"基板と、前記基板上に形成された第1導電型窒化物半導体層と、前記第1導電型窒化物半導体層の所定領域上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第2導電型窒化物半導体層と、前記第2導電型窒化物半導体層上に形成された透明電極と、前記透明電極上に、互いに同一の辺に隣接し互いに分離して形成された2つ以上の第2導電型電極パッドと、前記第2導電型電極パッドから一方向に延びて線状に形成された複数の第2導電型電極と、前記第1導電型窒化物半導体層上の、前記活性層が形成されていない部分に前記第2導電型電極パッドと同一の辺に隣接して形成された1つ以上の第1導電型電極パッドと、前記第1導電型電極パッドから一方向に延びて線状に形成された複数の第1導電型電極と、を含み、線状に形成された前記第1導電型電極および前記第2導電型電極は、それぞれ前記第1導電型電極パッドおよび前記第2導電型電極パッドと互いに交わる部分から直線または曲線で形成され、前記第1導電型電極パッドおよび前記第2導電型電極パッドに隣接する辺と反対側の辺側から前記第1導電型電極パッドおよび前記第2導電型電極パッドに隣接する辺側に向かうように曲がった形態となって互いにかみ合うフィンガー構造に形成され、前記曲がった形態をなす領域は、曲線状を有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。基板と、前記基板上に形成された第1導電型窒化物半導体層と、前記第1導電型窒化物半導体層の所定領域上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第2導電型窒化物半導体層と、前記第2導電型窒化物半導体層上に形成された透明電極と、前記透明電極上に、互いに同一の辺に隣接して形成された1つ以上の第2導電型電極パッドと、前記第2導電型電極パッドから一方向に延びて線状に形成された複数の第2導電型電極と、前記第1導電型窒化物半導体層上の、前記活性層が形成されていない部分に前記第2導電型電極パッドと同一の辺に隣接し互いに分離して形成された2つ以上の第1導電型電極パッドと、前記第1導電型電極パッドから一方向に延びて線状に形成された複数の第1導電型電極と、を含み、線状に形成された前記第1導電型電極および前記第2導電型電極は、それぞれ前記第1導電型電極パッドおよび前記第2導電型電極パッドと互いに交わる部分から直線または曲線で形成され、前記第1導電型電極パッドおよび前記第2導電型電極パッドに隣接する辺と反対側の辺側から前記第1導電型電極パッドおよび前記第2導電型電極パッドに隣接する辺側に向かうように曲がった形態となって互いにかみ合うフィンガー構造に形成され、前記曲がった形態をなす領域は、曲線状を有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。前記第1導電型窒化物半導体層および前記第2導電型窒化物半導体層は、n型またはp型であることを特徴とする請求項1または2に記載の窒化物半導体発光素子。前記活性層は、前記第1導電型窒化物半導体層の四方の最外郭の辺から離隔して形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載の窒化物半導体発光素子。ところで、従来技術に係わる窒化物半導体発光素子では、複数の第1導電型電極パッド160a同士および第1導電型電極160が第1導電型接続電極160bを介して互いに接続され、複数の第2導電型電極パッド170a同士および第2導電型電極170が、第2導電型接続電極170bを介して互いに接続されている。しかし、複数の第1導電型電極パッド160a同士または第2導電型電極160、および複数の第2導電型電極パッド170a同士または第2導電型電極170がそれぞれ第1導電型接続電極160bおよび第2導電型接続電極170bを介して接続されれば、発光面積の全体のうち、発光に用いられる有効面積が、第1導電型接続電極160bおよび第2導電型接続電極170bの形成領域の分だけ減少するという問題がある。また、第1導電型電極パッド160aと第2導電型電極パッド170aとは、窒化物半導体発光素子の、互いに異なる辺、すなわち、互いに反対側の辺に隣接した位置に各々形成されている。しかし、上述したように、第1導電型電極パッド160aと第2導電型電極パッド170aとが、互いに反対側の辺に隣接した位置に各々形成されれば、第1導電型電極パッド160aと第2導電型電極パッド170aとの形成領域の分だけ、発光面積の全体のうち、発光に用いられる有効面積が減少して、全体としての発光効率が低くなるという問題がある。そこで、本発明の目的は、上記のような問題点を解決するために、発光面積の全体のうち、発光に用いられる有効面積を増加させることができ、全体的な発光効率を向上させることができる窒化物半導体発光素子を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明は、基板と、基板上に形成された第1導電型窒化物半導体層と、第1導電型窒化物半導体層の所定領域上に形成された活性層と、活性層上に形成された第2導電型窒化物半導体層と、第2導電型窒化物半導体層上に形成された透明電極と、透明電極上に形成された第2導電型電極パッドと、第2導電型電極パッドから一方向に延びて線状に形成された複数の第2導電型電極と、第1導電型窒化物半導体層上の、活性層が形成されていない部分に第2導電型電極パッドと同一の辺に隣接して形成された第1導電型電極パッドと、第1導電型電極パッドから一方向に延びて線状に形成された複数の第1導電型電極とを含む窒化物半導体発光素子を提供する。また、上記目的を達成するために、本発明の他の態様は、基板と、基板上に形成された第1導電型窒化物半導体層と、第1導電型窒化物半導体層の所定領域上に形成された活性層と、活性層上に形成された第2導電型窒化物半導体層と、第2導電型窒化物半導体層上に形成された透明電極と、透明電極上に、互いに同一の辺に隣接し互いに分離して形成された2つ以上の第2導電型電極パッドと、第2導電型電極パッドから一方向に延びて線状に形成された複数の第2導電型電極と、第1導電型窒化物半導体層上の、活性層が形成されていない部分に第2導電型電極パッドと同一の辺に隣接して形成された1つ以上の第1導電型電極パッドと、第1導電型電極パッドから一方向に延びて線状に形成された複数の第1導電型電極とを含む窒化物半導体発光素子を提供する。また、上記目的を達成するための本発明のさらに他の態様は、基板と、基板上に形成された第1導電型窒化物半導体層と、第1導電型窒化物半導体層の所定領域上に形成された活性層と、活性層上に形成された第2導電型窒化物半導体層と、第2導電型窒化物半導体層上に形成された透明電極と、透明電極上の互いに同一の辺に隣接して形成された1つ以上の第2導電型電極パッドと、第2導電型電極パッドから一方向に延びて線状に形成された複数の第2導電型電極と、第1導電型窒化物半導体層上の、活性層が形成されていない部分に、第2導電型電極パッドと同一の辺に隣接し互いに分離して形成された2つ以上の第1導電型電極パッドと、第1導電型電極パッドから一方向に延びて線状に形成された複数の第1導電型電極とを含む窒化物半導体発光素子を提供する。また、本発明の窒化物半導体発光素子において、線状に形成された第1および第2導電型電極は、それぞれ第1および第2導電型電極パッドと互いに交わる部分から直線または曲線のうちいずれかの形態に形成されていてよく、これは発光素子の特性に応じて変更可能である。また、本発明の窒化物半導体発光素子において、第1および第2導電型電極は、第1および第2導電型電極パッドが隣接する辺と反対側の辺側から第1および第2導電型電極パッドに隣接する辺側に向かうように曲がった形態となって互いにかみ合うフィンガー構造に形成されることが好ましい。これは、大面積の発光面全体で均一な発光が起きるようにするためである。また、本発明の窒化物半導体発光素子において、第1および第2導電型窒化物半導体層は、n型またはp型であることが好ましい。また、本発明の窒化物半導体発光素子において、活性層は、第1導電型窒化物半導体層上に形成されるが、第1導電型窒化物半導体層の四方の最外郭の辺から離隔するように形成されることが好ましい。これは、第1導電型電極パッドから第2導電型電極に伝えられる電流の流れを第1導電型窒化物半導体層を介して円滑にするためである。上記のように、本発明によれば、複数の第1および第2導電型電極パッドまたは複数の第1および第2導電型電極を互いに接続する各々の接続電極を省略して発光面積の全体において、第1および第2導電型接続電極の形成領域の分だけ発光に用いられる有効面積を増加させることができる。また、本発明によれば、第1および第2導電型電極パッドを発光面全体において部分的に形成せずに、同一の辺に隣接して互いに分離するように形成することによって、発光効率を向上させることができる。また、本発明は、第1および第2導電型電極が各々の電極パッドと互いに交わる部分、および第1および第2導電型電極パッドが隣接する辺と反対側の辺側の部分で、直角の屈曲部でなく緩やかな湾曲部を有するようにして屈曲部に電流が集中する現像を最小化することができる。したがって、本発明によれば、窒化物半導体発光素子の電流の集中現象を最小化して電流拡散効率を向上させ、輝度特性を向上させ、駆動電圧を低減し、素子の特性および信頼性を改善することができる。以下、添付する図面を参照して、本発明の実施形態について、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。各図では、様々な層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示している。各実施形態では、同様の部分には同一の符号を付している。ここで、本発明の実施形態に係る窒化物半導体発光素子LEDについて図面を参照して詳細に説明する。まず、図3および図4を参照して、本発明の一実施形態に係る窒化物半導体発光素子の構造について詳細に説明する。図3は、本発明の一実施形態に係る窒化物半導体発光素子LEDの構造を示す平面図であり、図4は、図3のIV-IV’線に沿って切断した断面図である。図3および図4を参照すると、本発明の一実施形態に係る窒化物半導体発光素子は、光透過性の基板100上にバッファ層110、第1導電型窒化物半導体層120、活性層130および第2導電型窒化物半導体層140が順次積層されて発光構造体を構成している。基板100は、窒化物半導体単結晶を成長させるのに適する基板であり、好ましくは、サファイアを含む透明な材料を用いて形成される。サファイア以外に、基板100はジンクオキサイドZnO、ガリウムナイトライドGaN、シリコンカーバイドSiCおよびアルミニウムナイトライドAlNなどで形成することができる。バッファ層110は、基板100上に第1導電型窒化物半導体層120を成長させる前に、サファイアを含んで形成された基板100との格子整合を向上させるための層であり、一般的にGaNまたはGaを含む窒化物、例えば、SiC/InGaNで形成されており、これは素子の特性および工程条件によっては省略可能である。第1導電型窒化物半導体層120と活性層130および第2導電型窒化物半導体層140は、InXAlYGa1-X-YNここで、0≦X、Y、XY≦1の組成を有する半導体物質によって形成することができる。より詳しくは、第1および第2導電型窒化物半導体層120,140は、n型不純物がドーピングされたGaN層またはGaN/AlGaN層、またはp型不純物がドーピングされたGaN層またはGaN/AlGaN層から構成することができ、n型不純物としては、例えば、Si、Ge、Snなどを用い、p型不純物としては、例えば、Mg、Zn、Beなどを用いる。本実施形態では、第1導電型はn型、第2導電型はp型である。そして、活性層130は、多重量子井戸Multi-QuantumWell構造のInGaN/GaN層から構成することができる。一方、活性層130は、1つの量子井戸層またはダブルへテロ構造によって構成することもできる。活性層130と第2導電型窒化物半導体層140の一部は、メサエッチングによって除去され、底面に形成された第1導電型窒化物半導体120の一部上面が露出されている。この時、活性層130の最外郭の辺は、第1導電型窒化物半導体層120の四方の最外郭の辺から所定間隔だけ内側に離隔するように形成することが好ましい。これは、窒化物半導体発光素子の駆動時、後述する第1導電型電極パッド160aから印加される電流の流れを活性層130の全面すなわち、発光面全体に均一に拡散させるためである。第1導電型窒化物半導体層120の、露出した部分には第1導電型電極パッド160aが形成されている。この時、第1導電型電極パッド160aは、発光面積の損失を最小化するために第1導電型窒化物半導体層120の最外郭の辺に隣接した領域に形成することが好ましい。また、第1導電型窒化物半導体層120の、露出した部分には、電流の流れを円滑にするために第1導電型電極パッド160aから延びて、第1導電型窒化物半導体層120の、隣接する一辺と平行に線状に形成された少なくとも1つの第1導電型電極160をさらに含むことができる。一方、本実施形態では、第1導電型電極160が1つ形成されたものを図3に示して説明しているが、これに限定されるものではなく素子の特性および工程条件に応じて、特に後述する第2導電型電極170の個数に応じて変更可能である。そして、第2導電型窒化物半導体層140上には、透明電極150が形成されている。ここで、透明電極150としては、ITOIndiumTinOxideのような導電性金属酸化物だけでなく、発光素子の発光波長に対して透過率が高ければ、導電性が高くコンタクト抵抗の低い金属薄膜であっても用いることができる。透明電極150上には、第2導電型電極パッド170aおよび第2導電型電極パッド170aから一方向に延びて線状に形成された少なくとも1つの第2導電型電極170が形成されている。特に、本発明に係る第2導電型電極パッド170aは、第1導電型電極パッド160aと同一の辺に隣接して位置するように形成されている。言い換えれば、本発明は、第2導電型電極パッド170aを第1導電型電極パッド160aと同一の辺に隣接した位置に形成し、すなわち、従来技術において、第1導電型電極パッド160aおよび第2導電型電極パッド170aが、互いに反対側の辺に隣接する位置に分散して形成されていることによって、発光面積の全体のうち発光に用いられる有効面積が減少してしまっていたのを回避して、窒化物半導体発光素子の発光効率を向上させることができる。また、第2導電型電極パッド170aから一方向に延びた線状の第2導電型電極170は、電流の流れを円滑にするために、第1導電型電極パッド160aから一方向に延びた線状の第1導電型電極160と平行に形成されている。この時、線状に形成された第1および第2導電型電極160,170は、それぞれ第1および第2導電型電極パッド160a,170aと互いに交わる部分から直線または曲線のうちいずれの形状に形成されていてもよく、これは発光素子の特性に応じて変更可能である。本明細書における線状の意味は、必ずしも直線状を意味するものではなく、後述する曲線状までも含む包括的な概念である。変形例1以下、本発明の実施形態の第1変形例による窒化物半導体発光素子LEDの構造について、図5を参照して説明する。ただし、第1変形例の構成のうち上述の実施形態と同一の部分についての説明は省略し、第1変形例において異なる構成についてのみ詳述する。まず、図5は、本発明の実施形態の第1変形例による窒化物半導体発光素子LEDの構造を示す平面図であって、図5に示すように、第2導電型電極パッド170aから一方向に延びた第2導電型電極170は第1導電型電極160と互いにかみ合わさる構造すなわち、フィンガー状の構造に形成されている。より詳細に述べると、第1および第2導電型電極160,170は、第1および第2導電型電極パッド160a,170aに隣接する辺とは反対側の辺側で再び第1および第2導電型電極パッド160a,170aに隣接する辺側に向かうように曲がった形態となって互いにかみ合うフィンガー構造に形成することが好ましい。これは、大面積の発光面全体で均一な発光が起きるようにするためである。すなわち、第2導電型電極170と第1導電型電極160とが素子の全面で互いに最大限均一な距離を維持することができ、これによって、電流の流れを素子の発光領域全体において均一に拡散させることができる。また、フィンガー状の構造に形成された第1および第2導電型電極160,170は、それぞれ第1および第2導電型電極パッド160a,170aと互いに交わる部分および第1および第2導電型電極パッド160a,170aが隣接する辺と反対側の辺側の部分で曲線状に形成されている。言い換えれば、本発明の変形例による第1および第2導電型電極160,170には、それぞれ第1および第2電極パッド160a,170aと互いに交わる部分、および第1および第2導電型電極パッド160a,170aが隣接する辺と反対側の辺側の部分に、緩やかな曲線を描く湾曲部が形成されている。したがって、本変形例に係る第1および第2導電型電極160,170によれば、それぞれ第1および第2電極パッド160a,170aと互いに交わる部分で直角の屈曲部を有するために電流が集中するという従来の問題点を回避し、実質的な発光面をより広く増加させ、発光効率をより向上させることができるという利点が得られる。変形例2以下、本発明の実施形態の第2変形例による窒化物半導体発光素子LEDの構造について、図6を参照して説明する。ただし、第2変形例の構成のうち本発明の第1変形例と同一の部分についての説明は省略し、第2変形例において異なる構成についてのみ詳述することにする。まず、図6は、本発明の実施形態の第2変形例による窒化物半導体発光素子LEDの構造を示す平面図であり、図6に示すように、第1導電型電極パッド160aは、同一辺に隣接して素子の特性に応じて1つ以上備えられ、2つ以上備えられる場合には互いに分離するように形成されている。また、第1導電型電極パッド160aは、素子の特性に応じて1つ以上備えられ、2つ以上備えられる場合には互いに分離するように形成されている。本変形例では、図6に示すように、第1導電型電極パッド160aを1つ備える窒化物半導体発光素子を例として説明する。そして、第2導電型電極パッド170aもまた、同一辺に隣接して素子の特性に応じて1つ以上備えられ、2つ以上備えられる場合には互いに分離するように形成されている。本変形例では、図6に示すように、第2導電型電極パッド170aを2つ備える窒化物半導体発光素子を例として説明する。上記のように同一辺に隣接して形成された第1および第2導電型電極パッド160a,170aから各々一方向に延びた第1および第2導電型電極160,170は互いにかみ合わさる構造、すなわちフィンガー状の構造に形成されている。これは、窒化物半導体発光素子が既存のモバイル用小型チップに比べて高い発光効率を要求され、そのために高電流の印加と大面積化が必要となり、大面積化に対応して、電流拡散を容易にするために電極パッドの数とその電極パッドから延びる電極の数が増加させた場合の変形例である。また、本発明の前述の実施形態と第1および第2変形例を示す各図では第1および第2導電型電極パッド160a,170aの形状を、角張った四角形とラウンド状の半円または1/4円形に示しているが、これらの形状は、これらに限定されるものではなく円形、四角形および多角形などの多様な形態に形成することができる。以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、多様な変形および均等な他の実施形態の形成が可能であるということを理解することができる。したがって、本発明の権利範囲は、これらに限定されるものではなく、請求範囲に規定する本発明の基本概念を用いた当業者の様々な変形形態および改良形態もまた本発明の権利範囲に属するものである。"