複数の分割起点が形成された被加工物がエキスパンドテープに貼着された形態の被加工物ユニットの該エキスパンドテープを拡張することにより被加工物を該分割起点に沿って個々のチップに分割する分割装置であって、該被加工物ユニットの被加工物の外周縁から半径方向外側に所定距離離れた位置の該エキスパンドテープを固定保持する保持面を有する保持手段と、該被加工物ユニットの被加工物を該エキスパンドテープを介して支持する支持面を有する支持テーブルと、該支持テーブルと該保持手段とを鉛直方向に相対移動させることで、該支持テーブルの該支持面を該保持手段の該保持面よりも突出させる移動手段と、を具備し、該支持テーブルの該支持面は導電性部材で被覆されていることを特徴とする分割装置。ところで、ウエーハ等の被加工物を分割装置を使用して分割起点に沿って分割する際、被加工物の分割屑が発生する。分割屑は、エキスパンドテープに貼着された被加工物を分割装置の支持テーブル上に載置する際、支持テーブル上から搬出する際及び分割中にエキスパンドテープと支持テーブルとの間に摩擦が生じることで発生した静電気によって被加工物上面に付着する。分割屑が被加工物の上面に形成されたデバイスの表面に付着するとデバイス品質を低下させる上、後工程のボンディングやパッケージングに支障をきたすという問題がある。特に、分割後洗浄できないMEMSMicroElectroMechanicalSystemsデバイス等では、分割屑の付着は大きな問題となる。エキスパンドテープとして帯電防止タイプのものを用いることで静電付着する分割屑の量は低減できるが、帯電防止タイプのエキスパンドテープは高価であるため、帯電防止タイプのエキスパンドテープを使用した場合には製造される製品が割高となってしまうという問題がある。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、帯電防止タイプのエキスパンドテープを使用しなくても、被加工物の分割によって生ずる分割屑に起因するデバイス品質の低下を低減し、後工程に支障をきたす恐れを低減可能な分割装置を提供することである。本発明によると、複数の分割起点が形成された被加工物がエキスパンドテープに貼着された形態の被加工物ユニットの該エキスパンドテープを拡張することにより被加工物を該分割起点に沿って個々のチップに分割する分割装置であって、該被加工物ユニットの被加工物の外周縁から半径方向外側に所定距離離れた位置の該エキスパンドテープを固定保持する保持面を有する保持手段と、該被加工物ユニットの被加工物を該エキスパンドテープを介して支持する支持面を有する支持テーブルと、該支持テーブルと該保持手段とを鉛直方向に相対移動させることで、該支持テーブルの該支持面を該保持手段の該保持面よりも突出させる移動手段と、を具備し、該支持テーブルの該支持面は導電性部材で被覆されていることを特徴とする分割装置が提供される。本発明によると、帯電防止タイプのエキスパンドテープを使用せずとも、被加工物の分割によって生ずる分割屑に起因するデバイス品質の低下を低減し、後工程に支障をきたす恐れを低減可能な分割装置が提供される。本発明の分割装置では、支持テーブルの支持面が導電性部材で被覆されているので、分割中にエキスパンドテープと支持テーブルとの間の摩擦による電荷が生じても電荷が逃げ易く、静電気の発生が抑制できるため、被加工物に静電付着する分割屑を低減することができる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。まず、分割起点形成工程の第1実施形態である改質層形成工程について図1乃至図3を参照して説明する。本実施形態の分割起点形成工程では、ウエーハ11がエキスパンドテープTに貼着され、エキスパンドテープTの外周部が環状フレームFに貼着された形態のウエーハユニット21を使用する。ウエーハ11の表面には複数の分割予定ライン13が格子状に形成されており、分割予定ライン13によって区画された各領域にデバイス15が形成されている。本実施形態の分割起点形成工程では、図1に示すように、ウエーハ11をエキスパンドテープTを介してレーザ加工装置のチャックテーブル10で吸引保持し、図2に示すレーザビーム照射ユニット12の集光器16でウエーハ11に対して透過性を有する波長のレーザビームを分割予定ライン13に対応するウエーハ11の内部に集光し、チャックテーブル10を矢印X1方向に加工送りしながら分割予定ライン13に沿ってレーザビームを照射することにより、ウエーハ内部に分割起点としての改質層17を形成する。図2に示すように、レーザビーム照射ユニット12はレーザビーム発生ユニット14と、集光器16とから構成される。レーザビーム発生ユニット14は、YAGレーザ又はYVO4レーザを発振するレーザ発振器18と、繰り返し周波数設定手段20と、パルス幅調整手段22と、パワー調整手段24とを含んでいる。レーザビーム発生ユニット14のパワー調整手段24により所定パワーに調整されたパルスレーザビームは、集光器16のミラー26で反射され、更に集光用対物レンズ28によって集光されてチャックテーブル10に保持されているウエーハ11に照射される。チャックテーブル10に保持されているウエーハ11を所定ピッチで割り出し送りしながら、第1の方向に伸長する全ての分割予定ライン13に沿ってウエーハ内部に改質層17を形成する。次いで、チャックテーブル10を90度回転して、第1の方向に直交する第2の方向に伸長する全ての分割予定ライン13に沿ってウエーハ内部に同様な改質層17を形成する。この改質層形成工程を更に詳細に説明すると、図3Aに示すように、チャックテーブル10を集光器16が位置するレーザビーム照射領域に移動し、所定のストリート13の一端を集光器16の直下に位置付ける。そして、集光器16からウエーハ11に対して透過性を有する波長のレーザビームを照射しつつ、チャックテーブル10を図3Aにおいて矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動する。図3Bに示すように、集光器16の照射位置がストリート13の他端の位置に達したら、パルスレーザビームの照射を停止するとともにチャックテーブル10の移動を停止する。パルスレーザビームの集光点Pをウエーハ11の内部に合わせることにより、ウエーハ11の内部にストリート13に沿って改質層17が形成される。この改質層17は、溶融再硬化層として形成される。改質層17は分割工程における分割起点として利用される。この改質層形成工程分割起点形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。光源:LD励起QスイッチNd:YVO4パルスレーザ波長:1064nm平均出力:0.1W繰り返し周波数:50kHz加工送り速度:200mm/秒上述した分割起点形成工程の第1実施形態では、ウエーハ11に対して透過性を有する波長のレーザビームを使用して、ウエーハ11の内部に改質層17を形成して、この改質層を分割起点としたが、分割起点形成工程の第2実施形態では、ウエーハ11に対して吸収性を有する波長のレーザビームを使用して、ウエーハ11の分割予定ライン13に沿ってアブレーション加工により図4に示すような分割起点となる浅いレーザ加工溝19を形成する。即ち、第2実施形態の分割起点形成工程では、ウエーハ11に対して吸収性を有する波長のレーザビームを使用して、順次割り出し送りしながらウエーハ11の第1の方向に伸長する全ての分割予定ライン13に沿ってアブレーション加工により分割起点となる浅いレーザ加工溝13を形成する。次いで、チャックテーブル10を90度回転して、第1の方向に直交する第2の方向に伸長する全ての分割予定ライン13に沿ってアブレーション加工により分割起点となる浅いレーザ加工溝19を形成する。このアブレーション加工による分割起点形成工程の加工条件は、例えば次のように設定されている。光源:LD励起QスイッチNd:YVO4パルスレーザ波長:355nmYVO4レーザの第3高調波平均出力:0.2W繰り返し周波数:200kHz加工送り速度:200mm/秒上述した第1及び第2実施形態の分割起点形成工程では、レーザビームの照射により分割起点となる改質層又はレーザ加工溝を形成しているが、切削ブレードによるハーフカットにより分割起点となる加工溝を形成するようにしてもよい。次に、図5及び図6を参照して、ウエーハ11を個々のデバイスチップに分割する本発明実施形態に係る分割装置40及び分割装置40を使用した分割工程について説明する。改質層形成工程実施後、図5に示す分割装置エキスパンド装置40を使用してウエーハ11に外力を付与し、ウエーハ11を個々のデバイスチップ15へと割断する分割ステップを実施する。図5に示す分割装置40は、環状フレームFを保持するフレーム保持ユニット42と、フレーム保持ユニット42に保持された環状フレームFに装着されたエキスパンドテープTを拡張するテープ拡張ユニット44を具備している。フレーム保持ユニット42は、環状のフレーム保持部材46と、フレーム保持部材46の外周に配設された保持手段としての複数のクランプ48から構成される。フレーム保持部材46の上面は環状フレームFを載置する載置面46aを形成しており、この載置面46a上に環状フレームFが載置される。そして、載置面46a上に載置された環状フレームFは、クランプ48によってフレーム保持ユニット42に固定される。このように構成されたフレーム保持ユニット42はテープ拡張ユニット44によって上下方向に移動可能に支持されている。テープ拡張ユニット44は、環状のフレーム保持部材46の内側に配設された支持テーブル50を具備している。支持テーブル50の上端は蓋52で閉鎖されており、蓋52の上面が支持テーブル50の支持面52aを構成する。本実施形態では、支持面52aが導電性フッ素樹脂でコーティングされている。導電性フッ素樹脂にかえて、導電性のシートやプレートを蓋52上に載置又は貼着するようにしてもよい。この支持テーブル50は、環状フレームFの内径より小さく、環状フレームFに装着されたエキスパンドテープTに貼着されたウエーハ11の外径より大きい内径を有している。支持テーブル50はその下端に一体的に形成された支持フランジ54を有している。テープ拡張ユニット44は更に、環状のフレーム保持部材46を上下方向に移動する移動手段としての駆動ユニット56を具備している。この駆動ユニット56は支持フランジ54上に配設された複数のエアシリンダ58から構成されており、そのピストンロッド60はフレーム保持部材46の下面に連結されている。複数のエアシリンダ58から構成される駆動ユニット56は、環状のフレーム保持部材46を、その載置面46aが支持テーブル50の上端である蓋52の表面と略同一高さとなる基準位置と、支持テーブル50の上端より所定量下方の拡張位置との間で上下方向に移動する。以上のように構成された分割装置40を用いて実施するウエーハ11の分割工程について図6を参照して説明する。図6Aに示すように、ウエーハ11をエキスパンドテープTを介して支持した環状フレームFを、フレーム保持部材46の載置面46a上に載置し、クランプ48によってフレーム保持部材46に固定する。この時、フレーム保持部材46はその載置面46aが支持テーブル50の上端と略同一高さとなる基準位置に位置付けられる。次いで、エアシリンダ58を駆動してフレーム保持部材46を図6Bに示す拡張位置に下降する。これにより、フレーム保持部材46の載置面46a上に固定されている環状フレームFも下降するため、ウエーハユニット21の環状フレームFに装着されたエキスパンドテープTは支持テーブル50の支持面52aに当接しながら主に半径方向に拡張される。支持面52a上には導電性フッ素樹脂のコーティングが施されているため、このエキスパンドテープTの拡張時にエキスパンドテープTと支持テーブル50の支持面52aとの間に摩擦が生じるが、この摩擦により生じた電荷は逃げ易くなり、静電気の発生が抑制される。エキスパンドテープTが半径方向に拡張されると、エキスパンドテープTに貼着されているウエーハ11には放射状に引張力が作用する。このようにウエーハ11に放射状に引張力が作用すると、分割予定ライン13に沿って形成された改質層17が分割起点となってウエーハ11が改質層17に沿って割断され、個々のデバイスチップ15に分割される。本実施形態の分割装置40によると、支持テーブル50の支持面52aに導電性フッ素樹脂がコーティングされているので、エキスパンドテープTと支持面52aとの間の摩擦により発生した電荷が逃げ易く長く滞留しないため静電気の発生が抑制され、ウエーハ11に静電付着する分割屑を低減することができる。上述した実施形態の分割装置40では、クランプ48で環状フレームFをクランプするように構成されているが、このクランプを設けずにウエーハ11の外周側のエキスパンドテープT及び環状フレームFを上下から挟み込むようなタイプの保持手段を備えた分割装置でも良い。また、支持テーブル50の蓋52は表面に開口するとともに吸引源に連通する複数の吸引孔を有しているタイプでもよい。エキスパンドテープTとして帯電防止用のエキスパンドテープTを使用するようにしてもよい。エキスパンドテープTとして塩化ビニルからなるSPV-224日東電工株式会社製を使用し、エキスパンド条件として支持テーブル50の突き上げ速度10mm/s、突き上げ量30mmで、エキスパンド時の帯電量を測定したところ表1に示すような結果が得られた。表1を観察すると明らかなように、支持面52a上に導電性フッ素コーティングを有する本発明の分割装置40では、保持面上に導電性フッ素コーティングを有しない従来装置に比較して、エキスパンド時の帯電量が顕著に減少していることが見て取れる。50×50mm、厚み400μmのシリコンウエーハに1mm角で改質層を形成した後、本発明のエキスパンド装置40及び従来のエキスパンド装置を使用してエキスパンドテープTのエキスパンドを実施し、100チップの表面に付着した分割屑数をカウントした。通常のエキスパンドテープTを使用して支持面52a上に導電性フッ素コーティングをした本発明と、通常のエキスパンドテープTを使用して支持面52a上に導電性フッ素コーティング無しの従来例と、エキスパンドテープTとして帯電防止テープを使用した従来例とを比較し、100チップの表面に付着した分割屑数をカウントして表2に示すような結果が得られた。この表2をグラフ化した図が図7に示されている。エキスパンド条件としては、突き上げ速度10mm/s、突き上げ量30mmで支持テーブル50をフレーム保持部材46に対して相対的に突き上げた。表2及び図7で通常、帯電防止テープ、導電性フッ素コートと表示されている加工条件は以下のものを採用した。通常:SPV-224塩化ビニル、日東電工株式会社製使用/フッ素コート無し帯電防止テープ:D-820リンテック株式会社製使用/フッ素コート無し導電性フッ素コート:SPV-224塩化ビニル、日東電工株式会社製使用/フッ素コート有り表2及び図7から明らかなように、支持テーブル50の支持面52aを導電性フッ素コーティングすることにより、エキスパンドテープTとして帯電防止テープを使用せずともほぼ同程度のシリコン屑数に抑えられることが判明した。