"陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられ、前記陽極と前記陰極との間に通電することにより発光する発光層と、前記陰極と前記発光層との間に前記発光層に接して設けられ、電子輸送性を有する電子輸送層とを有し、前記発光層は、下記式1で表わされる化合物を発光材料として含んで構成され、前記電子輸送層は、アザインドリジン骨格およびアントラセン骨格を分子内に有する化合物を電子輸送性材料として含んで構成されていることを特徴とする発光素子。[前記式1中、AおよびBは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミンを示す。]前記式1において、Bがそれぞれフェニル基またはメチル基である請求項1に記載の発光素子。前記電子輸送性材料は、1つの分子内に含まれるアザインドリジン骨格およびアントラセン骨格の数がそれぞれ1つまたは2つである請求項1または2に記載の発光素子。前記発光層は、前記発光材料を保持するホスト材料を含んで構成されている請求項1ないし3のいずれかに記載の発光素子。前記ホスト材料は、アセン系材料を含んで構成されている請求項4に記載の発光素子。前記アセン系材料は、アントラセン系材料である請求項5に記載の発光素子。前記アセン系材料は、テトラセン系材料である請求項5に記載の発光素子。前記アセン系材料は、炭素原子および水素原子で構成されている請求項5ないし7のいずれかに記載の発光素子。前記ホスト材料は、キノリノラト系金属錯体を含んで構成されている請求項4ないし8のいずれかに記載の発光素子。前記電子輸送層は、アザインドリジン骨格およびアントラセン骨格を分子内に有する前記化合物を第1の電子輸送性材料として含んで構成された第1の電子輸送層と、前記第1の電子輸送層と前記発光層との間にこれらの両層に接して設けられ、前記第1の電子輸送性材料とは異なる第2の電子輸送性材料を含んで構成された第2の電子輸送層とを備える請求項1ないし9のいずれかに記載の発光素子。請求項1ないし10のいずれかに記載の発光素子を備えることを特徴とする発光装置。請求項1ないし10のいずれかに記載の発光素子を備えることを特徴とする認証装置。請求項1ないし10のいずれかに記載の発光素子を備えることを特徴とする電子機器。本発明の目的は、近赤外域で発光する高効率かつ長寿命な発光素子、この発光素子を備える発光装置、認証装置および電子機器を提供することにある。このような目的は、下記の本発明により達成される。本発明の発光素子は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられ、前記陽極と前記陰極との間に通電することにより発光する発光層と、前記陰極と前記発光層との間に前記発光層に接して設けられ、電子輸送性を有する電子輸送層とを有し、前記発光層は、下記式1で表わされる化合物を発光材料として含んで構成され、前記電子輸送層は、アザインドリジン骨格およびアントラセン骨格を分子内に有する化合物を電子輸送性材料として含んで構成されていることを特徴とする。[前記式1中、AおよびBは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミンを示す。]このように構成された発光素子によれば、発光材料として前記式1で表わされる化合物を用いているので、700nm以上の波長域近赤外域での発光を得ることができる。また、発光層に隣接する電子輸送層の電子輸送性材料としてアザインドリジン骨格およびアントラセン骨格を分子内に有する化合物を用いているので、電子輸送層から発光層へ電子を効率的に輸送することができる。そのため、発光素子の発光効率を優れたものとすることができる。また、電子輸送層から発光層への電子輸送を効率的に行えることから、発光素子の駆動電圧を低電圧化することができ、それに伴って、発光素子の長寿命化を図ることができる。さらに、アザインドリジン骨格およびアントラセン骨格を分子内に有する化合物は電子およびホールに対する安定性耐性に優れるため、この点でも、発光素子の長寿命化を図ることができる。本発明の発光素子では、前記式1において、Bがそれぞれフェニル基またはメチル基であることが好ましい。フェニル基およびメチル基は、それぞれ化学的安定性が比較的高い。そのため、かかる化合物を発光材料として用いることにより、発光素子の長寿命化を図ることができる。また、発光材料の分子量を比較的小さく抑えることができることから、気相成膜を用いて発光層を高精度に形成することができる。その結果、この点でも、発光素子の高効率化および長寿命化を図ることが可能となる。本発明の発光素子では、前記電子輸送性材料は、1つの分子内に含まれるアザインドリジン骨格およびアントラセン骨格の数がそれぞれ1つまたは2つであることが好ましい。これにより、電子輸送層の電子輸送性および電子注入性を優れたものとすることができる。本発明の発光素子では、前記発光層は、前記発光材料を保持するホスト材料を含んで構成されていることが好ましい。これにより、ホスト材料が、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを発光材料に移動させて、発光材料を励起することができる。そのため、発光素子の発光効率を高めることができる。本発明の発光素子では、前記ホスト材料は、アセン系材料を含んで構成されていることが好ましい。これにより、電子輸送層中の電子輸送性材料のアントラセン骨格部分から発光層中のアセン系材料へ電子を効率的に受け渡すことができる。本発明の発光素子では、前記アセン系材料は、アントラセン系材料であることが好ましい。これにより、電子輸送層中の電子輸送性材料のアントラセン骨格部分から発光層中のアントラセン系材料へ電子を効率的に受け渡すことができる。本発明の発光素子では、前記アセン系材料は、テトラセン系材料であることが好ましい。これにより、電子輸送層中の電子輸送性材料のアントラセン骨格部分から発光層中のテトラセン系材料へ電子を効率的に受け渡すことができる。本発明の発光素子では、前記アセン系材料は、炭素原子および水素原子で構成されていることが好ましい。これにより、ホスト材料と発光材料との不本意な相互作用が生じるのを防止することができる。そのため、発光素子の発光効率を高めることができる。また、電位および正孔に対するホスト材料の耐性を高めることができる。そのため、発光素子の長寿命化を図ることができる。本発明の発光素子では、前記ホスト材料は、キノリノラト系金属錯体を含んで構成されていることが好ましい。これにより、キノリノラト系金属錯体が、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを発光材料に移動させて、発光材料を励起することができる。本発明の発光素子では、前記電子輸送層は、アザインドリジン骨格およびアントラセン骨格を分子内に有する前記化合物を第1の電子輸送性材料として含んで構成された第1の電子輸送層と、前記第1の電子輸送層と前記発光層との間にこれらの両層に接して設けられ、前記第1の電子輸送性材料とは異なる第2の電子輸送性材料を含んで構成された第2の電子輸送層とを備えることが好ましい。これにより、発光素子の長寿命化を図ることができる。本発明の発光装置は、本発明の発光素子を備えることを特徴とする。このような発光装置は、近赤外域での発光が可能である。また、高効率および長寿命な発光素子を備えるので、信頼性に優れる。本発明の認証装置は、本発明の発光素子を備えることを特徴とする。このような認証装置は、近赤外光を用いて生体認証を行うことができる。また、高効率および長寿命な発光素子を備えるので、信頼性に優れる。本発明の電子機器は、本発明の発光素子を備えることを特徴とする。このような電子機器は、高効率および長寿命な発光素子を備えるので、信頼性に優れる。以下、本発明の発光素子、発光装置、認証装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。図1は、本発明の実施形態に係る発光素子を模式的に示す断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図1中の上側を上、下側を下として説明を行う。図1に示す発光素子エレクトロルミネッセンス素子1は、陽極3と正孔注入層4と正孔輸送層5と発光層6と電子輸送層7と電子注入層8と陰極9とがこの順に積層されてなるものである。すなわち、発光素子1では、陽極3と陰極9との間に、陽極3側から陰極9側へ正孔注入層4と正孔輸送層5と発光層6と電子輸送層7と電子注入層8とがこの順で積層された積層体14が介挿されている。そして、発光素子1は、その全体が基板2上に設けられるとともに、封止部材10で封止されている。このような発光素子1にあっては、陽極3および陰極9に駆動電圧が印加されることにより、発光層6に対し、それぞれ、陰極9側から電子が供給注入されるとともに、陽極3側から正孔が供給注入される。そして、発光層6では、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン励起子が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー蛍光やりん光を放出発光する。これにより、発光素子1は、発光する。特に、この発光素子1は、後述するように発光層6の発光材料としてチアジアゾール系化合物を用いることにより、近赤外域で発光する。なお、本明細書において、近赤外域とは、700nm以上1500nm以下の波長域を言う。基板2は、陽極3を支持するものである。本実施形態の発光素子1は、基板2側から光を取り出す構成ボトムエミッション型であるため、基板2および陽極3は、それぞれ、実質的に透明無色透明、着色透明または半透明とされている。基板2の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。このような基板2の平均厚さは、特に限定されないが、0.1~30mm程度であるのが好ましく、0.1~10mm程度であるのがより好ましい。なお、発光素子1が基板2と反対側から光を取り出す構成トップエミッション型の場合、基板2には、透明基板および不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料で構成された基板、ステンレス鋼のような金属基板の表面に酸化膜絶縁膜を形成したもの、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。また、このような発光素子1では、陽極3と陰極9との間の距離すなわち積層体14の平均厚さは、150~500nmであるのが好ましく、100~300nmであるのがより好ましく、100~250nmであるのがさらに好ましい。これにより、簡単かつ確実に、発光素子1の駆動電圧を実用的な範囲内にすることができる。以下、発光素子1を構成する各部を順次説明する。[陽極]陽極3は、後述する正孔注入層4を介して正孔輸送層5に正孔を注入する電極である。この陽極3の構成材料としては、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。陽極3の構成材料としては、例えば、ITOIndiumTinOxide、IZOIndiumZincOxide、In3O3、SnO2、Sb含有SnO2、Al含有ZnO等の酸化物、Au、Pt、Ag、Cuまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。特に、陽極3は、ITOで構成されているのが好ましい。ITOは、透明性を有するとともに、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料である。これにより、陽極3から正孔注入層4へ効率的に正孔を注入することができる。また、陽極3の正孔注入層4側の面図1にて上面は、プラズマ処理が施されているのが好ましい。これにより、陽極3と正孔注入層4との接合面の化学的および機械的な安定性を高めることができる。その結果、陽極3から正孔注入層4への正孔注入性を向上させることができる。なお、かかるプラズマ処理については、後述する発光素子1の製造方法の説明において詳述する。このような陽極3の平均厚さは、特に限定されないが、10~200nm程度であるのが好ましく、50~150nm程度であるのがより好ましい。[陰極]一方、陰極9は、後述する電子注入層8を介して電子輸送層7に電子を注入する電極である。この陰極9の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。陰極9の構成材料としては、例えば、Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Al、Cs、Rbまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて例えば、複数層の積層体、複数種の混合層等として用いることができる。特に、陰極9の構成材料として合金を用いる場合には、Ag、Al、Cu等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、MgAg、AlLi、CuLi等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極9の構成材料として用いることにより、陰極9の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。このような陰極9の平均厚さは、特に限定されないが、100~10000nm程度であるのが好ましく、100~500nm程度であるのがより好ましい。なお、本実施形態の発光素子1は、ボトムエミッション型であるため、陰極9に、光透過性は、特に要求されない。また、トップエミッション型である場合には、陰極9側から光を透過させる必要があるので、陰極9の平均厚さは、1~50nm程度であるのが好ましい。[正孔注入層]正孔注入層4は、陽極3からの正孔注入効率を向上させる機能を有するすなわち正孔注入性を有するものである。このように陽極3と後述する正孔輸送層5との間に正孔注入層4を設けることにより、陽極3からの正孔性を向上させ、その結果、発光素子1の発光効率を高めることができる。この正孔注入層4は、正孔注入性を有する材料すなわち正孔注入性材料を含んでいる。この正孔注入層4に含まれる正孔注入性材料としては、特に限定されないが、例えば、銅フタロシアニンや、4,4’,4’’-トリスN,N-フェニル-3-メチルフェニルアミノトリフェニルアミンm-MTDATA、N,N’-ビス-4-ジフェニルアミノ-フェニル-NN’-ジフェニル-ビフェニル-4-4’-ジアミン、テトラ-p-ビフェニリル-ベンジジンHTL-1等が挙げられる。中でも、正孔注入層4に含まれる正孔注入性材料としては、正孔注入性および正孔輸送性に優れるという観点から、アミン系材料を用いるのが好ましく、ジアミノベンゼン誘導体、ベンジジン誘導体ベンジジン骨格を有する材料、分子内にジアミノベンゼンユニットとベンジジンユニットとの両方を有するトリアミン系化合物、テトラアミン系化合物を用いるのがより好ましい。このような正孔注入層4の平均厚さは、特に限定されないが、5~90nm程度であるのが好ましく、10~70nm程度であるのがより好ましい。なお、正孔注入層4は、陽極3および正孔輸送層5の構成材料によっては、省略してもよい。正孔輸送層正孔輸送層5は、陽極3から正孔注入層4を介して注入された正孔を発光層6まで輸送する機能を有するすなわち正孔輸送性を有するものである。この正孔輸送層5は、正孔輸送性を有する材料すなわち正孔輸送性材料を含んで構成されている。この正孔輸送層5に含まれる正孔輸送性材料には、各種p型の高分子材料や、各種p型の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができ、例えば、N,N’-ジ1-ナフチル-N,N’-ジフェニル-1,1’-ジフェニル-4,4’-ジアミンNPD、N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス3-メチルフェニル-1,1’-ジフェニル-4,4’-ジアミンTPD等のテトラアリールベンジジン誘導体、テトラアリールジアミノフルオレン化合物またはその誘導体アミン系化合物、テトラ-p-ビフェニリル-ベンジジンHTL-1等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、正孔輸送層5に含まれる正孔輸送性材料としては、正孔注入性および正孔輸送性に優れるという観点から、アミン系材料であるのが好ましく、ベンジジン誘導体ベンジジン骨格を有する材料であるのがより好ましい。このような正孔輸送層5の平均厚さは、特に限定されないが、5~90nm程度であるのが好ましく、10~70nm程度であるのがより好ましい。発光層この発光層6は、前述した陽極3と陰極9との間に通電することにより、発光するものである。このような発光層6は、発光材料を含んで構成されている。特に、この発光層6は、発光材料として、下記式1で表わされる化合物以下、単にチアジアゾール系化合物ともいうを含んで構成されている。[式1中、AおよびBは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミンを示す。]このようなチアジアゾール系化合物を含む発光層6は、700nm以上の波長域近赤外域での発光を得ることができる。特に、発光層6に用いる発光材料チアジアゾール系化合物としては、下記式2または式3で表わされる化合物を用いるのが好ましい。[式2、3中、Aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基、トリアリールアミンを示す。]すなわち、前記式1において、Bがそれぞれフェニル基またはメチル基であるのが好ましい。フェニル基およびメチル基は、それぞれ化学的安定性が比較的高い。そのため、かかる化合物を発光材料として用いることにより、発光素子1の長寿命化を図ることができる。また、発光材料の分子量を比較的小さく抑えることができることから、気相成膜を用いて発光層6を高精度に形成することができる。その結果、この点でも、発光素子1の高効率化および長寿命化を図ることが可能となる。さらに、発光層6に用いる発光材料としては、下記式4~9で表わされる化合物を用いるのが好ましく、具体的には、特に、下記式D-1~D-3で表わされる化合物を用いるのが好ましい。[式4~9中、Rは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基を示す。]なお、発光層6は、上述した発光材料以外の発光材料各種蛍光材料、各種燐光材料が含まれていてもよい。また、発光層6の構成材料としては、前述したような発光材料に加えて、この発光材料がゲスト材料ドーパントとして添加担持されるホスト材料を用いる。このホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを発光材料に移動フェルスター移動またはデクスター移動させて、発光材料を励起する機能を有する。そのため、発光素子1の発光効率を高めることができる。このようなホスト材料は、例えば、ゲスト材料である発光材料をドーパントとしてホスト材料にドープして用いることができる。このようなホスト材料としては、用いる発光材料に対して前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、例えば、ジスチリルアリーレン誘導体、下記式7で表わされる化合物等のナフタセン誘導体、2-t-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセンTBADN等のアントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、ビス2-メチル-8-キノリノラトp-フェニルフェノラトアルミニウムBAlq、トリス8-キノリノラトアルミニウム錯体Alq3等のキノリノラト系金属錯体、トリフェニルアミンの4量体等のトリアリールアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ルブレンおよびその誘導体、シロール誘導体、ジカルバゾール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ベンゾピラン誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体、4,4’-ビス2,2’-ジフェニルビニルビフェニルDPVBi、3-フェニル-4-1’-ナフチル-5-フェニルカルバゾール、4,4’-N,N’-ジカルバゾールビフェニルCBP等のカルバゾール誘導体等が挙げられ、これらのうち1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることもできる。これらの中でも、ホスト材料としては、アセン系材料を用いるのが好ましい。発光層6のホスト材料がアセン系材料を含んで構成されていると、電子輸送層7中の電子輸送性材料のアントラセン骨格部分から発光層6中のアセン系材料へ電子を効率的に受け渡すことができる。アセン系材料は、前述したような発光材料との不本意な相互材用が少ない。また、ホスト材料としてアセン系材料特にアントラセン系材料、テトラセン系材料を用いると、ホスト材料から発光材料へのエネルギー移動を効率的に行うことができる。これは、aアセン系材料の三重項励起状態からのエネルギー移動による発光材料の一重項励起状態の生成が可能となること、bアセン系材料のπ電子雲と発光材料の電子雲との重なりが大きくなること、cアセン系材料の蛍光スペクトルと発光材料の吸収スペクトルとの重なりが大きくなること等によるものと考えられる。このようなことから、ホスト材料としてアセン系材料を用いると、発光素子1の発光効率を高めることができる。また、アセン系材料は、電子および正孔に対する耐性に優れる。また、アセン系材料は、熱安定性にも優れる。そのため、発光素子1は、長寿命化を図ることができる。また、アセン系材料は、熱安定性に優れるため、気相成膜法を用いて発光層を形成する場合に、成膜時の熱によるホスト材料の分解を防止することができる。そのため、優れた膜質を有する発光層を形成することができ、その結果、この点でも、発光素子1の発光効率を高めるとともに長寿命化を図ることができる。さらに、アセン系材料は、それ自体発光しにくいので、ホスト材料が発光素子1の発光スペクトルに悪影響を及ぼすのを防止することもできる。このようなアセン系材料は、アセン骨格を有し、かつ、前述したような効果を発揮するものであれば、特に限定されず、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ナフタセン誘導体テトラセン誘導体、ペンタセン誘導体が挙げられ、これらのうち1種または2種以上を組み合わせて用いることができるが、アントラセン誘導体アントラセン系材料またはテトラセン誘導体テトラセン系材料を用いるのが好ましい。これにより、電子輸送層7中の電子輸送性材料のアントラセン骨格部分から発光層6中のアントラセン系材料またはテトラセン系材料へ電子を効率的に受け渡すことができる。テトラセン系材料としては、1つの分子内に少なくとも1つのテトラセン骨格を有し、かつ、前述したようなホスト材料としての機能を発揮し得るものであれば、特に限定されないが、例えば、下記式IRH-1で表わされる化合物を用いるのが好ましく、下記式IRH-2で表わされる化合物を用いるのがより好ましく、下記IRH-3で表わされる化合物を用いるのがさらに好ましい。[前記式IRH-1中、nは、1~12の自然数を示し、Rは置換機または官能基を表し、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基を示す。また、前記式IRH-2、IRH-3中、R1~R4は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基を示す。また、R1~R4は、互いに同じであっても異なっていてもよい。]また、テトラセン系材料は、炭素原子および水素原子で構成されているのが好ましい。これにより、ホスト材料と発光材料との不本意な相互作用が生じるのを防止することができる。そのため、発光素子1の発光効率を高めることができる。また、電位および正孔に対するホスト材料の耐性を高めることができる。そのため、発光素子1の長寿命化を図ることができる。具体的には、テトラセン系材料としては、例えば、下記式H1-1~H1-11で表わされる化合物、下記式H1-12~H1-27で表される化合物を用いるのが好ましい。また、アントラセン系材料としては、1つの分子内に少なくとも1つのアントラセン骨格を有し、かつ、前述したようなホスト材料としての機能を発揮し得るものであれば、特に限定されないが、例えば、下記式IRH-4で表わされる化合物またはその誘導体を用いるのが好ましく、下記式IRH5~IRH-8で表わされる化合物を用いるのがより好ましい。[前記式IRH-4中、nは、1~10の自然数を示し、Rは置換基または官能基を表し、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基を示す。また、前記式IRH-5~IRH-8中、R1、R2は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、アリールアミノ基を示す。また、R1、R2は、互いに同じであっても異なっていてもよい。]また、アントラセン系材料は、炭素原子および水素原子で構成されているのが好ましい。これにより、ホスト材料と発光材料との不本意な相互作用が生じるのを防止することができる。そのため、発光素子1の発光効率を高めることができる。また、電位および正孔に対するホスト材料の耐性を高めることができる。そのため、発光素子1の長寿命化を図ることができる。具体的には、アントラセン系材料としては、例えば、下記式H2-1~H2-16で表わされる化合物、下記式H2-21~H2-40で表される化合物、下記式H2-51~H2-70で表される化合物を用いるのが好ましい。このような発光材料およびホスト材料を含む発光層6中における発光材料の含有量ドープ量は、0.01~10wtであるのが好ましく、0.1~5wtであるのがより好ましい。発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができる。また、発光層6の平均厚さは、特に限定されないが、1~60nm程度であるのが好ましく、3~50nm程度であるのがより好ましい。電子輸送層電子輸送層7は、陰極9から電子注入層8を介して注入された電子を発光層6に輸送する機能を有するものである。この電子輸送層7は、電子輸送性材料を含んで構成されている。特に、電子輸送層7は、電子輸送性材料として、アザインドリジン骨格およびアントラセン骨格を分子内に有する化合物以下、単にアザインドリジン系化合物ともいうを含んで構成されている。このように、発光層6に隣接する電子輸送層7の電子輸送性材料としてアザインドリジン骨格およびアントラセン骨格を分子内に有する化合物を用いているので、電子輸送層7から発光層6へ電子を効率的に輸送することができる。そのため、発光素子1の発光効率を優れたものとすることができる。また、電子輸送層7から発光層6への電子輸送を効率的に行えることから、発光素子1の駆動電圧を低電圧化することができ、それに伴って、発光素子1の長寿命化を図ることができる。さらに、アザインドリジン骨格およびアントラセン骨格を分子内に有する化合物は電子およびホールに対する安定性耐性に優れるため、この点でも、発光素子1の長寿命化を図ることができる。電子輸送層7に用いる電子輸送性材料アザインドリジン系化合物は、1つの分子内に含まれるアザインドリジン骨格およびアントラセン骨格の数がそれぞれ1つまたは2つであるのが好ましい。これにより、電子輸送層7の電子輸送性および電子注入性を優れたものとすることができる。具体的には、電子輸送層7に用いるアザインドリジン系化合物としては、例えば、下記式ELT-A1~ELT-A24で表わされるような化合物、下記式ELT-B1~式ELT-B12で表わされるような化合物、下記ELT-C1~ELT-C20で表わされる化合物を用いるのが好ましい。このようなアザインドリジン化合物は、電子輸送性および電子注入性に優れる。そのため、発光素子1の発光効率を向上させることができる。かかるアザインドリジン化合物の電子輸送性および電子注入性が優れるのは、以下のような理由によるものと考えられる。前述したようなアザインドリジン骨格およびアントラセン骨格を分子内に有するアザインドリジン系化合物は、その分子全体がπ共役系で繋がっているため、電子雲が分子全体に亘って拡がっている。そして、かかるアザインドリジン系化合物のアザインドリジン骨格の部分は、電子を受け入れる機能と、その受け取った電子をアントラセン骨格の部分へ送り出す機能とを有する。一方、かかるアザインドリジン系化合物のアントラセン骨格の部分は、アザインドリジン骨格の部分から電子を受け入れる機能と、その受け入れた電子を、電子輸送層7の陽極3側に隣接する層、すなわち発光層6へ受け渡す機能とを有する。具体的に説明すると、かかるアザインドリジン系化合物のアザインドリジン骨格の部分は、2つの窒素原子を有し、その一方アントラセン骨格の部分に近い側の窒素原子がsp2混成軌道を有し、他方アントラセン骨格の部分に遠い側の窒素原子がsp3混成軌道を有する。sp2混成軌道を有する窒素原子は、アザインドリジン系化合物の分子の共役系の一部を構成するとともに、炭素原子よりも電気陰性度が高く、電子を引き付ける強さが大きいため、電子を受け入れる部分として機能する。一方、sp3混成軌道を有する窒素原子は、通常の共役系ではないが、非共有電子対を有するため、その電子がアザインドリジン系化合物の分子の共役系に向けて電子を送り出す部分として機能する。一方、かかるアザインドリジン系化合物のアントラセン骨格の部分は、電気的に中性であるため、アザインドリジン骨格の部分から電子を容易に受け入れることができる。また、かかるアザインドリジン系化合物のアントラセン骨格の部分は、発光層6の構成材料、特にホスト材料アセン系材料と軌道の重なりが大きいため、発光層6のホスト材料へ電子を容易に受け渡すことができる。また、かかるアザインドリジン系化合物は、前述したように電子輸送性および電子注入性に優れるため、結果として、発光素子1の駆動電圧を低電圧化することができる。また、アザインドリジン骨格の部分は、sp2混成軌道を有する窒素原子が還元されても安定であり、sp3混成軌道を有する窒素原子が酸化されても安定である。そのため、かかるアザインドリジン系化合物は、電子および正孔に対する安定性が高いものとなる。その結果、発光素子1の長寿命化を図ることができる。また、電子輸送層7は、前述したような電子輸送性材料のうち2種以上を組み合わせて用いる場合、2種以上の電子輸送性材料を混合した混合材料で構成されていてもよいし、異なる電子輸送性材料で構成された複数の層を積層して構成されていてもよい。また、電子輸送層7は、アザインドリジン系化合物以外の材料を含んで構成されていてもよい。電子輸送層7が複数の層を積層して構成されている場合、電子輸送層7は、前述したアザインドリジン系化合物を第1の電子輸送性材料として含んで構成された第1の電子輸送層と、この第1の電子輸送層と発光層6との間にこれらの両層に接して設けられ、第1の電子輸送性材料とは異なる第2の電子輸送性材料を含んで構成された第2の電子輸送層とを備えるのが好ましい。これにより、発光素子1の長寿命化を図ることができる。また、この場合、上記第2の電子輸送性材料としては、例えば、Alq、テトラセン系材料、アントラセン系材料等を用いることができる。また、第2の電子輸送層の平均厚さは、特に限定されないが、例えば、5nm以上20nm程度であるのが好ましい。これにより、第2の電子輸送層が発光層6または第1の電子輸送層の一部と混合層を形成するため、電子輸送層7から発光層6への電子輸送性を良好なものとしつつ、発光素子1の長寿命化を図ることができる。電子輸送層7の平均厚さは、特に限定されないが、0.5~100nm程度であるのが好ましく、1~50nm程度であるのがより好ましい。電子注入層電子注入層8は、陰極9からの電子注入効率を向上させる機能を有するものである。この電子注入層8の構成材料電子注入性材料としては、例えば、各種の無機絶縁材料、各種の無機半導体材料が挙げられる。このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層8を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。特にアルカリ金属化合物アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物等は仕事関数が非常に小さく、これを用いて電子注入層8を構成することにより、発光素子1は、高い輝度が得られるものとなる。アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Li2O、LiO、Na2S、Na2Se、NaO等が挙げられる。アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、MgO、CaSe等が挙げられる。アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、CsF、LiF、NaF、KF、LiCl、KCl、NaCl等が挙げられる。アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、CaF2、BaF2、SrF2、MgF2、BeF2等が挙げられる。また、無機半導体材料としては、例えば、Li、Na、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Cd、Mg、Si、Ta、SbおよびZnのうちの少なくとも1つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。電子注入層8の平均厚さは、特に限定されないが、0.1~1000nm程度であるのが好ましく、0.2~100nm程度であるのがより好ましく、0.2~50nm程度であるのがさらに好ましい。なお、この電子注入層8は、陰極9および電子輸送層7の構成材料や厚さ等によっては、省略してもよい。封止部材封止部材10は、陽極3、積層体14、および陰極9を覆うように設けられ、これらを気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。封止部材10を設けることにより、発光素子1の信頼性の向上や、変質劣化の防止耐久性向上等の効果が得られる。封止部材10の構成材料としては、例えば、Al、Au、Cr、Nb、Ta、Tiまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、各種樹脂材料等を挙げることができる。なお、封止部材10の構成材料として導電性を有する材料を用いる場合には、短絡を防止するために、封止部材10と陽極3、積層体14および陰極9との間には、必要に応じて、絶縁膜を設けるのが好ましい。また、封止部材10は、平板状として、基板2と対向させ、これらの間を、例えば熱硬化性樹脂等のシール材で封止するようにしてもよい。以上のように構成された発光素子1によれば、発光層6の発光材料としてチアジアゾール系化合物を用いるとともに、電子輸送層7の電子輸送性材料としてアザインドリジン系化合物を用いることにより、近赤外域での発光を可能とするとともに、高効率化および長寿命化を図ることができる。以上のような発光素子1は、例えば、次のようにして製造することができる。[1]まず、基板2を用意し、この基板2上に陽極3を形成する。陽極3は、例えば、プラズマCVD、熱CVDのような化学蒸着法CVD、真空蒸着等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾルゲル法、MOD法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。[2]次に、陽極3上に正孔注入層4を形成する。正孔注入層4は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成するのが好ましい。なお、正孔注入層4は、例えば、正孔注入性材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔注入層形成用材料を、陽極3上に供給した後、乾燥脱溶媒または脱分散媒することによっても形成することができる。正孔注入層形成用材料の供給方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることもできる。かかる塗布法を用いることにより、正孔注入層4を比較的容易に形成することができる。正孔注入層形成用材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。なお、乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができる。また、本工程に先立って、陽極3の上面には、酸素プラズマ処理を施すようにしてもよい。これにより、陽極3の上面を親液性を付与すること、陽極3の上面に付着する有機物を除去洗浄すること、陽極3の上面付近の仕事関数を調整すること等を行うことができる。ここで、酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、プラズマパワー100~800W程度、酸素ガス流量50~100mL/min程度、被処理部材陽極3の搬送速度0.5~10mm/sec程度、基板2の温度70~90°C程度とするのが好ましい。[3]次に、正孔注入層4上に正孔輸送層5を形成する。正孔輸送層5は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成するのが好ましい。なお、正孔輸送性材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔輸送層形成用材料を、正孔注入層4上に供給した後、乾燥脱溶媒または脱分散媒することによっても形成することができる。[4]次に、正孔輸送層5上に、発光層6を形成する。発光層6は、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。また、発光層を形成する材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる発光層用材料を、正孔輸送層5上に供給した後、乾燥脱溶媒または脱分散媒することによっても形成することができる。[5]次に、発光層6上に、電子輸送層7を形成する。電子輸送層7は、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成するのが好ましい。なお、電子輸送層7は、例えば、電子輸送性材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる電子輸送層形成用材料を、発光層6上に供給した後、乾燥脱溶媒または脱分散媒することによっても形成することができる。[6]次に、電子輸送層7上に、電子注入層8を形成する。電子注入層8の構成材料として無機材料を用いる場合、電子注入層8は、例えば、CVD法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセス、無機微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。[7]次に、電子注入層8上に、陰極9を形成する。陰極9は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合、金属微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。以上のような工程を経て、発光素子1が得られる。最後に、得られた発光素子1を覆うように封止部材10を被せ、基板2に接合する。発光装置次に、本発明の発光装置の実施形態について説明する。図2は、本発明の発光装置を適用したディスプレイ装置の実施形態を示す縦断面図である。図2に示すディスプレイ装置100は、基板21と、複数の発光素子1Aと、各発光素子1Aをそれぞれ駆動するための複数の駆動用トランジスタ24とを有している。ここで、ディスプレイ装置100は、トップエミッション構造のディスプレイパネルである。基板21上には、複数の駆動用トランジスタ24が設けられ、これらの駆動用トランジスタ24を覆うように、絶縁材料で構成された平坦化層22が形成されている。各駆動用トランジスタ24は、シリコンからなる半導体層241と、半導体層241上に形成されたゲート絶縁層242と、ゲート絶縁層242上に形成されたゲート電極243と、ソース電極244と、ドレイン電極245とを有している。平坦化層上には、各駆動用トランジスタ24に対応して発光素子1Aが設けられている。発光素子1Aは、平坦化層22上に、反射膜32、腐食防止膜33、陽極3、積層体有機EL発光部14、陰極13、陰極カバー34がこの順に積層されている。本実施形態では、各発光素子1Aの陽極3は、画素電極を構成し、各駆動用トランジスタ24のドレイン電極245に導電部配線27により電気的に接続されている。また、各発光素子1Aの陰極13は、共通電極とされている。図2における発光素子1Aは、近赤外域で発光するものである。隣接する発光素子1A同士の間には、隔壁31が設けられている。また、これらの発光素子1A上には、これらを覆うように、エポキシ樹脂で構成されたエポキシ層35が形成されている。そして、エポキシ層35上には、これらを覆うように封止基板20が設けられている。以上説明したようなディスプレイ装置100は、例えば軍事用途等の近赤外線ディスプレイとして用いることができる。このようなディスプレイ装置100によれば、近赤外域での発光が可能である。また、高効率および長寿命な発光素子1Aを備えるので、信頼性に優れる。認証装置次に、本発明の認証装置の実施形態を説明する。図3は、本発明の認証装置の実施形態を示す図である。図3に示す認証装置1000は、生体F本実施形態では指先の生体情報を用いて個人を認証する生体認証装置である。この認証装置1000は、光源100Bと、カバーガラス1001と、マイクロレンズアレイ1002と、受光素子群1003と、発光素子駆動部1006と、受光素子駆動部1004と、制御部1005とを有する。光源100Bは、前述した発光素子1を複数備えるものであり、撮像対象物である生体Fへ向けて、近赤外域の光を照射する。例えば、この光源100Bの複数の発光素子1は、カバーガラス1001の外周部に沿って配置される。カバーガラス1001は、生体Fが接触または近接する部位である。マイクロレンズアレイ1002は、カバーガラス1001の生体Fが接触または近接する側と反対側に設けられている。このマイクロレンズアレイ1002は、複数のマイクロレンズがマトリクス状に配列して構成されている。受光素子群1003は、マイクロレンズアレイ1002に対してカバーガラス1001とは反対側に設けられている。この受光素子群1003は、マイクロレンズアレイ1002の複数のマイクロレンズに対応してマトリクス状に設けられた複数の受光素子で構成されている。この受光素子群1003の各受光素子としては、例えば、CCDChargeCoupledDevice、CMOS等を用いることができる。発光素子駆動部1006は、光源100Bを駆動する駆動回路である。受光素子駆動部1004は、受光素子群1003を駆動する駆動回路である。制御部1005は、例えば、MPUであり、発光素子駆動部1006および受光素子駆動部1004の駆動を制御する機能を有する。また、制御部1005は、受光素子群1003の受光結果と、予め記憶された生体認証情報との比較により、生体Fの認証を行う機能を有する。例えば、制御部1005は、受光素子群1003の受光結果に基づいて、生体Fに関する画像パターン例えば静脈パターンを生成する。そして、制御部1005は、その画像パターンと、生体認証情報として予め記憶された画像パターンとを比較し、その比較結果に基づいて、生体Fの認証例えば静脈認証を行う。このような認証装置1000によれば、近赤外光を用いて生体認証を行うことができる。また、高効率および長寿命な発光素子1を備えるので、信頼性に優れる。このような認証装置1000は、各種の電子機器に組み込むことができる。電子機器図4は、本発明の電子機器を適用したモバイル型またはノート型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピュータ1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部を備える表示ユニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このパーソナルコンピュータ1100において、本体部1104には、前述した認証装置1000が設けられている。このようなパーソナルコンピュータ1100によれば、高効率および長寿命な発光素子1を備えるので、信頼性に優れる。なお、本発明の電子機器は、図4のパーソナルコンピュータモバイル型パーソナルコンピュータの他にも、例えば、携帯電話機、ディジタルスチルカメラ、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳通信機能付も含む、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、POS端末、タッチパネルを備えた機器例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機、医療機器例えば電子体温計、血圧計、血糖計、脈拍計測装置、脈波計測装置、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置、魚群探知機、各種測定機器、計器類例えば、車両、航空機、船舶の計器類、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。以上、本発明の発光素子、発光装置、認証装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。次に、本発明の具体的実施例について説明する。1.チアジアゾール系化合物の製造合成例A1合成A1-15リットルのフラスコに発煙硝酸1500mlを入れ冷却した。そこへ10~50°Cに保つようにして硫酸1500mlを分割添加した。さらにそこへ原料のジブロモベンゾチアジアゾールである化合物aを150gを1時間かけて少量ずつ添加した。その際に溶液温度は5°C以下になるように行った。全量添加後、室温25°Cにおいて20時間反応させた。反応後、氷3kgに反応液を注ぎ、一晩攪拌した。その後、ろ過してメタノール、ヘプタンで洗浄した。ろ過して残った物を200mlのトルエンで熱溶解させた後、室温まで徐冷後にろ過し、残ったものを少量のトルエンで洗浄後、減圧乾燥させた。これにより、HPLC純度95の化合物b4、7-ジブロモ-5、6-ジニトロ-ベンゾ1、2、5チアジアゾール60gを得た。合成A1-2Ar下、5リットルのフラスコに、得られたジブロモ体である化合物b30gとフェニルボロン酸市販品23g、トルエン2500ml、2M炭酸セシウム水溶液152g/蒸留水234mlを入れ、90°Cで一晩反応させた。反応後ろ過、分液、濃縮し、得られた粗体52gをシリカゲルカラムSiO25kgで分離し、赤紫色固体を得た。これにより、HPLC純度96の化合物c5、6-ジニトロ-4、7-ジフェニル-ベンゾ1、2、5チアジアゾール6gを得た。合成A1-3Ar下、1リットルのフラスコに、得られたジニトロ体である化合物c6g、還元鉄7g、酢酸600mlを入れ、80°Cで4時間反応させて室温まで冷却させた。反応後、反応液をイオン交換水1.5リットルに注ぎ、そこへ酢酸エチル1.5リットルをさらに添加した。添加後、固体が析出していたので、テトラヒドロフラン1リットルと食塩300gを添加し、分液した。水層は1リットルのテトラヒドロフランで再抽出した。濃縮乾燥したものを再度、少量の水、メタノールにて洗浄し、橙色固体を得た。これにより、HPLC純度80の化合物d4、7-ジフェニル-ベンゾ1、2、5チアジアゾロ-5、6-ジアミン7gを得た。合成A1-4Ar下、1リットルのフラスコに、得られたジアミン体である化合物d4.5g、ベンジル3.7g、溶媒として酢酸300mlを入れ、80°Cにて2時間反応させた。反応後、室温まで冷却させ、反応液をイオン交換水1リットルに注ぎ、結晶をろ過、水洗、7gの黒緑色固体を得た。そして、その黒緑色固体をシリカゲルカラムSiO21kgで精製した。これにより、HPLC純度99の化合物e前記式D-1で表わされる化合物4gを得た。この化合物eを質量分析したところ、M:492であった。さらに、得られた化合物eを設定温度340°Cで昇華精製した。その昇華精製後の化合物eのHPLC純度は99であった。合成例A2前述した合成例A1において、合成A1-2で使用するフェニルボロン酸の代わりにトリフェニルアミンのボロン酸体を用いた以外は、前述した合成例A1と同様にして合成を行った。これにより、前記式D-2で表わされる化合物hを得た。ここで、トリフェニルアミンのボロン酸体の合成に際しては、Ar下、5リットルのフラスコに、4-ブロモトリフェニルアミン市販品246g、脱水テトラヒドロフラン1500mlを入れ、-60°Cで1.6Mn-BuLi/ヘキサン溶液570mlを3時間かけて滴下した。30分後ホウ酸トリイソプロピル429gを1時間かけて滴下した。滴下後は成り行きの温度で一晩反応させた。反応後、水2リットルを滴下し、その後トルエン2リットルで抽出、分液した。有機層を濃縮、再結晶し、ろ過、乾燥させて白色の目的物であるボロン酸体160gを得た。得られたボロン酸体のHPLC純度は、99であった。そして、得られたボロン酸体を用いて、前述した合成例A1の合成A1-2と同様の合成を行い、化合物fを得た。得られた化合物fを用いて、前述した合成例A1の合成A1-3と同様の合成を行い、化合物gを得た。得られた化合物gを用いて、前述した合成例A1の合成A1-4と同様の合成を行い、前記式D-2で表わされる化合物hを得た。合成例A3前述した合成例A1において、合成A1-2で使用するフェニルボロン酸の代わりにジフェニルアミンを用いた以外は、前述した合成例A1と同様にして合成を行った。これにより、前記式D-3で表わされる化合物kを得た。ここで、ジフェニルアミンを用いた合成に際しては、Ar下で300mlのフラスコに、テトラキストリフェニルPd011gを100mlのトルエンに溶解させ100°Cに温めた。そこへトリ-t-ブチルフォスフィン8gを加えて30分間反応させ、触媒Pd触媒とした。一方、Ar下、5リットルのフラスコに、ジブロモ体である化合物b30gとジフェニルアミン市販品33gを、トルエン2500mlに溶解させて100°Cに温めた。そこへ先に調整したPd触媒とt-BuOK20gを添加して3時間過熱還流させた。反応後室温まで冷却後、100mlの水を添加し、1時間程攪拌した後に分液ロートにて水で分液洗浄し、有機層を乾燥させ、固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムSiO25kgで分離し、紫色固体を得た。これにより、HPLC純度96の化合物i5、6-ジニトロ-N、N、N、N-テトラフェニル-ベンゾ1、2、5チアジアゾール10gを得た。そして、得られた化合物iを用いて、前述した合成例A1の合成A1-3と同様の合成を行い、化合物jを得た。得られた化合物jを用いて、前述した合成例A1の合成A1-4と同様の合成を行い、前記式D-3で表わされる化合物kを得た。2.ホスト材料テトラセン系材料の製造合成例B1式H1-2で表わされる化合物の合成合成B1-1Ar下、300mlのフラスコに、4-ブロモビフェニル6gと乾燥ジエチルエーテル50mlを入れた。室温で1.6Mn-BuLi/ヘキサン溶液14.5mlを滴下し、30分間反応させた。一方、別途、Ar下、500mlのフラスコに、5、12-ナフタセンキノン2.7と乾燥トルエン100mlを投入した。そこへ先に調整したビフェニルリチウムを滴下し、3時間反応させた。反応後、20mlの蒸留水を添加し、30分攪拌後、メタノール中に入れ、固体をろ過分離した。得られた固体をシリカゲルSiO2500gで精製した。これにより、白色固体5、12-ビスビフェニル-4-イル-5、12-ジヒドロ-ナフタセン-5、12-ジオール4.5gを得た。合成B1-2合成B1-1で得られたジオール体4.5gと酢酸300mlを計量し、1000mlのフラスコに入れた。そこへ、塩酸355gに塩化スズII無水5gを溶かしたものを入れ、30分攪拌した。その後、分液ロートに移し、トルエンを加えて、蒸留水にて分液洗浄し、乾燥させた。得られた個体をシリカゲルSiO2500gで精製し、黄色固体前記式H1-2で表わされる化合物4gを得た。合成例B2式H1-5で表わされる化合物の合成合成B2-1Ar下、300mlのフラスコに、4-ブロモ-1131ターフェニル6gと乾燥ジエチルエーテル50mlを入れた。室温で1.6Mn-BuLi/ヘキサン溶液14.5mlを滴下し、30分間反応させた。一方、別途、Ar下500mlのフラスコに、5、12-ナフタセンキノン2gと乾燥トルエン100mlを入れた。そこへ先に調整したターフェニルリチウムを滴下し、3時間反応させた。反応後、20mlの蒸留水を添加し、30分攪拌後、メタノール中に入れ、固体をろ過分離した。得られた固体をシリカゲルSiO2500gで精製した。これにより、白色固体512-ビス-1131ターフェニル-4-イル-512-ジヒドロナフタセン-512-ジオール5gを得た。合成B2-2合成B2-1で得られたジオール体5gと酢酸300mlを計量し、1000mlのフラスコに投入した。そこへ、塩酸355gに塩化スズII無水5gを溶かしたものを入れ、30分攪拌した。その後、分液ロートに移し、トルエンを加えて、蒸留水にて分液洗浄し、乾燥させた。得られた個体をシリカゲルSiO2500gで精製し、黄色固体前記式H1-5で表わされる化合物4.5gを得た。合成例B3式H1-13で表わされる化合物の合成合成B3-1500mlのフラスコに、ジクロロメタン100mlと、ナフトキノン5.2gと、1,3-ジフェニルイソベンゾフラン10gを入れ、1時間攪拌した。攪拌後、市販品の三臭化ホウ素ジクロロメタン溶液1mol/L33mlを、10分かけて添加することにより、黄色針状結晶6,11-ジフェニル-5,12-ナフタセンキノン7.1gを得た。合成B3-2Ar下、200mlのフラスコに、4-ブロモ-ビフェニル6gと乾燥ジエチルエーテル80mlを投入した。室温で1.6Mn-BuLi/ヘキサン溶液16mlを滴下し、30分間反応させた。一方、別途、Ar下500mlのフラスコに、合成B3-1で得られたキノン4.2gと乾燥トルエン100mlを投入した。そこへ先に調整したビフェニルリチウムを滴下し、3時間反応させた。反応後、20mlの蒸留水を添加し、30分攪拌後、メタノール中に空け、固体をろ過分離した。得られた固体をシリカゲルSiO2500gで精製した。これにより、白色固体5、12-ビスビフェニル-4-イル-6、11-ジフェニル-5、12-ジヒドロ-ナフタセン-5、12-ジオール5.5gを得た。合成B3-3合成B3-2で得られたジオール体5gとテトラヒドロフラン200mlを計量し、500mlのフラスコに入れた。そこへ、ヨウ化水素酸55水溶液10gを入れ、2時間遮光しながら攪拌した。その後、分液ロートに移し、トルエンを加えて、蒸留水にて分液洗浄し、乾燥させた。得られた個体をシリカゲルSiO2500gで精製し、赤色固体前記式H1-13で表わされる化合物3gを得た。3.ホスト材料アントラセン系材料の製造合成例C1式H2-34で表わされる化合物の合成合成C1-1市販の2-ナフタレンボロン酸2.1gと9,10-ジブロモアントラセン5gを50mlのジメトキシエタンに溶解させ、80°Cに加熱した。そこへ蒸留水50mlおよび炭酸ナトリウム10gを入れた。さらにそこへテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム00.4gを入れた。3時間後分液ロートにてトルエン抽出を行い、シリカゲルSiO2500gで精製した。これにより、薄黄白色結晶9-ブロモ-10-ナフタレン-2-イル-アントラセン3gを得た。合成C1-2Ar下、500mlのフラスコに、市販の2-ナフタレンボロン酸10.5gと1,4-ジブロベンゼン17.5gを250mlのジメトキシエタンに溶解させ、80°Cに加熱した。そこへ蒸留水250mlおよび炭酸ナトリウム30gを入れた。さらにそこへテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム02gを入れた。3時間後分液ロートにてトルエン抽出を行い、シリカゲルSiO2500gで精製した。これにより、白色結晶2-4-ブロモフェニル-ナフタレン10gを得た。合成C1-3Ar下、1リットルのフラスコに、合成C1-2で得られた2-4-ブロモフェニル-ナフタレン10g、脱水テトラヒドロフラン500mlを入れ、-60°Cで1.6Mn-BuLi/ヘキサン溶液22mlを30分かけて滴下した。30分後ホウ酸トリイソプロピル7gを添加した。滴下後は成り行きの温度で一晩反応させた。反応後、水100mlを滴下し、その後トルエン2リットルで抽出、分液した。有機層を濃縮、再結晶し、ろ過、乾燥させて白色のフェニルボロン酸誘導体5gを得た。合成C1-4Ar下、500mlのフラスコに、合成C1-1で得られた9-ブロモ-10-ナフタレン-2-イル-アントラセン3gと、合成C1-3で得られたボロン酸3gを200mlのジメトキシエタンに溶解させ、80°Cに加熱した。そこへ蒸留水250mlおよび炭酸ナトリウム10gを入れた。さらにそこへテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム00.5gを入れた。3時間後分液ロートにてトルエン抽出を行い、シリカゲルクロマトグラフィーにより精製を行った。これにより、薄黄白色固体前記式H2-34で表わされる化合物3gを得た。合成例C2式H2-61で表わされる化合物の合成合成C2-1Ar下、300mlのフラスコに、ビアントロン5gと乾燥ジエチルエーテル150mlを入れた。そこへ市販のフェニルリチウム試薬19ブチルエーテル溶液を5.5ml加えて、3時間室温にて攪拌させた。その後、10mlの水を投入後、分液ロートに移してトルエンにて目的物を抽出、乾燥させ、シリカゲルSiO2500gにて分離精製した。これにより、白色の目的物10、10-ジフェニル-10H、10H-[9、9]ビアントラセニリデン-10、10-ジオール5gを得た。合成C2-2合成C2-1で得られたジオール体5gと酢酸300mlを500mlのフラスコに入れた。そこへ塩酸355gに塩化スズII無水5gを溶かしたものを入れ、30分攪拌した。その後、分液ロートに移し、トルエンを加えて、蒸留水にて分液洗浄し、乾燥させた。得られた固体をシリカゲルSiO2500gで精製し、黄色白色固体前記式H2-61で表わされる化合物5.5gを得た。合成例C3式H2-66で表わされる化合物合成C3-1市販のフェニルボロン酸2.2gと9,10-ジブロモアントラセン6gを100mlのジメトキシエタンに溶解させ、80°Cに加熱した。そこへ蒸留水50mlおよび炭酸ナトリウム10gを入れた。さらにそこへテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム00.5gを入れた。3時間後分液ロートにてトルエン抽出を行い、シリカゲルSiO2500gで精製を行った。これにより、黄白色結晶9-ブロモ-10-フェニル-アントラセン4gを得た。合成C3-2Ar下、500mlのフラスコに、合成C3-1で得られた9-ブロモ-10-フェニル-アントラセン4gと市販品のフェニレンジボロン酸0.8gを200mlのジメトキシエタンに溶解させ、80°Cに加熱した。そこへ蒸留水250mlおよび炭酸ナトリウム10gを入れた。さらにそこへテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム00.5gを入れた。3時間後分液ロートにてトルエン抽出を行い、シリカゲルクロマトグラフィーを用いて精製を行った。これにより、薄黄白色固体前記式H2-66で表わされる化合物2gを得た。4.電子輸送性材料アザインドリジン系化合物の製造合成例D1式ETL-A3で表わされる化合物の合成合成D1-1市販の2-ナフタレンボロン酸2.1gと9,10-ジブロモアントラセン5gを50mlのジメトキシエタンに溶解させ、80°Cに加熱した。そこへ蒸留水50mlおよび炭酸ナトリウム10gを入れた。さらにそこへテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム00.4gを入れた。3時間後分液ロートにてトルエン抽出を行い、シリカゲルSiO2500gで精製を行った。これにより、薄黄白色結晶9-ブロモ-10-ナフタレン-2-イル-アントラセン3gを得た。合成D1-2Ar下、1リットルのフラスコに、合成D1-1で得られた9-ブロモ-10-ナフタレン-2-イル-アントラセン3g、脱水テトラヒドロフラン500mlを入れ、-60°Cで1.6Mn-BuLi/ヘキサン溶液6mlを10分かけて滴下した。30分後ホウ酸トリイソプロピル1.5gを添加した。滴下後は成り行きの温度で3時間反応させた。反応後、蒸留水50mLを滴下し、その後トルエン1リットルで抽出、分液した。有機層を濃縮、再結晶し、ろ過、乾燥させて白色の目的物ボロン酸体2gを得た。合成D1-3Ar下、300mlのフラスコに2-アミノピリジン3.4gを計量し、そこへエタノール40mlとアセトン40mLを加えて溶解させた。そこへ4-ブロモフェナシルブロミド10gを加えて加熱還流させた。3時間後、加熱を中止して室温まで冷却した。溶媒を減圧除去後、1リットルのメタノールに加熱溶解させて、ろ過で不溶不純物を除去後、濃縮し際沈殿させたものを回収した。これにより、目的物の白色固体2-4-ブロモフェニル-イミダゾ[1、2-a]ピリジン8gを得た。合成D1-4Ar下、500mlのフラスコに、合成D1-2で得られたボロン酸体2gと、合成D1-3で得られたイミダゾピリジン誘導体1.7gを200mlのジメトキシエタンに溶解させ、80°Cに加熱した。そこへ蒸留水250mlおよび炭酸ナトリウム10gを入れた。さらにそこへテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム00.5gを入れた。3時間後分液ロートにてトルエン抽出を行い、シリカゲルSiO2500gで精製した。これにより、白色固体前記式ETL-A3で表わされる化合物2gを得た。5.発光素子の製造実施例1<1>まず、平均厚さ0.5mmの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ100nmのITO電極陽極を形成した。そして、基板をアセトン、2-プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理を施した。これらのプラズマ処理は、それぞれ、基板を70~90°Cに加温した状態で、プラズマパワー100W、ガス流量20sccm、処理時間5secで行った。<2>次に、ITO電極上に、アミン系の正孔輸送性材料として、テトラ-p-ビフェニリル-ベンジジン下記式HTL-1で表わされる化合物を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ50nmの正孔輸送層を形成した。<3>次に、正孔輸送層上に、発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ25nmの発光層を形成した。発光層の構成材料としては、発光材料ゲスト材料として前記式D-2で表わされる化合物を用い、ホスト材料としてトリス8-キノリノラトアルミニウムAlq3を用いた。また、発光層中の発光材料ドーパントの含有量ドープ濃度を4.0wtとした。<4>次に、発光層上に、前記式ETL-A3で表わされる化合物アザインドリジン系化合物を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ80nmの電子輸送層を形成した。<5>次に、電子輸送層上に、フッ化リチウムLiFを真空蒸着法により成膜し、平均厚さ1nmの電子注入層を形成した。<6>次に、電子注入層上に、Alを真空蒸着法により成膜した。これにより、Alで構成される平均厚さ100nmの陰極を形成した。<7>次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー封止部材を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。以上の工程により、発光素子を製造した。実施例2発光層のホスト材料として前記式H1-5で表わされる化合物テトラセン系材料を用いた以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。実施例3発光層のホスト材料として前記式H1-13で表わされる化合物テトラセン系材料を用いた以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。実施例4発光層のホスト材料として前記式H1-5で表わされる化合物テトラセン系材料を用いるとともに、発光層の平均厚さを45nm、電子輸送層の平均厚さを60nmとした以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。実施例5発光層のホスト材料として前記式H1-5で表わされる化合物テトラセン系材料を用いるとともに、発光層の平均厚さを15nm、電子輸送層の平均厚さを90nmとした以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。実施例6発光層のホスト材料として前記式H1-5で表わされる化合物テトラセン系材料を用い、また、電子輸送層を、Alq3、前記式ETL-A3で表わされる化合物をこの順で真空蒸着法により積層して形成した以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。ここで、電子輸送層は、Alq3で構成された層の平均厚さが20nm、前記式ETL-A3で表わされる化合物で構成された層の平均厚さが60nmであった。実施例7発光層のホスト材料として前記式H1-5で表わされる化合物テトラセン系材料を用い、また、電子輸送層を、前記式H1-5で表わされる化合物、Alq3、前記式ETL-A3で表わされる化合物をこの順で真空蒸着法により積層して形成した以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。ここで、発光層の平均厚さは、35nmであった。また、電子輸送層は、前記式H1-5で表わされる化合物で構成された層の平均厚さが20nm、Alq3で構成された層の平均厚さが20nm、前記式ETL-A3で表わされる化合物で構成された層の平均厚さが30nmであった。実施例8発光層の発光材料として前記式D-1で表わされる化合物を用い、発光層のホスト材料として前記式H1-5で表わされる化合物テトラセン系材料を用いた以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。実施例9発光層の発光材料として前記式D-3で表わされる化合物を用い、発光層のホスト材料として前記式H1-5で表わされる化合物テトラセン系材料を用いた以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。比較例電子輸送層の電子輸送性材料として2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBCPを用いた以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。参考例1発光層のホスト材料として前記式H1-5で表わされる化合物テトラセン系材料を用い、電子輸送層の電子輸送性材料として2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBCPを用いた以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。参考例2発光層のホスト材料として前記式H1-5で表わされる化合物テトラセン系材料を用い、電子輸送層の電子輸送性材料として2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBCPを用いるとともに、発光層の平均厚さを45nm、電子輸送層の平均厚さを60nmとした以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。参考例3発光層のホスト材料として前記式H1-5で表わされる化合物テトラセン系材料を用い、電子輸送層の電子輸送性材料として2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBCPを用いるとともに、発光層の平均厚さを15nm、電子輸送層の平均厚さを90nmとした以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。参考例4発光層のホスト材料として前記式H1-5で表わされる化合物テトラセン系材料を用い、また、電子輸送層を、Alq3、BCPをこの順で真空蒸着法により積層して形成した以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。ここで、電子輸送層は、Alq3で構成された層の平均厚さが20nm、BCPで構成された層の平均厚さが60nmであった。参考例5発光層のホスト材料として前記式H1-5で表わされる化合物テトラセン系材料を用い、また、電子輸送層を、前記式H1-5で表わされる化合物、Alq3、BCPをこの順で真空蒸着法により積層して形成した以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。ここで、発光層の平均厚さは、35nmであった。また、電子輸送層は、前記式H1-5で表わされる化合物で構成された層の平均厚さが20nm、Alq3で構成された層の平均厚さが20nm、BCPで構成された層の平均厚さが30nmであった。参考例6発光層のホスト材料として前記式H1-5で表わされる化合物テトラセン系材料を用い、電子輸送層の電子輸送性材料としてAlq3を用いた以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。参考例7発光層の発光材料として前記式D-1で表わされる化合物を用い、発光層のホスト材料として前記式H1-5で表わされる化合物テトラセン系材料を用い、電子輸送層の電子輸送性材料としてBCPを用いた以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。参考例8発光層の発光材料として前記式D-3で表わされる化合物を用い、発光層のホスト材料として前記式H1-5で表わされる化合物テトラセン系材料を用い、電子輸送層の電子輸送性材料としてBCPを用いた以外は、前述した実施例1と同様にして発光素子を製造した。6.評価各実施例、比較例および各参考例について、一定電流電源株式会社東陽テクニカ製KEITHLEY2400を用いて、発光素子に100mA/cm2の定電流を流し、そのときの発光ピーク波長を分光放射輝度計コニカミノルタセンシング株式会社製CS-2000を用いて測定した。発光パワーは光パワー測定機株式会社エーディーシー製光パワーメーター8230を用いて測定したなお、実施例9、参考例8の発光ピーク波長の測定には、オーシャンオプティクス社製S2000を用いた。また、そのときの電圧値駆動電圧も測定した。さらに、輝度が初期の輝度の80となる時間LT80を測定した。これらの測定結果を表1に示す。なお、実施例2、8、9および比較例における発光素子の発光スペクトルを図5に示し、実施例2、8、9および参考例1における寿命を図6に示す。表1から明らかなように、各実施例の発光素子は、近赤外域で発光するととともに、比較例の発光素子に比し、高い発光パワーが得られる。また、各実施例の発光素子は、比較例および各参考例の発光素子に比し、駆動電圧を抑えることができる。このようなことから、各実施例の発光素子は、優れた発光効率を有する。また、各実施例の発光素子は、比較例および各参考例の発光素子に比し、長い寿命を有する。"