心材を構成するアルミニウム合金が0.2~0.6質量のMnおよび0.05~0.4質量のFeを含有し、かつ常温における引張強さが100N/mm2以下であり、前記心材の少なくとも一方の面にろう材がクラッドされていることを特徴とするろう付用クラッド材。前記ろう付用クラッド材は、電子素子搭載用基板において、絶縁基板にろう付して電子素子を搭載するアルミニウム回路層、または絶縁基板の前記アルミニウム回路層とは反対の面にろう付するアルミニウム層である請求項1に記載のろう付用クラッド材。前記心材を構成するアルミニウム合金が0.05~0.5質量のZrおよび0.05~0.5質量のVのうちの少なくとも一方を含有する請求項1または2に記載のろう付用クラッド材。前記心材を構成するアルミニウム合金が0.05~0.5質量のSiを含有する請求項1~3のいずれかに記載のろう付用クラッド材。前記心材を構成するアルミニウム合金が、0.2質量以下のCu、0.2質量以下のZn、0.2質量以下のMg、0.2質量以下のTiのうちの少なくとも1種を含有する請求項1~4のいずれかに記載のろう付用クラッド材。心材が0.2~0.6質量のMnおよび0.05~0.4質量のFeを含有するアルミニウム合金からなり、均質化処理を行うことなく、500°Cにおける引張強さを5N/mm2以上となされた前記心材の少なくとも一方の面にろう材を重ねて熱間でクラッド圧延することに一体化し、さらに複数パスの圧延を行う間に350~450°C×1~12時間の中間焼鈍を行うことを特徴とするろう付用クラッド材の製造方法。絶縁基板の一方の面に電子素子を搭載するアルミニウム回路層がろう付された電子素子搭載用基板であって、前記アルミニウム回路層は請求項1~5のいずれかに記載のろう付用クラッド材で構成され、ろう付後の心材における結晶粒の平均粒径が50~1500μmとなされていることを特徴とする電子素子搭載用基板。絶縁基板の一方の面に電子素子を搭載するアルミニウム回路層がろう付され、他方の面にアルミニウム層がろう付された電子素子搭載用基板であって、前記アルミニウム回路層およびアルミニウム層の少なくとも一方は、請求項1~5のいずれかに記載のろう付用クラッド材で構成され、ろう付後の心材における結晶粒の平均粒径が50~1500μmとなされていることを特徴とする電子素子搭載用基板。請求項8に記載の電子素子搭載用基板のアルミニウム層が緩衝層であり、この緩衝層にヒートシンクが接合されていることを特徴とする放熱装置。しかしながら、高純度アルミニウムは高温強度が低いために、高純度アルミニウムにAl-Si系合金ろう材を熱間圧延してクラッドすることは困難である。このため、電子素子搭載用基板の作製にはブレージングシートを使わずにろう材箔を使用していた。なお、従来のアルミニウムブレージングシートに用いられている心材は常温においても強度が高いので、高い応力緩和効果を要求されるアルミニウム回路層や緩衝層には適さない。本発明は、上述した技術背景に鑑みて、熱間でクラッド圧延が可能な高温強度を有し、かつ常温における応力緩和能力を兼ね備えたろう付用クラッド材およびその製造方法の提供を目的とする。即ち、本発明は下記[1]~[9]に記載の構成を有する。[1]心材を構成するアルミニウム合金が0.2~0.6質量のMnおよび0.05~0.4質量のFeを含有し、かつ常温における引張強さが100N/mm2以下であり、前記心材の少なくとも一方の面にろう材がクラッドされていることを特徴とするろう付用クラッド材。[2]前記ろう付用クラッド材は、電子素子搭載用基板において、絶縁基板にろう付して電子素子を搭載するアルミニウム回路層、または絶縁基板の前記アルミニウム回路層とは反対の面にろう付するアルミニウム層である前項1に記載のろう付用クラッド材。[3]前記心材を構成するアルミニウム合金が0.05~0.5質量のZrおよび0.05~0.5質量のVのうちの少なくとも一方を含有する前項1または2に記載のろう付用クラッド材。[4]前記心材を構成するアルミニウム合金が0.05~0.5質量のSiを含有する前項1~3のいずれかに記載のろう付用クラッド材。[5]前記心材を構成するアルミニウム合金が、0.2質量以下のCu、0.2質量以下のZn、0.2質量以下のMg、0.2質量以下のTiのうちの少なくとも1種を含有する前項1~4のいずれかに記載のろう付用クラッド材。[6]心材が0.2~0.6質量のMnおよび0.05~0.4質量のFeを含有するアルミニウム合金からなり、均質化処理を行うことなく、500°Cにおける引張強さを5N/mm2以上となされた前記心材の少なくとも一方の面にろう材を重ねて熱間でクラッド圧延することに一体化し、さらに複数パスの圧延を行う間に350~450°C×1~12時間の中間焼鈍を行うことを特徴とするろう付用クラッド材の製造方法。[7]絶縁基板の一方の面に電子素子を搭載するアルミニウム回路層がろう付された電子素子搭載用基板であって、前記アルミニウム回路層は前項1~5のいずれかに記載のろう付用クラッド材で構成され、ろう付後の心材における結晶粒の平均粒径が50~1500μmとなされていることを特徴とする電子素子搭載用基板。[8]絶縁基板の一方の面に電子素子を搭載するアルミニウム回路層がろう付され、他方の面にアルミニウム層がろう付された電子素子搭載用基板であって、前記アルミニウム回路層およびアルミニウム層の少なくとも一方は、前項1~5のいずれかに記載のろう付用クラッド材で構成され、ろう付後の心材における結晶粒の平均粒径が50~1500μmとなされていることを特徴とする電子素子搭載用基板。[9]前項8に記載の電子素子搭載用基板のアルミニウム層が緩衝層であり、この緩衝層にヒートシンクが接合されていることを特徴とする放熱装置。上記[1]に記載の発明にかかるろう付用クラッド材は、心材がその合金組成に基づいて高い導電性および熱伝導性を有し、心材の常温における引張強さが100N/mm2以下であり、既存のブレージングシートよりも強度が低い。このため、本発明のろう付用クラッド材を用いて製造したアルミニウムろう付品は、高い導電性、熱伝導性、応力緩和能力を兼ね備えたものとなる。上記[2]に記載の発明によれば、上述したろう付用クラッド材の効果によって、ろう材のクラッドが不可能であった高純度アルミニウムに代えて、絶縁基板にろう付するアルミニウム回路層またはアルミニウム層として使用できる。上記[3]に記載の発明によれば、常温における引張強さを低下させる効果が大きい。上記[4]に記載の発明によれば、高温強度を高める効果が大きい。上記[5]に記載の発明によれば、心材として0.2質量以下のCu、Zn、Mg、Tiを含む合金を用いた場合もろう材のクラッドが可能であり、かつこのろう付用クラッド材を用いて製造したアルミニウムろう付品は、高い導電性、熱伝導性、応力緩和能力を兼ね備えたものとなる。上記[6]に記載の発明によれば、0.2~0.6質量のMnおよび0.05~0.4質量のFeを含有するアルミニウム合金からなる心材が均質化処理を施さないことで、Mn固溶量を維持して500°Cにおける引張強さが5N/mm2以上となされている。このため、前記心材とろう材とを熱間圧延しても心材が割れることなく良好にクラッドできる。また、中間焼鈍によってMn固溶量が減少するので、常温における引張強さを低下させることができる。上記[7]に記載の電子素子搭載用基板は、絶縁基板にろう付されるアルミニウム回路層が上記[1]~[5]に記載されたろう付用クラッド材で構成されているから、絶縁基板とアルミニウム回路層の仮組作業が簡単であり、応力緩和能力の高いアルミニウム回路層が形成される。また、ろう付後のアルミニウム回路層ろう付用クラッド材の心材は平均粒径が50~1500μmに微細化されている。このため、アルミニウム回路層の表面において隣接する結晶粒との間に生じる段差が小さいので、絶縁基板との接合界面に生じるろう材溜まりも小さくなる。あるいは、ろう材溜まりが発生しなくなる。また、結晶粒の微細化によって結晶粒界面積率が高くなるので、ろう材が結晶粒界に拡散するので接合界面に残存するろう材が減少する。これらによって、接合界面に残存する余剰ろう材の量が抑えられ、あるいは余剰ろう材が残存しなくなる。また、接合界面にろう材溜まりとして残存する余剰ろう材を減らすことによって、冷熱サイクルにおけるろう材溜まりへの応力集中を防いで電子素子搭載用基板の冷熱耐久性を向上させることができる。上記[8]に記載の電子素子搭載用基板は、絶縁基板にろう付されるアルミニウム回路層およびアルミニウム層が上記[1]~[5]に記載されたろう付用クラッド材で構成されているから、絶縁基板、アルミニウム回路層、アルミニウム層の仮組作業が簡単である。また、ろう付後のアルミニウム回路層ろう付用クラッド材の心材およびアルミニウム層ろう付用クラッド材の心材は平均粒径が50~1500μmに微細化されている。このため、アルミニウム回路層およびアルミニウム層の表面において隣接する結晶粒との間に生じる段差が小さいので、絶縁基板との接合界面に生じるろう材溜まりも小さくなる。あるいは、ろう材溜まりが発生しなくなる。また、結晶粒の微細化によって結晶粒界面積率が高くなるので、ろう材が結晶粒界に拡散するので接合界面に残存するろう材が減少する。これらによって、接合界面に残存する余剰ろう材の量が抑えられ、あるいは余剰ろう材が残存しなくなる。また、接合界面にろう材溜まりとして残存する余剰ろう材を減らすことによって、冷熱サイクルにおけるろう材溜まりへの応力集中を防いで電子素子搭載用基板の冷熱耐久性を向上させることができる。上記[9]に記載の放熱装置によれば、絶縁基板とアルミニウム回路層との接合界面、および絶縁基板とアルミニウム層の接合界面において、クラッド材を用いた側の接合界面に残存する余剰ろう材の量が抑えられ、あるいは余剰ろう材が残存しなくなる。また、これらの接合界面にろう材溜まりとして残存する余剰ろう材を減らすことによって、冷熱サイクルにおけるろう材溜まりへの応力集中を防いで放熱装置の冷熱耐久性を向上させることができる。図1は、本発明のろう付用クラッド材を用いて作製する電子素子搭載用基板と、この電子素子搭載用基板を用いて作製する放熱装置の仮組物を、構成部材が積層する方向で切断した断面で示している。電子素子搭載用基板1は、絶縁基板11と、この絶縁基板11の一方の面に重ねられたアルミニウム回路層20と、他方の面に重ねられた緩衝層30とにより構成されている。前記アルミニウム回路層20および緩衝層30が本発明のろう材用クラッド材で構成されている。前記アルミニウム回路層20は電子素子18を搭載するための層であって、心材21の一方の面にろう材22を接合した二層のろう付用クラッド材で構成されている。前記緩衝層30は本発明におけるアルミニウム層に対応する層であって、心材31の両面にろう材3233を接合した三層のろう付用クラッド材で構成されている。また、放熱装置2として、前記電子素子搭載用基板1の緩衝層30側に複数の中空部を有するチューブ型のヒートシンク16が重ねられている。前記放熱装置2は前記仮組物を一括してろう付加熱され、ろう付用クラッド材2030のろう材223233によってろう付される。その後アルミニウム回路層20上に電子素子18が搭載されてはんだ付される。ろう付後の放熱装置2において、アルミニウム回路層20がろう付された絶縁基板11とヒートシンク16とは緩衝層30を介して熱的に結合され、電子素子18が発する熱はヒートシンク16に排熱される。なお、図示例のアルミニウム回路層20は二層のろう付用クラッド材であるが、三層のろう付用クラッド材を用いれば電子素子18も他の部材とともに一括してろう付することができる。[ろう付用クラッド材の構成]前記ろう付用クラッド2030は、心材2131とろう材223233とを重ねて熱間圧延してクラッドし、さらに所要厚さに圧延することにより作製される。従って、心材2131の材料は、その特性として、作製時には熱間で行うクラッド圧延に耐える高い強度を有し、ろう付後には冷熱サイクルによって発生する応力を緩和できる低い強度を有することが条件となる。本発明のろう付用クラッド材は、心材に添加する元素を規定することによってクラッド圧延時の強度を得、かつ規定された組成において常温時の引張強さの上限値を規定することによって応力緩和能力を確保している。ろう付用クラッド材2030の心材2131は、常温における引張強さを100N/mm2以下とする。引張強さが100N/mm2を超えると、冷熱サイクル時に絶縁基板11に加わる応力が高くなり、絶縁基板11の割れや接合部の剥離が発生する可能性が高くなる。常温における好ましい引張強さは45~90N/mm2である。また、前記心材2131の高温強度は心材2131中のMn濃度およびFe濃度を規定することにより確保されているので、本発明は高温強度を規定するものではない。ただし、心材2131とろう材223233とのクラッド圧延は熱間で行うことから、500°Cにおける引張強さが5N/mm2以上であることが好ましく、特に7N/mm2以上であることが好ましい。また、高温強度は熱間圧延に耐えれば十分であるから、過度の強度は必要としない。高温強度が必要以上に高い心材2131は常温時に低い強度を実現することが困難になるので、心材2131の高温強度17N/mm2以下であることが好ましい。前記心材2131の材料として、所定量のMnおよびFeを含有するアルミニウム合金を用いる。また、前記アルミニウム合金の任意添加元素として、Zr、V、Si、Cu、Zn、Mg、Tiを推奨できる。以下に各元素の含有意義と濃度範囲の限定理由について詳述する。Mnは、アルミニウムに固溶して高温強度を高める元素であり、その濃度を0.2~0.6質量とする。Mn濃度が0.2質量未満ではMn固溶量が少なく高温強度が不足してろう材とのクラッド圧延が困難になる。一方、Mn濃度が0.6質量を超えると、常温強度を100N/mm2以下に抑えることが困難になり、冷熱サイクル時の応力緩和能力が低下する。好ましいMn濃度は0.2~0.4質量である。Feは、ろう付後の結晶粒径を適正にして所期する常温強度を発現させるためにその濃度を0.05~0.4質量の範囲に規制する。Fe濃度が0.4質量を超えると結晶粒径が細かくなり、常温強度が高くなって冷熱サイクル時の応力緩和能力が低下する。一方、Fe濃度が0.05質量であれば常温強度を低く抑えることができるので、0.05質量未満に濃度規制する意義が少ない。しかも、Fe濃度を0.05質量未満に規制しようとすれば、材料に高純度アルミニウムを使用する必要があるため、材料コストの点で不経済である。好ましいFe濃度は0.1~0.4質量である。ZrおよびVは結晶粒径に影響を及ぼす元素であり、少なくとも一方を0.05~0.5質量添加することによって結晶粒を粗大化して常温強度を低く抑えることができる。Zr濃度およびV濃度は0.05質量未満では前記効果が少なく、0.5質量を超えると材料コストが上がるので不経済である。好ましいZr濃度は0.1~0.3質量であり、好ましいV濃度は0.05~0.3質量である。SiはMnの固溶度に影響を及ぼす元素であり、その濃度を0.05~0.5質量とする。Si濃度が0.5質量を超えるとMn固溶量が低下するので高い高温強度を得ることが困難となり、熱間圧延性が低下する。一方、Si濃度を0.05質量未満とするには材料に高純度アルミニウムを使用する必要があるため、材料コストの点で不経済である。材料の精製コストが上がるので不経済である。好ましいSi濃度は0.1~0.5質量である。その他の元素については、ろう材とのクラッド圧延が可能であり、かつ常温における引張強さが100N/mm2以下であるという条件を満たす限り含有が許容される。例えば、それぞれ0.2質量以下のCu、Zn、Mg、Tiの添加が許容される。これらの元素による効果、0.2質量以下とする理由、特に好ましい濃度範囲は以下のとおりである。Cu、Zn、Mg、Tiは0.2質量を越える範囲では強度に影響を与えるが、0.2質量以下では大きく影響を与えない。Cuの好ましい範囲は0.1質量以下である。Znの好ましい範囲は0.1質量以下である。Mgの好ましい範囲は0.05質量以下である。Tiの好ましい範囲は0.1質量以下である。上述した組成の心材2131用アルミニウム合金は、高い導電性および熱伝導性を有しているので、アルミニウム回路層20および緩衝層30として要求される条件を満たしている。また、アルミニウム回路層20および緩衝層30として用いる心材は高い導電性および熱伝導性を求められるので、アルミニウム純度が99.5~98質量であることが好ましい。また、前記ろう材223233の材料は限定されないが、Al-Si系合金またはAl-Si-Mg系合金が好ましい。本発明のろう付用クラッド材は、心材の一方の面にのみろう材をクラッドした二層クラッド材でも、心材の両面にろう材をクラッドした三層クラッド材であっても良い。図1に示したアルミニウム回路層20は心材21の絶縁基板11側にろう材22にクラッドした二層クラッド材であるが、電子素子18の面にもろう材層をクラッドしても良いし、緩衝層30は絶縁基板11側にのみろう材をクラッドした二層材であっても良い。また、心材2131の厚さおよびろう材223233のクラッド率に制限はなく、用途に適した厚さに設定することができる。また、図示例の緩衝層30は、クラッド後に応力吸収空間として複数の円形貫通穴を穿設したパンチングメタルであるが、本発明における緩衝層は貫通穴の有るものに限定されない。[ろう付用クラッド材の作製]ろう付用クラッド材は、心材材料とろう材材料とを重ねて熱間でクラッド圧延して一体化し、さらに冷間圧延、仕上げ圧延の複数パスの圧延を行うことにより製造する。本発明は、この工程中に特有の熱処理を行う、あるいは熱処理を行わないことによって、クラッド圧延に耐える高温強度と、冷熱サイクル時の応力緩和効果を奏する常温強度を発現させる。本発明においては、熱間圧延前の心材材料に均質化処理を行わない。均質処理を行わないことによって、心材中のMn固溶量が維持され、Mn固溶量を維持した状態でろう材をクラッドする。心材はMnの固溶によって熱間圧延に耐える強度を有しているので、熱間圧延によって割れることはなくろう材が良好にクラッドされる。また、クラッド材がMn固溶量を維持したままでは常温強度も高くなるので、熱間圧延後の工程中に中間焼鈍を行ってMn固溶量を低下させ、かつ結晶粒を粗大化することによって、常温における引張強さを100N/mm2を以下にする。中間焼鈍は熱間圧延後、冷間圧延および仕上げ圧延の複数パスの圧延を行う間、特に好ましくは仕上げ圧延前に行う。中間焼鈍は前記期間中に少なくとも1回行うこととし、複数回行っても良い。また、中間焼鈍条件は350~450°C×1~12時間とする。焼鈍温度が350°C未満では所要の引張強さを得るのに長時間を要するので不経済であり、450°Cを超える焼鈍はエネルギーコストの点で不経済である。また1時間未満の焼鈍では引張強さを低下させる効果が少なく、12時間を超える焼鈍はエネルギーコストの点で不経済である。好ましい中間焼鈍条件は370~440°C×2~12時間である。[電子素子搭載用基板および放熱装置]作製したろう付用クラッド材はアルミニウム回路層20および緩衝層30に適した大きさに切断し、図1に示したように電子素子搭載用基板1および放熱装置を仮組みし、全ての部材を一括してろう付する。前記絶縁基板11を構成する材料としては、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化ジルコニウム、炭化ケイ素等のセラミックを例示できる。これらのセラミックは電気絶縁性が優れていることはもとより、熱伝導性が良く放熱性が優れている点で推奨できる。前記ヒートシンク16を構成する金属は、軽量性、強度維持、成形性、耐食性に優れた材料を用いることが好ましく、これらの特性を有するものとしてAl-Mn系合金等のアルミニウム合金を推奨できる。ヒートシンク16は緩衝層30側の外面がフラットであれば緩衝層30と広い面積でろう付して高い放熱性能が得られるので、緩衝層30側の面以外の外部形状や内部形状は問わない。ヒートシンクの他の形状として、平板、平板の他方の面にフィンをろう付したヒートシンク、平板の他方の面にフィンを立設したヒートシンク、中空部内にフィンを設けたチューブ型ヒートシンク等を例示できる。前記アルミニウム回路層20および緩衝層30は心材2131とろう材223233を一体化したろう付用クラッド材であるから、ろう材がずれるがことがなくかつ部品点数も少ないので、仮組作業は容易である。ろう付後の心材2131は結晶粒の平均粒径が50~1500μmであることが好ましい。前記平均粒径は4N以上の高純度アルミニウムの平均結晶粒径よりも小さく、ろう付後の結晶粒が高純度アルミニウムよりも微細化されていることで、接合界面に残留する余剰ろう材を少なくすることができる。以下に、結晶粒が小さくなると余剰ろう材が減少する理由とその効果について詳述する。図2は、ろう付後の絶縁基板11とアルミニウム回路層20の心材21との接合界面およびその近傍を拡大して模式的に示した断面図である。図2に示すように、心材21の表面を構成する結晶粒414243444546は必ずしも同じ高さで並んでいるのではなく不揃いの高さで並んでおり、隣接する結晶粒との間に段差が生じて絶縁基板11との間に隙間が生じる。その隙間には溶融したろう材22が存在し、絶縁基板11の表面からアルミニウム回路層20側に退いた結晶粒4244の部分にはろう材溜まり47が生じて余剰ろう材となる。結晶粒が大きくなると、前記隙間は絶縁基板11の表面に平行な方向の寸法が大きくなるだけでなく、前記段差材料の積層方向の寸法も大きくなることがわかっている。結晶粒が微細化されていることで隣接する結晶粒との間に生じる段差も小さくなり、ろう材溜まり47も小さくなる。あるいは、段差が無くなってろう材溜まりが発生しなくなる。結晶粒が小さくなると隣接する結晶粒との間に生じる段差が小さくなる理由は、以下のとおりである。結晶方位の異なる結晶粒は方向によって線膨張係数が異なる。このため、結晶方位の異なる結晶粒が隣接していると、それらの結晶粒はろう付中に線膨張係数の差によって相互に回転力または変形力を受ける。さらに、ろう付中の材料に加わる荷重や摩擦力等は結晶粒を回転させる力または変形させる力となって作用する。そして、結晶粒の回転角度が同じであっても結晶粒が大きくなるほどずれは大きくなり、結晶粒が小さくなるほどずれは小さくなる。また変形力を受ける場合おいても、大きい結晶粒で変形力を受けることで粒界でのずれが大きくなり、小さい結晶粒の粒界ではずれが小さくなる。隣接する結晶粒の段差はこのようなずれによって生じるために、結晶粒が小さくなるほど段差が小さくなる。さらに、結晶粒の微細化によって結晶粒界面積率が高くなるので、ろう材が結晶粒界に拡散するので接合界面に残存するろう材が減少する。従って、結晶粒が小さくなると、接合界面に残存する余剰ろう材の量が抑えられ、あるいは余剰ろう材が残存しなくなって、ろう材の使用量が抑えられる。また、結晶粒が細かいために結晶粒界面積率が高くなるので、結晶粒界に拡散するろう材量が増えることによっても絶縁基板11との接合界面に残存する余剰ろう材が減少する。図示は省略するが、前記絶縁基板11と緩衝層30の心材31との接合界面においても同様であり、残存する余剰ろう材の量が抑えられ、あるいは余剰ろう材が残存しなくなる。また、ろう材223233は心材2131よりも硬質であるから、接合界面に硬いろう材溜まり47が生じると冷熱サイクルにおいて応力が集中しやすくなるおそれがある。このため、電子素子搭載用基板1の冷熱耐久性の向上を図るためにも、接合界面に余剰ろう材が残存しないこと、あるいは残存する余剰ろう材量が少ないことが好ましい。ろう付後の心材2131において結晶粒の平均粒径が1500μmを超えると上記の諸効果が少なく、平均粒径が50μm未満では心材への侵食が発生するため好ましくない。よって、ろう付後の心材2131における結晶粒の平均粒径は50~1500μmであることが好ましく、特に好ましい結晶粒の平均粒径は150~1000μmである。前記結晶粒の平均粒径はろう付後、即ちろう付加熱を受けることによって達成される平均粒径であるから、ろう付前の心材2131においては必ずしも平均粒径が上記範囲内であるとは限らない。また、本発明はろう付条件を限定するものではないが、ろう付条件として590~620°Cで5~30分の加熱を推奨できる。図1の電子素子搭載用基板1は絶縁基板11の一方の面にアルミニウム回路層20を積層し他方の面にアルミニウム層としての緩衝層30を積層したものであり、アルミニウム回路層20および緩衝層30の両方を本発明のろう付用クラッド材で構成したものであるが、アルミニウム回路層20および緩衝層30のどちらか一方のみをろう付用クラッド材で構成した電子搭載用基板も本発明に含まれる。また、前記絶縁基板11の他方の面にろう付するアルミニウム層はヒートシンクをろう付することを前提とした緩衝層に限定されず、ヒートシンクをアルミニウム層としてヒートシンクを直接絶縁基板にろう付する電子素子搭載用基板も本発明に含まれる。さらに、絶縁基板にアルミニウム回路層のみをろう付するものとし、他方の面にはアルミニウム層が存在しない電子素子搭載用基板や、絶縁基板11の両面にアルミニウム回路層をろう付して電子素子を搭載するように構成した電子素子搭載用基板も本発明に含まれる。さらに、本発明のろう付用クラッド材はその用途を電子素子搭載用基板に限定するものではない。心材がその合金組成に基づいて高い導電性および熱伝導性を有し、かつ常温における引張強さが100N/mm2以下であるから、高い導電性および熱伝導性を有し、かつ応力緩和能力が要求されるアルミニウムろう付品の製造材料として広く用いることができる。図1に参照される積層構造の電子素子搭載用基板1を含む放熱装置2を、アルミニウム回路層および緩衝層の材料を変えて作製した。前記放熱装置2において積層した部材は、積層順に、アルミニウム回路層ろう付用クラッド材20、絶縁基板11、緩衝層ろう付用クラッド材30、ヒートシンク16である。[ろう付用クラッド材の作製]アルミニウム回路層20および緩衝層30として用いるろう付用クラッド材を作製した。表1の各例において、アルミニウム回路層20は心材21の片面にろう材22をクラッドした二層クラッド材を使用し、緩衝層30は心材31の両面にろう材3233をクラッドした三層クラッド材を使用した。前記心材2131の材料は表1に示す組成のアルミニウム合金であり、ろう材223233はAl-10質量Si-1質量Mg合金である。アルミニウム回路層20用の二層クラッド材は、最終的に心材21の厚さが0.6mm、ろう材22の厚さが20μmになるように厚さを調節した心材材料とろう材材料を重ね、500°Cで熱間圧延してクラッドし、さらに冷間圧延、仕上げ圧延を施して作製した。また、緩衝層30用の三層クラッド材は、最終的に心材31の厚さが1.6mm、ろう材3233の厚さが40μmになるように厚さを調節した心材材料とろう材材料を重ね、熱間圧延、冷間圧延、仕上げ圧延を施して作製した。これらの工程において、実施例1~9および比較例2は心材材料に均質化処理を施すことなく熱間圧延を行い、比較例1および比較例3は心材材料に620°C×18時間の均質化処理を行った後に熱間圧延を行った。また、実施例1~9は仕上げ圧延前に表1に記載した条件で中間焼鈍を行った。上述した二層または三層のろう付用クラッド材2030の製造工程において、実施例1~9および比較例2は熱間圧延によって心材2131とろう材223233とを良好にクラッドすることができた。しかし、比較例1、3は熱間圧延時に心材2131が割れが発生したため、その後の工程を行わなかった。表1に、熱間圧延性として良好にクラッドできたものを○、割れが発生して良好にクラッドできなかったものを×として示す。また、各例のクラッド材の心材材料について500°Cおよび常温における引張強さを測定した。500°C引張強さ測定用試験材にはクラッド前の心材材料を用いることとし、熱間圧延時の心材に近い状態で測定した。即ち、均質化処理を行なわなかった実施例1~9および比較例2については均質化処理を行わない材料について測定し、均質化処理を行った比較例1、3については均質化処理を行った材料について測定した。常温引張強さ測定用試験材にはクラッド後にアルミニウム回路層および緩衝層として用いるクラッド材またはそれに近い状態で測定することとし、実施例1~9中間焼鈍ありおよび比較例2中間焼鈍なしは作製したろう付用クラッド材の心材について測定した。比較例1は熱間圧延時に心材が割れてろう付用クラッド材の作製に至らなかったが、実施例との比較のために均質化処理後の心材について測定した。比較例3は熱間圧延時に心材が割れてクラッド材の作製に至らなかったために常温強度を測定しなかった。[電子素子搭載用基板および放熱装置]実施例1~9および比較例2で作製したアルミニウム回路層20用の二層クラッド材は28mm×28mmに切断したものを放熱装置2の仮組みに使用した。また緩衝層30用の三層クラッド材は28mm×28mmに切断し、さらに切削加工を施して直径2mmの円形の12個の貫通穴を形成したものを放熱装置2の仮組みに使用した。また、比較例1はクラッド圧延時に心材が割れたためにクラッド材を作製できなかったが、高純度アルミニウムのろう付後の結晶粒径および冷熱耐久性を実施例と比較するために、クラッド材の心材と同一厚さの高純度アルミニウム無垢板を実施例と同一形状に加工したものをアルミニウム回路層および緩衝層として、これらと厚さ30μmのAl-10質量Si-1質量Mg合金箔を用いて放熱装置2を仮組した。前記アルミニウム回路層および緩衝層を除く部材は各例で共通のものを用いた。前記絶縁基板11は窒化アルミニウムからなる30mm×30mm×厚さ0.6mmの平板である。前記ヒートシンク16はAl-1質量Mn合金からなる扁平多穴チューブである。[ろう付]実施例1~9および比較例1、2の仮組物を7×10-4Paの真空中で600°C×20分で真空ろう付した。ろう付した放熱装置2について、ろう付後の心材における結晶粒の平均粒径を調べたところ、表1に示す数値であった。また、絶縁基板11とアルミニウム回路層20との接合界面、絶縁基板11と緩衝層30との接合界面における余剰ろう材ろう材溜まりの有無を観察するとともに、冷熱サイクルにおける耐久性を下記の方法で試験にて評価した。評価結果を表1に示す。[冷熱耐久性試験]冷熱サイクル試験125°C⇔-40°Cを2000サイクル行い、絶縁基板11AlNとアルミニウム回路層20Alおよび緩衝層30Alの接合界面の接合面積を超音波探傷機により測定し、剥離のあった部分の面積割合を測定して評価した。AlNに割れが発生もしくはAlN/Al接合界面での剥離が接合面積に対して5以上剥離したものを×、5未満のものを○とした。表1の結果より、各実施例は心材材料の高い高温強度によってろう付用クラッド材の作製が可能であり、かつ低い常温強度によって冷熱サイクルにおける耐久性が優れていることを確認した。