被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルの保持面に保持された被加工物にレーザー光線を照射する集光器および該集光器から照射するレーザー光線の出力を調整する出力調整手段を備えたレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送り方向X軸方向に加工送りする加工送り手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送り方向と直交する割り出し送り方向Y軸方向に割り出し送りする割り出し送り手段と、該チャックテーブルのX軸方向位置X座標を検出するためのX軸方向位置検出手段と、該チャックテーブルのY軸方向位置Y座標を検出するためのY軸方向位置検出手段と、を具備するレーザー加工装置において、該チャックテーブルに保持された被加工物の高さ位置を検出する高さ位置検出手段と、該高さ位置検出手段と該X軸方向位置検出手段および該Y軸方向位置検出手段からの検出信号に基づいて該レーザー光線照射手段の該出力調整手段を制御する制御手段と、を具備し、該制御手段は、該高さ位置検出手段と該X軸方向位置検出手段および該Y軸方向位置検出手段からの検出信号に基づいて該チャックテーブルに保持された被加工物のXY座標における高さ位置情報を記憶する記憶手段を具備し、該記憶手段に記憶された高さ位置情報に基づいて該出力調整手段を制御する、ことを特徴とするレーザー加工装置。而して、半導体ウエーハ等の板状の被加工物にはウネリがあり、その厚みにバラツキがあるため、深さが均一なレーザー加工溝を形成することができない。即ち、被加工物の厚みにバラツキがあると、照射するレーザー光線の集光点が被加工物の被加工面から厚み方向において異なるため、集光点が適正に位置付けられていない領域においてはレーザー加工溝の深さが浅くなってしまい、深さが均一なレーザー加工溝を形成することができない。本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、被加工物の厚みにバラツキがあっても、深さが均一なレーザー加工溝を形成することができるレーザー加工装置を提供することである。上記主たる技術的課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルの保持面に保持された被加工物にレーザー光線を照射する集光器および該集光器から照射するレーザー光線の出力を調整する出力調整手段を備えたレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送り方向X軸方向に加工送りする加工送り手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送り方向と直交する割り出し送り方向Y軸方向に割り出し送りする割り出し送り手段と、該チャックテーブルのX軸方向位置X座標を検出するためのX軸方向位置検出手段と、該チャックテーブルのY軸方向位置Y座標を検出するためのY軸方向位置検出手段と、を具備するレーザー加工装置において、該チャックテーブルに保持された被加工物の高さ位置を検出する高さ位置検出手段と、該高さ位置検出手段と該X軸方向位置検出手段および該Y軸方向位置検出手段からの検出信号に基づいて該レーザー光線照射手段の該出力調整手段を制御する制御手段と、を具備し、該制御手段は、該高さ位置検出手段と該X軸方向位置検出手段および該Y軸方向位置検出手段からの検出信号に基づいて該チャックテーブルに保持された被加工物のXY座標における高さ位置情報を記憶する記憶手段を具備し、該記憶手段に記憶された高さ位置情報に基づいて該出力調整手段を制御する、ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。本発明によるレーザー加工装置においては、制御手段はチャックテーブルに保持された被加工物の高さ位置を検出する高さ位置検出手段とX軸方向位置検出手段およびY軸方向位置検出手段からの検出信号に基づいてチャックテーブルに保持された被加工物のXY座標における高さ位置情報を記憶する記憶手段を具備し、該記憶手段に記憶された高さ位置情報に基づいてチャックテーブルの保持面に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段の出力調整手段を制御するので、被加工物の厚みにバラツキがあっても、深さが均一なレーザー加工溝を形成することができる。以下、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。図1には、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図が示されている。図1に示すレーザー加工装置は、静止基台2と、該静止基台2に矢印Xで示す加工送り方向X軸方向に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構3と、静止基台2に上記X軸方向と直交する矢印Yで示す割り出し送り方向Y軸方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構4と、該レーザー光線ユニット支持機構4に矢印Zで示す集光点位置調整方向Z軸方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット5とを具備している。上記チャックテーブル機構3は、静止基台2上にX軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール31、31と、該案内レール31、31上にX軸方向に移動可能に配設された第一の滑動ブロック32と、該第1の滑動ブロック32上にY軸方向に移動可能に配設された第2の滑動ブロック33と、該第2の滑動ブロック33上に円筒部材34によって支持された支持テーブル35と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル36を具備している。このチャックテーブル36は多孔性材料から形成された吸着チャック361を具備しており、吸着チャック361の上面である保持面上に被加工物である例えば円形形状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル36は、円筒部材34内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。なお、チャックテーブル36には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ362が配設されている。上記第1の滑動ブロック32は、その下面に上記一対の案内レール31、31と嵌合する一対の被案内溝321、321が設けられているとともに、その上面にX軸方向に沿って平行に形成された一対の案内レール322、322が設けられている。このように構成された第1の滑動ブロック32は、被案内溝321、321が一対の案内レール31、31に嵌合することにより、一対の案内レール31、31に沿ってX軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第1の滑動ブロック32を一対の案内レール31、31に沿ってX軸方向に移動させるための加工送り手段37を具備している。加工送り手段37は、上記一対の案内レール31と31の間に平行に配設された雄ネジロッド371と、該雄ネジロッド371を回転駆動するためのパルスモータ372等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド371は、その一端が上記静止基台2に固定された軸受ブロック373に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ372の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド371は、第1の滑動ブロック32の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ372によって雄ネジロッド371を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック32は案内レール31、31に沿ってX軸方向に移動せしめられる。図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記チャックテーブル36のX軸方向位置X座標を検出するためのX軸方向位置検出手段374を備えている。X軸方向位置検出手段374は、案内レール31に沿って配設されたリニアスケール374aと、第1の滑動ブロック32に配設され第1の滑動ブロック32とともにリニアスケール374aに沿って移動する読み取りヘッド374bとからなっている。このX軸方向位置検出手段374の読み取りヘッド374bは、図示の実施形態においては1μm毎に1パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントし、チャックテーブル36の基準位置からの加工送り量を検出することによりチャックテーブル36のX軸方向位置X座標を検出する。なお、上記加工送り手段37の駆動源としてパルスモータ372を用いた場合には、パルスモータ372に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル36のX軸方向位置X座標を検出することもできる。また、上記加工送り手段37の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル36のX軸方向位置X座標を検出することもできる。上記第2の滑動ブロック33は、その下面に上記第1の滑動ブロック32の上面に設けられた一対の案内レール322、322と嵌合する一対の被案内溝331、331が設けられており、この被案内溝331、331を一対の案内レール322、322に嵌合することにより、Y軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第2の滑動ブロック33を第1の滑動ブロック32に設けられた一対の案内レール322、322に沿ってY軸方向に移動させるための第1の割り出し送り手段38を具備している。第1の割り出し送り手段38は、上記一対の案内レール322と322の間に平行に配設された雄ネジロッド381と、該雄ネジロッド381を回転駆動するためのパルスモータ382等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド381は、その一端が上記第1の滑動ブロック32の上面に固定された軸受ブロック383に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ382の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド381は、第2の滑動ブロック33の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ382によって雄ネジロッド381を正転および逆転駆動することにより、第2の滑動ブロック33は案内レール322、322に沿ってY軸方向に移動せしめられる。図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記第2の滑動ブロック33即ちチャックテーブル36のY軸方向位置Y座標を検出するためのY軸方向位置検出手段384を備えている。Y軸方向位置検出手段384は、案内レール322に沿って配設されたリニアスケール384aと、第2の滑動ブロック33に配設され第2の滑動ブロック33とともにリニアスケール384aに沿って移動する読み取りヘッド384bとからなっている。このY軸方向位置検出手段384の読み取りヘッド384bは、図示の実施形態においては1μm毎に1パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントし、チャックテーブル36の割り出し送り量を検出することによりチャックテーブル36のY軸方向位置Y座標を検出する。なお、上記第1の割り出し送り手段38の駆動源としてパルスモータ382を用いた場合には、パルスモータ382に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル36のY軸方向位置Y座標を検出することもできる。また、上記加工送り手段37の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル36のY軸方向位置Y座標を検出することもできる。上記レーザー光線照射ユニット支持機構4は、静止基台2上にY軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール41、41と、該案内レール41、41上に矢印Yで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台42を具備している。この可動支持基台42は、案内レール41、41上に移動可能に配設された移動支持部421と、該移動支持部421に取り付けられた装着部422とからなっている。装着部422は、一側面にZ軸方向に延びる一対の案内レール423、423が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構4は、可動支持基台42を一対の案内レール41、41に沿ってY軸方向に移動させるための第2の割り出し送り手段43を具備している。第2の割り出し送り手段43は、上記一対の案内レール41、41の間に平行に配設された雄ネジロッド431と、該雄ネジロッド431を回転駆動するためのパルスモータ432等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド431は、その一端が上記静止基台2に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ432の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド431は、可動支持基台42を構成する移動支持部421の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ432によって雄ネジロッド431を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台42は案内レール41、41に沿ってY軸方向に移動せしめられる。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット5は、ユニットホルダ51と、該ユニットホルダ51に取り付けられた加工手段としてのレーザー光線照射手段52を具備している。ユニットホルダ51は、上記装着部422に設けられた一対の案内レール423、423に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝511、511が設けられており、この被案内溝511、511を上記案内レール423、423に嵌合することにより、矢印Zで示す方向に移動可能に支持される。図示のレーザー光線照射手段52は、上記ユニットホルダ51に固定され実質上水平に延出する円筒形状のケーシング53を具備している。また、レーザー光線照射手段52は、図2に示すようにケーシング53内に配設されたパルスレーザー光線発振手段54と、該パルスレーザー光線発振手段54によって発振されたパルスレーザー光線の出力を調整する出力調整手段55と、ケーシング53の先端に配設されパルスレーザー光線発振手段54によって発振され出力調整手段55によって出力が調整されたパルスレーザー光線を上記チャックテーブル36に保持された被加工物に照射する加工ヘッド56を具備している。パルスレーザー光線発振手段54は、YAGレーザー発振器或いはYVO4レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器541と、これに付設された繰り返し周波数設定手段542とから構成されている。出力調整手段55は、パルスレーザー光線発振手段54によって発振されたパルスレーザー光線の出力を後述する制御手段からの制御信号に基づいて制御する。上記加工ヘッド56は、方向変換ミラー手段561と、該方向変換ミラー手段561の下部に装着された集光器562とからなっている。方向変換ミラー手段561は、ミラーケース561aと、該ミラーケース561a内に配設された方向変換ミラー561bを含んでいる。方向変換ミラー561bは、図2に示すように上記パルスレーザー光線発振手段54から発振され出力調整手段55によって出力が調整されたパルスレーザー光線を下方即ち集光器562に向けて方向変換する。集光器562は、集光器ケース562aと、該集光器ケース562a内に配設された対物レンズ562bを含む組レンズ図示せずとから構成されている。上記パルスレーザー光線発振手段54から発振され出力調整手段55によって出力が調整されたパルスレーザー光線は、方向変換ミラー561bによって90度方向変換されて集光器562に至り、集光器562の対物レンズ562bを通して上記チャックテーブル36に保持される被加工物に所定の集光スポット径で照射される。図1に戻って説明を続けると、図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記チャックテーブル36上に保持される板状の被加工物の上面、即ちレーザー光線を照射する側の面におけるレーザー光線の照射領域の高さ位置を検出する高さ位置検出手段6を備えている。高さ位置検出手段6について図3乃至5を参照して説明する。図示の実施形態における高さ位置検出手段6は、図3に示すようにU字状に形成された枠体61を具備しており、この枠体61が支持ブラケット60を介して上記レーザー光線照射手段52のケーシング53に取り付けられている。枠体61には、上記集光器562を挟んで発光手段62と受光手段63が矢印Yで示す方向に対向して配設されている。発光手段62は、図5に示すように発光素子621と投光レンズ622を具備している。発光素子621は、例えば波長が670nmのパルスレーザー光線を図4および図5に示すように上記チャックテーブル36上に保持される被加工物Wに投光レンズ622を通して所定の入射角αをもって照射する。この発光手段62によるレーザー光線の照射位置は、集光器562から被加工物Wに照射されるレーザー光線の照射位置と略一致させて設定されている。なお、入射角αは、集光器562の対物レンズ562bの集光角度βより大きく90度より小さい角度に設定されている。受光手段63は、光位置検出素子631と受光レンズ632を具備しており、上記発光手段62から照射されたレーザー光線が被加工物Wで正反射する位置に配設されている。また、図示の実施形態における高さ位置検出手段6は、上記発光手段62および受光手段63の傾斜角度を調整するための角度調整ツマミ62aおよび63aを備えている。この角度調整ツマミ62aおよび63aを回動することにより、発光手段62から照射されるレーザー光線の入射角αおよび受光手段63の受光角度を調整することができる。以上のように構成された高さ位置検出手段6による被加工物Wの高さ位置の検出について、図5を参照して説明する。被加工物Wの基準高さ位置が図5において1点鎖線で示す位置である場合には、発光素子621から投光レンズ622を通して被加工物Wの表面に照射されたレーザー光線は1点鎖線で示すように反射し、受光レンズ632を通して光位置検出素子631のA点で受光される。一方、被加工物Wの高さ位置が図5において2点鎖線で示す位置である場合には、発光素子621から投光レンズ622を通して被加工物Wの表面に照射されたレーザー光線は2点鎖線で示すように反射し、受光レンズ632を通して光位置検出素子631のB点で受光される。このようにして光位置検出素子631が受光したデータは、後述する制御手段に送られる。そして、後述する制御手段は光位置検出素子631によって検出されたA点とB点との間隔Hに基づいて、被加工物Wの高さ位置の変位hを演算するh=H/sinα。従って、上記チャックテーブル36に保持された被加工物Wの高さ位置の基準値が図5において1点鎖線で示す位置である場合、被加工物Wの高さ位置が図5において2点鎖線で示す位置に変位した場合には、高さhだけ下方に変位したことが判る。図1に戻って説明を続けると、上記レーザー光線照射手段52を構成するケーシング53の前端部には、上記レーザー光線照射手段52によってレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段7が配設されている。この撮像手段7は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子CCDの外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子赤外線CCD等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。また、図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、図1に示すように上記ユニットホルダ51を一対の案内レール423、423に沿って矢印Zで示す方向、即ち上記チャックテーブル36の吸着チャック361の上面である保持面に対して垂直な方向に移動させるための集光点位置調整手段57を具備している。集光点位置調整手段57は、上記各送り手段と同様に一対の案内レール423、423の間に配設された雄ネジロッド図示せずと、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ572等の駆動源を含んでおり、パルスモータ572によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ51とレーザー光線照射手段52を案内レール423、423に沿って矢印Zで示す方向に移動せしめる。図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、図6に示す制御手段8を具備している。制御手段8は、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置CPU81と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリROM82と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリRAM83と、カウンター84と、入力インターフェース85および出力インターフェース86とを備えている。このように構成された制御手段8の入力インターフェース85には、上記X軸方向位置検出手段374の読み取りヘッド374b、Y軸方向位置検出手段384の読み取りヘッド384b、高さ位置検出手段6、撮像手段7等からの検出信号が入力される。また、出力インターフェース86からは、上記加工送り手段37のパルスモータ372、第1の割り出し送り手段38のパルスモータ382、第2の割り出し送り手段43のパルスモータ432、レーザー光線照射手段52のパルスレーザー光線発振手段54および出力調整手段55、集光点位置調整手段57のパルスモータ572等に制御信号を出力する。図示の実施形態におけるレーザー加工装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。図7にはレーザー加工される被加工物としての半導体ウエーハ10の斜視図が示されている。図7に示す半導体ウエーハ10は、シリコンウエーハからなっており、その表面10aに格子状に配列された複数のストリート101によって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイス102が形成されている。上述したレーザー加工装置を用い、上記半導体ウエーハ10のストリート101に沿ってレーザー光線を照射し、半導体ウエーハ10の表面10a側にストリート101に沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー加工の実施形態について説明する。なお、半導体ウエーハ10の表面10a側にストリート101に沿ってレーザー加工溝を形成する際に、半導体ウエーハの厚みにバラツキがあると、照射するレーザー光線の集光点が被加工物の表面10aである被加工面から厚み方向において異なる。このため、集光点が適正に位置付けられていない領域においてはレーザー加工溝の深さが浅くなってしまい、深さが均一なレーザー加工溝を形成することができない。そこで、レーザー加工を施す前に、上述した高さ位置検出手段6によってチャックテーブル36に保持された半導体ウエーハ10の高さ位置を計測する高さ位置計測工程を実施する。高さ位置計測工程を実施するには、先ず上述した図1に示すレーザー加工装置のチャックテーブル36上に半導体ウエーハ10の裏面10b側を載置し、図示しない吸引手段を作動することによりチャックテーブル36上に半導体ウエーハ10を吸引保持する。従って、チャックテーブル36上に吸引保持された半導体ウエーハ10は、表面10aが上側となる。このようにして半導体ウエーハ10を吸引保持したチャックテーブル36は、加工送り手段37を作動するによって撮像手段7の直下に位置付けられる。チャックテーブル36が撮像手段7の直下に位置付けられると、撮像手段7および制御手段8によって半導体ウエーハ10のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段7および制御手段8は、半導体ウエーハ10の所定方向に形成されているストリート101と、ストリート101に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射ユニット5の集光器562との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置である高さ検出位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ10に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びるストリート101に対しても、同様にレーザー光線照射位置である高さ検出位置のアライメントが遂行される。上述したようにレーザー光線照射位置である高さ検出位置のアライメントが行われると、チャックテーブル36上の半導体ウエーハ10は、図8のaに示す座標位置に位置付けられた状態となる。なお、図8のbはチャックテーブル36即ち半導体ウエーハ10を図8のaに示す状態から90度回転した状態を示している。なお、図8のaおよび図8のbに示す座標位置に位置付けられた状態における半導体ウエーハ10に形成された各ストリート101の送り開始位置座標値と送り終了位置座標値および送り開始位置座標値と送り終了位置座標値は、その設計値のデータが上記ランダムアクセスメモリRAM83に格納されている。上述したようにチャックテーブル36上に保持されている半導体ウエーハ10に形成されたストリート101を検出し、レーザー光線照射位置である高さ検出位置のアライメントが行われたならば、チャックテーブル36を移動して図8のaにおいて最上位のストリート101をレーザー照射ユニット5の加工ヘッド56を構成する高さ位置検出手段6の直下に位置付け、更に図9で示すようにストリート101の一端図9において左端である送り開始位置座標値図8のa参照を高さ位置検出手段6の直下に位置付ける。そして、集光点位置調整手段57を作動してチャックテーブル36上に吸引保持された半導体ウエーハ10の設計上の厚みに対応する上面被加工面の高さ位置に集光器562の対物集光レンズ562bによって集光されるレーザー光線の集光点が位置するようにレーザー光線照射ユニット5を位置付ける。次に、高さ位置検出手段6を作動するとともに、チャックテーブル36を図9において矢印X1で示す方向に移動し、送り終了位置座標値まで移動する高さ位置検出工程。この結果、半導体ウエーハ10の図8のaにおいて最上位のストリート101に沿って上面の高さ位置が上述したように計測される。この計測された高さ位置は、上記ランダムアクセスメモリRAM83に格納される。このようにして、半導体ウエーハ10に形成された全てのストリート101に沿って高さ位置検出工程を実施し、各ストリート101における上面の高さ位置を上記ランダムアクセスメモリRAM83に格納する。上述した高さ位置検出工程においては、制御手段8にはX軸方向位置検出手段374およびY軸方向位置検出手段384から検出信号が入力されており、従って、高さ位置検出手段6によって検出される高さ位置は、チャックテーブル36上に吸引保持された半導体ウエーハ10のXY座標における高さ位置情報としてランダムアクセスメモリRAM83に格納される。なお、各ストリート101における上面の高さ位置は、チャックテーブル36上に吸引保持された半導体ウエーハ10の設計上の厚みに対応する高さ位置を基準0として計測される。以上のようにして半導体ウエーハ10に形成された全てのストリート101に沿って高さ位置検出工程を実施したならば、半導体ウエーハ10の内部にストリート101に沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程を実施する。このレーザー加工溝形成工程を実施するには、先ずチャックテーブル36を移動して図8のaにおいて最上位のストリート101をレーザー照射ユニット5のレーザー光線照射手段52を構成する集光器562の直下に位置付ける。そして、更に図10のaで示すようにストリート101の一端図10のaにおいて左端である送り開始位置座標値図8のa参照を集光器562の直下に位置付ける。次に、制御手段8は、レーザー光線照射手段52を作動して集光器562からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル36を矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度例えば60mm/秒で移動せしめるレーザー加工溝形成工程。そして、図10ので示すように集光器562の照射位置がストリート211の他端図10のにおいて右端に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともに、チャックテーブル36の移動を停止する。なお、上記レーザー加工溝形成工程においてレーザー光線照射手段52の集光器562から照射されるパルスレーザー光線は、波長が355nm、繰り返し周波数が100kHz、集光スポット径が5μmに設定されている。上述したレーザー加工溝形成工程においては、制御手段8はランダムアクセスメモリRAM83に格納されている半導体ウエーハ10のストリート101における高さ位置に基いて出力調整手段55を制御する。図11には、レーザー光線照射手段52の集光器562から照射されるパルスレーザー光線の出力を示す制御マップが示されている。図11において、縦軸はチャックテーブル36上に吸引保持された半導体ウエーハ10の設計上の厚みに対応する基準高さ位置0からのバラツキμmを表し、横軸はレーザー光線照射手段52の集光器562から照射されるパルスレーザー光線の出力を表している。図11に示す制御マップにおいては、チャックテーブル36上に吸引保持された半導体ウエーハ10の設計上の厚みに対応する基準高さ位置0の場合に集光器562によって集光されるパルスレーザー光線の集光スポットが半導体ウエーハ10の上面に位置付けられるようになっており、そのときのパルスレーザー光線の出力が1.5Wに設定されている。そして、チャックテーブル36上に吸引保持された半導体ウエーハ10の上面高さ位置が基準高さ位置0即ち集光器562によって集光されるパルスレーザー光線の集光スポット位置から上下に変位するに従ってパルスレーザー光線の出力を高くするように設定されている。このように最も加工効果の大きい集光スポット位置から半導体ウエーハ10の上面高さ位置が離れるに従ってパルスレーザー光線の出力が高くなるので、半導体ウエーハ10に対する加工量が均等となり、図10ので示すように均一な深さのレーザー加工溝110を形成することができる。なお、上述した加工条件においては、シリコンウエーハに対して深さが25μmのレーザー加工溝110を形成することができる。以上のようにして、半導体ウエーハ10の所定方向に延在する全てのストリート101に沿って上記レーザー加工溝形成工程を実行したならば、チャックテーブル36を90度回動せしめて、上記所定方向に対して直交する方向に延びる各ストリート101に沿って上記レーザー加工溝形成工程を実行する。このようにして、半導体ウエーハ10に形成された全てのストリート101に沿って上記レーザー加工溝形成工程を実行したならば、半導体ウエーハ10を保持しているチャックテーブル36は、最初に半導体ウエーハ10を吸引保持した位置に戻され、ここで半導体ウエーハ10の吸引保持を解除する。そして、半導体ウエーハ10は、図示しない搬送手段によって分割工程に搬送される。