"少なくともiアミド基を有する有機溶媒A1、ii一般式R1-N-R2-R3R1、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基で、該アルキル基の炭素原子数は1~9である。で表されるアミン系化合物B1、およびiiiヒドロキシル基を2個以上含む分子構造をもつ多価アルコールC1からなり、室温25°Cにおける、多価アルコールC1含有量が30~60体積、およびアミン系化合物B1とアミド基を有する有機溶媒A1の体積比B1/A1が0.02~0.5、である混合溶媒S1中にAu、Ag、Ni、Pd、およびCuから選択される1種または2種以上を含み、平均一次粒子径が10~500nmである金属微粒子P1が分散されているインクI1で、該インクI1中の金属微粒子P1含有量が5~50質量で、前記室温における、アミン系化合物B1と金属微粒子P1の体積比B1/P1が1.5~20、であるインクI1を、Au、Ag、Ni、Pd、およびCuから選択される1種または2種以上が含有されている金属基材K1上に塗布またはパターン化し、100~150°Cに予備加熱した後、前記多価アルコールC1の蒸発により形成される還元性ガスが存在する雰囲気中で150~300°Cに加熱して、金属基材K1上に、該金属基材K1と焼結または焼成により接合された金属焼結膜M1を形成することを特徴とする、金属構造体の製造方法。前記金属微粒子P1がその表面の少なくとも一部を、ポリビニルピロリドンもしくはポリエチレンイミンからなるアミン系の高分子;ポリアクリル酸、もしくはカルボキシメチルセルロースからなるカルボン酸基を有する炭化水素系高分子;ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、デンプン、ゼラチン、N-ビニル-2-ピロリドン、及びN-メチルピロリドンの中から選択される1種または2種以上の有機分散剤Dで覆われてインクI1中に分散していることを特徴とする、請求項1に記載の金属構造体の製造方法。少なくともiアミド基を有する有機溶媒A2、ii一般式R1-N-R2-R3R1、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基で、該アルキル基の炭素原子数は1~9である。で表されるアミン系化合物B2、およびiiiヒドロキシル基を2個以上含む分子構造をもつ多価アルコールC2からなり、室温25°Cにおける、多価アルコールC2含有量が30~60体積、およびアミン系化合物B2とアミド基を有する有機溶媒A2の体積比B2/A2が0.02~0.5、である混合溶媒S2中にNiおよびCuのうち1種または2種を含み、平均一次粒子径が10~500nmである金属微粒子P2が分散されていているインクI2で、該インクI2中の金属微粒子P2含有量が5~50質量、前記室温における、アミン系化合物B2と金属微粒子P2の体積比B2/P2が1.5~20、であるインクI2を、Au、Ag、Ni、Pd、およびCuから選択される1種または2種以上が含有されている金属基材K2上に塗布またはパターン化し、100~150°Cに予備加熱した後、前記多価アルコールC2の蒸発により形成される還元性ガスが存在する雰囲気中で150~300°Cに加熱して、金属基材K2上に、該金属基材K2と焼結または焼成により接合された金属焼結膜M2を形成した後、更に、少なくともiアミド基を有する有機溶媒A3、ii一般式R1-N-R2-R3R1、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基で、該アルキル基の炭素原子数は1~9である。で表されるアミン系化合物B3、およびiiiヒドロキシル基を2個以上含む分子構造をもつ多価アルコールC3からなり、前記室温における、多価アルコールC3含有量が30~60体積、およびアミン系化合物B3とアミド基を有する有機溶媒A3の体積比B3/A3が0.02~0.5、である混合溶媒S3中にAg、Au、およびPdから選択される1種または2種以上を含む金属微粒子P3が分散されているインクI3で、金属微粒子P3含有量が5~50質量、前記室温における、アミン系化合物B3と金属微粒子P3の体積比B3/P3が1.5~20、であるインクI3を金属焼結膜M2上に塗布またはパターン化し、加熱して、金属焼結膜M2上に、該金属焼結膜M2と焼結または焼成により接合された金属焼結膜M3を形成することを特徴とする、金属構造体の製造方法。前記金属微粒子P2、および金属微粒子P3がその表面の少なくとも一部を、ポリビニルピロリドンもしくはポリエチレンイミンからなるアミン系の高分子;ポリアクリル酸、もしくはカルボキシメチルセルロースからなるカルボン酸基を有する炭化水素系高分子;ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、デンプン、ゼラチン、N-ビニル-2-ピロリドン、及びN-メチルピロリドンの中から選択される1種または2種以上の有機分散剤Dで覆われてインクI2、インクI3にそれぞれ分散していることを特徴とする、請求項3に記載の金属構造体の製造方法。前記金属微粒子P3の平均一次粒子径が10~500nmであることを特徴とする、請求項3または4に記載の金属構造体の製造方法。前記金属焼結膜M3が、前記多価アルコールC3の蒸発により形成される還元性ガスが存在する雰囲気中で150~300°Cに加熱して形成されることを特徴とする、請求項3から5のいずれかに記載の金属構造体の製造方法。前記インクI1、I2、またはI3の塗布またはパターン化に、インク吐出ヘッドを有するインク加工機、スクリーン印刷機、またはディスペンサーを用いることを特徴とする、請求項1から6のいずれかに記載の金属構造体の製造方法。Au、Ag、Ni、Pd、およびCuから選択される1種または2種以上を含み、平均一次粒子径が10~500nmである金属微粒子PAと有機溶媒SAとを含むインクIAを、Au、Ag、Ni、Pd、およびCuから選択される少なくとも1種を含む金属基材KA上に塗布またはパターン化し、100~150°Cに予備加熱後、還元性ガスが存在する雰囲気中で150~300°Cに加熱して金属基材KA上に金属焼結膜MAが形成された金属構造体であって、金属焼結膜MAが焼結または焼成により金属基材KAに接合していることを特徴とする、金属構造体。NiおよびCuのうち1種または2種を含み、平均一次粒子径が10~500nmである金属微粒子PBと有機溶媒SBとを含むインクIBを、Au、Ag、Ni、Pd、およびCuから選択される1種または2種以上を含む金属基材KB上に塗布またはパターン化し、100~150°Cに予備加熱した後、還元性ガスが存在する雰囲気中で150~300°Cに加熱して、金属基材KB上に金属焼結膜MBを形成した後、更に金属焼結膜MB上に、Ag、Au、およびPdから選択される1種または2種以上を含む金属微粒子PCと有機溶媒SCを含むインクICを塗布またはパターン化し、加熱することにより金属焼結膜MB上に金属焼結膜MCが形成された金属構造体であって、金属基材KBと金属焼結膜MB間が焼結または焼成によりに接合し、金属焼結膜MBと金属焼結膜MC間が焼結または焼成により接合していることを特徴とする、金属構造体。少なくともCuを50質量以上含み、平均一次粒子径が10~500nmである金属微粒子PDと有機溶媒SDとを含むインクIDを、Cuを50質量以上含む金属基材KC上に塗布またはパターン化し、100~150°Cに予備加熱した後、還元性ガスが存在する雰囲気中で150~300°Cに加熱して、金属基材KC上に金属焼結膜MDを形成した後、金属焼結膜MD上に、Ni、およびCuから選択される1種または2種を含む金属微粒子PEと有機溶媒SEを含むインクIEを塗布またはパターン化し、加熱することにより金属焼結膜MD上に金属焼結膜MEを形成し、更に、金属焼結膜ME上に、Ag、Au、およびPdから選択される1種または2種以上を含む金属微粒子PFと有機溶媒SFを含むインクIFを塗布またはパターン化し、加熱することにより金属焼結膜ME上に金属焼結膜MFが形成された金属構造体であって、金属基材KCと金属焼結膜MD間、金属焼結膜MDと金属焼結膜ME間、及び金属焼結膜MEと金属焼結膜MF間がそれぞれ焼結または焼成により接合していることを特徴とする、金属構造体。請求項8から10のいずれかに記載の金属構造体の一部に電気接続部が形成されていることを特徴とする、金属部品。請求項8から10のいずれかに記載の金属構造体を、プレス加工および/または曲げ加工により成型されたことを特徴とする、金属部品。前記金属部品がコネクタまたはリードフレーム用金属部品である、請求項11または12に記載の金属部品。上記特許文献1には、金属微粒子分散液中にイ金属超微粒子表面を被覆する、金属元素と配位的な結合が可能なアミン化合物、チオール化合物、ジオール化合物等と、ロこれらの基と反応性を有する、有機の酸無水物またはその誘導体あるいは有機酸を含有させて、室温付近ではアミン化合物等が付着層を形成し、加熱に伴いこれらの化合物は、有機の酸無水物等と反応して金属超微粒子表面から除去されることが記載されている。これらの酸無水物等は、加熱に伴い、アミン化合物、チオール化合物、ジオール化合物などと反応し、アミド、チオエステル、エステルを形成する。酸無水物等の具体例として、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸などの芳香族酸無水物、無水マレイン酸、無水コハク酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸などの環状脂肪族酸無水物が挙げられている。しかし、これらのアミン化合物等と酸無水物等が未反応で残留した場合、焼結の際の除去が容易ではないので、比較的高温で長時間での加熱が必要になるという問題点がある。上記特許文献2に開示の基板表面上に形成された金属膜では使用目的により剥離強度の向上が必要とされる。特許文献3に開示の微粒子分散液では主に微粒子の分散性向上が目的とされており、金属基材と金属焼結膜間を焼結させることについての具体的な記載はされていない。本発明は上記従来技術の問題点を改良して、パターン化する際にマスク形成が不要であり、めっきと比較して不純物残渣が少なく、化学的な効果による接続部同士の短絡マイグレーションが生じにくく、めっきやスパッタよりも接合強度が高く、プレス加工を施した際に剥離を生じない、金属焼結膜を金属基材上に形成する金属構造体の製造方法、および該製造方法により形成された金属構造体、ならびに該金属構造体を成型加工等して得られる金属部品を提供することを目的とする。本発明者らは、上記従来技術に鑑みて、特定の金属を含有する基材上にアミド基を有する有機溶媒、アミン系化合物、および多価アルコールを特定割合含む混合溶剤中に特定の金属微粒子を分散させたインクを塗布またはパターン化して予備加熱後、多価アルコールの蒸発により形成される還元性ガスの存在雰囲気中で加熱焼結または焼成することにより、形成領域のパターン化に際しマスク形成が不要で、比較的低温での加熱、焼結または焼成でも剥離強度の高い金属焼結膜を金属基材上に形成できることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、本発明は、以下の1~13に記載する発明を要旨とする。1少なくともiアミド基を有する有機溶媒A1、ii一般式R1-N-R2-R3R1、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基で、該アルキル基の炭素原子数は1~9である。で表されるアミン系化合物B1、およびiiiヒドロキシル基を2個以上含む分子構造をもつ多価アルコールC1からなり、室温25°Cにおける、多価アルコールC1含有量が30~60体積、およびアミン系化合物B1とアミド基を有する有機溶媒A1の体積比B1/A1が0.02~0.5、である混合溶媒S1中にAu、Ag、Ni、Pd、およびCuから選択される1種または2種以上を含み、平均一次粒子径が10~500nmである金属微粒子P1が分散されているインクI1で、該インクI1中の金属微粒子P1含有量が5~50質量で、前記室温における、アミン系化合物B1と金属微粒子P1の体積比B1/P1が1.5~20、であるインクI1を、Au、Ag、Ni、Pd、およびCuから選択される1種または2種以上が含有されている金属基材K1上に塗布またはパターン化し、100~150°Cに予備加熱した後、前記多価アルコールC1の蒸発により形成される還元性ガスが存在する雰囲気中で150~300°Cに加熱して、金属基材K1上に、該金属基材K1と焼結または焼成により接合された金属焼結膜M1を形成することを特徴とする、金属構造体の製造方法以下、第1の態様ということがある。2前記金属微粒子P1がその表面の少なくとも一部を、ポリビニルピロリドンもしくはポリエチレンイミンからなるアミン系の高分子;ポリアクリル酸、もしくはカルボキシメチルセルロースからなるカルボン酸基を有する炭化水素系高分子;ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、デンプン、ゼラチン、N-ビニル-2-ピロリドン、及びN-メチルピロリドンの中から選択される1種または2種以上の有機分散剤Dで覆われてインクI1中に分散していることを特徴とする、前記1に記載の金属構造体の製造方法。3少なくともiアミド基を有する有機溶媒A2、ii一般式R1-N-R2-R3R1、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基で、該アルキル基の炭素原子数は1~9である。で表されるアミン系化合物B2、およびiiiヒドロキシル基を2個以上含む分子構造をもつ多価アルコールC2からなり、室温25°Cにおける、多価アルコールC2含有量が30~60体積、およびアミン系化合物B2とアミド基を有する有機溶媒A2の体積比B2/A2が0.02~0.5、である混合溶媒S2中にNiおよびCuのうち1種または2種を含み、平均一次粒子径が10~500nmである金属微粒子P2が分散されていているインクI2で、該インクI2中の金属微粒子P2含有量が5~50質量、前記室温における、アミン系化合物B2と金属微粒子P2の体積比B2/P2が1.5~20、であるインクI2を、Au、Ag、Ni、Pd、およびCuから選択される1種または2種以上が含有されている金属基材K2上に塗布またはパターン化し、100~150°Cに予備加熱した後、前記多価アルコールC2の蒸発により形成される還元性ガスが存在する雰囲気中で150~300°Cに加熱して、金属基材K2上に、該金属基材K2と焼結または焼成により接合された金属焼結膜M2を形成した後、更に、少なくともiアミド基を有する有機溶媒A3、ii一般式R1-N-R2-R3R1、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基で、該アルキル基の炭素原子数は1~9である。で表されるアミン系化合物B3、およびiiiヒドロキシル基を2個以上含む分子構造をもつ多価アルコールC3からなり、前記室温における、多価アルコールC3含有量が30~60体積、およびアミン系化合物B3とアミド基を有する有機溶媒A3の体積比B3/A3が0.02~0.5、である混合溶媒S3中にAg、Au、およびPdから選択される1種または2種以上を含む金属微粒子P3が分散されているインクI3で、金属微粒子P3含有量が5~50質量、前記室温における、アミン系化合物B3と金属微粒子P3の体積比B3/P3が1.5~20、であるインクI3を金属焼結膜M2上に塗布またはパターン化し、加熱して、金属焼結膜M2上に、該金属焼結膜M2と焼結または焼成により接合された金属焼結膜M3を形成することを特徴とする、金属構造体の製造方法以下、第2の態様ということがある。4前記金属微粒子P2、および金属微粒子P3がその表面の少なくとも一部を、ポリビニルピロリドンもしくはポリエチレンイミンからなるアミン系の高分子;ポリアクリル酸、もしくはカルボキシメチルセルロースからなるカルボン酸基を有する炭化水素系高分子;ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、デンプン、ゼラチン、N-ビニル-2-ピロリドン、及びN-メチルピロリドンの中から選択される1種または2種以上の有機分散剤Dで覆われてインクI2、インクI3にそれぞれ分散していることを特徴とする、前記3に記載の金属構造体の製造方法。5前記金属微粒子P3の平均一次粒子径が10~500nmであることを特徴とする、前記3または4に記載の金属構造体の製造方法。6前記金属焼結膜M3が、前記多価アルコールC3の蒸発により形成される還元性ガスが存在する雰囲気中で150~300°Cに加熱して形成されることを特徴とする、前記3から5のいずれかに記載の金属構造体の製造方法。7前記インクI1、I2、またはI3の塗布またはパターン化に、インク吐出ヘッドを有するインク加工機、スクリーン印刷機、またはディスペンサーを用いることを特徴とする、前記1から6のいずれかに記載の金属構造体の製造方法。8Au、Ag、Ni、Pd、およびCuから選択される1種または2種以上を含み、平均一次粒子径が10~500nmである金属微粒子PAと有機溶媒SAとを含むインクIAを、Au、Ag、Ni、Pd、およびCuから選択される少なくとも1種を含む金属基材KA上に塗布またはパターン化し、100~150°Cに予備加熱後、還元性ガスが存在する雰囲気中で150~300°Cに加熱して金属基材KA上に金属焼結膜MAが形成された金属構造体であって、金属焼結膜MAが焼結または焼成により金属基材KAに接合していることを特徴とする、金属構造体以下、第3の態様ということがある。9NiおよびCuのうち1種または2種を含み、平均一次粒子径が10~500nmである金属微粒子PBと有機溶媒SBとを含むインクIBを、Au、Ag、Ni、Pd、およびCuから選択される1種または2種以上を含む金属基材KB上に塗布またはパターン化し、100~150°Cに予備加熱した後、還元性ガスが存在する雰囲気中で150~300°Cに加熱して、金属基材KB上に金属焼結膜MBを形成した後、更に金属焼結膜MB上に、Ag、Au、およびPdから選択される1種または2種以上を含む金属微粒子PCと有機溶媒SCを含むインクICを塗布またはパターン化し、加熱することにより金属焼結膜MB上に金属焼結膜MCが形成された金属構造体であって、金属基材KBと金属焼結膜MB間が焼結または焼成によりに接合し、金属焼結膜MBと金属焼結膜MC間が焼結または焼成により接合していることを特徴とする、金属構造体以下、第4の態様ということがある。10少なくともCuを50質量以上含み、平均一次粒子径が10~500nmである金属微粒子PDと有機溶媒SDとを含むインクIDを、Cuを50質量以上含む金属基材KC上に塗布またはパターン化し、100~150°Cに予備加熱した後、還元性ガスが存在する雰囲気中で150~300°Cに加熱して、金属基材KC上に金属焼結膜MDを形成した後、金属焼結膜MD上に、Ni、およびCuから選択される1種または2種を含む金属微粒子PEと有機溶媒SEを含むインクIEを塗布またはパターン化し、加熱することにより金属焼結膜MD上に金属焼結膜MEを形成し、更に、金属焼結膜ME上に、Ag、Au、およびPdから選択される1種または2種以上を含む金属微粒子PFと有機溶媒SFを含むインクIFを塗布またはパターン化し、加熱することにより金属焼結膜ME上に金属焼結膜MFが形成された金属構造体であって、金属基材KCと金属焼結膜MD間、金属焼結膜MDと金属焼結膜ME間、及び金属焼結膜MEと金属焼結膜MF間がそれぞれ焼結または焼成により接合していることを特徴とする、金属構造体以下、第5の態様ということがある。11前記8から10のいずれかに記載の金属構造体の一部に電気接続部が形成されていることを特徴とする、金属部品以下、第6の態様ということがある。12前記8から10のいずれかに記載の金属構造体を、プレス加工および/または曲げ加工により成型されていることを特徴とする、金属部品以下、第7の態様ということがある。13前記金属部品がコネクタまたはリードフレーム用金属部品である、前記11または12に記載の金属部品。1本発明の第1の態様における金属構造体の製造方法において混合溶媒S1を使用することにより以下のイ~ニに記載する効果を発揮することができる。イインクI1中にアミン系化合物B1が存在することにより該インク中の金属微粒子P1表面は活性化されるが、さらにインクI1を金属基材K1上に塗布またはパターン化することによってアミン系化合物B1が金属基材K1にも配位して、該金属基材K1表面の吸着層が除去されて、該金属基材K1表面を活性化する。ロ上記のように金属基材K1表面を活性化するためには、インクI1中に過剰のアミン系化合物B1が必要であるが、アミン系化合物B1が金属微粒子A1に過剰に配位してしまうと、水素ラジカルによっても金属微粒子P1からアミン系化合物B1を脱離させることが困難になる。インクI1中に一定割合のアミド基を有する有機溶媒A1が存在することで、該微粒子表面、金属基材K1における金属-アミンの過剰配位が抑制されるため、アミン系化合物B1の脱離が容易になる。また、インクI1中にアミド基を有する有機溶媒A1が含まれることで、多価アルコールの分解により生成したケトン、アルデヒドと共沸しやすくなり、150~300°Cの低温焼結温度でも容易に除去される。これにより、有機物残留量が少なくなる。ハインクI1中に含まれる多価アルコールC1は、金属基材K1上で加熱して金属微粒子P1を焼結または焼成させる際に、100~150°C程度の温度で予備加熱されることにより分解し始めて水素ラジカルを発生し、金属微粒子P1表面および金属基材K1表面で還元作用を発揮してこれらの表面からアミン系化合物B1を脱離して該表面を活性化して焼結または焼成を促進すると共に、金属微粒子P1と形成された金属焼結膜M1が酸化されるのを抑制する。さらに、インクI1中に有機分散剤Dが一定比率存在すると金属微粒子A1の分散性を向上すると共に、金属微粒子A1表面における金属-アミンの過剰配位が抑制され、アミン系化合物B1の脱離が容易になる。アミン系化合物B1の脱離が容易になると150°C程度の比較的低温の加熱で金属基材K1接合性の高い活性度が得られ、有機物残留量が少なくなると金属粒子間の接合、粒子-金属基材の接合が強固となる。ニめっきを採用する際に必要なめっき液を使用しないので、廃液処理の問題がなく、スパッタ法と比較して設備費が安く、形成領域のパターン化にマスキングが不要で、形成される金属焼結膜M1が金属基材K1と焼結により接合しているために、接合強度が強いという効果を発揮することができる。更に、めっきと比較して、不純物残渣が少なく、接続部同士の短絡が生じにくい。ホ金属焼結膜M1表面には金属微粒子由来の微細な凹凸が生じる。そのため、金属膜表面にワイヤボンディングした際、ボンディング強度が高い。また、ハンダ付けにおいてはハンダの濡れ性が良い。コネクタとして用いる場合には接触抵抗が低くなる。このように、電気的接続部材として用いる場合、接続の信頼性が高くなる。2本発明の第2の態様における金属構造体の製造方法は、金属基材K2上に、該金属基材K2と焼結または焼成により接合された金属焼結膜M2を形成し、更に該金属焼結膜M2上に、該金属焼結膜M2と焼結または焼成により接合された金属焼結膜M3を形成することにより、金属焼結膜M2を介して金属基材K2と金属焼結膜M3との間の接合強度をより高めることが可能になると共に、下記効果を得ることが可能になる。すなわち、金属焼結膜M3が薄い場合に、下地膜である金属焼結膜M2が存在しないと焼結時、及び/又は電気電子部品等としての使用時に、金属基材K2と金属焼結膜M3間で金属原子の移動、相互拡散を起こし、金属焼結膜M3が合金化して、接触抵抗が増加するおそれがあるが、金属基材K2と金属焼結膜M3間に下地膜である金属焼結膜M2を存在させることにより、このような金属原子の移動、相互拡散を防止でき、金属焼結膜M3における電気抵抗、接触抵抗をより低くすることができる。3本発明の第3の態様における金属構造体は、金属基材KA上にインクIAを塗布またはパターン化する際にマスキングが不要で、形成される金属焼結膜MAが金属基材KAと焼結により接合しているために、接合強度が強いという効果を発揮することができる。また、めっきと比較して、不純物残渣が少なく、接続部同士の短絡が生じにくい。4本発明の第4の態様における金属構造体は、第2の態様の金属構造体の製造方法等により、金属基材KB上にNiおよびCuのうち1種または2種を含む金属焼結膜MBが形成され、更に金属焼結膜MB上にAg、Au、およびPdから選択される1種または2種以上を含む金属焼結膜MCが形成された金属構造体であり、かつ、金属基材KBと金属焼結膜MB間、及び金属焼結膜MBと金属焼結膜MC間はそれぞれ焼結または焼成により接合されているので、上記第2の態様に記載した通り、金属焼結膜MBを介して金属基材KBと金属焼結膜MCとの間の接合強度をより高めることが可能になると共に、下記効果を得ることが可能になる。すなわち、金属焼結膜MCが薄い場合に、下地膜である金属焼結膜MBが存在しないと焼結時、及び/又は電気電子部品等としての使用時に、金属基材KBと金属焼結膜MC間で金属原子の移動、相互拡散を起こし、金属焼結膜MCが合金化して、接触抵抗が増加するおそれがあるが、金属基材K2と金属焼結膜MC間に下地膜である金属焼結膜M2を存在させることにより、このような金属原子の移動、相互拡散を防止でき、金属焼結膜M3における電気抵抗、接触抵抗をより低くすることができる。5本発明の第5の態様における金属構造体は、第2の態様の金属構造体の製造方法等を利用して製造することが可能であり、Cuを50質量以上含む金属基材KC上にCuを50質量以上含む金属焼結膜MDが形成され、該金属焼結膜MD上にNi、およびCuから選択される1種または2種を含む金属焼結膜MEが形成され、更に金属焼結膜ME上にAg、Au、およびPdから選択される1種または2種以上を含む金属焼結膜MFが形成され、かつ、金属基材KCと金属焼結膜MD間、金属焼結膜MDと金属焼結膜ME間、及び金属焼結膜MEと金属焼結膜MF間はそれぞれ焼結または焼成により接合されているので、中間膜である金属焼結膜MDを介して、金属基材KCと下地膜である金属焼結膜ME間の接合強度をより高め、また金属焼結膜MEと金属焼結膜MF間の接合強度を高めることが可能になると共に、下記効果を得ることが可能になる。すなわち、金属焼結膜MFが薄い場合に、下地膜である金属焼結膜MEが存在しないと焼結時、及び/又は電気電子部品等としての使用時に、金属基材KCと金属焼結膜MF間で金属原子の移動、相互拡散を起こし、金属焼結膜MFが合金化して、接触抵抗が増加するおそれがあるが、金属基材KCと金属焼結膜MF間に、中間膜である金属焼結膜MDと、下地膜である金属焼結膜MEを存在させることにより、このような金属原子の移動、相互拡散を防止でき、金属焼結膜MFにおける電気抵抗、接触抵抗をより低くすることができる。6本発明の第6の態様における金属部品は、前記第3から5の態様における金属構造体の一部に電気接続部が形成されているので、電気抵抗と接触抵抗を低くすることができ、コネクタやリードフレームに好適に使用することができる。7本発明の第7の態様における金属部品は、前記第3から5の態様の金属構造体は、金属基材と各金属焼結膜間はそれぞれ焼結または焼成により接合されているので、接合強度が強くプレス加工、曲げ加工等を行っても金属焼結膜の剥離が抑制される。従ってコネクタやリードフレーム等の加工を容易に行うことができる。以下に、本発明の第1ないし7の態様について説明する。1第1の態様の金属構造体の製造方法について第1の態様の金属構造体の製造方法は、少なくともiアミド基を有する有機溶媒A1、ii一般式R1-N-R2-R3R1、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基で、該アルキル基の炭素原子数は1~9である。で表されるアミン系化合物B1、およびiiiヒドロキシル基を2個以上含む分子構造をもつ多価アルコールC1からなり、室温25°Cにおける、多価アルコールC1含有量が30~60体積、およびアミン系化合物B1とアミド基を有する有機溶媒A1の体積比B1/A1が0.02~0.5、である混合溶媒S1中に金Au、銀Ag、ニッケルNi、パラジウムPd、および銅Cuから選択される1種または2種以上を含み、平均一次粒子径が10~500nmである金属微粒子P1が分散されているインクI1で、該インクI1中の金属微粒子P1含有量が5~50質量で、前記室温における、アミン系化合物B1と金属微粒子P1の体積比B1/P1が1.5~20、であるインクI1を、Au、Ag、Ni、Pd、およびCuから選択される1種または2種以上が含有されている金属基材K1上に塗布またはパターン化し、100~150°Cに予備加熱した後、前記多価アルコールC1の蒸発により形成される還元性ガスが存在する雰囲気中で150~300°Cに加熱して、金属基材K1上に、該金属基材K1と焼結または焼成により接合された金属焼結膜M1を形成する、ことを特徴とする。以下に、第1の態様の金属構造体の製造方法について説明する。1金属微粒子P1金属微粒子P1は、Au、Ag、Ni、Pd、およびCuから選択される1種または2種以上を含み、平均一次粒子径が10~500nmの金属微粒子である。金属微粒子P1として上記金属の使用は、めっきの代用としての使用、電子機器分野におけるコネクタやリードフレーム等に有用である。金属微粒子P1の平均一次粒子径は、10~500nmである。該平均一次粒子径が10nm未満では、焼結または焼成により均質な粒子径と空孔を有する多孔質体を形成することが困難になるおそれがある。一方、平均一次粒子径が500nmを超えると、比較的低温では金属微粒子間、および金属微粒子と金属基材間での焼結または焼成が十分に進行せず、本発明の効果を発揮できなくなるおそれがある。平均一次粒子径が10~500nmある金属微粒子P1の製造方法としては、特に制限はなく、例えば湿式化学還元法、アトマイズ法、めっき法、プラズマCVD法、MOCVD法等の方法を用いることができる。具体的には、金属イオンが存在する電解水溶液から、電解還元または無電解還元により金属微粒子P1を製造することが可能であり、例えば、特開2008-231564号公報に開示された方法を採用することができる。上記還元で得られる金属微粒子の一次粒子の平均粒子径の制御は、使用する金属のイオン種、これらの濃度、有機物分散剤、アルカリ金属イオンの種類、かく拌速度、温度、時間、pH等の調整により行うことが可能である。上記公報に開示された製造方法を採用する際に、金属イオンの還元反応終了後に還元反応水溶液にクロロホルム等の凝集剤を添加して回収することができる。ここで、一次粒子の平均粒子径とは、二次粒子を構成する個々の金属微粒子の一次粒子の直径の意味である。該一次粒子径は、電子顕微鏡を用いて測定することができる。また、平均粒子径とは電子顕微鏡で検出可能な一次粒子の数平均粒子径を意味する。2混合溶媒S1混合溶媒S1は、少なくともiアミド基を有する有機溶媒A1、ii一般式R1-N-R2-R3R1、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基で、該アルキル基の炭素原子数は1~9である。で表されるアミン系化合物B1、およびiiiヒドロキシル基を2個以上含む分子構造をもつ多価アルコールC1からなる溶媒である。尚、本発明の効果を損なわない範囲で、アルコール、ケトン化合物、エーテル化合物等の有機溶媒、およびテトラヒドロフラン、ジグライム、エチレンカルボナート、プロピレンカルボナート、スルホラン、ジメチルスルホキシド等の極性有機溶媒を使用することができる。2-1アミド基を有する有機溶媒A1アミド基を有する有機溶媒A1は、アミド基-CONH-を有する化合物であり、具体例として、N-メチルアセトアミド、N-メチルホルムアミド、N-メチルプロパンアミド、ホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、N,N-ジメチルホルムアミド、1-メチル-2-ピロリドン、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、2-ピロリジノン、ε-カプロラクタム、およびアセトアミドの中から選択される1種または2種以上が例示できる。インクI1中に一定割合でアミド基を有する有機溶媒A1が存在することで、金属微粒子P1の表面、および金属基材K1における金属-アミンの過剰配位を抑制して、アミン系化合物B1の脱離が容易になり、150°C程度の比較的低温の加熱で金属基材K1への接合性の高い活性度が得られて、金属微粒子P1間の焼結、金属微粒子P1と金属基材K1間の焼結が進行し易くなる。また、インクI1中にアミド基を有する有機溶媒A1が含まれることで、焼結または焼成の際に多価アルコールC1が熱分解により生成したケトン、アルデヒドと共沸しやすくなり、150~300°Cの低温焼結温度でも容易に除去される。これにより、有機物残留量が少なくなり、金属微粒子P1間の接合、金属微粒子P1と金属基材K1間の接合が強固になると共に電気抵抗と接触抵抗を低くすることができる。2-2アミン系化合物B1アミン系化合物B1は、一般式R1-N-R2-R3R1、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基で、該アルキル基の炭素原子数は1~9である。で表される化合物である。アミン系化合物B1の具体例としては、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、n-プロピルアミン、イソプロピルアミン、n-ブチルアミン、sec-ブチルアミン、t-ブチルアミン、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、テトラメチレンジアミン、テトラメチルプロピレンジアミン、ペンタメチルジエチレントリアミン、モノ-n-オクチルアミン、モノ-2-エチルヘキシルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジ-2-エチルヘキシルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-2-エチルヘキシルアミン、トリイソブチルアミン、トリヘキシルアミン、トリイソオクチルアミン、トリイソノニルアミン、トリフェニルアミン、ジメチルココナットアミン、ジメチルオクチルアミン、ジメチルデシルアミン、ジメチルラウリルアミン、ジメチルミリスチルアミン、ジメチルパルミチルアミン、ジメチルステアリルアミン、ジメチルベヘニルアミン、ジラウリルモノメチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン等が例示できる。また、アミン系化合物B1にはアルカノールアミンが含まれ、該アルカノールアミンとしては、ジメタノールアミン、トリメタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、N-メチルジエタノールアミン、N-エチルジエタノールアミン、およびN-n-ブチルジエタノールアミンの中から選択される1種又は2種以上が挙げられる。インクI1中にアミン系化合物B1が存在することにより該インク中の金属微粒子A1表面は活性化されるが、さらにインクI1を金属基材K1上に塗布またはパターン化することによってアミン系化合物B1が金属基材K1にも配位して、該金属基材K1表面の吸着層が除去されて、該金属基材K1表面が活性化される。尚、前述の通り、インクI1中に含まれる多価アルコールC1が、100~150°C程度の温度で予備加熱されることにより、金属微粒子P1表面および金属基材K1表面で分解し、水素ラジカルを形成し、配位したアミン系化合物B1を脱離させる。2-3多価アルコールC1多価アルコールC1は、ヒドロキシル基を2個以上含む分子構造をもつ多価アルコールである。該ヒドロキシル基が結合している炭素基部分が-CHOH-構造の多価アルコールを1種または2種以上含有していることが好ましい。多価アルコールC1の具体例としては、エチレングリコ-ル、ジエチレングリコ-ル、1,2-プロパンジオ-ル、1,3-プロパンジオ-ル、1,2-ブタンジオ-ル、1,3-ブタンジオ-ル、1,4-ブタンジオ-ル、2-ブテン-1,4-ジオール、2,3-ブタンジオ-ル、ペンタンジオ-ル、ヘキサンジオ-ル、オクタンジオ-ル、グリセリン、1,1,1-トリスヒドロキシメチルエタン、2-エチル-2-ヒドロキシメチル-1,3-プロパンジオール、1,2,6-ヘキサントリオール、1,2,3-ヘキサントリオール、1,2,4-ブタントリオール等から選択される1種または2種以上が例示できる。また、トレイトールD-Threitol、エリトリト-ルErythritol、ペンタエリスリト-ルPentaerythritol、ペンチト-ルPentitol、ヘキシト-ルHexitol等の糖アルコ-ル類も使用可能であり、ペンチトールには、キシリトールXylitol、リビトールRibitol、アラビトールArabitolが含まれる。前記ヘキシトールには、マンニトールMannitol、ソルビトールSorbitol、ズルシトールDulcitol等が含まれる。更に、グリセリンアルデヒドGlycericaldehyde、ジオキシアセトンDioxy-acetone、トレオースthreose、エリトルロースErythrulose、エリトロースErythrose、アラビノースArabinose、リボースRibose、リブロースRibulose、キシロースXylose、キシルロースXylulose、リキソースLyxose、グルコ-スGlucose、フルクト-スFructose、マンノースMannose、イドースIdose、ソルボースSorbose、グロースGulose、タロースTalose、タガトースTagatose、ガラクトースGalactose、アロースAllose、アルトロースAltrose、ラクト-スLactose、イソマルト-スIsomaltose、グルコヘプト-スGluco-heptose、ヘプト-スHeptose、マルトトリオースMaltotriose、ラクツロースLactulose、トレハロースTrehalose等の糖類も使用可能である。多価アルコールC1は、常圧における沸点が100°Cを超える、分子中に2以上の水酸基を有する沸点が100°Cを超えるものが好ましく、常温で液状であり、比誘電率が高いもの、例えば10以上のものが好ましい。上記アルコール類のなかでは、エチレングリコールおよびグリセリンが特に好ましい。多価アルコールC1は、インクI1を長期間保存しても金属微粒子P1が凝集するのを抑制して分散安定性を向上する作用を有する。また、インクI1中に含まれる多価アルコールC1は、金属基材K1上で加熱して金属微粒子P1を焼結または焼成させる際に、100~150°C程度の温度で予備加熱されることにより分解し始めて水素ラジカルを発生し、金属微粒子P1表面および金属基材K1表面で還元作用を発揮してこれらの表面を活性化して、金属微粒子P1間、および金属基材K1表面と金属微粒子P1間での焼結または焼成を促進する。混合溶媒S1を蒸発させながら多価アルコールC1が気化した還元性雰囲気中で金属微粒子P1の加熱焼成を行うことにより、金属微粒子P1の焼結体が酸化を受けるのを抑制して、導電性の高い金属焼結膜M1を形成することが可能になる。更に、多価アルコールC1は分解してケトン、アルデヒド類を生成するがこれらはインクI1中に含まれるアミド基を有する有機溶媒A1と共沸を形成して150~300°Cの低温焼結温度でも容易に除去される。2-4混合溶媒S1の組成混合溶媒S1の組成は、室温25°Cにおける、多価アルコールC1含有量が30~60体積、およびアミン系化合物B1とアミド基を有する有機溶媒A1の体積比B1/A1が0.02~0.5である。イ多価アルコールC1含有量インクI1中の多価アルコールC1含有量は、30~60体積であり、後述するインクI1中の金属微粒子P1濃度により該範囲内において好ましい濃度が選択される。多価アルコールC1含有量が30体積以上で上記効果が発揮され、一方、60体積を超えると多価アルコールC1の蒸発速度が抑制されて金属焼結膜M1中に多価アルコールC1が残存して、導電性を阻害するおそれがある。尚、本発明において、混合溶媒の体積は、室温25°Cにおける混合溶媒S1の各成分を混合する際の仕込みの体積基準である。以下の記載も同様である。ロアミン系化合物B1とアミド基を有する有機溶媒A1の体積比アミン系化合物B1とアミド基を有する有機溶媒A1の体積比B1/A1は0.02~0.5である。前記B1/A1の体積比が0.02未満であると、金属基材K1表面までを活性化することはできない場合があり、一方、該体積比が0.5を超えると、焼結または焼成の際にアミンの脱離が困難になる場合がある。前記体積比B1/A1が0.02~0.5の範囲にあることで、150°C以下の低温加熱で金属微粒子P1と金属基材K1の両方を活性化することが可能になり、金属焼結膜M1強度、金属焼結膜M1と金属基材K1との接合強度、導電性の高い金属焼結膜M1を形成することができる。3インクI1インクI1は、金属微粒子P1が混合溶媒S1中に均一に分散されている溶液であり、金属微粒子P1が5~50質量と、混合溶媒S1が95~50質量質量の合計は100質量であるの割合で含有されていて、室温25°Cにおける、アミン系化合物B1と金属微粒子P1の体積比B1/P1が1.5~20である。イインクI1中の金属微粒子P1と混合溶媒S1の割合インクI1中に、金属微粒子P1が5~50質量と、混合溶媒S1が95~50質量質量の合計は100質量であるの割合で含有されている。金属微粒子P1の割合が前記50質量を超えるとインクI1が高粘度となり塗布性が悪くなり、しかも多価アルコールC1による還元性が不足し、加熱処理において金属微粒子P1表面間の焼結または焼成が不十分になり導電性が低下するおそれがある。一方、金属微粒子P1の割合が前記5質量未満では、焼結または焼成時の膜中の粒子密度が低くなり、加熱焼結または焼成する際に収縮して膜形状の維持が困難となるおそれがある。ロアミン系化合物B1と金属微粒子P1の体積比インクI1中で、アミン系化合物B1と金属微粒子P1の体積比B1/P1は1.5~20であり、1.5~10がより好ましい。前記体積比B1/P1が1.5未満であると、インク塗布によって金属基材K1の表面までを活性化することはできないおそれがある。一方、該体積比が20を超えると、金属微粒子P1や金属基材K1表面にアミンが過剰に配位してしまい、アミンの脱離が困難になるおそれがある。いずれの場合も、金属微粒子P1と金属基材K1表面を活性化することができない。前記体積比B1/P1が1.5~20の範囲にあることで、150°C以下の低温加熱で金属微粒子P1と金属基材K1の両方を活性化することが可能になり、金属焼結膜強度、金属焼結膜と金属基材の接合強度、導電性の高い金属被膜を形成することができる。尚、アミン系化合物B1と金属微粒子P1の体積比における、アミン系化合物B1の体積は室温25°Cでの仕込み基準であり、金属微粒子P1の体積は真体積である。以下の記載も同様である。ハ有機物分散剤DインクI1中に有機分散剤Dを添加して、金属微粒子P1がその表面の少なくとも一部を有機分散剤Dで覆われてインクI1中に分散させることが好ましい。有機分散剤Dは、水に対して溶解性を有していると共に、混合溶媒S1中に分散している金属微粒子P1の表面の少なくとも一部を覆って該金属微粒子P1の分散性を向上している。有機分散剤Dが金属微粒子P1を分散させるメカニズムは完全に解明されてはいないが、有機分散剤Dに存在する官能基の非共有電子対を有する原子部分が金属微粒子P1の表面に吸着して、分子層を形成し、互いに金属微粒子P1同士の接近をさせない、斥力が発生していると予想される。有機分散剤Dは、金属微粒子P1を混合溶媒S1中に分散させるときに添加してもよく、また、金属イオンを電解還元または無電解還元により還元溶液から析出させる際に予め還元溶液に添加しておくこともできる。この場合、析出した金属微粒子を回収する際にクロロホルム、四塩化炭素等の凝集剤を添加して、凝集またはスラリー化させて金属微粒子を採取した後、低級アルコール等で洗浄して遠心分離等の操作により回収して、分散溶液に再分散する場合にも、金属微粒子表面の少なくとも一部を覆うように存在して、分散性を良好に維持する作用を有する。インクI1中の有機分散剤Dは、有機分散剤Dと金属微粒子P1との質量比D/Pで0.001未満であることが好ましい。該質量比D/Pが0.001未満であることにより、金属微粒子P1表面における金属-アミンの過剰配位が抑制され、加熱、焼結または焼成の際にアミンの脱離が容易になる。有機分散剤Dの量が前記0.001を超える場合には、インクI1での分散性に不都合がなくとも、インクI1を塗布またはパターン後、乾燥焼成して導電性の金属焼結膜M1を得る際に、過剰の有機分散剤Dが金属微粒子P1の焼結または焼成を阻害して、焼結金属の緻密さが低下する場合があると共に、有機分散剤Dの焼成残渣が、導電膜または導電回路中に残存して、導電性を低下させるおそれがある。尚、金属微粒子P1表面を覆っている有機分散剤Dと金属微粒子P1との質量比D/Pが0.001未満であることの確認は、例えば、下記i、ii等の方法により行うことができる。i金属微粒子P1を分析用サンプルとして採取し、酸化性の溶液中で、有機分散剤Dが反応しない条件下で金属微粒子P1を溶解した溶液を調製し、該溶液を液体クロマトグラフィー等により定量分析して、質量比D/Pを測定する。尚、該分析法による有機分散剤Dの検出限界は、0.02質量程度とすることが可能である。ii金属微粒子P1を分析用サンプルとして採取し、溶剤抽出等の操作により、該微粒子P1から有機分散剤Dを溶剤中に抽出した後に、必要がある場合には蒸発等の濃縮操作を行い、液体クロマトグラフィー、または有機分散剤D中の特定の元素窒素、イオウ等をX線光電子分光XPS、オージェ電子分光分析AES等の分析により行うことが可能である。有機物分散剤Dとしては、その化学構造にもよるが分子量が100~100,000程度の、水に対して溶解性を有し、かつ水溶液で金属イオンから還元反応で析出した金属粒子の微粒子化を促進させることが可能なもので、かつ炭素原子、水素原子、酸素原子、および窒素原子から選択された2種以上の原子からなる化合物高分子化合物も含むの分散剤が好ましい。有機分散剤Dとして好ましいのは、ポリビニルピロリドンもしくはポリエチレンイミンからなるアミン系の高分子;ポリアクリル酸、もしくはカルボキシメチルセルロースからなるカルボン酸基を有する炭化水素系高分子;ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、デンプン、ゼラチン、N-ビニル-2-ピロリドン、及びN-メチルピロリドンの中から選択される1種または2種以上である。上記例示した有機分散剤D中の高分子化合物の具体例として、ポリビニルピロリドン分子量:1000~500、000、ポリエチレンイミン分子量:100~100,000、カルボキシメチルセルロースアルカリセルロースのヒドロキシル基Na塩のカルボキシメチル基への置換度:0.4以上、分子量:1000~100,000、ポリアクリルアミド分子量:100~6,000,000、ポリビニルアルコール分子量:1000~100,000、ポリエチレングリコール分子量:100~50,000、ポリエチレンオキシド分子量:50,000~900,000、ゼラチン平均分子量:61,000~67,000、水溶性のデンプン等が挙げられる。上記かっこ内にそれぞれの有機分散剤Dの数平均分子量を示すが、このような分子量範囲にあるものは水溶性を有するので、本発明において好適に使用できる。尚、これらの2種以上を混合して使用することもできる。ニ他の添加剤本発明において、インクI1の加熱処理により、ある温度に達すると混合溶媒S1の一部の蒸発、または熱分解が進行して、金属微粒子P1の表面同士が接触した後に、互いに結合焼結する原理を利用するものであるが、本発明のインクI1には、本発明の効果を損なわない範囲において、前記成分に必要に応じて消泡剤、分散剤、可塑剤、界面活性剤、増粘剤等、また他の金属粒子、有機分散剤等を加えることができる。ホインクI1の製造インクI1を製造する際に、金属微粒子P1の分散性を向上するのに、撹拌手段を採用することが望ましい。該撹拌方法としては、公知の撹拌方法を採用することができるが、超音波照射方法を採用するのが好ましい。該超音波照射時間は、特に制限はなく任意に選択することが可能である。例えば、超音波照射時間を5~60分間の間で任意に設定すると照射時間が長い方が平均二次凝集サイズは小さくなる傾向にある。更に超音波照射時間を長くすると分散性は一層向上する。4金属基材K1金属基材K1はAu、Ag、Ni、Pd、およびCuから選択される1種または2種以上が含有されている基材である。金属基材K1中の金属成分として前記金属が含まれることにより、金属微粒子P1を焼結または焼成して金属構造体を形成する際に、形成される金属焼結膜M1と金属基材K1間が焼結によりに接合して、接合強度は大幅に向上する。金属基材K1の形状としては平板、立体物、フィルム等が挙げられる。尚、金属基材K1上にインクI1を塗布またはパターン化する際に予め該基材の塗布面を純水や超音波等を用いて洗浄することが好ましい。5金属基材K1にインクI1の塗布またはパターン化金属基材K1にインクI1の塗布またはパターン化方法としては、インク吐出ヘッドを有するインク加工機、スクリーン印刷機、またはディスペンサーを用いることが好ましい。金属基材K1上のインクI1の厚みは、インクI1中の金属微粒子P1の濃度、空隙率、導電膜または導電回路の厚み等により変わるものであり、一概に決定することはできないが、焼結性、空隙率、機械的強度等を考慮すると金属基材K1上のインクI1の厚みが、1μm~3mmの範囲であることが望ましい。また、金属基材K1上へのインクI1の塗布量またはパターニングが3~100μl/cm2であることが好ましい。前記塗布量等が3μl/cm2未満では沸点に至る以前のより早期に多価アルコールC1が蒸発して、金属微粒子P1表面の還元反応が進行しないで酸化物状態に維持されて、焼結または焼成が十分に進行しないおそれがある。一方、前記塗布量が100μl/cm2を超えると蒸発速度が抑制されて200°C程度での焼結または焼成では導電膜中に還元溶媒が残存して、導電性を阻害するおそれがある。6予備加熱と、加熱による金属焼結膜M1の形成金属基材K1上にインクI1を塗布またはパターン化後、100~150°Cに予備加熱した後、好ましくは不活性ガス雰囲気中で150~300°Cに加熱して、金属基材K1上に金属焼結膜M1を形成する。加熱焼成温度は、使用する金属微粒子P1の平均一次粒子径、金属種にもよるが、100~150°Cに予備加熱した後、多価アルコールC1が気化した還元性ガスが存在する雰囲気中、または該還元性ガスと不活性ガス雰囲気中で150~300°Cに加熱して焼成することにより、金属微粒子P1および金属焼結膜M1が酸化されるのを抑制して、焼成温度が通常よりは低い焼成温度あってもより導電性が高く、かつ接合強度の高い金属焼結膜M1を得ることができる。7金属構造体かくして得られた金属構造体は、塗布またはパターン化する際にマスク形成が不要であり、めっきと比較して金属焼結膜M1中の不純物残渣が少なく、化学的な効果による接続部同士の短絡マイグレーションが生じにくい。また、金属焼結膜M1が焼結または焼成により金属基材K1に接合しているので、めっきやスパッタよりも金属焼結膜M1と金属基材K1間の接合強度が高い金属構造体である。このような金属構造体は、プレス加工、曲げ加工等を施した際に容易に剥離を生じないので、コネクタやリードフレーム等への加工が容易である。尚、第1の態様の金属構造体の製造方法により得られる金属焼結膜M1が金属基材K1上で、該金属基材K1と焼結または焼成により接合することは、図1に示す、本明細書の実施例1で得られた金属構造体の走査型電子顕微鏡ScanningElectronMicroscope、SEM写真で、金属焼結膜M1と金属基材K1間の接合部に明確な界面が存在しないこと、実施例1で金属焼結膜M1と金属基材K1間の接合強度が向上していること等から確認される。2第2の態様の金属構造体の製造方法について第2の態様の金属構造体の製造方法は、少なくともiアミド基を有する有機溶媒A2、ii一般式R1-N-R2-R3R1、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基で、該アルキル基の炭素原子数は1~9である。で表されるアミン系化合物B2、およびiiiヒドロキシル基を2個以上含む分子構造をもつ多価アルコールC2からなり、室温25°Cにおける、多価アルコールC2含有量が30~60体積、およびアミン系化合物B2とアミド基を有する有機溶媒A2の体積比B2/A2が0.02~0.5、である混合溶媒S2中にNiおよびCuのうち1種または2種を含み、平均一次粒子径が10~500nmである金属微粒子P2が分散されていているインクI2で、該インクI2中の金属微粒子P2含有量が5~50質量、前記室温における、アミン系化合物B2と金属微粒子P2の体積比B2/P2が1.5~20、であるインクI2を、Au、Ag、Ni、Pd、およびCuから選択される1種または2種以上が含有されている金属基材K2上に塗布またはパターン化し、100~150°Cに予備加熱した後、前記多価アルコールC2の蒸発により形成される還元性ガスが存在する雰囲気中で150~300°Cに加熱して、金属基材K2上に、該金属基材K2と焼結または焼成により接合された金属焼結膜M2を形成した後、更に、少なくともiアミド基を有する有機溶媒A3、ii一般式R1-N-R2-R3R1、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基で、該アルキル基の炭素原子数は1~9である。で表されるアミン系化合物B3、およびiiiヒドロキシル基を2個以上含む分子構造をもつ多価アルコールC3からなり、前記室温における、多価アルコールC3含有量が30~60体積、およびアミン系化合物B3とアミド基を有する有機溶媒A3の体積比B3/A3が0.02~0.5、である混合溶媒S3中にAg、Au、およびPdから選択される1種または2種以上を含む金属微粒子P3が分散されているインクI3で、金属微粒子P3含有量が5~50質量、前記室温における、アミン系化合物B3と金属微粒子P3の体積比B3/P3が1.5~20、であるインクI3を金属焼結膜M2上に塗布またはパターン化し、加熱して、金属焼結膜M2上に、該金属焼結膜M2と焼結または焼成により接合された金属焼結膜M3を形成することを特徴とする。1金属微粒子P2、金属微粒子P3金属微粒子P2は、NiおよびCuのうち1種または2種を含み、平均一次粒子径が10~500nmの金属微粒子である。また金属微粒子P3は、Ag、Au、およびPdから選択される1種または2種以上を含む金属微粒子である。前記金属微粒子P3の平均一次粒子径が10~500nmであることが好ましい。また、前記金属微粒子P2、および金属微粒子P3がその表面の少なくとも一部が有機分散剤Dで覆われてインクI2、インクI3にそれぞれ分散していることが好ましい。2混合溶媒S2、混合溶媒S3混合溶媒S2は、少なくともiアミド基を有する有機溶媒A2、ii一般式R1-N-R2-R3R1、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基で、該アルキル基の炭素原子数は1~9である。で表されるアミン系化合物B2、およびiiiヒドロキシル基を2個以上含む分子構造をもつ多価アルコールC2からなる混合溶媒である。混合溶媒S3は、少なくともiアミド基を有する有機溶媒A3、ii一般式R1-N-R2-R3R1、R2、R3はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基で、該アルキル基の炭素原子数は1~9である。で表されるアミン系化合物B3、およびiiiヒドロキシル基を2個以上含む分子構造をもつ多価アルコールC3からなる混合溶媒である。アミド基を有する有機溶媒A2、アミン系化合物B2、および多価アルコールC2は第1の態様に記載した有機溶媒A1、アミン系化合物B1、多価アルコールC1とそれぞれ同種のものであり、アミド基を有する有機溶媒A3、アミン系化合物B3、および多価アルコールC3は第1の態様に記載した有機溶媒A1、アミン系化合物B1、多価アルコールC1とそれぞれ同種のものである。また、混合溶媒S2において、多価アルコールC2含有量が30~60体積、およびアミン系化合物B2とアミド基を有する有機溶媒A2の体積比B2/A2が0.02~0.5であり、混合溶媒S3において、多価アルコールC3含有量が30~60体積、およびアミン系化合物B3とアミド基を有する有機溶媒A3の体積比B3/A3が0.02~0.5、である。3インクI2、インクI3インクI2は前記混合溶媒S2中に前記金属微粒子P2が分散されていて、該インクI2中の金属微粒子P2含有量が5~50質量で、アミン系化合物B2と金属微粒子P2の体積比B2/P2が1.5~20であり、同様に、インクI3は、前記混合溶媒S3中に前記金属微粒子P3が分散されていて、該インクI3中の金属微粒子P3含有量が5~50質量で、アミン系化合物B3と金属微粒子P3の体積比B3/P3が1.5~20である。これらの配合割合の説明は、前記第1の態様に記載したのとそれぞれ同様である。4金属基材K2金属基材K2は、第1の態様に記載した金属基材K1と同様である。5金属基材K2上にインクI2の塗布またはパターン化金属基材K2上にインクI2の塗布またはパターン化は、第1の態様に記載した金属基材K1上にインクI1の塗布またはパターン化と同様である。6予備加熱と、加熱による金属焼結膜M2の形成予備加熱と、加熱による金属焼結膜M2の形成は、第1の態様に記載した予備加熱と、加熱による金属焼結膜M1の形成と同様である。7金属焼結膜M2上にインクI3の塗布またはパターン化金属焼結膜M2上にインクI3の塗布またはパターン化は、インク吐出ヘッドを有するインク加工機、スクリーン印刷機、またはディスペンサーを用いることが好ましい。8予備加熱と、加熱により金属焼結膜M2上に金属焼結膜M3の形成予備加熱は第1の態様に記載した予備加熱と同様である。加熱による金属焼結膜M3の形成は、前記多価アルコールC3からなる還元性ガスが存在する雰囲気中で150~300°Cに加熱することが好ましい。9金属構造体かくして得られた金属構造体は、塗布またはパターン化する際にマスク形成が不要であり、めっきと比較して金属焼結膜M2および金属焼結膜M3中の不純物残渣が少なく、化学的な効果による接続部同士の短絡マイグレーションが生じにくい。また、金属基材K2と金属焼結膜M2間が焼結によりに接合し、金属焼結膜M2と金属焼結膜M3間が焼結により接合しているので、めっきやスパッタよりも接合強度が高い金属構造体である。このような金属構造体は、プレス加工、曲げ加工等を施した際にも容易に剥離が生じないので、コネクタやリードフレーム等への加工が容易であると共に、下記効果を得ることが可能になる。すなわち、金属焼結膜M3が薄い場合に、下地膜である金属焼結膜M2が存在しないと焼結時、及び/又は電気電子部品等としての使用時に、金属基材K2と金属焼結膜M3間で金属原子の移動、相互拡散を起こし、金属焼結膜M3が合金化して、接触抵抗が増加するおそれがあるが、金属基材K2と金属焼結膜M3間に下地膜である金属焼結膜M2を存在させることにより、このような金属原子の移動、相互拡散を防止でき、金属焼結膜M3における電気抵抗、接触抵抗をより低くすることができる。尚、第2の態様の金属構造体の製造方法により得られる金属焼結膜M2が金属基材K2上で、該金属基材K2と焼結または焼成により接合することは第1の態様上記1のニの項で説明した通りであり、また、金属焼結膜M3が金属焼結膜M2上で、該金属焼結膜M2と焼結または焼成により接合していることは、両者間に明確な界面が存在しないことから走査型電子顕微鏡SEM写真で直接観察することは困難であるが、インクI3を塗布する前の金属焼結膜M2の表面は金属微粒子P2が焼結された多孔質構造を有しているので、i該金属焼結膜M2上にインクI3を塗布またはパターン化する際、及び/又は焼結または焼成の際にインクI3に含まれる金属微粒子P3の一部が該金属焼結膜M2の内部に入り込むこと、iiインクI3を塗布する前の金属焼結膜M2の表面積は極めて大きいこと、iii混合溶媒S3が金属微粒子表面を活性化させると共に焼結または焼成を促進する溶媒であること等から、金属焼結膜M2と金属焼結膜M3間が、金属基材K2と金属焼結膜M2間よりも焼結または焼成により接合しやすい構造であること、および金属焼結膜M2と金属焼結膜M3間の接合強度が高いこと等から間接的に確認される。3第3の態様の金属構造体について第3の態様の金属構造体は、Au、Ag、Ni、Pd、およびCuから選択される1種または2種以上を含み、平均一次粒子径が10~500nmである金属微粒子PAと有機溶媒SAとを含むインクIAを、Au、Ag、Ni、Pd、およびCuから選択される少なくとも1種を含む金属基材KAに塗布またはパターン化し、100~150°Cに予備加熱後、還元性ガスの存在する雰囲気中で150~300°Cに加熱して金属基材KA上に金属焼結膜MAが形成された金属構造体であって、金属焼結膜MAが焼結または焼成により金属基材KAに接合していることを特徴とする。第3の態様の金属構造体は、例えば、前記第1の態様に記載した金属構造体の製造方法により製造することが可能である。金属微粒子PAと金属基材KAを形成する金属種を上記の通りに選択し、有機溶媒SAと加熱、焼結条件を第1の態様に記載したと同様にして得られる第3の態様の金属構造体は、金属微粒子PAと金属基材KA間で焼結しているのが特徴である。該金属構造体は、金属基材KA上にインクIAを塗布またはパターン化する際にマスキングが不要で、形成される金属焼結膜MAと金属基材KA間が焼結により接合しているために、接合強度が強いという効果を発揮することができる。また、めっきと比較して、不純物残渣が少なく、接続部同士の短絡が生じにくい。4第4の態様の金属構造体について第4の態様の金属構造体は、NiおよびCuのうち1種または2種を含み、平均一次粒子径が10~500nmである金属微粒子PBと有機溶媒SBとを含むインクIBを、Au、Ag、Ni、Pd、およびCuから選択される1種または2種以上を含む金属基材KBに塗布またはパターン化し、100~150°Cに予備加熱した後、還元性ガスが存在する雰囲気中で150~300°Cに加熱して、金属基材KB上に金属焼結膜MBを形成した後、更に金属焼結膜MB上に、Ag、Au、およびPdから選択される1種または2種以上を含む金属微粒子PCと有機溶媒SCを含むインクICを塗布またはパターン化し、加熱することにより金属焼結膜MB上に金属焼結膜MCが形成された金属構造体であって、金属基材KBと金属焼結膜MB間が焼結または焼成によりに接合し、金属焼結膜MBと金属焼結膜MC間が焼結または焼成により接合していることを特徴とする。第4の態様の金属構造体は、例えば、前記第2の態様に記載した金属構造体の製造方法と同様の方法により製造することが可能である。金属微粒子PBをNiおよびCuのうち1種または2種を含み、平均一次粒子径が10~500nmである粒子とし、金属微粒子PCをAg、Au、およびPdから選択される1種または2種以上を含むものとする第4の態様の金属構造体は、金属基材KBと金属焼結膜MB間、および金属焼結膜MBと金属焼結膜MC間がそれぞれ焼結または焼成により接合しているのが特徴である。該金属構造体は、金属基材KB上にインクIBを塗布またはパターン化する際、および金属焼結膜MB上にインクICを塗布またはパターン化する際にマスキングが不要である。尚、金属微粒子PCの平均一次粒子径は10~500nmであることが好ましい。また、有機溶媒SB、有機溶媒SCはそれぞれ第1の態様に記載した混合溶媒S1であることが好ましい。本発明の第4の態様における金属構造体は、該金属基材KBと焼結または焼成により接合された、NiおよびCuのうち1種または2種を含む金属焼結膜MBを形成し、更に金属焼結膜MB上にAg、Au、およびPdから選択される1種または2種以上を含む金属焼結膜MCを形成することにより、金属焼結膜MBを介して金属基材KBと金属焼結膜MCとの間の接合強度をより高めることが可能になる。このような金属構造体は、プレス加工、曲げ加工等を施した際にも容易に剥離が生じないので、コネクタやリードフレーム等への加工が容易であると共に、下記効果を得ることが可能になる。すなわち、金属焼結膜MCが薄い場合に、下地膜である金属焼結膜MBが存在しないと焼結時、及び/又は電気電子部品等としての使用時に、金属基材KBと金属焼結膜MC間で金属原子の移動、相互拡散を起こし、金属焼結膜MCが合金化して、接触抵抗が増加するおそれがあるが、金属基材KBと金属焼結膜MC間に下地膜である金属焼結膜MBを存在させることにより、このような金属原子の移動、相互拡散を防止でき、金属焼結膜MCにおける電気抵抗、接触抵抗をより低くすることができる。5第5の態様の金属構造体について第5の態様の金属構造体は、少なくともCuを50質量以上含み、平均一次粒子径が10~500nmである金属微粒子PDと有機溶媒SDとを含むインクIDを、Cuを50質量以上含む金属基材KC上に塗布またはパターン化し、100~150°Cに予備加熱した後、還元性ガスが存在する雰囲気中で150~300°Cに加熱して、金属基材KC上に金属焼結膜MDを形成した後、金属焼結膜MD上に、Ni、およびCuから選択される1種または2種を含む金属微粒子PEと有機溶媒SEを含むインクIEを塗布またはパターン化し、加熱することにより金属焼結膜MD上に金属焼結膜MEを形成し、更に、金属焼結膜ME上に、Ag、Au、およびPdから選択される1種または2種以上を含む金属微粒子PFと有機溶媒SFを含むインクIFを塗布またはパターン化し、加熱することにより金属焼結膜ME上に金属焼結膜MFが形成された金属構造体であって、金属基材KCと金属焼結膜MD間、金属焼結膜MDと金属焼結膜ME間、及び金属焼結膜MEと金属焼結膜MF間がそれぞれ焼結または焼成により接合していることを特徴とする。前記第4の態様の金属構造体において、下地膜金属焼結膜MBを形成する金属微粒子PBの選択により、下地膜と金属基材KBとの間の接合力の向上が必要とされる場合には、金属基材と下地膜を形成する金属焼結膜との間に中間膜を設けて接合強度を向上させる、第5の態様の金属構造体を形成することができる。第5の態様の金属構造体は、例えば、前記第2の態様に記載した金属構造体の製造方法等を利用して製造することが可能である。金属基材KCをCuを50質量以上含む基材とし、金属微粒子PDをCuを50質量以上含む、平均一次粒子径が10~500nmである金属微粒子とし、金属微粒子PEをNi、およびCuから選択される1種または2種以上を含む微粒子とし、金属微粒子PFをAg、Au、およびPdから選択される1種または2種以上を含む微粒子とする第5の態様の金属構造体は、金属基材KCと金属焼結膜MD間、金属焼結膜MDと金属焼結膜ME間、および金属焼結膜MEと金属焼結膜MF間は、第4の態様の金属構造体の項に記載されている通り、それぞれ焼結または焼成により接合している。尚、金属基材KCは、Cuを50質量以上含む基材であるが、Cu以外の金属としては特に制限されず金属基材として公知の金属を使用した合金を使用することができ、金属微粒子PDは、Cuを50質量以上含む粒子であるが、Cu以外の金属としては特に制限されず公知の金属粒子を使用することができる。金属微粒子PEと金属微粒子PFの平均一次粒子径はそれぞれ10~500nmであることが好ましく、有機溶媒SD、有機溶媒SE、有機溶媒SFはそれぞれ第1の態様に記載した混合溶媒S1であることが好ましい。該金属構造体は、金属基材KC上にインクIDを塗布またはパターン化する際、金属焼結膜MD上にインクIEを塗布またはパターン化する際、および金属焼結膜ME上にインクIFを塗布またはパターン化する際にマスキングが不要である。本発明の第5の態様における金属構造体は、Cuを50質量以上含む金属基材KC上にCuを50質量以上含む金属焼結膜MDが形成され、該金属焼結膜MD上にNi、およびCuから選択される1種または2種を含む金属焼結膜MEが形成され、更に金属焼結膜ME上にAg、Au、およびPdから選択される1種または2種以上を含む金属焼結膜MFが形成され、かつ、金属基材KCと金属焼結膜MD間、金属焼結膜MDと金属焼結膜ME間、及び金属焼結膜MDと金属焼結膜ME間はそれぞれ焼結または焼成により接合されているので、中間膜である金属焼結膜MDを介して、金属基材KCと下地膜である金属焼結膜ME間の接合強度をより高めることが可能になり、また金属焼結膜MEと金属焼結膜MF間の接合強度を高めることが可能になる。このような金属構造体は、プレス加工、曲げ加工等を施した際にも容易に剥離が生じないので、コネクタやリードフレーム等への加工が容易であると共に、下記効果を得ることが可能になる。すなわち、金属焼結膜MFが薄い場合に、下地膜である金属焼結膜MEが存在しないと焼結時、及び/又は電気電子部品等としての使用時に、金属基材KCと金属焼結膜MF間で金属原子の移動、相互拡散を起こし、金属焼結膜MFが合金化して、接触抵抗が増加するおそれがあるが、金属基材KCと金属焼結膜MF間に、中間膜である金属焼結膜MDと、下地膜である金属焼結膜MEを存在させることにより、このような金属原子の移動、相互拡散を防止でき、金属焼結膜MFにおける電気抵抗、接触抵抗をより低くすることができる。6第6の態様の金属部品について第6の態様の金属部品は、前記第3~5の態様の金属構造体に記載の金属構造体の一部に電気接続部が形成されていることを特徴とする。前記第3~5の態様の金属構造体は、金属基材と最表面の金属焼結膜間における電気抵抗、接触抵抗が低く、その表面が金属微粒子に由来する凹凸形状が存在するので、その一部に電気接続部が形成されると電気抵抗と接触抵抗を低くすることができるので、コネクタやリードフレームに好適に使用することができる。7第7の態様の金属部品について第7の態様の金属部品は、前記第3~5の態様の金属構造体を、プレス加工および/または曲げ加工により成型されたことを特徴とする。本発明の第7の態様における金属部品は、本発明の第3の態様の金属構造体における金属焼結膜MAと金属基材KA間が焼結により接合しており、また第4の態様の金属構造体における金属焼結膜MBと金属基材KB間、および金属焼結膜MBと金属焼結膜MC間、並びに第5の態様で形成される金属構造体における金属焼結膜MDと金属基材KC間、金属焼結膜MDと金属焼結膜ME間、および金属焼結膜MEと金属焼結膜MF間とがそれぞれ焼結または焼成により接合しているために、接合強度が強く、プレス加工、曲げ加工等を行っても剥離が抑制されるので、コネクタやリードフレーム等の加工が容易である。本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例、比較例で使用したインク1~4の調製方法を以下に記載する。1インク1金微粒子インクイ混合溶媒室温25°Cにおける、エチレングリコール:44体積、N,N-メチルホルムアミド:40体積、およびトリエチルアミン:16体積からなる混合溶媒を調製した。混合溶媒中のエチレングリコール含有量は44体積、トリエチルアミンとN,N-メチルホルムアミドの体積比トリエチルアミン/N,N-メチルホルムアミドは0.40である。ロ金属微粒子金属微粒子として、平均一次粒子径30nmの金微粒子金比重:19.32が33.5質量混合溶媒/金微粒子体積比:97.5/2.5含まれるように、前記混合溶媒に添加した。尚、上記室温における、トリエチルアミン/金微粒子の体積比は6.2である。ハ添加剤有機分散剤として、ポリビニルピロリドンPVP、数平均分子量約3500を、金微粒子/有機分散剤が0.001となるように添加して、攪拌溶解させてインクを調製した。尚、有機分散剤の濃度は、高速液体クロマトグラフHPLCの分析結果により確認した。2インク2ニッケル微粒子インクイ混合溶媒室温25°Cにおける、エチレングリコール:50体積、N、N-メチルホルムアミド:40体積、およびトリプロピルアミン:10体積からなる混合溶媒を調製した。混合溶媒中のエチレングリコール含有量は50体積、トリプロピルアミンとN,N-メチルホルムアミドの体積比トリプロピルアミン/N,N-メチルホルムアミドは0.25である。ロ金属微粒子金属微粒子として、平均一次粒子径30nmのニッケル微粒子Ni比重:8.90が33.9質量混合溶媒/金属微粒子体積比:94.5/5.5含まれるように、前記混合溶媒に添加した。尚、上記室温における、トリエチルアミン/Ni微粒子の体積比は1.7である。ハ添加剤有機分散剤として、ポリビニルピロリドンPVP、数平均分子量約3500を、Ni微粒子/有機分散剤が0.0005となるように添加して、攪拌溶解させてインクを調製した。尚、有機分散剤の濃度は、高速液体クロマトグラフHPLCの分析結果により確認した。3インク3銀微粒子インクイ混合溶媒室温25°Cにおける、エチレングリコール:44体積、N、N-メチルホルムアミド:40体積、およびトリエチルアミン:16体積からなる混合溶媒を調製した。混合溶媒中のエチレングリコール含有量は44体積、トリエチルアミンとN,N-メチルホルムアミドの体積比トリエチルアミン/N,N-メチルホルムアミドは0.40である。ロ金属微粒子金属微粒子として、平均一次粒子径30nmの銀微粒子銀比重:10.49が21.5質量溶媒/金属微粒子体積比:97.5/2.5含まれるように、前記混合溶媒に添加した。尚、上記室温における、トリエチルアミン/銀微粒子の体積比は、6.2である。ハ添加剤有機分散剤として、ポリビニルピロリドンPVP、数平均分子量約3500を、銀微粒子/有機分散剤が0.0015となるように添加して、攪拌溶解させてインクを調製した。尚、有機分散剤の濃度は、高速液体クロマトグラフHPLCの分析結果により確認した。4インク4銅微粒子インクイ混合溶媒室温25°Cにおける、エチレングリコール:55体積、N、N-メチルホルムアミド:41体積、およびトリエチルアミン:4体積からなる混合溶媒を調製した。混合溶媒中のエチレングリコール含有量は55体積、トリエチルアミンとN,N-メチルホルムアミドの体積比トリエチルアミン/N,N-メチルホルムアミドは0.10である。ロ金属微粒子金属微粒子として、平均一次粒子径30nmの銅微粒子銅比重:8.9が18.2質量溶媒/金属微粒子体積比:97.5/2.5含まれるように、前記混合溶媒に添加した。尚、上記室温における、トリエチルアミン/銅微粒子の体積比は、1.6である。ハ添加剤有機分散剤として、ポリビニルピロリドンPVP、数平均分子量約3500を、銅微粒子/有機分散剤が0.0015となるように添加して、攪拌溶解させてインクを調製した。尚、有機分散剤の濃度は、高速液体クロマトグラフHPLCの分析結果により確認した。[実施例1、2、比較例1、2]以下に記載する金属構造体について、耐プレス加工密着性の評価を行った。1金属構造体の作製金属基材として厚み0.35mm、幅10mmの純銅板を使用した。実施例1では、上記金属基材上に、インク1を用いて、インクジェットにより、幅1mm長さ30mmのラインパターンを形成し、120°Cで5分間予備加熱した後にエチレングリコールからなる還元性ガス雰囲気下、200°Cで10分間加熱、焼結して厚み1.0μmの金焼結膜を形成した。実施例2では、上記金属基材上に、インク2を用いて、ロールコータにより、幅10mm長さ100mmのラインパターンを形成し、120°Cで10分間予備加熱した後にエチレングリコールからなる還元性ガス雰囲気下、220°Cで60分間加熱、焼結して厚み1.0μmのニッケル金属焼結膜下地膜を形成し、該下地膜上にインク1を用いて、インクジェットにより、幅1mm長さ30mmのラインパターンを形成し、120°Cで5分間予備加熱した後にエチレングリコールからなる還元性ガス雰囲気下、200°Cで10分間加熱、焼結して、厚み1.0μmの金属焼結膜を形成した。比較例1として、前記純銅の金属基材上に厚み1.0μmの金めっきめっき条件:シアン化金カリウム3g/L、シアン化カリウム15g/L、燐酸水素カリウム1.5g/L、pH12.5、温度70°C、電流密度0.5A/dm2を行った。比較例2として、前記純銅の金属基材上にニッケルからなる厚み1.0μmの下地膜をめっきで形成しめっき条件:硫酸ニッケル145g/L、塩化アンムニウム20g/L、硼酸12g/L、pH6.4、温度20~30°C、電流密度0.6~1.2A/dm2、該下地膜上に厚み1.0μmの金めっきめっき条件:シアン化金カリウム3g/L、シアン化カリウム15g/L、燐酸水素カリウム1.5g/L、pH12.5、温度70°C、電流密度0.5A/dm2を行った。2評価方法実施例1において、得られた金属構造体断面の走査型電子顕微鏡観察ScanningElectronMicroscope、SEMによる接合の確認を行った。また、実施例1、2、及び比較例1、2において、金属焼結膜、またはめっき膜が形成された金属基材を治具を用いてあらかじめ90度まで曲げ加工し、次にプレス加工により更に180度まで曲げてU字形状に曲げ加工した後に、該曲げ加工されたU字形状を開いて平板上に押し付けてもとの形状に戻す曲げ戻しを行った。該プレス加工した部分において、JISH8504めっきの密着性試験方法中の引きはがし試験方法-テープ試験方法に準じて、金属焼結膜表面とめっき表面にテープを接着し、その後勢い良くテープを剥離して、被膜の表面状態を目視で評価する、耐プレス加工密着性試験を行った。尚、耐プレス加工による密着性試験の評価の基準は以下の通りである。◎:目視および拡大鏡倍率:150倍でも剥離は全く観察されなかった。○:目視で剥離は観察されなかったが、拡大鏡倍率:150倍ではひびがわずかに観察された。△:目視で剥離は観察されなかったが、拡大鏡倍率:150倍では剥離がわずかに観察された。×:目視で表面の一部に剥離が観察された。3評価結果本発明の第1、3の態様に相当する実施例1における試料の断面を走査型電子顕微鏡SEMにより観察した結果、写真1に示すように、純銅基材上に形成した金微焼結膜と金属基材間において、明確な界面が観察されなかったことから、金微焼結膜と金属基材間は焼結により良好な接合状態が得られていることが判る。また、耐プレス加工密着性試験では、本発明の第1の態様に相当する実施例1では○、第2、4の態様に相当する実施例2では◎であった。また、比較例1では×、比較例2では△であった。これらの耐プレス加工密着性試験結果において、実施例1、2においては、それぞれ比較例1、2のめっきの場合と対比して密着性が向上していることから、実施例1においては金属基材と金属焼結膜間で焼結により接合強度が向上し、また実施例2においては金属基材と下地膜、および該下地膜と金属焼結膜間で焼結により接合強度が向上したと理解される。[実施例3、比較例3]以下に記載する金属構造体について、リードのマイグレーション試験を行った。1インナーリードの形成実施例3では、厚み0.3mmの純銅板をプレス加工し、間隔300μm、銅板材幅500μm、ピン数64のリードを形成した。インナーリード部において長さ0.5mm部にインク3をインクジェット装置により、パターン化後、120°Cで5分間予備加熱した後にエチレングリコールからなる還元性ガス雰囲気下、200°Cで10分間加熱、焼結して厚み1.2μmの膜を有するインナーリードを形成した。比較例3では上記インナーリード部に厚み1.2μmの銀めっきめっき条件:シアン化銀10g/L、シアン化カリウム25g/L、炭酸カリウム10g/L、pH12.2、温度32°C、電流密度0.5A/dm2を形成した。2評価方法TEGTestElementGroupにモールド樹脂を塗布硬化後,85°C,85相対湿度RHの高温高湿槽内で40Vのバイアス電圧を印加し、イオンマイグレーションテスタIMV社製、型式:MIG-87で絶縁抵抗を常時モニタリングした。また、適宜槽外へ取り出して顕微鏡観察を行いマイグレーションの発生を確認した。3評価結果本発明の第1、3の態様に相当する実施例3ではマイグレーションによるひげ状結晶の発生時間が、比較例3に比べて、2.5倍長くなっていた。[実施例4、比較例4]Auワイヤボンディングでインナーリード部を形成してプル強度試験を実施した。プル強度試験として、ワイヤボンディング強度試験の中では最も一般的なテスト方法である、ボンディングされたインナーリード等の下部に適当なフックを入れ、下から上へ垂直にワイヤリードをプルテストして破断した時の強度を測定する評価を行った。1インナーリード部の形成実施例4では、0.3mmの純銅板をプレス加工し、銅板材幅500μmのインナーリードを形成した。リードにインクジェット装置により、インナーリード部にインク3銀微粒子インクをパターン化して、120°Cで10分間予備加熱した後にエチレングリコールからなる還元性ガス雰囲気下、200°Cで10分間加熱、焼結して厚み1.1μmの膜つきインナーリードを形成した。比較例4として、上記インナーリード部にAgめっきめっき条件:シアン化銀10g/L、シアン化カリウム25g/L、炭酸カリウム10g/L、pH12.2、温度32°C、電流密度0.5A/dm2を形成した。2評価方法MIL-STD-883Gに準拠し、ワイヤーボンドプル試験ボンドワイヤとフレーム間の強度を測定した。ボンディングワイヤの直径は0.025mmである。3評価結果本発明の第1、3の態様に相当する実施例4において、銀焼結膜へのボンドは、プル強度7.8~7.1gと良好であった。比較例4において、めっき膜上へのボンドは、プル強度6.5~5.5gと低かった。[実施例5~7、比較例5~7]以下に記載する金属構造体について、Auめっきコネクタの接触抵抗評価を実施した。1金属焼結膜、めっき膜の形成実施例5として、純銅基材上に、インク1金微粒子インクを用いて、パターン化後、120°Cで5分間予備加熱した後にエチレングリコールからなる還元性ガス雰囲気下、200°Cで10分間加熱、焼結して厚み0.45μmの金焼結膜を形成した。実施例6として、純銅基材上に、インク2ニッケル微粒子インクを用いてパターン化後、120°Cで5分間予備加熱した後にエチレングリコールからなる還元性ガス雰囲気下、220°Cで60分間加熱、焼結して厚み0.15μmのニッケル焼結膜下地膜を形成した。次に該下地膜上に、インク1金微粒子インクを用いてパターン化後、120°Cで10分間予備加熱した後にエチレングリコールからなる還元性ガス雰囲気下、200°Cで10分間加熱、焼結して厚み0.45μmの金焼結膜を形成した。実施例7として、純銅基材上に、インク4銅微粒子インクを用いてパターン化後、120°Cで10分予備加熱した後、エチレングリコールからなる還元性ガス雰囲気下で、250°Cで10分間加熱、焼結して厚み0.15μmの銅焼結膜を形成した。次に、インク2を用いてパターン化後、120°Cで5分間予備加熱した後にエチレングリコールからなる還元性ガス雰囲気下、220°Cで60分間加熱、焼結して厚み0.15μmのニッケル焼結膜下地膜を形成した。次に該下地膜上に、インク1を用いてパターン化後、120°Cで10分間予備加熱した後にエチレングリコールからなる還元性ガス雰囲気下、200°Cで10分間加熱、焼結して厚み0.45μmの金焼結膜を形成した。比較例5として、純銅基材上にAuめっき単層厚み:0.5μm、比較例6として、純銅基材上にNi下地膜厚み:0.1μmを形成し、該下地膜上にAuめっき厚み:0.5μmを形成した。比較例7として、純銅基材上にCu下地めっき0.1μm、さらにその上にNi下地めっき0.1μm、下地膜上にAuめっき厚み:0.5μmを形成した。尚、Auめっき、Niめっきは、比較例1および比較例2で用いためっき浴、めっき条件に基づいて形成した。Cu下地膜のめっき条件は、硫酸銅200g/L、硫酸50g/L、塩素イオン60ml/L、温度20°C、電流密度2A/dm2とした。2評価方法評価試験方法として、評価プローブ:頭部5Rの純Agを用い、荷重:49mN=5gf、電流:10mA、測定周波数1kHzの条件とした。尚、評価用の試験装置にはミリオームメータ測定周波数1kHz、アジレント株製、型式:4338Bを用いた。3評価結果本発明の第1、3の態様に相当する実施例5、本発明の第2、4の態様に相当する実施例6、および本発明の第5の態様に相当する実施例7では、n=3で評価したときの接触抵抗の範囲が0.05mΩ~1.1mΩであった。一方、比較例5、6、7では、n=3で評価したときの接触抵抗の範囲が1.1mΩ~1.5mΩと高かった。これらの結果から、比較例5、6、7のAuめっきに対して、実施例5、6、7のAuめっき焼成膜被覆コネクタでは接触抵抗が約30低減したといえる。"