アルミニウムを含む金属パターンの製造方法であって、真空雰囲気下にて、気相法により、基板上にアルミニウムを含む金属膜を成膜する工程1と、前記金属膜の表面に酸化処理により酸化膜を形成する工程2と、前記酸化膜上に前記金属パターンに対応したレジストパターンを形成する工程3と、前記レジストパターンをマスクとして、前記金属膜をエッチングする工程4とを有し、工程1と工程2との間において、少なくとも工程2の実施直前には、前記基板の雰囲気を真空雰囲気とする金属パターンの製造方法。第1の処理室内で工程1を実施し、真空雰囲気を維持したまま、前記第1の処理室から第2の処理室に前記基板を搬送し、当該第2の処理室内で工程2を実施する請求項1に記載の金属パターンの製造方法。第1の処理室内で工程1を実施し、前記基板を前記第1の処理室内から大気雰囲気下に取り出し、前記基板を第2の処理室に設置し、前記第2の処理室内を真空雰囲気にした後、当該第2の処理室内で工程2を実施する請求項1に記載の金属パターンの製造方法。前記金属パターンが金属配線パターンを含む請求項1~3のいずれかに記載の金属パターンの製造方法。特許文献1に記載の方法では、エッチング時に側壁に保護膜10を形成し、その後保護膜10を剥離するため、工程数が多く、複雑である。特許文献2に記載の方法では、第1のAl層、第1の酸化物層、第2のAl層を積層し、等方性エッチングと異方性エッチングを実施するため、工程数が多く、複雑である。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、簡易なプロセスでパターン欠陥を抑制することが可能な金属パターンの製造方法を提供することを目的とするものである。本発明の金属パターンの製造方法は、アルミニウムを含む金属パターンの製造方法であって、真空雰囲気下にて、気相法により、基板上にアルミニウムを含む金属膜を成膜する工程1と、前記金属膜の表面に酸化処理により酸化膜を形成する工程2と、前記酸化膜上に前記金属パターンに対応したレジストパターンを形成する工程3と、前記レジストパターンをマスクとして、前記金属膜をエッチングする工程4とを有し、工程1と工程2との間において、少なくとも工程2の実施直前には、前記基板の雰囲気を真空雰囲気とするものである。本明細書において、真空雰囲気とは、スパッタ法等の気相成膜において好適とされる真空雰囲気であり、5×101Pa以下と定義する。本発明によれば、簡易なプロセスでパターン欠陥を抑制することが可能な金属パターンの製造方法を提供することができる。図面を参照して、本発明に係る一実施形態のアルミニウムAlを含む金属パターンの製造方法について説明する。図1A~図1Gは本実施形態の金属パターンの製造方法の工程図である。各図は要部断面図である。また、各図は模式図である。本実施形態では、金属配線パターンを有する半導体装置の製造への適用例について、説明する。はじめに、図1Aに示すように、必要に応じてトランジスタ等の半導体素子が形成されたウェーハ等の基板11に、公知方法により所定パターンの層間絶縁膜12を形成し、その上に基板全面にバリアメタル膜13を形成する。次いで、図1Bに示すように、真空雰囲気下にて、気相法により、基板全面にアルミニウムAlを含む金属膜21を成膜する工程1。金属膜21は、不可避不純物を含んでいてもよいAl膜でもよいし、Al合金膜でもよい。気相法としては特に制限なく、スパッタ法等が挙げられる。例えば、成膜装置のロードロック室内に基板11を載置し、雰囲気を真空雰囲気とした後、真空雰囲気を維持したまま基板11を成膜室第1の処理室に移動させ、成膜室内でAlを含むターゲットを用いてスパッタ成膜を行うことができる。金属膜21の膜厚は特に制限されず、例えば3μm以上が好ましい。スパッタ法等により成膜された金属膜21の表面には、結晶粒界等に微小な窪みあるいは微小な溝等の微小な凹部21aが形成されたものとなっている。次いで、図1Cに示すように、金属膜21の表面に酸化処理により酸化膜22を形成する工程2。工程1と工程2との間において、少なくとも工程2の実施直前には、基板11の雰囲気を真空雰囲気とする。一態様としては、成膜室第1の処理室内で工程1を実施した後、真空雰囲気を維持したまま、成膜室から酸化処理室第2の処理室に基板11を搬送し、酸化処理室内で工程2を実施することができる。他態様としては、成膜室第1の処理室内で工程1を実施し、真空雰囲気を維持したまま基板11をロードロック室に移動させ、ロードロック室内に窒素を導入して大気圧とした後、基板11を成膜室内から大気雰囲気中に取り出し、酸化処理室第2の処理室に基板11を設置し、酸化処理室内を真空雰囲気にした後、第2の処理室内で工程2を実施することができる。この態様においては、工程2の実施前に酸化処理室内を真空雰囲気にすることで、基板11の表面は清浄化され、大気に曝されたことで付着した汚染物が除去され、清浄化された表面に酸化膜22が形成される。金属膜21の酸化処理方法としては特に制限なく、金属膜21の表面を酸素ガス又は酸素ガスプラズマで処理する方法が挙げられる。次いで、レジストとの密着性を確保するために、表面に酸化膜22が形成された金属膜21の表面をHMDSヘキサメチルジシラザンガスで処理する。その後、図1Dに示すように、酸化膜22上に金属パターン20に対応したレジストパターン30を形成する工程3。レジストパターン30は公知方法により形成でき、レジスト塗布、パターン露光、現像、及びレジストベークを順次実施して、形成される。次いで、図1Eに示すように、レジストパターン30をマスクとして、金属膜21をエッチングする工程4。これによって、金属配線パターン金属パターン20が形成される。エッチング方法は特に制限なく、例えば、リン酸、硝酸、及び酢酸の混合液等のエッチング液を用いたウェットエッチングが好ましい。次いで、図1Fに示すように、レジストパターン30をマスクとして、バリアメタル膜13をエッチングする。エッチング方法は特に制限なく、例えばドライエッチングが好ましい。最後に、図1Gに示すように、レジストパターン30をアッシング等により除去し、金属配線パターン金属パターン20を有する半導体装置1が得られる。本実施形態の方法では、レジストパターン30の形成前にAlを含む金属膜21の表面を酸化膜22で覆うようにしているので、Alを含む金属膜21と窒素との反応を防止することができる。また、少なくとも酸化処理の直前に基板11の雰囲気を真空雰囲気としているので、金属膜21の表面が清浄化され、清浄化された金属膜21の表面に清浄な酸化膜22を形成することができる。窒素との反応が防止され、かつ、表面に清浄な酸化膜22が形成された金属膜21の表面をHMDSガスで処理すると、微小な凹部21aの形成部分も含め基板全面に渡ってAl金属の末端が良好にメチル基置換される。そのため、微小な凹部21aの形成部分も含め基板全面に渡って、金属膜21とレジストパターン30との密着性が良好となる。その結果、金属膜21のエッチング時にクワレあるいは欠け等のパターン欠陥が発生することが抑制される。したがって、本実施形態では、パターン欠陥の発生が抑制され、局所的な細線化が抑制され、所望の線幅を有する金属配線パターン20を安定的に製造することができる。本実施形態の方法では、背景技術の項で挙げた特許文献1、2の方法に比して、工程数が少なく、工程が簡易である。以上説明したように、本実施形態によれば、簡易なプロセスでパターン欠陥を抑制することが可能な金属パターン20の製造方法を提供することができる。本発明に係る実施例及び比較例について説明する。実施例13枚のウェーハについて、図1A~図1Gに示したプロセスで、Al配線パターンを形成した。層間絶縁膜とバリアメタル膜を形成したウェーハに対して、真空雰囲気下、成膜室第1の処理室内でスパッタ法により工程1を実施し、厚み5μmのAl膜を成膜した。成膜条件は、ウェーハ温度450°C、圧力3×10-1Pa、放電電力12kWとした。次いで、真空雰囲気を維持したまま、成膜室から酸化処理室にウェーハを搬送し、酸化処理室内で工程2を実施した。工程2は酸素ガスプラズマ処理により実施した。酸素ガスプラズマ条件は、酸素ガス流量0.8l/分、圧力67Pa、高周波電力2kW、処理時間15秒とした。次いで、HMDSガス処理、及びレジストパターンの形成を実施した後、リン酸、硝酸、及び酢酸の混合液を用いてAl膜をウェットエッチングした。その後、バリアメタル膜のドライエッチング、及びレジストパターンのアッシング除去を実施して、Al配線パターンを形成した。比較例13枚のウェーハについて、従来の方法で、Al配線パターンを形成した。層間絶縁膜とバリアメタル膜を形成したウェーハに対して実施例1と同様にAl膜を成膜した後、成膜室内に窒素を導入して大気圧雰囲気に戻し、ウェーハを大気中に取り出し、HMDSガス処理、及びレジストパターンの形成を実施した以外は、実施例1と同様にして、Al配線パターンを形成した。評価実施例1及び比較例1の各ウェーハの表面を光学顕微鏡で観察し、配線パターンにくびれ幅1μm以上のクワレあるいは欠けが発生した個数を測定した。測定は、観測画像においてくびれ幅1μm以上のクワレあるいは欠けを検出可能な自動検出機による光学検査にて実施した。測定結果を図2に示す。比較例1のパターン欠陥発生数は平均944個であったのに対して、実施例1のパターン欠陥発生数は平均301個であった。図2に示すように、本発明の方法によれば、クワレあるいは欠けの発生が抑制されることが明らかとなった。