"ダイを真空吸着する吸着手段を有し、ウェハから剥離された前記ダイを基板にボンディングするボンディングヘッドと、前記吸着手段の位置と前記真空吸着を制御する真空吸着制御手段と、紫外光を照射すると気体が発生する気体発生剤を含有し、前記ダイを前記ウェハに粘着保持するダイシング用粘着テープに前記紫外光を照射する紫外光照射手段と、前記吸着手段に前記ダイが吸着されたことを検出する吸着検出手段と、前記吸着検出手段の検出結果に基づいて、前記紫外光の照射のON/OFFを制御する紫外光照射制御手段と、を有することを特徴とするダイボンダ。前記真空吸着制御手段は、前記紫外光の照射によって浮き上がってきた前記ダイを非接触で吸着できる離間した位置に前記吸着手段を制御することを特徴とする請求項1に記載のダイボンダ。前記真空吸着制御手段は前記紫外光照射後一定時間後に前記真空吸着を開始することを特徴とする請求項1に記載のダイボンダ。ボンディングヘッドがその先端に設けられた吸着手段でダイを真空吸着し、ウェハから剥離する剥離ステップと、剥離された前記ダイを基板にボンディングする装着ステップと、紫外光を照射すると気体が発生する気体発生剤を含有し、前記ダイを前記ウェハに粘着保持するダイシング用粘着テープに前記紫外光を照射する照射ステップと、を有し、前記剥離ステップであって、前記吸着手段の位置と前記真空吸着を制御する真空吸着ステップと、前記ダイが前記吸着手段に吸着されたことを検出する吸着検出ステップと、前記吸着検出ステップの検出結果に基づいて、前記紫外光の照射のON/OFFを制御するステップと、を有することを特徴とする半導体製造方法。前記真空吸着ステップは、前記紫外光の照射によって浮き上がってきた前記ダイを非接触で吸着できる離間した位置に前記吸着手段を制御することを特徴とする請求項4に記載の半導体製造方法。前記真空吸着ステップは前記紫外光照射後一定時間後に前記真空吸着を開始することを特徴とする請求項4に記載の半導体製造方法。特許文献1の実施例によれば時間管理で吸着手段による剥離は成功している。従って、吸着手段による剥離されたときを知ることができれば、特許文献2に記載された問題点を低減することができる。本発明は、上記の課題を鑑みてなされたもので、本発明の第1の目的は、紫外光源ランプによる発熱又は寿命の問題を低減した信頼性の高いダイボンダを提供することである。また、本発明の第2の目的は、第1の目的を達成するダイボンダを用い信頼性の高い半導体製造方法を提供することである。本発明は、上記の目的を達成するために、少なくとも以下の特徴を有する。本発明は、ダイを真空吸着する吸着手段を有し、ウェハから剥離された前記ダイを基板にボンディングするボンディングヘッドと、前記吸着手段の位置と前記真空吸着を制御する真空吸着制御手段と、紫外光を照射すると気体が発生する気体発生剤を含有し、前記ダイを前記ウェハに粘着保持するダイシング用粘着テープに前記紫外光を照射する紫外光照射手段と、前記吸着手段に前記ダイが吸着されたことを検出する吸着検出手段と、前記吸着検出手段の検出結果に基づいて、前記紫外光の照射のON/OFFを制御する照射制御手段と、を有することを第1の特徴とする。また、本発明は、ボンディングヘッドがその先端に設けられた吸着手段でダイを真空吸着し、ウェハから剥離する剥離ステップと、剥離された前記ダイを基板にボンディングする装着ステップと、紫外光を照射すると気体が発生する気体発生剤を含有し、前記ダイを前記ウェハに粘着保持するダイシング用粘着テープに前記紫外光を照射する照射ステップとを有し、前記剥離ステップであって、前記吸着手段の位置と前記真空吸着を制御する真空吸着ステップと、前記ダイが前記吸着手段に吸着されたことを検出する吸着検出ステップと、前記吸着検出ステップの検出結果に基づいて、前記紫外光の照射のON/OFFを制御するステップと、を有することを第2の特徴とする。さらに、本発明は、前記真空吸着は、前記紫外光の照射によって浮き上がってきた前記ダイを非接触で吸着できる離間した位置に前記吸着手段を制御することを第3の特徴とするまた、本発明は、前記真空吸着ステップは前記紫外光照射後一定時間後に前記真空吸着を開始することを第4の特徴とする。本発明によれば、紫外光源ランプによる発熱又は寿命の問題を低減した信頼性の高いダイボンダを提供できる。また、本発明によれば、第1の目的を達成するダイボンダを用い信頼性の高い半導体製造方法を提供できる。以下、図面に基づき、本発明の実施形態を説明する。図1は、本発明の一実施形態であるダイボンダ10を上から見た概念図である。ダイボンダ10は大別してウェハ供給部1と、基板供給搬送部2と、ダイボンディング部3と、これ等を制御する制御部7とを有する。ウェハ供給部1は、ウェハカセットリフタ11とピックアップ装置12とを有する。ウェハカセットリフタ11は、ウェハリングが充填されたウェハカセット図示せずを有し,順次ウェハリングをピックアップ装置12に供給する。ピックアップ装置12は、所望するダイをウェハリングからピックアップできるように、ウェハリングを移動する。基板供給搬送部2はスタックローダ21と、フレームフィーダ22と、アンローダ23とを有する。スタックローダ21は、ダイを接着する基板例えば、リードフレームをフレームフィーダ22に供給する。フレームフィーダ22は、基板をフレームフィーダ22上の2箇所の処理位置を介してアンローダ23に搬送する。アンローダ23は、搬送された基板を保管する。ダイボンディング部3はプリフォーム部31と、ボンディングヘッド部32とを有する。プリフォーム部31は、フレームフィーダ22により搬送されてきた基板にダイ接着剤を塗布する。ボンディングヘッド部32は、ピックアップ装置12からダイをピックアップして上昇し、ダイをフレームフィーダ22上のボンディング位置まで移動させる。そして、ボンディングヘッド部32は、ボンディングポイントでダイを下降させ、ダイ接着剤が塗布された基板上にダイをボンディングする。次に、図2はピックアップ装置12の主要部を示す概略断面図である。ピックアップ装置12は大別して、ウェハリング14を保持するウェハ保持部60と、紫外光を照射する紫外光照射手段50とを備える。ウェハ保持部60は、ウェハリング14を保持するエキスパンドリング15と、ウェハリング14に保持され複数のダイチップ4が接着されたダイシング用粘着テープ16を水平に位置決めする支持リング17とを有する。なお、ウェハ保持部60は水平方向に移動するようになっている。なお、ダイシング用粘着テープ16は、紫外光を照射すると気体が発生する気体発生剤、好適にはアド化合物を含有する粘着剤層を有する。一方、紫外光照射手段50は、紫外光を発生する紫外光源ランプ51と、紫外光をダイシング用粘着テープ16の裏面から照射するレンズ部52と、紫外光源51からの紫外光をレンズ部52に導くファイバーケーブル53と、レンズ部52からの照射光をダイシング用粘着テープ16の所望の範囲外、例えば隣接したダイに照射されないように遮光する遮光マスク54と、レンズ部52と遮光マスク54のZ高さ方向の位置を調整する位置調整部55とを有する。紫外光源51は、ダイボンダ20に直接的又は間接的に固定又は支持する。使用する紫外光源によっては、ダイボンダ20とは直接的又は間接的に固定又は支持せずに、ダイボンダ20の近傍に配置してもよい。後者の場合は、紫外光源51以外は、直接的又は間接的にダイボンダ20に固定叉は支持される。レンズ部52は、レンズ部をZ方向に垂直に固定するレンズ固定部52cを介してファイバーケーブル53に接続され、また位置調整部55に固定されている。位置調整部55は、上下方向の位置を調整することができる。なお、位置調整部55は、リニアモータ、ラックとピニオン、X-Yテーブル等により水平に移動させるようにしてもよい。本実施形態における紫外光源51は、波長が365nmにおける照射強度が500mW/cm2以上の性能を有し、1cm2、例えば10mm角の範囲でダイ4を剥離できる能力を有する。また、レンズ部52の構成を変えることにより、1cm2の範囲内で様々な照射形状、例えば、円形状、5mm×20mmなどの矩形形状を実現できる。次に、図3bに示す本実施形態の特徴を構成する紫外光源制御部70の構成と動作を説明する。図3aはダイ4を基板に装着するボンディングヘッド32hの先端に設けられ、ダイ4を真空吸着する吸着手段であるコレット部40を示す。なお、吸着手段としては、コレット部の他、吸着パッドや吸着ノズル等がある。まず、コレット部40を説明する。図3aに示すようにコレット部40は、コレット42と、コレット42を保持するコレットホルダー41と、それぞれに設けられダイ4を真空吸着する為の吸引孔41v、42vとを有する。図3bに示す紫外光源制御部70は、コレット41Vと点線で示すように連通されたエア吸引配管32tに設けられた吸着検出手段であるエア流量センサ71と、制御部7の一部を構成し、エア流量センサ71に基づいて紫外光源51による紫外光の照射をON/OFF制御する紫外光照射制御手段72とを有する。制御部7はダイ4を真空吸着する際に、ボンディングヘッド32hのコレット部40の真空吸着動作に伴い、コレット部40の位置やエアポンプ32pの吸引を制御して真空吸着を制御する真空吸着手段を有する。なお、吸着検出手段としては、エア流量で吸着状態を検出する他、直接真空度を測る方法などがある。次に、このような構成による本実施形態の剥離工程の基本的な動作を図4を用いて説明する。図4aに示すように、ダイ4を粘着保持しているダイシング用粘着テープ16への紫外光57の照射を開始し、その後コレット部40をダイ4から離間した位置から真空吸着を開始する。紫外光57の照射の開始後、時間が経つにつれて、図4bに示すように、ダイシング用粘着テープ16が含有する気体発生剤から気体16gが、例えば窒素ガスがダイ4とダイシング用粘着テープ16の間に発生し、ダイ4がダイシング用粘着テープ16から徐々に遊離し、浮き上がる所謂自己剥離が発生し、粘着力が低下する。そして、コレット部40の吸着力がダイ4の粘着力に勝る位置まで浮きあがると、ダイ4はコレット部40に真空吸着される。このとき、コレット42がダイ4と接触した状態であってもがよいが、離間非接触していた方が望ましい。何故ならば、接触しているとダイ4の剥離の進行状態が真空状態からでは判断しにくいからである。また、コレット部40による真空吸着も、紫外光57の照射前或いは照射開始時から行なってもよいが、ダイ4がある程度遊離して、即ち吸着力が低下してから真空吸着を開始しても良い。次に、ダイ4が真空吸着されると、図3bに示すエア吸引配管32tにエアが流れなくなる。逆に言えば、エア流量センサ71の検出流量が所定以下又はゼロの流量なったときは、コレット部40はダイ4を吸着し、剥離した又は一部がまだダイシング用粘着テープ16に粘着しているが剥離可能と判断する。そこで、その判断に基づき、これ以上紫外光57をダイシング用粘着テープ16に照射する必要がないので、紫外光照射制御手段72は、紫外光57の照射をOFFにする。紫外光の照射がOFFなると、気体発生剤から気体16gの発生はとまるが、剥離には影響がない。また、上記におけるコレット部40の吸着の開始時間及び離間した状態で剥離するコレット42とダイシング用粘着テープ16との距離は、例えば実験的に定める。上記の本実施形態の方法によれば、確実にダイ4の吸着を検出でき、材料や条件のばらつきによる剥離に必要な時間の変化に対応できる。また、不必要な照射をすることないので、紫外光源ランプの有する発熱又は寿命の問題を低減することができる。また、上記の本実施形態の方法によれば、確実にダイ4の真空吸着を検出でき、不必要な照射をすることなく、ダイ4をピックアップし、装着動作に移行できるので、短時間で剥離処理を行うことができる。さらに、上記の本実施形態の方法によれば、コレット42とダイ4とを離間した状態で剥離することで、ダイ4の損傷をより低減できる。次に、図5を用いて、図4を参照しながら本実施形態の特徴である剥離工程を含むボンディング工程の処理をより具体的に説明する。図5はボンディング工程の処理フローを示す図である。図4では10mm×10mmの正方形のダイを例に示す。まず、図4aに示すように、対象としているダイ4を剥離するために、図2に示す位置調整部55により該ダイを粘着保持しているダイシング用粘着テープ16に紫外光を照射できるようにレンズ部52及び遮光マスク54を所定の位置に設定するStep1。また、Step1と並行してコレット部40を降下させて剥離位置に移動するStep2。なお、Step1、2を順序づけて実施してもよい。次に、図4aに示すようにダイシング用粘着テープ16に紫外光を照射するStep3。その後、図4bに示すようにダイシング用粘着テープ16が含有する気体発生剤から気体16gが、例えば窒素ガスがダイ4とダイシング用粘着テープ16の間に発生し、ダイ4が浮き上がる自己剥離が開始され、進行するStep4。例えば実験的に定めたStep3の一定時間後、コレット部40による真空吸着を開始するStep5。次に、コレット部40のエア流量が所定以下になったかを判定するStep6。所定以下でないならばStep3に行き、紫外光照射を継続させて気体16gをさらに発生させる。ダイ4がダイシング用粘着テープ16からの剥離を促す。所定以下になったら、ダイ4が剥離された又は剥離可能状と判断し、紫外光の照射を停止すると共に、コレット部40を上昇させるStep7。その後、ボンディングヘッド32hによりダイ4をボンディングポイントまで移動させ、接着剤が塗布された基板上にダイ4をボンディングするStep8。最後に、ステップ1から8の処理をウェハリング14上に保持されるダイ4うち必要な個数又は全部をボンディングするまで繰り返すStep9。以上説明した本実施形態の方法によれば、確実にダイ4の吸着を検出でき、不必要な照射をすることないので、紫外光源ランプの有する発熱又は寿命の問題を低減することができる信頼性の高いダイボンダ又は半導体製造方法を提供できる。また、以上説明した本実施形態の方法によれば、確実にダイ4の吸着を検出でき、不必要な照射をすることなく、ダイ4をピックアップし、装着動作に移行できるので、短時間で剥離処理を行うことができる稼働率の高いダイボンダ又は半導体製造方法を提供できる。さらに、以上説明した本実施形態の方法によれば、コレット42とダイ4とを離間した状態で剥離することで、ダイ4の損傷をより低減できる信頼性の高いダイボンダ又は半導体製造方法を提供できる。以上の実施例では、剥離されたダイを基板に装着ボンディングするダイボンダについて説明した。基板にダイボンディングする代わりに、ダイを搬送するトレイ上に載せるピックアップ装置とすることも可能である。以上のように本発明の実施形態について説明したが、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で前述の種々の代替例、修正又は変形を包含するものである。"