Si及びCを含む溶液中に、SiCの種結晶を浸漬し、溶液成長法によりSiCを析出成長させるにあたり、該種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を90°以下に保持して製造して結晶成長部分のボイド密度を1000個/cm3以下としたことを特徴とするSiC単結晶。Si及びCを含む溶液中に、SiCの種結晶を浸漬し、SiCを析出成長させる溶液成長法によるSiC単結晶の製造方法であって、該種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を90°以下に保持することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。前記種結晶が上下可能な種結晶保持機構で保持され、該種結晶保持機構が、該種結晶の成長面法線ベクトル側に結晶成長できる空間を有し、かつ該種結晶の成長面法線ベクトルの向きと反対側の種結晶面を保持することを特徴とする請求項2に記載のSiC単結晶の製造方法。坩堝とは独立した種結晶保持棒によって、前記種結晶の成長面法線ベクトルと前記溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を90°以下に保持された前記種結晶を、該坩堝内の溶液に浸漬してSiCを析出成長させ、結晶成長終了時には該種結晶を該坩堝内溶液と切り離すことを特徴とする請求項2または3に記載のSiC単結晶の製造方法。前記SiC単結晶の製造をガス雰囲気下で行い、該雰囲気ガスの圧力が、0.1MPa以上であることを特徴とする請求項2~4のいずれか1項に記載のSiC単結晶の製造方法。結晶成長温度が、1700°C以上、2400°C以下であることを特徴とする請求項2~5のいずれか1項に記載のSiC単結晶の製造方法。前記溶液中に遷移金属元素および/または希土類元素を含むことを特徴とする請求項2~6のいずれか1項に記載のSiC単結晶の製造方法。請求項2~7のいずれか1項に記載の製造方法により製造されたSiC単結晶。以上のように、前述の公知文献における溶液法によるSiC単結晶の成長法は、2000°C以下の条件で、雰囲気ガス粘度が750μP以下となる非酸化性ガス例えばHeを用いる方法であるが、特定の溶液組成における成長結晶中のマクロ欠陥の低減効果について記載されているものの、SiC単結晶を成長し得る全ての成長温度特に2000°C以上や溶液組成に対して、ボイドを抑制し得る有効な方法ではなかった。また、雰囲気ガスの圧力制御および坩堝種結晶の構造を制御することによってボイド低減及び多結晶抑制を実現する方法も記載されているが、そのボイド抑制効果は完全ではなく、また、作製する単結晶よりも7~100倍の直径を持つ大きな坩堝を用いなくてはならず、装置の大型化が必要であり、工業生産上は問題がある。また、高品質高純度のSiC単結晶の作製のためには、Siのみを溶液として用いることが望ましく、これらの公知文献に記載の方法では、Siのみを溶液として用いた場合に、成長結晶中のマクロ欠陥を抑制し、成長結晶表面モフォロジーの向上を実現することは困難である。本発明は、雰囲気ガスの種類、結晶成長条件温度勾配雰囲気ガス圧力などの如何を問わず、溶液成長法で典型的に発生するボイド欠陥を大幅に抑制することが可能であるSiC単結晶の成長方法を提供することを目的とする。本発明者等は、溶液法によるSiC単結晶の製造方法について検討を行った結果、SiC単結晶中のボイドは、溶液に溶け込んだ雰囲気ガスが再びガス化し気泡を発生し、その気泡が結晶成長とともに取り込まれることが原因の一つであることを見出し、加えて、気泡の種結晶表面に対する吸着力よりも、溶液中での気泡の浮力の方が大きいことを見出した。これらの新たな知見により、ボイドの原因となる気泡を取り除く方法を更に鋭意検討し、種結晶を保持する場合の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度が重要であることを明らかにし、本発明に至った。本発明の課題は、以下の手段によって達成された。1Si及びCを含む溶液中に、SiCの種結晶を浸漬し、溶液成長法によりSiCを析出成長させるにあたり、該種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を90°以下に保持して製造して結晶成長部分のボイド密度を1000個/cm3以下としたことを特徴とするSiC単結晶。2Si及びCを含む溶液中に、SiCの種結晶を浸漬し、SiCを析出成長させる溶液成長法によるSiC単結晶の製造方法であって、該種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を90°以下に保持することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。3前記種結晶が上下可能な種結晶保持機構で保持され、該種結晶保持機構が、該種結晶の成長面法線ベクトル側に結晶成長できる空間を有し、かつ該種結晶の成長面法線ベクトルの向きと反対側の種結晶面を保持することを特徴とする2に記載のSiC単結晶の製造方法。4坩堝とは独立した種結晶保持棒によって、前記種結晶の成長面法線ベクトルと前記溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を90°以下に保持された前記種結晶を、該坩堝内の溶液に浸漬してSiCを析出成長させ、結晶成長終了時には該種結晶を該坩堝内溶液と切り離すことを特徴とする2または3に記載のSiC単結晶の製造方法。5前記SiC単結晶の製造をガス雰囲気下で行い、該雰囲気ガスの圧力が、0.1MPa以上であることを特徴とする2~4のいずれか1項に記載のSiC単結晶の製造方法。6結晶成長温度が、1700°C以上、2400°C以下であることを特徴とする2~5のいずれか1項に記載のSiC単結晶の製造方法。7前記溶液中に遷移金属元素および/または希土類元素を含むことを特徴とする2~6のいずれか1項に記載のSiC単結晶の製造方法。8前記2~7のいずれか1項に記載の製造方法により製造されたSiC単結晶。本発明により、溶液法によるSiC単結晶を成長させて単結晶を製造する際、雰囲気ガス種、雰囲気ガス圧力、溶液組成等の溶液法によるSiC単結晶の成長条件によらず、SiC単結晶中の気泡巻き込みによるボイド欠陥が低減されたSiC単結晶およびその製造方法を提供することができる。本発明の製造方法を実施するための形態の1例を示した図1を用いて説明する。本発明においては、種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を90°以下となるように保持する。なお、これらのベクトル方向は図1で図示した通りである。種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度は、90°以下±90°以下となるように保持するとボイド発生を低減することが可能であるが、結晶成長面内を均一な温度環境に保つことが必要な場合には、種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を0°となるように保持することが好ましい。図1において、SiC単結晶成長は、加熱装置である高周波コイル7によって加熱された黒鉛坩堝1中の溶液5に、SiC単結晶基板2を保持する種結晶保持機構3黒鉛材で形成の一部である種結晶保持棒4の先端に、種結晶であるSiCからなる単結晶基板2を接着又は機械的固定により、種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を90°以下となるように保持し、これを溶液内に浸漬させて単結晶成長させることができる。種結晶保持棒と坩堝はおのおの独立に回転する機構を備えたものが好ましい。ここで、図1では、黒鉛坩堝1は断熱材6で覆われ、この外側に高周波コイル7が設置されている。なお、図1に示した種結晶保持機構の図は1例であり、種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を90°以下となるように保持する方法としてはこの限りではない。種結晶の形状は円盤、六角形平板、四角形平板等の板状でも、立方体でもよいが、円盤、六角形平板、四角形平板等の板状が好ましい。種結晶の大きさは、どのような大きさでもよく、その目的にもよるが、直径0.1cm以上が好ましく、0.5cm以上がより好ましく、1cm以上がさらに好ましい。直径の好ましい上限は特に限定されるものでなく、結晶成長装置の容量に合わせて調製すればよく、例えば10cmでも構わない。ここで、種結晶の成長面法線ベクトルが複数存在する場合は、種結晶から成長する結晶量が最も多い面の成長面法線ベクトル例えば、円盤、六角形平板、四角形平板等の板状であれば、円盤平面、六角平面、四角形平面上の法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度である。本発明においては、種結晶から成長する結晶量が最も多い面以外の部分からの結晶成長が少ない形状の種結晶を用いるのが好ましく、このため立方体よりも板状のものが好ましい。本発明のSiC単結晶を得る方法において、溶液成長に用いる溶液の組成に関しては、少なくともSiとCが含まれているならば特に制限は無い。本発明においては、溶液成長に用いる溶液には遷移金属元素好ましくはTi、Cr等の第一遷移元素または/および希土類元素例えば、スカンジウム、イットリウム等を含んでもよい。特に、Si-C溶液、Si-C-Ti溶液、Si-C-Cr溶液が好ましく、溶液に遷移金属元素好ましくはTi、Cr等の第一遷移元素または/および希土類元素を含んだ場合においても、種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を90°以下となるように保持した場合には成長したSiC単結晶内のボイドは大幅に抑制される。ここで、Si-C溶液、Si-C-Ti溶液、Si-C-Cr溶液におけるCの少なくとも一部は黒鉛坩堝から溶液中に溶解させたものである。また、Cの一部はCH4などの炭化水素ガスを溶液中に吹き込む、又は雰囲気ガスに混入することにより溶液中にCを供給する方法もある。雰囲気ガスは、SiC単結晶成長時に、SiC結晶及び溶液の酸化を防止するために、He、Ne、Ar等の不活性ガスを用い、またN2、H2、CH4などのガスを混合してもよい。また、SiC結晶成長は1700~2400°Cの高温で実施するため、雰囲気ガス圧力が0.1MPaよりも低いと溶液の蒸発が激しいので、加圧条件でSiC単結晶成長を実施することが望ましい。好適な雰囲気ガス圧力は0.1MPa以上である。本発明の製造方法におけるSiC単結晶成長時の温度は、1700~2400°Cの範囲内で設定可能であるが、溶液組成によって最適な温度条件を1700~2400°Cの範囲内で任意に設定すればよい。ただし結晶成長温度によっては溶液の蒸発が激しくなるので、雰囲気ガスの圧力としては、1700~1900°Cの結晶成長温度の場合には0.1MPa~1MPa、1900~2400°Cの範囲の結晶成長温度では1MPa~10MPaが好適である。本発明において、種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を90°以下に保持する方法としては、種結晶保持機構で種結晶を保持することが好ましい。この種結晶保持機構は、黒鉛材で形成され、種結晶保持棒の先端に種結晶を接着もしくは機械的固定で保持できる部分を有すことが好ましい。種結晶保持機構は、種結晶の成長面法線ベクトル側に結晶成長できる空間を有し、かつ種結晶の成長面法線ベクトルの向きと反対側の種結晶面好ましくはこの向きの種結晶面全体を保持するものが好ましい。具体的には、図1に示すようなものが好ましく、種結晶保持棒は、種結晶の成長面法線ベクトル側の結晶成長できる空間上に結晶成長を妨げないように取り付けることが好ましい。なお、この種結晶保持機構は坩堝とは独立に上下可能なものが特に好ましく、種結晶保持棒で上下可能としたものが好ましい。なお、上下可能な種結晶保持機構、特に種結晶保持棒により、SiC単結晶成長終了後速やかに、溶液が固化してしまわない融点以上の温度状態で、成長した単結晶を溶液から取り出すことができる。SiC種結晶が溶液に浸漬された状態のまま、溶液が固化すると、熱膨張率の違いからSiC単結晶に割れが生じるなどの問題が発生する。このため、本発明の方法は、上記のように、SiC単結晶基板を保持する種結晶保持機構を用いて、種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度が90°以下となるように種結晶のSiCからなる単結晶基板を接着又は機械的固定し、SiC単結晶成長後に種結晶保持機構、特に種結晶保持棒を上昇させることにより、溶液と種結晶を完全に切り離すことができる。このように本発明の溶液法によるSiC単結晶成長方法によって、高温で長時間、例えば12時間以上、成長するSiC単結晶中のボイド発生を大幅に抑制してSiC単結晶を成長させることができる。すなわち、Si及びCを含む溶液中に、SiCの種結晶を浸漬し、SiCを析出成長させるにあたり、該種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を90°以下に保持して製造することで得られるSiC単結晶はボイド密度を1000個/cm3以下とすることができる。ボイド密度は、好ましくは100個/cm3以下、さらに好ましくは0~10個/cm3である。これにより、ボイドの発生で問題とする直径1μm以上のボイドの発生は大幅に抑制できる。ボイド密度は、以下のようにして測定できる。すなわち、光学顕微鏡を用い、透過照明によって、結晶成長部分の厚み方向にすべて含んだ領域にてボイド数を計測する。ここで、ボイドは透過照明で黒丸点として観測されるので、容易に計測できる。また、光学可能顕微鏡観察の空間分解能は1μm程度であり、問題とする1μm以上の大きさのボイドは十分に検出できる。より具体的には、結晶成長部分の平面の2mm×2mmの領域で、結晶成長部分の全厚み例えば結晶成長した厚みが100μmの場合であれば100μmの領域を、顕微鏡観察してボイド数計測を行い、それを任意の場所で計6回繰り返し、1cm3当たりに換算してその平均値を求める。以後の実施例、比較例はこのようにして求めたものである。なお、ここで、透過照明で全厚みを観察できない厚みの場合は、厚み方向に分割して計測を繰り返すことで計測することができる。以下に、本発明を具体的に説明する目的で実施例を示す。ただし、これらの実施例は、本発明の具体的説明を目的としており、本発明を制限する意図はない。以下の実験では、図1に示したSiC単結晶成長の実施形態と同様の装置を用いて、SiC単結晶成長を行った。実験では、溶液にはSiを用い、結晶成長温度1900°C、雰囲気ガス圧力0.95MPaの条件で、種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を変動因子として、0°~180°の範囲となるように種結晶を保持して行った。ここで使用した種結晶は、2.5~5.1cmの大きさの板状のSiC単結晶基板である。実験では、黒鉛坩堝にSi又はSiと所定の添加金属元素とを充填し、減圧下で溶液成分の融点以下の温度に保持し吸着ガスを脱気した後、雰囲気ガスとしてArガスを加圧条件で充填し、黒鉛坩堝の底面が所定の温度になるように加熱して、溶液原料を融解させた。黒鉛坩堝の内壁からSi溶液へCが飽和濃度まで十分に供給されるように、一定時間保持した。その後、図1に例示した種結晶保持機構と同様な構造、または種結晶に穴をあけ、黒鉛製のねじなどによって機械的に固定する方法によって保持されたSiC種結晶を溶液に浸漬し、3時間の浸漬時間が経過した後、種結晶保持機構を保持している種結晶保持棒を上昇させ、種結晶を溶液から引き揚げた。結晶成長中は種結晶保持棒と黒鉛坩堝を互いに逆方向に回転させた。炉内の温度を室温まで冷却させた後、SiC種結晶を回収し、フッ硝酸を用いて洗浄を行い、SiC結晶表面に付着している溶液の凝固物を取り除いた。種結晶上に溶液法により成長したSiC単結晶の表面と断面に対して、透過照明を用いた顕微鏡観察を実施し、成長結晶中のボイド密度を前述のようにして計測した。実施例1実験では、黒鉛坩堝にSiを充填し、1Pa以下の減圧下で黒鉛坩堝及びSi原料を1100°C程度の温度に保持し、これらに吸着した吸着ガスを脱気した後、雰囲気ガスとしてArガスを0.95MPaの圧力になるように充填し、黒鉛坩堝の底面が1900°Cになるように加熱し、Si原料を融解させた。黒鉛坩堝の内壁からSi溶液へCが飽和濃度まで十分に供給されるように、2時間保持した。その後、図1に例示した種結晶保持機構と同様な構造、または種結晶に穴をあけ、黒鉛製のねじなどによって機械的に固定する方法によって、種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を90°以下に保持したSiC種結晶を溶液に浸漬し、12時間の浸漬時間が経過した後、種結晶保持機構を保持している種結晶保持棒を上昇させ、種結晶を溶液から引き揚げた。結晶成長中は種結晶保持棒と黒鉛坩堝を互いに逆方向に回転させた。比較例1種結晶を種結晶保持棒の先端に、SiCからなる単結晶基板を接着又は機械的固定により、種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を90°を超え、180°以下の範囲となるように種結晶を保持することとした以外は実施例1と同様にしてSiC単結晶を製造した。成長したSiC結晶を、透過照明を用いた顕微鏡観察により、成長結晶中のボイド密度を計測した。これらの結果を図2に示した。図2によれば、種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度が90°より大きくなるように種結晶を保持した場合には、SiC単結晶中にボイドが発生する。種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を120°と150°に保持した場合のボイド密度は、種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を180°に保持した場合のボイド密度より1/5までに低減可能であったが、完全にボイド発生を抑制するには至らなかった。なお、種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を0°、30°、60°、90°とした場合、ボイド密度は0~10個/cm3であった。種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度との関係を示した図2によれば、種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を90°以下で保持した場合、ボイド発生は実質的に、完全に抑制されており、ボイドを含まないSiC単結晶の製造が可能である。図3および図4は、本発明の実施例1における、種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を0°に保持した場合の、成長したSiC単結晶の透過照明を用いた顕微鏡写真である。図3は成長したSiC単結晶の平面図であり、図4は成長したSiC単結晶の断面図である。図3、図4から、本発明による結晶保持法を用いた結晶成長方法製造方法では、SiC単結晶中のボイド発生を完全に抑制できることが確認された。実施例2溶液原料をSi0.77Ti0.23とし、Si-C-Ti溶液に変更した以外は実施例1と同様にしてSiC単結晶を製造した。実施例3溶液原料をSi0.6Cr0.4とし、Si-C-Cr溶液に変更した以外は実施例1と同様にしてSiC単結晶を製造した。実施例2および実施例3では、溶液原料をSi0.77Ti0.23としたSi-C-Ti溶液および溶液原料をSi0.6Cr0.4としたSi-C-Cr溶液を用いて実施例1に記載の方法を用い、種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を0°で保持してSiC単結晶成長の実験を行った。その結果、実施例2および実施例3で使用したいずれの溶液原料においても、ボイド発生を抑制し、ボイドを含まないSiC単結晶の作製が可能であった。