"複数の元素がイオン結合により結合している化合物半導体の構成元素を含む化合物を含有するイオン液体にマイクロ波を照射することを特徴とする半導体ナノ結晶の製造方法。複数の元素がイオン結合により結合している化合物半導体の構成元素を含む化合物を含有するイオン液体にマイクロ波を照射することにより得られることを特徴とする半導体ナノ結晶。半導体ナノ結晶がカルコゲン化合物半導体ナノ結晶であることを特徴とする請求項2記載の半導体ナノ結晶。半導体ナノ結晶がCdTeナノ結晶、CdSeナノ結晶、CdSナノ結晶またはZnOナノ結晶のいずれかであることを特徴とする請求項2または3記載の半導体ナノ結晶。本発明は従来の技術の有するこのような問題点に鑑みてなされたものであって、その目的は、高い発光強度を有する半導体ナノ結晶及びその半導体ナノ結晶を簡単に低コストで製造できる方法を提供することにある。近年、CdS、CdTe、CdSeなど種々の半導体ナノ結晶を水中におけるマイクロ波照射により合成する方法が実施されている。例えば、HeYLuHTSaiLMLaiWYFanQLWangLHHuangWシンセシスオブCdTeナノクリスタルズスループログラムプロセスオブマイクロウエーブイラディエーション、ザジャーナルオブフィジカルケミストリー、B2006110pp1335213356しかし、マイクロ波照射は、しばしば水熱法と併用され、オートクレーブを用いた高圧高温条件下での合成となり、安全性の問題を伴う。一方、イオン液体は、室温付近で液体であり、蒸気圧がほとんどなく、熱安定性が高い溶媒として注目を集めている。そのため、常圧における高温加熱が達成され、種々の無機物合成にも利用されている。また、イオン液体を用いることで、水熱法で懸念される圧力の問題が解決される。そこで、イオン液体は発光性の半導体ナノ結晶の合成溶媒としても注目されており、イオン液体を用いてCdSe、CdS、ZnOなどのナノ結晶が合成されている。例えば、GreenMRahmanPSmythBoyleDイオニックリキッドパッシベイティッドCdSeナノクリスタルズ、ケミカルコミュニケーションズ、2007pp574576さらに、カチオンとアニオンからなる、イオンのみで構成される極性溶媒であるイオン液体は、マイクロ波を効率的に吸収するので、イオン液体にマイクロ波を照射するとイオン液体は速やかに加熱されることが期待される。本発明は係るイオン液体の特性に着目してなされたものであって、本発明の半導体ナノ結晶の製造方法は、複数の元素がイオン結合により結合している化合物半導体の構成元素を含む化合物を含有するイオン液体にマイクロ波を照射することを特徴としている。また、本発明の半導体ナノ結晶は、複数の元素がイオン結合により結合している化合物半導体の構成元素を含む化合物を含有するイオン液体にマイクロ波を照射することにより得られることを特徴としている。さらに、本発明の半導体ナノ結晶は、カルコゲン化合物半導体ナノ結晶であることを特徴としている。また、本発明の半導体ナノ結晶は、CdTeナノ結晶、CdSeナノ結晶、CdSナノ結晶、ZnOナノ結晶であることを特徴としている。本発明によれば、化合物半導体の構成元素を含む化合物を含有する極性溶媒であるイオン液体にマイクロ波を照射するものであるから、マイクロ波はイオン液体に効率的に吸収され、化合物半導体ナノ結晶の形成において微視的な反応温度の上昇をもたらし、速やかに化合物半導体ナノ結晶を得ることができる。以下に、本発明の実施が可能な実施形態について説明する。当然のことながら、本発明の範囲を逸脱することなく、他の実施形態を利用することもできる。《イオン液体》イオン液体は以下に示すアニオン及びカチオンから選択されても良い。もちろん、本発明の目的に沿う限りにおいて、他のイオン液体を使用することもできる。本発明によるイオン液体のアニオンは、I-、Br-、Cl-、[NCN2]-、[NSO2CF32]-、[PF6]-、[BF4]-、[NO3]-、[CCN3]-、[BCN4]-、[CF3COO]-、[ClO4]-、[BF3CF3]-、[CF3SO3]-、[CF3F2SO3]-、[CH3H2SO3]-、[CF3SO22N]-、[C2H5SO22N]-、[CF3SO23C]-、[C2F5SO23C]-、[FSO23C]-、[CH3CH2OSO3]-、[CF3COO]-、[CF3CF2COO]-、[CH3CH2COO]-、[CH3COO]-、[PC2H53F3]-、[PCF33F3]-、[PC2H4HCF32F3]-、[PC2F3H23F3]-、[PC2F5CF32F3]-、[PCF33F3]-、[PC6H53F3]-、[PC3H73F3]-、[PC4H93F3]-、[PC2H52F4]-、[C2H52POO]-、[C2H52POO2]2-、[PC6H5]2F4]-、[CF32POO]-、[CH32POO]-、[C4H92POO]-、[CF3POO2]2-、[CH3POO2]2-、[CH3O2POO]-、[BF2C2F52]-、[BF3C2F5]-、[BF2CF32]-、[BC2F54]-、[BF3CN]-、[BF2CN2]-、[BCF34]、[BOCH34]-、[BOCH32C2H5]-、[BO2C2H42]-、[BO2C2H22]-、[BO2CH42]-、[NCF32]-、[AlCl4]および[SiF6]2-から選択されてもよい。本発明によるイオン液体のカチオンは、たとえば、以下に示す構造を有する化合物から選択されてもよい。ヘテロ原子と結合している少なくとも1つのRはHと異なる場合、H;線状または分岐状C1~C20のアルキル;1つまたは複数の二重結合を含む線状または分岐状C2~C20のアルケニル;1つまたは複数の三重結合を含む線状または分岐状C2~C20のアルキニル;飽和または部分的または全体的に不飽和であるC3~C7のシクロアルキル;ハロゲン-ヘテロ原子結合がない場合、ハロゲン、好ましくはフッ化物または塩化物;正に帯電したヘテロ原子を有するNO2基の結合がない場合、および少なくとも1つのRがNO2と異なる場合、NO2;正に帯電したヘテロ原子を有するCN基の結合がない場合、および少なくとも1つのRがCNと異なる場合、CN;Rは同じでも異なっていてもよい;Rの対は単結合または二重結合で結合されていてもよい;1つまたは複数のRは、ハロゲン、好ましくは-Fおよび/または-Clで部分的にまたは全体的に、または、全てのRが全体的にハロゲン化されていない場合、-CNまたは-NO2で部分的に、置換されてもよい;いずれかのRの1つまたは2つの炭素原子は、任意のヘテロ原子および/または、-O-、-CO-、-COO-、-S-、-SO-、SO2-、-SO2O-、-N=、-P=、-NR’-、-PR’-、-POOR’-、-POOR’O-、-PONR’R’-、-PONR’R’O-、PONR’R’NR’-、-SONR’-および-SO2NR’の群から選択される基で置き換えられてもよいし置き換えなくてもよい。ここで、R’は、H、任意選択的に部分的または全体的にパーフルオロ化されたC1~C6のアルキル、および/または、任意選択的に部分的または全体的にパーフルオロ化されたフェニルである。いずれかのRは、HおよびC1~C15のアルキルから独立して選択される。上記で示された有機カチオンの好ましい置換基は、国際公開第2007/093961号パンフレットの5~7ページに開示されている。これらのページに規定されている好ましいカチオンは、参照することにより本明細書に完全に組み込まれる。もっとも好ましい置換基Rは、HおよびC1~C15のアルキルから独立して選択される。置換基は、望ましい正電荷が得られるように選択される。本明細書で参照されているいずれかのアルキル、アンケニルまたはアルキニルは、線状、分岐状または環状であってもよい。本発明のイオン液体は、2種または3種以上を含んでもよい。また、本発明のイオン液体として、上記のイオン液体に加えて下記一般式1で表わされる第4級アンモニウム塩を好ましいイオン液体として使用することができる。式中、R5、R6、R7、及びR8は、同一又は異なって、炭素数1~3の直鎖又は分岐のアルキル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基又はイソプロポキシメチル基を示し、R5及びR6で、及び/又はR7及びR8で環構造を形成しても良い。Yは、アニオンである。で表される化合物である。R5、R6、R7、及びR8は、同一又は異なって、メチル基、エチル基、メトキシメチル基又はエトキシメチル基であることが好ましい。一般式1においては、R5及びR6で環構造を形成し、かつR7及びR8で環構造を形成していてもよく、R5及びR6で、又はR7及びR8で環構造を形成していても良い。R5及びR6により形成される環は、5員環が好ましい。R7及びR8により形成される環は、5員環が好ましい。一般式1で表わされる化合物中のカチオンは、N,N,N,N-テトラエチルアンモニウムカチオン、N,N,N-トリエチル-N-メチルアンモニウムカチオン、N,N,N-トリメチル-N-メトキシメチルアンモニウムカチオン、N-エチル-N,N-ジメチル-N-メトキシメチルアンモニウムカチオン、N,N-ジエチル-N-メチル-N-メトキシメチルアンモニウムカチオン、N,N,N-トリエチル-N-メトキシメチルアンモニウムカチオン、N-プロピル-N,N-ジメチル-N-メトキシメチルアンモニウムカチオン、N-プロピル-N,N-ジエチル-N-メトキシメチルアンモニウムカチオン、N-ブチル-N,N-ジメチル-N-メトキシメチルアンモニウムカチオン、N-ブチル-N,N-ジエチル-N-メトキシメチルアンモニウムカチオン、N,N,N-トリメチル-N-メトキシエチルアンモニウムカチオン、N-エチル-N,N-ジメチル-N-メトキシエチルアンモニウムカチオン、N,N-ジエチル-N-メチル-N-メトキシエチルアンモニウムカチオン、N,N,N-トリエチル-N-メトキシエチルアンモニウムカチオン、N-プロピル-N,N-ジメチル-N-メトキシエチルアンモニウムカチオン、N-プロピル-N-ジエチル-N-メトキシエチルアンモニウムカチオン、N-ブチル-N,N-ジメチル-N-メトキシエチルアンモニウムカチオン、N-ブチル-N,N-ジエチル-N-メトキシエチルアンモニウムカチオン等が挙げられる。R5及びR6で、及び/又はR7及びR8で環構造を形成している第4級アンモニウムカチオンとして、N-エチル-N-メチルピロリジニウムカチオン、N-メチル-N-メトキシメチルピロリジニウムカチオン、N-エチル-N-メトキシメチルピロリジニウムカチオン、N-エトキシメチル-N-メチルピロリジニウムカチオン、N-エチル-N-エトキシメチルピロリジニウムカチオン、N-エチル-N-メトキシエチルピロリジニウムカチオン、N-メチル-N-メトキシエチルピロリジニウムカチオン、N-エトキシエチル-N-メチルピロリジニウムカチオン、N-エチル-N-エトキシエチルピロリジニウムカチオン、N,N-ジエチルピロリジニウムカチオン、N-エチル-N-メトキシメチルピロリジニウムカチオン、N-メチル-N-エトキシメチルピロリジニウムカチオン、N-エチル-N-エトキシメチルピロリジニウムカチオン、スピロ-1,1‘-ビピロリジニウムカチオン等が挙げられる。中でも、好ましくは、N-メチル-N-メトキシメチルピロリジニウムカチオン、N-エチル-N-メトキシメチルピロリジニウムカチオン、N-エトキシメチル-N-メチルピロリジニウムカチオン、N-メチル-N-メトキシエチルピロリジニウムカチオン、N-エチル-N-メトキシエチルピロリジニウムカチオン、N,N-ジエチル-N-メチル-N-メトキシエチルアンモニウムカチオン、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムカチオンなどが挙げられる。さらに好ましくは、N-メチル-N-メトキシメチルピロリジニウムカチオン、N-エチル-N-メトキシメチルピロリジニウムカチオン、N-エトキシメチル-N-メチルピロリジニウムカチオン、N-メチル-N-メトキシエチルピロリジニウムカチオンなどが挙げられる。一般式1で表される化合物のアニオンYとしては、例えば、BF4-、PF6-、CF3CO2-、CF3SO3-、NCF3SO22-、NCF3CF2SO22-、CCF3SO23-、NCF3SO2CF3CO-、AlF4-、ClBF3-、FSO22N-、C2F5BF3-、CF3BF3-等を挙げることができる。好ましくは、BF4-、PF6-、NCF3SO22-、NCF3CF2SO22-、FSO22N-又はCF3SO3-であり、より好ましくは、NCF3SO22-である。一般式1で表される化合物の具体例としては、例えば、下記のような化合物を例示することができる。N,N,N,N-テトラエチルアンモニウムビストリフルオロメチルスルホンアミド、N,N,N-トリエチル-N-メチルアンモニウムビストリフルオロメチルスルホンアミド、N-エチル-N-メチルピロリジニウムビストリフルオロメチルスルホンアミド、NN-ジエチルピロリジニウムビストリフルオロメチルスルホンアミド、N-メチル-N-メトキシメチルピロリジニウムビストリフルオロメチルスルホンアミド、N-エチル-N-メトキシメチルピロリジニウムビストリフルオロメチルスルホンアミド、N-メチル-N-エトキシメチルピロリジニウムビストリフルオロメチルスルホンアミド、N-エチル-N-エトキシメチルピロリジニウムビストリフルオロメチルスルホンアミド、スピロ-11’-ビピロリジニウムビストリフルオロメチルスルホンアミド、N,N-ジエチル-N-メチル-N-メトキシエチルアンモニウムビストリフルオロメチルスルホンアミド、N-メチル-N-メトキシエチルピロリジニウムビストリフルオロメチルスルホンアミド、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメチルスルホンアミド並びに前記化合物に含まれるビストリフルオロメチルスルホンアミドを上記Yで示される各種アニオン等に変更した化合物を挙げることができる。中でも、N,N,N,N-テトラエチルアンモニウムビストリフルオロメチルスルホンアミド、N,N,N-トリエチル-N-メチルアンモニウムビストリフルオロメチルスルホンアミド、N-エチル-N-メチルピロリジニウムビストリフルオロメチルスルホンアミド、N-メチル-N-メトキシメチルピロリジニウムビストリフルオロメチルスルホンアミド、スピロ-11’-ビピロリジニウムビストリフルオロメチルスルホンアミド、並びに前記化合物に含まれるビストリフルオロメチルスルホンアミドを上記Yで示される各種アニオン等に変更した化合物等が好ましい。より好ましくは、N,N,N,N-テトラエチルアンモニウムビストリフルオロメチルスルホンアミド、N,N,N-トリエチル-N-メチルアンモニウムビストリフルオロメチルスルホンアミド、N-エチル-N-メチルピロリジニウムビストリフルオロメチルスルホンアミド、N-メチル-N-メトキシメチルピロリジニウムビストリフルオロメチルスルホンアミド、スピロ-11’-ビピロリジニウムビストリフルオロメチルスルホンアミド等である。上記一般式1で表わされる化合物は、大塚化学社等から市販されており、該市販品を使用することができる。また、上記一般式1で表される化合物は、例えば、特開2000-109487号公報に記載の方法に従って製造することができる。《マイクロ波》マイクロ波の周波数は一般的に2.45GHzであるが、これに限定されるものではない。集束マイクロ波を使用する方が非集束のものより好ましい。また、効率的な加熱のためには、単一モードの方が多モードマルチモードより好ましい。加熱速度は、連続電源またはパルス電源によるマイクロ波の投入出力によって制御することができる。[加熱終了時の温度-加熱開始時の温度]/加熱時間で定義されるマイクロ波を照射することによるイオン液体の加熱速度は、20°C/分以上が好ましく、より好ましくは30°C/分以上である。加熱速度が20°C/分未満の場合、製造される半導体ナノ結晶の粒径分布の幅が広くなり、一様な特性の半導体ナノ結晶が得ることが困難になる。また、ピーク加熱温度は100~180°Cの範囲が好ましく、この温度範囲で5~80分間保持するのが好ましい。上記ピーク加熱温度および保持時間のいずれか一方を下回る条件で加熱すると、半導体ナノ結晶の生成に長時間を要する。しかし、上記ピーク加熱温度および保持時間のいずれか一方を上回る条件で加熱しても、半導体ナノ結晶の生成は促進されず、製造される半導体ナノ結晶の粒径分布の幅が広くなる。[冷却開始時の温度-冷却終了時の温度]/冷却時間で定義されるイオン液体の冷却速度に特に制限はなく、上記ピーク加熱温度で所定時間保持した後、室温まで放置することにより冷却することができる。《半導体ナノ結晶の粒径》本発明で得られる半導体ナノ結晶の粒径は、ナノメートルnmのオーダーである。その粒径分布は2~7nmであり、好ましくは3~4nmである。以下に、本発明の実施例を説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものでないことは言うまでもなく、本発明の技術的範囲を逸脱しない範囲において、適宜変更や修正が可能である。《CdTeナノ結晶の製造-実施例1》和光純薬社製のCdCl225H2O999125ミリモルと、アルドリッチ社製のN,N-ジメチルアミノエタンチオール塩酸塩95:DMAET30ミリモルとを水に溶解させ、その水溶液に1規定NaOHを加えてpH55に調製した。そして、この溶液に大塚化学社製のN-メチル-N-メトキシメチルピロリジニウムビストリフルオロメチルスルホンアミド[イオン液体]を加えて振とうし、CdイオンとDMAETをイオン液体中に抽出した。この抽出後、上層の水相をデカンテーション法により除去し、真空ポンプを用いた減圧操作によりイオン液体中から水分を除去した。そして、イオン液体相に林化学社製のAl2Te3に1規定H2SO4水溶液を加えることにより発生させたH2Teガスを窒素気流下吹き込み、CdTeナノ結晶前駆体溶液を得た。そして、IMCR―25003型ク ゙リーンモチーフidxのマイクロ波照射装置を用いて、2.45GHzのマイクロ波を0ないし300Wの出力の間で制御しながらイオン液体に照射すると、約5分でイオン液体の温度は150°Cに上昇した。そして、150°Cで9~80分間保持してCdTeナノ結晶を合成した後、マイクロ波の照射を停止してイオン液体を室温になるまで放置した。《CdTeナノ結晶の顕微鏡写真》図1は以上のようにして得られたCdTeナノ結晶を含む化合物の電子顕微鏡写真150°Cで80分間保持したものであり、図1の左側のaは6万倍の電子顕微鏡写真であり、図1の右側のbは20万倍に拡大した電子顕微鏡写真である。図1の左側のaにおいて、黒い点状の部分がCdTeナノ結晶である。図1をみると、CdTeナノ結晶は単一の結晶からなり、高い結晶性を有することが分かる。図1の左側のaより、CdTeナノ結晶の粒径は2~5nmであり、平均粒径は4.1nm、分散度は15程度であった。なお、分散度とは、平均粒径からの粒径のバラツキをいう。《CdTeナノ結晶のX線回折パターン》また、上記のようにして得られたCdTeナノ結晶のX線回折を行ったところ、図2に示すような閃亜鉛鉱型の回折パターンを示した。《加熱方式及び反応時間の違いによる吸収スペクトルと発光スペクトルの変化》図3の上側のaは、上記実施例1と同じようにしてマイクロ波をイオン液体に照射して加熱した場合において、150°Cにおける保持時間を9分間、25分間、35分間、50分間、80分間と違えたときの発光スペクトルと吸収スペクトルを示す図である。図3の下側のbは、上記実施例1においてマイクロ波照射装置に代えて電気ヒーターによりイオン液体溶液を含む容器を加熱した場合において、150°Cまで約10分間で昇温し、150°Cにおける保持時間を10分間、30分間、50分間、80分間、110分間と違えたときの発光スペクトルと吸収スペクトルを示す図である。図3abにおいて、実線は吸収スペクトルを示し、破線は発光スペクトルを示す。図3abに示すように、第1励起子の立ち上がりが、加熱時間反応時間の増加とともに、赤方偏移する長波長側にずれることが分かる。すなわち、反応時間を長くすることによって、イオン液体中でCdTeナノ結晶を強制的に成長させることができる。《反応時間の違いによる発光ピーク、粒径および発光量子収率の変化》図4の最上位のA、中間のB、最下位のCは、それぞれ化合物半導体CdTe構成元素を含む化合物を含有する液体イオン液体または水溶液を150°Cに加熱して150°Cで保持する時間反応時間の違いによる発光スペクトルの発光ピークnm、吸収スペクトルから見積もられる半導体ナノ結晶の粒径nm、発光量子収率発光による放出光子数の吸収光子数に対する比率を示す。また、図4ABCにおいて、a、b、c、dはそれぞれ、上記実施例1と同じようにしてマイクロ波をイオン液体に照射して加熱した場合、上記実施例1においてマイクロ波照射装置に代えて電気ヒーターによりイオン液体溶液を含む容器を加熱した場合、上記実施例1においてイオン液体を用いずに化合物半導体CdTe構成元素を含む化合物を含有する水溶液pH5.5に調製したものにマイクロ波を照射して加熱した場合、上記実施例1においてイオン液体を用いずにマイクロ波照射装置に代えて電気ヒーターにより化合物半導体CdTe構成元素を含む化合物を含有する水溶液pH5.5に調製したものを含む容器を加熱した場合を示す。図4Aに示すように、化合物半導体CdTe構成元素を含む化合物を含有するイオン液体をマイクロ波で加熱することによって発光ピーク波長の最も素早いシフトが観察されたa。すなわち、イオン液体の効率的なマイクロ波吸収による加熱による素早い粒子の成長により短時間で赤色発光の粒子を得られる。図4Bに示すように、化合物半導体CdTe構成元素を含む化合物を含有するイオン液体をマイクロ波で加熱することによって半導体ナノ結晶の粒径が最も大きくなるa。すなわち、イオン液体の効率的なマイクロ波吸収による加熱により素早い粒子の成長が起こっていることが分かる。図4Cに示すように、化合物半導体CdTe構成元素を含む化合物を含有するイオン液体をマイクロ波で加熱することによって発光量子収率が増加することが分かるa。例えば、イオン液体をマイクロ波で80分間加熱することによって、発光量子収率として61もの極めて高い収率が得られることが分かるa。一方、化合物半導体CdTe構成元素を含む化合物を含有する水溶液をマイクロ波で加熱しても発光量子収率は低く、360分間加熱しても発光量子収率は30程度であるd。このように、マイクロ波を加熱手段として、化合物半導体構成元素の溶媒を水溶液からイオン液体に変えることで、加熱時間を1/5程度に短くしても、発光量子収率を倍増することができる。《揮発性有機溶媒による半導体ナノ結晶の抽出》イオン液体は不揮発性であるため、イオン液体中で作製した半導体ナノ結晶を揮発性の有機溶媒で取り出すことは重要な操作である。そこで、上記実施例1のようにして作製したCdTeナノ結晶をイオン液体から取り出すために、CdTeナノ結晶を含有するイオン液体にドデカンチオールを加え、クロロホルムへの抽出を行った。図5の上側のaは、上記実施例1と同じようにしてマイクロ波をイオン液体に照射して150°Cで50分間保持してCdTeナノ結晶を作製した場合において、CdTeナノ結晶のクロロホルムへの抽出を行う前の発光スペクトルと吸収スペクトルを示す図、図5の下側のbはそのようにして作製したCdTeナノ結晶のクロロホルムへの抽出を行った後の発光スペクトルと吸収スペクトルを示す図である。図5において、実線は吸収スペクトル、破線は発光スペクトルを示す。CdTeナノ結晶のクロロホルムへの抽出後において、吸収ピークおよび発光ピークはともに10nm程度短波長側にシフトしたが、クロロホルムへの抽出後の発光量子収率は52であり、クロロホルムへの抽出前の発光量子収率54と比べて、ほとんど変化が見られなかった。"