共振体部材、それぞれの横方向容量性絶縁ギャップおよび縦方向容量性絶縁ギャップによって、それぞれが容量的に前記共振体部材に結合された、第1および第2の電極、を含む単一プルーフマス2軸ジャイロスコープ装置であって、前記第1の電極の前記横方向容量性絶縁ギャップおよび前記縦方向容量性絶縁ギャップの一方の幅が、前記第2の電極の同様の絶縁ギャップの幅よりも実質的に小さい、装置。共振体部材が中心構造に接続されている、請求項1に記載の装置。共振体部材が、該共振体部材を中心構造に接続する少なくとも1つの支持部材によって支持されている、請求項2に記載の装置。共振体部材が環形体である、請求項1に記載の装置。共振体部材が多角形体である、請求項1に記載の装置。第1の電極は、第1の縦方向容量性絶縁ギャップよりも実質的に小さい第1の横方向容量性絶縁ギャップによって、共振体部材に容量的に結合されており、第2の電極は、第2の横方向容量性絶縁ギャップよりも実質的に小さい第2の縦方向容量性絶縁ギャップによって、共振体部材に容量的に結合されている、請求項1に記載の装置。横方向容量性絶縁ギャップと縦方向容量性絶縁ギャップの少なくとも一方が、非導電材料で構成されている、請求項1に記載の装置。第1の電極が駆動電極であり、第2の電極が検出電極である、請求項1に記載の装置。面内駆動モード、該面内駆動モードと直交する第1の直交面外検出モード、ならびに前記第1の直交面外検出モードおよび前記面内駆動モードに直交する、第2の直交面外検出モードを使用するように構成された、請求項1に記載の装置。第2の電極が、面外モードのアンチノードの上に画定された4つの検出電極を含む、請求項6に記載の装置。面内駆動モードが、面外モードのアンチノードと位置合わせされたアンチノードを有する、請求項10に記載の装置。第1の面外モードのアンチノードが、第2の面外モードのノードと位置合わせされており、第2の面外モードのアンチノードが第1の面外モードのノードと位置合わせされている、請求項11に記載の装置。面内駆動モード、第1の直交面外検出モード、および第2の直交面外検出モードの周波数がモード整合されている、請求項12に記載の装置。共振体が、面内駆動モードおよび2つの面外検出モード用の共振周波数が特定の周波数に位置する、モード整合条件において動作する、請求項13に記載の装置。面内駆動モードおよび2つの面外検出モードに対する共振周波数が、特定の動作周波数内で、約3dBの帯域幅内に位置している、モード整合に近い条件において、共振体が動作される、請求項13に記載の装置。面内駆動モードのアンチノードに位置する、面内周波数同調電極をさらに含む、請求項9に記載の装置。約90°互いに隔てられた4つの面外周波数同調電極をさらに含む、請求項9に記載の装置。第1の横方向容量性絶縁ギャップが約200nmである、請求項6に記載の装置。第2の横方向容量性絶縁ギャップが約300nmである、請求項6に記載の装置。第1の縦方向容量性絶縁ギャップおよび第2の横方向容量性絶縁ギャップが、約5μmである、請求項6に記載の装置。直交相殺電極をさらに含む、請求項1に記載の装置。共振体部材が、異方性基板で構成されている、請求項1に記載の装置。第1の電極が、シリコン基板の<100>方向と<110>方向の少なくとも一方に位置する、請求項22に記載の装置。共振体部材が、等方性基板で構成されている、請求項1に記載の装置。共振体を起動するように構成された第1の電極が、100シリコン基板によって使用されるときに、シリコン基板の<100>方向と<110>方向の少なくとも一方に位置する、請求項6に記載の装置。共振体が、該共振体の共振モードを誘起し、検出するように構成された、少なくとも1つの圧電層を含む、請求項1に記載の装置。少なくとも1つの圧電層が、共振体と、該共振体を支持する支持構造の少なくとも一方の表面に取り付けられている、請求項26に記載の装置。少なくとも1つの周波数同調電極をさらに含み、該周波数同調電極は、共振体部材と実質的にモード整合するように構成されている、請求項1に記載の装置。周波数同調電極が、容量性絶縁ギャップによって、共振体部材の面内駆動モードのアンチノードから隔てられている、請求項28に記載の装置。周波数同調電極が、容量性絶縁ギャップによって、共振体の面外モードのアンチノードから隔てられている、請求項29に記載の装置。容量性絶縁ギャップが空気を含む、請求項1に記載の装置。共振体部材、および横方向容量性絶縁ギャップと縦方向容量性絶縁ギャップとによって、それぞれが共振体部材に容量的に結合されている、複数の電極を含む、単一プルーフマス2軸ジャイロスコープ装置であって、第1の電極を前記共振体部材に容量的に結合する少なくとも1つの絶縁ギャップの幅が、第2の電極を前記共振体部材に容量的に結合する少なくとも1つの絶縁ギャップの幅よりも実質的に小さい、前記装置。第1の電極の横方向容量性絶縁ギャップの幅が、第2の電極のそれよりも実質的に小さい、請求項32に記載の装置。第1の電極の縦方向容量性絶縁ギャップの幅が、第2の電極のそれよりも実質的に小さい、請求項32に記載の装置。第1の電極の縦方向容量性絶縁ギャップが、横方向容量性絶縁ギャップの幅と実質的に異なる幅を有する、請求項32に記載の装置。A頂面および側面を有する共振体部材を形成すること、B前記側方電極を前記共振体部材の前記頂面から隔てている第1の縦方向容量性絶縁ギャップよりも実質的に小さい、第1の横方向容量性絶縁ギャップによって、前記共振体部材の前記側面から隔てられている、側方電極を形成すること、およびC前記頂部電極を前記共振体部材の前記側面から隔てている第2の横方向容量性絶縁ギャップよりも実質的に小さい、第2の縦方向容量性絶縁ギャップによって、前記共振体部材の前記頂面から隔てられている、頂部電極を形成することを含む、単一プルーフマス2軸ジャイロスコープ装置の製作方法。