CCDから出力された信号の交流成分を通過させるキャパシタと、前記キャパシタを通過した信号が入力されるアンプと、クランプパルスにより導通が制御され、導通時に、前記アンプの動作基準点となる直流基準電圧を前記アンプへ出力するクランプゲートとを備え、前記クランプゲートへ、前記CCDの有効信号出力期間は、第1の直流基準電圧が入力され、電源電圧の立ち上り期間および/または立ち下り期間は、第2の直流基準電圧が入力されることを特徴とする固体撮像装置。前記第1の直流基準電圧が、前記アンプの線形動作領域の電圧であり、前記第2の直流基準電圧が、前記アンプの出力レベルを低レベル電位に固定する電圧であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記第1の直流基準電圧および前記第2の直流基準電圧を生成する基準電圧生成部をさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置。前記アンプの出力信号をサンプリングするサンプリングゲートをさらに備えることを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。前記クランプゲートに並列に接続され、前記クランプパルスとは別の制御信号により導通が制御される第2のクランプゲートをさらに備え、前記CCDの有効信号出力期間は、前記クランプゲートが導通し、前記電源電圧の立ち上り期間および/または立ち下り期間は、前記第2のクランプゲートが導通することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。CCDから出力された信号の交流成分を通過させるキャパシタと、前記キャパシタを通過した信号が入力されるアンプと、クランプパルスにより導通が制御され、導通時に、前記アンプの動作基準点となる直流基準電圧を前記アンプへ出力するクランプゲートとを備える固体撮像装置の駆動方法であって、前記クランプゲートへ、前記CCDの有効信号出力期間は、第1の直流基準電圧を入力し、電源電圧の立ち上り期間および/または立ち下り期間は、第2の直流基準電圧を入力することを特徴とする駆動方法。前記第1の直流基準電圧を、前記アンプの線形動作領域の電圧とし、前記第2の直流基準電圧を、前記アンプの出力レベルを低レベル電位に固定する電圧とすることを特徴とする請求項6に記載の駆動方法。前記クランプゲートに並列に接続され、前記クランプパルスとは別の制御信号により導通が制御される第2のクランプゲートをさらに備える固体撮像装置の駆動方法であって、前記CCDの有効信号出力期間は、前記クランプゲートを導通させ、前記電源電圧の立ち上り期間および/または立ち下り期間は、前記第2のクランプゲートを導通させることを特徴とする請求項6または7に記載の駆動方法。そこで、本発明が解決しようとする課題は、電源のオン/オフ時に発生する過大な電圧が外部へ出力されることを防止することのできる固体撮像装置およびその駆動方法を提供することにある。実施形態の固体撮像装置は、キャパシタが、CCDから出力された信号の交流成分を通過させて、アンプへ入力し、クランプパルスにより導通が制御されるクランプゲートが、導通時に、前記アンプの動作基準点となる直流基準電圧を前記アンプへ出力する。この固体撮像装置は、前記クランプゲートへ、前記CCDの有効信号出力期間は、第1の直流基準電圧が入力され、電源電圧の立ち上り期間および/または立ち下り期間は、第2の直流基準電圧が入力される。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図中、同一または相当部分には同一の符号を付して、その説明は繰り返さない。第1の実施形態図1は、本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の構成の例を示す回路図である。本実施形態の固体撮像装置は、CCDから出力された信号VINの交流成分を通過させるキャパシタ1と、キャパシタ1を通過した信号が入力されるアンプ2と、クランプパルスVCPにより導通が制御され、導通時に、アンプ2の動作基準点となる直流基準電圧VREFをアンプ2へ出力するクランプゲート3と、を備える。アンプ2の出力信号は、出力バッファBUFを介して、出力信号VOUTとして出力される。本実施形態では、クランプゲート3へ入力される直流基準電圧VREFが、CCDの有効信号出力期間と電源電圧の立ち上り期間および/または立ち下り期間とでは、異なる電圧値とされる。すなわち、クランプゲート3へ入力される直流基準電圧VREFが、CCDの有効信号出力期間は、第1の直流基準電圧VREF1とされ、電源電圧の立ち上り期間および/または立ち下り期間は、第2の直流基準電圧VREF2とされる。したがって、クランプゲート3は、CCDの有効信号出力期間中に導通したときは、直流基準電圧VREF1を出力し、電源電圧の立ち上り期間および/または立ち下り期間中に導通したときは、直流基準電圧VREF2を出力する。図2に、直流基準電圧VREF1と直流基準電圧VREF2の電圧値の関係を示す。図2は、アンプ2の入力電圧に対する出力電圧の変化の例を示す入出力特性図である。直流基準電圧VREF1は、アンプ2の線形動作領域に入るように設定される。このとき、VREF1を線形動作領域の中央付近に設定すれば、キャパシタ1を通過した交流信号に対する増幅度は最大となる。一方、直流基準電圧VREF2は、アンプ2の出力レベルを低レベル電位に固定する電圧に設定される。図3に、本実施形態の固体撮像装置の動作の様子を波形図で示す。なお、図3では、電源電圧VDDの立ち上り期間および立ち下り期間の両期間で、直流基準電圧VREFをVREF2とする例を示している。これに対して、固体撮像装置が使用される機器の状況によっては、立ち上り期間あるいは立ち下り期間のいずれかの期間のみ、直流基準電圧VREFをVREF2に設定すればよいこともある。電源電圧VDDの立ち上り期間および立ち下り期間は、CCDの出力はフローティング状態であり、CCDから出力される信号VINのレベルは不安定な状態である。一方、クランプパルスVCPは、電源電圧VDDが立ち上ると、それにつれてレベルが上がり、クランプゲート3の閾値以上の電圧になると、クランプゲート3が導通する。このとき、クランプゲート3へは直流基準電圧VREF2が入力されているため、クランプゲート3が導通すると、アンプ2へ直流基準電圧VREF2が印加される。これにより、電源電圧VDDの立ち上り期間は、アンプ2の出力レベルは低電位に固定され、出力信号VOUTも低電位に固定される。すなわち、電源電圧VDDの立ち上り期間にCCDから出力される信号VINのレベルが不安定であっても、出力信号VOUTの電圧が異常に高くなるなどの問題が発生することが防止される。その後、電源電圧VDDが立ち上り、CCDの有効信号出力期間となると、クランプゲート3へは直流基準電圧VREF1が入力されるようになる。これにより、クランプパルスVCPの制御によりクランプゲート3が導通すると、アンプ2へ直流基準電圧VREF1が印加され、アンプ2は増幅動作を行う。また、電源電圧VDDの立ち下り期間も、立ち上り期間と同様、クランプゲート3へ直流基準電圧VREF2が入力されるため、出力信号VOUTは低電位に固定される。このような本実施形態によれば、電源電圧VDDの立ち上り期間および立ち下り期間は、アンプ2へ直流基準電圧VREF2が印加され、アンプ2の出力レベルが低電位に固定されるので、過大な電圧が外部へ出力されることを防止することができる。第2の実施形態図4は、本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置の構成の例を示す回路図である。本実施形態の固体撮像装置は、第1の実施形態の固体撮像装置に、直流基準電圧VREFを生成する基準電圧生成部4を追加したものである。基準電圧生成部4は、信号VSWによる制御により直流基準電圧VREFの電圧レベルの切り替えを行い、CCDの有効信号出力期間は、直流基準電圧VREF1を出力し、電源電圧の立ち上り期間および/または立ち下り期間は、直流基準電圧VREF2を出力する。図5に、基準電圧生成部4の内部回路構成の例を示す。この例では、基準電圧生成部4は、電源端子VDDと接地端子との間に直列に接続されたNMOSトランジスタM41およびNMOSトランジスタM42と、信号VSWがゲート端子へ入力されるNMOSトランジスタM43と、NMOSトランジスタM43のドレイン端子にドレイン端子およびゲート端子が接続されるNMOSトランジスタM44と、NMOSトランジスタM41とM42の接続点とNMOSトランジスタM44のドレイン端子との間に接続され、ゲート端子へ、インバータIV41で反転された信号VSWの反転信号VSWBが入力されるNMOSトランジスタM45と、を有する。NMOSトランジスタM41のゲート端子は電源端子VDDへ接続され、NMOSトランジスタM42のゲート端子は、NMOSトランジスタM41とM42の接続点に接続される。NMOSトランジスタM41とM42の接続点から、直流基準電圧VREFが出力される。図6に、図5に示した基準電圧生成部4の動作波形を示す。信号VSWは、CCDの有効信号出力期間は‘H’レベルとなり、それ以外の期間は‘L’レベルとなる信号である。信号VSWBは、信号VSWの反転信号であるが、電源電圧VDDの立ち上り期間および立ち下り期間は、電源電圧VDDのレベルの変化に応じて、そのレベルが変化する。信号VSWBが‘H’レベルのときは信号VSWBが‘L’レベルであるので、NMOSトランジスタM45がオフする。したがって、直流基準電圧VREFの値は、NMOSトランジスタM41とNMOSトランジスタM42のオン抵抗の比分圧比によって決定される。このときの分圧電圧が直流基準電圧VREF1となる。一方、信号VSWBが‘L’レベルのときは、信号VSWBがNMOSトランジスタM45Lの閾値以上のときにNMOSトランジスタM45Lがオンし、NMOSトランジスタM42に並列にNMOSトランジスタM44が接続されるようになる。これにより、NMOSトランジスタM41との間の分圧比が変化し、直流基準電圧VREFの値は、VREF1よりも低い値となる。このときの値が、直流基準電圧VREF2となる。このような本実施形態によれば、直流基準電圧VREF1およびVREF2を固体撮像装置内部で生成することができる。第3の実施形態近年、画像読み取り装置の読み取り速度の高速化に対応するため、固体撮像装置にサンプルホールド回路を設け、CCDの出力をサンプルホールドすることにより、出力信号のレベルの安定化を図ることが行われている。そこで、本実施形態では、そのようなサンプルホールド回路を備える固体撮像装置の例を示す。図7は、本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置の構成の例を示す回路図である。本実施形態の固体撮像装置は、アンプ2と出力バッファBUFの間に、サンプルホールド回路SHCが挿入されている。サンプルホールド回路SHCは、サンプリングゲート5と、キャパシタC51と、を有する。サンプリングゲート5は、NMOSトランジスタM51とPMOSトランジスタM52とが並列に接続された構成を有する。NMOSトランジスタM51のゲート端子へはサンプリング信号VSPが入力され、PMOSトランジスタM52のゲート端子へは、サンプリング信号VSPを反転させた反転サンプリング信号VSPBが入力される。図8に、本実施形態の固体撮像装置の動作の例を波形図で示す。本実施形態では、サンプリング信号VSPは、電源電圧VDDの立ち上り期間および立ち下り期間は、‘L’レベルとされる。したがって、この期間、サンプリングゲート5のNMOSトランジスタM51はオフする。一方、反転サンプリング信号VSPBは、サンプリング信号VSPの反転動作のため、電源電圧VDDの立ち上り期間および立ち下り期間では、電源電圧VDDの変化に応じてその信号レベルが変化する。そのため、電源電圧VDDの立ち上り期間および立ち下り期間中のある期間は、反転サンプリング信号VSPBが‘L’レベルであり、サンプリングゲート5のPMOSトランジスタM52がオンした状態となる。したがって、もしも、この期間にアンプ2から異常な高電圧が出力されるようなことがあると、この異常な高電圧がPMOSトランジスタM52を通過し、出力信号VOUTが異常な高電圧にとなってしまう。しかし、本実施形態では、電源電圧VDDの立ち上り期間および立ち下り期間は、アンプ2へ直流基準電圧VREF2が入力され、アンプ2の出力が低電位に固定されるため、この期間にサンプリングゲート5のPMOSトランジスタM52がオンしても、出力信号VOUTに異常は生じない。このような本実施形態によれば、PMOSトランジスタM52を有するサンプリングゲート5を備えていても、電源電圧VDDの立ち上り期間および立ち下り期間に過大な電圧が外部へ出力されることを防止することができる。第4の実施形態上述の各実施形態では、クランプパルスVCPが、電源電圧VDDの立ち上り期間および立ち下り期間に‘H’レベルとなる例を示した。しかし、電源電圧VDDの立ち上り期間および立ち下り期間の信号レベルが‘L’であるクランプパルスVCPが入力される場合もある。そこで、本実施形態では、そのようなクランプパルスVCPが入力される固体撮像装置の例を示す。図9は、本発明の第4の実施形態に係る固体撮像装置の構成の例を示す回路図である。本実施形態の固体撮像装置は、第1の実施形態の固体撮像装置に、第2のクランプゲートであるクランプゲート3Aを追加したものである。クランプゲート3Aは、クランプゲート3に並列に接続され、その導通が制御信号VC2により制御される。図10に、本実施形態の固体撮像装置の動作の例を波形図で示す。本実施形態では、クランプパルスVCPは、有効出力信号期間のみパルス信号が入力され、それ以外の期間は‘L’レベルである。一方、制御信号VC2は、有効出力信号期間は‘L’レベルで、電源電圧VDDの立ち上り期間および立ち下り期間は‘H’レベルとされる信号である。したがって、本実施形態では、電源電圧VDDの立ち上り期間および立ち下り期間はクランプゲート3Aが導通してアンプ2へ直流基準電圧VREF2を印加し、有効出力信号期間はクランプゲート3が導通してアンプ2へ直流基準電圧VREF1を印加する。このような本実施形態によれば、電源電圧VDDの立ち上り期間および立ち下り期間に、クランプパルスVCPが‘L’レベルであっても、アンプ2へ直流基準電圧VREF2を印加することができ、アンプ2の出力レベルを低電位に固定することができる。また、第2および第2の実施形態の固体撮像装置に対しても、本実施形態と同様、クランプゲート3Aを追加することができる。その例を第5および第6の実施形態として、以下に示す。第5の実施形態図11は、本発明の第5の実施形態に係る固体撮像装置の構成の例を示す回路図である。本実施形態の固体撮像装置は、第2の実施形態の固体撮像装置のクランプゲート3に並列に、クランプゲート3Aを接続したものである。なお、本実施形態では、クランプゲート3Aは、図5に示した基準電圧生成部4の内部で生成される信号VSWBにより導通が制御されるものとする。図12に、本実施形態の固体撮像装置の動作の例を波形図で示す。基準電圧生成部4へ入力される信号VSWは、CCDの有効信号出力期間は‘H’レベルとなり、それ以外の期間は‘L’レベルとなる信号である。したがって、信号VSWの反転信号である信号VSWBは、CCDの有効信号出力期間は‘L’レベルとなり、電源電圧VDDの立ち上り期間および立ち下り期間は、電源電圧VDDのレベルの変化に応じて、そのレベルが変化する。そのとき、信号VSWBがクランプゲート3Aの閾値以上の電圧である期間はクランプゲート3Aが導通し、アンプ2へ直流基準電圧VREF2が印加される。第6の実施形態図13は、本発明の第6の実施形態に係る固体撮像装置の構成の例を示す回路図である。本実施形態の固体撮像装置は、第3の実施形態の固体撮像装置のクランプゲート3に並列に、クランプゲート3Aを接続したものである。図14に、本実施形態の固体撮像装置の動作の例を波形図で示す。上述した第5および第6の実施形態においても、第4の実施形態と同様、電源電圧VDDの立ち上り期間および立ち下り期間に、クランプパルスVCPが‘L’レベルであっても、アンプ2へ直流基準電圧VREF2を印加することができ、アンプ2の出力レベルを低電位に固定することができる。以上説明した少なくとも1つの実施形態の固体撮像装置によれば、電源のオン/オフ時に発生する過大な電圧が外部へ出力されることを防止することができる。また、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。