酸化物が超電導物質を形成する金属の有機化合物溶液を基板上に塗布し乾燥させる工程1、紫外光であるエキシマレーザによって金属の有機化合物の有機成分を光分解するレーザ照射工程2、金属の有機化合物中の有機成分を熱分解させる仮焼成工程3、超電導物質への変換を行う本焼成工程4を経て基板上にエピタキシャル成長させた超電導薄膜材料を製造するに際し、本焼成工程を行う前に所定の箇所のみにレーザ照射を行うことにより、超電導物質内にa軸成長する前駆体箇所とc軸成長する前駆体箇所を混在させたのちに本焼成工程を行い、所定の箇所のみc軸成長させることを特徴とする超電導材料の内部応力を緩和することを特徴とする酸化物超電導材料の製造方法。基板がサファイアの単結晶基板であることを特徴とする請求項1に記載した酸化物超電導材料の製造方法。c軸成長部分Cの形状が電子回路であり、a軸成長部分Aの形状がc軸成長部分Cの形状を取り囲んだ形状である請求項2に記載した酸化物超電導材料の製造方法。基板がサファイアの単結晶基板であり、c軸成長した酸化物超電導が300nmであり、単位面積3μm×3μm当りクラックの数が0である請求項2又は請求項3に記載した酸化物超電導材料の製造方法により得られる酸化物超電導膜。基板がサファイアの単結晶基板であり、c軸成長した酸化物超電導が500nmであり、単位面積3μm×3μm当りクラックの数が0~1である請求項2又は請求項3に記載した酸化物超電導材料の製造方法により得られる酸化物超電導膜。しかしながら特許文献1の方法では、意図的に数度ずらしたカットや研磨が難しく、再現性に課題がある。そのため安定した品質の基板の入手が困難となり、基板調達のコストが高くなるという問題がある。また特許文献2の方法では、蒸着やPLDといった気相法においては成膜と熱処理を積層する各層ごとに順番に行えるので、それぞれの材料に適した熱処理を適用できるため実施可能であるが、真空装置が必要となるために大量生産が難しいという問題がある。一方溶液法では特許文献3を発展させた形で組成の異なる超電導前駆体を塗布乾燥した多層膜を作ることは可能であるが、熱処理を同時に行うこととなるため、それぞれの組成に対応した熱処理を施すことができずにエピタキシャル成長が困難であった。加えて相互拡散が生じやすく、所望の効果が得られがたい等の問題があった。気相法と溶液法を比較したときに、真空装置が必要となる気相法では、製造コストが高く、さらにバッチ処理となるため製造枚数に限界があるので、製造コストを下げるためには、溶液法においてサファイア基板上への300nm以上となる超電導材料の成膜技術が必要となる。本発明は、上記の特許文献とは異なる方法で、溶液法においてサファイア基板上への厚膜化を解決するためになされたもので、マイクロクラックの発生を抑制して300nm以上の膜厚を持つサファイア基板上に超電導材料の成膜を可能にすることを目的としている。本発明は上記目的を達成するために、成膜時において材料内部に結晶方位が異なる部分を意図的に成長させ、それによって材料内部に生じる応力を緩和してクラックの発生を抑制して、安価でも熱膨張の差が大きく厚膜化に不向きなサファイア基板への超電導材料の300nm以上の成膜を可能としたものである。次に作用について、基板をサファイア、希土類系酸化物超電導材料をYBCOとして例に挙げ説明する。サファイア基板上に完全なエピタキシャル膜となるc軸配向膜を成膜した場合、材料内部に発生する引っ張り応力によってクラックが発生する。そこで、あらかじめ超電導材料を結晶化する本焼成工程を行う前に、超電導物質内にa軸成長する前駆体とc軸成長する前駆体を混在させておき、その後に本焼成を行うと、材料内部がa軸結晶粒とc軸結晶粒が混在した膜ができる。材料内部に二つの結晶粒が混在することで、格子の歪みが発生して引っ張り応力が緩和されるので、臨界膜厚とされる300nmを越える超電導材料でもマイクロクラックが発生せずに、サファイア基板に成膜することが可能となることを見出し、本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明は、酸化物が超電導物質を形成する金属の有機化合物溶液を基板上に塗布し乾燥させる工程1、紫外光であるエキシマレーザによって金属の有機化合物の有機成分を光分解するレーザ照射工程2、金属の有機化合物中の有機成分を熱分解させる仮焼成工程3、超電導物質への変換を行う本焼成工程4を経て基板上にエピタキシャル成長させた超電導薄膜材料を製造するに際し、本焼成工程を行う前に所定の箇所のみにレーザ照射を行うことにより、超電導物質内にa軸成長する前駆体箇所とc軸成長する前駆体箇所を混在させたのちに本焼成工程を行い、所定の箇所のみc軸成長させることを特徴とする超電導材料の内部応力を緩和することを特徴とする酸化物超電導材料の製造方法である。また、本発明の酸化物超電導材料の製造方法においては、基板としてサファイアの単結晶基板を用いることが好ましい。また、本発明の酸化物超電導材料の製造方法においては、c軸成長部分Cの形状が電子回路であり、a軸成長部分Aの形状がc軸成長部分Cの形状を取り囲んだ形状である酸化物超電導材料の製造方法である。さらに、本発明は、基板がサファイアの単結晶基板であり、c軸成長した酸化物超電導が300nmであり、単位面積3μm×3μm当りクラックの数が0である酸化物超電導材料の製造方法により得られる酸化物超電導膜である。またさらに、本発明は、基板がサファイアの単結晶基板であり、基板がサファイアの単結晶基板であり、c軸成長した酸化物超電導が500nmであり、単位面積3μm×3μm当りクラックの数が0~1である酸化物超電導材料の製造方法により得られる酸化物超電導膜である。以上のように本発明によれば、溶液法による超電導材料の成膜において故意にa軸とc軸を混在させて結晶化したので、それによって材料内部に発生する応力を緩和することができ、サファイア基板上への希土類系酸化物超電導材料の臨界膜厚とされる300nmの膜厚を越えてもマイクロクラックの発生なしに厚膜化することが可能となる。以下、この発明実施形態を図に基づいて説明する。ここで材料内にc軸とa軸を混在させる手段としては、レーザ照射とマスクを使ったパターン形成法などが考えられる。また、マスクに代えて市販のレーザ描画を用いて、照射したいエリアだけレーザをマスクなしでうつ方法を用いても良い。装置特許文献3には、超電導材料の成膜時にレーザ照射を組み合わせた手法が提案されている。その具体的な工程としては、1金属の有機化合物の溶液を基板に塗布する工程、2塗布した有機化合物を乾燥する工程、3レーザ照射工程、4有機成分を除去する工程仮焼成工程、5無機化合物を結晶化させる工程本焼成工程から成る超電導材料の製造方法が知られている。この製造方法により得られた超電導材料を調査研究すると、レーザ照射した箇所としていない箇所では、同一の焼成条件で焼成した場合に、レーザ照射した箇所のみ高い超電導特性を示すことが判明した。またこの際の焼成条件は、従来のレーザ照射を行わない焼成条件に比べて熱処理時間が大きく短縮されることも解った。この差が現れる要因としては、前駆体の段階で材料にレーザ照射することにより、レーザの光化学反応によって材料内部の分子の結合が切断され、非常に微細な前駆体となることが推測され、そのためある程度の分解が進んだ状態から熱処理を開始するため従来の熱処理時間よりも短くすむ。また、熱のみで分解するより微細な前駆体が生成するので、結晶化の際に組成ずれや偏析が起こりにくく、エピタキシャル成長、つまりc軸配向しやすいことが判明した。この現象を利用して超電導材料内にa軸とc軸を混在させる。まずサファイア基板上に100nm程度の薄い超電導薄膜を成膜する。このときに、例えば、最終用途であるマイクロ波デバイスを想定すると、共振回路となる箇所は図4で示される細い幅の超電導線でよいので、この箇所だけ高い超電導特性を示すようにレーザ照射を行う。それにより照射部と非照射部で異なる構造が異なる前駆体が生成する。厚膜化する場合はこの上にさらに数回積層して塗ることとなるが、最終的な本焼成工程において膜全体を結晶化すると、照射部と非照射部ではそれぞれの前駆体を反映した結晶成長が起きることが解った。具体的には、照射部においては高い臨界電流を示すc軸成長となり、非照射部では高い臨界電流を示さないa軸成長となる。これらが基板面内に混在することで、マイクロクラックの発生原因となる熱処理時に発生する引っ張り応力を緩和することが可能となる。これは従来技術における図1、図2、図3で示される効果を、溶液法において、かつ比較的簡単に別の手法で実現することができるようになった例である。本件発明で用いる基板としては、周知の基板であるランタンアルミネートLaAlO3、チタン酸ストロンチウムSrTiO3、ネオジムガレートあるいはイットリウムアルミネートから選ばれる1種の単結晶基板、酸化アルミニウム、イットリア安定化ジルコニアO2YSZ、酸化マグネシウムMgO、ランタンアルミネートLaAlO3、チタン酸ストロンチウムSrTiO3、ネオジムガレートあるいはイットリウムアルミネートから選ばれる1種の単結晶基板上に、酸化セリウム中間層を形成した基板いずれであっても良いが、安価なサファイアの単結晶基板がとくに好ましく用いられる。本発明を適用すれば、図4に示すように、安価なサファイア基板上に、クラックの非常に少ない超電導薄膜による共振回路などの電子回路を作成することができる。下記に本発明の具体例を示し、さらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。基板がサファイアの単結晶基板であり、c軸成長した酸化物超電導が500nmであり、一部照射した場合と全面照射した場合の酸化物超電導膜の製造例原料用液モル比1:2:3のYBaCuのアセチルアセトナトをピリジンとプロピオン酸の混合液に溶解し、真空エバポレータを用いて約80°Cで溶媒の大部分を除去した後メタノールに再溶解した溶液を用いた。基板サファイアのR面単結晶基板25mm×25mm×05mmを用いた。塗布乾燥上記原料溶液をサファイアの単結晶基板に4000rpm、10秒間でスピンコートし、恒温槽中130°Cで乾燥させた。レーザ照射c軸成長させるべき個所25mm×25mm基板上に、半径1mmの円を約10箇所設けたを定め、他の部分をマスクで覆い、その個所のみKrFエキシマレーザを照射する。室温でKrFエキシマレーザを縦方向に照射した。照射条件は下記のとおりであった。室温、大気中125kPaフルエンス:20mJcm2周波数:100Hzオーバーラップ率:99パルス数:30000仮焼成次に、このレーザ照射した試料を、あらかじめ500°Cに保ったマッフル炉中に挿入し、30分間この温度に保って取り出した。以上の塗布乾燥~仮焼成までを所定回数繰り返して厚膜化した。本焼成ついで石英製管状炉中で以下の条件で本焼成を行った。まず、酸素分圧を100ppmに調整したアルゴンと酸素の混合ガス流中で昇温速度毎分約16°Cで770°Cまで昇温し、この温度に45分間保ち、ガスを純酸素に切り替えてさらに30分間保った後、徐冷する。酸化物超電導膜の検査本焼成後に出来た膜厚500nm半径1mmの円形のYBCO膜について、レーザ照射部分の表面の電子顕微鏡写真を図5に示す。全面にわたり、30個所の任意の単位面積3μm×3μmを検査したところ、クラックの数は、平均で0.6であった。表面の電子顕微鏡写真を図5に示す。比較例c軸成長させるべき個所を全体25mm×25mm基板全面に定めたのち、その個所をKrFエキシマレーザを照射する以外は、実施例1と同様に行った。本焼成後に出来た膜厚500nmのYBCO膜について、その表面の電子顕微鏡写真を図5に示す。全面にわたり、30個所の任意の単位面積3μm×3μmを検査したところ、クラックの数は、平均で4.5であった。表面の電子顕微鏡写真を図5に示す。クラックを実践で囲んで示す。実施例1に比して、亀裂が格段に多くなる傾向がみられた。基板がサファイアの単結晶基板であり、c軸成長した酸化物超電導が300nmであり、単位面積3μm×3μm当りクラックの数が0である酸化物超電導膜の製造例原料用液モル比1:2:3のYBaCuのアセチルアセトナトをピリジンとプロピオン酸の混合液に溶解し、真空エバポレータを用いて約80°Cで溶媒の大部分を除去した後メタノールに再溶解した溶液を用いた。基板サファイアのR面単結晶基板25mm×25mm×05mmを用いた。塗布乾燥上記原料溶液を基板KC1に4000rpm、10秒間でスピンコートし、恒温槽中130°Cで乾燥させた。レーザ照射c軸成長させるべき個所25mm×25mm基板上に、半径1mmの円を約10箇所設けたを定めたのち、他の部分をマスクで覆い、その個所のみKrFエキシマレーザを照射する。室温でKrFエキシマレーザを縦方向に照射した。照射条件は下記のとおりであった。室温、大気中125kPaフルエンス:20mJcm2周波数:100Hzオーバーラップ率:99パルス数:30000仮焼成次に、このレーザ照射した試料を、あらかじめ500°Cに保ったマッフル炉中に挿入し、30分間この温度に保って取り出した。以上の塗布乾燥~仮焼成までを所定回数繰り返して厚膜化した。本焼成ついで石英製管状炉中で以下の条件で本焼成を行った。まず、酸素分圧を100ppmに調整したアルゴンと酸素の混合ガス流中で昇温速度毎分約16°Cで770°Cまで昇温し、この温度に45分間保ち、ガスを純酸素に切り替えてさらに30分間保った後、徐冷する。酸化物超電導膜の検査本焼成後に出来た膜厚約300nm半径1mmの円形のYBCO膜について、レーザ照射部の全面にわたり、30個所の任意の単位面積3μm×3μmを検査したところ、すべてクラックの数が0であった。表面の電子顕微鏡写真を図6に示す。レーザ非照射部の検査レーザ非照射部の表面の電子顕微鏡写真を図6に示す。基板がサファイアの単結晶基板であり、c軸成長した酸化物超電導が500nmであり、単位面積3μm×3μm当りクラックの数が0~1である酸化物超電導膜の製造例原料用液モル比1:2:3のYBaCuのアセチルアセトナトをピリジンとプロピオン酸の混合液に溶解し、真空エバポレータを用いて約80°Cで溶媒の大部分を除去した後メタノールに再溶解した溶液を用いた。基板サファイアのR面単結晶基板25mm×25mm×05mmを用いた。塗布乾燥上記原料溶液をサファイアのR面単結晶基板に4000rpm、10秒間でスピンコートし、恒温槽中130°Cで乾燥させた。レーザ照射c軸成長させるべき個所25mm×25mm基板上に、半径1mmの円を約10箇所設けたを定めたのち、その部分を市販のレーザ描画装置の記憶装置に記憶させ、その個所のみKrFエキシマレーザを照射する。室温でKrFエキシマレーザを縦方向に照射した。照射条件は下記のとおりであった。室温、大気中125kPaフルエンス:20mJcm2周波数:100Hzオーバーラップ率:99パルス数:30000仮焼成次に、このレーザ照射した試料を、あらかじめ500°Cに保ったマッフル炉中に挿入し、30分間この温度に保って取り出した。以上の塗布乾燥~仮焼成までを所定回数繰り返して厚膜化した。本焼成ついで石英製管状炉中で以下の条件で本焼成を行った。まず、酸素分圧を100ppmに調整したアルゴンと酸素の混合ガス流中で昇温速度毎分約16°Cで770°Cまで昇温し、この温度に45分間保ち、ガスを純酸素に切り替えてさらに30分間保った後、徐冷する。酸化物超電導膜の検査本焼成後に出来た膜厚500nm半径1mmの円形のYBCO膜について、全面にわたり、30個所の任意の単位面積3μm×3μmを検査したところ、クラックの数は、平均で0.6であった。表面の電子顕微鏡写真を図7に示す。レーザ非照射部の検査レーザ非照射部の表面の電子顕微鏡写真を図7に示す。