基板上に設けられている複数のパターニングレジストフィーチャの粗度プロフィールを低減する方法であって、前記複数のパターニングレジストフィーチャはそれぞれ、第1の側壁、および、前記第1の側壁の反対側にある第2の側壁を有しており、前記複数のパターニングレジストフィーチャはそれぞれさらに、粗度プロフィールを持ち、前記方法は、レジストフィーチャの前記粗度プロフィールを低減するべく複数のイオン照射サイクルを実行する段階を備え、前記複数のイオン照射サイクルはそれぞれ、5度以上の傾斜角で前記第1の側壁にイオンを供給する段階と、約5度以上の傾斜角で前記第2の側壁にイオンを供給する段階とを有する方法。前記複数のイオン照射サイクルのそれぞれにおいて、前記傾斜角は同じである請求項1に記載の方法。前記傾斜角は、第1のイオン照射サイクルと第2のイオン照射サイクルとの間で異なる請求項1に記載の方法。第1の照射サイクルにおいて、前記イオンは、前記第1および第2の側壁に対する法線に関して正の方向にゼロでないねじれ角を形成し、第2の照射サイクルにおいて、前記イオンは、前記法線に関して負の方向に前記ゼロでないねじれ角を形成する請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。第1の照射サイクルにおける前記傾斜角は、第2の照射サイクルにおける前記傾斜角未満である請求項1または3に記載の方法。基板の第1の表面に設けられている複数のパターニングレジストフィーチャの粗度プロフィールを低減する方法であって、前記複数のパターニングレジストフィーチャはそれぞれ、第1の側壁、および、前記第1の側壁の反対側にある第2の側壁を有しており、前記方法は、第1の照射において、前記基板の前記第1の表面に、基板法線に対して定義される約5度より大きい第1の傾斜角で第1のイオンドーズを照射し、第2の照射において、前記基板の前記第1の表面に、基板法線に対して定義される約5度より大きい第2の傾斜角で第2のイオンドーズを照射し、第3の照射において、前記基板の前記第1の表面に基板法線に対して定義される約5度より大きい第3の傾斜角で第3のイオンドーズを照射し、第4の照射において、前記基板の前記第1の表面に基板法線に対して定義される約5度より大きい第4の傾斜角で第4のイオンドーズを照射することによって前記複数のパターニングレジストフィーチャに総イオンドーズを供給する段階を備え、前記第1のイオンドーズは、前記複数のパターニングレジストフィーチャの前記第1の側壁に衝突し、前記第2のイオンドーズは、前記複数のパターニングレジストフィーチャの前記第2の側壁に衝突し、前記第3のイオンドーズは、前記複数のパターニングレジストフィーチャの前記第1の側壁に衝突し、前記第4のイオンドーズは、前記複数のパターニングレジストフィーチャの前記第2の側壁に衝突し、総照射ドーズは、前記第1のイオンドーズ、前記第2のイオンドーズ、前記第3のイオンドーズおよび前記第4のイオンドーズの合計に等しい方法。前記第1の傾斜角は、前記第2の傾斜角と同じ大きさの角度を形成しており、前記第3の傾斜角は、前記第4の傾斜角と同じ大きさの角度を形成している請求項6に記載の方法。前記第1のイオンドーズおよび前記第2のイオンドーズは等しく、前記第3のイオンドーズおよび前記第4のイオンドーズは等しい請求項6または7に記載の方法。前記第1の傾斜角および前記第3の傾斜角は同じ角度である請求項7または8に記載の方法。前記第1の傾斜角および前記第3の傾斜角は、前記基板法線に対して、異なる角度を形成する請求項7または8に記載の方法。前記第1の傾斜角は、前記基板法線に対して、前記第3の傾斜角よりも大きい角度を形成する請求項7、8または10に記載の方法。前記第1の傾斜角は、前記基板法線に対して、前記第3の傾斜角よりも小さい角度を形成する請求項7、8または10に記載の方法。前記第1のイオンドーズは、前記第3のイオンドーズよりも大きい請求項8に記載の方法。前記総イオンドーズは、約5E14/cm2および約2.0E16/cm2との間である請求項6から13のいずれか一項に記載の方法。前記総イオンドーズは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンおよびラドンから成る群から選択されるイオンのドーズを含む請求項6から14のいずれか一項に記載の方法。前記複数のパターニングレジストフィーチャが受け取る前記総照射ドーズは、イオンエネルギーが同じである請求項6から15のいずれか一項に記載の方法。前記基板の前記第1の表面に1回以上の追加照射サイクルを照射する段階をさらに備え、前記1回以上の追加照射サイクルはそれぞれ、前記基板の前記第1の表面に、基板法線に対して定義される約5度より大きい追加傾斜角で、イオンを前記複数のパターニングレジストフィーチャの前記第1の側壁に衝突させる段階と、前記基板の前記第1の表面に、基板法線に対して定義される約5度より大きい別の傾斜角で、イオンを前記複数のパターニングレジストフィーチャの前記第2の側壁に衝突させる段階とを有する請求項6から16のいずれか一項に記載の方法。前記第1の傾斜角は、前記第2の傾斜角と同じ大きさの角度を形成しており、前記第3の傾斜角は、前記第4の傾斜角と同じ大きさの角度を形成しており、前記1回以上の追加照射サイクルのそれぞれにおいて、前記追加傾斜角は、前記別の傾斜角と同じ大きさの角度を形成している請求項17に記載の方法。照射毎に、ねじれ角を利用して前記基板を回転させる段階をさらに備える請求項6から18のいずれか一項に記載の方法。前記総イオンドーズは、前記基板を備えるチャンバにおいて、照射と照射との間で真空を断絶させることなく、実行される請求項6から19のいずれか一項に記載の方法。基板上に設けられている複数のパターニングレジストフィーチャで粗度を低減させるシステムであって、前記複数のパターニングレジストフィーチャはそれぞれ、第1の側壁および前記第1の側壁の反対側の第2の側壁を有しており、前記システムは、前記基板にイオンを供給するイオン源と、前記イオンに対して相対的に、ねじれ運動および傾斜運動を含む一連の運動を実行する基板ステージと、プロセッサと、一連の傾斜角、一連のねじれ角、一連のイオンエネルギーおよび一連のイオンドーズのうち1以上を含むイオン照射パラメータを格納するメモリと、前記メモリおよび前記プロセッサと共に動作可能なコンピュータ可読プログラムであって、前記イオン源および前記基板ステージに制御信号を送信して複数のイオン照射サイクルを実行させるコンピュータ可読プログラムとを備え、前記複数のイオン照射サイクルのそれぞれにおいて、前記基板ステージは、前記複数のパターニングレジストフィーチャに対応付けられているラインウィドスラフネスプロフィールを低減するべく、前記イオンが、約5度以上の傾斜角で前記第1の側壁および前記第2の側壁に交互に照射されるように配向されているシステム。低周波数粗度および中周波数粗度は、前記複数のパターニングレジストフィーチャに前記複数のイオン照射サイクルが実行されることで、低減される請求項21に記載のシステム。本発明の実施形態は、基板をパターニングする方法およびシステムに関する。一実施形態は、複数のパターニングレジストフィーチャにおける粗度プロフィールを小さくする方法を含む。当該方法において、パターニングレジストフィーチャはそれぞれ、第1の側壁と、第1の側壁の反対側の第2の側壁とを含む。当該方法は、複数のイオン照射サイクルを実行して、レジストフィーチャの粗度プロフィールを小さくすることを含む。各イオン照射サイクルは、約5度以上の傾斜角でイオンを第1の側壁に供給することと、約5度以上の傾斜角でイオンを第2の側壁に供給することとを含む。別の実施形態は、基板の第1の面に設けられている複数のパターニングレジストフィーチャにおいて粗度プロフィールを小さくする方法に関する。当該方法において、パターニングレジストフィーチャはそれぞれ、第1の側壁と、第1の側壁の反対側の第2の側壁とを含む。当該方法は、照射によって総イオンドーズを複数のパターニングレジストフィーチャに供給する段階を備える。第1の照射において、基板の第1の面には、基板法線から約5度より大きい第1の傾斜角で第1のイオンドーズを照射する。第1のイオンドーズは、複数のレジストフィーチャの第1の側壁に当たる。基板の第1の面には、第2の照射において、第2のイオンドーズが、基板法線から約5度よりも大きい第2の傾斜角で照射される。第2のイオンドーズは、複数のレジストフィーチャの第2の側壁に当たる。基板の第1の面には、第3の照射において、第3のイオンドーズが、基板法線から約5度より大きい第3の傾斜角で照射される。第3のイオンドーズは、複数のレジストフィーチャの第1の側壁に当たる。基板の第1の面には、第4の照射において、第4のイオンドーズが、基板法線から約5度より大きい第4の傾斜角で照射される。第4のイオンドーズは、複数のレジストフィーチャの第2の側壁に当たる。総照射ドーズは、第1、第2、第3および第4のイオンドーズの合計に等しい。別の実施形態は、基板上に設けられているパターニングレジストフィーチャにおいて粗度を小さくするシステムを含む。レジストフィーチャはそれぞれ、第1の側壁と、第1の側壁の反対側の第2の側壁とを含む。当該システムは、基板に向けてイオンビームを供給するイオン源を備える。当該システムはさらに、イオンビームに対して相対的に一連の運動、例えば、ねじれ運動および傾斜運動を実現する基板ステージを備える。当該システムはさらに、プロセッサと、一連の傾斜角、一連のねじり角、一連のイオンエネルギー、および、一連のイオンドーズのうち1以上を含むイオン照射パラメータを格納するメモリとを備える。当該システムはさらに、メモリおよびプロセッサと共に利用可能なコンピュータ可読プログラムであって、イオン源および基板ステージに制御信号を送信して複数のイオン照射サイクルを実行させるコンピュータ可読プログラムを備える。パターニングレジストフィーチャに対応付けられるラインウィドスラフネスLWRのプロフィールを小さくするべく、各イオン照射サイクルにおいて、基板ステージは、イオンビームに対して約5度以上の傾斜角で第1の側壁および第2の側壁を交互に照射するように向きを決める。添付図面を参照しつつ以下で本発明をさらに詳細に説明する。添付図面には、本発明の好ましい実施形態を図示している。しかし、本発明の実施形態には数多く異なるものがあるとしてよく、本明細書で記載している実施形態に限定されるものと解釈されるべきではない。以下に記載する実施形態は、本開示が完全かつ詳細に記載され、本発明の範囲を漏らすことなく全て当業者に伝えるために説明されている。図面では、同様の数字は同様の構成要素を示すものとする。上述した方法に関する問題点を解決するべく、パターニングフォトレジストフィーチャにおける粗度を改良する新規の方法の発明を本明細書に開示している。本発明の実施形態は、複数のフォトレジストフィーチャを含むパターニングレジストにイオンを供給することに関する。フォトレジストフィーチャに対して一連のイオンドーズ照射を実行する。この間、フォトレジストフィーチャの各側壁には、基板に対して垂直以外の角度で入射するイオンビームを用いて、複数回のイオンビーム照射複数回のイオンドーズを実施する。このようにして、以下で詳細に説明しているが、パターニングフォトレジストフィーチャについてLER、LWR、および、長さスケールが大および中の粗度が改善する。本発明の好ましい構成によると、イオン注入システムにおいてイオンを基板に供給する。図面を参照すると、図1は、本発明の実施形態で利用されるイオン注入装置の特徴の概要を示す、イオン注入装置を示すブロック図である。システム100は、イオン源チャンバ102を備える。電源101は、特定の種のイオンを生成するソース102に必要なエネルギーを供給する。生成されたイオンは、一連の電極104引出電極を用いてソースから引き出されて、質量分析マグネット106を通過するビーム95を形成する。質量分析部は、所望の質量電荷比のイオンのみが分析部内を通過できるように、特定の磁界を持つように構成される。所望の種のイオンは、減速ステージ108を通過して、修正マグネット110に向う。修正マグネット110は、エネルギー供給を受けて、印加された磁界の強度および方向に応じてイオンビームレットを偏向し、支持部例えば、プラテン114上に配置されているワークピースまたは基板を対象とするビームを提供する。場合によっては、修正マグネット110と支持部114との間において第2の減速ステージ112を設けるとしてよい。イオンは、基板内の電子および核に衝突するとエネルギーを失い、加速エネルギーに応じて決まる基板内の所望の深さで停止する。本発明の実施形態に応じて、基板は、ビーム95等のビームに対して相対的に一連の運動を可能とするように構成されている可動ステージに取り付けられるとしてよい。この一連の運動には、並進運動、ねじり運動および傾斜運動が含まれるとしてよい。注入システム100には、入射ビームに対して、例えば、基板に対する法線に対して約-75度から75度までの角度で、基板を傾斜させる傾斜ステージが備えられている。図2Aおよび図2Bは、本発明に係る方法の特徴の概要を説明するための図である。図2Aおよび図2Bには、基板200上に設けられている従来のパターニングレジスト202を示す平面概略図および断面概略図が図示されている。パターニングレジストは、リソグラフィープロセスがフォトレジスト層に実施されて形成される複数のライン204を含む。図示されているように、ライン幅は、方向xにおいて測定され、ライン204毎に長さL方向に変動する。公知のリソグラフィープロセスを利用するので、ラインウィドスラフネスLWRは、クリティカルディメンションが約100nm未満であるレジストパターンでは特に、公称ライン幅に対して大きな割合を占めるとしてよい。レジストライン204の公称CDWは、図示している複数のラインについて同一であると図示されている。当業者であれば容易に想到するであろうが、ラインウィドスラフネスLWRが大きいレジストラインの場合、隣接するレジストライン同士は、このラインウィドスラフネスのために、実際の幅が大きく異なるとしてよい。しかし、隣接するライン204は、説明を簡略化して分かり易いようにするべく、寸法が同様であるものとして図示されている。レジストの粗度プロフィールには、LWRに加えて、ラインエッジラフネスLERも含まれるとしてよい。同様に、小、中、大の範囲でのLWR変動も含まれるとしてよい。このパラメータは、方向Lにおけるライン幅が変動する範囲である長さスケールの値に対応する。LWRまたはLERの絶対値に加えて、ライン幅変動が見られる範囲である長さスケールは、デバイス製造時の主な懸念材料であるとしてよい。例えば、フォトレジストラインを用いてパターニングされたデバイスの場合、デバイス性能への影響は、フォトレジストのラインにおいて粗さが見られる範囲が大きい場合と小さい場合では異なることが分かっている。図2Cは、低周波数204a、中周波数204bおよび高周波数204cの粗度成分がライン204に発生する経緯を説明する図である。これらの粗度成分は、大、中、小の範囲での粗度変動に対応する。本発明の実施形態では、レジスト202等のパターニングレジストに一連のイオンドーズ照射が実行されると、一連の照射後のレジスト粗度プロフィールに改善が見られる。粗度プロフィールの改善または低減は、LWR、LER、および、小、中、大の範囲での粗度変動のうち1以上のパラメータが減少したことを意味する。本発明者は、イオン照射に関連するパラメータを制御することによって、LWRの改善度が最適化され得ることを発見した。上記のパラメータには、これらに限定されないが、イオン入射角、イオンエネルギー、イオンの種類、総イオンドーズ、および、特定の順序でのイオン照射ステップが含まれるとしてよい。以下で詳細に説明する。本発明によると、基板200に供給されるイオンは、図2Bのイオンビーム218、220、222および224について示すように、基板平面への法線Nに対してゼロ以外の傾斜角θで入射するとしてよい。以下で詳細に説明している本発明の実施形態では、基板200等の基板に、一連の照射サイクルでイオンビームを照射するとしてよい。各照射サイクルは、イオンビームが正の傾斜角を形成する照射時間と、イオンビームが負の傾斜角を形成する照射時間とを含む。このような各照射サイクルで交互に用いられる複数の傾斜角は、約-5度から約-85度の範囲内であるとしてよい。イオンビームは法線に対してゼロでない傾斜角を持って入射するので、イオンはレジストフィーチャの側壁に衝突し、レジストフィーチャの粗さをより効果的に修正するとしてよい。図2Aのイオンビーム212、214および216について図示されているように、ねじれ角φもまた変化させるとしてよい。好ましくは、約0と約-15度との間で変化させるとしてよい。シリコン結晶ウェハに対するイオン注入処理の場合、ねじれ角は概して、イオンビームを含む平面と、ウェハ法線と、<100>Siにおいて[011]方向に沿っている主フラットに垂直な平面との間に形成される角度として定義される。しかし、本明細書で用いる場合、ねじれ角という用語は、図2Aに示すように、イオンビームを含む平面と、ウェハ法線と、パターニングレジストフィーチャの長手軸Lに垂直な平面Pとの間に形成される角度を意味する。したがって、ねじれ角がゼロであるということは、その下方にあるウェハの配向に関わらず、イオンビームがレジストラインの長手軸に垂直な平面内にあることを意味する。図3のAからEは、本開示に係るプロセスに含まれるステップの一例を説明するための、レジストパターンを示す概略断面図である。図3のAからEは、例えば、図2Aおよび図2Bのレジストのサンプル202に対応する断面を示すとしてよい。図3のAは、フォトリソグラフィープロセスを用いてパターニングされた後の一対のレジストフィーチャ304を含む基板302を図示している。レジストライン304の公称CDWは、図示しているラインの両方について同一であるものとして図示されている。レジストラインにはさらに、公称高さhが決められているとしてよく、公称ピッチDによって特徴付けられるとしてよい。当業者であれば容易に想到するであろうが、ラインウィドスラフネスLWRが大きいレジストラインパターンの場合、隣接するレジストライン同士は、ライン幅のバラツキのために、実際の幅が大きく異なる場合がある。しかし、隣接するライン304は、分かり易いように、どれも同様の寸法であるように図示されている。図3のBからEは、レジストライン304をイオンビーム312に露光する多段階イオン注入プロセスの一例を示す図である。このプロセスの一例では、各ステップにおいて、イオンビーム312のイオン種およびイオンエネルギーが同じであるとしてよい。しかし、他の例では、イオン種およびイオンエネルギーは、照射ステップ毎に異なるとしてもよい。イオンエネルギーは、約数百eV以上であってよい。具体的には、イオンエネルギーは、約1KeVから約20KeVの範囲内であってよい。図3のBでは、イオンビーム312による第1のイオンドーズが、基板302に対して第1のゼロでない傾斜角で供給され、レジストラインの上面304cおよび左側壁304aにイオン束が照射される。一方、右側壁304bは、イオンが略照射されない。図3のBにおける照射ステップの長さはさまざまであってよいが、一般的には約1秒以上である。イオンビーム312の照射中、イオンが側壁304aに衝突することにより、局所的に配列の並び替え、軟化、材料の除去、または、側壁304bを円滑化するその他の現象を発生させるとしてよい。第1のイオンドーズを実行した後、当該方法は図3のCに図示するステップに進み、第2のイオンドーズを、基板302に向けて、第2のゼロでない傾斜角で実行する。一実施形態によると、イオンエネルギーは、図3のBのステップで用いたものと同一であり、第2のイオンドーズは、第1のイオンドーズと同一であり、第2のゼロでない傾斜角は、基板法線に対して定義される角度を形成し、第1のゼロでない傾斜角と値は同じであるが、第1のゼロでない傾斜角と反対側に定義される。例えば、法線に対して、第1の傾斜角は、30度であってよく、第2の傾斜角は-30度であってよい。このステップでは、左側壁304aにはイオンが略照射されていないが、上面304cおよび側壁304bにはイオンが衝突し、局所的に、配列の並び替え、軟化、材料の除去または側壁304bを円滑化するその他の現象を発生させるとしてよい。第2のイオンドーズを実行した後、基板には、図3のDに図示しているステップで図示しているように、第3のイオンドーズが照射されるとしてよい。第3のイオンドーズは、第1のイオンドーズと同一であってもよいし、または、第1のイオンドーズよりも増減させるとしてもよい。一例を挙げると、イオンビーム312による第3のイオンドーズは、基板302に対して第1のゼロでない傾斜角で供給され、レジストラインの上面304cおよび左側壁304aに図3のCのステップと同様の角度で衝突する。このステップにおいて、側壁304aではさらに、局所的に配列の並び替え、軟化、材料の除去または側壁304aの粗さをさらに小さくする他の現象が発生するとしてよい。第3のイオンドーズを実行した後、基板には、図3のEに示すステップで図示しているように、第4のイオンドーズを照射するとしてよい。第4のイオンドーズは、第2のイオンドーズと同一であってもよいし、または、第2のイオンドーズから増減させるとしてもよい。一例を挙げると、イオンビーム312による第4のイオンドーズは、基板302に対して第2のゼロでない傾斜角で供給され、レジストラインの上面304cおよび右側壁304bに図3のCのステップと同様の角度で衝突する。このステップにおいて、側壁304bではさらに、局所的に配列の並び替え、軟化、材料の除去、または、側壁304bの粗さをさらに小さくするような他の現象が発生するとしてよい。本開示によると、図3のBからEで図示したステップの全てまたは一部は、1回以上繰り返すとしてもよい。図3のBからEに図示した方法には、望ましくない副次的影響を大きくすることなく、ライン304の粗度を効果的に小さくし得るという利点が見られる。イオンドーズを1回行う代わりに、例えば、側壁304a、304b毎に1回のイオンドーズを実行する代わりに、当該方法は各側壁に複数回イオンドーズを実行する。具体的には、本発明に係る方法は、側壁に実施すべき総イオンドーズを、複数回のイオン照射ドーズに分割して、各照射が総イオンドーズの一部を成すようにする。このように、所与の総イオンドーズについて、本発明に係る方法は、レジストラインに対して一回の照射で総イオンドーズが照射される場合に発生し得る過剰な変形、加熱、分解および/または融解を最小限に抑制する。図3のBからEで図示している本発明の実施形態では、一連のイオンビーム312の照射が、レジストラインの両側つまり、左側壁304aおよび右側壁304bに交互に行われている。このようにして、各側壁304aおよび304bには、イオンビーム312の照射がアイドル期間をその間に挟んで行なわれ、このアイドル期間の間は、イオン照射プロセスが反対側の側壁に行われている。このように、所与の照射サイクルは、第1の側壁にイオンが衝突している間、第2の反対側の側壁はアイドル状態である第1の照射に続いて、第2の側壁にイオンが衝突している間、第1の側壁はアイドル状態である第2の照射が実行されるものとして特徴づけられるとしてよい。第1の照射と第2の照射との間の期間は変化させるとしてよいが、照射時間に比べて大幅に短いとしてよい。したがって、総イオンドーズは、各側壁について一回のステップで各側壁に総イオンドーズを実行するために必要な期間を大幅に超えない期間で、各側壁に多段階で実行されるとしてよい。尚、一の照射サイクルにおける正の傾斜角から負の傾斜角への切り替えを実行し得る方法は複数あることに留意されたい。例えば、傾斜軸に沿って基板を回転させることによって切り替えるとしてもよいし、または、傾斜角を変えることなく、180度のねじれ角で基板を回転させることによって切り替えるとしてもよい。図2Bおよび図3のBおよびCを再度参照すると、傾斜角θについて正の値または負の値のどちらを割り当てるかは従来、イオン束が衝突するのはどの側壁かに基づいているとしてよい。図3のCの例では、正の値が割り当てられるのは、側壁304bに対応する右側の側壁にイオン束が衝突する場合であるとしてよく、負の傾斜は、イオン束312が側壁304aに衝突する場合に対応する。図3のFに図示しているように、負の角度図3のBおよび正の角度図3のCは、基板平面に対して相対的に決まるビームの配向を変更することなく、形成されるとしてよい。言い換えると、図3のBおよびCに示す図は、図3のFに示している一般的な構成に対応するとしてよく、ビーム位置は変化せず、巨視的なウェハの傾斜も変化しない。しかし、相対的な角度である傾斜角θは、ねじれ角180度でウェハを回転させることによって、正の値から負の値に変化する。このように、本発明の一例によると、図3のBは、ねじれ角がゼロの場合のウェハの正面図を示す図であり、図3のCに示す図は、ねじれ角が180度の場合の同じウェハ図2Aの背面図を示す図である。図4のAからEは、レジストライン304にイオンビーム412が照射される多段階イオン注入プロセスの別の例を示す図である。当該多段階イオン注入プロセスは、図3のBからEに示す方法の一例と同様に進行するとしてよく、一連のイオンドーズが、左側壁304aおよび右側壁304bに交互に照射される。図3のAからEに示した方法に比べて、イオンビーム412は、図4のBからEに示すステップにおいて、傾斜角を大きくしているとしてよい。傾斜角を大きくすることによって、所与のイオンドーズの効果を修正することができる。例えば、アレイの内側にあるレジストライン304については、側壁の上側部分に向かうにつれて、衝突するイオン束が大きくなるとしてよい。このケースは図4のBに図示している。側壁304a1は、ビーム412からのイオン束が、当該側壁の上側部分に衝突する図4のAに領域Uとして示すが、下側部分には衝突しない図4のAに領域Lとして示す。また、ビーム412の傾斜角が大きくなると、図3のBからEに示すビーム312が与える影響に比べて、側壁304aおよび304bに与える衝撃が異なるとしてよい。図5のAからEは、レジストライン304にイオンビーム512が照射される場合の多段階イオン注入プロセスの別の例を示す図である。図5のBおよびCに図示するステップにおいて、当該多段階イオン注入プロセスは、図3のBおよびCに図示したステップと同様に実行される。言い換えると、イオンビーム512は、最初に第1のイオンドーズおよび第1のゼロでない傾斜角を利用して側壁304aに照射された後、第2のイオンドーズおよび第2のゼロでない傾斜角で側壁304bに同様に照射されるとしてよい。例えば、法線に対して、第1の傾斜角は30度であってよく、第2の傾斜角は-30度であってよい。図5のDおよびEに示すステップでは、当該多段階イオン注入プロセスは、図4のBおよびCに図示されているステップと同様の方法で実行され、つまり、側壁304aおよび304bには、図3のBおよびCに示す傾斜角よりも大きい傾斜角でイオンを照射する。この場合、第3のイオンドーズおよび第4のイオンドーズはそれぞれ、第3の傾斜角である45度および第4の傾斜角である-45度で照射されるとしてよい。したがって、最後のステップが完了した後、側壁304aおよび304bにはそれぞれ、30度の注入ドーズおよび45度の注入ドーズが照射される。30度および45度で別々に照射を実行することによって、本例に係る方法では、それぞれの照射角の利点を、加算的または相乗的に、組み合わせることができるとしてよい。別の実施形態によると、図5のDおよびEに示すステップは、図5のBおよびCに示すステップより前に実行されるとしてよい。イオン入射角が各ステップで変化する多段階イオン注入プロセスを利用する方法の例では、イオン照射の順序は、ラインの粗度を最適に低減できるように決めるとしてよい。照射順序は、最初のレジストプロフィール、ライン幅およびその他の要素等の要素に基づいて決まるとしてよい。例えば、図5のBからEに示すように、大きい傾斜角で照射を実行する前に小さい照射角でイオンを側壁に照射する方が効果的であるとしてよい。図3から図5に概要を図示している方法例では、一部の実施形態によると、基板はねじれ角0度で維持するとしてよい。しかし、他の実施形態によると、ねじれ角はゼロ以外の値であるとしてもよい。例えば、本発明に係る方法によると、イオンビーム312による第1のイオンドーズは、45度の傾斜および15度のねじれで実行するとしてよい。この後、第2のイオンドーズを-45度の傾斜および15度のねじれで実行するとしてよい。当該方法は続いて、第3のドーズを45度の傾斜および-15度のねじれで実行するとしてよく、この後に-45度の傾斜および-15度のねじれで実行するとしてよい。各レジストラインの側壁へ照射する総イオンドーズを複数のイオン照射で実行する場合には、イオン照射ステップの組み合わせはこれ以外にも多くのものが考えられる。図6および図7に示すように、4keVのArイオンビームを利用して、プロセス順序を変更した場合にラインの粗度にどのような影響が出るかを観察した。図6は、複数の異なるレシピで利用されるイオンドーズおよび傾斜角を示すグラフである。各レシピの総ドーズは5E15/cm2である。第1のレシピBL/-45は、2.5E15/cm2のイオンドーズを45度で供給する第1のステップと、2.5E15/cm2のイオンドーズを-45度で供給する第2のステップとを含む。第2のレシピBLワイド2モードによると、第1のステップは1.0E15/cm2のイオンドーズを45度で供給し、第2のステップは、1.0E15/cm2のイオンドーズを-45度で供給し、第3のステップで、1.0E15/cm2のイオンドーズを35度で供給し、第4のステップで1.0E15/cm2のイオンドーズを-35度で供給し、第5のステップで0.5E15/cm2のイオンドーズを25度で供給し、第6のステップで0.5E15/cm2のイオンドーズを-25度で供給する。レジストパターンに各レシピで照射を行っている間、レジストラインは、本明細書の図3から図5に示すように、イオンビームを45度に傾斜させると、レジストラインの第1の側にイオンビームが照射され、-45度に傾斜させると、反対側にイオンビームが照射されるように、配向された。図7および図8は、粗度プロフィールが45-47nmの幅のレジストラインに上述した図6のイオン照射レシピを実行した場合の測定結果を示す図である。図7および図8はさらに、全ての照射が45度の傾斜で実行される多段階照射を含む第3のレシピBL多段階/-45を実行したレジストサンプルの結果についても示している。第3のレシピにおいて、第1のステップは1E15/cm2のイオンを45度で供給し、第2のステップは1E15/cm2のイオンを-45度で供給し、第3のステップは1E15/cm2のイオンを45度で供給し、第4のステップは1E15/cm2のイオンを-45度で供給し、第5のステップは0.5E15/cm2のイオンを45度で供給し、第6のステップは0.5E15/cm2のイオンを-45度で供給する。制御サンプルと比較すると、各レシピによってレジスト粗度が低減される。具体的には、BL多段階レシピおよびBLワイド2モードレシピによれば、粗度プロフィールに大幅な改善が見られる。大幅な改善という用語は、本明細書において粗度プロフィールに関して用いる場合、LERおよび/またはLWRが約5以上低下するか、および/または、中周波数範囲、低周波数範囲または両方の範囲の平均電力密度スペクトル信号が約10以上低下するという改善が見られることを意味する。第1のレシピを利用する場合、各側壁には2.5E15/cm2のイオンドーズが45度の傾斜で1回照射され、LWRは13改善され、LERは7改善する。これとは対照的に、BL多段階を利用すると、LWRおよびLERが45低減し、BLワイド2モードレシピを利用すると、LWRが37低減し、LERが35低減する。図8は、図7に図示したレシピ群と同一のレシピ群にしたがってイオンを照射する前REFと、照射した後のLWRの電力スペクトル分布を示す。3つのレシピのいずれを用いた場合でも、イオン束を照射することによって、高周波数100-1000/μm粗度はわずかに低減されるが、中周波数10-100/μm粗度信号は大幅に低減されるとしてよい。しかし、低周波数1-10/μm粗度は、共に各レジスト側壁に複数回イオンを照射するBL多段階およびBLワイド2モードの場合に限って大幅に低減されている。低周波数PSD平均強度は、BL多段階およびBLワイド2モードのイオン処理を行った場合に、約50程度低減される。したがって、5E15/cm2のArイオンドーズは、LWR、LERおよび電力スペクトルの測定結果から明らかであるように、レジストラインの各側壁に複数回に分けて照射すると、各側壁に1回で照射する場合に比べて、レジストラインの粗度プロフィールを低減する上ではるかに効果的である。本発明は、他の多段階注入レシピも含む。例えば、平坦分布は、同じドーズ例えば、5E14/cm2をさまざまな傾斜角で照射する一連のステップを含むとしてよい。この一連のステップは、5度、-5度、15度、-15度、25度、-25度、35度、-35度、45度および-45度の順序で実行されるとしてよい。図2Cを再度参照すると、本発明は、幅の狭いレジストフィーチャのレジストマスク構造を改善する。当該レジストマスク構造は、幅の狭いレジストフィーチャに対して総イオンドーズが約5E14/cm2より大きい範囲、好ましくは、1-10E15/cm2の範囲である注入処理を実行した後に形成される。本発明に係るレジストマスク構造の顕著な特徴は、本発明に係るプロセスを実行せずフォトリソグラフィーで製造したレジストマスク構造で見られる長さスケールが大および中の粗度フィーチャが大幅に少なくなっている点である。先行技術に係る技術では、長さスケールが大の粗度が低減されたこの種類のレジストマスク構造は製造されない。要約すると、本発明は、イオンがレジストの側壁に衝突できるように総イオンドーズをゼロでない傾斜角で供給することによって、パターニングしたレジストの粗度を低減する方法およびシステムを提供する。総イオンドーズを、複数の多段階の照射に分割する。この多段階照射方法を利用することで、本発明は、ラインの粗度低減を最適化して、レジストパターン構造のバラツキ、レジストパターンを製造するために用いられるリソグラフィープロセスの品質のバラツキ、レジストシステムの種類のバラツキ等の要因を考慮するように調整された一連のパラメータを提供する。各要因に対処するためには、傾斜角、ねじれ角、各レジスト側壁に対するイオンビーム照射回数、照射順序等のパラメータの組み合わせを適宜変更する必要があるとしてよい。本明細書では、パターニングレジストの粗さを改善する新規性および進歩性を持つ方法を開示している。本開示の範囲は、本明細書で説明した具体的な実施形態に限定されるものではない。本開示の他のさまざまな実施形態および本開示の変形例は、上述の説明および添付図面を参照すれば、本明細書で説明したもの以外にも存在することが当業者には明らかであろう。例えば、上述した本発明の実施形態は概してArイオンを衝突させているが、本発明は他のイオン種でも実施可能である。このため、このような他の実施形態および変形例は、本開示の範囲に含まれるとする。さらに、本開示は特定の目的を実現するべく特定の環境で特定の方法で実施されるものとして本明細書で説明したが、当業者であれば、本開示の有用性はこれらに限定されることなく、本開示は任意の目的を実現するべく任意の環境で実施しても有益であることを認めるであろう。したがって、特許請求の範囲に記載する請求項は、本明細書で説明しているように、本開示の全範囲およびあらゆる意図を鑑みて、解釈されたい。