非接触給電装置から給電される電源回路と、前記電源回路から電源電位Vddが供給される制御回路、並びに負荷回路を有し、前記電源回路の無負荷状態の電源電位Vddが初期電位Vdd0であるときに、前記負荷回路に設けられた負荷に電源回路から電力を供給する第1の期間と、前記電源回路から前記負荷への電力の供給を停止し、電源電位Vddを前記初期電位Vdd0の90以上100未満に回復させる第2の期間と、前記電源回路から前記負荷回路に設けた負荷に電力を供給する第3の期間とを有し、第2の期間と第3の期間を交互にn回nは0以上の整数繰り返す電子装置の駆動方法。非接触給電装置から給電される電源回路と、前記電源回路から電源電位Vddが供給される制御回路、並びに負荷回路を有し、前記電源回路の無負荷状態の電源電位Vddが初期電位Vdd0であり、前記負荷回路が疑似負荷と、真性負荷を備えるときに、前記電源回路から前記負荷回路に設けた疑似負荷に電力を供給する第1の期間と、前記電源回路から前記負荷回路に設けた前記真性負荷への電力の供給を停止し、電源電位Vddを前記初期電位Vdd0の90以上100未満に回復させる第2の期間と、前記電源回路から前記負荷回路に設けた真性負荷に電力を供給する第3の期間とを有し、第2の期間と第3の期間を交互にn回nは0以上の整数繰り返す電子装置の駆動方法。請求項1、又は請求項2において、前記負荷がOTPROMOneTimeProgrammableROMを備える電子装置の駆動方法。請求項3において、前記第2の期間に、直前に書き込んだ情報を検証し、検証結果を出力する電子装置の駆動方法。請求項3において、前記第2の期間に、直前に書き込んだ情報を検証し、検証結果を出力し、書き込みエラーを検出した際には前記第3の期間の長さを変更する電子装置の駆動方法。ところで、電源回路に、負荷を接続すると、電源回路が出力する電源電位Vddは初期電位Vdd0から経時的に低下して、一定の電源電位Vdd1に収束する。初期電位Vdd0と電源電位Vdd1の差|Vdd0-Vdd1|は、電源回路の容量に対して負荷が大きいほど又は、負荷に対して電源回路の容量が小さいほど大きくなる。また、当該電源回路から負荷を取り除くと電源電位Vddは次第に回復し、初期電位Vdd0に近づく。従って、電源回路に負荷を断続的に接続すると、電源電位Vddは初期電位Vdd0と電源電位Vdd1の間を変動する。また、非接触給電技術に用いられる電力を送る電波等の強度が、電磁障害例えば医療機器の誤動作等を防ぐために制限される場合、又は、非接触給電装置が離れた場所に設置されている場合、非接触給電技術によって給電される電子装置の電源回路の容量が実質的に小さくなるという問題がある。その結果、非接触給電装置から供給される電力で動作する電源回路と、該電源回路に接続する負荷を備える電子装置は、電源電位Vddが変動し易いため、当該電子装置の動作が不安定になるという問題があった。上述の問題を抱える電子装置の一例としては、OTPROMを備えるパッシブ型のRFIDタグを挙げることができる。OTPROMが備えるメモリ素子は、ヒューズに電流を流すため、またはフローティングゲートに電荷を注入するために高電圧を必要とし、その結果パッシブ型のRFIDタグが備える電源回路には大きな負荷となる。このような構成のパッシブ型のRFIDタグにおいて、そのメモリ回路が備える複数のメモリ素子に順次書き込みを行う場合、電源回路に負荷を断続的に接続することになり、電源電位Vddは初期電位Vdd0と電源電位Vdd1の間を変動する。その結果、書き込みを開始する電圧がメモリ素子毎に異なり、誤った情報をメモリ素子に書き込んでしまう問題を生じる。また、複数のメモリ素子に情報を逐次書き込む場合、書き込み動作をしていなかった電子装置が、最初のメモリ素子に書き込みを始める電圧は、次以降のメモリ素子に書き込みを始める電圧より高くなる。そして、書き込み電圧が不安定になり、書き込み不良が発生してしまう問題が生じる。本発明は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがってその目的は、非接触給電装置から供給される電力で動作する電源回路と、当該電源回路から電力が断続的に供給される負荷を備える電子装置を、安定して駆動する方法を提供することを課題の一とする。また、非接触給電装置から供給される電力で動作する電源回路と、当該電源回路から繰り返し電力が供給される一つ以上の負荷を備えた電子装置を、安定して駆動する方法を提供することを課題の一とする。上記目的を達成するために、本発明は、非接触給電装置から給電される電源回路を負荷から開放したのち、該電源回路を次の負荷に接続するまでの期間インターバルともいうに着眼した。すなわち、該電源回路を負荷から開放し、初期電位Vdd0の90以上の値に電源電位Vddを回復する期間を設け、後に次の負荷を接続して駆動すればよい。また、非接触給電装置から給電される電源回路に、目的の負荷を接続する前に、疑似負荷を接続して駆動すればよい。すなわち本発明の一態様は、非接触給電装置から給電される電源回路と、電源回路から電源電位Vddが供給される制御回路、並びに負荷回路を有し、電源回路の無負荷状態の電源電位Vddが初期電位Vdd0であるときに、負荷回路に設けられた負荷に電源回路から電力を供給する第1の期間と、電源回路から負荷への電力の供給を停止し、電源電位Vddを初期電位Vdd0の90以上100未満に回復させる第2の期間と、負荷回路に設けられた負荷に電源回路から電力を供給する第3の期間とを有し、第2の期間と第3の期間を交互にn回nは0以上の整数繰り返す電子装置の駆動方法である。上記本発明の一態様によれば、負荷回路に接続して降下した電源電位Vdd1を、続く第2の期間に電源電位Vdd2ここでは電源電位Vdd2は初期電位Vdd0の90以上100未満に回復できる。これにより、第3の期間の始期において、電源回路は負荷回路に安定した電源電位Vdd2を供給でき、依って電子装置の動作の安定化を図ることができる。また本発明の一態様は、非接触給電装置から給電される電源回路と、電源回路から電源電位Vddが供給される制御回路、並びに負荷回路を有し、電源回路の無負荷状態の電源電位Vddが初期電位Vdd0であり、負荷回路が疑似負荷と、真性負荷を備えるときに、電源回路から負荷回路に設けた疑似負荷に電力を供給する第1の期間と、電源回路から負荷回路に設けた真性負荷への電力の供給を停止し、電源電位Vddを初期電位Vdd0の90以上100未満に回復させる第2の期間と、電源回路から負荷回路に設けた真性負荷に電力を供給する第3の期間と、を有し、第2の期間と第3の期間を交互にn回nは0以上の整数繰り返す電子装置の駆動方法である。上記本発明の一態様によれば、第1の期間に電源回路を疑似負荷に接続して電源電位Vdd1まで降下した電源の電位Vddを、続く第2の期間に電源電位Vdd2電源電位Vdd2は初期電位Vdd0の90以上100未満に回復できる。電源電位Vddを初期電位Vdd0の90以上100未満までの範囲に限定することにより、第2の期間が短縮できるだけでなく、電源回路が真性負荷に供給する電源電位を電源電位Vdd2に安定化できる。これにより、第3の期間の始期において、電源回路は負荷回路に安定した電源電位Vdd2を供給でき、依って電子装置の動作の安定化を図ることができる。また本発明の一態様は、上記駆動方法において負荷がOTPROMOneTimeProgrammableROMを備える電子装置の駆動方法である。上記本発明の一態様によれば、OTPROMが備える複数のメモリ素子に安定して電源電位を供給できる。これにより、誤った情報の書き込みを防ぐことができる。また本発明の一態様は、上記駆動方法において第2の期間に直前に書き込んだ情報を検証し、検証結果を出力する電子装置の駆動方法である。上記本発明の一態様によれば、OTPROMが備える複数のメモリ素子に安定して電源電位を供給できるだけでなく、書き込み動作の失敗を速やかに発見できる。また本発明の一態様は、上記駆動方法において第2の期間に直前に書き込んだ情報を検証し、検証結果を出力し、書き込みエラーを検出した際には第3の期間の長さを変更する電子装置の駆動方法である。上記本発明の一態様によれば、OTPROMが備える複数のメモリ素子に安定して電源電位を供給できるだけでなく、書き込み動作の失敗を速やかに発見できる。また、第2の期間の長さを検証結果に応じて変更するため、書き込み条件を逐次最適化できる。本発明によれば、非接触給電装置から供給される電力で動作する電源回路と、当該電源回路から逐次電力が供給される複数の負荷を備えた電子装置を、安定して駆動する方法を提供できる。また、非接触給電装置から供給される電力で動作する電源回路と、当該電源回路から繰り返し電力が供給される一つ以上の負荷を備えた電子装置を、安定して駆動する方法を提供できる。実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。実施の形態1本実施の形態では、非接触、又は無線で供給されるエネルギーを電力に変換し、他の回路に供給する電源回路、制御回路、並びに複数の負荷を有する負荷回路を備えた電子装置の駆動方法について図1乃至図3を用いて説明する。本実施の形態で例示する電子装置100を、図1に示す。電子装置100は、非接触給電装置190が供給する電力を受け取る受電素子110と、電源回路121を含む高周波回路120、制御回路130、並びにm1mは0以上の整数個の負荷1510乃至151mを含む負荷回路150を備える。非接触給電装置190は搬送波を用いて電力を電子装置100に供給する。搬送波としては電磁波を用いることができる。例えば非接触給電装置190が搬送波として高周波を用いて電力を発する場合、受電素子110としてアンテナを用いることができる。また、非接触給電装置190は搬送波を変調して電力と共に信号を電子装置100に送信することができる。なお、非接触給電装置190と電子装置100は複数の搬送波を利用できる構成としてもよく、例えば、光を搬送波に用いて電力を供給し、電波を用いて信号を送信する構成としてもよい。本実施の形態では、非接触給電装置190は高周波を用いて、電力と制御信号を含む信号Data.1を電子装置100に供給する。そして電子装置100は、アンテナを受電素子110に用いて高周波から電力を受電し、信号を受信する。高周波回路120は電源回路121を内蔵する。電源回路121は受電素子110が受信した高周波から電源電位Vddを生成し、制御回路130、並びに負荷回路150に出力する。なお搬送波が信号Data.1によって変調されている場合、高周波回路120は搬送波から信号Data.1を分離して制御回路130に出力する。受電素子110と高周波回路120は互いに電気的に接続され、高周波回路120は制御回路130に接続されている。制御回路130は、電源回路121から供給される電力で動作し、制御信号CSを出力して負荷回路150を制御する。また、制御回路130は高周波回路120を制御して、変調した反射波を非接触給電装置190に送信することもできる。負荷回路150は、メモリ回路、センサ回路、表示回路等種々の回路を適用することができる。本実施の形態では、負荷回路150がm1個の負荷を備える場合について説明する。負荷回路150の構成例の詳細を、図2Aを用いて説明する。負荷回路150が有するm1個の負荷のうち、負荷1510、負荷1511、負荷151j、及び負荷151kを抜粋して図2Aに図示する。なお、jは2以上k未満の整数とし、kはjより大きくm以下の整数とする。それぞれの負荷の一方の端子には、電源電位Vddがスイッチング素子を介して電源回路121から供給されている。また、それぞれの負荷の他方の端子には、共通配線COMが接続されている。なお、共通配線COMの電位は共通電位Vcomであり、電源電位Vddより小さい。制御信号CSは制御回路130が負荷回路150を制御するための信号であり、アドレス情報とタイミング情報を含んでいる。制御回路130は、信号Data.1に含まれるデータに基づいて負荷回路150を制御する。なお、アドレス情報は負荷回路150が有するm1mは0以上の整数個の負荷から一つを特定する情報であり、タイミング情報はスイッチング素子の開閉時間及び期間を特定する情報である。図2Aに示す制御信号CSは、制御信号L0、制御信号L1、制御信号Lj、及び制御信号Lkを含む。制御信号L0は負荷1510と負荷1510に接続するスイッチング素子の開閉時間を特定する。制御信号L1は負荷1511と負荷1511に接続するスイッチング素子の開閉時間を特定する。制御信号Ljは負荷151jと負荷151jに接続するスイッチング素子の開閉時間を特定する。そして、制御信号Lkは負荷151kと負荷151kに接続するスイッチング素子の開閉時間を特定する。本実施の形態で例示する電子装置100の駆動方法について図2Bを用いて説明する。なお時間t1以前において電源回路121は負荷回路150が備えるいずれの負荷にも接続されていないため、電源電位Vddは初期電位Vdd0を保っている。初めに制御回路130は制御信号L0を含む制御信号CSにより負荷1510を選択する。そして、時間t1から第1の期間R1の間、負荷1510を電源回路121に接続して駆動する。その結果、電源電位Vddは初期電位Vdd0から電源電位Vdd1まで低下する。第1の期間R1が経過した後時間t2において、制御回路130は制御信号L0により負荷1510から電源回路121を開放する。負荷から開放された電源回路121の電源電位Vddは電源電位Vdd1から初期電位Vdd0に向けて上昇する。なお、初期電位Vdd0の90以上100未満の電源電位を電源電位Vdd2とする。また、負荷から開放された電源回路121の電源電位Vddが電源電位Vdd1から電源電位Vdd2に達する期間を第2の期間R2とする。本実施の形態では、電源電位Vddを初期電位Vdd0の90以上100未満に回復してから、負荷回路に設けられた負荷に電力を供給する。特定の電位に電源電位Vddを回復してから、負荷を駆動することで負荷の動作が安定する。また、電源電位Vddは、初期電位Vdd0に近づくほど緩やかに回復する。そのため、電源電位Vddの回復する割合を初期電位Vdd0の90以上とすることで、電源電位Vdd不足による負荷の誤動作を防ぎつつ、回復に要する時間を短縮できる。第2の期間R2が経過した後時間t3において、制御回路130は制御信号L1を含む制御信号CSにより負荷1511を選択する。そして、時間t3から第3の期間R3の間、負荷1511に電源回路121を接続し、負荷1511を駆動する。なお第3の期間R3の間に、電源電位Vddは電源電位Vdd2から電源電位Vdd1まで低下する。第3の期間R3が経過した後時間t4において、制御回路130は制御信号L1により負荷1511から電源回路121を開放する。負荷から開放された電源回路121の電源電位Vddは電源電位Vdd1から上昇し、時間t4から第2の期間R2が経過した時間t5に電源電位Vdd2に達する。制御回路130は、負荷1510及び負荷1511と同様に他の負荷も制御信号を用いて逐次選択し、電源回路121に接続して駆動する。具体的には、制御信号Ljによって、時間t5から時間t6までの第3の期間R3の間に、負荷151jに電源回路121を接続して駆動する。その後、負荷151jから開放された電源回路121の電源電位Vddは、時間t6から第2の期間R2が経過した時間t7に電源電位Vdd2に達する。また、制御信号Lkによって、時間t7から時間t8までの第3の期間R3の間に、負荷151kに電源回路121を接続して駆動する。その後、負荷151kから開放された電源回路121は、時間t8から電源電位Vddを回復する。<変形例>上述した構成を有する電子装置の駆動方法は、本発明の一態様であり、当該駆動方法と異なる構成を備える以下の電子装置の駆動方法も、本発明に含まれる。例えば、負荷回路150が疑似負荷として負荷1520を有し、真性負荷として、mmは1以上の整数個の負荷1521乃至152mを備えるものであってもよい。なお、疑似負荷は、電源回路に真性負荷を接続した際と同じ程度に、電源電位Vddを低下する負荷であれば、特に限定されない。また、真性負荷に求められる正確な動作や、安定した動作は、疑似負荷には求められない。もちろん、疑似負荷として真性負荷と同じ構成の負荷を用いることもできる。疑似負荷を備えた負荷回路150の詳細を、図3Aを用いて説明する。負荷回路150が有するm1個の負荷のうち、疑似負荷負荷1520と、真性負荷負荷1521、負荷152j、及び負荷152kを抜粋して図3Aに図示する。なお、jは2以上k未満の整数とし、kはjより大きくm以下の整数とする。図3Aに示す制御信号CSは、制御信号L0、制御信号L1、制御信号Lj、及び制御信号Lkを含む。制御信号L0は負荷1520と負荷1520に接続するスイッチング素子の開閉時間を特定する。制御信号L1は負荷1521と負荷1521に接続するスイッチング素子の開閉時間を特定する。制御信号Ljは負荷152jと負荷152jに接続するスイッチング素子の開閉時間を特定する。そして、制御信号Lkは負荷152kと負荷152kに接続するスイッチング素子の開閉時間を特定する。本変形例で示す電子装置100の駆動方法について図3Bを用いて説明する。なお時間t1以前において電源回路121は負荷回路150が備えるいずれの負荷にも接続されていないため、電源電位Vddは初期電位Vdd0を保っている。初めに制御回路130は制御信号L0を含む制御信号CSにより疑似負荷1520を選択する。そして、時間t1から第1の期間R1の間、疑似負荷1520を電源回路121に接続する。その結果、電源電位Vddは初期電位Vdd0から電源電位Vdd1まで低下する。なお、第1の期間R1は、電源回路121の電源電位Vddが真性負荷を接続した際と同じ程度に低下する期間とすれば良く、短いほど負荷回路の駆動時間を短縮できるため好ましい。第1の期間R1が経過した後時間t2において、制御回路130は制御信号L0により疑似負荷1520から電源回路121を開放する。負荷から開放された電源回路121の電源電位Vddは電源電位Vdd1から初期電位Vdd0に向けて上昇する。なお、本実施の形態の変形例では初期電位Vdd0の90以上100未満の電源電位を電源電位Vdd2とする。また、負荷から開放された電源回路121の電源電位Vddが電源電位Vdd1から電源電位Vdd2に達する期間を第2の期間R2とする。第2の期間R2が経過した後時間t3において、制御回路130は制御信号L1を含む制御信号CSにより真性負荷1521を選択する。そして、時間t3から第3の期間R3の間、真性負荷1521に電源回路121に接続し、真性負荷1521を駆動する。なお第3の期間R3の間に、電源電位Vddは電源電位Vdd2から電源電位Vdd1まで低下する。第3の期間R3が経過した後時間t4において、制御回路130は制御信号L1により真性負荷1521から電源回路121を開放する。負荷から開放された電源回路121の電源電位Vddは電源電位Vdd1から上昇し、時間t4から第2の期間R2が経過した時間t5に電源電位Vdd2に達する。制御回路130は、真性負荷1521と同様に他の真性負荷も制御信号を用いて逐次選択し、電源回路121と接続して駆動する。具体的には、制御信号Ljによって、時間t5から時間t6までの第3の期間R3の間に、真性負荷152jに電源回路121を接続して駆動する。その後、真性負荷152jから開放された電源回路121の電源電位Vddは、時間t6から第2の期間R2が経過した時間t7に電源電位Vdd2に達する。また、制御信号Lkによって、時間t7から時間t8までの第3の期間R3の間に、真性負荷152kに電源回路121を接続して駆動する。その後、真性負荷152kから開放された電源回路121は、時間t8から電源電位Vddを回復する。本実施の形態で例示した駆動方法によれば、いずれの負荷を駆動開始する際の電源電位Vddも初期電位Vdd0の90以上に平準化されるため、当該負荷の動作、及び当該負荷を備えた電子装置の動作を安定化できる。また、電源回路を疑似負荷に接続して電源電位Vddを初期電位Vdd0から降下させ、その後、電源電位Vddが初期電位Vdd0の90以上100未満の電源電位Vdd2に達してから、電源回路を真性負荷に接続する駆動方法によれば、真性負荷に供給する電源電位を電源電位Vdd2に安定化できる。これにより、いずれの真性負荷も駆動を開始する際の電源電位Vddが初期電位Vdd0の90以上100未満に平準化されるため、当該負荷の動作、及び当該負荷を備えた電子装置の動作を安定化できる。また、第2の期間R2を、電源電位Vddが初期電位Vdd0の90以上100未満に回復する期間とすることで、電源電位Vddが100に回復する期間より第2の期間R2を短縮できる。これにより、当該負荷の動作、及び当該負荷を備えた電子装置の動作を安定化できるだけでなく、電源回路に接続する当該負荷を備えた電子装置の動作時間を短縮できる。実施の形態2本実施の形態では、負荷回路としてOTPROMを搭載したパッシブ型のRFIDタグの駆動方法について図4、及び図5を用いて説明する。特に、非接触給電装置から給電される電源回路をメモリ素子から開放し、初期電位Vdd0の90以上の値に電源電位Vddを回復する期間において、直前に書き込んだメモリ素子からデータを読み出して正しく書き込まれているかどうかを判定し、かつ次に書き込むメモリのアドレス情報を指定することを特徴とする駆動方法について説明する。本実施の形態で例示する電子装置200を、図4に示す。電子装置200はパッシブ型のRFIDタグであり、非接触給電装置290が発する電力を受け取る受電素子210と、電源回路221を含む高周波回路220、制御回路230、並びにメモリ回路250を備える。非接触給電装置290は、RFIDタグのリーダライタであり、高周波を搬送波として電力と信号Data.1を電子装置200に供給する。電子装置200は受電素子210であるアンテナを用いて、高周波から電力と信号を受信する。高周波回路220は電源回路221を内蔵する。電源回路221は受電素子210が受信した高周波から電源電位Vddを生成し、制御回路230、並びにメモリ回路250に出力する。なお高周波回路220は搬送波から信号Data.1を分離して制御回路230に出力する。受電素子210と高周波回路220は互いに電気的に接続され、高周波回路220は制御回路230に接続されている。制御回路230は、電源回路221から供給される電力で動作し、制御信号CSを出力してメモリ回路250を制御する。また、制御回路230は高周波回路220を制御して、変調した反射波を非接触給電装置290に送信する。メモリ回路250はOTPROMであり、nnは自然数個のメモリバンク2551乃至メモリバンク255n、冗長回路258、並びにメモリ制御回路251を備える。メモリバンクはメモリ制御回路251が制御する単位であり、各メモリバンクには、アドレス情報で特定できるm1mは0以上の整数個のメモリ素子が設けられている。例えば、メモリバンク2551は、疑似負荷として機能するメモリ素子2560と、メモリ素子2561乃至メモリ素子256mを備える。また、メモリバンク255nは、疑似負荷として機能するメモリ素子2570と、メモリ素子2571乃至メモリ素子257mを備える。冗長回路258はメモリバンクの予備回路であり、メモリバンクに見つかった動作不良のメモリ素子の振り替え先として利用される。冗長回路258には、アドレス情報で特定できるm1mは0以上の整数個のメモリ素子が設けられている。具体的には、疑似負荷として機能するメモリ素子2590と、メモリ素子2591乃至メモリ素子259mを備える。メモリ制御回路251は、複数のメモリバンク、並びに冗長回路258の中からアドレス情報に該当するメモリ素子を特定し、該当するメモリ素子への情報の書込み、並びに該当するメモリ素子からの情報の読み出しを行う。なお、メモリ制御回路251はページバッファを備える。例えば、メモリ制御回路251はメモリバンクの一行分の容量のページバッファを備える。メモリバンクの一行分の情報をページバッファに一時的に保存した後、メモリバンク内のメモリ素子に逐次書き込みを行う。次に、非接触給電装置290が発する書き込み命令を含む信号Data.1を、電子装置200が受信した際にとる応答動作について説明する。制御回路230が信号Data.1を認識し、制御回路230はメモリ回路250に書き込み命令を含む制御信号CSを発する。メモリ回路250は制御信号CSに応じて、信号Data.1からメモリバンクの一行分に相当するデータをページバッファに一時的に保存し、その後メモリバンクに書き込みを開始する。メモリ回路250がメモリバンクに信号Data.1を書き込む方法の詳細を図5に示すフローチャート、及び図6に示すタイミングチャートを用いて説明する。書き込み命令を含む制御信号CSにより、メモリ制御回路251は時間t1から第1の期間R1の間、疑似負荷として機能するメモリ素子2560を電源回路221に接続する。その結果、電源電位Vddは初期電位Vdd0から電源電位Vdd1まで低下する。第1の期間R1が経過した後時間t2において、メモリ制御回路251は疑似負荷として機能するメモリ素子2560から電源回路221を開放する。疑似負荷から開放された電源回路221の電源電位Vddは電源電位Vdd1から初期電位Vdd0に向けて上昇し、第2の期間R2が経過した後時間t3において、電源電位Vddは初期電位Vdd0の90以上100未満の電源電位Vdd2まで回復する。なお時間t2から時間t3までの第2の期間R2に、メモリ制御回路251は、信号Data.1の先頭データData.11を書き込むメモリ素子のアドレス情報を指定する。なお本実施の形態では、信号Data.1の先頭データData.11をメモリ素子2561に書き込むものとする。次の時間t3から第3の期間R3の間に、メモリ制御回路251は指定したメモリ素子2561に電源回路221を接続し、信号Data.1の先頭データData.11を書き込む。なお、電源電位Vddは第3の期間R3の間に電源電位Vdd2から電源電位Vdd1まで低下する。第3の期間R3が経過した後時間t4において、メモリ制御回路251はメモリ素子2561から電源回路221を開放する。負荷から開放された電源回路221の電源電位Vddは電源電位Vdd1から初期電位Vdd0に向けて上昇し、第2の期間R2が経過した後時間t5において、電源電位Vddは初期電位Vdd0の90以上100未満の電源電位Vdd2まで回復する。なお、時間t4から時間t5までの第2の期間R2に、メモリ制御回路251は直前にデータを書き込んだメモリ素子2561からデータを読み出し、正しく書き込まれているかどうか判定する。書き込みに失敗している場合は、後述する再書き込み動作を実施し、書き込みに成功している場合は、信号Data.1に次のデータが存在することを確認する。なお、次のデータをjjは2以上m未満の自然数番目のデータとし、信号Data.1の第jのデータData.1jをメモリ素子256jに書き込むものとする。また、次のデータが存在しない場合は書き込み動作を終了する。第jのデータData.1jがページバッファ内に存在する場合は、それを書き込むメモリ素子のアドレス情報を指定する。また、ページバッファ内のデータを全て書き込み終え、第jのデータData.1jがページバッファ内にない場合は、次のメモリバンクを選択し、ページバッファに第jのデータData.1jを含むデータを上書きして、ページバッファのデータを準備する。次に再書き込み動作について説明する。直前に書き込んだメモリ素子に正しくデータが書き込まれていない場合は、再度同一のデータの、同一のメモリ素子への書き込みを試みる。その後、再度データを読み出して、当該メモリ素子に正しく書き込まれているかどうか判定する。例えば、信号Data.1の先頭データData.11がメモリ素子2561に正しく書き込まれていなかった場合、信号Data.1の先頭データData.11をメモリ素子2561に、再度書き込む動作を試みる。書き込み動作後に、メモリ素子2561からデータを読み出して正しく書き込まれているかどうか判定する。再書き込みに成功している場合は、前述の信号Data.1に次のデータが存在することを確認する動作に移行すればよい。なお、再書き込み動作に失敗している場合は、冗長シーケンスへ移行する。冗長シーケンスは、再書き込み動作に失敗したメモリ素子を冗長回路258に振り替える一連の手順である。書き込み不良を生じたメモリ素子を冗長回路258に振り替えて電子装置200を駆動することにより、高い信頼性が得られる。なお、振り替え方としては例えば書き込み不良を生じたメモリ素子を含むメモリバンクごと振り替える方法であってもよい。上述のようにデータを書き込んだ後の処理と、次のデータを書き込むための処理は、判定結果によって変化するため、処理時間は多岐に渡る。本実施の形態では、上述の処理時間の長短にかかわらず、電源電位Vddを初期電位Vdd0の90以上100未満に回復する第2の期間を設けて、負荷回路が備えた負荷に安定して電力を供給する。特定の電源電位Vdd2を回復してから、負荷を駆動することで負荷の動作が安定する。また、電源電位Vddは、初期電位Vdd0に近づくほど緩やかに回復する。そのため、電源電位Vddの回復範囲を初期電位Vdd0の90以上とすることで、電源電位Vdd不足による負荷の誤動作を防ぎつつ、回復に要する時間を短縮できる。次の時間t5から第3の期間R3の間、メモリ制御回路251は指定されたメモリ素子256jに電源回路221を接続し、信号Data.1の第jのデータData.1jを書き込む。なお、電源電位Vddは第3の期間R3の間に電源電位Vdd2から電源電位Vdd1まで低下する。第3の期間R3が経過した後時間t6において、メモリ制御回路251はメモリ素子256jから電源回路221を開放する。負荷から開放された電源回路221の電源電位Vddは電源電位Vdd1から初期電位Vdd0に向けて上昇し、第2の期間R2が経過した後時間t7において、電源電位Vddは初期電位Vdd0の90以上100未満の電源電位Vdd2まで回復する。なお、時間t6から時間t7までの第2の期間R2に、メモリ制御回路251は直前にデータを書き込んだメモリ素子256iからデータを読み出し、正しく書き込まれているかどうか判定する。書き込みに失敗している場合は、再書き込み動作を実施する。また、書き込みに成功している場合は、信号Data.1のkkはjより大きく、m以下の整数番目のデータであって、最後のデータである第kのデータData.1kをメモリ素子256kに書き込むものとする。第kのデータData.1kがページバッファ内に存在する場合は、それを書き込むメモリ素子のアドレス情報を指定する。また、ページバッファ内のデータを全て書き込み終え、第kのデータData.1kがページバッファ内にない場合は、次のメモリバンクを選択し、ページバッファに第kのデータData.1kを含むデータを上書きして、ページバッファのデータを準備する。次の時間t7から第3の期間R3の間、メモリ制御回路251は指定されたメモリ素子256kに電源回路221を接続し、信号Data.1の第kのデータData.1kを書き込む。なお、電源電位Vddは第3の期間R3の間に電源電位Vdd2から電源電位Vdd1まで低下する。第3の期間R3が経過した後時間t8において、メモリ制御回路251はメモリ素子256kから電源回路221を開放する。負荷から開放された電源回路221の電源電位Vddは電源電位Vdd1から初期電位Vdd0に向けて回復する。なお、時間t8から時間t9までの第2の期間R2に、メモリ制御回路251は直前にデータを書き込んだメモリ素子256kからデータを読み出し、正しく書き込まれているかどうか判定する。書き込みに失敗している場合は、再書き込み動作を実施し、書き込みに成功している場合は、信号Data.1に次のデータが存在しないことを確認し、書き込み動作を終了する。<変形例>上述した構成を有する電子装置の駆動方法は、本発明の一態様であり、当該駆動方法と異なる構成を備える駆動方法も本発明に含まれる。例えば、上述の再書き込み動作において、書き込み時間を、書き込みを失敗した際の書き込み時間より長く変更する構成とすることもできる。書き込み時間を長くすることで、書き込み条件を逐次最適化できる。なお、書き込み時間を再書き込み動作に限って変更しても良いし、通常の書き込み動作も含めて変更しても良い。本実施の形態で例示した駆動方法によれば、いずれのメモリ素子に書き込みを開始する場合であっても、メモリ回路に供給する電源電位Vddは初期電位Vdd0の90以上に平準化される。その結果、当該メモリ素子への書き込み動作、及び当該メモリ素子を備えた電子装置の動作を安定化できる。また、電源回路を疑似負荷に接続して電源電位Vddを初期電位Vdd0から降下させ、その後、電源電位Vddが初期電位Vdd0の90以上100未満の電源電位Vdd2に達してから、電源回路を真性負荷に接続する駆動方法によれば、真性負荷に供給する電源電位を電源電位Vdd2に安定化できる。これにより、いずれの真性負荷メモリ素子も駆動を開始する際の電源電位Vddが初期電位Vdd0の90以上100未満に平準化されるため、当該負荷メモリ素子の動作、及び当該負荷メモリ素子を備えた電子装置の動作を安定化できる。また、第2の期間R2を、電源電位Vddが初期電位Vdd0の90以上100未満に回復する期間とすることで、電源電位Vddが100に回復する期間より第2の期間R2を短縮できる。これにより、当該負荷メモリ素子の動作、及び当該負荷メモリ素子を備えた電子装置の動作を安定化できるだけでなく、電源回路に接続する当該負荷を備えた電子装置の動作時間を短縮できる。また、第2の期間R2に、直前にメモリ素子に書き込んだ情報を検証し、検証結果に応じて再書き込みまたは冗長回路への振替動作を行う。これにより、書き込み動作の失敗を速やかに発見し、誤った情報の書き込みを防ぐことができる。また、第2の期間R2に、直前にメモリ素子に書き込んだ情報を検証し、検証結果に応じて書き込み時間を最適化する。これにより、書き込み動作の失敗を速やかに発見できる。また、第2の期間の長さを検証結果に応じて変更するため、書き込み条件を逐次最適化できる。なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。実施の形態3本実施の形態では、負荷回路としてセンサ回路と不揮発性メモリ回路を搭載したパッシブ型の電子装置の駆動方法について、図7を用いて説明する。特に、非接触、又は無線で供給されるエネルギーを電力に変換し、他の回路に供給する電源回路をセンサ素子、又はメモリ素子から開放し、初期電位Vdd0の90以上の値に電源電位Vddを回復する駆動方法について説明する。なお、本実施の形態の電子装置は非接触給電装置から供給される電力で動作し、センサ素子が検知した情報を不揮発性メモリに記録する。また、非接触給電装置が発する命令に従って、不揮発性メモリに記録した情報を読み出すことができる電子装置である。本実施の形態で例示する電子装置400を、図7に示す。電子装置400は負荷回路としてセンサ回路と不揮発性メモリ回路を搭載したパッシブ型の電子装置であり、非接触給電装置490が発する電力を受け取る受電素子410と、電源回路421を含む高周波回路420、制御回路430、メモリ回路450、並びにセンサ回路440を備える。非接触給電装置490は、センサ回路と不揮発性メモリを搭載したパッシブ型の電子装置400のリーダライタであり、高周波を搬送波として電力と信号Data.1を電子装置400に供給する。電子装置400は受電素子410であるアンテナを用いて、高周波から電力と信号を受信する。高周波回路420は電源回路421を内蔵する。電源回路421は受電素子410が受信した高周波から電源電位Vddを生成し、制御回路430、センサ回路440、並びにメモリ回路450に出力する。なお高周波回路420は搬送波から信号Data.1を分離して制御回路430に出力する。受電素子410と高周波回路420は互いに電気的に接続され、高周波回路420は制御回路430に接続されている。制御回路430は、電源回路421から供給される電力で動作し、制御信号CS1を出力してメモリ回路450を制御する。また、制御回路430はセンサ回路440と接続され、制御信号CS2を出力してセンサ回路440を制御する。なお、制御回路430は高周波回路420を制御して、変調した反射波を非接触給電装置490に送信する。センサ回路440はセンサ素子と、センサ素子が出力するアナログ信号をデジタル信号に変換するADコンバータを備え、センサ素子からの信号Data.2を制御回路430に出力する。センサ素子としては、温度、圧力、光、加速度、心電位等を検知するセンサ素子の他、あらゆるセンサ素子を適用することができる。また、異種のセンサを複数設けることで、複数の環境の変化を記録することができる。例えば、およそ同時に複数の環境を観測する方法であっても、逐次センサ素子を切り替えて観測する方法であっても、それぞれのセンサ素子毎に指定した時刻に観測する方法であってもよい。また、同種のセンサを例えばマトリクス状に配置して設けることで、環境の変化を面状に捉えることができる。メモリ回路450は、不揮発性メモリを搭載していれば良い。例えば実施の形態2で示したOTPROMと同様のメモリ回路を用いることもできる。よって、詳細については実施の形態2の記載を参酌することができる。本実施の形態で例示する電子装置400の駆動方法について図8を用いて説明する。なお時間t1以前において電源回路421はセンサ回路440、又はメモリ回路が備えるいずれの負荷にも接続されていないため電源電位Vddは初期電位Vdd0を保っている。初めに、非接触給電装置490が信号Data.1に載せて制御回路430に命令を発する。制御回路430は制御信号CS2を用いてセンサ回路440を電源回路421に接続する。その結果、電源電位Vddは初期電位Vdd0から電源電位Vdd1まで低下する。なお、センサ回路440はセンサ素子の出力をデジタルデータData.2に変換して制御回路430に出力する。第1の期間R1が経過した後時間t2において、制御回路430は制御信号CS2によりセンサ素子から電源回路421を開放する。負荷から開放された電源回路421の電源電位Vddは電源電位Vdd1から初期電位Vdd0に向けて上昇する。なお、初期電位Vdd0の90以上100未満の電源電位を電源電位Vdd2とする。また、負荷から開放された電源回路421の電源電位Vddが電源電位Vdd1から電源電位Vdd2に達する期間を第2の期間R2とする。なお時間t2から時間t3までの第2の期間R2に、制御回路430はセンサ回路440が出力したデジタルデータData.2をメモリ回路450に出力し、メモリ制御回路451は、信号Data.2の先頭データData.21を書き込むメモリ素子のアドレス情報を指定する。なお本実施の形態では、信号Data.1の先頭データData.11をメモリ素子4561に書き込むものとする。次の時間t3から第3の期間R3の間に、メモリ制御回路451は指定したメモリ素子4561に電源回路421を接続し、信号Data.2の先頭データData.21を書き込む。なお、電源電位Vddは第3の期間R3の間に電源電位Vdd2から電源電位Vdd1まで低下する。本実施の形態では、電源回路421の電源電位Vddが低下する複数の負荷を接続する。具体的には、センサ回路440とメモリ回路450を接続する。このような構成においては、電源回路421をそれぞれの負荷に接続する期間は等しい必要はなく、例えばR1とR3の如く異なる長さの期間とすることもできる。第3の期間R3が経過した後時間t4において、メモリ制御回路451はメモリ素子4561から電源回路421を開放する。負荷から開放された電源回路421の電源電位Vddは電源電位Vdd1から初期電位Vdd0に向けて上昇し、第2の期間R2が経過した後時間t5において、電源電位Vddは初期電位Vdd0の90以上100未満の電源電位Vdd2まで回復する。なお、時間t4から時間t5までの第2の期間R2に、メモリ制御回路451は直前にデータを書き込んだメモリ素子4561からデータを読み出し、正しく書き込まれているかどうか判定する。書き込みに失敗している場合は、実施の形態2にて説明した再書き込み動作を実施し、書き込みに成功している場合は、信号Data.2に次のデータが存在することを確認する。なお、次のデータをjjは2以上m未満の自然数番目のデータとし、信号Data.2の第jのデータData.1jをメモリ素子456jに書き込むものとする。また、次のデータが存在しない場合は書き込み動作を終了する。第jのデータData.2jがページバッファ内に存在する場合は、それを書き込むメモリ素子のアドレス情報を指定する。また、ページバッファ内のデータを全て書き込み終え、第jのデータData.2jがページバッファ内にない場合は、次のメモリバンクを選択し、ページバッファに第jのデータData.2jを含むデータを上書きして、ページバッファのデータを準備する。次の時間t5から第3の期間R3の間に、第jのデータData.2jを指定するメモリ素子に書き込み、時間t6から時間t7までの第2の期間R2の間に電源電位Vddを電源電位Vdd2まで回復する。信号Data.2のデータを不揮発性メモリのメモリ素子に書き込む方法は、実施の形態2に記載した方法と同様の方法を用いればよい。よって、詳細については実施の形態2の記載を参酌することができる。前述の動作により、センサ回路440が観測した一回の観測結果をメモリ回路に書き込むことができる。もちろん、定期的にセンサ回路440がセンサ素子の出力を記録する構成とすることができる。非接触給電装置490が供給する電力でセンサ回路440が定期的にセンサ素子の出力を記録することにより、物体や、人体に非接触で経時的な変化を検知し、記録することが可能になる。なお、メモリ回路450に記録されたセンサ回路440からの信号Data.2は、非接触給電装置490を介して入力する命令で読み出すことができる。読み出した信号Data.3は、制御回路430が高周波回路420を介して送信し、非接触給電装置490が備えるリーダ部が受信する。具体的には、読み出したData.3で変調した反射波を送信すればよい。<変形例>上述した構成を有する電子装置の駆動方法は、本発明の一態様であり、当該駆動方法と異なる構成を備える以下の駆動方法も、本発明に含まれる。例えば、非接触、又は無線で供給される太陽光に含まれるエネルギーを光電変換素子で電力に変換して用いることもできる。この場合、受電素子410に光電変換素子と、高周波の反射波を出力するアンテナを設ければよい。なお、太陽電池から供給される電力も、光源からの光の強度、光源に対する受光面の向き等に影響され、接続される負荷に対して小さくなるという問題がある。本実施の形態で例示した駆動方法によれば、センサ回路、及びメモリ回路のいずれの負荷を駆動開始する際の電源電位Vddが、初期電位Vdd0の90以上に平準化されるため、当該負荷の動作、及び当該負荷を備えた電子装置の動作を安定化できる。また、電源回路を疑似負荷に接続して電源電位Vddを初期電位Vdd0から降下させ、その後、電源電位Vddが初期電位Vdd0の90以上100未満の電源電位Vdd2に達してから、電源回路を真性負荷に接続する駆動方法によれば、真性負荷に供給する電源電位を電源電位Vdd2に安定化できる。これにより、いずれの真性負荷も駆動を開始する際の電源電位Vddが初期電位Vdd0の90以上100未満に平準化されるため、当該負荷の動作、及び当該負荷を備えた電子装置の動作を安定化できる。また、第2の期間R2を、電源電位Vddが初期電位Vdd0の90以上100未満に回復する期間とすることで、電源電位Vddが100に回復する期間より第2の期間R2を短縮できる。これにより、当該負荷の動作、及び当該負荷を備えた電子装置の動作を安定化できるだけでなく、電源回路に接続する当該負荷を備えた電子装置の動作時間を短縮できる。負荷回路としてセンサ回路と不揮発性メモリ回路を搭載したパッシブ型の電子装置は、電池等を設ける必要がないため軽量、また小型にできる。このような電子装置は移動体に装着しても移動体の負担とならない。さらに、本実施の形態で例示した方法で駆動してすれば、種々の環境の変化を記録することができる。例えば、動物の行動、患者の体調を記録することができる。また、異種のセンサを複数設けることで、複数の環境の変化を記録することができる。なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。