基板を収容した処理容器内に処理ガスを供給して前記基板上にシリコン酸化膜とは異なる薄膜を形成する工程と、前記薄膜を形成する工程を所定回数実施した後、前記処理容器内にフッ素含有ガスを供給して前記処理容器内に付着した前記薄膜を含む堆積物を除去する工程と、前記堆積物除去後の加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内にシリコン含有ガスと、酸素含有ガスおよび水素含有ガスと、を交互に供給することで、前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程では、前記処理容器内に前記シリコン酸化膜を形成しつつ、前記処理容器内に残留するフッ素を、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内における前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとの反応により生成された反応種と、反応させて排出する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程では、前記処理容器内に前記シリコン酸化膜を形成しつつ、前記処理容器内に残留するフッ素を、前記酸素含有ガスおよび前記反応種と、反応させて排出する請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程では、前記処理容器内に前記シリコン酸化膜を形成しつつ、前記処理容器内に残留するフッ素を、前記酸素含有ガス、前記水素含有ガスおよび前記反応種と、反応させて排出する請求項3に記載の半導体装置の製造方法。前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程では、200Å以上、1000Å以下の膜厚を有する前記シリコン酸化膜を形成する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程の後に、前記処理容器内に前記処理ガスを供給して前記処理容器内の前記シリコン酸化膜上に前記薄膜を形成する工程と、基板を収容した前記薄膜形成後の前記処理容器内に前記処理ガスを供給して前記基板上に前記薄膜を形成する工程と、を有する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程の後に、前記処理容器内に前記処理ガスと酸素含有ガスとを供給して前記処理容器内の前記シリコン酸化膜上に前記薄膜を構成する元素と酸素とを含むバッファ層を形成する工程と、前記処理容器内に前記処理ガスを供給して前記バッファ層上に前記薄膜を形成する工程と、基板を収容した前記薄膜形成後の前記処理容器内に前記処理ガスを供給して前記基板上に前記薄膜を形成する工程と、を有する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記処理容器は石英で構成されており、前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程では、前記堆積物除去時に前記石英に生じたクラックを修復する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。加熱された大気圧未満の圧力下にある処理容器内にシリコン含有ガスと、酸素含有ガスおよび水素含有ガスと、を交互に供給することで、前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程と、基板を収容した前記シリコン酸化膜形成後の前記処理容器内に処理ガスを供給して前記基板上に前記シリコン酸化膜とは異なる薄膜を形成する工程と、前記薄膜を形成する工程を所定回数実施した後、前記処理容器内にフッ素含有ガスを供給して前記処理容器内に付着した前記薄膜を含む堆積物を除去する工程と、前記堆積物除去後の加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に前記シリコン含有ガスと、前記酸素含有ガスおよび前記水素含有ガスと、を交互に供給することで、前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。前記堆積物除去後の前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程では、前記堆積物除去時に前記堆積物と一緒に一部が除去された前記シリコン酸化膜を修復する請求項9に記載の半導体装置の製造方法。基板を収容する処理容器と、前記処理容器内を加熱するヒータと、前記処理容器内の圧力を調整する圧力調整部と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記処理容器内にフッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給系と、前記処理容器内にシリコン含有ガスを供給するシリコン含有ガス供給系と、前記処理容器内に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系と、前記処理容器内に水素含有ガスを供給する水素含有ガス供給系と、基板を収容した前記処理容器内に前記処理ガスを供給して前記基板上にシリコン酸化膜とは異なる薄膜を形成する工程と、前記薄膜を形成する工程を所定回数実施した後、前記処理容器内に前記フッ素含有ガスを供給して前記処理容器内に付着した前記薄膜を含む堆積物を除去する工程と、前記堆積物除去後の加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に前記シリコン含有ガスと、前記酸素含有ガスおよび前記水素含有ガスと、を交互に供給することで、前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程と、を行うように、前記ヒータ、前記圧力調整部、前記処理ガス供給系、前記フッ素含有ガス供給系、前記シリコン含有ガス供給系、前記酸素含有ガス供給系および前記水素含有ガス供給系を制御する制御部と、を有する基板処理装置。上述のドライクリーニング法では、熱で活性化したフッ化窒素NF3ガス、フッ素F2ガス、フッ化塩素ClF3ガス等のフッ素F元素を含むクリーニングガスを処理室内に供給することでSiN膜等を除去する。処理室内の温度が高いほどSiN膜の除去速度は大きくなるが、処理室内の各部材を構成する石英SiO2が受けるダメージが増大し、石英部材から異物が発生してしまうことがある。また、処理室内の温度を下げることで石英部材が受けるダメージを低減できるが、SiN膜の除去速度が低下してしまうことがある。このように、石英部材が受けるダメージの低減とSiN膜の除去速度の増大とを両立させることは困難であった。本発明は、フッ素元素を含むクリーニングガスを用いて処理室内をクリーニングする際に、石英部材が受けるダメージの低減とSiN膜の除去速度の増大とを両立することが可能な半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することを目的とする。本発明の一態様によれば、基板を収容した処理容器内に処理ガスを供給して前記基板上にシリコン酸化膜とは異なる薄膜を形成する工程と、前記薄膜を形成する工程を所定回数実施した後、前記処理容器内にフッ素含有ガスを供給して前記処理容器内に付着した前記薄膜を含む堆積物を除去する工程と、前記堆積物除去後の加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内にシリコン含有ガスと、酸素含有ガスおよび水素含有ガスと、を交互に供給することで、前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。本発明の他の態様によれば、加熱された大気圧未満の圧力下にある処理容器内にシリコン含有ガスと、酸素含有ガスおよび水素含有ガスと、を交互に供給することで、前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程と、基板を収容した前記シリコン酸化膜形成後の前記処理容器内に処理ガスを供給して前記基板上に前記シリコン酸化膜とは異なる薄膜を形成する工程と、前記薄膜を形成する工程を所定回数実施した後、前記処理容器内にフッ素含有ガスを供給して前記処理容器内に付着した前記薄膜を含む堆積物を除去する工程と、前記堆積物除去後の加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に前記シリコン含有ガスと、前記酸素含有ガスおよび前記水素含有ガスと、を交互に供給することで、前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。本発明のさらに他の態様によれば、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内を加熱するヒータと、前記処理容器内の圧力を調整する圧力調整部と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記処理容器内にフッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給系と、前記処理容器内にシリコン含有ガスを供給するシリコン含有ガス供給系と、前記処理容器内に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系と、前記処理容器内に水素含有ガスを供給する水素含有ガス供給系と、基板を収容した前記処理容器内に前記処理ガスを供給して前記基板上にシリコン酸化膜とは異なる薄膜を形成する工程と、前記薄膜を形成する工程を所定回数実施した後、前記処理容器内に前記フッ素含有ガスを供給して前記処理容器内に付着した前記薄膜を含む堆積物を除去する工程と、前記堆積物除去後の加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に前記シリコン含有ガスと、前記酸素含有ガスおよび前記水素含有ガスと、を交互に供給することで、前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程と、を行うように、前記ヒータ、前記圧力調整部、前記処理ガス供給系、前記フッ素含有ガス供給系、前記シリコン含有ガス供給系、前記酸素含有ガス供給系および前記水素含有ガス供給系を制御する制御部と、を有する基板処理装置が提供される。本発明に係る半導体装置の製造方法及び基板処理装置によれば、フッ素元素を含むクリーニングガスを用いて処理室内をクリーニングする際に、石英部材が受けるダメージの低減とSiN膜の除去速度の増大とを両立することが可能となる。以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。1基板処理装置の構成図1は、本実施の形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉202部分を縦断面で示しており、図2は本実施の形態で好適に用いられる縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉202部分を図1のA-A線断面図で示している。図1に示されているように、処理炉202は加熱手段加熱機構としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース図示せずに支持されることにより垂直に据え付けられている。なお、ヒータ207は、後述するようにガスを熱で活性化させる活性化機構としても機能する。ヒータ207の内側には、ヒータ207と同心円状に反応容器処理容器を構成する反応管203が配設されている。反応管203は、例えば石英SiO2または炭化シリコンSiC等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管203の筒中空部には処理室201が形成されており、基板としてのウエハ200を後述するボート217によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。処理室201内には、第1ノズル249a、第2ノズル249b、第3ノズル249c、第4ノズル249dが反応管203の下部を貫通するように設けられている。第1ノズル249a、第2ノズル249b、第3ノズル249c、第4ノズル249dには、第1ガス供給管232a、第2ガス供給管232b、第3ガス供給管232c、第4ガス供給管232dが、それぞれ接続されている。このように、反応管203には4本のノズル249a、249b、249c、249dと、4本のガス供給管232a、232b、232c、232dが設けられており、処理室201内へ複数種類のガスを供給することができるように構成されている。第1ガス供給管232aには、上流方向から順に、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラMFC241a、及び開閉弁であるバルブ243aが設けられている。また、第1ガス供給管232aのバルブ243aよりも下流側には、第5ガス供給管232iが接続されている。この第5ガス供給管232iには、上流方向から順に、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラ241i、及び開閉弁であるバルブ243iが設けられている。また、第1ガス供給管232aにおける第5ガス供給管232iとの接続箇所よりも下流側には、第1不活性ガス供給管232eが接続されている。この第1不活性ガス供給管232eには、上流方向から順に、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラ241e、及び開閉弁であるバルブ243eが設けられている。また、第1ガス供給管232aの先端部には、上述の第1ノズル249aが接続されている。第1ノズル249aは、反応管203の内壁とウエハ200との間における円弧状の空間に、反応管203の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ200の積載方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。第1ノズル249aはL字型のロングノズルとして構成されている。第1ノズル249aの側面にはガスを供給するガス供給孔250aが設けられている。ガス供給孔250aは反応管203の中心を向くように開口している。このガス供給孔250aは、反応管203の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。主に、第1ガス供給管232a、マスフローコントローラ241a、バルブ243a、第1ノズル249aにより第1ガス供給系が構成される。また、主に、第5ガス供給管232i、マスフローコントローラ241i、バルブ243iにより、第5ガス供給系が構成される。また、主に、第1不活性ガス供給管232e、マスフローコントローラ241e、バルブ243eにより、第1不活性ガス供給系が構成される。第2ガス供給管232bには、上流方向から順に、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラMFC241b、及び開閉弁であるバルブ243bが設けられている。また、第2ガス供給管232bのバルブ243bよりも下流側には、第2不活性ガス供給管232fが接続されている。この第2不活性ガス供給管232fには、上流方向から順に、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラ241f、及び開閉弁であるバルブ243fが設けられている。また、第2ガス供給管232bの先端部には、上述の第2ノズル249bが接続されている。第2ノズル249bは、反応管203の内壁とウエハ200との間における円弧状の空間に、反応管203の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ200の積載方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。第2ノズル249bはL字型のロングノズルとして構成されている。第2ノズル249bの側面にはガスを供給するガス供給孔250bが設けられている。ガス供給孔250bは反応管203の中心を向くように開口している。このガス供給孔250bは、反応管203の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。主に、第2ガス供給管232b、マスフローコントローラ241b、バルブ243b、第2ノズル249bにより第2ガス供給系が構成される。また、主に、第2不活性ガス供給管232f、マスフローコントローラ241f、バルブ243fにより第2不活性ガス供給系が構成される。第3ガス供給管232cには、上流方向から順に、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラMFC241c、及び開閉弁であるバルブ243cが設けられている。また、第3ガス供給管232cのバルブ243cよりも下流側には、第3不活性ガス供給管232gが接続されている。この第3不活性ガス供給管232gには、上流方向から順に、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラ241g、及び開閉弁であるバルブ243gが設けられている。また、第3ガス供給管232cの先端部には、上述の第3ノズル249cが接続されている。第3ノズル249cは、反応管203の内壁とウエハ200との間における円弧状の空間に、反応管203の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ200の積載方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。第3ノズル249cはL字型のロングノズルとして構成されている。第3ノズル249cの側面にはガスを供給するガス供給孔250cが設けられている。ガス供給孔250cは反応管203の中心を向くように開口している。このガス供給孔250cは、反応管203の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。主に、第3ガス供給管232c、マスフローコントローラ241c、バルブ243c、第3ノズル249cにより第3ガス供給系が構成される。また、主に、第3不活性ガス供給管232g、マスフローコントローラ241g、バルブ243gにより第3不活性ガス供給系が構成される。第4ガス供給管232dには、上流方向から順に、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラMFC241d、及び開閉弁であるバルブ243dが設けられている。また、第4ガス供給管232dのバルブ243dよりも下流側には、第6ガス供給管232jが接続されている。この第6ガス供給管232jには、上流方向から順に、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラ241j、及び開閉弁であるバルブ243jが設けられている。また、第4ガス供給管232dにおける第6ガス供給管232jとの接続箇所よりも下流側には、第4不活性ガス供給管232hが接続されている。この第4不活性ガス供給管232hには、上流方向から順に、流量制御器流量制御部であるマスフローコントローラ241h、及び開閉弁であるバルブ243hが設けられている。また、第4ガス供給管232dの先端部には上述の第4ノズル249dが接続されている。第4ノズル249dは、ガス分散空間であるバッファ室237内に設けられている。バッファ室237は反応管203の内壁とウエハ200との間における円弧状の空間に、反応管203内壁の下部より上部にわたる部分に、ウエハ200の積載方向に沿って設けられている。バッファ室237のウエハ200と隣接する壁の端部にはガスを供給するガス供給孔250eが設けられている。ガス供給孔250eは反応管203の中心を向くように開口している。このガス供給孔250eは、反応管203の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。第4ノズル249dは、バッファ室237のガス供給孔250eが設けられた端部と反対側の端部に、反応管203の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ200の積載方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。第4ノズル249dはL字型のロングノズルとして構成されている。第4ノズル249dの側面にはガスを供給するガス供給孔250dが設けられている。ガス供給孔250dはバッファ室237の中心を向くように開口している。このガス供給孔250dは、バッファ室237のガス供給孔250eと同様に、反応管203の下部から上部にわたって複数設けられている。この複数のガス供給孔250dのそれぞれの開口面積は、バッファ室237内と処理室201内の差圧が小さい場合には、上流側下部から下流側上部まで、それぞれ同一の開口面積で同一の開口ピッチとするとよいが、差圧が大きい場合には上流側から下流側に向かって、それぞれ開口面積を大きくするか、開口ピッチを小さくするとよい。本実施形態においては、第4ノズル249dのガス供給孔250dのそれぞれの開口面積や開口ピッチを、上流側から下流側にかけて上述のように調節することで、まず、ガス供給孔250dのそれぞれから、流速の差はあるものの、流量がほぼ同量であるガスを噴出させる。そしてこのガス供給孔250dのそれぞれから噴出するガスを、一旦、バッファ室237内に導入し、バッファ室237内においてガスの流速差の均一化を行うこととした。すなわち、第4ノズル249dのガス供給孔250dのそれぞれよりバッファ室237内に噴出したガスはバッファ室237内で各ガスの粒子速度が緩和された後、バッファ室237のガス供給孔250eより処理室201内に噴出する。これにより、第4ノズル249dのガス供給孔250dのそれぞれよりバッファ室237内に噴出したガスは、バッファ室237のガス供給孔250eのそれぞれより処理室201内に噴出する際には、均一な流量と流速とを有するガスとなる。主に、第4ガス供給管232d、マスフローコントローラ241d、バルブ243d、第4ノズル249d、バッファ室237により第4ガス供給系が構成される。また、主に、第6ガス供給管232j、マスフローコントローラ241j、バルブ243j、第4ノズル249d、バッファ室237により、第6ガス供給系が構成される。また、主に、第4不活性ガス供給管232h、マスフローコントローラ241h、バルブ243hにより第4不活性ガス供給系が構成される。第1ガス供給管232aからは、例えば、シリコン原料ガス、すなわちシリコンSiを含むガスシリコン含有ガスが、マスフローコントローラ241a、バルブ243a、第1ノズル249aを介して処理室201内に供給される。シリコン含有ガスとしては、例えばヘキサクロロジシランSi2Cl6、略称:HCDガスを用いることができる。なお、HCDのように常温常圧下で液体状態である液体原料を用いる場合は、液体原料を気化器やバブラ等の気化システムにより気化して、原料ガスとして供給することとなる。第2ガス供給管232bからは、例えばカーボンCすなわち炭素を含むガス炭素含有ガスが、マスフローコントローラ241b、バルブ243b、第2ノズル249bを介して処理室201内に供給される。炭素含有ガスとしては、例えばプロピレンC3H6ガスを用いることができる。第3ガス供給管232cからは、例えば窒素Nを含むガス窒素含有ガスが、マスフローコントローラ241c、バルブ243c、第3ノズル249cを介して処理室201内に供給される。窒素含有ガスとしては、例えばアンモニアNH3ガスを用いることができる。第4ガス供給管232dからは、例えば酸素Oを含むガス酸素含有ガスが、マスフローコントローラ241d、バルブ243d、第4ノズル249d、バッファ室237を介して処理室201内に供給される。酸素含有ガスとしては、例えば酸素O2ガスや亜酸化窒素N2Oガスを用いることができる。第5ガス供給管232iからは、クリーニングガスとしての例えばフッ素Fを含むガスフッ素含有ガスが、マスフローコントローラ241i、バルブ243i、第1ノズル249aを介して処理室201内に供給される。クリーニングガスとしては、例えばフッ化窒素NF3ガス、フッ素F2ガス、フッ化塩素ClF3ガス、フッ化水素HFガス等を用いることができる。第6ガス供給管232jからは、例えば水素Hを含むガス水素含有ガスが、マスフローコントローラ241j、バルブ243j、第4ノズル249d、バッファ室237を介して処理室201内に供給される。水素含有ガスとしては、例えば水素H2ガスを用いることができる。不活性ガス供給管232e、232f、232g、232hからは、例えば窒素N2ガスが、それぞれマスフローコントローラ241e、241f、241g、241h、バルブ243e、243f、243g、243h、ガス供給管232a、232b、232c、232d、ガスノズル249a、249b、249c、249dおよびバッファ室237を介して処理室201内に供給される。なお、例えば各ガス供給管から上述のようなガスをそれぞれ流す場合、第1ガス供給系により原料ガス供給系、すなわちシリコン含有ガス供給系シラン系ガス供給系が構成される。また、第2ガス供給系により炭素含有ガス供給系が構成される。また、第3ガス供給系により窒素含有ガス供給系が構成される。また、第4ガス供給系により酸素含有ガス供給系が構成される。また、第5ガス供給系によりクリーニングガス供給系が構成される。また、第6ガス供給系により水素含有ガス供給系が構成される。なお、原料ガス供給系を、単に、原料供給系とも称する。また、炭素含有ガス、窒素含有ガス、酸素含有ガス、および、水素含有ガスを総称して反応ガスと称する場合、炭素含有ガス供給系、水素含有ガス供給系、窒素含有ガス供給系、および、酸素含有ガス供給系により反応ガス供給系が構成される。バッファ室237内には、図2に示すように、細長い構造を有する第1の電極である第1の棒状電極269及び第2の電極である第2の棒状電極270が、反応管203の下部より上部にわたりウエハ200の積層方向に沿って配設されている。第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270のそれぞれは、第4ノズル249dと平行に設けられている。第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270のそれぞれは、上部より下部にわたって各電極を保護する保護管である電極保護管275により覆われることで保護されている。この第1の棒状電極269又は第2の棒状電極270のいずれか一方は整合器272を介して高周波電源273に接続され、他方は基準電位であるアースに接続されている。この結果、第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270間のプラズマ生成領域224にプラズマが生成される。主に、第1の棒状電極269、第2の棒状電極270、電極保護管275、整合器272、高周波電源273によりプラズマ発生器プラズマ発生部としてのプラズマ源が構成される。なお、プラズマ源は、後述するようにガスをプラズマで活性化させる活性化機構として機能する。電極保護管275は、第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270のそれぞれをバッファ室237の雰囲気と隔離した状態でバッファ室237内に挿入できる構造となっている。ここで、電極保護管275の内部は外気大気と同一雰囲気であると、電極保護管275にそれぞれ挿入された第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270はヒータ207による熱で酸化されてしまう。そこで、電極保護管275の内部には窒素などの不活性ガスを充填あるいはパージし、酸素濃度を充分低く抑えて第1の棒状電極269又は第2の棒状電極270の酸化を防止するための不活性ガスパージ機構が設けられている。反応管203には、処理室201内の雰囲気を排気する排気管231が設けられている。排気管231には処理室201内の圧力を検出する圧力検出器圧力検出部としての圧力センサ245および圧力調整器圧力調整部としてのAPCAutoPressureControllerバルブ244を介して真空排気装置としての真空ポンプ246が接続されており、処理室201内の圧力が所定の圧力真空度となるよう真空排気し得るように構成されている。なお、APCバルブ244は弁を開閉して処理室201内の真空排気真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能となっている開閉弁である。主に、排気管231、APCバルブ244、真空ポンプ246、圧力センサ245により排気系が構成される。反応管203の下方には、反応管203の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219は反応管203の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ219は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ219の上面には反応管203の下端と当接するシール部材としてのOリング220が設けられている。シールキャップ219の処理室201と反対側には、ボートを回転させる回転機構267が設置されている。回転機構267の回転軸255はシールキャップ219を貫通して、後述するボート217に接続されており、ボート217を回転させることでウエハ200を回転させるように構成されている。シールキャップ219は反応管203の外部に垂直に設置された昇降機構としてのボートエレベータ115によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート217を処理室201内に対し搬入搬出することが可能となっている。基板支持具としてのボート217は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ200を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に支持するように構成されている。なおボート217の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる断熱部材218が設けられており、ヒータ207からの熱がシールキャップ219側に伝わりにくくなるよう構成されている。なお、断熱部材218は、石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる複数枚の断熱板と、これらを水平姿勢で多段に支持する断熱板ホルダとにより構成してもよい。反応管203内には温度検出器としての温度センサ263が設置されており、温度センサ263により検出された温度情報に基づきヒータ207への通電具合を調整することで、処理室201内の温度が所望の温度分布となるように構成されている。温度センサ263は、ノズル249a、249b、249c、249dと同様にL字型に構成されており、反応管203の内壁に沿って設けられている。制御部制御手段であるコントローラ121は、マスフローコントローラ241a、241b、241c、241d、241e、241f、241g、241h、241i、241j、バルブ243a、243b、243c、243d、243e、243f、243g、243h、243i、243j、圧力センサ245、APCバルブ244、真空ポンプ246、ヒータ207、温度センサ263、回転機構267、ボートエレベータ115、高周波電源273、整合器272等に接続されている。コントローラ121により、マスフローコントローラ241a、241b、241c、241d、241e、241f、241g、241h、241i、241jによる各種ガスの流量調整動作、バルブ243a、243b、243c、243d、243e、243f、243g、243h、243i、243jの開閉動作、APCバルブ244の開閉及び圧力センサ245に基づく圧力調整動作、温度センサ263に基づくヒータ207の温度調整動作、真空ポンプ246の起動停止、回転機構267の回転速度調節動作、ボートエレベータ115の昇降動作等の制御や、高周波電源273の電力供給制御、整合器272によるインピーダンス制御が行われる。2成膜工程次に、上述の基板処理装置の処理炉を用いて半導体装置デバイスの製造工程の一工程として、基板上に絶縁膜としてのシリコン酸炭窒化膜SiOCN膜を成膜する例について説明する。尚、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。図3は、本実施形態の成膜工程に係るガス供給のタイミング図である。本実施形態では、ウエハ200を収容した処理容器内にCVD反応が生じる条件下でシリコン含有ガスを供給することで、ウエハ200上にシリコン含有層を形成する工程と、処理容器内に炭素含有ガスを供給することで、シリコン含有層の上に炭素含有層を形成して、シリコンおよび炭素を含む層を形成する工程と、処理容器内に窒素含有ガスを供給することで、シリコンおよび炭素を含む層を窒化してシリコン炭窒化層を形成する工程と、処理容器内に酸素含有ガスを供給することで、シリコン炭窒化層を酸化してシリコン酸炭窒化層を形成する工程と、を1サイクルとして、このサイクルを所定回数1回以上行うことで、ウエハ200上に所定膜厚のシリコン酸炭窒化膜を形成する。以下、本実施形態に係る基板処理工程を具体的に説明する。なお、ここでは、第1元素をシリコンSi、第2元素を炭素C、第3元素を窒素N、第4元素を酸素Oとし、第1元素含有ガスとしてシリコン含有ガスであるHCDガスを、第2元素含有ガスとして炭素含有ガスであるC3H6ガスを、第3元素含有ガスとして窒素含有ガスであるNH3ガスを、第4元素含有ガスとして酸素含有ガスであるO2ガスを用い、図3のシーケンスにより、ウエハ200上に絶縁膜としてシリコン酸炭窒化膜SiOCN膜を形成する例について説明する。なお、この例では、第1ガス供給系によりシリコン含有ガス供給系第1元素含有ガス供給系が構成され、第2ガス供給系により炭素含有ガス供給系第2元素含有ガス供給系が構成され、第3ガス供給系により窒素含有ガス供給系第3元素含有ガス供給系が構成され、第4ガス供給系により酸素含有ガス供給系第4元素含有ガス供給系が構成される。複数枚のウエハ200がボート217に装填ウエハチャージされると、図1に示されているように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入ボートロードされる。この状態で、シールキャップ219はOリング220を介して反応管203の下端をシールした状態となる。処理室201内が所望の圧力真空度となるように真空ポンプ246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される圧力調整。また、処理室201内が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される温度調整。続いて、回転機構267により、ボート217が回転されることで、ウエハ200が回転されるウエハ回転。その後、後述する4つのステップを順次実行する。[ステップ1]第1ガス供給管232aのバルブ243aを開き、第1ガス供給管232a内にHCDガスを流す。第1ガス供給管232a内を流れたHCDガスは、マスフローコントローラ241aにより流量調整される。流量調整されたHCDガスは第1ノズル249aのガス供給孔250aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、同時にバルブ243eを開き、第1不活性ガス供給管232e内にN2ガス等の不活性ガスを流す。第1不活性ガス供給管232e内を流れたN2ガスは、マスフローコントローラ241eにより流量調整される。流量調整されたN2ガスはHCDガスと一緒に処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、APCバルブ244を適正に調整して、処理室201内の圧力を、例えば10~1000Paの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ241aで制御するHCDガスの供給流量は、例えば10~1000sccmの範囲内の流量とする。マスフローコントローラ241eで制御するN2ガスの供給流量は、例えば200~2000sccmの範囲内の流量とする。HCDガスをウエハ200に晒す時間、すなわちガス供給時間照射時間は、例えば1~120秒間の範囲内の時間とする。このときヒータ207の温度は、処理室201内でCVD反応が生じる程度の温度、すなわちウエハ200の温度が、例えば300~650°Cの範囲内の温度となるような温度に設定する。なお、ウエハ200の温度が300°C未満となるとウエハ200上にHCDが吸着しにくくなる。また、ウエハ200の温度が650°Cを超えるとCVD反応が強くなり、均一性が悪化しやすくなる。よって、ウエハ200の温度は300~650°Cの範囲内の温度とするのが好ましい。HCDガスの供給により、ウエハ200表面の下地膜上に、第1元素としてのシリコンを含む第1の層が形成される。すなわち、ウエハ200上下地膜上に1原子層未満から数原子層のシリコン含有層としてのシリコン層Si層が形成される。シリコン含有層はHCDの化学吸着層であってもよい。なお、シリコンは、それ単独で固体となる元素である。ここでシリコン層とはシリコンにより構成される連続的な層の他、不連続な層やこれらが重なってできる薄膜をも含む。なお、シリコンにより構成される連続的な層を薄膜という場合もある。また、HCDの化学吸着層とはHCD分子の連続的な化学吸着層の他、不連続な化学吸着層をも含む。なお、1原子層未満の層とは不連続に形成される原子層のことを意味している。ウエハ200上に形成されるシリコン含有層の厚さが数原子層を超えると、後述するステップ3での窒化の作用がシリコン含有層の全体に届かなくなる。また、ウエハ200上に形成可能なシリコン含有層の最小値は1原子層未満である。よって、シリコン含有層の厚さは1原子層未満から数原子層とするのが好ましい。なお、HCDガスが自己分解する条件下では、ウエハ200上にシリコンが堆積することでシリコン層が形成され、HCDガスが自己分解しない条件下では、ウエハ200上にHCDが化学吸着することでHCDの化学吸着層が形成される。なお、ウエハ200上にHCDの化学吸着層を形成するよりも、ウエハ200上にシリコン層を形成する方が、成膜レートを高くすることができ好ましい。シリコン含有層が形成された後、バルブ243aを閉じ、HCDガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ244は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはシリコン含有層形成に寄与した後のHCDガスを処理室201内から排除する。なお、この時バルブ243eは開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。これにより、処理室201内に残留する未反応もしくはシリコン含有層形成に寄与した後のHCDガスを処理室201内から排除する効果を高める。シリコン含有ガスとしては、HCDガスの他、テトラクロロシランSiCl4、略称:STCガス、トリクロロシランSiHCl3、略称:TCSガス、ジクロロシランSiH2Cl2、略称:DCSガス、モノクロロシランSiH3Cl、略称:MCSガス、モノシランSiH4ガス等の無機原料だけでなく、アミノシラン系のテトラキスジメチルアミノシランSi[NCH32]4、略称:4DMASガス、トリスジメチルアミノシランSi[NCH32]3H、略称:3DMASガス、ビスジエチルアミノシランSi[NC2H52]2H2、略称:2DEASガス、ビスターシャリーブチルアミノシランSiH2[NHC4H9]2、略称:BTBASガスなどの有機原料を用いてもよい。不活性ガスとしては、N2ガスの他、Arガス、Heガス、Neガス、Xeガス等の希ガスを用いてもよい。[ステップ2]ステップ1が終了し処理室201内の残留ガスを除去した後、第2ガス供給管232bのバルブ243bを開き、第2ガス供給管232b内にC3H6ガスを流す。第2ガス供給管232b内を流れたC3H6ガスは、マスフローコントローラ241bにより流量調整される。流量調整されたC3H6ガスは第2ノズル249bのガス供給孔250bから処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。なお、処理室201内に供給されたC3H6ガスは熱により活性化される。この時同時にバルブ243fを開き、不活性ガス供給管232f内にN2ガスを流す。N2ガスはC3H6ガスと一緒に処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。このときAPCバルブ244を適正に調整して、処理室201内の圧力を、例えば50~3000Paの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ241bで制御するC3H6ガスの供給流量は、例えば100~10000sccmの範囲内の流量とする。マスフローコントローラ241fで制御するN2ガスの供給流量は例えば200~2000sccmの範囲内の流量とする。このとき、処理室201内におけるC3H6ガスの分圧は、6~2940Paの範囲内の圧力とする。C3H6ガスをウエハ200に晒す時間、すなわちガス供給時間照射時間は、例えば1~120秒間の範囲内の時間とする。このときのヒータ207の温度は、ステップ1と同様、ウエハ200の温度が300~650°Cの範囲内の温度となるような温度に設定する。なお、C3H6ガスは熱で活性化させて供給した方が、ソフトな反応を生じさせることができ、後述する炭素含有層の形成が容易となる。このとき、処理室201内に流しているガスは熱的に活性化されたC3H6ガスであり、処理室201内にはHCDガスは流していない。したがって、C3H6ガスは気相反応を起こすことはなく、活性化された状態でウエハ200に対して供給され、このとき、ステップ1でウエハ200上に形成されたシリコン含有層の上に1原子層未満の炭素含有層、すなわち不連続な炭素含有層が形成される。これによりシリコン第1元素および炭素第2元素を含む第2の層が形成される。なお、条件によってはシリコン含有層の一部とC3H6ガスとが反応して、シリコン含有層が改質炭化されてシリコンおよび炭素を含む第2の層が形成される場合もある。シリコン含有層の上に形成する炭素含有層は、炭素層C層であってもよいし、C3H6の化学吸着層、すなわちCxHyC3H6が分解した物質の化学吸着層であってもよい。ここで、炭素層は炭素により構成される不連続な層とする必要がある。また、CxHyの化学吸着層はCxHy分子の不連続な化学吸着層とする必要がある。なお、シリコン含有層の上に形成する炭素含有層を連続的な層とした場合、例えばCxHyのシリコン含有層上への吸着状態を飽和状態として、シリコン含有層上にCxHyの連続的な化学吸着層を形成した場合、シリコン含有層の表面が全体的にCxHyの化学吸着層により覆われることとなる。この場合、第2の層の表面にシリコンが存在しなくなり、後述するステップ3での第2の層の窒化反応が困難となる。窒素はシリコンとは結合するが、炭素とは結合しないからである。後述するステップ3で所望の窒化反応を生じさせるためには、CxHyのシリコン含有層上への吸着状態を不飽和状態として、第2の層の表面にシリコンが露出した状態とする必要がある。なお、CxHyのシリコン含有層上への吸着状態を不飽和状態とするには、ステップ2における処理条件を上述の処理条件とすればよいが、さらにステップ2における処理条件を次の処理条件とすることで、CxHyのシリコン含有層上への吸着状態を不飽和状態とすることが容易となる。ウエハ温度:500~630°C処理室内圧力:133~2666PaC3H6ガス分圧:67~2820PaC3H6ガス供給流量:1000~5000sccmN2ガス供給流量:300~1000sccmC3H6ガス供給時間:6~100秒その後、第2ガス供給管232bのバルブ243bを閉じて、C3H6ガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ244は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくは炭素含有層形成に寄与した後のC3H6ガスを処理室201内から排除する。なお、この時バルブ243fは開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。これにより、処理室201内に残留する未反応もしくは炭素含有層形成に寄与した後のC3H6ガスを処理室201内から排除する効果を高める。炭素含有ガスとしては、C3H6ガス以外に、アセチレンC2H2ガスやエチレンC2H4ガス等を用いてもよい。[ステップ3]処理室201内の残留ガスを除去した後、第3ガス供給管232cのバルブ243cを開き、第3ガス供給管232c内にNH3ガスを流す。第3ガス供給管232c内を流れたNH3ガスは、マスフローコントローラ241cにより流量調整される。流量調整されたNH3ガスは第3ノズル249cのガス供給孔250cから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。なお、処理室201内に供給されたNH3ガスは熱により活性化される。この時同時にバルブ243gを開き不活性ガス供給管232g内にN2ガスを流す。N2ガスはNH3ガスと一緒に処理室201内に供給され、排気管231から排気される。NH3ガスを熱で活性化して流すときは、APCバルブ244を適正に調整して、処理室201内の圧力を、例えば50~3000Paの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ241cで制御するNH3ガスの供給流量は、例えば100~10000sccmの範囲内の流量とする。マスフローコントローラ241gで制御するN2ガスの供給流量は、例えば200~2000sccmの範囲内の流量とする。このとき、処理室201内におけるNH3ガスの分圧は、6~2940Paの範囲内の圧力とする。NH3ガスにウエハ200を晒す時間、すなわちガス供給時間照射時間は、例えば1~120秒間の範囲内の時間とする。このときのヒータ207の温度は、ステップ1と同様、ウエハ200の温度が300~650°Cの範囲内の温度となるような温度に設定する。NH3ガスは反応温度が高く、上記のようなウエハ温度では反応しづらいので、処理室201内の圧力を上記のような比較的高い圧力とすることにより熱的に活性化することを可能としている。なお、NH3ガスは熱で活性化させて供給した方が、ソフトな反応を生じさせることができ、後述する窒化をソフトに行うことができる。このとき、処理室201内に流しているガスは熱的に活性化されたNH3ガスであり、処理室201内にはHCDガスもC3H6ガスも流していない。したがって、NH3ガスは気相反応を起こすことはなく、活性化されたNH3ガスは、ステップ2でウエハ200上に形成された第2の層としてのシリコンおよび炭素を含む層の一部と反応する。これにより第2の層はノンプラズマで熱的に窒化されて、シリコン第1元素、炭素第2元素および窒素第3元素を含む第3の層、すなわち、シリコン炭窒化層SiCN層へと変化させられる改質される。このとき、第2の層の窒化反応は飽和させないようにする。例えばステップ1で数原子層のシリコン層を形成し、ステップ2で1原子層未満の炭素含有層を形成した場合は、その表面層表面の1原子層の一部を窒化させる。すなわち、その表面層のうちの窒化が生じ得る領域シリコンが露出した領域の一部もしくは全部を窒化させる。この場合、第2の層の全体を窒化させないように、第2の層の窒化反応が不飽和となる条件下で窒化を行う。なお、条件によっては第2の層の表面層から下の数層を窒化させることもできるが、その表面層だけを窒化させる方が、シリコン酸炭窒化膜の組成比の制御性を向上させることができ好ましい。また、例えばステップ1で1原子層または1原子層未満のシリコン層を形成し、ステップ2で1原子層未満の炭素含有層を形成した場合も、同様にその表面層の一部を窒化させる。この場合も、第2の層の全体を窒化させないように、第2の層の窒化反応が不飽和となる条件下で窒化を行う。なお、第2の層の窒化反応を不飽和とするには、ステップ3における処理条件を上述の処理条件とすればよいが、さらにステップ3における処理条件を次の処理条件とすることで、第2の層の窒化反応を不飽和とすることが容易となる。ウエハ温度:500~630°C処理室内圧力:133~2666PaNH3ガス分圧:67~2820PaNH3ガス供給流量:1000~5000sccmN2ガス供給流量:300~1000sccmNH3ガス供給時間:6~100秒その後、第3ガス供給管232cのバルブ243cを閉じて、NH3ガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ244は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくは窒化に寄与した後のNH3ガスを処理室201内から排除する。なお、この時バルブ243gは開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。これにより、処理室201内に残留する未反応もしくは窒化に寄与した後のNH3ガスを処理室201内から排除する効果を高める。窒素含有ガスとしては、NH3ガス以外に、ジアジンN2H2ガス、ヒドラジンN2H4ガス、N3H8ガス等を用いてもよい。[ステップ4]処理室201内の残留ガスを除去した後、第4ガス供給管232dのバルブ243d、第4不活性ガス供給管232hのバルブ243hを開き、第4ガス供給管232d内にO2ガスを流し、第4不活性ガス供給管232h内にN2ガスを流す。第4不活性ガス供給管232h内を流れたN2ガスは、マスフローコントローラ241hにより流量調整される。第4ガス供給管232d内を流れたO2ガスは、マスフローコントローラ241dにより流量調整される。流量調整されたO2ガスは流量調整されたN2ガスと第4ガス供給管232d内で混合されて、第4ノズル249dのガス供給孔250dからバッファ室237内に供給される。このとき、第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270間には高周波電力を印加しない。これにより、バッファ室237内に供給されたO2ガスは熱で活性化されて、ガス供給孔250eから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。なお、このとき第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270間に高周波電力を印加して、バッファ室237内に供給されたO2ガスをプラズマで活性化させることもできる。O2ガスを熱で活性化して流すときは、APCバルブ244を適正に調整して、処理室201内の圧力を、例えば1~3000Paの範囲内の圧力とする。マスフローコントローラ241dで制御するO2ガスの供給流量は、例えば100~5000sccm0.1~5slmの範囲内の流量とする。マスフローコントローラ241hで制御するN2ガスの供給流量は、例えば200~2000sccmの範囲内の流量とする。このとき、処理室201内におけるO2ガスの分圧は、6~2940Paの範囲内の圧力とする。O2ガスにウエハ200を晒す時間、すなわちガス供給時間照射時間は、例えば1~120秒間の範囲内の時間とする。このときのヒータ207の温度は、ステップ1~3と同様、ウエハ200の温度が300~650°Cの範囲内の温度となるような温度に設定する。O2ガスは上記のような条件下で熱的に活性化される。なお、O2ガスは熱で活性化させて供給した方が、ソフトな反応を生じさせることができ、後述する酸化をソフトに行うことができる。このとき、処理室201内に流しているガスは熱的に活性化されたO2ガスであり、処理室201内にはHCDガスもC3H6ガスもNH3ガスも流していない。したがって、O2ガスは気相反応を起こすことはなく、活性化されたO2ガスは、ステップ3でウエハ200上に形成された第3の層としてのSiCN層の少なくとも一部と反応する。これによりSiCN層はノンプラズマで熱的に酸化されて、シリコン第1元素、炭素第2元素、窒素第3元素および酸素第4元素を含む第4の層、すなわち、シリコン酸炭窒化層SiOCN層へと変化させられる改質される。このとき、SiCN層の酸化反応は飽和させないようにする。例えばステップ1~3で数原子層のSiCN層を形成した場合は、その表面層表面の1原子層の少なくとも一部を酸化させる。この場合、SiCN層の全体を酸化させないように、SiCN層の酸化反応が不飽和となる条件下で酸化を行う。なお、条件によってはSiCN層の表面層から下の数層を酸化させることもできるが、その表面層だけを酸化させる方が、SiOCN膜の組成比の制御性を向上させることができ好ましい。また、例えばステップ1~3で1原子層または1原子層未満のSiCN層を形成した場合も、同様にその表面層の一部を酸化させる。この場合も、SiCN層の全体を酸化させないように、SiCN層の酸化反応が不飽和となる条件下で酸化を行う。なお、SiCN層第3の層の酸化反応を不飽和とするには、ステップ4における処理条件を上述の処理条件とすればよいが、さらにステップ4における処理条件を次の処理条件とすることで、SiCN層の酸化反応を不飽和とすることが容易となる。ウエハ温度:500~630°C処理室内圧力:133~2666PaO2ガス分圧:67~2820PaO2ガス供給流量:1000~5000sccmN2ガス供給流量:300~1000sccmO2ガス供給時間:6~100秒その後、第4ガス供給管232dのバルブ243dを閉じて、O2ガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ244は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくは酸化に寄与した後のO2ガスを処理室201内から排除する。この時バルブ243hは開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。これにより、処理室201内に残留する未反応もしくは酸化に寄与した後のO2ガスを処理室201内から排除する効果を高める。酸素含有ガスとしては、O2ガス以外に、水蒸気H2Oガス、一酸化窒素NOガス、亜酸化窒素N2Oガス、二酸化窒素NO2ガス、一酸化炭素COガス、二酸化炭素CO2ガス、オゾンO3ガス、H2ガスO2ガス、H2ガスO3ガス等を用いてもよい。上述したステップ1~4を1サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことにより、ウエハ200上に所定膜厚のシリコン第1元素、炭素第2元素、窒素第3元素および酸素第4元素を含む薄膜、すなわち、シリコン酸炭窒化膜SiOCN膜を成膜することができる。なお、上述のサイクルは、複数回実施するのが好ましい。所定膜厚のシリコン酸炭窒化膜を形成する成膜処理がなされると、N2等の不活性ガスが処理室201内へ供給され、排気されることで処理室201内が不活性ガスでパージされるガスパージ。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され不活性ガス置換、処理室201内の圧力が常圧に復帰される大気圧復帰。その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、反応管203の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ200がボート217に支持された状態で反応管203の下端から反応管203の外部に搬出ボートアンロードされる。その後、処理済のウエハ200はボート217より取り出されるウエハディスチャージ。なお、上述の基板処理工程において、ステップ1~3を1サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことにより、ウエハ200上に所定膜厚のシリコン第1元素、炭素第2元素および窒素第3元素を含む薄膜、すなわちシリコン炭窒化膜SiCN膜を成膜することもできる。係る場合においても、上述のサイクルは複数回実施するのが好ましい。また、ステップ1及びステップ3を1サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことにより、ウエハ200上に所定膜厚のシリコン第1元素および窒素第3元素を含む薄膜、すなわち、シリコン窒化膜SiN膜を成膜することもできる。係る場合においても、上述のサイクルは、複数回実施するのが好ましい。3クリーニング工程次に、処理室201内をクリーニングする方法について説明する。尚、以下の説明においても、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。上記の成膜工程を繰り返すと、反応管203の内壁等の処理室201内にもSiOCNやSiCNやSiN等の薄膜が累積する。すなわち、この薄膜を含む堆積物がこの内壁等に付着する。この内壁等に付着した堆積物累積した薄膜の厚さが、堆積物に剥離落下が生じる前の所定の厚さに達した時点で、処理室201内のクリーニングが行われる。クリーニングは、所定の温度に加熱された処理室201内に、クリーニングガスとして、F2ガスを単独で、もしくは不活性ガスで希釈されたF2ガスを単独で供給し、処理室201内に堆積累積した薄膜を除去することにより行う。以下に、クリーニング工程を具体的に説明する。空のボート217、すなわちウエハ200を装填していないボート217が、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入ボートロードされる。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220を介して反応管203の下端をシールした状態となる。処理室201内が所望の圧力真空度となるように真空ポンプ246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。また、処理室201内が所望の温度となるように、ヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内の温度が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される。処理室201内の圧力、温度が、それぞれ所定の圧力、所定の温度に到達したら、その圧力、温度が維持されるように制御が行われる。続いて、回転機構267によりボート217が回転される。尚、ボート217は回転させなくてもよい。次いで、処理室201内の温度、圧力が、それぞれ所定の温度、所定の圧力に維持された状態で、第5ガス供給管232iのバルブ243iを開き、第5ガス供給管232i内にF2ガスを流す。第5ガス供給管232i内を流れたF2ガスは、マスフローコントローラ241iにより流量調整される。流量調整されたF2ガスは、第1ガス供給管232a内を流れ、第1ノズル249aのガス供給孔250aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、同時にバルブ243eを開き、第1不活性ガス供給管232e内にN2ガス等の不活性ガスを流し、クリーニングガスであるF2ガスを希釈するようにしてもよい。第1不活性ガス供給管232e内を流れたN2ガスは、マスフローコントローラ241eにより流量調整される。流量調整されたN2ガスはクリーニングガスと一緒に処理室201内に供給され、排気管231から排気される。N2ガスの供給流量を制御することで、F2ガスの濃度を制御することもできる。処理室201内に導入されたF2ガス、または希釈されたF2ガスは、処理室201内を通過する際に反応管203の内壁やボート217の表面に累積したSiOCNやSiCNやSiN等の薄膜を含む堆積物と接触し、この際に熱化学反応により薄膜が除去される。すなわち、F2ガスの熱分解により生じる活性種と堆積物とのエッチング反応により薄膜が除去される。なお、このときF2ガス、または希釈されたF2ガスは、第1ノズル249a内を通過する際に、第1ノズル249aの内壁に累積したSiを含む堆積物とも接触し、この際に、このSiを含む堆積物も除去されることとなる。予め設定された薄膜のエッチング時間が経過し、処理室201内のクリーニングが終了すると、バルブ243iを閉じることで、F2ガス、または希釈されたF2ガスの処理室201内への供給を停止する。その後、処理室201内にN2ガスが供給され、排気管231から排気されることで処理室201内がパージされる。尚、クリーニング工程における薄膜のエッチング条件としては、処理室内の温度:350°C~500°C、処理室内の圧力:6650Pa50Torr~26600Pa200Torr、好ましくは13300Pa100Torr以上19950Pa150Torr、F2ガス供給流量:0.5~5slm、N2ガス供給流量:1~20slmが例示され、それぞれのエッチング条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することで薄膜のエッチングがなされる。4処理容器内にシリコン酸化膜を形成する工程上述のクリーニング工程が完了したら、ウエハ200を装填していない空のボート217が処理室201内に搬入ボートロードされたままの状態で、処理容器内、すなわち反応管203の内壁等の処理室201内にシリコン酸化膜SiO膜を形成する工程を実施する。処理室201内が所望の圧力真空度となるように真空ポンプ246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される圧力調整。また、処理室201内が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される温度調整。続いて、回転機構267によりボート217が回転される。その後、後述する4つのステップを順次実行する。[ステップ1]第1ガス供給管232aのバルブ243aを開き、第1ガス供給管232a内にHCDガスを流す。第1ガス供給管232a内を流れたHCDガスは、マスフローコントローラ241aにより流量調整される。流量調整されたHCDガスは第1ノズル249aのガス供給孔250aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、同時にバルブ243eを開き、第1不活性ガス供給管232e内にN2ガス等の不活性ガスを流す。第1不活性ガス供給管232e内を流れたN2ガスは、マスフローコントローラ241eにより流量調整される。流量調整されたN2ガスはHCDガスと一緒に処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、APCバルブ244を適正に調整して、処理室201内の圧力を、大気圧未満、例えば10~1000Paの範囲内の圧力に維持する。マスフローコントローラ241aで制御するHCDガスの供給流量は、例えば10~1000sccmの範囲内の流量とする。マスフローコントローラ241eで制御するN2ガスの供給流量は、例えば200~2000sccmの範囲内の流量とする。HCDガスに処理室201内を晒す時間は、例えば1~120秒間の範囲内の時間とする。ヒータ207の温度は、処理室201内でCVD反応が生じるような温度となるように設定する。すなわち処理室201内の温度が、例えば300~700°C、好ましくは350~650°Cの範囲内の温度となるようにヒータ207の温度を設定する。なお、処理室201内の温度が300°C未満となると処理室201内壁等にHCDが吸着しにくくなる。また、処理室201内の温度が650°C、特に700°Cを超えるとCVD反応が強くなり、均一性が悪化しやすくなる。よって、処理室201内の温度は300~700°Cとするのが好ましい。上述の条件にてHCDガスを処理室201内に供給することで、反応管203の内壁、ボート217の表面、第1ノズル249a、第2ノズル249b、第3ノズル249c、第4ノズル249dの表面や第1ノズル249aの内壁面上以下、単に処理室201内壁等とも呼ぶに1原子層未満から数原子層のシリコン含有層としてのシリコン層Si層が形成される。シリコン含有層はHCDの化学吸着層であってもよい。なお、HCDガスが自己分解しない条件下では処理室201内壁等にHCDが表面吸着してHCDの化学吸着層が形成される。HCDガスが自己分解する条件下では、処理室201内壁等にシリコン分子が堆積してシリコン層が形成される。処理室201内壁等に形成されるシリコン含有層の厚さが数原子層を超えると、後述するステップ3での酸化の作用がシリコン含有層の全体に届かなくなる。また、処理室201内壁等に形成可能なシリコン含有層の最小値は1原子層未満である。よって、シリコン含有層の厚さは1原子層未満から数原子層とするのが好ましい。Siを含む原料としては、HCDの他、STC、TCS、DCS、MCS、SiH4等の無機原料だけでなく、アミノシラン系の4DMAS、3DMAS、2DEAS、BTBASなどの有機原料を用いてもよい。不活性ガスとしては、N2ガスの他、Ar、He、Ne、Xe等の希ガスを用いてもよい。[ステップ2]処理室201内壁等にシリコン含有層が形成された後、第1ガス供給管232aのバルブ243aを閉じ、HCDガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ244は開いたままとし、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、残留したHCDガスを処理室201内から排除する。このとき、不活性ガスを処理室201内へ供給すると、残留したHCDガスを排除する効果が更に高まる。このときのヒータ207の温度は、処理室201内の温度がHCDガスの供給時と同じく300~700°C、好ましくは350~650°Cの範囲内の温度となるように設定する。[ステップ3]処理室201内の残留ガスを除去した後、第4ガス供給管232dのバルブ243d、第4不活性ガス供給管232hのバルブ243hを開き、第4ガス供給管232d内にO2ガスを流し、第4不活性ガス供給管232h内にN2ガスを流す。第4不活性ガス供給管232h内を流れたN2ガスは、マスフローコントローラ241hにより流量調整される。第4ガス供給管232d内を流れたO2ガスは、マスフローコントローラ241dにより流量調整される。流量調整されたO2ガスは流量調整されたN2ガスと第4ガス供給管232d内で混合されて、第4ノズル249dのガス供給孔250dからバッファ室237内に供給される。このとき同時に、第6ガス供給管232jのバルブ243jを開き、第6ガス供給管232j内にH2ガスを流す。第6ガス供給管232j内を流れたH2ガスは、マスフローコントローラ241jにより流量調整される。流量調整されたH2ガスは流量調整されたO2ガス及びN2ガスと第4ガス供給管232d内で混合されて、第4ノズル249dのガス供給孔250dからバッファ室237内に供給される。このとき、第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270間には高周波電力を印加しない。これにより、バッファ室237内に供給されたO2ガスとH2ガスとの混合ガスは熱で活性化されて、ガス供給孔250eから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。なお、このとき第1の棒状電極269及び第2の棒状電極270間に高周波電力を印加して、バッファ室237内に供給されたO2ガスとH2ガスとの混合ガスをプラズマで活性化させることもできる。このとき、APCバルブ244を適正に調整して、処理室201内の圧力を、大気圧未満、例えば1~1000Paの範囲内の圧力に維持する。マスフローコントローラ241dで制御するO2ガスの供給流量は、例えば100~10000sccmの範囲内の流量とする。マスフローコントローラ241jで制御するH2ガスの供給流量は、例えば100~10000sccmの範囲内の流量とする。マスフローコントローラ241hで制御するN2ガスの供給流量は、例えば200~2000sccmの範囲内の流量とする。なお、O2ガス及びH2ガスに処理室201内壁等を晒す時間は、例えば1~120秒間の範囲内の時間とする。ヒータ207の温度は、ウエハ200の温度が、例えば350~1000°Cの範囲内の温度となるように設定する。なお、この範囲内の温度であれば減圧雰囲気下でのO2ガスへのH2ガス添加による酸化力向上の効果が得られることを確認した。また、処理室201内の温度が低すぎると酸化力向上の効果が得られないことも確認した。ただしスループットを考慮すると、処理室201内の温度が、酸化力向上の効果が得られる温度であってステップ1のHCDガスの供給時と同様な温度帯となるように、すなわちステップ1とステップ3とで処理室201内の温度を同様な温度帯に保持するようにヒータ207の温度を設定するのが好ましい。この場合、ステップ1とステップ3とで処理室201内の温度が350~700°C、好ましくは350~650°Cの範囲内の一定の温度となるようにヒータ207の温度を設定する。さらには、ステップ1~ステップ4後述にかけて処理室201内の温度を同様な温度帯に保持するようにヒータ207の温度を設定するのがより好ましい。この場合、ステップ1~ステップ4後述にかけて処理室201内の温度が350~700°C、好ましくは350~650°Cの範囲内の一定の温度となるようにヒータ207の温度を設定する。なお、減圧雰囲気下でのO2ガスへのH2ガス添加による酸化力向上の効果を得るには、処理室201内の温度を350°C以上とする必要があるが、処理室201内の温度は400°C以上とするのが好ましく、さらには450°C以上とするのが好ましい。処理室201内の温度を400°C以上とすれば、400°C以上の温度で行うO3酸化処理による酸化力を超える酸化力を得ることができ、処理室201内の温度を450°C以上とすれば、450°C以上の温度で行うO2プラズマ酸化処理による酸化力を超える酸化力を得ることができる。上述の条件にてO2ガス及びH2ガスを処理室201内に供給することで、O2ガス及びH2ガスは加熱された減圧雰囲気下においてノンプラズマで活性化されて反応し、それにより原子状酸素O等の酸素を含む酸化種反応種が生成される。そして、主にこの酸化種により、ステップ1で処理室201内壁等に形成されたシリコン含有層に対して酸化処理が行われる。そして、この酸化処理により、シリコン含有層はシリコン酸化層SiO2層、以下、単にSiO層ともいう。へと変化させられる改質される。酸素含有ガスとしては、酸素O2ガスの他、オゾンO3ガス等を用いてもよい。なお、上述の温度帯において、一酸化窒素NOガスや亜酸化窒素N2Oガスへの水素含有ガス添加効果を試してみたところ、NOガス単独供給やN2Oガス単独供給に比べて酸化力向上の効果が得られないことを確認した。すなわち、酸素含有ガスとしては窒素非含有の酸素含有ガス窒素を含まず酸素を含むガスを用いるのが好ましい。水素含有ガスとしては、水素H2ガスの他、重水素D2ガス等を用いてもよい。なお、アンモニアNH3ガスやメタンCH4ガス等を用いると、窒素N不純物や炭素C不純物の膜中への混入が考えられる。すなわち、水素含有ガスとしては、他元素非含有の水素含有ガス他元素を含まず水素または重水素を含むガスを用いるのが好ましい。すなわち、酸素含有ガスとしては、O2ガスおよびO3ガスよりなる群から選択される少なくとも一つのガスを用いることができ、水素含有ガスとしては、H2ガスおよびD2ガスよりなる群から選択される少なくとも一つのガスを用いることができる。[ステップ4]シリコン含有層をシリコン酸化層へ変化させた後、第4ガス供給管232dのバルブ243dを閉じ、O2ガスの供給を停止する。また、第6ガス供給管232jのバルブ243jを閉じ、H2ガスの供給を停止する。このとき、排気管231のAPCバルブ244は開いたままとし、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、残留したO2ガスやH2ガスを処理室201内から排除する。このとき、不活性ガスを処理室201内へ供給すると、残留したO2ガスやH2ガスを排除する効果が更に高まる残留ガス除去。このときのヒータ207の温度は、ウエハ200の温度がO2ガス及びH2ガスの供給時と同じく350~700°C、好ましくは350~650°Cの範囲内の温度となるような温度に設定する。上述したステップ1~4を1サイクルとして、このサイクルを複数回実施することにより、処理室201内壁等に所定膜厚のSiO膜を成膜することが出来る。所定膜厚のSiO膜の成膜が完了したら、不活性ガスを処理室201内へ供給し排気することで処理室201内が不活性ガスでパージされるパージ。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され、処理室201内の圧力が常圧に復帰される大気圧復帰。その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、反応管203の下端が開口されるとともに、空のボート217が反応管203の下端から反応管203の外部に搬出ボートアンロードされ、処理容器内にSiO膜を形成する工程が終了する。その後、上述の成膜工程を再開することとなる。なお、成膜工程を再開する前に、次回の成膜工程で成膜する薄膜と同じ膜、例えばSiN膜で処理室201内壁等を覆う処理プリコートを行ってもよい。この場合、処理室201内壁等に所定膜厚のSiO膜を形成した後、空のボート217を反応管203内から搬出することなく、例えば、図6のように各ガスを流すことで、処理室201内壁等へのSiO膜の形成と、SiN膜のプリコートと、を連続的に行うのが好ましい。すなわち、処理室201内へのHCDガスの供給と、O2ガスおよびH2ガスの供給と、を1サイクルとしてこのサイクルを所定回数行うことで、処理室201内壁等に所定膜厚のSiO膜を形成した後、連続して、処理室201内へのHCDガスの供給と、NH3ガスの供給と、を1サイクルとしてこのサイクルを所定回数行うことで、所定膜厚のSiO膜上に所定膜厚のSiN膜を形成するのが好ましい。この場合、処理室201内壁等にSiO膜とSiN膜との積層膜が形成されることとなる。このときSiN膜の代わりにSiON膜をSiO膜上に形成するようにしてもよいし、SiON膜とSiN膜との積層膜をSiO膜上に形成するようにしてもよい。例えば、SiON膜をSiO膜上に形成する場合、図7のように各ガスを流すことで、処理室201内壁等へのSiO膜の形成と、SiON膜のプリコートと、を連続的に行うのが好ましい。すなわち、処理室201内へのHCDガスの供給と、O2ガスおよびH2ガスの供給と、を1サイクルとしてこのサイクルを所定回数行うことで、処理室201内壁等に所定膜厚のSiO膜を形成した後、連続して、処理室201内へのHCDガスの供給と、NH3ガスの供給と、O2ガスの供給と、を1サイクルとしてこのサイクルを所定回数行うことで、所定膜厚のSiO膜上に所定膜厚のSiON膜を形成するのが好ましい。この場合、処理室201内壁等にSiO膜とSiON膜との積層膜が形成されることとなる。また例えば、SiON膜とSiN膜との積層膜をSiO膜上に形成する場合、図8のように各ガスを流すことで、処理室201内壁等へのSiO膜の形成と、SiON膜のプリコートと、SiN膜のプリコートと、を連続的に行うのが好ましい。すなわち、処理室201内へのHCDガスの供給と、O2ガスおよびH2ガスの供給と、を1サイクルとしてこのサイクルを所定回数行うことで、処理室201内壁等に所定膜厚のSiO膜を形成した後、連続して、処理室201内へのHCDガスの供給と、NH3ガスの供給と、O2ガスの供給と、を1サイクルとしてこのサイクルを所定回数行うことで、所定膜厚のSiO膜上に所定膜厚のSiON膜を形成し、その後、さらに連続して、処理室201内へのHCDガスの供給と、NH3ガスの供給と、を1サイクルとしてこのサイクルを所定回数行うことで、所定膜厚のSiON膜上に所定膜厚のSiN膜を形成するのが好ましい。この場合、処理室201内壁等にSiO膜とSiON膜とSiN膜との積層膜が形成されることとなる。またこのとき、SiOからSiNへと組成比を少しずつ変化させたSiON膜をSiO膜上に形成するようにしてもよい。この場合、例えば、図7のように各ガスを流すことで、処理室201内壁等へのSiO膜の形成と、SiON膜のプリコートと、を上述のように連続的に行うか、図8のように各ガスを流すことで、処理室201内壁等へのSiO膜の形成と、SiON膜のプリコートと、SiN膜のプリコートと、を上述のように連続的に行う。そしてSiON膜を形成する際に、SiON膜の組成が、SiO膜と接する側において酸素リッチとなり、SiN膜と接する側において窒素リッチとなるように、厚さ方向においてSiOからSiNへと組成比を少しずつ変化させたSiON膜を形成する。例えば、SiON膜の成膜初期におけるO2ガス供給時の処理室内圧力を比較的大きくし、成膜が進むにつれその圧力を徐々に小さくしていき、成膜後期においてはその圧力を比較的小さくすることで、成膜が進むにつれ、O2ガスによる酸化力が徐々に小さくなるようにでき、厚さ方向において組成比を少しずつ変化させたSiON膜を形成することが可能となる。5本実施形態に係る効果本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果を奏する。a本実施形態によれば、クリーニング工程が完了したら、ウエハ200を装填していない空のボート217が処理室201内に搬入されたままの状態で、反応管203内、すなわち処理室201内壁等に上述の手法によりSiO膜を形成する工程を実施する。発明者は、フッ素F元素を含むクリーニングガスに対する上述の手法により形成したSiO膜の除去速度が、石英の除去速度に比べ極めて小さいことを見出した。この知見より、処理室201内に露出した石英部材の表面を上述の手法にてSiO膜により予めコーティングしておくことで、次回クリーニング工程を実施する際における石英部材のダメージを低減させることができる。これにより、石英部材からの異物の発生を低減でき、半導体装置の製造歩留りを向上させることができる。また、クリーニング工程を実施する際における処理室201内の温度を上げることができ、SiN膜等の堆積物の除去速度を増大させることができる。すなわち、石英部材が受けるダメージの低減とSiN膜等の堆積物の除去速度の増大とを両立させることができる。図4aは、石英と、上述の手法により形成したSiO膜、SiN膜、SiCN膜以下、それぞれ単に、SiO膜、SiN膜、SiCN膜と称すのクリーニングガスによる除去速度の測定結果を示している。図4aにおいては、クリーニング温度を500°C、600°Cとし、クリーニングガスとしてNF3ガスを用い、石英、SiO膜、SiN膜、SiCN膜の各クリーニング温度における除去速度をそれぞれ測定した。図4bは、図4aの測定結果に基づく選択比を示している。図4bにおいては、図4aの測定結果に基づき、各クリーニング温度における石英、或いはSiO膜に対するSiN膜、或いはSiCN膜の選択比を求めた。なお、選択比とは、石英、或いはSiO膜の除去速度に対するSiN膜、或いはSiCN膜の除去速度の比率を示している。選択比が大きいほど、SiN膜、或いはSiCN膜をオーバークリーニングオーバーエッチングしたときの下地のダメージが小さくなることを表している。なお、図4では、上述の手法により形成したSiO膜、SiN膜、SiCN膜を、それぞれ単にSiO、SiN、SiCNと称している。また、石英の除去速度に対するSiN膜の除去速度の比選択比、SiO膜の除去速度に対するSiN膜の除去速度の比選択比、石英の除去速度に対するSiCN膜の除去速度の比選択比、SiO膜の除去速度に対するSiCN膜の除去速度の比選択比を、それぞれ単にSiN/石英、SiN/SiO、SiCN/石英、SiCN/SiOと称している。測定の結果、図4aに示すように処理室201内の温度が500°Cの場合、石英、SiO膜、SiN膜、SiCN膜の除去速度は、それぞれ49.0Å/min、6.1Å/min、30.0Å/min、24.2Å/minとなった。また、処理室201内の温度が600°Cの場合、石英、SiO膜、SiN膜、SiCN膜の除去速度は、それぞれ2130Å/min、29.9Å/min、1540Å/min、861.9Å/minとなった。また、図4bに示すように、処理室201内の温度が500°Cの場合、石英の除去速度に対するSiN膜の除去速度の比選択比は0.6となり、SiO膜の除去速度に対するSiN膜の除去速度の比選択比は4.9となり、石英の除去速度に対するSiCN膜の除去速度の比選択比は0.5となり、SiO膜の除去速度に対するSiCN膜の除去速度の比選択比は3.9となった。また、処理室201内の温度が600°Cの場合、石英の除去速度に対するSiN膜の除去速度の比選択比は0.7となり、SiO膜の除去速度に対するSiN膜の除去速度の比選択比は51.6となり、石英の除去速度に対するSiCN膜の除去速度の比選択比は0.4となり、SiO膜の除去速度に対するSiCN膜の除去速度の比選択比は28.9となった。すなわち、いずれの温度においても、SiO膜の除去速度に対するSiN膜の除去速度の比選択比は、石英の除去速度に対するSiN膜の除去速度の比選択比よりも大きくなることが分かった。また、いずれの温度においても、SiO膜の除去速度に対するSiCN膜の除去速度の比選択比は、石英の除去速度に対するSiCN膜の除去速度の比選択比よりも大きくなることが分かった。なお、処理室201内を高温にすると、石英の除去速度に対するSiN膜やSiCN膜の除去速度の比選択比はそれ程変わらないものの、SiO膜の除去速度に対するSiN膜やSiCN膜の除去速度の比選択比は大きくなることが分かった。例えば、処理室201内の温度が600°Cの場合の石英の除去速度に対するSiN膜の除去速度の比選択比は、処理室201内の温度が500°Cの場合の石英の除去速度に対するSiN膜の除去速度の比選択比の1.2倍程度であるのに対し、処理室201内の温度が600°Cの場合のSiO膜の除去速度に対するSiN膜の除去速度の比選択比は、処理室201内の温度が500°Cの場合のSiO膜の除去速度に対するSiN膜の除去速度の比選択比の10倍以上となる。以上のことから、処理室201内に露出した石英部材の表面を上述の手法にてSiO膜によりコーティングし、クリーニング対象であるSiN膜やSiCN膜等の下地を上述の手法により形成したSiO膜とすることで、SiN膜やSiCN膜等をオーバークリーニングしたときにおける下地のダメージを小さくできることが分かる。なお、クリーニング温度が高くなるほど、SiO膜の除去速度に対するSiN膜やSiCN膜の除去速度の比選択比が大きくなることから、上述の手法により形成したSiO膜のコーティングの効果は、高温領域において、より顕著に現れることが分かる。図5aは、石英と、上述の手法により形成したSiO膜、SiN膜、SiCN膜以下、それぞれ単に、SiO膜、SiN膜、SiCN膜と称すのクリーニングガスによる除去速度の測定結果を示している。図5aにおいては、クリーニング温度を400°Cとし、クリーニングガスとしてClF3ガスを用い、石英、SiO膜、SiN膜、SiCN膜の除去速度をそれぞれ測定した。図5bは、図5aの測定結果に基づく選択比を示している。図5bにおいては、図5aの測定結果に基づき、石英、或いはSiO膜に対するSiN膜、或いはSiCN膜の選択比を求めた。なお、図5では、図4と同様、上述の手法により形成したSiO膜、SiN膜、SiCN膜を、それぞれ単にSiO、SiN、SiCNと称している。また、石英の除去速度に対するSiN膜の除去速度の比選択比、SiO膜の除去速度に対するSiN膜の除去速度の比選択比、石英の除去速度に対するSiCN膜の除去速度の比選択比、SiO膜の除去速度に対するSiCN膜の除去速度の比選択比を、それぞれ単にSiN/石英、SiN/SiO、SiCN/石英、SiCN/SiOと称している。測定の結果、図5aに示すように処理室201内の温度が400°Cの場合、石英、SiO膜、SiN膜、SiCN膜の除去速度は、それぞれ14.5Å/min、11.9Å/min、147.6Å/min、306.6Å/minとなった。また、図5bに示すように、処理室201内の温度が400°Cの場合、石英の除去速度に対するSiN膜の除去速度の比選択比は10.2となり、SiO膜の除去速度に対するSiN膜の除去速度の比選択比は12.4となり、石英の除去速度に対するSiCN膜の除去速度の比選択比は21.2となり、SiO膜の除去速度に対するSiCN膜の除去速度の比選択比は25.8となった。すなわち、SiO膜の除去速度に対するSiN膜の除去速度の比選択比は、石英の除去速度に対するSiN膜の除去速度の比選択比よりも大きくなることが分かった。また、SiO膜の除去速度に対するSiCN膜の除去速度の比選択比は、石英の除去速度に対するSiCN膜の除去速度の比選択比よりも大きくなることが分かった。以上のことから、処理室201内に露出した石英部材の表面を上述の手法にてSiO膜によりコーティングし、クリーニング対象であるSiN膜やSiCN膜等の下地を上述の手法により形成したSiO膜とすることで、SiN膜やSiCN膜等をオーバークリーニングしたときにおける下地のダメージを小さくできることが分かる。なお、処理室201内に露出した石英部材の表面を上述の手法にてSiO膜によりコーティングした後、更に連続して、加熱された大気圧未満の圧力下にある処理室201内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給してSiO膜をアニールにより改質することで、SiO膜中の不純物を更に低減でき、またSiO膜を更に緻密化できることを確認した。上述の手法により形成されるSiO膜はもともと緻密であるという優れた特性を有しており、例えば石英やCVD-SiO膜よりも緻密な膜となることを確認しているが、このSiO膜を更に上述のアニールにより改質することで、更に緻密な膜を得ることができる。それにより、SiO膜の除去速度を更に小さくでき、SiN膜やSiCN膜等をオーバークリーニングしたときにおける下地のダメージを更に小さくできる。なお、SiO膜を改質アニールする際の処理室201内の温度を、SiO膜を形成する際の処理室201内の温度と同等とした場合でもこの効果が得られるが、SiO膜を改質アニールする際の処理室201内の温度を、SiO膜を形成する際の処理室201内の温度よりも大きくする方が、この効果を高めることができる。b本実施形態によれば、クリーニング工程が完了したら、処理室201内にHCDガスを流すステップ1、処理室201内をパージするステップ2、処理室201内に減圧下でO2ガスとH2ガスとを流すステップ3、処理室201内をパージするステップ4、を1サイクルとして、このサイクルを複数回実施することにより、処理室201内壁等にSiO膜を形成する。この手法により形成されるSiO膜は高い段差被覆性を有することから、下地の石英が受けたダメージを効果的に修復することが可能となる。例えば、図9に示すように下地の石英に生じたクラック等を、この手法により形成されるSiO膜で埋めることで、クラックを効果的に修復することが可能となる。なお、図9aはクリーニング前の処理室201内壁等の状態を、図9bはオーバークリーニングによって処理室201内壁等がダメージを受けた状態を、図9cは本実施形態の手法によりSiO膜を形成することで処理室201内壁等のダメージが修復された状態をそれぞれ示している。これにより、石英部材からの異物の発生を低減でき、半導体装置の製造歩留りを向上させることができる。c本実施形態によれば、処理容器内に上記手法によりSiO膜を形成する工程を実施することで、クリーニングガス等の残渣残留フッ素を処理室201内から排出することが容易となる。すなわち、本実施形態によれば、クリーニング工程後の処理容器内に上記手法によりSiO膜を形成する過程において、加熱された減圧下の処理室201内にO2ガスとH2ガスとを供給する。その結果、処理室201内に供給されたH2ガスと残留フッ素Fとが反応してHFが生成されることで、処理室201内の残留フッ素が消費される。また、処理室201内に供給されたO2ガスとH2ガスとの反応により生じた原子状酸素OやO2ガスにより残留フッ素が置換されることで、処理室201内の残留フッ素が除去される。このように、本実施形態によれば、クリーニング工程後の処理容器内に上記手法によりSiO膜を形成する過程において、加熱された減圧下の処理容器内にO2ガスとH2ガスとを供給することで、クリーニングガス等の残渣を排出することが容易となる。そして、次回の成膜工程における成膜処理の再現性を向上させ、ウエハ200への金属汚染の発生を防止することが可能となる。なお、従来の基板処理装置では、クリーニング工程後の処理室内にクリーニングガス等の残渣が存在しており、排出が容易ではなく、次回の成膜工程における成膜処理の再現性が低下したり、金属汚染が発生したりする場合があった。そのため、クリーニング工程が完了したら、次回の成膜工程で成膜する薄膜と同じ膜、例えばSiN膜で処理室内を覆う処理プリコートを実施する場合があった。これに対し、本実施形態によれば、クリーニングガス等の残渣を処理室201内から排出することが容易となることから、必ずしも上述のプリコートを行う必要がなく、成膜処理の再現性を向上させることが可能となる。また金属汚染の発生を防止することも可能となる。d本実施形態においては、クリーニング工程後の処理容器内に形成するSiO膜の膜厚を例えば200Å以上1000Å以下の範囲とすることで、処理室201内の石英部材の保護膜としての効果、処理室201内の残留フッ素の除去効果をそれぞれ高めつつ、基板処理装置のダウンタイムを短縮させることができる。なお、クリーニング工程後に処理容器内に形成するSiO膜の膜厚を例えば200Å未満とすると、次のクリーニング工程の実施時にSiO膜がエッチングされることで反応管203やボート217等の石英部材表面が部分的に露出してしまう可能性があり、石英部材の保護膜としての効果が低くなってしまうことがある。また、SiO膜を形成する過程における処理室201内からの残留フッ素除去効果も低下してしまうことがある。また、クリーニング工程後に処理容器内に形成するSiO膜の膜厚を例えば1000Åより大きくすると、SiO膜の形成に時間がかかり過ぎてしまい、基板処理装置のダウンタイムが長くなってしまうことがある。本実施形態においては、クリーニング工程後の処理容器内に形成するSiO膜の膜厚を200Å以上1000Å以下の範囲とすることで、これらの課題を解決できる。e本実施形態においては、処理室201内にSiO膜を形成する工程を実施した後、次回の成膜工程で成膜する薄膜と同じ膜、例えばSiN膜で処理室201内を覆う処理プリコートを行ってもよい。このような処理を行うことで、次回の成膜工程における成膜処理の再現性をさらに向上させ、ウエハ200への金属汚染の発生をより確実に防止することが可能となる。fなお、上記において成膜工程でSiN膜を形成する場合、処理室201内に形成したSiO膜上に、SiON膜や、SiON膜とSiN膜との積層膜や、SiOからSiNへと膜の組成比を少しずつ変化させたSiON膜を形成することとすれば、成膜工程を繰り返すことでこれらの膜上に堆積されるSiN膜に加わる応力を低減させることができる。すなわち、SiO膜とSiN膜との間に形成されたSiON膜や、SiON膜とSiN膜との積層膜や、組成比を少しずつ変化させたSiON膜が、応力を吸収するバッファ層応力吸収層、或いは応力緩和層として機能することで、SiN膜に加わる応力を緩和させることができる。これにより、SiN膜の割れや剥がれを防ぐことができ、処理室201内におけるパーティクルの発生を抑制することが可能となる。<本発明の他の実施形態>以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、処理容器内にSiO膜を形成する工程では、第1ノズル249aの内壁面にも上記手法によりSiO膜を形成するようにしてもよい。その場合、第1ノズル249a内にも酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給することができるようにガス供給系を構成すればよい。クリーニング工程においては、第1ノズル249aよりクリーニングガスを流し、その際、第1ノズル249a内に付着した堆積物をも除去するので、第1ノズル249aの内壁面への上記手法によるSiO膜の形成も有効となる。また例えば、処理容器内にSiO膜を形成する工程は、クリーニング工程を完了した後に実施する場合に限らず、初めて成膜工程を行う前に予め実施するようにしてもよい。これによりクリーニング工程を実施する際における石英部材のダメージを低減させることができ、石英部材からの異物の発生を低減でき、半導体装置の製造歩留りを向上させることができる。また、次回の成膜工程における成膜処理の再現性をさらに向上させ、ウエハ200への金属汚染の発生をより確実に防止することができる。なお、処理容器内にSiO膜を形成する工程は、上述の実施形態のようにクリーニング工程の完了後に行うよりも、処理容器内で初めて成膜を行う前に実施する方がより効果的である。このように運用することで、反応管203やボート217等の石英部材のダメージをより確実に回避することができる。図10aは、このように運用した場合のクリーニング前の処理室201内壁等の状態を示している。初めて成膜を行う前に処理容器内にSiO膜を形成することで、クリーニング対象のSiN膜は、石英部材の表面上ではなく、下地のSiO膜上に形成されることとなる。SiN膜の厚さが所定の厚さに達したら、上述の実施形態と同様にクリーニングを行う。図10bは、下地のSiO膜によって処理室201内壁等がオーバークリーニングから保護された状態を示している。上述の実施形態の手法により形成したSiO膜は、緻密であってエッチングされ難いという特性を有するため、下地のSiO膜はその一部がエッチングされて薄くなるに止まり、処理室201内壁等は露出しない。これにより、反応管203等の石英部材のダメージが確実に回避される。なお、オーバーエッチングにより一部が薄くなったSiO膜は、上述の実施形態の手法によりSiO膜を再形成再コーティングすることで修復できる。図10cは、本実施形態の手法により下地のSiO膜が修復された状態を示している。クリーニングを実施すると下地のSiO膜はエッチングされて薄くなるため、SiO膜の再形成はクリーニングを実施する度に行うことが好ましい。すなわち、クリーニングとSiO膜の再形成とはセットで行うことが好ましい。なお、SiO膜の再形成は、クリーニングを複数回行う度に実施してもよい。また例えば、成膜工程において形成する膜としては、上述の実施形態で示したSiOCN膜やSiCN膜やSiN膜に限らず、Si膜、SiON膜、SiOC膜であってもよい。また例えば、クリーニングガスとしては、上述の実施形態で示したF2ガスの他、NF3ガス、ClF3ガス、HFガス等、フッ素F元素を含む他のガスを用いてもよい。また例えば、成膜工程において処理室201内に供給するC3H6ガス、NH3ガス、O2ガスはそれぞれ熱で活性化させる場合に限らず、例えばプラズマを用いて活性化させるようにしてもよい。<本発明の好ましい態様>以下に、本発明の好ましい態様について付記する。本発明の一態様によれば、基板を収容した処理容器内に処理ガスを供給して前記基板上にシリコン酸化膜とは異なる薄膜を形成する工程と、前記薄膜を形成する工程を所定回数実施した後、前記処理容器内にフッ素含有ガスを供給して前記処理容器内に付着した前記薄膜を含む堆積物を除去する工程と、前記堆積物除去後の加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内にシリコン含有ガスと、酸素含有ガスおよび水素含有ガスと、を交互に供給することで、前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。好ましくは、前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程では、前記処理容器内に前記シリコン酸化膜を形成しつつ、前記処理容器内に残留するフッ素を、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内における前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとの反応により生成された反応種と、反応させて排出する。また好ましくは、前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程では、前記処理容器内に前記シリコン酸化膜を形成しつつ、前記処理容器内に残留するフッ素を、前記酸素含有ガスおよび前記反応種と、反応させて排出する。また好ましくは、前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程では、前記処理容器内に前記シリコン酸化膜を形成しつつ、前記処理容器内に残留するフッ素を、前記酸素含有ガス、前記水素含有ガスおよび前記反応種と、反応させて排出する。また好ましくは、前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程では、200Å以上、1000Å以下の膜厚を有する前記シリコン酸化膜を形成する。また好ましくは、前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程の後に、前記処理容器内に前記処理ガスを供給して前記処理容器内の前記シリコン酸化膜上に前記薄膜を形成する工程と、基板を収容した前記薄膜形成後の前記処理容器内に前記処理ガスを供給して前記基板上に前記薄膜を形成する工程と、を有する。また好ましくは、前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程の後に、前記処理容器内に前記処理ガスと酸素含有ガスとを供給して前記処理容器内の前記シリコン酸化膜上に前記薄膜を構成する元素と酸素とを含むバッファ層を形成する工程と、前記処理容器内に前記処理ガスを供給して前記バッファ層上に前記薄膜を形成する工程と、基板を収容した前記薄膜形成後の前記処理容器内に前記処理ガスを供給して前記基板上に前記薄膜を形成する工程と、を有する。また好ましくは、前記処理容器は石英で構成されており、前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程では、前記堆積物除去時に前記石英に生じたクラックを修復する。また好ましくは、前記薄膜が、シリコン膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、シリコン炭窒化膜、シリコン酸炭窒化膜、シリコン酸炭化膜である。また好ましくは、前記薄膜が、シリコン窒化膜またはシリコン炭窒化膜である。また好ましくは、前記フッ素含有ガスが、フッ素ガス、フッ化窒素ガス、フッ化塩素ガスまたはフッ化水素ガスである。また好ましくは、前記フッ素含有ガスが、フッ化窒素ガスまたはフッ化塩素ガスである。本発明の他の態様によれば、加熱された大気圧未満の圧力下にある処理容器内にシリコン含有ガスと、酸素含有ガスおよび水素含有ガスと、を交互に供給することで、前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程と、基板を収容した前記シリコン酸化膜形成後の前記処理容器内に処理ガスを供給して前記基板上に前記シリコン酸化膜とは異なる薄膜を形成する工程と、前記薄膜を形成する工程を所定回数実施した後、前記処理容器内にフッ素含有ガスを供給して前記処理容器内に付着した前記薄膜を含む堆積物を除去する工程と、前記堆積物除去後の加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に前記シリコン含有ガスと、前記酸素含有ガスおよび前記水素含有ガスと、を交互に供給することで、前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。好ましくは、前記堆積物除去後の前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程では、前記堆積物除去時に前記堆積物と一緒に一部が除去された前記シリコン酸化膜を修復する。本発明の更に他の態様によれば、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内を加熱するヒータと、前記処理容器内の圧力を調整する圧力調整部と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記処理容器内にフッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給系と、前記処理容器内にシリコン含有ガスを供給するシリコン含有ガス供給系と、前記処理容器内に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系と、前記処理容器内に水素含有ガスを供給する水素含有ガス供給系と、基板を収容した前記処理容器内に前記処理ガスを供給して前記基板上にシリコン酸化膜とは異なる薄膜を形成する工程と、前記薄膜を形成する工程を所定回数実施した後、前記処理容器内に前記フッ素含有ガスを供給して前記処理容器内に付着した前記薄膜を含む堆積物を除去する工程と、前記堆積物除去後の加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に前記シリコン含有ガスと、前記酸素含有ガスおよび前記水素含有ガスと、を交互に供給することで、前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程と、を行うように、前記ヒータ、前記圧力調整部、前記処理ガス供給系、前記フッ素含有ガス供給系、前記シリコン含有ガス供給系、前記酸素含有ガス供給系および前記水素含有ガス供給系を制御する制御部と、を有する基板処理装置が提供される。本発明の更に他の態様によれば、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内を加熱するヒータと、前記処理容器内の圧力を調整する圧力調整部と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記処理容器内にフッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給系と、前記処理容器内にシリコン含有ガスを供給するシリコン含有ガス供給系と、前記処理容器内に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系と、前記処理容器内に水素含有ガスを供給する水素含有ガス供給系と、加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に前記シリコン含有ガスと、前記酸素含有ガスおよび前記水素含有ガスと、を交互に供給することで、前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程と、基板を収容した前記シリコン酸化膜形成後の前記処理容器内に前記処理ガスを供給して前記基板上に前記シリコン酸化膜とは異なる薄膜を形成する工程と、前記薄膜を形成する工程を所定回数実施した後、前記処理容器内に前記フッ素含有ガスを供給して前記処理容器内に付着した前記薄膜を含む堆積物を除去する工程と、前記堆積物除去後の加熱された大気圧未満の圧力下にある前記処理容器内に前記シリコン含有ガスと、前記酸素含有ガスおよび前記水素含有ガスと、を交互に供給することで、前記処理容器内に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程と、を行うように、前記ヒータ、前記圧力調整部、前記処理ガス供給系、前記フッ素含有ガス供給系、前記シリコン含有ガス供給系、前記酸素含有ガス供給系および前記水素含有ガス供給系を制御する制御部と、を有する基板処理装置が提供される。