"凹部13を有している第1の圧縮型11と、第2の圧縮型12とを備えている圧縮成形器10を使用して、ルミネセンス変換層1及び散乱層2を有している層結合体3を製造するための方法において、ルミネセンス変換材料5を含んでいる第1のポリマー4を前記第1の圧縮型11の前記凹部13に注入するステップと、前記第1の圧縮型11と前記第2の圧縮型12との間に支持体フィルム8を挿入するステップと、前記圧縮成形器10を閉じ、第1の圧縮行程を実施するステップと、前記圧縮成形器10において前記第1のポリマー4を硬化させ、ルミネセンス変換層1を形成するステップと、前記圧縮成形器10を開き、該圧縮成形器10内に、前記支持体フィルム8上に固着した前記ルミネセンス変換層1を留めるステップと、散乱粒子7を含んでいる第2のポリマー6を前記第1の圧縮型11の前記凹部13に注入するステップと、前記圧縮成形器10を閉じ、第2の圧縮行程を実施するステップと、前記圧縮成形器10において前記第2のポリマー6を硬化させ、前記ルミネセンス変換層1上に配置される散乱層2を形成するステップと、前記圧縮成形器10を開き、前記ルミネセンス変換層1及び前記散乱層2から成る前記層結合体3を備えている前記支持体フィルム8を取り外すステップとを備えていることを特徴とする、層結合体3を製造するための方法。前記第1のポリマー4及び前記第2のポリマー6は同一の基本材料を有している、請求項1に記載の方法。前記基本材料はシリコーンである、請求項2に記載の方法。前記支持体フィルム8は支持体フレーム9に張られている、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の方法。前記第1のポリマー4の注入前及び/又は前記第2のポリマー6の注入前に、フィルム14を前記第1の圧縮型11の前記凹部13に挿入する、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の方法。前記フィルム14を減圧によって前記凹部13内に固定する、請求項5に記載の方法。前記圧縮成形器10を閉じた後、且つ、前記圧縮行程の実施前に、前記凹部13を真空状態にする、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の方法。前記ルミネセンス変換層1は10μm以上200μm以下の厚さを有している、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の方法。前記散乱層2は10μm以上200μm以下の厚さを有している、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の方法。後続の方法ステップにおいて、鋸引き、打抜き、切断、水ジェット切断又はレーザビーム切断によって前記層結合体3を切り分ける、請求項1乃至9のいずれか一項に記載の方法。後続の方法ステップにおいて、前記ルミネセンス変換層1及び前記散乱層2から成る前記層結合体3を放射放出オプトエレクトロニクス半導体チップ20に被着させる、請求項1乃至10のいずれか一項に記載の方法。本発明の課題は、層結合体の複数の層をその層厚及び寸法に関して高い精度で製造することができ、且つ、比較的低い製造コストを実現する、ルミネセンス変換層及び散乱層を備えている層結合体を製造するための方法を提供することである。この課題は、独立請求項1に記載されている、ルミネセンス変換層及び散乱層を備えている層結合体を製造するための方法によって解決される。本発明の有利な実施の形態及び発展形態は従属請求項に記載されている。ルミネセンス変換層及び散乱層を備えている層結合体を製造するための方法においては、圧縮成形方法が使用される。第1の圧縮型及び第2の圧縮型を備えている圧縮成形器が使用される。例えば、第1の圧縮型は圧縮成形器の下部圧縮型であり、第2の圧縮型は圧縮成形器の上部圧縮型である。圧縮行程においては、第1の圧縮型及び第2の圧縮型が高圧力で相互に押し付けられ、それにより、圧縮器内に存在する材料、特にポリマーが圧縮型の形状によって規定される形状に圧縮される。有利には、第1の圧縮型、特に圧縮成形器の下部圧縮型が凹部を有しており、この凹部に有利には液体のポリマーを注入することができる。本方法では、ルミネセンス変換材料を含んでいる第1のポリマーが第1の圧縮型の凹部に注入される。本方法を用いて製造されるルミネセンス変換層の厚さを、有利には、第1の圧縮型の凹部に注入される第1のポリマーの注入量によって非常に正確に調整することができる。更に本方法においては、支持体フィルムが第1の圧縮型と第2の圧縮型との間に挿入される。支持体フィルムは、本方法の実施後に層結合体を圧縮成形器から簡単に取り出せるようにために使用される。支持体フィルムとして有利には、優れた温度耐性を備えているフィルム、例えばPIポリイミド又はETFEエチレン-テトラフルオロエチレンが使用される。続けて、圧縮成形器が閉じられ、第1の圧縮行程が実施される。第1のポリマーはその後、有利には依然として閉じられている圧縮成形器において硬化され、ルミネセンス変換層が形成される。続けて圧縮成形器が開かれるが、この際に、製造されたルミネセンス変換層は支持体フィルム上に固着している。この時点において、ルミネセンス変換層が固着されている支持体フィルムはまだ圧縮成形器から取り出されずに、更に圧縮成形器内に留まる。特に、ルミネセンス変換層が固着されている支持体フィルムを第2の圧縮型に保持することができる。その後、散乱粒子を含んでいる第2のポリマーが第1の圧縮型の凹部に注入される。ルミネセンス変換層の場合と同様に、本方法により製造される散乱層の厚さを、第1の圧縮型の凹部に注入される第2のポリマーの注入量を介して非常に正確に調整することができる。続けて圧縮成形器が再び閉じられて、第2の圧縮行程が実施され、この第2の圧縮行程においては第2のポリマーが依然として圧縮成形器内に存在するルミネセンス変換層上に押し付けられる。続けて、第2のポリマーは、有利には依然として閉じられている圧縮成形器において硬化され、ルミネセンス変換層上に配置される散乱層が形成される。その後圧縮成形器が開かれ、ルミネセンス変換層及び散乱層から成る層結合体を備えている支持体フィルムが取り出される。続けて、支持体フィルム上に固着されている、ルミネセンス変換層及び散乱層から成る層結合体を支持体フィルムから取り外し、特に放射放出オプトエレクトロニクス半導体チップに被着させることができる。ルミネセンス変換層及び散乱層から成る層結合体を製造するための上述の方法を用いて、有利には、ルミネセンス変換層及び散乱層の平坦性、面平行性、層厚及び粗さに関して高い精度を達成することができる。層結合体を放射放出半導体チップに被着する際に、有利には、白色の印象、色位置及び輝度に関する良好な均質性が達成される。特に、それらの特性量は大量生産において良好に再現可能である。一つの有利な実施の形態においては、第1のポリマー及び第2のポリマーが同じ基本材料を有している。基本材料とは、ルミネセンス変換層の場合にはルミネセンス変換材料が埋め込まれている材料であると解され、散乱層の場合には散乱粒子が埋め込まれている材料であると解される。即ち、ルミネセンス変換層の基本材料及び散乱層の基本材料は有利には、それらの埋め込まれている添加材料を除いて同一材料である。これに関する一つの利点として、ルミネセンス変換層及び散乱層が相互に良好に固着されることが挙げられる。更にはこのようにして、ルミネセンス変換層と散乱層との間の境界面における反射損失が低減される。一つの実施の形態においては、ルミネセンス変換層の基本材料及び/又は散乱層の基本材料はシリコーンである。シリコーンは、UV放射に対する長時間の安定性が高い点、特に、UV放射に対して余り敏感でない点で優れている。一つの有利な実施の形態においては、支持体フィルムが支持体フレームに張られている。支持体フレームを用いることにより、支持体フィルムを簡単なやり方で圧縮成形器に挿入することができ、また圧縮行程後に再び取り出すことができる。有利には、第1のポリマー及び/又は第2のポリマーの注入前に、第1の圧縮型の凹部にフィルムが挿入される。このようにして、凹部及びこの凹部に注入される材料が有利には汚染から保護される。有利には、凹部に注入された第1のポリマー及び/又は第2のポリマーに対した僅かな固着性しか有していないフィルムが使用される。このようにして、圧縮行程時に製造されたルミネセンス変換層は凹部内のフィルム上に存在せずに、支持体フィルム上に存在することが達成される。凹部に挿入されたフィルムは有利には減圧によって凹部に固定される。例えば凹部は吸引開口部を有しており、この吸引開口部を真空ポンプに接続することができる。フィルムが減圧によって凹部に固定されることによって、フィルムは有利には凹部の輪郭に合わせられている。第1の圧縮型における凹部は有利には圧縮成形器を閉じた後に、圧縮行程が実施される前に真空状態にされる。このようにして、圧縮行程において形成されるルミネセンス変換層及び/又は散乱層に、オプトエレクトロニクス構成素子において色の不均一性を生じさせる虞がある気泡又は厚さの不均一が生じることが回避される。ルミネセンス変換層は有利には10μm以上200μm以下の厚さを有している。ルミネセンス変換層と同様に、第2の圧縮行程において製造される散乱層も有利には10μm以上200μm以下の厚さを有している。特に、ルミネセンス変換層及び散乱層は同じ厚さを有することができる。ルミネセンス変換層内に含まれている適切なルミネセンス変換材料は例えば刊行物WO9812757に記載されており、その限りにおいて、その開示内容は参照により本願に含まれるものとする。散乱層内に含まれている散乱粒子として特にTiO2から成る粒子が考えられる。しかしながら、散乱層の基本材料の屈折率とは異なる屈折率を有している別の粒子、例えばAl2O3から成る粒子、又は、球状乃至中空状のガラスもしくはプラスチックから成る粒子を使用することもできる。散乱粒子は有利には50nm以上1000nm以下の半径を有している。ルミネセンス変換層及び散乱層から成る層結合体を、製造後に有利には、打抜き、切断、水ジェット切断又はレーザビーム切断によって所望のサイズに切り分けることができる。ルミネセンス変換層及び散乱層から成る層結合体を特に放射放出オプトエレクトロニクス半導体チップに被着させることができる。特に、層結合体を半導体チップに接着することができる。この場合、ルミネセンス変換層が半導体チップと対向しており、それにより散乱層が、オプトエレクトロニクス半導体チップから放出される放射の放出方向においてルミネセンス変換層の後段に配置されている。以下では、図1から図9を参照しながら、複数の実施例に基づき本発明を詳細に説明する。同一の構成部材又は同様に作用する構成部材には図面においてそれぞれ同一の参照番号を付している。図示されている構成部材並びに構成部材の相互の比率は縮尺通りではないと解するべきである。以下において説明する方法では、ルミネセンス変換層及び散乱層から成る層結合体が圧縮成形を用いて製造される。図1には、本方法の第1の中間ステップが示されている。本方法では圧縮成形器10が使用され、この圧縮成形器10は図1において概略的な断面図で示されている。圧縮成形器10は第1の圧縮型11及び第2の圧縮型12を備えている。例えば、第1の圧縮型11は下部圧縮型であり、第2の圧縮型12は上部圧縮型である。第1の圧縮型11は凹部13を備えており、圧縮行程の前に液体ポリマーをこの凹部13に注入することができる。凹部13の大きさを例えばばねアセンブリ15を用いて注入量に適合させることができる。凹部13への注入を行なう前に、有利には、フィルム14が凹部13に挿入される。このフィルム14は凹部13を汚染から保護し、また圧縮行程後においては、この圧縮行程において製造された成形部材の取り出しを容易にする。フィルム14は例えばETFEエチレン-テトラフルオロエチレンを含有することができる。フィルム14は有利には、このフィルム14が凹部13の輪郭に適合されるように減圧を用いて吸引される。下部圧縮型11はそれに適した吸引開口部図示せずを有することができる。更には、圧縮行程の前に、有利には支持体フィルム8が第1の圧縮型11と第2の圧縮型12との間に挿入される。図1の実施例においては、第2の圧縮型12に固定されている支持体フレーム9上に支持体フィルム8が張られている。凹部13には液体の第1のポリマー4が注入されている。第1のポリマー4はルミネセンス変換層の製造に使用され、また基本材料として有利にはシリコーンを有している。基本材料はルミネセンス変換材料5を含有している。適切なルミネセンス変換材料は例えば刊行物WO9750132に記載されているので、従ってここでは詳細に説明しない。図2に示されている中間ステップでは、第1の圧縮行程を実施するために圧縮成形器10が閉じられ、第1の圧縮型10と第2の圧縮型12が高圧力下で相互に押圧される。有利には、圧縮成形器10は閉鎖後、且つ圧縮行程の実施前に真空状態にされ、これにより、圧縮行程時に製造される層における気泡の形成が回避される。そのようにして、圧縮型11,12の間に収容されているポリマーは有利には平坦で一様な厚さのルミネセンス変換層へと圧縮される。ルミネセンス変換層1は有利には10μm以上200μm以下の厚さを有しており、この厚さは事前に注入される第1のポリマーの量を介して調整することができる。ルミネセンス変換層1は有利には、依然として閉じられている圧縮成形器10において、その形状が安定するまで硬化される。図3に示されている中間ステップでは圧縮成形器10が再び開かれている。第1の圧縮行程において製造されたルミネセンス変換層1は、第2の圧縮型12における支持体フレーム9に固定されている支持体フィルム8上に固着している。圧縮成形器10を開いた後に、ルミネセンス変換層1を第1の圧縮型11におけるフィルム14に固着ではなく、支持体フィルム8に固着させるために、ルミネセンス変換層1のポリマーがフィルム14の材料に固着するよりも固着しやすい材料が支持体フィルム8に対して使用される。支持体フィルム8の材料として、特にエチレン-テトラフルオロエチレンETFE又はポリイミドPIを使用することができる。図4に示されている中間ステップでは、第2のポリマー6が第1の圧縮型11の凹部13に注入されている。第2のポリマー6は散乱層の製造に使用され、また有利には基本材料として、散乱粒子7が混合されているシリコーンを含んでいる。散乱粒子7は例えばTiO2粒子である。しかしながら散乱粒子7として、第2のポリマー6の基本材料の屈折率とは異なる屈折率を有している別の材料も使用することができる。事前に製造されたルミネセンス変換層1は依然として圧縮成形器10内に存在しており、凹部13の上方にある支持体フィルム8の支持体フレーム9を用いて第2の圧縮型12に固定されている。図5に示されている中間ステップでは、第2の圧縮行程が実施され、この第2の圧縮行程では、散乱粒子を含んでいる、事前に注入された第2のポリマーが散乱層2へと圧縮される。圧縮成形器10はこの圧縮行程の前に有利には再び真空状態にされる。散乱層2は圧縮行程時に、事前に製造されたルミネセンス変換層1に押圧される。第2の圧縮行程において製造された散乱層2は有利には10μm以上200μm以下の厚さを有している。散乱層2をルミネセンス変換層1に押圧することによって層結合体が製造され、この層結合体は有利には、境界面が非常に平坦であり、且つ、二つの層の厚さ均質性が良好であるという点で優れている。散乱層2は有利には、更に圧縮成形器10において硬化される。図6に示されている中間ステップでは圧縮成形器10が再び開かれている。ルミネセンス変換層1及びこのルミネセンス変換層1の上に被着されている散乱層2から成る層結合体3は、第2の圧縮型12における支持体フレーム9を用いて固定されている支持体フィルム8上に固着している。ルミネセンス変換層1及び散乱層2が同一の基本材料から製造される場合には、それら二つの層は相互に非常に良好に固着している。埋め込まれているルミネセンス変換材料及び散乱粒子を除いて、ルミネセンス変換層1及び散乱層2は有利には同一のポリマー、特にシリコーンから形成されている。続けて、図7に示されているように、ルミネセンス変換層1及び散乱層2から成る層結合体3が固着している支持体フィルム8を、支持体フレーム9を用いて圧縮成形器10から取り出すことができる。続けて、図8に示されているように、層結合体3を支持体フィルム8から取り外すことができる。必要であれば、例えば打抜き、切断、水ジェット切断又はレーザビーム切断によって、層結合体3を用途に応じたサイズに切り分けることができる。そのようにして製造された、ルミネセンス変換層1及び散乱層2から成る層結合体3を特に、オプトエレクトロニクス半導体チップ、とりわけLEDに被着させることができる。図9には、ルミネセンス変換層1及び散乱層2から成る層結合体3が半導体チップ20の半導体積層体15に被着されている、オプトエレクトロニクス半導体チップ20の一つの実施例が示されている。例示的に支持体基板16上に被着されている半導体積層体15は、電磁放射を放出する活性層17を備えている。特に、活性層17は紫外線又は青色の放射を放出することができる。これに関しては、特に窒化物化合物半導体材料を基礎としている半導体積層体15が適している。ルミネセンス変換層1を用いて、活性層17から放出される放射の一部がより長い波長の光、例えば黄色光に変換される。従って、半導体チップ20からは、活性層から放出される一次放射と、ルミネセンス変換層1において変換された放射とを含む混色光18が放出される。混色光18として白色光が考えられる。ルミネセンス変換層1上の散乱層2は、半導体チップ20のスイッチオフ状態におけるルミネセンス変換層1の黄色の色印象を緩和するという利点を有している。放射の放出方向において、半導体チップ20の後段に、例えばレンズ21のような光学素子を配置することができる。その場合、半導体チップ20に対向するレンズの内面に入射する放射の一部が半導体チップ20の方向へと反射される不所望な作用が発生する可能性がある。半導体チップ20の方向に向かって反射される放射は、有利には散乱層2によって再び放射方向へと反射される。本発明は実施例に基づいた説明によって制限されるものではない。むしろ本発明は新規の特徴、並びに、とりわけ特許請求の範囲に記載されている複数の特徴の組み合わせを内容とする、複数の特徴のあらゆる組み合わせを含むものであり、このことはその特徴又はその組み合わせ自体が明示的に特許請求の範囲又は実施例に記載されていない場合にも当てはまる。"