"基体上に、第1の比抵抗を有する金属酸化物膜を形成する工程と、前記金属酸化物膜に電極を接触又は所定の距離まで近づけ、この状態で前記電極と前記金属酸化物膜との間に第1の電圧を印加することにより、前記金属酸化物膜の比抵抗を局所的に変化させ、前記金属酸化物膜の表面側に、前記第1の比抵抗よりも高い第2の比抵抗を有する高抵抗領域を形成する工程と、前記金属酸化物膜に電極を接触又は所定の距離まで近づけ、この状態で前記電極と前記金属酸化物膜との間に第2の電圧を印加することにより、前記金属酸化物膜の比抵抗を局所的に変化させ、前記高抵抗領域の表面側に、前記第2の比抵抗よりも低い第3の比抵抗を有する導電体パターンを形成する工程とを有することを特徴とする導電体パターンの形成方法。請求項1記載の導電体パターンの形成方法において、前記電極と前記金属酸化物膜との相対的位置を変化しながら前記第1の電圧又は前記第2の電圧を印加することを特徴とする導電体パターンの形成方法。請求項1又は2記載の導電体パターンの形成方法において、前記第1の電圧と前記第2の電圧の極性が逆であることを特徴とする導電体パターンの形成方法。基体上に、第1の比抵抗を有する金属酸化物膜を形成する工程と、前記金属酸化物膜の第1の領域に荷電粒子線を照射することにより、前記第1の領域の前記金属酸化物の比抵抗を前記第1の比抵抗よりも低い第2の比抵抗に変化させ、前記第1の領域に前記第2の比抵抗を有する導電体パターンを形成する工程とを有することを特徴とする導電体パターンの形成方法。請求項4記載の導電体パターンの形成方法において、前記金属酸化物膜を形成する工程では、化学量論的組成を有する前記金属酸化物膜を形成することを特徴とする導電体パターンの形成方法。基体上に、第1の比抵抗を有する金属酸化物膜を形成する工程と、前記金属酸化物膜の第1の領域に荷電粒子線を照射することにより、前記第1の領域の前記金属酸化物の比抵抗を前記第1の比抵抗よりも高い第2の比抵抗に変化させ、前記第1の領域とは異なる第2の領域に、前記第1の比抵抗を有する導電体パターンを形成する工程とを有することを特徴とする導電体パターンの形成方法。請求項6記載の導電体パターンの形成方法において、前記金属酸化物膜を形成する工程では、化学量論的組成よりも酸素を多く含有する前記金属酸化物膜を形成することを特徴とする導電体パターンの形成方法。請求項4乃至7のいずれか1項に記載の導電体パターンの形成方法において、前記荷電粒子線は、電子線であることを特徴とする導電体パターンの形成方法。請求項1乃至8のいずれか1項に記載の導電体パターンの形成方法において、前記基体は、絶縁性材料により形成されていることを特徴とする導電体パターンの形成方法。請求項1乃至9のいずれか1項に記載の導電体パターンの形成方法において、前記金属酸化物膜は、ニッケル酸化物、チタン酸化物、タンタル酸化物、ハフニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、イットリウム酸化物、セリウム酸化物、マグネシウム酸化物、亜鉛酸化物、インジウム酸化物、スズ酸化物、タングステン酸化物、ニオブ酸化物、クロム酸化物、マンガン酸化物、アルミニウム酸化物、バナジウム酸化物、コバルト酸化物及び銅酸化物を含む群から選択される少なくとも一の酸化物を含むことを特徴とする導電体パターンの形成方法。しかしながら、フォトリソグラフィ工程とエッチング工程とを用いたパターン形成方法は、工程数も多く、高価なフォトマスクを使用する必要があった。また、露光工程の際に光学レンズ等によりパターンを結像させるため、光学レンズの解像限界以下の微細な回路パターンを形成することは原理的に困難であった。本発明の目的は、フォトリソグラフィでは形成が困難な超微細な導電体パターンを形成しうる導電体パターンの形成方法を提供することにある。上記目的は、基体上に、第1の比抵抗を有する金属酸化物膜を形成する工程と、前記金属酸化物膜に電極を接触又は所定の距離まで近づけ、この状態で前記電極と前記金属酸化物膜との間に第1の電圧を印加することにより、前記金属酸化物膜の比抵抗を局所的に変化させ、前記金属酸化物膜の表面側に、前記第1の比抵抗よりも高い第2の比抵抗を有する高抵抗領域を形成する工程と、前記金属酸化物膜に電極を接触又は所定の距離まで近づけ、この状態で前記電極と前記金属酸化物膜との間に第2の電圧を印加することにより、前記金属酸化物膜の比抵抗を局所的に変化させ、前記高抵抗領域の表面側に、前記第2の比抵抗よりも低い第3の比抵抗を有する導電体パターンを形成する工程とを有することを特徴とする導電体パターンの形成方法によって達成される。また、上記の導電体パターンの形成方法において、前記電極と前記金属酸化物膜との相対的位置を変化しながら前記第1の電圧又は前記第2の電圧を印加するようにしてもよい。また、上記の導電体パターン形成方法において、前記第1の電圧と前記第2の電圧の極性とは逆であることが望ましい。また、上記目的は、基体上に、第1の比抵抗を有する金属酸化物膜を形成する工程と、前記金属酸化物膜の第1の領域に荷電粒子線を照射することにより、前記第1の領域の前記金属酸化物の比抵抗を前記第1の比抵抗よりも低い第2の比抵抗に変化させ、前記第1の領域に前記第2の比抵抗を有する導電体パターンを形成する工程とを有することを特徴とする導電体パターンの形成方法によっても達成される。また、上記の導電体パターンの形成方法において、前記金属酸化物膜を形成する工程では、化学量論的組成を有する前記金属酸化物膜を形成することが望ましい。また、上記目的は、基体上に、第1の比抵抗を有する金属酸化物膜を形成する工程と、前記金属酸化物膜の第1の領域に荷電粒子線を照射することにより、前記第1の領域の前記金属酸化物の比抵抗を前記第1の比抵抗よりも高い第2の比抵抗に変化させ、前記第1の領域とは異なる第2の領域に、前記第1の比抵抗を有する導電体パターンを形成する工程とを有することを特徴とする導電体パターンの形成方法によっても達成される。また、上記の導電体パターンの形成方法において、前記金属酸化物膜を形成する工程では、化学量論的組成よりも酸素を多く含有する前記金属酸化物膜を形成することが望ましい。また、上記の導電体パターンの形成方法において、前記荷電粒子線は、電子線であることが望ましい。また、上記の導電体パターンの形成方法において、前記基体は、絶縁性材料により形成されていてもよい。また、上記の導電体パターンの形成方法において、前記金属酸化物膜は、ニッケル酸化物、チタン酸化物、タンタル酸化物、ハフニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、イットリウム酸化物、セリウム酸化物、マグネシウム酸化物、亜鉛酸化物、インジウム酸化物、スズ酸化物、タングステン酸化物、ニオブ酸化物、クロム酸化物、マンガン酸化物、アルミニウム酸化物、バナジウム酸化物、コバルト酸化物及び銅酸化物を含む群から選択される少なくとも一の酸化物を含むことが望ましい。本発明によれば、フォトリソグラフィでは形成が困難な超微細な導電体パターンを形成することができる。また、導電体パターンは金属酸化物膜内に形成されるため、導電体パターンの表面が平坦な面で構成される。したがって、金属酸化物膜を透明部材で構成した場合には、光学特性が均一になる利点がある。[第1実施形態]本発明の第1実施形態による導電体パターンの形成方法について図1乃至図3を用いて説明する。図1及び図2は、本実施形態による導電体パターンの形成方法を示す工程図である。図3は、成膜温度と金属酸化物膜に流れる電流値との関係を示すグラフである。まず、配線や電極などの導電体パターンを形成しようとする基体10を用意する図1a。基体10は、その上に後述する金属酸化物膜12を形成できるものであれば特に限定されるものではなく、ガラス基板、酸化物基板、プラスチック基板、プラスチックフィルム等を用いることができる。例えば、基体10は、石英SiO2、サファイアAl2O3、酸化マグネシウムMgO、酸化インジウムスズITO、酸化亜鉛ZnO、不純物を添加したチタン酸化物TiO2、不純物を添加したチタン酸ストロンチウムSTO、カーボンCなどから選択される部材で構成されていてもよい。或いは、前記基体は、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエーテルサルフォンPES、ポリエーテルエーテルケトンPEEK、ポリカーボネートPC、ポリプロピレンPP、ポリアミドPA、ポリアクリルPAC、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、脂肪族環状ポリオレフィン、ノルボルネン系の熱可塑性透明樹脂などの可撓性樹脂フィルムやこれら2種以上の積層体からなるフィルムであってもよい。基体10は、導電体パターンを形成する下地となるものであり、一般的には、絶縁性材料が想定される。例えば、導電体パターンがタッチパネルの透明電極である場合、基体10としては透明電極の支持体となる透明な絶縁性基板を用いることができる。また、基体10としては、表面に絶縁膜が形成された半導体基板や導電性基板等でもよい。なお、本実施形態による導電体パターンの形成方法は、絶縁性材料の基体10上に導電体パターンを形成できることを一つの特徴とするものではあるが、基体10は、必ずしも絶縁性材料である必要はなく、導電性材料であってもよい。次いで、基体10上に、金属酸化物膜12を形成する図1b。金属酸化物膜12は、電圧を印加することにより電気抵抗が変化する性質を有する金属酸化物により形成する。このような金属酸化物としては、ニッケル酸化物、チタン酸化物、タンタル酸化物、ハフニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、イットリウム酸化物、セリウム酸化物、マグネシウム酸化物、亜鉛酸化物、インジウム酸化物、スズ酸化物、タングステン酸化物、ニオブ酸化物、クロム酸化物、マンガン酸化物、アルミニウム酸化物、バナジウム酸化物、コバルト酸化物、銅酸化物酸化銅I又は酸化銅II等が挙げられる。金属酸化物膜12は、これら酸化物から選択される金属酸化物を主成分とするものが好ましい。金属酸化物膜12を形成する金属酸化物は、必ずしも化学量論的な組成に限られず、また、多少の不純物が含まれていてもよい。また、複数の金属酸化物を含むものでもよい。これら金属酸化物は、電圧を印加することにより可逆的な抵抗変化を示すことが知られている。この現象を説明するために、酸化還元モデルと呼ばれるモデルが提唱されている。それによると、金属酸化物に電圧直流電圧又はパルス電圧が印加されると、金属酸化物に含まれる酸素原子が酸素イオンO2-のかたちで移動し、金属酸化物内に微小な酸素欠陥領域これを、本明細書ではフィラメントとよぶが形成される。フィラメントは酸素欠損が連なることで形成された道であり、微視的にみるとこのフィラメントが金属酸化物内に電流パス電導経路を形成しているものと考えられる。すなわち、フィラメントが形成された部分では酸素欠損の導入によってキャリア濃度が高くなり、局所的に低抵抗状態となる。一方、低抵抗状態にある金属酸化物に電圧が印加されると、酸素欠損が徐々に修復されるためキャリア濃度が低くなり、先ほどとは逆の現象が起こる。すなわち、酸素イオンの移動による欠損の生成および修復現象を、フィラメントの酸化現象および還元現象と考えるのである。金属酸化物膜12の成膜方法は、特に限定されるものではないが、例えば、スパッタリング法を適用することができる。例えば、ニッケル酸化物により金属酸化物膜12を形成する場合、ターゲットにニッケルを、スパッタガスに酸素とアルゴンの混合ガスを用い、RFパワー300W、ベース真空度9.0×10-5Pa、ガス圧95mTorr、ターゲット-基板間距離60mmの条件下でスパッタリングを行い、膜厚60nmのニッケル酸化膜を形成する。金属酸化物膜12の膜厚は、特に限定されるものではないが、例えば5nm~1000nmの範囲が望ましい。このとき、形成される金属酸化物膜12が低抵抗状態となるように、成膜条件を適宜設定する。上述の金属酸化物は、化学量論的組成のときに最も抵抗値が高く、化学量論的組成からずれるに従って抵抗値が低くなる。例えばニッケル酸化物の場合、NiO1xとして、x=0のときに化学量論的組成であり抵抗値が最も高く、x>0ではNi欠損がP型のキャリアを誘起してP型の導電型を示し、x<0では酸素欠損がN型のキャリアを誘起してN型の導電型を示す。xが0から乖離するほどに金属酸化物膜12の抵抗値は低くなる。堆積直後の金属酸化物膜12の抵抗状態初期抵抗は、成膜温度や酸素分圧等によって制御することができる。図3は、成膜温度と金属酸化物膜に流れる電流値との関係を示すグラフである。図中、□印のプロットは成膜時の酸素分圧を10とした場合であり、○印のプロットは成膜時の酸素分圧を20とした場合であり、△印のプロットは成膜時の酸素分圧を30とした場合である。図3の測定において、金属酸化物膜12を形成する金属酸化物としては、ニッケル酸化物を用いた。縦軸の電流値は、金属酸化物膜12を膜厚方向に流れる電流をAFMにより測定したものである。プローブへの印加電圧は1Vとした。図3に示すように、金属酸化物膜12に流れる電流値は、成膜温度が高くなるほどに減少している。また、金属酸化物膜12に流れる電流値は、成膜時の酸素分圧が低いほどに減少している。すなわち、成膜温度が高くなるほどに、また、成膜時の酸素分圧が高くなるほどに、金属酸化物膜12の抵抗値は増加する。これは、成膜温度が低いほどに膜中の欠陥密度が多く、また、酸素分圧が高いほど酸素過剰の膜となり、P型のキャリアが増加するためであると考えられる。なお、図3に示す例は発明者等が検討した一例であり、低抵抗状態の金属酸化物膜12を得るための具体的な条件は、使用する成膜装置毎に、金属酸化物膜12の形成材料や膜厚等に応じて適宜設定することが望ましい。本実施形態による導電体パターンの形成方法において低抵抗状態の金属酸化物膜12を形成しているのは、後述する金属酸化物膜12へのパターンの書き込みの際に、金属酸化物膜12を下部電極層としても利用するためである。金属酸化物膜12に必要な抵抗値は、書き込みを行う装置や書き込み条件に依存するものであり、金属酸化物膜12への書き込みが可能な範囲に適宜設定することが望ましい。次いで、金属酸化物膜12を形成した基体10を、電圧を印加しながら走査が可能な探針を有する装置、例えば、原子間力顕微鏡AFM:AtomicForceMicroscopeや走査トンネル顕微鏡STM:ScanningTunnelingMicroscopeの試料ステージ14上に載置する。次いで、銀ペースト等の導電性ペースト16により、試料ステージ14と金属酸化物膜12とを接続する図1c。次いで、試料ステージ14と探針18との間に電圧を印加しながら、金属酸化物膜12の表面を探針18で走査することにより、金属酸化物膜12に所定の導電体パターン24を形成する図2a~図2b。探針18は、電源装置20に接続されており、試料ステージ14と探針18との間に直流電圧を印加できるように構成されている。また、金属酸化物膜12の表面を探針18により走査できるように構成されている。これを実現することに適した装置としては、例えば、電流と原子間力とを同時に測定しうるコンダクティブ原子間力顕微鏡C-AFM:ConductiveAtomicForceMicroscopeが挙げられる。これに代えてトンネル電流を測定する走査型トンネル顕微鏡などを用いてもよい。これらは何れも電極として導電性の探針カンチレバーを用いるものであり、計測対象の凹凸形状と同時に電流像を得ることができる測定装置として知られているが、これらの装置を利用することで金属酸化物膜12に極めて微細な導電体パターン24を形成することが可能となる。導電体パターン24の形成は、まず、金属酸化物膜12の所定領域に高抵抗状態を書き込んだ後、高抵抗状態の領域内の所定領域に低抵抗状態を書き込むことにより行う。金属酸化物膜12の所定領域に高抵抗状態を書き込み、高抵抗パターンを形成するだけでもよい。高抵抗状態を書き込む第1のステップでは、膜厚60nmのニッケル酸化膜に対しては、例えば、探針18に0Vを印加し、試料ステージ14に-7Vを印加する。探針18の走査速度は、例えば、10μm/sとする。これにより、金属酸化物膜12中の酸素原子イオンが金属酸化物膜12の表面側に移動して酸素欠損を修復し、或いは外気中から取り込まれる酸素によって酸素欠損が修復され、金属酸化物膜12の表面側キャリア濃度が低下する。こうして、金属酸化物膜12の表面側の探針18走査領域に、高抵抗領域22を形成する図2a。低抵抗状態を書き込む第2のステップでは、膜厚60nmのニッケル酸化膜に対しては、例えば、探針18に0Vを印加し、試料ステージ14に5Vを印加する。探針18の走査速度は、例えば、10μm/sとする。これにより、金属酸化物膜12の表面側の酸素原子イオンが試料ステージ14側に移動して酸素欠損が形成され、金属酸化物膜12の表面側キャリア濃度が増加する。こうして、高抵抗領域22の表面側の探針18走査領域に、導電体パターン24を形成する図2b。この際、低抵抗状態を書き込む際の印加電圧の絶対値を、高抵抗状態を書き込む際の印加電圧の絶対値よりも小さくすることにより、高抵抗領域22内に導電体パターン24を形成することができる。複数の導電体パターン24を形成する場合、これら導電体パターン24間は、高抵抗領域22によって分離することができる。このように、上記金属酸化物を用いて形成した金属酸化物膜12には、抵抗状態の異なる複数の領域を同時に形成することができる。例えば、一の金属酸化物膜12中に低抵抗状態の領域と高抵抗状態の領域とを形成することにより、低抵抗状態の領域を導電領域とし、高抵抗状態の領域を絶縁領域とすることができる。これにより、金属酸化物膜12に、低抵抗状態の領域によって規定される任意の導電体パターン24を形成することができる。本実施形態による導電体パターン形成方法では、金属酸化物膜12の下地に、探針18に対向する電極層を特に設けていない。これは、低抵抗状態の金属酸化物膜12を用いることにより、金属酸化物膜12を電極層として利用できるからである。すなわち、金属酸化物膜12の下層部分が下部電極として機能し、探針18が上部電極として機能することで、これら電極の間の金属酸化物膜12に電界を印加することができる。このため、試料ステージ14と金属酸化物膜12とを導電性ペースト16によって接続することにより、試料ステージ14と探針18との間に印加する電圧によって、金属酸化物膜12に導電体パターン22を形成することができる。なお、基体10上に形成する低抵抗状態の金属酸化物膜12の比抵抗と、低抵抗状態を書き込んだ導電体パターン24の比抵抗とは、必ずしも同じである必要はない。金属酸化物膜12の比抵抗は書き込み動作が可能な範囲に適宜設定することが望ましく、導電体パターン24の比抵抗は導電体パターン24に求められる値に応じて適宜設定することが望ましい。書き込みの際に印加する電圧は、直流電圧でもパルス電圧でもよい。発明者等は実験により、直流及びパルスのどちらでも書き込み動作が可能であることを確認している。探針18の形状は、形成しようとする導電体パターン24に応じて適宜変更してもよい。例えば、細いパターンの形成には先端径が細い探針18を使用し、太いパターンの形成には先端径が太い探針18を使用する。複数のラインを形成する場合は、製造効率を高めるため針状の電極を並べて櫛歯状に構成してもよい。特に、低抵抗状態の金属酸化物膜12に高抵抗状態を書き込む第1のステップでは、先端の太い針状の探針18を用いることや広い面積の探針18を接触させて一度に太いパターンや広い面積のパターンを得ることが可能である。この理由は、低抵抗から高抵抗に状態を変化させる場合には、探針18や探針18の接触面により電圧がかかり易い状態になって行くからである。抵抗変化の生じ易さには場所依存があるが、太いプローブを接触させても変化が生じやすい領域から先に高抵抗化が進み、まだ低抵抗に留まっている領域により電圧がかかり易くなって、全面高抵抗化するまで抵抗変化が続くと期待できる。逆に、高抵抗領域20に導電体パターンを書き込む第2のステップでは、一部が低抵抗化すると電流がそこを集中的に流れ、他の接触面に電圧がかかりにくくなってしまうため、太いパターンを得るには細いプローブを繰り返し使用することが望ましい。なお、AFMには、コンタクトモード、ノンコンタクトモード、タッピングモードなどのモードがあるが、AFMを用いるのは表面形状の観察ではなく導電体パターン24を形成するためであるから、探針18と金属酸化物膜12との間に酸素欠損を生成し又は消滅させるだけの電界を発生させることができれば、探針18と金属酸化物膜12とが接触していているか否かは問わない。次いで、導電体パターン24を形成した金属酸化物膜12を有する基体10を試料ステージ14から取り外し、導電体パターン24の形成を完了する図2c。このように、本実施形態によれば、フォトリソグラフィでは形成が困難な超微細な導電体パターンを形成することができる。また、導電体パターンは金属酸化物膜内に形成されるため、導電体パターンの表面が平坦な面で構成される。したがって、金属酸化物膜を透明部材で構成した場合には、光学特性が均一になる利点がある。[第2実施形態]本発明の第2実施形態による導電体パターンの形成方法について図4及び図5を用いて説明する。図1乃至図3に示す第1実施形態による導電体パターンの形成方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。図4及び図5は、本実施形態による導電体パターンの形成方法を示す工程図である。まず、配線や電極などの導電体パターンを形成しようとする基体10を用意する図4a。基体10としては、第1実施形態と同様の種々の部材を適用することができる。次いで、基体10上に、金属酸化物膜12Hを形成する図4b。金属酸化物膜12Hを形成する材料としては、第1実施形態と同様の種々の金属酸化物材料を適用することができる。金属酸化物膜12Hは、化学量論的組成近傍の組成を有する高抵抗の膜である。例えばニッケル酸化物の場合、NiO1xとして、x≒0のニッケル酸化物が該当する。金属酸化物膜12Hの成膜方法は、特に限定されるものではないが、例えば、スパッタリング法を適用することができる。例えば、ニッケル酸化物により金属酸化物膜12Hを形成する場合、ターゲットにニッケルを、スパッタガスに酸素とアルゴンの混合ガスを用い、RFパワー300W、ベース真空度9.0×10-5Pa、ガス圧95mTorr、ターゲット-基板間距離60mmの条件下でスパッタリングを行い、膜厚60nmのニッケル酸化膜を形成する。このとき、酸素分圧を10程度、成膜温度を400°C程度とすることにより、化学量論的組成近傍の高抵抗のニッケル酸化膜を形成することができる。金属酸化物膜12Hの膜厚は、特に限定されるものではないが、例えば5nm~1000nmの範囲が望ましい。次いで、金属酸化物膜12Hの導電体パターンを形成しようとする領域に、電子線を照射する図4c。金属酸化物膜12Hの電子線を照射した領域では、電子線のエネルギーによって還元現象が生じ、金属酸化物膜12H中に酸素欠損が生じる。これにより、電子線照射領域の金属酸化物膜12HがN型化して低抵抗状態となり、低抵抗の導電体パターン24が形成される図4d。金属酸化物膜12Hへの電子線の照射条件は、例えば、電子線の加速エネルギーを10keV、照射密度を2.1×107個/μm2程度とする。これにより、高抵抗の金属酸化物膜12H内に、低抵抗の導電体パターン24を形成することができる。導電体パターン24は、以下の方法によって形成することもできる。まず、配線や電極などの導電体パターンを形成しようとする基体10を用意する図5a。基体10としては、第1実施形態と同様の種々の部材を適用することができる。次いで、基体10上に、金属酸化物膜12Lを形成する図5b。金属酸化物膜12Lを形成する材料としては、第1実施形態と同様の種々の金属酸化物材料を適用することができる。金属酸化物膜12Lは、化学量論的組成よりも酸素を多く含む低抵抗状態の膜である。例えばニッケル酸化物の場合、NiO1xとして、x>0のニッケル酸化物が該当する。金属酸化物膜12Lの成膜方法は、特に限定されるものではないが、例えば、スパッタリング法を適用することができる。例えば、ニッケル酸化物により金属酸化物膜12Lを形成する場合、ターゲットにニッケルを、スパッタガスに酸素とアルゴンの混合ガスを用い、RFパワー300W、ベース真空度9.0×10-5Pa、ガス圧95mTorr、ターゲット-基板間距離60mmの条件下でスパッタリングを行い、膜厚60nmのニッケル酸化膜を形成する。このとき、酸素分圧を30程度、成膜温度を350°C程度とすることにより、化学量論的組成よりも酸素を多く含む低抵抗のニッケル酸化膜を形成することができる。金属酸化物膜12Lの膜厚は、特に限定されるものではないが、例えば5nm~1000nmの範囲が望ましい。次いで、金属酸化物膜12Lの、導電体パターンを形成しようとする領域以外の領域に、電子線を照射する図5c。金属酸化物膜12Lの電子線を照射した領域では、電子線のエネルギーによって還元現象が生じ、金属酸化物膜12L中の酸素濃度が低減する。これにより、電子線照射領域の金属酸化物膜12Lが化学量論的組成に近づき高抵抗状態となり、この高抵抗領域により画定された低抵抗領域によって導電体パターン24が形成される図5d。金属酸化物膜12Lへの電子線の照射条件は、例えば、電子線の加速エネルギーを10keV、照射密度を2.1×105個/μm2程度とする。これにより、低抵抗の金属酸化物膜12L内に、導電体パターン24を画定する高抵抗の絶縁領域を形成することができる。金属酸化物膜12Lの導電体パターン24を形成しようとする領域にも、図4に示す方法の場合と同様、電子線を照射してもよい。金属酸化物膜12Lの導電体パターン24を形成しようとする領域により高い照射密度で電子線を照射することにより、金属酸化物膜12L中に酸素欠損を導入することができる。これにより、電子線照射領域の金属酸化物膜12LがN型化して低抵抗状態となり、低抵抗の導電体パターン24を形成することができる。金属酸化物膜12に低抵抗領域又は高抵抗領域を書き込む深さは、照射する電子線のエネルギーによって制御することができる。発明者等の検討では、電子線の加速電圧を1keV~2keV程度とすることにより、金属酸化物膜12の表面から数nm程度の領域の抵抗状態を変化できることが判った。また、上述の10keV程度の加速エネルギーでは、膜厚60nm程度の金属酸化物膜12の深さ方向の全体に渡って書き込むことができた。電子線の加速エネルギー及び照射密度は、金属酸化物膜12の構成材料、金属酸化物膜12の初期状態、金属酸化物膜12の膜厚等に応じて、所望の抵抗状態を書き込むことができる条件を適宜選択することが望ましい。また、電子線の代わりに、他の荷電粒子線、例えばイオンビームを用いて書き込みを行うようにしてもよい。電子線以外の荷電粒子線を用いた場合にも、電子線の場合と同様、金属酸化物膜12の還元現象を誘起させることができ、金属酸化物膜12の抵抗状態を書き換えることができる。このように、本実施形態によれば、フォトリソグラフィでは形成が困難な超微細な導電体パターンを形成することができる。また、導電体パターンは金属酸化物膜内に形成されるため、導電体パターンの表面が平坦な面で構成される。したがって、金属酸化物膜を透明部材で構成した場合には、光学特性が均一になる利点がある。[第3実施形態]本発明の第3実施形態によるタッチパネル及びその製造方法について図6及び図7を用いて説明する。図6は、本実施形態によるタッチパネルの構造を示す平面図及び概略断面図である。図7は、本実施形態によるタッチパネルの製造方法を示す工程断面図である。はじめに、本実施形態によるタッチパネルの構造について図6を用いて説明する。なお、図6aは本実施形態によるタッチパネルの構造を示す平面図であり、図6bは図6aのA-A′線断面図である。透明な部材により形成された基体30上には、金属酸化物膜32が形成されている。金属酸化物膜32には、ラインアンドスペースパターンを有する導電体パターン34が形成されている。また、透明な部材により形成された基体40上には、金属酸化物膜42が形成されている。金属酸化物膜42には、ラインアンドスペースパターンを有する導電体パターン44が形成されている。基体30と基体40とは、金属酸化物膜32の形成面と金属酸化物膜42の形成面とが向き合うように、また、導電体パターン34,44のラインアンドスペースパターンが交差するように、スペーサ50を介して接合されている。金属酸化物膜32と金属酸化物膜42の間には、スペーサ50によって空隙Gが確保されている。このように、本実施形態によるタッチパネルは、マトリクス抵抗膜方式のタッチパネルである。画面例えば、基体40側の表面に指やペンが触れていない状態では、導電体パターン34と導電体パターン44とは空隙Gによって隔離されており、導電体パターン34と導電体パターン44との間は絶縁状態になっている。これに対し、画面を指やペンなどで触れると、指やペンが触れた位置において基体基体40が撓み、導電体パターン34と導電体パターン44とが接触して導通する。この導通部分を認識することにより、指やペンが触れた位置を特定することができる。このタッチパネルに用いられる導電体パターン34,44は、極めて微細なパターンを有することができるため、解像度を高めることができる利点がある。また、導電体パターン34,44の表面に段差がなく平坦であるため、光学的特性がほぼ均一であるという利点もある。次に、本実施形態によるタッチパネルの製造方法について図7を用いて説明する。まず、基体30上に、金属酸化物膜32を形成する図7a。基体30としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートPETを適用することができる。また、金属酸化物膜32としては、例えばニッケル酸化物NiOを適用することができる。次いで、第1又は第2実施形態による導電体パターンの形成方法と同様にして、金属酸化物膜32に、導電体パターン34を形成する図7b。同様に、基体40上に、金属酸化物膜42を形成する図7c。基体40としては、例えば、膜厚125μmのポリエチレンナフタレートPENを適用することができる。また、金属酸化物膜42としては、例えばニッケル酸化物NiOを適用することができる。次いで、第1又は第2実施形態による導電体パターン形成方法と同様にして、金属酸化物膜42に、導電体パターン44を形成する図7d。次いで、このように形成した基体30,40を、スペーサ50を介して接着し、本実施形態によるタッチパネルを完成する図7e。このように、本実施形態によれば、金属酸化物膜内に形成された導電体パターンを用いてタッチパネルを構成するので、導電体パターンの表面を平坦な面で構成することができる。これにより、導電体パターンを形成した領域と形成していない領域との光学特性を均一にすることができる。[第4実施形態]本発明の第4実施形態によるタッチパネル及びその製造方法について図8及び図9を用いて説明する。図6及び図7に示す第3実施形態によるタッチパネル及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図8は、本実施形態によるタッチパネルの構造を示す平面図及び概略断面図である。図9は、本実施形態によるタッチパネルの製造方法を示す工程断面図である。はじめに、本実施形態によるタッチパネルの構造について図8を用いて説明する。なお、図8aは本実施形態によるタッチパネルの構造を示す平面図であり、図8bは図8aのA-A′線断面図である。透明な部材により形成された基体30上には、金属酸化物膜32が形成されている。金属酸化物膜32には、ラインアンドスペースパターンを有する導電体パターン34が形成されている。また、透明な部材により形成された基体40上には、金属酸化物膜42が形成されている。金属酸化物膜42には、ラインアンドスペースパターンを有する導電体パターン44が形成されている。基体30と基体40とは、金属酸化物膜32の形成面と金属酸化物膜42の形成面とが向き合うように、また、導電体パターン34,44のラインアンドスペースパターンが交差するように、絶縁基板60を介して接合されている。このように、本実施形態によるタッチパネルは、投影型静電容量方式のタッチパネルである。画面例えば、基体40側の表面に指やペンが触れていない状態では、導電体パターン34と導電体パターン44とは一定距離を保持されるため、導電体パターン34と導電体パターン44との間は一定の静電容量となる。これに対し、画面を指やペンなどで触れると、指やペンが触れた部分では静電容量が変化する。この静電容量が変化した部分を認識することにより、指やペンが触れた位置を特定することができる。このタッチパネルに用いられる導電体パターン34,44は、極めて微細なパターンを有することができるため、解像度を高めることができる利点がある。また、導電体パターン34,44の表面に段差がなく平坦であるため、光学的特性がほぼ均一であるという利点もある。次に、本実施形態によるタッチパネルの製造方法について図9を用いて説明する。まず、基体30上に、金属酸化物膜32を形成する図9a。基体30としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートPETを適用することができる。また、金属酸化物膜32としては、例えばニッケル酸化物NiOを適用することができる。次いで、第1又は第2実施形態による導電体パターン形成方法と同様にして、金属酸化物膜32に、導電体パターン34を形成する図9b。同様に、基体40上に、金属酸化物膜42を形成する図9c。基体40としては、例えば、膜厚125μmのポリエチレンナフタレートPENを適用することができる。また、金属酸化物膜42としては、例えばニッケル酸化物NiOを適用することができる。次いで、第1又は第2実施形態による導電体パターン形成方法と同様にして、金属酸化物膜42に、導電体パターン44を形成する図9d。次いで、このように形成した基体30,40を、絶縁基板60を介して接着し、本実施形態によるタッチパネルを完成する図9e。このように、本実施形態によれば、金属酸化物膜内に形成された導電体パターンを用いてタッチパネルを構成するので、導電体パターンの表面を平坦な面で構成することができる。これにより、導電体パターンを形成した領域と形成していない領域との光学特性を均一にすることができる。[変形実施形態]本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態に記載した金属酸化物膜の材料、成膜条件、書き込み条件等は、一例を示したものにすぎず、当業者の技術常識等に応じて適宜修正や変更が可能である。また、上記第3及び第4実施形態では、第1及び第2実施形態の方法により形成した導電体パターンをタッチパネルの電極パターンに応用した例を示したが、第1及び第2実施形態の方法により形成した導電体パターンの使用目的は、タッチパネルに限定されるものではない。絶縁性の基体上に任意の導電体パターンを形成しうる本発明による導電体パターンの形成方法は、種々のデバイスに適用することが可能である。"