"カスタマイズされたコンタクトを有する半導体デバイスを形成する方法であって、第1絶縁体層を設け、少なくとも1つのコンタクト窓を規定するように前記第1絶縁体層をパターニングし、前記第1絶縁体層上及び前記少なくとも1つのコンタクト窓内に、前記少なくとも1つのコンタクト窓を少なくとも部分的に埋めるように、第2の絶縁体層を設け、前記第2絶縁体層の第1の部分をエッチングして、前記第2絶縁体層の第2の部分が前記少なくとも1つのコンタクト窓に残り、前記少なくとも1つのコンタクト窓の寸法とは異なる寸法を有する、改変されたコンタクト窓を少なくとも1つ形成する、ことを含む方法。前記エッチングは、前記第2絶縁体層の前記第2の部分が前記少なくとも1つのコンタクト窓の側壁に残り、前記少なくとも1つのコンタクト窓より狭い、改変されたコンタクト窓を少なくとも1つ形成するようなエッチングからなる、請求項1に記載の方法。さらに、前記少なくとも1つの改変された前記コンタクト窓内に、ゲート長が約0.4μmより小さいゲートコンタクトを設けることを含む、請求項1に記載の方法。前記ゲートコンタクトの対向端部にそれぞれ隣接してソース領域とドレイン領域を設け、高電子移動度トランジスタHEMT又は金属半導体電界効果トランジスタMESFETを構成することをさらに含む、請求項3に記載の方法。前記ゲートコンタクトが、約0.1μmから約0.3μmのゲート長を有することを特徴とする、請求項3に記載の方法。前記ゲートコンタクトがT型ゲート構造を有することを特徴とする、請求項5に記載の方法。前記第1絶縁体層は、広帯域ギャップ半導体層を設けた後に形成され、且つ該広帯域ギャップ半導体層上に設けられることを含む、請求項1に記載の方法。前記広帯域ギャップ半導体層が窒化ガリウムGaN及び/又は炭化シリコンSiCであることを特徴とする、請求項7に記載の方法。前記第1絶縁体層のパターニングは、前記第1絶縁体層の前記少なくとも1つのコンタクト窓を通して広帯域ギャップ層表面の一部を露出させるようにパターニングすることを含み、前記第2絶縁体層の前記第1部分のエッチングは、前記第2絶縁体層の前記第2部分が前記少なくとも1つのコンタクト窓内に残り、前記少なくとも1つの改変されたコンタクト窓を通して広帯域ギャップ層のより少ない部分を露出させるようにするエッチングを含む、請求項7に記載の方法。前記第2絶縁体層を設けることは、少なくとも2つの絶縁体層を形成することを含み、該少なくとも2つの絶縁体層を形成することが、前記第1絶縁体層上及び前記少なくとも1つのコンタクト窓内とに該第2絶縁体層の第1層を形成し、前記第2絶縁体層の前記第1層上に前記第2絶縁体層の第2層を形成することを含む、請求項1に記載の方法。前記第2絶縁体層の前記第1層は、これに付随する第1のエッチレートを有し、前記第2絶縁体層の前記第2層は、これに付随し、前記第1のエッチレートとは異なる第2のエッチレートを有する、請求項10に記載の方法。前記第1のエッチレートが前記第2のエッチレートより小さい、請求項11に記載の方法。前記第1のエッチレートが前記第2のエッチレートより大きい、請求項11に記載の方法。前記第1絶縁体層は厚さXを有し、前記第2絶縁体層は厚さYを有し、前記Xの前記Yに対する比が半導体コンタクトの幾何学的形状に影響を与えるものである、請求項1に記載の方法。前記Xは前記Yと等しいか、Yより大きいか、Yより小さい、請求項14に記載の方法。前記第2絶縁体は第1の厚さA及び第2の厚さBを持ち、厚さ比A/Bがデバイスの幾何学的形状に強い影響を与えるものである、請求項14に記載の方法。前記第1絶縁体層は、これに付随する第1のエッチレートを有し、前記第2の絶縁体層は、これに付随し、前記第1のエッチレートとは異なる第2のエッチレートを有する、請求項1に記載の方法。前記第1のエッチレートは前記第2のエッチレートより小さい、請求項17に記載の方法。前記第1のエッチレートは前記第2のエッチレートより大きい、請求項17に記載の方法。半導体デバイス用のカスタマイズされたゲートコンタクトを形成する方法であって、ゲートコンタクト窓を規定する第1絶縁体層を設け、前記第1絶縁体層上及び前記ゲートコンタクト窓内に第2の絶縁体層を設け、前記第2絶縁体層をエッチングして、改変されたゲートコンタクト窓を形成し、前記改変されたゲートコンタクト窓内に、ゲートコンタクト形状が、前記第1及び第2の絶縁体層の相対的な厚さ、及び/又はエッチレート、及び/又は第2絶縁体層の厚さ比に関係するゲートコンタクトを設けることを含む方法。前記第2絶縁体は第1の厚さAと第2の厚さBを持ち、厚さ比A/Bがデバイスの幾何学的形状に影響を与えるものである、請求項20に記載の方法。前記第2絶縁体層は少なくとも2つの絶縁体層を備え、前記ゲートコンタクトの形状は、前記第2絶縁体層の少なくとも2つの絶縁体層の相対的な厚さ、及び/又はエッチレートに関係する、請求項20に記載の方法。前記第2絶縁体層の前記第1層は、これに付随する第1のエッチレートを有し、前記第2絶縁体層の前記第2層は、これに付随し、前記第1のエッチレートとは異なる第2のエッチレートを有する、請求項23に記載の方法。前記第1のエッチレートが前記第2のエッチレートより小さい、請求項23に記載の方法。前記第1のエッチレートが前記第2のエッチレートより大きい、請求項23に記載の方法。前記ゲートコンタクトを設けることが、約0.4μmより短いゲート長を有するゲートコンタクトを設けることを含む、請求項20に記載の方法。さらに、ゲートコンタクトの対向端部にそれぞれ隣接するようにソース領域及びドレイン領域を設けて、高電子移動度トランジスタHEMT、又は、金属半導体電界効果トランジスタMESFETを形成することを含む、請求項26に記載の方法。前記ゲートコンタクトを設けることが、約0.1μmから約0.3μmのゲート長を有するゲートコンタクトを設けることを含む、請求項26に記載の方法。前記ゲートコンタクトを設けることが、T型ゲート構造を有するゲートコンタクトを設けることを含む、請求項28に記載の方法。前記第1絶縁体層は厚さXを有し、前記第2の絶縁体層は厚さYを有し、前記Xの前記Yに対する比が半導体コンタクトの幾何学的形状に影響を与えるものである、請求項20に記載の方法。前記Xが前記Yと等しい、請求項30に記載の方法。前記Xが前記Yより大きい、請求項30に記載の方法。前記Xが前記Yより小さい、請求項30に記載の方法。前記第1絶縁体層は、これに付随する第1のエッチレートを有し、前記第2絶縁体層は、これに付随し、前記第1のエッチレートとは異なる第2のエッチレートを有する、請求項20に記載の方法。前記第1のエッチレートは前記第2のエッチレートより小さい、請求項34に記載の方法。前記第1のエッチレートは前記第2のエッチレートより大きい、請求項34に記載の方法。前記広帯域ギャップ半導体層を設けた後に、前記広帯域ギャップ半導体層上に前記第1絶縁体層を形成することを含む、請求項20に記載の方法。前記広帯域ギャップ半導体層が窒化ガリウムGaN及び/又は炭化シリコンSiCである、請求項37に記載の方法。半導体コンタクトの幾何学的形状を制御する方法であって、半導体コンタクト用の少なくとも1つのカスタマイズされたコンタクト窓を提供するために、少なくとも2つの絶縁体層の相対的な厚さ、及び/又はエッチレート、及び/又は少なくとも2つの絶縁体層の第2層の厚さ比を制御することを含む方法。カスタム仕様のコンタクトを有する半導体デバイスであって、少なくとも1つのコンタクト窓を規定する第1絶縁体層と、前記第1絶縁体層上及び前記ゲートコンタクト窓内に設けられた第2絶縁体層と、を含み、前記少なくとも1つのコンタクト窓内における前記第2絶縁体層の一部分が、前記少なくとも1つのコンタクト窓の寸法とは異なる寸法を持つ、少なくとも1つの改変されたコンタクト窓を提供する、ことを特徴とする半導体デバイス。前記少なくとも1つの改変されたコンタクト窓が、前記少なくとも1つのコンタクト窓より狭いことを特徴とする、請求項40に記載のデバイス。さらに、少なくとも1つの改変された前記コンタクト窓に、約0.4μm以下のゲート長を有するゲートコンタクトを含むことを特徴とする、請求項40に記載のデバイス。さらに、ゲートコンタクトの対向端部にそれぞれ隣接するようにソース領域及びドレイン領域が設けられて、高電子移動度トランジスタHEMT又は金属半導体電界効果トランジスタMESFETが構成された、請求項40に記載のデバイス。前記ゲートコンタクトが、約0.1μmから約0.3μmのゲート長を有することを特徴とする、請求項43に記載のデバイス。前記ゲートコンタクトが、T型ゲート構造を有することを特徴とする、請求項44に記載のデバイス。さらに、前記第1絶縁体層がその上に形成された広帯域ギャップ半導体層を含むことを特徴とする、請求項40に記載のデバイス。前記広帯域ギャップ半導体層が、窒化ガリウムGaN及び/又は炭化シリコンSiCであることを特徴とする、請求項46に記載のデバイス。前記第2絶縁体層が、少なくとも2つの絶縁体層を含み、前記第2絶縁体層の第1層が第1絶縁体層上及び少なくとも1つのコンタクト窓内にあり、前記第2絶縁体層の前記第1層上に前記第2絶縁体層の第2層があることを特徴とする、請求項40に記載のデバイス。前記第2絶縁体層の前記第1層は、これに付随する第1のエッチレートを有し、前記第2絶縁体層の前記第2層は、これに付随し、前記第1のエッチレートとは異なる第2のエッチレートを有することを特徴とする、請求項48に記載のデバイス。前記第1のエッチレートは前記第2のエッチレートより小さいことを特徴とする、請求項49に記載のデバイス。前記第1のエッチレートは前記第2のエッチレートより大きいことを特徴とする、請求項49に記載のデバイス。前記第1絶縁体層は厚さXを有し、前記第2絶縁体層は厚さYを有し、前記Xの前記Yに対する比が半導体コンタクトの幾何学的形状に影響を与えることを特徴とする、請求項40に記載のデバイス。前記Xが前記Yと等しいことを特徴とする、請求項52に記載のデバイス。前記Xが前記Yより大きいことを特徴とする、請求項52に記載のデバイス。前記Xが前記Yより小さいことを特徴とする、請求項52に記載のデバイス。前記第1絶縁体層は、これに付随する第1のエッチレートを有し、前記第2絶縁体層は、これに付随し、前記第1のエッチレートとは異なる第2のエッチレートを有することを特徴とする、請求項40に記載のデバイス。前記第1のエッチレートが前記第2のエッチレートより小さいことを特徴とする、請求項56に記載のデバイス。前記第1のエッチレートが前記第2のエッチレートより大きいことを特徴とする、請求項56に記載のデバイス。約0.1μmから約0.3μmのゲート長と約320mS/mmより大きい相互コンダクタンスgmを有することを特徴とする、ショットキー障壁半導体デバイス。前記相互コンダクタンスgmが約320mS/mmから約420mS/mmであることを特徴とする、請求項59に記載のデバイス。少なくとも1つのコンタクト窓を規定する第1絶縁体層と、第1絶縁体層上及び前記コンタクト窓内に設けられた第2絶縁体層と、を含み、前記少なくとも1つのコンタクト窓における第2絶縁体層の一部分が、該少なくとも1つのコンタクト窓の寸法とは異なる寸法を持つ、少なくとも1つの改変されたコンタクト窓を提供する、ことを特徴とする、請求項60に記載のデバイス。本発明は、以下において、様々な実施形態を示す添付図を参照してさらに十分に説明される。しかしながら、本発明は多くの異なった形態で具体化することができ、本明細書に述べられた実施形態に限定されたものとして理解すべきではない。むしろ、これらの実施形態は、本発明の開示が正確で且つ完全であり、この分野の熟練者に対して本発明の適用範囲を十分に伝えるように用意されているのである。図においては、その大きさや層及び領域の相対的な大きさは、明確にするために誇張してあることがある。全体を通して、同様の構成要素は同じ番号で表示されている。ここで使用される用語法は、特殊な実施形態を記述するためだけのものであり、本発明を限定することを意図したものではない。単数形の1つの、そのは、文脈が明らかにそうではないことを指し示しているのでなければ、複数形も同様に含むことを意図している。さらに、からなる、からなっている、含む、及び/又は含んでいるそしてそれらの変形といった言葉は、本明細書で使用されるとき、記述された特徴、ステップ、操作、構成要素、及び/又は構成部品の存在を詳述するが、1つ又はそれ以上の、特徴、ステップ、操作、構成要素、構成部品、及び/又はそれらのグループの存在又は付加を排除するものではないことが理解される。例えば、ある1つの層が与えられた物質からなると指し示されるとき、その層は付加的な物質を含んで、2元化合物、3元化合物、4元化合物等、化合物、合金、ドープ層等を形成してもよい。したがって、例えば、窒化ガリウムからなる1つの層がAlGaN、InGaN,及び/又はAlInGaNを含んでもよい。それとは対照的に、のみからなるそしてそれらの変形という言葉は、本明細書で使用されるとき、記述された特徴、ステップ、操作、構成要素、及び/又は構成部品の存在を詳述し、付加的な特徴、ステップ、操作、構成要素、及び/又は構成部品を排除するものである。最後に、上に定義された言葉はすべて、その層がP型にドープされている、及び/又はN型を使用しているということ、例えば、マグネシウムのようなP型のドーパント及び/又はシリコンのようなN型のドーパントを有しているということを排除するものではない。1つの層、領域、又は基板のような構成要素が別の構成要素そしてそれらの変形の上にあると記載されるとき、それは他の構成要素の直接上にあってもよいし、或いは又、間に介在する構成要素が存在してもよいと理解できる。さらに、より下に、上に横たわる、表側、裏側といった相対的な言葉は、1つの層や領域の、別の層や領域に対する、基板や図に説明されるような基準の層に対する相対的な関係を記述するために、本明細書では使用される。これらの言葉は、図に描かれた方向に加えて、デバイスの異なる方向をも包含することを意味するものと理解できる。最後に、直接という言葉は、間に介在する要素が何もないことを意味する。本明細書で使われるように、及び/又はという言葉は、関連するすでに表出された項目の1つ或いはそれ以上の、いかなるそしてすべての組み合わせを含んでおり、/によって略式に表示することができる。第1、第2等という言葉は、本明細書では多様な構成要素、構成部品、領域、層、及び/又は部分を記述するために使用されるものであり、これらの構成要素、構成部品、領域、層、及び/又は部分は、その言葉に限定されるべきではないと理解されるべきである。これらの言葉は、1つの構成要素、構成部品、領域、層、又は部分を、別の構成要素、構成部品、領域、層、又は部分と区別するためにのみ使用される。したがって、以下に議論される第1の構成要素、構成部品、領域、層、又は部分は、本発明の教示することから外れることがなければ、第2の構成要素、構成部品、領域、層、又は部分と名付けることができる。本発明の実施形態は、ここで、本発明の理想的な実施形態の略図である、断面的な及び/又は他の説明図を参照して説明される。したがって、例えば製造技術及び/又は公差の結果として生じる図示形状からの乖離も、予期される。すなわち、本発明の実施形態は、ここに図示される特定形状の領域に限定されるものとして解釈するべきではなく、例えば、製造により生じる形状の変動も含まなければならない。例えば、矩形として図示されるか又は記述される領域が、典型的には、通常の製造公差によって丸くなったり又は曲がったりした形状を持つことがある。したがって、図示された領域は、本質的には模式的なものであり、本明細書で別な方法で定義されない限りは、それらの形状はデバイス領域の精確な形を説明するよう意図したものではなく、本発明の適用範囲を限定する意図もない。本明細書において別に定義されない限り、本明細書で使用されるすべての言葉技術用語と科学用語を含むは、本発明が属する分野の普通の熟練者により共通して理解されるものと同様の意味を持つ。さらに、通常利用される辞書に定義されているような用語は、関連技術と本明細書の文脈での意味と一致した意味を持つものと解釈すべきであり、本明細書にそう定義されない限りは、理想化された、つまり過度に形式的な意味には解釈できないと理解される。本発明の実施形態は、III族の窒化物ベースのデバイスのような、窒化物ベースのHEMTでの使用に特に適している。本明細書で使われる場合の、III族の窒化物という用語は、窒素と周期律表のIII族に属する元素、通常はアルミニウムAl、ガリウムGa、及び/又はインジウムInとの間で形成される半導体化合物を指す。その用語はまた、AlGaNやAlInGaNのような3元化合物や4元化合物を指す。この分野の技術者にはよく理解されることであるが、III族の元素は、窒素と結合して、2元化合物例えば、GaN、3元化合物例えば、AlGaNやAlInN、そして4元化合物例えば、AlInGaNを形成できる。これらの化合物はすべて、1モルの窒素がIII族元素の計1モルと結合するという実験式を有する。つまり、AlxGa1xN0≦x≦1というような化学式が、それらを記述するためにしばしば使用される。本発明の実施形態は、GaN型HEMTデバイスとの関連で説明されるが、本発明はその適用範囲から外れることなく、他の型式のデバイス及び/又は材料と関連して使用できることが理解されるであろう。例えば、本発明の実施形態は他のショットキーデバイスでも利用できる。コンタクト、例えばゲートコンタクトの形状は、半導体デバイスの電気特性に影響を与える。これらのゲートコンタクトを形成する一般的な方法は、典型的には、層を成す絶縁体の表面にフォトレジスト層をパターニングすることからなる。従来方法のフォトレジスト形状とエッチング工程のパラメータでは、結果的に生じる幾何学的な断面形状を適切に制御することができない。しかし、本明細書で説明される実施形態によれば、電気的キャリアの水平方向流れに基づいた技術を使用して、半導体コンタクトの幾何的な断面学的形状を制御でき、従って、コンタクトを、多様な断面形状を有する注文仕様に対応させることが可能になる。とくにある実施形態では、従来工程に加えて、第2絶縁物層が付着され、次いで全面に亘るエッチングが実施される。絶縁体層の厚さ及び/又は絶縁体層の相対的エッチレートが、エッチ断面の最終形状を定める。ある実施形態では、絶縁体層は誘電体層とすることができる。本明細書で使用される場合の誘電体層は、絶縁体層か又は非金属層を指す。誘電体層の窓の最終形状は、ベース誘電体層の厚さに対する誘電体充填量、2重の誘電体充填層の存在、及び/又は充填する誘電体層に対するベース誘電体の相対的なエッチレートによって制御することができる。窓部充填の程度が、充填される誘電体の半径に直接影響し、この半径が窓断面形状における最終的な傾斜を定めることになる。したがって、ここで説明されるいくつかの実施形態は、以下に図1Aから図9を参照して説明するように、広範囲に及ぶ注文仕様に対応する誘電体窓部断面形状を提供することができる。ショットキー障壁デバイスの様々な実施形態が、ここで説明される。本明細書で使用される場合の半導体ショットキー障壁デバイスは、シリコン、炭化シリコン、窒化ガリウム、及び/又は他の半導体物質を含むものとすることができる、1つ又はそれ以上の半導体層を含む、ショットキーダイオード、HEMT,MESFET,及び/又は他の半導体障壁デバイスを包含するものである及び/又は。半導体ショットキー障壁デバイスは、サファイア、シリコン、炭化シリコン、窒化アルミニウム、及び/又は他のマイクロエレクトロニクス基板を含むことがあり、或いは、これらを含まない場合もある。最初に図1Aから図1Dを参照して、本発明の実施形態例による半導体コンタクト製造における処理工程を説明する。図1に示されるように、複数のHEMTエピ層115が、基板105の上に順に形成される。本発明の特定の実施形態では、基板105は半絶縁性の炭化シリコンSiC基板とすることができ、該基板は、例えば4Hポリタイプの炭化シリコンとすることができる。炭化シリコンの候補として挙げられる他のポリタイプは、3C、6H、及び15Rポリタイプである。半絶縁性という用語は、絶対的というよりむしろ相対的な意味で使用される。本発明の特定の実施形態では、この炭化シリコンのバルク結晶は、室温で約1x105Ωcmと等しいか又はそれ以上の高い抵抗率を有する。任意であるが、バッファ層、核形成層、及び/又は遷移層図示されないを、基板105の上に設けることができる。例えば、AlNバッファ層を設けて、炭化シリコン基板とそれ以外のデバイス部分との間における適切な結晶構造遷移をもたらすようにしてもよい。炭化シリコンは、III族窒化物デバイス用の非常に一般的な基板材料であるサファイアAl2O3より、III族の窒化物に対してずっと密接な結晶格子適合性を有する。サファイアによって通常得られるものよりも更に密接な格子適合が、高品質なIII族窒化物薄膜内に生じることになる。炭化シリコンはまた、非常に高い熱伝導率を有するので、炭化シリコン上に形成されたIII族窒化物デバイスの全出力は、一般的には、サファイア上に形成された同一デバイスにおけるように、基板の熱散逸により制限されることはない。また、半絶縁性の炭化シリコン基板を用いることは、デバイスの絶縁と寄生容量の低減とをもたらす。適切なSiC基板は、例えば、本発明の譲受人である、ノースカロライナ州ダーラム所在のクリー社によって製造されている。炭化シリコンを基板材料として使用することができるが、本発明の実施形態は、サファイア、窒化アルミニウム、窒化アルミニウムガリウム、窒化ガリウム、シリコン、GaAs,LGO,ZnO,LAO、InP等のような、いかなる適当な基板も利用することができる。実施形態では、適当なバッファ層もまた形成されてよい。HEMTのエピ層115広帯域ギャップ層210、310、410、510は、基板105上に形成されたチャネル層を含んでもよい。チャネル層は、上述したように、バッファ層、遷移層、及び/又は核形成層を使用して、基板上に形成することができる。チャネル層は、圧縮ひずみが与えられた状態にすることができる。さらに、チャネル層及び/又はバッファ層、核形成層及び/又は遷移層は、金属-有機物化学気相成長法MOCVD、又は、当業者に知られた他の技術、例えば、分子線エピタキシー法MBE、水素気相成長法、或いはその他の適切な技術により、エピタキシャル成長させることによっても形成することができる。本発明の幾つかの実施形態では、チャネル層と障壁層との界面において、チャネル層の伝導帯端のエネルギーが障壁層の伝導帯端のエネルギーより小さいことを条件に、チャネル層は、III族窒化物、例えば、AlxGa1xN0≦x≦1とする。本発明のある実施形態では、x=0であり、これはチャネル層がGaNであることを示している。チャネル層はまた、InGaN,AlInGaN等のような他のIII族窒化物含むものでもよい。チャネル層は、ドープせずに非意図的ドープ、約20Å以上の厚さに成長させることができる。チャネル層はまた、多層構造、例えば超格子構造又はGaN、AlGaN又は同様のものの組み合わせとすることができる。障壁層をチャネル層の上に形成することができる。この障壁層は、チャネル層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有するものとすることができ、また該障壁層は、チャネル層より小さい電子親和力を持つものとすることができる。障壁層は、チャネル層の直上にエピタキシャル成長させることによって形成することができる。本発明のある実施形態では、障壁層は、AlN,AlInN,AlGaN及び/又はAlInGaNを約0.1nmから約10nmの間の厚さで含む。幾つかの実施形態では、障壁層は、AlxGa1xN0≦x≦0.32を含むものとすることができる。特定の実施形態では、x=0.22である。本発明の実施形態は、ここでは特定のHEMT構造について説明されるが、本発明は、そのような構造に限定して解釈すべきではない。本発明の教示による利益を享受した上で、例えば、付加的な層をHEMTデバイスに設けることができる。そのような付加的な層としては、障壁層上に設けられるGaNキャップ層がある。さらに、障壁層はまた、多層構造として形成することができる。したがって、本発明の実施形態は、障壁層を単一層に限定するものとして解釈するべきではなく、例えば、GaN,AlGaN,及び/又はAlN層の組み合わせを有する障壁層を含むことができる。例えば、GaN,AlN構造は、合金散乱を減らすか、或いは防止するために利用することができる。したがって、本発明の実施形態は、窒化物ベースの障壁層を含むものとすることができ、そのような窒化物ベースの障壁層としては、AlGaNベースの障壁層、AiNベースの障壁層、及びそれらの組み合わせがある。本発明の特定の実施形態では、障壁層がオーミックコンタクト金属の下に埋め込まれたときの分極効果により、チャネル層と障壁層との界面において高いキャリア濃度を誘起するのに十分なように、障壁層が十分に厚く、十分に高いAl成分とドーピングを有する。また、障壁層は、該障壁層と誘電体層120との界面に定着しイオン化した不純物による、チャネル内での電子散乱を減じ、或いは最小化するのに十分な厚さとする。上述したように、障壁層は、チャネル層より大きいバンドギャップとチャネル層より小さい電子親和力を有する。したがって、本発明のある実施形態では、障壁層は、AlGaN,AlInGaN,及び/又はAlN、或いはそれらの組み合わせを含むものとすることができる。障壁層は、その内部でクラック又は大きな欠陥を引き起こすほどの厚さであってはならない。本発明のある実施形態では、障壁層は、ドープされないか、或いはn型のドーパントを約1x1019cm3より少ない濃度にドープされたものとする。本発明のある実施形態では、障壁層は、AlxGa1xN0≦x≦1を含んでいる。特定の実施形態では、アルミニウムの濃度は、約25とする。しかしながら、本発明の別の実施形態では、障壁層は、アルミニウムの濃度が約5から約100の間となるようにAlGaNを含む。本発明のある実施形態では、アルミニウムの濃度が約10より大きい。再び図1Aを参照して、従来の方法で形成することができる、埋め込まれたソース領域117とドレイン領域118の形成の後、第1ベース絶縁体層120が、HEMTエピ層115とソース/ドレイン領域117/118の上に形成される。幾つかの実施形態では、ベース絶縁体層120は誘電体層である。本発明の実施形態は、ベース絶縁体層をベース誘電体層と説明しているが、実施形態はこの構成に限定されない。例えば、ここで説明される実施形態の範囲から外れることなく、他の適切な絶縁体或いは非金属の層を使用することができる。幾つかの実施形態では、誘電体層120は、窒化シリコンSixNy、二酸化シリコンSiO2、AlSiN,窒化アルミニウムAlN、及び/又は、別の適切な誘電体材料、例えば酸窒化シリコンSiONを含むものとすることができる。SixNy、SiN、そして窒化シリコンという用語は、化学量論的窒化シリコン及び非化学量論的な窒化シリコンの両方を表すために、ここでは互換的に使用されるということが理解されるであろう。他の材料も誘電体層120として利用できる。例えば、誘電体層120は、酸化マグネシウム、酸化スカンジウム、酸化アルミニウム、及び/又は酸窒化アルミニウムを含むものとすることができる。さらに誘電体層120は、単一層でもよいし、或いはまた、均一及び/又は不均一な組成の多層を含んでもよい。誘電体層120の材料は、比較的高温に対する耐性を有しているべきであり、そしてまた、下層に重大なダメージを与えることなく除去できる性質を有しているべきである。一般的に、誘電体層120は、比較的に高い絶縁破壊電界強度を持ち、下に位置するIII族窒化物層との界面において比較的に低い界面トラップ密度をもたらす誘電体層である。誘電体層120は、下層の材料に関して高いエッチ選択性を持ち、下層の材料に関して反応性ではないものとすることができる。さらに、誘電体層120は、比較的低レベルの不純物しか含まないものとすることができる。例えば、誘電体層120は、比較的低レベルの水素と他の不純物、例えば酸素、炭素、フッ素、塩素を含むものとすることができる。さらに、誘電体層120は、続く処理工程で使用される高いアニール温度に耐えるために、比較的高温例えば、1000°C以上でも安定なものとすることができる。ここで図1Bを参照すると、誘電体120は、例えば光学的フォトリソグラフィーを使ってパターニングされ、その中にコンタクト窓145が形成される。図1Bに示されるように、コンタクト窓145は、少なくともHEMTエピ層の一部、すなわちソース/ドレイン領域117/118を露出させる。本発明の幾つかの実施形態によれば、第2充填物絶縁体層130が、図1Cに示されるように、ベース誘電体層120上及びコンタクト窓145内に形成される。幾つかの実施形態では、該充填絶縁体層130は、誘電体層とすることができる。本発明の実施形態は、充填用誘電体層を充填絶縁体層と呼ぶが、実施形態はこの構成に限定されるものではない。例えば、他の適切な絶縁体又は非金属の層を、本明細書で議論される実施形態の範囲から外れることなく使用できる。充填誘電体層130は、ベース誘電体層120に関して前述したものと同様な材料を含むことができる。図1Dに示されるように、第2誘電体層130の一部が、ベース誘電体層120及びコンタクト窓145から除去される。第2誘電体層のそれらの部分は、制御された異方性エッチングを使って除去することができる。第2誘電体層の一部130 ́は、ベース誘電体層120上に残される。図1Dに示されるように、幾つかの実施形態では、第2誘電体層のこの残された部分130 ́は、窓145の側壁上にあり、したがって、下層のHEMTエピ層115の表面露出を、より少なくすることになる。言い換えれば、コンタクト窓145の側壁に第2誘電体層130 ́を設けることは、図1Bに図示されるコンタクト窓145と比べて狭い、改変されたコンタクト窓をもたらすことになる。ゲートコンタクト133は、HEMTエピ層115表面のより狭い部分を露出させる改変されたコンタクト窓145 ́に形成される。したがって、ゲートコンタクトのゲート長LGは、約0.4μmから約0.1~約0.3μmまで縮小される。図示されるように、幾つかの実施形態では、ゲートコンタクト133は、T型ゲート構造を有するものとすることができる。ゲート金属は、ニッケル、例えば、蒸着されたニッケル-白金-金NiPtAuとすることができるが、ここで説明される実施形態の範囲から外れない限り、どんな適切な金属でもよい。さらに、幾つかの実施形態では、ゲートからソースまでの長さLGSは約0.4μmから約2.0μmであり、ゲートからドレインまでの長さLGDは約1.0μmから約10.0μmである。より短いゲート長LGを形成できることは、向上したデバイス性能をもたらすものとなる。図1Aから図1Dに説明されるデバイスの性能特性は、更に後で、図6及び図7を参照して説明される。ゲート長LG、すなわち、広帯域ギャップ層/HEMTエピ層115のうちのゲート窓から露出される部分の大きさを、ここで説明される幾つかの実施形態によって注文仕様に対応させることができる。窓の断面形状は、ベース誘電体層120の充填誘電体層130に対する厚さの比、充填誘電体層130の多層構造の存在、及びベース誘電体層120及び/又は充填誘電体層130の少なくとも1つの層の相対的なエッチレートに影響される。このように、窓の断面形状は、厚さ及びエッチレートの変動に影響されるので、窓の形状を、誘電体層の厚さの比及び存在する個々の誘電体層のエッチレートの比を制御することにより、注文仕様に対応させることができる。種々の注文仕様に対応させた窓の断面形状に関する詳細は、図2Aから図5に関して、以下に説明される。図1Aから図1Dは、HEMTを示しているが、本発明の実施形態は、この構成に限定されるものではない。例えば、デバイスは、本発明の範囲から外れることなく、広帯域ギャップのショットキー障壁デバイスとすることができる。ここに記載された種々の実施形態によれば、広帯域ギャップのショットキー障壁デバイスは、例えば、ショットキーダイオード、HEMT、及びMESFETとすることができる。特に、図2Aから図5はすべて、半導体層210、310、410、及び510を含んでおり、これらの層は、幾つかの実施形態では広帯域ギャップの半導体層とすることができる。広帯域ギャップの半導体層を有する実施形態においては、層210、310、410、510は、例えば、炭化シリコンSiC及び/又は窒化ガリウムGaNのような、少なくとも約1.7eVのバンドギャップを有する材料を含むものとすることができる。広帯域ギャップの半導体層層210、310、410、510は、自立性のものとすることもできるし、基板の一部を含むものとすることもできるし、或いはまた、それ自身を基板上に形成することもできる。種々のバッファ層及び/又は他の層を、図1Aから図1DのHEMTに関して前述したように設けることもできる。換言すると、図1Aから図1DのHEMTエピ層115は、その広帯域ギャップ層と考えることができる。ここで図2Aを参照して、幾つかの実施形態による半導体デバイス製造の処理工程を説明する。図2Aに示されるように、ベース誘電体層220が、広帯域ギャップ半導体層210上に形成される。ソース領域/ドレイン領域図1Aの117/118が存在するが、示されてはいないことを理解されたい。ベース誘電体層220は、ベース誘電体層120に関して前述したものと同様な材料を含むことができ、それゆえ、ここでは繰り返さないことにする。図2Aにさらに図示されているように、ベース誘電体層220は、コンタクト窓245をその内部に設けるために、従来の方法でパターニングされ、エッチングされる。図2Aは、以下においてゲート窓と呼ばれる単一のコンタクト窓を図示するのみであるが、ここで説明される実施形態による方法は、ここで説明される実施形態の範囲から外れることなく、1つより多いコンタクト窓、例えば、図1Bから図1Dに図示されるソース窓及びドレイン窓を併用することができる。さらに図2Aに示されるように、一旦パターニングされ、エッチングされると、ベース誘電体層220は、第1の寸法D1を有するコンタクト窓245を規定することになる。第1誘電体層はまた、厚さXと、付随するエッチレートとを有する。ここで図2Bを参照すると、充填誘電体層230は、ベース誘電体層220上及び窓245内に形成される。図2Bの実施形態に示されるように、充填誘電体層230は、窓245の一部を埋めるのみである。充填誘電体層230もまた、厚さXと、付随するエッチレートとを有する。充填誘電体層230の、ベース誘電体層に対する相対的な厚さと、相対的なエッチ特性とが、コンタクト窓の最終形状を定める。ここで説明される実施形態の範囲から外れることなく、Xは、Yと等しくしてもよいし、Yより大きくしてもよいし、或いはまた、Yより小さくしてもよい。幾つかの実施形態では、充填誘電体層230は、単一の厚さYを持つのではなく、複数の厚さを持つ。図2Bに示されるように、本実施形態における充填誘電体層230は、デバイス全体に亘って均一な厚さを持たない。充填誘電体層230の厚さBに対する厚さAの厚さ比が、得られる断面形状に影響を与えることになる。幾つかの実施形態では、厚さ比A/Bは、約0.3から約1.0である。幾つかの実施形態例では、厚さ比A/Bは、約0.7より小さい。ここで図2Cを参照すると、充填用誘電体層230が、ベース誘電体層上と開口部245とに付着させられた後、誘電体に対して全面エッチングが行われて、図2Aのコンタクト窓245に関連する第1の寸法D1よりも小さく/狭い、第2の寸法D2を有する、改変されたコンタクト窓245 ́が形成される。より小さい寸法D2は、コンタクト窓245の側壁にある充填誘電体230 ́の存在のために生じるものである。従って、広帯域ギャップ層210が、改変されたコンタクト窓245 ́を通して露出される部分は、図2Aのコンタクト窓の場合より少なくなる。寸法D1/D2の制御が可能であるということは、ゲートコンタクト示されないのゲート長LGの制御を可能にするものである。従って、0.4μmのゲート長は、約0.1μmから約0.3μmにまで縮小でき、注文仕様対応の度合いを大きく広げることになる。特に、デバイスの動作速度は、ゲートコンタクトが基板広帯域ギャップ層210と接触する部分の面積と、コンタクト窓の側壁の傾斜とによって決定される。ゲート長LGが短いほど、デバイスの動作速度は速くなる。このように、ここで説明される幾つかの実施形態に従ってゲート長LGの制御が可能になるということは、デバイス性能における注文仕様対応の度合いを大きく広げるものである。例えば、具体的に図2Cに示されるデバイスを参照すると、側壁に残る充填誘電体230 ́の小さな曲率は、全面エッチ後には傾斜の減少となり、従って、デバイスの動作速度に影響を与えることになる。ここで図3Aから図3Cを参照して、幾つかの実施形態による、デバイス製造の処理工程を説明する。全体を通して、同様の数字は同様の構成要素を示しており、それゆえ、同様の構成要素に関する詳細は、ここでは繰り返さない。ここで図3Bを参照すると、ベース誘電体320の厚さを超える厚さYを有する充填誘電体330が、ベース誘電体320上及びコンタクト窓345内に形成される。これらの実施形態では、より大きなコーナー半径が、図3Cに示されるように最終形状の傾斜を増大させている。具体的に述べると、コンタクト窓345 ́の側壁に残る充填用誘電体331 ́の傾斜が増大している。さらに、コンタクト窓345 ́から露出される広帯域ギャップ層310の部分は、相対的に小さくなる。したがって、コンタクト窓345 ́内に形成されるゲートコンタクト図示されないのゲート長LGは、より短くなる。幾つかの実施形態では、充填誘電体330は、単一の厚さYを持つのではなく、複数のの厚さを持つ。図3Bに示されるように、この実施形態における誘電体330は、デバイス全体に亘って均一な厚さを持たない。充填用誘電体330の厚さBに対する厚さAの厚さ比が、得られる断面形状に影響を与える。幾つかの実施形態例では、厚さ比A/Bは、約0.7より大きい。ここで図4Aから図4Cを参照して、幾つかの実施形態による、デバイス製造の処理工程を説明する。全体を通して、同様の数字は同様の構成要素を示しており、それゆえ、同様の構成要素に関する詳細は、ここでは繰り返さない。図4Bに説明される実施形態では、充填誘電体は、第1誘電体層435と第2誘電体層436を含む。充填誘電体のそれぞれの層は、それに付随する厚さと付随するエッチレートとを有しており、それらがコンタクト窓の最終形状に影響を与える。図4Bに示される実施形態においては、第1層435は、第2層436より小さいエッチレートを有している。したがって、図4Cに示されるように、調整可能な2重の傾斜形状が達成され、全面エッチの後に、第1層435 ́部分と第2層426 ́部分が残される。ここで図5を参照して、図4Aから図4Cに示された実施形態例に似た実施形態を説明する。具体的に述べると、図5に示される実施形態もまた、第1と第2の層を持つ充填誘電体を有する図示されない。しかしながら、図5に示される実施形態では、第1層が第2層より大きいエッチレートを有している。したがって、図5に示されるコンタクト窓の断面形状は、第1層の残り部分535 ́と第2層の残り部分526 ́を含む外側に張り出した形状になり、コンタクト窓545 ́を通して露出する広帯域ギャップ層510の部分の寸法を縮小させることになる。図1Aから図5に関連して、前述の実施形態は、単に典型的な例を示す目的で提供されたものであり、それゆえ、実施形態はこれらの例に限定すべきではない。図1Aから図5で説明された形状とは別の様々な断面形状が、ここで説明された実施形態に従った方法を使って実現される。ここで図6及び図7を参照して、図1Aから図1Dに示された実施形態に関する性能の成果を説明する。図6の透過型電子顕微鏡観察TEMの断面図に示されるように、本発明の実施形態に従ったデバイス675のゲートメタルの寸法D2は、従来の方法を使って形成されたデバイス670の同じ部分の寸法より小さい。すなわち、デバイス675のゲート長LGは、図6の点線で示されるように、デバイス670のゲート長より小さい。点線は、ここで説明された実施形態によるデバイス675のゲート長を示すものである。ここで図7Aから図7Dを参照して、IDSSVDS=10V,VGS=2Vとピークgmの統計的分布を示すグラフを説明する。図示されるように、ここで説明された実施形態によるデバイス775は、従来法によるデバイス770より向上した性能パラメータを示している。gmの平均値は、80mS/mmだけ向上している。図8は、図2Aから図3Cに説明された、単一層の誘電体充填層を有する実施形態に対応する側壁の断面形状である。同様に図9は、図4Aから図4Cに説明された、2重層の誘電体充填層を有する実施形態例に対応する側壁の断面形状である。多くの異なる実施形態が、上記の説明と図に関連して、ここに開示された。これらの実施形態の組合せと部分的組合せの全てを文章で記述し図示することは、過度に繰り返しが多くなり、分かりにくいものにしてしまうことが理解されるであろう。したがって、本明細書は、図を含みながら、ここに記載される実施形態の全組合せと部分的組合せと、それら実施形態を製造し使用する方法や工程との完全な記述を確立するものであると理解されるであろうし、そのような組合せや部分的組合せのいずれに対する請求項についても、その裏づけとなるであろう。図及び明細書には、本発明の実施形態が開示されており、特定の用語が使用されているが、それらは一般的且つ記述的な意味でのみ使用されたものであり、限定する目的で使用されたものではなく、本発明の範囲は以下の特許請求の範囲に示される。"