"[A]下記式1で表される化合物、及び[B]下記式2-1で表される構造単位Iを有する重合体を含有するフォトレジスト組成物。式1中、R1は、炭素数1~20のアルキル基、炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基、炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基である。但し、上記アルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基及びヘテロアリール基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。R2は、2価の連結基である。Rfは、フッ素原子又は炭素数1~30のフッ素化アルキル基である。Mは、1価のカチオンである。n1及びn2は、それぞれ独立して、0又は1である。式2-1中、Rは、水素原子又はメチル基である。Raは、1価の有機基である。pは、0~3の整数である。但し、Raが複数の場合、複数のRaは同一でも異なっていてもよい。qは、1~3の整数である。但し、pq≦5の条件を満たす。上記R1が、炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基である請求項1に記載のフォトレジスト組成物。上記Mが、下記式i-1で表されるカチオン及び下記式ii-1で表されるカチオンからなる群より選ばれる少なくとも1種のカチオンである請求項1又は請求項2に記載のフォトレジスト組成物。式i-1中、g1、g2及びg3は、それぞれ独立して、0~2の整数である。但し、g1、g2及びg3のうちの少なくとも1つは1又は2である。RA1、RA2及びRA3は、それぞれ独立して、1価の有機基、ヒドロキシル基又はハロゲン原子である。a、b及びcは、それぞれ独立して、0~9の整数である。但し、RA1、RA2及びRA3がそれぞれ複数の場合、複数のRA1、RA2及びRA3はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。式ii-1中、h1及びh2は、それぞれ独立して、0~2の整数である。但し、h1及びh2のうちの少なくとも1つは1又は2である。RB1及びRB2は、それぞれ独立して、1価の有機基、ヒドロキシル基又はハロゲン原子である。d及びeは、それぞれ独立して、0~9の整数である。但し、RB1及びRB2がそれぞれ複数の場合、複数のRB1及びRB2はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。[B]重合体が、下記式2-2で表される構造単位IIをさらに有する請求項1、請求項2又は請求項3に記載のフォトレジスト組成物。式2-2中、R’は、水素原子又はメチル基である。Rbは、酸解離性基を含まない1価の有機基である。rは、0~3の整数である。Rcは、1価の酸解離性基である。sは、1~3の整数である。但し、Rb及びRcがそれぞれ複数の場合、複数のRb及びRcはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。また、rs≦5の条件を満たす。本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、ナノエッジラフネスを低減することができ、かつ焦点深度に優れるフォトレジスト組成物を提供することである。上記課題を解決するためになされた発明は、[A]下記式1で表される化合物以下、[A]化合物ともいう、及び[B]下記式2-1で表される構造単位Iを有する重合体以下、[B]重合体ともいうを含有するフォトレジスト組成物である。式1中、R1は、炭素数1~20のアルキル基、炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基、炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基である。但し、上記アルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基及びヘテロアリール基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。R2は、2価の連結基である。Rfは、フッ素原子又は炭素数1~30のフッ素化アルキル基である。Mは、1価のカチオンである。n1及びn2は、それぞれ独立して、0又は1である。式2-1中、Rは、水素原子又はメチル基である。Raは、1価の有機基である。pは、0~3の整数である。但し、Raが複数の場合、複数のRaは同一でも異なっていてもよい。qは、1~3の整数である。但し、pq≦5の条件を満たす。本発明のフォトレジスト組成物は、酸発生剤としての[A]化合物、及びフェノール性水酸基を有する[B]重合体を含有することで、ナノエッジラフネスを低減することができ、かつ焦点深度に優れる。当該フォトレジスト組成物が、上記構成を有することで、ナノエッジラフネスを低減できる理由については必ずしも明らかではないが、例えば、[A]化合物において、スルホネート基の近傍の炭素原子に特定範囲の個数のフッ素原子が結合していることと、[B]重合体がフェノール性水酸基を有していることとの相乗効果により、[A]化合物から発生する酸のレジスト膜中における酸拡散長が十分に短くなること等が考えられる。また、上記酸の酸拡散長が十分短くなることで、パターン形成の精度が高まり、結果として、当該フォトレジスト組成物の焦点深度が広くなると考えられる。上記R1は、炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基であることが好ましい。[A]化合物におけるR1が、上記特定の基であることで、[A]化合物から発生する酸の嵩高さが増し、レジスト膜中における酸拡散長がさらに短くなると考えられる。その結果、当該フォトレジスト組成物によれば、ナノエッジラフネスがより低減され、かつ焦点深度がより向上する。上記Mは、下記式i-1で表されるカチオン及び下記式ii-1で表されるカチオンからなる群より選ばれる少なくとも1種のカチオンであることが好ましい。式i-1中、g1、g2及びg3は、それぞれ独立して、0~2の整数である。但し、g1、g2及びg3のうちの少なくとも1つは1又は2である。RA1、RA2及びRA3は、それぞれ独立して、1価の有機基、ヒドロキシル基又はハロゲン原子である。a、b及びcは、それぞれ独立して、0~9の整数である。但し、RA1、RA2及びRA3がそれぞれ複数の場合、複数のRA1、RA2及びRA3はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。式ii-1中、h1及びh2は、それぞれ独立して、0~2の整数である。但し、h1及びh2のうちの少なくとも1つは1又は2である。RB1及びRB2は、それぞれ独立して、1価の有機基、ヒドロキシル基又はハロゲン原子である。d及びeは、それぞれ独立して、0~9の整数である。但し、RB1及びRB2がそれぞれ複数の場合、複数のRB1及びRB2はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。[A]化合物におけるカチオンが、ナフタレン環及びアントラセン環からなる群より選ばれる少なくとも1種の芳香環を有すると、この芳香環により露光光が吸収されるので、レジスト膜中に発生する定在波が低減される。その結果、当該フォトレジスト組成物によれば、ナノエッジラフネスがさらに低減され、かつ焦点深度がさらに向上する。[B]重合体は、下記式2-2で表される構造単位IIをさらに有することが好ましい。式2-2中、R’は、水素原子又はメチル基である。Rbは、酸解離性基を含まない1価の有機基である。rは、0~3の整数である。Rcは、1価の酸解離性基である。sは、1~3の整数である。但し、Rb及びRcがそれぞれ複数の場合、複数のRb及びRcはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。また、rs≦5の条件満たす。[B]重合体が上記構造単位IIをさらに有することで、当該フォトレジスト組成物は、ポジ型のレジストパターン形成能を向上させることができる。以上説明したように、本発明は、ナノエッジラフネスを低減することができ、かつ焦点深度に優れるフォトレジスト組成物を提供することができる。<フォトレジスト組成物>当該フォトレジスト組成物は、[A]化合物及び[B]重合体を含有する。また、当該フォトレジスト組成物は、好適成分として、[C]他の感放射線性化合物以下、[C]化合物ともいう及び[D]酸拡散制御剤を含有してもよい。さらに、当該フォトレジスト組成物は、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の任意成分を含有してもよい。当該フォトレジスト組成物は、ポジ型のフォトレジスト組成物としても、ネガ型のフォトレジスト組成物としても用いることができる。ポジ型のフォトレジスト組成物とする場合には、[B]重合体が酸解離性基を含む構造単位を有することが好ましい。当該フォトレジスト組成物は、[B]重合体が酸解離性基を含む構造単位を有すると、[A]化合物等から発生する酸により、露光部における酸解離性基が解離して極性基を生じ、現像液に可溶となり、ポジ型のレジストパターンを効果的に形成することができる。ここで、酸解離性基とは、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基等の極性基の水素原子を置換する基であって、酸の存在下で解離する基をいう。一方、ネガ型のフォトレジスト組成物とする場合には、当該フォトレジスト組成物は、後述する[E]架橋剤をさらに含有することが好ましい。当該フォトレジスト組成物が[E]架橋剤を含有することで、[A]化合物等から発生する酸により、露光部において、フェノール構造を有する[B]重合体の架橋反応が進行し、現像液に不溶又は難溶となって残存し、ネガ型のレジストパターンを効果的に形成することができる。以下、各成分について説明する。<[A]化合物>[A]化合物は、上記式1で表される化合物である。[A]化合物は、露光光の照射により、下記式1’で表される化合物を発生する。この下記式1’で表される化合物は、スルホネート基の近傍の炭素原子に特定範囲の個数のフッ素原子が結合していることで、酸拡散長が短くなると考えられる。上記式1及び式1’中、R1は、炭素数1~20のアルキル基、炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基、炭素数6~15のアリール基又は炭素数4~15のヘテロアリール基である。上記アルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基及びヘテロアリール基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。R2は、2価の連結基である。Rfは、フッ素原子又は炭素数1~30のフッ素化アルキル基である。n1及びn2は、それぞれ独立して、0又は1である。上記式1中、Mは、1価のカチオンである。上記R1で表される炭素数1~20のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、2-2-メチルプロピル基、1-ペンチル基、2-ペンチル基、3-ペンチル基、1-2-メチルブチル基、1-3-メチルブチル基、2-2-メチルブチル基、2-3-メチルブチル基、ネオペンチル基、1-ヘキシル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基、1-2-メチルペンチル基、1-3-メチルペンチル基、1-4-メチルペンチル基、2-2-メチルペンチル基、2-3-メチルペンチル基、2-4-メチルペンチル基、3-2-メチルペンチル基、3-3-メチルペンチル基等が挙げられる。上記R1で表される炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等の単環式炭化水素基;2-ノルボルニル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基等の多環式炭化水素基等が挙げられる。上記R1で表される炭素数6~15のアリール基としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、ナフチル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、アントラニル基等が挙げられる。上記R1で表される炭素数4~15のヘテロアリール基としては、例えば、フリル基、ピラニル基、イソベンゾフラニル基等の酸素含有複素環基;ピローリル基、イミダゾリル基、ピラゾール基、ピリジル基、インドーリル基、キノリニル基、カルバゾリル基等の窒素含有複素環基;チエニル基、チアントレニル基等の硫黄含有複素環基;イソオキサゾリル基、フェノキサジニル基等の酸素-窒素含有複素環基;イソチアゾリル基、フェノチアジニル基等の窒素-硫黄含有複素環基;フェノキサチイニル基等の酸素-硫黄含有複素環基等が挙げられる。上記アルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基及びヘテロアリール基が有してもよい置換基としては、例えば、シアノ基、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等、フェニル基、ヒドロキシル基、アシロキシ基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基等が挙げられる。また、上記置換基としては、同一炭素原子に結合する2個の水素原子を置換しカルボニル基を形成する酸素原子=Oであってもよい。上記R1としては、炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基が好ましく、シクロヘキシル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基がより好ましく、シクロヘキシル基、1-アダマンチル基がさらに好ましい。上記R2で表される2価の連結基としては、例えば、エーテル基、エステル基、カルボニル基、炭素数1~30の2価の鎖状炭化水素基、炭素数3~30の2価の脂環式炭化水素基及び炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基からなる群より選ばれる少なくとも1種又は2種以上の基を組合わせた基等が挙げられる。上記2価の鎖状炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、1,2-プロピレン基、1,3-プロピレン基、1,4-ブチレン基等が挙げられる。上記脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、ノルボルナンジイル基、アダマンタンジイル基等が挙げられる。上記芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニレン基、メチルフェニレン基、ナフチレン基等が挙げられる。上記R2としては、炭素数1~30の2価の鎖状炭化水素基、炭素数3~30の2価の脂環式炭化水素基、炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基が好ましく、炭素数1~10の2価の鎖状炭化水素基がより好ましく、エチレン基がさらに好ましい。上記Rfで表される炭素数1~30のフッ素化アルキル基としては、例えば、少なくとも1以上のフッ素原子で置換された炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、少なくとも1以上のフッ素原子で置換された炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基若しくはそれから誘導される基等が挙げられる。上記少なくとも1以上のフッ素原子で置換された炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、2-2-メチルプロピル基、1-ペンチル基、2-ペンチル基、3-ペンチル基、1-2-メチルブチル基、1-3-メチルブチル基、2-2-メチルブチル基、2-3-メチルブチル基、ネオペンチル基、1-ヘキシル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基、1-2-メチルペンチル基、1-3-メチルペンチル基、1-4-メチルペンチル基、2-2-メチルペンチル基、2-3-メチルペンチル基、2-4-メチルペンチル基、3-2-メチルペンチル基、3-3-メチルペンチル基等の部分フッ素化アルキル基又はパーフルオロアルキル基等が挙げられる。上記少なくとも1以上のフッ素原子で置換された炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基若しくはそれから誘導される基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、1-1-シクロペンチルエチル基、1-2-シクロペンチルエチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、1-1-シクロヘキシルエチル基、1-2-シクロヘキシルエチル基、シクロヘプチル基、シクロヘプチルメチル基、1-1-シクロヘプチルエチル基、1-2-シクロヘプチルエチル基、2-ノルボルニル基等の部分フッ素化脂環式炭化水素基又はパーフルオロ脂環式炭化水素基等が挙げられる。上記Rfとしては、フッ素原子又はトリフルオロメチル基が好ましい。上記n1としては、1が好ましい。上記n2としては、1が好ましい。上記Mで表される1価のカチオンとしては、例えば、O、S、Se、N、P、As、Sb、Cl、Br、I等の原子を有するオニウムカチオン等が挙げられる。これらの中でも、S原子を有するオニウムカチオンスルホニウムカチオン、I原子を有するオニウムカチオンヨードニウムカチオンが好ましい。Mで表される1価のカチオンが、スルホニウムカチオンである場合の[A]化合物としては、例えば、下記式1-1で表されるスルホニウム塩等が挙げられる。上記式1-1中、R1、R2、Rf、n1及びn2は、上記式1と同義である。R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基、炭素数6~18のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基である。但し、これらの基が有する水素原子の一部又は全部は、1価の有機基、ヒドロキシル基又はハロゲン原子で置換されていてもよい。また、R3、R4及びR5のいずれか2以上が互いに結合して、それらが結合している硫黄原子と共に環構造を形成してもよい。上記スルホニウムカチオンとしては、例えば、上記式i-1で表されるスルホニウムカチオン、下記式i-2で表されるスルホニウムカチオン等が挙げられる。[A]化合物におけるカチオンが、ナフタレン環及びアントラセン環からなる群より選ばれる少なくとも1種の芳香環を有すると、この芳香環により露光光が吸収されるので、レジスト膜中に発生する定在波が低減される。その結果、当該フォトレジスト組成物によれば、ナノエッジラフネスがより低減され、かつ焦点深度がより向上する。上記式i-1中、g1、g2及びg3は、それぞれ独立して、0~2の整数である。但し、g1、g2及びg3のうちの少なくとも1つは1又は2である。RA1、RA2及びRA3は、それぞれ独立して、1価の有機基、ヒドロキシル基又はハロゲン原子である。a、b及びcは、それぞれ独立して、0~9の整数である。但し、RA1、RA2及びRA3がそれぞれ複数の場合、複数のRA1、RA2及びRA3はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。上記式i-2中、RA4及びRA5は、それぞれ独立して、1価の有機基、ヒドロキシル基又はハロゲン原子である。a’は、0~9の整数である。b’は、0~5の整数である。但し、RA4及びRA5がそれぞれ複数の場合、複数のRA4及びRA5はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。mは、0~3の整数である。上記RA1~RA5で表される1価の有機基としては、例えばアルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、等が挙げられ、又はこれらの基と、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カーボネート基、アミド基、ウレア基、カーバメート基からなる群より選ばれる少なくとも1種の基とを組み合せた基等が挙げられる。上記RA1~RA5で表されるハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。上記式i-1及び式i-2で表されるカチオンとしては、例えば、下記式i-1~i-84で表されるカチオン等が挙げられる。これらの中で、入手容易性の観点からは、上記式i-1、式i-2、式i-6、式i-8、式i-13、式i-19、式i-25、式i-27、式i-29、式i-33、式i-51、式i-54及び式i-65で表されるスルホニウムカチオンが好ましく、上記式i-1で表されるスルホニウムカチオンがより好ましい。また、露光時のレジスト膜中の定在波を低減する観点からは、上記式i-54~i-57及び式i-66~i-84で表されるスルホニウムカチオンが好ましく、また、ナフタレン環又はアントラセン環を2個以上有し、当該フォトレジスト組成物におけるナノエッジラフネスがさらに低減されかつ焦点深度がさらに向上することから、上記式i-66、i-68~i-73及びi-75~i-77で表されるスルホニウムカチオンがより好ましく、上記式i-66及び式i-68で表されるスルホニウムカチオンがさらに好ましく、上記式i-66で表されるスルホニウムカチオンが特に好ましい。Mで表される1価のカチオンがヨードニウムカチオンである場合の[A]化合物としては、例えば、下記式1-2で表されるヨードニウム塩等が挙げられる。上記式1-2中、R1、R2、Rf、n1及びn2は、上記式1と同義である。R6及びR7は、上記式1-1中のR3及びR4とそれぞれ同義である。ヨードニウムカチオンとしては、上記式ii-1で表されるヨードニウムカチオンが好ましい。上記式ii-1で表されるヨードニウムカチオンは、上記式i-1及びi-2で表されるスルホニウムカチオンの場合と同様に、ナフタレン環及びアントラセン環からなる群より選ばれる少なくとも1種の芳香環を有するので、この芳香環により露光光が吸収され、レジスト膜中に発生する定在波が低減される。その結果、当該フォトレジスト組成物によれば、ナノエッジラフネスがより低減され、かつ焦点深度がより向上する。上記式i-2中、h1及びh2は、それぞれ独立して、0~2の整数である。但し、h1及びh2のうちの少なくとも1つは1又は2である。RB1及びRB2は、それぞれ独立して、1価の有機基、ヒドロキシル基又はハロゲン原子である。d及びeは、それぞれ独立して、0~9の整数である。但し、RB1及びRB2がそれぞれ複数の場合、複数のRB1及びRB2はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。上記RB1及びRB2で表される1価の有機基及びハロゲン原子としては、例えば、上記RA1~RA5として例示したそれぞれの基と同様の基等が挙げられる。上記式i-2で表されるヨードニウムカチオンとしては、例えば、下記式ii-1~ii-45で表されるヨードニウムカチオン等が挙げられる。これらの中で、入手容易性の観点からは、上記式ii-1及び式ii-2で表されるヨードニウムカチオンが好ましい。また、露光時のレジスト膜中の定在波を低減する観点からは、上記式ii-36、ii-37、式ii-40~ii-45で表されるヨードニウムカチオンが好ましく、ナフタレン環又はアントラセン環を2個以上有し、当該フォトレジスト組成物において、ナノエッジラフネスがより低減され、かつ焦点深度がより向上することから、ii-36、ii-37、ii-41及びii-43~ii-45で表されるヨードニウムカチオンがより好ましく、ii-36、ii-37、ii-41及びii-44で表されるヨードニウムカチオンがさらに好ましい。[A]化合物の含有量としては、後述する[B]重合体100質量部に対して、通常0.1質量部~20質量部であり、0.1質量部~15質量部が好ましく、0.2質量部~10質量部がより好ましい。[A]化合物の含有量が0.1質量部未満では、当該フォトレジスト組成物の感度が低くなるおそれがある。一方、20質量部を超えると、露光光に対する透明性、パターン形成性、耐熱性等が低下する場合がある。[A]化合物は単独又は2種以上を混合して使用することができる。<[A]化合物の合成方法>[A]化合物は、例えば、下記式1-0で表される化合物を原料として用いて合成することができる。上記式1-0中、R2、Rf、n2及びMは、上記式1と同義である。上記式1-0で表される化合物のうち、n2が1の化合物は、例えばJournalofFluorineChemistry,1292008,607に記載の方法により合成することができる。n2が0の化合物は、例えば下記式1-0’で表される化合物を原料として、JournalofFluorineChemistry,1292008,607に記載の方法により合成することができる。上記式1-0’中、R2及びRfは、上記式1と同義である。Rαは、1価の有機基である。上記式1-0で表される化合物について、例えば、下記反応をさせることによって式1で表される化合物を得ることができる。上記反応式中、R1、R2、Rf、n2及びMは、上記式1と同義である。X1は、水酸基、ハロゲン原子又はO-CO-R1である。X2は、ハロゲン原子である。<[B]重合体>[B]重合体は、上記式2-1で表される構造単位Iを有する重合体である。当該フォトレジスト組成物は、[A]化合物から発生する酸の作用により、露光部における[B]重合体の現像液に対する溶解性が変化することで、レジストパターンを形成することができる。[B]重合体は、構造単位I以外にも、構造単位II~V等を有していてもよい。なお、[B]重合体は、これらの各構造単位を1種又は2種以上有していてもよい。[構造単位I]構造単位Iは、上記式2-1で表される構造単位である。[B]重合体が構造単位Iを有することで、ポジ型のフォトレジスト組成物においては、現像液に対する溶解性を調整することにより、ネガ型のフォトレジスト組成物においては、露光部における架橋反応を効率的に進行させることにより、当該フォトレジスト組成物は優れた解像性を発揮することができ、また、レジストパターンの基板への密着性を向上させることができる。また、上記[A]化合物から発生する酸は、[B]重合体の構造単位Iの存在により、レジスト膜中における酸拡散長が十分に短くなると考えられ、結果として、当該フォトレジスト組成物によれば、ナノエッジラフネスを低減することができ、かつ焦点深度を優れたものにすることができると推察される。上記式2-1中、Rは、水素原子又はメチル基である。Raは、1価の有機基である。pは、0~3の整数である。Raが複数の場合、複数のRaは同一でも異なっていてもよい。qは、1~3の整数である。但し、p及びqは、pq≦5の条件を満たす。上記Rとしては、水素原子が好ましい。上記Raで表される1価の有機基としては、例えば、炭素数1~12の1価の鎖状炭化水素基、炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基、炭素数6~20の1価の芳香族炭化水素基、1価の酸素原子含有有機基、1価の窒素原子含有有機基等が挙げられる。上記1価の鎖状炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-デシル基等が挙げられる。上記1価の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。上記1価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、2,4-キシリル基、2,6-キシリル基、3,5-キシリル基、メシチル基、o-クメニル基、m-クメニル基、p-クメニル基、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基等が挙げられる。上記1価の酸素原子含有有機基としては、例えば、カルボキシル基;ヒドロキシメチル基、1-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキシエチル基、1-ヒドロキシプロピル基、2-ヒドロキシプロピル基、3-ヒドロキシプロピル基、1-ヒドロキシブチル基、2-ヒドロキシブチル基、3-ヒドロキシブチル基、4-ヒドロキシブチル基等の炭素数1~8の直鎖状又は分岐状のヒドロキシアルキル基;3-ヒドロキシシクロペンチル基、4-ヒドロキシシクロヘキシル基等の炭素数3~8のヒドロキシシクロアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基等の炭素数1~8の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基;シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等のシクロアルキルオキシ基;メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n-プロポキシカルボニルオキシ基、n-ブトキシカルボニルオキシ基等の炭素数2~9の直鎖状のアルコキシカルボニルオキシ基;1-メトキシエトキシメチル基、1-エトキシエトキシメチル基、1-n-プロポキシエトキシメチル基、1-n-ブトキシエトキシメチル基、1-メトキシプロポキシメチル基、1-エトキシプロポキシメチル基等の炭素数3~11の直鎖状又は分岐状の1-アルコキシアルコキシアルキル基;1-シクロペンチルオキシエトキシメチル基、1-シクロヘキシルオキシエトキシメチル基等の炭素数5~11の1-シクロアルキルオキシアルコキシアルキル基;メトキシカルボニルオキシメチル基、エトキシカルボニルオキシメチル基、n-プロポキシカルボニルオキシメチル基、i-プロポキシカルボニルオキシメチル基、n-ブトキシカルボニルオキシメチル基、t-ブトキシカルボニルオキシメチル基等の炭素数3~10の直鎖状又は分岐状のアルコキシカルボニルオキシアルキル基;シクロペンチルオキシカルボニルオキシメチル基、シクロヘキシルオキカルボニルオキシメチル基等の炭素数5~10のシクロアルキルオキシカルボニルオキシアルキル基等が挙げられる。上記1価の窒素原子含有有機基としては、例えば、シアノ基;シアノメチル基、1-シアノエチル基、2-シアノエチル基、1-シアノプロピル基、2-シアノプロピル基、3-シアノプロピル基、1-シアノブチル基、2-シアノブチル基、3-シアノブチル基、4-シアノブチル基等の炭素数2~9の直鎖状又は分岐状のシアノアルキル基;3-シアノシクロペンチル基、4-シアノシクロヘキシル基等の炭素数4~9のシアノシクロアルキル基等が挙げられる。Raとしては、これらの中で、パターンの矩形性向上の観点から、1価の鎖状炭化水素基が好ましく、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基が好ましい。上記pとしては、0~2が好ましく、0又は1がより好ましく、0がさらに好ましい。上記qとしては、1又は2が好ましく、1がより好ましい。上記構造単位Iを与える単量体としては、例えば、2-ヒドロキシスチレン、3-ヒドロキシスチレン、4-ヒドロキシスチレン、2-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、3-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、4-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、2-メチル-3-ヒドロキシスチレン、4-メチル-3-ヒドロキシスチレン、5-メチル-3-ヒドロキシスチレン、2-メチル-4-ヒドロキシスチレン、3-メチル-4-ヒドロキシスチレン、3,4-ジヒドロキシスチレン、2,4,6-トリヒドロキシスチレン等が挙げられる。これらの中で、得られる構造単位Iのフェノール性水酸基の酸性度の観点から、4-ヒドロキシスチレン、4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンが好ましく、4-ヒドロキシスチレンがさらに好ましい。上記構造単位Iの含有割合としては、[B]重合体を構成する全構造単位に対して50~90モルが好ましく、60~85モルがより好ましく、65~80モルがさらに好ましい。構造単位Iの含有割合が50モル未満だと、レジストパターンの基板への密着性が低下するおそれがある。また、ネガ型のフォトレジスト組成物の場合には、パターン形成性が低下するおそれがある。逆に、含有割合が90モルを超えると、現像後のコントラストが低下するおそれがある。[構造単位II]構造単位IIは、上記式2-2で表される構造単位である。当該フォトレジスト組成物がポジ型の場合は、[B]重合体は、酸解離性基を含む構造単位としての構造単位IIをさらに有することが好ましい。当該フォトレジスト組成物は、[B]重合体が構造単位IIを有することで、ナノエッジラフネスを低減することができ、かつ優れた焦点深度を発揮しつつ、ポジ型のレジストパターンを形成することができる。上記式2-2中、R’は、水素原子又はメチル基である。Rbは、酸解離性基を含まない1価の有機基である。rは、0~3の整数である。Rcは、1価の酸解離性基である。sは、1~3の整数である。Rb及びRcがそれぞれ複数の場合、複数のRb及びRcはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、r及びsは、rs≦5の条件を満たす。上記R’としては、水素原子が好ましい。上記Rbで表される酸解離性基を含まない1価の有機基の例としては、例えば上記式2-1のRaで表される1価の有機基において、鎖状炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、1価の酸素原子含有有機基のうちのカルボキシル基、ヒドロキシアルキル基、ヒドロキシシクロアルキル基、アルコキシ基及びシクロアルキルオキシ基、並びに1価の窒素原子含有有機基について例示したものと同様の基等が挙げられる。上記Rcで表される1価の酸解離性基としては、例えば、置換メチル基、1-置換エチル基、1-分岐アルキル基、トリオルガノシリル基、トリオルガノゲルミル基、アルコキシカルボニル基、アシル基、1価の環式酸解離性基等が挙げられる。上記置換メチル基としては、例えば、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル基、エチルチオメチル基、メトキシエトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ベンジルチオメチル基、フェナシル基、ブロモフェナシル基、メトキシフェナシル基、メチルチオフェナシル基、α-メチルフェナシル基、シクロプロピルメチル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基、ブロモベンジル基、ニトロベンジル基、メトキシベンジル基、メチルチオベンジル基、エトキシベンジル基、エチルチオベンジル基、ピペロニル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、n-プロポキシカルボニルメチル基、i-プロポキシカルボニルメチル基、n-ブトキシカルボニルメチル基、t-ブトキシカルボニルメチル基等が挙げられる。上記1-置換エチル基としては、例えば、1-メトキシエチル基、1-メチルチオエチル基、1,1-ジメトキシエチル基、1-エトキシエチル基、1-エチルチオエチル基、1,1-ジエトキシエチル基、1-プロポキシエチル基、1-シクロヘキシルオキシエチル基、1-フェノキシエチル基、1-フェニルチオエチル基、1,1-ジフェノキシエチル基、1-ベンジルオキシエチル基、1-ベンジルチオエチル基、1-シクロプロピルエチル基、1-フェニルエチル基、1,1-ジフェニルエチル基、1-メトキシカルボニルエチル基、1-エトキシカルボニルエチル基、1-n-プロポキシカルボニルエチル基、1-イソプロポキシカルボニルエチル基、1-n-ブトキシカルボニルエチル基、1-t-ブトキシカルボニルエチル基等が挙げられる。上記1-分岐アルキル基としては、例えば、i-プロピル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、1,1-ジメチルプロピル基、1-メチルブチル基、1,1-ジメチルブチル基等が挙げられる。上記トリオルガノシリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、ジエチルメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジメチルi-プロピルシリル基、メチルジ-i-プロピルシリル基、トリ-i-プロピルシリル基、t-ブチルジメチルシリル基、ジ-t-ブチルメチルシリル基、トリ-t-ブチルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、メチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。上記トリオルガノゲルミル基としては、例えば、トリメチルゲルミル基、エチルジメチルゲルミル基、ジエチルメチルゲルミル基、トリエチルゲルミル基、ジメチルi-プロピルゲルミル基、メチルジ-i-プロピルゲルミル基、トリ-i-プロピルゲルミル基、t-ブチルジメチルゲルミル基、ジ-t-ブチルメチルゲルミル基、トリ-t-ブチルゲルミル基、ジメチルフェニルゲルミル基、メチルジフェニルゲルミル基、トリフェニルゲルミル基等が挙げられる。上記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基等が挙げられる。上記アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリル基、ラウロイル基、ミリストイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペロイル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル基、アクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイル基、クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、フマロイル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベンゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基等が挙げられる。上記1価の環式酸解離性基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、4-メトキシシクロヘキシル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、3-ブロモテトラヒドロピラニル基、4-メトキシテトラヒドロピラニル基、4-メトキシテトラヒドロチオピラニル基、3-テトラヒドロチオフェン-1,1-ジオキシド基等が挙げられる。これらの中でも、t-ブチル基、ベンジル基、1-メトキシエチル基、1-エトキシエチル基、トリメチルシリル基、t-ブトキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニルメチル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基が好ましく、t-ブチル基がさらに好ましい。上記構造単位IIを与える単量体としては、例えば、4-t-ブトキシスチレン、4-t-ブトキシ-α-メチルスチレン、4-2-エチル-2-プロポキシスチレン、4-2-エチル-2-プロポキシ-α-メチルスチレン、4-1-エトキシエトキシスチレン、4-1-エトキシエトキシ-α-メチルスチレン、アセトキシスチレン等が挙げられる。これらの中で、4-t-ブトキシスチレンが好ましい。上記構造単位IIの含有割合としては、ポジ型のフォトレジスト組成物の場合、[B]重合体を構成する全構造単位に対して、1~50モルが好ましく、5~40モルがより好ましく、10~30モルがさらに好ましい。構造単位IIの含有割合が1モル未満だと、解像度が低下するおそれがある。逆に、含有割合が50モルを超えると、レジストパターンの基板への密着性が低下するおそれがある。[構造単位III]構造単位IIIは、下記式2-3で表される構造単位である。[B]重合体が構造単位IIIを有することで、当該フォトレジスト組成物は、ナノエッジラフネスを低減することができ、かつ焦点深度を向上させることができる。上記式2-3中、R’’は、水素原子又はメチル基である。Rdは、1価の炭化水素基又は酸解離性基を含まない1価のオキシ炭化水素基である。tは、0~3の整数である。Rdが複数の場合、複数のRdは同一でも異なっていてもよい。上記R’’としては、水素原子が好ましい。上記Rdで表される1価の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、t-ブチル基等のアルキル基基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基;フェニル基、ナフチル基、ベンジル基等の芳香族炭化水素基等が挙げられる。上記Rdで表される酸解離性基を含まない1価のオキシ炭化水素基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基等の1級又は2級のアルコキシ基;シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等のシクロアルキルオキシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基等のオキシ芳香族炭化水素基等が挙げられる。上記Rdとしては、これらの中で、アルキル基、アルコキシ基が好ましく、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基がより好ましく、メチル基、メトキシ基がさらに好ましく、メチル基が特に好ましい。上記tとしては、0~2が好ましく、0又は1がより好ましく、0がさらに好ましい。上記構造単位IIIを与える単量体としては、例えば、スチレン、α-メチルスチレン、2-メチルスチレン、3-メチルスチレン、4-メチルスチレン、2-メトキシスチレン、3-メトキシスチレン、4-メトキシスチレン等が挙げられる。これらの中で、スチレンが好ましい。上記構造単位IIIの含有割合としては、ポジ型のフォトレジスト組成物の場合には、[B]重合体を構成する全構造単位に対して、20モル以下が好ましく、1~10モルがより好ましく、2~8モルがさらに好ましい。構造単位IIの含有割合が20モルを超えると、レジスト膜の現像性が低下するおそれがある。また、ネガ型のフォトレジスト組成物の場合には、[B]重合体を構成する全構造単位に対して、0~50モルが好ましく、10~40モルがより好ましく、20~35モルがさらに好ましい。構造単位IIIの含有割合が50モルを超えると、パターン形成性が低下するおそれがある。[構造単位IV]構造単位IVは、下記式2-4で表される構造単位である。当該フォトレジスト組成物がポジ型である場合、[B]重合体は、酸解離性基を含む構造単位として、構造単位IVを有していてもよい。上記式2-4中、RAは、水素原子又はメチル基である。Reは、酸解離性基である。上記RAとしては、水素原子が好ましい。上記Reで表される1価の酸解離性基としては、例えば、t-ブチル基、1-メチルシクロペンチル基、1-エチルシクロペンチル基、2-メチルアダマンチル基、2-エチルアダマンチル基等が挙げられる。上記構造単位IVを与える単量体としては、例えば、メタアクリル酸t-ブチル、メタアクリル酸1-メチルシクロペンチル、メタアクリル酸1-エチルシクロペンチル、メタアクリル酸2-メチルアダマンチル、メタアクリル酸2-エチルアダマンチル等が挙げられる。上記構造単位IVの含有割合としては、ポジ型のフォトレジスト組成物の場合、[B]重合体を構成する全構造単位に対して、10~40モルが好ましく、10~30モルがさらに好ましい。構造単位IVの含有割合が10モル未満だと、解像度が低下する場合がある。逆に、含有割合が40モルを超えると、ドライエッチング耐性が不十分となる場合がある。また[B]重合体は、構造単位IVのうち、分子鎖間で2価の酸解離性基を介する架橋構造を形成する下記式2-4-aで表される構造単位IV-aを有することが好ましい。[B]重合体が構造単位IV-aを有することで、レジスト膜の現像において、極性基の生成と共に、[B]重合体の分子量が低下するため、ポジ型のフォトレジスト組成物の場合、コントラストを向上させることができる。上記式2-4-a中、RB及びRB’は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基である。RCは、2価の酸解離性基である。上記RB及びRB’としては、水素原子が好ましい。上記RCで表される2価の酸解離性基としては、例えば、1,1,3,3-テトラメチルプロパンジイル基、1,1,4,4-テトラメチルブタンジイル基、1,1,5,5-テトラメチルペンタンジイル基等が挙げられる。これらの中で、1,1,4,4-テトラメチルブタンジイル基が好ましい。上記構造単位IV-aを与える単量体としては、例えば、2,4-ジメチルペンタン-2,4-ジアクリレート、2,5-ジメチルヘキサン-2,5-ジアクリレート、2,6-ジメチルヘプタン-2,6-ジアクリレート等が挙げられる。これらの中で、2,5-ジメチルヘキサン-2,5-ジアクリレートがより好ましい。上記構造単位IV-aの含有割合としては、ポジ型のフォトレジスト組成物の場合、[B]重合体を構成する全構造単位に対して、10モル以下が好ましく、1~5モルがさらに好ましい。構造単位IV-aの含有割合が10モルを超えると、当該フォトレジスト組成物のパターン形成性が低下する場合がある。[構造単位V]構造単位Vは、下記単量体に由来する構造単位である。[B]重合体は、上記構造単位I~IV以外にも、構造単位Vを有していてもよい。[B]重合体が構造単位Vを有することにより、当該フォトレジスト組成物は、ナノエッジラフネスをさらに低減することができ、かつ焦点深度をさらに向上させることができる。構造単位Vを与える単量体としては、例えば、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸n-プロピル、メタアクリル酸i-プロピル、メタアクリル酸n-ブチル、メタアクリル酸2-メチルプロピル、メタアクリル酸1-メチルプロピル、メタアクリル酸n-ペンチル、メタアクリル酸ネオペンチル、メタアクリル酸n-ヘキシル、メタアクリル酸2-エチルヘキシル、メタアクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸2-ヒドロキシ-n-プロピル、メタアクリル酸3-ヒドロキシ-n-プロピル、メタアクリル酸フェニル、メタアクリル酸ベンジル、メタアクリル酸1-メチル-2-アダマンチル、メタアクリル酸1-エチル-2-アダマンチル、メタアクリル酸8-メチル-8-トリシクロデシル、メタアクリル酸8-エチル-8-トリシクロデシル、メタアクリル酸3-メチル-3-テトラシクロドデセニル、メタアクリル酸3-エチル-3-テトラシクロドデセニル、2,5-ジメチルヘキサン-2,5-ジメタアクリレート等のメタアクリル酸エステル類;メタアクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、けい皮酸等の不飽和カルボン酸無水物類;メタアクリル酸2-カルボキシエチル、メタアクリル酸2-カルボキシ-n-プロピル、メタアクリル酸3-カルボキシ-n-プロピル等の不飽和カルボン酸のカルボキシアルキルエステル類;メタアクリロニトリル、α-クロロアクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル等の不飽和ニトリル化合物;メタアクリルアミド、N,N-ジメチルメタアクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド等の不飽和アミド化合物;マレイミド、N-フェニルマレイミド、N-シクロヘキシルマレイミド等の不飽和イミド化合物;N-ビニル-ε-カプロラクタム、N-ビニルピロリドン、2-ビニルピリジン、3-ビニルピリジン、4-ビニルピリジン、2-ビニルイミダゾール、4-ビニルイミダゾール等の含窒素ビニル化合物等が挙げられる。これらの単量体の中でも、当該フォトレジスト組成物がナノエッジラフネスをより低減でき、かつ焦点深度がより向上する観点から、不飽和アミド化合物が好ましく、N,N-ジメチルメタアクリルアミドがより好ましい。上記構造単位Vの含有割合としては、[B]重合体を構成する全構造単位に対して、通常、25モル以下であり、15モル以下が好ましい。構造単位Vの含有割合が25モルを超えると、解像度が低下する場合がある。[B]重合体としては、例えば、4-ヒドロキシスチレン/4-t-ブトキシスチレン共重合体、4-ヒドロキシスチレン/4-t-ブトキシスチレン/アクリル酸1-メチルシクロペンチル共重合体、4-ヒドロキシスチレン/4-t-ブトキシスチレン/アクリル酸1-エチルシクロペンチル共重合体、4-ヒドロキシスチレン/4-t-ブトキシスチレン/スチレン共重合体、4-ヒドロキシスチレン/アクリル酸t-ブチル/スチレン共重合体、4-ヒドロキシスチレン/アクリル酸1-メチルシクロペンチル/スチレン共重合体、4-ヒドロキシスチレン/アクリル酸1-エチルシクロペンチル/スチレン共重合体、4-ヒドロキシスチレン/4-t-ブトキシスチレン/2,5-ジメチルヘキサン-2,5-ジアクリレート共重合体、4-ヒドロキシスチレン/アクリル酸2-エチルアダマンチル/スチレン共重合体、4-ヒドロキシスチレン/アクリル酸2-エチルアダマンチル共重合体、4-ヒドロキシスチレン/4―1-エトキシエトキシスチレン/4-tert-ブトキシスチレン共重合体、4-ヒドロキシスチレン/4―1-エトキシエトキシスチレン共重合体、4-ヒドロキシスチレン/4―1-エトキシエトキシスチレン/スチレン共重合体、4-ヒドロキシスチレン/4-t-ブトキシスチレン/N,N-ジメチルアクリルアミド共重合体等が挙げられる。これらの中で、4-ヒドロキシスチレン/4-t-ブトキシスチレン/スチレン共重合体、4-ヒドロキシスチレン/4-t-ブトキシスチレン/2,5-ジメチルヘキサン-2,5-ジアクリレート共重合体、4-ヒドロキシスチレン/4-t-ブトキシスチレン/N,N-ジメチルアクリルアミド共重合体が好ましい。<[B]重合体の合成方法>[B]重合体を合成する方法は特に制限されず、従来公知の方法を用いることができる。例えば、i置換又は非置換ヒドロキシスチレンのフェノール性水酸基を保護基で保護した単量体、例えば、ブトキシカルボニルオキシスチレン、ブトキシスチレン、アセトキスチレン、テトラヒドロピラニルオキシスチレン等と、構造単位I以外の構造単位を与える単量体とを共に付加重合させた後、酸触媒又は塩基性触媒を作用させることにより、保護基を加水分解して脱離させる方法;ii置換又は非置換ヒドロキシスチレンと、構造単位I以外の構造単位を与える単量体とを共に付加重合させる方法等が挙げられる。これらの中で、[B]重合体を効率良く合成できる観点から、iの方法が好ましい。上記付加重合としては、例えば、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合、熱重合等が挙げられる。上記iの方法において加水分解反応に使用される酸触媒としては、例えば、塩酸、硫酸等の無機酸が挙げられる。また、塩基性触媒としては、例えば、トリアルキルアミン等の有機塩基、水酸化ナトリウム等の無機塩基等が挙げられる。[B]重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量Mwは特に限定されないが、1,000~150,000が好ましく、3,000~100,000がさらに好ましい。また、[B]重合体のMwとGPCによるポリスチレン換算数平均分子量Mnとの比Mw/Mnは、通常、1~5であり、好ましくは1~3である。なお、本明細書における重合体のMw及びMnは、以下の条件によるGPCにより測定した値である。GPCカラム:G2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本東ソー製溶出溶媒:テトラヒドロフラン流量:1.0mL/分カラム温度:40°C標準物質:単分散ポリスチレン当該フォトレジスト組成物における[B]重合体の含有量としては、全固形分に対して、通常、70質量以上であり、80質量が好ましい。[B]重合体は、1種又は2種以上を用いることができる。<[C]感放射線性化合物>当該フォトレジスト組成物は、酸発生剤として上記[A]化合物を含有しているので、必ずしも必要ではないが、[C]化合物を含有してもよい。[C]化合物は、露光光の照射により酸を発生する化合物のうち、[A]化合物以外の化合物である。[C]化合物としては、酸発生効率、耐熱性等が良好であるという観点から、例えば、オニウム塩、ジアゾメタン化合物、N-スルホニルオキシイミド化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、ジスルホニルメタン化合物、オキシムスルホネート化合物、ヒドラジンスルホネート化合物等が挙げられる。当該フォトレジスト組成物は、[C]化合物を1種又は2種以上含有することができる。上記オニウム塩としては、例えば、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等が挙げられる。上記スルホニウム塩としては、例えば、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムp-トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート、トリフェニルスルホニウムn-オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムナフタレンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、トリナフチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリナフチルスルホニウム[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリナフチルスルホニウムアダマンチル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート;4-t-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-t-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-t-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-t-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート、4-ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート、4-ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムn-オクタンスルホネート;トリス4-メトキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス4-メトキシフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリス4-メトキシフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、トリス4-メトキシフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート;4-フルオロフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-フルオロフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-フルオロフェニルジフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート;トリス4-フルオロフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス4-フルオロフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリス4-フルオロフェニルスルホニウム10―カンファースルホネート、トリス4-フルオロフェニルスルホニウムp-トルエンスルホネート、トリス4-トリフルオロメチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート;2,4,6-トリメチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、2,4,6-トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム2,4-ジフルオロベンゼンスルホネート、2,4,6-トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート等が挙げられる。これらの中でも、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート、トリナフチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリス4-メトキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス4-メトキシフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-フルオロフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-フルオロフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、2,4,6-トリメチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、2,4,6-トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム2,4-ジフルオロベンゼンスルホネート、2,4,6-トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリナフチルスルホニウム[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリナフチルスルホニウムアダマンチル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネートが好ましく、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート、トリナフチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、2,4,6-トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム2,4-ジフルオロベンゼンスルホネート、トリナフチルスルホニウム[2.2.1]ヘプタン-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリナフチルスルホニウムアダマンチル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネートがより好ましい。上記ヨードニウム塩としては、例えば、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウムn-オクタンスルホネート;ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムn-オクタンスルホネート、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート;4-フルオロフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-フルオロフェニルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-フルオロフェニルフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート;ビス4-フルオロフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-フルオロフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-フルオロフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート;ビス4-クロロフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-クロロフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-クロロフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-クロロフェニルヨードニウムn-ドデシルベンゼンスルホネート、ビス4-クロロフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ビス4-クロロフェニルヨードニウムn-オクタンスルホネート、ビス4-クロロフェニルヨードニウム4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス4-クロロフェニルヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート;ビス4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムn-ドデシルベンゼンスルホネート、ビス4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムp-トルエンスルホネート、ビス4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ビス4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムn-オクタンスルホネート、ビス4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウム4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート等が挙げられる。これらの中でも、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、4-フルオロフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-フルオロフェニルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-フルオロフェニルフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ビス4-フルオロフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-フルオロフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-フルオロフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、トリス4-トリフルオロメチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートが好ましい。上記ジアゾメタン化合物としては、例えば、ビストリフルオロメタンスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビス3,3-ジメチル-1,5-ジオキサスピロ[5.5]ドデカン-8-スルホニルジアゾメタン、ビス1,4-ジオキサスピロ[4.5]デカン-7-スルホニルジアゾメタン、ビスt-ブチルスルホニルジアゾメタン等が挙げられる。これらの中でも、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビス3,3-ジメチル-1,5-ジオキサスピロ[5.5]ドデカン-8-スルホニルジアゾメタン、ビス1,4-ジオキサスピロ[4.5]デカン-7-スルホニルジアゾメタンが好ましい。上記N-スルホニルオキシイミド化合物としては、例えば、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシイミド;N-10-カンファースルホニルオキシスクシンイミド、N-10-カンファースルホニルオキシフタルイミド、N-10-カンファースルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-10-カンファースルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシイミド、N-10-カンファースルホニルオキシナフチルイミド、N-5-メチル-5-カルボキシメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルスルホニルオキシスクシンイミド;N-n-オクチルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-n-オクチルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロフェニルスルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシイミド、N-ノナフルオロ-n-ブチルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ノナフルオロ-n-ブチルスルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ノナフルオロ-n-ブチルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシイミド;N-パーフルオロ-n-オクチルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロ-n-オクチルスルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロ-n-オクチルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシイミド等が挙げられる。これらの中でも、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-10-カンファースルホニルオキシスクシンイミド、N-[5-メチル-5-カルボキシメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルスルホニルオキシ]スクシンイミドが好ましく、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミドがより好ましい。上記スルホン化合物としては、例えば、β-ケトスルホン、β-スルホニルスルホンや、これらのα-ジアゾ化合物等が挙げられる。より具体的には、フェナシルフェニルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビスフェニルスルホニルメタン、4-トリスフェナシルスルホン等が挙げられる。上記スルホン酸エステル化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等が挙げられる。より具体的には、ベンゾイントシレート、ピロガロールトリストリフルオロメタンスルホネート、ピロガロールトリスノナフルオロブタンスルホネート、ピロガロールトリスメタンスルホネート、ニトロベンジル-9,10-ジエトキシアントラセン-2-スルホネート、α-メチロールベンゾイントシレート、α-メチロールベンゾイントリフルオロメタンスルホネート、α-メチロールベンゾインn-オクタンスルホネート、α-メチロールベンゾインn-ドデカンスルホネート等が挙げられる。上記ジスルホニルメタン化合物としては、例えば、下記式3-1で表される化合物等が挙げられる。上記式3-1中、R8a及びR8bは、それぞれ独立して、直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ原子を有する1価の有機基である。V1及びV2は、それぞれ独立して、水素原子、アリール基、直鎖状若しくは分岐状の1価の鎖状炭化水素基又はヘテロ原子を有する1価の有機基である。但し、V1及びV2の少なくとも一方はアリール基である。また、V1及びV2は互いに結合して、少なくとも1個の不飽和結合を有する炭素単環構造若しくは炭素多環構造を有する基又は下記式3-1aで表される基を形成してもよい。上記式3-1a中、W1及びW2は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。但し、上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、互いに結合して、それらが結合する炭素原子と共に炭素単環構造を形成していてもよい。uは、2~10の整数である。W1及びW2が互いに結合して炭素単環構造を形成する場合、同一の炭素原子に結合しているW1及びW2で炭素単環構造を形成してもよく、異なる炭素原子に結合しているW1及びW2で炭素単環構造を形成してもよい。上記オキシムスルホネート化合物としては、例えば、下記式3-2-A及び式3-2-Bでそれぞれ表される化合物等が挙げられる。上記式3-2-A及び3-2-B中、R9a、R9b及びR9cは、それぞれ独立して、1価の有機基である。R10a、R10b及びR10cは、それぞれ独立して、1価の有機基である。上記R9a、R9b及びR9cで表される1価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、n―プロピル基、フェニル基、トシル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等が挙げられる。上記R10a、R10b及びR10cで表される1価の有機基としては、例えば、フェニル基、トシル基、1-ナフチル基等が挙げられる。上記ヒドラジンスルホネート化合物としては、例えば、ビスベンゼンスルホニルヒドラジン、ビスp-トルエンスルホニルヒドラジン、ビストリフルオロメタンスルホニルヒドラジン、ビスペンタフルオロエタンスルホニルヒドラジン、ビスn-プロパンスルホニルヒドラジン、ベンゼンスルホニルヒドラジン、p-トルエンスルホニルヒドラジン、トリフルオロメタンスルホニルヒドラジン、ペンタフルオロエタンスルホニルヒドラジン、n-プロパンスルホニルヒドラジン、トリフルオロメタンスルホニルp-トルエンスルホニルヒドラジン等が挙げられる。[C]化合物の含有量としては、[B]重合体100質量部に対して、20質量部以下が好ましく、0.1~15質量部がより好ましい。[C]化合物の含有量が20質量部を超えると、露光光に対する透明性が低下し、パターン形状、耐熱性等が低下するおそれがある。<[D]酸拡散制御剤>当該フォトレジスト組成物は、[D]酸拡散制御剤を含有することが好ましい。[D]酸拡散制御剤は、露光により[A]化合物等から発生した酸のレジスト膜中における拡散現象を制御し、非露光領域での好ましくない化学反応を抑制する作用を有する。[D]酸拡散制御剤としては、例えば、含窒素有機化合物又は感光性塩基性化合物が挙げられる。含窒素有機化合物としては、例えば、下記式4-1で表される化合物以下、含窒素化合物iともいう。、同一分子内に窒素原子を2個有する化合物以下、含窒素化合物iiともいう。、窒素原子を3個以上有するポリアミノ化合物や含窒素重合性化合物の重合体以下、これらをまとめて含窒素化合物iiiともいう。、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等が挙げられる。[D]酸拡散制御剤は、1種又は2種以上を用いることができる。上記式4-1中、R11a、R11b及びR11cは、それぞれ独立して、水素原子、直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基の水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。含窒素化合物iとしては、例えば、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン、シクロヘキシルアミン等のモノシクロアルキルアミン類;ジ-n-ブチルアミン、ジ-n-ペンチルアミン、ジ-n-ヘキシルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジ-n-ノニルアミン、ジ-n-デシルアミン、シクロヘキシルメチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジシクロアルキルアミン類;トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デシルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリシクロアルキルアミン類;トリエタノールアミン等の置換アルキルアミン;アニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、ナフチルアミン、2,4,6-トリ-tert-ブチル-N-メチルアニリン、N-フェニルジエタノールアミン、2,6-ジイソプロピルアニリン等の芳香族アミン類が挙げられる。含窒素化合物iiとしては、例えば、エチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノジフェニルアミン、2,2-ビス4-アミノフェニルプロパン、2-3-アミノフェニル-2-4-アミノフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-3-ヒドロキシフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-4-ヒドロキシフェニルプロパン、1,4-ビス[1-4-アミノフェニル-1-メチルエチル]ベンゼン、1,3-ビス[1-4-アミノフェニル-1-メチルエチル]ベンゼン、ビス2-ジメチルアミノエチルエーテル、ビス2-ジエチルアミノエチルエーテル、1-2-ヒドロキシエチル-2-イミダゾリジノン、2-キノキサリノール、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、N,N,N’,N,N-ペンタメチルジエチレントリアミン等が挙げられる。含窒素化合物iiiとしては、例えば、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、2-ジメチルアミノエチルアクリルアミドの重合体等が挙げられる。アミド基含有化合物としては、例えば、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-オクチルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-ノニルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-デシルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-2-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン、S---1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、R--1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン、N-t-ブトキシカルボニルピロリジン、N-t-ブトキシカルボニルピペラジン、N,N-ジ-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N,N-ジ-t-ブトキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N,N’N’-テトラ-t-ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,7-ジアミノヘプタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,8-ジアミノオクタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,9-ジアミノノナン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,10-ジアミノデカン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,12-ジアミノドデカン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N-t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-メチルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール等のN-t-ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物;ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン、N-アセチル-1-アダマンチルアミン、イソシアヌル酸トリス2-ヒドロキシエチル等が挙げられる。ウレア化合物としては、例えば、尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリ-n-ブチルチオウレア等が挙げられる。含窒素複素環化合物としては、例えば、イミダゾール、4-メチルイミダゾール、4-メチル-2-フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、2-フェニルベンズイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチル-1H-イミダゾール等のイミダゾール類;ピリジン、2-メチルピリジン、4-メチルピリジン、2-エチルピリジン、4-エチルピリジン、2-フェニルピリジン、4-フェニルピリジン、2-メチル-4-フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、4-ヒドロキシキノリン、8-オキシキノリン、アクリジン、2,2’:6’,2-ターピリジン等のピリジン類;ピペラジン、1-2-ヒドロキシエチルピペラジン等のピペラジン類;ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペリジンエタノール、3-ピペリジノ-1,2-プロパンジオール、モルホリン、4-メチルモルホリン、1-4-モルホリニルエタノール、4-アセチルモルホリン、3-N-モルホリノ-1,2-プロパンジオール、1,4-ジメチルピペラジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。これらの中で、イミダゾール類が好ましく、2-フェニルベンズイミダゾールがより好ましい。上記感光性塩基性化合物は、露光領域では対応する中性の物質に効率よく分解し、未露光部では分解せずにそのまま残る性質を有する成分である。このような感光性塩基性化合物は、非感光性の塩基性化合物に比べて、露光部に発生する酸を有効活用することができるため、感度を向上させることができる。上記感光性塩基性化合物としては、上記性質を有する限り特に限定されないが、下記式4-2-A及び式4-2-Bで表される化合物が好ましい。上記式4-2-A及び4-2-B中、R12a~R12eは、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~10のアルキル基、炭素数3~10の脂環式炭化水素基又は炭素数1~10のアルコキシ基である。上記アルキル基、脂環式炭化水素基及びアルコキシ基の水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。E-及びG-は、それぞれ独立して、OH-、RD-O-又はRD-COO-である。但し、RDは、1価の有機基である。上記R12a~R12eで表されるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。上記R12a~R12eで表される炭素数1~10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-ブチル基、t-ブチル基等が挙げられる。上記R12a~R12eで表される炭素数3~10の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、ノルボルニル基、ノルボルネニル基、アダマンチル基等が挙げられる。上記R12a~R12eで表される炭素数1~10のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、t-ブトキシ基等が挙げられる。上記アルキル基、脂環式炭化水素基及びアルコキシ基が有していてもよい置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基等が挙げられる。置換されたアルキル基、脂環式炭化水素基及びアルコキシ基としては、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、パーフルオロシクロペンチル基、t-ブトキシカルボニルメチルオキシ基等が挙げられる。上記R12a~R12eとしては、水素原子、t-ブチル基が好ましく、水素原子がより好ましい。上記RDで表される1価の有機基としては、例えば、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基等が挙げられる。上記E-及びG-で表されるアニオンとしては、OH-、CH3COO-、下記式4-2-a、式4-2-b及び式4-2-cでそれぞれ表されるアニオンから選ばれる少なくとも1種のアニオンが好ましい。上記感光性塩基性化合物としては、トリフェニルスルホニウム化合物上記式4-2-Aで表される化合物であって、そのアニオンE-又はG-が、OH-、CH3COO-、上記式4-2-b及び式4-2-cでそれぞれ表されるアニオンから選択される少なくとも1種のアニオンである化合物が好ましい。[D]酸拡散制御剤の含有量としては、[B]重合体100質量部に対して、15質量部以下が好ましく、0.001~10質量部がさらに好ましく、0.005~5質量部が特に好ましい。[D]酸拡散制御剤の含有量が15質量部を超えると、当該フォトレジスト組成物の感度や露光部の現像性が低下する場合がある。逆に、含有量が0.001質量部未満だと、プロセス条件によっては、得られるレジストパターンの形状や寸法忠実度が低下する場合がある。<[E]架橋剤>当該フォトレジスト組成物が、ネガ型のフォトレジスト組成物である場合、[E]架橋剤をさらに含有することが好ましい。当該フォトレジスト組成物は、[E]架橋剤を含有することにより、露光光を照射された際、[A]化合物等から生成する酸の触媒作用により、[E]架橋剤の架橋反応が進行し、[B]重合体の分子相互間及び同一分子内で架橋し、アルカリ現像液に対する溶解性が低い架橋重合体が形成されるため、現像後にネガ型のレジストパターンを形成することができる。上記[E]架橋剤としては、[B]重合体を架橋することができ、架橋した重合体がアルカリ現像液に不溶又は難溶となるものであれば、特に限定されない。[E]架橋剤としては、例えば、下記式5-1~5-5でそれぞれ表される架橋性官能基を有する化合物等が挙げられる。上記式5-1中、fは、1又は2である。Q1は、fが1の場合、単結合、酸素原子、硫黄原子、カルボニルオキシ基又はアミノ基であり、fが2の場合、窒素原子である。Q2は、酸素原子又は硫黄原子である。fは、1又は2である。k1は、0~3の整数である。k2は、1~3の整数である。但し、k1及びk2は、1≦k1k2≦4の条件を満たす。上記式5-1で表される架橋性官能基としては、例えば、グリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、グリシジルアミノ基等が挙げられる。上記式5-2中、Q3は、酸素原子、カルボニル基又はカルボニルオキシ基である。R13a及びR13bは、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基である。R13cは、炭素数1~5のアルキル基、炭素数6~12のアリール基又は炭素数7~14のアラルキル基である。gは、1以上の整数である。上記式5-2で表される架橋性官能基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、アセトキシメチル基、ベンゾイルオキシメチル基、ホルミル基、アセチル基等が挙げられる。これらの中でも、メトキシメチル基が好ましい。上記式5-3中、R14a、R14b及びR14cは、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基である。上記式5-3で表される架橋性官能基としては、例えば、ビニル基、イソプロペニル基等が挙げられる。上記式5-4中、R15a及びR15bは、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基である。R16a及びR16bは、それぞれ独立して、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のヒドロキシアルキル基である。hは、1以上の整数である。上記式5-4で表される架橋性官能基としては、例えばジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノメチル基、ジメチロールアミノメチル基、ジエチロールアミノメチル基等が挙げられる。上記式5-5中、R17a及びR17bは、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基である。R18は、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子のいずれかの原子を含む2価の基であり、結合している窒素原子と共に3~8員環の1価の複素環基を形成する。iは、1以上の整数である。上記式5-5で表される架橋性官能基としては、例えば、モノホリルメチル基等が挙げられる。上述の架橋性官能基を有する化合物としては、例えば、ビスフェノールA系エポキシ化合物、ビスフェノールF系エポキシ化合物、ビスフェノールS系エポキシ化合物、ノボラック樹脂系エポキシ化合物、レゾール樹脂系エポキシ化合物、ポリヒドロキシスチレン系エポキシ化合物、メチロール基含有メラミン化合物、メチロール基含有ベンゾグアナミン化合物、メチロール基含有尿素化合物、メチロール基含有フェノール化合物、メトキシメチル基含有メラミン化合物、メトキシメチル基含有フェノール化合物、メトキシメチル基含有グリコールウリル化合物、アルコキシアルキル基含有メラミン化合物、アルコキシアルキル基含有ベンゾグアナミン化合物、アルコキシアルキル基含有尿素化合物、アルコキシアルキル基含有フェノール化合物、カルボキシルメチル基含有メラミン樹脂、カルボキシルメチル基含有ベンゾグアナミン樹脂、カルボキシルメチル基含有尿素樹脂、カルボキシルメチル基含有フェノール樹脂、カルボキシルメチル基含有メラミン化合物、カルボキシルメチル基含有ベンゾグアナミン化合物、カルボキシルメチル基含有尿素化合物、カルボキシルメチル基含有フェノール化合物等が挙げられる。これらの架橋性官能基を有する化合物の中でも、メチロール基含有フェノール化合物、メトキシメチル基含有メラミン化合物、メトキシメチル基含有フェノール化合物、メトキシメチル基含有グリコールウリル化合物、メトキシメチル基含有ウレア化合物、アセトキシメチル基含有フェノール化合物が好ましく、メトキシメチル含有グリコールウリル化合物がより好ましく、1,3,4,6-テトラキスメトキシメチルグリコールウリルがさらに好ましい。上記メトキシメチル基含有メラミン化合物としては、例えば、CYMEL300、CYMEL301、CYMEL303、CYMEL305以上、CYTECIndustries製等が挙げられる。上記メトキシメチル基含有グリコールウリル化合物としては、CYMEL1174CYTECIndustries製、MX-270三和ケミカル製等が挙げられる。上記メトキシメチル基含有ウレア化合物としては、MX290三和ケミカル製等が挙げられる。[E]架橋剤は、1種又は2種以上を用いることができる。[E]架橋剤としては、上述の架橋性官能基を有する重合体も用いることができる。このような重合体としては、例えば、[B]重合体の構造単位I等が有するフェノール性水酸基等の酸性基の水素原子を、架橋性官能基で置換した重合体等が挙げられる。この重合体において、架橋性官能基の導入率は、架橋性官能基の種類や、重合体の種類等に依存し一概には規定することはできないが、全酸性基に対して、5~60モルが好ましく、10~50モルがより好ましく、15~40モルがさらに好ましい。架橋性官能基の導入率が5モル未満だと、[E]架橋剤による架橋反応が十分に進行しないため、架橋度が小さくなり、得られるレジストパターンの高さが低下し、蛇行や膨潤等が発生し易くなるおそれがある。逆に、架橋性官能基の導入率が60モルを超えると、未露光部の現像性が低下するおそれがある。[E]架橋剤の含有量としては、ネガ型のフォトレジスト組成物の場合、[B]重合体100質量部に対して、0.1~30質量部が好ましく、1~25質量部がより好ましく、3~20質量部がさらに好ましい。[E]架橋剤の含有量が0.1質量部未満だと、レジストパターンにおける架橋度が小さくなり、パターン形成性が低下するおそれがある。逆に、[E]架橋剤の含有量が30質量部を超えると、未露光部における現像性が低下するおそれがある。<[F]溶媒>当該フォトレジスト組成物は、通常、[F]溶媒を含有する。[F]溶媒は、少なくとも上記[A]化合物、[B]重合体及び必要に応じて加えられる任意成分を溶解できれば特に限定されない。[F]溶媒としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ-n-プロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ-n-ブチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ-n-プロピルエーテル、プロピレングリコールモノ-n-ブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジ-n-プロピルエーテル、プロピレングリコールジ-n-ブチルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-n-プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-n-ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-プロピル、乳酸i-プロピル等の乳酸エステル類;ぎ酸n-アミル、ぎ酸i-アミル、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸i-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、酢酸n-アミル、酢酸i-アミル、プロピオン酸i-プロピル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸i-ブチル等の脂肪族カルボン酸エステル類;ヒドロキシ酢酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-3-メチル酪酸メチル、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルプロピオネート、3-メチル-3-メトキシブチルブチレート、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等の酸素原子含有基を有するカルボン酸のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;メチルエチルケトン、2-ペンタノン、2-ヘキサノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類;N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン等のアミド類;γ-ブチロラクン等のラクトン類等が挙げられる。これらの中で、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、乳酸エステル類が好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチルがより好ましい。[F]溶媒は、1種又は2種以上を用いることができる。<他の任意成分>当該フォトレジスト組成物は、必要に応じ、他の任意成分として、界面活性剤、増感剤、染料、顔料、接着助剤、4-ヒドロキシ-4’-メチルカルコン等のハレーション防止剤、形状改良剤、保存安定剤、消泡剤等を含有することができる。当該フォトレジスト組成物は、他の任意成分を1種又は2種以上含有することができる。[界面活性剤]界面活性剤は、当該フォトレジスト組成物の塗布性やストリエーション、レジストとしての現像性等を改良する作用を有するものである。界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn-オクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンn-ノニルフェノールエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等が挙げられる。市販品としては、例えば、エフトップEF301、同EF303、同EF352以上、トーケムプロダクツ製、メガファックF171、同F173以上、大日本インキ化学工業製、フロラードFC430、同FC431以上、住友スリーエム製、アサヒガードAG710、サーフロンS-382、同SC101、同SC102、同SC103、同SC104、同SC105、同SC106以上、旭硝子製、KP341信越化学工業製、ポリフローNo.75、同No.95以上、共栄社化学製等が挙げられる。界面活性剤の含有量としては、[B]重合体100質量部に対して、通常、2質量部以下である。[増感剤]増感剤は、[A]化合物及び[C]化合物等からの酸の生成量を増加する作用を示すものであり、当該フォトレジスト組成物のみかけの感度を向上させる効果を奏する。増感剤としては、例えば、ローズベンガル類等が挙げられる。増感剤の含有量としては、[B]重合体100質量部に対して、通常、50質量部以下である。<フォトレジスト組成物の調製方法>当該フォトレジスト組成物は、例えば、[A]化合物、[B]重合体及び必要に応じて加える任意成分を所定の割合で混合することにより調製できる。当該フォトレジスト組成物は、例えば、全固形分濃度が0.1~50質量、好ましくは1~40質量となるように各成分を[F]溶媒に均一に溶解又は分散させた後、例えば、孔径0.2μm程度のフィルターで濾過することによって調製される。<レジストパターンの形成方法>当該フォトレジスト組成物を用いるレジストパターンの形成方法は、1当該フォトレジスト組成物を基板上に塗布し、レジスト膜を形成するレジスト膜形成工程、2上記レジスト膜を露光する露光工程及び3上記露光されたレジスト膜を現像する現像工程を有する。以下、レジストパターンの形成方法について、形成されるパターンがポジ型及びネガ型それぞれの場合に分けて説明する。[ポジ型レジストパターン]以下、ポジ型レジストパターンの形成方法について説明する。[1レジスト膜形成工程]本工程では、当該ポジ型のフォトレジスト組成物を基板上に塗布し、レジスト膜を形成する。基板としては、例えば、シリコンウェハ、アルミニウム等で被覆されたウェハー等が挙げられる。塗布方法としては、例えば、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等が挙げられる。当該フォトレジスト組成物を塗布した後、必要に応じて、プレベークPBを行ってもよい。PBの温度としては、通常、70°C~160°Cであり、80°C~140°Cが好ましい。PBの時間としては、通常5秒~600秒であり、10秒~300秒が好ましい。なお、環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するため、例えば、特開平5-188598号公報等に記載の保護膜を、レジスト膜上に設けることもできる。[2露光工程]本工程では、1工程で形成したレジスト膜に対し、所定のマスクパターンを介して露光を行う。露光に使用される露光光としては、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線等の電磁波;電子線、α線等の荷電粒子線等を適宜選択することができるが、ArFエキシマレーザー光波長193nm、KrFエキシマレーザー光波長248nm等の遠紫外線が好ましく、特に、KrFエキシマレーザー光が好ましい。露光量等の露光条件は、フォトレジスト組成物の配合組成や添加剤の種類等に応じて、適宜選定される。なお、高精度で微細なレジストパターンを安定して形成するために、露光後に、ポストエクスポージャーベークPEBを行なうことが好ましい。PEBの温度としては、通常、70°C~160°Cであり、80°C~140°Cが好ましい。PEBの温度が70°C未満であると、基板の種類による感度のばらつきが増大するおそれがある。PEBの時間としては、通常、5秒~600秒であり、10秒~600秒が好ましい。[3現像工程]本工程では、2工程の露光後に、アルカリ現像液を用いて現像を行い、ポジ型のレジストパターンを形成する。アルカリ現像液としては、アルカリ金属水酸化物、アンモニア、モノ-、ジ-又はトリ-アルキルアミン類、モノ-、ジ-又はトリ-アルカノールアミン類、複素環式アミン類、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノネン等のアルカリ性化合物を、通常、1~10質量、好ましくは1~5質量、特に好ましくは1~3質量の濃度となるように溶解させたアルカリ性水溶液が好適に用いられる。また、上記アルカリ現像液には、例えば、メタノールやエタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適宜添加することもできる。現像工程における処理条件としては、通常、10°C~50°Cで10秒~200秒、好ましくは15°C~30°Cで15秒~100秒、特に好ましくは20°C~25°Cで15秒~90秒である。なお、現像液で現像した後、水で洗浄して乾燥することが好ましい。[ネガ型レジストパターン]以下、ネガ型レジストパターンの形成方法について説明する。[1レジスト膜形成工程]本工程では、当該ネガ型のフォトレジスト組成物を基板上に塗布し、レジスト膜を形成する。用いる基板及び塗布方法としては、ポジ型の場合と同様である。また、PB及びレジスト膜上の保護膜の形成についてもポジ型の場合と同様である。[2露光工程]本工程では、1工程で形成したレジスト膜に対し、所定のマスクパターンを介して露光を行う。この際、露光により[A]化合物から発生した酸等の作用により、[B]重合体中のフェノール性水酸基等の酸性基が[E]架橋剤と反応して架橋される。このようにして、架橋された[B]重合体を有するレジスト膜の露光部は、アルカリ性の現像液に対する溶解性が低くなる。露光工程で用いる露光光としてはポジ型の場合と同様である。露光後にPEBを行うことが好ましい。このPEBにより、レジスト膜中の[E]架橋剤の架橋反応が円滑に進行する。PEBの温度としては、フォトレジスト組成物の配合組成によって変わるが、30~200°Cが好ましく、50~170°Cがさらに好ましい。PEBの時間としては、通常、5秒~600秒であり、10秒~300秒が好ましい。[3現像工程]本工程では、2工程の露光後に、アルカリ現像液を用いて現像を行い、ネガ型のレジストパターンを形成する。アルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7-ウンデセン、及び1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノネン等のアルカリ性化合物からなる群より選択される少なくとも1種を溶解したアルカリ性水溶液が挙げられる。上記アルカリ性水溶液の濃度は、10質量以下であることが好ましい。アルカリ性水溶液の濃度が10質量を超えると、非露光部も現像液に溶解してしまうおそれがある。現像液には、例えば、有機溶媒を添加することもできる。このような有機溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルi-ブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、3-メチルシクロペンタノン、2,6-ジメチルシクロヘキサノン等のケトン類;メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、i-プロピルアルコール、n-ブチルアルコール、t-ブチルアルコール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、1,4-ヘキサンジオール、1,4-ヘキサンジメチロール等のアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-アミル等のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;フェノール、アセトニルアセトン、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。なお、これらの有機溶媒は、1種又は2種以上を用いることができる。上記現像液中の有機溶媒の含有割合は、上記アルカリ性水溶液100体積部に対して、100体積部以下であることが好ましい。有機溶媒の含有割合が100体積部を超えると、現像性が低下して、露光部の現像残りが多くなるおそれがある。また、現像液には、界面活性剤等を適量添加することもできる。なお、現像工程の処理条件及び水で洗浄、乾燥することについては、ポジ型の場合と同様である。上述の形成方法により、レジスト膜の未露光部が現像液により溶解、除去されることによって、ネガ型のレジストパターンを形成することができる。以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。各種物性値の測定方法を以下に示す。[13C-NMR分析]重合体の13C-NMR分析は、核磁気共鳴装置JNM-ECX400、日本電子製を使用し、測定した。<[B]重合体の合成>[B]重合体の合成に用いた単量体下記式L-1~L-5で表される化合物を以下に表す。[合成例1]重合体B-1の合成上記化合物L-1117g72モル、化合物L-241g23モル、化合物L-35g5モル、重合開始剤としてのアゾビスイソブチロニトリルAIBN6g及び連鎖移動剤としてのt-ドデシルメルカプタン1gを、プロピレングリコールモノメチルエーテル160gに溶解した後、窒素雰囲気下、反応温度を70°Cに保持して、16時間重合反応を行った。重合後、反応溶液を大量のn-ヘキサン中に滴下し、生成重合体を凝固させて精製した。次いで、この精製により得られた重合体に、プロピレングリコールモノメチルエーテル150gを加えた後、さらにメタノール300g、トリエチルアミン80g及び水15gを加えて、沸点にて還流させながら、8時間加水分解反応を行なった。反応後、溶媒及びトリエチルアミンを減圧留去し、得られた重合体をアセトンに溶解した後、大量の水中に滴下して凝固させ、生成した白色粉末をろ過して、減圧下50°Cで一晩乾燥し、重合体B-1を得た94g、収率71。得られた重合体B-1は、Mwが16,000、Mw/Mnが1.7であった。また、13C-NMR分析の結果、下記式B1で表される構造単位:下記式B2で表される構造単位:下記式B3で表される構造単位の含有割合モルは、72:23:5であった。[合成例2]重合体B-2の合成上記化合物L-1182g73モル、化合物L-266g24モル、化合物L-411g重合性基基準で3モル、AIBN14g及びt-ドデシルメルカプタン11gを、プロピレングリコールモノメチルエーテル240gに溶解した後、窒素雰囲気下、反応温度を70°Cに保持して、16時間重合反応を行った。重合後、反応溶液を大量のn-ヘキサン中に滴下して、生成重合体を凝固させて精製し、減圧下50°Cで3時間乾燥した。次いで、この精製により得られた重合体190gに、プロピレングリコールモノメチルエーテル150gを加えた後、さらにメタノール300g、トリエチルアミン100g及び水15gを加えて、沸点にて還流させながら、8時間加水分解反応を行なった。反応後、溶媒及びトリエチルアミンを減圧留去し、得られた重合体をアセトンに溶解した後、大量の水中に滴下して凝固させ、生成した白色粉末をろ過して、減圧下50°Cで一晩乾燥し、重合体B-2を得た157g、収率74。得られた重合体B-2は、Mwが27,000、Mw/Mnが2.6であった。また、13C-NMR分析の結果、下記式B1で表される構造単位:下記式B3で表される構造単位:下記式B4aで表される構造単位の含有割合モルは、75:22:3であった。[合成例3]重合体B-3の合成上記化合物L-1114g69モル、化合物L-235g20モル及び化合物L-511g11モル、AIBN6g及びt-ドデシルメルカプタン1gを、プロピレングリコールモノメチルエーテル160gに溶解した後、窒素雰囲気下、反応温度を70°Cに保持して、16時間重合反応を行った。重合後、反応溶液を大量のn-ヘキサン中に滴下し、生成重合体を凝固させて精製した。次いで、この精製により得られた重合体に、プロピレングリコールモノメチルエーテル150gを加えた後、さらにメタノール300g、トリエチルアミン80g及び水15gを加えて、沸点にて還流させながら、8時間加水分解反応を行なった。反応後、溶媒及びトリエチルアミンを減圧留去し、得られた重合体をアセトンに溶解した後、大量の水中に滴下して凝固させ、生成した白色粉末をろ過して、減圧下50°Cで一晩乾燥し、重合体B-3を得た94g、収率72。得られた重合体B-3は、Mwが14,000、Mw/Mnが1.7であった。また、13C-NMR分析の結果、下記式B1で表される構造単位:下記式B3で表される構造単位:下記式B5で表される構造単位の含有割合モルが70:20:10であった。上記合成例1~3で合成した重合体B-1~B-3それぞれの各構造単位の含有割合比を、表1に示す。なお、上記構造単位B1は明細書中における構造単位Iに、構造単位B2は構造単位IIに、構造単位B3は構造単位IIIに、構造単位B4aは構造単位IVに、構造単位B5は構造単位Vにそれぞれ該当する。<フォトレジスト組成物の調製>上記合成例で合成した重合体B-1~B-3以外のフォトレジスト組成物を構成する各成分[A]化合物、[B]重合体、[C]化合物、[D]酸拡散抑制剤、[E]架橋剤及び[F]溶媒について以下に示す。[[B]重合体]B-4:ヒドロキシスチレン/スチレン共重合体上記化合物L-1と化合物L-3とを共重合重合仕込みモル比=8:2した後、加水分解して得られる重合体であり、Mwは4,000、Mw/Mnは1.5、上記式B1で表される構造単位:上記式B3で表される構造単位の含有割合モルは79:21であった。B-5:ヒドロキシスチレン/スチレン共重合体上記化合物L-1と化合物L-3とを共重合重合仕込みモル比=7:3した後、加水分解して得られる重合体であり、Mwは4,000、Mw/Mnは1.5、上記式B1で表される構造単位:上記式B3で表される構造単位の含有割合モルは68:32であった。[[A]化合物]下記に各化合物の構造式を示す。A-1::トリフェニルスルホニウム4-1-アダマンタンカルボニルオキシ-1,1,2-トリフルオロブタンスルホネートA-2:トリナフチルスルホニウム4-1-アダマンタンカルボニルオキシ-1,1,2-トリフルオロブタンスルホネートA-3:トリナフチルスルホニウム1,1,2-トリフルオロ-4-2-2-プロピルオキシカルボニルシクロヘキサンカルボニルオキシブタンスルホネートA-4:トリアントリルスルホニウム4-1-アダマンタンカルボニルオキシ-1,1,2-トリフルオロブタンスルホネート[[C]化合物]下記に各化合物の構造式を示す。C-1:トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートC-2:トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネートC-3:トリフェニルスルホニウム10-カンファースルホネートC-4:トリナフチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートC-5:2,4,6-トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム2,4-ジフルオロベンゼンスルホネートC-6:N-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド[[D]酸拡散制御剤]D-1:2-フェニルベンズイミダゾール[[E]架橋剤]E-1:1,3,4,6-テトラキスメトキシメチルグリコールウリル[[F]溶媒]F-1:乳酸エチルF-2:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート[実施例1][A]化合物としてのA-14質量部、[B]重合体としてのB-1100質量部、[C]化合物としてのC-50.5質量部、[D]酸拡散制御剤としてのD-11.2質量部並びに[F]溶媒としてのF-1400質量部及びF-21,000質量部を混合し、得られた混合溶液を孔径0.2μmのテフロン登録商標製メンブレンフィルターでろ過することにより、実施例1に係るポジ型のフォトレジスト組成物J-1を調製した。[実施例2~10及び比較例1~6]表2に示す種類及び配合量の各成分を用いた以外は、実施例1と同様にして実施例2~10のフォトレジスト組成物J-2~J-10及び比較例1~6のフォトレジスト組成物CJ-1~CJ-6を調製した。表2中の-は、該当する成分を用いなかったことを示す。なお、フォトレジスト組成物J-2~J-6、J-9、J-10、CJ-1~CJ-3、CJ-5及びCJ-6はポジ型のフォトレジスト組成物であり、フォトレジスト組成物J-7及びJ-8並びにCJ-4はネガ型のフォトレジスト組成物である。<評価>上記実施例及び比較例のフォトレジスト組成物をそれぞれ用い、下記方法により、レジストパターンを形成し、感度、ナノエッジラフネス及び焦点深度について評価した。得られた評価結果を下記表3に示す。[レジストパターンの形成]フォトレジスト組成物をシリコンウエハ上に回転塗布した後、110°Cで90秒間PBを行なって、膜厚0.25μmのレジスト膜を形成した。その後、このレジスト膜に、KrFエキシマレーザー照射装置NSR-S203B、ニコン製を用い、KrFエキシマレーザー光波長248nmを、マスクパターンを介し露光量を変えて露光したのち、110°Cで90秒間PEBを行なった。その後、2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を現像液として用い、23°Cで60秒間現像した後、水で30秒間洗浄し乾燥して、レジストパターンを形成した。[感度]線幅160nmのライン部と、隣り合うライン部によって形成される間隔が160nmのスペース部とからなるパターンラインアンドスペースパターン1L1Sを1対1の線幅に形成する露光量を最適露光量とし、この最適露光量を感度mJ/cm2とした。[ナノエッジラフネス]設計線幅160nmのラインアンドスペースパターン1L1Sのラインパターンを、半導体用走査電子顕微鏡高分解能電界放出形走査電子顕微鏡S-4800、日立製作所製を用いて観察した。観察された形状について、図1及び図2に示すように、シリコンウエハ1上に形成したレジスト膜のライン部2の横側面2aに沿って生じた凹凸の最も著しい箇所における最大の線幅と、設計線幅160nmとの差ΔCDをナノエッジラフネスの値nmとした。[焦点深度]線幅1600nmのライン部と、隣り合うライン部によって形成される間隔が160nmのスペース部とからなるパターン10ライン1スペースパターン10L1Sを孤立スペースパターンISパターンとし、このパターンのスペース部が160nmで形成される露光量で焦点深度単位:μmを測定した。焦点深度は、0.05μmステップで、露光されたISパターンを上記半導体用走査電子顕微鏡にて観察して、スペースが基板まで到達している場合を解像できたと判断して測定し、解像できた範囲を焦点深度とした。表3の結果から、[A]化合物を含有する実施例のフォトレジスト組成物は[A]化合物を含有しない比較例のフォトレジスト組成物に比べて、感度を維持しつつ、ナノエッジラフネスを低減することができ、かつ広い焦点深度を発揮できることが示された。また、ナフタレン環又はアントラセン環を有するスルホニウムカチオンを含む[A]化合物を用いることにより、ナノエッジラフネスをさらに低減することができ、かつ焦点深度がさらに向上することも示された。"