電源電力をモータに供給するモータ制御装置であって、直流電力と交流電力とを互いに変換する電力変換部と、前記モータの回生運転時に発生する回生電力を消費する回生電力消費部と、を備え、前記電力変換部は、前記電源電力または前記モータの相数に応じた複数の電力変換用パワー半導体素子を有し、前記回生電力消費部は、前記回生電力を熱として消費する回生抵抗の通電制御を実行する回生用パワー半導体素子を有し、前記回生用パワー半導体素子は、前記複数の電力変換用パワー半導体素子の間に配置されていることを特徴とするモータ制御装置。前記複数の電力変換用パワー半導体素子と、前記回生用パワー半導体素子とは、同一ベース板上に配置され、一体化モジュールを構成していることを特徴とする請求項1に記載のモータ制御装置。しかしながら、従来技術には、以下のような課題がある。特許文献1に記載されたエレベータの運転制御装置では、電力変換用パワー半導体素子は、冷却ファンによって冷却されるものの、回生用パワー半導体素子の冷却については、何等考慮されていない。そのため、回生用パワー半導体素子について、十分な温度リップルの抑制効果を得ることができず、回生用パワー半導体素子の寿命が短くなるという問題がある。また、特許文献2に記載されたインバータ電源装置では、回生用パワー半導体素子である回生トランジスタが、電力変換用パワー半導体素子であるダイオードの下側に実装されている図2参照。そのため、エレベータのかごの走行モータの力行運転および回生運転/停止による回生用パワー半導体素子の温度リップルについて、何等考慮されていないという問題もある。この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、回生用パワー半導体素子の温度リップルを抑制し、回生用パワー半導体素子の寿命を向上させることができるモータ制御装置を得ることを目的とする。この発明に係るモータ制御装置は、電源電力をモータに供給するモータ制御装置であって、直流電力と交流電力とを互いに変換する電力変換部と、モータの回生運転時に発生する回生電力を消費する回生電力消費部と、を備え、電力変換部は、電源電力またはモータの相数に応じた複数の電力変換用パワー半導体素子を有し、回生電力消費部は、回生電力を熱として消費する回生抵抗の通電制御を実行する回生用パワー半導体素子を有し、回生用パワー半導体素子は、複数の電力変換用パワー半導体素子の間に配置されているものである。この発明に係るモータ制御装置によれば、電力変換部は、電源電力またはモータの相数に応じた複数の電力変換用パワー半導体素子を有し、回生電力消費部は、回生電力を熱として消費する回生抵抗の通電制御を実行する回生用パワー半導体素子を有し、回生用パワー半導体素子は、複数の電力変換用パワー半導体素子の間に配置されている。そのため、モータの力行運転時に発熱する電力変換用パワー半導体素子と、モータの回生運転時に発熱する回生用パワー半導体素子との配置を最適化することができ、回生用パワー半導体素子の冷却時温度変化が、電力変換用パワー半導体素子の発熱によって緩やかになる。したがって、回生用パワー半導体素子の温度リップルを抑制し、回生用パワー半導体素子の寿命を向上させることができる。以下、この発明に係るモータ制御装置の好適な実施の形態につき図面を用いて説明するが、各図において同一、または相当する部分については、同一符号を付して説明する。なお、以下の各実施の形態では、このモータ制御装置が、エレベータ装置に適用された場合について説明する。実施の形態1.図1は、この発明の実施の形態1に係るモータ制御装置を含むエレベータ装置を示すブロック構成図である。図1において、このエレベータ装置は、三相交流電源1、遮断器2、コンタクタ3、コンバータ4電力変換部、平滑コンデンサ5、インバータ6、巻上モータ7、回生用パワー半導体素子モジュール8、回生抵抗9、インバータゲートドライバ10、エレベータ制御回路11、回生素子制御回路ヒステリシスコンパレータ12および回生素子ゲートドライバ13を備えている。遮断器2は、三相交流電源1をオン、オフする。コンタクタ3は、エレベータ制御回路11からのオン、オフ指令に応じて、エレベータの走行時に投入される。コンバータ4は、三相交流電源1からの三相交流電力を直流電力に変換する。ここで、コンバータ4は、三相交流電源1の各相R相、S相、T相について、それぞれダイオードが2個直列接続されたものが1パッケージに入った2素子入りダイオードモジュール電力変換用パワー半導体素子4a、4b、4cの例を示している。平滑コンデンサ5は、コンバータ4からの直流電力を平滑化する。インバータ6は、インバータゲートドライバ10からの指令に応じて、平滑コンデンサ5で平滑化された直流電力を、所望の交流電力に変換し、巻上モータ7を回転駆動する。巻上モータ7は、エレベータのかご図示せずを昇降させる。回生用パワー半導体素子モジュール8は、巻上モータ7の回生運転時に発生する回生電力を熱として消費する回生抵抗9の通電制御スイッチング動作を実行する。また、回生用パワー半導体素子モジュール8は、ブレーキ用のモジュールであり、回生素子ゲートドライバ13からの指令に応じてスイッチング動作を実行するトランジスタ回生素子と、フライホイールダイオードとを内蔵している。ここで、回生用パワー半導体素子モジュール8および回生抵抗9により、回生電力を消費する回生電力消費部が構成されている。インバータゲートドライバ10は、エレベータ制御回路11からの駆動指令に応じて、インバータ6内の電力変換用パワー半導体素子トランジスタを駆動する。エレベータ制御回路11は、外部から入力される運転停止指令および速度指令に応じて、コンタクタ3にオン、オフ指令を出力するとともに、インバータゲートドライバ10に駆動指令を出力する。回生素子制御回路12は、平滑コンデンサ5の両端電圧が所定値を超えた場合に、回生素子ゲートドライバ13に対してオン指令を出力し、所定値を下回った場合にオフ指令を出力する。回生素子ゲートドライバ13は、回生素子制御回路12からの指令に応じて、回生用パワー半導体素子モジュール8内の回生素子をオン、オフする。図2a、bは、この発明の実施の形態1に係るモータ制御装置における電力変換用パワー半導体素子および回生用パワー半導体素子を示す実装図である。図2において、R、S、T、BR1、BR2、P、Nは、図1に示した接続端子と同一の接続端子を示している。また、図2において、放熱フィン21上には、コンバータ4を構成するダイオードモジュール4a、4b、4cおよび回生用パワー半導体素子モジュール8が実装されている。ダイオードモジュール4a、4b、4cおよび回生用パワー半導体素子モジュール8は、それぞれブスバー22およびブスバー23と接続されている。ここで、ブスバー22は、コンバータ直流母線の極を構成し、ブスバー23は、コンバータ直流母線の-極を構成している。図2aでは、パワー半導体素子モジュールの配列が、上からダイオードモジュール4a、4b、回生用パワー半導体素子モジュール8、ダイオードモジュール4cとなっており、回生用パワー半導体素子モジュール8が、ダイオードモジュール4bとダイオードモジュール4cとの間に挟まれて実装されている。なお、図2bに示すように、回生用パワー半導体素子モジュール8が、ダイオードモジュール4aとダイオードモジュール4bとの間に挟まれて実装されていてもよい。以下、図1、2とともに、図3を参照しながら、回生用パワー半導体素子モジュール8の温度変化について説明する。図3は、この発明の実施の形態1に係るモータ制御装置における回生用パワー半導体素子モジュール8の温度変化を説明するためのタイミングチャートである。図3において、上段はエレベータの運転パターンを示し、下段は、エレベータの運行パターンに応じた回生用パワー半導体素子モジュール8の回生素子直下のベース板温度を、上述した従来技術特許文献2のものと比較して示している。図3より、従来のものでは、巻上モータの回生運転時にのみ回生素子が発熱することにより、回生素子直下のベース板温度が上昇し、巻上モータの力行運転時には、ダイオードモジュールからの熱の影響をあまり受けず、ベース板温度が下降し続ける。そのため、T1の温度変化を生じる破線参照。これに対して、この発明の実施の形態1のものでは、回生用パワー半導体素子モジュール8が、ダイオードモジュール4bとダイオードモジュール4cとの間に挟まれて実装されている。そのため、回生用パワー半導体素子モジュール8は、巻上モータ7の力行運転時において、これらのダイオードモジュール4b、4cの発熱の影響を受けてやや温度上昇し、回生素子直下のベース板温度は、T2の温度変化を生じる実線参照。すなわち、回生用パワー半導体素子モジュール8を、ダイオードモジュール4bとダイオードモジュール4cとの間に配置することにより、温度変化T2<T1となる。これにより、回生用パワー半導体素子モジュール8の冷却時温度変化が、ダイオードモジュール4b、4cの発熱によって緩やかになる。そのため、回生用パワー半導体素子モジュール8の半田接合部やワイヤボンド部に加わる繰り返し熱ストレスが軽減され温度リップルが抑制され、素子の破損が防止されて寿命が向上する。なお、回生素子は、スイッチングによるサージ電圧を極力抑制するために、平滑コンデンサ5の近傍に配置されるのが通例である。しかしながら、エレベータの運転によって生じる繰り返し熱ストレスを軽減するためには、サージ電圧を多少犠牲にしても、この発明は有効である。ここで、サージ電圧は、回生素子の近傍に、サージ吸収用スナバ回路を配置することにより、抑制することができる。以上のように、実施の形態1によれば、電力変換部は、電源電力またはモータの相数に応じた複数の電力変換用パワー半導体素子を有し、回生電力消費部は、回生電力を熱として消費する回生抵抗の通電制御を実行する回生用パワー半導体素子を有し、回生用パワー半導体素子は、複数の電力変換用パワー半導体素子の間に配置されている。そのため、モータの力行運転時に発熱する電力変換用パワー半導体素子と、モータの回生運転時に発熱する回生用パワー半導体素子との配置を最適化することができ、回生用パワー半導体素子の冷却時温度変化が、電力変換用パワー半導体素子の発熱によって緩やかになる。したがって、回生用パワー半導体素子の温度リップルを抑制し、回生用パワー半導体素子の寿命を向上させることができる。なお、実施の形態1では、コンバータ4を構成するダイオードモジュール4a、4b、4cの間に回生用パワー半導体素子モジュール8を配置する構成とした。しかしながら、これに限定されず、回生用パワー半導体素子モジュール8は、インバータ6電力変換部を構成する電力変換用パワー半導体素子の間に配置されてもよい。この場合であっても、上記実施の形態1と同様の効果を得ることができる。実施の形態2.図4は、この発明の実施の形態2に係るモータ制御装置における電力変換用パワー半導体素子および回生用パワー半導体素子を示す実装図である。図4において、ベース板31上には、絶縁用のセラミック基板32を介して、コンバータ4を構成するダイオード素子電力変換用パワー半導体素子33a、33b、33c、33d、33e、33f、並びに回生用パワー半導体素子34およびフライホイールダイオード35が実装されている。また、セラミック基板32上には、導電性の銅パターン36a、36b、36c、36d、36e、36fが形成されている。なお、銅パターンの代わりに、銅バーを用いてもよい。銅パターン36aは、コンバータ直流母線の極を構成し、銅パターン36bは、コンバータ直流母線の-極を構成している。また、銅パターン36cはR端子、銅パターン36dはS端子、銅パターン36eはBR2端子、銅パターン36fはT端子の引き出し部となる。また、ダイオード素子33a、33b、33c、33d、33e、33f、回生素子34およびフライホイールダイオード35は、それぞれチップ表面から電流を取り出すためのワイヤボンド37、もしくは、チップ裏面のはんだ付けによって、銅パターン36a、36b、36c、36d、36e、36fと接続されている。以上のように、実施の形態2によれば、複数の電力変換用パワー半導体素子と、回生用パワー半導体素子とは、同一ベース板上に配置され、一体化モジュールを構成している。そのため、実施の形態1と同様の効果を得られるとともに、装置の小型化を実現することができる。なお、実施の形態2では、図4において、回生素子34およびフライホイールダイオード35をA部一点鎖線参照に実装した例、すなわち、上側にS相のダイオード素子33b、33eを配置し、下側にT相のダイオード素子33c、33fを配置した構成を示した。しかしながら、これに限定されず、回生素子34およびフライホイールダイオード35をB部破線参照に実装し、上側にR相のダイオード素子33a、33dを配置し、下側にS相のダイオード素子33b、33eを配置してもよい。この場合であっても、上記実施の形態2と同様の効果を得ることができる。