半導体基板と、前記半導体基板の上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられたヒューズ配線と、前記ヒューズ配線を跨いでヒューズ開口部となる領域を含んで重畳するように設けられた凸領域と、前記ヒューズ配線と前記凸領域の上を覆う第1層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜に形成したコンタクトホールを介して、前記ヒューズ配線の両端に設けられたヒューズ端子と電気的に接続している第1金属配線と、前記第1金属配線と前記第1層間絶縁膜の上に設けられた第2層間絶縁膜および前記第2層間絶縁膜の凹部に設けられたSOG膜と、平坦化された前記SOG膜および前記第2層間絶縁膜の上に設けられた第3層間絶縁膜と、前記第3層間絶縁膜の上に設けられたパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜を除去して、平面視的に前記凸領域内に前記凸領域よりも小さく設けられたヒューズ開口部と、からなることを特徴とする半導体装置。前記凸領域の膜厚は、前記第1金属配線の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記凸領域は、絶縁性の膜からなることを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体装置。前記ヒューズ開口部の底面には前記凸領域が露出していることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の半導体装置。しかしながら、この方法ではヒューズとヒューズの間のシールリングの上の凸段差は周囲に比べ必ずしも高い段差とはならず、条件によってはSOG膜が残る場合がある。ヒューズとヒューズの間のシールリングの上にSOG膜が残ってしまうと、ヒューズ開口部の側面で露出したSOG膜とヒューズとヒューズの間のシールリングの上に残ったSOG膜が繋がってしまうので、SOG膜を介してヒューズ開口部から内部素子へ直接水分が侵入し、内部素子の特性変動及び腐蝕の原因となってしまう。本発明は、上記のようなSOG膜の水分浸入経路も遮断して、より信頼性の高いヒューズの構造を持つ半導体装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために本発明では以下のような半導体装置とした。まず、ヒューズを有する半導体装置であって、ヒューズ配線上に設けられた凸領域と、ヒューズ配線の両端に設けられたヒューズ端子と、ヒューズ端子に接続された第1金属配線と、凸領域内に前記凸領域よりも小さく設けられたヒューズ開口部とからなる半導体装置とした。また、上記半導体装置の凸領域の膜厚は、第1金属配線の膜厚よりも厚くなるようにした。また、凸領域は、絶縁性の膜からなる半導体装置とした。そして、ヒューズ開口部の底面には凸領域が露出している半導体装置とした。以上の構成とすることにより、ヒューズ上にSOG膜が残存することが無いため、ヒューズトリミングしてもヒューズ開口部から内部素子に水分が浸入する懸念がなく、長期に渡って特性の安定した半導体装置とすることができる。図1は本発明の実施形態に係る半導体装置の平面図である。ヒューズ配線とヒューズ端子からなるヒューズを有する半導体装置であって、ヒューズ端子15の間の図示されていない複数のヒューズ配線4の上方には複数のヒューズ配線4を覆う窒化膜からなる凸領域14が設けられている。すなわち、窒化膜による一つの領域14が複数のヒューズ配線4を跨いで覆うように設けられている。また、平面視的に窒化膜14内にヒューズ開口部13が窒化膜からなる凸領域14の上には設けられている。さらに、ヒューズ配線4の両端に設けられたヒューズ端子15には第1金属配線7が電気的に接続されている。ここで、窒化膜からなる凸領域14は第1金属配線7よりも膜厚が厚くなるように形成されている。図2は図1のA-A’での断面模式図である。シリコン基板1上に絶縁膜2とゲート酸化膜3を設け、ゲート酸化膜2上の一部にヒューズ配線4の両端にヒューズ端子15を有するヒューズを設ける。ヒューズおよびゲート酸化膜3の上には酸化膜5が設けられている。ヒューズを構成するヒューズ配線4の上方には酸化膜5を介して窒化膜からなる凸領域14が形成されている。窒化膜からなる凸領域14と酸化膜5の上には第1層間絶縁膜6があり、第1層間絶縁膜6と酸化膜5を貫通して設けられたコンタクトホールを介してヒューズ端子15と第1金属配線7が電気的に接続している。第1金属配線7の上には第2層間層間絶縁膜8とSOG膜9と第3層間絶縁膜10が順に積層している。ここで、SOG膜9は凹部のみに形成され、ヒューズ開口部13およびその近傍には存在しない。従って、ヒューズ開口部13の領域にSOG膜9が露出するということは無い。図示してはいないが、第2層間絶縁膜8と第3層間絶縁膜10と酸化膜5を貫通したビアホールを介して第1金属配線7と電気的に接続する第2金属配線を第3層間絶縁膜10の上に設けられている。第2金属配線および第3層間絶縁膜10の上にはパッシベーション膜11とポリイミド膜12が設けられ、ヒューズ開口部13ではパッシベーション膜11とポリイミド膜12、そして下地の第3層間絶縁膜10と第1層間絶縁膜6が除去され、ヒューズ開口部底面には窒化膜からなる凸領域14が一部露出している。ヒューズ開口部13の下方には窒化膜からなる凸領域14や酸化膜5を介してヒューズ配線4が設けられる。後のヒューズトリミング工程においてヒューズ開口部13から入射したレーザー光にてヒューズ配線4を切断して所望の抵抗を得ることになるが、本発明においては、上述のような形状のヒューズを有する半導体装置としたため、ヒューズトリミング工程にて窒化膜からなる凸領域14や酸化膜5やヒューズ配線の一部を除去したとしてもSOG膜9が露出することはない。このためSOG膜を介してヒューズ開口部から内部素子へ水分が侵入し、内部素子の特性変動及び腐蝕の原因となってしまう懸念はなく、長期に渡って特性の安定した半導体装置とすることができる。図3は図1のB-B’での断面模式図である。ヒューズ開口部13の下方にはヒューズ開口部13を含んでオーバーラップするように窒化膜からなる凸領域14が下敷きされている。窒化膜からなる凸領域14は複数のヒューズ配線4を跨いで覆うように形成されている。図からも明らかなようにヒューズ開口部13にSOG膜9が露出することはなく、ヒューズ開口部とSOG膜9は第1層間絶縁膜6および第2層間絶縁膜8によって隔てられている。よってヒューズトリミング工程にて窒化膜からなる凸領域14や酸化膜5やヒューズ配線の一部を除去させたとしてもSOG膜9が露出することはない。このためSOG膜を介してヒューズ開口部から内部素子へ水分が侵入し、内部素子の特性変動及び腐蝕の原因となってしまう懸念はなく、長期に渡って特性の安定した半導体装置とすることができる。次に、本発明の実施形態を示す半導体装置の製造フローを示す図4乃至図6を用いて製造方法について説明する。例えば抵抗が20~30ΩcmのP型のシリコン基板1の表面上に、絶縁膜2として例えば酸化膜を膜厚6000Åとして熱酸化法を用いて成膜させる。次にゲート酸化膜3として例えば酸化膜を膜厚200Åとして熱酸化法を用いて成膜させる。次にヒューズ配線4として例えば多結晶シリコンを膜厚4000ÅとしてCVD法により堆積させ、フォトリソグラフィーとドライエッチングを用いて所望の形状に形成する。次に酸化膜5として例えばTEOS膜を膜厚1000ÅとしてCVD法により堆積させる。次に窒化膜14として例えば膜厚6000ÅとしてCVD法により堆積させ、ヒューズ開口部13の領域を含んでオーバーラップする領域だけに窒化膜14が存在するようにフォトリソグラフィーとドライエッチングを用いて形成する。次に第1層間絶縁膜6として例えばBPSG膜を膜厚5000ÅとしてCVD法で堆積させる。次に第1金属配線7とヒューズ配線4両端のヒューズ端子15を接合するためのコンタクトエッチングをフォトリソグラフィーとドライエッチングを用いて行う図4参照。次に第1金属配線7を例えばAl-Si-Cu膜を膜厚5000Åとしてスパッタ法を用いて堆積させ、所望の形状にフォトリソグラフィーとドライエッチングを用いて形成する。次に第2層間絶縁膜8を例えばTEOS膜として膜厚7000ÅとしてCVD法で堆積させる。次にSOG膜9を例えば3000Åとしてスピン塗布で成膜する図5参照。次にSOG膜9を例えば前記第1金属配線の表面までドライエッチングを用いてエッチバックさせる。次にCVD法を用いて、第3層間絶縁膜10として例えばTEOS膜を4000Å堆積させる。次にパッシベーション膜11として、例えば膜厚9500Åの窒化膜を、CVD法を用いて堆積させる。次にポリイミド膜12を例えば膜厚12umとしてスピン塗布で成膜し、フォトリソグラフィーを用いてヒューズ開口部13の領域だけ除去する図6参照。次にポリイミド膜12をマスクとして、パッシベーション膜11と第3層間絶縁膜10と第1層間絶縁膜6をドライエッチングで除去することにより図1に示す半導体装置を得ることができる。