"絶縁フィルムの銅箔層が形成される面とは反対側の面に接着剤層を介して前記絶縁フィルムに裏打ち層を貼り合わせる工程と、前記絶縁フィルムの長手方向に沿って搬送用ホールを形成する工程と、前記銅箔層をエッチングして配線パターンを形成する工程と、を含む半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記接着剤層は、エッチング液に晒される露出した前記絶縁フィルムの側面から所定の距離を隔てた領域に前記接着剤層を形成しない非形成領域を有することを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。請求項1に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記非形成領域は、前記絶縁フィルムの端辺から幅方向に所定の距離を隔てた領域であることを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。請求項1に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記非形成領域は、前記搬送用ホールから前記絶縁フィルムの幅方向に所定の距離を隔てた領域であることを特徴する半導体装置用テープキャリアの製造方法。上述した裏打ち層を貼り合わせて半導体装置用テープキャリアを製造する製造方法は、例えば、図5および図6のようになる。まず、絶縁フィルム2の一方の面に銅箔層3を形成する図5a。銅箔層3の形成された絶縁フィルム2のもう一方の面の全面に接着剤粘着剤を塗布して接着剤層粘着剤層4を形成する図5b。接着剤層4を介して補強用部材である裏打ち層6を絶縁フィルム2に貼り合わせる図5c。裏打ち層6の貼り合わされた絶縁フィルム2の長手方向に沿って搬送用ホール7を形成する図5d。そして、銅箔層3上に所定のレジストパターン図示せずを形成して、エッチング処理により配線パターン8を形成する図5e、図6。ところで、上述したエッチング処理においては、絶縁フィルム上の銅箔層に対してエッチング液をスプレーし、または銅箔層の形成された絶縁フィルムをエッチング液に浸漬して、ウェットエッチングにより配線パターンを形成する。このエッチング処理では、図7a、図7bに示すように、スプレーまたは浸漬によってエッチング液は銅箔層3表面だけでなく、絶縁フィルム2の側面側や搬送用ホール7内にも流れ、絶縁フィルム2の側面側および搬送用ホール7の内壁面にそれぞれ露出した状態の接着剤層4の側面4aおよび内側面4bに直ちに接触する。このエッチング液の接触により、接着剤層4の接着剤アクリル樹脂などは軟化あるいは溶解して溶け出したり、或いはエッチング液と接着剤との化学反応により生成された反応物が溶け出したりする。この溶け出した接着剤または反応物以下、接着剤等というは、絶縁フィルム2や銅箔層3の表面に広がり、またエッチング液に溶け出してエッチング液中に混入する。一般的に、エッチング液はスプレー噴射する場合は回収されて再利用され、浸漬する場合は連続的に使用されるため、エッチング液中に溶け出した接着剤等は銅箔層3に付着する。また、接着剤層4が搬送用ホール7の内壁面に露出した状態で存在するので、搬送用ホール7の打ち抜き時に接着剤層の切りくずが発生して銅箔層3に付着する場合がある。これら接着剤等や接着剤層の切りくずなどの異物が銅箔層3に付着すると、配線パターンの形成を阻害し、半導体装置用テープキャリアの歩留まりを低下させてしまう。本発明は、接着剤に起因する異物の発生および異物の銅箔層への付着を抑制して、半導体装置用テープキャリアの歩留まりを向上することを目的とする。本発明の第1の態様は、絶縁フィルムの銅箔層が形成される面とは反対側の面に接着剤層を介して前記絶縁フィルムに裏打ち層を貼り合わせる工程と、前記絶縁フィルムの長手方向に沿って搬送用ホールを形成する工程と、前記銅箔層をエッチングして配線パターンを形成する工程と、を含む半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記接着剤層は、エッチング液に晒される露出した前記絶縁フィルムの側面から所定の距離を隔てた領域に前記接着剤層を形成しない非形成領域を有する半導体装置用テープキャリアの製造方法である。上記半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記非形成領域は、前記絶縁フィルムの端辺から幅方向に所定の距離を隔てた領域であることが好ましい。上記半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記非形成領域は、前記搬送用ホールから前記絶縁フィルムの幅方向に所定の距離を隔てた領域であることが好ましい。本発明によれば、接着剤に起因する異物の発生および異物の銅箔層への付着を抑制して、半導体装置用テープキャリアの歩留まりを向上させることができる。本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法について図を用いて説明する。図1および図2は、本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法の工程を示す概略図である。図3は、本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの平面図である。本実施形態においては、図1a及び図3に示すような幅広い絶縁フィルム2から3列のテープキャリア形成領域1a1b1cを有する半導体装置用テープキャリアを製造する場合について説明する。本実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法は、絶縁フィルム2の一方の面に銅箔層3を形成する工程と、絶縁フィルム2の銅箔層3とは反対側の面に接着剤層4を介して絶縁フィルム2に補強用の裏打ち層6を貼り合わせる工程と、絶縁フィルム2の長手方向に沿って搬送用ホール7を形成する工程と、銅箔層3をエッチングして配線パターン8を形成する工程と、絶縁フィルム2から接着剤層4とともに裏打ち層裏打ち材6を剥離する工程と、を含む。まず、図1aに示すように、ポリイミド樹脂からなる厚さ40μm以下例えば38μm程度または25μm程度の絶縁フィルム2の一方の面に、例えば、スパッタリングによりスパッタ層を形成した後に、電解メッキにより銅箔層3を形成する。銅箔層付きの絶縁フィルムは、絶縁フィルムと銅箔層との2層構造に限定されず、接着剤層を介して絶縁フィルムに銅箔層を貼り合わせた3層構造であってもよい。なお、図1中、鎖線により、搬送用ホール7としてのガイドホール7aとスプロケットホール7bとが形成される箇所を示している。ガイドホール7aは絶縁フィルム2の両端部に形成され、3つのテープキャリア形成領域1a1b1cを有する幅広の絶縁フィルム2を搬送するために使用される。また、スプロケットホール7bは3つのテープキャリア形成領域1a1b1cのそれぞれにおける両端部に形成され、個別に切り離されるテープキャリア形成領域1a1b1cのそれぞれの搬送に使用される。次に、銅箔層3の形成された絶縁フィルム2のもう一方の面に、ローラ塗布により接着剤粘着剤を塗布して、接着剤層粘着剤層4を形成する。接着剤層4は、図1bに示すように、絶縁フィルム面の全域に形成されるのではなく、接着剤層4が部分的に形成されない非形成領域5aおよび非形成領域5bを有している。一方の非形成領域5aは絶縁フィルム2の両端部に位置しており、もう一方の非形成領域5bはガイドホール7aが形成される領域に位置する。このように非形成領域5a,5bを有する接着剤層4を形成することによって、接着剤層4がエッチング液に晒され難くなり、上述した接着剤等接着剤または反応物の溶け出しやエッチング液への接着剤等の拡散混入を抑制することができる。また、搬送用ホール7の打ち抜き時に、接着剤層4の切りくずが発生するのを抑制できる。更に、後述する裏打ち層6の貼り合わせにおいて、貼り合わせの圧力による絶縁フィルム2側面から外部への接着剤のはみ出しを抑制できる。なお、接着剤層4に用いられる接着剤の種類は特に限定されないが、アクリル樹脂が好ましい。また、接着剤の形成方法は特に限定されないが、ローラ塗布が好ましい。ローラ塗布によれば、搬送される絶縁フィルム2に接するローラの幅を適宜変更することにより、接着剤層の非形成領域5a5bのそれぞれを所定の幅として、接着剤層4を形成することができる。また、接着剤層を絶縁フィルムではなく、裏打ち層に塗布ローラにより塗布して形成するようにしてもよい。この場合も、上記絶縁フィルムへの接着剤層の形成と同様にして、接着剤層が形成されない非形成領域を形成する。次に、図1cに示すように、上述した接着剤層4を介して、絶縁フィルム2に補強用部材としての裏打ち層6を貼り合わせる。裏打ち層6を貼り合わせることにより、搬送時における薄い絶縁フィルム2の撓みなどを抑制することができる。裏打ち層6は、例えば、PETポリエチレンテレフタレートからなる補強用シート部材であって、その厚さはテープキャリアの搬送時における撓みなどを抑制できる厚さを有していればよい。次に、図2dに示すように、打ち抜き加工により、絶縁フィルム2の幅方向の両端部に、銅箔層3、絶縁フィルム2および裏打ち層6を貫通させて搬送用ホールとして円形状のガイドホール7aを形成する。ガイドホール7aは上述した接着剤層4の非形成領域5bに位置している。ここで、接着剤層4および接着剤層4の非形成領域5a、5bについて説明する。本実施形態においては、図4a、図4bに示すように、非形成領域5aは、絶縁フィルム2の端辺に沿った帯状の領域であって、端辺外側面10から幅方向内方に所定の距離D1を隔てた位置までの領域である。非形成領域5bは、絶縁フィルム2の長手方向に沿って複数配置されるガイドホール7aを包含する帯状の領域であって、ガイドホール7a部分およびガイドホール7aホール内壁面11の絶縁フィルム2の幅方向外縁から幅方向両側にそれぞれ所定の距離D2を隔てた位置までの領域である。すなわち、エッチング液に晒される接着剤層の側面4aおよび内側面4bは、図7a、図7bに示すような従来のテープキャリアと比較して、露出した絶縁フィルム2の側面外側面10またはホール内壁面11から所定の距離D1、D2だけ奥に位置している。なお、D1、D2の大きさは、接着剤層4の非形成領域5a、5bがガイドホール7aを含む絶縁フィルム2の端部領域に形成されるように適宜変更されることが好ましい。続いて、絶縁フィルム2上の銅箔層3にロールコータなどによりレジストを塗布して、レジスト層を形成する。形成されたレジスト層に対して、所定の露光および現像を行うことにより、銅箔層3上に所定のレジストパターン図示せずを形成する。そして、レジストパターンの形成された銅箔層上にエッチング液をスプレー噴射してエッチング処理を行い、図2eに示すような所定の配線パターン8を形成する。本実施形態においては、図3に示すように、3列のテープキャリア形成領域1a1b1cを同時に製造するため、配線パターン8が絶縁フィルム2の長手方向に繰り返されたものが3列配列されている。本実施形態においては、図4a、図4bに示すように、接着剤層4が絶縁フィルム2の端辺から幅方向に所定の距離を隔てた領域およびガイドホール7aから所定の距離を隔てた領域には形成されていない。すなわち、接着剤層4は非形成領域5aおよび非形成領域5bを有し、接着剤層4の側面4aは絶縁フィルム2の外側面10から所定の距離を隔てた奥に位置し、接着剤層4の内側面4bもガイドホール7aの内壁面11から所定の距離を隔てた奥に位置している。このように、エッチング液に晒される接着剤層4の側面4a及び内側面4bが、絶縁フィルム2の側面外側面10、内壁面11から内側に退いた状態にあるため、上記のエッチング工程において、エッチング液は非形成領域5a、非形成領域5bに侵入して接着剤層の側面4aおよび内側面4bに接触しにくくなり、接触にともなう接着剤等の溶け出しを抑制することができる。また、エッチング液が非形成領域5aおよび非形成領域5bに侵入し接着剤層に接触して接着剤等が溶け出した場合であっても、接着剤等が非形成領域5aおよび非形成領域5b内に留まり外部へ流出しにくくなるため、接着剤等の銅箔層3表面への付着または接着剤等のエッチング液への拡散混入を抑制できる。このように、接着剤のエッチング液への溶け出しなどを抑制し銅箔層3への接着剤等の異物の付着を抑制することで、テープキャリアの歩留まりを向上することができる。次に、3つのテープキャリア形成領域1a1b1cのそれぞれの両端部にスプロケットホール7bを打ち抜き加工で形成した後、裏打ち層6とともに接着剤層4を剥離し、最後に、幅広の絶縁フィルム2を長手方向に切断することにより、3つの半導体装置用テープキャリアを得る。なお、幅広の絶縁フィルム2を長手方向に切断した後、裏打ち層6とともに接着剤層4を剥離してもよい。なお、上記実施形態では、エッチング工程前の打ち抜き加工において、ガイドホールのみを形成したが、ガイドホールおよびスプロケットホールを同時に形成しても良い。その場合においては、スプロケットホール内壁面に臨む接着剤層からの接着剤等の溶け出しなどを抑制するため、接着剤層の非形成領域は、ガイドホールと同様にして、スプロケットホールから所定の距離を隔てた領域には接着剤層を形成しないことが好ましい。また、上記実施形態では、ガイドホール7aと絶縁フィルム2の端辺との間に非形成領域5a、5bに挟まれた帯状ライン状の接着剤層4を設けたが、必要に応じて、この接着剤層4を省略し非形成領域5aと非形成領域5bとが連続した状態としても良い。また、幅広の絶縁フィルムから3列のテープキャリア形成領域を有する半導体装置用テープキャリアを製造する場合について説明したが、本発明においてはこれに限定されず、絶縁フィルムに1列または2列以上のテープキャリア形成領域を有する半導体装置用テープキャリアに適用することが可能である。"