多層ビア積層構造であって、金属層と、上記金属層を被覆し、上記金属層の上方に第一開口を備える第一誘電層と、上記第一開口及び上記第一誘電層の上に形成されて、第一底部、上記第一誘電層の上に位置する第一上端部及び第一斜孔壁を備え、上記第一斜孔壁は、上記第一上端部と接合する第一上端及び上記第一底部と接合する第一下端を備え、上記第一底部は、幾何対称中心を備える第一ビア金属層と、上記第一ビア金属層を被覆し、上記第一ビア金属層の上記第一上端部及び上記第一斜孔壁の上方に第二開口を備える第二誘電層と、上記第二開口及び上記第二誘電層の上に形成されて、第二底部と、上記第二誘電層の上に位置する第二上端部と、第二斜孔壁とを備え、上記第二斜孔壁は、上記第二上端部と接合する第二上端及び上記第二底部と接合する第二下端を備え、上記第二上端には上記第一底部の上記幾何対称中心に一番近い一点が上記金属層に対する垂直線は、第一斜孔壁に置かれる第二ビア金属層とを含むことを特徴とする多層ビア積層構造。上記第二ビア金属層は金属剥離工程によって形成されると共に、上記第二底部、上記第二上端部と、上記第二斜孔壁とを形成することを特徴とする請求項1に記載の多層ビア積層構造。上記第二開口は電子光食刻法工程によって形成されることを特徴とする請求項1に記載の多層ビア積層構造。上記第二開口は光学レーザ穴あけ工程によって形成されることを特徴とする請求項1に記載の多層ビア積層構造。上記第一ビア金属層は金属剥離工程によって形成されると共に、上記第一底部と、上記第一上端部と、上記第一斜孔壁とを形成することを特徴とする請求項1に記載の多層ビア積層構造。上記第一開口は電子光食刻法工程によって形成されることを特徴とする請求項1に記載の多層ビア積層構造。上記第一開口は光学レーザ穴あけ工程によって形成されることを特徴とする請求項1に記載の多層ビア積層構造。上記多層ビア積層構造は、軟性多層基板又は軟性半導体回路に用いられることを特徴とする請求項1に記載の多層ビア積層構造。多層ビア積層構造であって、金属層と、上記金属層を被覆し、上記金属層の上方に第一開口を備える第一誘電層と、上記第一開口及び上記第一誘電層の上に形成されて、第一底部、上記第一誘電層の上に位置する第一上端部及び第一斜孔壁を備え、上記第一斜孔壁は、上記第一上端部と接合する第一上端及び上記第一底部と接合する第一下端を備え、上記第一底部は、幾何対称中心を備える第一ビア金属層と、上記第一ビア金属層を被覆し、上記第一ビア金属層の上記第一上端部及び上記第一斜孔壁の上方に第二開口を備える第二誘電層と、上記第二開口及び上記第二誘電層の上に形成されて、第二底部と、上記第二誘電層の上に位置する第二上端部と、第二斜孔壁とを備え、上記第二斜孔壁は、上記第二上端部と接合する第二上端及び上記第二底部と接合する第二下端を備え、上記第二下端には第一底部の幾何対称中心に一番近い一点が上記金属層に対する垂直線は、第一斜孔壁に置かれる第二ビア金属層とを含むことを特徴とする多層ビア積層構造。上記第二ビア金属層は金属剥離工程によって形成されると共に、上記第二底部と、上記第二上端部と、上記第二斜孔壁とを形成することを特徴とする請求項9に記載の多層ビア積層構造。上記第二開口は電子光食刻法工程によって形成されることを特徴とする請求項9に記載の多層ビア積層構造。上記第二開口は光学レーザ穴あけ工程によって形成されることを特徴とする請求項9に記載の多層ビア積層構造。上記第一ビア金属層は金属剥離工程によって形成されると共に、上記第一底部と、上記第一上端部と、上記第一斜孔壁とを形成することを特徴とする請求項9に記載の多層ビア積層構造。上記第一開口は電子光食刻法工程によって形成されることを特徴とする請求項9に記載の多層ビア積層構造。上記第一開口は光学レーザ穴あけ工程によって形成されることを特徴とする請求項9に記載の多層ビア積層構造。上記多層ビア積層構造は、軟性多層基板又は軟性半導体回路に用いられることを特徴とする請求項9に記載の多層ビア積層構造。本発明の主な目的は、もっと薄くて、路線密度がもっと高くて、柔軟性がもっと良い多層ビア積層構造、従って軟性半導体又は軟性多層基板に適応できる多層ビア積層構造を提供することである。そして、本発明の多層ビア積層構造の高密度路線の特徴も一般的なパッケージング基板又はプリント回路基板にも適応できる。上記目的を達成するために、本発明の多層ビア積層構造は、金属層と、第一誘電層と、第一ビア金属層と、第二誘電層と、第二ビア金属層とを含む。第一誘電層は金属層を被覆し、上記金属層の上方に第一開口を備える。第一ビア金属層は、上記第一開口及び上記第一誘電層の上に形成され、第一底部、第一誘電層の上に位置する第一上端部及び第一斜斜孔壁を備える。第一斜孔壁は、第一上端部と接合する第一上端及び第一底部と接合する第一下端を備える。そして、第一底部は幾何対称中心を備える。第二誘電層は第一ビア金属層を被覆し、第一ビア金属層の第一上端部及び第一斜孔壁の上方に第二開口を備える。第二ビア金属層は第二開口及び第二誘電層の上に形成され、第二底部、第二誘電層の上に位置する第二上端部及び第二斜孔壁を備える。第二斜孔壁は、第二上端部と接合する第二上端及び第二底部と接合する第二下端を備える。第二上端には第一底部の幾何対称中心に一番近い一点が金属層に対する垂直線は、第一斜孔壁に置かれる。又は、第二下端には第一底部の幾何対称中心に一番近い一点が金属層に対する垂直線は、第一斜孔壁に置かれる。本発明で提供する多層ビア積層構造は、軟性半導体又は軟性多層基板の多層ビア積層構造が要求するもっと薄くて、もっとよい柔軟性を満たすだけでなく、同時に、軟性集積回路及び軟性多層基板の路線密度をもっと高めることができる。以下、本発明における多層ビア積層構造の具体的な実施方式に対して、図面を参照して詳しく説明する。図5を参照すると、本発明の第一実施例における多層ビア積層構造を示す。本発明の第一実施例における多層ビア積層構造は、金属層100と、第一誘電層202と、第一ビア金属層102と、第二誘電層204と、第二ビア金属層104とを含む。図5に示したように、金属層100は軟性半導体回路又は軟性多層基板の金属線路又はパッド層として用いられる。第一誘電層202は金属層100を被覆し、金属層100の上方に第一開口を備える。第一ビア金属層102は第一開口及び第一誘電層202の上に形成される。第一ビア金属層102は第一底部102-1と、第一上端部102-2と、第一斜孔壁102-3とを備える。図5に示したように、第一底部102-1は第一開口の位置に位置し、幾何対称中心を備え、その幾何対称中心は対称の軸又は円心であることができ、これは第一底部102-1の形によって決まれる。第一上端部102-2は第一誘電層202の上に形成される。第一斜孔壁102-3は第一上端及び第一下端を備える。第一上端は第一上端部102-2と接合され、その第一下端は第一底部102-1とに接合される。第二誘電層204は第一ビア金属層102を被覆し、図5に示したように、第一ビア金属層102の第一上端部102-2の上方に第二開口を備える。第二ビア金属層104は第二開口及び第二誘電層204の上に形成される。第二ビア金属層104は第二底部104-1と、第二上端部104-2と、第二斜孔壁104-3とを備える。第二底部104-1は第二開口の位置に形成される。第二上端部104-2は第二誘電層204に形成される。第二斜孔壁104-3は第二上端及び第二下端を備える。第二上端と第二上端部104-2は接合される。第二下端と第二底部104-1は接合される。第一ビア金属層102が備える第一上端部102-2は、後で形成される第二ビア金属層104の位置までに一層伸ばされて、第二底部104-1と接合するようにする。即に、いわゆる交錯型多層ビア積層構造である。しかし、従来の技術との一番違いところは、第二ビア金属層104の第二上端には、第一底部102-1の幾何中心110に一番近い一点が金属層100に対する垂直線112は、第一斜孔壁102-3に置かれる。言い換えると、見下ろす角度から見る時、第一ビア金属層102と第二ビア金属層104の一部が重なれる。図6を参照すると、本発明の第二実施例における多層ビア積層構造を示す。本発明の第二実施例は、上述した本発明の第一実施例における構造と類似しているが、第二誘電層204が備えた第二開口は、図6に示したように、第一ビア金属層102の第一上端部102-2及び第一斜孔壁102-3上部に位置されて、第一上端部102-2の一部と第一斜孔壁102-3の一部が露出される。従って、第二ビア金属層104が備える第二底部104-1の第二下端では、第一底部102-1の幾何中心110に一番近い一点が金属層100に対する垂直線114は、第一斜孔壁102-3に置かれる。言い換えると、見下ろす角度から見る時、第一ビア金属層102と第二ビア金属層104が重なれる部分は、第一実施例で重なれる部分より大きい。図7を参照すると、本発明の比較例における多層ビア積層構造を示す。この比較例は上述した本発明における第一実施例、第二実施例と類似しているが、違いところは、第二ビア金属層104が備える第二底部104-1の第二下端の中では、金属層100の幾何中心110に一番近い第二下端の一点が金属層100に対する垂直線114は、第一ビア金属層102の第一底部102-1に置かれる。言い換えると、見下ろす角度から見る時、この比較における第一ビア金属層102と第二ビア金属層104とが重なれる部分は、本発明における第一実施例、第二実施例で重なれる部分より大きくて、図2、図3で示した従来の技術におけるスタックビアは柔軟性が良くない。上述した図5、図6及び図7に示した本発明の実施例及び比較例を比較すると、本発明における多層ビア積層構造はスタッガードビア積層構造を維持しながら、軟性集積回路及び軟性多層基板の柔軟性の要求に適用できて、集積回路及び多層基板の厚さをもっと薄くするだけでなく、集積回路及び多層基板の路線密度をもっと高めることができる。そして、一方的に路線密度の高めを追求しながら、スタックの特徴のためたくさんの金属材料を密集されている区域に設置するために、柔軟性を兼備できなくなり、従って、軟性集積回路及び軟性多層基板に適用できない従来の技術におけるスタックビア積層構造とは違う。図8aから図8hを参照すると、本発明の第二実施例における多層ビア積層構造の製造方法を示す。図8aに示したように、軟性集積回路又は軟性多層基板の誘電層200の上に金属層100を形成する。図8bに示したように、金属層100に第一誘電層202を形成して、金属層100を被覆する。図8cに示したように、金属層100の上方に第一開口を形成する。第一開口を形成する方式としては、電子光食刻法又は光学レーザ穴あけ工程を採用することができる。本発明は、電子光食刻法又は光学レーザ穴あけ工程に対してはどんな制限もないし、ただ、開口の確度を掌握することが出来ればよいが、例えば、上述した光学顕微解像度、被写界深度について、その開口を十分に定義することができ、平たいでない位置でも光学レーザ穴あけエネルギー、解像度が十分で正確に開口できればよい。図8dに示したように、金属剥離プロセスとして、ネガ型フォトレジストをえらんだ場合を例として挙げると、誘電層202の表面に少なくともフォトレジスト層203を塗布する。フォトレジスト層203を塗布した後、第一ビア金属層102の予定の位置のフォトレジスト層203-1以外のフォトレジスト層203に対して露出した後、現象剤で予定の位置に位置するフォトレジスト層203-1を除去することができる。続いて、図8eに示したように、フォトレジスト層203及びその上部の第一ビア金属層102と同時に形成された金属層を除去すると、第一開口及び周りで先決的な区域範囲内で、第一底部と、第一上端部と、第一斜孔壁とを備える第一ビア金属層102を形成する製作が完成される。しかし、本発明は、第一ビア金属層102を形成する方法に対してはどんな制限もないし、本発明者が実際の実験で得た結果、位置が正確で、形も正確し、厚さも均一な金属層を形成しようとすると、金属剥離工程が好ましい。図8fに示したように、第二誘電層204を形成して、第一ビア金属層102を被覆する。第一ビア金属層102の形が凹んでいるため、形成された第二誘電層204の形も類似な、凹んでいる形で形成される。図8gに示したように、第一ビア金属層102の第一上端部及び第一斜孔壁の上方に第二開口を形成する。第二開口を形成する方式としては、電子光食刻法フォトリソグラフィー又は光学レーザ穴あけ工程を採用することができる。本発明は、電子光食刻法又は光学レーザ穴あけ工程に対してはどんな制限もないし、ただ、開口の確度を掌握することが出来ればよいが、例えば、上述した光学顕微解像度、被写界深度について、その開口を十分に定義することができ、平たいでない位置でも光学レーザ穴あけエネルギー、解像度が十分で正確に開口できればよい。図8hに示したように、第二開口及び周りで先決的な区域範囲内で、第二底部と、第二上端部と、第二斜孔壁とを備える第二ビア金属層104を形成する。第二ビア金属層104の第二下端には第一底部102-1の幾何中心110に一番近い一点が金属層100に対する垂直線114は、第一斜孔壁に置かれる。そして、第二ビア金属層104を形成する方法は上述した第一ビア金属層102を形成する方法と同じであることができ、金属剥離工程であることができる。しかし、本発明は、第二ビア金属層104を形成する方法に対してはどんな制限もないし、本発明者が実際の実験で得た結果、金属層を形成する様々な工程で金属剥離プロセスが好ましい。特に、第二開口の底部は図8gに示したように、平たい底面でなくてあるが、平たいでない底面に位置が正確で、形も正確し、厚さが均一な第二ビア金属層104を形成しようとすると、金属剥離工程を採用することが好ましい。上記で、本発明の第二実施例の製造に対して説明したが、本発明の第一実施例も同じ方法で製造することができ、注意する点は、第二開口を決めた位置が違い。合わせて言うと、本発明における多層ビア積層構造は、軟性半導体又は軟性多層基板が要求するもっと薄くて、もっと良い柔軟性を満たされる多層ビア積層構造であって、同時に、軟性集積回路及び軟性多層基板の路線密度をもっと高めることができる。上記のように、本発明は、好ましい実施例で上記のように説明したが、これは本発明を制限することではなくて、本発明が属する技術分野で通常の知識を持っている技術者が本発明の構想と範囲を離脱しない範囲で、様々な変更と変化の可能性があるため、本発明の保護の範囲は以下の特許請求の範囲に確定された範囲を基準とする。