前面板と、背面板とを有し、前記前面板は、表示電極、誘電体層、および保護層を有し、前記保護層は、前記誘電体層上の下地膜と、前記下地膜上に酸化マグネシウムを主成分とする複数個の結晶粒子が凝集した凝集粒子と、酸化マグネシウムを主成分とする立方体形状の結晶粒子とで構成され、前記下地膜を、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、及び酸化バリウムから選ばれる少なくとも2つ以上の酸化物で形成され、前記下地膜面のX線回折分析において、前記下地膜を形成する酸化物の単体が発生する最小回折角と最大回折角との間に、ピークが存在する、プラズマディスプレイパネル。前記凝集粒子には、粒径が0.9μm~2μmである凝集粒子を含む、請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。前記凝集粒子を構成する結晶粒子は多面体形状である、請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。近年、テレビは高精細化が進んでおり、市場では低コスト低消費電力高輝度のフルHDハイディフィニション1920×1080画素:プログレッシブ表示PDPが要求されている。保護層からの電子放出特性はPDPの画質を決定するため、電子放出特性を制御することが非常に重要である。すなわち、高精細化された画像を表示するためには、1フィールドの時間が一定にもかかわらず書き込みを行う画素の数が増えるため、サブフィールド中の書き込み期間において、アドレス電極へ印加するパルスの幅を狭くする必要が生じる。しかしながら、電圧パルスの立ち上がりから放電空間内で放電が発生するまでには放電遅れと呼ばれるタイムラグの存在があるため、パルスの幅が狭くなれば書き込み期間内で放電が終了できる確率が低くなってしまう。その結果、点灯不良が生じ、ちらつきといった画質性能の低下という問題も生じてしまう。また、消費電力低減のために放電による発光効率を向上させることを目的として、蛍光体の発光に寄与する放電ガスの一成分であるキセノンXeの放電ガス全体における含有率をあげると、やはり放電電圧が高くなるとともに、放電遅れが大きくなって点灯不良などの画質低下が発生するという問題が生じてしまう。このようにPDPの高精細化や低消費電力化を進めるにあたっては、放電電圧が高くならないようにすることと、さらに、点灯不良を低減して画質を向上させることを、同時に実現させなければならないという課題があった。保護層に不純物を混在させることで電子放出特性を改善しようとする試みが行われている。しかしながら、保護層に不純物を混在させて電子放出特性を改善した場合には、保護層表面に電荷を蓄積させてメモリー機能として使用しようとする際に、電荷が時間とともに減少する減衰率が大きくなってしまうため、これを抑えるための印加電圧を大きくする必要があるなどの対策が必要になる。一方、酸化マグネシウムMgO保護層上に酸化マグネシウムMgO結晶粒子を形成する例では、放電遅れを小さくして点灯不良を低減することは可能であるが、放電電圧を低減することができないといった課題を有していた。本発明はこのような課題に鑑みなされたもので、高輝度の表示性能を備え、かつ低電圧駆動が可能なPDPを実現することを目的としている。上記の目的を達成するために、本発明のPDPは、本発明のプラズマディスプレイパネルは、前面板と背面板とを有し、前記前面板は表示電極、誘電体層、および保護層を有し、前記保護層は、前記誘電体層上の下地膜と、前記下地膜上に酸化マグネシウムを主成分とする複数個の結晶粒子が凝集した凝集粒子と、酸化マグネシウムを主成分とする立方体形状の結晶粒子とで構成され、前記下地膜を、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、及び酸化バリウムから選ばれる少なくとも2つ以上の酸化物で形成され、前記下地膜面のX線回折分析において、前記下地膜を形成する酸化物の単体が発生する最小回折角と最大回折角との間にピークが存在することを特徴とする。このような構成によれば、保護層における二次電子放出特性を向上させ、輝度を高めるために放電ガスのキセノンXeガス分圧を大きくした場合でも放電開始電圧を低減し、さらに、放電遅れを低減して高精細画像表示でも点灯不良など発生しない、表示性能に優れたPDPを実現することができる。本発明によれば、高精細画像でも高輝度で低電圧駆動が可能なPDPを実現することができる。以下、本発明の実施の形態におけるPDPについて図面を用いて説明する。実施の形態図1は本発明の実施の形態におけるPDP1の構造を示す斜視図である。PDP1の基本構造は、一般的な交流面放電型PDPと同様である。図1に示すように、PDP1は前面ガラス基板3などよりなる前面板2と、背面ガラス基板11などよりなる背面板10とが対向して配置され、その外周部をガラスフリットなどからなる封着材によって気密封着されている。封着されたPDP1内部の放電空間16には、キセノンXeとネオンNeなどの放電ガスが所定の圧力で封入されている。前面板2の前面ガラス基板3上には、走査電極4及び維持電極5よりなる一対の帯状の表示電極6とブラックストライプ遮光層7が互いに平行にそれぞれ複数列配置されている。前面ガラス基板3上には表示電極6と遮光層7とを覆うように電荷を保持してコンデンサとしての働きをする誘電体層8が形成され、さらにその上に保護層9が形成されている。また、背面板10の背面ガラス基板11上には、前面板2の走査電極4及び維持電極5と直交する方向に、複数の帯状のアドレス電極12が互いに平行に配置され、これを下地誘電体層13が被覆している。さらに、アドレス電極12間の下地誘電体層13上には放電空間16を区切る所定の高さの隔壁14が形成されている。隔壁14間の溝ごとに、紫外線によって赤色、緑色及び青色にそれぞれ発光する蛍光体層15が順次塗布して形成されている。走査電極4及び維持電極5とアドレス電極12とが交差する位置に放電空間が形成され、表示電極6方向に並んだ赤色、緑色、青色の蛍光体層15を有する放電空間がカラー表示のための画素になる。図2は、本発明の実施の形態におけるPDP1の前面板2の構成を示す断面図であり、図2は図1と上下反転させて示している。図2に示すように、フロート法などにより製造された前面ガラス基板3に、走査電極4と維持電極5よりなる表示電極6と遮光層7がパターン形成されている。走査電極4と維持電極5はそれぞれインジウムスズ酸化物ITOや酸化スズSnO2などからなる透明電極4a、5aと、透明電極4a、5a上に形成された金属バス電極4b、5bとにより構成されている。金属バス電極4b、5bは透明電極4a、5aの長手方向に導電性を付与する目的として用いられ、銀Ag材料を主成分とする導電性材料によって形成されている。誘電体層8は、前面ガラス基板3上に形成されたこれらの透明電極4a、5aと金属バス電極4b、5bと遮光層7を覆った構成とし、さらに誘電体層8上に保護層9が形成されている。保護層9は、誘電体層8に形成した下地膜91と、下地膜91上に金属酸化物であるMgOの結晶粒子92aに、この結晶粒子92aより粒径の小さい結晶粒子92bが数個凝集した凝集粒子92と、金属酸化物であるMgOの立方体形状の結晶粒子93とを離散的に散布させ、全面に亘って均一に分布するように複数個付着させることにより構成している。下地膜91は、酸化マグネシウムMgO、酸化カルシウムCaO、酸化ストロンチウムSrO、及び酸化バリウムBaOから選ばれる少なくとも2つ以上の酸化物からなる金属酸化物により形成されている。次に、このようなPDP1の製造方法について説明する。まず、前面ガラス基板3上に、走査電極4及び維持電極5と遮光層7とを形成する。走査電極4と維持電極5とを構成する透明電極4a、5aと金属バス電極4b、5bは、フォトリソグラフィ法などを用いてパターニングして形成される。透明電極4a、5aは薄膜プロセスなどを用いて形成され、金属バス電極4b、5bは銀Ag材料を含むペーストを所定の温度で焼成して固化している。また、遮光層7も同様に、黒色顔料を含むペーストをスクリーン印刷する方法や黒色顔料をガラス基板の全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングし、焼成することにより形成される。次に、走査電極4、維持電極5及び遮光層7を覆うように前面ガラス基板3上に誘電体ペーストをダイコート法などにより塗布して誘電体ペースト誘電体材料層を形成する。誘電体ペーストを塗布した後、所定の時間放置することによって塗布された誘電体ペースト表面がレベリングされて平坦な表面になる。その後、誘電体ペースト層を焼成固化することにより、走査電極4、維持電極5及び遮光層7を覆う誘電体層8が形成される。なお、誘電体ペーストはガラス粉末などの誘電体材料、バインダ及び溶剤を含む塗料である。次に、誘電体層8上に下地膜91を形成する。本発明の実施の形態においては、下地膜91を、酸化マグネシウムMgO、酸化カルシウムCaO、酸化ストロンチウムSrO、及び酸化バリウムBaOから選ばれる少なくとも2つ以上の酸化物からなる金属酸化物により形成している。下地膜91は、酸化マグネシウムMgO、酸化カルシウムCaO、酸化ストロンチウムSrO、及び酸化バリウムBaOの単独材料のペレットや、それらの材料を混合したペレットを用いて薄膜成膜方法によって形成される。薄膜成膜方法としては、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの公知の方法を適用できる。一例として、スパッタリング法では1Pa、蒸着法の一例である電子ビーム蒸着法では0.1Paが実際上取り得る圧力の上限と考えられる。また、下地膜91の成膜時の雰囲気としては、水分付着や不純物の吸着を防止するために外部と遮断された密閉状態で、成膜時の雰囲気を調整することにより、所定の電子放出特性を有する金属酸化物よりなる下地膜91を形成することができる。次に、下地膜91上に付着形成する酸化マグネシウムMgOの結晶粒子92a、92bの凝集粒子92及び酸化マグネシウムMgOの立方体形状の結晶粒子93について述べる。MgOの多面体形状の結晶粒子92a、92bは液相法により作製し、MgOの立方体形状の結晶粒子93は気相法により作製している。MgOの結晶粒子92aと結晶粒子92bが数個凝集した凝集粒子92において、結晶粒子92aは平均粒径が0.9μm~2μmの範囲の粒子であり、結晶粒子92aより平均粒径が小さいMgOの結晶粒子92bは平均粒径が0.3μm~0.9μmの範囲の粒子である。ここで、凝集粒子92とは、図3に示すように、所定の一次粒径の結晶粒子92a、92bが凝集またはネッキングした状態のもので、固体として大きな結合力を持って結合しているのではなく、静電気やファンデルワールス力などによって複数の一次粒子が集合体の体をなしているもので、超音波などの外的刺激により、その一部または全部が一次粒子の状態になる程度で結合しているものである。凝集粒子92の粒径としては、約1μm程度のもので、結晶粒子92a、92bとしては、14面体や12面体などの7面以上の面を持つ多面体形状を有する。また、このMgOの結晶粒子92a、92bは、炭酸マグネシウムや水酸化マグネシウムなどのMgO前駆体の溶液を作製し、その溶液を焼成することにより生成する液相法により作製したもので、MgOの多面体形状の結晶粒子を得ることができる。この液相法による焼成温度や焼成雰囲気を制御することで、粒径を制御できる。一般的に、焼成温度は700度程度から1500度程度の範囲で選択できるが、焼成温度が比較的高い1000度以上にすることで、一次粒径を0.3~2μm程度に制御可能である。さらに、結晶粒子92a、92bは液相法により得られるもので、MgO前駆体を加熱することで得ることにより、生成過程において、複数個の一次粒子同士が凝集またはネッキングと呼ばれる現象により結合した凝集粒子92を得ることができる。MgOの立方体形状の結晶粒子93には、粒径サイズが100nmより大きい粒子と、粒径が100nm以下のナノ粒子サイズの粒子とが存在する。MgOの立方体形状の結晶粒子93は、マグネシウムを沸点以上に加熱してマグネシウム蒸気を発生させ、気相酸化する気相法により得られるもので、粒径が2000オングストローム以上BET法による測定結果の立方体形状の単結晶構造を有する結晶粒子や、結晶体が互いに嵌り込んだ多重結晶構造のものが得られる。例えば、この気相法によるマグネシウム粉末の合成方法については、学会誌材料の第36巻第410号の気相法によるマグネシア粉末の合成とその性質などで知られている。なお、平均粒径が2000オングストローム以上の大きな粒径の立方体形状の単結晶構造の結晶粒子を形成する場合には、マグネシウム蒸気を発生させる際の加熱温度を高くし、マグネシウムと酸素が反応する火炎の長さを長くすることにより、この火炎と周囲との温度差が大きくなることによって、粒径の大きい気相法によるMgOの結晶粒子が得られる。上記の方法で得られた酸化マグネシウムMgOの結晶粒子92aを、溶媒に分散させ、その分散液をスプレー法やスクリーン印刷法、静電塗布法などによって下地膜91の表面に分散散布させる。その後、乾燥焼成工程を経て溶媒除去を図り、酸化マグネシウムMgOの結晶粒子92aを下地膜91の表面に定着させることができる。このような一連の工程により前面ガラス基板3上に所定の構成物走査電極4、維持電極5、遮光層7、誘電体層8、保護層9が形成されて前面板2が完成する。一方、背面板10は次のようにして形成される。まず、背面ガラス基板11上に、銀Ag材料を含むペーストをスクリーン印刷する方法や、金属膜を全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングする方法などによりアドレス電極12用の構成物となる材料層を形成する。その後、所定の温度で焼成することによりアドレス電極12を形成する。次に、アドレス電極12が形成された背面ガラス基板11上にダイコート法などにより、アドレス電極12を覆うように誘電体ペーストを塗布して誘電体ペースト層を形成する。その後、誘電体ペースト層を焼成することにより下地誘電体層13を形成する。なお、誘電体ペーストはガラス粉末などの誘電体材料とバインダ及び溶剤を含んだ塗料である。次に、下地誘電体層13上に隔壁材料を含む隔壁形成用ペーストを塗布し、所定の形状にパターニングすることにより隔壁材料層を形成する。その後、所定の温度で焼成することにより隔壁14を形成する。ここで、下地誘電体層13上に塗布した隔壁用ペーストをパターニングする方法としては、フォトリソグラフィ法やサンドブラスト法を用いることができる。そして、隣接する隔壁14間の下地誘電体層13上及び隔壁14の側面に蛍光体材料を含む蛍光体ペーストを塗布し、焼成することにより蛍光体層15が形成される。以上の工程により、背面ガラス基板11上に所定の構成部材を有する背面板10が完成する。所定の構成部材を備えた前面板2と背面板10とを走査電極4とアドレス電極12とが直交するように対向配置し、その周囲をガラスフリットで封着して放電空間16にキセノンXeとネオンNeなどを含む放電ガスを封入してPDP1が完成する。次に本発明の実施の形態における保護層9の詳細について説明する。本発明の実施の形態におけるPDPでは、図2に示すように、保護層9は、誘電体層8に形成した下地膜91と、下地膜91上に付着させた金属酸化物であるMgOの結晶粒子92aに、この結晶粒子92aより粒径の小さい結晶粒子92bが数個凝集した凝集粒子92、及び金属酸化物であるMgOの立方体形状の結晶粒子93により構成されている。また、下地膜91を、酸化マグネシウムMgO、酸化カルシウムCaO、酸化ストロンチウムSrO、及び酸化バリウムBaOから選ばれる少なくとも2つ以上の酸化物からなる金属酸化物により形成し、金属酸化物は下地膜91面のX線回折分析において、特定方位面の金属酸化物を構成する酸化物の単体より発生する最小回折角と最大回折角との間にピークが存在するようにしている。図4は、本発明の実施の形態におけるPDP1の保護層9を構成する下地膜91面におけるX線回折結果を示す図である。また、図4中には、酸化マグネシウムMgO単体、酸化カルシウムCaO単体、酸化ストロンチウムSrO単体、及び酸化バリウムBaO単体のX線回折分析の結果も示す。図4において、横軸はブラッグの回折角2θであり、縦軸はX線回折光の強度である。回折角の単位は1周を360度とする度で示し、強度は任意単位arbitraryunitで示している。図4中には特定方位面である結晶方位面を括弧付けで示している。図4に示すように、結晶方位面の111では、酸化カルシウムCaO単体では回折角32.2度、酸化マグネシウムMgO単体では回折角36.9度、酸化ストロンチウム単体では回折角30.0度、酸化バリウム単体では回折角27.9度にピークを有していることがわかる。本発明の実施の形態におけるPDP1では、保護層9の下地膜91として、酸化マグネシウムMgO、酸化カルシウムCaO、酸化ストロンチウムSrO、及び酸化バリウムBaOから選ばれる少なくとも2つ以上の酸化物からなる金属酸化物により形成している。図4には、下地膜91を構成する単体成分が2成分の場合についてのX線回折結果を示している。すなわち、酸化マグネシウムMgOと酸化カルシウムCaOの単体を用いて形成した下地膜91のX線回折結果をA点、酸化マグネシウムMgOと酸化ストロンチウムSrOの単体を用いて形成した下地膜91のX線回折結果をB点、さらに、酸化マグネシウムMgOと酸化バリウムBaOの単体を用いて形成した下地膜91のX線回折結果をC点で示している。すなわち、A点は特定方位面としての結晶方位面の111において、単体の酸化物の最大回折角となる酸化マグネシウムMgO単体の回折角36.9度と、最小回折角となる酸化カルシウムCaO単体の回折角32.2度との間である回折角36.1度にピークが存在している。同様に、B点、C点もそれぞれ最大回折角と最小回折角との間の35.7度、35.4度にピークが存在している。また、図5には、図4と同様に、下地膜91を構成する単体成分が3成分以上の場合のX線回折結果を示している。すなわち、図5には、単体成分として酸化マグネシウムMgO、酸化カルシウムCaO及び酸化ストロンチウムSrOを用いた場合の結果をD点、酸化マグネシウムMgO、酸化カルシウムCaO及び酸化バリウムBaOを用いた場合の結果をE点、酸化カルシウムCaO、酸化ストロンチウムSrO及び酸化バリウムBaOを用いた場合の結果をF点で示している。すなわち、D点は特定方位面としての結晶方位面の111において、単体の酸化物の最大回折角となる酸化マグネシウムMgO単体の回折角36.9度と、最小回折角となる酸化ストロンチウムSrO単体の回折角30.0度との間である回折角33.4度にピークが存在している。同様に、E点、F点もそれぞれ最大回折角と最小回折角との間の32.8度、30.2度にピークが存在している。したがって、本発明の実施の形態におけるPDP1の下地膜91は、単体成分として2成分であれ、3成分であれ、下地膜91を構成する金属酸化物の下地膜91面のX線回折分析において、特定方位面の金属酸化物を構成する酸化物の単体より発生するピークの最小回折角と最大回折角との間にピークが存在するようにしている。なお、上記の説明では特定方位面としての結晶方位面として111を対象として説明したが、他の結晶方位面を対象とした場合も金属酸化物のピークの位置が上記と同様である。酸化カルシウムCaO、酸化ストロンチウムSrO、及び酸化バリウムBaOでは、酸化マグネシウムMgOと比較して、真空準位からの深さが浅い領域に電子が存在する。そのため、PDP1を駆動する場合において、酸化カルシウムCaO、酸化ストロンチウムSrO、酸化バリウムBaOのエネルギー準位に存在する電子がキセノンXeイオンの基底状態に遷移する際に、オージェ効果により放出される電子数が、酸化マグネシウムMgOのエネルギー準位から遷移する場合と比較して多くなると考えられる。また、上述のように、本発明の実施の形態における下地膜91は、金属酸化物を構成する酸化物の単体より発生するピークの最小回折角と最大回折角との間にピークが存在するようにしている。X線回折分析の結果が、図4及び図5に示す特徴を有する金属酸化物はそのエネルギー準位もそれらを構成する単体の酸化物の間に存在する。したがって、下地膜91のエネルギー準位も単体の酸化物の間に存在し、オージェ効果により放出される電子数が酸化マグネシウムMgOのエネルギー準位から遷移する場合と比較して多くなると考えられる。その結果、下地膜91では、酸化マグネシウムMgO単体と比較して、良好な二次電子放出特性を発揮することができ、結果として、放電維持電圧を低減することができる。そのため、特に輝度を高めるために放電ガスとしてのキセノンXe分圧を高めた場合に、放電電圧を低減し、低電圧でなおかつ高輝度のPDPを実現することが可能となる。ここで、本発明の実施の形態における下地膜91上に設けた、酸化マグネシウムMgOの結晶粒子、すなわち、92a、92bが数個凝集した凝集粒子92と、MgOの立方体形状の結晶粒子93について詳細に説明する。酸化マグネシウムMgOの凝集粒子92は、本願発明者の実験により、主として書き込み放電における放電遅れを抑制する効果と、放電遅れの温度依存性を改善する効果が確認されている。そこで本発明の実施の形態では、凝集粒子92が下地膜91に比べて高度な初期電子放出特性に優れる性質を利用して、放電パルス立ち上がり時に必要な初期電子供給部として配設している。放電遅れは、放電開始時において、トリガーとなる初期電子が下地膜91表面から放電空間16中に放出される量が不足することが主原因と考えられる。そこで、放電空間16に対する初期電子の安定供給に寄与するため、酸化マグネシウムMgOの凝集粒子92を下地膜91の表面に分散配置する。これによって、放電パルスの立ち上がり時に放電空間16中に電子が豊富に存在し、放電遅れの解消が図られる。したがって、このような初期電子放出特性により、PDP1が高精細の場合などにおいても放電応答性の良い高速駆動ができるようになっている。なお下地膜91の表面に金属酸化物の凝集粒子92とMgOの立方体形状の結晶粒子93を配設する構成では、主として書き込み放電における放電遅れを抑制する効果に加え、放電遅れの温度依存性を改善する効果も得られる。次に、下地膜91上に設置したMgOの結晶粒子の特徴について述べる。MgOの多面体形状の結晶粒子92a、92bが数個凝集した凝集粒子92と、MgOの立方体形状の結晶粒子93について、電子線の照射によって励起されてカソードルミネッセンスCL発光を行うCL発光特性を測定したところ、図6に示すような特性を有していた。図6において、細い実線で示す特性のものがMgOの多面体形状の結晶粒子92a、92bのCL発光の特性、すなわち凝集粒子92のCL発光の特性であり、太い実線で示す特性のものがMgOの立方体形状の結晶粒子93のCL発光の特性である。図6に示すように、MgOの多面体形状の結晶粒子92a、92bが数個凝集した凝集粒子92は、電子線の照射によって励起されて波長200nm以上300nm以下、特に波長230nm以上250nm以下の波長領域にピークを有するCL発光を行う特性であり、MgOの立方体形状の結晶粒子93は、CL発光の特性が波長200nm以上300nm以下の波長領域に発光のピークを有さない特性で、電子線の照射によって励起されて波長400nm以上450nm以下の波長領域にピークを有するCL発光を行う特性である。すなわち、MgOからなる下地膜91上に付着させた、MgOの多面体形状の結晶粒子92a、92bが数個凝集した凝集粒子92と、MgOの立方体形状の結晶粒子93とは、上述したCL発光のピーク波長に対応したエネルギー準位を有するものとなる。なお、実際に作製したパネルを観察すると、MgOの立方体形状の結晶粒子93どうしが凝集しているもの、MgOの多面体形状の結晶粒子92aまたは多面体形状の結晶粒子92b、あるいは多面体形状の結晶粒子92a、92bの凝集粒子92に、MgOの立方体形状の結晶粒子93が付着しているものが存在していた。次に、本発明による保護膜を有するPDPの効果を確認するために行った実験結果について述べる。表1には、本発明の実施の形態におけるPDPにおいて、所定の圧力のキセノンXe及びネオンNeの混合ガスXe、15を封入した場合の放電維持電圧の結果で、下地膜91の構成を変えた場合の、PDPの結果を示す。なお、表1の放電維持電圧は比較例を100とした場合の相対値で表している。サンプルAの下地膜91は、酸化マグネシウムMgOと酸化カルシウムCaOによる金属酸化物、サンプルBの下地膜91は酸化マグネシウムMgOと酸化ストロンチウムSrOによる金属酸化物、サンプルCの下地膜91は酸化マグネシウムMgOと酸化バリウムBaOによる金属酸化物、サンプルDの下地膜91は、酸化マグネシウムMgO、酸化カルシウムCaO及び酸化ストロンチウムSrOによる金属酸化物、サンプルEの下地膜91は酸化マグネシウムMgO、酸化カルシウムCaO及び酸化バリウムBaOによる金属酸化物によって構成されている。また、比較例は、下地膜91が酸化マグネシウムMgO単体である場合について示している。放電ガスのキセノンXeの分圧を10から15に高めた場合には輝度が約30上昇するが、下地膜91が酸化マグネシウムMgO単体の場合の比較例では、放電維持電圧が約10上昇する。一方、本発明の実施の形態におけるPDPでは、サンプルA、サンプルB、サンプルC、サンプルD、サンプルEいずれも、放電維持電圧を比較例に比較して約10~20低減することができる。そのため、通常動作範囲内の放電開始電圧とすることができ、高輝度で低電圧駆動のPDPを実現することができる。なお、酸化カルシウムCaO、酸化ストロンチウムSrO、酸化バリウムBaOは、単体では反応性が高いため不純物と反応しやすく、そのために電子放出性能が低下してしまうという課題を有していた。しかしながら、本発明の実施の形態においては、それらの金属酸化物の構成とすることにより、反応性を低減し、不純物の混入や酸素欠損の少ない結晶構造で形成されている。そのため、PDPの駆動時に電子が過剰放出されるのが抑制され、低電圧駆動と二次電子放出性能の両立効果に加えて、適度な電子保持特性の効果も発揮される。この電荷保持特性は、特に初期化期間に貯めた壁電荷を保持しておき、書き込み期間において書き込み不良を防止して確実な書き込み放電を行う上で有効である。次に、下地膜91上に設置したMgOの結晶粒子の効果を確認するために行った実験結果について説明する。図7は、本発明の実施の形態におけるPDP1のうち、酸化マグネシウムMgOと酸化カルシウムCaOとの金属酸化物で構成した下地膜91を用いた場合の放電遅れと保護層9中のカルシウムCa濃度との関係を示す図である。下地膜91として酸化マグネシウムMgOと酸化カルシウムCaOとからなる金属酸化物で構成し、金属酸化物は、下地膜91面におけるX線回折分析において、酸化マグネシウムMgOのピークが発生する回折角と酸化カルシウムCaOのピークが発生する回折角との間にピークが存在するようにしている。なお、図7には、保護層9として下地膜91のみの場合、下地膜91上に凝集粒子92のみを配置した場合、及び下地膜91上に凝集粒子92と立方体形状の結晶粒子93を設置した場合とについて示し、放電遅れは、下地膜91中にカルシウムCaが含有されていない場合を基準として示している。また、保護層9として下地膜91のみの場合、下地膜91上に凝集粒子92のみを配置した場合、及び下地膜91上に凝集粒子92と立方体形状の結晶粒子93を設置した場合の放電遅れをそれぞれ、●、○及び△で示している。図7より明らかなように、下地膜91のみの場合はカルシウムCa濃度の増加とともに放電遅れが大きくなるのに対し、下地膜91上に凝集粒子92、あるいは凝集粒子92と立方体形状の結晶粒子93を配置することによって放電遅れを大幅に小さくすることができ、カルシウムCa濃度が増加しても放電遅れはほとんど増大しないことがわかる。次に、本発明の実施の形態における凝集粒子92及び立方体形状の結晶粒子93を有する保護層9の効果を確認するために行った実験結果について説明する。まず、構成の異なる下地膜91と下地膜91上に設けた凝集粒子92を有するPDPを試作した。試作品1は酸化マグネシウムMgOの下地膜91のみの保護層9を形成したPDP、試作品2は酸化マグネシウムMgOにAl、Siなどの不純物をドープした下地膜91のみの保護層9を形成したPDP、試作品3は酸化マグネシウムMgOによる下地膜91上に酸化マグネシウムMgOの結晶粒子92aの一次粒子のみを散布し付着させた保護層9を形成したPDPである。一方、試作品4及び5は、保護層9として、前述のサンプルAを用いている。すなわち、保護層9は、酸化マグネシウムMgOと酸化カルシウムCaOとの金属酸化物で構成した下地膜91である。試作品4では、下地膜91上に結晶粒子92aを凝集させた凝集粒子92を全面に亘ってほぼ均一に分布するように付着させており、試作品5では、下地膜91上に結晶粒子92aを凝集させた凝集粒子92及び立方体形状の結晶粒子93を全面に亘ってほぼ均一に分布するように付着させている。なお、下地膜91は、下地膜91面のX線回折分析において、下地膜91を構成する酸化物の単体より発生するピークの最小回折角と最大回折角との間にピークが存在するようにしている。すなわち、この場合の最小回折角は酸化カルシウムCaOの32.2度、最大回折角は酸化マグネシウムMgOの36.9度であり、下地膜91の回折角のピークが36.1度に存在するようにしている。これらのPDPについて、その電子放出性能と電荷保持性能を調べ、その結果を図8に示す。なお、電子放出性能は、大きいほど電子放出量が多いことを示す数値で、表面状態及びガス種とその状態によって定まる初期電子放出量によって表現する。初期電子放出量については表面にイオン、あるいは電子ビームを照射して表面から放出される電子電流量を測定する方法で測定できるが、PDP1の前面板2表面の評価を非破壊で実施することは困難を伴う。そこで、特開2007-48733号公報に記載されている方法を用いた。すなわち、放電時の遅れ時間のうち、統計遅れ時間と呼ばれる放電の発生しやすさの目安となる数値を測定し、その逆数を積分すると初期電子の放出量と線形に対応する数値になる。そこで、この数値を用いて評価している。放電時の遅れ時間とは、パルスの立ち上がりから放電が遅れて行われる放電遅れの時間を意味し、放電遅れは、放電が開始される際にトリガーとなる初期電子が保護層9表面から放電空間中に放出されにくいことが主要な要因として考えられている。電荷保持性能は、その指標として、PDPとして作製した場合に電荷放出現象を抑えるために必要とする走査電極に印加する電圧以下、Vscn点灯電圧と呼称するの電圧値を用いた。すなわち、Vscn点灯電圧の低い方が電荷保持能力の高いことを示す。このことは、PDPを設計する上で、電源や各電気部品として、耐圧及び容量の小さい部品を使用することが可能となる。現状の製品において、走査電圧を順次パネルに印加するためのMOSFETなどの半導体スイッチング素子には、耐圧150V程度の素子が使用されており、Vscn点灯電圧としては、温度による変動を考慮して120V以下に抑えるのが望ましい。図8から明らかなように、本発明の実施の形態における下地膜91に酸化マグネシウムMgOの結晶粒子92aを凝集させた凝集粒子92を散布して全面に亘って均一に分布させた試作品4及び下地膜91上に酸化マグネシウムMgOの結晶粒子92aを凝集させた凝集粒子92及び立方体形状の結晶粒子93を全面に亘ってほぼ均一に分布するように付着させた試作品5では、電荷保持性能の評価において、Vscn点灯電圧を120V以下にすることができ、なおかつ電子放出性能が酸化マグネシウムMgOのみの保護層の場合の試作品1に比べて格段に良好な特性を得ることができる。一般的にはPDPの保護層の電子放出能力と電荷保持能力は相反する。例えば、保護層の製膜条件を変更することや、保護層中にAlやSi、Baなどの不純物をドーピングして製膜することにより電子放出性能を向上することは可能であるが、副作用としてVscn点灯電圧も上昇してしまう。下地膜91上に凝集粒子92、あるいは凝集粒子92と立方体形状の結晶粒子93を配置した保護層9を形成した試作品4及び5のPDP1においては、電子放出能力としては、酸化マグネシウムMgOのみの保護層9を用いた試作品1の場合に比べて8倍以上の特性を有し、電荷保持能力としてはVscn点灯電圧が120V以下のものを得ることができる。したがって、高精細化により走査線数が増加し、かつセルサイズが小さいPDPに対しては有用で、電子放出能力と電荷保持能力の両方を満足させて、放電遅れを低減して良好な画像表示を実現することができる。ここで、保護層の電子放出性能の経時変化について検討した結果について述べる。PDPの長寿命化のためには、保護層の電子放出性能が経時的に劣化しないことが要求される。図8において良好な特性を得た試作品4、5の電子放出性能の経時劣化を調べた結果として、PDPの点灯時間に対する電子放出性能の推移を図9に示している。この図9から明らかなように、下地膜91上に、平均粒径が0.9μm~2μmの範囲にあるMgOの結晶粒子92aの周囲に、前記結晶粒子92aよりも小さい粒径を有するMgOの結晶粒子92bが凝集した多面体形状の凝集粒子92と、立方体形状のMgOの結晶粒子93とを全面に亘ってほぼ均一に分布するように付着させた本発明品である試作品5は、試作品4よりも、電子放出性能の経時劣化が少ないことがわかる。この理由としては、試作品4では、PDPセル内での放電で発生するイオンが保護層に衝撃を与えることで、凝集粒子が剥離したためと考える。一方、本発明品の試作品5では、平均粒径が0.9μm~2μmの範囲にある結晶粒子の周囲に、前記粒子よりも小さい結晶粒径を有する粒子が凝集することで、小さい粒径を有する結晶粒子は表面積が大きいため、下地膜との接着性を高めており、イオン衝撃により凝集粒子が剥離することが少ないためと考える。本発明による保護層を形成したPDPにおいては、電子放出能力としては、8以上の特性で、電荷保持能力としてはVscn点灯電圧が120V以下のものを得ることができ、高精細化により走査線数が増加し、かつセルサイズが小さくなる傾向にある、PDPの保護層として、電子放出能力と電荷保持能力の両方を満足させることができる上、さらに電子放出性能の経時劣化が小さいため、長期にわたって安定した画質を得ることができる。ここで、本発明によるPDPにおいては、凝集粒子92と結晶粒子93は、下地膜91上に付着させる場合、10以上20以下の範囲の被覆率でかつ全面に亘って分布するように付着させている。本発明における被覆率とは、1個の放電セルの領域において、凝集粒子92と結晶粒子93が付着している面積aを1個の放電セルの面積bの比率で表したもので、被覆率=a/b×100の式により求めたものである。実際に測定する場合の方法としては、例えば図10に示すように、隔壁14により区切られた1個の放電セルに相当する領域をカメラにより画像を撮影し、x×yの1セルの大きさにトリミングした後、トリミング後の撮影画像を白黒データに2値化し、その後その2値化したデータに基づきMgOの凝集粒子92による黒エリアの面積aを求め、上述したように、a/b×100の式により演算することにより求めたものである。最後に、本発明によるPDPの保護層に用いた結晶粒子の粒径について説明する。なお、以下の説明において、粒径とは平均粒径を意味し、平均粒径とは、体積累積平均径D50のことを意味している。図11は、本発明による保護層において、MgOの結晶粒子の粒径を変化させて電子放出性能を調べた実験結果を示すものである。なお、図11において、MgOの結晶粒子の粒径は、結晶粒子をSEM観察することで測長した。この図11に示すように、粒径が0.3μm程度に小さくなると、電子放出性能が低くなり、ほぼ0.9μm以上であれば、高い電子放出性能が得られることがわかる。ところで、放電セル内での電子放出数を増加させるためには、保護層上の単位面積当たりの結晶粒子数は多い方が望ましいが、本発明者らの実験によれば、前面板の保護層と密接に接触する背面板の隔壁の頂部に相当する部分に結晶粒子が存在することで、隔壁の頂部を破損させ、その材料が蛍光体の上に乗るなどによって、該当するセルが正常に点灯消灯しなくなる現象が発生することがわかった。この隔壁破損の現象は、結晶粒子が隔壁頂部に対応する部分に存在しなければ発生しにくいことから、付着させる結晶粒子数が多くなれば、隔壁の破損発生確率が高くなる。図12は、本発明のPDPにおいて、単位面積当たりに粒径の異なる同じ数の結晶粒子を散布し、隔壁破損の関係を実験した結果を示す図である。この図12から明らかなように、結晶粒子径が2.5μm程度に大きくなると、隔壁破損の確率が急激に高くなるが、2.5μmより小さい結晶粒子径であれば、隔壁破損の確率は比較的小さく抑えることができることがわかる。以上の結果に基づくと、本発明のPDPにおける保護層においては、凝集粒子として、粒径が0.9μm以上2.5μm以下のものが望ましいと考えられるが、PDPとして実際に量産する場合には、結晶粒子の製造上でのばらつきや保護層を形成する場合の製造上でのばらつきを考慮する必要がある。このような製造上でのばらつきなどの要因を考慮するために、粒径分布の異なる結晶粒子を用いて実験を行った結果、平均粒径が0.9μm~2μmの範囲にある凝集粒子を使用すれば、上述した本発明の効果を安定的に得られることがわかった。なお、本発明の実施の形態では、結晶粒子として酸化マグネシウムMgO粒子を用いて説明したが、この他の単結晶粒子でも、酸化マグネシウムMgO同様に高い電子放出性能を持つSr、Ca、Ba、Alなどの金属酸化物による結晶粒子を用いても同様の効果を得ることができるため、粒子種としては酸化マグネシウムMgOに限定されるものではない。