"回転するプラテン上面に貼付された研磨パッド上にスラリーを供給し、ヘッド下面に保持された半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハを研磨する研磨装置において、前記プラテン上面に開口する洗浄液の吐出口と、前記吐出口上に位置する前記研磨パッドに開設され、前記研磨パッドを貫通するパッド開口と、前記ヘッドを前記吐出口上に移動し、上昇するヘッド移動手段とを有し、前記ヘッドを前記吐出口上に移動した後、少なくとも前記ヘッドが上昇するまでの間、前記吐出口から前記半導体ウエーハの研磨面へ洗浄液を噴射し続けることを特徴とする研磨装置。回転するプラテン上面に貼付された研磨パッド上にスラリーを供給し、ヘッド下面に保持された半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハを研磨する研磨装置において、前記プラテンの下方に位置し、洗浄液をオーバーフローさせている水槽と、前記プラテンと前記水槽とを相対的に垂直移動する昇降手段とを有し、前記プラテンを前記水槽に対して相対的に降下して、前記プラテン上面に貼付された前記研磨パッドを前記水槽内の洗浄液中に浸漬することを特徴とする研磨装置。回転するプラテン上面に貼付された研磨パッド上にスラリーを供給し、ヘッド下面に保持された半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハを研磨する研磨装置において、装置の異常を検知して、前記ヘッドが前記半導体ウエーハを吸着して上昇し、かつ、プラテンの回転を停止する緊急停止手段と、上昇した前記ヘッドを洗浄装置へ移動して、前記ヘッドに吸着されている前記半導体ウエーハの研磨面を洗浄する緊急洗浄手段とを有することを特徴とする研磨装置。回転するプラテン上面に貼付された研磨パッド上にスラリーを供給し、ヘッド下面に保持された半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハを研磨する研磨工程を有する半導体装置の製造方法において、前記スラリーを用いた研磨工程の終了後、前記研磨パッド上に3乃至10リットル/分の流量で洗浄液を供給しつつ、前記半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハに付着したスラリーを除去する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。回転するプラテン上面に貼付された研磨パッド上にスラリーを供給し、ヘッド下面に保持された半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハを研磨する研磨装置において、前記研磨パッド上に前記スラリーを噴射するスラリー噴射部と、前記スラリー噴射部に近接して配置され、前記研磨パッド上に洗浄液を3乃至10リットル/分の流量で噴射する洗浄液噴射部とを有することを特徴とする研磨装置。研磨前又は研磨後の前記半導体ウエーハを載置するペデスタルと、前記ペデスタル上に洗浄液を3乃至10リットル/分の流量で供給し前記ペデスタルの上を洗浄するペデスタル洗浄部とを有することを特徴とする請求項5に記載の研磨装置。回転するプラテン上面に貼付された研磨パッド上にスラリーを供給し、ヘッド下面に保持された半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハを研磨した後、前記研磨パッド上に洗浄液を供給しつつ前記半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハに付着したスラリーを除去する研磨装置と、前記研磨装置の近傍に配置され、洗浄液供給源から供給される洗浄液を貯留する貯留タンクと、前記貯留タンクに貯留された前記洗浄液を前記研磨装置に移送するポンプとを有することを特徴とする半導体ウエーハ研磨システム。前記貯留タンクは、1台の研磨装置に対し1基設けられていることを特徴とする請求項7に記載の半導体ウエーハ研磨システム。図2a,bは従来の改良された研磨装置の動作説明図であり、研磨直後のウエーハを迅速に洗浄する方法を研磨装置の断面図により表している。なお、図2a及び図2bは、それぞれ研磨直後及びヘッド上昇時の様子を表している。図2aに示すように、この改良された研磨装置では、ヘッド165下面に保持されたウエーハ164をプラテン181上面に貼付された研磨パッド182に押圧して研磨し、研磨終了直前にウエーハ164をプラテン181上の外周に近い所定位置に移動する。この所定位置に近いプラテン181外側には、洗浄液176bを噴射するノズル176が設けられている。そして、図2bに示すように、研磨終了と同時にヘッド165を上昇し、研磨面164aを下にしてウエーハ164をプラテン181上方の洗浄位置に保持する。次いで、ノズル176からウエーハ164の研磨面164aへ向けて洗浄液176bが噴射され、研磨面164aが洗浄される。この研磨装置では、ヘッド165が上昇した時点からウエーハ164の洗浄が開始されるから、ウエーハ164を洗浄ステージに搬送して洗浄する研磨装置に比べて大幅に研磨面164aの腐食を抑制することができる。なお、ヘッド165上昇直後から、研磨パッド182上にシャワー163から研磨パッド182上面へ洗浄液163aが供給され、研磨パッド182の洗浄がなされる。しかし、この改良された研磨装置においても、ヘッド165の上昇によりウエーハ164が研磨パッド182から離れて洗浄位置に保持されるまでの間は、ウエーハ164の研磨面164aが雰囲気に暴露されるため研磨面164aの腐食が進行する。特に銅配線は腐食の進行が速いので、ヘッド165上昇の時間でも無視することのできない腐食が発生し、半導体装置の信頼性が損なわれる。なお、上述した正常な研磨工程においてウエーハ164を研磨パッド182上から洗浄ステージ例えば図1に示す洗浄ステージ127、128へ搬送する間に生ずる腐食は、銅配線の表層の腐食であり、銅配線の表面を変色させる程度の腐食である。他方、銅配線の全体全層を腐食するような重大な腐食が、障害発生時に生ずる。図3は従来の研磨装置の障害発生時シーケンスであり、障害発生時に予定されている主要な研磨装置の動作シーケンスを表している。図3に示すように、従来の研磨装置では、障害の発生が検知されると、1ウエーハをヘッドに吸着し研磨パッドから上昇して保持しつつ停止する、2プラテン及びヘッドの回転を停止する、3スラリーの研磨パッド上への供給を停止し、研磨パッド上へ洗浄液を供給して研磨パッドをリンスする、という1~3の工程を行なった後に停止して、作業員の判断を待つように設計されている。このような障害発生時シーケンスでは、ウエーハの研磨面は、障害が検知されてヘッドが上昇してから作業員による判断及び再操作がなされるまでの間、スラリーが付着したまま雰囲気に暴露されている。この作業員による操作がなされるまでの時間は通常数分間を要するから、この間にスラリーが付着した銅配線はその全層にわたり腐食してしまう。その結果、研磨装置の障害発生は致命的な半導体装置の欠陥を発生させ、半導体装置の製造歩留りを著しく低下させてしまう。上述したように、従来のCMP装置化学的機械的研磨をなすための研磨装置では、プラテン上から他の装置へウエーハを搬送する際、まずウエーハを中間ステージ例えば、洗浄ステージ又は載置台上に搬送してその中間ステージでウエーハを洗浄していた。しかし、ウエーハをプラテン上から中間ステージへ搬送するまでの間に、ウエーハの研磨面に表出する配線金属の表面が腐食し、半導体装置の信頼性が低下するという問題があった。研磨後にプラテン上方に保持されたウエーハの研磨面へノズルから洗浄液を噴射して研磨面を洗浄する従来の改良されたCMP装置では、ウエーハを中間ステージへ搬送する前に洗浄できるため腐食を大幅に改善することができる。しかし、ウエーハをプラテン上の洗浄位置に保持するまでに、即ちウエーハが研磨パッドから離れてから洗浄位置まで上昇する間に、研磨面に表出する金属配線の表面が腐食してしまい、研磨面に表出する金属配線の腐食を十分に抑制することは難しいという問題がある。さらに、従来のCMP装置では、障害発生時にウエーハをプラテン上に保持したまま装置を停止し、ウエーハを洗浄することなく放置していた。このため、研磨面に表出する配線層が全層配線層の表面から底面までにわたり腐食するという問題がある。このように全層が腐食しては、表層のみを除去する再研磨では救済することができず、半導体装置の製造歩留りが低下してしまう。本発明の目的は、CMP終了から洗浄までの間に、ウエーハの研磨面が雰囲気に暴露される時間をなくすことで、研磨面に表出する配線金属の腐食を抑制した半導体装置の製造方法、かかるCMPを実現する研磨装置及び研磨システムを提供することである。本発明の第1構成の研磨装置は、プラテン上面に開口する洗浄液の吐出口と、吐出口上に位置して研磨パッドを貫通するパッド開口と、ヘッドを吐出口上に移動して上昇するヘッド移動手段とを有し、ヘッドを移動した後少なくともヘッドが上昇するまでの間、吐出口からウエーハの研磨面へ洗浄液を噴射し続ける。この研磨装置では、研磨終了後、ウエーハを保持するヘッドをプラテン上面内で滑らせて吐出口上に移動し、吐出口から噴射する洗浄液をウエーハの研磨面に当てる。この洗浄液は、その後ウエーハが上昇する間も、途切れることなく研磨面に到達するように噴射することが好ましい。なお、このときのウエーハの上昇距離は、吐出口から噴射する洗浄液が研磨面に到達する距離でなければならない。この第1構成の研磨装置では、ウエーハの研磨面は、研磨パッドに接したまま下方プラテンの吐出口から噴射する洗浄液により洗浄され、そして、ウエーハが上昇して研磨面が研磨パッドから離れても、洗浄液は研磨面に達して研磨面を洗浄し続ける。このため、研磨面は、研磨パッド上に置かれた状態からヘッドを上昇した状態に至る間、常に洗浄液で洗浄され続け、この間に雰囲気に暴露されることがない。従って、研磨面の配線金属の腐食が抑制される。第1構成において、吐出口を、回転するプラテン上面の移動方向に洗浄液を噴射するように開設することが好ましい。これにより、プラテン上面の洗浄液の流れを乱すことなく大量の洗浄液を供給できるので、汚染の少ない洗浄が可能となる。本発明の第2構成の研磨装置は、プラテンの下方に洗浄液をオーバーフローさせている水槽を設け、プラテンと水槽とを垂直に相対的に移動させ、研磨パッドを水槽内の洗浄液中に浸漬する。この構成では、研磨後の研磨パッド上にウエーハを接触させた状態で、プラテン上面を洗浄液中に浸漬することができる。このため、研磨後に研磨面を雰囲気に暴露することなく、ウエーハを洗浄液中で洗浄することができる。従って、研磨面に表出する金属配線の腐食が抑制される。また、プラテン上面に貼着された研磨パッドの表面及び研磨面を、水槽中の大量の洗浄液で洗浄するので、研磨面に残留するスラリーが迅速に洗浄され、研磨面に残留するスラリーによる配線金属の腐食が少ない。本発明の第3構成は、研磨装置の障害発生時の処理に関する。この第3構成の研磨装置は、装置の異常を検知したとき、ヘッドがウエーハを吸着して上昇し、かつ、プラテンの回転を停止する緊急停止手段と、上昇したヘッドを洗浄装置へ移動して、ウエーハの研磨面を洗浄する緊急洗浄手段とを有する。本構成では、異常を検知すると、プラテン上方に上昇したヘッドウエーハを保持している。を、プラテン上方に留め置くことなく洗浄装置へ移動し、ウエーハの少なくとも研磨面を洗浄する。そして、洗浄後に作業員の操作を待つ。この構成では、研磨装置は研磨面が洗浄された状態で停止するから、停止から再起動までの間に進行する研磨面の金属配線の腐食は、正常動作時と同様に表面が浅く腐食する程度にすぎず金属配線の全層が腐食することはない。従って、表面を浅く再研磨することで正常な研磨工程と同様に腐食のない正常な金属配線を形成することができる。このため、異常発生時の研磨装置の停止により発生する製造歩留りの低下を回避することができる。本発明の第4構成の半導体装置の製造方法は、スラリーを用いた研磨工程の後に、研磨パッド上に3乃至10リットル/分の流量で洗浄液を供給しつつ、半導体ウエーハを研磨パッドに押圧して半導体ウエーハに付着したスラリーを除去する。従来から、スラリー研磨に続けて、スラリーの供給を停止し、研磨パッド上に純水を高圧でスプレーしながら半導体ウエーハを研磨パッドに押圧し洗浄する方法いわゆる水研磨を採用した半導体装置の製造方法が知られている。しかしながら、本願発明者等の実験研究から、単に純水をスプレーするだけでは純水の量が不足し、特に銅配線を有するウエーハの場合に配線の腐食を十分に回避できないことが判明した。そこで、本第4構成では、スラリー研磨工程の後に、研磨パッド上に多量の洗浄液を噴射しながら半導体ウエーハを研磨パッド上に押圧して水研磨する。このとき、洗浄液の流量が3リットル/分未満であると、特に銅配線を有する半導体ウエーハの場合に、配線の腐食を防止する効果を十分に得ることができない。一方、配線の腐食を防止するという観点からは洗浄液の流量は多いほうがよいが、洗浄液の流量が10リットル/分を超えると、洗浄液のコストが増大する。また、一般的な研磨装置では複数の半導体ウエーハを同時に処理するために複数のプラテンを有しているものが多いが、そのような研磨装置では1プラテン当りの洗浄液の流量が10リットル/分を超えると、排液洗浄処理以後の洗浄液をスムーズに排水することが困難になる。従って、本第4構成の半導体装置の製造方法では、1プラテン当りの洗浄液の供給量を3乃至10リットル/分とする。本発明の第5構成の研磨装置は、研磨パッド上にスラリーを噴射するスラリー噴射部と、スラリー噴射部に近接して配置され、研磨パッド上に洗浄液を3乃至10リットル/分の流量で噴射する洗浄液噴射部とを有している。本第5構成では、スラリー噴射部の近傍に洗浄液噴射部を備えているので、スラリーが付着した部分に効率よく洗浄液を噴射することができる。また、本第5構成では、洗浄液噴射部から3乃至10リットル/分の流量で洗浄液を噴射するので、半導体ウエーハの研磨面に付着したスラリーを十分除去することができて、配線が銅により形成された半導体ウエーハであっても、配線の腐食を防止することができる。なお、研磨前又は研磨後の半導体ウエーハを載置するペデスタルが設けられた研磨装置の場合、ペデスタル上に3乃至10リットル/分の流量で洗浄液を噴射するペデスタル洗浄部を設けることにより、配線の腐食をより一層確実に防止することができる。本発明の第6構成の半導体ウエーハ研磨システムは、研磨装置の近傍に洗浄液を貯留する貯留タンクが配置されており、この貯留タンクから研磨装置に洗浄液が供給される。従来は、遠方に配置された洗浄液供給源から配管を介して研磨装置に直接洗浄液が供給されていた。しかしながら、研磨装置における洗浄液の使用量が多くなると、従来の方法では複数の研磨装置に十分な量の洗浄液を供給することが困難になる。そこで、本第6構成では、研磨装置の近傍に洗浄液貯留タンクを配置し、洗浄液供給源から送られてきた洗浄液を洗浄液貯留タンクに貯留する。これにより、複数の研磨装置を同時に使用しても、各研磨装置に十分な量の洗浄液を供給することができる。なお、1台の研磨装置に1基の洗浄液貯留タンクを用意することが好ましいが、数台2~4台の研磨装置で1基の洗浄液貯留タンクを共用してもよい。本発明によると、研磨面に表出する配線金属の腐食を抑制することができるので、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。本発明の他の構成によると、異常発生時に研磨装置が停止しても、研磨面に表出する配線金属の腐食を再研磨が可能な程度に抑えることができるので、半導体装置の高い製造歩留りを実現することができる。以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して説明する。第1の実施形態図4は第1の実施形態に係る研磨装置の平面図であり、研磨ユニットと洗浄ユニットを合わせ持つ研磨装置の主要な構成を表している。研磨装置200は、全体がクリーンルーム201内に収容され、ウエーハをクリーンルーム201に搬入し又はクリーンルーム201から搬出する搬入搬出ユニット210と、ウエーハをCMPする研磨ユニット220と、ウエーハを洗浄する洗浄ユニット240とを備える。これらの各ユニットは、それぞれが清浄な雰囲気を維持するために、各ユニット間の空気の流れを少なくするように仕切られている。搬入搬出ユニット210には、研磨前のウエーハ及び研磨後のウエーハを収容するカセット214が取り付けられる。また、ウエーハをカセット214から取り出し、又は収容するロボットアーム211が設けられている。研磨ユニット220は、2個のプラテン221、222を有し、その間に回転台225が設けられている。プラテン221、222の上面には研磨パッドが貼付され、スラリーが供給される。また、各プラテン221、222毎に2個のヘッド研磨ヘッド223、224が設けられ、ウエーハは、ヘッド223、224の下面に保持され研磨パッドに押圧されて研磨される。このヘッド223、224は図4の紙面垂直方向に移動可能である。回転台225は、その上面に4個の載置台226を有し、回動して載置台226に載置されたウエーハを搬送する。さらに、この載置台226上に載置されたウエーハを洗浄液で洗浄することができる。加えて、回転台225とプラテン221、222との間に、ウエーハの洗浄を行なう洗浄ステージ227、228が設けられる。この洗浄ステージ227、228は、図4に示す位置から載置台226の位置に回旋移動して、これらの位置間でウエーハを搬送することができる。洗浄ユニット240は、2個の洗浄器242、243、搬入用及び搬出用のステージ241、245、乾燥器244及び回旋してウエーハを搬送するロボットアーム246を備える。ウエーハは、ロボットアーム211によりカセット214から取り出され、引き渡し箇所となる厚さ測定器213上に載置される。この厚さ測定器213上に載置されたウエーハは、ロボットアーム212により研磨ユニット220内に搬送されて、研磨ユニット220内に設置された載置台226上に載置される。載置台226上に載置されたウエーハは、ヘッド223、224のいずれかの下面に吸着されて、ヘッド223、224の移動によりプラテン221、222上面に搬送され、その位置でプラテン221、222上面の研磨パッドへ押圧され、研磨される。研磨されたウエーハは、ヘッド223、224の移動により洗浄ステージ228に搬送され、そこで洗浄された後、載置台226に載置される。次いで、ロボットアーム212は、載置台226に載置されたウエーハを厚さ測定器213に搬送し、厚さを測定した後、再び載置台226に載置する。そして、先の研磨に使用したものと異なるプラテンを使用して、仕上げ研磨を行い、洗浄ステージを経て載置台226に戻される。仕上げ研磨されたウエーハは、ロボットアーム212により洗浄ユニット240内のステージ241上に載置され、主洗浄を行なう洗浄器242、及び仕上げ洗浄を行なう洗浄器243を経て、乾燥器244へ搬送されて乾燥された後、ロボットアーム246によりステージ245上に載置される。ステージ245上に載置されたウエーハは、再びロボットアーム211によりウエーハを収容するカセット214内に収容される。このように、この研磨装置では、研磨工程の全てが自動的になされ、途中で人手が介入することがないドライインドライアウト工程が可能である。このため、研磨及び洗浄を含む全研磨工程を高い清浄度の雰囲気中で行なうことができ、欠陥の少ない優れた研磨面を得ることができる。図5a~dは、本実施形態の研磨装置の動作説明図であり、プラテンとその周囲に配置された主要な機構を断面図で表している。本実施形態で使用される研磨装置は、プラテン261の外周近くに洗浄液を噴出するノズル266を設け、ノズル制御手段によりそのノズル開口266a位置及び噴出方向を制御する。なお、ノズル制御手段は、ノズル開口266a位置及び洗浄液の噴出方向を制御できる機構であればよく、全体が機構的に構成されるもの、例えばノズル266の位置及び方位を変更する移動回転機構でもよく、またコンピュータにより制御される機構、例えばロボットでもよい。この装置のプラテン261上面には研磨パッド262が貼付されており、プラテン261は回転軸261a廻りに回転駆動される。ウエーハ264はその外周をリング状のリテーナ265bにより押さえられてヘッド265下面に保持され、ヘッド265により研磨パッド262に押圧されてCMPされる。また、研磨パッド262上にスラリーが供給される。図5aに示すように、CMPが終了すると、ヘッド265の押圧研磨圧が除去され、ウエーハ264はヘッド265下面に吸着されて保持される。同時に、スラリーの供給が停止され、代わってシャワー263から洗浄液263aとして純水が研磨パッド262上に散布される。次いで、図5bに示すように、プラテン261の外側に退避していたノズル266を移動方向Aに沿ってプラテン261の中心方向へ移動させ、ノズル開口266aを研磨パッド262上に配置する。このとき、ノズル開口266aの位置及びノズルの角度を調整して、ノズル開口266aから噴出する洗浄液266b、例えば純水が、リテーナ265bの外側面、及び研磨パッド262のリテーナ265b外側近傍の表出面に当るように制御する。従って、洗浄液266bは、研磨パッド262に接して置かれているリテーナ265bの外側を覆って研磨パッド262上を流れる。このため、リテーナ265bの内側に保持されたウエーハ264の研磨面264aは雰囲気に暴露されない。このときの洗浄液266bの流量は、残留するスラリーを少なくする観点から多いことが好ましい。一方、噴出する流速は、流量程にはスラリーの洗浄に寄与しないので、可能な限り流量を多くすることが好ましい。このため、ノズル266に流量を減少させる機構、例えば流速を速くするためのオリフェスやシャワー開口を設けることは避け、ノズル266全長にわたり断面積がほぼ同一のノズルを用いて流量の減少を防ぐことが好ましい。次いで、図5cに示すように、ヘッド265が上昇して研磨パッド262と研磨面264aとの間に僅かな隙間が生じたとき、ノズル266を移動回転方向Bに沿って移動、回転させ、ノズル開口266aをよりリテーナ265bに近づけるとともに、ノズル265の軸を水平近くになるように回転して噴射角即ち、ノズル開口266aから噴出する洗浄液266bの噴出方向と研磨パッド262表面とのなす角度を小さくする。これにより、研磨パッド262と研磨面264aとの隙間に大量の洗浄液266bが流入するので、隙間が拡大してもその隙間を完全に研磨液266bで充満することができる。移動回転方向Bに沿ってノズル266を移動、回転する時期は、かかる移動回転をしなければ、研磨パッド262表面に噴出された洗浄液266bによっては隙間を充満できなくなる程隙間が拡大する前でなければならない。移動回転方向Bに沿ってノズル266を移動、回転することで、拡大した隙間を充満できる大量の洗浄液266bを隙間に送出することができる。かかる回転移動がなければ隙間が洗浄液で充満されずに研磨面264aが雰囲気に暴露されて配線金属が腐食してしまう。他方、噴射角を小さくすると研磨パッド262表面によって遮蔽される洗浄液266bが多くなるため実効的な流量が減少して洗浄効果が減少するので、噴射角を小さくするのは遅い方が望ましい。しかし、洗浄液266bの噴射角と洗浄液266bが充満する隙間の大きさの関係は、研磨パッド262や研磨面264aの濡れ性及び移動速度等により大きく変動するから、ノズル266の移動回転の開始時期は、実験により最適な時期を決定する必要がある。次いで、図5dに示すように、ヘッド265が所定の位置洗浄位置まで上昇を続ける間、洗浄液266bが研磨面264aに向けて噴射し続けるよう、ノズル開口266aの位置及びノズル266の方向を制御する。例えば、ヘッド265の上昇量が小さいときは、ノズル開口266a位置をヘッドに近く、かつ、僅か上向きの噴射角となるようにノズル266を制御する。これにより、ヘッド265の上昇量が小さくても、研磨面264aに洗浄液266bを噴射することができる。ヘッド265の上昇量が大きくなるに従い、ヘッドを移動回転方向Cに沿って、ノズル開口266aを後退プラテン261の外側の方向させ、かつ噴射角が上向きになるようにノズル266の位置及び方位を制御する。このノズル266の制御は、洗浄液266bが上昇し続ける研磨面264aを追跡して噴射されるように制御される。上述した研磨後のノズル266から噴射する洗浄液266bの量は、図5b~図5cの各工程毎に、又はこれらの工程を経過する間、段階的に又は徐々に増減することが、最小の洗浄液266bでもって研磨面264aを被覆するという観点から好ましい。さらに、噴射角が負噴射方向が上方を向くになる以前の工程、例えば図5b~図5cの工程において、洗浄液266bの研磨パッド262面内の噴射方向をプラテン261の回転方向に沿う方向とすることが好ましい。これにより、洗浄液266bが乱流となることを抑制し、研磨パッド262と研磨面264aとの隙間に大量の洗浄液266bを流入することができる。続いて、ヘッド265が所定の位置洗浄位置に上昇した後、引き続き、ヘッド265の下面に保持されたウエーハ264の研磨面264aに向けて洗浄液266bを噴射して洗浄し、ウエーハ264を次のステージ、例えば図4に示す洗浄ステージ227、228又は載置台226に搬送する。このようにして、ウエーハ264の研磨工程が完了する。第2の実施形態図6は、本発明の第2の実施形態に係る研磨装置のプラテンの断面図である。また、図7a,bは、第2の実施形態に係る研磨装置の吐出口の説明図であり、図7aはプラテン上面に開口する吐出口の配置を表す平面図、図7bは吐出口の断面形状を表すI-I断面図である。本実施形態は、プラテン上面に洗浄液の吐出口を有する研磨装置に関する。図6に示すように、第2の実施形態に係るプラテン371は、その上面に吐出口377が設けられている。この吐出口377は、図7aに示すように、プラテン371の中央部及び外周部を除きプラテン371のほぼ全面に配置される。図6に示すように、プラテン371の上面に研磨パッド372が貼着され、その研磨パッド372には吐出口377の位置に開口が設けられている。従って、この開口と吐出口377は連通しており、吐出口377から吐出する洗浄液377bは、妨げられることなく研磨パッド372の開口を通過して研磨パッド372上面に噴出する。プラテン371は、回転駆動機構373により回転駆動される回転軸371a廻りに回転される。回転軸371aには中心に洗浄液を導入するための導入管375と、この導入管375と同心のドレイン管374とが設けられる。プラテン371内部には、中心から放射状に配設された導水路375aが形成されており、導入管375の上端は導水路375aの中心側の先端に接続され連通する。導水路375aには、プラテン371上面まで貫通する吐出管377aが連通され、この吐出管377aの上部開口が吐出口377を構成している。従って、導入管375の下部から導入された洗浄液は、導入管375を上昇し、導水路375aを経て各吐出管377aに供給され、吐出管377aを通り吐出口377から研磨パッド372上面に吐出される。研磨パッド372上面に吐出された洗浄液は、研磨パッド372上を流れ、プラテン371の外側に配置されたカップ379内に、及びプラテン371の中央に開設された排水口378内に流入する。カップ379内に流入した洗浄液はその底部に設けられたドレイン379から排出される。また、排水口378内に流入した洗浄液は、排水口378の底面に開口するドレイン管374を通り排出される。図7bに示すように、吐出管377aは、プラテン371の移動方向即ち回転方向に沿って、吐出口377が吐出管377の底部に対して移動方向に位置するように、傾斜して設けられる。これにより、洗浄液377bが回転方向に沿って流れるように吐出されるので、研磨パッド372上面での洗浄液377bの流れの乱れが少ない。このため、汚染の巻き込みが少なく、清浄な洗浄を実現することができる。次に、第2の実施形態の研磨装置を用いたウエーハの研磨工程に基づき、本実施形態の研磨装置の動作を説明する。図8a、bは、第2の実施形態の動作を説明する断面工程図である。この図8a,bに示すように、ウエーハ364をリテーナ365bで保持するヘッド365、及び洗浄液363aを研磨パッド372上面に散布するシャワー363は、前述した第1の実施形態の研磨装置と同じである。この研磨装置370は、図6に示すプラテン371及びカップ379を備える。さらに、プラテン371の外周近く、例えばプラテン371の外側に近接した位置に又はカップ379の外周に洗浄液を噴出するノズル376を備える。なお、このノズル376は本発明の第2実施形態の必須の要素ではなく、ノズル376を備えなくても差し支えない。まず、図8aに示すように、スラリーが供給された研磨パッド372上に、ヘッド365によりウエーハ364を押圧して研磨する。研磨終了後直ちに、研磨圧を解除すると同時にシャワー363から純水を洗浄液363aとして研磨パッド372上に供給し、研磨パッド372上の研磨剤を洗浄する。ここまでの工程は前述した第1の実施形態の工程と同様である。次いで、ヘッド365をプラテン371上を滑らせ、ノズル開口376a近くに移動する。そして、図8bに示すように、導入管375の下端から純水を洗浄液として導入し、洗浄液377b純水を吐出口377からウエーハ364下面研磨面364aへ向かい吐出させる。この吐出する洗浄液377bの圧力により、ウエーハ364が押し上げられ研磨面364aと研磨パッド372との間に隙間が発生する。吐出された洗浄液377bはこの隙間を流れて、ウエーハ364の外周を保持するリテーナ365bの外側に表出する研磨パッド372上面に至り、さらにプラテン371の中央に開口する排水口378及び外周を囲むカップ379へ流入して、ドレイン管374及びドレイン379aから排出される。この状態で、又は、吐出する洗浄液377bが研磨面364aに当る程度の僅かな隙間例えば1cmの隙間を形成するようにヘッド365を上昇した状態で、吐出口377から洗浄液377bを吐出させて研磨面364aを洗浄する。このように僅かな隙間を設けることにより、ヘッド365を上昇しない場合に比べて大量の洗浄液377bを研磨面364aに向けて吐出することができるので、研磨面364aに残留するスラリーを直ちに確実に除去することができる。この隙間があまり大きいと、洗浄液377bを研磨面364aに到達させるために洗浄液377bを高速で吐出しなければならず、吐出する洗浄液377bの流量が減少して洗浄能力が減少する。逆に狭すぎると、洗浄液377bの流路が狭くなり、洗浄液377bの供給圧が低いと大量の洗浄液377bを流すことが困難となるため洗浄能力が減少する。従って、研磨面364aと研磨パッド372の隙間を例えば5~15mmとすることが、低い供給圧力で大量の洗浄液377bを流すことができるという観点から好ましい。次いで、図8cに示すように、ヘッド365を所定の洗浄位置まで上昇し、ノズル376から洗浄液376bを研磨面364aに向けて噴射し、研磨面364aを洗浄する。次いで、ウエーハ364を次工程のステージ例えば、図4の洗浄ステージ227、228又は載置台226へ搬送して、CMP工程を終了する。なお、このヘッド365を所定の洗浄位置まで上昇して洗浄する工程は省略することもできる。上述した第2の実施形態では、吐出口377はプラテン371のほぼ全面に形成されている。この吐出口377をプラテン371の所定の位置、例えばノズル376を用いた洗浄に適したヘッド365の位置にのみ形成することができる。例えば、ヘッド365をプラテン371上面の所定位置に移動したとき、ウエーハ364直下に位置する領域にのみ吐出口377を設ける。これにより、洗浄液377bの吐出領域をウエーハ364直下に制限することができるので、ウエーハ364の洗浄に寄与しない洗浄液377bを少なくすることができ、洗浄液の利用効率を向上することができる。また、第2の実施形態では、ノズル376は、所定の洗浄位置に保持されたウエーハ364の研磨面364aに洗浄液376bを噴射するように固定されている。このノズル376に代えて、第1の実施形態のノズルを用いることもできる。なお、第1及び第2実施形態において、研磨面364aの洗浄工程の間はヘッド365を回転することが、研磨面364a全面を洗浄液366b、377b、376bで洗浄するために好ましい。本実施形態では、吐出管377aを傾斜させたが、吐出管377aをプラテン371上面に垂直に設けることもできる。このとき、吐出口377から洗浄液を噴射して、ヘッド365を次工程への移動位置まで上昇した状態で研磨面364aを洗浄液で洗浄し続けてもよい。この場合、ノズル376を省略することができる。第3の実施形態図9a,bは本発明の第3の実施形態の研磨装置の動作を説明する断面工程図であり、研磨工程を研磨装置の主要部の断面により表している。第3の実施形態はプラテンを洗浄液中に浸漬する研磨装置に関する。図9aに示すように、第3の実施形態に係る研磨装置では、プラテン481の下方に、洗浄液490aをオーバーフローさせて図中490cはオーバーフローした洗浄液を表している。保持する水槽490を備える。この水槽490は昇降機構491により上下に移動可能であり、上昇時にはプラテン481上面の研磨パッド482を洗浄液490a中に浸漬することができる。プラテン481の外側に流出するスラリーを回収するカップ489には、その底面に連通管489c及びドレイン489aが設けられ、ドレイン489aにはドレイン489aを開閉するバルブが設けられている。この連通管489cは、短い筒状の開口からなり、上端が水槽490のオーバーフロー面より僅かに低く又は僅かに高くなるように形成される。上面に研磨パッド482を貼付するプラテン481、及び、下面にウエーハ464を保持するヘッド465は上述した第1の実施形態に係る研磨装置と同様である。なお、リテーナ465b内に保持されたウエーハ464とヘッド465との間に挿入されている加圧パッドメンブレン465cは、弾性体の袋であり、空気圧によりウエーハ464背面を押圧するもので、上述した実施形態のヘッドの記載では省略されている。以下、第3の実施形態の研磨工程について説明する。まず、図9aに示すように、水槽490を下降させ、洗浄液490a例えば純水を水槽490中にオーバーフローするまで満たす。このとき、洗浄液面490bは、プラテン481の底面に接触しない位置に保持される。洗浄水490aは、連通管489cの上端の高さがオーバーフローする洗浄液面490bより低いとき、連通管489cを通りカップ489内に流入する。このカップ489内に流入した洗浄水490aは開かれたバルブ489bを通してドレイン489aから排出される。この状態で、研磨パッド482上にスラリーを供給してウエーハ464のCMPを行なう。CMP終了後、スラリーの供給を停止すると同時に加圧パッド465cを減圧し、シャワー463から洗浄液463a例えば純水を研磨パッド482上に吐出して、いわゆる水研磨を行なう。これらの工程では、スラリー及び洗浄液463aは、研磨パッド482上面を流れてプラテン481外周からカップ489に流入しドレインから排出される。次いで、洗浄液463aを停止し、ウエーハ464をヘッド465に吸着保持する。同時に、水槽490を上昇し、図9bに示すように、プラテン481及び研磨パッド482を水槽490内に保持された洗浄液490a中に浸漬する。この水槽490の上昇とほぼ同時にバルブ489bを閉じる。なお、バルブ489bを、水槽490の上昇に遅れて閉めることにより、カップ489内に残るスラリーを水槽490内からカップ内に流入する洗浄液490aとともにドレイン489aから排出し、水槽490内の洗浄液490aの汚染を抑制するようにしてもよい。この水槽490の上昇工程で、カップ489内に連通管489cを通り洗浄液が流入し、カップ489内の洗浄液面490bはオーバーフローする水槽490内の洗浄液面490bと同一高さになる。このとき、洗浄液490aがリテーナ465bの一部を浸漬する位置に洗浄液面490bがあるように、水槽490の位置を制御する。この位置では、ヘッド465の側面が洗浄液490aに浸漬しないので、研磨中にヘッド465に付着した汚染による洗浄液490aの汚染を回避することができる。次いで、ヘッド465を上昇して、研磨面464aが洗浄液490a中に浸漬したまま研磨パッド482上面との間に隙間を形成する。この状態でヘッド465を回転して研磨面464aの洗浄を続ける。その後、ヘッド465を上昇、移動し、ウエーハ464を次のステージへ搬送する。以下は、通常の研磨、洗浄工程を経て半導体製造工程における研磨工程を終了する。本第3の実施形態によれば、水槽490内に保持された大量の洗浄液490aで研磨面464aを洗浄するから、研磨面464aの洗浄効果が大きい。なお、第3の実施形態では水槽490を上昇させ、プラテン481を昇降しなかったが、逆にプラテン481を下降させ、水槽490を停止させておくこともできる。第4の実施形態図10は本発明の第4の実施形態の研磨装置の障害発生時シーケンスを示す図である。本発明の第4の実施形態は、非常時のインターロック発生後の処置に関する。第4の実施形態に係る研磨装置は、緊急停止手段及び緊急洗浄手段とを備える。緊急停止手段及び緊急洗浄手段は、例えばコンピュータシーケンサを含むで制御され障害発生時のシーケンスを実行する。これらの手段及び障害発生時シーケンス以外は、上述した図4に示す研磨装置と同様である。緊急停止手段は、CMP中に障害発生による装置の異常を検知すると、直ちに警報を発するとともに、図10に示すシーケンスS1~S2を実行する。シーケンスS1では、1ウエーハをヘッドに吸着して保持する。2プラテン及びヘッドの回転を停止する、3スラリーの研磨パッド上への供給を停止し、研磨パッド上へ洗浄液を供給して研磨パッドをリンスする、という1~3の工程を行なう。この工程は、ヘッドの上昇後、研磨装置を停止する以外は、既述の図3に示す従来のシーケンスと同様である。次いで、緊急停止手段は、シーケンスS2で、ヘッドを上昇しウエーハを研磨パッドから離して保持する。次いで、緊急洗浄手段は、ヘッドを洗浄装置、例えば図4に示す洗浄ステージ227、228へ移動しシーケンスS3、ウエーハを洗浄ステージ227、228に搬送してウエーハの洗浄工程を実行するシーケンスS4。この工程に代えて、第1又は第2の実施形態に係るウエーハの洗浄工程を実行することもできる。そして、研磨装置を停止し、操作員の点検、操作を待つ。本実施形態では、緊急停止時に研磨面の洗浄がなされ、その後に研磨装置が停止するので、研磨面に残留するスラリーが洗浄された状態で待機することになる。従って、スラリーが付着した研磨面が雰囲気に暴露される期間が通常の研磨-洗浄工程と同等であるので、研磨面に表出する金属配線特に銅配線の全層が腐食するような深い腐食は発生しない。このため、操作員の点検後の操作により再研磨がなされても、配線表層の腐食を浅く除去するだけで容易に正常の研磨を続行することができる。従って、半導体装置を高い歩留りで製造することができる。第5の実施形態以下、本発明の第5の実施形態について説明する。配線がアルミニウム又はアルミニウム合金により形成されたウエーハでは、CMP後にスラリーが若干付着していても問題となることはなかった。しかし、配線が銅により形成されるようになると、前述したように従来の研磨方法では配線に腐食が発生して、半導体装置の不良の原因となる。従って、銅配線を有するウエーハの場合は、CMP後にスラリーを短時間で十分に除去することが必要である。一般的なCMP装置では素子形成面を下向きにしてウエーハを研磨するようになっているため、CMPが終了した直後に素子形成面を十分に洗浄することは困難である。そこで、従来からCMPに続けて水研磨を行い、CMP直後の研磨面を空気に晒す前にスラリーを除去している。従来のCMP装置における水研磨は、スプレーノズルから研磨パッド上に純水を高圧で広範囲にスプレーしつつ、ウエーハを研磨パッドに押圧することにより行われる。しかしながら、本願発明者等の実験により、単に純水を高圧スプレーしながら水研磨しただけでは、スラリーを素早く且つ十分に除去することができないことが判明している。以下、本願発明者等が行った実験の一例について説明する。図11はCMP工程におけるレシピ研磨時の各パラメータの一例を示している。この図11において、プラテンの欄No.1は1分間当りのプラテンの回転数を示し、ヘッドの欄No.2は1分間当りのヘッドの回転数を示している。また、インターナルチューブの欄No.3はメンブレンの内側に配置されるインターナルチューブに印加する圧力を示し、リテーナの欄No.4はリテーナに印加する圧力リテーナが研磨パッドを印加する圧力を示している。インターナルチューブの圧力及びリテーナの圧力を変化させることにより、研磨分布を調整することができる。更に、メンブレンの欄No.5はCMP時にウエーハを研磨パッドに印加するときの圧力を示している。メンブレンが真空負圧のときはウエーハがメンブレンに真空吸着され、ウエーハに研磨圧力が印加されていない状態を示す。また、メンブレンの圧力が正圧のときは、メンブレンに印加される圧力ウエーハが研磨パッドに押圧されるときの圧力を示している。高圧スプレーの欄No.6は、スプレーノズルから純水がスプレーされているオンか否かオフを示している。また、スラリーの欄No.7は、1分間当りのスラリーの供給量を示している。また、時間の欄No.8は、各ステップの処理時間を示している。この図11に示すように、CMP工程は3つのステップにより構成されている。第1のステップはCMPの前処理を行うステップである。この第1のステップでは、研磨パッド上にスラリーを供給しつつ、プラテン及びヘッドの回転が安定するのを待つ。第1のステップではウエーハの研磨は行わないが、研磨パッドの上にスラリーを流している。これは、以下の理由による。すなわち、研磨装置には、研磨処理していない時間がある程度長くなると、スラリー配管内のバルブを定期的に切換えてスラリーノズルから研磨パッド上に純水を流し、スラリー配管内のスラリーの固着や研磨パッドの乾燥を防止するものがある。そのような研磨装置では、スラリー配管内にスラリーや純水が滞留しているため、研磨開始時に濃度が極端に薄いスラリーや極端に濃いスラリーが研磨パッド上に供給され、研磨量がばらついてしまう。そのため、第1のステップにおいてスラリー配管にスラリーを流し、CMPを開始するまでに研磨パッド上に供給されるスラリーの濃度を一定にする。第2のステップは、実際にウエーハをCMPするステップである。この第2のステップでは、研磨パッド上にスラリーを供給しつつウエーハに3.0psi約20.7kPaの圧力を印加する。第1及び第2のステップでは、高圧スプレーはオフである。第3のステップはウエーハに付着したスラリーを洗浄するステップである。この第3のステップではスラリーの供給を停止し、高圧スプレーをオンにして研磨パッド上に純水を供給しつつ、ウエーハに1.0psi約6.9kPaの圧力を印加して水研磨を行う。なお、図11では第3のステップ水研磨の時間を15秒間としているが、第3のステップの時間は10秒間以上、45秒間未満とすることが好ましい。第3のステップの時間が10秒未満の場合はスラリーの除去が十分でないことがあり、45秒間を超えるとタクトタイムが長くなって製造コストの上昇を招く。また、第3のステップは、ウエーハに付着したスラリーを除去することを主な目的としているので、ウエーハに印加する圧力は第2のステップよりも低くする。図12は、上記のCMP工程の第3のステップにおいて、高圧スプレーとともに外部から研磨パッド上に純水を供給したときの1ウエーハ当りの平均欠陥数を調べた結果を示す図である。この図12から、外部から供給する純水の量が多いほど銅配線の欠陥数が少ないことがわかる。これは、単にスプレーノズルから純水をスプレーするだけではスラリーを十分に除去することができないことを示している。本願発明者等は種々実験を行った結果、従来の水研磨に比べて欠陥数を確実に低減するためには、純水の流量を3リットル/分以上とすることが必要であるとの知見を得た。但し、純水の供給量が10リットル/分を超えると、純水の使用量の増大に伴う製造コストの上昇が無視できないようになるとともに、CMP装置から多量の純水をスムーズに排水することが困難になるという問題が発生する。従って、水研磨時にプラテン上に供給する純水洗浄液の流量は、3~10リットル/分とする。水研磨時にプラテン上に供給する純水洗浄液の最も好ましい流量は8リットル/分程度である。純水の供給にスプレーノズルを使用すると、研磨パッドに供給する純水の圧力を高くすることはできるが、3~10リットル/分の流量で純水を研磨パッド上に供給することが難しくなる。従って、純水洗浄液の供給にはスプレーノズルを使用せずに、配管から直接配管径を狭くするような部材を設けることなく研磨パッド上に供給することが好ましい。また、純水噴射部のノズル開口は、スラリー噴射部のノズル開口の近傍に配置し、スラリーの噴射方向と同じ方向に純水を噴射することが好ましい。図13は、本発明の第5の実施形態に係るCMPシステムの純水洗浄液供給配管の一例を示す図である。この図13に示すように、純水は純水供給源から電磁弁512を介してCMP装置520の近くに配置された純水貯留タンク510に供給される。純水貯留タンク510には液面センサ511が取り付けられており、この液面センサ511からの信号に基づいて電磁弁512が駆動されることにより、純水貯留タンク510には常に一定量の純水が貯留される。ポンプ513は、貯留タンク510に貯留された純水を、CMP装置520に供給する。この図13に示すように、CMP装置520には3つのプラテン522と1つのロードカップHCLU521とが設けられている。後述するように、ロードカップ521の内側には、研磨前又は研磨後のウエーハが載置されるペデスタルが設けられている。ポンプ513の吐出側配管は4つに分岐されており、分岐された各配管にはそれぞれ流量調整バルブ514、電磁弁515及びフローメータ516が設けられている。これらの分岐された配管を介して、各プラテン522及びロードカップ521にそれぞれ個別に純水が供給が供給される。また、各プラテン522及びロードカップ521毎に純水の供給量を確認することができる。本実施形態では、前述したように、水研磨時に各プラテン522にそれぞれ3~10リットル/分の流量の純水を供給する。また、ロードカップ521にも3~10リットル/分の流量で純水を供給して、ロードカップ521のペデスタル上に付着したスラリーを除去するようになっている。図14は研磨装置520の詳細を示す図である。この図14に示すように、本実施形態の研磨装置520では、ベース530上に3個のプラテン522と1つのロードカップ521とが設けられている。各プラテン521の周囲には、先端にスラリー供給ノズル及び純水洗浄液供給パイプが設けられたスラリー供給アーム531と、コンディショニングディスク12が取り付けられたコンディショニングディスク駆動アーム532とがそれぞれ設けられている。各プラテン522の上には研磨パッド研磨布が装着される。また、回転軸530aに支持されるヘッドユニット540には、プラテン522及びロードカップ521に対応して4つのヘッド研磨ヘッド541が取り付けられている。ヘッド541にウエーハを吸着保持した状態でヘッドユニット540が回転することにより、各プラテン522にウエーハが搬送される。なお、ヘッド541は回転軸541aとともに回転するだけでなく、ヘッドユニット540の回転半径方向に往復移動するようになっている。図15に、ヘッド541、ヘッドユニット540、スラリー供給アーム531及びコンディショニングディスク駆動アーム532の動作を示す。この図15において、ヘッド541、ヘッドユニット540、スラリー供給アーム531及びコンディショニングディスク駆動アーム532はそれぞれ矢印で示す方向に駆動される。図16は、スラリー供給アーム531に設けられたスラリー噴射部531aと純水噴射部532bとを示す模式図である。この図16に示すように、スラリー供給アーム531内にはスラリー噴射部531aと純水噴射部531bとが併設されている。純水噴射部531bの先端ノズル開口にはスプレーノズル等のように流路の径を狭くするような部材は設けられてなく、先端ノズル開口の径は先端まで純水を移送する配管の径と同じになっている。すなわち、純水噴射部531bは、純水を移送する配管の先端から研磨パッド上に直接純水を噴射する。図17はロードカップ521内に配置されるペデスタル524を示す模式図である。この図17に示すように、ペデスタル524の上には樹脂製のペデスタルパッド524aが接合されている。図14に示すCMP装置520では、研磨前のウエーハは搬送ロボットにより例えばウエーハポッドから搬送されてペデスタル524上より正確にはペデスタルパッド524a上:以下同じに載置される。その後、ウエーハはヘッド541に保持されてプラテン522上に移動し、CMPされる。CMP後は、純水供給配管531bから3~10リットル/分の流量で純水が供給され、水研磨が行われる。その後、ウエーハはヘッド541に保持されてペデスタル524上に戻され、搬送ロボットにより例えばウエーハポッドに搬送される。本実施形態においては、図17に示すように、ペデスタル524の近傍に純水噴射部ペデスタル洗浄部525の先端ノズル開口が配置されており、この純水噴射部525の先端からペデスタル524上に純水を供給して、ペデスタル524の上面を洗浄する。純水噴射部525の先端にはスプレーノズル等のように流路の径を狭くするような部材は設けられてなく、先端ノズル開口の径は先端まで純水を移送する配管の径と同じになっている。すなわち、純水噴射部525は、純水を移送する配管の先端からペデスタル524上に直接純水を噴射する。本実施形態においては、上述したようにCMPに続けて水研磨を実施する。この水研磨は、純水洗浄液を3~10リットル/分の流量で研磨パッド上に供給して行われる。これにより、CMP後のウエーハの表面研磨面を十分に洗浄することができて、配線が銅により形成されていても、腐食の発生が防止される。また、本実施形態では、ロードカップ521のペデスタル524上にも3~10リットル/分の流量で純水を供給してペデスタル534の上を洗浄するので、CMP時やウエーハ搬送時にペデスタル524上にスラリーが飛散しても、ペデスタル524上のスラリーを十分に除去することができる。これにより、ウエーハに形成された配線特に銅配線の腐食をより確実に防止することができる。図18は、本発明の実施形態におけるCMPシステムの純水洗浄液供給配管の他の例を示す図である。この図18に示すように、純水は純水供給源から流量調整バルブ561及び電磁バルブ又はエアー駆動バルブ562を介してCMP装置の近くに配置された純水貯留タンク560に供給される。本実施形態では1台のCMP装置に対し1基の純水貯留タンク560が用意される。この純水貯留タンク560には液面を検出するセンサ560a,560b,560cが設けられている。これらのセンサ560a,560b,560cから出力される信号は、CMP装置の制御部580に入力される。制御部580は、上側に配置されたセンサ560aの位置まで液面が上がると、電磁弁562を閉状態にして純水貯留タンク560への純水の供給を停止する。また、純水貯留タンク560の中ほどに配置されたセンサ560bの位置まで液面が下がると、制御部580は電磁弁562を開状態にして純水貯留タンク560への純水の供給を開始する。このようにして純水貯留タンク560には常に一定量の純水が貯留される。なお、下側に配置されたセンサ560cの位置まで液面が下がると、制御部580は警報を発生する。ポンプ563は、制御部580からの信号により駆動制御される。このポンプ563の吸い込み側の配管564は、純水貯留タンク560の下部に接続されている。この吸い込み側の配管には流量調整バルブ564とドレインバルブ565とが設けられている。ポンプ564の吐出側の配管は、純水貯留タンク560に純水を戻す配管568と、フィルタ570の入力側571に接続される配管571とに分岐されている。配管568には調圧弁リリーフ弁569が設けられており、ポンプ563から吐出される純水の圧力が調圧弁569の設定値を超えると、調圧弁569が開状態となってポンプ563から吐出された純水の一部又は全部を純水貯留タンク560に戻すようになっている。一方、フィルタ570は、純水中に含まれる異物を除去するために設けられている。例えばポンプ563の故障等により純水中に異物が混入することがあるが、フィルタ570が設けられているために異物がCMP装置まで搬送されることを防止できる。フィルタ570の出力側に接続された配管572は複数に分岐されている。本実施形態では、CMP装置に3つのプラテンと1つのロードカップとが設けられており、それらのプラテンとロードカップとにそれぞれ個別に純水を供給するので、配管572は4以上に分岐していることが必要である。分岐された配管にはそれぞれ流量調整バルブ573、電磁バルブ又はエアー駆動バルブ574及びニードルバルブ付き流量計575が設けられている。これらの配管を介して3つのプラテンと1つのロードカップとにそれぞれ純水が供給される。電磁弁574は、制御部580からの信号により開閉制御される。本実施形態では、前述したように、各プラテン及びロードカップにそれぞれ3~10リットル/分の流量で純水洗浄液を供給するので、各CMP装置毎に純水の使用量が0~40リットル/分の範囲で変動する。複数のCMP装置を同時に使用する場合、仮に各CMP装置毎に純水貯留タンク560が設けられていないとすると、各CMP装置の動作状態によっては純水供給源からCMP装置に十分な量の純水を供給することが困難になり、ウエーハを十分に洗浄することができなくなる。一方、本実施形態では、各CMP装置毎に純水貯留タンク560を設けているので、複数のCMP装置を同時に使用しても、各CMP装置に所望の流量の純水を供給することができる。また、本実施形態においては、CMP装置の駆動開始に伴って制御部580はポンプ563の駆動を開始し、CMP装置で純水が使用されていないときでも、ポンプ563は回転し続ける。従って、電磁バルブ574が開状態になると同時に、所定の圧力で純水がプラテン又はロードカップに供給される。また、ポンプ563とCMP装置との間にフィルタ570が設けられているので、異物がCMP装置に移送されてCMP装置やウエーハを破損することが回避される。本実施形態は、CMP後のウエーハの上昇量が少なく、第1の実施形態で説明した方法を採用できない場合にも有効である。なお、上記実施形態では洗浄液として純水を使用する場合について説明したが、洗浄液としてBTAベンゾトリアゾール等の防錆剤や界面活性剤を含む液を使用してもよい。以下、本発明の諸態様を、付記としてまとめて記載する。付記1回転するプラテン上面に貼付された研磨パッド上にスラリーを供給し、ヘッド下面に保持された半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハを研磨する研磨工程を有する半導体装置の製造方法において、前記研磨工程の終了後、前記ヘッドの周縁下部及び前記ヘッドの周縁外側近傍に表出する前記研磨パッド表面へ、洗浄液の噴射方向と前記研磨パッド表面とのなす噴射角を第1噴射角として前記洗浄液を噴射する工程と、次いで、前記ヘッドを上昇する工程の初期に形成される前記研磨面と前記研磨パッド表面との隙間に、前記洗浄液を前記第1噴射角以下の第2噴射角で噴射する工程と、次いで、前記ヘッドを上昇するとともに、前記研磨面を追跡して前記洗浄液を噴射する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。付記2回転するプラテン上面に貼付された研磨パッド上にスラリーを供給し、ヘッド下面に保持された半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハを研磨する研磨装置において、洗浄液を噴射するノズル開口を有するノズルと、前記ノズル開口の位置及び洗浄液の噴射方向を制御するノズル制御手段とを有し、前記ノズル制御手段は、前記研磨工程の終了後、前記ヘッドの周縁下部及び前記ヘッドの周縁外側近傍に表出する前記研磨パッド表面へ、洗浄液の噴射方向と前記研磨パッド表面のなす噴射角が第1噴射角となるように前記ノズル開口位置及び前記ノズルの方位を制御し、次いで、前記ヘッドの上昇とともに形成される前記研磨面と前記研磨パッド表面との隙間に、前記洗浄液が前記第1噴射角以下の第2噴射角で噴射されるように前記ノズル開口位置及び前記ノズルの方位を制御し、次いで、前記ヘッドの上昇とともに上昇する前記研磨面を追跡して前記洗浄液が噴射されるように前記ノズル開口位置及び前記ノズルの方位を制御することを特徴とする研磨装置。付記3前記ノズル制御手段は、前記ルズルの位置及び方位を制御して、前記ノズル開口の位置及び洗浄液の噴射方向を制御することを特徴とする付記2記載の研磨装置。付記4回転するプラテン上面に貼付された研磨パッド上にスラリーを供給し、ヘッド下面に保持された半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハを研磨する研磨装置において、前記プラテン上面に開口する洗浄液の吐出口と、前記吐出口上に位置する前記研磨パッドに開設され、前記研磨パッドを貫通するパッド開口と、前記ヘッドを前記吐出口上に移動し、上昇するヘッド移動手段と、前記ヘッドを前記吐出口上に移動した後、少なくとも前記ヘッドが上昇するまでの間、前記吐出口から前記半導体ウエーハの研磨面へ洗浄液を噴射し続けることを特徴とする研磨装置。付記5前記吐出口は、回転する前記プラテン上面の移動方向に前記洗浄液を噴射するように開設されることを特徴とする付記4記載の研磨装置。付記6回転するプラテン上面に貼付された研磨パッド上にスラリーを供給し、ヘッド下面に保持された半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハを研磨する研磨装置において、前記プラテンの下方に位置し、洗浄液をオーバーフローさせている水槽と、前記プラテンと前記水槽とを相対的に垂直移動する昇降手段とを有し、前記プラテンを前記水槽に対して相対的に降下して、前記プラテン上面に貼付された前記研磨パッドを前記水槽内の洗浄液中に浸漬することを特徴とする研磨装置。付記7回転するプラテン上面に貼付された研磨パッド上にスラリーを供給し、ヘッド下面に保持された半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハを研磨する研磨装置において、装置の異常を検知して、前記ヘッドが前記半導体ウエーハを吸着して上昇し、かつ、プラテンの回転を停止する緊急停止手段と、上昇した前記ヘッドを洗浄装置へ移動して、前記ヘッドに吸着されている前記半導体ウエーハの研磨面を洗浄する緊急洗浄手段とを有することを特徴とする研磨装置。付記8回転するプラテン上面に貼付された研磨パッド上にスラリーを供給し、ヘッド下面に保持された半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハを研磨する研磨工程を有する半導体装置の製造方法において、前記スラリーを用いた研磨工程の終了後、前記研磨パッド上に3乃至10リットル/分の流量で洗浄液を供給しつつ、前記半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハに付着したスラリーを除去する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。付記9前記洗浄液を供給するときの前記半導体ウエーハに対する押圧力を、前記スラリーを用いて研磨するときの前記半導体ウエーハに対する押圧力よりも低くすることを特徴とする付記8に記載の半導体装置の製造方法。付記10前記洗浄液として、純水、防錆剤を含む液、及び界面活性剤を含む液のいずれかを使用することを特徴とする付記8に記載の半導体装置の製造方法。付記11回転するプラテン上面に貼付された研磨パッド上にスラリーを供給し、ヘッド下面に保持された半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハを研磨する研磨装置において、前記研磨パッド上に前記スラリーを噴射するスラリー噴射部と、前記スラリー噴射部に近接して配置され、前記研磨パッド上に洗浄液を3乃至10リットル/分の流量で噴射する洗浄液噴射部とを有することを特徴とする研磨装置。付記12前記洗浄液噴射部のノズル開口の径が、前記ノズル開口まで前記洗浄液を移送する配管の径と同じことを特徴とする付記11に記載の研磨装置。付記13研磨前又は研磨後の前記半導体ウエーハを載置するペデスタルと、前記ペデスタル上に洗浄液を3乃至10リットル/分の流量で供給し前記ペデスタルの上を洗浄するペデスタル洗浄部とを有することを特徴とする付記11に記載の研磨装置。付記14回転するプラテン上面に貼付された研磨パッド上にスラリーを供給し、ヘッド下面に保持された半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハを研磨した後、前記研磨パッド上に洗浄液を供給しつつ前記半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハに付着したスラリーを除去する研磨装置と、前記研磨装置の近傍に配置され、洗浄液供給源から供給される洗浄液を貯留する貯留タンクと、前記貯留タンクに貯留された前記洗浄液を前記研磨装置に移送するポンプとを有することを特徴とする半導体ウエーハ研磨システム。付記15前記貯留タンクは、1台の研磨装置に対し1基設けられていることを特徴とする付記14に記載の半導体ウエーハ研磨システム。付記16前記ポンプと前記研磨装置との間に、前記洗浄液中に混入した異物を除去するフィルタが設けられていることを特徴とする付記14に記載の半導体ウエーハ研磨システム。付記17前記ポンプの吐出側には、前記ポンプから吐出された前記洗浄液の圧力が所定の圧力よりも高いときに前記ポンプから吐出された前記洗浄液の一部又は全部を前記貯留タンクに戻す調圧弁が設けられていることを特徴とする付記14に記載の半導体ウエーハ研磨システム。"