"基体上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された複数の配線と、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に形成され、前記配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層とを有することを特徴とする配線構造。請求項1記載の配線構造において、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜に凹部が形成されており、前記誘導層は、前記凹部の底部及び側部に形成されていることを特徴とする配線構造。請求項1又は2記載の配線構造において、前記誘導層は、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜の表層部に形成されており、前記絶縁膜のうちの粗化された部分であることを特徴とする配線構造。請求項1又は2記載の配線構造において、前記誘導層は、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜の表層部に形成されており、前記絶縁膜のうちのダメージが与えられた部分であることを特徴とする配線構造。請求項1又は2記載の配線構造において、前記誘導層は、ハロゲンイオンを含むことを特徴とする配線構造。請求項1又は2記載の配線構造において、前記誘導層は、ポリアクリル酸を含むことを特徴とする配線構造。請求項1乃至6のいずれか1項に記載の配線構造において、前記配線の上面及び側面に形成され、前記配線の構成原子の拡散を防止するバリア膜と、前記複数の配線を覆うように形成された他の絶縁膜とを更に有することを特徴とする配線構造。基体上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に複数の配線を形成する工程と、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に、前記配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層を形成する工程とを有することを特徴とする配線構造の製造方法。基体上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された複数の配線と、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に形成され、前記配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層とを有することを特徴とする電子装置。基体上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に複数の配線を形成する工程と、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に、前記配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層を形成する工程とを有することを特徴とする電子装置の製造方法。しかしながら、提案されている配線構造では、必ずしも十分に高い信頼性が得られない場合があった。本発明の目的は、信頼性の高い配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を有する電子装置及びその製造方法を提供することにある。実施形態の一観点によれば、基体上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された複数の配線と、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に形成され、前記配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層とを有することを特徴とする配線構造が提供される。実施形態の他の観点によれば、基体上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に複数の配線を形成する工程と、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に、前記配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層を形成する工程とを有することを特徴とする配線構造の製造方法が提供される。実施形態の更に他の観点によれば、基体上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された複数の配線と、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に形成され、前記配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層とを有することを特徴とする電子装置が提供される。実施形態の更に他の観点によれば、基体上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に複数の配線を形成する工程と、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に、前記配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層を形成する工程とを有することを特徴とする電子装置の製造方法が提供される。開示の配線構造及びその製造方法等によれば、複数の配線の間の領域における絶縁膜上に、配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層を形成する。このため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の高い配線構造及びその配線構造を有する電子装置を提供することができる。第1の絶縁膜上に複数の配線を形成し、かかる複数の配線を覆うように第2の絶縁膜を形成した配線構造に対してHAST試験を行うと、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜との界面に沿ってマイグレーションが進行し、やがて絶縁破壊に至ってしまう。かかるマイグレーションは、一部の箇所において集中的かつ極度に進行する。複数の配線の間の領域における第1の絶縁膜の上部をエッチングし、複数の配線の間の領域における第1の絶縁膜の表面の高さを、配線により覆われている領域における第1の絶縁膜の表面の高さより低くすることも考えられる。しかしながら、複数の配線の間の領域における第1の絶縁膜の表面の高さを、配線により覆われている領域における第1の絶縁膜の表面の高さより単に低くしても、十分な信頼性は得られなかった。配線の構成原子の拡散を防止するバリア膜を配線の上面及び側面を覆うように形成することも考えられる。しかしながら、かかるバリア膜を単に形成しても、必ずしも十分な信頼性は得られなかった。いずれの場合にも、一部の箇所においてマイグレーションが集中的かつ極度に進行し、絶縁破壊に至っていた。[第1実施形態]第1実施形態による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法について図1乃至図17を用いて説明する。なお、ここでは、本実施形態による配線構造を電子装置に適用する場合を例に説明するが、本実施形態による配線構造が用いられる対象は電子装置に限定されるものではない。例えば、本実施形態による配線構造を回路基板に適用してもよい。電子装置まず、本実施形態による電子装置について図1乃至図3を用いて説明する。図1は、本実施形態による電子装置を示す断面図である。図2は、本実施形態による電子装置の平面図である。図1は、図2のA-A′線断面に対応している。図3は、本実施形態による電子装置を回路基板に実装した状態を示す断面図である。図1に示すように、樹脂層基材、モールド樹脂層、封止樹脂層10には、チップベアチップ12が埋め込まれている。樹脂層10の材料としては、例えば有機樹脂が用いられている。かかる有機樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂が用いられている。チップ12は、例えば半導体チップである。かかる半導体チップ12としては、例えばLSILargeScaleIntegrationが用いられている。樹脂層10の厚さは、例えば200μm~1mm程度とする。チップ12の厚さは、例えば200μm~600μm程度とする。チップ12には、電極表面電極、外部接続電極14が形成されている。チップ12の電極14の一方の面図1における紙面上側の面、即ち、チップ12の電極14の上面は、樹脂層10から露出している。電極14上には、電極14に接続されたビア15が形成されている。ビア15の材料としては、例えば銅Cuが用いられている。ビア15の高さは、例えば2μm~20μm程度とする。ここでは、ビア15の高さを、例えば5μm程度とする。ビア15が形成された樹脂層10上には、絶縁膜16が形成されている。ビア15は、絶縁膜16により埋め込まれている。ビア15の一方の面図1における紙面上側の面、即ち、ビア15の上面は、絶縁膜16から露出している。絶縁膜16の材料としては、例えば有機樹脂が用いられている。かかる有機樹脂としては、例えば、フェノール系樹脂が用いられている。より具体的には、絶縁膜16の材料として、例えば、ポジ型の感光性のフェノール系樹脂が用いられている。絶縁膜16の膜厚は、例えば2μm~20μm程度とする。ここでは、絶縁膜16の膜厚を、例えば5μm程度とする。なお、絶縁膜16として、ポジ型の感光性のフェノール系樹脂を用いるのは、ネガ型の感光性のフェノール系樹脂は、不純物が多く、リーク電流が大きいためである。絶縁膜16の一方の面図1における紙面上側の面、即ち、絶縁膜16の上面には、ビア15にそれぞれ接続された複数の配線22が形成されている。配線22の材料としては、例えばCuが用いられている。複数の配線22の間の領域における絶縁膜16には、凹部17が形成されている。このため、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16の上面の高さは、配線22により覆われている領域における絶縁膜16の上面の高さより低くなっている。換言すれば、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16の上面の高さは、配線22により覆われている領域における絶縁膜16の上面の高さより低くなっている。凹部17の深さは、例えば800nm程度とする。複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上には、配線22の構成原子金属、金属イオンの拡散移動を誘導する誘導層24が形成されている。換言すれば、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上には、絶縁膜16及び絶縁膜28よりも、配線22の構成原子が拡散しやすい層24が形成されている。ここでは、配線22の構成原子であるCuが、絶縁膜16及び絶縁膜28よりも、誘導層24において拡散しやすくなっている。誘導層24は、絶縁膜16の表層部を改質することにより形成されたものである。より具体的には、誘導層改質層24は、絶縁膜16の表層部を粗化することにより形成されたものである。誘導層24は、絶縁膜16のうちの粗化された部分である。このため、誘導層24は、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16の表層部に形成されている。誘導層24は、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に形成された凹部17の底部及び側部に形成されている。誘導層24は、粗化されているため、絶縁膜16及び絶縁膜28よりも吸湿性吸収性が高くなっている。吸湿性が高いことは、誘導層24内に配線22の構成原子が取り込まれやすく、誘導層24内に配線22の構成原子が拡散しやすくなるのに寄与している。また、誘導層24は、粗化されているため、絶縁膜16及び絶縁膜28よりも密度が低くなっている。密度が低いことは、誘導層24内に配線22の構成原子が取り込まれやすく、誘導層24内に配線22の構成原子が拡散しやすくなるのに寄与している。誘導層24の厚さは、例えば5nm~300nm程度とする。ここでは、誘導層24の厚さを、100nm程度とする。誘導層24の絶縁性は、絶縁膜16及び絶縁膜28の絶縁性よりも低くなっている。絶縁性の高低は、配線22の構成原子の移動しやすさに影響する。絶縁膜16及び絶縁膜28は絶縁性が比較的高いため、配線22の構成原子は絶縁膜16及び絶縁膜28において比較的移動しにくい。一方、誘導層24は絶縁性が比較的低いため、配線22の構成原子は誘導層24において比較的移動しやすい。配線22の上面及び側面には、バリア膜26が形成されている。バリア膜26は、配線22の構成原子が絶縁膜28中に拡散するのを防止するためのものである。バリア膜26の材料としては、例えば、コバルトタングステンリンCoWPが用いられている。バリア膜26の膜厚は、例えば5nm~100nm程度とする。ここでは、バリア膜26の膜厚を、例えば20nm程度とする。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24が形成された、本実施形態による配線構造2が形成されている。絶縁膜16の一方の面側図1における紙面上側、即ち、絶縁膜16上には、バリア膜26が形成された配線22を覆うように絶縁膜28が形成されている。絶縁膜28の材料としては、例えば有機樹脂が用いられている。かかる有機樹脂としては、例えばポジ型の感光性のフェノール系樹脂が用いられている。絶縁膜28の膜厚は、例えば5μm~30μm程度とする。ここでは、絶縁膜28の膜厚を、例えば10μm程度とする。なお、絶縁膜28の材料として、ポジ型の感光性のフェノール系樹脂を用いるのは、ネガ型の感光性のフェノール系樹脂は、不純物が多く、リーク電流が大きいためである。絶縁膜28には、配線22に達する開口部コンタクトホール30が形成されている。開口部30内には、ビア導体プラグ32が形成されている。絶縁膜28の一方の面側図1における紙面上側、即ち、絶縁膜28上には、ビア32と一体に形成された電極パッド34が形成されている。ビア32及び電極パッド34の材料としては、例えばCuが用いられている。電極パッド34の上面及び側面には、めっき膜図示せずが形成されている。かかるめっき膜としては、例えばニッケルNi膜と金Au膜との積層膜図示せずが用いられている。絶縁膜28の一方の面側図1における紙面上側、即ち、絶縁膜28上には、ソルダーレジスト膜36が形成されている。ソルダーレジスト膜36には、電極パッド34を露出する開口部38が形成されている。電極パッド34の一方の面図1における紙面上側の面、即ち、電極パッド34上には、例えば半田バンプ半田ボール40が形成されている。半田バンプ40は、電極パッド34及び配線22等を介して、チップ12の電極14にそれぞれ電気的に接続されている。こうして、配線構造2を有する本実施形態による電子装置ウェハレベルパッケージ4が形成されている。本実施形態による電子装置4は、例えば、図3に示すように、回路基板42上に実装される。回路基板42の表面には、電極44が形成されている。電極44は、回路基板42に形成された配線図示せず等に電気的に接続されている。電極44の材料としては、例えばAuやCu等が用いられている。回路基板42としては、例えば樹脂基板やセラミックス基板等が用いられている。電子装置4の電極パッド34と回路基板42の電極44とは、例えば半田バンプ40を用いて接合される。このように、本実施形態によれば、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24が形成されている。このため、本実施形態によれば、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行するのではなく、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本実施形態によれば、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の高い配線構造2及びその配線構造を有する電子装置4を提供することができる。しかも、本実施形態によれば、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17が形成されており、誘導層24は凹部17の底部及び側部に形成されている。このため、本実施形態によれば、凹部17の深さの分だけマイグレーションの進行経路が迂回され、絶縁破壊に至るまでの時間をより長くすることができる。電子装置の製造方法次に、本実施形態による電子装置の製造方法について図4乃至図17を用いて説明する。図4乃至図17は、本実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。まず、図4aに示すように、支持基板46上に、粘着層48を形成する。支持基板46としては、例えばシリコン基板、ステンレスSUS基板、ガラス基板等を用いる。支持基板46の厚さは、樹脂層10の厚さより厚く設定することが好ましい。粘着層48としては、例えば、加熱することにより剥離することが可能な粘着層、即ち、熱剥離が可能な粘着層を形成する。粘着層48の厚さは、例えば100μm程度とする。次に、図4bに示すように、粘着層48上にチップ12を配置する。チップ12としては、例えば半導体チップを用いる。チップ12には、電極14が形成されている。粘着層48上にチップ12を配する際には、チップ12の電極14が粘着層48に接するように、チップ12を配置する。こうして、粘着層48上にチップ12が配置される。次に、図5aに示すように、チップ12が配された粘着層48上の全面に、樹脂層10を形成する。樹脂層10の材料としては、例えば有機樹脂を用いる。より具体的には、樹脂層10の材料として、例えばエポキシ系樹脂を用いる。樹脂層10は、チップ12と粘着層48との間の空間にも充填される。このため、チップ12の電極14の側面は、樹脂層10により覆われる。こうして、チップ12が樹脂層10により埋め込まれた状態となる。次に、図5bに示すように、支持基板46及び粘着層48を、樹脂層10及びチップ12から剥離する。即ち、チップ12が埋め込まれた樹脂層10から、支持基板46及び粘着層48を除去する。粘着層48として熱剥離が可能な粘着層を用いた場合には、支持基板46及び粘着層48を樹脂層10及びチップ12から剥離する際に、熱処理を行うことにより、粘着層48の粘着力を低下させる。こうして、チップ12が樹脂層10中に埋め込まれた構造体擬似ウェハ、樹脂基板50が得られる。構造体50の一方の面粘着層48と接していた面には、チップ12の電極14が露出した状態となる。なお、このような技術は、擬似SOCSystemOnChip技術と称される。次に、構造体50の上下を反転させる図6a参照。次に、構造体50の一方の面図6aにおける紙面上側の面上、即ち、構造体50上の全面に、例えばスパッタリング法により、密着層バリア膜図示せずを形成する。密着層の材料としては、例えばチタンTiを用いる。密着層の厚さは、例えば20nm程度とする。次に、密着層が形成された構造体50の一方の面側図6bにおける紙面上側の全面に、例えばスパッタリング法により、シード層52を形成する図6b参照。シード層52の材料としては、例えばCuを用いる。シード層52の厚さは、例えば100nm程度とする。次に、図7aに示すように、構造体50の一方の面側図7における紙面上側の全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜54を形成する。フォトレジスト膜54の膜厚は、例えば8μm程度とする。次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、フォトレジスト膜54に開口部56を形成する。フォトレジスト膜54に開口部56のパターンを露光する際には、例えば、ステッパやコンタクトアライナー等を用いる。フォトレジスト膜54を現像する際の現像液としては、例えばTMAHTetraMethylAmmoniumHydroxideを用いる。次に、フォトレジスト膜54を改質する。かかる改質は、フォトレジスト膜54の表面を親水化することにより、電気めっきを容易化するためのものである。フォトレジスト膜54を改質する際には、例えば、O2プラズマ照射や紫外線照射等を用いる。次に、図7bに示すように、例えば電気めっき法により、ビア導体プラグ15を形成する。ビア15を形成する際に用いるめっき浴としては、例えば硫酸銅めっき浴を用いる。ビア15の高さは、例えば2μm~20μm程度とする。次に、フォトレジスト膜54を剥離する。フォトレジスト膜54を剥離する際の剥離液としては、例えばNMPNMethylPyrrolidoneやアセトン等を用いる。次に、例えばウェットエッチングにより、ビア15の周囲に露出しているシード層52及び密着層を除去する図8a参照。シード層52をエッチングする際に用いるエッチング液としては、例えば、硫酸カリウム水溶液、塩化鉄水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いる。密着層をエッチングする際に用いるエッチング液としては、例えば、フッ化アンモニウム水溶液等を用いる。なお、密着層のエッチング方法は、ウェットエッチングに限定されるものではない。例えば、ドライエッチングにより密着層をエッチングすることも可能である。密着層をドライエッチングする際には、エッチングガスとして、例えばCF4ガスを用いることができる。次に、図8bに示すように、構造体50の一方の面側図8bにおける紙面上側の全面に、即ち、構造体50上の全面に、例えばスピンコート法により、絶縁膜16を形成する。絶縁膜16の材料としては、例えば有機樹脂を用いる。かかる有機樹脂としては、例えばフェノール系樹脂を用いる。より具体的には、絶縁膜16の材料として、例えばポジ型の感光性のフェノール系樹脂を用いる。絶縁膜16の膜厚は、例えば3μm~25μm程度とする。次に、図9aに示すように、例えばCMPChemicalMechanicalPolishing、化学的機械的研磨法により、ビア15の表面が露出するまで、絶縁膜16の一方の面側図9aにおける紙面上側を研磨する。これにより、絶縁膜16の表面が平坦化される。絶縁膜16の膜厚は、例えば2μm~20μm程度となる。次に、絶縁膜16が形成された構造体50の一方の面側図9aにおける紙面上側の全面に、例えばスパッタリング法により、例えば膜厚20nm程度の密着層図示せずを形成する。密着層の材料としては、例えばTiを用いる。密着層の厚さは、例えば20nm程度とする。次に、密着層が形成された構造体50の一方の面側図9bにおける紙面上側の全面に、即ち、構造体50上の全面に、例えばスパッタリング法により、シード層58を形成する図9b参照。シード層58の材料としては、例えばCuを用いる。シールド層58の厚さは、例えば100nm程度とする。次に、シード層58が形成された構造体50の一方の面側図10aにおける紙面上側の全面に、即ち、構造体50上の全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜60を形成する。フォトレジスト膜60の膜厚は、例えば3μm程度とする。次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜60に開口部62を形成する図10a参照。かかる開口部62は、配線22を形成するためのものである。次に、フォトレジスト膜60を改質する。かかる改質は、フォトレジスト膜60の表面を親水化することにより、電気めっきを容易化するためのものである。フォトレジスト膜60を改質する際には、例えば、O2プラズマ照射や紫外線照射等を用いる。次に、図10bに示すように、例えば電気めっき法により、例えば配線22を形成する。配線22の高さは、例えば1μm~5μm程度とする。配線22の材料としては、例えばCuを用いる。配線22を形成する際に用いるめっき浴としては、例えば硫酸銅めっき浴を用いる。次に、フォトレジスト膜60を剥離する。フォトレジスト膜60を剥離する際の剥離液としては、例えば、NMPやアセトン等を用いる。次に、配線22の周囲に露出している部分のシード層58及び密着層を、エッチング除去する。シード層58をエッチングする際に用いるエッチング液としては、例えば、硫酸カリウム水溶液、塩化鉄水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いる。密着層をエッチングする際に用いるエッチング液としては、例えば、フッ化アンモニウム水溶液等を用いる。なお、密着層のエッチング方法は、ウェットエッチングに限定されるものではない。例えば、ドライエッチングにより密着層をエッチングすることも可能である。密着層をドライエッチングする際には、エッチングガスとして、例えばCF4ガスを用いることができる。こうして、チップ12の電極14にビア15を介して電気的に接続された配線再配線層22が形成される図11a参照。次に、例えばドライエッチングにより、配線22により覆われていない領域の絶縁膜16をエッチングする。絶縁膜16のドライエッチングする際には、例えばO2ガスを用いる。これにより、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16の上面の高さが、配線22により覆われている領域における絶縁膜16の高さより低くなる。即ち、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16に、凹部17が形成される。絶縁膜16のエッチング量掘り込み量は、例えば800nm程度とする。次に、図12aに示すように、例えば無電解めっき法により、配線22の上面及び側面にバリア膜26を形成する。バリア膜26は、配線22の構成原子が絶縁膜28中に拡散するのを防止するためのものである。バリア膜26の材料としては、例えばCoWPを用いる。バリア膜26の膜厚は、例えば5nm~100nm程度とする。ここでは、バリア膜26の膜厚を、例えば20nm程度とする。次に、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子金属、金属イオンの拡散を誘導する誘導層24を形成する。即ち、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16上に、絶縁膜16及び絶縁膜28よりも、配線22の構成原子が拡散しやすい層24を形成する。かかる誘導層24は、例えば、絶縁膜16の表層部を粗化することにより形成し得る。絶縁膜16の粗化は、例えばプラズマ処理により行うことができる。絶縁膜16に対してプラズマ処理を行う際には、例えばArプラズマを用いる。Arプラズマを生じさせる際に電極に印加する高周波電力は、例えば300W程度とする。プラズマ処理の時間は、例えば3分程度とする。誘導層24の厚さは、例えば5nm~100nm程度とする。ここでは、誘導層24の厚さを、例えば50nm程度とする。誘導層24は、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に形成された凹部17の底部及び側部に形成されることとなる。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24が形成された、本実施形態による配線構造2が形成される。次に、配線構造2が形成された構造体50の一方の面側図13aにおける紙面上側の全面、即ち、構造体50上の全面に、例えばスピンコート法により、絶縁膜28を形成する。絶縁膜28の材料としては、例えば有機樹脂を用いる。かかる有機樹脂としては、例えばフェノール系樹脂を用いる。より具体的には、絶縁膜28の材料として、ポジ型の感光性のフェノール系樹脂を用いる。絶縁膜28の膜厚は、例えば5μm程度とする。次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、配線22に達する開口部30を絶縁膜28に形成する図13a参照。開口部30は、ビア導体プラグ32を埋め込むためのものである。次に、絶縁膜28が形成された構造体50の一方の面側図13aにおける紙面上側の全面に、即ち、構造体50上の全面に、例えばスパッタリング法により、密着層図示せずを形成する。密着層の材料としては、例えばTiを用いる。密着層の厚さは、例えば20nm程度とする。次に、密着層が形成された構造体50の一方の面側図13bにおける紙面上側の全面に、即ち、構造体50上の全面に、例えばスパッタリング法により、シード層64を形成する図13b参照。シード層64の材料としては、例えばCuを用いる。シード層64の厚さは、例えば100nm程度とする。次に、構造体50の一方の面側図14aにおける紙面上側の全面に、即ち、構造体50上の全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜66を形成する。フォトレジスト膜66の膜厚は、例えば8μm程度とする。次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、フォトレジスト膜66に開口部68を形成する図14a参照。かかる開口部68は、電極パッド34を形成するためのものである。次に、フォトレジスト膜66を改質する。かかる改質は、フォトレジスト膜66の表面を親水化することにより、電気めっきを容易化するためのものである。フォトレジスト膜66を改質する際には、例えば、O2プラズマ照射や紫外線照射等を用いる。次に、フォトレジスト膜66の開口部68内に、例えば電気めっき法により、ビア32及び電極パッド34を形成する。ビア32及び電極パッド34は、一体的に形成される。ビア32及び電極パッド34の材料としては、例えばCuを用いる。次に、フォトレジスト膜66を剥離する。フォトレジスト膜66を剥離する際の剥離液としては、例えばNMPやアセトン等を用いる。次に、電極パッド34の周囲に露出している部分のシード層64及び密着層をエッチング除去する。シード層64をエッチングする際に用いるエッチング液としては、例えば、硫酸カリウム水溶液、塩化鉄水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いる。密着層をエッチングする際に用いるエッチング液としては、例えば、フッ化アンモニウム水溶液等を用いる。なお、密着層のエッチング方法は、ウェットエッチングに限定されるものではない。例えば、ドライエッチングにより密着層をエッチングすることも可能である。密着層をドライエッチングする際には、エッチングガスとして、例えばCF4ガスを用いることができる。こうして、ビア32を介して配線22にそれぞれ電気的に接続された電極パッド34が形成される図14b参照。次に、例えば無電解めっき法により、電極パッド34の表面に、Ni膜とAu膜との積層膜図示せずを形成する。Ni膜の膜厚は、例えば20nm~1μm程度とする。ここでは、Ni膜の膜厚を200nm程度とする。Au膜の膜厚は、例えば200nm~1μm程度とする。ここでは、Au膜の膜厚を300nm程度とする。次に、構造体50の一方の面側図15aにおける紙面上側の全面に、即ち、構造体50上の全面に、例えばスピンコート法により、ソルダーレジスト膜36を形成する。ソルダーレジスト膜36の膜厚は、例えば10μm~30μm程度とする。次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、ソルダーレジスト膜36に電極パッド34に達する開口部38を形成する。次に、開口部38内に露出する電極パッド34上に、半田バンプ半田ボール40を形成する。半田バンプ40は、電極パッド34及び配線22等を介してチップ12の電極14にそれぞれ電気的に接続される。こうして、配線構造2を有する本実施形態による電子装置ウェハレベルパッケージ4が形成される図15b参照。本実施形態による電子装置4は、例えば回路基板42上に実装される。本実施形態による電子装置4を回路基板42上に実装する際には、まず、図16に示すように、本実施形態による電子装置4を回路基板42上に配置する。回路基板42としては、例えば樹脂基板やセラミックス基板等が用いられている。回路基板42の表面には、電子装置4のバンプ40と接続するための電極44が形成されている。電極44の材料としては、例えばAuやCu等を用いる。電極44は、回路基板42に形成された配線図示せず等に電気的に接続されている。電子装置4を回路基板42上に配置する際には、電子装置4のバンプ40と回路基板42の電極44とが互いに接するように、電子装置4を回路基板42上に配置する。こうして、本実施形態による電子装置4が回路基板42上に配置される。次に、熱処理リフローを行うことにより、電子装置4側の電極パッド34と回路基板42側の電極44とを半田バンプ40により接合する図17参照。こうして、本実施形態による電子装置4が回路基板42上に実装される。このように、本実施形態によれば、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子金属イオンの拡散を誘導する誘導層24を形成する。このため、本実施形態によれば、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本実施形態によれば、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の高い配線構造2及びその配線構造2を有する電子装置4を提供することができる。しかも、本実施形態によれば、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成し、かかる凹部17の底部及び側部に誘導層24を形成する。このため、本実施形態によれば、凹部17の深さの分だけマイグレーションの進行経路を迂回することができ、絶縁破壊に至るまでの時間をより長くすることができる。評価結果次に、本実施形態による配線構造の評価結果について説明する。図18は、絶縁性の評価回路を示す図である。図19は、絶縁性の測定結果を示すグラフである。図19における横軸は、単位長当たりの印加電圧を示しており、図19における縦軸は、リーク電流を示している。図18に示すように、低抵抗のシリコン基板100上には、絶縁膜102が形成されている。絶縁膜102上には、Auの電極104が形成されている。I-Vメータ106の入力端子の一方及びシリコン基板100は、グラウンドに電気的に接続されている。I-Vメータ106の入力端子の他方は、プローブ針108を介して電極104に電気的に接続されている。図18に示すような評価回路を用いて、印加電圧とリーク電流との関係を測定したところ、図19に示すような測定結果が得られた。図19に示す実施例1は、本実施形態に対応するものである。実施例1では、ポジ型の感光性のフェノール系樹脂の絶縁膜102をシリコン基板100上に形成し、プラズマ処理を行うことにより絶縁膜102を粗化し、粗化された絶縁膜102上に電極104を形成した。比較例1では、ポジ型の感光性のフェノール系樹脂の絶縁膜102をシリコン基板100上に形成し、かかる絶縁膜102に対して紫外線照射を行った。図19から分かるように、実施例1では、比較例1と比較して、リーク電流が大きくなっている。このことから、実施例1によれば、絶縁性が比較的低い絶縁膜102が得られることが分かる。実施例1の粗化された絶縁膜102は、絶縁膜16図1参照の表層部を粗化することにより形成された本実施形態の誘導層24図1参照に対応するものである。絶縁性の低い絶縁膜は、配線22図1参照の構成原子金属イオンが拡散しやすい。従って、本実施形態によれば、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本実施形態によれば、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の高い配線構造2及びその配線構造2を有する電子装置4を提供することができる。次に、本実施形態による配線構造のHAST試験結果について説明する。HAST試験の際の温度は、130°Cとした。HAST試験の際の湿度は、85とした。バイアス電圧は、3.5Vとした。HAST試験では、1×106Ω以上の絶縁抵抗を150時間以上保持した場合をOKとした。実施例2として、本実施形態による配線構造2、即ち、絶縁膜16の表層部を粗化することにより誘導層24を形成した配線構造2に対してHAST試験を行った。実施例2では、試験サンプル数の95がOKとなった。これに対し、絶縁膜16に対して紫外線処理を行った配線構造に対してHAST試験を行った比較例2では、OKとなった試験サンプル数はわずか5であった。このように、本実施形態によれば、信頼性の高い配線構造2が得られることが分かる。変形例その1次に、本実施形態の変形例その1による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法を図20乃至図22を用いて説明する。まず、本変形例による配線構造及びその配線構造を有する電子装置について図20を用いて説明する。図20は、本変形例による電子装置を示す断面図である。本変形例による電子装置は、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17が形成されていないものである。図20に示すように、本変形例では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17図1参照が形成されていない。このため、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16の表面の高さが、配線22により覆われている領域の絶縁膜16の表面の高さに対して低く設定されていない。複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上には、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24が形成されている。誘導層24は、絶縁膜16の表層部を粗化することにより形成されたものである。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24が形成された、本変形例による電子装置4aが形成されている。このように、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成しなくてもよい。本変形例においても、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24が形成されているため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。次に、本変形例による電子装置の製造方法について図21及び図22を用いて説明する。図21及び図22は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。まず、支持基板46上に粘着層48を形成する工程から配線22の周囲に露出するシード層58等をエッチングする工程までは、図4a乃至図11aに示す第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する図21a参照。次に、図12aを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線22の上面及び側面にバリア膜26を形成する図21b参照。次に、図12bを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24を形成する図22a参照。この後の本変形例による電子装置の製造方法は、図13a乃至図15bを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24が形成された、配線構造2aを有する本変形例による電子装置ウェハレベルパッケージ4aが形成される図22b参照。こうして形成された本実施形態による電子装置4aは、図16及び図17を用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板42上に実装することができる。次に、本変形例による配線構造のHAST試験結果について説明する。HAST試験の条件は、上述した第1実施形態による配線構造に対するHAST試験の条件と同様とした。実施例3として、本変形例による配線構造2aに対してHAST試験を行った。実施例3では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成せず、絶縁膜16の表層部を粗化することにより誘導層24を形成した。実施例3では、試験サンプル数の50がOKとなった。一方、比較例3として、絶縁膜16に対して紫外線処理を行った配線構造に対してHAST試験を行った。比較例3では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成せず、絶縁膜16の表層部に対して紫外線処理を行った。比較例3では、OKとなった試験サンプル数は0であった。このことから、本変形例の場合にも、ある程度の信頼性は得られることが分かる。但し、十分に高い信頼性を得る観点からは、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成することが好ましい。変形例その2次に、本実施形態の変形例その2による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法を図23乃至図25を用いて説明する。まず、本変形例による配線構造及びその配線構造を有する電子装置について図23を用いて説明する。図23は、本変形例による電子装置を示す断面図である。本変形例による電子装置は、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成せず、且つ、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成していないものである。図23に示すように、本変形例では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16には、凹部17図1参照は形成されていない。複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上には、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24が形成されている。誘導層24は、絶縁膜16の表層部を粗化することにより形成されたものである。本変形例では、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26図1参照は形成されていない。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24が形成された、配線構造2bを有する電子装置4bが形成されている。このように、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成せず、且つ、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成しなくてもよい。本変形例においても、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に誘導層24が形成されているため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本変形例においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の向上に寄与することができる。次に、本変形例による電子装置の製造方法について図24及び図25を用いて説明する。図24及び図25は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。まず、支持基板46上に粘着層48を形成する工程から配線22の周囲に露出するシード層58等をエッチングする工程までは、図4a乃至図11aに示す第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する図24a参照。次に、図12bを用いて上述した電子装置の製造方法と同様にして、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24を形成する図24b参照。この後の本変形例による電子装置の製造方法は、図13a乃至図15bを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24が形成された、配線構造2bを有する本変形例による電子装置4bが形成される図25参照。こうして形成された本変形例による電子装置4bは、図16及び図17を用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板42上に実装することができる。次に、本変形例による配線構造のHAST試験結果について説明する。本変形例によるHAST試験の条件は、上述した第1実施形態による配線構造に対するHAST試験の条件と同様とした。実施例4として、本変形例による配線構造に対してHAST試験を行った。実施例4では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成せず、配線22の上面及び側面にバリア膜26を形成せず、絶縁膜16の表層部を粗化することにより誘導層24を形成した。実施例4では、試験サンプル数の15がOKとなった。一方、比較例4として、絶縁膜16に対して紫外線処理を行った配線構造に対してHAST試験を行った。比較例4では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成せず、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成せず、絶縁膜16の表層部に対して紫外線処理を行った。比較例4では、OKとなった試験サンプル数は0であった。このことから、本変形例の場合にも、信頼性の向上にある程度寄与し得ることが分かる。但し、十分な信頼性を得る観点からは、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成し、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成することが好ましい。変形例その3次に、本実施形態の変形例その3による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法を図26乃至図28を用いて説明する。まず、本変形例による配線構造及びその配線構造を有する電子装置について図26を用いて説明する。図26は、本変形例による電子装置を示す断面図である。本変形例による電子装置は、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成する一方、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成していないものである。図26に示すように、本変形例では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に、凹部17が形成されている。このため、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16の表面の高さは、配線22により覆われている領域における絶縁膜16の表面の高さに対して低く設定されている。複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上には、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24が形成されている。誘導層24は、絶縁膜16の表層部を粗化することにより形成されたものである。本変形例では、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26図1参照は形成されていない。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24が形成された、配線構造2cを有する電子装置4cが形成されている。このように、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成する一方、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成しなくてもよい。本変形例においても、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に誘導層24が形成されているため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本変形例においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の向上に寄与することができる。次に、本変形例による電子装置の製造方法について図27及び図28を用いて説明する。図27及び図28は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。まず、支持基板46上に粘着層48を形成する工程から配線22の周囲に露出するシード層58等をエッチングする工程までは、図4a乃至図11aに示す第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する図27a参照。次に、図11bを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線22により覆われていない領域の絶縁膜16をエッチングする図27b参照。次に、図12bを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24を形成する図28a参照。この後の本変形例による電子装置の製造方法は、図13a乃至図15bを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24が形成された、配線構造2cを有する本変形例による電子装置4cが形成される図28b参照。この後、図16及び図17を用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、電子装置4cが回路基板42上に実装される。こうして、本変形例による電子装置が製造される。次に、本変形例による配線構造のHAST試験結果について説明する。本変形例によるHAST試験の条件は、上述した第1実施形態による配線構造に対するHAST試験の条件と同様とした。実施例5は、本変形例による配線構造に対してHAST試験を行ったものである。実施例5では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成し、配線22の上部及び側部を覆うバリア膜26を形成せず、絶縁膜16の表層部を粗化することにより誘導層24を形成した。HAST試験の結果、実施例5の場合には、試験サンプル数の45がOKとなった。比較例5は、絶縁膜16に対して紫外線処理を行った配線構造に対してHAST試験を行ったものである。比較例5では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成し、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成せず、絶縁膜16の表層部に対して紫外線処理を行った。比較例5の場合には、OKとなった試験サンプル数は0であった。このことから、本変形例の場合にも、信頼性の向上にある程度寄与し得ることが分かる。但し、十分な信頼性を得る観点からは、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成することが好ましい。[第2実施形態]第2実施形態による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及び電子装置の製造方法について図29乃至図31を用いて説明する。図1乃至図28に示す第1実施形態による配線構造及びその製造方法等と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。電子装置まず、本実施形態による電子装置について図29を用いて説明する。図29は、本実施形態による電子装置を示す断面図である。本実施形態による電子装置は、絶縁膜16の表層部にダメージを加えることにより誘導層24aが形成されているものである。第1実施形態による電子装置と同様に、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16には、凹部17が形成されている。凹部17の深さは、例えば800nm程度とする。複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上には、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24aが形成されている。換言すれば、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上には、絶縁膜16及び絶縁膜28よりも、配線22の構成原子が拡散しやすい層24aが形成されている。誘導層24は、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に形成された凹部17の底部及び側部に形成されている。誘導層24aは、絶縁膜16の表層部を改質することにより形成されたものである。より具体的には、誘導層改質層24aは、絶縁膜16の表層部にダメージを与えることにより形成されたものである。従って、誘導層24aは、絶縁膜16のうちのダメージが与えられた部分である。誘導層24aは、ダメージが与えられているため、絶縁膜16及び絶縁膜28よりも吸湿性吸収性が高くなっている。吸湿性が高いことは、誘導層24a内に配線22の構成原子が取り込まれやすく、誘導層24a内に配線22の構成原子が拡散しやすくなるのに寄与している。また、誘導層24aは、ダメージが与えられているため、絶縁膜16及び絶縁膜28よりも密度が低くなっている。密度が低いことは、誘導層24a内に配線22の構成原子が取り込まれやすく、誘導層24a内に配線22の構成原子が拡散しやすくなるのに寄与している。誘導層24aの厚さは、例えば5nm~300nm程度とする。ここでは、誘導層24aの厚さを10nm~100nm程度とする。誘導層24aの絶縁性は、第1実施形態による誘導層24と同様に、絶縁膜16及び絶縁膜28の絶縁性よりも低くなっている。絶縁性の高低は、配線22の構成原子の移動拡散しやすさに影響する。絶縁膜16及び絶縁膜28は絶縁性が比較的高いため、配線22の構成原子は絶縁膜16及び絶縁膜28において比較的移動しにくい。一方、誘導層24aは絶縁性が比較的低いため、配線22の構成原子は誘導層24aにおいて比較的移動しやすい。配線22の上面及び側面には、第1実施形態による電子装置と同様に、バリア膜26が形成されている。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24aが形成された、配線構造2dを有する本実施形態による電子装置ウェハレベルパッケージ4dが形成されている。電子装置の製造方法次に、本実施形態による電子装置の製造方法について図30及び図31を用いて説明する。図30及び図31は、本実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。まず、支持基板46上に粘着層48を形成する工程から配線22の上面及び側面にバリア膜26を形成する工程までは、図4a乃至図12aに示す第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する図30a参照。次に、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24aを形成する図30b参照。即ち、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16上に、絶縁膜16及び絶縁膜28よりも、配線22の構成原子が拡散しやすい層24aを形成する。かかる誘導層24aは、例えば、絶縁膜16の表層部にダメージを与えることにより形成し得る。絶縁膜16へのダメージの付与は、例えば絶縁膜16をアルカリ性の薬液に浸漬することにより行うことができる。かかるアルカリ性の薬液としては、例えばアンモニアを含むアルカリ性の薬液を用いる。かかるアルカリ性の薬液のpHは、例えば10.0以上とする。かかる薬液の温度は、例えば50°C以上とする。かかる薬液に絶縁膜16を浸漬する時間は、5分間程度とする。誘導層24aの厚さは、例えば50nm~300nm程度とする。ここでは、誘導層24aの厚さを、例えば100nm程度とする。なお、ここでは、アルカリ性の薬液として、アンモニアを含むアルカリ性の薬液を用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、アルカリ性の薬液として、TMAHを含むアルカリ性の薬液や、KOH水酸化カリウムを含むアルカリ性の薬液等を用いてもよい。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24aが形成された、本実施形態による配線構造2dが形成される。この後の本実施形態による電子装置の製造方法は、図13a乃至図15bを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24aが形成された、配線構造2dを有する本実施形態による電子装置4dが形成される図31参照。この後、図16及び図17を用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、電子装置4dが回路基板42上に実装される。評価結果次に、本実施形態による配線構造の評価結果について説明する。図32は、絶縁性の測定結果を示すグラフである。図32における横軸は、単位長当たりの印加電圧を示しており、図32における縦軸は、リーク電流を示している。評価回路としては、図18に示す第1実施形態の同様の評価回路を用いた。図32に示す実施例6は、本実施形態に対応するものである。実施例6では、ポジ型の感光性のフェノール系樹脂の絶縁膜102をシリコン基板100上に形成し、アルカリ性の薬液に浸漬することにより絶縁膜102にダメージを与えた。一方、比較例1は、上述したように、ポジ型の感光性のフェノール系樹脂の絶縁膜102をシリコン基板100上に形成し、かかる絶縁膜102に対して紫外線照射を行ったものである。図32から分かるように、実施例6では、比較例1と比較して、リーク電流が大きくなっている。このことから、実施例6によれば、絶縁性が比較的低い絶縁膜102が得られることが分かる。実施例6のダメージが与えられた絶縁膜102は、絶縁膜16図29参照の表層部にダメージを与えることにより形成された誘導層24a図29参照に対応するものである。絶縁性の低い絶縁膜は、配線22図29参照の構成原子が拡散しやすい。従って、本実施形態においても、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本実施形態においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の高い配線構造2d及びその配線構造2dを有する電子装置4dを提供し得ることが分かる。次に、本実施形態による配線構造のHAST試験結果について説明する。本変形例によるHAST試験の条件は、上述した第1実施形態による配線構造に対するHAST試験の条件同様とした。実施例7として、本実施形態による配線構造2d、即ち、絶縁膜16の表層部にダメージを与えることにより誘導層24aを形成した配線構造2dに対してHAST試験を行った。実施例7では、試験サンプル数の95がOKとなった。一方、絶縁膜16に対して紫外線処理を行った配線構造に対してHAST試験を行った比較例2の場合には、上述したように、OKとなった試験サンプル数はわずか5であった。このように、本実施形態によれば、信頼性の高い配線構造2dが得られることが分かる。変形例その1次に、本実施形態の変形例その1による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法を図33乃至図35を用いて説明する。まず、本変形例による配線構造及びその配線構造を有する電子装置について図33を用いて説明する。図33は、本変形例による電子装置を示す断面図である。本変形例による電子装置は、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成していないものである。図33に示すように、本変形例では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に、凹部17図29参照が形成されていない。このため、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16の表面の高さは、配線22により覆われている領域の絶縁膜16の表面の高さに対して低く設定されていない。複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上には、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24aが形成されている。誘導層24aは、絶縁膜16の表層部にダメージを与えることにより形成されたものである。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24aが形成された、配線構造2eを有する電子装置4eが形成されている。このように、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成しなくてもよい。本変形例においても、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に誘導層24aが形成されているため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本変形例においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の高い配線構造及びその配線構造を有する電子装置を提供することができる。次に、本変形例による電子装置の製造方法について図34及び図35を用いて説明する。図34及び図35は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。まず、支持基板46上に粘着層48を形成する工程から配線22の周囲に露出するシード層58等をエッチングする工程までは、図4a乃至図11aに示す第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する図34a参照。次に、図12aを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線22の上面及び側面にバリア膜26を形成する図34b参照。次に、図30bを用いて上述した第2実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24aを形成する図35a参照。この後の本変形例による電子装置の製造方法は、図13a乃至図15bを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。こうして、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24aが形成された、配線構造2eを有する本変形例による電子装置4eが形成される図35b参照。こうして形成された本変形例による電子装置4eは、図16及び図17を用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板42上に実装することができる。次に、本変形例による配線構造のHAST試験結果について説明する。本変形例によるHAST試験の条件は、上述した第1実施形態による配線構造に対するHAST試験の条件と同様とした。実施例8として、本変形例による配線構造2eに対してHAST試験を行った。実施例8では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成せず、絶縁膜16の表層部にダメージを与えることにより誘導層24aを形成した。実施例8では、試験サンプル数の60がOKとなった。一方、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成せず、絶縁膜16の表層部に対して紫外線処理を行った比較例3の場合には、上述したように、OKとなった試験サンプル数は0であった。このことから、本変形例の場合にも、ある程度の信頼性は得られることが分かる。但し、十分な信頼性を得る観点からは、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成することが好ましい。変形例その2次に、本実施形態の変形例その2による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法を図36乃至図38を用いて説明する。まず、本変形例による配線構造及びその配線構造を有する電子装置について図36を用いて説明する。図36は、本変形例による電子装置を示す断面図である。本変形例による電子装置は、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成せず、且つ、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成していないものである。図36に示すように、本変形例では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16には、凹部17図29参照が形成されていない。このため、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16の表面の高さは、配線22により覆われている領域の絶縁膜16の表面の高さに対して低く設定されていない。複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上には、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24aが形成されている。誘導層24aは、絶縁膜16の表層部にダメージを与えることにより形成されたものである。本変形例では、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26図29参照は形成されていない。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24aが形成された、配線構造2fを有する本変形例による電子装置4fが形成されている。このように、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成せず、且つ、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成しなくてもよい。本変形例においても、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に誘導層24aが形成されているため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本変形例においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の向上に寄与することができる。次に、本変形例による電子装置の製造方法について図37及び図38を用いて説明する。図37及び図38は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。まず、支持基板46上に粘着層48を形成する工程から配線22の周囲に露出するシード層58等をエッチングする工程までは、図4a乃至図11aに示す第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する図37a参照。次に、図30bを用いて上述した第2実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24aを形成する図37b参照。この後の本変形例による電子装置の製造方法は、図13a乃至図15bを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24aが形成された、配線構造2fを有する本変形例による電子装置4fが形成される図25参照。こうして形成された本変形例による電子装置4fは、図16及び図17を用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板42上に実装することができる。次に、本変形例による配線構造のHAST試験結果について説明する。本変形例によるHAST試験の条件は、上述した第1実施形態による配線構造に対するHAST試験の条件と同様とした。実施例9として、本変形例による配線構造2fに対してHAST試験を行った。実施例9では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成せず、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成せず、絶縁膜16の表層部にダメージを与えることより誘導層24aを形成した。実施例9では、試験サンプル数の10がOKとなった。一方、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成せず、配線22の上面及び側面にバリア膜26を形成せず、絶縁膜16の表層部に対して紫外線処理を行った比較例4の場合には、上述したように、OKとなった試験サンプル数は0であった。このことから、本変形例の場合にも、信頼性の向上にある程度寄与し得ることが分かる。但し、十分な信頼性を得る観点からは、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成し、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成することが好ましい。変形例その3次に、本実施形態の変形例その3による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法を図39乃至図41を用いて説明する。まず、本変形例による配線構造及びその配線構造を有する電子装置について図39を用いて説明する。図39は、本変形例による電子装置を示す断面図である。本変形例による電子装置は、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成する一方、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成していないものである。図39に示すように、本変形例では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16には、凹部17が形成されている。このため、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16の表面の高さは、配線22により覆われている領域の絶縁膜16の表面の高さに対して低く設定されている。複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上には、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24aが形成されている。誘導層24aは、絶縁膜16の表層部にダメージを与えることにより形成されたものである。本変形例では、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26図29参照は形成されていない。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24aが形成された、配線構造2gを有する本変形例による電子装置4gが形成されている。このように、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成する一方、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成しなくてもよい。本変形例においても、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に誘導層24aが形成されているため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本変形例においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の向上に寄与することができる。次に、本変形例による電子装置の製造方法について図40及び図41を用いて説明する。図40及び図41は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。まず、支持基板46上に粘着層48を形成する工程から配線22の周囲に露出するシード層58等をエッチングする工程までは、図4a乃至図11aに示す第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する図40a参照。次に、図11bを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線22により覆われていない領域の絶縁膜16をエッチングする図40b参照。次に、図30bを用いて上述した第2実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24aを形成する図41a参照。この後の本変形例による電子装置の製造方法は、図13a乃至図15bを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24aが形成された、配線構造2gを有する本変形例による電子装置4gが形成される図41b参照。こうして形成された本変形例による電子装置4gは、図16及び図17を用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板42上に実装することができる。次に、本変形例による配線構造のHAST試験結果について説明する。本変形例によるHAST試験の条件は、上述した第1実施形態による配線構造に対するHAST試験の条件と同様とした。実施例10として、本変形例による配線構造2gに対してHAST試験を行った。実施例10では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成する一方、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成せず、絶縁膜16の表層部にダメージを与えることにより誘導層24aを形成した。実施例10では、試験サンプル数の50がOKとなった。一方、複数の配線22の間における絶縁膜16に凹部17を形成する一方、バリア膜26を形成せず、絶縁膜16の表層部に紫外線処理を行った配線構造に対してHAST試験を行った比較例5の場合には、OKとなった試験サンプル数は0であった。このように、本変形例の場合にも、信頼性の向上にある程度寄与し得る。但し、十分な信頼性を得る観点からは、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成することが好ましい。[第3実施形態]第3実施形態による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及び電子装置の製造方法について図42乃至図45を用いて説明する。図1乃至図41に示す第1又は第2実施形態による配線構造及びその製造方法等と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。電子装置まず、本実施形態による電子装置について図42を用いて説明する。図42は、本実施形態による電子装置を示す断面図である。本実施形態による電子装置は、絶縁膜16上に、絶縁膜16とは別個の誘導層24bが形成されているものである。複数の配線22の間の領域における絶縁膜16には、凹部17が形成されている。凹部17の深さは、例えば800nm程度とする。複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上には、配線22の構成原子金属イオンの拡散を誘導する誘導層24bが形成されている。換言すれば、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上には、絶縁膜16及び絶縁膜28よりも、配線22の構成原子が拡散しやすい層24bが形成されている。誘電体層24bは、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に形成された凹部17の底部及び側部に形成されている。誘導層24bは、絶縁膜16の表層部を改質することにより形成されたものではなく、絶縁膜16とは別個に形成されたものである。誘導層24bは、配線22の構成原子をイオン化し得る膜である。より具体的には、誘導層24bは、負イオン系の不純物を含む膜である。更に具体的には、誘導層24bは、ハロゲンイオンを含む膜である。ここでは、誘導層24bとして、ネガ型のフェノール系樹脂層を用いている。ネガ型のフェノール系樹脂は、負イオン系の不純物の濃度が高い材料である。このような誘導層24bは、配線22の構成原子をイオン化しやすいため、配線22の構成原子が誘導層24bに沿って拡散しやすい。誘導層24bの厚さは、例えば10~100nm程度とする。誘導層22におけるハロゲンイオンの濃度は、例えば100ppm以上とする。誘導層24bの絶縁性は、第1実施形態による誘導層24と同様に、絶縁膜16及び絶縁膜28の絶縁性よりも低くなっている。絶縁性の高低は、配線22の構成原子の移動しやすさに影響する。絶縁膜16及び絶縁膜28は絶縁性が比較的高いため、配線22の構成原子は絶縁膜16及び絶縁膜28において比較的移動しにくい。一方、誘導層24bは絶縁性が比較的低いため、配線22の構成原子は誘導層24bにおいて比較的移動しやすい。配線22の上面及び側面には、第1実施形態による電子装置と同様に、バリア膜26が形成されている。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24bが形成された、配線構造2hを有する本実施形態による電子装置4hが形成されている。電子装置の製造方法次に、本実施形態による電子装置の製造方法について図43及び図44を用いて説明する。図43及び図44は、本実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。まず、支持基板46上に粘着層48を形成する工程から配線22の上面及び側面にバリア膜26を形成する工程までは、図4a乃至図12aに示す第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する図43a参照。次に、バリア膜26により覆われた配線22が形成された構造体50上の全面に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24bを形成する。即ち、構造体50上の全面に、絶縁膜16及び絶縁膜28よりも、配線22の構成原子が拡散しやすい層24bを形成する。かかる誘導層24bは、配線22の構成原子をイオン化し得る膜である。より具体的には、誘導層24bは、負イオン系の不純物を含む膜である。更に具体的には、誘導層24bは、ハロゲンイオンを含む膜である。ここでは、誘導層24bとして、ネガ型のフェノール系樹脂層を形成する。誘導層24bの材料としてネガ型のフェノール系樹脂を用いる場合、誘導層24bは、例えば噴霧法又はスピンコート法により形成し得る。誘導層24b中に含まれるハロゲンイオンの濃度は、例えば100ppm以上とする。誘導層24bがネガ型のフェノール系樹脂の場合、ハロゲンイオンとしてClイオンが含まれている。ハロゲンイオンを含む誘導層24bは、配線22の構成原子をイオン化しやすいため、配線22の構成原子が誘導層24bに沿って拡散しやすい。誘導層24bの厚さは、例えば10~100nm程度とする。次に、フォトリソグラフィ技術を用い、誘導層24bをパターニングする。これにより、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24bが形成される図43b参照。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24bが形成された、本実施形態による配線構造2hが形成される。この後の本実施形態による電子装置の製造方法は、図13a乃至図15bを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24bが形成された、配線構造2hを有する本実施形態による電子装置4hが形成される図44参照。こうして形成された本実施形態による電子装置4hは、図16及び図17を用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板42上に実装することができる。評価結果次に、本実施形態による配線構造の評価結果について説明する。図45は、絶縁性の測定結果を示すグラフである。図45における横軸は、単位長当たりの印加電圧を示しており、図45における縦軸は、リーク電流を示している。評価回路としては、図18に示す第1実施形態の同様の評価回路を用いた。図45に示す実施例11は、本実施形態に対応するものである。実施例11では、ネガ型のフェノール系樹脂の絶縁膜102をシリコン基板100上に形成した。比較例6として、アドヒージョンプロモータ密着促進剤、密着性強化剤の絶縁膜102をシリコン基板100上に形成した。かかるアドヒージョンプロモータとしては、トリメトキシアミノシランのシランカップリング剤を用いた。図45から分かるように、実施例11では、比較例6と比較して、リーク電流が大きくなっている。このことから、実施例11によれば、絶縁性が比較的低い絶縁膜102が得られることが分かる。実施例11の絶縁膜102は、絶縁膜16図42参照上に形成された誘導層24b図42参照に対応するものである。絶縁性の低い絶縁膜は、配線22図42参照の構成原子が拡散しやすい。従って、本実施形態においても、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本実施形態においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の高い配線構造及びその配線構造を有する電子装置を提供し得ることが分かる。次に、本実施形態による配線構造のHAST試験結果について説明する。本変形例によるHAST試験の条件は、上述した第1実施形態による配線構造に対するHAST試験の条件と同様とした。実施例12として、本実施形態による配線構造2h、即ち、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に誘導層24bが形成された配線構造2hに対してHAST試験を行った。実施例12では、試験サンプル数の90がOKとなった。一方、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上にアドヒージョンプロモータの絶縁膜密着性強化膜を形成した配線構造に対してHAST試験を行った比較例7の場合には、OKとなった試験サンプル数はわずか5であった。このように、本実施形態によれば、信頼性の高い配線構造2hが得られることが分かる。変形例その1次に、本実施形態の変形例その1による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法を図46乃至図48を用いて説明する。まず、本変形例による配線構造及びその配線構造を有する電子装置について図46を用いて説明する。図46は、本変形例による電子装置を示す断面図である。本変形例による電子装置は、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成していないものである。図46に示すように、本変形例では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16には、凹部17図42参照が形成されていない。複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上には、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24bが形成されている。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24bが形成された、本変形例による配線構造2iが形成されている。このように、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成しなくてもよい。本変形例においても、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に誘導層24bが形成されているため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本変形例においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の高い配線構造及びその配線構造を有する電子装置を提供することができる。次に、本変形例による電子装置の製造方法について図47及び図48を用いて説明する。図47及び図48は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。まず、支持基板46上に粘着層48を形成する工程から配線22の周囲に露出するシード層58等をエッチングする工程までは、図4a乃至図11aに示す第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する図47a参照。次に、図12aを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線22の上面及び側面にバリア膜26を形成する図47b参照。次に、図43bを用いて上述した第3実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24bを形成する図48a参照。この後の本変形例による電子装置の製造方法は、図13a乃至図15bを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。こうして、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24bが形成された、配線構造2iを有する本変形例による電子装置4iが形成される図48b参照。こうして形成された本変形例による電子装置4iは、図16及び図17を用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板42上に実装することができる。次に、本変形例による配線構造のHAST試験結果について説明する。本変形例によるHAST試験の条件は、上述した第1実施形態による配線構造に対するHAST試験の条件と同様とした。実施例13として、本変形例による配線構造2iに対してHAST試験を行った。実施例13では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成せず、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に誘導層24bを形成した。実施例13では、試験サンプル数の60がOKとなった。一方、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成せず、絶縁膜16上に密着性強化膜を形成した配線構造に対してHAST試験を行った比較例8では、OKとなった試験サンプル数は0であった。このことから、本変形例の場合にも、ある程度の信頼性は得られることが分かる。但し、十分な信頼性を得る観点からは、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成することが好ましい。変形例その2次に、本実施形態の変形例その2による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法を図49乃至図51を用いて説明する。まず、本変形例による配線構造及びその配線構造を有する電子装置について図49を用いて説明する。図49は、本変形例による電子装置を示す断面図である。本変形例による電子装置は、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成せず、且つ、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成していないものである。図49に示すように、本変形例では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16には、凹部17図42参照が形成されていない。複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上には、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24bが形成されている。本変形例では、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26図42参照は形成されていない。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24bが形成された、配線構造2jを有する本変形例による電子装置4jが形成されている。このように、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成せず、且つ、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成しなくてもよい。本変形例においても、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に誘導層24bが形成されているため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本変形例においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の向上に寄与することができる。次に、本変形例による電子装置の製造方法について図50及び図51を用いて説明する。図50及び図51は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。まず、支持基板46上に粘着層48を形成する工程から配線22の周囲に露出するシード層58等をエッチングする工程までは、図4a乃至図11aに示す第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する図50a参照。次に、図43bを用いて上述した第3実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24bを形成する図50b参照。この後の本変形例による電子装置の製造方法は、図13a乃至図15bを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24bが形成された、配線構造2jを有する本変形例による電子装置4jが形成される図51参照。こうして形成された本実施形態による電子装置4jは、図16及び図17を用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板42上に実装することができる。次に、本変形例による配線構造のHAST試験結果について説明する。本変形例によるHAST試験の条件は、上述した第1実施形態による配線構造に対するHAST試験の条件と同様とした。実施例14として、本変形例による配線構造2iに対してHAST試験を行った。実施例14では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成せず、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成せず、絶縁膜16上にネガ型のフェノール系樹脂の誘導層24bを形成した。実施例14では、試験サンプル数の10がOKとなった。一方、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成せず、バリア膜26を形成せず、絶縁膜16上に密着性強化膜を形成した配線構造に対してHAST試験を行った比較例9では、OKとなった試験サンプル数は0であった。このことから、本変形例の場合にも、信頼性の向上にある程度寄与し得ることが分かる。ただし、十分な信頼性を得る観点からは、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成し、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成することが好ましい。変形例その3次に、本実施形態の変形例その3による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法を図52乃至図54を用いて説明する。まず、本変形例による配線構造及びその配線構造を有する電子装置について図52を用いて説明する。図52は、本変形例による電子装置を示す断面図である。本変形例による電子装置は、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成する一方、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成していないものである。図52に示すように、本変形例では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に、凹部17が形成されている。複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上には、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24bが形成されている。本変形例では、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26図42参照は形成されていない。こうして、複数の配線22の間における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24bが形成された、配線構造2kを有する電子装置4kが形成されている。このように、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成する一方、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成しなくてもよい。本変形例においても、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に誘導層24bが形成されているため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本変形例においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の向上に寄与することができる。次に、本変形例による電子装置の製造方法について図53及び図54を用いて説明する。図53及び図54は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。まず、支持基板46上に粘着層48を形成する工程から配線22の周囲に露出するシード層58等をエッチングする工程までは、図4a乃至図11aに示す第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する図53a参照。次に、図11bを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線22により覆われていない領域の絶縁膜16をエッチングする図53b参照。次に、図30bを用いて上述した第3実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24bを形成する図54a参照。この後の本変形例による電子装置の製造方法は、図13a乃至図15bを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24bが形成された、配線構造2kを有する本変形例による電子装置4kが形成される図54b参照。こうして形成された電子装置4kは、図16及び図17を用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板42上に実装することができる。次に、本変形例による配線構造のHAST試験結果について説明する。本変形例によるHAST試験の条件は、上述した第1実施形態による配線構造に対するHAST試験の条件と同様とした。実施例15として、本変形例による配線構造に対してHAST試験を行った。実施例15では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成する一方、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成せず、絶縁膜16上に誘導層24bを形成した。実施例15では、試験サンプル数の40がOKとなった。一方、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成し、バリア膜26を形成せず、絶縁膜16上に密着性強化膜を形成した配線構造に対してHAST試験を行った比較例10では、OKとなった試験サンプル数は0であった。このように、本変形例の場合にも、信頼性の向上にある程度寄与し得る。但し、十分な信頼性を得る観点からは、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成することが好ましい。[第4実施形態]第4実施形態による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及び電子装置の製造方法を図55乃至図58を用いて説明する。図1乃至図54に示す第1乃至第3実施形態による配線構造及びその製造方法等と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。電子装置まず、本実施形態による電子装置について図55を用いて説明する。図55は、本実施形態による電子装置を示す断面図である。本実施形態による電子装置は、絶縁膜16上に、比較的吸湿性の高い材料の誘導層24cが形成されているものである。第1実施形態による電子装置と同様に、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16には、凹部17が形成されている。凹部17の深さは、例えば800nm程度とする。複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上には、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24cが形成されている。換言すれば、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上には、絶縁膜16及び絶縁膜28よりも、配線22の構成原子が拡散しやすい層24cが形成されている。誘導層24cは、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に形成された凹部17の底部及び側部に形成されている。誘導層24cは、絶縁膜16の表層部を改質することにより形成されたものではなく、絶縁膜16とは別個に形成されたものである。誘導層24cは、比較的吸湿性の高い材料により形成されている。より具体的には、誘導層24cは、ポリアクリル酸を含む膜である。更に具体的には、誘導層24cは、ポリアクリル酸系の界面活性剤を用いて形成されたものである。ポリアクリル酸系の材料は、比較的吸湿性の高い材料である。このような誘導層24cは、配線22の構成原子を取り込みやすいため、配線22の構成原子が誘導層24c内において拡散しやすい。誘導層24cの厚さは、例えば10~100nm程度とする。誘導層24cの絶縁性は、第1実施形態による誘導層24と同様に、絶縁膜16及び絶縁膜28の絶縁性よりも低くなっている。絶縁性の高低は、配線22の構成原子の移動しやすさに影響する。絶縁膜16及び絶縁膜28は絶縁性が比較的高いため、配線22の構成原子は絶縁膜16及び絶縁膜28において比較的移動しにくい。一方、誘導層24cは絶縁性が比較的低いため、配線22の構成原子は誘導層24cにおいて比較的移動しやすい。配線22の上面及び側面には、第1実施形態による電子装置と同様に、バリア膜26が形成されている。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24cが形成された、配線構造2lを有する本実施形態による電子装置4lが形成されている。電子装置の製造方法次に、本実施形態による電子装置の製造方法について図56及び図57を用いて説明する。図56及び図57は、本実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。まず、支持基板46上に粘着層48を形成する工程から配線22の上面及び側面にバリア膜26を形成する工程までは、図4a乃至図12aに示す第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する図56a参照。次に、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子金属イオンの拡散を誘導する誘導層24cを形成する図56b参照。即ち、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16上に、絶縁膜16及び絶縁膜28よりも、配線22の構成原子が拡散しやすい層24cを形成する。誘導層24cは、比較的吸湿性の高い材料により形成されている。より具体的には、誘導層24cとして、ポリアクリル酸を含む材料を用いる。更に具体的には、誘導層24cとして、ポリアクリル酸系の界面活性剤を用いる。ポリアクリル酸系の材料は、比較的吸湿性の高い材料である。このような誘導層24cは、配線22の構成原子を取り込みやすいため、配線22の構成原子が誘導層24c内において拡散しやすい。誘導層24cの厚さは、例えば10~100nm程度とする。誘導層24cは、配線22により覆われていない領域の絶縁膜16を、例えば薬液に浸漬することにより形成することができる。ポリアクリル酸系界面活性剤の誘導層24cを形成する場合には、薬液として、ポリアクリル酸ナトリウム水溶液を用いる。薬液中のポリアクリル酸ナトリウムの濃度は、例えば1~10wt程度とする。薬液に浸漬する時間は、例えば10分程度とする。こうして、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16上に、ポリアクリル酸を含む誘導層24cが形成される。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24cが形成された、本実施形態による配線構造2lが形成される。この後の本実施形態による電子装置の製造方法は、図13a乃至図15bを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24cが形成された、配線構造2lを有する本実施形態による電子装置4lが形成される図57参照。こうして形成された電子装置4lは、図16及び図17を用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板42上に実装することができる。評価結果次に、本実施形態による配線構造の評価結果について説明する。図58は、絶縁性の測定結果を示すグラフである。図58における横軸は、単位長当たりの印加電圧を示しており、図58における縦軸は、リーク電流を示している。評価回路としては、図18に示す第1実施形態の同様の評価回路を用いた。図58に示す実施例16は、本実施形態に対応するものである。実施例16では、ポリアクリル酸系の界面活性剤の絶縁膜102をシリコン基板100上に形成した。図45から分かるように、実施例16では、密着性強化膜を形成した上述した比較例6と比較して、リーク電流が大きくなっている。このことから、実施例16によれば、絶縁性が比較的低い絶縁膜102が得られることが分かる。実施例16の絶縁膜102は、絶縁膜16図55参照上に形成された誘導層24c図55参照に対応するものである。絶縁性の低い絶縁膜は、配線22図55参照の構成原子が拡散しやすい。従って、本実施形態においても、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本実施形態においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の高い配線構造及びその配線構造を有する電子装置を提供し得ることが分かる。次に、本実施形態による配線構造のHAST試験結果について説明する。本変形例によるHAST試験の条件は、上述した第1実施形態による配線構造に対するHAST試験の条件と同様として。実施例17として、本実施形態による配線構造2l、即ち、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に誘導層24cが形成された配線構造2lに対してHAST試験を行った。実施例17では、試験サンプル数の90がOKとなった。一方、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に密着性強化膜を形成した配線構造に対してHAST試験を行った比較例7では、上述したように、OKとなった試験サンプル数はわずか5であった。このように、本実施形態によれば、信頼性の高い配線構造2lが得られることがわかる。変形例その1次に、本実施形態の変形例その1による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法を図59乃至図61を用いて説明する。まず、本変形例による配線構造及びその配線構造を有する電子装置について図59を用いて説明する。図59は、本変形例による電子装置を示す断面図である。本変形例による電子装置は、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成していないものである。図59に示すように、本変形例では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16には、凹部17図55参照が形成されていない。複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上には、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24cが形成されている。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24cが形成された、配線構造2mを有する本変形例による電子装置4mが形成されている。このように、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成しなくてもよい。本変形例においても、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に誘導層24cが形成されているため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本変形例においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の高い配線構造2m及びその配線構造2mを有する電子装置4mを提供することができる。次に、本変形例による電子装置の製造方法について図60及び図61を用いて説明する。図60及び図61は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。まず、支持基板46上に粘着層48を形成する工程から配線22の周囲に露出するシード層58等をエッチングする工程までは、図4a乃至図11aに示す第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する図60a参照。次に、図12aを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線22の上面及び側面にバリア膜26を形成する図60b参照。次に、図56bを用いて上述した電子装置の製造方法と同様にして、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24cを形成する図61a参照。この後の本変形例による電子装置の製造方法は、図13a乃至図15bを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。こうして、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24cが形成された、配線構造2mを有する本変形例による電子装置4mが形成される図61b参照。こうして形成された本実施形態による電子装置4mは、図16及び図17を用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板42上に実装することができる。次に、本変形例による配線構造のHAST試験結果について説明する。本変形例によるHAST試験の条件は、上述した第1実施形態による配線構造に対するHAST試験の条件と同様とした。実施例18として、本変形例による配線構造2mに対してHAST試験を行った。実施例18では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成せず、絶縁膜16上に誘導層24cを形成した。実施例18では、試験サンプル数の50がOKとなった。一方、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成せず、絶縁膜16上に密着性強化膜を形成した配線構造に対してHAST試験を行った上述した比較例8の場合には、OKとなった試験サンプル数は0であった。このことから、本変形例の場合にも、ある程度の信頼性は得られることが分かる。但し、十分な信頼性を得る観点からは、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成することが好ましい。変形例その2次に、本実施形態の変形例その2による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法を図62乃至図64を用いて説明する。まず、本変形例による配線構造及びその配線構造を有する電子装置について図62を用いて説明する。図62は、本変形例による電子装置を示す断面図である。本変形例による電子装置は、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成せず、且つ、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成していないものである。図62に示すように、本変形例では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16には、凹部17図55参照は形成されていない。複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上には、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24cが形成されている。本変形例では、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26図55参照は形成されていない。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24cが形成された、配線構造2nを有する本変形例による電子装置4nが形成されている。このように、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成せず、且つ、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成しなくてもよい。本変形例においても、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に誘導層24cが形成されているため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本変形例においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の向上に寄与することができる。次に、本変形例による電子装置の製造方法について図63及び図64を用いて説明する。図63及び図64は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。まず、支持基板46上に粘着層48を形成する工程から配線22の周囲に露出するシード層58等をエッチングする工程までは、図4a乃至図11aに示す第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する図63a参照。次に、図43bを用いて上述した第3実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24cを形成する図63b参照。この後の本変形例による電子装置の製造方法は、図13a乃至図15bを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。こうして、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24cが形成された、配線構造2nを有する本変形例による電子装置4nが形成される図64参照。こうして形成された本実施形態による電子装置4nは、図16及び図17を用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板42上に実装することができる。次に、本変形例による配線構造のHAST試験結果について説明する。本変形例によるHAST試験の条件は、上述した第1実施形態による配線構造に対するHAST試験の条件と同様とした。実施例19として、本変形例による配線構造2nに対してHAST試験を行った。実施例19では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成せず、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成せず、絶縁膜16上にポリアクリル酸を含む誘導層24cを形成した。実施例19では、試験サンプル数の10がOKとなった。一方、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成せず、バリア膜26を形成せず、絶縁膜16上に密着性強化膜を形成した配線構造に対してHAST試験を行った比較例9では、OKとなった試験サンプル数は0であった。このことから、本変形例の場合にも、信頼性の向上にある程度寄与し得ることが分かる。但し、十分な信頼性を得る観点からは、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成し、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成することが好ましい。変形例その3次に、本実施形態の変形例その3による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法を図65乃至図67を用いて説明する。まず、本変形例による配線構造及びその配線構造を有する電子装置について図65を用いて説明する。図65は、本変形例による電子装置を示す断面図である。本変形例による電子装置は、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成する一方、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成していないものである。図65に示すように、本変形例では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16には、凹部17が形成されている。複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上には、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24cが形成されている。本変形例では、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26図55参照は形成されていない。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24cが形成された、配線構造2oを有する本変形例による電子装置4oが形成されている。このように、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成し、且つ、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成しなくてもよい。本変形例においても、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に誘導層24cが形成されているため、一部の箇所においてマイグレーションが極度に進行せず、全体的且つ均一的にマイグレーションが少しずつ進行する。このため、本変形例においても、絶縁破壊に至るまでの時間を十分に長くすることができ、信頼性の向上に寄与することができる。次に、本変形例による電子装置の製造方法について図66及び図67を用いて説明する。図66及び図67は、本変形例による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。まず、支持基板46上に粘着層48を形成する工程から配線22の周囲に露出するシード層58等をエッチングする工程までは、図4a乃至図11aに示す第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する図66a参照。次に、図11bを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線22により覆われていない領域の絶縁膜16をエッチングする図67b参照。次に、図56bを用いて上述した第4実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24cを形成する図67a参照。この後の本変形例による電子装置の製造方法は、図13a乃至図15bを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24cが形成された、配線構造2oを有する本変形例による電子装置4oが形成される図67b参照。こうして形成された電子装置4oは、図16及び図17を用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様にして、回路基板42上に実装することができる。次に、本変形例による配線構造のHAST試験結果について説明する。本変形例によるHAST試験の条件は、上述した第1実施形態による配線構造に対するHAST試験の条件と同様とした。実施例20として、本変形例による配線構造に対してHAST試験を行った。実施例20では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成する一方、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成せず、絶縁膜16上に誘導層24cを形成した。実施例20では、試験サンプル数の40がOKとなった。一方、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に凹部17を形成し、バリア膜26を形成せず、絶縁膜16上に密着性強化膜を形成した配線構造に対してHAST試験を行った比較例10の場合には、OKとなった試験サンプル数は0であった。このように、本変形例の場合にも、信頼性の向上にある程度寄与し得る。但し、十分な信頼性を確保する観点からは、配線22の上面及び側面を覆うバリア膜26を形成することが好ましい。[変形実施形態]上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。例えば、第1実施形態では、Arガスを用いて生成されたプラズマを用いて絶縁膜16の表面をプラズマ処理する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、O2ガス、CF4ガス、Cl2ガス、又は、これらの混合ガスを用いて生成されたプラズマを用いて、絶縁膜16の表面をプラズマ処理してもよい。また、上記実施形態では、チップ12が埋め込まれた樹脂層基材10上に、配線構造を形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、上述したような配線構造2,2a~2oを、例えば、半導体基板基材上に形成する配線構造に適用してもよい。また、上述したような配線構造2,2a~2oを、例えば、回路基板の配線構造に適用してもよい。また、上記実施形態では、複数の配線22の間の領域に形成する凹部17の深さを800nm程度とする場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。少なくとも凹部17を形成すれば、マイグレーションの進行経路を迂回することが可能であるため、信頼性の向上には寄与し得る。但し、凹部17の深さを深くするに伴って迂回する経路が長くなるため、凹部17の深さは深めに設定することが好ましい。例えば、凹部17の深さは、100nm以上とすることが好ましい。より好ましくは、凹部17の深さを500nm以上とする。また、上記実施形態では、絶縁膜16,28の材料として、フェノール系樹脂を用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、絶縁膜16,28の材料として、ポリイミド系樹脂等を用いてもよい。また、上記実施形態では、絶縁膜16,28の材料として感光性の有機樹脂を用いる場合を例に説明したが、絶縁膜16,28の材料は感光性の有機樹脂に限定されるものではない。絶縁膜16,28の材料として、例えば、非感光性の有機樹脂を用いてもよい。また、上記実施形態では、絶縁膜16,18の材料として有機樹脂を用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。絶縁膜16,18が、例えば、シリコン酸化膜等の無機材料であってもよい。また、上記実施形態では、密着層図示せずの材料としてTiを用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、密着層の材料として、タンタルTa,タングステンW,ジルコニウムZr,クロムCr等を用いてもよい。また、密着層の材料として、Ti,Ta,W,Zr,Crの合金を用いてもよい。また、密着層の材料として、Ti,Ta,W,Zr,Crの窒化物を用いてもよい。また、上記実施形態では、シード層52,58,64の材料としてCuを用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、シード層52,58,64の材料として、ニッケルNiやコバルトCo等を用いてもよい。また、上記実施形態では、密着層図示せずやシード層52,58,64をスパッタリング法により形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、無電解めっき法や、CVDChemicalVaporDeposition、化学気相堆積法により、密着層やシード層52,58,64を形成してもよい。また、上記実施形態では、フォトレジスト膜54,60,66を改質する場合を例に説明したが、フォトレジスト膜54,60,66の改質を行わなくてもよい。また、上記実施形態では、配線22を電気めっき法により形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、無電解めっき法により配線22を形成してもよい。また、上記実施形態では、バリア膜26の材料としてCoWPを用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。バリア膜26の材料として、Coを含む材料、即ち、Co系の材料を広く用いることができる。また、バリア膜26の材料として、Niを含む材料、即ち、Ni系の材料を用いてもよい。より具体的には、バリア膜26の材料として、NiPを用いてもよい。NiPのバリア膜26は、例えば無電解めっき法により形成し得る。また、バリア膜26の材料として、SiN系の材料、SiC系の材料、SiO系の材料、又は、これらの複合化合物を用いてもよい。SiN系、SiC系、又は、SiO系のバリア膜26は、例えばCVD法により形成し得る。また、バリア膜26の材料として、Ti,Ta,W,Zr、又は、これらの化合物、又は、これらの窒化物を用いてもよい。このようなバリア膜26は、例えばCVD法により形成し得る。また、上記実施形態では、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、ハロゲンイオンを含む誘導層24bを、絶縁膜16と別個に形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16の表面にハロゲンイオンを付着することにより、又は、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16の表層部にハロゲンイオンを導入することにより、誘導層を形成してもよい。図68は、変形実施形態による電子装置を示す断面図である。図68に示すように、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上には、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24dが形成されている。誘導層24dは、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16に形成された凹部17の底部及び側部に形成されている。誘導層24dは、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16の表面にハロゲンイオンを付着させることにより、又は、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16の表層部にハロゲンイオンを導入することにより形成されたものである。図69及び図70は、変形実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。支持基板46上に粘着層48を形成する工程から配線22の上面及び側面にバリア膜26を形成する工程までは、図4a乃至図12aに示す第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する図69a参照。次に、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24dを形成する。誘導層24dは、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16の表面にハロゲンイオンを付着することにより、又は、配線22により覆われていない領域における絶縁膜16の表層部にハロゲンイオンを導入することにより形成することができる。例えば、CF4ガスやCCl4ガス等を用いたプラズマ処理を絶縁膜16に対して行うことにより、絶縁膜16にハロゲンイオンを付着又は導入することが可能である。また、塩素を含む薬液、より具体的には、Cl2水溶液に絶縁膜16を浸漬することにより、絶縁膜16にハロゲンイオンを付着又は導入することも可能である。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24dが形成される。この後の変形実施形態による電子装置の製造方法は、図13a乃至図15bを用いて上述した第1実施形態による電子装置の製造方法と同様であるため、説明を省略する。こうして、複数の配線22の間の領域における絶縁膜16上に、配線22の構成原子の拡散を誘導する誘導層24dが形成された、配線構造2pを有する変形実施形態による電子装置4pが形成される図70参照。上記実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。付記1基体上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された複数の配線と、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に形成され、前記配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層とを有することを特徴とする配線構造。付記2付記1記載の配線構造において、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜に凹部が形成されており、前記誘導層は、前記凹部の底部及び側部に形成されていることを特徴とする配線構造。付記3付記1又は2記載の配線構造において、前記誘導層は、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜の表層部に形成されており、前記絶縁膜のうちの粗化された部分であることを特徴とする配線構造。付記4付記1又は2記載の配線構造において、前記誘導層は、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜の表層部に形成されており、前記絶縁膜のうちのダメージが与えられた部分であることを特徴とする配線構造。付記5付記1又は2記載の配線構造において、前記誘導層は、ハロゲンイオンを含むことを特徴とする配線構造。付記6付記1又は2記載の配線構造において、前記誘導層は、ポリアクリル酸を含むことを特徴とする配線構造。付記7付記1乃至6のいずれかに記載の配線構造において、前記配線の上面及び側面に形成され、前記配線の構成原子の拡散を防止するバリア膜と、前記複数の配線を覆うように形成された他の絶縁膜とを更に有することを特徴とする配線構造。付記8請求項1乃至7のいずれかに記載の配線構造において、前記絶縁膜は、有機樹脂膜であることを特徴とする配線構造。付記9基体上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に複数の配線を形成する工程と、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に、前記配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層を形成する工程とを有することを特徴とする配線構造の製造方法。付記10付記9記載の配線構造の製造方法において、前記複数の配線を形成する工程の後、前記誘導層を形成する工程の前に、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜をエッチングすることにより、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜に凹部を形成する工程を更に有し、前記誘導層を形成する工程では、前記凹部の底部及び側部に前記誘導層を形成することを特徴とする配線構造の製造方法。付記11付記9又は10記載の配線構造の製造方法において、前記誘導層を形成する工程では、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜の表層部を粗化することにより、前記誘導層を形成することを特徴とする配線構造の製造方法。付記12付記9又は10記載の配線構造の製造方法において、前記誘導層を形成する工程では、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜の表層部にダメージを与えることにより、前記誘導層を形成することを特徴とする配線構造の製造方法。付記13付記9又は10記載の配線構造の製造方法において、前記誘導層を形成する工程では、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に、ハロゲンイオンを含む前記誘導層を形成することを特徴とする配線構造の製造方法。付記14付記9又は10記載の配線構造の製造方法において、前記誘導層を形成する工程では、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜にハロゲンイオンを付着又は導入することにより、ハロゲンイオンを含む前記誘導層を形成することを特徴とする配線構造の製造方法。付記15付記9又は10記載の配線構造の製造方法において、前記誘導層を形成する工程では、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に、ポリアクリル酸を含む前記誘導層を形成することを特徴とする配線構造の製造方法。付記16付記9乃至15のいずれかに記載の配線構造の製造方法において、前記配線の上面及び側面に、前記配線の構成原子の拡散を防止するバリア膜を形成する工程と、前記複数の配線を覆うように他の絶縁膜を形成する工程とを更に有することを特徴とする配線構造の製造方法。付記17付記9乃至16のいずれかに記載の配線構造の製造方法において、前記絶縁膜は、有機樹脂膜であることを特徴とする配線構造の製造方法。付記18基体上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された複数の配線と、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に形成され、前記配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層とを有することを特徴とする電子装置。付記19基体上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に複数の配線を形成する工程と、前記複数の配線の間の領域における前記絶縁膜上に、前記配線の構成原子の拡散を誘導する誘導層を形成する工程とを有することを特徴とする電子装置の製造方法。"