"ねじ穴3a3が形成された上側水平部分3aと、鉛直部分3bと、下側水平部分3cとを有するように概略クランク状に折り曲げられた外部導出端子3を具備し、外部導出端子3の上側水平部分3aのねじ穴3a3と、ナット10の雌ねじ部10a3a1とが概略同軸関係を有するように、概略クランク状に折り曲げられた外部導出端子3とナット10とがインサート成形された樹脂製の外囲ケース4を具備し、外囲ケース4と、放熱部材2と、蓋体5とによって画定されるケース内部4’にパワー半導体素子1aを配置し、パワー半導体素子1aと放熱部材2とを熱的に接続し、パワー半導体素子1aと外部導出端子3の下側水平部分3cとを電気的に接続し、少なくとも外部導出端子3の上側水平部分3aの下側表面3a2を外囲ケース4の樹脂内に埋設し、かつ、少なくとも外部導出端子3の上側水平部分3aの上側表面3a1を外囲ケース4の樹脂の外側に露出させ、外部導出端子3の下側水平部分3cのうち、少なくともパワー半導体素子1aに電気的に接続される部分3c1aを外囲ケース4の樹脂の外側に露出させ、少なくともパワー半導体素子1aと、外部導出端子3の下側水平部分3cのうち、外囲ケース4の樹脂の外側に露出せしめられている部分3c-1とを、封止樹脂6によって封止したパワー半導体モジュール100において、ナット10として、下側が閉じているねじ穴10a3を有する袋ナット10を用い、ナットとしての機能を有するナット部10aと、外部導出端子3の上側水平部分3aに接合するためにナット部10aの上面10a1から上側に延びている概略円筒状の接合部10bとを、袋ナット10に形成し、外部導出端子3の上側水平部分3aのねじ穴3a3に対して袋ナット10の概略円筒状の接合部10bを圧入することによって外部導出端子3と袋ナット10とを一体化させた状態で、外部導出端子3と袋ナット10とをインサート成形し、ナット部10aの下面10a2と放熱部材2の上面2a1との間に外囲ケース4の樹脂を配置したことを特徴とするパワー半導体モジュール100。外部導出端子3の上側水平部分3aの厚さT3aを袋ナット10の概略円筒状の接合部10bの長さL10bよりも大きく設定し、外部導出端子3の上側水平部分3aのねじ穴3a3の内周面3a3aの上側部分3a3a1と袋ナット10の接合部10bの外周面10b3とを嵌合させることなく、外部導出端子3の上側水平部分3aのねじ穴3a3の内周面3a3aの下側部分3a3a2と袋ナット10の接合部10bの外周面10b3とを嵌合させることによって、外部導出端子3と袋ナット10とを一体化させたことを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体モジュール100。袋ナット10の概略円筒状の接合部10bの内周面10b2にテーパ状部10b2aと円筒状部10b2bとを形成し、袋ナット10の概略円筒状の接合部10bの内周面10b2の円筒状部10b2bをテーパ状部10b2aよりも下側に配置し、袋ナット10のナット部10aの雌ねじ部10a3a1に連続する雌ねじ部10b2b1を、接合部10bの内周面10b2のテーパ状部10b2aに形成せず、円筒状部10b2bのみに形成したことを特徴とする請求項2に記載のパワー半導体モジュール100。袋ナット10の中心軸線10’に垂直な断面内における袋ナット10のナット部10aの外周面10a4の形状を円形に設定したことを特徴とする請求項3に記載のパワー半導体モジュール100。ところで、特許文献1に記載されたパワー半導体モジュール電力用半導体装置では、外部導出端子主回路端子とナットとがインサート成形される時に、外部導出端子主回路端子とナットとが互いに接合されていない。そのため、特許文献1に記載されたパワー半導体モジュール電力用半導体装置では、外部導出端子主回路端子とナットとがインサート成形される時に、外部導出端子主回路端子とナットとを別個に成形用金型に固定する必要がある。例えば特許文献2特開平6-047773号公報の段落0003、段落0004に記載されたインサート成形の手法のように、成形用金型内に配置された円柱状のピンの外周面とナットの雌ねじ部のねじ山部とを嵌合させることによってナットが成形用金型に固定される場合には、成形時の樹脂の圧力などによってナットが成形用金型内で移動してしまい、その結果、成形不良が生じてしまうおそれがある。一方、例えば特許文献3特開平6-63987号公報の図3に記載されたインサート成形の手法のように、成形用金型内に配置された円柱状のピンの外周面に形成された雄ねじ部とナットの雌ねじ部とを螺合させることによってナットが成形用金型に固定される場合には、成形された外囲ケース樹脂ケースが金型から取り出される時に、外囲ケース樹脂ケースに損傷を与えることなく、外囲ケース樹脂ケースと一体となって円柱状のピンが金型から外れるように、かつ、成形時に樹脂の圧力などによって円柱状のピンが金型から外れてしまうことがないように、金型および円柱状のピンを極めて厳密な寸法関係で形成すると共に維持管理する必要が生じてしまい、その結果、パワー半導体モジュール電力用半導体装置全体の製造コストが嵩んでしまう。更に、例えば特許文献3の図3に記載されたインサート成形の手法のように、成形用金型内に配置された円柱状のピンの外周面に形成された雄ねじ部とナットの雌ねじ部とを螺合させることによってナットが成形用金型に固定される場合には、成形前に円柱状のピンの雄ねじ部とナットの雌ねじ部とを螺合させる工程と、成形後に円柱状のピンの雄ねじ部とナットの雌ねじ部との螺合を解除する工程とが必要になってしまい、パワー半導体モジュール電力用半導体装置全体の製造コストが嵩んでしまう。また、特許文献1に記載されたパワー半導体モジュール電力用半導体装置では、成形用金型にナットを固定するための円柱状のピンが成形時に必ず用いられるため、特許文献1の図2に記載されているように、外囲ケース樹脂ケースの成形後に、円柱状のピンに対応する空間が、ナットの下面と放熱部材金属ベース板の上面との間に残されてしまい、その結果、ナットの下面と放熱部材金属ベース板の上面との間を樹脂などによって確実に絶縁することができない。前記問題点に鑑み、本発明は、特許文献1に記載されたパワー半導体モジュール電力用半導体装置に対して特許文献2の段落0003、段落0004に記載されたインサート成形の手法が適用される場合よりも、ナットが成形用金型内で移動してしまうことに伴う成形不良を低減することができるパワー半導体モジュールを提供することを目的とする。更に、本発明は、特許文献1に記載されたパワー半導体モジュール電力用半導体装置に対して特許文献3の図3に記載されたインサート成形の手法が適用される場合よりも、パワー半導体モジュール全体の製造コストを削減することができるパワー半導体モジュールを提供することを目的とする。その上、本発明は、特許文献1に記載されたパワー半導体モジュール電力用半導体装置よりも、ナットの下面と放熱部材の上面との間の絶縁性を向上させることができるパワー半導体モジュールを提供することを目的とする。換言すれば、本発明は、ナットのインサート成形不良を低減しつつ、パワー半導体モジュール全体の製造コストを削減することができ、更に、ナットの下面と放熱部材の上面との間の絶縁性を向上させることができるパワー半導体モジュールを提供することを目的とする。請求項1に記載の発明によれば、ねじ穴3a3が形成された上側水平部分3aと、鉛直部分3bと、下側水平部分3cとを有するように概略クランク状に折り曲げられた外部導出端子3を具備し、外部導出端子3の上側水平部分3aのねじ穴3a3と、ナット10の雌ねじ部10a3a1とが概略同軸関係を有するように、概略クランク状に折り曲げられた外部導出端子3とナット10とがインサート成形された樹脂製の外囲ケース4を具備し、外囲ケース4と、放熱部材2と、蓋体5とによって画定されるケース内部4’にパワー半導体素子1aを配置し、パワー半導体素子1aと放熱部材2とを熱的に接続し、パワー半導体素子1aと外部導出端子3の下側水平部分3cとを電気的に接続し、少なくとも外部導出端子3の上側水平部分3aの下側表面3a2を外囲ケース4の樹脂内に埋設し、かつ、少なくとも外部導出端子3の上側水平部分3aの上側表面3a1を外囲ケース4の樹脂の外側に露出させ、外部導出端子3の下側水平部分3cのうち、少なくともパワー半導体素子1aに電気的に接続される部分3c1aを外囲ケース4の樹脂の外側に露出させ、少なくともパワー半導体素子1aと、外部導出端子3の下側水平部分3cのうち、外囲ケース4の樹脂の外側に露出せしめられている部分3c-1とを、封止樹脂6によって封止したパワー半導体モジュール100において、ナット10として、下側が閉じているねじ穴10a3を有する袋ナット10を用い、ナットとしての機能を有するナット部10aと、外部導出端子3の上側水平部分3aに接合するためにナット部10aの上面10a1から上側に延びている概略円筒状の接合部10bとを、袋ナット10に形成し、外部導出端子3の上側水平部分3aのねじ穴3a3に対して袋ナット10の概略円筒状の接合部10bを圧入することによって外部導出端子3と袋ナット10とを一体化させた状態で、外部導出端子3と袋ナット10とをインサート成形し、ナット部10aの下面10a2と放熱部材2の上面2a1との間に外囲ケース4の樹脂を配置したことを特徴とするパワー半導体モジュール100が提供される。請求項2に記載の発明によれば、外部導出端子3の上側水平部分3aの厚さT3aを袋ナット10の概略円筒状の接合部10bの長さL10bよりも大きく設定し、外部導出端子3の上側水平部分3aのねじ穴3a3の内周面3a3aの上側部分3a3a1と袋ナット10の接合部10bの外周面10b3とを嵌合させることなく、外部導出端子3の上側水平部分3aのねじ穴3a3の内周面3a3aの下側部分3a3a2と袋ナット10の接合部10bの外周面10b3とを嵌合させることによって、外部導出端子3と袋ナット10とを一体化させたことを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体モジュール100が提供される。請求項3に記載の発明によれば、袋ナット10の概略円筒状の接合部10bの内周面10b2にテーパ状部10b2aと円筒状部10b2bとを形成し、袋ナット10の概略円筒状の接合部10bの内周面10b2の円筒状部10b2bをテーパ状部10b2aよりも下側に配置し、袋ナット10のナット部10aの雌ねじ部10a3a1に連続する雌ねじ部10b2b1を、接合部10bの内周面10b2のテーパ状部10b2aに形成せず、円筒状部10b2bのみに形成したことを特徴とする請求項2に記載のパワー半導体モジュール100が提供される。請求項4に記載の発明によれば、袋ナット10の中心軸線10’に垂直な断面内における袋ナット10のナット部10aの外周面10a4の形状を円形に設定したことを特徴とする請求項3に記載のパワー半導体モジュール100が提供される。請求項1に記載のパワー半導体モジュール100では、ねじ穴3a3が形成された上側水平部分3aと、鉛直部分3bと、下側水平部分3cとを有するように概略クランク状に折り曲げられた外部導出端子3が設けられている。また、外部導出端子3の上側水平部分3aのねじ穴3a3と、ナット10の雌ねじ部10a3a1とが概略同軸関係を有するように、概略クランク状に折り曲げられた外部導出端子3とナット10とがインサート成形された樹脂製の外囲ケース4が設けられている。更に、請求項1に記載のパワー半導体モジュール100では、外囲ケース4と、放熱部材2と、蓋体5とによって画定されるケース内部4’にパワー半導体素子1aが配置されている。また、パワー半導体素子1aと放熱部材2とが熱的に接続されている。更に、パワー半導体素子1aと外部導出端子3の下側水平部分3cとが電気的に接続されている。また、請求項1に記載のパワー半導体モジュール100では、少なくとも外部導出端子3の上側水平部分3aの下側表面3a2が、外囲ケース4の樹脂内に埋設されており、かつ、少なくとも外部導出端子3の上側水平部分3aの上側表面3a1が、外囲ケース4の樹脂の外側に露出せしめられている。更に、外部導出端子3の下側水平部分3cのうち、少なくともパワー半導体素子1aに電気的に接続される部分3c1aが、外囲ケース4の樹脂の外側に露出せしめられている。また、少なくともパワー半導体素子1aと、外部導出端子3の下側水平部分3cのうち、外囲ケース4の樹脂の外側に露出せしめられている部分3c-1とが、封止樹脂6によって封止されている。詳細には、請求項1に記載のパワー半導体モジュール100では、ナット10として、下側が閉じているねじ穴10a3を有する袋ナット10が用いられている。また、ナットとしての機能を有するナット部10aと、外部導出端子3の上側水平部分3aに接合するためにナット部10aの上面10a1から上側に延びている概略円筒状の接合部10bとが、袋ナット10に形成されている。更に、請求項1に記載のパワー半導体モジュール100では、外部導出端子3の上側水平部分3aのねじ穴3a3に対して袋ナット10の概略円筒状の接合部10bを圧入することによって外部導出端子3と袋ナット10とを一体化させた状態で、外部導出端子3と袋ナット10とがインサート成形されている。そのため、請求項1に記載のパワー半導体モジュール100では、外部導出端子3と袋ナット10とがインサート成形される時に、外部導出端子3と袋ナット10とを別個に成形用金型に固定する必要がない。つまり、請求項1に記載のパワー半導体モジュール100では、外部導出端子3と袋ナット10とがインサート成形される時に、外部導出端子3が成形用金型に対して固定されると、それに伴って、袋ナット10も成形用金型に対して固定される。その結果、請求項1に記載のパワー半導体モジュール100によれば、外部導出端子主回路端子とナットとがインサート成形される時に外部導出端子主回路端子とナットとを別個に成形用金型に固定しなければならない特許文献1に記載されたパワー半導体モジュール電力用半導体装置に対して特許文献2の段落0003、段落0004に記載されたインサート成形の手法が適用される場合のように、ナットが成形用金型内で移動してしまうことに伴う成形不良のおそれを低減することができる。また、請求項1に記載のパワー半導体モジュール100によれば、外部導出端子主回路端子とナットとがインサート成形される時に外部導出端子主回路端子とナットとを別個に成形用金型に固定しなければならない特許文献1に記載されたパワー半導体モジュール電力用半導体装置に対して特許文献3の図3に記載されたインサート成形の手法が適用される場合のように、パワー半導体モジュール全体の製造コストが嵩んでしまうおそれを回避することができる。その上、請求項1に記載のパワー半導体モジュール100では、ナット部10aの下面10a2と放熱部材2の上面2a1との間に外囲ケース4の樹脂が配置されている。つまり、請求項1に記載のパワー半導体モジュール100では、上述したように、ナット10として、下側が閉じているねじ穴10a3を有する袋ナット10が用いられているため、円柱状のピンに対応する空間がナットの下面と放熱部材金属ベース板の上面との間に残されてしまう特許文献1の図2に記載されたパワー半導体モジュール電力用半導体装置とは異なり、ナット部10aの下面10a2と放熱部材2の上面2a1との間に外囲ケース4の樹脂を配置することができる。その結果、請求項1に記載のパワー半導体モジュール100によれば、円柱状のピンに対応する空間がナットの下面と放熱部材金属ベース板の上面との間に残されてしまう特許文献1の図2に記載されたパワー半導体モジュール電力用半導体装置よりも、ナット部10aの下面10a2と放熱部材2の上面2a1との間の絶縁性を向上させることができる換言すれば、請求項1に記載のパワー半導体モジュール100によれば、袋ナット10のインサート成形不良を低減しつつ、パワー半導体モジュール100全体の製造コストを削減することができ、更に、ナット部10aの下面10a2と放熱部材2の上面2a1との間の絶縁性を向上させることができる。請求項2に記載のパワー半導体モジュール100では、外部導出端子3の上側水平部分3aの厚さT3aが、袋ナット10の概略円筒状の接合部10bの長さL10bよりも大きく設定されている。詳細には、請求項2に記載のパワー半導体モジュール100では、外部導出端子3の上側水平部分3aのねじ穴3a3の内周面3a3aの上側部分3a3a1と袋ナット10の接合部10bの外周面10b3とを嵌合させることなく、外部導出端子3の上側水平部分3aのねじ穴3a3の内周面3a3aの下側部分3a3a2と袋ナット10の接合部10bの外周面10b3とを嵌合させることによって、外部導出端子3と袋ナット10とが一体化せしめられている。そのため、請求項2に記載のパワー半導体モジュール100によれば、袋ナット10の概略円筒状の接合部10bが外部導出端子3の上側水平部分3aの上側表面3a1よりも上側に突出するのに伴って、外部導出端子3の上側水平部分3aの上側表面3a1とブスバーの下側表面とを密着させることができなくなるおそれを回避することができる。更に、請求項2に記載のパワー半導体モジュール100によれば、一体化せしめられた外部導出端子3および袋ナット10を成形用金型に固定する時に、外部導出端子3の上側水平部分3aのねじ穴3a3の内周面3a3aの上側部分3a3a1を、成形用金型に対する外部導出端子3および袋ナット10の位置決めなどに利用することができる。請求項3に記載のパワー半導体モジュール100では、袋ナット10の概略円筒状の接合部10bの内周面10b2にテーパ状部10b2aと円筒状部10b2bとが形成されている。また、袋ナット10の概略円筒状の接合部10bの内周面10b2の円筒状部10b2bが、テーパ状部10b2aよりも下側に配置されている。更に、袋ナット10のナット部10aの雌ねじ部10a3a1に連続する雌ねじ部10b2b1が、接合部10bの内周面10b2のテーパ状部10b2aに形成されず、円筒状部10b2bのみに形成されている。換言すれば、請求項3に記載のパワー半導体モジュール100では、袋ナット10のナット部10aの雌ねじ部10a3a1に連続する雌ねじ部10b2b1が、接合部10bの内周面10b2の円筒状部10b2bに形成されている。そのため、請求項3に記載のパワー半導体モジュール100によれば、雌ねじ部10b2b1が袋ナット10の概略円筒状の接合部10bの内周面10b2の円筒状部10b2bに形成されていない場合よりも、外部導出端子3の上側水平部分3aに対してブスバーを固定するためのボルトの雄ねじ部のねじ山部と螺合する袋ナット10の雌ねじ部10a3a1,10b2b1のねじ山部の数を増加させることができる。更に、請求項3に記載のパワー半導体モジュール100では、袋ナット10のナット部10aの雌ねじ部10a3a1に連続する雌ねじ部10b2b1が、接合部10bの内周面10b2のテーパ状部10b2aに形成されていない。そのため、請求項3に記載のパワー半導体モジュール100によれば、一体化せしめられた外部導出端子3および袋ナット10を成形用金型に固定する時に、袋ナット10の接合部10bの内周面10b2のテーパ状部10b2aを、成形用金型に対する外部導出端子3および袋ナット10の位置決めなどに利用することができる。仮に、袋ナット10の中心軸線10’に垂直な断面内における袋ナット10のナット部10aの外周面10a4の形状が例えば六角形などのような多角形に設定されている場合には、外囲ケース4の樹脂に対する袋ナット10の食いつきを向上させることができる。一方、袋ナット10の中心軸線10’に垂直な断面内における袋ナット10のナット部10aの外周面10a4の形状が例えば六角形などのような多角形に設定されている場合には、その多角形の辺の中点から袋ナット10の中心軸線10’までの距離RSと、その多角形の辺の頂点から袋ナット10の中心軸線10’までの距離RLとが異なる。そのため、袋ナット10の中心軸線10’に垂直な断面内における袋ナット10のナット部10aの外周面10a4の形状が例えば六角形などのような多角形に設定されている場合には、袋ナット10の周りの外囲ケース4の樹脂の袋ナット10の径方向の肉厚T4を限界まで薄くすることによってパワー半導体モジュール100全体の小型化を図ろうとすると、外部導出端子3の上側水平部分3aに対する袋ナット10のナット部10aの周方向の回転位置を厳密に管理する必要が生じてしまい、その結果、パワー半導体モジュール100全体の製造コストが嵩んでしまう。この点に鑑み、請求項4に記載のパワー半導体モジュール100では、袋ナット10の中心軸線10’に垂直な断面内における袋ナット10のナット部10aの外周面10a4の形状が円形に設定されている。そのため、請求項4に記載のパワー半導体モジュール100によれば、外部導出端子3の上側水平部分3aに対する袋ナット10のナット部10aの周方向の回転位置を管理する必要なく、袋ナット10の周りの外囲ケース4の樹脂の袋ナット10の径方向の肉厚T4を薄くすることによってパワー半導体モジュール100全体を小型化することができる。以下、本発明のパワー半導体モジュールの第1の実施形態について説明する。図1は第1の実施形態のパワー半導体モジュール100の主要部を示した図である。詳細には、図1Aは蓋体5図1B参照および封止樹脂6図1B参照を透視して見た第1の実施形態のパワー半導体モジュール100の主要部の概略的な平面図、図1Bは図1AのA-A線に沿った概略的な鉛直断面図である。図2は第1の実施形態のパワー半導体モジュール100の一部を構成する外部導出端子3の拡大部品図である。詳細には、図2Aは外部導出端子3の概略的な拡大平面図、図2Bは図2AのC-C線に沿った概略的な鉛直断面図である。図3は第1の実施形態のパワー半導体モジュール100の一部を構成するナット10の拡大部品図である。詳細には、図3Aはナット10の概略的な拡大平面図、図3Bは図3AのD-D線に沿った概略的な鉛直断面図である。図3において、10b1はナット10の接合部10bの上面を示しており、10a3aはナット10のナット部10aのねじ穴10a3の内周面を示している。図4は外部導出端子3とナット10とを接合することによって形成された組立体15を拡大して示した図である。詳細には、図4Aは組立体15の概略的な拡大平面図、図4Bは図4AのE-E線に沿った概略的な鉛直断面図である。図5は第1の実施形態のパワー半導体モジュール100の特徴を説明するための図である。詳細には、図5Aは図1BのB-B線に沿った概略的な拡大水平断面図である。図5Bおよび図5Cは袋ナット10の中心軸線10’に垂直な水平断面内における袋ナット10のナット部10aの外周面10a4の形状が六角形に設定されている場合における図5Aと同様の拡大水平断面図である。図5において、4aは外囲ケースの側面を示している。図6は第1の実施形態のパワー半導体モジュール100の他の主要部を示した図である。詳細には、図6Aは蓋体5図6B参照および封止樹脂6図6B参照を透視して見た第1の実施形態のパワー半導体モジュール100の他の主要部の概略的な平面図、図6Bは図6AのF-F線に沿った概略的な鉛直断面図である。第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図1および図2に示すように、ねじ穴3a3が形成された上側水平部分3aと、鉛直部分3bと、下側水平部分3cとを有するように概略クランク状に折り曲げられた外部導出端子3が設けられている。詳細には、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、外部導出端子3が樹脂製の外囲ケース4にインサート成形された後に上側水平部分3aと鉛直部分3bとが概略90°をなすように外部導出端子3が折り曲げられるのではなく、インサート成形前に、図2に示すように、外部導出端子3が概略クランク状に予め折り曲げられている。また、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図1および図3に示すように、外部導出端子3の上側水平部分3aとブスバー図示せずとを電気的に接続するためにボルト図示せずと螺合せしめられるナット10が設けられている。詳細には、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図1および図3に示すように、ナット10として、下側図1Bおよび図3Bの下側が閉じているねじ穴10a3を有する袋ナット10が用いられている。更に、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図1に示すように、外部導出端子3の上側水平部分3aのねじ穴3a3と、ナット10の雌ねじ部10a3a1とが概略同軸関係を有するように、つまり、ねじ穴3a3の中心軸線3a3’図2参照とナット10の中心軸線10’図3参照とが概略一致するように、概略クランク状に折り曲げられた外部導出端子3とナット10とがインサート成形され、樹脂製の外囲ケース4が形成されている。詳細には、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図1に示すように、概略クランク状に折り曲げられた外部導出端子3とナット10とがインサート成形される前に、図4に示すように、外部導出端子3とナット10とが一体化せしめられている。具体的には、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図3に示すように、ナットとしての機能を有するナット部10aと、外部導出端子3図2参照の上側水平部分3a図2参照に接合するためにナット部10aの上面10a1から上側図3Bの上側に延びている概略円筒状の接合部10bとが、袋ナット10に形成されている。更に、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100の製造時には、図2~図4に示すように、外部導出端子3の上側水平部分3aのねじ穴3a3に対して袋ナット10の概略円筒状の接合部10bを圧入することによって、外部導出端子3と袋ナット10とが一体化せしめられ、組立体15が形成される。次いで、図1および図4に示すように、組立体15がインサート成形され、樹脂製の外囲ケース4が形成される。詳細には、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図1に示すように、少なくとも外部導出端子3の上側水平部分3aの下側表面3a2図2参照が、外囲ケース4の樹脂内に埋設され、かつ、少なくとも外部導出端子3の上側水平部分3aの上側表面3a1図2参照が、外囲ケース4の樹脂の外側に露出せしめられるように、組立体15図4参照がインサート成形され、樹脂製の外囲ケース4が形成されている。第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図1に示すように、外部導出端子3の上側水平部分3aの外側表面3a4図2参照の全体が外囲ケース4の樹脂内に埋設されているが、第2の実施形態のパワー半導体モジュール100では、代わりに、外部導出端子3の上側水平部分3aの外側表面3a4図2参照の少なくとも一部分を外囲ケース4の樹脂の外側に露出させることも可能である。また、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図1に示すように、外部導出端子3の下側水平部分3cのうち、少なくともパワー半導体素子1aに電気的に接続される部分3c1a図4Aのクロスハッチング部分が外囲ケース4の樹脂の外側に露出せしめられるように、組立体15図4参照がインサート成形され、樹脂製の外囲ケース4が形成されている。更に、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図1Bに示すように、概略板状の板状部分2aとフィン部分2bとを有する放熱部材2が設けられている。また、放熱部材2の板状部分2aの上面2a1に対して絶縁基板7が接合されている。更に、絶縁基板7の上面に形成された導体パターン7a図1A参照と、パワー半導体素子IGBT1aの下側電極コレクタ電極とが電気的に接続されている。その結果、パワー半導体素子IGBT1aと放熱部材2とが熱的に接続されている。第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図1Bに示すように、概略板状の板状部分2aとフィン部分2bとを有する放熱部材2が設けられているが、第3の実施形態のパワー半導体モジュール100では、代わりに、別個に設けられた放熱板とフィン部材とを接合して用いることも可能である。第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図1Bに示すように、別個に設けられた放熱部材2と絶縁基板7とが接合されて用いられているが、第4の実施形態のパワー半導体モジュール100では、代わりに、放熱部材2および絶縁基板7を一部材によって構成することも可能である。また、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図1Bに示すように、放熱部材2の板状部分2aの上面2a1と外囲ケース4とが接続されている。更に、絶縁基板7の上面に形成された導体パターン7a図1A参照と、外部導出端子3の下側水平部分3cとが、ワイヤ8aによって接続されている。その結果、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、パワー半導体素子IGBT1aの下側電極コレクタ電極と外部導出端子3の下側水平部分3cとが電気的に接続されている。更に、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図1Aに示すように、パワー半導体素子IGBT1aのゲート電極1a3と、ゲート信号入力端子図示せずとがワイヤ8cなどを介して接続されている。また、図1Bに示すように、パワー半導体素子IGBT1aと、ワイヤ8a,8cと、外部導出端子3の下側水平部分3cのうち、外囲ケース4の樹脂の外側に露出せしめられている部分3c-1図2参照とが、封止樹脂6によって封止されている。第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図1Bおよび図2Bに示すように、外部導出端子3の下側水平部分3cの内側表面3c2図2B参照が外囲ケース4の樹脂の外側に露出せしめられているが、第5の実施形態のパワー半導体モジュール100では、代わりに、外部導出端子3の下側水平部分3cの内側表面3c2図2B参照を外囲ケース4の樹脂内に埋設することも可能である。また、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図1Bに示すように、蓋体5と外囲ケース4とが接続されている。その結果、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、外囲ケース4と、放熱部材2と、蓋体5とによって画定されるケース内部4’にパワー半導体素子IGBT1aが配置されている。上述したように、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図4に示すように、外部導出端子3の上側水平部分3aのねじ穴3a3に対して袋ナット10の概略円筒状の接合部10b図3B参照を圧入することによって外部導出端子3と袋ナット10とを一体化させた状態で、外部導出端子3と袋ナット10とがインサート成形されている。そのため、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、外部導出端子3と袋ナット10とがインサート成形される時に、外部導出端子3と袋ナット10とを別個に成形用金型図示せずに固定する必要がない。つまり、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、外部導出端子3と袋ナット10とがインサート成形される時に、外部導出端子3が成形用金型図示せずに対して固定されると、それに伴って、袋ナット10も成形用金型図示せずに対して固定される。その結果、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100によれば、外部導出端子主回路端子とナットとがインサート成形される時に外部導出端子主回路端子とナットとを別個に成形用金型に固定しなければならない特許文献1に記載されたパワー半導体モジュール電力用半導体装置に対して特許文献2の段落0003、段落0004に記載されたインサート成形の手法が適用される場合のように、ナットが成形用金型内で移動してしまうことに伴う成形不良のおそれを低減することができる。また、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100によれば、外部導出端子主回路端子とナットとがインサート成形される時に外部導出端子主回路端子とナットとを別個に成形用金型に固定しなければならない特許文献1に記載されたパワー半導体モジュール電力用半導体装置に対して特許文献3の図3に記載されたインサート成形の手法が適用される場合のように、パワー半導体モジュール100全体の製造コストが嵩んでしまうおそれを回避することができる。その上、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図1Bに示すように、ナット部10aの下面10a2図3B参照と放熱部材2の上面2a1との間に外囲ケース4の樹脂が配置されている。つまり、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、上述したように、ナット10として、下側図1Bの下側が閉じているねじ穴10a3を有する袋ナット10が用いられているため、円柱状のピンに対応する空間がナットの下面と放熱部材金属ベース板の上面との間に残されてしまう特許文献1の図2に記載されたパワー半導体モジュール電力用半導体装置とは異なり、図1Bに示すように、ナット部10aの下面10a2図3B参照と放熱部材2の上面2a1との間に外囲ケース4の樹脂を配置することができる。その結果、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100によれば、円柱状のピンに対応する空間がナットの下面と放熱部材金属ベース板の上面との間に残されてしまう特許文献1の図2に記載されたパワー半導体モジュール電力用半導体装置よりも、ナット部10aの下面10a2と放熱部材2の上面2a1との間の絶縁性を向上させることができる更に、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図2および図3に示すように、外部導出端子3の上側水平部分3aの厚さT3a図2B参照が、袋ナット10の概略円筒状の接合部10bの長さL10b図3B参照よりも大きく設定されている。詳細には、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図2および図3に示すように、外部導出端子3の上側水平部分3aのねじ穴3a3の内周面3a3aの上側部分3a3a1図2B参照と袋ナット10の接合部10b図3B参照の外周面10b3図3B参照とを嵌合させることなく、外部導出端子3の上側水平部分3aのねじ穴3a3の内周面3a3aの下側部分3a3a2図2B参照と袋ナット10の接合部10b図3B参照の外周面10b3図3B参照とを嵌合させることによって、図4に示すように、外部導出端子3と袋ナット10とが一体化せしめられている。そのため、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100によれば、袋ナット10の概略円筒状の接合部10bが外部導出端子3の上側水平部分3aの上側表面3a1よりも上側図4Bの上側に突出するのに伴って、外部導出端子3の上側水平部分3aの上側表面3a1とブスバー図示せずの下側表面図示せずとを密着させることができなくなるおそれを回避することができる。更に、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100によれば、一体化せしめられた外部導出端子3および袋ナット10を成形用金型図示せずに固定する時に、外部導出端子3の上側水平部分3aのねじ穴3a3の内周面3a3aの上側部分3a3a1を、成形用金型図示せずに対する外部導出端子3および袋ナット10の位置決めなどに利用することができる。第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図2および図3に示すように、外部導出端子3の上側水平部分3aの厚さT3a図2B参照が、袋ナット10の概略円筒状の接合部10bの長さL10b図3B参照よりも大きく設定されているが、第6の実施形態のパワー半導体モジュール100では、代わりに、外部導出端子3の上側水平部分3aの厚さT3a図2B参照と、袋ナット10の概略円筒状の接合部10bの長さL10b図3B参照とを等しく設定することも可能である。また、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図3に示すように、袋ナット10の概略円筒状の接合部10b図3B参照の内周面10b2図3B参照にテーパ状部10b2aと円筒状部10b2b図3B参照とが形成されている。また、袋ナット10の概略円筒状の接合部10b図3B参照の内周面10b2図3B参照の円筒状部10b2b図3B参照が、テーパ状部10b2aよりも下側図3Bの下側に配置されている。更に、袋ナット10のナット部10a図3B参照の雌ねじ部10a3a1図3B参照に連続する雌ねじ部10b2b1図3B参照が、接合部10b図3B参照の内周面10b2図3B参照のテーパ状部10b2aに形成されず、円筒状部10b2b図3B参照のみに形成されている。換言すれば、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図3Bに示すように、袋ナット10のナット部10aの雌ねじ部10a3a1に連続する雌ねじ部10b2b1が、接合部10bの内周面10b2の円筒状部10b2bにも形成されている。そのため、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100によれば、雌ねじ部10b2b1が袋ナット10の概略円筒状の接合部10bの内周面10b2の円筒状部10b2bに形成されていない場合よりも、外部導出端子3の上側水平部分3aに対してブスバー図示せずを固定するためのボルト図示せずの雄ねじ部図示せずのねじ山部図示せずと螺合する袋ナット10の雌ねじ部10a3a1,10b2b1のねじ山部の数を増加させることができる。更に、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図3Bに示すように、袋ナット10のナット部10aの雌ねじ部10a3a1に連続する雌ねじ部10b2b1が、接合部10bの内周面10b2のテーパ状部10b2aに形成されていない。そのため、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100によれば、一体化せしめられた外部導出端子3および袋ナット10を成形用金型に固定する時に、袋ナット10の接合部10bの内周面10b2のテーパ状部10b2aを、成形用金型に対する外部導出端子3および袋ナット10の位置決めなどに利用することができる。第7の実施形態のパワー半導体モジュール100では、代わりに、袋ナット10の接合部10bの内周面10b2の全体に雌ねじ部を形成することも可能である。仮に、図5Bに示すように、袋ナット10の中心軸線10’に垂直な断面内における袋ナット10のナット部10aの外周面10a4の形状が六角形に設定されている場合には、外囲ケース4の樹脂に対する袋ナット10の食いつきを向上させることができる。一方、図5Bに示すように、袋ナット10の中心軸線10’に垂直な断面内における袋ナット10のナット部10aの外周面10a4の形状が六角形に設定されている場合には、その六角形の辺の中点から袋ナット10の中心軸線10’までの距離RSと、その六角形の辺の頂点から袋ナット10の中心軸線10’までの距離RLとが異なる。そのため、図5Bに示すように、袋ナット10の中心軸線10’に垂直な断面内における袋ナット10のナット部10aの外周面10a4の形状が六角形に設定されている場合には、袋ナット10の周りの外囲ケース4の樹脂の袋ナット10の径方向の肉厚T4を限界まで薄くすることによってパワー半導体モジュール100全体の小型化を図ろうとすると、外部導出端子3の上側水平部分3aに対する袋ナット10のナット部10aの周方向の回転位置を厳密に管理する必要が生じてしまい、その結果、パワー半導体モジュール100全体の製造コストが嵩んでしまう。換言すれば、図5Bおよび図5Cに示すように、袋ナット10の中心軸線10’に垂直な断面内における袋ナット10のナット部10aの外周面10a4の形状が六角形に設定されている場合には、仮に、図5Cに示すように、外部導出端子3の上側水平部分3aに対する袋ナット10のナット部10aの周方向の回転位置が設計位置からずれると、袋ナット10の周りの外囲ケース4の樹脂の袋ナット10の径方向の肉厚T4’が限界肉厚T4図5Aおよび図5B参照よりも薄くなってしまい、成形不良が生じてしまう。この点に鑑み、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図5Aに示すように、袋ナット10の中心軸線10’に垂直な断面内における袋ナット10のナット部10aの外周面10a4の形状が円形に設定されている。そのため、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100によれば、外部導出端子3の上側水平部分3aに対する袋ナット10のナット部10aの周方向の回転位置を管理する必要なく、袋ナット10の周りの外囲ケース4の樹脂の袋ナット10の径方向の肉厚T4を薄くすることによってパワー半導体モジュール100全体を小型化することができる。更に、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図6に示すように、外部導出端子3図1参照とほぼ同様に構成された外部導出端子13が設けられている。また、図6Bに示すように、袋ナット10図1B参照とほぼ同様に構成された袋ナット20が設けられている。更に、一体化せしめられた外部導出端子3図1B参照および袋ナット10図1B参照と同様に、一体化せしめられた外部導出端子13および袋ナット20が、インサート成形され、樹脂製の外囲ケース4が形成されている。また、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図6に示すように、絶縁基板7の上面に形成された導体パターン7b図6A参照と、外部導出端子13の下側水平部分とが、ワイヤ8dによって接続されている。更に、パワー半導体素子IGBT1aのエミッタ電極1a2図6A参照と絶縁基板7の導体パターン7b図6A参照とが、ワイヤ8bによって接続されている。その結果、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、パワー半導体素子IGBT1aのエミッタ電極1a2図6A参照と外部導出端子13の下側水平部分とが電気的に接続されている。更に、第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図6Bに示すように、パワー半導体素子IGBT1aと、ワイヤ8b,8dと、外部導出端子13の下側水平部分のうち、外囲ケース4の樹脂の外側に露出せしめられている部分とが、封止樹脂6によって封止されている。図7は第8の実施形態のパワー半導体モジュール100の主要部を示した図である。詳細には、図7Aは蓋体5図7B参照および封止樹脂6図7B参照を透視して見た第8の実施形態のパワー半導体モジュール100の主要部の概略的な平面図、図7Bは図7AのG-G線に沿った概略的な鉛直断面図である。図8は第8の実施形態のパワー半導体モジュール100の他の主要部を示した図である。詳細には、図8Aは蓋体5図8B参照および封止樹脂6図8B参照を透視して見た第8の実施形態のパワー半導体モジュール100の他の主要部の概略的な平面図、図8Bは図8AのH-H線に沿った概略的な鉛直断面図である。第1の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図1および図6に示すように、パワー半導体素子1aとしてIGBTが用いられているが、第8の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図7および図8に示すように、パワー半導体素子1bとしてダイオードが用いられている。つまり、第8の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図7に示すように、パワー半導体素子ダイオード1bの下側電極カソード電極と外部導出端子3の下側水平部分3cとが電気的に接続されている。また、第8の実施形態のパワー半導体モジュール100では、図8に示すように、パワー半導体素子ダイオード1bの上側電極アノード電極1b2図8A参照と外部導出端子13の下側水平部分とが電気的に接続されている。第9の実施形態のパワー半導体モジュール100では、代わりに、パワー半導体素子1a,1bとして例えばサイリスタなどのような他の任意のパワー半導体素子を用いることも可能である。第10の実施形態では、上述した第1から第9の実施形態を適宜組み合わせることも可能である。"