"一主面に凹凸形状がストライプ状または碁盤目状に形成された基板と、前記凹凸形状の凸部の長さ方向に沿って前記凸部上に形成された複数のカーボンナノウォールとを備え、前記基板の面内方向における前記凸部の幅が前記基板の面内方向における前記凹凸形状の凹部の幅よりも狭く、かつ、前記凸部の幅が0.5μm以下である、カーボンナノウォール配列体。プラズマを用いてカーボンナノウォールを製造する製造方法であって、一主面に凹凸形状がストライプ状または碁盤目状に形成された基板を前記真空容器内に配置する第1の工程と、前記基板の温度を所望の温度に昇温する第2の工程と、前記真空容器内に炭素原子を含む材料ガスを導入する第3の工程と、電極に高周波電力を印加する第4の工程とを備え、前記基板の面内方向における前記凹凸形状の凸部の幅が前記基板の面内方向における前記凹凸形状の凹部の幅よりも狭く、かつ、前記凸部の幅が0.5μm以下である、カーボンナノウォールの製造方法。しかし、従来のカーボンナノウォールの製造方法を用いてカーボンナノウォールを製造した場合、所望のパターンに沿ってカーボンナノウォールを配向させることができないという問題がある。そこで、この発明は、かかる問題を解決するためになされたものであり、その目的は、所望のパターンに沿ってカーボンナノウォールを配向させることが可能なカーボンナノウォール配列体を提供することである。また、この発明の別の目的は、所望のパターンに沿ってカーボンナノウォールを配向させることが可能なカーボンナノウォールの製造方法を提供することである。この発明の実施の形態によれば、カーボンナノウォール配列体は、基板と、複数のカーボンナノウォールとを備える。基板は、一主面に凹凸形状がストライプ状または碁盤目状に形成されている。複数のカーボンナノウォールは、凹凸形状の凸部の長さ方向に沿って凸部上に形成される。そして、基板の面内方向における凸部の幅が基板の面内方向における凹凸形状の凹部の幅よりも狭く、かつ、凸部の幅が0.5μm以下である。また、この発明の実施の形態によれば、カーボンナノウォールの製造方法は、プラズマを用いてカーボンナノウォールを製造する製造方法であって、一主面に凹凸形状がストライプ状または碁盤目状に形成された基板を真空容器内に配置する第1の工程と、基板の温度を所望の温度に昇温する第2の工程と、真空容器内に炭素原子を含む材料ガスを導入する第3の工程と、電極に高周波電力を印加する第4の工程とを備え、基板の面内方向における凹凸形状の凸部の幅が基板の面内方向における凹凸形状の凹部の幅よりも狭く、かつ、凸部の幅が0.5μm以下である。この発明の実施の形態によるカーボンナノウォール配列体においては、基板の一主面に凹凸形状が形成されており、その凹凸形状は、基板の面内方向における凸部の幅が基板の面内方向における凹凸形状の凹部の幅よりも狭く、かつ、凸部の幅が0.5μm以下である形状からなる。その結果、複数のカーボンナノウォールは、凹凸形状の凸部の長さ方向に沿って凸部上に形成される。従って、カーボンナノウォールを所望のパターンに沿って配向させることができる。また、この発明の実施の形態によるカーボンナノウォールの製造方法は、プラズマを用いて凹凸形状が形成された基板上に複数のカーボンナノウォールを製造する。そして、基板の凹凸形状は、基板の面内方向における凸部の幅が基板の面内方向における凹凸形状の凹部の幅よりも狭く、かつ、凸部の幅が0.5μm以下である形状からなる。その結果、プラズマを用いてカーボンナノウォールを基板上に形成する場合、複数のカーボンナノウォールが基板の凸部の長さ方向に沿って成長する。従って、カーボンナノウォールを所望のパターンに沿って配向させることができる。本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。図1は、この発明の実施の形態によるカーボンナノウォール配列体の斜視図である。図1を参照して、この発明の実施の形態によるカーボンナノウォール配列体10は、基板1と、複数のカーボンナノウォール2~9とを備える。基板1は、例えば、シリコンまたはガラスからなる。そして、基板1は、凸部11と凹部12とを含む。凸部11および凹部12は、方向DR1に沿って基板1の一方の表面に形成される。方向DR1における凸部11および凹部12の長さは、基板1の長さと同じであっても、基板1の長さよりも短くてもよい。凸部11および凹部12は、方向DR1に垂直な方向DR2において、交互に形成される。凸部11は、方向DR2において、0.1~0.5μmの長さを有する。凹部12は、方向DR2において、0.6~1.5μmの長さを有する。即ち、凸部11は、0.1~0.5μmの幅を有し、凹部12は、0.6~1.5μmの幅を有する。また、凸部11の高さ=凹部12の深さは、0.3~0.6μmである。このように、基板1は、ストライプ状に配置された凹凸形状を一方の表面に有する。カーボンナノウォール2~9の各々は、基板1の凸部11の長さ方向=方向DR1に沿って凸部11上に形成される。そして、カーボンナノウォール2~9の各々は、10~15nmの厚み、および60~2500nmの高さを有する。このように、複数のカーボンナノウォール2~9は、基板1の凸部11の長さ方向に沿って配列される。つまり、複数のカーボンナノウォール2~9は、所望のパターンに沿って配向している。図2は、図1に示すカーボンナノウォール配列体10を製造するプラズマ装置の構成を示す断面図である。図2を参照して、プラズマ装置100は、真空容器20と、天板22と、排気口24と、ガス導入部26と、ホルダ32と、ヒータ34と、軸36と、軸受部38と、マスク42と、仕切り板44と、平面導体50と、給電電極52と、終端電極54と、絶縁フランジ56と、パッキン57,58と、シールドボックス60と、高周波電源62と、整合回路64と、接続導体68,69とを備える。真空容器20は、金属製であり、排気口24を介して真空排気装置に接続される。また、真空容器20は、電気的に接地ノードに接続される。天板22は、真空容器20の上側を塞ぐように真空容器20に接して配置される。この場合、真空容器20と天板22との間には、真空シール用のパッキン57が配置される。ガス導入部26は、真空容器20内において仕切り板44よりも上側に配置される。軸36は、軸受部38を介して真空容器20の底面に固定される。ホルダ32は、軸36の一方端に固定される。ヒータ34は、ホルダ32内に配置される。マスク42は、ホルダ32の周縁部においてホルダ32上に配置される。仕切り板44は、ホルダ32よりも上側において真空容器20とホルダ32との間を塞ぐように真空容器20の側壁に固定される。給電電極52および終端電極54は、絶縁フランジ56を介して天板22に固定される。この場合、天板22と絶縁フランジ56との間には、真空シール用のパッキン58が配置される。平面導体50は、X方向における両端部がそれぞれ給電電極52および終端電極54に接するように配置される。給電電極52および終端電極54は、後述するようにY方向図2の紙面に垂直な方向において平面導体50とほぼ同じ長さを有する。そして、給電電極52は、接続導体68によって整合回路64の出力バー66に接続される。終端電極54は、接続導体69を介してシールドボックス60に接続される。平面導体50、給電電極52および終端電極54は、例えば、銅およびアルミニウム等からなる。シールドボックス60は、真空容器20の上側に配置され、天板22に接する。高周波電源62は、整合回路64と接地ノードとの間に接続される。整合回路64は、シールドボックス60上に配置される。接続導体68,69は、Y方向において給電電極52および終端電極54とほぼ同じ長さを有する板形状からなる。ガス導入部26は、ガスボンベ図示せずから供給されたメタンCH4ガスおよび水素H2ガス等のガス28を真空容器20内に供給する。ホルダ32は、基板1を支持する。ヒータ34は、基板1を所望の温度に加熱する。軸36は、ホルダ32を支持する。マスク42は、基板1の周縁部を覆う。これによって、生成物が基板1の周縁部に形成されるのを防止できる。仕切り板44は、プラズマ70が基板1の保持機構に達するのを防止する。給電電極52は、接続導体68から供給された高周波電流を平面導体50に流す。終端電極54は、平面導体50の端部を直接またはキャパシタを介して接地ノードに接続し、高周波電源62から平面導体50にかけて高周波電流の閉ループを作る。高周波電源62は、例えば、13.56MHzの高周波電力を整合回路64へ供給する。整合回路64は、高周波電源62から供給された高周波電力を反射を抑制して接続導体68に供給する。図3は、図2に示す整合回路64側から見た平面導体50、給電電極52および終端電極54の平面図である。図3を参照して、平面導体50は、例えば、長方形の平面形状からなり、辺50a,50bを有する。辺50aは、辺50bよりも長い。そして、辺50aは、X方向に沿って配置され、辺50bは、Y方向に沿って配置される。給電電極52および終端電極54は、それぞれ、平面導体50の辺50bに沿って平面導体50のX方向の両端部に配置される。給電電極52および終端電極54のY方向の長さは、高周波電流14をY方向においてできる限り一様に流すために、平面導体50のY方向に平行な辺50bの長さに近づける例えば、辺50bの長さと実質的に同じにするのが好ましいが、辺50bの長さよりも幾分短くてもよいし、長くてもよい。数値で表せば、給電電極52および終端電極54のY方向の長さは、辺50bの長さの85以上の長さに設定すればよい。このように、給電電極52および終端電極54は、ブロック状の電極からなるので、Y方向において平面導体50にほぼ一様に高周波電流14を流すことができる。平面導体50に点状の電極を用いて高周波電流を供給した場合、高周波電流は、平面導体50を一様に流れない。一般的に、平面導体に高周波電力を供給しても、平面導体の近傍にプラズマが存在しない状態では、表皮効果等によって、高周波電流は、平面導体の通電方向に直交する断面の四隅に集中して流れる。これは、高周波のインピーダンスの分布が平面導体の四隅で小さく、その他の部分で大きくなるからである。図4は、Y方向の平面導体50の断面図およびプラズマ密度を示す図である。プラズマ装置100においては、平面導体50の近傍にプラズマ70が発生する。即ち、図4に示すように、高周波電流14を平面導体50に流すと、高周波磁界16が平面導体50の周囲に発生し、それによって高周波電流14と逆方向に誘導電界18が発生する。そして、この誘導電界18によって電子が加速されて平面導体50の近傍のガス28図2参照を電離させ、プラズマ70が平面導体50の近傍に発生し、そのプラズマ中を誘導電流19が誘導電界18と同じ方向即ち、高周波電流14と逆方向に流れる。このように、プラズマ70が平面導体50の近傍に発生し、そのプラズマ70中を誘導電流19が高周波電流14と逆方向に流れると、平面導体50を流れる高周波電流14は、通電方向と直交するY方向において一様化するようになる。その理由は、次のとおりである。配電の技術分野においては、ブスバーのような平面導体に流れる電流に近接した別の導体に逆方向に電流が流れる場合、導体のインピーダンスの分布が相互に変化し、低インピーダンス化およびインピーダンスの一様化が生じることが知られている。これは、電流が互いに逆方向に流れることによって、磁束の鎖交数が減少することが関係していると考えられる。プラズマ装置100においては、このような現象を平面導体とプラズマとの関係に応用したものである。従って、図4に示すように、平面導体50の近傍にプラズマ、特に高密度のプラズマ70が発生すると、平面導体50内を流れる高周波電流14の分布は、Y方向において一様化する。このことと、上述したブロック状の給電電極52および終端電極54を有していることとが相俟って、高周波電流14は、平面導体50内をY方向においてほぼ一様に分布して流れるようになる。それによって、平面導体50のプラズマ70生成側の面の近傍に、通電方向であるX方向のみならず、X方向と直交するY方向においてもほぼ一様に分布した誘導電界18および誘導電流19が発生し、この誘導電界18によって、平面導体50の面に沿う広範囲に亘って均一性の良いプラズマを発生させることができる。そのプラズマ密度分布D1は、図4に示すようにほぼ一様である。このように、プラズマ装置100は、高周波電流14を平面導体50に一様に流すことによって誘導結合型のプラズマを発生する。図5は、図1に示すカーボンナノウォール配列体10の製造方法を示す工程図である。図5を参照して、カーボンナノウォール配列体10の製造が開始されると、例えば、1cm角の大きさを有するシリコンウェハを電子ビームリソグラフによってパターンニングし、反応性イオンエッチングによってシリコンウェハの一方の表面をエッチングして凸部11および凹部12をシリコンウェハの一方の表面に形成する。そして、凸部11および凹部12が形成されたシリコンウェハを基板1として真空容器20内のホルダ32上に配置するステップS1。そして、ヒータ34を用いて基板1を400~600°Cに昇温するステップS2。その後、ガス導入部26は、50sccmのCH4ガスおよび50sccmのH2ガス、または100sccmのCH4ガスを真空容器20内に供給する。即ち、真空容器20内に炭素原子を含む材料ガスを導入するステップS3。そして、真空容器20内の圧力を1.33Paに調整する。その後、高周波電源62は、13.56MHzの周波数を有する1kWの高周波電力を整合回路64および接続導体68を介して平面導体50に印加するステップS4。これによって、プラズマ70が真空容器20内に発生し、カーボンナノウォール2~9が基板1の凸部11上に自己組織的に形成される。この場合、カーボンナノウォール2~9の形成時間は、10~30分である。高周波電力を印加し始めてから10~30分が経過すると、高周波電力の印加を停止し、CH4ガスおよびH2ガスまたはCH4ガスの供給を停止する。これによって、カーボンナノウォール配列体10の製造が終了する。このように、カーボンナノウォール配列体10は、誘導結合型のプラズマを用いて製造される。基板1の凸部11の幅、凹部12の幅、基板温度および反応時間を変化させてカーボンナノウォールの配向性を調べた結果について説明する。凸部11の幅、凹部12の幅、基板温度および反応時間を変化させたときの実験結果を表1に示す。この場合、CH4ガスおよびH2ガスの総流量、反応圧力および高周波電力は、一定であり、CH4ガスの流量は、50sccmであり、H2ガスの流量は、50sccmであり、反応圧力は、1.33Paであり、高周波電力は、1kWである。また、基板1の凸部11の高さ=凹部12の深さも、一定であり、0.6μmである。なお、パターンNo.=9,10の場合、材料ガスは、100sccmのCH4ガスのみが使用された。表1に示すように、基板温度は、400~600°Cの範囲で変えられ、反応時間は、10~30分の範囲で変えられた。パターンNo.=1~4,11においては、カーボンナノウォールは、基板1上にランダムに形成された。また、パターンNo.=5~10においては、カーボンナノウォールは、基板1上に配向して形成された。図6は、パターンNo.=3~6のカーボンナノウォールのSEM写真を示す図である。図7は、パターンNo.=7~10のカーボンナノウォールのSEM写真を示す図である。図8は、パターンNo.=11のカーボンナノウォールのSEM写真を示す図である。図9は、図7に示すパターンNo.=8,9の拡大したSEM写真を示す図である。なお、図6から図8において、上段は、倍率が10000倍であるSEM写真を示し、下段は、倍率が5000倍であるSEM写真を示す。また、図6から図8に示すSEM写真は、基板1に垂直な方向から見たときのカーボンナノウォールのSEM写真である。図6を参照して、基板1の凸部11の幅が1.2μmであり、凹部12の幅が0.7~0.8μmであり、基板温度が600°Cであり、反応時間が30分である場合、カーボンナノウォールは、基板1上にランダムに形成されているパターンNo.=3参照。また、基板1の凸部11の幅が4.7~4.8μmであり、凹部12の幅が4.8~4.9μmであり、基板温度が600°Cであり、反応時間が30分である場合、カーボンナノウォールは、基板1上にランダムに形成されているパターンNo.=4参照。一方、基板1の凸部11の幅が0.3~0.4μmであり、凹部12の幅が0.6μmであり、基板温度が600°Cであり、反応時間が30分である場合、カーボンナノウォールは、基板1上に配向して形成されているパターンNo.=5参照。そして、SEM写真においては、一定の幅を有する白い部分は、基板1の凸部11を表し、カーボンナノウォールは、基板1の凹部12には、形成されておらず、凸部11に沿って形成されていることが解る。また、基板1の凸部11の幅が0.1μmであり、凹部12の幅が0.9μmであり、基板温度が600°Cであり、反応時間が30分である場合も、カーボンナノウォールは、基板1の凹部12には、形成されておらず、凸部11に沿って形成されているパターンNo.=6参照。図7を参照して、基板1の凸部11の幅が0.4~0.5μmであり、凹部12の幅が1.5μmであり、基板温度が600°Cであり、反応時間が30分である場合、カーボンナノウォールは、基板1の凹部12に若干形成されているが、殆どが凸部11に沿って形成されているパターンNo.=7参照。また、基板1の凸部11の幅が0.4~0.5μmであり、凹部12の幅が1.5μmであり、基板温度が500°Cであり、反応時間が30分である場合、カーボンナノウォールは、基板1の凹部12には、形成されておらず、凸部11に沿って形成されているパターンNo.=8参照。図9のパターンNo.=8に示すように、一定の幅を有する帯状領域のほぼ中央に幅の狭い白い部分が存在し、この一定の幅を有する帯状領域が凸部11と考えられ、この幅の狭い白い部分がカーボンナノウォールと考えられるからである。更に、基板1の凸部11の幅が0.4~0.5μmであり、凹部12の幅が1.5μmであり、基板温度が400°Cであり、反応時間が30分である場合、カーボンナノウォールは、基板1の凹部12には、形成されておらず、凸部11に沿って形成されているパターンNo.=9参照。この場合も、図9のパターンNo.=9に示すように、一定の幅を有する帯状領域のほぼ中央に幅の狭い白い部分が存在し、この一定の幅を有する帯状領域が凸部11と考えられ、この幅の狭い白い部分がカーボンナノウォールと考えられるからである。更に、基板1の凸部11の幅が0.4~0.5μmであり、凹部12の幅が1.5μmであり、基板温度が500°Cであり、反応時間が10分である場合、カーボンナノウォールは、基板1の凹部12には、形成されておらず、凸部11に沿って形成されているパターンNo.=10参照。パターンNo.=10のSEM写真は、パターンNo.=8,9のSEM写真と同様な写真であるので、パターンNo.=10においても、図9に示すように、カーボンナノウォールが凸部11上に形成されていると考えられる。図8を参照して、基板1の凸部11の幅が4.3~4.4μmであり、凹部12の幅が5.1~5.2μmであり、基板温度が600°Cであり、反応時間が30分である場合、カーボンナノウォールは、基板1上にランダムに形成されている。従って、パターンNo.=5~10の場合、カーボンナノウォールは、基板1の凹凸形状に沿って配向して形成され、パターンNo.が5から10に向かうに従ってカーボンナノウォールの配向性が向上する。パターンNo.=7~9のカーボンナノウォールは、それぞれ、600°C、500°Cおよび400°Cの基板温度を用いて形成された。従って、400~600°Cの基板温度の範囲では、基板温度が低い方がカーボンナノウォールの配向性が向上する。そして、400°Cの基板温度においても、配向したカーボンナノウォールが得られる。この400°Cの基板温度は、低融点基板および低融点絶縁物を使用可能な温度である。従って、カーボンウォールを用いてデバイスを作製するときの材料選択の自由度を大きくできる。パターンNo.=5~10のカーボンナノウォールが配向するので、基板1の凸部11の幅は、0.1~0.5μmが好適であり、凹部12の幅は、0.6~1.5μmが好適である。そして、カーボンナノウォールは、パターンNo.=5~10の場合、上述したように、基板1の凸部11上に選択的に形成される。これは、誘導結合型プラズマによってCH4ガスを分解したときに生成される成長種が基板1の凸部11に付着し易いことを示す。そうすると、凸部11は、幅が実質的に零である三角形の断面形状を有していても、カーボンナノウォールは、凸部11上に選択的に成長すると考えられる。従って、凸部11の幅は、0.5μm以下であればよい。その結果、カーボンナノウォールが配向して形成されるときの基板1の凹凸形状は、凸部11の幅が凹部12の幅よりも狭く、かつ、凸部11の幅が0.5μm以下であればよい。パターンNo.=1の場合、凸部11の幅は、0.5μm以下であるが、凹部12の幅よりも広いので、カーボンナノウォールは、基板1上にランダムに形成される。また、パターンNo.=2の場合、凸部11の幅は、0.5μm以下である場合も含まれるが、凹部12の幅よりも広いので、カーボンナノウォールは、基板1上にランダムに形成される。更に、パターンNo.=3,4,11の場合、凸部11の幅は、0.5μmよりも大きいので、カーボンナノウォールは、基板1上にランダムに形成される。そして、パターンNo.=4,11のように、凸部11の幅が4.7~4.8μmおよび4.3~4.4μmと広くなると、たとえ、凹部12が形成されていても、基板1の表面が平坦である場合と同等になり、カーボンナノウォールは、ランダムに成長するものと考えられる。従って、凸部11の幅が凹部12の幅よりも狭く、かつ、凸部11の幅が0.5μm以下である凹凸形状を有する基板1を用いることによって、所望のパターン=基板1の凹凸形状に沿って配向したカーボンナノウォールを形成できる。表1に示す実験結果は、凸部11の高さ=凹部12の深さが0.6μmである場合の実験結果であるが、凸部11の高さ=凹部12の深さは、少なくとも0.3μmであれば、カーボンナノウォールは、凸部11上に選択的に成長すると考えられる。凸部11の高さ=凹部12の深さが少なくとも0.3μmであれば、凸部11の幅は、凸部11の高さ=凹部12の深さに対して1.7倍以下になり、凸部11と凹部12との違いが生じると考えられるからである。従って、凸部11の幅に対する凸部11の高さ=凹部12の深さの比をアスペクト比とすると、カーボンナノウォールが所望のパターンに沿って配向するときのアスペクト比は、0.3μm/0.5μm=0.6以上であればよい。図10は、基板1の表面における開口率および突出率の概念図である。基板1の表面における開口率を凹部12の幅/凸部11の幅凹部12の幅凸部11の幅と定義する。また、基板1の表面における突出率を凸部11の幅/凹部12の幅凸部11の幅凹部12の幅と定義する。そして、凸部11の幅をW1とし、凹部12の幅をW2とすると、開口率は、W2/W1W2W1によって表され、突出率は、W1/W2W1W2によって表される。表1に示すパターンNo.=1~11について開口率および突出率を計算した結果を表2に示す。カーボンナノウォールが配向するパターンNo.=5~10において、開口率は、0.43~0.82の範囲であり、突出率は、0.05~0.25の範囲である。一方、カーボンナノウォールがランダムに形成されるパターンNo.=1~4,11において、開口率は、0.23~0.37の範囲であり、突出率は、0.30~0.46の範囲である。従って、開口率が0.43以上である場合、または突出率が0.25以下である場合に、カーボンナノウォールが配向する。その結果、この発明の実施の形態においては、凸部11の幅が凹部12の幅よりも狭く、かつ、凸部11の幅が0.5μm以下である条件下において、開口率は、好ましくは、1未満の範囲において0.43以上に設定され、突出率は、好ましくは、0.25以下に設定される。そして、図7に示すように、パターンNo.=7~10の場合、カーボンナノウォールの配向性が向上するので、開口率は、より好ましくは、0.60~0.65の範囲に設定され、突出率は、より好ましくは、0.12~0.14の範囲に設定される。なお、上記においては、基板1は、ストライプ状の凹凸形状を有すると説明したが、この発明の実施の形態においては、これに限らず、基板1は、碁盤目状の凹凸形状を有していてもよい。従って、図5に示す工程図のステップS1において、ストライプ状または碁盤目状の凹凸形状を有する基板1が真空容器20内に配置される。また、上記においては、平面導体50を電極として用いることによって、誘導結合型のプラズマを発生したが、この発明の実施の形態においては、これに限らず、誘導結合型のプラズマは、どのような形状の導体を用いて発生されてもよく、一般的には、高周波電流を電極導体に流すことによって発生されればよい。従って、図5に示す工程図のステップS4において、高周波電力が電極に印加される。更に、上記においては、カーボンナノウォール配列体10は、誘導結合型のプラズマを用いて製造されると説明したが、この発明の実施の形態においては、これに限らず、カーボンナノウォール配列体10は、容量結合型のプラズマおよびECRElectronCyclotronResonanceプラズマ等を用いて製造されてもよく、一般的には、上述した基板1を用いてプラズマによって製造されればよい。カーボンナノウォール配列体の応用について説明する。図11は、カーボンナノウォールを用いた金型の斜視図である。図11を参照して、金型200は、基板201と、カーボンナノウォール231,232とを備える。基板201は、その表面に碁盤目状の凹凸形状を有する。基板201上の凹凸形状は、上述した基板1上の凹凸形状と同様の形状からなる。カーボンナノウォール231は、方向DR4に沿って基板201上に形成され、カーボンナノウォール232は、方向DR5に沿って基板201上に形成される。カーボンナノウォール231,232の各々は、複数個、基板201の表面に形成されているので、複数のカーボンナノウォール231,232の配列体は、所定のパターンを形成する。そこで、金型200は、樹脂を所定のパターンに成形するために使用される。その他、カーボンナノウォールは、TFTThinFilmTransistor、放熱素子および真空スイッチ等に用いられる。そして、カーボンナノウォールは、TFTに用いられる場合、TFTのチャネル層に用いられる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"