高周波の信号伝送に用いられる高速伝送コネクタにおける導体配線同士の配線接触構造であって、第1の導体配線の断面と、第2の導体配線の断面とが接触する部分に、誘電性ペーストが備わることを特徴とする配線接触構造。前記第1の導体配線の断面と、前記第2の導体配線の断面とは、メッキによる表面処理がなされていることを特徴とする請求項1に記載の配線接触構造。ところで、車両用高速伝送コネクタにおいては形状の小型化高密度化からバネの低接触荷重化が求められている。しかし、接触荷重と接触部に生じる電気抵抗は反比例する関係にあることから、電気抵抗を上昇させない低荷重化が課題となっていた。つまり、接触荷重の低減と接触抵抗の低減の両立が求められていた。例えば、円筒状の導体について断面同士を接触することで電気的接続を確保する構造では、両導体の接触荷重を十分に高くすることで、実際の接触面積を大きくするようにしていた。図4に、一般的な、導体同士の接触構造コネクタ接続構造110の断面図を示す。図4bは、図4aの断面構造に、電流の流れを矢印で模式的に示したものである。図示のように、コネクタ接続構造110では、第1の配線20と第2の配線30とを接続するもので、導体22、32の断面部分のメッキ部24、34が、接触部26、36を構成している。ここで、接触部26、36は、表面荒さの観点から、図示のように突形状となっており、接触した状態にあっても空隙部50が形成されている。そして従来では、接触抵抗を低減するために、空隙部50を極力少なくするように考慮され、例えば、弾性力バネ構造や嵌合力を用いた接触荷重を強くすることで、空隙部50を潰し接触面積を拡大させたり、空隙部50の導電性ペーストを塗布して、実質的な電気抵抗を低下させたりしていた。しかし、上述の通り、コネクタの小型化等の観点から、接触荷重は小さくしたいという要望があった。また、導電性ペーストを塗布する点については、端子の高密度化により端子間の距離が近くなっており、導電性ペーストの流動性による短絡発生回避の対策が必要となり別の技術が必要となっていた。本発明の目的は、このような状況に鑑みてなされたものであり、上記課題を解決する技術を提供することにある。本発明のある態様は、高周波の信号伝送に用いられる高速伝送コネクタにおける導体配線同士の配線接触構造であって、第1の導体配線の断面と、第2の導体配線の断面とが接触する部分に、誘電性ペーストが備わる。前記第1の導体配線の断面と、前記第2の導体配線の断面とは、メッキによる表面処理がなされてもよい。本発明によれば、高周波の信号伝送に用いられる高速伝送コネクタにおける導体配線同士の配線接触構造において、接触荷重の低減と接触抵抗の低減の両立を実現できる。以下、発明を実施するための形態以下、実施形態というを、図面を参照しつつ説明する。図1は、本実施形態に係るコネクタ接続構造10を示す斜視図である。図1aは第1および第2の配線20、30の接触前の図であり、図1bは第1および第2の配線20、30の接触後の図である。コネクタ接続構造10は、高周波の信号伝送に用いられる高速伝送コネクタに適用されるものであり、ここでは、所定の高密度化された多数のコネクタ接続において、ひとつの接続構造を抽出して示している。図示のように、コネクタ接続構造10は、第1の配線20の断面と第2の配線30の断面とを接触させることで接続した構造である。接触荷重Fは、コネクタの嵌合の際に作用する力等によって作用される。なお、バネ摺動による接触荷重Fが作用する構造にも適応できる。具体的には、第1の配線20は、断面が円形状の筒状の導体22と、導体22の断面部分の端部がメッキ処理されたメッキ部24とを備える。メッキ部24の表面が第2の配線30との接触部26となる。断面は、例えば、直径1mm程度であり、第2の配線30の断面と同一である。同様に、第2の配線30は、断面が円形状の筒状の導体32と、導体32の断面部分の端部がメッキ処理されたメッキ部34とを備える。メッキ部34の表面が第1の配線20との接触部36となる。図2に、第1の配線20と第2の配線30とが接触した際のコネクタ接続構造10の断面構造を示す。なお、図2bは、図2aの断面構造に、電流の流れを矢印で模式的に示したものである。図2bでは、図4bと比較して同じ接触荷重であっても電気抵抗が小さい電流が大きく流れるように矢印を示している。第1の配線20と第2の配線30との接続する際に、それらの間に誘電性ペースト40が塗布される。誘電性ペースト40の塗布後、第1の配線20と第2の配線30の各接触部26、36が突き当てられ、コネクタが嵌合される。その結果、接触部26、36の表面荒さに起因して形成される空間図4の空隙部50に相当する空間に、誘電性ペースト40が充填される。誘電性ペースト40として、例えば、シリコングリースのような材料がある。従来であれば、上述したように、図4の空隙部50に相当する空間には、導電性ペーストを塗布するなどして、実質的に接触する面積の拡大による接触抵抗の低下を図っていた。しかし、当該発明者は、高周波による信号伝送に用いられるコネクタ接続構造10にあっては、必ずしも接触面積の拡大が必要でないという発想を得た。つまり、高周波による信号伝送の場合は、接触部26、36のインピーダンス特性を適正に設定することで、実質的な接触抵抗を低下させることができるとの知見を得た。そこで、従来のように導電性ペーストではなく、全く逆の特性の材料、つまり電気的導通のない誘電性ペースト40を塗布している。図3に接触抵抗の等価回路のモデルを示す。図3aは、本実施形態に係るコネクタ接続構造10に対応するものであって、高周波による信号伝送を想定し、誘電率εが十分に大きい誘電性ペースト40を用いた場合のモデルである。また、図3bは、誘電率が極小さく抵抗Rだけに着目したモデルであり、図4の従来技術に対応する。図3aに示すように、高周波の信号伝送では、誘電率を高くすることができると、接触抵抗には、容量Cが大きく反映される。また、容量Cの断面積Sと距離dは、接触部26、36の表面荒さの平均値から算出することが可能である。このモデルから分かるように、周波数値はωに反映されるので、高周波の場合、式中の分母が大きくなり、接触抵抗が小さくなる。一方、図4で示した従来技術の構成の場合、実際の接触面積は断面積全体に対して数程度のことが多く、接触抵抗低下のために可能な限り接触荷重Fを大きくするようにしていた。しかし、本実施形態では、空隙部50に相当する空間を潰すために接触荷重F図1参照を大きくする必要がない。つまり、コネクタの嵌合力や弾性力を小さくすることができ、コネクタの小型化軽量化が容易となる。また、端子配列が高密度化した場合であっても、導電性ペーストのように短絡発生を考慮する必要がない。以上、本発明を実施形態をもとに説明した。この実施形態は例示であり、それらの各構成要素及びその組合せにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。