表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの裏面を研削して薄化するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に樹脂層を形成する樹脂層形成ステップと、該樹脂層形成ステップで形成した該樹脂層を硬化させる樹脂層硬化ステップと、該樹脂層硬化ステップを実施した後、ウエーハの裏面側をチャックテーブルで保持してウエーハの表面に形成された該樹脂層を露出させ、該樹脂層を平坦化する樹脂層平坦化ステップと、該樹脂層平坦化ステップを実施した後、ウエーハの該樹脂層側をハードプレート上に接着部材を介して貼り合わせる貼り合わせステップと、該貼り合わせステップを実施した後、該ハードプレートを研削装置のチャックテーブルで保持して該ウエーハの裏面を研削手段で研削し、所定の厚みへと薄化する薄化ステップと、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。前記樹脂層平坦化ステップでは、バイト切削手段で前記樹脂層を切削して平坦化する請求項1記載のウエーハの加工方法。前記ウエーハは埋設された複数のビア電極を有しており、前記研削ステップでは、該ウエーハの裏面を研削して該ビア電極を裏面に露出させる請求項1又は2の何れかに記載のウエーハの加工方法。ところが、ウエーハをハードプレート上に貼着する際、ウエーハの表面に形成されているデバイスの微小な凹凸に起因して接着剤又は両面テープ等の接着部材をウエーハの表面に平坦に配設することが難しい。その結果、ウエーハをハードプレート上に貼り合わせた貼り合わせウエーハには厚みばらつきが生じる。この状態でウエーハの裏面を研削しても、ウエーハを高精度に平坦化できないという問題がある。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハを研削して高精度に平坦化可能なウエーハの加工方法を提供することである。本発明によると、表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの裏面を研削して薄化するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に樹脂層を形成する樹脂層形成ステップと、該樹脂層形成ステップで形成した該樹脂層を硬化させる樹脂層硬化ステップと、該樹脂層硬化ステップを実施した後、ウエーハの裏面側をチャックテーブルで保持してウエーハの表面に形成された該樹脂層を露出させ、該樹脂層を平坦化する樹脂層平坦化ステップと、該樹脂層平坦化ステップを実施した後、ウエーハの該樹脂層側をハードプレート上に接着部材を介して貼り合わせる貼り合わせステップと、該貼り合わせステップを実施した後、該ハードプレートを研削装置のチャックテーブルで保持して該ウエーハの裏面を研削手段で研削し、所定の厚みへと薄化する薄化ステップと、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。好ましくは、樹脂層平坦化ステップでは、バイト切削手段で樹脂層を切削して平坦化する。好ましくは、ウエーハは埋設された複数のビア電極を有しており、研削ステップでは、ウエーハの裏面を研削してビア電極を裏面に露出させる。本発明のウエーハの加工方法によると、ウエーハの表面に形成された樹脂層が平坦化された状態でウエーハの樹脂層側が接着部材を介してハードプレートに貼着されるため、高精度に平坦な貼り合わせウエーハを形成することができ、ウエーハの裏面を研削して高精度にウエーハを平坦化することが可能となる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は所定の厚さに加工される前の半導体ウエーハの表面側斜視図である。図1に示す半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数のストリート分割予定ライン13が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート13によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19をその表面の平坦部に備えている。また、半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。図2の部分拡大図に示すように、半導体ウエーハ11は各デバイス15の電極に接続されウエーハ11内に埋設された複数のビア電極27を有している。本発明のウエーハの加工方法によると、第1ステップとして、図2に示すようにウエーハ11の表面11a上に樹脂層を形成する樹脂層形成ステップを実施する。この樹脂層形成ステップの好ましい実施形態では、ウエーハ11を保持した保持テーブル29を回転しながら、樹脂供給ノズル31から樹脂35をウエーハ11の表面11a上に滴下し、スピンコート法により図3に示すようにウエーハ11の表面11a上に樹脂層37を形成する。樹脂35としては、紫外線UV硬化樹脂又は熱硬化樹脂等が好ましい。樹脂層37の形成方法はスピンコート法に限定されるものではなく、例えば高圧プレス等によりウエーハ11の表面11aに樹脂層37を形成するようにしてもよい。また、ウエーハ11は埋設ビア電極27を有しない通常の半導体ウエーハでもよい。樹脂層形成ステップを実施した後、樹脂層形成ステップで形成したウエーハ表面の樹脂層37を硬化させる樹脂層硬化ステップを実施する。樹脂としてUV硬化樹脂を採用した場合には、図3に示すように、紫外線ランプ31から紫外線を照射して樹脂層37を硬化させる。熱硬化樹脂を採用した場合には、ウエーハ11を熱硬化樹脂の硬化温度に加熱して樹脂層37を硬化させる。樹脂層硬化ステップ実施後、樹脂層37を平坦化する樹脂層平坦化ステップを実施する。この樹脂層平坦化ステップの第1実施形態では、図4に示すようなバイト切削装置2により樹脂層平坦化ステップを実施する。図4において、4はバイト切削装置2のベースハウジングであり、ベース4の後方にはコラム6が立設されている。コラム6には、上下方向に伸びる一対のガイドレール一本のみ図示8が固定されている。この一対のガイドレール8に沿ってバイト切削ユニット10が上下方向に移動可能に装着されている。バイト切削ユニット10は、そのハウジング20が一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動する移動基台12に取り付けられている。バイト切削ユニット10は、ハウジング20と、ハウジング20中に回転可能に収容されたスピンドル22図5参照と、スピンドル22の先端に固定されたマウント24と、マウント24に着脱可能に装着されたバイトホイール25とを含んでいる。バイトホイール25にはバイト工具26が着脱可能に取り付けられている。バイト切削ユニット10は、バイト切削ユニット10を一対の案内レール8に沿って上下方向に移動するボールねじ14とパルスモータ16とから構成されるバイト切削ユニット送り機構18を備えている。パルスモータ16をパルス駆動すると、ボールねじ14が回転し、移動基台12が上下方向に移動される。ベース4の中間部分にはチャックテーブル30を有するチャックテーブル機構28が配設されており、チャックテーブル機構28は図示しないチャックテーブル移動機構によりY軸方向に移動される。33は蛇腹であり、チャックテーブル機構28をカバーする。ベース4の前側部分には、第1のウエーハカセット32と、第2のウエーハカセット34と、ウエーハ搬送用ロボット36と、複数の位置決めピン40を有する位置決め機構38と、ウエーハ搬入機構ローディングアーム42と、ウエーハ搬出機構アンローディングアーム44と、スピンナ洗浄ユニット46が配設されている。また、ベース4の概略中央部には、チャックテーブル30を洗浄する洗浄水噴射ノズル48が設けられている。この洗浄水噴射ノズル48は、チャックテーブル30が装置手前側のウエーハ搬入搬出領域に位置づけられた状態において、チャックテーブル30に向かって洗浄水を噴射する。バイト切削装置2を使用した樹脂層平坦化ステップでは、図5に示すように、スピンドル22を約2000rpmで回転させつつ、バイト研削ユニット送り機構18を駆動してバイト工具26の切削刃26aを樹脂層37に所定量切り込ませる。そして、チャックテーブル30を矢印Y1方向に例えば1mm/sの送り速度で移動させながら、樹脂層37を切削する。この切削加工時には、チャックテーブル30は回転させずに矢印Y1方向に加工送りする。樹脂層平坦化ステップの第2実施形態では、図6に示すような研削装置の研削ユニット60により樹脂層37を研削して平坦化する。図6において、研削ユニット50のスピンドル52の先端にはホイールマウント54が固定されており、このホイールマウント54に複数のねじ53図8参照により研削ホイール56が着脱可能に装着されている。研削ホイール56は、環状のホイール基台58と、ホイール基台58の自由端部に固着された複数の研削砥石60から構成される。樹脂層平坦化ステップでは、研削装置のチャックテーブル62でウエーハ11の裏面側を吸引保持して、樹脂層37を露出させる。チャックテーブル62に保持されたウエーハ11を図6に示された研削位置に位置付け、チャックテーブル62を矢印a方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール56を矢印b方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、図示しない研削ユニット送り機構を作動して研削砥石60をウエーハ11の表面に形成された樹脂層37に接触させる。そして、研削ホイール56を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りして、樹脂層37を研削して平坦化する。樹脂層平坦化ステップ実施後、図7に示すように、ウエーハ11の樹脂層37側をガラス等から形成されたハードプレート43上に接着剤45を介して貼り合わせる貼り合わせステップを実施する。この貼り合わせステップにより、ウエーハ11の表面11aに形成された樹脂層37は平坦化された状態で接着剤45を介してハードプレート43に貼着されるため、高精度に平坦な貼り合わせウエーハ47を形成することができる。この貼り合わせステップでは、糊状の接着剤の他、例えば両面テープ等のシート状の接着部材を使用して樹脂層37をハードプレート43に貼り合わせるようにしてもよい。ハードプレート43としては、上述したガラスの他、シリコンウエーハ、金属、セラミックス、合成樹脂等の剛性の高い材料を採用することもできる。貼り合わせステップを実施した後、図8に示すように、ハードプレート43を研削装置のチャックテーブル62で吸引保持して、貼り合わせウエーハ47のウエーハ裏面11bを露出させる。そして、チャックテーブル62を矢印a方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール56を矢印b方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、図示しない研削ユニット送り機構を作動して研削砥石60をウエーハ11の裏面11bに接触させる。そして、研削ホイール56を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りして、ウエーハ11の研削を実施する。接触式又は非接触式の厚み測定ゲージによってウエーハ11の厚みを測定しながらウエーハを所望の厚みに研削して、ウエーハ11の裏面11bからビア電極27を露出させる。図9は研削終了後の貼り合わせウエーハ47の断面図を示している。