"シリコン単結晶ウェーハからなるボンドウェーハ及びベースウェーハのうちの少なくとも一方の表面に熱酸化膜を形成し、該熱酸化膜を介して前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとを貼り合わせた後、前記ボンドウェーハを薄膜化することによって、前記ベースウェーハ上のBOX層と、該BOX層上のSOI層とからなる構造のエピタキシャル成長用SOIウェーハを作製し、その後、前記SOI層の表面にエピタキシャル層を成長することによって作製される貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法であって、前記エピタキシャル成長用SOIウェーハが前記ボンドウェーハのドーパント濃度と同一のドーパント濃度を有するシリコン単結晶ウェーハであると仮想し、該仮想シリコン単結晶ウェーハにエピタキシャル成長を行った際に発生する反りAを算出し、前記エピタキシャル成長用SOIウェーハの前記BOX層の厚さに起因する反りBを算出し、さらに、前記貼り合わせ前のベースウェーハの反りの実測値を反りCとし、これらの反りの総和ABCを、前記貼り合わせSOIウェーハの反りとして算出することを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法。前記エピタキシャル成長用SOIウェーハの作製を、イオン注入剥離法で行うことを特徴とする請求項1に記載された貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法。前記ボンドウェーハとして、ドーパントがボロンであり、ドーパント濃度が1E18/cm3以上のp型シリコン単結晶ウェーハを用いることを特徴とする請求項1または請求項2に記載された貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法。シリコン単結晶ウェーハからなるボンドウェーハ及びベースウェーハのうちの少なくとも一方の表面に熱酸化膜を形成し、該熱酸化膜を介して前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとを貼り合わせた後、前記ボンドウェーハを薄膜化することによって、前記ベースウェーハ上のBOX層と、該BOX層上のSOI層とからなる構造のエピタキシャル成長用SOIウェーハを作製し、その後、前記SOI層の表面にエピタキシャル層を成長する貼り合わせSOIウェーハの製造方法において、請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載された貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法によって算出された反りが所望の値となるように、前記貼り合わせ前のベースウェーハの反りを調整することを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの製造方法。しかしながら、このような従来の方法により、反りを低減させた貼り合わせSOIウェーハを製造しても、該貼り合わせSOIウェーハのSOI層の表面にエピタキシャル層を数μm程度形成すると、SOIウェーハが大きく反ってしまうという問題点があることが判明した。特に、低抵抗率のSOI層上にエピタキシャル層を成長させると顕著に反りが発生した。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、SOI層/BOX層/ベースウェーハからなる構造のエピタキシャル成長用SOIウェーハを作製し、その後、SOI層の表面にエピタキシャル層を成長することによって作製される貼り合わせSOIウェーハの反りを予め算出する方法を提供することを目的とし、更に、その算出方法を用いることによって、所望の反りを有する貼り合わせSOIウェーハを製造する方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明は、シリコン単結晶ウェーハからなるボンドウェーハ及びベースウェーハのうちの少なくとも一方の表面に熱酸化膜を形成し、該熱酸化膜を介して前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとを貼り合わせた後、前記ボンドウェーハを薄膜化することによって、前記ベースウェーハ上のBOX層と、該BOX層上のSOI層とからなる構造のエピタキシャル成長用SOIウェーハを作製し、その後、前記SOI層の表面にエピタキシャル層を成長することによって作製される貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法であって、前記エピタキシャル成長用SOIウェーハが前記ボンドウェーハのドーパント濃度と同一のドーパント濃度を有するシリコン単結晶ウェーハであると仮想し、該仮想シリコン単結晶ウェーハにエピタキシャル成長を行った際に発生する反りAを算出し、前記エピタキシャル成長用SOIウェーハの前記BOX層の厚さに起因する反りBを算出し、さらに、前記貼り合わせ前のベースウェーハの反りの実測値を反りCとし、これらの反りの総和ABCを、前記貼り合わせSOIウェーハの反りとして算出することを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法を提供する。このような算出方法によれば、実際のエピタキシャル成長用SOIウェーハの作製やエピタキシャル成長を行わずに貼り合わせSOIウェーハの反りを算出することができる。この場合、前記エピタキシャル成長用SOIウェーハの作製は、イオン注入剥離法で行うことができる。イオン注入剥離法は、作製されるSOI層等の厚さが自由に設定できるという優位性に加え、優れた膜均一性を有するため、様々なデバイス用途に適用されるが、本発明は、このようなイオン注入剥離法により貼り合わせウェーハを製造する場合に好適である。また、前記ボンドウェーハとして、ドーパントがボロンであり、ドーパント濃度が1E18/cm31×1018/cm3以上のp型シリコン単結晶ウェーハを用いることができる。このようなボンドウェーハを用いて貼り合わせSOIウェーハを作製する場合に、特に反りが発生しやすいことから、反りを正確に算出できる本発明の算出方法は特に有用である。また本発明は、シリコン単結晶ウェーハからなるボンドウェーハ及びベースウェーハのうちの少なくとも一方の表面に熱酸化膜を形成し、該熱酸化膜を介して前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとを貼り合わせた後、前記ボンドウェーハを薄膜化することによって、前記ベースウェーハ上のBOX層と、該BOX層上のSOI層とからなる構造のエピタキシャル成長用SOIウェーハを作製し、その後、前記SOI層の表面にエピタキシャル層を成長する貼り合わせSOIウェーハの製造方法において、前記本発明の貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法によって算出された反りが所望の値となるように、前記貼り合わせ前のベースウェーハの反りを調整することを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの製造方法を提供する。このような本発明の製造方法によれば、実際のエピタキシャル成長後に所望の反りを有する貼り合わせSOIウェーハが得られる様に、製造条件を調整することできるため、高性能半導体素子用の基板等として有用なSOI貼り合わせウェーハを効率良く製造することができる。以上詳述したように、本発明の算出方法によれば、エピタキシャル成長用SOIウェーハのSOI層の表面にエピタキシャル層を成長することによって作製される貼り合わせSOIウェーハの反りを、実際の製造を行うことなく算出することができる。そのため、コスト削減や時間短縮等が可能で、工業的に優れている。また、SOIウェーハの仕様を決定する場合にも、好適に使用することができる。また、本発明の製造方法によれば、本発明の算出方法により算出した反りをもとに、貼り合わせ前のベースウェーハの反りを調整するだけで、所望の値の反りを有する貼り合わせSOIウェーハを、簡便かつ確実に製造することができる。以下、本発明について、より詳細に説明する。前述のように、従来の方法により反りを低減させた貼り合わせSOIウェーハを製造しても、該貼り合わせウェーハのSOI層の表面にエピタキシャル層を堆積した場合、エピタキシャル層を形成する前のSOIウェーハの反りはほぼ同等であるにも関わらず、エピタキシャル層形成後にSOIウェーハが大きく反ってしまうという問題点があることを本発明者らは発見した。そこでこのような問題点を解決すべく、本発明者らは、ボロンをドーパントとし、抵抗率の異なるp型抵抗率0.1Ωcm以下、特には0.01Ωcm以下薄膜SOI層を有するエピタキシャル成長用SOIウェーハをイオン注入剥離法により作製し、SOI層をシード層としてそれぞれエピタキシャル層を成長したものを用いて、更に詳細に調査した。その結果、特に、エピタキシャル層の抵抗率がシード層であるSOI層よりも高い抵抗率0.1Ωcmより高い抵抗率、特には1Ωcm以上の場合に、SOI層側が凸形状となるように反ることを見出した。一般的に、SOIウェーハではない通常のシリコン単結晶ウェーハにエピタキシャル層を形成する場合、エピタキシャル成長用シリコンウェーハにおける抵抗値とエピタキシャル層における抵抗値とが異なると、反りが発生することについては従来から知られていた現象である特許文献3等。しかしながら、貼り合わせSOIウェーハの場合、SOI層上に数μmのエピタキシャル層を形成しただけでSOI層側が凸形状となる方向に大きく反ってしまうことは、当業者と言えど予測していなかった現象であった。本発明者らの調査によれば、イオン注入剥離法で作製したSOIウェーハの場合、p型薄膜SOI層の表面にエピタキシャル成長を行うことにより反りが大きくなってしまう現象は、格子定数の小さいp型薄膜SOI層シード層の上に、それよりも格子定数の大きいエピタキシャル層を成長させることに起因するものであることがわかった。イオン注入剥離法で作製されたp型のSOI層は数100nm程度あるいはそれ以下の薄膜であり、その下部には同程度の厚さのシリコン酸化膜等の絶縁膜を介して、SOI層の1000倍以上の厚さを有するベースウェーハ通常抵抗率が存在するものの、p型薄膜SOI層/絶縁膜層/ベースウェーハの各界面は強く結合しているために、あたかもウェーハ全体がp型のシリコン単結晶ウェーハp型ウェーハと同等とみなせるようになり、SOI構造でない通常のシリコン単結晶ウェーハにエピタキシャル層を形成する場合と同様に、p型薄膜SOI層とエピタキシャル層の抵抗率とが異なると、反りが発生するものと考えられる。以上のように、ボロンをドーパントとするp型薄膜SOI層の表面に、低ドーパント濃度のエピタキシャル成長を行うことにより反りが大きくなってしまう現象は、シード層であるSOI層とエピタキシャル層との間のドーパント濃度差に起因する格子定数の相違に原因がある。従って、ボロン以外のドーパントである場合や、イオン注入剥離法以外の方法でエピタキシャル成長用SOIウェーハを作製した場合であっても、SOI層とエピタキシャル層との間の格子定数が相違すれば、同様に反りを生ずることがわかった。そこで、本発明者らは、SOI層の表面にエピタキシャル層を成長することによって作製される貼り合わせSOIウェーハの反りを、実際のエピタキシャル成長用SOIウェーハの作製やエピタキシャル成長を行わずに予測することができれば、実際のエピタキシャル成長後に、所望の反りを有する貼り合わせSOIウェーハが得られる様に製造条件を調整することができるのではないかと考え、鋭意検討を行った。その結果、エピタキシャル成長用SOIウェーハを、そのSOI層を形成したボンドウェーハのドーパント濃度と同一のドーパント濃度を有するシリコン単結晶ウェーハであると仮想し、その仮想シリコン単結晶ウェーハにエピタキシャル成長を行った際に発生する反りを算出すれば、エピタキシャル成長後の貼り合わせSOIウェーハの反りを推定することができることを見出し、本発明の算出方法及び製造方法を完成させた。以下、本発明について更に詳述するが、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明は、シリコン単結晶ウェーハからなるボンドウェーハ及びベースウェーハのうちの少なくとも一方の表面に熱酸化膜を形成し、該熱酸化膜を介して前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとを貼り合わせた後、前記ボンドウェーハを薄膜化することによって、前記ベースウェーハ上のBOX層と、該BOX層上のSOI層とからなる構造のエピタキシャル成長用SOIウェーハを作製し、その後、前記SOI層の表面にエピタキシャル層を成長することによって作製される貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法であって、前記エピタキシャル成長用SOIウェーハが前記ボンドウェーハのドーパント濃度と同一のドーパント濃度を有するシリコン単結晶ウェーハであると仮想し、該仮想シリコン単結晶ウェーハにエピタキシャル成長を行った際に発生する反りAを算出し、前記エピタキシャル成長用SOIウェーハの前記BOX層の厚さに起因する反りBを算出し、さらに、前記貼り合わせ前のベースウェーハの反りの実測値を反りCとし、これらの反りの総和ABCを、前記貼り合わせSOIウェーハの反りとして算出することを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法である。ここで、エピタキシャル成長用のSOIウェーハは、常法により作製されたもの、例えばイオン注入剥離法で作製されたものを用いることができる。また、このとき用いられるボンドウェーハとしては、ウェーハ全体に不純物原子がドープされたシリコン単結晶ウェーハを用いることができ、このようなシリコン単結晶ウェーハとして、ドーパントがボロンであり、ドーパント濃度が1E18/cm3以上のp型シリコン単結晶ウェーハを挙げることができる。尚、この場合、ドーパント濃度の上限値は、特に限定されないが、例えばドーパントのシリコン単結晶への固溶限界濃度以下とすることができる。この場合、ボンドウェーハは、ウェーハ全体に均一にドーパントを有するもののみならず、表面にエピタキシャル層を有する等ボンドウェーハの貼り合わせる表面のドーパント濃度がバルク部と異なるものを用いることもできる。この場合、本発明におけるボンドウェーハのドーパント濃度とは、貼り合わせる表面のドーパント濃度のことを意味する。従って、本発明でいうボンドウェーハのドーパント濃度とは、SOI層のドーパント濃度に一致する。[反りAの算出法]反りAは、エピタキシャル成長用SOIウェーハがボンドウェーハのドーパント濃度と同一のドーパント濃度を有するシリコン単結晶ウェーハであると仮想し、該仮想シリコン単結晶ウェーハにエピタキシャル成長を行った際に発生する反りである。不純物濃度の高いシリコン単結晶ウェーハ上に、ある不純物を高濃度にドープしたエピタキシャル層を形成した場合を考えると、結晶格子の不整合に起因するエピタキシャル層中のひずみeは、弾性変形の範囲では次式1のように表される。e=Δa/aSi1ここで、aSiはシリコン単結晶の格子定数5.431Å、Δaは不純物の導入によって生じた格子定数の変化である。また、エピタキシャル層膜厚が一定の時には、エピタキシャル層中のひずみeは、次式2に示されるように、シリコン単結晶ウェーハ中の不純物濃度yに比例する。e=βy2ここで、βは比例係数である。このβに対しては一般的に次式3が提案されている。β=1-r/rSiN-13ここで、rは不純物原子の共有結合半径、rSiはシリコン原子の結合半径1.17Å、Nはシリコンの原子密度5×1022atoms/cm3である。尚、主な不純物原子ドーパントの共有結合半径単位:Åは次の通りである。Bボロン:0.88、Pリン:1.10、Sbアンチモン:1.35、Asヒ素:1.18また、エピタキシャル層のひずみeとウェーハの彎曲の曲率半径Rとの間には次式4の関係がある。1/R=6ttSe/tSt34ここで、tSは基板の厚さ、tはエピタキシャル層の厚さである。曲率半径とウェーハ半径が分かれば、ウェーハの反りAは、次式5により算出することができる。A=R-√R2-W25ここで、Wはウェーハの半径である。[参考文献:角野浩二監修半導体の結晶欠陥制御の科学と技術シリコン編サイエンスフォーラム1993年]例えば、エピタキシャル成長用SOIウェーハのボンドウェーハとして、直径300mm、抵抗率0.005Ωcmボロンドープ、ウェーハ厚さ775μmのシリコン単結晶ウェーハW=1.5E5μm、y=2.0E19atoms/cm3、tS=775μm、rSi=1.17Å、r=0.88Åを用いる場合、仮想シリコン単結晶ウェーハは、直径300mm、抵抗率0.005Ωcmボロンドープ、ウェーハ厚さ775μmのシリコン単結晶ウェーハW=1.5E5μm、y=2.0E19atoms/cm3、tS=775μm、rSi=1.17Å、r=0.88Åであり、抵抗率10Ωcm、膜厚3.4μmのエピタキシャル層t=3.4μmを形成した際の反りAは、以下の通り、37.4μmと算出される。β=1-r/rSiN-1=1-0.88/1.17/5E22=4.96E-24e=βy=4.96E-24×2.0E19=9.91E-51/R=6ttSe/tSt3=6×3.4×775×9.91E-5/7753.43=3.32E-9R=3.01E8A=R-√R2-W2=3.01E8-√3.01E82-1.5E52=37.4μm[反りBの算出法]反りBは、エピタキシャル成長用SOIウェーハのBOX層の厚さに起因する反りであり、この反りBは、ウェーハ径とBOX層厚に強く依存することが経験的に分かっている。すなわち、ウェーハ径と作製するBOX層厚がわかっていれば、実際のエピタキシャル成長用SOIウェーハの作製を行わずに、反りBを算出することができる。例えば、直径300mmSOIウェーハベースウェーハ厚:775μmの反りBμmは、実験データに基づいて算出した次式で与えられる。B=174tb15.2ここで、tbμmはBOX層厚である。また、直径200mmSOIウェーハベースウェーハ厚:725μmの場合の反りBμmは、経験則として、B=100tbで与えられることがわかっている。このとき、SOI層厚は、その厚さが薄ければ、反りに影響しないことが分かっている。下記に、直径300mmウェーハで、SOI層厚を変えたときの反りデータ実測値を示す。このように、SOI層厚を変化させても、反りはほとんど変化していない。尚、上表はSOI層厚が300nm程度までのデータであるが、イオン注入剥離法で通常作製される程度の厚さ1μm程度以下であれば、SOI層厚は反りにほとんど影響しない。[反りCの測定]反りCは、エピタキシャル成長用SOIウェーハを作製する際、具体的には、ボンドウェーハとの貼り合わせ前の、ベースウェーハの反りの実測値である。反りCの測定方法は特に限定されず、例えば反り測定器例えば、ADE社製AFSにより測定し、反りの大きさμmと反りの方向凹、凸を求めることができる。尚、ベースウェーハの反り測定は各ウェーハ毎に測定してもよいが、同一の加工条件で作製されたベースウェーハであればウェーハ間の差異は小さいので、1枚から数枚程度を抜き取って測定し、その平均値をベースウェーハの反りCとすることもできる。[反りの総和ABCの算出]前記の通り求めたA,B,Cの総和を算出することによって、エピタキシャル成長後の貼り合わせSOIウェーハの反り大きさ、方向を求めることができる。以上のようにして求めたエピタキシャル成長後の貼り合わせSOIウェーハの反りをもとに、本発明は、シリコン単結晶ウェーハからなるボンドウェーハ及びベースウェーハのうちの少なくとも一方の表面に熱酸化膜を形成し、該熱酸化膜を介して前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとを貼り合わせた後、前記ボンドウェーハを薄膜化することによって、前記ベースウェーハ上のBOX層と、該BOX層上のSOI層とからなる構造のエピタキシャル成長用SOIウェーハを作製し、その後、前記SOI層の表面にエピタキシャル層を成長する貼り合わせSOIウェーハの製造方法において、前記本発明の貼り合わせSOIウェーハの反りを算出する方法によって算出された反りが所望の値となるように、前記貼り合わせ前のベースウェーハの反りを調整することを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの製造方法を提供する。すなわち、本発明の算出方法により算出した反りが所望の値SOIウェーハの仕様により決定されるになるように調整するためには、ベースウェーハの反りCの値を調整することで実現することができる。SOI層のドーパント濃度ボンドウェーハのドーパント濃度やBOX層の厚さは、仕様により決定され変更ができないため、予め用いるベースウェーハの反りを調整する。これには、貼り合わせ前のベースウェーハとして、必要な反りを有するベースウェーハ例えば、貼り合わせ面が凹形状を有するウェーハを準備する。このような形状のベースウェーハは、シリコン単結晶インゴットからウェーハの切り出し方を調整したり、貼り合わせ面とは反対側の面だけに熱酸化膜を残したりすることによって得ることができる。以下、実施例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例1ボンドウェーハのドーパント:B下記表2に示す製造条件で貼り合わせSOIウェーハを製造することを想定して、反りA及びBを算出し、ベースウェーハの反りの実測値反りCとの総和により、貼り合わせSOIウェーハの反りを算出した。結果を表3に示す。[製造条件][反り算出結果][実測値による確認]抵抗率0.007Ωcmと0.006Ωcmのボンドウェーハを用いて、上記の製造条件でエピタキシャル成長まで行った貼り合わせSOIウェーハを製造し、反りを測定したところ、反りの大きさはそれぞれ65μm、70μm、反りの方向はいずれもSOI層側が凸正の値であり、上記の算出結果と良く一致していた。[所望の反りを有するSOIウェーハの製造]図1参照抵抗率0.007Ωcmと0.006Ωcmのボンドウェーハ1を用い、エピタキシャル成長後の反りが20μm以下でSOI層側が凸形状の貼り合わせSOIウェーハを作製するため、貼り合わせ前の反りが-55μmのベースウェーハ2貼り合わせ面側が凹を用い、それ以外は上記と同一の製造条件でエピタキシャル成長まで行った貼り合わせSOIウェーハを製造した。その結果、製造された貼り合わせSOIウェーハ3の反りの大きさはそれぞれ10μm、15μm、反りの方向はいずれもSOI層側が凸正の値であり、所望の反り20μm以下、凸形状を有するSOIウェーハが得られることを確認した。実施例2ボンドウェーハのドーパント:P下記表4に示す製造条件で貼り合わせSOIウェーハを製造することを想定して、反りA,Bを算出し、ベースウェーハの反りの実測値反りCとの総和により、貼り合わせSOIウェーハの反りを算出した。結果を表5に示す。[製造条件][反り算出結果][実測値による確認]抵抗率0.005Ωcmのボンドウェーハを用いて、上記の製造条件でエピタキシャル成長まで行った貼り合わせSOIウェーハを製造し、反りを測定したところ、反りの大きさは46μm、反りの方向はいずれもSOI層側が凸正の値であり、上記の算出結果と良く一致していた。Pでは、ドーパントによる反りAの影響は小さく、BOX層厚の反りBの影響が大きいことが分かった。[所望の反りを有するSOIウェーハの製造]抵抗率0.005Ωcmのボンドウェーハを用い、エピタキシャル成長後の反りが20μm以下でSOI層側が凸形状の貼り合わせSOIウェーハを製造するため、貼り合わせ前の反りが-32μmのベースウェーハ貼り合わせ面側が凹を用い、それ以外は上記と同一の製造条件でエピタキシャル成長まで行った貼り合わせSOIウェーハを製造した。その結果、製造された貼り合わせSOIウェーハの反りの大きさは15μm、反りの方向はいずれもSOI層側が凸正の値であり、所望の反り20μm以下、凸形状を有するSOIウェーハが得られることを確認した。実施例3ボンドウェーハのドーパント:Sb下記表6に示す製造条件で貼り合わせSOIウェーハを製造することを想定して、反りA,Bを算出し、ベースウェーハの反りの実測値反りCとの総和により、貼り合わせSOIウェーハの反りを算出した。結果を表7に示す。[製造条件][反り算出結果][実測値による確認]抵抗率0.01Ωcmのボンドウェーハを用いて、上記の製造条件でエピタキシャル成長まで行った貼り合わせSOIウェーハを製造し、反りを測定したところ、反りの大きさは33μm、反りの方向はいずれもSOI層側が凸正の値であり、上記の算出結果と良く一致していた。Sbの場合、ドーパントによる反りAは凹負の値であったが、BOX厚による反りBが凸正の値で大きかったので、全体として、SOI層側が凸正の値に反っていた。[所望の反りを有するSOIウェーハの製造]抵抗率0.01Ωcmのボンドウェーハを用い、エピタキシャル成長後の反りが20μm以下でSOI層側が凸形状の貼り合わせSOIウェーハを製造するため、貼り合わせ前の反りが-20μmのベースウェーハ貼り合わせ面側が凹を用い、それ以外は上記と同一の製造条件でエピタキシャル成長まで行った貼り合わせSOIウェーハを製造した。その結果、製造された貼り合わせSOIウェーハの反りの大きさは15μm、反りの方向はいずれもSOI層側が凸正の値であり、所望の反り20μm以下、凸形状を有するSOIウェーハが得られることを確認した。実施例4ボンドウェーハのドーパント:As下記表8に示す製造条件で貼り合わせSOIウェーハを製造することを想定して、反りA,Bを算出し、ベースウェーハの反りの実測値反りCとの総和により、貼り合わせSOIウェーハの反りを算出した。結果を表9に示す。[製造条件][反り算出結果][実測値による確認]抵抗率0.005Ωcmのボンドウェーハを用いて、上記の製造条件でエピタキシャル成長まで行った貼り合わせSOIウェーハを製造し、反りを測定したところ、反りの大きさは39μm、反りの方向はSOI層側が凸正の値であり、上記の算出結果と良く一致していた。Asの場合、ドーパントによる反りは凹負の値であったが、その数値は極めて小さかった。BOX厚による反りが凸正の値で大きかったので、全体として、SOI層側が凸正の値に反っていた。[所望の反りを有するSOIウェーハの製造]抵抗率0.005Ωcmのボンドウェーハを用い、エピタキシャル成長後の反りが20μm以下でSOI層側が凸形状の貼り合わせSOIウェーハを製造するため、貼り合わせ前の反りが-25μmのベースウェーハ貼り合わせ面側が凹を用い、それ以外は上記と同一の製造条件でエピタキシャル成長まで行った貼り合わせSOIウェーハを製造した。その結果、製造された貼り合わせSOIウェーハの反りの大きさは15μm、反りの方向はいずれもSOI層側が凸正の値であり、所望の反り20μm以下、凸形状を有するSOIウェーハが得られることを確認した。尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。"