第1の基板1が第2の基板2に接合される際に、‐前記第1の基板1の第1の接触面1kに沿った歪値の第1の歪マップ及び/又は前記第1の接触面1kに沿った応力値の第1の応力マップを初期検出手段によって検出することができ、及び/又は‐第2の接触面2kに沿った歪値の第2の歪マップ及び/又は前記第2の接触面2kに沿った応力値の第2の応力マップを前記検出手段によって検出することができ、及び‐前記第1及び/又は第2の歪マップ、及び/又は前記第1及び/又は第2の応力マップを評価するための評価手段であって、該評価手段によって前記局所的な位置合わせ誤差を決定することができる、という特徴によって、前記第2の基板2に対する前記第1の基板1の歪及び/又はねじれによって生じた局所的な位置合わせ誤差を決定するための機器。特に前記評価手段による決定において、第1の位置合わせキー3.1~3.nの第1の位置マップ及び/又は第2の位置合わせキー4.1~4.nの第2の位置マップを考慮に入れるように作られている請求項1に記載の機器。第1の基板1が第2の基板2に接合される際に、‐前記第1の基板1の第1の接触面1kに沿った歪値の第1の初期歪マップ及び/又は前記第1の接触面1kに沿った応力値の第1の初期応力マップを初期検出手段によって検出することができ、及び/又は‐第2の接触面2kに沿った歪値の第2の初期歪マップ及び/又は前記第2の接触面2kに沿った応力値の第2の初期応力マップを初期検出手段によって検出することができ、及び‐請求項1に記載された装置であって、前記第1及び/又は第2の当初歪マップ、及び/又は前記第1及び/又は第2の当初応力マップを、前記局所的な位置合わせ誤差の決定において前記評価手段によって考慮することができる、という特徴によって、前記第2の基板2に対する前記第1の基板1の歪及び/又はねじれによって生じた局所的な位置合わせ誤差を決定するための装置。以下の特徴:‐前記第1の接触面1kに沿って配置された第1の位置合わせキー3.1~3.n、50’の第1の位置マップを、位置検出手段7、8によって検出することができ、‐前記第2の接触面2kに沿って配置された第2の位置合わせキー4.1~4.n、50の第2の位置マップを、位置検出手段7、8によって検出することができ、‐請求項1又は2に記載の機器又は請求項3に記載の装置、‐前記第1の接触面1kの第1の位置合わせ位置と前記第2の接触面2kの第2の位置合わせ位置とを、前記第1の位置マップ及び前記第2の位置マップの値に基づいて決定するための計算手段、‐前記第1の接触面1kの前記第1の位置合わせ位置への位置合わせのため、及び前記第2の接触面2kの前記第2の位置合わせ位置への位置合わせのための位置合わせ手段、‐前記第1及び第2の基板1、2を接続するための手段、及び‐請求項1又は2に記載の機器、又は請求項3に記載の装置、によって、第1のプラットフォーム10上に適合させることができる第1の基板1の第1の接触面1kを第2のプラットフォーム20上に適合させることができる第2の基板2の第2の接触面2kに接合するための装置。前記基板1、2の接合中に、特にその場で、前記第1及び/又は第2の位置合わせ位置をチェックするための検出手段があることを特徴とする請求項4に記載の装置。チェックは前記第1の基板1及び/又は前記第2の基板2の透明領域40を通じて行われることを特徴とする請求項5に記載の装置。チェックのためのときに、少なくとも2つ、好ましくは4つの対応する位置合わせキー3.1~3.4、4.1~4.4があることを特徴とする請求項5又は6に記載の装置。第1の基板1が第2の基板2に接合される際に、前記第1の基板1の前記第2の基板2に対する歪及び/又はねじれによって生じた局所的な位置合わせ誤差を、‐前記第1の基板1の第1の接触面1kに沿った歪値の第1の歪マップ及び/又は前記第1の接触面1kに沿った応力値の第1の応力マップを検出手段によって検出するステップ、及び/又は‐第2の接触面2kに沿った歪値の第2の歪マップ及び/又は前記第2の接触面2kに沿った応力値の第2の応力マップを検出手段によって検出するステップ、及び‐前記第1及び/又は第2の歪マップ及び/又は第1及び/又は第2の応力マップを、評価手段によって評価し、局所的な位置合わせ誤差を決定するステップによって、特にこの順で決定するための方法。第1の位置合わせキー3.1~3.n、50’の第1の位置マップ及び/又は第2の位置合わせキー4.1~4.n、50の第2の位置マップの評価が特に決定において考慮されることを特徴とする請求項8に記載の方法。以下の追加的なステップ、すなわち‐第1の接触面1kに沿った歪値の第1の初期歪マップ及び/又は前記第1の接触面1kに沿った応力値の第1の初期応力マップを初期検出手段によって接合の前に検出するステップ、及び/又は‐前記第2の接触面2kに沿った歪値の第2の初期歪マップ及び/又は前記第2の接触面2kに沿った応力値の第2の初期応力マップを、前記初期検出手段によって接合前に検出するステップ、及び‐前記第1及び又は第2の初期歪マップ及び/又は前記第1及び/又は第2の初期応力マップを局所的な位置合わせ誤差の決定において考慮するステップ、があることを特徴とする請求項8又は9に記載の方法。以下のさらなるステップ、すなわち‐前記第1の接触面1kに沿って配置された第1の位置合わせキー3.1~3.n、50’の第1の位置マップを、位置検出手段7、8によって接合前に検出するステップ、‐前記第2の接触面2kに沿って配置された第2の位置合わせキー4.1~4.n、50の第2の位置マップを、位置検出手段7、8によって接合前に検出するステップ、‐前記第1の接触面1kの第1の位置合わせ位置及び前記第2の接触面2kの第2の位置合わせ位置を、前記第1の位置マップの値及び前記第2の位置マップの値に基づいて、計算手段によって決定するステップ、‐前記第1の接触面1kの前記第1の位置合わせ位置へ、及び前記第2の接触面2kの前記第2の位置合わせ位置へ位置合わせするステップ、及び‐前記第1及び第2の基板1、2を接合するステップ、がある請求項8~10のいずれか一項に記載の方法。以下のさらなるステップ、すなわち‐前記第1及び/又は第2の位置合わせ位置を前記基板1、2の接合中に、特にその場で、検出手段、特に前記第1の基板1及び/又は前記第2の基板2の透明領域40を通じて、チェックするステップがあることを特徴とする請求項8~11のいずれか一項に記載の方法。接合されるウェハ1、2のための請求項1に記載の機器又は請求項4に記載の装置の使用であって、前記結合されるウェハ1、2は作り直すことができるか、又は作り直される、使用。接合されるウェハ1、2のための請求項8に記載の方法の使用であって、前記結合されるウェハ1、2は作り直すことができるか、又は作り直される、使用。本発明の目的は、より正確な位置合わせのために、特にウェハの全面に関する、より高い検出が達成され、位置の検出又はその後の位置合わせにおける誤差が最小化されるような、一般的な装置又は一般的な方法を開発することである。さらに、本発明の目的は、ウェハの位置の検出及び位置合わせにおける処理能力を向上させることである。この目的は、請求項1、4、及び8の特徴によって達成される。本発明の有利な発展形は従属請求項に与えられている。また、明細書、特許請求の範囲、及び/又は図面に与えられている特徴のうちの少なくとも2つのすべての組み合わせも、本発明の構成内に含まれる。また、記載されている数値範囲において、示された限界値内の数値もまた、境界値として開示されているとともにすべての組み合わせにおいて権利を要求される。本発明は、基板の少なくとも1つの透明な領域を通じて基板を観察し、任意には、2つの基板の互いに対する相対的な位置を、特にその場で修正するために、基板の位置合わせの前、間、及び/又は後の、基板、特にウェハの位置マップ、歪マップ、及び/又は応力マップを記録するという発想に基づいている。マップは、基板の表面に沿った所定のX-Y位置における特性、特に数値として規定される。基本となる発想は、基板の接合後のこれら基板の少なくとも1つに沿った歪値の少なくとも1つの歪マップを確定し、この確定された歪値によって局所的な位置合わせの誤差を確定することができる、ということである。局所的な位置合わせの誤差は、好ましくは基板の局所的な構造又は局所的な構造の群に関連する。本発明において権利を要求されているように、1つ又は2つの基板の位置ずれマップが、基板の接合によって生じた位置ずれに対して準備される。この位置ずれは、特に基板のねじれ及び/又は歪によって生じる。基本的な発想は、特にそれぞれの基板上の複数の局所的な位置において、好ましくはそれぞれの基板の位置マップによって示された位置において、予備結合ステップ又は接合ステップによって導入されるねじれがどのくらい重大であるか→ねじれベクトルを評価できるということである。予備結合後に実際に達成された位置合わせ精度は、透明な窓部を使用して測定することができるが、結果を悪化させる場合があるのはこれらねじれであるので、これは後述するように、ウェハ全体において実際に達成される精度についてはほとんど何も示すことはない。ウェハは赤外線に対して透過性を有していないので、位置合わせ精度は直接測定することができない。本発明によれば、位置合わせ精度は応力マップ及び/又は歪マップを検出する手段によって評価される。1つの重要な特徴は、1つの好ましい実施形態における本発明において権利を要求される機器又は測定装置が、独立したモジュールとして、位置合わせ装置から分離して設けられていることである。1つの好ましい実施形態においては、モジュール部分は、以下のようである。1接合結合又は予備結合前の応力及び/又は歪マップを検出するためのモジュール2特に特許文献1による位置合わせモジュールしかし、ウェハの位置合わせもまた、2つの位置合わせマークのみを使用して行うことができる。この場合、位置マップは実際の測定によって検出することはできず、ウェハのレイアウトに基づいて既知であるとされる。3結合後の応力マップを検知するための少なくとも1つの測定モジュール本願において権利を要求されているような、この用途とは別に、開示中に同様に後述されている他の実施形態が考えられ、この実施形態においては、2つのウェハのうちの1つがほとんど構造化されていない、すなわち最大の位置合わせマークを有している。この場合には、構造化されているウェハのねじれを評価することができる。この実施形態においては、測定された位置マップはなく、照射野の既存のねじれについての情報又はデータ、及びこれら照射野がウェハ上のどこに位置しているかについての情報だけしかない。これらデータは読み取られるとともに、一方でウェハのレイアウト位置から既知である。既に存在しているねじれは測定装置によって測定され、この測定装置はこの目的に対して好適である通常は、リソグラフィーシステムがこの目的のために使用される。この実施形態においては、焦点は位置合わせ正確な位置合わせウェハの一方はほとんど構造化されていないには関連しないが、構造化されたウェハのねじれのみは関連性を有している。2つのウェハ間の位置合わせはここでは粗い機械的‐端部対端部か、又は光学的ほとんど構造化されていないウェハに設けられた位置合わせマークの手段によってである。しかし、光学的位置合わせに対する要求は、通常はかなり低い。位置マップは、ここで再度記載される以前の特許文献1におけるような1つの有利な変形態において、記録され/検出される。この特許文献1は、位置合わせされる2つの基板の位置合わせキーのX-Y位置が、少なくとも1つのX-Y座標系において検出し測定することができる方法を記載しており、この少なくとも1つの座標系は、基板の動きとは独立しており、よって第1の基板の位置合わせキーを、第2の基板の適切な位置合わせキーの相関関係によって対応する位置合わせ位置に位置合わせすることができる。したがって、位置合わせされる基板それぞれの位置マップが用意される。換言すると、この装置は、基板の動きを、特に専らX方向及びY方向において検知する手段を使用可能とし、これらX方向及びY方向は、少なくとも1つの固定された、特に局所的に固定された参照ポイントに対する基準であり、したがって、X方向及びY方向の少なくとも1つにおいて、対応する位置合わせキーの正確な位置合わせを可能にする。位置マップは以下のステップによって記録することができる。‐第1の接触面を第1のX-Y平面に配置し、第2の接触面を、第1のX-Y平面に平行な第2のX-Y平面に配置するステップ;‐第1の基板の動きとは独立した第1のX-Y座標系における、第1の接触面に沿って配置された第1の位置合わせキーのX-Y位置を第1の検出手段によって検出し、第2の接触面に沿って配置されているとともに、第2の基板の動きとは独立した第2のX-Y座標系における第1の位置合わせキーに対応する第2の位置合わせキーのX-Y位置を第2の検出手段によって検出するステップ;‐第1の接触面を、第1のX-Y位置に基づいて確定された第1の位置合わせ位置に位置合わせし、第2の接触面を、第1の接触面に対向して位置するとともに、第1のX-Y位置に基づいて確定された第2の位置合わせ位置に位置合わせするステップ。これはまた、複数のプラットフォーム上及び複数の座標系上のウェハの記録及び移動、及びそれらの互いに対する関係にも適用され、これらもまた、ここで逆の記載がない場合には、歪マップ及び/又は応力マップを記録/検出するために使用することができる。特に透明な領域に関連する位置マップ、歪マップ、及び/又は応力マップの組み合わせによって、特に予備結合のステップの後又はその間に、ウェハの接触の後又はそれによって生じる不完全な位置合わせを検出すること、及びウェハを互いから分離すること、若しくはそれらウェハを生産プロセスから分離することが可能である。1つの問題は、既存の技術によっては、通常は非常に限られた数の位置合わせ用マスクしか検出されないということである。通常は、位置合わせは2つの位置合わせ用マスクしか使用しないで行われる。したがって、これは結果として上述した位置合わせが位置合わせ用マスクの位置で、かつ位置合わせ用マスクに直近の領域において良好とすることができるが、一方でウェハの残りの領域における位置合わせは不十分となる場合があるという悪影響をもたらす。他の問題は、ウェハの予備結合とウェハの最終的な結合との両方における選択された結合プロセスに応じて、機械的なねじれが1つ又は2つのウェハに生じる場合があり、これらねじれは局所的に又は全体的にさえ、位置合わせの精度の悪化をもたらす場合があるということである。ウェハの上首尾な位置合わせに対するこれらねじれの重大さ/効果は、特に要求される2μmより良好な正確性に対して要求される位置合わせの正確性とともに増加する。>2μmの位置合わせ精度に対しては、これらねじれは十分に小さく、位置合わせの結果に重大な影響をもたらすことはない。これらねじれは、2つの構造化された基板の結合において問題を構成するだけでなく、構造化された基板の、ほとんど構造化されていない基板への結合において大きな問題を引き起こす場合がある。これは特に、結合後に、非常に正確な位置合わせが構造化された基板に必要とされる他のプロセスステップが行われる場合である。特に、構造の追加的な層が基板上に既に存在している構造に位置合わせされるリソグラフィーのステップはここで高い要求を課す。これら要求は、生産される構造の減少する構造サイズに伴って生じる。この用途は、例えばいわゆる背面照射CMOSイメージセンサの生産において生じる。ここでは、すでに構造化された表面を有する第1のウェハが、特にほとんど構造化されていないキャリアウェハ上に結合される。永久的な結合接続が形成された後、構造化されたウェハのウェハ材料のほとんどが、構造化された表面、特に光に敏感な場所が背面からアクセス可能となるように除去される。次いでこの表面は、例えばイメージセンサの操作のために必要なカラーフィルタを設けられるように、他のプロセスステップ、特にリソグラフィーで処理されなければならない。これら構造のねじれは、このリソグラフィーステップにおいて達成することができる位置合わせ精度に悪影響を与える。現状世代の1.75μm又は1.1μmのピクセルサイズを有するイメージセンサのためには、ステップアンドリピート型照射システムの26×32mmまでの照射野に対して許容されるねじれは、おおよそ100nm、より良好には70又は50nmである。この明細書における予備結合は、達成された予備結合ステップの後に依然として基板、特にウェハの分離を、表面の修復不可能な損傷なしに可能にする結合接続を意味する。したがって、これら結合接続もまた可逆的結合と呼ぶことができる。この分離は通常は、表面間の結合強度/接着が依然として比較的低いという事実に基づいて可能である。この分離は、結合接続が永久的になる、すなわち、もはや分離できなくなる非可逆的になるまで通常は可能である。これは特に、所定の時間の経過及び/又は外部からの物理的パラメータ及び/又はエネルギーの手段によるウェハへの作用によって達成することができる。ここでは特に、圧縮力の手段によるウェハの圧縮、又は所定の温度までのウェハの加熱、又はウェハのマイクロウェーブ照射への暴露が好適である。この予備結合に対する一例は、熱的に生成された酸化物を有するウェハ表面と自然酸化物を有するウェハ表面との間の接続、ここでは室温で生じる表面間のヴァンデンワールス接続である。これら結合接続は、温度処理によって永久的な結合接続に変換することができる。有利には、これら予備結合もまた、永久的な結合接続の形成の前の結合の結果の検査を可能にする。この検査において不備が確認された場合には、基板を再び分離し、再接合することができる。最も単純な実施形態において本発明は、ウェハ、又はウェハの対に予備結合ステップによって導入される応力の検出を可能にする測定装置及び測定方法である。これは、結合前後の応力マップの分析によって行われる。応力差分マップは、以下の記述に従って応力マップから作られる。応力差分マップは、予備結合ステップによって導入されたねじれ/歪の特に実験的な評価を可能にする。ねじれベクトル場又はねじれマップ/歪マップは応力差マップから作られる。本発明において権利を要求されているこのねじれベクトル場は、2つのウェハのうちの一方だけが構造化されているウェハの対に対して、結合前に既に存在している理想的な形状からのずれに加えて、どのねじれが所定の位置、特に照射野のコーナーにおいて、好ましくはリソグラフィー装置のための位置合わせ用マークの位置において生成されたかを確定することを可能にする。ねじれベクトル場は代替的に、2つの構造化されたウェハを有するウェハの対に対して、既に理論的に2つのウェハの位置マップに基づく選択された理想的な位置合わせ位置の結果として期待されるずれベクトルに加えて、どの追加的な位置合わせのずれが位置マップにおいて検出された点において期待することができるかを予想することを可能にする。これは、ずれベクトル場、又は位置ずれマップを生成する。1つの好ましい実施形態においては、この予想されるずれベクトル場は、透明な窓における測定に基づいて確定されたずれに重ね合わせられるか、又はそれに付け加えられる。したがってこれは、位置マップのすべての対応して設けられた位置に対して最終的に予想される位置合わせの結果を結果的にもたらす。この結果によって、接合されたウェハが再度分離されるべきかどうかの決定が下される。さらに、本発明は、以下のような装置及び方法を発明する思想に基づいている。‐2つのウェハの互いに対する位置合わせ位置それぞれを確定することができ、この確定された位置合わせ位置によって、ウェハの互いに対する接触表面上のすべての構造のセットは経済的に及び/又は技術的に互いに対して最適である。この相対的な位置は、必ずしも必要であるわけではないが、互いに対する位置合わせマークの完全な位置合わせと相関する。もちろん、位置合わせマークもまたほとんどいつも最適位置に、すなわち、μmの範囲ですぐ近傍にあるが、必ずしも完全にそこにある必要はない。‐したがって、既に完成された予備結合プロセスに対して、2つのウェハを互いから分離することが依然として可能である状態において、予備結合プロセスにおいて生じた応力と、この応力からたぶん生じたねじれ、特に機械的なねじれとが、許容できる範囲の大きさにあるかどうかをチェックすることができる。これは、特に2つのウェハのうちの1つが構造化されており、第2のウェハはほとんど構造化されていない用途に使用される。‐したがって、既に完成された予備結合プロセスに対して、2つのウェハを互いから分離することが依然として可能である状態において、2つのウェハの位置づけ又は互いに対するウェハの個々の構造の正確性もまた実際に使用に対応しているかどうかをチェックすることができる。このように、ウェハが相互にz-軸の方向に互いに対して接近するときに生じる位置ずれ、又はさらに悪いことに接触プロセス中に生じる理想的な位置からのずれを確定することができる。特に、予備結合ステップにおいて導入される応力の検出の結果として、予想されたねじれの予測と結果的な理想の位置からのずれともまた、特に実験的に評価することができる。この装置及びこの方法によれば、上述のねじれを最終的な結合接続を生成する前に任意に制御可能かつ修正可能とすることによって、<25μm、特に<0.15μm、好ましくは<0.1μmの位置合わせ精度を良好な信頼性と歩留りとを有して達成することができる。言い換えると、その結果この装置は少なくとも、予備結合ステップの前及び/又は後にウェハの応力特性を検出する手段を入手可能にする。これら応力特性、及び特に予備結合ステップの前後の応力特性の比較の知見に基づいて、予備結合ステップ中にウェハに導入された歪/ねじれについて予想することができる。他の実施形態においては、特に、2つの構造化されたウェハの検査及び/又は位置合わせのために、この装置は、特に、少なくとも1つの固定された、特に局所的に固定された参照ポイントに対して参照される1つのX及びY方向だけの基板の移動を検出する手段を入手可能とし、よって個々の構造の位置を参照するだけでなく、歪及び/又は応力特性に関しても、少なくとも1つのX及びY方向における対応する位置合わせキーの正確な位置合わせを可能にする。ここに示した本発明の特徴は、一方では2つのウェハの互いにたいするすべての構造の経済的及び/又は技術的に最適な位置合わせを確定、測定、及び/又はチェックすることができる点にある。これは、2つのウェハの構造の、ウェハが一緒にされる前の位置マップを、特に以前の特許文献1に従って、及び連続的に、特にその場での2つのウェハの位置ずれの位置合わせマークを介するモニタリングプロセスにおいて、記録することを備える。品質の悪い予備位置合わせ及び予備結合に対しては、通常は非常に高価な構造化されたウェハを互いから再度分離し、再位置合わせすることができる。本発明の1つの有利な実施形態においては、機器は、特に評価手段による確定において、第1の位置合わせキーの第1の位置マップ及び/又は第2の位置合わせキーの第2の位置マップを考慮するように設けられる。位置合わせキーは特に、基板又は基板のうちの1つに設けられた位置合わせマーク及び/又は構造である。応力及び/又は歪マップは各検査側のいずれかから、放射線が反射される反射測定によって記録される。特に、層の厚みに亘る応力/歪の平均値は使用できないが、赤外線又は透過測定法によるそれぞれ背面からの表面近傍の領域についての情報は、本発明において権利を要求されているように可能である。赤外線又はX-線による測定においては、検出可能な層の厚みに亘る応力又は歪の平均値が確定される。応力‐歪マップは、透明な領域を通じて記録される必要は必ずしもない。位置マップは特に反射測定によってのみ、好ましくは可視光を使用することによって確定される。第1及び第2の位置合わせキーは前述の方法によって、同時に、特に同じ検出手段によって検出することができる。本発明の他の有利な実施形態によれば、基板の接触及び/又は結合中の基板の位置合わせを、特にその場でチェックすることができる。その場でのチェックは、特に基板の接触又は結合中の移動によって生じる位置合わせの誤差を排除することができるという利点をもたらす。4つの対応する位置合わせキーがチェックのために設けられる範囲であって、チェックが特に透明な領域を通じて行われる範囲に対しては、基板の互いに対する相対的な位置のその場でのモニタリングを行うことができる。本発明の他の利点、特徴、及び詳細は、以下の好ましい最良の実施形態の記載及び図面の使用から明らかとなる。図中において、同一の機能を有する同一の構成要素及び部品は同一の参照番号によって特定されている。図11aは、表面10を有する第1の基板1、特にウェハ1と、表面20を有する第2の基板2、特にウェハ2とから成る通常のウェハシステムを示している。表面10、20上には、接触面1k、2kに結合される異なる構造50、50’がある。構造50、50’は、例えば、MEMS装置を収容する空洞とすることができる。また、3D構造の集積されたチップスタックの場合には、これら構造は金属表面とすることができ、この金属表面は電気接続を生成するために使用される。簡単のために、構造50、50’は黒い長方形として示されている。図11b及び11cは、2つのウェハ1、2の表面10、20を示している。ウェハ2は第2の位置合わせキー4.1~4.4を有する4つの領域40を有している。領域40は、所定の波長又は所定の波長範囲の電磁気放射に対して透明である。第1の検出手段7、特に光学的手段opticsは、第1のウェハ1の第1の位置合わせキー3.1~3.4を対応する第2の位置合わせキー4.1~4.4に透明な領域40を通じて対応させることができる。好都合なことに、これら透明な領域は、シリコンウェハに対しては、これら領域を除いてシリコンをドーピングすること、又はこの領域のドーピング度を比較的低く維持し、この領域に金属層を形成しないか、又は、特にほとんど金属構造を形成しないことによって、使用可能とすることができる。これは例えば、位置合わせマークと特に金属から成る予定された適切な構造だけを透明な領域に配置して達成することができる。これら必須要件を順守することによって、シリコンは>11μmの、特に>1050nmの波長を有する赤外線に対して透明となる。構造50、50’は表面10、20の上に突出させることができるか、又は表面10、20に対して後退させることができ、このため、接触表面1k、2kはウェハ1、2の表面10、20と一致させる必要はない。また、位置合わせキー3.1~3.n又は4.1~4.nは、構造50、50’又は構造50、50’の一部とすることができる。方法は位置マップの記録によって始まる。位置マップは、特に第1及び/又は第2の位置合わせキー3.1~3.n又は4.1~4.n、及び/又はウェハ1、2の表面の構造50、50’又は構造50、50’の一部の、できるだけ多くの構造要素の、空間的にできる限り完全な位置検出として規定されている。図12aは、光学的手段7による第1のウェハ1の表面10の位置検出を、従って第1の位置マップの記録を示している。第1の位置合わせキー3.1~3.4の位置は、ウェハ1を光学的手段7に対して移動させるか、又は光学的手段7をウェハ1に対して移動させるかすることによって、ウェハ1の頂面10において測定される。1つの好ましい実施形態においては、光学的手段7は、ウェハ1が光学的手段7に対して移動する間は、記録手段12に固定されている。第1のステップに続くか、又は第1のステップと同時に進行する第2のステップにおいては、図12bにしたがって同じプロセスが第2のウェハ2の頂面20に第2の検出手段、特に光学的手段8によって行われる。この測定プロセスにおいて、位置マップの記録は重要なことなので、検出手段として光学的手段7のみを使用すること、したがって光学的手段8を排除すること、及び光学的手段7の方向において構造化された頂面10、20を有する2つのウェハ1、2を測定することもまた考えられる。したがって、その後の位置合わせ及び結合ステップに対しては、2つのウェハ1、2のうちの1つは反転され、その記録手段12又は22上に固定される。上述のステップによれば、この装置は今や、ウェハ1、2の頂面10、20上のすべての記録された構造50、50’又は記録された第1及び第2の位置合わせキー3.1~3.n及び4.1~4.nのX-Y位置、特に第1及び第2の位置合わせキー3.1~3.n及び4.1~4.nに対する構造50、50’の位置もまた知っている。それらは第1の基板1に対する第1の位置マップの形、及び第2の基板2に対する第2の位置マップの形で記憶されている。本発明において権利を要求されているような測定ステップの間には、第1及び第2の位置マップだけではなく、特に異なるモジュール又は1つのモジュールにおいて同時に、第1及び第2の当初の歪マップ及び/又は第1及び第2の応力マップもまた記録され、基板1、2の基本的な応力又は当初の応力を表現している。ここでそれは、位置マップによるX-Y位置の関数としての歪及び/又は応力の値の記録である。局所的に決定される応力及び/又は歪を確定することができる測定装置それぞれ、特に赤外線測定装置を使用することができる。ラマン分光光度計に基づく測定装置が特に有利に使用される。本発明において権利を要求されているように代替的に、非特許文献1の赤外線による方法Grey-FieldPolariscopeを使用することができる。応力及び/又は歪マップは、光学的手段7、8のウェハ1、2に対する相対的な動きによって順に記録される。1つの有利な実施形態においては、別の光学的手段があるか、又は光学的手段7、8に追加的に一体化された光学的手段がある。歪マップだけ、又は応力マップだけが検出時間の最適化のために設けられる限りにおいて、応力マップは弾性の基本方程式によって対応する歪マップに変換され、歪マップは弾性の基本方程式によって対応する応力マップに変換される。本発明において権利を要求されるように、好ましくは有限要素法に従う出発点で、数学的な変換、特に数値変換が考えられる。特に位置マップ及び/又は歪マップの正確な検出のために最適化されてきた装置に対しては、2つの異なる検出手段が位置マップ及び/又は応力マップの検出に使用される。本発明に従って、また他の欠陥源の除外のために、応力及び/又は歪マップが基板1、2の位置合わせに従って検出される。1つの有利な構成において、位置マップを記録するための検出手段それぞれは、応力及び/又は歪マップの検出のための検出手段を同時に備え、よって同じ駆動手段による検出手段それぞれの移動が行われる。代替的に、加速された、またこの観点に関して費用的に好適な実施形態に対して、特にそれぞれ別のウェハハンドリング手段、好ましくはロボットアームを有する一つ以上の別のモジュールに応力及び/又は歪マップの検出手段を設けることが考えられる。図13は、完全に位置合わせされた第1及び第2の位置合わせキー3.1、4.1、及び完全に位置合わせされた構造50、50’を示しており、構造50’は、完全な重ね合わせの故に構造50によって覆われている。このケースは現実的ではなく、位置合わせキー3.1~3.n及び4.1~4.nに関連して2つのウェハ1、2上のすべての構造50、50’は完全に製造されて、完全な結合プロセスにおいて図3からの状態が結果的に得られている。実際には、構造50、50’はそれほど完全には製造することはできない。構造50、50’が完全に製造されたとしても、ウェハ1、2は、接近プロセス中、又は接触状態になる間に、互いに対して動く場合がある。また、予備結合ステップにおいては、追加の応力がウェハ中に導入される場合があり、この応力は歪/ねじれをもたらし、更なる結果として理想的な位置合わせからのずれをもたらす。本発明によれば、個々の位置における完全な位置合わせは従って必ずしも目的ではない。むしろ、本願において権利を請求するように、ウェハ1、2上のすべての対応する構造50、50’が、経済的及び/又は技術的な観点に関して一緒に位置合わせされて、結合されるウェハの対それぞれ及び位置合わせされた半導体チップのスクラップができるだけ少なくなることに心が配られる。すべての検出された構造50、50’及び/又は2つのウェハ1、2の第1及び第2の位置合わせキー3.1~3.4及び4.1~4.4が既知であるので、ウェハ1、2又はすべての構造50、50’の互いに対する最適な相対的な位置は計算手段によって確定することができる。これは、第1の接触表面1kの第1の位置合わせ位置及び第2の接触表面2kの第1の位置合わせ位置を、第1の位置マップの値、及び第2の位置マップの値に基づいて確定することによって行われる。ウェハ1、2の互いに対するこの相対的な位置及び/又は第1及び第2の位置合わせ位置は、接着中及びその後、並びに結合プロセスの後に、光学的手段7によって及び透過性領域40を通じて、正確性を連続的にその場でチェックすることができる。このように、位置合わせはその場でチェックすることができる。2つのウェハ1、2又は構造50、50’の互いに対する最適な相対的な位置は、例えば、対応する構造50、50’それぞれの互いからのずれの、特に2次方程式で表される最小合計を計算することによって生じる。本発明おいて請求されているように、経済的な側面を理想的な位置合わせ位置のこの計算に含めることを可能とすることが同様に考えられる。このように、半導体産業の多くの領域において、特にメモリー産業例えば、RAM、NANDフラッシュにおいては、ウェハ内の所定の領域、特にウェハの中心の領域のチップの品質関連のパラメータの変化が小さいということが認められている。したがって、この領域から由来したチップは、高い販売価格を得、よって、これらチップが意図的に異なる品質バスケット内に分別されるソートプロセスが考慮されるこのプロセスはビンニングとして知られている。したがって、本発明において権利を要求されているように有利には、ウェハの理想的な位置合わせ位置は、2つのウェハの位置マップに基づくだけでなく、経済的な計算/重みづけもまたここに含まれ、特に低価格チップの領域における低い歩留まりのコストで、高品質なチップの領域において高い歩留まりを達成することに心が配られる。図14及び16は、上部構造50のコーナーのX-Y位置の、対応する下部構造50’のコーナーのX-Y位置からの差分を構成する差分ベクトルuを示している。差分ベクトルuは、例えば位置マップの最小化計算から生じる。もちろん、透明領域40のそれぞれにおいては、それ自身の差分ベクトルuが認識される。この点で2つのウェハが互いに接近する場合、差分ベクトルuが連続的にチェックされる。差分ベクトルが変化する場合には、接近中、又は接触若しくは結合中に、2つのウェハ1、2の互いに対する確定された相対位置からのずれが起きる。たとえ2つのウェハ1、2が接触したとしても、光学機器7は依然として少なくとも4つの差分ベクトルuを透明領域40を通じてチェックすることができる。接触後にずれがあまりにも大きく影響を受けざるを得ない場合には、ウェハ1、2は位置合わせ及び予備結合プロセスを再度行うためにすぐに分離される。いくつかの透明領域40の同時チェックを実施するために、透明領域40それぞれに対してそれ自身の光学機器7が設けられ、よって結合中の処理能力は位置合わせのその場測定によって減少することはない。また、本発明において権利を要求されているように、代替的に、予備結合の後に別のモジュールにおいてチェックステップを行うことも考えられ、よって位置合わせ手段及び予備結合モジュールの処理能力が減少することはない。チェックステップの後のウェハの起こり得る分離は、チェックのためを意図されたモジュールにおいて行うことができるが、一方で、別のモジュールにおいて同様に行うことができる。また、すべてのモジュールが単一の装置において接続されているわけではなく、とくにその時点では分離しているウェハハンドリング手段を有する、別々の装置を形成することが考えられる。図13は、位置合わせマーク3.1及び4.1の近傍領域の拡大図を示している。重ね合わせ中の構造50及び50’を見ることを可能とするために、端部のみが示されている。この点において構造50及び50’が互いに対して、かつ位置合わせマーク3.1及び4.1に対して、完全に正しい位置におかれた場合、2つの構造50及び50’の完全な重なりcoveringが結合プロセスにおいて達成される。図14は、位置合わせマーク3.1及び4.1が互いに完全に位置合わせされていたにもかかわらず、構造50及び50’の重なりがないサンプルケースを示している。構造50と対応する構造50’との拡大図においては、差分ベクトルuがベクトル計算に使用することができるX-及びY-成分を有していることを理解することができる。この発明の重要な要素は、上述の測定機器、又は別々のモジュールに設けられた測定機器を、予備結合又は結合の後の応力及び/又は歪測定に対して使用することができ、よって結合されたウェハスタックの応力及び/又は歪マップを確定することができる、ということである。2つのウェハ1、2のウェハスタックへの結合の前のウェハ1、2の当初の応力及び/又は当初の歪マップを測定すること、及びウェハの積み重ね体の応力及び/又は歪マップを測定することによって、接触の瞬間又はその少し後における変形についての結論を引き出すことができる。したがって、換言すると、予備結合プロセスによって導入される応力を測定することができ、結果として得られる応力/ねじれを、特に実験的に確定された関係に基づいて、確定する/評価する/予想する、又は有利に計算することができる。この領域には透明領域がないので、ウェハ1、2の内部領域はもはや光学機器7、8によって見ることはできないが、結果は、この領域における歪及び/又は応力マップによって、状態、位置、又は変形について引き出すことができる。例えば1つの領域において応力が優勢であり、この応力が臨界値、例えば比較値を超えている場合、この領域はソフトウェアによって問題のある領域として自動的にマークされる。したがって、複数のダイは複数の品質クラスに分別することができる。低い固有応力を有する複数のダイは、高品質を有するとともに長寿命を有し、高い応力集中を有する複数のダイは低品質クラスにクラス分けすることができる。これら応力/歪マップに基づいて、ウェハの全表面及びその上に存在するすべての構造に対して、達成された位置合わせ精度が評価され、実験的に確定される。これは、実際には以下のように行うことができる。1上述の第1及び第2のウェハに対応する、第1及び第2の位置マップを検出する。2この第1及び第2の位置マップに基づいて、技術的及び/又は経済的基準に従って理想的な位置合わせマップを計算する。この計算は、同様に理想的な位置合わせ位置と、透明領域40における位置合わせマークのための対応するずれベクトルを生じさせる。すなわち、透明領域40における位置合わせマークは、ウェハ全体に対して視察される最適な結果を達成するためには必ずしも完全に位置合わせされる必要はない。さらに、この計算された望ましい位置合わせ位置に基づいて、少なくとも優勢な数、好ましくは位置マップに含まれるすべての位置に対する個々の差分ベクトルを有する、この理由図16参照に対して予想することができる2次元の差分ベクトル場v’が計算される。ここで好ましくは、構造50、50’の無い場所が除外されて、品質を低下させることはない。それらは、構造50、50’の代わりに位置合わせキーがあるので、例えば位置合わせキー3.1~3.4及び4.1~4.4の位置である。3第1及び第2のウェハに対応する第1及び第2の当初の応力マップを、予備結合ステップの前に、特に第1及び第2の位置マップの検出と並行して検出する。4ウェハを好適な方法で予備結合する。これら方法は、最も変化にとんだ結合接続に対して当業者に基本的な形式において知られている。5実際の位置合わせ精度を透明領域40において検出し、透明領域40における実際のずれベクトルuを確定する。6実際のずれベクトルu間の差分を、透明領域に対して計算されたずれベクトルから確定する。7確定された差分を考慮して、結果的に得られる差分ベクトルマップvを計算することができ、この差分ベクトルマップvにおいては、少なくとも優勢な数に対して、特に第1及び第2の位置マップに含まれる位置それぞれに対して、ずれベクトルがある。個々の位置に対応するこれらずれベクトルuはここで、個々の位置のそれぞれに対して、6のもとで確定されたずれベクトル、それぞれの位置の座標位置、及び透明場の座標位置に基づいて計算される修正ベクトルによって適応される。8予備結合後の第1及び第2の応力マップを検出する。9予備結合の前後の第1の応力マップと予備結合の前後の第2の応力マップとを比較する。10個々の点に対して予備結合の前後の応力の差分に基づいて予測することができる追加的な位置合わせ誤差/ずれベクトルを予想する。11予備結合において導入される応力によって生じる追加的なずれベクトルを、理論的に予想される、7において計算されたずれベクトルに足す。12ここで11における計算に基づいて予想されるベクトル場において、個々の点におけるずれベクトルに対して期待される位置合わせ精度が、従来通り技術的かつ経済的な成功基準に対応するかどうか、及びウェハの再処理/分離が行われるべきかどうかを決定する。予備結合の前の1つの又は両方のウェハに小さい当初の応力しかない、若しくは特に当初の応力がないウェハスタック、又は例えば大量生産において非常に小さな変化しかかけられないことによって結合前の当初の応力が既知であるウェハスタックに対しては、ステップ3において、処理量及びコストの最適化のために結合前の応力マップの検出を省略することができる。本発明において権利を要求されているように、特に小さな変化しかかけられない応力の場合には、結合前に応力マップの検出をウェハの一部だけに行うことが可能である。これに関連して、小さな応力は、予備結合のステップ中に生じる応力に比べてわずかである応力値として規定される。これは特に、応力が係数3だけ、好ましくは係数5だけ、又は係数10より大きく異なる場合である。ウェハスタックの一部分だけの測定に関しては、例えば1つのバッチの最初と最後のウェハスタックを検査に供し、残りのウェハスタックに対して、計算のために最初のウェハに対して確定された応力マップを採用することが特に実現可能である。また、時間内に計算のオフセットを行って、これによって計算の基礎を例えば最初と最後のウェハスタックに対する平均的な応力マップにおくことも考えられる。この場合には、付加的に他のウェハスタックを検査して、平均値の計算におけるより高い信頼性を達成することも有利に可能である。上述した手順によれば、ウェハスタックを形成する2つのウェハのうちの1つだけを応力マップの検出に供することも可能である。これは、2つのウェハのうちの1つだけが応力マップの検出の排除を正当化する上述の基準に合わない場合に特に有利である。2つのウェハのうちの1つだけが構造化されている用途に対しては、この方法は、2つの構造化されたウェハの結合と同様に進めることができる。特に、このプロセスはこの実施形態においては以下のようである。1構造化されたウェハ上に配置された個々の照射野の、理想的な形状からの、既に存在しているねじれ/ずれベクトルを、好適な検出手段によって検出するステップ特に、結合されたウェハの後の処理のためをも意図されたステップアンドリピートタイプの露光システムは、テストマスクのような好適な装置の補助を以ってこの測定を可能にする。理想的な形状からのこのずれは、ベクトル場の形状において示されるとともにさらなる計算のために記憶される。特に、このベクトル場は位置合わせマークの主な部分、特にすべての位置に対するベクトルを含み、これら位置合わせマークは通常通り照射野のコーナーに配置されている。2構造化されたウェハの当初の応力マップを予備結合プロセスの前に、好適な検出手段によって接触面1kウェハ1が構造化されたウェハである場合又は2kウェハ1が構造化されたウェハである場合とは反対側から検出するステップ32つのウェハを、ウェハを位置決めし位置合わせする手段に対して好適な検出手段の補助を以って、互いに対して位置合わせするステップ42つのウェハの予備結合を行うステップ5予備結合ステップ後の構造化されたウェハの応力マップを、好適な手段によって接触面1k/2kの反対側から検出するステップ6予備結合前の応力マップと予備結合後の応力マップとの差分を確定するステップ7予想されるねじれベクトル/予想されるねじれベクトル場を、6において確定された応力の差分に基づいて導き出すステップ好都合なことに、このベクトル場におけるベクトルは、1において確定されたベクトル場からのベクトルの位置と相関する、特に少なくとも大部分が一致する位置に対して確定される。好都合なことに、この一致は500μmより良く、理想的には200μm又は70μmより良い。8このねじれベクトル場を1において確定されたベクトル場に加算するステップ98における計算から結果的に得られたベクトル場が前述通り技術的かつ経済的な成功基準に合致するかどうか、又はウェハの分離及び再プロセスを行うかどうかをチェックするステップ選択されたウェハ及び/又はウェハスタックに対する、結合前の応力マップの検出又は応力マップの部分的な検出を排除することに対する上述の記載が、ここで同様に当てはまる。ねじれベクトル場を応力マップ及び、特に予備結合の前後間の応力の差分に対するマップから導き出すことは、本発明において権利を要求されているように、複数の好適な方法に基づいて行うことができる。ウェハの所定の領域において結合中に圧縮又は引っ張り応力が追加的に生じたかどうかは、事前/事後の応力マップ及び特に応力の差分の検出から明白である。この根拠によって結論は、ウェハのいずれの点における個々のベクトルの方向についても引き出すことができる。測定及び/又は計算から同様に既知である個々の領域における応力の差分のレベルは、ベクトルの総量についての結論を可能にする。しかしこれら関係は、ウェハの個々の構成要素領域が、ウェハの応力/ねじれに追加的に影響を与える他の領域によって通常は取り囲まれているので、必ずしも直線である必要はない。したがって、実際に好適である完全な計算モデルを使用してベクトルの実際の量及び方向を評価することを可能にしなければならない。また、所定の概略条件所定の応力値等に対する他の可能性は実験に基づく方法の使用であり、この方法においては、過去に行われた試験からの所見が利用される。透明領域40を有さない、接触及び/又は結合中の位置合わせのその場測定は、図15a~図15cに示されるように、歪及び/又は応力場の測定に限定される。図15a~図15cの例は、両方が完全に構造化された2つのウェハ1、2の代わりに、1つの構造化されたウェハ2’がキャリアウェハ1’に対して位置合わせする方法及び装置を示している。位置合わせマーク3.1~3.nは、位置合わせマーク4.1~4.nと、すでに既知である光学システムを使用することによって関連付けられる。光学手段7及び/又は8は、それらが上述した対応するセンサ手段を有する場合には、歪及び/又は応力場の測定に使用することができる。ウェハ2の頂面20上の応力及び/又は歪場は、キャリアウェハ1が可視領域から取り除かれる図15b間に光学手段8によって、又は使用される電磁放射が構造化されたウェハ2’を貫通できる場合には光学手段7によって測定することができる。光学機器7による透過測定においては、歪及び/又は応力の平均値は、層厚みに沿って応力が変化する場合いわゆる層厚み中の応力勾配に得ることができるということが、計算手段によって考慮されなければならない。キャリアウェハ1’の表面10上の歪/応力場の測定に対しては上述が当てはまり、必要な変更が図15cに従って行われた。当初の歪及び/又は応力場それぞれが測定された後、2つのウェハ1’、2’は位置合わせし結合することができる。結合が完成したのち、歪及び/応力場が光学手段7及び/又は8によって確定される。結合の後には、電磁放射が2つのウェハ1’、2’を貫通しなければならないので、表面10、20の歪/又は応力場のもう1つの透過測定のみが可能である。したがって、透過測定と反射測定との前述の差別化が好ましい。本発明において権利が主張されているように、より良好な比較可能性のためには、透過測定が好ましい。透過測定と反射測定とが同様の歪/応力マップを生じさせる場合には、歪及び/又は応力場が表面10、20上にのみ存在し、厚みに亘る応力勾配はないと結論付けることができる。したがって、言い換えると、事前/事後の比較は、歪及び/又は応力場の変化についての結論と、システムの考えられる弱点の結論とを可能にする。極端な歪及び/又は応力領域又は基準値を超える歪及び/又は応力領域が発見された場合には、ウェハシステムは、互いに永久的に結合される前に、再度個々のウェハに分解することができる。応力マップを検出するために使用される電磁気波に対して透明ではない構造化されたウェハに対しては、このようにウェハの構造化された表面、特に接触面1k又は2kの透明性が全く機能しないので、反射測定を好ましく使用することができる。また、透明性を有さないこれらウェハに対しては、応力は、表面10又は20とは反対側の面において有利に測定することができる。測定結果のより良好な比較可能性を達成するためには、これら表面上において、予備結合及び/又は結合プロセスの前後両方を測定することが良い考えである。また、ウェハの厚みに対して横方向に見たウェハの応力場は、大きな伸長を有しているに違いないので、この種の測定は非常に良好な結果を生じさせる。特に、所定の最小の伸長を有する横方向の応力場が大きなねじれを生じさせるに違いない周辺状況は、精度にプラスに働く。横方向X/Yにおける応力場がウェハの厚みに対して少なくとも3~5倍、多分10倍、15倍、又は20倍さえの伸長を有するに違いなく、関連する歪/ねじれを生じさせることが予想できる。本発明において権利を要求されているように使用することができる最も重要なウェハ材料の組み合わせは、Cu-Cu、Au-Au、ハイブリッド結合、Si、Ge、InP、GaAs、及びこれら材料の組み合わせ、及びこれを可能にする材料に対するそれぞれに特徴的な酸化物である。位置、歪、及び応力のマップは、すべて同一のX-Y座標系に有利に関係している。したがって、ベクトルの計算は、特に第1及び第2の位置合わせ位置の確定及び図16による位置ずれマップの確定において簡略化される。