棒状フラッシュランプを有する光源ユニットと、アモルファスシリコンが表面に成膜されたワークを載置するステージと、光源ユニットとステージの間に存在する光透過性窓部材とよりなる光照射装置において、前記光透過性窓部材はガラス部材であって、ワーク表面上に略矩形状の結晶化領域を形成させるための高透過率エリアと、当該ワーク表面上の該結晶化領域以外の領域を結晶化させないための低透過率エリアが形成されていることを特徴とする光照射装置。前記低透過率エリアはフロスト加工により形成されていることを特徴とする請求項1の光照射装置。前記光透過性窓部材は、前記高透過率エリアの範囲内に、ワーク表面上における照射量を低減させる透過率低減エリアが局所的に形成されていることを特徴とする請求項1の光照射装置。前記光源ユニットには光源ユニット移動機構が設けられており、前記ワーク表面上に前記結晶化領域を順次隣接させて形成するように移動することを特徴とする請求項1の光照射装置。前記ステージにはステージ移動機構が設けられており、前記ワーク表面上に前記結晶化領域を順次隣接させて形成するように移動することを特徴とする請求項1の光照射装置。棒状フラッシュランプを有する光源ユニットと、アモルファスシリコンが表面に成膜されたワークを載置するステージと、光源ユニットとステージの間に存在する光透過性窓部材とよりなる装置を使った光照射方法において、前記光透過性窓部材はガラス部材であって、ワーク表面上に略矩形状の結晶化領域を形成させるための高透過率エリアと、当該ワーク表面上の該結晶化領域以外の領域を結晶化させないための低透過率エリアが形成されるものであって、前記光源ユニットまたは前記ステージを移動させながら、ワーク表面上に形成された結晶化領域に対して前記高透過率エリアを通過した光を重ねて照射させることなく、未結晶化領域に対して前記高透過率エリアを通過した光を順次照射させていくことを特徴とする光照射方法。この発明が解決しようとする課題は、上記従来技術の問題点に鑑みて、棒状フラッシュランプを有する光源ユニットと、アモルファスシリコンが表面に成膜されたワークを載置するステージと、光源ユニットとステージの間に存在する光透過性窓部材とよりなる光照射装置およびこれを用いた光照射方法において、大型化したワークにあっても、良好な結晶化を達成できる構造の光照射装置およびこれを用いた光照射方法を提供することである。上記課題を解決するために、この発明に係る光照射装置では、光源ユニットと、ワークを載置するステージの間に存在する光透過性窓部材がガラス部材であって、ワーク表面上に略矩形状の結晶化領域を形成させるための高透過率エリアと、当該ワーク表面上の該結晶化領域以外の領域を結晶化させないための低透過率エリアが形成されていることを特徴とする。また、前記低透過率エリアはフロスト加工により形成されていることを特徴とする。また、前記光透過性窓部材は、前記高透過率エリアの範囲内に、ワーク表面上における照射量を低減させる透過率低減エリアが局所的に形成されていることを特徴とする。また、前記光源ユニットには光源ユニット移動機構が設けられており、前記ワーク表面上に前記結晶化領域を順次隣接させて形成するように移動することを特徴とする。また、前記ステージにはステージ移動機構が設けられており、前記ワーク表面上に前記結晶化領域を順次隣接させて形成するように移動することを特徴とする。更には、この発明に係る光照射方法では、前記光照射装置における前記光源ユニットまたは前記ステージを移動させながら、ワーク表面上に形成された結晶化領域に対して前記高透過率エリアを通過した光を重ねて照射させることなく、未結晶化領域に対して前記高透過率エリアを通過した光を順次照射させていくことを特徴とする。この発明の光照射装置および光照射方法によれば、ワークに対してこれより小さな略矩形状の照射領域を順次隣接するように照射していくことによって、照射が不十分なために未結晶化領域が発生したり、照射領域が重なって過剰照射される領域が生じたりすることがなく、ワーク面上の全ての領域で結晶化が均一に行われる。これにより、ランプの長尺化の限界という制約にもかかわらず、ワークの大型化に適正に対応することができるものである。図1は、本発明のフラッシュランプを複数本配置した光照射装置の概略図である。光照射装置1は、光源ユニット2、ワークを搭載するステージ3、及び光透過性窓部材4とから構成される。光源ユニット2は、ケーシング22内に並列配置された複数の棒状フラッシュランプ21と、これを取り囲む反射ミラー23とからなる。このフラッシュランプ21は、例えば、キセノンガスが封入されており、図示略の給電装置によって、例えば、1回あたり10J/cm2ジュール、1/3ヘルツで発光する。前記光源ユニット2の下方にはステージ3が配置され、表面にアモルファスシリコンが成膜された液晶基板などのワークWを載置するものであり、真空吸着機構などを具備している。そして、前記光源ユニット2には位置調整用の光源ユニット移動機構24が設けられ、前記ステージ3には位置調整用のステージ移動機構31が設けられている。なお、これら光源ユニット移動機構24およびステージ移動機構31は、必ずしも両方が必要というわけではなく、どちらか一方であってもよい。前記フラッシュランプ21の下方には石英ガラスなどよりなる光透過性窓部材以下、単に窓部材ともいう4が設けられている。この実施例では、光源ユニット2のケーシング22に取り付けられている。図2にこの光透過性窓部材4が示され、図2Aは平面図、図2Bは側面図である。図2Aに示すように、光透過性窓部材4は、全体が略矩形の板形状をなす。該窓部材4には、中央に矩形状の高透過率エリア41と、その周囲に低透過率エリア42とが形成されている。前記高透過率エリア41は、フラッシュランプ21の放射光を高い確率で透過するエリアであり、無処理の石英ガラスとするか、あるいは開口を形成させてもよい。一方、図2Bに示すように、低透過率エリア42はガラス材料の表面に例えばフロスト加工を施したエリアであって、フラッシュランプ21の放射光が低減されてワーク表面に照射されるエリアである。高透過率エリア41と低透過率エリア42の技術的な線引きは、高透過率エリア41を通過した光はアモルファスシリコンを結晶化させるが、その一方で低透過率エリア42を通過した光はアモルファスシリコンを結晶化させないことにある。つまり、ワーク表面上の照射エネルギーが、アモルファスシリコンを結晶化するか、あるいは結晶かしないが、高透過率エリア41と低透過率エリア42の線引きとなる。なお、前記低透過率エリア42を形成する手段としては前述のフロスト加工に限るものではなく、透過率を低減させる手段であれば他の方法であってもかまわない。あるいは、遮光性物質などを塗布させて透過率をゼロとしてもよい。ここで、窓部材4について、一数値例をあげると、全体の寸法は150mm×250mm、厚さ1.0mmである。また、高透過率エリアは50mm×100mmである。図3は、光透過性窓部材4の他の実施例であり、低透過率エリア42を構成するフロスト加工等の加工処理が、ガラス部材の両面に施されているものである。図4はワークW表面上に形成される照射領域Xを示す。この実施例では、光源ユニット2を光源ユニット移動機構24によって移動させながら、ワーク表面上に照射領域を順次形成していく場合について説明する。まず、ワークW上に、フラッシュランプ21の発光により光透過性窓部材4の光透過率エリア41を透過した光が照射される矩形の照射領域X1が形成され、当該領域X1で結晶化がなされる。次いで、光源ユニット2を移動させて、その隣に同じく矩形の照射領域X2が隣接形成される。以下同様に、その後も順次照射領域Xnを形成していくが、前に形成した照射領域と重なることなく、かつ、それらの間に隙間ができないように照射していくものである。このように、本発明ではワークW上に矩形状の照射領域Xを形成することで、ワークWが大型化しても、照射領域結晶化領域Xが重なって2度照射するようなことがなく、かつ、非照射領域を作ることがないように照射することが可能となり、隙間なく、しかも重なることのないように隣接した照射領域Xで結晶化がなされてワークWの全表面領域を良好に結晶化することができる。その数値例をあげると、ワークWの寸法は1000mm×1000mmの矩形であり、1回の光照射による結晶化領域Xは50mm×100mmである。なお、上記説明においては、光源ユニット2を順次移動させていくものとして説明したが、ステージ3をステージ移動機構31によって移動させるようにしてもよく、更には、その両者を相対的に移動させるものであってもよい。図5は、アモルファスシリコンの構造を示す。Aはトップゲート型アモルファスシリコンの構造を示し、Bはボトムゲート型アモルファスシリコンの構造を示す。トップゲート型もボトムゲート型も無アルカリガラス基板の上にSiO2が形成され、その上にアモルファスシリコンが成膜されている。トップゲート型はアモルファスシリコンに光照射した後、当該アモルファスシリコンの上に電極が形成されるが、ボトムゲート型は光照射されるときに、すでにSiO2の内部に電極が埋設されている。従って、トップゲート型の場合は、上記実施例の手順にてアモルファスシリコンに対して光照射することで結晶化することができるが、ボトムゲート型の場合は同様に光照射すると、アモルファスシリコンとSiO2を透過した照射光が電極において反射し、当該反射光により、アモルファスシリコンを再び照射してしまうことになる。つまり、電極が形成された領域は設計値以上の光照射を受けることになってしまい、本来、結晶化されるべきでない領域が結晶化されたり、あるいは、本来結晶化される領域が過度に光照射を受けて性能が劣化するなどの問題が発生する。図6はこのような状況に対処するものであって、ボトムゲート型アモルファスシリコンの場合に用いられる光透過性窓部材4の構成を示す。該光透過性窓部材4の高透過率エリア41の中に中透過率エリア43が局所的に形成されている。この中透過率エリア43は、前記SiO2の内部に埋設された電極の位置に対応した部位に形成されているものである。そして、その透過率は、高透過率エリア41よりは劣るが、低透過率エリア42よりは高いものであって、電極による光反射も加味して良好化な結晶化が達成できるものである。以上説明したように、本発明に係る光照射装置および光照射方法によれば、ワークに対してこれより小さな略矩形状の照射領域を順次隣接するように照射していくことによって、該照射領域で適正に結晶化がなされ、照射が不十分なために未結晶化領域が発生したり、照射領域が重なって過剰照射される領域が生じたりすることがなく、ワーク面上の全ての領域で結晶化が均一に行われるという効果を奏するものである。