"誘導性成分を形成する誘導性線路と、容量性成分を形成する容量性線路との組み合わせで構成される高周波回路を搭載する高周波回路基板において、少なくとも、前記誘導性線路と、前記誘導性線路の長手方向両端に接続される前記2つの容量性線路とで構成される高周波回路を搭載する構成として、上面がグランド導体として用いられるキャリアと、誘電率が値10よりも比較的高い誘電率で形成される誘電体基板であって、裏面が前記キャリアの上面に接合され、表面に、前記容量性成分を形成する第1および第2のストリップ導体線路が高周波信号の伝播方向に所定の間隔を置いて形成されるとともに、前記第1および第2のストリップ導体線路の間に表裏を貫通するビアが形成される第1の誘電体基板と、任意の誘電率で形成される誘電体基板であって裏面に、前記誘導性成分を形成する第3のストリップ導体線路が形成され、前記第3のストリップ導体線路の一端側下面が第1のバンプを介して前記第1のストリップ導体線路の上面に接続され、前記第3のストリップ導体線路の他端側下面が第2のバンプを介して前記第2のストリップ導体線路の上面に接続されることで、前記第1の誘電体基板に実装される第2の誘電体基板とを備えていることを特徴とする高周波回路基板。誘導性成分を形成する誘導性線路と、容量性成分を形成する容量性線路との組み合わせで構成される高周波回路を搭載する高周波回路基板において、少なくとも、前記誘導性線路と、前記誘導性線路の長手方向両端に接続される前記2つの容量性線路とで構成される高周波回路を搭載する構成として、上面がグランド導体として用いられるキャリアと、誘電率が値10よりも比較的高い誘電率で形成される誘電体基板であって、裏面が前記キャリアの上面に接合され、表面に、前記容量性成分を形成する第1および第2のストリップ導体線路が高周波信号の伝播方向に所定の間隔を置いて形成されるとともに、前記第1および第2のストリップ導体線路の間における前記第1および第2のストリップ導体線路の長手方向両側端において表裏を貫通するビアにより前記キャリアの上面に接続される第1および第2のグランド導体が形成される第1の誘電体基板と、前記第1の誘電体基板よりも低い誘電率で形成される誘電体基板であって、表面に、第3のストリップ導体線路が形成されるとともに、前記第3のストリップ導体線路の短手方向両側に第3および第4のグランド導体が形成され、裏面に、前記第3のストリップ導体線路の長手方向両側端それぞれと表裏貫通ビアにより接続される第1および第2の接続用導体と、前記第3および第4のグランド導体それぞれの他端側と表裏貫通ビアにより接続される第3および第4の接続用導体とが形成され、前記第1の接続用導体の下面が第1のバンプを介して前記第1のストリップ導体線路の上面に接続され、前記第2の接続用導体の下面が第2のバンプを介して前記第2のストリップ導体線路の上面に接続され、前記第3の接続用導体の下面が第3のバンプを介して前記第1のグランド導体の上面に接続され、前記第4の接続用導体の下面が第4のバンプを介して前記第2のグランド導体の上面に接続されることで、前記第1の誘電体基板に実装される第2の誘電体基板とを備えていることを特徴とする高周波回路基板。しかし、誘導性ストリップ導体線路を形成した誘電体基板と、容量性ストリップ導体線路を形成した誘電体基板とをそれぞれ金属キャリアにマウントして直列に並べて配置する構成だと、対応するストリップ導体線路同士の接続端間ではキャリア厚によりグランド面に不連続が発生する。ストリップ導体線路同士の接続端間でグランド面が連続していない場合は、ストリップ導体線路の接続端が開放された状態であれば、該接続端では、電磁波の放射や結合が発生する。そのため、マイクロ波装置やミリ波装置では利得差のある端子間の結合により不要発振が起こるなど装置全体の特性低下を招来する場合がある。また、誘電体基板中に電界が集中するため誘電体損失が大きくなり、ストリップ導体線路の線路幅に依存した導体損失も発生する。なお、例えば特許文献1では、ストリップ導体線路の接続端間にグランド面の不連続を発生させず、かつ線路損失の低減が図れる接続構造、が提案されている。本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、ストリップ導体線路の接続端間にグランド面の不連続を発生させず、かつ容量性線路パターンの小型化と誘導性線路パターンの耐電力の向上とが図れる高周波回路基板を得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、誘導性成分を形成する誘導性線路と、容量性成分を形成する容量性線路との組み合わせで構成される高周波回路を搭載する高周波回路基板において、少なくとも、前記誘導性線路と、前記誘導性線路の長手方向両端に接続される前記2つの容量性線路とで構成される高周波回路を搭載する構成として、上面がグランド導体として用いられるキャリアと、誘電率が値10よりも比較的高い誘電率で形成される誘電体基板であって、裏面が、前記キャリアの上面に接合され、表面に、前記容量性成分を形成する第1および第2のストリップ導体線路が高周波信号の伝播方向に所定の間隔を置いて形成されるとともに、前記第1および第2のストリップ導体線路の間に表裏を貫通するビアが形成される第1の誘電体基板と、任意の誘電率で形成される誘電体基板であって、裏面に、前記誘導性成分を形成する第3のストリップ導体線路が形成され、前記第3のストリップ導体線路の一端側下面が第1のバンプを介して前記第1のストリップ導体線路の上面に接続され、前記第3のストリップ導体線路の他端側下面が第2のバンプを介して前記第2のストリップ導体線路の上面に接続されることで、前記第1の誘電体基板に実装される第2の誘電体基板とを備えていることを特徴とする。本発明によれば、容量性線路が形成される第1の誘電体基板上に、誘導性線路が形成される第2の誘電体基板がフリップチップ実装され全体として一つの高周波回路基板を構成する。このとき、容量性線路に対するグランド導体と誘導性線路に対するグランド導体とは共にキャリアの上面であるから、両者のグランド面に不連続は生じない。そして、第1の誘電体基板の誘電率は、一般に使用されている誘電体基板の誘電率Er≒10よりも比較的高い誘電率であるから容量性線路の小型化が図れる。また、誘導性線路とグランド面との間は誘電率がほぼ1である空気層であるから、該誘導性線路の線路幅を低誘電率の基板を用いた場合と同程度に広くすることが可能となり、高耐電力化が図れるという効果を奏する。以下に、本発明にかかる高周波回路基板の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。実施の形態1.図1~図3は、本発明の実施の形態1による高周波回路基板の構成を示す図である。なお、図1は、外観構成を示す斜視図である。図2は、上面図である。図3は、図2におけるA-A’線断面図および電界分布を示す図である。図1~図3において、第1の誘電体基板1は、一般に使用されている誘電体基板の誘電率Er≒10よりも比較的高い誘電率例えばEr≒32で形成されている。この第1の誘電体基板1は、キャリア2の上面に裏面を接合させて配置されている。つまり、第1の誘電体基板1の裏面には、グランド導体は設けてなく、キャリア2の上面がそのグランド導体になっている。第1の誘電体基板1の表面には、マイクロ波帯やミリ波帯のRF無線周波信号が入出力される入出力ポートパターン3a,3bが長手方向の両端側にそれぞれ設けられている。そして、入出力ポートパターン3aと入出力ポートパターン3bとの間に、容量性成分を形成する複数の容量性ストリップ導体線路図示例では、4a,4b,4cの3個が設けられている。容量性ストリップ導体線路4a,4b,4cは、それぞれ、長手方向が第1の誘電体基板1の長手方向RF信号の伝播方向に直交し、短手方向がRF信号の伝播方向になっている。入出力ポートパターン3aは、容量性ストリップ導体線路4aの長手方向のほぼ中央部において短手方向の一端に接続されている。また、入出力ポートパターン3bは、容量性ストリップ導体線路4cの長手方向のほぼ中央部において短手方向の一端に接続されている。そして、第1の誘電体基板1には、容量性ストリップ導体線路4a,4bの間、および容量性ストリップ導体線路4b,4cの間に、第1の誘電体基板1の表裏を貫通する大きな開口部ビア5a,5bが設けられている。つまり、キャリア2の上面は第1の誘電体基板1の表側に露出している。第2の誘電体基板6a,6bは、任意の誘電率で形成されている。第2の誘電体基板6a,6bの長手方向の長さは、容量性ストリップ導体線路4a,4b,4cの各間隔よりも少し長めになっている。第2の誘電体基板6a,6bの裏面には、長手方向に沿って、誘導性成分を形成する誘導性ストリップ導体線路7a,7bが形成されている。第2の誘電体基板6aの裏面に形成された誘導性ストリップ導体線路7aの長手方向一端はバンプ8aを介して容量性ストリップ導体線路4aの短手方向の他端に接続され、誘導性ストリップ導体線路7aの長手方向他端はバンプ8bを介して容量性ストリップ導体線路4bの短手方向の一端に接続されている。また、第2の誘電体基板6bの裏面に形成された誘導性ストリップ導体線路7bの長手方向一端はバンプ8cを介して容量性ストリップ導体線路4bの短手方向の他端に接続され、誘導性ストリップ導体線路7bの長手方向他端はバンプ8dを介して容量性ストリップ導体線路4cの短手方向の他端に接続されている。誘導性ストリップ導体線路7a,7bの下面は、ビア5a,5b内の空間空気層を介してキャリア2の上面と対面している。つまり、誘導性ストリップ導体線路7a,7bのグランド導体は、第1の誘電体基板1に設けた容量性ストリップ導体線路4a,4b,4cと同じくキャリア2の上面であり、不連続は発生しない。誘導性ストリップ導体線路7a,7bとキャリア2との間に生ずる電界分布は図3に示すようになる。ここで、図4は、本実施の形態1による効果を説明する図であり、aは比較例高周波回路基板の構成を示す図であり、bは実施の形態1による高周波回路基板と比較例高周波回路基板との寸法比較を示す図である。なお、図4bでの単位はmmである。図4aにおいて、比較例高周波回路基板では、容量性ストリップ導体線路20a,20b,20cと、誘導性ストリップ導体線路21a,21bとが同じ誘電体基板22上に形成されている。容量性ストリップ導体線路20a,20b,20cのRF信号伝播方向の長さ線路長をL1,L3,L5とし、RF信号伝播方向に直交する方向の長さ線路幅をW1,W3,W5とする。また、誘導性ストリップ導体線路21a,21bのRF信号伝播方向の長さ線路長をL2,L4とし、RF信号伝播方向に直交する方向の長さ線路幅をW2,W4とする。図1に示した本実施の形態1による高周波回路基板においても、同様に、図4bに示すように、線路長L1~L5と、線路幅W1~W3とを定める。単位はいずれもmmである。図4cの備考に示すように、比較例高周波回路基板での誘電体基板22は、一般に用いられているものであり、その誘電率Erは、Er=10である。また、各線路の厚さtは、t=0.38mmである。これに対し、実施の形態1による高周波回路基板では、第1の誘電体基板1の誘電率ErはEr=32であり、第2の誘電体基板4a,4bの誘電率Erは、比較例高周波回路基板での誘電体基板22と同じEr=10である。また、容量性ストリップ導体線路4a,4b,4cの厚さtは、t=0.4mmであり、誘導性ストリップ導体線路7a,7bの厚さtは、t=0.38mmである。比較例での容量性ストリップ導体線路20a,20b,20cの線路幅はW1=W3=W5=2mmであり、線路長はL1=0.7mm、L3=1.1mm、L5=0.7mmである。これに対し、本実施の形態1での容量性ストリップ導体線路4a,4b,4cの線路幅はW1=W3=W5=0.5mmであり、線路長はL1=0.6mm、L3=0.6mm、L5=0.6mmである。このように、本実施の形態1での容量性ストリップ導体線路4a,4b,4cは、Er=32の高誘電率基板に形成されるので、Er=10の低誘電率基板に形成される比較例における容量性ストリップ導体線路20a,20b,20cよりも小型化される。本実施の形態1では、比較例に対し約1/3の小型化が実現できている。比較例での誘導性ストリップ導体線路21a,21bの線路幅はW2=W4=0.1mmであり、線路長はL2=L4=0.6mmである。これに対し、本実施の形態1での誘導性ストリップ導体線路7a,7bの線路幅はW2=W4=0.8mmであり、線路長はL2=L4=1mmである。このように、本実施の形態1での誘導性ストリップ導体線路7a,7bは、線路幅が広くなっており、比較例よりも線路幅が約8倍広くなっている。本実施の形態1での誘導性ストリップ導体線路7a,7bは、誘電率ErがEr≒1である基板と等価である空気層を介在させたキャリア2をグランド導体としてRF信号が伝達されるので、インピーダンスZ=100Ωなる高インピーダンスを維持して低誘電率の基板を用いた場合と同等の線路幅形成が可能であるから、高耐電力化が図れる。これに対し、比較例での誘導性ストリップ導体線路21a,21bは、Er=10なる高誘電率基板に形成されたグランド導体を用いてRF信号を伝達するので、所望の誘導成分を得るためには比較的線路幅の狭いパターンを必要とする。具体的には、線路長L=1~2mm程度、線路幅W=0.1mm程度、インピーダンスZ=100Ω程度が限度である。以上のように、実施の形態1によれば、容量性ストリップ導体線路と、誘導性ストリップ導体線路とをそれぞれ異なる誘電体基板に形成し、それらを接続して1つの基板構成にするが、ストリップ導体線路の接続端間にグランド面の不連続を発生させず、かつ容量性線路パターンの小型化と誘導性線路パターンの耐電力の向上とが図れる。実施の形態2.図5は、本発明の実施の形態2による高周波回路基板の外観構成を示す斜視図である。図6は、図5に示す高周波回路基板の上面図である。図7は、図6におけるA-A’線断面図および電界分布を示す図である。図8は、図6におけるB-B’線断面図である。なお、図5~図8では、図1~図3実施の形態1に示した構成要素と同一ないしは同等である構成要素には同一の符号が付されている。ここでは、本実施の形態2に関わる部分を中心に説明する。本実施の形態2による高周波回路基板で用いる第1の誘電体基板1は、実施の形態1と同様に、一般に使用されている誘電体基板の誘電率Er≒10よりも比較的高い誘電率例えばEr≒32で形成されている。一方、第2の誘電体基板6a,6bは、実施の形態1とは異なり、第1の誘電体基板1よりも低い誘電率例えば、Er≒10で形成されている。そして、図5~図8に示すように、本実施の形態2による高周波回路基板では、図1~図3実施の形態1に示した構成において、第1の誘電体基板1に開口部ビア5a,5bを設けず、第2の誘電体基板6a,6bの裏面に誘導性ストリップ導体線路7a,7bを形成せず、代わりに、第2の誘電体基板6a,6bの表面に誘導性ストリップ導体線路として機能するコプレーナ線路が形成されている。すなわち、図5~図8において、第2の誘電体基板6aは、表面に、RF信号の伝播方向に沿って導体線路30aが形成され、この導体線路30aの幅方向両側にグランド導体31a,31bが形成されている。導体線路30aとグランド導体31a,31bの全体がコプレーナ線路を構成している。第2の誘電体基板6aは、裏面において、導体線路30aの両端側に対応する位置に接続用導体32a,32bが形成され、導体線路30aの両端と接続用導体32a,32bとはそれぞれビア33a,33bにより接続されている。そして、接続用導体32a,32bの下面はそれぞれバンプ8a,8bを介して容量性ストリップ導体4a,4bに接続されている。また、第2の誘電体基板6aは、裏面において、グランド導体31a,31bに対応する位置に接続用導体34a,34bが形成され、グランド導体31a,31bと接続用導体34a,34bとはそれぞれビア35a,35bにより接続されている。そして、接続用導体34a,34bの下面はそれぞれバンプ36a,36bを介して、第1の誘電体基板1の表面に設けたグランド導体37a,37bに接続されている。グランド導体37a,37bはビア38a,38bにより裏面のキャリア2に接続されている。同様に、第2の誘電体基板6bは、表面に、RF信号の伝播方向に沿って導体線路30bが形成され、この導体線路30bの幅方向両側にグランド導体31c,31dが形成されている。導体線路30bとグランド導体31c,31dの全体がコプレーナ線路を構成している。第2の誘電体基板6bは、裏面において、導体線路30bの両端側に対応する位置に接続用導体32a,32bが形成され、導体線路30bの両端と接続用導体32c,32dとはそれぞれビア33c,33dにより接続されている。そして、接続用導体32c,32dの下面はそれぞれバンプ8c,8dを介して容量性ストリップ導体4b,4cに接続されている。また、第2の誘電体基板6bは、裏面において、グランド導体31c,31dに対応する位置に接続用導体34c,34dが形成され、グランド導体31c,31dと接続用導体34c,34dとはそれぞれビア35c,35dにより接続されている。そして、接続用導体34c,34dの下面はそれぞれバンプ36c,36dを介して、第1の誘電体基板1の表面に設けたグランド導体37c,37dに接続されている。グランド導体37c,37dはビア38c,38dにより裏面のキャリア2に接続されている。実施の形態2によれば、第2の誘電体基板6a,6bに形成されるコプレーナ線路のグランド面は、第1の誘電体基板1に形成される容量性ストリップ導体線路4a,4b,4cと同じキャリア2の上面であり、不連続を発生しない。第1の誘電体基板1に形成される容量性ストリップ導体線路4a,4b,4cは、第1の誘電体基板1が一般に用いられる基板よりも高誘電率であるから、小型化が図れる。また、第2の誘電体基板に形成する誘導性線路はコプレーナ線路であるので、高インピーダンス線路の線路幅を広く形成することが可能となり、高耐電力化が実現できる。このとき、インピーダンスのばらつきは、コプレーナ線路のパターン精度に依存するので、実施の形態1よりも安定したインピーダンス線路を得ることができる。"