"基板上にn型半導体層とp型半導体層とが積層されpn接合が形成された半導体積層部の一部がエッチング除去されて、前記p型半導体層の主表面から前記n型半導体層の一部にまで至るメサ構造部を有する半導体ダイオードにおいて、前記メサ構造部の主表面と、前記pn接合の界面が露出した前記メサ構造部の側面と、エッチングされて露出した前記n型半導体層の表面とを被覆して形成された保護絶縁膜と、前記保護絶縁膜の前記メサ構造部の主表面上の一部に形成された開口から露出した前記p型半導体層にオーミック接触し、更に、前記メサ構造部の主表面、側面及び前記n型半導体層の表面にまで至る、前記保護絶縁膜上に形成されたアノード電極と、を備えたことを特徴とする半導体ダイオード。前記半導体積層部を構成する半導体が、窒化物半導体であることを特徴とする請求項1に記載の半導体ダイオード。前記窒化物半導体が、窒化ガリウムであることを特徴とする請求項2に記載の半導体ダイオード。前記基板が、n型窒化ガリウム基板であることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体ダイオード。カソード電極を、前記n型窒化ガリウム基板に設けたことを特徴とする請求項4に記載の半導体ダイオード。前記保護絶縁膜が、SiO2膜であることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の半導体ダイオード。前記p型半導体層のドーパントが、マグネシウムであることを特徴とする請求項2~6のいずれかに記載の半導体ダイオード。前記n型半導体層のドーパントが、シリコンであることを特徴とする請求項2~7のいずれかに記載の半導体ダイオード。しかしながら、上記のpnダイオードでフィールドプレート構造を採用したことによる効果は、電界集中が表面近傍のpn接合部分に集中するプレーナー構造に特有なものであって、従来、カソード電極を基板裏面側に形成する単純なpn接合構造においては効果がなく、逆方向耐電圧特性を向上させるには、pn接合部分全体にわたって電界強度を弱めるために、p型層とn型層のキャリア濃度を減少させる方法しかないと考えられていた。しかし、キャリア濃度を減少させる方法は、pnダイオードのオン抵抗の増大を招き、通電損失が増大する欠点を有していた。また、逆方向耐電圧特性悪化の要因の一つとして、結晶中の格子欠陥も原因と考えられている。格子欠陥に固有欠陥準位や不純物準位が生じ、これらを介して逆方向に電流がリークするとされ、結晶自体の改善しか逆方向耐電圧特性を改善するすべはないとされていた。本発明の目的は、オン抵抗の増大を招くことなく、逆方向耐電圧特性を大きく向上できる半導体ダイオードを提供することにある。本発明の第1の態様は、基板上にn型半導体層とp型半導体層とが積層されpn接合が形成された半導体積層部の一部がエッチング除去されて、前記p型半導体層の主表面から前記n型半導体層の一部にまで至るメサ構造部を有する半導体ダイオードにおいて、前記メサ構造部の主表面と、前記pn接合の界面が露出した前記メサ構造部の側面と、エッチングされて露出した前記n型半導体層の表面とを被覆して形成された保護絶縁膜と、前記保護絶縁膜の前記メサ構造部の主表面上の一部に形成された開口から露出した前記p型半導体層にオーミック接触し、更に、前記メサ構造部の主表面、側面及び前記n型半導体層の表面にまで至る、前記保護絶縁膜上に形成されたアノード電極と、を備えた半導体ダイオードである。本発明の第2の態様は、第1の態様に記載の半導体ダイオードにおいて、前記半導体積層部を構成する半導体が、窒化物半導体である半導体ダイオードである。本発明の第3の態様は、第2の態様に記載の半導体ダイオードにおいて、前記窒化物半導体が、窒化ガリウムである半導体ダイオードである。本発明の第4の態様は、第2または第3の態様に記載の半導体ダイオードおいて、前記基板が、n型窒化ガリウム基板である半導体ダイオードである。本発明の第5の態様は、第4の態様に記載の半導体ダイオードにおいて、カソード電極を、前記n型窒化ガリウム基板に設けた半導体ダイオードである。本発明の第6の態様は、第1~第5の態様のいずれかに記載の半導体ダイオードにおいて、前記保護絶縁膜が、SiO2膜である半導体ダイオードである。本発明の第7の態様は、第2~第6の態様のいずれかに記載の半導体ダイオードにおいて、前記p型半導体層のドーパントが、マグネシウムである半導体ダイオードである。本発明の第8の態様は、第2~第7の態様のいずれかに記載の半導体ダイオードにおいて、前記n型半導体層のドーパントが、シリコンである半導体ダイオードである。本発明によれば、オン抵抗の増大を招くことなく、逆方向耐電圧特性を大きく向上できる半導体ダイオードが得られる。以下に、本発明に係る半導体ダイオードの実施形態を説明する。図4は、本発明の一実施形態に係る半導体ダイオードの構造を模式的に示した断面図である。本実施形態の半導体ダイオードは、図4に示すように、基板6上に、n型半導体層としてのn型GaN窒化ガリウム層5、4と、p型半導体層としてのp型GaN層3、2とが順次積層され、n型GaN層4とp型GaN層3との界面にpn接合界面9が形成された半導体積層部を備え、この半導体積層部の一部がエッチング除去されて、p型GaN層2の主表面からn型GaN層4の一部にまで至るメサ構造部10を有する。メサ構造部10を含む半導体層の表面を保護するために、メサ構造部10の主表面本実施形態ではp型GaN層2の主表面10aと、pn接合界面9が露出したメサ構造部10の側面10bと、エッチングされて露出したn型GaN層4の表面4aとに、例えばSiO2等からなる保護絶縁膜パッシべーション膜8が被覆形成されている。アノード電極1は、メサ構造部10の主表面10a上の一部に形成された保護絶縁膜8の開口8aから露出したp型GaN層2にオーミック接触すると共に、更に、保護絶縁膜8上に、メサ構造部10の主表面10a、側面10b及びn型GaN層4の表面4aに至るまで伸ばして形成されている。すなわち、アノード電極1は、保護絶縁膜8の開口8aから露出したp型GaN層2にオーミック接触するオーミック接合部1aと、オーミック接合部1aを囲むように、開口8aの外側のp型GaN層2上方に位置する保護絶縁膜8上に形成されるフィールドプレート部1bと、フィールドプレート部1bから更に伸び、メサ構造部10の側面10b及びn型GaN層4の表面4aに至る延出構造部ないしpn接合表面被覆部1cとを有する。また、カソード電極7は、基板6の裏面に形成されている。本実施形態の半導体ダイオードは、p型埋め込み構造を有しない非プレーナー型リセス型のpn接合構造ではあるが、アノード電極1が、メサ構造部10の側面10bにpn接合界面9が露出したpn接合表面層を、保護絶縁膜8を介して覆うように設けられることで、pn接合ダイオードのオン抵抗を損なうことなく、逆方向リーク電流を低減でき、逆方向耐圧を向上できることがわかった例えば、後述の実施例の図7,図8参照。プレーナー構造ではないpn接合ダイオードでは、電界集中はpn接合全体であって結晶表面層だけではない。しかしながら、プレーナー構造ではない本実施形態のpn接合ダイオードにおける逆方向リーク電流逆方向耐圧の劇的改善効果を見ると、素子特性、すなわち逆方向リーク電流と逆方向耐圧の悪化要因は、一般的に想定されているpn接合界面への電界集中だけではないと考えられる。従来、これら素子特性悪化の他の要因としては、結晶中の転位などの格子欠陥に起因するトラップ準位が原因とされ、電極の構造形状では解決しないものとされていた。しかし、本実施形態の半導体ダイオードでは、アノード電極の構造形状によって大幅な改善効果が認められた。その理由は定かではないが、従来、あまり問題とされていない加工における表面ダメージ層やあるいは加工面の結晶方位にかかわる不対電子などの表面物性に起因するある種の電子準位が存在して、その部分を介してリーグ電流が流れるなどの特性悪化が生じていた可能性がある。これら表面物性に問題がある部分を保護絶縁膜を介してアノード電極で覆うことによって電位が変化し、その部分がリーク電流の流路とならなくなったと推測される。素子特性悪化の原因及びその大幅な改善効果の理由は明確ではないが、上記実施形態に示されるような本発明のアノード電極構造を採用することにより、従来問題とされたオン抵抗と耐圧とのトレードオフの関係に制約されることなく、低いオン抵抗を保ったまま耐圧を向上できることがわかった。すなわち、本発明では、高耐圧、且つ低損失の半導体ダイオードを提供できる。上記実施形態の基板6としては、低転位密度のn型GaN基板GaN自立基板を使用することが好ましい。結晶欠陥の一つである転位は、リーク電流を増加させ、逆方向耐電圧特性を悪化させる懸念がある。ダイオードを構成するエピタキシャル層エピ層の材料と異なる熱膨張係数や格子定数を有する基板を使用した場合には、エピ層と基板の間に高密度の転位が発生するため、GaNエピ層と同じGaN基板を使用するのがよい。また、カソード電極7は、上記実施形態のように、アノード電極1とは反対側の基板6裏面に設けるのが好ましい。大電流を流す素子では、カソード電極が大きくなるため、カソード電極もアノード電極と同様に素子上面側に設けると、素子面積が広く必要となり、ウェハ当たりの取得可能素子数が減少し、コストが上昇するためである。なお、上記実施形態では、半導体積層部を構成する半導体として、GaN窒化ガリウムを用いたが、GaN以外の窒化物半導体、すなわちAlGaN、InGaN、InAlN、BGaNなど、あるいはSiCなどの材料を用いた場合でも同様の効果が期待される。次に、本発明の実施例を具体的に説明する。本発明の一実施例に係る半導体ダイオードは、図4に示す上記実施形態の半導体ダイオードと同様の構造を有するので、図4を用いて説明する。また、本実施例と比較評価するための比較例1、2、3の半導体ダイオードを、図1、図2,図3にそれぞれ示す。実施例実施例の半導体ダイオードの製造方法を述べる。まず、基板として、ボイド形成剥離VoidAssistedSeparationVAS法を用いて、低転位約106/cm2のn型GaN基板キャリア濃度1×1018/cm3、厚さ400μm6を準備した。このn型GaN基板6上に、有機金属気相成長MOVPE法を用いて、Siドープのn型GaN層5,4と、Mgドープのp型GaN層3,2とを積層して半導体積層部を形成した。半導体積層部の各層の構成は次の通りである。すなわち、n型GaN層5は、Si濃度2×1018/cm3、厚さ2μmであり、n型GaN層4は、Si濃度2×1016/cm3、厚さ10μmであり、p型GaN層3は、Mg濃度2×1019/cm3、厚さ500nmであり、p型GaN層2は、Mg濃度2×1020/cm3、厚さ20nmである。次に、上記半導体積層部の一部をエッチングにより除去してメサ構造部10を形成した。エッチングには、ICP-RIE装置誘導結合プラズマ-反応性イオンエッチング装置を用い、p型GaN層2の主表面からn型GaN層4の一部例えば、T=800nm、T=550nmにまで至るメサ構造部10を形成した。続いて、メサ構造部10の主表面10a及び側面10bと、エッチングされて露出したn型GaN層4の表面とを、保護絶縁膜としてのSiO2膜8で被覆形成した。SiO2膜8は、SOGSpinOnGlassを塗布した後、熱処理することで形成した。なお、SiO2膜8はスパッタリング法により成膜してもよい。SiO2膜8の膜厚は、300nmとした。SiO2膜8の膜厚は70nm以上が好ましい。保護絶縁膜の材料としては、SiO2に限らず、SiN,SiONなどを用いてもよく、厚さ200nm以上のSiNの場合でもSiO2と同様の結果が得られている。更に、SiO2膜8のメサ構造部10の主表面10a上の中央部に、エッチングにより開口8aを形成した。続いて、オーミック電極として、メサ構造部10を含む上面側にアノード電極1、n型GaN基板6の裏面にカソード電極7を、それぞれ電子ビーム蒸着により形成した。アノード電極1は、Pd層20nm厚と、Ti層33nm厚と、Pt層33nm厚と、Al層200nm厚とを、この順序で積層して形成した。カソード電極7は、Ti層50nm厚と、Al層200nm厚とを、この順序で積層して形成した。また、カソード電極7は、窒素雰囲気で550°C、1分間の熱処理を実施した。その後、ダイシング等により各素子に分割して実施例の半導体ダイオードを得た。半導体ダイオードは円筒状であり、直径60μm、100μm、200μm、400μm、800μmの半導体ダイオードを作製した。比較例1~3図1、図2、図3にそれぞれ示す比較例1、2、3の半導体ダイオードは、実施例の半導体ダイオードとはアノード電極構造およびSiO2膜8の有無を異にするものの、p型GaN層2,3、n型GaN層4,5、n型GaN基板6、カソード電極7、およびメサ構造部10は同一の構造構成である。また、比較例1、2、3のアノード電極11,21,31も、上記実施例のアノード電極1と同一の4層構造であり、保護絶縁膜としてのSiO2膜8の構成も同一である。図1に示す比較例1の半導体ダイオードは、保護絶縁膜パッシべーション膜のないもので、p型GaN層2の主表面の中央部に、アノード電極11を形成した構造である。図2に示す比較例2の半導体ダイオードは、SiO2膜8を有し、SiO2膜8の開口8aから露出するp型GaN層2上にアノード電極21を形成した構造である。図3に示す比較例3の半導体ダイオードは、アノード電極31が、開口8a部分のオーミック接合部31aと、その外側のSiO2膜8上のフィールドプレート部31bを有する構造である。図5に、比較例1の半導体ダイオードサイズ60μm~800μmの逆方向電流電圧特性を示し、図6に、実施例の半導体ダイオードの逆方向電流電圧特性を示す。なお、電流電圧I-V特性は、ケースレー社製の237型高電圧測定ユニットにより室温で測定した。比較例1の半導体ダイオードでは、図5に示すように、降伏電圧の絶対値は430V以下であり、詳細に見るとリーク電流は-100V付近で10pA/cm2から01mA/cm2に急激に増大してしまうため、-100Vより大きな逆方向電圧を加えることはできない。一方、実施例の半導体ダイオードでは、図6に示すように、60μm径のダイオードでは、降伏電圧の絶対値は1kVを越え、その電圧においてもなおリーク電流は1nA/cm2を保っている。これより直径の大きい100μm径、200μm径のダイオードにおいても降伏電圧の絶対値は800V以上あり、結晶欠陥の影響が比較的にで易いとされる直径800μm径のダイオードにおいても、-400Vでのリーク電流が10nA/cm2以下ときわめて小さく、従来型の比較例1との差は歴然である。図7に、比較例1~3及び実施例の半導体ダイオードいずれもサイズ100μmにおける逆方向電流電圧特性を比較した結果を示し、図8に、比較例1~3及び実施例の半導体ダイオードいずれもサイズ100μmにおける順方向電流電圧特性を比較した結果を示す。なお、図8において、nは理想係数IdealityFactorである。図7から明らかなように、実施例の構造を用いた場合にのみ、-650Vの高電圧においても1μA/cm2以下の低いリーク電流しか流れず、降伏電圧の絶対値も唯一、650Vを超えている。一方、図8から明らかなように、順方向特性は、比較例1~3と実施例は全く同等である。すなわち順方向特性を犠牲にすることなく、高耐圧を実現できることを、この結果は示している。"