真空雰囲気中でプラズマを発生させつつ、プラズマによって分解された材料ガスの成分を基板の表面に付着させることにより、基板の表面に薄膜を成膜するアレイアンテナ式のCVDプラズマ装置において、内部を真空状態に減圧可能な真空チャンバーと、前記真空チャンバーの内部側へ材料ガスを供給するガス供給源と、前記真空チャンバーの内部に予め設定した配設方向に間隔を置いて配設され、同一平面上に前記配設方向に直交する方向に間隔を置いて配列された複数本のアンテナ素子を備え、両側に基板をセット可能な基板エリアがそれぞれ形成され、プラズマを発生させる複数のアレイアンテナと、各アレイアンテナに高周波電力を供給する高周波電源と、前記配設方向の一端部側の前記基板エリアと前記真空チャンバーの内壁面との間及び前記配設方向の他端部側の前記基板エリアと前記真空チャンバーの内壁面との間にそれぞれ配設され、片側に基板からの輻射熱を吸収可能な吸収面を有し、基板を冷却する冷却パネルと、隣接する前記基板エリア間に配設され、両側に基板からの輻射熱を吸収可能な吸収面をそれぞれ有し、基板を冷却する中間冷却パネルと、を具備したことを特徴とするアレイアンテナ式のCVDプラズマ装置。各冷却パネルの内部に冷熱媒を循環させるための循環流路が形成され、前記中間冷却パネルの内部に冷熱媒を循環させるための中間循環流路が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のアレイアンテナ式のCVDプラズマ装置。各冷却パネルの前記吸収面及び前記中間冷却パネルの前記吸収面にセラミックスのコーティング処理が施されていることを特徴とする請求項1又は請求項2のうちのいずれかの請求項に記載のアレイアンテナ式のCVDプラズマ装置。各アレイアンテナにおける各アンテナ素子は、U字状又は棒状の誘導結合型電極であることを特徴とする請求項1から請求項3のうちのいずれかの請求項に記載のアレイアンテナ式のCVDプラズマ装置。ところで、アレイアンテナ式のCVDプラズマ装置の生産性を高いレベルまで向上させるには、高周波電源から各アレイアンテナに供給される高周波電力を大きくして、各アレイアンテナの周辺のプラズマ密度を高くする必要がある。一方、各アレイアンテナ周辺のプラズマ密度を高めると、成膜処理中に真空チャンバーの内部の温度が過度に上昇して、基板の表面温度を適正な温度温度範囲に保つことが困難になり、非結晶シリコン膜又は微結晶シリコン膜等の薄膜の品質の低下を招くことになる。つまり、アレイアンテナ式のCVDプラズマ装置の生産性を高いレベルまで向上させつつ、薄膜の品質を高めることは容易でないという問題がある。そこで、本発明は、前述の問題を解決することができる、新規な構成のアレイアンテナ式のCVDプラズマ装置を提供することを目的とする。本発明の特徴は、真空雰囲気中でプラズマを発生させつつ、プラズマによって分解された材料ガスの成分を基板の表面に付着させることにより、基板の表面に薄膜を成膜形成するアレイアンテナ式のCVDプラズマ装置において、内部を真空状態に減圧可能な真空チャンバーと、前記真空チャンバーの内部側へ材料ガスを供給するガス供給源と、前記真空チャンバーの内部に予め設定した配設方向に間隔を置いて配設され、同一平面上に前記配設方向に直交する方向に間隔を置いて配設された複数本のアンテナ素子を備え、両側に基板をセット可能な基板エリアがそれぞれ形成され、プラズマを発生させる複数のアレイアンテナと、各アレイアンテナ各アレイアンテナにおける各アンテナ素子に高周波電力を供給する高周波電源と、前記配設方向の一端部側の前記基板エリアと前記真空チャンバーの内壁面との間及び前記配設方向の他端部側の前記基板エリアと前記真空チャンバーの内壁面との間にそれぞれ配設され、片側前記基板エリアに対向する側に基板からの輻射熱を吸収可能な吸収面を有し、基板を冷却する冷却パネル第1冷却パネルと、隣接する前記基板エリア間に配設され、両側に基板からの輻射熱を吸収可能な吸収面中間吸収面をそれぞれ有し、基板を冷却する中間冷却パネル第2冷却パネルと、を具備したことを要旨とする。なお、特許請求の範囲及び明細書において、設けられとは、直接的に設けられたことの他に、別部材を介して間接的に設けられたことを含む意であって、配設されとは、直接的に配設されたことの他に、別部材を介して間接的に配設されたことを含む意である。また、アンテナ素子には、誘導結合型電極、容量結合型電極等が用いられる。本発明の特徴によると、各基板エリアに基板をセットした状態で、前記真空チャンバーの内部を真空状態に減圧すると共に、前記ガス供給源によって前記真空チャンバーの内部側へ材料ガスを供給する。そして、前記高周波電源によって各アレイアンテナに高周波波電力を供給することにより、各アレイアンテナの周辺にプラズマを発生させつつ、プラズマによって分解された材料ガスの成分を各基板の表面に付着させる。これにより、各基板の表面に薄膜を成膜することができる。ここで、成膜処理中に、各冷却パネルを適宜に作動させることにより、前記配設方向の端部側一端部側又は他端部側の前記基板エリアにセットされた基板端部側の基板からの輻射熱を前記冷却パネルの前記吸収面によって吸収して、端部側の基板を冷却する。また、各中間冷却パネルを適宜に作動させることにより、前記配設方向の中間側の前記基板エリアにセットされた基板中間側の基板からの輻射熱を前記中間冷却パネルの前記吸収面によって吸収して、中間側の基板を冷却する。これにより、前記高周波電源から各アレイアンテナに供給される高周波電力を大きくして、各アレイアンテナの周辺のプラズマ密度を高めても、各基板の表面温度が過度に上昇することを抑えて、各基板の表面温度を適正な温度温度範囲に保つことができる。本発明によれば、各アレイアンテナの周辺のプラズマ密度を高めても、各基板の表面温度を適正な温度に保つことができるため、前記アレイアンテナ式のCVDプラズマ装置の生産性を高いレベルまで向上させつつ、薄膜の品質を高めることができる。本発明の実施形態について図1から図5を参照して説明する。なお、図面中、FFは前方向、FRは後方向、Lは左方向、Rは右方向、Uは上方向、Dは下方向をそれぞれ指してある。図1及び図2に示すように、本発明の実施形態に係るアレイアンテナ方式のCVDプラズマ装置1は、真空雰囲気中でプラズマを発生させつつ、プラズマによって分解された材料ガスの成分を基板Wの表面に付着させることにより、基板Wの表面に非結晶シリコン膜又は微結晶シリコン膜等の薄膜図示省略を成膜形成する装置である。アレイアンテナ式のCVDプラズマ装置1は、箱型の真空チャンバー3を具備しており、この真空チャンバー3は、真空圧を発生させる真空ポンプ等の真空圧発生源5に接続されてあって、内部を真空状態に減圧可能である。また、真空チャンバー3は、箱型のチャンバー本体7の備えており、このチャンバー本体7は、正面側前側にフロント開口部7a、背面側後側にリア開口部7b、両側面側左側及び右側にサイド開口部7cをそれぞれ有している。更に、チャンバー本体7の正面側には、フロント開口部7aを開閉するフロント壁9が設けられており、チャンバー本体7の背面側には、リア開口部7bを開閉するリア壁11が設けられている。そして、チャンバー本体7の両側面側には、サイド開口部7cを開閉するサイド壁ゲートバルブを含む13がそれぞれ設けられており、チャンバー本体7の上側には、天井壁15が設けられている。なお、フロント壁9の内壁面、リア壁11の内壁面、サイド壁13の内壁面、及び天井壁15の内壁面は、それぞれ真空チャンバー3の内壁面に相当する。真空チャンバー3の外側の適宜位置には、真空チャンバー3の内部側へ材料ガスを供給するガス供給ポンプ等のガス供給源17が配設されている。真空チャンバー3の内部には、プラズマを発生させる複数のアレイアンテナ19が予め設定した配設方向本発明の実施形態にあっては、真空チャンバー3の奥行き方向前後方向に間隔を置いて配設されている。また、各アレイアンテナ19は、垂直状態で同一平面上に前記配設方向に直交する方向本発明の実施形態にあっては、真空チャンバー3の幅方向左右方向へ間隔を置いて配設された複数本のアンテナ素子としてのU字形状の複数本の誘導結合型電極21を備えており、各アレイアンテナ19の片側又は両側には、垂直状態の基板Wをセット可能な基板エリアAが形成されている。そして、真空チャンバー3の外側の適宜位置には、各アレイアンテナ19各アレイアンテナ19における各誘導結合型電極21に高周波電力を供給する高周波電源23が配設されている。図2に示すように、各誘導結合型電極21は、上端部が天井壁15にコネクタ25を介して着脱可能に連結されかつ高周波電源23の供給側非接地側に電気的に接続された第1電極棒27と、上端部が天井壁15にコネクタ29を介して着脱可能に連結されかつ第1電極棒27に対して平行であってかつ高周波電源23の接地側に電気的に接続された第2電極棒31と、第1電極棒27の下端部と第2電極棒31の下端部との間に電気的に接続するように連結された接続金具33とを備えている。また、各第1電極棒27は、前述の特許文献1特開2004-143592号公報に示すように、外側にセラミックス又は樹脂等の誘電体からなる外筒図示省略を有しており、各第2電極棒31の内部は、ガス供給源17に接続可能であって、各第2電極棒31の外周面には、基板エリアAに向かって材料ガスを噴出する複数の噴出孔図示省略が上下方向第2電極棒31の長手方向に沿って形成されている。なお、アレイアンテナ19に複数本のアンテナ素子としてU字形状の複数本の誘導結合型電極21を用いる代わりに、I字形状の複数本の誘導結合型電極又は複数本の容量結合型電極等を用いても構わない。図1及び図2に示すように、真空チャンバー3の内部の床面には、左右方向へ延びた一対のガイドレール35が設けられており、一対のガイドレール35には、台車37が左右方向へ移動可能に設けられている。換言すれば、真空チャンバー3の内部の床面には、台車37が一対のガイドレール35を介して左右方向へ移動可能に設けられている。また、台車37は、チャンバー本体7のサイド開口部7cを介して真空チャンバー3の内部に送り出し及び引き出し可能である。そして、台車37には、垂直状態の1枚又は2枚の基板Wを保持する枠状の複数の基板ホルダ39が前後方向に間隔を置いて立設されてある。なお、台車37を真空チャンバー3の内部における基準の台車送り出し位置図2に示す位置に送り出すことによって、各基板エリアAに基板Wがセットされるようになっている。図1及び図3に示すように、フロント壁9の内壁面及びリア壁11の内壁面には、基板Wを冷却する矩形の冷却パネル第1冷却パネル41がブラケット43を介してそれぞれ垂直に配設されおり、換言すれば、前端部側前記配設方向の一端部側の基板エリアAとフロント壁9の内壁面との間及び後端部側前記配設方向の他端部側の基板エリアAとリア壁11の内壁面との間には、冷却パネル41がブラケット43を介してそれぞれ垂直に配設されている。そして、各冷却パネル41の具体的な構成は、次のようになる。各冷却パネル41は、フロント壁9の内壁面又はリア壁11の内壁面にブラケット43を介して設けられた矩形の冷却パネル本体第1冷却パネル本体45を備えており、この冷却パネル本体45は、アルミ等の金属により構成されている。また、冷却パネル本体45は、片側基板エリアAに対向する側に基板Wからの輻射熱を吸収可能な吸収面45fを有してあって、冷却パネル本体45の吸収面45fには、アルミナ等のセラミックスのコーティング処理が施されている図中において、コーティング処理を施した部位には、グレー着色を施してある。更に、冷却パネル本体45の内部には、温調した冷却油冷熱媒の一例を循環させるための蛇行状の循環流路第1循環流路47が形成されており、冷却パネル本体45の吸収面45fは、冷却油の循環により温度制御可能になっている。そして、冷却パネル本体45の左側上端部には、循環流路47に冷却油を導入する導入管第1導入管49が一体的に設けられており、この導入管49は、フロント壁9の左部及びリア壁11の左部を気密的に挿通してある。更に、冷却パネル本体45の右側上端部には、循環流路47から冷却油を導出する導出管第1導出管51が設けられており、この導出管51は、フロント壁9の右部及びリア壁11の右部を気密的に挿通してある。なお、各冷却パネル41がフロント壁9の内壁面又はリア壁11の内壁面に垂直に配設される代わりに、一方のサイド壁13の内壁面に垂直に配設されるようにしても構わない。図1及び図4に示すように、天井壁15の内壁面における各隣接する基板エリアA間には、基板Wを冷却する矩形の中間冷却パネル第2冷却パネル53がブラケット55を介して垂直に配設されている。そして、各中間冷却パネル53の具体的な構成は、次のようになる。各中間冷却パネル53は、天井壁15の内壁面にブラケット55を介して設けられた矩形の中間冷却パネル本体第2冷却パネル本体57を備えており、この中間冷却パネル本体57は、アルミ等の金属により構成されている。また、中間冷却パネル本体57は、両側前側及び後側に基板Wからの輻射熱を吸収可能な吸収面57fをそれぞれ有してあって、中間冷却パネル本体57の各吸収面57fには、アルミナ等のセラミックスのコーティング処理が施されている図中において、コーティング処理を施した部位には、グレー着色を施してある。更に、中間冷却パネル本体57の内部には、温調した冷却油冷熱媒の一例を循環させるための蛇行状の中間循環流路第2循環流路59が形成されており、中間冷却パネル本体57の吸収面57fは、冷却油の循環により温度制御可能になっている。そして、中間冷却パネル本体57の左側上端部には、中間循環流路59に冷却油を導入する中間導入管第2導入管61が一体的に設けられており、この中間導入管61は、天井壁15の左部を気密的に挿通してある。更に、中間冷却パネル本体57の右側上端部には、中間循環流路59から冷却油を導出する中間導出管第2導出管63が一体的に設けられており、この中間導出管63は、天井壁15の右部を気密的に挿通してある。なお、各中間冷却パネル53が天井壁15の内壁面に垂直に配設される代わりに、一方のサイド壁13の内壁面に垂直に配設されるようにしても構わない。図3及び図5に示すように、真空チャンバー3の外側には、各冷却パネル本体45の循環流路47及び各中間冷却パネル本体57の中間循環流路59に温調した冷却油を循環させるサーキュレータ循環ユニット65が配設されている。そして、サーキュレータ65の往き側は、各冷却パネル41の導入管49及び各中間冷却パネル53の中間導入管61に往き回路往き配管67を介して接続されてあって、サーキュレータ65の戻り側は、各冷却パネル41の導出管51及び各中間冷却パネル53の中間導出管63に戻り回路戻り配管69を介して接続されている。また、サーキュレータ65は、サーキュレータ65の戻り側に配設されかつ冷却油と外気等とを熱交換する熱交換器71と、サーキュレータ65の往き側に配設されかつ冷却油を加熱するヒーター73と、熱交換器71とヒーター73との間に配設されかつ冷却油を圧送するポンプ75とを備えている。本発明の実施形態の作用及び効果について説明する。まず、サーキュレータ65によって各冷却パネル本体45の循環流路47及び各中間冷却パネル本体57の中間循環流路59に温調した冷却油を循環させる換言すれば、各冷却パネル41及び各中間冷却パネル53を適宜に作動させることにより、真空チャンバー3の内部の温度を所定の温度本発明の実施形態にあっては、例えば100~300°Cまで昇温させる。次に、台車37を真空チャンバー3の内部における基準の台車送り出し位置に送り出すことにより、各基板Wを対応する基板エリアAにセットする。続いて、真空圧発生源5によって真空チャンバー3の内部へ真空状態に減圧する。また、ガス供給源17によって真空チャンバー3の内部側へ材料ガスを供給することにより、各第2電極棒31の各噴出孔から基板エリアAに向かって材料ガスを噴射する。そして、高周波電源23によって各アレイアンテナ19に高周波波電力を供給することにより、各アレイアンテナ19の周辺にプラズマを発生させつつ、プラズマによって分解された材料ガスの成分を各基板Wの表面に付着させる。これにより、各基板Wの表面に非結晶シリコン膜又は微結晶シリコン膜等の薄膜を成膜形成することができる。ここで、成膜処理中に、サーキュレータ65によって各冷却パネル本体45の循環流路47に温調した冷却油を循環させることにより、前側前記配設方向の一端部側及び後側前記配設方向の他端部側の基板エリアAにセットされた基板端部側の基板Wからの輻射熱を冷却パネル本体45の吸収面45fによって吸収して、端部側の基板Wを冷却する。また、サーキュレータ65によって各中間冷却パネル本体57の中間循環流路59に温調した冷却油を循環させることにより、中間側前記配設方向の中間側の基板エリアAにセットされた基板中間側の基板Wからの輻射熱を中間冷却パネル本体57の吸収面57fによって吸収して、中間側の基板Wを冷却する。これにより、高周波電源23から各アレイアンテナ19に供給される高周波電力を大きくして、各アレイアンテナ19の周辺のプラズマ密度を高めても、各基板Wの表面温度が過度に上昇することを抑えて、各基板Wの表面温度を適正な温度範囲本発明の実施形態にあっては、例えば150~300°Cに保つことができる。特に、各冷却パネル本体45の吸収面45f及び各中間冷却パネル本体57の吸収面57fにセラミックスのコーティング処理が施されているため、各冷却パネル本体45の吸収面45f及び各中間冷却パネル本体57の吸収面57fの熱吸収率を高めて、各基板Wの表面温度が過度に上昇することを十分かつ確実に抑えることができる。従って、本発明の実施形態によれば、各アレイアンテナ19の周辺のプラズマ密度を高めても、各基板Wの表面温度を適正な温度範囲に保つことができるため、アレイアンテナ式のCVDプラズマ装置1の生産性を高いレベルまで向上させつつ、薄膜の品質を高めることができる。なお、本発明は、前述の実施形態の説明に限るものでなく、次のように種々の態様で実施可能である。即ち、各冷却パネル本体45の吸収面45fが冷却油の循環より温度制御可能にする代わりに、熱源冷熱源からの熱伝達又はヒートパイプによる熱伝達により温度制御可能にしても構わない。同様に、各中間冷却パネル本体57の吸収面57fを冷却油の循環により温度制御可能にする代わりに、熱源からの熱伝達又はヒートパイプによる熱伝達により温度制御可能にしても構わない。また、冷却油の代わりに、冷却水等の別の冷熱媒熱媒を各冷却パネル本体45の循環流路47及び各中間冷却パネル本体57の中間循環流路59に循環させるようにしても構わない。複数のアレイアンテナ19の前記配設方向を真空チャンバー3の奥行き方向前後方向とする代わりに、上下方向としても構わない。この場合には、各アレイアンテナ19における複数本の誘導結合型電極21は水平状態で同一平面上に前記配設方向に直交する方向左右方向へ間隔を置いて配設されると共に、各アレイアンテナ19の片側又は両側に水平状態の基板Wをセット可能な基板エリア図示省略が形成されることになる。また、冷却パネル41は前記配設方向の一端側の基板エリアと真空チャンバー3の内壁面との間及び前記配設方向の他端側の基板エリアと真空チャンバー3の内壁面との間にそれぞれ水平に配設されると共に、中間冷却パネル53は各隣接する基板エリアの間に水平に配設されることになる。そして、本発明に包含される権利範囲は、これらの実施形態に限定されないものである。