厚みが1~10mmである円板状の磁性材スパッタリングターゲットであって、該ターゲットの裏面に、幅が5~20mm、深さが0.1~3.0mmである該円板状ターゲットの中心を中心とする少なくとも1個の円溝を有し、各溝の間隔は10mm以上であり、かつ前記溝に、熱伝導率が20W/mK以上である非磁性材料が埋め込まれていることを特徴とする磁性材スパッタリングターゲット。前記溝の断面形状が、U字形、V字形又は凹型であることを特徴とする請求項1記載の磁性材スパッタリングターゲット。前記溝に埋め込まれる非磁性材料が、Ti、Cu、In、Al、Ag、Znの単体金属又はこれらを主成分とする合金であることを特徴とする請求項1又は2記載の磁性材スパッタリングターゲット。ターゲットの飽和磁化密度が2000Gガウスを越え、かつ最大透磁率μmaxが10を超えることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の磁性材スパッタリングターゲット。磁性材ターゲットが、Co、Fe、Ni又はGdから選択した一成分以上の元素又はこれらを主成分とする合金の強磁性材料からなることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の磁性材スパッタリングターゲット。請求項5記載の強磁性材料に、酸化物、炭化物、窒化物、炭窒化物、炭素から選択した一種以上の非磁性材料が分散した焼結体ターゲットであることを特徴とする磁性材スパッタリングターゲット。Cr、B、Pt、Ru、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Mo、Ta、W、Siから選択した一種以上の元素を0.5at以上、50at以下含有することを特徴とする請求項5又は6記載の磁性材スパッタリングターゲット。ターゲットの裏側に磁石をセットしてターゲットの表面に電界と垂直方向に磁界を発生させてスパッタリングを行い、直交電磁界空間内でプラズマの安定化及び高速化が可能であり、スパッタ速度を大きくすることができるというマグネトロンスパッタリングに好適な磁性材スパッタリングターゲットを提供するものであり、ターゲットが磁性材である場合の欠点を解消するために、漏洩磁束密度が大きくなるように工夫し、プラズマの広がりを大きく、かつ堆積速度を向上させてスパッタリング効率を増加させ、さらに局部的なエロージョンを抑制して、ターゲット表面のエロージョンを均一化し、磁性材ターゲットの使用効率を向上させることを課題とする。上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、ターゲットの裏面に溝を設け、この溝の形状と配置及び溝への充填物の工夫をすることにより、漏洩磁束密度を大きくし、プラズマの広がりを大きく、かつ堆積速度を向上させてスパッタリング効率が増加させ、さらに局部的なエロージョンを抑制して、ターゲット表面のエロージョンを均一化し、磁性材ターゲットの使用効率を向上させることができるとの知見を得た。このような知見に基づき、本発明は、下記の発明を提供するものである。1厚みが1~10mmである円板状の磁性材スパッタリングターゲットであって、該ターゲットの裏面に、幅が5~20mm、深さが0.1~3.0mmである該円板状ターゲットの中心を中心とする少なくとも1個の円溝を有し、各溝の間隔は10mm以上であり、かつ前記溝に、熱伝導率が20W/mK以上である非磁性材料が埋め込まれていることを特徴とする磁性材スパッタリングターゲット。上記円溝は、円板円盤状ターゲットの中心を芯として画定された円形の溝であり、1個でも良いが、複数個あっても良い。上記円溝が2個以上あれば、それぞれが相互に同心円の溝となる。必要に応じて、この同心円の溝という用語を使用して、又は溝と略記して説明する。この円溝は、円板円盤状ターゲットの中心と円形の外周縁との間に形成されるものである。2前記溝の断面形状が、U字形、V字形又は凹型であることを特徴とする請求項1記載の磁性材スパッタリングターゲット。3前記溝に埋め込まれる非磁性材料が、Ti、Cu、In、Al、Ag、Znの単体金属又はこれらを主成分とする合金であることを特徴とする上記1又は2記載の磁性材スパッタリングターゲット。4ターゲットの飽和磁化密度が2000Gガウスを越え、かつ最大透磁率μmaxが10を超えることを特徴とする上記1~3のいずれか1項に記載の磁性材スパッタリングターゲット。5磁性材ターゲットが、Co、Fe、Ni又はGdから選択した一成分以上の元素又はこれらを主成分とする合金の強磁性材料からなることを特徴とする上記1~4のいずれか1項に記載の磁性材スパッタリングターゲット。6上記5記載の強磁性材料に、酸化物、炭化物、窒化物、炭窒化物、炭素から選択した一種以上の非磁性材料が分散した焼結体ターゲットであることを特徴とする磁性材スパッタリングターゲット。7Cr、B、Pt、Ru、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Mo、Ta、W、Siから選択した一種以上の元素を0.5at以上、50at以下含有することを特徴とする上記5又は6記載の磁性材スパッタリングターゲット。本願発明のスパッタリングターゲットは、マグネトロンスパッタリングに好適な磁性材スパッタリングターゲットを提供することができ、漏洩磁束密度を大きくすることが可能であり、これによってプラズマの広がりを大きく、かつ堆積速度を向上させてスパッタリング効率が増加させることができ、さらに局部的なエロージョンを抑制して、ターゲット表面のエロージョンを均一化し、磁性材ターゲットの使用効率を向上させることができるという優れた効果を有する。本発明の磁性材スパッタリングターゲットは円板状円盤状のターゲットであり、ターゲットの裏面に溝を形成したものである。この溝の位置は、エロージョンされ難かった部分に形成するのが望ましいが、その位置はマグネトロンスパッタリング装置により依存するので、その位置を固定するのは得策でない。むしろ、マグネトロンスパッタリング装置の種類に影響しない、広範囲に適用できる磁性材ターゲットとする必要がある。事前に、マグネトロンスパッタリング装置が固定特定され、エロージョンされ難かった部分が分かれば、その位置に溝加工するのが良いことは言うまでもない。本発明の磁性材スパッタリングターゲットは、円板状のターゲットの厚みが1~10mmに適用できる。しかし、この厚みは好適なターゲット厚みを意味するもので、これ以上の厚さを有する磁性材スパッタリングターゲットでも、効果があることは容易に理解できるであろう。本発明の磁性材スパッタリングターゲットの裏面に形成する溝は、幅が5~20mm、深さが0.1~3.0mmである少なくとも1個の円溝円形の溝を有する。この円溝は、円板状のターゲットの中心を中心として画定された溝であり、2個以上の円溝の場合は、それぞれが同心円状の溝からなる。2個の同心円状の溝である場合には、各同心円状の溝の間隔が10mm以上とする。円板状のターゲットの中心部には、溝は不要である。上記円溝又は同心円状の溝は、ターゲットの中心部又は縁部に形成する必要はない。上記の通り、ターゲットの厚みが1~10mmの範囲なので、深さはそれに対応して調整することが必要である。溝の幅は、個々の円溝の個数にもよるが、5~20mmで調節することができる。個々の円溝を増やす場合には、各溝の幅は小さくすることができる。これらは、磁性材ターゲットの種類によって任意に調節できる。溝の深さを3mm以下にする理由は、3mmより大きいとターゲットの材質や厚みにもよるが、溝の部分のターゲット強度が弱くなりスパッタ中にターゲットの熱膨張が原因となってターゲットが割れるといった問題が生じる可能性が高くなるためである。また溝の深さが0.1mmより小さい場合、漏洩磁束密度の向上効果はほとんど見られないため0.1mm以上にする必要がある。また、溝の幅はエロージョンの形状にもよるが多くの場合5~20mmに調整することが望ましい。5mmより小さいと漏洩磁束密度の向上効果はほとんど見られず、20mmより大きいとターゲットに溝を加工する際に、ターゲットが反ってしまうなどの問題が生じるためである。溝同士の間隔は、ターゲットの大きさに依存するが、ターゲットの強度を確保する点から10mm以上とすることが望ましく、本件のターゲットの大きさ直径165.1mmであれば、最大でも100mm以下とする。さらに、本願発明は、前記各溝に熱伝導率が20W/mK以上である非磁性材料を埋め込むことを要件とする。この埋め込みの意味は、固体の非磁性材料の嵌め込みでも良いし、溝に溶融した非磁性材を流し込んで凝固させたものでも良い。また、固体の非磁性材料を溝に密着させ、融点以下の温度条件で、塑性変形をできるだけ生じない程度に加圧して、接合面間に生じる原子の拡散を利用して接合してもよい。上記埋め込みはこれらを包含するものである。スパッタリングの際には、プラズマによる熱が発生するので、バッキングプレートがその熱を除去する役割を担うのであるが、この熱伝導率が20W/mK以上であることは、効率的な徐熱効果を有する。磁性材スパッタリングターゲットの前記溝の断面形状は、U字形、V字形又は凹型とすることができる。これらの溝は、多くの場合ターゲットを作製してから、旋盤などにより切削して形成するので、U字形、V字形又は凹型の形状が製作し易いと言える。しかし、これらの形状に制限されるものでないことは容易に理解できるであろう。すなわち、本願発明はこれらの形状及び均等物を包含するものである。磁性材スパッタリングターゲットに溝を形成した一例を図4に示す。この図4は、磁性材スパッタリングターゲットの断面図であり、この場合のターゲットに形成した溝は凹型の断面形状を有しており、この溝の中に非磁性材料が埋め込まれている様子を示す。溝に埋め込まれる非磁性材料としては、Ti、Cu、In、Al、Ag、Znの単体金属又はこれらを主成分とする合金であることが望ましい。これらは、非磁性材であるだけでなく、熱伝導性にも優れているからである。この意味で、非磁性材であっても、例えば酸化物等を使用することは得策ではない。熱伝導性が劣るからである。また、埋め込む非磁性材としては、磁性材ターゲットの材料よりも、熱伝導率が高い材料であればよく、Co-Cr合金なども使用することができる。マグネトロンスパッタリング法により成膜する際に、ターゲットの飽和磁化密度が2000Gガウスを越え、かつ最大透磁率μmaxが10を超える場合に、特に有効である。また、磁性材ターゲットが、Co、Fe、Ni又はGdから選択した一成分以上の元素又はこれらを主成分とする合金の強磁性材料に適用でき、有効である。上記の強磁性材料に、酸化物、炭化物、窒化物、炭窒化物、炭素からなる非磁性材料が分散した焼結体ターゲットにも有効であることは、容易に理解できるであろう。さらに、さらに、上記磁性材スパッタリングターゲットにCr、B、Pt、Ru、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Mo、Ta、W、Siから選択した一種以上の元素を0.5at以上、50at以下添加したターゲットにおいても、有効である。以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。実施例1~4と比較例1~2の共通事項ターゲット組成が69Co-6Cr-15Pt-10SiO2molで、サイズが直径165.1mm、厚さ6.35mmの円板状のターゲットを作製した。このターゲットの端材を用いてB-Hトレーサーで測定したときの最大透磁率は18、飽和磁化密度は7300Gガウスであった。次に、漏洩磁束密度の測定をASTMF2086-01StandardTestMethodforPassThroughFluxofCircularMagneticSputteringTargetsMethod2に則して実施した。測定手順の詳細は省略するが、ターゲットの中心を固定し、0度、30度、60度、90度、120度と回転させて測定した漏洩磁束密度を、ASTMで定義されているreferencefieldの値で割り返し、100を掛けてパーセントで表した。そして、これら5点について平均した結果を、平均漏洩磁束密度として表に記載した。次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置でスパッタし、50kWhr放電させた後、エロージョンの形状を測定した。図2は、裏面に円溝を形成していないターゲットであり、該ターゲット中心を含む厚さ方向断面から見たときのエロージョンラインを示した代表的な図であり、図3は、裏面に円溝を形成したターゲットであり、該ターゲット中心を含む厚さ方向断面から見たときのエロージョンラインを示した代表的な図である。これらは、下記において詳細に説明する。比較例1次に、前記成分組成のターゲットを複数枚用意した。この場合、円溝又は同心円の溝は一切形成しなかった。この結果、平均漏洩磁束密度は39.1であり、スパッタリングの効率は低かった。この結果を表1に示す。比較例1のターゲットの中心0.00mmからターゲットの外周付近中心からの距離80.0mmにかけてエロージョンを受けた様子エロージョンラインを、図2に示す。この図2から明らかなように、ターゲットの中心部と外縁部のエロージョンは少なく、また中心部と外周部の間でもエロージョンラインの起伏が激しく、ばらつきが多いことが分かる。このように、円板状のターゲットでは、漏洩磁束密度が低く、全体的なターゲットの使用効率が悪いという結果となった。比較例2次に、前記成分組成のターゲットを複数枚用意し、図2においてエロージョンされにくかった領域エロージョンの浅い領域≒非エロージョン領域に同心円状の溝を2つ設けた。溝の位置と溝の形状は表1に示すとおりである。なお、この場合、溝には埋め込みを行っていない例である。2つの溝は同じ形状とした。このときの平均漏洩磁束密度を、表1に記載する。溝がない場合比較例1と比較し、平均漏洩磁束密度が向上していることが確認された。しかしこのターゲットをスパッタリング装置で10kWhr放電させたところ、ターゲット裏面の溝部分を中心に焼き焦げた跡酸化模様が観察された。スパッタリング装置では、通常ターゲット裏面側に冷却板が接し、スパッタリング時の熱を逃がす機構が備わっているが、溝の部分においてターゲットと冷却板との接触が不十分であったため、ターゲットが加熱し上記問題が発生したと考えられる。実施例1実施例1は、ターゲット組成が69Co-6Cr-15Pt-10SiO2molで、サイズが直径165.1mm、厚さ6.35mmの円板状のターゲットを、中心から20mm、45mmの位置に、幅5mm、深さ1.0mmの凹状の円溝を形成し、この溝に溶融したIn熱伝導率81W/mKを溝に流しこんで溝を埋めた。このようにして作製したターゲットを用いてスパッタリングを実施した。これらの溝の条件と平均漏洩磁束密度を表1に記載する。また、この実施例1のターゲットの中心0.00mmからターゲットの外周付近中心からの距離80.0mmにかけてエロージョンを受けた様子エロージョンラインを、図3に示す。この図3に示すように、ターゲットの中心から10.0mm~70.0mmの間は、エロージョンラインの起伏が殆どなく、この間のターゲットのエロージョンが均一に行われていることを示している。この結果、使用していないターゲット部分が少なくなり、使用効率が増大する。この相違は、上記図2に示す比較例1と対比すると、そのエロージョンの差異が明瞭となる。実施例1においては、平均漏洩磁束密度が42.1と向上していることが確認された。また、実際にこれらのターゲットをスパッタリングした結果、比較例2のような問題は生じなかった。実施例2実施例2では、実施例1と同様に、ターゲット組成が69Co-6Cr-15Pt-10SiO2molで、サイズが直径165.1mm、厚さ6.35mmの円板状のターゲットを用い、中心から20mm、45mmの位置に、幅10mm、深さ1.5mmの凹状の円溝を形成し、さらにこの溝と同形状の無酸素銅熱伝導率391W/mKからなるリングを作製し、溝に埋め込んだ。このようにして作製したターゲットを用いてスパッタリングを実施した。これらの溝の条件と平均漏洩磁束密度を表1に記載する。この実施例2においては、平均漏洩磁束密度が45.9と、実施例1に比べてさらに向上していることが確認された。また、実際にこれらのターゲットをスパッタリングした結果、比較例2のような問題は生じなかった。実施例3実施例3では、実施例1と同様に、ターゲット組成が69Co-6Cr-15Pt-10SiO2molで、サイズが直径165.1mm、厚さ6.35mmの円板状のターゲットを用い、中心から20mm、45mmの位置に、幅10mm、深さ2.0mmの凹状の円溝を形成し、さらにこの溝と同形状のAl熱伝導率237W/mKからなるリングを作製し、溝に埋め込んだ。このようにして作製したターゲットを用いてスパッタリングを実施した。これらの溝の条件と平均漏洩磁束密度を表1に記載する。この実施例3においては、平均漏洩磁束密度が50.2と、実施例2に比べても、さらに向上していることが確認された。また、実際にこれらのターゲットをスパッタリングした結果、比較例2のような問題は生じなかった。実施例4実施例4では、実施例1と同様に、ターゲット組成が69Co-6Cr-15Pt-10SiO2molで、サイズが直径165.1mm、厚さ6.35mmの円板状のターゲットを用い、中心から20mm、45mmの位置に、幅10mm、深さ2.5mmの凹状の円溝を形成し、さらにこの溝と同形状のCo-30at.Cr合金熱伝導率96W/mKからなるリングを作製し、溝に埋め込んだ。このようにして作製したターゲットを用いてスパッタリングを実施した。これらの溝の条件と平均漏洩磁束密度を表1に記載する。この実施例4においては、平均漏洩磁束密度が54.0と、実施例3に比べても、さらに向上していることが確認された。また、実際にこれらのターゲットをスパッタリングした結果、比較例2のような問題は生じなかった。実施例5~7と比較例3~4の共通事項組成が85Co-15Crmolのターゲット元材料を用意した。この材料をB-Hトレーサーで測定したときの最大透磁率は25、飽和磁化密度は約7000Gガウスであった。比較例3次に、この元材料からサイズが直径165.1mm、厚さ6.35mmの円板状のターゲットを作製した。このターゲットの平均漏洩磁束密度を測定したところ52.1であった。比較例1に比べて、平均漏洩磁束密度は高くなっているが、これは磁性材そのものの差異によるものと考えられる。比較例4次に、前記成分組成のターゲットを複数枚用意し、エロージョンされにくいと予想される領域に断面がV字形の同心円状の溝を3つ設けた。溝の位置と溝の形状は表2に示す通り、中心から25mm、45mm、75mmの位置に、幅5mm、深さ1.0mmのV字溝とした。このターゲットを用いてスパッタリングした場合の平均漏洩磁束密度を、表2に記載する。溝がない場合比較例3と比較し、平均漏洩磁束密度は56.0と向上していることが確認された。しかし、このターゲットをスパッタリング装置で1kWhr放電させたところ、ターゲットが反ってしまい放電がストップしてしまった。これは溝の部分においてターゲットと冷却板との接触が不十分であったため、ターゲットが部分的に異常加熱してしまったためと考えられる。実施例5実施例5では、組成が85Co-15Crmolのターゲット材料を用い、次にこの成分組成のターゲットを複数枚用意し、エロージョンされにくいと予想される領域に断面がV字形の同心円状の溝を3つ設けた。溝の位置と溝の形状は表2に示す通り、中心から25mm、45mm、75mmの位置に、幅5mm、深さ1.0mmのV字溝とした。さらに、これらの溝と同形状のTi熱伝導率21.9W/mKからなるリングを作製し、Inをろう材に用いて溝に埋め込んだ。このようにして作製したターゲットを用いてスパッタリングした。この場合の平均漏洩磁束密度を、表2に記載する。実施例5においては平均漏洩磁束密度が56.0となり、向上していることが確認された。また実際にこれらのターゲットをスパッタリングした結果、比較例4のような問題は生じなかった。実施例6実施例6では、実施例5と同様に、組成が85Co-15Crmolのターゲット材料を用い、次にこの成分組成のターゲットを複数枚用意し、エロージョンされにくいと予想される領域に断面がV字形の同心円状の溝を3つ設けた。溝の位置と溝の形状は表2に示す通り、中心から25mm、45mm、75mmの位置に、幅10mm、深さ1.5mmのV字溝とした。さらにこれらの溝と同形状のAg熱伝導率429W/mKからなるリングを作製し、Inをろう材に用いて溝に埋め込んだ。このようにして作製したターゲットを用いてスパッタリングした。この場合の平均漏洩磁束密度を、表2に記載する。実施例6においては、平均漏洩磁束密度が59.7となり、実施例5よりも向上していることが確認された。また実際にこれらのターゲットをスパッタリングした結果、比較例4のような問題は生じなかった。実施例7実施例7では、実施例5と同様に、組成が85Co-15Crmolのターゲット材料を用い、次にこの成分組成のターゲットを複数枚用意し、エロージョンされにくいと予想される領域に断面がV字形の同心円状の溝を3つ設けた。溝の位置と溝の形状は表2に示す通り、中心から25mm、45mm、75mmの位置に、幅10mm、深さ2.0mmのV字溝とした。さらに、これらの溝と同形状のZn熱伝導率116W/mKからなるリングを作製し、Inをろう材に用いて溝に埋め込んだ。このようにして作製したターゲットを用いてスパッタリングした。この場合の平均漏洩磁束密度を、表2に記載する。実施例7においては、平均漏洩磁束密度が65.4となり、実施例6よりも向上していることが確認された。また実際にこれらのターゲットをスパッタリングした結果、比較例4のような問題は生じなかった。以上に説明するように、漏洩磁束密度を大きくすることが可能であり、これによってプラズマの広がりを大きく、かつ堆積速度を向上させてスパッタリング効率が増加させることができ、さらに局部的なエロージョンを抑制して、ターゲット表面のエロージョンを均一化し、磁性材ターゲットの使用効率を向上させることができる。上記の実施例及び比較例は、溝の断面が凹溝の例とV字溝の例を示したが、U字形溝でも同様の効果を得ることができた。すなわち、実施例1と同様のエロージョンラインが観察された。本願発明のターゲットに形成した溝のサイズ、間隔、形状、埋め込み材料については、本願発明の範囲であれば、同等の効果を得ることが可能である。実施例では、Co、Cr、Pt、SiO2系の磁性材の例を示しているが、Co、Fe、Ni又はGdから選択した一成分以上の元素又はこれらを主成分とする合金の強磁性材料のスパッタリングターゲットに全てに適用でき、同等の効果が得られることを確認している。