"デブリで汚染された反射表面を有するEUV光源用のコレクタを再生する方法であって、炭素酸化剤を含むガスを含んだ洗浄チャンバ内で、紫外光源からの照射のもとで前記コレクタの反射面を光化学的に洗浄するステップを有することを特徴とする方法。前記紫外光源からの照射は、通常使用のコレクタのEUV光源のプラズマ着火部位に対応する実質的に点光源位置における供給点から照射される光源によって行われる、請求項1に記載の方法。前記紫外光源はDUV光源である、請求項1に記載の方法。前記炭素酸化剤を含むガスは、分子状F2を含んでいる、請求項1に記載の方法。前記炭素酸化剤を含むガスは、NF3を含んでいる、請求項1に記載の方法。前記光化学的洗浄は、160~300nmの範囲の波長を有する光を用いて行う、請求項1に記載の方法。前記紫外光源は、DUVランプである、請求項1に記載の方法。気相におけるフッ素ベースの炭素材料を排出するために、洗浄チャンバをパージするステップを有する、請求項1に記載の方法。デブリで汚染された反射表面を有するEUV光源用のコレクタを再生する装置であって、洗浄チャンバと、紫外光源と、前記洗浄チャンバ内で、前記紫外光源からの照射のもとで前記コレクタの反射面を光化学的に洗浄する、炭素酸化剤を含むガスの供給源と、を有することを特徴とする装置。前記紫外光源は、160~300nmの範囲の波長の光を生成する、請求項9に記載の装置。EUV光源におけるEUVコレクタの反射表面からデブリを除去するための方法および装置が開示され、これは第一の材料からなる反射表面および第二の材料および/または第二の材料の化合物からなるデブリを含んでなり、前記システムおよび方法は、制御されたスパッタリングイオン源該イオン源は前記スパッタリングイオン材料の原子を含有するガスを含んでよくと;前記スパッタリング材料の原子をイオン化された状態に励起する誘導機構とを含んでよく、前記イオン化された状態は、前記第二の材料をスパッタリングする高い可能性、および前記第一の材料をスパッタリングする非常に低い可能性を有する選択されたエネルギーピークの周囲の分布を有するように選択される。前記誘導機構は、RFまたはマイクロ波誘導機構を含んでよい。前記ガスは、前記選択されたエネルギーピークを部分的に決定する圧力に維持され、また前記誘導機構は、前記第二の材料のプラズマデブリ原子の流入速度以上の、前記反射表面からの前記第二の材料のスパッタ密度を形成する、前記スパッタリングイオン材料のイオンの流入を形成してよい。スパッタ速度は、前記反射表面の所定の望ましい寿命について選択されてよい。前記反射表面はキャップされてもよい。前記コレクタは、楕円形ミラー、および半径方向に伸びるチャンネルを含み得るデブリシールドを具備してよい。前記第一の材料はモリブデンであってよく、前記第二の材料はリチウムであってよく、また前記イオン材料はヘリウムであってよい。前記システムは、前記反射表面から前記第二の材料を蒸発させるためのヒータを有してよい。前記誘導機構は、着火時と着火時との間は前記反射表面に接続されてよい。前記反射表面はバリア層を有してよい。前記コレクタは、入射反射シェルの視射角と組合された球形ミラーであってよく、これは、反射体シェル上の多層スタックのための層材料の選択により分光学的フィルタとして作用してもよい。前記スパッタリングは加熱と組合されることができ、後者はリチウムを除去し、前者はリチウムの化合物を除去し、また前記スパッタリングは、励起されたガス原子ではなくプラズマ中で生成したイオンによるものであってよい。図1を参照すると、EUV光源、例えば本発明の一つの側面に従った、レーザにより発生されるプラズマEUV光源20についての、全体的な広義の概念の概略図が示されている。光源20は、パルスレーザシステム22、例えばガス放電レーザ、例えばエキシマガス放電レーザ、例えば大電力および高パルス反復速度で動作するKrFもしくはArFレーザを含んでよく、また、例えば米国特許第6,625,191号、同第6,549,551号、および同第6,567,450号に示されたようなMOPA構成のレーザシステムであってよい。また、このレーザは、例えばソリッドステートのレーザ、例えばYAGレーザであってよい。光源20はまた、例えば液滴、固体粒子または液滴内に含まれた固体粒子の形態のターゲットを送達するターゲット送達システム24を含んでいてもよい。当該ターゲットは、ターゲット送達システム24によって、例えばチャンバー26の内部の、着火部位もしくは火球としても知られる照射部位28へと送達される。ターゲット送達システム24の実施形態については、以下で更に詳細に説明する。パルスレーザシステム22から、レーザ光学軸55に沿ってチャンバ26のウインドウ図示せずを通り、照射部位へと送達されたレーザパルスは、ターゲット送達システム24によって生じたターゲットの到達に関連して以下で更に詳細に述べるように、適切に集光されて着火または火球を形成し、これはターゲットの材料に従って、生成されるX線光の波長を含む一定の特徴をもったX線または軟X線EUVを放出するプラズマ、着火の際または着火の後にプラズマから放出される種類および量のデブリを形成する。当該光源はまた、レーザ光が着火部位28に侵入するためのアパーチャを備えたコレクタ30、例えば反射体例えば短縮された楕円系を含んでもよい。該コレクタシステムの実施形態については以下で更に詳細に説明する。コレクタ30は、例えば、着火部位28に第一の焦点および所謂中間点40に第二の焦点中間焦点40とも呼ばれるを有する楕円形ミラーであってよく、ここでは当該光源からEUV光が出力され、例えば集積回路リソグラフィーツール図示せずへと入力される。当該システム20はまた、ターゲット位置検出システム42を含んでもよい。パルスシステム22は、例えば、発振器レーザシステム44のためのパルス電力タイミングモニターシステム56および増幅器レーザシステム48のためのパルス電力タイミングモニターシステム56と共に、発振器レーザシステム44のための例えば磁気リアクタ切り替えパルス圧縮およびタイミング回路50、および増幅レーザシステム48のための磁気リアクタ切換えパルス圧縮およびタイミング回路52を備えた、例えば発振器レーザシステムおよび増幅器レーザシステム48を有する二重チャンバーガス放電レーザシステムで構成された、マスター発振器電力増幅器MOPAを含んでもよい。当該パルス電力システムは、例えばYAGレーザからレーザ出力を形成するための電源を含んでもよい。当該システム20はまた、EUV光源コントローラシステム60を含んでもよく、これはまた、例えばレーザビーム位置決めシステム66と共に、ターゲット位置検出フィードバックシステム62および発火制御システム64を含んでもよい。ターゲット位置検出システムは、複数の液滴撮像装置70,72および74を含んでよく、これらはターゲット液滴の位置に関する例えば着火部位に関する入力を提供し、これらの入力をターゲット位置検出フィードバックシステムに提供し、これらは例えばターゲットの位置および軌跡を計算することができ、これらから、液滴毎ではなく平均ベースではあってもターゲットエラーを計算することができ、次いでこれがシステムコントローラ60への入力として提供されて、該コントローラは、例えばレーザの位置および方向補正信号を例えばレーザビーム位置決めシステム66に提供することができ、該レーザビーム位置決めシステムは、例えばレーザ位置および方向変更器68を制御するためにこれを使用して、レーザビームの焦点を異なる着火点28に変更することができる。撮像器72は、例えばターゲット送達機構92から望ましい着火部位28へのターゲット液滴の望ましい軌道経路と共に整列された、例えば撮像ライン75に沿って照準されてよく、また撮像器74および76は、例えば望ましい着火部位28以前の経路に沿った幾つかの点80において望ましい軌道経路と単独で交叉する、撮像ライン76および78に沿って照準されてよい。ターゲット送達制御システム90は、システムコントローラ60からの信号に応答して、例えば、ターゲット送達機構92によって放出されるときのターゲット液滴94の放出点を変更して、望ましい着火部位28に到達する標的液滴における誤差を補正してもよい。中間焦点40の近傍におけるEUV光源検出器100はまた、例えばレーザパルスのタイミングおよび集光における誤差を示すことができるフィードバックをシステムコントローラ60に提供して、ターゲット液滴を、効果的および効率的なLPPEUV光生成のための正しい位置および時間に適正にインターセプトしてもよい。次に図1Aを参照すると、図1に示したコントローラシステム60および関連のモニタリングおよび制御システム62,64および66の更なる詳細が概略的に示されている。該コントローラは、例えばシステムクロック116によりクロックバス115上でシステム部品に提供されるシステムクロック信号に相関されたターゲット位置検出フィードバック信号から、例えば複数の位置信号134,136、軌道信号136を受取る。コントローラ60は、例えば、システム時間における或る時点でのターゲットの実際の位置を計算することができる予備到着トラッキングおよびタイミングシステム110、或るシステム時間におけるターゲット液滴の実際の軌道を計算することができるターゲット軌道計算システム112、着火を起こすための幾つかの空間的および時間的に望ましい点に比較した時間的および空間的エラー信号を計算することができる、照射部位の時間および空間的エラー計算システム114を有してもよい。次いで、コントローラ60は、時間エラー信号140を発火制御システム64に提供し、空間的エラー信号138をレーザビーム位置決めシステム66に提供する。該発火制御システム64は計算して、レーザ発振器44磁気リアクタ切り替えパルス圧縮およびタイミング回路50の共鳴放充電部分118に共鳴充電開始信号122を提供し、また、例えばPA磁気リアクタ切換えパルス圧縮およびタイミング回路52に共鳴充電開始信号124を提供してよく、これらは両者共に同じ信号であってよい。また、発振器レーザ44磁気リアクタ切換えパルス圧縮およびタイミング回路50に対してトリガー信号130を提供し、増幅器レーザシステム48磁気リアクタ切換えパルス圧縮およびタイミング回路52の圧縮回路部分に対してトリガー信号132を提供してもよい。これらは同じ信号でなくてもよく、また一部は時間的エラー信号140および光アウト検出装置54および56夫々発振器レーザシステムおよび増幅器レーザシステムのためのものからの入力から計算されてよい。空間エラー信号は、レーザ位置および方向制御システム66に提供されてよく、これらは例えば、発火点信号および視線信号をレーザビーム位置決め装置に提供し、該位置決め装置は、例えば、発火時点におけるレーザシステム増幅器レーザ48の出力位置および該レーザ出力ビームの照準方向の一方または両方を変更することによって、着火部位のための焦点を変更するようにレーザを位置決めしてよい。次に、図2Aおよび図2Bを参照すると、それぞれ、コレクタミラー150の内部を見ているコレクタ30の側面図、および図2Aの切断線2Bに沿った回転対称コレクタミラー150の断面図が示されている但し、図2Aの如何なる半径方向軸に沿った場合にも断面図は同じであろう。図2Aに示すように、楕円形コレクタミラー150は、該ミラーを覗く断面において円形であり、これは該ミラーの最も大きな範囲での断面図2Aには楕円ミラー150の殆ど焦点28にあるように示されているであり、ターゲット液滴94が焦点28にあるように設計された着火点に届くのを阻止しないようになっている。しかし、該ミラーは中間焦点に向って更に広がってもよく、該焦点へのターゲット液滴の通過を可能にするように、ミラーのなかに適切な孔図示せずを備えていてもよい。該楕円形ミラーはまた、集光光学系156を通り、ミラー150を通して集光されたLPPレーザビーム154が、楕円形ミラーの焦点であることが望まれる着火点28へのエントリーを可能にするように、例えば、図2Aでは円形に示されたアパーチャ152を有していてもよい。該アパーチャ152はまた、用いる制御システムの種類に応じて、レーザビーム154の焦点を着火部位上に補正するようにビーム光学経路を変更する要件もし存在するなら内において、例えば、例えば一般には矩形のビームプロファイルに加工することができる。また、図2Aおよび図2Bには、本発明の一実施形態の側面に従うデブリシールド180が示されている。該デブリシールド180は、望ましい着火部位から半径方向外側に広がって、デブリシールド180を通して半径方向に広がる狭い平坦なチャンネル184を定義する、例えばモリブデン箔製の複数の薄いプレート182で作製されてよい。図2Aの説明は非常に概略的であり、且つ一定の縮尺に従っておらず、チャンネルは実際には可能な限り細く作製される。好ましくは、着火部位28に集光されたレーザビームによるターゲット液滴94の点火によって形成されたプラズマから放出されるX線を殆どブロックしないように、該箔プレート182はチャンネル184よりも更に細くすることができる。図2Bの断面を見れば、デブリシールドにおけるチャンネル182の機能を見ることができる。単一の放射状チャンネルが図2Bに見られ、この同じチャンネルは、コレクタミラー150およびデブリシールド180のチャンネル内のデブリシールドの回転対称軸を通る如何なる断面にも見られるであろう。着火部位28から放出されたEUV光および他の光エネルギーの各光線190は、着火部位28から半径方向外側へと移動し、デブリシールド180における夫々のチャンネルを通過し、図2Bに示すように、所望であれば、これはコレクタミラー150の反射表面へと完全に広がるであろう。何れかの入射角で楕円形ミラー150の表面に衝突すると、光線190は、図1に示した中間焦点40上に集光される反射光線192と同じチャンネル180内で反射されるであろう。次に図3を参照すると、本発明の実施形態の一つの側面に従う別の実施形態が示されている。この実施形態では、単純化のためにデブリシールド180が示されておらず、またこの実施形態は、例えば図2Aおよび図2Bに示した楕円形コレクタミラーと同様、適切なときには、以下で更に詳細に述べるようにデブリシールドと共に、またはデブリシールドなしで利用することができる。この実施形態では、第二のコレクタ反射ミラーが加えられており、該ミラーは着火部位28、即ち楕円形ミラー150の焦点に中心を有し、コレクタミラー150から中間焦点40図1に示されているへと光を通すためのアパーチャ210を備えた球形ミラー202の断面を具備している。該コレクタミラー150は、着火点28からコレクタミラー150に向けて放出された光線190に関して、図2Aおよび図2Bについて上述したようにして機能する。着火部位28からコレクタミラー150を離れて放出され、球形ミラー202に衝突した光線204は、楕円形コレクタミラーの焦点を通って逆方向に反射し、あたかも楕円形ミラー150の焦点28から放出されたかのようにして楕円形コレクタミラー150上へと通過し、従って、これもまた中間焦点40へと集光されるであろう。図2Aおよび図2Bに関連して説明したように、これはデブリシールド180が存在してもしなくても生じるであろうことは明らかであろう。次に図4を参照すると、本発明の実施形態に従うデブリ管理のもう一つの側面が概略的に示されている。図4は、電流源、例えばDC電圧源220に接続されたコレクタミラー150を示している。この電流は、例えば堆積したリチウムを蒸発させるための選択された温度に反射体を維持するような、本発明の一実施形態であることができる。第一のコレクタミラーからリチウムを除去するための別の概念は、ヘリウムイオンもしくは水素イオンのスパッタリングを用いることである。これらイオンの小さい質量は、低エネルギー例えば<50eVに維持されたときに、例えばMo/Si層で作製されたEUV多層ミラーのモリブデン層および/またはシリコン層について、極めて低いスパッタ収量を導くことができる。図4に戻ると、本発明の実施形態の一側面に従うデブリ洗浄装置が示されている。図4似示すように、電流源例えばDC電圧源220は、例えばコレクタミラー150、例えばミラー150のための金属製バッキング材例えばアルミニウムまたはニッケルに接続されてよい。こうして、ミラー150は、EUV光源チャンバ26の内側を満たす周囲ガス例えばヘリウムガスの温度よりも高い温度に加熱されてよい。本発明の別の実施形態に従って、反射体の他の加熱、例えば容器26内の加熱ランプ図示せずからの放射加熱による加熱が生じてもよい。デブリ洗浄のもう一つの側面、例えば図4に示すような、例えばRF周波数電圧230および図4のチャンバ26内の232で模式的に示すアンテナからの、RFの導入が組込まれてもよい。事実、図4に示したDCと同様に、RFは、ミラー150または金属製バッキング材図示せずに接続されてもよく、この場合に、適切な導電性材料製で且つアース電位に接続された暗シールド図示せずが、コレクタミラー150の背面を覆って形成されてよく、これは絶縁体例えば空気ギャップおよび電圧例えばミラー150にも接続されたDC電源220からのDCによってミラーから分離される。図5A~図5Cに示すように、時刻t1、t2、t3での所定の周期的なLPP着火のために、t1、t2、t3で着火が生じる間、および着火時点の何れの側でも短時間だけ、RFはDC電圧によって置きかえられてよく、このような時間の間、次の着火の際のDC電圧の次の発生まで、完全にではなくとも少なくとも着火の直後にはRFが用いられる。また、電源220からのDCは、それぞれの着火時点の間は正の電位であってよくおそらくはRF源230からの連続的な電圧と共存してよい、またこのような正のパルスの間では不の電位であってよい。コレクタミラー150に印加される電圧は、一方では金属デブリ、例えばリチウムまたは他のターゲット金属材料のようなターゲット液滴の着火の際およびその後に、プラズマから放出されるリチウムを蒸発させることを意味する。また、例えばリチウムターゲット液滴自体の中の不純物に起因して現れ、且つ着火後にコレクタミラー150上に同様に堆積されるK、Fe、Na等の金属元素も、蒸発させることができるであろう。このRFは、コレクタミラー150表面の近傍において、励起されたHe原子の局在化されたイオン性プラズマを形成することを意味し、局在化されたプラズマ中のこれら励起されたイオンが、コレクタミラー150上のリチウム原子またはリチウム化合物に衝撃を与えて、これらをミラー表面からスパッタ除去することを意図している。本発明のこの実施形態は、例えば、蒸発機構とスパッタ機構との間でバランスさせることを想定しており、例えば、RFが<500W電力RF周波数スパッタリングについての連邦規制によって指示されるように、13.65MHzにおいてであれば、ミラー温度は或る望ましい温度またはその近傍に維持されるべきであり、またRFが増大すれば例えば13.65MHzにおいて>500W、これに対応して温度は低下させることができるであろう。次に、図6Aおよび図6Bを参照すると、別のコレクタ装置に関する本発明の実施形態の側面が示されている。図6Aおよび図6Bに示されるように、コレクタ225は、例えば複数の入れ子式シェルで構成されてよく、これら入れ子式シェルは、例えば楕円形反射シェルおよびパラボラ反射シェル例えば、図6Aにおけるパラボラ形シェル230および240、楕円形シェル250および260で作られた異なる区画を形成している。パラボラ形シェル、例えば230および240は、それぞれが第一のパラボラ反射表面233,242、および第二のパラボラ反射表面234,244から構成されている。楕円形区画250および260は、例えば、楕円形反射表面252および262を含んでいてよい。図6Bには、追加の二つのパラボラ形シェル区画232および236を備えた別の実施形態が示されており、区画232は、例えば第一のパラボラ反射表面231および第二のパラボラ反射表面234を含んでおり、また第二の区画236は、例えば第一のパラボラ反射表面237、第二のパラボラ反射表面238および第三のパラボラ反射表面239を含んでいる。それぞれの反射シェル230,240,250および260は、それらの間で、一般にコレクタ225反射シェルの焦点に整列した回転軸310から11°~55°の球区画内において、着火点21から放出された光を100反射するように構成されており、シェル230,240,250および260はまた、一般にこの回転軸310の回りに対称である。例として、図6Aの実施形態は、説明したばかりの球の一部において、全ての光が、シェル230.240,250,および260の少なくとも一つに導入される実施形態を示している。パラボラ形シェル区画230および240の場合、第一の反射表面233,242に入射して、中間焦点40に向って反射されるか、またはそれぞれの第二の反射表面234,244から中間焦点へと反射される。楕円形シェル区画250,260の場合、例えば、反射表面252,262によって形成される楕円は、各々が着火点28に第一の焦点を有し、また中間焦点40に第二の焦点を有するので、各シェル250,260に導入される全ての光は中間焦点へと反射される。それぞれの反射表面233,234,242,244,252および262の材料、特定の光線の入射角度、所定のシェル区画230,240,250および260における反射の回数に応じて、一定の平均反射効率が生じ、またこれらシェルの構造に応じて、一定のパーセンテージの利用可能な光が各区画230,240,250および260に導入されて、図6Aに示すように、シェル区画230では65の平均合計効率で19が反射および集光され、シェル区画240では75の平均合計効率で17が反射および集光され、シェル区画250では80の平均合計効率で43が反射および集光され、シェル区画260では91の平均合計効率で21が反射および集光されるであろう。図6Bは、二つのパラボラシェル区画232,236を加えた別の実施形態を示している。これらの追加された区画は、例えば、回転軸から約85までの光を集めるように働くことができ、また追加された区画の少なくとも一方は、第一の反射表面237、第二の反射表面238および第三の反射表面239を有していてよい。図6Bから分かるように、例えば光源または着火点から放出された光の光線290は、パラボラ反射シェル区画236に導入され光線292として第二の反射表面238へと反射され、次いで光線294として第三の反射表面239へと反射され、次いで集光された光線296を形成することができる。同様にして、光線300は、該シェル開口部の他端でパラボラ反射体シェル236に導入され、第一の反射表面で光線320として反射され、第二の反射表面237で光線304として反射され、第三の反射表面の正に末端で光線306に集光されてよい。例えばパラボラシェル区画の一つ、例えば区画240の場合、光線280はこの区画240に導入されて、光線282として第一のパラボラ反射表面242から反射され、集光された光線283として第二の反射表面の正に端部から反射されるに違いなく、またもう一つの光線284は該区画に導入され、集光された光線286として第二の反射表面から反射されるに違いない。楕円形シェル区画の一つ例えば250の場合、着火点から放出された光線308はシェル区画250に導入され、集光された光線309として楕円形反射表面252から反射されてよく、また光線318は、光線308とは反対側でシェル区画250に導入され、集光された光線319として反射されてよい。次に図7および図8を参照すると、各々が5°および15°の視射角のための1単一層のルテニウム反射表面、2厚さ14nmの単一Mo層および4nmの単一Si層のMo/Si二層スタック、3ピッチが9.2nmでMo/Si厚さ比が22.5:1であり、例えば40多層スタックを有する10周期の多層Mo/Siスタックについての、入射反射率の視射角のプロットが示されている。Mo/Siを備えた各反射体においては、モリブデン基体が仮定される。分光学的純度が送達される光についての明細の一部である場合、コレクタは、例えば図6Aおよび図6Bの実施形態において、例えば選択された中心波長近傍の反射率に有利な入れ子式シェルコレクタの反射特性を使用することにより、或る所定のバンド幅の広がりを持った一定の波長に調節することができる。図9は、本発明の一つの実施形態の側面を示している。この実施形態において、コレクタアセンブリー330は、例えば、球形ミラー反射表面332の一部を含んでよく、これは着火点28から生じた光を、入れ子式楕円形シェルコレクタ334における例えば三つの入れ子式楕円シェル区画336,338および340の一つへと反射させる、垂直入射角の多層スタックであってよい。シェル区画336,338および340の各々は、それぞれのシェル360,362および364の内側にある反射表面366,368,369を有してよい。図9に示すように、例えばシェル区画336は、球形ミラー332のリム区画370から光を受取ってよく、シェル区画338は球形ミラー332の中間区画から光を受取ってよく、またシェル区画340は球形ミラー322の中央部分から反射された光を受取る。シェル区画336,338および340は、従来提案されていた厚い単層のRuではなく、多層のMo/Siでコートされてよい。本発明の一つの実施形態の側面に従えば、約5°~15°の視射角で2回の反射、例えば1回は球形ミラーから、1回は各シェル例えば楕円形反射表面を有するシェルからの反射が生じる。これは、例えば13.5が望ましい帯域であると仮定すれば、例えば帯域外のEUV放射の有意な量を顕著に低減することができる。例えばWolter型構成のRuミラーは、5°および15°の入射視射角においては、13.5nmおよび11nmの両方について非常に反射性のままであるのに対して、Mo/Siスタックの入射反射視射角のコーティングは、図7および図8に示すように、特に約15°において遥かに選択的であることができる。上記で述べた実施形態は、当該技術で提案されているような、例えば格子分光純度フィルタの空間的純度を有していないが、帯域内のEUV放射の反射率および維持においては、当該技術において提案された他の解決策例えば格子フィルタに対して顕著な利点を有している。本発明の実施形態の側面に従うリチウムLPPEUV光源は、液体リチウムまたはリチウム液滴源の固体流を用いることができるであろう。液滴源については液滴あたりの原子の和を計算することができ、また固体流については、集光された光線内の材料だけが着火における液滴を構成すると仮定できるが、デブリの観点からは、特に集光されたレーザ光線のエネルギー分布のスカートにおける低エネルギーレーザ放射によって衝撃を受けるときには、当該流れの中の隣接する材料もまたデブリを形成する可能性がある。液滴源は、集光された光線に合致する液滴サイズを有するのが望ましいと考えられるので、両タイプのターゲット源も、液滴直径ddropletによって与えられる同じ液滴サイズを有すると考えることができる。従って、液滴の容積は次式によって与えられる:液滴あたりの原子数の計算は、例えばリチウムの密度およびその原子量から生じる。液滴の質量は次式で表される:ここで、ρlithium=0.535g/cm3がリチウムの密度であり、その結果は下記の通りである。ここで、液滴の直径はセンチメータ単位であり、得られる質量はグラム単位である。従って、液滴中の原子数は、液滴質量をリチウムの原子量で乗算し、単位を適正に変換することによって与えられる。ここで、Mlithiumatom=6.941amuであり、従って、である。ここで、液滴の直径はセンチメータ単位である。液滴の直径をセンチメータからマイクロメータに変換すると、次式が与えられる:液滴あたりの原子数vs.液滴サイズが、図10に示されている。図10にはまた、例えば一つの40mJパルスに含まれる13.5nm光子の数が示されている。40mJパルスの例は、4πステラジアンおよび400mJレーザパルスへの10の変換効率を仮定している。パルスあたりの13.5nm光子の数は次式で与えられる:NPhotons=13.5nm光パルスエネルギーmJ/EPhotoneV1.6×1016mJ/eV{7};ここで、13.5nm光子のエネルギーは91.6eVである。40mJパルスについて得られる光子の数は、2.72×1015である。例えば、50μmの液滴は、13.5nm光子毎に一つのリチウム原子を有している。通常は、それぞれの放出元素から放出される複数の光子を仮定することができるであろう。この仮定は、50μmよりも小さい液滴直径の使用を可能にするであろう。例えば、コレクタ光学系でのリチウムの使用およびリチウムの堆積速度は液滴直径の3乗に比例するから、より小さい液滴直径は重要であり得る。本発明の実施例の可能な側面に従って、リチウムの回収が存在しないと仮定すれば、例えばリチウムの年間使用量の計算は、年間当りのパルス数にパルス当りの量を乗じることによって与えられる。例として、反復速度RR、およびデューティーサイクルDCを仮定すれば、得られる質量使用は、例えば次式で与えられる:1年当りの質量=MdropletRR60sec/min60min/hr24hr/day365day/yrDC{8}.即ち、1年当りの質量=8.83×106d3dropletRRDC{9};ここで、液滴直径はマイクロメータ単位であり、得られる質量はグラム単位である。例えば、リチウム回収なしで6kHzで運転され、また50μmの液滴直径で、100デューティーサイクルで運転されるシステムは、1年フル可動について、6,622グラムまたは約12.3リットル容積のリチウムを消費するであろう。同様の条件下において、25μmの液滴直径であれば、828グラムまたは約1.5リットルのリチウムしか消費しないであろう。リチウム液滴が、レーザパルスによって加熱されたときに全方向に均一に膨張されると仮定すれば、原子フラックスは、レーザ/液滴の相互作用点着火部位からの距離の二乗で低下するであろう。1秒当りに相互作用点から放出される原子の数は、液滴当りの原子数に反復速度を乗じたものである:合計原子放出=2.43×1010d3dropletRR{10};ここで、液滴直径はマイクロメータ単位であり、RRは、Hz単位でのレーザ反復速度である。着火部位を中心とする仮想球の表面を通る原子フラックス原子数/cm2は、センチメータ単位での表面積で除算された合計原子放出であろう:原子フラックス=1.93×109d3dropletRR/r2sphere{11};得られるフラックスは、原子/cm2の単位である。図11は、6kHzの反復速度および100のデューティーサイクルを仮定した時の、ミラー表面上へのリチウム流入速度vs.幾つかの液滴直径[即ち、125μm、255μm、3100μm、および4200μm]についてのミラー半径を示している。高いミラー反射率を維持するために、ミラー表面上へのリチウムの流入は、例えばヘリウムイオンの入射によって生じるリチウムのスパッタ速度によって越えられることができる。加えて、ミラーの長い寿命のために、これらの同じイオン例えばヘリウムイオンによるモリブデンのスパッタ速度は、例えばリチウムの速度よりも多くの次数だけ遅くなければならない。例えば多層コートされたコレクタミラーについて1年の寿命を達成するために、第一および第二の金属のスパッタ速度の必要な比、例えばモリブデンのリチウムに対する比は、例えば、最初の200層対が腐蝕しても未だ快適かつ有効な100の良好な層対が残って、高い反射率が維持されるように、例えば300層対の多層スタックの使用を仮定することによって計算することができる。また、第一の金属例えばモリブデン層のスパッタ速度よりも高く、従ってミラー寿命に対する無視可能な寄与を与えるシリコン層のスパッタ速度が仮定される。典型的なEUVミラーは、このミラーの寿命が終わる前に、犠牲腐蝕のための200対が例えば552nmのモリブデン腐蝕を与えるように、例えばモリブデン層の厚さが2.76nmのモリブデン層およびシリコン層の対からなることができる。1年の有用な寿命のためには、モリブデンのスパッタ速度は552nm/年以下、即ち、1.75×105nm/sec以下でなければならない。1秒当り1cm2当りの原子数でのリチウムスパッタ速度上記で導いたリチウム流入速度に等しいは、その質量密度当りのリチウム原子数密度atomicnumberdensityおよび原子量が与えられれば、以下の適切な単位変換により、リチウム単層の厚さからnm/secへと変換される:原子数密度=ρlithiumg/cm3/[Mlithiumatomamu{1.6605×1024g/1amu}]{12};ここで、ρlithium=0.535g/cmであり、またMlithiumatom=6.941amuである。リチウムについての得られた原子数密度は、4.64×1022原子/cm3である。この数のリチウム原子を各辺が1cmの立方体の中に整列させたならば、エッジに沿った1cm当りの原子数は、原子数密度の平方根、即ち、3.58×107原子/cmであろう。得られる単層厚さは、2.78×108cm、または0.278nmである。従って、単層中の1cm当りの原子数は、エッジに沿った1cm当りの原子数の二乗、即ち、1.28×1015原子/cm2である。1秒当りでスパッタリングにより除去される原子例えばリチウムの数は、式11に与えられた流入速度に合致しなければならない。従って、1秒当りに除去される単層の数は、流入速度を、単層中の1cm2当りの原始数で除算したものに等しい。厚さ除去速度は、単層除去速度に単層厚さを乗じたものである。即ち、厚さ除去速度=単層厚さnm×[流入速度atoms/cm2s/単層中の原子数atoms/cm2]{13}.リチウムについての値を使用すれば、下記の通りである。リチウム厚さ除去速度=2.17×1016リチウム流入速度atoms/cm2s{14}.得られる単位は、nm/secである。図11に示されたリチウム流入速度は、同じ1~4の液滴サイズ、反復速度およびデューティーサイクルについて、図12に示した必要なリチウム厚さスパッタ速度に変換される。この結果は、小さい液滴サイズおよび大きなミラー変形の必要性を更に強調するものである。そうでなければ、必要なスパッタ速度は非実用的になる可能性がある。リチウムについての必要な厚さスパッタ速度は、モリブデンについての許容可能な最大厚さスパッタ速度、例えば1年コレクタ寿命と比較することができる。許容可能な最大モリブデンスパッタ速度、1.75×105nm/secに分割された図12のデータが、同じ1~4の液滴サイズ、反復速度およびデューティーサイクルについて図13に示されている。問題は、リチウムスパッタ速度よりも4桁以上小さいモリブデンスパッタ速度を得るために何が必要とされるかである。ヘリウムイオンよって攻撃されたときのリチウムおよびモリブデンのスパッタ収量が、例えば、WEcksteinCalculatedSputteringReflectionandRangeValues,June242002に述べられている。このスパッタ収量データvs.イオンエネルギーが、3Eth=52.7eVでMo中へのリチウム、2Eth=10.1eVでSi中へのリチウム、1Li中へのヘリウム、のイオンエネルギーについてのシリコンのデータと共に、図14に示されている。これから分かるように、選ばれたヘリウムイオンエネルギーが低いと、許容可能なリチウムスパッタ収量を生じ、また実質的にモリブデンスパッタ収量をもたらさない。しかし、入射イオンエネルギーを完全には制御できないとの事実から問題が生じ得る。即ち、入射ヘリウムイオンのエネルギースペクトルはデルタ関数ではない。リチウムとモリブデンとの間のスパッタリングの差を決定するときに評価されなければならないのは、イオンエネルギーの広がりである。RF誘導RFIプラズマの文献には、例えば、JHopwoodIonBombardmentEnergyDistributionsinaRadioFrequencyInductionPlasmaAppliedPhysicsLettersVol62No9pp940942に述べられているように、例えば2.5eVのFWHMのガウス形であるイオンエネルギー分布を形成している例が存在する。このイオンエネルギー分布のピークは、例えば、電界強度およびヘリウム圧力を適正に選択して調節することができる。例えば、20eVのピークイオンエネルギーを選択することによって、ヘリウムイオンはリチウムに対する高スパッタ収量を有するが、安全に、モリブデンのスパッタ閾値未満のエネルギーを有する。図15には、20eVおよび2.5eVのFWHMにセンタリングされた正規化されたイオンエネルギー分布のプロット1はlogスケール、2は線型スケールが、3リチウム、4シリコン、および5モリブデンについてのスパッタ収量と共に示されている。モリブデンのスパッタ閾値を越えるエネルギーをもったヘリウムイオンは、非常に僅かしか存在しないことを見ることができる。これらの条件下におけるモリブデンのスパッタ速度を決定するためには、ミラー表面をリチウム原子から清浄に維持するために必要な、ヘリウムイオンの流入を計算することが必要である。ヘリウムイオンエネルギー分布のバルクは略一定なリチウムスパッタ収量の領域内に入るから、イオン当り0.2原子の一定のスパッタ収量を想定することができる。ヘリウムイオン流入イオン数/cm2s=リチウム流入原子/cm2s/スパッタ収量原子/イオン{15}.従って、ヘリウムイオン密度は、図11に種々の条件について示したリチウム流入密度の値の5倍でなければならない。式15に表されたこのヘリウムイオン流入は、例えばリチウムが完全に均一には堆積しないと仮定したときの、最小限に過ぎないとみなされてよい。この場合、リチウムの島が発生しないことを保証するためには、より高い合計スパッタ速度が必要とされるかもしれない。他方、他の研究者等は、LPPプラズマからの材料の放出がレーザ源に向って移動する傾向にあることを示している。従って、このデブリの多くがコレクタミラーに衝突しないように、レーザがコレクタから離れた方向からリチウム液滴を照射するように、またはコレクタミラーのアパーチャを通して照射するようにシステムを構成することができる。こうして、ミラーに対する全リチウム負荷は、ミラーに衝突する合計の理論量から低減されてよい。ヘリウムイオンの全フラックスを知り、また20eVのピークおよび2.5eVのFWHMをもったガウスエネルギー分布を仮定すれば、正規化ガウス分布の隻分は√2πσ2であり、ここでのσ2は、次式によってFWHMに関連付けられた分布の分散を与える。従って、正規化されたガウス関数の積分は、√πFWHM2/2ln4であり、ヘリウムイオンのピーク電流密度は次式によって与えられる。ピークヘリウム電流密度イオン数/cm2s/eV=ヘリウムイオン流入イオン数/cm2s/√πFWHM2/2ln4{17}.ミラー半径が10cmで25μmの液滴の場合をとれば、合計1.88×1015リチウム原子/cm2sをスパッタするために、ピークヘリウム電流密度は、1eV当り3.38×1015イオン/cm2でなければならない。このヘリウム電流密度分布1は、2シリコンスパッタ密度、および3リチウムスパッタ密度、並びに経験的に決定された4リチウム、5シリコン、および6モリブデンのスパッタ収量、並びにこれら関数とイオン電流密度の積と共に、logスケールで図16にプロットされている。この分析の驚くべき有益な結果は、モリブデンについてのピークスパッタ密度が、3.5×10205原子/cm2/eVグラフ上には図示せずと信じ難いほど小さい値であることを示している。事実、ピークシリコンスパッタ密度でさえ、リチウムの場合よりも3桁以上小さい。全てのヘリウムイオンエネルギーに亘るこれらスパッタ密度の積分が、全スパッタ速度を与える。これらの積分は、1リチウム、および2シリコンについての破線曲線として、それぞれ図17に示されている。この積分されたリチウムスパッタ密度は1.88×1015原子/cm2sで、リチウム流入速度に合致している。積分されたシリコンスパッタ密度は、9.17×1010原子/cm2sである。積分されたモリブデンスパッタ密度は、1.16×10205原子/cm2sである。従って、モリブデンとリチウムの間の示差スパッタ速度は非常に低いので、例えばコレクタミラーには少ない層数しか用いる必要がなく、例えば以前に予想された300基本対のミラー概念よりも遥かに少なくてよい。単一のモリブデン層は、これらの条件およびこのスパッタ収量モデルの下において、1年以上持続するであろう。この特性は、着火点とコレクタ主ミラーまたは副ミラーとの間にデブリシールドを使用することによって更に改善できるであろうが、これらの結果から分かるように、該デブリシールドは、少なくともリチウムターゲットについては完全に省略されてもよい。EUV光学系に由来するデブリの、このタイプの刺激されたプラズマ誘導イオン化スパッタリング特にリチウムターゲットについては、上記から解るように、他のターゲットタイプ例えば移動テープまたは他のタイプの移動式固体ターゲット系の使用をも可能にできるであろう。ヘリウムイオンスパッタリングは、コレクタミラーからリチウム原子を充分な速度で除去する一方、モリブデンについては、1年よりも遥かに長い寿命のための充分に遅い速度でスパッタするように構成することができる。議論されている本発明の実施形態においては、例えばリチウムイオンによるモリブデンのスパッタリングも考慮しれなければならない。何故なら、例えば、光学系の表面には到達しないがスパッタリングプラズマには利用可能で、且つヘリウムイオンと同じエネルギー分布でミラー表面に向けて加速される、点火プラズマからのデブリ形成リチウムイオンが存在するからである。文献は、リチウムイオンでのリチウムおよびモリブデンのスパッタ収量に関するデータをも提供している。このデータは、図18において、ヘリウムイオンについて使用したのと同じ正規化されたリチウムイオンエネルギー分布と共に、Eth=36.3eVでのリチウムについての曲線1に示されている。リチウムからモリブデンスパッタ密度を計算するためには、全リチウムイオン流入を知らなければならない。ヘリウムについてのこの計算式15とは異なり、全リチウム流入が何になるか明瞭ではないが、保存的選択は、LPP着火プラズマによって発生される全リチウム原子流入であろう。式17を使用し、また25μmの液滴およびミラー半径10cmの仮定を使用すれば、1.88×1015リチウムイオン/cm2sがミラーに入射するであろう。そして、ピークリチウムイオン電流密度は、入射イオンエネルギー中に広がった2.5eVのFWHMを仮定すれば、1eV当り7.06×1015リチウムイオン/cm2sであり、これは、モリブデンについてのスパッタ収量を乗算し且つ全イオンエネルギーに亘って積分したときに、2.54×1048原子/cm2sの全モリブデンスパッタ密度を与える。これは、ヘリウムイオンについてのものよりも遥かに高いが、それでも、1年の有用な寿命について必要とされる速度よりも遥かに低い。リチウムイオンでのモリブデンスパッタ密度は、式12および式13を使用することによって、厚さ喪失速度に変換することができる。モリブデンについては、ρmoly=10.2g/cm3Mmolyatom=95.94amu=1.59×1022gモリブデン原子数密度=6.40×1022atoms/cm3モリブデン単層厚さ=2.50×108cm=0.250nmモリブデン単層原子密度=1.59×10l5atoms/cm2である。従って、モリブデンについてのスパッタ厚さ速度は、リチウム原子によって攻撃されたときには、3.99×1064nm/sec、または1.25×1056nm/yearである。これはまた、例えばヘリウムイオンスパッタリングによるEUV光学系のスパッタリングプラズマイオン化洗浄の上記で述べた有益な結果が、例えばモリブデンのリチウムスパッタリングを用いた場合でさえ実現可能であるとの結論を導く。追加の有益な結果は、先に提案した例えばルテニウムキャッピング層を、例えば多層ミラー上に使用することの再考である。ルテニウムキャッピング層は、Mo/Siスタックにおける第一のシリコン層のEUVに補助された酸化を防止するために提案されてきた。モリブデン層は室内の空気に露出されると迅速に酸化されるので、多層ミラーは、通常はモリブデン層ではなくシリコン層で終端する。出願人は、EUV光学系のスパッタリングプラズマ洗浄に関する上記の分析の前に、例えばシリコンで終端する多層ミラーについて、第一のシリコン層が腐蝕されて第一のモリブデン層またはルテニウムキャッピング層が露出され、該アプローチが採用されれば第一のモリブデン層の酸化を回避するであろうとの予測をもって考察した。モリブデンの超遅い腐蝕速度、およびルテニウムについての予測される同様の低腐蝕速度は、ミラーの有用な寿命のあいだ持続することが期待されるルテニウムキャッピング層の使用を可能にする。これは、第一のシリコン層の喪失をもたらさず、またスパッタされたシリコン原子が何を生じるかに関して悩まされる必要をも生じず、また露出されたモリブデン層についての酸化の問題も生じない。リチウムおよびヘリウムでのルテニウムのスパッタ収量は、モリブデンの場合と同様であることが予想されるが、ルテニウムはモリブデンよりも高い原子量を有しているので、未だ決定されるべく残されている。光学表面またはその近傍において、望ましいスパッタリングプラズマを形成するために必要な最小RF電力は、例えば、形成される全てのヘリウムイオンがコレクタミラーに衝突すると仮定することにより計算することができ、これは必要なRF電力を過小評価するであろうが、大きさのおおよその見積りを与えるはずである。コレクタミラーに衝突する各ヘリウムイオンは、イオン化するために24.5eVを必要とし、また本発明の一実施形態の上記例に従えば、それがコレクタミラーに到達するときに20eVの平均運動エネルギーを有していなければならない。これらの二つのエネルギー値に、必要とされるヘリウムイオンの流入図15からの9.40×1015ions/cm2sを乗じると、プラズマ電力が得られる。エネルギー単位をeVからJに変換すると、66.9mW/cm2の最小プラズマ電力密度が与えられる。半径10cmのミラー表面積の半分628cm2を乗算することにより、42Wの最小全プラズマ電力が得られる。プラズマ電力の1だけが有効に使用されることを保存的に仮定すれば、必要とされるプラズマ電力は4.2kWであり、これは、特に該電力が消費され得る非常に大きな面積を考慮したときに許容可能である。このプラズマ電力の見積りは、6kHzのLPPレーザ電力2.4kWでのパルス当り400mJの先の仮定に匹敵し、またπステラジアンを定めるコレクタミラーを仮定すれば、それはこのレーザ電力の半分、即ち、1.2kWに曝されるであろう。LPPからの熱的負荷は、プラズマ洗浄の熱的負荷と同様である。この二つの電力の合計は5.4kWであり、8.6W/cm2のミラー上での電力密度をもたらす。出願人は、10W/cm2以下の電力密度に露出されたコレクタミラーが、例えば該ミラーの背面に沿った、または接地されたシールドと該ミラーとの間の水チャンネルで容易に冷却されると確信する。プラズマ電力効果が10大きければ、ミラー上での全電力密度は2.6W/cm2に過ぎず、ステファンの放射の法則に従って、該ミラーを放射的に冷却することを可能にする。この法則は、温度Tの黒体1平方メータ当りからの放射電力が、次式で与えられることを述べており、ここでの温度はケルビン単位で、得られる電力密度はW/cm2単位であり、これは図19にプロットされている。この入射電力の全てを放射させるためには500°Cを越える温度が必要とされるであろうから、当該多層スタックへの損傷を防止するためには、集光ミラーの能動冷却が必要とされるように思われる。次に図20を参照すると、例えば反射表面上に堆積した材料例えば炭素および/または炭素ベースの分子により、損傷を受けたEUV光学系例えば反射性を失ってしまったものを再生するための、本発明の一実施形態に従う装置および方法が概略的に示されており、前記堆積した材料は、例えばEUVプラズマチャンバに導入される汚染物、またはEUV装置野反射表面上にコートされた多層反射スタックの層からのスパッタリングもしくは光子的除去されたものに由来する。図20に見られるように、光化学的洗浄装置400は、洗浄のためにコレクタを保持するように適合されたコレクタ保持治具402を装着し得るチャンバを含むことができる。また、光源410からの光がコレクタの焦点での供給点例えば上記で述べた着火点28から来る光をシミュレートして、コレクタ404があたかもターゲット着火部位からの光で照射されるように、コレクタ保持治具402および光源410と共に、例えば光子エネルギーの供給源例えばDUV光源410が含められてもよい。本発明の一実施形態に従えば、例えばチャンバ401は、先ずN2バルブを通してチャンバに供給された後に、ガス出口弁を使用してチャンバ401から排出される窒素の使用によりパージされてよく、続いてフッ素含有ガス例えば分子状F2またはNF3を導入してもよい。コレクタ404は、次いで、例えば約4kHzのパルス反復速度をもった約40Wの高電力用MOPA構成の、193nmのKrFエキシマレーザからの光源例えば160~300nmのλ範囲のDUV光による照射を受ける。これは、例えば気相におけるフッ素ベースの炭素材料例えばCF4の生成を誘導するように働くことができ、この炭素材料は、次いで第二の窒素パージの下で、ガス出口バルブ420を通してチャンバ401から排出することができる。KrFDUV光源の別の例は、商業的に入手可能なDUVランプ、例えばKrClDVUランプであることができるであろう。出願人は、EUV光学系、例えばコレクタ反射表面上における厚さ約3.5nmの炭素原子の堆積が、約5だけ反射率を減少させ、また10nmの堆積は約14だけ減少させ得ると予測している。このような堆積物の厚さレベルは、選択された濃度および上記で挙げたDUV光レベルを用いた、選択された時間のフッ素での処理の下で、例えばコレクタ光学系の反射表面から除去されることが期待される。このプロセスはまた、例えば洗浄プロセスの際に望ましいフッ素濃度を維持するように、ガス流制御バルブ図示せずを用いたフッ素供給の補充を採用することができるであろう。また、出願人はここに、本発明の実施形態の側面に従って、例えば13.5nmのEUV光反射率について最適化されたMo/Si反射スタックの熱安定性および反射率の改善を補助するために、他のタイプのバリア材料を多層反射ミラースタックに使用してよいことを提案する。例えばMo/Siおよび恐らくはMoSi2とも適合して、例えば13.5nmの光に対する適切なレベルの透明性を保持する非常に薄い例えば1nmバリア層の平滑化を促進するために、出願人は、ZrC、NbC、SiC、からなる群から選択される炭化物、ZrB2、NbB2、からなる群から選択されるホウ化物、ZrSi2、NbSi2、からなる群から選択されるジシリサイド、並びに窒化物BN、ZrN、NbNおよびSi3N4を含んでなる相互拡散バリア層の使用を提案する。他のこのような層には、イットリウム、スカンジウム、ストロンチウムの化合物および/または純粋な形態のこれら金属を含むことができるであろう。上記のうち、このような材料を用いてより滑らかな拡散バリア層を形成する能力の故に、上述した炭化物およびホウ化物が好ましい。本発明の一実施形態の側面に従って、出願人は、MoSi2/Si、Mo2C/Si、Mo/C/Si/C、およびMo/X/Si/Xを含む多層スタックを想定しており、ここで最初の二つはMLMであり、MoSi2またはMo2Cは、通常は相互拡散バリアのないMo/Siミラーコーティングに使用されるMoの代りに使用される。他の二つは、所謂相互拡散バリアと共に使用され、ここでのCは炭素を意味し、Xは更なる化合物X材料としての例えば上記のホウ化物、ジシリサイドおよび窒化物を含む適切な材料を意味する。窒化物は、本発明の実施形態に従う適用における相互拡散バリア層のための、出願人による現在の好ましい実施形態である。MoSi2/Siは、Mo/Si、MoSi2/Si、およびMo5Si3/Si多層軟X線ミラーの熱抵抗性と題するYIshiietalの論文JApplPhys78p5227に記載されている。ヘリウムはEUVに対して高い透明性を有しており、これはバファーガス透過率90が代表的であるのための良好な選択である。効率的なスパッタリングのために必要とされる分圧僅か数mTorrに基づけば、ヘリウムバッファガスの透過は概ね100である。可能なコレクタ多層表面は、例えば通常の90対の代りに300コーティング対を含んでいる。この余分な対は90対に対して反射率を改善しないであろうが、これらの余分な層は、必要とされれば、頂部層が腐蝕されて除去されるときに使用される。300層対のミラーであれば、リチウムとミラーとの間のスパッタ速度の差は、一つのミラー層が、例えば一度で数ヶ月もつほど高い必要はない。その代りに、持続し得るミラー腐蝕のために有益な、例えば余分な210層対が存在できるであろう。LPP容器内で発生するかもしれないリチウム化合物、例えばLiH、LiOH、Li2CO3等は600°Cを越える融点を有する可能性があり、従って、当該ミラーから蒸発しない可能性がある。これらは、或る場合には、ミラー表面に堆積したリチウムを覆う殻を形成することもあるであろう。しかし、これらは、例えばイオン化されたHe原子を含むスパッタリングイオンプラズマによって非常に効率的にスパッタされることができ、または該プラズマから放出される高速のリチウムイオンおよび原子形態のリチウム自身によってスパッタされ得るであろう。リチウム堆積を前もって止めるために必要とされるスパッタ速度は、EUV光源では、例えば現代の堆積およびエッチング機構において実施されている文献中に指定されたものよりも遥かに高くなり得るであろう。その理由の少なくとも一部は、例えば、リチウムをミラー表面から離間しておくための組合されたアプローチによるものである。本発明の一実施形態の側面に従って、出願人は、リチウムのバルクを除去するために蒸発を使用する一方、ミラー表面に堆積した不可避的なリチウムおよび炭素化合物を除去するための非常に軽いスパッタ速度を用いることを想定している。しかし、少なくとも主反射表面および副反射表面上に衝突する非常に軽いスパッタリングプラズマでさえも、同じく有益な炭素および他のリチウム化合物の除去特性を有することができるであろう。中間焦点以外、例えば照射体反射表面および投影反射表面にもこの着想を用いることは、リソグラフィーツールの反射表面にたまたま到達するデブリを除去する上でも有益であることが立証されるであろう。リソグラフィーツール自身においては、例えば堆積速度が小さいため、熱負荷およびスパッタリング速度は、これが有効であるために充分に低くてよいかもしれない。プラズマから放出されたリチウムと共にスパッタされ、且つ反射表面に集められないリチウムおよびリチウム化合物は、EUV光源容器内に含まれる冷フィンガー図示せず、例えば該容器の内壁から延出し、且つコレクタから中間焦点への光学経路の外に延出する冷却された形態の水冷フィンまたはプレートにおいてトラップされることができる。例えばソース元素としての錫の場合、錫ベースのLPP光源におけるコレクタを洗浄するために、水素プラズマと共に、室温で蒸気である例えば金属の水素化物例えばSnH4を使用することが可能であるかもしれない。水素は高い13.5nm透過率を有しており、また得られるSnH4は、リチウムのように冷フィンガー上にトラップされるのではなく、ポンプ排出できるであろう。出願人は、錫イオンおよびリチウムイオンの両方に対する、例えばヘリウムおよびアルゴンの停止力を試験した。この結果が図21Aおよび図21Bに示されている。この二つのグラフは、スケールだけが異なる同じデータを有している。ソースプラズマからの異なる測定距離それぞれ96.5cm、61cmおよび32.5cmの錫についての線500、502および503は、実線はヘリウムバッファであり、破線はアルゴンバッファである。線506はリチウムについてのものである。圧力距離の積のスケーリングが適用されれば、錫データについてのこれら三つの組は、相互の頂部が概ね重なるであろう。出願人はまた、所定のガス圧力について、アルゴンがヘリウムより少なくとも10倍高い停止力を有することを観測した。また、リチウムは、錫よりも少ないバッファーガスで停止されることができる。また、LPPコレクタの真の作業距離~10cmにスケールを合わせると、必要とされるバッファー圧力は、アルゴンの場合でさえも、錫について約10mTの範囲にあることが必要とされるであろう。キセノンおよび錫は概ね同じ原子量を有するので、出願人は、キセノンLPPのための必要とされるバッファー圧力もまた、10mTの範囲にあるであろうと予想する。このような高いバッファー圧力は、キセノンおよび錫について、EUV自己吸収の問題を提示し得る。しかし、リチウムの低いバッファー圧力要件および低いEUV吸収の両方のために、リチウムについてはそうではない。例えば、増大する異なるバッファーガス圧力で、既知のアパーチャーサイズを通して、既知の距離でイオンを収集および測定するファラデーカップを使用して、例えば高速イオンに対するバッファーの停止力を試験することを継続する場合、このファラデーカップ信号が減少すれば、イオン停止力の測定を与える。錫およびリチウムについての結果が、図22A~図22Eに示されている。図22Aおよび図22Bは、それぞれ錫およびリチウムについての生のファラデーカップ信号vs.時間を示している。図22Cおよび図22Dにおいて、これらの信号は、それぞれ錫およびリチウムについての飛行時間time-of-flightを使用して、イオンエネルギーに対してプロットされている。図22Eにおいては、これら曲線の下の面積が、バッファーガスの圧力距離の積に対してプロットされており、下の方のプロット線1は錫であり、上の方のプロット線2はリチウムである。出願人によるこの分析の驚くべき結果は、最後のグラフが、錫およびリチウムの両者についてのファラデーカップ信号vs.バッファガスのPD積が、両方の元素について概ね同じであることを示すことであった。出願人は、これが、該分析はファラデーカップによって捕捉されたイオンの喪失を実際に測定しておらず、その代りにバッファーガスによるイオンの中和所謂イオンによる電子捕獲を測定していたことにおいて説明可能であると確信している。イオンが中和されると、それはファラデーカップ内において登録されないであろう。これは例えば、特に錫イオンが高度に帯電し7~11回イオン化される、またリチウムは最大でも3回しかイオン化され得ないことを考慮すれば、錫はリチウムよりも大きな電子捕獲断面を有することが可能であることから説明することができる。図22Eに示した停止力の結果は、停止力がこれら曲線による予測値よりも良好であり得ない点において、バッファーガス停止力の課題評価と考えることができる。停止力の観察された値を上限と見ることにより、コレクタミラーの寿命を100Bパルスに延長するための、アルゴンバッファーガスの必要な圧力を計算することができる。キセノンLPPおよび12cmのコレクタ距離を用いた一つの多層ミラー対が15Mパルス毎に腐蝕されることを報告した、EUVLLCによって制定された工業試験規格EngineeringTestStandard;ETSから出発し、また多層ミラーの反射率は10層対が除去されるまでは顕著に劣化しないと仮定すると、ETSコレクタミラーは、100Bパルスの要件に比較して、150Mパルスの寿命を有するであろう。これは、腐蝕速度における666Xの低下が必要であるとの結論を導く。図22Eにおいて、このレベルの低下を達成するためには、約500mTcmのPD積が要求されるであろう。例えば12cmの作業距離は、例えば、42mTのアルゴン圧力の必要性を生じる。これはまた、アルゴンバッファー中で捕捉されるキセノンの強いEUV吸収のために、キセノンLPPについては42mTのバッファー圧力が全く充分ではないので、リチウムが例えばキセノンよりも良好なターゲットであるとの結論をもたらすことができる。しかしリチウムの場合、バッファー圧力のこの量は、リチウム吸収にとっては問題ではない。錫もまた、例えば、SnH4の蒸気圧およびコレクタミラー表面からの蒸発速度に依存して充分である可能性がある。従って、比較的大きなバッファーガス圧力が必要とされるように思われ、これは、キセノンは良好なターゲットでない錫もそうであろうが、リチウムは最良のように見えるとの結論を導く。出願人はまた、コレクタ反射表面を加熱する効果が、公表された蒸気圧が実現される前に、蒸発される材料は例えば一定の厚さ例えば50Å、例えば10単分子層を有する必要があるとの事実、即ち、材料例えばリチウムはミラー表面から直接蒸発され難いかもしれないとの事実によって悪影響を受けるとしても、ミラー表面上のこのような厚さのリチウムの透過率は約95および902回通過であり、このようなミラー上の層は全体のCE、例えば13.5nmから顕著には損なわれないであろうと決定した。加えて、このようなリチウムの蒸発のない層は、これがコレクタミラーを高速リチウム原子およびイオンの猛攻撃から保護できる点において、実際には有益である可能性がある。このリチウム層は、多層ミラーのモリブデン層の代りにスパッタされるであろう。キセノンはガスであるから、このような保護層を形成せず、また、錫層はその非常に高いEUV吸収のために、52しか透過させないであろう。例えば約1keVのイオンエネルギーについてこのエネルギーレベルを超えるとスパッタ速度は飽和する傾向にある、モリブデンに対するリチウムのスパッタ収量がモリブデンに対するキセノンのスパッタ収量よりも遥かに低いとすれば:入射イオンターゲット材料リチウムキセノンリチウム0.21モリブデン0.0811.45キセノンはリチウムよりも18倍高い速度でモリブデンをスパッタするであろう。この差は単独で、他に何も変更することなく、2.7Bパルスのコレクタ寿命を与えるであろう。蒸発のない定常状態のリチウムの薄層は、スパッタ速度における残りの37Xの低下を与えるであろう。そうでないとしても、~100の余分な犠牲層対を持ったミラーを製造するEUVLLCの概念は、寿命における10X、例えば27Bパルスの増大を加えることができ、これはリチウムからの低い腐蝕と組合せて、100Bパルスのコレクタ寿命を与えることができるであろう。出願人はまた、コレクタミラーの静電的保護の効果を試験した。この概念、即ち、高エネルギーのイオンがミラーの方に向って移動するときに電位井戸をよじ登るように、光源LPPとコレクタミラーの間に電界を発生させることは、文献において提案されてきた。この電位井戸は、これらイオンがミラーに到達する前に、それらの運動エネルギーを全て失うために充分に深くすることができる。事実、それらは電位井戸の回りで向きを換え、電位井戸の下へと追い払われる。しかし、出願人は、容器を通してコレクタミラーへと電気接続を走らせることによってこれを行う試みは、レーザをパルシングする際にゼロ近傍にまで降下させるターゲットバイアスに起因して無効であることを発見し、これはバイアス電圧を維持するために必要とされる高いピーク電流および必要とされる大きなワイヤ従って、該ワイヤのインダクタンスに沿った電圧の全てを低下させたの結果であると決定した。この問題を補正するために、出願人は、真空容器内部にキャパシタを設置して、アースとターゲットプレートとの間に低インダクタンスバスワークを構築した。インダクタンスは、銅シートを上に向け且つターゲットの回りに配置して、アースに取り付けることにより測定した。キャパシタを低電圧に充電し、またターゲットに対して銅シートを押圧することによりこれを放電することによって、出願人はリング電圧波形を測定し、インダクタンスを推論した。その結果は、697nsで104nHの半周期放電波形であった。この放電周期はレーザパルスおよびその後のEUV放出よりも遥かに長く、このバイアスが、イオンが形成されてプラズマ領域を出るときの臨界周期~20nsの際に維持され得るかどうかについての懸念が生じる。しかし、出願人は、このような短い時間スケールは重要でないと決定した。重要なことは、例えば。ターゲットからミラーへのイオンの移動時間に比較して短い時間スケール内で、ターゲットバイアスを維持または再樹立することである。現在の形状において、イオン移動時間は2.5μsであり、従って0.7μsの回路半周期は充分なはずである。この装置の試験において、出願人は、完全な0.47μFのキャパシタンスが、銅ストラップを使用したインダクタンス測定の際と殆ど正確に同じ時間スケールで、その-1000Vから流出したことを発見して驚かされた。出願人は、レーザパルスはターゲットプレートと容器壁との間で放電を開始させると決定した。この放電は、キャパシタの高電圧端末とアースとの間の回路を完成させて、銅ストラップがそれらを横切って配置されたかのように、キャパシタから流出させる。明らかに、レーザパルスの最中およびその直後に展開される事象は、ターゲット点においてプラズマが形成されること、および該プラズマが容器全体に亘って大量の硬UVおよびEUV放射を放射することである。これら光子の殆どのエネルギーは、容器内部の金属の仕事関数を越えるものであり、従って全ての該金属表面において光電子が発生する。これらの光子はまた、当該容器内に存在する如何なるガス原子をもイオン化するのに充分なエネルギーを有している。この場合、アルゴンはバッファーガスとして使用され、LPPによって生じた硬UVおよびEUV放射によって容易にイオン化される。そして最終的には、LPPにおいて、および容器の容積中への外方への流れの中に電子およびイオンが形成される。バイアスされたターゲットプレートに引寄せられるイオンについては例外である。それらはプレートに衝突して、二次電子を形成する。本質的には、当該装置がレーザにトリガーされた放電スイッチであるかのように、相互間の電位に保持された二つの金属プレートの間で放電形成が生じる。更に、効果的な静電的反発を行わせるための幾つかの可能性が存在するが、これは更に複雑になり、また実際には静電的ではない。このアイデアは、それがレーザパルスの初期事象の後にのみ存在するように、バイアスをパルスすることである。僅か数百nsの間に、殆どの電子は容器壁に衝突し、勿論放射が起きるであろう。このときに、コレクタミラーからイオンを遠ざけるようにバイアスを印加してイオンを反発させ、または引寄せることが可能であろう。当業者は、上記で述べた本発明の好ましい実施形態およびその側面が排他的なものではなく、本願に開示した発明の精神および範囲を逸脱することなく、上記で述べた実施形態への他の変形および追加がなされ得ることを承認するであろう。従って、特許請求の範囲は、上記で開示した実施形態および側面に限定されるように解釈されるべきではなく、記載された要素およびこれら記載された要素の均等物が、特許請求の範囲およびその精神内に含まれるように解釈されるべきである。例として、他のターゲット材料および多層反射コーティング材料は、例えば、光反射表面の近傍でのスパッタリングプラズマの形成によって誘導されたイオンこのイオンはヘリウム以外、例えばH、NまたはOであってもよいのスパッタリングにより連続的な洗浄を可能にする、上記で述べたのと同じ関係を有してよい。また、例えば反射表面のための加熱機構は、反射表面に向けられた加熱ランプであることもできるであろう。当業者は、他のこのような変更および追加を理解することができる。"