"光起電性装置に金属接点を形成する方法であって:光電池の吸収層上にパラジウム層を蒸着させるステップと;前記パラジウム層上にゲルマニウム層を蒸着させるステップと;前記ゲルマニウム層上に金属キャッピング層を蒸着させるステップと;前記光電池を約20°C乃至約275°Cの範囲の温度に加熱して、前記吸収層と前記金属キャッピング層の間に配置されるパラジウムゲルマニウム合金を形成するステップとを含むことを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記金属キャッピング層を蒸着させるステップが:前記ゲルマニウム層上に接着層を蒸着させるステップと;前記接着層上に導電層を蒸着させるステップとを含むことを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記加熱するステップが、約5分乃至約60分間実施されることを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記温度が約150°C乃至約275°Cの範囲であり、前記加熱するステップが少なくとも約30秒間実施されることを特徴とする方法。請求項3に記載の方法において、前記温度が約100°C乃至約150°Cの範囲であり、前記加熱するステップが約5分乃至約60分間実施されることを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記温度が約20°C乃至約175°Cの範囲であり、前記加熱するステップが約5分乃至約60分間実施されることを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記パラジウム層が約50Å乃至約300Åの範囲の厚さを有し、蒸着プロセスの際に約20°C乃至約200°Cの範囲の温度で蒸着されることを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記ゲルマニウム層が約100Å乃至約1000Åの範囲の厚さを有し、蒸着プロセスの際に約20°C乃至約200°Cの範囲の温度で蒸着されることを特徴とする方法。請求項2に記載の方法において、前記接着層がチタンまたはチタン合金を含み、少なくとも約20Åの厚さを有することを特徴とする方法。請求項2に記載の方法において、前記導電層が金または金合金を含み、少なくとも約1,000Åの厚さを有することを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記光電池の前記吸収層がn型ヒ化ガリウム材料を含むことを特徴とする方法。請求項11に記載の方法において、前記金属接点が、前記光電池の裏面に配置されることを特徴とする方法。光起電性装置に金属接点を形成する方法であって:光電池の吸収層上にパラジウム層を蒸着させるステップと;前記パラジウム層上にゲルマニウム層を蒸着させるステップと;前記ゲルマニウム層上に接着層を蒸着させるステップと;前記接着層上に導電層を蒸着させるステップと;前記光電池を約150°C乃至約275°Cの範囲の温度に少なくとも0.5分間加熱して、前記吸収層と前記接着層の間に配置されるパラジウムゲルマニウム合金を形成するステップとを含むことを特徴とする方法。光起電性装置に配置された金属接点において:光電池の吸収層上に配置されたパラジウムゲルマニウム合金の層と;前記パラジウムゲルマニウム合金の層上に配置された金属キャッピング層とを具えることを特徴とする金属接点。請求項14に記載の金属接点において、前記金属キャッピング層が:前記パラジウムゲルマニウム合金の層上に配置された接着層と;前記接着層上に配置された導電層とを有することを特徴とする金属接点。請求項15に記載の金属接点において、前記接着層がチタンを含有することを特徴とする金属接点。請求項15に記載の金属接点において、前記導電層が金を含有することを特徴とする金属接点。請求項14に記載の金属接点において、前記パラジウムゲルマニウム合金の層が、約100Å乃至約1,000Åの範囲の厚さを有することを特徴とする金属接点。請求項18に記載の金属接点において、前記パラジウムゲルマニウム合金の層の厚さが、約300Å乃至約600Åの範囲内であることを特徴とする金属接点。請求項15に記載の金属接点において、前記接着層が、少なくとも約20Åの厚さを有することを特徴とする金属接点。請求項15に記載の金属接点において、前記導電層が、少なくとも約1,000Åの厚さを有することを特徴とする金属接点。請求項14に記載の金属接点において、前記光電池の前記吸収層が、n型ヒ化ガリウム材料を含むことを特徴とする金属接点。請求項14に記載の金属接点において、前記金属接点が、前記光電池の裏面に配置されることを特徴とする金属接点。本発明の実施形態は一般に光起電性装置およびプロセスに関し、より具体的には、光電池、光電池に形成される金属接点、およびこのような光電池および金属接点を形成する製造プロセスに関するものである。この製造プロセスの一部は、エピタキシャルリフトオフELOプロセスによって更に処理されるヒ化ガリウム材料の薄膜をエピタキシャルに成長させるステップを含む。本書に記載の金属接点の実施形態は、アニールプロセスの際に低温で形成されたパラジウムゲルマニウム合金を含有している。幾つかの実施形態では、光電池は約20°C乃至約275°Cの範囲の温度まで加熱することができる。例えば、この電池は、アニールプロセスの際に約20°C乃至約175°Cの範囲の温度まで加熱される、および/または約5分乃至約60分間加熱され、例えば、約150°Cで約30分加熱されてもよい。他の実施形態では、アニールプロセスの際に光電池は約150°C乃至約275°Cの範囲の温度に少なくとも約0.5分間、例えば約250°Cで約1分加熱されうる。金属接点と共に用いる適切な光電池の幾つかの実施形態が、本書の実施形態に記載されている。この光電池は、n型積層体は正面を向き、p型積層体は電池の裏面となるようにp型積層体の上に配置されたn型積層体を含む、ヒ化ガリウムベースの電池を含みうる。一実施形態では、光電池は両面の光電池であり、正面に配置されたn型金属接点を有し、p型金属接点は電池の裏面に配置される。他の実施形態では、光電池は片面の光電池であり、電池の裏面に配置されたn型金属接点とp型金属接点を有する。本発明の幾つかの実施形態は、約10μm/hr以上、約20μm/hr以上、約30μm/hr以上、約100μm/hr以上または約120μm/hr以上を含む約60μm/hr以上といった、5μm/hrよりも速い成長速度で、グループIII-V材料をエピタキシャルに成長させるプロセスを提供している。グループIII-V材料は、ヒ化ガリウム、ヒ化アルミニウムガリウム、リン化アルミニウムガリウムインジウム、またはその組み合わせを含むエピタキシャルに成長した層の薄膜である。幾つかの実施形態では、金属接点は、300°C未満の低温、幾つかの例では250°C未満または200°C未満の温度、例えば約20°Cまたはおよそ室温乃至約150°Cの温度で形成されたパラジウムゲルマニウム合金を含みうる。このような新たな手法は、従来の太陽電池と比較した場合に、光起電性装置における優れた性能と柔軟性を可能にできる。図1Aは、間に配置された犠牲層104によって成長ウエハ101と連結したヒ化ガリウムベースの電池140を有する太陽光発電装置90の断面図を示している。様々な組成を含有するエピタキシャル材料の複数の層は、緩衝層102、犠牲層104、更にはヒ化ガリウムベースの電池140内に含まれる層の多くを含む太陽光発電装置90内に蒸着させられる。エピタキシャル材料の様々な層は、化学気相成長CVDプロセス、有機金属CVDMOCVDプロセス、または分子線エピタキシーMBEプロセスといった蒸着プロセスによって成長または形成することができる。本書に記載の他の実施形態では、エピタキシャルリフトオフELOプロセスの際に犠牲層104をエッチングし、ヒ化ガリウムベースの電池140を成長ウエハ101から分離させるために、太陽光発電装置90を湿式エッチング溶液に曝してもよい。この湿式エッチング溶液は一般にフッ化水素酸を含み、さらに様々な添加物、緩衝剤、および/または界面活性剤を含みうる。湿式エッチング溶液は選択的に犠牲層104をエッチングし、ヒ化ガリウムベースの電池140および成長ウエハ101を保護する。一旦分離すると、図1Bに示すようなヒ化ガリウムベースの電池140は更に処理されて、本書の幾つかの実施形態に記載するような光電池やモジュールを含む、様々な光起電性装置を形成することができる。グループIII-V材料は、特にヒ化ガリウム、ヒ化アルミニウムガリウムを含有するエピタキシャルに成長した層の薄膜である。窓層といった幾つかの層は、リン化アルミニウムガリウムインジウム、リン化アルミニウムガリウム、またはその組み合わせを含む、更なる材料を含有しうる。エピタキシャルに成長した層は、高成長率の蒸着プロセスの際にグループIII-V材料が成長することで形成できる。高成長率の蒸着プロセスにより、従来観察されていた5μm/hr未満の蒸着速度と比較して、約10μm/hr以上、約20μm/hr以上、約30μm/hr以上、約100μm/hr以上または約120μm/hr以上を含む約60μm/hr以上といった、5μm/hrよりも高い成長率が可能となる。このプロセスは、処理システム内で約550°C以上の蒸着温度までウエハを加熱するステップと、ヒ化ガリウムの蒸着プロセスのためにウエハをガリウム前駆体ガスおよびヒ化水素などの化学的前駆体を含有する蒸着ガスに曝すステップと、ウエハ上にヒ化ガリウムを含有する層を蒸着させるステップとを含む。高成長率の蒸着プロセスは、ヒ化ガリウム、ヒ化アルミニウムガリウム、リン化アルミニウムガリウム、リン化アルミニウムガリウムインジウム、リン化アルミニウムインジウム、それらの合金、それらのドーパント変形物、またはそれらの組み合わせを含む、様々な材料を蒸着させるために利用できる。蒸着プロセスの幾つかの実施形態では、蒸着温度が約550°C乃至約900°Cの範囲内であってもよい。他の例では、蒸着温度は約600°C乃至約800°Cの範囲内であってもよい。他の例では、蒸着温度は約650°C乃至約750°Cの範囲内であってもよい。他の例では、蒸着温度は約650°C乃至約720°Cの範囲内であってもよい。一実施形態では、シャワーヘッドに入るまたは通過する前に、ガスマニフォールド内の2、または3以上の化学的前駆体を組み合わせる、あるいは混合することによって蒸着ガスを形成することができる。他の実施形態では、シャワーヘッドを通過した後に、反応領域内の2、または3以上の化学的前駆体を組み合わせる、あるいは混合することによって蒸着ガスを形成することもできる。蒸着ガスはさらに、シャワーヘッドを通過する前か通過した後に前駆体ガスと組み合わせる、あるいは混合することができる、1、または2以上のキャリアガスを含有していてもよい。蒸着ガスは、ガリウム、アルミニウム、インジウム、ヒ素、リン、または他の1または複数の化学的前駆体を含有しうる。蒸着ガスは、トリメチルガリウムまたはトリエチルガリウムといったアルキルガリウム化合物であるガリウム前駆体ガスを含有しうる。蒸着ガスはさらに、トリメチルアルミニウムまたはトリエチルアルミニウムといったアルキルアルミニウム前駆体であるアルミニウム前駆体ガスを含有しうる。蒸着ガスはさらに、トリメチルインジウムといったアルキルインジウム化合物であるインジウム前駆体ガスを含有しうる。幾つかの実施形態では、蒸着ガスはさらにキャリアガスを含む。キャリアガスは、水素H2、窒素N2、水素と窒素の混合、アルゴン、ヘリウム、またはそれらの組み合わせを含有しうる。多くの例では、キャリアガスは、水素、窒素、または水素と窒素の混合を含有する。蒸着ガスはそれぞれ、約5sccm立方センチメートル毎分乃至約300sccmの流量で処理チャンバに与えることができる。キャリアガスは、約500sccm乃至約3,000sccmの流量で処理チャンバに与えることができる。他の実施形態では、蒸着ガスは、約3以上、約4以上、約5以上、約6以上、または約7以上のヒ化水素/ガリウム前駆体比でヒ化水素およびガリウム前駆体ガスを含有している。幾つかの例では、ヒ化水素/ガリウム前駆体比は、約5対約10の範囲内であってもよい。他の実施形態では、グループIII-V材料は、約30:1、40:1、50:1、60:1、またはそれより高いグループV前駆体とグループIII前駆体の比率を含む蒸着ガスから形成または成長させることができる。幾つかの例では、蒸着ガスは約50:1のリン化物/グループIII前駆体を有する。処理システムは、約20トール乃至約1,000トールの範囲の内圧を有しうる。幾つかの実施形態では、内圧は、約760トール乃至約1,000トールというように、環境中と同じか環境よりも高くてもよい。幾つかの例では、内圧は約800トール乃至約1,000トールの範囲内であってもよい。他の例では、内圧は約800トール乃至約850トールというように、約780トール乃至約900トールの範囲内であってもよい。他の実施形態では、内圧は、約20トール乃至約760トール、好適には約50トール乃至約450トール、より好適には約100トール乃至約250トールの範囲内というように、環境中と同じか環境より低くてもよい。本書に記載するようなグループIII-V材料を蒸着または形成する蒸着プロセスは、単一ウエハ蒸着チャンバ、複数のウエハ蒸着チャンバ、定常蒸着チャンバ、または連続供給蒸着チャンバ内で実施することができる。グループIII-V材料の成長、蒸着、または形成に利用できる連続供給蒸着チャンバの1つが、同一出願人により双方とも2009年5月29日に出願された米国特許第12/475,131号および第12/475,169号に開示されており、参照により本書に組み込まれる。一実施形態では、太陽光発電装置90の形成を開始するため、1以上の緩衝層102が成長ウエハ101上に形成される。成長ウエハ101はn型または半絶縁性の材料を含有し、その後に蒸着される1以上の緩衝層と同一または類似した材料を含有しうる。例えば、成長ウエハ101は、ヒ化ガリウムまたはn型ドープのヒ化ガリウムの緩衝層を生成する場合、ヒ化ガリウムまたはn型ドープヒ化ガリウムを含有しうる。p型ドーパントは炭素、マグネシウム、亜鉛、またはその組み合わせから選択され、n型ドーパントはシリコン、セレン、テルル、またはその組み合わせから選択できる。幾つかの実施形態では、p型ドーパント前駆体は、炭素ドーパントとして四臭化炭素CBr4、マグネシウムドーパントとしてビスシクロペンタジエニルマグネシウムCp2Mg、亜鉛ドーパントとしてジメチル亜鉛またはジエチル亜鉛を含むジアルキル亜鉛化合物を含みうる。他の実施形態では、n型のドーパント前駆体は、シリコンドーパントとしてシランSiH4またはジシランSi2H6、セレンドーパントとして水素セレン化合物H2Se、およびテルルドーパントとしてジメチルテルル、ジエチルテルル、およびジイソプロピルテルルを含むジアルキルテルル化合物を含みうる。1または複数の緩衝層102は、様々なエピタキシャル層が形成されたときに異なる結晶構造に適応できる、成長ウエハ101と最後の太陽光発電装置の半導体層の間の媒介を提供することができる。1以上の緩衝層102は、約100nm乃至約600nm、例えば約500nmの厚さといった厚さに蒸着できる。1以上の緩衝層102はそれぞれ、最後の太陽光発電装置の所望の組成に応じて、ヒ化ガリウムなどのグループIII-V化合物半導体を含有しうる。緩衝層102はさらに、例えばn型ドープのヒ化ガリウムなどのn型ドープ材などでドープされてもよい。犠牲層104は緩衝層102の上に蒸着することができる。この犠牲層104はヒ化アルミニウムまたはヒ化アルミニウム合金などの適切な材料を含有し、約5nm乃至約10nm、例えば約10nmといった約3nm乃至約20nmの厚さを有するよう蒸着できる。犠牲層104はさらに、n型ドープ材、例えばn型ドープのヒ化アルミニウムなどでドープできる。犠牲層104は剥離層としても知られており、ELOプロセスの際に成長ウエハ101からヒ化ガリウムベースの電池140を分離しながら、エッチングして除去される。エッチングされる前に、犠牲層104は、n型接触層105といったヒ化ガリウムベースの電池140内に含まれる、次にエピタキシャルに成長する層について格子構造を形成するためにも利用される。ヒ化ガリウムベースの電池140は、p型ドープのヒ化ガリウム材料を含有するp型積層体130の上に蒸着した、n型ドープのヒ化ガリウム材料を含有するn型積層体120を有する。n型積層体120およびp型積層体130はそれぞれ、ヒ化ガリウム材を含む様々な材料の組成の複数の層を個々に含んでいる。一実施形態では、n型積層体120は、n型接触層105と、n型前窓106と、n型前窓106に隣接して形成されたn型吸収層108と、任意に中間層114とを有する。p型積層体130は、p型エミッタ層110と、p型エミッタ層110上に形成されたp型接触層112とを有する。製造プロセスの際、一実施形態に記載するように、n型接触層105または界面層が、犠牲層104上に堆積されることがある。このn型接触層105は、最後の太陽光発電装置の所望の組成に応じて、ヒ化ガリウムなどのグループIII-V材料を含有する。n型接触層105はn型ドープされ、幾つかの実施形態については、ドーピング濃度は、6×1018atoms/cm3、例えば約1×1018atoms/cm3乃至約1×1019atoms/cm3といった、約1×1018atoms/cm3よりも高い範囲であってもよい。n型接触層105は、約25nm乃至約75nm、例えば約50nmといった、約10nm乃至約1,000nmまたは約10nm乃至約100nmの厚さに形成されうる。n型接触層105は、ELOプロセスの前にヒ化ガリウムベースの電池140の一部として、この段階で形成することができる。代替的に、他の実施形態では、n型接触層105はELOプロセスに続く後の段階で形成することができる。ELOプロセスの前にヒ化ガリウムベースの電池140の一部としてn型接触層105を形成することの利点の1つは、ELOプロセスの際の犠牲層104のエッチングといった後に続く処理のステップ中に、n型接触層105が望ましくない損傷または材料の混入からn型前窓106を保護する効果があることである。n型前窓106は保護層としても知られており、犠牲層104、またはある場合には、任意の接触層105の上に形成することができる。n型前窓106は、アルミニウムガリウム、ヒ化アルミニウムガリウム、その合金、またはそれらの組み合わせといったグループIII-V材料を含有しうる。n型前窓106の材料はn型ドープされ、幾つかの実施形態については、ドーピング濃度は、3×1018atoms/cm3、例えば約1×1018atoms/cm3乃至約1×1019atoms/cm3といった、約1×1018atoms/cm3より高い範囲であってもよい。n型前窓106の材料はドープされないでもよい。ヒ化アルミニウムガリウムは、AlXGa1-XAsの分子比の公式、例えばAl0.3Ga0.7Asの分子比を有しうる。n型前窓106は、約5nm乃至約75nm、例えば約30nmまたは約40nmの範囲の厚さを有するように蒸着することができる。n型前窓106は透過性であり、光子がヒ化ガリウムベースの電池140の前面におけるn型前窓106を通って他の下にある層に通過できるようにしてもよい。代替的に、n型前窓106は、リン化アルミニウムガリウム、リン化アルミニウムガリウムインジウム、その合金、その派生物、またはそれらの組み合わせといった材料を含有しうる。これらのリン化アルミニウムガリウムの組成は約2.2eVといった大きいバンドギャップをもたらし、さらにはn型前窓106内に用いられた場合に低波長での高い捕集率をもたらす。吸収層108は前窓106上に形成することができる。吸収層108は、ヒ化ガリウムなどのグループIII-V組成の半導体を含みうる。吸収層108は単結晶であってもよい。吸収層108は例えばn型ドーピングなどの一種類のみドーピングされ、幾つかの実施形態については、n型吸収層108のドーピング濃度は、約1×1016atoms/cm3乃至約1×1019atoms/cm3、例えば約1×1017atoms/cm3といった範囲内であってもよい。n型吸収層108の厚さは、約1,000nm乃至約2,000nm約1.0μm乃至約2.0μm、例えば2,000nmといった、約300nm乃至約3,500nmの範囲内であってもよい。図1Bに図示するように、幾つかの実施形態では後窓層とも称されるエミッタ層110を吸収層108に近接して形成することができる。エミッタ層110は、例えばp型ドープされてもよい。p型エミッタ層110は、n型吸収層108とのヘテロ接合を形成するグループIII-V組成の半導体を含みうる。例えば、n型吸収層108がヒ化ガリウムを含有する場合、p型エミッタ層110は、ヒ化アルミニウムガリウムなどの異なる半導体材料を含有しうる。p型エミッタ層110およびn型前窓106の双方がヒ化アルミニウムガリウムを含有する場合、p型エミッタ層110のAlXGa1-XAsの組成は、n型前窓106のAlyGa1-yAsの組成と同一または異なっていてもよい。例えばp型エミッタ層110は、Al0.3Ga0.7Asの分子比を有しうる。p型エミッタ層110は単結晶であってもよい。p型エミッタ層110は高密度にp型ドープされてもよく、幾つかの実施形態については、p型ドープのエミッタ層のドーピング濃度は、約1×1019atoms/cm3といった、約1×1017atoms/cm3乃至約1×1020atoms/cm3の範囲内であってもよい。p型エミッタ層110の厚さは、約100nm乃至約500nmの範囲内、例えば約300nmであってもよい。幾つかの実施形態については、n型吸収層108は約800nm未満、約500nm未満、約100nm乃至約500nmの範囲内といった厚さを有しうる。幾つかの実施形態では、n型吸収層108とp型エミッタ層110の接点が光子を吸収するp-n界面層を生成する。n型吸収層108がある材料ヒ化ガリウムなどを含有し、p型エミッタ層110が吸収層108ヒ化アルミニウムガリウムなどの材料とは異なるバンドキャップを有する異なる材料を含有している本発明の実施形態では、p-n界面層はヘテロ接合である。本書の実施形態に記載されるようなヘテロ接合は、従来の光起電性材料のホモ接合と比較して、暗電流の減少、電圧生成の向上、および放射再結合の向上があると認められる。光がp-n界面層の近くに吸収されて電子正孔対が生成されると、p-n接合によって起こる内部電界が正孔をp型ドープ側に、電子をn型ドープ側に押しやることがある。この自由電荷の移動によってn型吸収層108とp型エミッタ層110の間の電圧差が生じ、これにより、抵抗がこれらの層に接続された端子にわたって連結された場合に電子流が流れることができる。本書に記載された実施形態では、p型エミッタ層110の材料はn型吸収層108の材料よりも大きいバンドギャップを有する。上述のようなn型吸収層108およびp型エミッタ層110ではなく、従来の光起電性半導体装置は通常、p型ドープのベース/吸収層およびn型ドープのバック/エミッタ層を有する。ベース/吸収層は一般に、キャリアの拡散距離のために従来の装置ではp型ドープである。本発明の実施形態に則って薄いベース/吸収層を製造すると、n型ドープのベース/吸収層への変更が可能となる。p型ドープの層におけるホール移動性と比較して高いn型ドープの層のホール移動性は、本書に記載されるようなn型吸収層108における低いドーピング密度に通ずる。他の実施形態は、p型ドープのベース/吸収層およびn型ドープのバック/エミッタ層を利用できる。代替的に、図1Bに示すように、中間層114がn型吸収層108とp型エミッタ層110の間に形成されうる。中間層114はn型吸収層108とp型エミッタ層110の間の材料遷移をもたらす。中間層は、AlXGa1-XAsの分子比の公式、例えばAl0.3Ga0.7Asの分子比を有するヒ化アルミニウムガリウムを含有し、約1×1016atoms/cm3乃至約1×1019atoms/cm3の範囲内、例えば1×1017atoms/cm3でn型ドープされてもよく、ドーパント濃度は、好適にはn型吸収層108と同一またはほぼ同一である。中間層114の一実施形態では、中間層114は、n型吸収層108とp型エミッタ層110の間に位置する傾斜層115およびn型後窓層117を有する。この傾斜層115はn型吸収層108の上に形成され、n型後窓層117の上にp型エミッタ層110を形成する前に、n型後窓層117が傾斜層115の上に形成される。傾斜層115は、n型吸収層108に近接するヒ化ガリウムから、n型後窓層117に近接するヒ化アルミニウムガリウムまでの傾斜層であってもよい。多くの例では、ヒ化アルミニウムガリウムは、AlXGa1-XAsの分子比の公式、例えばAl0.3Ga0.7Asの分子比を有しうる。傾斜層115の段階的な変化は、放物線状、指数関数的または直線的な変化であってもよい。他の実施形態では、中間層114は傾斜層115またはn型後窓層117のみを含む。n型後窓層117はさらに、AlXGa1-XAsの分子比の公式、例えばAl0.3Ga0.7Asの分子比を有するヒ化アルミニウムガリウムを含有する。傾斜層115およびn型後窓層117はそれぞれn型ドープすることができ、幾つかの実施形態については、ドーピング濃度は約1×1016atoms/cm3乃至約1×1019atoms/cm3の範囲内、例えば1×1017atoms/cm3であってもよく、ドーパント濃度は好適にはn型吸収層108と同一またはほぼ同一であってもよい。任意に、p型接触層112は、p型エミッタ層110上に形成できる。p型接触層112は、ヒ化ガリウムのようなグループIII-V組成の半導体を含みうる。p型接触層112は一般に単結晶であってp型ドープされ、幾つかの実施形態については、p型接触層112のドーピング濃度は、約6×1018atoms/cm3乃至約2×1019atoms/cm3、例えば約1×1019atoms/cm3といった、1×1018atoms/cm3より濃くてもよい。p型エミッタ層110は、約10nm乃至約100nmの範囲内、例えば約50nmの厚さを有しうる。一旦p型エミッタ層110が形成されると、下に位置するベースのn型吸収層108に達するほど深く、空洞部または凹部図示せずをp型エミッタ層110または任意にp型接触層112に形成することができる。このような凹部は、フォトリソグラフィを利用してマスクをp型エミッタ層110または任意にp型接触層112に適用し、例えば、湿式または乾式エッチングなどの技術を用いてマスクで覆われていないp型エミッタ層110および任意にp型接触層112の材料を除去することにより形成できる。この方法では、ヒ化ガリウムベースの電池140の裏面を介してn型吸収層108にアクセスすることができる。他の実施形態では、対照的な種類のドーピングを上記の層に使用できる、および/または、記載したヘテロ接合およびp-n接合を提供する他の材料を使用できる。さらに、他の実施形態では、上述の順番とは異なる順序で層を蒸着または形成することができる。この方法で作られた太陽光発電装置は、数マイクロメートルの厚さの従来の太陽光ユニットと比較して、著しく薄い吸収層例えば、500nm未満を有している。吸収層の厚さは、太陽光発電装置における暗電流レベルに比例する例えば、吸収層が薄いほど、暗電流は小さくなる。暗電流は、光子が装置に入らないときでさえ、太陽光発電装置または光ダイオードなどの他の同様の感光性装置を通って流れる微電流である。熱電子放出または他の影響の結果としてバックグラウンド電流が起こることもある。感光性の半導体装置における暗電流が低下すると開回路の電圧Vocが増加するため、薄い吸収層は所与の光度に対してVocを増加させやすく、従って効率を高めることができる。吸収層が光を捕捉できる限り、吸収層の厚さが減少するほど性能は高くなる。吸収層の薄さは、薄膜技術およびELOの性能によってのみ制限されうる。例えば、吸収層の厚さによって効率は高まるが、吸収層は電流を送達する程度に厚くなくてはならない。しかしながら、高いドーピングレベルにより、非常に薄い吸収層においても電流が流れることが可能となりうる。従って、向上したドーピングを利用して、優れた効率を有する非常に薄い吸収層を製造することができる。従来の光起電性装置は体積再結合の影響を欠点として有していたため、このような従来の装置は吸収層において高ドーピングを利用していない。吸収層のシート抵抗も適切な厚さを決定するときに考慮される。本書に記載するような薄い吸収層を有する光起電性装置は、数マイクロメートルの厚さを有する従来の太陽電池よりも一般に柔軟である。さらに、本書に記載の薄い吸収層は、従来の太陽電池よりも優れた高い性能を提供する。従って、本発明の実施形態による太陽光発電装置は、従来の太陽電池よりもさらに多くの分野に適応しうる。図2は両面の光起電性装置である光電池200の一実施形態を図示しており、光電池200の反対側に配置された、p型金属接触層204およびn型金属接触層208といった接点をそれぞれ有している。n型金属接触層208は前側または太陽側に配置されて光210を受け取り、p型金属接触層204は光電池200の裏面に配置される。図1Bに示し、本書の実施形態に記載するように、光電池200はヒ化ガリウムベースの電池140から形成することができる。一実施形態では、n型金属接触層208がn型接触層105上に蒸着され、その後にn型金属接触層208およびn型接触層105を通って凹部が形成されて、光電池200の前側にn型前窓106が露出する。代替的な実施形態では、凹部がn型接触層105に最初に形成され、光電池200の前側にn型前窓106を露出させてもよい。従って、n型金属接触層208は、n型前窓106を露出した状態でn型接触層105の残っている部分に形成される。n型接触層105は、約6×1018atoms/cm3乃至約1×1019atoms/cm3の範囲内といった約3×1018atoms/cm3より高いドーパント濃度を有しうるn型ドープのヒ化ガリウム材料を含有する。反射防止コーティングARC層202は、本発明の実施形態に応じて、露出したn型前窓106、さらにはn型接触層105およびn型金属接触層208の上に配置することができる。ARC層202は、ARC層202の表面を通って光が通過できる材料を含有し、表面からの光の反射を防いでいる。例えば、ARC層202は、フッ化マグネシウム、硫化亜鉛、酸化チタン、酸化シリコン、それらの派生物、またはそれらの組み合わせを含有しうる。ARC層202は、スパッタなどの技術によってn型前窓106に適用できる。ARC層202は、約50nm乃至約150nmといった約25nm乃至約200nmの範囲の厚さを有しうる。幾つかの実施形態については、n型前窓106、p型エミッタ層110、および/またはp型接触層112が、ARC層202を適用する前に粗面化またはテクスチャ出しされる。n型前窓106、p型エミッタ層110、および/またはp型接触層112はそれぞれ、湿式エッチングプロセスまたは乾式エッチングプロセスなどのエッチングプロセスによって粗面化できる。ARC層202を適用する前にポリスチレン球などの小さい粒子をn型前窓106の表面に適用することにより、テクスチャ出しすることができる。n型前窓106、p型エミッタ層110、および/またはp型接触層112を粗面化またはテクスチャ出しすることにより、異なる屈折率を有するARC層202とn型前窓106の間の境界で異なる角度がもたらされる。この方法では、スネルの法則により光子の入射角は非常に大きいため、より多くの入射光子がARC層202とn型前窓106の間の境界から反射されずにn型前窓106内に伝達されうる。従って、n型前窓106、p型エミッタ層110、および/またはp型接触層112を粗面化またはテクスチャ出しすると、光の捕捉を増加させることができる。幾つかの実施形態では、n型前窓106は複数の窓層を含みうる。これらの実施形態について、最も外側の窓層例えば、光電池200の前面に最も近い窓層は、図2に示すように、ARC層202が適用される前に上述のように粗面化またはテクスチャ出しされうる。一実施形態では、n型前窓106は、n型吸収層108に近接して位置する第1の窓層図示せずと、第1の窓層とARC層202の間に挟まれた第2の窓層図示せずとを含む。第1および第2の窓層はヒ化アルミニウムガリウムなどの上記のようなn型前窓106に適した材料を含有しうるが、一般には異なる構成である。例えば、第1の窓層はAl0.3Ga0.7Asを含有し、第2の窓層はAl0.1Ga0.9Asを含有しうる。さらに、幾つかの実施形態については、複数の窓層の一部がドープされ、その他の窓層はドープされないでもよい。例えば、第1の窓層はドープされ、第2の窓層はドープされなくてもよい。p型金属接触層204および/またはn型金属接触層208はそれぞれ、金属または金属合金といった導電性の接触材料を含有する。好適には、p型金属接触層204および/またはn型金属接触層208内に含まれる接触材料は、光電池200の製造時に利用される処理ステップの際に、半導体層などの他の層を通って拡散しない。通常、p型金属接触層204およびn型金属接触層208はそれぞれ、同一または異なる接触材料の複数の層を有する。接触材料は、1×10-3Ωcm2未満の特定の接触抵抗を有することが好ましい。好適な接触材料は更に、約1×1018atoms/cm3のキャリア濃度で約0.8eV以上のショットキー障壁高さΦbnを有する。適切な接触材料は、金、銅、銀、アルミニウム、パラジウム、白金、チタン、ジルコニウム、ニッケル、クロム、タングステン、タンタル、ルテニウム、亜鉛、ゲルマニウム、パラジウムゲルマニウム合金、それらの派生物、それらの合金、またはそれらの組み合わせを含みうる。本書に記載の幾つかの実施形態では、p型金属接触層204および/またはn型金属接触層208は、フォトレジスト、フォトリソグラフィ、スクリーン印刷、あるいは抵抗マスク、ワックス、または他の保護材で部分的に覆われた光電池200の露出した表面に単に蒸着させることによる真空蒸発などの方法によって、光電池200上に製造することができる。これらの蒸着プロセスの多くは、光電池200の表面の一部を覆うか保護しながら、光電池200の表面における覆われていない、保護されていない、あるいは露出した表面に含まれるデザインパターン上に接触部材を蒸着する、めっきする、あるいは形成するステップを含む。幾つかの例では、スクリーン印刷が接触材料を形成するのに最も費用効果が高い場合がある。幾つかの実施形態では、p型金属接触層204は、約1,000Åといった約500Å乃至約2,000Åの範囲の厚さを有する第1の導電層と、約15,000Å乃至約20,000Åといった約10,000Å乃至約25,000Åの範囲の厚さを有して第1の導電層の上に配置された第2の導電層と、約1,000Åといった約500Å乃至約2,000Åの範囲の厚さを有して第2の導電層の上に配置された第3の導電層とを有する。一例では、p型金属接触層204は、銀またはニッケルを含有して約1,000Åの厚さを有する第1の導電層と、銅を含有して約18,000Åの厚さを有する第2の導電層と、金を含有して約1,000Åの厚さを有する第3の導電層とを有する。幾つかの実施形態では、n型金属接触層208は、約1,000Åといった約500Å乃至約2,000Åの範囲の厚さを有する第1の導電層と、約15,000Å乃至約20,000Åといった約10,000Å乃至約25,000Åの範囲の厚さを有して第1の導電層の上に配置された第2の導電層と、約1,000Åといった約500Å乃至約2,000Åの範囲の厚さを有して第2の導電層の上に配置された第3の導電層とを有する。一例では、n型金属接触層208は、金を含有して約1,000Åの厚さを有する第1の導電層と、銀を含有して約15,000Å乃至約20,000Åの範囲の厚さを有する第2の導電層と、金、銅、またはアルミニウムを含有して約1,000Åの厚さを有する第3の導電層とを有する。他の実施形態では、p型金属接触層204は、p型金属接触層204内に含まれる1以上の層として形成される反射体層を含みうる。p型金属接触層204は、銀、アルミニウム、金、白金、銅、ニッケル、それらの合金、またはそれらの組み合わせの群から選択された材料であってもよい。一例では、p型金属接触層204は、銀または銀合金を含有する。他の例では、p型金属接触層204は銀を含有する接触層である。反射体層は、約0.01μm乃至約1μm、好適には約0.05μm乃至約0.5μm、より好適には約0.1μm乃至約0.3μmの範囲の厚さ、例えば約0.2μmまたは約0.1μm1,000Åの厚さを有しうる。反射体層は、物理気相成長PVD、スパッタリング、電子線蒸着e-beam、ALD、CVD、PE-ALD、またはPE-CVDといった気相蒸着プロセスによって、あるいはインクジェット印刷、スクリーン印刷、蒸発、電気めっき、無電解めっきe-less、またはそれらの組み合わせを含む他の蒸着プロセスによって蒸着させることができる。任意に、金属保護層、または金属接着層は、p型金属接触層204の上に蒸着させることができる。この金属保護層は、ニッケル、クロム、チタン、それらの合金、またはそれらの組み合わせを含む材料を含有しうる。金属保護層は、p型ドープのヒ化ガリウムへの優れた密着力を示すことが好ましい。一実施形態の例では、金属保護層は約5Å乃至約20Åの範囲の厚さに蒸着され、約80以上の反射率を有しうる。好適には、金属保護層の材料および蒸着厚さは、p型金属接触層204の反射性との干渉を最小限にするように蒸着される。例えば、約870nm乃至約1,000nmの範囲の波長に対して、ニッケルを含有し約20Åの厚さを有する膜は約80の反射率を有することが確認されており、ニッケルを含有し約10Åの厚さを有する膜は約90の反射率を有することが確認されている。一例では、ニッケルを含有し約10Åの厚さを有する膜は、金属のp型金属接触層204の金属保護層として使用される。金属のp型金属接触層204は、金、銅、銀、ニッケル、アルミニウム、それらの合金、またはそれらの組み合わせを含有しうる。金属保護層は、スパッタリングプロセスとしても知られている電子線蒸着プロセスまたはPVDプロセスによって蒸着させることができる。図3は、片面の光起電性装置であって、その結果、本書の他の実施形態に示すように、光電池300の同じ側に配置された、p型金属接点302およびn型金属接点312といった両方の接点を有する光電池300が図示されている。図3に示すように、p型金属接点302およびn型金属接点312の双方が光電池300の裏面にあり、ARC層202は光320を受ける光電池300の太陽側または正面にある。本書に記載の幾つかの実施形態では、p型金属接点302はp型金属接触層306上に配置されたp型金属接触層304を含み、n型金属接点312はn型金属合金の接点310上に配置されたn型金属接触層308を含む。幾つかの実施形態では、光電池300は図1Bのヒ化ガリウムベースの電池140から形成することができる。一例では、抵抗マスクがp型接触層112の露出した表面に形成され、フォトリソグラフィプロセスの際にパターン化した凹部および孔部を形成することができる。パターン化した凹部および孔部はp型接触層112、p型エミッタ層110、n型後窓層117、および傾斜層115を通り、n型吸収層108内に部分的に延在する。その後、抵抗マスクが除去され、光電池300の裏面を向いた2次元透視図に見られるように、光電池300の裏面の露出表面としてn型吸収層108およびp型接触層112を露わにする。凹部および孔部の側面はp型接触層112、p型エミッタ層110、n型後窓層117、および傾斜層115の露出した面、およびn型吸収層108を部分的に露わにする。一実施形態では、p型金属接触層306はp型接触層112の露出した部分に形成され、n型金属合金の接点310はn型吸収層108の露出した部分に形成される。その後、p型金属接触層306およびn型金属合金の接点310を含む全ての露出した表面を覆うように、絶縁層216が光電池300の表面の上に蒸着される。次いで、p型金属接触層306およびn型金属合金の接点310の露出した表面は、リソグラフィプロセスによってパターン化した孔部を絶縁層216内にエッチングすることで露わになる。幾つかの実施形態では、p型金属接触層306およびn型金属合金の接点310はELOプロセスの際に成長ウエハ101からヒ化ガリウムベースの電池140を分離させる前に形成され、絶縁層216はELOプロセスの後に形成される。p型金属接触層304はp型金属接触層306および絶縁層216の一部の上に形成することができ、n型金属接触層308はn型金属合金の接点310および絶縁層216の他の部分の上に形成され、図3に示すような光電池300を形成する。幾つかの例では、p型金属接触層304およびn型金属接触層308は、互いに材料が同一の組成の層を含有するよう形成することができ、他の例では、p型金属接触層304およびn型金属接触層308は、同一の金属被覆ステップ中に光電池300に同時に形成される。代替的な実施形態では、p型金属接点302およびn型金属接点312の全部または一部が製造され、次いで、p型金属接点302とn型金属接点312の間、およびその周りの凹部の側壁に絶縁層216が形成される。他の代替的な実施形態では、p型金属接点302およびn型金属接点312を形成する前に、全部または一部の絶縁層216を光電池300に形成することができる。p型金属接点302およびn型金属接点312といった全ての接点が光電池300の裏面にあり、日陰を減少させているにもかかわらず、時間と温度に対する暗電流およびその安定性は、光電池300などの効率的な光起電性装置を設計する場合には未だに懸念事項となりうる。従って、幾つかの実施形態については、光電池300の裏面に絶縁層216が蒸着されるか形成されうる。この絶縁層216は、光電池300内の暗電流を減少させる効果がある電気的に絶縁した材料またはグラウトを含む。絶縁層216は、酸化シリコン、二酸化けい素、酸窒化けい素、窒化けい素、ポリシロキサンまたはシリコーン、ゾルゲル材料、酸化チタン、酸化タンタル、硫化亜鉛、それらの派生物、またはそれらの組み合わせといった、電気的に絶縁した材料またはグラウトを含みうる。絶縁層216は、スパッタリングプロセス、蒸発プロセス、スピンコートプロセス、またはCVDプロセスなどのパッシベーション法によって形成することができる。他の実施形態では、絶縁層216は、p型金属接点302とn型金属接点312の間に起こる電気的短絡をなくすか、大幅に減少させる。絶縁層216は、約1MΩ乃至約5MΩの範囲、またはそれ以上といった少なくとも0.5MΩミリオンオーム以上の電気抵抗を有する、電気的に絶縁したグラウトおよび/または他の電気的に絶縁した材料を含有する。例示的なグラウトまたは他の電気的に絶縁した材料は、エチレン酢酸ビニルEVA、ポリイミド、ポリウレタン、それらの派生物、またはそれらの組み合わせといった高分子材料を含有しうる。一例では、電気的に絶縁したグラウトは、感光性のポリイミドコーティングを含む。他の例では、電気的に絶縁したグラウトは熱硬化性の高分子材料を含む。多くの実施形態では、n型金属合金の接点310は低温のプロセスで形成することができ、このプロセスは、低温の熱アニールプロセスが続く低温の蒸着プロセスを含む。幾つかの実施形態では、低温の熱アニールプロセスは、約20°C乃至約275°Cの範囲の温度で実行される。例えば、一実施形態では、低温の熱アニールプロセスは、約20°C乃至約175°Cの範囲といった室温程度に低い温度で実行されるが、他の実施形態では、低温の熱アニールプロセスは、約150°C乃至約275°Cの範囲といった150°C程度の温度で実行される。一般にヒ化ガリウム材料との接点を形成するため、接点を形成する処理温度は300°C乃至400°Cかそれ以上を要し、さらに接触材料の複合冶金を必要とする。低温の蒸着プロセスによってn型金属合金の接点310に蒸着される適切な接触材料は、特に、パラジウム、ゲルマニウム、パラジウムゲルマニウム合金、チタン、金、ニッケル、銀、銅、白金、それらの合金、またはそれらの組み合わせを含みうる。低温の蒸着プロセスの利点の1つは、従来の高温の蒸着例えば、300°C、400°Cまたはそれ以上、および従来の処理において接触材料の蒸着ステップが続くアニール処理をなくすことだと考えられており、これは従来の処理技術と比較して、例えばn型前窓106、p型エミッタ層110、および/またはn型後窓層117といった近接する材料において高濃度のドーパントの保持を可能にすると考えられている。他の実施形態では、n型金属合金の接点310は、パラジウムゲルマニウム合金を含む導体材料の複数の層を含有しうる。n型金属合金の接点310は、強力な抵抗接点をその間に設けるべく、n型吸収層108とn型金属接触層308の間に配置される。n型金属合金の接点310内のパラジウムゲルマニウム合金は、n型吸収層108内のヒ化ガリウム材料からn型金属合金の接点310にわたり、n型金属接触層308までの電位の高伝導性を可能にする。n型金属合金の接点310はさらに、例えばパラジウムゲルマニウム合金の層上に設けられた金属キャッピング層を含む。幾つかの実施形態では、キャッピング層は接着層と高伝導性の層を含みうる。例えば、接着層は、伝導性の層が合金の層に付着できるようにする。幾つかの例では、接着層はチタン、スズ、亜鉛、それらの合金、またはそれらの組み合わせを含有し、高伝導性の層は金、銀、ニッケル、銅、アルミニウム、それらの合金、またはそれらの組み合わせ、あるいは複数の異なる金属の層および/または合金の層の堆積を含みうる。一例では、n型金属合金の接点310はチタンを含有する接着層上に配置された金を含有する高伝導性の層を含み、これはパラジウムゲルマニウム合金の上に配置される。幾つかの実施形態では、n型吸収層108といった下に位置する層の上にパラジウム含有層を蒸着させ、パラジウム含有層の上にゲルマニウム含有層を蒸着させ、次いでゲルマニウム含有層の上にキャッピング層を蒸着させることによって、パラジウムゲルマニウム合金がn型金属合金の接点310内に形成される。キャッピング層を蒸着させるステップは、例えば、ゲルマニウム層の上に接着層を蒸着させ、接着層の上に高伝導性の層を蒸着させるステップを含みうる。パラジウム含有層、ゲルマニウム含有層、接着層、および高伝導性の層はそれぞれ、PVDプロセス、室温蒸発法、電気めっきプロセス、または無電解蒸着プロセスによって個々に蒸着するか、形成することができる。例えば、パラジウム層は、蒸着プロセスの際に約20°C乃至約200°Cの範囲の温度で蒸着することができる。他の例では、ゲルマニウム層は、蒸着プロセスの際に約20°C乃至約200°Cの範囲の温度で蒸着することができる。パラジウムゲルマニウム合金は下に位置する層に含有される様々な材料の上に形成することができるが、強力な抵抗接触がパラジウムゲルマニウム合金と光起電性の吸収層内に見られるn型ヒ化ガリウム材料のようなヒ化ガリウム材料の間に形成される。従って、パラジウムゲルマニウム合金は、n型吸収層108との抵抗接触として、本書に記載の実施形態に利用される。パラジウム含有層は、約50Å乃至約300Å、例えば約150Åといった、約50Å乃至約500Åの範囲の厚さを有しうる。ゲルマニウム含有層は、約100Å乃至約1000Å、例えば約300Åといった、約50Å乃至約1,000Åの範囲の厚さを有しうる。接着層は、約10Å乃至約100Å、または約20Å乃至約80Åの範囲の厚さ、例えば約50Åといった少なくとも約10Åまたは20Åの厚さを有しうる。高伝導性の層は、約500Å乃至約5,000Å、または約1,000Å乃至約2,000Åの範囲の厚さ、例えば約1,500Åといった少なくとも約500Åまたは1000Åの厚さを有しうる。一例では、n型金属合金の接点310は、金属パラジウムまたはパラジウム合金を含み約150Åの厚さを有するパラジウム含有層と、金属ゲルマニウムまたはゲルマニウム合金を含み約300Åの厚さを有するゲルマニウム含有層と、金属チタンまたはチタン合金を含み約50Åの厚さを有する接着層と、金属金または金合金を含み約1,500Åの厚さを有する高伝導性の層とを有するように形成することができる。次いで、n型金属合金の接点310内にパラジウムゲルマニウム合金を形成する方法は、光電池300を低温の熱アニールプロセスで焼きなましするステップを含む。一実施形態では、低温の熱アニールプロセスは、約20°C乃至約175°C、例えば約100°C乃至約150°Cまたは約150°C乃至約275°Cといった約20°C乃至約275°Cの範囲の温度の温度で実施される。アニールプロセスは、幾つかの実施形態では、約5分乃至約60分間例えば約30分、または少なくとも30秒間行われる。多くの例では、低温の熱アニールプロセスは、約100°C乃至約150°Cの範囲の温度で約5分乃至約60分間実施される。一例では、低温の熱アニールプロセスは、約125°Cの温度で約30分間実施される。他の例では、低温の熱アニールプロセスは、約20°C乃至約175°Cの範囲の温度で約5分乃至約60分間実施される。他の実施形態では、低温の熱アニールプロセスは、約200°C乃至約275°C、約150°C乃至約275°C、または約240°C乃至260°Cの範囲の温度で、少なくとも約0.5分間、例えば約1分間実施される。他の例では、低温の熱アニールプロセスは、約250°Cの温度で約1分間実施される。本書に記載の幾つかの実施形態では、n型金属合金の接点310内に形成されたパラジウムゲルマニウム合金は、パラジウムおよびゲルマニウムの原子がn型金属合金の接点310内のパラジウムゲルマニウム合金全体に実質的に分配されるように、パラジウムゲルマニウム材料の均一な組成を有しうる。本書に記載の他の実施形態では、n型金属合金の接点310内に形成されたパラジウムゲルマニウム合金は、パラジウムゲルマニウム材料の不均一または段階的な組成を有しうる。パラジウムゲルマニウム材料の不均一または段階的な組成は、勾配が最高濃度のゲルマニウムと最低濃度のパラジウムを含むn型金属合金の接点310の反対側に及ぶように、n型吸収層108の最も近くに最高濃度のパラジウムと最低濃度のゲルマニウムを含有する。n型金属合金の接点310内に含まれるパラジウムゲルマニウム合金は、約300Å乃至約600Å、例えば約450Åといった約100Å乃至約1,000Åの範囲の厚さを有しうる。本書に記載の構造に関してn型金属合金の接点310が本書では説明されているが、低温の接点形成プロセスは更なる光起電性装置の形成に利用することができ、更なる構造の例は2009年10月23日出願の米国特許第12/605,108号に見ることができ、これは本書に記載の説明および特許請求の範囲と矛盾しない範囲で参照により本書に組み込まれている。更に、p型金属接触層304およびn型金属合金の接点310は裏面の接点として記載されているが、p型金属接触層304およびn型金属合金の接点310の蒸着プロセスは様々な光起電性構造における前面および裏面の接点双方を形成するために用いることができる。p型金属接触層304およびp型金属接触層306を含むp型金属接点302、並びにn型金属接触層308およびn型金属合金の接点310を含むn型金属接点312は、金属または金属合金のような電気的に導電性の材料の接触材料を含む。好適には、p型金属接点302および/またはn型金属接点312内に含まれる接触材料は、光電池300を製造する際に利用される処理ステップ中に、半導体の層などの他の層を通って拡散しない。通常、p型金属接触層306およびn型金属接触層308はそれぞれ、同一または異なる接触材料の複数の層を含んでいる。接触材料は、1×10-3Ωcm2未満の特定の接触抵抗を有することが好ましい。好適な接触材料はさらに、約1×1018atoms/cm3のキャリア濃度で約0.8eV以上のショットキー障壁高さΦbnを有している。p型金属接点302および/またはn型金属接点312内に含有されうる適切な接触材料は、金、銅、銀、アルミニウム、パラジウム、白金、チタン、ジルコニウム、ニッケル、クロム、タングステン、タンタル、ルテニウム、亜鉛、ゲルマニウム、パラジウムゲルマニウム合金、それらの派生物、それらの合金、またはそれらの組み合わせを含む。本書に記載の幾つかの実施形態では、p型金属接触層306は光電池300の上に作ることができる。例えば、電池200におけるp型金属接触層204および/またはn型金属接触層208について上述したのと同様の製造方法および実施形態を、光電池300におけるp型金属接触層306に利用することができる。幾つかの実施形態では、p型金属接触層は第1の導電層と、第2の導電層と、第3の導電層とを含み、これらの導電層はp型金属接触層204について上述したものに対応する層と類似している、および/または同様に形成することができる。さらに、幾つかの実施形態では、p型金属接触層306はp型金属接触層306内に含まれる1以上の層として形成された反射体層を含むことができ、これは、例えばp型金属接触層204について上述した反射体層と類似している、および/またはそのような反射体層を形成する方法と類似していてもよい。さらに、幾つかの実施形態では、金属保護層、または金属接着層は任意にp型金属接触層306の上に蒸着することができ、これらはp型金属接触層204について上述した金属保護層と類似している、および/または同様に形成することができる。さらに、幾つかの実施形態では、p型金属接触層304およびn型金属接触層308はそれぞれ第1の導電層、第2の導電層、第3の導電層を個々に有しており、これらの導電層は、例えば上記のn型金属接触層208の対応する層と類似している、および/または同様に形成することができる。図4Aは、光起電性装置402において金属接点を形成する第1の構造体400の一実施形態を図示している。金属接点の一例は、図3を参照して上述したn型金属合金の接点310である。構造体400は、装置402の上に蒸着した4の層を有している。パラジウム含有層404は装置402の上に蒸着することができ、例えば幾つかの実施形態における図3について上述したような、装置300の吸収層108といった下に位置する層の上に蒸着することができる。ゲルマニウム含有層406は、パラジウム含有層404の上に蒸着できる。金属キャッピング層407は、ゲルマニウム層404の上に蒸着できる。図示した実施形態のように、金属キャッピング層407は、ゲルマニウム含有層406の上に蒸着した接着層408と、接着層408の上に蒸着した高伝導性の層410とを有する。幾つかの実施形態では、これらの層は上記の手法を用いて、接点310に関して上述したような厚さおよび材料を有するように蒸着することができる。図4Bは、図4Aの第1の構造体400から形成された結果生じる構造体420の一実施形態を図示している。幾つかの実施形態では、構造体420は、n型金属合金の接点310に関して上述したものと同様に、構造体400を有する電池を低温の熱アニールプロセスで焼きなましすることにより形成される。構造体420は、パラジウムゲルマニウム合金の層422と金属キャッピング層407を有する。合金の層422は、図4Aのパラジウム含有層404およびゲルマニウム含有層406を有する電池に適用したアニールプロセスから得られるパラジウムゲルマニウム合金を含む。例えば、パラジウムゲルマニウム合金の層422の特徴は、n型金属接点310に関して上述されている。キャッピング層407はパラジウムゲルマニウム合金の層422の上に位置しており、上記のような接着層408と高伝導性の層410を有しうる。図3に記載のn型金属接触層308のような金属接点の層がキャッピング層407上に蒸着され、金属接触のための接触層を設けることができる。前述は本発明の実施形態に関するものであるが、本発明の他および更なる実施形態はその根本的な範囲から逸脱することなく想到することができ、その範囲は以下の特許請求の範囲によって確定される。"