"支持層上に並んで配置された複数のデバイスであって、各デバイスが、第1の導電型の半導体ナノワイヤコア、および、これを囲う、動作において光を生成するための活性領域をもたらすpn接合またはpin接合を形成するための第2の導電型の半導体シェルを備える、デバイスと、前記複数のデバイスの上に延在し、前記半導体シェルに接続するように前記デバイスの少なくとも1つの上部と電気接触する第1の電極層であって、前記デバイスの間で少なくとも部分的にエアブリッジされる第1の電極層と、を備えることを特徴とする発光ダイオードLED構造体。前記第1の導電型がn型を含み、前記第2の導電型がp型を含み、前記第1の電極層がp電極層を備えることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードLED構造体。前記n型ナノワイヤコアに電気的に接続する第2のn電極層をさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の発光ダイオードLED構造体。前記支持層が、基板上に、nコンタクトとして働くn型半導体バッファ層を備え、前記n電極層が前記バッファ層と接触することを特徴とする請求項3に記載の発光ダイオードLED構造体。前記支持層が反射性であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードLED構造体。前記支持層が透過性であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードLED構造体。前記エアブリッジされたp電極層の厚さが150nm~900nmであることを特徴とする請求項2に記載の発光ダイオードLED配列。前記p電極が、少なくとも部分的に反射性であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードLED構造体。前記p電極が透過性であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードLED構造体。前記p電極上に、少なくとも1つの他の透過層が配置されることを特徴とする請求項9に記載の発光ダイオードLED構造体。前記LEDが、キャリア上のコンタクト電極上に接合されるフリップチップであることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードLED構造体。前記ナノワイヤコアの下に設けられたミラーをさらに備えることを特徴とする請求項4に記載の発光ダイオードLED構造体。前記ミラーが、前記基板に形成された凹部に設けられ、前記凹部が前記バッファ層へと延在することを特徴とする請求項12に記載の発光ダイオードLED構造体。複数の凹部の中に複数のミラーをさらに備えることを特徴とする請求項13に記載の発光ダイオードLED構造体。前記ミラーが、前記凹部を部分的に充填する反射性材料を備え、前記凹部の残りの部分が、構造上の剛性および高い熱伝導率をもたらす充填材で満たされることを特徴とする請求項13に記載の発光ダイオードLED構造体。前記ミラーが、前記バッファ層および前記基板のうち一方には接着剤で接合され、他方には物理的に接合されることを特徴とする請求項12に記載の発光ダイオードLED構造体。前記支持層がミラーを備え、前記ミラーが、除去されたn型半導体バッファ層および完全に除去された基板の代わりに設けられることを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオードLED構造体。各デバイスが、前記コア、前記シェル、および前記コアと前記シェルの間の活性層を含んでいるナノ構造体を備えることを特徴とする請求項2に記載の発光ダイオードLED構造体。前記ナノ構造体が、コアシェルのナノワイヤを備えることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードLED構造体。前記支持層が半導体基板を備えることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードLED構造体。前記n電極層が、前記バッファ層の第1の部分上にnパッド領域を備え、前記p電極層が、LED活性領域の前記ナノワイヤ上、または前記LED活性領域の前記ナノワイヤに隣接した前記バッファ層上の誘電体マスク層上に、pパッド領域を備え、前記nパッド領域と前記pパッド領域が、前記p電極と接触しないダミーのナノワイヤを備える非活性領域によって分離されていることを特徴とする請求項3に記載の発光ダイオードLED構造体。ナノワイヤ発光ダイオードLED構造体を製作する方法であって、支持層を用意するステップと、前記支持層上に並んで配置される複数のデバイスであって、各デバイスが、第1の導電型の半導体ナノワイヤコア、および、これを囲う、動作において光を生成するための活性領域をもたらすpn接合またはpin接合を形成するための第2の導電型の半導体シェルを備えるデバイスを設けるステップと、非活性領域の前記デバイスを完全に覆い、前記LED領域の前記デバイスを部分的に覆って、前記LED領域の前記デバイスの上部は露出させたまま犠牲層を堆積するステップと、前記デバイスの前記露出した上部および前記デバイス間の前記支持層の上に、第1の電極層を堆積するステップと、を含むことを特徴とする方法。前記第1の導電型がn型を含み、前記第2の導電型がp型を含み、前記第1の電極層がp電極層を備えることを特徴とする請求項22に記載の方法。前記n型ナノワイヤコアに電気的に接続する第2のn電極層を堆積するステップをさらに含むことを特徴とする請求項23に記載の方法。前記支持層が、基板上に、nコンタクトとして働くn型半導体バッファ層を備え、前記n電極層が前記バッファ層と接触することを特徴とする請求項24に記載の方法。前記支持層が、透過層、反射層または半導体基板のうち少なくとも1つを備えることを特徴とする請求項24に記載のナノワイヤ方法。各デバイスが、前記コア、前記シェル、および前記コアと前記シェルの間の活性層を含んでいるコア-シェルのナノワイヤを備えることを特徴とする請求項25に記載の方法。前記支持層上に誘電体マスク層をさらに備えて、前記コアが前記マスク層の開口を通って前記バッファ層から突出し、前記シェルが前記マスク層上に配置されることを特徴とする請求項27に記載の方法。前記非活性領域の前記犠牲層上に配置された前記第1の電極層の第1の部分が除去され、前記ナノワイヤシェルの頂部に配置された前記第1の電極層の第2の部分が、エアブリッジされたp電極を形成するように前記犠牲層を除去するステップさらに含むことを特徴とする請求項28に記載の方法。前記犠牲層がフォトレジストを備えることを特徴とする請求項29に記載の方法。前記バッファ層が、窒化ガリウムまたはアルミニウム窒化ガリウムのうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項25に記載の方法。前記p電極が、透過性の導電性酸化物層を備えることを特徴とする請求項23に記載の方法。前記ナノワイヤを備える前記構造体の側面にキャリアを一時的に接合するステップをさらに含むことを特徴とする請求項29に記載の方法。前記基板の1つまたは複数の凹部を、前記バッファ層まで下方へエッチングするステップをさらに含むことを特徴とする請求項33に記載の方法。前記少なくとも1つの凹部の前記バッファ層上にミラーを形成して、前記LED構造体を頂部発光にするステップをさらに含むことを特徴とする請求項34に記載の方法。前記ミラーの上の前記少なくとも1つの凹部を充填材で満たし、前記キャリアから前記構造体を取り外すステップをさらに含むことを特徴とする請求項35に記載の方法。前記構造体から前記基板を除去するステップであって、前記バッファ層を露出して残し、前記バッファ層にミラーを与えて、前記LED構造体を頂部発光にするステップをさらに含むことを特徴とする請求項33に記載の方法。前記ミラーにキャリアを取り付けるステップをさらに含むことを特徴とする請求項37に記載の方法。前記構造体にキャリアを取り付けるステップであって、前記キャリアが前記バッファ層に面する1つの表面上にミラーを有する、ステップをさらに含むことを特徴とする請求項29に記載の方法。支持層の第1の表面に配置された複数のデバイスであって、第1の導電型の半導体ナノワイヤコアおよび第2の導電型の半導体シェルを備えるデバイスと、前記デバイスの前記シェルに電気的に接続された第1の透過性電極と、前記支持層の前記第1の表面と電気接触して配置され、前記支持層を通って前記デバイスの前記コアに電気的に接続されている第2の電極と、前記デバイスに取り付けられたキャリアと、前記キャリアを前記第1の電極の第1のパッド領域に電気的に接続する第1のコンタクトと、前記キャリアを前記第2の電極の第2のパッド領域に電気的に接続する第2のコンタクトと、前記デバイスの前記コアの下に配置された反射層であって、前記キャリア基板が前記反射層の下に配置されている、反射層とを備えることを特徴とする頂部発光の発光ダイオードLED構造体。前記ナノワイヤが基部の終端および頂部の終端を有し、前記基部の終端が、成長基板またはバッファ層を備える前記支持層に取り付けられ、前記第1の電極が、前記ナノワイヤの前記頂部の終端から下方へ前記ナノワイヤの間に延在することを特徴とする請求項40に記載の発光ダイオードLED構造体。前記デバイスが、前記第1の電極と前記支持層の間の前記ナノワイヤの間の空間に空隙を備えることを特徴とする請求項41に記載の発光ダイオードLED構造体。前記第1の導電型がn型であり、前記第2の導電型がp型であって、前記半導体コアおよび前記半導体シェルがIII族の窒化物半導体材料のナノワイヤを備えることを特徴とする請求項40に記載の発光ダイオードLED構造体。前記支持層の前記第1の表面上に配置された開口を有する誘電体マスク層をさらに備えて、前記コアが、前記開口を通って前記支持層の前記第1の表面と電気的に接触し、前記シェルが、前記マスク層によって前記支持層の前記第1の表面から電気的に絶縁されることを特徴とする請求項40に記載の発光ダイオードLED構造体。前記第1の電極パッド領域が、前記マスク層上の前記ナノワイヤの間に配置され、前記第2の電極パッド領域が、前記マスク層の開口において前記ナノワイヤの間の前記支持層の前記第1の表面に配置されていることを特徴とする請求項44に記載の発光ダイオードLED構造体。頂部発光の発光ダイオードLED構造体を作製する方法であって、支持層の第1の表面上に配置された複数のデバイスを形成するステップであり、前記デバイスが、第1の導電型の半導体ナノワイヤコアおよび第2の導電型の半導体シェルを備える、ステップと、前記デバイスの前記シェルに電気的に接続される第1の透過性電極を形成するステップと、前記支持層の前記第1の表面と電気接触して配置され、前記支持層を通って前記デバイスの前記コアに電気的に接続される第2の電極を形成するステップと、前記デバイスの前記コアの下に反射層を設け、前記反射層の下の前記構造体に取り付けられるキャリアを設けるステップと、前記キャリアを前記第1の電極の第1のパッド領域へ電気的に接続する第1のコンタクトを形成するステップと、前記キャリアを前記第2の電極の第2のパッド領域へ電気的に接続する第2のコンタクトを形成するステップと、を含むことを特徴とする方法。本明細書に用いられる用語エアブリッジされた電極は、隣接したデバイスの間に隙間を残して、隣接した個々のデバイス間に延在する電極構造体を意味するように使われる。この隙間は、好ましくは隣接したデバイスによって横を囲まれ、頂部にはエアブリッジされた電極があって底部にデバイスの支持体があり、ここで頂部、底部という用語は相対的なものであって、デバイスの配置次第である。例えば、個々のデバイスが半径方向のコアシェルのナノワイヤである一実施形態では、エアブリッジされた電極が、ナノワイヤ支持層例えば基板、バッファ層、絶縁性マスク層、反射性または透過性の導電層などと電極の間で電極の下に隙間ができるように、ナノワイヤの先端およびナノワイヤ間の空間を覆う。ナノテクノロジの技術分野では、ナノワイヤは、通常、ナノスケールまたはナノメートル台の寸法の横方向サイズ例えば円筒状ナノワイヤの直径またはピラミッド形もしくは六角形のナノワイヤの幅を有するが、縦方向サイズは無制約であるナノ構造体として解釈される。このようなナノ構造体は、一般に、ナノホイスカ、1次元ナノ要素、ナノロッド、ナノチューブなどとも称される。一般に、多角形断面を有するナノワイヤは、それぞれが300nm以下の少なくとも2つの寸法を有すると考えられる。しかし、ナノワイヤは、約1μmまでの直径または幅を有することができる。ナノワイヤの1次元の性質は、独特な物理的特性、光学的特性および電子的特性をもたらす。これらの特性は、例えば、量子の機械的効果を利用する例えば量子細線を使用するデバイスを形成するために、または、大きな格子不整合のために通常は組み合わせることができない組成的に異なる材料のヘテロ構造を形成するために、用いることができる。ナノワイヤという用語が示すとおり、1次元の性質は、しばしば細長い形状と関連付けられる。換言すれば、1次元は、1マイクロメートル未満の幅または直径、および1マイクロメートルを上回る長さを指す。ナノワイヤがさまざまな断面形状を有し得るので、直径は有効径を指すように意図される。有効径は、構造体の断面の長軸と短軸の平均を意味する。図1は、本発明の実施形態によるナノワイヤLED構造体用の基礎を概略的に示す。原理上は、単一のナノワイヤは、ナノワイヤLEDを形成するのに十分であるが、サイズが小さいために、ナノワイヤは、好ましくは何千ものナノワイヤすなわちナノデバイスまたはデバイスを備える配列に並んで配置されてLED構造体を形成する。本明細書では、説明のために、個々のナノワイヤLEDデバイスは、n型ナノワイヤコア2と、n型ナノワイヤコア2および中間の活性層4を少なくとも部分的に囲うp型のシェル3とを有するナノワイヤ1から作製されるものと説明されることになる。しかし、本発明のナノワイヤLEDの実施形態の目的については、これに限定されない。例えば、ナノワイヤコア2、活性層4およびp型シェル3は、多数の層または部分から作製されてもよい。前述のように、代替実施形態では、コア2だけが1マイクロメートル未満の幅または直径を有するナノ構造体またはナノワイヤを備えてもよく、一方、シェル3は、1マイクロメートルを上回る幅または直径を有してもよい。LEDとして機能させるために、各ナノワイヤ1のn側とp側を接触させなければならない。ナノワイヤ1の位置を確定し、底部境界領域を決定するために、成長マスク6例えば窒化シリコンの誘電体マスク層などといった窒化物層を任意選択で使用して、成長基板5上でナノワイヤ1を成長させることにより、基板5は、少なくともプロセスを通じて、基板5から突出するナノワイヤ1に対するキャリアとして機能する。ナノワイヤの底部境界領域は、マスク層6の各開口の内部にコア2の領域を備える。基板5は、参照によってその全体が本明細書に組み込まれているGLOABに譲渡されたスウェーデン特許出願第SE1050700-2号に論じられているように、Si、Ge、Al2O3、SiC、石英、ガラスなど、III~V族またはII~VI族の半導体などの別々の材料を備えてもよい。一実施形態では、ナノワイヤ1は、成長基板5上に直接成長させる。好ましくは、基板5は、各ナノワイヤ1のn側に接続する電流輸送層として機能するようにも適合される。これは、図2に示されるように、例としてはSi基板5上のGaNおよび/またはAlGaNのバッファ層7など、ナノワイヤ1に面する基板5の面上に配置されたIII族窒化物層のバッファ層7を備える基板5を有することにより達成することができる。バッファ層7は、通常は所望のナノワイヤ材料に一致され、したがって製造プロセスにおける成長テンプレートとして機能する。n型コア2については、好ましくはバッファ層7もn型にドープされる。バッファ層7は、単一層例えばGaN、いくつかの副層例えばGaNおよびAlGaNまたはAl含有率の高いAlGaNからAl含有率のより低いAlGaNもしくはGaNに傾斜した傾斜層を備えてもよい。ナノワイヤは、任意の半導体材料を含むことができるが、ナノワイヤLEDについては、通常は、III族窒化物半導体例えばGaN、AlInGaN、AlGaNおよびInGaNなどまたは他の半導体例えばInP、GaAsなどのIII~V族の半導体が好ましい。ナノワイヤ1は、いくつかの別々の材料例えばGaNコア、InGaN活性層およびInとGaの比が活性層とは異なるInGaNシェルを備えてもよいことに留意されたい。概して、本明細書では、基板5および/またはバッファ層7は、ナノワイヤに対する支持体または支持層と称される。図9~図12に関してより詳細に説明されるように、基板5および/またはバッファ層7の代わりに、あるいはそれに加えて、導電層例えばミラーまたは透過コンタクトが、支持体として使用されてもよい。したがって、用語支持層または支持体は、これらの要素の1つまたは複数の任意のものを含み得る。したがって、バッファ層7は、ナノワイヤ1のn側と接触するための手段をもたらす。従来技術のナノワイヤLEDでは、一般に、各ナノワイヤ1のp型シェル3を囲み、基板またはバッファ層上の絶縁層へと延在する導電層を備えるp電極を堆積することにより、各ナノワイヤ1のp側の接触が達成される。導電層は、この絶縁層上を、隣接したナノワイヤへと延在する。しかし、ナノワイヤLEDのナノワイヤが接近して配置され、高いルミネセンスを得るためにアスペクト比が大きいので、p電極を堆積するのは難易度が高い作業である。一般に、電極の堆積には、スパッタリングまたは蒸着などの視線プロセスが用いられる。視線堆積のために、ナノワイヤの先端の優先的成長および陰影効果が観察され、その結果、p電極が先細りになって、ナノワイヤ1の基部に向かって厚さが縮小する。したがって、効率的な横方向の電流拡散を達成するために、p電極は、ナノワイヤの先端で不必要に厚くなり、一方ナノワイヤの中間では厚さが不十分になる。陰影効果は、p電極に不連続ができるほどひどいものでもあり得る。本発明の実施形態によるp電極8は、隣接したナノワイヤ1の間で少なくとも部分的にエアブリッジされる。図3aは、ナノワイヤ1のグループを覆うp電極8を概略的に示す。前述のように、ナノワイヤ1のシェル3がn型であると、電極8はn電極になる。しかし、本明細書では、電極8は、説明を容易にするためにp電極と称される。p電極8は、隣接したナノワイヤ1の間で自由懸垂しており、ナノワイヤ1のみによって支持されている。p電極8は、各ナノワイヤ1の上部を囲い、それによってナノワイヤLED構造体のp側と接触する。p電極は、例えば基板5上に配置されたパッドへの接続をもたらすために、図3aの右側および左側のエッジ上に示されるように周辺のナノワイヤの側方に沿って下へ延在してもよい以下でより詳細に説明される。p電極上に別のさらなる層が堆積されてもよい。例えば、導電性またはナノワイヤから出る光/ナノワイヤに入る光の結合を改善する層が、ナノワイヤ上に堆積されてもよい。本発明の実施形態のナノワイヤLED構造体は、頂部発光、すなわちp電極を通る発光、または底部発光、すなわち支持層すなわち導電層および/またはバッファ層および/または基板を通る発光に適合される。p電極に対する要件は、これら2つのケースに関して異なるものである。本明細書に用いられる用語の発光は、可視光例えば青色光または紫色光ならびに紫外線放射または赤外線放射の両方を含む。頂部発光デバイスについては、p電極は透過性でなければならないすなわちLEDによって発光されたほとんど光を透過するべきである。インジウムスズ酸化物ITOは、頂部発光ナノワイヤLED用に、具体的にはp電極用に適切な材料である。ITOは、好ましくは150~900nm、より好ましくは250~650nm、最も好ましくは約500nmの厚さを有する。ITOは、LEDデバイスが層毎の技法によって形成されるプレーナ素子用にも広範囲に使用されている。このような素子では、ITOの層の厚さは、好ましくは、許容できる電流拡散を達成するのに十分な約150nmである。厚さが増加することの難点の1つに、ITOによる光の吸収が比較的大きいことがある。したがって、ITOの厚さは可能な限り薄く保たれる。ITOの厚さを低く保つ別の理由には、ITOが厚すぎると、すなわち150nmを超えると、ウェットエッチングが容易でないことがある。驚くべきことに、本発明の実施形態によるp電極に関する最適なITOの厚さは大きい。これは、ナノワイヤLEDの効率が、優れた光結合、すなわち比較的厚いITOと、少ない吸収、すなわち比較的薄いITOの間のトレードオフによって決定されるという事実によって説明することができる。ITOは、特定の特性を得るために、他の材料の層と結合することもできる。例えば、シリコン酸化物層で覆われた150nmのITOによって、500nmのITOと類似の特性を得ることができる。好ましくは、厚さが均一な厚いp電極も、効率的な熱放散に寄与することになる。頂部発光デバイス上のp電極用の他の適切な材料には、ZnO、ドープしたZnOおよび他の透過性の導電性酸化物TCOがある。この材料に関する重要なパラメータは、優れた透過性、導電性、およびシェルに対して低抵抗で接触する能力である。また、高い熱伝導率も、構成次第で屈折率の一致とともに望ましい。頂部発光のナノ構造LEDの一実施形態では、基板には、好ましくはナノワイヤLEDの下の平面に広がる反射手段例えばミラーが備わっている。底部発光LEDについては、p電極は、好ましくは反射性である。以下の実例で示されるように、p電極は、反射特性および/または導電特性の改善を目的として、p電極上に堆積された1つまたは複数のさらなる層を備えてもよい。図3bは、本発明の実施形態によるナノワイヤLED構造体の一実施形態を概略的に示す。図3bのものは、図3aに示されているのと原理上は同一構造であるが、p電極が、p型シェル3を囲う比較的薄い導電性層8’と、薄い導電層8’上に配置されている比較的厚いエアブリッジされた導電層8とを備える。薄い導電層8’は、厚い導電層8より長いナノワイヤ1の基部に向かって下方へ広がる。薄い導電層8’は、p型シェル上に、例えば原子層堆積を用いて堆積され、あるいはエピタキシャル層として成長される。層8’は、隣接したナノワイヤ間で不連続でもよく、ナノワイヤだけを覆って、マスク層6またはナノワイヤ間のバッファ層7は覆わなくてもよい。この機構では、薄い導電層8’は、p型シェル3に対する最適な接触面を得るのに利用することができ、厚い導電層8は、電流拡散ならびに/あるいは光の結合および/または反射を目的として最適化することができる。したがって、層8だけが、エアブリッジを形成するのに利用され得る。代替実施形態では、マスク層6に加えて、ナノワイヤ間の空間も、シリコン酸化物などの誘電材料すなわち絶縁材料で、全面的に、または部分的に充填され得る。部分的に充填された空間については、エアブリッジの下の空隙のサイズが低減される。十分に充填された空間については、エアブリッジはもはや存在しない。したがって、ナノワイヤ用の接触方式に関して以下で説明される実施形態については、ナノワイヤが、エアブリッジされている構成またはエアブリッジされていない構成で接触してもよいことを理解されたい。頂部発光ナノワイヤを形成する方法の以下の第1の実装形態では、LED構造体が、図4a~図4hを参照しながら説明される。この実施形態では、p電極層およびn電極層の両方を形成するのに同一の導電層がパターニングされる。この実装形態では、ナノワイヤLEDを形成するナノワイヤに隣接したパッド領域に、デバイスのn側に接続するためのパッドとp側に接続するためのパッドとが形成される。しかし、本発明は、この構成に限定されるものではない。図4aは、バッファ層7から成長マスク層6を通って成長したナノワイヤ1の配列を示す。図1に示されるように、ナノワイヤは、好ましくは光生成用の中間の活性層4を伴ってp型シェル層3の中に囲まれたn型ナノワイヤコア2を備える。例えば米国特許第7,829,443号に説明されているように、成長マスク6は、ナノワイヤ成長用の開口を画定するために、フォトリソグラフィによってパターニングされてもよい。この実装形態では、ナノワイヤは、nパッド領域、非活性領域、LED領域すなわち発光する領域およびpパッド領域にグループ化される。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。例えば、pパッド領域は、ナノワイヤLED構造体の発光部分を形成するナノワイヤの最上部に配置されてもよく、それによって、参照によって全体が本明細書に組み込まれている2010年2月4日公開のKonsekらのPCT国際出願の公開番号である国際公開第2010/014032A1号に説明されているように、pパッド領域とLED領域が一致する。図4bを参照すると、次のステップで、後続のプロセスからナノワイヤを保護するために、保護層9が、少なくともナノワイヤがLEDを形成するLED領域に堆積される。そうしないと、フォトレジストからの残留物ならびにスパッタリングおよび反応性イオンエッチングRIEからの反応性イオンが、欠陥および/または汚染をもたらす恐れがある。原子層堆積ALDを用いて堆積されたZnOは、保護層として用いることができる。堆積技法としてALDを用いることの利点の1つに、その完全なステップカバレージがある。ALDまたは他の堆積技法を用いて堆積された他の金属または例えばAl2O3、SiO2といったシリコン酸化物などの他の材料も用いることができる。この層は、これが残される領域上の絶縁体として、さらなる役割を果たすことができる。リソグラフィおよびエッチングにより、nパッド領域11の保護層および成長マスクを通ってバッファ層7へと開通させるステップに続いて、保護層9が堆積される。換言すれば、図4bに示されるように、フォトレジストまたは別のマスク層破線12で示されているが、全体のデバイスの上に形成され、次いで、nパッド領域11ではフォトリソグラフィによって除去される。ナノワイヤ1の間の露出した保護層9および露出したマスク層6は、バッファ層上で終えることができる任意の適切なエッチング手法例えばIII族の窒化物半導体のバッファ層に対して金属酸化物またはシリコン酸化物を選択的にエッチングすることができる任意の湿式または乾式のエッチング手法によってエッチングされる。この目的は、バッファ層7を通るナノワイヤ1のn側への電気的接続すなわち、n型層7を通るn型ナノワイヤコア2への電気的接続をもたらすために、バッファ層7の上に電極を配置するように、バッファ層7に到達することである。図4cを参照して、次のステップは、非活性領域およびpパッド領域にわたって広がる2つの別々の厚さを有する、フォトレジストまたは別の適切な犠牲材料の層などの犠牲層10を形成するものである。フォトレジスト層は、非活性領域13のナノワイヤを完全に覆うべきであるが、LED領域14の各ナノワイヤ1の上部を露出したままにして、LED領域14のナノワイヤ1を部分的に覆うべきである。n電極とp電極に同一のコンタクト材料を用いる場合には、コンタクトパッドとして接続されるべき領域、すなわちnパッド領域11およびpパッド領域15は、好ましくはnパッド領域11がフォトレジストで覆われない。このことは、図4cの左側部分に明白に見られる。当業者には理解されるように、このフォトレジスト層は、例えば、フォトレジストを堆積して、2つのマスクおよび2回の露光を用いて、次いで現像することにより、あるいはポジ型フォトレジスト用の領域13より、領域14での露光を広くするネガ型フォトレジストについては逆にすることによって形成することができる。また、フォトレジストは、例えば領域13および14に第1のレジストを形成し、露光し、現像し、次いで、第1のレジストの上の領域13にのみ第2のレジストを形成し、露光し、現像して複数の層を備えることができる。必要に応じて、フォトレジスト10は、図4bで層9および層6をパターニングするのに用いられるフォトレジスト層12の一部分を備えてもよい。この場合、フォトレジスト層12では、前述の方法を用いて、領域14および15で2度目の露光が行なわれ、領域13では露光されずネガ型フォトレジストについては逆になる、次いで領域15では完全に、領域14では部分的に現像されるすなわち除去される。図4dを参照して、次のステップでは、少なくとも、フォトレジストパターン10の露光した外側である、LED領域14のナノワイヤの露光した上部の保護層9を除去する。これは、酸化物保護層9を選択的にエッチングするが、マスク層6例えば窒化シリコンまたは半導体バッファ層7または半導体ナノワイヤ1はエッチングしない選択的エッチングによって行なわれてもよい。層9は、マスク層6の頂部に追加の電気的絶縁をもたらすために、半導体材料とそれぞれの電極の間の接触を層9が妨げない領域には、必要に応じて残されてもよい。例えば、酸化アルミニウム層が、窒化シリコンのマスク層6と結合してこのような恒久的保護層9として用いられてもよい。その後、p型電極層16が堆積される。p電極は、高められ、ナノワイヤ1の間の狭い空間の中に下方へ深く広がる必要がないので、スパッタリングまたは蒸着などの視線プロセスを用いることができる。もちろん、nパッド領域11が露光されるので、同時にn電極層が形成される。バッファ層7が、pパッド領域ではマスク層6によって覆われるので、p電極16は、pパッド領域15ではn型バッファ層7と接触しないことに留意されたい。したがって、p電極とnバッファ層/nナノワイヤコアの間の短絡が防止される。しかし、層16の左側部分がn電極を形成するのに用いられる場合、層16のこの部分は、nパッド領域11のナノワイヤ間の露出したバッファ層7と接触する。層16は、フォトレジスト13によって覆われている非活性領域13のナノワイヤ1と接触しないことに留意されたい。図4eを参照して、次のステップでは、pパッド領域15、LED領域14およびnパッド領域11に別のフォトレジストパターン17を残す別のリソグラフィのステップが行なわれる。これは、図4dに示されたデバイスの上に非活性領域13の金属電極16で覆われたレジストパターン10の上を含めて別のフォトレジスト層を形成し、次いで、金属電極16で覆われたレジストパターン10の両側にフォトレジストパターン17を残すために、フォトレジストを露光し、現像することによって行なわれてもよい。図4fを参照して、次のステップは、先のステップから、電極材料がレジストパターン17によって覆われていない領域のすなわち非活性領域13の電極材料16を除去するものであり、これは、フォトレジストパターン10および17を除去しない選択的なドライエッチングまたはウェットエッチングによって行なうことができる。これにより、nパッド領域11と活性のpパッド領域14、15の間の非活性領域13で電極層16が除去されて、電極層16が不連続になる。図4gを参照して、次のステップでは、残りのフォトレジスト10、17のすべてが除去され、これは溶解および/またはプラズマエッチングにより行なうことができる。これによって、p電極層16が、LED領域14のナノワイヤ1の間に自由懸垂して残る。これにより、電極16、ナノワイヤ1およびマスク層6の間に隙間18を有するエアブリッジが形成される。図4hを参照して、最後に、非活性領域13上の保護層9の依然として存在し得る残留物が除去される。したがって、層16がp電極16aを形成し、これが、ナノワイヤ1のpシェル3の先端と接触し、pパッド領域のマスク層6と接触し、nパッド領域11のnバッファ層7と接触するn電極16bとも接触する。図5は、本発明のこの実施形態によるエアブリッジされたp電極の2つの走査電子顕微鏡画像を示す。左側の画像には、非活性領域とエアブリッジされたp電極を有するLED領域の間の交差点が見られる。非活性領域13では層16が除去されているので、p電極とn電極のどちらを形成するのにも同一の層16が用いられ得る。したがって、図4a~図4hに示された上記プロセスの順序で、p電極とn電極が同一のステップにおいて堆積される。n電極層16bは、バッファ層7の第1の部分の上にnパッド領域11を備える。p電極層16aは、LED活性領域14のナノワイヤ上、またはLED活性領域のナノワイヤに隣接したバッファ層7上の誘電体マスク層6上に、pパッド領域15を備える。nパッド領域とpパッド領域は、p電極と接触しないダミーのナノワイヤ1すなわち、これらのナノワイヤは発光しないを備える非活性領域13によって分離されている。しかし、代替の第2の実施形態では、第1のステップでp電極が設けられ、n電極は後の段階で別の材料から形成される。このようなプロセスが図4i~図4sに開示されており、以下で簡単に説明される。図4a~図4hのものと同一の要素およびステップの説明は、以下では簡略のために繰り返さない。第2の実施形態の方法の最初の2つのステップは、第1の実施形態の方法のものと同一であり、すなわち図4aおよび図4bは、図4iおよび図4jと同一のステップを示す。しかし、図4jでは、nパッド領域11の保護層9およびマスク層6は、図4bのように除去されるわけではない。次のステップで、第1の実施形態のようにnパッド領域11にナノワイヤが覆われずに残ることのないように、犠牲層例えばレジスト層10aが2つの別々の厚さに堆積される。したがって、nパッド領域11の左端のナノワイヤがまったく覆われていない図4cとは対照的に、図4kの左側では、領域11のナノワイヤが、非活性領域13の中央のナノワイヤと同様に完全に覆われているのを見ることができる。LED領域14のナノワイヤは、フォトレジスト10aの頂部上で部分的に露出している。フォトレジストパターン10aでは、pパッド領域15が完全に露出している。図4lは、領域13のナノワイヤのpシェル3とp電極の間に接触をもたらすために、LED領域13の露出したナノワイヤの先端から、保護層9が少なくとも部分的に除去されることを示す。次いで、図4mに示されるように、p電極層16が堆積される。層16が構造体の全体を覆う。次に非活性領域13およびnコンタクト領域11がフォトレジスト10aによって覆われ、フォトレジスト10aの頂部に層16が形成される。層16は、LED領域14のナノワイヤの露出したpシェル3およびpパッド領域15のマスク層6と接触する。次に、図4nに示されるように、LED領域14およびpパッド領域15のp電極層16の上に、第2のフォトレジストパターン17aが設けられる。領域13および11で、フォトレジストパターン17aが除去される。したがって、領域11および13では層16が露出する。次いで、図4oに示されるように、露出したp電極層16が、領域11および13から、選択エッチングによって除去される。図4pに示されるように、すべてのフォトレジスト10a、17aが除去されて、p電極層16が、LED領域14のナノワイヤとの間に、下に隙間18を有するエアブリッジを形成し、また、領域15にpコンタクトパッドを形成する。次に、図4qに見られるように、新規のフォトレジストパターン19が、領域13、14および15を覆ってnパッド領域11は覆わないように与えられる。露出した領域11から、保護層9およびマスク層6が除去される。次いで、図4rに示されるように、構造体の全体の上にn電極層20が堆積される。層20は、Ti副層およびAl副層またはその他の適切な金属を備えてもよい。層20は、露出したバッファ層7および領域11のダミーの短絡されたナノワイヤと接触する。層20は、領域13、14および15のフォトレジスト19上に載っている。図4sは、領域11の残りの層20がn電極を形成するように、領域13、14および15の層20をリフトオフするために、フォトレジストパターン19が除去されるリフトオフのステップを示す。非活性領域13に電極層16、20は存在しない。これは、層16と20の短絡を防止する。非活性領域13にはダミーのナノワイヤが配置されている。図4hおよび図4sは、それぞれ、p電極16a、16およびn電極16b、20へのコンタクト例えばリード線またはバンプ電極の形成に先立つプロセスにおけるデバイスを示す。しかし、図6、図10または図12に関して説明されたコンタクトが、pパッド領域15のp電極およびnパッド領域11に対してそれぞれ作製されていることを理解されたい。さらに、前述のように、pパッド領域15は、図4sおよび図4hに示されるようにナノワイヤの間にではなく、ナノワイヤの頂部にあってもよい例えば領域14と15が結合される。以下の、底部発光ナノワイヤLED構造体を形成する方法の第3の実装形態が、図6a~図6hを参照しながら説明される。この実装形態では、ナノワイヤLEDを形成するナノワイヤに隣接したnパッド領域およびpパッド領域に、それぞれ、デバイスのn側に接続するためのパッドとp側に接続するためのパッドが再び形成される。しかし、本発明は、これに限定されるものではない。上記で説明されたのと同じ要素は、簡略のために、以下で再度説明することはない。図6aは、図4aのものと類似の構造体を示す。図4aに関して以前に説明されたように、2つの厚さを有するフォトレジスト層またはパターン10bが、非活性領域13のナノワイヤを完全に覆い、LED領域14のナノワイヤを部分的に囲んで、ナノワイヤの上部を露出しておく。nパッド領域11およびpパッド領域15は開放されていて、フォトレジストパターン10bによって覆われない。図6bを参照して、次のステップでは、LED領域14のナノワイヤの露出した上部の保護層9が選択的に除去される。次いで、デバイス全体の上に、p電極層16c、電流拡散層16dおよび1つまたは複数の反射層16eが、例えばスパッタリングまたは蒸着によって堆積される。少なくとも1つの導電層が形成される限り、これらの層の1つまたは複数が省略されてもよい例えば、個別のミラーが用いられる場合には、反射層16dが省略されてもよい。図6cを参照して、次のステップでは、層16c、16dおよび16eをリフトオフするためにフォトレジスト10bが除去され、任意選択で、層の特性を調整するために熱処理が続く。これは、領域11、14および15の層16c~16eを残す。領域14に、上記で説明された隙間18を有するエアブリッジが形成される。これは、図6dに示されるように、層16c~16eをp電極22とn電極23に分離する。図6dを参照して、次のステップでは、非活性領域13上の保護層9の残留物が、必要に応じて除去される。図6eを参照して、次のステップで、はんだボールバンプSBB例えばpバンプ21aおよびnバンプ21bが、それぞれpパッド領域15およびnパッド領域11に取り付けられている。pパッド領域15では、p電極22は、マスク層6によってnバッファ層7から絶縁される。p電極22は、領域14のpバンプ21aとpシェル3の間に電気接触をもたらす。n電極23は、nバンプ21bとnバッファ層7とnコア2の間の接触をもたらす。したがって、バッファ層がn電極/nバンプと接続され、シェルがp電極/pバンプと接続されて、LEDに外部との電気的接続をもたらす。図6fを参照して、次のステップでは、チップすなわちLED構造体がひっくり返されて導電性接着剤23に浸漬され、導電性接着剤23がバンプ21a、21bに残る。導電性接着剤は、導電性をもたらすことに加えて、熱放散特性を改善し得る。図6gを参照して、次のステップでは、チップは、p電極25およびn電極26を伴ってあらかじめ処理されたキャリア24上に取り付けられる。SBB機構に関して説明されたが、リード線接続またはリードフレーム接続などの他のコンタクトの代替形態があることが当業者には理解される。図6hを参照して、次のステップでは、チップとキャリアの間の空間は、例えばエポキシ材料27によってアンダーフィルされる。このアンダーフィルは、構造的剛性をもたらし、熱放散の改善にも寄与し得る。図6iを参照して、次のステップでは、Si基板5が、例えばウェットエッチングまたはドライエッチングによって、完全に、または部分的に除去されて、バッファ層7を露出する開口28が形成される。必要に応じて、ナノワイヤ1の基礎を露出するために、バッファ層7も開口28を通って除去されてもよい。図7は、方法のこの実装形態によって得られたナノワイヤ構造体を示し、ナノワイヤ上にははんだバンプが配置されている。p電極およびn電極は、pコンタクト29およびnコンタクト30を用いてキャリアウエハと接続される。これは、LED領域14からの光を、バッファ層7を通して発する底部発光LEDデバイスを形成する。前述のように、ナノワイヤは、上記で例示された半径方向のヘテロ構造などのpn接合またはpin接合を形成する、組成的に別々の材料、導電型および/またはドーピングのヘテロ構造を備えてもよい。さらに、ナノワイヤコアの内部に軸方向のヘテロ構造も形成されてもよい。これらの軸方向のヘテロ構造は、ナノワイヤLEDで光を生成するのに用いられ得るpn接合またはpin接合を形成することができる。図8は、p側3がエアブリッジ電極8機構と接触している軸方向のpn接合例えば、p部分3が、軸方向でn部分2の上に配置されているを有する複数のナノワイヤを概略的に示す。本発明は、ナノワイヤLEDの接触に関して説明されているが、電界効果トランジスタ、ダイオード、および、特に光検出器、太陽電池、レーザーなどの光吸収デバイスまたは光生成デバイスを包含するデバイスなど、他のナノワイヤベースの半導体デバイスが同様に接触され得て、特に、エアブリッジ機構は、いかなるナノワイヤ構造体に対しても実施され得ることを理解されたい。頂部、底部、基部、横方向などに対するすべての言及は、理解を簡単にするためにのみ導入されており、特定の配向に限定するものと見なされるべきではない。さらに、図面の中の構造体の寸法は、必ずしも原寸に比例しない。本発明のさらなる実施形態は、上記で開示された頂部発光LED用のパッケージングプロセスを提供するものであり、このようなプロセスが、図9~図12を参照しながら以下で説明される。最初に図9が参照され、裏面に設けられたミラー91を有する頂部発光のナノワイヤLED構造体90を示している。したがって、前述のように、頂部発光LEDについては、pコンタクト926は透過性であり、好ましくはTCO、導電性ポリマーまたは薄い金属で作製され、頂部を通して放射光を導くために、好ましくは下にミラーが設けられる。ミラーを取り付けるのに、別の方法を用いることができる。一実施形態では、pコンタクト92が設けられた後に、nコンタクト9320が、ナノワイヤの先端のLED配列上の選択されたnコンタクト域11に設けられ、ナノワイヤの間では選択された領域11のバッファ層96に接触して後のワイヤボンディング用の基部をもたらす。Ti/Alまたは他の導体例えばTCOなどの透過性の他候補で適切に作製されたnコンタクトが、ナノワイヤ941の全体を覆うように堆積され、バッファ層967と接触するようにマスク層956を通って下がり、それによって、適切なワイヤボンディングの後にLED配列に与えられ得る。nコンタクトの堆積は、スパッタリング、熱蒸着または電子ビーム蒸着およびめっきを例とする任意の堆積技法によって遂行することができる。Ti/Alに対するコンタクトを作製するために、例えばウェットエッチングまたはドライエッチングRIEといったエッチングによって、マスク層95に開口が作製される。取扱いを可能にするために、配列のさらなる加工中に、pコンタクト側に暫定のキャリアCが接合される。このキャリアは、ゴーストラインで概略的に示されている。このキャリアは、適切にはシリコンウエハ、セラミック基板またはガラスもしくは金属の板である。Temporarywaferbondingまたはコンタクトボンディングと称されるBrewerScienceから入手可能な製品など、キャリアボンディングを達成するいくつかの方法がある。他の代替形態には、フォトレジスト、BCBまたは何らかの他のポリマーの暫定接着材料を用いるものがある。接着剤は、接合されるべき素子上にコーティングされ、圧力任意選択で熱が加えられる。キャリアが取り付けられたとき、ナノワイヤを成長させた元の成長基板5は、開口、窪みまたは成長基板の完全な除去など、GaN/AlGaNバッファ層、すなわち配列の裏面まで下がる凹部97をもたらすためのエッチングプロシージャを施される。凹部の幅は丸括弧によって示されている。エッチングは、例えばいわゆるボッシュ法といった当業者に知られているドライエッチングによって適切に行なわれる。湿式の化学的方法または研削とエッチングの組合せを用いることも可能である。この時点で、GaN/AlGaNバッファ層を部分的にまたは完全に除去して導電層例えば91で置換するさらなるステップを任意選択で行なうことができる。頂部発光の用途では、この層は好ましくはミラーを備えることができるが、底部発光の用途については透過性のものとする。成長基板が部分的にしか除去されない場合には、窪みを形成すべきでない基板の領域を保護するために、用いられるエッチング方式次第で適切なマスク例えばフォトレジストが与えられる。頂部発光LEDについては、凹部97にミラー91が設けられる。必要に応じて、基板の複数の凹部に複数のミラーが形成されてもよい。ミラーの用意は、いくつかの別々のやり方で遂行することができる。好ましい方式は、凹部97の中にAgを約1μmの厚さにスパッタリングするものである。層がより厚ければ、熱伝導率が改善されるが、通常、反射率はあまり改善されない。あるいは、熱蒸着もしくは電子ビーム蒸着またはめっきなどの方式を用いることができる。このミラーは、配列の中で電気的に能動でないという意味において受動的であり得る。このミラーは、配列からの光をナノワイヤの頂部へと単純に反射する。このミラーは、能動でもあり得るが、バッファ層がAlGaNなどの材料で終了する場合には、次いで、抵抗層の薄層化など、追加のステップを行なうべきである。ミラーが設けられた後に、凹部97は、例えば、構造上の剛性をもたらすように、好ましくは機械的に高強度のエポキシ樹脂または他の適切な熱伝導材料といった充填材98で満たされる。他の適切な材料の例には、TiN、グラフェン、および他の多結晶膜または非晶質炭素膜があるが、これらに限定されない。成長基板が完全に除去される場合には、深い凹部の構造で用いられるときに堆積時間が制約になり得るので、このような材料が最適であろう。次いで、図9に示される構造体に達するために、全体の構造体が暫定のキャリアCから剥離される。このように得られた構造体は、図10に示されるように、適切な取付け台構造体またはキャリア100に実装される。取付け台構造体の表面は、デバイスの付着力を強める、または熱的特性を改善するために、金属、TiN、グラフェン、および他の多結晶もしくは非晶質炭素の膜などの層を備えてもよい。ワイヤボンディング用の接合パッドを設けるために、好ましくは金または他の導電材料のコンタクトパッド101が、nコンタクト域上に堆積される。次いで、取付け台100とパッド101の間に、金のワイヤまたは他のワイヤなどのワイヤ102が取り付けられる。ワイヤ102を適当な場所に固定するために、はんだのバンプまたは接合剤が用いられてもよい。p電極上には少なくとも1つのpコンタクトパッド103も設けられ、取付け台100からのこのコンタクトに対してワイヤ104のボンディングがやはり行なわれる。最後に、露出したLEDの上に、適切にはシリコン材料の保護の電球またはパッケージ105が設けられる。次に、図11を参照すると、受動的ミラーを設けるための変形形態が示されている。図9に関して上記で説明されたように、pコンタクト92およびnコンタクト93が設けられ、暫定のキャリアCも同様に取り付けられる。しかし、暫定のキャリアが設けられた後に、適切にはエッチングによって元の基板5が除去されるが、研磨または研削などの方法も用いることができる。基板を除去した後、バッファ層例えばAlGaN7を露光するために、バッファ層7上にミラー111が設けられる。適切には、Agミラーがスパッタリングによって設けられる。次いで、この組立体は、好ましくはシリコン、エポキシ樹脂、BCBまたは他のタイプのポリマーのうちの任意のもの113を接着剤として用いて、新規の基板112に接着剤結合される。最後に、キャリアCが除去される。図12に示されるように、コンタクト、ワイヤボンディングおよび保護電球105を作製するのに、先の実施形態におけるのと同一のプロセスのステップが用いられる。図11および図12に関連して直前に説明されたプロセスの変形形態では、バッファ層にミラーを与える/取り付けるのでなく、新規の基板112にミラー111を与えることを除けば同一のプロセスが用いられる。次いで、新規の基板およびミラーの組立体が、接着剤ボンディングによってLED配列構造体のバッファ層に取り付けられる。これは、不適当な損失を生じさせないために、接着剤は、実際には完全に透過性であることをもちろん必要とする。接着剤113は、この場合、ミラー111とバッファ層7の間に配置される。これらの実施形態では、基板5および/またはバッファ層7に加えて、かつ/または基板5および/またはバッファ層7の代わりに、ミラー91、111が、ナノワイヤ1に対する支持体として使用される。本発明が、現在最も実際的であって好ましいと考えられる実施形態に関連して説明されてきたが、本発明は、開示された実施形態に限定されるものではなく、それどころか、添付の特許請求の範囲の範囲内のさまざまな変更形態および同等な機構を対象として含むように意図されていることを理解されたい。"