半導体基板と、該半導体基板の一主面における第1方向に長い複数条の導体部を有する集電電極とを備えている太陽電池素子であって、前記複数条の導体部は、線状の第1導体領域と、該第1導体領域に電気的に接続されているとともに表面がめっきされた線状の第2導体領域とを有している太陽電池素子。前記複数条の導体部は、前記第1導体領域からなる導体部と、前記第2導体領域からなる導体部とを含んでおり、前記半導体基板の一主面上において、前記複数条の導体部の並びのうちで、前記第1導体領域は前記第1方向に直交する第2方向の一方側に位置しており、前記第2導体領域は前記第1導体領域よりも前記第2方向における他方側に位置している請求項1に記載の太陽電池素子。前記複数条の導体部は、前記第1導体領域と前記第2導体領域とを有する導体部を含んでおり、該導体部において、前記第1導体領域は前記第1方向における一方側に位置しており、前記第2導体領域は前記第1導体領域よりも前記第1方向における他方側に位置している請求項1に記載の太陽電池素子。前記第2導体領域のめっきが施される下地は前記第1導体領域よりも線幅が狭い請求項1から3のいずれかに記載の太陽電池素子。前記集電電極に交差するとともに電気的に接続されている出力取出電極をさらに備えている請求項1から4のいずれかに記載の太陽電池素子。請求項2に記載の太陽電池素子の製造方法であって、半導体基板を準備する基板準備工程と、前記半導体基板の一主面において、第1方向に長い線状に、かつ該第1方向に直交する前記第2方向における一方側に位置するように、第1導電ペーストを塗布して焼成することによって、線状の第1導体領域からなる導体部を形成する第1導体領域形成工程と、前記半導体基板の一主面において、前記第1方向に長い線状に、かつ前記第1導体領域が位置する部位よりも前記第2方向における他方側に位置するように、第2導電ペーストを塗布して焼成することによって、線状の第2導体領域からなる導体部を形成する第2導体領域形成工程と、前記第1導体領域と前記第2導体領域とを電気的に接続する接続工程と、電解めっきのための電流を流す給電部を前記第1導体領域に接続し、電解めっき液に前記半導体基板の一部とともに前記第2導体領域を浸漬して、前記第2導体領域の表面をめっきするめっき工程とを有する太陽電池素子の製造方法。請求項2に記載の太陽電池素子の製造方法であって、半導体基板を準備する基板準備工程と、前記半導体基板の一主面において、第1方向に長い線状に、かつ該第1方向に直交する前記第2方向における一方側に位置するように、第1導電ペーストを塗布して焼成することによって、線状の第1導体領域からなる導体部を形成する第1導体領域形成工程と、前記半導体基板の一主面において、前記第1方向に長い線状に、かつ前記第1導体領域が位置する部位よりも前記第2方向における他方側に位置するように、第2導電ペーストを塗布して焼成することによって、線状の第2導体領域からなる導体部を形成する第2導体領域形成工程と、前記第1導体領域と前記第2導体領域とを接続する出力取出電極を形成する接続工程と、電解めっきのための電流を流す給電部を前記出力取出電極に接続し、電解めっき液に前記半導体基板の一部とともに前記第2導体領域を浸漬して、前記第2導体領域の表面をめっきするめっき工程とを有する太陽電池素子の製造方法。前記第1導体領域形成工程と前記第2導体領域形成工程と前記接続工程とを1つの工程で行なう請求項6または7に記載の太陽電池素子の製造方法。請求項3に記載の太陽電池素子の製造方法であって、前記半導体基板を準備する基板準備工程と、前記半導体基板の一主面において、第1方向に長い線状に、かつ該第1方向における一方側に位置するように、第1導電ペーストを塗布して焼成することによって、線状の第1導体領域を形成する第1導体領域形成工程と、前記半導体基板の一主面において、前記第1方向に長い線状に、かつ前記第1方向において前記第1導体領域が位置する部位よりも他方側に位置するとともに、前記第1導体領域に電気的に接続するように第2導電ペーストを塗布して焼成することによって、前記第1導体領域および線状の第2導体領域を有する導体部を形成する第2導体領域形成工程と、電解めっきのための電流を流す給電部を前記第1導体領域に接続し、電解めっき液に前記半導体基板の一部とともに前記第2導体領域を浸漬して、前記第2導体領域の表面をめっきするめっき工程とを有する太陽電池素子の製造方法。前記第1導体領域形成工程と前記第2導体領域形成工程とを1つの工程で行なうことを特徴とする請求項9に記載の太陽電池素子の製造方法。前記第2導体領域形成工程において、前記第1導体領域よりも線幅が狭い前記第2導体領域のめっきが施される下地を形成する請求項6から10のいずれかに記載の太陽電池素子の製造方法。請求項1から5のいずれかに記載の太陽電池素子を備えている太陽電池モジュール。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。<<太陽電池素子>><太陽電池素子の基本的な構成>まず、本発明の一形態に係る太陽電池素子の基本構成について、図1~3を参照しながら説明する。太陽電池素子10は、光が入射する受光面以下、第1面という9aと、この第1面9aの裏面に相当する非受光面以下、第2面という9bとを有する半導体基板9を主に備えている。この半導体基板9は一導電型領域1と、半導体基板9の表層に設けられた逆導電型層2とで構成されている。半導体基板9の第1面9aの上本実施形態では、逆導電型層2の上には、反射防止膜である反射防止層3を配置していてもよい。そして、太陽電池素子10は、半導体基板9の第1面9a上に設けられた第1電極4と、半導体基板1の第2面9b上に設けられた第2電極5とを有する。ここで、第1電極4は図1に示すように、複数条に設けられた直線状の第1出力取出電極4aと、この第1出力取出電極4aよりも線幅の狭い、複数条に設けられた線状の第1集電電極4bとを有する。第1電極4は第1集電電極4bどうしを接続する線状の補助電極4cをさらに有していてもよい。この補助電極4cは例えば第1集電電極4bの両端に直線状に設けられる。このように、太陽電池素子10は、半導体基板9と、この半導体基板9の一主面である第1面9aにおける第1方向図1では左右方向に長い複数条の導体部を有する第1集電電極4bとを備えており、複数条の導体部は、線状の第1導体領域と、この第1導体領域に電気的に接続されているとともに表面がめっきされた線状の第2導体領域とを有している。上記太陽電池素子10のうち、例えば図4に示す太陽電池素子10タイプIでは、半導体基板9の第1面9aを平面視したときに、第1集電電極4bを構成する複数条の導体部は、第1導体領域からなる導体部と、第2導体領域からなる導体部とを含んでいる。そして、複数条の導体部の並びのうちで、第1導体領域は第1方向図4では左右方向に直交する第2方向図4aでは上下方向の一方側に位置している。第2導体領域は第1導体領域よりも第2方向における他方側に位置している。すなわち、タイプIの太陽電池素子10は、第2方向における一方側の導体部に第1導体領域を構成する第1導体層11aを有しており、この第1導体層11aよりも、第2方向における他方側の導体部に第2導体領域を構成する第2導体層11bとめっき層12とを有している。第2導体層11bはその表面にめっきを施すための下地となっている。また、例えば図5に示す太陽電池素子10タイプIIでは、第1集電電極4bは、第1導体領域と第2導体領域とを有する導体部を含んでいる。この導体部において、第1導体領域は第1方向における一方側に位置しており、第2導体領域は第1導体領域よりも第1方向における他方側に位置している。すなわち、半導体基板9の第1面9aの第1方向図5aでは左右方向における一方側の導体部に第1導体領域を構成する第1導体層11aを有しており、この第1導体層11aよりも第1方向における他方側の導体部に第2導体領域を構成する第2導体層11bとめっき層12とを有している。以上のように、本実施形態の太陽電池素子10は、半導体基板9の第1面9aを平面視したときの第1方向に長い複数条の導体部を有する第1集電電極4bを備えており、この第1集電電極4bは、線状の第1導体層11aと、第1導体層11aよりも線幅が狭い線状の第2導体層11bと、第2導体層11bの上に設けられためっき層12とを有している。<太陽電池素子の具体的な構成>次に、太陽電池素子10の構成について具体的に説明する。準備する半導体基板9としては、所定のドーパント元素導電型制御用の不純物を有して一導電型例えばp型を呈する単結晶シリコン基板または多結晶シリコン基板等の結晶シリコン基板が用いられる。この半導体基板9の厚みは、例えば、250μm以下であるのが好ましく、150μm以下であるのがさらに好ましい。半導体基板9の平面形状は、特に限定されるものではないが、本実施形態のように四角形状であるとよい。なぜなら、製法上の観点、および多数の太陽電池素子を配列して太陽電池モジュールを構成する際の観点等から好適であるからである。以下に、準備する半導体基板9として、p型の導電型を呈する結晶シリコン基板を用いる例について説明する。結晶シリコン基板からなる半導体基板9がp型を呈するようにする場合、ドーパント元素としては、例えばボロンあるいはガリウムを用いるのが好適である。逆導電型層2は、半導体基板9を主に構成する一導電型領域1と逆の導電型を呈する層であり、半導体基板9の第1面9aの表層内に形成されている。準備する半導体基板9としてp型の導電型を呈するシリコン基板を使用する場合であれば、逆導電型層2はn型の導電型を呈するように形成される。一方、準備する半導体基板9としてn型の導電型を呈するシリコン基板を使用する場合であれば、逆導電型層2はp型の導電型を呈するように形成される。また、p型の導電型の領域とn型の導電型の領域との間には、pn接合部が形成されている。このような逆導電型層2は、準備する半導体基板9がp型の導電型を呈するシリコン基板であれば、例えば当該シリコン基板の第1面9aにリン等の不純物を拡散させることによって形成できる。反射防止層3は、所望の波長領域の光の反射率を低減させて、光生成キャリア量を増大させる役割を果たすので、太陽電池素子10の光電流密度Jscを向上させることができる。反射防止層3は、例えば窒化シリコン膜、酸化チタン膜、酸化シリコン膜、酸化マグネシウム膜、酸化インジウムスズ膜、酸化スズ膜または酸化亜鉛膜などからなる。反射防止層3の厚みは、用いる材料によって適宜選択されて、適当な入射光に対して無反射条件を実現できる厚みであればよい。例えば、シリコンからなる半導体基板1においては、反射防止層3の屈折率は1.8~2.3程度であって、その厚みは500~1200Å程度であることが好ましい。また、反射防止層3が窒化シリコン膜を用いた場合は、パッシベーション効果も有するので好ましい。BSFBackSurfaceField領域6は半導体基板9の第2面9bの近くでキャリアの再結合による効率の低下を低減させる役割を有しており、半導体基板9の第2面9b側に内部電界を形成するものである。BSF領域6は一導電型領域1と同一の導電型を呈しているが、一導電型領域1が含有するドーパントの濃度よりも高い濃度でドーパント元素が存在する。BSF領域6は、一導電型領域1がp型を呈するのであれば、例えば、半導体基板9の第2面9bにボロンやアルミニウムなどのドーパント元素を拡散させることによって、これらドーパント元素の濃度が1×1018~5×1021atoms/cm3程度となるように形成されるのが好適である。このようにして、BSF領域6は半導体基板9の第2面9b側の表層部に形成される。図1に示すように、第1電極4は第1出力取出電極4aと複数の線状の第1集電電極4bとを有する。第1出力取出電極4aの少なくとも一部は、第1集電電極4bと交差している。この第1出力取出電極4aは、例えば、1.3~2.5mm程度の幅を有しており、2本以上設けられることが好ましい。第1集電電極4bは線状であり、その幅が40~150μm程度であるため、第1出力取出電極4aよりも線幅が狭い。また、第1集電電極4bは、互いに1~3mm程度の間隔空けて複数設けられている。また、このような第1電極4の厚みは10~40μm程度である。図4または図5に示すように、第1電極4は半導体基板9の一方の端部側に設けられた第1導体層11aと、半導体基板9の他方の端部側に設けられた第1導体層11aよりも線幅が狭い第2導体層11bを有しており、さらに、第2導体層11bの上にめっき層12を有する。導体層11は金属ペーストを塗布焼成することで形成されるため、空孔率が5よりも大きくなる。めっき層12は空孔率が5以下となるように形成されている。導体層11の厚みは1~10μm程度であり、めっき層12の厚みは5~30μm程度である。次に、電極構造について具体的に説明する。まず、タイプIの電極構造の一例について説明する。図4に示すように、半導体基板9の一方の端部図4aに図示されている半導体基板9の上端側から5~10mm程度までの範囲図4aに示す破線で囲まれた2つの範囲である第1範囲Aおよび第2範囲Bのうち、狭い方の第1範囲A内に位置する第1出力取出電極4aと第1集電電極4bはめっき層12を有していない。一方、図4aに示す広い方の第2範囲B内に位置する第1出力取出電極4aと第1集電電極4bとはめっき層12を有している。ここでは、第1範囲A内に位置する第1集電電極4bの導体層を第1導体層11aとし、第2範囲B内に位置する第1集電電極4bの導体層11を第2導体層11bとし、第1出力取出電極4aの導体層11を第3導体層11cとする。そして、少なくとも第1導体層11aは第2導体層11bよりも線幅が広く形成されている。つまり、第1出力取出電極4aの長手方向に対して交差する半導体基板1の一方の端部側に第1導体層11aが設けられている。第2範囲Bに位置する第1集電電極4bはめっき層12を有することから、電極の線抵抗を減らすことができる。このため、第2導体層11bの幅を狭くすることができて、第1範囲Aに位置する第1集電電極4bは第1導体層11aの線幅を広くすることによって、電極の線抵抗が大きくなるのを低減することができる。なお、第1範囲A内に位置する第1出力取出電極4aの第3導体層11cは、第2範囲B内に位置する第3導体層11cよりも線幅が広く形成されてもよいが、第1出力取出電極4aは第1集電電極4bに比べ十分に線幅が広いことから、第1範囲Aと第2範囲Bとで第3導体層11cの線幅を変えなくてもよい。次に、タイプIIの電極構造の一例について説明する。図5に示すように、半導体基板9の一方の端部図5aに図示されている半導体基板9の左端側から5~10mm程度までの範囲図5aに示す破線で囲まれた2つの範囲である第3範囲Cおよび第4範囲Dのうち、狭い方の第3範囲C内に位置する第1集電電極4bはめっき層12を有していない。一方、図5aに示す広い方の第4範囲D内に位置する第1出力取出電極4aと第1集電電極4bとはめっき層12を有している。ここでは第3範囲Cに位置する第1集電電極4bの導体層を第1導体層11aとし、第4範囲Dに位置する第1集電電極4bの導体層11を第2導体層11bとし、第1出力取出電極4aの導体層11を第3導体層11cとする。そして、第1導体層11aは第2導体層11bよりも線幅が広く形成されている。つまり、第1集電電極4bの長手方向に対して交差する半導体基板9の一方の端部側に第1導体層11aが設けられている。第4範囲Dに位置する第1集電電極4bはめっき層12を有することから、電極の線抵抗を減らすことができるため、第2導体層11bの幅を狭くすることができて、第3範囲Cに位置する第1集電電極4bは第1導体層11aの線幅を広くすることによって、電極の線抵抗が大きくなるのを低減することができる。第1導体層11aの幅は、第2導体層11bの周囲を覆うめっき層12を含めた幅程度であればよく、第2導体層11bの幅よりも5~30μm程度大きい。図2に示すように、第2電極5は第2出力取出電極5aと第2集電電極5bとを有する。本実施形態の第2出力取出電極5aの厚みは10~30μm程度、幅は1.3~7mm程度である。第2出力取出電極5aは、上述の第1電極4と同等の材質および製法で形成することができる。また、第2集電電極5bは、厚みが15~50μm程度であり、半導体基板9の第2面9bの第2出力取出電極5aの一部を除いた略全面に形成される。この第2集電電極5bは、例えばアルミニウムペーストを所望の形状に塗布した後、焼成することによって形成することができる。<太陽電池素子の基本的な製造方法>次に、上述した太陽電池素子10の基本的な製造方法について説明する。以下に電極構造のタイプ別に説明する。タイプIの太陽電池素子の場合は図4を参照しながら説明する。また、タイプIIの太陽電池素子の場合は図5を参照しながら説明する。まず、タイプIの太陽電池素子の製造方法について説明する。タイプIの太陽電池素子の場合は、半導体基板9を準備する基板準備工程と、第1導体領域形成工程と、第2導体領域形成工程と、第1導体領域と第2導体領域とを電気的に接続する接続工程と、めっき工程とを有する。ここで、接続工程は、第1導体領域と第2導体領域とを接続する出力取出電極を形成する工程としてもよい。第1導体領域形成工程は、半導体基板9の一主面における第1方向に長い線状に、かつ第1方向に直交する第2方向における一方側に位置するように、第1導電ペーストを塗布して焼成することによって、線状の第1導体領域を構成する導体部である第1導体層11aを形成する工程である。第2導体領域形成工程は、半導体基板9の一主面における第1方向に長い線状に、かつ第1導体領域が位置する部位よりも第2方向における他方側に位置するように、第2導電ペーストを塗布して焼成することによって、線状の第2導体領域からなる導体部である第2導体層11bを形成する工程である。ここで、第1導体領域形成工程で用いる第1導電ペーストと第2導体領域形成工程で用いる第2導電ペーストとは同一材料でもよい。接続工程において出力取出電極を形成する場合は、第1導体層11aと第2導体層11bとを接続する第3導体層11cを形成して、この第3導体層11cを出力取出電極の構成要素とする。めっき工程は、電解めっきのための電流を流す給電部を第1導体領域の第1導体層11aに接続し、給電部が浸漬しないように、電解めっき液に半導体基板9の一部とともに第2導体領域の第2導体層11bを浸漬して、第2導体層11bの上にめっき層12を形成する方法I。接続工程において、第1導体領域と第2導体領域とを接続する出力取出電極を形成する場合は、めっき工程において給電部を線幅の広い第3導体層11c出力取出電極に接続してもよい方法II。このようにすれば、給電部と第3導体層11cとの電気的接続が確実に行なわれて、第2導体層11bの表面にめっきがなされるので好適である。ここで、第1導体領域形成工程と第2導体領域工程と接続工程とを一つの工程で行なうと、太陽電池素子10を迅速かつ容易に製造することができるので好適である。また、タイプIIの太陽電池素子の場合、半導体基板9を準備する基板準備工程と、第1導体領域形成工程と、第2導体領域形成工程と、めっき工程とを有する。第1導体領域形成工程は、半導体基板9の一主面において、第1方向に長い線状に、かつ第1方向における一方側に位置するように、第1導電ペーストを塗布して焼成することによって、線状の第1導体領域である第1導体層11aを形成する。第2導体領域形成工程は、半導体基板9の一主面において、第1方向に長い線状に、かつ第1方向において第1導体領域の第1導体層11aが位置する部位よりも他方側に位置するとともに、第1導体層11aに電気的に接続するように第2導電ペーストを塗布して焼成することによって、第1導体領域の第1導体層11aおよび線状の第2導体領域の第2導体層11bを有する導体部を形成する。めっき工程は、電解めっきのための電流を流す給電部を第1導体領域の第1導体層11aに接続し、電解めっき液に半導体基板9の一部とともに第2導体領域の第2導体層11bを浸漬して、第2導体層11bの表面をめっきする。ここで、第1導体領域形成工程と第2導体領域工程とを一つの工程で行なうと、太陽電池素子10を迅速かつ容易に製造することができるので好適である。<太陽電池素子の具体的な製造方法>次に、太陽電池素子10の具体的な製造方法について、タイプIを例にとり説明する。なお、タイプIIにおいてもタイプIと同様な材料条件により、上記の基本的な製造方法に基づいて製造できる。はじめに、半導体基板9を準備する基板準備工程について説明する。半導体基板9が単結晶シリコン基板の場合は、例えば引き上げ法などによって製造したものを準備する。また、半導体基板9が多結晶シリコン基板の場合は、例えば鋳造法などによって製造したものを準備する。なお、以下では、準備する半導体基板9としてp型の多結晶シリコンを用いた例によって説明する。まず、例えば鋳造法により多結晶シリコンのインゴットを作製する。次いで、そのインゴットを、例えば、250μm以下の厚みにスライスする。その後、スライスした半導体基板の切断面の機械的ダメージ層および汚染層を清浄化するために、表面をNaOHもしくはKOH、または、フッ酸もしくはフッ硝酸などの溶液を用いてごく微量エッチングするのが望ましい。なお、このエッチング工程後に、ウエットエッチング方法またはドライエッチング方法を用いて、図3に示すように、半導体基板9の表面に微小な凹凸構造9cを形成するのがさらに望ましい。次に、半導体基板9の第1面9aの表層内にn型の逆導電型層2を形成する。このような逆導電型層2は、ペースト状態にしたP2O5を半導体基板9の表面に塗布して熱拡散させる塗布熱拡散法、ガス状態にしたオキシ塩化リンPOCl3を拡散源とした気相熱拡散法、またはリンイオンを直接拡散させるイオン打ち込み法などによって形成される。この逆導電型層2は0.2~2μm程度の深さに、また60~150Ω/□程度のシート抵抗に形成される。なお、逆導電型層2の形成方法は上記方法に限定されるものではなく、例えば薄膜形成技術を用いて、水素化アモルファスシリコン膜、または、微結晶シリコン膜を含む結晶質シリコン膜などを形成してもよい。さらに、半導体基板1と逆導電型層2との間にi型シリコン領域を形成してもよい。次に、反射防止層3を形成する。反射防止層3は、例えば、PECVDplasmaenhancedchemicalvapordeposition法、蒸着法またはスパッタ法などを用いて形成される。例えば、窒化シリコン膜からなる反射防止層3をPECVD法で形成する場合であれば、反応室内を500°C程度としてシランSiH4とアンモニアNH3との混合ガスを窒素N2で希釈し、グロー放電分解でプラズマ化させて堆積させることで反射防止層3が形成される。次に、半導体基板9の第2面9b側に、一導電型の半導体不純物が高濃度に拡散されたBSF領域6を形成する。この製法としては、例えば、三臭化ボロンBBr3を拡散源とした熱拡散法を用いて温度800~1100°C程度で形成する方法、アルミニウムAl粉末および有機ビヒクル等からなるアルミニウムペーストを印刷法で塗布した後、温度600~850°C程度で熱処理焼成してアルミニウムを半導体基板1に拡散する方法を用いることができる。また、アルミニウムペーストを印刷して焼成する方法を用いるならば、印刷面のみに所望の拡散領域を形成することができる上に、逆導電型層2の形成時に同時に第2面9b側にも形成されているn型の逆導電型層2を除去する必要もなく、第1面9a側または第2面9b側の周辺部のみにレーザー等を用いてpn接合領域の分離を行えばよい。なお、BSF領域6の形成方法は上記方法に限定されるものではなく、例えば薄膜形成技術を用いて、水素化アモルファスシリコン膜、または、微結晶シリコン膜を含む結晶質シリコン膜などを形成してもよい。さらに、一導電型領域1とBSF領域6との間にi型シリコン領域を形成してもよい。次に、第1電極4第1出力取出電極4a、第1集電電極4bと第2電極5第2出力取出電極5a、第2集電電極5bとを以下のようにして形成する。第1電極4は、例えば銀Ag等からなる金属粉末と、有機ビヒクルとガラスフリットとを含有する電極ペースト銀ペーストを用いて作製される。この銀ペーストを、半導体基板9の第1面9aに塗布して、その後、最高温度600~850°Cで数十秒~数十分程度焼成することによって、ファイヤースルー法によって反射防止層3を突き破り半導体基板9上に第1電極4の導体層11が形成される。電極ペーストの塗布法としては、スクリーン印刷法などを用いることができる。この塗布後、所定の温度に加熱して溶剤を蒸散させて乾燥させることが好ましい。導体層11は半導体基板1の一方の端部側に設けられた第1導体層11aと、半導体基板1の他方の端部側に設けられた第1導体層11aよりも線幅が狭い第2導体層11bとからなる。電極ペーストが通過するスクリーンの開口部の幅を調整することによって、所望の導体層11の形状を得ることができて、第1導体層11aと第2導体層11bとを1つの工程で形成することができる。次に、図6に示すように、電解めっき液22が貯留されているめっき槽21内に半導体基板9を浸漬させて、第2導体層11bにめっき層12が形成される。めっき槽21内には電解めっき液22に対して、金属部材からなる陽極23が設けられる。一方、めっき対象物である第2導体層11bを設けた半導体基板9が陰極24となる。第2導体層11bが陰極24となるために、第1導体層11aに導電性のクリップ等からなる給電部25が取り付けられる。そして、半導体基板9において第2導体層11bが形成されている部分のみが電解めっき液22に浸漬される。そして、電源26から陽極23と陰極24との間に電圧を印加して電流を流すことによって、第2導体層11bの上にめっき層12が形成される。また、第1導体層11aの少なくとも一部および給電部25は電解めっき液22に浸漬しないため、めっき層12が形成されない。従来の製造方法においては、給電部25も電解めっき液22に浸漬するので、給電部25にもめっき層が形成される。このため、給電部25に形成されためっき層は次の半導体基板を処理する前に、例えば、エッチング液に浸漬して除去する必要があるため生産性が低下する。一方、本実施形態による製造方法では、上述したように給電部25にはめっき層が形成されないので、めっき層の除去工程が不要となり、生産性を大幅に向上させることができる。また、電解めっき液22に浸漬しなかった第1導体層11aは第2導体層11bよりも線幅が広いことから、電極の線抵抗が大きくなるのを低減することができる。よって、本実施形態の製造方法によれば、太陽電池素子10の出力特性を維持しつつ、その生産性を向上させることができる。めっき層12としては、銅、銀または錫等が用いられる。このとき、電解めっき液22はめっき層を構成する金属を含んだめっき液が用いられ、陽極23の金属部材もめっき層を構成する金属の板が用いられる。また、陽極23は不溶性の金属部材でもよく、酸化イリジウム被覆チタンまたは白金被覆チタン等が用いられる。例えば、めっき層12が銅の場合には、電解めっき液22として硫酸銅めっき液、ピロリン酸銅めっき液またはシアン化銅めっき液等が用いられて、陽極23の金属部材として含リン銅から成る銅板が用いられる。第1出力取出電極4aの長手方向に沿って、半導体基板9をめっき槽21に浸漬させる場合には、第1出力取出電極4aの長手方向に対して交差する半導体基板1の一方の端部側に第1導体層11aが設けられる。そして、一方の端部側に位置する第1導体層11a第1集電電極4bまたは第3導体層11c第1出力取出電極4aに給電部25が取り付けられ、電解めっき液22に浸漬していた第2導体層11bおよび第3導体層11cの一部にめっき層12が形成されることにより、第1出力取出電極4aおよび第1集電電極4bが形成される。第1集電電極4bの長手方向に沿って半導体基板1をめっき槽21に浸漬させる場合には、第1集電電極4bの長手方向に対して交差する半導体基板1の一方の端部側に第1導体層11aが設けられる。そして、一方の端部側に位置する第1導体層11aに給電部25が取り付けられて、電解めっき液22に浸漬していた第2導体層11bと第3導体層11cにめっき層12が形成されることによって、第1出力取出電極4aおよび第1集電電極4bが形成される。次に、第2電極5について説明する。まず、第2集電電極5bは、例えばアルミニウム粉末と、有機ビヒクルとを含有するアルミニウムペーストを用いて作製される。このペーストを、第2出力取出電極5aを形成する部位の一部を除いて、第2面のほぼ全面に塗布する。塗布法としては、スクリーン印刷法などを用いることができる。このようにペーストを塗布した後、所定の温度で溶剤を蒸散させて乾燥させる方が、作業時にペーストがその他の部分に付着しにくいという観点から好ましい。次に、第2出力取出電極5aは、例えば銀粉末などからなる金属粉末と、有機ビヒクルとガラスフリットを含有する銀ペーストを用いて作製される。この銀ペーストを予め決められた形状に塗布する。なお、銀ペーストは、アルミニウムペーストの一部と接する位置に塗布されることで、第2出力取出電極5aと第2集電電極5bとの一部が重なる。塗布法としては、スクリーン印刷法などを用いることができる。この塗布後、所定の温度に加熱して溶剤を蒸散させて乾燥させることが好ましい。そして、半導体基板9を焼成炉内にて最高温度が600~850°Cで数十秒~数十分程度焼成することによって、第2電極5が半導体基板9の第2面9b側に形成される。なお、第2電極5は印刷焼成法による電極形成を用いたが、蒸着もしくはスパッタ等の薄膜形成、またはめっき法を用いて形成することも可能である。以上のようにして、出力特性の優れた太陽電池素子10を迅速かつ容易に作製することができる。なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、以下のように、本発明の範囲内で多くの修正および変更を加えることができる。例えば、半導体基板9の第2面9b側にパッシベーション膜を設けてもよい。このパッシベーション膜は、半導体基板9の裏面である第2面9bにおいて、キャリアの再結合を低減する役割を有するものである。パッシベーション膜としては、窒化シリコンSi3N4、アモルファスSi窒化膜a-SiNxなどのSi系窒化膜、酸化シリコンSiO2、酸化アルミニウムAl2O3または酸化チタンTiO2などが使用できる。パッシベーション膜8の厚みは、100~2000Å程度に、PECVD法、蒸着法またはスパッタ法などを用いて形成すればよい。そのため、半導体基板9の第2面9b側の構造はPERCPassivatedEmitterandRearCell構造またはPERLPassivatedEmitterRearLocallydiffused構造に用いられる第2面9b側の構造を用いることができる。また、第2電極5においても第1電極4と同様に、第2出力取出電極と、第2出力取出電極と交差する複数の線状の第2集電電極とを有する形状であってもよく、導体層とこの表面を被覆するめっき層とを有するものであってもよい。また、半導体基板9をめっき槽21に浸漬させる位置の制御、または電解めっき液22の液面高さの制御等によって、第2導体層11bに隣接する第1導体層11aの一部にめっき層が形成されても構わない。また、第1導体層11aの線幅は、第2導体層11b側から半導体基板9の一方の端部に向けて広くなるようにしてもよい。線幅は段階的または連続的に広くすればよい。例えば、第2導体層11b側から第1範囲Aまたは第3範囲Cにおける電極部分において、その半分程度まで段階的にまたは連続的に広くして、第1範囲Aまたは第3範囲Cにおける電極部分において、その半分程度から半導体基板9の一方の端部までは一定の太さでもよい。上記の場合、第2導体層11bに隣接する第1導電体層11aの一部にめっき層が形成されても、電極の幅が広くなりすぎずに、受光面積の減少を低減することができる。また、第1集電電極4bの長手方向に対して交差する両端部に、第1集電電極4bと交差する線状の補助電極4cを形成することによって、給電部25から供給された電流を第1電極4に均一に流すことができて、均一な厚みのめっき層12を形成することができる。また、補助電極4cは導体層11とめっき層12とを有してもよい。これにより、第1集電電極4bの一部で線切れが生じても、抵抗の上昇を低減して、他の第1集電電極4bを通して第1出力取出電極に電流を流すことができるので好適である。また、第2電極5が形成された後にめっき層12を形成してもよい。このとき、給電部25から第2電極5に電流を流す必要がない場合には、接触部分に絶縁層を設けるようにすればよい。これにより、不要な部分にめっき層12が形成されないため好適である。また、第1集電電極4b第2導体層11bと第1出力取出電極4a第3導体層11cとの交点、または、第1集電電極4bと補助電極4cとの交点において、第1集電電極4b第2導体層11bの幅は、第1出力取出電極4a第3導体層11cまたは補助電極4cに向かって広くしてもよい。めっき層12が形成される第2導体層11bの線幅は非常に狭いため、第2導体層11bの長手方向に対して垂直に延びる第1出力取出電極4a第3導体層11cまたは補助電極4cとの交点において線切れが生じる可能性があるため、交点部分の第2導体層11bの線幅を広くすることによって、線切れの発生を低減することができる。<<太陽電池モジュール>>本実施形態の太陽電池素子10を1以上備えている太陽電池モジュールについて説明する。以下、上記太陽電池素子の複数を電気的に接続してなる太陽電池モジュールを例にとり説明する。単独の太陽電池素子の電気出力が小さい場合、複数の太陽電池素子10を直列および並列に接続することで太陽電池モジュールが構成される。この太陽電池モジュールを複数個組み合わせることによって、実用的な電気出力の取り出しが可能となる。図7aに示すように、太陽電池モジュール30は、例えば、ガラスなどの透明部材32と、透明のEVAエチレンビニルアセテートなどからなる表側充填材34と、配線部材21によって隣接する太陽電池素子の第1電極4と第2電極5とを交互に接続して成る複数の太陽電池素子30と、EVAなどからなる裏側充填材35と、PETポリエチレンテレフタレートまたは金属箔をPVFポリフッ化ビニルで挟みこんだ裏面保護材33とを主として備える。隣接する太陽電池素子10同士は、例えば、厚さ0.1~0.2mm程度、幅2mm程度の銅箔の全面を半田材料によって被覆された配線部材31が用いられる。また、直列接続された複数の太陽電池素子10のうち、直列接続の最初に位置している太陽電池素子10と最後に位置している太陽電池素子10の電極の一端は、出力取出部である端子ボックス37に、出力取出配線36によって接続される。また、図7aでは図示を省略しているが、図7bに示すように、太陽電池モジュール30は、アルミニウムなどからなる枠38を備えていてもよい。本実施形態の太陽電池モジュール30によれば、従来よりも出力変換効率が良好な特性の優れた太陽電池モジュールとすることができる。以下に、より具体的な実施例について説明する。まず、半導体基板1として、厚さが約200μm、外形156mm×156mm、比抵抗1.5Ωcmの多結晶シリコン基板を多数用意した。これらの多結晶シリコン基板は、予めp型の導電型を呈するようにボロンをドープしたものを用いた。用意したそれぞれの多結晶シリコン基板の第1面10a側に、RIEReactiveIonEtching法を用いて、図3に示すような凹凸構造9cを形成した。次に、リン原子を拡散させて、シート抵抗が90Ω/□程度となるn型の逆導電型層2を形成した。次に、第1面9a側にはプラズマCVD法により窒化シリコン膜からなる反射防止層3を形成した。さらに、第2面側9bの略全面にアルミニウムペーストを塗布して、その後、これを焼成してBSF領域6および第2集電電極5bを形成した。次に、第1面10aに銀ペーストを塗布して、その後、これを焼成して導体層第1導電層11a、第2導電層11bおよび第3導電層11cを形成した。第2導体層11bおよび第3導電層11cが形成されている領域ただし、タイプIにおいては第3導電層11cは一部を電解めっき液22に浸漬して、第2導体層11bおよび第3導体層11cタイプIにおいては一部に銅からなるめっき層12を形成して第1電極4を形成した。また、第2面10bに銀ペーストを塗布して、その後、これを焼成して第2出力取出電極4aを形成した。最後にシリコン基板の第2面9b側の周辺部においてレーザーによるpn分離を行い、太陽電池素子10を形成した。タイプIからなる太陽電池素子の電極構造は、図4に示す電極構造とした。また、タイプIIからなる太陽電池素子の電極構造は、図5に示す電極構造とした。そして、タイプIおよびタイプIIの太陽電池素子のそれぞれにおいて、第1導体層11aを一方の端部から5mmの範囲に形成して、その線幅を90μmとし、厚みを4μmとした。第2導体層11bは、他方の端部の広い範囲に形成して、その線幅を40μmとし、厚みを2μmとした。第3導体層11cは、その線幅を1.5mmとし、厚みを2μmとした。めっき層12の厚みは10μmであった。また、タイプIからなる太陽電池素子においては給電部25を第3導体層11cに設けて、タイプIIからなる太陽電池素子においては給電部25を第3第1導体層11bに設けて、給電部25をめっき液22に浸漬させずにめっき層12を形成した。また、比較例として、銀ペーストを塗布して、その後、これを焼成して、第1集電電極の幅が90μm、厚みが15μm、第1出力取出電極の線幅が1.5mm、厚みが15μmの第1電極4からなる太陽電池素子を形成した。次に、タイプI、IIおよび比較例のそれぞれについて、太陽電池素子の出力特性電圧、電流密度、曲線因子および変換効率を測定して評価した。その結果を表1に示す。なお、これらの特性の測定はJISC8913に基づいて、AMAirMass1.5および100mW/cm2の照射の条件下にて測定した。表1に示すように、タイプIおよびIIの太陽電池素子は、いずれも比較例に比べて電流密度、曲線因子および変換効率が高いことを確認した。また、給電部25にはめっき層12が形成されないので、めっき層12の除去工程が不要となり、生産性を大幅に向上させることができた。