"1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンおよび/または1-クロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンからなる原料化合物と水素とを、触媒担持担体が充填された触媒層を有する反応器内でかつ前記触媒層の最高温度を130°C以下に維持しながら、気相で反応させて2,3,3,3-テトラフルオロプロペンを含む生成ガスを得た後、前記反応器から排出された前記生成ガスを水に接触させる、2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンおよび/または1-クロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンからなる原料化合物と水素とを、触媒担持担体が充填された触媒層を有する反応器内でかつ前記触媒層の最高温度を130°C以下に維持しながら、気相で反応させて2,3,3,3-テトラフルオロプロペンを含む生成ガスを得た後、前記反応器から排出された前記生成ガスをアルカリに接触させるとともにアルカリに接触させる直前の前記生成ガスの温度を100°C以下とする、2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。前記アルカリがアルカリ水溶液である、請求項2に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。前記アルカリ水溶液が、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化カルシウムからなる群から選ばれる1種の金属水酸化物の水溶液である、請求項3に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。前記金属水酸化物の濃度が、前記アルカリ水溶液100質量中、0.01~40質量である、請求項4に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。前記触媒がパラジウムである、請求項1~5のいずれか1項に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。前記担体が活性炭である、請求項1~6のいずれか1項に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。前記触媒層における触媒担持担体の充填密度が0.5~1g/cm3である、請求項1~7のいずれか1項に記載の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法。本発明は、3,3,3-トリフルオロプロペンの生成が抑制され、高純度な2,3,3,3-テトラフルオロプロペンを得ることができる製造方法を提供する。本発明の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法は、1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンおよび/または1-クロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンからなる原料化合物と水素とを、触媒担持担体が充填された触媒層を有する反応器内でかつ前記触媒層の最高温度を130°C以下に維持しながら、気相で反応させて2,3,3,3-テトラフルオロプロペンを含む生成ガスを得た後、前記反応器から排出された前記生成ガスを水に接触させることを特徴とする。また、本発明の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法は、1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンおよび/または1-クロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンからなる原料化合物と水素とを、触媒担持担体が充填された触媒層を有する反応器内でかつ前記触媒層の最高温度を130°C以下に維持しながら、気相で反応させて2,3,3,3-テトラフルオロプロペンを含む生成ガスを得た後、前記反応器から排出された前記生成ガスをアルカリに接触させるとともにアルカリに接触させる直前の前記生成ガスの温度を100°C以下とすることを特徴とする。前記アルカリは、アルカリ水溶液であることが好ましい。前記アルカリ水溶液は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化カルシウムからなる群から選ばれる1種の金属水酸化物の水溶液であることが好ましい。前記金属水酸化物の濃度は、前記アルカリ水溶液100質量中、0.01~40質量であることが好ましい。前記触媒はパラジウムであることが好ましい。前記担体は活性炭であることが好ましい。前記触媒層における触媒担持担体の充填密度は0.5~1g/cm3であることが好ましい。本発明の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンの製造方法によれば、3,3,3-トリフルオロプロペンの生成が抑制され、高純度な2,3,3,3-テトラフルオロプロペンを得ることができる。本発明の2,3,3,3-テトラフルオロプロペンCF3CF=CH2、HFO-1234yfの製造方法は、下記の方法aまたは方法bである。a1,1-ジクロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンCF3CF=CCl2、CFO-1214yaおよび/または1-クロロ-2,3,3,3-テトラフルオロプロペンCF3CF=CHCl、HCFO-1224ydからなる原料化合物と水素とを、触媒担持担体が充填された触媒層を有する反応器内でかつ触媒層の最高温度を130°C以下に維持しながら、気相で反応させて、HFO-1234yfを含む生成ガスを得た後、反応器から排出された生成ガスを水に接触させる方法。bCFO-1214yaおよび/またはHCFO-1224ydからなる原料化合物と水素とを、触媒担持担体が充填された触媒層を有する反応器内でかつ触媒層の最高温度を130°C以下に維持しながら、気相で反応させて、HFO-1234yfを含む生成ガスを得た後、反応器から排出された生成ガスを100°C以下の温度でアルカリに接触させる方法。上記CFO-1213yaと水素の反応およびHCFO-1224ydと水素の反応は下記式で表わされる反応である。CF3CF=CCl22H2→CF3CF=CH22HCl1、CF3CF=CHClH2→CF3CF=CH2HCl2。まず、方法aと方法bにおける生成ガスの製造について説明する。これら方法において、CFO-1214yaおよび/またはHCFO-1224ydからなる原料化合物と水素とを、触媒担持担体が充填された触媒層を有する反応器内でかつ触媒層の最高温度を130°C以下に維持しながら、気相で反応させてHFO-1234yfを含む生成ガスを得る。反応器反応器としては、触媒担持担体を充填して触媒層を形成できる公知の反応器が挙げられる。反応器の材質としては、ガラス、鉄、ニッケル、または鉄もしくはニッケルを主成分とする合金等が挙げられる。反応器内の圧力は、取り扱い性の点から、常圧が好ましい。触媒および触媒担持担体触媒としてはパラジウム触媒が好ましく、パラジウム触媒は担体に担持して用いることが好ましい。パラジウム触媒としてはパラジウム単体のみならず、パラジウム合金であってもよい。また、パラジウムと他の金属との混合物やパラジウムと他の金属とを担体に別々に担持させた複合触媒であってもよい。パラジウム合金触媒としては、パラジウム/白金合金触媒やパラジウム/ロジウム合金触媒などが挙げられる。触媒としてはパラジウムやパラジウム合金のみを担体に担持させた触媒、またはパラジウムとパラジウム以外の他の金属とを担体に担持させた触媒が好ましい。パラジウムとパラジウム以外の他の金属とを担体に担持させた触媒は、パラジウムのみを担体に担持させた触媒に比べ、触媒耐久性が高くなる傾向がある。他の金属としては、第8族元素鉄、ルテニウム、オスミウム等、第9族元素コバルト、ロジウム、イリジウム等、第10族元素ニッケル、白金等、金等が挙げられる。他の金属は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。他の金属の割合は、パラジウムの100質量部に対して、0.01~50質量部が好ましい。担体としては、活性炭、金属酸化物アルミナ、ジルコニア、シリカ等等が挙げられ、活性、耐久性、反応選択性の点から、活性炭が好ましい。活性炭としては、植物原料木材、木炭、果実殻、ヤシ殻等、鉱物質原料泥炭、亜炭、石炭等等から得られたものが挙げられ、触媒耐久性の点から、植物原料から得られたものが好ましく、ヤシ殻活性炭が特に好ましい。活性炭の形状としては、長さ2~10m程度の成形炭、4~50メッシュ程度の破砕炭、粒状炭等が挙げられ、活性の点から、4~20メッシュの破砕炭、または長さ2~5mmの成形炭が好ましい。パラジウムの担持量は、活性炭の100質量部に対して、0.1~10質量部が好ましく、0.5~1質量部がより好ましい。パラジウムの担持量が0.1質量部以上であれば、原料化合物と水素の反応率が向上する。パラジウムの担持量が10質量部以下であれば、反応熱による触媒層の過剰な温度上昇を抑制しやすく、副生物の生成を低減しやすい。活性炭以外の担体においてもパラジウムの担持量は上記活性炭と同様の量が好ましい。触媒層反応器に触媒担持担体を充填することにより、反応器内に触媒層が形成される。触媒層における触媒担持担体の充填密度は、0.5~1g/cm3が好ましく、0.6~0.8g/cm3がより好ましい。触媒担持担体の充填密度が0.5g/cm3以上であれば、単位容積あたりの触媒担持担体の充填量が多く、反応させるガス量を多くすることができるため生産性が向上する。触媒担持担体の充填密度が1g/cm3以下であれば、反応熱による触媒層の過剰な温度上昇を抑制しやすく、副生物の生成を低減しやすい。触媒担持担体の充填部分は、反応器内に1つあってもよく、2つ以上あってもよい。気相反応を行うために、触媒層の温度は原料化合物と水素を含む原料混合ガスの露点以上の温度とする。より好ましい触媒層の温度は、CFO-1214yaの沸点が46°Cであり、HCFO-1224ydの沸点が推定で4~10°Cである点、および反応性の点から、50°C以上が好ましく、反応率が向上する点から60°C以上がより好ましい。触媒層の温度は、触媒の劣化の進行に伴い次第に低下することで、反応率が低下するという問題がある。そのため、高い反応率を維持できるよう、触媒層の温度を十分な温度に保つ操作を行うことが好ましい。例えば、触媒層を熱媒などで外部から加熱してその温度を維持している場合は、熱媒の温度を徐々に上げて、触媒層の温度を高めることができる。なお、触媒層の温度とは、外部からの加熱により維持される触媒層の温度をいう。通常原料混合ガスは触媒層の一部の領域で反応し、反応熱の発生により反応域原料混合ガスが反応している領域は他の触媒層領域よりも高温となる。この反応域の触媒活性は経時的に低下することより、通常、反応域は原料混合ガスの入口からガスの流れ方向の下流側に徐々に移動していく。また、反応域の下流側では反応域で生成した温度の高い生成ガスが流れ、通常、触媒層の温度よりも高温となり、反応域から離れるほど徐々に温度が低下していく。本発明の触媒層の温度とは反応域の上流側の温度、すなわち、熱媒などで外部から加熱してその温度を維持している触媒層の温度をいう。前記のように、原料混合ガスが反応している反応域およびその下流側の領域における温度は、反応熱により他の領域の触媒層の温度よりも高くなる。反応熱による触媒層の過剰な温度上昇によって、副生成物として3,3,3-トリフルオロプロペンCF3CH=CH2、HFO-1243zfが生成する。よって、触媒層の最高温度が高くなり過ぎないように、反応中の触媒層の最高温度を低く維持することが好ましい。反応中の触媒層の最高温度とはこの反応熱の発生により他の領域よりも高温となった触媒層領域の最高温度をいう。反応中の触媒層の最高温度は、130°C以下であり、120°C以下がより好ましく、100°C以下がさらに好ましい。反応中の触媒層の最高温度は、下記のようにして測定する。反応器の運転初期においては触媒層のガスの入口側の近傍の触媒が反応に寄与し、反応器の運転を続けて該触媒が劣化すると、これよりもガスの出口側の触媒が反応に寄与する。このように、反応器の運転を続けると、触媒層における反応域がガスの入口側からガスの出口側に向かってしだいに移動する。つまり、触媒層の最高温度を示す部分は、反応域の移動とともに移動するため、反応器の運転初期においては挿し込み型の温度計の計測部を触媒層のガスの入口側に位置させておき、反応の進行とともに該計測部をガスの出口側に移動させて触媒層の最高温度を測定する。触媒層の最高温度を130°C以下に維持する方法としては、下記の方法α、方法βまたは方法γが挙げられ、触媒層の最高温度を低く維持しつつ、生産性を高くできる点から、方法α単独、または方法αと方法βとの併用が好ましく、方法αと方法βの併用がより好ましい。また、HFO-1234yfと分離困難な副生物の生成を抑制する点からは方法αおよび/または方法βと方法γとの併用が好ましい。α水素ガスを複数個所から触媒層に導入する方法。β不活性ガスを含む原料混合ガスを使用して、原料混合ガス中の原料化合物ガスおよび水素ガスの濃度を低くする方法。γ触媒層の温度を前記50°Cより低くする方法。方法α:水素ガスを複数個所から触媒層に導入することによって、原料化合物の導入量を変化させずに触媒層における原料化合物と水素との反応域を分散できるため、反応熱の発生が一箇所に集中しない。そのため、生産性を低下させずに、触媒層の局所的な過剰発熱を抑制し、触媒層の最高温度を容易に130°C以下に維持できる。例えば、反応に使用する水素の一部と原料化合物の全量を含む原料混合ガスを触媒層のガスの入口側から導入し、水素の残部を触媒層の途中から導入する。これにより、水素導入部より入口側の触媒層に水素と原料化合物とが反応する反応域第1の反応域が生じ、その反応域で生成した生成ガス未反応の原料化合物を含むに水素導入部より導入された水素が混入され、水素導入部より出口側の触媒層に水素と原料化合物とが反応する第2の反応域が生じる。このように、触媒層の反応域が2つに分散することによって触媒層の局所的な過剰発熱を抑制することができる。水素を分割導入する場合、水素の導入部の数は触媒層のガス入口を含めて2箇所以上とする。水素の導入個所の上限は特に限定されるものではないが、煩雑さを少なくするためには5箇所以下が好ましい。また、それぞれの導入部に挿入する水素の量はほぼ均等であることが好ましい。例えば、反応器内に触媒担持活性炭が充填された部分が2つの場合、水素の一部を原料化合物ととともに1段目の充填部のガスの入口側から導入し、水素の残部を2段目以降の充填部に導入する。方法β:不活性ガスを使用して触媒層中を流通する原料混合ガス中の原料化合物ガスおよび水素ガスの濃度を調節し、原料混合ガス中の原料化合物ガスおよび水素ガスの濃度を低くすることで、反応熱による触媒層の過剰な温度上昇を抑制できる。また、不活性ガス以外の希釈ガスを不活性ガスの代わりにまたは不活性ガスとともに使用することもできる。不活性ガスとしては、窒素ガス、希ガス、水素化反応に不活性なフロン類等が挙げられる。不活性ガス以外の希釈ガスとしては塩化水素などが挙げられる。不活性ガスの導入量は、触媒層の最高温度を低く維持しやすく、副生物の生成を低減しやすい点、および触媒の劣化を抑制しやすい点から、原料化合物ガスの1モルに対して、0.1モル以上が好ましく、0.5モル以上がより好ましい。また、不活性ガスの導入量は、該不活性ガスの回収率の点から、原料化合物ガスの1モルに対して、10モル以下が好ましく、4モル以下がより好ましい。方法γ:反応域の温度が低いほどHFO-1234yfと分離困難な副生物の生成を抑制するのに有利である点、および、原料が液化した状態での反応では、HFO-1234yfが過剰に還元された副生物の生成が増加することによりHFO-1234yfの収率が低下する点から、触媒層の温度を前記より低温とする。前記触媒層の温度は、露点よりも高くかつ50°C未満とすることが好ましい。より好ましくは、露点よりも高くかつ30°C以下である。触媒層の温度をより低温とすることにより、副生物の生成を抑制することができるとともに、反応熱のより迅速な除熱が可能となって触媒層の過剰な温度上昇を抑制できる。方法γでは、反応器を加熱する熱媒温度を低く保つことで、触媒層の温度上記温度に保つことが好ましい。原料化合物原料化合物は、CFO-1214yaおよびHCFO-1224ydの少なくとも一方からなる。CFO-1214ya:CFO-1214yaの製造方法としては、下記の方法が挙げられる。相間移動触媒の存在下、1,1-ジクロロ-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロパンCF3CF2CHCl2、HCFC-225caとアルカリ水溶液とを接触させて脱フッ化水素反応させる方法。CF3CF2CHCl2→CF3CF=CCl2HF3。式3の反応にはHCFC-225caを含むジクロロペンタフルオロプロパンHCFC-225を用いることができ、相間移動触媒により異性体混合物中のHCFC-225caのみが選択的に脱フッ化水素される。反応後、CFO-1214yaは、蒸留等の公知の方法により分離回収される。HCFC-225は、塩化アルミニウム等の触媒の存在下、テトラフルオロエチレンとジクロロフルオロメタンとを反応させることによって製造できる。該反応により得られるHCFC-225には、HCFC-225caと、1,3-ジクロロ-1,2,2,3,3-ペンタフルオロプロパンCHClFCF2CClF2、HCFC-225cbが主成分として含まれ、他に2,2-ジクロロ-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパンCHF2CCl2CF3、HCFC-225aa、2,3-ジクロロ-1,1,2,3,3-ペンタフルオロプロパンCHF2CClFCClF2、HCFC-225bb等が少量含まれる。HCFC-225としては、市販品を用いてもよい。市販品としては、アサヒクリンAK225旭硝子社製、HCFC-225caの48モルと、HCFC-225cbの52モルの混合物等が挙げられる。相間移動触媒としては、テトラブチルアンモニウムブロマイドTBABが好ましい。HCFO-1224yd:HCFO-1224ydは、式1の反応の際の中間体として生成する。生成ガスから回収したHCFO-1224ydは、CFO-1214yaとともに原料化合物として水素と反応させてもよく、CFO-1214yaとは別にHCFO-1224ydのみで水素と反応させてもよい。原料混合ガスの導入水素ガスのモル数と、原料化合物中の塩素原子のモル数との比H2/Clで表わされる原料混合ガス中の原料化合物と水素の割合は、副生物の生成を抑制しやすい点から、0.7以下が好ましく、0.6以下がより好ましく、0.5以下がさらに好ましい。また、H2/Clは、HFO-1234yfの収率の点から、0.1以上が好ましく、0.2以上がより好ましい。なお、水素ガスを触媒層に分割導入する場合は、触媒層に導入される水素の総量を上記水素の量とする。原料化合物ガスの触媒に対する接触時間は、4~60秒が好ましく、8~40秒がより好ましい。この接触時間は、反応器に導入されるガス量と触媒層体積から計算される原料化合物ガスの接触時間である。触媒層における下式Iで表される原料化合物ガスの線速度uは、0.1~100cm/秒であることが好ましく、1~30cm/秒であることがより好ましい。この線速度uは、反応器に導入されるガス量と触媒層体積から計算される原料化合物ガスの線速度である。原料化合物ガスの線速度uが0.1cm/秒以上であれば、生産性が向上する。原料化合物ガスの線速度uが100cm/秒以下であれば、原料化合物ガスと水素ガスの反応率が向上する。u=W/100×V/SI。ただし、Wは、触媒層を流通する全ガス中の原料化合物ガスの濃度モルであり、Vは、触媒層を流通する全ガスの流量cm3/秒であり、Sは、触媒層のガスの流通方向に対する断面積cm2である。生成ガス生成ガスには、目的物であるHFO-1234yfの他に、未反応の原料化合物ガス、水素ガス、中間体HCFO-1224yd、塩化水素、副生成物HFO-1243zf、1,1,1,2-テトラフルオロプロパンCF3CHFCH3、HFC-254eb等が含まれる。前記方法aにおいては生成ガスを水に接触させ、前記方法bにおいては生成ガスを100°C以下の温度でアルカリに接触させる。<方法a>方法aにおいては、生成ガスに含まれる塩化水素は、反応器から排出された生成ガスを水に接触させ、塩化水素を水に溶解させることによって、生成ガスから除去される。前記のように、触媒層の最高温度が130°C以下となるように反応させることより、触媒層の生成ガス排出口における生成ガス温度は130°C以下である。したがって、この温度の生成ガスを反応器から排出された直後に水に接触させても、アルカリが存在しないことより、生成ガスに副生成物として含まれるHFC-254ebの脱フッ化水素反応が起こらず、HFO-1243zfが生成するおそれはない。なお、水とは後述のアルカリ水溶液ではない水をいい、例えば後述の金属水酸化物を含む場合があったとしてもその金属水酸化物の濃度は、0.01質量未満である。生成ガスと水の接触方法としては、生成ガスを水に吹き込む方法、生成ガスをスクラバから噴霧された水に接触させる方法等が挙げられる。HFO-1234yfの回収水接触後の生成ガスからのHFO-1234yfの回収方法としては、蒸留等の公知の方法が挙げられる。作用効果以上説明した方法aにあっては、生成ガスを水に接触させて、生成ガスに含まれる塩化水素を除去しているため、生成ガスに副生成物として含まれるHFC-254ebの脱フッ化水素反応が起こらず、塩化水素の除去の際にHFO-1243zfが生成しない。そのため、HFO-1243zfの濃度が低く抑えられた、高純度なHFO-1234yfが得られる。<方法b>方法bにおいては、反応器から排出された生成ガスを100°C以下の温度でアルカリに接触させることによって、塩化水素を中和し、生成ガスから塩化水素を除去する。前記のように、触媒層の最高温度が130°C以下となるように反応させることより、触媒層の生成ガス排出口における生成ガス温度は130°C以下である。生成ガス温度が100°C以下の場合、この温度の生成ガスを反応器から排出された直後にアルカリに接触させても、生成ガスに副生成物として含まれるHFC-254ebの脱フッ化水素反応が起こるおそれは少なく、したがってHFO-1243zfが生成するおそれは少ない。生成ガス温度が100°Cを越える場合、反応器から排出されたこの温度の生成ガスを100°C以下に冷却した後にアルカリに接触させる。生成ガスに含まれる塩化水素は、反応器から排出された生成ガスをアルカリに接触させ、塩化水素を中和することによって、生成ガスから除去される。生成ガスとアルカリの接触方法としては、生成ガスをアルカリ水溶液に吹き込む方法、生成ガスをスクラバから噴霧されたアルカリ水溶液に接触させる方法等が挙げられる。アルカリとしては、塩化水素を効率よく中和でき、かつ生成する塩を溶解、除去できる点から、アルカリ水溶液が好ましく、アルカリの入手性の点から、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムおよび水酸化カルシウムからなる群から選ばれる1種の金属水酸化物の水溶液がより好ましい。金属水酸化物の濃度は、アルカリ水溶液100質量中、0.01~40質量が好ましい。金属水酸化物の濃度が0.01質量以上であれば、塩化水素を効率よく中和、除去できる。金属水酸化物の濃度が40質量以下であれば、生成ガスに副生成物として含まれるHFC-254ebの脱フッ化水素反応が充分に抑制される。アルカリに接触する直前の生成ガスの温度は、100°C以下であり、80°C以下が好ましく、50°C以下がより好ましい。生成ガスの温度が100°C以下であれば、生成ガスに副生成物として含まれるHFC-254ebの脱フッ化水素反応が充分に抑制される。触媒層の最高温度が130°C近くであっても、最高温度を示す反応域の下流側に温度の低い触媒層が存在すれば、その部分で冷却されて反応器から排出される生成ガス温度を100°C以下にすることができ、また反応器から排出される生成ガスの温度が100°Cを越えていてもアルカリと接触させるまでの間で100°C以下に冷却することができる。アルカリに接触する直前の生成ガスの温度は、生成ガスの冷却のための余分なエネルギーを抑える点から、0°C以上が好ましく、10°C以上がより好ましい。また、生成ガスがアルカリと接触した場合、中和熱によってアルカリが加熱される。よって、中和熱によって加熱されるアルカリの最高到達温度は、100°C以下であり、80°C以下が好ましく、50°C以下がより好ましい。アルカリの温度は、アルカリの冷却のための余分なエネルギーを抑える点から、0°C以上が好ましく、10°C以上がより好ましい。作用効果以上説明した方法bにあっては、生成ガスを100°C以下の温度でアルカリに接触させて、生成ガスに含まれる塩化水素を中和、除去しているため、生成ガスに副生成物として含まれるHFC-254ebの脱フッ化水素反応が抑制され、塩化水素の除去の際にHFO-1243zfが生成しにくい。そのため、HFO-1243zfの濃度が低く抑えられた、高純度なHFO-1234yfが得られる。以下、実施例を示して本発明を詳細に説明する。ただし、本発明は以下の記載によっては限定されない。例1は、製造例であり、例2は、実施例であり、例3は、比較例である。例1CFO-1214yaの製造:HCFC-225旭硝子社製、アサヒクリンAK225、HCFC-225ca:48モル、HCFC-225cb:52モルを反応原料として用いて、以下の方法によりCFO-1214yaを製造した。0°Cに冷却したジムロートを設置した内容積1Lのガラス反応器に、相間移動触媒としてTBABの3gと、水酸化カリウムの83g1.485モルと、水の180gと、アサヒクリンAK225の609g3.0モルとを仕込んだ後、撹拌しながら徐々に昇温し、45°Cで1時間反応を行った。その後、有機相と水相の2相に分離している反応粗液を分液し、有機相を、釜容積1L、理論段数10段の能力を持つ蒸留塔に仕込み、蒸留を実施した。蒸留の結果、純度99.5のCFO-1214ya沸点45°Cの262g1.43モルを得た。例2HFO-1234yfの製造:HFO-1234yfの製造には、図1の反応装置101を用いた。反応装置101は、2本の反応管110A、110Bと、これらを浸漬する塩浴130とを備えている。反応管110Aは、その入口111a側と出口112a側に2箇所の触媒充填部113a、114aを有する。同様に、反応管110Bは、その入口111b側と出口112b側に2箇所の触媒充填部113b、114bを有する。反応管110Aの出口112aと反応管110Bの入口111bは配管で連結されている。反応管110A、110Bとしては、内径2.54cm、長さ100cmのインコネル登録商標600製の反応管を用いた。また、ヤシ殻活性炭の100質量部に対して0.5質量部のパラジウムを担持させたパラジウム担持活性炭を用い、反応管110Aの出口112a側の触媒充填部114aに前記パラジウム担持活性炭を充填して高さ40cmの触媒層120Aを形成した。同様に、反応管110Bの入口111b側と出口112b側のそれぞれの触媒充填部113b、114bに前記パラジウム担持活性炭を充填し、それぞれ高さ40cmの触媒層120Bおよび触媒層120Cを形成した。触媒層120A~120Cのパラジウム担持活性炭の充填密度は0.73g/cm3とした。触媒層120A~120Cが全て浸漬されるように、反応管110Aおよび反応管110Bを塩浴130中に浸漬し、触媒層120A~120Cを80°Cに加熱した。例1で得られたCFO-1214yaからなる原料化合物ガスA、水素ガスB、および窒素ガスCを、総量のモル比が水素/CFO-1214ya/窒素=1/1/2となるように反応管110Aおよび110Bに流通させた。触媒層120A~120Cに対する原料化合物ガスAの接触時間は40秒とし、原料化合物ガスAの線速度uは7cm/秒とした。また、水素ガスBの50を原料化合物ガスAとともに反応管110Aの入口111aから導入し、残部を反応管110Aと反応管110Bを連結する配管部分に導入した。すなわち、水素ガスBは、触媒層120A~120Cからなる触媒層触媒層長さ120cmにおいて、触媒層120A0cm地点と、触媒層120B40cm地点の2箇所に分割して導入した。反応中の触媒層120A~120Cの最高温度は、それら触媒層にそれぞれ挿入した挿し込み型の温度計140A~140Cにより測定した。触媒層120A~120Cの最高温度は、90°Cであった。反応装置101の反応管110Bの出口112bから排出された生成ガスをガスクロマトグラフィーGCにて分析し、下式IIによりCFO-1214yaからHFO-1234yfへの変換率Xを算出したところ74であった。X=[Y/Z/2]×100II。ただし、Yは、生成したHFO-1234yfのモル数であり、Zは、導入したCFO-1214yaのモル数である。また、副生した不飽和化合物は中間体HCFO-1224ydのみであり、HCFO-1224ydへの変換率を算出したところ20であった。反応装置101の反応管110Bの出口112bから排出された生成ガスを洗浄容器150内の20質量水酸化ナトリウム水溶液に吹き込んだ。水酸化ナトリウム水溶液に吹き込む直前の生成ガスの温度は、20°Cであった。また、生成ガスの吹き込み口付近の水酸化ナトリウム水溶液の最高到達温度は、22°Cであった。洗浄容器150から排出された生成ガスDをGCにて分析したところ、HFO-1234yfおよびHCFO-1224yd以外の不飽和化合物は検出されなかった。生成ガスDをドライアイスで冷却したトラップで捕集し、蒸留によって精製したところ、純度99.9モル以上のHFO-1234yfが得られ、GCによる分析では、HFO-1234yf以外の不飽和化合物は検出されなかった。例3水素ガスBの100を原料化合物ガスAとともに反応管110Aの入口111aから導入した以外は、例2と同様にして生成ガスDを得た。触媒層120A~120Cの最高温度は、180°Cであった。水酸化ナトリウム水溶液に吹き込む直前の生成ガスの温度は、105°Cであった。また、生成ガスの吹き込み口付近の水酸化ナトリウム水溶液の最高到達温度は、100°Cであった。反応装置101の反応管110Bの出口112bから排出された生成ガスをGCにて分析し、HFO-1234yfへの変換率Xを算出したところ74であった。また、副生した不飽和化合物として、中間体HCFO-1224yd、変換率=20と1500体積ppmのHFO-1243zfが検出された。洗浄容器150から排出された生成ガスDをGCにて分析したところ、HFO-1234yfおよびHCFO-1224yd以外に、2700体積ppmのHFO-1243zfが検出された。生成ガスDをドライアイスで冷却したトラップで捕集し、蒸留によって精製したところ、純度99.9モル以上のHFO-1234yfが得られたが、GCによる分析では、HFO-1234yf以外に、730体積ppmのHFO-1243zfが検出された。"