"式I-aで表される構造単位を有する樹脂。式I-a中、Xは、水素原子又はメチル基を表す。nは0又は1を表す。U1及びU2は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子又は-NR-を表す。Rは、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。Lは炭素数1~20の2価の炭化水素基を表し、U1及びU2に隣接しないメチレン基は酸素原子、硫黄原子、NR基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Y1及びY2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~4のペルフルオロアルキル基を表す。Aは、有機対イオンを表す。前記式I-aのY1及びY2がともに、フッ素原子である請求項1記載の樹脂。前記式I-aのXが、水素原子である請求項1又は2記載の樹脂。酸不安定基を含む構造単位を、さらに有する請求項1~3のいずれか記載の樹脂。前記酸不安定基を含む構造単位が、以下の式a1-1で表される構造単位を含む請求項4記載の樹脂。[式a1-1中、La1は、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基との結合手を表す。で表される基を表す。Ra4は、水素原子又はメチル基を表す。Ra6は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。]ラクトン環を含む構造単位を、さらに有する請求項1~5のいずれか記載の樹脂。請求項1~6のいずれか記載の樹脂を含有するレジスト組成物。さらに溶剤を含有する請求項7記載のレジスト組成物。1請求項8記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、3組成物層に露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、及び5加熱後の組成物層を現像する工程を有するレジストパターンの製造方法。従来のレジスト組成物から製造されるレジストパターンは、そのLERラインエッジラフネスが必ずしも十分でない場合があった。本発明の目的は、LERが優れたレジストパターンを製造し得るレジスト組成物及び該レジスト組成物に含有される新規樹脂を提供することにある。本発明は、以下の発明を含む。1式I-aで表される構造単位を有する樹脂。式I-a中、Xは、水素原子又はメチル基を表す。nは0又は1を表す。U1及びU2は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子又は-NR-を表す。Rは、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。Lは炭素数1~20の2価の炭化水素基を表し、U1及びU2に隣接しないメチレン基は酸素原子、硫黄原子、NR基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Y1及びY2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~4のペルフルオロアルキル基を表す。Aは、有機対イオンを表す。2前記式I-aのY1及びY2がともに、フッ素原子である前記1記載の樹脂。3前記式I-aのXが、水素原子である前記1又は2記載の樹脂。4酸不安定基を含む構造単位を、さらに有する前記1~3のいずれか記載の樹脂。5前記酸不安定基を含む構造単位が、以下の式a1-1で表される構造単位を含む前記4記載の樹脂。[式a1-1中、La1は、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基との結合手を表す。で表される基を表す。Ra4は、水素原子又はメチル基を表す。Ra6は、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。]6ラクトン環を含む構造単位を、さらに有する前記1~5のいずれか記載の樹脂。7前記1~6のいずれか記載の樹脂を含有するレジスト組成物。8さらに溶剤を含有する前記7記載のレジスト組成物。91前記8記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、3組成物層に露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、及び5加熱後の組成物層を現像する工程を有するレジストパターンの製造方法。本発明によれば、LERに優れたレジストパターンを製造し得るレジスト組成物、及び該レジスト組成物に含有される新規樹脂を提供することができる。本明細書では、特に断りのない限り、炭素数を適宜選択しながら、以下の置換基の例示は、同様の置換基を有するいずれの化学構造式においても適用される。脂肪族炭化水素基のうち、アルキル基のように直鎖状又は分岐状をとることができるものは、そのいずれをも含む。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を包含する。以下の置換基の例示において、Cに付して記載した数値は、各々の基の炭素数を示すものである。さらに、本明細書において、メタアクリル系モノマーとは、CH2=CH-CO-又はCH2=CCH3-CO-の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様にメタアクリレート及びメタアクリル酸とは、それぞれアクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種並びにアクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種を意味する。炭化水素基とは、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を包含する。脂肪族炭化水素基は、鎖式及び環式の双方を含み、特に定義しない限り、鎖式及び脂環式の脂肪族炭化水素基が組み合わせられたものをも包含する。また、これら脂肪族炭化水素基は、その一部に炭素-炭素二重結合を含んでいてもよいが、飽和の基脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。鎖式の脂肪族炭化水素基のうち1価のものとしては、典型的にはアルキル基が挙げられる。該アルキル基の具体例は、メチル基C1、エチル基C2、プロピル基C3、ブチル基C4、ペンチル基C5、ヘキシル基C6、ヘプチル基C7、オクチル基C8、デシル基C10、ドデシル基C12、ヘキサデシル基C14、ペンタデシル基C15、ヘキシルデシル基C16、ヘプタデシル基C17及びオクタデシル基C18などである。鎖式の脂肪族炭化水素基のうち2価のものとしては、アルキル基から水素原子を1個取り去ったアルカンジイル基が挙げられる。アルカンジイル基の具体例は、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基、メチリデン基、エチリデン基、プロピリデン基、2-プロピリデン基、1-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,2-プロピレン基、1-メチル-1,4-ブチレン基及び2-メチル-1,4-ブチレン基などである。環式の脂肪族炭化水素基以下、場合により脂環式炭化水素基という。は、典型的には、シクロアルキル基であり、以下に示す単環式及び多環式のいずれをも包含する。脂環式炭化水素基のうち1価のものとして、単環式の脂肪族炭化水素基は、以下の式KA-1~KA-7で表されるシクロアルカンの水素原子を1個取り去った基である。多環式の脂肪族炭化水素基は、以下の式KA-8~KA-19で表されるシクロアルカンの水素原子を1個取り去った基である。脂環式炭化水素基のうち2価のものとしては、式KA-1~式KA-19の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基が挙げられる。脂肪族炭化水素基は置換基を有していてもよい。このような置換基としては、そのつど定義するが、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基が挙げられる。アルコキシ基としては、メトキシ基C1、エトキシ基C2、プロポキシ基C3、ブトキシ基C4、ペンチルオキシ基C5、ヘキシルオキシ基C6、ヘプチルオキシ基C7、オクチルオキシ基C8、デシルオキシ基C10及びドデシルオキシ基C12などが挙げられる。アシル基としては、アセチル基C2、プロピオニル基C3、ブチリル基C4、バレイル基C5、ヘキシルカルボニル基C6、ヘプチルカルボニル基C7、オクチルカルボニル基C8、デシルカルボニル基C10及びドデシルカルボニル基C12などのアルキル基とカルボニル基とが結合したもの、並びにベンゾイル基C7などのアリール基とカルボニル基とが結合したものが挙げられる。アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基及びイソブチリルオキシ基などが挙げられる。アラルキル基としては、ベンジル基C7、フェネチル基C8、フェニルプロピル基C9、ナフチルメチル基C11及びナフチルエチル基C12などが挙げられる。アリールオキシ基としては、フェニルオキシ基C6、ナフチルオキシ基C10、アントニルオキシ基C14、ビフェニルオキシ基C12、フェナントリルオキシ基C14及びフルオレニルオキシ基C13などのアリール基と酸素原子とが結合したものが挙げられる。1価の芳香族炭化水素基としては、典型的には、アリール基が挙げられる。アリール基としては、フェニル基C6、ナフチル基C10、アントニル基C14、ビフェニル基C12、フェナントリル基C14及びフルオレニル基C13などが挙げられる。2価の芳香族炭化水素基は例えば、ここに例示したアリール基から、さらに水素原子1個と取り去ったアリーレン基を挙げることができる。芳香族炭化水素基も置換基を有することがある。このような置換基はそのつど定義するが、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アルキル基及びアリールオキシ基を挙げることができる。これらのうち、アルキル基は、鎖式脂肪族炭化水素基として例示したものと同じであり、芳香族炭化水素基に任意に有する置換基のうち、アルキル基以外のものは、脂肪族炭化水素基の置換基として例示したものと同じものを含む。本発明のレジスト組成物以下、場合により本レジスト組成物という。は、酸形成基を側鎖として有する新規樹脂以下、場合により樹脂Aという。を含有する。また、後述するレジストパターンの製造に用いるうえでは、好ましくは、さらに溶剤以下、場合により溶剤Dという。を含有する。以下、本レジスト組成物の構成成分を、樹脂A、必要に応じて本レジスト組成物に含有される、酸発生剤以下、場合により酸発生剤Bという。及び塩基性化合物以下、場合により塩基性化合物Cという。、溶剤Dの順に説明し、さらに、本レジスト組成物の調製方法及び本レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法に関して説明する。<樹脂A>樹脂Aは、式I-aで表される構造単位以下、場合により構造単位I-aという。を有する。繰り返しになるが、式I-aを以下に示す。式I-a中、Xは、水素原子又はメチル基を表す。nは0又は1を表す。U1及びU2は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子又は-NR-を表す。Rは、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。Lは炭素数1~20の二価の炭化水素基を表し、U1及びU2に隣接しない炭素原子は酸素原子、硫黄原子、NR基またはカルボニル基で置換されてもよい。Y1及びY2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~4のペルフルオロアルキル基を表す。Aは、有機対イオンを表す。式I-aにおいて、U1及びU2は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子又は-NR-を表すが、これらの中でも、U1及びU2は、それぞれ独立に酸素原子又は硫黄原子であると好ましい。なお、U1又はU2が-NR-である場合、Rのアルキル基の具体例は炭素数1~4の範囲ですでに例示したものを含む。式I-aにおいて、Y1及びY2は、それぞれ独立に、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であると好ましく、Y1及びY2がともにフッ素原子であるとさらに好ましい。式I-aにおいて、Lは炭素数1~20の炭化水素基を表し、当該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であっても、芳香族炭化水素基であっても、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基の組み合わせであってもよい。なお、該脂肪族炭化水素基は鎖状であっても、環状であっても、鎖状の脂肪族炭化水素基以下、場合により鎖状脂肪族炭化水素基という。及び環状の脂肪族炭化水素基以下、場合により脂環式炭化水素基という。の組み合わせであってもよい。なお、Lの炭化水素基がメチレン基を含む炭化水素基である場合、当該メチレン基のうち、U1又はU2に隣接していないメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、-NR-Rは前記と同じ意味である。又はカルボニル基に置き換わってもよい。鎖状脂肪族炭化水素基としては例えば、以下に例示する基が挙げられる。該鎖状脂肪族炭化水素基は、基中に不飽和結合を有しない飽和のものが好ましい。なお、これらの炭化水素基の具体例において、その両端の線は結合手を表すものであり、後述する具体例も同様である。脂環式炭化水素基としては例えば、以下に例示する基が挙げられる。該脂環式炭化水素基も、飽和のものが好ましい。鎖状脂肪族炭化水素基及び脂環式炭化水素基の組み合わせである脂肪族炭化水素基としては、以下に示すものが挙げられる。芳香族炭化水素基としては、以下に示すものが挙げられる。芳香族炭化水素基及び脂肪族炭化水素基の組み合わせである炭化水素基としては、以下に示すものが挙げられる。以上、構造単位I-aを構成する、X、U1、U2、Y1、Y2及びLについて説明したが、以下、該光酸発生モノマーIから有機対イオンAを取り除いたアニオン部の具体例を、X、U1、U2、Y1、Y2及びLの組み合わせで示すと、以下の表1~表7に示すものを挙げることができる。なお、表中の番号とは、光酸発生モノマーIの具体例の識別番号を示す。X、U1、U2、Y1、Y2及びLは、上述の例示における符号、又は、具体的な基又は原子で表す例えば、O、Sとはそれぞれ酸素原子、硫黄原子を表し、CF3とはトリフルオロメチル基を表し、NHとはイミノ基を表す。まず、nが0、すなわち、U2及びLを有しない構造単位I-aの具体例を、該光酸発生モノマーI中のX、U1、Y1及びY2の組み合わせで示すと、表1のとおりである。nが1であり、Lが鎖状の脂肪族炭化水素基である場合の構造単位I-aの具体例は、表2及び表3のとおりである。nが1であり、Lは環状の脂肪族炭化水素基である場合の構造単位I-aの具体例は、表4及び表5のとおりである。nが1であり、Lが芳香族炭化水素基又は芳香族炭化水素基と脂肪族炭化水素基との組み合わせである場合の構造単位I-aの具体例は、表6及び表7のとおりである。構造単位I-aにおいて、で表される基以下、場合により基Gという。と、樹脂主鎖に結合している部分とは互いにパラ位で結合しているものが好ましく、すなわち構造単位I-aは、以下の式I-bで表されるものが好ましい。式I-b中、全ての符号は前記と同じ意味である。続いて、化合物Iを構成する有機対イオンAについて説明する。該有機対イオンは、オニウムカチオンが好ましく、該オニウムカチオンとしては例えば、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン及びホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンがより好ましく、アリールスルホニウムカチオンがさらに好ましい。特に好ましいオニウムカチオンを具体的に示すと、式b2-1~式b2-5でそれぞれ表されるカチオンを挙げることができる。以下、式b2-1~式b2-5でそれぞれ表されるカチオンの各々を、その式番号に応じて、カチオンb2-1~カチオンb2-5などという。これらの式b2-1~式b2-5において、Rb4~Rb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30の鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18のエーテル結合又はチオエーテル結合を含有してもよい芳香族炭化水素基を表す。該脂環式炭化水素基は飽和のものが好ましい。また、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該飽和環状炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基で置換されていてもよい。また、前記芳香族炭化水素基は複数の芳香環がエーテル結合及び/又はチオエーテル結合で連結されたものであってもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。m2が2以上のとき、複数のRb7は互いに同一であっても異なってもよく、n2が2以上のとき、複数のRb8は互いに同一であっても異なってもよい。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18の鎖状脂肪族炭化水素基又は炭素数3~18の飽和脂環式炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18の鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9~Rb11の鎖状脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~12であり、飽和脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数3~18、より好ましくは炭素数4~12である。Rb12は、炭素数1~12の鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。該芳香族炭化水素基は、炭素数1~12の鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の飽和脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Rb9とRb10と、及びRb11とRb12とは、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、これらの環を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Rb13~Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12の鎖状脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。o2、p2、s2、及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上である場合、複数のRb13は互いに同一であっても異なってもよく、p2が2以上である場合、複数のRb14は互いに同一であっても異なってもよく、s2が2以上である場合、複数のRb17は互いに同一であっても異なってもよく、u2が2以上である場合、複数のRb18は互いに同一であっても異なってもよく、q2が2以上である場合、複数のRb15は互いに同一であっても異なってもよく、r2が2以上である場合、複数のRb16は互いに同一であっても異なってもよい。Rb30~Rb32は、それぞれ独立に、炭素数1~30の鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。該芳香族炭化水素基は、炭素数1~12の鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の飽和脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Rb31とRb32は互いに結合して、環を形成してもよく、形成された環は酸素原子又は硫黄原子を含んでもよい。アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基、sec-ブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2-エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。鎖状脂肪族炭化水素基としては、典型的にはアルキル基であり、当該アルキル基の具体例は炭素数1~30の範囲ですでに例示したものを含むが、中でも、好ましいアルキル基は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基である。飽和脂環式炭化水素基は炭素数3~18の範囲ですでに例示したものを含むが、中でも、好ましい飽和脂環式炭化水素基は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基、及びイソボルニル基である。芳香族炭化水素基は炭素数6~18の範囲ですでに例示したものを含むが、中でも、、好ましい芳香族炭化水素基は、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基である。置換基が芳香族炭化水素基である鎖状脂肪族炭化水素基アラルキル基としては、ベンジル基などが挙げられる。Rb9及びRb10が結合して形成する環としては、例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環及び1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11及びRb12が結合して形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環などが挙げられる。カチオンb2-1~カチオンb2-5の中でも、カチオンb2-1が好ましく、式b2-1-1で表されるカチオンがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19~Rb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。鎖状脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~12であり、飽和脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数4~18である。前記鎖状脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。前記飽和脂環式炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上である場合、複数のRb19は互いに同一であっても異なってもよく、w2が2以上である場合、複数のRb20は互いに同一であっても異なってもよく、x2が2以上である場合、複数のRb21は互いに同一であっても異なってもよい。なかでも、Rb19~Rb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基であることが好ましく、ヒドロキシ基又は炭素数1~4のアルキル基であることがより好ましい。カチオンb2-1-1の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-2の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-3の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-1のエーテル結合又はチオエーテル結合を含む化合物の具体例としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-5の具体例として、以下のものが挙げられる。ここで構造単位I-aの具体例を、該構造単位I-aのアニオン部の基Gと、有機対イオンの組み合わせで表すと、表8~表13に示すものである。前記した構造単位I-aの具体例の中でも、アニオン部として、G-1、G-17、G-18、G-19、G-21、G-23、G-27、G-77、G-88、G-130、G-156、G-171又はG-175のいずれかの基Gを有し、有機対イオンとして、b2-1-1-1、b2-1-1-2、b2-1-1-6、b2-1-1-10、b2-1-13、b2-1-1-22、b2-2-1、b2-2-4、b2-3-8、b2-3-17、b2-4-6、b2-5-1又はb2-5-11のいずれかを有するのものがさらに好ましい。<構造単位I-aを誘導する光酸発生モノマー>構造単位I-aは、式IIIで表される光酸発生モノマー以下、場合により光酸発生モノマーIIIという。から誘導される。式中の全ての符号はいずれも前記と同じ意味を表す。光酸発生モノマーIIIは、式IV式中、Zはハロゲン原子を表し、Xは前記と同じ意味を表す。で表される化合物以下、場合により化合物IVという。と、式V式中の全ての符号はいずれも前記と同じ意味を表す。で表される化合物以下、化合物Vという。とを反応させることにより得ることができる。以下、この製造方法を場合により、本製造方法という。なお、化合物IVにおいて、Xが水素原子かつZが塩素原子の場合は、4-クロロメチルスチレンであり、この4-クロロメチルスチレンは市場から容易に入手することができる。本製造方法は例えば、溶媒中で、化合物IV及び化合物Vを混合し、化合物IV及び化合物Vを反応させることで実施できる。この溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、二塩化エチレン、モノクロロベンゼン、アセトン、メチルエチルケトン、トルエン、キシレン、アニソール、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド及びジメチルスルホキシドなどの有機溶媒、水又はそれらの混合溶媒が挙げられる。化合物IV及び化合物Vを反応させる際の温度反応温度は、-30~200°Cの範囲から選ばれるが、-10~100°Cの範囲から選ばれることが好ましい。反応時間は、用いる化合物IVや化合物Vの種類、及び反応温度等により調整される。反応途中の反応溶液を所定時間おきにサンプリングし、高速液体クロマトグラフィー分析やガスクロマトグラフィー分析といった公知の分析手段により、光酸発生モノマーIIIの生成の度合い、又は該化合物IV及び該化合物Vの消失の度合いを追跡することで反応時間を定めることもできる。本製造方法における化合物IVと化合物Vとの使用量比は、化合物IVの使用量1モルに対する化合物Vの使用量で表して、1~5モルの範囲であればよく、1~2モルの範囲であると好ましい。化合物IVと化合物Vとが反応する際には、酸が副生する。本製造方法では、この酸を中和するため、脱酸剤を用いることができる。該脱酸剤には塩基を用いることが好ましく、該塩基としては、ピリジン、トリエチルアミン、N-メチルピペリジン、N,N-ジエチルアニリン及びジアザビシクロウンデセンDBUなどの有機塩基、、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム及び炭酸水素カリウムなどの無機塩基が使用できる。もちろん、塩基として、ここに例示した有機塩基と無機塩基とを併用してもよい。塩基の使用量は、化合物IV1モルに対して、1~5モルの範囲であればよく、1~3モルの範囲が好ましい。また、例えば本製造方法に用いる溶媒として、水と、水に不溶又は難溶の有機溶媒とを用いる場合には、テトラブチルアンモニウムブロミドなどの相間移動触媒を用いることもできる。化合物IV及び化合物Vを反応させて得られる、光酸発生モノマーIIIを含む反応溶液からは、種々の後処理操作によって、生成した光酸発生モノマーIIIを取り出すことができる。また、取り出した光酸発生モノマーIIIをクロマトグラフィー、再結晶又は蒸留といった精製操作、あるいはこれらを組み合わせた精製操作により、さらに精製することも可能である。得られた光酸発生モノマーIIIは、例えば、核磁気共鳴スペクトルNMRや質量スペクトルMSによって構造を確認することができる。nが1である光酸発生モノマーIIIを製造する場合、化合物Vとして、式VIで表される化合物以下、場合により化合物VIという。が用いられる。式中の全ての符号はいずれも前記と同じ意味である。かかる化合物VIは光酸発生モノマーは、光酸発生モノマーIIIを製造するうえで有用な化合物である。化合物VIの合成方法としては、式VII式中の全ての符号はいずれも前記と同じ意味である。で表されるカルボン酸誘導体以下、場合によりカルボン酸誘導体VIIという。と、式VIII式中の全ての符号はいずれも前記と同じ意味である。で表される化合物以下、場合により化合物VIIIという。との脱水縮合反応、又は、カルボン酸誘導体VIIと、式IX式中、Wは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。U1は前記と同じ意味である。で表されるハロゲン化物以下、場合によりハロゲン化合物IXという。との脱ハロゲン化水素による縮合反応を行うことによって得ることができる。カルボン酸誘導体VIIと化合物VIIIとの脱水縮合反応は、例えば、クロロホルム、塩化メチレン、二塩化エチレン、モノクロロベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール、ジメチルホルムアミド及びジメチルスルホキシドなどの不活性溶媒中で行われ、反応温度は、-30~200°C、好ましくは、用いられる溶媒の沸点~150°Cである。反応は、酸触媒を添加することが好ましく、例えば、トリフルオロスルホン酸、トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸及びメタンスルホン酸などの有機酸;濃硫酸、塩酸及び塩化水素などの無機酸;あるいはこれらの混合物が用いられる。化合物VIIIの使用量は、カルボン酸誘導体VII1モルに対して、1~5倍モル量、好ましくは、1~2倍モル量であり、酸触媒の使用量は、カルボン酸誘導体VII1モルに対して、0.001~3倍量、好ましくは、0.01~1倍モル量である。脱水縮合反応には、ナフィオンのような強酸性スルホン酸樹脂を添加することも可能である。かくして得られた、化合物VIを含む反応混合物からは、通常の後処理によって、化合物VIを取り出すことができる。また、取り出された化合物VIを、クロマトグラフィー、再結晶あるいは蒸留によってさらに精製することも可能である。また、カルボン酸誘導体VIIと化合物VIIIとの脱水縮合反応は、例えば、クロロホルム、塩化メチレン、二塩化エチレン、モノクロロベンゼン、アセトン、メチルエチルケトン、トルエン、キシレン、アニソール、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド及びジメチルスルホキシドなどの不活性溶媒中で脱水剤を用いる行うことも可能である。反応温度は、-30~200°C、好ましくは、-20~150°Cである。脱水剤としては、例えば、ジシクロヘキシルカルボジイミドDCC、1-アルキル-2-ハロピリジニウム塩、1,1-カルボニルジイミダゾール、ビス2-オキソ-3-オキサゾリジニルホスフィン酸塩化物、1-エチル-3-3-ジメチルアミノプロピルカルボジイミド塩酸塩、ジ-2-ピリジル炭酸塩、ジ-2-ピリジルチオノ炭酸塩、6-メチル-2-ニトロ安息香酸無水物/4-ジメチルアミノピリジン触媒が挙げられる。化合物VIIIの使用量は、カルボン酸誘導体VII1モルに対して、1~5倍モル量、好ましくは、1~2倍モル量であり、脱水剤の使用量は、カルボン酸誘導体VII1モルに対して、1~3倍モル量、好ましくは、1~2倍モル量である。かくして得られた、化合物VIを含む反応混合物からは、通常の後処理によって、化合物VIを取り出すことができる。また、取り出された化合物VIを、クロマトグラフィー、再結晶あるいは蒸留によってさらに精製することも可能である。次に、カルボン酸誘導体VIIとハロゲン化物IXとの縮合反応について説明する。この縮合反応は、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、トルエン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド及びジメチルスルホキシドなどの不活性溶媒中で行われ、反応温度は、-30°C~200°C、好ましくは、0°C~150°Cである。該縮合反には、塩基を添加することが好ましく、当該塩基としては例えば、トリエチルアミン、ピリジン、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムtert-ブトキシドなどの有機塩基、あるいは水素化ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウムのような無機塩基、あるいはこれらの混合物が用いられる。ハロゲン化物IXの使用量は、カルボン酸誘導体VII1モルに対して、1~4倍モル量、好ましくは、1~2倍モル量であり、塩基の使用量は、カルボン酸誘導体VII1モルに対して、1~6倍量、好ましくは、1~3倍モル量である。また、該縮合反応には、テトラブチルアンモニウムブロミドのような相間移動触媒を添加することも可能である。かくして得られた、化合物VIを含む反応混合物からは、通常の後処理によって、化合物VIを取り出すことができる。また、取り出された化合物VIを、クロマトグラフィー、再結晶あるいは蒸留によってさらに精製することも可能である。<光酸発生モノマーIII>樹脂Aは、光酸発生モノマーIII以外のモノマーに由来する構造単位を有していてもよい。光酸発生モノマーIII以外のモノマーとしては、酸不安定基を有するモノマー[以下、場合によりモノマーa1という。]及び酸不安定基を有さないモノマー以下、場合により酸安定モノマーという。が挙げられる。モノマーa1を用いて、樹脂Aを製造する際には、モノマーa11種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。同様に、酸安定モノマーを用いて、樹脂Aを製造する際には、酸安定モノマー1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<モノマーa1>酸不安定基とは、脱離基を有し、酸と接触すると該脱離基が脱離して、親水性基例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基を生じる基を意味する。酸不安定基としては、例えば、式1で表される基が挙げられる。式1で表される基は、-O-が第三級炭素原子と結合しており、酸と接触すると、該第三級炭素原子と-O-との結合が開裂して、-CRa1Ra2Ra3が脱離することにより、カルボキシ基が生じる。なお以下では、式1で表される基を酸不安定基1という場合がある。[式1中、Ra1~Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表すか、或いはRa1及びRa2は互いに結合して炭素数3~20の環を形成する。は結合手を表す。]脂肪族炭化水素基としては、例えばアルキル基が挙げられ、当該アルキル基の具体例は炭素数1~8の範囲ですでに例示したものを含む。脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、その具体例は炭素数3~20の範囲ですでに例示したものを含むが、該脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは3~16である。Ra1及びRa2が互いに結合して環を形成する場合、-CRa1Ra2Ra3基としては、下記の基が挙げられる。環の炭素数は、好ましくは3~12である。酸不安定基1としては、例えば、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3がアルキル基である基、好ましくはtert-ブトキシカルボニル基、2-アルキルアダマンタン-2-イルオキシカルボニル基式1中、Ra1、Ra2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-アダマンタン-1-イル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。モノマーa1は、好ましくは、酸不安定基1と炭素-炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーである。酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、炭素数5~20の脂環式炭化水素基を有するものが好ましい。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマーa1を重合して得られる樹脂Aを使用すれば、本レジスト組成物の解像度を向上させることができる。酸不安定基1と脂環式炭化水素基とを有するメタアクリル系モノマーの中でも、式a1-1で表されるモノマー以下、場合によりモノマーa1-1という。及び式a1-2で表されるモノマー以下、場合によりモノマーa1-2という。が好ましい。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。[式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2は、それぞれ独立に、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-で表される基を表し、k1は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。n1は0~10の整数を表す。n2は0又は1の整数を表す。]La1及びLa2は、好ましくは、酸素原子又は、k1が1~4の-O-CH2k1-CO-O-で表される基であり、より好ましくは、酸素原子又は、k1が1~4の-O-CH2k1-CO-O-であり、さらに好ましくは、酸素原子又は、-O-CH2-CO-O-であり、特に好ましくは、酸素原子である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7の脂肪族炭化水素基としては、例えばアルキル基が挙げられ、該アルキル基の具体例は炭素数1~8の範囲ですでに例示したものを含むが、該アルキル基は炭素数6以下であると好ましい。Ra6及びRa7の脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、その具体例は炭素数3~10の範囲ですでに例示したものを含むが、該脂環式炭化水素基は好ましくは炭素数8以下、より好ましくは6以下である。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。モノマーa1-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。中でも、2-メチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタアクリレート及び2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタアクリレートが好ましく、2-メチルアダマンタン-2-イルメタクリレート、2-エチルアダマンタン-2-イルメタクリレート及び2-イソプロピルアダマンタン-2-イルメタクリレートがより好ましい。モノマーa1-2としては、例えば、以下のものが挙げられる。中でも、1-エチルシクロヘキサン-1-イルメタアクリレートが好ましく、1-エチルシクロヘキサン-1-イルメタクリレートがより好ましい。以上、モノマーa1として好ましいモノマーa1-1及びモノマーa1-2について説明したが、ここで、樹脂A製造に用いることのできる、モノマーa1-1及びモノマーa1-2以外のモノマーa1[以下、場合によりその他のモノマーa1という。]を例示する。その他のモノマーa1の第1の例は、式a1-4で表されるモノマー以下、場合によりモノマーa1-4というである。この式a1-4で表されるモノマーa1は酸不安定基1を有するモノマーa1に該当する。[式a1-4中、R10は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。R11は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。laは0~4の整数を表す。laが2以上の整数である場合、複数のR11は同一であっても異なってもよい。R12及びR13はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表す。Xa2は、単結合又は2価の炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子はハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基に置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、スルホニル基又は-NRc-で置き換わっていてもよい。Rcは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。Ya3は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基又は炭素数2~4のアシルオキシ基に置換されていてもよい。]ハロゲン原子を有してもよいアルキル基のアルキル基の具体例は、炭素数1~6の範囲ですでに例示したものを含み、該アルキル基に含まれる水素原子の一部又は全部がハロゲン原子に置換されたものがハロゲン原子を有するアルキル基に該当する。このハロゲン原子を有するアルキル基としては、例えば、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルクロロメチル基、ペルブロモメチル基及びペルヨードメチル基などが挙げられる。アルコキシ基及びアシル基の具体例は、炭素数が各々の範囲ですでに例示したものを含む。アシルオキシ基とは、ここでいうアシル基と酸素原子とが結合したものである。炭化水素基としては、例えば、脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。これらの具体例も、その炭素数が上記の範囲ですでに例示したものを含む。R10及びR11のアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、炭素数1~2のアルキル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。R11のアルコキシ基としては、炭素数1~2のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。R12及びR13の炭化水素基としては、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、2-アルキルアダマンタン-2-イル基、1-アダマンタン-1-イルアルカン-1-イル基、イソボルニル基などが好ましい。Xa2及びYa3が有していてもよい置換基としては、好ましくはヒドロキシ基である。モノマーa1-4としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。その他のモノマーa1の第2の例は、式a1-5で表されるモノマー以下、場合によりモノマーa1-5というである。R31としては、R10と同じものが挙げられ、水素原子又はメチル基であることが好ましい。L1及びL2は酸素原子であることが好ましい。L3は硫黄原子であることが好ましい。s1は、1であることが好ましい。s1’は、0~2の整数であることが好ましい。Z1は、単結合であることが好ましい。モノマーa1-5の具体例としては、以下のものが挙げられる。この式a1-5で表されるモノマーa1は酸不安定基2を有するモノマーa1に該当する。その他のモノマーa1としては、下記のモノマーa1も使用できる。<酸安定モノマー>酸安定モノマーとしては、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するものが好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー以下、場合により酸安定モノマーa2という。又はラクトン環を含有する酸安定モノマー以下、場合により酸安定モノマーa3という。に由来する構造単位を有する樹脂Aを使用すれば、本レジスト組成物の解像度及び本レジスト組成物から得られる塗布膜及び組成物層の基板への密着性を向上させることができる。樹脂Aを、酸安定モノマーを用いて製造する場合において、該樹脂Aを含有する本レジスト組成物をKrFエキシマレーザ露光248nm、EUV光などの高エネルギー線露光又は電子線照射によるレジストパターン製造に用いるとき、酸安定モノマーa2として、ヒドロキシスチレン類などのフェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーを使用することが好ましい。一方、短波長のArFエキシマレーザ露光193nmなどを用いてレジストパターンを製造しようとするときは、酸安定モノマーa2として、ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用することが好ましい。酸安定モノマーa2は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。フェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2として、式a2-0で表されるp-又はm-ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマー以下、場合により酸安定モノマーa2-0というが挙げられる。[式a2-0中、R8は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。R9は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のR9は同一であっても異なってもよい。]R8及びR9のアルキル基の具体例は炭素数1~6の範囲ですでに例示したものを含むが、中でも、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、炭素数1~2のアルキル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。R8がハロゲン原子を有するアルキル基である場合、炭素数1~6のアルキル基に含まれる水素原子の一部又は全部がハロゲン原子に置換されたものが挙げられる。R9のアルコキシ基の具体例は炭素数1~6の範囲ですでに例示したものを含むが、中でも、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、炭素数1~2のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。maは0~2が好ましく、0又は1がより好ましく、0が特に好ましい。このような酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を有する樹脂Aを製造する場合は、当該酸安定モノマーa2-0にあるフェノール性ヒドロキシ基がアセチルオキシ基に置き換わったアセチルオキシスチレン類をモノマーとして用いてもよい。アセチルオキシスチレン類をモノマーとして用いた場合は、重合後に酸によって脱アセチルすれば、酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を有する樹脂Aが製造できる。酸安定モノマーa2-0としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。以上の酸安定モノマーa2-0の具体例のうち、4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンが特に好ましい。ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーa2として例えば、式a2-1で表されるもの以下、場合により酸安定モノマーa2-1というが挙げられる。式a2-1中、La3は、酸素原子又は-O-CH2k2-CO-O-で表される基を表し、k2は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。式a2-1では、La3は、好ましくは、酸素原子又は、k2が1~4である-O-CH2k2-CO-O-で表される基、より好ましくは酸素原子である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。式a2-1で表される酸安定モノマーa2としては、例えば、以下に示すものが挙げられる。中でも、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート、3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート及びメタアクリル酸1-3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルオキシカルボニルメチルが好ましく、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレート及び3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタアクリレートがより好ましく、3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメタクリレート及び3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメタクリレートがさらに好ましい。次に、酸安定モノマーa3について説明する。酸安定モノマーa3が有するラクトン環は、例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環、δ-バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3は、好ましくは、式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表される。以下、これらの酸安定モノマーa3を、その式番号に応じて、酸安定モノマーa3-1、酸安定モノマーa3-2、酸安定モノマーa3-3という。を樹脂A製造に酸安定モノマーa3を用いる場合、該酸安定モノマーa3は、その1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。式a3-1~式a3-3中、La4~La6は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2k3-CO-O-を表す。k3は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra18~Ra20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra21は、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表す。q1及びr1は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。p1、q1又はr1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa21、Ra22又はRa23は、互いに同一でも異なってもよい。式a3-1~式a3-3中のLa4~La6としては、La3で説明したものが挙げられる。La4~La6は、それぞれ独立に、-O-又は-O-CH2d1-CO-O-であることが好ましく前記d1は、1~4の整数である、より好ましくは-O-である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1、q1及びr1は、それぞれ独立に、好ましくは0~2、より好ましくは0又は1である。p1が2以上の場合、複数のRa21は互いに同一でも異なっていてもよく、q1が2以上の場合、複数のRa22は互いに同一でも異なっていてもよく、r1が2以上の場合、複数のRa23は互いに同一でも異なっていてもよい。酸安定モノマーa3-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。酸安定モノマーa3-2としては、例えば以下のものが挙げられる。酸安定モノマーa3-3としては、例えば以下のものが挙げられる。酸安定モノマーa3の中でも、メタアクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イル、メタアクリル酸テトラヒドロ-2-オキソ-3-フリル、メタアクリル酸2-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イルオキシ-2-オキソエチルが好ましく、メタクリレート系モノマーがより好ましい。以上、酸安定モノマーとして好ましい酸安定モノマーa2及び酸安定モノマーa3について説明したが、樹脂A製造には、酸安定モノマーa2及び酸安定モノマーa3以外の酸安定モノマー以下、場合によりその他の酸安定モノマーという。を用いることもできる。その他の酸安定モノマーの第1の例は、式iで表される基を含むモノマー以下、場合によりモノマーiという。である。[式i中、R1は、炭素数1~6のフッ化アルキル基を表す。は結合手を表す。]炭素数1~6のフッ化アルキル基としては、すでに例示した炭素数1~6のアルキル基に含まれる水素原子の一部又は全部がフッ素原子に置換されたものである。モノマーiは、式iで示される基に加え、炭素-炭素二重結合を含むモノマー以下、場合によりモノマーi’という。であるとより好ましい。ここでいう炭素-炭素二重結合を含む基は、例えば、式i-aで表される基である。[式中、R7、R8及びR9は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~10のアルキル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基又はフェニル基を表す。は、結合手を表す。]R7及びR8は好ましくは水素原子であり、R9は好ましくは水素原子又はメチル基である。モノマーi’としては、例えば、式i-1で表される化合物が挙げられる。[式i-1中、R1は、上記と同じ意味を表す。R5は、水素原子又はメチル基を表す。A1は、炭素数1~12の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。]2価の炭素数1~10の脂肪族飽和炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;直鎖状アルカンジイル基に、炭素数1~4のアルキル基例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等の側鎖を付け加えたもの、例えば、ブタン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,2-ジイル基、ペンタン-1,4-ジイル基、2-メチルブタン-1,4-ジイル基等の分岐状のアルカンジイル基;エタン-1,1-ジイル基、プロパン-1,1-ジイル基、プロパン-2,2-ジイル基;シクロブタン-1,3-ジイル基、1,3-シクロペンタン-1,3-ジイル基、シクロヘキサン-1,4-ジイル基、シクロオクタン-1,5-ジイル基、ノルボルナン-1,4-ジイル基、ノルボルナン-2,5-ジイル基、1,5-アダマンタン-1,5-ジイル基、アダマンタン-2,6-ジイル基等が挙げられる。また、これらの基の2種以上を組み合わせたものでもよい。ここで、モノマーiの具体例を挙げる。その他の酸安定モノマーの第2の例は、式iiで表されるモノマー以下、場合によりモノマーiiという。である。[式ii中、R21は、水素原子又はメチル基を表す。R22は置換基を有してもよい炭素数6~12の芳香族炭化水素基を表す。R23は、置換基を有してもよい炭素数6~12の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。A21は、単結合又は-CH2m-CO-O-を表す。mは、1~6の整数を表す。は、Nとの結合手を表す。]R22における炭素数6~12の芳香族炭化水素基は、例えば、フェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基、ナフチル基及びアントリル基などが挙げられる。これら芳香族炭化水素基が置換基を有する場合、その置換基は、炭素数1~4のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フェニルオキシ基及びtert-ブチルフェニル基などである。R22としては、式R22-1~式R22-14で表される基が挙げられる。は炭素原子との結合手を表す。R23における炭素数1~12の炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基が挙げられる。脂肪族炭化水素基は、典型的にはアルキル基が挙げられ、当該アルキル基の具体例は、炭素数が上記の範囲ですでに例示したものを含む。芳香族炭化水素基としては、R22におけるものと同じ基が挙げられる。R23における脂環式炭化水素基としては、式R23-19~式R23-28で表される基が挙げられる。R23における炭化水素基が含んでいてもよいヘテロ原子としては、ハロゲン原子、硫黄原子、酸素原子又は窒素原子等が挙げられる。該炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子等で置換されていてもよく、該炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。R23としては、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1~12の脂肪族炭化水素基が好ましく、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~12の脂肪族炭化水素基がより好ましく、メチル基及びトリフルオロメチル基がさらに好ましい。ヘテロ原子を含むR23としては、式R23-1~式R23-18で表される基が挙げられる。A21としては、単結合及び式A21-1~式A21-15で表される基が挙げられる。モノマーiiとしては、例えば、下記の式で表される化合物が挙げられる。その他の酸安定モノマーの第3、第4及び第5の例としては、例えば、式a4-1で表される無水マレイン酸、式a4-2で表される無水イタコン酸又は式a4-3で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマーなどが挙げられる。式a4-3中、Ra25及びRa26は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3の脂肪族炭化水素基、シアノ基、カルボキシ基又はアルコキシカルボニル基-COORa27を表すか、或いはRa25及びRa26は互いに結合して-CO-O-CO-を形成し、Ra27は、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~18の飽和環状炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該飽和環状炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。但し-COORa27が酸不安定基となるものは除く即ちRa27は、3級炭素原子が-O-と結合するものを含まない。Ra25及びRa26のヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Ra27の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~8、より好ましくは炭素数1~6である。飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数4~18、より好ましくは炭素数4~12である。Ra27としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基、2-オキソ-オキソラン-4-イル基などが好ましい。ノルボルネン環を有する酸安定モノマーa4-3としては、例えば、2-ノルボルネン、2-ヒドロキシ-5-ノルボルネン、5-ノルボルネン-2-カルボン酸、5-ノルボルネン-2-カルボン酸メチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-ヒドロキシ-1-エチル、5-ノルボルネン-2-メタノール、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物などが挙げられる。その他の酸安定モノマーの第6の例は、例えば、式a4-4で表されるスルトン環を有する以下のモノマーが挙げられる。式a4-4中、La7は、-O-又は-O-CH2k2-CO-O-を表し、k2は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra28は、水素原子又はメチル基を表す。W16は、置換基を有していてもよいスルトン環を表す。スルトン環としては、下記の環が挙げられる。スルトン環が有していてもよい置換基としては、ヒドロキシ基、シアノ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のフッ素化アルキル基、炭素数1~6のヒドロキシアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数1~7のアルコキシカルボニル基、炭素数1~7のアシル基、炭素数1~8のアシルオキシ基が挙げられる。式a4-4で表されるモノマーとしては、例えば、以下のものが挙げられる。その他の酸安定モノマーの第7の例は、例えば、フッ素原子を有する酸安定モノマーである。フッ素原子を有する酸安定モノマーとしては、以下のモノマーを挙げることができる。以上のフッ素原子を有する酸安定モノマーでも、単環又は多環式炭化水素基を有するメタアクリル酸5-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸6-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸4,4-ビストリフルオロメチル-3-オキサトリシクロ[4.2.1.02,5]ノニルが好ましい。また、その他の酸安定モノマーの第8の例は、スチレン誘導体を挙げることができる。かかるスチレン誘導体としては、4-アセトキシスチレン、4-t-ブトキシスチレン、4-9-アントラセンメトキシメチルスチレンなどが挙げられる。樹脂Aは、光酸発生モノマーIII、モノマーa1及び必要に応じて用いられる酸安定モノマーを、ラジカル重合、アニオン重合、配位重合などにより共重合することで得ることができる。樹脂A製造の重合方法としては、中でもラジカル重合が好ましい。該ラジカル重合に用いられる重合開始剤は、公知のものであって、特に限定されるものではないが、熱により効率的にラジカルを発生するものが好ましい。このような重合開始剤としては、例えば、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、2,2’-アゾビスイソ酪酸ジメチル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、ジメチル-2,2’-アゾビスイソブチレート等のアゾ化合物、2,5-ジメチル-2,5-ビスtert-ブチルパーオキシヘキサン、t-ヘキシルパーオキシピバレートなどの有機過酸化物などが挙げられ、それぞれ単独でもよいし、2種類以上の開始剤を併用してもよい。また、1-ブタンチオール、2-ブタンチオール、1-オクタンチオール、1-デカンチオール、1-テトラデカンチオール、シクロヘキサンチオール、2-メチル-1-プロパンチオールなどの連鎖移動剤を併用することもできる。重合に用いられる有機溶剤反応溶媒は、用いるモノマーと開始剤、及び得られる共重合体[樹脂A]のいずれも溶解できる溶剤が好ましい。このような有機溶剤としては、トルエン等の炭化水素、1,4-ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチルイソブチルケトン、イソプロピルアルコール、γ-ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、アセトニトリル、スルホランなどが挙げられ、それぞれ単独でもよいし、2種類以上の溶剤を混合して用いてもよい。樹脂Aの製造方法における反応温度は、0~150°Cの範囲であって、好ましくは40~100°Cの範囲である。重合により得られた樹脂Aは、上記の反応溶媒のような良溶媒に溶解後、メタノール水あるいはヘプタンのような貧溶媒で析出させることによって、精製することも可能である。以上、本レジスト組成物が含有する樹脂成分として特に好ましい、構造単位I-a及び、酸不安定基を含む構造単位を有する樹脂Aを説明したが、該樹脂Aの全構造単位100モルに対して、構造単位I-aの含有割合は、好ましくは1~99モルの範囲であり、より好ましくは1~90モルの範囲である。また、樹脂Aが酸安定モノマーに由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、好ましくは1~99モルの範囲であり、より好ましくは10~90モルの範囲である。樹脂Aが有する、酸不安定基を含む構造単位は、式a1-1で表されるモノマーa1に由来するものが好ましく、この場合、式a1-1で表されるモノマーa1に由来する構造単位の含有割合は、モノマーa1に由来する構造単位の総量に対して、15モル以上であると好ましい。式a1-1で表されるモノマーa1に由来する構造単位をこのような含有割合で有する樹脂Aを含有する本レジスト組成物は、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られる傾向がある。本レジスト組成物には、樹脂Aに加え、構造単位I-aを有さず、酸不安定基を有する重合体以下、場合により重合体Dというを含有していてもよい。重合体Dは、上述のとおり、構造単位I-aを有さず、酸不安定基を有するものであり、これらの要件に加え、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸との作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂であると特に好ましい。重合体Dは、樹脂Aを製造するために例示したモノマーのうち、光酸発生モノマーIII以外のものを用いることで製造される。また、光酸発生モノマーIIIを用いない限り、樹脂Aと同様の方法、例えばラジカル重合を用いることで重合体Dは製造できる。重合体Dとしては、モノマーa1に由来する構造単位と、酸安定モノマーに由来する構造単位とを有する共重合体であることが好ましい。重合体Dが、このような共重合体である場合、各構造単位の含有割合は、重合体Dが有する全構造単位に対して、以下の範囲であることが好ましい。モノマーa1に由来する構造単位:10~95モル、より好ましくは15~90モル;酸安定モノマーに由来する構造単位:5~90モル、より好ましくは10~85モル重合体Dが、モノマーa1-1に由来する構造単位、モノマーa1-2に由来する構造単位、モノマーa1-4に由来する構造単位及びモノマーa1-5に由来する構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む場合、その合計含有割合は、それぞれ、重合体Dの全構造単位に対して、好ましくは10~95モルであり、より好ましくは15~90モルであり、さらに好ましくは20~85モルである。重合体Dが、酸安定モノマーa2-0に由来する構造単位を含む場合、その含有割合は、重合体Dの全構造単位に対して、好ましくは5~95モルであり、より好ましくは10~85モルであり、さらに好ましくは15~80モルである。重合体Dが、酸安定モノマーa2-1に由来する構造単位を含む場合、その含有割合は、重合体Dの全構造単位に対して、好ましくは3~40モルであり、より好ましくは5~35モルであり、さらに好ましくは5~30モルである。重合体Dが、ラクトン環を有する酸安定モノマーa3に由来する構造単位を含む場合、その合計含有割合は、重合体Dの全構造単位に対して、好ましくは5~60モルであり、より好ましくは15~55モルである。樹脂Aが、酸安定モノマーa3-1に由来する構造単位、酸安定モノマーa3-2に由来する構造単位及び酸安定モノマーa3-3に由来する構造単位からなる群から選ばれる少なくとも1種を含む場合、その含有割合は、重合体Dの全構造単位に対して、それぞれ好ましくは5~60モルであり、より好ましくは10~50モルであり、さらに好ましくは20~50モルである。重合体Dが、モノマーiに由来する構造単位を含む場合、その含有割合は、重合体Dの全構造単位に対して、好ましくは5~70モルであり、より好ましくは10~50モルである。重合体Dが、モノマーiiに由来する構造単位を含む場合、その含有割合は、重合体Dの全構造単位に対して、好ましくは5~70モルであり、より好ましくは10~50モルである。重合体Dが、式a4-1で表されるモノマーに由来する構造単位、式a4-2で表されるモノマーに由来する構造単位及び式a4-3で表されるモノマーに由来する構造単位からなる群から選ばれる少なくとも1種を含む場合、その含有量は、それぞれ、重合体Dの全構造単位に対して、通常2~40モルであり、好ましくは3~30モルであり、より好ましくは5~20モルである。重合体Dが、式a4-4で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有割合は、重合体Dの全構造単位に対して、好ましくは2~40モルであり、より好ましくは3~35モルであり、さらに好ましくは5~30モルである。重合体Dが、フッ素原子を有する酸安定モノマーを含む場合、その含有割合は、重合体Dの全構造単位に対して、好ましくは1~20モルであり、より好ましくは2~15モルであり、さらに好ましくは3~10モルである。重合体Dの重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上より好ましくは3,000以上、さらに好ましくは4,000以上、50,000以下より好ましくは40,000以下、さらに好ましくは10,000以下である。本レジスト組成物における樹脂Aの含有量は、本レジスト組成物中の固形分のそう質量に対して、80質量以上99質量以下であることが好ましい。なお本明細書において固形分とは、本レジスト組成物から後述する溶剤Eの含有量を除いた量を意味する。固形分及びこれに対する樹脂Dの含有量は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。本レジスト組成物が樹脂Aに加え、重合体Dを含有する場合、重合体Dと樹脂Aとの合計含有量が、組成物の固形分中80質量以上99質量以下であることが好ましい。<酸発生剤以下、場合により酸発生剤Bという。>酸発生剤Bは、非イオン系とイオン系とに分類される。非イオン系酸発生剤には、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類例えば2-ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N-スルホニルオキシイミド、N-スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン4-スルホネート、スルホン類例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン等が含まれる。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩が代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等がある。酸発生剤Bとしては、レジスト分野で使用される酸発生剤特に光酸発生剤だけでなく、光カチオン重合の光開始剤、色素類の光消色剤、又は光変色剤等の放射線光によって酸を発生する公知化合物及びそれらの混合物も、適宜、使用できる。例えば特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038号、特開昭63-163452号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029号や、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、欧州特許第126,712号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用できる。酸発生剤Bは、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは式B1で表されるスルホン酸塩以下、場合により酸発生剤B1という。である。[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、単結合又は2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数3~18の飽和環状炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基及び飽和環状炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]Q1及びQ2のペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。式B1では、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、好ましくはトリフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の飽和環状炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基、エタン-1,1-ジイル基、プロパン-1,1-ジイル基、プロパン-2,2-ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;直鎖状アルキレンに、アルキル基特に、炭素数1~4のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基等の側鎖を有したもの、例えば、ブタン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,2-ジイル基、ペンタン-1,4-ジイル基、2-メチルブタン-1,4-ジイル基等の分岐状アルカンジイル基;シクロブタン-1,3-ジイル基、1,3-シクロペンタン-1,3-ジイル基、シクロヘキサン-1,4-ジイル基、シクロオクタン-1,5-ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の飽和環状炭化水素基;ノルボルナン-1,4-ジイル基、ノルボルナン-2,5-ジイル基、1,5-アダマンタン-1,5-ジイル基、アダマンタン-2,6-ジイル基等の多環式の2価の飽和環状炭化水素基等が挙げられる。Lb1における前記2価飽和炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わった基としては、例えば、式b1-1~式b1-6が挙げられる。Lb1は、好ましくは式b1-1~式b1-4のいずれか、さらに好ましくは式b1-1又は式b1-2が挙げられる。なお、式b1-1~式b1-6は、その左右を式B1に合わせて記載しており、左側でCQ1Q2-と結合し、右側で-Yと結合する。以下の式b1-1~式b1-6の具体例も同様である。式b1-1~式b1-6中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb4は、炭素数1~13の2価の飽和炭化水素基を表す。但し、Lb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。Lb5は、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の2価の飽和炭化水素基を表す。但し、Lb6及びLb7の合計炭素数の上限は16である。Lb8は、炭素数1~14の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1~11の2価の飽和炭化水素基を表す。但し、Lb9及びLb10の合計炭素数の上限は12である。中でも、式b1-1で表される2価の基が好ましく、Lb2が単結合又はメチレン基である式b1-1で表される2価の基がより好ましい。式b1-1で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-4で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-5で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-6で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。Lb1の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基などが挙げられる。該アラルキル基の具体例は、炭素数7~21の範囲ですでに例示したものを含む。Yの脂肪族炭化水素基としては、炭素数1~6のアルキル基が好ましい。脂肪族炭化水素基及び脂環式炭化水素基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子但しフッ素原子を除く、ヒドロキシ基、オキソ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、ヒドロキシ基含有炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数3~16の飽和環状炭化水素基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基、グリシジルオキシ基又は-CH2j2-O-CO-Rb1基式中、Rb1は、炭素数1~16の脂肪族炭化水素基、炭素数3~16の飽和環状炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表す。などが挙げられる。Yの置換基である脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基等は、さらに置換基を有していてもよい。ここでの置換基は、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキソ基等が挙げられる。ヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基などが挙げられる。Yの脂肪族炭化水素基及び脂環式炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わった基としては、例えば、環状エーテル基メチレン基が酸素原子に置き換わった基、オキソ基を有する脂環式炭化水素基メチレン基がカルボニル基に置き換わった基、スルトン環基隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びスルホニル基に置き換わった基又はラクトン環基隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びカルボニル基に置き換わった基などが挙げられる。特に、Yの脂環式炭化水素基としては、式Y1~式Y26で表される基が挙げられる。なかでも、好ましくは式Y1~式Y19のいずれかで表される基であり、より好ましくは式Y11、式Y14、式Y15又は式Y19で表される基であり、さらに好ましくは式Y11又は式Y14で表される基である。脂肪族炭化水素基で置換された脂環式炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基で置換された脂環式炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。芳香族炭化水素基で置換された脂環式炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。-CH2j2-O-CO-Rb1基で置換された脂環式炭化水素基であるYとしては、例えば以下のものが挙げられる。Yは、好ましくは置換基例えば、ヒドロキシ基、オキソ基等を有していてもよいアダマンチル基であり、より好ましくはアダマンチル基、ヒドロキシアダマンチル基又はオキソアダマンチル基である。酸発生剤B1におけるスルホン酸アニオンとしては、例えば、置換基Lb1が式b1-1である以下の式b1-1-1~式b1-1-9で表されるアニオンが好ましい。以下の式においては、置換基の定義は上記と同じ意味であり、置換基Rb2及びRb3は、それぞれ独立に炭素数1~4の脂肪族炭化水素基好ましくは、メチル基を表す。脂肪族炭化水素基又は無置換の飽和環状炭化水素基であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオン又は脂肪族炭化水素基が置換された脂環式炭化水素基であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。-CH2j2-O-CO-Rb1基が置換された脂環式炭化水素基であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基が置換された飽和環状炭化水素基であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。芳香族炭化水素基又はアラルキル基が置換された脂環式炭化水素基であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。環状エーテル基であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。ラクトン環基であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。オキソ基を有する脂環式炭化水素であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。スルトン環基であるYと式b1-1で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。脂肪族炭化水素基又は無置換の脂環式炭化水素基であるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオン又は脂肪族炭化水素基が置換された脂環式炭化水素基であるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。-CH2j2-O-CO-Rb1基が置換された脂環式炭化水素基であるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基が置換された脂環式炭化水素基であるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。芳香族炭化水素基が置換された脂環式炭化水素基であるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。環状エーテル基であるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。ラクトン環基であるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。オキソ基を有するYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。スルトン環基であるYと式b1-2で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。脂肪族炭化水素基又は無置換のYと式b1-3で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオン又は脂肪族炭化水素基が置換された脂環式炭化水素基であるYと式b1-3で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。アルコキシ基が置換された脂環式炭化水素基であるYと式b1-3で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基が置換された脂環式炭化水素基であるYと式b1-3で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。オキソ基を有するYと式b1-3で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。脂肪族炭化水素基が置換された脂環式炭化水素基であるYと式b1-4で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。アルコキシ基が置換された脂環式炭化水素基であるYと式b1-4で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。ヒドロキシ基又はヒドロキシ基含有脂肪族炭化水素基が置換された脂環式炭化水素基であるYと式b1-4で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。オキソ基を有する脂環式炭化水素基であるYと式b1-4で表される2価の基とを含むスルホン酸アニオンとしては、例えば以下のものが挙げられる。なかでも、式b1-1で表される2価の基を有する以下のスルホン酸アニオンがより好ましい。酸発生剤B1に含まれるカチオンは、オニウムカチオン、例えば、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、ホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。酸発生剤B1に含まれるカチオンは、構造単位I-aを構成するカチオンとして例示したもののうち、式b2-1~式b2-4で示されるものを挙げることができる。好ましい酸発生剤B1は、式B1-1~式B1-17で表されるものである。中でも、ヒドロキシアダマンチル基を有するアニオンを含む酸発生剤B1-2~B1-5が好ましい。また、トリフェニルスルホニウムカチオンを含む酸発生剤B1-1、B1-2、B1-6、B1-11、B1-12、B1-13及びB1-14がより好ましい。本レジスト組成物において、酸発生剤Bの含有量は、樹脂A100質量部に対して、好ましくは1質量部以上より好ましくは3質量部以上、好ましくは30質量部以下より好ましくは25質量部以下である。<塩基性化合物以下、場合により塩基性化合物Cという。>本レジスト組成物は、塩基性化合物Cを含有してもよい。塩基性化合物Cを含有する場合は、その含有量は、本レジスト組成物の固形分量を基準に、0.01~1質量程度であることが好ましい。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物例えば、アミンである。アミンは、脂肪族アミンでも、芳香族アミンでもよい。脂肪族アミンは、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンのいずれも使用できる。芳香族アミンは、アニリンのような芳香族環にアミノ基が結合したものや、ピリジンのような複素芳香族アミンのいずれでもよい。好ましい塩基性化合物Cとして、式C2で表される芳香族アミン、特に式C2-1で表されるアニリン化合物が挙げられる。式C2及び式C2-1中、Arc1は、芳香族炭化水素基を表す。Rc5及びRc6は、それぞれ独立に、水素原子、脂肪族炭化水素基好ましくはアルキル基又はシクロアルキル基、脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基を表す。但し該脂肪族炭化水素基、該脂環式炭化水素基又は該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基、又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アミノ基は、炭素数1~4のアルキル基で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。前記脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~18程度であり、前記脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数5~10程度であり、前記芳香族炭化水素基は、好ましくは炭素数6~10程度である。Rc7は、脂肪族炭化水素基好ましくはアルキル基、アルコキシ基、脂環式炭化水素基好ましくはシクロアルキル基又は芳香族炭化水素基を表す。但し該脂肪族炭化水素基、該アルコキシ基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基は、上記と同様の置換基を有していてもよい。m3は0~3の整数を表す。m3が2以上のとき、複数のRc7は、互いに同一でも異なってもよい。Rc7の脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基及び芳香族炭化水素基の好ましい炭素数は、上記と同じであり、Rc7のアルコキシ基は、好ましくは炭素数1~6程度である。式c2で表される芳香族アミンとしては、例えば、1-ナフチルアミン及び2-ナフチルアミンなどが挙げられる。式c2-1で表されるアニリン化合物としては、例えば、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ジフェニルアミンなどが挙げられる。中でもジイソプロピルアニリン特に2,6-ジイソプロピルアニリンが好ましい。また、塩基性化合物Cとしては、式C3~式C11で表される化合物が挙げられる。式C3~式C11中、Rc8は、上記Rc7で説明したいずれかの基を表す。窒素原子と結合するRc9、Rc10、Rc11~Rc14、Rc16~Rc19及びRc22は、それぞれ独立に、Rc5及びRc6で説明したいずれかの基を表す。芳香族炭素と結合するRc20、Rc21、Rc23~Rc28は、それぞれ独立に、Rc7で説明したいずれかの基を表す。o3、p3、q3、r3、s3、t3及びu3は、それぞれ独立に0~3の整数を表す。o3が2以上のとき、複数のRc20は互いに同一であっても異なってもよく、p3が2以上のとき、複数のRc21は互いに同一であっても異なってもよく、q3が2以上のとき、複数のRc24は互いに同一であっても異なってもよく、r3が2以上のとき、複数のRc25は互いに同一であっても異なってもよく、s3が2以上のとき、複数のRc26は互いに同一であっても異なってもよく、t3が2以上のとき、複数のRc27は互いに同一であっても異なってもよく、u3が2以上のとき、複数のRc28は互いに同一であっても異なってもよい。Rc15は、脂肪族炭化水素基、飽和環状炭化水素基又はアルカノイル基を表す。n3は0~8の整数を表す。n3が2以上のとき、複数のRc15は、互いに同一でも異なってもよい。Rc15の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~6程度であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数3~6程度であり、アルカノイル基は、好ましくは炭素数2~6程度である。Lc1及びLc2は、それぞれ独立に、2価の脂肪族炭化水素基好ましくはアルキレン基、-CO-、-C=NH-、-C=NRc3-、-S-、-S-S-又はこれらの組合せを表す。該2価の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~6程度である。Rc3は、炭素数1~4のアルキル基を表す。式C3で表される化合物としては、例えば、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられる。式C4で表される化合物としては、例えば、ピペラジンなどが挙げられる。式C5で表される化合物としては、例えば、モルホリン、4-モルホリン、4-[2-[2-メトキシエトキシエトキシ]エチル]モルホリンなどが挙げられる。式C6で表される化合物としては、例えば、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。式C7で表される化合物としては、例えば、2,2’-メチレンビスアニリンなどが挙げられる。式C8で表される化合物としては、例えば、イミダゾール、4-メチルイミダゾールなどが挙げられる。式C9で表される化合物としては、例えば、ピリジン、4-メチルピリジンなどが挙げられる。式C10で表される化合物としては、例えば、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン、2,2’-ジピコリルアミンなどが挙げられる。式C11で表される化合物としては、例えば、ビピリジンなどが挙げられる。<溶剤D>後述するレジストパターンの製造に用いるうえで、本レジスト組成物は溶剤Dを含有していると好ましい。該溶剤Dは、樹脂Aなどの種類及びその量に応じ、さらに後述するレジストパターンの製造において、基板上に本レジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好となるという点から適宜、最適なものを選ぶことができる。溶剤Dとしては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ-ブチロラクトンのような環状エステル類などを挙げることができる。溶剤Dは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<その他の成分>本レジスト組成物は、樹脂A及び溶剤Dを含有するものであるが、必要に応じて、酸発生剤Bや塩基性化合物C以外の構成成分を含有していてもよい。この構成成分を成分Fという。かかる成分Fとしては、本技術分野で広く用いられている添加剤であり、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料などである。<本レジスト組成物の調製方法>続いて、好ましい本レジスト組成物の調製方法を説明する。かかる本レジスト組成物は、樹脂A及び溶剤Dを混合することで調製することができる。また、必要に応じて、酸発生剤B、塩基性化合物Cや成分Fなどの添加剤を含有させることもある。かかる混合において、その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10~40°Cの範囲から、樹脂Aの種類や樹脂Aの溶剤Dに対する溶解度などに応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5~24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合などを用いることができる。本レジスト組成物を調製する際に用いる各成分の含有割合は、それらの使用量により調節することができる。本レジスト組成物の固形分について述べることがあるが、この固形分とは、本レジスト組成物から溶剤Dを除いた成分の合計を意味する。該固形分の質量及び本レジスト組成物に含まれる各成分の含有量は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。なお、成分Fを本レジスト組成物に用いる場合には、当該成分Fの種類に応じて、適切な含有量を調節することもできる。このように、樹脂A及び溶剤D、必要に応じて用いられる酸発生剤B、塩基性化合物C又は成分Fの各々を好ましい含有量で混合した後は、孔径0.01~0.2μm程度のフィルターを用いてろ過などすることにより、本レジスト組成物は調製できる。<レジストパターンの製造方法>本レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法を具体的に示すと、1本レジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物から溶剤Dを除去して、組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、及び5加熱後の組成物層を、現像する工程を含む方法を挙げることができる。以下、ここに示す工程の各々を、工程1~工程5のようにいう。工程1における本レジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーターなど、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。かくして基板上にレジスト組成物からなる塗布膜が形成される。当該塗布装置の条件塗布条件を種々調節することで、該塗布膜の膜厚は調整可能であり、適切な予備実験等を行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。本レジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。なお、本レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、密着性改良膜、あるいは反射防止膜などを形成したりしてもよい。この反射防止膜の形成には例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いることができる。工程2においては、基板上に塗布された本レジスト組成物、すなわち塗布膜から溶剤溶剤Dを除去する。このような溶剤除去は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いた加熱手段いわゆるプリベーク、又は減圧装置を用いた減圧手段により、或いはこれらの手段を組み合わせて、該塗布膜から溶剤を蒸発させることにより行われる。加熱手段や減圧手段の条件は、本レジスト組成物に含まれる溶剤Dの種類等に応じて選択でき、例えばホットプレートの場合、該ホットプレートの表面温度を50~200°C程度の範囲にすることが好ましい。また、減圧手段では、適当な減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、該減圧機の内部圧力を1~1.0×105Pa程度にすればよい。かくして塗布膜から溶剤を除去することにより、該基板上には組成物層が形成される。工程3は該組成物層を露光する工程であり、好ましくは、露光機を用いて該組成物層を露光するものである。この際には、微細加工を実施しようとする所望のパターンが形成されたマスクフォトマスクを介して露光が行われる。露光機の露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2エキシマレーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、超紫外光EUV波長13.5nm、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。さらには、電子線を用いた直接描画であってもよい。また、該露光機は液浸露光機液浸媒体としては、超純水などが用いられる。であってもよい。これらの露光方法の中でも、本レジスト組成物は、超紫外光EUV露光による方法、又は電子線による直接描画によりレジストパターンを製造すると、極めて良好なラインエッジラフネスLERを有するレジストパターンを製造できる。そのため、本レジスト組成物は、電子線照射用又は超紫外光EUV露光用のレジスト組成物として特に好適である。ここでは、マスクを介して露光する方法についてさらに説明する。上述のとおり、マスクを介して露光することにより、該組成物層には露光された部分露光部及び露光されていない部分未露光部が生じる。露光部の組成物層では該組成物層に含まれる樹脂A中の酸形成基が露光エネルギーを受けて酸基となり、さらに生成した酸基の作用により、樹脂Aにある酸不安定基が脱保護反応により親水性基を生じ、結果として露光部の組成物層はアルカリ水溶液に可溶なものとなる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けていないため、アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままとなる。かくして、露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違するため、アルカリ水溶液による現像によりレジストパターンを形成することができる。工程4では、工程3で述べた脱保護反応をさらに促進させるための加熱処理であり、工程2で説明したホットプレート等の加熱装置を用いた加熱手段が通常用いられる。工程5は、加熱後の組成物層を現像する工程であり、好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置により現像するものである。ここでいう現像とは、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させることにより、露光部の組成物層を該アルカリ水溶液に溶解させて除去することである。未露光部は、上述のとおりアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶であるため、基板に残り、当該基板上にレジストパターンが製造される。前記アルカリ水溶液としては、アルカリ現像液と称される本技術分野で公知のものを用いることができる。該アルカリ水溶液としては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液や2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液などが挙げられる。現像後、好ましくは超純水などでリンス処理を行い、さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去することが好ましい。<用途>本レジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線EB照射用のレジスト組成物電子線用レジスト組成物又はEUV露光用のレジスト組成物EUV用レジスト組成物などに有用である。特に、電子線又はEUVを露光源とする光リスグラフィーに用いると、極めて良好なラインエッジラフネスのレジストパターンを製造できる。次に実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。なお、含有量ないし使用量を表す又は部は、特記しない限り、重量基準である。得られた樹脂の平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィによって算出した。なお、測定条件は下記のとおりである。カラム:TOSOHTSKgelMultiporeHXL-M3本guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:1.0mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μL分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製合成例1比較例に用いた樹脂B2の合成構成比が、b1:b2=70:30である樹脂B2については、特開2003-107708号に準じて合成を行った。重量平均分子量はMwは7345であり、分子量分散Mw/Mnは1.916である。本レジスト組成物に含有される樹脂の合成例に用いたモノマーを以下に示す。化合物I-100及び化合物I-200の合成を以下に示す。合成例2[化合物I-100の合成]化合物I-100の合成スキームを以下に示す。化合物a13.4g;8.8ミリモル及び化合物b50.0g;114.0ミリモルを、脱水N,N-ジメチルホルムアミドDMF;300gに溶解して溶液とした。この溶液に、炭酸カリウム24.3g;175.8ミリモルを加えて、50°C~54°Cで24時間加熱攪拌した。冷却後、反応溶液を5シュウ酸水で希釈して、クロロホルムで抽出した。有機層クロロホルム層を純水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。硫酸マグネシウムをろ過で除去し、有機層を減圧下に濃縮して、油状物質38.4gを得た。得られた油状物質をクロロホルム80gに溶解した。クロロホルム層をメチル-t-ブチルエーテル200gで、5回分液洗浄した。洗浄後のクロロホルム層を濃縮して、化合物I-100を30.0g得た。収率61.61H-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質テトラメチルシラン:δppm7.72~7.62m,15H;7.34~7.28m,4H;6.63q,1H;5.67d,1H;5.265.21d,1H13C-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質クロロホルム:δppm162.55;137.37;136.15;134.41;134.22;131.45;131.09;128.04;126.14;124.34;114.19;113.43;t,J=285Hz;67.6919F-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質フルオロベンゼン:δppm-105.79LC-MS:263.0[M];C18H15S=263.09291.0[M]-;C11H9F2O5S=291.01なお、NMR及びLC-MSの分析条件は次のとおりであり、その他の例における分析条件も同様である。NMR:JEOLECA-500を用いて測定を行った。LC-MS:LC装置:Agilient1100カラム:KinetexC183.0mmφ×50mm移動相溶媒:A液:0.05トリフルオロ酢酸水、B液:アセトニトリル0.05トリフルオロ酢酸添加グラジエント:初期10B液、70A液10分後100B液15分後100B液分析終了流速:0.5mL/min注入量:0.5μL検出器:220、254、280nmUV検出MS装置:HPLC/MSD合成例3[化合物I-200の合成]1化合物oの合成化合物oの合成スキームを以下に示す。化合物l43.6g;78.1ミリモル及び、ジエチル硫酸化合物m:12.0g;77.8ミリモルを、クロロホルム220g中で、内温26°C~31°Cで3時間攪拌した。得られた反応溶液に、化合物n26g;78.1ミリモルのクロロホルム130g溶液を加えて、さらに一晩室温26°C~29°Cで攪拌した。反応溶液に純水200gを注加して、さらに1時間攪拌した。反応溶液をクロロホルムで抽出した。有機層クロロホルム層を純水で洗浄して、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。硫酸マグネシウムをろ過により除去し、濃縮して、析出した結晶をろ過した。少量のt-ブチルメチルエーテルで洗浄した後、乾燥して、化合物oを47.3g収率:96.6得た。1H-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質テトラメチルシラン:δppm7.84~7.77m,12H;4.25t,2H;3.55t,2H;1.93~1.87m,2H;1.78~1.72m,2H;1.33s,27H13C-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質クロロホルム:δppm162.04t,J=30Hz;130.87;128.32122.10;113.09t,J=285Hz;65.3835.07;34.4630.57;28.48;26.5319F-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質フルオロベンゼン:δppm-105.372化合物pの合成化合物pの合成スキームを以下に示す。化合物o34.4g;54.8ミリモル及び、化合物d6.9g;54.8ミリモルを、無水アセトニトリル100gに溶解して溶液とした。この溶液に炭酸カリウム10.1g;73.1ミリモル及び微量のメトキノンを添加して、50°Cで6時間加熱攪拌した。さらに一晩室温~20°Cで攪拌した。反応溶液を5塩酸68gで酸性にして、クロロホルムで抽出した。有機層クロロホルム層を純水で洗浄して、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。硫酸マグネシウムをろ過により除去し、濃縮して、化合物pを34.4g収率:93.3得た。1H-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質テトラメチルシラン:δppm7.95;7.66~7.59m,15H;7.05~7.02m,2H;6.81~6.78m,2H;4.17t,2H;2.61t,2H;1.77~1.67m,2H;1.57~1.52m,2H;1.30s,27HLC-MS:431.4[M];C30H39S=431.28355.2[M]-;C12H13F2O6S2=355.013化合物I-200の合成化合物I-200の合成スキームを以下に示す。化合物p12.1g;18.0ミリモル及び、化合物a4.2g;27.5ミリモルを、無水アセトニトリル60gに溶解して溶液にした。この溶液に炭酸カリウム5.0g;36.2ミリモル及び微量のメトキノンを添加して、60°Cで3時間加熱攪拌した。さらに一晩室温~23°Cで攪拌した。反応溶液を2塩酸95gで希釈して、クロロホルムで抽出した。有機層クロロホルム層を純水で洗浄して、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。硫酸マグネシウムをろ過により除去し、濃縮して、油状物質29.1gを得た。得られた油状物質をシリカゲルクロマトグラフィークロロホルム/メタノール展開で精製して、化合物I-200を13.1g収率:92.3得た。1H-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質テトラメチルシラン:δppm7.82~7.75m,12H;7.50~7.41m,4H;7.33~7.30m,2H;6.99~6.97m,2H;6.74q,1H;5.84d,1H;5.26d,1H;5.084.21t,2H;2.86t,2H;1.76~1.70m,2H;1.61~1.56m,2H;1.32s,27H13C-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質クロロホルム:δppm162.07t,J=30Hz;157.50;157.22;136.64136.53;136.21;131.86;130.86;128.31;127.88;126.25;126.14;122.08;115.58;114.35;113.11t,J=285Hz;69.0065.76;35.0533.63;30.56;26.72;24.7819F-NMR測定溶媒CDCl3;内部標準物質フルオロベンゼン:δppm-105.21LC-MS:431.4[M];C30H39S=431.28471.0[M]-;C21H21F2O6S2=471.08実施例1樹脂X1の合成化合物I-1006.62g、モノマーA8.00g、モノマーH及びモノマーI10.45gを、10:30:30:30のモル比で反応器に仕込み、全モノマー量の1.5重量倍のジオキサンを加えて溶液とした。そこに開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル0.21gとアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル0.96gを全モノマー量に対してそれぞれ1mol、3mol添加し、73°Cで約5時間加熱した。その後、反応液を、大量のメタノールと水の混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させた。沈殿した樹脂をろ過し、この樹脂を再び、ジオキサンに溶解し、大量のメタノールと水の混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させるという操作を3回行って精製し、重量平均分子量Mwが6.5×103の樹脂22.03g:収率65.9を得た。この樹脂は、下記の構造単位を有するものであり、分子量分散は3.7、ガラス転移温度Tgは133.8°Cであった。これを樹脂X1とする。実施例2樹脂X2の合成温度計、還流管を装着した4つ口フラスコに、アセトニトリル7.45g、モノマーA0.80g部を仕込み、窒素ガスで30分間バブリングを行った。窒素シール下で72°Cまで昇温した後、化合物I-1002.63g、モノマーA7.20g、モノマーH9.03g、モノマーC1.49g、モノマーF1.91g、モノマーG1.77g、アゾビスイソブチロニトリル0.16g、アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル0.71g及びアセトニトリル29.79gを混合した溶液を、72°Cを保ったまま1時間かけて滴下した。滴下終了後、72°Cで5時間保温した。その後、反応液を、メタノール258g及びイオン交換水65gの混合液中へ攪拌しながら注ぎ、析出した樹脂を濾取した。濾物をメタノール161gに投入し、攪拌して濾過するという操作を、2回行った。その後減圧乾燥を行いMw:3.9×103、Mw/Mn:1.55の共重合体を13.33g得た。この共重合体は、下記の構造単位を有するものであり、これを樹脂X2とする。実施例3樹脂X3の合成冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに、アセトニトリルを16.21gを仕込み、窒素置換後82°Cまで昇温した。そこへモノマーJ8.00g、モノマーA8.86g、モノマーD2.81g、化合物I-13.30g、モノマーG4.05g及びアゾビスイソブチロニトリル0.68gをアセトニトリル24.31gに溶解した溶液を、1時間かけて滴下した。その後82°Cを保ったまま6時間攪拌を継続した。冷却したメタノール351gに、得られた反応液を注ぎ樹脂を沈殿させた。ろ過後、得られた樹脂をメチルイソブチルケトン81gに溶解し、p-トルエンスルホン酸0.54gをイオン交換水54.02gに溶かした溶液を加え6時間撹拌し、モノマーJに由来する構造単位の-O-CHCH3-O-CH2CH3を-OHに変換した。分液後、有機層をイオン交換水54gで3度洗浄し、メタノール54gを加え、81gになるまで濃縮した。この溶液をn-ヘプタン351gに注ぎ樹脂を析出させた。析出した樹脂を濾取し減圧乾燥して、Mw:約5.48×103、Mw/Mn:1.31の樹脂5.55g得た。この樹脂は、下記の構造単位を有するものであり、これを樹脂X3とする。実施例4樹脂X4の合成冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに、アセトニトリル19.75gを仕込み、窒素置換後80°Cまで昇温した。そこへ、モノマーJ12.00g、モノマーA、モノマーB6.50g、モノマーE、モノマーK、化合物I-2006.26g及びアゾビスイソブチロニトリル2.05gをアセトニトリル29.63gに溶解した溶液を1時間かけて滴下した。その後80°Cを保ったまま6時間攪拌を継続した。冷却したメタノール342g及びイオン交換水86gの混合溶液に、得られた反応液を注ぐことで樹脂を沈殿させ、これをろ過した。得られた樹脂をメチルイソブチルケトン99gに溶解し、p-トルエンスルホン酸0.66gをイオン交換水66gに溶かした溶液を加え室温で6時間撹拌した。分液して水層を除去後、有機層を、イオン交換水66gを用いて3度分液洗浄した。有機層にメチルイソブチルケトン66gを加え、全量が132gになるまで濃縮した。この溶液をn-ヘプタン428gに注ぎ重合体を析出させた。析出した樹脂を濾取し減圧乾燥して、Mw:約3.57×103、Mw/Mn:1.417の樹脂18.75g得た。この樹脂は、下記の構造単位を有するものであり、これを樹脂X4とする。実施例5樹脂X5の合成冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコにアセトニトリル5gを仕込み、窒素置換後70°Cまで昇温した。そこへ、モノマーA7.1g、モノマーD、モノマーG3.8g、化合物I-2005.0g、アゾビスイソブチロニトリル0.13g及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル0.57gをアセトニトリル30gに溶解した溶液を、73°C~75°Cで1.5時間かけて滴下した。その後73°C~75°Cを保ったまま5時間攪拌を継続した。90メタノール水520gに、得られた反応液を注ぐことで樹脂を沈殿させ、これをろ過した。得られた樹脂をメタノールで洗浄して、減圧乾燥して、Mw:約4.3×103、Mw/Mn1.433の樹脂10.5g得た。この樹脂は、下記の構造単位を有するものであり、これを樹脂X5とする。比較樹脂合成例1樹脂B1;メタクリル酸2-エチル-2-アダマンチル/p-ヒドロキシスチレン共重合体20:80については、特開2003-107708号に準じて合成を行った。比較樹脂合成例2樹脂B2;メタクリル酸2-エチル-2-アダマンチル/p-ヒドロキシスチレン共重合体30:70については、特開2003-107708号に準じて合成を行った。実施例及び比較例以下の各成分を表10に記載の部数で混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素ポリマー製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。<樹脂>樹脂X2、X4、X5、比較樹脂B1、B2<光酸発生剤>光酸発生剤P1:トリフェニルスルホニウム4-オキソ-1-アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナートを、特開2007-224008号に記載の方法に従って合成した。<クエンチャー>クエンチャーQ1:テトラnブチルアンモニウムサリチラートクエンチャーQ2:2,6-ジイソプロピルアニリンクエンチャーQ3:トリオクチルアミン<溶剤>溶媒S1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート300部プロピレングリコールモノメチルエーテル150部γ-ブチロラクトン5部溶媒S2:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート380部プロピレングリコールモノメチルエーテル150部γ-ブチロラクトン40部[表10]━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━組成物No樹脂光酸発生剤クエンチャー溶剤━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━組成物1X2=10部なしQ1=004部溶媒S1組成物2X2=10部なしQ1=003部溶媒S1組成物3X2=10部なしQ2=001部溶媒S2組成物4X4=10部なしQ2=001部溶媒S2組成物5X5=10部なしQ2=001部溶媒S2組成物6X2=10部P105部Q3=005部溶媒S2組成物7X4=10部P105部Q3=005部溶媒S2組成物8X5=10部P105部Q3=005部溶媒S2組成物9B1B2=5部5部P115部Q1=008部溶媒S1シリコンウェハーを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて90°Cで60秒処理した上で、上記のレジスト液を乾燥後の膜厚が表11の膜厚の欄に示す値となるようにスピンコートした。レジスト液塗布後は、ダイレクトホットプレート上にて、表11のPBの欄に示す温度で60秒間プリベークした。こうしてレジスト膜を形成したそれぞれのウェハーに、電子線描画機株日立製作所製のHL-800D50KeVを用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後は、ホットプレート上にて表11のPEBの欄に示す温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに2.38重量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。シリコン基板上のもので現像後のパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、その結果を表11に示した。実効感度:0.2μmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量で表示した。解像度:実効感度の露光量で分離するラインアンドスペースパターンの最小寸法で表示した。<ラインエッジラフネス評価LER>リソグラフィプロセス後のレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパターンの側壁の凹凸の触れ幅が、15nm以下であるものを○15nmを超え、20nm以下であるものを△、20nmを超えるものを×とした。これらの結果を表11に示す。[表11]━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━例組成物No膜厚PBPEB実効感度解像度LERnm━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━実施例1組成物160110°C110°C5260○実施例2組成物250110°C110°C4650○実施例3組成物340110°C110°C4450○実施例4組成物440110°C110°C3250○実施例5組成物540110°C110°C3660○実施例6組成物640110°C110°C2460○実施例7組成物740110°C110°C2060○実施例8組成物840110°C110°C3260○比較例1組成物960100°C100°C2290×━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━表11の結果から、本発明の重合体を含むレジスト組成物により形成されたレジストパターンは、解像度とLERに優れることが確認された。"