発光素子と、前記発光素子に光学的に対向する位置に配置された受光素子と、前記発光素子と前記受光素子とを一体的に封止する第一の樹脂層と、前記発光素子と前記受光素子とを内包するように前記第一の樹脂層を覆う第二の樹脂層と、を有し、23°Cにおける前記第一の樹脂層の熱膨張率をαAとし、前記第二の樹脂層の熱膨張率をαBとしたとき、1.0<αA/αB≦1.3を満たし、前記第二の樹脂層が、高化式フローテスターを用いて測定される175°Cにおける溶融粘度が15Pa.s以下の樹脂組成物を硬化させてなる、光結合型半導体素子。前記第一の樹脂層は光透過性エポキシ樹脂組成物を硬化させてなるものであり、前記第二の樹脂層は光不透過性エポキシ樹脂組成物を硬化させてなるものである、請求項1に記載の光結合型半導体素子。前記第一の樹脂層及び前記第二の樹脂層は、いずれも無機充填材を含み、前記第二の樹脂層が、無機充填剤として金属水酸化物とシリカとを含む、請求項1又は2に記載の光結合型半導体素子。前記金属水酸化物が、水酸化アルミニウム及び水酸化マグネシウムから選ばれる少なくとも1種である、請求項3に記載の光結合型半導体素子。回路基板と、前記回路基板に半田実装された請求項1乃至4のいずれか1項に記載された光結合型半導体素子と、を備える光結合型半導体装置。発光素子に光学的に対向する位置に受光素子を配置する工程と、前記発光素子と前記受光素子とを第一の樹脂層により一体的に封止する工程と、第二の樹脂層により、前記発光素子と前記受光素子とを内包するように前記第一の樹脂層を覆う工程と、を含み、23°Cにおける前記第一の樹脂層の熱膨張率をαAとし、前記第二の樹脂層の熱膨張率をαBとしたとき、1.0<αA/αB≦1.3を満たし、前記第二の樹脂層により、前記第一の樹脂層を覆う前記工程において、高化式フローテスターを用いて測定される175°Cにおける溶融粘度が15Pa.s以下の樹脂組成物を硬化させて前記第二の樹脂層を形成する、光結合型半導体素子の製造方法。請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光結合型半導体素子を回路基板に半田実装する工程を含む、光結合型半導体装置の製造方法。しかしながら、上記文献記載の技術は、以下の点で改善の余地を有していた。特許文献1の技術のように、内側の光透過性樹脂の熱膨張率と外側の光不透過性樹脂の熱膨張率との差を一定以上にすると、外側樹脂よりも内側樹脂の熱膨張が大きくなるため、両者の熱膨張率の差はごく狭い範囲に限られる。そこで、特性のばらつきを防ぐため、工程を工夫してフィラー量を厳密に制御したり、内側樹脂の表面に凹凸を設ける工程を追加して内側の光透過性樹脂と外側の光不透過性樹脂との間を構造的に強固に接着させたりする必要があった。したがって、プロセスを煩雑にすることなく、半田実装時の急熱、急冷などの環境下に安定した耐性を有する信頼性の高い光結合性半導体素子が求められていた。本発明によれば、発光素子と、前記発光素子に光学的に対向する位置に配置された受光素子と、前記発光素子と前記受光素子とを一体的に封止する第一の樹脂層と、前記発光素子と前記受光素子とを内包するように前記第一の樹脂層を覆う第二の樹脂層と、を有し、23°Cにおける前記第一の樹脂層の熱膨張率をαAとし、前記第二の樹脂層の熱膨張率をαBとしたとき、1.0<αA/αB≦1.3を満たし、前記第二の樹脂層が、高化式フローテスターを用いて測定される175°Cにおける溶融粘度が15Pa.s以下の樹脂組成物を硬化させてなる、光結合型半導体素子が提供される。また、本発明によれば、回路基板と、前記回路基板に半田実装された上記の光結合型半導体素子と、を備える光結合型半導体装置が提供される。また、本発明によれば、発光素子に光学的に対向する位置に受光素子を配置する工程と、前記発光素子と前記受光素子とを第一の樹脂層により一体的に封止する工程と、第二の樹脂層により、前記発光素子と前記受光素子とを内包するように前記第一の樹脂層を覆う工程と、を含み、23°Cにおける前記第一の樹脂層の熱膨張率をαAとし、前記第二の樹脂層の熱膨張率をαBとしたとき、1.0<αA/αB≦1.3を満たし、前記第二の樹脂層により、前記第一の樹脂層を覆う前記工程において、高化式フローテスターを用いて測定される175°Cにおける溶融粘度が15Pa.s以下の樹脂組成物を硬化させて前記第二の樹脂層を形成する、光結合型半導体素子の製造方法が提供される。さらに、本発明によれば、上記の光結合型半導体素子を回路基板に半田実装する工程を含む、光結合型半導体装置の製造方法が提供される。この発明によれば、第一の樹脂層と第二の樹脂層とで覆う二重モールド構造において、発光素子及び受光素子を封止する内側の第一の樹脂層の熱膨張率αAと、外側の第二の樹脂層の熱膨張率αBとの比率αA/αBを1.0<αA/αB≦1.3とし、かつ、175°Cにおける溶融粘度が15Pa.s以下の樹脂組成物を硬化させて第二の樹脂層を形成させることで、許容される第一の樹脂層と第二の樹脂層との熱膨張率の差が広がりフィラー量のコントロール幅が増大する。また、低粘度の樹脂組成物を用いて第二の樹脂層を形成することで、樹脂組成物が第一の樹脂層の表面にのび広がり、第二の樹脂層を第一の樹脂層に強固に接着させることができる。したがって、半田実装時の急熱、急冷による熱応力により発生する樹脂間の隙間やクラックを安定に低減できる信頼性の高い光結合型半導体素子が実現可能になる。本発明によれば、半田実装時の急熱、急冷などの環境下に安定した耐性を有する信頼性の高い光結合性半導体素子が提供される。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。本実施の形態は、光結合性半導体素子である。図1は、本実施の形態の光結合性半導体素子を示す模式的な断面図である。図1で示すように、本実施の形態の光結合性半導体素子は、発光素子101と、発光素子101に光学的に対向する位置に配置された受光素子102と、発光素子101と受光素子102とを一体的に封止する一次モールド樹脂層第一の樹脂層103と、発光素子101と受光素子102とを内包するように一次モールド樹脂層103を覆う二次モールド樹脂層第二の樹脂層104と、を有する。この光結合性半導体素子は、23°Cにおける1次モールド樹脂層103の熱膨張率をαAとし、二次モールド樹脂層104の熱膨張率をαBとしたとき、1.0<αA/αB≦1.3を満たすものである。また、二次モールド樹脂層104は、高化式フローテスターを用いて測定される175°Cにおける溶融粘度が15Pa.s以下の樹脂組成物を硬化させてなる。より具体的には、発光素子101は、リードフレーム105に固定されている。また、受光素子102は、リードフレーム106に固定されている。発光素子101の発光面と受光素子102の受光面とが、光学的に対向している。発光素子101は、例えば、発光ダイオードとし、受光素子102はフォトトランジスタとする。このような光結合性半導体素子としては、フォトカプラや光MOSFETがある。一次モールド樹脂層103は、A1エポキシ樹脂とB1無機充填材とを含有する光透過性エポキシ樹脂組成物P1を硬化したものであることが好ましい。A1エポキシ樹脂としては、その分子中にエポキシ基を2個以上有するものである限り、分子構造、分子量などは特に制限されるものではなく、一般に電子部品の封止に用いられるものを広く用いることができる。例えば、ビスフェノール型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格やビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂が挙げられる。B1無機充填材としては、シリカ結晶性シリカ、角状及び球状の溶融シリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、金属水酸化物水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等が例示される。B1無機充填材の含有量は、光透過性エポキシ樹脂組成物P1全体に対して、65~75重量であることが好ましい。また、光透過性エポキシ樹脂組成物P1には、適宜の量の硬化剤、硬化促進剤、離型剤、難燃剤、着色剤等の添加剤を含んでいてもよい。硬化剤としては、フェノール樹脂が好ましい。フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂と反応し得るフェノール性水酸基を2個以上有するものであれば特に限定されるものではなく、フェノールノボラック、クレゾールノボラック等のノボラック樹脂、無水ピロメリット酸等の酸無水物などが用いられる。これらは1種のみで用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。光透過性エポキシ樹脂組成物P1に含まれる離型剤、難燃剤、着色剤等の添加剤は、通常、封止材に用いるものであれば特に制限はない。また、必要に応じて可撓化剤、流動性付与剤等の他の添加剤を用いることもできる。二次モールド樹脂層104は、A2エポキシ樹脂とB2無機充填材とを含有する光不透過性エポキシ樹脂組成物P2を硬化したものであることが好ましい。A2エポキシ樹脂としては、A1エポキシ樹脂で例示したものと同じものを用いることができる。A2エポキシ樹脂としては、A1エポキシ樹脂と同じ種類のエポキシ樹脂であってもよいし、異なる種類のエポキシ樹脂であってもよいが、A1エポキシ樹脂とA2エポキシ樹脂とは、同じ種類とすることが好ましい。B2無機充填材としては、難燃性を付与できるという観点から、金属水酸化物とシリカとを含むことが好ましい。金属水酸化物としては、水酸化アルミニウム及び水酸化マグネシウムから選ばれる少なくとも1種を用いることができる。また、シリカとしては、結晶性シリカ、角状及び球状の溶融シリカ等を用いることができる。また、他の成分として、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム等を含むことができる。B2無機充填材の含有量は、光不透過性エポキシ樹脂組成物P2全体に対して、50~85重量であることが好ましい。こうすることで、二次モールド樹脂層104に難燃性を付与しつつ、フォトカプラの良好な特性を得ることができる。また、B2無機充填材に含まれるシリカの含有量は、二次モールド樹脂層104全体に対して、50~75重量とすることが好ましい。光不透過性エポキシ樹脂組成物P2中のシリカの含量を小さくすることで、光不透過性エポキシ樹脂組成物P2の175°Cにおける溶融粘度を低下させることができる。また、光不透過性エポキシ樹脂組成物P2には、光透過性エポキシ樹脂組成物P1と同様に、適宜の量の硬化剤、硬化促進剤、離型剤、非ハロゲン系難燃剤、着色剤等の添加剤を含むことができる。また、光不透過性エポキシ樹脂組成物P2は、カーボン粉末を微量に含むことで光不透過性を付与することができる。具体的には、カーボン粉末の含有量は、光不透過性エポキシ樹脂組成物P2全体に対して、0.05~0.5重量とすることができる。光不透過性エポキシ樹脂組成物P2は、175°Cにおける溶融粘度が15Pa.s以下である。本明細書において溶融粘度とは、175°C高化式フローテスター粘度JIS7210で測定して得られる最低溶融粘度である。低粘度のエポキシ樹脂や硬化剤を選択することにより、光不透過性エポキシ樹脂組成物P2を低粘度化させることができる。上述のとおり、本実施の形態では、一次モールド樹脂層103、及び、二次モールド樹脂層104との熱膨張率は、1.0<αA/αB≦1.3を満たすように、一次モールド樹脂層103、及び、二次モールド樹脂層104の組成を制御する。光透過性エポキシ樹脂組成物P1に含まれる無機充填材B1、及び、光不透過性エポキシ樹脂組成物P2中に含まれる無機充填材B2の量を制御することで、一次モールド樹脂層103及び二次モールド樹脂層104の熱膨張率を制御することができる。これらエポキシ樹脂組成物の熱膨張率は、無機充填材の含有量に比例し、無機充填材の量が多いほど熱膨張率は小さくなる。本実施の形態で、一次モールド樹脂層103、及び、二次モールド樹脂層104の熱膨張率は、光透過性エポキシ樹脂組成物P1及び光不透過性エポキシ樹脂組成物P2をトランスファー成型条件175~185°C、3~6MPa、90~120秒、アフターキュア条件175~180°Cで5~6時間の条件下で硬化させたものをTMA熱機械分析装置を用いて常温23°Cでの熱膨張率を測定することにより求めることができる。つづいて、本実施の形態の光結合性半導体素子の製造方法の一例について、図1を用いつつ説明する。まず、受光素子102をリードフレーム106に銀ペーストで取り付けた後、金ワイヤ等にてリード端子に電気的接続する。ついで、銀ペーストを用いて発光素子101をリードフレーム105に取り付けた後、金ワイヤ等にて、電気的接続する。その後、リードフレーム105の発光素子101の全体を光透過性の液状の光透過性シリコーン樹脂でコーティングし、さらに熱処理を加えてシリコーン樹脂を硬化させて、ゲル状の樹脂コーディング膜107を形成する。こうして得られた発光素子101の発光面と、受光素子102の受光面とを光学的に対向させ、光透過性エポキシ樹脂組成物P1にて、トランスファー成形し、発光素子101と、受光素子102とを一次モールド樹脂層103により一体的に封止する。さらに、この周囲を光不透過性エポキシ樹脂組成物P2でトランスファー成形し、発光素子101と受光素子102とを内包するように一次モールド樹脂層103を覆うように二次モールド樹脂層104で封止する。こうして得られた光結合型半導体素子は、回路基板に半田実装することができる。つづいて、本実施の形態についての効果を説明する。本実施の形態の半導体素子によれば、一次モールド樹脂層103と二次モールド樹脂層104とで覆う二重モールド構造において、発光素子101及び受光素子102を封止する内側の一次モールド樹脂層103の熱膨張率αAと、外側の二次モールド樹脂層104の熱膨張率αBとの比率αA/αBを1.0<αA/αB≦1.3とし、かつ、一次モールド樹脂層103を覆う二次モールド樹脂層104が、高化式フローテスターを用いて測定される175°Cにおける溶融粘度が15Pa.s以下の樹脂組成物を硬化させて形成させることで、許容される一次モールド樹脂層103と二次モールド樹脂層104との熱膨張率の差が広がりフィラー量のコントロール幅が増大する。また、低粘度の樹脂組成物を用いて二次モールド樹脂層104を形成することで、樹脂組成物が一次モールド樹脂層103の表面にのび広がり、二次モールド樹脂層104を一次モールド樹脂層103に強固に接着させることができる。したがって、半田実装時の急熱、急冷による熱応力により発生する樹脂間の隙間やクラックを安定に低減できる信頼性の高い光結合型半導体素子が実現可能になる。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。図1に示すフォトカプラを組み立て、300°Cはんだ浸漬評価を行った。不良判定基準は、得られたフォトカプラ表面のクラック発生有無により判定した。実施例1~3、比較例1~5の一次モールド樹脂層は、それぞれ光透過性エポキシ樹脂組成物をトランスファー成形条件175~185°C、3~6MPa、90~120秒、アフターキュア条件175~180°Cで5~6時間の条件下でトランスファー成形することで形成した。実施例1~3、比較例1~5の二次モールド樹脂層は、下記A~Hの光不透過性エポキシ樹脂組成物をトランスファー成形条件175~185°C、3~6MPa、90~120秒、アフターキュア条件175~180°Cで5~6時間でトランスファー成形することで形成した。本評価で使用したエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、無機充填材、硬化剤、硬化促進剤、離型剤、カーボンブラック等をミキサー等を用いて混合し、加熱ニーダーなどで混練した後、ローラでシート状にて冷却したものを粉砕し、押し固めてタブレット化したものを使用した。なお、光透過性エポキシ樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、70~80重量とし、光不透過性エポキシ樹脂組成物の無機充填材の含有量は、70~85重量とした。上記の光透過性エポキシ樹脂組成物又は上記A~Hの光不透過性エポキシ樹脂組成物をトランスファー成形条件175~185°C、3~6MPa、90~120秒、アフターキュア条件175~180°Cで5~6時間で硬化させた後、TMA熱機械分析装置を用いて23°Cでの熱膨張率を測定し、得られた光透過性エポキシ樹脂組成物の硬化体の熱膨張率を一次モールド樹脂層の熱膨張率とし、光不透過性エポキシ樹脂組成物の硬化体の熱膨張率を二次モールド樹脂層の熱膨張率とした。上記A~Hの光不透過性エポキシ樹脂組成物の粘度は、175°Cでの高化式フローテスターJIS7210で測定された最低溶融粘度とした。評価は、はんだ浸積法により行った。フォトカプラのリードを溶融はんだSn-Ag-Cuに浸積し、フォトカプラ表面のクラックの発生の有無を判定し、評価数に対するクラックの発生した製品個数の割合を不良発生率とした。試験温度は、300°Cとした。結果を表1に示す。実施例1-3では、不良が発生しなかったが、比較例1-5では、不良が見られた。