"表面に形成された複数の交差する分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に水溶性樹脂からなる液状保護膜剤を保護膜剤吐出手段から供給しつつウエーハと該保護膜剤吐出手段とを相対移動させ、液状保護膜剤の表面張力を利用してウエーハの表面を被覆する保護膜形成ステップと、該保護膜形成ステップを実施した後、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームを該保護膜を介して該分割予定ラインに沿ってウエーハに照射して、ウエーハにレーザ加工溝を形成するレーザ加工ステップと、該レーザ加工ステップを実施した後、ウエーハに洗浄水を供給して該保護膜をウエーハ上から除去する保護膜除去ステップと、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。前記保護膜形成ステップでは、ウエーハは回転可能な保持テーブルで保持され、該保持テーブルがウエーハ上に供給された液状保護膜剤が飛散しない速度で回転するとともに、前記保護膜剤吐出手段がウエーハ上を走査しつつ液状保護膜剤を吐出する請求項1記載のウエーハの加工方法。ところが、デバイス上に例えば数百μmもの高さを有するバンプが形成されたウエーハでは、バンプを被覆する保護膜を形成するために非常に多量の保護膜剤を使用する必要がある上、保護膜の形成に時間がかかるという問題がある。特に、特許文献2に開示されたスピンコート法で水溶性保護膜を形成する場合には、供給した水溶性樹脂のうち90以上が飛散して廃棄されてしまうため、非常に不経済である。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、保護膜剤の過剰使用を抑えるとともに短時間での保護膜形成を可能とするウエーハの加工方法を提供することである。本発明によると、表面に形成された複数の交差する分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に水溶性樹脂からなる液状保護膜剤を保護膜剤吐出手段から供給しつつウエーハと該保護膜剤吐出手段とを相対移動させ、液状保護膜剤の表面張力を利用してウエーハの表面を被覆する保護膜形成ステップと、該保護膜形成ステップを実施した後、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームを該保護膜を介して該分割予定ラインに沿ってウエーハに照射して、ウエーハにレーザ加工溝を形成するレーザ加工ステップと、該レーザ加工ステップを実施した後、ウエーハに洗浄水を供給して該保護膜をウエーハ上から除去する保護膜除去ステップと、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。好ましくは、前記保護膜形成ステップでは、ウエーハは回転可能な保持テーブルで保持され、該保持テーブルがウエーハ上に供給された液状保護膜剤が飛散しない速度で回転するとともに前記保護膜剤吐出手段がウエーハ上を走査しつつ液状保護膜剤を吐出する。本発明によると、液状保護膜剤を吐出する保護膜剤吐出手段とウエーハとが相対移動しながら液状保護膜剤がウエーハ上に供給され、液状保護膜剤の表面張力を利用して保護膜が形成される。従って、保護膜剤が飛散して廃棄されることがないため、保護膜剤の過剰使用を抑えることができる。更に、液状保護膜剤の表面張力を利用して保護膜が形成されるため、短時間での保護膜形成が可能となる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、保護膜形成装置を具備し、ウエーハをレーザ加工して個々のチップデバイスに分割することのできるレーザ加工装置2の斜視図が示されている。レーザ加工装置2の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作パネル4が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像ユニットによって撮像された画像が表示されるCRT等の表示モニタ6が設けられている。図2に示すように、加工対象の半導体ウエーハWの表面においては、第1のストリートS1と第2のストリートS2とが直交されて形成されており、第1のストリートS1と第2のストリートS2とによって区画された領域に多数のデバイスDが形成されている。図2の拡大図に示すように、各デバイスDの4辺には複数の突起状のバンプ5が形成されている。図3に示すように、ウエーハWは粘着テープであるダイシングテープTに貼着され、ダイシングテープTの外周縁部は環状フレームFに貼着されている。これにより、ウエーハWはダイシングテープTを介して環状フレームFに支持された状態となり、図1に示したウエーハカセット8中にウエーハが複数枚例えば25枚収容される。ウエーハカセット8は上下動可能なカセットエレベータ9上に載置される。ウエーハカセット8の後方には、ウエーハカセット8からレーザ加工前のウエーハWを搬出するとともに、加工後のウエーハをウエーハカセット8に搬入する搬出入手段10が配設されている。ウエーハカセット8と搬出入手段10との間には、搬出入対象のウエーハが一時的に載置される領域である仮置き領域12が設けられており、仮置き領域12にはウエーハWを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段14が配設されている。30は保護膜形成装置であり、この保護膜形成装置30は加工後のウエーハを洗浄する洗浄装置を兼用する。仮置き領域12の近傍には、ウエーハWと一体となったフレームFを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段16が配設されている。仮置き領域12に搬出されたウエーハWは、搬送手段16により吸着されて保護膜形成装置30に搬送される。保護膜形成装置30は、後で詳細に説明するようにウエーハWの加工面に液状樹脂を塗布して保護膜を被覆する。加工面に保護膜が被覆されたウエーハWは、搬送手段16により吸着されてチャックテーブル18上に搬送され、チャックテーブル18に吸引されるとともに、複数の固定手段クランプ19によりフレームFが固定されることでチャックテーブル18上に保持される。チャックテーブル18は、回転可能且つX軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル18のX軸方向の移動経路の上方には、ウエーハWのレーザ加工すべきストリートを検出するアライメントユニット20が配設されている。アライメントユニット20は、ウエーハWの表面を撮像する撮像ユニット22を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってレーザ加工すべきストリートを検出することができる。撮像ユニット22によって取得された画像は、表示ユニット6に表示される。アライメントユニット20の左側には、チャックテーブル18に保持されたウエーハWに対してレーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット24が配設されている。レーザビーム照射ユニット24はY軸方向に移動可能である。図4を参照すると、保護膜形成装置30の一部断面側面図が示されている。保護膜形成装置30は、スピンナテーブル機構34と、スピンナテーブル機構34を包囲して配設された液体受け機構36を具備している。スピンナテーブル機構34は、スピンナテーブル保持テーブル38と、スピンナテーブル38を支持する支持部材40と、支持部材40を介してスピンナテーブル38を回転駆動する電動モータ42とから構成される。電動モータ42を回転駆動すると、スピンナテーブル38は矢印A方向に回転される。スピンナテーブル38は多孔性材料から形成された吸引保持部を有しており、吸引保持部が図示しない負圧吸引手段に連通されている。従って、スピンナテーブル38は、吸引保持部にウエーハを載置し図示しない負圧吸引手段により負圧を作用させることにより、吸引保持部上にウエーハを吸引保持する。スピンナテーブル38には振り子タイプの4個のクランプ44が配設されている。スピンナテーブル38が回転されるとこれらのクランプ44が遠心力で揺動して図3に示す環状フレームFをクランプする。液体受け機構36は、液体受け容器46と、支持部材40に装着されたカバー部材48とから構成される。液体受け容器46は、円筒状の外側壁46aと、底壁46bと、内側壁46cとから構成される。底壁46bの中央部には、支持部材40が挿入される穴47が設けられており、内側壁46cはこの穴47の周辺から上方に突出するように形成されている。カバー部材48は円板状に形成されており、その外周縁から下方に突出するカバー部48aを備えている。このように構成されたカバー部材48は、スピンナテーブル38が図4に示す作業位置に位置付けられると、カバー部48aが液体受け容器46を構成する内側壁46cの外側に隙間を持って重合するように位置付けられる。保護膜形成装置30は、スピンナテーブル38に保持された加工前のウエーハWに水溶性樹脂からなる液状保護膜剤を吐出する保護膜剤吐出手段50を具備している。保護膜剤吐出手段50は、概略L形状のアーム52と、アーム52の先端に形成され、スピンナテーブル38に保持された加工前のウエーハWの加工面に向けて液状保護膜剤を吐出する液状保護膜剤供給ノズル54と、アーム52を揺動する正転逆転可能な電動モータ56とから構成される。保護膜剤供給ノズル54はアーム52を介して保護膜剤供給源58に接続されている。保護膜形成装置30は、レーザ加工後のウエーハWを洗浄する洗浄装置を兼用する。よって、保護膜形成装置30は、スピンナテーブル38に保持された加工後のウエーハWを洗浄するための洗浄水供給手段60を具備している。洗浄水供給手段60は、図9に最もよく示されるように、概略L形状のアーム62と、アーム62の先端に形成され、スピンナテーブル38に保持された加工後のウエーハWの加工面に向けて洗浄水を供給する洗浄水ノズル64と、アーム62を揺動する正転逆転可能な電動モータ66とから構成される。洗浄水ノズル64はアーム62を介して洗浄水供給源68に接続されている。次に、このように構成された保護膜形成装置30を備えたレーザ加工装置2による本発明実施形態のウエーハの加工方法について詳細に説明する。ウエーハ搬送手段16の旋回動作によって加工前のウエーハWが保護膜形成装置30のスピンナテーブル38に搬送され、スピンナテーブル38により吸引保持される。この時、洗浄水ノズル64は、図4に示すように、スピンナテーブル38の上方から隔離した待機位置に位置付けられている。スピンナテーブル38を矢印A方向に低速、例えば30~50rpmで回転させつつ、液状保護膜剤供給ノズル54を図5において矢印B方向に揺動させながら、ウエーハW上に液状保護膜剤を滴下する。スピンナテーブル38が回転されているため、滴下された液状保護膜剤はウエーハWの加工面に広がり、液状保護膜剤の表面張力を利用してウエーハWの加工面には保護膜7が形成される。図6に示すように、ウエーハW上に形成された保護膜7はバンプ5を完全に埋設する厚みを有していることが好ましい。代替実施形態として、スピンナテーブル38は回転させずに、保護膜剤供給ノズル54をウエーハW上を満遍なく走査させるように構成してもよい。ウエーハWの表面に保護膜7が被覆されたならば、スピンナテーブル38の吸引保持を解除してから、ウエーハ搬送手段16によってウエーハWがチャックテーブル18に搬送され、図7に示すように、チャックテーブル18により吸引保持される。図7において、レーザ加工装置のレーザビーム照射ユニット24は、ケーシング26中に収容された図8に示すレーザビーム発生ユニット25と、ケーシング26の先端に装着された集光器レーザヘッド28とから構成される。図8に示されるように、レーザビーム発生ユニット25は、YAGレーザ発振器等のレーザ発振器27と、繰り返し周波数設定手段29と、パルス幅調整手段31と、レーザ発振器27から発振されたレーザビームのパワーを調整するパワー調整手段33とを含んでいる。レーザ加工ステップを実施する前に、チャックテーブル18に吸引保持されたウエーハWの加工領域を撮像ユニット22の直下に移動し、撮像ユニット22でウエーハWの加工領域を撮像する。そして、レーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット24の集光器28と第1の分割予定ラインS1との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が実行され、レーザビーム照射位置のアライメントを遂行する。第1の分割予定ラインS1のアライメントが終了すると、チャックテーブル18を90度回転してから、第1の分割予定ラインS1と直交する第2の分割予定ラインS2についても同様なアライメントを実施する。アライメント実施後、チャックテーブル18を移動して第1の分割予定ラインS1の加工開始位置を集光器28の直下に位置づけ、レーザビーム発生ユニット25のパワー調整手段33により所定パワーに調整されたパルスレーザビームを、図8に示す集光器28のミラー35で反射してから集光用対物レンズ37で保護膜7を介してウエーハWの表面に集光する。このように集光器28でパルスレーザビームを保護膜7を介してウエーハWの表面に集光しながら、チャックテーブル18を所定の送り速度例えば100mm/秒でX軸方向に移動しながら、第1の分割予定ラインS1に沿ってアブレーション加工によりレーザ加工溝41図10参照を形成する。レーザビーム照射ユニット24をY軸方向にインデックス送りしながら、全ての第1の分割予定ラインS1に沿って同様なレーザ加工溝41を形成する。第1の分割予定ラインS1に沿ってのレーザ加工ステップ終了後、チャックテーブル18を90度回転してから、第2の分割予定ラインS2についてもアブレーション加工により同様なレーザ加工溝41を形成する。尚、本実施形態のレーザ加工ステップでのレーザ加工条件は例えば以下の通りである。光源:YAGパルスレーザ波長:355nmYAGレーザの第3高調波出力:3.0W繰り返し周波数:20kHz集光スポット径:1.0μm送り速度:100mm/秒レーザ加工ステップを実施することによって、ウエーハWには第1及び第2の分割予定ラインS1,S2に沿って図10に示すようにレーザ加工溝41が形成される。レーザ加工ステップ実施時に、レーザビームの照射によってデブリが発生しても、このデブリは保護膜7によって遮断され、デバイスDの電子回路及びバンプ等に付着することはない。このようにして、ウエーハWにレーザ加工溝41を形成したら、チャックテーブル18は最初のウエーハWを吸引保持した位置に戻され、ここでウエーハWの吸引保持を解除する。そして、ウエーハWは搬送手段32によって保護膜形成装置30のスピンナテーブル38に搬送され、スピンナテーブル38で吸引保持される。この時、液状保護膜剤供給ノズル54は図9に示すように、スピンナテーブル38の上方から剥離した待機位置に位置付けられている。そして、洗浄水供給源68に接続された洗浄水ノズル64からチャックテーブル38に保持されたウエーハWの保護膜7に洗浄水を供給しながら、ウエーハWを矢印A方向に低速回転例えば800rpmさせることによりウエーハW上から保護膜7を水に溶かして除去する。洗浄水としては例えば純水が使用される。保護膜除去ステップでは、保護膜形成装置30のスピンナテーブル38で保護膜7が形成されたウエーハWを吸引保持し、洗浄ノズル64を洗浄水供給源60と図示しないエア源に接続して、洗浄水ノズル64から純水とエアとからなる洗浄水を噴射しながらウエーハWをスピン洗浄して保護膜7を除去するようにしてもよい。保護膜除去ステップ実施後のウエーハWの断面図が図10に示されている。レーザ加工ステップ及び保護膜除去ステップが終了し、第1及び第2の分割予定ラインS1,S2に沿ってレーザ加工溝41の形成されたウエーハWは、ブレーキング装置に装着されてウエーハWに外力を付与することにより、レーザ加工溝41に沿って個々のデバイスDに分割される。上述した本実施形態のウエーハの加工方法では、保護膜剤供給ノズル54をウエーハWに対して揺動させながら液状保護膜剤を供給してウエーハWの加工面に保護膜7を形成するため、保護膜剤の過剰使用が抑制されるとともに、保護膜剤の表面張力を利用して保護膜7が形成されるため、短時間での保護膜7の形成が可能となる。"