シリコン原料を無底の冷却モールドに投入し、電磁誘導加熱により溶融し、当該溶融したシリコンを下方に引き下げ凝固させることにより多結晶シリコンを連続的に鋳造する多結晶シリコンの電磁鋳造方法であって、定常鋳造の終盤においてインゴットの引下げ速度を低下させ、最終凝固工程開始前の固液界面深さを浅くすることを特徴とする多結晶シリコンの電磁鋳造方法。前記インゴットの引下げ速度の低下を毎時0.05~0.2mm/minで行なうことを特徴とする請求項1に記載の多結晶シリコンの電磁鋳造方法。軸方向の一部が周方向で複数に分割された導電性の無底冷却モールドと、このモールドを取り囲む誘導コイルと、前記モールドの下方に配置され、凝固したシリコンのインゴットを徐冷する保温ヒーターを有し、前記誘導コイルによる電磁誘導加熱により溶融したシリコンを下方に引き下げ凝固させる多結晶シリコンの電磁鋳造装置であって、インゴットの引下げ速度を鋳造ストロークに応じて変動させる引下げ速度制御装置を有し、前記引下げ速度制御装置は、鋳造ストロークを計測する鋳造ストロークカウント部と、前記計測された鋳造ストロークを入力してあらかじめ設定した減速度に応じシャフト引下げモーターの駆動数を演算し、その演算結果を当該シャフト引下げモーターに出力するモーター駆動数演算部と、前記モーター駆動数演算部から入力した信号に基づいて駆動するシャフト引下げモーターを具備することを特徴とする多結晶シリコンの電磁鋳造装置。本発明はこのような状況に鑑みてなされたもので、電磁鋳造方法により太陽電池の基板材として用いられる多結晶シリコンを製造するに際し、最終凝固部における異物析出範囲を縮小させ、クラックの発生を防止することができるシリコンの電磁鋳造方法、およびこの方法の実施に好適な電磁鋳造装置を提供することを目的としている。前述のように、最終凝固工程を開始する際の固液界面深さが深いほど、溶融シリコンの閉じ込めが起こり易い。一方、固液界面深さはインゴットの引下げ速度に依存する、すなわち、固液界面深さとインゴットの引下げ速度との間には相関関係があることがわかっている。図2は、インゴットの引下げ速度と固液界面深さの関係を例示する図である。ここで用いた電磁鋳造装置では、固液界面深さyとインゴットの引下げ速度xとの間には、y=400x100mmの相関関係があり、インゴットの引下げ速度xを1.125mm/minとすると、固液界面深さyは550mmとなる同図中に□印で表示。引下げ速度を2.0mm/min、または1.6mm/minとして固液界面深さを実測した場合、固液界面深さはそれぞれ900mm、740mmとなり図中に◆印で表示、前記相関関係に合致していることがわかる。なお、固液界面深さは、インゴットの最終凝固部のモールド中心軸を含む縦断面における結晶成長方向から固液界面の形状を推定し、固液界面の最も深い部分とインゴットの上端面の間の距離を測定することにより求めることができる。そこで、本発明者らは、固液界面深さが引下げ速度に比例するという関係を利用し、引下げ速度を減速させて、最終凝固工程に入る直前の最終凝固部における固液界面深さを浅くする方法を適用することによる前記異物析出範囲を縮小、およびクラックの発生を防止する可能性について検討した。その結果、鋳造通常は、インゴットの引下げ速度を一定として行なうので、定常鋳造とも称されるの終盤において、インゴットの引下げ速度を時間に対して直線的に緩やかに低下させていくことにより、固液界面深さを浅くして溶融シリコンの閉じ込めを回避するとともに、異物の析出範囲を縮小させ得ることが判明した。これにより、インゴットの割れを防止し、異物の析出による結晶欠陥の発生を最終凝固部内に制限して、インゴットの製造歩留りを向上させることが可能となる。本発明はこのような検討の結果なされたもので、下記1の多結晶シリコンの電磁鋳造方法、およびこの方法の実施に好適な下記2の電磁鋳造装置を要旨とする。1シリコン原料を無底の冷却モールドに投入し、電磁誘導加熱により溶融し、当該溶融したシリコンを下方に引き下げ凝固させることにより多結晶シリコンを連続的に鋳造する多結晶シリコンの電磁鋳造方法であって、定常鋳造の終盤においてインゴットの引下げ速度を低下させ、最終凝固工程開始前の固液界面深さを浅くすることを特徴とする多結晶シリコンの電磁鋳造方法。ここで、最終凝固工程とは、原料の投入ならびに電磁誘導加熱とプラズマアーク加熱を停止して鋳造を終了した直後から、モールド内の未凝固の溶融シリコンを凝固させるまでの工程をいう。前記溶融シリコンの表面が先に凝固し、その内側に閉じこめられた溶融シリコンの凝固膨張によるインゴットの割れを防止するために、通常、溶融シリコンの上面近傍にカーボンブロックを配置し、電磁誘導により発熱させる等の手段を講じて保温する。また、固液界面深さとは、鋳造実施中のインゴットにおける既に凝固した部分と未凝固の部分との境界面であって、未凝固の溶融シリコンの表面から前記境界面の最も深い部位までの距離をいう前記図7参照。通常、固液界面はモールドの中心軸に対称で下方に凸状をなし、中心軸との交点の近傍で最も深くなる。本発明の多結晶シリコンの電磁鋳造方法において、前記インゴットの引下げ速度の低下を毎時0.05~0.2mm/minで行なうこととすれば、最終凝固部における異物析出範囲を縮小させ、クラックの発生を効果的に防止することができ、望ましい。2軸方向の一部が周方向で複数に分割された導電性の無底冷却モールドと、このモールドを取り囲む誘導コイルと、前記モールドの下方に配置され、凝固したシリコンのインゴットを徐冷する保温ヒーターを有し、前記誘導コイルによる電磁誘導加熱により溶融したシリコンを下方に引き下げ凝固させる多結晶シリコンの電磁鋳造装置であって、インゴットの引下げ速度を鋳造ストロークに応じて変動させる引下げ速度制御装置を有し、前記引下げ速度制御装置は、鋳造ストロークを計測する鋳造ストロークカウント部と、前記計測された鋳造ストロークを入力してあらかじめ設定した減速度に応じシャフト引下げモーターの駆動数を演算し、その演算結果を当該シャフト引下げモーターに出力するモーター駆動数演算部と、前記モーター駆動数演算部から入力した信号に基づいて駆動するシャフト引下げモーターを具備することを特徴とする多結晶シリコンの電磁鋳造装置。ここで、鋳造ストロークとは、鋳造開始時点から鋳造により引き抜いた距離すなわち、インゴット長さに相当するをいう。具体的には、インゴットの下端面を固定した状態で保持する支持台の鋳造開始時点からの移動距離を指す。多結晶シリコンの電磁鋳造方法によれば、最終凝固部における異物析出範囲を縮小させ、溶融シリコンの当該凝固部内での閉じこめを防止することができる。これにより、インゴットの割れを防止するとともに、異物の析出とそれによる結晶欠陥の発生範囲を縮小させ、インゴットの製造歩留りを向上させることが可能となる。この方法は、本発明の多結晶シリコンの電磁鋳造装置により容易に実施することができる。本発明の多結晶シリコンの電磁鋳造方法は、シリコン原料を無底の冷却モールドに投入し、電磁誘導加熱により溶融し、当該溶融したシリコンを下方に引き下げ、凝固させることにより多結晶シリコンを連続的に鋳造することを前提としている。電磁誘導技術の適用を前提とするのは、太陽電池の基板材として用いられる多結晶シリコンを製造するに際し、モールド内で、溶融シリコンとモールドとをほとんど接触させずに鋳造を行い、モールドからの金属汚染がなく、変換効率を良好に維持できる多結晶シリコンを連続的に鋳造することができるからである。さらに、プラズマアーク加熱を併用することにより、シリコン原料の迅速かつ均一な溶解を促進して製造コストのより一層の低下を図ると共に、太陽電池としての品質の向上にも寄与することができる。本発明の多結晶シリコンの電磁鋳造方法は、定常鋳造の終盤においてインゴットの引下げ速度を低下させ、最終凝固工程開始前の固液界面深さを浅くすることを特徴としている。従来は、鋳造を開始した後のインゴットの引下げ速度は一定であり、所定の鋳造ストローク例えば、インゴット長さが約7mに達した後は、瞬時に引下げ速度を0ゼロmm/minとして鋳造を終了し、最終凝固工程に移行していた。これに対し、本発明の電磁鋳造方法では、定常鋳造の終盤においてインゴットの引下げ速度を低下させる工程この工程を、減速工程または溶湯縮小工程というを設け、固液界面深さが引下げ速度に比例すること前記図2参照を利用して固液界面深さを浅くした後、最終凝固工程に移行する。なお、最終凝固工程は鋳造を終了した後の工程であり、原料の投入および電磁誘導加熱、プラズマアーク加熱は停止するが、減速工程溶湯縮小工程では鋳造が行なわれており、原料の投入、プラズマアーク加熱等は継続する。インゴットの引下げ速度低下のタイミングは、定常鋳造の終盤とする。これにより、定常鋳造での操業時間を長くとって高い製造能率を維持することができる。所定の鋳造ストロークに達した時点で引下げ速度がちょうど0mm/min引下げ停止となり、その直後に最終凝固工程に移行するように引下げ速度低下のタイミングをとることが望ましい。インゴットの引下げ速度低下の方式パターンは特に限定しない。例えば、段階的な減速、連続的な減速のいずれのパターンをも採りうる。しかし、凝固言い換えれば、結晶成長が行なわれている環境に対する外乱を極力排除するという観点から、引下げ速度は時間に対して直線的に低下させるのが望ましい。図3は、減速パターンを変化させた場合の鋳造ストロークおよびインゴットの引下げ速度の変化を例示する図で、aは引下げ速度と鋳造ストロークの関係を、bは減速開始からの経過時間と引下げ速度の関係をそれぞれ示す図である。図3中に示した、例えば、毎時0.05mm/minは、引下げ速度を1時間当たり0.05mm/min10時間では0.5mm/minの割合で直線的に低下させていくことを意味する。この引下げ速度の低下の度合いを、減速度ともいう。図3aに示すように、定常鋳造時におけるインゴットの引下げ速度は、1.7mm/minである。従来は、減速工程を設けず、所定の鋳造ストローク例えば、インゴット長さが約7mに達した時点で引下げ速度を一気に0mm/minとし、最終凝固工程に移行していた。これに対し、本発明では、最終凝固工程に移行する前に減速工程を設ける。減速度を毎時0.05mm/minとした場合は、同図中に減速工程と表示した部分が減速工程を表している。このような減速工程における引下げ速度の経時変化を図3bに示した。減速度を毎時0.05mm/min、または0.2mm/minとした場合、引下げ速度が時間に対して直線的に低下していることがわかる。従来は、減速工程を設けていないので、インゴットの引下げ速度は、1.7mm/minから瞬時に0mm/minに低下している。また、例えば、減速度を毎時0.05mm/minとした場合は、インゴットの引下げ速度を定常鋳造時の1.7mm/minから0.4mm/minまで低下させるのに26時間を要することが読みとれる。本発明の電磁鋳造方法において、前記インゴットの引下げ速度の低下を毎時0.05~0.2mm/minで行なうこととすれば、後述する実施例に示すように、最終凝固部における異物析出範囲を縮小させ、クラックの発生を効果的に防止することができる。引下げ速度の低下を毎時0.05mm/min以上とするのは、生産能率インゴットの製造能率を許容できる範囲内に維持するためである。前記の図2から明らかなように、インゴットの引下げ速度が小さいほど固液界面深さが浅くなり、それによって、表面が凝固する前に、下方からの凝固に伴う固液界面の持ち上がりが完了しやすくなり、溶融シリコンの閉じ込めが起こりにくくなる。また、異物は凝固の過程で溶融シリコン側に濃縮されるので、固液界面深さが浅くなると異物の析出範囲も浅くなり、縮小される。しかし、図3bに示したように、減速度が小さいほど引下げ速度の低下に時間を要し、減速度が毎時0.05mm/minを下回ると、減速工程が長くなりすぎて生産能率の低下が顕著になる。一方、引下げ速度の低下を毎時0.2mm/min以下とするのは、インゴットの最終凝固部における異物析出範囲の縮小効果、およびクラックの発生防止効果を確保するためである。前記の図2から明らかなように、インゴットの引下げ速度が大きくなると固液界面深さが深くなり、減速度が毎時0.2mm/minを超えると、減速工程を大きくとれず、本発明の効果が十分には期待できなくなる。以上説明したように、本発明の電磁鋳造方法によれば、最終凝固工程に移行する前に減速工程溶湯縮小工程を設けることにより固液界面深さを浅くして、最終凝固部における異物析出範囲を縮小させ、クラックの発生を防止することができる。本発明の多結晶シリコンの電磁鋳造装置は、前記のとおり、導電性の無底冷却モールドと、誘導コイルと、凝固したシリコンのインゴットを徐冷する保温ヒーターを有し、前記誘導コイルによる電磁誘導加熱により溶融したシリコンを下方に引き下げ凝固させる多結晶シリコンの電磁鋳造装置であって、インゴットの引下げ速度を鋳造ストロークに応じて変動させる引下げ速度制御装置を有し、前記引下げ速度制御装置は、鋳造ストロークを計測する鋳造ストロークカウント部と、前記計測された鋳造ストロークを入力してあらかじめ設定した減速度に応じシャフト引下げモーターの駆動数を演算し、その演算結果を当該シャフト引下げモーターに出力するモーター駆動数演算部と、前記モーター駆動数演算部から入力した信号に基づいて駆動するシャフト引下げモーターを具備することを特徴とする装置である。図1は、本発明の多結晶シリコンの電磁鋳造装置の概略構成例を示す縦断面図である。本発明の電磁鋳造装置は、通常使用されている電磁鋳造装置と同様に、導電性の無底冷却モールド1と、このモールド1を取り囲む誘導コイル2を有している。誘導コイル2の下側には、凝固したシリコンインゴット3を加熱して、急激な冷却を防ぐための保温ヒーター4が設置されており、保温ヒーター4の下側には、均熱ヒーター5が多段配置されている。これらの諸装置は、溶融シリコン6および高温のシリコンインゴット3が大気と直接触れることがないように、密閉されたチャンバー7内に設置されている。チャンバー7は、図示するように、メインチャンバー7-1と、当該メインチャンバー7-1に連接されたサブチャンバー7-2とで構成されており、通常は、チャンバー7内を不活性ガスで置換して、若干の加圧状態で連続鋳造が行えるように構成されている。チャンバー7の上方には、モールド1内に投入する原料等を収容するための原料槽9およびドーパント槽10が設置されている。また、インゴットの下端面を固定した状態で保持する支持台11が上下動可能に構成されたシャフト12に固設された状態で配置されている。さらに、この装置例では、モールド1の上方に、必要に応じて原料シリコンを加熱するためのプラズマトーチ8が取り付けられている。本発明の電磁鋳造装置は、インゴット3の引下げ速度を鋳造ストロークに応じて変動させる引下げ速度制御装置13を有することを特徴としている。この引下げ速度制御装置13は、鋳造ストロークカウント部14と、モーター駆動数演算部15およびシャフト引下げモーター16を具備している。鋳造ストロークカウント部14は、鋳造ストロークを計測して、その信号をモーター駆動数演算部15へ出力する。モーター駆動数演算部15では、あらかじめ設定した減速度引下げ速度の低下の度合いに応じ、入力した鋳造ストロークからシャフト引下げモーター16の駆動数を演算し、その演算結果を当該シャフト引下げモーターに出力する。シャフト引下げモーター16は、その信号に基づいて駆動する。上記本発明の電磁鋳造装置によれば、本発明の電磁鋳造方法を容易に実施することが可能であり、最終凝固部における異物析出範囲を縮小させ、クラックの発生を防止することができる。前記図1に示した構成を有する装置を使用し、本発明の電磁鋳造方法を適用してシリコンインゴット断面形状:345mm×512mm、長さ:6900mmを鋳造し、最終凝固部における異物の析出範囲およびクラック発生の有無を調査した。比較のために、引下げ速度の減速を行なわない従来の鋳造方法を適用した場合についても同様の調査を行なった。鋳造条件は下記のとおりで、前記図3に例示した条件と同じである。条件1:鋳造ストローク522.0mmから、毎時0.05mm/minで減速条件2:鋳造ストローク6450.5mmから、毎時0.2mm/minで減速従来法:鋳造ストローク6860mmで、一気に速度0mm/minへ減速最終凝固部における異物の析出範囲およびクラック発生の有無の測定ならびに評価方法は次のとおりである。なお、具体的な手法については、図4を参照して説明する。異物の析出範囲インゴットトップ側最終凝固部側端面から異物の析出が認められる部位までの深さmmで評価した。クラック発生の有無インゴットトップ側における欠片の剥離の有無を目視判定して評価した。図4は、最終凝固部における異物の析出範囲およびクラック発生の有無の測定ならびに評価方法を説明する図で、aは異物の析出範囲を示す図、bはクラックの発生状況を示す図である。図4aに示すように、インゴットトップ側から異物の析出が認められる部位を含むように供試用インゴットを切断採取した後、インゴットの軸心に沿って縦に切断し、切断面に酸によるエッチングを施して析出した異物を可視化する。同図中に斜線を付した部分が異物の析出範囲であり、インゴットトップ側端面からの深さdmmを測定することにより、異物の析出範囲析出深さを求めることができる。なお、析出した異物は、通常、最終凝固工程に移行する直前の固液界面の内側すなわち、未凝固の溶融シリコン内全体に分布する。したがって、同図中に斜線を付した部分は、最終凝固工程への移行直前に未凝固であった部分に相当し、異物の析出範囲析出深さはその時点における固液界面深さに対応する。図4bに示すように、溶融シリコンの閉じこめに起因するクラックの発生はインゴットトップ側の端面近傍で生じ、インゴットがひび割れて切片が剥離する。そこで、10kg以上の切片が剥離した場合は、溶融シリコンの閉じこめによるクラックが発生したと判定する。異物の析出範囲の調査結果を表1および図5に示す。図5は、表1の結果を図示したもので、異物の析出深さを鋳造条件別および複数回行なった鋳造No.別に示した図である。表1および図5に示したように、引下げ速度の減速を行なわない従来の鋳造方法を適用した場合、異物の析出範囲異物の析出深さは5回の調査の平均で745mmであった。これに対し、本発明条件1、条件2の電磁鋳造方法を適用した場合、異物析出深さはこれより大きく減少しており、引下げ速度を緩やかに減速させた条件1毎時0.05mm/minで減速では、減少幅がより大きかった。クラック発生の調査結果を表2に示す。表2に示したように、従来の鋳造方法を適用した場合は、5回行なった鋳造のうち2回の鋳造でクラックの発生が認められたが、本発明の電磁鋳造方法を適用した場合はクラックの発生は皆無であった。