複数のシリコンチップ間においてはんだバンプが溶融した場合に、複数のシリコンチップ同士の横方向の相対的な動きを規制する複数のスタッドを作成する方法であって、複数のシリコンチップを用意するステップと、複数のシリコンチップ間に配置される複数のはんだバンプについて、それらのピッチと、期待される横方向のずれの精度Δx~5μmとを設定するステップと、それらのピッチに従って、ターゲットとするはんだバンプ10の横方向の位置を決定するステップと、決定されたターゲットとするはんだバンプ10の横方向の位置をリファレンスにして、一方のシリコンチップにおけるアライメントのために用いられる複数のはんだバンプ20の一方の横方向の位置、および、他方のシリコンチップにおけるわざとアライメントされていないはんだバンプ30の他方の横方向の位置を、一方の横方向の位置と他方の横方向の位置との関係が、期待される横方向のずれの精度~5μmよりも大きなずれ精度d>Δxになるように、決定するステップと、決定されたターゲットとするはんだバンプ10の横方向の位置をリファレンスにして、複数のシリコンチップ同士が横方向に相対的に移動した場合に相対的に動きが規制されて、複数のシリコンチップのそれぞれに設定された複数のはんだバンプ同士の横方向位置が高さ方向において整列するように、一方のシリコンチップおよび他方のシリコンチップにおける複数のスタッド40についての横方向位置および横方向幅をそれぞれ、決定するステップと、一方のシリコンチップおよび他方のシリコンチップのそれぞれにおいて、決定された横方向位置に、決定された横方向幅をもったスタッド40を作成するステップとを有する、方法。一方のシリコンチップおよび他方のシリコンチップのそれぞれにおいて、決定された横方向位置に、決定された幅をもったスタッド40を作成するステップが、金属パッドの金属とはんだバンプとが、金属間化合物IMCを形成するように作成される、請求項1に記載の方法。スタッド40のはんだバンプの融点Tmsを、アライメント用はんだバンプの融点Tmaよりも低く設定しておいて、Tms<T<Tmaであるような温度Tで加熱されている時点で、金属パッドの金属とはんだバンプとが金属間化合物IMCを形成するように設定されている、請求項2に記載の方法。Tma<TmcTmcは、金属間化合物IMCの融点の設定として、アライメント用はんだバンプが溶融している時点においても、スタッドストッパーが溶融しないように設定されている、請求項2に記載の方法。スタッド40が、インクジェット法によってソルダーペーストを塗布させることによって作成される、請求項1に記載の方法。スタッド40が、シリコンSiダイ上にAuまたはCuを用いて配線を設ける等の一連のプロセスの延長として、AuまたはCuスタッドバンプとして作成される、請求項1に記載の方法。複数のシリコンチップ間においてはんだバンプが溶融した場合に、複数のシリコンチップ同士の横方向の相対的な動きを規制する複数のスタッド40の組合わせであって、複数のシリコンチップ間に配置される複数のターゲットとするはんだバンプ10のピッチに従い、これらの横方向の位置をリファレンスにして横方向位置が決定されていて、複数のシリコンチップ同士が横方向に相対的に移動した場合に相対的に動きが規制されて、複数のシリコンチップのそれぞれに設定された複数のはんだバンプ同士の横方向位置が高さ方向において整列するように、一方のシリコンチップおよび他方のシリコンチップにおける複数のスタッド40についての横方向位置および横方向幅がそれぞれ、決定されていることを特徴とする、複数のスタッド40の組合わせ。請求項7に記載の複数のスタッド40の組合わせが設けられているところの、複数のシリコンチップの組合わせであって、これら複数のシリコンチップの組合わせがテンプレート内に入れられた場合に、これら複数のシリコンチップのそれぞれに設定された複数のはんだバンプ同士の横方向位置が、5μm以内の精度で高さ方向において整列することを特徴とする、複数のシリコンチップの組合わせ。請求項7に記載の複数のスタッド40の組合わせが設けられているところの、複数のシリコンチップの組合わせを利用して、複数のシリコンチップ同士をアライメントする方法であって、テンプレートに、これら複数のシリコンチップの組合わせを入れるステップと、複数のはんだバンプを溶融させるステップと、を有する、複数のシリコンチップ同士をアライメントする方法。請求項9に記載の複数のシリコンチップ同士をアライメントする方法であって、複数のスタッド40の組合わせの作成が、複数のはんだバンプが溶融する温度よりも低い温度において、金属間化合物IMCとして作成される、複数のシリコンチップ同士をアライメントする方法。本発明の目的は、3次元実装のプロセスに親和性のある、高精度のアライメントを提供することにある。複数のシリコンチップ間においてはんだバンプが溶融した場合に、複数のシリコンチップ同士の横方向の相対的な動きを規制する複数のスタッドを作成する方法である。複数のシリコンチップを用意し、複数のシリコンチップ間に配置される複数のはんだバンプについて、それらのピッチと、期待される横方向のずれの精度Δx~5μmとを設定する。それらのピッチに従って、ターゲットとするはんだバンプ10の横方向の位置を決定する。決定されたターゲットとするはんだバンプ10の横方向の位置をリファレンスにして、一方のシリコンチップにおけるアライメントのために用いられる複数のはんだバンプ20の一方の横方向の位置、および、他方のシリコンチップにおけるわざとアライメントされていないはんだバンプ30の他方の横方向の位置を、一方の横方向の位置と他方の横方向の位置との関係が、期待される横方向のずれの精度~5μmよりも大きなずれ精度d>Δxになるように、決定する。決定されたターゲットとするはんだバンプ10の横方向の位置をリファレンスにして、複数のシリコンチップ同士が横方向に相対的に移動した場合に相対的に動きが規制されて、複数のシリコンチップのそれぞれに設定された複数のはんだバンプ同士の横方向位置が高さ方向において整列するように、一方のシリコンチップおよび他方のシリコンチップにおける複数のスタッド40についての横方向位置および横方向幅をそれぞれ、決定する。一方のシリコンチップおよび他方のシリコンチップのそれぞれにおいて、決定された横方向位置に、決定された横方向幅をもったスタッド40を作成する。複数のシリコンチップ間においてはんだバンプが溶融した場合に、複数のシリコンチップ同士の横方向の相対的な動きを規制する複数のスタッド40の組合わせである。複数のシリコンチップ間に配置される複数のターゲットとするはんだバンプ10のピッチに従い、これらの横方向の位置をリファレンスにして横方向位置が決定されている。複数のシリコンチップ同士が横方向に相対的に移動した場合に相対的に動きが規制されて、複数のシリコンチップのそれぞれに設定された複数のはんだバンプ同士の横方向位置が高さ方向において整列するように、一方のシリコンチップおよび他方のシリコンチップにおける複数のスタッド40についての横方向位置および横方向幅がそれぞれ、決定されている。本発明に従えば、3次元実装のプロセスに親和性のある、高精度のアライメントが提供される。図3は、本発明であるところの、高精度に作成されたスタッドを利用して、はんだバンプの高精度のセルフアライメントを促す構成を示す模式図である。ここでは、模式的な説明の便宜上、はんだバンプの大きさはかなり大きく、はんだバンプの数もかなり少なく、誇張して描かれていることに注意されたい。横方向x方向に配置されるはんだバンプの数が決まれば、期待されるピッチ間隔を算出することができる。ここでは、3次元実装一括積層の例として、3枚のシリコンチップの積層をテンプレートの中に入れた挿入した状態を示している。図2で説明したところの、テンプレートによるキャビティ法が利用されている。すなわち、シリコンチップをテンプレートの中に入れる際に必要となる挿入できるようにするクリアランス10~20μmだけを考慮すればよい、比較的ラフな搭載からプロセスを開始することができる。ターゲットとするはんだバンプ10が、横方向x方向に連続的に3つ配置されているが、これらは複数のシリコンチップの一括積層を達成するために、複数のシリコンチップ間の隙間で接合されることが期待される、はんだバンプである。はんだバンプは、複数のシリコンチップ同士の機械的接合だけでなく、電気的接合の役割を担うものであるため、金属パッド15の上に設けらている。もっとも、この図とは異なり、はんだバンプがあるのは上下の一方のみであって、上下の一方が金属パッドだけであってもよい。はんだバンプは、溶融されることで金属パッドの上に濡れ広がるが、原則として、金属パッド15の幅を濡れ広がる限界の幅として、溶融後に固化する。アライメントのために用いられるはんだバンプ20が、ターゲットとするはんだバンプ10の両側に3つ配置されている。アライメントのために用いられるはんだバンプ20は、ターゲットとするはんだバンプ10よりも、幅横方向、x方向が相対的に広めの設定となっている。これらのはんだバンプ20も、金属パッド25の上に設けられている。金属パッド25の幅も、金属パッド15より相対的に広めの設定となっている。3枚に積層されたシリコンチップのうち、中間に位置するシリコンチップについては、他の2枚のシリコンチップに対して、横方向x方向の左側に相対的にずれていることに注目されたい。具体的なずれの大きさについては、ずれの精度につながるが、中間のシリコンチップについてターゲットとするはんだバンプ10については、Δx~5μm程度の精度に設定することができる。ただし、アライメントのために用いられるはんだバンプ20のずれdの大きさについては、d>>Δxまたはd>Δxとして設定することが好ましい。かかる設定によって、中間のシリコンチップの両面において、わざとアライメントされていない金属パッド35の上に設けられているところの、わざとアライメントされていないはんだバンプ30の溶融時に生じる、相対的により大きな表面張力による復元力を期待することができる。アライメント用はんだバンプとは、一方のシリコンチップにおけるアライメントのために用いられる複数のはんだバンプ20、および、他方のシリコンチップにおけるわざとアライメントされていないはんだバンプ30との組合わせということになる。本発明における高精度に作成されたスタッド40の組合わせは、ターゲットとするはんだバンプ10の精度であるところの、Δx~5μm程度の精度で作成される。すなわち、配置されるはんだバンプ10または複数の金属パッド15が配置されるピッチと、そのずれ方向の精度から、スタッドを設ける位置を決定することになる。配置されるはんだバンプ10または金属パッド15が設けられるピッチをリファレンスにすれば、設計または作成のプロセスにおいて、スタッドの位置を一緒に割り出すことができるため、現在の3次元実装でシリコンチップに対して普通に行っている同種のプロセスの延長ついでとして、スタッドを設定することができる。一連の設定するステップや、一連の決定するステップは、コンピュータを利用して自動的に行うことができる。一連のプロセスの手順を記述したプログラムとして提供することも可能である。図4は、本発明であるところの、高精度に作成されたスタッドを利用して、はんだバンプの高精度のセルフアライメントの作用を説明する模式図である。はんだバンプが溶融すると、金属パッドの上に濡れ広がり、溶融したはんだが上下の複数の金属パッド間につながる。はんだの表面張力の作用により、復元力が生じる。矢印で示した復元力は、中間のシリコンチップを際限なく右方向に進めようとするが、本発明における高精度に作成されたスタッドの組合わせが、復元力による横方向への動きのストッパーとなり、複数のシリコンチップ同士の横方向の相対的位置を規制するように作用する。このようなストッパーとしての作用には重要な意義がある。ストッパーとして作用させるように設定された精度Δxは、ターゲットとするはんだバンプの精度Δxと同じになるように設計作成されているので、ターゲットとするはんだバンプ同士の横方向位置が高さ方向において整列して、アライメントは精度よくΔxの範囲内に収まることになる。ターゲットとするはんだバンプ10が固化すると、アライメントのために用いられるはんだバンプ20、及び、わざとアライメントされていないはんだ30も固化する。想定どおりの精度に従えば、d-Δxのずれが残ることになる。図5は、スタッドを金属間化合物IMCとして作成する第1の実施例を示す図である。スタッドストッパーのはんだバンプの融点Tmsを、アライメント用はんだバンプの融点Tmaよりも低く設定しておいて、Tms<T<Tmaであるような温度Tで加熱されている時点で、金属パッドの金属とはんだバンプとが金属間化合物IMCを形成するように設定することができる。金属間化合物IMCになった時点で、金属間化合物IMCの融点Tmcは、低融点はんだTmsよりも高くなることが知られており、Tms<Tmcとなる。ここで、Tma<Tmcの設定にすれば、アライメント用はんだバンプが溶融している時点においても、スタッドストッパーが溶融しないようにすることができる。図6は、スタッドをインクジェット法によるソルダーペーストとして作成する第2の実施例を示す図である。インクジェット法によってソルダーペーストを塗布させる技術は、<1μm1μm以下の精度での幅をもったスタッドストッパーを実現できる。スタッドは、複数のシリコンチップにそれぞれ設けられたスタッドの組合わせとして、相対的な動きが規制されるように、横方向位置、横方向幅、を決定すればよい。図7は、スタッドを金属スタッドバンプとして作成する第3の実施例を示す図である。AuまたCuスタッドバンプの作成にあたっては、シリコンSiダイ上にAuまたはCuを用いて配線を設ける等の一連のプロセスがあるので、そのような一連のプロセスの延長として作成することができる点でプロセス親和性がよい。金または銅ワイヤを引き上げて作成した後のようなイメージを図解しているものである。金属ポスト例、Cuの作成についても、Cuを用いて配線を設ける等の一連のプロセスがあるため、プロセス親和性がよい。