"透光性基体の一主面上に反射防止層を備え、透光性基体の他主面上に下地層を備え、下地層上に透明電極層、1以上の光電変換ユニット、裏面電極層を備えた薄膜光電変換装置の製造方法であって、基板ホルダを用いないスパッタ法により前記裏面電極層を積層した後に、反射防止層上に存在する導電層を酸により除去処理し、その後、前記裏面電極層をレーザスクライブ法によりパターンニングすることを特徴とする、薄膜光電変換装置の製造方法。前記反射防止層を備える透光性基体の主面を下もしくは横方向に設置して、前記酸による除去処理を行うことを特徴とする、請求項1に記載の薄膜光電変換装置の製造方法。前記酸による除去処理を行った後、乾燥工程を経ることを特徴とする、請求項1または2に記載の薄膜光電変換装置の製造方法。薄膜光電変換装置の製造における裏面電極の製膜工程において、生産性向上および低コスト化の観点から、基板をコンベアで搬送し、基板の周囲にホルダを必要としない、所謂ホルダレスの装置形態が検討されている。しかし、このようなホルダレスの装置形態で、スパッタ法を用いて裏面電極の製膜を行った場合、製膜面とは逆面である光入射側面の端部にまで裏面電極の金属層などが廻り込み、製膜されるという問題が生じうる。この光入射側面の端部への前記廻り込み製膜は透過率低下の原因となるため、当該廻り込み製膜された着膜層を除去しないと、裏面電極製膜工程以降に行われるレーザスクライブ法によるセルの集積化工程の実施が困難となる。これに対する方策として、ホルダを用いず裏面電極を製膜した場合、光入射側面の端部へ廻り込み製膜した着膜を、その後、例えば回転体に付属したブラシで物理的に除去する方法が考えられる。しかしながら、本発明者らの検討の結果、例えば特許文献1に記載されるような反射防止層を備えた薄膜光電変換装置の製造において、前記裏面電極をホルダレスの装置形態にて製膜する工程を経た場合、上記のような物理的な除去では光入射側面の端部へ廻り込み製膜した着膜が除去できないという課題があることが初めて見出された。本発明においては、上記の光入射側面の端部へ廻り込み製膜した着膜が除去された薄膜光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意検討した結果、反射防止層を有する基板を用いてホルダレスにて裏面電極を製膜した後に光入射側面の端部へ廻り込み製膜した着膜を、酸を用いて除去処理すれば除去が可能となることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、透光性基体の一主面上に反射防止層を備え、透光性基体の他主面上に下地層を備え、下地層上に透明電極層、1以上の光電変換ユニット、裏面電極層を備えた薄膜光電変換装置の製造方法であって、基板ホルダを用いないスパッタ法により前記裏面電極層を積層した後に、反射防止層上に存在する導電層を酸により除去処理し、その後、前記裏面電極層をレーザスクライブ法によりパターンニングすることを特徴とする、薄膜光電変換装置の製造方法に関する。本発明者らの検討によれば、反射防止層を備えた薄膜光電変換装置の製造において、基板周囲にホルダを必要としないスパッタ装置を用いて裏面電極製造工程を経た場合、物理的な除去では光入射面端部の導電層の着膜が除去できず、以降のレーザスクライブによるセルの集積化が困難になるという課題が見出された。この理由は必ずしも明らかではないが、裏面電極製造工程により導電層がガラス基板の光入射側面上に直接積層された場合と比較して、導電層が光入射側面の反射防止層上に積層された場合の方が、より二層間の密着力が大きくなり、このため物理的な方法による着膜の除去が困難になったと考えられる。そこで本発明者らは、反射防止層を備えた薄膜光電変換装置が裏面電極製造工程を経た後に、光入射側面端部に着膜した導電層を酸で処理すれば、当該導電層が除去されて、以降のレーザスクライブによる集積化が可能となり、反射防止特性を有する薄膜光電変換装置が生産性よく得られることを見出した。なお、光電変換ユニットが形成され、その後、そのユニットが封止工程を経て保護される前に酸が付着すると、当該ユニットの各層が溶出するため、薄膜光電変換装置の性能が著しく低下する。そのため、一般的には光電変換ユニット形成後から当該ユニットを含むセルが封止されるまでの工程においては、酸を用いた処理は行われないのが当該技術分野における常識である。しかしながら本発明では、上記課題を解決する観点から、酸による処理を行う点に特徴を有する。好ましい実施態様は、前記反射防止層を備える透光性基体の主面を下もしくは横方向に設置して、前記酸による除去処理を行うことを特徴とする、前記の薄膜光電変換装置の製造方法に関する。上記は、性能に悪影響を及ぼす酸が光電変換ユニットに流れ込むのを防ぐ目的で、酸を用いた除去処理に際して、基板の設置方向を限定したものである。すなわち、光電変換ユニットが積層されている面とその逆面について、地面に対して両面を平行とし、セル面が上側になるように設置し、下側となった光入射面に対してその方向を変更することなく、酸処理を実施することが好ましい。また、本設置方法は、セル面と光入射面を地面に対して垂直に設置し、光入射面に対してその方向を変更することなく、酸処理を実施してもよい。好ましい実施態様は、前記酸による除去処理を行った後、乾燥工程を経ることを特徴とする、前記いずれかの薄膜光電変換装置の製造方法に関する。本発明によれば、低コストかつ高出力な薄膜光電変換装置を提供することができる。本発明は反射防止層を備えた薄膜光電変換装置に、基板ホルダを必要としないスパッタ装置を用いて裏面金属層を製膜する。そのため、反射防止層面に導電層が着膜するが、酸を用いてその導電層を除去することで、その反射防止特性を維持したまま、以降の集積工程が実施可能となる。その結果、装置製造コストが抑えられ、なおかつ高出力な薄膜光電変換装置の提供が可能となる。以上のような本発明者らによる詳細な検討に基づいて、本発明の好ましい実施の形態が、以下において図面を参照しつつ説明される。なお、本願の図面において、厚さや幅などの寸法関係は、図面の明瞭化と簡略化のために適宜に変更されており、実際の寸法関係を表してはいない。また、本願の図面において、同一の参照符号は同一部分または相当部を表わしている。図1は、本発明の一実施形態による薄膜光電変換装置用基板およびその基板を含む薄膜光電変換装置を模式的断面図で示している。この図においては、透光性基体ガラス基体111上の一主面に反射防止層113が堆積され、もう一方の一主面上には下地層112および透明電極層12を含んでおり、その上に前方光電変換ユニット2、透光性かつ反射性の中間層6、後方光電変換ユニット3、および裏面電極層4をこの順に積層することによって薄膜光電変換装置5が形成されている。ガラス基体111と下地層112および反射防止層113は薄膜光電変換装置5の光入射側に位置するので、より多くの太陽光を透過させて光電変換ユニット2、3に吸収させるために、できるだけ透明であることが好ましい。薄膜光電変換装置に用いられる透光性基体は、光電変換ユニットへの光入射面となるため、光電変換効率を向上させる観点からその透過率が大きいことが好ましく、製造コストを抑制するために安価であることが好ましい。一般的な透光性基体材料としてはガラスや透光性プラスチックフィルムシートが用いられる。以下、ガラス基体を用いる場合を例として説明する。前記の下地層112および反射防止層113は、たとえば溶媒を含んだバインダ形成材料と共に透光性微粒子1121および1131をガラス基体111上に塗布することによって形成することができる。具体的には、透光性バインダ1122および1132として、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物、チタン酸化物、ジルコニウム酸化物、およびタンタル酸化物などの金属酸化物を利用することができる。より具体的には、シリコン、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、タンタルなどの金属を用いた金属アルコキシドを例示することができる。中でも、シリコンアルコキシドは屈折率が低いことから、反射防止層や下地層として好適である。シリコンアルコキシドについては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシランなどの1種または2種以上の単量体またはオリゴマー縮合度が2~10の部分加水分解縮合物などを好適に用いることができる。また、透光性微粒子1121および1131としては、シリカSiO2、酸化チタンTiO2、酸化アルミニウムAl2O3、酸化ジルコニウムZrO2、酸化インジウム錫ITO、またはフッ化マグネシウムMgF2などを用いることができる。透光性微粒子の平均粒子径は光学特性等を考慮して適宜設定すればよいが、画像解析により算出される平均粒子径が50nm以上200nm以下の範囲にあることが好ましく、さらには80nm以上120nm以下の範囲がより好ましい。ガラス基体111上に、下地層112や反射防止層113を形成するためのコーティング液を塗布する方法としては、ディッピング法、スピンコート法、バーコート法、スプレー法、ダイコート法、ロールコート法印刷法、フローコート法などを利用し得るが、透光性微粒子を緻密かつ均一に形成するためにはディッピング法またはロールコート法が好ましく用いられ得る。コーティング液の塗布が完了したら、そのコーティング液を直ちに加熱乾燥させればよい。なお、下地層112および反射防止層113において微細な表面凹凸を均一に形成するために、透光性微粒子1121および1131の形状は球状であることが好ましい。また、ディッピング法において、前記下地層および/または反射防止層を形成する前にガラス基体を洗浄することが望ましい。ガラス基板を用いた場合、下地層および/または反射防止層を形成する前にガラス基板を洗浄して、ガラス基板表面の付着炭素分とヤケを除去することが好ましい。ガラス基板の洗浄方法としては、超音波洗浄、プラズマ洗浄、アルカリ洗浄、セリコ洗浄などが挙げられる。ガラス基板表面の化学的に変化してしまった変質分であるヤケを除去するには、化学的に除去するか、研磨などで物理的に除去することが好ましい。従って前述の洗浄方法の中では、プラズマ洗浄、アルカリ洗浄、セリコ洗浄を好適に選択できる。プラズマ洗浄の場合、四フッ化炭素プラズマを用いることによってガラス基板表面の炭素分、ヤケを除去できるが、ガラス基板表面にガラス成分であるMg、Na、Ca、Alが残留してしまう。またアルカリ洗浄の場合は、ガラス表面にケイ酸ソーダの膜バリヤーが形成され、そのバリヤーを通してアルカリが作用するため、その表面はポーラス状態になってしまう。一方セリコ洗浄は、洗浄後、ガラス基板表面に異物が残留する、表面形状が変化するなどの問題は生じないため、洗浄の制御は容易である。従って、前述の洗浄方法の中でもセリコ洗浄を選択するのが好ましい。ここでセリコ洗浄について説明する。セリコ洗浄はガラスの研磨洗浄としては一般的な方法である。なお、セリコ洗浄とは水と酸化セリウムを主成分とする研磨スラリーを用いて研磨洗浄する方法であって、そのメカニズムは酸化セリウムと水が圧縮応力の作用でガラス表面の酸化ケイ素に接近し、化学反応にてSiOH4となり、液中に溶出されることによる。洗浄方法は水と酸化セリウムからなる研磨スラリーを布やスポンジにつけて、ガラスをこすってセリコ洗浄を行うことが望ましい。また、酸化セリウム粒子を、例えばポリビニルアルコール製のスポンジに固定化させた研磨バフに水を吸収させ、ガラス表面に押し当てて洗浄するのが、より好ましい。セリコ洗浄した後、純水ですすいで洗浄することが好ましい。一方、下地層112上の透明電極層12としては、透光性基体と同じく、光電変換ユニットへの光入射面となるためその透過率が大きいことが好ましく、さらに光電変換ユニットへの光入射の効果を増大するために、表面に凹凸を有し、光電変換ユニットへ入射する光を散乱できることが好ましい。また透明電極層は導電層として機能するために抵抗による電気的損失が小さいことが好ましく、一般的にはSnO2、ZnOなどの導電性金属酸化物が用いられており、それらは、例えばCVD化学気相成長法、スパッタ、蒸着などの方法で形成されている。中でも、本発明において透明電極層としては、好適には酸化亜鉛が用いられ、そのドーピング不純物として、B、AlおよびGaから選択される少なくとも1種を含むことが好ましい。特にB原子を2×1019個/cm3以上の濃度で含むことが好ましい。また、ドーピング不純物のほかに、H原子を2×1020個/cm3以上の濃度で含むことも好ましい。Hを含むZnO層においては、光閉じ込め効果を生じ得る表面凹凸が形成され易いので、薄膜光電変換装置用の透明電極層として好適である。前記のZnO透明電極層12は、低圧熱CVD法によって形成されることが好ましく、より好適には200°C以下の堆積温度で形成することができる。なお、この透明電極層12の堆積温度とは、基体11がCVD装置の加熱部と接している面の温度を意味する。このZnO透明電極層12の堆積では、好ましくは、有機金属蒸気としてのジエチル亜鉛DEZともいうまたはジメチル亜鉛、酸化剤蒸気としての水、およびドーピングガスとしてのB2H6が用いられることが好ましく、希釈ガスとしてのH2、He、およびArの少なくとも1種が加えられうる。そうして得られた混合ガスが5~200Paの圧力下の減圧槽内に導入されることが好ましい。堆積温度は200°C以下であることが好ましく、140°C以上170°C以下であることがより好ましい。DEZの流量は10~1000sccm、水の流量は10~1000sccm、H2の流量は100~10000sccm、そしてArの流量は100~10000sccmにそれぞれ設定されることが好ましい。B2H6は、DEZに対して0.1~10体積の濃度に設定されることが好ましい。堆積される透明電極層ZnO層12としては、概ね50~500nmの結晶粒径を有し、かつ概ね20~200nmの高低差の表面凹凸を有する薄膜であることが、薄膜光電変換装置の光閉じ込め効果を得る点で好ましい。また、そのZnO層12を含む基板1のヘイズ率は、光閉じ込め効果を得る観点から、15以上であることが好ましく、20以上であることがより好ましい。ZnO層12のシート抵抗は、抵抗損失を抑制する観点から、15Ω/□以下であることが好ましく、10Ω/□以下であることがより好ましい。ZnO層12の平均厚さは目的に応じて適宜設定すればよいが、0.7~5μmであることが好ましく、1~3μmであることがより好ましい。なぜならば、ZnO膜が薄すぎれば、光閉じ込め効果に有効に寄与するに十分な表面凹凸を生じること自体が困難となり、また透明電極層として必要な導電性が得られにくくなるからである。他方、ZnO膜が厚すぎれば、その膜自体による光吸収に起因して光電変換ユニットへ到達する光量が減り、光電変換効率が低下するからである。また、ZnO膜が厚すぎる場合には、成膜時間の増大によって成膜コストが増大する傾向がある。前記光電変換ユニットは、pn接合またはpin接合を含む半導体層で形成されている。半導体層には、例えば、シリコン系薄膜として非晶質シリコン層または結晶質シリコン層を用いることができ、これらは例えば低温プラズマCVD法を用いて形成されうる。また化合物半導体薄膜としてCuInSe2略称CISまたはCdTeなどの薄膜が用いられ得る。なお、本発明において、結晶質または微結晶の用語は、部分的に非晶質を含んでいるものをも意味する。さらに、薄膜光電変換装置の変換効率を向上させる方法として、2つ以上の光電変換ユニットを積層して積層型薄膜光電変換装置にすることが知られている。この方法においては、薄膜光電変換装置の光入射側に大きなエネルギバンドギャップを有する光電変換層を含む前方ユニットを配置し、その後ろに順に小さなバンドギャップを有する光電変換層を含む後方ユニットを配置することによって、入射光の広い波長範囲にわたる光電変換を可能にして、装置全体としての変換効率の向上が図られている。積層型薄膜光電変換装置の中でも、非晶質光電変換ユニットと結晶質光電変換ユニットを積層したものはハイブリッド型薄膜光電変換装置と称される。図1における前方光電変換ユニット2用に非晶質シリコン系材料を選択すれば、それは約360~800nmの波長の光に対して感度を有する。他方、後方光電変換ユニット3用に結晶質シリコン系材料を選択すれば、それはより長い約1200nmまでの波長の光に対して感度を有する。したがって、光入射側から非晶質シリコン系材料の前方光電変換ユニット2と結晶質シリコン系材料の後方光電変換ユニット3がこの順で積層されるハイブリッド型薄膜光電変換装置5においては、より広い波長範囲において入射光を有効利用することが可能となる。ここで、シリコン系の材料には、シリコンのみならず、シリコンカーバイドやシリコンゲルマニウムなどのようなシリコン合金半導体材料も含まれる。積層型薄膜光電変換装置の変換効率向上のためには、薄膜光電変換ユニット2、3間において、導電性を有しかつ光電変換ユニット2、3を構成する材料よりも低い屈折率を有する材料からなる中間透過反射層6を形成する方法がある。このような中間透過反射層6は、短波長側の光は反射して長波長側の光は透過させる設計が可能であり、薄膜光電変換ユニット2、3の各々によるさらに有効な光電変換が可能となる。たとえば、前方の非晶質シリコン光電変換ユニット2と後方の結晶質シリコン光電変換ユニット3との間に中間透過反射層6を挿入した場合、非晶質シリコン光電変換層22の膜厚を増やすことなく、その前方ユニット2によって発生する電流を増加させることができる。また、中間透過反射層6を含む場合には、それを含まない場合に比べて、同一の電流値を得るために必要な非晶質シリコン光電変換層22の厚さを小さくし得ることから、非晶質シリコン層の厚さの増加に応じて顕著となる光劣化Staebler-Wronsky効果による非晶質シリコン光電変換ユニット2の特性低下を抑制することが可能となる。中間透過反射層は、前方光電変換ユニットと後方光電変換ユニットの間に挿入されてもよいが、前方光電変換ユニット中の後方導電型層の一部として設けられてもよく、また後方光電変換ユニット中の前方導電型層の一部として設けられてもよい。前方光電変換ユニット2は、プラズマCVD法によって、たとえばp層、i層、およびn層の順に積層して形成される。具体的には、好適にはボロンが0.01原子以上ドープされたp型非晶質シリコンカーバイド層21、実質的にi型の非晶質シリコンの光電変換層22、およびリンが0.01原子以上ドープされたn型微結晶シリコン層23がこの順に堆積される。中間透過反射層6の材料としては、酸化亜鉛、ITOなどの導電性金属酸化物を用いることができ、また、非晶質シリコン層や結晶質シリコン層と同様にプラズマCVDで形成可能な微結晶シリコンと酸化シリコンを含むシリコン系複合材を用いることができる。集積型薄膜光電変換装置の場合、中間透過反射層6に導電性酸化物を用いれば後方光電変換ユニットの短絡の問題が生じ得るが、比較的高抵抗のシリコン系複合材を用いればその問題を回避し得るので好ましい。シリコン系複合層は、反応ガスとして例えばSiH4、CO2、H2、およびPH3を用い、いわゆるシリコン微結晶形成条件である大きなH2/SiH4比に設定し、かつ酸化シリコンに関連するCO2/SiH4比を2以上に設定してプラズマCVD法で形成されることが好ましい。このプラズマCVDにおいては、たとえば容量結合型の平行平板電極を用いて、電源周波数10~100MHz、高周波パワー密度0.01~0.5W/cm2、圧力50~1500Pa、そして堆積温度150~250°Cの条件が好ましい。CO2/SiH4比を増加させれば膜中酸素濃度が単調に増加し、中間透過反射層6の屈折率を下げることができる。後方光電変換ユニット3も、プラズマCVD法によって、たとえばp層、i層、およびn層の順に積層して形成される。具体的には、ボロンが0.01原子以上ドープされたp型微結晶シリコン層31、実質的にi型の結晶質シリコン光電変換層32、およびリンが0.01原子以上ドープされたn型微結晶シリコン層がこの順に堆積される。裏面電極層4としては、Al、Ag、Au、Cu、Pt、およびCrから選ばれる少なくとも一種の材料が、少なくとも一層の金属層42としてスパッタ法により堆積されることが好ましい。また、金属層42とこれに隣接する光電変換ユニット3との間に、ITO、SnO2、ZnOなどの導電性酸化物層41を裏面電極層4の一部として形成することが好ましい。この導電性酸化物層41は、裏面電極層4とこれに隣接する光電変換ユニット3との間の密着性を高めるとともに、裏面電極層4の光反射率を高め、さらに光電変換ユニット3、2の化学変化を防止する機能をも有する。前記スパッタ法を実施する際の装置形態は、生産性向上および低コスト化の観点から、コンベア搬送によるホルダレスの基板搬送方法であって、各製膜室にターゲットを備えたような装置形態が好ましい。このようなスパッタ装置に、集積加工された前記光電変換ユニットが形成された基板が搬入され、当該基板に裏面電極層4が形成されうる。上記装置形態のようなホルダレスのスパッタ法により裏面電極層4を形成する場合、裏面電極層形成面とは反対面に隙間が生じるため、反射防止層面1112の周囲上面に裏面電極層4と同様の成分の導電層が付着する現象が生じうる。このような導電層が除去されないまま、以降のレーザスクライブ工程が行われる場合、当該導電層がレーザ光の反射吸収層となるため、目的のレーザスクライブによるセルの集積化が困難となる問題が生じる。そのため、上記導電層を除去する付着膜除去工程が必要となる。本発明における付着膜除去工程では、酸を用いて、付着した導電層を除去することが好ましい。すなわち、例えば、基板の下地層面1111を上側、反射防止層面1112を下側とし、酸および純水を含浸した各スポンジとエアナイフを、下側から反射防止層面1112の周囲4辺に順に接触させつつ、移動させることで反射防止層面1112上の裏面電極層の除去および乾燥を行うことが好ましい。酸が光電変換ユニット層へ付着すると、ユニット中の各層が溶出するため、目的箇所以外へ酸が流れ込まないように、上記のように、反射防止層を備える透光性基体の主面を下方向に設置して、前記酸による除去処理を行う、設置方向とすることが好ましい。また、上記設置方向は下地層面1111および反射防止層面1112が地面と垂直となるように、反射防止層を備える透光性基体の主面を横方向に設置しても良い。上記の除去工程に用いる酸は、例えば塩酸が好ましく、光電変換ユニット層へのダメージを低減するために、反射防止層面1112の付着膜を除去できる範囲で低濃度であることが好ましい。具体的には、塩酸濃度は20重量以下であることが好ましく、より好適には20×102重量以下が好ましい。スポンジを用いて除去する際の、酸および純水を含浸したスポンジの移動速度は50~100mm/secが好ましく、エアナイフの風量は30~50m/sec、移動速度は50~100mm/secが好ましい。なお、薄膜光電変換装置は図1に示したように2段の光電変換ユニットを含んでいてもよいが、1段の光電変換ユニットのみを含むいわゆるシングルセル、3段の光電変換ユニットを含むいわゆるトリプルセル、さらには4段以上の光電変換ユニットを含む多段セルであってもよいことは言うまでもない。たとえば、図1の前方光電変換ユニット2に相当する非晶質シリコン光電変換ユニットのみを形成し、中間透過反射層6と後方光電変換ユニット3を省略した非晶質シングルセルであってもよい。また、本発明の実施例における透明電極層12にはZnOを用いており、これはSnO2に比べて耐プラズマ性が高いので、透明電極層12上に直接に結晶質シリコン光電変換ユニットを形成することも可能である。すなわち、本発明では、図1における結晶質シリコン光電変換ユニット3のみを含んで前方光電変換ユニット2と中間透過反射層6が省略された結晶質シングルセルも可能である。さらに、トリプルセルの例として、非晶質シリコン光電変換ユニット/実質的にi型の非晶質シリコンゲルマニウム層を含む非晶質シリコンゲルマニウム光電変換ユニット/結晶質シリコン光電変換ユニットの順に3つの光電変換ユニットを積層してもよい。さらにまた、非晶質シリコン光電変換ユニット/結晶質シリコン光電変換ユニット/結晶質シリコン光電変換ユニットの順に3つの光電変換ユニットが積層されてもよい。図2は、本発明の実施形態による集積型薄膜光電変換装置を概略的に示す断面図である。この集積型薄膜光電変換装置901においては、ガラス基体111とその一主面に下地層112、もう一方の一主面に反射防止層113とを含む透明絶縁基体11上に、透明電極層12、非晶質シリコン光電変換ユニットである前方光電変換ユニット2、中間透過反射層6、結晶質シリコン光電変換ユニットである後方光電変換ユニット3、および裏面電極層4が順次積層されている。また、図2の集積型薄膜光電変換装置901においては、第1と第2の分離溝903、904および接続溝905が設けられている。これら第1と第2の分離溝903、904および接続溝905は互いに平行であって、図2の紙面に対して垂直な方向に延在している。なお、隣り合う光電変換セル902間の境界領域は、近接する第1と第2の分離溝903、904によって規定されている。第1の分離溝903は、それぞれの光電変換セル902に対応して、透明電極層12を分割している。第2の分離溝904は、それぞれの光電変換セル902に対応して、前方光電変換ユニット2、中間透過反射層6、後方光電変換ユニット3、および裏面電極層4を分割している。接続溝905は、前方光電変換ユニット2、中間透過反射層6、および後方光電変換ユニット3を貫通しており、裏面電極層4を構成する金属材料で埋め込まれていて、隣り合う光電変換セル902の一方の裏面電極層4と他方の透明電極層12とを電気的に接続している。すなわち、接続溝905は、透明絶縁基体11上に並置された光電変換セル902同士を直列接続するために設けられている。以下において、本発明による種々の実施例が、種々の比較例参考例とともに、より具体的に説明される。なお、本発明の範囲は、その趣旨を超えない限りにおいて以下の実施例に限定されないことは言うまでもない。なお、本実施例における反射率は、分光光度計島津製作所社製SolIdSpec-3700を用いて、反射防止膜に対し法線方向から光を入射し、反射角8度の直接反射光を積分球により測定した。実施例1本発明の実施例として、薄膜光電変換装置を作製した。厚み3.2mm、サイズ1420mm×1100mmであり、ガラス基体111の下地層面1111上および下地層面の反対である反射防止層面1112上にSiO2微粒子1121、1131とバインダ1122、1132を含む下地層112および反射防止層113を形成し、透明絶縁基体11Aとした。下地層112および反射防止層113の形成に際して、まずガラス基体のセリコ洗浄を行った。具体的には酸化セリウムをポリビニルアルコール製スポンジに固定化させた研磨バフに水を吸収させ、回転数2000rpm、移動速度30mm/sでガラス基体に押し当ててセリコ洗浄を行った。このとき下地層面の押圧は4kgfとして洗浄を行い、さらに純水ですすいで洗浄した。その後、80°Cで30分乾燥した。下地層112および反射防止層113を形成する際に用いた塗布液は、水、i-プロピルアルコール、塩酸、テトラエトキシシランのオリゴマーn=4~6、および画像解析により算出された平均粒径90nmのシリカ微粒子分散液水溶媒、固形分40重量を攪拌混合して作製した。この塗布液中にガラス基体を浸し、速度0.115m/分にて引き上げるディップコーティング法により下地層112および反射防止層113の塗布操作を同時に行った。その後、200°Cで5分間の焼成処理を行うことにより、表面に微細な凹凸が形成された透明絶縁基体11Aを得た。得られた透明絶縁基体11Aの下地層112上にZnOからなる透明電極層12を低圧CVD法で形成し薄膜光電変換装置用基板1Aを得た。この透明電極層12は、基板温度150°C、圧力30Pa、気化したジエチル亜鉛DEZの流量200sccm、気化した水の流量700sccm、ジボランB2H6流量1sccm、水素流量1000sccmの条件で形成した。得られたZnO膜からなる透明電極層12の反射スペクトルの干渉から求めた厚さは1.8μmであった。シート抵抗は11.9Ω/□であった。C光源を用いて測定したヘイズ率は30.3であった。形成された基板1Aの上に非晶質シリコン光電変換ユニット2、中間透過反射層6、結晶質シリコン光電変換ユニット3、および裏面電極層4を順次形成することによってハイブリッド型薄膜光電変換装置が作製された。ただし、本実施例1の薄膜光電変換装置は、レーザスクライブを利用して、図2に示されているような集積型薄膜光電変換装置901として作製された。その集積型薄膜光電変換装置901の作製においては、波長1064nmのYAGイットリウムアルミニウムガーネットレーザを用いて透明電極層12に分離溝903を形成した。その後に基板1の洗浄と乾燥を行なった。そのレーザ加工された透明電極層12上には、厚さ10nmのp型微結晶シリコン層と厚さ15nmのp型非晶質シリコンカーバイド層との積層からなるp型層21、厚さ350nmのi型非晶質シリコン光電変換層22、および厚さ15nmのn型微結晶シリコン層23を順次プラズマCVD法により積層して前方光電変換ユニット2を形成した。つづけて、プラズマCVD法によって、厚さ50nmのシリコン系複合層からなる中間透過反射層6を形成した。さらに、厚さ15nmのp型微結晶シリコン層31、厚さ2.5μmのi型結晶質シリコン光電変換層32、および厚さ15nmのn型微結晶シリコン層33を順次プラズマCVD法で積層して後方光電変換ユニット3を形成した。その後、YAGレーザの第二高調波波長:532nmを用いて、前方光電変換ユニット2、中間透過反射層6、および後方光電変換ユニット3を貫通する接続溝905を形成した。接続溝905の形成後においては、後方光電変換ユニット3上の裏面電極層4として、厚さ90nmのAlドープZnO層41と厚さ200nmのAg層42をスパッタ法にて順次堆積した。このとき、接続溝905は、その裏面電極層によって埋め込まれた。上記裏面電極は、基板ホルダを備えていない製膜装置で製膜された。そのため、裏面電極層の製膜面とは反対側となる基板の光入射側面に裏面電極層が回り込み、図3で示される端部領域に裏面電極層が着膜した。本着膜後の光入射側面の外観は、端部は黒く着色しており、中央部には着色は見られなかった。本基板を下地層面1111を上側、反射防止層面1112を下側として設置し、その反射防止層面側に着膜した導電層を、10×10-2重量の塩酸溶液を含浸したスポンジをあて、70mm/secの移動速度で除去し、続いて、純水を含浸したスポンジで70mm/secの移動速度で除去した。その後、風量40m/sec、移動速度70mm/secに設定されたエアナイフで乾燥した。その結果、光入射側面の端部の黒い着色は消失し、中央部と同様の外観となった。図4および図5に本基板の光入射側面中央部、処理後の基板光入射側面端部の反射率を示す。各箇所の532nmの反射率は着膜の見られない中央部は583、処理後の端部は661とほぼ同等であった。その後、YAGレーザの第二高調波波長:532nmを用いて、前方光電変換ユニット2、中間透過反射層6、後方光電変換ユニット3、および裏面電極層4を貫通する分離溝904を問題なく形成できた。分離溝904形成後、純水を媒体として高圧洗浄を行った。実施例2本発明の実施例2においても、実施例1に類似の薄膜光電変換装置が作製された。すなわち、実施例2においては、光入射側面に着膜した導電層の除去処理に用いた塩酸濃度が10×10-2重量から10重量に変更されたことのみにおいて、実施例1と異なっていた。本実施例の基板端部は塩酸による除去処理後に、端部の黒い着色は消失し、中央部と同様の外観となった。本箇所の反射率を図4に示す。処理後の端部の反射率は532nmにおいて627であり、中央部5.83とほぼ同等であった。その後、実施例1と同様に分離溝904を問題なく形成できた。比較例1本発明の比較例1においても、実施例1に類似の薄膜光電変換装置が作製された。すなわち、比較例1においては、光入射側面に着膜した導電層の除去をしないことのみにおいて、実施例1と異なっていた。本比較例の基板の光入射側面端部は黒く着色していた。なお、本箇所の反射率が、図5に示されており、本箇所の反射率は532nmにおいて971であった。続いて、実施例1と同様に分離溝904を形成しようと試みたところ、光入射側面端部の導電層にレーザが反射吸収された痕跡が残り、セル上に良好な分離溝が形成されなかった。実施例1,2および比較例1のまとめ実施例1に対する比較例1の比較から、裏面電極製膜後に光入射側面端部に着膜した導電層の塩酸による除去処理を実施しない場合、以降のレーザ集積が困難であることが分かる。反射率を測定した傾向からも、無処理の場合は反射率が高く、酸処理後に反射率が低減していることから、塩酸による除去により光入射側面端部の導電層が除去され、光入射側面からレーザが入射しやすくなるものと考えられる。また実施例1に対する実施例2の比較から、用いる塩酸濃度と導電性の除去効果は、塩酸濃度10×10-2重量と1.0重量で反射率が105倍程度の差であり、塩酸濃度10×10-2重量でも十分な効果が得られることがわかる。比較例2本発明の比較例2においても、実施例1に類似の薄膜光電変換装置が作製された。すなわち、比較例2においては、光入射側面に着膜した導電層を、移動速度170mm/sec、回転数3600rpmのブラシを用いて物理的に除去することのみにおいて、実施例1と異なっていた。本比較例の基板の光入射側面端部は黒く着色しており、続いて、実施例1と同様に分離溝904を形成しようと試みたところ、比較例1と同様に光入射側面端部の導電層にレーザが反射吸収された痕跡が残り、セル上に良好な分離溝が形成されなかった。比較例3本発明の比較例3においても、実施例1に類似の薄膜光電変換装置が作製された。すなわち、比較例3においては、光入射側面端部に着膜した導電層を、実施例1と同条件に設定された、純水を含浸したスポンジのみで除去し、続いて、実施例1と同条件に設定された、エアナイフで乾燥したことのみにおいて、実施例1と異なっていた。本比較例の基板光入射側面端部は黒く着色していた。なお、本箇所の反射率が、図5に示されており、本箇所の反射率は532nmにおいて8.91であった。続いて、実施例1と同様に分離溝904を形成しようと試みたところ、比較例1、2と同様に光入射側面端部の導電層にレーザが反射吸収された痕跡が残り、セル上に良好な分離溝が形成されなかった。実施例1および比較例2,3のまとめ実施例1に対する比較例2の比較から、裏面電極製膜後に光入射側面端部に着膜した導電層をブラシで物理的に除去処理した場合、導電層が除去されず、以降のレーザ集積が困難であることが分かる。ブラシで物理的に除去する力を強くしても導電層が剥がれる様子はなかった。また仮に過度に力を強くした場合、反射防止膜ごと導電層が剥がれる、あるいはガラス基体が傷つくことが予想された。また実施例1に対する比較例3の比較から、光入射側面端部に着膜した導電層を純水で除去処理した場合、反射率の低減効果が塩酸を用いた場合より小さく、以降のレーザ集積が困難であることが分かる。以上のような鋭意検討の結果から、裏面電極製膜後に光入射側面端部に着膜した導電層を、好適には10×10-2重量以上の濃度の塩酸溶液で除去することにより、当該導電層が除去され、以降のレーザ集積が可能となることがわかる。"