第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられたメモリセルと、を備えた不揮発性記憶装置であって、前記メモリセルは、前記第1の電極の上に設けられ、電子トラップを有する保持部と、前記保持部の上に設けられる抵抗変化部と、前記抵抗変化部と、前記第2の電極と、の間に設けられ、金属元素を含むイオン供給部と、を有する不揮発性記憶装置。前記保持部は、前記電子トラップを有する金属酸化物を含む請求項1記載の不揮発性記憶装置。前記保持部の電子トラップ密度は、1×1011/cm3以上である請求項1または2に記載の不揮発性記憶装置。前記保持部の電子トラップ密度は、1×1013/cm3以下である請求項1~3のいずれか1つに記載の不揮発性記憶装置。前記保持部は、積層された複数の層を有する請求項1~4のいずれか1つに記載の不揮発性記憶装置。前記保持部の比誘電率は、前記抵抗変化部の比誘電率よりも高い請求項1~5のいずれか1つに記載の不揮発性記憶装置。前記イオン供給部は、銀、銅、コバルト、ニッケル、アルミニウム、チタンからなる群より選ばれた少なくとも1種を含む請求項1~6のいずれか1つに記載の不揮発性記憶装置。前記抵抗変化部は、アモルファスシリコン、およびシリコン酸化物の少なくともいずれかを含む請求項1~7のいずれか1つに記載の不揮発性記憶装置。前記イオン供給部は、前記抵抗変化部の内部に導電経路を形成し、前記保持部は、前記導電経路から前記第1の電極側に移動する電子を捕獲する請求項1~8のいずれか1つに記載の不揮発性記憶装置。第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられたメモリセルと、を有する不揮発性記憶装置の製造方法であって、前記第1の電極となる膜の上に、保持部となる膜を形成する工程と、前記保持部となる膜の上に、抵抗変化部となる膜を形成する工程と、前記抵抗変化部となる膜の上に、イオン供給部となる膜を形成する工程と、を備え、前記保持部となる膜を形成する工程において、イオン注入を行うことで電子トラップを形成する不揮発性記憶装置の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、データ保持特性の向上を図ることができる不揮発性記憶装置、及びその製造方法を提供することである。実施形態に係る不揮発性記憶装置は、第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられたメモリセルと、を備えた不揮発性記憶装置である。このメモリセルは、第1の電極の上に設けられ、電子トラップを有する保持部と、前記保持部の上に設けられる抵抗変化部と、前記抵抗変化部と、前記第2の電極と、の間に設けられ、金属元素を含むイオン供給部と、を有する。以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る不揮発性記憶装置を例示するための模式断面図である。なお、図1においては、主にメモリセルの部分を表すものとし、不揮発性記憶装置1に設けられる既知のワード線、ビット線、保護膜、層間絶縁膜、コンタクト、周辺回路部などは省略している。図1に示すように、不揮発性記憶装置1は、第1の電極3と、メモリセル2と、第2の電極8と、を備えている。第1の電極3は、導電性材料から形成されている。導電性材料としては、特に限定されるわけではなく、例えば、タングステンW、窒化タングステンWN、炭化タングステンWC、チタンTi、窒化チタンTiN、銅Cu、アルミニウムAl、モリブデンMo、タンタルTa、シリサイド、ドーパント元素が添加されたシリコンなどを例示することができる。第2の電極8は、後述するイオン供給部7の上に設けられている。第2の電極8は、導電性材料から形成されている。第2の電極8の材料は、第1の電極3の材料と同様とすることができる。また、第1の電極3、第2の電極8は、図示しないワード線、ビット線と接続される。なお、第1の電極3、第2の電極8をワード線、ビット線とすることもできる。第1の電極3と第2の電極8との間に設けられるメモリセル2には、記憶部4、イオン供給部7が設けられている。記憶部4には、保持部5、抵抗変化部6が設けられている。保持部5は、第1の電極3の上に設けられている。保持部5は、後述する導電経路7aから第1の電極3側に移動する電子を捕獲する。あるいは、保持部5は、第1の電極3側からの電子を捕獲する。そのため、保持部5は、電子を捕獲する電子トラップを有している。例えば、保持部5は、電子トラップを有する金属酸化物を含むものとすることができる。例えば、保持部5は、酸素欠損などによる欠陥を有する金属酸化物などから形成することができる。この場合、金属酸化物は、酸化ハフニウムHfOx、シリコン酸窒化物SiOxNy、酸化アルミニウムAlxOy、酸化ランタンLaxOy、酸化タンタル法などを用いて、素子分離部30aが形成された積層体21の表面を平坦化する。次に、図4dに示すように、積層体21にトレンチ21bを形成する。トレンチ21bの形成は、前述したトレンチ21aの形成と同様とすることができる。なお、図4dにおいては、積層体21をY方向に略垂直に切断した断面が例示されている。積層体21はY方向において前述したトレンチ21aにより分離され、X方向においてトレンチ21bにより分離される。その後、トレンチ21bの内部に絶縁物を埋め込み素子分離部30bを形成する。素子分離部30bの形成は、前述した素子分離部30aの形成と同様とすることができる。また、CMP法などを用いて、素子分離部30bが形成された積層体21の表面を平坦化する。次に、図4eに示すように、積層体21の上に第2の電極8となる膜を形成し、PEPおよびRIE法ReactiveIonetchingなどを用いて、Y方向に伸びるストライプ状の第2の電極8を積層体21の上に形成する。この様にして、X方向に伸びるストライプ状の第1の電極3と、Y方向に伸びるストライプ状の第2の電極8との交点にメモリセル2を形成することができる。この場合、ストライプ状の第1の電極3、およびストライプ状の第2の電極8のいずれか一方をワード線とし、いずれか他方をビット線とすることができる。以上のようにして、クロスポイント型の不揮発性記憶装置1を製造することができる。なお、第1の実施形態、第2の実施形態において例示をしたものは、一層のメモリセル2を設ける場合であるが、複数のメモリセル2を積層して設けることもできる。メモリセル2を積層する場合には、上下に隣接するメモリセル2同士の間に絶縁層を設けるようにすることができる。また、上下に隣接するメモリセル2において、第1の電極3または第2の電極8を共通にすることができる。図5は、積層されたメモリセル2の一例を例示するための模式断面図である。図5に示すように、上下に隣接するメモリセル2において第2の電極8を共通にすれば、不揮発性記憶装置の小型化や製造工程の簡略化などを図ることができる。なお、上下に隣接するメモリセル2において第1の電極3を共通にすることもできる。以上に例示をした実施形態によれば、データ保持特性の向上を図ることができる不揮発性記憶装置、及びその製造方法を実現することができる。以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。