厚さ方向に貫通する複数のガス通過孔を有し、冷却板に接する冷却面側からプラズマ放射面側へ向けて前記ガス通過孔を通じてエッチングガスを流通させながら前記プラズマ放射面からプラズマを発生するプラズマ処理装置用電極板であって、前記ガス通過孔は、前記プラズマ放射面側から前記冷却面側に向けて前記厚さ方向途中まで形成された下流側部と、前記冷却面側から前記プラズマ放射面側に向けて前記厚さ方向途中まで形成された上流側部と、が連通してなるとともに、前記下流側部および前記上流側部の少なくともいずれか一方が前記厚さ方向に対して斜めに形成されることにより屈曲しており、前記上流側部が前記下流側部との接続部から突出して形成された終端部を備えることを特徴とするプラズマ処理装置用電極板。前記終端部は略半球状の底部を有することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置用電極板。前記終端部は、内面の表面粗さがRa≧0.8μmであることを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマ処理装置用電極板。前記電極板の厚さが10mm、前記ガス通過孔の孔径が0.5mmである場合、前記終端部の前記下流側部からの突出寸法が0.5mm以上3mm以下であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のプラズマ処理装置用電極板。前記上流側部が前記厚さ方向に対して斜めに形成される場合、前記上流側部の角度は、前記厚さ方向に対して10°以上45°以下であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のプラズマ処理装置用電極板。このようなプラズマ処理装置において、電極板の細孔ガス通過孔内部に、エッチングガス中のCHF3、CF4などが反応して生成したデポジット膜CxHyFzが付着する。このデポジット膜が堆積してガス通過孔から剥落すると、シリコンウエハ上に付着してしまうおそれがある。本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、プラズマ処理装置の電極板のガス通過孔におけるプラズマの逆流による冷却板の損傷を防止するとともに、ガス通過孔内に堆積したデポジット膜の落下によるシリコンウエハの汚染を防止することを目的とする。本発明は、厚さ方向に貫通する複数のガス通過孔を有し、冷却板に接する冷却面側からプラズマ放射面側へ向けて前記ガス通過孔を通じてエッチングガスを流通させながら前記プラズマ放射面からプラズマを発生するプラズマ処理装置用電極板であって、前記ガス通過孔は、前記プラズマ放射面側から前記冷却面側に向けて厚さ方向途中まで形成された下流側部と、前記冷却面側から前記プラズマ放射面側に向けて厚さ方向途中まで形成された上流側部とが連通してなるとともに、前記下流側部および前記上流側部の少なくともいずれか一方が厚さ方向に対して斜めに形成されることにより屈曲しており、前記上流側部が前記下流側部との接続部から突出して形成された終端部を備える。このプラズマ処理装置用電極板によれば、ガス通過孔が屈曲しているので、プラズマの逆流を防ぐことができる。また、冷却面から延びる上流側部が下流側部を貫通し、その終端部が袋状に設けられているので、エッチングガスの流れが終端部で渦状になり、プラズマの逆流を効果的に防止できる。また、上流側部の内面に堆積したデポジット膜が落下した場合であっても、終端部でデポジット膜を回収できるので、シリコンウエハの汚染を防ぐことができる。このプラズマ処理装置用電極板において、前記終端部は略半球状の底部を有することが好ましい。半球状に形成された底部によって、エッチングガスの乱流が形成されやすくなるので、プラズマの逆流をより効果的に防止できる。このプラズマ処理装置用電極板において、前記終端部は、内面の表面粗さがRa≧0.8μmであることが好ましい。この場合、終端部の内面に衝突したエッチングガスがランダムな方向に跳ね返り、渦状の乱流が形成されやすくなるので、プラズマの逆流をより効果的に防止できる。また、このプラズマ処理装置用電極板において、前記電極板の厚さが10mm、前記ガス通過孔の孔径が0.5mmである場合、前記終端部の前記下流側部からの突出寸法が0.5mm以上3mm以下であることが好ましい。孔径が0.5mmである場合、突出寸法が小さすぎると効果的な乱流が生じにくい。一方、突出寸法が大きすぎると、終端部にエッチングガスが滞留し、効果的な乱流が生じにくい。また、このプラズマ処理装置用電極板において、前記上流側部が前記厚さ方向に対して斜めに形成される場合、前記上流側部の角度は、前記厚さ方向に対して10°以上45°以下であることが好ましい。傾斜角が小さすぎると効果的な乱流が生じにくい。また、傾斜角が大きすぎると、ガス流の水平成分が垂直成分を超え、効果的な乱流が生じにくい。本発明のプラズマ処理装置用電極板によれば、屈曲させたガス通過孔の途中に袋状の終端部が設けられることにより、ガス通過孔におけるプラズマの逆流を防止して冷却板の損傷を防止するとともに、ガス通過孔内で落下したデポジット膜を回収してシリコンウエハの汚染を防止することができる。以下、本発明の電極板の実施形態を図面を参照しながら説明する。まず、この電極板が用いられるプラズマ処理装置として、プラズマエッチング装置100について説明する。このプラズマエッチング装置100は、図2に示すように、真空チャンバー10内の上部に電極板上部電極20が設けられ、下部に上下動可能な架台下部電極30が電極板20と間隔をおいて平行に設けられている。上部の電極板20は、絶縁体31によって真空チャンバー10の壁に対して絶縁状態に支持されている。架台30の上には、静電チャック32と、その周りを囲むシリコン製の支持リング33とが設けられている。ウエハ被処理基板Wは、支持リング33によって周縁部を支持された状態で、静電チャック32の上に載置される。真空チャンバー10の上部には、エッチングガス供給管11が設けられている。このエッチングガス供給管11から送られてきたエッチングガスは、拡散部材12を経由した後、電極板20を厚さ方向に貫通する複数のガス通過孔21を通してウエハWに向かって流され、真空チャンバー10の側部の排出口13から外部に排出される。電極板20と架台30との間には、高周波電源14により高周波電圧が印加される。電極板20は、シリコンによって円板状に形成されており、その背面には熱伝導性に優れるアルミニウム等からなる冷却板34が固定されている。この冷却板34にも、電極板20のガス通過孔21に連通する貫通孔34aが、ガス通過孔21と同じピッチで形成されている図1参照。このプラズマエッチング装置100では、高周波電源14から高周波電圧を印加してエッチングガスを供給すると、拡散部材12を経由したエッチングガスが、電極板20に設けられたガス通過孔21を通って電極板20と架台30との間の空間に放出され、プラズマとなってウエハWに当たる。このプラズマによるスパッタリングすなわち物理反応と、エッチングガスの化学反応とにより、ウエハWの表面がエッチングされる。ウエハWの均一なエッチングを行う目的で、発生したプラズマをウエハWの中心部に集中させ、外周部へ拡散するのを阻止して電極板20とウエハWとの間に均一なプラズマを発生させるために、通常、プラズマ発生領域Aがシリコン製のシールドリング35に囲まれている。次に、電極板20について説明する。電極板20は、単結晶シリコン、柱状晶シリコン、または多結晶シリコンにより、直径が380mm、厚さが10mmの円板状に形成されている。ガス通過孔21は、直径300mmの円形範囲内に、10mmピッチで705個形成されている。各ガス通過孔21の内径は0.5mmである。ガス通過孔21は、図1に示すように、ドリル加工によりプラズマ放射面23から冷却面22に向けて略垂直にかつ厚さ方向途中まで形成された下流側部21aと、レーザ加工により冷却面22からプラズマ放射面23に向けて電極板20の厚さ方向に対して斜めにかつ厚さ方向途中まで形成された上流側部21bとが連通してなる。なお、プラズマ放射面23に対して略垂直な下流側部21aをレーザ加工により、斜めの上流側部21bをドリル加工により形成してもよい。ガス通過孔21は、プラズマ放射面23から下流側部21aの中心線および上流側部21bの中心線の交点21dまでの深さを下流側部21aの形成深さM、冷却面22から交点21dまでの深さを上流側部21bの形成深さNとして、M:Nが5:5~7:3となるように形成されている。また、上流側部21bの角度αは、下流側部21aに対して10°以上45°以下である。上流側部21bが下流側部21aとの接続部から突出して形成された終端部21cは、略半球状の底部を有しており、内面の表面粗さがRa≧0.8μmである。終端部21cの下流側部21aからの突出寸法xは、電極板20の厚さが10mm、ガス通過孔21の孔径が0.5mmである場合、0.5mm以上3mm以下である。このように構成された電極板20においては、ガス通過孔21が屈曲しているので、プラズマの逆流を防ぐことができる。また、冷却面22から延びる上流側部21bが下流側部21aを貫通し、その終端部21cが略半球状の袋状に設けられているので、図3に示すようにエッチングガスの流れが終端部21cで渦状の乱流になり、プラズマの逆流を効果的に防止できる。このガス通過口21において、上流側部21bの傾斜角αが適切に設定されているので、効果的な乱流を生じさせることができる。また、ガス通過孔21の孔径に対して終端部21cの突出寸法xが適切に設定されているので、終端部21cにエッチングガスが滞留しにくく、効果的な乱流を生じさせることができる。さらに、終端部21cの内面が滑らかな曲面に形成されていると、エッチングガスが終端部21cの内面に衝突したときにランダムな方向に跳ね返りにくいが、表面粗さがRa≧0.8μmであることにより、終端部21cの内面に衝突したエッチングガスがランダムな方向に跳ね返り、渦状の乱流が形成されやすくなるので、プラズマの逆流をより効果的に防止できる。また、上流側部21bの内面に堆積したデポジット膜sが落下した場合であっても、袋状の終端部21cでデポジット膜sを回収できるので、デポジット膜sが下流側部21aからウエハW上に落下しにくく、ウエハWの汚染を防ぐことができる。したがって、プラズマ処理装置用電極板20によれば、ガス通過孔21におけるプラズマの逆流を防止して冷却板34の損傷を防止するとともに、ガス通過孔21内で落下したデポジット膜sを回収して、ウエハWの汚染を防止することができる。なお、本発明は前記実施形態の構成のものに限定されるものではなく、細部構成においては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。たとえば、前記実施形態では、ガス通過孔の上流側部が電極板の厚さ方向に対して傾斜して形成され、下流側部を厚さ方向に沿って形成されている。しかしながら、これら上流側部および下流側部の少なくともいずれか一方が電極板の厚さ方向に対して傾斜することによりガス通過孔が屈曲していればよいので、図4に示すように上流側部および下流側部の両方が厚さ方向に対して傾斜していてもよく、また図5に示すように上流側部が厚さ方向に沿って形成され、下流側部が傾斜していてもよい。