"単結晶基板と、上記単結晶基板に対するレーザ照射により、当該単結晶基板の内部に形成される熱変性層と、を含んでなることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板。請求項1に記載のエピタキシャル成長用内部改質基板において、前記レーザ照射が、下記AとBに示す少なくともいずれか1つに記載の照射条件を満たすように実施されることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板。<照射条件A>レーザ波長:200nm~400nmパルス幅:ナノ秒オーダー<照射条件B>レーザ波長:400nm~5000nmパルス幅:フェムト秒オーダー~ピコ秒オーダー請求項1または請求項2に記載のエピタキシャル成長用内部改質基板において、前記単結晶基板の厚み方向の相対位置を、成膜面となる片面側を0と仮定し、上記成膜面と反対側の面を100とし仮定した際に、前記熱変性層が、前記単結晶基板の厚み方向の3以上95以下の範囲内に設けられていることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板。請求項1~3のいずれか1つに記載のエピタキシャル成長用内部改質基板において、前記熱変性層が、前記単結晶基板の平面方向に対して、i複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状、ii複数個の同一形状および同一サイズの円または楕円を規則的に配置した形状、iii同心円状、iv前記単結晶基板の中心点に対して略点対称に形成された形状、v単結晶基板の中心点を通じる直線に対して略線対称に形成された形状、viストライプ形状、ならびに、viiらせん形状から選択される少なくともいずれか1つのパターン形状で設けられていることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板。請求項4に記載のエピタキシャル成長用内部改質基板において、前記複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状が、格子形状であることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板。請求項5に記載のエピタキシャル成長用内部改質基板において、前記格子形状を成すパターンを構成するラインのピッチが、50μm以上2000μm以下の範囲内であることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板。請求項1~6のいずれか1つに記載のエピタキシャル成長用内部改質基板において、前記単結晶基板の材質が、サファイア、窒化物半導体、Si、GaAs、水晶およびSiCから選択される少なくともいずれか1種であることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板。請求項1~7のいずれか1つに記載のエピタキシャル成長用内部改質基板において、前記熱変性層を形成する前の前記単結晶基板の形状は、その成膜面が凹面であり、上記凹面の曲率が0km-1より大きく160km-1以下であることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板。請求項1~7のいずれか1つに記載のエピタキシャル成長用内部改質基板において、前記凹面の曲率が40km-1以上150km-1以下であることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板。請求項1~7のいずれか1つに記載のエピタキシャル成長用内部改質基板において、前記凹面の曲率が85km-1以上150km-1以下であることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板。請求項1~10のいずれか1つに記載のエピタキシャル成長用内部改質基板において、前記単結晶基板の直径が50mm以上300mm以下であることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板。請求項1~11のいずれか1つに記載のエピタキシャル成長用内部改質基板において、前記単結晶基板の厚みが0.05mm以上5.0mm以下であることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板。請求項1~12のいずれか1つに記載のエピタキシャル成長用内部改質基板において、前記単結晶基板は、成膜面となる面が研磨面であり、上記単結晶基板に対するレーザ照射が上記研磨面に通じて行われることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板。単結晶基板と、上記単結晶基板に対するレーザ照射により、当該単結晶基板の内部に形成される熱変性層と、を備え、上記単結晶基板の片面に2つ以上の層を有する多層膜が設けられていることを特徴とする多層膜付き内部改質基板。請求項14に記載の多層膜付き内部改質基板において、前記多層膜を構成する少なくともいずれか1層が、窒化物半導体結晶層であることを特徴とする多層膜付き内部改質基板。請求項14に記載の多層膜付き内部改質基板を備えることを特徴とする半導体デバイス。請求項16に記載の半導体デバイスは、発光素子、電子デバイス、受光素子のいずれかであることを特徴とする半導体デバイス。請求項14に記載の多層膜付き内部改質基板が備える前記多層膜からなることを特徴とする半導体バルク基板。請求項18に記載の半導体バルク基板において、AlxInyGazNxyz=1,x≧0,y≧0,z≧0からなることを特徴とする半導体バルク基板。単結晶基板に対するレーザ照射により、上記単結晶基板の内部に熱変性層を形成することを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法。請求項20に記載のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法において、前記レーザ照射が、下記AとBに示す少なくともいずれか1つに記載の照射条件を満たすように実施されることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法。<照射条件A>レーザ波長:200nm~400nmパルス幅:ナノ秒オーダー<照射条件B>レーザ波長:400nm~5000nmパルス幅:フェムト秒オーダー~ピコ秒オーダー請求項20または請求項21に記載のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法において、前記単結晶基板の厚み方向の相対位置を、成膜面となる片面側を0と仮定し、上記成膜面と反対側の面を100とし仮定した際に、前記熱変性層が、前記単結晶基板の厚み方向の3以上95以下の範囲内に位置するように形成されることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法。請求項20~22のいずれか1つに記載のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法において、前記熱変性層が、前記単結晶基板の平面方向に対して、i複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状、ii複数個の同一形状および同一サイズの円または楕円を規則的に配置した形状、iii同心円状、iv前記単結晶基板の中心点に対して略点対称に形成された形状、v単結晶基板の中心点を通じる直線に対して略線対称に形成された形状、viストライプ形状、ならびに、viiらせん形状から選択される少なくともいずれか1つのパターン形状を描くように形成されていることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法。請求項23に記載のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法において、前記複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状が、格子形状であることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法。請求項24に記載のエピタキシャル成長用内部改質基板において、前記格子形状を成すパターンを構成するラインのピッチが、50μm以上2000μm以下の範囲内であることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法。請求項20~25のいずれか1つに記載のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法において、前記単結晶基板の材質が、サファイア、窒化物半導体、Si、GaAs、水晶およびSiCから選択される少なくともいずれか1種であることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法。請求項20~26のいずれか1つに記載のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法において、前記熱変性層を形成する前の前記単結晶基板の形状は、その成膜面が凹面であり、上記凹面の曲率が0km-1より大きく160km-1以下であることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法。請求項20~26のいずれか1つに記載のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法において、前記凹面の曲率が40km-1以上150km-1以下であることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法。請求項20~26のいずれか1つに記載のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法において、前記凹面の曲率が85km-1以上150km-1以下であることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法。請求項20~29のいずれか1つに記載のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法において、前記単結晶基板の直径が50mm以上300mm以下であることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法。請求項20~30のいずれか1つに記載のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法において、前記単結晶基板の厚みが0.05mm以上5.0mm以下であることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法。請求項20~31のいずれか1つに記載のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法において、前記単結晶基板は、成膜面となる面が研磨面であり、当該単結晶基板に対する前記レーザ照射が上記研磨面に通じて行われることを特徴とするエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法。単結晶基板に対するレーザ照射により、上記単結晶基板の内部に熱変性層を形成し、さらに上記単結晶基板の片面に2つ以上の層を有する多層膜が形成することを特徴とする多層膜付き内部改質基板の製造方法。請求項33に記載の多層膜付き内部改質基板の製造方法において、前記多層膜を構成する少なくともいずれか1層が、窒化物半導体結晶層であることを特徴とする多層膜付き内部改質基板の製造方法。請求項14に記載の多層膜付き内部改質基板を用いて形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。請求項35に記載の半導体デバイスの製造方法において、前記半導体デバイスは、発光素子、電子デバイス、受光素子のいずれかであることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。請求項14に記載の多層膜付き内部改質基板が備える前記多層膜を用いて形成することを特徴とする半導体バルク基板の製造方法。請求項37に記載の半導体バルク基板の製造方法において、AlxInyGazNxyz=1,x≧0,y≧0,z≧0からなることを特徴とする半導体バルク基板の製造方法。以上に説明したように、窒化ガリウム系発光ダイオード構造を得る一連の成膜工程を通じて、サファイア基板等の単結晶基板の反りが大きく変化する。これによって、窒化物半導体層の品質や発光波長の均一性が悪くなり、発光ダイオードの品質ばらつきや歩留まり低下等を招いていた。この問題に対し従来の方法では、InGaN系活性層の成長段階における基板の曲率がほぼ0となるように、サファイア基板の反り形状および反り量を設定する手法をとっていた。すなわち、InGaN系活性層の成長段階で発生する反り量分をあらかじめサファイア基板に与え、相殺するという手法である。これによって、発光波長のバラツキはある程度抑えることができる。しかし、InGaN系活性層以外の成膜工程で発生する基板の反りの問題が解決できない。特に、n-GaN層成長段階や、成膜終了後に基板をクールダウンする際に、サファイア基板が大きく反ることで、膜品質および膜品質均一性の低下、基板のバックグラインド加工の加工精度ムラ、フォトリソグラフィの焦点ずれによる露光ムラ等の問題があった。これらは、発光ダイオード等デバイスの歩留まりに大きく影響することから、成膜工程全体を通して基板の反りとその変化量を抑制し、基板の反り挙動自体を小さくすることが必要であったが、そのようなサファイア基板は従来存在しなかった。また、サファイア基板が大口径化すると、研磨加工による精密な反り形状および反り量の制御自体が困難になるという問題がある。研磨加工を施したサファイア基板には、通常、加工歪の残留や上下面の仕上げの表面粗さの違いによって基板に反りが発生することが知られている。例えば、片面が研磨されている基板では、主に上下面の表面粗さが異なることが反りの要因になり、両面が研磨されている基板では、上下面の表面粗さがわずかに異なることに加えて、基板面内での表面粗さがわずかにばらつくことが反りの要因になる。特に、大口径基板では、基板面内での表面粗さを均一にすることが技術的に困難であり、研磨加工のみでは所望の反り形状および反り量に精密に制御できないという技術的限界の問題があった。また、窒化物半導体バルク基板を得るために、サファイア基板上に、窒化物半導体の厚膜を自立可能な厚さまでエピタキシャル成長させようとすると、サファイアと窒化物半導体の熱膨張係数差によってサファイア基板が大きく反り、さらに膜厚が増加することで反り量が増大するという問題があった。そのため、結果として成膜中や成膜後にクラックが発生し、自立可能な窒化物半導体バルク基板を得ることが実質的に不可能であった。これらの解決手段として、ELOGEpitaxialLateralOverGrowth法やDEEPDislocationEliminationofInverted-PyramidalPits法やVASVoid-AssistedSeparation法等が提案されているが、どちらも工程が複雑になるという欠点があった。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、任意の反り形状および/または反り量を有するエピタキシャル成長用内部改質基板、これを用いた多層膜付き内部改質基板、半導体デバイス、および半導体バルク基板、ならびにそれらの製造方法を提供することを課題とする。上記課題は以下の本発明により達成される。すなわち、本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板は、単結晶基板と、当該単結晶基板に対するレーザ照射により、その単結晶基板の内部に形成される熱変性層と、を含んでなることを特徴とする。本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の一実施態様は、レーザ照射が、下記AとBに示す少なくともいずれか1つに記載の照射条件を満たすように実施されることが好ましい。<照射条件A>レーザ波長:200nm~400nmパルス幅:ナノ秒オーダー<照射条件B>レーザ波長:400nm~5000nmパルス幅:フェムト秒オーダー~ピコ秒オーダー本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の他の実施態様は、単結晶基板の厚み方向の相対位置を、成膜面となる片面側を0と仮定し、当該成膜面と反対側の面を100とし仮定した際に、熱変性層が、単結晶基板の厚み方向の3以上95以下の範囲内に設けられていることが好ましい。本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の他の実施態様は、熱変性層が、単結晶基板の平面方向に対して、i複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状、ii複数個の同一形状および同一サイズの円または楕円を規則的に配置した形状、iii同心円状、iv単結晶基板の中心点に対して略点対称に形成された形状、v単結晶基板の中心点を通じる直線に対して略線対称に形成された形状、viストライプ形状、ならびに、viiらせん形状から選択される少なくともいずれか1つのパターン形状で設けられていることが好ましい。本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の他の実施態様は、複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状が、格子形状であることが好ましい。本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の他の実施態様は、格子形状を成すパターンを構成するラインのピッチが、50μm~2000μmの範囲内であることが好ましい。本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の他の実施態様は、単結晶基板の材質が、サファイア、窒化物半導体、Si、GaAs、水晶およびSiCから選択される少なくともいずれか1種であることが好ましい。本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の他の実施態様は、熱変性層を形成する前の単結晶基板の形状は、その成膜面が凹面であり、凹面の曲率が0km-1より大きく160km-1以下であることが好ましい。本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の他の実施態様は、熱変性層を形成する前の単結晶基板の形状は、その成膜面が凹面であり、凹面の曲率が40km-1より大きく150km-1以下であることが好ましい。本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の他の実施態様は、熱変性層を形成する前の単結晶基板の形状は、その成膜面が凹面であり、凹面の曲率が85km-1より大きく150km-1以下であることが好ましい。本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の他の実施態様は、単結晶基板の直径が50mm以上300mm以下であることが好ましい。本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の他の実施態様は、単結晶基板の厚みが0.05mm以上5.0mm以下であることが好ましい。本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の他の実施態様は、単結晶基板が、成膜面となる面が研磨面であり、単結晶基板に対するレーザ照射がその研磨面に通じて行われることが好ましい。本発明の多層膜付き内部改質基板は、単結晶基板と、当該単結晶基板に対するレーザ照射により、その単結晶基板の内部に形成される熱変性層とを備え、単結晶基板の片面に2つ層以上の層を有する多層膜が設けられていることを特徴とする。本発明の多層膜付き内部改質基板の他の実施態様は、多層膜を構成する少なくともいずれか1層が、窒化物半導体結晶層であることが好ましい。本発明の半導体デバイスは、請求項14に記載の多層膜付き内部改質基板を備えることを特徴とする。本発明の半導体デバイスの他の実施態様は、半導体デバイスが、発光素子、電子デバイス、受光素子のいずれかであることが好ましい。本発明の半導体バルク基板は、請求項14に記載の多層膜付き内部改質基板が備える多層膜からなることを特徴とする。本発明の半導体バルク基板の他の実施態様は、半導体バルク基板が、AlxInyGazNxyz=1,x≧0,y≧0,z≧0からなることが好ましい。本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法は、単結晶基板に対するレーザ照射により、単結晶基板の内部に熱変性層を形成することを特徴とする。本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法の一実施態様は、レーザ照射が、下記AとBに示す少なくともいずれか1つに記載の照射条件を満たすように実施されることが好ましい。<照射条件A>レーザ波長:200nm~400nmパルス幅:ナノ秒オーダー<照射条件B>レーザ波長:400nm~5000nmパルス幅:フェムト秒オーダー~ピコ秒オーダー本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法の他の実施態様は、単結晶基板の厚み方向の相対位置を、成膜面となる片面側を0と仮定し、当該成膜面と反対側の面を100とし仮定した際に、熱変性層が、単結晶基板の厚み方向の3以上95以下の範囲内に位置するように形成されることが好ましい。本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法の他の実施態様は、熱変性層が、単結晶基板の平面方向に対して、i複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状、ii複数個の同一形状および同一サイズの円または楕円を規則的に配置した形状、iii同心円状、iv単結晶基板の中心点に対して略点対称に形成された形状、v単結晶基板の中心点を通じる直線に対して略線対称に形成された形状、viストライプ形状、ならびに、viiらせん形状から選択される少なくともいずれか1つのパターン形状を描くように形成されているが好ましい。本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法の他の実施態様は、複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状が、格子形状であることが好ましい。本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法の他の実施態様は、格子形状を成すパターンを構成するラインのピッチが、50μm~2000μmの範囲内であることが好ましい。本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法の他の実施態様は、単結晶基板の材質が、サファイア、窒化物半導体、Si、GaAs、水晶およびSiCから選択される少なくともいずれか1種であることが好ましい。本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法の他の実施態様は、熱変性層を形成する前の単結晶基板の形状は、その成膜面が凹面であり、凹面の曲率が0km-1より大きく160km-1以下であることが好ましい。本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法の他の実施態様は、熱変性層を形成する前の単結晶基板の形状は、その成膜面が凹面であり、凹面の曲率が40km-1より大きく150km-1以下であることが好ましい。本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法の他の実施態様は、熱変性層を形成する前の単結晶基板の形状は、その成膜面が凹面であり、凹面の曲率が85km-1より大きく150km-1以下であることが好ましい。本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法の他の実施態様は、単結晶基板の直径が50mm以上300mm以下であることが好ましい。本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法の他の実施態様は、単結晶基板の厚みが0.05mm以上5.0mm以下であることが好ましい。本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法の他の実施態様は、単結晶基板が、成膜面となる面が研磨面であり、単結晶基板に対するレーザ照射がその研磨面に通じて行われることが好ましい。本発明の多層膜付き内部改質基板の製造方法は、単結晶基板に対するレーザ照射により、当該単結晶基板の内部に熱変性層を形成し、さらに単結晶基板の片面に2つ層以上の層を有する多層膜が形成ことを特徴とする。本発明の多層膜付き内部改質基板の製造方法の他の実施態様は、多層膜を構成する少なくともいずれか1層が、窒化物半導体結晶層であることが好ましい。本発明の半導体デバイスの製造方法は、請求項14に記載の多層膜付き内部改質基板を用いて作製すること特徴とする。本発明の半導体デバイスの製造方法の他の実施態様は、半導体デバイスが、発光素子、電子デバイス、受光素子のいずれかであることが好ましい。本発明の半導体バルク基板の製造方法は、請求項14に記載の多層膜付き内部改質基板が備える多層膜を用いて形成することを特徴とする。本発明の半導体バルク基板の製造方法の他の実施態様は、半導体バルク基板が、AlxInyGazNxyz=1,x≧0,y≧0,z≧0からなることが好ましい。以上に説明したように本発明によれば、任意の反り形状および/または反り量を有するエピタキシャル成長用内部改質基板、これを用いた多層膜付き内部改質基板、半導体デバイス、および半導体バルク基板、ならびにそれらの製造方法を提供することができる。本実施形態のエピタキシャル成長用内部改質基板は、単結晶基板と、単結晶基板に対するレーザ照射により、当該単結晶基板の厚み方向の内部に形成される熱変性層と、を含んでなることを特徴とする。なお、成膜面となる面が研磨面である単結晶基板を用いる場合、単結晶基板に対するレーザ照射は研磨面を通じて行われることが特に好ましい。このため、本実施の形態のエピタキシャル成長用内部改質基板の使用用途に応じて、反り形状および/または反り量が任意に制御される。また、多層膜を成膜する場合に、成膜により発生する応力を、熱変性層が形成された単結晶基板の応力で相殺することができるため、成膜中の基板の反りを抑制し、基板の反り挙動を小さくすることができる。なお、熱変性層は、単結晶基板の厚み方向の内部の一部の領域を局所的に加熱することにより形成される層である。単結晶基板の厚み方向で2等分した片側の領域に形成すると、熱変性層が形成された領域側の面が凸をなすように基板を反らせる作用を有する。この熱変性層の形成方法としては、単結晶基板に対してレーザ照射する方法が用いられる。この場合、レーザ照射された領域に存在する原子の多光子吸収により、当該領域が局所的に加熱され、周囲の領域に対して結晶構造や結晶性の変化等の何がしかの変性が生じることで、熱変性層が形成される。すなわち、本実施形態のエピタキシャル成長用内部改質基板は、単結晶基板に対するレーザ照射により、単結晶基板の厚み方向の内部に熱変性層を形成する工程を、少なくとも経ることにより製造することができる。-レーザ照射条件-なお、レーザの照射は、熱変性層が形成できるのであれば、如何様な照射条件で実施してもよいが、一般には、短い時間幅の中にエネルギーを集中させることが出来るため、高いピーク出力が得ることができるという点で、断続的にレーザ光を出すパルスレーザを用いて、下記1および2に示す範囲内で実施することが好ましい。1レーザ波長:200nm~5000nm2パルス幅:フェムト秒オーダー~ナノ秒オーダー1fs~1000nsここで、レーザ波長やパルス幅は、レーザ照射の対象となる単結晶基板の材質に起因する光透過性/光吸収性や、単結晶基板内に形成される熱変性層のサイズパターン精度、実用上利用可能なレーザ装置等を考慮して適宜選択される。しかしながら、レーザ照射に際しては、特に下記A、Bに示す照射条件を選択することが好ましい。<照射条件A>レーザ波長:200nm~400nmパルス幅:ナノ秒オーダー1ns~1000ns。なお、より好ましくは、10ns~15ns。<照射条件B>レーザ波長:400nm~2000nmパルス幅:フェムト秒オーダー~ピコ秒オーダー1fs~1000ps。なお、より好ましくは、200fs~800fs。なお、照射条件Aは、照射条件Bよりも、レーザ波長がより短波長域のレーザを利用する。このため、レーザ波長およびパルス幅以外のその他の条件を同一として、レーザ照射を実施した場合、照射条件Bよりも、照射条件Aの方が、同程度の反り矯正効果を得るために必要なレーザ加工時間を短縮できる。また、使用するレーザの波長は、レーザ照射の対象となる単結晶基板の吸収端波長よりも長波長域の波長を選択することが好適である。ここで、単結晶基板が、Si基板の場合は、上記照射条件Bが利用できる。この場合、レーザ波長以外のその他の条件としては、例えば、実用性や量産性等の観点から、以下に示す範囲内で選択することが好ましい。パルス幅:50ns~200ns繰り返し周波数:10kHz~500kHz照射エネルギー:3μJ~30μJレーザのスポットサイズ:0.5μm~4.0μm試料ステージの走査速度:50mm/s~1000mm/sより好ましくは100mm/s~1000mm/sまた、単結晶基板が、GaAs基板の場合は、上記照射条件Bが利用できる。この場合、レーザ波長以外のその他の条件としては、例えば、実用性や量産性等の観点から、以下に示す範囲内で選択することが好ましい。パルス幅:30ns~80ns繰り返し周波数:10kHz~500kHz照射エネルギー:8μJ~20μJレーザのスポットサイズ:0.5μm~4.0μm試料ステージの走査速度:50mm/s~1000mm/sより好ましくは100mm/s~1000mm/sまた、単結晶基板が、水晶基板の場合は、上記照射条件Bが利用できる。この場合、レーザ波長以外のその他の条件としては、例えば、実用性や量産性等の観点から、以下に示す範囲内で選択することが好ましい。パルス幅:200fs~800fs繰り返し周波数:10kHz~500kHz照射エネルギー:3μJ~6μJレーザのスポットサイズ:0.5μm~4.0μm試料ステージの走査速度:50mm/s~1000mm/sより好ましくは100mm/s~1000mm/sまた、単結晶基板が、リチウムタンタレート基板の場合は、上記照射条件Aが利用できる。この場合、レーザ波長以外のその他の条件としては、例えば、実用性や量産性等の観点から、以下に示す範囲内で選択することが好ましい。パルス幅:200fs~800fs繰り返し周波数:10kHz~500kHz照射エネルギー:3μJ~6μJレーザのスポットサイズ:0.5μm~4.0μm試料ステージの走査速度:50mm/s~1000mm/sより好ましくは100mm/s~1000mm/sまた、単結晶基板が、ガラス基板の場合は、上記照射条件Aが利用できる。この場合、レーザ波長以外のその他の条件としては、例えば、実用性や量産性等の観点から、以下に示す範囲内で選択することが好ましい。パルス幅:10ns~15ns繰り返し周波数:10kHz~500kHz照射エネルギー:10μJ~20μJレーザのスポットサイズ:0.5μm~4.0μm試料ステージの走査速度:50mm/s~1000mm/sより好ましくは100mm/s~1000mm/sなお、表1と表2に、Si基板、GaAs基板、水晶基板、リチウムタンタレート基板およびガラス基板に対して熱変性層を形成する場合のレーザ照射条件の一例を示す。また、レーザ照射する場合、単結晶基板のレーザ照射される側の面は鏡面状態であることが特に好ましい。レーザ照射される面を鏡面状態とするためには、例えば、鏡面研磨を実施することができる。本実施形態のエピタキシャル成長用内部改質基板の作製に用いられる単結晶基板を構成する材質としては、レーザ照射により熱変性層の形成が可能な公知の単結晶材料であればいずれも利用できるが、例えば、サファイア、窒化物半導体、Si、GaAs、水晶、SiC等が挙げられる。上記照射条件Aを採用する場合、特にSi、GaAs、水晶またはSiCを好適に用いることができる。また、単結晶基板ではなく、石英やガラス等でも良い。また、単結晶基板は、通常、少なくとも片面が鏡面研磨されたものが用いられる。この場合、後のエピタキシャル成長工程において多層膜は、鏡面研磨された面側に形成される。なお、必要に応じて両面が鏡面研磨された単結晶基板を用いてもよい。この場合、任意にいずれか一方の面を成膜面として利用できる。単結晶基板の平面方向の形状は特に限定されるものではなく、例えば、方形等でもよいが、公知の各種素子の製造ラインでの適用が容易であるという観点からは、円形状であることが好ましく、特にオリフラ面が設けられた円形状であることが好ましい。単結晶基板の形状が円形状またはオリフラ面が設けられた円形状である場合、単結晶基板の直径は50mm以上であることが好ましく、75mm以上であることがより好ましく、150mm以上であることが更に好ましい。なお、直径の上限値は特に限定されるものではないが、実用上の観点からは300mm以下が好ましい。また、単結晶基板の厚みは、5.0mm以下であることが好ましく、3.0mm以下であることが好ましく、2.0mm以下であることがより好ましい。厚みの下限値は特に限定されるものではない、単結晶基板の剛性を確保する観点から0.05mm以上であることが好ましく、0.1mm以上であることがより好ましい。なお、単結晶基板20の形状が、円形状またはオリフラ面が設けられた円形状である場合、直径が50mm以上150mm以下のときは、厚みは0.3mm以上であることが好ましく、直径が150mmを超えるときは、厚みは0.5mm以上が好ましい。次に、エピタキシャル成長用内部改質基板を形成する具体例について図面を用いて説明する。図1は、本実施形態のエピタキシャル成長用内部改質基板の製造方法の一例を示す模式説明図である。図1に示すように、単結晶基板1を不図示の試料ステージに固定した状態で実施される。なお、固定は、例えば、真空吸着等により、単結晶基板1の反りを矯正できるように実施することが好ましい。そして、試料ステージに固定された単結晶基板1の表面成膜面側から、レーザ照射装置2によりレーザを照射する。この際、単結晶基板1の厚み方向の内部にレーザを集光させると共に、レーザ照射装置2と単結晶基板1とを水平方向に相対的に移動させることで、スポット状の改質領域3熱変性層が連続的につながったライン状に形成される。局所的に見ると、スポット状の改質領域3は、レーザが瞬間的に照射された部分にのみ形成され、その大きさは、レーザのスポットサイズ、レーザ強度およびパルス幅に依存する。レーザのスポットサイズ、レーザパワー、パルス幅等を適宜選択することで、単結晶基板1の平面方向や厚み方向に対する熱変性層のサイズや変性度合等を制御できる。また、ライン状に形成されるスポット状の改質領域3の長さは、単結晶基板1に対するレーザ照射装置1の相対的な移動速度例えば、試料ステージが移動可能な場合は、試料ステージの走査速度、レーザの繰り返し周波数を適宜選択することにより、単結晶基板1の平面方向に対する複数個の熱変性層を間隔的に制御することができる。これらライン状に形成された改質領域3を複数本組み合わせることで、単結晶基板1の厚み方向の所望の位置に熱変性層を構成する少なくとも1種類の改質領域パターン3を形成する。改質領域3とは、レーザが照射された部分において局所的に多光子吸収を発生させて形成された領域である。熱変性層のパターン形状、形成位置、熱変性層の長さ等の条件を最適化することによって、単結晶基板全体の応力をコントロールし、単結晶基板の反り形状および/または反り量を精密に制御することができる。単結晶基板の平面方向については、熱変性層は、以下に示されるパターン形状で設けられることが好ましい。すなわち、熱変性層は、単結晶基板の平面方向に対して、下記i~viiから選択される少なくともいずれか1つのパターン形状で設けられていることが好ましい。i複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状ii複数個の同一形状および同一サイズの円または楕円を規則的に配置した形状iii同心円状iv単結晶基板の中心点に対して略点対称に形成された形状v単結晶基板の中心点を通じる直線に対して略線対称に形成された形状viストライプ形状viiらせん形状また、熱変性層の形成に際して、レーザ走査、すなわち、単結晶基板に対するレーザ照射装置の相対的な移動が、他のパターン形状と比べて比較的単純でレーザ加工が容易となる観点からは、パターン形状は、i複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状であることが好ましい。さらに、i複数個の同一形状および同一サイズの多角形を規則的に配置した形状としては、複数個の同一形状および同一サイズの四角形を個々の四角形を構成する4辺が隣接する四角形のいずれか1辺と互いに重なり合うように規則的に配置した形状、すなわち、格子形状であることが特に好ましい。この場合、レーザ走査が縦方向および横方向の2方向のみでよく、レーザ加工がより容易となる上に、単結晶基板の反り量制御や形状制御の設計もより容易となる。ここで、格子形状を成すパターンを構成するラインのピッチは、50μm~2000μmの範囲内であることが好ましく、100μm~1000μmの範囲内であることがより好ましい。ピッチを50μm以上とすることにより、レーザ加工に要する時間が必要以上に増大するのを抑制でき、また、ピッチを2000μm以下とすることにより、単結晶基板の反りをより確実に矯正できる。図2は、単結晶基板の平面方向に対する熱変性層の配置パターン形状の一例を示す平面図であり、具体的には、単結晶基板の平面形状がオリフラ面を有する円形状である場合における熱変性層の配置パターン形状の一例を示したものである。熱変性層の配置パターン形状は、図2に示すように、例えば、複数本のラインを基板のオリフラ面に対して垂直または平行に形成したストライプ形状図2a、図2b、それら両方を組み合わせた格子形状図2c等が挙げられる。また、この他の配置パターン形状として、同一サイズの複数の正六角形を、正六角形の6つの頂点全てが当該正六角形に隣接する正六角形のいずれか一つの頂点と必ず重なり合うように規則的に配置した形状図2d、同心円形状図2e等も挙げられる。なお、図2aに示す幅4は、ライン間のピッチを意味する。本実施形態のエピタキシャル成長用内部改質基板では、単結晶基板の厚み方向の内部に熱変性層を設ければ、エピタキシャル成長用内部改質基板の使用用途に応じて、反り形状および/または反り量が任意に制御される。また、多層膜を成膜する場合に、成膜により発生する応力を、熱変性層が形成された単結晶基板の応力で相殺することができるため、成膜中の基板の反りを抑制し、基板の反り挙動を小さくすることができる。しかしながら、熱変性層が、単結晶基板の厚み方向や平面方向に対して、偏った位置に設けられたり、不規則に配置されたり、非対称的に配置されたりすると、反りを矯正することが困難となる場合がある。特に、単結晶基板の厚み方向に対する熱変性層を形成する相対形成位置は、熱変性層形成後の単結晶基板の反り量の変化量に影響し、形成位置が表面に近いほど変化量が大きくなる。上述した問題の発生を回避するためには、単結晶基板の厚み方向については、単結晶基板の厚み方向の相対位置5を、成膜面となる片面を0と仮定し、成膜面と反対側の面を100とし仮定した際に、熱変性層が、単結晶基板の厚み方向の3以上95以下の範囲内に設けられていることが好ましく、3以上50以下の範囲内に設けられていることがより好ましい。単結晶基板の厚み方向に対して熱変性層を上記数値範囲内に設けることにより、単結晶基板の反りをより効果的に矯正できる。なお、単結晶基板の厚み方向に対する熱変性層の存在位置は、複数個の熱変性層が、全て同じ位置に存在することが好ましいが、異なる位置に存在していてもよい。この場合は、単結晶基板の平面方向に対する個々の熱変性層の配置位置も考慮の上、熱変性層を設けたことに起因する反りの矯正効果を著しく損失しないように、個々の熱変性層を、単結晶基板の厚み方向に対して異なる位置に配置してもよい。また、単結晶基板の厚み方向に対する熱変性層の長さ6は、レーザのスポットサイズ、照射エネルギーレーザパワー/繰り返し周波数、パルス幅に依存して決定され、通常は、数μm~数十μmの範囲内である。上述したように、単結晶基板内部に熱変性層を形成し、単結晶基板の応力をコントロールすることによって、単結晶基板の反り形状および/または反り量が効率良く精密に制御されたエピタキシャル成長用内部改質基板を得ることができる。また、本実施形態の多層膜付き内部改質基板は、本発明により得られるエピタキシャル成長用内部改質基板の成膜面に2つ層以上の層を有する多層膜が設けられていることを特徴とする。本願明細書において多層膜とは、2つ以上の層を有するものである。これに加えて、この多層膜を構成する各層が単結晶基板の平面方向に対して同一の膜厚を有する連続した層から構成され、最表層の膜が貫通するような段差を持たない電極形成部位を持たないことを記載するために、追加。膜を意味する。多層膜の層構成、ならびに、多層膜を構成する各層の膜厚、材料および結晶性/非結晶性は、本実施形態の多層膜付き内部改質基板を用いて更に後加工することにより作製される素子の種類や、素子を製造する際に適用する製造プロセスに応じて適宜選択される。多層膜の成膜方法としては特に限定されず、公知の成膜方法が利用でき、多層膜を構成する各層毎に異なる成膜方法および/または成膜条件を採用して成膜することもできる。成膜法としてはメッキ法等の液相成膜法も挙げられるが、スパッタリング法やCVD法ChemicalVaporDeposition等の気相成膜法を用いることが好ましい。なお、窒化物半導体結晶層等の半導体結晶層を成膜する場合、MOCVD法MetalOrganicChemicalVaporDeposition、HVPE法Hydridevaporphaseepitaxy、MBE法MolecularBeamEpitaxy等の気相成膜法を利用することがより好ましい。なお、エピタキシャル成長用内部改質基板の成膜面は、鏡面状態であることが特に好ましい。多層膜が形成される面を鏡面状態とするためには、例えば、鏡面研磨を実施することができる。また、多層膜を構成する少なくともいずれか1層が、結晶性の層であることが好ましい。特に、多層膜のうち少なくともいずれか1層が、窒化物半導体結晶層であることがより好ましい。また、エピタキシャル成長用内部改質基板の成膜面に露出する結晶面を利用してエキタピシャル成長させることができるという観点からは、多層膜を構成する各層のうち、少なくともエピタキシャル成長用内部改質基板の成膜面に直接接触する層が結晶性の層であることが好ましく、多層膜を構成する全ての層が結晶性の層であってもよい。なお、エキタピシャル成長とは、同一組成または混晶を含むホモエキタピシャル成長、ヘテロエキタピシャル成長を含む。また、多層膜を構成する各層の材料も、作製する素子に応じて適宜選択されるが、エピタキシャル成長用内部改質基板がサファイア基板等の無機材料で構成されることを考慮すると、各層を構成する材料も、金属材料、金属酸化物材料、無機半導体材料等の無機材料とすることが好ましく、全ての層がこれらの無機材料から構成されることが望ましい。ただし、MOCVD法を用いた場合、この無機材料中に有機金属由来の有機物が微量に混入する可能性はある。多層膜を構成する各層の具体例としては、例えば、面発光レーザ等に用いる発光素子、光センサや太陽電池等に用いる受光素子、電子回路等に用いる半導体素子等の各種の窒化物半導体を利用した素子の製造に適したものとして、GaN系、AlGaN系、InGaN系等の窒化物半導体結晶層を挙げることができる。なお、この場合、単結晶基板として、サファイア基板を用いることが好適である。図3は、多層膜の一例である窒化物半導体層のエピタキシャル成長工程を示す図である。多層膜の層構成の具体例としては、例えば、図3に示すように、エピタキシャル成長用内部改質基板としてサファイア基板を用い、はじめに、サファイア基板のサーマルクリーニングを行い図3a、低温バッファ層8の成長を行う図3b。続いて、n-GaN層9図3c、多重量子井戸構造を有するInGaN系活性層10を成長させる図3d。図4は、図3に示す窒化物半導体層のエピタキシャル成長工程におけるIn-situ観察例を示す。図5は、基板の反り量と曲率の関係を示す図である。図6は、本実施形態に係る多層膜付き内部改質基板を形成するときのIn-situ観察例を示す図である。非特許文献2で開示されているように、In-situ観察によって成膜中のサファイア基板の挙動を定量的に解析することが可能である。すなわち、基板の反り形状や反り量が成膜中にどのように変化しているかを知ることができる。図4において、横軸は時間であり、縦軸は成膜面の基板の曲率km-1を表している。縦軸の正の方向は、成膜面が凸面形状であり、負の方向は成膜面が凹面形状であることを示している。基板の曲率から基板の反り量を算出することができる。図5において、基板の曲率半径をR、曲率1/Rを有する基板の反り量X、基板の直径を近似的にDとして示した。これらの値の関連性として、三平方の定理を用いることで1R2=1R-X2D22と示すことができる。この式から、基板の直径が50mmの場合は、0.322×曲率km-1、基板の直径が100mmの場合は、1.250×曲率km-1としてそり量umを求めることができる。図4中のスペクトルAは、熱変性層を形成していない従来のサファイア基板を用いた例を示している。また、図4a~eは、それぞれ成膜工程の各過程に対応している。すなわち、a基板のサーマルクリーニング、b低温バッファ層成長、cn-GaN層成長、dInGaN系活性層成長、eクールダウンに対応している。図4のスペクトルAを用いて、図4a~eにおける基板の挙動について説明する。a基板サーマルクリーニングに移行する段階では、サファイア基板の上下面での温度差に起因して、基板成長面の凹面形状がさらに強まり、曲率が大きく変化する。続いて、通常500~600°C程度に温度を下降し、b低温バッファ層成長に移行する段階では、基板の凹面形状が弱まり、曲率はやや小さくなる。続いて、再び1000°C程度に温度を上昇し、cn-GaN層成長を行う段階では、窒化ガリウムとサファイアの格子定数差に起因して、基板の凹面形状が強まり曲率は大きくなる。さらに成膜が進行し、膜厚が大きくなるほど曲率が大きくなるため、膜厚および膜品質の基板面内均一性は著しく悪化する。成膜コンディションのみで基板面内均一性を制御することは技術的に難しいと言われている。また、窒化物半導体層中には、応力を緩和するために転位が発生し膜品質が悪化することが問題とされている。続いて、温度を700~800°C程度に下降して、dInGaN系活性層の成長段階では、InGaN系活性層の膜厚とInGaN中のIn組成の均一性が、発光波長の面内均一性に影響するため、LEDチップの製造歩留まりに影響する。InGaN層の膜厚やIn組成は成膜温度に影響を受けることから、基板面内の温度均一性を向上させるために、成膜中の基板の曲率はできるだけ0に近づけるのが理想的である。最終的に、基板をeクールダウンする段階で、再び熱膨張係数差によって基板形状が再び大きく反るため、一連の成膜工程終了後の基板の曲率は大きなものとなる。これは、LEDチップ化前のバックグラインド加工やフォトリソグラフィを困難にするという問題を生じさせる。以上、図4のスペクトルAに示すように、従来のサファイア基板を用いると、InGaN系活性層成長段階での基板曲率はほぼ0とすることが可能である一方で、成膜工程中の基板の挙動が大きく、成膜終了後の基板の曲率が大きくなってしまうという欠点があることが分かる。次に、従来のサファイア基板内部に改質領域パターンを形成することにより、本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板を作製し、窒化物半導体層を成膜した場合のIn-situの第1の例を、図4中のスペクトルBに示す。スペクトルBにおける内部改質サファイア基板の初期状態は、従来のサファイア基板よりも成膜面が凸面に反るように改質領域パターンが形成されていることが好ましい。それによって、従来のサファイア基板を用いたスペクトルAと比較して基板の反り挙動を小さくすることができる。図4中のスペクトルCには、スペクトルBの場合と同様に、従来のサファイア基板内部に改質領域パターンを形成する際、各ライン間のピッチとパターン形成位置を調整し、サファイア基板の初期状態が、スペクトルBよりもさらに凸面に大きく反っている内部改質サファイア基板を用いた例を示す。スペクトルCは、成膜工程を通してさらに基板の挙動を小さくすることができる。すなわち、スペクトルA、Bよりもさらに成膜中に発生する応力を基板の応力で相殺する効果が大きいことを示している。上述のスペクトルB、Cで得られる窒化物半導体層は、従来のサファイア基板を用いた場合と比較して、成膜中の基板の反りが抑制され、基板の反り挙動が小さくなるため、膜の品質および均一性が向上する。しかしながら、同時に、エピタキシャル成長用内部改質基板の初期状態が凸面に大きく反った状態となり、結果として、InGaN系活性層成長段階および成膜終了時点での基板の曲率は、従来のサファイア基板を用いた場合よりも大きくなってしまうという問題が発生する。すなわち、本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板は、図6中のスペクトルCに示すように、基板の反り挙動を小さくするのと同時に、InGaN系活性層成長段階および成膜終了時点での基板の曲率を小さくすることができるような初期状態とすることが望ましい。それによって、窒化物半導体層の膜の品質および均一性を向上させるとともに、窒化物半導体発光素子の発光波長の均一性を向上させることができる。そのため、熱変性層を形成する前のサファイア基板には、熱変性層の形成によって凸面に大きく反る基板曲率分を、あらかじめ相殺できるようなサファイア基板を用いるのが望ましい。前述したように、熱変性層の形成用サファイア基板としては、窒化物半導体層の成膜面が凹面であり、その凹面の曲率が0km-1より大きく160km-1以下のものを用いることができる。また、前述の理由から、窒化物半導体層の成膜面が凹面であり、その凹面の曲率は、40km-1以上150km-1以下が好ましく、さらには85km-1以上150km-1以下がより好ましい。以上述べたように、本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板を用いることで、窒化物半導体層の膜の品質および均一性を向上させた窒化物半導体層を備える多層膜付き内部改質基板を得ることができる。本発明により得られる多層膜付き内部改質基板を用いて、各種半導体デバイスを構成すると、デバイスの品質および歩留まりを向上させることができる。半導体デバイスとしては、例えば、発光素子、電子デバイス、または受光素子等が挙げられる。半導体デバイスとしての素子の製造に際して、後工程として、素子部分形成工程以外に、研磨工程、分割予定ライン形成工程および分割工程をこの順に実施してもよい。この場合、本実施形態の多層膜付き内部改質基板を用いた素子製造方法は、具体的には以下の1~4に示す工程を少なくとも順次実施することで、素子部分と当該素子部分に略対応するサイズを有する単結晶基板とを含む素子を作製することができる。1本実施形態の多層膜付き内部改質基板の多層膜をパターニングして個々の素子部分を形成する素子部分形成工程、2素子部分が片面に形成された素子部分付き単結晶基板の素子部分が形成されていない面を、少なくとも、熱変性層が除去されるまで研磨する研磨工程、3研磨工程において研磨された面側から、個々の素子部分の境界ラインに沿って、レーザを照射することで分割予定ラインを形成する分割予定ライン形成工程、4分割予定ライン形成工程において形成された分割予定ラインに沿って外力を加えることで、素子部分付きの単結晶基板を素子部分単位で分割する分割工程、ここで、3分割予定ライン形成工程、および、4分割工程を実施する場合、特許文献3に記載の技術を利用することができる。なお、熱変性層を格子状パターンに形成した場合、研磨工程において熱変性層が完全に除去されない程度に研磨した上で、単結晶基板内に残留している熱変性層を分割予定ラインとして利用することで分割工程を実施することも原理的には可能である。しかしながら、多層膜が個々の素子部分に個別化された後でないと、素子部分の存在位置を確認した上でレーザ照射のための位置合わせを行うことができない。このため、個々の素子部分を作製する前に、分割予定ラインの機能も兼ねる熱変性層を形成する上記の方法では、個々の素子部分に対応させて正確に分割予定ラインを形成することが困難である。すなわち、上記の方法では、分割予定ラインは隣接する2つの素子部分間の境界線からずれてしまう可能性が大きくなるため、実用性に欠けやすい。このため、レーザ照射により形成された熱変性層を利用して分割工程を実施する場合、上記1~4に示す工程をこの順に実施することが特に好ましいといえる。また、本発明の多層膜付き内部改質基板を下地材として用い、さらにホモエピタキシャル成長により自立可能な膜厚を有する結晶性膜の厚膜を形成することができる。また、結晶性膜の厚膜を結晶成膜体からなる下地材から分離し、バルク基板を得ることができる。さらには、本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板上に結晶性膜の厚膜を形成し、エピタキシャル成長用内部改質基板から分離することによっても、結晶性膜の厚膜からなるバルク基板を得ることができる。本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板を用いると、成膜中または成膜後に発生する基板の反りを抑制できるため、クラックを発生させずに厚膜を形成することができる。例えば、エピタキシャル成長用内部改質基板に、上述の窒化物半導体層の厚膜を形成させると、成膜中または成膜後に発生する基板の反りを抑制することができ、クラックを発生させずに自立可能な膜厚を有する窒化物半導体層の厚膜を得ることができる。このように得られた窒化物半導体層の厚膜を前記内部改質基板から分離することによって、複雑な工程を用いることなく窒化物半導体バルク基板を得ることができる。窒化物半導体バルク基板として、特に、AlxInyGazNxyz=1,x≧0,y≧0,z≧0からなる窒化物半導体バルク基板を効率良く製造できる。自立可能な膜厚としては、50μm以上が好ましい。また、厚膜の形成方法として、MOCVD法、HVPE法、LPE法等を用いることができる。以下に、本発明を実施例を挙げて説明するが、本発明は以下の実施例にのみ限定されるものではない。表3に示すレーザ条件を用いて、サファイア基板内部に熱変性層を形成し、基板の反り形状および反り量の変化に対する影響を調べた。その結果を実施例1および2に示す。実施例1熱変性層を形成するサファイア基板として、片面が研磨された2インチサファイア基板を用いた。基板厚みは430μmであった。熱変性層を形成する前の基板の反り形状および反り量はレーザ干渉計で測定した。続いて、サファイア基板をパルスレーザ装置の試料ステージ上に設置し、サファイア基板内部への改質領域パターン形成を行った。表4にサンプル1~9のパターン形状、各ライン間のピッチ、形成位置および熱変性層の長さ、一枚あたりの加工時間を示す。改質領域パターン形成後のサファイア基板の基板形状はレーザ干渉計で、反り量および基板厚みはリニアゲージおよびレーザ干渉計で計測した。表4において、⊥O.F.はサファイア基板のオリフラに垂直、O.F.はオリフラに平行であることを示す。表5に改質領域パターン形成前後の基板の反り形状、反り量、および熱変性層形成後の基板面内における反り形状の対称性を示す。基板の反り形状は、成膜面側の形状を示す。実施例2内部改質領域パターンを形成するサファイア基板として、片面が研磨された4インチサファイア基板を用いた。基板厚みは650μmであった。実施例1と同様に、改質領域パターン形成前の基板の反り形状および反り量はレーザ干渉計で測定した。続いて、サファイア基板をパルスレーザ装置の試料ステージ上に設置し、サファイア基板内部への熱変性層の形成を行った。表6にサンプル10~19の熱変性層の形状、ピッチ、形成位置を示す。熱変性層を形成した後の基板の反り形状はレーザ干渉計で、反り量はリニアゲージで計測した。表7に熱変性層形成前後の基板形状、反り量、および反り量から算出した曲率を比較して示す。基板の反り形状は、成膜面側の形状を示す。また、熱変性層を形成した後の基板曲率の変化量に対する形成位置と各ライン間のピッチ依存性を図7に示す。実施例3実施例2において熱変性層を形成したサファイア基板のうち、サンプル10,12,14,16,18と、熱変性層未形成の従来のサファイア基板サンプル20とするを同時にMOCVD装置に導入し、サファイア基板上への窒化ガリウム層の成長を行った。各成膜工程における成長温度および膜厚を表8に示す。各サンプルのIn-situ観察結果を図8a~図8fに、各サンプルの基板の反り形状、反り量および曲率を表9に、各段階における基板曲率の変化量を表10に示す。表10中1~4は、図8aで図示している通り、それぞれ1基板初期状態に対するサーマルクリーニング移行時、2基板初期状態に対するn-GaN層成長時、3n-GaN成長終了時に対するGaN/InGaN活性層成長移行時、4基板初期状態に対するクールダウン終了後の曲率の変化量を示している。1基板初期状態からサーマルクリーニング移行時における基板曲率の変化量から、熱変性層を形成したサンプル10,12,14,16,18と、熱変性層未形成のサンプル20とに曲率変化量の大きな差は認められなかった。2基板初期状態に対するn-GaN層成長時における基板曲率の変化量から、サファイア基板表面から浅い位置に熱変性層を形成したサンプル101618において、他のサンプルと比較してn-GaN成長時の基板曲率の変化量を抑制する効果が認められた。3n-GaN成長終了時に対するGaN/InGaN活性層成長移行時における基板曲率の変化量から、n-GaN層成長終了時点からGaN/InGaN活性層成長に移行する段階において、サファイア基板表面から浅い位置に熱変性層を形成したサンプル10,16,18では、他のサンプルと比較して基板曲率の変化量を抑制する効果が認められた。4基板初期状態に対するクールダウン終了後の基板曲率の変化量から、サファイア基板表面から浅い位置に熱変性層を形成したサンプル101618では、他のサンプルと比較して基板曲率の変化量を抑制する効果が認められた。以上の工程により得られたサンプル10,12,14,16,18,20の窒化ガリウム層の膜厚均一性および結晶品質について調べた。サンプル10は、熱変性層未形成のサンプル20と比較して膜厚均一性が向上することが分かった。これは、サファイア基板表面から浅い位置に熱変性層を形成することによって、基板形状がよりフラットな状態でn-GaN層成長が行われたためであると考えられる。さらに、X線回折ロッキングカーブ測定により求められた窒化ガリウム層の001面、102面のFWHM値は、サンプル10ではそれぞれ203arcsec、418arcsecであり、熱変性層未形成のサンプル20ではそれぞれ242arcsec、579arcsecであった。この結果から、熱変性層を形成したサンプル10では、熱変性層未形成のサンプル20と比較して窒化ガリウム層の結晶性が向上することが分かった。次に、表11に示すレーザ条件を用いて、サファイア基板内部に熱変性層を形成し、基板の反り形状および反り量の変化に対する影響を調べた。その結果を実施例4、6に示す。一方、表3に示すレーザ条件を用いて、同じサファイア基板内部に熱変性層を形成し、基板の反り形状および反り量の変化に対する影響を調べた。実施例5、7に示す。実施例4,5熱変性層を形成するサファイア基板として、片面が研磨された2インチ基板を用いた。基板厚みは430μmであった。熱変性層を形成する前の基板の反り形状および反り量はレーザ干渉計で測定した。続いて、2枚の上述のサファイア基板を、それぞれ表11に示すレーザ条件のUVレーザ装置および表3に示すレーザ条件のFsレーザ装置の試料ステージ上に設置し、サファイア基板内部への熱変性層の形成を行った。表12に実施例4および実施例5の各ライン間のピッチ、形成位置およびレーザのパルス間隔を示す。熱変性層の形成前後のサファイア基板の基板形状はレーザ干渉計で、反り量および基板厚みはリニアゲージおよびレーザ干渉計で計測した。表13に熱変性層形成前後の基板の反り形状、反り量を示す。基板の反り形状は、成膜面側の形状を示す。実施例6,7熱変性層を形成するサファイア基板として、片面が研磨された2インチ基板を用いた。基板厚みは430μmであった。熱変性層を形成する前の基板の反り形状および反り量はレーザ干渉計で測定した。続いて、2枚の上述のサファイア基板を、それぞれ表11に示すレーザ条件のUVレーザ装置および表3に示すレーザ条件のFsレーザ装置の試料ステージ上に設置し、サファイア基板内部への熱変性層の形成を行った。表14に実施例6および実施例7の各ライン間のピッチ、形成位置およびレーザのパルス間隔を示す。熱変性層の形成前後のサファイア基板の基板形状はレーザ干渉計で、反り量および基板厚みはリニアゲージおよびレーザ干渉計で計測した。表15に熱変性層形成前後の基板の反り形状、反り量を示す。基板の反り形状は、成膜面側の形状を示す。パルス幅が10~15nsのUVレーザを用いる実施例4の場合、レーザ波長に起因するレーザのエネルギーが大きいために、形成される加工ラインの幅が太い。実施例5と比べて、同じ加工条件で、UVレーザ加工では、基板単体の反り量がより増大するので、多層膜の成膜に起因する反りの矯正効果もより大きい。このため、同じ基板単体の反り効果を得る場合、UVレーザを用いることによって、加工時間を短縮できることを証明した。その結果、エピタキシャル成長用内部改質基板の製造コストを削減することができる。またパルス幅が10~15nsのUVレーザを用いる実施例6の場合、上記と同様な理由でレーザ照射の加工ラインが太い。このため、実施例7と比べて、同じ基板単体の反り効果を得る加工時間を短縮した。その結果、エピタキシャル成長用内部改質基板の製造コストを削減することができる。実施例8,9実施例6,7において熱変性層を形成したサファイア基板と、熱変性層未形成サファイア基板を同時にMOCVD装置に導入し、基板上への窒化ガリウム層の成長を行った。各成膜工程における成長温度および膜厚を上述の表8に示す条件と同じである。In-situ観察結果を図9に、各基板の成膜後の反り形状および反り量を表16に示す。図9および表16に示すように、UVレーザ照射により熱変性層を形成したエピタキシャル成長用内部改質基板は、Fsレーザ照射により熱変性層を形成したエピタキシャル成長用内部改質基板と比較して、基板上への窒化ガリウム層を成長するエピタキシャル中においても、同じような基板挙動抑制効果を確認した。また、強いUVレーザ照射に起因する内部クラックよる割れも生じなかった。以上の結果から、本発明のエピタキシャル成長用内部改質基板を用いて窒化物半導体層のエピタキシャル成長を行うと、基板の反りを抑制し、基板の反り挙動を小さくすることができるため、膜の品質および均一性が向上することが分かった。"