"少なくとも発光層を含む機能層を第1電極に積層形成した後、前記機能層に第2電極を積層形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記第2電極は光透過性を有し、且つウエットプロセスにより形成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。第1電極を支持基板として形成することを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。前記第2電極をメッシュ状に形成することを特徴とする請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。第1電極に積層形成される少なくとも発光層を含む機能層と、この機能層に積層形成される第2電極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記第1電極の機能層と反対側に支持基板を備え、前記第2電極は光透過性を有して成ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。第1電極に積層形成される発光層を含む機能層と、この機能層に積層形成される第2電極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記第1電極は支持基板として形成され、前記第2電極は光透過性を有して成ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。前記第2電極がメッシュ状に形成されていることを特徴とする請求項4又は5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、短絡を抑制し、動作信頼性への影響を低減した低コストの有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、少なくとも発光層を含む機能層を第1電極に積層形成した後、前記機能層に第2電極を積層形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記第2電極は光透過性を有し、且つウエットプロセスにより形成されることを特徴とするものである。前記有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にあっては、第1電極を支持基板として形成することが好ましい。前記有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にあっては、前記第2電極をメッシュ状に形成することが好ましい。本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、第1電極に積層形成される少なくとも発光層を含む機能層と、この機能層に積層形成される第2電極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記第1電極の機能層と反対側に支持基板を備え、前記第2電極は光透過性を有して成ることを特徴とするものである。本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、第1電極に積層形成される発光層を含む機能層と、この機能層に積層形成される第2電極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記第1電極は支持基板として形成され、前記第2電極は光透過性を有して成ることを特徴とするものである。前記有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、前記第2電極がメッシュ状に形成されていることが好ましい。本発明は、短絡を抑制し、動作信頼性への影響を低減した低コストの有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができるものである。以下、本発明を実施するための形態を説明する。本発明に係る有機EL素子の層構成の一例を図1に示す。この有機EL素子は、支持基板21、支持基板21上に形成された第1電極27、及び発光層25とホール輸送層24とホール注入層23とを備えた機能層有機層26、機能層26上に形成された光透過性の第2電極22を具備するものである。機能層26は第1電極27の一方の表面に積層して形成されるが、この機能層26が形成される第1電極27の一方の表面は、第2電極22の機能層26側の表面よりも平滑に形成されている。従って、第1電極27の表面の凹凸が機能層26に与える影響を少なくすることができ、第1電極27の表面よりも粗さの大きい第2電極22の表面に機能層26を形成する場合に比べて、機能層26に生じやすい短絡を抑制し、動作信頼性への影響を低減することができるものである。また、第2電極はウェットプロセスで機能層26上に形成することができる。従って、ウェットプロセスで形成した第2電極22上に機能層26を形成した場合に生じやすい短絡を抑制し、動作信頼性への影響を低減した低コストの有機EL素子を形成することができる。上記の支持基板21としては、例えばソーダガラスや無アルカリガラス等のリジッドな透明ガラス板、ポリカーボネートやポリエチレンテレフタレート等のフレキシブルな透明プラスチック板、アルミニウム銅ステンレスなどからなる金属フィルムなど、任意のものを用いることができるが、これらに限定されるものではない。また、何れの種類の支持基板21においても共通するが、有機EL素子の短絡を抑制するために、支持基板21の表面の平滑性が非常に重要である。一般的に、金属フィルムはガラスなどに比べ表面が粗いことがあるが、表面粗さRa100nm以下に抑えることが好ましく、Ra10nm以下に抑えることがさらに好ましい。これにより、支持基板21の表面の粗さが第1電極27に与える影響を少なくすることができ、第1電極27の短絡を抑制しやすくなるものである。第1電極27は陰極として形成することができる。第1電極27を構成する材料としては、AlやAgなど、もしくはこれら金属を含む化合物を用いることができるが、Alと他の電極材料を組み合わせて積層構造などとして構成するものであっても良い。このような電極材料の組み合わせとしては、アルカリ金属とAlとの積層体、アルカリ金属と銀との積層体、アルカリ金属のハロゲン化物とAlとの積層体、アルカリ金属の酸化物とAlとの積層体、アルカリ土類金属や希土類金属とAlとの積層体、これらの金属種と他の金属との合金などが挙げられ、具体的には、例えばナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、リチウム、マグネシウムなどとAlとの積層体、マグネシウム-銀混合物、マグネシウム-インジウム混合物、アルミニウム-リチウム合金、LiF/Al混合物/積層体、Al/Al2O3混合物などを例として挙げることができる。さらに、上記に列挙したもの以外についても、第1電極27から発光層25への電子注入を促進させる層、すなわち電子注入層を第1電極27と発光層25の間に挿入することはより好ましい。電子注入層を構成する材料としては、上記の第1電極27を構成する材料と共通のもの、酸化チタン、酸化亜鉛などの金属酸化物、上記材料を含めて、電子注入を促進させるドーパントを混合した有機半導体材料などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。発光層25を構成する有機エレクトロルミネッセンス材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体等、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素体、金属錯体系発光材料を高分子化したもの等や、アントラセン、ナフタレン、ピレン、テトラセン、コロネン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、トリス8-ヒドロキシキノリナートアルミニウム錯体、トリス4-メチル-8-キノリナートアルミニウム錯体、トリス5-フェニル-8-キノリナートアルミニウム錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ-p-ターフェニル-4-イルアミン、ピラン、キナクリドン、ルブレン、及びこれらの誘導体、あるいは、1-アリール-2,5-ジ2-チエニルピロール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、スチリルアミン誘導体、及びこれらの発光性化合物からなる基を分子の一部分に有する化合物等が挙げられる。また上記化合物に代表される蛍光色素由来の化合物のみならず、いわゆる燐光発光材料、例えばIr錯体、Os錯体、Pt錯体、ユーロピウム錯体等々の発光材料、又はそれらを分子内に有する化合物若しくは高分子も好適に用いることができる。これらの材料は、必要に応じて、適宜選択して用いることができる。ホール輸送層24を構成する材料としては、LUMOが小さい低分子~高分子材料を用いることができ、例えば、ポリビニルカルバゾールPVCzや、ポリピリジン、ポリアニリンなどの側鎖や主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体などの芳香族アミンを含むポリマーなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。ホール注入層23を構成する材料としては、チオフェン、トリフェニルメタン、ヒドラゾリン、アリールアミン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニルアミンなどを含む有機材料が挙げられる。具体的には、ポリビニルカルバゾールPVCz、ポリエチレンジオキシチオフェン:ポリスチレンスルホネートPEDOT:PSS、TPDなどの芳香族アミン誘導体などで、上記材料を単独で用いてもよく、また二種類以上の材料を組み合わせて用いてもよい。第2電極22は陽極として形成することができる。第2電極22を構成する導電性物質としては、銀、インジウム-錫酸化物ITO、インジウム-亜鉛酸化物IZO、錫酸化物、Au等の金属の微粒子、導電性高分子、導電性の有機材料、ドーパントドナーまたはアクセプタ含有機能層、導電体と導電性有機材料高分子含むの混合物、これら導電性材料と非導電性材料の混合物を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。また、非導電性材料としてはアクリル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン、ポリアクリルニトリル、ポリビニルアセタール、ポリアミド、ポリイミド、ジアクリルフタレート樹脂、セルロース系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、その他の熱可塑性樹脂や、これらの樹脂を構成する単量体の2種以上の共重合体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、導電性を高めるために、以下のようなドーパントを用いたドーピングを行っても良い。ドーパントとしては、スルホン酸、ルイス酸、プロトン酸、アルカリ金属、アルカリ土類金属などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。以下に、上記の有機EL素子の製造方法を説明する。まず、支持基板21の一方の表面に第1電極27を形成する。第1電極27はその構成材料に応じて、各種の形成方法を採用することができるが、例えば、非ウエットプロセスやウエットプロセスを挙げることができる。非ウエットプロセスは溶剤を使用しないで第1電極27を形成するものであり、真空蒸着法、スパッタリング法、金属薄膜を熱圧着するラミネート法など挙げることができる。ウエットプロセスは溶剤を使用して第1電極27を形成するものであり、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法などを挙げることができる。第1電極27は第2電極22よりも表面の粗さ凹凸が少ない方が好ましいので、第1電極27はウエットプロセスよりも平滑な表面を形成しやすい非ウエットプロセスで形成するのが好ましい。次に、支持基板21に形成された第1電極27の一方の表面支持基板21と反対側の表面に機能層26を形成する。機能層26はその構成材料に応じて、各種の形成方法を採用することができるが、例えば、上記のウエットプロセスを挙げることができる。機能層26は第1電極27側から発光層25、ホール輸送層24、ホール注入層23の順で順次形成することができる。塗布法などのウエットプロセスで機能層26の各層を積層した場合、下地となる層を溶解させてしまうこと、機能層26の上に次層の塗布溶液が均一に広がらない、濡れ性が悪いなどの問題がある。図5に示すような一般的な有機EL素子の機能層形成順では問題にはならなかった場合でも、逆順の構成にすると、上記の問題が顕著に現れてくる場合がある。このような問題が生じた場合、例えば膜厚については、溶解する分を考慮に入れて、狙いの膜厚以上の膜を形成しておくなどが1つの方法として挙げられる。また、濡れ性の改善するためには、塗布溶液に濡れ性を向上させる溶媒アルコールなどを添加する方法などが挙げられる。次に、支持基板21上の第1電極27に形成された機能層26の一方の表面第1電極27と反対側の表面に第2電極22を形成する。第2電極22は上記のウエットプロセスで形成することができ、この場合、真空蒸着法などのような大掛かりな設備を必要とせず、低コスト化を図ることができるものである。ウェットプロセスで第2電極を形成した場合、第2電極上に機能層を形成する構成の有機EL素子については短絡を抑制するため、第2電極上の表面粗さを低減する必要がある。一般的に第2電極部分は発光エリアを規定するため、第1電極との短絡を防ぐためにパターニング形成する必要がある。これらパターニングをするためには膜形成後のバンク形成やエッチング、スクリーン印刷などによる印刷パターニングの方法がある。通常、バンク形成やエッチングではレジスト塗布、現像液、レジスト剥離液への浸漬の工程があり、ウェットプロセスで形成した第2電極はダメージを受けやすく、第2電極としての特性を低下させてしまう可能性が非常に高い。これに対して、印刷によるパターニングでは、例えば、スクリーン印刷を用いた場合は版メッシュに起因する表面凹凸、グラビア印刷やスリットダイコートなどを用いた場合は塗り始め、塗り終わりに膜厚段差が発生する可能性が非常に高い。これらの表面粗さや膜厚段差は、これら第2電極の上部に機能層を積層して有機EL素子を形成した場合には、短絡の要因になる可能性が高い。何れの印刷においても、印刷インクの粘度を低下させることで塗布後のレベリング性を上げて改善できるが、粘度低下に伴い厚膜化が困難になる。ウェットプロセスで形成する電極材料として、一般的によく使用される高導電タイプPEDOT:PSSなどの導電性高分子材料を用いた場合、膜厚100~200nm程度のITOなどの透明酸化物導電膜と同等の導電性を得ようとすると、500~1000nm程度の膜厚が必要となる。このため、これら導電性高分子材料を用いた場合、印刷インクの粘度を下げることは難しい。また、導電性の高い材料の場合、比較的薄膜で済むため、印刷インクの粘度も低くて問題ないが、粘度を低くした場合、下地との濡れ性の問題やにじみ等の問題があり、安定的に形成するのは容易ではない。しかし、上述のような有機EL素子において、図1に示すような通常の素子形成順序とは逆の積層構造にすることにより、ウェットプロセスで形成された光透過性の第2電極22上に機能層26を形成した場合に比べて、短絡の抑制と動作信頼性が向上するとの知見が得られた。特に、フレキシブルな支持基板21を使用してロールtoロールで各層を塗布形成することにより、プロセスコストを低減させることができる。上記の有機EL素子は、第1電極27及び第2電極22を通じて機能層26に給電し、この給電により発光層25で発光させ、この発光を第2電極22や支持基板21と第1電極27とを通じて取り出すことができる。図2に他の実施の形態の一例を示す。この有機EL素子は、図1のものにおいて、支持基板21と第1電極27とを兼用したものである。その他の構成は、図1と同様である。このように支持基板21と第1電極27とを兼用することにより、支持基板21と第1電極27とを別々に形成する必要が無く、部品点数を低減することができ、また、第1電極27の形成工程も不要となって、低コスト化を図ることができるものである。また、支持基板21にフレキシブルな金属を使用することで、バリアフィルムよりも安価で同等の封止性能を有し、かつ第1電極27を兼ねることができ、これにより大幅なコストダウンを図ることができる。図3に他の実施の形態の一例を示す。この有機EL素子は、図1のものにおいて、第2電極22をメッシュ状網状に形成したものである。その他の構成は図1と同様である。この第2電極22は上記のような導電性材料で形成することができるが、例えば、銀や銅などの金属材料やカーボンなどの導電性材料を細線材に形成し、複数本の細線材を縦横斜めに適宜クロスさせて形成することができる。細線材の幅のサイズとしては1~100μm程度にすることができるが、これらに限定されるものではない。また、細線材の幅間隔、細線材のアスペクト比についても任意のものを用いることができる。また、これらのメッシュ状の第2電極22は上記を含む導電性ペーストをスクリーン印刷などを用いて形成することもできるが、これらに限定されるものではない。このようなメッシュ状の第2電極22の網目開口部30の平面視形状は適宜設定可能であり、図3bに示すように、メッシュ状の第2電極22をグリッド構造格子構造として、平面視で四角形の網目30に形成することができる。また、網目30は平面視形状で三角形や六角形や円等の任意の形状に形成することができる。この第2電極22は網目30を通じて機能層26の発光層25からの発光を容易に取り出すことができる。そして、この有機EL素子は、第2電極22が、導電性透明酸化物により形成された薄膜の場合に比べて、第2電極22の抵抗率およびシート抵抗を小さくすることが可能となり、第2電極22の低抵抗化により輝度むらを低減することが可能となる。図4に他の実施の形態の一例を示す。この有機EL素子は、図3のものにおいて、支持基板21と第1電極27とを兼用したものである。その他の構成は、図3と同様である。以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。実施例1支持基板として厚み0.7mmの無アルカリガラス板No.1737、コーニング製を用い、真空蒸着法により、支持基板上にアルミニウムを80nmの厚みで成膜して第1電極陰極とした。次に、赤色高分子アメリカンダイソース社製LightEmittingpolymerATS111REをTHF溶媒に1wtになるよう溶解した溶液を、陰極上に膜厚が約200nmになるようにスピンコーターで塗布し、100°Cで10分間焼成することによって発光層を得た。次に、TFBPoly[9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl-co-4,4’-N-4-sec-butylphenyldiphenylamine]アメリカンダイソース社製HoleTransportPolymerADS259BEをTHF溶媒に1wtになるよう溶解した溶液を、発光層の上に膜厚約12nmになるようにスピンコーターで塗布してTFB被膜を作製し、これを200°Cで10分間焼成することによって、ホール輸送層を得た。このホール輸送層上にポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸PEDOT-PSSスタルクヴィテック社製BaytronPAI4083、PEDOT:PSS=1:6とイソプロピルアルコールを1:1で混合した溶液をPEDOT-PSSの膜厚が30nmになるようにスピンコーターで塗布し、150°Cで10分間焼成することにより、ホール注入層を得た。さらに、ホール注入層上にITOナノ粒子粒子径約40nm、シーアイ化成社製NanoTek登録商標ITCW15wt-G30にメチルセルロース信越化学社製METOLOSE登録商標60SHを5wt混合した溶液を、スクリーン印刷機を用いて膜厚が300nm程度になるようパターン形成し、120°C15分間乾燥することにより第2電極陽極を形成して、図1のような層構成の有機EL素子を得た。実施例2支持基板としてアルミ箔約30μm厚を用い、この支持基板を第1電極として兼用した。また、支持基板の平滑面側に発光層を実施例1と同一の方法で形成した以外は、実施例1と同様にして図2のような層構成の有機EL素子を得た。実施例3ホール注入層上に高導電性のポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸PEDOT-PSSを塗布して約200nmの高導電ポリマー層を形成した。さらにその表面に印刷用銀ペースト材料を用いて、図3abに示すようなメッシュ状の第2電極をスクリーン印刷で形成して陽極とした。線幅は約40μm、線中心間ピッチは約1000μm、メッシュ高さは約5μmであった。それ以外は、実施例1と同様にして図3aのような層構成の有機EL素子を得た。実施例4ホール注入層上に高導電性のポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸PEDOT-PSSを塗布して約200nmの高導電ポリマー層を形成した。さらにその表面に印刷用銀ペースト材料を用いて、図4に示すようなメッシュ状の第2電極をスクリーン印刷で形成して陽極とした。線幅は約40μm、線中心間ピッチは約1000μm、メッシュ高さは約5μmであった。それ以外は、実施例2と同様にして図4のような層構成の有機EL素子を得た。比較例1支持基板として厚み0.7mmの無アルカリガラス板No.1737、コーニング製を用い、ホール注入層上にITOナノ粒子粒子径約40nm、シーアイ化成社製NanoTek登録商標ITCW15wt-G30にメチルセルロース信越化学社製METOLOSE登録商標60SHを5wt混合した溶液を、スクリーン印刷機を用いて膜厚が300nm程度になるようパターン形成し、120°C15分間乾燥することにより第2電極陽極を形成した。次に、陽極上に、ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸PEDOT-PSSスタルクヴィテック社製BaytronPAI4083、PEDOT:PSS=1:6とイソプロピルアルコールを1:1で混合した溶液をPEDOT-PSSの膜厚が30nmになるようにスピンコーターで塗布し、150°Cで10分間焼成することにより、ホール注入層を得た。さらに、TFBPoly[9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl-co-4,4’-N-4-sec-butylphenyldiphenylamine]アメリカンダイソース社製HoleTransportPolymerADS259BEをTHF溶媒に1wtになるよう溶解した溶液を、ホール注入層の上に膜厚約12nmになるようにスピンコーターで塗布してTFB被膜を作製し、これを200°Cで10分間焼成することによって、ホール輸送層を得た。次に、赤色高分子アメリカンダイソース社製LightEmittingpolymerATS111REをTHF溶媒に1wtになるよう溶解した溶液を、ホール輸送層上に膜厚が約200nmになるようにスピンコーターで塗布し、100°Cで10分間焼成することによって発光層を得た。最後に真空蒸着法により、基板上にアルミニウムを80nmの厚みで成膜して第1電極陰極とすることで、有機EL素子を得た。比較例2支持基板としてアルミ箔約30μm厚を用いて、平滑面側に発光層を比較例1と同一の方法で形成した以外は、比較例1と同様にして有機EL素子を得た。各実施例および比較例にて得られた有機EL素子において、電極間に電流密度が10mA/cm2となるように電流を流し、正面輝度を輝度計トプコンテクノハウス社製BM-7Aにより計測した。表1において、比較例1の正面輝度を1としたときの各正面輝度の相対値を示す。表1に見られるように、正面輝度については実施例1~4は比較例1と同等であるが、駆動電圧については比較例1は実施例1~4に比べて増大している。さらに、金属箔上に順積層構造を形成した比較例2については発光を確認することができなかった。従って、図1に示すような通常の素子形成順序とは逆の積層構造にすることにより、ウェットプロセスで形成された光透過性の陽極第2電極上に機能層有機層を形成した場合に生じやすい短絡の抑制が確認できる。また実施例2、4の結果から、基板として金属箔を用いた場合、金属箔が陰極を兼ねたとしても、特性の低下はみられないことが確認できる。"