主面に電極パッドを有する配線基板と、該配線基板の前記主面上に配された光導波路と、該光導波路の前記配線基板と反対側の主面上に実装され、前記光導波路に伝送される光を発光または受光するとともに、前記光導波路側の主面に接続パッドを有する光半導体素子と、前記電極パッドと前記接続パッドとを電気的に接続する導電部材とを備え、前記光導波路には、厚み方向に貫通して前記電極パッドを露出する貫通孔が形成されており、前記接続パッドは、少なくとも一部が前記貫通孔内に入り込んだ突起部を具備し、前記導電部材は、前記貫通孔内に配されているとともに、前記突起部および前記電極パッドに接続していることを特徴とする光モジュール。請求項1に記載の光モジュールにおいて、前記接続パッドは、前記光導波路側の主面の一部に前記突起部が接続されたパッド部をさらに具備し、該パッド部は、前記光導波路側の主面の他の一部が前記光導波路に当接していることを特徴とする光モジュール。請求項2に記載の光モジュールにおいて、前記光半導体素子は、前記光導波路側の主面にダミーパッドをさらに有し、該ダミーパッドは、前記光導波路に当接していることを特徴とする光モジュール。請求項3に記載の光モジュールにおいて、前記ダミーパッドの厚みは、前記接続パッドの前記パッド部の厚みと同じであることを特徴とする光モジュール。請求項4に記載の光モジュールにおいて、前記ダミーパッドの厚みは、前記接続パッドの前記パッド部の厚みの0.9倍以上1.1倍以下であることを特徴とする光モジュール。請求項1に記載の光モジュールにおいて、前記電極パッドは、前記光導波路の前記配線基板側の主面に一部が当接したランド部と、該ランド部の前記光導波路側の主面の他の一部に接続するとともに、前記貫通孔に向かって突出して前記導電部材に接続した隆起部とを具備することを特徴とする光モジュール。請求項1に記載の光モジュールにおいて、前記電極パッドは、前記配線基板の同じ主面に複数配されており、該複数の電極パッドは、1つの前記貫通孔内に露出しており、該1つの貫通孔内には、前記複数の電極パッドそれぞれに接続した複数の前記導電部材が配されており、前記光半導体素子は、前記複数の導電部材それぞれに接続した複数の前記接続パッドを有していることを特徴とする光モジュール。請求項7に記載の光モジュールにおいて、前記複数の電極パッドは、一方向に沿って配列されており、前記1つの貫通孔は、前記一方向に沿った細長い形状であることを特徴とする光モジュール。請求項7に記載の光モジュールにおいて、前記1つの貫通孔内には、前記複数の導電部材それぞれを取り囲む絶縁部材が配されていることを特徴とする光モジュール。請求項1に記載の光モジュールにおいて、前記接続パッドは、前記光導波路側の主面の一部に突起部が接続されたパッド部をさらに具備し、該パッド部は、前記貫通孔内に入り込んでいることを特徴とする光モジュール。主面に電極パッドを有する配線基板と、該配線基板の前記主面上に配された光導波路とを備え、前記光導波路には、厚み方向に貫通して前記電極パッドを露出する貫通孔が形成されていることを特徴とする光配線基板。請求項11に記載の光配線基板において、前記電極パッドは、前記光導波路の前記配線基板側の主面に一部が当接したランド部と、該ランド部の前記光導波路側の主面の他の一部に接続するとともに、前記貫通孔に向かって突出した隆起部とを具備することを特徴とする光配線基板。請求項11に記載の光配線基板において、前記電極パッドは、前記配線基板の同じ主面に複数配されており、該複数の電極パッドは、1つの前記貫通孔内に露出していることを特徴とする光配線基板。請求項13に記載の光配線基板において、前記複数の電極パッドは、一方向に沿って配列されており、前記1つの貫通孔は、前記一方向に沿った細長い形状であることを特徴とする光配線基板。第1実施形態以下に、本発明の第1実施形態に係る光配線基板を含む光モジュールを、図1から図8に基づいて詳細に説明する。光モジュール図1aおよびbに示した光モジュール1は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置またはその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この光モジュール1は、光信号の入出力を行う光半導体素子2と、電気信号の信号変換を行う半導体素子3と、該光半導体素子2および半導体素子3がフリップチップ実装された、光信号および電気信号を伝送する光配線基板4と、光半導体素子2または半導体素子3と光配線基板4とを電気的および機械的に接続する導電部材5、6と、光半導体素子2または半導体素子3と光配線基板4とを機械的に接続する絶縁部材7、8とを含んでいる。この光モジュール1において、光信号は、光配線基板4を介して光半導体素子2と外部モジュールとの間で伝送される。また、電気信号は、導電部材5、6および光配線基板4を介して光半導体素子2と半導体素子3との間および半導体素子3と外部回路との間で伝送される。光半導体素子光半導体素子2は、図2aに示すように、光半導体基板9と、該光半導体基板9の光配線基板4側の主面に形成された接続パッド10およびダミーパッド11とを含んでいる。光半導体基板9は、例えば発光素子または受光素子として機能するものであり、発光または受光する受発光部12を含んでいる。発光素子は、光配線基板4から供給された電気信号アナログ信号を光信号に変換して光配線基板4に供給発光するものであって、例えば面発光型半導体レーザー等を用いることができる。また、受光素子は、光配線基板4から供給受光された光信号を電気信号アナログ信号に変換して光配線基板4に供給するものであって、例えばフォトダイオード等を用いることができる。この光半導体基板9は、例えばシリコンまたはガリウム砒素等の半導体材料により形成することができる。光半導体基板9の厚みは、例えば0.1mm以上1mm以下に設定されている。接続パッド10は、導電部材5に電気的および機械的に接続されており、光半導体素子2を光配線基板4に電気的に接続するための端子として機能するものである。この接続パッド10は、光半導体基板9の主面に形成された平板状のパッド部13と、該パッド部13の光半導体基板9と反対側の主面の一部に接続した突起部14とを含んでいる。接続パッド10のパッド部13は、例えば銅、金、アルミニウム、ニッケルまたはクロムの導電材料により形成することができる。このパッド部13は、例えば円柱状である。パッド部13の平面の径直径は、例えば60μm以上100μm以下に設定されている。パッド部13の厚みは、例えば0.1μm以上10μm以下に設定されている。接続パッド10の突起部14は、例えば銅、金、ニッケルまたはクロムの導電材料により形成することができ、なかでもパッド部13と同一材料からなることが望ましい。この突起部14は、例えば円錐状に形成されている。突起部14の平面の径は、例えば60μm以上90μm以下に設定されている。突起部14高さは、例えば50μm以上70μm以下に設定されている。ダミーパッド11は、光配線基板4には電気的に接続されておらず、接続パッド10による光半導体素子2の傾きを低減する機能を有するものである。このダミーパッド11は、例えばパッド部13と同様の導電材料により形成することができる。また、ダミーパッド11は、例えば円柱状である。ダミーパッド11の平面の径は、例えば60μm以上100μm以下に設定されている。ダミーパッド11の厚みは、例えば0.1μm以上10μm以下に設定されている。半導体素子半導体素子3は、半導体基板15と、該半導体基板6の光配線基板4側の主面に形成された接続パッド16とを含んでいる。半導体基板15は、電気信号のデジタル信号とアナログ信号を変換するものである。この半導体基板15は、例えばICまたはLSI等を用いることができ、例えばシリコン等の半導体材料により形成することができる。半導体基板15の厚みは、例えば0.1mm以上1mm以下に設定されている。接続パッド16は、導電部材6に電気的および機械的に接続されており、半導体素子3を光配線基板4に電気的に接続するための端子として機能するものである。この接続パッド16は、光半導体素子の接続パッド10と同様の構成を有している。光配線基板光配線基板4は、配線基板17と、該配線基板17上に形成され、光半導体素子2および半導体素子3が実装される光導波路18とを含んでいる。配線基板配線基板17は、光配線基板4の剛性を高めつつ接地用電力、電源電力または電気信号を伝送するものである。この配線基板17は、コア基板19と、該コア基板19の上下面に形成された一対の配線層20とを含んでいる。コア基板19は、配線基板17の剛性を高めるとともに、一対の配線層20を電気的に接続するものである。このコア基板19は、樹脂基板21と、該樹脂基板21を厚み方向に貫通する筒状のスルーホール導体22と、スルーホール導体22に取り囲まれた領域に充填された絶縁体23とを備えている。樹脂基板21は、コア基板19の剛性を高めるものである。この樹脂基板21は、例えばガラスクロスとこのガラスクロスを被覆するエポキシ樹脂とを含んでいる。樹脂基板21の厚みは、例えば0.1mm以上3.0mm以下に形成されている。スルーホール導体22は、一対の配線層20を電気的に接続するものである。このスルーホール導体22は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケルまたはクロム等の導電材料により形成することができる。絶縁体23は、例えばエポキシ樹脂等の樹脂材料により形成することができる。配線層20は、配線基板17の電気配線密度を高めるものである。この配線層20は、コア基板19上に複数積層された絶縁層24と、コア基板19上または絶縁層24上に形成された複数の導電層25と、絶縁層24を厚み方向に貫通して導電層25に接続された複数のビア導体26とを含んでいる。導電層25およびビア導体26は、互いに電気的に接続されており、接地用配線、電力供給用配線および/または信号用配線を含む電気配線を構成している。絶縁層24は、導電層25を支持するとともに導電層25同士の短絡を抑制するものである。この絶縁層24は、例えばエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂等の樹脂材料により形成することができる。絶縁層24の厚みは、例えば10μm以上50μm以下に設定されている。この絶縁層24は、酸化ケイ素等の無機絶縁材料からなる無機絶縁フィラーを含有していることが望ましい。導電層25は、接地用電力、電源電力または電気信号を伝送するものである。この導電層25は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケルまたはクロム等の導電材料により形成することができる。導電層25の厚みは、例えば3μm以上20μm以下に設定されている。複数の導電層25のうち、配線基板17の光導波路18側の主面に配された導電層25は、細長形状の配線導体27と、該配線導体の両端部に接続された平板状の電極パッド28、29とを含んでいる。配線導体27および電極パッド28、29は、光半導体素子2と半導体素子3との間で電気信号を伝送するものである。また、配線導体27および電極パッド28、29は、図2bおよび図3aに示すように、平面方向にて互いに平行となるように複数組形成されている。配線導体27および電極パッド28、29がこのように配置されることにより、光半導体素子2と半導体素子3とを効率良く電気的に接続することができる。配線導体27は、両端部に接続された電極パッド28、29の間で電気信号を伝送するものである。配線導体27の幅は、例えば5μm以上30μm以下に設定されている。配線導体27の厚みは、例えば3μm以上20μm以下に設定されている。また、配線導体27は、光半導体素子2から半導体素子3に向かう長手方向X方向を有しており、該長手方向が互いに平行になるように複数形成されている。電極パッド28、29は、導電部材5、6に電気的および機械的に接続される端子として機能するものである。電極パッド28は、導電部材5を介して光半導体素子2の接続パッド10と接続されている。電極パッド29は、導電部材6を介して半導体素子3の接続パッド16と接続されている。ここで、電極パッド28は、配線導体27の長手方向に直交する方向Y方向に沿って配列するように複数形成されている。電極パッド29も、電極パッド28と同様に、配線導体27の長手方向に直交する方向Y方向に沿って配列するように複数形成されている。電極パッド28、29がこのように配列されることによって、電極パッド28、29を接続する配線導体の長さを低減することができる。また、電極パッド28、29は、配線導体27の端部に接続した平板状のランド部30と、ランド部30の光導波路18側の主面の一部に接続した隆起部31とを含んでいる。ランド部30は、絶縁層24と光導波路18との間に介されており、光導波路側の主面の一部であって隆起部31が接続されていない領域が光導波路18に当接している。このランド部30は、例えば円柱状である。また、ランド部30における平面の径および厚みは、隆起部31における平面の径および厚みよりも大きい。ランド部30の平面の径は、例えば60μm以上100μm以下に設定され、隆起部31の平面の径の例えば0.6倍以上0.9倍以下に設定されている。また、ランド部30の厚みは、例えば10μm以上20μm以下に設定され、隆起部31の厚みの例えば0.6倍以上0.9倍以下に設定されている。また、隆起部31は、ランド部30から後述する光導波路18の貫通孔Pに向かって突出し、該貫通孔P内に主面の一部が露出している。また、隆起部31は、光導波路18側の主面の一部であって貫通孔P内に露出していない領域が光導波路18に当接しており、平面の径が貫通孔Pよりも大きい。この隆起部31は、例えば円柱状である。隆起部31の平面の径は、例えば50μm以上90μm以下に設定され、貫通孔Pの平面の径の0.6倍以上0.9倍以下に設定されている。また、隆起部31の厚みは、例えば5μm以上15μm以下に設定されている。ビア導体26は、絶縁層24を介して厚み方向に互いに離間した導電層25同士を電気的に接続するものである。このビア導体26は、例えば銅、金、ニッケルまたはクロムの導電材料により形成することができる。このビア導体26は、コア基板19に向って幅狭となる柱状に形成されており、平面が円形状である。ビア導体26の平面の径は、例えば25μm以上100μm以下に設定されており、ビア導体26の高さは、例えば10μm以上50μm以下に設定されている。光導波路光導波路18は、光信号を伝送する機能を有するものである。この光導波路18は、図2bおよび図3aに示すように、配線基板17上に形成された平板状のクラッド層32と、該クラッド層32に取り囲まれた細長形状のコア層33と、光半導体素子2の受発光部12の直下にて、光導波路18の光半導体素子2側の主面から厚み方向に沿って窪んで成る切り欠き部Cと、該切欠き部Cに形成された光路変換部材34と、光導波路18を厚み方向に貫通して配線基板17の電極パッド28、29を露出する貫通孔Pとを含んでいる。なお、切欠き部Cは、光導波路18を厚み方向に貫通して配線基板17に達していても構わない。クラッド層32は、コア層33の保護部材としての機能やコア層33内に光信号を閉じ込める機能を有するものである。このクラッド層32は、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリシラノール樹脂、ポリシラン樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、フェノール系樹脂、ポリキノリン系樹脂、ポリキノキサリン系樹脂、ポリベンゾオキサゾール系樹脂、ポリベンゾチアゾール系樹脂またはポリベンゾイミダゾール系樹脂等の透光性材料により形成することができる。クラッド層32の透過率は、例えば80以上100以下に設定されている。クラッド層32の屈折率は、例えば1.4以上1.6以下に設定されている。また、クラッド層32の厚みは、例えば45μm以上85μm以下に設定されている。なお、透過率はISO13468‐1:1996に準ずる方法により測定され、屈折率はISO489:1999に準ずる方法により測定される。コア層33は、屈折率がクラッド層32よりも高く、クラッド層32との界面で光信号を全反射させることによって、光信号を伝送する機能を有するものである。このコア層31は、クラッド層と同様の透光性材料により形成することができる。コア層33の光透過率は、例えば95以上100以下に設定されている。コア層33の屈折率は、例えば1.4以上1.6以下に設定され、例えばクラッド層32の屈折率の1.0001倍以上1.1倍以下に設定されている。また、コア層33は、例えば直方体状である。コア層33の幅は、例えば10μm以上50μm以下に設定されている。コア層33の厚みは、10μm以上50μm以下に設定されている。また、コア層33は、図2bおよび図3aに示すように、平面方向にて長手方向が互いに平行になるように複数形成されており、平面視にて配線導体27の延長線上に位置している。なお、コア層33は、平面視にて配線導体27の延長線同士の間に位置していても構わない。切り欠き部Cは、コア層33の長手方向X方向に対して垂直な垂直断面と、コア層33の幅方向Y方向を回転軸として該垂直断面を傾斜させて成る傾斜面と、により囲まれた空間であって、コア層33の幅方向に沿った細長形状に形成されている。垂直断面は、光信号が通過する複数のコア層33の端面を含み、垂直断面の高さZ方向の長さが20μm以上150μm以下に設定されている。また、傾斜面は、光半導体素子2の受発光部12の直下に形成されており、傾斜面のクラッド層32下面に対する傾斜角が例えば40°以上50°以下に設定されている。光路変換部材34は、切り欠き部Cの傾斜面に形成された金属膜からなり、光信号の伝送方向を変換する機能を有している。具体的には、光半導体素子2が発光素子である場合、光路変換部材34は、該発光素子の発光部から傾斜面に向って伝送された光信号を反射することにより、光信号の伝送方向を厚み方向Z方向から長手方向X方向に変換し、光信号をコア層33へ伝送することができる。また、例えば光半導体素子2が受光素子である場合、光路変換部材34は、コア層33から傾斜面に向って伝送された光信号を反射することにより、光信号の伝送方向を長手方向X方向から厚み方向Z方向に変換し、光信号を受光素子の受光部へ伝送することができる。光路変換部材34は、例えば金等の金属材料により形成することができる。光路変換部材34の傾斜面からの厚みは、例えば1000Å以上5000Å以下に設定されている。貫通孔Pは、例えば円柱状に形成されている。貫通孔Pの平面の径は、例えば50μm以上90μm以下に設定されている。また、貫通孔Pは、電極パッド28、29を1つずつ露出するように複数形成されている。導電部材導電部材5、6は、貫通孔P内に配されており、導電性接着部材として機能するものである。具体的には、導電部材5は、光半導体素子2の接続パッド10と配線基板17の電極パッド28とを電気的および機械的に接続している。また、導電部材6は、半導体素子3の接続パッド16と配線基板17の電極パッド29とを電気的および機械的に接続している。この導電部材5、6は、接着機能を担保するため、接続パッド10、13および電極パッド28、29よりも低融点の金属材料により形成することができ、この低融点金属材料としては、例えばスズ、インジウムまたはビスマスを含むはんだを用いることができる。この導電部材5、6は、図3bに示すように厚み方向における中央部が括れた鼓状であり、貫通孔Pの内壁との間に空隙Sが形成されている。絶縁部材絶縁部材7、8は、光半導体素子2または半導体素子3と光導波路18との間に充填されており、絶縁性接着部材アンダーフィルとして機能するものである。具体的には、絶縁部材7は、光半導体素子2と光導波路18との間に充填されており、光半導体素子2の接続パッド10同士の間の絶縁性を高めつつ光半導体素子2と光導波路18とを機械的に接続している。また、絶縁部材8は、半導体素子3と光導波路18との間に充填されており、半導体素子3の接続パッド16同士の間の絶縁性を高めつつ半導体素子3と光導波路18とを機械的に接続している。また、絶縁部材7は、光導波路18の切欠き部Cに充填されて封止しており、切欠き部Cの変形および光路変換部材34金属膜の剥離を防止する機能を有する。この絶縁部材7は、光半導体素子2と光導波路18との間の光路を確保するため、透光性材料により形成することができる。この透光性材料としては、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂等の樹脂材料を用いることができ、透光性材料の透過率は、例えば95以上100以下に設定されている。また、絶縁部材8は、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂等の樹脂材料により形成することができ、なかでも、絶縁部材7と同一の樹脂材料により形成することが望ましい。なお、絶縁部材7、8のうち、半導体素子3と光導波路18との間に充填された絶縁部材8のみが酸化ケイ素等からなる無機絶縁フィラーを含んでいても構わない。実装構造次に、本実施形態の光モジュール1における、光配線基板4に対する光半導体素子2の実装構造について、詳細に説明する。本実施形態の光モジュール1においては、図1bおよび図3bに示すように、光半導体素子2の接続パッド10が、配線基板17の電極パッド28に向かって突出しているとともに光導波路18を厚み方向に貫通する貫通孔P内に少なくとも一部が入り込んだ突起部14を具備している。さらに、導電部材5が、貫通孔P内に配されているとともに接続パッド10の突起部14および電極パッド28に接続している。その結果、貫通孔P内に配された導電部材5を介して光半導体素子2の接続パッド10と配線基板17の電極パッド28とを電気的に接続することができるため、光導波路の主面上に導電部材を形成して光半導体素子と配線基板とを電気的に接続した場合と比較して、半導体素子2と光導波路18との距離を低減して近接させることができる。したがって、光半導体素子2の受発光部12と光導波路18の光路変換部材34との間で光の拡散を低減することができる。それ故、光半導体素子2と光導波路18との間における光信号の伝送効率を高め、ひいては信号伝送特性に優れた光モジュール1を得ることができる。ところで、光導波路の主面上に導電部材を形成した場合には、該導電部材と配線基板とを電気的に接続するため光導波路を貫通する貫通導体をめっき等で形成する必要があるが、光導波路は光信号伝送特性を担保するため絶縁層よりも厚みが大きくなりやすいことから、該貫通導体はアスペクト比が増大して細長くなり断線が生じやすくなる。一方、本実施形態の光モジュール1においては、接続パッド10の突起部14を貫通孔P内に挿入し、貫通孔P内にて導電性接着部材として機能する導電部材5を介して電極パッド28と機械的に接続している。それ故、上述した光導波路に貫通導体を形成した場合と比較して、光半導体素子2と配線基板17との電気的接続信頼性に優れた光モジュール1を得ることができる。さらに、導電部材5が貫通孔P内に配されているため、光導波路18によって隣接する導電部材5同士の間の絶縁性を高めことができるため、該導電部材5同士の短絡を低減することができる。また、光導波路18上にソルダーレジスト層を設けずに該導電部材5同士の短絡を低減することができるため、光半導体素子2と光導波路18とを近接させることができる。また、本実施形態において、光半導体素子2の接続パッド10は、パッド部13の光導波路18側の主面の一部であって突起部14が接続されていない領域が光導波路18のクラッド層32に当接している。その結果、パッド部13とクラッド層32との間に導電部材等の介在物がないため、光半導体素子2と光導波路18とを近接させるとともに、光導波路18に対して光半導体素子2が傾くことを低減することができる。したがって、光半導体素子2と光導波路18との間における光信号の伝送効率を高めることができる。また、本実施形態において、光半導体素子2のダミーパッド11は、光導波路18のクラッド層32に当接している。その結果、ダミーパッド11とクラッド層32との間に導電部材等の介在物がないため、光導波路18に対する光半導体素子2の傾きを容易に調整することができる。このダミーパッド11の厚みは、接続パッド10のパッド部13の厚みと同じであることが望ましい。その結果、光導波路18の主面に当接するダミーパッド11およびパッド部13の厚みが等しいことから、光導波路18に対して光半導体素子2が傾くことを低減することができる。この場合、ダミーパッド11の厚みは、パッド部13の厚みの例えば0.9倍以上1.1倍以下に設定されている。また、本実施形態において、電極パッド28は、ランド部30から貫通孔Pに向かって突出し、導電部材5と接続した隆起部31を具備している。その結果、隆起部31によって電極パッド28と接続パッド10との距離を短くし、電極パッド28と導電部材5との接続強度を高めることができる。この隆起部31は、コア層33の下方に配されたクラッド層32の層領域第1クラッド層内に配されており、電極パッド28の厚みは、第1クラッド層の厚みよりも小さいことが望ましい。その結果、コア層33の変形を低減することができる。なお、本実施形態において、半導体素子3の実装構造は、上述した光半導体素子2の実装構造と同様の構造を有する。かくして、上述した光モジュール1は、光半導体基板9が発光素子である場合、以下のように所望の機能を発揮する。まず、デジタル信号電気信号を外部回路から導電層25およびビア導体26を介して半導体素子3に伝送し、デジタル信号を半導体素子3でアナログ信号電気信号に変換する。次に、このアナログ信号を半導体素子3から配線導体27を介して光半導体素子2に伝送し、アナログ信号を光半導体素子2で光信号に変換する。次に、この光信号を光半導体素子2から光路変換部材34およびコア層33を介して外部モジュールに伝送する。このようにして、光モジュール1は、外部回路から伝送されたデジタル信号電気信号を光信号に変換して、外部モジュールに伝送する。また、光モジュール1は、光半導体基板9が受光素子である場合には、光半導体基板9が発光素子である場合と反対方向に各信号を伝送することにより、所望の機能を発揮する。光モジュールの作製次に、上述した第1実施形態の光モジュール1の製造方法を、図4から図8に基づいて説明する。光半導体素子および半導体素子の作製1図4aに示すように、光半導体素子2および半導体素子3を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。まず、電解めっき法、蒸着法、CVD法またはスパッタリング法等によって、光半導体基板9上にパッド部13およびダミーパッド11を形成する。次に、ワイヤーボンディングによって、パッド部13上に突起部14を形成し、該突起部14およびパッド部13からなる接続パッド10を形成する。以上のようにして、光半導体素子2を作製することができる。また、半導体素子3は、光半導体素子2と同様の方法で作製することができる。配線基板の作製2図4bに示すように、コア基板19を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。まず、例えば未硬化の樹脂シートを積層し、加熱加圧して硬化させることにより、基体を作製する。なお、未硬化は、ISO472:1999に準ずるA‐ステージまたはB‐ステージの状態である。次に、例えばドリル加工またはレーザー加工等によって、基体を厚み方向に貫通したスルーホールを形成する。次に、例えば無電解めっき法および電解めっき法等によって、スルーホールの内壁に導電材料を被着させて、筒状のスルーホール導体22を形成する。また、基体の上面および下面に導電材料を被着させて、導電材料層を形成する。次に、スルーホール導体22に取り囲まれた領域に、樹脂材料を充填して絶縁体11を形成する。次に、導電材料を絶縁体11の露出部に被着させた後、従来周知のフォトリソグラフィー、エッチング等によって、導電層材料層をパターニングして導電層25を形成する。以上のようにして、コア基板19を作製することができる。3図4cに示すように、コア基板19の両側に一対の配線層20を形成し、配線基板17を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。まず、未硬化の樹脂をコア基板19上に配置し、樹脂を加熱して流動密着させつつ、更に加熱して樹脂を硬化させることにより、コア基板19上に絶縁層24を形成する。次に、例えばレーザー加工によって、絶縁層24にビア孔を形成し、ビア孔内に導電層25の少なくとも一部を露出させる。次に、例えば無電解めっき法および電解めっき法を用いたセミアディティブ法、サブトラクティブ法またはフルアディティブ法等によって、ビア孔にビア導体13を形成するとともに絶縁層24上に導電層25を形成する。かかる工程を繰り返すことにより、配線層20を形成することができる。ここで、最外層となる絶縁層24上に導電層25を形成する際に、パターニングによって配線導体27およびランド部30を形成する。さらに、ランド部30を形成した後、図4dに示すように、例えば無電解めっき法および電解めっき法を用いたセミアディティブ法、サブトラクティブ法またはフルアディティブ法等によって、ランド部30上に隆起部31を形成する。この隆起部31の平面の径および厚みをランド部30よりも小さくすることによって、隆起部31をランド部30上に容易に形成することができる。以上のようにして、配線基板17を作製することができる。光導波路の形成4図5aに示すように、配線基板17上にクラッド層32およびコア層33を形成する。具体的には、例えば以下のように行う。まず、スピンコーター、バーコーター、ロールコーターまたはスプレーコーター等を用いて、未硬化の第1クラッド層前駆体を配線基板17上に塗布し、該第1クラッド層前駆体を露光して現像することによって、配線基板17上に平板状の第1クラッド層を形成する。次に、未硬化のコア層前駆体を第1クラッド層上に塗布し、マスクを用いて露光して現像することによって、第1クラッド層上に細長形状のコア層33を部分的に形成する。次に、コア層33を取り囲むように未硬化の第2クラッド層前駆体を第1クラッド層上に塗布し、該第2クラッド層前駆体を露光して現像することによって、第1クラッド層上およびコア層33上に第2クラッド層を形成する。この第1クラッド層および第2クラッド層によって、クラッド層32は構成される。ここで、電極パッド28よりも厚みが大きくなるように第1クラッド層を形成することにより、変形を低減しつつコア層33を形成することができる。以上のようにして、クラッド層32およびコア層33を形成することができる。5図5bに示すように、クラッド層32およびコア層33を貫通する貫通孔Pを形成し、図6aに示すように、貫通孔P内に導電部材5、6を形成する。具体的には、例えば以下のように行う。まず、図5cに示すように、レーザー加工によって、クラッド層32およびコア層33を厚み方向に貫通して隆起部31の主面の一部を露出する貫通孔Pを形成する。次に、貫通孔P内に露出した電極パッド28、29上にフラックスを塗布した後、はんだボールを貫通孔P内に挿入する。次に、はんだボールを加熱溶融リフローさせることによって、図6bに示すように、電極パッド28、29の貫通孔P内に露出した表面を導電部材5、6で被覆しつつ、導電部材5、6と電極パッド28、29と接続させる。この加熱溶融によって導電部材5、6が円柱状となり、貫通孔P内にて導電部材5、6の上方に窪みが形成される。この円柱状の導電部材5、6は、窪みに向かって突出する凸曲面を有している。このようにレーザー加工で貫通孔Pを形成することによって、微細な貫通孔Pを形成することができる。また、貫通孔P内にはんだボールを挿入しているため、隣接するはんだボール同士の間に光導波路18が配され、フラックスによる粘度の低下や加熱による溶融に起因したはんだボール同士の短絡を低減することができる。また、貫通孔P内に挿入されたはんだボールを加熱溶融することによって、導電部材5、6と電極パッド28、29とを接続しているため、貫通孔のアスペクト比が高いとめっき液が入りにくい電気めっき法と比較して、導電部材5、6と電極パッド28、29との間の空隙を低減することができる。また、貫通孔P内壁にめっき等の処理をせず光導波路18が露出した状態ではんだボールを貫通孔P内に挿入しているため、該挿入の効率を高めることができる。また、貫通孔Pの下方に配された隆起部31によって、貫通孔Pの高さを小さくできるため、貫通孔P内に導電部材5、6を配置する際に、導電部材5、6と電極パッド28、29との間に隙間が生じることを低減でき、導電部材5、6と電極パッド28、29との接続信頼性を高めることができる。なお、貫通孔P内に挿入されるはんだボールは、一部が貫通孔P内からはみ出していても構わない。6図6cに示すように、クラッド層32およびコア層33に切り欠き部Cを形成し、該切り欠き部Cの傾斜面に光路変換部材34を形成することにより、光導波路18を形成し、光配線基板4を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。まず、例えば先端部が所望の形状に設定されたダイシングブレードを用いて、クラッド層32表面から配線基板17に向かって切り込みを入れることにより、切り欠き部Cを形成する。次に、例えば、蒸着法またはスパッタリング法等によって、光路変換部材34を形成する。このように、導電部材5、6を形成した後に光路変換部材34を形成することによって、光路変換部材34のフラックスによる汚染を低減できる。以上のようにして、配線基板17上に光導波路18を形成し、光配線基板4を作製することができる。光半導体素子および半導体素子の実装7図7aに示すように、光配線基板4の光導波路18上に光半導体素子2および半導体素子3を搭載し、導電部材5、6を介して接続パッド10、16と電極パッド28、29とを接続させた後、図8aに示すように、光配線基板4と光半導体素子2および半導体素子3との間に絶縁部材7、8を形成することによって、光配線基板4に光半導体素子2および半導体素子3を実装して光モジュール1を作製する。具体的には例えば以下のように行う。まず、図7bに示すように、接続パッド10、16の突起部14を貫通孔P内に挿入し、該突起部14の少なくとも一部を導電部材5、6に埋入させつつ、光導波路18上に光半導体素子2および半導体素子3を搭載する。次に、図7cに示すように、導電部材5、6を加熱溶融することによって、表面張力で突起部14の表面を被覆させつつ、導電部材5、6と接続パッド10、16とを接続させる。この加熱溶融によって、導電部材5、6が鼓状になるとともに、空隙Sが形成される。次に、図8bに示すように、光配線基板4と光半導体素子2および半導体素子3との間に未硬化樹脂を含む絶縁部材前駆体を注入し、該未硬化樹脂を加熱して硬化させることによって、絶縁部材7、8を形成する。このように、突起部14を貫通孔P内に挿入して導電部材5と接続しているため、導電部材5の加熱溶融時における位置ずれを低減し、光半導体素子2の受発光部12と光導波路18の光路変換部材34との位置関係を良好に保つことが出来る。また、突起部14は貫通孔P内の導電部材5に差し込まれて固定されるため、導電部材5が加熱溶融の際に表面張力によって突起部14の表面を流れることによって、導電部材5と突起部14との接着面積が増加する。それ故、接続パッド10と導電部材5とを強固に接続し、ひいては光半導体素子2と光配線基板4との電気的接続信頼性を高めることができる。また、接続パッド10、16の突起部14を導電部材5、6に埋入しているため、突起部14で導電部材5、6の酸化膜を突き破ることができ、フラックスを用いることなく突起部14と導電部材5、6とを接続することができる。なお、突起部14にフラックスを塗布した後、導電部材5、6に埋入させても構わない。また、貫通孔P内に導電部材5、6が配されているため、隣接する導電部材5、6同士の間に光導波路18が配され、加熱溶融に起因した導電部材5、6同士の短絡を低減することができる。また、窪みに向かって突出する凸曲面を有する導電部材5、6に突起部14を埋入させているため、突起部14を容易に導電部材5、6に埋入させることができる。以上のようにして、導電部材5、6を介して接続パッド10、16と電極パッド28、29とを接続させつつ、光配線基板4に光半導体素子2および半導体素子3を実装して光モジュール1を作製することができる。第2実施形態次に、本発明の第2実施形態に係る光モジュールを、図9ないし図11に基づいて詳細に説明する。なお、上述した第1実施形態と同様の構成に関しては、記載を省略する。光モジュール第2実施形態は第1実施形態と異なり、図9ないし図11に示すように、貫通孔PA内に複数の電極パッド28Aが露出しており、該複数の電極パッド28Aそれぞれに導電部材5が接続されており、該導電部材5Aそれぞれに接続パッド10Aが接続されている。その結果、第1実施形態と比較して、貫通孔PAを微細加工する必要性が低いため、貫通孔PAを容易に加工できるとともに、貫通孔PA内に露出する電極パッド28Aの表面を大きくすることができ、電極パッド28Aと導電部材5Aとの接続信頼性を高めることができる。また、このように貫通孔PA内に露出する電極パッド28Aの表面を大きくすることができるため、第1実施形態と比較して、電極パッド28Aに隆起部を設けずパッド部のみから形成しても、電極パッド28Aと導電部材5Aとの接続信頼性を担保できる。さらに、図10bおよび図11aに示すように、貫通孔PA内に電極パッド28Aの一主面全体が露出している。その結果、電極パッド28Aと導電部材5Aとの接続面積をより大きくすることができる。また、貫通孔PAは、電極パッド28Aの配列方向Y方向に沿った細長形状である。その結果、貫通孔PA内への配線導体27Aの露出を低減し、該配線導体27Aに対する導電部材5Aの流動に起因した導電部材5Aの高さばらつきを低減することができる。この貫通孔PAの幅は、電極パッド28Aの幅と等しいことが望ましく、例えば電極パッド28Aの幅の0.9倍以上1.1倍以下に設定されている。また、図9bおよび図10aに示すように、貫通孔PA内において、複数の導電部材5Aそれぞれは絶縁部材7Aによって取り囲まれている。その結果、貫通孔PA内において、導電部材5A同士の短絡を低減することができる。一方、第2実施形態は第1実施形態と異なり、図9bに示すように、接続パッド10Aのパッド部13Aが貫通孔PA内に入りこんでいる。その結果、光半導体素子2Aと光導波路18Aとをさらに近接させることができる。さらに、光半導体素子2Aは、ダミーパッドを有しておらず、光半導体基板9Aの光導波路18A側の主面には、ダミーパッドが無く、該主面が光導波路18Aと当接している。その結果、光半導体素子2Aと光導波路18Aとをさらに近接させることができるとともに、光半導体素子2Aの光導波路18Aに対する傾きを低減することができる。なお、半導体素子3Aは、光半導体素子2Aと同様に光配線基板4Aに実装されている。光モジュールの製造方法次に、上述した第2実施形態の光モジュール1Aの製造方法を説明する。なお、上述した第1実施形態と同様の方法に関しては、記載を省略する。上述した第1実施形態の4の工程にて、第1クラッド層前駆体、コア層前駆体および第2クラッド層前駆体を露光して現像する際に、マスクを用いてパターニングを行い、第1クラッド層、コア層および第2クラッド層それぞれの貫通孔PAに対応する部位を貫通していくことによって、貫通孔PAを形成する。その結果、細長形状の貫通孔PAを容易に形成することができる。また、上述した第1実施形態の5の工程にて、電極パッド28A、28A上にはんだボールを配置する際に、転写法によって電極パッド28A、28A上に選択的にフラックスを塗布し、はんだボールを電極パッド28A、28A上に載置する。その結果、隣接する電極パッド28A間、および隣接する電極パッド29A間にてフラックスを低減し、該フラックスに起因にした隣接するはんだボール同士の接触を低減できる。また、5の工程で加熱溶融された導電部材5A、6Aは、電極パッド28A、28Aとの接続部に平面を有する半球状となる。また、上述した第1実施形態の7の工程にて、接続パッド10A、16Aのパッド部13Aおよび突起部14Aを貫通孔PA内に挿入し、該突起部14Aの少なくとも一部を導電部材5A、6Aに埋入させる。次に、導電部材5A、6Aを加熱溶融することによって、導電部材5A、6Aと接続パッド10A、16Aとを接続させる。次に、貫通孔PAの光導波路18A側面の開口から貫通孔PA内に絶縁部材前駆体を注入して導電部材5A、6Aそれぞれを取り囲ませた後に熱硬化させて、導電部材5A、6Aそれぞれを取り囲む絶縁部材7A、8Aを形成する。ここで、上述した7の工程における貫通孔PA内への絶縁部材前駆体の注入する際に、該貫通孔PAと同様の方法で切欠き部CA内に絶縁部材前駆体を注入することによって、切欠き部CA内に絶縁部材7Aを形成することができる。以上のようにして、光モジュール1Aを作製することができる。本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。例えば、上述した本発明の第1および第2実施形態は、光半導体素子が光半導体基板と接続パッドとを有する構成を例に説明したが、光半導体素子として、セラミック基板上に光半導体基板を搭載したものを用いても構わない。また、上述した本発明の第1実施形態は、光半導体素子がダミーパッドを有する構成を例に説明したが、光半導体素子がダミーパッドを有していなくても構わない。この場合、突起部が貫通孔内に挿入されて導電部材に埋入することによって光半導体素子が支持されており、ひいては光半導体素子の傾きが低減されている。また、上述した本発明の第1および第2実施形態は、配線層にて絶縁層を2層積層した構成を例に説明したが、絶縁層は何層積層しても構わない。また、上述した本発明の第1および第2実施形態は、絶縁層として樹脂層を用いた構成を例に説明したが、絶縁層としてセラミック層を用いても構わない。また、上述した本発明の第1および第2実施形態は、配線基板として樹脂基板を用いた構成を例に説明したが、配線基板として、金属板を樹脂で被覆したメタルコア基板やセラミック基板を用いても構わない。また、上述した本発明の第1および第2実施形態は、光路変換部材が金属膜からなる構成を例に説明したが、金属膜以外の手段で光路変換するものであっても構わない。また、上述した本発明の第1および第2実施形態は、光配線基板に光半導体素子を実装した後の導電部材が鼓状である構成を例に説明したが、図12aおよびbに示すように、該導電部材5Bが貫通孔PB内に充填されて円柱状であり、空隙が形成されていなくても構わない。この導電部材5Bは、上述した5の工程にてはんだボールの大きさを調整することによって、形成することができる。なお、導電部材5Bは、一部が貫通孔Pからはみ出してパッド部13Bとクラッド層32Bとの間に介されていても構わない。また、上述した本発明の第1実施形態は、隆起部の主面の一部が該貫通孔内に露出した構成を例に説明したが、図12aおよびbに示すように、隆起部31Bは貫通孔内PBに配されていても構わない。この場合、電極パッド28Bと導電部材5Bとの接続部が貫通孔PB内に配されて固定されるため、電極パッド28Bと導電部材5Bとの接続強度を高めることができる。この隆起部31Bは、上述した3の工程では形成せずに、上述した5の工程にて、貫通孔PBを形成した後に、無電解めっきまたは電解めっき等を用いて形成することができる。この場合、コア層33Bの変形に影響を与えずに、隆起部31Bの厚みを大きくし、電極パッド28Bの厚みを第1クラッド層よりも大きくできる。また、上述した本発明の第1実施形態は、絶縁部材が貫通孔内に配されていない構成を例に説明したが、図12cおよびdに示すように、絶縁部材7Cが貫通孔PC内に配されていても構わない。この絶縁部材7Cは、突起部14Cを導電部材5Cに埋入させた後、貫通孔PC内に一部が配されるように絶縁部材7Cを形成してから、導電部材5Cを加熱溶融して突起部14Cと接続させることによって、形成することができる。