"処理空間内にガスを供給してプラズマを生成する基板処理装置用のガス導入装置であって、複数のガス孔を有し、前記プラズマを生成するために高周波電力が供給される電極板と、前記複数のガス孔に連通する複数のガス孔を有し、前記電極板を冷却するクーリングプレートと、ガス導入管と接続され、前記ガス導入管から前記ガスが導入される上部電極体とを備え、前記電極板、前記クーリングプレート及び前記上部電極体はこの順序で下側から順に重畳されており、前記クーリングプレートは、その基材の主成分がJIS規格のA6061合金であり、前記基材を直流電源の陽極に接続し且つ有機酸を主成分とする溶液中に浸漬する陽極酸化処理によって前記基材の表面に形成された皮膜を備え、前記皮膜には、前記皮膜を沸騰水中に5分~10分間浸漬する半封孔処理が施されていることを特徴とする基板処理装置用のガス導入装置。前記クーリングプレートにおいて前記皮膜が形成される前記基材の表面は、少なくとも1つの穴部又は凹部の表面であることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置用のガス導入装置。処理空間内にガスを供給してプラズマを生成する基板処理装置用のガス導入装置であって、複数のガス孔を有し、前記プラズマを生成するために高周波電力が供給される電極板と、前記複数のガス孔に連通する複数のガス孔を有し、前記電極板を冷却するクーリングプレートと、ガス導入管と接続され、前記ガス導入管から前記ガスが導入される上部電極体とを備え、前記電極板、前記クーリングプレート及び前記上部電極体はこの順序で下側から順に重畳され、前記上部電極体の表面には、第1のアルマイト皮膜が形成され、前記クーリングプレートの表面には、第2のアルマイト皮膜が形成され、前記電極板の表面には、第3のアルマイト皮膜が形成されており、前記第2のアルマイト皮膜は、有機酸を主成分とする溶液中に浸漬する陽極酸化処理によって形成された皮膜であることを特徴とする基板処理装置用のガス導入装置。前記第2のアルマイト皮膜には、前記皮膜を形成した後に前記皮膜を沸騰水中に5分~10分に亘って浸漬する半封孔処理が施されていることを特徴とする請求項3記載の基板処理装置用のガス導入装置。前記クーリングプレートにおいて前記第2のアルマイト皮膜が形成される表面は、少なくとも1つの穴部又は凹部の表面であることを特徴とする請求項3又は4記載の基板処理装置用のガス導入装置。前記クーリングプレートをなす基材の主成分はJIS規格のA6061合金であることを特徴とする請求項3乃至5のいずれか1項に記載の基板処理装置用のガス導入装置。基板にプラズマ処理を施す基板処理装置であって、前記基板をプラズマ処理するチャンバと、前記基板を載置し、下部電極の機能を有する載置台と、前記チャンバ内にガスを導入するガス導入装置と、前記チャンバ内を真空引きする真空ポンプとを備え、前記ガス導入装置は、前記チャンバ内に前記ガスを供給する複数のガス孔を有し、前記チャンバ内にプラズマを生成するために高周波電力が供給される電極板と、前記複数のガス孔に連通する複数のガス孔を有し、前記電極板を冷却するクーリングプレートと、ガス導入管と接続され、前記ガス導入管から前記ガスが導入される上部電極体とを有し、前記電極板、前記クーリングプレート及び前記上部電極体はこの順序で下側から順に重畳されており、前記クーリングプレートは、その基材の主成分がJIS規格のA6061合金であり、前記基材を直流電源の陽極に接続し且つ有機酸を主成分とする溶液中に浸漬する陽極酸化処理によって前記基材の表面に形成された皮膜を備え、前記皮膜には、前記皮膜を沸騰水中に5分~10分間浸漬する半封孔処理が施されていることを特徴とする基板処理装置。前記クーリングプレートにおいて前記皮膜が形成される前記基材の表面は、少なくとも1つの穴部又は凹部の表面であることを特徴とする請求項7記載の基板処理装置。基板にプラズマ処理を施す基板処理装置であって、前記基板をプラズマ処理するチャンバと、前記基板を載置し、下部電極の機能を有する載置台と、前記チャンバ内にガスを導入するガス導入装置と、前記チャンバ内を真空引きする真空ポンプとを備え、前記ガス導入装置は、前記チャンバ内に前記ガスを供給する複数のガス孔を有し、前記チャンバ内にプラズマを生成するために高周波電力が供給される電極板と、前記複数のガス孔に連通する複数のガス孔を有し、前記電極板を冷却するクーリングプレートと、ガス導入管と接続され、前記ガス導入管から前記ガスが導入される上部電極体とを有し、前記電極板、前記クーリングプレート及び前記上部電極体はこの順序で下側から順に重畳され、前記上部電極体の表面には、第1のアルマイト皮膜が形成され、前記クーリングプレートの表面には、第2のアルマイト皮膜が形成され、前記電極板の表面には、第3のアルマイト皮膜が形成されており、前記第2のアルマイト皮膜は、有機酸を主成分とする溶液中に浸漬する陽極酸化処理によって形成された皮膜であることを特徴とする基板処理装置。前記第2のアルマイト皮膜には、前記皮膜を形成した後に前記皮膜を沸騰水中に5分~10分に亘って浸漬する半封孔処理が施されていることを特徴とする請求項9記載の基板処理装置。前記クーリングプレートにおいて前記第2のアルマイト皮膜が形成される表面は、少なくとも1つの穴部又は凹部の表面であることを特徴とする請求項9又は10記載の基板処理装置。前記クーリングプレートをなす基材の主成分はJIS規格のA6061合金であることを特徴とする請求項9乃至11のいずれか1項に記載の基板処理装置。しかしながら、最近、HARCHighAspectRatioContact処理などに代表されるように高パワーのプラズマ処理を施すことがある。高パワーのプラズマ処理ではクーリングプレートの温度が上昇するが、一般にアルマイト皮膜は耐熱性が低いため、このようなプラズマ処理ではクーリングプレートのアルマイト皮膜にクラックが生じ、アルマイト皮膜の一部が欠けてパーティクルが発生する。本発明は、皮膜の欠けによるパーティクルの発生を防止することができる基板処理装置用のガス導入装置と、このガス導入装置を備える基板処理装置を提供することを目的とする。本発明に係る第1のガス導入装置は、処理空間内にガスを供給してプラズマを生成する基板処理装置用のガス導入装置であって、複数のガス孔を有し、前記プラズマを生成するために高周波電力が供給される電極板と、前記複数のガス孔に連通する複数のガス孔を有し、前記電極板を冷却するクーリングプレートと、ガス導入管と接続され、前記ガス導入管から前記ガスが導入される上部電極体とを備え、前記電極板、前記クーリングプレート及び前記上部電極体はこの順序で下側から順に重畳されており、前記クーリングプレートは、その基材の主成分がJIS規格のA6061合金であり、前記基材を直流電源の陽極に接続し且つ有機酸を主成分とする溶液中に浸漬する陽極酸化処理によって前記基材の表面に形成された皮膜を備え、前記皮膜には、前記皮膜を沸騰水中に5分~10分間浸漬する半封孔処理が施されていることを特徴とする。本発明に係る第2のガス導入装置は、処理空間内にガスを供給してプラズマを生成する基板処理装置用のガス導入装置であって、複数のガス孔を有し、前記プラズマを生成するために高周波電力が供給される電極板と、前記複数のガス孔に連通する複数のガス孔を有し、前記電極板を冷却するクーリングプレートと、ガス導入管と接続され、前記ガス導入管から前記ガスが導入される上部電極体とを備え、前記電極板、前記クーリングプレート及び前記上部電極体はこの順序で下側から順に重畳され、前記上部電極体の表面には、第1のアルマイト皮膜が形成され、前記クーリングプレートの表面には、第2のアルマイト皮膜が形成され、前記電極板の表面には、第3のアルマイト皮膜が形成されており、前記第2のアルマイト皮膜は、有機酸を主成分とする溶液中に浸漬する陽極酸化処理によって形成された皮膜であることを特徴とする。本発明に係る第1の基板処理装置は、基板にプラズマ処理を施す基板処理装置であって、前記基板をプラズマ処理するチャンバと、前記基板を載置し、下部電極の機能を有する載置台と、前記チャンバ内にガスを導入するガス導入装置と、前記チャンバ内を真空引きする真空ポンプとを備え、前記ガス導入装置は、前記チャンバ内に前記ガスを供給する複数のガス孔を有し、前記チャンバ内にプラズマを生成するために高周波電力が供給される電極板と、前記複数のガス孔に連通する複数のガス孔を有し、前記電極板を冷却するクーリングプレートと、ガス導入管と接続され、前記ガス導入管から前記ガスが導入される上部電極体とを有し、前記電極板、前記クーリングプレート及び前記上部電極体はこの順序で下側から順に重畳されており、前記クーリングプレートは、その基材の主成分がJIS規格のA6061合金であり、前記基材を直流電源の陽極に接続し且つ有機酸を主成分とする溶液中に浸漬する陽極酸化処理によって前記基材の表面に形成された皮膜を備え、前記皮膜には、前記皮膜を沸騰水中に5分~10分間浸漬する半封孔処理が施されていることを特徴とする。本発明に係る第2の基板処理装置は、基板にプラズマ処理を施す基板処理装置であって、前記基板をプラズマ処理するチャンバと、前記基板を載置し、下部電極の機能を有する載置台と、前記チャンバ内にガスを導入するガス導入装置と、前記チャンバ内を真空引きする真空ポンプとを備え、前記ガス導入装置は、前記チャンバ内に前記ガスを供給する複数のガス孔を有し、前記チャンバ内にプラズマを生成するために高周波電力が供給される電極板と、前記複数のガス孔に連通する複数のガス孔を有し、前記電極板を冷却するクーリングプレートと、ガス導入管と接続され、前記ガス導入管から前記ガスが導入される上部電極体とを有し、前記電極板、前記クーリングプレート及び前記上部電極体はこの順序で下側から順に重畳され、前記上部電極体の表面には、第1のアルマイト皮膜が形成され、前記クーリングプレートの表面には、第2のアルマイト皮膜が形成され、前記電極板の表面には、第3のアルマイト皮膜が形成されており、前記第2のアルマイト皮膜は、有機酸を主成分とする溶液中に浸漬する陽極酸化処理によって形成された皮膜であることを特徴とする。本発明によれば、皮膜の欠けによるパーティクルの発生を防止することができるため、基板のパーティクルによる汚染を抑制することができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。まず、本発明の実施の形態に係る基板処理装置用の部品が適用される基板処理装置について説明する。図1は、本実施の形態に係る基板処理装置用の部品が適用される基板処理装置の概略構成を示す断面図である。この基板処理装置は基板としての半導体ウエハWにRIEReactiveIonEtching処理やアッシング処理等のプラズマ処理を施すように構成されている。図1において、基板処理装置10は円筒形状のチャンバ11を有し、チャンバ11は内部に処理空間Sを有する。また、チャンバ11内には、例えば、直径が300mmの半導体ウエハ以下、単にウエハという。Wを載置する載置台としての円柱状のサセプタ12が配置されている。チャンバ11の内壁面は側壁部材31で覆われる。側壁部材31はアルミニウムからなり、その処理空間Sに対向する面はイットリアY2O3の溶射皮膜でコーティングされている。また、チャンバ11は電気的に接地し、サセプタ12はチャンバ11の底部に絶縁性部材29を介して設置される。基板処理装置10では、チャンバ11の内側壁とサセプタ12の側面とによって、サセプタ12上方のガスをチャンバ11の外へ排出する排気路13が形成される。この排気路13の途中にはプラズマの下流への漏洩を防止する環状の排気プレート14が配置される。また、排気路13における排気プレート14より下流の空間は、サセプタ12の下方へ回り込み、可変式バタフライバルブである自動圧力制御弁AutomaticPressureControlValve以下、APCバルブという。15に連通する。APCバルブ15は、アイソレータIsolator16を介して真空引き用の排気ポンプであるターボ分子ポンプTurboMolecularPump以下、TMPという。17に接続され、TMP17は、バルブV1を介して排気ポンプであるドライポンプ以下、DPという。18に接続されている。APCバルブ15はチャンバ11内の圧力制御を行い、TMP17はチャンバ11内を真空引きする。また、バイパス配管19がアイソレータ16及びAPCバルブ15の間からバルブV2を介してDP18に接続されている。DP18はバイパス配管19を介してチャンバ11内を粗引きする。サセプタ12には高周波電源20が給電棒21及び整合器Matcher22を介して接続されており、高周波電源20は高周波電力をサセプタ12に供給する。これにより、サセプタ12は下部電極として機能する。また、整合器22は、サセプタ12からの高周波電力の反射を低減して高周波電力のサセプタ12への供給効率を最大にする。サセプタ12は高周波電源20から供給された高周波電力を処理空間Sに印加する。サセプタ12の内部上方には、導電膜からなる円板状のESC電極板23が配置されている。ESC電極板23にはESC直流電源24が電気的に接続されている。ウエハWは、ESC直流電源24からESC電極板23に印加された直流電圧により発生するクーロン力又はジョンソンラーベック力によってサセプタ12の上面に吸着保持される。また、サセプタ12の上部には、サセプタ12の上面に吸着保持されたウエハWの周りを囲うように円環状のフォーカスリング25が配設される。このフォーカスリング25は、処理空間Sに露出し、処理空間Sにおいて発生したプラズマをウエハWの表面に向けて収束し、プラズマ処理の効率を向上させる。また、サセプタ12の内部には、例えば、円周方向に延在する環状の冷媒室26が設けられる。この冷媒室26には、チラーユニット図示せずから冷媒用配管27を介して所定温度の冷媒、例えば、冷却水やガルデン登録商標液が循環供給され、該冷媒の温度によってサセプタ12上面に吸着保持されたウエハWの処理温度が制御される。さらに、サセプタ12の上面のウエハWが吸着保持される部分以下、吸着面という。には、複数の伝熱ガス供給孔28が開口している。これら複数の伝熱ガス供給孔28は、サセプタ12内部に配置された伝熱ガス供給ライン30を介して伝熱ガス供給部32に接続され、伝熱ガス供給部32は伝熱ガスとしてのヘリウムHeガスを、伝熱ガス供給孔28を介して吸着面及びウエハWの裏面の間隙に供給する。また、サセプタ12の吸着面には、サセプタ12の上面から突出自在なリフトピンとしての複数のプッシャーピン33が配置されている。これらのプッシャーピン33は吸着面から自在に突出する。ウエハWにプラズマ処理を施すためにウエハWを吸着面に吸着保持するときには、プッシャーピン33はサセプタ12に収容され、プラズマ処理が施されたウエハWをチャンバ11から搬出するときには、プッシャーピン33はサセプタ12の上面から突出してウエハWをサセプタ12から離間させて上方へ持ち上げる。チャンバ11の天井部には、サセプタ12と対向するようにガス導入シャワーヘッド34が配置されている。ガス導入シャワーヘッド34は天井電極板35、クーリングプレート36基板処理装置用の部品及び上部電極体UpperElectrodeBody37を備える。ガス導入シャワーヘッド34において、天井電極板35、クーリングプレート36及び上部電極体37は下方から順に重畳される。天井電極板35は導電体材料からなる円板状の部品である。天井電極板35には高周波電源38が整合器39を介して接続されており、高周波電源38は高周波電力を天井電極板35に供給する。これにより、天井電極板35は上部電極として機能する。また、整合器39は整合器22と同様の機能を有する。天井電極板35は高周波電源38から供給された高周波電力を処理空間Sに印加する。なお、天井電極板35の周りには天井電極板35を囲うように環状の絶縁部材40が配置され、絶縁部材40は天井電極板35をチャンバ11から絶縁する。クーリングプレート36はアルミニウム、例えば、JIS規格のA6061合金からなる円板状の部品である。クーリングプレート36の表面は、後述する皮膜形成方法によって形成されたアルマイト皮膜57によって覆われている。クーリングプレート36はプラズマ処理によって高温になった天井電極板35の熱を吸収して天井電極板35を冷却する。なお、クーリングプレート36の下面は天井電極板35の上面にアルマイト皮膜57を介して接触するため、天井電極板35はクーリングプレート36と絶縁される。上部電極体37はアルミニウムからなる円板状の部品である。上部電極体37の表面も、後述する皮膜形成方法によって形成されたアルマイト皮膜57によって覆われている。上部電極体37の内部にはバッファ室41が設けられ、このバッファ室41には処理ガス供給部図示せずからの処理ガス導入管42が接続されている。バッファ室41には処理ガス導入管42を介して処理ガス供給部から処理ガスが導入される。天井電極板35及びクーリングプレート36は、それぞれその厚み方向に貫通する複数のガス孔43,44貫通孔を有する。また、上部電極体37は上部電極体37の下面及びバッファ室41の間の部分を貫通する複数のガス孔45を有する。天井電極板35、クーリングプレート36及び上部電極体37が重畳されたとき、各ガス孔43,44,45は一直線上に並び、バッファ室41に導入された処理ガスを処理空間Sに供給する。チャンバ11の側壁には、プッシャーピン33によってサセプタ12から上方へ持ち上げられたウエハWの高さに対応する位置にウエハWの搬出入口46が設けられ、搬出入口46には、搬出入口46を開閉するゲートバルブ47が取り付けられている。この基板処理装置10のチャンバ11内では、上述したように、サセプタ12及び天井電極板38が処理空間Sに高周波電力を印加することにより、ガス導入シャワーヘッド34から処理空間Sに供給された処理ガスを高密度のプラズマにして陽イオンやラジカルを発生させ、該陽イオンやラジカルによってウエハWにプラズマ処理を施す。図2は、基板処理装置用の部品の表面に形成される一般的なアルマイト皮膜の構成を示す断面斜視図である。図2において、アルマイト皮膜48は、部品のアルミニウム基材49上に形成されたバリア層50と、バリア層50の上に形成されたポーラス層51とを備える。バリア層50は酸化アルミニウムAl2O3からなるほぼ欠陥のない層であり、ガス透過性を有していないため、腐食性ガスやプラズマがアルミニウム基材49に接触するのを防止する。ポーラス層51はアルマイト皮膜48の厚み方向以下、単に膜厚方向という。に沿って伸長して成長する、酸化アルミニウムからなる複数のセル52を有する。各セル52はアルマイト皮膜48の表面において開口し、膜厚方向に沿って伸長する孔であるポア53を有する。このアルマイト皮膜48は、部品を直流電源の陽極に接続して酸性溶液電解液中に浸漬し、アルミニウム基材49の表面を酸化する陽極酸化処理ことによって形成される。このとき、バリア層50とともにポーラス層51が形成されるが、ポーラス層51ではセル52の成長に伴いポア53も膜厚方向に沿って伸長していく。アルマイト皮膜48が表面に形成された部品を、水分を含む雰囲気において使用すると、各ポア53は水分を吸収し、その後放出することがある。プラズマ処理は真空中で実行される必要があるが、各ポア53から水分が放出されると真空を実現するのが困難である。したがって、各ポア53は封孔する必要がある封孔処理。通常、封孔処理では120°C~140°Cの高圧の水蒸気にアルマイト皮膜48が晒される。このとき、図3Aに示すように、各セル52では水蒸気に触発されて酸化アルミニウム60が膨張成長し、ポア53を殆ど封孔する。このとき、ポア53内では膨張成長した酸化アルミニウム60の逃げ場がなくなり、ポーラス層51等に圧縮応力を発生させることがある。また、通常、陽極酸化処理では硫酸溶液が用いられるが、部品が硫酸溶液中に浸漬されると、図3Bに示すように、アルミニウム基材49が酸化されてアルマイト皮膜48が内側に向けて成長すると共に、外側に向けても成長する。アルミニウム基材49の内側に向けて成長するアルマイト皮膜48では、アルミニウムが酸化アルミニウムに変質するだけであるが、アルミニウム基材49の外側に向けて成長するアルマイト皮膜48では、図3Cに示すように、不純物54を頂点とする酸化アルミニウムの結晶柱55がアルマイト皮膜48の外側へ向けて伸長する。このとき、ある結晶柱55が曲がりながら伸長して隣接する結晶柱55に衝突するとそれぞれの結晶柱55に残留応力が発生する。硫酸溶液を用いた陽極酸化処理及び水蒸気を用いた封孔処理によって形成されたアルマイト皮膜48では、HARC処理によって部品が高温、例えば、アルマイト皮膜48が表面に形成されたクーリングプレート36における天井電極板35との接触面の温度が176°C程度になると、アルマイト皮膜48においてポア53の酸化アルミニウム60が膨張してポーラス層51等に圧縮応力が発生する。また、結晶柱55同士の衝突による残留応力に熱応力が加わる。その結果、アルマイト皮膜48が破壊されることがある。これに対して、本実施の形態に係る基板処理装置用の部品としてのクーリングプレート36の表面に形成されるアルマイト皮膜では、ポーラス層等における圧縮応力及び残留応力の発生が抑制される。具体的には、表面にアルミニウム基材56が剥き出しとなったクーリングプレート36を直流電源の陽極に接続して、有機酸、例えば、シュウ酸を主成分とする酸性溶液以下、シュウ酸溶液という。に浸漬し、クーリングプレート36の表面を酸化する陽極酸化処理。このとき、硫酸を用いた陽極酸化処理と異なり、図4Aに示すように、アルマイト皮膜57は主としてアルミニウム基材56の内側に向けて成長し、アルミニウム基材56の外側に向けて殆ど成長しない。したがって、アルミニウム基材56の表面から外側へ向けて酸化アルミニウムの結晶柱が成長することが殆ど無く、隣接する結晶柱同士が衝突することがない。その結果、アルマイト皮膜57において残留応力の発生を抑制することができる。なお、アルマイト皮膜57の各セル58でもポア53と同様のポア59が形成される。また、表面にアルマイト皮膜57が形成されたクーリングプレート36は沸騰水中に5分~10分に亘って浸漬される半封孔処理。このとき、図4Bに示すように、各セル58では沸騰水に触発されて酸化アルミニウム61が膨張成長するが、その膨張成長量は水蒸気を用いた封孔処理によって膨張成長する酸化アルミニウム60の膨張成長量よりも小さい。その結果、ポア59は不完全に封孔され、ポア59において酸化アルミニウム61に囲われた開口通路62が確保される。これにより、ポア59において酸化アルミニウム61が膨張しても、膨張した酸化アルミニウム61の逃げ場を確保することができ、ポーラス層等において圧縮応力の発生を殆ど防止することができる。なお、クーリングプレート36を沸騰水中に30分~60分に亘って浸漬すると、図4Cに示すように、ポア59におけるアルマイト皮膜57の表面近傍において酸化アルミニウム62が大きく膨張成長し、ポア59を殆ど封孔してしまう。したがって、クーリングプレート36の沸騰水への浸漬時間は30分未満、好ましくは5分~10分であるのがよい。シュウ酸溶液を用いた陽極酸化処理及び沸騰水中にクーリングプレート36を5分~10分に亘って浸漬する半封孔処理によって形成されたアルマイト皮膜57では、HARC処理によってクーリングプレート36が高温になっても、ポア59において酸化アルミニウム61の逃げ場が確保されているので、ポーラス層等に圧縮応力が殆ど発生することがない。また、アルマイト皮膜57において残留応力が殆ど発生することがないので、熱応力に残留応力が加わることがない。その結果、アルマイト皮膜57が破壊されることがない。この効果は、特に、JIS規格のA6061合金において顕著である。なお、アルマイト皮膜57におけるセル58の大きさ、バリア層の厚さ及びポア59の径は、陽極酸化処理において、クーリングプレート36が接続された直流電源がシュウ酸溶液に印加する電圧に応じて変化する。具体的には、図5に示すように、印加される電圧が大きいほどセル58の大きさ、バリア層の厚さ及びポア59の径は増加する。しかしながら、これらの増加度合いは互いに異なり、セル58の大きさの増加度合いが最も大きく、ポア59の径の増加度合いが最も小さい。そのため、印加する電圧を高くすると、セル58に対してポア59が相対的に小さくなり、アルマイト皮膜57の緻密度が向上する。アルマイト皮膜57が緻密になると、各ポア59において酸化アルミニウム61の逃げ場が確保されない可能性が高くなるため、シュウ酸溶液に印加する電圧は或る閾値以下であるのが好ましい。次に、本実施の形態に係る皮膜形成方法について説明する。図6は、本実施の形態に係る皮膜形成方法のフローチャートである。図6において、まず、表面にアルミニウム基材56が剥き出しとなったクーリングプレート36を直流電源の陽極に接続して、シュウ酸溶液中に浸漬し、クーリングプレート36の表面を酸化するステップS61陽極酸化処理。次いで、表面にアルマイト皮膜57が形成されたクーリングプレート36を沸騰水中に5分~10分に亘って浸漬しステップS62半封孔処理、本処理を終了する。図6の処理によれば、クーリングプレート36が直流電源の陽極に接続され且つシュウ酸溶液中に浸漬され、クーリングプレート36が沸騰水中に5分~10分に亘って浸漬される。これにより、アルマイト皮膜57において結晶柱同士の衝突による残留応力の発生を抑制できる。また、各ポア59において酸化アルミニウム61の成長量を小さくすることができ、各ポア59において酸化アルミニウム61の逃げ場を確保することができ、ポーラス層等において圧縮応力が殆ど発生することがない。したがって、クーリングプレート36が高温になってもアルマイト皮膜57が破壊されることがなく、アルマイト皮膜57の欠けによるパーティクルの発生を防止することができる。すなわち、クーリングプレート36の耐熱性を向上させることができる。クーリングプレート36は複数のガス孔44を有するが、通常、ガス孔44は細孔であるため、ガス孔44の表面に向けてイットリア等の粒子をガンスプレー等によって吹き付けても、粒子が十分に付着しない部分が発生する。すなわち、ガス孔44の表面に溶射によって耐熱性の優れたイットリア膜等を形成するのが困難であるが、図6の処理では、クーリングプレート36がシュウ酸溶液中に浸漬されるため、ガス孔44の表面に電解液であるシュウ酸溶液が接触する。したがって、ガス孔44の表面にアルマイト皮膜57を形成することができる。これにより、クーリングプレート36の耐熱性を確実に向上させることができる。なお、ガンスプレー等によってイットリア等の粒子を十分に吹き付けられない表面又は全く吹き付けることができない表面を有する他の部品、例えば、細孔、深孔や入り組んだ凹部を有する他の部品も、シュウ酸溶液中に浸漬することによって全表面にアルマイト皮膜57を形成することができ、これにより、耐熱性を確実に向上させることができる。また、HARC処理では、クーリングプレート36の表面、具体的にはガス孔44の表面は高パワーのプラズマ雰囲気に暴露されるが、ガス孔44の表面には不完全に封孔されたポア59を有し且つ残留応力の発生が抑制されたアルマイト皮膜57が形成されるので、クーリングプレート36が高パワーのプラズマ雰囲気に暴露されてもアルマイト皮膜57の欠けによるパーティクルの発生を防止することができる。なお、上述した図6の処理では、クーリングプレート36の表面にアルマイト皮膜57が形成されたが、アルマイト皮膜57が表面に形成される部品はこれに限られない。例えば、図6の処理によって上部電極体37の表面にアルマイト皮膜57が形成されてもよい。次に、本発明の実施例を具体的に説明する。<実施例>クーリングプレート36の表面に図6の処理によってアルマイト皮膜57を形成し、クーリングプレート36を基板処理装置10に組み込んだ。次いで、熱酸化膜を有するウエハWを準備し、基板処理装置10によって該ウエハWにHARC処理を施した。このHARC処理では、チャンバ11内の圧力が3.33Pa25mTorrに設定され、天井電極板35には3300Wの高周波電力が供給され、サセプタ12には3800Wの高周波電力が供給され、処理空間SにC5F8ガス、Arガス及びO2ガスからなる処理ガスC5F8ガス、Arガス及びO2ガスの流量比は29/750/47が供給され、吸着面及びウエハWの裏面の間隙において、ウエハWの中央部及び周縁部にはそれぞれ2.00MPa15TorrのHeガス及び5.33MPa40TorrのHeガスが供給され、チャンバ11の内壁において、天井部、側壁部、底面部の温度はそれぞれ60°C、60°C、20°Cに設定され、この状態が60秒間に亘って維持された。そして、HARC処理後、ウエハWの熱酸化膜のエッチレートを算出し、また、基板処理装置10からクーリングプレート36を取り外してアルマイト皮膜57の状態を確認した。<比較例>クーリングプレート36の表面に硫酸溶液を用いた陽極酸化処理及び水蒸気を用いた封孔処理によってアルマイト皮膜48を形成し、クーリングプレート36を基板処理装置10に組み込んだ。次いで、熱酸化膜を有するウエハWを準備し、基板処理装置10によって該ウエハWに実施例と同じ条件のHARC処理を施した。そして、HARC処理後、ウエハWの熱酸化膜のエッチレートを算出し、また、基板処理装置10からクーリングプレート36を取り外してアルマイト皮膜48の状態を確認した。アルマイト皮膜48,57の状態を確認した結果、実施例のアルマイト皮膜57にはクラックが発生していないが、比較例のアルマイト皮膜48にはクラックが発生しているのを確認した。これにより、図6の処理によってクーリングプレート36の耐熱性を確実に向上させることができることが分かった。また、実施例における熱酸化膜のエッチレートと、比較例における熱酸化膜のエッチレートとの間には有意差を見出すことができなかった。したがって、図6の処理によって形成されたアルマイト皮膜57はプラズマ処理に影響を与えないことが分かった。"