基板上に第1の電極を形成する工程と、前記第1の電極上に一導電型を有する第1の不純物半導体層を形成する工程と、前記第1の不純物半導体層上に真性半導体層を形成する工程と、前記真性半導体層上に前記第1の不純物半導体層とは逆の導電型を有する第2の不純物半導体層を形成する工程と、構造欠陥を検出する手段を用いて、前記第1の不純物半導体層、前記真性半導体層、及び前記第2の不純物半導体層を含む領域、またはその領域の一部に存在する構造欠陥の位置を特定する工程と、液体を吐出する手段を用いて、前記構造欠陥及びその周辺に対して液状の絶縁樹脂材料を吐出して、前記液状の絶縁樹脂材料を前記構造欠陥の内部に充填するとともに、前記構造欠陥を覆う様に形成する工程と、前記液状の絶縁樹脂材料を硬化する手段を用いて、前記構造欠陥内部に充填及び前記構造欠陥を覆う様に形成された前記液状の絶縁樹脂材料を硬化する工程と、前記第2の不純物半導体層及び硬化した絶縁樹脂上に第2の電極を形成する工程と、を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項1において、前記構造欠陥の位置を特定する工程と、前記液状の絶縁樹脂材料を前記構造欠陥の内部に充填するとともに、前記構造欠陥を覆う様に形成する工程と、前記液状の絶縁樹脂材料を硬化する工程と、を並行して行うことを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項1または2において、前記構造欠陥は、ピンホールまたは傷であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項1乃至3のいずれか一項において、前記構造欠陥を検出する手段には、画像解析方法、またはレーザ光の反射光を解析する方法を用いることを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項1乃至4のいずれか一項において、前記液体を吐出する手段はインクジェット法、またはディスペンス法であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項1乃至5のいずれか一項において、前記絶縁樹脂材料は、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、または熱併用型紫外線硬化性樹脂であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項1乃至6のいずれか一項において、前記絶縁樹脂材料を硬化する手段は、加熱、紫外線、またはそれらの組み合わせであり、前記構造欠陥を覆う絶縁樹脂材料に対して局所的に加熱、または紫外線照射を行うことを特徴とする光電変換装置の作製方法。請求項1乃至7のいずれか一項において、硬化した絶縁樹脂の径または短軸径は、1mm以下であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。基板上に形成された第1の電極と、前記第1の電極上に形成された一導電型を有する第1の不純物半導体層と、前記第1の不純物半導体層上に形成された真性半導体層と、前記真性半導体層上に形成された、前記第1の不純物半導体層とは逆の導電型を有する第2不純物半導体層と、前記第2の不純物半導体層上に形成された第2の電極と、を有し、前記第1の不純物半導体層、前記真性半導体層、及び前記第2の不純物半導体層を含む領域、またはその領域の一部には構造欠陥が存在しており、前記構造欠陥には絶縁樹脂が充填され、前記構造欠陥の上側には前記絶縁樹脂が前記構造欠陥を覆うように形成されていることを特徴とする光電変換装置。請求項9において、前記構造欠陥は、ピンホールまたは傷であることを特徴とする光電変換装置。請求項9または10において、前記絶縁樹脂は、紫外線硬化性樹脂または熱硬化性樹脂で形成されていることを特徴とする光電変換装置。請求項9乃至11のいずれか一項において、前記構造欠陥を覆うように形成された前記絶縁樹脂の径または短軸径は、1mm以下であることを特徴とする光電変換装置。上記フォトレジストをピンホール等の構造欠陥に固定化する方法は、フォトリソグラフィプロセスを応用したウエットプロセスであり、基体にガラス基板などを用いる場合は対応に問題は無いが、樹脂フィルムや薄型のステンレス基板などを用いるRoll-to-Rollプロセスでは対応が困難であった。また、半導体膜の面積全体に対する構造欠陥の面積の割合は非常に小さいものであり、高価なフォトレジストの使用効率が極めて悪い問題も有していた。また、フォトレジストの塗布時に構造欠陥にフォトレジストが充填されない場合や、余分なフォトレジストを取り除く際に、一度構造欠陥に充填されたフォトレジストも同時に取り除かれてしまう場合があった。従って、本発明の一態様は、Roll-to-Rollプロセスに対応する半導体膜の構造欠陥の修復方法を提供することを目的の一つとする。また、半導体膜の構造欠陥の修復に用いる材料の使用効率を向上することを目的の一つとする。また、半導体膜の構造欠陥の修復の歩留まりを向上させることを目的の一つとする。本発明の一態様は、半導体膜に不本意に形成されたピンホールや傷などの構造欠陥に対して、その位置を検出するとともに、その位置に対して絶縁樹脂を選択的に形成し、ショートやリークなどの不良を極力抑えることのできる光電変換装置及びその作製方法に関する。本明細書で開示する本発明の一態様は、基板上に第1の電極を形成する工程と、第1の電極上に一導電型を有する第1の不純物半導体層を形成する工程と、第1の不純物半導体層上に真性半導体層を形成する工程と、真性半導体層上に第1の不純物半導体層とは逆の導電型を有する第2の不純物半導体層を形成する工程と、構造欠陥を検出する手段を用いて、第1の不純物半導体層、真性半導体層、及び第2の不純物半導体層を含む領域、またはその領域の一部に存在する構造欠陥の位置を特定する工程と、液体を吐出する手段を用いて、構造欠陥及びその周辺に対して液状の絶縁樹脂材料を吐出して、液状の絶縁樹脂材料を構造欠陥の内部に充填するとともに、構造欠陥を覆う様に形成する工程と、液状の絶縁樹脂材料を硬化する手段を用いて、構造欠陥内部に充填及び構造欠陥を覆う様に形成された液状の絶縁樹脂材料を硬化する工程と、第2の不純物半導体層及び硬化した絶縁樹脂上に第2の電極を形成する工程と、を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法である。本明細書において第1、第2等の数詞の付く用語は、要素を区別するために便宜的に付与しているものであり、数的に限定するものではなく、また配置及び段階の順序を限定するものでもない。上記構造欠陥の位置を特定する工程と、液状の絶縁樹脂材料を構造欠陥の内部に充填するとともに、構造欠陥を覆う様に形成する工程と、液状の絶縁樹脂材料を硬化する工程と、を並行して行うことによって、処理時間を短縮させることができる。なお、本明細書において構造欠陥とは、成膜途中で形成されたピンホールや、物理的な手段で形成された傷などの欠損部を有する欠陥のことを言い、結晶構造の乱れなどの結晶欠陥を意味するものではない。上記構造欠陥を検出する手段には、画像解析方法、またはレーザ光の反射光を解析する方法などがある。具体的に前者は、高倍率の撮像手段と画像を解析するソフトウエアなどを用いた方法、後者はレーザ変位計などを用いる方法を利用することができる。また、液体を吐出する手段にはインクジェット法、またはディスペンス法を用いることが好ましい。特定されたピンホールの位置に対して局部的に樹脂材料を吐出することができ、樹脂材料を無駄無く使用することができる。また、絶縁樹脂材料には、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、または熱併用型紫外線硬化性樹脂を用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などを用いることができる。また、絶縁樹脂材料を硬化する手段は、加熱、紫外線、またはそれらの組み合わせであり、構造欠陥を覆う絶縁樹脂材料に対して局所的に加熱、または紫外線照射を行うことでスループットを向上させることができる。また、本明細書で開示する本発明の他の一態様は、基板上に形成された第1の電極と、第1の電極上に形成された第1の不純物半導体層を有する第1の不純物半導体層と、第1の不純物半導体層上に形成された真性半導体層と、真性半導体層上に形成された一導電型とは逆の導電型を有する第2不純物半導体層と、第2の不純物半導体層上に形成された第2の電極と、を有し、第1の不純物半導体層、真性半導体層、及び第2の不純物半導体層を含む領域、またはその領域の一部には構造欠陥が存在しており、構造欠陥には絶縁樹脂が充填され、構造欠陥の上側には絶縁樹脂が構造欠陥を覆うように形成されていることを特徴とする光電変換装置である。ここで、構造欠陥を覆うように形成された絶縁樹脂の径または短軸径は、1mm以下であることが好ましい。絶縁樹脂の径または短軸径を1mm以下にすることで、電流を損失することなく取り出すことができる。本発明の一態様における光電変換装置の作製方法では、半導体膜に不本意に形成されたピンホールや傷などの構造欠陥に対して、絶縁樹脂を選択的に充填することができ、絶縁樹脂の使用量を抑えることができる。また、絶縁樹脂を取り除く工程が無いため、構造欠陥内の充填物が偶発的に取り除かれることも無い。更に、フォトリソグラフィのようなウエットプロセスを必要としないため、Roll-to-Rollプロセスなどの連続工程の途中に用いることもできる。従って、従来よりも低コスト、高歩留まりの光電変換装置及びその作製方法を提供することができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様である光電変換装置の構造、及びその作製方法について説明する。図1は、本発明の一態様における光電変換装置の断面図である。本実施の形態における光電変換装置は、基板100、第1の電極120、第1の不純物半導体層140、真性半導体層150、第2の不純物半導体層160、第2の電極180、及び絶縁樹脂220を含んで構成される。ここで、第1の不純物半導体層140、真性半導体層150、及び第2の不純物半導体層160を含む領域には、構造欠陥の1つであるピンホール200が形成されており、それを充填し、かつ覆う様に絶縁樹脂220が形成されている。この絶縁樹脂220が形成されていることにより、上下の電極層間のショートを防ぐことができる。なお、本実施の形態においては、光電変換装置の積層構造の一部について説明を行うため、第1の電極と接続される取り出し電極等の図示及び説明は省いている。基板100には、ガラス基板やポリエチレンテレフタレートPETまたはポリエチレンナフタレートPEN等の透光性絶縁基板を用いることができる。また、ステンレス等の金属基板等に絶縁膜を形成した基板を用いても良い。本実施の形態ではガラス基板を用いる。第1の電極120、及び第2の電極180には、酸化インジウム-酸化錫合金ITO、酸化亜鉛ZnO、酸化錫SnO2等の透光性導電膜、またはアルミニウム、チタン、ニッケル、銀、ステンレス等の金属膜を用いることができる。金属膜は単層に限らず、異なる膜の積層でも良い。例えば、アルミニウムとステンレスの積層などを用いることができる。また、カーボンペースト、ニッケルペースト、銀ペースト、モリブデンペースト等の導電ペーストを用いることもできる。本実施の形態では、基板100側を光入射側とするため、第1の電極120には透光性導電膜である酸化インジウム-酸化錫合金、第2の電極180にはアルミニウムとステンレスの積層を用いる構成とする。光入射側を基板100側とは逆の面とした場合は、それぞれの電極に用いる材料を逆にすれば良い。なお、光入射側の電極には透光性導電膜を用いるが、対向する電極の種類は問われず、実施者が適宜選択することができる。第1の不純物半導体層140には、一導電型を有する半導体膜を用いることができ、第2の不純物半導体層160には、第1の不純物半導体層140とは逆の導電型を有する半導体膜を用いることができる。本実施の形態では、第1の不純物半導体層140には、p型のシリコン半導体膜を用い、第2の不純物半導体層160には、n型のシリコン半導体膜を用いるが、それぞれ逆の導電型を用いても良い。なお、上記シリコン半導体膜には非晶質シリコン膜を用いることもできるが、より低抵抗の微結晶シリコン膜または多結晶シリコン膜を用いることが好ましい。真性半導体層150には、非晶質シリコン半導体膜を用いる。なお、本明細書において、真性半導体とは、フェルミ準位がバンドギャップの中央に位置する所謂真性半導体の他、半導体に含まれるp型若しくはn型を付与する不純物が1×1020cm-3以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が100倍以上である半導体を指す。この真性半導体には、周期表第13族または第15族の不純物元素が含まれるものを含む。また、真性半導体をi型の導電型を有する半導体ということもできる。第1の不純物半導体層140、真性半導体層150、及び第2の不純物半導体層160を開口するピンホール200を充填し、かつピンホール200を覆うように形成されている絶縁樹脂220には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、またはアクリル樹脂等を用いることが好ましい。また、これらの樹脂を2つ以上混合したものでも良い。また、樹脂の色は限られないが、可視光に対して透光性を有する樹脂であることが好ましい。ここで、ピンホール200は、該半導体層を形成する過程において、パーティクル等によって不本意に形成されたものである。なお、図1では、第1の不純物半導体層140、真性半導体層150、及び第2の不純物半導体層160の3層の半導体層を開口する形でピンホール200を図示しているが、ピンホール形成過程は様々な現象によるものであり、これに限らない。例えば、真性半導体層150より上にピンホールが形成される場合や、第1の電極120を含んだ形でピンホールが形成される場合などがある。いずれにしても、ピンホールは、本来形成されるべき層が欠損している領域であり、別の層がその領域に入り込む可能性が高い。従って、ショートやリークなどの電気特性を悪化させる要因となってしまう。なお、膜面に形成された傷も構造欠陥の1つであり、ピンホールと同様に不具合の原因となる。膜面の傷は、主に他の物体との接触が原因となるが、Roll-to-Rollプロセスでは、基体が巻き取られる際に混入したパーティクルが原因となる場合がある。この場合、パーティクルが膜面を擦るような状況が起こり、膜面に引っ掻き傷が発生する。また、基体に樹脂基板などの柔らかい材質を用いている場合は、パーティクルが膜面を陥没させるような傷が発生することもある。本発明の一態様は、構造欠陥がある領域を検出する手段を用いて構造欠陥の位置を特定し、その領域に対して局所的に絶縁樹脂材料を吐出し、その後硬化させることによって、構造欠陥を介したショートやリークを抑制するものである。以降、構造欠陥の1つであるピンホールを例として、その形成過程、及びピンホールに樹脂を充填する工程の一例を説明する。なお、上述の傷に対する対処も同様に行うことができる。まず、ガラス基板等の基板100上に第1の電極120を形成する。ここでは、スパッタ法を用い、酸化インジウム-酸化錫合金を100nmの厚さに形成する。以降、この第1の電極120が形成された後に、パーティクル240が偶発的に第1の電極120上に付着する例として説明する図2A参照。パーティクル240は、一例として球状のものを図示したが、サイズ、形状、材料を問わず、様々な形態がある。例えば、膜や基板の欠片、成膜中に気相中で形成された原料ガスの構成元素を主成分とする塊状物などがある。従って、形成されるピンホールのサイズ、形状も様々である。なお、本発明の一態様に適応する構造欠陥のサイズは、径または短軸径が1mm未満とする。パーティクル240が第1の電極120上に付着した後に、第1の不純物半導体層140として、膜厚50nmのp型の微結晶シリコン膜を成膜する。本実施の形態では、プラズマCVD法を用い、p型を付与する不純物を含むドーピングガスを原料ガスに混合してp型の微結晶シリコン膜を形成する。p型を付与する不純物としては、代表的には周期表第13族元素であるホウ素またはアルミニウムなどが挙げられる。例えば、ジボラン等のドーピングガスをシラン等の原料ガスに混合してp型の微結晶シリコン膜を形成することができる。ここで、パーティクル240が妨げとなって第1の電極120上の第1の不純物半導体層140にはピンホールが形成され始める図2B参照。続いて、プラズマCVD法を用いて、真性半導体層150として膜厚600nmのi型の非晶質シリコン膜を成膜する。原料ガスには、シランまたはジシランを用いることができ、水素を添加しても良い。このとき、膜中に含まれる大気成分がドナーとなる場合があるため、導電型がよりi型に近づくように0.001at.以上0.1at.以下程度のホウ素Bを添加しても良い。更に、プラズマCVD法を用い、第2の不純物半導体層160として膜厚100nmのn型の微結晶シリコン膜を成膜する。n型の微結晶シリコン膜は、n型を付与する不純物を含むドーピングガスを原料ガスに混合して形成する。n型を付与する不純物としては、代表的には周期表第15族元素であるリン、ヒ素、またはアンチモンなどが挙げられる。例えば、ホスフィンなどのドーピングガスをシラン等の原料ガスに混合することで、n型の微結晶シリコン膜を形成することができる。ここで、パーティクル240が移動しない限り、ピンホールは拡大する図2C参照。パーティクル240は、不安定な状態で第1の電極120に付着しているため、僅かな振動や気流などによって移動することがある。また、洗浄工程などを経て意図的に取り除かれることもある。このような状態が、図3Aに相当する。ここで、ピンホールの存在に気付かずに第2の電極を形成してしまうと、第1の電極120と第2の電極がショートしてしまう。また、パーティクル240が移動するタイミングによっては、第2の不純物半導体層160と第1の不純物半導体層140がショートする場合などもある。従って、次にピンホールを検出する工程を行う。ピンホールを検出する手段としては、画像を取得して解析する手段や、レーザ光の反射光を解析する手段などを用いることができる。また、これらは、ピンホールだけでなく、傷や異物を検出する手段としても有効である。もちろん、これらにはピンホール等の位置を特定する手段も含まれる。例えば、画像を解析する手段では、高倍率のカメラ等の撮像手段を用いて半導体膜表面の画像を取得し、画像解析ソフトによりピンホール、または傷の有無を検出する。また、レーザ光の反射光を解析する手段には、例えば、レーザ変位計を用いることができる。レーザ変位計は、物体にレーザを照射し、その反射光のずれを検出することで物体の位置や形状を見出すことができる機器である。本実施の形態では、レーザ変位計を用い、図4に示す構成で基板100上に形成された半導体膜340の表面のピンホールを検出する。レーザ光320が出入するレーザ変位計300は、半導体膜340の表面との距離Yを保って移動するため、半導体膜340のピンホールがある部分にレーザ光320が照射されると、その反射光にずれが生じ、変位が検出される。従って、レーザ変位計300で半導体膜340の表面を2次元的にスキャンし、変位の有無を解析することによってピンホールの有無及びピンホールの位置を検出することができる。ここで、レーザ変位計300を2次元的にスキャンする機器には、ピンホールを検出した位置を記録することができるものを用いる。次に、液体を吐出できる手段を用いて、ピンホール200に絶縁樹脂220を充填する工程を行う図3B参照。上述の様に半導体膜のピンホールを検出した位置は記録されており、その記録に従った位置に対して液状の絶縁樹脂材料を吐出すれば良い。液体を吐出できる手段には、インクジェット法やディスペンス法を用いることができる。インクジェット法は、液滴を小さくできるため、吐出量を調整しやすい。また、ディスペンス法は、比較的粘度の高い液体でも吐出することができるため、樹脂材料を選びやすいなどの利点がある。液状の絶縁樹脂材料には、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、または熱併用型の紫外線硬化性樹脂を用いることが好ましい。これらの具体的な材料としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等がある。これらのいずれかの樹脂、またはこれらが混合された樹脂をピンホールに対して吐出した後、熱硬化性樹脂は加熱して硬化させ、紫外線硬化性樹脂は紫外線を照射して硬化させる。また、熱併用型の紫外線硬化性樹脂では、紫外線照射後に加熱をして硬化させる。例えば、ディスペンス法を用いて、熱併用型の紫外線硬化性樹脂をピンホールに対して吐出し、10J/cm2の紫外線を照射して、125°C、10分間の加熱を行うことで硬化させる。また、絶縁樹脂材料を硬化させる手段は、基板全体に対して行っても良いが、1つまたは複数のピンホールを覆う絶縁樹脂材料に対して局所的に行っても良い。局所的に処理を行うことでスループットを向上させることできる。また、絶縁樹脂材料としては、熱可塑性樹脂や溶剤揮発性樹脂などを用いることもできる。これらを用いれば、樹脂を硬化する処理を省くことができる。ただし、冷却や加熱など、硬化を助長する処理を行っても良い。ここで、絶縁樹脂220は、充填不良を防ぐため、ピンホールを覆う様に形成することが好ましい。絶縁樹脂220で覆われた第2の不純物半導体層160の一部の領域は、後述する第2の電極180と接触しなくなるが、その領域は極小面積であるため、変換効率低下への影響は極めて少ない。例えば、第2の不純物半導体層160の電気伝導度が1×10-1S/cm以上で、膜厚が10nm以上の場合、絶縁樹脂220の径X1がφ1mm以下であれば電流を損失することなく取り出すことができる。なお、図3Bでは、ピンホール200と絶縁樹脂220の中心が一致するように充填された状態を図示しているが、これに限らず、ピンホール200に絶縁樹脂220が充填されており、且つ絶縁樹脂220が上述の径X1以下で形成されていれば絶縁樹脂220とピンホール200の位置関係は問われない。例えば、図5Aの断面図に示すような状態でピンホール200が絶縁樹脂220で充填されていても良い。この場合、上面図は図5Bとなる。なお、図5Aと図5Bは同一の縮尺ではない。また、長細い傷などに対しては、図5Cに示す上面図の様に、傷201を覆う様に絶縁樹脂220を形成する。この場合、絶縁樹脂220の短軸径X2が1mm以下であれば良い。なお、曲線状の傷についても同様である。次に、第2の不純物半導体層160、及びピンホール200に充填した絶縁樹脂220上に第2の電極180を形成する。ここでは、第2の電極として、アルミニウムとステンレスの積層を用いる。なお、第2の不純物半導体層160と接する側をステンレスとする。以上の工程を用いることによって、半導体膜の構造欠陥を検出し、その構造欠陥に対して絶縁樹脂を選択的に充填することにより、絶縁樹脂の無駄を省くことができる。また、これらの工程はウエットプロセスを含まないため、Roll-to-Rollプロセスのような連続工程の途中にも導入することが容易にできる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態2本実施の形態では、本発明の一態様である光電変換装置を集積化する方法について説明する。本発明の一態様における光電変換装置は、薄膜型であり、所望の電圧を取り出すための集積化を容易に行うことができる。本実施の形態では、実施の形態1で説明した構造欠陥の充填工程を含む集積化光電変換装置の作製方法を説明する。なお、本実施の形態では、実施の形態1で説明した例とは異なり、基板側とは逆側を光入射側とする構成を例として説明する。もちろん、実施の形態1と同様の構成にすることも可能である。また、本実施の形態で説明する光電変換装置の構成に用いることのできる材料は、実施の形態1で説明した光電変換装置と同じ材料を用いることができる。また、本実施の形態においても、構造欠陥の一例としてピンホールを用いた説明を行うが、傷に対する対処も同様である。まず、基板400上に第1の電極420を形成する。ここでは、基板400に樹脂材料のポリエチレンナフタレートPEN基板を用いる。基板400の厚さは特に限定しないが、例えば100μm前後の薄いものを用いれば、Roll-to-Rollプロセスを行うことができる。Roll-to-Rollプロセスには、スパッタ法やプラズマCVD法などの成膜工程だけでなく、スクリーン印刷法やレーザ加工法などの工程も含まれる。従って、光電変換装置のほぼ全ての製造工程をRoll-to-Rollプロセスで行うこともできる。また、途中までの工程をRoll-to-Rollプロセスで行い、シート状に分断して、その後の工程をシート単位で行っても良い。例えば、分断したシートをセラミックや金属、またはそれらの複合体等で形成された枠に貼付けることで、ガラス基板等と同様に取り扱うことができる。第1の電極420はスパッタ法で形成する。ここでは、第1の電極420に、膜厚300nmのアルミニウム、膜厚5nmのステンレスを順に積層した金属膜を用いる。以降、上記第1の電極420が形成された後に、パーティクル540が偶発的に第1の電極420上に付着する例として説明する図6A参照。パーティクル540は一例として球状のものを図示したが、サイズ、形状、材料を問わず、様々な形態がある。次に、第1の不純物半導体層440として、膜厚100nmのn型の微結晶シリコン、真性半導体層450として、膜厚600nmのi型の非晶質シリコン、第2の不純物半導体層460として膜厚50nmのp型の微結晶シリコンを順にプラズマCVD法を用いて成膜する。ここで、パーティクル540が妨げとなってピンホール500が形成される図6B参照。パーティクル540は、不安定な状態で第1の電極420に付着しているため、僅かな振動や気流などによって移動することがある。また、洗浄工程などを経て意図的に取り除かれることもある。このような状態が、図6Cに相当する。次に、構造欠陥を検出する手段を用いて、半導体層中のピンホールを検出する工程を行う。構造欠陥を検出する手段には、実施の形態1で説明した手段を用いることができる。半導体層中のピンホールを検出した後、ピンホールに第1の絶縁樹脂520を充填し、硬化させる図7A参照。この手段も実施の形態1で説明した手段を用いることができる。このとき、大面積の処理を行う場合などは、ピンホールの位置を特定する工程と、絶縁樹脂をピンホールに充填するとともにピンホールを覆う様に形成する工程と、絶縁樹脂を硬化させる工程を同一基板上で並行して行うことが好ましい。複数の処理を同時に行うことで処理時間を短縮させることができる。次に、光電変換装置を集積化させるための詳細な説明を行う。まず、第2の不純物半導体層460上に第2の絶縁樹脂600a、600b、600c、600d、600e、600fを形成する図7B参照。第2の絶縁樹脂600a、600c、600eは、積層した半導体層及び電極を分断する際に、レーザ光の吸収を助長させる作用があり、第2の絶縁樹脂600b、600d、600fは、第2の電極である透光性導電膜の単層を分断する際のストッパーとして作用する。該絶縁樹脂はスクリーン印刷法で形成することが好ましく、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。また、該樹脂は、上述したレーザ光の吸収を助長させるために黒色であることが好ましい。次に、第2の不純物半導体層460及び該絶縁樹脂上に第2の電極480をスパッタ法を用いて形成する図7C参照。例えば、第2の電極480には、膜厚100nmの酸化インジウム-酸化錫合金などを用いることができる。次に、素子の分断工程として、レーザ光の照射を行い、分離孔の形成を行う図8A参照。第1の分離孔620a、620b、620cのそれぞれは、第2の電極480と第2の絶縁樹脂600a、600c、600eとの積層部に対してレーザ光を照射することにより形成され、積層した半導体層及び第1の電極を分断する。なお、ここで該分離孔の一部が基板400に達しても良い。第2の分離孔640a、640b、640cのそれぞれは、第2の電極480と第2の絶縁樹脂600b、600d、600fとの積層部に対してレーザ光を照射することにより形成され、第2の電極480のみを分断する。なお、ここで第2の絶縁樹脂600b、600d、600fの一部に溝が形成されても良い。ここで、これらのレーザ照射工程に用いられるレーザは、可視光領域または赤外光領域の連続発振またはパルス発振レーザを用いることが好ましい。例えば、Nd-YAGレーザの基本波波長1064nmや第二高調波波長532nmを用いることができる。次に、第1の分離孔620a、620b、620c、及び第2の分離孔640a、640b、640cを封止する第3の絶縁樹脂660a、660b、660c、660d、660e、660fを形成する図8B参照。該絶縁樹脂は、第2の絶縁樹脂600a、600b、600c、600d、600e、600fと同様の方法及び材料で形成することができる。次に、第3の電極680a、680b、680cを形成する。第3の電極680aは、第3の絶縁樹脂660aと第3の絶縁樹脂660bの間において、第2の電極480と接する様に形成する。第3の電極680bは、第3の絶縁樹脂660dを端として、第3の絶縁樹脂660c方向に延在させ、隣接するセルの第2の電極480と接する様に形成する。第3の電極680cは、第3の絶縁樹脂660fを端として、第3の絶縁樹脂660e方向に延在させ、隣接するセルの第2の電極480と接するように形成する。第3の電極680a、680b、680cは、スクリーン印刷法で形成することができる。材料としては、熱硬化性の導電ペーストを用いることが好ましく、例えば、銀ペースト等を用いることができる。その後、第3の電極680a、680b、680c上からレーザ光を照射し、接続孔700a、700b、700cを形成する図8C参照。該接続孔は、第3の電極680a、680b、680cのそれぞれと第1の電極420を溶着する領域である。ここで、第3の電極680aは、第1の電極420を表面側に取り出すための取り出し電極として作用する。また、第3の電極680bは、隣り合うセルを直列に接続する接続電極として作用する。そして、第3の電極680cは、第2の電極480の取り出し電極として作用する。ここで、接続孔700cは形成しなくても取り出し電極として作用するが、第3の電極680cの一部は、第1の電極420と接続することで抵抗を下げることができるため、接続孔700cを形成することが好ましい。なお、本実施の形態では、2つのセルを直列に接続する集積化工程を例として説明しているが、集積化するセルの数はこれに限らず、実施者が適宜決定できる。また、図9に示す様に、第3の電極680b及び第3の電極680cのそれぞれの一部を隣接するセルの方向に向かって延在させたグリッド電極720を形成しても良い。グリッド電極720を形成することで抵抗損失を低減でき、特に高照度下での電気特性を向上させることができる。なお、グリッド電極720は、図面の奥行き方向に間隔を空けて形成するため、受光面の全体を覆うものではない。図9は、グリッド電極720が形成されている領域の断面を図示したものである。また、図示はしないが、信頼性を向上させるために封止樹脂として、透光性絶縁樹脂を受光面側に設けても良い。該封止樹脂は、スクリーン印刷法で形成することができ、熱硬化性のエポキシ樹脂やフェノール樹脂などを用いることができる。以上の工程をもって、高歩留まりでショートやリークなどの不良を極力抑えることのできる集積型の光電変換装置を作製することができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態3本実施の形態では、実施の形態2とは異なる光電変換装置の集積化方法について説明する。本実施の形態では、基板側を光入射側とする構成を例として説明する。また、本実施の形態で説明する光電変換装置の構成に用いることのできる材料は、実施の形態1及び実施の形態2で説明した光電変換装置と同じ材料を用いることができる。また、本実施の形態においても、構造欠陥の一例としてピンホールを用いた説明を行うが、傷に対する対処も同様である。本実施の形態において、半導体層の形成工程、及び半導体層にピンホール500が形成される過程は実施の形態2と同様であり、図6A、B、C及びその説明を参照されたい。ただし、上述した様に、本実施の形態は、基板側を光入射側とする構成例を説明するものである。従って、半導体層にピンホール500が形成されるまでの工程においては、第1の電極420に透光性導電膜を用いる点、第1の不純物半導体層440として、p型の微結晶シリコンを用いる点、及び第2の不純物半導体層460としてn型の微結晶シリコンを用いる点が実施の形態2と異なっている。なお、それぞれの膜厚は、実施の形態2と同様である。また、ピンホール500が形成された半導体膜に対してピンホールを検出する工程、及び検出されたピンホールに液状の絶縁樹脂材料を充填して硬化させ、第1の絶縁樹脂520を形成する工程も実施の形態2と同様であり、図7A及びその説明を参照されたい。次に、光電変換装置を集積化させるための詳細な説明を行う。まず、第1の電極420、第1の不純物半導体層440、真性半導体層450、及び第2の不純物半導体層460に対して、第1の分離孔820a、820b、820c、及び第2の分離孔840a、840b、840cを形成する図10A参照。該分離孔の形成は、実施の形態2と同様のレーザ照射工程によって行うことができ、第1の電極420、第1の不純物半導体層440、真性半導体層450、及び第2の不純物半導体層460の全層を分断する。次に、第1の分離孔820a、820b、820cを封止する第2の絶縁樹脂860a、860b、860cを形成する図10B参照。該絶縁樹脂は、実施の形態2で説明した第2の絶縁樹脂600a、600b、600c、600d、600e、600fと同様の方法及び材料で形成することができる。次に、第2の電極880a、880b、880cを形成する。第2の電極880aは、第2の分離孔840aを充填するように形成する。第2の電極880bは、第2の分離孔840bを充填し、第2の絶縁樹脂860b方向に延在させ、隣接するセルの第2の不純物半導体層460と広い面積で接続されるように形成する。第2の電極880cは、第2の分離孔840cを充填し、第2の絶縁樹脂860c方向に延在させ、隣接するセルの第2の不純物半導体層460と広い面積で接続されるように形成する。第2の電極880a、880b、880cは、スクリーン印刷法で形成することができる。材料としては、熱硬化性の導電ペーストを用いることが好ましく、例えば、銀ペースト等を用いることができる。ここで、第2の電極880aは、第1の電極420を表面側に取り出すための取り出し電極として作用する。また、第2の電極880bは、第1の電極420に対向する電極であるとともに、隣り合うセルを直列に接続する接続電極として作用する。そして、第2の電極880cは、第1の電極420に対向する電極であるとともに、取り出し電極として作用する。ここで、第2の分離孔840cの形成は必須ではないが、第2の電極880cの一部は、第1の電極420と接続することで抵抗を下げることができるため、第2の分離孔840cを形成することが好ましい。なお、本実施の形態では、2つのセルを直列に接続する集積化工程を例として説明しているが、集積化するセルの数はこれに限らず、実施者が適宜決定できる。また、図示はしないが、信頼性を向上させるために封止樹脂として、絶縁樹脂を第2の電極880a、880b、880cが形成されている面に設けても良い。また、受光面側の基板400の表面図10では底面側にも透光性絶縁樹脂を設けても良い。該透光性絶縁樹脂は、基板400表面の傷を充填する他、反射防止膜として作用させることができる。該絶縁樹脂及び該透光性絶縁樹脂は、スクリーン印刷法で形成することができ、熱硬化性のエポキシ樹脂などを用いることができる。以上の工程をもって、高歩留まりでショートやリークなどの不良を極力抑えることのできる集積型の光電変換装置を作製することができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。