"被測定物の変位を測定するヘテロダインレーザー干渉測長器であって、仮想直線上にお互いの反射面を反対方向に向けて前記被測定物に固定される2つの測定ミラーと、異なる周波数で偏光面が直交する2つの直線偏光レーザービームを物理的に1本のレーザービームとして出射するヘテロダインレーザー光源と、前記ヘテロダインレーザー光源からのレーザービームを分岐させて測定ビームと参照ビームからなる2本の物理的に離れた平行なレーザービームを生成する分岐器と、前記分岐器からの測定ビーム及び参照ビームを2方向に分割する偏光ビームスプリッタと、前記2方向に分割された測定ビーム及び参照ビームのうち、一方向の測定ビーム及び参照ビームを前記仮想直線に沿って前記2つの測定ミラーの一方の測定ミラー側へ導き、他方向の測定ビーム及び参照ビームを前記仮想直線に沿って他方の測定ミラー側へ導く2つの測定光路と、前記2つの測定光路それぞれの光路中に設けられる2つの1/4波長板と、前記2つの測定光路ごとに前記1/4波長板と前記測定ミラーの間に配置され、前記参照ビームを反射する2つの反射ミラーと、前記2つの測定ミラーで反射されたそれぞれの前記測定ビームを前記偏光ビームスプリッタで干渉させた測定ビーム干渉光の強度を電気的に検出する測定ビーム光検出器と、前記測定ビーム光検出器の出力からビート信号を生成する測定ビーム測定回路と、前記2つの反射ミラーで反射されたそれぞれの前記参照ビームを前記偏光ビームスプリッタで干渉させた参照ビーム干渉光の強度を電気的に検出する参照ビーム光検出器と、前記参照ビーム光検出器の出力からビート信号を生成する参照ビーム測定回路と、前記測定ビーム測定回路で生成されるビート信号と前記参照ビーム測定回路で生成されるビート信号の差分に対応する変位の算出を行う演算回路と、を備え、前記分岐器は、前記測定ビームと参照ビームの光量比を連続的に変化させて調整する調整手段を有することを特徴とするヘテロダインレーザー干渉測長器。前記調整手段は、入射するレーザービームを第1のビームと第2のビームに偏光分離する第1の偏光ビームスプリッタと、前記第1のビーム、前記第2のビームそれぞれの偏光方向を調整する2つの1/2波長板と、前記偏光方向が調整された第1のビームをS偏光成分とP偏光成分に分離する第2の偏光ビームスプリッタと、前記偏光方向が調整された第2のビームをS偏光成分とP偏光成分に分離する第3の偏光ビームスプリッタと、前記第1のビームのS偏光成分と前記第2のビームのP偏光成分を合成して前記測定ビームまたは参照ビームとする第4の偏光ビームスプリッタと、前記第1のビームのP偏光成分と前記第2のビームのS偏光成分を合成して1本のビームとする第5の偏光ビームスプリッタと、前記第5の偏光ビームスプリッタからの1本のビームの偏光方向を90度回転させて前記参照ビームまたは測定ビームとする1/2波長板と、を有することを特徴とする請求項1に記載のヘテロダインレーザー干渉測長器。前記2つの測定光路ごとに前記反射ミラーと前記測定ミラーの間に配置され、前記測定ビームを該測定ミラーの反射面に集光させる2つのレンズを備えることを特徴とする請求項1または2に記載のヘテロダインレーザー干渉測長器。被測定物の変位を測定するヘテロダインレーザー干渉測長器であって、仮想直線上にお互いの反射面を反対方向に向けて前記被測定物に固定される2つの測定ミラーと、異なる周波数で偏光面が直交する2つの直線偏光レーザービームを含むレーザービームを発生し、該レーザービームを分岐させて測定ビームと参照ビームからなる2本の物理的に離れた平行なレーザービームとして出射するヘテロダインレーザー光源と、前記ヘテロダインレーザー光源からの測定ビーム及び参照ビームを2方向に分割する偏光ビームスプリッタと、前記2方向に分割された測定ビーム及び参照ビームのうち、一方向の測定ビーム及び参照ビームを前記仮想直線に沿って前記2つの測定ミラーの一方の測定ミラー側へ導き、他方向の測定ビーム及び参照ビームを前記仮想直線に沿って他方の測定ミラー側へ導く2つの測定光路と、前記2つの測定光路それぞれの光路中に設けられる2つの1/4波長板と、前記2つの測定光路ごとに前記1/4波長板と前記測定ミラーの間に配置され、前記参照ビームを反射する2つの反射ミラーと、前記2つの測定ミラーで反射されたそれぞれの前記測定ビームを前記偏光ビームスプリッタで干渉させた測定ビーム干渉光の強度を電気的に検出する測定ビーム光検出器と、前記測定ビーム光検出器の出力からビート信号を生成する測定ビーム測定回路と、前記2つの反射ミラーで反射されたそれぞれの前記参照ビームを前記偏光ビームスプリッタで干渉させた参照ビーム干渉光の強度を電気的に検出する参照ビーム光検出器と、前記参照ビーム光検出器の出力からビート信号を生成する参照ビーム測定回路と、前記測定ビーム測定回路で生成されるビート信号と前記参照ビーム測定回路で生成されるビート信号の差分に対応する変位の算出を行う演算回路と、を備え、前記ヘテロダインレーザー光源は、前記測定ビームと参照ビームの光量比を連続的に変化させて調整する調整手段を有することを特徴とするヘテロダインレーザー干渉測長器。前記調整手段は、入射するレーザービームを第1のビームと第2のビームに偏光分離する第1の偏光ビームスプリッタと、前記第1のビーム、前記第2のビームそれぞれの偏光方向を調整する2つの1/2波長板と、前記偏光方向が調整された第1のビームをS偏光成分とP偏光成分に分離する第2の偏光ビームスプリッタと、前記偏光方向が調整された第2のビームをS偏光成分とP偏光成分に分離する第3の偏光ビームスプリッタと、前記第1のビームのS偏光成分と前記第2のビームのP偏光成分を合成して前記測定ビームまたは参照ビームとする第4の偏光ビームスプリッタと、前記第1のビームのP偏光成分と前記第2のビームのS偏光成分を合成して1本のビームとする第5の偏光ビームスプリッタと、前記第5の偏光ビームスプリッタからの1本のビームの偏光方向を90度回転させて前記参照ビームまたは測定ビームとする1/2波長板と、を有することを特徴とする請求項4に記載のヘテロダインレーザー干渉測長器。前記2つの測定光路ごとに前記反射ミラーと前記測定ミラーの間に配置され、前記測定ビームを該測定ミラーの反射面に集光させる2つのレンズを備えることを特徴とする請求項4または5に記載のヘテロダインレーザー干渉測長器。前記測定ミラーは、前記被測定物の端面を反射面としたものであることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載のヘテロダインレーザー干渉測長器。被測定物の変位を測定するヘテロダインレーザー干渉測長器であって、異なる周波数で偏光面が直交する2つの直線偏光レーザービームを物理的に1本のレーザービームとして出射するヘテロダインレーザー光源と、前記ヘテロダインレーザー光源からのレーザービームを分岐させて測定ビームと参照ビームからなる2本の物理的に離れた平行なレーザービームを生成する分岐器と、前記分岐器からの測定ビーム及び参照ビームを2方向に分割する偏光ビームスプリッタと、前記2方向に分割された測定ビーム及び参照ビームのうち、一方向の測定ビーム及び参照ビームを前記被測定物の一方側へ導き、他方向の測定ビーム及び参照ビームを正対する前記被測定物の他方側へ導く2つの測定光路と、前記2つの測定光路それぞれの光路中に設けられる2つの1/4波長板と、前記2つの測定光路ごとに前記1/4波長板と前記被測定物の間に配置され、前記参照ビームを反射する2つの反射ミラーと、前記被測定物の双方側で反射されたそれぞれの前記測定ビームを前記偏光ビームスプリッタで干渉させた測定ビーム干渉光の強度を電気的に検出する測定ビーム光検出器と、前記測定ビーム光検出器の出力からビート信号を生成する測定ビーム測定回路と、前記2つの反射ミラーで反射されたそれぞれの前記参照ビームを前記偏光ビームスプリッタで干渉させた参照ビーム干渉光の強度を電気的に検出する参照ビーム光検出器と、前記参照ビーム光検出器の出力からビート信号を生成する参照ビーム測定回路と、前記測定ビーム測定回路で生成されるビート信号と前記参照ビーム測定回路で生成されるビート信号の差分に対応する変位の算出を行う演算回路と、を備え、前記分岐器は、前記測定ビームと参照ビームの光量比を連続的に変化させて調整する調整手段を有することを特徴とするヘテロダインレーザー干渉測長器。前記2つの測定光路ごとに前記反射ミラーと前記被測定物の間に配置され、前記測定ビームを1方向に集光して前記被測定物に照射させる2つのレンズを備えることを特徴とする請求項8に記載のヘテロダインレーザー干渉測長器。前記偏光ビームスプリッタは、前記2つの1/4波長板を一体化して備えることを特徴とする請求項1~9のいずれかに記載のヘテロダインレーザー干渉測長器。本発明は、以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであり、光学的差動検出を用いたヘテロダインレーザー干渉測長器において、測長結果から精度よくデッドパスの影響を排除することのできるヘテロダインレーザー干渉測長器を提供することを目的とする。前記課題を解決するために提供する本発明は、被測定物可動測定物50の変位を測定するヘテロダインレーザー干渉測長器であって、仮想直線上にお互いの反射面を反対方向に向けて前記被測定物に固定される2つの測定ミラー測定ミラー341,342と、異なる周波数で偏光面が直交する2つの直線偏光レーザービームを物理的に1本のレーザービームとして出射するヘテロダインレーザー光源ヘテロダインレーザー光源10と、前記ヘテロダインレーザー光源からのレーザービームを分岐させて測定ビーム測定ビームB1と参照ビーム参照ビームB2からなる2本の物理的に離れた平行なレーザービームを生成する分岐器分岐器80と、前記分岐器からの測定ビーム及び参照ビームを2方向に分割する偏光ビームスプリッタ偏光ビームスプリッタ30と、前記2方向に分割された測定ビーム及び参照ビームのうち、一方向の測定ビーム第1の測定ビームB11及び参照ビーム第1の参照ビームB21を前記仮想直線に沿って前記2つの測定ミラーの一方の測定ミラー測定ミラー341側へ導き、他方向の測定ビーム第2の測定ビームB12及び参照ビーム第2の参照ビームB22を前記仮想直線に沿って他方の測定ミラー測定ミラー342側へ導く2つの測定光路測定光路LP1,LP2と、前記2つの測定光路それぞれの光路中に設けられる2つの1/4波長板1/4波長板31,32と、前記2つの測定光路ごとに前記1/4波長板と前記測定ミラーの間に配置され、前記参照ビームを反射する2つの反射ミラー反射ミラー411,412と、前記2つの測定ミラーで反射されたそれぞれの前記測定ビームを前記偏光ビームスプリッタで干渉させた測定ビーム干渉光測定ビーム干渉光B1kの強度を電気的に検出する測定ビーム光検出器光検出器35と、前記測定ビーム光検出器の出力からビート信号を生成する測定ビーム測定回路測定信号回路36と、前記2つの反射ミラーで反射されたそれぞれの前記参照ビームを前記偏光ビームスプリッタで干渉させた参照ビーム干渉光参照ビーム干渉光B2kの強度を電気的に検出する参照ビーム光検出器光検出器37と、前記参照ビーム光検出器の出力からビート信号を生成する参照ビーム測定回路測定信号回路38と、前記測定ビーム測定回路で生成されるビート信号と前記参照ビーム測定回路で生成されるビート信号の差分に対応する変位の算出を行う演算回路演算回路70と、を備え、前記分岐器は、前記測定ビームと参照ビームの光量比を連続的に変化させて調整する調整手段を有することを特徴とするヘテロダインレーザー干渉測長器である図3,図4,図9。また、前記課題を解決するために提供する本発明は、被測定物可動測定物50の変位を測定するヘテロダインレーザー干渉測長器であって、仮想直線上にお互いの反射面を反対方向に向けて前記被測定物に固定される2つの測定ミラー測定ミラー341,342と、異なる周波数で偏光面が直交する2つの直線偏光レーザービームを含むレーザービームを発生し、該レーザービームを分岐させて測定ビーム測定ビームB1と参照ビーム参照ビームB2からなる2本の物理的に離れた平行なレーザービームとして出射するヘテロダインレーザー光源ヘテロダインレーザー光源10と、前記ヘテロダインレーザー光源からの測定ビーム及び参照ビームを2方向に分割する偏光ビームスプリッタ偏光ビームスプリッタ30と、前記2方向に分割された測定ビーム及び参照ビームのうち、一方向の測定ビーム第1の測定ビームB11及び参照ビーム第1の参照ビームB21を前記仮想直線に沿って前記2つの測定ミラーの一方の測定ミラー測定ミラー341側へ導き、他方向の測定ビーム第2の測定ビームB12及び参照ビーム第2の参照ビームB22を前記仮想直線に沿って他方の測定ミラー測定ミラー342側へ導く2つの測定光路測定光路LP1,LP2と、前記2つの測定光路それぞれの光路中に設けられる2つの1/4波長板1/4波長板31,32と、前記2つの測定光路ごとに前記1/4波長板と前記測定ミラーの間に配置され、前記参照ビームを反射する2つの反射ミラー反射ミラー411,412と、前記2つの測定ミラーで反射されたそれぞれの前記測定ビームを前記偏光ビームスプリッタで干渉させた測定ビーム干渉光測定ビーム干渉光B1kの強度を電気的に検出する測定ビーム光検出器光検出器35と、前記測定ビーム光検出器の出力からビート信号を生成する測定ビーム測定回路測定信号回路36と、前記2つの反射ミラーで反射されたそれぞれの前記参照ビームを前記偏光ビームスプリッタで干渉させた参照ビーム干渉光参照ビーム干渉光B2kの強度を電気的に検出する参照ビーム光検出器光検出器37と、前記参照ビーム光検出器の出力からビート信号を生成する参照ビーム測定回路測定信号回路38と、前記測定ビーム測定回路で生成されるビート信号と前記参照ビーム測定回路で生成されるビート信号の差分に対応する変位の算出を行う演算回路演算回路70と、を備え、前記ヘテロダインレーザー光源は、前記測定ビームと参照ビームの光量比を連続的に変化させて調整する調整手段を有することを特徴とするヘテロダインレーザー干渉測長器である図5,図6,図9。また、前記課題を解決するために提供する本発明は、被測定物可動測定物50円筒物体50aの変位を測定するヘテロダインレーザー干渉測長器であって、異なる周波数で偏光面が直交する2つの直線偏光レーザービームを物理的に1本のレーザービームとして出射するヘテロダインレーザー光源ヘテロダインレーザー光源10と、前記ヘテロダインレーザー光源からのレーザービームを分岐させて測定ビーム測定ビームB1と参照ビーム参照ビームB2からなる2本の物理的に離れた平行なレーザービームを生成する分岐器分岐器80と、前記分岐器からの測定ビーム及び参照ビームを2方向に分割する偏光ビームスプリッタ偏光ビームスプリッタ30と、前記2方向に分割された測定ビーム及び参照ビームのうち、一方向の測定ビーム第1の測定ビームB11及び参照ビーム第1の参照ビームB21を前記被測定物の一方側へ導き、他方向の測定ビーム第2の測定ビームB12及び参照ビーム第2の参照ビームB22を正対する前記被測定物の他方側へ導く2つの測定光路測定光路LP1,LP2と、前記2つの測定光路それぞれの光路中に設けられる2つの1/4波長板1/4波長板31,32と、前記2つの測定光路ごとに前記1/4波長板と前記被測定物の間に配置され、前記参照ビームを反射する2つの反射ミラー反射ミラー411,412と、前記被測定物の双方側で反射されたそれぞれの前記測定ビームを前記偏光ビームスプリッタで干渉させた測定ビーム干渉光測定ビーム干渉光B1kの強度を電気的に検出する測定ビーム光検出器光検出器35と、前記測定ビーム光検出器の出力からビート信号を生成する測定ビーム測定回路測定信号回路36と、前記2つの反射ミラーで反射されたそれぞれの前記参照ビームを前記偏光ビームスプリッタで干渉させた参照ビーム干渉光参照ビーム干渉光B2kの強度を電気的に検出する参照ビーム光検出器光検出器37と、前記参照ビーム光検出器の出力からビート信号を生成する参照ビーム測定回路測定信号回路38と、前記測定ビーム測定回路で生成されるビート信号と前記参照ビーム測定回路で生成されるビート信号の差分に対応する変位の算出を行う演算回路演算回路70と、を備え、前記分岐器は、前記測定ビームと参照ビームの光量比を連続的に変化させて調整する調整手段を有することを特徴とするヘテロダインレーザー干渉測長器である図10。本発明のヘテロダインレーザー干渉測長器によれば、光学的差動検出構成で測定対象の測長を行うと同時に、測定対象に近接した部分に反射ミラーを設置し、測定ビームの一部でデッドパス測長も行って、最終的な測長結果からデッドパスの値を取り除いているので、分解能2倍であっても測長結果からデッドパスの影響を排除することができる。また、測定ビームと参照ビームは物理的に離れた平行ビームであり、ビーム分割することなく各々全光量をビート信号の光検出器が利用できるので、精度良く測定を行うことができる。またこのとき、調整手段により測定ビームと参照ビームの光量比率を連続的に変えることができるので、測定対象に対して最適な測定ビーム光量を設定することが可能になり、測定精度の信頼性がより向上する。これにより、反射率が低い測定対象に対しても測定が可能になる。以下に、本発明に係るヘテロダインレーザー干渉測長器の構成について説明する。図3は、本発明に係るヘテロダインレーザー干渉測長器の第1の実施形態における構成を示すブロック図である。図3に示すように、ヘテロダインレーザー光源10からは、互いに周波数がわずかに異なり偏光面が直交する、2つの直線偏光出射ビームが物理的に1本のレーザービームとして出射され、続いてこの1本のレーザービームが分岐器80によって物理的に離れた平行な2本の測定ビームと参照ビームに分岐される。分岐器80としては、無偏光ビームスプリッタとミラーの組み合わせなどが利用できる。分岐器80から出た測定ビームと参照ビームは、偏光ビームスプリッタ30に入射し、それぞれ偏光ビームスプリッタ30により2方向に分割される。なお、測定ビームと参照ビームは、物理的に離れた平行な2本のレーザービームとして偏光ビームスプリッタ30に入射することから、偏光ビームスプリッタ30内の異なる位置点で分割される。すなわち、偏光ビームスプリッタ30内において、測定ビームは点P1で分割され、参照ビームは点P2で分割される。このとき、測定ビームB1は第1の測定ビームB11と第2の測定ビームB12に、参照ビームB2は第1の参照ビームB21と第2の参照ビームB22に分割される。また、第1の測定ビームB11と第1の参照ビームB21は、偏光ビームスプリッタ30で反射されて図中上方に向かうビームであり、第2の測定ビームB12と第2の参照ビームB22は偏光ビームスプリッタ30を透過して図中右方に向かうビームである。さらに、第1の測定ビームB11と第1の参照ビームB21は、お互いが物理的に離れた平行な関係のまま測定光路LP1を通り、第2の測定ビームB12と第2の参照ビームB22は、お互いが物理的に離れた平行な関係のまま測定光路LP2を通る。測定光路LP1では、1/4波長板31と、ミラー51,52,53が配置されており、第1の測定ビームB11と第1の参照ビームB21は、お互いが物理的に離れた平行な関係が維持されたまま、1/4波長板31を透過した後、ミラー51,52,53で反射されて方向が変えられて、測定ミラー341側へ導かれる。ここで、第1の測定ビームB11は、そのまま測定ミラー341で反射されて、そこから測定光路LP1を遡り、1/4波長板31を経て偏光ビームスプリッタ30へ戻る。また、第1の参照ビームB21は、測定光路LP1中で、ミラー53までは第1の測定ビームB11と同じ光路を通り、測定ミラー341の手前の所定位置に配置された反射ミラー411で反射されて、そこから測定光路LP1を遡り、1/4波長板31を経て偏光ビームスプリッタ30へ戻る。なお、反射されて戻ってきた第1の測定ビームB11は、偏光ビームスプリッタ30において、前述の分岐器80から入射してきた測定ビームB1が分割された点P1に戻ってくる。また、反射されて戻ってきた第1の参照ビームB21は、偏光ビームスプリッタ30において、前述の分岐器80から入射してきた参照ビームB2が分割された点P2に戻ってくる。したがって、反射されて戻ってきた第1の測定ビームB11と第1の参照ビームB21は、偏光ビームスプリッタ30において異なる位置点に入射することになる。測定光路LP2では、1/4波長板32が配置されており、第2の測定ビームB12と第2の参照ビームB22は、お互いが物理的に離れた平行な関係が維持されたまま、1/4波長板32を透過した後、測定ミラー342側へ導かれる。ここで、第2の測定ビームB12は、そのまま測定ミラー342で反射されて、そこから測定光路LP2を遡り、1/4波長板32を経て偏光ビームスプリッタ30へ戻る。また、第2の参照ビームB22は、測定光路LP2中を第2の測定ビームB12と同じ光路を通り、測定ミラー342手前の所定位置に配置された反射ミラー412で反射されて、そこから測定光路LP2を遡り、1/4波長板32を経て偏光ビームスプリッタ30へ戻る。なお、反射されて戻ってきた第2の測定ビームB12は、偏光ビームスプリッタ30において、前述の分岐器80から入射してきた測定ビームB1が分割された点P1に戻ってくる。また、反射されて戻ってきた第2の参照ビームB22は、偏光ビームスプリッタ30において、前述の分岐器80から入射してきた参照ビームB2が分割された点P2に戻ってくる。したがって、反射されて戻ってきた第2の測定ビームB12と第2の参照ビームB22は、偏光ビームスプリッタ30において異なる位置点に入射するとともに、反射されて戻ってきた第1の測定ビームB11と第2の測定ビームB12は偏光ビームスプリッタ30において同じ位置点P1に入射し、反射されて戻ってきた第1の参照ビームB21と第2の参照ビームB22は偏光ビームスプリッタ30において同じ位置点P2に入射することになる。なお、偏光ビームスプリッタ30と2つの1/4波長板31,32は、一体化されていても差し支えない。また、ミラー53から測定ミラー341に向かう測定光路LP1と測定光路LP2は一直線仮想直線をなすように調整されており、2つの測定ミラー341,342のミラー面反射面は測定光路LP1,LP2の光軸に対し垂直に、かつ反対を向いた状態で可動測定物50に設置され、固定されている。また、反射ミラー411,412は、第1の参照ビームB21、第2の参照ビームB22それぞれを反射して測定光路LP1,LP2を遡らせるように、測定光路LP1,LP2光軸に対して配置する。さらに、反射ミラー411,412は、可能な限り測定ミラー341,342に近接させて配置する。上記の測定ミラー341,342及び反射ミラー411,412としては、平面ミラーやコーナーキューブの利用が考えられる。あるいは、測定ミラー341,342は、可動測定物の端面そのものを反射面としたものであってもよい。測定光路LP1において、偏光ビームスプリッタ30から測定ミラー341までの距離をMP1、偏光ビームスプリッタ30から反射ミラー411までの距離DP1とし、測定光路LP2において、偏光ビームスプリッタ30から測定ミラー342までの距離MP2、偏光ビームスプリッタ30から反射ミラー412までの距離をDP2とする。ここで、偏光ビームスプリッタ30から出て、測定ミラー341で反射されて再度偏光ビームスプリッタ30に戻ってきた第1の測定ビームB11は、1/4波長板31を2回通るので、偏光面が回転し、偏光ビームスプリッタ30では出射ビームとは分離され該偏光ビームスプリッタ30を図中下方向に透過する。また、偏光ビームスプリッタ30から出て、測定ミラー342で反射されて再度偏光ビームスプリッタ30に戻ってきた第2の測定ビームB12は、1/4波長板32を2回通るので、偏光面が回転し、偏光ビームスプリッタ30から出射ビームとは分離され該偏光ビームスプリッタ30で図中下方向に反射される。このとき、偏光ビームスプリッタ30では、測定ミラー341で反射されて戻ってきた第1の測定ビームB11と測定ミラー342で反射されて戻ってきた第2の測定ビームB12を干渉させた1本の測定ビーム干渉光B1kとして図中下方に出射することになる。ついで、測定ビーム干渉光B1kは、ミラー60により折り曲げられて光検出器35に導かれる。光検出器35では、測定ビーム干渉光B1kの干渉状態強度を電気信号に変換し、ついで、測定信号回路36で光検出器35の出力信号からビート信号を生成する。この測定信号回路36のビート信号は、距離に対応し、これは差動検出光学系におけるデッドパス量を含む測定対象の移動距離に相当する。一方、偏光ビームスプリッタ30から出て、反射ミラー411で反射されて再度偏光ビームスプリッタ30に戻ってきた第1の参照ビームB21は、1/4波長板31を2回通るので、偏光面が回転し、偏光ビームスプリッタ30では出射ビームとは分離され該偏光ビームスプリッタ30を図中下方向に透過する。また、偏光ビームスプリッタ30から出て、反射ミラー412で反射されて再度偏光ビームスプリッタ30に戻ってきた第2の参照ビームB22は、1/4波長板32を2回通るので、偏光面が回転し、偏光ビームスプリッタ30から出射ビームとは分離され該偏光ビームスプリッタ30で図中下方向に反射される。このとき、偏光ビームスプリッタ30では、反射ミラー411で反射されて戻ってきた第1の参照ビームB21と反射ミラー412で反射されて戻ってきた第2の参照ビームB22を干渉させた1本の参照ビーム干渉光B2kとして図中下方に出射することになる。また、参照ビーム干渉光B2kは、測定ビーム干渉光B1kと物理的に離れて平行な関係を維持したまま偏光ビームスプリッタ30から出射される。ついで、参照ビーム干渉光B2kは、ミラー61により折り曲げられて光検出器37に導かれる。なお、測定ビーム干渉光B1kと参照ビーム干渉光B2kは、偏光ビームスプリッタ30からお互いに物理的に離れた平行な2本のビームとして出射されるため、測定ビーム干渉光B1k、参照ビーム干渉光B2kそれぞれをそのまま簡単に光検出器35,37に導くことができる。光検出器37では、参照ビーム干渉光B2kの干渉状態強度を電気信号に変換し、ついで、測定信号回路38で光検出器37の出力信号からビート信号を生成する。この測定信号回路38のビート信号は、距離に対応し、これは差動検出光学系におけるデッドパス量に相当する。ついで、演算回路70は、測定信号回路36で生成されるビート信号と、測定信号回路38で生成されるビート信号とを受けて、両者の差分に対応する変位の算出を行う。すなわち、測定信号回路36,38でデッドパス量を含む測定対象の移動距離とデッドパス量とを電気的に検出できているので、演算回路70は、測定信号回路36の出力信号と測定信号回路38の出力信号の差-を算出し、差動検出光学系におけるデッドパス量を含まない測定対象の移動距離を得ることができる。なお、演算回路70における測定信号回路36の出力信号と測定信号回路38の出力信号の差の算出方法としては、測定信号回路36の出力信号を基準ビート信号として用い、測定信号回路38のビート信号との差を求める方法でよい。あるいは、図1,図2で説明した基準信号回路22図3では図示していないを利用し、測定信号回路36と測定信号回路38の出力信号それぞれと基準信号回路22の出力信号との差を求め、実際におよびに相当するデータを算出してから、これらの差を演算する方法でもよい。本実施形態のヘテロダインレーザー干渉測長器は、一例として直動ステージの移動量測定に応用することができる。具体例として、半導体用や光ディスク、ハードディスクのパターン作製用の精密直動ステージに適用すれば、デッドパスの影響を受けることなく高精度にステージ移動量を計測しているので、ステージ送り制御の精度を高めることができ、作製パターンの精度を改善することが可能である。次に、本発明に係るヘテロダインレーザー干渉測長器の第2の実施形態における構成について説明する。図4は、本発明に係るヘテロダインレーザー干渉測長器の第2の実施形態における構成を示すブロック図である。本実施形態は、図3のヘテロダインレーザー干渉測長器第1の実施形態と比較して、測定ミラー341,342が可動測定物50の端面そのものを反射面としたものであり、測定ビームB11,B12を、それぞれ集光して測定ミラー341,342に照射するレンズ421,422を備える点で異なり、それ以外の部分については図3の構成と同一である。レンズ421,422で測定ビームB11,B12を集光することにより、光源のビーム径よりも小さな測定ミラー面積しかとることのできない被測定物や、測定ミラーが曲面となっている被測定物に対しても測定可能になる。また、反射ミラー411,412の位置として、反射面をレンズ421,422の入射面に配置させると、反射ミラー間隔を最大に取ることができるので好ましい。また、図4のヘテロダインレーザー干渉測長器における可動測定物50の測長の機構方法は、測定ビームB11,B12をレンズ421,422で集光して可動測定物50の端面測定ミラー341,342に照射し、その反射光をレンズ421,422を通過させて偏光ビームスプリッタ30に戻す点が第1の実施形態と異なるだけで、基本的な測長の機構方法は第1の実施形態と同じであるため、その説明は省略する。なおここでは、可動測定物50の端面そのものをミラー化して測定ミラー341,342とする例を取り上げたが、図3のように独立した測定ミラー341,342が可動測定物50に設置され、固定されていても差し支えない。本実施形態のヘテロダインレーザー干渉測長器は、一例として回転ステージの回転振れ量測定に応用することができる。具体例として、光ディスク、ハードディスクのパターン作製用の精密ターンテーブルに適用すれば、デッドパスの影響を受けることなく高精度にターンテーブル回転振れを計測するので、パターン作製用のレーザービーム位置に回転振れ量をフィードバックして、振れのないトラックパターンを作るなど精度を改善することが可能である。次に、本発明に係るヘテロダインレーザー干渉測長器の第3の実施形態における構成について説明する。図5は、本発明に係るヘテロダインレーザー干渉測長器の第3の実施形態における構成を示すブロック図である。本実施形態では、第1の実施形態図3と比較して、ビームの分岐がヘテロダインレーザー光源10の内部で行われ、2本のビームが出射される点が異なる。図5に示すように、ヘテロダインレーザー光源10の内部では、はじめに互いに周波数がわずかに異なり偏光面が直交する、2つの直線偏光出射ビームが物理的に1本のビームとして生成され、続く分岐器80によって平行な2本の測定ビームと参照ビームに分岐されて外部に出射される。分岐器80としては無偏光ビームスプリッタとミラーの組み合わせなどが利用できる。ヘテロダインレーザー光源10から出射された測定ビームと参照ビームは、偏光ビームスプリッタ30に入射し、それぞれ偏光ビームスプリッタ30により2方向に分割される。なお、測定ビームと参照ビームは、物理的に離れた平行な2本のレーザービームとして偏光ビームスプリッタ30に入射することから、偏光ビームスプリッタ30内の異なる位置点で分割される。すなわち、偏光ビームスプリッタ30内において、測定ビームは点P1で分割され、参照ビームは点P2で分割される。このとき、測定ビームB1は第1の測定ビームB11と第2の測定ビームB12に、参照ビームB2は第1の参照ビームB21と第2の参照ビームB22に分割される。また、第1の測定ビームB11と第1の参照ビームB21は、偏光ビームスプリッタ30で反射されて図中上方に向かうビームであり、第2の測定ビームB12と第2の参照ビームB22は偏光ビームスプリッタ30を透過して図中右方に向かうビームである。さらに、第1の測定ビームB11と第1の参照ビームB21は、お互いが物理的に離れた平行な関係のまま測定光路LP1を通り、第2の測定ビームB12と第2の参照ビームB22は、お互いが物理的に離れた平行な関係のまま測定光路LP2を通る。測定光路LP1では、1/4波長板31と、ミラー51,52,53が配置されており、第1の測定ビームB11と第1の参照ビームB21は、お互いが物理的に離れた平行な関係が維持されたまま、1/4波長板31を透過した後、ミラー51,52,53で反射されて方向が変えられて、測定ミラー341側へ導かれる。ここで、第1の測定ビームB11は、そのまま測定ミラー341で反射されて、そこから測定光路LP1を遡り、1/4波長板31を経て偏光ビームスプリッタ30へ戻る。また、第1の参照ビームB21は、測定光路LP1中で、ミラー53までは第1の測定ビームB11と同じ光路を通り、測定ミラー341の手前の所定位置に配置された反射ミラー411で反射されて、そこから測定光路LP1を遡り、1/4波長板31を経て偏光ビームスプリッタ30へ戻る。なお、反射されて戻ってきた第1の測定ビームB11は、偏光ビームスプリッタ30において、前述の分岐器80から入射してきた測定ビームB1が分割された点P1に戻ってくる。また、反射されて戻ってきた第1の参照ビームB21は、偏光ビームスプリッタ30において、前述の分岐器80から入射してきた参照ビームB2が分割された点P2に戻ってくる。したがって、反射されて戻ってきた第1の測定ビームB11と第1の参照ビームB21は、偏光ビームスプリッタ30において異なる位置点に入射することになる。測定光路LP2では、1/4波長板32が配置されており、第2の測定ビームB12と第2の参照ビームB22は、お互いが物理的に離れた平行な関係が維持されたまま、1/4波長板32を透過した後、測定ミラー342側へ導かれる。ここで、第2の測定ビームB12は、そのまま測定ミラー342で反射されて、そこから測定光路LP2を遡り、1/4波長板32を経て偏光ビームスプリッタ30へ戻る。また、第2の参照ビームB22は、測定光路LP2中を第2の測定ビームB12と同じ光路を通り、測定ミラー342手前の所定位置に配置された反射ミラー412で反射されて、そこから測定光路LP2を遡り、1/4波長板32を経て偏光ビームスプリッタ30へ戻る。なお、反射されて戻ってきた第2の測定ビームB12は、偏光ビームスプリッタ30において、前述の分岐器80から入射してきた測定ビームB1が分割された点P1に戻ってくる。また、反射されて戻ってきた第2の参照ビームB22は、偏光ビームスプリッタ30において、前述の分岐器80から入射してきた参照ビームB2が分割された点P2に戻ってくる。したがって、反射されて戻ってきた第2の測定ビームB12と第2の参照ビームB22は、偏光ビームスプリッタ30において異なる位置点に入射するとともに、反射されて戻ってきた第1の測定ビームB11と第2の測定ビームB12は偏光ビームスプリッタ30において同じ位置点P1に入射し、反射されて戻ってきた第1の参照ビームB21と第2の参照ビームB22は偏光ビームスプリッタ30において同じ位置点P2に入射することになる。なお、偏光ビームスプリッタ30と2つの1/4波長板31,32は、一体化されていても差し支えない。また、ミラー53から測定ミラー341に向かう測定光路LP1と測定光路LP2は一直線仮想直線をなすように調整されており、2つの測定ミラー341,342のミラー面反射面は測定光路LP1,LP2の光軸に対し垂直に、かつ反対を向いた状態で可動測定物50に設置され、固定されている。また、反射ミラー411,412は、第1の参照ビームB21、第2の参照ビームB22それぞれを反射して測定光路LP1,LP2を遡らせるように、測定光路LP1,LP2光軸に対して配置する。さらに、反射ミラー411,412は、可能な限り測定ミラー341,342に近接させて配置する。上記の測定ミラー341,342及び反射ミラー411,412としては、平面ミラーやコーナーキューブの利用が考えられる。あるいは、測定ミラー341,342は、可動測定物の端面そのものを反射面としたものであってもよい。測定光路LP1において、偏光ビームスプリッタ30から測定ミラー341までの距離をMP1、偏光ビームスプリッタ30から反射ミラー411までの距離DP1とし、測定光路LP2において、偏光ビームスプリッタ30から測定ミラー342までの距離MP2、偏光ビームスプリッタ30から反射ミラー412までの距離をDP2とする。ここで、偏光ビームスプリッタ30から出て、測定ミラー341で反射されて再度偏光ビームスプリッタ30に戻ってきた第1の測定ビームB11は、1/4波長板31を2回通るので、偏光面が回転し、偏光ビームスプリッタ30では出射ビームとは分離され該偏光ビームスプリッタ30を図中下方向に透過する。また、偏光ビームスプリッタ30から出て、測定ミラー342で反射されて再度偏光ビームスプリッタ30に戻ってきた第2の測定ビームB12は、1/4波長板32を2回通るので、偏光面が回転し、偏光ビームスプリッタ30から出射ビームとは分離され該偏光ビームスプリッタ30で図中下方向に反射される。このとき、偏光ビームスプリッタ30では、測定ミラー341で反射されて戻ってきた第1の測定ビームB11と測定ミラー342で反射されて戻ってきた第2の測定ビームB12を干渉させた1本の測定ビーム干渉光B1kとして図中下方に出射することになる。ついで、測定ビーム干渉光B1kは、ミラー60により折り曲げられて光検出器35に導かれる。光検出器35では、測定ビーム干渉光B1kの干渉状態強度を電気信号に変換し、ついで、測定信号回路36で光検出器35の出力信号からビート信号を生成する。この測定信号回路36のビート信号は、距離に対応し、これは差動検出光学系におけるデッドパス量を含む測定対象の移動距離に相当する。一方、偏光ビームスプリッタ30から出て、反射ミラー411で反射されて再度偏光ビームスプリッタ30に戻ってきた第1の参照ビームB21は、1/4波長板31を2回通るので、偏光面が回転し、偏光ビームスプリッタ30では出射ビームとは分離され該偏光ビームスプリッタ30を図中下方向に透過する。また、偏光ビームスプリッタ30から出て、反射ミラー412で反射されて再度偏光ビームスプリッタ30に戻ってきた第2の参照ビームB22は、1/4波長板32を2回通るので、偏光面が回転し、偏光ビームスプリッタ30から出射ビームとは分離され該偏光ビームスプリッタ30で図中下方向に反射される。このとき、偏光ビームスプリッタ30では、反射ミラー411で反射されて戻ってきた第1の参照ビームB21と反射ミラー412で反射されて戻ってきた第2の参照ビームB22を干渉させた1本の参照ビーム干渉光B2kとして図中下方に出射することになる。また、参照ビーム干渉光B2kは、測定ビーム干渉光B1kと物理的に離れて平行な関係を維持したまま偏光ビームスプリッタ30から出射される。ついで、参照ビーム干渉光B2kは、ミラー61により折り曲げられて光検出器37に導かれる。なお、測定ビーム干渉光B1kと参照ビーム干渉光B2kは、偏光ビームスプリッタ30からお互いに物理的に離れた平行な2本のビームとして出射されるため、測定ビーム干渉光B1k、参照ビーム干渉光B2kそれぞれをそのまま簡単に光検出器35,37に導くことができる。光検出器37では、参照ビーム干渉光B2kの干渉状態強度を電気信号に変換し、ついで、測定信号回路38で光検出器37の出力信号からビート信号を生成する。この測定信号回路38のビート信号は、距離に対応し、これは差動検出光学系におけるデッドパス量に相当する。ついで、演算回路70は、測定信号回路36で生成されるビート信号と、測定信号回路38で生成されるビート信号とを受けて、両者の差分に対応する変位の算出を行う。すなわち、測定信号回路36,38でデッドパス量を含む測定対象の移動距離とデッドパス量とを電気的に検出できているので、演算回路70は、測定信号回路36の出力信号と測定信号回路38の出力信号の差-を算出し、差動検出光学系におけるデッドパス量を含まない測定対象の移動距離を得ることができる。なお、演算回路70における測定信号回路36の出力信号と測定信号回路38の出力信号の差の算出方法としては、測定信号回路36の出力信号を基準ビート信号として用い、測定信号回路38のビート信号との差を求める方法でよい。あるいは、図1,図2で説明した基準信号回路22図5では図示していないを利用し、測定信号回路36と測定信号回路38の出力信号それぞれと基準信号回路22の出力信号との差を求め、実際におよびに相当するデータを算出してから、これらの差を演算する方法でもよい。本実施形態のヘテロダインレーザー干渉測長器は、一例として直動ステージの移動量測定に応用することができる。具体例として、半導体用や光ディスク、ハードディスクのパターン作製用の精密直動ステージに適用すれば、デッドパスの影響を受けることなく高精度にステージ移動量を計測しているので、ステージ送り制御の精度を高めることができ、作製パターンの精度を改善することが可能である。なお、ヘテロダインレーザー光源10から物理的に離れた平行な測定ビームと参照ビームが出射されるようにしているので、測定ビームと参照ビームを分岐させる光学系を設置することなく、本発明の第1の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。次に、本発明に係るヘテロダインレーザー干渉測長器の第4の実施形態における構成について説明する。図6は、本発明に係るヘテロダインレーザー干渉測長器の第4の実施形態における構成を示すブロック図である。本実施形態は、図5のヘテロダインレーザー干渉測長器第3の実施形態と比較して、測定ミラー341,342が可動測定物50の端面そのものを反射面としたものであり、測定ビームB11,B12を、それぞれ集光して測定ミラー341,342に照射するレンズ421,422を備える点で異なり、それ以外の部分については図5の構成と同一である。レンズ421,422で測定ビームB11,B12を集光することにより、光源のビーム径よりも小さな測定ミラー面積しかとることのできない被測定物や、測定ミラーが曲面となっている被測定物に対しても測定可能になる。また、反射ミラー411,412の位置として、反射面をレンズ421,422の入射面に配置させると、反射ミラー間隔を最大に取ることができるので好ましい。また、図6のヘテロダインレーザー干渉測長器における可動測定物50の測長の機構方法は、測定ビームB11,B12をレンズ421,422で集光して可動測定物50の端面測定ミラー341,342に照射し、その反射光をレンズ421,422を通過させて偏光ビームスプリッタ30に戻す点が第1の実施形態と異なるだけで、基本的な測長の機構方法は第3の実施形態と同じであるため、その説明は省略する。なおここでは、可動測定物50の端面そのものをミラー化して測定ミラー341,342とする例を取り上げたが、図5のように独立した測定ミラー341,342が可動測定物50に設置され、固定されていても差し支えない。ここで、図3~図6に示したヘテロダインレーザー干渉測長器は、分岐器80において、測定ビームB1と参照ビームB2の光量比の調整手段を有する。例えば、分岐器80において、光量分割比率が異なる複数の無偏光ビームスプリッタを用意し、その中から一つを選択して所定位置に配置し、無偏光ビームスプリッタとは別に用意されたミラーからなる光路によって、無偏光ビームスプリッタに入射するビームから、2本の平行ビーム測定ビームB1と参照ビームB2を分岐発生させるようするとよい。その具体例としては、図7に示すように、光量分割比率が異なる無偏光ビームスプリッタを複数ここでは3個の無偏光ビームスプリッタ811、812、813用意し回転を利用してその中の一つを選択して所定位置図7において無偏光ビームスプリッタ812の位置に配置し、固定されたミラー82と合わせて光路とする構成がある。また、図8に示すように、相対位置が固定された光量分割比率が異なる無偏光ビームスプリッタとミラーの組み合わせを複数組ここでは、無偏光ビームスプリッタ811とミラー821、無偏光ビームスプリッタ812とミラー822、無偏光ビームスプリッタ813とミラー823の3組用意し、回転を利用してその中から一組選択して所定位置図8において無偏光ビームスプリッタ812とミラー822の組の位置に配置し、光路とする構成がある。このようにすることで、測定ビームB1と参照ビームB2を分岐させると同時に両者の光量比を変更することができ、測定対象可動測定物50の反射率が小さい場合は、測定ビームB1の光量比率を大きくすることで光検出器35に到達する光量を増やし、測定ビームB1と参照ビームB2の光量比率が固定の場合例えば1:1の場合に比べ、測定の安定性や精度を向上させることが可能となる。これは、図4,図6に示す構成のように、可動測定物50の端面そのものを反射面測定ミラー341,342とした場合に特に有効である。なおこの場合、参照ビームB2の光量が相対的に小さくなるが、参照ビームB2が反射するのは反射ミラー411,412であるためその反射率は高く、通常は反射光量が相当量減っても問題にならない。ところで、図7,図8に示す調整手段では、予め決められた複数の測定ビームB1と参照ビームB2の光量比から選択する構成であるため、測定ビームB1と参照ビームB2の光量比が調整できるとしても段階的な不連続な調整であり、必ずしも測定対象可動測定物50の反射率に最適な測定ビーム光量にはならないことがあった。また、装置構造上、調整手段に測定ビームB1と参照ビームB2の光量比の選択肢複数の固定的な光量比を数多く備えることは困難であり、その場合、測定の精度や安定性がやや失われたままとなる。そこで本発明では、分岐器80は、測定ビームB1と参照ビームB2の光量比を連続的に変化させて調整する調整手段を有することとする。具体的には、調整手段は、入射するレーザービームを第1のビームf1と第2のビームf2に偏光分離する第1の偏光ビームスプリッタ偏光ビームスプリッタ911と、前記第1のビーム、前記第2のビームそれぞれの偏光方向を調整する2つの1/2波長板1/2波長板921,922と、前記偏光方向が調整された第1のビームをS偏光成分◎とP偏光成分↑に分離する第2の偏光ビームスプリッタ偏光ビームスプリッタ913と、前記偏光方向が調整された第2のビームをS偏光成分◎とP偏光成分↑に分離する第3の偏光ビームスプリッタ偏光ビームスプリッタ912と、前記第1のビームのS偏光成分と前記第2のビームのP偏光成分を合成して前記測定ビームB1または参照ビームとする第4の偏光ビームスプリッタ偏光ビームスプリッタ914と、前記第1のビームのP偏光成分と前記第2のビームのS偏光成分を合成して1本のビームとする第5の偏光ビームスプリッタ偏光ビームスプリッタ915と、前記第5の偏光ビームスプリッタからの1本のビームの偏光方向を90度回転させて前記参照ビームB2または測定ビームとする1/2波長板1/2波長板923と、を有する。図9に、本発明のヘテロダインレーザー干渉測長器の分光器80における調整手段の構成例を示す。図9に示すように、調整手段は、偏光を利用して、偏光ビームスプリッタ911に入射するビームから、2本の平行ビーム測定ビームB1と参照ビームB2を分岐発生させる構成とされている。なお、図9において、符号911、912、913、914、915は偏光ビームスプリッタであり、符号921、922、923は1/2波長板であり、符号821、822、823は光路を折り曲げるミラーである。図9に示す調整手段は、以下のような光学的機能を有する。すなわち、光源ヘテロダインレーザー光源10からの出射ビームは偏光面が直交する2つの直線偏光出射ビームであるため、偏光ビームスプリッタ911により、第1のビームf1と第2のビームf2に分離される。このとき、第1のビームf1はS偏光成分図中◎印で表すであり、第2のビームはP偏光成分図中↑印で表すである。ついで、第1のビームf1は、ミラー821で反射されて1/2波長板922を通過するが、該1/2波長板922を所定角度回転させて第1のビームf1の偏光方向をS偏光からずらすことにより、1/2波長板922通過後のビームf1にはP偏光成分も発生する。この状態で第1のビームf1が偏光ビームスプリッタ913に入射すると、S偏光成分とP偏光成分に分離されるS偏光成分◎は反射され、P偏光成分↑は透過する。同様に、第2のビームf2は、1/2波長板921を通過するが、該1/2波長板921を所定角度回転させて第2のビームf2の偏光方向をP偏光からずらすことにより、1/2波長板921通過後のビームf2にはS偏光成分も発生する。この状態で第2のビームf2が偏光ビームスプリッタ912に入射すると、S偏光成分とP偏光成分に分離されるS偏光成分◎は反射され、P偏光成分↑は透過する。つぎに、偏光ビームスプリッタ913で分離された第1のビームf1のS偏光成分◎と、偏光ビームスプリッタ912で分離された第2のビームf2のP偏光成分↑は、偏光ビームスプリッタ914で1本のビームとして合成され測定ビームB1となる。同様に、偏光ビームスプリッタ913で分離された第1のビームf1のP偏光成分↑と、偏光ビームスプリッタ912で分離された第2のビームf2のS偏光成分◎は、偏光ビームスプリッタ915で1本のビームとして合成され、1/2波長板923により偏光方向が90度回転されて参照ビームB2となる。このような調整手段において、測定ビームB1と参照ビームB2の光量比を、1/2波長板921,922の回転角度に応じて、0:1から1:0の間で連続的に変化させて調整することが可能である。このようにすることで、分光器80において、測定ビームB1と参照ビームB2を分岐させると同時に両者の光量比を連続的に変化させて調整することができるので、種々の測定対象可動測定物50に対して最適な測定ビーム光量とすることができ、測定のさらなる信頼性向上が可能となる。例えば、測定対象可動測定物50の反射率が小さい場合は、測定ビームB1の光量比率を大きくすることで光検出器35に到達する光量を増やし、測定ビームB1と参照ビームB2の光量比率が固定の場合例えば1:1の場合に比べ、測定の安定性や精度を向上させることが可能となる。これは、図4,図6に示す構成のように、可動測定物50の端面そのものを反射面測定ミラー341,342とした場合に特に有効である。次に、本発明に係るヘテロダインレーザー干渉測長器の第5の実施形態における構成について説明する。なお、第1~第4の実施形態と同様の点についての説明は省略する。図10は、本発明に係るヘテロダインレーザー干渉測長器の第5の実施形態における構成を示すブロック図である。本実施形態は、図4のヘテロダインレーザー干渉測長器第2の実施形態と比較して、測定対象可動測定物50が回転ステージ等の円筒物体50aであって、測定ビームB11,B12を、それぞれ集光して円筒物体50aの周面測定ミラー341,342に相当する面に照射するレンズ431,432を備える点で異なり、それ以外の部分については図4の構成と同一である。円筒物体50aの回転振れ量測定にヘテロダインレーザー干渉測長器を用いる場合、測定する面は、例えば、ターンテーブル側面やスピンドル軸となり、回転する円筒物体50aに測定ビームB11,B12を照射することになる。円筒物体50aの側面は曲面になっているため、第2の実施形態図4や第4の実施形態図6で説明したように、測定ビームB11,B12をレンズ431,432で絞って照射するが、対象とする曲面の大きさによっては照射するビームスポットサイズを相当小さくする必要がある。なお、照射するビームスポットサイズは、被測定面の曲率半径との関係も考慮する必要があるが、例えば、直径100mmを下回る場合、おおよそ数~数十ミクロン程度が必要である。このようなビームスポットサイズに対し、円筒物体50aの側面曲面がミラーなど、十分に研磨された平滑面例えば、λ/10程度;λはレーザー波長で05~1ミクロン程度であれば問題ないが、円筒物体50aの側面が、例えば、金属切削面などで構成される場合は、ビームスポットサイズに対して切削痕が無視できない大きさとなる場合がある。例えば、図11aに示すように、切削痕図11中、50bで示すの深さがレーザー波長と同程度以上となると、照射される測定ビームB11,B12図11中、50cで示すが切削痕50bのどこに当たっているか、あるいは切削痕50bとの重なりに応じて測長データが変動するようになる。図11bに示すように、回転中の円筒物体50aの側面の変位測定を行う場合において、円筒物体50aが金属切削して製作されている場合、概ね図のY方向円筒の断面円を含む平面近傍に切削痕50bが残るが、切削痕50bは完全に平行に形成されるものではなく、また、蛇行したり部分的に消えたりする。また、円筒物体50aの回転にも振れがあるので、測定ビームB11,B12を固定しても回転中に測定ビーム測定ビームB11,B12は、切削痕50bの横断を繰り返すことになる。そのため、円筒物体50aの側面の切削痕50b横断により測長データ測定ビーム干渉光B1kの干渉状態が変動し、円筒側面の変位測定精度が低下してしまうという問題がある。本願発明者らが、アルミ切削して製作した直径120ミリのターンテーブルを1200rpmで回転させながらヘテロダインレーザー干渉測長器により変位測定した約10ミクロンのビームスポットに絞り込んだところ、想定される振れ量以外のドリフト成分が発生した。これは、円筒物体50aの切削痕50bに限らず、可動測定物50に傷が存在する場合や粗面の場合でも、大きさによっては同様の現象が起こり得る。また、上述のように、変位測定中に測定対象が移動すると、一般的には、測定ビームB11,B12のビームスポットの照射位置も移動するので、ビームスポットが切削痕や傷などを横断する。以上のように、測定対象の表面のミクロな凹凸の存在により、測長データが変動を受け、物体曲面の変位というマクロ的な量を計測しているのにも関わらず、変位測定精度が低下するという問題が生じる。なお、測定対象の曲面を研磨して鏡面化することができれば、上記問題を解決することはできるが、ミクロンレベルの曲面研磨は技術的に難易度が高く、形状、大きさ、材質、加工性、費用等の観点から難しい場合も多い。そこで、本実施形態では、図12abに示すように、一方向ここでは、Y方向のみに収束作用を有するレンズ431,432を用いて測定ビームB11,B12を一方向のみに収束させるようにしている。なお、レンズ431,432としては、例えば、シリンドリカルレンズ等を用いることができる。レンズ431,432により、測定ビームB11,B12をY方向のみに収束させて、図12cに示すように、円筒物体50aの表面にスリット状図12中、50cで示すに集光されるよう照射する。ビームの収束方向は円筒物体50aの曲面方向Y方向と一致させるようにしている。曲面が切削製作された場合、Y方向に延びた切削痕50bがX方向に並ぶことになるが、レンズ431,432により、測定ビームB11,B12はX方向には集光されないので、被測定面のミクロな凹凸である切削痕50bや傷等と比べて十分な大きさ通常数mm程度を持たせることが可能となる。このため、被測定面の切削痕50bや傷等の影響を平均化して、変位データ精度に影響を与えないものとすることができる。また、測定ビームB11,B12は、Y方向には小さく絞られているため、円筒物体50aの表面からの反射光が得られ、曲面の変位測定を行うことができる。本実施形態のヘテロダインレーザー干渉測長器では、測定ビームB11,B12を一方向のみに収束させるレンズレンズ431,432を用いて測定対象円筒物体50aに照射し、測定対象の表面にスリット状に集光されるよう照射している。そのため、一方向のみに曲面を有する測定対象であっても、測定ビームB11,B12の集束方向を測定対象の曲面方向と一致させることができ、かつ、照射されるビームスポットを測定対象の非曲面方向で長くとることができるため、測定対象の表面の微細な凹凸等の影響を平均化して、精度良く変位測定することが可能となる。以上説明したように、本実施形態のヘテロダインレーザー干渉測長器は、回転ステージ等の回転振れ量測定にも適用することができる。例えば、光ディスク、ハードディスクのパターン作製用の精密ターンテーブルに適用することで、デッドパスの影響を受けることなく高精度にターンテーブル回転振れを計測し、パターン作製用のレーザービーム位置に回転振れ量をフィードバックして、振れのないトラックパターンを作るなど精度を改善することが可能である。なお、ヘテロダインレーザー光源10から物理的に離れた平行な測定ビームと参照ビームが出射されるようにしているので、測定ビームと参照ビームを分岐させる光学系を設置することなく、本発明の第2の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。以上のように、本発明のヘテロダインレーザー干渉測長器によれば、測定ビーム、参照ビームのビート信号に関する光量を減らすことなく、そのまま光検出器に到達させるため、測定対象の反射率の影響を受けることなく、測長結果からデッドパスの影響を排除し、高精度の測長結果を得ることができる。なお、これまで本発明を図面に示した実施形態をもって説明してきたが、本発明は図面に示した実施形態に限定されるものではなく、他の実施形態、追加、変更、削除など、当業者が想到することができる範囲内で変更することができ、いずれの態様においても本発明の作用効果を奏する限り、本発明の範囲に含まれるものである。"