"半導体装置であって、ハンダバンプを有する第1の集積回路integratedcircuitICダイと、前記第1のICダイ上に実装された第2のICダイとを備え、前記第2のICダイは、アクティブサイドと、前記アクティブサイドの反対側のバックサイドと、前記バックサイド上に配置されたハンダバンプとを有し、前記第1のICダイの前記ハンダバンプは、バンプボンドを形成するために、前記第2のICダイの前記ハンダバンプと電気的および機械的に結合されている、半導体装置。前記第2のICダイは、前記アクティブサイド上に集積された少なくとも1つの電力変換回路を含み、前記少なくとも1つの電力変換回路は、前記第1のICダイに電流を供給するように構成される、請求項1に記載の半導体装置。前記第1のICダイは、ボンディングパッドを含み前記第1のICダイの前記ボンディングパッドは、ワイヤボンディングのために構成され、前記第2のICダイは、ワイヤボンディングのために構成された前記アクティブサイド上にボンディングパッドを含み、前記少なくとも1つの電力変換回路は、前記第2のICダイの前記ボンディングパッドに印加される少なくとも1つの電圧に応じた前記ハンダバンプを介して、前記第1のICダイに電流を供給する、請求項2に記載の半導体装置。前記第1のICダイの前記ボンディングパッドを基板に電気的に結合する第1のワイヤボンドと、前記第2のICダイの前記ボンディングパッドを前記基板に電気的に結合する第2のワイヤボンドとをさらに備える、請求項3に記載の半導体装置。前記第2のICダイは、前記アクティブサイドと前記バックサイドとの間に延在するスルーダイビアthroughdieviaTDVをさらに含み、前記TDVは、前記少なくとも1つの電力変換回路を、前記第2のICダイの前記ハンダバンプの少なくとも一部と電気的に結合する、請求項3または4に記載の半導体装置。前記第2のICダイは、前記バックサイド上に形成されたインダクタと、前記アクティブサイドと前記バックサイドとの間に延在するスルーダイビアTDVとをさらに含み、前記インダクタは、前記TDVのうちの少なくとも一部と、前記第2のICダイの前記ハンダバンプのうちの少なくとも一部との間に直列に結合される、請求項3または4に記載の半導体装置。前記第1のICダイは、複数の電圧を受けるように構成され、前記複数の電圧のうちの少なくとも1つは、前記第2のICダイの前記ボンディングパッドに印加される前記少なくとも1つの電圧であって、前記第1のICダイの前記ボンディングパッドはいずれも、前記複数の電圧のうちの前記少なくとも1つを受けるように構成されていない、請求項3~6のいずれか一項に記載の半導体装置。前記少なくとも1つの電力変換回路は、DC-DCコンバータまたはリニアレギュレータを含む、請求項2~7のいずれか一項に記載の半導体装置。前記基板に実装され、各々が前記第2のワイヤボンドのうちの少なくとも1つに電気的に結合された、少なくとも1つのキャパシタをさらに備える、請求項4に記載の半導体装置。前記基板に実装され、各々が前記第1のワイヤボンドのうちの少なくとも1つに電気的に結合された、少なくとも1つのキャパシタをさらに備える、請求項4に記載の半導体装置。半導体装置を形成する方法であって、ハンダバンプを有する第1の集積回路ICダイを形成するステップと、アクティブサイドと、前記アクティブサイドの反対側のバックサイドと、前記バックサイド上に配置されたハンダバンプとを有する第2のICダイを取得するステップと、バンプボンドを形成するために、前記第1のICダイの前記ハンダバンプと前記第2のICダイの前記ハンダバンプとを電気的および機械的に結合することにより、前記第2のICダイを前記第1のICダイに実装するステップと、前記第1のICダイを基板に実装するステップとを備える、方法。前記第2のICダイは、前記アクティブサイド上に集積された少なくとも1つの電力変換回路を含む、請求項11に記載の方法。前記第1のICダイは、ボンディングパッドを含み、前記第1のICダイの前記ボンディングパッドは、ワイヤボンディングのために構成され、前記第2のICダイは、ワイヤボンディングのために構成された前記アクティブサイド上に、ボンディングパッドを含み、前記方法は、前記基板と前記第1のICダイの前記ボンディングパッドとの間に第1のワイヤボンドを形成するステップと、前記基板と前記第2のICダイの前記ボンディングパッドとの間に第2のワイヤボンドを形成するステップと、前記少なくとも1つの電力変換回路から前記第1のICダイに、前記第2のICダイの前記ボンディングパッドに印加される少なくとも1つの電圧に応じた前記ハンダバンプを介して、電流を供給するステップとをさらに備える、請求項12に記載の方法。前記第2のICダイは、前記アクティブサイドと前記バックサイドとの間に延在するスルーダイビアTDVを含み、前記TDVは、前記少なくとも1つの電力変換回路を、前記第2のICダイの前記ハンダバンプのうちの少なくとも一部に電気的に結合する、請求項12または13に記載の方法。前記第2のICダイは、前記バックサイド上に形成されたインダクタと、前記アクティブサイドと前記バックサイドとの間に延在するスルーダイビアTDVとをさらに含み、前記インダクタは、前記TDVのうちの少なくとも一部と、前記第2のICダイの前記ハンダバンプのうちの少なくとも一部との間に直列に結合される、請求項11~13のいずれか一項に記載の方法。概要ある実施形態は、ハンダバンプを有する第1の集積回路ICダイと、第1のICダイ上に実装され得る第2のICダイとを備え得る半導体装置に関する。第2のICダイは、アクティブサイドと、アクティブサイドの反対側のバックサイドとを有し得る。ハンダバンプはバックサイド上に配置され得る。第1のICダイのハンダバンプは、バンプボンドを形成するために第2のICダイのハンダバンプと電気的および機械的に結合され得る。この実施の形態において、第2のICダイは、アクティブサイド上に集積された少なくとも1つの電力変換器を含み得る。少なくとも1つの電力変換回路は、第1のICダイに電流を供給するように構成され得る。第1のICダイはボンディングパッドを含み得る。第1のICダイのボンディングパッドは、ワイヤボンディングのために構成され得る。第2のICダイは、ワイヤボンディングのために構成されたアクティブサイド上にボンディングパッドを含み得る。少なくとも1つの電力変換回路は、第2のICダイのボンディングパッドに印加される少なくとも1つの電圧に応じたハンダバンプを介して、第1のICダイに電流を供給し得る。この実施の形態において、半導体装置は、第1のICダイのボンディングパッドを基板に電気的に結合する第1のワイヤボンドと、第2のICダイのボンディングパッドを基板に電気的に結合する第2のワイヤボンドとをさらに備え得る。第2のICダイは、アクティブサイドとバックサイドとの間に延在するスルーダイビアthroughdieviaTDVをさらに含み得る。TDVは、少なくとも1つの電力変換回路を、第2のICダイのハンダバンプのうちの少なくとも一部と電気的に結合し得る。第2のICダイは、バックサイド上に形成されたインダクタと、アクティブサイドとバックサイドとの間に延在するスルーダイビアTDVとをさらに含み得る。インダクタは、TDVのうちの少なくとも一部と、第2のICダイのハンダバンプのうちの少なくとも一部との間に直列に結合され得る。この実施の形態において、第1のICダイは、複数の電圧を受けるように構成され得る。複数の電圧のうちの少なくとも1つは、第2のICダイのボンディングパッドに印加される少なくとも1つの電圧であり得る。第1のICダイのボンディングパッドはいずれも、複数の電圧のうちの少なくとも1つを受けるようには構成されていない。少なくとも1つの電力変換器は、DC-DCコンバータまたはリニアレギュレータを含み得る。少なくとも1つのキャパシタは基板上に実装可能であるとともに、キャパシタの各々は第2のワイヤボンドのうちの少なくとも1つと電気的に結合され得る。少なくとも1つのキャパシタは基板上に実装可能であるとともに、キャパシタの各々は第1のワイヤボンドのうちの少なくとも1つと電気的に結合され得る。他の実施の形態は半導体装置に関する。半導体装置は、ハンダバンプを有する第1の集積回路ICダイと、第1のICダイ上に実装された第2のICダイとを備え得る。第2のICダイは、アクティブサイドと、アクティブサイドと反対側のバックサイドとを有し得る。第2のICダイは、ワイヤボンディングのために構成されたアクティブサイド上にボンディングパッドを含み得る。ハンダバンプは、アクティブサイドと反対側のバックサイド上に配置され得る。第1のICダイのハンダバンプは、バンプボンドを形成するために第2のICダイのハンダバンプと電気的および機械的に結合され得る。さらに他の実施の形態は半導体装置に関する。半導体装置は、基板と、第1の集積回路ICダイと、第1のワイヤボンドと、第2のICダイと、第2のワイヤボンドとを含み得る。第1のICダイは、基板上に実装可能であり、ボンディングパッドおよびハンダバンプを含み得る。第1のワイヤボンドは、第1のICダイのボンディングパッドを基板に電気的に結合し得る。第2のICダイは、第1のICダイ上に実装可能であり、アクティブサイドと、アクティブサイドの反対側のバックサイドとを有し得る。第2のICダイは、アクティブサイド上にボンディングパッドを含み得る。ハンダバンプは、アクティブサイドの反対側のバックサイド上であり得る。第2のワイヤボンドは、第2のICダイのボンディングパッドを基板に電気的に結合し得る。第1のICダイのハンダバンプは、バンプボンドを形成するために第2のICダイのハンダバンプと電気的および機械的に結合され得る。この実施の形態において、第2のICダイは、アクティブサイド上に集積された少なくとも1つの電力変換回路を含み得る。少なくとも1つの電力変換回路は、第2のICのボンディングパッドに印加される少なくとも1つの電圧に応じたバンプボンドを介して、第1のICダイに電流を供給するように構成され得る。第2のICダイは、アクティブサイドとバックサイドとの間に延在するスルーダイビアTDVを含み得る。TDVは、少なくとも1つの電力変換回路を、第2のICダイのハンダバンプのうちの少なくとも一部と電気的に結合し得る。第2のICダイは、バックサイド上に形成されたインダクタをさらに含み得る。スルーダイビアTDVは、アクティブサイドとバックサイドとの間に延在し得る。インダクタは、TDVのうちの少なくとも一部と、第2のICダイのハンダバンプのうちの少なくとも一部との間に直列に結合され得る。この実施の形態において、半導体装置は、基板に実装されるとともに第2のワイヤボンドのうちの少なくとも1つと電気的に結合された、少なくとも1つのキャパシタをさらに含み得る。半導体装置は、基板に実装されるとともに各々が第1のワイヤボンドのうちの少なくとも1つと電気的に結合され得る、少なくとも1つのキャパシタをさらに含み得る。少なくとも1つの電力変換回路は直流-直流DC-DCコンバータを含み得る。少なくとも1つの電力変換器はリニアレギュレータを含み得る。第1のICダイは、複数の電圧を受けるように構成され得る。複数の電圧のうちの少なくとも1つは、第2のICダイのボンディングパッドに印加される少なくとも1つの電圧であり得る。第1のICダイのボンディングパッドはいずれも、複数の電圧のうちの少なくとも1つを受けるようには構成されていない。他の実施の形態は半導体装置を形成する方法に関する。この方法は、ハンダバンプを有する第1の集積回路ICダイを形成するステップと、アクティブサイドと、アクティブサイドの反対側のバックサイドと、バックサイド上に配置されたハンダバンプとを有する第2のICダイを取得するステップと、バンプボンドを形成するために第1のICダイのハンダバンプと第2のICダイのハンダバンプとを電気的および機械的に結合することにより、第2のICダイを第1のICダイに実装するステップと、第1のICダイを基板に実装するステップとを備え得る。この実施の形態において、第2のICダイは、アクティブサイド上に集積された少なくとも1つの電力変換回路を含み得る。第1のICダイはボンディングパッドを含み得る。第1のICダイのボンディングパッドは、ワイヤボンディングのために構成され得る。第2のICダイは、ワイヤボンディングのために構成されたアクティブサイド上にボンディングパッドを含み得る。この方法は、基板と第1のICダイのボンディングパッドとの間に第1のワイヤボンドを形成するステップと、基板と第2のICダイのボンディングパッドとの間に第2のワイヤボンドを形成するステップと、少なくとも1つの電力変換回路から第1のICダイに、第2のICダイのボンディングパッドに印加される少なくとも1つの電圧に応じたハンダバンプを介して、電流を供給するステップとをさらに備え得る。第2のICダイは、アクティブサイドとバックサイドとの間に延在するスルーダイビアTDVを含み得る。TDVは、少なくとも1つの電力変換回路を第2のICダイのハンダバンプのうちの少なくとも一部と電気的に結合し得る。第2のICダイは、バックサイド上に形成されたインダクタをさらに含み得る。スルーダイビアTDVは、アクティブサイドとバックサイドとの間に延在し得る。インダクタは、TDVのうちの少なくとも一部と、第2のICダイのハンダバンプのうちの少なくとも一部との間に直列に結合され得る。さらに他の実施の形態は半導体装置を形成する方法に関する。この方法は、ボンディングパッドおよびハンダバンプを有する第1の集積回路ICダイを形成するステップと、アクティブサイドと、アクティブサイドの反対側のバックサイドとを有する第2のICダイを取得するステップとを含み得る。第2のICダイは、ワイヤボンディングのために構成されたアクティブサイド上にボンディングパッドを含み得る。ハンダバンプは、アクティブサイドの反対側のバックサイド上に配置され得る。この方法は、バンプボンドを形成するために第1のICダイのハンダバンプと第2のICダイのハンダバンプとを電気的および機械的に結合することにより、第2のICダイを第1のICダイに実装するステップと、第1のICダイを基板に実装するステップと、基板と第1のICダイのボンディングパッドとの間に第1のワイヤボンドを形成するステップと、基板と第2のICダイのボンディングパッドとの間に第2のワイヤボンドを形成するステップとをさらに含み得る。図面の簡単な説明添付図面は例示的実施の形態を示す。しかしながら、添付図面は、示された実施の形態にこの発明を限定するものと見なすべきではなく、説明および理解のためだけに用いられるものである。詳細な説明図1は、半導体装置100のある実施の形態の断面図である。図2は、半導体装置100を上から見た図である。図3は、集積回路ICダイ104を上から見た図である。図4は、第2のICダイ106を下から見た図である。図1~図4を同時に参照して、半導体装置100は、基板102と、ICダイ104第1のICダイとも称されると、ICダイ106第2のICダイとも称されるとを含む。第1のICダイ104は、半導体基板110のアクティブサイド上に形成された回路108を含む。第1のICダイ104のアクティブサイドの反対側のバックサイドは、たとえばこの分野において周知である任意の接着剤を用いて基板102に実装される。回路108は一般に、能動部品たとえばトランジスタと、導電性相互接続配線とを含む。特に、回路108は、ボンディングパッド112と、ハンダバンプ118とを含む。ボンディングパッド112はワイヤボンディングのために構成される。たとえば、ボンディングパッド112は、第1のICダイ104の外縁のそばにパターン形成され得る。基板102は、ボンディングパッド112にそれぞれ関連するランド114を含む。ワイヤボンド116は、ボンディングパッド112とランド114との間に電気的および機械的にそれぞれ結合される。一般に、ハンダバンプ118は、以下でさらに説明されるように、第2のICダイ106への電気的および機械的接続を容易にする、リソグラフィによって作製された金属柱である。ボンディングパッド112とハンダバンプ118とが合わさって、回路108の外部電気的インターフェイスを与える。以下でさらに説明されるように、ボンディングパッド112は、入力/出力IO信号インターフェイスを与えるために主に用いられる。ハンダバンプ118は電源インターフェイスを与えるために用いられる。第2のICダイ106は、半導体基板122のアクティブサイド上に形成された回路120を含む。第2のICダイ106はまた、アクティブサイドの反対側のバックサイドに形成されたハンダバンプ124を含む。一般に、ハンダバンプ124は、第1のICダイ104への電気的および機械的接続を容易にする、リソグラフィによって作製された金属柱である。特に、ハンダバンプ124およびハンダバンプ118は、対応するアレイ内に形成される。第2のICダイ106を第1のICダイ104に電気的および機械的に実装するために、ハンダバンプ124,118は共に押し込まれ、その組合せは拡散ボンドボンド126を形成するためにアニーリングされる。ハンダバンプを用いて装置を連結するプロセスは、この分野において周知である。第2のICダイ106の回路120はボンディングパッド128を含む。ボンディングパッド128は、ワイヤボンディングのために構成される。たとえば、ボンディングパッド128は、第2のICダイ106の外縁のそばにパターン形成され得る。基板102は、ボンディングパッド128にそれぞれ関連するランド130を含む。ワイヤボンド132は、ボンディングパッド128とランド130との間に電気的および機械的にそれぞれ結合される。第2のICダイ106はまた、スルーダイビアTDV134を含む。TDV134は、第2のICダイ106のアクティブサイドとバックサイドとの間に延在する。一般に、TDV134は、第2のICダイ106を貫いてエッチングされた孔である。孔は絶縁材で裏打ちされ、その後この分野において周知でように金属で充填される。金属は、アクティブサイド上の回路120を、バックサイド上またはその近くの他の回路へと電気的に結合し得る導体を与える。図1に示された実施の形態において、第2のICダイ106は、バックサイド上に形成されたインダクタ回路136を含む。TDV134は、回路120をインダクタ回路136に電気的に結合するために用いられ得る。インダクタ回路136は、第2のICダイ106のバックサイド上のパターン形成された導電体138を用いて、ハンダバンプ124にさらに結合され得る。このように、インダクタ回路136は、TDV134とハンダバンプ124そして最終的にはボンド126との間に直列に結合され得る。半導体装置100は、1以上のキャパシタ140をさらに含み得る。いくつかの実施の形態において、キャパシタ140は基板102に実装可能であるとともに、ランド130したがってワイヤボンド132のうちの少なくとも1つに電気的に結合される。図2に示されるように、キャパシタ140は、ランド130のうちの2つに分路として接続される。いくつかの実施の形態において、キャパシタ140は基板102に実装可能であるとともに、ランド114したがってワイヤボンド116のうちの少なくとも1つに電気的に結合され得る。図2に示されるように、任意選択的キャパシタ140は、ランド114のうちの2つに分路として接続される。一般に、半導体装置100は、ランド130、ランド114、またはその双方に結合された1以上のキャパシタ140を含み得る。半導体装置100は、スタック電力変換器stackedpowerconverterを有する集積回路を与え得る。特に、回路120は、たとえば直流-直流DC-DCコンバータ、リニアレギュレータ、電圧安定器、または直流入力および直流出力を有する同様の回路など、1以上の電力変換回路を含み得る。一般に、回路120内の電力変換回路は、高電圧低電流入力を有し、低電圧高電流出力を与える。たとえば、回路120は、非交流電流変圧器を模倣するためにトランジスタのスイッチング技術を用いる、DC-DCコンバータを含み得る。DC-DCコンバータの入力における電力は、低効率に起因して損失が生じて出力に現れるが、異なる電圧および電流の組合せとして現れる。たとえば、5ワットは5ボルトでの1アンペアとして入力され得るとともに、1ボルトでの5アンペアとして出力され得る。周知の降圧型buckコンバータはこのような電圧降下を与え得る。たとえば降圧型コンバータのようなDC-DCコンバータが、トランジスタを用いてダイ上に集積され得る一方で、出力には直列にインダクタが必要である。したがって、インダクタ回路136が、回路120のDC-DC電力変換器との使用のために含まれ得る。インダクタ回路136は、周知の微小電気機械システムmicroelectromechanicalsystemMEMS技術を用いて形成され得る。回路120のDC-DCコンバータは、TDV134を用いてインダクタ回路136に電気的に結合され得る。このためインダクタ回路136は、回路120と拡散ボンド126との間に直列に存在する。このように、DC-DCコンバータは、インダクタ回路136および拡散ボンド126を介して、第1のICダイ104に電流を供給し得る。回路120内のDC-DCコンバータのための入力電圧は、ワイヤボンド132によって供給され得る。その結果として、第1のICダイ104への低電圧高電流経路は、ワイヤボンド116および第1のICダイ104のボンディングパッド112を介するよりむしろ、ハンダバンプ118,124の拡散ボンド126によって与えられる。半導体装置100のこの構造は、上記高電流供給源との同時使用のためにボンディングパッド112を費やす必要性を取り除く。周知のように、ボンディングパッドおよびワイヤボンドの通電能力は限定されている。その結果として、高電流の要求は、電源を確保するために必要なボンディングパッドの数を増加させた。上記高電流供給源がワイヤボンド116およびボンディングパッド112を介して第1のICダイ104に直接結合されていないため、第1のICダイ104は、より多くのボンディングパッド112をIOあるいは他の用途に用いることができ、および/または小型化が可能になる。高電流との用語は相対的であって、ボンディングパッドおよびワイヤボンドの通電能力、第1のICダイ104上の回路108の設計電力および電圧要求などを含む、多くの要因に基づき得ることに留意すべきである。設計者は、電源の一部を高電流として指定し、上記電源を与えるために第2のICダイ106を用いることができる。他の電源は低電流であり得る。他の電源は、ワイヤボンド116およびボンディングパッド112を介して第1のICダイ104にまだ供給され得る。第1のダイにより必要とされるすべての電源は、第2のダイによって供給され得る。第2のICダイ106によって、電流の大きさに関係なく、すべての電源が供給され得ることに留意すべきである。上記すべての電源には、第1のICダイ104が必要とするすべての電源が含まれる。キャパシタまたは複数のキャパシタ140は、電力供給のためのデカップリングバイパスを実現するために用いられ得る。いくつかの実施の形態において、1以上のキャパシタ140は、第2のICダイ106への入力において電源の各々に分路として接続され得るたとえばランド130を横切るように設けられる。他の実施の形態において、1以上のキャパシタ140は、第1のICダイ104のボンディングパッド112に結合されたランド114に分路として接続され得る。これにより、第1のICダイ104は、デカップリング目的にボンディングパッド112のうちのいくつかを費やすことを必要とする。しかしながら、電源と比べてキャパシタまたは複数のキャパシタ140を流れる交流のみの電流が相対的に低いため、デカップリング目的で費やす必要があるボンディングパッド112は相対的に殆どない。上述のように、第2のICダイ106の回路120は、1以上の電力変換回路を含み得る。図1では単一の第2のICダイ106が示されるが、この分野における当業者は、第2のICダイ106と同様に、各々が1以上の電力変換回路を与える複数のICダイを第1のICダイ104に実装できることを理解するであろう。図5は、半導体装置500の他の実施の形態の断面図である。図1~図4の構成要素と同一または同様の図5の構成要素には同一の参照符号が付され、上記において詳細に説明されている。本実施の形態において、インダクタ回路136は省略されている。たとえば、回路120は、出力インダクタを必要としないDC-DCコンバータとは異なる型の電力変換回路を含み得る。たとえば、回路120は、上述の方法で電力変換を与えるための1以上のリニアレギュレータ回路を含み得る。そのような実施の形態において、TDV134は、インダクタ回路を横断することなくハンダバンプ124したがって拡散ボンド126に直接結合され得る。この分野における当業者は、図1に示された実施の形態と図5に示された実施の形態との組合せが採用され得ることを理解するであろう。特に、回路120は、インダクタ回路136を必要とするDC-DCコンバータなどと、インダクタ回路136を必要としないリニアレギュレータなどとの双方を含み得る。そのような組合せの実施の形態において、TDV134の一部はインダクタ回路136に結合されてもよく、TDV134のその他はハンダバンプ124に直接結合されてもよい。図6は、半導体装置100,500またはその組合せによって達成された回路配置600を概略的に示す図である。回路配置600は、電力変換器604に結合された電圧源602を含む。電圧源602は、その結果、負荷606を駆動する。電圧源602は、たとえば高電圧低電流源など如何なる電圧源であってもよい。電圧源602は、基板102を介して与えられるたとえば基板102が実装され得るパッケージまたは回路基板を介して受けられる。デカップリングキャパシタ608は、電圧源602たとえばワイヤボンド132の間のキャパシタ140を横切って含まれ得る。電圧源602は、ワイヤボンド610たとえばワイヤボンド132のうちの特定の1つを介して電力変換器604に結合される。電力変換器604は、たとえばDC-DCコンバータ、リニアレギュレータなどの1以上の変換回路を含み得る。電力変換器604は、TDV614を介して拡散ボンド612たとえばTDV134のうちの特定の1つと拡散ボンド126のうちの特定の1つに結合される。必要であれば、インダクタ回路618が負荷606たとえばインダクタ回路136の電流供給側上の電力変換器604の出力に採用され得る。キャパシタ620は、キャパシタ608に代えてあるいはキャパシタ608に加えて、負荷606の脇に設けられ得る。キャパシタ620は、第1のICダイ104のワイヤボンド116間に結合されたキャパシタ140として実現され得る。図7は、半導体装置を形成する方法700の実施の形態を示すフローチャートである。方法700は、ボンディングパッドおよびハンダバンプを有する第1のICダイが形成されるステップ702から始まる。第1のICダイは、従来の半導体製造プロセスを用いて形成され得る。ステップ704において、少なくとも1つの電力変換回路を有する第2のICダイが取得される。第2のICダイは、アクティブサイドと、アクティブサイドの反対側のバックサイドと、ワイヤボンディングのために構成されたアクティブサイド上のボンディングパッドと、アクティブサイドの反対側のバックサイド上に配置されたハンダバンプとを含む。ステップ706において、バンプボンド上述の拡散ボンドを形成するために、第1のICダイのハンダバンプと第2のICダイのハンダバンプとを電気的および機械的に結合することにより、第2のICダイが第1のICダイに実装される。ステップ708において、第1のICダイが基板に実装される。ステップ710において、第1のワイヤボンドが基板と第1のICダイのボンディングパッドとの間に形成されるとともに、第2のワイヤボンドが基板と第2のICダイのボンディングパッドとの間に形成される。このようにして図1~図6で説明されたような半導体装置が形成され得る。いくつかの実施の形態において、ステップ704で取得された第2のICダイは、アクティブサイドとバックサイドとの間に延在するTDVを含む。TDVは、少なくとも1つの電力変換回路を、第2のICダイのハンダバンプのうちの少なくとも一部と電気的に結合する。いくつかの実施の形態において、ステップ704で取得された第2のICダイは、バックサイド上に形成されたインダクタと、アクティブサイドとバックサイドとの間に延在するTDVとをさらに含む。インダクタは、TDVのうちの少なくとも一部と、第2のICダイのハンダバンプのうちの少なくとも一部との間に直列に結合される。いくつかの実施の形態において、少なくとも1つのキャパシタは基板に実装される。キャパシタの各々は、第1のワイヤボンドおよび第2のワイヤボンドのいずれか一方に電気的に結合され得る。上述の説明では本発明の1以上の態様に従う例示的実施の形態が示されるが、本発明の範囲から離れることなく、本発明の1以上の態様に従う他のさらなる実施の形態が考え出され得る。本発明の範囲は特許請求の範囲およびその均等の範囲で決定される。ステップを記載する請求項は、ステップの如何なる順序を意味するものではない。商標はそれぞれの所有者の所有物である。"