"互いに積層された複数の絶縁層と、該複数の絶縁層を厚み方向に貫通している貫通導体と、前記複数の絶縁層のうち、少なくとも最下層の絶縁層を含む下部絶縁層よりも上側の上部絶縁層を厚み方向に貫通しているとともに、平面視で前記貫通導体を取り囲むように配置された複数の接地貫通導体とを備えており、前記貫通導体のうち前記上部絶縁層に形成されている部分の下端部におけるインピーダンスが、前記下端部よりも上側の部分におけるインピーダンスよりも小さいことを特徴とする配線基板。前記貫通導体の側面と、該側面に対向する前記接地貫通導体の側面との間の距離が、前記貫通導体のうち前記上部絶縁層を貫通している部分の前記下端部において、該下端部よりも上側の部分よりも小さいことを特徴とする請求項1記載の配線基板。前記貫通導体を伝送される信号の伝送方向に直交する方向における前記貫通導体の断面の面積が、前記貫通導体のうち前記上部絶縁層を貫通している部分の前記下端部において、該下端部よりも上側の部分よりも大きいことを特徴とする請求項1または請求項2記載の配線基板。しかしながら、上記従来の配線基板においては、複数の接地貫通導体と接続パッドとの間で余計な容量キャパシタンスが生じて、この容量に起因して貫通導体の反射特性等の伝送特性が低下する可能性があった。このような問題点に対しては、少なくとも最下層の絶縁層を含む下層の絶縁層において接地貫通導体を非形成とする手段が考えられる。しかし、下層の絶縁層において接地貫通導体を非形成とすると、この下層の絶縁層に形成された貫通導体における容量成分が小さくなるため、貫通導体のインピーダンスが大きくなってしまう可能性がある。本発明は、上記従来の技術の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、貫通導体における高周波信号の伝送特性に優れた配線基板を提供することにある。本発明の一つの態様の配線基板は、互いに積層された複数の絶縁層と、該複数の絶縁層を厚み方向に貫通している貫通導体と、前記複数の絶縁層のうち、少なくとも最下層の絶縁層を含む下部絶縁層よりも上側の上部絶縁層を厚み方向に貫通しているとともに、平面視で前記貫通導体を取り囲むように配置された複数の接地貫通導体とを備えており、前記貫通導体のうち前記上部絶縁層に形成されている部分の下端部におけるインピーダンスが、前記下端部よりも上側の部分におけるインピーダンスよりも小さいことを特徴とする。本発明の一つの態様の配線基板によれば、下部絶縁層において接地貫通導体が配置されていないことから、例えば絶縁基板の下面に配置される接続パッド等の導体層と接地貫通導体との間で余計な容量が生じることが抑制される。また、この配線基板は、貫通導体のうち下部絶縁層を貫通している部分のすぐ上に位置する、上部絶縁層を貫通している部分の下端部におけるインピーダンスが比較的低い。つまり、貫通導体は、インピーダンスが比較的大きい部分のすぐ上の部分において、インピーダンスが比較的小さい。そのため、このインピーダンスが比較的大きい部分と比較的小さい部分とを合わせて、インピーダンスを低く抑えることができる。言い換えれば、貫通導体について、接地貫通導体を非形成としたことによるインピーダンスの増加が打ち消され、反射特性を劣化させるようなインピーダンスが高い部分がないものとみなすことができる。したがって、貫通導体における高周波信号の伝送特性に優れた配線基板を提供することができる。本発明の複数の実施形態の配線基板を、添付の図面を参照して説明する。第1の実施形態図1は本発明の第1の実施形態の配線基板を示す断面図である。積層された複数の絶縁層1によって形成された絶縁基板2と、複数の絶縁層1を厚み方向に貫通している貫通導体3とによって配線基板9が基本的に形成されている。複数の絶縁層1を厚み方向2に貫通する貫通導体3を介して絶縁基板2の下面側と上面側とが電気的に導通されている。絶縁層1は、ガラスセラミック焼結体,酸化アルミニウム質焼結体,窒化アルミニウム質焼結体,ムライト質焼結体,窒化珪素質焼結体,炭化珪素質焼結体等のセラミック焼結材料からなる。絶縁基板2は、例えば、それぞれが絶縁層1となる複数のセラミックグリーンシートが積層され、焼成されて作製されている。セラミックグリーンシートは、例えば絶縁層1がガラスセラミック焼結体からなる場合であれば、酸化ケイ素,酸化ホウ素および酸化アルミニウム等を主成分とする原料粉末を有機溶剤および有機バインダとともに混練してスラリーを作製し、このスラリーをドクターブレード法等の方法でシート状に成形することによって作製することができる。貫通導体3は、上記のように積層された複数の絶縁層1を上下に導通する導電路であり、例えば絶縁基板2の上面に搭載される電子部品図示せずを絶縁基板2の下面に電気的に導出するために形成されている。貫通導体3は、銅や銀,パラジウム,金,タングステン,モリブデン,マンガン等の金属材料により形成されている。また、これらの金属材料は、例えば絶縁基板2と一体的に焼成されてなるメタライズ導体の形態で絶縁層1に形成されている。貫通導体3は、例えば銅からなる場合であれば、銅の金属ペーストを、絶縁基板2となるセラミックグリーンシートの積層体に形成した貫通孔に充填しておき、セラミックグリーンシートと同時焼成することにより形成することができる。セラミックグリーンシートの貫通孔は、金属ピンを用いた機械的な打ち抜き加工や、レーザ加工等の孔あけ加工によって形成することができる。絶縁基板2の下面には、外部電気回路に対する接続用等の導体層5が形成されている。導体層5は、例えば外部電気回路図示せずに電気的に接続される接続パッドである。導体層5が、はんだや導電性接着剤等の導電性接続材を介して外部電気回路の所定部位に電気的および機械的に接続される。導体層5が外部電気回路に電気的に接続されれば、導体層5を介して、絶縁基板2の上面に搭載された電子部品と外部電気回路とが互いに電気的に接続される。接続パッドとして用いられる導体層5は、例えば平面視において円形状や楕円形状,四角形状等のパターンで形成されている。導体層5は、貫通導体3を形成するのと同様の金属材料銅等を用い、同様の金属ペーストを絶縁層1となるセラミックグリーンシートの表面にスクリーン印刷法等の方法で印刷し、同時焼成することによって形成することができる。複数の絶縁層1のうち少なくとも最下層の絶縁層1を含む下部絶縁層11aの上に積層された上部絶縁層11bを厚み方向に貫通して、複数の接地貫通導体4が形成されている。複数の接地貫通導体4は、貫通導体3に生じる容量成分を大きくしてインダクタンス誘導成分を小さくするためのものである。そのため、複数の接地貫通導体4は、貫通導体2を取り囲むように配置されている。複数の接地貫通導体4は、例えば平面視において貫通導体3を中心部とした円形状に配置されている。接地貫通導体4は、貫通導体3と同様の材料を用い、同様の方法で形成することができる。すなわち、例えば、絶縁層1となるセラミックグリーンシートに貫通孔を形成しておき、この貫通孔内に銅等の金属ペーストを充填した後に、セラミックグリーンシートと金属ペーストとを同時焼成することによって、複数の接地貫通導体4を形成することができる。この場合、複数の絶縁層1となる複数のセラミックグリーンシートのそれぞれに貫通孔の形成および金属ペーストの充填を行なった後に、これらの複数のセラミックグリーンシートを積層して焼成するようにしてもよい。また、複数のセラミックグリーンシートの少なくとも一部を積層した後に、これらの積層した複数のセラミックグリーンシートにまとめて、貫通孔の形成および金属ペーストの充填を行なうようにしてもよい。この実施の形態の例において、絶縁層1の複数の層間にそれぞれ接地導体層6が形成されている。接地導体層6は、接地貫通導体4を介して互いに電気的に接続されている。これらの接地導体層6は、例えば接地貫通導体4における接地電位を安定させるためのものである。接地導体層6は、導体層5と同様の材料を用い、同様の方法で形成することができる。接地導体層6は、導体層5には電気的に接続されない。これらの接地貫通導体4は、上部絶縁層11bに形成されているが、複数の絶縁層1のうち少なくとも最下層の絶縁層1を含む下部絶縁層11aには形成されていない。下部絶縁層11aにおいて接地貫通導体4が非形成とされていることによって、絶縁基板2の下面の導体層5と接地貫通導体4との間で余計な容量が生じることが抑制される。この余計な容量成分が抑制されることによって貫通導体3における反射特性が向上して、特に20GHz未満の、比較的低い周波数における伝送特性が向上している。貫通導体3と複数の接地貫通導体4のそれぞれとの隣接間隔互いに対向し合う接地貫通導体4の側面と貫通導体3の側面との間の距離は、貫通導体3において設定されるインピーダンス特性インピーダンスの大きさや、貫通導体3を伝送される信号の周波数、および平面視における絶縁基板2の寸法等の条件に応じて、適宜設定すればよい。例えば、貫通導体3を伝送される信号の周波数が20GHz程度であれば、貫通導体3と接地貫通導体4との隣接間隔は、約100~250μm程度とすればよい。また、貫通導体3および複数の接地貫通導体4のいずれについても、平面視において直径が約75μmの円形状としたとき、上記隣接間隔を約200μmとすればよい。また、複数の接地貫通導体4同士の隣接間隔平面視において互いに隣り合う二つの接地貫通導体4の、それぞれの側面同士の間の距離は、配置される接地貫通導体4の個数や、貫通導体3を伝送される信号の周波数、および平面視における絶縁基板2の寸法等の条件に応じて、適宜設定すればよい。例えば、貫通導体3を伝送される信号の周波数が20GHz程度であれば、複数の接地貫通導体4同士の隣接間隔は、約100~250μm程度とすればよい。また、貫通導体3および複数の接地貫通導体4のいずれについても、平面視において直径が約75μmの円形状としたとき、上記隣接間隔を約200μmとすればよい。また、貫通導体3は、上部絶縁層11bを貫通している部分の下端部3aにおけるインピーダンスが、他の部分におけるインピーダンスよりも小さい。貫通導体3について、このようなインピーダンスが低い部分低インピーダンス部が設けられていることによって、特に20GHz以上の高周波帯域における伝送特性が従来の配線基板図示せずよりも高くなっている。これは、以下のような理由による。すなわち、接地貫通導体4が下部絶縁層11aにおいて形成されていないため、下部絶縁層11aに形成された貫通導体3におけるキャパシタンス容量成分が小さくなり、これに応じてインダクタンスが大きくなってインピーダンスが大きくなる傾向がある。これに対して、このインピーダンスが大きい部分のすぐ上に、上記低インピーダンス部が設けられている。そのため、上記インピーダンスが比較的大きい部分と比較的小さい部分とを合わせた部分において、貫通導体3のインピーダンスを低く抑えることができる。言い換えれば、貫通導体3について、接地貫通導体4を非形成としたことによるインピーダンスの増加が打ち消され、反射特性を劣化させるようなインピーダンスが高い部分がないものとみなすことができる。したがって、貫通導体3における高周波信号の伝送特性に優れた配線基板9を提供することができる。貫通導体3のインピーダンスを小さくするには、貫通導体3において、抵抗を小さくする、インダクタンスを小さくする、およびキャパシタンスを大きくするといった手段を用いればよい。図1に示す例においては、貫通導体3の側面と、その側面に対向する接地貫通導体4の側面との間の距離貫通導体3と接地貫通導体4との隣接間隔が、貫通導体3のうち上部絶縁層11bを貫通している部分の下端部3aにおいて、この下端部3aよりも上側の部分よりも小さい。これにより、貫通導体3のうち上部絶縁層11bを貫通している部分の下端部3a以下、単に下端部3aという場合があるにおけるキャパシタンスが大きくなってインピーダンスが低くなる。この場合には、下端部3aが前述した低インピーダンス部になっている。すなわち、上記のように対向し合う貫通導体3の側面と接地貫通導体4の側面との間の距離前述した、貫通導体3の側面と接地貫通導体4の側面との隣接間隔が小さい場合には、貫通導体3に生じる容量成分が大きくなり、これに応じてインピーダンスが小さくなる。これにより、低インピーダンス部3aが設けられている。なお、図1に示す例においては、平面視における接地貫通導体4の位置が、上記下端部3aに相当する部分において貫通導体3側に近づいている。これによって、貫通導体3と接地貫通導体4との隣接間隔が、下端部3aにおいて下端部3aよりも上側の部分よりも小さくなっている。複数の絶縁層1を貫通している接地貫通導体4について、平面視における位置を一部において他と異ならせる貫通導体3側に近づけるには、複数の絶縁層1のそれぞれに接地貫通導体4を形成する際に、その形成位置を貫通導体3側に近くすればよい。上記下端部3aにおける貫通導体3の側面と接地貫通導体4との隣接間隔は、下端部3aよりも上側の部分における貫通導体3の側面と接地貫通導体4との隣接間隔に比べて約50~75μm程度小さくすればよい。例えば、貫通導体3を伝送される信号の周波数が20~40GHz程度の場合であるときに、下端部3aにおける貫通導体3の側面と接地貫通導体4との隣接間隔が50μm程度小さくなれば、貫通導体3のインピーダンスが約1~3Ω程度小さくなる。貫通導体3と接地貫通導体4との隣接間隔を小さくする範囲貫通導体3の長さ方向、つまり信号の伝送方向の距離は、接地貫通導体4が形成されていないことによる貫通導体3のインピーダンスの増加を打ち消すことができる程度の範囲に設定する。すなわち、貫通導体3のうち下部絶縁層11aに形成された部分つまりインピーダンスが高くなる部分の長さに応じて、貫通導体3と接地貫通導体4との隣接間隔を小さくする範囲を設定すればよい。一例を挙げて説明する。貫通導体3および複数の接地貫通導体4がいずれも平面視で円形状であり、貫通導体3のうち下部絶縁層11aに形成された部分の長さが例えば約100μmであり、貫通導体3を伝送される信号の周波数が約20~40GHzであり、下端部3a以外の部分における貫通導体3と接地貫通導体4との隣接間隔が約200μm程度の場合であれば、下端部3aにおける貫通導体3と接地貫通導体4との隣接間隔が約150μm程度としたとき、貫通導体3と接地貫通導体4との隣接間隔を小さくする範囲は約75μm程度とすればよい。なお、下端部3aにおける貫通導体3と接地貫通導体4との隣接間隔を小さくするには、例えば、接地貫通導体4の径直径等を下端部3aに対応する部分において大きくしたり、貫通導体3の径直径等を大きくしたりしてもよい。図1に示す例においては、上部絶縁層11bのうち最下層のものにおいて、接地貫通導体4の位置が貫通導体3にズレて近づいている。これによってインピーダンスを小さくする手法を表している。この場合は、上部絶縁層11bのうち最下層のもの1層のみに限らず、この最下層のもの1層を含む複数の下部絶縁層11bにわたって、それらの絶縁層11bにおける接地貫通導体4の位置を貫通導体3に近づけた位置に配してもよい。第2の実施形態図2は、本発明の第2の実施形態の配線基板9bを示す断面図である。図2において図1と同様の部位には同様の符号を付している。第2の実施形態の配線基板9bにおいて、貫通導体3の断面積が、上部絶縁層11bに形成された部分の下端部3aにおいて、この下端部3bよりも上側の部分よりも大きい。これ以外の部位については、前述した第1の実施形態の配線基板9aと同様である。第2の実施形態の配線基板9bにおいて、第1の実施形態の配線基板9aと同様の部位については説明を省略する。なお、上記貫通導体3の断面積とは、貫通導体3を伝送される信号の伝送方向に直交する方向における断面の面積である。第2の実施形態の配線基板9bは、上記下端部3aにおける貫通導体3の断面積が、下端部3aにける貫通導体3の断面積よりも大きいことによって、インピーダンスが比較的低い部分が形成されている。すなわち、貫通導体3のうち上部絶縁層11bを貫通している部分の下端部3aにおける断面積が比較的大きく、この下端部3aが低インピーダンス部3aとなっている。上記のように貫通導体3の断面積が大きい場合には、貫通導体3における抵抗Rが小さくなり、これに応じてインピーダンスが小さくなる。なお、貫通導体3の断面積を大きくする場合、例えば貫通導体3が平面視において円形状のときであれば、その直径を大きくすればよく、貫通導体3が平面視で四角形状の場合であれば、その対角線の長さを大きくすればよい。また、貫通導体3が平面視で楕円形状の場合であれば、その長軸および短軸の少なくとも一方を大きくすればよい。また、図2に示す例においては、上部絶縁層11bのうち最も下側のもの1bにおいて貫通導体3の断面積が大きい。これによって、貫通導体3のうち上部絶縁層11bに形成された部分の下端部3a以下、単に下端部3aというにおける断面積が、下端部3aよりも上の部分における断面積よりも大きくなっている。上記下端部3aにおける貫通導体3の断面積を大きくする場合、上部絶縁層11bのうち最下層のもの1層のみに限らず、この最下層のもの1層を含む複数の絶縁層11bにわたって、それらの絶縁層11bにおける貫通導体3の断面積を大きくするようにしてもよい。上記下端部3aにおける貫通導体3の径は、貫通導体3と接地貫通導体4との電気絶縁性の確保や、貫通導体3用の貫通孔を形成する際に作業性等を考慮すれば、下端部3aよりも上側の部分における貫通導体3の径に比べて約12~15倍程度とすることが適当である。貫通導体3の断面積を大きくする範囲貫通導体3の長さ方向、つまり信号の伝送方向の距離は、接地貫通導体4が形成されていないことによる貫通導体3のインピーダンスの増加を打ち消すことができる程度の範囲に設定する。すなわち、貫通導体3のうち下部絶縁層11aに形成された部分つまりインピーダンスが高くなる部分の長さに応じて、貫通導体3の断面積を大きくする範囲を設定すればよい。一例を挙げて説明する。貫通導体3および複数の接地貫通導体4がいずれも平面視で円形状であり、貫通導体3のうち下部絶縁層11aに形成された部分の長さが例えば約100μmであり、貫通導体3を伝送される信号の周波数が約20~40GHzであり、下端部3a以外の部分における貫通導体3の径が約200μm程度の場合であれば、下端部3aにおける貫通導体3の径を約100μm程度としたとき、貫通導体3と接地貫通導体4との隣接間隔を小さくする範囲は約75μm程度とすればよい。変形例図3は、上記第1および第2の実施形態の配線基板9a,9bの変形例の配線基板9cを示す断面図である。図3において図1および図2と同様の部位には同様の符号を付している。図3に示す配線基板9cにおいては、貫通導体3のうち上部絶縁層11bを貫通している部分の下端部3a以下、単に下端部3aというにおける断面積が、下端部3aよりも上の上部絶縁層11bに形成された部分における断面積よりも大きくなっている。また、下端部3aにおける貫通導体3と接地貫通導体4との隣接間隔が、下端部3aよりも上の部分における貫通導体3と接地貫通導体4との隣接間隔よりも小さくなっている。つまり、変形例の配線基板9cは、上部絶縁層11bに形成された貫通導体3の下端部3aにおいて、前述した第1および第2の実施形態の配線基板9a,9bにおける、上部絶縁層11bに形成された貫通導体3の下端部の特徴を兼ね備えている。これにより、貫通導体3におけるインピーダンスの調整、つまり下部絶縁層11aに接地貫通導体4が形成されていないことによるインピーダンスの増加の打ち消しがより容易な配線基板9cを提供することができる。また、図3に示す配線基板9cにおいては、積層された複数の絶縁層1の上に他の絶縁層11が積層されて、絶縁基板2が形成されている。他の絶縁層11には、例えば絶縁基板1の上面から内部にかけて導通するように他の導体層7が形成されている。他の導体層7のうち絶縁基板2の上面に位置している部分に、絶縁基板2の上面に搭載される電子部品が電気的に接続される。この電子部品は、他の導体層7を介して絶縁基板2の内部に位置する貫通導体3や接地貫通導体4と電気的に接続される。他の導体層7は、導体層5と同様の材料を用い、同様の方法で形成することができる。他の絶縁層11が積層されて他の導体層7が形成されていることによって、例えば絶縁基板2の上面における、電子部品の電気的な接続のためのパッド等の形成がより容易な配線基板9cとなっている。以下の要領で、実施例の配線基板を100個準備した。ホウケイ酸ガラスおよび酸化アルミニウムを主成分とするガラスセラミック焼結体からなる絶縁層を7層積層し、これらの7層の絶縁層を下端から上端まで貫通した、平面視で円形状の貫通導体を形成した。また、絶縁層のうち下から2層下部絶縁層を除く5層上部絶縁層について、貫通導体を取り囲むように、平面視で円形状の複数の接地貫通導体を形成した。貫通導体の径は、上部絶縁層のうち最下層に形成されている部分において約100μmとし、他の絶縁層上記最下層以外の上部絶縁層および下部絶縁層において約75μmとした。また、貫通導体の側面とその側面に対向する接地貫通導体の側面との間の距離つまり貫通導体と接地貫通導体との隣接間隔は、上部絶縁層のうち最下層に形成されている部分において約150μmとし、他の絶縁層上記最下層以外の上部絶縁層および下部絶縁層において約200μmとした。接地貫通導体は、平面視において貫通導体の中心の位置を中心とする円の円周上にほぼ等間隔に配置した。つまり、この円の中心と各接地貫通導体の中心とを結ぶ線分同士の間の角度中心角を約60度とした。比較例の配線基板として、貫通導体の径を、その貫通導体の下端から上端まで約75μmとし、貫通導体と接地貫通導体との隣接間隔を、接地貫通導体の下端から上端まで約200μmとした配線基板を100個準備した。上記実施例および比較例の配線基板について、貫通導体の反射特性をインピーダンス測定器により測定した。測定結果を図4に示す。図4は、実施例の配線基板および比較例の配線基板における、貫通導体を伝送される信号の周波数Frequencyに応じた貫通導体の反射特性ReturnLossを示す線図である。図4において、実施例の配線基板における貫通導体の反射特性を実線で示し、比較例の配線基板における貫通導体の反射特性を破線で示している。この結果より、実施例の配線基板においては、特に周波数が20GHzを超える高周波帯域において特に反射特性が良好であることを確認できた。"