"入射捕獲ステップ、加速ステップ、出射制御ステップ、減速ステップをシンクロトロン12の1運転サイクルとする荷電粒子ビーム照射システムの運転方法において、前記出射制御ステップにおける出射開始前に、前記シンクロトロンに蓄積された荷電粒子ビームの一部を確認ビームとして出射し、これと同時に前記シンクロトロン下流の輸送系4に設けられたステアリング電磁石102の励磁を制御して前記シンクロトロンから出射した確認ビームを分岐させビームダンパー104に当て、分岐経路103に設けられた積層型粒子線計測装置107により、前記ビームダンパーに当てる荷電粒子ビームの線量分布を計測し、計測した荷電粒子ビームの線量分布を記憶し、管理する荷電粒子ビーム照射システムの運転方法。シンクロトロン12の1運転サイクルにおいて、荷電粒子を複数回加速減速して異なるエネルギーにし、各段で出射制御をおこなう、荷電粒子ビーム照射システムの運転方法において、前記各段の出射制御における出射開始前に、前記シンクロトロンに蓄積された荷電粒子ビームの一部を確認ビームとして出射し、これと同時に前記シンクロトロン下流の輸送系4に設けられたステアリング電磁石102の励磁を制御して前記シンクロトロンから出射した確認ビームを分岐させビームダンパー104に当て、分岐経路103に設けられた積層型粒子線計測装置107により、前記ビームダンパーに当てる荷電粒子ビームの線量分布を計測し、計測した荷電粒子ビームの線量分布を記憶し、管理する荷電粒子ビーム照射システムの運転方法。荷電粒子ビームを加速して出射する荷電粒子ビーム発生装置1と、前記荷電粒子ビーム発生装置に接続され、前記荷電粒子ビーム発生装置から出射された荷電粒子ビームを輸送する第1ビーム輸送系4と、前記荷電粒子ビームを照射する少なくとも1つの照射装置15A~15Dとを備えた荷電粒子ビーム照射システムにおいて、前記第1ビーム輸送系の途中に設けられたステアリング電磁石102と、このステアリング電磁石から分岐したビーム経路103に設けられたビームダンパー104とを有し、前記ステアリング電磁石の励磁制御により、前記荷電粒子ビーム発生装置から出射された荷電粒子ビームのうち前記照射装置に輸送されない荷電粒子ビームを前記ビームダンパーに当てるビームダンパー装置100と、前記ビームダンパー装置に設けられ、前記ビームダンパーに当てる荷電粒子ビームの線量分布を計測する積層型粒子線計測装置107と、前記積層型粒子線計測装置により計測した荷電粒子ビームの線量分布を記憶し、管理する照射管理装置200d,300とを備えることを特徴とする荷電粒子ビーム照射システム。請求項3記載の荷電粒子ビーム照射システムにおいて、前記ビームダンパー装置内で積層型粒子線計測装置の上流に設けられ、荷電粒子ビームの線量を計測する線量モニタ装置105,106を更に備え、前記照射管理装置200d,300は、前記線量モニタ装置により計測した荷電粒子ビームの線量値を記憶し、管理することを特徴とする荷電粒子ビーム照射システム。請求項3および請求項4記載の荷電粒子ビーム照射システムにおいて、前記シンクロトロンからの前記荷電粒子ビームの出射開始及び出射停止を制御する第1制御装置200aと、前記シンクロトロンの運転サイクルにおける出射制御区間における出射開始前に前記シンクロトロンに蓄積された荷電粒子ビームの一部を確認ビームとして出射し、かつこれと同時に前記ステアリング電磁石の励磁を制御して前記シンクロトロンから出射した確認ビームを前記ビームダンパーに当てる第2制御装置200bと、を更に備えることを特徴とする荷電粒子ビーム照射システム。従来技術特許文献3にかかる積層型粒子線計測装置は、照射装置の下流の本来患者が配置される位置に配置される。実際に患者に照射するのに先立って、積層型粒子線計測装置に照射して線量分布を計測することで、所定のエネルギー、ブラックピーク、照射深度を確認する。ところで、実際に照射をする操作者から、実照射直前の最終確認として、患者に照射する荷電粒子ビームのエネルギー、ブラックピーク、照射深度をリアルタイムで確認したいと言う要望がある。とくに、多段出射特許文献4では、1サイクルにおいて複数のエネルギーに変更するため、各段のエネルギー等をリアルタイムで確認することは、重要である。しかしながら、従来技術にかかる積層型粒子線計測装置が計測する荷電粒子線ビームは調整段階のものであり、実際に患者に照射する荷電粒子ビームそのものではない。言い換えると、従来技術では、患者が配置された状態で、リアルタイムで線量分布を計測することが出来ない。また、積層型粒子線計測装置が、照射装置側にあるため、シンクロトロンから出射されたビームを輸送系、ガントリ、照射装置を経て、積層型粒子線計測装置で計測しないと、線量分布が計れなかった。このため、システムの建設段階では、照射装置完成まで待たなければ、線量分布計測ができなかった。さらに、システム完成後も、出射ビームの不具合が発生した場合、シンクロトロンの出射ビームが不具合なのか、シンクロトロン以降の何らかの機器が不調であるのかが簡単には分からず、調査に時間がかかった。また、第1ビーム輸送系にビームダンパー装置を設置したシステム特許文献5においては、荷電粒子ビーム発生装置から出射された荷電粒子ビームに不要のビームが発生した場合は、そのビームをビームダンパー装置に送り、処理することができる。しかし、従来のシステムでは、そのビームダンパー装置は不要のビームを捨てるだけのために用いられていた。本発明の目的は、実照射直前に、患者に照射する荷電粒子ビームのエネルギー、ブラックピーク、照射深度をリアルタイムで確認できる荷電粒子ビーム照射システムおよびの荷電粒子ビーム照射システムの運転方法を提供することができる。1上記目的を達成するために、本発明は、入射捕獲ステップ、加速ステップ、出射制御ステップ、減速ステップをシンクロトロンの1運転サイクルとする荷電粒子ビーム照射システムの運転方法において、前記出射制御ステップにおける出射開始前に、前記シンクロトロンに蓄積された荷電粒子ビームの一部を確認ビームとして出射し、これと同時に前記シンクロトロン下流の輸送系に設けられたステアリング電磁石の励磁を制御して前記シンクロトロンから出射した確認ビームを分岐させビームダンパーに当て、分岐経路に設けられた積層型粒子線計測装置により、前記ビームダンパーに当てる荷電粒子ビームの線量分布を計測し、計測した荷電粒子ビームの線量分布を記憶し、管理する。これにより、一般的なシンクロトロンの運転サイクルにおいて、実照射直前に、患者に照射する荷電粒子ビームのエネルギー、ブラックピーク、照射深度をリアルタイムで確認できる。2上記目的を達成するために、本発明は、シンクロトロンの1運転サイクルにおいて、荷電粒子を複数回加速減速して異なるエネルギーにし、各段で出射制御をおこなう、荷電粒子ビーム照射システムの運転方法において、前記各段の出射制御における出射開始前に、前記シンクロトロンに蓄積された荷電粒子ビームの一部を確認ビームとして出射し、これと同時に前記シンクロトロン下流の輸送系に設けられたステアリング電磁石の励磁を制御して前記シンクロトロンから出射した確認ビームを分岐させビームダンパーに当て、分岐経路に設けられた積層型粒子線計測装置により、前記ビームダンパーに当てる荷電粒子ビームの線量分布を計測し、計測した荷電粒子ビームの線量分布を記憶し、管理する。これにより、多段出射において、各段における実照射直前に、患者に照射する荷電粒子ビームのエネルギー、ブラックピーク、照射深度をリアルタイムで確認できる。3上記目的を達成するために、本発明は、荷電粒子ビームを加速して出射する荷電粒子ビーム発生装置と、前記荷電粒子ビーム発生装置に接続され、前記荷電粒子ビーム発生装置から出射された荷電粒子ビームを輸送する第1ビーム輸送系と、前記荷電粒子ビームを照射する少なくとも1つの照射装置とを備えた荷電粒子ビーム照射システムにおいて、前記第1ビーム輸送系の途中に設けられたステアリング電磁石と、このステアリング電磁石から分岐したビーム経路に設けられたビームダンパーとを有し、前記ステアリング電磁石の励磁制御により、前記荷電粒子ビーム発生装置から出射された荷電粒子ビームのうち前記照射装置に輸送されない荷電粒子ビームを前記ビームダンパーに当てるビームダンパー装置と、前記ビームダンパー装置に設けられ、前記ビームダンパーに当てる荷電粒子ビームの線量分布を計測する積層型粒子線計測装置と、前記積層型粒子線計測装置により計測した荷電粒子ビームの線量分布を記憶し、管理する照射管理装置とを備える。これにより、荷電粒子ビーム発生装置から出射される確認ビームは、照射装置に輸送されず、分岐経路に設けられた積層型粒子線計測装置により計測できる。4上記3において、好ましくは、前記ビームダンパー装置内で積層型粒子線計測装置の上流に設けられ、荷電粒子ビームの線量を計測する線量モニタ装置を更に備え、前記照射管理装置は、前記線量モニタ装置により計測した荷電粒子ビームの線量値を記憶し、管理する。これにより、確認ビームをビームダンパーに当てることにより発生する課題を解決する。5上記3および4において、好ましくは、前記シンクロトロンからの前記荷電粒子ビームの出射開始及び出射停止を制御する第1制御装置と、前記シンクロトロンの運転サイクルにおける出射制御区間における出射開始前に前記シンクロトロンに蓄積された荷電粒子ビームの一部を確認ビームとして出射し、かつこれと同時に前記ステアリング電磁石の励磁を制御して前記シンクロトロンから出射した確認ビームを前記ビームダンパーに当てる第2制御装置と、を更に備える。これにより、確認ビームをビームダンパーに当てることができる。本発明によれば、ビームダンパー装置に設けられた積層型粒子線計測装置により、確認ビームの線量分布を計測することで、実照射直前に、患者に照射する荷電粒子ビームのエネルギー、ブラックピーク、照射深度をリアルタイムで確認できる。また、何らかの予期せぬ出射ビームの変動が発生した場合に、その変動要因がシンクロトロン側の要因によるのか、または、ビーム輸送系、照射装置、その他の機器によるものなのかの切り分けが可能となり、変動要因対策の時間の節約及び精度の向上が期待できる。更に、システムの建設段階では、照射装置完成まで待つことなく、シンクロトロンからの出射ビームのビーム強度の調整を実施することができ、荷電粒子ビーム照射システムの早期の立ち上げが可能となる。以下に、本発明の実施の形態を説明する。~構成~図1に示すように、本実施の形態の荷電粒子ビーム照射システムは、荷電粒子ビーム発生装置1、荷電粒子ビーム発生装置1の下流側に接続された第1ビーム輸送系4、この第1ビーム輸送系4から分岐するようにそれぞれ設けられた第2ビーム輸送系5A,5B,5C,5D、切替え電磁石経路切替え装置6A,6B,6C、及び照射野形成装置である照射装置15A,15B,15C,15Dを備えている。第1ビーム輸送系4は、第2ビーム輸送系5A,5B,5C,5Dのそれぞれにイオンビームを導く共通のビーム輸送系である。第2ビーム輸送系5A,5B,5C,5Dは照射装置15A,15B,15C,15D毎に設けられたビーム輸送系であり、照射装置15A,15B,15C,15Dは治療室2A,2B,2C,2Dに配置されている。本実施の形態の荷電粒子ビーム照射システムは、具体的には陽子線治療システムである。荷電粒子ビーム発生装置1は、イオン源、前段加速器11及び主加速器であるシンクロトロン12を有する。シンクロトロン12は、高周波印加装置31及び高周波加速空胴32を荷電粒子ビームの周回軌道上に設置している。高周波印加装置31は、高周波印加用の一対の電極図示せずを備え、高周波印加用電極は出射用の高周波供給装置33に接続される。高周波供給装置33は、高周波発振器出射用高周波電源34、印加電圧制御装置出射ビーム強度制御装置35、インターロック用スイッチ開閉装置36、照射制御用スイッチ開閉スイッチ37を備える。インターロック用スイッチ開閉装置36は、インターロック信号により開けられ、通常時は閉じている。照射制御用スイッチ開閉スイッチ37はビーム出射開始信号により閉じられ、ビーム出射停止信号により開けられる。高周波印加装置31は、印加電圧制御装置35、スイッチ36,37を介して、高周波発振器34から出射用の高周波電圧の供給を受ける。高周波加速空胴32に高周波電力を印加する高周波電源図示せずが、別途設けられる。イオン源で発生したイオンは前段加速器11で加速される。前段加速器11から出射された荷電粒子ビームはシンクロトロン12に入射される。荷電粒子ビームは、高周波電源からの高周波電力の印加によって高周波加速空胴32内に発生する電磁場に基づいてエネルギーを与えられて加速される。シンクロトロン12内を周回する荷電粒子ビームは、設定されたエネルギーまで加速された後、出射用高周波電源である高周波発振器34からの高周波を開閉スイッチ37を閉じることによって、出射用高周波印加装置31より周回している荷電粒子ビームに印加される。このため、安定限界内で周回している荷電粒子ビームは、安定限界外に移行し、出射用デフレクタを通って出射される。荷電粒子ビームの出射の際には、シンクロトロン12に設けられた四極電磁石13及び偏向電磁石14に導かれる電流が電流設定値に保持され、安定限界もほぼ一定に保持されている。開閉スイッチ37を開け、出射用高周波印加装置31への高周波電力の印加を停止することによって、シンクロトロン12からの荷電粒子ビームの出射が停止される。シンクロトロン12から出射された荷電粒子ビームは、第1ビーム輸送系4より高速ステアラ装置100後述を経由して、下流側へ輸送される。第1ビーム輸送系4は、ビーム経路3、ビーム経路3にビーム進行方向上流側より配置された四極電磁石18、シャッタ8、偏向電磁石17、四極電磁石18、切替え電磁石6A、ビーム経路61、ビーム経路3にビーム進行方向上流側より配置された四極電磁石19、切替え電磁石6B、四極電磁石20、切替え電磁石6Cを備えている。第1ビーム輸送系4に出射された荷電粒子ビームは切替え電磁石6A,6B,6Cの励磁、非励磁の切り替えによる偏向作用の有無によって、第2ビーム輸送系5A,5B,5C,5Dのいずれかに選択的に導入される。第2ビーム輸送系5Aは、第1輸送系4のビーム経路3に接続されて治療室2A内に配置された照射装置15Aに連絡されるビーム経路62、及びビーム経路62にビーム進行方向上流側より配置された偏向電磁石21A、四極電磁石22A、シャッタ7A、偏向電磁石23A、四極電磁石24A、偏向電磁石25A、偏向電磁石26Aを備える。第2ビーム輸送系5B、第2ビーム輸送系5Cも第2ビーム輸送系5Aと同様に構成されている。これら第2ビーム輸送系5B及び5Cにおいて、第2ビーム輸送系5Aの構成要素と同等のものには同じ参照数字の添え字Aに代え、添え字B,Cを付して示している。第4ビーム輸送系5Dは、第1輸送系4のビーム経路61に接続されて治療室2D内に配置された照射装置15Dに連絡されるビーム経路65、及びビーム経路65にビーム進行方向上流側より配置された四極電磁石27,28、シャッタ7Dを備える。第1ビーム輸送系4を経由して第2ビーム輸送系5Aへ導入された荷電粒子ビームは、該当する電磁石の励磁によりビーム経路62を通って照射装置15Aへと輸送される。第2ビーム輸送系5B,5C,5Dについても同様に、荷電粒子ビームは各ビーム経路62或いはビーム経路61,65を通って照射装置15B,15C,15Dにそれぞれ輸送される。照射装置15A~15Cは、治療室2A~2Cにそれぞれ設置された回転ガントリー図示せずに取り付けられている。照射装置15Dは固定式である。照射装置15A~15Dはそれぞれ走査電磁石図示省略を備え、走査電磁石電源制御装置500によって走査電磁石電源図示省略を制御することで励磁電流が制御され、荷電粒子ビームを横方向に走査する。また、照射装置15A~15Dは、各照射位置において荷電粒子ビームの移動走査を停止して照射し、照射位置における照射線量が目標値に達すると次の照射位置へ移動する。照射位置を次の位置に移動する間、シンクロトロン12からの荷電粒子ビームの出射は停止され、照射位置の移動が完了すると、シンクロトロン12から荷電粒子ビームが再び出射される。このような走査電磁石の制御と荷電粒子ビームのON/OFF制御のため、照射装置15A~15Dは、荷電粒子ビームの線量照射線量を検出する線量計と照射位置を検出する位置検出装置を有し、その照射線量情報と位置情報を加速照射制御装置200に出力する。また、本実施の形態の荷電粒子ビーム照射システムは、第1ビーム輸送系4に設けられた高速ステアラ装置ビームダンパー装置100を備え、高速ステアラ装置100を制御することにより、第1輸送系4に出射された荷電粒子ビームを後続の第2ビーム輸送系5B,5C,5Dに輸送したり、高速ステアラ装置100に輸送したりすることができる。高速ステアラ装置100は、第1ビーム輸送系4のシンクロトロン12の直後に設置することで、高速ステアラ装置100に到達する荷電粒子ビームがビーム輸送系の多くの機器を経由しない構成とする。図2は高速ステアラ装置100の構成の詳細を示す図である。高速ステアラ装置100は、第1ビーム輸送系4のビーム経路3の途中に設けられた高速ステアラHSST電磁石102と、この高速ステアラ電磁石102から分岐したビーム経路103に設置されたビームダンパー104とを有している。高速ステアラHSST電磁石102はビームを高速に曲げるステアリング電磁石であり、例えば、100通電時、ちょうどビームダンパー104にビームを当てることができる。また、0通電時は、ビームを曲げないで、そのまま後続の輸送系にビームを通過させることができる。高速ステアラ電磁石102の100通電から0通電への切替或いは0通電から100通電への切替は、高速ステアラ電源装置101により、高速に、例えば500μ秒以内で行うことができる。また、本発明の高速ステアラ装置100は、ビーム経路103のビームダンパー104の手前に設置された線量計105と、線量計105からの計測信号を入力する線量計測装置106と、線量計105とビームダンパー104の間に設置された積層型粒子線計測装置107とを有し、線量計測装置106において線量計105からの計測信号を処理することで、ビームダンパー104に当たるビームの線量を計測することができる。また、線量計測装置106は、そのビームの線量を積算し、その増分線量値の単位時間当たりの変化量を演算することでビーム強度を計測することができる。次に、積層型粒子線計測装置107の構造について図3、図4を用いて以下に説明する。積層型粒子線計測装置107は、スポットポジションモニター201以下、SPM、レンジシフタ202、レンジシフタ挿入機構203、線量計測部204、可動装置205、主制御装置206後述する第4制御部200dに接続からなる。SPM201は、SPM201に入射したビームの横方向における重心位置を計測する。SPM201は、複数の陽極線をガス容器内部に数mmの間隔で配置したイオンチェンバー又は比例計数管であり、スキャニング照射法等によって照射されたビームの重心位置と、横方向に対するビームの広がりを、線量計測部204と比較して精度良く計測できる。また、SPM201は、積層型粒子線計測装置107の調整項目及び性能評価項目に応じて、脱着可能である。レンジシフタ202は、調整項目及び性能評価項目に応じて縦方向の計測位置を変更する。様々な厚さの個体が用意され、これらの組み合わせによって非常に密な間隔例えば01mmで縦方向の計測範囲が変更される。ただし、使用されるレンジシフタ202の素材と厚みの種類は、荷電粒子線照射システムの調整及び性能評価の項目に応じて任意である。また、レンジシフタ202の挿入は、レンジシフタ挿入機構203で実現される。可動装置205は、可動天板A207にSPM201、レンジシフタ202、レンジシフタ挿入機構203、可動天板B208に線量計測部204を配置する。可動装置205は荷電粒子線照射システムの調整及び性能評価の項目に応じて縦方向1軸と横方向2軸に可動天板B208を走査する。可動天板A207は、可動天板B208と連動して横方向2軸に可動する。また積層型粒子線計測装置107のアライメントのために、可動装置205は地面と垂直な方向を軸として可動天板A207と可動天板B208を同時に回転できる。また、可動天板A207と可動天板B208において機器の設置面は、縦方向と平行であるように調整される。可動装置205の底面部には車輪209が設けられ、積層型粒子線計測装置107を任意の場所へ移動して使用できる。ただし、積層型粒子線計測装置107は定位置に固定される。可動装置205はビーム中心をあわせる微調整のために用いる。線量計測部204は、縦方向にイオンチェンバー210を数十層積層して構成される。イオンチェンバー210は、イオンチェンバー210とイオンチェンバー210の間にできるだけ隙間ができないよう積層される。イオンチェンバー210は1枚ずつ脱着可能であり、ある層のイオンチェンバーが故障した場合、ただちに交換できる。ただし、イオンチェンバー210の積層数は、荷電粒子線照射システムの調整及び性能評価の項目に応じて任意である。イオンチェンバー210は、ビームの線量に感度を持つセンサー部211と、信号処理装置212からなる。次に、図1に戻り、本実施の形態の荷電粒子ビーム照射システムにおける制御系を説明する。荷電粒子ビーム照射システムは、制御系として、中央制御装置150、加速照射制御装置200、端末制御装置300、走査電磁石電源制御装置500を備える。加速照射制御装置200は、第1制御部200a、第2制御部200b、第3制御部200c、第4制御部200dを含む複数の制御部を有している。第1制御部200aは、中央制御装置150のメモリに保存された情報と照射装置15A~15Dからの照射線量情報と位置情報等に基づいて、ビーム出射開始信号及びビーム出射停止信号を生成し、このビーム出射開始信号及びビーム出射停止信号を開閉スイッチ37に出力することで、シンクロトロン12からの荷電粒子ビームの出射開始及び出射停止を制御する第1制御装置。第3制御部200cは、中央制御装置150のメモリに保存された情報と照射装置15A~15Dからの照射線量情報と位置情報等に基づいて、照射位置を次の位置に移動するための走査電磁石の励磁電流を決定し、この励磁電流情報を走査電磁石電源制御装置500に出力する。走査電磁石電源制御装置500はその励磁電流情報に基づいて図示しない走査電磁石電源を制御し、走査電磁石の励磁電流を制御する。このようにシンクロトロン12からの荷電粒子ビームの出射開始及び出射停止と走査電磁石の励磁電流を制御することにより、照射対象内の横方向荷電粒子ビーム進行方向深さ方向に垂直な方向に荷電粒子ビームを走査し、横方向における線量分布を所望の分布に制御することができる。この制御内容は特許第2833602号公報等に詳しい。第2制御部200bは、高速ステアラ装置100の電源装置101に接続され、電源装置101を制御することで高速ステアラ電磁石102の通電量の切替を制御する第4制御部200dは、高速ステアラ装置100の線量計測装置106及び積層型粒子線計測装置107に接続され、線量計105、線量計測装置106及び積層型粒子線計測装置107において計測した線量値やビーム強度及び線量分布を入力し、メモリに保存記録する。また、その保存した線量値及びビーム強度を端末制御装置300に出力する。加速照射制御装置200のその他の制御部は、中央制御装置150のメモリに保存されたその他の情報に基づいて、荷電粒子ビーム発生装置1を構成する高周波加速空胴32等のその他の機器及びその制御装置のパラメータを設定しかつそれらを制御する。端末制御装置300は、モニタ300aと、モニタ300aに表示されるユーザインターフェースを通じて所定の入力を行うキーボードやマウス等の入力装置300bとを有している。また、端末制御装置300は、加速照射制御装置200の第2制御部200bのメモリに保存した線量計測装置106からの線量値やビーム強度を入力し、モニタ200aに表示可能である。これにより加速照射制御装置200の第4制御部200dと端末制御装置300は、線量モニタ装置である線量計105、線量計測装置106及び積層型粒子線計測装置107により計測した荷電粒子ビームの線量値、ビーム強度及び線量分布を記憶し、管理する照射管理装置を構成する。~動作~まず、本実施の形態の動作第1動作を説明する。図5は、一般的なシンクロトロン12の運転サイクルを示す図である。荷電粒子ビームの入射捕獲、荷電粒子ビームを設定されたエネルギーまで高める加速、目標のエネルギーになった荷電粒子ビームの出射、及び減速を1サイクルとし、この運転サイクルが繰返される。これら入射捕獲、加速、出射、及び減速の制御は加速する荷電粒子ビームのエネルギーに合わせて規定される。シンクロトロン12の周回軌道を周回する荷電粒子ビームが目標のエネルギーまで加速される。その後、出射制御区間で、高周波供給装置33を起動して高周波印加装置31を作動させ、出射用高周波を印加することで、シンクロトロン12から荷電粒子ビームを後続の第1ビーム輸送系4に出射する。これによりシンクロトロン12は、後続の第2ビーム輸送系5A~5Dに接続された各治療室2A~2Dの照射装置15A~15Dに対して出射制御区間に荷電粒子ビームを供給できる。ビームスキャニング法は出射制御区間で、走査電磁石による平面方向のビームの走査及びビームをONOFF制御することによって患部を深さ方向に分割した領域レイヤーを照射することが出来る。患部の深さ方向を全て照射するために、エネルギーを変化させ、各レイヤーへの照射を繰り返す。従って、実照射直前に、患者に照射する荷電粒子ビームのエネルギー、ブラックピーク、照射深度をリアルタイムで確認することは重要である。本実施の形態の特徴的動作について説明する。シンクロトロン12と第1ビーム輸送系3及び高速ステアラ装置100を利用することで、シンクロトロン12からの出射ビームの線量分布計測が可能となる。すなわち、実照射直前に、高速ステアラ電磁石102を100通電することで、ビームダンパー104に意図的に確認用のビームを当て、その手前の線量計105、線量計測装置106により出射ビームの強度を計測するとともに、積層型粒子線計測装置107により線量分布を計測する。これにより、実照射直前に、患者に照射する荷電粒子ビームのエネルギー、ブラックピーク、照射深度を正確かつリアルタイムで確認できる。確認の結果、ビームが所望の線量分布である場合は、継続して出射制御をおこなう。ビームが所望の線量分布でない場合は、ビームの加速または減速を行い、再度、確認ビームを出射し、線量分布を計測する。ビームの加速または減速による調整をおこなっても、ビームが所望の線量分布でない場合は、運転サイクルを終了し、再調整後に再び出射を行う。次に、本実施の形態に係るシステムを多段出射に適用した場合の動作第2動作を説明する。1サイクルで複数のエネルギーにより複数のレイヤーを照射できる多段出射が注目されている。多段出射では、1サイクルにおいて複数のエネルギーに変更するため、各段のエネルギーをリアルタイムで確認することが、特に重要である。図6は、多段出射におけるシンクロトロン12の運転サイクルを示す図である。荷電粒子ビームの入射捕獲、荷電粒子ビームを第1段目のエネルギーまで高める加速、目標のエネルギーになった荷電粒子ビームの出射、第2段目のエネルギーまで高める加速、目標のエネルギーになった荷電粒子ビームの出射、繰り返し第N段目のエネルギーまで高める加速、目標のエネルギーになった荷電粒子ビームの出射、第N-1段目のエネルギーへの減速、目標のエネルギーになった荷電粒子ビームの出射繰り返し終了を1サイクルでおこなう。各段における出射制御区間で、走査電磁石による平面方向のビームの走査及びビームをONOFF制御することによって、各段に対応するレイヤーを照射することが出来る。本実施の形態では、更に、各段における実照射直前に、高速ステアラ電磁石102を100通電することで、ビームダンパー104に意図的に確認用のビームを当て、その手前の線量計105、線量計測装置106により出射ビームの強度を計測するとともに、積層型粒子線計測装置107により線量分布を計測する。これにより、実照射直前に、各段における患者に照射する荷電粒子ビームのエネルギー、ブラックピーク、照射深度を正確かつリアルタイムで確認できる。確認の結果、ビームが所望の線量分布である場合は、継続して出射制御をおこなう。~効果~このように構成した本実施の形態によれば、次の効果が得られる。従来技術にかかる積層型粒子線計測装置は、照射装置の下流の本来患者が配置される位置に配置されており、実際に患者に照射するのに先立って、積層型粒子線計測装置に照射して線量分布を計測していた。このため、患者が配置された状態で、リアルタイムで線量分布を計測することが出来なかった。本実施の形態によれば、高速ステアラ装置100内の積層型粒子線計測装置107により確認ビームの線量分布をリアルタイムで計測することができる。また、何らかの予期せぬ出射ビームの変動が発生した場合に、その変動要因がシンクロトロン12側の要因によるのかまたは、第1及び第2ビーム輸送系4,5A~5D、照射装置15A~15D、その他の機器によるものなのかの切り分けが可能となり、変動要因対策の時間の節約及び精度の向上が期待できる。更に、システムの建設段階では、照射装置完成まで待つことなく、シンクロトロン12からの出射ビームのビーム強度の調整を実施することができ、荷電粒子ビーム照射システムの早期の立ち上げが可能となる。~付随的構成とその効果~本実施の形態は、ビームダンパー104に意図的に確認ビームを当て、その線量分布を計測することを特徴とするが、これにより、以下のような課題が新たに発生する。一般に、荷電粒子ビームの出射に伴い、シンクロトロン12内の荷電粒子ビームの蓄積電荷量は減少し、ビーム強度が低下する。これに対し、照射装置側に設置された線量計によりビーム強度を測定し、この計測結果に基づいて出射用高周波の印加電圧ゲインパターンを演算し、出射ビームの強度を一定にしている。しかし、本実施の形態では、ビームダンパー104に意図的に確認ビームを当てるため、照射装置側に設置された線量計は正確にビーム強度計測できない。本実施の形態では、線量計105、線量計測装置106により確認ビームの強度を計測し、第4制御部200dは計測結果に基づいて出射用高周波の印加電圧ゲインパターンを演算し、出射ビームの強度を一定にする。これにより確認ビーム出射の影響を受けず、出射ビームの強度を一定にすることができる。~変形例~1動作2において、図6に示す多段出射の運転サイクル一例を示したが、他の運転サイクルでも良い。たとえば、荷電粒子ビームの入射捕獲、荷電粒子ビームを第1段目のエネルギーまで高める加速、目標のエネルギーになった荷電粒子ビームの出射、第2段目のエネルギーまで高める加速、目標のエネルギーになった荷電粒子ビームの出射、繰り返し第N段目のエネルギーまで高める加速、目標のエネルギーになった荷電粒子ビームの出射、減速、終了を1サイクルとしても良い。2線量分布を計測する手段として、積層型粒子線計測装置を前提に説明したが、水ファントムを用いてもよい。3ビーム照射法として、ビームスキャニング法を前提に説明したが、二重散乱体法やウォブラ法に適用しても良い。"