"両面にパターンが形成され、上下部が貫通されるキャビティが形成されたコア基板と、前記キャビティに内蔵されるチップと、前記パターンを保護するように前記コア基板の両面にそれぞれ形成される第1及び第2絶縁体とを含むエンベデッド基板の製造方法であって、前記コア基板を準備するステップと、前記キャビティの下側を遮蔽するように前記コア基板の下面に前記第1絶縁体をラミネイションするステップと、前記キャビティから露出する前記第1絶縁体に接着層を形成するステップと、前記接着層に前記チップを接着させて前記キャビティに前記チップを内蔵するステップと、前記コア基板の上面に前記第2絶縁体をラミネイションするステップと、を含むエンベデッド基板の製造方法。前記コア基板は、金属を含む材質からなることを特徴とする請求項1に記載のエンベデッド基板の製造方法。前記第1絶縁体及び前記第2絶縁体が半硬化状態であって、前記第1絶縁体をラミネイションするステップ及び前記第2絶縁体をラミネイションするステップにおいて、前記第1絶縁体及び前記第2絶縁体が前記キャビティに流入されるようにラミネイションすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のエンベデッド基板の製造方法。前記接着層は、エポキシ樹脂を含むことを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載のエンベデッド基板の製造方法。前記チップを内蔵するステップの後に、前記チップを固定するように前記エポキシを養生curingするステップをさらに含むことを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載のエンベデッド基板の製造方法。こうした従来技術の問題に鑑み、本発明は、工程を簡素化でき、材料を節減することができるエンベデッド基板の製造方法を提供することにその目的がある。本発明の他の目的は、パターンに異物が残ることを根本的に除去できるエンベデッド基板の製造方法を提供することにある。本発明の一側面によれば、両面にパターンが形成され、上下方向に貫通するキャビティが形成されるコア基板と、上記キャビティに内蔵されるチップと、上記パターンを保護するように上記コア基板の両面にそれぞれ形成される第1及び第2絶縁体と、を含むエンベデッド基板の製造方法であって、上記コア基板を準備するステップと、上記キャビティの下側を遮蔽するように、上記コア基板の下面に上記第1絶縁体をラミネイションするステップと、上記キャビティから露出する上記第1絶縁体に接着層を形成するステップと、上記接着層に上記チップを接着させて上記キャビティに上記チップを内蔵するステップと、上記コア基板の上面に上記第2絶縁体をラミネイションするステップと、を含むエンベデッド基板の製造方法が提供される。上記コア基板は金属を含む材質からなることができる。上記第1絶縁体をラミネイションするステップ及び上記第2絶縁体をラミネイションするステップにおいて、半硬化状態である上記第1絶縁体及び上記第2絶縁体を上記キャビティに流入させることができる。上記接着層はエポキシ樹脂を含むことができる。上記チップを内蔵するステップの後に、上記チップを固定させるために上記エポキシ樹脂を養生curingするステップをさらに含むことができる。本発明の実施例によれば、工程を簡素化でき、材料を節減することができるので、エンベデッド基板を製造するに生産性を高めることができる。また、本発明の実施例によれば、パターンに接着フィルムの異物が発生することを根本的に遮断することにより、エンベデッド基板の不良生産を低下させることができる。本発明は多様な変換を加えることができ、様々な実施例を有することができるため、本願では特定実施例を図面に例示し、詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の実施形態に限定するものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるあらゆる変換、均等物及び代替物を含むものとして理解されるべきである。本発明を説明するに当たって、係る公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨をかえって不明にすると判断される場合、その詳細な説明を省略する。第1、第2などの用語は、多様な構成要素を説明するために用いられるに過ぎず、構成要素がそれらの用語により限定されるものではない。それらの用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的だけに用いられる。本願で用いた用語は、ただ特定の実施例を説明するために用いたものであって、本発明を限定するものではない。単数の表現は、文の中で明らかに表現しない限り、複数の表現を含む。本願において、含むまたは有するなどの用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組合せたものの存在を指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組合せたものの存在または付加可能性を予め排除するものではないと理解しなくてはならない。以下、本発明によるエンベデッド基板の製造方法の実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。添付図面を参照しながら説明するに当たって、同一であるか、対応する構成要素には同様な図面番号を付し、これに対する重複説明は省略する。図1は、本発明の一実施例によるエンベデッド基板100の製造方法を示す順序図であり、図2乃至図6は、本発明の一実施例によるエンベデッド基板100の製造工程を示す工程図である。以下に、図1ないし図6に基づいてエンベデッド基板100の製造方法を説明する。エンベデッド基板100は、中心層を形成するコア基板110と、コア基板110に内蔵されるチップ140と、コア基板110の両面をカバーする第1絶縁体120及び第2絶縁体150とを含む。このようなエンベデッド基板100を製造するために、次のような工程を行う。まず、ステップS110で、図2に示すように、コア基板110を準備する。コア基板110は、エンベデッド基板100の薄型化による反り現象を最小化するために、剛性を付与する金属が含まれた材質からなるメタル金属層111を含むことができる。メタル層111は銅箔などからなることができ、このようなメタル層111の両表面に酸化層のような絶縁層図示せずが形成され、絶縁層に露光などによりパターン113が形成される。さらに、エンベデッド基板100の厚さを最小化するために、メタル層111の厚さをチップ140の厚さと同一に形成することができる。ここで、同一とは設計上、製造上の誤差を含む実質的に同一であることを意味する。そして、図2において、メタル層111の上部図中上方から下部図中下方に貫通するキャビティ115が形成される。すなわち、コア基板110にはチップ140を内蔵させるためのキャビティ115が形成される。キャビティ115の内部には後述する工程によってチップ140が内蔵されるが、チップ140を内蔵させるのに十分な空間を形成するために、チップ140の横面積断面積よりもキャビティ115の横面積断面積を広く形成する。一例で、ドリルなどを用いて、コア基板110の上部から下部に貫通するようにキャビティ115を形成することができる。ステップS110でコア基板110を準備した後に、ステップS120で、図3に示すように、コア基板110の図中下面に第1絶縁体120をラミネイションしてキャビティ115の図中下側を遮蔽する。第1絶縁体120は、本実施例により製造されるエンベデッド基板100の層間絶縁のために最終的に残存する構成であって、コア基板110に形成されたパターン113をカバーすることになる。このように、本実施例では、最終的に残存することになる第1絶縁体120を用いて、キャビティ115が形成されたコア基板110の図中下面をすぐに遮蔽するので、従来技術のように接着フィルムを付随的に使用する必要がなくなる。これにより、接着フィルムのような不要な資材を使用しないため、資材費を節減することができ、接着フィルムを付着し除去する工程を削除できるため、製造工程を単純化することができる。このような第1絶縁体120は半硬化状態である。半硬化状態の第1絶縁体120を加圧し硬化させるラミネイションを行うと、第1絶縁体120はキャビティ115とビアホール117に流入されるとともにパターン113を保護するようにパターン113をカバーすることになる。半硬化状態の第1絶縁体120をラミネイションすることにより、別にビアホールを充填して硬化させる工程を行う必要がないため、工程が簡素化でき、生産性を高めることができる。ステップS120で第1絶縁体120をラミネイションした後に、図4に示すように、キャビティ115から露出する第1絶縁体120に接着層130を形成する。接着層130は、チップ図5の140参照を固定させるための手段であって、エポキシ樹脂などからなることができる。接着層130は、チップ140を基板に固定させてチップ140の動きを防止し、構造的にチップ140がエンベデッド基板100内に一体的に形成されるようにする。次に、ステップS140で、図5に示すように、チップ140を接着層に接着させてキャビティ115に内蔵する。キャビティ115に内蔵されたチップ140は、素子deviceのことであって、エンベデッド基板100の厚さを最小化するためにキャビティ115内に内蔵される。チップ140の一面には、コア基板110との電気的な接続のためにパッド141が形成される。パッド141は、チップ140におけるエポキシ樹脂との接着面の反対面に位置し、パッド141が形成されたチップ140の面が上部となるように配置してコア基板110に内蔵される。そして、ステップS150で、チップ140がコア基板110に完全に固定されるようにエポキシ樹脂を養生curingする。具体的に、コア基板110に熱を加えてエポキシ樹脂を硬化させることにより、第1絶縁体120とチップ140とがエポキシ樹脂により物理的に一体となるようにする。キャビティ115に内蔵されたチップ140の厚さとメタル層111の厚さとが略同一に形成されたため、エポキシ樹脂により形成された厚さだけキャビティ115が上部へ上がることになり、パッド141は、後述する図6に示すように、第2絶縁体150をラミネイションする工程で第2絶縁体150の外部に露出することになる。その後、ステップS160で、図6に示すように、コア基板110の図中上面に第2絶縁体150をラミネイションする。第2絶縁体150は第1絶縁体120と同様に半硬化状態であってもよい。半硬化状態の第2絶縁体150をラミネイションすると、第2絶縁体150がキャビティ115とビアホール117とに流入される。このように、第1絶縁体120と第2絶縁体150とをラミネイションするとき、チップ140とキャビティ115との間のギャップ116及びビアホール117図5参照が充填されるため、チップ140を安定的に固定させるための別の工程、一例で、ギャップ116に別の液状の物質を充填し、これを硬化させるなどの工程が不要となり、工程が簡素化できる。また、図面には図示されていないが、第2絶縁体150をラミネイションした後に、4層回路以上のエンベデッド基板100を製造するために第1及び第2絶縁体120,150上に追加的なビルドアップ工程build-upprocessを行うこともできる。本実施例によれば、コア基板110を中心としてコア基板110の両面に対称に多層パターン113を形成することができ、これにより、エンベデッド基板100が安定的な構造を有することになる。すなわち、基板に外力が加えられて反りが発生しても、両面が対称をなしているため、外力が一面に集中されなく両面に分散されて、基板は安定的な構造となることができる。上述したように、本発明の実施例によるエンベデッド基板の製造方法は、接着フィルムを付着し除去する工程が不要となり、工程が簡素化でき、材料を節減することができるので、エンベデッド基板を製造するに生産性を高めることができる。また、パターンに接着フィルムの異物が発生することを根本的に遮断して、エンベデッド基板の不良生産を防止することができる。以上では本発明の好ましい実施例を参照にして説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解できよう。前述した実施例以外の多くの実施例が本発明の特許請求の範囲内に存在する。"