ケース部の導波管部とミリ波モジュールの導波管部を締結する構造において、両端にフランジ部が形成された前記ミリ波モジュールと、前記フランジ部との間に隙間を確保できるブロック部材と、前記ミリ波モジュールの上下方向の動きを抑制する不整部材とを備え、前記ブロック部材と前記不整部材を用いて前記フランジ部が形成された前記ミリ波モジュールを前記ケース部に固定することを特徴とするミリ波モジュール締結構造。しかしながら、特許文献1の導波管ケースでは、導波管ケースに収納される機器の発熱により温度が上昇したときに、導波管ケースやモジュールが熱膨張を起こすことによる影響を取り除くことはできない。本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、上記課題を解決できるミリ波モジュール締結構造を提供することを目的とする。本発明のミリ波モジュール締結構造は、ケース部の導波管部とミリ波モジュールの導波管部を締結する構造において、両端にフランジ部が形成された前記ミリ波モジュールと、前記フランジ部との間に隙間を確保できるブロック部材と、前記ミリ波モジュールの上下方向の動きを抑制する不整部材とを備え、前記ブロック部材と前記不整部材を用いて前記フランジ部が形成された前記ミリ波モジュールを前記ケース部に固定することを特徴としている。本発明によれば、ケースに収納される機器の発熱により温度が上昇し、そのケースやミリ波モジュールが熱膨張した場合でも、熱膨張率の差によりミリ波モジュールにクラックが生じないようにするミリ波モジュール締結構造を提供することができる。本発明により、ミリ波モジュールにクラックが生じないので、ミリ波モジュールの無線性能への悪影響を与えない。第1の実施形態本発明を実施するための第1の実施形態のミリ波モジュールの構造、及びミリ波モジュール締結構造について図1を用いて説明する。図1Aと図1Bに示すように、モジュールassy部10は、導波管部11、モジュールフタ部材12、カバー部材13、モジュールベース部14、AuSn接着部15、セラミック基板部16、接着箇所17、及びフランジ部18で構成されている。以上のように、モジュールassy部10は、複数の部品により構成され、ミリ波を用いて送受信を行う通信モジュールである。導波管部11は、後述するミリ波モジュール締結構造Sの導波管部3と締結するモジュールassy部10の導波管である。モジュールベース部14は、モジュールassy部10を構成する部品が設置される基底部である。セラミック基板部16は、スプリットラインを有する基板である。AuSn接着部15は、セラミック基板部16に充填される部品である。接着箇所17は、セラミック基板部16にAuSn接着部15が充填される箇所である。カバー部材13は、セラミック基板部16を覆うカバーである。モジュールフタ部材12は、モジュールassy部10の正面を覆うフタである。フランジ部18は、モジュールベース部14の両端の出っ張った部分であり、導波管部11に隣接する一方のフランジ部18に左右2箇所の径18aが形成され、他方のフランジ部18に左右2箇所の径18bが形成されている。図1Cに示すミリ波モジュール締結構造Sは、2つのモジュールassy部10をケース部1に取り付ける締結構造である。2つのモジュールassy部10の締結構造は同じであるので、1つのモジュールassy部10とケース部1との締結構造について説明する。ケース部1は、モジュールassy部10や機器を収納するケースである。ケース部1の固定箇所2は、モジュールassy部10を固定する箇所を示している。この固定箇所2には、導波管部3が形成されている。この導波管部3がモジュールassy部10の導波管部11と締結される。また、固定箇所2には、モジュールassy部10を固定するために導波管部3に隣接する一方の端に左右2箇所のネジ穴2aが形成され、他方の端に左右2箇所のネジ穴2bが形成されている。このようなミリ波モジュール締結構造Sにおいて、まず、一方のフランジ部18の径18aにネジ部材40を挿通させた後に、ネジ部材40を固定箇所2のネジ穴2aに挿通して固着させる。また、他方のフランジ部18の径18bにネジ部材40を挿通させた後に、ネジ部材40を固定箇所2のネジ穴2bに挿通して固着させる。第2の実施形態本発明を実施するための第2の実施形態のミリ波モジュールの構造、及びミリ波モジュール締結構造について図2を用いて説明する。図2Cに示すミリ波モジュール締結構造Mは、2つのモジュールassy部10をケース部1に取り付ける締結構造である。2つのモジュールassy部10の締結構造は同じであるので、1つのモジュールassy部10とケース部1との締結構造について説明する。また、実施形態2のモジュールassy部10の構造は、図1のAとBに示す実施形態1のモジュールassy部10の構造に同じである。実施形態2のミリ波モジュール締結構造Mは、ピン部20aを備えるブロック部材20と、不整部材30とを用いるミリ波モジュール締結構造である。図中、符号1、2、3、及び10~18については実施形態1の技術と同じなので説明を割愛する。まず、図2Aに示すブロック部材20の構造について説明する。ブロック部材20には、2つのピン部20aが設けられ、この2つのピン部20aは、フランジ部18の径18aに挿通される。ピン部20aは、ミリ波モジュール締結構造Mの固定箇所2に形成されたピン穴2cに挿通されフランジ部18が固定される。ブロック部材20のピン部20aは、モジュールベース部14の素材の熱膨張係数に近い熱膨張係数の材料を選定しており、モジュールベース部14の熱膨張による変形量を抑えるようにする。ブロック部材20の中央部分には、切り欠き溝20bが形成されている。このようにブロック部材20に切り欠き溝20bを設けることで、ケース部1とモジュールassy部10との間に隙間が確保できる。この確保された隙間により、ケース部1とモジュールassy部10との熱膨張による変形を緩和することができる。ブロック部材20の両端にはネジ部材40を挿通する左右2箇所の径20cが形成されている。図2Bに示す不整部材30の構造について説明する。不整部材30は、中央部分が下方に湾曲し、この下方の湾曲の両端が上方に湾曲したバネ性能を有する形状で、上下方向の動きを抑制することができる。不整部材30の両端にはネジ部材40を挿通する径30aが形成されている。図2Cに示すミリ波モジュール締結構造Mについて説明する。ケース部1の固定箇所2には、モジュールassy部10を固定するために導波管部3に隣接する一方の端に左右2箇所のピン穴2c及びネジ穴2dが形成され、他方の端に左右2箇所のネジ穴2bが形成されている。フランジ部18の径18aとピン穴2cには、ブロック部材20に設けられているピン部20aが挿入される。ブロック部材20の径20cとネジ穴2dには、ネジ部材40が挿入される。フランジ部18の径18bとネジ穴2bには、ネジ部材40が挿入される。このようなミリ波モジュール締結構造Mにおいて、フランジ部18の径18a及び径18bに十分な隙間を確保する。フランジ部18の径18a及び径18bに十分な隙間を確保するのは、モジュールassy部10の導波管部11を固定箇所2の導波管部3とを締結するときに生じるフランジ部18の径18aと固定箇所2のピン穴2cとのずれ、及びフランジ部18の径18bと固定箇所2のネジ穴2bとのずれによるモジュールassy部10の変形を防止するためである。また、ケース部1とモジュールassy部10の熱膨張によるモジュールassy部10の変形も防止することができる。このようなミリ波モジュール締結構造Mのモジュールassy部10の導波管部11をケース部1の導波管部3に締結して固定する手順について説明する。まず、モジュールassy部10の導波管部11とケース部1の導波管部3の位置が一致するように合わせる。ブロック部材20のピン部20aを十分に隙間が確保されているフランジ部18の径18aに挿通させた後に、ピン部20aを固定箇所2のピン穴2cに挿通して固定させる。このように、ブロック部材20のピン部20aをフランジ部18と固定箇所2のピン穴2cに挿入することで、モジュールassy部10の左右方向の挙動を抑制することが出来る。さらに、ブロック部材20の上に不整部材30を重ね、ネジ部材40を不整部材30の径30aとブロック部材20の径20cに挿通させ、その後に固定箇所2に形成されたネジ穴2dに挿通して固着させる。また、フランジ部18の径18bに、ネジ部材40を挿通させ、その後に固定箇所2に形成されたネジ穴2bに挿通して固着させる。このように、ネジ部材40で、モジュールassy部10のフランジ部18をケース部1の固定箇所2のネジ穴2dとネジ穴2bに共締めすることで、モジュールassy部10をケース部1に固定させる。尚、実施形態2において、ブロック部材20の中央部分に切り欠き溝20bが形成される構造としたが、ケース部1とモジュールassy部10との間に隙間が確保できるのであればこの形状に限定されない。また、不整部材30の形状についても、モジュールassy部10の上下方向の動きを抑制することができるのであれば、この形状に限定されない。固定箇所2の導波管部3にモジュールassy部10の導波管部11が締結され固定されている状態において、ケース部1に収納されている機器が発熱することで温度が上昇すると、ケース部1やモジュールassy部10が熱膨張を起こす。しかし、ケース部1や、モジュールassy部10のモジュールベース部14、セラミック基板部16、及び接着箇所17の熱膨張率はそれぞれ異なっている。例えば、ケース部1の熱膨張係数は、セラミック基板部16の熱膨張係数の約3倍である。このような場合では、セラミック基板部16がケース部1の熱膨張に追従することで、セラミック基板部16にストレスがかかる。また、セラミック基板部16の熱膨張係数は、AuSn接着部15の熱膨張係数の約2.3倍である。このような場合では、AuSn接着部15がセラミック基板部16の熱膨張に追従することで、セラミック基板部16にAuSn接着部15が充填される接着箇所17に応力集中が発生する。このように、従来は、ケース部1やモジュールassy部10の熱膨張により、セラミック基板部16にストレスがかかる。このセラミック基板部16にかかるストレスや応力集中により、セラミック基板部16にクラックが生じていた。そして、セラミック基板部16に生じるクラックにより、モジュールassy部10のパワーが低下し、モジュールassy部10の通信性能に重大な影響を及ぼすという問題があった。しかし、実施形態2のミリ波モジュール締結構造Mでは、フランジ部18の径18a及び径18bに十分な隙間を確保するので、モジュールassy部10の導波管部11を固定箇所2の導波管部3とを締結するときに生じるフランジ部18の径18aと固定箇所2のピン穴2cとのずれ、及びフランジ部18の径18bと固定箇所2のネジ穴2bとのずれによるモジュールassy部10の変形を防止できる。また、ブロック部材20に切り欠き溝20bを設けることで、ケース部1とモジュールassy部10との間に確保される隙間により、ケース部1とモジュールassy部10の熱膨張によるモジュールassy部10の変形も防止することができる。以上のような実施形態2によれば、ケースに収納される機器の発熱により温度が上昇し、ケースやミリ波モジュールが熱膨張した場合でも、ストレスや応力集中が発生しないようにミリ波モジュールの導波管をケースの導波管に締結することができるミリ波モジュール締結構造を提供することができる。以上、具体的な実施の形態により本発明を説明したが、上記実施の形態は本発明の例示であり、この実施の形態に限定されないことは言うまでもない。以上をまとめると、本発明は次のような特徴を有する。1本発明のミリ波モジュール締結構造は、ケース部の導波管部とミリ波モジュールの導波管部を締結する構造において、両端にフランジ部が形成された前記ミリ波モジュールと、前記フランジ部との間に隙間を確保できるブロック部材と、前記ミリ波モジュールの上下方向の動きを抑制する不整部材とを備え、前記ブロック部材と前記不整部材を用いて前記フランジ部が形成された前記ミリ波モジュールを前記ケース部に固定することを特徴としている。21の本発明のミリ波モジュール締結構造の前記ブロック部材には前記フランジ部を固定するためのピン部が設けられていることを特徴としている。32の本発明のミリ波モジュール締結構造の前記ピン部の素材は、前記ミリ波モジュールの熱膨張係数に近い材質であることを特徴としている。42または3の本発明のミリ波モジュール締結構造の前記フランジ部には十分な隙間を確保した径が形成され、前記ピン部が前記フランジ部の径と前記ケース部のピン穴に挿入され固定されることを特徴としている。51から4のいずれかの本発明のミリ波モジュール締結構造は、前記不整部材の両端に前記ネジ部材を挿通する径が形成され、前記ブロック部材の両端にネジ部材を挿通する径が形成され、前記ネジ部材は、前記不整部材の径に挿入され、前記ブロック部材の径に挿入され、前記ケース部のネジ穴に挿入され固着されることを特徴としている。