"基板処理チャンバの基板処理領域でパターン化基板をエッチングする方法であって、前記パターン化基板が、露出した酸素-シリコン含有領域と、前記酸素-シリコン含有領域よりも酸素含有量の少ない露出したシリコン含有領域とを有し、前記基板処理領域に流体結合された遠隔プラズマ領域にフッ素含有前駆体を流し込むとともに第1のプラズマ領域でプラズマを形成してプラズマ放出物を生成するステップと、前記プラズマ放出物を前記基板処理領域に流し込むことによって、前記酸素-シリコン含有領域よりも速く前記シリコン含有領域をエッチングするステップとを含む、方法。前記露出したシリコン含有領域のエッチング速度が、前記露出した酸素-シリコン含有領域のエッチング速度よりも5を超える倍数因子だけ大きい、請求項1に記載の方法。前記露出したシリコン含有領域は酸素が実質的にない、請求項1に記載の方法。前記露出したシリコン含有領域がシリコンで実質的に構成される、請求項1に記載の方法。前記露出した酸素-シリコン含有領域がSiO2で実質的に構成される、請求項1に記載の方法。前記露出したシリコン含有領域がポリシリコンであり、前記露出した酸素-シリコン含有領域がSiO2であり、前記ポリシリコンが1nmと15nmとの間だけトリミングされる、請求項1に記載の方法。前記露出したシリコン含有領域が、ケイ素、炭素、および窒素で実質的に構成される、請求項1に記載の方法。前記露出した酸素-シリコン含有領域が、ケイ素、炭素、および酸素で実質的に構成される、請求項1に記載の方法。前記露出したシリコン含有領域がSiCNであり、前記露出した酸素-シリコン含有領域がSiOCであり、前記SiCNが、前記SiOCに形成されたトレンチの基部から除去される、請求項1に記載の方法。前記フッ素含有前駆体が、三フッ化窒素、二原子フッ素、単原子フッ素、およびフッ素置換炭化水素からなる群から選択された少なくとも1つの前駆体を含む、請求項1に記載の方法。前記プラズマ放出物が、5:1よりも大きいフッ素対水素の原子比率を持つ、請求項1に記載の方法。前記シリコン含有領域のエッチング選択性を向上させるために、イオン化種が前記基板処理領域内の前記プラズマ放出物に実質的に存在しない、請求項1に記載の方法。基板処理チャンバの基板処理領域でパターン化基板をエッチングする方法であって、前記パターン化基板が、露出した窒素-シリコン含有領域と、前記窒素-シリコン含有領域よりも窒素含有量の少ない露出したシリコン含有領域とを有し、前記基板処理領域に流体結合された遠隔プラズマ領域にフッ素含有前駆体を流し込むとともに第1のプラズマ領域でプラズマを形成してプラズマ放出物を生成するステップと、前記プラズマ放出物を前記基板処理領域に流し込むことによって、前記窒素-シリコン含有領域よりも速く前記シリコン含有領域をエッチングするステップとを含む、方法。前記露出したシリコン含有領域のエッチング速度が、前記露出した窒素-シリコン含有領域のエッチング速度よりも1.5を超える倍数因子だけ大きい、請求項13に記載の方法。前記露出したシリコン含有領域は窒素が実質的にない、請求項13に記載の方法。前記露出したシリコン含有領域がケイ素で実質的に構成される、請求項13に記載の方法。前記露出した窒素-シリコン含有領域が窒化ケイ素で実質的に構成される、請求項13に記載の方法。前記フッ素含有前駆体が、三フッ化窒素、二原子フッ素、単原子フッ素、およびフッ素置換炭化水素からなる群から選択された少なくとも1つの前駆体を含む、請求項13に記載の方法。前記フッ素含有前駆体および前記プラズマ放出物は水素が実質的にない、請求項13に記載の方法。前記プラズマ放出物が、5:1よりも大きいフッ素対水素の原子比率を持つ、請求項13に記載の方法。添付図において、同様の構成要素および/またはフィーチャは同じ参照符号を有することができる。さらに、同じタイプの様々な構成要素は、ダッシュ記号による参照符号、および同様の構成要素を区別する第2の符号を用いることによって区別することができる。第1の参照符号のみが本明細書で使用される場合、その説明は、第2の参照符号に関係なく同じ第1の参照符号を有する同様の構成要素の任意のものに適用可能である。パターン化異種混合シリコン含有構造をエッチングする方法が説明され、既存の遠隔プラズマエッチングと比べて逆選択性をもつ遠隔プラズマエッチングを含む。この方法を使用して、ポリシリコンを共形にトリミングし、一方、酸化ケイ素をほとんどまたは全く除去しないことが可能である。より一般的には、酸素含有量の少ないシリコン含有膜は、酸素含有量の多いシリコン含有膜よりも迅速に除去される。他の例示的な用途には、酸炭化ケイ素を実質的に保持しながら炭窒化ケイ素膜をトリミングすることが含まれる。これらなどの用途は本明細書で提示する方法によって可能になり、新しいプロセスフローを可能にする。これらのプロセスフローは様々なより細い線幅構造にとって望ましくなると予想される。本明細書に含まれる方法を使用して、より高濃度の窒素を有する窒素-シリコン含有膜よりも速くシリコン含有膜をエッチングすることもできる。Siconi商標エッチングプロセスは、遠隔プラズマシステムRPSを通って反応領域に一緒に流れるアンモニアNH3の水素源および三フッ化窒素NF3のフッ素源を使用している。アンモニアおよび三フッ化窒素の流量は、典型的には、2つの処理ガスの成分を効率的に利用するために水素の原子流量がフッ素の原子流量の概略で2倍となるように選ばれる。水素およびフッ素が存在すると、比較的低い基板温度でNH42SiF6の固体副産物を形成することができる。固体副産物は、基板の温度を昇華温度より上に上げることによって除去される。Siconi商標エッチングプロセスは、酸素がない膜よりも迅速に酸化膜を除去する。本発明者等は、選択性は、水素の供給を減少させまたは排除し、一方、三フッ化窒素の流れを保持することによって反転させることができることを発見した。本発明をより良く理解および認識するために、次に、開示する実施形態による酸化物非選択エッチングプロセスの流れ図と浅いトレンチ隔離STI構造である図1および2が参照される。最初の操作に先立って、間隙がポリシリコン吸着層220-1および下にあるシリコン基板210に形成される。間隙はデバイス図示せずを電気的に分離するために酸化ケイ素230で充填される。酸化ケイ素は、表面がポリシリコンの上部と概略で共平面であるように研磨され、酸化ケイ素は図2に示された構造を達成するためにポリシリコンより下にトリミングして減らされる。図1のプロセスは、基板が処理チャンバに移送されるとき始まる操作110。酸化ケイ素230およびポリシリコン220の領域は基板の表面に露出されることに留意されたい。三フッ化窒素の流れが、処理領域から分離したプラズマ領域に誘導される操作120。フッ素の他の供給源を使用して三フッ化窒素を増大または取り替えることができる。実施形態では、フッ素含有前駆体は、三フッ化窒素、二原子フッ素、単原子フッ素、およびフッ素置換炭化水素からなる群から選択された少なくとも1つの前駆体を含む。分離したプラズマ領域は本明細書では遠隔プラズマ領域と呼ばれることがあり、処理チャンバとは別個のモジュール内に、または処理チャンバ内の区画内にあることができる。アンモニアの流れは、この操作の間遠隔プラズマ領域に存在する場合もありしない場合もある。アンモニアの流れが含まれる場合、水素含有前駆体は、原子水素、分子水素、アンモニア、炭化水素、および不完全ハロゲン置換炭化水素からなる群から選択された少なくとも1つの前駆体を含む。三フッ化窒素およびオプションのアンモニアの流れは、フッ素対水素原子の流量比が2:1、5:1、または10:1のうちの1つよりも大きくなるように選択することができる。遠隔プラズマからの生成物プラズマ放出物は処理領域に流れ込み、パターン化基板表面と相互作用することが可能になる操作125。パターン化層は、開示する実施形態では、ポリシリコン吸着層が共形にトリミングされ、一方、酸化ケイ素間隙充填230がより遅くエッチングされるように選択的にエッチングされる操作130。ポリシリコンのエッチング速度は、水素の流れに対するフッ素の流れの比に応じて酸化ケイ素間隙充填のエッチング速度の5倍または10倍を超えることができる。次に、ガスの流れが停止され操作135、基板が処理領域から取り出される操作145。ポリシリコンは、開示する実施形態では、1nmと15nmとの間だけトリミングすることができる。遠隔プラズマ領域へのしたがって、プラズマ放出物流れにかなり多くの酸素の流れを含むことは、シリコンが酸化されてシリコンに対する望ましいエッチング選択性を妨害することがあるので推奨されない。プラズマ領域および基板処理領域は、本発明の実施形態によれば、エッチングプロセスの間酸素がないか、または実質的にない。図3は、図2のポリシリコン吸着層220をトリミングするために使用されるものなどの時限エッチングの後のエッチング量のプロットである。フッ素と比較して約2倍の水素の原子濃度を有するSiconi商標によれば、ポリシリコンより著しく大きい速度の酸化ケイ素除去がもたらされることに留意されたい。水素対フッ素の比が減少するとともに、選択性は逆になる。等しい割合の水素およびフッ素が遠隔プラズマ領域に供給される場合、ポリシリコンおよび酸化ケイ素は概略で同じ速度で除去される。1:1の水素:フッ素の比より下で、ポリシリコンのエッチング速度は酸化ケイ素のエッチング速度を超える。実施形態では、実質的に水素は遠隔プラズマ領域に流れず、それにより、10:1を超えるポリシリコン:酸化ケイ素のエッチング選択性がもたらされる。この技法は、実施形態において、ポリシリコン吸着層のないシリコン基板の間隙に適用することもでき、酸化物非選択エッチングは酸化ケイ素間隙充填よりも大きい速度でシリコンを除去することになる。図1~3で示された選択エッチングは、浅いトレンチ隔離用途に関連して説明された。様々な他の用途がこのシリコン選択エッチングから利益を得ることになる。例えば、この選択エッチングを使用して、露出した酸化ケイ素などの酸素含有材料の好ましくない量を除去することなしにfinFET構造のフィンをトリミングすることができる。finFETは、厚さがデバイスの性能に影響を与える単結晶シリコンの垂直突起を含む。単結晶シリコンは、本明細書で説明する遠隔プラズマ選択エッチングで処理する場合、ポリシリコンと同様の速度でエッチングされる。本明細書で説明するデバイス構造に対して多種多様な代替形状寸法が出て来ると予想され、酸化物非選択エッチングから利益を得ることになる。本明細書で説明する遠隔プラズマエッチングの有用性は、パターン化シリコンと酸化ケイ素とを含むシステムに限定されない。図4は、酸炭化ケイ素SiOCよりも速く炭窒化ケイ素SiCNを除去する選択エッチングの流れ図である。実施形態では、SiCNは、ケイ素、炭素、および窒素で本質的に構成される。同様に、SiOCは、ケイ素、炭素、および酸素で本質的に構成することができる。図5A~5Bは、選択エッチングの前後の例示的な用途の概略図である。例示的な用途には、金属間誘電体層の形成が含まれる。下にある銅層550は、上にある低誘電率膜570からの汚染物質の拡散を防止するために銅層550の上に形成された炭窒化ケイ素SiCN560-1を有する。好適なSiCN膜560-1はBlok商標であり、好適な低誘電率膜570はブラックダイアモンドであり、それらの各々はカリフォルニア州、サンタクララのAppliedMaterialsから入手可能である。低誘電率膜570はSiCN560-1の層の上に形成され、酸化物選択エッチングでパターン化されて、図5Aに示されるトレンチが形成される。トレンチは、様々な金属層間に導電性リンクを形成するために後で金属で充填されることになる。しかし、オーミックコンタクトを行うことができる前に、まず誘電体SiCNが除去されなければならない。図4のプロセスは、パターン化基板が処理チャンバに移送されるとき始まる操作410。三フッ化窒素の流れが遠隔プラズマ領域に誘導される操作420。遠隔プラズマ領域は、図1~2を参照して前に説明したように水素が実質的にないか、または水素の流れがほとんどないことが可能である。水素を真空システムから完全に排除することは不可能であり、水素が実質的にないというのは妥当な許容範囲を受け入れるために使用される。プラズマ放出物は処理領域に流れ込み、パターン化基板表面と相互作用することが可能になる操作425。パターン化層は、炭窒化ケイ素層が酸炭化ケイ素に比べて優先的に除去されるように選択的にエッチングされる操作430。選択エッチングは、SiCNの部分がトレンチの底部から除去され、次の金属の層が新しく露出された炭素表面と接触できるようになるまで続く。前駆体の流れが停止され操作435、基板が処理領域から取り出される操作445。選択エッチングの後のSiCN膜560-2が図5Bに示される。図6は、開示する実施形態による酸化物非選択エッチング中の酸炭化ケイ素および炭窒化ケイ素のエッチング速度を示すプロットである。曲線は、基板処理領域の三フッ化窒素の分圧へのエッチング速度の依存性を示す。前に述べたように、水素:フッ素の原子流れ比に依存することに加えて、選択性は、さらに、パターン化基板の近傍の三フッ化窒素の濃度に依存する。分圧が低いと、SiOCに対するSiCNの選択性を向上させることができ、それは例示的な用途では好ましい。三フッ化窒素の分圧が約50mTorrより下で、SiCNおよびSiOCの両方のエッチング速度は、分圧が下がるにつれて低下する。低下の割合はSiOCでより速く、それにより、SiCNのエッチングに対する選択性が増加するようになる。三フッ化窒素の分圧は、様々な実施形態において50mTorr、30mTorr、または20mTorrより下である。本明細書で説明する酸化物非選択エッチングは、酸素が実質的にない材料を酸素-シリコン含有膜よりも速くエッチングする。酸素の含有が意図されない場合でさえ、少量の酸素が、多くの場合、SiCNおよびポリシリコンに存在することに注目すべきである。さらに、元素組成を決定するのに使用される一般の測定技法は、試料準備および測定の間に大気汚染に起因する酸素の存在を過大報告することがある。酸素が実質的にないまたは酸素がないとして材料を記述するのはこれらを許容し得る許容範囲として受け入れている。さらにより一般的には、酸素の少ないシリコン含有膜は、酸素の多いシリコン含有膜よりも迅速にエッチングされることになる。実施形態では、シリコン含有膜は、アモルファス、結晶性、または多結晶の形態のいずれかのシリコンで実質的に構成することができる。同様に、酸素-シリコン含有膜はSiO2で実質的に構成することができる。酸化物非選択エッチングは、両方の膜が露出した表面を有する限り、各々が異なる速度でエッチングされることになるので依然として有用性を有することができる。露出したシリコン含有領域のエッチング速度は、本発明の実施形態では、露出した酸素-シリコン含有領域のエッチング速度よりも5を超える倍数因子だけ大きくなり得る。酸化物非選択エッチングをこれまで説明した。本明細書で説明する方法を使用して、図3に示すようにシリコンを窒化ケイ素よりも速く選択的にエッチングすることができる。選択性は、酸化ケイ素に対するシリコンエッチング選択性の場合ほど顕著ではない。この差は、様々なプロセス流れにおいて依然として有用になり得る。これらのエッチングプロセスは、本明細書では窒化物非選択エッチングと呼ぶことがあり、酸化物非選択エッチングを参照して説明した同じプロセスパラメータの実施形態を有する。類似して、遠隔プラズマ領域および基板処理領域は各々、本発明の実施形態によれば、これらのエッチングプロセスの間窒素がないか、または実質的にないことが可能である。一般的に言えば、シリコン含有材料は、シリコン含有材料よりも大きい窒素濃度を有する窒素-シリコン含有材料と比べて選択的にエッチングされ得る。露出したシリコン含有領域のエッチング速度は、本発明の実施形態では、露出した窒素-シリコン含有材料のエッチング速度よりも1.5を超える倍数因子だけ大きくなり得る。シリコンなどのシリコン含有膜は、やはり窒素-酸素-シリコン含有膜よりも速くエッチングされ得る。追加の酸化物非選択エッチングプロセスパラメータは例示的な処理システムを説明する途中で開示される。例示的な処理システム図7は、本発明の実施形態を実行することができる例示的な処理チャンバ700を示す部分断面図である。一般に、水素含有前駆体およびフッ素含有前駆体は、1つまたは複数の開孔751を通して遠隔プラズマ領域761~763に導入され、プラズマ電源746で励起することができる。1つの実施形態では、処理チャンバ700は、チャンバ本体712、リッドアセンブリ702、および支持体アセンブリ710を含む。リッドアセンブリ702はチャンバ本体712の上端に配置され、支持体アセンブリ710はチャンバ本体712内に少なくとも部分的に配置される。処理チャンバ700および関連するハードウェアは、好ましくは、1つまたは複数のプロセス適合材料例えば、アルミニウム、ステンレス鋼などから形成される。チャンバ本体712は、処理チャンバ700の内部にアクセスするためにチャンバ本体712の側壁に形成されるスリットバルブ開口760を含む。スリットバルブ開口760は、ウエハハンドリングロボット図示せずでチャンバ本体712の内部にアクセスできるように選択的に開閉される。1つの実施形態では、隣接する移送チャンバおよび/またはロードロックチャンバ、またはクラスタツール内の別のチャンバに対してスリットバルブ開口760を通して処理チャンバ700の内外にウエハを輸送することができる。処理チャンバ700を含むことができる例示的なクラスタツールが図8に示される。1つまたは複数の実施形態では、チャンバ本体712は、伝熱流体をチャンバ本体712を通して流すためのチャンバ本体チャネル713を含む。伝熱流体は加熱流体または冷却材とすることができ、処理および基板移送の間チャンバ本体712の温度を制御するために使用される。チャンバ本体712の加熱は、チャンバ壁へのガスまたは副産物の不要な凝結を防止するのに役立つことができる。例示的な伝熱流体は水、エチレングリコール、またはそれらの混合物を含む。例示的な伝熱流体は窒素ガスを含むこともできる。支持体アセンブリ710は、伝熱流体を支持体アセンブリ710を通して流し、それによって基板温度に影響を与えるための支持体アセンブリチャネル704を有することができる。チャンバ本体712は、支持体アセンブリ710を取り囲むライナ733をさらに含むことができる。ライナ733は、好ましくは、整備および洗浄のために取外し可能である。ライナ733は、アルミニウムなどの金属またはセラミック材料で製作することができる。しかし、ライナ733は任意のプロセス適合材料とすることができる。ライナ733は、その上に堆積される任意の材料の接着性を増大させるためにビードブラストし、それによって、処理チャンバ700の汚染をもたらす材料の剥離を防止することができる。1つまたは複数の実施形態では、ライナ733は、1つまたは複数の開孔735と、ライナ733の中に形成され、真空システムと流体連通するポンピングチャネル729とを含む。開孔735はポンピングチャネル729へのガス用流路を備え、ポンピングチャネル729は処理チャンバ700内のガスに出口を与える。真空システムは、処理チャンバ700を通るガスの流れを調節するために真空ポンプ725と絞り弁727とを含むことができる。真空ポンプ725はチャンバ本体712に配置された真空ポート731に結合され、したがって、ライナ733内に形成されたポンピングチャネル729と流体連通する。ガスおよび複数のガスという用語は、特に断らない限り、交換可能に使用され、1つまたは複数の反応物、触媒、キャリア、パージ、洗浄、それらの組合せ、ならびにチャンバ本体712に導入される任意の他の流体を指す。前駆体という用語は、材料を表面から除去するか、または材料を表面に堆積させるために反応に関与する任意の処理ガスを指すのに使用される。開孔735は、ポンピングチャネル729がチャンバ本体712内の処理領域740と流体連通することができるようにする。処理領域740はリッドアセンブリ702の下部表面と支持体アセンブリ710の上部表面とによって画定され、ライナ733で取り囲まれる。開孔735は、均一に大きさを合わされ、ライナ733のまわりに均等に間隔を空けることができる。しかし、任意の数、位置、サイズ、または形状の開孔を使用することができ、以下でより詳細に説明するように、それらの設計パラメータの各々は基板受け面の端から端までのガスの所望の流量パターンに応じて変わることができる。さらに、開孔735のサイズ、数、および位置は処理チャンバ700を出るガスの均一な流れを達成するように構成される。さらに、開孔のサイズおよび場所は、チャンバ700からガスを迅速に排出しやすくするように迅速または高容量ポンピングを行うように構成することができる。例えば、真空ポート731のすぐ近くの開孔735の数およびサイズは、真空ポート731から遠く離して位置づけられた開孔735のサイズよりも小さくすることができる。ガス供給パネル図示せずが、典型的には、1つまたは複数の開孔751を通して処理チャンバ700に処理ガスを供給するために使用される。使用される特定の1つまたは複数のガスは、チャンバ700内で行われるべき1つまたは複数のプロセスに依存する。例示的なガスは、限定はしないが、1つまたは複数の前駆体、還元剤、触媒、キャリア、パージ、洗浄、またはそれらの任意の混合物もしくは組合せを含むことができる。典型的には、処理チャンバ700に導入される1つまたは複数のガスは、上部プレート750の開孔751を通ってプラズマ体積部761に流れ込む。代替としてまたは組合せで、処理ガスは、より直接的に開孔752を通して処理領域740に導入することができる。開孔752は遠隔プラズマ励起を回避し、プラズマ励起を必要としないガスを含むプロセス、またはガスの追加の励起から利益を得ないプロセスに有用である。電子的に操作されるバルブおよび/または流量制御機構図示せずは、ガス供給源から処理チャンバ700へのガスの流れを制御するために使用することができる。プロセスに応じて、任意の数のガスを処理チャンバ700に供給することができ、処理チャンバ700中で、またはガスが処理チャンバ700に供給される前に混合することができる。リッドアセンブリ702は、リッドアセンブリ702内で反応種のプラズマを発生させるために電極745をさらに含むことができる。1つの実施形態では、電極745は上部プレート750によって支持され、酸化アルミニウムまたは他の絶縁およびプロセス適合材料から製作された電気的分離リング747を挿入することによって電気的に上部プレート750から分離される。1つまたは複数の実施形態では、電極745は電源746に結合され、一方、リッドアセンブリ702の残りは接地に接続される。したがって、1つまたは複数の処理ガスのプラズマは、電極745と環状取付フランジ722との間の体積部761、762および/または763から構成される遠隔プラズマ領域で発生することができる。実施形態では、環状取付フランジはガス供給プレート720を含むか、または支持する。例えば、プラズマは、電極745とブロッカアセンブリ730の一方または両方のブロッカプレートとの間で開始され、維持され得る。代替として、プラズマはブロッカアセンブリ730がない状態で、電極745とガス供給プレート720との間で点火され、封じ込められ得る。どちらの実施形態でも、プラズマは、リッドアセンブリ702内に十分に閉じ込められるか、または封じ込められる。したがって、活性プラズマがチャンバ本体712内に配置された基板と直接接触しないので、プラズマは遠隔プラズマである。その結果として、プラズマが基板表面から分離されるので、基板へのプラズマ損傷は避けることができる。多種多様な電源746が、窒素含有前駆体三フッ化窒素を活性化することができる。例えば、高周波RF、直流DC、またはマイクロ波MWベース電力放電技法を使用することができる。活性化は、さらに熱ベース技法、ガス絶縁破壊技法、高強度光源例えば、UVエネルギー、またはX線放射源への暴露によって発生させることができる。代替として、遠隔プラズマジェネレータなどの遠隔活性化源を使用して反応種のプラズマを発生させ、次に、それをチャンバ700に供給することができる。例示的な遠隔プラズマジェネレータは、MKSInstruments,Inc.およびAdvancedEnergyIndustries,Incなどの販売会社から入手可能である。例示的な処理システムでは、RF電源が電極745に結合される。反応性酸素が、さらに、電源746を使用して生成されることになる場合には、より高い電力のマイクロ波電源746が有益である。プロセスチャンバ本体712および基板の温度は各々、チャンバ本体チャネル713および支持体アセンブリチャネル704それぞれを通して伝熱媒体を流すことによって制御することができる。支持体アセンブリチャネル704は、熱エネルギーを移送しやすくするために支持体アセンブリ710内に形成することができる。チャンバ本体712および支持体アセンブリ710は別々に冷却または加熱することができる。例えば、加熱流体が一方を通して流され、一方、冷却流体が他方を通して流され得る。他の方法を使用して、基板温度を制御することができる。基板は、抵抗ヒータまたはいくつかの他の手段により支持体アセンブリ710またはその一部、例えばペデスタルなどを加熱することによって加熱することができる。別の構成では、ガス供給プレート720は基板よりも高い温度に維持することができ、基板を上昇させて基板温度を上げることができる。この場合、基板は放射的にまたはガスを使用して加熱され、ガス供給プレート720からの熱が基板に伝導される。基板は、支持体アセンブリ710を上げることによって、またはリフトピンを利用することによって上昇させることができる。本明細書で説明するエッチングプロセスの間、チャンバ本体712は、様々な実施形態において、50°Cと80°Cとの間、55°Cと75°Cとの間、または60°Cと70°Cと間の近似の温度範囲内に維持することができる。プラズマ放出物および/または酸化剤への暴露の間、基板は、様々な実施形態において、約100°Cより下に、約65°Cより下に、約15°Cと約50°Cとの間に、または約22°Cと約40°Cとの間に維持することができる。酸化物非選択エッチングはたとえあったとしても昇華ステップにそれほど大きくは依拠しないので、基板は、やはりエッチングの間高温に保持することができる。基板は、開示する実施形態では、70°Cより上に、100°Cより上に、または130°Cより上に維持することができる。プラズマ放出物は、様々な分子、分子断片、およびイオン化種を含む。酸化物非選択エッチングをする間、プラズマ放出物は、酸素がないか、または少量の酸素を持つ露出したシリコン含有材料と容易に反応するフッ素ラジカルを含む。プラズマ放出物は酸素なしのシリコン含有層と反応してSiFおよびH2O蒸気生成物を形成することができ、それらは処理領域740から真空ポンプ725で除去される。実施形態では、水素は遠隔プラズマ領域にほとんどまたは全く導入されない。そのような条件下では、固体残留物は基板表面にほとんどまたは全く生成されず、昇華ステップは省略することができる。水素の供給源が含まれている場合、基板は、基板をプラズマ放出物にさらす際に形成される固体残留物エッチング副産物を昇華させるために加熱することができる。実施形態では、ガス供給プレート720は、ガス供給プレート720内またはその近くに加熱要素770を組み込むことにより加熱することができる。基板は、基板と加熱されたガス供給プレートとの間の距離を減少させることにより加熱することができる。ガス供給プレート720は、様々な実施形態において、約100°Cと150°Cとの間、約110°Cと140°Cとの間、または約120°Cと130°Cとの間に加熱することができる。基板と加熱されたガス供給プレートとの間の離隔を減少させることによって、基板は、様々な実施形態において、約75°Cより上に、約90°Cより上に、約100°Cより上に、または約115°Cと約150°Cとの間に加熱することができる。水素源がフッ素源と共に流される場合、ガス供給プレート720から基板に放射される熱は、基板の酸化物部分からの固体のNH42SiF6を、処理領域740から遠くにポンプで排気できる揮発性SiF4、NH3、およびHF生成物に解離または昇華させるのに十分なものとするべきである。三フッ化窒素または別のフッ素含有前駆体は、様々な実施形態において、約25sccmと約200sccmの間、約50sccmと約150sccmとの間、または約75sccmと約125sccmとの間の量で遠隔プラズマ体積部761に流れ込むことができる。アンモニアまたは一般に水素含有前駆体は、様々な実施形態において、20sccmより下もしくは約20sccm、15sccmより下もしくは約15sccm、10sccmより下もしくは約10sccm、5sccmより下もしくは約5sccm、または2sccmより下もしくは約2sccmの量で遠隔プラズマ体積部761に流れ込むことができる。遠隔プラズマ領域への水素含有前駆体とフッ素含有前駆体との組合せ流量は、全体混合ガス体積で0.05から約20を占めることができ、残りの部分はキャリアガスである。1つの実施形態では、遠隔プラズマ領域内の圧力を安定にするために、反応ガスの導入の前に、パージまたはキャリアガスがまず遠隔プラズマ領域に誘導される。リッドアセンブリ702の残りに対して電極745にプラズマ出力を印加することによって、プラズマ放出物の生成が体積部761、762、および/または763内で生じる。プラズマ出力は様々な周波数または多数の周波数の組合せとすることができる。例示的な処理システムでは、プラズマは電極745に供給されるRF電力によってもたらされる。RF電力は、様々な実施形態において、約1Wと約1000Wとの間、約5Wと約600Wとの間、約10Wと約300Wとの間、または約20Wと約100Wとの間とすることができる。例示的な処理システムで印加されるRF周波数は、様々な実施形態において、約200kHzよりも低く、約150kHzよりも低く、約120kHzよりも低く、または約50kHzと約90kHzとの間とすることができる。処理領域740は、処理領域740へのプラズマ放出物の流れの間様々な圧力で維持することができる。圧力は、様々な実施形態において、約500mTorrと約30Torrの間、約1Torrと約10Torrとの間、または約3Torrと約6Torrとの間に維持することができる。より低い圧力を処理領域740内で使用することもできる。圧力は、様々な実施形態において、500mTorrより下もしくは約500mTorr、250mTorrより下もしくは約250mTorr、100mTorrより下もしくは約100mTorr、50mTorrより下もしくは約50mTorr、または20mTorrより下もしくは約20mTorrに維持することができる。エッチングプロセスの選択性は、プラズマ放出物を基板処理領域に流れ込ませる前に体積部761~763で発生した帯電種を中性にすることによって強化することができる。中性の反応性ラジカル分子断片は依然として基板処理領域に入り、基板と反応して選択エッチングプロセスを行う。このために、シャワーヘッドの孔は、放出物が基板処理領域の方に移動するとき中性化衝突neutralizingcollisionを増加させるように狭くすることができる。基板処理領域へのイオンの流れを抑制するために、分離したシャワーヘッドをプラズマ放出物の経路に含めることもできる。分離したシャワーヘッドはイオン抑制器図示せずと呼ぶことができる。これらの中性帯電していない種は、依然として、孔を通して反応性の少ないキャリアガスにより輸送される反応種を高度に含むことができる。基板処理領域へのイオン化放出物の流れは、分子断片単位の中性種の流れ未満に低減することができる。開示する実施形態では、流れは中性種の10未満とすることもでき、または実質的になくすことができる。基板処理領域に入るイオン種の量を制御すると、下にあるウエハ基板と接触させられる混合ガスに対する制御が向上し、そのため、エッチングプロセスの選択性の制御が向上する。イオン抑制器および/またはシャワーヘッドの複数の孔は、基板処理領域への活性ガスすなわち、イオン、ラジカル、および/または中性種の通路を制御するように構成することができる。例えば、孔のアスペクト比すなわち、長さに対する孔径および/または孔の形状寸法は、基板処理領域に入る活性ガスのイオン帯電種の流れが減少するように制御することができる。孔は、遠隔プラズマ領域体積部761、762、および/または763に面するテーパ部分を含むことができる。テーパは、相当な数の放出物を孔に受け入れるが、基板処理領域に入る前に放出物の大部分に中性化衝突を受けさせるのに役に立つことができる。抑制器を通るイオン種の流れを制御するための追加の手段として、調整可能な電気バイアスをイオン抑制器および/またはシャワーヘッドに印加することもできる。1つまたは複数の実施形態では、処理チャンバ700は、カリフォルニア州、サンタクララにあるAppliedMaterials,Inc.から入手可能なProducer商標GT、Centura商標AP、およびEndura商標プラットフォームを含む様々な多重処理プラットフォームに組み込むことができる。そのような処理プラットフォームは真空を破ることなくいくつかの処理操作を行うことができる。図8は、例示的なマルチチャンバ処理システム800の概略上面図である。システム800は、基板をシステム800の内外に移送するための1つまたは複数のロードロックチャンバ802、804を含むことができる。典型的には、システム800は真空下にあるので、ロードロックチャンバ802、804はシステム800に導入された基板をポンプダウンするpumpdownことができる。第1のロボット810は、基板をロードロックチャンバ802、804と第1の組の1つまたは複数の基板処理チャンバ812、814、816、8184つが示されているとの間で移送することができる。各処理チャンバ812、814、816、818は、周期的層堆積CLD、原子層堆積ALD、化学気相堆積CVD、物理的気相堆積PVD、エッチング、前洗浄、ガス抜き、配向、および他の基板プロセスに加えて本明細書で説明するドライエッチングプロセスを含むいくつかの基板処理操作を行うために装備することができる。第1のロボット810は、さらに、基板を1つまたは複数の移送チャンバ822、824に/それから移送することができる。移送チャンバ822、824は、基板をシステム800内で移送させる間、超高真空条件を維持するために使用することができる。第2のロボット830は、基板を移送チャンバ822、824と第2の組の1つまたは複数の処理チャンバ832、834、836、838との間で移送することができる。処理チャンバ812、814、816、818と同様に、処理チャンバ832、834、836、838は、例えば、周期的層堆積CLD、原子層堆積ALD、化学気相堆積CVD、物理的気相堆積PVD、エッチング、前洗浄、ガス抜き、および配向に加えて本明細書で説明するドライエッチングプロセスを含む様々な基板処理操作を行うために装備することができる。基板処理チャンバ812、814、816、818、832、834、836、838のいずれも、特定のプロセスをシステム800で行う必要がない場合システム800から取り除くことができる。システムコントローラ857は、モータ、バルブ、流量コントローラ、電源、および本明細書で説明するプロセスレシピを実行するのに必要とされる他の機能を制御するために使用される。移動可能な機械アセンブリの位置を決定および調整するために、システムコントローラ857は光センサからのフィードバックに依拠することができる。機械アセンブリは、システムコントローラ857の制御下でモータで動かされるロボット、絞り弁、およびサセプタを含むことができる。例示的な実施形態では、システムコントローラ857はハードディスクドライバメモリ、USBポート、フロッピーディスクドライバ、およびプロセッサを含む。システムコントローラ857はアナログおよびデジタル入力/出力ボード、インターフェースボード、およびステッピングモータコントローラボードを含む。処理チャンバ800を含むマルチチャンバ処理システム800の様々な部分はシステムコントローラ857によって制御される。システムコントローラは、ハードディスク、フロッピーディスク、またはフラッシュメモリサムドライバなどのコンピュータ読取り可能媒体に記憶されたコンピュータプログラムの形態のシステム制御ソフトウェアを実行する。他のタイプのメモリを使用することもできる。コンピュータプログラムは、タイミング、ガスの混合、チャンバ圧力、チャンバ温度、RF電力レベル、サセプタ位置、および特定のプロセスの他のパラメータを指示する命令セットを含む。基板上の膜をエッチングする、基板に膜を堆積させる、もしくはさもなければ基板上の膜を処理するプロセス、またはチャンバを洗浄するプロセスは、コントローラによって実行されるコンピュータプログラム製品を使用して実施することができる。コンピュータプログラムコードは、任意の従来のコンピュータ読取り可能プログラミング言語、例えば、68000アセンブリ言語、C、C、パスカル、フォートランなどで書くことができる。好適なプログラムコードは、従来のテキストエディタを使用して単一ファイルまたは複数ファイルに入力され、コンピュータのメモリシステムなどのコンピュータ使用可能媒体に記憶または組み込まれる。入力されたコードテキストが高級言語である場合、コードはコンパイルされ、次に、得られたコンパイラコードはプリコンパイルされたMicrosoftWindows登録商標ライブラリルーチンのオブジェクトコードとリンクされる。リンクされたコンパイル済みオブジェクトコードを実行するために、システムユーザはオブジェクトコードを呼び出し、それにより、コンピュータシステムはメモリにコードをロードする。次に、CPUはコードを読出し実行して、プログラムで識別されるタスクを行う。ユーザとコントローラとの間のインターフェースは接触式モニタを介することができ、マウスおよびキーボードを含むこともできる。1つの実施形態では、2つのモニタが使用され、一方はオペレータ用に洗浄室壁に取り付けられ、他方は保守技術者用に壁の後ろに取り付けられる。2つのモニタは同時に同じ情報を表示することができ、その場合、一度に1つだけが入力を受け入れるように構成される。特定の画面または機能を選択するために、オペレータはフィンガまたはマウスで表示画面の指定区域に触れる。触れられた区域は強調された色が変わるか、または新しいメニューもしくは画面が表示され、それによりオペレータの選択が確認される。本明細書で使用される基板は、その上に形成される層の有無にかかわらず支持基板とすることができる。支持基板は、絶縁体または様々なドーピング濃度およびプロファイルの半導体とすることができ、例えば、集積回路の製造で使用されるタイプの半導体基板とすることができる。励起状態のガスは、ガス分子のうちの少なくともいくつかが振動励起、解離、および/またはイオン化状態であるガスを表す。ガスは2つ以上のガスの組合せとすることができる。酸化ケイ素は大部分がSiO2であるが、窒素、水素、炭素などのようなある濃度の他の元素成分を含むことができる。間隙およびトレンチという用語は、エッチングされた形状寸法が大きい水平アスペクト比を有するという意味合いなしに全体を通して使用される。表面を上から見た場合、これらの構造は円形、楕円形、多角形、長方形、または様々な他の形状に見えることがある。本明細書で使用するとき、共形エッチングプロセスは表面と同じ形状で表面上の材料を概ね均一に除去することを指し、すなわち、エッチングされた層の表面と以前のエッチング表面とは概ね平行である。エッチングされたインターフェースは100共形とすることができない可能性があり、したがって、概ねという用語は許容し得る許容範囲を考慮に入れていることを当業者は認識されよう。いくつかの実施形態を開示したが、様々な変更、代替構造、および均等物が開示した実施形態の趣旨から逸脱することなく使用され得ることを当業者は認識されよう。さらに、いくつかの周知のプロセスおよび要素は本発明を不必要に不明瞭にしないようにするために説明されていない。したがって、上述の説明は本発明の範囲を限定するものと解釈されるべきでない。数値の範囲が提示される場合、各介在する数値は、その範囲の上限と下限との間で、文脈で特に明確に指示されない限り、下限の単位の1/10まで具体的に開示されていると理解される。表示範囲におけるあらゆる表示数値または介在する数値とその表示範囲におけるあらゆる他の表示数値または介在する数値との間の各々のより小さい範囲が包含される。これらのより小さい範囲の上限と下限は独立してその範囲に包含されても除外されてもよく、より小さい範囲にいずれかの限界が含まれる、いずれの限界も含まれない、または両方の限界が含まれる各範囲も、表示範囲における特別に除外されるあらゆる限界を条件として本発明の範囲内に包含される。表示範囲が一方または両方の限界を含む場合、これらの包含される限界のいずれかまたは両方を除外する範囲も包含される。本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される単数形a、anおよびtheは、文脈で特に指示されない限り、複数の指示対象を含む。したがって、例えば、プロセスaprocessへの言及は複数のそのようなプロセスを含み、誘電材料thedielectricmaterialへの言及は1つまたは複数の誘電体材料、および当業者に既知のその均等物への言及を含む、などである。さらに、本明細書および以下の特許請求の範囲で使用されるとき、備えるcomprise、備えているcomprising、含むinclude、含んでいるincluding、および含むincludesという語は、述べられた特徴、整数、構成要素、またはステップの存在を明示するものであるが、それらは、1つまたは複数の他の特徴、整数、構成要素、ステップ、動作、またはグループの存在や追加を排除しない。"