"一つの基板上に複数の部品がそれぞれはんだバンプを介してかつ当該基板表面に水平方向に実装されたマルチチップモジュールにおいて、複数の前記はんだバンプの融点が同じであり、前記基板を加熱してから前記はんだバンプが前記融点に達するまでの時間は前記部品ごとに異なる、ことを特徴とするマルチチップモジュール。請求項1記載のマルチチップモジュールにおいて、前記基板から前記はんだバンプを経て前記部品に至る熱伝導の熱時定数が前記部品ごとに異なることにより、前記時間が前記部品ごとに異なる、ことを特徴とするマルチチップモジュール。請求項2記載のマルチチップモジュールにおいて、前記はんだバンプの体積に差があることによって、前記熱時定数が前記部品ごとに異なる、ことを特徴とするマルチチップモジュール。請求項3記載のマルチチップモジュールにおいて、前記はんだバンプの前記基板に接する面積に差があることによって、前記はんだバンプの体積に差がある、ことを特徴とするマルチチップモジュール。請求項4記載のマルチチップモジュールにおいて、前記基板が平面光波回路であり、前記部品が半導体レーザである、ことを特徴とするマルチチップモジュール。nを2以上の整数とし、mを1からnまでいずれかの整数としたとき、一つの基板上にn組のはんだバンプを介してかつ当該基板表面に水平方向にn個の部品を配置し、前記基板を加熱して前記はんだバンプを溶融することにより、前記基板上にn個の前記部品を実装するマルチチップモジュールの製造方法において、n組の前記はんだバンプに融点の同じものを用い、前記基板を加熱してから前記はんだバンプが前記融点に達するまでの時間を前記部品ごとに異なる値に設定し、前記時間がm番目に長い前記はんだバンプ及び前記部品の組み合わせを、第mの前記はんだバンプ及び第mの前記部品としたとき、前記基板上に第mの前記はんだバンプ及び第mの前記部品を配置し、前記基板を加熱して前記第mのはんだバンプを溶融することを、m=1からm=nまでこの順に繰り返し、かつ、前記第mのはんだバンプを溶融するときは、第1の前記はんだバンプから第m-1の前記はんだバンプまでのすべてが溶融しないように、前記基板を加熱する時間を調整する、ことを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。請求項6記載のマルチチップモジュールの製造方法において、前記基板から前記はんだバンプを経て前記部品に至る熱伝導の熱時定数を前記部品ごとに異ならせることにより、前記時間を前記部品ごとに異なる値に設定する、ことを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。請求項7記載のマルチチップモジュールの製造方法において、前記はんだバンプの体積に差を付けることによって、前記熱時定数を前記部品ごとに異ならせる、ことを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。請求項8記載のマルチチップモジュールの製造方法において、前記はんだバンプの前記基板に接する面積に差を付けることによって、前記はんだバンプの体積に差を付ける、ことを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。請求項9記載のマルチチップモジュールの製造方法において、前記基板が平面光波回路であり、前記部品が半導体レーザである、ことを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。図6及び図7は、関連技術のマルチチップモジュール及びその製造方法を示す斜視図である。以下、これらの図面に基づき説明する。関連技術のマルチチップモジュール10aは、一つのPLCPlanarLightwaveCircuit20上に複数のLD31,32がそれぞれはんだバンプ41a,42aを介して実装されたものである。はんだバンプ41a,42aの、組成、形状及び融点は同じである。マルチチップモジュール10aの製造方法は、次のとおりである。まず、PLC20上にはんだバンプ41a,42aを形成する図6[1][2]。そして、はんだバンプ41a上にLD31を載置し、LD31の上方からレーザ光51を照射することにより、はんだバンプ41aを加熱溶融する図7[1]。はんだバンプ41aの溶融中に、LD31の位置決めをする。そして、はんだバンプ31が冷えて固まることにより、LD31のPLC20への実装が完了する。同様に、はんだバンプ42a上にLD32を載置し、LD32の上方からレーザ光52を照射することにより、LD32をPLC20に実装する図7[2]。更に詳しく説明する。この関連技術は、光学素子を基板上に複数実装する技術である。ここでは、光学素子としてLD31,32を採り上げる。また、LD31,32を実装する基板はPLC20とし、LD31,32はPLC20上の特定の位置に実装されるものとする。特定の位置に実装される例として、PLC20には光導波路201,202が存在する。PLC20上にはLD実装用の電極211,212が用意されている図6[1]。LD31,32の実装工程を説明する。まず、PLC20上にはんだバンプ41a,42aを形成する図6[2]。一般的なLD31,32の大きさは数100μmである。そのため、はんだバンプ41a,42aは、通常、直径100μm程度厚みは数μm程度のものが使用される。はんだバンプ41a,42aの形成後、はんだバンプ41aの上にLD31を乗せて、その上方からレーザ光51を照射することにより、はんだバンプ41aを加熱溶融する図7[1]。LD31及びはんだバンプ41aが冷えてLD31の実装が完了したら、二つ目のLD32をはんだバンプ42の上に乗せて、同様に、レーザ光52による加熱によってLD32を実装する図7[2]。ここで、レーザ光52によって加熱される部分は局所的であるため、照射されたLD32及びはんだバンプ42aのみが加熱される。つまり、既に実装が完了しているLD31は、隣接箇所にレーザ加熱が行われても、はんだバンプ41が溶融しないため位置が変化することはない。以上が、レーザ照射によるマルチチップ実装についての説明である。このレーザ照射実装は、マルチチップ実装を行う上で有効な方法であるものの、レーザ照射実装機が大変高価であるためコストの面でデメリットが存在する。したがって、レーザ照射実装よりも安価な方法でマルチチップ実装を実現することが望まれている。なお、マルチチップ実装を必要としないシングルチップ実装の場合は、基板全体をヒータで暖めてLDを実装する。このヒータ実装機は、レーザ照射実装機に比べて安価であるため、コストの面でメリットがある。特許文献1、2の説明で述べた融点の異なるはんだを用いれば、ヒータによるマルチチップ実装が可能となる。しかしながら、融点の異なるはんだを用いると、調達コスト及び製造コストが余計にかかるため、ヒータを用いる利点が相殺されてしまう。例えば、通常のはんだバンプ形成装置は、異種材料のはんだを同時に形成できない。そのため、基板上に異種材料のはんだバンプを形成するには、はんだバンプ形成装置が複数必要となる。又は、特殊なはんだバンプ形成装置が必要となる。そこで、本発明の目的は、同じはんだ材料を用いながらも、基板をヒータで加熱することによるマルチチップ実装を可能にする、マルチチップモジュール等を提供することにある。本発明に係るマルチチップモジュールは、一つの基板上に複数の部品がそれぞれはんだバンプを介してかつ当該基板表面に水平方向に実装されたマルチチップモジュールにおいて、複数の前記はんだバンプの融点が同じであり、前記基板を加熱してから前記はんだバンプが前記融点に達するまでの時間は前記部品ごとに異なる、ことを特徴とする。本発明に係るマルチチップモジュールの製造方法は、nを2以上の整数とし、mを1からnまでいずれかの整数としたとき、一つの基板上にn組のはんだバンプを介してかつ当該基板表面に水平方向にn個の部品を配置し、前記基板を加熱して前記はんだバンプを溶融することにより、前記基板上にn個の前記部品を実装するマルチチップモジュールの製造方法において、n組の前記はんだバンプに融点の同じものを用い、前記基板を加熱してから前記はんだバンプが前記融点に達するまでの時間を前記部品ごとに異なる値に設定し、前記時間がm番目に長い前記はんだバンプ及び前記部品の組み合わせを、第mの前記はんだバンプ及び第mの前記部品としたとき、前記基板上に第mの前記はんだバンプ及び第mの前記部品を配置し、前記基板を加熱して前記第mのはんだバンプを溶融することを、m=1からm=nまでこの順に繰り返し、かつ、前記第mのはんだバンプを溶融するときは、第1の前記はんだバンプから第m-1の前記はんだバンプまでのすべてが溶融しないように、前記基板を加熱する時間を調整する、ことを特徴とする。ここで組とは、1つの素子の実装に寄与する1個以上のはんだの集団であることを補足する。本発明によれば、基板を加熱してからはんだバンプが融点に達するまでの時間を部品ごとに異なる値に設定することにより、同じはんだ材料を用いながらも、基板をヒータで加熱することによるマルチチップ実装が可能になる。以下、添付図面を参照しながら、本発明を実施するための形態以下実施形態という。について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については同一の符号を用いる。図面に描かれた形状は、当業者が理解しやすいように描かれているため、実際の寸法及び比率とは必ずしも一致していない。図1は、本発明に係るマルチチップモジュールの一実施形態を示す斜視図である。図2は、図1におけるII-II線縦断面図である。以下、これらの図面に基づき説明する。本明細書において、一組というときは一個の場合も含むものとする。本実施形態において、一つの部品を実装するために用いる一組のはんだバンプは、一個である。本実施形態では、基板の一例としてPLC20、部品の一例としてLD31,32をそれぞれ用いている。また、図1及び図2は製造直後のマルチチップモジュール10を示しているため、マルチチップモジュール10はヒータ60の上に置かれている。本実施形態のマルチチップモジュール10は、一つのPLC20上に複数のLD31,32がそれぞれはんだバンプ41,42を介してかつPLC20の表面200に水平方向に実装されたものである。そして、複数のはんだバンプ41,42の融点Tmが同じであり、PLC20を加熱してからはんだバンプ41,42が融点Tmに達するまでの時間t1,t2はLD31,32ごとに異なる。本実施形態によれば、PLC20を加熱してからはんだバンプ41,42が融点Tmに達するまでの時間t1,t2をLD31,32ごとに異なる値に設定することにより、同じはんだ材料を用いながらも、PLC20をヒータ60で加熱することによるマルチチップ実装が可能になる。例えば、PLC20から41,42を経てLD31,32に至る熱伝導の熱時定数τ1,τ2がLD31,32ごとに異なることにより、時間t1,t2がLD31,32ごとに異なる、としてもよい。このとき、はんだバンプ41,42の体積に差があることによって、熱時定数τ1,τ2がLD31,32ごとに異なる、としてもよい。このとき、はんだバンプ41,42のPLC20に接する面積に差があることによって、はんだバンプ41,42の体積に差がある、としてもよい。図3及び図4は、本発明に係るマルチチップモジュールの製造方法の一実施形態を示す斜視図である。図3[1]→図3[2]→図4[1]→図4[2]の順に工程が進行する。図5は、図3及び図4の工程におけるはんだバンプの温度変化を示すグラフである。以下、これらの図面に基づき説明する。本実施形態では、nの一例として2を用いている。本実施形態の製造方法は、一つのPLC20上に二個のはんだバンプ41,42を介してかつPLC20の表面200に水平方向に二個のLD31,32を配置し、PLC20を加熱してはんだバンプ41,42を溶融することにより、PLC20上に二個のLD31,32を実装する方法である。そして、本実施形態の製造方法は、二個のはんだバンプ41,42に融点Tmの同じものを用い、PLC20を加熱してからはんだバンプ41,42が融点Tmに達するまでの時間t1,t2をLD31,32ごとに異なる値に設定する図5。ここで、t1>t2としたとき、まず、PLC20上にはんだバンプ41及びLD31を配置し、PLC20を加熱してはんだバンプ41を溶融する図3[1][2]。次いで、PLC20上にはんだバンプ42及びLD32を配置し、PLC20を加熱してはんだバンプ42を溶融する図4[1][2]。ただし、はんだバンプ42を溶融するときは、はんだバンプか41が溶融しないように、PLC20を加熱する時間tを調整する図4[2]。例えば、時間tをt1>t>t2となるように調整する。はんだバンプ41の温度をT1とし、はんだバンプ42の温度をT2とし、それらの変化を図5に示す。図5では、ヒータ60のスイッチSW図2参照をオンオフする時刻を記入している。図5に示すTrは、はんだバンプ41,42の温度T1,T2の初期値である。本実施形態によれば、PLC20を加熱してからはんだバンプ41,42が融点Tmに達するまでの時間t1,t2をLD31,32ごとに異なる値に設定することにより、同じはんだ材料を用いながらも、PLC20をヒータ60で加熱することによるマルチチップ実装が可能になる。例えば、PLC20からはんだバンプ41,42を経てLD31,32に至る熱伝導の熱時定数τ1,τ2をLD31,32ごとに異ならせることにより、時間t1,t2をLD31,32ごとに異なる値に設定する、としてもよい。このとき、はんだバンプ41,42の体積に差を付けることによって、熱時定数τ1,τ2をLD31,32ごとに異ならせる、としてもよい。このとき、はんだバンプ41,42のPLC20に接する面積に差を付けることによって、はんだバンプ41,42の体積に差を付ける、としてもよい。以上のように、本実施形態では、コスト面で有利なヒータ実装を用いることができるマルチチップモジュールの構造及びその実装方法を提案する。すなわち、LD実装を行うはんだについて、はんだの体積に差を設けることにより、LD実装に必要なヒータ加熱温度に変化をつけ、これによりヒータ加熱によって複数のLD実装を行う。以下に更に詳しく説明する。PLC20は、石英基板上に光ファイバ製造技術と半導体微細加工技術とを組み合わせて作られた石英ガラス光導波路である。PLC20には、光導波路201,202、電極211,212並びに図示しない光導波路及び配線が形成されている。ここで、直径数10μmのはんだバンプ41を電極211上に形成する図3[1]。例えば、厚みが数μmの板状のはんだをはんだバンプ41の形状扁平な円筒状に打ち抜くと同時に、そのはんだバンプ41を電極211の上に載置する。続いて、LD31をはんだバンプ41の上に乗せ、ヒータ60を用いてPLC20を加熱することによりLD31を実装する図3[2]。図3[2]において、ヒータ60から発生する熱61を網目模様で示す。はんだバンプ41の直径は実装前後でほとんど変わらない。はんだバンプ41の溶融中に、LD31の光軸合わせなどの位置決めを行う。直径数10μmのはんだバンプ41は、100μm程度のはんだバンプ42に比べて、はんだ溶融時のヒータ60表面の温度が10~20°C高くなる。これは、はんだの体積を小さくしたことで、はんだバンプ41の熱抵抗が大きくなり、これにより規定の実装温度/実装時間内ではんだが溶融しにくくなったためである。つまり、はんだバンプ41の熱がLD31側に逃げ、規定の時間内ではんだが融点まで暖まらず、溶融しないためである。はんだが溶融しにくくなったため、LD31の実装に要するヒータ60の加熱温度はより高くなる。続いて、直径100μm程度のはんだバンプ42を電極212上に形成する図4[1]。続いて、LD32をはんだバンプ42の上に乗せ、ヒータ60を用いてPLC20加熱することによりLD32を実装する図4[2]。図4[2]において、ヒータ60から発生する熱61を網目模様で示す。二つ目のLD32の実装では、はんだバンプ42の体積が一つ目のLD31のときよりも大きいため、一つ目のLD31のときと比較して実装に要するヒータ60の加熱温度は低い。したがって、ヒータ60の加熱温度の高い一つ目のLD31のはんだバンプ41は、二つ目のLD32の実装の際に再溶融しない。以上説明したように、本実施形態では、はんだの体積を変えることで、はんだ溶融に必要なヒータ加熱温度を変え、マルチチップ実装を実現するのである。次に、はんだバンプ41,42の大小に応じて、PLC20を加熱してからはんだバンプ41,42が融点Tmに達するまでの時間t1,t2が異なる理由について説明する。ヒータ60で発生した熱は、はんだバンプ41,42を経てLD31,32に伝わる。そして、LD31,32に伝わった熱は、その先が外気になるので、LD31,32から放出される量よりもLD31,32に蓄積される量が多くなる。そのため、ヒータ60からLD31,32に至る熱伝導において、時間t1,t2の差を生じさせる要因として、はんだバンプ41,42の熱抵抗及びLD31,32の熱容量が大きく影響すると考えられる。そこで、図2に示すように、はんだバンプ41,42の熱抵抗をそれぞれR1,R2とし、LD31,32の熱容量を互いに等しくCとする。そして、はんだバンプ41からLD31に至る熱伝導における熱時定数をτ1とし、はんだバンプ42からLD32に至る熱伝導における熱時定数をτ2とする。これらの熱時定数はRC直列回路における時定数に相当するので、τ1,τ2は次式で表せる。τ1=R1×C[1]τ2=R2×C[2]なお、図2では、電極211,212は図示を省略し、ヒータ60のスイッチSWを書き加えている。ここで、はんだバンプ41,42は、同じはんだ材料からなり、同じ厚みであり、直径だけが異なる。つまり、はんだバンプ41の直径ははんだバンプ42の直径よりも小さいので、それぞれの熱抵抗の大小関係はR1>R2となる。したがって、熱時定数の大小関係は、式[1],[2]からτ1>τ2となる。熱時定数は大きいほど熱が伝わりにくいので、式[1],[2]から明らかなように、はんだバンプ41の温度T1の方が、はんだバンプ42の温度T2に比べて、緩やかに上昇又は下降する図5参照。以上、上記実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。例えば、実装する部品の数は、二個に限らず、三個以上でもよい。一つの部品を実装するために用いる一組のはんだバンプは、二個以上としてもよい。また、実装する部品は、LDに限らず、例えばPDPhotoDiodeなどでもよく、同じ種類のもの同士に限らず、異なる種類の組み合わせでもよい。上記の実施形態の一部又は全部は以下の付記のようにも記載され得るが、本発明は以下の構成に限定されるものではない。[付記1]一つの基板上に複数の部品がそれぞれはんだバンプを介してかつ当該基板表面に水平方向に実装されたマルチチップモジュールにおいて、複数の前記はんだバンプの融点が同じであり、前記基板を加熱してから前記はんだバンプが前記融点に達するまでの時間は前記部品ごとに異なる、ことを特徴とするマルチチップモジュール。[付記2]付記1記載のマルチチップモジュールにおいて、前記基板から前記はんだバンプを経て前記部品に至る熱伝導の熱時定数が前記部品ごとに異なることにより、前記時間が前記部品ごとに異なる、ことを特徴とするマルチチップモジュール。[付記3]付記2記載のマルチチップモジュールにおいて、前記はんだバンプの体積に差があることによって、前記熱時定数が前記部品ごとに異なる、ことを特徴とするマルチチップモジュール。[付記4]付記3記載のマルチチップモジュールにおいて、前記はんだバンプの前記基板に接する面積に差があることによって、前記はんだバンプの体積に差がある、ことを特徴とするマルチチップモジュール。[付記5]付記4記載のマルチチップモジュールにおいて、前記基板が平面光波回路であり、前記部品が半導体レーザである、ことを特徴とするマルチチップモジュール。[付記6]nを2以上の整数とし、mを1からnまでいずれかの整数としたとき、一つの基板上にn組のはんだバンプを介してかつ当該基板表面に水平方向にn個の部品を配置し、前記基板を加熱して前記はんだバンプを溶融することにより、前記基板上にn個の前記部品を実装するマルチチップモジュールの製造方法において、n組の前記はんだバンプに融点の同じものを用い、前記基板を加熱してから前記はんだバンプが前記融点に達するまでの時間を前記部品ごとに異なる値に設定し、前記時間がm番目に長い前記はんだバンプ及び前記部品の組み合わせを、第mの前記はんだバンプ及び第mの前記部品としたとき、前記基板上に第mの前記はんだバンプ及び第mの前記部品を配置し、前記基板を加熱して前記第mのはんだバンプを溶融することを、m=1からm=nまでこの順に繰り返し、かつ、前記第mのはんだバンプを溶融するときは、第1の前記はんだバンプから第m-1の前記はんだバンプまでのすべてが溶融しないように、前記基板を加熱する時間を調整する、ことを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。[付記7]付記6記載のマルチチップモジュールの製造方法において、前記基板から前記はんだバンプを経て前記部品に至る熱伝導の熱時定数を前記部品ごとに異ならせることにより、前記時間を前記部品ごとに異なる値に設定する、ことを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。[付記8]付記7記載のマルチチップモジュールの製造方法において、前記はんだバンプの体積に差を付けることによって、前記熱時定数を前記部品ごとに異ならせる、ことを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。[付記9]付記8記載のマルチチップモジュールの製造方法において、前記はんだバンプの前記基板に接する面積に差を付けることによって、前記はんだバンプの体積に差を付ける、ことを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。[付記10]付記9記載のマルチチップモジュールの製造方法において、前記基板が平面光波回路であり、前記部品が半導体レーザである、ことを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。"