基板上の層内の欠陥領域を少なくとも部分的に修正する方法であって、前記層はグラフェンを含み、前記方法は、前記基板上の前記層を受け取ることであって、前記層は少なくともいくつかの欠陥領域を前記グラフェン内に含み、前記欠陥領域は前記基板の露出領域を露わにする、受け取ることと、前記露出領域の少なくとも1つの中に少なくとも1つの陽イオン領域を生成するために充分な反応条件の下で前記基板を反応させることと、グラフェン酸化物層を生成するために、前記少なくとも1つの陽イオン領域にグラフェン酸化物を付着させることと、前記層内に少なくとも1つの修正された欠陥領域を生成するために、前記グラフェン酸化物層を還元することとを含む方法。前記基板は、プラスチック、SiO2、ガラス、金、銀、および/またはポリエチレンテレフタレートの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。前記基板は、シリコンを含み、前記方法は、アミノプロピルトリエトキシシランを前記基板に作用させることにより、前記基板を反応させることをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記基板を反応させることは、アミン終端した材料を前記基板に作用させることをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記基板を反応させることは、アミン終端したシロキサンを前記基板に作用させることをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記基板を反応させることは、ポリエチレンイミンを前記基板に作用させることをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記基板を反応させることは、前記基板上にカルボキシル酸官能基を生成するために、前記基板上にコロナ放電を生成することと、ポリエチレンイミンを前記カルボキシル酸官能基に作用させることとをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記グラフェン酸化物層を前記基板に付着させることは、グラフェン酸化物および水の溶液を前記基板に作用させることをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記グラフェン酸化物層を還元することは、ヒドラジンを含む溶液を前記グラフェン酸化物層に作用させることをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記グラフェン酸化物を還元させることは、水素化ホウ素ナトリウムを含む溶液を前記グラフェン酸化物層に作用させることをさらに含む、請求項1に記載の方法。請求項1の前記方法を実装するのに有効なシステムであって、前記システムは、前記基板上の層を受け取るのに有効に構成されるチャンバであって、前記層は、少なくともいくらかのグラフェンと、前記グラフェン内に少なくともいくつかの欠陥領域とを含み、前記欠陥領域は、前記基板の露出領域を露わにするのに有効である、チャンバと、前記チャンバと連通して構成される容器とを含み、前記チャンバおよび前記容器は、前記露出領域の少なくとも1つの中に少なくとも1つの陽イオン領域を生成するために充分な反応条件の下で前記基板を反応させ、グラフェン酸化物層を生成するために、前記少なくとも1つの陽イオン領域にグラフェン酸化物を付着させ、前記層内に少なくとも1つの修正された欠陥領域を生成するために、前記グラフェン酸化物層を還元するのに有効に構成される、システム。前記基板は、プラスチック、SiO2、ガラス、金、銀、および/またはポリエチレンテレフタレートの少なくとも1つを含む、請求項11に記載のシステム。前記基板は、シリコンを含み、前記チャンバおよび前記容器は、前記露出領域の前記少なくとも1つの中に前記少なくとも1つの陽イオン領域を生成するために充分な反応条件の下で、前記基板が反応するように、前記基板にアミノプロピルトリエトキシシランを作用させるようにさらに構成される、請求項11に記載のシステム。前記チャンバおよび前記容器は、前記露出領域の前記少なくとも1つの中に前記少なくとも1つの陽イオン領域を生成するために充分な反応条件の下で、前記基板が反応するように、前記基板にアミン終端した材料を作用させるようにさらに構成される、請求項11に記載のシステム。前記チャンバおよび前記容器は、前記露出領域の前記少なくとも1つの中に前記少なくとも1つの陽イオン領域を生成するために充分な反応条件の下で、前記基板が反応するように、前記基板にアミン終端したシロキサンを作用させるようにさらに構成される、請求項11に記載のシステム。前記チャンバおよび前記容器は、前記露出領域の前記少なくとも1つの中に前記少なくとも1つの陽イオン領域を生成するために充分な反応条件の下で、前記基板が反応するように、前記基板にポリエチレンイミンを作用させるようにさらに構成される、請求項11に記載のシステム。前記チャンバと関係して動作するように構成される電極をさらに含み、前記電極は、コロナ放電を生成するのに有効であり、前記コロナ放電は、前記基板上のカルボキシル酸官能基を生成するのに有効であり、前記チャンバおよび前記容器は、前記露出領域の前記少なくとも1つの中に前記少なくとも1つの陽イオン領域を生成するために充分な反応条件の下で、前記基板が反応するように、前記カルボキシル酸官能基にポリエチレンイミンを作用させるようにさらに構成される、請求項11に記載のシステム。前記チャンバおよび前記容器は、前記少なくとも1つの陽イオン領域にグラフェン酸化物を付着させてグラフェン酸化物層を生成するために充分な反応条件の下で、前記基板が反応するように、前記基板にグラフェン酸化物および水の溶液を作用させるようにさらに構成される、請求項11に記載のシステム。前記チャンバおよび前記容器は、前記グラフェン酸化物層を還元するために充分な反応条件の下で、前記基板が反応するように、前記グラフェン酸化物層にヒドラジンを含む溶液を作用させるようにさらに構成される、請求項11に記載のシステム。前記チャンバおよび前記容器は、前記グラフェン酸化物層を還元するために充分な反応条件の下で、前記基板が反応するように、前記グラフェン酸化物層に水素化ホウ素ナトリウムを含む溶液を作用させるようにさらに構成される、請求項11に記載のシステム。請求項1の前記方法を用いて生成される処理された層であって、基板上の少なくともいくらかのグラフェンと、前記グラフェン内の少なくとも1つの欠陥領域であって、前記欠陥領域は前記基板の陽イオン領域を露わにするのに有効である、少なくとも1つの欠陥領域と、前記陽イオン領域に付着した還元されたグラフェン酸化物層とを含む層。前記基板は、プラスチック、SiO2、ガラス、金、銀および/またはポリエチレンテレフタレートの少なくとも1つを含む、請求項21に記載の層。各図に示す構成は全て、少なくとも本明細書において記載されたいくつかの実施形態に従って構成される。以下の発明を実施するための形態において、添付の図面を参照するが、それは本明細書の一部を形成するものである。図面において、特に文脈により示されない限り、典型的に類似の符号は類似の構成要素を表すものとする。発明を実施するための形態、図面、および特許請求の範囲に記載される例示的な実施形態は、限定することを意味しない。本明細書に示された発明の主題の趣旨または範囲を逸脱することなく、他の実施形態を用いることができ、また、他の変更を行うことができる。本明細書に一般的に記載され、図に示される本開示の態様が、多種多様な異なる構成で配列され、置換され、組み合わされ、分離され、そして設計され得ることが容易に理解されよう。そして、その全ては本明細書において明示的に考察される。本開示は、なかでも、グラフェン欠陥の修正に関連するシステム、方法、材料および装置に対して、一般的に描かれる。簡潔に述べると、技術は、グラフェンを含む層の欠陥を少なくとも部分的に修正するのに有効な方法およびシステムについて、一般的に記載される。いくつかの例では、本方法は、層が少なくともいくらかのグラフェンおよび少なくともいくつかの欠陥領域をグラフェン内に含む基板上の層を受け取ることを、含むことができる。欠陥領域は、基板の露出領域を明らかにすることができる。本方法は、露出領域の少なくとも1つの中に少なくとも1つの陽イオン領域を生成するために充分な反応条件の下で、基板を反応させることを含むこともできる。本方法は、グラフェン酸化物層を生成するために、少なくとも1つの陽イオン領域にグラフェン酸化物を付着させることを、さらに含むことができる。本方法は、層内に少なくとも1つの修正された欠陥領域を生成するために、グラフェン酸化物層を還元することを、さらに含むことができる。また、明示または黙示を問わず本明細書に開示され、および/または請求項に記載され、構造的に、組成的に、および/または機能的に関係する化合物、材料または物質の1つのグループに属する、いかなる化合物、材料または物質も、そのグループおよびその全ての組み合わせの個々の代表例を含むものと理解されよう。図1は、本明細書に記載された少なくともいくつかの実施形態に基づいて、グラフェン欠陥の修正を実現するために利用することができるシステムの一例を示す。一例であるグラフェン欠陥修正システム100は、1つまたは複数のチャンバ112、113、115、1つまたは複数の容器118、128、162、1つまたは複数のヒーター174、175、177、1つまたは複数のバルブ148、158、168、182、189、198、および/または1つまたは複数のポンプ170、171、172を含むことができる。欠陥修正システム100の少なくともいくつかの要素は、通信リンク186によりプロセッサ184と通信するように構成することができる。いくつかの例では、プロセッサ184は、格納される命令180を含み得るメモリ188と通信するように構成することができる。プロセッサ184は、例えば命令180によって、後述する動作/操作/機能の少なくともいくつかを制御するように構成することができる。グラフェン生成処理中に、亀裂、ボイド、裂け目または他の欠陥もしくは欠陥領域が、グラフェン106内に生じることがある。このような欠陥は、グラフェン生成処理の際、および/またはグラフェンを基板へ移送する際の不純物の結果として生じ得る。これらの欠陥は、いくつかの応用において、グラフェンの動作を劣化させるおそれがある。例えば、電子が欠陥の周囲を動くことができるので、欠陥が存在することにより、グラフェンの導電率が低下するおそれがある。これによって、抵抗が増加し、局所磁場が生じる可能性がある。また、インダクタンスが増加する可能性もある。グラフェンが伝導トレース例えばディスプレイまたは高周波回路などにおいてとして使われる例では、オープンな、機能しない回路になるおそれがある。気体透過性が、影響を受ける可能性がある。ボイドが応力集中部分になり得るから、機械的強度が影響を受ける可能性がある。グラフェンの化学反応性は、欠陥が存在することで、増加する可能性がある。一例では、符号136に示すように、基板104上のグラフェン106を含む層102は、基板104の露出領域109、111を露わにする欠陥108および/または110を含むことができる。一例では、基板104は、電気的絶縁物を含むことができる。一例では、基板104は、例えば、プラスチック、シリコン、SiO2、ガラス、金、銀、ポリエチレンテレフタレートPETなどで形成することができる。以下でさらに詳しく説明するように、層102および基板104を、基板104の露出領域内に陽イオン領域を生成するために有効な材料にさらすことができる。それから、グラフェン酸化物を陽イオン領域に作用させることができ、そして、グラフェン酸化物を、層102の欠陥領域を修正するために、少なくとも部分的に還元することができる。符号138に示すように、層102および基板104を、例えば手または機械によって、チャンバ112内に置くことができる。チャンバ112はポート114、116を含むことができ、そして、チャンバ112はポンプ170、ヒーター174および/または容器118と連通してもよい。容器118は、ポンプ170と共に、例えばプロセッサ184の制御により、基板104、グラフェン106および/または露出領域109、111に、気体120または液体121を作用させるのに有効に構成することができる。気体120または液体121は、欠陥領域108、110の存在により露わになる露出領域109、111内に陽イオン領域176、178を生成するのに有効な材料を含むことができる。例えば、気体120または液体121は、アミン終端した材料、またはアミノプロピルトリエトキシシランAPTSもしくはポリエチレンイミンPEIなどのアミン終端したシロキサンを含むことができる。一例では、APTSは、基板102上で露出領域109、111内にアミン官能基を生成する基板104のシラノールと、結合することができて、これによって、陽イオン領域176、178を生成する。一例では、ヒーター174が約1分から約2分の時間間隔で、約1気圧で、層102および基板104を摂氏約25度から摂氏約40度までの温度範囲まで加熱しながら、気体120または液体121を、層102および基板104に作用させることができる。一例では、基板104がプラスチックを含み、放電電極144は、チャンバ112に関連して動作可能であって、露出領域109、111で基板104を酸化させる基板104上のコロナ放電を生じさせるのに有効に構成することができる。例えば、グラフェンが生成された位置からグラフェンが用いられ得る位置までグラフェンを移送する前に、コロナ放電を実行することができる。この例では、カルボキシル酸官能基を生成することができる。液体121は、陽イオン領域176、178を生成するために、カルボキシル酸官能基に結合し得るPEIなどの陽イオンであるポリマーを含むことができる。符号140に示すように、グラフェン106、欠陥領域108、110および陽イオン領域176、178を有する基板104は、例えば手または機械により、チャンバ113内に置くことができる。容器128は、チャンバ113と連通してもよい。容器128は、例えばプロセッサ184などのコントローラによる制御の下で、陽イオン領域176、178を有する基板104に液体160を作用するのに有効に構成することができる。例えば、基板104を液体160に浸漬してもよい。液体160は、グラフェン酸化物GOとして、例えば水およびGOを含む溶液を含むことができる。液体またはグラフェン酸化物溶液160は、グラフェン酸化物層190およびグラフェン酸化物層192を生成する陰イオン性分散系の陽イオン領域176、178に、グラフェン酸化物の剥片が付着することができるように、陰イオン性であってもよい。例えば、陰イオン性グラフェン酸化物剥片は、陽イオン性APTSおよび/またはPEIに付着することができる。一例では、ヒーター175が、約1分から約2分の時間間隔で、基板104を摂氏約15度から摂氏約25度までの温度範囲まで加熱しながら、液体160を基板104に作用させることができる。ポンプ171は、例えばプロセッサ184などのコントローラによる制御の下で、チャンバ112内の圧力を発生させる、またはその圧力をチャンバ113内の約0.5気圧から約2気圧に制御するのに有効に構成することができる。陽イオン領域176、178に付着しないグラフェン酸化物は、チャンバ113内の層102全体にわたって、例えば水を含む流動液体160などによって洗い落とすことができる。符号142に示すように、グラフェン酸化物層190、192を有する層102は、例えば手または機械により、チャンバ115に置くことができる。容器162は、チャンバ115と連通してもよく、液体164および/または気体161を含むことができる。チャンバ115は、修正された欠陥または還元されたグラフェン酸化物領域194、196を生成するために、液体164および/または気体161をグラフェン酸化物層190、192に作用させることによって、グラフェン酸化物層190、192のグラフェン酸化物を還元するのに有効であり得る。例えば、容器162は、ヒドラジン溶液を含む液体164または気体161を含むことができる。一例では、液体164は、重量で約0.5から5のヒドラジンを含むことができる。一例では、容器162は、水素化ホウ素ナトリウムおよび水を含む液体164または気体161を含むことができる。修正された欠陥または還元されたグラフェン酸化物領域194、196を生成するために、グラフェン酸化物層190、192のグラフェン酸化物を少なくとも部分的に還元するように、チャンバ115内の圧力、反応時間および温度を、調整することができる。一例では、ヒーター177は、例えばプロセッサ184などのコントローラによる制御の下で、約2時間から約4時間までの時間間隔で、層102および基板104を摂氏約50度から摂氏約300度の温度範囲まで加熱するのに有効に構成することができる。この例では、ポンプ172は、チャンバ115内で約3気圧から約5気圧の圧力を発生させ、または制御するのに有効に構成することができる。他の可能性のある利点の中で、本開示に基づいて構成されるシステムは、グラフェンを含む層の欠陥領域を少なくとも部分的に修正するために用いることができる。グラフェンが、グラフェンが成長した位置から移送された後であっても、欠陥を修正することができる。グラフェンは、例えばディスプレイ、マイクロエレクトロニクス回路、電子相互接続および/または光応用などにおいて生じ得る、リソグラフィのためにグラフェンを用いる技術などの、ボイドまたは亀裂に影響されやすいことがあるアプリケーションにおいて用いることができる。図2は、本明細書に記載された少なくともいくつかの実施形態に基づいて構成されるグラフェン欠陥修正を実現するための、一例である処理200のフローチャートを表す。図2の処理は、例えば、上述したシステム100を用いて実行することができ、プロセッサ184は、命令により、図4についてさらに記載されるインターフェースを通して、様々な処理動作を制御し、容易にするように適応することができる。処理の一例は、1つまたは複数のブロックS2、S4、S6および/またはS8で示すように、1つまたは複数の動作、操作または機能を含むことができる。別々のブロックとして示されているが、様々なブロックは付加的なブロックに分割することができるか、より少数のブロックに結合することができるか、または、削除することができる。それは、要求する実装によって決まる。処理200はブロックS2から開始することができ、少なくともいくつかの欠陥領域をグラフェン内に含む基板上の層を受け取り、欠陥領域が基板の露出領域を露わにする。ブロックS2では、チャンバは、基板上の層を受け取るのに有効に構成することができる。その層は、少なくともいくつか欠陥領域をグラフェン内に含むことができる。欠陥領域は、基板の露出領域を露わにすることができる。処理は、ブロックS2からブロックS4まで継続することができて、露出領域の少なくとも1つの中に少なくとも1つの陽イオン領域を生成するために充分な反応条件の下で、基板を反応させる。ブロックS4では、チャンバは、バルブおよび気体もしくは液体を含む容器と共に、例えばプロセッサ184などのコントローラによる制御の下で、露出領域の少なくとも1つの中に少なくとも1つの陽イオン領域を生成するように、基板を反応させるのに有効に構成され得る。例えば、APTSもしくはPEIなどのアミン終端した材料を含む気体または液体を、容器からバルブを通ってチャンバ内の層および基板に作用させることができる。処理は、ブロックS4からブロックS6まで継続することができて、グラフェン酸化物層を生成するために、少なくとも1つの陽イオン領域にグラフェン酸化物を付着させる。ブロックS6では、チャンバは、バルブおよび気体もしくは液体を含む容器と共に、例えばプロセッサ184などのコントローラによる制御の下で、グラフェン酸化物層を生成するために少なくとも1つの陽イオン領域にグラフェン酸化物を付着させるのに有効に構成され得る。例えば、チャンバと流体連通する容器は、例えばプロセッサ184などのコントローラによる制御の下で、グラフェン酸化物を含む気体または液体を、層および基板に作用させるのに有効に構成され得る。グラフェン酸化物は、陽イオン領域に付着することができる。処理は、ブロックS6からブロックS8まで継続することができて、層内に少なくとも1つの修正された欠陥領域を生成するために、グラフェン酸化物層を還元する。ブロックS8では、チャンバは、バルブおよび気体もしくは液体を含む容器と共に、例えばプロセッサ184などのコントローラによる制御の下で、グラフェン酸化物層を還元するのに有効に構成され得る。例えば、チャンバと流体連通する容器は、例えばプロセッサなどのコントローラによる制御の下で、ヒドラジン溶液を含む液体または気体をグラフェン酸化物層に作用させるのに有効に構成され得る。例えば、チャンバと流体連通する容器は、例えばプロセッサなどのコントローラによる制御の下で、水素化ホウ素ナトリウムおよび水溶液を含む液体または気体をグラフェン酸化物層に作用させるのに有効に構成され得る。図3は、本明細書に記載された少なくともいくつかの実施形態に基づくグラフェン欠陥修正を実現するために、用いることができるコンピュータプログラム製品を示す。プログラム製品300は、信号担持媒体302を含むことができる。信号担持媒体302は、1つまたは複数の命令304を含むことができ、例えばプロセッサによって実行される場合に、図1および図2について上述した機能性を提供することができる。このように、例えばシステム100を参照すると、プロセッサ184は、媒体302によってシステム100に伝えられる命令304に応答して、図3に示される1つまたは複数のブロックを受け持つことができる。いくつかの実装では、信号担持媒体302は、これに限定されないが、例えばハードディスクドライブ、コンパクトディスクCD、デジタルビデオディスクDVD、デジタルテープ、メモリなどのコンピュータ可読媒体306を含むことができる。いくつかの実装では、信号担持媒体302は、これに限定されないが、記録可能媒体308、例えばメモリ、読取り/書込みR/WCD、R/WDVDなどを含むことができる。いくつかの実装では、信号担持媒体302は、これに限定されないが、例えばデジタルおよび/またはアナログ通信媒体例えば、光ファイバーケーブル、導波管、有線通信リンク、無線通信リンクなどなどの通信媒体310を含むことができる。このように、例えば、プログラム製品300は、RF信号担持媒体302によって、システム100の1つまたは複数のモジュールに伝達されることができて、無線通信媒体310例えば、IEEE802.11標準に準拠する無線通信媒体によって、信号担持媒体302が伝達される。図4は、本明細書に記載された少なくともいくつかの実施形態に基づくグラフェン欠陥修正を実現するように構成されたコンピューティングデバイスの一例を示すブロック図である。非常に基本的な構成402では、コンピューティングデバイス400は、1つまたは複数のプロセッサ404およびシステムメモリ406を典型的に含む。プロセッサ404とシステムメモリ406との間の通信のために、メモリバス408を用いることができる。所望の構成に応じて、プロセッサ404は、これに限定されないが、マイクロプロセッサμP、マイクロコントローラμC、デジタルシグナルプロセッサDSPを含むいかなるタイプであってもよいし、あるいは、それらのいかなる組み合わせであってもよい。プロセッサ404は、例えばレベル1キャッシュ410およびレベル2キャッシュ412、プロセッサコア414、ならびにレジスタ416などの、1つまたは複数のレベルのキャッシュを含むことができる。例示するプロセッサコア414は、算術論理ユニットALU、浮動小数点演算ユニットFPU、デジタル信号処理コアDSPCore、またはそれらのいかなる組み合わせも含むことができる。例示するメモリコントローラ418は、プロセッサ404と共に用いることもできるし、あるいは、いくつかの実装では、メモリコントローラ418は、プロセッサ404内部の一部分であってもよい。所望の構成に応じて、システムメモリ406は、これに限定されないが、揮発性メモリ例えばRAM、不揮発性メモリ例えばROM、フラッシュメモリなどを含むいかなるタイプであってもよく、あるいは、それらのいかなる組み合わせであってもよい。システムメモリ406は、オペレーティングシステム420、1つもしくは複数のアプリケーション422、およびプログラムデータ424を含むことができる。アプリケーション422は、本明細書に記載され、少なくとも図1~図3のシステム100に関して記載されたものを含む様々な機能/操作/動作を実行するように構成されたグラフェン欠陥修正アルゴリズム426を含むことができる。プログラムデータ424は、本明細書に記載されるように、グラフェン欠陥修正を実現するために有用であり得るグラフェン欠陥修正データ428を含むことができる。いくつかの実施形態では、アプリケーション422は、オペレーティングシステム420上のプログラムデータ424を用いて動作して、グラフェン欠陥処理を提供し得るように構成することができる。この記載された基本構成402は、図4において、内側の破線内のコンポーネントにより示す。コンピューティングデバイス400は、基本構成402と任意の必要なデバイスおよびインターフェースとの間の通信を容易にするための、付加的な特徴もしくは機能性、および、付加的なインターフェースを有してもよい。例えば、バス/インターフェースコントローラ430は、ストレージインターフェースバス434を介して、基本構成402と1つまたは複数のデータ記憶装置432との間の通信を容易にするために用いることができる。データ記憶装置432は、取外し式ストレージデバイス436、非取外し式ストレージデバイス438、またはそれらの組み合わせであってもよい。取外し式ストレージデバイスおよび非取外し式ストレージデバイスの例は、少し例を挙げれば、フレキシブルディスクドライブおよびハードディスクドライブHDDなどの磁気ディスク装置、コンパクトディスクCDドライブまたはデジタル多用途ディスクDVDドライブなどの光学ディスクドライブ、ソリッドステートドライブSSDならびにテープドライブを含む。例示するコンピュータ記憶媒体は、揮発性および不揮発性の取外し式および非取外し式媒体を含むことができ、これらは、コンピュータ可読命令、データ構造、プログラムモジュール、または他のデータなどの情報を記憶するために、いかなる方法または技術で実現されたものであってもよい。システムメモリ406、取外し式ストレージデバイス436および非取外し式ストレージデバイス438は、コンピュータ記憶媒体の例である。コンピュータ記憶媒体は、RAM、ROM、EEPROM、フラッシュメモリもしくは他のメモリ技術、CD-ROM、デジタル多用途ディスクDVDもしくは他の光学ストレージ、磁気カセット、磁気テープ、磁気ディスクストレージもしくは他の磁気ストレージデバイス、または所望の情報を格納するために用いることができて、コンピューティングデバイス400によってアクセスされ得る他のいかなる媒体も含むが、これらに限定されるものではない。このようないかなるコンピュータ記憶媒体も、コンピューティングデバイス400の一部であり得る。コンピューティングデバイス400は、バス/インターフェースコントローラ430を介して、様々なインターフェースデバイス例えば、出力装置442、周辺インターフェース444および通信装置446から基本構成402への通信を容易にするために、インターフェースバス440を含むこともできる。例示する出力装置442は、グラフィック処理ユニット448およびオーディオ処理ユニット450を含み、それらは、1つまたは複数のA/Vポート452を介して、ディスプレイまたはスピーカーなどの様々な外部デバイスへ通信するように構成することができる。例示する周辺インターフェース444は、シリアルインターフェースコントローラ454またはパラレルインターフェースコントローラ456を含み、それらは、1つまたは複数のI/Oポート458を介して、入力装置例えば、キーボード、マウス、ペン、音声入力デバイス、タッチ入力デバイスなどまたは他の周辺機器例えば、プリンタ、スキャナなどなどの外部デバイスと通信するように構成することができる。例示する通信装置446は、ネットワークコントローラ460を含み、それは1つまたは複数の通信ポート464を介して、ネットワーク通信リンク上の1つまたは複数のその他のコンピューティングデバイス462との通信を容易にするように構成することができる。ネットワーク通信リンクは、通信媒体の一例であり得る。通信媒体は、典型的には、例えば搬送波または他の移送機構などの変調されたデータ信号におけるコンピュータ可読命令、データ構造、プログラムモジュールまたは他のデータによって実現することができて、いかなる情報配信媒体も含むことができる。変調されたデータ信号は、信号中の情報を符号化するように設定され、または変化された、1つまたは複数の特性を有する信号であってもよい。例えば、これに限らないが、通信媒体は、例えば有線ネットワークまたは直接有線接続などの有線媒体、ならびに、例えば音響、無線周波数RF、マイクロ波、赤外線IRなどの無線媒体および他の無線媒体を含むことができる。本明細書で用いられるコンピュータ可読媒体という用語は、記憶媒体および通信媒体の両方を含むことができる。コンピューティングデバイス400は、小型の携帯型または可動式電子デバイス、例えばセル電話、パーソナルデータアシスタントPDA、パーソナルメディアプレーヤデバイス、無線ウェブウォッチデバイス、パーソナルヘッドセットデバイス、特定用途向けデバイス、または上記の機能のいずれかを含むハイブリッドデバイスなどとして実現することができる。コンピューティングデバイス400は、ラップトップコンピュータおよび非ラップトップコンピュータ構成の両方を含むパーソナルコンピュータとして実現することもできる。本開示は、本出願に記載した特定の実施形態に関して限定するものではなく、それらは様々な態様の実例として意図されたものである。当業者には明らかであるが、本発明の趣旨および範囲を逸脱することなく、多くの修正および変更が可能である。本明細書に列挙したものに加えて、本開示の範囲内の機能的に等価な方法および装置は、当業者には、上述した説明から明らかになろう。このような修正および変更は、添付した特許請求の範囲に入るように意図される。本開示は、特許請求の範囲に含まれる等価物の完全な範囲と共に、添付した特許請求の範囲の用語のみによって限定されるべきである。本開示は、特定の方法、試薬、化合物、組成物、または生体系に限定されないことを理解すべきであり、当然、それらは変形することができる。本明細書で用いられる用語は、特定の実施形態のみを記載するためのものであって、限定することを意図しないことも、また理解すべきである。本明細書における実質的に全ての複数形および/または単数形の用語の使用に対して、当業者は、状況および/または用途に適切なように、複数形から単数形に、および/または単数形から複数形に変換することができる。様々な単数形/複数形の置き換えは、理解しやすいように、本明細書で明確に説明することができる。通常、本明細書において、特に添付の特許請求の範囲例えば、添付の特許請求の範囲の本体部において使用される用語は、全体を通じてオープンなopen用語として意図されていることが、当業者には理解されよう例えば、用語含むincludingは、含むがそれに限定されないincludingbutnotlimitedtoと解釈されるべきであり、用語有するhavingは、少なくとも有するhavingatleastと解釈されるべきであり、用語含むincludesは、含むがそれに限定されないincludesbutisnotlimitedtoと解釈されるべきである、など。導入される請求項で具体的な数の記載が意図される場合、そのような意図は、当該請求項において明示的に記載されることになり、そのような記載がない場合、そのような意図は存在しないことが、当業者にはさらに理解されよう。例えば、理解の一助として、添付の特許請求の範囲は、導入句少なくとも1つのatleastoneおよび1つまたは複数のoneormoreを使用して請求項の記載を導くことを含む場合がある。しかし、そのような句の使用は、同一の請求項が、導入句1つまたは複数のまたは少なくとも1つのおよびaまたはanなどの不定冠詞を含む場合であっても、不定冠詞aまたはanによる請求項の記載の導入が、そのように導入される請求項の記載を含む任意の特定の請求項を、単に1つのそのような記載を含む実施形態に限定する、ということを示唆していると解釈されるべきではない例えば、aおよび/またはanは、少なくとも1つのまたは1つまたは複数のを意味すると解釈されるべきである。同じことが、請求項の記載を導入するのに使用される定冠詞の使用にも当てはまる。また、導入される請求項の記載で具体的な数が明示的に記載されている場合でも、そのような記載は、少なくとも記載された数を意味すると解釈されるべきであることが、当業者には理解されよう例えば、他の修飾語なしでの2つの記載tworecitationsの単なる記載は、少なくとも2つの記載、または2つ以上の記載を意味する。さらに、A、BおよびC、などの少なくとも1つに類似の慣例表現が使用されている事例では、通常、そのような構文は、当業者がその慣例表現を理解するであろう意味で意図されている例えば、A、B、およびCの少なくとも1つを有するシステムは、Aのみ、Bのみ、Cのみ、AおよびBを共に、AおよびCを共に、BおよびCを共に、ならびに/またはA、B、およびCを共に、などを有するシステムを含むが、それに限定されない。A、B、またはC、などの少なくとも1つに類似の慣例表現が使用されている事例では、通常、そのような構文は、当業者がその慣例表現を理解するであろう意味で意図されている例えば、A、B、またはCの少なくとも1つを有するシステムは、Aのみ、Bのみ、Cのみ、AおよびBを共に、AおよびCを共に、BおよびCを共に、ならびに/またはA、B、およびCを共に、などを有するシステムを含むが、それに限定されない。2つ以上の代替用語を提示する事実上いかなる離接する語および/または句も、明細書、特許請求の範囲、または図面のどこにあっても、当該用語の一方oneoftheterms、当該用語のいずれかeitheroftheterms、または両方の用語bothtermsを含む可能性を企図すると理解されるべきであることが、当業者にはさらに理解されよう。例えば、句AまたはBは、AまたはBあるいはAおよびBの可能性を含むことが理解されよう。さらに、本開示の特徴または態様をマーカッシュグループにより記載する場合には、それによって、本開示はマーカッシュグループの任意の個々の要素または要素のサブグループによっても記載されることが、当業者には理解されるであろう。当業者には理解されることであるが、例えば書かれた説明を提供することなどのいかなる目的および全ての目的に対して、本明細書に開示された全ての範囲は、全ての可能性がある部分範囲およびその部分範囲の組み合わせも含む。いかなるリストされた範囲も、同一の範囲を十分に記載し、少なくとも等価な1/2、1/3、1/4、1/5、1/10などに分割できることを、容易に認めることができる。非限定的な例として、本明細書で議論された各範囲は、下位の1/3、中央の1/3および上位の1/3などに直ちに分割することができる。また、当業者には理解されることであるが、例えばまでupto、少なくともatleast、より大きいgreaterthan、より小さいlessthanなどの全ての言語は、記述された数を含み、上記の部分範囲にその後分割することができる範囲を示す。最後に、当業者には理解されることであるが、範囲は各々個別の部材を含む。したがって、例えば、1~3つのセルを有するグループは、1つ、2つ、または3つのセルを有するグループを示す。同様に、1~5つのセルを有するグループは、1つ、2つ、3つ、4つ、または5つのセルを有するグループを示し、以下同様である。様々な態様および実施形態が本明細書に開示されているが、他の態様および実施形態は当業者にとって明らかであろう。真の範囲および趣旨が以下の請求項によって示されるが、本明細書において開示された様々な態様および実施形態は、説明のためであって、限定することを意図しない。