"剥離基材と前記剥離基材の表面に部分的に設けられた接着剤層と前記接着剤層の上に積層された粘着フィルム層を含んで構成された接着シートと、を有し、前記接着シートは、前記接着シートの長手方向における前記接着剤層の長さの総和が最も長くなる最長形成部を有し、前記最長形成部の片側に前記接着剤層が設けられていない接着剤層非形成領域を有し、前記最長形成部のもう一方の片側に前記接着剤層非形成領域と、前記接着剤層と粘着フィルム層が設けられていない非形成領域とを有する接着シート。接着剤層及び粘着フィルムの少なくとも一方が、円形形状あるいは剥離基材を剥離した後に前記接着剤層又は前記粘着フィルムを貼り付けるべき被着体の平面形状に合致する平面形状を有している請求項1に記載の接着シート。接着剤層が、熱可塑性樹脂及び熱重合性成分を含有してなるものである請求項1又は2に記載の接着シート。熱可塑性樹脂が、官能性モノマーを含む重量平均分子量が100000以上である高分子量成分である請求項3に記載の接着シート。高分子量成分が、エポキシ基含有メタアクリル酸エステル共重合体である請求項4に記載の接着シート。熱重合性成分が、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含有してなるものである請求項2~5のいずれかに記載の接着シート。請求項1~6のいずれかに記載の接着シートを用いて製造された半導体装置。しかしながら、上記のように、図3に示す接着シート200のようなプリカット加工が施された接着シート200を、上記巻き芯211等の外径が一定な従来の円筒状の巻き芯に巻きつけた接着シートロール210では、以下のような不具合が生じることを本発明者らは見出した。すなわち、上記プリカット加工が施された接着シート200においては、図3bに示すように、部分的に接着剤層2と粘着フィルム層3とを積層するため、接着剤層2と粘着フィルム層3との積層部分が他の部分よりも厚くなる。そのため、接着シートロール210の直径が大きくなったり、巻き取り時の張力が高くなったりした場合、図6aに示すように、接着剤層2の部分に他の接着剤層2の巻き跡12が転写され、図6aのY-Y端面図である図6bに示すように、フィルムの平滑性が損なわれることがある。また、接着剤層2の厚みが厚くなった場合、巻き跡12が更に転写されやすくなる。これら巻き跡12の転写により接着シート200に平滑性の欠陥があると、接着シート200を半導体ウェハへ貼り付けた時に半導体ウェハと接着剤層2との間に空気を巻き込み、半導体装置組み立て方法上、不具合が生じることがある。なお、接着シートとしては、図7a及び図7aのZ-Z端面図である図7bに示すように、ウェハ形状に合わせてプリカット加工された接着剤層2及び粘着フィルム層3の外方にも粘着フィルム層3が形成された接着シート220、及び接着シート220が巻き芯211に巻きつけられた接着シートロール230も知られているが、この場合にも、上記と同様に、接着シート220が従来の巻き芯211に巻きつけられると、接着剤層2に巻き跡12が転写され、半導体装置組み立て方法上の不具合が生じることがある。本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、接着剤層への巻き跡の転写が抑制され、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生が抑制される接着シート、及びこれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。本発明は、1剥離基材と前記剥離基材の表面に部分的に設けられた接着剤層と前記接着剤層の上に積層された粘着フィルム層を含んで構成された接着シートと、を有し、前記接着シートは、前記接着シートの長手方向における前記接着剤層の長さの総和が最も長くなる最長形成部を有し、前記最長形成部の片側に前記接着剤層が設けられていない接着剤層非形成領域を有し、前記最長形成部のもう一方の片側に前記接着剤層非形成領域と、前記接着剤層と粘着フィルム層が設けられていない非形成領域とを有する接着シートに関する。また本発明は、2前記接着剤層及び前記粘着フィルムの少なくとも一方が、円形形状あるいは前記剥離基材を剥離した後に前記接着剤層又は前記粘着フィルムを貼り付けるべき被着体の平面形状に合致する平面形状を有している1に記載の接着シートに関する。また本発明は、3前記接着剤層が、熱可塑性樹脂及び熱重合性成分を含有してなるものである1又は2に記載の接着シートに関する。また本発明は、4前記熱可塑性樹脂が、官能性モノマーを含む重量平均分子量が100000以上である高分子量成分である3に記載の接着シートに関する。また本発明は、5前記高分子量成分が、エポキシ基含有メタアクリル酸エステル共重合体である4に記載の接着シートに関する。また本発明は、6前記熱重合性成分が、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含有してなるものである2~5のいずれかに記載の接着シートに関する。本発明はまた、7上記本発明の接着シートを用いて製造された半導体装置に関する。本発明によれば、接着シートを巻き芯に巻きつけて接着シートロールとする時に、接着剤層への巻き跡の転写が抑制され、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生が抑制される接着シート、及びこれを用いた半導体装置を提供することができる。本明細書において~を用いて示された数値範囲は、その前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示すものとする。また本明細書において工程との用語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。接着シート本発明の接着シートは、剥離基材と、前記剥離基材の表面に部分的に設けられた接着剤層と、を含んで構成されている。また接着シートは、接着シートの長手方向における接着剤層の長さの総和が最も長くなる最長形成部を有し、その最長形成部の片側に前記接着剤層が設けられていない接着剤層非形成領域を有しており、もう一方の片側には前記接着剤層非形成領域と、前記接着剤層と粘着フィルム層が設けられていない非形成領域とを有している。ここで接着シートの長手方向とは、接着シートが巻き芯に巻きつけられる方向であり、接着シートが巻き芯に巻きつけられたときに重なって巻きつけられる方向である。また接着シートの短手方向は、前記接着シートの長手方向と垂直な方向であり、巻き芯の軸と平行な方向である。以下、接着シートの長手方向及び接着シートの短手方向を、それぞれ、単に長手方向及び短手方向と称する場合がある。本発明の接着シートは、上記構成であることにより、接着剤層への巻き跡の転写が抑制され、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生が抑制される。具体的には、本発明の接着シートは、上記の通り、剥離基材の表面に部分的に接着剤層と粘着フィルム層が設けられており、最長形成部と非形成領域とを有している。そして、そのような接着シートを巻き芯に巻きつけてロール状にすると、最長形成部においては接着剤層と粘着フィルム層が最も長く形成されているため他の部分に比べて厚くなるのに対し、非形成領域では接着剤層及び粘着フィルム層が形成されていないため、接着剤層または粘着フィルム層の厚みの分、剥離基材間に隙間が生じることになる。そのため、例えば従来のように、ウェハ形状に合わせてプリカット加工された接着剤層及び粘着フィルム層の外方にも粘着フィルム層が形成された接着シートでは、他の部分に比べて厚く積層された最長形成部に巻取りの圧力が集中すると考えられる。そして、前記最長形成部に圧力が集中すると、前記長手方向における粘着フィルム層の端部の段差が、他の接着剤層に食い込んで転写され、巻き跡が発生すると考えられる。これに対して本発明では、最長形成部の片側のみに接着剤層と粘着フィルム層が設けられていない非形成領域を有し、もう一方の片側は非形成領域を有さない。すなわち、最長形成部に集中する圧力が非形成領域を有さない部分にかかることになり、前記長手方向における粘着フィルム層の端部の段差にかかる圧力が軽減されると考える。そのため、上記巻き跡が生じにくくなり、接着シートの接着剤層を半導体ウェハ等の被着体に貼り付ける際に、空気の巻き込みによるボイド等が発生することを十分に抑制することができる。なお、本発明の接着シートは通常、シートロールとして提供され、使用する際にはラミネート装置を用いて接着シートをウェハに貼り付ける。本発明の巻き跡のボイドの抑制のためには、最長形成部の片側のみではなく両側に非形成領域を有さないことが効果的であるが、その場合、前記ラミネート装置において接着シートを容易に取り出すことが困難になり、また接着シートの自動認識をすることができなくなってしまうため、作業性の観点から好ましくない。以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。図1aは、本発明の接着シートを示す平面図であり、図1bは図1aのA-A断面図である。図1に示す接着シートは、例えば、剥離基材1と、剥離基材1の表面に部分的に設けられた接着剤層2と、接着剤層2を覆い、且つ、接着剤層2の周囲で剥離基材1に接するように形成された粘着フィルム層3と、含んで構成されている。具体的には、接着剤層2は、図1に示すように、剥離基材1の長手方向に沿って複数設けられている。またそれぞれの接着剤層2は、円形であり、かつ、前記短手方向における剥離基材1の中央部に形成されている。また、粘着フィルム層3は、接着剤層2よりも大きな円形であり、接着剤層2をすべて覆うように積層されるとともに、接着剤層2が形成された領域の周囲において剥離基材1と直接接触するように設けられている。本実施形態では、粘着フィルム層3も前記短手方向における剥離基材1の中央部に形成されているため、図1の接着シート100では、前記短手方向における中心が最長形成部4となる。一方、前記短手方向における粘着フィルム層3の片側では、前記粘着フィルム層3の端部から剥離基材1の両端部までの領域に接着剤層2も粘着フィルム層3も形成されていない。また、粘着フィルム層3のもう一方の片側では、粘着フィルム層3のウェハ形状にプリカット加工された端部から剥離基材1の端部までの領域には粘着フィルム層3が形成されている。以下、本発明の接着シートの各構成要素について詳細に説明する。<剥離基材>剥離基材1は、接着シートの使用時にキャリアフィルムとしての役割を果たすものであり、かかる剥離基材1としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等を使用することができる。また、紙、不織布、金属箔等も使用することができる。また、剥離基材1の接着剤層2と接する側の面は、シリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の離型剤で表面処理されていてもよい。剥離基材1の厚さは、使用時の作業性を損なわない範囲で適宜選択することができるが、10~500μmであることが好ましく、25~100μmであることがより好ましく、30~50μmであることが特に好ましい。<接着剤層>接着剤層2の材料としては、特に制限されないが、例えば、熱硬化性接着剤、光硬化性接着剤、熱可塑性接着剤、及び、酸素反応性接着剤等を含んで構成される。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができるが、接着剤として半導体素子の固定に使用されることを考慮すると、接着剤層2は熱硬化性接着剤を含んで構成されていることが好ましい。熱硬化性接着剤としては、熱により硬化するものであれば特に制限はなく、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソジアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ熱重合性成分を含むものが挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができるが、接着シートとしての耐熱性及び熱硬化による接着力を考慮すると、上記の熱重合性成分と熱可塑性樹脂とを含有してなる熱硬化性接着剤を用いることが好ましい。上記の熱重合性成分と熱可塑性樹脂とを含有してなる熱硬化性接着剤を用いることにより、かかる接着剤層を介して半導体素子を半導体素子搭載用の支持部材あるいは別の半導体素子に十分に固定することができる。ここで、熱可塑性樹脂としては、熱可塑性を有する樹脂、または少なくとも未硬化状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂であれば特に制限されないが、熱可塑性樹脂AとしてTgガラス転移温度が10~100°Cであり、且つ、重量平均分子量が5000~200000であるもの、又は熱可塑性樹脂BとしてTgが-50°C~10°Cであり、且つ、重量平均分子量100000以上が好ましい。前者の熱可塑性樹脂Aとしては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂等が挙げられる。これらの中でもポリイミド樹脂を用いることが好ましい。後者の熱可塑性樹脂Bとしては、官能性モノマーに由来する構造単位を含む重合体を使用することが好ましく、この重合体の官能性モノマーの官能基としてはグリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等が挙げられ、中でもグリシジル基が好ましい。より具体的には、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能基モノマーに由来する構造単位を含むグリシジル基含有メタアクリル共重合体等が好ましく、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と非相溶であることがより好ましい。上記熱可塑性樹脂Bのうち、官能性モノマーに由来する構造単位を含む重合体としては、例えば、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーに由来する構造単位を含有し、かつ重量平均分子量が100000以上であるグリシジル基含有メタアクリル共重合体等が挙げられ、それらの中でもエポキシ樹脂と非相溶であるものが好ましい。グリシジル基含有メタアクリル共重合体の具体例としては、例えば、ナガセケムテックス株式会社製の商品名:HTR-860P-3等が挙げられる。上記グリシジル基含有メタアクリル共重合体としては、例えば、メタアクリルエステル共重合体、アクリルゴム等を使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体等からなるゴムである。上記グリシジル基含有メタアクリル共重合体を構成する、上記グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等のグリシジル基含有モノマー単位の量は、モノマー全量を基準として0.5~6.0質量が好ましく、0.5~5.0質量がより好ましく、0.8~5.0質量が特に好ましい。グリシジル基含有モノマー単位の量がこの範囲にあると、十分な接着力が確保できるとともに、ゲル化を防止することができる。グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート以外のモノマーとしては、例えば、エチルメタアクリレート、ブチルメタアクリレート等が挙げられ、これらは、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、本発明において、エチルメタアクリレートとは、エチルアクリレートとエチルメタクリレートの両方を示す。官能性モノマーを組み合わせて使用する場合の混合比率は、グリシジル基含有メタアクリル共重合体のTgを考慮して決定することができ、Tgが-10°C以上となるようにすることが好ましい。Tgが-10°C以上であると、Bステージ状態での接着剤層2のタック性が適当であり、取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。上記モノマーを重合させて、官能性モノマーに由来する構造単位を含む重量平均分子量が100000以上である重合体を製造する場合、その重合方法としては特に制限はなく、例えば、パール重合、溶液重合等の方法を使用することができる。官能性モノマーに由来する構造単位を含む重合体の重量平均分子量は、100000以上が好ましく、300000~3000000であることが好ましく、500000~2000000であることがより好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、シート状又はフィルム状としたときの強度、可とう性、及びタック性が適当であり、また、フロー性が適当であるため、配線の回路充填性が確保できる傾向にある。すなわち、半導体装置作製における作業環境下でフィルム形状を維持し、取り扱い易いフィルムにすることができる。また、分子量が100000以上あることで室温でのフィルムの硬さが巻き取り時の圧力による転写を防ぐことができる。仮に何らかの原因で転写があった場合も、熱可塑性樹脂であることで、半導体ウェハとの貼り付け時の熱により変形し、ボイドを低減する事ができる。なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。また、官能性モノマーに由来する構造単位を含む重量平均分子量が100000以上である重合体の使用量は、熱重合性成分100質量部に対して、10~400質量部が好ましい。この範囲にあると、貯蔵弾性率及び成型時のフロー性抑制が確保でき、また高温での取り扱い性が良好なものとなる傾向にある。また、重合体の使用量は、熱重合性成分100質量部に対して、15~350質量部がより好ましく、20~300質量部が特に好ましい。また、熱重合性成分としては、熱により重合するものであれば特に制限は無く、例えば、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、水酸基、カルボキシル基、イソシアヌレート基、アミノ基、アミド基等の官能基を持つ化合物が挙げられ、これらは、単独で又は2種類以上を組み合わせても、使用することができるが、接着シートとしての耐熱性を考慮すると、熱によって硬化し接着作用を及ぼす熱硬化性樹脂を使用することが好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられ、特に、耐熱性、作業性、信頼性に優れるダイボンドダイシングシートが得られる点でエポキシ樹脂を使用することが最も好ましい。熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂硬化剤を合わせて使用することが好ましい。上記エポキシ樹脂としては、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されず、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂等を使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂等、一般に知られているものを使用することができる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。上記エポキシ樹脂として、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂としては、三菱化学株式会社製のjERシリーズ商品名:jER807、jER815、jER825、jER827、jER828、jER834、jER1001、jER1004、jER1007、jER1009、ダウケミカル社製の商品名:DER-330、DER-301、DER-361、及び、新日化エポキシ製造株式会社製の商品名:YD8125、YDF8170等が挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、三菱化学株式会社製の商品名:jER152、jER154、日本化薬株式会社製の商品名:EPPN-201、ダウケミカル社製の商品名:DEN-438等が挙げられる。更に、o-クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製の商品名:EOCN-102S、EOCN-103S、EOCN-104S、EOCN-1012、EOCN-1025、EOCN-1027、新日化エポキシ製造株式会社製の商品名:YDCN701、YDCN702、YDCN703、YDCN704等が挙げられる。多官能エポキシ樹脂としては、三菱化学株式会社製の商品名:Epon1031S、BASF社製の商品名:アラルダイト0163、ナガセケムテックス株式会社製の商品名:デナコールEX-611、EX-614、EX-614B、EX-622、EX-512、EX-521、EX-421、EX-411、EX-321等が挙げられる。アミン型エポキシ樹脂としては、三菱化学株式会社製の商品名:jER604、新日化エポキシ製造株式会社製のYH-434、三菱ガス化学株式会社製の商品名:TETRAD-X及びTETRAD-C、住友化学株式会社製の商品名:ELM-120等が挙げられる。複素環含有エポキシ樹脂としては、BASF社製の商品名:アラルダイトPT810、ユニオンカーバイド社製の商品名:ERL4234、ERL4299、ERL4221、ERL4206等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、熱重合性成分が、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含有してなるものであることにより、半導体装置作製後、半導体素子と支持部材あるいは別の半導体素子に十分に固定することができ、半導体装置の使用される環境下で半導体装置の破損や故障を防ぐことができる。エポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂硬化剤を使用することが好ましい。エポキシ樹脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ジシアンジアミド、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールSのようなフェノール性水酸基を1分子中に2個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂等が挙げられる。これらの中でも、特に吸湿時の耐電食性に優れる点で、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂及びクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂が好ましい。これらのエポキシ樹脂硬化剤は、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。上記フェノール樹脂硬化剤の中で好ましいものとしては、例えば、DIC株式会社製、商品名:フェノライトLF2882、フェノライトLF2822、フェノライトTD-2090、フェノライトTD-2149、フェノライトVH-4150、フェノライトVH4170、明和化成株式会社製、商品名:H-1、三菱化学株式会社製、商品名:jERキュアMP402FPY、jERキュアYL6065、jERキュアYLH129B65、及び、三井化学株式会社製、商品名:ミレックスXL、ミレックスXLC、ミレックスRN、ミレックスRS、ミレックスVR等が挙げられる。接着剤層2は、25°Cでの硬化前の貯蔵弾性率が10~10000MPaであることが好ましい。ここで、本発明における貯蔵弾性率は、強制振動非共振法による引張り試験によって求めることができる。また接着剤層2は、260°Cでの硬化後の貯蔵弾性率が0.5~30MPaであることが好ましい。接着剤層2が上記範囲の貯蔵弾性率を有することにより、半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材間の応力を緩和し、幅広い温度域で十分な接着力を確保できる。これにより半導体装置作製の作業中あるいは半導体装置が使用される環境下で、半導体装置の破損や故障を防ぐことができる。ここで、接着剤層2の貯蔵弾性率を大きくする方法として、例えば、エポキシ樹脂の使用量を増やす方法、グリシジル基濃度の高いエポキシ樹脂又は水酸基濃度の高いフェノール樹脂を使用する等してポリマー全体の架橋密度を上げる方法、フィラーを添加する方法等が挙げられる。上記接着剤層2が熱重合性成分を含む場合、接着剤層2には更に硬化促進剤を添加してもよい。硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、イミダゾール類等が挙げられる。具体的には、例えば、2-メチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。この硬化促進剤の添加量は、熱重合性成分の総量100質量部に対して5質量部以下が好ましく、3質量部以下がより好ましい。この添加量が5質量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。接着剤層2には、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目的で、熱重合性成分と相溶性がある高分子量樹脂を添加することができる。このような高分子量樹脂としては、特に限定されず、たとえばフェノキシ樹脂、高分子量熱重合性成分、超高分子量熱重合性成分等が挙げられる。これらは、単独でまたは2種類以上を組み合わせて使用することもできる。熱重合性成分と相溶性がある高分子量樹脂の使用量は、接着剤層が熱重合性成分を含む場合、熱重合性成分の総量100質量部に対して、40質量部以下とすることが好ましい。この範囲であると、接着剤層2のTgを確保することができる。また、接着剤層2には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整及びチキソトロピック性付与等を目的として、無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられる。また、フィラーの形状は特に制限されるものではない。これらのフィラーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。これらの中でも、熱伝導性向上の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の観点からは、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカが好ましい。無機フィラーの添加量は、接着剤層2の総量を基準として1~20質量が好ましい。添加量が1質量未満であると添加効果が十分に得られない傾向があり、20質量を超えると、接着剤層2の粘接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす傾向がある。また、接着剤層2には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することもできる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点でシラン系カップリング剤が好ましい。上記カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性及びコストの面から、接着剤層2全量を基準として0.01~10質量とするのが好ましい。更に、接着剤層2には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性を向上させるために、イオン捕捉剤を添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤等が挙げられる。上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、接着剤層2全量を基準として0.1~10質量が好ましい。接着剤層2の厚さは、2~200μmであることが好ましく、5~120μmであることが特に好ましい。厚さが2μm以上であることにより、接着剤として十分な接着力が確保される傾向があり、200μm以下であることにより、半導体装置が肉薄になり、半導体装置の使用用途が広がる傾向がある。接着剤層2の形状は、上記の通り、被着体の形状に応じて適宜選択される。具体的には、例えば、被着体を貼り付ける部分以外の部分は無駄になるため、被着体として円形の平面形状を有する一般的な半導体ウェハを用いる場合には、接着剤層2の形状を、円形の平面形状又は半導体ウェハの平面形状に合致する平面形状半導体ウェハ形状としてもよい。半導体ウェハの平面形状に合致する平面形状を接着剤層2が有していることにより、半導体ウェハをダイシングする工程が容易となる傾向がある。ただし、接着剤層の平面形状は、半導体ウェハの平面形状に完全に一致している必要はなく、例えば、半導体ウェハの平面形状よりもやや大きい平面形状であってもよい。また、一般的に半導体ウェハは円の外周の一部が直線である平面形状を有しているため、接着シートの平面形状が円形形状である場合でも、一般的な半導体ウェハへの接着剤層の貼り付け、及び、半導体ウェハのダイシングを容易に行うことが可能となる傾向にある。また、接着剤層2の外周の一部が粘着フィルム層3の外周の一部の近傍にあるようにするために、接着剤層2の外周の一部に凸部を有していてもよい。<粘着フィルム>以下、粘着フィルム層3に用いられる粘着フィルムについて説明する。粘着フィルムとしては、基材フィルムに粘着剤層を設けたものが好ましい。この場合、粘着フィルム層3における接着剤層2と接する側の層が上記粘着剤層となっている。粘着フィルムに使用する基材フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。また、上記基材フィルムは異なる2種類以上のフィルムを積層したものであっても良い。この場合、粘着剤層が形成される側のフィルムは、半導体素子のピックアップ作業性が向上する点で、25°Cでの引張弾性率が2000MPa以上であることが好ましく、2200MPa以上であることがより好ましく、2400MPa以上であることが特に好ましい。また、粘着剤層が形成される側と反対側のフィルムは、フィルムの伸びが大きく、エキスパンド工程での作業性がよい点で、25°Cでの引張弾性率が1000MPa以下であることが好ましく、800MPa以下であることがより好ましく、600MPa以下であることが特に好ましい。この引張弾性率は、JISK7113に準じて測定されるものである。基材フィルムが2種以上のフィルムを積層したものである場合、その積層方法としては特に制限はなく、別々に作製したフィルムをラミネートする方法、一方のフィルム上に他方のフィルムを押出しラミネートする方法、2種類以上のフィルムを押出し塗工しながら貼り合せる方法、一方のフィルムの原料となるポリマーを溶剤に溶解あるいは分散してワニスとし、他方のフィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去する方法、及び、接着剤を用いて2種以上のフィルムを貼り合わせる方法等、公知の方法を使用することができる。粘着フィルムを構成する上記粘着剤層としては、高エネルギー線又は熱によって硬化するすなわち、粘着力を制御できるものが好ましく、高エネルギー線によって硬化するものがより好ましく、紫外線によって硬化するものが特に好ましい。ここで、高エネルギー線としては、例えば、紫外線等が挙げられる。かかる粘着剤層を構成する粘着剤としては、従来から種々のタイプが知られている。それらの中から、高エネルギー線の照射によって、接着剤層2に対する粘着力が低下するものを適宜選んで用いることが好ましい。上記粘着剤としては、特に制限されないが、例えば、ジオール基を有する化合物、イソシアネート化合物、ウレタンメタアクリレート化合物、ジアミン化合物、尿素メタクリレート化合物、側鎖にエチレン性不飽和基を有する高エネルギー線重合性共重合体等が挙げられる。これらは単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。また、粘着剤層が熱により硬化する熱重合性成分を含む場合、粘着剤層には更に硬化促進剤を添加してもよい。硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、イミダゾール類等が挙げられる。具体的には、例えば、2-メチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。硬化促進剤の添加量は、熱重合性成分の総量100質量部に対して5質量部以下が好ましく、3質量部以下がより好ましい。この添加量が5質量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。また、粘着剤層が高エネルギー線の照射により硬化する高エネルギー線重合性成分を含む場合、粘着剤層には、活性光線の照射によって遊離ラジカルを生成する光重合開始剤を添加することもできる。このような光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、N,N′-テトラメチル-4,4′-ジアミノベンゾフェノンミヒラーケトン、N,N′-テトラエチル-4,4′-ジアミノベンゾフェノン、4-メトキシ-4′-ジメチルアミノベンゾフェノン、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-ブタノン-1、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン、1-ヒドロキシ-シクロヘキシル-フェニル-ケトン、2-メチル-1-4-メチルチオフェニル-2-モルフォリノプロパノン-1、2,4-ジエチルチオキサントン、2-エチルアントラキノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、2-o-クロロフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2-o-クロロフェニル-4,5-ジm-メトキシフェニルイミダゾール二量体、2-o-フルオロフェニル-4,5-フェニルイミダゾール二量体、2-o-メトキシフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2-p-メトキシフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2,4-ジp-メトキシフェニル-5-フェニルイミダゾール二量体、2-2,4-ジメトキシフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体等の2,4,5-トリアリールイミダゾール二量体、9-フェニルアクリジン、1,7-ビス9,9′-アクリジニルヘプタン等のアクリジン誘導体等が挙げられる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。上記光重合開始剤の使用量としては、特に制限はないが、高エネルギー線重合性成分の総量100質量部に対して通常0.01~30質量部である。粘着フィルムにおいて、粘着剤層の厚さは、0.1~40μmであることが好ましい。この厚さが0.1μm以上であることにより、十分な粘着力を確保することができる傾向があり、ダイシング時に半導体チップが飛散することが抑制され、40μm以下であることにより、経済的にも有利となる。また粘着フィルム全体の厚さは、10~300μmであることが好ましい。フィルム全体の厚さが10μm以上であることにより、ダイシング時の粘着フィルムの切断を抑制させることができる。また、300μm以下であることにより、経済的にも有利となる。<接着シートの製造方法>以上説明した本発明の接着シートは、接着剤層を形成する組成物を溶剤に溶解又は分散してワニスとし、剥離基材1上に塗布し、加熱により溶剤を除去することによって得ることができる。また上記粘着フィルムも同様に、粘着剤層を形成する組成物を溶剤に溶解又は分散してワニスとし、基材フィルム上に塗布し、加熱により溶剤を除去することによって得ることができる。ここで、上記のワニス化するための溶剤としては特に限定されないが、フィルム作製時の揮発性等を考慮すると、例えば、メタノール、エタノール、2-メトキシエタノール、2-エトキシエタノール、2-ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶媒を使用することが好ましい。また、塗膜性を向上させる等の目的で、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、N-メチルピロリドン、シクロヘキサノン等の比較的高沸点の溶媒を使用することもできる。これらの溶媒は、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。無機フィラーを添加した際のワニスの製造には、無機フィラーの分散性を考慮して、らいかい機、3本ロール、ボールミル及びビーズミル等を使用することが好ましく、また、これらを組み合わせて使用することもできる。また、無機フィラーと低分子量の原料をあらかじめ混合した後、高分子量の原料を配合することによって、混合する時間を短縮することもできる。また、ワニスとした後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去することもできる。ここで、剥離基材1及び基材フィルムへのワニスの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等を用いることができる。また、本発明の接着シートは、例えば、接着剤層2を剥離基材1に塗布する際にあらかじめ部分的に接着剤層2を形成するためのワニス等の原材料を分布させておく方法や、剥離基材1にマスクをし、このマスク部以外の部分に上記のワニス等の原材料を塗布する方法等を用いて形成することができるが、作業の簡便さを考慮すると、あらかじめ剥離基材1の全面に接着剤層2を塗布法により形成し、打ち抜き加工を施して不要部分を取り除く方法が好ましい。また、粘着フィルム層3を部分的に形成する方法としても、上記と同様に打ち抜き加工を施して不要部分を取り除く方法が好ましい。以上説明したような構成の接着シートに放射線等の高エネルギー線を照射すると、照射後には接着剤層2と粘着フィルム層3との界面の粘着力が大きく低下し、半導体素子に接着剤層2を保持したまま粘着フィルム層3から容易にピックアップすることが可能となる。本発明の接着シートにおいて、接着剤層2と粘着フィルム層3との界面の粘着力を低下させる方法としては、放射線等の高エネルギー線の照射のみで粘着力を低下させる方法以外に、高エネルギー線の照射と同時に又は照射後に硬化反応を促進する目的で加熱を併用する方法が挙げられる。加熱を併用することにより、より低温短時間での粘着力の低下が可能となる。加熱温度は、接着剤層の分解点以下であれば特に制限は受けないが、50~170°Cの温度が好ましい。半導体装置の製造方法次に、本発明の接着シートロールを用いて半導体装置を製造する方法について説明する。接着剤層2及び粘着フィルム層3からなる積層体を半導体ウェハへ貼り付ける場合、自動化された工程で連続して行うことができる。このような半導体ウェハへの積層体の貼り付け作業を行う装置としては、例えば、リンテック株式会社製の商品名:RAD-2500等が挙げられる。具体的には、接着シートロール110の接着シート100から、剥離基材1を剥離し、積層体の接着剤層2を半導体ウェハに貼り付ける。次に、上記の工程により得られた積層体付き半導体ウェハをダイシングし、必要な大きさの積層体付き半導体素子を得る。ここで更に、洗浄、乾燥等の工程を行ってもよい。このとき、接着剤層2及び粘着フィルム層3により半導体ウェハは積層体に十分に粘着保持されているので、上記各工程中に半導体ウェハが脱落することが抑制される。次に、放射線等の高エネルギー線を積層体の粘着フィルム層3に照射し、粘着フィルム層3における粘着剤層の一部又は大部分を重合硬化せしめる。この際、高エネルギー線照射と同時に又は照射後に、硬化反応を促進する目的で更に加熱を行っても良い。粘着フィルム層3への高エネルギー線の照射は、基材フィルムの粘着剤層が設けられていない側の面から行う。したがって、高エネルギー線として紫外線を用いる場合には、基材フィルムは光透過性であることが必要である。なお、高エネルギー線として電子線を用いる場合には、基材フィルムは必ずしも光透過性である必要はない。高エネルギー線照射後、ピックアップすべき半導体素子を、例えば吸引コレットによりピックアップする。この際、ピックアップすべき半導体素子を基材フィルムの下面から、例えば針扞等により突き上げることもできる。粘着剤層を硬化させることにより、半導体素子と接着剤層2との間の粘着力は、接着剤層2と粘着剤層との間の粘着力よりも大きくなるため、半導体素子のピックアップを行うと、接着剤層2と粘着剤層との界面で剥離が生じ、接着剤層2が半導体素子の下面に付着した状態の接着剤層付き半導体素子がピックアップされることとなる。この接着剤層付き半導体素子を、接着剤層2を介して半導体素子搭載用の支持部材に載置し、加熱を行う。加熱により接着剤層2は接着力が発現し、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接着が完了する。その後、必要に応じてワイヤボンド工程や封止工程等を経て、半導体装置が製造される。なお、接着シート100が剥離基材1及び接着剤層2で構成され、粘着フィルム層3を有していない場合は、例えば、接着シート100の接着剤層2を覆うように粘着フィルムを貼り付けてから、上記と同様な方法で半導体装置を製造してもよい。また、接着シート100の接着剤層2を半導体ウェハに貼り付けた後に、剥離基材1を剥離し、半導体ウェハに貼り付けられた接着剤層2を覆うように粘着フィルムを貼り付け、上記と同様な方法で半導体装置を製造してもよい。なお、半導体ウェハの厚さは特に限定されないが、上記半導体装置の製造方法は薄い半導体ウェハにも適した方法であり、例えば10~100μmであってもよい。半導体装置図2は、上述した半導体装置の製造方法により製造される本発明の半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図2に示すように、半導体装置300は、半導体素子搭載用の支持部材となる有機基板70上に、接着剤層2及び半導体素子72からなる接着剤層付き半導体素子が2つ積層されている。また、有機基板70には、回路パターン74及び端子76が形成されており、この回路パターン74と2つの半導体素子72とが、ワイヤボンド78によってそれぞれ接続されている。そして、これらが封止材80により封止され、半導体装置300が形成されている。この半導体装置300は、上述した本発明の半導体装置の製造方法により、本発明の接着シート100を用いて製造されるものである。以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。接着剤層形成用ワニスの作製まず、エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂商品名:YDCN-703、新日化エポキシ製造株式会社製、エポキシ当量:22060質量部、及び、硬化剤として低吸水性フェノール樹脂商品名:XLC-LL、三井化学株式会社製、フェノールキシレングリコールジメチルエーテル縮合物40質量部に、シクロヘキサノン1500質量部を加えて撹拌混合し、第1のワニスを調製した。次に、この第1のワニスに、カップリング剤としてγ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン商品名:SILQUESTA-189Silane、モメンティブパフォーマンスマテリアルズジャパン合同会社製1.5質量部、及び、γ-ウレイドプロピルトリエトキシシラン商品名:SILQUESTA-1160Silane、モメンティブパフォーマンスマテリアルズジャパン合同会社製3質量部を加え、更に無機物フィラーとしてシリカフィラー商品名:R972V、日本アエロジル株式会社製32質量部を加えて撹拌混合した後、ビーズミルにより分散処理を行うことで第2のワニスを調製した。次に、この第2のワニスに、エポキシ基含有アクリル系共重合体商品名:HTR-860P-3、ナガセケムテックス株式会社製200質量部、及び、硬化促進剤として1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール商品名:キュアゾール2PZ-CN、四国化成工業株式会社製0.5質量部を加えて撹拌混合し、接着剤層形成用ワニスを調整した。接着剤層の作製実施例1、比較例1、3上記接着剤層形成用ワニスを、剥離基材である膜厚50μmのポリエチレンテレフタレートフィルム商品名:テイジンピューレックスA31、帝人デュポンフィルム株式会社製上に塗布し、140°Cで7分間加熱乾燥を行い、膜厚40μmのBステージ状態の接着剤層を形成した。実施例2、比較例2、4実施例1、比較例1の作製方法と同様に塗布乾燥を行い、膜厚60μmのBステージ状態の接着剤層を形成した。第一の切断工程得られた接着剤層に対して、剥離基材への切り込み深さが10μm以下となるように調節して直径:210mmの円形プリカット加工を行うとともに、剥離基材の短手方向の両端部に接着剤層支持接着剤層が残る形状になるよう加工を行った。第二の切断工程その後、接着剤層の不要部分を除去し、粘着フィルムをその粘着剤層が接着剤層と接するように、室温、線圧9.8N/cm、速度0.5m/分の条件で貼り付けた。そして、粘着フィルムに対して、剥離基材への切り込み深さが10μm以下となるように調節して接着剤層と同心円状に直径:290mmの円形プリカット加工を行うとともに、支持接着剤層上に粘着フィルム支持粘着フィルムが積層され、該支持粘着フィルムが支持接着剤層上に積層されるよう加工を行った。これにより、図1、図7に示す構造を有する接着シートを得た。実施例1膜厚40μmのBステージ状態の接着剤層を用いて図1aの形状の接着シートを得た。実施例2膜厚60μmのBステージ状態の接着剤層を用いて図1aの形状の接着シートを得た。比較例1膜厚40μmのBステージ状態の接着剤層を用いて図3aの形状の接着シートを得た。比較例2膜厚60μmのBステージ状態の接着剤層を用いて図3aの形状の接着シートを得た。比較例3膜厚40μmのBステージ状態の接着剤層を用いて図7aの形状の接着シートを得た。比較例4膜厚60μmのBステージ状態の接着剤層を用いて図7aの形状の接着シートを得た。<評価方法>実施例1~2及び比較例1~4の接着シートを、円形形状の粘着フィルムの数が300枚になるように、巻き取り張力を9.8N又は29.4Nとしてロール状に巻き取り、接着シートロールを作製した。得られた接着シートロールを2週間冷蔵庫内5°Cで保管した。その後、接着シートロールを室温に戻してからロールを解き、300枚目のフィルムについて半導体ウェハに貼り付けたときのボイドの発生の有無を目視にて評価した。下記の評価基準に従って、○、△、×の3段階で接着シートの巻き跡の転写抑制性を評価した。○:ボイドを全く確認できない。△:目立たない微細ボイドが確認できる。×:目立つボイドが確認できる。その結果を表1に示す。以上の結果から明らかなように、本発明の接着シート実施例1~2によれば、比較例の接着シート比較例1~4と比較して、ロール状に巻き取った場合において、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制することができ、それによって、接着剤層を半導体ウェハに貼り付ける際にボイドの発生を十分に抑制することができることが確認された。"