"第1面に1個の電極が形成され、前記第1面と表裏をなす第2面に2個以上の電極が形成された半導体素子と、前記半導体素子を搭載する搭載面を有するとともに切り欠きを有する第1ダイパッド及び当該第1ダイパッドと一体に形成され前記第1ダイパッドから所定の第1方向に延在する第1リードを有する1個の第1リードフレームと、前記第1リードフレームとは隔離して配置され、前記第1ダイパッドの切り欠きに対応する形状を有する第2ダイパッド及び当該第2ダイパッドと一体に形成され前記第2ダイパッドから前記第1方向に延在する第2リードを有する1又は2以上の第2リードフレームと、前記第1リードフレーム及び第2リードフレームとは隔離して配置された接続部並びに当該接続部から前記第1方向に延在する第3リードを有する第3リードフレームとを備える樹脂封止型半導体装置であって、前記半導体素子は、前記第2面が前記第1ダイパッド及び前記第2ダイパッドに対向し、かつ、前記第1ダイパッド及び前記第2ダイパッドを跨いだ状態で前記第1ダイパッド及び前記第2ダイパッドに搭載され、前記半導体素子の前記第2面に形成された電極のうちの1個の電極は、前記第1リードフレームの前記第1ダイパッドに直接電気接続され、前記半導体素子の前記第2面に形成された他の電極は、前記1又は2以上の第2リードフレームの前記第2ダイパッドに直接電気接続され、前記半導体素子の前記第1面に形成された電極は、電気接続子を介して前記第3リードフレームの前記接続部に電気接続されてなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置において、前記半導体素子は、前記第1ダイパッド及び前記第2ダイパッドを跨いだ状態で前記第1ダイパッド及び前記第2ダイパッドに搭載されたときに、前記第2面に形成された電極のうちの前記1個の電極が、前記第1リーフレームの第1ダイパッドに対向する位置に存在するとともに前記第2面に形成された前記他の電極が、前記1又は2以上の第2リードフレームの前記第2ダイパッドに対向する位置に存在するように、前記1個の電極及び他の電極がそれぞれ形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。請求項1又は2に記載の樹脂封止型半導体装置において、前記半導体素子は、ソース電極、ゲート電極及びドレイン電極を有する3端子型の半導体素子あって、前記第2面に形成された電極のうちの前記1個の電極は、前記ソース電極であり、前記第2面に形成された前記他の電極は、前記ゲート電極であり、前記第1面に形成された前記電極は、前記ドレイン電極であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。請求項1又は2に記載の樹脂封止型半導体装置において、前記半導体素子は、エミッター電極、ゲート電極及びコレクター電極を有する3端子型の半導体素子あって、前記第2面に形成された電極のうちの前記1個の電極は、前記エミッター電極であり、前記第2面に形成された前記他の電極は、前記ゲート電極であり、前記第1面に形成された前記電極は、前記コレクター電極であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。請求項1又は2に記載の樹脂封止型半導体装置において、前記半導体素子は、エミッター電極、ベース電極及びコレクター電極を有する3端子型の半導体素子あって、前記第2面に形成された電極のうちの前記1個の電極は、前記エミッター電極であり、前記第2面に形成された前記他の電極は、前記ベース電極であり、前記第1面に形成された前記電極は、前記コレクター電極であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。請求項1又は2に記載の樹脂封止型半導体装置において、前記半導体素子は、カソード電極、ゲート電極及びアノード電極を有する3端子型の半導体素子あって、前記第2面に形成された電極のうちの前記1個の電極は、前記カソード電極であり、前記第2面に形成された前記他の電極は、前記ゲート電極であり、前記第1面に形成された前記電極は、前記アノード電極であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。従来の樹脂封止型半導体装置900においては、半導体素子910の第2面に形成された2個の電極ソース電極S及びゲート電極Gのそれぞれを第2リードフレーム930a,930bの接続部932a,932bに電気接続するために、2本の電気接続部材を用いる必要がある。このように、従来の樹脂封止型半導体装置900は、3個の電極のうちのうちの2個の電極ソース電極及びゲート電極が電気接続部材950,952によって第2リードフレーム930a,930bの接続部932a,932bに接続された構成であるために、電気接続部材が2本必要となり、当該樹脂封止型半導体装置900を製造する際の工数が多く、作業時間と手間がかかることから、生産性が低いという問題がある。また、電気接続部材950,952は、経年変化などにより接続部から外れたりする場合もあり、信頼性という点においても問題がある。したがって、生産性の向上と信頼性の向上とを図るには、電気接続部材による接続をできる限り少なくすることが好ましい。また、電気接続部材が2本必要であるため、部品点数が多くコストの面においても問題がある。そこで、本発明はこのような問題を解決するためになされたもので、生産性の向上と信頼性の向上とを図ることを可能とするとともにコストの削減をも可能とする樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とする。[1]本発明の樹脂封止型半導体装置は、第1面に1個の電極が形成され、前記第1面と表裏をなす第2面に2個以上の電極が形成された半導体素子と、前記半導体素子を搭載する搭載面を有するとともに切り欠きを有する第1ダイパッド及び当該第1ダイパッドと一体に形成され前記第1ダイパッドから所定の第1方向に延在する第1リードを有する1個の第1リードフレームと、前記第1リードフレームとは隔離して配置され、前記第1ダイパッドの切り欠きに対応する形状を有する第2ダイパッド及び当該第2ダイパッドと一体に形成され前記第2ダイパッドから前記第1方向に延在する第2リードを有する1又は2以上の第2リードフレームと、前記第1リードフレーム及び第2リードフレームとは隔離して配置された接続部並びに当該接続部から前記第1方向に延在する第3リードを有する第3リードフレームとを備える樹脂封止型半導体装置であって、前記半導体素子は、前記第2面が前記第1ダイパッド及び前記第2ダイパッドに対向し、かつ、前記第1ダイパッド及び前記第2ダイパッドを跨いだ状態で前記第1ダイパッド及び前記第2ダイパッドに搭載され、前記半導体素子の前記第2面に形成された電極のうちの1個の電極は、前記第1リードフレームの前記第1ダイパッドに直接電気接続され、前記半導体素子の前記第2面に形成された他の電極は、前記1又は2以上の第2リードフレームの前記第2ダイパッドに直接電気接続され、前記半導体素子の前記第1面に形成された電極は、電気接続子を介して前記第3リードフレームの前記接続部に電気接続されてなることを特徴とする。[2]本発明の樹脂封止型半導体装置において、前記半導体素子は、前記第1ダイパッド及び前記第2ダイパッドを跨いだ状態で前記第1ダイパッド及び前記第2ダイパッドに搭載されたときに、前記第2面に形成された電極のうちの前記1個の電極が、前記第1リーフレームの第1ダイパッドに対向する位置に存在するとともに前記第2面に形成された前記他の電極が、前記1又は2以上の第2リードフレームの前記第2ダイパッドに対向する位置に存在するように、前記1個の電極及び他の電極がそれぞれ形成されていることが好ましい。[3]本発明の樹脂封止型半導体装置において、前記半導体素子は、ソース電極、ゲート電極及びドレイン電極を有する3端子型の半導体素子あって、前記第2面に形成された電極のうちの前記1個の電極は、前記ソース電極であり、前記第2面に形成された前記他の電極は、前記ゲート電極であり、前記第1面に形成された前記電極は、前記ドレイン電極であることが好ましい。[4]本発明の樹脂封止型半導体装置において、前記半導体素子は、エミッター電極、ゲート電極及びコレクター電極を有する3端子型の半導体素子あって、前記第2面に形成された電極のうちの前記1個の電極は、前記エミッター電極であり、前記第2面に形成された前記他の電極は、前記ゲート電極であり、前記第1面に形成された前記電極は、前記コレクター電極であることもまた好ましい。[5]本発明の樹脂封止型半導体装置において、前記半導体素子は、エミッター電極、ベース電極及びコレクター電極を有する3端子型の半導体素子あって、前記第2面に形成された電極のうちの前記1個の電極は、前記エミッター電極であり、前記第2面に形成された前記他の電極は、前記ベース電極であり、前記第1面に形成された前記電極は、前記コレクター電極であることもまた好ましい。[6]本発明の樹脂封止型半導体装置において、前記半導体素子は、カソード電極、ゲート電極及びアノード電極を有する3端子型の半導体素子あって、前記第2面に形成された電極のうちの前記1個の電極は、前記カソード電極であり、前記第2面に形成された前記他の電極は、前記ゲート電極であり、前記第1面に形成された前記電極は、前記アノード電極であることもまた好ましい。本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子の第2面に形成されている各電極が、第1ダイパッド又は第2ダイパッドに直接接続され、第1面に形成されている電極だけが電気接続子によって接続される構成となっているため、電気接続子は1本で済む。このため、本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、生産性の向上と信頼性の向上とを図ることが可能となるとともに部品点数を減らすことができるためにコストの削減も可能となる。以下、本発明の実施形態について説明する。[実施形態1]図1は、実施形態1に係る樹脂封止型半導体装置101を説明するために示す図である。図1aは樹脂封止型半導体装置101の平面図であり、図1bは樹脂封止型半導体装置101の側面図である。図2は、実施形態1に係る樹脂封止型半導体装置101において使用する半導体素子111の外観構成を模式的に示す図である。図2aは半導体素子111の一方の面第1面とする。を模式的に示す図であり、図2bは半導体素子111の他方の面第2面とする。を模式的に示す図である。なお、実施形態1に係る樹脂封止型半導体装置101において使用する半導体素子111はパワーMOSFETであるとする。実施形態1に係る樹脂封止型半導体装置101は、図1に示すように、半導体素子パワーMOSFET111と、第1リードフレーム120と、第2リードフレーム130と、第3リードフレーム140とを有している。半導体素子111は、図2に示すように、第1面にドレイン電極Dが形成され図2a参照。、第1面と表裏をなす第2面にソース電極Sとゲート電極Gとが形成されている図2b参照。。なお、ゲート電極Gは第2面の隅部に形成され、半導体素子111においては、図2bに示すように、当該半導体素子111を第2面の側から見たときに、半導体素子111の右下の隅部に形成されているものとする。第1リードフレーム120は、図1に示すように、半導体素子111を搭載するための搭載面を有するとともにL字型の切り欠き122aを有する第1ダイパッド122と、当該第1ダイパッド122と一体に形成され、当該第1ダイパッド122から所定の第1方向図1においてはy軸に沿った下方向とする。に延在する第1リード124とを有している。第2リードフレーム130は、第1リードフレーム120とは隔離して配置され、第1ダイパッド122の切り欠き122aに対応する形状を有する第2ダイパッド132と、当該第2ダイパッド132と一体に形成され、当該第2ダイパッド132から第1方向に延在する第2リード134とを有している。第3リードフレーム140は、第1リードフレーム120及び第2リードフレーム130とは隔離して配置され、接続部142と、接続部142から第1方向に延在する第3リード144とを有している。なお、第1リードフレーム120は、半導体素子111のソース電極Sを接続するためのリードフレームであり、第2リードフレーム130は、半導体素子111のゲート電極Gを接続するためのリードフレームであり、第3リードフレーム140は、半導体素子111のドレイン電極Dを接続するためのリードフレームである。また、第1リードフレーム120から延在する第1リード124、第2リードフレーム130から延在する第2リード134及び第3リードフレーム140から延在する第3リード144は、図1aに示すような位置関係となるように設けられている。すなわち、第1リード124は、図1aにおける右端側に設けられ、第2リード134は、図1における左端側に設けられ、第3リード144は、第1リード124と第2リード134との間に設けられている。第1リード124、第2リード134及び第3リード144のこのような位置関係は、当該樹脂封止型半導体装置101を電子機器などに搭載する際の配線上の都合などを考慮して設定されているものであるとして、ここでは、当該位置関係は変更しないものとする。これは、後述する実施形態2に係る樹脂封止型半導体装置102においても同様である。半導体素子111は、第1面の側が表面露出する側の面、第2面の側が裏面第1ダイパッド122に対向する側の面となるようにして、第1ダイパッド122及び第2ダイパッド132を跨いだ状態で第1ダイパッド122及び第2ダイパッド132に搭載される。このとき、半導体素子111は、第2面のうちのゲート電極Gが形成されている隅部のみが第2ダイパッド132に接触し、それ以外の領域は第1ダイパッド122に接触した状態となるように、第1ダイパッド122に搭載される。これにより、半導体素子111のソース電極Sは第1ダイパッド122に直接電気接続され、それによってソース電極Sは第1リード124に電気接続された状態となる。また、半導体素子111のゲート電極Gは第2ダイパッド132に直接電気接続され、それによって、ゲート電極Gは第2リード134に電気接続された状態となる。半導体素子111をこのように第1ダイパッド122及び第2ダイパッド132に搭載すると、ドレイン電極Dは表面露出する側の面に存在することとなるため、当該ドレイン電極Dは、電気接続部材としてのワイヤー150によって、第3リードフレーム140の接続部142に電気接続される。これにより、ドレイン電極Dは第3リード144に電気接続された状態となる。なお、ワイヤー150は、ドレイン電極D及び第3リードフレーム140の接続部142に対して半田付けなどによって接続される。実施形態1に係る樹脂封止型半導体装置101は、図1に示すように、ソース電極S及びゲート電極Gは、第1ダイパッド122及び第2ダイパッド132にそれぞれ直接電気接続され、ドレイン電極Dだけがワイヤー150によって電気接続される構成となっているため、電気接続部材としてのワイヤーは1本で済む。このため、実施形態1に係る樹脂封止型半導体装置101によれば、生産性の向上と信頼性の向上とを図ることが可能となるとともに部品点数を減らすことができるためにコストの削減も可能となる。[実施形態2]上記実施形態1においては、半導体素子としてパワーMOSFETを使用した樹脂封止型半導体装置について説明したが、半導体素子としてはパワーMOSFETに限られるものではなく、パワーMOSFET以外の半導体素子を使用した樹脂封止型半導体装置においても適用可能である。図3は、実施形態2に係る樹脂封止型半導体装置102を説明するために示す図である。図3aは樹脂封止型半導体装置102の平面図であり、図3bは樹脂封止型半導体装置102の側面図である。図4は、実施形態2に係る樹脂封止型半導体装置102において使用する半導体素子112の外観構成を模式的に示す図である。図4aは半導体素子112の第1面を模式的に示す図であり、図4bは半導体素子112の第2面を模式的に示す図である。なお、実施形態2に係る樹脂封止型半導体装置102において使用する半導体素子112は、IGBTであるとする。半導体素子IGBT112は、図4に示すように、第1面にコレクター電極Cが形成され図4a参照。、第1面と表裏をなす第2面にエミッター電極Eとゲート電極Gとが形成されている図4b参照。。なお、ゲート電極Gは、図4bに示すように、当該半導体素子112を第2面の側から見たときは、右下の隅部に形成されているものとする。一方、第1リードフレーム120、第2リードフレーム及び第3リードフレーム130は、実施形態1に係る樹脂封止型半導体装置101と同様の構成となっており、同一構成要素には同一符号を付している。なお、実施形態2に係る樹脂封止型半導体装置102においては、第1リードフレーム120は、エミッター電極Eを接続するためのリードフレームであり、第2リードフレーム130は、ゲート電極Gを接続するためのリードフレームであり、第3リードフレーム140は、コレクター電極Cを接続するためのリードフレームである。また、第1リードフレーム120から延在する第1リード124、第2リードフレーム130から延在する第2リード134及び第3リードフレーム140から延在する第3リード144は、実施形態1に係る樹脂封止型半導体装置101と同様に、第1リード124は、図3aにおける右端側に設けられ、第2リード134は、図3aにおける左端側に設けられ、第3リード144は、第1リード124と第2リード134との間に設けられている。半導体素子112は、第1面の側が表面露出する側の面、第2面の側が裏面第1ダイパッド122に対向する側の面となるようにして、第1ダイパッド122及び第2ダイパッド132を跨いだ状態で第1ダイパッド122及び第2ダイパッド132に搭載される。このとき、半導体素子112は、第2面のうちのゲート電極Gが形成されている隅部のみが第2ダイパッド132に接触し、それ以外の領域は第1ダイパッド122に接触した状態となるように、第1ダイパッド122に搭載される。これにより、半導体素子112のエミッター電極Eは第1ダイパッド122に直接電気接続され、それによってエミッター電極Eは第1リード124に電気接続された状態となる。また、半導体素子112のゲート電極Gは第2ダイパッド132に直接電気接続され、それによってゲート電極Gは第2リード134に電気接続された状態となる。半導体素子112をこのように第1ダイパッド122及び第2ダイパッド132に搭載すると、コレクター電極Cは表面露出する側の面に存在することとなるため、当該コレクター電極Cは、電気接続部材としてのワイヤー150によって、第3リードフレーム140の接続部142に電気接続される。これにより、コレクター電極Cは第3リード144に電気接続された状態となる。なお、ワイヤー150は、コレクター電極C及び第3リードフレーム140の接続部142に対して半田付けなどによって接続される。実施形態2に係る樹脂封止型半導体装置102は、図3に示すように、エミッター電極E及びゲート電極Gは、第1ダイパッド122及び第2ダイパッド132にそれぞれ直接電気接続され、コレクター電極Cだけがワイヤー150によって電気接続される構成となっているため、電気接続部材としてのワイヤーは1本で済む。このため、実施形態2に係る樹脂封止型半導体装置102によれば、生産性の向上と信頼性の向上とを図ることが可能となるとともに部品点数を減らすことができることによりにコストの削減も可能となる。[実施形態3]図5は、実施形態3に係る樹脂封止型半導体装置103を説明するために示す図である。図5aは樹脂封止型半導体装置103の平面図であり、図3bは樹脂封止型半導体装置103の側面図である。図6は、実施形態3に係る樹脂封止型半導体装置103において使用する半導体素子113の外観構成を模式的に示す図である。図6aは半導体素子113の第1面を模式的に示す図であり、図6bは半導体素子113の第2面を模式的に示す図である。なお、実施形態3に係る樹脂封止型半導体装置103において使用する半導体素子113は、バイポーラトランジスターであるとする。半導体素子バイポーラトランジスター113は、図6に示すように、第1面にコレクター電極Cが形成され図6a参照。、第1面と表裏をなす第2面にエミッター電極Eとベース電極Bとが形成されている図6b参照。。なお、ベース電極Bは、図6bに示すように、当該半導体素子113を第2面の側から見たときは、右下の隅部に形成されているものとする。一方、第1リードフレーム120、第2リードフレーム及び第3リードフレーム130は、実施形態1に係る樹脂封止型半導体装置101と同様の構成となっており、同一構成要素には同一符号を付している。なお、実施形態3に係る樹脂封止型半導体装置103においては、第1リードフレーム120は、エミッター電極Eを接続するためのリードフレームであり、第2リードフレーム130は、ベース電極Bを接続するためのリードフレームであり、第3リードフレーム140は、コレクター電極Cを接続するためのリードフレームである。また、第1リードフレーム120から延在する第1リード124、第2リードフレーム130から延在する第2リード134及び第3リードフレーム140から延在する第3リード144は、実施形態1に係る樹脂封止型半導体装置101と同様に、第1リード124は、図5aにおける右端側に設けられ、第2リード134は、図5aにおける左端側に設けられ、第3リード144は、第1リード124と第2リード134との間に設けられている。半導体素子113は、第1面の側が表面露出する側の面、第2面の側が裏面第1ダイパッド122に対向する側の面となるようにして、第1ダイパッド122及び第2ダイパッド132を跨いだ状態で第1ダイパッド122及び第2ダイパッド132に搭載される。このとき、半導体素子113は、第2面のうちのベース電極Bが形成されている隅部のみが第2ダイパッド132に接触し、それ以外の領域は第1ダイパッド122に接触した状態となるように、第1ダイパッド122に搭載される。これにより、半導体素子113のエミッター電極Eは第1ダイパッド122に直接電気接続され、それによってエミッター電極Eは第1リード124に電気接続された状態となる。また、半導体素子113のベース電極Bは第2ダイパッド132に直接電気接続され、それによってベース電極Bは第2リード134に電気接続された状態となる。半導体素子113をこのように第1ダイパッド122及び第2ダイパッド132に搭載すると、コレクター電極Cは表面露出する側の面に存在することとなるため、当該コレクター電極Cは、電気接続部材としてのワイヤー150によって、第3リードフレーム140の接続部142に電気接続される。これにより、コレクター電極Cは第3リード144に電気接続された状態となる。なお、ワイヤー150は、コレクター電極C及び第3リードフレーム140の接続部142に対して半田付けなどによって接続される。実施形態3に係る樹脂封止型半導体装置103は、図5に示すように、エミッター電極E及びベース電極Bは、第1ダイパッド122及び第2ダイパッド132にそれぞれ直接電気接続され、コレクター電極Cだけがワイヤー150によって電気接続される構成となっているため、電気接続部材としてのワイヤーは1本で済む。このため、実施形態3に係る樹脂封止型半導体装置103によれば、生産性の向上と信頼性の向上とを図ることが可能となるとともに部品点数を減らすことができることによりにコストの削減も可能となる。[実施形態4]図7は、実施形態4に係る樹脂封止型半導体装置104を説明するために示す図である。図5aは樹脂封止型半導体装置104の平面図であり、図3bは樹脂封止型半導体装置104の側面図である。図8は、実施形態4に係る樹脂封止型半導体装置104において使用する半導体素子114の外観構成を模式的に示す図である。図8aは半導体素子114の第1面を模式的に示す図であり、図8bは半導体素子114の第2面を模式的に示す図である。なお、実施形態4に係る樹脂封止型半導体装置104において使用する半導体素子114は、カソード電極、ゲート電極及びアノード電極を有する3端子型のサイリスターであるとする。半導体素子サイリスター114は、図8に示すように、第1面にアノード電極Aが形成され図8a参照。、第1面と表裏をなす第2面にカソード電極Kとゲート電極Gとが形成されている図8b参照。。なお、ゲート電極Gは、図8bに示すように、当該半導体素子114を第2面の側から見たときは、右下の隅部に形成されているものとする。一方、第1リードフレーム120、第2リードフレーム及び第3リードフレーム130は、実施形態1に係る樹脂封止型半導体装置101と同様の構成となっており、同一構成要素には同一符号を付している。なお、実施形態4に係る樹脂封止型半導体装置104においては、第1リードフレーム120は、カソード電極Kを接続するためのリードフレームであり、第2リードフレーム130は、ゲート電極Gを接続するためのリードフレームであり、第3リードフレーム140は、アノード電極Aを接続するためのリードフレームである。また、第1リードフレーム120から延在する第1リード124、第2リードフレーム130から延在する第2リード134及び第3リードフレーム140から延在する第3リード144は、実施形態1に係る樹脂封止型半導体装置101と同様に、第1リード124は、図7aにおける右端側に設けられ、第2リード134は、図7aにおける左端側に設けられ、第3リード144は、第1リード124と第2リード134との間に設けられている。半導体素子114は、第1面の側が表面露出する側の面、第2面の側が裏面第1ダイパッド122に対向する側の面となるようにして、第1ダイパッド122及び第2ダイパッド132を跨いだ状態で第1ダイパッド122及び第2ダイパッド132に搭載される。このとき、半導体素子114は、第2面のうちのゲート電極Gが形成されている隅部のみが第2ダイパッド132に接触し、それ以外の領域は第1ダイパッド122に接触した状態となるように、第1ダイパッド122に搭載される。これにより、半導体素子114のカソード電極Kは第1ダイパッド122に直接電気接続され、それによってカソード電極Kは第1リード124に電気接続された状態となる。また、半導体素子114のゲート電極Gは第2ダイパッド132に直接電気接続され、それによってゲート電極Gは第2リード134に電気接続された状態となる。半導体素子114をこのように第1ダイパッド122及び第2ダイパッド132に搭載すると、アノード電極Aは表面露出する側の面に存在することとなるため、当該アノード電極Aは、電気接続部材としてのワイヤー150によって、第3リードフレーム140の接続部142に電気接続される。これにより、アノード電極Aは第3リード144に電気接続された状態となる。なお、ワイヤー150は、アノード電極A及び第3リードフレーム140の接続部142に対して半田付けなどによって接続される。実施形態4に係る樹脂封止型半導体装置104は、図7に示すように、カソード電極K及びゲート電極Gは、第1ダイパッド122及び第2ダイパッド132にそれぞれ直接電気接続され、アノード電極Aだけがワイヤー150によって電気接続される構成となっているため、電気接続部材としてのワイヤーは1本で済む。このため、実施形態4に係る樹脂封止型半導体装置104によれば、生産性の向上と信頼性の向上とを図ることが可能となるとともに部品点数を減らすことができることによりにコストの削減も可能となる。なお、本発明は上記各実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能となるものである。たとえば、下記に示すような変形実施も可能である。1上記実施形態1~実施形態4に係る樹脂封止型半導体装置においては、半導体素子111,112113,114をそれぞれ第2面の側から見たときに、それぞれのゲート電極G半導体素子113においてはベース電極Bが半導体素子111,112,113,114における第2面の右下の隅部に存在するような構成としたが、このような構成の半導体素子に限られるものではない。例えば、従来技術で示したような半導体素子910図11参照。の使用も可能となる。すなわち、従来技術で示したような半導体素子910は、当該半導体素子910を第2面の側から見たときに、ゲート電極Gが半導体素子における第2面の左下の隅部に形成されている半導体素子であって、このような構成の半導体素子の使用も可能である。図9は、ゲート電極Gが半導体素子における第2面の左下の隅部に形成されている半導体素子115を用いた場合の樹脂封止型半導体装置105を説明するために示す図である。なお、図9においては、半導体素子115としてパワーMOSFETを例にとって説明するが、半導体素子115としては、IGBT、バイポーラトランジスター、サイリスターなどであってもよい。なお、バイポーラトランジスターの場合は、ゲート電極Gをベース電極Bとして考えればよい。半導体素子を第2面の側から見たときに、ゲート電極Gが当該半導体素子における第2面の左下の隅部に形成されている半導体素子115を使用する場合は、当該半導体素子115に対して、図9a~図9cに示すような操作を行ったのちに、当該半導体素子115を図9dに示すように、第1ダイパッド122及び第2ダイパッド132に搭載すればよい。すなわち、図9aに示すように第2面が表面となっている状態の半導体素子115を、xy座標上の例えばy軸に沿った仮想的な軸L例えば半導体素子115の右端辺とする。を回転軸として矢印a方向に180度回転させて裏返して、第1面が表面となるようにする図9b参照。。続いて、図9bに示す状態の半導体素子115をxy平面上で矢印b方向に90度回転させる。これによって、半導体素子115のゲート電極Gを半導体素子115の左下の隅部に位置させることができる図9c参照。。そして、図9cに示す状態となっている半導体素子115を、図9dに示すように、第1ダイパッド122及び第2ダイパッド132に搭載することにより、半導体素子115のゲート電極Gを第2ダイパッド132に対向させることができ、ゲート電極Gを第2ダイパッド132に直接電気接続することができる。なお、図9aに示すような半導体素子115のゲート電極Gを第2ダイパッド132に対向させるようにするための操作は、図9に示すような操作に限られるものではなく、図示は省略するが、例えば、半導体素子115の上端辺を回転軸として180度回転させて裏返して、第1面が表面となるようにしたのちに、当該半導体素子115をxy平面上で反時計方向に90度回転させるようにしてもよい。これによっても、半導体素子115のゲート電極Gを半導体素子115の左下の隅部に位置させることができる。このように、図9aに示すような半導体素子115のゲート電極Gを第2ダイパッド132に対向させるようにするための操作は、特に限定されるものではなく、要は、半導体素子115を第1ダイパッド122及び第2ダイパッド132に搭載する際に、半導体素子115のゲート電極Gが第2ダイパッド132に対向するように半導体素子115を配置すればよい。ところで、半導体素子115の外形が長方形である場合には、図9に示すように半導体素子115を取り付けると、半導体素子115が縦長として第1ダイパッド122及び第2ダイパッド132に搭載されることとなるが、第1ダイパッド122を、縦長の半導体素子115の搭載が可能となるような形状としておけば、半導体素子115を縦長の状態で搭載することは可能である。2上記各実施形態においては、ドレイン電極D、コレクター電極C又はアノード電極Aを第3リードフレーム140の接続部142に電気接続する際は、電気接続部材としてワイヤー150を用いたが、ワイヤーに限られるものではなく、例えば、接続用クリップなどの接続子を用いてもよい。図10は、電気接続部材としてワイヤー以外の接続部材を用いた場合の樹脂封止型半導体装置105を説明するために示す図である。なお、図10においては、半導体素子としてパワーMOSFET111を用いた場合を例にとって説明する。図10はa平面図であり、図10bは側面図である。図10に示すように、ドレイン電極Dは第3リードフレーム140の接続部142に接続用クリップ160を用いて接続されている。このような構成としても実施形態1に係る樹脂封止型半導体装置101と同様の効果を得ることができる。なお、実施形態2に係る樹脂封止型半導体装置102、実施形態3に係る樹脂封止型半導体装置103及び実施形態4に係る樹脂封止型半導体装置104においても、ワイヤー150の代わりに接続用クリップ160の使用が可能であることは勿論である。3実施形態1及び実施形態2においては、3端子型の半導体素子を使用した樹脂封止型半導体装置について説明したが、3端子型の半導体素子に限られるものではなく、本発明は、4端子又は5端子以上の端子を有する半導体素子を使用した樹脂封止型半導体装置にも適用することができる。4各実施形態における、各電極ソース電極S、ゲート電極G、ドレイン電極D、エミッター電極E、ゲート電極G、コレクター電極C、エミッター電極E、ベース電極B、コレクター電極C、カソ-ド電極K、ゲート電極G、アノード電極Aの形状及び配置位置は例示であり、本発明は、上記以外の種々の形状及び配置位置の電極を有する半導体素子を使用した樹脂封止型半導体装置にも適用することができる。"