炭素と、前記炭素中に原子レベルで分散するように添加されたドーパントと、不可避不純物とで構成され、一体の固体であって、結晶化部分を含む、黒鉛。前記ドーパントは、V族元素またはIII族元素である、請求項1に記載の黒鉛。前記V族元素またはIII族元素の濃度は、1×1014cm3以上1×1022cm3以下である、請求項2に記載の黒鉛。前記黒鉛は、一部に結晶化部分を含む結晶状あるいは多結晶であり、前記黒鉛の密度は0.8gcm3より大きい、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の黒鉛。前記V族元素またはIII族元素は、気相状態で炭化水素ガスと混合されて前記黒鉛中に添加される、請求項1から請求項4のいずれかに記載の黒鉛。真空チャンバ内で、1500°C以上の温度に基材を加熱する工程と、前記真空チャンバ内に、炭化水素ガスと、V族元素またはIII族元素を含むガスとを導入し、前記基材上に前記V族元素またはIII族元素を含有する黒鉛を形成する工程と、を備えた、黒鉛の製造方法。前記黒鉛を形成する前記基材の表面を、ダイヤモンドあるいは黒鉛で構成した、請求項6に記載の黒鉛の製造方法。前記炭化水素ガスと、前記V族元素またはIII族元素を含むガスとを、前記基材の表面に向けて流すようにした、請求項6または請求項7に記載の黒鉛の製造方法。前記炭化水素ガスは、メタンガスである、請求項6から請求項8のいずれかに記載の黒鉛の製造方法。前記V族元素を含むガスは、前記V族元素の水素化物からなる第1のガス、トリメチルリン、トリエチルリン、トリメチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、ターシャリブチルホスフィンから選ばれる一つ以上のガスからなる第2のガス、トリメチルヒドラジン、アンモニアから選ばれる一つ以上のガスからなる第3のガス、トリメチル砒素、トリエチル砒素、ターシャリブチルアルシンから選ばれる一つ以上のガスからなる第4のガス、トリメチルアンチモン、トリエチルアンチモン、ターシャリブチルアンチモンから選ばれる一つ以上のガスからなる第5のガス、トリメチルビスマス、トリエチルビスマス、ターシャリブチルビスマスから選ばれる一つ以上のガスからなる第6のガスのいずれかである、請求項6から請求項9のいずれかに記載の黒鉛の製造方法。前記III族元素を含むガスは、前記III族元素の水素化物からなる第1のガス、トリメチル硼素、トリエチル硼素、トリメチルボレートから選ばれる一つ以上のガスからなる第2のガス、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、ジメチルアルミニウムハイドライド、トリイソブチルアルミニウムから選ばれる一つ以上のガスからなる第3のガス、トリメチルガリウム、トリエチルガリウムから選ばれる一つ以上のガスからなる第4のガス、トリメチルインジウム、トリエチルインジウムから選ばれる一つ以上のガスからなる第5のガス、トリメチルタリウム、トリエチルタリウムから選ばれる一つ以上のガスからなる第6のガスのいずれかである、請求項6から請求項9のいずれかに記載の黒鉛の製造方法。しかしながら、上述のように黒鉛にドーパントを固溶させて添加する方法では、ドーパントを黒鉛中に原子レベルで分散させることは困難である。そのため、ドーパントが固溶した黒鉛をダイヤモンドに直接変換した場合、ドーパントクラスター等が生じてしまう。また、ドーパントを黒鉛に固溶する際に、ドーパントの水素化物、酸化物等が生じる。これらの触媒作用により、変換後のダイヤモンドの結晶粒径が局所的に異常に大きくなることもある。この結果、結晶粒径の揃ったドープトナノ多結晶ダイヤモンドを作製するのが困難となる。また、黒鉛中にドーパントが不均一に分布している場合、ダイヤモンドに直接変換した際に、ドーパントが偏析している部分、つまりドーパント濃度が高い部分で、ダイヤモンドの結晶粒径が局所的に大きくなる。そのため、数10nm~数100μm程度にまでダイヤモンドの結晶粒径がばらつくこととなる。その結果、ダイヤモンドの結晶粒径の分布が不均一となり、ダイヤモンドの硬度低下の要因にもなる。そこで、次に考えられるのは、黒鉛粉末とドーパント粉末とを可能な限り細かく粉砕し、厳密に選別した上でこれらの粉末を混合し、さらに加熱反応処理を施したものを原料とする方法である。ところが、この方法でも、原子レベルで黒鉛とドーパントとを混合することが難しく、ドーパント原子の多くは、少なくとも2つ以上の原子が集まったクラスター状になる。そのため、ドーパントの濃度分布が生じ易くなり、ダイヤモンドの結晶粒界も部分的に急成長し易くなる。その結果、ナノサイズに揃った結晶粒を持つドープトナノ多結晶ダイヤモンド焼結体を得ることは困難である。本発明は、上記のような課題に鑑みなされたものであり、ドーパントが均一にドープされたドープトナノ多結晶ダイヤモンドを作製可能な黒鉛およびその製造方法を提供することを目的とする。本発明に係る黒鉛は、炭素と、該炭素中に原子レベルで分散するように添加されたドーパントと、不可避不純物とで構成される。黒鉛は、一体の固体であって、結晶化部分を含む。上記ドーパントとしては、たとえばV族元素またはIII族元素を使用可能である。上記黒鉛におけるV族元素またはIII族元素の濃度は、好ましくは、1×1014cm3以上1×1022cm3以下程度である。上記黒鉛は、たとえば一部に結晶化部分を含む結晶状あるいは多結晶であり、黒鉛の密度は、好ましくは、0.8gcm3より大きい。上記V族元素またはIII族元素は、気相状態で炭化水素ガスと混合されて黒鉛中に添加されることが好ましい。本発明に係る黒鉛の製造方法は、真空チャンバ内で、1500°C以上の温度に基材を加熱する工程と、真空チャンバ内に、炭化水素ガスと、V族元素またはIII族元素を含むガスとを導入し、基材上にV族元素またはIII族元素を含有する黒鉛を形成する工程とを備える。上記黒鉛を形成する基材の表面を、ダイヤモンドあるいは黒鉛で構成することが好ましい。また、炭化水素ガスと、V族元素またはIII族元素を含むガスとを、基材の表面に向けて流すようにすることが好ましい。上記炭化水素ガスは、たとえばメタンガスである。上記V族元素を含むガスとしては、たとえばV族元素の水素化物からなる第1のガス、トリメチルリン、トリエチルリン、トリメチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、ターシャリブチルホスフィンから選ばれる一つ以上のガスからなる第2のガス、トリメチルヒドラジン、アンモニアから選ばれる一つ以上のガスからなる第3のガス、トリメチル砒素、トリエチル砒素、ターシャリブチルアルシンから選ばれる一つ以上のガスからなる第4のガス、トリメチルアンチモン、トリエチルアンチモン、ターシャリブチルアンチモンから選ばれる一つ以上のガスからなる第5のガス、トリメチルビスマス、トリエチルビスマス、ターシャリブチルビスマスから選ばれる一つ以上のガスからなる第6のガスのいずれかを使用可能である。上記III族元素を含むガスとしては、たとえばIII族元素の水素化物からなる第1のガス、トリメチル硼素、トリエチル硼素、トリメチルボレートから選ばれる一つ以上のガスからなる第2のガス、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、ジメチルアルミニウムハイドライド、トリイソブチルアルミニウムから選ばれる一つ以上のガスからなる第3のガス、トリメチルガリウム、トリエチルガリウムから選ばれる一つ以上のガスからなる第4のガス、トリメチルインジウム、トリエチルインジウムから選ばれる一つ以上のガスからなる第5のガス、トリメチルタリウム、トリエチルタリウムから選ばれる一つ以上のガスからなる第6のガスのいずれかを使用可能である。本発明に係る黒鉛は、炭素中に原子レベルで分散するように添加されたドーパントを備えるので、該黒鉛を焼結することで、従来にないレベルでドーパントが均一にドープされたドープトナノ多結晶ダイヤモンドを作製することができる。本発明に係る黒鉛の製造方法では、真空チャンバ内に、炭化水素ガスと、V族元素またはIII族元素を含むガスとを導入して、1500°C以上の温度に加熱した基材上にV族元素またはIII族元素を含有する黒鉛を形成するので、炭素中に原子レベルで分散するようにドーパントを添加することができる。この黒鉛を焼結することで、従来にないレベルでドーパントが均一にドープされたドープトナノ多結晶ダイヤモンドを作製することができる。以下、本発明の実施の形態について図1~図2を用いて説明する。本実施の形態における黒鉛グラファイトは、該黒鉛本体を構成する炭素中に原子レベルで分散するように添加されたドーパントを備える。該黒鉛では、上記炭素中でドーパント原子がクラスター状に凝集することがなく、黒鉛全体にわたってほぼ均一に分散した状態となる。理想的には、ドーパント原子は、上記炭素中で、互いにほぼ孤立したような状態で存在する。ここで、原子レベルで分散するとは、本願明細書では、たとえば、真空雰囲気中で、炭素と、ドーパントとなる元素とを、気相状態で混合させて固化した場合に、黒鉛本体を構成する炭素中にドーパントが分散するレベルの分散状態をいう。このように、本実施の形態の黒鉛が炭素中に原子レベルで分散するドーパントを備えるので、該黒鉛を焼結することで、従来にないレベルでドーパントが均一にドープされた多結晶ダイヤモンドを作製することができる。また、ドーパントが黒鉛本体中に原子レベルで分散するので、ダイヤモンドに変換後においてもドーパントの濃度分布が生じ難くなり、ダイヤモンドの結晶粒の局所的な異常成長をも抑制することができる。その結果、ダイヤモンドの結晶粒のサイズを10~100nm程度の大きさに揃えることもできる。黒鉛に加えるドーパントとしては、様々な元素が考えられるが、該黒鉛を用いて作製したダイヤモンドに導電性を付与するには、たとえばV族元素やIII族元素を添加することが考えられる。V族元素は、炭素に対して電子が一個多い結合を取り得る元素であり、ダイヤモンドにおいてドナーとなる元素である。V族元素としては、たとえば、リン、窒素、砒素、アンチモン、ビスマス等を挙げることができる。これらの元素から選ばれる一つ以上の元素を本実施の形態の黒鉛のドーパントとして使用可能であるが、同様の機能を有する他の元素を使用してもよい。V族元素の中では、リンが好適であるが、リンを単独で使用してもよく、リンと他の元素とを組合せた混合元素を使用することも可能である。III族元素は、炭素に対して電子が一個少ない結合を取り得る元素であり、ダイヤモンドにおいてアクセプターとなる元素である。III族元素としては、たとえば、硼素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム等を挙げることができる。これらの元素から選ばれる一つ以上の元素を本実施の形態の黒鉛のドーパントとして使用可能であるが、同様の機能を有する他の元素を使用してもよい。III族元素の中では、硼素が好適であるが、硼素と他の元素と組合せた混合元素を使用することも可能である。上記ドーパントを原子レベルで炭素に添加するには、各ドーパント元素と炭素とを気相状態で混合することが最適である。このように各ドーパント元素と炭素とを気相状態で混合することで、元素同士を原子レベルで混合することができ、結果として黒鉛本体を構成する炭素中に原子レベルでドーパント元素を分散させることができる。上記ドーパント濃度は、任意に設定可能である。ドーパント濃度を高くすることも低くすることも可能である。いずれの場合も、原子レベルで黒鉛中に分散させることができるので、黒鉛中で従来のようなドーパントの濃度分布が生じるのを効果的に回避することができる。焼結後にダイヤモンドに導電性を付与するためには、黒鉛中のドーパント濃度を合計で1×1014cm3以上1×1022cm3以下程度とすることが好ましい。また、ダイヤモンドを金属的な良導体とするためには、ドーパント濃度を1×1019cm3以上とすることが好ましい。ダイヤモンドに半導体性を付与するためには、1×1014cm3以上1×1019cm3未満程度とすることが好ましい。本実施の形態の黒鉛は、不可避不純物をも含む。該黒鉛中に混入する不可避不純物としては、たとえば窒素、水素、酸素などが挙げられる。後述する本実施の形態の手法によれば、これらの不可避不純物の量を、たとえば0.01質量以下とすることができる。つまり、本実施の形態の黒鉛中の不可避不純物濃度を、SIMSSecondaryIonMassSpectrometry分析での検出限界以下程度とすることができる。具体的には、本実施の形態の黒鉛中の水素の濃度を、たとえば2×1018cm3以下程度、酸素の濃度を、たとえば2×1017cm3以下程度、窒素の濃度を、たとえば2×1017cm3以下程度とすることができる。図1に示すように、本実施の形態の黒鉛1は、基材2上に形成され、一体の固体であり、結晶化部分を含む。図1の例では、黒鉛1は、平板状の形状を有しているが、任意の形状、厚みとすることが考えられる。図1に示すように、黒鉛1には、該黒鉛1全体にわたって原子レベルで分散するようにドーパント3が添加されており、ドーパント3は従来のようにクラスター状に凝集していない。上記黒鉛は、たとえば一部に結晶化部分を含む結晶状あるいは多結晶であり、黒鉛の密度は、好ましくは、0.8gcm3より大きい。それにより、黒鉛を焼結した際の体積変化を小さくすることができる。また、黒鉛を焼結した際の体積変化を小さくして歩留まりを向上させるという観点から、実験的には、黒鉛の密度を1.4gcm3以上2.0gcm3以下程度とすることが更に好ましい。黒鉛の密度を上記の範囲とするのは、黒鉛の密度が1.4gcm3よりも低い場合には、高温高圧プロセス時の体積変化が大きすぎて、温度制御がきかなくなることがあると考えられるからである。また、黒鉛の密度が2.0gcm3より大きいと、ダイヤモンドに割れの発生する確率が2倍以上になってしまうことがあるからである。次に、本実施の形態の黒鉛の製造方法について説明する。まず、真空チャンバ内で、1500°C以上3000°C以下程度の温度に基材を加熱する。加熱方法としては周知の手法を採用することができる。たとえば、基材を直接あるいは間接的に1500°C以上の温度に加熱可能なヒータを真空チャンバに設置することが考えられる。基材としては、1500°C~3000°C程度の温度に耐え得る材料であれば、いかなる金属、無機セラミック材料、炭素材料であってもよい。しかし、黒鉛に不純物を混入させないという観点から、基材を炭素で作製することが好ましい。より好ましくは、基材を、不純物の極めて少ないダイヤモンドや黒鉛で構成することが考えられる。また、少なくとも上記基材の表面を、ダイヤモンドや黒鉛で構成すればよい。次に、真空チャンバ内に、炭化水素ガスと、V族元素やIII族元素等のドーパント元素を含むガスとを導入する。このとき、真空チャンバ内の真空度は、20~100Torr程度にしておく。それにより、炭化水素ガスとドーパント元素を含むガスとを真空チャンバ内で混合することができ、加熱した基材上に、V族元素やIII族元素等のドーパント元素を原子レベルで取り込んだ黒鉛を形成することができる。なお、混合ガスの導入後に基材を加熱し、該基材上にドーパント元素を含む黒鉛を形成するようにしてもよい。上記炭化水素ガスとしては、たとえばメタンガスを使用可能である。V族元素を含むガスとしては、たとえばV族元素の水素化物からなるガスを使用可能である。また、V族元素を含む有機金属系のガスも使用可能である。リンを黒鉛に添加する場合には、トリメチルリン、トリエチルリン、トリメチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、ターシャリブチルホスフィンから選ばれる一つ以上のガスを使用することができ、窒素を黒鉛に添加する場合には、トリメチルヒドラジン、アンモニアから選ばれる一つ以上のガスを使用することができ、砒素を黒鉛に添加する場合には、トリメチル砒素、トリエチル砒素、ターシャリブチルアルシンから選ばれる一つ以上のガスを使用することができ、アンチモンを黒鉛に添加する場合には、トリメチルアンチモン、トリエチルアンチモン、ターシャリブチルアンチモンから選ばれる一つ以上のガスを使用することができ、ビスマスを黒鉛に添加する場合には、トリメチルビスマス、トリエチルビスマス、ターシャリブチルビスマスから選ばれる一つ以上のガスを使用することができる。また、上記ガスの2つ以上を適宜混合することも考えられる。上記III族元素を含むガスとしては、たとえばIII族元素の水素化物からなるガスを使用可能である。また、III族元素を含む有機金属系のガスも使用可能である。硼素を黒鉛に添加する場合には、トリメチル硼素、トリエチル硼素、トリメチルボレートから選ばれる一つ以上のガスを使用することができ、アルミニウムを黒鉛に添加する場合には、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、ジメチルアルミニウムハイドライド、トリイソブチルアルミニウムから選ばれる一つ以上のガスを使用することができ、ガリウムを黒鉛に添加する場合には、トリメチルガリウム、トリエチルガリウムから選ばれる一つ以上のガスを使用することができ、インジウムを黒鉛に添加する場合には、トリメチルインジウム、トリエチルインジウムから選ばれる一つ以上のガスを使用することができ、タリウムを黒鉛に添加する場合には、トリメチルタリウム、トリエチルタリウムから選ばれる一つ以上のガスを使用することができる。なお、上記各ドーパント元素を組合せて黒鉛に添加することも可能である。また、ドーパント元素を含むガス同士の混合ガスの割合は、様々なものとすることができる。各元素を含む割合は、合成チャンバーの構成にもよるが、10-7~100とすることができる。また、黒鉛の形成時に、炭化水素ガスと、V族元素やIII族元素を含むガスとを、基材の表面に向けて流すようにすることが好ましい。それにより、基材近傍で効率的に各ガスを混合することができ、ドーパント元素を含有する黒鉛を効率的に基材上に生成することができる。炭化水素ガスやドーパント含有ガスは、基材の真上から基材に向けて供給してもよく、斜め方向あるいは水平方向から基材に向けて供給するようにしてもよい。真空チャンバ内に、炭化水素ガスやドーパント含有ガスを基材に導く案内部材を設置することも考えられる。上記のようにして製造した黒鉛を焼結することで、従来にないレベルでドーパントが均一にドープされたドープトナノ多結晶ダイヤモンドを作製することができる。図2に、本発明の1つの実施の形態における黒鉛を使用して作製したドープトナノ多結晶ダイヤモンド中のドーパント元素硼素および不純物分布の一例を示す。なお、図2に示されるドープトナノ多結晶ダイヤモンドは、上述の本実施の形態の手法で作製した硼素含有黒鉛を、10-2Paの真空雰囲気中で、2000°Cで熱処理して得られたものである。また、ドーパントである硼素濃度や不純物濃度はSIMS分析にて測定した。図2に示されるように、ダイヤモンド中のドーパント元素硼素濃度および各不純物の濃度の深さ方向のばらつきが小さくなっているのがわかる。また、本実施の形態における黒鉛を使用して作製したナノ多結晶ダイヤモンド中の不純物量が極めて低い値となっていることがわかる。下記の表1に、硼素源としてのB4Cと、従来の手法で作製した黒鉛とを混合し、10-2Paの真空雰囲気中で、2000°Cで熱処理することで、黒鉛に硼素を固溶して得られた硼素ドープトナノ多結晶ダイヤモンドと、本実施の形態の黒鉛を用いて作製した硼素ドープトナノ多結晶ダイヤモンドについて、B4Cの混入率を比較した結果を示す。表1に示すように、黒鉛に硼素を固溶して得られた硼素ドープトナノ多結晶ダイヤモンドでは、添加する硼素濃度が増大するにつれてB4Cの混入率が高くなるのに対し、本実施の形態の黒鉛を用いて作製した硼素ドープトナノ多結晶ダイヤモンドでは、添加する硼素濃度が増大しても、B4Cの混入率は0.01未満と極めて低くなっているのがわかる。次に、本発明の実施例について説明する。真空チャンバー内でメタンガスとトリメチル硼素を1:1で混合し、1900°Cに加熱したダイヤモンド基材上に上記混合ガスを吹き付けた。このとき、真空チャンバー内の真空度は20~30Torrとした。すると、基板上に硼素を含有する黒鉛が堆積した。この黒鉛のかさ密度は2.0g/cm3であった。ICPInductivelyCoupledPlasma元素分析によると、黒鉛中の硼素濃度は0.06であった。作製した硼素濃度0.06の黒鉛を、超高圧装置を用いて、合成温度2200°C、15GPaでダイヤモンドに変換し、黒鉛から直接、板状のp型ドープトナノ多結晶ダイヤモンドを得た。該多結晶ダイヤモンドの結晶粒径は、各々10~100nmの大きさであった。X線パターンから、B4Cの析出などは見られなかった。また、上記のドープトナノ多結晶ダイヤモンドのヌープ硬度は120GPaであった。ドープトナノ多結晶ダイヤモンドから3mm×1mmの大きさの基板を切り出し、電気抵抗を測定したところ、電気抵抗値は100Ωであった。真空チャンバー内でメタンガスとホウ酸トリメチルを11で混合し、1900°Cに加熱したダイヤモンド基材上に上記混合ガスを吹き付けた。このとき、真空チャンバー内の真空度は20~30Torrとした。すると、基材上に硼素を含有する黒鉛が堆積した。この黒鉛のかさ密度は2.0g/cm3であった。ICP元素分析によると、黒鉛中の硼素濃度は0.5であった。作製した硼素濃度0.5の黒鉛を、超高圧装置を用いて、合成温度2200°C、15GPaでダイヤモンドに変換し、黒鉛から直接、板状のp型ドープトナノ多結晶ダイヤモンドを得た。該多結晶ダイヤモンドの結晶粒径は、各々10~100nmの大きさであった。X線パターンから、B4Cの析出などは見られなかった。このドープトナノ多結晶ダイヤモンドのヌープ硬度は120GPaであった。ドープトナノ多結晶ダイヤモンドから3mm×1mmの大きさの基板を切り出し、電気抵抗を測定したところ、電気抵抗値は10Ωであった。<比較例1>粒径2μm以下の純黒鉛とB4Cを混合し、この混合物を2000°Cで焼成し、炭素中に硼素を固溶させた。黒鉛中の硼素濃度は0.5であった。作製した硼素濃度0.5の黒鉛を、超高圧装置を用いて、温度2200°C、15GPaでダイヤモンドを作製した。この多結晶ダイヤモンドの結晶粒径は各々1μm~100μmの大きさであり、結晶粒のサイズのばらつきは大きかった。この多結晶ダイヤモンドのヌープ硬度は75GPaであった。上記多結晶ダイヤモンドから3mm×1mmの基板を切り出し、電気抵抗を測定したところ、電気抵抗値は10Ωであった。<比較例2>粒径2μm以下の純黒鉛を硼素を含む溶液に12時間浸した後に取り出し、2000°Cで加熱処理を行った。黒鉛中の硼素濃度は0.003であった。液をアルカリ性にしても、酸性にしても、有機溶媒にしても、ほとんど黒鉛中に硼素が取り込まれることは無かった。<比較例3>かさ密度0.8g/cm3の黒鉛を用いてp型ドープトダイヤモンドを作製した場合、黒鉛の体積変化が大きいため、合成途中に異常が生じて装置を停止せざるを得ない状況が発生する頻度が2倍以上であった。真空チャンバー内でメタンガスとトリメチルリンを1:1で混合し、1900°Cに加熱したダイヤモンド基材上に上記混合ガスを吹き付けた。このとき、真空チャンバー内の真空度は20~30Torrとした。すると、基材上にリンを含有する黒鉛が堆積した。この黒鉛のかさ密度は2.0g/cm3であった。ICP元素分析によると、黒鉛中のリン濃度は0.06であった。作製したリン濃度0.06の黒鉛をし、超高圧装置を用いて、合成温度2200°C、15GPaでダイヤモンドに変換し、黒鉛から直接、板状のn型ドープトナノ多結晶ダイヤモンドを得た。該多結晶ダイヤモンドの結晶粒径は、各々10~100nmの大きさであった。X線パターンから、リン単相の析出などは見られなかった。このドープトナノ多結晶ダイヤモンドのヌープ硬度は120GPaであった。ドープトナノ多結晶ダイヤモンドから3mm×1mmの大きさの基板を切り出し、電気抵抗を測定したところ、電気抵抗値は100Ωであった。真空チャンバー内でメタンガスとリン酸トリメチルを11で混合し、1900°Cに加熱したダイヤモンド基材上に上記混合ガスを吹き付けた。このとき、真空チャンバー内の真空度は20~30Torrであった。すると、基材上にリンを含有する黒鉛が堆積した。この黒鉛のかさ密度は2.0g/cm3であった。ICP元素分析によると、黒鉛中のリン濃度は0.5であった。作製したリン濃度0.5の黒鉛を、超高圧装置を用いて、合成温度2200°C、15GPaでダイヤモンドに変換し、黒鉛から直接、板状のn型ドープトナノ多結晶ダイヤモンドを得た。該多結晶ダイヤモンドの結晶粒径は、各々10~100nmの大きさであった。X線パターンから、リン単相の析出などは見られなかった。このドープトナノ多結晶ダイヤモンドのヌープ硬度は120GPaであった。ドープトナノ多結晶ダイヤモンドから3mm×1mmの大きさの基板を切り出し、電気抵抗を測定したところ、電気抵抗値は10Ωであった。<比較例4>粒径2μm以下の純黒鉛と赤リンとを混合し、この混合物を2000°Cで焼成し、炭素中にリンを固溶させた。黒鉛中のリン濃度は0.5であった。作製したリン濃度0.5の黒鉛を、超高圧装置を用い、温度2200°C、15GPaでダイヤモンドを作製した。この多結晶ダイヤモンド中には、肉眼でも明らかに不透明な部分と透明な部分とが存在することを確認できた。該多結晶ダイヤモンドの結晶粒径は各々100μm~500μmの大きさであり、結晶粒のサイズのばらつきは大きかった。この多結晶ダイヤモンドの透明部分リンドープされていない部分のヌープ硬度は100GPaであり、不透明な部分リンドープされている部分のヌープ硬度は60GPaであり、これらの部分は互いに分離していた。上記多結晶ダイヤモンドから3mm×1mmの基板を切り出し、電気抵抗を測定したところ、電気抵抗値は800kΩであった。<比較例5>粒径2μm以下の純黒鉛を、リンを含む溶液に12時間浸した後に取り出し、2000°Cで加熱処理を行った。黒鉛中のリン濃度は0.001以下であった。液をアルカリ性にしても、酸性にしても、有機溶媒にしても、ほとんど黒鉛中にリンが取り込まれることは無かった。<比較例6>かさ密度0.8g/cm3の黒鉛を用いてn型ドープトダイヤモンドを作製した場合も、比較例3の場合と同様に、黒鉛の体積変化が大きいため、合成途中に異常が生じて装置を停止せざるを得ない状況が発生する頻度が2倍以上であった。以上の実施例では、真空チャンバー内の真空度を20~100Torrとし、該真空チャンバー内で、炭化水素ガスと、V族元素またはIII族元素を含むガスとを混合し、1500°Cから1900°Cの温度に加熱した基材上に供給することで、該基材上に、固相で、かさ密度が1.4g/cm3から2.0g/cm3である、原子レベルでV族元素やIII族元素が分散された黒鉛を作製できることを確認できた。また、当該黒鉛を用いることで、電気抵抗値が10Ω~100Ω程度、結晶粒径結晶粒の最大長さが各々10~100nm程度の大きさのドープトナノ多結晶ダイヤモンドを作製できることも確認できた。しかし、上記以外の範囲の条件であっても、特許請求の範囲に記載の範囲であれば、所望の特性を有する黒鉛を作製できるものと考えられる。以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、上述の実施の形態および実施例を様々に変形することも可能である。また、本発明の範囲は上述の実施の形態および実施例に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むことが意図される。