"回転体に装着して使用される研磨パッドであって、回転中心と環状研磨面を有し、該環状研磨面の幅は研磨する板状物の直径より大きく、且つ該環状研磨面が該回転中心から外側に向かって研磨する板状物から離反する方向に傾斜していることを特徴とする研磨パッド。回転体に装着して使用される研磨パッドであって、回転中心と円形研磨面を有し、該円形研磨面の半径は研磨する板状物の直径より大きく、且つ該円形研磨面が該回転中心から外側に向かって研磨する板状物から離反する方向に傾斜していることを特徴とする研磨パッド。請求項1又は2記載の研磨パッドを使用した板状物の研磨方法であって、保持面を有するチャックテーブルで板状物の表面側を保持する保持ステップと、該チャックテーブルで保持された板状物の裏面全面を該研磨パッドの研磨面で覆った状態で、該研磨パッドを回転中心周りに回転させて板状物を研磨する研磨ステップと、を具備したことを特徴とする板状物の研磨方法。ところが、従来の研磨パッドはその半径がウエーハ等の板状物の直径より小さいタイプが主流であり、研磨パッドの研磨面が板状物を部分的に覆う形で研磨が遂行される。その結果、研磨パッドのエッジが板状物の外周を通過するのに伴って、板状物の外周に欠けが生じることがある。また、研磨パッドの回転中心側と外周側とでは、周速の違いによって研磨レートが異なるため、板状物の被研削面において研磨パッドの回転中心側と外周側とに当接した部分では、研磨後の厚みが均一にならず、厚み精度平坦度が悪化するという問題がある。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、板状物の外周に欠けを生じさせることなく、被研削面の平坦度を悪化させることのない研磨パッド及び研磨方法を提供することである。請求項1記載の発明によると、回転体に装着して使用される研磨パッドであって、回転中心と環状研磨面を有し、該環状研磨面の幅は研磨する板状物の直径より大きく、且つ該環状研磨面が該回転中心から外側に向かって研磨する板状物から離反する方向に傾斜していることを特徴とする研磨パッドが提供される。請求項2記載の発明によると、回転体に装着して使用される研磨パッドであって、回転中心と円形研磨面を有し、該円形研磨面の半径は研磨する板状物の直径より大きく、且つ該円形研磨面が該回転中心から外側に向かって研磨する板状物から離反する方向に傾斜していることを特徴とする研磨パッドが提供される。請求項3記載の発明によると、請求項1又は2記載の研磨パッドを使用した板状物の研磨方法であって、保持面を有するチャックテーブルで板状物の表面側を保持する保持ステップと、該チャックテーブルで保持された板状物の裏面全面を該研磨パッドの研磨面で覆った状態で、該研磨パッドを回転中心周りに回転させて板状物を研磨する研磨ステップと、を具備したことを特徴とする板状物の研磨方法が提供される。本発明の研磨パッドを使用した研磨方法では、板状物の被研削面全面が研磨パッドで覆われた状態で研磨が遂行されるため、研磨パッドのエッジが板状物の外周を通過することに起因する板状物の外周欠けの発生が防止される。また、研磨パッドの研磨面が研磨パッドの回転中心から外側に向かって研磨圧を逃がす方向に傾斜しているため、研磨パッドの回転中心側と外周側とで研磨レートを同等にすることができ、研磨後の板状物の厚みを均一にでき、厚み精度平坦度が悪化することがない。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明の研磨パッドを具備した研磨装置2の外観斜視図が示されている。4は研磨装置2のベースであり、ベース4の後方にはコラム6が立設されている。コラム6には、上下方向に伸びる一対のガイドレール8が固定されている。この一対のガイドレール8に沿って研磨ユニット研磨手段10が上下方向に移動可能に装着されている。研磨ユニット10は、スピンドルハウジング12と、スピンドルハウジング12を保持する支持部14を有しており、支持部14が一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動する移動基台16に取り付けられている。研磨ユニット10は、スピンドルハウジング12中に回転可能に収容されたスピンドル回転体18と、スピンドル18を回転駆動するモータ20と、スピンドル18の先端に固定されたヘッドマウント22と、ヘッドマウント22に着脱可能に装着された研磨ヘッド24とを含んでいる。研磨装置2は、研磨ユニット10を一対の案内レール8に沿って上下方向に移動するボールねじ28とパルスモータ30とから構成される研磨ユニット送り機構32を備えている。パルスモータ30を駆動すると、ボールねじ28が回転し、移動基台16が上下方向に移動される。ベース4の上面には凹部4aが形成されており、この凹部4aにチャックテーブル機構34が配設されている。チャックテーブル機構34はチャックテーブル36を有しており、チャックテーブル36は図示しない移動機構によりウエーハ着脱位置Aと、研磨ユニット10に対向する研磨位置Bとの間でY軸方向に移動される。38,40は蛇腹である。ベース4の前方側には、研磨装置2のオペレータが研磨条件等を入力する操作パネル42が配設されている。図2を参照すると、光デバイスウエーハの表面に保護テープを貼着する様子を示す斜視図が示されている。光デバイスウエーハ11は、サファイア基板13上に窒化ガリウムGaN等のエピタキシャル層半導体層15が積層されて構成されている。光デバイスウエーハ11は、エピタキシャル層15が積層された表面11aと、サファイア基板13が露出した裏面11bとを有している。エピタキシャル層15にLED等の複数の光デバイス19が格子状に形成された分割予定ラインストリート17によって区画されて形成されている。本発明の研磨方法を実施するのに先立って、光デバイスウエーハ11の裏面11bを研削して光デバイスウエーハ11を所定の厚みに加工する裏面研削ステップが実施される。この裏面研削ステップを実施する前に、光デバイスウエーハ11の表面11aには表面11aに形成された光デバイス19を保護するための表面保護テープ21が貼着される。研削装置のチャックテーブルで表面保護テープ21側を吸引保持しながら研削装置の研削ホイールにより光デバイスウエーハ11の裏面11bが研削されて、光デバイスウエーハ11は所定の厚みに加工される。研削を実施すると、光デバイスウエーハ11の裏面11bに微細なクラック等の研削歪が残存するため、この研削歪を除去して光デバイスウエーハ11の抗折強度を向上するために本発明の研磨パッドを使用した研磨が実施される。図3Aを参照すると、本発明第1実施形態の研磨パッド26の底面図が示されている。図3Bは第1実施形態の研磨パッド26が装着された研磨ヘッド24とチャックテーブル36に保持された光デバイスウエーハ11との位置関係を示す縦断面図である。本実施形態の研磨パッド26は中心穴26aを有しており、その研磨面26bは環状に形成されている。研磨ヘッド24の基台25も研磨パッド26の中心穴26aと同径の中心穴25aを有しており、研磨ヘッド24は基台25に研磨パッド26を接着して構成される。27は研磨ヘッド24の回転中心である。研磨パッド26は例えばポリウレタンやフェルトに砥粒を分散させ適宜のボンド剤で固定したフェルト砥石から形成されている。図3Bから明らかなように、研磨パッド26の環状研磨面26bは、チャックテーブル36に保持された光デバイスウエーハ11の直径よりも大きい幅を有している。37はチャックテーブル36の回転中心である。更に、研磨パッド26の環状研磨面26bは回転中心27から外周に向かってチャックテーブル36に保持された被研削物である光デバイスウエーハ11から離反する方向に傾斜している。換言すると、研磨パッド26はその厚さが内周から外周に向かって連続的に薄くなるような環状研磨面26bを有している。研磨パッド26の内周側と外周側との厚さの差hは10~100μmの範囲内に設定されている。より好ましくは、hは20~50μmである。以下、上述した第1実施形態の研磨パッド26が装着された研磨ヘッド24による光デバイスウエーハ11の研磨方法を図4を参照して説明する。本実施形態の研磨方法は、好ましくは、研磨液を供給せずに実施するドライポリッシュである。そのため、研磨パッド26は研磨による摩擦熱を逃がすための中空穴26aを有しており、基台25も中空穴25aを有している。このように本実施形態の研磨パッド26はドライポリッシュに特に適しているが、研磨液を供給しながら実施する化学的機械研磨CMPにも適用することができる。本実施形態の研磨方法によると、チャックテーブル36で吸引保持された研削済みの光デバイスウエーハ11の裏面11bの全面を研磨パッド26の研磨面26bで覆った状態で、チャックテーブル36を図示矢印方向に回転させるとともに、研磨パッド26をチャックテーブル36と同一方向に異なる周速で回転させて、光デバイスウエーハ11の研削済みの裏面11bを研磨する。このように光デバイスウエーハ11の裏面11bが研磨パッド26で覆われた状態で研磨が遂行されるため、研磨パッド26のエッジが光デバイスウエーハ11の外周を通過することに起因する光デバイスウエーハ11の外周に欠けが発生することが防止される。また、研磨パッド26の研磨面26bは、研磨パッド26の回転中心27から外側に向かって研磨圧を逃がす方向に傾斜しているため、研磨パッド26の内周側と外周側とで研磨レートを同等にすることができ、研磨後の光デバイスウエーハ11の厚みを均一にでき、厚み精度平坦度が悪化することがない。次に、図5を参照して、本発明第2実施形態の研磨パッド26Aについて説明する。図5Aは研磨パッド26Aの底面図、図5Bは研磨パッド26Aが基台25Aに装着された研磨ヘッド24Aの縦断面図であり、チャックテーブル36に保持された研磨される光デバイスウエーハ11との位置関係を示している。本実施形態の研磨パッド26Aは円形研磨面26bを有しており、研磨すべき光デバイスウエーハ11の直径よりも大きな半径を有している。更に、研磨パッド26Aの研磨面26bは回転中心27から外側に向ってチャックテーブル36に保持された光デバイスウエーハ11から離反する方向に傾斜している。換言すると、研磨パッド26Aは回転中心27から外周に向かってその厚さが連続的に薄くなるように傾斜した研磨面26bを有している。研磨パッド26Aの中心と最外周との厚さの差hは10~100μmの範囲内であり、更に好ましくは20~50μmである。本実施形態の研磨パッド26Aはその研磨面26bが円形に形成されているため、好ましくは化学的機械研磨CMPに使用される。しかし、本実施形態の研磨パッド26Aをドライポリッシュに使用するようにしてもよい。本実施形態の研磨パッド26Aを装着した研磨ヘッド24Aによる光デバイスウエーハ11の研削済みの裏面11bの研磨は、上述した第1実施形態の研磨パッド26を装着した研磨ヘッド24と同様であり、その作用効果も第1実施形態と同様であるので、その説明を省略する。以上説明した本発明の研磨方法では、サファイア基板13を有する光デバイスウエーハ11の研磨に本発明を適用した例について説明したが、本発明の研磨方法が適用される被研磨物はこれに限定されるものではなく、SiC炭化ケイ素や一般的なシリコンウエーハ等の板状物の研磨にも本発明の研磨パッド及び研磨方法を同様に適用することができる。"