ダイパッドと、インナーリードと、アウターリードと、タイバーと、外枠体とを備えたリードフレームにおいて、前記外枠体に切欠き部が設けられ、且つ切欠き段差部が設けられ、前記切欠き部は樹脂成形時に樹脂封止体から樹脂が充填され、前記樹脂封止体を前記リードフレームに固着できることを特徴とするリードフレーム。請求項1に記載のリードフレームによって製造されたことを特徴とする半導体装置。さらにハンドリングの自由度を増すために、半導体装置のリードフレーム枠への保持において、樹脂封止体の不必要凹凸をなくし、接着力を高める必要がある。しかしながら、従来技術は、リードフレーム枠と樹脂封止体とをスルーゲートを介して固定するので、ゲートの厚さ凸が必要であり、これにより、ハンドリング時や個片分割時に阻害要因となるという課題がある。また、切欠き部に樹脂を充填する場合では、フレーム板厚のみ充填されるのは良いが、接着力がフレームの切欠き部断面のみであり、これにより、フレームが薄い場合は接着力が弱いという課題がある。従って、本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、板厚方向に段差を設けた切欠き部を有するリードフレームを用いて、樹脂封下を固定保持することが可能なリードフレームと半導体装置の製造方法と半導体装置を提供することを目的とする。上述の課題を解決するために、本発明は、以下に掲げる構成とした。本発明のリードフレームは、ダイパッドと、インナーリードと、アウターリードと、タイバーと、外枠体とを備えたリードフレームにおいて、外枠体に切欠き部が設けられ、且つ切欠き段差部が設けられ、切欠き部は樹脂成形時に樹脂封止体から樹脂が充填され、樹脂封止体をリードフレームに固着できることを特徴とする。また、本発明の半導体装置は、前述のリードフレームによって製造されたことを特徴とする。本発明は、半導体装置のリードフレームにおいて、切欠き部と内部に段差部を設けているので、樹脂固定部を凸形状に厚くしないで済むリードフレームを提供することができる効果を奏する。また、板厚が薄いリードフレーム枠との固定において、強固に固定できるリードフレームと半導体装置を提供することができる効果を奏する。以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものであり、寸法関係の比率等は現実のものとは異なる。したがって、具体的な寸法等は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。以下、図面を参照して本発明の実施例1の係るリードフレーム1を説明する。図1は、本発明の実施例1に係るリードフレーム1の平面図である。まず、図1に示すように、リードフレーム1は、ダイパッド2、インナーリード3、アウターリード4、外枠体5、タイバー6、切欠き部7とで構成され、一体に形成されている。例えば、0.5mm厚の平形状板材をプレス打ち抜き加工や化学的なエッチング加工が適用され、材質は銅又は銅合金が多く使用され、表面はニッケルめっき等を施すことができる。ダイパッド2は、半導体素子を搭載するために、半導体素子よりも大きな支持板となっており、インナーリード3の一方の端部に連結されている。ここではダイパッド2が1箇所形成されている。インナーリード3は、ダイパッド2に連結される他は、細長い形状をしており、一方の端部は内部配線をするために、ダイパッド2の近傍に位置している。他方の端部はタイバー6に連結されている。アウターリード4は、有る間隔を成して並んでおり、細長い形状をしている。一方の端部はタイバー6に連結され、他方の端部は外枠体5に連結されている。すなわち、アウターリード4とタイバー6と外枠体5とが格子状に形成されている。アウターリード4は、半導体装置13の電気的な入出力部の外部リードとして使われる。また、アウターリード4はタイバー6を介してインナーリード3と相対している。外枠体5は、アウターリード4とタイバー6とに連結され、ダイパッド2、とインナーリード3を囲むように周囲に配置されている。リードフレーム1自体の機械的強度を保つために、アウターリード4やタイバー6よりも幅広に形成されている。また、外枠体5は、4辺あり、詳細には、アウターリード4が連結されたキャリア51図中下側、タイバーが連結されたセクションバー52、53図中左右側、何も連結されていないサイドレール54図中上側とで構成されている。この各外枠体を複数接続した形態は、半導体装置が複数個取り可能なリードフレームとなる。例えば、図中横方向に接続すれば、横短冊型リードフレームであり、図中縦方向に接続すれば、縦短冊型リードフレームであり、図中左右上下横縦方向に接続すれば、マトリクスフレームとなる。タイバー6は、インナーリード3とアウターリード4とを中継しており、インナーリード3とアウターリード4とに直交するように配置されている。タイバー6の幅は切断し易いように幅狭となっている。タイバー6に両側端部は外枠体5と連結されている。切欠き部7は、外枠体5の内周端面から外周端面に向かって形成されている。ここでは、外枠体5のセクションバー52、53に形成されており、セクションバー52では、図中の右から左方向へ切欠かれている。セクションバー53においては、セクションバー52の対象形状になっている。切欠き部7の詳細は、図3の拡大平面図が示すように、切欠き孔部71、切欠き段差部72が形成されている。切欠き孔部71は外枠体5を貫通したものであり、樹脂封止体側が開口されている。切欠き段差部72は、後述する樹脂が切欠き部7に充填されて時に、接触面積を増すために使用する部位である。例えば、セクションバー52、53をプレス金型装置により、打ち抜き加工して切欠き孔部7を形成し、押し潰し加工して切欠き段差部72を形成することができる。よって、切欠き部7は、ここに後述する樹脂封止体10の樹脂が流れ込み充填され、樹脂封止体10をリードフレーム1外枠体5に保持するものである。次に、図2は、実施例1に係るリードフレームに樹脂成形した平面図である。リードフレーム1において、ダイパッド2上に半導体素子が接合材を介して搭載され、半導体素子の電極とインナーリード3の一方の端部とがワイヤにより電気的に接続される図示せず。この形態において樹脂成形したものである。樹脂封止体10は、上金型凹部と下金型凹部とで、リードフレーム1を挟持し、形成された空間に溶融されたモールド樹脂を充填する図示せず。例えば、トランスファーモールド装置により、エポキシ樹脂を充填し成形される。樹脂封止体10は、略矩形形状をしており、ダイパッド2とインナーリード3を覆っている。アウターリード4が樹脂封止体10から外部へ導出している。次に、図4から図7により、実施例1に係る半導体装置11の製造方法を説明する。上述の通りに、リードフレーム1において、ダイパッド2上に半導体素子が接合材を介して搭載され、半導体素子の電極とインナーリード3の一方の端部とがワイヤにより電気的に接続される組立工程。この形態において樹脂成形する樹脂封止工程。次に、アウターリード4がタイバー6と外枠体5に連結されているので、電気的に独立するようにアウターリード4間のダイバーを削除し、アウターリード4の他方の端部を外枠体5キャリア51から削除する分離工程。この工程は、一般的にダイパンチ方式のプレス金型装置によって加工される。この時、樹脂封止体10から連結された樹脂が外枠体5の切欠き部7に充填され接合されているので、リードフレーム1に樹脂封止体10が保持された状態であり、リードフレーム1を使ってハンドリングすることができる。これにより、アウターリード4の各々が独立するので、このアウターリード4を使って半導体装置11の特性を計測し選別をおこなう検査工程。半導体装置11がリードフレーム1に保持されているので、ハンドリングが容易で効率よく検査工程を製造できる。次に、検査工程終了後、図6に示すように、樹脂封止体10と樹脂で連結された切欠き部7の樹脂とをプレス金型装置等により押し割り個片に分割し、リードフレーム1から個々の半導体装置11を取り出す分割工程。これにより、図7に示す半導体装置11が完成する。半導体装置11は一般的な樹脂封止型半導体装置である。次に、上述の実施例1に係るリードフレーム1と半導体装置11の効果を説明する。本発明の実施例1に係るリードフレーム1は、外枠体に切欠き部を備えている。また、本発明の実施例1に係る半導体装置11は、製造方法において、樹脂封止体が切欠き部で固定されている。これにより、フレーム1の外枠体5はモールド金型の平坦部に挟持され、リードフレーム1の厚さ方向に突出凸部をつくらず樹脂封止体が固定されているので、樹脂が切欠き部7に充填されても、リードフレーム1の板厚は変化しないことが可能である。よって、チャック等のハンドリングや治工具への収納時に邪魔になることはない。また、半導外枠体の切欠き部に切欠き段差が設けられているので、樹脂封したが強固に固定することができ、製造工程において、効率よく搬送ができる半導体装置を製造することが可能である。さらに、樹脂封止体には接続部に引き抜き穴や接続部が露出することがないので、基板実装時の半田付け用フラックス等が入り込まないことも可能である。上述のように、本発明の実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかになるはずである。上述の例では、リードフレーム1の素材を銅又は銅合金としたが、鉄又は鉄合金、アルミ又はアルミ合金としてもよい。また、外枠体に設けられる切欠き部の場所、数量は任意であってもよい。また、図8に示すように、変形例1として、切欠き段差部が略T字形状のなるように、切欠き孔部を形成して、外枠体の断面積を増して、密着性を向上させてもよい。また、図9に示すように、変形例2として、切欠き孔をスリット状に形成し切欠きスリット部73を設け、外枠体の断面積を増して、密着性を向上させてもよい。また、実施例1はSIPSingleInlinePackage型半導体としたが、例えば、SOPSmallOutlinePackage型半導体であってもよい。