"回路電極上に、フィルム形成性樹脂、硬化剤及び該硬化剤により硬化しない粘着性付与樹脂を含む硬化剤層と、保護フィルムから成る保護フィルム層とが順に形成されていることを特徴とする硬化剤付き回路基板。前記粘着性付与樹脂の含有量は、硬化剤層中の全樹脂成分の質量を基準として、5~40質量である、請求項1に記載の硬化剤付き回路基板。前記粘着性付与樹脂は、100~40000mPasの25°Cにおける粘度を有する液状樹脂である、請求項1又は2に記載の硬化剤付き回路基板。回路電極高さhと、回路電極上の硬化剤層の厚みdとの関係が、0.05h≦d≦0.5hである、請求項1~3のいずれか1項に記載の硬化剤付き回路基板。前記硬化剤層は、前記硬化剤層の全体積を基準として、導電性粒子を0.1~10体積含む、請求項1~4のいずれか1項に記載の硬化剤付き回路基板。前記硬化剤は、エポキシ系硬化剤である、請求項1~5のいずれか1項に記載の硬化剤付き回路基板。前記硬化剤は、三級アミンとカルボン酸の塩である、請求項1~6のいずれか1項に記載の硬化剤付き回路基板。硬化剤付き回路基板の接続部全体の面積に対する回路電極の面積の割合が30~70である、請求項1~7のいずれか1項に記載の硬化剤付き回路基板。前記回路電極に対応した回路電極を有する回路基板上に、硬化性樹脂及びフィルム形成性樹脂を含む回路接着フィルムを貼り付け、該回路接着フィルム上に請求項1~8のいずれか1項に記載の硬化剤付き回路基板を位置合わせし、熱圧着する工程を含む接続構造体の製造方法。請求項9に記載の方法により製造された接続構造体。本発明が解決しようとする課題は、回線電極を有する回路基板間の電気的接続において、低温接続性及び接続信頼性に優れる硬化剤付き回路基板に関する。本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、特定構成とすることで硬化性、フィルム形成性に優れた硬化剤付き回路基板を得ることが出来、それらを用いることで、前記課題が解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、本発明は、下記の通りである。[1]回路電極上に、フィルム形成性樹脂、硬化剤及び該硬化剤により硬化しない粘着性付与樹脂を含む硬化剤層と、保護フィルムから成る保護フィルム層とが順に形成されていることを特徴とする硬化剤付き回路基板。[2]前記粘着性付与樹脂の含有量は、硬化剤層中の全樹脂成分の質量を基準として、5~40質量である、[1]に記載の硬化剤付き回路基板。[3]前記粘着性付与樹脂は、100~40000mPasの25°Cにおける粘度を有する液状樹脂である、[1]又は[2]に記載の硬化剤付き回路基板。[4]回路電極高さhと、回路電極上の硬化剤層の厚みdとの関係が、0.05h≦d≦0.5hである、[1]~[3]のいずれか1項に記載の硬化剤付き回路基板。[5]前記硬化剤層は、前記硬化剤層の全体積を基準として、導電性粒子を0.1~10体積含む、[1]~[4]のいずれか1項に記載の硬化剤付き回路基板。[6]前記硬化剤は、エポキシ系硬化剤である、[1]~[5]のいずれか1項に記載の硬化剤付き回路基板。[7]前記硬化剤は、三級アミンとカルボン酸の塩である、[1]~[6]のいずれか1項に記載の硬化剤付き回路基板。[8]硬化剤付き回路基板の接続部全体の面積に対する回路電極の面積の割合が30~70である、[1]~[7]のいずれか1項に記載の硬化剤付き回路基板。[9]前記回路電極に対応した回路電極を有する回路基板上に、硬化性樹脂及びフィルム形成性樹脂を含む回路接着フィルムを貼り付け、該回路接着フィルム上に[1]~[8]のいずれか1項に記載の硬化剤付き回路基板を位置合わせし、熱圧着する工程を含む接続構造体の製造方法。[10][9]に記載の方法により製造された接続構造体。本発明は、回線電極を有する回路基板間の電気的接続において、低温接続性及び接続信頼性に優れるという効果を奏する。以下、本発明について具体的に説明する。本発明の硬化剤付き回路基板は、回路電極上に、フィルム形成性樹脂、硬化剤及び該硬化剤により硬化しない粘着性付与樹脂を含む硬化剤層と、保護フィルムから成る保護フィルム層とが順に形成されていることを特徴とする。本発明に用いる硬化剤層は、フィルム形成性樹脂、硬化剤及び該硬化剤により硬化しない粘着性付与樹脂を含む。好ましくは、フィルム形成性樹脂は、室温でフィルムの形状を維持するために、絶縁性接着剤を含む。フィルム形成性樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリエステル樹脂、ナイロン樹脂、及びカルボキシル基、ヒドロシキシル基、ビニル基、アミノ基などの官能基を有するエラストマー類等が例示される。フィルム形成性樹脂としては、接続信頼性に優れるフェノキシ樹脂が好ましい。本明細書で用いられるフェノキシ樹脂としては、ビスフェノールA型フェノキシ樹脂、ビスフェノールF型フェノキシ樹脂、ビスフェノールAビスフェノールF混合型フェノキシ樹脂、ビスフェノールAビスフェノールS混合型フェノキシ樹脂、ビフェニル型フェノキシ樹脂、ビスフェノールAビフェニル混合型フェノキシ樹脂、フルオレン環含有フェノキシ樹脂、カプロラクトン変性ビスフェノールA型フェノキシ樹脂等が例示される。フィルム形成性樹脂の重量平均分子量は、20,000以上100,000以下が好ましい。接着性及びフィルム形成性を調整するため、上記のフィルム形成性樹脂の種類又は分子量と異なる種類又は分子量の樹脂を任意に組み合わせることも可能である。絶縁性接着剤は、好ましくはエポキシ系絶縁性接着剤である。しかしながら、絶縁性接着剤がエポキシ系絶縁性接着剤以外である場合も、エポキシ系絶縁性接着剤と同様のフィルム形成性樹脂を用いることが好ましい。硬化剤層中のフィルム形成性樹脂の配合量は、硬化剤層の樹脂成分100質量部中、10~70質量部の範囲にあることが好ましく、20~60質量部の範囲にあることがより好ましく、30~50質量部の範囲にあることがさらに好ましい。フィルム形成性樹脂の配合量が、10質量部以上であれば、良好にフィルム形成可能であり好ましく、70質量部以下であれば、保護フィルムに対する密着性が高く好ましい。本発明に用いる粘着性付与樹脂は、本発明に含まれる硬化剤により硬化しない樹脂であればいかなる構造でもよい。本明細書では、粘着性付与樹脂が硬化剤により硬化しないとは、以下の測定方法により定義する。硬化剤フィルム中の配合比で混合した粘着性付与樹脂と硬化剤との混合物の加熱前後の粘度を測定する。80°Cでの1時間保持前後の粘度比、すなわち加熱保持後粘度/加熱前粘度が1.2以下である場合を、硬化していないとする。本発明の粘着性付与樹脂としては、ポリエステルポリオール樹脂、アクリル酸エステル共重合樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、テルペン樹脂、あるいは、それらの変性樹脂を単独、あるいは2種以上組み合わせて用いることが出来る。本発明に用いる粘着性付与樹脂の含有量は、硬化剤層中の全樹脂成分の質量を基準として、5~40質量であることが好ましく、10~40質量であることがより好ましく、20~30質量であることがさらに好ましい。粘着性付与樹脂の含有量が、5質量以上であれば、保護フィルムとの密着性が良好であり好ましく、40質量以下であれば保護フィルムの剥離性が良好であり、かつ接着信頼性も良好であり好ましい。本発明に用いる粘着性付与樹脂の25°Cにおける粘度は、100~60000mPasであることが好ましく、100~50000mPasであることがより好ましく、100~40000mPasであることがさらに好ましく、500~40000mPasであることが特に好ましく、そして1000~30000mPasであることが最も好ましい。粘着性付与樹脂の25°Cにおける粘度が、100mPas以上であれば、接続後の密着性が良好であり、60000mPas以下であれば、保護フィルムとの密着性が良好である。好ましくは、本発明に用いる粘着性付与樹脂は、100~40000mPasの25°Cにおける粘度を有する液状樹脂である。この液状樹脂としては、ポリエステルポリオール樹脂、アクリル酸エステル共重合樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、テルペン樹脂、又はそれらの変性樹脂を単独、あるいは2種以上組み合わせて用いることが出来る。本発明の回路基板の回路電極高さhと回路電極上の硬化剤層の厚みdとの関係は、0.05h≦d≦0.5hであることが好ましく、0.1h≦d≦0.4hがより好ましく、0.1h≦d≦0.3hが更に好ましい。回路電極上の硬化剤層の厚みdが、0.05h以上であれば、硬化性の観点より好ましく、0.5h以下であれば、接続抵抗値の観点から好ましい。電極上の硬化剤層厚みdは、接触式膜厚計又はレーザー式膜厚計を用いて測定可能である。本発明の硬化剤層の回路電極部以外の膜厚は、3~30μmが好ましく、5~20μmがより好ましく、5~15μmが更に好ましい。硬化剤層の電極部以外の膜厚が、3μm以上の場合、硬化性が良好であり、そして30μm以下であれば、密着性のバランスが取り易く好ましい。また、硬化剤層の電極部以外の膜厚は、本発明の回路基板の回路電極と対応する回路接着フィルムの膜厚の0.1~1倍であることが好ましく、0.2~0.7倍がより好ましく、0.3~0.5倍が更に好ましい。硬化剤層の電極部以外の膜厚が、本発明の回路基板の回路電極と対応する回路接着フィルムの膜厚の0.1倍以上であれば、硬化性良好であり、1倍以下であれば、機械強度が良好である。本発明に用いられる硬化剤としては、ラジカル重合系硬化剤及びエポキシ系硬化剤が例示される。本発明の硬化剤は、組み合わせて用いる異方導電性フィルムの絶縁硬化性樹脂の種類に合わせて選択可能である。硬化剤の硬化開始温度は、50~120°Cであることが好ましく、60~110°Cがより好ましく、70~100°Cが更に好ましい。硬化剤の硬化開始温度が、50°C以上であれば、可使時間を確保し易く、120°C以下であれば良好な低温接続性が得られるため好ましい。この場合の硬化剤の硬化開始温度は、組み合わせて用いる異方導電性フィルム中の硬化性樹脂と本発明の硬化剤フィルム中の硬化剤とを混合し、DSC、IR等の公知の方法で測定することが可能である。また、反応開始温度と反応ピーク温度が異なる場合、反応ピーク温度は90~150°Cであることが好ましく、100~140°Cであることがより好ましく、110~120°Cであることが更に好ましい。本発明に用いられる硬化剤としては、高い接続信頼性及び絶縁信頼性が得られるのでエポキシ系硬化剤が好ましい。以下、エポキシ系硬化剤について説明する。エポキシ系硬化剤は、アミン誘導体、ホウ素化合物、ヒドラジド、三級アミン、三級アミンとカルボン酸の塩、イミダゾール、イミダゾールアダクト、ジシアンジアミド、無機酸、カルボン酸無水物、チオール、イソシアネート、ホウ素錯塩、アルミニウムキレートとシラン化合物との複合体、及びそれらの誘導体等の硬化剤が好ましい。アニオン型エポキシ硬化剤を用いる場合、これら硬化剤の中でも、潜在性を有する硬化剤が好ましい。更に触媒性があり、かつ高反応性である三級アミンとカルボン酸の塩が好ましい。カチオン型エポキシ硬化剤を用いる場合、安定性、反応性の観点から、芳香族スルホニウム塩を用いることが好ましい。さらに、アラルキル置換基型、例えば、ベンジル置換基型、ナフチル置換基型のスルホニウム塩が好ましい。スルホニウム塩の対イオンとしては、非求核性イオン、例えば、ヘキサフルオロアンチモネート、ヘキサフルオロホスフェート、テトラフルオロボレート、芳香族置換ボレートが好適に使用できる。その中でも、不純物イオンの少ない芳香族置換ボレート、例えば、テトラキスペンタフルオロフェニルボレートが好ましい。ラジカル系硬化剤としては、有機化酸化物又はアゾビスイソブチロニトリル等のアゾ系化合物が例示される。潜在性の観点から、半減期10時間の温度が50°C以上かつ、半減期1分の温度が150°C以下の有機過酸化物が好ましく、具体的には、1,1,3,3-テトラメチルブチルパーオキシ-2-エチルヘキサネート、t-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキサネート、t-ヘキシルパーオキシ-2-エチルヘキサネート、1,1-ビスt-ブチルパーオキシ-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、1,1-ビスt-ヘキシルパーオキシ-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、ビス4-t-ブチルシクロヘキシルパーオキシジカーボネート等が挙げられる。本発明の硬化剤層中の硬化剤の配合量は、硬化剤層中の全成分100質量部に対して、5~50質量部の範囲にあることが好ましく、10~40質量部であることがより好ましい。硬化剤層中の硬化剤の配合量が、5質量部以上の場合、硬化性が良好であり、50質量部以下の場合、接続信頼性が良好である。本発明の回路基板上に硬化剤層及び保護フィルム層を順に形成する方法、すなわち、回路基板上に硬化剤層を形成し、そして形成された硬化剤層上に保護フィルムから成る層をさらに形成する方法としては、既知の方法を用いることが出来る。例えば、予め保護フィルムから成る保護フィルム層上に硬化剤層を形成し、回路基板の電極サイズに合わせて切断したフィルム状硬化剤を電極上にラミネートする方法が好ましい。この場合には、保護フィルム層側より、柔軟性のある緩衝材を挟み、緩衝材の上から熱圧着する方法が好ましい。この方法により、回路電極上の硬化剤層の厚みdを制御でき、かつ回路電極-硬化剤層間の十分な密着性が得られるため好ましい。柔軟性のある緩衝材としては、シリコーンゴム等のゴム系緩衝材が好ましい。緩衝材の厚みは、回路電極厚みの1倍~100倍であることが好ましく、2倍~50倍がより好ましく、5倍~10倍が更に好ましい。緩衝材の厚みは、電極への追随性の観点から回路電極厚みの1倍以上が好ましく、熱圧着時の熱伝導の観点から回路電極厚みの100倍以下が好ましい。熱圧着の温度は40°C~120°Cの範囲が好ましく、50°C~100°Cの範囲がより好ましく、60°C~90°Cの範囲が更に好ましい。熱圧着の温度が、40°C以上であれば、密着性の観点から好ましく、120°C以下であれば、硬化剤層のはみ出しの観点から好ましい。また、本発明の硬化剤層には、硬化剤層の全体積を基準として、0.1~10体積の導電性粒子を配合することも好適である。硬化剤層に導電性粒子を配合することにより、接続性を向上することが可能となり好ましい。硬化剤層中の導電性粒子の配合量が、0.1体積以上であれば、接続性を得易く、10体積以下であれば、絶縁性低下を起こし難く好ましい。硬化剤層中の導電性粒子の配合量は、より好ましくは0.2~5体積、更に好ましくは0.5~3体積である。硬化剤層中の導電性粒子の配合量は、絶縁性の観点から、組み合わせて用いる異方導電性フィルム中の導電性粒子の体積より少ないことが好ましい。本発明の硬化剤層に配合する導電性粒子としては、既知の導電性粒子を用いることが可能である。硬化剤層に配合する導電性粒子は、組み合わせて用いる回路接着フィルム中の導電性粒子と同じであるか、又は異なっていてもよい。硬化剤層に配合する導電性粒子の平均粒径は、1~20μmであることが好ましく、2~15μmであることがより好ましく、3~10μmであることが更に好ましい。硬化剤層に配合する導電性粒子の平均粒径は、組み合わせて用いる回路接着フィルムに含まれる導電性粒子の平均粒径より小さいことが好ましい。導電性粒子は、既知の方法により絶縁被覆することも好適である。本発明の硬化剤層には、更に、その他の成分を含有させることができる。その他の成分としては、絶縁粒子、充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、着色剤、難燃化剤、チキソトロピック剤、カップリング剤、イオントラップ剤等が挙げられる。カップリング剤としては、シランカップリング剤が接着性の向上の点から好ましい。その他の成分の配合量は、絶縁性接着剤の配合量に対して、好ましくは20質量以下であり、より好ましくは10質量以下である。本発明の硬化剤層の各成分を混合する場合、必要に応じ、溶剤を用いることができる。溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン、酢酸エチル、酢酸ブチル、シクロヘキサノン、γ―ブチロラクトン、ベンジルアルコール、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート等が挙げられる。本発明の硬化剤層は、単層のフィルムであるか、又は複数のフィルムを積層した層でよい。硬化剤層の製造方法としては、予め絶縁性接着剤成分を溶剤中で混合して塗工液を作製し、保護フィルム上にアプリケーター塗装等により塗工し、そしてオーブン中で溶剤を揮発させる工程を含む製造方法が挙げられる。本発明に用いられる保護フィルム層は、保護フィルムから成る。保護フィルムとしては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ナイロン、塩化ビニル、ポリビニルアルコール等のフィルムが挙げられる。好ましい保護フィルム用の樹脂としては、ポリプロピレン及びPETが挙げられる。保護フィルムは、フッ素処理、シリコーン又はケイ素Si処理、アルキド処理等の表面処理を施されていることが好ましい。また、本発明は、本発明の硬化剤付き回路基板における回路電極に対応した回路電極を有する別の回路基板上に、硬化性樹脂及びフィルム形成性樹脂を含む回路接着フィルムを貼り付けるか、又は接触させて、該回路接着フィルム上に本発明の硬化剤付き回路基板を位置合わせし、熱圧着する工程を含む接続構造体の製造方法にも関する。また、本発明は、前記の製造方法により製造された接続構造体にも関する。例えば、接続構造体の製造方法の工程図が図1に示される。図1では、工程aにおいて、電極2を有する回路基板A1が準備され、工程bにおいて、回路基板A1の電極2を有する面上に導電粒子4を含む回路接着フィルム3を適用することにより、回路基板A1に回路接着フィルム3を貼り付けた部材が形成される一方で、工程cにおいて、電極6を有する硬化剤層7付き回路基板B5に保護フィルム8を貼り付けた部材が準備され、工程dにおいて、前記工程cの部材から保護フィルム8を除去することにより、電極6を有する硬化剤層7付き回路基板B5が形成され、工程eにおいて、前記工程bの部材の回路接着フィルム3面と前記工程dの部材の硬化剤層7面を位置合わせすることにより、複合部材が形成され、そして工程fにおいて、前記工程eの複合部材を熱圧着することにより、硬化剤と接着剤の混合層9を含む接続構造体が得られる。本発明の硬化剤付き回路基板と組み合わせる回路接着フィルムは、フィルム形成樹脂及び硬化性樹脂を含む回路接着性フィルムである。また、硬化性向上のため、回路接着性フィルムは、潜在性硬化剤をさらに含むこともできる。さらに、接続性向上のため、回路接着性フィルムは、導電性粒子をさらに含むこともでき、その場合には、回路接着性フィルムの全体積を基準として、0.1~10体積の導電性粒子を含むことが好ましい。本発明の硬化剤付き回路基板は、硬化剤層中の硬化剤と反応する絶縁性樹脂を含む回路接着性フィルムとともに用いることにより、液晶ディスプレイとTCP、TCPとFPC、FPCとプリント配線基板との接続に好適に用いることができる。本発明の回路基板としては、既知の回路基板を用いることができるが、特に、ポリイミド基板、ポリアミド基板、ポリエーテルスルホン基板、ポリエチレンナフタレート基板、シクロオレフィンポリマー基板、ポリカーボネート基板、ポリエチレンテレフタレート基板等のフレキシブル基板を用いることが好適である。本発明の硬化剤付き回路基板の回路電極としては、銅、銀、金、アルミニウム、タンタル、モリブデン、ニッケル等の金属、又はそれらの合金を単独若しくは組み合わせた電極;及び酸化インジウムスズITO、酸化インジウム亜鉛IZO等の酸化物電極を単独若しくは前述の金属系電極と組み合わせた電極を用いることが可能である。好ましくは、銅電極上にニッケル若しくは金をめっきした電極、又は金バンプを用いることが好適である。本発明の硬化剤付き回路基板の回路電極高さhは、3μm~50μmが好ましく、5~30μmがより好ましく、8~20μmが更に好ましい。回路電極高さhは、硬化性の観点から3μm以上が好ましく、接続信頼性の観点から50μm以下であることが好ましい。本発明の硬化剤付き回路基板の接続部全体の面積に対する電極部分の面積の割合は、30~70であることが好ましく、40~60であることがより好ましい。本発明の硬化剤付き回路基板の接続部全体の面積に対する電極部分の面積の割合が、30以上である場合には、硬化剤層中の硬化剤と回路接着性フィルム中の硬化性樹脂との混合が良好であるため接続性の観点から好ましく、70以下である場合には、機械的強度が良好である。本発明の硬化剤付き回路基板の回路電極と対応する回路基板としては、無アルカリガラス基板、ガラスエポキシ基板、セラミックス基板等のリジッド基板、及びポリイミド基板、ポリアミド基板、ポリエーテルスルホン基板、ポリエチレンナフタレート基板、シクロオレフィンポリマー基板、ポリカーボネート基板、ポリエチレンテレフタレート基板等のフレキシブル基板を用いることが出来る。特に、低温接続が必要とされる耐熱性の低い基板、例えばポリエチレンテレフタレート基板及びポリカーボネート基板が、好適に使用されることができる。本発明の硬化剤付き回路基板を用いて接続する用途としては、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、電子ペーパー等のディスプレイとフレキシブル基板、ICとの接続が挙げられる。特に、本発明の硬化剤付き回路基板は、フィルム基板を用いた電子ペーパーに好適に用いることができる。本発明の硬化剤付き回路基板を用いた接続方法では、ITO配線又は金属配線等によって回路と電極を形成した回路基板と、前記回路基板の電極と対を成す位置に電極を形成した本発明の硬化剤付き回路基板とを準備し、前記回路基板上の接続部に、対応する回路接着性フィルムを貼り付け、次いで本発明の硬化剤付き回路基板の保護フィルムを除去して、回路接着性フィルム上に電極位置が合うように配置し、熱圧着して接続する。回路接着性フィルムの幅W1と硬化剤層の幅W2の関係は、0.5W1≦W2≦1.0W1であることが好ましく、0.7W1≦W2≦0.9W1であることがより好ましい。W2が0.5W1以上であれば、接続部の硬化性は良好であり、W2が1.0W1以下であれば、接続信頼性は良好である。接続における熱圧着は、好ましくは100°C以上170°C以下、より好ましくは110°C以上150°C以下、特に好ましくは120°C以上140°C以下の温度範囲で、好ましくは2秒以上10秒以下、より好ましくは4秒以上7秒以下に亘って行われる。前記温度範囲及び時間での接続は、高い接続信頼性を提供すると共に、耐熱性の低い基板の接続に対し有利であり、基板の反りが抑制でき、かつ工程時間の短縮に有利である。以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。<接続信頼性評価>IZO付きガラス基板無アルカリガラス0.5mm上に全面IZO形成したもの、抵抗値30Ω/sqに70°C、0.1MPa及び1秒の貼り付け条件で回路接着性フィルム2mm幅を適用し、次いで硬化剤付きポリイミド基板硬化剤層1.8mm幅、金めっき銅電極15μ厚、ピッチ50μm、配線幅25μm、接続電極面積の割合50の保護フィルムを除去して前記回路接着性フィルムと位置合わせし、140°C、7秒及び4MPa圧着ヘッド幅1.8mmの接続条件で接続した接続構造体について、ポリイミド基板の電極で接続した隣接する2つの電極対を介して基板側の引出し配線上で2端子抵抗測定を、日置電機株製3541RESISTANCEHiTESTERを用いて実施した。抵抗測定箇所は1つの接続構造体当たり24箇所について実施し、その平均値を求めた。更に、前記接続構造体を100°Cで30分、そして-40°Cで30分を1サイクルとして240サイクルESPEC社製、THERMALSHOCKCHAMBERTSE-11で処理し、再度、前記と同様に抵抗測定を実施し、その平均値を求め、放置前後の平均値の抵抗上昇量が20Ω未満であれば◎、20Ω以上40Ω未満であれば○、40Ω以上100Ω未満であれば△、100Ω以上であれば×と評価した。<剥離強度信頼性評価><接続信頼性評価と同様にして接続構造体を作製した。接続構造体を接続幅10mmとなるようにポリイミド基板を切断し、90°ピール強度を測定した25°C、50mm/分、SHIMAZU製、オートグラフ、EZ-S。各サンプルについて5回測定し、平均値を測定値とした。測定値が≧700gf/cmであれば○、400gf/cm以上700gf/cm未満であれば△、400gf/cmであれば×と評価した。更に、前記接続構造体を100°Cで30分、そして-40°Cで30分を1サイクルとして240サイクルESPEC社製、THERMALSHOCKCHAMBERTSE-11で処理し、前記と同様に剥離強度測定を実施し、測定値が≧700gf/cmであれば○、400gf/cm以上700gf/cm未満であれば△、400gf/cmであれば×と評価した。[実施例1]回路接着性フィルムの作製ビスフェノールA型フェノキシ樹脂数平均分子量11,00050質量部、ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂エポキシ当量188g/eq20質量部、マイクロカプセル型潜在性イミダゾール硬化剤と液状エポキシ樹脂の混合物30質量部マイクロカプセル硬化剤の平均粒径5μm、活性温度125°C、液状エポキシ樹脂66質量部、シランカップリング剤3-グリシドキシプロパントリメトキシシラン2質量部、酢酸エチル200質量部、及びトルエン100質量部を混合し、絶縁性接着剤ワニスAを得た。この絶縁性接着剤ワニスAの全樹脂成分に対して3体積部になるように導電性粒子Bを加えて分散し、離型処理した50μmのPETフィルム上にブレードコーターを用いて塗布し、60°Cで20分間加熱し、溶剤を乾燥除去し、膜厚20μmの回路接着性フィルムCを得た。導電性粒子Bは、ジビニルベンゼン樹脂を核とする粒子の表面に厚み0.2μmのニッケル層を設け、そのニッケル層の外側に、厚み0.02μmの金層を設けた平均粒径4μmの導電性粒子である。硬化剤付き回路基板の作製ビスフェノールA型フェノキシ樹脂数平均分子量11,000、30質量部、変性ビスフェノールA型フェノキシ樹脂数平均分子量11,000のフェノキシ樹脂の二級水酸基の30をカプロラクタムで変性したフェノキシ樹脂20質量部、ポリエステルポリオール樹脂Dアジピン酸と3-メチル-1,5-ペンタンジオールから成る分子量2000のポリエステルポリオール樹脂、25°C粘度、8000mPas30質量部、及び4-ピロリジノピリジンのトリメリット酸塩20質量部をメチルエチルケトン100質量部に溶解し、絶縁性接着ワニスEを得た。この絶縁性接着ワニスEを離型処理した50μmのPET製保護フィルム上にブレードコーターを用いて塗布し、60°Cで20分間加熱し、そして溶剤を乾燥除去して膜厚10μmの硬化剤フィルムFを得た。上記ポリエステルポリオール樹脂D30質量部と4-ピロリジノピリジンのトリメリット酸塩20質量部を混合し、80°Cで1時間保持する前後での粘度比を算出したところ、1.05であったE型粘度計、東機産業製、VISCOMETER、RE-85R。この硬化剤フィルムFを1.8mm幅にスリットし、ポリイミド基板金めっき銅電極15μ厚、ピッチ50μm、配線幅25μm、接続電極面積の割合50の電極部に配置し、0.25mmのシリコーンゴムを介して、100°C、10秒及び2MPaヘッド幅2.5mmの圧着条件で圧着し、硬化剤付き回路基板Gを作製した。硬化剤付き回路基板Gの保護フィルムを剥離し、触針式段差計で電極上の硬化剤層厚みを測定したところ、1.5μmであった。上記の回路接着性フィルムC及び硬化剤フィルムFを用いて、前述の接続信頼性評価を行ったところ、初期抵抗の平均値は7.3Ωであり、信頼性評価の結果は◎であった。同様にして剥離強度信頼性評価を行ったところ、初期剥離強度○、信頼性評価の結果は○であった。[実施例2]硬化剤フィルムの作製に用いるポリエステルポリオール樹脂Dを、アジピン酸とジエチレングリコールから成る分子量2200のポリエステルポリオール樹脂H25°Cでの粘度、40000mPasに変えて、膜厚を10μmとする以外は、実施例1と同様にして、硬化剤フィルムIを得た。ポリエステルポリオール樹脂H30質量部と4-ピロリジノピリジンのトリメリット酸塩20質量部を混合し、80°Cで1時間保持する前後での粘度比を算出したところ、1.10であった。この硬化剤フィルムIを1.8mm幅にスリットし、ポリイミド基板金めっき銅電極15μ厚、ピッチ50μm、配線幅25μm、接続電極面積の割合50の電極部に配置し、0.25mmのシリコーンゴムを介して、110°C、10秒及び2.5MPaヘッド幅2.5mmの圧着条件で圧着して、硬化剤付き回路基板Jを作製した。硬化剤付き回路基板Jの保護フィルムを剥離し、触針式段差計で電極上の硬化剤層厚みを測定したところ、1.8μmであった。上記の回路接着性フィルムC及び硬化剤フィルムIを用いて、前述の接続信頼性評価を行ったところ、初期抵抗の平均値は6.4Ωであり、信頼性評価の結果は◎であった。同様にして剥離強度信頼性評価を行ったところ、初期剥離強度○、信頼性評価の結果は○であった。比較例1ビスフェノールA型フェノキシ樹脂数平均分子量1100070質量部、変性ビスフェノールA型フェノキシ樹脂数平均分子量11000のフェノキシ樹脂の二級水酸基の30をカプロラクタムで変性したフェノキシ樹脂20質量部、及び4-ピロリジノピリジンのトリメリット酸塩10質量部をメチルエチルケトン100質量部に溶解し、絶縁性接着ワニスE’を得た。この絶縁性接着ワニスE’を離型処理した50μmのPET製支持フィルム上にブレードコーターを用いて塗布、60°Cで20分間加熱し、溶剤を乾燥除去し、膜厚8μmの硬化剤フィルムKを得た。この硬化剤フィルムKを1.8mm幅にスリットしたところ、保護フィルムの剥離が発生した。ポリイミド基板金めっき銅電極15μ厚、ピッチ50μm、配線幅25μm、接続電極面積の割合50の電極部に配置し、0.25mmのシリコーンゴムを介して、120°C、10秒及び4MPaヘッド幅2.5mmの圧着条件で圧着し、硬化剤付き回路基板Lを作製した。硬化剤付き回路基板Lの保護フィルムを剥離し、触針式段差計で電極上の硬化剤層厚みを測定したところ、4μmであった。上記の回路接着性フィルムC及び硬化剤フィルムKを用いて、前述の接続信頼性評価を行ったところ、初期抵抗の平均値は260.5Ωであり、信頼性評価の結果は×であった。同様にして剥離強度信頼性評価を行ったところ、初期剥離強度の結果は×、信頼性評価の結果は×であった。比較例2上記の回路接着性フィルムCとポリイミド基板金めっき銅電極15μ厚、ピッチ50μm、配線幅25μm、接続電極面積の割合50を用いて、前述の接続信頼性評価を行ったところ、初期抵抗の平均値は3kΩであり、信頼性評価の結果は×であった。同様にして剥離強度信頼性評価を行ったところ、初期剥離強度の結果は×、信頼性評価の結果は×であった。"