複数のセラミック基板から成るセラミック基板集合体、前記セラミック基板集合体の両面に対向配置された絶縁樹脂層であって、補強材と樹脂とから少なくとも構成された絶縁樹脂層、および前記絶縁樹脂層上に配置された金属層を有して成り、前記複数のセラミック基板が、前記対向配置された前記絶縁樹脂層間の同一平面に沿ってタイリングされていることを特徴とする、ハイブリッド基板。前記複数のセラミック基板が相互に離隔していることを特徴とする、請求項1に記載のハイブリッド基板。前記対向配置された前記絶縁樹脂層間に枠部材が設けられており、前記相互に離隔している前記複数のセラミック基板が前記枠部材に填め込まれていることを特徴とする、請求項2に記載のハイブリッド基板。前記複数のセラミック基板が相互に密接していることを特徴とする、請求項1に記載のハイブリッド基板。前記複数のセラミック基板の少なくとも1つがインナービアを有して成ることを特徴とする、請求項1~4のいずれかに記載のハイブリッド基板。前記インナービアを有する少なくとも2つのセラミック基板につき、インナービア配置構造が相互に異なっていることを特徴とする、請求項5に記載のハイブリッド基板。前記複数のセラミック基板の少なくとも1つが、その表面または内部に少なくとも1層の配線層を有して成ることを特徴とする、請求項1~6のいずれかに記載のハイブリッド基板。前記配線層を有する少なくとも2つのセラミック基板につき、配線層数または配線形状が相互に異なっていることを特徴とする、請求項7に記載のハイブリッド基板。セラミック基板集合体、補強材と樹脂とから少なくとも構成された絶縁樹脂層および金属層を有して成るハイブリッド基板を製造する方法であって、i第1金属箔上に第1絶縁樹脂層前駆体を配置する工程、ii前記第1絶縁樹脂層前駆体上に複数のセラミック基板から成るセラミック基板集合体を配置する工程、iii前記セラミック基板集合体上に第2絶縁樹脂層前駆体を配置した後、該第2絶縁樹脂層前駆体上に第2金属箔を配置し、それによって、ハイブリッド基板前駆体を形成する工程、およびiv加熱条件下にて前記ハイブリッド基板前駆体をプレス処理し、ハイブリッド基板を得る工程を含んで成り、前記工程iiでは、前記複数のセラミック基板を同一平面に沿って敷き詰めるようにタイリング配置することを特徴とする、ハイブリッド基板の製造方法。相互に間隔を空けて前記複数のセラミック基板をタイリング配置することを特徴とする、請求項9に記載のハイブリッド基板の製造方法。前記タイリング配置に際して枠部材を用いており、該枠部材の中空部に対して前記複数のセラミック基板を填め込むことによって、前記複数のセラミック基板の相互の間隔を空けることを特徴とする、請求項10に記載のハイブリッド基板の製造方法。相互に密接するように前記複数のセラミック基板をタイリング配置することを特徴とする、請求項9に記載のハイブリッド基板の製造方法。無機材料を主体とするセラミック基板と、有機樹脂を絶縁材とするプリント基板の複合基板が良く知られている。特にセラミック基板をコアとし、その両面に樹脂絶縁層を積層したビルドアップ基板は、次世代の高密度実装用基板として有望である。このように、セラミック基板はビルドアップ基板の製造に用いることができるものの、両者にはサイズの相違があり、例えば100mm×100mm程度のセラミック基板サイズに対して、ビルドアップ基板を代表例とするプリント基板サイズが340mm×510mm程度となっている。このような基板サイズの相違はビルドアップ基板の製造に影響を与えることになる。特に、ビルドアップ基板の製造がセラミック基板サイズに実質的に左右されることになり、生産性の点で必ずしも十分とはいえない。つまり、セラミック基板が一辺100mm程度の小サイズであるので、かかるセラミック基板を用いたビルドアップ基板の生産性は、そのような小さな基板単位で行わなければならず、その結果、ビルドアップ基板の生産性は高くない。この点、セラミック基板サイズを単に大きくすることが考えられるものの、大型セラミック基板の製造に用いる焼成用セッターは、そもそも製作困難である。また、そのような焼成用セッターを仮に製作できたとしても、非常に高価となるか、あるいは、平滑性問題で厳密性が要求される。更にいえば、セラミック基板サイズを単に大きくすると、基板の割れや欠けを引き起こす原因となり、そのような割れ欠けを防止しようとするとプロセス上搬送が困難となってしまう。本発明はかかる事情に鑑みて為されたものである。つまり、本発明の主たる目的は、ビルドアップ基板の製造に好適な基板を提供することである。上記目的を達成するため、本発明では、複数のセラミック基板から成るセラミック基板集合体、セラミック基板集合体の両面に対向配置された絶縁樹脂層であって、補強材例えば織布または不織布と樹脂とから少なくとも構成された絶縁樹脂層、および絶縁樹脂層の表面上に配置された金属層を有して成り、複数のセラミック基板が、対向配置された絶縁樹脂層間の同一平面に沿ってタイリングされていることを特徴とする、ハイブリッド基板が提供される。本発明に係るハイブリッド基板の特徴の1つは、対向配置された絶縁樹脂層間に敷き詰められるようにセラミック基板集合体がタイリング平面配置されていることである。換言すれば、本発明のハイブリッド基板においては、補強材と樹脂とから構成された絶縁樹脂層に挟まれた形態で複数のセラミック基板が同一平面上にタイル貼りされるように配置されている。ここで、本明細書におけるハイブリッドといった用語は、本発明の対象となる基板が、セラミック基板、絶縁樹脂層および金属層と複数の材質即ち、無機材、有機材および金属材から構成されている態様に鑑みて用いている。また、本明細書のタイリングという用語は、同一平面上にセラミック基板を敷き詰めるように配置する態様に鑑みて用いている。特に本発明におけるタイリングは、2つの絶縁樹脂層の間に位置する同一平面に沿って複数のセラミック基板が相互に重ならないように配置される態様に鑑みている。ある好適な態様では、複数のセラミック基板が相互に離隔するようにタイリングされている。かかる態様では、対向配置された絶縁樹脂層間に枠部材が設けられ、複数のセラミック基板が枠部材に填め込まれることでタイリングされていてよい。別のある好適な態様では、複数のセラミック基板が相互に密接するようにタイリングされている。つまり、個々のセラミック基板の側面が相互に接触した状態でタイリングされている。更に別のある好適な態様では、タイリングされる複数のセラミック基板の少なくとも1つがインナービアを有して成る。かかる場合、インナービアを有する複数のセラミック基板特に少なくとも2つのセラミック基板のインナービア配置構造が互いに異なっていてもよい。更に別のある好適な態様では、タイリングされる複数のセラミック基板の少なくとも1つが、その表面または内部に少なくとも1層の配線層を有して成る。かかる場合、配線層を有する複数のセラミック基板特に少なくとも2つのセラミック基板の配線層数または配線形状が互いに異なっていてもよい。更に別のある好適な態様では、複数のセラミック基板のそれぞれの主面が相互に面一になっている。つまり、複数のセラミック基板離隔タイリングされた複数のセラミック基板または密接タイリングされた複数のセラミック基板の上側主面および/または下側主面が全て同一平面内に位置している。本発明では、上述のハイブリッド基板を製造するための方法も提供される。かかる本発明のハイブリッド基板の製造方法は、i第1金属箔上に第1絶縁樹脂層前駆体を配置する工程、ii第1絶縁樹脂層前駆体上に複数のセラミック基板から成るセラミック基板集合体を配置する工程、iiiセラミック基板集合体上に第2絶縁樹脂層前駆体を配置した後、その第2絶縁樹脂層前駆体上に第2金属箔を配置し、それによって、ハイブリッド基板前駆体を形成する工程、およびiv加熱条件下にてハイブリッド基板前駆体をプレス処理してハイブリッド基板を得る工程を含んで成り、工程iiでは、複数のセラミック基板を同一平面に沿って敷き詰めるようにタイリング配置することを特徴とする。かかる本発明に係るハイブリッド基板の製造方法の1つは、同一平面上に敷き詰めるようにセラミック基板集合体をタイリング平面配置することである。換言すれば、絶縁樹脂層前駆体で挟まれることになる複数のセラミック基板を同一平面に沿ってタイル状に配置する。ある好適な態様では、複数のセラミック基板の相互の間隔が空くようにタイリング配置を行う。かかる態様においては、中空部を複数備えた枠部材を用いることが好ましい。枠部材の中空部に対してセラミック基板を各々填め込むことによって複数のセラミック基板の相互の位置付けが可能となるからである。例えば、第1絶縁樹脂層前駆体上に枠部材を設け、その枠部材の複数の中空部に対して複数のセラミック基板をそれぞれ填め込むと、セラミック基板を所定間隔でタイリング配置できる。また、第1絶縁樹脂層前駆体上にセラミック基板集合体を配置した後に、枠部材を絶縁樹脂層前駆体上に設けてもよい。別のある好適な態様では、複数のセラミック基板が相互に密接するようにタイリング配置する。つまり、個々のセラミック基板の側面が相互に接触するようにタイリング配置を行う。本発明に係るハイブリッド基板は、セラミック基板の集合体を一体化した大型基板として取り扱うことができるので、ビルドアップ基板の生産性向上に好適に寄与する。具体的には本発明に従えば、比較的小型のセラミック基板をそのまま利用するにも拘わらず、プリント基板の製造インフラを利用してビルドアップ基板の製造を行うことができる。セラミック基板の組合せ次第では任意のサイズの大きな基板も得ることができる。また、そのように大型基板でありながらも、補強材例えば織布または不織布によって基板全体の一体性を向上させているので、高い基板強度がもたらされている。つまり、本発明では、基板の割れや欠けが好適に防止された大型基板が得られる。更にいえば、大型基板でありながらも、セラミック基板部は、複数のサブ基板から構成されているので即ち、セラミック基板部が個々に分割された形態となっているので、基板全体としての反りは減じられている。つまり、本発明に従うことによって、反りが効果的に抑制された大型基板を得ることができる。以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態を説明する。図面においては、説明の簡略化のため、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照番号で示している。また、各図における寸法関係長さ、幅、厚さなどは実際の寸法関係を反映するものではない。更に、本明細書で説明される上下方向は、便宜上、図中における上下方向に対応した方向に相当する。[本発明のハイブリッド基板]本発明のハイブリッド基板100は、図1および図2に示すように、セラミック基板集合体10、絶縁樹脂層20および金属層30から主に構成されている。図示されるように、セラミック基板集合体10の両面には絶縁樹脂層20が配置されており、その絶縁樹脂層20の上に金属層30が配置されている。つまり、セラミック基板集合体10が2つの対向する絶縁樹脂層20で挟み込まれるように設けられていると共に、その2つの絶縁樹脂層20の各々の主面上には金属層30が設けられている。セラミック基板集合体10は、図1bに示すように、複数のセラミック基板10’から構成されている。特に本発明では、かかる複数のセラミック基板10’がタイリングされた形態となっている特徴がある。具体的には、本発明においては同一平面上に敷き詰めるように複数のセラミック基板10’が配置されている。ここでいう同一平面とは、2つの絶縁樹脂層20の間に位置する平面であって、絶縁樹脂層20の主面と略平行となった平面のことを実質的に意味している。つまり、本発明では、2つの絶縁樹脂層の間に位置する同一平面に沿って複数のセラミック基板が相互に重ならないように隣接した状態で配置されている。ある好適な態様では、複数のセラミック基板の上側主面および/または下側主面が全て同一平面内に位置付けられている。セラミック基板集合体10の個々のセラミック基板10’は、複数のグリーンシートを積層して焼成して得られたセラミック多層基板であってよい。セラミック多層基板の材質や全体寸法などは、電子機器分野例えば半導体集積回路LSIのパッケージ配線基板として常套的に使用採用されているものであれば特に制限はない。この点、本発明において個々のセラミック基板自体は、特に大サイズでなくてよく、小サイズとなっていてよい。例えば、セラミック基板10’の横幅L×縦幅W×厚みTが、L:75~175mm×W:75~175mm×T:250~700μm程度の比較的小さい寸法であってよい1つ例示すると、L:約110mm×W:約110mm×T:約400μm。例えば図1aに示すように、複数のセラミック基板10’の少なくとも1つには、インナービア18および/または配線層19などが設けられている。特にセラミック多層基板形態では各層の配線層19がインナービア18によって電気的に相互接続されている。複数のセラミック基板10’の枚数は、所望サイズのハイブリッド基板が得られるのであれば特に制限はない。例えば、1つのハイブリッド基板におけるセラミック基板の枚数は2枚~40枚程度、好ましくは4枚~20枚程度1つ例示すれば6枚であってよい。特段の事情がなければ、個々の基板10’の全体サイズ全体形状は相互に同じであることが好ましい。例えば6枚のセラミック基板10’を用いる場合では、図1bに示すように、同じ形状同じサイズのセラミック基板10’が縦方向に2枚、横方向に3枚配置され、全体として矩形状を成すセラミック基板集合体10が構築されることが好ましい。セラミック基板10’の枚数はハイブリッド基板サイズに直接関係し得るものであり、例えばセラミック基板10’が6枚使用されていると、ハイブリッド基板100はセラミック基板10’の少なくとも6倍のサイズ主面サイズを有することになる。つまり、本発明のハイブリッド基板の主面サイズは、セラミック基板10’の主面サイズにその使用枚数を乗じた主面サイズを少なくとも有し得る。複数のセラミック基板10’のタイリングは、図3aに示すように相互に密接して配置された形態であってよいし、あるいは、図3bに示すように相互に離隔した形態であってもよい。更には、図3cおよび図3dに示すように、複数のセラミック基板10’が列単位で相互にずれることにより構成された千鳥配置の形態であってもよい。ハイブリッド基板に用いられる絶縁樹脂層20は、補強材と樹脂とから少なくとも構成されており、好ましくは絶縁接着層となっている熱伝導、弾性率、熱膨脹などを調整するフィラー材が付加的に絶縁樹脂層に含まれていてもよい。本発明のハイブリッド基板では、絶縁接着層20によってセラミック基板集合体10と金属層30とが相互に好適に接合されていると捉えることもできる。絶縁接着層は例えばプリプレグから形成されたものであってよい。絶縁樹脂層20の補強材としては、無機系もしくは有機系の織布織物または不織布ペーパーであってよい。あくまでも一例であるが、無機系織布としてガラスクロスガラス繊維を編み込んだ布、有機系織布としてアラミド織布、無機系不織布としてガラス不織布、有機系不織布としてアラミド不織布が用いられる。一方、絶縁樹脂層20の樹脂は、熱硬化樹脂であることが好ましく、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂などであってよい。プリプレグから得られる場合を例にとると、ガラス繊維を網状に編み込んだガラスクロスに熱硬化樹脂液を含浸させることにより得られる前駆体から絶縁樹脂層20が形成されていてよい前駆体としてのプリプレグが熱処理に付されると絶縁樹脂層20が形成される。かかる場合、ガラスクロスの主面表裏面近傍には熱硬化樹脂成分が存在し得る。尚、絶縁樹脂層20においても、ビアなどの導電部が設けられていることが好ましく、かかる絶縁樹脂層の導電部がセラミック基板集合体10および/または金属層30の導電部と電気的に相互接続され得る。本発明のハイブリッド基板においては、絶縁樹脂層20によってセラミック基板集合体10が挟み込まれた形態となっている。従って、絶縁樹脂層20のサイズについていえば、比較的大サイズとなっている。つまり、絶縁樹脂層20は、複数のセラミック基板10’を包含できるような大きい主面サイズを有し得る。例えば、絶縁樹脂層20の横幅L×縦幅W×厚みTが、L:255~600mm×W:255~600mm×T:30~120μm程度の比較的大きい寸法であってよい1つ例示すると、L:約510mm×W:約510mm×T:約50μm。ハイブリッド基板に用いられる金属層30は、例えば、銅またはアルミなどの金属成分から成るものであってよい。好ましくは、銅箔またはアルミ箔などの金属箔から金属層30が構成される。金属層30の厚さは、2~500μm程度であり、好ましくは12~125μmである例えば約35μm。金属層30もまた、絶縁樹脂層20と同様、比較的大サイズとなっている。つまり、金属層30は、複数のセラミック基板10’を包含できるような大きい主面サイズを有し得る。例えば、金属層30の主面サイズについていえば、横幅L×縦幅WがL:300~700mm×W:300~700mm程度の比較的大きい寸法であってよい1つ例示すると、L:約530mm×W:約530mm。以下では、本発明の特徴的部分となるタイリングにつき詳述する。本発明においては、上述で触れたように、絶縁樹脂層に挟まれた状態で複数のセラミック基板好ましくは同一サイズおよび同一形状の複数のセラミック基板が同一平面上にタイル貼りされるように配置されている。ある好適な態様では、複数のセラミック基板の上側主面および/または下側主面が全て同一平面に位置している。このようなタイリングは、図1および図2に示す密接態様に限らず、図4および図5に示す離隔態様であってもよい。つまり、複数のセラミック基板10’は、絶縁樹脂層間の同一平面上において、相互に接触した状態で設けられていることに限らず図1および図2、相互に間隔を空けた状態で設けられていてもよい図4および図5。図4および図5に示すような離隔態様の場合、相互の基板間隔は、好ましくは0.5~10.0mm程度であり、より好ましくは2.0~5.0mm程度である。このように基板間隔が設けられていると、ハイブリッド基板又はそれを用いたビルドアップ基板を切断して所望サイズを得る際、基板間部分に沿って容易に切断処理を施すことができる。これは、ハイブリッド基板またはビルドアップ基板のサイズ調整がセミラック基板単位で容易に行うことができることも意味している。離隔した状態の複数のセラミック基板を含んでいたとしても、本発明のハイブリッド基板は一体化した大型基板として扱うことができる。これは、織布または不織布などの補強材と樹脂とから構成された絶縁樹脂層20によって両側から挟み込むように複数のセラミック基板を好適に保持しているからである。離隔態様では、図6に示すような枠部材50を用いてよい。つまり、ボディ部に中空部50’を複数備えた枠部材50を用いてよい。かかる場合、図7aおよびbに示すように、セラミック基板10’の各々がそれぞれ別個の中空部50’に填り込むようにタイリングされる。かかる態様では、複数のセラミック基板10’と枠部材50とが一体化しており、対向配置された2つの絶縁樹脂層の間に複数のセラミック基板がより正確に離隔して位置付けられる。セラミック基板10’が中空部50’に填り込んで枠部材50とセラミック基板10’とが好適に一体化するためには、セラミック基板10’と中空部50’とがサイズおよび形状の点で実質同一であることが好ましい。枠部材の材質については、特に制限はなく、例えば枠部材が樹脂成分から成るものであってよい一例を挙げると、枠部材の材質は絶縁樹脂層20と同様の材質であってよい。枠部材50が用いられると、複数のセラミック基板10’の相互の位置精度が向上し得る。また、枠部材50が用いられると、その枠部分を認識マークに用いることができる。この点、例えば枠部材50の中空部分を形造っている枠部分に対して穴を形成し、その穴を基準にして金属層30の加工例えばエッチングを行うと、かかる金属層加工を所望箇所に位置ずれなく施すことができる。更には、ハイブリッド基板又はそれを用いたビルドアップ基板を切断して所望サイズを得る際には、枠部分に沿って容易に切断処理することもできる。図8~図10に示されるように、本発明のハイブリッド基板では、複数のセラミック基板の少なくとも1つがインナービアを有して成るものであってよい。これにより、多層構造を好適に構築できるところ、最終的に所望の多層構造のビルドアップ基板や電子回路を得ることができ、高密度化されたビルドアップ基板や電子回路モジュールが実現される。また、図示するように、本発明のハイブリッド基板では、複数のセラミック基板特に少なくとも2つのセラミック基板のインナービア18の配置構造が互いに異なっていてもよい。例えば図8bには、セラミック基板10Aとセラミック基板10Bにおいて、インナービア18の配置構造が相互に異なる態様が示されている。同様にして、図9においても、セラミック基板10A~10Dの間で相互に異なるインナービア配置構造18が示されている。このようにインナービアの配置構造が相互に異なると、基板全体としてビア、配線層、回路、電極および端子などを含んだ各種パターンの設計自由度が増すことになる例えば局所的に高価な部位を有する基板を得ることもできる。また、インナービアの配置構造が相互に異なることは、多様な基板を生産性良く得ることができることを意味している。例えば、セラミック基板を用いたビルドアップ基板が個片化される場合、種々に異なる構造の個片化基板を同時かつ簡易に得ることができる。同じく図8~図10に示されるように、本発明のハイブリッド基板では、複数のセラミック基板の少なくとも1つが、その表面または内部に少なくとも1層の配線層を有するものであってよい。これにより、多層構造を好適に構築できるところ、最終的に所望の多層構造のビルドアップ基板や電子回路を得ることができ、高密度化されたビルドアップ基板や電子回路モジュールが実現される。また、図示するように、複数のセラミック基板特に少なくとも2つのセラミック基板の配線層19の層数または配線形状が互いに異なっていてもよい。例えば図8bには、セラミック基板10Aとセラミック基板10Bとにおいて、配線層19の層数および配線形状が相互に異なる態様が示されている。同様にして、図9においても、セラミック基板10A~10Dの間で相互に異なる配線層数および配線層形状が示されている参照番号19。このように配線層の層数および/または配線形状が相互に異なると、基板全体としてビア、配線層、回路、電極および端子などを含んだ各種パターンの設計自由度が増すことになる例えば局所的に高価な部位を有する基板を得ることもできる。また、配線層の層数および/または配線形状が相互に異なることは、多様な基板を生産性良く得ることができることを意味している。例えば、セラミック基板を用いたビルドアップ基板が個片化される場合、種々に異なる構造の個片化基板を同時かつ簡易に得ることができる。尚、複数のセラミック基板の配線層19の層数が互いに異なっていても、焼成前のグリーンシート厚みを調整し、焼成後の複数のセラミック基板の厚みが略一致するようにすると、タイリング後の熱プレス時に均一な圧力を掛けることができるので、安定な生産性が得られる。本発明のハイブリッド基板の製造方法次に、図11~図15を参照して本発明のハイブリッド基板の製造方法について説明する。本発明のハイブリッド基板の製造方法は、図11のプロセスフローに示されるように積層配置ステップと熱プレスステップとに大きく分けられる。まず、本発明の製造方法の実施に際しては、積層配置ステップの工程iを実施する。つまり、図12aに示すように、第1金属箔30A上に第1絶縁樹脂層前駆体20Aを配置する。第1金属箔30Aとしては例えば銅箔を用いることができる。第1金属箔は、後刻実施するセラミック基板集合体のタイリング配置に適した大サイズを有していることが好ましい。例示すると、第1金属箔20の横幅L×縦幅W×厚みTが、L:370~630mm×W:370~630mm×T:12~150μm程度の比較的大きい寸法であってよい1つ例示すると、L:約370mm×W:約530mm×T:約35μm。第1絶縁樹脂層前駆体20Aは、絶縁性粘着層であってよく、補強材と樹脂前駆体とから少なくとも構成されたプリプレグであってよい。例えば、直径6μm~9μm程度のガラス繊維を網状に編み込んだガラスクロス22に熱硬化樹脂液24例えば樹脂成分および有機溶剤成分を含んで成る樹脂液を含浸させて得られるプリプレグを用いてよい図15参照。かかるプリプレグも、第1金属箔30Aと同様、セラミック基板集合体のタイリング配置に適した大サイズを有していることが好ましい。例示すると、プリプレグの横幅L×縦幅W×厚みTが、L:255~600mm×W:255~600mm×T:30~120μm程度の比較的大きい寸法であってよい1つ例示すると、L:約340mm×W:約510mm×T:約40μm。尚、プリプレグは、補強材に熱硬化樹脂液を含浸させて得ることができるので、ドクターブレード法と比べて生産性が非常に高く、それゆえ、大サイズの製造に特に適しているこれは、ハイブリッド基板の低コスト製造につながる。尚、プリプレグ即ち、最終的には絶縁樹脂層によって、セラミックコア基板と金属層間のビア接続を行う場合を想定すると、プリプレグに孔を形成して導電性ペーストを充填しておく。具体的に説明すると、プリプレグに炭酸ガスレーザによるパルスレーザでもって、70~130μm程度の貫通穴加工を行う。パルスレーザは、ガルバノミラーとfθレンズでスキャンされ得るので、任意の場所に高速例えば100穴/秒で孔形成できる。このようにして形成された貫通孔に対して導電性ペーストを充填する。導電性ペーストとしては、樹脂系の導電性ペーストが好ましい。かかる樹脂系の導電性ペーストは、平均粒子径2~6μmの銅粉に銀を1~4程度コーティングした複合粉を使用することができる。これら複合粉80~95重量に液状エポキシ樹脂ビスフェノールF型エポキシを4~19重量、さらに潜在性硬化剤粉末を前記液状エポキシ樹脂の10重量程度、例えば約0.5~2.0重量程度添加したものを、プラネタリーミキサーで混練し、さらに3本ロールで混練することによって、所望の樹脂系導電性ペーストを得ることができる。工程iに引き続いて、積層配置ステップの工程iiを実施する。つまり、複数のセラミック基板10’から成るセラミック基板集合体10を第1絶縁樹脂層前駆体20A上に配置する図12b参照。工程iiで用いるセラミック基板10’の各々は、セラミック多層基板であってよい。このようなセラミック多層基板は、複数枚から成るグリーンシート積層体を焼成することによって得ることができる。より具体的に説明すると、まず、NCパンチプレスNumericalControlパンチプレスまたは炭酸ガスレーザなどによってグリーンシートに孔径サイズ:約50μm~約200μmを形成して、その孔にインナービアの原料となる導電性ペースト材料を充填する。また、配線層などを含んだ焼成型の回路パターンをグリーンシート上に形成する。次いで、そのようなグリーンシートを所定の枚数重ねて熱圧着することによってグリーンシート積層体を形成し、そして、かかるグリーンシート積層体を焼成に付すことによって、セラミック多層基板が得られることになる。グリーンシート自体は、セラミック成分、ガラス成分および有機バインダ成分を含んで成るシート状部材であってよい。例えば、セラミック成分としては、アルミナ粉末平均粒径:0.5~10μm程度であってよく、ガラス成分としては、ホウケイ酸塩ガラス粉末平均粒径:1~20μm程度であってよい。そして、有機バインダ成分としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、アクリル樹脂、酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアルコールおよび塩化ビニル樹脂から成る群から選択される少なくとも1種以上の成分であってよい。あくまでも例示にすぎないが、グリーンシートは、アルミナ粉末40~50wt、ガラス粉末を30~40wt、および、有機バインダ成分10~30wtであってよいグリーンシートの全重量基準。また、別の観点で捉えるとすると、グリーンシートは、固体成分アルミナ粉末50~60wtおよびガラス粉末を40~50wt:固体成分の重量基準と有機バインダ成分との重量比、即ち、固体成分重量:有機バインダ成分重量が80~90:10~20程度となっているものであってもよい。グリーンシート成分としては、必要に応じてその他の成分が含まれていてよく、例えば、フタル酸エステル、フタル酸ジブチルなどのグリーンシートに柔軟性を付与する可塑剤、グリコールなどのケトン類の分散剤や有機溶剤などが含まれていてよい。各グリーンシートの厚さ自体は30μm~500μm程度、例えば60~350μm程度であってよい。特に本発明においては、グリーンシートの主面が特に大サイズである必要がなく、小サイズであってよい。例えば、グリーンシートの主面サイズにつき、横幅L×縦幅WがL:75~175mm×W:75~175mm程度の比較的小さい寸法であってよい1つ例示すると、L:約110mm×W:約110mm。インナービアの原料となる導電性ペースト材料は、グリーンシートに形成された孔に対して各種印刷法などによって充填することができる。また、配線層の原料となる導電性ペースト材料も、各種印刷法によってグリーンシートの表面に供することができる。インナービアや配線層の原料となる導電性ペーストとしては、例えば、Ag粉末と、接着強度を得るためのガラスフリットと、有機ビヒクル例えばエチルセルロースとターピネオールとの有機混合物とを含んで成るものであってよい。このような導電性ペースト材料が熱処理に付されることによって当該導電性ペースト材料からインナービアや配線層が形成される。導電性ペースト材料の熱処理自体は、グリーンシート積層体の焼成に際して実施される。尚、グリーンシート積層体の焼成に先立って、導電性ペーストを乾燥処理に付してよい。グリーンシート積層体におけるグリーンシート枚数は特に制限はなく、例えば総計で3~50枚程度であってよく、好ましくは3~15枚程度である。グリーンシート積層体は、焼成に先立って、脱バインダ工程などの有機物の分解脱離処理バインダのバーンアウト処理に付すことが好ましい。例えば、脱バインダ工程として、500°C~700°Cの温度条件で20~50時間の加熱処理に付してよい。そして、焼成に際しては、例えば800°C~1000°C好ましくは850°C~950°Cの温度条件で0.1時間~3時間ほどグリーンシート積層体を加熱処理することが好ましい。このような加熱処理は、グリーンシート積層体をメッシュベルト炉などの焼成炉に供することによって行ってよい。以上のような焼成法は、特開平5-102666号公報に開示されているので必要に応じて参考にされたい。本発明の工程iiでは、図12bに示すように、複数のセラミック基板10’を同一平面上に敷き詰めるようにタイリング配置する。つまり、第1絶縁樹脂層前駆体20Aの主面と略平行となるように同一平面に沿って相互に重ならないように複数のセラミック基板10’を配置する。タイリング配置に際しては、図3aに示すように複数のセラミック基板10’を相互に密接させてもよいし、あるいは、図3bに示すように複数のセラミック基板10’を相互に離隔させてもよい。更には、図3cおよび図3dに示すように、複数のセラミック基板10’を列単位または行単位で相互にずらしてもよい。個々のセラミック基板の配置手段は、各種の機械的な手段を用いてよい。例えば吸引吸着機構を備えたハンドリング手段を用いて複数のセラミック基板10’を第1絶縁樹脂層前駆体20A上に設けることができる。工程iiに引き続いて、積層配置ステップの工程iiiを実施する。具体的には、図12c~eに示すように、セラミック基板集合体10上に第2絶縁樹脂層前駆体20Bを配置した後、その第2絶縁樹脂層前駆体20B上に第2金属箔30Bを配置し、それによって、ハイブリッド基板前駆体100’を形成する。換言すれば、積層配置ステップの工程i~iiiを通じて、タイリング配置される複数のセラミック基板10’を、第1絶縁樹脂層前駆体20Aおよび第1金属層30Aと第2絶縁樹脂層前駆体20Bおよび第2金属層30Bとで両側から挟み込む処理を行う。工程iiiで用いられる第2絶縁樹脂層前駆体20Bは、工程iの第1絶縁樹脂層前駆体20Aと同じものであってよい。つまり、第2絶縁樹脂層前駆体20Bは補強材と樹脂前駆体とから少なくとも構成されたプリプレグであってよい。例えば直径6μm~9μm程度のガラス繊維を網状に編み込んだガラスクロス22に熱硬化樹脂液24を含浸させて得られるプリプレグを第2絶縁樹脂層前駆体20Bとして用いてよい図15参照。同様にして、工程iiiで用いられる第2金属箔30Bは、工程iの第1金属箔30Aと同じものであってよい。つまり、第2金属箔30Bが銅箔であってよい。絶縁樹脂層および金属層によって、複数のセラミック基板が好適に挟み込まれるように、第2絶縁樹脂層前駆体20Bおよび第2金属箔30Bの主面サイズは、それぞれ第1絶縁樹脂層前駆体20Aおよび第1金属箔30Aと実質同一サイズであることが好ましい。積層配置工程の工程iiiに引き続いて、熱プレスの工程ivを実施する。具体的には、図13aおよびbに示すように、加熱条件下にてハイブリッド基板前駆体100’をプレス処理してハイブリッド基板100を得る。あくまでも例示にすぎないが、工程ivとしては、0.2~4.5MPa程度の圧力条件および170°C~230°C程度の温度条件でもって熱プレスプレス時間:約0.5~2時間程度を実施することが好ましい。尚、かかる熱プレスに先立って積層間の仮接着を実施してよく、例えば真空ラミネータを用いて仮接着を行ってよい。1つ例示すると、真空ラミネータによって、80~120torr程度の真空度にて80~120°Cの温度、0.2~0.8Pa程度の圧力で仮接着を実施してもよい。工程ivでは、図13aに示されるように、加熱されたプレス部材60を用いてハイブリッド基板前駆体100’を外側から内側へと押圧してよいものの、図14に示すように、加熱されたチャンバー70内にハイブリッド基板前駆体100’を仕込んだ状態でプレス操作を実施してもよい。尚、図8bに示すように、隣接するセラミック基板間で厚さ寸法が異なって板厚の差が生じていたとしても厚さ寸法の相違自体はセラミック多層基板の積層数の相違に起因し得る、本発明においては、工程ivの熱プレスに際して絶縁樹脂層前駆体の樹脂成分が基板内部を隙間なく埋めることになる。以上のようなプロセスを経ることによって、図13bないしは図2に示されるようなハイブリッド基板100を得ることができる。離隔形態のタイリング配置離隔形態のタイリング配置について、そのプロセス態様を図16および図17に示しておく。図16および図17には、工程iiにおいて複数のセラミック基板が相互に離隔するようにタイリング配置する製造プロセスが示されている。特に図16bに示す態様から分かるように、第1絶縁樹脂層前駆体20Aの主面と略平行となるように同一平面上にて相互に間隔を空けて複数のセラミック基板10’を配置すること以外は、上記態様図12~15の態様と同様であり、前後のプロセスは上記態様図12~15の態様と同様に実施される。尚、タイリングに際しては隣接するセラミック基板間において隙間が生じるが、本発明においては補強材と樹脂前駆体とから構成されたプリプレグが用いられていることに起因して、工程ivの熱プレスに際して樹脂前駆体が基板間の隙間領域を好適に埋めることになり、最終的には空隙の無いハイブリッド基板を得ることができる。尚、基板間の隙間領域を埋めるのは、前駆体中の樹脂成分であり、前駆体中の補強材は流動せず、タイリングしたセラミック基板表面に存在する。これによりセラミック基板間には接着に寄与する樹脂が存在し、セラミック基板表面には補強材が存在するため、セラミック基板間の強固な接着効果と、タイリングの補強効果とが同時に得られるといった格別な効果が奏される。枠部材を用いたタイリング配置態様枠部材を用いたタイリング配置態様を図18および図19を参照して説明する。枠部材を用いたタイリング配置態様では、図18に示す態様から分かるように、枠部材50の中空部50’に対して複数のセラミック基板10’を填め込むことによって、それらを相互に離隔してタイリング配置する。より具体的には、図18bに示すように第1絶縁樹脂層前駆体20A上に枠部材50を設け、次いで、図18cに示すように枠部材の中空部50’の各々にセラミック基板10’をそれぞれ填め込む。これにより、間隔を空けて複数のセラミック基板をタイリング配置することができる。かかる特徴的な態様以外は、上記態様図12~15の態様と同様であり、前後のプロセスは上記態様図12~15の態様と同様に実施される。枠部材50を用いると、複数のセラミック基板を精度良く位置付けることが可能となる。ちなみに、枠部材50とセラミック基板10’との設置順序を逆にしてもよい。即ち、第1絶縁樹脂層前駆体20A上に複数のセラミック基板10’を配置した後に、枠部材50を絶縁樹脂層前駆体20A上に設けてもよい。かかる場合、第1絶縁樹脂層前駆体上にて複数のセラミック基板が枠部材の中空部に填まり込むことになるように、セラミック基板と枠部材との相互の位置合わせを行う。更にいえば、複数のセラミック基板10’と枠部材50とを一体化させた状態で用いてもよい。つまり、枠部材50の中空部50’に複数のセラミック基板10’を予め填め込んだ状態としておき、その後、枠部材50とセラミック基板10’とを一体的に絶縁樹脂層前駆体20A上に設けてもよい。枠部材を用いる場合、図20に示すようにハイブリッド基板100またはそれを用いたビルドアップ基板200を切断する工程を付加的に実施してもよい。つまり、得られた基板を切断して個片化基板300を得る場合にあっては、枠部材の枠部分中実部分に沿って切断を施してよい。以上、本発明について説明してきたが、本発明の適用範囲のうちの典型的態様を例示したにすぎず、特にタイリングの例示態様を中心に説明したにすぎない。従って、本発明ではこれに限定されず、種々の態様が付加的または代替的に考えられることを当業者は容易に理解されよう。例えば、ハイブリッド基板の片面もしくは両表面に更にビルドアップ樹脂層と、銅よりなる配線層を交互にビルドアップすると、より高密度なビルドアップ基板を得ることができる。この点、特に本発明のハイブリッド基板からは高密度な半導体集積回路パッケージ用ビルドアップ基板を得ることができ、ひいては、半導体集積回路パッケージを得ることができる。これについて詳述すると次のようになる。ハイブリッド基板の両表面に、ビルドアップ樹脂層および配線層となる銅箔をラミネートし加熱硬化させる。ビルドアップ樹脂層としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化樹脂を利用できる。銅箔は2μm~12μm程度の厚みの電解銅箔が利用される。次いで、銅箔を介してビルドアップ樹脂層の所望の位置に炭酸ガスレーザを用いて約70~150μm程度の直径の加工穴を形成する。その後、デスミア処理、触媒付与、無電解銅めっき、電解銅めっき処理を行いバイアホール接続を完成する。最後に、銅めっき層をフォトリソ法によりエッチングしてビルドアップ配線層を形成する。そして、ビルドアップ層が形成されたハイブリッド基板を枠部材の部分で個片に切断すると、図21aに示したように、個片化されたハイブリッド基板200を得ることができる。最終的には、個片化されたハイブリッド基板を更に半導体集積回路パッケージサイズに個片化することで、半導体集積回路パッケージ用ビルドアップ基板が完成する。このように作製された半導体集積回路パッケージ用ビルドアップ基板に半導体ベアチップをはんだ接続実装法で搭載すると、図21bに示すような半導体集積回路パッケージ300を得ることができる。得られる半導体集積回路パッケージ300は、各種の熱履歴や信頼性試験に対し、極めて安定な接続信頼性を呈する。特にガラス-セラミック焼結体とビルドアップ層間に補強材および熱硬化樹脂層を備えたハイブリッド基板構成となっているので、応力緩和が好適に図られ、剥離などが防止される。そして、セラミック基板と補強材とを有するハイブリッド基板からなるビルドアップ基板は、基板そりが小さく、また、熱履歴による基板そりの変化も抑えられるので、半導体集積回路とはんだバンプ接続実装の接続信頼性が極めて安定する。更にいえば、このようなビルドアップ基板やパッケージは、生産性の点でも好ましい。これは、本発明のハイブリッド基板が複数のセラミックから構成されていることに起因する。つまり、各セラミック基板毎にビルドアップ樹脂層および配線層によるビルドアップや半導体ベアチップの搭載を施す場合と比較すると、本発明ではそれらを一括して行うことができるので、その点で生産性向上を好適に図ることができる。ハイブリッド基板の作製試験本発明に従ってハイブリッド基板を作製した。具体的には、図18~19に示されるプロセス態様に従って6枚のセラミック基板をタイリング配置し、ハイブリッド基板を得た。作製条件を以下に示す。セラミック基板ボディ:LTCC主面サイズ:155mm×156.5mmタイル個数:6個絶縁樹脂層ボディ:ガラス繊維およびエポキシ樹脂のプリプレグから形成主面サイズ:340mm×510mm金属層ボディ:銅箔主面サイズ:370mm×540mm枠部材ボディ枠部分:ガラスエポキシ材中空部サイズ:155mm×156.5mm中空部個数:6個内部の枠幅:10mm外周縁部の枠幅:10mm得られたハイブリッド基板は以下のサイズを有しており、本発明によって基板の大判化を図ることができることを確認できた。ハイブリッド基板全体厚み:535μm主面サイズ:370mm×540mmビルドアップ基板への適用試験作製されたハイブリッド基板の両表面に、ビルドアップ樹脂層および配線層となる銅箔をラミネートし加熱硬化に付した。ビルドアップ樹脂層としては、エポキシ樹脂をシート状に加工した50μm厚みのプリプレグを用いた。銅箔は約12μm厚さの電解銅箔を用いた。次いで、銅箔を介してビルドアップ樹脂層の所望の位置に炭酸ガスレーザを用いて約100μmの直径の加工穴を形成した。その後、デスミア処理、触媒付与、無電解銅めっき、電解銅めっき処理を行ってバイアホール接続部を形成した。そして、フォトリソ法により銅めっき層をエッチングしてビルドアップ配線層を形成した。このようにしてビルドアップ層を設けたハイブリッド基板を枠部材の枠部分を境界にして個片に切断し、個片化したハイブリッド基板200を得た図21a参照。そして、個片化されたハイブリッド基板を更に半導体集積回路パッケージサイズに個片化して、半導体集積回路パッケージ用ビルドアップ基板を得た。最終的には、得られた半導体集積回路パッケージ用ビルドアップ基板に半導体ベアチップをはんだ接続実装法で搭載して、半導体集積回路パッケージ300を得た図21b参照。得られた半導体集積回路パッケージ300は、各種の熱履歴や信頼性試験に対し、極めて安定な接続信頼性を有していた。特にガラス-セラミック焼結体とビルドアップ層間に補強材および熱硬化樹脂層を備えたハイブリッド基板構成となっていることに起因して、応力緩和が好適に図られ、その結果、剥離などの問題は生じなかった。また、ビルドアップ基板の反りが小さく、また、熱履歴による基板そりの変化も抑えられたので、半導体集積回路とはんだバンプ接続実装の接続信頼性は極めて安定したものとなった。