内部に第1のガスマニホールドが設けられたシャワーヘッドと、前記シャワーヘッドを貫通して延在し、前記シャワーヘッドの出口表面に前記第1のガスマニホールドを流体結合する複数の第1のガス導管と、各々の内部に環状オリフィスが形成された複数のガス分散デバイスであって、前記環状オリフィスが、前記第1のガスマニホールドと流体連絡し、ガス源に結合されるように構成されている複数のガス分散デバイスとを備えたシャワーヘッドアセンブリ。前記シャワーヘッドを貫通して設けられた中央導管をさらに備えており、前記複数のガス分散デバイスが前記中央導管の周りに同心状に位置決めされている、請求項1に記載のアセンブリ。各ガス分散デバイスが、中央部分に取り付けられた円筒体部分を備えていることにより、環状ガス通路が、前記ガス分散デバイスを通して形成されて、前記環状オリフィスに結合される、請求項1に記載のアセンブリ。前記中央部分が、前記第1の処理ガスマニホールド内に延在する切頭円錐形部分と、第1の処理ガスマニホールドの内部で前記切頭円錐形部分から延在する分散部分とを含んでいる、請求項3に記載のアセンブリ。前記分散部分が、円板形状の部材であり、前記環状ガス通路を通って流れるガスが前記環状オリフィスを均等に通って分散されるように前記円筒体部分に対して位置決めされている、請求項4に記載のアセンブリ。前記シャワーヘッド内に設けられて、前記第1のガスマニホールドから隔離されている第2のガスマニホールド、及び前記シャワーヘッド内に形成されて、前記第1および第2のガスマニホールドから隔離されている温度制御マニホールドと、前記温度制御マニホールドを貫通して延在し、前記第2のガスマニホールドを前記シャワーヘッドの前記出口表面に流体結合する複数の第2のガス導管であって、前記第1のガス導管が前記温度制御マニホールドを貫通して延在する複数の第2のガス導管とをさらに備えている、請求項1に記載のアセンブリ。前記シャワーヘッド内で前記第1のガスマニホールドの周りに同心状に設けられて、第2の複数のガス分散デバイスと流体連絡する第3のガスマニホールドと、前記温度制御マニホールドを貫通して延在し、前記第3のガスマニホールドを前記シャワーヘッドの前記出口表面に流体結合する複数の第3のガス導管と、前記シャワーヘッド内で、前記第2のガスマニホールドの周りに同心状に設けられた第4のガスマニホールドと、前記温度制御マニホールドを貫通して延在し、前記第4のガスマニホールドを前記シャワーヘッドの前記出口表面に流体結合する複数の第4のガス導管とをさらに備えている、請求項6に記載のアセンブリ。チャンバ本体と、基板支持体と、シャワーヘッドアセンブリとを備えた基板処理装置であって、処理体積が、前記チャンバ本体と、前記基板支持体と、前記シャワーヘッドアセンブリとによって画定されており、前記シャワーヘッドアセンブリが、内部に第1のガスマニホールドが形成されたシャワーヘッドと、前記シャワーヘッドを貫通して延在し、前記第1のガスマニホールドを前記処理体積に流体結合する複数の第1のガス導管と、前記第1のガスマニホールドに流体連絡する環状オリフィスをそれぞれが有する複数のガス分散デバイスとを備えており、前記複数のガス分散デバイスが単一のガス源に結合されるように構成されている、基板処理装置。前記シャワーヘッドアセンブリが、前記シャワーヘッドを貫通して設けられて、前記第1のガスマニホールドを貫通して延在している中央導管をさらに備えており、前記複数のガス分散デバイスが前記中央導管の周りに同心状に位置決めされている、請求項8に記載の装置。内部に設けられて、前記第1のガスマニホールドから隔離されている第2のガスマニホールドと、前記第2のガスマニホールドを前記処理体積に流体結合する複数の第2のガス導管とをさらに備えており、前記複数の第1のガス導管が前記第2のガスマニホールドを貫通して延在している、請求項9に記載の装置。前記シャワーヘッド内で前記第1のガスマニホールドの周りに同心状に設けられて、第2の複数のガス分散デバイスと流体連絡する第3のガスマニホールドと、前記温度制御マニホールドを貫通して延在し、前記第3のガスマニホールドを前記シャワーヘッドの前記出口表面に流体結合する複数の第3のガス導管と、前記シャワーヘッド内で前記第2のガスマニホールドの周りに同心状に設けられた第4のガスマニホールドと、前記温度制御マニホールドを貫通して延在し、前記第4のガスマニホールドを前記シャワーヘッドの前記出口表面に流体結合する複数の第4のガス導管とをさらに備えている、請求項10に記載の装置。基板を処理する方法であって、シャワーヘッドに形成された第1のガスマニホールドに流体結合された環状オリフィスをそれぞれが有する複数のガス分散デバイスを通して、処理チャンバの処理体積内に第1のガスを導入するステップであって、前記第1のガスが、前記第1のガスマニホールドから複数の第1のガス導管を通して前記処理体積内に送給されるステップと、前記シャワーヘッドに形成された第2のガスマニホールドを通して前記処理チャンバの前記処理体積内に第2のガスを導入するステップであって、前記第2のガスが、前記第2のガスマニホールドから複数の第2のガス導管を通して前記処理体積内に送給され、前記第1のガスマニホールドが前記第2のガスマニホールドから隔離されるステップと、前記シャワーへッドアセンブリに設けられた温度制御マニホールドを通して熱交換流体を流すことによって前記シャワーヘッドアセンブリを冷却するステップであって、前記複数の第1および第2のガス導管が前記温度制御マニホールドを貫通して設けられるステップとを含む方法。各ガス分散デバイスが、中央部分に取り付けられた円筒体部分を備えていることにより、環状ガス通路が、前記ガス分散デバイスを通して形成され、前記環状オリフィスに結合される、請求項12に記載の方法。前記中央部分が、前記第1の処理ガスマニホールド内に延在する切頭円錐形部分と、第1の処理ガスマニホールドの内部で前記切頭円錐形部分から延在する分散部分とを含む、請求項13に記載の方法。前記第1のガスが有機金属前駆体であり、前記第2のガスが窒素含有ガスである、請求項12に記載の方法。理解しやすくするために、可能な場合には、複数の図面に共通の同一の要素を表すために同一の参照番号を使用している。一実施形態の要素および特徴を、さらに記述することなく他の実施形態に有益に組み込むことができると考えられる。本発明の実施形態は、一般に、MOCVDおよび/またはHVPEハードウェアを使用してIII族窒化物の膜を堆積するために利用することができる方法および装置を提供する。一般に、装置は処理チャンバであり、この処理チャンバは、処理体積に入る前に処理ガスを混合させることなく個々の処理ガスをチャンバの処理体積内に送給するための個別の入口および通路を有するシャワーヘッドを含む。シャワーヘッドは、複数のガス入口の内部に配設された複数のガス分散デバイスを含み、処理ガスの1つをマニホールド内に注入し、かつ処理ガスをマニホールドにわたって分散させて、チャンバの処理体積内に均一に送給する。各ガス分散デバイスは、好ましくは、マニホールド内部での処理ガスの再循環を最小限にしながら、各ガス分散デバイスを通って流れる処理ガスを均等に分散するように構成されたノズルを有する。図1は、処理システム100の一実施形態を示す概略平面図であり、処理システム100は、本明細書で述べる実施形態による複合窒化物半導体デバイスを製造するための1つまたは複数のMOCVDチャンバ102を備える。一実施形態では、処理システム100は、雰囲気に対して閉じられている。処理システム100は、移送チャンバ106と、移送チャンバ106に結合されたMOCVDチャンバ102と、移送チャンバ106に結合されたロードロックチャンバ108と、移送チャンバ106に結合された、基板を保管するためのバッチロードロックチャンバ109と、ロードロックチャンバ108に結合された、基板を装荷するためのロードステーション110とを備える。移送チャンバ106は、基板を取り上げて、ロードロックチャンバ108、バッチロードロックチャンバ109、およびMOCVDチャンバ102の間で基板を移送するように動作可能なロボットアセンブリ図示せずを備える。MOCVDチャンバ102は1つだけ図示されているが、複数のMOCVDチャンバ102、あるいはさらに、1つまたは複数のMOCVDチャンバ102と1つまたは複数の水素化物気相エピタキシャルHVPEチャンバとの組合せを、移送チャンバ106に結合させることもできることを理解すべきである。また、クラスタツールが図示されているが、本明細書で述べる実施形態を、直線トラックシステムを使用して行うこともできることを理解すべきである。一実施形態では、移送チャンバ106は、酸素O2や水H2Oなど基板がさらされる汚染物質の量を制御するために、基板移送プロセス中に真空下にある。移送チャンバの真空レベルは、MOCVDチャンバ102の真空レベルに一致するように調節することができる。例えば、移送チャンバ106からMOCVDチャンバ102にまたはその逆に基板を移送するときに、移送チャンバ106とMOCVDチャンバ102を同じ真空レベルで保つことができる。次いで、移送チャンバ106からロードロックチャンバ108にまたはその逆に、またはバッチロードロックチャンバ109にまたはその逆に基板を移送するとき、ロードロックチャンバ108またはバッチロードロックチャンバ109とMOCVDチャンバ102の真空レベルが異なることがあるにも関わらず、移送チャンバの真空レベルを、ロードロックチャンバ108またはバッチロードロックチャンバ109の真空レベルに一致するように調節することができる。したがって、移送チャンバ106の真空レベルは調節可能である。いくつかの実施形態では、基板は、高純度N2環境など高純度不活性ガス環境で移送される。一実施形態では、基板は、N2が90超の環境内で移送される。いくつかの実施形態では、基板は、高純度NH3環境で移送される。一実施形態では、基板は、NH3が90超の環境で移送される。いくつかの実施形態では、基板は、高純度H2環境で移送される。一実施形態では、基板は、H2が90超の環境で移送される。処理システム100において、ロボットアセンブリ図示せずは、堆積を施すために、基板を装荷された基板キャリアプレート112を単一のMOCVDチャンバ102内に移送する。一例として、基板キャリアプレート112は、約200mm~約750mmの範囲内の直径を有することがある。基板キャリアプレート112は、SiCまたはSiC被覆黒鉛を含めた様々な材料から形成することができる。基板キャリアプレート112は、約1000cm2以上、好ましくは2000cm2以上、より好ましくは4000cm2以上の表面積を有することがある。いくつかまたはすべての堆積ステップが完了した後、基板キャリアプレート112は、移送ロボットによって、MOCVDチャンバ102からロードロックチャンバ108に移送して戻される。次いで、基板キャリアプレート112をロードステーション110に移送することができる。基板キャリアプレート112をロードロックチャンバ108またはバッチロードロックチャンバ109内に保管して、その後、MOCVDチャンバ102内でさらなる処理を行うこともできる。システム制御装置160が、処理システム100の活動および動作パラメータを制御する。システム制御装置160は、コンピュータ処理装置と、処理装置に結合されたコンピュータ可読メモリとを含む。処理装置は、メモリに記憶されたコンピュータプログラムなど、システム制御ソフトウェアを実行する。図2は、本発明の一実施形態によるMOCVDチャンバ102の概略断面図である。MOCVDチャンバ102は、チャンバ本体202と、前駆体ガス、キャリアガス、洗浄ガス、および/またはパージガスを送給するための化学物質送給モジュール203と、プラズマ源を備える遠隔プラズマシステム226と、サセプタまたは基板支持体214と、真空システム212とを備える。チャンバ本体202は、処理体積208を囲む。シャワーヘッドアセンブリ201が、処理体積208の一端に配設され、基板キャリアプレート112が、処理体積208の他端に配設される。基板キャリアプレート112は、基板支持体214の上に配設することができる。矢印215によって示されるように、アクチュエータアセンブリが、基板支持体214を、シャワーヘッドアセンブリ201に向かうように、またはシャワーヘッドアセンブリ201から離れるように垂直方向で移動させることができる。アクチュエータアセンブリは、基板支持体214を回転させることができることもある。処理中の、処理体積208に隣接するシャワーヘッドアセンブリ201の表面から基板キャリアプレート112までの距離は、好ましくは約4mm~約41mmの範囲内である。いくつかの実施形態では、基板支持体214は、基板支持体214の温度を制御し、その結果、基板キャリアプレート112の温度、ならびに基板キャリアプレート112および基板支持体214の上に位置決めされた基板240の温度を制御するための加熱要素例えば抵抗加熱要素図示せずを備える。シャワーヘッドアセンブリ201はシャワーヘッド204を含む。一実施形態では、シャワーヘッド204は、複数のプレートを含み、プレートは、複数のマニホールドおよび内部にアパーチャが形成されるように機械切削されて、ろう付けや溶接などによって取り付けられている。シャワーヘッド204は、第1の前駆体または第1のプロセスガス混合物を処理体積208に送給するために、複数の第1の処理ガス入口259を介して化学物質送給モジュール203に結合された第1の処理ガスマニホールド204Aを有する。第1の処理ガスマニホールド204Aは、上壁275にウェルを形成するために上壁275の表面からある体積の材料を機械切削し、ろう付けや溶接などによって上壁275を第1の水平壁276に取り付けることによって形成することができる。一実施形態では、化学物質送給モジュール203は、第1の処理ガスマニホールド204Aに有機金属前駆体を送給するように構成される。一例では、有機金属前駆体は、適切なガリウムGa前駆体例えば、トリメチルガリウムTMG、トリエチルガリウムTEG、適切なアルミニウム前駆体例えば、トリメチルアルミニウムTMA、または適切なインジウム前駆体例えば、トリメチルインジウムTMIを含む。一実施形態では、ガス分散デバイス255が、第1の処理ガス入口259それぞれの内部に配設される。ガス分散デバイス255は、化学物質送給モジュール203に結合され、化学物質送給モジュール203から受け取られたガスを第1の処理ガスマニホールド204Aに均一に分散させるように構成される。ガス分散デバイス255は、一般に、そこを通る均一なガス分散を提供するように構造化され、それと同時に、その出口オリフィス形状の構成によって、ならびにガス流量および圧力の制御によって、第1の処理ガスマニホールド204A内部でのガスの再循環を防止する。一実施形態では、複数の第1の処理ガス入口259と、対応するガス分散デバイス255とが、中央導管204Dの周りに同心状に位置決めされる。他の実施形態では、複数の第1の処理ガス入口259と、対応するガス分散デバイス255とが、第1の処理ガスマニホールド204Aの周りで、均一なガス分散を最大にするように他の構成で位置決めされる。シャワーヘッドアセンブリ201は、約4個~約12個のガス分散デバイス255を含むことがある。一実施形態では、シャワーヘッドアセンブリ201は、約6個~約8個のガス分散デバイス255を含む。シャワーヘッド204は、第2の前駆体または第2のプロセスガス混合物を処理体積208に送給するために、第2の処理ガス入口258を介して化学物質送給モジュール203に結合された第2の処理ガスマニホールド204Bを有することがある。一実施形態では、化学物質送給モジュール203は、アンモニアNH3または他のMOCVDもしくはHVPE処理ガスなど適切な窒素含有処理ガスを第2の処理ガスマニホールド204Bに送給するように構成される。第2の処理ガスマニホールド204Bは、シャワーヘッド204の第1の水平壁276によって第1の処理ガスマニホールド204Aから隔てられる。第2の処理ガスマニホールド204Bは、第1の水平壁276にウェルを形成するために第1の水平壁276の表面からある体積の材料を機械切削し、ろう付けや溶接などによって第1の水平壁276を第2の水平壁277に取り付けることによって形成することができる。さらに、シャワーヘッド204は、シャワーヘッド204の温度を調整する助けとなるようにシャワーヘッド204を通して熱交換流体を流すための熱交換システム270に結合された温度制御マニホールド204Cを含むことがある。適切な熱交換流体としては、限定はしないが、水、水ベースのエチレングリコール混合物、ペルフルオロポリエーテル例えばGalden登録商標流体、油ベースの伝熱流体、または同様の流体が挙げられる。第2の処理ガスマニホールド204Bは、シャワーヘッド204の第2の水平壁277によって温度制御マニホールド204Cから隔てられる。温度制御マニホールド204Cは、シャワーヘッド204の第3の水平壁278によって処理体積208から隔てることができる。温度制御マニホールド204Cは、第2の水平壁277にウェルを形成するために第2の水平壁277の表面からある体積の材料を機械切削し、ろう付けや溶接などによって第2の水平壁277を第3の水平壁278に取り付けることによって形成することができる。図3は、図2に示される細部Aの拡大図であり、図4は、図3に示されるガス分散デバイス255の上面図である。図2、図3、および図4を参照すると、一実施形態では、有機金属前駆体など第1の前駆体または第1の処理ガス混合物が、化学物質送給モジュール203から、シャワーヘッド204の上壁275を貫通して設けられた複数の第1の処理ガス入口259を通して、複数のガス分散デバイス255を通過して第1の処理ガスマニホールド204A内に送給される。各ガス分散デバイス255は、一般に、円筒体部分302と、円筒体部分302に取り付けられた中央部分304とを含む。中央部分304は、ガス受取り部分306と、ガス分散部分316とを含むことがあり、ガス受取り部分306とガス分散部分316の間に切頭円錐形部分310が延在する。ガス受取り部分306は、逆さの切頭円錐形状を概して有し、その周縁は、第1の組の向かい合う側面307図4で円筒体部分302に取り付けられ、向かい合う側面308では頂部を切り取られ、それにより、ガス受取り部分306と円筒体部分302の間に上側ガス通路309が形成される。切頭円錐形部分310は、ガス受取り部分306から下方向へ、第1の処理ガスマニホールド204A内に延在する。円筒体部分302は、切頭円錐形部分310の表面311の形状とほぼ同じ形状の内面303を有し、それにより、円筒体部分302と切頭円錐形部分310との間に環状ガス通路312が形成される。ガス分散部分316は、概して円板形状であり、第1の処理ガスマニホールド204Aの内部で切頭円錐形部分310の下端部に位置決めされ、それにより、ガス分散部分316の上面371と円筒体部分302の下面301との間に環状オリフィス318が形成される。切頭円錐形部分310とガス分散部分316は、切頭円錐形部分310の表面311とガス分散部分316の上面317とが角度Bを成すように互いに位置決めされる。角度Bは、約45度~約75度でよい。一例では、角度Bは、約60度である。動作時、第1の前駆体または第1の処理ガス混合物が、化学物質送給モジュール203からガス分散デバイス255に送給される。ガスは、ガス受取り部分306を越えて、上側ガス通路309を通って、切頭円錐形部分310と本体部分302の間の環状ガス通路312内に流れる。次いで、ガスは、環状ガス通路312を通り、ガス分散部分316と本体部分302の間の環状オリフィス318を通って、第1の処理ガスマニホールド204A内に流れる。ガス分散デバイス255の各部分のそれぞれの形状および位置により、処理ガスは、ガス分散デバイス255を通して第1の処理ガスマニホールド204A内に均一に送給され、第1の処理ガスマニホールド204A内部の注入点での処理ガスの再循環は生じない。さらに、前述したように、複数のガス分散デバイス255の数および位置により、化学物質送給モジュール203から第1の処理ガスマニホールド204A内への均一なガス分散が提供される。有機金属前駆体など第1の前駆体または第1の処理ガス混合物は、第1の処理ガスマニホールド204Aから、複数の内側ガス導管246を通して、第2の処理ガスマニホールド204Bおよび温度制御マニホールド204Cを通して処理体積208内に送給することができる。内側ガス導管246は、シャワーヘッド204の第1の水平壁276、第2の水平壁277、および第3の水平壁278を貫通して設けられた整合穴の内部に位置された円筒形管でよい。一実施形態では、内側ガス導管246はそれぞれ、ろう付けなど適切な手段によってシャワーヘッド204の第1の水平壁276に取り付けられる。処理中、有機金属前駆体など第1の前駆体ガスは、ガス分散デバイス255のアレイの使用により、第1の前駆体ガスを第1の処理ガスマニホールド204Aの内部で均等に分散させることによって処理体積208内に均一に送給することができる。一例では、図5に示されるように、ガス分散デバイス255のアレイは、半径方向に位置決めされた6つのガス分散デバイス255を含み、ガス分散デバイス255は、シャワーヘッドアセンブリ201の中心の周りに同心状に位置決めされる。各ガス分散デバイス255は、複数のガス導管256によって相互に流体接続され、これらのガス導管256はすべて化学物質送給モジュール203に接続されている。図5は、一実施形態による、図2に示されるシャワーヘッドアセンブリ201の上面図である。化学物質送給モジュール203内部の前駆体ガス流量制御デバイス図示せずは、各ガス分散デバイス255への均等に分散された前駆体ガスの流れを提供するように構成される。流量制御デバイスは、各ガス分散デバイス255に送給される前駆体ガスの流量および/または圧力をそれぞれ調節することができる個別の流量制御装置を含むことがある。一構成では、前駆体ガス流量制御デバイスは、1つまたは複数の質量流量制御装置図示せずを備える。一例では、処理中、約5sccm/l~約15sccm/lのTMG前駆体の流れが、シャワーヘッドアセンブリ201を通過して、内側ガス導管246を通して処理体積208内に送給され、処理体積208は、約100Torr~約500Torrの圧力で保たれる。シャワーヘッドアセンブリ201は、約4700個~約6700個の内側ガス導管246を含むことがあり、各内側ガス導管が、約0.4mm~約0.8mmの直径を有する。この例では、内側ガス導管246への均一に分散されたTMG前駆体の流れは、TMG前駆体を第1の処理ガスマニホールド204Aおよび内側ガス導管246内に均等に送給する各ガス分散デバイス255図5にTMG前駆体の流れを送給することによって実現される。ガス分散デバイス255に形成された通路のサイズおよび形状により、前駆体ガスの流れを均一に送給および制御することができる。一実施形態では、第1の処理ガスマニホールド204Aの高さ331図3は、約0.15インチ~約0.25インチであり、環状オリフィス318の幅332図3は、約1mm~約3mmであり、環状ガス通路312の幅333は、約1mm~約3mmである。窒素前駆体など第2の前駆体または第2の処理ガス混合物は、第2の処理ガスマニホールド204Bから、複数の外側ガス導管245を介し、温度制御マニホールド204Cを通して処理体積208内に送給することができる。外側ガス導管245は、それぞれの内側ガス導管246の周りにそれぞれ同心状に位置された円筒形管でよい。外側ガス導管245は、シャワーヘッド204の第2の水平壁277および第3の水平壁278を貫通して設けられた整合穴の内部に位置される。一実施形態では、外側ガス導管245はそれぞれ、ろう付けなど適切な手段によってシャワーヘッド204の第2の水平壁277に取り付けられる。前述したように、MOCVDチャンバ102は、III族窒化物の膜を堆積するために使用することができる。一般に、III族窒化物の膜は、約550°Cを超える温度で堆積される。処理中、温度制御マニホールド204Cを通して冷却流体が循環されて、シャワーヘッド204を冷却し、特に、温度制御マニホールド204Cを貫通して延在する内側ガス導管246を通して送給される有機金属前駆体を冷却し、処理体積208内に導入される前に有機金属前駆体が分解するのを防止する。さらに、各内側ガス導管246を通って流れる有機金属前駆体を、第2の処理ガスマニホールド204Bおよび各外側ガス導管245を通る窒素含有ガスの流れで取り囲むことが、追加の冷却、および処理体積208の内部の高い処理温度からの断熱を提供して、処理体積208内に導入される前に有機金属前駆体が分解するのを防止すると考えられる。さらに、上述したように、第1の処理ガスマニホールド204Aの内部での均一なガス分散により、チャンバ102の処理体積208内に有機金属前駆体をより均等に分散させることができ、基板240上でのIII族窒化物の膜のより均等な堆積をもたらす。再び図2を参照すると、下側体積210の一端に下側ドーム219が配設され、下側体積210の他端に基板キャリアプレート112が配設される。基板キャリアプレート112は、高いプロセス位置で図示されているが、下側位置に移動させることができ、下側位置で、例えば基板240を装荷または除荷することができる。下側体積210内で堆積が生じるのを防止する助けとなるように、また排気ガスをチャンバ102から排気口209に向ける助けにもなるように、基板キャリアプレート112の周縁に巡らせて排気リング220が配設される。下側ドーム219は、透明材料、例えば高純度水晶から形成することができ、基板240の放射加熱のために光が通過できるようにする。放射加熱は、下側ドーム219の下に配設された複数の内側ランプ221Aおよび外側ランプ221Bによって提供することができる。内側ランプ221Aおよび外側ランプ221Bによって提供される放射エネルギーへのチャンバ102の露出を制御する助けとなるように、反射器266を使用することができる。また、基板240のより精密な温度制御のために、ランプの追加のリング図示せずを使用することができる。本発明のいくつかの実施形態では、パージガス例えば窒素含有ガスが、パージガス源282に結合された1つまたは複数のパージガスチャネル281を通してシャワーヘッド204からチャンバ102内に送給される。この実施形態では、パージガスは、シャワーヘッド204の周縁に巡らせた複数のオリフィス284を通して分散される。複数のオリフィス284は、シャワーヘッド204の周縁に巡らせて円形パターンで構成することができ、基板キャリアプレート112の周縁に巡らせてパージガスを分散させるように位置決めすることができ、基板キャリアプレート112の縁部、シャワーヘッド204、およびチャンバ102の他の構成要素上での望ましくない堆積を防止する。そのような堆積は、粒子形成を生じ、最終的には基板240の汚染をもたらす。パージガスは、環状排気チャネル205に巡らせて設けられた複数の排気口209内へ、下に向かって流れる。排気導管206が、環状排気チャネル205を真空システム212に接続し、真空システム212は、真空ポンプ207を含む。チャンバ102の圧力は、排気ガスが環状排気チャネル205から引き出される速度を制御する弁システムを使用して制御することができる。他の実施形態では、パージガス管283が、チャンバ本体202の底部付近に設けられる。この構成では、パージガスは、チャンバ102の下側体積210に入り、上へ向かって、基板キャリアプレート112および排気リング220を越えて、複数の排気ポート209内へ流れる。上述したように、化学物質送給モジュール203は、化学物質をMOCVDチャンバ102に供給する。反応ガス例えば第1の前駆体ガスと第2の前駆体ガス、キャリアガス、パージガス、および洗浄ガスを、化学物質送給システムから供給ラインを通してチャンバ102内に供給することができる。ガスは、供給ラインを通してガス混合ボックス内に供給することができ、ガス混合ボックス内で混合されて、シャワーヘッドアセンブリ201に送給される。一般に、各ガスのための供給ラインは、関連のラインへのガスの流れを自動または手動で遮断するために使用することができる遮断弁と、供給ラインを通るガスまたは液体の流量を測定する質量流量制御装置または他のタイプの制御装置とを含む。また、各ガスのための供給ラインは、前駆体濃度を監視して、実時間フィードバックを提供するための濃度モニタを含むこともある。前駆体ガス濃度を制御するために、背圧調整装置が含まれることもある。迅速で正確な弁切替え機能のために、弁切替え制御機構を使用することができる。ガスライン内の水分センサが水分レベルを測定して、システムソフトウェアへのフィードバックを提供することができ、システムソフトウェアがさらに操作者への警告/警報を提供することができる。また、前駆体および洗浄ガスが供給ライン内で凝縮するのを防止するために、ガスラインを加熱することもできる。使用されるプロセスに応じて、ガス源のいくつかは、ガスではなく液体でよい。液体源が使用されるとき、化学物質送給モジュールは、液体を気化させるために、液体注入システムまたは他の適切なメカニズム例えば、バブラを含む。次いで、当業者に理解されるように、通常は、液体からの蒸気がキャリアガスと混合される。遠隔プラズマシステム226は、チャンバ洗浄またはプロセス基板からのエッチング残渣など、選択される用途のためのプラズマを生成することができる。遠隔プラズマシステム226内で、入力ラインを通して供給された前駆体から生成されたプラズマ種は、中央導管204Dを通して送られて、シャワーヘッド204を通してMOCVDチャンバ102に拡散される。洗浄用途での前駆体ガスは、塩素含有ガス、フッ素含有ガス、ヨウ素含有ガス、臭素含有ガス、窒素含有ガス、および/または他の反応性元素を含むことがある。また、遠隔プラズマシステム226は、CVD層を堆積するように適合させることもでき、層堆積プロセス中に、適切な堆積前駆体ガスを遠隔プラズマシステム226内に流す。一実施形態では、遠隔プラズマシステム226は、MOCVDチャンバ102の内部を洗浄する目的で、処理体積208に活性塩素種を送給するために使用される。さらに、MOCVDチャンバ102の壁、および排気経路など周囲の構造の温度は、チャンバ102の壁内のチャネル図示せずを通して熱交換液体を循環させることによって制御することができる。望まれる効果に応じて、熱交換液体を使用してチャンバ本体202を加熱または冷却することができる。例えば、高温液体は、熱的堆積プロセス中に平らな熱勾配を保つ助けとなることがあり、一方、冷却液体は、インサイチュプラズマプロセス中にシステムから熱を除去するため、またはチャンバの壁での堆積生成物の形成を制限するために使用することができる。熱交換器による加熱とも呼ばれるこの加熱は、有益には、望ましくない反応生成物の凝縮を減少させ、またはなくし、プロセスガスの揮発性生成物および他の汚染物質の除去を改良する。そのような汚染物質は、冷却真空通路の壁で凝縮して、ガスの流れがない期間中に処理チャンバ内に移行して戻る場合に、プロセスを汚染することがある。一実施形態では、処理中、第1の前駆体ガスが、第1の処理ガスマニホールド204Aからシャワーヘッド204内に流れ、第2の前駆体ガスが、シャワーヘッド204に形成された第2の処理ガスマニホールド204Bから基板240の表面に向けて流れる。上述したように、第1の前駆体ガスおよび/または第2の前駆体ガスは、1つまたは複数の前駆体ガスまたはプロセスガスを含むことがあり、さらに、前駆体ガスと混合することができるキャリアガスおよびドーパントガスを含むことがある。排気ポート209からの引き出しによってガス流に影響を及ぼすことができ、それにより、プロセスガスは、基板240に対して実質的に接線方向に流れ、基板堆積表面をわたって層流で半径方向に均一に分散することができる。一実施形態では、処理体積208は、約760Torr~約80Torrの圧力で保つことができる。図6は、別の実施形態によるシャワーヘッド204の概略断面図である。図6に示される実施形態の特徴の多くは、図2および図3に図示して説明したものと同じであり、ここでさらには述べない。図6に示されるように、シャワーヘッド204は、単一の第1の処理ガスマニホールド204Aではなく、第1の内側処理ガスマニホールド601Aと、第1の内側処理ガスマニホールド601Aに外接し、環状壁602によって隔てられた第1の外側処理ガスマニホールド601Bとを有する。第1の内側処理ガスマニホールド601Aは、第1の内側ガス入口603Aの内部に配設されたガス分散デバイス255を介して化学物質送給モジュール203に結合される。第1の外側処理ガスマニホールド601Bは、第1の外側ガス入口603Bの内部に配設されたガス分散デバイス255を介して化学物質送給モジュール203に結合される。化学物質送給モジュール203は、第1の内側処理ガスマニホールド601Aと第1の外側処理ガスマニホールド601Bに同じまたは異なるガス混合物を送給するように構成することができる。一実施形態では、同じ処理ガスが、異なる流量および/または圧力で、第1の内側処理ガスマニホールド601Aと第1の外側処理ガスマニホールド601Bに送給される。図6に示されるシャワーヘッド204は、さらに、第2の内側処理ガスマニホールド604Aと、第2の内側処理ガスマニホールド604Aに外接し、環状壁605によって隔てられた第2の外側処理ガスマニホールド604Bとを含む。第2の内側処理ガスマニホールド604Aは、内側ガス入口606Aを介して化学物質送給モジュール203に結合される。第2の外側処理ガスマニホールド604Bは、外側ガス入口606Bを介して化学物質送給モジュール203に結合される。化学物質送給モジュール203は、第2の内側処理ガスマニホールド604Aと第2の外側処理ガスマニホールド604Bに同じまたは異なるガス混合物を送給するように構成することができる。一実施形態では、同じ処理ガスが、異なる流量および/または圧力で、第2の内側処理ガスマニホールド604Aと第2の外側処理ガスマニホールド604Bに送給される。処理中、ガス分散デバイス255のアレイの使用により、有機金属前駆体など第1の処理ガス混合物を第1の内側処理ガスマニホールド601A内に均一に送給することができる。一例では、図7に示されるように、ガス分散デバイス255のアレイは、半径方向に位置決めされた3つのガス分散デバイス255を含み、ガス分散デバイス255は、シャワーヘッドアセンブリ201の中心の周りに同心状に位置決めされる。ガス分散デバイス255は、複数のガス導管256によって相互に流体接続され、これらのガス導管256はすべて化学物質送給モジュール203に接続されている。ガス分散デバイス255のアレイの使用により、同じまたは異なる第1の処理ガス混合物を第1の外側処理ガスマニホールド601B内に均一に送給することができる。図7に示される例では、ガス分散デバイス255のアレイは、半径方向に位置決めされた3つのガス分散デバイス255を含み、ガス分散デバイス255は、シャワーヘッドアセンブリ201の中心の周りに同心状に位置決めされる。ガス分散デバイス255は、複数のガス導管456およびリングマニホールド457を介して化学物質送給モジュール203に相互に流体接続される。化学物質送給モジュール203内部の前駆体ガス流量制御デバイス図示せずは、ガス分散デバイス255を通して、第1の内側マニホールド601Aと第1の外側マニホールド601Bに同じまたは異なるガス流を提供するように構成される。流量制御デバイスは、内側マニホールド601Aと外側マニホールド601Bに送給される前駆体ガスの流量および/または圧力をそれぞれ調節することができる個別の流量制御装置を含むことがある。一構成では、前駆体ガス流量制御デバイスは、少なくとも2つの質量流量制御装置図示せずを備える。第1の処理ガス混合物は、第1の内側処理ガスマニホールド601Aから、複数の第1の内側ガス導管646Aを介して、第2の内側処理ガスマニホールド604Aおよび温度制御マニホールド204Cを通して処理体積208内に送給することができる。同じガス混合物を、異なる流量および/または圧力で、第1の外側処理ガスマニホールド601Bから、複数の第2の内側ガス導管646Bを介して、第2の外側ガスマニホールド604Bおよび温度制御マニホールド204Cを通して処理体積内に送給することができる。第1の内側ガス導管646Aと第2の内側ガス導管646Bは、シャワーヘッド204の第1の水平壁276、第2の水平壁277、および第3の水平壁278を貫通して設けられた位置決め穴の内部に位置された円筒形管でよい。第1の内側ガス導管645Aおよび第2の内側ガス導管645Bは、ろう付けなど適切な手段によってシャワーヘッド204の第1の水平壁276に取り付けることができる。窒素前駆体など第2の処理ガス混合物は、第2の内側処理ガスマニホールド604Aから、複数の第1の外側ガス導管645Aを介して、温度制御マニホールド204Cを通して処理体積208内に送給することができる。同じガス混合物を、異なる流量および/または圧力で、第2の外側処理ガスマニホールド604Bから、複数の第2の外側ガス導管645Bを介して、温度制御チャネル204Cを通して処理体積208内に送給することができる。第1の外側導管645Aは、それぞれの第1の内側ガス導管646Aの周りにそれぞれ同心状に位置された円筒形管でよく、第2の外側ガス導管645Bは、それぞれの第2の内側ガス導管646Bの周りにそれぞれ同心状に位置された円筒形管でよい。第1の外側ガス導管645Aと第2の外側ガス導管645Bは、シャワーヘッド204の第2の水平壁277および第3の水平壁278を貫通して設けられた整合穴の内部に位置される。第1の外側ガス導管646Aおよび第2の外側ガス導管646Bは、ろう付けなど適切な手段によってシャワーヘッド204の第2の水平壁277に取り付けることができる。要約すると、本発明の実施形態は、処理体積に入る前に処理ガスを混合させることなく個々の処理ガスをチャンバの処理体積内に送給するための個別の入口およびマニホールドを有するシャワーヘッドアセンブリを含む。シャワーヘッドは、複数のガス入口の内部に配設された複数のガス分散デバイスを含み、処理ガスの1つをマニホールド内に注入し、かつ処理ガスをマニホールドにわたって分散させて、チャンバの処理体積内に均一に送給する。各ガス分散デバイスは、好ましくは、マニホールド内部での処理ガスの再循環を最小限にしながら、各ガス分散デバイスを通って流れる処理ガスを均等に分散させるように構成されたノズルを有する。その結果、処理チャンバの処理体積内に位置決めされた複数の基板上で、改良された堆積の均一性が実現される。前述したことは本発明のいくつかの実施形態を対象とするが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく本発明の他の実施形態およびさらなる実施形態を開発することができ、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって決定される。例えば、シャワーヘッドアセンブリ201のいくつかの実施形態は、マニホールド204Bおよび/またはマニホールド204Cを有さない。