"基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内にて基板を載置して保持する平板状のサセプターと、前記チャンバーの壁面に支持された基台と、前記サセプターの周縁部と前記基台とを連結する複数の連結部材と、前記サセプターに保持された基板にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、前記サセプターに保持された基板を光照射によって予備加熱する光照射手段と、を備え、水平姿勢の前記サセプターの中心と前記周縁部とを結ぶ直線を含む鉛直面にて切断した前記連結部材の断面はL字形状であり、前記連結部材は、当該L字形状の先端部にて前記サセプターの前記周縁部と固着されるとともに、当該L字形状の基端部にて前記基台と固着されることを特徴とする熱処理装置。請求項1記載の熱処理装置において、前記連結部材は断熱材料にて形成されることを特徴とする熱処理装置。請求項2記載の熱処理装置において、前記連結部材は石英にて形成されることを特徴とする熱処理装置。請求項2または請求項3に記載の熱処理装置において、前記連結部材は前記サセプターおよび前記基台と同じ材料にて形成されることを特徴とする熱処理装置。請求項1から請求項4のいずれかに記載の熱処理装置において、前記連結部材の前記鉛直面と垂直な方向に沿った幅は3mm以上40mm以下であり、前記連結部材の最も薄い部分の厚さは3mm以上35mm以下であることを特徴とする熱処理装置。請求項1から請求項5のいずれかに記載の熱処理装置において、前記基台は円環形状を有することを特徴とする熱処理装置。しかしながら、キセノンフラッシュランプを使用した熱処理装置においては、極めて高いエネルギーを有する光を瞬間的に半導体ウェハーに照射するため、一瞬で半導体ウェハーの表面温度が急速に上昇する。その結果、半導体ウェハーの表面およびその周辺雰囲気に急激な熱膨張が生じ、フラッシュ光照射直後に半導体ウェハーとそれを保持する保持部材が激しく振動するという問題が生じていた。半導体ウェハーおよび保持部材が激しく振動すると、最悪の場合、保持部材から半導体ウェハーが落下したり、半導体ウェハーが割れることもあった。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、フラッシュ光照射直後の基板の振動を抑制することができる熱処理装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、請求項1の発明は、基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置において、基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内にて基板を載置して保持する平板状のサセプターと、前記チャンバーの壁面に支持された基台と、前記サセプターの周縁部と前記基台とを連結する複数の連結部材と、前記サセプターに保持された基板にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、前記サセプターに保持された基板を光照射によって予備加熱する光照射手段と、を備え、水平姿勢の前記サセプターの中心と前記周縁部とを結ぶ直線を含む鉛直面にて切断した前記連結部材の断面はL字形状であり、前記連結部材は、当該L字形状の先端部にて前記サセプターの前記周縁部と固着されるとともに、当該L字形状の基端部にて前記基台と固着されることを特徴とする。また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る熱処理装置において、前記連結部材は断熱材料にて形成されることを特徴とする。また、請求項3の発明は、請求項2の発明に係る熱処理装置において、前記連結部材は石英にて形成されることを特徴とする。また、請求項4の発明は、請求項2または請求項3の発明に係る熱処理装置において、前記連結部材は前記サセプターおよび前記基台と同じ材料にて形成されることを特徴とする。また、請求項5の発明は、請求項1から請求項4のいずれかの発明に係る熱処理装置において、前記連結部材の前記鉛直面と垂直な方向に沿った幅は3mm以上40mm以下であり、前記連結部材の最も薄い部分の厚さは3mm以上35mm以下であることを特徴とする。また、請求項6の発明は、請求項1から請求項5のいずれかの発明に係る熱処理装置において、前記基台は円環形状を有することを特徴とする。請求項1から請求項6の発明によれば、連結部材は、断面のL字形状の先端部にてサセプターの周縁部と固着されるとともに、当該L字形状の基端部にて基台と固着されるため、フラッシュ光照射によってサセプターおよびそれに保持された基板に急激に作用する応力を緩和することができ、フラッシュ光照射直後の基板の振動を抑制することができる。特に、請求項2の発明によれば、連結部材は断熱材料にて形成されるため、チャンバーの壁面と基板との間に生じる熱伝導を抑制することができ、チャンバー壁面の温度にかかわらず、基板を一定温度に加熱することができる。特に、請求項4の発明によれば、連結部材はサセプターおよび基台と同じ材料にて形成されるため、それらの熱膨張係数は同じであり、基板の昇温時および降温時に温度変化に起因した破損が生じにくい。特に、請求項6の発明によれば、基台は円環形状を有するため、連結部材およびサセプターを安定して支持することができる。以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。図1は、本発明に係る熱処理装置1の構成を示す縦断面図である。本実施形態の熱処理装置1は、基板としてφ300mmの円板形状の半導体ウェハーWに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーWを加熱するフラッシュランプアニール装置である。熱処理装置1に搬入される前の半導体ウェハーWには不純物が注入されており、熱処理装置1による加熱処理によって注入された不純物の活性化処理が実行される。熱処理装置1は、半導体ウェハーWを収容するチャンバー6と、複数のフラッシュランプFLを内蔵するフラッシュ加熱部5と、複数のハロゲンランプHLを内蔵するハロゲン加熱部4と、シャッター機構2と、を備える。チャンバー6の上側にフラッシュ加熱部5が設けられるとともに、下側にハロゲン加熱部4が設けられている。また、熱処理装置1は、チャンバー6の内部に、半導体ウェハーWを水平姿勢に保持する保持部7と、保持部7と装置外部との間で半導体ウェハーWの受け渡しを行う移載機構10と、を備える。さらに、熱処理装置1は、シャッター機構2、ハロゲン加熱部4、フラッシュ加熱部5およびチャンバー6に設けられた各動作機構を制御して半導体ウェハーWの熱処理を実行させる制御部3を備える。チャンバー6は、筒状のチャンバー側部61の上下に石英製のチャンバー窓を装着して構成されている。チャンバー側部61は上下が開口された概略筒形状を有しており、上側開口には上側チャンバー窓63が装着されて閉塞され、下側開口には下側チャンバー窓64が装着されて閉塞されている。チャンバー6の天井部を構成する上側チャンバー窓63は、石英により形成された円板形状部材であり、フラッシュ加熱部5から出射されたフラッシュ光をチャンバー6内に透過する石英窓として機能する。また、チャンバー6の床部を構成する下側チャンバー窓64も、石英により形成された円板形状部材であり、ハロゲン加熱部4からの光をチャンバー6内に透過する石英窓として機能する。また、チャンバー側部61の内側の壁面の上部には反射リング68が装着され、下部には反射リング69が装着されている。反射リング68,69は、ともに円環状に形成されている。上側の反射リング68は、チャンバー側部61の上側から嵌め込むことによって装着される。一方、下側の反射リング69は、チャンバー側部61の下側から嵌め込んで図示省略のビスで留めることによって装着される。すなわち、反射リング68,69は、ともに着脱自在にチャンバー側部61に装着されるものである。チャンバー6の内側空間、すなわち上側チャンバー窓63、下側チャンバー窓64、チャンバー側部61および反射リング68,69によって囲まれる空間が熱処理空間65として規定される。チャンバー側部61に反射リング68,69が装着されることによって、チャンバー6の内壁面に凹部62が形成される。すなわち、チャンバー側部61の内壁面のうち反射リング68,69が装着されていない中央部分と、反射リング68の下端面と、反射リング69の上端面とで囲まれた凹部62が形成される。凹部62は、チャンバー6の内壁面に水平方向に沿って円環状に形成され、半導体ウェハーWを保持する保持部7を囲繞する。チャンバー側部61および反射リング68,69は、強度と耐熱性に優れた金属材料例えば、ステンレススチールにて形成されている。また、反射リング68,69の内周面は電解ニッケルメッキによって鏡面とされている。また、チャンバー側部61には、チャンバー6に対して半導体ウェハーWの搬入および搬出を行うための搬送開口部炉口66が形設されている。搬送開口部66は、ゲートバルブ185によって開閉可能とされている。搬送開口部66は凹部62の外周面に連通接続されている。このため、ゲートバルブ185が搬送開口部66を開放しているときには、搬送開口部66から凹部62を通過して熱処理空間65への半導体ウェハーWの搬入および熱処理空間65からの半導体ウェハーWの搬出を行うことができる。また、ゲートバルブ185が搬送開口部66を閉鎖するとチャンバー6内の熱処理空間65が密閉空間とされる。また、チャンバー6の内壁上部には熱処理空間65に処理ガス本実施形態では窒素ガスN2を供給するガス供給孔81が形設されている。ガス供給孔81は、凹部62よりも上側位置に形設されており、反射リング68に設けられていても良い。ガス供給孔81はチャンバー6の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間82を介してガス供給管83に連通接続されている。ガス供給管83は窒素ガス供給源85に接続されている。また、ガス供給管83の経路途中にはバルブ84が介挿されている。バルブ84が開放されると、窒素ガス供給源85から緩衝空間82に窒素ガスが送給される。緩衝空間82に流入した窒素ガスは、ガス供給孔81よりも流体抵抗の小さい緩衝空間82内を拡がるように流れてガス供給孔81から熱処理空間65内へと供給される。一方、チャンバー6の内壁下部には熱処理空間65内の気体を排気するガス排気孔86が形設されている。ガス排気孔86は、凹部62よりも下側位置に形設されており、反射リング69に設けられていても良い。ガス排気孔86はチャンバー6の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間87を介してガス排気管88に連通接続されている。ガス排気管88は排気部190に接続されている。また、ガス排気管88の経路途中にはバルブ89が介挿されている。バルブ89が開放されると、熱処理空間65の気体がガス排気孔86から緩衝空間87を経てガス排気管88へと排出される。なお、ガス供給孔81およびガス排気孔86は、チャンバー6の周方向に沿って複数設けられていても良いし、スリット状のものであっても良い。また、窒素ガス供給源85および排気部190は、熱処理装置1に設けられた機構であっても良いし、熱処理装置1が設置される工場のユーティリティであっても良い。また、搬送開口部66の先端にも熱処理空間65内の気体を排出するガス排気管191が接続されている。ガス排気管191はバルブ192を介して排気部190に接続されている。バルブ192を開放することによって、搬送開口部66を介してチャンバー6内の気体が排気される。図2は、保持部7の全体外観を示す斜視図である。また、図3は保持部7を上面から見た平面図であり、図4は保持部7を側方から見た側面図である。保持部7は、基台リング71、連結部72およびサセプター74を備えて構成される。基台リング71、連結部72およびサセプター74はいずれも石英にて形成されている。すなわち、保持部7の全体が石英にて形成されている。基台リング71は円環形状の石英部材である。基台リング71は凹部62の底面に載置されることによって、チャンバー6の壁面に支持されることとなる図1参照。円環形状を有する基台リング71の上面に、その周方向に沿って複数の連結部72本実施形態では4個が立設される。連結部72も石英の部材であり、溶接によって基台リング71に固着される。平板状のサセプター74は基台リング71に設けられた4個の連結部72によって支持される。サセプター74は石英にて形成された略円形の平板状部材である。サセプター74の直径は半導体ウェハーWの直径よりも大きい。すなわち、サセプター74は、半導体ウェハーWよりも大きな平面サイズを有する。サセプター74の上面には複数個本実施形態では5個のガイドピン76が立設されている。5個のガイドピン76はサセプター74の外周円と同心円の周上に沿って設けられている。5個のガイドピン76を配置した円の径は半導体ウェハーWの径よりも若干大きい。各ガイドピン76も石英にて形成されている。ガイドピン76は、サセプター74と一体に石英のインゴットから加工するようにしても良いし、別途に加工したものをサセプター74に溶接等によって取り付けるようにしても良い。基台リング71に立設された4個の連結部72とサセプター74の周縁部の下面とが溶接によって固着される。すなわち、サセプター74と基台リング71とは連結部72によって固定的に連結されており、保持部7は石英の一体成形部材となる。このような保持部7の基台リング71がチャンバー6の壁面に支持されることによって、保持部7がチャンバー6に装着される。保持部7がチャンバー6に装着された状態においては、略円板形状のサセプター74は水平姿勢法線が鉛直方向と一致する姿勢となる。チャンバー6に搬入された半導体ウェハーWは、チャンバー6に装着された保持部7のサセプター74の上に水平姿勢にて載置されて保持される。半導体ウェハーWは、5個のガイドピン76によって形成される円の内側に載置されることにより、水平方向の位置ずれが防止される。なお、ガイドピン76の個数は5個に限定されるものではなく、半導体ウェハーWの位置ずれを防止できる数であれば良い。また、図2および図3に示すように、サセプター74には、上下に貫通して開口部78および切り欠き部77が形成されている。切り欠き部77は、熱電対を使用した接触式温度計130のプローブ先端部を通すために設けられている。一方、開口部78は、放射温度計120がサセプター74に保持された半導体ウェハーWの下面から放射される放射光赤外光を受光するために設けられている。さらに、サセプター74には、後述する移載機構10のリフトピン12が半導体ウェハーWの受け渡しのために貫通する4個の貫通孔79が穿設されている。図5は、保持部7の連結部72の近傍を拡大した図である。また、図6は、連結部72の平面図である。なお、図5,6には、4個の連結部72のうちの1つを示しているが、いずれの連結部72についても同様である。水平姿勢のサセプター74の中心と周縁部とを結ぶ直線つまり、サセプター74の径を含む鉛直面にて切断した連結部72の断面は、図5に示すように、L字形状である。連結部72は、そのL字形状の先端部72aにてサセプター74の周縁部と溶接されて固着されるとともに、そのL字形状の基端部72bにて基台リング71と溶接されて固着される。このため、基台リング71と連結部72とが摺動により位置ずれすることはなく、サセプター74と連結部72とが互いに摺動することもない。連結部72の最も薄い部分の厚さt肉厚は、3mm以上35mm以下とされており、本実施形態では8mmである。また、連結部72の上記鉛直面と垂直な方向サセプター74の周方向に沿った幅dは、3mm以上40mm以下とされており、本実施形態では18mmである。上述したように、本実施形態においては、基台リング71、連結部72およびサセプター74のいずれもが石英にて形成されている。すなわち、連結部72は、サセプター74および基台リング71と同じ材料にて形成されている。石英は、熱伝導率が比較的低く、熱伝導を抑制する断熱材料でもある。保持部7の下方には移載機構10が設けられている。図7は、移載機構10の平面図である。また、図8は、移載機構10の側面図である。移載機構10は、2本の移載アーム11を備える。移載アーム11は、概ね円環状の凹部62に沿うような円弧形状とされている。それぞれの移載アーム11には2本のリフトピン12が立設されている。各移載アーム11は水平移動機構13によって回動可能とされている。水平移動機構13は、一対の移載アーム11を保持部7に対して半導体ウェハーWの移載を行う移載動作位置図7の実線位置と保持部7に保持された半導体ウェハーWと平面視で重ならない退避位置図7の二点鎖線位置との間で水平移動させる。水平移動機構13としては、個別のモータによって各移載アーム11をそれぞれ回動させるものであっても良いし、リンク機構を用いて1個のモータによって一対の移載アーム11を連動させて回動させるものであっても良い。また、一対の移載アーム11は、昇降機構14によって水平移動機構13とともに昇降移動される。昇降機構14が一対の移載アーム11を移載動作位置にて上昇させると、計4本のリフトピン12がサセプター74に穿設された貫通孔79図2,3参照を通過し、リフトピン12の上端がサセプター74の上面から突き出る。一方、昇降機構14が一対の移載アーム11を移載動作位置にて下降させてリフトピン12を貫通孔79から抜き取り、水平移動機構13が一対の移載アーム11を開くように移動させると各移載アーム11が退避位置に移動する。一対の移載アーム11の退避位置は、保持部7の基台リング71の直上である。基台リング71は凹部62の底面に載置されているため、移載アーム11の退避位置は凹部62の内側となる。なお、移載機構10の駆動部水平移動機構13および昇降機構14が設けられている部位の近傍にも図示省略の排気機構が設けられており、移載機構10の駆動部周辺の雰囲気がチャンバー6の外部に排出されるように構成されている。図1に戻り、チャンバー6の上方に設けられたフラッシュ加熱部5は、筐体51の内側に、複数本本実施形態では30本のキセノンフラッシュランプFLからなる光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ52と、を備えて構成される。また、フラッシュ加熱部5の筐体51の底部にはランプ光放射窓53が装着されている。フラッシュ加熱部5の床部を構成するランプ光放射窓53は、石英により形成された板状の石英窓である。フラッシュ加熱部5がチャンバー6の上方に設置されることにより、ランプ光放射窓53が上側チャンバー窓63と相対向することとなる。フラッシュランプFLはチャンバー6の上方からランプ光放射窓53および上側チャンバー窓63を介して熱処理空間65にフラッシュ光を照射する。複数のフラッシュランプFLは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向がサセプター74に保持される半導体ウェハーWの主面に沿ってつまり水平方向に沿って互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプFLの配列によって形成される平面も水平面である。キセノンフラッシュランプFLは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された棒状のガラス管放電管と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプFLにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが0.1ミリセカンドないし10ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、ハロゲンランプHLの如き連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。また、リフレクタ52は、複数のフラッシュランプFLの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ52の基本的な機能は、複数のフラッシュランプFLから出射されたフラッシュ光を熱処理空間65の側に反射するというものである。リフレクタ52はアルミニウム合金板にて形成されており、その表面フラッシュランプFLに臨む側の面はブラスト処理により粗面化加工が施されて梨地模様を呈する。チャンバー6の下方に設けられたハロゲン加熱部4の内部には複数本本実施形態では40本のハロゲンランプHLが内蔵されている。複数のハロゲンランプHLはチャンバー6の下方から下側チャンバー窓64を介して熱処理空間65への光照射を行う。図9は、複数のハロゲンランプHLの配置を示す平面図である。本実施形態では、上下2段に各20本ずつのハロゲンランプHLが配設されている。各ハロゲンランプHLは、長尺の円筒形状を有する棒状ランプである。上段、下段ともに20本のハロゲンランプHLは、それぞれの長手方向が保持部7に保持される半導体ウェハーWの主面に沿ってつまり水平方向に沿って互いに平行となるように配列されている。よって、上段、下段ともにハロゲンランプHLの配列によって形成される平面は水平面である。また、図9に示すように、上段、下段ともにサセプター74に保持される半導体ウェハーWの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域におけるハロゲンランプHLの配設密度が高くなっている。すなわち、上下段ともに、ランプ配列の中央部よりも端部側の方がハロゲンランプHLの配設ピッチが短い。このため、ハロゲン加熱部4からの光照射による加熱時に温度低下が生じやすい半導体ウェハーWの周縁部により多い光量の照射を行うことができる。また、上段のハロゲンランプHLからなるランプ群と下段のハロゲンランプHLからなるランプ群とが格子状に交差するように配列されている。すなわち、上段の各ハロゲンランプHLの長手方向と下段の各ハロゲンランプHLの長手方向とが直交するように計40本のハロゲンランプHLが配設されている。ハロゲンランプHLは、ガラス管内部に配設されたフィラメントに通電することでフィラメントを白熱化させて発光させるフィラメント方式の光源である。ガラス管の内部には、窒素やアルゴン等の不活性ガスにハロゲン元素ヨウ素、臭素等を微量導入した気体が封入されている。ハロゲン元素を導入することによって、フィラメントの折損を抑制しつつフィラメントの温度を高温に設定することが可能となる。したがって、ハロゲンランプHLは、通常の白熱電球に比べて寿命が長くかつ強い光を連続的に照射できるという特性を有する。また、ハロゲンランプHLは棒状ランプであるため長寿命であり、ハロゲンランプHLを水平方向に沿わせて配置することにより上方の半導体ウェハーWへの放射効率が優れたものとなる。また、図1に示すように、熱処理装置1は、ハロゲン加熱部4およびチャンバー6の側方にシャッター機構2を備える。シャッター機構2は、シャッター板21およびスライド駆動機構22を備える。シャッター板21は、ハロゲン光に対して不透明な板であり、例えばチタンTiにて形成されている。スライド駆動機構22は、シャッター板21を水平方向に沿ってスライド移動させ、ハロゲン加熱部4と保持部7との間の遮光位置にシャッター板21を挿脱する。スライド駆動機構22がシャッター板21を前進させると、チャンバー6とハロゲン加熱部4との間の遮光位置図1の二点鎖線位置にシャッター板21が挿入され、下側チャンバー窓64と複数のハロゲンランプHLとが遮断される。これによって、複数のハロゲンランプHLから熱処理空間65の保持部7へと向かう光は遮光される。逆に、スライド駆動機構22がシャッター板21を後退させると、チャンバー6とハロゲン加熱部4との間の遮光位置からシャッター板21が退出して下側チャンバー窓64の下方が開放される。また、制御部3は、熱処理装置1に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。制御部3のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部3は、各種演算処理を行うCPU、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるROM、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるRAMおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えて構成される。制御部3のCPUが所定の処理プログラムを実行することによって熱処理装置1における処理が進行する。上記の構成以外にも熱処理装置1は、半導体ウェハーWの熱処理時にハロゲンランプHLおよびフラッシュランプFLから発生する熱エネルギーによるハロゲン加熱部4、フラッシュ加熱部5およびチャンバー6の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造を備えている。例えば、チャンバー6の壁体には水冷管図示省略が設けられている。また、ハロゲン加熱部4およびフラッシュ加熱部5は、内部に気体流を形成して排熱する空冷構造とされている。また、上側チャンバー窓63とランプ光放射窓53との間隙にも空気が供給され、フラッシュ加熱部5および上側チャンバー窓63を冷却する。次に、熱処理装置1における半導体ウェハーWの処理手順について説明する。ここで処理対象となる半導体ウェハーWはイオン注入法により不純物イオンが添加された半導体基板である。その添加された不純物の活性化が熱処理装置1によるフラッシュ光照射加熱処理アニールにより実行される。図10は、熱処理装置1における半導体ウェハーWの処理手順を示すフローチャートである。以下に示す半導体ウェハーWの処理手順は、制御部3が熱処理装置1の各動作機構を制御することによって進行する。まず、給気のためのバルブ84が開放されるとともに、排気用のバルブ89,192が開放されてチャンバー6内に対する給排気が開始されるステップS1。バルブ84が開放されると、ガス供給孔81から熱処理空間65に窒素ガスが供給される。また、バルブ89が開放されると、ガス排気孔86からチャンバー6内の気体が排気される。これにより、チャンバー6内の熱処理空間65の上部から供給された窒素ガスが下方へと流れ、熱処理空間65の下部から排気される。また、バルブ192が開放されることによって、搬送開口部66からもチャンバー6内の気体が排気される。さらに、図示省略の排気機構によって移載機構10の駆動部周辺の雰囲気も排気される。なお、熱処理装置1における半導体ウェハーWの熱処理時には窒素ガスが熱処理空間65に継続的に供給されており、その供給量は図10の処理ステップに応じて適宜変更される。続いて、ゲートバルブ185が開いて搬送開口部66が開放され、装置外部の搬送ロボットにより搬送開口部66を介してイオン注入後の半導体ウェハーWがチャンバー6内の熱処理空間65に搬入されるステップS2。搬送ロボットによって搬入された半導体ウェハーWは保持部7の直上位置まで進出して停止する。そして、移載機構10の一対の移載アーム11が退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン12が貫通孔79を通ってサセプター74の上面から突き出て半導体ウェハーWを受け取る。なお、保持部7は、基台リング71がチャンバー6の壁面に支持されることによって、サセプター74が水平姿勢となるように予めチャンバー6に装着されている。半導体ウェハーWがリフトピン12に載置された後、搬送ロボットが熱処理空間65から退出し、ゲートバルブ185によって搬送開口部66が閉鎖される。そして、一対の移載アーム11が下降することにより、半導体ウェハーWは移載機構10から保持部7のサセプター74に受け渡されて水平姿勢にて下方より保持される。半導体ウェハーWは、イオン注入がなされた表面を上面としてサセプター74に保持される。また、半導体ウェハーWは、サセプター74の上面にて5個のガイドピン76の内側に保持される。サセプター74の下方にまで下降した一対の移載アーム11は水平移動機構13によって退避位置、すなわち凹部62の内側に退避する。半導体ウェハーWが石英のサセプター74によって水平姿勢にて下方より保持された後、40本のハロゲンランプHLが一斉に点灯して予備加熱アシスト加熱が開始されるステップS3。ハロゲンランプHLから出射されたハロゲン光は、石英にて形成された下側チャンバー窓64およびサセプター74を透過して半導体ウェハーWの裏面から照射される。ハロゲンランプHLからの光照射を受けることによって半導体ウェハーWが予備加熱されて温度が上昇する。また、ハロゲンランプHLから出射された光のうち特に赤外領域の光の一部は石英製の下側チャンバー窓64およびサセプター74によって吸収されるため、これらも若干温度上昇する。なお、移載機構10の移載アーム11はサセプター74に保持された半導体ウェハーWと平面視で重ならない凹部62の内側に退避しているため、ハロゲンランプHLから半導体ウェハーWに照射された光が移載アーム11によって遮られることはない。予備加熱の段階においては、より放熱が生じやすい半導体ウェハーWの端縁部の温度が中央部よりも低下する傾向にあるが、ハロゲン加熱部4におけるハロゲンランプHLの配設密度は、半導体ウェハーWの中央部に対向する領域よりも端縁部に対向する領域の方が高くなっている。このため、放熱が生じやすい半導体ウェハーWの端縁部に照射される光量が多くなり、予備加熱段階における半導体ウェハーWの面内温度分布をより均一なものとすることができる。さらに、チャンバー側部61に装着された反射リング69の内周面は鏡面とされているため、この反射リング69の内周面によって半導体ウェハーWの端縁部に向けて反射する光量が多くなり、予備加熱段階における半導体ウェハーWの面内温度分布をより均一なものとすることができる。また、予備加熱段階にハロゲンランプHLが点灯しているときにも、チャンバー6の壁面はほとんど温度上昇しない。よって、チャンバー6の壁面に支持されている保持部7の基台リング71も概ね常温のままである。常温の基台リング71とサセプター74との間で生じる熱伝導が良好であると、ハロゲンランプHLからの光照射によって昇温された半導体ウェハーWから直ちに保持部7を介してチャンバー6に熱伝導が生じ、予備加熱が阻害される。このため、断熱材料である石英にて形成された連結部72によってサセプター74と基台リング71とを連結している。その結果、半導体ウェハーWから保持部7を介してのチャンバー6への熱伝導が抑制され、チャンバー6の壁面の温度にかかわらず、半導体ウェハーWを所定の予備加熱温度T1にまで円滑に昇温することができる。ハロゲンランプHLによる予備加熱を行うときには、半導体ウェハーWの温度が接触式温度計130によって測定されている。すなわち、熱電対を内蔵する接触式温度計130がサセプター74に保持された半導体ウェハーWの下面に切り欠き部77を介して接触して昇温中のウェハー温度を測定する。測定された半導体ウェハーWの温度は制御部3に伝達される。制御部3は、ハロゲンランプHLからの光照射によって昇温する半導体ウェハーWの温度が所定の予備加熱温度T1に到達したか否かを監視するステップS4。なお、ハロゲンランプHLからの光照射によって半導体ウェハーWを昇温するときには、放射温度計120による温度測定は行わない。これは、ハロゲンランプHLから照射されるハロゲン光が放射温度計120に外乱光として入射し、正確な温度測定ができないためである。本実施の形態においては、予備加熱温度T1は半導体ウェハーWに添加された不純物が熱により拡散する恐れのない、200°Cないし800°C程度、好ましくは350°Cないし600°C程度とされる本実施の形態では600°C。そして、半導体ウェハーWの温度が予備加熱温度T1に到達したことが検知されたら直ちにステップS5に進んでフラッシュ加熱部5のフラッシュランプFLから半導体ウェハーWへ向けてフラッシュ光が照射される。このとき、フラッシュランプFLから放射されるフラッシュ光の一部は直接に熱処理空間65内へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ52により反射されてから熱処理空間65内へと向かい、これらのフラッシュ光の照射により半導体ウェハーWのフラッシュ加熱が行われる。フラッシュ加熱は、フラッシュランプFLからのフラッシュ光照射により行われるため、半導体ウェハーWの表面温度を短時間で上昇することができる。すなわち、フラッシュ加熱部5のフラッシュランプFLから照射されるフラッシュ光は、予め蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が0.1ミリ秒ないし10ミリ秒程度の極めて短く強い閃光である。そして、フラッシュランプFLからの閃光照射によりフラッシュ加熱される半導体ウェハーWの表面温度は、瞬間的に1000°C以上の処理温度T2まで上昇し、半導体ウェハーWに添加された不純物が活性化された後、表面温度が急速に下降する。このように、熱処理装置1では、半導体ウェハーWの表面温度を極めて短時間で昇降することができるため、半導体ウェハーWに添加された不純物の熱による拡散を抑制しつつ不純物の活性化を行うことができる。なお、添加不純物の活性化に必要な時間はその熱拡散に必要な時間に比較して極めて短いため、0.1ミリ秒ないし10ミリ秒程度の拡散が生じない短時間であっても活性化は完了する。また、フラッシュ加熱時およびその後の所定時間はハロゲンランプHLからの光照射も継続して行われている。本実施形態の熱処理装置1は、ハロゲンランプHLによって半導体ウェハーWを予備加熱温度T1600°Cにまで予備加熱してからフラッシュランプFLからの閃光照射によってフラッシュ加熱を行っている。半導体ウェハーWの温度が600°C以上になると添加された不純物の熱拡散が生じる可能性があるが、ハロゲンランプHLは比較的急速に半導体ウェハーWを600°Cまで昇温することができるため、添加不純物の拡散を最小限に抑制することができる。また、半導体ウェハーWを予備加熱温度T1にまで昇温してからフラッシュランプFLからのフラッシュ光照射を行うことにより、半導体ウェハーWの表面温度を処理温度T2まで速やかに上昇させることができる。フラッシュ加熱が終了した後、所定時間経過後にハロゲンランプHLが消灯し、半導体ウェハーWの降温が開始されるステップS6。また、ハロゲンランプHLが消灯するのと同時に、シャッター機構2がシャッター板21をハロゲン加熱部4とチャンバー6との間の遮光位置に挿入するステップS7。ハロゲンランプHLが消灯しても、すぐにフィラメントや管壁の温度が低下するものではなく、暫時高温のフィラメントおよび管壁から輻射熱が放射され続け、これが半導体ウェハーWの降温を妨げる。シャッター板21が挿入されることによって、消灯直後のハロゲンランプHLから熱処理空間65に放射される輻射熱が遮断されることとなり、半導体ウェハーWの降温速度を高めることができる。また、シャッター板21が遮光位置に挿入された時点で放射温度計120による温度測定を開始する。すなわち、保持部7に保持された半導体ウェハーWの下面からサセプター74の開口部78を介して放射された赤外光の強度を放射温度計120が測定して降温中の半導体ウェハーWの温度を測定する。測定された半導体ウェハーWの温度は制御部3に伝達される。消灯直後の高温のハロゲンランプHLからは多少の放射光が放射され続けるのであるが、放射温度計120はシャッター板21が遮光位置に挿入されているときに半導体ウェハーWの温度測定を行うため、ハロゲンランプHLからチャンバー6内の熱処理空間65へと向かう放射光は遮光される。従って、放射温度計120は外乱光の影響を受けることなく、サセプター74に保持された半導体ウェハーWの温度を正確に測定することができる。制御部3は、放射温度計によって測定される半導体ウェハーWの温度が所定温度まで降温したか否かを監視する。そして、半導体ウェハーWの温度が所定以下にまで降温した後、移載機構10の一対の移載アーム11が再び退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン12がサセプター74の上面から突き出て熱処理後の半導体ウェハーWをサセプター74から受け取る。続いて、ゲートバルブ185により閉鎖されていた搬送開口部66が開放され、リフトピン12上に載置された半導体ウェハーWが装置外部の搬送ロボットにより搬出されステップS8、熱処理装置1における半導体ウェハーWのフラッシュ加熱処理が完了する。ところで、上記の熱処理工程において、フラッシュランプFLからのフラッシュ光照射により加熱される半導体ウェハーWの表面温度は瞬間的に1000°C以上の処理温度T2まで上昇する一方、その瞬間の裏面温度は予備加熱温度T1からさほどには上昇しない。このため、ウェハー表面側のみに急激な熱膨張が生じ、半導体ウェハーWに上面を凸面とするように反ろうとする応力が作用する。次に瞬間には、半導体ウェハーWの表面温度が急速に下降する一方、表面から裏面への熱伝導により裏面温度も若干上昇するため、半導体ウェハーWには上記とは逆向きに反ろうとする応力が作用する。また、半導体ウェハーWの表面近傍の雰囲気にも急激な熱膨張が生じ、そこからも半導体ウェハーWおよびサセプター74に応力が作用する。その結果、フラッシュ光照射直後に半導体ウェハーWおよびサセプター74が激しく振動しようとする。本実施形態においては、断面がL字形状の石英の連結部72によってサセプター74の周縁部と基台リング71とを連結している。石英自体は硬質の材料であって弾性材料としての機能は有していないが、連結部72の断面形状をL字形状とし、その両端部にサセプター74の周縁部および基台リング71を固着することにより、石英の連結部72に制振機能を付与することができる。すなわち、断面L字形状の石英の連結部72によってサセプター74およびそれに保持された半導体ウェハーWに急激に作用する応力を緩和することができ、フラッシュ光照射直後の半導体ウェハーWおよびサセプター74の振動を抑制することができる。石英の連結部72に適切な制振機能を付与するために、連結部72の幅dを3mm以上40mm以下とするとともに、最も薄い部分の厚さtを3mm以上35mm以下としている。連結部72の幅dが3mm未満であると、連結部72が脆弱となってフラッシュ光照射時に半導体ウェハーWおよびサセプター74に作用する衝撃によって破損するおそれがある。一方、連結部72の幅dが40mmを超えると、連結部72の剛性が高くなりすぎて制振機能が低下し、フラッシュ光照射直後の半導体ウェハーWおよびサセプター74の振動を十分に抑制できなくなる。また、連結部72の最も薄い部分の厚さtが3mm未満であると、上記と同様に連結部72が脆弱となってフラッシュ光照射時に破損するおそれがある。一方、この厚さtが35mmを超えると、上記と同様に連結部72の剛性が高くなりすぎて制振機能が低下し、フラッシュ光照射直後の半導体ウェハーWおよびサセプター74の振動を十分に抑制できなくなる。このような理由によって、連結部72の幅dを3mm以上40mm以下とするとともに、最も薄い部分の厚さtを3mm以上35mm以下としている。また、石英は断熱材料でもあり、その石英にて形成された連結部72によってサセプター74の周縁部と基台リング71とを連結している。このため、チャンバー6の壁面と半導体ウェハーWとの間に生じる熱伝導を抑制することができ、チャンバー6の壁面の温度にかかわらず、半導体ウェハーWを一定温度に昇温することができる。その結果、複数の半導体ウェハーWを連続して処理する場合であっても、それらの間での温度履歴を均一にすることができる。さらに、本実施形態においては、連結部72がサセプター74および基台リング71と同じ材料石英にて形成されているため、それらの間に温度差が生じにくい。また、連結部72、サセプター74および基台リング71の熱膨張係数は同じになるため、半導体ウェハーWの昇温時および降温時に温度変化に起因した破損が生じにくい。以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、サセプター74と基台リング71とを4個の連結部72によって連結していたが、連結部72の個数は4個に限定されるものではなく、サセプター74を安定して支持することができる個数例えば、3個または5個であれば良い。また、連結部72の材質も石英に限定されるものではなく、他の材質を用いるようにしても良い。連結部72の材質としては、チャンバー6の壁面と半導体ウェハーWとの間に生じる熱伝導を抑制するために、熱伝導率が30Wm1K1以下の断熱材料を用いるのが好ましい。このような断熱材料としては、石英の他に、炭化ケイ素SiCまたは窒化ケイ素SiNを用いることができる。連結部72を石英以外の材質にて形成した場合には、保持部7に温度差が生じるのを防ぐために、サセプター74および基台リング71も連結部72と同じ材質にて形成するのが好ましい。また、上記実施形態においては、連結部72とサセプター74および基台リング71とを溶接によって固着していたが、基台リング71、連結部72およびサセプター74を備える保持部7の全体を石英のインゴットから加工して一体成形するようにしても良い。すなわち、連結部72のL字形状の先端部にてサセプター74の周縁部と固着されるとともに、当該L字形状の基端部にて基台リング71と固着される形態であれば良い。また、サセプター74の上面に5個のガイドピン76よりも内側に支持ピンを立設し、その支持ピンによって半導体ウェハーWを下方より支持するようにしても良い。また、上記実施形態においては、基台リング71を円環形状としていたが、必ずしも完全な円環形状でなくても良い。すなわち、基台リング71の形状は、円環形状から一部が欠落した円弧状であっても良い。もっとも、上記実施形態のように基台リング71を完全な円環形状の石英部材とした方が、連結部72およびサセプター74を安定して支持することができ、フラッシュ光照射直後の半導体ウェハーWおよびサセプター74の振動抑制にはより効果的である。また、上記各実施形態においては、フラッシュ加熱部5に30本のフラッシュランプFLを備えるようにしていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプFLの本数は任意の数とすることができる。また、フラッシュランプFLはキセノンフラッシュランプに限定されるものではなく、クリプトンフラッシュランプであっても良い。また、ハロゲン加熱部4に備えるハロゲンランプHLの本数も40本に限定されるものではなく、任意の数とすることができる。また、本発明に係る熱処理装置によって処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などのフラットパネルディスプレイに用いるガラス基板や太陽電池用の基板であっても良い。また、本発明に係る技術は、金属とシリコンとの接合、或いはポリシリコンの結晶化に適用するようにしても良い。"