複数のセルが直列接続された太陽電池の欠陥を検査する装置において、前記セルのうち測定対象のセルに光を照射するメイン光源と、前記セルのうち非測定対象のセルに光を照射するサブ光源と、前記メイン光源及び前記サブ光源のそれぞれの照度を、前記サブ光源の照度が前記メイン光源の照度よりも高くなるように制御する光源制御回路と、前記太陽電池から出力された電流を与えられ、電圧に変換して出力する電流電圧変換器と、前記電流電圧変換器から出力された電圧を与えられて増幅して出力する増幅器と、前記増幅器からの出力に含まれるバイアス電流を抽出して出力するバイアス電流抽出回路と、前記増幅器からの前記出力から、前記バイアス電流抽出回路により抽出された前記バイアス電流を差し引いて出力するバイアス電流キャンセル回路と、前記バイアス電流キャンセル回路からの出力をディジタルデータに変換して出力するA/D変換器と、前記A/D変換器から出力されたディジタルデータに画像処理を行って画像データを出力する画像処理装置と、前記画像処理装置から出力された前記画像データを与えられて画像表示を行う表示器と、を備え、前記バイアス電流を考慮した、測定対象のセルが発電した起電流成分に基づいて検査することを特徴とする太陽電池の欠陥検査装置。前記バイアス電流抽出回路は、前記増幅器からの出力を第1の電圧として与えられ、高周波成分を除去した第2の電圧を出力するローパスフィルタと、前記第1の電圧と前記第2の電圧とを与えられ、前記第1の電圧から前記第2の電圧を差し引いた前記高周波成分を含む第3の電圧を出力する減算回路と、前記第3の電圧を与えられ、この電圧のボトムを検波した第4の電圧を出力する電圧包絡線検波回路と、前記第2の電圧と前記第4の電圧とを与えられて加算した第5の電圧を出力する加算回路と、前記第5の電圧を与えられ、所定のタイミングでサンプルホールドした第6の電圧を前記バイアス電流として出力するサンプルホールド回路と、を有し、前記移動手段によって前記メイン光源が測定対象のセルへ移動した時点に対応する前記所定のタイミング、あるいは直列接続されたセルの継ぎ目に対応する前記所定のタイミングで、測定対象のセルに流れる前記バイアス電流を求めることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の欠陥検査装置。前記バイアス電流抽出回路は、前記増幅器からの出力を与えられてディジタル信号に変換して出力するA/D変換器と、所定のタイミングで、前記A/D変換器からの出力をバイアス電流測定データとして保存するマイクロコンピュータと、前記マイクロコンピュータに保存された前記バイアス電流測定データをアナログ信号に変換して前記バイアス電流として出力するD/A変換器とを有し、検査開始前に、各セル毎のバイアス電流が測定されて前記マイクロコンピュータに前記バイアス電流測定データとして保存され、前記移動手段によって前記メイン光源が測定対象のセルへ移動した時点に対応する前記所定のタイミング、あるいは直列接続されたセルの継ぎ目に対応する前記所定のタイミングで、前記マイクロコンピュータが保存した前記バイアス電流測定データを出力し、前記D/A変換器が前記バイアス電流を出力することを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の欠陥検査装置。複数のセルが直列接続された太陽電池の欠陥を検査する方法において、前記セルのうち測定対象のセルに、メイン光源により第1の照度で光を照射し、前記セルのうち非測定対象のセルに、サブ光源により前記第1の照度より高い第2の照度で光を照射し、前記太陽電池から出力された電流に含まれるバイアス電流をバイアス電流抽出回路により抽出し、前記太陽電池から出力された電流から前記バイアス電流をバイアス電流キャンセル回路によりキャンセルし、前記バイアス電流キャンセル回路からの出力を用いて画像処理を行って表示器に表示し、これにより、前記バイアス電流を考慮した、測定対象のセルが発電した起電流成分に基づいて検査することを特徴とする太陽電池の欠陥検査方法。しかしながら、太陽電池セルを直列接続したストリング及びモジュールの測定においては、主光源部と副光源部の2つの光源を用いて出力測定を行う場合、主光源部からの光の照射による測定対象セルの発電電流と、測定対象セルの抵抗成分を迂回して流れる非測定対象セルの発電電流とが合算されて測定される。即ち、太陽電池セルは、直列に接続された電流源とダイオードと、この電流源及びダイオードに並列に接続された抵抗と、電流源及びダイオードとさらに直列に接続された抵抗とを有する等化回路で表現することができる。よって、このような太陽電池セルを複数直列に接続した場合、それぞれのセルにおいて電流源及びダイオードに並列に接続された抵抗に、迂回した電流が流れることとなる。例えば、1番目の太陽電池セルを測定している際に、測定した電流値には、1番目のセルによる発電電流の他に、非測定対象の2番目以降のセルが発電した電流が1番目のセルにおける並列接続の抵抗に流れて加算されることとなる。以降、この迂回した電流をバイアス電流と称する。ストリング及びモジュールを構成する個々のセルは、セル製造時の品質ばらつきにより、それぞれが異なる内部抵抗値を有する。このため、副光源部の光の照射によって太陽電池セルごとに異なるバイアス電流が流れて、正確な検査結果を得ることができなかった。特にバイアス電流が大きいと、検査結果の表示画像における欠陥セルの画像は、測定系の入力範囲を超過しているため、画像データの処理上限を超過して輝度の高すぎる画像となり白く飛んでしまうことがあった。主光源部による発電電流よりもバイアス電流の方が大きくなり、これをそのまま画像にすると、複数のセルのうち例えば抵抗成分の小さい1番目のセルを測定している場合にはこの1番目のセルのみが非常に発電量が多く測定されるという誤った結果が出力されていた。また、ストリング及びモジュール内の太陽電池の抵抗成分のばらつき状況によっては、不良部分を良好と、あるいは良好な部分を不良と判定してしまう可能性があった。このため、2光源を用いた欠陥検査装置においては、バイアス電流を検出し、合算した電流値からこの値を差し引くことが必須であるが、この点について特許文献1には全く記載されていない。また、EL法においては、多結晶型太陽電池セルの検査に用いた場合、順電流を流したときに多結晶型太陽電池に存在する発電する粒界部と発電しない粒界部の影響を受けてしまい、多結晶型太陽電池セルの粒界模様と欠陥との画像による判別がつきにくいという問題があった。本発明は上記事情に鑑み、高精度で欠陥を判定することが可能な太陽電池の欠陥検査装置及び検査方法を提供することを目的とする。本発明の太陽電池の欠陥検査装置は、複数のセルが直列接続された太陽電池の欠陥を検査する装置において、前記セルのうち測定対象のセルに光を照射するメイン光源と、前記セルのうち非測定対象のセルに光を照射するサブ光源と、前記メイン光源及び前記サブ光源のそれぞれの照度を、前記サブ光源の照度が前記メイン光源の照度よりも高くなるように制御する光源制御回路と、前記太陽電池から出力された電流を与えられ、電圧に変換して出力する電流電圧変換器と、前記電流電圧変換器から出力された電圧を与えられて増幅して出力する増幅器と、前記増幅器からの出力に含まれるバイアス電流を抽出して出力するバイアス電流抽出回路と、前記増幅器からの前記出力から、前記バイアス電流抽出回路により抽出された前記バイアス電流を差し引いて出力するバイアス電流キャンセル回路と、前記バイアス電流キャンセル回路からの出力をディジタルデータに変換して出力するA/D変換器と、前記A/D変換器から出力されたディジタルデータに画像処理を行って画像データを出力する画像処理装置と、前記画像処理装置から出力された前記画像データを与えられて画像表示を行う表示器と、を備え、前記バイアス電流を考慮した、測定対象のセルが発電した起電流成分に基づいて検査することを特徴とする。本発明の太陽電池の欠陥検査方法は、複数のセルが直列接続された太陽電池の欠陥を検査する方法において、前記セルのうち測定対象のセルに、メイン光源により第1の照度で光を照射し、前記セルのうち非測定対象のセルに、サブ光源により前記第1の照度より高い第2の照度で光を照射し、前記太陽電池から出力された電流に含まれるバイアス電流をバイアス電流抽出回路により抽出し、前記太陽電池から出力された電流から前記バイアス電流をバイアス電流キャンセル回路によりキャンセルし、前記バイアス電流キャンセル回路からの出力を用いて画像処理を行って表示器に表示し、これにより、前記バイアス電流を考慮した、測定対象のセルが発電した起電流成分に基づいて検査することを特徴とする。本発明の太陽電池の欠陥検査装置及び検査方法によれば、メイン光源部及びサブ光源部の2光源を用いて、バイアス電流を除去した正確な発電電流の測定を行うことができ、その結果欠陥の画像表示も適切に行うことが可能である。また、本発明によれば太陽電池として多結晶型太陽電池を用いた場合であっても、粒界の影響を受けないため、画像化した際に粒界模様が現れず、クラック等の欠陥部位のみを特定することが可能である。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1に、本発明の実施の形態による太陽電池の欠陥検査装置の全体構成を示す。この欠陥検査装置は、載置台1、検査ピン2、メイン光源3、サブ光源4、光源制御回路5、移動手段6、シャント抵抗7、増幅器8、バイアス電流抽出回路9、バイアス電流キャンセル回路10、ミュート回路11、アナログディジタル以下、A/Dと称する変換器12、画像処理装置13、及び表示器14を備えている。載置台1は、太陽電池Sを載置するものであって欠陥検査装置の上部に設けられており、ここに測定対象の太陽電池Sが受光面を下に向けて載置される。尚、ここで太陽電池Sは、複数の太陽電池セルを直列接続したストリング、及びストリングを接続したモジュールを指すものとする。載置台1は、ガラス等、透明性を有する素材から成ることが好ましい。載置された太陽電池Sの両端に突き出たタブリードのそれぞれに対し、載置台1の両端部に設けられた検査ピン2を接続する。この状態で、載置台1の下面に配置されたメイン光源3から、測定対象の太陽電池セルに対して光が照射される。ここで、メイン光源3は、移動手段6によって、太陽電池Sの長手方向に移動することができる。メイン光源3の初期位置は、1回目の測定対象となる太陽電池Sの1枚目のセルの真下である。尚、本実施の形態では、メイン光源3としてレーザ光源を用いている。太陽電池Sにおける残りの全てのセル、即ち非測定対象セルの全てに対して、複数のサブ光源4から光が照射される。このとき、光源制御回路5によって、サブ光源4の光の放射照度を、メイン光源3の光の放射照度よりも高くなるように制御される。発電した測定対象セルの電流を検査ピン2から取り出し、シャント抵抗7の両端に生じた電圧を増幅器8で増幅することで検出した電流を電圧に変換する。尚、シャント抵抗7には限定されず、電流を電圧に変換する電流電圧変換器であればよい。増幅した電圧値VaVbは、バイアス電流抽出回路9に与えられて、サブ光源4の光の照射によって生じたバイアス電流成分に対応するバイアス電圧値Vbが抽出される。尚、Vaは測定対象セルにおける光起電力により生じた電圧であるとする。バイアス電流キャンセル回路10は差動増幅器で構成され、増幅器8から出力された電圧VaVbと、バイアス電流抽出回路9により抽出されたバイアス電圧Vbとが与えられ、電圧VaVbからバイアス電圧Vbが差し引かれた値が増幅されて出力される。バイアス電流キャンセル回路10からの出力は、ミュート回路11に与えられる。ミュート回路11は、バイアス電流キャンセル回路10がバイアス電流成分をキャンセルする際に発生する過渡的な信号の乱れをミューティングし、以降の表示器14における画像に表示されないようにするものである。このミュート回路11は過渡的な信号の乱れが画像に影響を与えないように設けることが望ましいが、所望の画像品質等に応じて設ければよく必ずしも不可欠なものではない。ミュート回路11からの出力はA/D変換器12によりディジタルデータに変換され、画像処理装置13において画像処理が施され、表示器14に表示される。このようにして、測定対象の1枚目の太陽電池セルからの出力からバイアス電流がキャンセルされて発電電流のみが取り出され、表示器14において表示される。測定対象の1枚目の太陽電池セルの測定を終了した後、測定対象セルが2枚目の太陽電池セルへ移行する。そこで、メイン光源3が移動手段5によって2枚目の太陽電池セルの下部へ移動され、2枚目の太陽電池セルへ光を照射する。このとき、サブ光源4の照射対象は、光源制御回路5によって、新たな測定対象セルとなった2枚目の太陽電池セルを除く全ての非測定対象セルへと切り替えられる。以降の工程は、1枚目のセルを測定した手順と同様である。このような手順を経て、太陽電池Sの全てのセルの測定が完了するまで上述した太陽電池セルからの出力電流の測定、バイアス電流のキャンセル、画像化までの処理を繰り返していき、各セル毎の発電電流を測定して画像データとして表示する。図2に、バイアス電流抽出回路9の回路構成の一例を示す。この構成では、アナログ回路方式を採用しており、ローパスフィルタ21、減算回路22、包絡線検波回路23、加算回路24、サンプルホールド回路25、タイミング信号生成回路26を有している。この図2における各回路要素から出力される電圧V1~V6の波形を示した図3を用いて、このバイアス電流抽出回路9の動作を説明する。図1に示された増幅器8により増幅され出力された電圧V1=VaVbは、図3aに示されるような高周波成分を含んだ波形を有している。この電圧V1がローパスフィルタ21に入力されて積分され、高周波成分が除去され図3aに示されるような電圧V2として出力される。この電圧V2と増幅器8から出力された電圧V1とが減算回路22に入力され、電圧V1から電圧V2が差し引かれる。これにより、電圧V1に含まれていた高周波成分、即ち、発電電流に対応した図3bに示されるような波形を有する電圧V3を抽出することができる。この電圧V3には、リップルが含まれている。この電圧V3が電圧包絡線検波回路23に与えられ、電圧V3のボトムが検波されることにより、図3bに示されるような波形を有する電圧V4が得られる。この電圧V4とローパスフィルタ21から出力された電圧V2とが加算回路24に入力されて加算されて、図3cに示されるようなバイアス電流成分に対応した電圧V5が得られる。しかしながら、この電圧V5には包絡線検波回路23において生じたリップルが残っている。そこで、タイミング生成回路26により生成された所定のタイミングを示すサンプリング信号を用いて、サンプルホールド回路25において、バイアス電流が一定値になるようサンプルしホールドする。これにより、図3dに示されたようなバイアス電流に対応した電圧V6を得ることができる。尚、減算回路22及び加算回路24は、演算増幅器やトランジスタ等で構成することができる。図4に、バイアス電流抽出回路9の回路構成の他の例を示す。この構成では、マイクロコンピュータを用いてディジタル回路方式を採用した例に相当し、A/D変換器31、マイクロコンピュータ32、タイミング信号生成回路33、D/A変換器34を有している。このバイアス電流抽出回路9を用いる場合は、メイン光源3を用いた太陽電池Sの検査を開始する前に、予めサブ光源4の光のみを、測定対象セル以外の太陽電池S全体に照射する。即ち、測定対象の1枚目のセルにのみ光が当たらず、1枚目のセル以外の太陽電池S全体に照射する状態となり、この状態でバイアス電流値を測定する。次に、測定対象の2枚目のセル以外の太陽電池S全体にサブ光源4の光を照射し、バイアス電流値を測定する。このような手順でサブ光源4の非照射対象を切り替えていき、全てのセルのバイアス電流値の測定を完了させるとともに、測定したアナログ形態のバイアス電流値をA/D変換器31によりディジタルデータに変換し、タイミング信号生成回路33が発生したタイミングにおけるデータをマイクロコンピュータ32に保存しておく。このデータは、マイクロコンピュータ32から読み出されると、D/A変換器34によりアナログ形態のバイアス電流値に変換された後、出力される。その後、太陽電池Sの検査が開始される。測定対象セルを照射するメイン光源3の移動に伴い、サブ光源4の照射対象が切り替わる。この切り替わり毎に、マイクロコンピュータ32に保存されたデータが読み出されて、バイアス電流値がバイアス電流キャンセル回路10によって測定値から差し引かれて、測定対象セルの発電電流のみを求めることができる。図5に、バイアス電流成分を抽出するタイミングを示す。ここでは、サブ光源4としてLED1~LED5が用いられている。測定対象セルが1枚目のセルである時、1枚目のセルの真下に位置するLED1は消灯しており、他の全てのセルに対応するLED2~LED5は点灯している。次に、測定対象セルとして2枚目のセルの計測を開始する前にLED1が点灯し、替わりにLED2が消灯する。他のLED3~LED5は点灯状態を維持する。この点灯、消灯の切り替えのタイミングとしては、例えば隣接するセルの境界線とするか、あるいはメイン光源3が次の測定対象セルへ移動するタイミングと同期させるなど、いずれであってもよい。隣接するセルの境界線に基づいて、LED1~LED5の点灯、消灯の切り替えを行う場合には、セルの境界線を赤外線センサ、レーザセンサ等を用いて検出する。尚、レーザセンサ等、センサから光を出力する場合には、検査用のメイン光源3の出力より十分に小さくすることが望ましい。同様に、測定対象セルとして3枚目のセルの計測を開始する前にLED2が点灯し、替わりにLED3が消灯し、他のLED1、LED4~LED5は点灯状態を維持する。測定対象セルとして4枚目のセルの計測を開始する前にLED3が点灯し、替わりにLED4が消灯し、他のLED1~LED2、LED5は点灯状態を維持する。測定対象セルとして5枚目のセルの計測を開始する前にLED4が点灯し、替わりにLED5が消灯し、他のLED1~LED3、LED5は点灯状態を維持する。このような手順を経ていくことで、1~5枚目のセルのそれぞれのバイアス電流Ib1~Ib5が出力され、所定のタイミングに従ってその時のバイアス電流値が取得される。図6を参照して、太陽電池Sが発電した光起電流を用いて画像表示を行う手法について説明する。図6aに示されたように、欠陥クラックが表面に存在する太陽電池セルに対し、両端に突き出たタブリードと直交する方向にメイン光源3からのレーザ光を図中左から右方向に走査していく。これにより得られた得られた発電電流I1、I2、...、Innは2以上の整数には、それぞれの走査線上における欠陥の位置に対応した電流成分が含まれる。この発電電流I1、I2、...、Inの電流値を時系列で接続することにより、図6bに示されるような波形をオシロスコープ等により表示することができる。そして、この発電電流I1、I2、...、Inに画像処理を施すことにより、図6cに示されるように画像が表示され欠陥の特定が可能となる。図7に、バイアス電流をキャンセルする前の測定電流値に対応した画像を示す。この測定電流値は、図1に示されたシャント抵抗7の両端に発生した電圧に対応し、これには測定対象セルが発電した起電流とバイアス電流とが合算されている。ここでは、太陽電池セルは3枚のセルを直列接続したストリングである。各セルによって異なる抵抗を有するため、バイアス電流もそれぞれ異なっていることがわかる。図8に、バイアス電流をキャンセルする前のストリングの検査画像を示す。図中、左側の太陽電池セルをセル1、中央のセルをセル2、右側のセルをセル3とすると、セル2、セル3では測定系の入力範囲を超過しており、画像データの処理上限を超えてしまい画像化処理が不能であったため画像データが取得されなかった。図9に、バイアス電流をキャンセルした後の測定電流値に対応した画像を示す。左側に位置した1枚目のセル1から0Vを基準とした発電電流の測定値が取得されていることがわかる。図10に、バイアス電流をキャンセルした後のストリングの検査画像を示す。全てのセル1~3において、バイアス電流の影響を受けることなく、検査者の視認が可能なように欠陥クラックが表示された画像データが取得されていることがわかる。太陽電池が発電した光起電流を検出して欠陥部位を検出する方式では、測定対象のセルの発電電流に基づく欠陥部位を正確に画像化するためには、測定電流に含まれるバイアス電流を検出してキャンセルする必要がある。本実施の形態によれば、上述したように起電流のみを測定することにより、EL法のような結晶模様が暗部として表示されて欠陥部位の特定が困難になる現象を回避することができる。上記実施の形態はいずれも一例であって、本発明の技術的範囲内において様々に変形することが可能である。