荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、前記基板に対向して荷電粒子線を射出する最終電極板を含む荷電粒子光学系と、前記最終電極板に対向する前記基板と前記最終電極との間に配置されるように設けられた捕捉電極板と、前記基板の表面の電位に対して正の電位を前記捕捉電極板に付与する第1電位付与部と、を有することを特徴とする描画装置。前記最終電極板は、前記荷電粒子線を通過させる第1開口を有し、前記捕捉電極板は、前記第1開口の寸法よりも大きな寸法を有して前記第1開口を露出させる第2開口を有する、ことを特徴とする請求項1に記載の描画装置。絶縁体を有し、前記第1開口及び前記第2開口のそれぞれは、円形形状を有し、前記捕捉電極板は、前記第1開口の中心と前記第2開口の中心とが一致するように、前記絶縁体を介して前記最終電極板に支持されている、ことを特徴とする請求項2に記載の描画装置。前記捕捉電極板は、リング形状を有する、ことを特徴とする請求項3に記載の描画装置。前記基板の表面の電位以下の電位を前記最終電極板に付与する第2電位付与部を有する、ことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の描画装置。絶縁体を有し、前記最終電極板は、前記基板に対向する溝部を含み、前記捕捉電極板は、前記溝部において前記絶縁体を介して前記最終電極板に支持されている、ことを特徴とする請求項1に記載の描画装置。前記捕捉電極板は、前記溝部から突出しないように配置されている、ことを特徴とする請求項6に記載の描画装置。請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、前記工程で描画が行われた前記基板を現像する工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。荷電粒子レンズの汚染は、マルチ荷電粒子線方式の描画装置に限らず、低減することが好ましい。しかしながら、特許文献1の技術では、荷電粒子レンズの汚染を十分に防止することができない。その結果、荷電粒子レンズの荷電粒子線を通過させる開口の周りにカーボンを主成分とする汚染物質コンタミナントの膜が堆積して荷電粒子線の軌道に影響を与えてしまうという問題がある。これは、基板と荷電粒子レンズとの間に箔を挿入したとしても、基板からのアウトガス、及び、荷電粒子線が基板に入射することで生じる2次電子が箔の開口を通過して荷電粒子レンズの開口に到達してしまうからである。また、荷電粒子レンズの開口の周りに堆積した膜によって荷電粒子レンズの開口の真円度が変化し、収差が発生してしまうという問題もある。本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、荷電粒子レンズの汚染を低減するのに有利な技術を提供することを例示的目的とする。上記目的を達成するために、本発明の一側面としての描画装置は、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、前記基板に対向して荷電粒子線を射出する最終電極板を含む荷電粒子光学系と、前記最終電極板に対向する前記基板と前記最終電極との間に配置されるように設けられた捕捉電極板と、前記基板の表面の電位に対して正の電位を前記捕捉電極板に付与する第1電位付与部と、を有することを特徴とする。本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。本発明によれば、例えば、荷電粒子レンズの汚染を低減するのに有利な技術を提供することができる。以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。<第1の実施形態>図1は、本発明の一側面としての描画装置100の構成を示す概略図である。描画装置100は、荷電粒子線電子線を用いて基板にパターンを描画する描画装置であって、本実施形態では、マルチ荷電粒子線方式の描画装置である。但し、描画装置100は、シングル荷電粒子線方式の描画装置であってもよい。描画装置100は、電子源101と、荷電粒子レンズ109を基板側の端部に有し、荷電粒子線を基板110に導く荷電粒子光学系119と、チャンバ115及び116とを備える。また、荷電粒子光学系119は、荷電粒子レンズ109の他に、コリメーターレンズ103、アパーチャアレイ104、荷電粒子レンズ105、ブランカーアレイ106、ストッピングアパーチャアレイ107及びディフレクター108も有する。電子源101は、クロスオーバー像102を形成する。クロスオーバー像102から発散した荷電粒子線は、コリメーターレンズ103を介して、アパーチャアレイ104に入射する。コリメーターレンズ103は、クロスオーバー像102から発散した荷電粒子線を略平行な荷電粒子線に変換する。アパーチャアレイ104は、マトリクス状に配列された複数の円形形状の開口を有し、コリメーターレンズ103を通過した荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割する。アパーチャアレイ104を通過した荷電粒子線は、円形形状の開口をそれぞれ有する複数の電極板例えば、3つの電極板で構成された荷電粒子レンズ105に入射する。荷電粒子レンズ105を通過した荷電粒子線が最初にクロスオーバー像を形成する位置には、マトリクス状に配列された複数の微小開口を有するストッピングアパーチャアレイ107が配置されている。ストッピングアパーチャアレイ107によるブランキング動作は、ブランカーアレイ106によって実行される。ストッピングアパーチャアレイ107を通過した電子ビームは、荷電粒子レンズ109によって結像され、基板110の上にクロスオーバー像102に相当する像を形成する。荷電粒子レンズ109は、荷電粒子レンズ105と同様に、円形形状の開口をそれぞれ有する複数の電極板例えば、3つの電極板で構成される。基板110にパターンを描画する際には、基板110を保持する基板ステージ111をX軸方向に連続的に移動させながら、基板ステージ111の位置をレーザ干渉計で計測する。そして、レーザ干渉計による実時間での計測結果基板ステージ111の位置を基準とし、ブランカーアレイ106によって荷電粒子線をブランキングしながら、基板110の上の像をディフレクター108でY軸方向に偏向する。これにより、基板110にパターンを描画することができる即ち、所望の潜像を基板110の上のレジストに形成することができる。また、描画装置100は、荷電粒子線の減衰や高電圧による放電を防止するために、内部を真空又は減圧環境に維持するチャンバに収納されている。かかるチャンバは、内部の圧力を、例えば、10-5Pa以下に維持する。なお、荷電粒子光学系119が配置される空間には高い真空度が要求されるため、基板ステージ111が配置される空間などのガスの発生が多い空間と別にする必要がある。そこで、本実施形態では、荷電粒子光学系119をチャンバ115に収納し、基板ステージ111をチャンバ116に収納する。そして、排気口117を介してチャンバ115の内部を真空排気し、排気口118を介してチャンバ116の内部を真空排気する。荷電粒子レンズ109は、パターンを描画する対象である基板110に対向し、荷電粒子線を射出する。荷電粒子レンズ109は、上述したように、複数の電極板で構成されるが、複数の電極板のうち最も基板側の最終電極板には、描画装置100を使用するにつれて汚染物質コンタミナントの膜以下、コンタミ膜とするが堆積する。荷電粒子レンズ109の最終電極板にコンタミ膜が堆積する理由について説明する。荷電粒子線が基板110に入射すると、基板110から2次電子が生じる。また、荷電粒子線のエネルギーによって、基板110に塗布されたレジストからカーボンを含んだ有機ガスアウトガスが生じる。そして、有機ガスが荷電粒子レンズ109の最終電極板の近傍に存在するときに、2次電子が荷電粒子レンズ109の最終電極板に入射すると、有機ガスに含まれるカーボンが分解され、最終電極板にカーボンを主成分とするコンタミ膜が堆積する。荷電粒子レンズ109の最終電極板にコンタミ膜が堆積すると、最終電極板の開口を通過する荷電粒子線の軌道に影響を与えてしまう。また、荷電粒子レンズ109の最終電極板に堆積したコンタミ膜の厚さが厚くなると、最終電極板の開口の形状が変化し不均一になり、荷電粒子線の収差が増大して基板110の上の像が変形してしまう。その結果、基板110にパターンを高精度に描画することができなくなる。そこで、本実施形態では、描画装置100は、基板110からの2次電子が荷電粒子レンズ109の最終電極板特に、最終電極板の開口の近傍に入射することを防止する構成を備える。具体的には、描画装置100は、図2及び図3に示すように、捕捉電極板203と、絶縁体301と、第1電位付与部303とを備える。図2は、基板側から見た描画装置100の構成特に、捕捉電極板203及び荷電粒子レンズ109を示す図である。荷電粒子レンズ109の最終電極板202は、図2に示すように、荷電粒子線を通過させる開口第1開口201を有する。また、捕捉電極板203は、基板110からの2次電子を捕捉するための電極板であって、最終電極板202の開口201の寸法よりも大きな寸法を有して開口201を露出させる開口第2開口204を有する。換言すれば、捕捉電極板203は、最終電極板202の開口201に露出しない寸法を有する。図3は、図2に示す描画装置100のA-A’断面図である。絶縁体301は、荷電粒子レンズ109の最終電極板202と捕捉電極板203とを結合し、最終電極板202と基板110との間において捕捉電極板203を支持する。絶縁体301は、最終電極板202と捕捉電極板203との間を絶縁する。また、絶縁体301は、捕捉電極板203の開口204から露出しないような寸法を有するとよい。これにより、絶縁体301にコンタミ膜が堆積することが防止され、最終電極板202と捕捉電極板203との間の絶縁を維持することができる。第1電位付与部303は、基板110の表面及び最終電極板202に付与される電位に対して正電位となる電位を捕捉電極板203に付与する。但し、本実施形態では、基板110及び荷電粒子レンズ109の最終電極板202が接地されているため、第1電位付与部303は、接地に対して正電位となる1Vから200V程度の電位V1を捕捉電極板203に付与する。第1電位付与部303によって正の電位V1が付与された捕捉電極板203は、基板110からの2次電子SEを捕捉することが可能となる。例えば、荷電粒子線CBが基板110に入射すると、基板110から2次電子SEが生じるが、正の電位V1が捕捉電極板203に付与されているため、2次電子SEの軌道は、図3に矢印で示すように、捕捉電極板203に向かう軌道となる。これにより、最終電極板202の開口201の近傍に到達する2次電子SEが低減する即ち、最終電極板202に入射する2次電子SEの量が低減する。従って、荷電粒子レンズ109の最終電極板202特に、開口201の近傍に堆積するコンタミ膜の量堆積量を低減することができる。また、捕捉電極板203は、最終電極板202の開口201の中心と捕捉電極板203の開口204の中心とが一致するように即ち、同軸となるように、絶縁体301によって支持されているとよい。これにより、捕捉電極板203に電位を付与することで発生する電場を均一にすることができる。また、捕捉電極板203にはコンタミ膜が堆積するため、捕捉電極板203の開口204の径L2は、コンタミ膜が堆積するにつれて小さくなる。従って、捕捉電極板203の開口204の径L2は、最終電極板202の開口201の径L1よりも大きくする必要がある。具体的には、捕捉電極板203の開口204の径L2を最終電極板202の開口201の径L1よりも0.1~20ミクロン程度大きくすればよい。また、絶縁体301の厚さは、例えば、0.5~10ミクロン程度、捕捉電極板203の厚さは、例えば、1ミクロン程度にすればよい。<第2の実施形態>描画装置100は、基板110からの2次電子が荷電粒子レンズ109の最終電極板に入射することを防止する構成として、図4に示すように、捕捉電極板203、絶縁体301及び第1電位付与部303に加えて、第2電位付与部401を備えていてもよい。第2電位付与部401は、基板110の表面の電位以下の電位を最終電極板202に付与する。図4は、描画装置100における荷電粒子レンズ109の最終電極板202の近傍の構成を示す図である。本実施形態では、基板110が接地され、第1電位付与部303は、接地に対して正電位となる電位V1を捕捉電極板203に付与し、第2電位付与部401は、接地に対して負電位となる電位V2を最終電極板202に付与する。第1電位付与部303によって正の電位V1が付与された捕捉電極板203は、基板110からの2次電子SEを引きつける。一方、第2電位付与部401によって負の電位V2が付与された最終電極板202は、基板110からの2次電子SEを反発する。従って、最終電極板202の開口201の近傍に到達する2次電子SEが低減し、荷電粒子レンズ109の最終電極板202特に、開口201の近傍に堆積するコンタミ膜の量堆積量を効果的に低減することができる。なお、捕捉電極板203に付与する電位V1をゼロとし即ち、電位を付与せず、最終電極板202のみに電位V2を付与して2次電子SEを反発させれば、最終電極板202の開口201の近傍にコンタミ膜が堆積することを防止することが可能である。但し、最終電極板202によって反発された2次電子SEが再び基板110に入射し、基板110の上の描画領域の外側が感光してしまうため、潜像がぼやけてパターンを高精度に描画することができなくなる。<第3の実施形態>捕捉電極板203は、図5に示すように、リング形状を有していてもよい。図5は、基板側から見た捕捉電極板203の構成の一例を示す図である。捕捉電極板203をリング形状にすることで、捕捉電極板203に電位を付与することで発生する電場の乱れを低減することができる。また、捕捉電極板203をリング形状にすることで、捕捉電極板203に付与する電位V1を大きくしても、基板110の上に形成される像の収差を抑えることができる。また、捕捉電極板203をリング形状にする場合には、隣接する捕捉電極板203が僅かに重なるようにして、電気的な導通がとれるようにするとよい。なお、図5では、最終電極板202の開口201の数が4つである場合の捕捉電極板203を示している。但し、最終電極板202の開口201の数を増加又は減少させることも可能であり、最終電極板202の開口201の数に応じて、リング形状の捕捉電極板203を設ければよい。<第4の実施形態>描画装置100は、基板110からの2次電子が荷電粒子レンズ109の最終電極板に入射することを防止する構成として、図6及び図7に示す構成を備えていてもよい。図6は、基板側から見た描画装置100の構成特に、捕捉電極板203及び荷電粒子レンズ109を示す図である。荷電粒子レンズ109の最終電極板202は、図6に示すように、荷電粒子線を通過させる開口201と、基板側に凹形状となる即ち、基板110に対向する溝部601とを有する。図7は、図6に示す描画装置100のB-B’断面図である。捕捉電極板203は、図6及び図7に示すように、最終電極板202の溝部601において絶縁体301によって支持されている。また、捕捉電極板203は、捕捉電極板203の最も基板側の面と基板110との間の距離D1が最終電極板202の最も基板側の面溝部以外の部分の面と基板110との間の距離D2よりも長くなるように、絶縁体301によって支持されている。換言すれば、捕捉電極板203は、溝部601から突出しないように配置されている。これにより、絶縁体301及び捕捉電極板203が溝部601で囲まれ、絶縁体301の端面にコンタミ膜が堆積しにくくなる。コンタミ膜は導電性を有することがあるため、絶縁体301の端面にコンタミ膜が堆積すると、最終電極板202と捕捉電極板203とが導通して、捕捉電極板203が2次電極SEを捕捉できなくなる可能性がある。従って、図6及び図7に示すように、絶縁体301を溝部601で囲うなどして、絶縁体301の端面へのコンタミ膜の堆積を低減防止するとよい。また、捕捉電極板203も溝部601で囲むことで、捕捉電極板203によって引きつけられる2次電子SEが絶縁体301の端面に到達することが少なくなるため、絶縁体301の端面に堆積するコンタミ膜の量を更に低減することができる。また、捕捉電極板203の最も基板側の面と基板110との間の距離D1を最終電極板202の最も基板側の面と基板110との間の距離D2よりも長くすることで、捕捉電極板203が荷電粒子レンズ109の電場に与える影響を小さくすることができる。従って、捕捉電極板203が荷電粒子レンズ109の最終電極板202の開口201を通過する荷電粒子線の軌道に与える影響が低減され荷電粒子線の収差が抑えられ、パターンの描画精度を維持することができる。また、本実施形態では、基板110及び荷電粒子レンズ109の最終電極板202が接地され、第1電位付与部303は、接地に対して正電位となる電位V1を捕捉電極板203に付与している。従って、基板110からの2次電子SEが捕捉電極板203に捕獲され、捕捉電極板203のみにコンタミ膜が堆積するため、最終電極板202の開口201の近傍にコンタミ膜が堆積することを防止することができる。<物品の製造方法の実施形態>本発明の実施形態にかける物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程基板に描画を行う工程と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能品質生産性生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。