基板の上方に金属層を形成する第1工程と、前記金属層をパターニングして、マトリクス状に配置される複数の画素の各画素内に少なくとも1つのゲート電極が含まれるように、複数のゲート電極を形成する第2工程と、前記複数のゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する第3工程と、前記ゲート絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成する第4工程と、所定のレーザを走査することにより前記非晶質半導体膜に対して前記所定のレーザを照射し、前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成する第5工程と、を含み、前記所定のレーザを走査するときのレーザ照射幅は、前記画素の幅のn倍ここで、nは2以上の整数に対応し、前記レーザ照射幅の一方の端部におけるレーザエネルギーの強度は、前記レーザ照射幅の他方の端部におけるレーザエネルギーの強度より高く、前記第5工程において、前記所定のレーザのレーザエネルギーの強度は、n画素ごとに、前記レーザ照射幅の一方の端部におけるレーザエネルギーの強度と、前記レーザ照射幅の他方の端部におけるレーザエネルギーの強度とが反転するように構成される、結晶性半導体膜の製造方法。基板の上方に金属層を形成する第1工程と、前記金属層をパターニングして、マトリクス状に配置される複数の画素の各画素内に少なくとも1つのゲート電極が含まれるように、複数のゲート電極を形成する第2工程と、前記複数のゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する第3工程と、前記ゲート絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成する第4工程と、所定のレーザを走査することにより前記非晶質半導体膜に対して前記所定のレーザを照射し、前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成する第5工程と、を含み、前記所定のレーザを走査するときのレーザ照射幅は、前記画素の幅のn倍ここで、nは2以上の整数に対応し、前記レーザ照射幅の一方の端部におけるレーザエネルギーの強度は、前記レーザ照射幅の他方の端部におけるレーザエネルギーの強度より高く、前記複数の画素の各画素に含まれる少なくとも1つのゲート電極は、前記各画素内において、前記所定のレーザの走査方向に沿った仮想の画素中心線から前記各画素のいずれかの端部側に寄った位置に設けられており、前記各画素に含まれる少なくとも1つのゲート電極は、前記所定のレーザのレーザ照射幅ごとに、前記各画素の異なる側の端部側に寄った位置に設けられており、前記第5工程において、前記所定のレーザのレーザエネルギーの強度は、n画素ごとに、前記レーザ照射幅の一方の端部におけるレーザエネルギーの強度と前記レーザ照射幅の他方の端部におけるレーザエネルギーの強度とが反転するように構成される、結晶性半導体膜の製造方法。前記第5工程において、前記非晶質半導体膜に対してレーザ照射するときに所定のレーザの走査速度は、前記非晶質半導体膜の形成領域において一定である、請求項1又は請求項2に記載の結晶性半導体膜の製造方法。非晶質半導体膜形成用の基板を保持するための基板保持部と、前記基板に形成された非晶質半導体膜を結晶化させるための所定のレーザを発振させるレーザ発振部と、前記レーザ発振部から発振させた前記所定のレーザを、前記非晶質半導体膜の所定の領域に所定のレーザ照射幅で照射させるための光学系部と、前記基板に対して前記所定のレーザが相対的に走査するように、前記基板保持部又は前記光学系部の位置を制御するための走査制御部と、前記所定のレーザのレーザエネルギーの強度を反転させるためのレーザ反転制御部と、を備え、前記所定のレーザのレーザ照射幅は、前記画素の幅のn倍ここで、nは2以上の整数に対応し、前記所定のレーザのレーザ照射幅の一方の端部におけるレーザエネルギーの強度は、前記所定のレーザのレーザ照射幅の他方の端部におけるレーザエネルギーの強度より高く、前記レーザ反転制御部は、n画素ごとに、前記所定のレーザのレーザ照射幅の一方の端部におけるレーザエネルギーの強度と前記所定のレーザのレーザ照射幅の他方の端部におけるレーザエネルギーの強度とを反転制御する、結晶性半導体膜の製造装置。前記光学系部は、前記所定のレーザを正転出力又は反転出力させるためのレーザ反転部を備え、前記レーザ反転制御部によって前記レーザ反転部を制御することにより、前記反転制御を行う、請求項4に記載の結晶性半導体膜の製造装置。さらに、前記基板保持部を回転することができる回転機構部を備え、前記レーザ反転制御部によって前記回転機構部を制御することにより、前記反転制御を行う、請求項4に記載の結晶性半導体膜の製造装置。上記の特許文献1、2に開示されたレーザアニール方法を用いて非晶質半導体膜を結晶化すると、非晶質半導体膜に照射されたレーザ光のエネルギー分布は均一化されているので、均一に結晶化された結晶性半導体膜を得ることができると考えられる。しかしながら、特許文献1、2のレーザアニール方法を用いたとしても、高画質等の高い表示性能が求められる上記表示装置においては、十分な均一性を有する結晶性半導体膜を得ることができないという問題がある。特に、上記表示装置は、画素ごとに複数のTFTが設けられたTFTアレイ基板を備えるが、従来のレーザアニール方法では、画素同士における僅かなTFT特性のばらつきを解消することができない。これにより、より高い表示性能の表示装置を実現することができないという問題がある。また、従来のレーザアニール方法として、例えば、図15~図17に示すような方法も用いられている。図15は、従来のレーザアニール方法におけるレーザ光の長軸プロファイル及び短軸プロファイルを示す図である。図15に示すレーザ光の光強度分布は、長軸においては、トップフラット型のレーザエネルギー強度を有し、短軸においては、ガウシアン型のレーザエネルギー強度を有する。図16A及び図16Bは、従来のレーザアニール方法におけるレーザビームのスキャン方法を示す図である。図16A及び図16Bに示すように、従来のレーザアニール方法は、複数の画素20がマトリクス状に配置されるTFTアレイ基板200において、当該TFTアレイ基板に形成された非晶質半導体膜に対して、図15に示す光強度分布を有するレーザ光を、複数行の画素を一ブロックとするブロック単位でレーザ照射を繰り返すものである。例えば、図16Aに示すように、2行2ラインを一組として上から順に、第1スキャン、第2スキャン、第k-1スキャン及び第kスキャンとして、ビームスキャンを行う。このとき、図15に示す光強度分布を有するレーザ光によって、図17に示すようにしてレーザビームのスキャンを繰り返す。すなわち、画素の列方向とレーザ光の光強度分布の長軸方向とが一致するようにして、TFTアレイ基板上の非晶質半導体膜に対してレーザ照射を行うことにより、当該非晶質半導体膜を結晶化する。なお、図17においては、各画素20に2つのTFTが図示され、それぞれソース電極及びドレイン電極も図示されているが、これは画素におけるTFTの位置が分かるように図示したものであり、上記レーザアニールを行う際には、ソース電極及びドレイン電極は形成されておらず、また、チャネル層もパターニングされていない。従来はこのようにして非晶質半導体膜を結晶化するが、しかしながら、図17に示すレーザアニール方法では、図15に示すように、レーザ光の長軸における光強度分布のトップ部分は、レーザエネルギー強度が均一ではない。これにより、非晶質半導体膜にレーザ照射したときに、レーザ照射幅の一方の端部におけるレーザエネルギーの強度は、レーザ照射幅の他方の端部におけるレーザエネルギーの強度よりも高くなる。従って、一のブロックに含まれる最終ラインの画素に対して照射されるレーザエネルギー強度と、当該一のブロックの次のブロックに含まれる先頭ラインの画素に対して照射されるレーザエネルギー強度とが異なることになる。これにより、一のブロックにおける最終ラインの画素と次のブロックにおける先頭ラインの画素とでは、レーザエネルギー強度が、図17に示すように極端な差を有して変化することになる。つまり、非晶質半導体膜全体に照射されるレーザ光のエネルギー強度分布を画素の列方向に見たときに、当該エネルギー強度は不連続な状態になっている。この結果、レーザ照射によって形成された結晶性半導体膜においては、一のブロックに含まれる最終ラインの画素に対応するゲート電極上で形成される結晶性半導体膜と、当該一のブロックの次のブロックに含まれる先頭ラインの画素に対応するゲート電極上で形成される結晶性半導体膜とでは、結晶粒径が異なってしまうことになる。この結晶粒径の変化は、一のブロックと当該一のブロックの次のブロックとの境界において、TFT特性の変化として表れてしまい、表示装置全体として見た場合に、上記ブロック単位ブロックの境界で、表示画像に縞やスジとなって現れるという問題がある。なお、図15に示す長軸における光強度分布のトップ部分がフラットになるように、すなわち、トップ部分の両端部における上記レーザエネルギー強度の差をなくそうとしても、実際には僅かといえども差が生じてしまう。このように、従来のレーザアニール方法では、画素同士におけるTFT特性のばらつきを解消することができないという問題がある。本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、TFT特性のばらつきを抑制することができる結晶性半導体膜の製造方法及び結晶性半導体膜の製造装置を提供することを目的とする。上記問題を解決するために、本発明に係る結晶性半導体膜の製造方法の一態様は、基板の上方に金属層を形成する第1工程と、前記金属層をパターニングして、マトリクス状に配置される複数の画素の各画素内に少なくとも1つのゲート電極が含まれるように、複数のゲート電極を形成する第2工程と、前記複数のゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する第3工程と、前記ゲート絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成する第4工程と、所定のレーザを走査することにより前記非晶質半導体膜に対して前記所定のレーザを照射し、前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成する第5工程と、を含み、前記所定のレーザを走査するときのレーザ照射幅は、前記画素の幅のn倍ここで、nは2以上の整数に対応し、前記レーザ照射幅の一方の端部におけるレーザエネルギーの強度は、前記レーザ照射幅の他方の端部におけるレーザエネルギーの強度より高く、前記第5工程において、前記所定のレーザのレーザエネルギーの強度は、n画素ごとに、前記レーザ照射幅の一方の端部におけるレーザエネルギーの強度と、前記レーザ照射幅の他方の端部におけるレーザエネルギーの強度とが反転するように構成される。本発明に係る結晶性半導体膜の製造方法及び結晶性半導体膜の製造装置によれば、TFT特性のばらつきを抑制することができる結晶性半導体膜を得ることができる。本発明に係る結晶性半導体膜の製造方法の一態様は、基板の上方に金属層を形成する第1工程と、前記金属層をパターニングして、マトリクス状に配置される複数の画素の各画素内に少なくとも1つのゲート電極が含まれるように、複数のゲート電極を形成する第2工程と、前記複数のゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する第3工程と、前記ゲート絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成する第4工程と、所定のレーザを走査することにより前記非晶質半導体膜に対して前記所定のレーザを照射し、前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成する第5工程と、を含み、前記所定のレーザを走査するときのレーザ照射幅は、前記画素の幅のn倍ここで、nは2以上の整数に対応し、前記レーザ照射幅の一方の端部におけるレーザエネルギーの強度は、前記レーザ照射幅の他方の端部におけるレーザエネルギーの強度より高く、前記第5工程において、前記所定のレーザのレーザエネルギーの強度は、n画素ごとに、前記レーザ照射幅の一方の端部におけるレーザエネルギーの強度と、前記レーザ照射幅の他方の端部におけるレーザエネルギーの強度とが反転するように構成される。本態様によれば、非晶質半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成する際、レーザ光のレーザ照射幅を画素のn倍に対応させて、n画素を一ブロックとして、一ブロックごとにn画素ごとにレーザ照射を行う。このとき、レーザ光のレーザエネルギー強度を、一ブロックごとにn画素ごとに、レーザ照射幅の一方の端部におけるレーザエネルギー強度とレーザ照射幅の他方の端部におけるレーザエネルギー強度とが反転するようにしてレーザ照射を行う。これにより、一のブロックに含まれる最終ラインの画素に対して照射されるレーザエネルギー強度と、当該一のブロックの次のブロックに含まれる先頭ラインの画素に対して照射されるレーザエネルギー強度とを同じにすることができる。この結果、一のブロックに含まれる最終ラインの画素に含まれるゲート電極上に形成される結晶性半導体膜と、一のブロックの次のブロックに含まれる先頭ラインの画素に含まれるゲート電極上に形成される結晶性半導体膜とは、ほぼ同等のレーザエネルギー強度によってレーザ照射されて形成されることになる。従って、上記一のブロックの最終ラインにおける結晶性半導体膜の結晶粒径と、上記次のブロックの先頭ラインにおける結晶性半導体膜の結晶粒径とをほぼ同じにすることができる。よって、基板全体におけるTFT特性のばらつきを抑制することができる。また、本発明に係る結晶性半導体膜の製造方法の別の一態様は、基板の上方に金属層を形成する第1工程と、前記金属層をパターニングして、マトリクス状に配置される複数の画素の各画素内に少なくとも1つのゲート電極が含まれるように、複数のゲート電極を形成する第2工程と、前記複数のゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する第3工程と、前記ゲート絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成する第4工程と、所定のレーザを走査することにより前記非晶質半導体膜に対して前記所定のレーザを照射し、前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成する第5工程と、を含み、前記所定のレーザを走査するときのレーザ照射幅は、前記画素の幅のn倍ここで、nは2以上の整数に対応し、前記レーザ照射幅の一方の端部におけるレーザエネルギーの強度は、前記レーザ照射幅の他方の端部におけるレーザエネルギーの強度より高く、前記複数の画素の各画素に含まれる少なくとも1つのゲート電極は、前記各画素内において、前記所定のレーザの走査方向に沿った仮想の画素中心線から前記各画素のいずれかの端部側に寄った位置に設けられており、前記各画素に含まれる少なくとも1つのゲート電極は、前記所定のレーザのレーザ照射幅ごとに、前記各画素の異なる側の端部側に寄った位置に設けられており、前記第5工程において、前記所定のレーザのレーザエネルギーの強度は、n画素ごとに、前記レーザ照射幅の一方の端部におけるレーザエネルギーの強度と前記レーザ照射幅の他方の端部におけるレーザエネルギーの強度とが反転するように構成される。本態様によれば、レーザ光のレーザ照射幅の最終ラインの画素に含まれるゲート電極と、レーザ光の次のレーザ照射幅の先頭ラインの画素に含まれるゲート電極とは、レーザ光のレーザ照射幅の境界位置から等距離をあけた位置に配置される。このような画素レイアウトとすることにより、画素全域におけるゲート電極上の非晶質半導体膜に対してほぼ同等のレーザエネルギー強度でレーザ照射を行うことができるので、面内均一性が高い結晶粒径を有する結晶性半導体膜を形成することができる。さらに、本発明に係る結晶性半導体膜の製造方法の一態様又は別の一態様において、前記第5工程において、前記非晶質半導体膜に対してレーザ照射するときに所定のレーザの走査速度は、前記非晶質半導体膜の形成領域において一定であることが好ましい。これにより、非晶質半導体膜に照射されるレーザ光の単位時間当たりのレーザエネルギー強度を一定とすることができ、レーザ照射による非晶質半導体膜の温度上昇を一定とすることができる。従って、基板全体における結晶性半導体膜の結晶粒径をさらに均一にすることができ、基板全体におけるTFT特性のばらつきをさらに抑制することができる。また、本発明に係る結晶性半導体膜の製造装置の一態様は、非晶質半導体膜形成用の基板を保持するための基板保持部と、前記基板に形成された非晶質半導体膜を結晶化させるための所定のレーザを発振させるレーザ発振部と、前記レーザ発振部から発振させた前記所定のレーザを、前記非晶質半導体膜の所定の領域に所定のレーザ照射幅で照射させるための光学系部と、前記基板に対して前記所定のレーザが相対的に走査するように、前記基板保持部又は前記光学系部の位置を制御するための走査制御部と、前記所定のレーザのレーザエネルギーの強度を反転させるためのレーザ反転制御部と、を備え、前記所定のレーザのレーザ照射幅は、前記画素の幅のn倍ここで、nは2以上の整数に対応し、前記所定のレーザのレーザ照射幅の一方の端部におけるレーザエネルギーの強度は、前記所定のレーザのレーザ照射幅の他方の端部におけるレーザエネルギーの強度より高く、前記レーザ反転制御部は、n画素ごとに、前記所定のレーザのレーザ照射幅の一方の端部におけるレーザエネルギーの強度と前記所定のレーザのレーザ照射幅の他方の端部におけるレーザエネルギーの強度とを反転制御するものである。本態様によれば、n画素ごとに、レーザ照射幅の一方の端部におけるレーザエネルギー強度とレーザ照射幅の他方の端部におけるレーザエネルギー強度とを反転させることができる。これにより、上記の結晶性半導体膜の製造方法における結晶性半導体膜形成工程において、一のブロックに含まれる最終ラインの画素に対して照射されるレーザエネルギー強度と、当該一のブロックの次のブロックに含まれる先頭ラインの画素に対して照射されるレーザエネルギー強度とを同じにすることができる。さらに、本発明に係る結晶性半導体膜の製造装置の一態様において、前記光学系部は、前記所定のレーザを正転出力又は反転出力させるためのレーザ反転部を備え、前記レーザ反転制御部によって前記レーザ反転部を制御することにより、前記反転制御を行うことが好ましい。本態様によれば、レーザ反転部によってレーザの光強度分布を正転出力又は反転出力させることができる。これにより、n画素ごとに、レーザの光強度分布を反転制御して非晶質半導体膜に対するレーザ照射を行うことができる。さらに、本発明に係る結晶性半導体膜の製造装置の一態様において、前記基板保持部を回転することができる回転機構部を備え、前記レーザ反転制御部によって前記回転機構部を制御することにより、前記反転制御を行うことが好ましい。本態様によれば、回転機構部によって基板保持部を回転させることができる。これにより、非晶質半導体膜が形成された基板を回転させることができる。従って、n画素ごとに基板を半回転させることにより、非晶質半導体膜に対するレーザの光強度分布を反転制御することができる。実施形態1以下、本発明の実施形態1に係る結晶性半導体膜の製造方法及び結晶性半導体膜の製造装置について、図面を参照しながら説明する。なお、各実施形態における各図は、説明のための模式図であり、必ずしも厳密に表したものではない。薄膜トランジスタアレイ装置の構成まず、本発明の実施形態1に係る結晶性半導体膜を有する薄膜トランジスタ装置について、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施形態1に係る結晶性半導体膜を有する薄膜トランジスタ装置が形成される薄膜トランジスタアレイ基板TFTアレイ基板の平面図である。また、図2は、図1のTFTアレイ基板における画素の構成を示す平面図である。図1に示すように、TFTアレイ基板200は、アクティブマトリクス基板であって、マトリクス状に配置された複数の画素20で構成される表示部220を備える。なお、図1においては、2つの表示部220が形成されたTFTアレイ基板200を示しており、このTFTアレイ基板200を切断することによって、2つのTFTアレイ基板を得ることができる。また、図1においては、画素20は表示部220の4隅の一部にしか図示されておらず、実際には、画素20は表示部220内にマトリクス状に配列されている。画素20は、図2に示すように、ソース配線21、電源配線22及びゲート配線23によって区画されており、1つの画素20単位画素には、駆動用TFT10とスイッチ用TFT11とが形成されている。本実施形態において、駆動用TFT10は、有機EL素子不図示を駆動するための駆動トランジスタであり、スイッチ用TFT11は、映像信号を画素20に供給することを選択するためのスイッチイングトランジスタである。また、駆動用TFT10において、ドレイン電極は、コンタクト24を介して電源配線22と電気的に接続されており、ゲート電極は、コンタクト25を介してスイッチ用TFT11のドレイン電極と電気的に接続されている。なお、図示しないが、駆動用TFT10のソース電極は、有機EL素子の下部電極に電気的に接続される。また、スイッチ用TFT11において、ソース電極は、コンタクト26を介してソース配線21と電気的に接続され、ゲート電極は、コンタクト27を介してゲート配線23と電気的に接続される。スイッチ用TFT11のドレイン電極は、駆動用TFT10のゲート電極と電気的に接続される。なお、駆動用TFT10のゲート電極と電源配線22とは、基板垂直方向において絶縁膜を介して重なるように構成されており、コンデンサ不図示を形成している。この構成において、ゲート配線23にゲート信号が入力され、スイッチ用TFT11をオン状態にすると、ソース配線21を介して供給された信号電圧が上記コンデンサに書き込まれる。そして、コンデンサに書き込まれた保持電圧は、1フレーム期間を通じて保持される。この保持電圧により、駆動用TFT10のコンダクタンスがアナログ的に変化し、発光階調に対応した駆動電流が、有機EL素子のアノードからカソードへと流れる。これにより、有機EL素子が発光し、画像として表示される。次に、本発明の実施形態1に係る結晶性半導体膜を有する薄膜トランジスタ装置の構造について、図3を用いて説明する。図3は、本発明の実施形態1に係る薄膜トランジスタ装置の構造を示す断面図である。なお、図3では、本発明の実施形態1に係る薄膜トランジスタ装置として駆動用TFT10の構成を示したが、スイッチ用TFT11も同じ構成である。図3に示すように、本発明の実施形態1に係る薄膜トランジスタ装置駆動用TFT10は、ボトムゲート型の薄膜トランジスタ装置であって、基板1上に順次形成された、アンダーコート層2、第1ゲート電極3、ゲート絶縁膜4、結晶性半導体膜5、非晶質半導体膜6、一対のコンタクト層7、ソース電極8及びドレイン電極9を備える。基板1は、例えば、石英ガラス等のガラス材料によって構成されている。アンダーコート層2は、基板1の中に含まれる不純物が上層の半導体膜に侵入することを防止するために基板1上に形成され、例えば、シリコン窒化膜SiN等の窒化膜で構成されている。ゲート電極3は、アンダーコート層2上に形成され、例えば、モリブデンタングステンMoW等で構成されている。ゲート絶縁膜4は、ゲート電極3を覆うようにして形成され、例えば、二酸化シリコンSiO2又は窒化シリコンSiN等で構成されている。結晶性半導体膜5は、ゲート絶縁膜4上に形成されており、非晶質半導体膜を結晶化することにより形成される。結晶性半導体膜5の結晶には、平均結晶粒径が10nm~100nmのマイクロクリスタルと呼ばれる微結晶、あるいは、平均結晶粒径が100nm以上の多結晶を含む。本実施形態において、結晶性半導体膜5は、アモルファスシリコン膜を結晶化することにより形成され、平均結晶粒径が40nm~60nmの微結晶構造を有する。なお、結晶化の方法については後述する。また、結晶性半導体膜5は、非結晶性構造と結晶構造との混晶であっても構わない。非晶質半導体膜6は、結晶性半導体膜5上に形成されており、例えば、アモルファスシリコン膜非晶質シリコン膜等で構成されている。一対のコンタクト層7は、非晶質半導体膜6上に形成され、不純物を高濃度に含む非晶質半導体膜で構成されている。本実施形態において、コンタクト層7は、アモルファスシリコン膜に不純物としてリンPをドーピングしたn型半導体層であって、1×1019atm/cm3以上の高濃度の不純物を含む。ソース電極8及び第1ドレイン電極9は、一対のコンタクト層7のそれぞれの上に形成されている。ソース電極8及びドレイン電極9は、それぞれ導電性材料及び合金等の単層構造又は多層構造であり、例えば、アルミニウムAl、モリブデンMo、タングステンW、銅Cu、チタンTi及びクロムCr等の材料で構成される。結晶性半導体膜の製造方法次に、本発明の実施形態1に係る結晶性半導体膜の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図4は、本発明の実施形態1に係る結晶性半導体膜の製造方法のフローチャートである。図4に示すように、本発明の実施形態1に係る結晶性半導体膜の製造方法は、第1工程である金属層形成工程S10と、第2工程であるゲート電極形成工程S20と、第3工程であるゲート絶縁膜形成工程S30と、第4工程である非晶質半導体膜形成工程S40と、第5工程である結晶性半導体膜工程S50とを含む。次に、本発明の実施形態1に係る結晶性半導体膜の具体的な製造方法について、図5を用いて詳細に説明する。図5は、本発明の実施形態1に係る結晶性半導体膜の製造方法における各工程を模式的に示した断面図である。なお、図5は、薄膜トランジスタ装置を製造する場合の工程断面図である。まず、図5aに示すように、石英ガラス等のガラス材料によって構成された基板1を準備する。その後、基板1上に、シリコン窒化膜等の絶縁膜からなるアンダーコート層2をプラズマCVD等によって形成する。次に、純水等で洗浄した後に、図5bに示すように、アンダーコート層2上にゲート金属層3Mを50nm程度の膜厚で成膜するS10。本実施形態では、モリブデンタングステンMoWからなるゲート金属層3Mをスパッタによって成膜した。次に、ゲート金属層3Mに対してフォトリソグラフィ及びウェットエッチングを施すことにより、ゲート金属層3Mをパターニングして、図5cに示すように、所定形状のゲート電極3を形成するS20。このとき、マトリクス状に配置される複数の画素の各画素内に少なくとも1つのゲート電極が含まれるようにして、基板1上に複数のゲート電極を形成する。次に、図5dに示すように、複数のゲート電極3を覆うようにして、ゲート電極3上に、二酸化シリコンからなるゲート絶縁膜4を100nm程度の膜厚で成膜するS30。なお、ゲート絶縁膜4は、プラズマCVD等によって成膜することができる。次に、図5eに示すように、ゲート絶縁膜4上に、アモルファスシリコン膜からなる非晶質半導体膜5aを50nm程度の膜厚で成膜するS40。なお、非晶質半導体膜5aも、プラズマCVD等によって成膜することができる。その後、非晶質半導体膜5aを結晶化する前の前準備として、脱水素処理を行う。具体的には、例えば400°C~500°Cで30分間のアニールを行う。次に、図5fに示すように、所定のレーザ光を非晶質半導体膜5aに照射して、非晶質半導体膜5aを結晶化して結晶性半導体膜を形成するS50。ここで、本実施形態における非晶質半導体膜の結晶化について、図6A、図6B及び図7を用いて詳述する。図6A及び図6Bは、本実施形態に係る非晶質半導体の結晶化方法レーザアニール方法におけるビームスキャン方法を示す図である。図7は、本実施形態に係るレーザアニール方法のビームスキャンにおいて、レーザ光の光強度分布と画素との関係を詳細に示す図である。本実施形態に係るレーザ光は、従来と同様に、図15に示す光強度分布を有するレーザ光を用いることができる。すなわち、本実施形態におけるレーザ光は、長軸においては、トップフラット型のレーザエネルギー強度を有する光強度分布であって、短軸においては、ガウシアン型のレーザエネルギー強度を有する光強度分布である。本実施形態に係るレーザアニール方法は、図6A及び図6Bに示すように、複数の画素20がマトリクス状に配置されるTFTアレイ基板200に形成された非晶質半導体膜に対して、上記の光強度分布を有するレーザ光によってレーザ照射する。このとき、レーザ照射は、画素の列方向とレーザ光の光強度分布の長軸方向とが一致するようにして行う。また、複数行の画素20を1つのブロックとするブロック単位で繰り返して行われ、1つのブロックにおけるレーザ光のレーザ照射幅が画素20の幅列方向の長さのn倍ここで、nは2以上の整数となるようにしてレーザ照射を行う。本実施形態では、図6A及び図7に示すように、2行2ラインを一組として一のブロックを構成している。なお、レーザ照射幅とは、レーザ光が非晶質半導体膜に照射されるときのレーザ光の長軸方向画素の列方向の長さである。また、レーザ光の光強度分布のトップ部分において、一方の端部のレーザエネルギー強度は、他方の端部におけるレーザエネルギー強度よりも高くなっている。そして、本実施形態では、レーザ光のレーザエネルギーの強度が、n画素ごとに一ブロックごとに、レーザ照射幅の一方の端部におけるレーザエネルギー強度と、レーザ照射幅の他方の端部におけるレーザエネルギー強度とが反転するように構成される。すなわち、一ブロックごとにレーザ光の光強度分布が反転するようにして構成されている。従って、一ブロックごとに、上から順に、第1スキャン、第2スキャン、第2k-1スキャン及び第2kスキャンとしてレーザビームのスキャンを行うときに、第1スキャン、第3スキャン、第2k-1スキャンにおける奇数番目のブロックに対しては、反転させない光強度分布正転の光強度分布によってレーザ照射を行い、第2スキャン、第4スキャン、第2kスキャンにおける偶数番目のブロックに対しては、反転させた光強度分布によってレーザ照射を行う。なお、図7において、各画素20には駆動用TFT10及びスイッチ用TFT11の2つのTFTが図示されているが、上記レーザ照射を行う際には、駆動用TFT10及びスイッチ用TFT11のソース電極及びドレイン電極は形成されておらず、最上面には非晶質半導体膜が形成された状態である。以上のとおり、本実施形態では、レーザ光の光強度分布を一ブロックごとに反転させながら、レーザ光レーザビームのスキャン走査を順次行う。これにより、図5fに示すように、非晶質半導体膜5aを結晶化させて多結晶構造を含む結晶性半導体膜5pを形成することができる。その後、SiH4/H2の水素プラズマ処理による水素プラズマ処理を行って、結晶性半導体膜5pの水素終端化処理を行う。次に、図5gに示すように、結晶性半導体膜5p上に、非晶質半導体膜6aを100nm程度の膜厚で成膜する。具体的には、プラズマCVD法により、アモルファスシリコン膜からなる非晶質半導体膜6aを成膜する。次に、図5hに示すように、フォトリソグラフィ及びウェットエッチングを施すことにより、積層された結晶性半導体膜5p及び非晶質半導体膜6aを選択的にパターニングにすることにより、結晶性半導体膜5p及び非晶質半導体膜6aを島状に形成する。これにより、結晶性半導体膜5と非晶質半導体膜6とが積層されたチャネル部を形成することができる。次に、図5iに示すように、プラズマCVD等によってアモルファスシリコン膜からなる非晶質半導体膜を成膜し、当該非晶質半導体膜に不純物をドーピングして、コンタクト層7となる不純物ドープの非晶質半導体膜7aを形成する。不純物としては、例えば、リン等の5価元素を用いることができる。また、不純物濃度が高濃度となるようにドーピングする。次に、図5jに示すように、不純物ドープの非晶質半導体膜7aに対してフォトリソグラフィ及びウェットエッチングを施すことにより、不純物ドープの非晶質半導体膜7aが非晶質半導体膜6の上面及び側面と結晶性半導体膜5の側面とを覆うようにして、不純物ドープの非晶質半導体膜7aをパターニングする。次に、図5kに示すように、不純物ドープの非晶質半導体膜7a上に、ソースドレイン金属層8Mを成膜する。ソースドレイン金属層8Mの材料は、ソース電極8及びドレイン電極9を構成する材料である。本実施形態では、MoW/Al/MoWの三層構造のソースドレイン金属層8Mをスパッタ法によって成膜した。次に、図5lに示すように、ソースドレイン金属層8Mに対してフォトリソグラフィ及びウェットエッチングを施すことによりソースドレイン金属層8Mをパターニングして、ソース電極8及びドレイン電極9を形成する。その後、ソースドレイン金属層8Mをパターニングするときのレジスト図示を残したまま、ドライエッチングを施すことにより、図5mに示すように、露出した不純物ドープの非晶質半導体膜7aをエッチングするとともに、非晶質半導体膜6の上層一部をエッチングする。これにより、不純物ドープの非晶質半導体膜7aを分離することにより、n層である一対のコンタクト層7を形成することができる。また、非晶質半導体膜7aの上層をエッチングすることにより、所望の膜厚のチャネル部を形成することができる。これにより、本発明の実施形態1に係る薄膜トランジスタ装置を製造することができる。以上、本発明の実施形態1に係る結晶性半導体膜の製造方法によれば、非晶質半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成する際、レーザ光のレーザ照射幅を画素のn倍に対応させて、n画素を一ブロックとして、一ブロックごとにn画素ごとにレーザ照射を行う。このとき、レーザ光のレーザエネルギー強度を、一ブロックごとにn画素ごとに、レーザ照射幅の一方の端部におけるレーザエネルギー強度とレーザ照射幅の他方の端部におけるレーザエネルギー強度とが反転するようにしてレーザ照射を行う。これにより、図7に示すように、一のブロックに含まれる最終ラインの画素に対して照射されるレーザエネルギー強度と、当該一のブロックの次のブロックに含まれる先頭ラインの画素に対して照射されるレーザエネルギー強度とを同じにすることができる。この結果、一のブロックに含まれる最終ラインの画素に含まれるゲート電極上に形成される結晶性半導体膜と、一のブロックの次のブロックに含まれる先頭ラインの画素に含まれるゲート電極上に形成される結晶性半導体膜とは、ほぼ同等のレーザエネルギー強度によってレーザ照射されて形成されることになる。従って、上記一のブロックの最終ラインにおける結晶性半導体膜の結晶粒径と、上記次のブロックの先頭ラインにおける結晶性半導体膜の結晶粒径とをほぼ同じにすることができる。これにより、非晶質半導体膜全体に照射されるレーザ光のエネルギー強度分布を画素の列方向に見たときに、当該エネルギー強度は連続的に滑らかになる。よって、基板全体におけるTFT特性のばらつきを抑制することができる。このように、本実施形態では、レーザ光のレーザ照射幅の境界位置ブロックの境界位置に対応してTFTの特性が変化することを防止することができるので、表示装置全体として見た場合に、レーザ光のレーザ照射幅に応じて縞やスジが現れるという現象を防止することができる。従って、高画質の表示性能を有する表示装置を実現することができる。なお、本実施形態において、非晶質半導体膜のレーザ照射におけるレーザ光のレーザエネルギー強度の出力を高くすることにより、レーザ照射によって形成された結晶性半導体膜の結晶粒径も大きくなる。従って、この結晶性半導体膜をチャネル層とするTFTにおいては、図8Aに示すように、レーザ光のレーザエネルギー強度の出力を高くすることにより、TFTにおけるキャリア移動度も向上させることができる。従って、本実施形態に係るTFTを、有機EL表示装置の画素回路における駆動用TFTとして用いた場合、図8Bに示すように、有機EL表示装置の発光輝度も向上させることができる。また、本実施形態における結晶性半導体膜形成工程S50において、非晶質半導体膜に対してレーザ照射するときのレーザ光の走査速度スキャン速度は、基板全体における非晶質半導体膜の形成領域においては一定であることが好ましい。これにより、非晶質半導体膜に照射されるレーザ光の単位時間当たりのレーザエネルギー強度を一定とすることができ、レーザ照射による非晶質半導体膜の温度上昇を一定とすることができる。従って、基板全体における結晶性半導体膜の結晶粒径をさらに均一にすることができ、基板全体におけるTFT特性のばらつきをさらに抑制することができる。また、本実施形態における結晶性半導体膜形成工程S50において、レーザ照射は、複数行の画素20を1つのブロックとするブロック単位で繰り返して行うが、このときのレーザスキャンは、表示パネルにおける画素数及びパネル寸法を考慮してレーザ光のビーム幅レーザ照射幅とスキャン回数を決定して行うことが好ましい。すなわち、レーザ照射は、表示パネルの種類に応じてビーム幅とスキャン回数を調整して行うことが好ましい。以下、この点について図9A及び図9Bを用いて説明する。図9Aは、本発明の実施形態1におけるレーザスキャンにおいて、表示パネルにおける画素数及びパネル寸法とレーザビーム幅との関係を説明するための図である。図9Bは、表示パネルにおける解像度と画素数との関係、表示パネルにおけるパネルサイズと長辺寸法又は短辺寸法との関係、及び、レーザ方式と最大レーザビーム幅との関係を説明するための図である。1つの表示パネルに対して一回のレーザスキャンで行うことができるかどうかは、表示パネルの短辺寸法Bとレーザのビーム幅Cとの大小関係で決まる。例えば、図9Bを参照すると、レーザ方式がエキシマレーザの場合は、パネルサイズが58型までは1回のスキャンで行うことができるが、それ以上のパネルサイズでは複数回のスキャンが必要となる。また、レーザ方式が固体CWContinuousWaveレーザの場合は、少なくとも42型以上の表示パネルに対しては複数回のスキャンが必要となる。ここで、一般的にスキャン回数はB/CB÷Cで決まるが、本実施形態におけるレーザ照射では、レーザのビーム端を画素間に配置する必要があるので、以下の式1で示されるように、レーザ幅Cが、一画素の寸法一画素における表示パネル短辺方向の長さ、すなわち、B/Aの整数倍となるように調整する必要がある。なお、式1において、nは整数であり、1回のスキャンでレーザ照射される画素数を表している。C=n×B/A式1さらに、表示パネルの表示部220表示領域をより効率的に結晶化するためには、レーザスキャンの開始位置及び終了位置と表示パネルの短辺方向における上下両端部との位置を一致させることが好ましい。すなわち、以下の式2で示されるように、表示パネルの短辺寸法Bがビーム幅Cの整数倍であることが好ましい。なお、式2において、mは整数であり、スキャンの回数を表している。B=m×C式2従って、式1及び式2から、n×m=Aとなるスキャン方法を選択することが好ましい。例えば、解像度が、HDHighDefinition、FHDFullHighDefinition、4k2kの場合において、短辺方向の画素数を素因数で分解すると、以下のようになる。HD768=28×3FHD1080=23×33×54k2k2160=24×33×5各場合において約数の組み合わせは多数存在するが、nが最大となる組み合わせを選択することが最も効率的なスキャン方法となる。そして、この場合のnによって、所望のレーザ幅Cとスキャン回数mを決定することができる。以下、3つの具体的例について説明する。第1の具体例として、42型のFHDの表示パネルを固体CWレーザで照射する場合を考える。この場合、図9Bを参照すると、短辺画素数Aが1080個となり、表示パネルの短辺寸法Bが524mmとなり、最大ビーム幅Cが5mmとなる。この場合、一画素の寸法一画素における表示パネル短辺方向の長さは、524mm/1080≒0.485mmとなる。また、1回のスキャンで照射可能な最大画素数は、5/0.485≒10.3となる。この10.3以内で1080の最も大きな約数は10であるので、n=10となる。この結果、スキャン回数mは、m=A/n=1080/10=108として行うことが最も効率の良いスキャン方法となる。従って、第1の具体例におけるレーザ照射では、レーザ幅Cが、C=B/m=524/108≒4.85mmとなるように調整して、10画素ずつ108回のスキャンを行うことが好ましい。なお、レーザ幅の調整は、ビームスプリッタ等の光学部品によってレーザビームの長軸方向の両端をカットする等によって行うことができる。次に、第2の具体例として、58型の4k2kの表示パネルを固体CWレーザで照射する場合を考える。この場合、図9Bを参照すると、短辺画素数Aが2160個となり、表示パネルの短辺寸法Bが723mmとなり、最大ビーム幅Cが5mmとなる。この場合、一画素の寸法一画素における表示パネル短辺方向の長さは、723mm/2160≒0.335mmとなる。また、1回のスキャンで照射可能な最大画素数は、5/0.335≒14.9となる。この10.9以内で2160の最も大きな約数は12であるので、n=12となる。この結果、スキャン回数mは、m=A/n=2160/12=180として行うことが最も効率の良いスキャン方法となる。従って、第2の具体例におけるレーザ照射では、レーザ幅Cは、C=B/m=723/180≒4.02mmとなるように調整して、12画素ずつ180回のスキャンを行うことが好ましい。次に、第3の具体例として、58型の4k2kの表示パネルを固体パルスレーザで照射する場合を考える。この場合、図9Bを参照すると、短辺画素数Aが2160個となり、表示パネルの短辺寸法Bが723mmとなり、最大ビーム幅Cが300mmとなる。この場合、一画素の寸法一画素における表示パネル短辺方向の長さは、723mm/2160≒0.335mmとなる。また、1回のスキャンで照射可能な最大画素数は、300/0.335≒89535となる。この895.5以内で2160の最も大きな約数は720であるので、n=720となる。この結果、スキャン回数mは、m=A/n=2160/720=3として行うことが最も効率の良いスキャン方法となる。従って、第1の具体例におけるレーザ照射では、レーザ幅Cは、C=B/m=723/3=241mmとなるように調整して、720画素ずつ3回のスキャンを行うことが好ましい。以上のとおり、非晶質半導体膜を結晶化する際のレーザ照射は、表示パネルの種類に応じてビーム幅とスキャン回数を調整して行うことが好ましい。なお、上述のとおり、mが整数となる条件でレーザ照射することが好ましいが、mが整数とならない条件においてもレーザ照射することは可能である。例えば、最終のスキャンのみのビーム幅を調整したり、あるいは、レーザ照射領域を表示部や表示パネルの外部にはみ出したりすることで、mが整数とならない条件でもレーザ照射を行うことができる。また、レーザのスキャン方法として3つの具体例について説明したが、これに限定されるものではない。さらに、図9Bに示す各関係も一例であって、他の解像度、他のパネルサイズ、他のレーザ方式を用いても構わない。例えば、パネルサイズは、42型よりも小さい場合であっても65型の場合であっても構わない。結晶性半導体膜の製造装置次に、本発明の実施形態1に係る結晶性半導体膜の製造装置について、図10を用いて説明する。図10は、本発明の実施形態1に係る結晶性半導体膜の製造装置を模式的に表したブロック図である。図10に示すように、本発明の実施形態1に係る結晶性半導体膜の製造装置100は、上述した非晶質半導体膜をレーザアニールによって結晶化するための装置であって、レーザ発振部110、光学系部120、制御部130、移動機構部140、基板保持部150及びミラー160を備える。レーザ発振部110は、基板に形成された非晶質半導体膜を結晶化させるための所定のレーザ光を発振させるレーザ発振装置である。なお、発振させるレーザ光としては、連続発振型のレーザ光でもパルス型のレーザ光でもいずれのレーザ光も用いることができる。光学系部120は、レーザ発振部110から発振させた所定のレーザ光を非晶質半導体膜の所定の領域に所定のレーザ照射幅で照射させるために、レンズ等の所定の光学部品で構成される。本実施形態において、光学系部120は、レーザ光成形部121と、レーザ反転部122とを備える。レーザ光成形部121は、レーザ発振部110から発振されてミラー160によって反射されたレーザ光が所定の光強度分布となるようにレーザ光を成形する。本実施形態では、上述の図15に示すような、長軸においてはトップフラット型のレーザエネルギー強度を有し、短軸においてはガウシアン型のレーザエネルギー強度を有する光強度分布となるようにレーザ光を成形する。レーザ反転部122は、レーザ光を正転出力又は反転出力させる機能を有し、所定の光学部品で構成される。図11は、本実施形態に係る結晶性半導体膜の製造装置におけるレーザ反転部122の構成を模式的に示した図である。図11に示すように、本実施形態におけるレーザ反転部122は、切り替えミラー122a、反射ミラー122b、第1反転ミラー122c及び第2反転ミラー122dを備える。レーザ反転部122は、入力レーザ光を正転出力させる場合は、切り替えミラー122aによって入力ビームを反射ミラー122bに入力させて、出力ビームの光強度分布が入力ビームの光強度分布と同じになるように出力する。また、入力レーザ光を反転出力させる場合は、切り替えミラー122aによって入力ビームを第1反転ミラー122cに入力させて、第1反転ミラー122cと第2反転ミラー122dとによって出力ビームの光強度分布が入力ビームの光強度分布と左右反転するようにして出力する。再び、図10に戻り、制御部130は、走査制御部131と、レーザ反転制御部132とを備える。走査制御部131は、基板に対してレーザ光が相対的に走査するように、基板保持部150又は光学系部120に対して、基板保持部150又は光学系部120の位置を制御するための制御信号を出力する。また、レーザ反転制御部132は、レーザ光のレーザエネルギー強度を反転させる反転制御信号をレーザ反転部122に出力する。レーザ反転制御部132からの制御信号によってレーザ反転部122が制御され、n画素ごとに、すなわち、複数の画素行で構成される一ブロックごとに、レーザ照射幅の一方の端部におけるレーザエネルギー強度とレーザ照射幅の他方の端部におけるレーザエネルギー強度とが反転する。すなわち、n画素ごとに、レーザ光の光強度分布が正転出力と反転出力が繰り返される。移動機構部140は、走査制御部131からの制御信号を受けて、基板に対してレーザ光が相対的に走査するように基板保持部150を移動させるものである。基板保持部150は、レーザ照射される非晶質半導体膜が形成された基板101を保持するものである。以上、本発明の実施形態1に係る結晶性半導体膜の製造装置100は、n画素ごとに、レーザ照射幅の一方の端部におけるレーザエネルギー強度とレーザ照射幅の他方の端部におけるレーザエネルギー強度とが反転するように、上記のレーザ反転部122及びレーザ反転制御部132を備える。これにより、図6A及び図6Bに示すようなレーザ光の反転制御を行うことができ、図7に示すように、一のブロックに含まれる最終ラインの画素に対して照射されるレーザエネルギー強度と、当該一のブロックの次のブロックに含まれる先頭ラインの画素に対して照射されるレーザエネルギー強度とを同じにすることができる。この結果、一のブロックに含まれる最終ラインの画素に含まれるゲート電極上に形成される結晶性半導体膜と、一のブロックの次のブロックに含まれる先頭ラインの画素に含まれるゲート電極上に形成される結晶性半導体膜とは、ほぼ同等のレーザエネルギー強度によってレーザ照射されて形成されることになる。従って、本実施形態1に係る結晶性半導体膜の製造装置100を用いてレーザ照射を行うことにより、上記一のブロックの最終ラインにおける結晶性半導体膜の結晶粒径と、上記次のブロックの先頭ラインにおける結晶性半導体膜の結晶粒径とをほぼ同じにすることができる。実施形態1の変形例1次に、本発明の実施形態1の変形例1に係る結晶性半導体膜の製造装置について、図12を用いて説明する。図12は、本発明の実施形態1の変形例1に係る結晶性半導体膜の製造装置を模式的に表したブロック図である。なお、図12において、図10に示す本発明の実施形態1に係る結晶性半導体膜の製造装置100の構成要素と同じ構成要素については、同じ符号を付しており、その説明は省略する。図12に示す本変形例に係る結晶性半導体膜の製造装置100Aと図10に示す本発明の実施形態1に係る結晶性半導体膜の製造装置100とが異なる点は、本変形例1に係る結晶性半導体膜の製造装置100Aが、図10の移動機構部140に代えて移動回転機構部140Aを備える点である。図12に示すように、本変形例1に係る結晶性半導体膜の製造装置100Aは、移動回転機構部140Aを備える。移動回転機構部140Aは、図10の移動機構部140の機能に加えて、さらに、基板保持部150を回転することができる機能を有する。すなわち、移動回転機構部140Aは、走査制御部131からの制御信号を受けて、基板101に対してレーザ光が相対的に走査するように基板保持部150を移動させることができるとともに、レーザ反転制御部132からの反転制御信号を受けて、基板保持部150を180度回転させる反転制御を行うことができる。これにより、本発明の実施形態1に係る結晶性半導体膜の製造装置100と同様に、図6A及び図6Bに示すようなレーザ光の反転制御を行うことができ、図7に示すように、一のブロックに含まれる最終ラインの画素に対して照射されるレーザエネルギー強度と、当該一のブロックの次のブロックに含まれる先頭ラインの画素に対して照射されるレーザエネルギー強度とを同じにすることができる。すなわち、本変形例1は、光学系部120によってレーザ光の光強度分布を反転させるものではなく、基板101をn画素ごとに半回転させることによって、レーザ光の光強度分布を反転制御するものである。この結果、実施形態1と同様に、一のブロックに含まれる最終ラインの画素に含まれるゲート電極上に形成される結晶性半導体膜と、一のブロックの次のブロックに含まれる先頭ラインの画素に含まれるゲート電極上に形成される結晶性半導体膜とは、ほぼ同等のレーザエネルギー強度によってレーザ照射されて形成されることになる。従って、本変形例1に係る結晶性半導体膜の製造装置100Aを用いてレーザ照射を行うことによっても、上記一のブロックの最終ラインにおける結晶性半導体膜の結晶粒径と、上記次のブロックの先頭ラインにおける結晶性半導体膜の結晶粒径とをほぼ同じにすることができる。これにより、レーザ光のレーザ照射幅の境界位置に対応して、TFTの特性が変化することを防止することができる。実施形態1の変形例2次に、本発明の実施形態1の変形例2に係る結晶性半導体膜の製造方法について、図13A及び図13Bを用いて説明する。図13Aは、本発明の実施形態1の変形例2に係る結晶性半導体膜の製造方法におけるレーザ光の長軸プロファイルを示す図である。図13Bは、本変形例2のレーザ照射におけるビームスキャン方法を示す図である。なお、本変形例2に係る結晶性半導体膜の製造方法は、本発明の実施形態1に係る結晶性半導体膜の製造方法と基本的には同じであり、非晶質半導体膜を結晶化する際のレーザ光の光強度分布のみが異なる。本変形例2に係る結晶性半導体膜の製造方法におけるレーザ光の光強度分布は、図13Aに示すように、実施形態1と同様に長軸においてトップフラット型のレーザエネルギー強度を有するが、図15と比べて、光強度分布のトップ部分の両端部間におけるレーザエネルギー強度が不規則に変化している。但し、トップ部分の両端部の一方の端部におけるレーザエネルギーの強度は、図15と同様に、他方の端部におけるレーザエネルギーの強度よりも高くなっている。なお、短軸においては、図15と同じであり、ガウシアン型のレーザエネルギー強度を有する。また、非晶質半導体膜を結晶化する際のレーザ光のスキャン方法は、実施形態1と同様にして、図13Bに示すように、n画素ごとに、すなわち、複数の画素行で構成される一ブロックごとに、レーザ照射幅の一方の端部におけるレーザエネルギー強度とレーザ照射幅の他方の端部におけるレーザエネルギー強度とが反転するようにしてレーザ照射を行うものである。すなわち、一ブロックごとにレーザ光の光強度分布が反転するようにして構成されている。従って、実施形態1と同様にして、ブロックごとに、上から順に、第1スキャン、第2スキャン、第2k-1スキャン及び第2kスキャンとして順次レーザビームのスキャンを行うときに、第1スキャン、第3スキャン、第2k-1スキャンにおける奇数番目のブロックに対しては、反転させない光強度分布によってレーザ照射を行い、第2スキャン、第4スキャン、第2kスキャンにおける偶数番目のブロックに対しては、反転させた光強度分布によってレーザ照射を行う。これにより、本変形例2に係る結晶性半導体膜の製造方法によっても、図13Bに示すように、一のブロックに含まれる最終ラインの画素に対して照射されるレーザエネルギー強度と、当該一のブロックの次のブロックに含まれる先頭ラインの画素に対して照射されるレーザエネルギー強度とを同じにすることができる。この結果、一のブロックに含まれる最終ラインの画素に含まれるゲート電極上に形成される結晶性半導体膜と、一のブロックの次のブロックに含まれる先頭ラインの画素に含まれるゲート電極上に形成される結晶性半導体膜とは、ほぼ同等のレーザエネルギー強度にてレーザ照射されて形成されることになる。従って、上記一のブロックの最終ラインにおける結晶性半導体膜の結晶粒径と、上記次のブロックの先頭ラインにおける結晶性半導体膜の結晶粒径とをほぼ同じにすることができる。すなわち、非晶質半導体膜全体に照射されるレーザ光のエネルギー強度分布を画素の列方向に見たときに、本変形例でも、当該エネルギー強度は連続的に滑らかになる。よって、基板全体におけるTFT特性のばらつきを抑制することができる。実施形態2次に、本発明の実施形態2に係る結晶性半導体膜の製造方法について、図14を用いて説明する。図14は、本発明の実施形態2に係るレーザアニール方法のビームスキャンにおいて、レーザ光の光強度分布と画素との関係を詳細に示す図である。なお、図14において、図7に示す構成要素と同じ構成要素については、同じ符号を付しており、その説明は省略する。なお、図14において、各画素20には駆動用TFT10及びスイッチ用TFT11の2つのTFTが図示されているが、レーザアニールを行う際には、駆動用TFT10及びスイッチ用TFT11のソース電極及びドレイン電極は形成されておらず、最上面には非晶質半導体膜が形成された状態である。また、本発明の実施形態2に係る結晶性半導体膜の製造方法と本発明の実施形態1に係る結晶性半導体膜の製造方法とは、基本的には同じである。すなわち、本発明の実施形態2に係る結晶性半導体膜も、図4及び図5に示すような製造方法によって製造される。本発明の実施形態2に係る結晶性半導体膜の製造方法と本発明の実施形態1に係る結晶性半導体膜の製造方法とが異なる点は、TFTアレイ基板における画素20のレイアウトである。図14に示すように、本実施形態では、実施形態1と同様に、複数の画素20の各画素に含まれるゲート電極は、各画素20内において、レーザ光の走査方向に沿った仮想の画素中心線から各画素20のいずれかの端部側に寄った位置に設けられている。本実施形態では、図14に示すように、駆動用TFT10及びスイッチ用TFT11がゲート配線側に寄った位置に設けられるように構成されている。さらに、本実施形態では、各画素20に含まれるゲート電極は、レーザ光のレーザ照射幅ごとに、各画素20の異なる側の端部側に寄った位置に設けられている。すなわち、レーザ照射幅に対応する一ブロックごとに、駆動用TFT10及びスイッチ用TFT11の片寄り状態が反転するようにしてゲート電極が配置されている。そして、本実施形態におけるレーザ照射は、実施形態1と同様に、n画素ごとに一ブロックごとに、レーザ照射幅の一方の端部におけるレーザエネルギー強度とレーザ照射幅の他方の端部におけるレーザエネルギー強度とが反転するようにして行う。すなわち、本実施形態でも一ブロックごとにレーザ光の光強度分布が反転するようにして構成されている。なお、本実施形態におけるレーザアニールは、実施形態1で用いた結晶性半導体膜の製造装置と同じ装置を用いて行うことができる。以上、本発明の実施形態2に係る結晶性半導体膜の製造方法によれば、上述した実施形態1と同様の効果を奏することができる。さらに、本発明の実施形態2に係る結晶性半導体膜の製造方法は、レーザ光の光強度分布を一ブロックごとに反転させるとともに、反転レーザ光の光強度の対称性に合わせて画素20のレイアウトも一ブロックごとに反転させるものである。これにより、レーザ光のレーザ照射幅の最終ラインの画素に含まれるゲート電極と、レーザ光の次のレーザ照射幅の先頭ラインの画素に含まれるゲート電極とは、レーザ光のレーザ照射幅の境界位置から等距離をあけた位置に配置される。このような画素レイアウトとすることにより、画素全域におけるゲート電極上の非晶質半導体膜に対してほぼ同等のレーザエネルギー強度でレーザ照射を行うことができるので、面内均一性が高い結晶粒径を有する結晶性半導体膜を形成することができる。従って、レーザ光のレーザ照射幅の境界位置に対応して、TFTの特性が変化することを実施形態1に比べてさらに防止することができるので、表示装置全体として見た場合に、レーザ光のレーザ照射幅に応じて縞やスジが現れるという現象をさらに防止することができる。従って、さらに高画質の表示性能を有する表示装置を実現することができる。以上、本発明に係る結晶性半導体膜の製造方法及び結晶性半導体膜の製造装置について、実施形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。例えば、上記の実施形態では、画素を2ラインごとに分けて2ラインで一ブロックとなるように構成したが、これに限るものではなく、例えば、10ライン又は100ラインの画素で一ブロックを構成しても構わない。また、好ましい例として、一ブロックにおける画素行の数をレーザ光のレーザ照射幅に対応させて決定するという具体例を説明したが、これに限るものでもない。また、上記の実施形態では、ボトムゲート型の薄膜トランジスタを例に説明したが、本発明は、トップゲート型の薄膜トランジスタにも適用することができる。また、上記の実施形態における薄膜トランジスタは、有機EL表示装置のTFTアレイ基板に適用したが、液晶表示装置のTFTアレイ基板に適用することもできる。また、本実施形態に係る薄膜トランジスタを備える有機EL表示装置又は液晶表示装置等の表示装置については、フラットパネルディスプレイとして利用することができ、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ又は携帯電話等の電子機器に適用することができる。なお、テレビジョンセットの場合、テレビ放送方式は、NTSC方式、PAL方式及びSECAM方式のいずれであっても構わない。例えば、3つの具体例を挙げて説明した好適なスキャン方法については、どのテレビ放送方式にも適用することができる。なお、その他、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。