"半導体基板の上方に、被写体からの入射光を光電変換して撮像する有効画素アレイ領域が中央部に設けられ、該有効画素アレイ領域の外周側に、該有効画素アレイ領域からの撮像信号に対して黒レベル補正を行うためのオプティカルブラック領域が設けられ、該オプティカルブラック領域の外周側に周辺回路領域が設けられた固体撮像素子において、該オプティカルブラック領域と該周辺回路領域に入射光を遮光する遮光膜が設けられ、該オプティカルブラック領域と該周辺回路領域における遮光膜の境界の全部または一部に、ストレスを開放するためのスリット部が設けられた固体撮像素子。前記スリット部は、前記周辺回路領域の遮光膜のストレスが前記オプティカルブラック領域の遮光膜および当該遮光膜下の半導体層に伝わらないかまたは伝わり難くくした緩衝領域である請求項1に記載の固体撮像素子。前記スリット部は、前記有効画素アレイ領域およびその外周側の前記オプティカルブラック領域の平面視4角形の少なくとも1辺の外周側に渡って形成されている請求項1または2に記載の固体撮像素子。前記スリット部は、前記有効画素アレイ領域およびその外周側の前記オプティカルブラック領域の平面視4角形の外周囲に渡って形成されている請求項3に記載の固体撮像素子。前記スリット部は、前記有効画素アレイ領域およびその外周側の前記オプティカルブラック領域の平面視4角形の左右または上下の対向する2辺に形成されている請求項3に記載の固体撮像素子。前記スリット部は、前記有効画素アレイ領域およびその外周側の前記オプティカルブラック領域の平面視4角形状から少なくとも外周1角部の正方形状または長方形状を除いた凹部形状を含む全形状の外周囲の全部または一部に渡って形成されている請求項1または2に記載の固体撮像素子。前記オプティカルブラック領域の平面視外形が4角形の少なくとも1角部分には該オプティカルブラック領域の遮光膜が設けられていない請求項6に記載の固体撮像素子。前記周辺回路領域における4角リング状の遮光膜から、前記オプティカルブラック領域の平面視外形が4角形の少なくとも1角が凹んだ領域に突出して前記半導体基板上を覆うように、該周辺回路領域の遮光膜を内周4隅の少なくとも1隅側に増設している請求項6または7に記載の固体撮像素子。前記オプティカルブラック領域と前記周辺回路領域間に設けられたスリット部は、同一幅でリング状に該オプティカルブラック領域の外周側を囲むように形成されている請求項8に記載の固体撮像素子。前記有効画素アレイ領域の平面視4角形の少なくとも1辺の外周側に前記オプティカルブラック領域が設けられ、前記スリット部は、該オプティカルブラック領域の外周囲に渡って形成されている請求項1または2に記載の固体撮像素子。前記スリット部は、連続的に設けられるかまたは断続的に設けられている請求項1または2に記載の固体撮像素子。前記スリット部下に対応した前記半導体基板の半導体層は活性素子が配置されていない不活性領域とされている請求項1に記載の固体撮像素子。前記遮光膜は、金属遮光膜であって、アルミニュウム材料Al、タングステン材料Wおよびチタン材料TiまたはTiNのうちのいずれかにより構成されている請求項1に記載の固体撮像素子。前記半導体基板の第1面側に、前記有効画素アレイ領域および前記オプティカルブラック領域において該半導体基板の半導体層内に複数の光電変換素子が形成されており、該オプティカルブラック領域と前記周辺回路領域において該半導体基板の第2面側に前記遮光膜が形成され、該有効画素アレイ領域において該第2面側から画像光が入射して該複数の光電変換素子により画像を撮像する裏面照射型固体撮像素子である請求項1に記載の固体撮像素子。請求項1~14のいずれかに記載の固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた電子情報機器。特許文献1に開示されている従来の図6の裏面照射型固体撮像素子としてのCMOSイメージセンサ100および、図7および図8の裏面照射型固体撮像素子としてのCMOS型固体撮像素子200の構成では、シリコン層の第2面側、即ち裏面側において、周辺回路領域およびその内側のオプティカルブラック領域は光によって不要電子の発生を避けるためにシリコン層の上方に遮光膜を1層多く設けて遮光している。この遮光膜として使用する金属膜を構成するメタル材料は、絶縁膜を構成する絶縁材料と比較して、ストレス応力が大きい。この金属膜が有するストレス応力によりシリコン層に歪を発生させてシリコン層に暗電流を発生させてしまう。これにより、オプティカルブラック領域の暗電流が増大し、オプティカルブラック領域と有効画素アレイ領域の画素部の暗時出力差が発生して黒レベル補正が困難になってしまうという問題があった。特許文献2に開示されている従来の図9の表面照射型固体撮像素子300では、配線密度が高い周辺領域310からのストレスが、配線密度が低いオプティカルブラック画素領域309側に伝播しないように、周辺領域310とオプティカルブラック画素領域309との間に、金属配線307が設けられたストレス緩和領域311の絶縁膜308aに空気層が設けられている。これは、表面照射型固体撮像素子300であって、裏面照射型固体撮像素子における周辺回路部とオプティカルブラック領域間の金属遮光膜によるストレスによってシリコン層に歪が発生し、これによってオプティカルブラック領域のシリコン層に暗電流が発生して黒レベル補正を困難にしているという問題とはその課題が全く異なっている。本発明は、上記従来の問題を解決するもので、金属遮光膜のストレス応力に起因する暗電流を抑制して黒レベル補正をより正確に行うことができる固体撮像素子および、この固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばカメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器を提供することを目的とする。本発明の固体撮像素子は、半導体基板の上方に、被写体からの入射光を光電変換して撮像する有効画素アレイ領域が中央部に設けられ、該有効画素アレイ領域の外周側に、該有効画素アレイ領域からの撮像信号に対して黒レベル補正を行うためのオプティカルブラック領域が設けられ、該オプティカルブラック領域の外周側に周辺回路領域が設けられた固体撮像素子において、該オプティカルブラック領域と該周辺回路領域に入射光を遮光する遮光膜が設けられ、該オプティカルブラック領域と該周辺回路領域における遮光膜の境界の全部または一部に、ストレスを開放するためのスリット部が設けられたものであり、そのことにより上記目的が達成される。また、好ましくは、本発明の固体撮像素子におけるスリット部は、前記周辺回路領域の遮光膜のストレスが前記オプティカルブラック領域の遮光膜および当該遮光膜下の半導体層に伝わらないかまたは伝わり難くくした緩衝部である。さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子におけるスリット部は、前記有効画素アレイ領域およびその外周側の前記オプティカルブラック領域の平面視4角形の少なくとも1辺の外周側に渡って形成されている。さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子におけるスリット部は、前記有効画素アレイ領域およびその外周側の前記オプティカルブラック領域の平面視4角形の外周囲に渡って形成されている。さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子におけるスリット部は、前記有効画素アレイ領域およびその外周側の前記オプティカルブラック領域の平面視4角形の左右または上下の対向する2辺に形成されている。さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子におけるスリット部は、前記有効画素アレイ領域およびその外周側の前記オプティカルブラック領域の平面視4角形状から少なくとも外周1角部の正方形状または長方形状を除いた凹部形状を含む全形状の外周囲の全部または一部に渡って形成されている。さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子におけるオプティカルブラック領域の平面視外形が4角形の少なくとも1角部分には該オプティカルブラック領域の遮光膜が設けられていない。さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における周辺回路領域における4角リング状の遮光膜から、前記オプティカルブラック領域の平面視外形が4角形の少なくとも1角が凹んだ領域に突出して前記半導体基板上を覆うように、該周辺回路領域の遮光膜を内周4隅の少なくとも1隅側に増設している。さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子におけるオプティカルブラック領域と前記周辺回路領域間に設けられたスリット部は、同一幅でリング状に該オプティカルブラック領域の外周側を囲むように形成されている。さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における有効画素アレイ領域の平面視4角形の少なくとも1辺の外周側に前記オプティカルブラック領域が設けられ、前記スリット部は、該オプティカルブラック領域の外周囲に渡って形成されている。さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子におけるスリット部は、連続的に設けられるかまたは断続的に設けられている。さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子におけるスリット部下に対応した前記半導体基板の半導体層は活性素子が配置されていない不活性領域とされている。さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における遮光膜は、金属遮光膜であって、アルミニュウム材料Al、タングステン材料Wおよびチタン材料TiまたはTiNのうちのいずれかにより構成されている。さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子における半導体基板の第1面側に、前記有効画素アレイ領域および前記オプティカルブラック領域において該半導体基板の半導体層内に複数の光電変換素子が形成されており、該オプティカルブラック領域と前記周辺回路領域において該半導体基板の第2面側に前記遮光膜が形成され、該有効画素アレイ領域において該第2面側から画像光が入射して該複数の光電変換素子により画像を撮像する裏面照射型固体撮像素子である。本発明の電子情報機器は、本発明の上記固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いたものであり、そのことにより上記目的が達成される。上記構成により、以下、本発明の作用を説明する。本発明においては、半導体基板の上方に、被写体からの入射光を光電変換して撮像する有効画素アレイ領域が中央部に設けられ、有効画素アレイ領域の外周側に、有効画素アレイ領域からの撮像信号に対して黒レベル補正を行うためのオプティカルブラック領域が設けられ、オプティカルブラック領域の外周側に周辺回路領域が設けられた固体撮像素子において、オプティカルブラック領域と周辺回路領域に入射光を遮光する遮光膜が設けられ、オプティカルブラック領域と周辺回路領域における遮光膜の境界の全部または一部に、ストレスを開放するためのスリット部が設けられている。これによって、遮光膜のストレスがスリット部で開放されるので、金属遮光膜のストレス応力に起因する暗電流を抑制して黒レベル補正をより正確に行うことが可能となる。以上により、本発明によれば、オプティカルブラック領域と周辺回路領域における遮光膜の境界の全部または一部に、ストレスを開放するためのスリット部が設けられているため、金属遮光膜のストレス応力に起因する暗電流を抑制して黒レベル補正をより正確に行うことができる。以下に、本発明の固体撮像素子の実施形態1、2および、この固体撮像素子の実施形態1、2を画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばカメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器の実施形態3について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図における構成部材のそれぞれの厚みや長さなどは図面作成上の観点から、図示する構成に限定されるものではない。実施形態1図1は、本発明の実施形態1におけるチップ状態のCMOS型固体撮像素子の要部構成例を模式的に示す平面図である。図2は、図1のBB’線縦断面図である。図1および図2において、本実施形態1のチップ状態のCMOS型固体撮像素子1は、入射光を光電変換して撮像する複数の受光部がマトリクス状に配列された中央部の有効画素アレイ領域2と、この有効画素アレイ2の周囲側に形成された黒基準を得るためのオプティカルブラック領域3と、オプティカルブラック領域3の周囲側に形成された周辺回路領域4と、オプティカルブラック領域3と周辺回路領域4間に設けられ、オプティカルブラック領域3の外周側全域に渡るスリット部5とを有している。有効画素アレイ領域2では、シリコン基板6内に形成された素子分離領域により区切られた単位画素領域内に、高濃度のN型半導体領域よりなる光電変換素子受光部が複数、行列方向でマトリクス状に形成されている。シリコン基板6の第1面側、即ち表面側図2中下側には、各受光部に蓄積された信号電荷を読み出す読出回路が各画素部毎にそれぞれ形成され、これらの読出回路上にトランジスタのゲート9およびこれに接続された配線層10が形成されている。シリコン基板6の第2面側、即ち裏面側図2中上側には、絶縁膜7SiO2膜やSiN膜などを介して、有効画素アレイ領域2上に各単位画素領域受光部に対応する位置に、異なる色のカラーフィルタ11が所定配列規則例えばベイヤ配列でそれぞれ形成されている。各カラーフィルタ11上の各受光部に対応する位置にはそれぞれオンチップレンズ12が形成されている。オプティカルブラック領域3では、シリコン基板6内に形成された素子分離領域により区切られた単位画素領域内に、高濃度のN型半導体領域よりなる光電変換素子フォトダイオードが複数列、例えば4、5列に形成されている。シリコン基板6の第1面側、即ち表面側図2中下側には、各光電変換素子に蓄積された信号電荷を読み出す読出回路が各画素部毎にそれぞれ形成され、これらの読出回路上にトランジスタのゲート9およびこれに接続された配線層10が形成されている。オプティカルブラック領域3では、暗電流などのノイズ補正用画素が有効画素アレイ領域2の平面視長方形または正方形の外周囲に数列~数十列程度で配列された構成であり、シリコン基板6の裏面上に絶縁膜7を介してアルミニュウム材料Alやタングステン材料Wの他、チタン材料TiまたはTiNなどの金属遮光膜8aにより覆われている。オプティカルブラック領域3から出力された黒信号を基準として、有効画素アレイ領域2から出力された撮像信号を補正差分することにより、暗電流などのノイズを除去する黒レベル補正が為される。周辺回路領域4では、有効画素アレイ領域2およびオプティカルブラック領域3の各光電変換素子からの信号電荷を読み出す各読出回路を駆動する読出駆動回路などが設けられている。周辺回路領域4におけるシリコン基板6の第1面側、即ち表面側図2中下側には、この読出駆動回路のトランジスタのゲート9およびソースドレイン領域、これらに接続された配線層10が高密度に形成されている。周辺回路領域4では、シリコン基板6の裏面上に絶縁膜7を介してアルミニュウム材料Alやタングステン材料W、チタン材料TiまたはTiNなどの金属遮光膜8bにより覆われている。この周辺回路領域4の金属遮光膜8bと、オプティカルブラック領域3の金属遮光膜8aとの間の境界には、金属膜ストレスを開放するスリット5a細長い隙間がオプティカルブラック領域3の外周囲に渡って形成されている。このスリット5aが形成されるスリット領域5はシリコン基板6の表面側にトランジスタなどの活性素子を配置せず不活性領域とする。即ち、シリコン基板6の第2面側、即ち裏面側図2中上側において、オプティカルブラック領域3の光電変換素子上を覆う金属遮光膜8aが形成され、周辺回路領域4上を覆う金属遮光膜8bが形成されている。オプティカルブラック領域3と周辺回路領域4の境界に金属膜ストレスを開放するスリットが設けられている。スリット5aの幅は数μm程度、例えば3μm程度である。このスリット5aの第1面側、即ち表面側図2中下側には周辺回路の活性素子は存在しないようにレイアウトされている。なお、シリコン基板6の第1面側、即ち表面側図2中下側の絶縁膜13上には、図示しないが、パッシベーション膜からなる平坦化膜が形成され、この平坦化膜上に支持基板図示せずが接着されている。以上により、本実施形態1によれば、半導体基板6の上方に、被写体からの入射光を光電変換して撮像する有効画素アレイ領域2が中央部に設けられ、有効画素アレイ領域2の外周側に、有効画素アレイ領域2からの撮像信号に対して黒レベル補正を行うためのオプティカルブラック領域3が設けられ、オプティカルブラック領域3の外周側に周辺回路領域4が設けられた固体撮像素子1において、オプティカルブラック領域3と周辺回路領域4に入射光を遮光する金属遮光膜8a,8bが設けられ、オプティカルブラック領域3と周辺回路領域4における金属遮光膜8a,8bの境界の全部に、ストレスを開放するためのスリット部5が設けられている。スリット部5は、周辺回路領域4の金属遮光膜8bのストレスがオプティカルブラック領域3の金属遮光膜8aおよびその下の半導体層に伝わらないかまたは伝わり難くくした緩衝領域であって、スリット部5のスリット5aは、有効画素アレイ領域2およびその外周側のオプティカルブラック領域3の平面視4角形の外周囲に渡って形成されている。このように、金属遮光膜8bのストレスがスリット5aで開放されることにより、オプティカルブラック領域3の金属遮光膜8aによるシリコン層の歪が減少し、オプティカルブラック領域3と有効画素アレイ領域2の暗時出力差が少なく、より正確な基準電圧を得る裏面照射型CMOSイメージセンサであるCMOS型固体撮像素子1を得ることができる。なお、本実施形態1では、スリット5aをオプティカルブラック領域3の金属遮光膜8aとの間の境界に、オプティカルブラック領域3の外周囲の全部に渡って形成したが、これに限らず、オプティカルブラック領域3の外周囲の一部に形成してもよい。この場合、オプティカルブラック領域3の外周囲が平面視4角形の少なくとも1辺にスリット5aが形成されていてもよいし、4辺全てにおいてまたは少なくとも1辺に断続的ドット状にスリット5aが形成されていてもよい。スリット5aを辺に設ける場合には、平面視4角形で左右辺または上下辺のように対称位置にスリット5aを設ける方がよい。即ち、スリット部5は、有効画素アレイ領域2およびその外周側のオプティカルブラック領域3の平面視4角形の左右または上下の対向する2辺に形成されていればよい。実施形態2図3は、本発明の実施形態2におけるチップ状態のCMOS型固体撮像素子の要部構成例を模式的に示す平面図である。図4は、図3のCC’線縦断面図である。なお、図3および図4では、図1および図2の構成部材と同一の作用効果を奏する構成部材には同一の符号を付して説明する。図3および図4において、本実施形態1のチップ状態のCMOS型固体撮像素子1Aは、入射光を光電変換して撮像する複数の受光部がマトリクス状に配列された中央部の有効画素アレイ領域2と、この有効画素アレイ2の平面視長方形領域の角部分以外の外周4辺側に形成された黒基準を得るためのオプティカルブラック領域3Aと、オプティカルブラック領域3Aの外周囲側にリング状に形成された周辺回路領域4と、オプティカルブラック領域3Aと周辺回路領域4間に設けられ、オプティカルブラック領域3Aの外周側全域に渡るスリット部5Aとを有している。有効画素アレイ領域2では、シリコン基板6内に形成された素子分離領域により区切られた単位画素領域内に、高濃度のN型半導体領域よりなる光電変換素子受光部が複数、行列方向でマトリクス状に形成されている。シリコン基板6の第1面側、即ち表面側図4中下側には、各受光部に蓄積された信号電荷を読み出す読出回路が各画素部毎にそれぞれ形成され、これらの読出回路上にトランジスタのゲート9およびこれに接続された配線層10が形成されている。シリコン基板6の第2面側、即ち裏面側図2中上側には、絶縁膜7SiO2膜やSiN膜などを介して、有効画素アレイ領域2上に各単位画素領域受光部に対応する位置にそれぞれ、異なる色のカラーフィルタ11が所定配列規則例えばベイヤ配列でそれぞれ形成されている。各カラーフィルタ11上の各受光部に対応する位置にはそれぞれオンチップレンズ12が形成されている。オプティカルブラック領域3Aでは、シリコン基板6内に形成された素子分離領域により区切られた単位画素領域内に、高濃度のN型半導体領域よりなる光電変換素子フォトダイオードが複数列、例えば4、5列に形成されている。シリコン基板6の第1面側、即ち表面側図4中下側には、各光電変換素子に蓄積された信号電荷を読み出す読出回路が各画素部毎にそれぞれ形成され、これらの読出回路上にトランジスタのゲート9およびこれに接続された配線層10が形成されている。オプティカルブラック領域3Aでは、暗電流などのノイズ補正用画素が有効画素アレイ領域2の平面視4角形の外周囲に数列~数十列程度で配列された構成であり、シリコン基板6の裏面上に絶縁膜7を介してアルミニュウム材料Alやタングステン材料Wの他、チタン材料TiまたはTiNなどの金属遮光膜8cにより覆われている。オプティカルブラック領域3Aから出力された黒信号を基準として、有効画素アレイ領域2から出力された撮像信号を補正差分することにより、暗電流などのノイズを除去する黒レベル補正が為される。周辺回路領域4では、有効画素アレイ領域2およびオプティカルブラック領域3Aの各光電変換素子からの信号電荷を読み出す各読出回路を駆動する読出駆動回路などが設けられている。周辺回路領域4におけるシリコン基板6の第1面側、即ち表面側図4中下側には、この読出駆動回路のトランジスタのゲート9およびソースドレイン領域、これらに接続された配線層10が高密度に形成されている。周辺回路領域4では、シリコン基板6の裏面上に絶縁膜7を介してアルミニュウム材料Alやタングステン材料W、チタン材料TiまたはTiNなどの金属遮光膜8bにより覆われている。この周辺回路領域4の金属遮光膜8bと、オプティカルブラック領域3Aの金属遮光膜8cとの間の境界には、金属膜ストレスを開放するスリット5bがオプティカルブラック領域3Aの外周囲に渡ってリング状に形成されている。このスリット5bが形成されるスリット領域5Aはシリコン基板6の表面側にトランジスタなどの活性素子を配置せず不活性領域とする。即ち、シリコン基板6の第2面側、即ち裏面側図4中上側において、オプティカルブラック領域3Aの各光電変換素子上を覆う金属遮光膜8cが形成され、周辺回路領域4上を覆う金属遮光膜8bが形成されている。オプティカルブラック領域3Aと周辺回路領域4の境界に金属膜ストレスを開放するスリット5bが切れ目として設けられている。スリット5bの幅は数μm程度、例えば3μm程度である。このスリット5bの第1面側、即ち表面側図4中下側には周辺回路の活性素子は存在しないようにレイアウトされている。実際は、オプティカルブラック領域3Aの平面視4角形リング状の4角部分には光電変換素子フォトダイオードが存在しないため、オプティカルブラック領域3Aの平面視4角形リング状の4角正方形部分には金属遮光膜8cが設けられていない。要するに、スリット部5Aは、有効画素アレイ領域2およびその外周側のオプティカルブラック領域3Aの平面視4角形状から外周4角部の正方形状を除いた形状の外周囲の全部に渡って形成されている。なお、シリコン基板6の第1面側、即ち表面側図4中下側の絶縁膜13上には、図示しないが、パッシベーション膜からなる平坦化膜が形成され、この平坦化膜上に支持基板図示せずが接着されている。以上により、本実施形態2によれば、周辺回路領域4の金属遮光膜8bのストレスが、切れ目であるスリット5bによって開放されて、オプティカルブラック領域3Aの金属遮光膜8cおよびその下のシリコン基板6のシリコン層に伝わらないことにより、オプティカルブラック領域3Aでのシリコン層の歪が減少し、オプティカルブラック領域3Aと有効画素アレイ領域2の暗時出力差が少なく、より正確な基準電位を得る裏面照射型CMOSイメージセンサであるCMOS型固体撮像素子1Aを得ることができる。特に、本実施形態2では、オプティカルブラック領域3Aの平面視4角形リング状の4角正方形部分には金属遮光膜8cが設けられていないことによってその分だけ領域面積が少なくなるため、金属遮光膜8cによるストレスがシリコン層に及ぼす影響も少なくなり、上記実施形態1の場合と比べても、オプティカルブラック領域3Aでのシリコン層の歪がより減少し、オプティカルブラック領域3Aと有効画素アレイ領域2の暗時出力差が更に少なく、より正確な基準電位を得る裏面照射型CMOSイメージセンサであるCMOS型固体撮像素子1Aを得ることができる。なお、本実施形態2では、図3に示すように、オプティカルブラック領域3Aの平面視4角形リング状の4角の正方形部分には光電変換素子フォトダイオードが存在しないため、オプティカルブラック領域3Aの平面視4角形リング状の4角正方形部分には金属遮光膜8cを設けない場合について説明したが、これに限らず、周辺回路領域4における4角リング状の金属遮光膜8bの4角内周側から、オプティカルブラック領域3Aの平面視4角形リング状の4角の正方形部分に突出して覆うように、周辺回路領域4の4角リング状の金属遮光膜8bの領域を内周4隅側に増設してもよい。この場合、周辺回路領域4における4角リング状の金属遮光膜8bから、オプティカルブラック領域3Aの平面視外形4角形の4角が凹んだ4領域側に突出して半導体基板6上を覆うように、周辺回路領域4の金属遮光膜8bを内周4隅側に増設している。要するに、この場合、オプティカルブラック領域3Aと周辺回路領域4間に設けられたスリット部5Aは、同一幅でリング状にオプティカルブラック領域3Aの外周側を囲むことになる。これによって、周辺回路領域4におけるトランジスタなどの活性素子の配置レイアウトがより容易になる。なお、本実施形態2では、スリット部5Aは、有効画素アレイ領域2およびその外周側のオプティカルブラック領域3Aの平面視4角形状から外周4角部の正方形状を除いた形状の外周囲に渡って形成されている場合について説明したが、これに限らず、有効画素アレイ領域2およびその外周側のオプティカルブラック領域3Aの平面視4角形状から少なくとも外周1角部の正方形状または長方形状を除いた形状の外周囲に渡って形成されていてもよい。さらに、有効画素アレイ領域2の平面視4角形の少なくとも1辺の外周側にオプティカルブラック領域が設けられ、スリット部は、オプティカルブラック領域の外周囲の全部または一部に渡って形成されていてもよい。以上の場合のスリット部は、連続的に設けられるかまたは断続的に設けられていればよい。なお、本実施形態2では、スリット5bをオプティカルブラック領域3Aの金属遮光膜8cとの間の境界に、オプティカルブラック領域3Aの外周囲の全部に渡って形成したが、これに限らず、スリット5bをオプティカルブラック領域3Aの外周囲の一部に形成してもよい。この場合、オプティカルブラック領域3Aの外周囲が平面視4角形の少なくとも1辺にスリット5bが形成されていてもよいし、4辺および4角の凹部全てにおいてまたは、少なくとも1辺および/または4角の4つの凹部のうちの少なくとも一つに断続的ドット状にスリット5bが形成されていてもよい。スリット5bを辺や4角の凹部に設ける場合には、平面視4角形で左右辺または上下辺、さらに、4角の凹部のうちの対角側の凹部のように対称処位置にスリット5bを設ける方がよい。実施形態3図5は、本発明の実施形態3として、本発明の実施形態1、2の固体撮像素子を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。図5において、本実施形態3の電子情報機器90は、上記実施形態1、2の固体撮像素子1または1Aからの撮像信号に所定の信号処理をしてカラー画像信号を得る固体撮像装置91と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を記録用に所定の信号処理した後にデータ記録可能とする記録メディアなどのメモリ部92と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を表示用に所定の信号処理した後に液晶表示画面などの表示画面上に表示可能とする液晶表示装置などの表示部93と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を通信用に所定の信号処理をした後に通信処理可能とする送受信装置などの通信部94と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を印刷用に所定の印刷信号処理をした後に印刷処理可能とするプリンタなどの画像出力部95とを有している。なお、この電子情報機器90として、これに限らず、固体撮像装置91の他に、メモリ部92と、表示部93と、通信部94と、プリンタなどの画像出力部95とのうちの少なくともいずれかを有していてもよい。この電子情報機器90としては、前述したように例えばデジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、監視カメラ、ドアホンカメラ、車載用後方監視カメラなどの車載用カメラおよびテレビジョン電話用カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ装置、ファクシミリ装置、カメラ付き携帯電話装置および携帯端末装置PDAなどの画像入力デバイスを有した電子機器が考えられる。したがって、本実施形態3によれば、この固体撮像装置91からのカラー画像信号に基づいて、これを表示画面上に良好に表示したり、これを紙面にて画像出力部95により良好にプリントアウト印刷したり、これを通信データとして有線または無線にて良好に通信したり、これをメモリ部92に所定のデータ圧縮処理を行って良好に記憶したり、各種データ処理を良好に行うことができる。なお、本実施形態1、2では、特に詳細には説明しなかったが、半導体基板の上方に、被写体からの入射光を光電変換して撮像する有効画素アレイ領域が中央部に設けられ、該有効画素アレイ領域の外周側に、該有効画素アレイ領域からの撮像信号に対して黒レベル補正を行うためのオプティカルブラック領域が設けられ、該オプティカルブラック領域の外周側に周辺回路領域が設けられた固体撮像素子において、該オプティカルブラック領域と該周辺回路領域に入射光を遮光する遮光膜が設けられ、該オプティカルブラック領域と該周辺回路領域における遮光膜の境界の全部または一部に、ストレスを開放するためのスリット部が設けられている。これだけでも、金属遮光膜のストレス応力に起因する暗電流を抑制して黒レベル補正をより正確に行うことができるという本発明の目的を達成することができる。以上のように、本発明の好ましい実施形態1~3を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態1~3に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態1~3の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。"