴とする電子機器。上記特許文献1のイメージセンサーにおいて、上記特許文献2に記載の一定の電位に固定された遮光膜の構成を適用することが考えられる。ところが、上記特許文献1には、光電変換領域としてのフォトダイオードの出力を読み出すトランジスターを備えていることが記載されてはいるものの、遮光膜とトランジスターとの相対的な配置についての記載はない。つまり、遮光膜の帯電による寄生容量の変化を抑制することを考慮して、遮光膜とトランジスターとの好適な配置を検討する必要があるという課題がある。特に、上記特許文献1のイメージセンサーを生体認証を行う生体認証装置に用いた場合には、人体と生体認証装置とが直接触れ合い、人体からの静電気が上記遮光膜を容易に帯電させることが考えられるので、該帯電の影響を確実に抑制する必要がある。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例の光電変換装置は、基板上において、透光性電極と、前記透光性電極と前記基板との間に配置された光反射性電極と、前記透光性電極と前記光反射性電極とに挟持された光電変換層とを有する光電変換素子と、前記光電変換素子に電気的に接続された少なくとも1つのトランジスターを具備する画素回路と、前記光電変換素子と前記少なくとも1つのトランジスターとは、前記基板上において異なる層に配置されており、前記光反射性電極と同層に配置され、前記少なくとも1つトランジスターの半導体層上に平面的に重なると共に固定電位に接続された遮光膜と、を備えたことを特徴とする。この構成によれば、固定電位に接続された遮光膜は、画素回路の少なくとも1つのトランジスターの半導体層上に平面的に重なって配置されているので、例えば遮光膜の帯電に起因する外的ノイズの発生によって画素回路の動作が不安定になることが低減される。加えて、光電変換素子と少なくとも1つのトランジスターとは、基板上において異なる層に配置されていると共に、遮光膜は光反射性電極と同層に配置されているので、光電変換素子を基板上において高密度に配置したとしても安定した動作を実現できる。つまり、外的ノイズの影響が低減され安定した動作が得られる高解像度の光電変換装置を提供することができる。[適用例2]上記適用例の光電変換装置において、前記光反射性電極と前記遮光膜とが同じ材料で形成されていることが好ましい。この構成によれば、光反射性電極を形成する工程において遮光膜を形成することができるので、生産性がよく高いコストパフォーマンスを有する光電変換装置を提供できる。[適用例3]上記適用例の光電変換装置において、前記遮光膜は、前記少なくとも1つのトランジスターのゲート電極の少なくとも一部と平面的に重ならないように配置されていることが好ましい。この構成によれば、遮光膜とゲート電極との間に生ずる寄生容量を低減することができる。ゆえに、寄生容量を低減することによって、外的ノイズの影響を受け難くすることができる。[適用例4]上記適用例の光電変換装置において、前記画素回路は、前記光反射性電極に電気的に接続され、前記光電変換素子をリセットするための第1トランジスターと、前記光反射性電極に電気的に接続され、前記光電変換層に光が入射して前記光電変換素子に生じたリーク電流を増幅するための第2トランジスターと、前記第2トランジスターと読み出し配線とに電気的に接続され、前記第2トランジスターによって増幅された前記リーク電流を前記読み出し配線に選択的に流すための第3トランジスターとを備え、前記遮光膜は、前記第2トランジスターの半導体層上に平面的に重なると共に、前記第2トランジスターのゲート電極の少なくとも一部と平面的に重ならないように配置されていることが好ましい。小型で高解像度の光電変換装置を実現するには光電変換素子をできる限り小さくして基板上に高密度に配置する方法が考えられる。光電変換素子を小さくすると、光電変換素子に入射した光によって生ずるリーク電流も小さくなる。つまりは、入射光に対する感度が低下し易くなる。この構成によれば、遮光膜は光電変換素子のリーク電流を増幅する第2トランジスターの半導体層上に平面的に重なっているので、外的ノイズの影響を受け難い。また、遮光膜は第2トランジスターのゲート電極の少なくとも一部と平面的に重なっていないので、遮光膜と当該ゲート電極との間の寄生容量が低減され、上記リーク電流に比べて寄生容量が大きくなることに起因する光電変換装置の感度低下を抑制することができる。[適用例5]上記適用例の光電変換装置において、前記遮光膜は、さらに、前記第1トランジスターの半導体層上および前記第3トランジスターの半導体層上に平面的に重なるように配置されているとしてもよい。この構成によれば、遮光膜は、第2トランジスターの半導体層だけでなく、第1および第3トランジスターの半導体層上においても平面的に重なるように配置されているので、外的ノイズの影響をより受け難くし、より安定した動作が得られる光電変換装置を提供できる。[適用例6]上記適用例の光電変換装置において、前記光電変換素子と前記画素回路とを有する複数の画素を有し、前記透光性電極は前記複数の画素に跨って配置され、且つ固定電位に接続されていることが好ましい。この構成によれば、光電変換素子の光の入射側に位置する透光性電極が複数の画素に跨って配置され、且つ固定電位に接続されているので、透光性電極をシールド層として機能させ、例えば人体からの静電気による外的ノイズなどの動作に与える影響を低減することができる。[適用例7]上記適用例の光電変換装置において、前記光電変換素子と前記画素回路とを有する複数の画素を有し、前記透光性電極は前記複数の画素ごとに独立して設けられ、且つ固定電位に接続されているとしてもよい。この構成によれば、透光性電極を複数の画素に跨って配置する場合に比べて、透光性電極と画素回路の配線との間に生ずる寄生容量を小さくすることができ、外的ノイズの動作に与える影響をより少なくすることができる。[適用例8]本適用例の電子機器は、上記適用例の光電変換装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、静電気などの外的ノイズの影響を受け難い光電変換装置を備えているので、安定した動作が得られる例えば生体認証機能を有する情報端末装置などの電子機器を提供することができる。以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。なお、以下の形態において、例えば基板上にと記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。第1実施形態<光電変換装置>本実施形態の光電変換装置について、図1~図3を参照して説明する。図1は第1実施形態の光電変換装置の電気的な構成を示す等価回路図、図2は画素回路の構成を示す図、図3aは画素における各構成の配置を示す概略平面図、同図bは同図aのA-A’線で切った概略断面図である。図1に示すように、本実施形態の光電変換装置40は、複数の走査線44が接続された走査線駆動回路42と、複数のデータ線45が接続されたデータ線駆動回路43とを有している。複数の走査線44および複数のデータ線45は、画素領域Eにおいて互いに交差するように配置され、走査線44とデータ線45とに接続すると共に、走査線44とデータ線45の交点付近に対応して形成された画素50を有している。すなわち、複数の画素50は画素領域Eにおいてマトリックス状に配列されている。図2に示すように、画素50は、光電変換素子としてのフォトダイオード51と、3つのトランジスター61,62,63を具備する画素回路60とを含むものである。トランジスター61は、本発明における第1トランジスターであって、ソース電極に駆動電圧が供給される配線VDD46が接続され、ドレイン電極にフォトダイオード51の一方の電極が接続され、ゲート電極にフォトダイオード51をリセットするための制御信号が供給される配線GRST47が接続されている。フォトダイオード51の他方の電極はGNDに接続されている。トランジスター62は、本発明における第2トランジスターであってソース電極に駆動電圧が供給される配線VDD46が接続され、ゲート電極にフォトダイオード51の一方の電極が接続され、ドレイン電極にトランジスター63のソース電極が接続されている。トランジスター62は、受光によってフォトダイオード51に流れるリーク電流ipを増幅する機能を有する。トランジスター63は、本発明の第3トランジスターであって、ゲート電極に走査線44が接続され、ドレイン電極にデータ線45が接続されている。トランジスター63は、走査線44から供給される制御信号によってトランジスター62により増幅された電流idを選択的に読み出し線としてのデータ線45に流す機能を有する。以下、画素回路60の動作について簡単に説明する。配線GRST47によって制御信号がトランジスター61のゲート電極に供給されると、トランジスター61がON状態となる。これにより、ソース電極に接続された配線VDD46から、ソース電極、半導体層、ドレイン電極を経由してフォトダイオード51の一方の電極に一定の電位を有する駆動電圧VDDが供給される。そして、配線GRST47からトランジスター61をOFF状態とする制御信号が供給され、フォトダイオード51の一方の電極の電位がフロート浮遊状態となる。これにより、フォトダイオード51がリセットされる。次に、リセットされたフォトダイオード51が受光すると、フォトダイオード51の一方の電極から他方の電極GNDに向けて、受光量に応じたリーク電流ipが流れる。これによりトランジスター62のゲート電極の電位が一定の電位VDDから下降して、トランジスター62がON状態となり、ソース電極とドレイン電極との間にリーク電流ipが増幅された電流idが流れる。走査線44から当該画素50を選択する制御信号がトランジスター63のゲート電極に供給されてトランジスター63がON状態となると、トランジスター62によって増幅された電流idがトランジスター63を経由してデータ線45に流れる。つまり、光電変換装置40は、画素50ごとに入射した光をフォトダイオード51が受光してリーク電流ipに変換し、画素回路60のトランジスター63をON状態とすることにより、フォトダイオード51に接続したトランジスター62のゲート電極における電位の変化に応じた電流idまたは電圧を画素50ごとに読み出すことができる構成となっている。なお、図2には図示していないが、画素50ごとの上記電流idを蓄積可能な蓄積容量を各データ線45に接続させてもよい。次に、具体的な画素50の構成について、図3aおよびbを参照して説明する。図3aに示すように、走査線44と並列して配線VDD46と配線GRST47とが配置されている。これらの配線と交差するようにデータ線45が配置されている。画素回路60における3つのトランジスター61,62,63は、互いに交差する走査線44とデータ線45との交差点付近に配置されている。図3bに示すように、例えば石英やガラスなどからなる基板41上において、最下層にはトランジスター62の例えばポリシリコン多結晶シリコンからなる半導体層62aが形成されている。半導体層62aを覆うように例えば酸化シリコンからなる絶縁膜66aが形成されている。絶縁膜66a上にはゲート電極62gが形成されている。つまり、絶縁膜66aの一部はゲート絶縁膜を構成するものである。図3bでは図示していないが、ゲート電極62gと同層において、走査線44、配線46,47が形成されている。これらの配線は、ゲート電極62gと同じ材料を用いて形成することができ、例えば、Alなど導電性を示す金属材料や不純物が高濃度でドープされ高い導電性を示すポリシリコンなどの半導体材料を挙げることができる。ゲート電極62gを覆って例えば酸化シリコンからなる層間絶縁膜66bが形成されている。層間絶縁膜66b上には例えばAlなどの金属材料からなる中継層64aが形成され、層間絶縁膜66bに形成されたコンタクトホールCNT10を介してゲート電極62gと電気的に接続されている。なお、図3bでは図示していないが、中継層64aと同層において同じ材料を用いて、他の中継層64b,64cとデータ線45とが形成されている。中継層64aを覆って例えば酸化シリコンからなる層間絶縁膜66cが形成されている。層間絶縁膜66c上には、フォトダイオード51と、遮光膜65Aとが形成されている。より具体的には、まず、フォトダイオード51の他方の電極である光反射性電極54と、遮光膜65Aとが形成される。光反射性電極54と遮光膜65Aとは、光反射性と遮光性とを兼ね備えた例えばAlやAgあるいはHfなどの金属材料やこれらの金属材料の合金を用いることができる。したがって、光反射性電極54と遮光膜65Aとを同じ工程においてパターニングすることができる。光反射性電極54は層間絶縁膜66cに設けられたコンタクトホールCNT11を介して中継層64aに電気的に接続されている。つまり、光反射性電極54はコンタクトホールCNT11、中継層64a、コンタクトホールCNT10を介してトランジスター62のゲート電極62gに電気的に接続されている。光反射性電極54に接するように光電変換層53が形成されている。光電変換層53は例えばPIN型の半導体層であって、光反射性電極54上において順に積層されたP層、I層、N層からなる。P層、I層、N層は例えばアモルファスシリコンにより形成され、P層にはホウ素Bなどの不純物がドープされ、N層にはリンPなどの不純物がドープされている。光反射性電極54と遮光膜65Aとを覆うと共に、光電変換層53を分離するように平坦化層66dが形成されている。平坦化層66dは例えば絶縁性の有機樹脂材料を用い、スピンコートなどの方法で形成することができる。そして、平坦化層66dを覆うと共に光電変換層53に接するように透光性電極52が形成されている。透光性電極52は例えばITOIndiumTinOxideなどの透光性導電膜を用いて形成することができる。図3aでは図示していないが、透光性電極52は複数の画素50に跨って形成され、共通の電極として機能している。また、図2において説明したように透光性電極52はGNDに接続されている。つまり、本実施形態におけるフォトダイオード51は、透光性電極52と光反射性電極54と、これらの電極に挟持された光電変換層53とからなり、透光性電極52側から入射した光を受光してリーク電流ipに変換するものである。図3aに示した他のトランジスター61,63の半導体層61a,63aも、上記トランジスター62の半導体層62aと同層において基板41上に形成されている。具体的には、図3aに示すように、半導体層61aと半導体層62aはデータ線45に沿って形成されている。半導体層63aは走査線44に沿って形成されている。半導体層61aの一方の端は平面視でL字状の中継層64aの一部と重なるように配置され、重なった部分に設けられたコンタクトホールCNT2によって中継層64aと電気的に接続されている。半導体層61aの他方の端は、配線46の延在方向において配線46が途切れた隙間部分に位置している。途切れた配線46の端部に一部が重なるように平面視でT字状の中継層64bが形成されている。中継層64bは基板41上において中継層64aと同層に形成されており、配線46の上記端部と重なる位置に設けられたコンタクトホールCNT3とコンタクトホールCNT5とによって配線46と電気的に接続されている。つまり、中継層64bは途切れた配線46同士を電気的に繋げている。半導体層61aの他方の端は中継層64bの一部とも重なっており、重なった部分に設けられたコンタクトホールCNT1を介して中継層64bと電気的に接続されている。トランジスター61において半導体層61aに接続されたコンタクトホールCNT1はソース電極61sとして機能し、同じく半導体層61aに接続されたコンタクトホールCNT2はドレイン電極61dとして機能している。半導体層61aと配線47とが平面的に重なった部分はゲート電極61gとして機能している。同様にして、トランジスター62の半導体層62aの一方の端は中継層64bの一部と平面的に重なり、重なった部分に設けられたコンタクトホールCNT6ソース電極62sとして機能を介して中継層64bと電気的に接続されている。半導体層62aの他方の端は中継層64cの一部と平面的に重なり、重なった部分に設けられたコンタクトホールCNT7ドレイン電極62dとして機能を介して中継層64cと電気的に接続されている。中継層64cも中継層64aと同層において形成されている。また、トランジスター63の半導体層63aの一方の端は中継層64cの一部と平面的に重なり、重なった部分に設けられたコンタクトホールCNT8ソース電極63sとして機能を介して中継層64cと電気的に接続されている。半導体層63aの他方の端はデータ線45と平面的に重なり、重なった部分に設けられたコンタクトホールCNT9ドレイン電極63dとして機能を介してデータ線45と電気的に接続されている。半導体層63aに対して走査線44から突出した突出部44aが平面的に重なった部分がゲート電極63gとして機能している。光反射性電極54と同層に形成された遮光膜65Aは、3つのトランジスター61,62,63の半導体層61a,62a,63a上に平面的に重なるように配置されている。また、遮光膜65Aはトランジスター62のゲート電極62gのうち半導体層62aと重なる部分を除いた部分と重ならないように配置されている。言い換えれば、遮光膜65Aはゲート電極62gの一部と重ならないように配置されている。また、遮光膜65Aは配線47と中継層64bとが重なる部分と重ならないように配置されている。言い換えれば、遮光膜65Aは配線47や中継層64bの一部と重ならないように配置されている。遮光膜65Aは、中継層64bと重なる部分に設けられたコンタクトホールCNT4を介して中継層64bと電気的に接続されている。つまり、遮光膜65Aは、下層に設けられたコンタクトホールCNT4、中継層64b、コンタクトホールCNT3,CNT5を介して配線46と電気的に接続されている。配線46は一定の電位を与えるものであるから、遮光膜65Aは固定電位VDDに接続されていることになる。このような画素50の各構成を備えた第1実施形態の光電変換装置40を、以降に説明する他の実施形態の光電変換装置と区別するため、以降、光電変換装置40Aと呼ぶ。上記第1実施形態の効果は、以下の通りである。1光電変換装置40Aは、基板41上において光電変換素子としてのフォトダイオード51と、3つのトランジスター61,62,63を具備する画素回路60とを含む画素50を複数有している。基板41上においてフォトダイオード51の光反射性電極54と同層に形成された遮光膜65Aは、3つのトランジスター61,62,63の半導体層61a,62a,63a上において平面的に重なるように配置され、固定電位VDDに接続されている。したがって、例えば遮光膜65Aの帯電に起因する外的ノイズによって3つのトランジスター61,62,63の動作が不安定になることを防止することができる。また、基板41上においてフォトダイオード51と3つのトランジスター61,62,63とは異なる層に形成されているので、光電変換素子としてのフォトダイオード51を3つのトランジスター61,62,63の配置に影響されず、高密度に配置することができる。すなわち、外的ノイズに対して安定した動作が得られると共に、高解像度な複数の画素50を有する光電変換装置40Aを提供することができる。2遮光膜65Aは、光反射性電極54と同層において同じ材料を用いて形成されているので、光反射性電極54を形成する工程において同時に遮光膜65Aを形成することができる。つまり、遮光膜65Aを別途形成する場合に比べて、光電変換装置40Aの製造工程を簡略化し、生産性がよく高いコストパフォーマンスを有する光電変換装置40Aを実現することができる。3遮光膜65Aはトランジスター62のゲート電極62gの一部と平面的に重ならないように配置されている。これにより、遮光膜65Aがゲート電極62gの全てと平面的に重なる場合に比べて、遮光膜65Aとゲート電極62gとの間に生ずる寄生容量が小さくなる。フォトダイオード51を流れるリーク電流ipに対して該寄生容量が大きくなると、トランジスター62の動作が適正に行われなくなる。つまり画素50の入射光に対する感度が低下するので、該寄生容量を小さくすることによって感度の低下を抑制することができる。とりわけ、基板41上においてフォトダイオード51を高解像度に配置する場合には、フォトダイオード51の平面積を小さくする必要がある。フォトダイオード51の平面積が小さくなるとリーク電流ipも小さくなるので、該寄生容量を小さくすることで感度の低下を抑えることは効果的である。また、遮光膜65Aは、中継層64bや配線47の一部と重ならないように配置されている。したがって、これら中継層64bや配線47との間に生ずる寄生容量が小さくなり、不要な充放電が行われないので、低消費電力化することができる。4光電変換装置40Aの光の入射側に配置された透光性電極52は、複数の画素50に跨って配置されると共に、固定電位GNDに接続されているので、静電気などの外的ノイズが画素回路60に影響して動作が不安定になることを低減できる。すなわち、より安定した動作が得られる光電変換装置40Aを実現できる。第2実施形態次に、第2実施形態の光電変換装置について図4を参照して説明する。図4aは第2実施形態の光電変換装置の画素における各構成の配置を示す概略平面図、同図bは同図aのB-B’線で切った概略断面図である。第2実施形態の光電変換装置は、第1実施形態の光電変換装置40Aに対してフォトダイオード51の透光性電極の配置を異ならせたものである。したがって、第1実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。図4aおよびbに示すように、本実施形態の光電変換装置40Bは、第1実施形態の光電変換装置40Aと同じく画素ごとに、光電変換素子としてのフォトダイオード51と、3つのトランジスター61,62,63を具備する画素回路とを有している。フォトダイオード51の光反射性電極54と同層に形成された遮光膜65Bは、3つのトランジスター61,62,63の半導体層61a,62a,63a上に平面的に重なるように配置されている。また、遮光膜65Bはトランジスター62のゲート電極62gの一部と重ならないように配置されている。また、遮光膜65Bは配線47や中継層64bの一部と重ならないように配置されている。遮光膜65Bは、固定電位としての駆動電圧VDDが供給される配線46にコンタクトホールCNT3,4,5と中継層64bとを介して電気的に接続されている。フォトダイオード51の光の入射側に配置された透光性電極52Bは、画素ごとに独立して形成されている。また、データ線45と並行して延在する配線48にコンタクトホールCNT12を介して電気的に接続されている。配線48は固定電位としてのGNDに接続されている。透光性電極52Bは平面的にフォトダイオード51の光電変換層53と重なると共に、配線48と重なっている。その一方で、3つのトランジスター61,62,63や走査線44、データ線45、配線46,47、中継層64a,64b,64cとは平面的に重なっていない。以上に述べた第2実施形態によれば、第1実施形態の効果1~3に加えて以下の効果が得られる。5光電変換装置40Bの光の入射側に配置された透光性電極52Bは、画素ごとに独立して配置され、固定電位GNDに接続されているので、静電気などの外的ノイズが画素回路に影響して動作が不安定になることを低減できる。また、透光性電極52Bは、3つのトランジスター61,62,63や走査線44、データ線45、配線46,47、中継層64a,64b,64cと平面的に重ならないように配置されているので、これら画素回路の構成要素との間で寄生容量が生じない。したがって、該寄生容量に起因して外的ノイズに対する耐性が低下することがない。すなわち、より安定した動作が得られる光電変換装置40Bを実現できる。第3実施形態次に、第3実施形態の光電変換装置について図5を参照して説明する。図5aは第3実施形態の光電変換装置の画素における各構成の配置を示す概略平面図、同図bは同図aのC-C’線で切った概略断面図である。第3実施形態の光電変換装置は、第1実施形態の光電変換装置40Aに対して遮光膜の配置を異ならせたものである。したがって、第1実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。図5aおよびbに示すように、本実施形態の光電変換装置40Cは、第1実施形態の光電変換装置40Aと同じく画素ごとに、光電変換素子としてのフォトダイオード51と、3つのトランジスター61,62,63を具備する画素回路とを有している。フォトダイオード51の光反射性電極54と同層に形成された遮光膜65Cは、トランジスター61のドレイン電極61d側を除く半導体層61a上に平面的に重なっている。また、遮光膜65Cはトランジスター62の半導体層62aにおけるソース電極62s側とドレイン電極62d側とに平面的に重なると共に、ゲート電極62gと平面的に重ならないように配置されている。また、遮光膜65Cはトランジスター63の半導体層63a上に平面的に重なるように配置されている。つまり、遮光膜65Cはフォトダイオード51に電気的に接続されるトランジスター62のゲート電極62gとこれに繋がる中継層64aとに平面的に重ならないように配置されている。遮光膜65Cは、固定電位としての駆動電圧VDDが供給される配線46にコンタクトホールCNT3,4,5と中継層64bとを介して電気的に接続されている。以上に述べた第3実施形態によれば、第1実施形態の効果1、2、4に加えて以下の効果が得られる。6光電変換装置40Cの遮光膜65Cは、トランジスター62のゲート電極62gとこれに繋がる中継層64aとに平面的に重ならないように配置されている。これにより、遮光膜65Cとゲート電極62gおよび中継層64aとの間に生ずる寄生容量が生じない。したがって、該寄生容量に起因して画素の入射光に対する感度が低下することを防止することができる。第4実施形態次に、第4実施形態の光電変換装置について図6を参照して説明する。図6aは第4実施形態の光電変換装置の画素における各構成の配置を示す概略平面図、同図bは同図aのD-D’線で切った概略断面図である。第4実施形態の光電変換装置は、第1実施形態の光電変換装置40Aに対して遮光膜の配置を異ならせたものである。したがって、第1実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。図6aおよびbに示すように、本実施形態の光電変換装置40Dは、第1実施形態の光電変換装置40Aと同じく画素ごとに、光電変換素子としてのフォトダイオード51と、3つのトランジスター61,62,63を具備する画素回路とを有している。フォトダイオード51の光反射性電極54と同層に形成された遮光膜65Dは、トランジスター61のドレイン電極61d側を除く半導体層61a上に平面的に重なっている。また、遮光膜65Dはトランジスター62の半導体層62aにおけるソース電極62s側とドレイン電極62d側とに平面的に重なると共に、ゲート電極62gと平面的に重ならないように配置されている。また、遮光膜65Dはトランジスター63の半導体層63a上に平面的に重なるように配置されている。また、遮光膜65Dは、平面的にフォトダイオード51の光反射性電極54と、フォトダイオード51に電気的に接続されるトランジスター62のゲート電極62gとこれに繋がる中継層64aとに重ならないように配置されている。言い換えれば、各画素において、遮光膜65Dは、平面的にフォトダイオード51とこれに繋がるゲート電極62gおよび中継層64aを除いた領域に重なるように配置されている。遮光膜65Dは、固定電位としての駆動電圧VDDが供給される配線46にコンタクトホールCNT3,4,5と中継層64bとを介して電気的に接続されている。なお、遮光膜65Dは、図6aに示すように、画素ごとに独立して形成されることに限定されず、複数の画素に跨って形成されているとしてもよい。以上に述べた第4実施形態によれば、第1実施形態の効果1、2、4に加えて以下の効果が得られる。7光電変換装置40Dの遮光膜65Dは、トランジスター62のゲート電極62gとこれに繋がる中継層64aとに平面的に重ならないように配置されている。これにより、遮光膜65Dとゲート電極62gおよび中継層64aとの間に生ずる寄生容量が生じない。したがって、該寄生容量に起因して画素の入射光に対する感度が低下することを防止することができる。また、遮光膜65Dは、画素において、平面的にフォトダイオード51とこれに繋がるゲート電極62gおよび中継層64aを除いた領域に重なるように配置されている。したがって、画素に入射した光のうちフォトダイオード51以外に入射した光が、遮光膜65Dによって遮光され、遮光膜65Dよりも下層に形成された画素回路のトランジスター61,62,63の半導体層61a,62a,63aに入射しない。つまり、固定電位VDDに接続された遮光膜65Dによって外的ノイズを遮蔽すると共に、入射光によって画素回路の動作が不安定になることを防止することができる。ゆえに、より安定した動作が得られる光電変換装置40Dを提供できる。以上、第1~第4実施形態の光電変換装置について説明したが、これらの実施形態の特徴を選択的に組み合わせて光電変換装置を構成してもよい。例えば、第2実施形態の光電変換装置40Bにおいて、第4実施形態の光電変換装置40Dにおける遮光膜65Dの構成を適用してもよい。第5実施形態次に、本発明の光電変換装置を適用した撮像装置と、この撮像装置を用いた電子機器について、図7および図8を参照して説明する。図7aは撮像装置の構成を示す概略斜視図、同図bは撮像装置の構造を示す概略断面図、図8aは電子機器としての携帯型電話機を示す斜視図、同図bは電子機器としてのパーソナルコンピューターを示す概略図である。<撮像装置>図7aに示すように、本実施形態の撮像装置100は、光電変換素子を具備した画素を複数有する光電変換装置40と、遮光基板30と、該光電変換素子に向けて光を集光させる集光素子としての複数のマイクロレンズが配置されたレンズアレイ20と、生体としての指を所定の方向に向けて配置するためのガイド基板10とがこの順に積層されたものである。ガイド基板10は、例えば透明なアクリル樹脂などからなり、指を所定の方向に向けて配置するための凹部11aを有する一対のガイド部11を有している。ガイド部11の内部には、指を照明するための光源12として例えば近赤外光を発するLED素子や有機EL素子などが指の延在方向に沿って複数配置されている。なお、ガイド基板10の構成は、これに限定されず、指の配置位置を示す例えば枠などの識別マークをレンズアレイ20の光の入射側の表面に設け、光源12をレンズアレイ20に実装あるいは内蔵してもよい。以降、指の延在方向つまり一対のガイド部11の延在方向をY方向とし、Y方向に直交する方向をX方向、各基板の積層方向をZ方向として各構成を説明する。指の主な静脈は指の延在方向に沿って存在していると考えられる。図7bに示すように、光電変換装置40は、基板41に所定の間隔を置いて配置された光電変換素子としてのフォトダイオード51とフォトダイオード51に接続された画素回路とを有する複数の画素50を備えている。画素50は、特に、近赤外線に高い感度を持ったフォトダイオード51を採用することで、指を介して受光される光源12から発せられた近赤外光を効率よく検出できる。レンズアレイ20は、透明な基板本体21と、基板本体21に凸状のレンズ面が画素50フォトダイオード51に向くように形成された複数のマイクロレンズ22を有している。レンズアレイ20と光電変換装置40との間には、遮光基板30が設けられている。遮光基板30は、透明な2つの基板31,32の間に挟まれた遮光部33を有している。遮光部33は、マイクロレンズ22と画素50フォトダイオード51とを結ぶ光軸上に開口部33aを有している。遮光部33は、遮光性で表面が光を反射し難い、例えばCrなどの金属薄膜からなり、この金属薄膜を2つの基板31,32のいずれか一方に成膜してパターニングすることにより、平面視では円形の開口部33aが形成されている。遮光部33を挟んで2つの基板31,32を貼り合わせて遮光基板30が構成されている。マイクロレンズ22により集光された光が対応する開口部33aを通過する。マイクロレンズ22により集光された光以外の光、例えば光源12から発せられた光の散乱光や外光などの迷光が画素50フォトダイオード51に届かないように、開口部33aの大きさが決められている。マイクロレンズ22により集光された光の束以降、光束と呼ぶだけが開口部33aを通過するように、開口部33aの大きさが設定されている。つまり、遮光部33における開口部33aは撮像装置100における絞りピンホールの役目を果たし、これによって、鮮明な静脈パターンを撮像することが可能となる。なお、基板32は、遮光部33とフォトダイオード51との間の距離を一定に保持すべく、その厚みが設定されている。具体的には、マイクロレンズ22により集光された光束が開口部33aを通過した後に、フォトダイオード51に万遍なく受光されることが好ましい。したがって、画素50のフォトダイオード51における受光面積と、マイクロレンズ22の焦点距離とに基づいて基板32の厚みが決まる。本実施形態では、遮光部33とフォトダイオード51との間の距離をフォトダイオード51ごとに一定に保つことを目的として基板32が配置されているが、当該距離を調整して一定に保つ方法が他にあれば、基板32を削除してもよい。レンズアレイ20は、光電変換装置40と遮光基板30とが貼り合わされた積層体に対して、マイクロレンズ22の凸状のレンズ面曲面が画素50フォトダイオード51に向かうと共に、遮光基板30にレンズ面が接するように対向配置され、ギャップ剤が混入されたシール材24によって周囲が封着されている。これにより遮光基板30と基板本体21との間の距離が一定に保たれている。シール材24は、例えば熱硬化型のエポキシ系接着剤や紫外線硬化型のアクリル系接着剤を用いることができる。レンズアレイ20上に配置された指に対して光源12から光近赤外光が照射される。指の内部を走る静脈は近赤外光をよく吸収する。照明された被写体としての指から発した光はマイクロレンズ22により集光されて画素50フォトダイオード51により受光される。撮像装置100における光電変換装置40は、上記第1実施形態~上記第4実施形態において説明した光電変換装置40A~40Dのいずれかが適用されており、人体指からの静電気などによる外的ノイズに対して高い耐性を有し、安定した撮像動作が実現されている。<電子機器>図8aに示すように、本実施形態の電子機器としての携帯型電話機1000は、表示部1001、操作ボタン1002および生体認証装置1003を備えている。生体認証装置1003は、携帯型電話機1000の本体に搭載された撮像装置100に指を触れさせることによって取得された静脈パターンと予め登録された使用者個人の静脈パターンとを比較することにより、例えば、携帯型電話機1000のロック状態を解除したり、金融決済の際の個人認証を確実に行うことができる。図8bに示すように、本実施形態の電子機器としてのノート型のパーソナルコンピューター1100は、表示部1101、入力ボタン1102および生体認証装置1103を備えている。生体認証装置1103は、パーソナルコンピューター1100の本体に組み込まれた撮像装置100に指を触れさせることによって取得された静脈パターンと予め登録された使用者個人の静脈パターンとを比較することにより、例えば、パーソナルコンピューター1100にログインしたり、金融決済の際の個人認証を確実に行うことができる。上記携帯型電話機1000および上記パーソナルコンピューター1100は、室内、屋外を問わず静脈パターンを撮影できる撮像装置100を有する生体認証装置1003,1103を備えているため、あらゆる環境下で高精度に個人認証を行うことができる。それゆえに、不正な使用行為を防止することができる。本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う光電変換装置および該光電変換装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。変形例1上記実施形態における画素回路60の構成は、これに限定されない。例えば、光電変換素子としてのフォトダイオード51に接続される少なくとも1つのトランジスターを有していれば、リーク電流ipを検出することができる。また、電流や電位を保持するための蓄積容量や電気抵抗などを備えていてもよい。変形例2上記実施形態の光電変換装置における画素の各構成の平面的な配置および基板41上の配置はこれに限定されない。例えば、フォトダイオード51を画素の平面的な中心に配置してもよい。また、フォトダイオード51における光電変換層53の平面的な形状は四角形に限定されず例えば円形としてもよい。変形例3上記実施形態の光電変換装置の遮光膜65A,65B,65C,65Dが接続される先は、一定の駆動電圧VDDを供給する配線46に限定されない。例えば、GNDやVSSなどの固定電位が与えられる他の配線に接続させるとしてもよい。変形例4撮像装置100を有する生体認証装置が搭載される電子機器は、上記第5実施形態の携帯型電話機1000やパーソナルコンピューター1100に限定されない。例えば、PDAやPOSなどの携帯型情報端末などに搭載することにより、高いセキュリティーを確保して、使用される用途を広げることができる。"