"第一の基板と、第二の基板と、前記第一の基板と第二の基板間に挟持された正の誘電率異方性を有する液晶組成物層からなる液晶表示装置であって、前記液晶表示装置は、複数の画素を有し、前記画素のそれぞれは、独立的に制御可能であって、前記画素は一対の画素電極と共通電極を有し、この両電極が前記第一と第二の両基板の少なくとも一方の基板に設けられ、前記液晶組成物層の液晶分子の長軸が前記基板面に略垂直に配向しているか又は、ハイブリッド配向しており、前記液晶組成物が一般式LC1から一般式LC5式中、R1は炭素数1~15のアルキル基を表し、該アルキル基中の1つ又は2つ以上のCH2基は、O原子が直接隣接しないように、-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-で置換されてよく、該アルキル基中の1つ又は2つ以上のH原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、A1、A2及びA3はそれぞれ独立して下記の何れかの構造式中、X1及びX2はそれぞれ独立してH、Cl、F、CF3又はOCF3を表す。を表し、該A1及びA2中の1つ又は2つ以上のCH2基は-CH=CH-、-CF2O-又は-OCF2-で置換されていてもよく、該A1及びA2中の1つ又は2つ以上のCH基はN原子で置換されていてもよく、該A1及びA2中の1つ又は2つ以上のH原子はCl、F、CF3又はOCF3で置換されていてもよく、X1~X5はそれぞれ独立してH、Cl、F、CF3又はOCF3を表し、YはCl、F、CF3又はOCF3を表し、Z1~Z4はそれぞれ独立して単結合、-CH=CH-、-C≡C-、-CH2CH2-、-CH24-、-OCH2-、-CH2O-、-OCF2-又は-CF2O-を表し、存在するZ1及びZ2の内少なくとも1つは単結合でなく、Z5はCH2基又はO原子を表し、m1及びm2はそれぞれ独立して0~3の整数を表し、m1m2は1、2又は3を表し、m3はそれぞれ独立して0~2の整数を表す。で表される化合物からなる化合物群から選ばれる1種又は2種以上の化合物を含有し、前記電極構造により発生した電界で前記液晶組成物層を透過する光の透過率を変調することを特徴とする液晶表示装置。液晶組成物が、さらに、一般式LC6で表される化合物を1種又は2種以上含有する請求項1記載の液晶表示装置。一般式LC1が一般式LC1-1から一般式LC1-4式中、R1は、炭素数1~15のアルキル基を表し、該アルキル基中の1つ又は2つ以上のCH2基は、O原子が直接隣接しないように、-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF2O-又は-OCF2-で置換されていてもよく、YはCl、F、CF3又はOCF3を表し、X1、X2、L1及びL2はH、Cl、F、CF3又はOCF3を表す。で表される化合物からなる群より選ばれる1種又は2種以上の化合物である請求項1又は2記載の液晶表示装置。一般式LC2が一般式LC2-1から一般式LC2-10式中、R1は、炭素数1~15のアルキル基を表し、該アルキル基中の1つ又は2つ以上のCH2基は、O原子が直接隣接しないように、-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF2O-又は-OCF2-で置換されていてもよく、X1、X2、L1、L2、L3及びL4はH、Cl、F、CF3又はOCF3を表す。で表される化合物からなる群より選ばれる1種又は2種以上の化合物である請求項1又は2記載の液晶表示装置。一般式LC3が下記一般式LC3-1から一般式LC3-28式中、R1は炭素数1~15のアルキル基を表し、該アルキル基中の1つ又は2つ以上のCH2基は、O原子が直接隣接しないように、-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF2O-又は-OCF2-で置換されていてもよく、該アルキル基中の1つ又は2つ以上のH原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、X2及びX4はそれぞれ独立してH、Cl、F、CF3又はOCF3を表し、Z1は単結合、-CH=CH-、-C≡C-、-CH2CH2-、-CH24-、-OCH2-、-CH2O-、-OCF2-又は-CF2O-を表し、m1は0~3の整数を表す。で表される化合物からなる群より選ばれる1種又は2種以上の化合物である請求項1又は2に記載の液晶表示装置。一般式LC4が下記一般式LC4-1から一般式LC4-8であり、一般式LC5が下記一般式LC5-1から一般式LC5-6式中、R1、X1、X2、X4、X5及びYは一般式LC4又は一般式LC5におけると同じ意味を表す。で表される化合物からなる群より選ばれる1種又は2種以上の化合物である請求項1又は2記載の液晶表示装置。一般式LC6が次の一般式LC6-1から一般式LC6-15式中、R1及びR2は一般式LC6におけると同じ意味を表す。で表される化合物からなる群より選ばれる1種又は2種以上の化合物である請求項2から5のいずれか一項に記載の液晶表示装置。液晶組成物が、重合性化合物を1種又は2種以上含有する請求項1~7いずれか一項に記載の液晶表示装置。請求項8に記載の重合性化合物が、ベンゼン誘導体、トリフェニレン誘導体、トルキセン誘導体、フタロシアニン誘導体又はシクロヘキサン誘導体を分子の中心の母核とし、直鎖のアルキル基、直鎖のアルコキシ基又は置換ベンゾイルオキシ基がその側鎖として放射状に置換した構造である円盤状液晶化合物である、液晶表示装置。請求項8又は9における液晶組成物が開始剤を実質的に含まない液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項8~10記載の液晶表示装置。重合性化合物を0.1~2.0質量含有する液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項8~10いずれか一項に記載の液晶表示装置。さらに酸化防止剤を1種又は2種以上含有した液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項1~11いずれか一項に記載の液晶表示装置。さらにUV吸収剤を1種又は2種以上含有した液晶組成物を使用したことを特徴とする請求項1~12いずれか一項に記載の液晶表示装置。液晶組成物の屈折率異方性Δnと表示装置の第一の基板と、第二の基板との間隔dの積Δndが0.33~0.40である請求項1~13いずれか一項に記載の液晶表示装置。液晶組成物の屈折率異方性Δnと表示装置の第一の基板と、第二の基板との間隔dの積Δndが0.34~0.44である請求項1~13いずれか一項に記載の液晶表示装置。表示装置の第一の基板と、第二の基板上の液晶組成物と接する面にポリイミドPI、カルコン、シンナメートからなる配向膜を設けた請求項1~15いずれか一項に記載の液晶表示装置。表示装置の第一の基板と、第二の基板上の液晶組成物と接する面に光配向技術を用いて作成した配向膜を設けた請求項1~16いずれか一項に記載の液晶表示装置。基板と液晶組成物のチルト角が85~90°である請求項1に記載の液晶表示装置。第一の基板又は第二の基板と液晶組成物のチルト角が85~90°であり、残りの基板と液晶組成物のチルト角が3~20°である請求項1に記載の液晶表示装置。液晶組成物が、さらに一般式LC1-1、LC2-1、LC3-4、LC3-5、LC3-6及びLC3-11から選ばれる1種又は2種以上の化合物を含有する請求項1~19いずれか一項に記載の液晶表示装置。液晶組成物が、さらに一般式LC1-2、LC1-3、LC1-4、LC2-4、LC2-5、LC2-6、LC2-7、LC2-8、LC2-9及びLC2-10から選ばれる1種又は2種以上の化合物を含有する請求項1~19いずれか一項に記載の液晶表示装置。液晶組成物が、さらに一般式LC3-3、LC3-22、LC3-23、LC3-24及びLC3-25から選ばれる1種又は2種以上の化合物を含有する請求項1~19いずれか一項に記載の液晶表示装置。液晶組成物が、さらに一般式LC3-3、LC3-22、LC3-23、LC3-24及びLC3-25から選ばれる1種又は2種以上の化合物を含有する請求項1~19いずれか一項に記載の液晶表示装置。液晶組成物が、さらに一般式LC6-1、LC6-5及びLC6-14から選ばれる1種又は2種以上の化合物を含有する請求項1~19いずれか一項に記載の液晶表示装置。液晶組成物が、さらに一般式LC6-4、LC6-12及びLC6-15から選ばれる1種又は2種以上の化合物を含有する請求項1~19いずれか一項に記載の液晶表示装置。本発明は、応答速度が速く、画素分割等の特別なセル構造を有することなく視角特性が優れた、正の誘電率異方性の液晶材料を用いたVAIPS方式の液晶表示装置を提供することにある以下、p-VAIPSと呼称。本発明により、従来技術で問題であった応答速度をより良い表示とし、広視野角化を有利にし、光透過時には高輝度となり光遮断時には高い黒レベルとすることで高いコントラスト比の改良が可能となる液晶表示装置が得られるものである。本願発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、特定の構造を有するVAIPS液晶表示素子及び特定の液晶化合物を含有する液晶組成物を組み合わせることにより前記課題を解決できることを見出し本願発明の完成に至った。本発明は、第一の基板と、第二の基板と、前記第一の基板と第二の基板間に挟持された正の誘電率異方性を有する液晶組成物層からなる液晶表示装置であって、前記液晶表示装置は、複数の画素を有し、前記画素のそれぞれは、独立的に制御可能であって、前記画素は一対の画素電極と共通電極を有し、この両電極が前記第一と第二の両基板の少なくとも一方の基板に設けられ、前記液晶組成物層の液晶分子の長軸が前記基板面に略垂直に配向しているか又は、ハイブリッド配向しており、前記液晶組成物が一般式LC1から一般式LC5式中、R1は炭素数1~15のアルキル基を表し、該アルキル基中の1つ又は2つ以上のCH2基は、O原子が直接隣接しないように、-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-、-COO-、-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-で置換されてよく、該アルキル基中の1つ又は2つ以上のH原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、A1、A2及びA3はそれぞれ独立して下記の何れかの構造式中、X1及びX2はそれぞれ独立してH、Cl、F、CF3又はOCF3を表す。を表し、該A1及びA2中の1つ又は2つ以上のCH2基は-CH=CH-、-CF2O-又は-OCF2-で置換されていてもよく、該A1及びA2中の1つ又は2つ以上のCH基はN原子で置換されていてもよく、該A1及びA2中の1つ又は2つ以上のH原子はCl、F、CF3又はOCF3で置換されていてもよく、X1~X5はそれぞれ独立してH、Cl、F、CF3又はOCF3を表し、YはCl、F、CF3又はOCF3を表し、Z1~Z4はそれぞれ独立して単結合、-CH=CH-、-C≡C-、-CH2CH2-、-CH24-、-OCH2-、-CH2O-、-OCF2-又は-CF2O-を表し、存在するZ1及びZ2の内少なくとも1つは単結合でなく、Z5はCH2基又はO原子を表し、m1及びm2はそれぞれ独立して0~3の整数を表し、m1m2は1、2又は3を表し、m3はそれぞれ独立して0~2の整数を表す。で表される化合物からなる化合物群から選ばれる1種又は2種以上の化合物を含有し、前記電極構造により発生した電界で前記液晶組成物層を透過する光の透過率を変調することを特徴とする液晶表示装置を提供する。本発明において、基板中の液晶分子の長軸は前記基板面に略垂直に配向しているか又は、ハイブリッド配向している。此処で、ハイブリッド配向とは2枚の基板間に挟まれた液晶分子の長軸が、一方の基板側では基板面に対し略平行に配向しており、他方の基板側では略垂直に配向している状態をいう。本願明細書においては、液晶分子の長軸が略垂直に配向している態様をp-VAIPSと呼称し、ハイブリッド配向している態様をp-HBIPSと呼称する。尚、p-VAIPS及びp-HBIPS方式の電極構造は従来のIPSやFFS、改良版FFS等の横電界方式のものが適用できる。本発明における液晶分子の挙動は模式的に図1~3に示す通りであり、電圧が無印加の状態図1から電圧を印加した状態の図2または図3に遷移する。この際フロー効果に有利な、ベンド配向状態をとることで、高速応答化が図れる。一般的に応答速度はIPSは20~40msec、TNは10~30msecであるが、本発明の応答速度は1~8msecであり大幅な改良がなされている。従来のTN方式の駆動方法では一般的に、広視野角化のため特殊な光学フィルム等を使用しなければならず、左右もしくは上下の広視野角化にとどまる。一方VA方式の駆動方法では一般的に、広視野角であるが、液晶分子の倒れる方向をゾーンラビングや突起、スリット電極などを用いて規定し、マルチドメイン化を図る必要があり、セル構成が複雑になる傾向にある。本発明のp-VAIPS及びp-HBIPS方式は印加する電圧により発生する電気力線を使用することにより、液晶分子の倒れる方向を規定するため、画素電極の形状のみでマルチドメイン化が可能であり比較的単純なセル構成で済み、広視野角化及び高コントラスト化が可能である。また、一般的にフレデリックス転移Vcの値は前述のように、TN方式は式1、STN方式は式2、VA方式は式3で表されるが、本願発明の液晶表示装置においては下記式4が適用されることを見出した。式中、Vcはフレデリックス転移V、Πは円周率、dcellは第一基板と第二基板の間隔μm、dgapは画素電極と共通電極の間隔μm、dITOは画素電極及び/又は共通電極の幅μm、<r>、<r’>、<r3>は外挿長μm、K33はベンドの弾性定数N、Δεは誘電率の異方性を表す。数4からセル構成としては、dgapをなるべく小さく、dITOをなるべく大きくすることにより、低駆動電圧化が図れ、使用する液晶組成物としてはΔεの絶対値が大きく、K33が小さいものを選択することにより、低駆動電圧化が図れることが分かった。これら知見をもとに、上記液晶表示装置に適切な負の誘電異方性液晶を見出した。また、本発明の液晶表示装置はこの動き出しやすい液晶分子が、2枚の基板間の中央ではなく、一方の基板面に偏り、より一方の基板に近づいた部位から動き出すことが最も大きな特徴であり、従来のTN、IPS、VA、OCBの方式と異なる。本発明は応答速度、透過光量、タッチパネルの使用など外圧による光漏れ、視野角、コントラスト比などの特性を改良し、従来技術で作成した液晶表示装置と比較し、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。本願発明における液晶組成物は前記一般式LC1から一般式LC5で表される液晶化合物を含有するが、これらの一般式中、R1は炭素数1~8のアルキル基、炭素数2~8のアルケニル基又は炭素数1~8のアルコキシ基であることが好ましく、A1及びA2はそれぞれ独立して、1,4-シクロヘキシレン基、1,4-フェニレン基、3-フルオロ-1,4-フェニレン基又は3,5-ジフルオロ-1,4-フェニレン基が好ましく、X1~X5はそれぞれ独立してH又はFが好ましく、YはF、CF3又はOCF3が好ましく、Z1~Z4はそれぞれ独立して単結合、-C≡C-、-CH2CH2-、-OCH2-、-CH2O-、-OCF2-又は-CF2O-が好ましく、存在するZ1~Z4の一つが-C≡C-、-CH2CH2-、-OCH2-、-CH2O-、-OCF2-又は-CF2O-であり、Z1~Z4の内、他に存在する置換基がある場合にはこれらの置換基は単結合であることが好ましく、m1及びm2はそれぞれ独立して0~2の整数を表すことが好ましく、m1m2は1又は2が好ましい。一般式LC1から一般式LC5で表される液晶化合物は、より好ましくは一般式LC1が一般式LC1-1から一般式LC1-4オクチレン基、デカヒドロナフタレン26ジイル基、ピリジン25ジイル基、ピリミジン25ジイル基、ピラジン25ジイル基、1234テトラヒドロナフタレン26ジイル基、26ナフチレン基、フェナントレン27ジイル基、910ジヒドロフェナントレン27ジイル基、12344a910aオクタヒドロフェナントレン27ジイル基又はフルオレン27ジイル基を表し、該14フェニレン基、1234テトラヒドロナフタレン26ジイル基、26ナフチレン基、フェナントレン27ジイル基、910ジヒドロフェナントレン27ジイル基、12344a910aオクタヒドロフェナントレン27ジイル基及びフルオレン27ジイル基は置換基として1個以上のF、Cl、CF3、OCF3、シアノ基、炭素原子数1~8のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルカノイルオキシ基、炭素原子数2~8のアルケニル基、アルケニルオキシ基、アルケノイル基又はアルケノイルオキシ基を有していても良く、Y1及びY2はそれぞれ独立して-COO-、-OCO-、-CH2CH2-、-OCH2-、-CH2O-、-CH=CH-、-C≡C-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-CH2CH2COO-、-CH2CH2OCO-、-COOCH2CH2-、-OCOCH2CH2-、-CONH-、-NHCO-又は単結合を表し、n5は0、1又は2を表す。、Sp1及びSp2がそれぞれ独立してアルキレン基を表し、該アルキレン基は1つ以上のハロゲン原子又はCNにより置換されていても良く、この基中に存在する1つ又は2つ以上のCH2基はO原子が直接隣接しないように-O-、-S-、-NH-、-NCH3-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-SCO-、-COS-又は-C≡C-により置き換えられていてもよく、P1及びP2がそれぞれ独立して以下の一般式PC1-a~一般式PC1-dのいずれかである式中、R41~R43、R51~R53、及びR61~R63はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数1~5のアルキル基を表す。。より具体的には、重合性化合物一般式PC1が一般式PC1-1又は一般式PC1-2P1、Sp1、Q1、P2、Sp2、Q2及びMGは一般式PC1と同じ意味を表し、n3及びn4はそれぞれ独立して1、2又は3を表す。で表される重合性化合物であることが好ましい。より具体的には、一般式PC1が一般式PC1-3~一般式PC1-8で表される重合性化合物であることがより好ましい式中、W1はそれぞれ独立してF、CF3、OCF3、CH3、OCH3、炭素原子数2~5のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、COOW2、OCOW2又はOCOOW2を表し式中、W2は炭素原子数1~10の直鎖又は分岐鎖アルキル基又は炭素原子数2~5のアルケニル基を表す。、n6は0、1、2、3又は4を表す。。さらに好ましくは、重合性化合物一般式PC1におけるSp1、Sp2、Q1及びQ2がすべて単結合であり、n3及びn4において、n3n4が3~6であり、P1及びP2が式7-bであり、W1がF、CF3、OCF3、CH3又はOCH3であり、n6が1以上である。また、一般式PC1におけるMGが一般式PC1-9で表される円盤状液晶化合物であることも好ましい式中、R7はそれぞれ独立してP1-Sp1-Q1又は一般式PC1-eの置換基を表し式中、P1、Sp1及びQ1は般式PC1と同じ意味を表しR81及びR82はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子又はメチル基を表し、R83は炭素原子数1~20アルコキシ基を表し、該アルコキシ基中の少なくとも1つの水素原子前記一般式PC1-a~PC1-dで表される置換基で置換されている。。重合性化合物の使用量は好ましくは0.1~2.0質量である。前記液晶組成物は前期用途に単独で使用することもでき、さらに酸化防止剤を1種又は2種以上含有することもでき、さらにUV吸収剤を1種又は2種以上含有することもできる。前記液晶組成物の屈折率異方性Δnと表示装置の第一の基板と、第二の基板との間隔dの積Δndは垂直配向の場合0.20~0.59が好ましく、ハイブリッド配向の場合は0.21~0.61が好ましく、垂直配向の場合は0.33~0.40が特に好ましく、ハイブリッド配向の場合は0.34~0.44が特に好ましい。前記表示装置の第一の基板と、第二の基板上の液晶組成物と接する面には液晶組成物を配向させるため、ポリイミドPI、カルコン、シンナメート等からなる配向膜を設けることができ、配向膜は光配向技術を用いて作成したものでもよい。垂直配向の場合は基板と液晶組成物のチルト角は85~90°が好ましく、ハイブリッド配向の場合は第一の基板又は第二の基板と液晶組成物のチルト角は85~90°であり、残りの基板と液晶組成物のチルト角は3~20°が好ましい。以下、例を挙げて本願発明を更に詳述するが、本願発明はこれらによって限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物におけるは質量を意味する。液晶組成物の物性として、以下のように表す。TNI:ネマチック相-等方性液体相転移温度を液晶相上限温度Δε:誘電率異方性Δn:屈折率異方性Vsat:周波数1KHzの矩形波を印加した時の透過率が90変化する印加電圧τrdmsec:dITO=10μm、dgap=10μm、第1基板、第2基板とも配向膜SE-5300のセルを使用した際の応答速度化合物記載に下記の略号を使用する。末端のnCnH2n12CH2CH21OCH2OO1OCH2VCOVOCOOCFFOCF2OFFClClCNC≡NOCFFFOCF3CFFFCF3OCFFOCHF2OnOCnH2n1TC≡CndmCnH2n1HC=CHm1実施例1図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表1に示す正の誘電異方性を有する液晶組成物を挟持して実施例1の液晶表示装置を作成した。dcell=4.0μm、dITO=10μm、dgap=10μm、配向膜SE-5300この液晶表示装置の物性値を表1に併せて示す。比較例1実施例1で用いた液晶組成物を用いて従来のTN液晶表示装置を作製しその物性値を測定した。その結果を表2に示す。本願発明の液晶表示装置は、同じ正の誘電異方性液晶を狭持した比較例1の液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例2図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表1に示す正の誘電異方性を有する液晶組成物を挟持して実施例2の液晶表示装置を作成した。dcell=4.0μm、dITO=10μm、dgap=10μm、配向膜SE-5300、AL-1051該液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のECB液晶表示装置等と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例3図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表1に示す正の誘電異方性を有する液晶組成物に各々2-メチルーアクリル酸4‘-{2-[4-2-アクリロイルオキシーエチル―フェノキシカルボニル]―エチル}―ビフェニル-4-イルエステルを0.3質量添加した組成物を挟持して実施例3の液晶表示装置を作成した。dcell=4.0μm、dITO=10μm、dgap=10μm、配向膜SE-5300電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を600秒間照射3.0J/cm2し、重合処理を行った。該液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のTN液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例4図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表1に示す正の誘電異方性を有する液晶組成物に各々2-メチルーアクリル酸4‘-{2-[4-2-アクリロイルオキシーエチル―フェノキシカルボニル]―エチル}―ビフェニル-4-イルエステルを0.3質量を添加した組成物を挟持して実施例4の液晶表示装置を作成した。dcell=4.0μm、dITO=10μm、dgap=10μm、配向膜SE-5300、AL-1051電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を600秒間照射3.0J/cm2し、重合処理を行った。該液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のECB液晶表示装置等と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。比較例2実施例1と同様に表2に示す正の誘電異方性液晶を狭持して比較例2の液晶表示装置を作製しその物性値を測定し、その結果を表2に示す。正の誘電異方性液晶を狭持した比較例2の液晶表示装置は本願発明の液晶表示装置と比較して、応答速度が遅く、透過光量が若干低く、特に保持率、長期信頼性が悪い。実施例5~7実施例1と同様に表3に示す正の誘電異方性液晶を狭持して実施例5の液晶表示装置を、実施例1と同様に実施例6の液晶表示装置及び実施例1と同様に実施例7の液晶表示装置を作成した。実施例5から7液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のTN液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例8~10実施例1と同様に表4に示す正の誘電異方性液晶を狭持して実施例8の液晶表示装置を、実施例1と同様に実施例9の液晶表示装置及び実施例1と同様に実施例10の液晶表示装置を作成した。実施例8から10液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のTN液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例11~13実施例1と同様に表5に示す正の誘電異方性液晶を狭持して実施例11の液晶表示装置を、実施例1と同様に実施例12の液晶表示装置及び実施例1と同様に実施例13の液晶表示装置を作成した。実施例11から13の液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のTN液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例14~17実施例1と同様に表6に示す正の誘電異方性液晶を狭持して実施例14の液晶表示装置を、実施例1と同様に実施例15の液晶表示装置、実施例1と同様に実施例16の液晶表示装置及び実施例1と同様に表7に示す正の誘電異方性液晶を狭持して実施例17の液晶表示装置を作成した。該液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のTN液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例18~21dcell=3.0μm、dITO=10μm、dgap=10μmとした以外は実施例1と同様に表8に示す正の誘電異方性液晶を狭持して実施例18の液晶表示装置を、実施例1と同様に実施例19の液晶表示装置、実施例1と同様に実施例20の液晶表示装置及び実施例1と同様に実施例21の液晶表示装置を作成した。該液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のTN液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例22及び23dcell=3.5μm、dITO=10μm、dgap=10μmとした以外は実施例1と同様に表9に示す正の誘電異方性液晶を狭持して実施例22の液晶表示装置を及び実施例1と同様に実施例23の液晶表示装置を作成した。実施例22及び23液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のTN液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例24及び25実施例1と同様に表10に示す正の誘電異方性液晶を狭持して実施例24の液晶表示装置及び実施例1と同様に実施例25の液晶表示装置を作成した。実施例24及び25液晶表示装置は同じ正の誘電異方性液晶を狭持した従来のTN液晶表示装置と比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例26~28dITO=4μm、dgap=4μmとしたセルに実施例5、12又は17で使用した正の誘電異方性液晶組成物を狭持して、それぞれ実施例26から28の液晶表示装置を作成し、応答速度を測定したところ、下記の結果を得た。実施例26:τrd=1.6msec実施例5の液晶組成物実施例27:τrd=1.3msec実施例12の液晶組成物実施例28:τrd=0.9msec実施例17の液晶組成物実施例26から28の液晶表示装置は応答が極めて速い特性を有していた。また、本実施例で作成した液晶表示装置に押圧を加えたところ、従来のVA表示では生じていた光漏れがほとんど見られなかった。実施例29~32図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表11に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。dITO=4μm、dgap=4μm、配向膜SE-5300実施例29~32に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。比較例3実施例29と同様に表12に示す正の誘電異方性液晶を狭持して比較例3の液晶パネルを作製しその物性値を測定した。その結果を前記表12に示す。正の誘電異方性液晶を狭持した比較例3の液晶パネルは本願発明の液晶パネルと比較して、応答速度が遅く、透過光量が若干低く、特に保持率、長期信頼性が悪い。実施例33~35実施例29比較例3と同様に第一の基板と第二の基板の間に表13に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。実施例33~35に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例36~38実施例29比較例3と同様に第一の基板と第二の基板の間に表14に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。実施例36~38に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例39図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例29~38及び比較例3に示した正の誘電異方性液晶を挟持して液晶パネルを作成した。dITO=4μm、dgap=4μm、配向膜SE-5300、AL-1051実施例29~38に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例3に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例40図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例29~38及び比較例3に示した正の誘電異方性液晶に各々2-メチルーアクリル酸4‘-{2-[4-2-アクリロイルオキシーエチル―フェノキシカルボニル]―エチル}―ビフェニル-4-イルエステルを0.3質量添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。dITO=4μm、dgap=4μm、配向膜SE-5300電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を600秒間照射3.0J/cm2し、重合処理を行った。実施例29~38に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例3に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例41図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例29~38及び比較例3に示した正の誘電異方性液晶に各々2-メチルーアクリル酸4‘-{2-[4-2-アクリロイルオキシーエチル―フェノキシカルボニル]―エチル}―ビフェニル-4-イルエステルを0.3質量添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。dITO=4μm、dgap=4μm、配向膜SE-5300、AL-1051電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を600秒間照射3.0J/cm2し、重合処理を行った。実施例29~38に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例1に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例42~45図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表15に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。dITO=4μm、dgap=4μm、配向膜SE-5300実施例42~45に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例46~48実施例42と同様に第一の基板と第二の基板の間に表16に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。実施例46~48に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例49~51実施例42と同様に第一の基板と第二の基板の間に表17に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。実施例49~51に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例52図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例42~51及び比較例1~3に示した正の誘電異方性液晶を挟持して液晶パネルを作成した。dITO=4μm、dgap=4μm、配向膜SE-5300、AL-1051実施例42~51に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例1~3に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例53図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例42~51及び比較例1~3に示した正の誘電異方性液晶に各々2-メチルーアクリル酸4‘-{2-[4-2-アクリロイルオキシーエチル―フェノキシカルボニル]―エチル}―ビフェニル-4-イルエステルを0.3質量添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。dITO=4μm、dgap=4μm、配向膜SE-5300電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を600秒間照射3.0J/cm2し、重合処理を行った。実施例42~51に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例1~3に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例54図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例42~51及び比較例1~3に示した正の誘電異方性液晶に各々2-メチルーアクリル酸4‘-{2-[4-2-アクリロイルオキシーエチル―フェノキシカルボニル]―エチル}―ビフェニル-4-イルエステルを0.3質量添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。dITO=4μm、dgap=4μm、配向膜SE-5300、AL-1051電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を600秒間照射3.0J/cm2し、重合処理を行った。実施例42~51に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例1~3に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例55~57図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表18に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。dITO=4μm、dgap=4μm、配向膜SE-5300実施例55~57に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。比較例4実施例55と同様に表19に示す正の誘電異方性液晶を狭持して比較例4の液晶パネルを作製しその物性値を測定した。その結果を前記表19に示す。正の誘電異方性液晶を狭持した比較例4の液晶パネルは本願発明の液晶パネルと比較して、応答速度が遅く、透過光量が若干低く、特に保持率、長期信頼性が悪い。実施例58及び59実施例55比較例4と同様に第一の基板と第二の基板の間に表20に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。実施例58及び59に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例60図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例55~59及び比較例4に示した正の誘電異方性液晶を挟持して液晶パネルを作成した。dITO=4μm、dgap=4μm、配向膜SE-5300、AL-1051実施例55~59に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例4に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例61図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例55~59及び比較例4に示した正の誘電異方性液晶に各々2-メチルーアクリル酸4‘-{2-[4-2-アクリロイルオキシーエチル―フェノキシカルボニル]―エチル}―ビフェニル-4-イルエステルを0.3質量添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。dITO=4μm、dgap=4μm、配向膜SE-5300電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を600秒間照射3.0J/cm2し、重合処理を行った。実施例55~59に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例4に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例62図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例55~59及び比較例4に示した正の誘電異方性液晶に各々2-メチルーアクリル酸4‘-{2-[4-2-アクリロイルオキシーエチル―フェノキシカルボニル]―エチル}―ビフェニル-4-イルエステルを0.3質量添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。dITO=4μm、dgap=4μm、配向膜SE-5300、AL-1051電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を600秒間照射3.0J/cm2し、重合処理を行った。実施例55~59に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例4に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例63~65図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表21に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。dITO=4μm、dgap=4μm、配向膜SE-5300実施例63~65に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。比較例5実施例63と同様に表22に示す正の誘電異方性液晶を狭持して比較例5の液晶パネルを作製しその物性値を測定した。その結果を前記表22に示す。正の誘電異方性液晶を狭持した比較例5の液晶パネルは本願発明の液晶パネルと比較して、応答速度が遅く、透過光量が若干低く、特に保持率、長期信頼性が悪い。実施例66及び67実施例63比較例5と同様に第一の基板と第二の基板の間に表23に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。実施例66及び67に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例68図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例63~67及び比較例5に示した正の誘電異方性液晶を挟持して液晶パネルを作成した。dITO=4μm、dgap=4μm、配向膜SE-5300、AL-1051実施例63~67に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例5に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例69図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例63~67及び比較例5に示した正の誘電異方性液晶に各々2-メチルーアクリル酸4‘-{2-[4-2-アクリロイルオキシーエチル―フェノキシカルボニル]―エチル}―ビフェニル-4-イルエステルを0.3質量添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。dITO=4μm、dgap=4μm、配向膜SE-5300電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を600秒間照射3.0J/cm2し、重合処理を行った。実施例63~67に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例5に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例70図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例63~67及び比較例5に示した正の誘電異方性液晶に各々2-メチルーアクリル酸4‘-{2-[4-2-アクリロイルオキシーエチル―フェノキシカルボニル]―エチル}―ビフェニル-4-イルエステルを0.3質量添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。dITO=4μm、dgap=4μm、配向膜SE-5300、AL-1051電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を600秒間照射3.0J/cm2し、重合処理を行った。実施例63~67に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例5に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例71~73図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に表24に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。dITO=4μm、dgap=4μm、配向膜SE-5300実施例71~73に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。比較例6実施例71と同様に表25に示す正の誘電異方性液晶を狭持して比較例6の液晶パネルを作製しその物性値を測定した。その結果を前記表25に示す。正の誘電異方性液晶を狭持した比較例6の液晶パネルは本願発明の液晶パネルと比較して、応答速度が遅く、透過光量が若干低く、特に保持率、長期信頼性が悪い。実施例74及び75実施例71比較例6と同様に第一の基板と第二の基板の間に表26に示す正の誘電異方性液晶を狭持して液晶パネルを作成した。実施例74及び75に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは従来の正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例76図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例71~75及び比較例6に示した正の誘電異方性液晶を挟持して液晶パネルを作成した。dITO=4μm、dgap=4μm、配向膜SE-5300、AL-1051実施例71~75に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例6に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例77図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側に垂直配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例71~75及び比較例6に示した正の誘電異方性液晶に各々2-メチルーアクリル酸4‘-{2-[4-2-アクリロイルオキシーエチル―フェノキシカルボニル]―エチル}―ビフェニル-4-イルエステルを0.3質量添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。dITO=4μm、dgap=4μm、配向膜SE-5300電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を600秒間照射3.0J/cm2し、重合処理を行った。実施例71~75に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例6に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。実施例78図4に示す電極構造を第二の基板に作成し、電極構造を設けない第一の基板を使用し各々の対向側の片方に垂直配向性の配向膜を形成し、他方に水平配向性の配向膜を形成し、第一の基板と第二の基板の間に実施例71~75及び比較例6に示した正の誘電異方性液晶に各々2-メチルーアクリル酸4‘-{2-[4-2-アクリロイルオキシーエチル―フェノキシカルボニル]―エチル}―ビフェニル-4-イルエステルを0.3質量添加した組成物を挟持して液晶パネルを作成した。dITO=4μm、dgap=4μm、配向膜SE-5300、AL-1051電極間に駆動電圧を印加したまま、紫外線を600秒間照射3.0J/cm2し、重合処理を行った。実施例71~75に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルは比較例6に示した正の誘電異方性液晶を狭持した該液晶パネルと比較して、より高速な応答速度、より多い透過光量、外圧による光漏れの低減、より広範囲な視野角、より大きなコントラスト比を実現した。"