ホスト基板部、及び前記ホスト基板部へ接合されるシード層であって、複数の領域を有するシード層、を含む基板を提供するステップであって、前記シード層の隣接する領域は、隣接する領域間における界面において互いに直接接触にある、ステップと、前記基板において、n型領域及びp型領域との間に配置される発光層を含む半導体構造を成長させるステップと、を含む方法であって、前記シード層に成長させられる半導体構造の上部表面は、前記複数のシード層領域のそれぞれよりも大きい横方向の拡がりの度合いを有する、方法。請求項1に記載の方法であって、更に、前記半導体構造をマウント部へ接続するステップと、前記ホスト基板部を取り除くステップと、を含む、方法。請求項2に記載の方法であって、更に、前記シード層を取り除くステップを含む、方法。請求項1に記載の方法であって、前記発光層はIII窒化物層である、方法。請求項1に記載の方法であって、前記界面は、前記シード層の厚さ全体を通じて延在する、方法。請求項1に記載の方法であって、各領域は、前記界面により最も近い隣り合う領域から完全に分離されている、方法。請求項1に記載の方法であって、前記界面は、前記シード層の隣接する領域間において化学的接合が実質的にない、方法。請求項1に記載の方法であって、各領域は、1乃至10ミクロンの間の横方向の拡がりの度合いを有する、方法。ホスト基板部、及び前記ホスト基板部へ接合されるシード層であって、界面により分離される複数の領域を有するシード層、を含む基板を提供するステップであって、前記隣接する領域は、シード層材料の連続的なクモの巣状構造を形成するように接続される、ステップと、前記基板において、n型領域及びp型領域との間に配置される発光層を含む半導体構造を成長させるステップと、を含む方法であって、前記シード層に成長させられる半導体構造の上部表面は、前記複数のシード層領域のそれぞれよりも大きい横方向の拡がりの度合いを有する、方法。請求項9に記載の方法であって、前記発光層はIII窒化物層である、方法。請求項9に記載の方法であって、界面におけるシード層領域間の隙間は、1ミクロン幅より小さい、方法。ホスト基板部、及び前記ホスト基板部へ接合されるシード層であって、複数の領域を有するシード層、を含む基板を提供するステップであって、前記シード層は、結晶ユニットセルを有する結晶材料であり、各シード層領域は、前記結晶ユニットセルの回転対称性と同じ回転対称性を有するように形成される、ステップと、前記基板において、n型領域及びp型領域との間に配置される発光層を含む半導体構造を成長させるステップと、を含む方法であって、前記シード層に成長させられる半導体構造の上部表面は、前記複数のシード層領域のそれぞれよりも大きい横方向の拡がりの度合いを有する、方法。請求項12に記載の方法であって、前記発光層はIII窒化物層である、方法。請求項12に記載の方法であって、前記シード層は、ウルツ鉱であり、各シード層領域は、三角形又は六角形として成形される、方法。請求項12に記載の方法であって、各シード層領域は、隙間又は界面により最も近い隣り合う領域から完全に分離されている、方法。従来技術において必要とされるのは、半導体層がより少ない歪みで成長させられ得、少なくとも部分的に応力緩和されるIII窒化物装置シード層を有する複合基板である。本発明の目的の一つは、複合基板において、この複合基板におけるシード層の領域の横方向の拡がりの度合いよりも大きい横方向の拡がりの度合いを有する半導体層を成長させることである。本発明の実施例に従う方法は、ホスト、及び前記ホストへ接合されるシード層を含む基板を提供する。シード層は、複数の領域を含む。n型領域とp型領域との間に配置される発光層を含む半導体構造は、基板上において成長させられる。シード層において成長させられる半導体層の上部表面は、前記複数のシード層領域のそれぞれよりも大きい横方向の拡がりの度合いを有する。タイトルがSemiconductorLightEmittingDevicesGrownOnCompositeSubstratesであり、本文書に参照として組み込まれる米国特許出願書類第12236853号は、トレンチがシード層材料のアイランド間において形成される複合基板に成長させられるIII窒化物構造の群を含むIII窒化物装置を記載する。III窒化物構造は、横方向の成長よりも垂直方向を優先する条件の下で成長され、これにより、トレンチは、材料のアイランド間において維持されるようにされる。個別のアイランドは、任意的に大きく又は小さくあり得るが、通常、数十ミクロン及び数ミリメータ長の間にある。アイランドを分離するトレンチは、5乃至50ミクロン幅であり得る。米国特許出願書類第12236853号の装置において、電気接続は、各アイランドのn型領域及びp型領域へ作製され得る。このような電気接続を形成することは、LED、このLEDが取り付けられる構造、又はこれらの両方の加工において追加的なステップを必要とし、このことは、装置を加工することに関する費用を増加させ得る。本発明の実施例において、複合基板のシード層材料におけるトレンチは、装置の発光領域が、一連の離散的なアイランドであるよりもむしろ、合体された連続的な膜として形成され得るようにされる。図2~6は、本発明の実施例に従う複合基板を形成するステップを例示する。以下で説明される特定の材料及び方法以外に、米国特許出願書類第20070072324号に記載される材料及び方法は、図2~6に例示される構造及び方法において使用され得る。図7は、図6に例示される複合基板に成長させられる、本発明の実施例に従うIII窒化物装置を例示する。図2において、III窒化物シード層24は、例えばサファイア又はSiCなどであり得るドナー基板20において従来と同じように成長させられる。シード層24は、シード層24からドナー基板20を後々に分離することを促進するHなどのインプラント種26を埋め込まれる犠牲半導体層22において成長させられ得る。特定の実施例において、犠牲層22は、GaNであり、シード層24は、歪んだInGaNである。特定の実施例において、InGaNシード層は、0より大きく6までのInN組成を有する。図3において、任意選択的な接合層30及び適合層compliantlayer28は、一時的基板32において形成される。図2に例示される構造のシード層24は、適合層28を通じて一時的基板32へ接合される。特定の実施例において、任意選択的な接合層30は、シリコン、アルミニウム、ホウ素、リン、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、インジウム、スズ、アンチモン、鉛、ビスマス、チタン、タングステン、マグネシウム、カルシウム、カリウムポタシウム、ニッケル、イットリウム、ジルコニウム、ハフニウム、ネオジム、及びタンタルの1つ又は複数の酸化物、窒化物、炭化物、又はフッ化物である。特定の実施例において、適合層28は、ほうりんケイ酸ガラスBPSG、又は、例えば、気化、スパッタ、及び沈殿堆積などによって、沈着される他の商業的なガラスである。シード層24は、インプラント種26図2を活性化させて犠牲層22図2を分割することにより、ドナー基板20図2から分離される。犠牲層をインプラントし、インプラント種を活性化させることによりドナー基板からシード層を分離することは、米国特許出願公報第20050026394号及び米国特許第5374564号に記載されており、これらは、本文書において参照として組み込まれる。代替的に、ドナー基板は、犠牲層22図2をレーザ溶融することにより除去され得る。図4において、いずれの残りの犠牲層22も、シード層24から取り除かれ、トレンチ34が、シード層24において適合層28まで下って形成される。この構造は、加熱することなどにより、歪んだシード層材料24の領域が応力緩和するように処理され、このことは、シード層の領域が、適合層28に沿って滑り且つ拡大するようにさせる。本発明の実施例において、シード層材料24及びトレンチ34の領域のサイズ、位置及び間隔は、シード層材料24の領域が、応力緩和の中において、隣接領域間の隙間すなわち、トレンチの幅34を閉じる又はほとんど閉じるように拡大するように、選択される。特定の実施例において、シード層材料の隣接するアイランド同士の側壁は、図5の界面36により例示されるように、応力緩和後に接触する。しかし、シード層の隣接する領域は、トレンチにより分離されていたので、応力緩和後に、シード層の隣接する領域間における界面において何の化学的接合も存在しない。トレンチ34の最小幅は、InGaNシード層の組成及びシード層の応力緩和後に達成される応力緩和の量によって決定され得る。例えば、より多いInN組成を有するシード層は、より多く応力緩和し得、したがって、少ないInN組成を有するシード層よりもより大きいトレンチ幅を必要とし得る。結晶層における歪みは、以下のように:所与の層は、その層と同じ組成の自立材料の格子定数に対応するバルク格子定数abulk、及び、成長させられる層の格子定数に対応する面内格子定数ainplaneを有する。ある層における歪みの量は、特定の層を形成する材料の面内格子定数と、装置内における層のバルク格子定数との間の差をバルク格子定数で割ったものである、と規定され得る。InGaN層における歪みは、10のInNを含むInGaNに関して~1、したがって、10のInNの完全に応力緩和された膜に関しては、応力緩和前の最小トレンチ幅は、シード領域サイズの~1であり得る。トレンチ34の幅が最小値より小さい場合、シード領域は、応力緩和において衝突し得、このことは、後々に成長させられる層において重大な品質問題を生じさせ得る。トレンチ34の幅は、特定の実施例において1ミクロンより小さく、特定の実施例において500nmより小さく、そして特定の実施例において200nmより小さい。非連続的なシード領域に関して、以下のように図810において例示されるように、隣接するシード領域におけるいずれかの2つの点間における最小距離は、以下のようにあり得る。すなわち、GaNであるシード層に関して、最小トレンチ幅34は、特定の実施例において1ミクロン長さ領域に関して0nm、特定の実施例において5ミクロン長さ領域に関して0nm、及び特定の実施例において10ミクロン長さ領域に関して0nmである。また、5のInNを有するInGaNであるシード層に関して、最小トレンチ幅34は、特定の実施例において1ミクロン長さ領域に関して5nm、特定の実施例において5ミクロン長さ領域に関して25nm、及び特定の実施例において10ミクロン長さ領域に関して50nmである。また、10のInNを有するInGaNであるシード層に関して、最小トレンチ幅34は、特定の実施例において1ミクロン長さ領域に関して10nm、特定の実施例において5ミクロン長さ領域に関して50nm、及び特定の実施例において10ミクロン長さ領域に関して100nmである。応力緩和後におけるシード層領域間の隙間は、特定の実施例において、多くても、数ミクロンのオーダであり得る。横方向の過度成長を必要とする、シード層における隙間を覆って合体する層の成長は、比較的に遅い工程である。シード層領域間における大きな隙間例えば、数10ミクロンを過度成長させることは、技術的に不可能ではないものの、図7を参照して以下に説明されるように、装置層を成長させる前に層を合体させるのに多くのサイクル時間が必要であることが原因により、高価であり得る。より大きな隙間例えば、5乃至20ミクロンは、合体する層の成長条件が横方向の結晶表面における成長を促進させるように調整され得る一方で、垂直向き平面における成長を抑制する場合に、許容され得る、このことは、膜を合体させる一方で、膜厚さ全体を相対的に薄いままに維持することを可能にする。例えば、垂直成長よりも横方向の成長が優位であるようにGaNの成長条件を調整することは可能であり得る。応力緩和後にシード層の領域間において隙間が維持される場合、多くの場合にアモルファス又は多結晶材料である適合層28は、III窒化物材料が核生成し得ない材料であるように選択され得るが、その理由は、隙間におけるアモルファス又は多結晶材料の適合層28において核生成しないIII窒化物材料は、シード領域において成長される材料を用いて結晶学的にラインアップされ得ないからであり、核生成してしまうことは、後々に成長させられる層に関して重大な品質問題を生じさせ得るからである。図8、9及び10は、シード層材料24及びトレンチ34の領域の配置の3つの例を例示する。図8において例示される配置において、トレンチ34により完全に囲まれるシード層材料24のアイランドが形成される。図9に例示される配置において、シード層材料の領域は、シード層において成長させられる半導体層の成長において結晶方向に関して支援するために、材料の連続的なクモの巣状構造で接続される。02及び1ミクロンの間の開口部は、シード層材料24において形成される。図10に例示される配置は、図9の配置の鏡像であり、シード層材料は、図10の配置の領域においては留まり、この図10の場合、シード層材料は、図9の配置から取り除かれてあり、逆も同様である。シード層材料の領域及びシード層材料及びトレンチの領域の配置の他の形状も使用され得、例えば、三角形及び他のトレンチの格子、グリッド、並びにいかなる他の適切な配置などである。特定の実施例において、シード層材料24の領域は、座屈を必要とすることなく応力緩和することが可能である最長シード層領域の長さである特定のシード層材料の座屈長さより小さく維持される。座屈長さは、シード層の組成に依存し、例えば数十ミクロン又はそれ以上であり得る。特定の実施例において、シード層材料の領域は、シード層を形成する材料として同じ回転対称性を有するように成形される。例えば、特定の実施例において、シード層24は、GaN又はInGaNなどのIII窒化物材料である。サファイア及びSiCなどの基板において成長させられるIII窒化物材料は、通常、ウルツ鉱、すなわちIII窒化物材料の上部面がc平面であるように方向付けられる六角形ユニットセルを有する結晶、である。特定の実施例において、c平面、ウルツ鉱、III窒化物シード層材料の領域は、図12に例示されるように三角形などの三褶曲対称を有する形状、又は図13に例示されるように六角形、である。特定の実施例において、図12及び13に例示されるように、アイランドの縁部は、ウルツ鉱の結晶学的平面例えば、ウルツ鉱のa平面及びm平面に並行である。ウルツ鉱の結晶学的平面を有するアイランドの縁部の配置構造は、境界アイランド縁部が十分に合体するように促進させ得る。特定の実施例において、シード層は、無極又は半極III窒化物ウルツ鉱材料である。例えば、シード層は、上部面が、二褶曲対称を有するa平面又はm平面であるように方向付けられ得る。したがって、シード層が、例えばa平面又はm平面のウルツ鉱などの無極又は半極材料である場合、四角形又は長方形シード領域は、結晶対称性と合致する。ウルツ鉱III窒化物シード層は、特定の結晶学的方向において座屈する傾向が強くあり得る。特定の実施例において、シード層領域は、シード層がより座屈する傾向がある方向と比べて、シード層が座屈する傾向が少ない方向に沿ってより長くあり得る。シード層材料の領域が拡大する距離、及びしたがってトレンチ34の幅は、シード層材料の領域のサイズ及びシード増材料におけるInN組成に依存し得る。シード層材料の小さい領域は、シード層材料の大きい領域より小さく拡大し得る。より多くのInN組成を有するシード層は、より歪まされ、したがって、より小さいInN組成を有するシード層より多く拡大し得る。図5において、応力緩和されたシード層24は、任意選択的な接合層38が形成されるホスト基板40へ接合される。ホスト基板40は、例えば、サファイア又はいずれかの他の適切な材料であり得る。接合層38は、例えば、シリコン、アルミニウム、ホウ素、リン、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、インジウム、スズ、アンチモン、鉛、ビスマス、チタン、タングステン、マグネシウム、カルシウム、カリウムポタシウム、ニッケル、イットリウム、ジルコニウム、ハフニウム、ネオジム、及びタンタルの1つ又は複数の酸化物、窒化物、炭化物、又はフッ化物である。一時的基板32、接合層38、及び適合層28は、図6において取り付けられる。図7に例示される構造において、装置層18は、応力緩和されたシード層24において成長させられる。シード層24に隣接する層の組成は、格子定数若しくは他の特性に関して、及び/又は、シード層24の材料において核生成する能力を有することに関して、選択され得る。シード層24において成長させられる層は、連続的なほぼ平面状の層を形成するために、シード層材料24の領域間のいずれかの残りの隙間において層が合体するようにされる条件化で、成長させられ得る。装置層18は、n型領域42、発光すなわち活性領域44、及びp型領域46を含む。n型領域42は、最初に成長させられる。n型領域は、様々な異なる組成及びドーパント濃度の多重層を含み得、例えば、n型又は意図的にドープされ得ないバッファ層又は核生成層などの準備層、複合基板の後々のリリース又は基板除去後の半導体構造の薄型化を促進するように設計されるリリース層、及び、発光領域が効率的に光を発するのに望ましい特定の光学的又は電気的特性に関して設計されるn型又はp型装置層、などを含む。特定の実施例において、n型領域42は、InGaNである、又は1つ若しくは複数のInGaN層を含む。拡張させる格子定数を有するシード層に成長させられるGaNは、引っ張り状態にあり得、したがって、ひび割れを防ぐために、装置におけるいずれのGaN層の厚さも制限され得る。発光すなわち活性領域44は、n型領域42において成長させられる。適切な発光領域の例は、単一の厚い若しくは薄発光層、又は、バリア層により隔てられる多重の薄い若しくは厚い量子井戸発光層を含む多重量子井戸発光領域、を含む。例えば、多重量子井戸発光領域は、100Å以下の厚さをそれぞれ有するバリアにより隔てられる25Å以下の厚さをそれぞれ有する多重発光層を含み得る。p型領域46は、発光領域44において成長させられる。n型領域と同様に、p型領域は、意図的にドープされない層又はn型の層を含む、様々な異なる組成、厚さ、及びドーパント濃度の多重層を含み得る。特定の実施例において、p型領域46は、InGaNである、又は1つもしくは複数のInGaN層を含む。図11は、マウント部54へ取り付けられるIII窒化物LEDを例示する。反射的金属pコンタクト部50は、p型領域に形成される。pコンタクト部50、p型領域24、及び半導体構造48の発光領域の各一部分は、n型領域の一部を露出させるために、各領域からエッチング除去され得る。nコンタクト部52は、n型領域の露出される部分に形成される。LEDは、nインターコネクト部56及びpインターコネクト部58によりマウント部54へ接合される。インターコネクト部5658は、半田、金、金-スズ、又は他の金属などのいずれかの適切な材料であり得、多重の材料層を含み得る。特定の実施例において、インターコネクト部は、少なくとも1つの金層を含み、LEDとマウント部54との間の接合は、超音波接合により形成される。超音波接合に関して、LEDダイは、マウント部54に位置される。接合ヘッドは、LEDダイの上部表面、多くの場合複合基板の上部表面、に位置される。接合ヘッドは、超音波トランデューサへ接続される。超音波トランデューサは、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛PZTの層などであり得る。このシステムが調和的に共振するようにさせる周波数多くの場合、数十又は数百kHzのオーダの周波数で電圧がトランデューサへ印加される場合、トランデューサは、振動を開始し、これにより、接合ヘッド及びLEDダイが、ミクロンオーダの振幅で振動するようにさせられる。この振動は、nコンタクト部及びpコンタクト部又はnコンタクト部及びpコンタクト部に形成される金属層などのLEDにおける構造の金属格子における原子が、マウント部54における構造へ相互拡散するようにさせ、これにより、インターコネクト部5658により図11において表される冶金的連続ジョイント部を生じさせる。熱及び又は圧力は、接合時において加えられる。LEDダイをマウント部54へ接合した後に、半導体層48が成長された基板の全て又は一部は取り除かれ得る。例えば、サファイアホスト基板は、図6に例示されるように、ホスト部40及びシード層24の間の接合層38をエッチングすることにより又はレーザリフトオフにより取り除かれ得る。接合層は、取り除かれ得る、又は装置の一部として留まり得る。ホスト基板を取り除いた後に残る半導体構造は、例えば光電気化学的エッチングなどにより、薄くさせられ得る。例えば、シード層24の全て又は一部は、取り除かれ得る、又は装置の一部として留まり得る。シード層24の領域間における界面36において合体するシード層において成長される第1の層は、取り除かれ得る、又は装置の一部として留まり得る。露出される半導体表面は、装置からの光抽出を増加させ得る、例えばフォトニック結晶構造などを用いて、粗化又はパターン化され得る。発光領域により発される光を吸収し1つ又は複数の異なるピーク波長の光を発する任意選択的な波長変換材料60は、LEDにおいて配置され得る。波長変換材料60は、例えば、シリコーンエポキシなどの透明材料において配置され、スクリーン印刷若しくはステンシルによりLEDに堆積される1つ若しくは複数の粉末蛍光体、電気泳動析出により形成される1つ若しくは複数の粉末蛍光体、LEDへ糊付け若しくは接合される1つ若しくは複数のセラミック蛍光体、1つ若しくは複数の染料、又は、上述の波長変換層のいずれかの組合わせ、であり得る。セラミック蛍光体は、米国特許第7361938号により詳細記載されており、本文書に参照として組み込まれる。波長変換材料60は、発光領域により発される光の一部が波長変換材料により変換されないように、形成され得る。特定の例において、変換されない光は青色であり、変換される光は黄色、緑色、及び/又は赤であり、これにより、装置からの非変換光及び変換光の組合わせが白色に見えるようにされる。特定の実施例において、偏向子、ダイクロイックフィルタ、又は従来技術において知られる他の光学系が、LEDにおいて又は波長変換材料60において形成される。図11は、薄膜フリップチップ装置を例示しているが、図7に例示される構造は、例えば、コンタクト部が半導体構造の対向する側に形成される垂直型装置、基板が装置に取り付けられたままであるフリップチップ装置、又は、光が半導体構造の同一の又は対向する側に形成される透明コンタクト部を通じて抽出される構造など、いずれの他の適切な装置構造へ加工され得る。本発明を詳細に説明してきたが、当業者は、本開示を与えられた場合に、上述の本発明の着想の精神から逸脱することなく本発明に対して修正をなし得ることを理解し得る。例えば、上述の説明は、III窒化物装置に関するものであるが、他のIIIV材料、IIIAs若しくはIIIP装置、又はIIVI装置などの他の材料系から作製される装置も、本発明の実施例において使用され得る。したがって、本発明の範囲は、例示及び記載される特定の実施例に制限されるようには意図されていない。