回路基板の裏面が接合材によって絶縁体に接合されるとともに、前記回路基板の表面に半導体素子が接合されてなる半導体装置であって、前記回路基板に、前記接合材との非接合部が形成されていることを特徴とする半導体装置。前記半導体素子は、前記回路基板上に位置決めされる位置決め治具によって前記表面に位置決めされて接合され、前記非接合部は、前記位置決め治具を位置決めする請求項1に記載の半導体装置。前記回路基板は平面視四角形状をなし、前記非接合部は、前記回路基板の少なくとも対角線上に設けられている請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。前記回路基板は、矩形状の基板本体と、前記回路基板の対角線上に位置する前記非接合部とからなり、前記非接合部は、前記基板本体の対向する一対の側辺から突設されるとともに該側辺に沿った長さが、前記側辺の半分の長さを有する請求項1~請求項3のうちいずれか一項に記載の半導体装置。ところが、特許文献1では、回路層92の側縁からろう材がはみ出したり、回路層92の表面に乗り上げることを防止するために、ろう材層98として外周部分98aと、内側部分98bの材質の異なる複数種類のろう材を必要とする。このため、特許文献1では、セラミックス板91と回路層92との接合に関して製造コストが嵩むという問題があった。本発明は、絶縁体と回路基板との接合に関する製造コストの低減を図ることができる半導体装置を提供することにある。上記問題点を解決するために、請求項1に記載の発明は、回路基板の裏面が接合材によって絶縁体に接合されるとともに、前記回路基板の表面に半導体素子が接合されてなる半導体装置であって、前記回路基板に、前記接合材との非接合部が形成されているものである。これによれば、回路基板が、接合材を介して絶縁体に接合されていても、非接合部の側縁から接合材がはみ出ることが無く、回路基板の表面に接合材が乗り上げることを無くすことができる。このため、回路基板に接合材が乗り上げないようにするために、背景技術のように材質の異なる複数種類の接合材を用意する必要が無く、絶縁体と回路基板との接合に関しての製造コストの低減を図ることができる。また、前記半導体素子は、前記回路基板上に位置決めされる位置決め治具によって前記表面に位置決めされて接合され、前記非接合部は、前記位置決め治具を位置決めするものであってもよい。これによれば、回路基板の非接合部の側縁からは接合材がはみ出ないため、非接合部の側縁を用いて位置決め治具の位置決めを行う際、その位置決めが接合材によって邪魔されることがない。その結果として、位置決め治具の位置決めが、回路基板の側縁からはみ出た接合材に邪魔されることを回避するため、背景技術のように材質の異なる2種類のろう材を必要とする場合と比べると、絶縁体と回路基板との接合に関しての製造コストの低減を図ることができる。また、非接合部以外には、接合材がはみ出たり、乗り上げたりしてもよく、接合材のはみ出しや乗り上げを考慮しつつ絶縁体と回路基板の接合を行う必要が無く、絶縁体と回路基板の接合を簡単に行うことができる。また、前記回路基板は平面視四角形状をなし、前記非接合部は、前記回路基板の少なくとも対角線上に設けられていてもよい。これによれば、少なくとも二つの非接合部だけで位置決め治具の位置決めを可能にすることができ、非接合部の数を最小限に抑えることができる。このため、絶縁体に接合されない部位を最小限に抑え、回路基板の絶縁体への接合を確実に行うことができる。また、前記回路基板は、矩形状の基板本体と、前記回路基板の対角線上に位置する前記非接合部とからなり、前記非接合部は、前記基板本体の対向する一対の側辺から突設されるとともに該側辺に沿った長さが、前記側辺の半分の長さを有するものであってもよい。これによれば、例えば、帯状をなし、その短辺の長さが、回路基板基板本体の一対の側辺と同じ長さの金属板から回路基板を切断して製造する際、金属板の短辺方向に非接合部を隣り合わせて形成することができる。その結果として、金属板から回路基板を形成する際、金属板から廃棄される部位を極力減らすことができる。本発明によれば、絶縁体と回路基板との接合に関する製造コストの低減を図ることができる。以下、本発明を具体化した一実施形態を図1~図7にしたがって説明する。図1に示すように、半導体装置10は、絶縁体としての四角板状の絶縁基板11を備える。図3に示すように、絶縁基板11には、四角板状の回路基板21の裏面21aが、ろう材製の接合材13を介して接合されている。また、回路基板21の表面21bには、半導体素子15が半田層14を介して接合されている。絶縁基板11は、窒化アルミニウム、アルミナ、窒化ケイ素などのセラミックスにより形成されるとともに、回路基板21は、純アルミニウムや銅により形成されている。また、半導体素子15としては、例えばIGBTやダイオードが用いられている。図1及び図2に示すように、回路基板21は、矩形板状の基板本体22と、この基板本体22の対向する一対の短辺から突設された矩形状の突片23と、から形成されている。各突片23の対向する一対の短辺23aのうち、一方の短辺23aは、基板本体22の各長辺の延長線上に位置し、他方の短辺23bは基板本体22の短辺の中間位置から外方に向けて延びている。このため、基板本体22の短辺方向に沿った突片23長さは、その基板本体22の短辺の長さの半分になっている。そして、一対の突片23は、基板本体22の中心点を基準として点対称となる位置に配置されている。図4に示すように、回路基板21は、一枚の帯状をなす金属板30から複数個製造される。金属板30は、短辺の長さが基板本体22の短辺と同じ長さであり、金属板30の長辺の長さは、回路基板21の長辺方向への長さより長くなっている。そして、金属板30の短辺方向の中間点を境界として両長辺側に突片23を確保し、その突片23及び基板本体22の短辺に沿って金属板30を切断することにより、金属板30から回路基板21が得られる。図1及び図3に示すように、回路基板21は、接合材13を介して絶縁基板11の表面に接合されている。接合材13は、基板本体22と同じ平面視四角形状をなす。そして、回路基板21の裏面21aにおいて、基板本体22と対応した四角形状の面が接合材13によって絶縁基板11に接合されている。このため、回路基板21の裏面21aのうち、各突片23に対応した部位は、接合材13によって絶縁基板11に接合されておらず、各突片23は絶縁基板11から離れた位置に配置されている。したがって、本実施形態では、両突片23が、絶縁基板11に接合されない非接合部を構成している。次に、回路基板21に半導体素子15を位置決めする位置決め治具40について説明する。図5a及びbに示すように、位置決め治具40は、グラファイト材料により形成されている。位置決め治具40は、四角環状をなす天板42と、この天板42の四側周縁から突設された四角筒状をなす周壁43とから形成されている。周壁43の開口形状は、周壁43の内側に回路基板21を挿入可能な四角孔状に形成されている。周壁43の対角線上に位置する一対の角部には、各突片23の一対の短辺23aのうち、回路基板21の長辺の延長線上に位置する短辺23aに沿って当接可能な第1当接面43aが形成されている。さらに、周壁43の一対の角部には、第1当接面43aに直交し、かつ各突片23の長辺に沿って当接可能な第2当接面43bが形成されている。すなわち、周壁43の対角線上に位置する一対の角部は、第1当接面43aと第2当接面43bによって直角状に形成されている。また、周壁43は、対向する一対の内面に第1当接面43aが形成されることにより段差状に形成されている。そして、図7bに示すように、周壁43の内側に回路基板21が収納された状態では、各突片23の一方の短辺23aに第1当接面43aが当接するとともに、突片23の長辺に第2当接面43bが当接し、位置決め治具40の前後左右方向への移動が規制されるようになっている。また、位置決め治具40の移動が規制された状態では、基板本体22の長辺及び短辺と、各辺に対向する周壁43の内面との間には隙間Sが形成されるようになっている。図5a及びbに示すように、天板42には、天板42を上下方向へ貫通する位置決め孔41が形成されるとともに、位置決め孔41は四角孔状をなす。また、天板42の裏面において、位置決め孔41の周縁には支持突部44が四角筒状に突設されている。なお、天板42からの支持突部44の突設長さは、天板42からの周壁43の突設長さより短くなっている。また、位置決め治具40において、周壁43の内側と、支持突部44の外側との間には、環状凹部45が形成されている。そして、回路基板21の表面21bに位置決め治具40が支持載置された状態では、位置決め孔41は、回路基板21の表面21bを位置決め孔41を介して上側へ臨ませるようになっている。また、位置決め孔41は、半田層14を形成する半田シート50、及び半導体素子15を挿入可能とするように、半田シート50及び半導体素子15の外形よりも大きく形成されている。位置決め孔41内に半田シート50が挿入され、半田シート50が回路基板21の表面21b上に載置された状態では、半田シート50は位置決め孔41の壁面によって位置決めされる。また、位置決め孔41内に半導体素子15が挿入され、半導体素子15が半田シート50上に配置された状態では、位置決め孔41の壁面によって、半導体素子15が半田シート50上に位置決めされる。次に、半導体装置10の作用を製造方法とともに説明する。まず、絶縁基板11の表面に接合材13の材料を配置するとともに、接合材13上に回路基板21を配置する。図6aに示すように、接合材13は、基板本体22と同じ四角形状に形成されており、二つの突片23の裏側には配置されない。そして、接合材13の溶融温度まで絶縁基板11、接合材13及び回路基板21を加熱する。このとき、溶融した接合材13が基板本体22の側縁を伝わり、接合材13の一部13aが基板本体22の表面に乗り上がったとする。その後、接合材13が凝固点まで冷却されると、接合材13によって絶縁基板11の表面に回路基板21の裏面21aが接合される。図6a及び図6bに示すように、基板本体22の側縁からは接合材13がはみ出し、さらに、基板本体22の表面には、接合材13の一部13aが乗り上げるが、非接合部である突片23の側縁からは接合材13ははみ出ず、表面にも接合材13は乗り上げていない。次に、図7aに示すように、回路基板21の表面21bに支持突部44を支持させるとともに、周壁43の内側に回路基板21を収納して、回路基板21上に位置決め治具40を載置する。このとき、図7bに示すように、各突片23の一方の短辺23a及び長辺に沿って、周壁43の第1当接面43a及び第2当接面43bが配置され、位置決め治具40は、二つの突片23に二つの角部が接触可能な位置に配置される。したがって、位置決め治具40は、回路基板21の表面21b上で前後左右方向へ移動しようとしても、いずれかの方向で二つの突片23の側辺に当接する。よって、絶縁基板11に接合された回路基板21の突片23に対し、位置決め治具40が当接するため、位置決め治具40の移動が規制され、位置決め治具40が位置決めされる。また、各突片23は、接合材13を介して絶縁基板11には接合されていない。このため、突片23の側縁から接合材13ははみ出ず、表面には接合材13の一部13aが乗り上げていない。よって、周壁43の第1当接面43a及び第2当接面43bが、各突片23の一方の短辺23a及び長辺に沿って配置されるように位置決め治具40を位置決めするとき、接合材13が邪魔になることがない。また、基板本体22の表面には接合材13が乗り上げているが、回路基板21上に位置決め治具40を載置したとき、乗り上げた接合材13の一部13aは、環状凹部45内に収納される。回路基板21の表面21bで位置決め治具40が位置決めされると、回路基板21の中央に支持突部44及び位置決め孔41が位置決めされる。そして、位置決め孔41に半田シート50を挿入した後、半導体素子15を挿入し、位置決め孔41の壁面によって基板本体22上に半田シート50及び半導体素子15を積層する。その後、半田シート50の溶融温度まで加熱し、半田シート50を溶融させた後、凝固点まで冷却させると、半田層14を介して半導体素子15が絶縁基板11に接合される。その結果、絶縁基板11に接合材13を介して回路基板21が接合されるとともに、回路基板21に半田層14を介して半導体素子15が接合されてなる半導体装置10が製造される。上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。1回路基板21には、接合材13と接合されない突片23非接合部が設けられている。このため、接合材13を介して絶縁基板11に回路基板21を接合しても、突片23の側縁から接合材13がはみ出ることが無く、表面に接合材13が乗り上げることを無くすことができる。すなわち、1種類の接合材13を用いながらも、回路基板21に、接合材13がはみ出ず、乗り上げない部位を設けることができる。したがって、回路基板21の側縁から接合材13がはみ出ず、表面21bに乗り上げないようにするために、背景技術のように、材質の異なる2種類のろう材を必要とする場合と比べると、絶縁基板11と回路基板21との接合に関しての製造コストの低減を図ることができる。2回路基板21の突片23の側縁からは接合材13がはみ出ないため、各突片23の一方の短辺23a及び長辺に沿って、位置決め治具40の第1当接面43a及び第2当接面43bを配置することができる。このため、二つの突片23を用いて位置決め治具40の位置決めを行うことができ、半導体素子15を回路基板21の所定位置に位置決めすることができる。したがって、回路基板21に非接合部としての突片23を設けることで、突片23を用いて、半導体素子15及び半田シート50の位置決め用の位置決め治具40の位置決めを行うことができる。その結果として、位置決め治具40の位置決めが、回路基板21の側縁からはみ出た接合材13に邪魔されることを回避するため、背景技術のように材質の異なる2種類のろう材を必要とする場合と比べると、絶縁基板11と回路基板21との接合に関しての製造コストの低減を図ることができる。3回路基板21は、四角形状の基板本体22と、この基板本体22から突設された突片23とからなる。そして、接合材13は基板本体22と同じ大きさに形成されている。このため、突片23を設けるだけで、位置決め治具40の位置決めを可能にしつつ、基板本体22全体を接合材13で絶縁基板11に接合することができる。したがって、回路基板21の側縁から接合材13がはみ出ないようにするために、接合材13の量を減らすこともなく、回路基板21の絶縁基板11への接合を確実に行うことができる。4回路基板21は、四角形状の基板本体22と、この基板本体22から突設された突片23とからなり、二つの突片23は回路基板21の対角線上に設けられている。このため、二つの突片23だけでも位置決め治具40の位置決めを可能にすることができ、基板本体22から突出する突片23の数を最小限に抑えることができる。すなわち、絶縁基板11に接合されない部位を最小限に抑え、回路基板21の絶縁基板11への接合を確実に行うことができる。5位置決め治具40の周壁43の開口形状は、第1当接面43aが各突片23の一方の短辺23aに沿うとともに第2当接面43bが各突片23の長辺に沿うように形成されている。さらに、位置決め治具40の周壁43の開口形状は、突片23以外の基板本体22の側縁に対しては隙間Sを空けるように形成されている。このため、突片23によって位置決め治具40が位置決めされたとき、基板本体22の側縁から接合材13がはみ出していても、その接合材13が周壁43に干渉することが防止され、位置決め治具40を所定の位置に配置することができる。6位置決め治具40は、四角環状をなす天板42と、この天板42の四側周縁から突設された四角筒状をなす周壁43とから形成され、さらに、天板42における位置決め孔41の周縁から延びる支持突部44を備える。そして、天板42からの支持突部44の突設長さは、天板42からの周壁43の突設長さより短くなっている。このため、周壁43の内側に回路基板21を収納し、位置決め治具40が位置決めされた状態では、支持突部44を回路基板21の表面21bに支持させることができる。7位置決め治具40は、四角環状をなす天板42と、この天板42の四側周縁から突設された四角筒状をなす周壁43とから形成され、さらに、天板42における位置決め孔41の周縁から延びる支持突部44を備える。そして、周壁43と支持突部44との間に環状凹部45が区画されている。このため、支持突部44を回路基板21の表面21bに支持させた状態では、基板本体22上に乗り上げた接合材13の一部13aを環状凹部45内に収納し、乗り上げた接合材13が天板42に当接することを防止することができる。8回路基板21は、基板本体22と、一対の突片23とからなる。そして、この回路基板21において、各突片23は、基板本体22の各短辺の半分の長さを有するとともに、回路基板21の対角線上に位置している。よって、短辺方向への長さが回路基板21の短辺方向への長さと同じ帯状の金属板30から回路基板21を切断して製造する際、金属板30の短辺方向に突片23を隣り合わせて形成することができる。その結果として、金属板30から回路基板21を形成する際、金属板30から廃棄される部位を極力減らすことができる。9回路基板21の基板本体22上に接合材13が乗り上げたとしても、二つの突片23によって位置決め治具40の前後左右方向への移動を規制し、環状凹部45で乗り上げた接合材13と天板42との干渉を防止することができる。したがって、突片23と位置決め治具40の協同で半導体素子15の位置決めを行うことができる。なお、上記実施形態は以下のように変更してもよい。○実施形態では、回路基板21を、四角形状の基板本体22と、この基板本体22の両短辺に形成された突片23とから形成したが、突片23の位置や形状は任意に変更してもよい。図8aに示すように、基板本体22の四つ角に突片23を突設してもよい。また、図8bに示すように、突片23は、基板本体22の三つの角部に突設してもよい。○実施形態では、接合材13をろう材で形成したが、ろう材以外にも半田や接着剤で形成してもよい。○実施形態では、絶縁体としての絶縁基板11は、窒化アルミニウム、アルミナ、窒化ケイ素などのセラミックスにより形成したが、絶縁体としてガラスエポキシ等のその他の材料に変更してもよい。○実施形態では、半導体装置10は、絶縁基板11と、回路基板21と、半導体素子15とから構成されていたが、半導体装置10を、絶縁基板11における回路基板21の接合面と反対側の面に、熱交換器を形成した構成としてもよい。次に、上記実施形態及び別例から把握できる技術的思想について以下に追記する。イ前記位置決め治具は、天板と、該天板の周縁から突設された筒状をなす周壁とから形成され、前記周壁には、前記非接合部の隣り合う二側辺に当接する当接面が形成されるとともに、前記周壁は、前記非接合部以外の前記回路基板の側縁に対しては隙間を空けるように形成されている半導体装置。ロ前記位置決め治具は、前記天板に前記半導体素子が挿入される位置決め孔が形成されるとともに、前記位置決め孔の周縁から延びる支持突部を備え、前記天板からの前記支持突部の突設長さは、前記天板からの前記周壁の突設長さより短くなっている技術的思想イに記載の半導体装置。ハ前記位置決め治具には、前記周壁と前記支持突部との間に環状凹部が区画されている技術的思想ロに記載の半導体装置。