基板を収容する基板処理室内で気体と液体とを混合した2流体を基板に向けて吐出して基板の処理を行う基板処理装置において、前記基板処理室内に、ノズルの内部で2流体を混合して外部に吐出する内部混合手段と、ノズルの外部に2流体をそれぞれ吐出して外部で混合する外部混合手段とを設け、前記基板の表面側に前記外部混合手段を配置するとともに、前記基板の裏面側に前記内部混合手段を配置したことを特徴とする基板処理装置。前記内部混合手段に2流体をそれぞれ供給する内部混合流体供給流路と、前記外部混合手段に2流体をそれぞれ供給する外部混合流体供給流路とを設けたことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。前記内部混合手段には、他の外部混合手段が一本のノズルに一体的に形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。前記外部混合手段には、他の内部混合手段が一本のノズルに一体的に形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。基板を収容する基板処理室内で気体と液体とを混合した2流体を基板に向けて吐出して基板の処理を行う基板処理方法において、ノズルの内部で2流体を混合して外部に吐出する内部混合手段を用いて基板の裏面側を処理する内部混合処理工程と、ノズルの外部に2流体をそれぞれ吐出して外部で混合する外部混合手段を用いて基板の表面側を処理する外部混合処理工程とを基板処理室内で行うことを特徴とする基板処理方法。前記内部混合処理工程と前記外部混合処理工程とを同時に行うことを特徴とする請求項5に記載の基板処理方法。前記内部混合処理工程は、他の外部混合手段が一本のノズルに一体的に形成された前記内部混合手段を用いて行うことを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の基板処理方法。前記外部混合処理工程は、他の内部混合手段が一本のノズルに一体的に形成された前記外部混合手段を用いて行うことを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の基板処理方法。基板を収容する基板処理室内で気体と液体とを混合した2流体を基板に向けて吐出する基板処理装置に基板の処理を行わせる基板処理プログラムにおいて、ノズルの内部で2流体を混合して外部に吐出する内部混合手段を用いて基板の裏面側を処理する内部混合処理ステップと、ノズルの外部に2流体をそれぞれ吐出して外部で混合する外部混合手段を用いて基板の表面側を処理する外部混合処理ステップとを基板処理室内で行うことを特徴とする基板処理プログラム。基板を収容する基板処理室内で気体と液体との2流体を混合した処理剤をノズルから基板に向けて吐出する基板処理装置に基板の処理を行わせる基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、ノズルの内部で2流体を混合して外部に吐出する内部混合手段を用いて基板の裏面側を処理する内部混合処理ステップと、ノズルの外部に2流体をそれぞれ吐出して外部で混合する外部混合手段を用いて基板の表面側を処理する外部混合処理ステップとを基板処理室内で行うことを特徴とする基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。ところが、上記従来の基板処理装置を用いた基板処理においては、内部混合ノズル又は外部混合ノズルのいずれか一方だけが設けられた構成となっていたために、内部混合ノズルが設けられた基板処理装置では、基板の処理面に与えるダメージが大きすぎて微細な回路パターンを形成した半導体ウエハの処理などには適さず、一方、外部混合ノズルが設けられた基板処理装置では、処理に要する時間が長すぎて半導体ウエハの大量処理には適さないといった問題があった。また、基板の処理面の状態に応じて内部混合ノズル又は外部混合ノズルのいずれか一方を設けた2種類の基板処理装置を使用するとなると、基板処理装置の設置面積フットプリントが増大してしまうといった問題があった。そこで、本発明では、基板を収容する基板処理室内で気体と液体とを混合した2流体を基板に向けて吐出して基板の処理を行う基板処理装置において、前記基板処理室内に、ノズルの内部で2流体を混合して外部に吐出する内部混合手段と、ノズルの外部に2流体をそれぞれ吐出して外部で混合する外部混合手段とを設け、前記基板の表面側に前記外部混合手段を配置するとともに、前記基板の裏面側に前記内部混合手段を配置することにした。また、前記内部混合手段に2流体をそれぞれ供給する内部混合流体供給流路と、前記外部混合手段に2流体をそれぞれ供給する外部混合流体供給流路とを設けることにした。また、前記内部混合手段には、他の外部混合手段が一本のノズルに一体的に形成されていることにした。また、前記外部混合手段には、他の内部混合手段が一本のノズルに一体的に形成されていることにした。また、本発明では、基板を収容する基板処理室内で気体と液体とを混合した2流体を基板に向けて吐出して基板の処理を行う基板処理方法において、ノズルの内部で2流体を混合して外部に吐出する内部混合手段を用いて基板の裏面側を処理する内部混合処理工程と、ノズルの外部に2流体をそれぞれ吐出して外部で混合する外部混合手段を用いて基板の表面側を処理する外部混合処理工程とを基板処理室内で行うことにした。また、前記内部混合処理工程と前記外部混合処理工程とを同時に行うことにした。また、前記内部混合処理工程は、他の外部混合手段が一本のノズルに一体的に形成された前記内部混合手段を用いて行うことにした。また、前記外部混合処理工程は、他の内部混合手段が一本のノズルに一体的に形成された前記外部混合手段を用いて行うことにした。また、本発明では、基板を収容する基板処理室内で気体と液体とを混合した2流体を基板に向けて吐出する基板処理装置に基板の処理を行わせる基板処理プログラムにおいて、ノズルの内部で2流体を混合して外部に吐出する内部混合手段を用いて基板の裏面側を処理する内部混合処理ステップと、ノズルの外部に2流体をそれぞれ吐出して外部で混合する外部混合手段を用いて基板の表面側を処理する外部混合処理ステップとを基板処理室内で行うことにした。また、本発明では、基板を収容する基板処理室内で気体と液体との2流体を混合した処理剤をノズルから基板に向けて吐出する基板処理装置に基板の処理を行わせる基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、ノズルの内部で2流体を混合して外部に吐出する内部混合手段を用いて基板の裏面側を処理する内部混合処理ステップと、ノズルの外部に2流体をそれぞれ吐出して外部で混合する外部混合手段を用いて基板の表面側を処理する外部混合処理ステップとを基板処理室内で行うことにした。そして、本発明では、ノズルの内部で2流体を混合して外部に吐出する内部混合手段と、ノズルの外部に2流体をそれぞれ吐出して外部で混合する外部混合手段とを1つの基板処理室内に設けているために、基板の処理面の状態に応じて内部混合手段と外部混合手段とを使い分けることができ、広範囲にわたる基板の処理を行うことができるとともに、1つの基板処理室内で内部混合手段による処理と外部混合手段による処理とを行うことができて、それぞれを別個に設けた2つの基板処理室を使用する必要がなくなり、基板処理装置の設置面積を削減することができる。以下に、本発明に係る基板処理装置及びこの基板処理装置で用いる基板処理方法並びに基板処理装置に処理動作を実行させるための基板処理プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。図1に示すように、基板処理装置1は、基板としての半導体ウエハ以下、ウエハ2という。を搬入及び搬出するための基板搬入出部3の後部にウエハ2を1枚ずつ搬送するための基板搬送部4を配設するとともに、この基板搬送部4の後部にウエハ2の洗浄や乾燥などの各種の処理を施すための基板処理部5を配設している。この基板処理部5は、基板搬送部4の後部にウエハ2の受け渡しや反転を行うための基板受渡反転ユニット6を配設するとともに、この基板受渡反転ユニット6の後部にウエハ2を基板処理部5の内部で搬送するための主搬送ユニット7を配設し、この主搬送ユニット7の左右両側部にウエハ2を収容してウエハ2の処理を行うための基板処理ユニット基板処理室8~15を上下及び前後に2個ずつ並べて配設するとともに、主搬送ユニット7の後部にウエハ2の乾燥や冷却を行うための基板乾燥冷却ユニット16を配設している。そして、基板処理装置1では、たとえば、基板搬入出部3に載置された複数枚のウエハ2を積載したキャリア17からウエハ2を一枚ずつ基板搬送部4で取り出して基板受渡反転ユニット6へ搬送し、主搬送ユニット7で基板受渡反転ユニット6からウエハ2を基板処理ユニット8~15のいずれかに搬送し、この基板処理ユニット8~15でウエハ2の裏面側を処理し、再び主搬送ユニット7でウエハ2を基板受渡反転ユニット6へ搬送し、この基板受渡反転ユニット6でウエハ2の表裏を反転し、その後、主搬送ユニット7でウエハ2を基板処理ユニット8~15のいずれかに搬送し、この基板処理ユニット8~15でウエハ2の表面側を処理し、その後、主搬送ユニット7でウエハ2を基板乾燥冷却ユニット16に搬送し、この基板乾燥冷却ユニット16でウエハ2の乾燥や冷却を行ない、再び主搬送ユニット7でウエハ2を基板受渡反転ユニット6へ搬送し、基板搬送部4でウエハ2を基板受渡反転ユニット6から基板搬入出部3のキャリア17へと搬出するようにしている。次に、この基板処理装置1において、ウエハ2の処理を行う基板処理ユニット8~15の具体的な構造について説明する。なお、以下の説明では、上側の前側に配設した基板処理ユニット8の構造について説明するが、他の基板処理ユニット9~15も概略同様の構成となっている。[実施例1]基板処理ユニット8は、図2及び図3に示すように、チャンバー18の内部にウエハ2を支持しながら回転させる基板支持機構19とウエハ2を処理するための処理機構20とを設けている。基板支持機構19は、チャンバー18の内部にモータ21を取付け、モータ21の出力軸22の先端部に円板状のターンテーブル23を水平に取付け、ターンテーブル23の上面外周部にウエハ2を支持する3個の支持体24を円周方向に間隔をあけて取付けている。また、基板支持機構19は、ターンテーブル23の外方にアウターカップ25を取付けるとともに、アウターカップ25にインナーカップ26を上下昇降自在に取付け、インナーカップ26に昇降手段27を接続している。そして、基板支持機構19は、ターンテーブル23の支持体24でウエハ2を支持し、モータ21を駆動させることにより、ウエハ2を回転させるようにしている。また、基板支持機構19は、インナーカップ26を上昇させた状態で処理を行って処理液の飛散を防ぎ、処理液をアウターカップ25で回収し、図示しない排液部に排出させる構造になっている。処理機構20は、チャンバー18の内側後部に第1及び第2の処理機構2829を左右に移動自在に設けており、第1又は第2の処理機構2829をウエハ2の上方において左右に移動させることで、回転するウエハ2の上面側を全面にわたって処理するようにしている。第1及び第2の処理機構2829は、左右に移動可能に形成した移動体3031に前後方向に伸延させたアーム3233の基端部を取付けるとともに、アーム3233の先端下部に第1及び第2のノズル3435を下方に向けて取付けている。第1のノズル34は、図4に示すように、中央部に液体流路36を形成するとともに、液体流路36の左右側方に一対の気体流路3738を形成し、さらに、内部に液体流路36と気体流路3738とを上部で連通させた混合室39を形成し、この混合室39の下部に上下に伸延させた直線状の吐出流路40を形成し、吐出流路40の先端部に吐出口41を形成している。この第1のノズル34は、内部の混合室39で液体と気体とを混合して吐出口41から外部に吐出するように構成しており、内部混合手段42として機能するようになっている。第2のノズル35は、中央部に液体流路43を形成するとともに、液体流路43の左右側方に一対の気体流路4445を形成しており、液体流路43を上下に伸延させた直線状に形成し、先端部に液体吐出口46を形成する一方、気体流路4445を基端部から中途部まで上下に伸延させた直線状に形成し、中途部から先端部まで中央部に向けて傾斜状に形成し、先端部に気体吐出口4748を形成し、液体吐出口46と気体吐出口4748とを隣接させている。この第2のノズル35は、液体吐出口46と気体吐出口4748から外部に液体と気体とをそれぞれ吐出して外部において液体と気体とを混合するように構成しており、外部混合手段49として機能するようになっている。これらの第1及び第2のノズル3435内外部混合手段4249は、液体供給源50と気体供給源51に内外部混合流体供給流路5253と流路切換手段54とを介してそれぞれ接続されている。内部混合流体供給流路52は、液体供給源50に流量調整器55と流路切換手段54を介して液体供給流路56を接続し、液体供給流路56を第1のノズル34内部混合手段42の液体流路36に接続するとともに、気体供給源51に流量調整器57と流路切換手段54を介して気体供給流路58を接続し、気体供給流路58を途中で分岐して第1のノズル34内部混合手段42の気体流路3738に接続している。外部混合流体供給流路53は、液体供給源50に流量調整器55と流路切換手段54を介して液体供給流路59を接続し、液体供給流路59を第2のノズル35外部混合手段49の液体流路43に接続するとともに、気体供給源51に流量調整器57と流路切換手段54を介して気体供給流路60を接続し、気体供給流路60を途中で分岐して第2のノズル35外部混合手段49の気体流路4445に接続している。流路切換手段54は、2回路3ポジション型の切換バルブで形成しており、停止状態と内部混合処理状態と外部混合処理状態とに切換えられるようになっている。ここで、停止状態とは、図4に示すように、液体供給源50と液体供給流路5659、及び、気体供給源51と気体供給流路5860との連通を停止して、液体及び気体の供給を停止してウエハ2の処理を停止している状態を示している。また、内部混合処理状態とは、図5に示すように、液体供給源50と液体供給流路56、及び、気体供給源51と気体供給流路58とを連通させるとともに、液体供給源50と液体供給流路59、及び、気体供給源51と気体供給流路60との連通を停止して、第1のノズル34内部混合手段42から液体と気体とからなる2流体を吐出してウエハ2の処理を行う状態を示している。また、外部混合処理状態とは、図6に示すように、液体供給源50と液体供給流路59、及び、気体供給源51と気体供給流路60とを連通させるとともに、液体供給源50と液体供給流路56、及び、気体供給源51と気体供給流路58との連通を停止して、第2のノズル35外部混合手段49から液体と気体とからなる2流体を霧状に吐出してウエハ2の処理を行う状態を示している。流路切換手段54は、流量調整器5557とともに制御部61に接続されており、制御部61に内蔵した記録媒体62に格納した処理プログラムで適宜制御されている。なお、記録媒体62は、処理プログラムを格納できる媒体であればよく、ROMやRAMなどの半導体メモリー型の記憶媒体であってもハードディスクやCD-ROMなどのディスク型の記憶媒体であってもよい。処理プログラムでは、流路切換手段54を停止状態とする停止ステップと、流路切換手段54を内部混合処理状態とする内部混合処理ステップと、流路切換手段54を外部混合処理状態とする外部混合処理ステップとを含んでおり、これらの各ステップを適宜組合わせて基板処理装置1にウエハ2の処理を行わせるようにしている。たとえば、処理プログラムでは、主搬送ユニット7からウエハ2がターンテーブル23に載置されターンテーブル23でウエハ2が所定回転数で回転するまでは、停止ステップを実行して、流路切換手段54を停止状態としてウエハ2の処理を停止しておき図4参照。、その後、内部混合処理ステップを実行して、流路切換手段54を内部混合処理状態として第1のノズル34内部混合手段42から液体と気体とからなる2流体を吐出してウエハ2の処理を行う内部混合処理工程を行って図5参照。、ウエハ2の裏面側を処理し、その後、停止ステップを実行し、ターンテーブル23の回転を停止するとともにウエハ2を主搬送ユニット7で基板受渡反転ユニット6に受渡し、基板受渡反転ユニット6でウエハ2の表裏を反転させる基板反転工程を行い基板反転ステップ、再び主搬送ユニット7からウエハ2をターンテーブル23に載置し、ターンテーブル23でウエハ2を所定回転数で回転させ、その後、外部混合処理ステップを実行して、流路切換手段54を外部混合処理状態として第2のノズル35外部混合手段49から液体と気体とからなる2流体を吐出してウエハ2の処理を行う外部混合処理工程を行って図6参照。、ウエハ2の表面側を処理し、その後、停止ステップを実行し、ターンテーブル23の回転を停止するとともにウエハ2を主搬送ユニット7で搬出するようにしている。なお、内部混合処理ステップと外部混合処理ステップは、処理するウエハ2に応じて適宜実行されるものであり、たとえば、上記したようにウエハ2の表面側についてはウエハ2が処理によりダメージを受けないことを優先して外部混合処理ステップを実行し、ウエハ2の裏面側についてはウエハ2の処理効果洗浄効果などを優先して内部混合処理ステップを実行することもでき、また、同一のウエハ2の表面を処理する場合であっても、表面に形成された回路パターンの材質線幅などの処理面の状態に応じてウエハ2が受けるダメージを優先的に考慮する場合には外部混合処理ステップを実行し、ウエハ2の処理効果を優先的に考慮する場合には内部混合処理ステップを実行してもよい。また、内部混合処理ステップと外部混合処理ステップは、特定の順序で実行しなければならないものではなく、交互に実行しなければならないものでもなくいずれかを連続的に実行してもよい。以上に説明したように、基板処理装置1は、1つの基板処理ユニット8の内部に、第1のノズル34の内部で2流体を混合して外部に吐出する内部混合手段42と、第2のノズル35の外部に2流体をそれぞれ吐出して外部で混合する外部混合手段49とを設けた構成となっている。そのため、上記基板処理装置1では、ウエハ2の処理面の状態に応じて内部混合手段42と外部混合手段49とを1つの基板処理ユニット8で選択的に処理することができ、広範囲にわたるウエハ2の処理を行うことができる。また、上記基板処理装置1では、1つの基板処理ユニット8の内部で内部混合手段42による処理と外部混合手段49による処理とを行うことができて、それぞれを別個に設けた2つの基板処理ユニットを使用する必要がなくなり、基板処理装置1の設置面積を削減することができる。また、上記基板処理装置1は、内部混合手段42に2流体をそれぞれ供給する内部混合流体供給流路52と、外部混合手段49に2流体をそれぞれ供給する外部混合流体供給流路53と、これらの内部混合流体供給流路52と外部混合流体供給流路53とを切換える流路切換手段54とを設けた構成となっている。そのため、上記基板処理装置1では、流路切換手段54によって内外部混合流体供給流路5253を切換えることによって内部混合手段42による処理と外部混合手段49による処理とを容易に行うことができる。[実施例2]上記実施例1に係る基板処理ユニット8では、内部混合手段42として第1のノズル34を形成するとともに、外部混合手段49として第2のノズル35を形成しているが、以下に説明するように、内部混合手段42と外部混合手段49とを一体化させることもできる。なお、以下の説明では、上記実施例1と同様の構成を有する部分については同一の符号を付して説明を省略する。図7に示す基板処理ユニット8aでは、チャンバー18aの内部に1個の処理機構20を左右移動自在に設け、この処理機構20に内部混合手段42と外部混合手段49とを一体化させたノズル63を設けている。このノズル63は、図8に示すように、中央部に液体流路64を形成するとともに、液体流路64の左右側方に一対の内側気体流路6566を形成し、さらに、内部に液体流路64と内側気体流路6566とを上部で連通させた混合室67を形成し、この混合室67の下部に上下に伸延させた直線状の内側吐出流路68を形成し、内側吐出流路68の先端部に内側吐出口69を形成している。また、ノズル63は、内側気体流路6566の左右側方に一対の外側気体流路7071を形成しており、外側気体流路7071を基端部から中途部まで上下に伸延させた直線状に形成し、中途部から先端部まで中央部に向けて傾斜状に形成し、先端部に外側吐出口7273を形成し、この外側吐出口7273と内側吐出口69とを隣接させている。そして、ノズル63では、図9に示すように、液体流路64から流入する液体と内側気体流路6566から流入する気体とを内部の混合室67で混合して内側吐出流路68を介して内側吐出口69から外部に吐出することができ、この場合には内部混合手段42として機能するようになっている。また、ノズル63では、図10に示すように、液体流路64から流入する液体を混合室67及び内側吐出流路68を介して内側吐出口69から外部に吐出するとともに、外側気体流路7071から流入する気体を外側吐出口7273から吐出し、ノズル63の外部で液体と気体とを混合することができ、この場合には外部混合手段49として機能するようになっている。このノズル63に一体的に形成した内部混合手段42及び外部混合手段49も液体供給源50と気体供給源51に内外部混合流体供給流路7475と流路切換手段76とを介してそれぞれ接続されている。内部混合流体供給流路74は、液体供給源50に流量調整器55と流路切換手段76を介して液体供給流路77を接続し、液体供給流路77をノズル63の液体流路64に接続するとともに、気体供給源51に流量調整器57と流路切換手段76を介して内側気体供給流路78を接続し、内側気体供給流路78を途中で分岐してノズル63の内側気体流路6566に接続している。外部混合流体供給流路75は、内部混合流体供給流路74と同様に、液体供給源50に流量調整器55と流路切換手段76を介して液体供給流路77を接続し、液体供給流路77をノズル63の液体流路64に接続し、一方、気体供給源51に流量調整器57と流路切換手段76を介して外側気体供給流路79を接続し、外側気体供給流路79を途中で分岐してノズル63の外側気体流路7071に接続している。なお、外部混合流体供給流路75では、液体供給流路77を内部混合流体供給流路74と兼用して流路構成を簡略化しているが、これに限られず、別個に専用の流路を設けてもよい。流路切換手段76は、液体側の流路に設けた開閉バルブ80と気体側の流路に設けた1回路3ポジション型の切換バルブ81とで構成しており、停止状態と内部混合処理状態と外部混合処理状態とに切換えられるようになっている。ここで、停止状態とは、図8に示すように、開閉バルブ80及び切換バルブ81を用いて液体供給源50と液体供給流路77、及び、気体供給源51と内外側気体供給流路7879との連通を停止して、液体及び気体の供給を停止してウエハ2の処理を停止している状態を示している。また、内部混合処理状態とは、図9に示すように、開閉バルブ80及び切換バルブ81を用いて液体供給源50と液体供給流路77、及び、気体供給源51と内側気体供給流路78とを連通させるとともに、気体供給源51と外側気体供給流路79との連通を停止して、ノズル63から液体と気体とからなる2流体を吐出してウエハ2の処理を行う状態を示している。また、外部混合処理状態とは、図10に示すように、開閉バルブ80及び切換バルブ81を用いて液体供給源50と液体供給流路77、及び、気体供給源51と外側気体供給流路79とを連通させるとともに、気体供給源51と内側気体供給流路78との連通を停止して、ノズル63から液体と気体とからなる2流体を霧状に吐出してウエハ2の処理を行う状態を示している。流路切換手段76は、流量調整器5557とともに制御部61に接続されており、制御部61に内蔵した記録媒体62に格納した処理プログラムで適宜制御されている。なお、記録媒体62は、処理プログラムを格納できる媒体であればよく、ROMやRAMなどの半導体メモリー型の記憶媒体であってもハードディスクやCD-ROMなどのディスク型の記憶媒体であってもよい。処理プログラムでは、流路切換手段76を停止状態とする停止ステップと、流路切換手段76を内部混合処理状態とする内部混合処理ステップと、流路切換手段76を外部混合処理状態とする外部混合処理ステップとを含んでおり、これらの各ステップを適宜組合わせて基板処理装置1にウエハ2の処理を行わせるようにしている。たとえば、処理プログラムでは、主搬送ユニット7からウエハ2がターンテーブル23に載置されターンテーブル23でウエハ2が所定回転数で回転するまでは、停止ステップを実行して、流路切換手段76を停止状態としてウエハ2の処理を停止しておき図8参照。、その後、内部混合処理ステップを実行して、流路切換手段76を内部混合処理状態としてノズル63から液体と気体とからなる2流体を吐出してウエハ2の処理を行う内部混合処理工程を行って図9参照。、ウエハ2の裏面側を処理し、その後、停止ステップを実行し、ターンテーブル23の回転を停止するとともにウエハ2を主搬送ユニット7で基板受渡反転ユニット6に受渡し、基板受渡反転ユニット6でウエハ2の表裏を反転させる基板反転工程を行い基板反転ステップ、再び主搬送ユニット7からウエハ2をターンテーブル23に載置し、ターンテーブル23でウエハ2を所定回転数で回転させ、その後、外部混合処理ステップを実行して、流路切換手段76を外部混合処理状態としてノズル63から液体と気体とからなる2流体を吐出してウエハ2の処理を行う外部混合処理工程を行って図10参照。、ウエハ2の表面側を処理し、その後、停止ステップを実行し、ターンテーブル23の回転を停止するとともにウエハ2を主搬送ユニット7で搬出するようにしている。なお、内部混合処理ステップと外部混合処理ステップは、処理するウエハ2に応じて適宜実行されるものであり、特定の順序で実行しなければならないものではなく、また、交互に実行しなければならないものでもなくいずれかを連続的に実行してもよい。以上に説明したように、実施例2に係る基板処理ユニット8aでは、内部混合手段42と外部混合手段49とを一本のノズル63の内部に一体的に形成している。そのため、上記基板処理装置1では、ノズルの数やノズルを保持する移動体の数を削減することができ、処理機構20や流路の構成を簡素化することができて、チャンバー18aの小型軽量化を図ることができるので、基板処理装置1の小型軽量化を図ることができ、また、処理機構20の簡素化によりチャンバー18aの内部での気流の乱れを抑制することができるので、ウエハ2を均一に処理することができる。[実施例3]上記実施例1及び実施例2に係る基板処理ユニット88aでは、チャンバー1818aの外部に設けた基板受渡反転ユニット6を用いてウエハ2の表裏を反転させているが、以下に説明するように、表裏を反転させる機構を内部に設けることもできる。なお、以下の説明では、上記実施例1又は実施例2と同様の構成を有する部分については同一の符号を付して説明を省略する。図11に示す基板処理ユニット8bでは、チャンバー18bの内部に1個の処理機構20を左右移動自在に設け、この処理機構20に内部混合手段42と外部混合手段49とを一体化させたノズル63を設け、さらに、ターンテーブル23の上方に載置したウエハ2の表裏を反転させる基板反転手段82を設けている。基板反転手段82は、チャンバー18bの内部に上下昇降可能に構成した昇降台83の上部に回転モータ84を取付け、回転モータ84の出力軸85に二股状のアーム86の基端部を取付け、二股状のアーム86の先端部にチャッキング87を前後摺動自在に取付けている。そして、基板反転手段82は、アーム86に設けたチャッキング87でウエハ2を保持し、昇降台83を上昇させるとともにアーム86を回転させ、これによりウエハ2の表裏を反転させ、その後、昇降台83を下降させてウエハ2をターンテーブル23に載置するようにしている。これにより、基板処理ユニット8bでは、チャンバー18bの内部でウエハ2の表裏を反転させることができ、チャンバー18bの外部に搬送して反転させる場合よりもチャンバー18bの外部でのウエハ2の汚染を防止することができ、ウエハ2の表裏を良好に処理することができる。なお、実施例3に係る基板処理ユニット8bでは、内部混合手段42と外部混合手段49とを一体化させた実施例2に係るノズル63を設けているが、これに限られず、内部混合手段42として第1のノズル34を形成するとともに外部混合手段49として第2のノズル35を形成した実施例1に係るノズルを設けるようにしてもよい。[実施例4]上記実施例1~実施例3に係る基板処理ユニット88a8bでは、ウエハ2の表裏を反転させることによってウエハ2の表裏を処理するようにしているが、以下に説明するように、ウエハ2の表裏に処理機構を配設することでウエハ2の表裏を処理することもできる。なお、以下の説明では、上記実施例1~実施例3と同様の構成を有する部分については同一の符号を付して説明を省略する。図12及び図13に示す基板処理ユニット8cでは、チャンバー18cの内部に基板支持機構88と処理機構89とを収容している。基板支持機構88は、チャンバー18cの内部に基台90を介してモータ91を取付け、モータ91に中空円筒状のスピンカップ92をモータ91の出力軸として形成し、スピンカップ92の上端部にウエハ2を保持する4個の保持体93を円周方向に間隔をあけて取付けている。そして、基板支持機構88は、保持体93でウエハ2を保持し、モータ91を駆動させることにより、スピンカップ92とともにウエハ2を回転させるようにしている。処理機構89は、チャンバー18cの内側後部に表面側処理機構94を左右に移動自在に設けるとともに、基板支持機構88のスピンカップ92の中空部に裏面側処理機構95を設けている。表面側処理機構94は、前記実施例1に係る第2の処理機構29と同様の外部混合手段49を形成した第2のノズル35を下方に向けて設けており、第2のノズル35をウエハ2の上方において左右に移動させることで、回転するウエハ2の表面側を全面にわたって処理するようにしている。なお、表面側処理機構94に内部混合手段42と外部混合手段49とを一体化させたノズル63を設けてもよい。裏面側処理機構95は、チャンバー18cにモータ96を取付け、モータ96の出力軸97をスピンカップ92の中央下部に回動自在に挿通し、出力軸97の先端部に第1アーム98の基端部を水平回動可能に取付けるとともに、第1アーム98の先端部に第2アーム99の基端部を水平回動可能に取付け、第2アーム99の先端上部に前記実施例1に係る第1の処理機構28と同様の内部混合手段42を形成した第1のノズル34を上方に向けて取付けている。なお、裏面側処理機構95に内部混合手段42と外部混合手段49とを一体化させたノズル63を設けてもよい。この裏面側処理機構95は、モータ96を駆動させることによって第1及び第2アーム9899が回動し、ウエハ2の下方において左右に扇状に移動し、回転するウエハ2の裏面側を全面にわたって処理するようにしている。この基板処理ユニット8cでは、ウエハ2の表裏両面側に表裏面側処理機構9495を配置しているために、処理の途中でウエハ2を反転させる必要がなくなり、ウエハ2の表裏を短時間で処理することができる。