ウエハの被処理膜を所望の薬液を用いて処理する処理チャンバーと、処理前の前記被処理膜の初期膜厚と、処理後の前記被処理膜の最終膜厚を測定する膜厚測定部と、前記初期膜厚と、前記最終膜厚と、前記初期膜厚から前記最終膜厚になるまで要した薬液処理時間とから前記薬液の処理速度を算出し、算出された前記処理速度から、次に処理されるウエハの薬液処理時間を算出する本体制御部と、を備える半導体製造装置。前記本体制御部は、前記薬液の時間経過に対する処理速度の変動率を示す変動曲線のデータを保有しており、前記処理チャンバー内で薬液処理されるウエハと、次に処理されるウエハとの間の待機時間に応じた処理速度の変動率により補正後処理速度を算出し、次に処理されるウエハの薬液処理時間を補正後処理速度により算出する請求項1に記載の半導体製造装置。前記待機時間は、N枚目Nは自然数のウエハの薬液処理工程とN1枚目のウエハの薬液処理工程との間、又は、Pロット目Pは自然数の薬液処理工程とP1ロット目の薬液処理工程との間の時間である請求項2に記載の半導体製造装置。膜厚測定部ではウエハ上部の複数の箇所の膜厚を測定し、前記複数の膜厚を統計処理することにより前記初期膜厚、及び前記最終膜厚を算出する請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体製造装置。被処理膜を有するウエハを処理チャンバー内に載置する工程と、処理前における前記被処理膜の初期膜厚を測定する工程と、前記ウエハを所望の薬液処理時間で薬液処理する工程と、処理後における前記被処理膜の最終膜厚を測定する工程と、前記初期膜厚と、前記最終膜厚と、前記初期膜厚から前記最終膜厚になるまで要した薬液処理時間とから、前記薬液処理に用いられた薬液の処理速度を算出する工程と、前記算出した処理速度から、次に処理するウエハの薬液処理時間を算出する工程と、を有する半導体装置の製造方法。前記次に処理するウエハの薬液処理時間は、前記次に処理するウエハの被処理膜の初期膜厚と、目標膜厚との差を、直前に処理したウエハの処理速度で割った値とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。前記算出した処理速度を、前記処理チャンバー内で薬液処理したウエハと、次に処理するウエハとの間の待機時間に応じた薬液の処理速度の変動率によって補正することで補正後処理速度を得、次に処理するウエハの薬液処理時間は、前記補正後処理速度によって算出する請求項5又は6に記載の半導体装置の製造方法。前記待機時間は、N枚目Nは自然数のウエハの薬液処理工程とN1枚目のウエハの薬液処理工程との間、又は、Pロット目Pは自然数の薬液処理工程とP1ロット目の薬液処理工程との間の時間である請求項7記載の半導体装置の製造方法。前記初期膜厚及び前記最終膜厚は、ウエハ上部の複数の箇所の膜厚を測定し、前記複数の膜厚から算出される統計値とする請求項5~8のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。被処理膜を有するウエハを処理チャンバー内に載置する工程と、処理前における前記被処理膜の初期膜厚を測定する工程と、前記ウエハを所望の薬液処理時間で薬液処理する工程と、処理後における前記被処理膜の最終膜厚を測定する工程と、前記初期膜厚と、前記最終膜厚と、前記初期膜厚から前記最終膜厚になるまで要した薬液処理時間とから、前記薬液処理に用いられた薬液の処理速度を算出する工程と、前記算出した処理速度から、次に処理するウエハの薬液処理時間を算出する工程と、を有する電子機器の製造方法。上述の点に鑑み、本開示は、基板上に成膜された被処理膜の初期膜厚の基板毎のばらつきに左右されることなく、各基板の被処理膜の残膜を均一にすることのできる半導体製造装置を提供することを目的とする。また、その半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法、及び電子機器の製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決し、上記目的を達成するため、本開示の半導体製造装置は、処理チャンバーと、膜厚測定部と、本体制御部を備える。処理チャンバーは、ウエハの被処理膜を所望の薬液を用いて処理する。膜厚測定部は、処理前の被処理膜の初期膜厚と、処理後の被処理膜の最終膜厚を測定する。本体制御部は、初期膜厚と、最終膜厚と、初期膜厚から最終膜厚になるまで要した薬液処理時間とから薬液の処理速度を算出し、算出された処理速度から、次に処理されるウエハの薬液処理時間を算出する。本開示の半導体製造装置では、次に処理されるウエハの薬液処理時間は、その前に処理されるウエハの初期膜厚と、最終膜厚と、薬液処理時間とから算出された処理速度から算出される。このため、薬液の消費による薬液成分の劣化によって処理速度が変動する場合にも、その処理速度の変動を、その都度、次のウエハの薬液処理に反映することができる。これにより、被処理膜の膜厚にウエハ毎のばらつきがある場合でも、全てのウエハにおいて、設定した膜厚通りに薬液処理することが可能となる。本開示の半導体装置、及び電子機器の製造方法は、被処理膜を有するウエハを処理チャンバー内に載置する工程と、処理前における被処理膜の初期膜厚を測定する工程とを有する。また、ウエハを所望の薬液処理時間で薬液処理する工程と、処理後における被処理膜の最終膜厚を測定する工程を有する。また、初期膜厚と、最終膜厚と、初期膜厚から最終膜厚になるまで要した薬液処理時間とから、薬液処理に用いられた薬液の処理速度を算出する工程と、算出した処理速度から、次に処理するウエハの薬液処理時間を算出する工程とを有する。本開示の半導体装置、及び電子機器の製造方法では処理前における被処理膜の初期膜厚と、処理後の最終膜厚とを測定し、その初期膜厚と、最終膜厚と、薬液処理時間とから薬液の処理速度を算出する。そして、その薬液の処理速度を、次に処理されるウエハの処理速度として用い、薬液処理時間を算出することができる。これにより、ウエハ毎に、被処理膜の膜厚がばらついている場合においても、全てのウエハにおいて、薬液処理後の被処理膜の膜厚を揃えることができる。本発明によれば、基板上に成膜された被処理膜の初期膜厚の基板毎のばらつきに左右されることなく、各基板の被処理膜の残膜を均一にすることができる。半導体装置の製造過程において、ウエハ上の被処理膜を薬液処理する際、上述したように被処理膜の初期膜厚にウエハ毎のばらつきが存在する場合、設定した膜厚通り薬液処理を終了させるためには、薬液処理時間をウエハ毎に変更しなければならない。そして、ウエハ毎の薬液処理時間を算出するには、処理速度例えばエッチングレートや、研磨レートを精度良く半導体製造装置に反映させることが必要である。本発明者らは、薬液成分の消費や、揮発分解などにより、薬液の処理効率が経時変化してしまうということころに着目し、これらの経時変化を薬液処理時間に反映させた半導体製造装置を見出した。すなわち、本開示の半導体製造装置は薬液成分が消費されることによる処理速度の経時変化を反映する機構、プロセス待機時の薬液成分の揮発分解による処理速度の経時変化を反映する機構を備える構成とされる。以下に、本発明の実施形態に係る半導体製造装置、その半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法、電子機器の製造方法の一例を、図1~図6を参照しながら説明する。本発明の実施形態は以下の順で説明する。なお、本発明は以下の例に限定されるものではない。1.第1の実施形態:薬液成分が消費されることによる処理速度の経時変化を反映した半導体製造装置の例1-1半導体製造装置1-2半導体装置の製造方法2.第2の実施形態:薬液成分が消費されることによる処理速度と、プロセス待機時の薬液成分の揮発分解による処理速度の経時変化を反映した半導体製造装置の例1.第1の実施形態[1-1半導体製造装置]図1に、本発明の第1の実施形態に係る半導体製造装置1の構成図を示す。本実施形態例では、半導体製造装置1として、薬液を用いて半導体装置の所望の膜をエッチング処理するウェットエッチング装置を例に説明する。このため、本実施形態例における半導体製造装置1の処理速度とはエッチングレートのことを指すものである。本実施形態例の半導体製造装置1は、処理チャンバー9と、薬液タンク2と、本体制御部4と、ウエハ搬送部5と、ウエハ保管部13と、膜厚測定部7とを備える。薬液タンク2は、内部に、ウエハに形成された被処理膜をウェットエッチングすることができる薬液が循環された状態で貯留されており、薬液配管20、17を介して処理チャンバー9と接続されている。薬液タンク2と処理チャンバー9とをつなぐ薬液配管20には供給ポンプ15が設けられており、薬液タンク2に貯留されている薬液は、供給ポンプ15により必要に応じて処理チャンバー9内に供給される。なお、処理チャンバー9内でエッチング処理が終了した場合には、処理チャンバー9内の薬液は薬液配管17を通って薬液タンク2に回収される。処理チャンバー9は、内部に、ウエハ搬送部5によって搬送されてきたウエハを載置する載置台10を有している。処理チャンバー9内では、薬液タンク2から供給された薬液がウエハ上に吐出され、ウエハ上部に形成された被処理膜がウェットエッチングされる。ウエハ搬送部5は、ウエハを保持して搬送する搬送アーム6を備えており、ウエハ保管部13に保管されているウエハを処理チャンバー9に搬送する。また、ウエハ保管部13では、未処理のウエハや、処理後のウエハが保管されている。膜厚測定部7は、光源11と、信号取得部8と、光学機制御部12とから構成されている。光源11は、所望の波長の光を発振する。光源11は、信号取得部8と光ファイバー24によって接続されている。信号取得部8は、光源11において発振された光を、処理チャンバー9内に配置されたウエハの被処理膜が形成された面に入射させると共にその反射光L2を取得するように構成されている。光学機制御部12は、光源11と通信ケーブル23により接続されており、光源11が発振する光を制御すると共に、信号取得部8で取得された反射光L2のデータを光源11を介して受け取る。光学機制御部12には、解析ソフトが組み込まれており、解析ソフトによって、信号取得部8から照射した照射光L1のデータと、その照射光L1に対する反射光L2のデータとからウエハの被処理膜の膜厚が解析される。本体制御部4は、光学機制御部12、光源11、処理チャンバー9、ウエハ搬送部5、供給ポンプ14とそれぞれ通信ケーブル18、19、21、22、25、26を介して接続されている。そして、本体制御部4は、光学機制御部12から送られてくる被処理膜の膜厚のデータ等に基づき、エッチングレート及び薬液処理時間を算出し、光学機制御部12、光源11、処理チャンバー9、ウエハ搬送部5、供給ポンプ14を制御する。本実施形態例では、膜厚測定部7により、1枚のウエハを処理する毎に、処理前と処理後の膜厚を測定し、その膜厚差と薬液処理時間とからエッチングレートを算出する。このエッチングレートを次に処理するウエハの薬液処理時間に反映させることにより、薬液成分がウェットエッチング処理時に消費されることによる処理速度エッチングレートの経時変化が反映されることとなる。以下に、本実施形態例の半導体製造装置1を用いた半導体装置の製造方法であって、薬液成分が消費されることによるエッチングレートの経時変化を薬液処理時間に反映した半導体装置の製造方法について説明する。[1-2半導体装置の製造方法]本実施形態例の半導体装置の製造方法では、薬液成分が消費されることによるエッチングレートの経時変化を反映させるため、薬液処理終了後毎に、装置内に保有しているエッチングレートのデータを随時更新する施策を採る。すなわち、ウエハの薬液処理毎に、膜厚測定部7で被処理膜の処理膜厚を測定し、その処理膜厚と時間とからエッチングレートを得て、次のウエハの薬液処理に反映させる方法である。以下に、具体的な構成を説明する。図2は、本実施形態例の半導体装置の製造工程を示すフローチャートである。同じ薬液を用いて処理チャンバー9内で複数のウエハを順にエッチング処理する場合のフローチャートであり、図2では、N枚目のウエハとN1枚目のウエハを薬液処理する際のフローチャートである。まず、N枚目のウエハをウェットエッチングする場合について説明する。N枚目のウエハをウエハ搬送部5の搬送アーム6によりウエハ保管部13から取り出し、処理チャンバー9内の載置台10に、ウエハに形成された被処理膜が上面となるように載置するステップS1。その後、ウエハに形成された被処理膜の初期膜厚Anを測定するステップS2。この初期膜厚Anの測定は、半導体製造装置1に設けられた膜厚測定部7を用いて測定してもよく、また、予め別の膜厚測定器で測定しておいてもよい。半導体製造装置1に設けられた膜厚測定部7を用いて膜厚を測定する場合には、信号取得部8から所望の波長の照射光L1を被処理膜に照射し、その反射光L2の干渉スペクトルを測定することで膜厚を得ることができる。この膜厚測定の原理は一般的な光学系を用いた膜厚測定と同様である。また、このとき、後述するN1枚目のエッチングレートERn1の算出に必要な初期膜厚Anの統計値以下、統計初期膜厚Cnも測定する。統計初期膜厚Cnの算出方法については後述する。初期膜厚Anのデータは本体制御部4に送信され、本体制御部4内のプロセスレシピに予め設定されている目標膜厚Xの情報を元に、光学機制御部12において、必要なエッチング膜厚量Δnを以下の式を用いて算出するステップS3。Δn=An-X1次に、1で求めたエッチング膜厚量ΔnとエッチングレートERnを用いて、N枚目のウエハに必要な薬液処理時間Snを以下の式を用いて算出するステップS4。Sn=Δn/ERn2なお、このエッチングレートERnは、N-1枚目のウエハのエッチング処理時に算出されたエッチングレートである。このエッチングレートの算出方法の詳細は後述する。N=1、すなわち、薬液交換後最初に処理するウエハに関しては、薬液調合比率によって決められたエッチングレートER1固定値を用いて、薬液処理時間S1を計算する。そして、2を用いて求められた薬液処理時間Snを用いて、薬液処理を行うステップS5。その後、膜厚測定部7を用いて、N1枚目のウエハの薬液処理に適用されるエッチングレートERn1を算出するために、最終膜厚の統計値以下、統計最終膜厚Dnを測定するステップS6。そして、薬液処理、すなわち、ウェットエッチングが終了したN枚目のウエハを、搬送アーム6を用いて処理チャンバー9内から回収し、ウエハ保管部13に保管するステップS7。そして、N枚目のウエハの薬液処理時において得られた統計初期膜厚Cnと、統計最終膜厚Dnより、以下の式を用いて、ウエハ処理による薬液成分の変動を考慮したエッチングレートERn1を求めるステップS8。ERn1=Gn/Sn=Cn-Dn/Sn3このエッチングレートERn1は、N枚目のウエハ処理による薬液成分の変動が考慮された値であり、N1枚目のウエハのエッチングレートとして用いる値となる。すなわち、N枚目のウエハのエッチング時に用いられたエッチングレートERnが新たに算出されたエッチングレートERn1に更新される。なお、N枚目のウエハのエッチング処理時に用いられたエッチングレートERnも、N-1枚目のウエハのエッチング処理時に同様にして求められた値である。ところで、初期膜厚や最終膜厚を測定するための膜厚測定部7は、処理チャンバー9内か、若しくは半導体製造装置1内の測定専用の空間に存在する。この初期膜厚や最終膜厚を求める方法としては、大きく分けて2通りある。まず、一つ目の方法は、半導体製造装置1の処理能力を上げるために、半導体製造装置1にウエハのパターンを認識させるパターン認識機構を付加せず、膜厚測定部7でウエハ上の任意の座標における被処理膜の膜厚を測定する、という方法である。この方法を用いる場合、デバイスパターンのあるウエハと無いウエアとの間で、得られる膜厚に違いが生じてくる。図3Aは、デバイスパターンが無い半導体装置の断面構成を示した図であり、図3Bは、デバイスパターンがある半導体装置の断面構成を示した図である。図3A、Bでは、半導体基板ウエハ100上に第1の積層膜101及び第2の積層膜102が形成されており、図3Bの半導体装置では、第2の積層膜102上にデバイスパターン104が形成されている。膜厚測定部7では、図3A、Bに示すように、第2の積層膜102上に形成された被処理膜103に光を照射し、第2の積層膜102に反射されて被処理膜103の表面から出射してくる反射光L2の干渉スペクトルを求めることで被処理膜103の膜厚を測定する。図3Aのように、デバイスパターンの無いウエハや、膜厚測定用のパターンが予め準備されているようなウエハでは、測定領域の被処理膜103の界面に凹凸が無いため反射光L2が安定して戻ってくる。このため、安定的な被処理膜103の膜厚の測定が可能である。しかしながら、実際のデバイス製造においては、図3Bに示すように、ウエハ上にデバイスパターンを有している。このように、デバイスパターン104が形成されており膜厚測定用のパターンが予め準備されていない半導体装置では、測定領域の被処理膜の界面が凹凸を有しており、その凹凸部分では、反射光L3に示すように、反射光L2とは異なる反射角を有する反射光が出現する。このように、デバイスパターン104を有するウエハでは、各界面の情報が混在した状態で反射光が戻ってくるため、真の膜厚値の情報を得ることが極めて困難となる。そこで、膜厚測定部7でウエハ上の任意の座標における被処理膜の膜厚を測定する場合には、測定結果に対する精度を高めるためウエハ上の複数の箇所を測定する多点測定を行い、複数の数値データを統計処理する。多点測定は、例えば信号取得部8をウエハ上で稼働させながら測定する方法か、信号取得部8を固定してウエハを回転させながら測定する方法がある。信号取得部8を稼働させる場合には、測定距離間隔を任意で設定することができ、信号取得部8を定位置に固定して測定する場合には、信号取得部8の固定位置やウエハの回転数を任意で設定することができる。また、測定回数に関しては任意に設定でき、膜厚値の統計値が収束する程度の測定点を測定することが好ましい。多点測定で得られた複数の数値データの統計処理方法は、通常の統計処理方法から任意に設定できる。例えば、通常の平均化処理や、Median、2σ外を除く測定値の平均値などがある。そして、このようにして得られた統計処理結果統計初期膜厚Cnや、統計最終膜厚Dnは、半導体製造装置1の本体制御部4に送信される。被処理膜の膜厚を求める2つ目の方法としては、半導体製造装置1内に、パターン認識機構を持たせ、デバイスパターンを避けながら膜厚の測定を行う方法である。この場合、細かく指定した測定位置の測定を行うことが可能となる。しかし、細かく指定された領域を測定するためには、ウエハの処理チャンバー9とパターン認識機構を有する測定チャンバーとを分けるか、信号取得部8の細かな移動を可能とするためのスペースを処理チャンバー9内に設ける必要がある。この方法では、半導体製造装置1の処理能力は低下するが、被処理膜の膜厚を統計値としてではなく、真の膜厚値として計測することができるため、正確な測定が可能である。パターン認識機構を備える半導体装置を用いる場合には、1箇所のみを測定する方法か、多点測定を行う方法を選択できる。多点測定を行う場合には、前述と同様にして統計処理を実施することで、精度の高い膜厚測定が可能となる。本実施形態例の半導体装置の製造方法では、多点測定により、統計初期膜厚Cnと統計最終膜厚Dnとを求める構成とした。次に、N1枚目のウエハをウェットエッチングする場合について説明する。まず、N1枚目のウエハをウエハ搬送部5の搬送アーム6によりウエハ保管部13から取り出し、処理チャンバー9内の載置台10に、ウエハに形成された被処理膜が上面となるように載置するステップS9。その後、N枚目のウエハと同様にして、ウエハに形成された被処理膜の初期膜厚An1を測定する。また、このとき、後述するN2枚目のエッチングレートERn2の算出に必要な初期膜厚An1の統計値以下、統計初期膜厚Cn1も測定する。統計初期膜厚Cn1の算出方法は、統計初期膜厚Cnと同様である。初期膜厚An1のデータは本体制御部4に送信され、本体制御部4内のプロセスレシピに予め設定されている目標膜厚Xの情報を元に、光学機制御部12において、必要なエッチング膜厚量Δn1を以下の式を用いて算出するステップS11。Δn1=An1-X4次に、4で求めたエッチング膜厚量Δn1と、ステップS8で求めたN枚目のウエハにおけるエッチングレートERn1を用いて、N1枚目のウエハに必要な薬液処理時間Sn1を以下の式を用いて算出するステップS12。Sn1=Δn1/ERn15そして、4を用いて求められた薬液処理時間Sn1を用いて、薬液処理を行うステップS13。その後、膜厚測定部7を用いて、N2枚目のウエハの薬液処理に適用されるエッチングレートERn2を算出するために、最終膜厚の統計値以下、統計最終膜厚Dn1を測定するステップS14。そして、薬液処理、すなわち、ウェットエッチングが終了したN1枚目のウエハを、搬送アーム6を用いて処理チャンバー9内から回収する。その後、ステップS8と同様にして、N1枚目のウエハの薬液処理時において得られた統計初期膜厚Cn1と、統計最終膜厚Dn1より、以下の式を用いて、ウエハ処理による薬液成分の変動を考慮したエッチングレートERn2を求める。ERn2=Gn1/Sn1=Cn1-Dn1/Sn16このエッチングレートERn2は、N1枚目のウエハ処理による薬液成分の変動が考慮された値であり、このエッチングレートERn2はN2枚目のウエハのエッチングレートとして用いる。そして、N2、N3枚目のウエハをエッチング処理する場合においても、上述の工程を繰り返すことにより、ウエハ毎にエッチングレートを算出して、そのエッチングレートから次に処理するウエハの薬液処理時間を算出することができる。これにより、各ウエハの薬液処理時間は、薬液の成分の経時変化が反映されたものとされ、各ウエハの被処理膜の膜厚のばらつきを低減することができる。なお、式1~6の計算は、主に本体制御部4でなされ、算出したエッチングレートにより、本体制御部4が各部を制御する。また、本実施形態例では、式1~6の計算を本体制御部4で行う構成としたが、膜厚測定の統計処理などは、光学機制御部で制御するようにしてもよい。どの制御部でどのような演算を行うかは種々の変更が可能である。以上のようにして、本実施形態例では、薬液を交換せずに複数枚のウエハを処理する場合においても、一回の薬液処理毎にエッチングレートが更新され、そのエッチングレートを元に薬液処理時間が決定される。これにより、同じ薬液を用いて複数枚のウエハを連続して処理することで薬液成分が消費されて経時変化してしまう場合においても、各ウエハの被処理膜の残膜を均一にすることができる。また、本実施形態例では、各ウエハの被処理膜の初期膜厚にばらつきがあっても、初期膜厚と、直前のエッチング処理におけるエッチングレートとから薬液処理時間を算出することができる。このため、初期膜厚のばらつきに左右されることなく、各ウエハを精度良くエッチング処理することができる。2.第2の実施形態次に、本発明の第2の実施形態に係る半導体製造装置と、その半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法について説明する。本実施形態例の半導体製造装置は、薬液成分が消費されることによる処理性能と、プロセス待機時の薬液成分の揮発分解による処理能力の経時変化を反映した半導体製造装置である。すなわち、第1の実施形態に係る半導体製造装置において、プロセス待機時の薬液成分の揮発分解による処理性能の経時変化を更に反映させる例である。本実施形態例の半導体製造装置は、第1の実施形態に係る半導体製造装置1とは、本体制御部4において算出されるエッチングレートの算出方法のみが異なり、全体の構成は図1と同様であるため、本実施形態例においても図1を用いて説明する。図4は、本実施形態例の半導体基板の製造工程を示すフローチャートである。図4において、図2に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。本実施形態例では、ウエハ処理毎に算出されるエッチングレートにおいて、N枚目のウエハとN1枚目のウエハとの間に待機時間がある場合、その待機時間における薬液の状態の変動がエッチングレートに加味される。図5は、本実施形態例の半導体装置の製造方法に用いられる薬液のエッチングレートの時間に対する変動率を示した図である。図5の横軸は時間で、縦軸はエッチングレートの変化率を示す。図5に示すように、薬液処理に用いられる薬液は、薬液自体の揮発、分解などにより、時間毎にエッチングレートが変動してしまう。図6は、処理するウエハと次に処理するウエハとの間に待機時間が有る場合におけるエッチングレートの変動率を示した図である。図6の横軸は、薬液交換後の経過時間を示し、縦軸は、エッチングレートの変動量を示す。また、図6に示すエッチングレートの変動量は、薬液処理時のエッチングレートと薬液交換時のエッチングレートすなわち、基準となる薬液のエッチングレートの比で求めている。図5に示すように、経過時間によりエッチングレートが自然に変化するという特性から、図6に示すように、エッチング処理によって薬液成分を消費しない場合でも、処理するウエハとウエハとの間に待機時間がある場合には、自然にエッチングレートが変動する。待機時間に対するエッチングレートの変動は薬液処理時間に影響を与え、待機時間が長い場合には無視できない。本実施形態例の半導体製造装置1では、このような待機時間に対するエッチングレートの変動曲線のデータを本体制御部4に予め記憶させておき、待機時間があった場合には、その待機時間に応じたエッチングレートの変動を反映させるプログラムとする。待機時間に応じたエッチングレートの変動を反映するため、ウエハ処理による薬液変動を考慮したエッチングレートERn1を算出する工程ステップS8の後、N枚目のウエハとN1枚目のウエハとの間に待機時間があるかの判断を行うステップS8-1。待機時間が無いと判断した場合には、第1の実施形態と同様にして、N1枚目のウエハの処理に移る。一方、ステップS8-1で待機時間が有りと判断された場合には、待機時間によるエッチングレートの変動を考慮したエッチングレートERn1’補正後処理速度を以下の式により算出するステップS8-2。ERn1’=ERn1X/1007ここで、式7のXは、図5で求められる待機時間に対応するエッチングレートの変動率である。そして、これにより、待機時間がある場合には、待機時間に対応するエッチングレートの変動率が反映されたエッチングレートERn1’が求められ、このエッチングレートがN1枚目のウエハの薬液処理時間の計算に用いられる。したがって、待機時間が有りと判断された場合には、ステップS12において、N1枚目の薬液処理時間は以下の式で算出される。Sn1=Δn1/ERn1’8ところで待機時間とは、処理されるウエハと次に処理されるウエハとの間の時間であっても、ロット毎に処理する場合における1ロットと1ロットとの間の時間であってもよい。ロット毎の待機時間は、P番目のロットの一番最後のウエハを処理後から、次のP1番目のロットの一番最初のウエハを処理するまでの時間となる。待機時間の有無の判断、すなわち、ステップS8-1において、どの程度の時間経過を待機時間有りと判断するか、又は無しと判断するかについては、半導体製造装置の精度によって決定することができる。また、図5に示した薬液の変動曲線は、薬液組成、薬液温度など、薬液タンク2に関する種々のパラメータが一定である場合にのみ同じデータを用いることができる。薬液の条件が変わった場合には、その薬液の変動曲線のデータを新たに本体制御部4に入力し、ステップS8-2のエッチングレートERn1’を求めるプログラムを構成すればよい。本実施形態例の半導体製造装置では、プロセス待機中の薬液変動をエッチングレートに反映させることができるので、より高い精度のエッチングが可能となる。また、待機状態の薬液変動をエッチング処理時間に反映することができるため、薬液の経時変化を回避するために行われてきた薬液交換の頻度を削減することができ、製造コストを低減することができる。その他、第1の実施形態と同様の効果を有する。上述の第1及び第2の実施形態では、1枚ずつエッチング処理を行う枚葉式のエッチング処理装置を例に説明したが、複数枚のウエハを一度に処理するバッチ式のエッチング処理装置を例としてもよい。バッチ式のエッチング処理装置とする場合には、代表的な一枚を選択して初期膜厚、及び最終膜厚を測定し、その回におけるエッチングレートを算出する。そして、そのエッチングレートを用いて、次の回のエッチング処理の薬液処理時間を算出する。また、第1及び第2の実施形態に係る半導体製造装置では、例えば、貫通電極を形成するためや、ウエハ上部にポリシリコン層を形成するための、フッ硝酸を用いた薬液処理や、SiN膜をエッチングするための高温フッ酸を用いた薬液処理を行うことができる。また、第1及び第2の実施形態では、半導体製造装置としてエッチング処理装置を例に説明したが、CMP装置等、薬液を利用してウエハ上に形成された被処理膜を加工する種々の装置に適用することができる。CMP装置に本開示の半導体製造装置を適用する場合には、ウエハ毎にスラリーの成分の経時変化を反映させた研磨レートを算出し、そこから次に研磨するウエハの研磨処理時間を算出するプログラム構成とすればよい。従来のCMP装置では、プロセス処理が行われていない時間、すなわち、待機時間に発生するパッドの変質やスラリーの成分が揮発変化する経時変化を反映させる技術がない。このため、待機時間発生後に行われるプロセスにおいて、ダミーウエハの処理や、1枚目のウエハの研磨結果を次ぎのウエハに反映させるような処理が必要となる。この場合、ダミーウエハのコストやプロセス開始時の1枚目のウエハの仕上がりにばらつきが発生するという問題があった。本開示では、CMP装置において、スラリーの化学変化とパッドの変質で起こる研磨速度の経時曲線を装置内に保有させ、その経時曲線を用いてウエハ毎の研磨時間を算出することができる。これにより、研磨時間を精度良く設定することができ、加工精度を安定なものとすることができる。本開示で製造可能な半導体装置としては、例えば、複数の画素を備える固体撮像装置や、ロジック回路を有する回路基板が挙げられる。本開示の半導体装置の製造方法を用いた固体撮像装置を形成することにより、歩留まりの向上が図られる。また、その固体撮像装置や回路基板を用いたカメラなどの電子機器を構成することにより、精度の向上が図られる。また、本開示は、上述の実施形態に限られるものではなく、趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更、及び組み合わせが可能である。