"下記式1で表される化合物。式1中、R1は、水素原子又はメチル基である。R2及びR3は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、ヒドロキシ基又は炭素数1~6のアルキル基である。但し、R2及びR3が共にヒドロキシ基である場合はない。R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~20の1価の有機基である。但し、R4とR5とが互いに結合して、これらが結合している炭素原子と共に炭素数3~20の環構造を形成してもよい。この環構造が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。但し、R4及びR5のうち少なくとも1つの基は、フッ素原子を有する。nは1~4の整数である。nが2以上の場合、複数のR2及びR3は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。上記式1におけるR4及びR5のうち少なくとも1つが1価の有機基であり、かつR4とR5とが互いに結合して環構造を形成していない場合において、この1価の有機基がフッ素原子を有する請求項1に記載の化合物。上記式1におけるR4及びR5のうち少なくとも1つが-RC-Rf、-RC-ORf又は-RC-OCORf、RCが単結合又は2価の連結基、かつRfがフッ素化アルキル基又はヒドロキシフッ素化アルキル基である請求項2に記載の化合物。下記式1-1で表される請求項1に記載の化合物。式1-1中、R1、R2、R3及びnは、上記式1と同義である。RAは、ラクトン環を構成している炭素原子と共に炭素数3~20の環構造を形成するm2価の有機基である。RBは、フッ素原子、ヒドロキシ基又は炭素数1~20の有機基である。mは1~6の整数である。mが2以上の場合、複数のRBは、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環構造を形成してもよい。この環構造が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。但し、RBのうち少なくとも1つは、フッ素原子を有する。上記式1-1におけるRBが-RC-Rf、-RC-ORf又は-RC-OCORf、RCが単結合又は2価の連結基、かつRfがフッ素化アルキル基又はヒドロキシフッ素化アルキル基である請求項4に記載の化合物。請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の化合物に由来する構造単位Iを有する重合体。下記式3で表される構造単位IIIをさらに有する請求項6に記載の重合体。式3中、R11は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R12~R14は、それぞれ独立して、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数4~20の脂環式炭化水素基である。但し、R12及びR13は、互いに結合して、これらが結合している炭素原子と共に2価の脂環式炭化水素基を形成してもよい。[A]酸解離性基を有する重合体、[B]請求項6又は請求項7に記載の重合体、[C]酸発生体、及び[D]溶媒を含有するフォトレジスト組成物。本発明は、上述のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、液浸露光プロセスにおいて、フォトレジスト組成物が露光時にはレジスト膜表面の優れた水切れ性を示すと共に、アルカリ現像後には水切れ性が大きく低下して、現像欠陥の発生を抑制できる新規な化合物、この化合物に由来する構造単位を有する重合体、この重合体を含有するフォトレジスト組成物を提供することである。上記課題を解決するためになされた発明は、下記式1で表される化合物以下、化合物1とも称するである。式1中、R1は、水素原子又はメチル基である。R2及びR3は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、ヒドロキシ基又は炭素数1~6のアルキル基である。但し、R2及びR3が共にヒドロキシ基である場合はない。R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~20の1価の有機基である。但し、R4とR5とが互いに結合して、これらが結合している炭素原子と共に炭素数3~20の環構造を形成してもよい。この環構造が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。但し、R4及びR5のうち少なくとも1つの基は、フッ素原子を有する。nは1~4の整数である。nが2以上の場合、複数のR2及びR3は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。本発明の化合物は、上記式1で表される構造を有するので、当該化合物を組み込んだ重合体を含有するフォトレジスト組成物は、レジスト膜と液浸媒体との遮断を目的とした上層膜等を別途形成することなく、レジスト膜表面が大きい水切れ性を示す。加えて、このフォトレジスト組成物によれば、アルカリ現像後においてレジスト膜の水切れ性が大きく低下する。これにより、レジスト膜表面の現像液やリンス液に対する濡れ性が大きく向上するので、リンス液による洗浄効率が低いこと等に起因するレジスト膜の現像欠陥の発生を抑制できる。なお、現像時においてレジスト膜の水切れ性が大きく低下する理由は定かではないが、例えば現像液により上記式1のラクトン環が開裂すること等が考えられる。上記式1におけるR4及びR5のうち少なくとも1つが1価の有機基であり、かつR4とR5とが、互いに結合して環構造を形成していない場合において、この1価の有機基はフッ素原子を有することが好ましい。これにより、当該化合物を組み込んだ重合体は、レジスト膜においてより表層側に偏在化できると考えられる。従って、アルカリ現像後の水切れ性の低下をより大きくすることができ、結果として、現像欠陥の発生をより抑制できる。上記式1におけるR4及びR5のうち少なくとも1つは-RC-Rf、-RC-ORf又は-RC-OCORf、RCが単結合又は2価の連結基、かつRfがフッ素化アルキル基又はヒドロキシフッ素化アルキル基であることが好ましい。このようにR4及びR5のうち少なくとも1つが上記特定基であることで、当該化合物から得られるレジスト膜は、効果的に現像後の水切れ性を低下させることができ、結果として、現像欠陥の発生をさらに抑制できる。当該化合物は、下記式1-1で表されることが好ましい。式1-1中、R1、R2、R3及びnは、上記式1と同義である。RAは、ラクトン環を構成している炭素原子と共に炭素数3~20の環構造を形成するm2価の有機基である。RBは、フッ素原子、ヒドロキシ基又は炭素数1~20の有機基である。mは1~6の整数である。mが2以上の場合、複数のRBは、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環構造を形成してもよい。この環構造が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。但し、RBのうち少なくとも1つは、フッ素原子を有する。当該化合物が上記式1-1で表されることで、当該化合物を組み込んだ重合体の剛直性が高まり、得られるレジスト膜の現像時の水切れ性の低下をより大きくすることができると考えられ、結果として現像欠陥の発生をより抑制できる。上記RBは-RC-Rf、-RC-ORf又は-RC-OCORf、RCは単結合又は2価の連結基、かつRfはフッ素化アルキル基又はヒドロキシフッ素化アルキル基であることが好ましい。このようにRBが上記特定基であることで、当該化合物から得られるレジスト膜は、効果的に現像後の水切れ性を低下させることができ、結果として、現像欠陥の発生をさらに抑制できる。本発明の重合体は、当該化合物に由来する構造単位Iを有する重合体以下、重合体Iとも称するである。重合体Iを含有するフォトレジスト組成物によれば、レジスト膜と液浸媒体との遮断を目的とした上層膜等を別途形成することなく、レジスト膜は優れた水切れ性を示し、アルカリ現像後においてはレジスト膜の水切れ性が大きく低下する。これにより、レジスト膜表面の現像液やリンス液に対する濡れ性が大きく向上するので、リンス液による洗浄効率が低いこと等に起因するレジスト膜の現像欠陥の発生を抑制できる。当該重合体は、下記式3で表される構造単位IIIをさらに有することが好ましい。当該重合体が構造単位IIIをさらに有することによって、当該重合体を含有するフォトレジスト組成物によれば、現像液に対する溶解速度を制御することができ、より良好なレジストパターンを形成できる。式3中、R11は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R12~R14は、それぞれ独立して、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数4~20の脂環式炭化水素基である。但し、R8及びR9は、互いに結合して、これらが結合している炭素原子と共に2価の脂環式炭化水素基を形成してもよい。本発明のフォトレジスト組成物は、[A]酸解離性基を有する重合体以下、[A]重合体とも称する、[B]当該重合体以下、[B]重合体とも称する、[C]酸発生体、及び[D]溶媒を含有する。本発明のフォトレジスト組成物は、当該重合体を含有するので、液浸露光プロセスにおいて形成されたレジスト膜が、露光時には優れた水切れ性を示し、アルカリ現像後は水切れ性が大きく低下する。その結果、レジスト膜の現像欠陥の発生が抑制され、良好なレジストパターンを形成できる。本発明の化合物、重合体及びフォトレジスト組成物によれば、液浸露光プロセスにおいて形成されたレジスト膜が、露光時には適度に大きい水切れ性を有する一方、アルカリ現像後は水切れ性が大きく低下する。その結果、現像欠陥の発生が抑制され、良好なレジストパターンを形成できる。<化合物1>当該化合物は、上記式1で表される化合物である。化合物1は、上記特定構造を有するので、当該化合物を組み込んだ重合体を含有するフォトレジスト組成物は、液浸露光プロセスにおいて、露光時には大きい動的接触角を示すことにより、レジスト膜表面が優れた水切れ性を示し、現像時には水切れ性が大きく低下することにより、現像欠陥の発生を抑制できる。上記式1中、R1は、水素原子又はメチル基である。R2及びR3は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、ヒドロキシ基又は炭素数1~6のアルキル基である。但し、R2及びR3が共にヒドロキシ基である場合はない。R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~20の1価の有機基である。但し、R4とR5とが互いに結合して、これらが結合している炭素原子と共に炭素数3~20の環構造を形成してもよい。この環構造が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。但し、R4及びR5のうち少なくとも1つの基は、フッ素原子を有する。nは1~4の整数である。nが2以上の場合、複数のR2及びR3は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。上記R2及びR3で表される炭素数1~6のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基等が挙げられる。上記R4及びR5で表される炭素数1~20の1価の有機基としては、例えば炭素数1~20の1価の炭化水素基、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-、-NR-、-CS-、-S-、-SO-及び-SO2-からなる群より選ばれる少なくとも1種の基と炭素数1~20の炭化水素基とから構成される1価の有機基等が挙げられ、さらにこれらが置換基を有するものが挙げられる。置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基等が挙げられる。但し、上記Rは水素原子又は炭素数1~10の1価の有機基である。炭素数1~20の1価の炭化水基としては、例えば直鎖状若しくは分岐状の鎖状炭化水素基、炭素数3~20の脂環式炭化水素基、炭素数6~20の芳香族炭化水素基等が挙げられる。上記炭素数1~20の直鎖状若しくは分岐状の鎖状炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、へキシル基、オクチル基、ドデシル基等が挙げられる。上記炭素数3~20の脂環式炭化水素基としては、例えばシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基、シクロドデシル基等が挙げられる。上記炭素数6~20の芳香族炭化水素基としては、例えばフェニル基、トリル基、ナフチル基等が挙げられる。上記R4とR5とが互いに結合して形成してもよい炭素数3~20の環構造としては、例えばシクロプロパン構造、シクロブタン構造、シクロペンタン構造、シクロヘキサン構造、シクロヘプタン構造、シクロオクタン構造、シクロデカン構造、メチルシクロヘキサン構造、エチルシクロヘキサン構造等の単環式飽和炭化水素構造;シクロブテン構造、シクロペンテン構造、シクロヘキセン構造、シクロヘプテン構造、シクロオクテン構造、シクロデセン構造、シクロペンタジエン構造、シクロヘキサジエン構造、シクロオクタジエン構造、シクロデカジエン構造等の単環式不飽和炭化水素構造;ビシクロ[2.2.1]ヘプタン構造、ビシクロ[2.2.2]オクタン構造、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン構造、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカン構造、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン構造、アダマンタン構造等の多環式飽和炭化水素構造;ビシクロ[2.2.1]ヘプテン構造、ビシクロ[2.2.2]オクテン構造、トリシクロ[5.2.1.02,6]デセン構造、トリシクロ[3.3.1.13,7]デセン構造、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデセン構造等の多環式不飽和炭化水素構造等が挙げられ、さらにこれらの構造に-CO-、-COO-、-OCO-、-O-、-NR-、-CS-、-S-、-SO-及び-SO2-からなる群より選ばれる少なくとも1種の基が含まれるもの等が挙げられる。R4とR5とが互いに結合して形成してもよい炭素数3~20の環構造は置換基を含んでいてもよい。置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基等が挙げられる。Rは、水素原子又は炭素数1~10の1価の有機基である。上記-CO-と炭素数1~20の炭化水素基とから構成される環構造としては、炭素数3~8の環状ケトン構造等が挙げられる。上記-COO-と炭素数1~20の炭化水素基とから構成される環構造としては、炭素数3~8のラクトン構造等が挙げられる。上記-O-と炭素数1~20の炭化水素基とから構成される環構造としては、炭素数3~8の環状エーテル構造等が挙げられる。上記-NR-と炭素数1~20の炭化水素基とから構成される環構造としては、炭素数3~8の環状アミン構造等が挙げられる。Rで表される炭素数1~10の有機基としては、それぞれ炭素数1~10の鎖状炭化水素基、脂肪族環状炭化水素基、芳香族炭化水素基、エポキシ基、シアノ基、カルボキシ基等が挙げられる。上記-S-と炭素数1~20の炭化水素基とから構成される環構造としては、炭素数3~8の環状チオエーテル構造等が挙げられる。上記-SO-と炭素数1~20の炭化水素基とから構成される環構造としては、炭素数~8の環状スルホキシド構造等が挙げられる。上記-SO2-と炭素数1~20の炭化水素基とから構成される環構造としては、炭素数3~8の環状スルホニル構造等が挙げられる。また、上記R4とR5が結合している炭素原子と共に形成するこの環構造としては、5員環又は6員環構造のものが、合成の容易性の点から好ましい。nとしては、1又は2が好ましく、1がより好ましい。なお、上記式1におけるR4及びR5のうち少なくとも1つは、フッ素原子を含む1価の有機基である。上記式1におけるR4及びR5のうち少なくとも1つがフッ素原子を含む1価の有機基であることで、当該化合物を組み込んだ重合体を含有するフォトレジスト組成物は、液浸露光プロセスにおいて、露光時には大きい動的接触角を示すことにより、レジスト膜表面が優れた水切れ性を示し、現像時には水切れ性が大きく低下することにより、現像欠陥の発生を抑制できる。上記フッ素原子を有する1価の有機基としては、例えばトリフルオロメチル基やトリフルオロエチル基等の炭素数1~20のフッ素化炭化水素基、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-、-NR-、-CS-、-S-、-SO-及び-SO2-からなる群より選ばれる少なくとも1種の基と、炭素数1~20の炭化水素基とから構成されかつ水素原子の一部が少なくともフッ素原子で置換された1価の有機基が挙げられ、さらにこれらが置換基を有するものが挙げられる。置換基としては、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基を挙げることができる但し、Rは水素原子又は炭素数1~10の1価の有機基である。上記フッ素原子を含む1価の有機基は、-RC-Rf、-RC-ORf又は-RC-OCORf、RCは単結合又は2価の連結基であり、かつRfはフッ素化アルキル基又はヒドロキシフッ素化アルキル基であることが好ましい。上記フッ素原子を有する1価の有機基が、上記特定基であることで、効果的に現像後の水切れ性を低下させることができ、結果として、現像欠陥の発生をさらに抑制できる。上記RCで表される2価の連結基としては、例えば2価の鎖状炭化水素基、2価の脂環式炭化水素基、2価の芳香族炭化水素基又はこれらの基と-CO-、-COO-、-OCO-、-O-、-NR-、-CS-、-S-、-SO-及び-SO2-からなる群より選ばれる少なくとも1種の基のうち1つ又は2つ以上を組み合わせた基等が挙げられる但し、Rは水素原子又は炭素数1~10の1価の有機基である。上記REとしては、単結合がより好ましい。上記Rfで表されるフッ素化アルキル基のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。上記Rfで表されるヒドロキシフッ素化アルキル基のアルキル基としては、例えば2-ヒドロキシ-2-トリフルオロメチル-1,1,1-トリフルオロプロピル基等が挙げられる。この中でもRfとしては、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、2-ヒドロキシ-2-トリフルオロメチル-1,1,1-トリフルオロプロピル基が好ましい。<化合物1-0>化合物1の好ましい態様としては、上記式1におけるR4及びR5のうち少なくとも1つが1価の有機基であり、かつR4とR5とが互いに結合して環構造を形成していない場合において、この1価の有機基はフッ素原子を有するもの以下、化合物1-0とも称するが挙げられる。当該化合物1-0を組み込んだ重合体は、レジスト膜において表層側により偏在化する。従って、現像後の水切れ性の低下をより大きくすることができ、結果として現像欠陥の発生をより抑制できる。上記フッ素原子を有する1価の有機基としては、例えばトリフルオロメチル基やトリフルオロエチル基等の炭素数1~20のフッ素化炭化水素基、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-、-NR-、-CS-、-S-、-SO-及び-SO2-からなる群より選ばれる少なくとも1種の基と炭素数1~20の炭化水素基とから構成されかつ水素原子の一部が少なくともフッ素原子で置換された1価の有機基等が挙げられ、さらにこれらが置換基を有するものが挙げられる。置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基等が挙げられる。Rは、水素原子又は炭素数1~10の1価の有機基である。上記フッ素原子を有する1価の有機基としては、-RC-Rf、-RC-ORf又は-RC-OCORf、RCは単結合又は2価の連結基、かつRfはフッ素化アルキル基又はヒドロキシフッ素化アルキル基であることが好ましい。上記フッ素原子を有する1価の有機基が、上記特定基であることで、効果的に現像後の水切れ性を低下させることができ、結果として、現像欠陥の発生をさらに抑制できる。上記RCで表される2価の連結基としては、例えば2価の鎖状炭化水素基、2価の脂環式炭化水素基、2価の芳香族炭化水素基、又はこれらの基と-CO-、-COO-、-OCO-、-O-、-NR-、-CS-、-S-、-SO-及び-SO2-からなる群より選ばれる少なくとも1種の基のうち1つ又は2つ以上を組み合わせた基等が挙げられる。Rは、水素原子又は炭素数1~10の1価の有機基である。上記RCとしては、単結合がより好ましい。上記Rfで表されるフッ素化アルキル基のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。上記Rfで表されるヒドロキシフッ素化アルキル基のアルキル基としては、例えば2-ヒドロキシ-2-トリフルオロメチル-1,1,1-トリフルオロプロピル基等が挙げられる。上記Rfとしては、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル、2-ヒドロキシ-2-トリフルオロメチル-1,1,1-トリフルオロプロピル基が好ましい。化合物1-0としては、例えば下記式で表される化合物1-0-1~1-0-13等が挙げられる。化合物1-0としては、上記化合物のうち、化合物1-0-1及び1-0-2が好ましい。<化合物1-1>化合物1の好ましい態様としては、上記式1-1で表される化合物1-1が挙げられる。当該化合物が上記特定構造を有することで、当該化合物を組み込んだ重合体の剛直性が高まり、現像時の水切れ性の低下をより大きくすることができる。結果として現像欠陥の発生をより抑制できる上記式1-1中、R1、R2、R3及びnは、上記式1と同義である。RAは、ラクトン環を構成している炭素原子と共に炭素数3~20の環構造を形成するm2価の有機基である。RBは、フッ素原子、ヒドロキシ基又は炭素数1~20の有機基である。mは1~6の整数である。mが2以上の場合、複数のRBは、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環構造を形成してもよい。この環構造が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。但し、RBのうち少なくとも1つは、フッ素原子を有する。上記RAとラクトン環を構成している炭素原子とが形成する炭素数3~20の環構造としては、例えばシクロプロパン構造、シクロブタン構造、シクロペンタン構造、シクロヘキサン構造、シクロヘプタン構造、シクロオクタン構造、シクロデカン構造、メチルシクロヘキサン構造、エチルシクロヘキサン構造等の単環式飽和炭化水素構造;シクロブテン構造、シクロペンテン構造、シクロヘキセン構造、シクロヘプテン構造、シクロオクテン構造、シクロデセン構造、シクロペンタジエン構造、シクロヘキサジエン構造、シクロオクタジエン構造、シクロデカジエン構造等の単環式不飽和炭化水素構造;ビシクロ[2.2.1]ヘプタン構造、ビシクロ[2.2.2]オクタン構造、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン構造、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカン構造、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン構造、アダマンタン構造等の多環式飽和炭化水素構造;ビシクロ[2.2.1]ヘプテン構造、ビシクロ[2.2.2]オクテン構造、トリシクロ[5.2.1.02,6]デセン構造、トリシクロ[3.3.1.13,7]デセン構造、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデセン構造等の多環式不飽和炭化水素構造等が挙げられ、さらにこれらの構造に-CO-、-COO-、-OCO-、-O-、-NR-、-CS-、-S-、-SO-及び-SO2-からなる群より選ばれる少なくとも1種の基が含まれるもの等が挙げられる但し、Rは水素原子又は炭素数1~10の1価の有機基である。上記RBで表される炭素数1~20の有機基としては、例えば上記R4及びR5として例示した炭素数1~20の1価の有機基と同様の基等が挙げられる。上記RBとしては-RC-Rf、-RC-ORf又は-RC-OCORf、RCは単結合又は2価の連結基、かつRfはフッ素化アルキル基又はヒドロキシフッ素化アルキル基であることが好ましい。RBが、上記特定基であることで、効果的に現像後の水切れ性を低下させることができ、結果として、現像欠陥の発生をさらに抑制できる。上記RCで表される2価の連結基としては、例えば2価の鎖状炭化水素基、2価の脂環式炭化水素基、2価の芳香族炭化水素基又はこれらの基と-CO-、-CS-、-O-、-NH-、-S-のうち1つ又は2つ以上を組み合わせた基が挙げられる。上記RCとしては、単結合がより好ましい。上記Rfで表されるフッ素化アルキル基のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。上記Rfで表されるヒドロキシフッ素化アルキル基としては、例えば2-ヒドロキシ-2-トリフルオロメチル-1,1,1-トリフルオロプロピル基等が挙げられる。上記Rfとしては、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、2-ヒドロキシ-2-トリフルオロメチル-1,1,1-トリフルオロプロピル基が好ましい。化合物1-1としては、例えば下記式で表される化合物1-1-1~1-1-18等が挙げられる。上記化合物のうち、化合物1-1-1~1-1-4が好ましい。<化合物1の製造方法>化合物1の製造方法としては、例えば以下の方法が挙げられる。下記式で表される反応に従い、亜鉛を添加したテトラヒドロフランTHF等の溶媒中に、ケトン化合物を加え、ブロモアルキル置換アクリル酸エステルを滴下して、室温で攪拌させることで、化合物1が合成される。なお、亜鉛が添加されたTHF溶媒中に、化合物の添加前にクロロトリメチルシラン等の活性化剤を添加するとよい。上記式中、R1~R5及びnは、上記式1と同義である。R’は、1価の炭化水素基である。<重合体I>本発明の重合体は、当該化合物1に由来する構造単位Iを有する。重合体Iを含有するフォトレジスト組成物は、レジスト膜と液浸媒体との遮断を目的とした上層膜等を別途形成することなく、レジスト膜表面は大きい水切れ特性を示し、現像時においてレジスト膜の水切れ性が大きく低下する。これにより、レジスト膜表面の現像液やリンス液に対する濡れ性が大きく向上するので、リンス液による洗浄効率が低いこと等に起因するレジスト膜の現像欠陥の発生を抑制できる。従って、当該重合体は、例えばリソグラフィー技術に用いられるフォトレジスト組成物等の成分として好適である。また、重合体Iは、構造単位I以外にも、フッ素原子を有する構造単位IIを有してもよい。さらに、重合体Iは、本発明の効果を損なわない限り他の構造単位を有してもよく、重合体Iは各構造単位を2種以上有してもよい。以下、各構造単位を詳述する。[構造単位I]構造単位Iは、当該化合物1に由来する構造単位である。構造単位Iは、例えば下記式I-a等で表される。上記式I-a中、R1~R5及びnは上記式1と同義である。上記R1~R5で表される基及びnの例としては、化合物1の上記式1におけるそれぞれと同じものが挙げられる。構造単位Iを与える化合物1としては、上記化合物1として例示した化合物等が挙げられる。重合体Iにおける構造単位Iの含有割合としては、重合体Iを構成する全構造単位に対して1モル以上100モル以下が好ましく、5モル以上90モル以下がより好ましい。構造単位Iの含有割合を上記範囲とすることで、重合体Iを含有するフォトレジスト組成物により、レジスト膜と液浸媒体との遮断を目的とした上層膜等を別途形成することなく、レジスト膜表面は大きい水切れ性を示し、現像時においてはレジスト膜の水切れ性が大きく低下する。これにより、レジスト膜表面の現像液やリンス液に対する濡れ性が大きく向上するので、リンス液による洗浄効率が低いこと等に起因するレジスト膜の現像欠陥の発生を抑制できる本発明の効果をより発揮させることができる。[構造単位II]重合体Iは、フッ素原子を含む構造単位IIをさらに有してもよい。構造単位IIをさらに有することで、重合体Iのレジスト膜の表層側への偏在化を促進することができる構造単位IIは、下記式2-1及び式2-2で表される構造単位からなる群より選択される少なくとも1種の構造単位であることが好ましい。構造単位IIが上記特定の構造単位であることによっても、重合体Iのレジスト膜の表層側への偏在化を促進できると考えられ、結果として、現像時における水切れ性の低下を大きくすることができる。上記式2-1中、R6は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R7は、フッ素原子を有する炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状の鎖状炭化水素基又はフッ素原子を有する炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基である。但し、上記アルキル基及び脂環式炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部は、置換されていてもよい。上記式2-2中、R8は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。kは、1~3の整数である。R9は、k1価の連結基である。Xは、フッ素原子を有する2価の連結基である。R10は、水素原子又は1価の有機基である。但しkが2又は3の場合、複数のX及びR10はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。上記R7で表されるフッ素原子を有する炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状の鎖状炭化水素基のうち、炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状の鎖状炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。上記R7で表されるフッ素原子を有する炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基のうち、炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基としては、例えばシクロペンチル基、シクロペンチルプロピル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロオクチルメチル基等が挙げられる。上記R9で表されるk1価の連結基としては、例えば炭素数1~30の直鎖状又は分岐状の鎖状炭化水素基、炭素数3~30の脂環式炭化水素基、炭素数6~30の芳香族炭化水素基、又はこれらの基と-CO-、-COO-、-OCO-、-O-、-NR-、-CS-、-S-、-SO-及び-SO2-からなる群より選ばれる少なくとも1種の基とを組み合わせた基等が挙げられる。また、上記k1価の連結基は置換基を有してもよい。上記Rは、水素原子又は炭素数1~10の1価の有機基である。上記炭素数1~30の直鎖状又は分岐状の鎖状炭化水素基としては、例えばメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、デカン、イコサン、トリアコンタン等の炭化水素基からk1個の水素原子を除いた基等が挙げられる。上記炭素数3~30の脂環式炭化水素基としては、例えばシクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロデカン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等の単環式飽和炭化水素;シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロデセン、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、シクロオクタジエン、シクロデカジエン等の単環式不飽和炭化水素;ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン、アダマンタン等の多環式飽和炭化水素;ビシクロ[2.2.1]ヘプテン、ビシクロ[2.2.2]オクテン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デセン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デセン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデセン等の多環式炭化水素基からk1個の水素原子を除いた基等が挙げられる。上記炭素数6~30の芳香族炭化水素基としては、例えばベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ピレン、ピセン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、メシチレン、クメン等の芳香族炭化水素基からk1個の水素原子を除いた基等が挙げられる。上記R9としては、炭素数1~30の分岐状の鎖状炭化水素基が好ましい。上記Xで表されるフッ素原子を有する2価の連結基としては、例えばフッ素原子を有する炭素数1~20の2価の鎖状炭化水素基、カルボニル基を含むフッ素原子を有する炭素数1~20の2価の鎖状炭化水素基等が挙げられる。上記フッ素原子を有する炭素数1~20の2価の鎖状炭化水素基としては、例えば下記式X-1~X-7で表される基等が挙げられる。上記Xとしては、上記式X-7で表される基が好ましい。上記R10で表される1価の有機基としては、例えば炭素数1~30の直鎖状又は分岐状の鎖状炭化水素基、炭素数3~30の脂環式炭化水素基、炭素数6~30の芳香族炭化水素基、又はこれらの基と-CO-、-COO-、-OCO-、-O-、-NR-、-CS-、-S-、-SO-及び-SO2-からなる群より選ばれる少なくとも1種の基とを組み合わせた基等が挙げられる。Rは、水素原子又は炭素数1~10の1価の有機基である。上記R10としては炭素数1~30の直鎖状又は分岐状の鎖状炭化水素基が好ましい。構造単位IIとしては、上記式2-2で表される構造単位がより好ましい。上記式2-1で表される構造単位を与える単量体としては、例えばトリフルオロメチルメタアクレート、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリレート、パーフルオロエチルメタアクリレート、パーフルオロn-プロピルメタアクリレート、パーフルオロi-プロピルメタアクリレート、パーフルオロn-ブチルメタアクリレート、パーフルオロi-ブチルメタアクリレート、パーフルオロt-ブチルメタアクリレート、パーフルオロシクロヘキシルメタアクリレート、2-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロピルメタアクリレート、1-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルメタアクリレート、1-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロヘキシルメタアクリレート、パーフルオロシクロヘキシルメチルメタアクリレート、1-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルメタアクリレート、1-2,2,3,3,4,4,4-ヘプタフルオロペンタメタアクリレート、1-3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-ヘプタデカフルオロデシルメタアクリレート、1-5-トリフルオロメチル-3,3,4,4,5,6,6,6-オクタフルオロヘキシルメタアクリレート等が挙げられる。上記式2-2で表される構造単位を与える単量体としては、例えばメタアクリル酸2-1-エトキシカルボニル-1,1-ジフルオロブチルエステル、メタアクリル酸2-1-t-ブトキシカルボニル-1,1-ジフルオロブチルエステル、メタアクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-3-プロピルエステル、メタアクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ブチルエステル、メタアクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-5-ペンチルエステル、メタアクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ペンチルエステル、メタアクリル酸2-{[5-1’,1’,1’-トリフルオロ-2’-トリフルオロメチル-2’-ヒドロキシプロピル]ビシクロ[2.2.1]ヘプチル}エステル等が挙げられる。これらのうち、メタアクリル酸2-1-t-ブトキシカルボニル-1,1-ジフルオロブチルエステル及びメタアクリル酸2-1-エトキシカルボニル-1,1-ジフルオロブチルエステルが好ましい。重合体Iにおける構造単位IIの含有割合としては、[B]重合体を構成する全構造単位に対して0モル以上90モル以下が好ましく、0モル以上80モル以下がより好ましい。[構造単位III]重合体Iは、上記式3で表される構造単位IIIをさらに有することが好ましい。重合体Iが構造単位IIIをさらに有すると、当該重合体を含有するフォトレジスト組成物によれば、現像液に対する溶解速度を制御することができ、より良好なレジストパターンを形成することができる。上記式3中、R11は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R12~R14は、それぞれ独立して、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数4~20の脂環式炭化水素基である。但し、R12及びR13は、互いに結合して、これらが結合している炭素原子と共に2価の脂環式炭化水素基を形成してもよい。上記R12~R14で表される炭素数1~6のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられる。上記R12~R14で表される炭素数4~20の脂環式炭化水素基としては、例えばシクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基、アダマンチル基等が挙げられる。上記R12及びR13が互いに結合して形成してもよい2価の脂環式炭化水素基としては、例えばシクロペンタンジイル基、ノルボルナンジイル基、アダマンタンジイル基等が挙げられる。構造単位IIIを与える単量体としては、例えば下記式で表される単量体3-1~3-11等が挙げられる。上記単量体のうち、単量体3-2、3-3、3-8、3-9及び3-11が好ましい。重合体Iにおける構造単位IIIの含有割合としては、重合体Iを構成する全構造単位に対して10モル以上60モル以下が好ましく、15モル以上55モル以下がより好ましい。構造単位IIIの含有割合を上記範囲とすることで、重合体Iを含有するフォトレジスト組成物によれば、現像液に対する溶解速度を制御することができ、より良好なレジストパターンを形成できる。<重合体Iの製造方法>重合体Iは、例えば化合物1及び必要に応じて他の単量体を、ラジカル重合等の常法に従って製造できる。製造方法としては、例えば単量体及びラジカル開始剤を含有する溶液を、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;単量体を含有する溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;各々の単量体を含有する複数種の溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法等が挙げられる。上記重合に使用される溶媒としては、例えばn-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等のアルカン類;シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン類;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類;クロロブタン類、ブロモヘキサン類、ジクロロエタン類、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類;アセトン、2-ブタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-ヘプタノンなどのケトン類;テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエトキシエタン類等のエーテル類;メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、4-メチル-2-ペンタノール等のアルコール類等が挙げられる。なお、これらの溶媒は、2種以上を併用してもよい。上記重合における反応温度としては、通常40°C~150°Cであり、好ましくは50°C~120°Cである。反応時間としては、通常1時間~48時間であり、好ましくは1時間~24時間である。上記ラジカル開始剤としては、例えば2,2’-アゾビスイソブチロニトリルAIBN、2,2’-アゾビス4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2-シクロプロピルプロピオニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビスイソ酪酸ジメチル等が挙げられる。これらのラジカル開始剤は2種以上を混合して使用できる。重合反応により得られた重合体は、再沈殿法により回収することができる。再沈溶媒としては、アルコール系溶媒等を使用できる。重合体Iを合成するための重合反応においては、分子量を調整するために、分子量調整剤を使用できる。分子量調整剤としては、例えばクロロホルム、四臭化炭素等のハロゲン化炭化水素類;n-ヘキシルメルカプタン、n-オクチルメルカプタン、n-ドデシルメルカプタン、t-ドデシルメルカプタン、チオグリコール酸等のメルカプタン類;ジメチルキサントゲンスルフィド、ジイソプロピルキサントゲンジスルフィド等のキサントゲン類;ターピノーレン、α-メチルスチレンダイマー等が挙げられる。重合体IのMwとしては、1,000~50,000が好ましく、2,000~30,000がより好ましく、3,000~15,000がさらに好ましい。重合体IのMwが1,000未満の場合、十分な後退接触角を得ることができない傾向にある。一方、重合体IのMwが5,0000を超えると、レジストとした際の現像性が低下する傾向にある。重合体IのMwとGPC法によるポリスチレン換算数平均分子量Mnとの比Mw/Mnとしては、1~5が好ましく、1~3がより好ましい。なお、本明細書におけるMw及びMnは、以下条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより測定した値である。カラム:G2000HXL2本、G3000HXL1本、及びG4000HXL1本東ソー製移動相:テトラヒドロフランカラム温度:40°C流速:1.0mL/分試料濃度:1.0質量試料注入量:100μL検出器:示差屈折計標準物質:単分散ポリスチレン<フォトレジスト組成物>本発明のフォトレジスト組成物は、[A]重合体、[B]重合体、[C]酸発生体及び[D]溶媒を含有する。また、当該フォトレジスト組成物は、好適成分として[E]酸拡散制御体を含有してもよく、さらに、本発明の効果を損なわない限りその他の任意成分を含有してもよい。<[A]重合体>[A]重合体は酸解離性基を有する重合体である。また、[A]重合体は、当該フォトレジスト組成物におけるベース重合体となる。なお、ベース重合体とは、フォトレジスト組成物から形成されるレジスト膜を構成する重合体の主成分となる重合体をいい、好ましくは、レジスト膜を構成する全重合体に対して50質量以上を占める重合体をいう。[A]重合体は、酸解離性基を有する重合体であれば、その具体的な構造は特に限定されるものではない。酸解離性基を含む構造単位としては、例えば上記重合体Iにおける構造単位III等が挙げられる。また、[A]重合体は、構造単位I以外の構造単位であってラクトン構造、環状カーボネート構造及びスルトン構造からなる群より選択される少なくとも1種の構造単位IVをさらに有することが好ましい。また、[A]重合体は、フッ素原子を有する構造単位として、例えば上述した重合体Iにおける構造単位II等を有してもよい。さらに、[A]重合体は、本発明の効果を損なわない限りその他の構造単位を有してもよく、[A]重合体は、各構造単位を2種以上有していてもよい。以下、各構造単位を詳述する。[構造単位III][A]重合体は、酸解離性基を有する構造単位として、例えば上述した重合体Iにおける構造単位IIIを有する。[A]重合体が酸解離性基を含む構造単位を有すると、[C]酸発生剤から発生する酸の作用により、酸解離性基が解離して、カルボキシ基が発生し、極性が変化して現像液に対する溶解性が変化する。その結果、レジストパターンを形成することができる。[A]重合体における酸解離性基を含む構造単位の含有割合としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して5モル以上90モル以下が好ましく、10モル以上85モル以下がより好ましい。[A]重合体における酸解離性基を含む構造単位の含有割合を上記範囲とすることで、当該フォトレジスト組成物は、感度等をより向上させることができる。[構造単位II][A]重合体は、フッ素原子を含む構造単位IIを有してもよい。構造単位IIは上述した重合体Iにおける構造単位IIと同じである。[A]重合体における構造単位IIの含有割合としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して0モル以上95モル以下が好ましく、5モル以上85モル以下がより好ましい。[A]重合体が構造単位IIを有する場合の構造単位IIを与える単量体としては、メタアクリル酸2-1-t-ブトキシカルボニル-1,1-ジフルオロブチルエステルが好ましい。[構造単位IV][A]重合体は、構造単位I以外の構造単位であって、ラクトン構造、環状カーボネート構造及びスルトン構造からなる群より選択される少なくとも1種の構造単位IVを有することが好ましい。[A]重合体が構造単位IVを有することで、レジスト膜の基板への密着性等を高めることができる。構造単位IVを与える単量体としては、例えば下記式で表される単量体が挙げられる。上記単量体のうち、単量体4-1及び単量体4-2が好ましい。[A]重合体における構造単位IVの含有割合としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して10モル以上65モル以下が好ましく、15モル以上60モル以下がより好ましい。構造単位IVの含有割合を上記範囲とすることでレジスト膜の密着性を高めることができる。[他の構造単位][A]重合体はさらに、他の構造単位として、例えば極性基を含む構造単位等を有してもよい。極性基としては、カルボキシ基、ヒドロキシ基が好ましい。[A]重合体の含有量としては、当該フォトレジスト組成物中の全固形分に対して、通常70質量以上であり、80質量以外が好ましい。<[A]重合体の合成方法>[A]重合体は、酸解離性基を含む構造単位を与える単量体等を用い、ラジカル重合等の常法に従って合成できる。合成方法としては、例えば単量体及びラジカル開始剤を含有する溶液を、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;単量体を含有する溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;各々の単量体を含有する複数種の溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法等が挙げられる。溶媒、温度等の条件は重合体Iの製造方法と同様にすることができる。[A]重合体のMwとしては、1,000~20,000が好ましく、2,000~10,000がより好ましい。[A]重合体のMwを上記範囲とすることで、当該フォトレジスト組成物は感度等のリソグラフィー性能に優れたものとなる。[A]重合体のMwの比Mw/Mnは、通常1以上5以下であり、1以上3以下が好ましく、1以上2以下がより好ましい。Mw/Mnを上記範囲とすることで、当該フォトレジスト組成物は感度等のリソグラフィー性能、及びエッチング耐性に優れたものとなる。<[B]重合体>[B]重合体は、当該重合体である。[B]重合体は、表面疎水化重合体として機能する。表面疎水化重合体とは、フォトレジスト組成物に含有させることで、形成されるレジスト膜の表層側に偏在化する傾向を有する副成分の重合体をいう。当該フォトレジスト組成物がこのような[A]重合体と[B]重合体とを含有することで、レジスト膜を形成した際に[B]重合体が偏在化して、露光時にレジスト膜表面を疎水化することにより、液浸露光における高速スキャン等を可能にすることができる。当該フォトレジスト組成物において、[B]重合体が表面疎水化重合体として良好に機能するには、[A]重合体よりも、[B]重合体のフッ素原子含有率が高いことが好ましい。これにより、より効果的に[B]重合体が、レジスト膜の表層側に偏在化する。また、[B]重合体のフッ素原子含有率は5質量以上であることが好ましく、7質量以上であることがより好ましく、10質量以上であることがさらに好ましい。一方、[A]重合体のフッ素原子含有率としては、5質量未満が好ましく、3質量以下がより好ましく、1質量以下がさらに好ましい。なお、フッ素原子含有率は、13C-NMRを用いて重合体の構造を同定し、この構造から算出することができる。[B]重合体としては、上記重合体Iとして例示した重合体等が挙げられる。[B]重合体の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して0.01質量部以上20質量部以下が好ましく、0.1質量部以上15質量部以下がより好ましく、0.3質量部以上10質量部以下がさらに好ましい。<[C]酸発生体>当該フォトレジスト組成物は[C]酸発生体を含有する。[C]酸発生体は、露光により酸を発生し、その酸により[A]重合体が有する酸解離性基を解離させ、カルボキシ基を発生させる。その結果、[A]重合体の極性が増大し、露光部における[A]重合体が現像液に対して可溶性となる。当該フォトレジスト組成物における[C]酸発生体の含有形態としては、後述するような化合物の形態以下、適宜[C]酸発生剤とも称するでも、重合体の一部として組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。[C]酸発生剤としては、例えばオニウム塩化合物、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物等が挙げられる。これらのうち、オニウム塩化合物、スルホンイミド化合物が好ましい。オニウム塩化合物としては、例えばスルホニウム塩テトラヒドロチオフェニウム塩を含む、ヨードニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等が挙げられる。これらのうち、スルホニウム塩、ヨードニウム塩が好ましい。スルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-1-アダマンチル-1,1-ジフルオロエタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-6-1-アダマンチルカルボニルオキシ-ヘキサン-1-スルホネート等が挙げられる。テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート等が挙げられる。ヨードニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート等が挙げられる。スルホンイミド化合物としては、例えばN-トリフルオロメタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド等が挙げられる。これらの[C]酸発生剤のうち、オニウム塩化合物がより好ましい。これらの[C]酸発生剤は、2種以上を併用することができる。[C]酸発生体が[C]酸発生剤である場合の含有量としては、レジストとしての感度及び現像性を確保する観点から、[A]重合体100質量部に対して、通常0.1質量部以上20質量部以下、好ましくは0.5質量部以上15質量部以下である。[C]酸発生体の含有量が0.1質量部未満の場合、フォトレジスト組成物の感度及び現像性が低下する傾向がある。一方、[C]酸発生体の含有量が20質量部を超えると、放射線に対する透明性が低下する傾向がある。<[D]溶媒>当該フォトレジスト組成物は、通常、[D]溶媒を含有する。[D]溶媒としては、各成分を均一に溶解又は分散し、各成分と反応しないものが好適に用いられる。[D]溶媒としては、例えばアルコール類、エーテル類、ケトン類、アミド類、エステル類等が挙げられる。なお、これらの有機溶媒は、2種以上を併用することができる。アルコール類としては、例えばメタノール、エタノール、n-プロパノール、iso-プロパノール、n-ブタノール、iso-ブタノール、sec-ブタノール、tert-ブタノール、n-ペンタノール、iso-ペンタノール、2-メチルブタノール、sec-ペンタノール、tert-ペンタノール、3-メトキシブタノール、n-ヘキサノール、2-メチルペンタノール、sec-ヘキサノール、2-エチルブタノール、sec-ヘプタノール、3-ヘプタノール、n-オクタノール、2-エチルヘキサノール、sec-オクタノール、n-ノニルアルコール、2,6-ジメチル-4-ヘプタノール、n-デカノール、sec-ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec-テトラデシルアルコール、sec-ヘプタデシルアルコール、フルフリルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5-トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等のモノアルコール類;エチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-ブチレングリコール、2,4-ペンタンジオール、2-メチル-2,4-ペンタンジオール、2,5-ヘキサンジオール、2,4-ヘプタンジオール、2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ-2-エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等の多価アルコール部分エーテル類等が挙げられる。エーテル類としては、例えばジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジフェニルエーテル、メトキシベンゼン等が挙げられる。ケトン類としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル-iso-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、エチル-n-ブチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジ-iso-ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等のケトン類が挙げられる。アミド類としては、例えばN,N’-ジメチルイミダゾリジノン、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルプロピオンアミド、N-メチルピロリドン等が挙げられる。エステル類としては、例えばジエチルカーボネート、プロピレンカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、酢酸n-プロピル、酢酸iso-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸iso-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n-ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸iso-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、γ-ブチロラクトン等が挙げられる。炭化水素類としては、例えばn-ペンタン、iso-ペンタン、n-ヘキサン、iso-ヘキサン、n-ヘプタン、iso-ヘプタン、2,2,4-トリメチルペンタン、n-オクタン、iso-オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n-プロピルベンゼン、iso-プロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、iso-ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ-iso-プロピルベンセン、n-アミルナフタレン等の芳香族炭化水素類等が挙げられる。これらのうち、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノン、γ-ブチロラクトンが好ましい。<[E]酸拡散制御体>当該フォトレジスト組成物は、[E]酸拡散制御体を含有することが好ましい。[E]酸拡散制御剤は、露光により[C]酸発生体から生じる酸のレジスト膜中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制する効果を奏する。当該フォトレジスト組成物における[E]酸拡散制御体の含有形態としては、後述するような化合物の形態以下、適宜[E]酸拡散制御剤とも称するでも重合体の一部として組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。[E]酸拡散制御剤としては、例えばN-t-ブトキシカルボニルジ-n-オクチルアミン、N-t-アミロキシカルボニルジ-n-オクチルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-ノニルアミン、N-t-アミロキシカルボニルジ-n-ノニルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-デシルアミン、N-t-アミロキシカルボニルジ-n-デシルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、N-t-アミロキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N-t-アミロキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-2-アダマンチルアミン、N-t-アミロキシカルボニル-2-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン、N-t-アミロキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン、S---1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、S---1-t-アミロキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、R--1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、R--1-t-アミロキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン、N-t-アミロキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン、N-t-ブトキシカルボニルピロリジン、N-t-アミロキシカルボニルピロリジン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニルピペラジン、N,N’-ジ-t-アミロキシカルボニルピペラジン、N,N-ジ-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N,N-ジ-t-アミロキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N-t-アミロキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N’-ジ-t-アミロキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラ-t-ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラ-t-アミロキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,7-ジアミノヘプタン、N,N’-ジ-t-アミロキシカルボニル-1,7-ジアミノヘプタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,8-ジアミノオクタン、N,N’-ジ-t-アミロキシカルボニル-1,8-ジアミノオクタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,9-ジアミノノナン、N,N’-ジ-t-アミロキシカルボニル-1,9-ジアミノノナン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,10-ジアミノデカン、N,N’-ジ-t-アミロキシカルボニル-1,10-ジアミノデカン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,12-ジアミノドデカン、N,N’-ジ-t-アミロキシカルボニル-1,12-ジアミノドデカン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N,N’-ジ-t-アミロキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N-t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N-t-アミロキシカルボニル-2-メチルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール、N-t-アミロキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール等のN-t-ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物等が挙げられる。また、[E]酸拡散制御剤としては、上記N-t-ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物以外にも、例えば3級アミン化合物、4級アンモニウムヒドロキシド化合物等が挙げられる。上記3級アミン化合物としては、例えばトリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリシクロアルキルアミン類;アニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、2,6-ジメチルアニリン、2,6-ジイソプロピルアニリン等の芳香族アミン類;トリエタノールアミン、N,N-ジヒドロキシエチルアニリン等のアルカノールアミン類;N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、1,3-ビス[1-4-アミノフェニル-1-メチルエチル]ベンゼンテトラメチレンジアミン、ビス2-ジメチルアミノエチルエーテル、ビス2-ジエチルアミノエチルエーテル等が挙げられる。上記4級アンモニウムヒドロキシド化合物としては、例えばテトラ-n-プロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。さらに、[E]酸拡散制御剤としては、露光により分解して酸拡散制御性としての塩基性を失うオニウム塩化合物を用いることもできる。このようなオニウム塩化合物としては、例えば下記式5-1で表されるスルホニウム塩化合物、式5-2で表されるヨードニウム塩化合物等が挙げられる。上記式5-1及び式5-2中、R15~R19は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、アルコキシル基、ヒドロキシ基又はハロゲン原子である。Anb-は、OH-、R20-COO-、R20-SO3-、又は下記式6で表されるアニオンである。R20は、それぞれ独立してアルキル基、アリール基又はアルカノール基である。上記スルホニウム塩化合物及びヨードニウム塩化合物としては、例えばトリフェニルスルホニウムハイドロオキサイド、トリフェニルスルホニウムアセテート、トリフェニルスルホニウムサリチレート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムハイドロオキサイド、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムアセテート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムサリチレート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムアセテート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムアセテート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムサリチレート、4-t-ブチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、4-t-ブチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルヨードニウムアセテート、4-t-ブチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルヨードニウムサリチレート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、トリフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート、4-t-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート等が挙げられる。[E]酸拡散制御剤は2種以上を併用してもよい。[E]酸拡散制御剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、好ましくは0.1質量部以上20質量部以下であり、より好ましくは0.5質量部以上15質量部以下である。[E]酸拡散制御剤の含有量を上記特定範囲とすることで、パターン現像性等がより向上する。<他の任意成分>当該フォトレジスト組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、界面活性剤、増感剤等の他の任意成分を含有してもよい。なお、当該フォトレジスト組成物は、上記その他の任意成分を2種以上含有してもよい。[界面活性剤]界面活性剤は、塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する効果を奏する。界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn-オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn-ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤が挙げられる。市販品としては、例えばKP341信越化学工業製、ポリフローNo.75、同No.95以上、共栄社化学製、エフトップEF301、同EF303、同EF352以上、トーケムプロダクツ製、メガファックF171、同F173以上、大日本インキ化学工業製、フロラードFC430、同FC431以上、住友スリーエム製、アサヒガードAG710、サーフロンS-382、同SC-101、同SC-102、同SC-103、同SC-104、同SC-105、同SC-106以上、旭硝子工業製等が挙げられる。[増感剤]増感剤は、[C]酸発生体の生成量を増加する作用を示すものであり、当該フォトレジスト組成物のみかけの感度を向上させる効果を奏する。増感剤としては、例えばカルバゾール類、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、フェノール類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等が挙げられる。<フォトレジスト組成物の調製方法>当該フォトレジスト組成物は、例えば[D]溶媒中で[A]重合体、[B]重合体、[C]酸発生体及び必要に応じて任意成分を所定の割合で混合することにより調製される。また、得られた混合液を孔径0.20μm程度のフィルターでろ過することが好ましい。<レジストパターン形成方法>当該フォトレジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法は、1当該フォトレジスト組成物を基板上に塗布し、レジスト膜を形成する工程以下、工程1とも称する、2フォトマスクを介した放射線の照射により上記レジスト膜を液浸露光する工程以下、工程2とも称する、3液浸露光された上記レジスト膜を加熱する工程以下、工程3とも称する、及び4加熱されたレジスト膜を現像する工程以下、工程4とも称するを有する。以下、各工程を詳述する。[工程1]本工程では、当該フォトレジスト組成物を基板上に塗布して、レジスト膜を形成する。基板としては、例えばシリコンウェハ、アルミニウムで被覆されたウェハ等の従来公知の基板を使用できる。また、例えば特公平6-12452号公報や、特開昭59-93448号公報等に開示されている有機系又は無機系の下層反射防止膜を基板上に形成してもよい。塗布方法としては、例えば回転塗布スピンコーティング、流延塗布、ロール塗布等が挙げられる。なお、形成されるレジスト膜の膜厚としては、通常10nm~150nmであり、10nm~120nmが好ましい。当該フォトレジスト組成物を塗布した後、必要に応じてソフトベークSBによって塗膜中の溶媒を揮発させてもよい。SBの加熱条件としては、当該フォトレジスト組成物の配合組成によって適宜選択されるが、通常30°C~200°C程度であり、50°C~150°Cが好ましい。[工程2]本工程では、工程1で形成したレジスト膜の所望の領域にマスク及び液浸液を介して露光する。露光の際に用いられる液浸液としては、例えば水、フッ素系不活性液体等が挙げられる。液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつ膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましい。露光光源がArFエキシマレーザー光波長193nmである場合、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水が好ましい。水を用いる場合、水の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させる添加剤を僅かな割合で添加してもよい。この添加剤は、ウェハ上のレジスト層を溶解させず、かつレンズの下面の光学コートに対する影響が無視できるものが好ましい。使用する水としては蒸留水が好ましい。露光に使用される放射線としては、[C]酸発生体の種類に応じて適宜選択されるが、例えば紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等が挙げられる。これらのうち、ArFエキシマレーザー光やKrFエキシマレーザー光波長248nmに代表される遠紫外線が好ましく、ArFエキシマレーザー光がより好ましい。露光量等の露光条件は、当該フォトレジスト組成物の配合組成や添加剤の種類等に応じて適宜選択される。本発明のレジストパターン形成方法においては、露光工程を複数回有してもよく複数回の露光は同じ光源を用いても、異なる光源を用いても良いが、1回目の露光にはArFエキシマレーザー光を用いることが好ましい。[工程3]本工程では、露光後にポストエクスポージャーベークPEBを行なう。PEBを行なうことにより、当該フォトレジスト組成物中の酸解離性基の解離反応を円滑に進行できる。PEB温度としては、通常30°C以上200°C未満であり、50°C以上150°C未満が好ましい。30°Cより低い温度では、上記解離反応が円滑に進行しないおそれがあり、一方、200°C以上の温度では、[C]酸発生体から発生する酸が未露光部にまで広く拡散し、良好なパターンが得られないおそれがある。[工程4]本工程では、露光後加熱されたレジスト膜を、現像液で現像する。現像後は水で洗浄し、乾燥することが一般的である。現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも1種を溶解したアルカリ水溶液が好ましい。現像方法としては、例えば現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。以下、実施例に基づき本発明を詳述するが、本発明は、実施例に限定されるものではない。各種物性値の測定方法を以下に示す。[1H-NMR分析及び13C-NMR分析]化合物の1H-NMR分析並びに重合体の13C-NMR分析は、核磁気共鳴装置JNM-EX400、日本電子製を使用し、測定溶媒として重クロロホルムを使用した。<単量体の合成>[実施例1]滴下漏斗及びコンデンサーを備え乾燥させた1Lの三口反応器に、亜鉛粉末Aldrich製、粒子径150μm以下13.1g200mmolを添加し、窒素雰囲気にした後、テトラヒドロフランTHF240mLを加えマグネチックスターラーで攪拌しながら、クロロトリメチルシラン1.9mL15mmolを加え、20°C~25°Cで30分間撹拌した。そこへ、ヘキサフルオロアセトン33.2g200mmolをTHF40mLに溶解させた溶液を添加した。次に、エチル2-ブロモメチルアクリレート34.8g180mmolのTHF50mL溶液を滴下した。滴下後、室温で2時間攪拌した。ガスクロマトグラフィーにより反応終了を確認した後、塩化アンモニウム水溶液、酢酸エチルを加え分液した。得られた有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄した。その後、有機層を乾燥後減圧濃縮した。その後カラムクロマトグラフィーによる精製を行い、下記式Fs-1で表される化合物14.9gを合成した64mmol、収率32。1H-NMRデータを以下に示す。1H-NMRCDCl3δ:2.21-2.43m、2H、5.51-5.61m、1H、6.00-6.18m、1H[実施例2]合成例1において、ヘキサフルオロアセトン33.2gの代わりに、4-トリフルオロメチルシクロヘキサノン33.2gを用いた以外は、実施例1と同様に操作して、下記式Fs-2で表される化合物31.9gを合成した136mmol、収率68。1H-NMRデータを以下に示す。1H-NMRCDCl3δ:1.53-2.11m、8H、2.16-2.31m、1H、2.70t、J=2.8Hz、1H、2.75t、J=2.8Hz、1H、5.60-5.65m、1H、6.20-6.27m、1H[実施例3]まず、20Lの反応器に、1,4-シクロヘキサンジオール1,004g8.64molを添加し、そこへTHFを4,320mL加え、メカニカルスターラーで攪拌した。反応器にp-トルエンスルホン酸ピリジニウム21.71g86.39mmol、続いて3,4-ジヒドロ‐2H-ピラン726.73g8.64molを加え室温にて12時間反応させた。その後、トリエチルアミン17.28g170.77mmolを加えて反応を停止させ、濃縮した。濃縮液をヘキサンと水で分液し、得られた水層にNaClを飽和するまで加えた後、塩化メチレンにて抽出した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮することにより、下記式Fs-Aで表される化合物737gを合成した3.68mol、収率43。1H-NMRデータを以下に示す。1H-NMRCDCl3δ:1.24-1.91m、13H、1.94-2.05m、2H、3.45-3.53m、1H、3.59-3.70m、1H、3.71-3.78m、1H、3.87-3.95m、1H、4.67-4.71m、1H次に、5Lの三口反応器に、上記合成したFs-A300g1.5molを添加し、そこへ塩化メチレン1,200mL、2-アザアダマンタン-N-オキシル0.228g1.5mmol、臭化カリウム17.85g150mmol、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液450mLを順次添加し、メカニカルスターラーで攪拌した。反応器を0°Cに冷却し、7質量次亜塩素酸ナトリウム水溶液1,913gと飽和炭酸水素ナトリウム水溶液450mLを混合した溶液を3時間かけて滴下した。滴下終了後0°Cにて30分攪拌後、飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液100mL加えて反応を停止させ分液した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後減圧濃縮することにより、下記式Fs-Bで表される化合物214gを合成した1.08mol、収率72。1H-NMRデータを以下に示す。1H-NMRCDCl3δ:1.51-2.16m、10H、2.22-2.35m、2H、2.50-2.69m、2H、3.49-3.56m、1H、3.88-3.95m、1H、4.05-4.11m、1H、4.74-4.78m、1H続いて、実施例1において、ヘキサフルオロアセトン33.2gの代わりに、上記合成したFs-B39.7gを用いた以外は、実施例1と同様に操作し、得られた粗生成物をエタノール500mLに溶解させた後、パラトルエンスルホン酸一水和物9.51g50mmolを加えて室温にて3時間反応させた。これを塩化メチレンで抽出し、水、飽和食塩水で洗浄した後、カラムクロマトグラフィーで精製することにより下記式Fs-Cで表される化合物25.1gを合成した138mmol、収率69。1H-NMRデータを以下に示す。1H-NMRCDCl3δ:1.55-2.09m、8H、2.72t、J=2.8Hz、1H、2.76t、J=2.8Hz、1H、3.67-3.77m、0.5H、3.96-4.04m、0.5H、5.62-5.68m、1H、6.22-6.28m、1Hその後、窒素雰囲気下、500mLの三口反応器に上記合成したFs-C18.2g100mmolを添加し、そこへ塩化メチレン100mLを加えた。反応器を0°Cに冷却した後、トリフルオロ酢酸無水物23.1g110mmolを15分かけて滴下した。滴下終了後0°Cにて2時間攪拌し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液300mL加えて反応を停止させ分液した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後減圧濃縮した後、カラムクロマトグラフィーで精製することにより、下記式Fs-3で表される化合物19.7gを合成した70.8mmol、収率71。1H-NMRデータを以下に示す。1H-NMRCDCl3δ:1.62-2.01m、8H、2.22s、3H、2.75-2.89m、2H、4.81-4.95m、0.5H、5.02-5.16m、0.5H、5.64-5.72m、1H、6.27-6.33m、1H[実施例4]実施例3において、トリフルオロ酢酸無水物23.1gの代わりに、3,3,3-トリフルオロプロピオン酸無水物23.8gを用いた以外は、合成例4と同様に操作して、下記式Fs-4で表される化合物14.9gを合成した51.0mmol、収率51。1H-NMRデータを以下に示す。1H-NMRCDCl3δ:1.61-2.00m、8H、2.61-2.91m、4H、4.86-4.99m、0.5H、5.06-5.19m、0.5H、5.63-5.70m、1H、6.21-6.30m、1H[実施例5]まず、実施例3において、Fs-C18.2gの代わりに、5-ヒドロキシアダマンタン-2―オン16.6gを用いた以外は、実施例3と同様に操作して、下記式Fs-Dで表される化合物22.0gを合成した83.9mmol、収率84。1H-NMRデータを以下に示す。1H-NMRCDCl3δ:1.13-2.69m、13H次に、実施例1において、ヘキサフルオロアセトン33.2gの代わりに、上記合成したFs-D52.4gを用いた以外は、実施例1と同様に操作して、下記式Fs-5で表される化合物21.8gを合成した66.0mmol、収率33。1H-NMRデータを以下に示す。1H-NMRCDCl3δ:1.10-2.68m、13H、2.77-2.91m、2H、5.63-5.70m、1H、6.21-6.30m、1H[実施例6]実施例1において、ヘキサフルオロアセトン33.2gの代わりに、文献ChemischeBerichte1986,119,3502-3506に従い合成した4,4,4-トリフルオロ-3-ヒドロキシ-3-トリフルオロメチルブタナール42.0gを用いた以外は、実施例1と同様に操作して、下記式Fs-6で表される化合物11.8gを合成した42.4mmol、収率21。1H-NMRデータを以下に示す。1H-NMRCDCl3δ:1.51-1.70m、2H、2.19-2.45m、2H、3.88-4.21m、1H、5.51-5.61m、1H、6.00-6.18m、1H<重合体の合成>重合体I及び[A]重合体の合成に用いた各単量体を下記に示す。なお、単量体Fs-1~Fs-6は構造単位Iを、単量体M-8及びM-9は構造単位IIを、単量体M-1~M-5は構造単位IIIを、単量体M-6及びM-7は構造単位IVをそれぞれ与える。<重合体I[B]重合体の合成>[実施例7]上記化合物Fs-11.00g10mol、上記化合物M-97.45g70mol、上記化合物M-21.55g20molを10gの2-ブタノンに溶解し、AIBN0.42gを添加して単量体溶液を調製した。引き続き、20gの2-ブタノンを入れた100mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、撹拌しながら80°Cに加熱し、調製した単量体溶液を滴下漏斗にて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合溶液を水冷して30°C以下に冷却した。200gのメタノール中に冷却した重合溶液を投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別した白色粉末を40gのメタノールで2回洗浄した後、ろ別し、50°Cで17時間乾燥させて白色粉末状の重合体B-1を合成した4.2g、収率42。重合体B-1のMwは4,000であり、Mw/Mnは1.52であった。構造単位I、構造単位II及び構造単位IIIの含有割合は、それぞれ9.7モル、72.2モル及び18.1モルであった。[実施例8~実施例12及び合成例6]表1に示す種類及び量の単量体を用いた以外は実施例7と同様に操作して、各重合体を合成した。合成した各重合体のMw及びMw/Mnを表1に合わせて示す。なお-は、該当する単量体を使用しなかったことを示す。<[A]重合体の合成>[合成例1]上記化合物M-143.1g50mol、上記化合物M-656.9g50molを100gの2-ブタノンに溶解し、AIBN4.21gを添加して単量体溶液を調製した。引き続き、200gの2-ブタノンを入れた1,000mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、撹拌しながら80°Cに加熱し、調製した単量体溶液を滴下漏斗にて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合溶液を水冷して30°C以下に冷却した。2,000gのメタノール中に冷却した重合溶液を投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別した白色粉末を400gのメタノールで2回洗浄した後、ろ別し、50°Cで17時間乾燥させて白色粉末状の重合体A-1を合成した62.3g、収率62。重合体A-1のMwは5,500であり、Mw/Mnは1.41であった。各構造単位の含有割合を13C-NMR分析により測定した。構造単位IIIの含有割合及び構造単位IVの含有割合は、それぞれ48.2モル及び51.8モルであった。[合成例2~5]表2に示す種類及び量の単量体を用いた以外は合成例1と同様に操作して、各重合体を合成した。合成した各重合体のMw及びMw/Mnを表2にあわせて示す。なお、-は、該当する単量体を使用しなかったことを示す。<フォトレジスト組成物の調製>各フォトレジスト組成物の調製に用いた各成分を下記に示す。<[C]酸発生剤>C-1:下記式C-1で表される化合物<[D]溶媒>D-1:酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルD-2:シクロヘキサノン<[E]酸拡散制御剤>E-1:下記式E-1で表される化合物[実施例13][A]重合体としてのA-1100質量部、[B]重合体としてのB-15質量部、[C]酸発生剤としてのC-19.9質量部、[D]溶媒としてのD-12,590質量部及びD-21,110質量部、並びに[E]酸拡散制御剤としてのE-17.9質量部を混合し、得られた混合液を孔径0.20μmのフィルターでろ過してフォトレジスト組成物を調製した。[実施例14~22並びに比較例1及び2]表3に示す種類、含有量の各成分を混合したこと以外は実施例13と同様に操作して、各フォトレジスト組成物を調製した。<評価>調製した各フォトレジスト組成物を用いて以下の評価をした。評価結果を表3に合わせて示す。<後退接触角°>形成したレジスト膜について、室温23°C、湿度45、常圧の環境下で、KRUS社のDSA-10を用いて以下の手順で後退接触角を測定した。DSA-10の針を測定前にアセトンとイソプロピルアルコールで洗浄し、次いで針に水を注入し、ウェハステージ上にウェハをセットする。ウェハ表面と針の先端の距離が1mm以下になるようステージの高さを調整し、次に、針から水を排出してウェハ上に25μLの水滴を形成した後、針によって水滴を10μL/分の速度で180秒間吸引するとともに、接触角を毎秒測定した。接触角が安定した時点から計20点の接触角について平均値を算出して後退接触角とした。[SB後の後退接触角]8インチシリコンウェハ上に、各フォトレジスト組成物を塗布し、膜厚110nmの塗膜を形成し、100°Cで60秒間ソフトベークSBを行った後に後退接触角を測定した。この値を表3中のSB後に示す。[現像後の後退接触角]8インチシリコンウェハ上に、各フォトレジスト組成物を塗布し、膜厚110nmの塗膜を形成し、100°Cで60秒間ソフトベークSBを行った。その後、現像装置東京エレクトロン製、クリーントラックACT8のGPノズルによって2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により30秒間現像し、15秒間純水によりリンスし2,000rpmで液振り切り乾燥した後、後退接触角を測定した。この後退接触角を表3中の現像後とした。[現像欠陥]下層反射防止膜ARC66、日産化学製を形成した12インチシリコンウェハ上に、各フォトレジスト組成物を塗布し、膜厚110nmの塗膜を形成した。次に、この塗膜をArFエキシマレーザー液浸露光装置NSRS610C、NIKON製を用い、NA=1.3、ratio=0.812、Crosspoleの条件により、マスクパターンを介して露光した。露光後、120°Cで60秒間ポストベークを行った。その後、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により現像し、水洗、乾燥してポジ型のレジストパターンを形成した。このとき、幅55nmのラインアンドスペースを形成する露光量を最適露光量とした。この最適露光量にてウェハ全面に線幅55nmのラインアンドスペースを形成し、現像欠陥検査用ウェハとした。なお、測長には走査型電子顕微鏡S-9380、日立ハイテクノロジーズ製を用いた。その後、現像欠陥検査用ウェハ上の欠陥数を、欠陥検査装置KLA2810、KLA-Tencor製を用いて測定した。測定された欠陥を、レジスト由来と判断されるものと外部由来の異物とに分類した。分類後、レジスト由来と判断されるものの数欠陥数を合計し、現像欠陥数とした。現像欠陥数を表3にあわせて示す。現像欠陥数が50個/wafer以下であった場合良好と判断し、50個/wafer以上であった場合不良と判断した。各フォトレジスト組成物は比較例と比べ現像欠陥数は良好であった。表3の結果から明らかなように、当該フォトレジスト組成物を用いた場合には、比較例と比べSB後の後退接触角が現像後において大きく低下していることが確認でき、後退接触角変化に優れることがわかった。また、当該フォトレジスト組成物は、現像欠陥の発生を抑制できることがわかった"