"半導体基板の上方に積層された光電変換層を備え、前記光電変換層は、絶縁膜により側面が絶縁された下部電極と、前記下部電極に積層された光電変換膜と、前記下部電極との間で前記光電変換膜を挟み込む上部電極とを有して構成され、前記下部電極の上面が前記絶縁膜の上面よりも低く形成されている固体撮像素子。前記下部電極の上面全面が前記光電変換膜に接し、かつ、前記下部電極の側面全面が前記絶縁膜で覆われて構成される請求項1に記載の固体撮像素子。前記下部電極および上部電極は透過性を備えており、その材料が、ITOIndiumTinOxide、酸化スズ、または、アルミニウム亜鉛酸化物、ガリウム亜鉛酸化物、インジウム亜鉛酸化物を含む酸化亜鉛系材料、或いは、CuI、InSbO4、ZnMgO、CuInO2、MgIN2O4、CdO、ZnSnO3である請求項1に記載の固体撮像素子。半導体基板の上方に積層された光電変換層を備える固体撮像素子の製造方法において、前記半導体基板に対して層間絶縁膜を成膜し、前記層間絶縁膜に対して下部電極を形成し、前記層間絶縁膜および前記下部電極に対して絶縁膜を成膜した後に、前記下部電極が露出するように前記絶縁膜に対して平坦化処理を行い、前記下部電極に対して光電変換膜を積層し、前記下部電極との間で前記光電変換膜を挟み込むように上部電極を形成するステップを含み、前記平坦化処理において、前記下部電極の上面が前記絶縁膜の上面よりも低く形成される固体撮像素子の製造方法。半導体基板の上方に積層された光電変換層を備える固体撮像素子の製造方法において、前記半導体基板に対して層間絶縁膜を成膜し、前記層間絶縁膜に対して下部電極を形成する領域に開口部が形成された絶縁膜を成膜し、前記層間絶縁膜および前記絶縁膜に対して、前記下部電極となる電極膜を成膜した後に、前記絶縁膜が露出するように前記電極膜に対して平坦化処理を行うことで前記下部電極を形成し、前記下部電極に対して光電変換膜を積層し、前記下部電極との間で前記光電変換膜を挟み込むように上部電極を形成するステップを含み、前記平坦化処理において、前記下部電極の上面が前記絶縁膜の上面よりも低く形成される固体撮像素子の製造方法。半導体基板の上方に積層された光電変換層を備え、前記光電変換層は、絶縁膜により側面が絶縁された下部電極と、前記下部電極に積層された光電変換膜と、前記下部電極との間で前記光電変換膜を挟み込む上部電極とを有して構成され、前記下部電極の上面が前記絶縁膜の上面よりも低く形成されている固体撮像素子を備える電子機器。ところで、特許文献4においても説明されているように、有機光電変換膜においては配向性制御性が重要となる。しかしながら、上述したように特許文献4で開示されている構造では、下部電極の側壁部と上面部とでは有機光電変換膜の配向性が異なることになるため、光電変換特性が劣化することが懸念される。本開示は、このような状況に鑑みてなされたものであり、光電変換特性の劣化を回避することができるようにするものである。本開示の一側面の固体撮像素子は、半導体基板の上方に積層された光電変換層を備え、前記光電変換層は、絶縁膜により側面が絶縁された下部電極と、前記下部電極に積層された光電変換膜と、前記下部電極との間で前記光電変換膜を挟み込む上部電極とを有して構成され、前記下部電極の上面が前記絶縁膜の上面よりも低く形成されている。本開示の一側面の製造方法は、半導体基板の上方に積層された光電変換層を備える固体撮像素子の製造方法において、前記半導体基板に対して層間絶縁膜を成膜し、前記層間絶縁膜に対して下部電極を形成し、前記層間絶縁膜および前記下部電極に対して絶縁膜を成膜した後に、前記下部電極が露出するように前記絶縁膜に対して平坦化処理を行い、前記下部電極に対して光電変換膜を積層し、前記下部電極との間で前記光電変換膜を挟み込むように上部電極を形成するステップを含み、前記平坦化処理において、前記下部電極の上面が前記絶縁膜の上面よりも低く形成される。本開示の一側面の製造方法は、半導体基板の上方に積層された光電変換層を備える固体撮像素子の製造方法において、前記半導体基板に対して層間絶縁膜を成膜し、前記層間絶縁膜に対して下部電極を形成する領域に開口部が形成された絶縁膜を成膜し、前記層間絶縁膜および前記絶縁膜に対して、前記下部電極となる電極膜を成膜した後に、前記絶縁膜が露出するように前記電極膜に対して平坦化処理を行うことで前記下部電極を形成し、前記下部電極に対して光電変換膜を積層し、前記下部電極との間で前記光電変換膜を挟み込むように上部電極を形成するステップを含み、前記平坦化処理において、前記下部電極の上面が前記絶縁膜の上面よりも低く形成される。本開示の一側面の電子機器は、半導体基板の上方に積層された光電変換層を備え、前記光電変換層は、絶縁膜により側面が絶縁された下部電極と、前記下部電極に積層された光電変換膜と、前記下部電極との間で前記光電変換膜を挟み込む上部電極とを有して構成され、前記下部電極の上面が前記絶縁膜の上面よりも低く形成されている固体撮像素子を備える。本開示の一側面においては、光電変換膜の下部電極の上面が、下部電極の側面を絶縁する絶縁膜の上面よりも低く形成される。本開示の一側面によれば、光電変換特性の劣化を回避することができる。以下、本技術を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本技術を適用した固体撮像素子の第1の実施の形態の構成例を示す断面図である。図1には、固体撮像素子11が有する1つの画素の近傍の断面が示されており、固体撮像素子11は、下層側から順に、半導体素子基板21、層間絶縁膜22、および光電変換層23が積層されて構成されている。なお、固体撮像素子11は、例えば、半導体素子基板21に配線層が積層される表面に対して反対側を向く裏面図1の上側を向く面に入射光が照射される、いわゆる裏面照射型のCMOSセンサである。半導体素子基板21の表面側には、転送トランジスタ24Bおよび24G以外にも図示しない複数のトランジスタが形成されるとともに、層間絶縁膜を介して複数層の配線が配設された多層配線層図示せずが積層されている。また、固体撮像素子11において画素がアレイ状に配置される領域に対する周辺領域には、図示しないロジック回路などの周辺回路が形成されている。半導体素子基板21には、光電変換部31Bおよび31R、フローティングディフュージョン32Bおよび32G、電界蓄積部33、オーバーフローバリア34、コンタクト部35、イオン注入プラグ36、コンタクト部37、および絶縁膜38が形成されている。光電変換部31Bは、半導体素子基板21の裏面側の近傍において青色の光を効率よく光電変換する深さの領域に形成されるとともに、その領域から半導体素子基板21の表面近傍まで延在するように形成されている。光電変換部31Bが青色の光を光電変換することで発生した電荷は、転送トランジスタ24Bを介してフローティングディフュージョン32Bに転送されて読み出される。転送トランジスタ24Bは、光電変換部31Bが半導体素子基板21の表面近傍まで延在する領域に隣接する位置に、半導体素子基板21の表面に対して絶縁膜を介して配置されている。フローティングディフュージョン32Bは、光電変換部31Bから転送トランジスタ24Bを介して離間する位置で半導体素子基板21の表面に接するように形成されている。光電変換部31Rは、半導体素子基板21において光電変換部31Bが形成されている領域よりも深く、赤色の光を効率よく光電変換する深さの領域に形成されており、赤色の光を光電変換する。なお、光電変換部31Rで発生した電荷を読み出すのに利用される転送トランジスタおよびフローティングディフュージョンの図示は省略されている。電界蓄積部33は、後述するように光電変換層23で緑色の光を光電変換することにより発生した電荷を蓄積する。電界蓄積部33は、オーバーフローバリア34およびコンタクト部35を介して半導体素子基板21の裏面に接続されるとともに、半導体素子基板21の表面近傍まで形成されている。オーバーフローバリア34は、電界蓄積部33およびコンタクト部35の間に形成され、光電変換層23で発生した電荷が電界蓄積部33に流れ込む際の障壁となる。コンタクト部35は、半導体素子基板21の裏面に接するように形成されたN型領域であり、層間絶縁膜22に形成される導電膜41bが接続されている。電界蓄積部33に蓄積されている電荷は、転送トランジスタ24Gを介してフローティングディフュージョン32Gに転送されて読み出される。転送トランジスタ24Gは、電界蓄積部33が半導体素子基板21の表面近傍まで形成された領域に隣接する位置に、半導体素子基板21の表面に対して絶縁膜を介して配置されている。フローティングディフュージョン32Gは、電界蓄積部33から転送トランジスタ24Gを介して離間する位置で半導体素子基板21の表面に接するように形成されている。イオン注入プラグ36は、半導体素子基板21を貫通するように形成されたP型領域であり、イオン注入プラグ36を介して、図示しない基板から光電変換層23のコンタクトメタル層55の電位が固定される。コンタクト部37は、半導体素子基板21の裏面に接するように形成されたP型領域であり、層間絶縁膜22に形成される導電膜41aが接続されている。絶縁膜38は、半導体素子基板21に対してイオン注入プラグ36およびコンタクト部37を絶縁するように、それらの外周に形成される。層間絶縁膜22は、半導体素子基板21と光電変換層23とを絶縁する。層間絶縁膜22は、2層の絶縁膜22-1および22-2により構成され、層間絶縁膜22には、導電膜41a乃至41cと、導電プラグ42aおよび42bとが形成されている。導電膜41a乃至41cは、絶縁膜22-1に開口されたコンタクト孔と、絶縁膜22-1および22-2の間とに形成されており、導電プラグとしての機能と、遮光膜としての機能を備えている。つまり、導電膜41a乃至41cは遮光性のある材料で形成されており、例えば、光を通過させたい領域が開口するように、それ以外の領域を導電膜41aおよび41cにより覆うように形成される。これにより、その開口部を通過した光が半導体素子基板21内部の光電変換部31Bおよび31Rに照射される。また、導電膜41aは、コンタクト部37に接続されており、導電膜41bは、コンタクト部35に接続されている。導電プラグ42aおよび42bは、絶縁膜22-2に形成されたコンタクト孔に形成されている。導電プラグ42aは、導電膜41aおよび下部電極52aに接続されており、導電プラグ42bは、導電膜41bおよび下部電極52bに接続されている。即ち、導電プラグ42aおよび導電膜41aを介して、下部電極52aとコンタクト部37とが接続され、導電プラグ42bおよび導電膜41bを介して、下部電極52bとコンタクト部35とが接続される。光電変換層23は、絶縁膜51、下部電極52aおよび52b、有機光電変換膜53、上部電極54、およびコンタクトメタル層55が積層されて構成されている。絶縁膜51は、層間絶縁膜22に積層するように形成され、下部電極52aおよび52bの間を絶縁する。下部電極52aは、導電プラグ42aとコンタクトメタル層55を接続する電極である。下部電極52bは、有機光電変換膜53の下面に接続される透明な電極であり、有機光電変換膜53で発生した電荷を電界蓄積部33に転送するように、上部電極54との間で電圧が印加されている。また、下部電極52bは、その上面が絶縁膜51の上面よりも低くなるような凹構造に形成されており、その上面全面が有機光電変換膜53に接し、かつ、その側面全面が絶縁膜51により覆われている。有機光電変換膜53は、所定の波長域の光を受光して光電変換し、図1の例では、緑色の光を光電変換する。上部電極54は、有機光電変換膜53の上面に接続される透明な電極であり、その一部にコンタクトメタル層55が積層されている。コンタクトメタル層55は、例えば、イオン注入プラグ36を介して半導体素子基板21の表面側から供給される所定の電圧を上部電極54に印加する。このように構成されている固体撮像素子11では、下部電極52bの上面が絶縁膜51の上面よりも低くなる凹構造となっているため、有機光電変換膜53は、下部電極52bの上面とだけ接することになる。これにより、有機光電変換膜53の配向性の制御性が容易になるので、光電変換特性の向上が可能となる。次に、図2乃至図11を参照して、固体撮像素子11の第1の製造方法について説明する。図2には、第1の工程が示されている。第1の工程において、半導体素子基板21の内部に、光電変換部31Bおよび光電変換部31Rが積層した構造で形成されるとともに、電界蓄積部33、オーバーフローバリア34、およびコンタクト部35が積層した構造で形成される。また、フローティングディフュージョン32Bおよび32G、イオン注入プラグ36、コンタクト部37、および絶縁膜38が半導体素子基板21の内部に形成される。その後、図示しない多層配線層に支持基板を張り付け、シリコンおよびSiO2酸化シリコン膜を除去し、薄いシリコン層の裏面図2の上側を向く面が露出される。図3には、第2の工程が示されている。第2の工程において、半導体素子基板21の裏面上に、絶縁膜22-1が成膜される。絶縁膜22-1は、半導体素子基板21を構成するシリコン層との界面順位を低減させるとともに、このシリコン層と絶縁膜22-1との界面からの暗電流の発生を抑制するために、界面準位が小さいことが望ましい。このため、絶縁膜22-1としては、例えば、原子層堆積ALD:AtomicLayerDeposition法で成膜したハフニウム酸化HfO2膜と、プラズマCVDChemicalVaporDeposition法で成膜したSiO2膜との積層構造膜を用いることができる。なお、絶縁膜22-1として、他の構造および成膜手法を採用してもよい。図4には、第3の工程が示されている。第3の工程において、絶縁膜22-1に対してコンタクト孔61a乃至61cを開口する。コンタクト孔61aは、コンタクト部37まで絶縁膜22-1を貫通するように形成され、コンタクト孔61bは、コンタクト部35まで絶縁膜22-1を貫通するように形成される。その後、コンタクト孔61a乃至61cを埋め込むように、かつ、絶縁膜22-1を覆うように導電膜を成膜し、遮光したい箇所を残すように加工を行うことで、導電膜41a乃至41cが形成される。導電膜41a乃至41cとしては、半導体素子基板21とのコンタクトをとる必要があることと、遮光膜としても用いることより、バリアメタルのチタンTiと窒化チタンTiNの積層膜とタングステンWとを用いることが好ましい。なお、これらの構造および材料以外のものを採用してもよい。図5には、第4の工程が示されている。第4の工程において、絶縁膜22-1および導電膜41a乃至41cを覆うように、例えば、プラズマCVD法でSiO2膜を成膜した後に、CMPChemicalMechanicalPolishingを用いてSiO2膜を平坦化することで、絶縁膜22-2が形成される。図6には、第5の工程が示されている。第5の工程において、絶縁膜22-2に対してコンタクト孔62aおよび62bを開口し、コンタクト孔62aおよび62bに埋め込まれるように導電プラグ42aおよび42bが形成される。導電プラグ42aおよび42bは、例えば、窒化チタンとタングステンの積層膜を成膜した後に、CMPを用いて絶縁膜22-2上の余剰のタングステンおよび窒化チタンを除去することによって形成される。図7には、第6の工程が示されている。第6の工程において、下部電極52aおよび52bが、絶縁膜22-2に積層される。下部電極52bは、光が透過することが求められるため、例えば、スパッタ法を用いてITOIndiumTinOxideを成膜した後に、フォトリソグラフィー技術を用いてパターニングを行い、ドライエッチングもしくはウエットエッチングを用いて加工する。なお、下部電極52aおよび52bの材料としては、ITO以外にも、酸化スズ系のSnO2ドーパント添加、酸化亜鉛系材料ではアルミニウム亜鉛酸化物ZnOにAlをドーパントとして添加、例えばAZO、ガリウム亜鉛酸化物ZnOにGaをドーパントとして添加、例えばGZO、インジウム亜鉛酸化物ZnOにInをドーパントとして添加、例えばIZO、CuI、InSbO4、ZnMgO、CuInO2、MgIN2O4、CdO、ZnSnO3等を採用してもよい。図8には、第7の工程が示されている。第7の工程において、下部電極52aおよび52b並びに絶縁膜22-2に積層するように、絶縁膜51’が成膜される。絶縁膜51’は、例えば、プラズマCVD法で成膜したSiO2膜などにより構成される。図9には、第8の工程が示されている。第8の工程において、絶縁膜51’に対して、例えば、CMPを用いた平坦化処理が施され、下部電極52aおよび52bが露出するような絶縁膜51が形成される。一般的に、CMPなどの平坦化技術を用いた場合、ディッシングやエロージョンなどが発生するため、下部電極52bと絶縁膜51とが全く等しい高さにならないことが知られている。例えば、図9において部分的に拡大して示されるように、下部電極52bの上面が絶縁膜51の上面よりも低くなる凹構造となる。そして、絶縁膜51の上面に対する下部電極52bの上面の深さdは、浅いほど好ましい。具体的には、深さdは、50nm以下、さらに好ましくは20nm以下であることとする。なお、下部電極52bの上面が絶縁膜51の上面から突出することがない構造であればよく、例えば、下部電極52bの上面と絶縁膜51の上面とが略同一の高さであってもよい。ここで、CMPを行う条件として、市販の酸化膜CMPスラリーを用いて、下部電極52aおよび52bが露出するまで研磨するとき、下部電極52aおよび52bが露出した際には、研磨テーブルのモータ電流が変化するため、その時点で研磨を終了する事ができる。具体的には、本願出願人は、所定の研磨パッドを用い、パッド回転数を80rpmとし、研磨圧力を4psiとし、スラリー流量を150ccminとしてCMPを行うことにより、下部電極52bの上面が絶縁膜51の上面よりも低くなる凹構造とすることができた。図10には、第9の工程が示されている。第9の工程において、下部電極52bおよび絶縁膜51の上に、有機光電変換膜53および上部電極54が成膜される。即ち、下部電極52aおよび52b並びに絶縁膜51の全面に有機光電変換膜53の材料が成膜され、その上に上部電極54の材料が成膜された後、例えば、フォトリソグラフィー技術を用いてパターニングを行い、ドライエッチングを用いて加工することにより、有機光電変換膜53および上部電極54が形成される。これにより、下部電極52bの上面全体が、その上に成膜される有機光電変換膜53に接し、かつ、下部電極52bの側面が絶縁膜51に覆われる構造が形成される。有機光電変換膜53は、例えば、キナクリドンを真空蒸着することにより形成することができる。また、有機光電変換膜53は、例えば、上述の特許文献3に開示されているように、下部電極上に、下引き膜と、電子ブロッキング膜と、光電変換膜と、正孔ブロッキング膜と、正孔ブロッキング兼バッファ膜と、仕事関数調整膜のように積層された構成としてもよい。有機光電変換膜53は、有機p型半導体及び有機n型半導体の少なくとも一方を含んでいることが好ましい。有機p型半導体及び有機n型半導体として、それぞれキナクリドン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、及びフルオランテン誘導体のいずれかを特に好ましく用いることができる。また、フェニレンビニレン、フルオレン、カルバゾール、インドール、ピレン、ピロール、ピコリン、チオフェン、アセチレン、ジアセチレン等の重合体やその誘導体が用いられる。さらに、金属錯体色素、シアニン系色素、メロシアニン系色素、フェニルキサンテン系色素、トリフェニルメタン系色素、ロダシアニン系色素、キサンテン系色素、大環状アザアヌレン系色素、アズレン系色素、ナフトキノン、アントラキノン系色素、アントラセン、ピレン等の縮合多環芳香族および芳香環ないし複素環化合物が縮合した鎖状化合物、または、スクアリリウム基およびクロコニツクメチン基を結合鎖として持つキノリン、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール等の二つの含窒素複素環、または、スクアリリウム基およびクロコニツクメチン基により結合したシアニン系類似の色素等を好ましく用いることができる。また、上記金属錯体色素では、ジチオール金属錯体系色素、金属フタロシアニン色素、金属ポルフィリン色素、またはルテニウム錯体色素が好ましく、ルテニウム錯体色素が特に好ましいが、上記に限定するものではない。また、上部電極54も透明であることが求められ、例えばスパッタ法を用いてITOを成膜する。なお、上部電極54の材料は、ITOに限る必要無く、酸化スズ系のSnO2ドーパント添加、酸化亜鉛系材料ではアルミニウム亜鉛酸化物ZnOにAlをドーパントとして添加、例えばAZO、ガリウム亜鉛酸化物ZnOにGaをドーパントとして添加、例えばGZO、インジウム亜鉛酸化物ZnOにInをドーパントとして添加、例えばIZO、CuI、InSbO4、ZnMgO、CuInO2、MgIN2O4、CdO、ZnSnO3等を用いることができる。そして、第9の工程の後に、図1に示すように、下部電極52aに接続されるとともに、上部電極54の上面の一部分を覆うように、コンタクトメタル層55を形成する。コンタクトメタル層55は、例えばタングステン、チタン、窒化チタン、アルミニウムなどが挙げられる。もちろん、これらの材料以外のものを採用してもよい。なお、コンタクトメタル層55を形成した後に、図示しないパシベーション膜、平坦化膜、オンチップレンズなどが、さらに形成される。以上のような第1の製造方法により、下部電極52bの上面が絶縁膜51の上面よりも低くなる凹構造となるように形成された固体撮像素子11を製造することができる。なお、固体撮像素子11は、半導体素子基板21の内部に光電変換部31Bおよび光電変換部31Rが形成されるとともに、半導体素子基板21よりも上側に有機光電変換膜53が形成された構造の構成例とされているが、この構成以外の構成を採用してもよい。また、図9を参照して説明した第8の工程では、絶縁膜51を平坦化する処理においてCMPを利用した例について説明したが、絶縁膜51を平坦化するのに他の処理を利用してもよい。図11を参照して、絶縁膜51を平坦化する他の処理について説明する。例えば、図8に示したように、第7の工程において、下部電極52aおよび52b並びに絶縁膜22-2に積層するように絶縁膜51’を成膜した後、図11に示すように、その上面が平坦となるようにレジスト63を成膜する。その後、エッチングにより、レジスト63とともに絶縁膜51’をエッチバックさせることで、下部電極52bの上面が絶縁膜51の上面よりも低くなる凹構造を形成することができる。ここで、レジスト63と絶縁膜51’をドライエッチングする条件として、本願出願人は、平行平板プラズマエッチング装置を用いて、例えば、上部電極を60MHzとし、下部電極を2MHzとし、ガスCF4O2を100mTorrとし、上部電極のパワーを1000Wとし、下部電極Powerを500Wとし、レジスト酸化膜の選択比を1程度とすることで、上述の凹構造を形成することができた。また、絶縁膜51を平坦化する処理により下部電極52bが露出したときに、図9に示したような凹構造とならない、つまり、下部電極52bの上面が絶縁膜51の上面よりも低くならない状態が発生することがある。例えば、図12の上側に示すように、凸構造となった場合、さらにウエットエッチングまたはドライエッチングなどの技術を用いて、下部電極52bをエッチングすることで、図12の下側に示すように、凹構造とすることができる。ここで、下部電極52bをウエットエッチングする処理には、希フッ酸や、塩酸、蓚酸などの薬液を用いて下部電極52bの材料を後退させる処理も含まれる。また、下部電極52bをドライエッチングする条件としては、ICP容量結合型エッチング装置を使用し、ガスCl2Arを10sccm100sccmとし、プラズマ密度を1011atomcm3とし、バイアス電圧を300Vとして行われる。このように、凸構造となった下部電極52bをエッチングする処理は、上述した第1の製造方法において適用するほか、後述の第2の製造方法において適用してもよい。また、平坦化処理において、CMPおよびドライエッチングのどちらを用いた場合であっても、このような凸構造となった下部電極52bに対してエッチングする処理を適用することができる。次に、図13乃至図16を参照して、固体撮像素子11の第2の製造方法について説明する。まず、図2乃至図6を参照して説明した第1の工程から第5の工程までと同様の工程が行われることにより、図6に示されているような構造物が形成される。即ち、光電変換部31Bおよび31Rなどが形成された半導体素子基板21に、導電膜41a乃至41cや導電プラグ42aおよび42bなどが形成された層間絶縁膜22が積層された構造物が形成される。図13には、第5の工程の次に行われる第10の工程が示されている。第10の工程において、例えば、プラズマCVD法で成膜したSiO2膜などからなる絶縁膜51’’が、層間絶縁膜22の全面に成膜される。図14には、第11の工程が示されている。第11の工程において、下部電極52aおよび52bが形成される領域に対応する箇所において、絶縁膜51’’に対して、フォトリソグラフィーおよびドライエッチングの技術を使用して、トレンチ開口64aおよび64bが形成される。これにより、下部電極52aおよび52bを絶縁するための絶縁膜51が形成される。図15には、第12の工程が示されている。第12の工程において、スパッタ法を用いて、下部電極52aおよび52bの材料となる下部電極膜52’が、層間絶縁膜22および絶縁膜51の全面に成膜される。なお、下部電極膜52’、即ち、下部電極52aおよび52bの材料としては、図7を参照して第6の工程で説明したのと同様のものが採用される。図16には、第13の工程が示されている。第13の工程において、例えば、CMPを用いて絶縁膜51上の余剰の下部電極膜52’を除去することによって、下部電極52aおよび52bが形成される。また、このような工程によっても、第1の製造方法と同様に、図16において部分的に拡大して示されるように、下部電極52bの上面が絶縁膜51の上面よりも低くなる凹構造となる。そして、絶縁膜51の上面に対する下部電極52bの上面の深さdは、浅いほど好ましい。具体的には、深さdは、50nm以下、さらに好ましくは20nm以下であることとする。なお、下部電極52bの上面が絶縁膜51の上面から突出することがない構造であればよく、例えば、下部電極52bの上面と絶縁膜51の上面とが略同一の高さであってもよい。ここで、CMPを行う条件として、市販のITOエッチャントを含むシリカスラリーを用いて、下部電極膜52’から絶縁膜51が露出するまで研磨するとき、絶縁膜51が露出した際には、研磨テーブルのモータ電流が変化するため、その時点で研磨を終了する事ができる。具体的には、本願出願人は、所定の研磨パッドを用い、パッド回転数を80rpmとし、研磨圧力を4psiとし、スラリー流量を150ccminとしてCMPを行うことにより、下部電極52bの上面が絶縁膜51の上面よりも低くなる凹構造とすることができた。なお、下部電極膜52’の除去には、CMP以外に、エッチングガスを用いてエッチバックを行う手法を採用してもよい。ドライエッチングする条件としては、ICP容量結合型エッチング装置を使用し、ガスCl2Arを10sccm100sccmとし、プラズマ密度を1011atomcm3とし、バイアス電圧を300Vとして行われる。以上のような第2の製造方法によっても、上述の第1の製造方法で製造したのと同様に、下部電極52bの上面が絶縁膜51の上面よりも低くなる凹構造となるように形成された固体撮像素子11を製造することができる。ここで、上述の第8の工程図9および第13の工程図16で説明したように、CMPなどの平坦化技術を使用した場合、ディッシングやエロージョンなどが発生することにより、下部電極52bと絶縁膜51とが等しい高さにならずに凹構造となる。即ち、固体撮像素子11が、下部電極52bの上面が絶縁膜51の上面よりも低くなる凹構造を有するのは、平坦化処理においてディッシングやエロージョンなどが発生することによって形成されることを含むものである。図17を参照して、エロージョンについて説明する。図17Aには、例えば、基板71に絶縁膜72が積層され、絶縁膜72にコンタクト孔が形成された後に、配線材料73が埋め込まれた状態の構造物74が示されている。また、図17Aの左側では、コンタクトおよび配線が密集している密集部が形成され、図17Aの右側では、コンタクトおよび配線が疎となる疎部が形成されている。このような構造物74に対し、CMPなどの平坦化技術を使用して、絶縁膜72が表面に現れるように平坦化処理を行うとき、理想的な形状としては、図17Bに示すように、絶縁膜72の上面と配線材料73の上面とが等しい高さで平坦になることが望ましい。しかしながら、実際に平坦化処理を行うと、図17Cに示すように、コンタクトおよび配線が密集している密集部では、その密集部全体的に大きな凹みが発生する。このように、密集部において全体的に絶縁膜72および配線材料73が後退するエロージョンが発生する。一方、コンタクトおよび配線が疎となる疎部では、配線材料73の上面が絶縁膜72の上面よりも低くなることはあっても、その疎部全体的な大きな凹みエロージョンは発生しない。次に、図18を参照して、ディッシングについて説明する。図18Aには、例えば、基板81に絶縁膜82が積層され、絶縁膜82に幅広のコンタクト孔が形成された後に、配線材料83が埋め込まれた状態の構造物84が示されている。このような構造物84に対し、CMPなどの平坦化技術を使用して、絶縁膜82が表面に現れるように平坦化処理を行うとき、理想的な形状としては、図18Bに示すように、絶縁膜82の上面と配線材料83の上面とが等しい高さで平坦になることが望ましい。しかしながら、実際に平坦化処理を行うと、メタルCMP用スラリーでは絶縁膜が研磨し難く、メタルである配線材料83のみ研磨が進行してしまうため、幅広い配線においてはパッドが追従することによって凹みディッシングが発生する。そして、固体撮像素子11の製造工程において、このようなエロージョンおよびディッシングによって、下部電極52bの上面が絶縁膜51の上面よりも低くなる凹構造が形成されるものも含まれる。このような凹構造が形成されることによって、上述したように、固体撮像素子11では、光電変換特性を向上させることができる。なお、上述の特許文献4で開示されている構成では、下部電極のエッジ部分における電界集中が発生したり、側壁部における光電変換膜のカバレージ劣化が発生したりしていた。また、上述の特許文献3においても同様の課題が懸念される。これに対し、固体撮像素子11では、このような電界集中やカバレージ劣化を抑制することができ、これにより、光電変換素子の暗電流の抑制、および、耐圧劣化の制御が可能になる。また、上述の特許文献2には、下部電極間の段差を緩和するために、絶縁膜を形成し、この絶縁膜に対して、例えば、感光性の絶縁膜でテーパーを形成する、CVD法で成膜したシリコン酸化SiO2膜を、テーパー形状のレジストマスクを用いてエチバックすることで、所望のテーパー角好ましくは30°以下を得た後に、有機光電変換膜を形成する手法が提案されている。しかしながら、このような構成では、下部電極の開口面積が狭くなり、有機光電変換膜と下部電極との接触面積が減少して、電子の取り出し効率が悪くなる課題が挙げられる。また、同時に、絶縁膜を形成することによって、上層のオンチップレンズからシリコン基板までの高さ全体が高くなる。シリコン中の光電変換部に対する感度向上を考慮すると、オンチップレンズからシリコン基板までの高さ全体低背化した方がより好ましい。これに対し、固体撮像素子11では、下部電極52bと有機光電変換膜53との接触面積を最大化することができるため、取り出し効率を向上させることができる。また、図示しないオンチップレンズから半導体素子基板21までの高さ全体を低背化することができるので、感度の向上を図ることができる。なお、固体撮像素子11において、有機光電変換膜53に替えて、無機材料を採用してもよい。無機光電変換材料としては、例えば、結晶シリコン、アモルファスシリコン、CIGSCuInGaSe化合物、CISCuInSe化合物、カルコパイライト構造半導体、GaAsなどの化合物半導体などが挙げられる。さらに、縦型分光の構成を採用しない場合には、下部電極52bとして透明電極以外のメタル電極を採用してもよく、例えば、仕事関数が低い材料が望ましいとき、La,Er,Y,Yb,Zn,Ce,Sc,Pb,Mg,Mn,Al,Ag,Hf,Ta,Ti,Zr,Vなどの材料、もしくは、これらの材料を1種類以上含むシリサイド膜、シリコン窒化膜、カーバイド膜などを採用することができる。一方、例えば、仕事関数が高い材料が望ましいとき、W,Ti,Ta,Cr,Ru,Rh,Co,Pb,Ni,Re,Ir,Pr,Mo,Auなどの材料、もしくは、これらの材料を1種類以上含むシリサイド膜、シリコン窒化膜、カーバイド膜などを採用することができる。また、固体撮像素子11では、有機光電変換膜53が1層だけ形成された構成であるが、例えば、2層の有機光電変換膜53を積層し、半導体素子基板21の内部に1つの光電変換部31を形成するような構成としてもよい。また、上述したような固体撮像素子11は、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像システム、撮像機能を備えた携帯電話機、または、撮像機能を備えた他の機器といった各種の電子機器に適用することができる。図19は、電子機器に搭載される撮像装置の構成例を示すブロック図である。図19に示すように、撮像装置101は、光学系102、撮像素子103、信号処理回路104、モニタ105、およびメモリ106を備えて構成され、静止画像および動画像を撮像可能である。光学系102は、1枚または複数枚のレンズを有して構成され、被写体からの像光入射光を撮像素子103に導き、撮像素子103の受光面センサ部に結像させる。撮像素子103としては、上述したいずれかの構成例の固体撮像素子11が適用される。撮像素子103には、光学系102を介して受光面に結像される像に応じて、一定期間、電子が蓄積される。そして、撮像素子103に蓄積された電子に応じた信号が信号処理回路104に供給される。信号処理回路104は、撮像素子103から出力された信号電荷に対して各種の信号処理を施す。信号処理回路104が信号処理を施すことにより得られた画像画像データは、モニタ105に供給されて表示されたり、メモリ106に供給されて記憶記録されたりする。このように構成されている撮像装置101では、撮像素子103として、上述したような固体撮像素子11を適用することにより、より画質の向上を図ることができる。また、本技術における固体撮像素子11は、裏面照射型のCMOS型固体撮像素子の他、表面照射型のCMOS型固体撮像素子やCCD型固体撮像素子などに採用することができる。なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。1半導体基板の上方に積層された光電変換層を備え、前記光電変換層は、絶縁膜により側面が絶縁された下部電極と、前記下部電極に積層された光電変換膜と、前記下部電極との間で前記光電変換膜を挟み込む上部電極とを有して構成され、前記下部電極の上面が前記絶縁膜の上面よりも低く形成されている固体撮像素子。2前記下部電極の上面全面が前記光電変換膜に接し、かつ、前記下部電極の側面全面が前記絶縁膜で覆われて構成される上記1に記載の固体撮像素子。3前記下部電極および上部電極は透過性を備えており、その材料が、ITOIndiumTinOxide、酸化スズ、または、アルミニウム亜鉛酸化物、ガリウム亜鉛酸化物、インジウム亜鉛酸化物を含む酸化亜鉛系材料、或いは、CuI、InSbO4、ZnMgO、CuInO2、MgIN2O4、CdO、ZnSnO3である上記1または2に記載の固体撮像素子。なお、本実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。"