第1の直径110を有する第1の部分106と、前記第1の直径110より大きな第2の直径112を有する第2の部分108とを備え、チャンバ104が、前記第1の部分106および前記第2の部分108によって画定される、アブレーションプラズマガン100。前記第2の部分108が前記第1の部分106の上に配置される、請求項1記載のアブレーションプラズマガン100。前記第1の部分106と前記第2の部分108が一体形成される、請求項1記載のアブレーションプラズマガン100。第1の端部126を備える第1のガン電極122と、第2の端部128を備える第2のガン電極124とをさらに備え、前記第1の端部126と前記第2の端部128が前記チャンバ104の中心軸から反対方向に延びる、請求項1記載のアブレーションプラズマガン100。前記第1のガン電極122の前記第1の端部126および前記第2のガン電極124の前記第2の端部128が、前記チャンバ104の径方向両側で前記チャンバ104に入る、請求項4記載のアブレーションプラズマガン100。前記チャンバ104が、開放端120がノズル118を画定するように、前記第2の直径112を部分的に横切って延びる開放端120をさらに備える、請求項1記載のアブレーションプラズマガン100。開放端120を有し、中に前記チャンバ104が形成されるカップ102と、前記カップ102を囲繞するようにサイズ設定され、ノズル118を備えるカバー114とをさらに備える、請求項1記載のアブレーションプラズマガン100。基部116をさらに備え、前記カバー114が前記基部116に取り付けられ、前記カップ102が前記基部116と前記カバー114の間に配置される、請求項7記載のアブレーションプラズマガン100。それぞれが電気回路310、312の異なる部分に結合される複数の主電極304、306と、前記複数の主電極304、306に対して配置されたアブレーションプラズマガン100であって、第1の直径110を有する第1の部分106と、前記第1の直径110より大きな第2の直径112を有する第2の部分108とを備え、チャンバ104が前記第1の部分106および前記第2の部分108によって画定される、アブレーションプラズマガン100とを備えるアークフラッシュ消去システム300。前記複数の主電極304、306が、前記複数の主電極間の領域が主ギャップ308を画定するように離隔され、前記アブレーションプラズマガン100が、アブレーションプラズマ318を前記主ギャップ308内に注入して前記複数の主電極304、306間でアークをトリガするように構成される、請求項9記載のアークフラッシュ消去システム。したがって、少なくともいくつかの既知の電気アークデバイスは、そのような誤検出の結果を回避するために、単に主電極を遠く離して配置する。しかし、これらのデバイスは、一般に、プラズマガンからのプラズマの拡散があまり効果的でないために信頼性が低い。たとえば、少なくともいくつかの既知のプラズマガンは、主電極間の空気のギャップ内での効果的な絶縁破壊およびインピーダンスの低下を促進するのに効果的でないプラズマの拡散をもたらす。したがって、このようなプラズマガンは、より低いレベルの信頼性を示す可能性がある。一態様では、アブレーションプラズマガンは、第1の直径を有する第1の部分と、第1の直径より大きな第2の直径を有する第2の部分とを含み、チャンバは、第1の部分および第2の部分によって画定される。別の態様では、アークフラッシュ消去システムは、それぞれが電気回路の異なる部分に結合される複数の主電極を含む。このアークフラッシュ消去システムは、複数の主電極に対して配置されたアブレーションプラズマガンも含む。このアブレーションプラズマガンは、第1の直径を有する第1の部分と、第1の直径より大きな第2の直径を有する第2の部分とを含み、チャンバは、第1の部分および第2の部分によって画定される。別の態様では、アークフラッシュ消去システムを組み立てる方法は、複数の主電極のそれぞれを電気回路の異なる部分に結合するステップと、アブレーションプラズマガンを複数の主電極に対して配置するステップとを含む。このアブレーションプラズマガンは、第1の直径を有する第1の部分と、この第1の部分の上に配置され、かつ第1の直径より大きな第2の直径を有する第2の部分とを含み、チャンバは、第1の部分および第2の部分によって画定される。自己完結self-containedデバイス内での隔離されたisolatedアークの開始によるアークフラッシュ消去で使用するためのシステム、方法、および装置の例示的な実施形態について、本明細書において説明する。これらの実施形態は、第1の直径を有する第1の部分すなわち下部と、第1の直径より大きな第2の直径を有する第2の部分すなわち上部とを有するチャンバを含むアブレーションプラズマガンを提供する。このプラズマガンの設計によって、信頼性の向上が容易になり、アーク消去システムの主電極間でのプラズマブレークダウンおよびアーク生成が向上される。たとえば、本明細書において説明する実施形態は、アークが主電極間で生成された後にプラズマ拡散の増加を実現し、それによって、主電極間の主ギャップ内での絶縁破壊の向上が容易になる。さらなるプラズマ拡散および絶縁破壊によって、アーク消去システムは、200ボルトと同程度のバイアス電圧を含めて、主電極間のより広い範囲のバイアス電圧および主ギャップ内のより広い範囲のインピーダンス下で機能することができる。図1は、チャンバ104が形成されたカップ102を含む例示的なアブレーションプラズマガン100の断面図である。カップ102は、第1の部分106と、チャンバ104を画定するように第1の部分106に対して配置された第2の部分108とを含む。たとえば、例示的な実施形態では、第2の部分108は、第1の部分106の上に配置される。さらに、第1の部分106は、第1の直径110を有する。例示的な実施形態では、第1の直径110は約0.138インチである。加えて、第2の部分108は、第1の直径110より大きな第2の直径112を有する。例示的な実施形態では、第2の直径112は約0.221インチである。本明細書において説明するようにプラズマガン100が機能することを可能にする第1の直径110および/または第2の直径112に、任意の適切な大きさが使用され得ることに留意されたい。さらに、例示的な実施形態では、第1の部分106と第2の部分108は一体形成され、その中にチャンバ104が画定される。代替実施形態では、第1の部分106および第2の部分108は、個別に形成され、互いに結合されてチャンバ104を形成する。例示的な実施形態では、カップ102は、ポリテトラフルオロエチレン、ポリオキシメチレン、ポリアミド、ポリメチルメタクリレートPMMA、他のアブレーションポリマー、またはこれらの材料の種々の混合物などのアブレーション材料から形成される。さらに、プラズマガン100は、カバー114と、基部116とを含む。例示的な実施形態では、カバー114は基部116に取り付けられ、カップ102を囲繞するようにサイズ設定される。具体的には、カップ102は、基部116とカバー114の間に配置される。加えて、カバー114の中にノズル118が形成される。ノズル118は、カップ102の開放端120の上に配置される。例示的な実施形態では、カバー114および/または基部116は、カップ102と同じアブレーション材料から形成される。あるいは、カバー114および/または基部116は、耐熱材料またはセラミック材料など、カップ102とは異なる1つまたは複数のアブレーション材料から形成される。さらに、例示的な実施形態では、プラズマガン100は、第1のガン電極122および第2のガン電極124を含む複数のガン電極を含む。第1のガン電極122は第1の端部126を含み、第2のガン電極124は第2の端部128を含み、各端部はチャンバ104の中へ延びる。たとえば、第1の端部126および第2の端部128は、チャンバ104の中心軸図示せず周りで、チャンバ104の径方向両側からチャンバ104に入る。さらに、第1の端部126と第2の端部128は、チャンバ104を横切って対角線上で対向し、アーク130を形成するためのギャップを画定する。電極122および124、または少なくとも第1の端部126および第2の端部128は、たとえばタングステン鋼、タングステン、他の高温耐熱性の金属または合金、カーボンまたはグラファイト、またはアーク130の形成を可能にする他の任意の適切な材料から形成することができる。電位のパルスが電極122と124の間に印加されることによって、アーク130が生じ、このアーク130がカップ102のアブレーション材料の一部分を加熱しアブレーションして、高導電性プラズマ132が高圧で生成される。プラズマ132は、分散パターンで超音速にてノズル118から排出される。速度、イオン濃度、および拡散領域などのプラズマ132の特性は、電極122および124の寸法によって、および/または第1の端部126と第2の端部128の間の分離距離によって制御することができる。プラズマ132のこれらの特性はまた、チャンバ104の内部寸法、カップ102を形成するために使用されたアブレーション材料の種類、トリガパルスの形状、および/またはノズル118の形状によって制御することができる。図2は、アブレーションプラズマガン200の代替実施形態の断面図である。図2に示すように、プラズマガン200は、単一のアブレーション材料から一体形成される。プラズマガン200は、第1の部分204および第2の部分206によって画定されたチャンバ202を含み、第2の部分206は第1の部分204の上に配置され、第1の部分204と一体形成される。さらに、第1の部分204は第1の直径208を有し、第2の部分206は第2の直径210を有する。図2の例示的な実施形態では、第2の直径210は第1の直径208より大きい。さらに、図2に示すように、チャンバ202は、第2の部分206を部分的に横切って延び、ノズル214を形成する開放端212を含む。図3は、図1のプラズマガン100などのアブレーションプラズマガンを含む例示的なアーク検出および消去システム300の簡略化された回路図である。ただし、図2のプラズマガン200もシステム300と共に使用できることを理解されたい。例示的な実施形態では、システム300は、アーク閉じ込めデバイスなどの主アークデバイス302も含み、主アークデバイス302は、空気または別の気体の主ギャップ308によって分離された2つ以上の主電極304および306などの複数の主電極を含む。たとえば、主電極304および306は、第2の直径112図1に示されているがあるために約0.275インチ離れて配置される。この主電極304と306の間の距離によって、低電圧におけるアーク消去システム300の応答が改善される。各主電極304および306はそれぞれ、異なる位相、中性点、またはグランドなど、電源回路の電気的に異なる部分310および312に結合される。主電極304および306を電源回路の部分310および312に結合することによって、主ギャップ308を横切ってバイアス電圧314が形成される。例示的な実施形態では、バイアス電圧314は、約650ボルトと約815ボルトの間である。システム300は、プラズマガン100に電気パルスを送ることによってプラズマガン100を起動するトリガ回路316も含む。さらに、システム300は、リレーまたはプロセッサなどの論理回路322を含む。論理回路およびプロセッサという用語は、一般に、システムおよびマイクロコントローラ、縮小命令セット回路RISC、特定用途向け集積回路ASIC、プログラマブル論理回路、および本明細書において説明する機能を実行することが可能な他の任意の回路またはプロセッサを含む任意のプログラマブルシステムを指すことを理解されたい。上記の例は例示的なものに過ぎず、したがってこれらの用語の定義および/または意味を限定することを意図したものではない。例示的な実施形態では、論理回路322は1つまたは複数のセンサ324に通信可能に結合され、1つまたは複数のセンサ324は、光センサ、音センサ、電流センサ、電圧センサ、またはこれらの任意の組み合わせを含んでよい。さらに、システム300は、論理回路322に通信可能に結合された1つまたは複数の回路遮断器326を含む。動作中、センサ324は、アークフラッシュが電源回路上で発生していることを示す事象を検出する。たとえば、電流センサは、電源回路の導体を通る電流の急激な増加を検出することができ、電圧センサは、電源回路の複数の導体間での電圧の急激な低下を検出することができ、または光センサは、光フラッシュを検出することができる。いくつかの実施形態では、センサ324は、アークフラッシュの発生を示す複数の事象が指定の期間内に検出され得るように、電流センサ、電圧センサ、および/または光センサの組み合わせを含む。例示的な実施形態では、センサ324は、検出を表す信号を論理回路322に送る。いくつかの実施形態では、論理回路322は、検出を分析して、その事象がアークフラッシュを示すのか、それとも回路遮断器326の作動などの他の何らかの事象を示すのかを判断する。論理回路322が、事象がアークフラッシュを示すと判断すると、論理回路322は、起動信号をトリガ回路316に送る。次に、主アークデバイス302が、トリガ回路316からプラズマガン100への電圧パルスまたは電流パルスによってトリガされる。プラズマガン100は、電圧パルスまたは電流パルスに応答して、アブレーションプラズマ318を主ギャップ308内に注入し、それによって、主ギャップ308のインピーダンスが、主電極304と306の間の保護アーク320を開始できるのに十分なほど低下する。アーク320は、アークフラッシュからエネルギーを吸収して、回路遮断器326を開き、それによって、アークフラッシュが停止され、電源回路が保護される。本明細書では、主という用語は、一般に、アークを用いた、より大きなデバイスの要素を指し、これらの要素をプラズマガン100の要素と区別する。図4はアーク消去システム300の断面図で、図5はアーク消去システム300の斜視図である。例示的な実施形態では、主アークデバイス302およびアブレーションプラズマガン100は、耐圧ケース328内にある。いくつかの実施形態では、ケース328は、1つまたは複数の制御された圧力開放用の穴330を含む。さらに、ケース328は、外側カバー332と、アーク320によって生じたエネルギーを安全に閉じ込める内部チャンバ336を画定する隔離容器または衝撃保護具334とを含む。図6は、システム300図3~5に示されるを組み立てる例示的な方法を示す流れ図400である。例示的な実施形態では、各主電極304および306図3~5に示されるは、電源回路などの電気回路の異なる部分310および312図3および4に示されるに結合される402。各主電極304および306の位置によって、空気または他の気体で満たされた主ギャップ308図3および4に示されるが形成される。さらに、アブレーションプラズマガン100のチャンバ104がカップ102内に形成され404、ノズル118がカバー114内に形成される406各要素は図1に示される。次いで、カバー114が、カップ102が基部116とカバー114の間に配置されるように、基部116図1に示されるに取り付けられる408。あるいは、図2を参照すると、プラズマガン200は、単一のアブレーション材料から一体形成される。このような一実施形態では、チャンバ202は、アブレーション材料から形成され、第1の部分204と第2の部分206とを含む。図6を再度参照すると、例示的な実施形態では、ガン電極122および124図1に示されるの第1の端部126および第2の端部128両方とも図1に示されるはそれぞれ、第1の端部126および第2の端部128がチャンバ104の中心軸から径方向に対向する方向に延びるように、チャンバ104内に挿入される410。次いで、アブレーションプラズマガン100、あるいはアブレーションプラズマガン200は、主電極304および306に対して配置される412。加えて、ガン電極122および124は、トリガ回路316図3および4に示されると信号通信で結合される414。アークフラッシュ消去において使用するためのシステム、方法、および装置の例示的な実施形態は、上記で詳細に説明されている。このシステム、方法、および装置は、本明細書において説明される特定の実施形態に限定されるものではなく、システムおよび/または装置の方法および/または構成要素の動作は、本明細書において説明される他の動作および/または構成要素とは別に独立して利用することができる。さらに、説明される動作および/または構成要素はまた、他のシステム、方法、および/または装置内で画定されてもよいし、これらと組み合わせて使用されてもよいし、本明細書において説明されるようなシステム、方法、および記憶媒体のみを用いた実施に限定されない。本発明は例示的な電源回路環境に関して説明されているが、本発明の実施形態は、多数の他の汎用または特殊目的の電気回路環境または構成と共に使用可能である。電源回路環境は、本発明の任意の態様の使用または機能の範囲に関する限定を示唆することを意図するものではない。さらに、電源回路環境は、例示的な動作環境で示された任意の1つの構成要素または諸構成要素の組み合わせに関連する任意の依存関係または要件を有するように解釈されるべきではない。本明細書において図示および説明された本発明の実施形態の実行または実施の順序は、特に明記しない限り、重要ではない。すなわち、動作は、特に明記しない限り、任意の順序で実施されてよく、本発明の実施形態は追加の動作を含んでもよいし、本明細書で開示される動作より少なくてもよい。たとえば、別の動作の前、それと同時に、またはその後に、特定の動作を実行または実施することが本発明の態様の範囲内に含まれることが企図されている。本発明の態様またはその実施形態の要素を紹介するとき、冠詞a、an、theおよび前記saidは、要素のうちの1つまたは複数が存在することを意味することが意図されている。備えるcomprising、含むincluding、および有するhavingという用語は、包括的であることを意図し、列挙された要素以外の追加の要素が存在してもよいことを意味することを意図するものである。本書では、いくつかの例を使用して、最良の形態を含めて本発明を開示し、また、すべての当業者が、任意のデバイスまたはシステムを作製および使用し、任意の採用した方法を実施することを含めて本発明を実施することができるようにしている。本発明の特許性のある範囲は、特許請求の範囲によって定義され、当業者が想到する他の例を含むことができる。このような他の例は、請求項の文言と異ならない構造要素を有する場合、または請求項の文言とのわずかな違いを有する等価な構造要素を含む場合、請求項の範囲内に含まれるものとする。