"活性層に平行な面内に含まれる偏光方向に偏光した偏光光を前記活性層から放射する窒化物半導体発光素子と、前記窒化物半導体発光素子を覆い、前記活性層に垂直な対称面を有する透光性封止部と、を備え、前記窒化物半導体発光素子の前記偏光方向は、前記透光性封止部の前記対称面に対して0度と90度を含まない角度だけ傾いている、窒化物半導体発光デバイス。前記窒化物半導体発光素子の前記偏光方向は、前記透光性封止部の前記対称面に対して25度以上65度以下の角度だけ傾いている、請求項1に記載の窒化物半導体発光デバイス。前記窒化物半導体発光素子の前記偏光方向は、前記透光性封止部の前記対称面に対して35度以上55度以下の角度だけ傾いている、請求項1に記載の窒化物半導体発光デバイス。前記透光性封止部は、半円柱の一部を構成する形状を有している、請求項1から3の何れかに記載の窒化物半導体発光デバイス。前記透光性封止部は、円錐の一部を構成する形状を有している、請求項1から3の何れかに記載の窒化物半導体発光デバイス。前記透光性封止部は、多角柱の一部を構成する形状を有している、請求項1から3の何れかに記載の窒化物半導体発光デバイス。前記透光性封止部は、多角錐の一部を構成する形状を有している、請求項1から3の何れかに記載の窒化物半導体発光デバイス。前記透光性封止部は、楕円球の一部を構成する形状を有している、請求項1から3の何れかに記載の窒化物半導体発光デバイス。前記透光性封止部は、直方体の一部を構成する形状を有している、請求項1から3の何れかに記載の窒化物半導体発光デバイス。前記窒化物半導体発光素子を支持する実装基板を備える請求項1から8のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。第1の活性層を有し、前記第1の活性層に平行な面内に含まれる第1の偏光方向に偏光した偏光光を前記第1の活性層から放射する第1の窒化物半導体発光素子と、第2の活性層を有し、前記第2の活性層に平行な面内に含まれる第2偏光方向に偏光した偏光光を前記第2の活性層から放射する第2の窒化物半導体発光素子と、前記第1の窒化物半導体発光素子および前記第2の窒化物半導体発光素子を覆い、前記第1および第2の活性層に垂直な対称面を有する透光性封止部と、を備え、前記第1の窒化物半導体発光素子の前記第1の偏光方向および前記第2の窒化物半導体発光素子の前記第2偏光方向は、いずれも、前記透光性封止部の前記対称面に対して0度と90度を含まない角度だけ傾いている、窒化物半導体発光デバイス。前記第1の偏光方向と前記第2偏光方向とは平行である請求項11に記載の窒化物半導体発光デバイス。前記第1の偏光方向と前記第2偏光方向とは平行ではない請求項11に記載の窒化物半導体発光デバイス。前記第1の偏光方向および前記第2の偏光方向の少なくとも一方は、前記透光性封止部の前記対称面に対して25度以上65度以下の角度だけ傾いている、請求項11から13のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。前記窒化物半導体発光素子の前記偏光方向は、前記透光性封止部の前記対称面に対して35度以上55度以下の角度だけ傾いている、請求項11から14に記載の窒化物半導体発光デバイス。前記透光性封止部は、半円柱の一部を構成する形状を有している、請求項11から15のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。前記透光性封止部は、円錐の一部を構成する形状を有している、請求項11から15のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。前記透光性封止部は、多角柱の一部を構成する形状を有している、請求項11から15のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。前記透光性封止部は、多角錐の一部を構成する形状を有している、請求項11から15のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。前記透光性封止部は、楕円球の一部を構成する形状を有している、請求項11から15のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。前記透光性封止部は、直方体の一部を構成する形状を有している、請求項11から15のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。前記第1および第2の窒化物半導体発光素子を支持する実装基板を備える請求項11から15のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。第1の活性層を有し、前記第1の活性層に平行な面内に含まれる第1の偏光方向に偏光した偏光光を前記第1の活性層から放射する第1の窒化物半導体発光素子と、第2の活性層を有し、前記第2の活性層に平行な面内に含まれる第2偏光方向に偏光した偏光光を前記第2の活性層から放射する第2の窒化物半導体発光素子と、前記第1の窒化物半導体発光素子を覆い、前記第1の活性層に垂直な対称面を有する第1の透光性封止部と、前記第2の窒化物半導体発光素子を覆い、前記第2の活性層に垂直な対称面を有する第2の透光性封止部と、を備え、前記第1の窒化物半導体発光素子の前記第1の偏光方向は、前記第1の透光性封止部の前記対称面に対して0度と90度を含まない角度だけ傾いており、前記第2の窒化物半導体発光素子の前記第2偏光方向は、前記第2の透光性封止部の前記対称面に対して0度と90度を含まない角度だけ傾いている、窒化物半導体発光デバイス。前記第1の偏光方向と前記第2偏光方向とは平行である請求項23に記載の窒化物半導体発光デバイス。前記第1の偏光方向と前記第2偏光方向とは平行ではない請求項23に記載の窒化物半導体発光デバイス。前記第1の偏光方向は、前記第1の透光性封止部の前記対称面に対して25度以上65度以下の角度だけ傾いており、前記第2の偏光方向は、前記第2の透光性封止部の前記対称面に対して25度以上65度以下の角度だけ傾いている、請求項23から25のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。前記第1の偏光方向は、前記第1の透光性封止部の前記対称面に対して35度以上55度以下の角度だけ傾いており、前記第2の偏光方向は、前記第2の透光性封止部の前記対称面に対して35度以上55度以下の角度だけ傾いている、請求項23から25のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。前記第1の透光性封止部および第2の透光性封止部の少なくとも一方は、半円柱の一部を構成する形状を有している、請求項23から27のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。前記第1の透光性封止部および第2の透光性封止部の少なくとも一方は、円錐の一部を構成する形状を有している、請求項23から27のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。前記第1の透光性封止部および第2の透光性封止部の少なくとも一方は、多角柱の一部を構成する形状を有している、請求項23から27のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。前記第1の透光性封止部および第2の透光性封止部の少なくとも一方は、多角錐の一部を構成する形状を有している、請求項23から27のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。前記第1の透光性封止部および第2の透光性封止部の少なくとも一方は、楕円球の一部を構成する形状を有している、請求項23から27のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。前記第1の透光性封止部および第2の透光性封止部の少なくとも一方は、直方体の一部を構成する形状を有している、請求項23から27のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。前記第1および第2の窒化物半導体発光素子を支持する実装基板を備える請求項23から33のいずれかに記載の窒化物半導体発光デバイス。特許文献1では、窒化物半導体発光素子の偏光特性を維持することを目的としている。しかしながら、偏光特性を有する発光素子を光源とする場合、偏光の向き、すなわちLEDの設置方向によって物体表面での反射量が異なるため、物体の見え方が変わるという課題が発生する。これは、P偏光光とS偏光光によって反射率が異なるS偏光のほうが反射率が高いためである。ここでP偏光光とは、入射面に対して平行な電界成分を有する光である。また、S偏光光とは、入射面に対して垂直な電界成分を有する光である。従って、偏光特性をそのまま利用するアプリケーションにおいては、偏光度の向上が重要であるが、一般的な照明用途では、偏光特性が邪魔になるという課題がある。特許文献2では、偏光方向と垂直な方向に対して発光強度が大きくなるという課題を改善する構造であるが、配光分布の改善を目的としているため、パッケージから出射する光の偏光度に関しては考慮されていない。従って、本発明の主な目的は、偏光度の低減が実現された窒化物半導体発光デバイスを提供することである。本発明の窒化物半導体発光デバイスは、活性層に平行な面内に含まれる偏光方向に偏光した偏光光を前記活性層から放射する窒化物半導体発光素子と、前記窒化物半導体発光素子を覆い、前記活性層に垂直な対称面を有する透光性封止部とを備え、前記窒化物半導体発光素子の前記偏光方向は、前記透光性封止部の前記対称面に対して0度と90度を含まない角度だけ傾いている。ある実施形態において、前記窒化物半導体発光素子の前記偏光方向は、前記透光性封止部の前記対称面に対して25度以上65度以下の角度だけ傾いている。ある実施形態において、前記窒化物半導体発光素子の前記偏光方向は、前記透光性封止部の前記対称面に対して35度以上55度以下の角度だけ傾いている。ある実施形態において、前記透光性封止部は、半円柱の一部を構成する形状を有している。ある実施形態において、前記透光性封止部は、円錐の一部を構成する形状を有している。ある実施形態において、前記透光性封止部は、多角柱の一部を構成する形状を有している。ある実施形態において、前記透光性封止部は、多角錐の一部を構成する形状を有している。ある実施形態において、前記透光性封止部は、楕円球の一部を構成する形状を有している。ある実施形態において、前記透光性封止部は、直方体の一部を構成する形状を有している。ある実施形態において、前記窒化物半導体発光素子を支持する実装基板を備える。本発明の他の窒化物半導体発光デバイスは、第1の活性層を有し、前記第1の活性層に平行な面内に含まれる第1の偏光方向に偏光した偏光光を前記活性層から放射する第1の窒化物半導体発光素子と、第2の活性層を有し、前記第2の活性層に平行な面内に含まれる第2偏光方向に偏光した偏光光を前記活性層から放射する第2の窒化物半導体発光素子と、前記第1の窒化物半導体発光素子および前記第2の窒化物半導体発光素子を覆い、前記第1および第2の活性層に垂直な対称面を有する透光性封止部とを備え、前記第1の窒化物半導体発光素子の前記第1の偏光方向および前記第2の窒化物半導体発光素子の前記第2偏光方向は、いずれも、前記透光性封止部の前記対称面に対して0度と90度を含まない角度だけ傾いている。ある実施形態において、前記第1の偏光方向と前記第2偏光方向とは平行である。ある実施形態において、前記第1の偏光方向と前記第2偏光方向とは平行ではない。ある実施形態において、前記第1の偏光方向および前記第2の偏光方向の少なくとも一方は、前記透光性封止部の前記対称面に対して25度以上65度以下の角度だけ傾いている。ある実施形態において、前記窒化物半導体発光素子の前記偏光方向は、前記透光性封止部の前記対称面に対して35度以上55度以下の角度だけ傾いている。ある実施形態において、前記透光性封止部は、半円柱の一部を構成する形状を有している。ある実施形態において、前記透光性封止部は、円錐の一部を構成する形状を有している。ある実施形態において、前記透光性封止部は、多角柱の一部を構成する形状を有している。ある実施形態において、前記透光性封止部は、多角錐の一部を構成する形状を有している。ある実施形態において、前記透光性封止部は、楕円球の一部を構成する形状を有している。ある実施形態において、前記透光性封止部は、直方体の一部を構成する形状を有している。ある実施形態において、前記第1および第2の窒化物半導体発光素子を支持する実装基板を備える。本発明の更に他の窒化物半導体発光デバイスは、第1の活性層を有し、前記第1の活性層に平行な面内に含まれる第1の偏光方向に偏光した偏光光を前記活性層から放射する第1の窒化物半導体発光素子と、第2の活性層を有し、前記第2の活性層に平行な面内に含まれる第2偏光方向に偏光した偏光光を前記活性層から放射する第2の窒化物半導体発光素子と、前記第1の窒化物半導体発光素子を覆い、前記第1の活性層に垂直な対称面を有する第1の透光性封止部と、前記第2の窒化物半導体発光素子を覆い、前記第2の活性層に垂直な対称面を有する第2の透光性封止部とを備え、前記第1の窒化物半導体発光素子の前記第1の偏光方向は、前記第1の透光性封止部の前記対称面に対して0度と90度を含まない角度だけ傾いており、前記第2の窒化物半導体発光素子の前記第2偏光方向は、前記第2の透光性封止部の前記対称面に対して0度と90度を含まない角度だけ傾いている。ある実施形態において、前記第1の偏光方向と前記第2偏光方向とは平行である。ある実施形態において、前記第1の偏光方向と前記第2偏光方向とは平行ではない。ある実施形態において、前記第1の偏光方向は、前記第1の透光性封止部の前記対称面に対して25度以上65度以下の角度だけ傾いており、前記第2の偏光方向は、前記第2の透光性封止部の前記対称面に対して25度以上65度以下の角度だけ傾いている。ある実施形態において、前記第1の偏光方向は、前記第1の透光性封止部の前記対称面に対して35度以上55度以下の角度だけ傾いており、前記第2の偏光方向は、前記第2の透光性封止部の前記対称面に対して35度以上55度以下の角度だけ傾いている。ある実施形態において、前記第1の透光性封止部および第2の透光性封止部の少なくとも一方は、半円柱の一部を構成する形状を有している。ある実施形態において、前記第1の透光性封止部および第2の透光性封止部の少なくとも一方は、円錐の一部を構成する形状を有している。ある実施形態において、前記第1の透光性封止部および第2の透光性封止部の少なくとも一方は、多角柱の一部を構成する形状を有している。ある実施形態において、前記第1の透光性封止部および第2の透光性封止部の少なくとも一方は、多角錐の一部を構成する形状を有している。ある実施形態において、前記第1の透光性封止部および第2の透光性封止部の少なくとも一方は、楕円球の一部を構成する形状を有している。ある実施形態において、前記第1の透光性封止部および第2の透光性封止部の少なくとも一方は、直方体の一部を構成する形状を有している。ある実施形態において、前記第1および第2の窒化物半導体発光素子を支持する実装基板を備える。本発明は、窒化物半導体発光素子の偏光方向が、透光性封止部の対称面に対して0度と90度を含まない角度だけ傾いているため、透光性封止部の外部と透光性封止部との界面にS偏光成分とP偏光成分を入射させることができる。本構成により、透過光は偏光方向が回転することで偏光度を低減できるだけでなく、反射光を楕円偏光に変換することで、さらに偏光度を低減することができる。本願発明者は、窒化物半導体発光素子を透光制封止部で覆っている場合において、窒化物半導体発光素子の偏光光が、透光性封止部の表面を透過して外部に出るとき、偏光光の偏光度が透光性封止部の形状にどのように依存するかについて、詳細な検討を行った。偏光光の一部は、透光性封止部の表面、すなわち透光性封止部と外部空気との界面で反射され、残りはこの界面を透過する。このとき、この界面における偏光光の透過率および反射率は、偏光光の偏光方向に依存する。本願発明者の検討の結果、これら透過率および反射率は、窒化物半導体発光素子の活性層で発生した偏光光が持つ偏光方向と出射面の形状の関係に依存していることを見出した。この知見に基づき、窒化物半導体発光素子が放射する光の偏光度を低減することができる透光性封止部形状と、窒化物半導体発光素子の配置の方法を見出した。以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。以下の図面においては、説明の簡略化のため、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照符号で示す。なお、本発明は以下の実施形態に限定されない。実施形態1図3および図4を参照しながら、本発明による窒化物半導体発光デバイスの第1の実施形態を説明する。まず、図3aからcを参照する。図3aは、本発明の実施形態における窒化物半導体発光デバイスを模式的に示した上面図である。図3bは、図3aのX-X’線断面図、図3cは、図3aのY-Y’線断面図である。本実施形態の窒化物半導体発光デバイスは、活性層に平行な面内に含まれる偏光方向に偏光した偏光光を活性層から放射する面発光型の窒化物半導体発光素子300と、窒化物半導体発光素子300を覆い、活性層に垂直な対称面を有する透光性封止部320とを備えている。そして、窒化物半導体発光素子300の偏光方向は、透光性封止部320の対称面に対して0度と90度を含まない角度だけ傾いている。以下、本実施形態をより詳細に説明する。窒化物半導体発光素子300は、実装基板301上の配線302にバンプ303を介して電気的に接続されている。窒化物半導体発光素子300の全体を覆うように透光性封止部320が配置されている。本実施形態における透光性封止部320は、半円柱の一部を構成する形状、すなわちシリンドリカル形状を有している。本明細書におけるシリンドリカル形状は、1つまたは2つの対称面を有している。対称面のどちらか一方に垂直で、かつ窒化物系半導体発光素子300の主面または活性層に対して垂直な平面を用いて透光性封止部320を切り出した場合に、透光性封止部320と外部がなす界面の形状が、円弧の一部を切り出した形状を有している。シリンドリカル形状が有する対称面の数が1つである例は、後に詳しく説明する図6実施形態3に示されている。本実施形態の窒化物半導体発光素子300は、偏光特性を有する構成を備えていれば、その具体的な構造は特に限定されない。窒化物半導体発光素子300は、例えば、少なくとも表面にm面GaN層を有する基板304と、m面GaN層上に形成されたn型窒化物半導体層305と、窒化物半導体活性層306と、p型窒化物半導体層307と、p型窒化物半導体層307に接するように形成されたp型電極308と、n型窒化物半導体層305に接するように形成されたn型電極309とを含んでいる。ここで、窒化物半導体とは、GaN系からなる半導体、より具体的には、AlxInyGazNxyz=1、x≧0、y≧0、z≧0半導体である。m面とは、m面に対して完全に平行な面のみだけでなく、m面から±5°以下の角度だけ傾斜した面を含む。m面から僅かに傾斜する程度では、自発分極の影響は非常に小さい。一方、結晶成長技術では結晶方位が厳密に一致した基板よりも僅かに傾斜した基板上の方が半導体層をエピタキシャル成長させやすい場合がある。したがって、自発分極の影響を十分に抑制させながら、エピタキシャル成長させる半導体層の質を向上させたり、結晶成長速度を高めたりするために結晶面を傾斜させることが有用な場合もある。基板304は、m面GaN基板でも良いし、表面にm面GaN層が形成されたm面SiC基板、m面GaN層が形成されたr面サファイア基板やm面サファイア基板であってもよい。最も重要な点は、活性層から放射される光が特定方向に偏光していることにある。活性層の面方位は、m面に限定されず、非極性面や半極性面であればよい。非極性面の例はa面であり、半極性面の例は、-r面や11-22面である。前述したように、m面上に形成された窒化物半導体活性層は、a軸に平行な方向に電界強度が偏った光を主として出射する。また、a面上に形成された窒化物半導体活性層は、m軸に平行な方向に電界強度が偏った光を主として出射する。半極性面である11-22面上に形成された窒化物半導体活性層は、窒化物半導体活性層のInの組成が小さい場合にはm軸に平行な方向に電界強度が偏った光を主として出射し、窒化物半導体活性層のInの組成が大きい場合には-1-123方向に平行な方向に電界強度が偏った光を主として出射する。このような半極性面上の窒化物半導体活性層306の偏光特性は、価電子帯の上部2つのバンドAバンドおよびBバンドの振る舞いによって決まり、窒化物半導体活性層306に印加される歪量や、量子閉じ込め効果によって左右される場合がある。特に図示しないが、窒化物半導体活性層306とp型窒化物半導体層307との間に、アンドープのGaN層を設けても良い。n型窒化物半導体層305は、例えばn型のAluGavInwNuvw=1、u≧0、v≧0、w≧0から形成されている。n型ドーパントとして例えば、シリコンSiを用いることができる。p型窒化物半導体層307は、例えばp型のAlsGatNst=1、s≧0、t≧0半導体からなる。p型ドーパントとして、例えばMgが添加されている。Mg以外のp型ドーパントとして、例えばZn、Beなどを用いてもよい。p型窒化物半導体層307において、Alの組成比率sは、厚さ方向に一様であってもよいし、Alの組成比率sが厚さ方向に連続的または階段的に変化していてもよい。具体的には、p型窒化物半導体層307の厚さは、例えば、0.05~2μm程度である。p型窒化物半導体層307の上面近傍、すなわち、p型電極308との界面近傍はAlの組成比率sがゼロである半導体、つまり、GaNから形成されていることが好ましい。また、この場合、GaNはp型の不純物が高濃度で含まれており、コンタクト層として機能することが好ましい。窒化物半導体活性層306は、例えば、厚さ3~20nm程度のGa1xInxN井戸層と、厚さ5~30nm程度のGa1yInyN井戸層0≦y<x<1バリア層とが交互に積層されたGaInN/GaInN多重量子井戸MQW構造を有している。窒化物半導体発光素子300から出射する光の波長は、上記井戸層の半導体組成であるGa1xInxN半導体におけるInの組成xによって決まる。m面上に形成された窒化物半導体活性層306にはピエゾ電界が発生しない。このため、In組成を増加させても発光効率の低下が抑制される。n型電極309は、例えば、Ti層およびPt層の積層構造Ti/Ptなどで形成される。p型電極308は概ねp型窒化物半導体層307の表面全体を覆っていることが好ましい。p型電極308はPd層およびPt層の積層構造Pd/Ptなどで形成される。次に、透光性封止部320を説明する。透光性封止部320は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂系材料、あるいは、ガラス、サファイア、ZnOなどの無機材料から形成され得る。透光性封止部320は、窒化物半導体発光素子300の活性層に垂直な平面対称面に関して対称な形状を有している。より具体的には、本実施形態における透光性封止部320の外形はシリンドリカル形状を有している。図3に示したシリンドリカル形状は円柱を半分にした形状であり、2つの対称面325aおよび325bを有する。これら2つの対称面325aおよび325bは直交している。また、シリンドリカル形状の高さTと半径Rは等しい。窒化物半導体発光素子300の偏光方向324は、対称面325aおよび325bに対して、0度と90度を含まない角度0~90度だけ傾いている。窒化物半導体発光素子300の偏光方向324は、対称面325aおよび325bに対して、25度以上65度以下の角度だけ傾き得る。この傾斜角度は35度以上55度以下であってもよい。例えば、窒化物半導体発光素子300の偏光方向324を対称面325aから30度傾けた場合、対称面325bから60度傾いていることになり、この角度範囲を必ず満足する。これは、2つの対称面325aおよび325bが直交しているためである。窒化物半導体発光素子300の偏光方向324は、対称面325aおよび325bに対して、35~55度だけ傾いていると、規格化偏光度を0.4程度まで低減できる。窒化物半導体発光素子300の偏光方向324が、対称面325aおよび325bに対して、37~53度だけ傾いていると、規格化偏光度を0.3程度まで低減できる。ここで、規格化偏光度とは、式1で定義される偏光度を窒化物半導体発光素子300の偏光度によって規格化した値である。透光性封止部320の最短部の長さは、窒化物半導体発光素子300の最長部の長さ以上に設定されることが好ましい。透光性封止部320の最短部とは、実装基板301に窒化物半導体発光素子300の形状を正射影したときにできる四角形の対角線の交点から、透光性封止部320と外部がなす界面321の最も近い距離の長さである。窒化物半導体発光素子300を上面から見た形状が正方形あるいは長方形の場合、その対角線の長さが窒化物半導体発光素子300の最長部である。透光性封止部320の最短部の長さと、窒化物半導体発光素子300の最長部の長さの比が、透光性封止部320の屈折率よりも大きく設定されることが好ましい。例えば、透光性封止部320の表面の断面形状が円弧に近い場合、窒化物半導体発光素子300から出た光は透光性封止部320の表面で全反射しにくくなる。次に、図4aおよびbを参照しながら、透光性封止部320表面における透過光および反射光の偏光の様子を説明する。図4aは透光性封止部320の鳥瞰図、図4bは、ある光入射光330に注目し、その光の入射面で切り出した断面図である。図4では、光線について注目するため、窒化物半導体発光素子300の各層、実装基板301などは省略している。窒化物半導体発光素子300から出射した光は、透光性封止部320を通過し、透光性封止部320の表面から外部例えば空気に出射される。透光性封止部320の表面は、透光性封止部320と外部との界面を形成している。このため、透光性封止部320の表面を単に界面と称する。この界面では、屈折率差が存在するため、光の反射または屈折が生じ得る。窒化物半導体発光素子300から出射した光は、透光性封止部320の内部を伝播し、界面321に入射する。界面321への入射光330のうち、界面321を透過する成分透過光331、界面321で反射する成分反射光332が存在する。入射面332とは、入射光330と透過光331と反射光332が形成する平面である。入射光330が界面321の垂直方向に対してなす角度を入射角度333とする。本実施形態の構成によれば、窒化物半導体発光素子300の偏光方向324が対称面325aおよび325bに対して、0度と90度を含まない角度0~度超90度未満だけ傾いているため、入射光330は、入射面332に対してS偏光成分とP偏光成分を持つことになる。窒化物半導体発光素子300は、対称面325aまたは対称面325bの面上に、窒化物半導体発光素子300の少なくとも一部が存在するように配置されることが好ましい。より好ましくは、窒化物半導体発光素子300は、対称面325aと対称面325bが交差する線上に、窒化物半導体発光素子300の少なくとも一部が存在するように配置する。さらに好ましくは、窒化物半導体発光素子300の中心が、対称面325aと対称面325bが交差する線上に存在するように配置する。窒化物半導体発光素子300の中心とは、例えば、上面から見て窒化物半導体発光素子300が正方形あるいは長方形の場合には、その対角線の交点を意味している。以上のように、対称面上に窒化物半導体発光素子300を配置することで、透光性封止部320から取り出される光の配光パターンの対称性も向上する。窒化物半導体発光素子300は透光性封止部320よりも小さいため、ほぼ点光源としてみなすことができる。ほぼ点光源であるため、窒化物半導体発光素子300からの光の強度分布は、ランバーシアン形状M軸方向に最も強く発光し、M軸からθだけ傾いた方向にはcosθの強度を有すると仮定する。透光性封止部320の屈折率をn1、透光性封止部320の外部の屈折率をn2とした場合、スネルの法則で決まる臨界角θ=sin-1n2/n1よりも小さな角度で界面321に入射する光は強く透過し、臨界角θi以上の角度で界面321に入射する光は反射する。以下、透過光と反射光に分けて、本実施形態の効果を説明する。<透過光>入射角度333が臨界角よりも小さい光は、そのほとんどが界面321を透過する。図11は透光性封止部320の屈折率を1.5、透光性封止部320の外部の屈折率を1とした場合における、界面321への入射角度333とS偏光成分入射面に対して垂直な成分とP偏光成分入射面に対して平行な成分の透過強度の計算結果を示すグラフである。透過強度が1の場合に、入射したすべての光が透過することを意味している。入射角度が0の場合に透過強度が1にならないのは、反射光が存在しているためである。入射角度333が大きくなる臨界角に近づくと、S偏光成分は透過し難くなり、P偏光成分が強く透過する。結果として、入射面322に対して平行な方向に偏光方向が回転するという現象が発生する。図12は、透光性封止部320の屈折率を1.5、透光性封止部320の外部の屈折率を1とした場合における、界面321への入射角度333と、偏光方向の変化量もともとの偏光方向からの変化量を計算結果を示すグラフである。入射角度333が大きくなる臨界角に近づくほど、透過光の偏光方向、すなわち偏波面が大きく変化することがわかる。図13は、透光性封止部320の外部の屈折率を1とし、窒化物半導体発光素子の偏光方向324と透光性封止部320の対称面がなす角度を45度にした場合の、透光性封止部320の屈折率に対する規格化偏光度を計算した結果を示すグラフである。ここで偏光度の計算は、入射角333が0度から臨界角までの範囲の光を積分している。ここで規格化偏光度とは、窒化物半導体発光素子300の偏光度で規格化した値である。実際の窒化物半導体発光素子300の偏光度は窒化物半導体活性層306のIn組成などにも依存するが、計算では窒化物半導体発光素子300の偏光度は1として計算している。図13から、偏光度の低減効果は、透光性封止部320の屈折率にも依存していることがわかる。すなわち、透光性封止部320の屈折率が大きくなるほど、透過光の偏光度はより小さくなることがわかる。一般的に封止部の材料として広く用いられるシリコーン樹脂やエポキシ樹脂の屈折率は1.4~1.5程度であるが、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂においても本願発明の効果が得られることがわかる。透過光の特徴は、S偏光成分とP偏光成分に位相差が発生しないことである。すなわち、界面321への入射光が完全な直線偏光の場合、ある光線だけに注目すれば、透過光も直線偏光が保たれている。しかしながら、実際の窒化物半導体発光デバイスの光は、透光性封止部320の外部へと取り出される光の総和であるから、入射角333が0度から臨界角までの範囲の光を積分した場合、偏光度を低減することができる。<反射光>入射角度333が臨界角以上の範囲の光は、そのほとんどが界面321で反射する。これは、透光性封止部320の屈折率が、その外部の屈折率大気の場合には1よりも大きいためである。光が反射する際、光は波長程度の大きさ分だけしみ出すため、表面反射点がずれるグースヘンヒェンシフト現象が起き、S偏光成分とP偏光成分に位相差を発生する。図14は、透光性封止部320の屈折率を1.5、透光性封止部320の外部の屈折率を1とした場合における、S偏光成分とP偏光成分の位相差を示す。図には、1回反射、2回反射および3回反射における位相差を示してある。図14では1回反射光332のみを示しているが、実際には複数回反射する光が存在している。入射光330が完全な直線偏光の場合、位相差が902m1のときに、反射光332は円偏光となり、それ以外では楕円偏光となる。ここで、mは整数である。反射光332が円偏光となるのは、光がある特定の角度で界面321に入射したときのみである。図15は、透光性封止部320の外部の屈折率を1とし、窒化物半導体発光素子の偏光方向324と透光性封止部320の対称面がなす角度を45度にした場合の、透光性封止部320の屈折率に対する規格化偏光度を計算結果を示すグラフである。ここで偏光度の計算は、入射角333が臨界角から90度の範囲の光を積分している。また、規格化偏光度とは、窒化物半導体発光素子300の偏光度で規格化した値である。計算では窒化物半導体発光素子300の偏光度は1として計算している。1回反射光に注目すると、屈折率が小さいほど、規格化偏光度の低下は大きい。また、反射回数が増えるほど山と谷の数が増えることがわかる。2回以上の反射では、規格化偏光度は0.4以下になる。透光性封止部320の形状が一般的に用いられる半球形状の場合、界面321において全反射を生じないように設計されているため、このような反射光による偏光度の低減効果は小さく、考慮されていなかった。本構成においては、透光性封止部320の形状と窒化物半導体発光素子300の偏光方向を適切に決定することで、透光性封止部320の内部で1回以上反射させ、円偏光あるいは楕円偏光に変換し、光を外部に取り出している。以上のように反射光の特徴は、S偏光成分とP偏光成分に位相差が発生することである。すなわち、界面321への入射光が完全な直線偏光であったとしても、本構成においては、反射光332は円偏光あるいは楕円偏光に変換されるため、偏光度を低下させることが可能となる。<透過光と反射光>図16に、透光性封止部320の外部の屈折率を1とし、窒化物半導体発光素子300の偏光方向324と透光性封止部320の対称面がなす角度を45度にした場合の、透光性封止部320の屈折率に対する規格化偏光度を計算した結果を示すグラフである。透過光と1回反射光の両方を考慮した場合の、透光性封止部320の屈折率と規格化偏光度の計算結果を示す。ここで規格化偏光度とは、窒化物半導体発光素子300の偏光度で規格化した値である。計算では窒化物半導体発光素子300の偏光度は1として計算している。透光性封止部320の屈折率が増加するほど、偏光度をより低下させることが可能である。ここで、入射面322が透光性封止部320の底面に等しい場合の光について説明しておく。入射面322が透光性封止部320の底面に等しい場合には、窒化物半導体発光素子300の偏光方向324が入射面322内に存在していることになり、P偏光成分のみになる。従って、この方向に出射する光はP偏光成分のみとなり、透過光331と反射光332の偏光度は低下しない。しかしながら、実際の窒化物半導体発光素子300から放出される光は、窒化物半導体発光素子300の主面に対して垂直な方向に強く光を放出し、主面からθだけ傾いた方向には、ほぼcosθの強度に低下するという特徴を有している。従って、入射面322が透光性封止部320の底面に等しい光の光量は、窒化物半導体発光デバイス全体の光量に対して十分に小さく、本構成において、偏光度の低減効果が得られることになる。図17に、透光性封止部320の対称面と窒化物半導体発光素子300の偏光方向がなす角度と、透光性封止部320から取り出される光の規格化偏光度との関係計算値を示す。透光性封止部320の形状は、図4のシリンドリカル形状である。対称面325aと対称面325bの交線上に窒化物半導体発光素子300を配置したと仮定している。ここで規格化偏光度とは、窒化物半導体発光素子300の偏光度で規格化した値である。計算では窒化物半導体発光素子300の偏光度は1として計算している。透光性封止部320の対称面325a、325bと窒化物半導体発光素子300の偏光方向がなす角度が45度のときに、規格化偏光度は最も小さくなる。透光性封止部320の対称面と窒化物半導体発光素子300の偏光方向がなす角度が25~65度の範囲にある場合、規格化偏光度は0.5まで低減できることがわかる。この角度が35~55度の範囲にある場合、規格化偏光度は、0.38まで低減できることもわかる。次に、図3を参照しながら、本実施形態の製造方法を説明する。まず、窒化物半導体発光素子300の製造方法の一例を説明する。m面を主面とするn型GaN基板304上に、MOCVD法などを用いてn型窒化物半導体層305をエピタキシャル成長させる。例えば、n型不純物としてシリコンを用い、TMGGaCH33、およびNH3を原料として供給し、900°C以上1100°C以下程度の成長温度で、GaNからなる厚さ1~3μm程度のn型窒化物半導体層305を形成する。次に、n型窒化物半導体層305上に、窒化物半導体活性層306を形成する。窒化物半導体活性層306は、例えば、厚さ15nmのGa1-xInxN井戸層と、厚さ30nmのGaNバリア層が交互に積層されたGaInN/GaN多重量子井戸MQW構造を有している。Ga1xInxN井戸層を形成する際には、Inの取り込みを行うために、成長温度を800°Cに下げることが好ましい。窒化物系半導体発光素子300の用途に応じて発光波長を選択し、波長に応じたIn組成xを決定する。波長を450nm青色にする場合にはIn組成xを0.18~0.2に決定する。520nm緑色であればx=0.29~0.31であり、630nm赤色であればx=0.43~0.44となる。窒化物半導体活性層306の上に、例えば厚さ15~50nmのアンドープGaN層を堆積しても良い図示せず。アンドープGaN層の上に、p型窒化物半導体層307を形成する。例えば、p型不純物としてCp2Mgシクロペンタジエニルマグネシウムを用い、TMGおよびNH3を原料として供給し、900°C以上1100°C以下程度の成長温度で、厚さ50~300nm程度のp型GaNからなるp型窒化物半導体層307を形成する。p型窒化物半導体層307の内部に、厚さ15~30nm程度のp-AlGaN層を含んでも良い図示せず。p-AlGaN層を設けることで、動作時に電子のオーバーフローを抑制することができる。この後、800~900度程度の温度で、20分程度熱処理を行う。次に、塩素系ガスを用いてドライエッチングを行うことにより、p型窒化物半導体層307、窒化物半導体活性層306およびn型窒化物半導体層305の一部を除去して凹部316を形成し、n型窒化物半導体層305の一部を露出させる。露出したn型窒化物半導体層305の一部に接するように、n型電極309を形成する。例えば、n型電極309としてTi/Pt層を形成する。さらにp型窒化物半導体層307に接するように、p型電極308を形成する。例えば、p型電極308としてPd/Pt層を形成する。その後、熱処理を行って、Ti/Pt層とn型窒化物半導体層305、および、Pd/Pt層とp型窒化物半導体層307を合金化させる。その後、n型GaN基板304を50~300μm程度まで研磨し薄膜化する。薄膜化によって、ダイシングが容易になるだけではなく、窒化物系半導体発光素子300内部での光の吸収を抑えることができる。このようにして作製された窒化物系半導体発光素子300は、実装基板301に実装される。ここでは、フリップチップ構造について説明する。実装基板301には、あらかじめ配線302が形成されている。実装基板の材料としては、アルミナ、AlN、樹脂などを用いることができる。SiやGeなどを実装基板に用いる場合には、表面を絶縁膜で覆うとよい。配線302は、窒化物系半導体発光素子300の電極形状に合わせて配置すればよい。配線302には、Cu、Au、Ag、Alなどを用いることができる。これらの材料は、スパッタやメッキなどによって実装基板301上に形成される。配線302上に、バンプ303を形成する。バンプにはAuを用いると良い。Auバンプの形成には、バンプボンダを用いて、直径50~70μm程度のAuバンプを形成することができる。また、Auメッキ処理によってAuバンプを形成することもできる。このように、バンプ303が形成された実装基板301に、超音波接合を用いて窒化物系半導体発光素子300を接続する。次に、透光性封止部320を形成する。透光性封止部320には、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を用いることができる。透光性封止部320の形状を決定するには、窒化物系半導体発光素子300が実装された実装基板301に金型をかぶせて、空洞部分に樹脂を流し込む。この方法では、透光性封止部320の形状形成と窒化物系半導体発光素子300の樹脂封止を同時に行うことができる。また、あらかじめ窒化物系半導体発光素子300の分だけ空間を設けた透光性封止部320を形成しておき、この透光性封止部320を窒化物系半導体発光素子300が実装された実装基板301にかぶせて、隙間に樹脂を流し込む手法も可能である。窒化物系半導体発光素子300の偏光方向は、窒化物系半導体発光素子300の外見から把握できるようにすることが望ましい。例えば、図3aに示したp型電極308およびn型電極309の形状に基づいて、m面を主面とするn型GaN基板304のオリエンタルフラットを参照しながら、p型電極308あるいはn型電極309の向きをc軸方向とa軸方向に合わせる。次に、p型電極308およびn型電極309の形状から窒化物系半導体発光素子300の偏光方向a軸方向を把握した状態で、透光性封止部320の対称面の向きを半導体発光素子300の偏光方向の所望の角度にあわせる。ここでは、電極の形状から窒化物系半導体発光素子300の偏光方向を把握する例を示したが、窒化物系半導体発光素子300の外形から把握しても良い。例えば、窒化物系半導体発光素子300を長方形に切り出し、長方形の長辺方向がa軸方向偏光方向と一致するようにすれば、窒化物系半導体発光素子300の外形から偏光方向の把握が可能となり、透光性封止部320の対称面の向きを、半導体発光素子300の偏光方向を所望の角度にあわせることが可能となる。以上のような方法で、本実施形態の窒化物系半導体発光デバイスが完成する。実施形態1では、透光性封止部320の形状が、半円柱の一部を構成する形状、すなわちシリンドリカル形状の場合について説明した。以下の実施形態の一部では、透光性封止部320が、円錐の一部を構成する形状を有している形態、多角柱の一部を構成する形状を有している形態、楕円球の一部を構成する形状を有している形態、および直方体の一部を構成する形状を有している形態について説明する。実施形態2以下、図5を参照しながら、本発明による窒化物系半導体発光デバイスの第2の実施形態を説明する。図5では、透光性封止部320の形状と窒化物系半導体発光素子300の偏光方向324が図示されている。窒化物半導体発光素子の各層、実装基板301などは省略して図示してある。また、図5には、鳥瞰図上段とある光線の入射面を切り出した図下段を示してある。この点は、後述する図6から図10についても同様である。図5の実施形態と図4の実施形態との違いは、シリンドリカル形状の高さをT,シリンドリカル形状の半径をRとした場合、本実施形態ではT<Rの関係が満たされている点にある。本実施形態における窒化物半導体発光素子300の偏光方向324も、対称面325aおよび325bに対して、0度と90度を含まない角度0~90度だけ傾いている。本実施形態においても、窒化物半導体発光素子300の偏光方向324は、対称面325aおよび325bに対して、25度以上65度以下の角度だけ傾き得る。この傾斜角度は35度以上55度以下であってもよい。本実施形態においても、界面321に入射する入射光330は、S偏光成分とP偏光成分を有することになる。また、図5bから明らかなように、入射光330が界面321に対して臨界角以上で入射する成分が存在するため、その反射光332は円偏光、あるいは楕円偏光となり、偏光度を低減することができる。窒化物半導体発光素子300は、対称面325aまたは対称面325bの面上に、窒化物半導体発光素子300の少なくとも一部が存在するように配置するとよい。より好ましくは、窒化物半導体発光素子300は、対称面325aと対称面325bが交差する線上に、窒化物半導体発光素子300の少なくとも一部が存在するように配置するとよい。さらに好ましくは、窒化物半導体発光素子300の中心が、対称面325aと対称面325bが交差する線上に存在するように配置するとよい。以上のように、対称面上に窒化物半導体発光素子300を配置することで、透光性封止部320から取り出される光の配光パターンの対称性も向上する。本実施形態では、シリンドリカル形状の高さTを小さくしているため、窒化物半導体発光デバイスのサイズを小さくできる。透光性封止部320での光吸収の影響を抑制することができることに加え、透光性封止部320の使用量を減らすことが可能となる。実施形態3次に、図6を参照しながら、本発明による窒化物系半導体発光デバイスの第3の実施形態を説明する。図6の実施形態と図4の実施形態との違いは、紙面奥行き方向に対して、シリンドリカル形状の半径が変化している。本実施形態では、シリンドリカル形状は1つの対称面325を有する。窒化物半導体発光素子300の偏光方向324は、対称面325に対して、0度と90度を含まない角度0~90度だけ傾いている。また、窒化物半導体発光素子300の偏光方向324は、対称面325に対して、25度以上65度以下の角度だけ傾き得る。この傾斜角度は35度以上55度以下であってもよい。本実施形態においても、界面321に入射する入射光330は、S偏光成分とP偏光成分を有することになる。また、図6bから明らかなように、入射光330が界面321に対して臨界角以上で入射する成分が存在するため、その反射光332は円偏光、あるいは楕円偏光となり、偏光度を低減することができる。窒化物半導体発光素子300は、対称面325の面上に、窒化物半導体発光素子300の少なくとも一部が存在するように配置するとよい。より好ましくは、窒化物半導体発光素子300の中心が、対称面325上に存在するように配置するとよい。以上のように、対称面上に窒化物半導体発光素子300を配置することで、透光性封止部320から取り出される光の配光パターンの対称性も向上する。実施形態1、2に比べて本実施形態の透光性封止部320における対称面の数が少ないため、透光性封止部320の設計自由度が向上する。実施形態4次に、図7を参照しながら、本発明による窒化物系半導体発光デバイスの第4の実施形態を説明する。図7aおよび図7bに示されるように、本実施形態では、透光性封止部320が三角柱形状を有している。透光性封止部320の断面は、高さをT、底辺をLとする二等辺三角形の形状をしている。本実施形態透光性封止部320は、直交する2つの対称面325a、325bを有している。窒化物半導体発光素子300の偏光方向324は、対称面325aおよび325bに対して、0度と90度を含まない角度0~90度だけ傾いている。窒化物半導体発光素子300の偏光方向324は、対称面325aおよび325bに対して、25度以上65度以下の角度だけ傾き得る。この傾斜角度は35度以上55度以下であってもよい。本実施形態においても、界面321に入射する入射光330は、S偏光成分とP偏光成分を有することになる。また、図7bから明らかなように、入射光330が界面321に対して臨界角以上で入射する成分が存在するため、その反射光332は円偏光、あるいは楕円偏光となり、偏光度を低減することができる。窒化物半導体発光素子300は、対称面325aまたは対称面325bの面上に、窒化物半導体発光素子300の少なくとも一部が存在するように配置するとよい。より好ましくは、窒化物半導体発光素子300は、対称面325aと対称面325bが交差する線上に、窒化物半導体発光素子300の少なくとも一部が存在するように配置するとよい。さらに好ましくは、窒化物半導体発光素子300の中心が、対称面325aと対称面325bが交差する線上に存在するように配置するとよい。以上のように、対称面上に窒化物半導体発光素子300を配置することで、透光性封止部320から取り出される光の配光パターンの対称性も向上する。実施形態5次に、図8を参照しながら、本発明による窒化物系半導体発光デバイスの第5の実施形態を説明する。本実施形態と図7に示す実施形態との違いは、本実施形態における透光性封止部320の二等辺三角形の高さTと底辺Lの比率が、紙面奥行き方向に対して変化している点である。本実施形態では、三角柱形状の透光性封止部320が1つの対称面325を有している。窒化物半導体発光素子300の偏光方向324は、対称面325に対して、0度と90度を含まない角度0~90度だけ傾いている。また、窒化物半導体発光素子300の偏光方向324は、対称面325に対して、25度以上65度以下の角度だけ傾き得る。この傾斜角度は35度以上55度以下であってもよい。本実施形態においても、界面321に入射する入射光330は、S偏光成分とP偏光成分を有することになる。また、図8bから明らかなように、入射光330が界面321に対して臨界角以上で入射する成分が存在するため、その反射光332は円偏光、あるいは楕円偏光となり、偏光度を低減することができる。窒化物半導体発光素子300は、対称面325の面上に、窒化物半導体発光素子300の少なくとも一部が存在するように配置するとよい。より好ましくは、窒化物半導体発光素子300の中心が、対称面325上に存在するように配置するとよい。以上のように、対称面上に窒化物半導体発光素子300を配置することで、透光性封止部320から取り出される光の配光パターンの対称性も向上する。実施形態4に比べて対称面の数が少ないため、透光性封止部320の設計自由度が向上する。実施形態6次に、図9を参照しながら、本発明による窒化物系半導体発光デバイスの第6の実施形態を説明する。本実施形態では、正三角柱形状の透光性封止部320が4つの対称面325a、325c、325dおよび325eを有している。窒化物半導体発光素子300の偏光方向324は、対称面325aおよび325cに対して、0度と90度を含まない角度0~90度だけ傾いている。また、窒化物半導体発光素子300の偏光方向324は、対称面325aおよび325cに対して、25度以上65度以下の角度だけ傾き得る。この傾斜角度は35度以上55度以下であってもよい。本実施形態においても、界面321に入射する入射光330は、S偏光成分とP偏光成分を有することになる。図9bから明らかなように、入射光330が界面321に対して臨界角以上で入射する成分が存在するため、その反射光332は円偏光、あるいは楕円偏光となり、偏光度を低減することができる。窒化物半導体発光素子300は、対称面325aまたは対称面325cの面上に、窒化物半導体発光素子300の少なくとも一部が存在するように配置するとよい。より好ましくは、窒化物半導体発光素子300は、対称面325aと対称面325cが交差する線上に、窒化物半導体発光素子300の少なくとも一部が存在するように配置するとよい。さらに好ましくは、窒化物半導体発光素子300の中心が、対称面325aと対称面325cが交差する線上に存在するように配置するとよい。以上のように、対称面上に窒化物半導体発光素子300を配置することで、透光性封止部320から取り出される光の配光パターンの対称性も向上する。実施形態7次に、図10を参照しながら、本発明による窒化物系半導体発光デバイスの第7の実施形態を説明する。図10aおよび図10bに示すように、本実施形態では、透光性封止部320が非球面形状を有している。透光性封止部320の底面窒化物半導体発光素子300が配置されている面は楕円形をしている。この場合、透光性封止部320は、対称面325aおよび325bの2つの対称面を有する。透光性封止部320の断面は、例えば入射面322に注目した場合、界面321は球形から歪んだ形状をしている。ここで重要な点は、窒化物半導体発光素子300からの入射光330のうち、界面321で反射する成分が存在するように、界面321の形状が決定されている点である。窒化物半導体発光素子300の偏光方向324は、対称面325aおよび325bに対して、0度と90度を含まない角度0~90度だけ傾いている。また、窒化物半導体発光素子300の偏光方向324は、対称面325aおよび325bに対して、25度以上65度以下の角度だけ傾き得る。この傾斜角度は35度以上55度以下であってもよい。本実施形態においても、界面321に入射する入射光330は、S偏光成分とP偏光成分を有することになる。入射光330が界面321に対して臨界角以上で入射する成分が存在するため、その反射光332は円偏光、あるいは楕円偏光となり、偏光度を低減することができる。窒化物半導体発光素子300は、対称面325aまたは対称面325bの面上に、窒化物半導体発光素子300の少なくとも一部が存在するように配置するとよい。より好ましくは、窒化物半導体発光素子300は、対称面325aと対称面325bが交差する線上に、窒化物半導体発光素子300の少なくとも一部が存在するように配置するとよい。さらに好ましくは、窒化物半導体発光素子300の中心が、対称面325aと対称面325bが交差する線上に存在するように配置するとよい。以上のように、対称面上に窒化物半導体発光素子300を配置することで、透光性封止部320から取り出される光の配光パターンの対称性も向上する。実施形態8次に、図18を参照しながら、本発明による窒化物系半導体発光デバイスの第8の実施形態を説明する。図18は、本実施形態における窒化物半導体発光デバイスを模式的に示したもので、図18aは上面図、図18bはX-X’での断面図、図18cはY-Y’での断面図である。実施形態1と異なる点は、実装基板301に凹部分が形成されていることである。実装基板301は、ベース301aと、ベース301a上に設けられた反射板301bとを有している。反射板301bは、中央に窒化物半導体発光素子300を収容する大きさの凹部キャビティを有している。ベース301aおよび反射板301bは、同じ材料から形成されていてもよいし、異なる材料から形成されていても良い。例えば、ベース301aがアルミナやAlNから形成され、反射板301bが反射率の高い樹脂から形成されていても良い。また、ベース301aおよび反射板301bがアルミナやAlNなどの同一材料から形成される場合、ベース301aおよび反射板301bを焼結その他の方法によって一体化することも可能である。ベース301aおよび反射板301bが金属から形成される場合は、反射板301bの中央部に凹部が形成されるようにプレス成形を行えばよい。このように、図18b、cでは、ベース301aと反射板301bとを区別できるように記載されているが、ベース301aと反射板301bは、1つの部品から構成されていても良い。本実施形態では、実装基板301に凹部を設けることで、配光分布特性の制御が可能となる。本実施形態でも、偏光特性を有する窒化物半導体発光素子300の全体を覆うように透光性封止部320が配置されている。透光性封止部320は、実装基板301の凹部にも配置されている。図18に示す透光性封止部320は、シリンドリカル形状を有している。窒化物半導体発光素子300の偏光方向324は、対称面325aおよび325bに対して、0度と90度を含まない角度0~90度だけ傾いている。また、窒化物半導体発光素子300の偏光方向324は、対称面325aおよび325bに対して、25度以上65度以下の角度だけ傾き得る。この傾斜角度は35度以上55度以下であってもよい。本実施形態では、シリンドリカル形状の界面321から窒化物半導体発光素子300までの距離が長くなっている。すなわち、透光性封止部320の最短部の長さが、実施形態1と異なる。透光性封止部320の最短部の長さが、窒化物半導体発光素子300の最長部の長さ以上になるようにすればよいため、本実施形態では実施形態1よりもこの条件を満足しやすい。ここで透光性封止部320の最短部とは、実装基板301に窒化物半導体発光素子300の形状を正射影したときにできる四角形の対角線の交点から、透光性封止部320と外部がなす界面321の最も近い距離の長さである。窒化物半導体発光素子300の最長部とは、窒化物半導体発光素子300を上面から見た形状が正方形あるいは長方形の場合、その対角線の長さが窒化物半導体発光素子300の最長部となる。実施形態9次に、図19を参照しながら、本発明による窒化物系半導体発光デバイスの第9の実施形態を説明する。図19は、本発明の実施形態における窒化物半導体発光デバイスを模式的に示したもので、図19aは上面図、図19bはX-X’での断面図、図19cはY-Y’での断面図である。図18の実施形態との違いは、透光性封止部320が、偏光特性を有する窒化物半導体発光素子300の全体を覆うように配置された透光性封止部320bと、その外部に設けられた透光性封止部320aとを有している点にある。透光性封止部320と外部がなす界面321がシリンドリカル形状である点は、図18の実施形態と同様である。このように、1つの透光性封止部320が複数の部分から構成されている場合、透光性封止部320の形状として重要な部分は、その表面界面321である。このため、透光性封止部320の対称面も、この界面321に基づいて決定される。窒化物半導体発光素子300の偏光方向324は、対称面325aおよび325bに対して、0度と90度を含まない角度0~90度だけ傾いている。また、窒化物半導体発光素子300の偏光方向324は、透光性封止部320の対称面325aおよび対称面325bに対して、25度以上65度以下の角度だけ傾き得る。この傾斜角度は35度以上55度以下であってもよい。本実施形態では、透光性封止部320a、320bに異なる材料を用いることが可能である。例えば、透光性封止部320bにシリコーン樹脂やエポキシ樹脂を、透光性封止部320aに、例えばガラス、サファイア、ZnOなどの無機材料を用いることが可能となる。シリコーン樹脂などはガスや水分を透過しやすいが、その外部を無機材料で覆うことでガスや水分が透過し難くなり、信頼性が向上する。また、透光性封止部320aと320bに屈折率が異なる材料を用いることもできる。例えば、LEDの封止材料として一般的に用いられるシリコーン樹脂やエポキシ樹脂の屈折率は1.4~1.54程度のため、透光性封止部320の設計自由度が低い。しかしながら、本実施形態では、透光性封止部320aに高屈折材料を用いることが可能となる。例えばサファイアの屈折率は1.75程度、ZnOの屈折率は1.95程度、酸化ジルコニウムの屈折率は2.4程度、酸化チタンの屈折率は2.5程度、高屈折率プラスチックの屈折率は1.74程度、高屈折率ガラスの屈折率は1.84程度であり、設計の自由度が向上する。偏光度の低減効果は透光性封止部320aと外部がなす界面の形状、透光性封止部320aの対称面と窒化物半導体発光素子300の偏光方向324の角度、そして、図16に示した透光性封止部320aの屈折率で決まる。透光性封止部320aの屈折率を1.6以上にすれば、さらに偏光度を低減することができる。実施形態10次に、図20を参照しながら、本発明による窒化物系半導体発光デバイスの第10の実施形態を説明する。図20は、本実施形態における窒化物半導体発光デバイスを模式的に示したもので、図20aは上面図、図20bはX-X’での断面図、図20cはY-Y’での断面図である。本実施形態が、実施形態1と異なる点は、窒化物半導体発光素子300が、実装基板301上の配線302にp型電極308を介して実装されており、n型電極309と配線302を接続するようにワイヤ315が形成されていることにある。偏光特性を有する窒化物半導体発光素子300の全体を覆うように透光性封止部320が配置されている。透光性封止部320はシリンドリカル形状を有している。窒化物半導体発光素子300の偏光方向324は、対称面325aおよび325bに対して、0度と90度を含まない角度0~90度だけ傾いている。窒化物半導体発光素子300の偏光方向324は、対称面325aおよび325bに対して、25~65度だけ傾いているとさらによい25度以上65度以下の角度だけ傾き得る。この傾斜角度は35度以上55度以下であってもよい。本実施形態においては、p型電極308と配線302の接合面積を大きくすることが容易であるため、放熱特性を改善しやすいという利点がある。実施形態11次に、図21、図22を参照しながら、本発明による窒化物系半導体発光デバイスの第11の実施形態を説明する。本実施形態の窒化物系半導体発光デバイスが他の実施形態における窒化物系半導体発光デバイスと異なる点は、1つの透光性封止部320が複数の窒化物半導体発光素子300を覆っていることにある。各窒化物半導体発光素子300の偏光方向は、透光性封止部320の対称面に対して0度と90度を含まない角度だけ図の例では45度傾いている。このように、複数の窒化物半導体発光素子300が1つの透光性封止部320によって覆われていても、前述した原理に基づき、偏光度を低減することができる。なお、図21の例では、1つの透光性封止部320によって4個の窒化物半導体発光素子300が覆われている。1つの透光性封止部320によって覆われる窒化物半導体発光素子300は、1個または4個に限定されず、他の個数であってもよい。図22は、9個の窒化物半導体発光素子300が1つの透光性封止部320によって覆われている例を示している。この例では、9個の窒化物半導体発光素子300の中心に位置する窒化物半導体発光素子300の偏光方向は、透光性封止部320の対称面に対して0度または90度の角度を形成しているが、他の8個の窒化物半導体発光素子300の偏光方向は、透光性封止部320の対称面に対して0度と90度を含まない角度だけ図の例では45度傾いている。このように、複数の窒化物半導体発光素子300が1つの透光性封止部320によって覆われる場合、すべての窒化物半導体発光素子300の偏光方向が透光性封止部320の対称面に対して0度と90度を含まない角度だけ図の例では45度傾いている必要は無い。また、図22の例に示すように、窒化物半導体発光素子300の偏光方向が透光性封止部320の対称面に対して形成する角度は、すべての窒化物半導体発光素子300で等しい必要も無い。実施形態12次に、図23を参照しながら、本発明による窒化物系半導体発光デバイスの第12の実施形態を説明する。本実施形態の窒化物系半導体発光デバイスが他の実施形態における窒化物系半導体発光デバイスと異なる点は、透光性封止部320の形状が直方体であることにある。窒化物半導体発光素子300の偏光方向324は、透光性封止部320の対称面に対して0度と90度を含まない角度だけ図の例では45度傾いている。このように、透光性封止部320の形状が直方体であっても、偏光度を低減することができる。偏光方向324が対称面325aおよび325bに対してなす角度は、35~55度であることが好ましく、37~53度であることが更に好ましい。図18~図22に図示されている透光性封止部320実施形態8~11は、図4に示すシリンドリカル形状を有しているが、これらの透光性封止部320の形状は、シリンドリカル形状に限定されない。実施形態8~11において、図5から図10、または図23に示されている形状の透光性封止部320を用いても、同様の効果を得ることができる。上記の各実施形態では、1つの実装基板上に1つの透光性封止部320が配置されているが、図24に示すように、複数の透光性封止部320が1つの実装基板上に配置されていてもよい。図24に示す例でも、各透光性封止部320が覆う少なくとも1つの窒化物半導体発光素子300の偏光方向がその透光性封止部320の対称面に対して0度と90度を含まない角度だけ傾いている。この場合、1つの実装基板上に配置される透光性封止部320の形状、大きさ、方位はそれぞれ異なっていても良い。以下、本発明の実施例を説明する。実施例1m面n型GaN基板上に、厚さ2μmのn型GaN層からなるn型窒化物半導体層、厚さ15nmのInGaN量子井戸層と厚さ30nmのGaN障壁層からなる3周期の量子井戸構造を有する窒化物半導体活性層、厚さ0.5μmのp型GaN層からなるp型窒化物半導体層からなる窒化物系半導体発光素子を形成した。n型電極にはTi/Pt層、p型電極にはPd/Pt層を形成した。m面n型GaN基板の厚さは、150μmまで薄膜化した。窒化物系半導体発光素子は、c軸方向[0001]とa軸方向[11-20]にダイシングし、800μm角の小片に分割した。小片化された窒化物系半導体発光素子LEDを、アルミナ製の実装基板上に、Auバンプを用いて実装した。10mA動作時において、LEDのピーク発光波長は、437nmであった。また、直径2.2mmのサファイア性半球形状の透光性封止部、底面が2.2mmの正方形、高さTが1.1mm、半径Rが1.1mmのサファイア製シリンドリカル形状の透光性封止部を別に作製した。LEDには、これらの透光性封止部を直接乗せた。図26に、透光性封止部の形状とLEDの向きの関係、上面から観察した光学顕微鏡写真を示す。図25を参照しながら、偏光度の測定方法を説明する。まず、OLYMPUS製の実体顕微鏡3のポートの一方に、シリコンフォトディテクタ4を取り付けた。シリコンフォトディテクタ4は、Labsphere製SC6000で制御している。実体顕微鏡3のもう一方のポートには、発光の様子を確認するためのCCDカメラ5を取り付けた。LED1は、ADVANTEST製の電源6を用いて、5mAの低電流で駆動した。なお、図25にはLED1を簡略化して記載しているため、樹脂封止部などは省略している。実体顕微鏡3とLED1との間には、LED1に平行になるように偏光板2を挿入した。偏光板2を回転させながら、シリコンフォトディテクタ4で光出力パワーをモニターし、その最小値Iminと、最大値Imaxを求めた。最小値Iminと最大値Imaxから、|Imax-Imin|/|ImaxImin|の式から、偏光度を算出した。透光性封止部をLEDに配置しない場合LED1-1、5mA動作時において、LED1-1の偏光度は0.70であった。LEDに半球形状の透光性封止部を配置したLED1-2。この場合、5mA動作時においてLED1-2の偏光度は0.70であり、透光性封止部がない場合の偏光度を維持していた。LEDにシリンドリカル形状の透光性封止部を、対称面325aとLEDのa軸偏光方向がなす角度が0になるように配置したLED1-3。この場合、5mA動作時においてLED1-3の偏光度は0.75であり、透光性封止部がない場合の偏光度に近い値が得られた。LEDにシリンドリカル形状の透光性封止部を、対称面325aとLEDのa軸偏光方向がなす角度が90になるように配置したLED1-4。この場合、5mA動作時においてLED1-4の偏光度は0.60であり、透光性封止部がない場合の偏光度に近い値が得られた。LEDにシリンドリカル形状の透光性封止部を、対称面325aとLEDのa軸偏光方向がなす角度が45度になるように配置し、図3の形態を作製したLED1-5。この場合、5mA動作時においてLED1-5の偏光度は0.10であり、透光性封止部がない場合の偏光度に対して、極めて小さな値となった。実験結果から、透光性封止部の形状が一般的に用いられる半球形状では、偏光度を維持していた。また、LEDにシリンドリカル形状の透光性封止部の対称面325aとLEDのa軸偏光方向がなす角度が0度、あるいは90度では、偏光度を維持していた。シリンドリカル形状の透光性封止部の対称面325aとLEDのa軸偏光方向がなす角度が45度の場合、偏光度が低減した。以上のことから、透光性封止部の形状と、透光性封止部の対称面に対して窒化物系半導体発光素子の偏光方向を適切に選ぶことにより、偏光度の低減が実現できることがわかる。実施例2m面n型GaN基板上に、厚さ2μmのn型GaN層からなるn型窒化物半導体層、厚さ15nmのInGaN量子井戸層と厚さ30nmのGaN障壁層からなる3周期の量子井戸構造を有する窒化物半導体活性層、厚さ0.5μmのp型GaN層からなるp型窒化物半導体層からなる窒化物系半導体発光素子を形成した。n型電極にはTi/Pt層、p型電極にはPd/Pt層を形成した。窒化物系半導体発光素子は、c軸方向[0001]とa軸方向[11-20]にダイシングし、300μm角の小片に分割した。小片化された窒化物系半導体発光素子LEDを、表面に凹部を有するアルミナ製の実装基板上に、Auバンプを用いて実装した。10mA動作時において、LEDのピーク発光波長は、457nmであった。LEDは実装基板の凹部に収まる構造になっている。凹部には、屈折率が1.42のシリコーン樹脂を流し込んだ。その上に直径2.2mmのサファイア性半球形状の透光性封止部、底面が2.2mmの正方形、高さTが1.1mm、半径Rが1.1mmのサファイア製シリンドリカル形状の透光性封止部を配置し、図19の形態を作製した。シリコーン樹脂には、粘度が小さい材料を用い、シリンドリカル形状の透光性封止部が回転できるようにした。シリンドリカル形状の対称面325aとLEDのa軸偏光方向がなす角度が様々な角度になるように、シリンドリカル形状の透光性封止部を回しながら、LEDの偏光度を測定した。図27に、透光性封止部の対称面325aと窒化物系半導体発光素子の偏光方向a軸方向がなす角度に対する、透光性封止部から取り出される光の規格化偏光度の関係を示す。図27において、■は測定値である。ここで測定値は、透光性封止部を形成する前の偏光度を基準値として規格化した値である。◇は図17で示した計算値を、再度、示している。実際の測定結果と計算結果が、よく対応していることがわかる。図27から、透光性封止部の対称面325aと窒化物系半導体発光素子の偏光方向a軸方向がなす角度が45度付近で、規格化偏光度はもっとも小さい。窒化物半導体発光素子の偏光方向が、対称面325aおよび325bに対して、37~53度の範囲にある場合には、規格化偏光度を0.3程度まで低減できる。窒化物半導体発光素子の偏光方向が、対称面325aおよび325bに対して、35~55度の範囲にある場合には、規格化偏光度を0.4程度まで低減できる。実施例3m面n型GaN基板上に、厚さ2μmのn型GaN層からなるn型窒化物半導体層、厚さ15nmのInGaN量子井戸層と厚さ30nmのGaN障壁層からなる3周期の量子井戸構造を有する窒化物半導体活性層、厚さ0.5μmのp型GaN層からなるp型窒化物半導体層からなる窒化物系半導体発光素子を形成した。n型電極にはTi/Pt層、p型電極にはPd/Pt層を形成した。窒化物系半導体発光素子は、c軸方向[0001]とa軸方向[11-20]にダイシングし、300μm角の小片に分割した。小片化された窒化物系半導体発光素子LEDを、アルミナ製の実装基板上に、Auバンプを用いて実装した。10mA動作時において、LEDのピーク発光波長は、456nmであった。また、サファイア製シリンドリカル形状の透光性封止部を別に作製した。透光性封止部の配置前において、300μm角LEDの偏光度は、5mA動作時で0.61であった。LEDに、シリンドリカル形状の対称面325aとLEDのa軸偏光方向がなす角度が0度、45度、90度になるように、高さTが1.1mm、半径Rが1.1mm、2.2mm角の正方形の底面を有するシリンドリカル形状の透光性封止部を配置した。LEDに、シリンドリカル形状の対称面325aとLEDのa軸偏光方向がなす角度が0度、45度、90度になるように、高さTが0.8mm、半径Rが1.1mmのシリンドリカル形状の透光性封止部を配置した。LEDに、シリンドリカル形状の対称面325aとLEDのa軸偏光方向がなす角度が0度、45度、90度になるように、高さTが0.5mm、半径Rが1.1mmのシリンドリカル形状の透光性封止部を配置した。表1に、作製したLEDの5mA動作時における偏光度を示す。いずれのシリンドリカルレンズの形状においても、シリンドリカル形状の対称面325aとLEDのa軸偏光方向がなす角度が45度の場合に、偏光度は最も小さくなった。また、窒化物系半導体発光素子の最長部と透光性封止部の最短部との比が小さくなるほど、偏光度の低減効果が小さくなることが分かった。以上の結果から、シリンドリカル形状の高さがシリンドリカル形状の半径よりも小さい場合においても、偏光度が低減できる。シリンドリカル形状の高さがシリンドリカル形状の半径よりも小さい場合のレンズ形状は、図5に示した実施形態に対応している。さらに、図5の実施形態2は、図10の実施形態7に形状が近いため、図10の実施形態7においても同様の効果があると推定できる。実施例4m面n型GaN基板上に、厚さ2μmのn型GaN層からなるn型窒化物半導体層、厚さ15nmのInGaN量子井戸層と厚さ30nmのGaN障壁層からなる3周期の量子井戸構造を有する窒化物半導体活性層、厚さ0.5μmのp型GaN層からなるp型窒化物半導体層からなる窒化物系半導体発光素子を形成した。n型電極にはTi/Pt層、p型電極にはPd/Pt層を形成した。窒化物系半導体発光素子は、c軸方向[0001]とa軸方向[11-20]にダイシングし、300μm角と800μm角に小片化した。小片化された窒化物系半導体発光素子LEDを、アルミナ製の実装基板上に、Auバンプを用いて実装した。また、サファイア製シリンドリカル形状の透光性封止部を別に作製し、LEDの上に直接配置した。透光性封止部の配置前において、800μm角LEDの偏光度は、5mA動作時で0.70であった。また、300μm角LEDの偏光度は、5mA動作時で0.61であった。800μm角LEDに、シリンドリカル形状の対称面325aとLEDのa軸偏光方向がなす角度が0度、45度、90度になるように、高さTが1.1mm、半径Rが1.1mm、2.2mm角の正方形の底面を有するシリンドリカル形状の透光性封止部を配置した。800μm角LEDに、シリンドリカル形状の対称面325aとLEDのa軸偏光方向がなす角度が0度、45度、90度になるように、高さTが2.0mm、半径Rが2.0mm、4.0mm角の正方形の底面を有するシリンドリカル形状の透光性封止部を配置した。300μm角LEDに、シリンドリカル形状の対称面325aとLEDのa軸偏光方向がなす角度が0度、45度、90度になるように、高さTが1.1mm、半径Rが1.1mm、2.2mm角の正方形の底面を有するシリンドリカル形状の透光性封止部を配置した。表2に、作製したLEDの5mA動作時における偏光度を示す。いずれのシリンドリカルレンズの形状においても、シリンドリカル形状の対称面325aとLEDのa軸偏光方向がなす角度が45度の場合に、偏光度は最も小さくなった。また、いずれの場合も、シリンドリカル形状の対称面325aとLEDのa軸偏光方向がなす角度が0度または90度の場合に、もとの偏光度を維持した。一方、シリンドリカル形状の対称面325aとLEDのa軸偏光方向がなす角度が45度の場合に、偏光度が小さくなった。以上の結果から、透光性封止部の最短部の長さは、窒化物系半導体発光素子の最長部と同程度以上が好ましいことが分かる。"