中心からずれた位置に第1の発光点を有し、前記第1の発光点に近接した位置に第1の側面を有する第1半導体レーザー素子と、前記第1の側面に隣接して配置され、前記第1の側面と対向する第2の側面の近いほうから、第2の発光点および第3の発光点が設けられたモノリシック型の2波長半導体レーザー素子と、前記第1半導体レーザー素子および第2半導体レーザー素子がジャンクションダウンで設けられる支持基板とを備え、前記第2半導体レーザー素子の前記第2の側面は、前記支持基板から離間するに伴い、前記第1の側面との距離が大きくなるように傾斜し、前記第2の発光点から発射されるレーザー光が、実質光軸と重畳している事を特徴とした光ピックアップ装置。中心からずれた位置に第1の発光点を有し、前記第1の発光点に近接した位置に第1の側面を有する第1半導体レーザー素子と、前記第1の側面に隣接して配置され、前記第1の側面と対向する第2の側面の近いほうから、第2の発光点および第3の発光点が設けられたモノリシック型の2波長半導体レーザー素子と、前記第1半導体レーザー素子および第2半導体レーザー素子がジャンクションダウンで設けられる支持基板とを備え、前記第2半導体レーザー素子の前記第2の側面は、前記支持基板から離間するに伴い、前記第1の側面との距離が大きくなるように傾斜し、前記第2の側面の前記支持基板側の角部が、前記第2半導体レーザー素子の共振器端面側から、前記共振器端面と対向する端面側に渡り切除され、前記第2の発光点から発射されるレーザー光が、実質光軸と重畳している事を特徴とした光ピックアップ装置。前記第1の発光点からは、青紫色のレーザー光が、前記第2の発光点からは、赤色のレーザー光が発射される請求項1または請求項2に記載の光ピックアップ装置。前記第2半導体レーザー素子の側面である前記共振器端面は、対向する二つの角が鈍角で、もう一つの対向する2つ角が鋭角から成る平行四辺形を成す請求項1または請求項2に記載の光ピックアップ装置。前記第1の側面の前記支持基板側の角部が、前記第1半導体レーザー素子の共振器端面側から、前記共振器端面と対向する端面に渡り切除されている請求項4に記載の光ピックアップ装置。前記第1発光点と前記第2発光点の間隔は、90μm以下で、下限は、前記第1の側面と前記第2の側面の切除される前の角部が実質重なる程度の間隔である請求項5に記載の光ピックアップ装置。半導体レーザー装置と、前記半導体レーザー装置のレーザー光を回折する回折格子と、前記回折された前記レーザー光を反射し、光ディスクで反射した戻り光を透過させるハーフミラーと、前記ハーフミラーで反射された前記レーザー光を平行光にするコリメートレンズと、前記コリメートレンズを透過した前記レーザー光を反射する立ち上げミラーと、前記立ち上げミラーで反射されたレーザー光を前記光ディスクの信号記録面に合焦させる対物レンズと、前記信号記録層から反射された前記戻り光は、前記対物レンズ、前記立ち上げミラー、前記コリメートレンズ、前記ハーフミラーを通過し、前記戻り光の中の第1のレーザー光を反射し、前記戻り光の第2のレーザー光および第3のレーザー光を透過するダイクロイックミラーと、前記第1のレーザー光を検出する第1のフォトダイオードと、前記第2のレーザー光または前記第3のレーザー光を検出する第2のフォトダイオードとを有する光ピックアップ装置であり、前記半導体レーザー装置は、前記第1のレーザー光を発射し、中心からずれた位置に設けられた第1の発光点を有し、前記第1の発光点に近接した位置に第1の側面を有する第1半導体レーザー素子と、前記第1の側面に隣接して配置され、前記第1の側面と対向する第2の側面の近いほうから、前記第2のレーザー光を発射する第2の発光点および前記第3のレーザー光を発射する第3の発光点が設けられたモノリシック型の2波長半導体レーザー素子と、前記第1半導体レーザー素子および第2半導体レーザー素子がジャンクションダウンで設けられる支持基板とを備え、前記第2半導体レーザー素子の前記第2の側面は、前記支持基板から離間するに伴い、前記第1の側面との距離が大きくなるように傾斜し、前記第2のレーザー光または第3のレーザー光が、前記対物レンズの光軸と実質一致している事を特徴とした光ピックアップ装置。記第2の側面の前記支持基板側の角部が、前記第2半導体レーザー素子の共振器端面側から、前記共振器端面と対向する端面側に渡り切除される請求項7に記載の光ピックアップ装置。図9を参照して、3波長LD510から出射されるレーザー光を1つの対物レンズで集束する場合について説明する。図9は、1つのパッケージに3つのLDBD用LD501、DVD用LD502およびCD用LD503を実装した3波長LD510において、各LDから出射されるレーザー光と、これらを集束するための単一の光学系および単一の対物レンズとの近軸での関係を示した概略図である。各LD501、502、503をパッケージの支持基板511に横並びに配置して、3つのレーザー光を1つの対物レンズ505で集束させる場合、各LDから出た光はコリメータ504の中心に向かって進む。そしてコリメータ504で平行光となり、対物レンズ505へ入射する。このとき、3つの波長のレーザー光がそれぞれのLDから出射する位置発光点E1’、E2’、E3’間の距離が離間していると、コリメータ504の光軸に対して、ずれが生じるレーザー光が存在し、コリメータ504からの出射光は、ずれ量に対応した量の傾きθ1、θ2が発生する。そして傾いた光が対物レンズ505に入射されると、傾き量像高に応じた収差が発生してしまう。一例として、各発光点E1’、E2’、E3’とコリメータ504間の距離L1’が15mm、発光点E1’とE2間の距離L2’が0.3mmの場合、BD用LD501のコリメータ504からの出射光実線の傾きθ1は約1.2°となり、対物レンズの設計により異なるが例えば0.090λ程度の収差が発生し、光ピックアップ装置の性能悪化要因となる問題がる。このため3波長LDでは、3つの発光点E1’、E2’、E3’間の距離を近接させることが必要となる。しかし、図9の如く、3つの波長のLDを支持基板511に横並びに実装する場合には、これらの実装誤差が一般に例えば±20μmとされており、個々のLDの幅Wも200μm~300μm程度であるため、発光点E1’、E2’、E3’間の距離L2の短縮は困難であった。図10は他の3波長LD520を示す図であり、3波長LD520をレーザー光の出射方向であるY方向から見た側面図である。DVD用LDとCD用LDは同一の半導体基板上に集積化できるため、図10の如く、モノリシックチップとしたDVD/CD用LD506にBD用LD501を積層する3波長LD520の構造が採用できる。この場合、DVD/CD用LD506では、DVD用LDの発光点E2’とCD用LDの発光点E3’は、フォトリソグラフィで形成できる。このため、例えばこれらを独立して実装する場合図9と比較して、これらの実装誤差は吸収できる。そして、BD用LD501とDVD/CD用LD506を積層し、BD用LD501の発光点E1’と、DVD/CD用LD506のいずれかの発光点例えばE2’を一致させることにより、発光点間の距離はDVD/CD用LD506の2つの発光点E2’、E3’の距離L3’を考慮すればよいことになる。しかし、積層構造では特に上層のLD例えばBD用LD501の放熱性が悪く、信頼性が劣化する問題がある。特に、BD用LD501は発熱量も多いため、高い放熱性が望まれる。また、下段にDVD/CD用LD506を配置した場合、DVD/CD用LD506の半導体基板GaAs基板は放熱が悪いので、上段のBD用LD501の信頼性の悪化も懸念される。BD用LD501の放熱性向上を目的としてBD用LD501を下層に配置する構造も考えられるが、その場合BD用LD501のチップサイズを大きくする必要がある。BD用LD501は、半導体基板例えばGaN自体が高価なため、チップサイズの拡大はコストの高騰を招く問題がある。本発明は、前述の課題に鑑みて成され、中心からずれた位置に第1の発光点を有し、前記第1の発光点に近接した位置に第1の側面を有する第1半導体レーザー素子と、前記第1の側面に隣接して配置され、前記第1の側面と対向する第2の側面の近いほうから、第2の発光点および第3の発光点が設けられたモノリシック型の2波長半導体レーザー素子と、前記第1半導体レーザー素子および第2半導体レーザー素子がジャンクションダウンで設けられる支持基板とを備え、前記第2半導体レーザー素子の前記第2の側面は、前記支持基板から離間するに伴い、前記第1の側面との距離が大きくなるように傾斜し、前記第2の発光点から発射されるレーザー光が、実質光軸と重畳している事で解決するものである。更には、中心からずれた位置に第1の発光点を有し、前記第1の発光点に近接した位置に第1の側面を有する第1半導体レーザー素子と、前記第1の側面に隣接して配置され、前記第1の側面と対向する第2の側面の近いほうから、第2の発光点および第3の発光点が設けられたモノリシック型の2波長半導体レーザー素子と、前記第1半導体レーザー素子および第2半導体レーザー素子がジャンクションダウンで設けられる支持基板とを備え、前記第2半導体レーザー素子の前記第2の側面は、前記支持基板から離間するに伴い、前記第1の側面との距離が大きくなるように傾斜し、前記第2の側面の前記支持基板側の角部が、前記第2半導体レーザー素子の共振器端面側から、前記共振器端面と対向する端面側に渡り切除され、前記第2の発光点から発射されるレーザー光が、実質光軸と重畳している事で解決するものである。本発明の実施の形態によれば、以下の効果が得られる。第1に、チップサイズを小型化した第1LDBD用LDと、第2LDモノリシックのDVD/CD用LDをパッケージの支持基板に並べて横並びで配置し、第1LDの発光点を第2LDに近づくようにLDチップの中心からずらして設けることにより、3つの波長の発光点間隔を近接させることができる。第2に、第2LDに設けられたDVD用LDの発光点および、CD用LDの発光点の少なくとも一方を第2LDのチップ中心を基準とした位置より第1LD側にずらして設けることにより、3つの波長の発光点を更に近接させることができる。ここで、第2LDDVD/CD用LDはレーザー光の共振方向に延在する側面が傾斜しておりレーザー光の出射方向に直交する方向における断面形状が略平行四辺形状となる。つまりチップの中心から最も遠いコーナー部は、その向きによっては横並びで配置される第1LDとの干渉接触を避けるため十分な距離を確保する必要がある。第1LDと第2LDをいずれもp型クラッド層が下層になる支持基板と対向するように支持基板に実装する場合には、支持基板との実装面側において、第1LDと第2LDの距離が最も近接するように両者を隣り合わせて配置することで、チップの中心から最も遠いコーナー部の干渉を回避して、両チップを近接して配置できる。第3に、チップサイズを小型化した第1LDと、モノリシックの2波長の第2LDをパッケージの支持基板に並べて横並びで配置し、第2LDと対向する第1LDのの側面に切除部を設けることにより、2つのLDを近接して配置することができ、3つの波長の発光点間隔を近接させることができる。第2LDはレーザー光の共振方向に延在する側面が傾斜しており、第1LDと横並びで配置した場合、チップの中心から最も遠いコーナー部が第1LDと最も近接することになる。つまり、コーナー部が存在することにより、第1LDと近接できる距離も限界があり、発光点の距離の短縮も図れない。しかし、第2LDと対向する第1LDの側面の一部に切除部を設けることで、第1LDと第2LDの距離を近接させ、発光点間距離を近付けることができる。更に、第1LDと対向する第2LDの側面の一部にも切除部を設け、突出したコーナー部の一部を切除することで、第1LDと第2LDの距離を更に近接させることができる。第4に、本発明の半導体レーザー装置を用いることにより、3つの波長のレーザー光の光軸のずれを補正する特別な素子や構成を用いることなく、単一の対物レンズで3波長LDに対応可能となる。すなわち、横並びの3つの発光点の中央の発光点は、半導体レーザー装置の中心と一致し、対物レンズの光軸と一致している。つまり、1つの半導体レーザー装置から出射される3つの波長のレーザー光を、光軸を調整する手段を別途設けることなく、対物レンズの光軸と一致又は近接させることができる。これにより、部品点数を低減し、シンプルな構成で安価な3波長対応の光ピックアップ装置が実現できる。本発明の実施の形態を図1から図8を用いて詳細に説明する。まずは、図1から図6を参照して、本発明の第1の実施形態について説明する。図1は、本実施形態の光ピックアップ装置100の光学系を示す概略図である。図1Aは、光ピックアップ装置100の全体を示す図である。図1Bは、光記録媒体光ディスクと光学系との関係を示す概略図であり、図1Aのa-a線断面図である。尚、以下光ディスクDは、第1光ディスクD1、第2光ディスクD2、第3光ディスクD3の総称であり、実際には信号の読み出し動作や記録動作の対象となる第1光ディスクD1、第2光ディスクD2、第3光ディスクD3のいずれかが配置される。ここでは、光記録媒体の一例として、光ディスクで説明していく。光ピックアップ装置100は、光ディスク再生装置等の情報記録再生装置に実装されて用いられ、1つの対物レンズ16で集束させたレーザー光を光ディスクDに照射して、光ディスクDの情報記録面で反射した戻り光であるレーザー光を検出することで、光ディスクDからの情報の読み出し、または光ディスクDへの情報の書き込みを行う。本実施形態の光ディスクDは、具体的にはBD規格の第1光ディスクD1、DVD規格の第2光ディスクD2、およびCD規格の第3光ディスクD3である。第1光ディスクD1は、表面から信号記録層R1までの距離が短く、第3光ディスクD3は、表面から信号記録層R3までの距離が長く、第2光ディスクD2は、表面から信号記録層R2までの距離が第1光ディスクD1より長く第3光ディスクD3より短い。光ピックアップ装置100はそれぞれの光ディスクDに対応可能である。光ピックアップ装置100は、半導体レーザー装置1と、回折格子2と、ハーフミラー6aと、ダイクロイックミラー6bと、コリメートレンズ8と、立ち上げミラー17と、1/4波長板15と、対物レンズ16と、第1アナモフィックレンズ13aと、第2アナモフィックレンズ13bと、第1光検出器14aと、第2光検出器14bとを主に備えている。半導体レーザー装置1の詳細は後述するが、1つのパッケージ内に第1半導体レーザー素子および第2半導体レーザー素子の2つのチップを実装し、3つの波長のレーザー光を出射する。第1および第2半導体レーザー素子は、レーザーダイオードlaserdiode:LDである。第1レーザーダイオード以下、第1LDはBD規格またはHD-DVD規格の第1光ディスクD1の読み取りあるいは書き込みに用いられる第1波長例えば405nm:実線の第1レーザー光を出射するBD用LDである。第2レーザーダイオード以下、第2LDは、DVD規格の光ディスクに用いられる第2波長例えば650nm:破線の第2レーザー光と、CD規格のディスクに用いられる第3波長例えば780nm:一点鎖線の第3レーザー光とを出射するDVD/CD用LDである。回折格子2は、半導体レーザー装置1から放射された第1レーザー光、第2レーザー光および第3レーザー光を、0次回折光、1次回折光及び-1次回折光に分離する。ハーフミラー6aは、半導体レーザー装置1から放射されて回折格子2を経由する各レーザー光を-X方向に反射する一方、光ディスクDにより反射されたレーザー光戻り光をX方向に透過させる。光ディスクDで反射した戻り光は、半導体レーザー装置1から放射された時とは偏光方向が異なっており、X方向に透過する。コリメートレンズ8は、ハーフミラー6aにて反射されたレーザー光を平行光にする。また、コリメートレンズ8はモータ9によって、±X方向に対して移動可能に設けられている。この様にすることで、温度変化に基づく対物レンズ16の光学特性の劣化が補正可能となる。更には、光ディスクDの情報記録層を被覆するカバー層の厚さの違いや多層構造の光記録媒体における各情報記録層のカバー厚の違いによって生じる球面収差が補正される。立ち上げミラー17は、コリメートレンズ8を透過したレーザー光が入射され、-X方向に進行するレーザー光を、Z方向に反射する働きを有する。1/4波長板15は、立ち上げミラー17のZ方向の直上に設けられ、立ち上げミラー17で反射されたレーザー光を直線偏光光から円偏光光に変換する作用を有し、光ディスクDにて反射された戻り光を円偏光光から直線偏光光に変換する機能を備えている。対物レンズ16は、立ち上げミラー17のZ方向の直上に配置されており、立ち上げミラー17にてZ方向に立ち上げられたレーザー光を、光ディスクDの信号記録面に合焦させる働きを有する。本実施形態では、単一の対物レンズ16が、BD、DVDおよびCDの記録再生に用いられる第1レーザー光実線、第2レーザー光破線および第3レーザー光一点鎖線で共用される。ここで、対物レンズ16が共用されず、BD用の第1レーザダイオードと、DVD/CD用の第2レーザダイオードは、それぞれ別々の対物レンズが用いられても良い。ダイクロイックミラー6bは、特定の波長のレーザー光を反射し、その他の波長のレーザー光を透過させる。本形態では、ダイクロイックミラー6bは、DVDおよびCDに用いられる第2レーザー光および第3レーザー光を透過し、BDに用いられる第1レーザー光を反射する。第1アナモフィックレンズ13aは、ダイクロイックミラー6bで反射して第1光検出器PhotoDiodeIC、以下PDIC14aに照射されるレーザー光に対して、非点収差を付与する。第2アナモフィックレンズ13bは、ダイクロイックミラー6bで透過して第2PDIC14bに照射されるレーザー光に対して、非点収差を付与する。第1PDIC14aは、第1レーザー光の戻り光が集光されて照射される位置に設けられ、フォトダイオードが配列された4分割センサー等にて構成される。第2PDIC14bは、第2レーザー光または第3レーザー光の戻り光が集光されて照射される位置に設けられ、フォトダイオードが配列された4分割センサー等にて構成される。第1PDIC14aおよび第2PDIC14bは、各レーザー光を受光して信号検出を行うと共に、フォーカスサーボおよびトラッキングサーボが行われる。第1PDIC14aおよび第2PDIC14bを用いて行われるサーボには、光ディスクの記録面垂直方向の焦点合わせの為のフォーカスサーボと、光ディスクの記録トラックに追従する半径方向の位置合わせのためのトラッキングサーボとが含まれる。フォーカスサーボとしては非点収差法または差動非点収差法が採用可能である。トラッキングサーボとしては、プッシュプル法、差動プッシュプル法、インラインDPPDifferentialPushPull、DPP法または3ビーム法が採用可能である。次に、光ピックアップ装置100の読み出し動作および書き込み動作を説明する。半導体レーザー装置1からは、波長が異なる3つのレーザー光第1レーザー光、第2レーザー光および第3レーザー光が放射されるが、これらのレーザー光の光路は以下に述べるように光ディスクDに照射されるまでは同一である。更にまた、以下の動作は、読み出しおよび書き込みで同様である。半導体レーザー装置1から放射された各レーザー光は、回折格子2を通過することで0次回折光、1次回折光および-1次回折光に分離される。これは、第1PDIC14a、第2PDIC14bにてトラッキングサーボおよびフォーカスサーボを行うためである。回折格子2を通過したレーザー光は、ハーフミラー6aにて-X方向に反射され、その後、コリメートレンズ8により平行光に変換され、立ち上げミラー17でZ方向に反射されることにより光ディスクDに対して垂直方向Z方向に進行する。レーザー光は、1/4波長板15を通過することで円偏光光に変換された後に、対物レンズ16に入射された後、アクチュエータ不図示で支持される対物レンズ16の集光動作によって光ディスクDに合焦される。具体的には、第1レーザー光は第1光ディスクD1に設けられている信号記録層R1に集光スポットとして照射され、信号記録層R1に照射された第1レーザー光は信号記録層R1にて戻り光として反射される。第2レーザー光は第2光ディスクD2に設けられている信号記録層R2に集光スポットとして照射され、信号記録層R2に照射された第2レーザー光は信号記録層R2にて戻り光として反射される。第3レーザー光は第3光ディスクD3に設けられている信号記録層R3に集光スポットとして照射され、信号記録層R3に照射された第3レーザー光は信号記録層R3にて戻り光として反射される。詳細は後述するが、本実施形態では、第2レーザー光または第3レーザー光の光軸が、対物レンズ16の光軸と一致するように、第2LD12が配置されている。光ディスクDの信号記録層R1、R2、R3から反射された戻り光は、対物レンズ16、1/4波長板15、立ち上げミラー17、コリメートレンズ8を通してハーフミラー6aに入射される。戻り光であるレーザー光は、1/4波長板15を通過する際に円偏光光から直線偏光光に変換される。このため、戻り光の偏光方向が90度回転し偏光依存性のあるハーフミラー6aを透過し、制御用レーザー光となる。また、偏光依存性の無いハーフミラーを用いる事もあり、この場合はハーフミラー6aに入射される戻り光は、ハーフミラー6aにて略50反射され、略50制御用レーザー光としてハーフミラー6aを透過することになる。第1アナモフィックレンズ13aはハーフミラー6aを透過し、ダイクロイックミラー6bで反射された第1レーザー光の制御用レーザー光が入射される。制御用レーザー光には、フォーカスサーボ用の非点収差が付与され、第1PDIC14aに到達する。第2アナモフィックレンズ13bはハーフミラー6aおよび、ダイクロイックミラー6bを透過した第2レーザー光または第3レーザー光の制御用レーザー光が入射される。制御用レーザー光には、フォーカスサーボ用の非点収差が付与され、第2PDIC14bに到達する。第1PDIC14a、第2PDIC14bには、周知の4分割センサー等が設けられており、メインビームの照射動作によって光ディスクDの信号記録層に記録されている信号の読み取り動作に伴う信号生成動作及び非点収差法によるフォーカシング制御動作を行うためのフォーカスエラー信号生成動作、そして2つのサブビームの照射動作によってトラッキング制御動作を行うためのトラッキングエラー信号生成動作を行うように構成されている。斯かる各種の信号生成のための制御動作は、周知であるので、その説明は省略する。このように、本実施形態の光ピックアップ装置100は、半導体レーザー装置1から出射される3つの波長の光を光ディスクDに導くとともに、光ディスクDで反射する3つのレーザー光を第1PDIC14a、第2PDIC14bに導く光学系を備える。図2を参照して、本実施形態の半導体レーザー装置1を説明する。図2Aが半導体レーザー装置1の外観を示す斜視図であり、図2Bが半導体レーザー装置1の内部を示す斜視図である。半導体レーザー装置1は、第1半導体レーザー素子第1LD11と、第2半導体レーザー素子第2LD12と、これら2つのレーザー素子11、12を収容するパッケージ100とを有する。パッケージ100は導電性材料からなる略丸型のキャンCANタイプのパッケージであり、略円盤形の基板部103Aと基板部と一体化された板状部103Bからなるステム103と、端子101、102と、蓋体104とを備えている。ステム103は導電性材料からなり、板状部には支持基板105が設けられる。支持基板105は、例えばAlN窒化アルミニウムや不純物を高濃度にドープしたシリコン基板などの導電性材料、または半絶縁性若しくは絶縁性のシリコン基板などである。またセラミック基板でも良い。支持基板105上には、第1LD11と、第2LD12が半田や導電性ペーストなどの導電性接着材によって固着される。第1LD11と、第2LD12は横並びで実装され、蓋体104により封止されている。蓋体104には、レーザー光を透過する材料からなるレーザー光の取り出し窓104aが設けられている。また、端子101は、機械的にステム103と接続されており、端子102は、機械的および電気的にステム103と接続されている。端子102は接地端子として用いられる。ステム103の外部に延びる端子101、102の一端は、それぞれ図示しない駆動回路に接続される。第1LD11と、第2LD12は、レーザー光の出射方向が半導体レーザー装置1の外側取り出し窓104a側:Y方向に向かうとともに、第2LD12から出射される第2レーザー光または第3レーザー光が取り出し窓104aの略中心を通過するように支持基板105上に実装されている。図3を参照して、第1LD11の具体的構成について説明する。図3は、第1LD11を構成する各半導体層を説明するための概要図であり、Y方向から見た第1LD11の側面図である。第1LD11は、窒化物系化合物の半導体層により形成された青紫色半導体レーザー素子である。すなわち第1LD11は、n型GaN基板110の主面上に、n型AlGaNからなるn型クラッド層112、In組成の高いInGaNからなる量子井戸層とIn組成の低いInGaNからなる障壁層とが交互に積層された多重量子井戸MQW構造を有する活性層113、および、p型AlGaNからなるp型クラッド層114が形成されている。なお、n型クラッド層112と活性層113との間に、光ガイド層図示せずやキャリアブロック層図示せずなどの他の半導体層が形成されていてもよい。また、n型クラッド層112の活性層113と反対側に、コンタクト層図示せずなどの他の半導体層が形成されていてもよい。また、活性層113とp型クラッド層114との間に、光ガイド層図示せずやキャリアブロック層図示せずなどの他の半導体層が形成されていてもよい。また、p型クラッド層114の活性層113と反対側に、コンタクト層図示せずなどの他の半導体層が形成されていてもよい。また、活性層113は、単層または単一量子井戸SQW構造などにより構成されてもよい。また、p型クラッド層114は、凸部と、凸部の両側に延びる平坦部とを有している。このp型クラッド層114の凸部によって、活性層113の部分に光導波路を構成するためのリッジ部115が形成されている。これによりリッジ部115下方の活性層113の端部に、第1波長のレーザー光を出射する第1発光点E1が形成される。p型クラッド層114の平坦部の上面とリッジ部115の側面とを覆うように絶縁膜からなる電流ブロック層116が形成され、p型クラッド層114および電流ブロック層116の上面を覆うように、Auなどからなるp側電極117が形成されている。なお、リッジ部115とp側電極117との間には、p型クラッド層114よりも好ましくはバンドギャップが小さいコンタクト層図示せずやオーミック電極層図示せずなどが形成されていてもよい。また、n型GaN基板110の下面上に、n型GaN基板110から近い順に、Ti層、Pt層およびAu層からなるn側電極118が形成されている。図4を参照して、第2LD12の具体的構成について説明する。図5は、第2LD12を構成する各半導体層を説明するための概要図であり、Y方向から見た第1LD12の側面図である。第2LD12は、同一のn型GaAs基板120に赤色半導体レーザー素子20と赤外半導体レーザー素子30を集積化したモノリシック2波長半導体レーザー素子である。尚、ここでは、2つのレーザ素子が作りこまれているが、複数のレーザ素子が作りこまれたモノリシック型の多波長半導体レーザ素子でも良い。赤色半導体レーザー素子20は、Pリンを含む化合物の半導体層により形成されている。すなわち、n型GaAs基板120の主面上に、n型AlGaInPからなるn型クラッド層212、GaInPからなる量子井戸層とAlGaInPからなる障壁層とが交互に積層された活性層213、および、p型AlGaInPからなるp型クラッド層214が形成されている。なお、n型クラッド層212と活性層213との間に、光ガイド層図示せずやキャリアブロック層図示せずなどの他の半導体層が形成されていてもよい。また、n型クラッド層212の活性層213と反対側に他の半導体層が形成されていてもよい。また、活性層213とp型クラッド層214との間に、光ガイド層図示せずやキャリアブロック層図示せずなどの他の半導体層が形成されていてもよい。また、p型クラッド層214の活性層213と反対側に、コンタクト層図示せずなどの他の半導体層が形成されていてもよい。また、活性層213は、単層またはSQW構造などにより構成されてもよい。また、p型クラッド層214は、凸部と、凸部の両側に延びる平坦部とを有している。このp型クラッド層214の凸部によって、活性層213の部分に光導波路を構成するためのリッジ部215が形成されている。これによりリッジ部215下方の活性層213の端部に、第2波長のレーザー光を出射する第2発光点E2が形成される。p型クラッド層214の平坦部の表面とリッジ部215の側面とを覆うように絶縁膜からなる電流ブロック層216が形成されている。p型クラッド層214および電流ブロック層216の表面を覆うように、Auなどからなるp側電極217が形成されている。なお、リッジ部215とp側電極217との間には、p型クラッド層214よりも好ましくはバンドギャップが小さいコンタクト層図示せずやオーミック電極層図示せずなどが形成されていてもよい。また、n型GaAs基板120の上面上に、n型GaAs基板120から近い順に、Ti層、Pt層およびAu層からなるn側電極218が形成されている。赤外半導体レーザー素子30は、Asヒ素を含む化合物の半導体層により形成されている。すなわち、n型GaAs基板120の主面上に、n型AlGaAsからなるn型クラッド層312、Al組成の低いAlGaAsからなる量子井戸層とAl組成の高いAlGaAsからなる障壁層とが交互に積層された活性層313、および、p型AlGaAsからなるp型クラッド層314が形成されている。n型クラッド層312と活性層313との間に、光ガイド層図示せずやキャリアブロック層図示せずなどの他の半導体層が形成されていてもよい。また、n型クラッド層312の活性層313と反対側に他の半導体層が形成されていてもよい。また、活性層313とp型クラッド層314との間に、光ガイド層図示せずやキャリアブロック層図示せずなどの他の半導体層が形成されていてもよい。また、p型クラッド層314の活性層313と反対側に、コンタクト層図示せずなどの他の半導体層が形成されていてもよい。また、活性層313は、単層またはSQW構造などにより構成されてもよい。p型クラッド層314は、凸部と、凸部の両側に延びる平坦部とを有している。このp型クラッド層314の凸部によって、活性層313の部分に光導波路を構成するためのリッジ部315が形成されている。これによりリッジ部315下方の活性層313の端部に、第3波長のレーザー光を出射する第3発光点E3が形成される。p型クラッド層314の平坦部の表面とリッジ部315の側面とを覆うように絶縁膜からなる電流ブロック層316が形成されている。また、p型クラッド層314および電流ブロック層316の表面を覆うように、Auなどからなるp側電極317が形成されている。なお、リッジ部315とp側電極317との間には、p型クラッド層314よりも好ましくはバンドギャップが小さいコンタクト層図示せずやオーミック電極層図示せずなどが形成されていてもよい。また、n型GaAs基板120の裏面はn側電極218が設けられる。図5は、図3および図4の構成を有する第1LD11および第2LD12を、ウエハから個別のチップに分割する状態を示す図である。いずれの図も各半導体層の詳細は省略し、チップ外観の概要図で示しており、図5AからCは第1LD11の場合であり、図5DからFは第2LD12の場合である。第1LD11および第2LD12はいずれも劈開加工によって、個別のチップに分割される。劈開加工は、ウエハ上にマトリックス状に配列された各チップを、一行複数列または一列複数行のバー状のチップ群に分割する一次劈開と、バー状のチップ群を個別のチップに分割する二次劈開がある。図5Aは第1LD11の一次劈開後のバー状のチップ群11Bを示す斜視図であり、図5Bは個別の第1LD11のチップを示す斜視図、図5CはXZ面の側面図である。バー状のチップ群11Bは、ウエハチップ群11Bの一主面から厚み方向の所定深さまで例えばレーザーによるハーフダイシングなどで部分的に劈開溝50が形成される。そして劈開溝50に荷重を加えることにより個々の第1LD11に劈開される図5B。またこのZY面は、図5Aの点線の部分で、溝50の幅よりも薄くフルカットしても良い。図面は、レーザーでハーフダイスするため、溝は、U字であり、図8Cでは、左右がL字となる。一次劈開による劈開面XZ面が第1LD11の共振器端面51となる。また、以下の説明においては、二次劈開面となりレーザー光の共振方向Y方向に伸びるYZ面を第1LD11のチップの側面52と称し、ウエハの両主面であるYX面のうち、第1発光点E1に近い面p側電極117図3参照が設けられる側をチップの上面53とし、その対向面n側電極118図3参照が設けられる側を下面54と称する。第1LD11のチップは、側面52が上面53および下面54に対して略垂直な略直方体形状に分割され、側面52の上面53側の端部には、劈開溝50の一部である切除部55が設けられる。切除部55によってチップの上面53付近のチップ幅は、チップの下面54付近のチップ幅より狭くなっている。リッジ部115図3参照は、共振器方向Y方向に沿って延びるように形成されている。また、本実施形態では、第1LD11のリッジ部115は、素子チップの中央部C1線から一方側例えばX方向に寄せられた位置に設けられる。共振器端面51は第1発光点E1を有し、第1波長の第1レーザー光はY方向に出射される。つまり本実施形態では、第1LD11の第1発光点E1は、第1LD11のチップの中心C1線より例えばX方向の端部にずれた位置に設けられる。一例として、一方の側面52から30μm、他方の側面52から70μmの位置に第1発光点E1が設けられる。図5Dは第2LD12について一次劈開後のバー状のチップ群12Bを示す斜視図であり、図5Eは個別の第2LD12のチップを示す斜視図、図5FはXZ面の側面図である。第2LD12では、個々のチップを区画する端部に、ウエハチップ群12Bの一主面から厚み方向の所定深さまでの溝60が設けられる。溝60は例えば製造工程中に設けられるエッチング溝であるが、第1LD11の場合と同様に劈開加工前にレーザーなどによって設けられた溝であってもよい。この溝60に荷重を加えることにより個々の第2LD12に分割する。尚、この溝の形状は、主にVとUで形成できる。エッチングやブレードによるダイシングでは、V字またはU字、レーザダイシングでは、U字で形成が可能である。この場合も、一次劈開による劈開面XZ面が第2LD12の共振器端面61となる。また、以下の説明において、二次劈開面となりレーザー光の共振方向に伸びるYZ面を第2LD12のチップの側面62と称し、ウエハの両主面となるYX面のうち、第2発光点E2および第3発光点E3に近い面p側電極217、317図4参照が設けられる側をチップの上面63とし、その対向面n側電極218、318図3参照が設けられる側を下面64と称する。第2LD12のチップの側面62は、上面63および下面64に垂直な面ZY面から所定の角度で傾斜した傾斜面として分割される。これは、第2LD12のn型GaAs基板120の結晶方位が、水平面たとえばウエハ底面Sfから約10°傾いている図5Dの一点鎖線ためである。n型GaAs基板120上に積層される各半導体層もこの傾きをもって堆積され、結晶強度の低い部分に沿って破線のごとく劈開される。すなわち、分割された第2LD12の側面62は傾斜面となり、共振器端面61の正面形状Y方向に直交する断面形状が略平行四辺形となる。尚、ここで言う平行四辺形は、対向する2つの角が鈍角で、もう一つの対向する二つの角が鋭角になるものを言う。第2LD12にも、側面62の上面63側の端部には、溝60の一部である切除部65が設けられる。切除部65によってチップの上面63付近のチップ幅は、チップの下面64付近のチップ幅より狭くなっている。リッジ部215、315図4参照は、共振器方向Y方向に沿って延びるように形成されている。また、リッジ部215、315は、素子チップの中央部C2線から一方側例えば-X方向に寄せられた位置に設けられる。共振器端面61は、赤色半導体レーザー素子20の第2発光点E2および赤外半導体レーザー素子30の第3発光点E3を有する。第2発光点E2から第2波長の第2レーザー光がY方向に出射され、第3発光点E3からは第3波長の第3レーザー光がY方向に出射される。つまり、第2発光点E2と、第3発光点E3は、第2LD12のチップの中心C2線を基準とした位置から例えば-X方向の端部にずれた位置に設けられる。ここでチップの中心を基準とした位置からずれるとは、第2発光点E2および第3発光点E3がいずれもチップの中心チップの断面形状を切除部65がない略平行四辺形とした場合の対角線の交点C0からから等距離にある場合一点鎖線を基準として、そこからチップ端部にずれることをいう。尚、第2発光点E2と第3発光点E3のずれ量は等しくなくてもよいが、ずれる方向は同じ方向とする。また、第2発光点E2と第3発光点E3はいずれか一方がずれるのみであってもよい。更に、第1LD11の第1発光点E1のみ第2LD12側の端部にずらし、第2LD12の第2発光点E2と第3発光点E3は、2LD12のチップの中心C2線を基準とした位置に設けてもよい。本実施形態では、第1LD11の製造工程上の技術の向上とレーザー等による劈開溝50の形成によって、チップサイズチップ幅を小さくすることができる。GaAs基板第2LD12の場合、劈開加工は、結晶方位と結晶成長時のマイクロクラックを利用して劈開位置と方向が決まる図5D。一方、本実施形態の第1LD11のGaN基板110は硬いため、レーザーのハーフダイスなどによって劈開溝50を形成しなければ、劈開ができないが、所望の位置に劈開溝50を形成することで、所望の幅で劈開することができる。つまり、第1LD11では、従来のGaAs基板における劈開方法の限界を超えた狭幅化を実現している。具体的には、第1LD11のチップサイズチップ幅W1は、例えば100μm程度まで小さくすることができ、従来の2分の1から3分の1程度のサイズとなっている。第2LD12のチップ幅W2は200μm~300μm程度である。このように本実施形態の第1LD11は、チップサイズが従来より小さいため、第1LD11のコストも低減でき、支持基板105とGaN基板の応力も緩和できる。また、支持基板105に直接実装できるので、第2LD12との積層構造と比較して放熱性も良好となる。尚、第1LD11の劈開溝50としてV字状の溝の場合を例に説明したが、第2LD12のように凹字状の溝であってもよく、その場合第1LD11の切除部55は、第2LD12の切除部65の如くL字の段差形状となる。図6を参照して、本実施形態の第1LD11と第2LD12の実装構造について説明する。図6Aは、レーザー光の出射方向であるY方向から見た図であり、図6Bは、図6Aの丸印付近の拡大図であり、図6Cは、第1LD11と第2LD12をZ方向から見た図である。既述の如く、第1LD11と第2LD12は、支持基板105上に、X方向において隣り合うように横並びに配置される。第1LD11と第2LD12はジャンクションダウンで配置する。ジャンクションダウンとは、第1発光点E1、第2発光点E2および第3発光点E3が支持基板105に近づくように、すなわち第1LD11のp型クラッド層114図3参照および第2LD12のp型クラッド層214、314図4参照と支持基板105とを対向配置する実装方式である。ジャンクションダウンでは、第1発光点E1、第2発光点E2および第3発光点E3が支持基板105に近いので、n型GaN基板110およびn型GaAs基板120が支持基板105と対向するジャンクションアップの構造に比べて放熱性が良好となる利点がある。支持基板105上の導電パターン107と、対応する第1LD11のp側電極117および第2LD12のp側電極217、317とが半田または導電ペースト等の導電性接着材106で固着される。第1LD11は、中心より端部にずらした第1発光点E1が第2LD12に近接する並び図6Aでは第2LD12のX側で、支持基板105上に固着される。本実施形態では、第2LD12の第2発光点E2および第3発光点E3も、チップの中心を基準とした位置からチップの端にずらして設けられるが、ずらす方向は第1LD11と並べて配置した場合に、第1LD11側に近づく方向ここではX側とする。そして、第1LD11と第2LD12は、それぞれ第1発光点E1、第2発光点E2および第3発光点E3に近いチップの主面側において第1LD11と第2LD12との距離が最も近接するように配置される。すなわち、第1LD11と第2LD12とはチップの上面53、63側の距離が、下面54、64側の距離より小さくなるように、支持基板105との実装面側において最も近接する。例えば、図6Bに於いて、第1LD11の点線で示すコーナーと第2LD12の点線で示すコーナーが実質重なるか、隣接する程度にすることが可能である。既述の如く本実施形態の第1LD11はチップサイズが従来より小さく、また第1発光点E1をチップ中心寄りずらした位置に設けているので、第1LD11と第2LD12を支持基板105上に横並びで配置する構造であっても、第1発光点E1、第2発光点E2および第3発光点E3の距離を近づけることができる。ここで、第2LD12は側面62が傾斜面であるので、チップの中心C0から近いコーナー部P1と遠いコーナー部P2が存在する。チップの中心から遠いコーナー部P2は、チップが略直方体形状の場合と比較して幅方向に突出する部分であり、これと隣接して配置される第1LD11は、コーナー部P2との干渉を考慮した場合には十分な距離を確保する必要がある。例えば、ジャンクションダウンの場合に、図6Aにおいて第1LD11を矢印Oの位置に配置すると、コーナー部P2が第1LD11側に突出しているので、第1発光点E1と第3発光点E3を近接させるにも限界がある。本実施形態では、図6Bのごとく、第1LD11の側面52の上面53付近に、角部が位置している。この角部は、紙面手前の端面51から、紙面裏側の、もう一つの端面まで全域に渡り、切除部55が設けられている。更に、この面52と対向する第2LD12の側面62の上面63付近にも角部が位置し、紙面手前の端面61から、紙面裏側の、もう一つの端面まで全域に渡り、切除部65が設けられている。このため、両チップの位置関係として、第1LD11と第2LD12の対向面側面52、62において第1LD11の切除部55が第2LD12の切除部65と最も近接するように対向配置する。すなわち図6AではX側に第1LD11を配置し、-X側に第2LD12を配置することで、第2LD12のコーナー部P2の干渉を考慮することなく、第1LD11を第2LD12に近接して配置することができる。なお切除部55は、溝50を利用しているが、別途別の方法で設けられた切除部であってもよい。第2LD12は2波長LDであり、発光点を横並びで2つ設けるため、基板の厚み100μmまでの狭幅化は必要とされない。また、第2LD12は、GaAs基板120であり、ハーフダイスを行わなくても、基板の厚みの2倍200μm幅程度まで劈開が可能である。つまり、劈開後に段差形状切除部65が残るような溝60を設けなくても、例えば劈開位置に小さな傷を設けるのみで、劈開が可能な場合がある。しかし、第1LD11側面52だけでなく、少なくとも第1LD11と隣接する第2LD12の側面62に、上面63付近のチップ幅が底面64付近のチップ幅より狭くなるような切除部65を設けることで、第1LD11と第2LD12とをより近接して配置することができる。一例として、第2LD12について、n型GaAs基板120の傾きオフセットが10°の場合、切除部65の深さdを20μmにすることで図6B、コーナー部P2を幅方向に3.52μm切除することができる。つまり、切除部65を設けない場合と比較して、第1LD11との距離を3.52μm縮小することができる。尚、第2LD12に切除部65が設けられない場合であっても、第1LD11と第2LD12の対向面側面52、62において、第1LD11の切除部55が第2LD12と最も近接するように対向配置する。チップ中心C0から最も遠いコーナー部P2がチップ幅方向に突出しても、第1LD11の切除部55によって、チップ間の距離を近接配置できる。逆に、第1LD11の切除領域55を設けず、第2LD12の切除領域65を設けるだけでもチップ間の距離を短くすることができる。以上の構成により、本実施形態では、一例として、第1発光点E1と第2発光点E2の間隔L1を90μm実装誤差として更に±20μmまで縮小することができる。また第2発光点E2と第3発光点E3の間隔L2は、例えば80μmフォトリソグラフィの加工誤差として更に±1μmである。よってフォトリソグラフィの精度によっては、90μm以下とすることもでき、下限は、図6Bに於いて、第1LD11の点線で示すコーナーと第2LD12の点線で示すコーナーが実質重なるか、隣接する程度の間隔まで可能である。また、第1LD11と第2LD12のいずれも支持基板105に実装できるので、積層構造の場合と比較して放熱性が良好となる。図6Cを参照して、第1発光点E1、第2発光点E2および第3発光点E3、支持基板105の主面に対して略垂直な平面XZ平面内に設けられる。第1LD11および第2LD12から放射される各レーザー光は光ピックアップ装置100の光軸に平行であり、この光軸は例えば第2レーザー光破線矢印と重畳している。つまり横並びの3つの発光点の中央の発光点ここでは第2発光点E2から出射するレーザー光ここでは第2レーザー光の光軸は、半導体レーザー装置1の中心と一致し、対物レンズ16の光軸と一致している。本実施形態では、1つの半導体レーザー装置1から出射される3つの波長のレーザー光を、光軸を調整する手段を別途設けることなく、対物レンズ16の光軸と一致又は近接させることができる。発光点の距離を近付けることで、例えば図9の場合と比較して、第1LD11のコリメータ8からの出射光の傾きを小さくでき図9のθ1に相当する角度が例えば0.3°、この傾きによって発生する対物レンズ16の収差を、0.01λ以下にすることができる。3つの発光点はいずれもフォトリソグラフィ工程で形成されるので、隣り合うチップに互いに近づくように3つの発光点のずれ量を大きくすれば、発光点間隔は更に縮小できる。しかし、ずれ量を大きくしすぎると、以下の弊害も発生するおそれがある。第1には、光漏れや電流漏れによる特性不良が発生する。第2には、個別のチップに分割する際の欠けやストレスが発光点に及び、信頼性を劣化させる。第3には、発熱や放熱の分布が変動するので、温度特性や信頼性に影響を与える。従って、上記の弊害が生じない範囲で、発光点のずれ量を適宜選択することで、上記実施形態の例に限らず、発光点間隔を縮小することができる。尚、第1LD11と第2LD12の実装誤差±20μmにより、第1発光点E1と、第2発光点E2および第3発光点E3の位置にも誤差が生じる。第1の実施形態では、第1レーザー光第1LD11の制御用レーザー光を受光する第1PDIC14aと、第2レーザー光または第3レーザー光第2LD12の制御用レーザー光を受光する第2PDIC14bを独立して設けている図1A参照。このため、第1発光点E1と、第2発光点E2および第3発光点E3との実装誤差±20μmは、対応する第1PDIC14a、第2PDIC14bをそれぞれ調整することにより吸収できる。図7は、本発明の第2の実施形態を示す図であり、図5の第1LD11および第2LD12をジャンクションアップで実装した場合の一例である。ジャンクションアップとは、第1発光点E1、第2発光点E2および第3発光点E3が支持基板105から離れるように、すなわち第1LD11のn型GaN基板110および第2LD12のn型GaAs基板120と支持基板105とを対向配置する実装方式である。支持基板105上の導電パターン107と対応する第1LD11のn側電極118および第2LD12のn側電極218とが半田または導電ペースト等の導電性接着材106で固着される。この場合も、第1発光点E1、第2発光点E2および第3発光点E3に近いチップの主面側において第1LD11と第2LD12との距離が最も近接するように配置する。すなわち、第1LD11と第2LD12とはチップの下面54、64側の距離が、上面53、63側の距離より大きくなるように配置する。そして、第1発光点E1と第2発光点E2の距離が近づくように第1LD11を第1の実施形態図6とは逆側-X側に配置する。更に第1LD11および第2LD12は対向する側面52、62に切除部55、65が設けられ、両チップの位置関係において、切除部55、65がもっとも近接するように対向配置する。これらによって、第2LD12のチップのコーナー部P2との干渉を回避して、2つのチップを近接配置でき、発光点間距離を低減できる。これ以外の構成は、第1の実施形態と同様であるので説明は省略する。図8を参照して、第3の実施形態について説明する。光ディスクDで反射した各レーザー光戻り光は、一つのPDIC14で受光してもよい。図8Aは、第3の実施形態の光ピックアップ装置101の光学系を示す概要図であり、図8Bは、図8Aにおいて各レーザー光がPDIC14に入射する場合の光路を示す概要図である。尚、第1の実施形態の光学系図1と同一構成要素は同一符号で示し、その説明は省略する。光ピックアップ装置101は、半導体レーザー装置1と、回折格子2と、ハーフミラー6と、コリメートレンズ8と、立ち上げミラー17と、1/4波長板および対物レンズここでは不図示、図1B参照と、アナモフィックレンズ13と、PDIC14と、光軸補正素子18とを主に備えている。ハーフミラー6は、半導体レーザー装置1から放射されて回折格子2を経由する各レーザー光を-X方向に反射する一方、光ディスクDにより反射されたレーザー光戻り光をX方向に透過させる。アナモフィックレンズ13は、ハーフミラー6を透過してPDIC14に照射されるレーザー光に対して、非点収差を付与する。PDIC14は、複数たとえば2つの受光領域を備えている図8B。PDIC14は、各レーザー光を受光して信号検出を行うと共に、フォーカスサーボおよびトラッキングサーボが行われる。次に、光ピックアップ装置101の読み出し動作および書き込み動作について説明する。半導体レーザ装置1から光ディスクDに到達するまでは、第1の実施形態と同様である。光ディスクDの信号記録層R1、R2、R3から反射された戻り光は、不図示の対物レンズおよび1/4波長板、立ち上げミラー17、コリメートレンズ8及びを通してハーフミラー6に入射される。戻り光である各レーザー光は、1/4波長板を通過する際に円偏光光から直線偏光光に変換される。このため、戻り光の偏光方向が90度回転し偏光依存性のあるハーフミラー6を透過し制御用レーザとなる。また、偏光依存性の無いハーフミラーを用いる事もあり、この場合はハーフミラー6に入射される戻り光は、ハーフミラー6にて略50反射され、略50制御用レーザー光としてハーフミラー6を透過することになる。アナモフィックレンズ13はハーフミラー6を透過した3つの波長の制御用レーザー光が入射される。制御用レーザー光には、フォーカスサーボ用の非点収差が付与され、光軸補正素子18を介して、PDIC14に到達する。図8Bを参照して、光軸補正素子18は、特定の波長のレーザー光の進行方向を変えるものであり、例えばアナモフィックレンズ13とPDIC14の間に配置する。光軸補正素子18は、例えば、最も波長が短い第1レーザー光実線を回折することによりその進路を傾斜させ、第1レーザー光よりも波長が長い第2レーザー光破線および第3レーザー一点鎖線は基本的には回折させずに進行方向を変えずにそのまま透過させる。具体的には、光軸補正素子18は、光ピックアップ装置101の光軸に対して平行に進行する第1レーザー光を回折させることで、その進行方向を第2レーザー光に接近するように所定の角度θ°で傾斜させている。ここで、第1LD11および第2LD12から放射される各レーザー光は光ピックアップ装置101の光軸に平行であり、この光軸は例えば第2レーザー光と重畳している。PDIC14は、2つの受光領域第1受光領域141、第2受光領域142を備えている。第1LD11と第2LD12の実装誤差によって、第1発光点E1と、第2発光点E2および第3発光点E3に誤差が生じるが、第3の実施形態では光軸補正素子18によりこの誤差を吸収でき、一つのPDIC14で3波長の受光が可能となる。例えば、第1発光点E1から出射された第1レーザー光の戻り光は、光軸補正素子18にて所定の角度θ°で回折し、第1受光領域141に照射される。第2発光点E2から出射された第2レーザー光の戻り光は、光軸補正素子18を透過し、第1受光領域141に照射される。つまり、光軸補正素子18により、第1レーザ光と第2レーザー光をPDIC14に入射する際に近接させることができ、2つの波長のレーザー光を1つの受光領域第1受光領域141にて検出することができる。第3発光点E3から出射された第3レーザー光の戻り光は、光軸補正素子18を透過し、第2受光領域142に照射される。ここで、第1レーザー光と第2レーザー光は、近接できるといっても、第1LD11と第2LD12の実装誤差によって、完全に又は必要なだけ十分に一致させることができない場合がある。具体的には、第2発光点E2および第3発光点E3の距離がαで、第1発光点E1と第2発光点E2の距離がβの場合、第1LD11と第2LD12の実装誤差によって、第1レーザー光の戻り光をθ°で回折した場合でも、第1受光領域141において合焦位置からβ’のずれが生じる場合がある。この場合は、PDIC14の位置を固定し、光軸補正素子18を±Y方向に移動させることで、β’が変化するので、第1発光点E1と例えば第2発光点E2の誤差を吸収できる。このように、本実施形態の光ピックアップ装置101によれば、半導体レーザー装置1から出射される3つの波長の光を光ディスクDに導くとともに、光ディスクDで反射する3つのレーザー光を一つのPDIC14に導く一組の光学系で構成できる。本実施形態では、単波長のLDと、モノリシック2波長LDを1パッケージに集積化した半導体レーザー装置において、支持基板上に2つのLDを横並びに配置した場合に、各LDの発光点が半導体レーザー装置の中心に近づくように、各チップの中心からずらして各LDの発光点を設けるものである。また、支持基板上に2つのLDを横並びに配置した場合に、傾斜面を有するモノリシック2波長LDの突出したコーナー部が単波長LDと干渉しないように、少なくとも一方のLDの対向面に切除部を設け、切除部部分が近くなるように両チップを近接配置するものである。これにより、支持基板105に2つのLDを横並びに配置する構造であっても、3つの発光点間の距離を縮小できる。更に、本実施形態は、上記の半導体レーザー装置の中心に位置するLDが出射するレーザー光の光軸を対物レンズの光軸と一致させ、3つの波長のレーザー光を、単一の対物レンズに導いて集束させるものである。これにより、光軸の補正手段を別途設けることなく、光軸のずれによる収差を抑制できる。従って、本実施形態では、第1LD12について、第1LD11に近い発光点を第2発光点E2として説明したが、これに限らず、第3発光点E3が第1LD11側に近くなるように、第2LD12を構成してもよい。また、切除部55、56を設けるのみで、第1LD11および第2LD12の発光点の距離を十分近接することができれば、第1LD11の第1発光点E1は、チップの中央付近にあってもよい。更に、第1発光点E1、第2発光点E2および第3発光点E3の位置を半導体レーザー装置1の中心よりにずらすことで発光点間距離を十分に近接できれば、切除部55、56は設けなくてもよい。