両主面に一対の励振電極が形成される圧電振動片及び前記圧電振動片を囲み一主面に前記励振電極から引き出された一対の引出電極が形成される枠体を有する圧電振動フレームと、前記圧電振動フレームの前記枠体の一主面に接合される第1端面と、前記第1端面の反対側の実装面と、前記実装面から前記第1端面まで伸びて形成され前記引出電極に接合する一対の実装端子と、前記第1端面の全周の内側に形成され前記第1端面から凹んだ第1段差部とを有する第1板と、前記第1板の前記第1段差部に配置され前記枠体と前記第1板とを接合する接合材と、を備える圧電デバイス。前記圧電振動フレームの前記枠体に形成された一対の前記引出電極同士は所定距離離れて形成され、前記ベース部の前記第1端面に形成された一対の前記実装端子同士は所定距離離れて形成される請求項1に記載の圧電デバイス。前記圧電振動フレームと前記第1板とは前記接合材と共晶金属接合又は陽極接合との両方で接合される請求項1又は請求項2に記載の圧電デバイス。前記圧電振動フレームは、前記圧電振動片と前記枠体とを連結する連結部と、前記圧電振動片と前記枠体との間の貫通開口部とをさらに有し、前記圧電振動片の他主面に形成された前記励振電極から引き出された前記引出電極は前記連結部及び前記貫通開口部を介して前記枠体の前記一主面まで伸びて形成される請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の圧電デバイス。前記圧電振動フレームにはその外周から凹んだ第1キャスタレーションが形成され、前記圧電振動片の他主面に形成された前記励振電極から引き出された前記引出電極は前記第1キャスタレーションを介して前記枠体の前記一主面まで伸びて形成される請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の圧電デバイス。前記圧電振動フレームの前記枠体の他主面に接合される第2端面を有する第2板を備える請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の圧電デバイス。前記第2板の前記第2端面には金属膜が形成され、前記圧電振動片の他主面に形成された前記励振電極から引き出された前記引出電極が前記枠体の他主面に形成され、前記第2板の前記金属膜と前記圧電振動フレームの他主面に形成された前記引出電極とは共晶金属接合又は陽極接合により接合される請求項6に記載の圧電デバイス。前記第1板にはその外周から凹んだ第2キャスタレーションが形成され、前記実装端子は前記第2キャスタレーションを介して前記実装面から前記第1端面まで伸びて形成される請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の圧電デバイス。前記第1板は前記第1段差部から凹んだ第1凹部を有し、前記第2板は前記第2端面から凹んだ第2段差部及び前記第2段差部からさらに凹んだ第2凹部を有し、前記接合材は前記第1段差部及び前記第2段差部に配置される請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の圧電デバイス。前記接合材は、低融点ガラス又はポリイミド樹脂である請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の圧電デバイス。前記枠体が前記圧電振動片の厚さより厚く形成される請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の圧電デバイス。しかしながら、特許文献1に開示された圧電デバイスにおいて、電気的接合及び気密接合が同じ材料の金属系ロウ材で兼ねると、圧電デバイスの静電容量が増加するおそれがある。したがって、圧電デバイスの用途によって周波数を変更することが困難となり、信頼性を保証することができない。本発明は、静電容量の増加を防止することができる圧電デバイスを提供することを目的とする。第1観点の圧電デバイスは、両主面に一対の励振電極が形成される圧電振動片及び圧電振動片を囲み一主面の全面に励振電極から引き出された一対の引出電極が形成される枠体を有する圧電振動フレームと、圧電振動フレームの枠体の一主面に接合される第1端面と第1端面の反対側の実装面と実装面から第1端面の全面まで伸びて形成され引出電極に接合する一対の実装端子と第1端面の全周の内側に形成され第1端面から凹んだ第1段差部とを有する第1板と、第1板の第1段差部に配置され圧電振動フレームと第1板とを接合する接合材と、を備える。第2観点の圧電デバイスにおいて、圧電振動フレームの枠体に形成された一対の引出電極同士は所定距離離れて形成され、ベース部の第1端面に形成された一対の実装端子同士は所定距離離れて形成される。第3観点の圧電デバイスにおいて、圧電振動フレームと第1板とは接合材と共晶金属接合又は陽極接合との両方で接合される。第4観点の圧電デバイスにおいて、圧電振動フレームは圧電振動片と枠体とを連結する連結部と圧電振動片及び枠体の間の貫通開口部とをさらに有し、圧電振動片の他主面に形成された励振電極から引き出された引出電極は連結部及び貫通開口部を介して枠体の一主面まで伸びて形成される。第5観点の圧電デバイスにおいて、圧電振動フレームにはその外周から凹んだ第1キャスタレーションが形成され、圧電振動片の他主面に形成された励振電極から引き出された引出電極は第1キャスタレーションを介して枠体の一主面まで伸びて形成される。第6観点の圧電デバイスは、圧電振動フレームの枠体の他主面に接合される第2端面を有する第2板を備える。第7観点の圧電デバイスにおいて、第2板の第2端面には金属膜が形成され、圧電振動片の他主面に形成された励振電極から引き出された引出電極が枠体の他主面に形成され、第2板の金属膜と圧電振動フレームの他主面に形成された引出電極とは共晶金属接合又は陽極接合により接合される。第8観点の圧電デバイスにおいて、第1板にはその外周から凹んだ第2キャスタレーションが形成され、実装端子は第2キャスタレーションを介して実装面から第1端面まで伸びて形成される。第9観点の圧電デバイスにおいて、第1板は第1段差部から凹んだ第1凹部を有し、第2板は第2端面から凹んだ第2段差部及び第2段差部からさらに凹んだ第2凹部を有し、接合材は第1段差部及び第2段差部に配置される。第10観点の圧電デバイスにおいて、接合材は低融点ガラス又はポリイミド樹脂である。第11観点の圧電デバイスは、枠体が圧電振動片の厚さより厚く形成される。本発明は、電気的接合及び気密接合に異なる材料を用いることにより静電容量の増加を防止することができる圧電デバイスが得られる。本明細書では、圧電振動フレームとしてATカットの水晶フレームが使われている。つまり、ATカットの水晶フレームは、主面YZ面が結晶軸XYZのY軸に対して、X軸を中心としてZ軸からY軸方向に35度15分傾斜されている。このため、ATカットの水晶フレームのX軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をY’軸及びZ’軸として用いる。すなわち、本実施形態では水晶フレームの長手方向をX軸方向、水晶フレームの高さ方向をY’軸方向、X軸方向及びY’軸方向に垂直な方向をZ’軸方向として説明する。第1実施形態<第1水晶振動子100の全体構成>第1水晶振動子100は、表面実装型でありプリント基板等に実装されて使用される。第1水晶振動子100の全体構成について、図1~図5を参照しながら説明する。図1は、第1水晶振動子100の分解斜視図である。図1に示されたように、第1水晶振動子100はリッド凹部111を有するリッド部11と、ベース凹部121を有するベース部12と、リッド部11及びベース部12に挟まれた水晶フレーム10とを備える。<<水晶フレーム10の構成>>まず、水晶フレーム10の構成について、図1及び図2を参照しながら説明する。図2aはY’軸側から見た水晶フレーム10の平面図で、図2bはY’軸側から見た水晶フレーム10の透明図である。図1に示されたように、水晶フレーム10はATカットされた水晶材料で形成され、Y’側の表面Meと-Y’側の裏面Miとを有している。水晶フレーム10は水晶振動部101と水晶振動部101を囲む枠体104とで構成されている。水晶振動部101と枠体104との間には、表面Meから裏面Miまで貫通する貫通開口部108が形成される。貫通開口部108が形成されていない部分が水晶振動部101と枠体104とを連結する連結部105a、105bとなっている。ここで、連結部105a水晶振動部101のX軸側-Z’軸側に接続され、連結部105bは水晶振動部101の-X軸側Z’軸側に接続されている。また、水晶フレーム10のX軸方向の両辺には、貫通孔CH図8及び図9を参照を形成した際のキャスタレーション106a、106bがそれぞれ形成されている。具体的には、水晶フレーム10のX軸側にキャスタレーション106aが形成され、水晶フレーム10の-X軸側にキャスタレーション106bが形成されている。図2aに示されたように、水晶フレーム10は水晶振動部101の表面Meに第1励振電極102aが形成されている。また、水晶フレーム10の表面Meには第1励振電極102aから引き出された第1引出電極103aが形成されている。なお、第1引出電極103aは水晶振動部101から連結部105aを介して枠体104の全周囲に形成されている。さらに、水晶フレーム10の表面Meに形成された第1引出電極103aはキャスタレーション106aを介して水晶フレーム10の裏面Miまで引き出される図2bを参照。図2bに示されたように、水晶フレーム10は水晶振動部101の裏面Miに第2励振電極102bが形成されている。また、水晶フレーム10の裏面Miには第2励振電極102bから引き出された第2引出電極103bが形成されている。なお、第2引出電極103bは水晶振動部101から連結部105bを介して枠体104の全周囲に形成されている。さらに、水晶フレーム10の裏面Miに形成された第2引出電極103bはキャスタレーション106bを介して水晶フレーム10の表面Meまで引き出される図2aを参照。ここで、第1励振電極102a、第2励振電極102b、第1引出電極103a及び第2引出電極103bは例えば下地としてのクロムCr層が用いられ、クロム層の上面に金Au層が用いられる。なお、クロム層の厚さは例えば0.05μm~0.1μmで、金層の厚さは例えば0.2μm~2μmである。また図2に示されたように、表面Me及び裏面Miにおいて、第1引出電極103aと第2引出電極103bとは所定幅の隙間SPを離れて形成されている。これにより、第1引出電極103aと第2引出電極103bとがショートしないように確保することができる。<<ベース部12の構成>>次に、ベース部12の構成について、図1及び図3を参照しながら説明する。図3aは図1のA-A断面におけるベース部12の断面図で、図3bはY’軸側から見たベース部12の平面図である。図1に示されたように、ベース部12はガラス又は水晶材料で形成され、そのY’側の面の外周に第1端面M1を有している。ベース部12のX軸方向の両辺には、貫通孔BH図10を参照を形成した際のキャスタレーション126a、126bが形成されている。具体的には、ベース部12のX軸側にキャスタレーション126aが形成され、ベース部12の-X軸側にキャスタレーション126bが形成されている。図3aに示されたように、実装面M3のX軸側には実装端子125aが形成され、実装面M3の-X軸側には実装端子125bが形成されている。実装端子125aはキャスタレーション126aを介して第1端面M1まで伸びで形成され、実装端子125bはキャスタレーション126bを介して第1端面M1まで伸びで形成されている。また、第1端面M1の全周の内側にはY’軸方向で第1端面M1から凹んだ第1段差部123が形成され、第1段差部123の内側にはY’軸方向で第1段差部123から凹んだベース凹部121が形成されている。さらに、第1段差部123には水晶フレーム10とベース部12とが気密されるように接合する接合材としての低融点ガラスLGが配置される。なお、低融点ガラスLGとは350°C~410°Cで溶融する鉛フリーのバナジウム系ガラスを含む。バナジウム系ガラスはバインダーと溶剤とが加えられペースト状であり、溶融された後固化されることで他の部材と接着する。また、このバナジウム系ガラスは接着時の気密性と耐水性耐湿性などの信頼性が高い。さらに、バナジウム系ガラスはガラス構造を制御することにより熱膨張係数も柔軟に制御できる。図3bに示されたように、水晶フレーム10の枠体104の裏面Mi図2bを参照に形成された第2引出電極103b図2bを参照に対応するように、ベース部12の第1端面M1の全周囲には実装端子125bが形成されている。また、実装端子125bはベース部12の実装面M3から第1端面M1まで形成され、第1端面M1では実装端子125aと所定幅の隙間SPを離れて形成されている。<<リッド部11の構成>>次に、リッド部11の構成について、図1及び図4を参照しながら説明する。図4aは図1のA-A断面におけるリッド部11の断面図で、図4bは-Y’軸側から見たリッド部11の平面図である。図1に示されたように、リッド部11はガラス又は水晶材料で形成され、その-Y’側の面の外周に第2端面M2を有している。図4aに示されたように、第2端面M2の全周の内側にはY’軸方向で第2端面M2から凹んだ第2段差部113が形成され、第2段差部113の内側にはY’軸方向で第2段差部113から凹んだリッド凹部111が形成されている。さらに、第2段差部113にはリッド部11と水晶フレーム10とが気密されるように接合する接合材としての低融点ガラスLGが配置される。図4bに示されたように、水晶フレーム10の枠体104の表面Me図2aを参照に形成された第1引出電極103a図2aを参照に対応するように、リッド部11の第2端面M2の全周囲には金属膜112が形成されている。<<第1水晶振動子100の組み立て>>最後に、第1水晶振動子100の組み立てについて、図1及び図5を参照しながら説明する。図5は、図1のA-A断面図である。図1及び図5に示されたように、リッド部11が水晶フレーム10のY’軸側に接合され、ベース部12が水晶フレーム10の-Y’軸側に接合される。すなわち、リッド部11の第2合面M2に形成された金属膜112と水晶フレーム10の枠体104の表面Meに形成された第1引出電極103aとが接合される。同様に、ベース部12の第1端面M1に形成された実装端子125bと水晶フレーム10の枠体104の裏面Miに形成された第2引出電極103bとが接合される。なお、金属膜112と第1引出電極103aと、及び実装端子125bと第2引出電極103bとは共晶金属により接合される。共晶金属としては、金シリコンAu3.15Si合金、金ゲルマニュームAu12Ge合金又は金スズAu20Sn合金が使用される。共晶金属による接合については、図11で詳しく説明する。ここで、キャスタレーション126aを介してベース部12の第1端面M1まで形成された実装端子125aと水晶フレーム10の枠体104の裏面Miに形成された第1引出電極103aとが導電される。同様に、キャスタレーション126bを介してベース部12の第1端面M1まで形成された実装端子125bと水晶フレーム10の枠体104の裏面Miに形成された第2引出電極103bとが導電される。つまり、ベース部12に形成された実装端子125aと水晶フレーム10の第1励振電極102aとが導電され、ベース部12に形成された実装端子125bと水晶フレーム10の第2励振電極102bとが導電される。これにより、実装端子125a、125bに交番電圧正負を交番する電位が印加されると、水晶振動部101が厚みすべり振動することができる。水晶フレーム10の表面Meにおいて、接合されている金属膜112及び第1引出電極103aは第2引出電極103bと所定幅の隙間SPを形成するように離れて形成されるので、第1引出電極103aと第2引出電極103bとは絶縁されている。同様に、水晶フレーム10の裏面Miにおいて、接合されている実装端子125b及び第2引出電極103bは第1引出電極103aと幅W1の隙間SPを形成するように離れて形成されるので、第1引出電極103aと第2引出電極103bとは絶縁されている。また、リッド部11と水晶フレーム10とはリッド部11の第2段差部113内に配置された低融点ガラスLGによりさらに接合される。同様に、水晶フレーム10とベース部12とはベース部12の第1段差部123内に配置された低融点ガラスLGによりさらに接合される。これにより、水晶フレーム10の水晶振動部101を密封したキャビティCTが形成される。キャビティCTは、窒素ガスで満たされたり又は真空状態にされたりする。すなわち、第1実施形態では電気的接合は共晶金属EC図11を参照により行われ、気密接合は低融点ガラスLGにより行われる。つまり、第1実施形態の第1水晶振動子100は電気的接合及び気密接合に異なる材料を用いることにより、静電容量の増加を防止することができる。<第1水晶振動子100の製造方法>図6は、第1水晶振動子100の製造方法を示したフローチャートである。図6において、リッド部11の製造ステップS11と、水晶フレーム10の製造ステップS12と、ベース部12の製造ステップS13とは別々に並行して行うことができる。図7は、リッドウエハ11Wの平面図である。図8は、Y’軸側から見た水晶ウエハ10Wの平面図である。図9は、Y’軸側から見た水晶ウエハ10Wの透明図である。図10は、ベースウエハ12Wの平面図である。ステップS11では、リッド部11が製造される。ステップS11はステップS111~S113を含んでいる。ステップS111において、図7に示されたように、均一厚さの水晶平板のリッドウエハ11Wにリッド凹部111及び第2段差部113図4aを参照が数百から数千個形成される。リッドウエハ11Wには、エッチング又は機械加工によりリッド凹部111及び第2段差部113が形成され、リッド凹部111及び第2段差部113の外周には第2端面M2が形成される。同時に、リッド部11の四隅には後述するステップS14で球形の共晶金属ECの位置決めをする共晶金属用溝部115がそれぞれ形成される。すなわち、互いに隣り合った4つのリッド部11の真ん中に共晶金属用溝部115が形成される。ステップS112において、図7に示されたように、スパッタリングまたは真空蒸着によりリッドウエハ11Wの第2端面M2に金属膜112が形成される。ここで、金属膜112は後述するステップS122で形成される第1引出電極103aの形状に対応するように、リッド部11のX軸方向の両側の箇所114に形成されていない。ステップS113において、図7に示されたように、スクリーン印刷でリッドウエハ11Wの第2段差部113図4aを参照に低融点ガラスLGが形成される。その後、低融点ガラスLGを仮硬化することで、低融点ガラスLGがリッドウエハ11Wの第2段差部113に配置される。ステップS12では、水晶フレーム10が製造される。ステップS12はステップS121及びS122を含んでいる。ステップS121において、図8及び図9に示されたように、均一の水晶ウエハ10Wにエッチングにより複数の水晶フレーム10の外形が形成される。すなわち、水晶振動部101と、枠体104と、貫通開口部108とが形成される。同時に、各水晶フレーム10のX軸方向の両側には水晶ウエハ10Wを貫通するように角丸長方形の貫通孔CHが形成される。貫通孔CHが半分に分割されると1つのキャスタレーション106a、106b図2を参照になる。同時に、水晶フレーム10の四隅には後述するステップS14で球形の共晶金属ECの位置決めをする共晶金属用溝部109がそれぞれ形成される。すなわち、互いに隣り合った4つの水晶フレーム10の真ん中に共晶金属用溝部109が形成される。ステップS122において、まずスパッタリングまたは真空蒸着によって水晶ウエハ10Wの両面及び貫通孔CHに金属層が形成される。そして、金属層の全面にフォトレジストが均一に塗布される。その後、露光装置不図示を用いて、フォトマスクに描かれた第1励振電極102a、第2励振電極102b、第1引出電極103a及び第2引出電極103bのパターンが水晶ウエハ10Wに露光される。次に、フォトレジストから露出した金属層がエッチングされる。これにより、図8及び図9に示されたように水晶ウエハ10W両面には第1励振電極102a、第2励振電極102b、第1引出電極103a及び第2引出電極103bが形成され、貫通孔CHには第1引出電極103a及び第2引出電極103bが形成される。ここで、図8に示されたように、各水晶フレーム10は表面Meにおいて-X軸側で第1引出電極103aと第2引出電極103bとが所定幅の隙間SPにより絶縁される。一方、図9に示されたように、各水晶フレーム10は裏面MiにおいてX軸側で第1引出電極103aと第2引出電極103bとが所定幅の隙間SPにより絶縁される。これにより、第1引出電極103aと第2引出電極103bとがショートしないように確保することができる。ステップS13では、ベース部12が製造される。ステップS13はステップS131~S133を含んでいる。ステップS131において、図10に示されたように、均一厚さの水晶平板のベースウエハ12Wにベース凹部121及び第1段差部123図3aを参照が数百から数千個形成される。ベースウエハ12Wには、エッチング又は機械加工によりベース凹部121及び第1段差部123が形成され、ベース凹部121及び第1段差部123の外周には第1端面M1が形成される。同時に、各ベース部12のX軸方向の両側にはベースウエハ12Wを貫通するように角丸長方形の貫通孔BHが形成される。貫通孔BHが半分に分割されると1つのキャスタレーション126a、126b図1を参照になる。同時に、ベース部12の四隅には後述するステップS14で球形の共晶金属ECの位置決めをする共晶金属用溝部128がそれぞれ形成される。すなわち、互いに隣り合った4つのベース部12の真ん中に共晶金属用溝部128が形成される。ステップS132において、スパッタ及びエッチング方法によってベース部12の第1端面M1及び実装面M3に一対の実装端子125a、125bが形成される図1を参照。ここで、実装端子125bはステップS122で形成された水晶ウエハ10Wの裏面Miの第2引出電極103bと同じ形状に形成される。つまり、実装端子125bは、実装端子125aとは幅W1図3を参照の隙間SPにより絶縁される。ステップS133において、図10に示されたように、スクリーン印刷でベースウエハ12Wの第1段差部123図3aを参照に低融点ガラスLGが形成される。その後、低融点ガラスLGを仮硬化することで、低融点ガラスLGがベースウエハ12Wの第1段差部123に配置される。ステップS14では、複数の球形の共晶金属ECが図11aに示されたように共晶金属用溝部に載置される。図11aは、図7~図10におけるB-B断面図で、共晶金属ECが共晶金属用溝部に載置された状態を示した図である。図11aに示されたように、ベースウエハ12Wをテーブル図示しないに置き、ベースウエハ12Wの共晶金属用溝部128及び水晶ウエハ10Wの表面Meにおける共晶金属用溝部109に球形の共晶金属ECが載置される。ステップS15では、リッドウエハ11Wと水晶ウエハ10Wとベースウエハ12Wとが共晶金属EC及び低融点ガラスLGにより接合される。図11bは、図7~図10におけるB-B断面図で、リッドウエハ11Wと水晶ウエハ10Wとベースウエハ12Wとが共晶金属ECにより接合された状態を示した図である。ここで、真空中又は不活性雰囲気中で共晶金属ECが溶かされる。溶けられた共晶金属ECは毛細管現象によりリッドウエハ11Wの金属膜112と水晶ウエハ10Wの表面Meの第1引出電極103aとの間、及び水晶ウエハ10Wの裏面Miの第2引出電極103bとベースウエハ12Wの実装端子125bとの間を流れる。これにより、金属膜112、第1引出電極103a、第2引出電極103b及び実装端子125bの表面が濡らされる。また、隣り合う共晶金属用溝部までの距離はほぼ均等であるため、金属膜112、第1引出電極103a、第2引出電極103b及び実装端子125bの表面を十分に濡らすことができる。さらに、リッドウエハ11Wと水晶ウエハ10Wとベースウエハ12Wとは低融点ガラスLGでより確実に接合する図5を参照。なお、第1水晶振動子100において電気的接合は共晶金属ECにより行われ、気密接合は低融点ガラスLGにより行われる。つまり、第1水晶振動子100は電気的接合及び気密接合に異なる材料を用いることにより、静電容量の増加を防止することができる。ステップS16では、接合されたリッドウエハ11Wと、水晶ウエハ10Wと、ベースウエハ12Wとが個々に切断される。切断工程では、レーザーを用いたダイシング装置、または切断用ブレードを用いたダイシング装置などを用いて図7~図10に示された一点鎖線のスクライブラインSLに沿って第1水晶振動子100を単位として個片化する。これにより、数百から数千の第1水晶振動子100が製造される。第2実施形態<第2水晶振動子200の全体構成>第2水晶振動子200の全体構成について、図12~図14を参照しながら説明する。図12は第2水晶振動子200の分解斜視図である。第2実施形態では第1実施形態と同じ構成要件については、同じ符号を付して説明する。図12に示されたように、第2水晶振動子200は第1第2段差部213を有するリッド部21と、第1段差部223を有するベース部22と、リッド部21及びベース部22に挟まれた水晶フレーム20とを備える。<<水晶フレーム20の構成>>水晶フレーム20の構成について、図12及び図13を参照しながら詳しく説明する。図13は、Y’軸側から見た水晶フレーム20の透明図である。水晶フレーム20はATカットされた水晶材料で形成され、Y’側の表面Meと-Y’側の裏面Miとを有している。水晶フレーム20は水晶振動部101と水晶振動部101を囲む枠体204とで構成され、水晶振動部101と枠体204との間には表面Meから裏面Miまで貫通する貫通開口部108が形成される。貫通開口部108が形成されていない部分が水晶振動部101と枠体204とを連結する連結部105a、105bとなっている。水晶フレーム10は水晶振動部101の表面Meに第1励振電極102a及び第1励振電極102aから引き出された第1引出電極203aが形成されている。なお、第1引出電極203aは水晶振動部101から連結部105a及び貫通開口部108を介して枠体204の裏面MiのX軸側に伸びて形成される。図13に示されたように、枠体204の裏面Miまで伸びた第1引出電極203aは、枠体204のX軸側のほぼ半分を覆うように形成されている。また、図13に示されたように水晶フレーム20は水晶振動部101の裏面Miに第2励振電極102b及び第2励振電極102bから引き出された第2引出電極203bが形成されている。なお、第2引出電極203bは水晶振動部101から連結部105bを介して枠体104の裏面Miの-X軸側のほぼ半分を覆うように形成されている。なお、枠体204の裏面Miにおいて、第1引出電極203aと第2引出電極203bとは、所定幅の隙間SPを形成するように離れて形成される。これにより、第1引出電極203aと第2引出電極203bとがショートしないように確保することができる。<<ベース部22の構成>>図12に示されたように、ベース部22はガラス又は水晶材料で形成され、第1段差部223及び第1段差部223の外周に形成された第1端面M1を有している。ベース部22のX軸方向の両辺には、貫通孔BH図10を参照を形成した際のキャスタレーション126a、126bが形成されている。ベース部22の実装面M3のX軸の両側には実装端子225a、225bが形成されている。なお、実装端子225aはキャスタレーション126aを介して第1端面M1のX軸側のほぼ半分を覆うように形成され、実装端子225bはキャスタレーション126bを介して第1端面M1の-X軸側のほぼ半分を覆うように形成されている。なお、ベース部22の第1端面M1において、実装端子225aと実装端子225bとは、所定幅の隙間SPを形成するように離れて形成される。これにより、実装端子225aと実装端子225bとがショートしないように確保することができる。さらに、ベース部22における第1端面M1の内側、すなわち第1段差部223内には水晶フレーム20とベース部22とを接合する接合材としての低融点ガラスLGが第1段差部223を周回するように配置される。<<リッド部21の構成>>図12に示されたように、リッド部21はガラス又は水晶材料で形成され、その-Y’側の面の外周に形成された第2端面M2と第2端面から凹んだ第2段差部213とを有している。<<第1水晶振動子100の組み立て>>最後に、第1水晶振動子100の組み立てについて、図12~図14を参照しながら説明する。図14は、図12のC-C断面図である。図14に示されたように、リッド部21が水晶フレーム20のY’軸側に接合され、ベース部22が水晶フレーム20の-Y’軸側に接合される。すなわち、リッド部21の第2合面M2と水晶フレーム20の枠体204の表面Meとは接合材である低融点ガラスLGで接合される。一方、ベース部22の第1端面M1に形成された実装端子225a、225bと水晶フレーム20の枠体204の裏面Miに形成された第1引出電極103a及び第2引出電極103bとが共晶金属により接合される。共晶金属としては、金シリコンAu3.15Si合金、金ゲルマニュームAu12Ge合金又は金スズAu20Sn合金が使用される。共晶金属による接合については、図11で説明したので、説明を省略する。ここで、キャスタレーション126aを介してベース部22の第1端面M1まで形成された実装端子225aと水晶フレーム20の枠体204の裏面Miに形成された第1引出電極203aとが導電される。同様に、キャスタレーション126bを介してベース部22の第1端面M1まで形成された実装端子225bと水晶フレーム20の枠体204の裏面Miに形成された第2引出電極203bとが導電される。つまり、ベース部22に形成された実装端子225aと水晶フレーム20の第1励振電極102aとが導電され、ベース部22に形成された実装端子225bと水晶フレーム20の第2励振電極102bとが導電される。これにより、実装端子225a、225bに交番電圧正負を交番する電位が印加されると、水晶振動部101が厚みすべり振動することができる。また、水晶フレーム20とベース部22とはベース部22の第1段差部223内に配置された低融点ガラスLGによりさらに接合される。すなわち、第2実施形態において水晶フレーム20とベース部22との電気的接合は共晶金属図11を参照により行われ、気密接合は低融点ガラスLGにより行われる。これにより、水晶フレーム20の水晶振動部101を密封し窒素ガスで満たされたり又は真空状態にされたりしたキャビティCTが形成される。つまり、第2実施形態の第2水晶振動子100は電気的接合及び気密接合に異なる材料を用いることにより、静電容量の増加を防止することができる。さらに、第2実施形態ではリッド部21と水晶フレーム20とが接合材である低融点ガラスLGにより接合されているが、第1実施形態と同様に共晶金属により接合されてもよいし、陽極接合により接合されてもよい。<第2水晶振動子200の製造方法>図15は、第2水晶振動子200の製造方法を示したフローチャートである。図15において、リッド部21の製造ステップS21と、水晶フレーム20の製造ステップS22と、ベース部22の製造ステップS23とは別々に並行して行うことができる。ステップS21では、リッド部21が製造される。ステップS21はステップS211及びS212を含んでいる。ステップS211において、均一厚さの水晶平板のリッドウエハにエッチング又は機械加工により第2段差部213が数百から数千個形成される。これにより、第2段差部213の外周には第2端面M2が形成される。図7及び図12を参照する。ステップS212において、スクリーン印刷でリッドウエハの第2端面M2に低融点ガラスLGが形成される。その後、低融点ガラスLGを仮硬化することで、低融点ガラスLGがリッドウエハの第2端面M2に配置される。図12を参照する。ステップS22では、水晶フレーム20が製造される。ステップS22はステップS221及びS222を含んでいる。ステップS221において、均一の水晶ウエハにエッチングにより複数の水晶フレーム20の外形が形成される。すなわち、水晶振動部101と、枠体204と、貫通開口部108とが形成される。図8、図9及び図12を参照するステップS222において、水晶ウエハの両面にスパッタ及びエッチングにより第1励振電極102a、第2励振電極102b、第1引出電極203a及び第2引出電極203bが形成される。図12及び図13を参照する。ステップS23では、ベース部22が製造される。ステップS23はステップS231~S233を含んでいる。ステップS231において、均一厚さの水晶平板のベースウエハにエッチング又は機械加工により第1段差部223及び第1段差部223の外周の第1端面M1が形成される。同時に、各ベース部22のX軸方向の両側にはベースウエハを貫通するように貫通孔が形成される。また、ベース部22の四隅には球形の共晶金属ECの位置決めをする共晶金属用溝部がそれぞれ形成される。図10及び図12を参照する。ステップS232において、スパッタ及びエッチング方法によってベース部22の第1端面M1及び実装面M3に一対の実装端子225a、225bが形成される。図12を参照する。ステップS233において、スクリーン印刷でベースウエハの第1段差部223に低融点ガラスLGが形成される。図12を参照する。ステップS24では、複数の球形の共晶金属がベースウエハの共晶金属用溝部に載置される。図11を参照する。ステップS25では、リッドウエハと水晶ウエハとが低融点ガラスLGで接合され、水晶ウエハとベースウエハとが共晶金属EC及び低融点ガラスLGにより接合される。つまり、水晶ウエハとベースウエハとの接合において、電気的接合は共晶金属により行われ、気密接合は低融点ガラスLGにより行われる。つまり、第2水晶振動子200は電気的接合及び気密接合に異なる材料を用いることにより、静電容量の増加を防止することができる。図14を参照する。ここで、リッドウエハと水晶ウエハとは低融点ガラスLGにより接合されるが、そのほかの共晶金属又は陽極接合で接合されてもよい。ステップS26では、接合されたリッドウエハと、水晶ウエハと、ベースウエハとが個々に切断される。切断工程では、レーザーを用いたダイシング装置、または切断用ブレードを用いたダイシング装置などを用いてスクライブラインに沿って第2水晶振動子200を単位として個片化する。これにより、数百から数千の第2水晶振動子200が製造される。図7~図10を参照する。