プラズマ処理装置内において被処理基板と対向配置されるプラズマ処理装置用電極板であって、厚さ方向に貫通する通気孔が複数設けられてなり、前記通気孔の内壁面には、該通気孔の長さ方向に沿う螺旋状の溝が、少なくとも一条形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置用電極板。前記通気孔の前記被処理基板側の開口部が、該被処理基板と反対側の開口部に比べて、小径に設けられていることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置用電極板。しかしながら、特許文献2及び特許文献3のように、電極板の厚さ方向に対して傾斜する傾斜細孔は接合部を合わせることが難しいため、電極板に複数設けられる通気孔の接合部の形状が不均一になる場合がある。通気孔の接合部が不均一に形成された場合、エッチングガスの流れが不均一となり、被処理基板の場所によってエッチング深さがばらつき、被処理基板全体に均一なエッチング処理ができなくなるおそれがある。また、特許文献4のように、水平経路を設けて各電極板の通気孔をクランク状に連通させて設けた場合にも、個々の通気孔を全て同じ形状に合わせることは難しく、均一にエッチングガスを供給することは難しい。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、プラズマの逆流を防止して冷却板の損傷を防ぐことができ、被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。本発明の電極板は、プラズマ処理装置内において被処理基板と対向配置されるプラズマ処理装置用電極板であって、厚さ方向に貫通する通気孔が複数設けられてなり、前記通気孔の内壁面には、該通気孔の長さ方向に沿う螺旋状の溝が、少なくとも一条形成されていることを特徴とする。通気孔の長さ方向に沿って設けられる螺旋状の溝により、通気孔内部に螺旋状のガス流を生じさせることができるので、プラズマの逆流に対して螺旋状のガス流が抵抗となり、プラズマが各通気孔を通じて冷却板に到達するのを阻止することができる。また、螺旋状の溝に沿ってエッチングガスの流れの直進性を高めつつ半径方向に拡散させることができるので、エッチングガスを被処理基板表面に確実に供給でき、エッチングの面内均一性を向上させることができ、エッチング効率を向上させることができる。また、本発明の電極板において、前記通気孔の前記被処理基板側の開口部が、該被処理基板と反対側の開口部に比べて、小径に設けられているとよい。エッチングガスの流出側に位置する被処理基板側の通気孔開口部を、その反対側の開口部に比べて小径に設けることで、さらにプラズマの逆流防止効果を高められるとともに、エッチングガスの直進性を高めることができる。本発明によれば、プラズマの逆流を防止して冷却板の損傷を防ぐことができるとともに、エッチングガスの流れを均一に保ち、被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができる。以下、本発明の電極板の実施形態を、図面を参照しながら説明する。まず、この電極板が用いられるプラズマ処理装置としてプラズマエッチング装置1について説明する。このプラズマエッチング装置1は、図1の概略断面図に示されるように、真空チャンバー2内の上部に電極板上部電極3が設けられるとともに、下部に上下動可能な架台下部電極4が電極板3と相互間隔をおいて平行に設けられている。この場合、上部の電極板3は絶縁体5により真空チャンバー2の壁に対して絶縁状態に支持されているとともに、架台4の上には、静電チャック6と、その周りを囲むシリコン製の支持リング7とが設けられており、静電チャック6の上に、支持リング7により周縁部を支持した状態でウエハ被処理基板8を載置するようになっている。また、真空チャンバー2の上部にはエッチングガス供給管9が設けられ、このエッチングガス供給管9から送られてきたエッチングガスは拡散部材10を経由した後、電極板3に設けられた通気孔11を通してウエハ8に向かって流され、真空チャンバー2の側部の排出口12から外部に排出される構成とされている。一方、電極板3と架台4との間には高周波電源13により高周波電圧が印加されるようになっている。また、電極板3は、シリコンによって円板状に形成されており、その背面には熱伝導性に優れるアルミニウム等からなる冷却板14が固定され、この冷却板14にも電極板3の通気孔11に連通するように、この通気孔11と同じピッチで貫通孔15が形成されている。そして、電極板3は、背面が冷却板に接触した状態でねじ止め等によってプラズマ処理装置1内に固定される。電極板3の詳細構造については後述する。プラズマエッチング装置1では、高周波電源13から高周波電圧を印加してエッチングガスを供給すると、このエッチングガスは拡散部材10を経由して、電極板3に設けられた通気孔11を通って電極板3と架台4との間の空間に放出され、この空間内でプラズマとなってウエハ8に当り、このプラズマによるスパッタリングすなわち物理反応と、エッチングガスの化学反応とにより、ウエハ8の表面がエッチングされる。また、ウエハ8の均一なエッチングを行う目的で、発生したプラズマをウエハ8の中央部に集中させ、外周部へ拡散するのを阻止して電極板3とウエハ8との間に均一なプラズマを発生させるために、通常、プラズマ発生領域16がシリコン製のシールドリング17で囲われた状態とされている。次に、本発明の第1実施形態の電極板3の詳細構造について図2及び図3を参照しながら説明する。第1実施形態の電極板3には、厚さ方向に平行に貫通する通気孔11が複数設けられている。この通気孔11は、プラズマエッチングを行う際に、電極板3とウエハ8との間にエッチングガスを供給するために用いられる。なお、電極板3は、単結晶シリコン、柱状晶シリコン、又は多結晶シリコンにより円板状に形成されている。通気孔11の内壁面には、通気孔11の長さ方向に沿う螺旋状の溝11aが少なくとも一条形成されている。なお、図2及び図3に示す電極板3においては、2条の溝11aが設けられている。通気孔11は、下孔部のドリル加工後に、レーザー加工により螺旋状の溝11aを加工して形成される。そして、通気孔11は、板厚tが5mm~20mmの電極板3に対して、下孔部の孔径dが0.3mm以上0.8mm以下に形成されており、螺旋状の溝11aは、幅wが0.03mm以上0.80mm以下、深さxが0.03mm以上0.20mm以下に形成されている。また、螺旋状の溝11aは、下孔部の孔径dの1倍以上3倍以下のピッチPで設けられている。このように構成した電極板3においては、通気孔11の長さ方向に沿って設けられる螺旋状の溝11aにより、通気孔11の内部に螺旋状のガス流を生じさせることができるので、プラズマの逆流に対して螺旋状のガス流が抵抗となり、プラズマが各通気孔11を通じて冷却板14に到達するのを阻止することができる。また、螺旋状の溝11aに沿ってエッチングガスの流れの直進性を高めつつエッチングガスを半径方向に拡散させることができるので、エッチングガスをウエハ8の表面に確実に供給でき、エッチングの面内均一性を向上させることができ、エッチング効率を向上させることができる。なお、上述したように、通気孔11の下孔部の孔径dは0.3mm以上0.8mm以下に設けることが好ましい。孔径dが0.3mm未満では、エッチングガスのガス流速が速くなり、螺旋状のガス流とすることができないし、0.8mmを超えて形成した場合、通気孔11を通過するエッチングガスの全体に螺旋状のガス流を生じさせることができない。また、通気孔11の内壁面に形成される螺旋状の溝11aは、下孔部の孔径dの1倍~3倍のピッチで、幅wが0.03mm以上0.80mm以下、深さxが0.03mm以上0.20mm以下に形成されているとよい。螺旋状の溝11aのピッチPが、孔径dよりも小さい1倍未満であると、通気孔11の周辺部溝11a近傍で乱流を引き起こし螺旋状のガス流とすることができないし、ピッチPが孔径dの3倍を超えると、通過するエッチングガスに対して半径方向に拡散する水平成分の流れを与えることができず、螺旋状のガス流を生じさせることができない。図4は、本発明の第2実施形態を示している。この第2実施形態の電極板30においては、図4に示すように、通気孔21の下孔部がラッパ状に形成されており、ウエハ側に位置する放電面30aの開口部が、その反対面30bの開口部に比べて、小径に設けられている。また、通気孔21の内壁面には、通気孔21の長さ方向に沿う螺旋状の溝21aが形成されている。この場合、エッチングガスの流出側に位置する放電面30a側の通気孔開口部を、その反対面30b側の開口部に比べて小径に設けることで、さらにプラズマの逆流防止効果を高められるとともに、エッチングガスの直進性を高めることができる。その他の構成は、第1実施形態のものと同じであり、共通部分に同一符号を付して説明を省略する。本発明の効果確認のために、通気孔に螺旋状の溝を設けた電極板を製造し、電極板使用後に、電極板の冷却板側の表面に生じる放電痕を確認した。また、比較例として、螺旋状の溝が形成されていない通気孔を有する電極板を製造し、同様に放電痕を確認した。電極板は、外径380mm、厚さ10mmの単結晶シリコンの円板を用いて作製し、その単結晶シリコンの円板に、表1に示す条件に対応する通気孔を1000個設けた。なお、各通気孔の下孔加工は、レーザーを用いた非接触加工またはダイヤモンドドリルを用いた機械加工のいずれでもよいが、本実施例においては、ダイヤモンドドリルによる加工を選択した。また、螺旋状の溝は、レーザーによる非接触加工または切削加工により形成できるが、本実施例においては、レーザー加工を選択した。次に、以上のようにして作製した電極板を図1に示されるようなプラズマエッチング装置に取り付けるとともに、予めSiO2層を形成したウエハを対向して取り付け、以下の条件でエッチング試験を実施した。エッチング条件ウエハサイズ:φ300mmチャンバー内圧力:26.7Pa200mTorrエッチングガス組成:90sccmCHF34sccmO2150sccmHe高周波電力:2kW周波数:20kHz処理時間:200時間なお、sccmとは、standardcc/minの略であり、1atm大気圧1013Paで、0°Cあるいは25°Cなどの一定温度で規格化された1分間あたりの流量ccをいう。そして、このような条件でエッチングを行った後の電極板について、冷却板側の表面に放電により生じた変色部円相当径で1mm以上の変色部を1個の放電痕としてカウントした。結果を表1に示す。表1からわかるように、通気孔に螺旋状の溝を設けた電極板の表面には、放電痕が確認されなかった。このように、通気孔に螺旋状の溝を設けることで、プラズマが電極板の背面に回り込むことが防止でき、プラズマが冷却板に到達することを阻止できる。なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。