"冷媒によって冷却される冷却面を含む冷却器と、前記冷却面上に配置された発熱素子と、前記発熱素子上に設けられた冷却板と、前記冷却板上に配置された熱電変換素子と、を備えた、素子モジュール。前記発熱素子は、第1単位素子と、前記第1単位素子から間隔をあけて配置された第2単位素子とを含み、前記冷却板は、前記第1単位素子上から前記第2単位素子上に亘って配置された、請求項1に記載の素子モジュール。前記第1単位素子は、前記第2単位素子よりも発熱量が多く、前記熱電変換素子は、前記第2単位素子よりも前記第1単位素子に近い位置に配置された、請求項2に記載の素子モジュール。前記第1単位素子は、前記第2単位素子よりも発熱量が多く、前記熱電変換素子に対して前記発熱素子および前記冷却板の積層方向に離れた位置から前記熱電変換素子と、前記第1単位素子と、前記第2単位素子とを見ると、前記熱電変換素子および前記第1単位素子が重なる面積の方が、前記熱電変換素子および前記第2単位素子が重なる面積よりも広い、請求項2に記載の素子モジュール。前記第1単位素子は、前記第2単位素子よりも発熱量が多く、前記熱電変換素子は、複数の単位変換素子を含み、前記第1単位素子上に位置する前記単位変換素子の数は、前記第2単位素子上に位置する前記単位変換素子の数よりも多い、請求項2に記載の素子モジュール。前記冷却器は、内部を前記冷媒が流れる冷却ケースと、前記冷却ケースに接続され、前記冷却ケース内に冷媒が供給される冷媒供給管と、前記冷却ケースに接続され、前記冷却ケース内の冷媒を排出する冷媒排出管とを含み、前記冷却ケースには、前記冷媒供給管が接続される供給口と、前記冷媒排出管が接続される排出口とを含み、前記発熱素子は、複数の単位素子を含み、前記熱電変換素子は、複数の前記単位素子のうち前記供給口よりも前記排出口に近い単位素子上に配置された、請求項1に記載の素子モジュール。前記第1単位素子は第1上部電極を含み、前記第2単位素子は、第2上部電極を含み、前記冷却板は、前記第1上部電極と前記第2上部電極とを電気的に接続する、請求項2に記載の素子モジュール。前記熱電変換素子は、所定以上の温度となったときに駆動する、請求項1から請求項7のいずれかに記載の素子モジュール。しかし、上記特開2010-251443号公報に記載されたインバータにおいては、冷媒を利用した冷却器の冷却効率が高くないため、半導体素子を十分に冷却することができないという問題があった。特開2003-197837号公報に記載されたパワーモジュールにおいては、ペルチェ効果素子が常時高出力で駆動する必要があり、ペルチェ効果素子が損傷し易いという問題があった。特開2010-80782号公報に記載されたパワー半導体モジュールにおいては、ペルチェモジュールが多数必要となり、製造コストの増大を招くおそれがある。特開2003-152151号公報に記載されたパワーモジュールににおいても、熱電半導体素子が常時駆動する必要が生じ、熱電半導体素子が損傷し易いという問題がある。本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、発熱素子を十分に冷却することができ、製造コストの増大の抑制が図られた素子モジュールを提供することである。本発明に係る素子モジュールは、冷媒によって冷却される冷却面を含む冷却器と、冷却面上に配置された発熱素子と、発熱素子上に設けられた冷却板と、冷却板上に配置された熱電変換素子とを備える。好ましくは、上記発熱素子は、第1単位素子と、第1単位素子から間隔をあけて配置された第2単位素子とを含む。上記冷却板は、第1単位素子上から第2単位素子上に亘って配置される。好ましくは、上記第1単位素子は、第2単位素子よりも発熱量が多く、熱電変換素子は、第2単位素子よりも第1単位素子に近い位置に配置される。好ましくは、上記第1単位素子は、第2単位素子よりも発熱量が多い。上記熱電変換素子に対して発熱素子および冷却板の積層方向に離れた位置から熱電変換素子と、第1単位素子と、第2単位素子とを見ると、熱電変換素子および第1単位素子が重なる面積の方が、熱電変換素子および第2単位素子が重なる面積よりも広い。好ましくは、上記第1単位素子は、第2単位素子よりも発熱量が多い。上記熱電変換素子は、複数の単位変換素子を含む。上記第1単位素子上に位置する単位変換素子の数は、第2単位素子上に位置する単位変換素子の数よりも多い。好ましくは、上記冷却器は、内部を冷媒が流れる冷却ケースと、冷却ケースに接続され、冷却ケース内に冷媒が供給される冷媒供給管と、冷却ケースに接続され、冷却ケース内の冷媒を排出する冷媒排出管とを含む。上記冷却ケースには、冷媒供給管が接続される供給口と、冷媒排出管が接続される排出口とを含む。上記発熱素子は、複数の単位素子を含む。上記熱電変換素子は、複数の単位素子のうち供給口よりも排出口に近い単位素子上に配置される。好ましくは、上記第1単位素子は第1上部電極を含み、第2単位素子は、第2上部電極を含む。上記冷却板は、第1上部電極と第2上部電極とを電気的に接続する。好ましくは、上記熱電変換素子は、所定以上の温度となったときに駆動する。本発明に係る素子モジュールによれば、発熱素子を十分に冷却することができると共に、製造コストを抑えることができる。本実施の形態に係る素子モジュールとしてのPCUと、このPCUを備えた車両について、図1から図9を用いて、説明する。なお、本実施の形態においては、変形例についても説明しているが、実施の形態に説明された構成と変形例に示された構成とを適宜組み合わせることは、出願当初から予定されている。図1は、車両の主要部の構成を示す回路図である。図1を参照して、PCU10は、コンバータ11と、インバータ12,13と、制御装置14と、コンデンサC1,C2とを含む。コンバータ11は、バッテリBとインバータ12,13との間に接続され、インバータ12,13は、それぞれ、モータジェネレータMG1,MG2と接続される。コンバータ11は、パワートランジスタQ1,Q2と、ダイオードD1,D2と、リアクトルLとを含む。パワートランジスタQ1,Q2は直列に接続され、制御装置14からの制御信号をベースに受ける。ダイオードD1,D2は、それぞれパワートランジスタQ1,Q2のエミッタ側からコレクタ側へ電流を流すようにパワートランジスタQ1,Q2のコレクタ-エミッタ間にそれぞれ接続される。リアクトルLは、バッテリBの正極と接続される電源ラインPL1に一端が接続され、パワートランジスタQ1,Q2の接続点に他端が接続される。このコンバータ11は、リアクトルLを用いてバッテリBから受ける直流電圧を昇圧し、その昇圧した昇圧電圧を電源ラインPL2に供給する。コンバータ11は、インバータ12,13から受ける直流電圧を降圧してバッテリBを充電する。インバータ12,13は、それぞれ、U相アーム12U,13U、V相アーム12V,13VおよびW相アーム12W,13Wを含む。U相アーム12U、V相アーム12VおよびW相アーム12Wは、ノードN1とノードN2との間に並列に接続される。同様に、U相アーム13U、V相アーム13VおよびW相アーム13Wは、ノードN1とノードN2との間に並列に接続される。U相アーム12Uは、直列接続された2つのパワートランジスタQ3,Q4を含む。同様に、U相アーム13U、V相アーム12V,13VおよびW相アーム12W,13Wは、それぞれ、直列接続された2つのパワートランジスタQ5~Q14を含む。各パワートランジスタQ3~Q14のコレクタ-エミッタ間には、エミッタ側からコレクタ側へ電流を流すダイオードD3~D14がそれぞれ接続されている。インバータ12,13の各相アームの中間点は、それぞれ、モータジェネレータMG1,MG2の各相コイルの各相端に接続されている。モータジェネレータMG1,MG2においては、U,V,W相の3つのコイルの一端が中点に共通接続されて構成される。コンデンサC1は、電源ラインPL1,PL3間に接続され、電源ラインPL1の電圧レベルを平滑化する。コンデンサC2は、電源ラインPL2,PL3間に接続され、電源ラインPL2の電圧レベルを平滑化する。インバータ12,13は、制御装置14からの駆動信号に基づいて、コンデンサC2からの直流電圧を交流電圧に変換してモータジェネレータMG1,MG2を駆動する。制御装置14は、モータトルク指令値、モータジェネレータMG1,MG2の各相電流値、およびインバータ12,13の入力電圧に基づいてモータジェネレータMG1,MG2の各相コイル電圧を演算し、その演算結果に基づいてパワートランジスタQ3~Q14をオン/オフするPWMPulseWidthModulation信号を生成してインバータ12,13へ出力する。また、制御装置14は、上述したモータトルク指令値およびモータ回転数に基づいてインバータ12,13の入力電圧を最適にするためのパワートランジスタQ1,Q2のデューティ比を演算し、その演算結果に基づいてパワートランジスタQ1,Q2をオン/オフするPWM信号を生成してコンバータ11へ出力する。さらに、制御装置14は、モータジェネレータMG1,MG2によって発電された交流電力を直流電力に変換してバッテリBを充電するため、コンバータ11およびインバータ12,13におけるパワートランジスタQ1~Q14のスイッチング動作を制御する。PCU10の動作時において、コンバータ11およびインバータ12,13を構成するパワートランジスタQ1~Q14およびダイオードD1~D14は発熱する。PCU10は、パワートランジスタQ1~Q14およびダイオードD1~D14を冷却する冷却回路20を含む。図2は、PCU10の冷却回路20を模式的に示す回路図である。この図2に示すように、冷却回路20は、冷媒CMが内部を流れる冷却器21と、冷媒CMを冷却する熱交換器22と、ポンプ23と、冷媒流通管24とを含む。冷媒流通管24は、熱交換器22とポンプ23とを接続する接続管25と、ポンプ23によって加圧された冷媒CMを冷却器21に供給する冷媒供給管26と、冷却器21から排出された冷媒CMを熱交換器22に供給する冷媒排出管27とを含む。この冷却回路20によれば、熱交換器22によって冷却された冷媒CMが冷却器21に供給され、冷却器21に設けられたコンバータ11、インバータ12およびインバータ13が冷却される。コンバータ11、インバータ12およびインバータ13を冷却した冷媒CMは、熱交換器22によって再度冷却される。図3は、冷却器21およびその周囲の構成を示す斜視図である。この図3に示すように、冷却器21は、箱型形状に形成されており、冷却器21は、天板である冷却面30と、冷却面30の周縁部から垂れ下がるように形成された側面31,32,33,34と、底面とを含む。側面31と、側面32とは、互いに対向するように配置されている。側面31には、冷媒供給管26が接続され、側面32には、冷媒排出管27が接続されている。側面31には、冷媒供給管26が接続された開口部31aが形成され、側面32には、冷媒排出管27が接続された開口部32aが形成されている。冷却面30には、コンバータ11、インバータ12およびインバータ13を形成する複数の素子が搭載されている。なお、図3に示す例においては、冷却面30上に、間隔をあけて絶縁基板35と、絶縁基板36と、絶縁基板37とが配置されている。なお、絶縁基板35と、絶縁基板36と、絶縁基板37は、側面31と側面32との配列方向に配列している。そして、絶縁基板35は、開口部32aよりも開口部31aに近い位置に配置されている。絶縁基板37は、開口部31aよりも開口部32aに近い位置に配置されている。具体的には、絶縁基板35と開口部31aとの間の距離は、絶縁基板35と開口部32aとの間の距離よりも短い。また、絶縁基板37と開口部32aとの間の距離は、絶縁基板37と開口部31aとの間の距離よりも短い。絶縁基板35上に、コンバータ11を形成する複数の素子が搭載され、絶縁基板36上にインバータ12を形成する複数の素子が搭載されている。さらに、絶縁基板37上にインバータ13を形成する複数の素子が搭載されている。図4は、絶縁基板37およびこの絶縁基板37上に搭載された複数の素子を示す斜視図である。この図4に示すように、絶縁基板37上には、パワートランジスタQ9~Q14と、ダイオードD9~D14とが搭載されている。パワートランジスタQ9は、パワートランジスタQ9aと、パワートランジスタQ9bとを含み、ダイオードD9は、ダイオードD9aと、このダイオードD9bとを含む。同様に、パワートランジスタQ10,Q11,Q12,Q13,Q14は、パワートランジスタQ10a,Q10b,Q11a,Q11b,Q12a,Q12b,Q13a,Q13b,Q14a,Q14bとを含む。図5は、パワートランジスタQ9a,Q9bおよびダイオードD9a,D9bを示す平面図である。図6は、図5に示すVI-VI線における断面図である。ここで、図6に示すように開口部33の上面上に、絶縁基板37,43等が形成され、冷却器21内には、冷媒が流れる冷媒流通路が形成されている。図5に示すように、絶縁基板37上には、絶縁基板43と、絶縁基板63と、入力Nバスバ16と、出力バスバ17と、入力Pバスバ15と、端子部46と、端子部66とが形成されている。絶縁基板43と、絶縁基板63とは間隔をあけて配置されており、この絶縁基板43および絶縁基板63の間に、出力バスバ17が配置されている。入力Nバスバ16は、絶縁基板43に対して出力バスバ17と反対側に配置されており、入力Pバスバ15は、絶縁基板63に対して出力バスバ17と反対側に配置されている。そして、端子部46は、絶縁基板43と出力バスバ17との間に配置されており、端子部66は、絶縁基板63と、入力Pバスバ15との間に配置されている。図6に示すように、冷却器21の冷却面30上に、絶縁基板37,43が形成され、冷却器21内には、冷媒が流通する冷媒流通路29が形成されている。冷媒流通路29内には、複数の冷却フィンが配置されており、冷媒流通路29内を冷媒が流れることで、冷却面30が冷却される。図6および図5において、絶縁基板43の上面上には、回路基板42が配置され、この回路基板42の上面上にパワートランジスタQ9aとダイオードD9aとが間隔をあけて配置されている。このパワートランジスタQ9a上およびダイオードD9a上には冷却板40が配置されており、冷却板40は、パワートランジスタQ9aの上面からダイオードD9aの上面に亘って配置されている。パワートランジスタQ9aは、上面に形成された上部電極48と、下面に形成された下部電極49とを含み、ダイオードD9aは、上面に形成され上部電極68と、下面に形成された下部電極69とを含む。冷却板40は、金属材料などの導電性材料によって形成されており、上部電極48と、上部電極68とを電気的に接続する。この冷却板40の上面には熱電変換素子41が配置されている。なお、パワートランジスタQ9aの下部電極49は、回路基板42に接続され、ダイオードD9aの下部電極69は回路基板42に接続されている。そして、図5に示すように、回路基板42と入力Nバスバ16とは、配線47によって接続されており、冷却板40は、配線44,45によって出力バスバ17に接続されている。熱電変換素子41の上面には、複数の端子部が形成されており、この端子部は、ボンディングワイヤなどによって、端子部46に接続されている。熱電変換素子41は、制御装置14によって駆動される。なお、パワートランジスタQ9aの上面にも、複数の端子部が形成されており、この端子部も、ボンディングワイヤなどによって端子部46に接続されている。図5に示す絶縁基板63の上面上には、回路基板62が配置され、この回路基板62の上面上にパワートランジスタQ9bとダイオードD9bとが間隔をあけて配置されている。このパワートランジスタQ9b上およびダイオードD9b上には、冷却板60が配置されており、冷却板60は、パワートランジスタQ9bの上面上からダイオードD9bの上面上に亘って配置されている。冷却板60の上面上には、熱電変換素子61が配置されている。なお、回路基板62は、配線67によって出力バスバ17に接続されており、冷却板60は、配線64,65によって入力Pバスバ15に接続されている。なお、パワートランジスタQ9bの上面上には、複数の端子部が形成されており、この端子部は、ボンディングワイヤなどによって端子部66に接続されている。また、熱電変換素子61の上面にも、複数の端子部が形成されており、この端子部も、ボンディングワイヤなどによって端子部66に接続されている。ここで、図5および図6において、PCU10が駆動すると、パワートランジスタQ9aおよびダイオードD9aが発熱する。ここで、パワートランジスタQ9aおよびダイオードD9aから発せられた熱は、絶縁基板43,37および冷却器21の天板部を通って、冷媒流通路29内の冷媒に放出される。なお、冷却器21内には、図2に示すポンプ23によって冷媒が順次供給されており、パワートランジスタQ9aおよびダイオードD9aが高温となることが抑制されている。その一方で、車両が急加速や急発進などすると、パワートランジスタQ9aおよびダイオードD9aを流れる電流量が急増する。この場合には、冷却器21による冷却では、パワートランジスタQ9aおよびダイオードD9aを十分に冷却することができない場合がある。その結果、パワートランジスタQ9aおよびダイオードD9aの温度が上昇する場合がある。熱電変換素子41は、パワートランジスタQ9aまたはダイオードD9aが所定温度以上となると駆動する。熱電変換素子41は冷却板40から熱を吸熱して、電力を発生する。このように、通常の走行状態においては、冷却器21がパワートランジスタおよびダイオードを冷却し、パワートランジスタなどが高温となると、熱電変換素子41などが駆動して、各素子を冷却する。このように、冷却器21および熱電変換素子が駆動することでパワートランジスタおよびダイオードを冷却すると共に、所定条件のときのみ熱電変換素子が駆動することで、熱電変換素子の駆動時間を低減することで、熱電変換素子の長寿命化を図ることができる。図5に示すように、熱電変換素子41は、冷却板40の上面上に配置されており、冷却板40は、パワートランジスタQ9aと、ダイオードD9aとを接続している。このため、パワートランジスタQ9aと、ダイオードD9aとの一方の温度が上昇すると、熱電変換素子41が駆動し、パワートランジスタQ9aと、ダイオードD9aとを冷却する。このように、1つの熱電変換素子41が、パワートランジスタQ9aと、ダイオードD9aとを冷却することで、部品点数の低減が図られている。なお、熱電変換素子61は、冷却板60の上面上に配置されており、熱電変換素子61は、パワートランジスタQ9bおよびダイオードD9bを一括的に冷却する。図7は、パワートランジスタQ9aと、ダイオードD9aと、端子部46と、冷却板40と、熱電変換素子41とを示す平面図である。この図7に示す平面図は、熱電変換素子41に対して、パワートランジスタQ9aおよびダイオードD9aと熱電変換素子41との積層方向に離れた位置から、熱電変換素子41と、冷却板40と、パワートランジスタQ9aと、ダイオードD9aとを見たときの平面図である。この図7に示す例においては、冷却板40の上面のうち、パワートランジスタQ9aの上方に位置する部分には、冷却板40の温度を測定する測定部70が設けられている。なお、測定部70の搭載位置は、上記の位置に限られない。たとえば、パワートランジスタQ9aの上面上でもよく、さらには、パワートランジスタQ9aの周囲であってもよい。この図6に示す例においては、熱電変換素子41の一部は、パワートランジスタQ9a上に位置し、熱電変換素子41の一部は、ダイオードD9a上に位置している。ここで、熱電変換素子41の中心点を中心点P1とする。そして、パワートランジスタQ9aと、熱電変換素子41と、ダイオードD9aとを平面視したときに、中心点P1とパワートランジスタQ9aとの間の距離を距離L1とし、中心点P1とダイオードD9aとの間の距離を距離L2とする。そして、熱電変換素子41は、距離L1の方が距離L2よりも短くなるように配置されており、熱電変換素子41は、ダイオードD9aよりもパワートランジスタQ9aの方に近い位置に配置されている。ここで、インバータ12が駆動すると、パワートランジスタQ9aからの発熱量の方がダイオードD9aよりも発熱量が多く、パワートランジスタQ9aの方がダイオードD9aよりも高温となる。その一方で、上記のように、熱電変換素子41は、ダイオードD9aよりもパワートランジスタQ9aの方に近い位置に配置されているため、熱電変換素子41が駆動したときには、パワートランジスタQ9aの方がダイオードD9aよりも冷却される。これにより、発熱量の多いパワートランジスタQ9aが高温となることが抑制され、パワートランジスタQ9aのライフサイクルを長くすることができる。図7に示すように、パワートランジスタQ9aと、熱電変換素子41とを平面視したときに、熱電変換素子41とパワートランジスタQ9aとが重なる領域を領域R1とする。また、熱電変換素子41とダイオードD9aとが重なる領域を領域R2とする。領域R1の面積が領域R2の面積よりも大きくなるように、熱電変換素子41は配置されている。このため、熱電変換素子41が駆動したときには、熱電変換素子41は、ダイオードD9aよりもパワートランジスタQ9aから多量の熱を吸収する。これにより、パワートランジスタQ9aは、熱電変換素子41によって良好に冷却され、パワートランジスタQ9aのライフサイクルの向上を図ることができる。なお、熱電変換素子41の搭載方法としては、図7に示す例に限られない。図8は、熱電変換素子41の変形例を示す平面図である。図8に示す例においては、熱電変換素子41は、複数の単位素子50a~50fを含む。この図7に示す例においては、単位素子50a~50dは、熱電変換素子41の上面のうちパワートランジスタQ9a上に位置する部分に設けられている。また、単位素子50e,50fは、冷却板40の上面のうち、ダイオードD9a上に位置する部分に形成されている。このように、パワートランジスタQ9a上に位置する単位素子の数は、ダイオードD9a上に位置する単位素子の数よりも多い。なお、単位素子50a~50fも、パワートランジスタQ9aの温度が所定温度以上となったときに駆動する。これにより、この図8に示す例においても、熱電変換素子41が駆動することで、パワートランジスタQ9aが良好に冷却され、パワートランジスタQ9aのライフサイクルの長寿命化を図ることができる。図9は、熱電変換素子41に印加される駆動電圧Vvと、パワートランジスタQ9aの温度T°Cとを示すグラフである。この図9に示すグラフにおいて、縦軸は、熱電変換素子41に印加される駆動電圧Vvと、パワートランジスタQ9aの温度T°Cとを示す。横軸は、時間を示す。この図9において、駆動電圧V0とは、熱電変換素子41がOFFのときを示し、駆動電圧V1とは、熱電変換素子41がONの状態のときを示す。温度T1は、熱電変換素子41がONするときの温度を示し、温度T2は、熱電変換素子41がOFFするときの温度を示す。そして、図9中の曲線L3は、熱電変換素子41に印加される駆動電圧の変化を示し、曲線L4は、パワートランジスタQ9aの温度変化を示す。この図9において、パワートランジスタQ9aの温度が温度T1を超えると、熱電変換素子41が駆動し、パワートランジスタQ9aが冷却されることがわかる。そして、パワートランジスタQ9aの温度が温度T2よりも低くなると、熱電変換素子41の駆動が停止することがわかる。このように、熱電変換素子41が駆動する時間は短いため、熱電変換素子41のライフサイクルが短くなることが抑制されている。次に、図3および図4を用いて、熱電変換素子41や熱電変換素子61などが設けられる素子の搭載位置について説明する。図3において、冷却器21内には、冷媒供給管26および開口部31aから冷媒CMが供給される。そして、冷却器21内に入り込んだ冷媒CMは、コンバータ11を形成する素子、インバータ12を形成する素子およびインバータ13を形成する素子を順次冷却する。このため、冷媒CMの温度は、開口部31a側から開口部32a側に向かうにつれて、高くなる。図4において、インバータ13を形成するパワートランジスタQ9~Q14およびダイオードD9~D14と開口部32aとの間の距離は、パワートランジスタQ9~Q14およびダイオードD9~D14と開口部31aとの間の距離よりも短い。このため、インバータ13を形成する素子は、コンバータ11を形成する素子やインバータ12を形成する素子よりも、冷媒CMによって冷却され難くなっている。その一方で、熱電変換素子41や熱電変換素子61は、インバータ13を形成する素子上に配置されており、インバータ13を形成する素子の温度が高くなることが抑制されている。このように、コンバータ11、インバータ12およびインバータ13を形成する各素子に熱電変換素子41や熱電変換素子61を設けることとせずに、特定の素子上に熱電変換素子を配置することで、PCU10の製造コストの低減が図られている。インバータ13は、モータジェネレータMG1の駆動を制御する素子であるため、モータジェネレータMG2を駆動を制御するインバータ12よりも高温となり易い。そこで、インバータ13を形成する素子に、上記のように熱電変換素子41および熱電変換素子61を配置することで、インバータ13を形成する素子の温度が上昇することを抑制することができる。なお、本実施の形態においては、インバータ13を形成する素子上に熱電変換素子を配置することとしたが、当然のことながら、インバータ12を形成する素子やコンバータ11を形成する素子上に熱電変換素子を配置するようにしてもよい。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"