"マトリックス状に配置されたTFT素子が第一の保護層で被覆されているアレイ基板上に、少なくとも遮光層と着色層とからなるカラーフィルタ層を積層した前記アレイ基板から、カラーフィルタ層から上の層だけを選択的に除去する方法であって、先ずカラーフィルタ層を炭化する炭化処理を実施し、次いで前記炭化層をレーザ照射により除去することを特徴とするカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法。前記カラーフィルタ層は、その上部に第二の保護層を備えることを特徴とする請求項1に記載のカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法。前記カラーフィルタ層は、透明着色層および遮光層からなることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法。前記炭化処理は、赤外線照射によりなされることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法。前記第一と第二の保護層がSiN窒化珪素膜であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法。前記レーザ照射は、YAGレーザによりなされることを特徴とする請求項1に記載のカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法。請求項1に記載の少なくとも遮光層と着色層とからなるカラーフィルタ層を積層した基板は、COAColorFilteronArray基板もしくはBOABlackMatrixonArray基板であることを特徴とするカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法。従来のCOA基板の再生は、薬液や、レーザ処理を使ってガラス基板上の全ての堆積物を、その性質上上層から順次に除去して素ガラス基板まで還元する方法であった。これは、それぞれが独立に製造されたアレイ基板2やカラーフィルタ基板1の再生方法を、COA基板に適用したもので自然と言えば自然、当然な手法である。また、レーザ処理によりCOA基板の上層のカラーフィルタ側を除去する方法もあるが、下地であるアレイTFT基板の第一の保護層窒化シリコン膜、以下、SiN膜と記す。と金属配線もレーザによりアブレーションされてしまうためTFT部分も含めて全体を除去せざるを得なかった。COA基板をアレイ基板としてそのまま使える状態で処理を中断するということは困難であった。また、不良品としてのCOA基板には、遮光層及びカラーフィルタ層が形成されたもの以外に、保護層としてSiN窒化珪素膜が成膜されたものもあるが、最表面がSiN膜などで被覆されていると、通常のカラーフィルタ用の薬液処理システムでは対応できず、SiN膜専用の薬液処理装置もしくはドライエッチング装置等特別な装置が必要であった。そこで、本発明は、遮光層、カラーフィルタ層、保護層等カラーフィルタ部分に不良が存在するとして排除されたCOA基板から、遮光層、カラーフィルタ層の有機物層とその保護膜である窒素酸化物層を選択的に剥離し、そのまま再使用できるアレイ基板を得る方法を提供することを目的とした。上記課題を達成するための請求項1に記載の発明は、マトリックス状に配置されたTFT素子が第一の保護層で被覆されているアレイ基板上に、少なくとも遮光層と着色層とからなるカラーフィルタ層を積層した前記アレイ基板から、カラーフィルタ層から上の層だけを選択的に除去する方法であって、先ずカラーフィルタ層を炭化する炭化処理を実施し、次いで前記炭化層をレーザ照射により除去することを特徴とするカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法としたものである。請求項2に記載の発明は、前記カラーフィルタ層は、その上部に第二の保護層を備えることを特徴とする請求項1に記載のカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法としたものである。請求項3に記載の発明は、前記カラーフィルタ層は、透明着色層および遮光層からなることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法としたものである。請求項4に記載の発明は、前記炭化処理は、赤外線照射によりなされることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法としたものである。請求項5に記載の発明は、前記第一と第二の保護層がSiN窒化珪素膜であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法としたものである。請求項6に記載の発明は、前記レーザ照射は、YAGレーザによりなされることを特徴とする請求項1に記載のカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法としたものである。請求項7に記載の発明は、請求項1に記載の少なくとも遮光層と着色層とからなるカラーフィルタ層を積層した基板は、COAColorFilteronArray基板もしくはBOABlackMatrixonArray基板であることを特徴とするカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法としたものである。本発明の第一の特長は、アレイ基板上のTFT素子とこれを保護していている第一の保護層にダメージを与えるようなエネルギーでレーザ照射を行わないということである。先ず、第一の保護層の上に形成された有機物であるカラーフィルタ部分だけが、第一の保護層に熱的な外傷ダメージを与えない程度の弱いレーザエネルギーの照射により選択的に炭化処理される。この過程ではカラーフィルタ層の上に第二の保護層があるかどうかに関わらずカラーフィルタ層は炭化される。炭化はされるがこのエネルギーではアブレーションされて基板から剥離されるまでは至らない。第二の特長は、アレイ基板と第二の保護膜との結節点をなす炭化したカラーフィルタ層に、第一の保護層と第二の保護層に影響を与えない範囲であるが炭化層をアブレーションするには十分なエネルギーを有するレーザ光を照射することにある。これにより脆くなった炭化層だけが選択的にアブレーションされ、土台が吹き飛ぶことで同時に第二の保護層もアブレーションされる。レーザとしては、Nd:YVO4レーザやYAGレーザ使用できるが後者がより好ましい。したがって、本発明によれば、第二の保護層としてSiN膜が存在する場合でも、専用薬液やドライエッチ工程を使用することなしに、レーザ照射だけで、再使用可能なアレイ基板を得ることができる。アレイ基板上のTFTを除去し、また再形成するという手間が省けるという効果を奏する。本発明は、アレイ基板を形成する工程、その上部にカラーフィルタ他を形成する工程及びカラーフィルタから上の層を除去する工程とからなるが、ものの製造としては図3下側に示す構造のCOA基板2’を製造する。図1は、それぞれの層内の構成を省略した工程図であり、この工程図を用いて本発明を説明する構造の詳細については図3を参照のこと。但し、欠陥のあったCOA基板2’をアレイ基板2として再生させるのが目的であるから、COA基板2’はカラーフィルタ部分以降の工程を最終工程まで進んだものだけでなく、例えば遮光膜形成後欠陥が検知されて工程外へ排除されたBOABlackMatrixonArrey基板や未完成のCOA基板も含まれる。先ず、無アルカリガラス基板11OA-10:日本電気硝子社製にスパッタリング法によりMo薄膜を形成した。次いで、ポジ型レジストNPR-9000ナガセケムテックス社製を塗布し乾燥してから、紫外線露光機にてフォトマスクを介して所定のパターンに露光した。次いで、2.4重量の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液にて現像を行った。ウェットエッチングによりMo薄膜をパターニングしてから、ポジ型レジストをアンラストTN-1三若純薬社製にて除去するフォトリソグラフィプロセスにより、ゲート線およびゲート電極31を形成した。前記基板上に、プラズマCVD法を用いて窒化珪素以下、SiNによるゲート絶縁膜32、半導体層34を形成した後、フォトリソグラフィプロセスを用いてTFT層12を形成した。同様の工程で、Ti/Al合金にてデータ線、ソース電極35およびドレイン電極36を形成した図1a。最後に前記パターンを覆うようにSiNからなる第一の保護層33を形成しアレイ基板2を得た図1b。アレイ基板2には金属材料と半導体材料と無機酸化物とが含まれ、有機材料は基本的に含まれていない。特に、上記第一の保護層33は、SiN窒化珪素などのナイトライドにより形成されており、共有結合による強固で安定した構造であり、高硬度、耐摩耗性に優れ、高温環境で機械的強度を失わず、高い耐熱性を持つ材料である。通常の液晶ディスプレイは、このアレイ基板2と別工程で製造されたカラーフィルタ基板を貼り合わせるが、本発明の対象となるのは、アレイ基板2の第一の保護膜33の上にさらにカラーフィルタを積層したCOAColorFilteronArray基板2’である。以下に、その工程を順に説明する。<樹脂溶液Aの合成>反応容器にシクロヘキサノン800部を入れ、容器に窒素ガスを注入しながら加熱して、下記モノマーおよび熱重合開始剤の混合物を滴下して重合反応を行った。スチレン60部メタクリル酸60部メチルメタクリレート65部ブチルメタクリレート65部熱重合開始剤10部連鎖移動剤3部<遮光性樹脂組成物>下記組成の混合物を均一に拡販混合した後、直径1mmのガラスビーズを用いて、サンドミルで5時間分散した後、5μmのフィルターで濾過して遮光剤の分散体を得た。赤色顔料:C.I.PigmentRed25414部チバスペシャルティケミカルズ社製イルガーフォーレッドBCF青色顔料:C.I.PigmentBlue1514部東洋インキ製造株製リオノールブルーES分散剤味の素ファインテクノ社製アジスパーPB8212部樹脂溶液A120部その後、下記組成の混合物を均一になるように攪拌混合した後、5μmのフィルターで濾過して遮光性樹脂組成物を得た。上記分散体150部樹脂溶液A100部カーボンブラック分散剤御国色素社製TPBK-234C37部多官能重合性モノマー東亜合成製アロニックスM40030部光開始剤チバガイギー社製イルガキュアー36914部増感剤保土ヶ谷化学工業株製EABF3部シクロヘキサノン100部プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200部このようにして黒色の樹脂組成物を得た。次に、アレイ基板2の第一の保護膜33上に遮光パターンを形成する。上記黒色樹脂組成物をスリットコートにて仕上り膜厚が3.0μmとなるように塗布を行った。ホットプレートにて90°C60秒間乾燥後、紫外線露光機にて所定のフォトマスクを介してパターン露光を行った。次いで、アルカリ現像液で未露光部分の除去した後、オーブンにて230°Cで40分熱硬化を行った。このパタニングにより、TFT層3とデータ配線37を覆うように遮光パターン28が形成された図1c。遮光パターンのOD値は4.5であった。遮光パターン28の検査により欠陥が検出された未完のCOA基板2’は、欠陥修復工程に回されるか、修復不可能であれば後述するアレイ基板再生剥離工程に回される。<赤色着色樹脂組成物>下記組成の混合物を均一に攪拌混合した後、直径1mmのガラスビースを用いて、サンドミルで5時間分散した後、5μmのフィルターで濾過して赤色顔料の分散体を作製した。赤色顔料:C.I.PigmentRed25418部チバスペシャルティケミカルズ社製イルガーフォーレッドBCF赤色顔料:C.I.PigmentRed1772部チバスペシャルティケミカルズ社製クロモフタールレッドA2B分散剤味の素ファインテクノ社製アジスパーPB8212部樹脂溶液A108部その後、下記組成の混合物を均一になるように攪拌混合した後、5μmのフィルターで濾過して赤色着色組成物を得た。次に、赤色の感光性樹脂組成物をスリットコートにて仕上り膜厚が3.0μmとなるように塗布を行った。ホットプレートにて90°C60秒間乾燥後、紫外線露光機にてフォトマスクを介してパターン露光を行い、アルカリ現像液で未露光部分の除去後、オーブンにて230°Cで20分熱硬化を行い、ゲート線とデータ配線とで囲まれる画素上にストライプ状の着色層である赤色画素23Rを、遮光パターン28の開口部に形成した。同時に電気接続用のコンタクトホール29となる25μm径のスルーホールをドレイン電極36上に形成した。尚、アルカリ現像液は以下の組成の水溶液を使用した。炭酸ナトリウム1.5重量炭酸水素ナトリウム0.5重量陰イオン系界面活性剤花王株製ペリレックスNBL8.0重量水90重量同様の手順で青23B,緑23Gの着色画素を形成し所望のカラーフィルタ5を得た図1d。次に、着色画素23上に液晶駆動用のITOからなる画素電極24を形成した。カラーフィルタ5上にスパッタリング法によりITOをターゲットとして50nmの膜厚でITO層を形成した。ITO上にポジ型レジストLC-100ロームアンドハース社製を塗布した。紫外線露光機にてフォトマスクを介して露光現像後、ITO-CF60三菱ガス化学社製を用いてデータ線およびゲート線上のITOのエッチングを行った。ポジ型レジストをアンラストTN-1にて除去後、オーブンにて230°Cで40分熱硬化を行うことによって着色画素上にコンタクトホール29を通じてドレイン電極36と接続する画素電極24を形成した。図1ではITOは省略してある。最後に、前記基板上にプラズマCVD法を用いてSiNからなる第二の保護膜27を形成した図1e。このCOA基板2’には、さらに配向膜やスペーサが形成される場合があるが、いずれも有機物である。上記の工程で得られたCOA基板2’は検査工程に付され修復不可能な欠陥を有するものは下記に記載の工程に回される。以下、COA基板2’からカラーフィルタ層以上の層を除去してアレイ基板2として再生する方法を実施例として説明する。COA基板2’上に形成された遮光パターン28と着色層23とからなるカラーフィルタ5に赤外光7を集光させ、カラーフィルタ5部分を炭化させた図1f。着色層および遮光層はアクリル樹脂を骨格とした材料系であるため、350~700°C付近の熱エネルギーをかけることで、炭化されて着色茶褐色~黒色した炭化層8に変質した。変色し始めると余計に赤外光の吸収率が上がり、黒色化が促進された。この過程では、下地にあたるアレイ基板2’側の第一の保護層33とカラーフィルタ28上の第二の保護層27は窒化珪素Si3N4などのナイトライドにより形成されており、共有結合による強固で安定した構造であり、高硬度、耐摩耗性に優れ、高温環境で機械的強度を失わず、高い耐熱性を持つため赤外光7によっては物理的熱的ダメージを受けない。Si3N4は、1400°Cまで安定しているが、約1400°C~1500°Cにおいてα型と呼ばれる低温安定相からβ型と呼ばれる高温安定相へと相転移が起こる。次に、炭化させた部分8にYAGレーザ9波長355nmを、エネルギー強度;60~70×10-2mJ/shot、繰り返し周波数20Hzで20shotの条件で照射してレーザアブレーションを行った。これにより炭化部分より上層部分が選択的にアブレーション除去された。これにより、TFT上にSiN保護層を有するアレイ基板2が、物理的熱的に何のダメージも受けずに残った図1g。所定の洗浄処理を行うことでアレイ基板を得ることが出来た。YAGレーザの波長としては、266nmの他、532nm等を用いても良い。炭化処理を施すことによりカラーフィルタのアブレーションに必要なレーザエネルギー強度が十分に低くなるため、アレイ基板側の保護層以下の層を損傷させずにカラーフィルタおよびその上の透明導電膜と保護層を選択的に除去することができた。また、Nd:YVO4レーザーでもアブレーション除去が可能である。"