複数の半導体構造体;及び前記複数の半導体構造体を支持する連結支持層;を含み、前記複数の半導体構造体のそれぞれは、P型の第1半導体層;N型の第2半導体層;及び前記第1半導体と前記第2半導体の間に位置する発光層;を含み、前記複数の半導体構造体のそれぞれは多角柱または円柱をなす、半導体素子。前記複数の半導体構造体のそれぞれは周期的に互いに離隔して前記連結支持層上に配置される、請求項1に記載の半導体素子。前記連結支持層は金属層である、請求項1に記載の半導体素子。前記連結支持層は半導体または金属酸化物の中で少なくとも1種以上を含む化合物である、請求項1に記載の半導体素子。前記複数の半導体構造体のそれぞれは、前記多角形または前記円形の面積に対する前記多角形または前記円形の外周の長さが最小化するように配置される、請求項1に記載の半導体素子。前記複数の半導体構造体のそれぞれの境界面は前記複数の半導体構造体のそれぞれの半導体結晶構造によって形成される、請求項1に記載の半導体素子。発光ダイオード素子において、前記発光ダイオード素子は、金属支持層;P型の第1半導体層;N型の第2半導体層;及び前記第1半導体と前記第2半導体の間に位置する発光層;を含み、前記発光ダイオード素子は多角柱または円柱をなす、発光ダイオード素子。前記発光ダイオード素子は、前記多角形または前記円形の面積に対する前記多角形または前記円形の外周の長さが最小化するように配置される、請求項7に記載の発光ダイオード素子。前記発光ダイオード素子の外郭境界面は前記発光ダイオード素子の半導体結晶構造によって形成される、請求項7に記載の発光ダイオード素子。基板上に半導体構造層を形成する段階;前記半導体構造層の表面上に金属層を積層する段階;前記半導体構造層及び前記金属層を前記基板から分離して、前記半導体構造層を露出させる段階;前記半導体構造層を第1マスクパターンによってエッチングすることで、複数の多角柱または円柱の形状を取った個別半導体素子を形成する段階;及び前記第1マスクパターンに対応する第2マスクパターンによって前記金属層が複数の多角形または円形に残るように前記金属層を乾式または湿式エッチングして前記個別半導体素子を分離する段階;を含む、半導体製造方法。前記個別半導体素子を形成する段階は、前記多角形または前記円形の面積に対する前記多角形または前記円形の外周の長さが最小化する前記第1マスクパターンによって前記半導体構造層をエッチングし、前記個別半導体素子を分離する段階は、前記多角形または前記円形の面積に対する前記多角形または前記円形の外周の長さが最小化する前記第2マスクパターンによって前記金属層をエッチングする、請求項10に記載の半導体製造方法。前記第1マスクパターン及び前記第2マスクパターンのグリッドラインは前記半導体構造層の結晶構造によって形成される、請求項10に記載の半導体製造方法。基板上に半導体構造層を形成する段階;前記半導体構造層の表面の個別半導体素子が形成される多角形または円形の素子領域を除いた境界領域にマスク層を積層する段階;前記半導体構造層の表面の前記素子領域に金属層を積層する段階;前記半導体構造層を前記基板から分離して、前記半導体構造層を露出させる段階;前記半導体構造層を前記境界領域に対応するマスクパターンによってエッチングすることで、複数の多角柱または円柱の形状を取った個別半導体素子を形成する段階;及び前記境界領域に積層された前記マスク層を除去して前記個別半導体素子を分離する段階;を含む、半導体製造方法。前記マスクパターンは、前記素子領域の面積に対する前記境界領域の長さが最小化するように形成される、請求項13に記載の半導体製造方法。前記素子領域及び前記境界領域の境界面の方向は前記半導体構造層の結晶構造によって形成される、請求項13に記載の半導体製造方法。基板上に多角柱または円柱の形状を取る複数の半導体構造体を形成する段階;前記複数の半導体構造体の表面上に金属層を積層する段階;前記複数の半導体構造体及び前記金属層を前記基板から分離して、前記複数の半導体構造体を露出させる段階;前記複数の半導体構造体のいずれか一つ以上を選択的に含む一つ以上の半導体構造体グループに対応する第1マスクパターンを準備する段階;及び前記第1マスクパターンを用いて前記複数の半導体構造体及び前記金属層を乾式または湿式エッチングすることで前記一つ以上の半導体構造体グループのそれぞれを個別半導体素子に分離する段階;を含む、半導体製造方法。基板上に多角柱または円柱の形状を取る複数の半導体構造体を形成する段階;前記複数の半導体構造体のいずれか一つ以上を含む一つ以上の半導体構造体グループに対応する第1マスクパターンを準備する段階;前記第1マスクパターンを用いて前記一つ以上の半導体構造体グループを除いた境界領域にマスク層を積層する段階;前記第1マスクパターンに対応する第2マスクパターンを用いて前記一つ以上の半導体構造体グループに対応する領域に金属層を積層する段階;前記基板を前記複数の半導体構造体から分離して除去する段階;前記第1マスクパターンを用いて前記複数の半導体構造体を乾式または湿式エッチングすることで前記一つ以上の半導体構造体グループに対応する個別半導体素子を形成する段階;及び前記境界領域に積層された前記マスク層を除去して前記個別半導体素子を分離する段階;を含む、半導体製造方法。基板上に多角柱または円柱の形状を取り、互いに周期的に離隔する複数の半導体構造体を形成する段階;前記複数の半導体構造体または前記複数の半導体構造体間の境界領域上に金属層を積層する段階;前記複数の半導体構造体の中で一つまたは二つ以上の形状を含むグループの形状に対応し、均一なビームプロファイルを持つレーザーが前記複数の半導体構造体と前記基板の間の境界面に吸収されるように前記基板に対して垂直な方向に前記レーザーを照射する段階;及び前記吸収されたレーザーによって前記複数の半導体構造体のいずれか一つ以上を前記基板から分離する段階;を含む、半導体製造方法。基板上に半導体構造層を形成する段階;前記半導体構造層の表面の個別半導体素子が形成される多角形または円形の素子領域を除いた境界領域にマスク層を積層する段階;前記半導体構造層の表面の前記素子領域に第1金属層を積層する段階;前記境界領域に積層された前記マスク層を除去する段階;前記境界領域及び前記第1金属層上に第2金属層を積層する段階;前記半導体構造層を前記基板から分離して、前記半導体構造層を露出させる段階;前記半導体構造層を前記境界領域に対応するマスクパターンによってエッチングすることで、複数の多角柱または円柱の形状を取った個別半導体素子を形成する段階;及び前記境界領域に対応する前記マスクパターンによって前記第2金属層の前記境界領域上に積層された部分をエッチングして、前記個別半導体素子を分離する段階;を含む、半導体製造方法。請求項10~19のいずれか一項の方法を実行するためのプログラムが記録されていることを特徴とするコンピュータ可読記録媒体。発光ダイオード装置において、前記発光ダイオードの発光側表面は多角形または円形を取り、前記発光ダイオードの前記発光側表面のコーナーの中で少なくとも一つに隣接して配置される一つ以上の電極;前記電極に連結され、前記発光ダイオードの前記発光側表面の境界から一定の距離だけ離隔して前記発光側表面上に配置される外側フィンガー;前記外側フィンガーから一定の距離だけ離隔して前記発光側表面上に配置される内側フィンガー;及び前記一つ以上の電極、前記内側フィンガー及び前記外側フィンガーを連結する連結フィンガー;を含む、発光ダイオード装置。本発明は前記のような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、半導体素子を任意の多角柱または円柱の形状に製造する方法及びその方法によって製造された半導体素子を提供することを目的とする。このように製造された半導体素子は応用分野が必ずしも限定されるものではないが、発光ダイオード素子として応用される場合、発光側が円形または任意の多角形の形態を取ることができるので、光抽出効率を極大化することができる。また、本発明は占有面積に対する外周の長さを短くして、発光効率が向上した発光ダイオード素子を提供することを目的とする。また、本発明は、一般的に使われる円形レンズの形状と発光ダイオードの発光側の形状が類似するように発光ダイオードを製造して、光抽出効率が向上した半導体素子を提供することを目的とする。また、本発明は、発光ダイオード素子が任意の多角形または円形の形状を取るとき、熱伝逹及び電流拡散currentspreadingを最適化する電極構造を提供することを目的とする。前記のような目的を達成するために、本発明の一実施例による半導体素子は、P型の半導体層、N型の半導体層、及び発光層を含み、個別半導体素子は多角柱または円柱をなす。発光層はP型の半導体層とN型の半導体層の間に位置する。ウェハー上に形成された多数の多角柱または円柱に形成された複数の半導体素子のそれぞれは互いに周期的にperiodicallyまたは規則的にregularly離隔することができる。半導体素子は、半導体素子が占める面積に対する前記半導体素子が占める外周の長さstreetlineが最小化するように多角形の形状を取ることができる。この際、可能な多角形の形状の一例として正六角形を挙げることができる。正六角形の半導体素子は、互いにずれて配置されるとき、離隔距離を最小化することができる。このような配置構造をハニカムhoneycomb構造ともいう。または、面積に対する外周の長さstreetlineを最小化することができるように円形の形状を取ることもできる。半導体素子の形状及びその境界面は半導体結晶構造によって形成されることができる。一例として、GaN系の発光ダイオード素子は0001結晶構造によって正六角柱状を取ることができる。また、本発明の一実施例による複数の半導体素子は同一連結支持層上に形成され、前記連結支持層によって支持されることができる。この際、連結支持層は金属層または金属化合物であることもでき、またはSi、GaN、Al2O3、またはSiCの中で少なくとも1種を含む化合物によって具現されることもできる。また、本発明の一実施例による半導体製造方法は、基板上に半導体構造層を形成する段階;半導体構造層の表面上に金属層を積層する段階;半導体構造層及び金属層を基板から分離して、半導体構造層を露出させる段階;半導体構造層を第1マスクパターンによってエッチングすることで、複数の多角柱または円柱の形状を取った個別半導体素子を形成する段階;及び第1マスクパターンに対応する第2マスクパターンによって金属層が複数の多角形または円形に残るように前記金属層を乾式または湿式エッチングして前記個別半導体素子を分離する段階;を含む。多角柱または円柱の形状を取った複数の個別半導体素子は分離前には金属層によって支持される。金属層を個別半導体素子の形状と一致させて残してエッチングすることにより、個別半導体素子が互いに分離される。また、本発明の他の実施例による半導体製造方法は、基板上に半導体構造層を形成した後、将来に半導体素子が形成される領域を除いた境界領域にマスクを積層する段階、マスクが積層されなくて露出された半導体構造層の表面に金属層を積層する段階、半導体構造層を基板から分離して露出させる段階、半導体構造層を境界領域に対応してパターニング工程でエッチングすることにより、多角柱または円柱の形状を取った複数の個別半導体素子を形成する段階;及び境界領域に積層されたマスク層を除去して個別半導体素子を分離する段階;を含む。この際、個別半導体素子が分離されるに先立ち、個別半導体素子を連結して支持することができる支持層が金属層の表面または金属層の反対側表面上にさらに積層されることができる。または、支持用テープなどの支持部材が金属層の表面または金属層の反対側表面上に接着されることができる。本発明のさらに他の実施例による半導体製造方法は、基板上に多角柱または円柱の形状を取る複数の半導体構造体を形成する段階;複数の半導体構造体の表面上に金属層を積層する段階;複数の半導体構造体及び金属層を基板から分離して複数の半導体構造体を露出させる段階;複数の半導体構造体のいずれか一つ以上を選択的に含む一つ以上の半導体構造体グループに対応する第1マスクパターンを準備する段階;及び第1マスクパターンを用いて複数の半導体構造体及び金属層を乾式または湿式エッチングすることにより、一つ以上の半導体構造体グループのそれぞれを個別半導体素子に分離する段階;を含む。この際、結果として得られた個別半導体素子は多角柱または円柱を持つ一つ以上の半導体構造体を含むことができる。前記第1マスクパターンは、半導体構造体を多角柱または円柱に形成するためのマスクパターンと同一であることも、違うこともできる。前記方法によれば、半導体構造体は最小サイズ単位に形成されることができるが、分離過程でより大きな第1マスクパターンを用いることで、いっぺんに複数の半導体構造体を一つの個別半導体素子に分離することもできる。本発明のさらに他の実施例による半導体製造方法は、基板上に多角柱または円柱の形状を取る複数の半導体構造体を形成する段階;複数の半導体構造体のいずれか一つ以上を含む一つ以上の半導体構造体グループに対応する第1マスクパターンを準備する段階;第1マスクパターンを用いて一つ以上の半導体構造体グループを除いた境界領域にマスク層を積層する段階;第1マスクパターンに対応する第2マスクパターンを用いて一つ以上の半導体構造体グループに対応する領域に金属層を積層する段階;基板を複数の半導体構造体から分離して除去する段階;第1マスクパターンを用いて複数の半導体構造体を乾式または湿式エッチングすることにより、一つ以上の半導体構造体グループに対応する個別半導体素子を形成する段階;及び境界領域に積層されたマスク層を除去して個別半導体素子を分離する段階;を含む。金属層または金属層の反対側表面上にはさらに支持層が形成されるか接着され、個別半導体素子が分離される前まで前記追加的な支持層が複数の個別半導体素子を連結して支持することができる。分離される個別半導体素子は前もって形成された多角柱または円柱の素子を一つ以上含む。本発明のさらに他の実施例による半導体製造方法は、基板上に多角柱または円柱の形状を取り、互いに周期的に離隔する複数の半導体構造体を形成する段階;複数の半導体構造体または半導体構造体間の境界領域上に金属層を積層する段階;複数の半導体構造体の中で一つまたは二つ以上の形状を含むグループの形状に対応して、均一なビームプロファイルを持つレーザーが複数の半導体構造体と基板の間の境界面に吸収されるように、基板に対して垂直な方向にレーザーを照射する段階;及び吸収されたレーザーによって複数の半導体構造体のいずれか一つ以上を基板から分離する段階;を含む。この際、ビームプロファイルは一つの半導体構造体と基板の間の境界面に照射されて、一つの半導体構造体を一つのチップに分離することもでき、ビームプロファイルが周期的に配列された複数の半導体構造体に照射されて、複数の半導体構造体グループをいっぺんに基板から分離することもできる。本発明のさらに他の実施例による半導体製造方法は、基板上に半導体構造層を形成する段階;前記半導体構造層の表面の個別半導体素子が形成される多角形または円形の素子領域を除いた境界領域にマスク層を積層する段階;前記半導体構造層の表面の前記素子領域に第1金属層を積層する段階;前記境界領域に積層された前記マスク層を除去する段階;前記境界領域及び前記第1金属層上に第2金属層を積層する段階;前記半導体構造層を前記基板から分離して、前記半導体構造層を露出させる段階;前記半導体構造層を前記境界領域に対応するマスクパターンによってエッチングすることで、複数の多角柱または円柱の形状を取った個別半導体素子を形成する段階;及び前記境界領域に対応する前記マスクパターンによって前記第2金属層の前記境界領域上に積層された部分をエッチングして、前記個別半導体素子を分離する段階;を含む。前記実施例によれば、第1金属層は選択的に素子領域のみに積層され、第2金属層は全領域に積層される。その後、エッチング工程によってエッチングされるものは第2金属層の境界領域である。したがって、第1金属層及び第2金属層の厚さを適切に選択することによって金属層に対するエッチング工程の所要時間を調節することができる。また、本発明の一実施例による発光ダイオード装置によれば、半導体素子の表面上に形成された電極及び電極に連結されたフィンガーを含む。電極とフィンガーは導体であり、電極を介して電圧が印加されれば、電流がフィンガーを介して半導体素子の表面に拡散する。フィンガーは実施例によって内側フィンガーと外側フィンガーを含むことができ、内側フィンガーと外側フィンガーは連結フィンガーによって連結される。半導体素子の表面上のすべての点からフィンガーまでの距離が一定の基準以下となるように設定することができる。このようなフィンガーの配置によって半導体素子の表面上のすべての点に速かに電流が伝達される。フィンガーは電極の拡張部extensionとも名付けることができる。本発明の半導体素子製造方法によれば、従来のダイシング法またはスクライビング法による個別素子分離工程の代わりに、パターンによる選択的金属層形成またはパターンによる金属層の選択的乾式/湿式エッチング工程によって個別素子を分離するので、任意の形態に発光ダイオード個別素子を製造することができる。従来のダイシング法またはスクライビング法は物理的な力によって個別素子を分離したため、分離される境界領域が一直線を成すしかなかったが、本発明の半導体素子製造方法は、分離される境界領域が任意のパターンを成しても容易に分離可能である。具体的に、マスクを形成し、これを除いた部分にだけ金属層を形成した後、前記マスクに対応する部分の半導体構造層をエッチングする方法を使う場合、マスクパターンは一直線に制限されないので、多角柱または円柱に製造することができる。また、本発明は、多角柱または円柱に製造することができるので、半導体素子面積に対する外周の長さstreetlineを短くして、発光効率が向上した半導体素子を具現することが可能である。形態上に直四角形の構造よりも、通常に使われる円形レンズと類似した正六角形または任意の多角形の形態に半導体素子を具現することができるので、発光ダイオードの光抽出効率を向上させることができる。また、本発明の半導体素子は、任意の多角形または円形の発光側表面に最適化した電極構造を提供することができる。本発明の電極構造によれば、半導体素子発光表面のすべての点から導体であるフィンガーまたは電極までの距離が一定の基準以下となるように配置可能である。電極に電圧が印加されれば、導体フィンガー及び電極の間には瞬間的に同一電圧が印加され、フィンガーまたは電極から半導体素子の表面に電流が拡散する。よって、本発明の電極構造は、半導体素子の発光側表面で電流が速かに拡散するように促進することができる。本発明の半導体製造方法は垂直型半導体素子の製造方法から出発したが、本発明の基本的な思想は水平型半導体素子にも適用することができるものである。また、本発明の半導体製造方法は、レーザーリフトオフLLO、LaserLiftOff工程でビームスポットのサイズを調節して一度に一つずつの半導体素子を基板から分離することもできるが、いっぺんに複数の半導体素子を基板から分離することもできる。例えば、正六角形のハニカム構造の場合、一度に一つの六角形部分を分離することもできるが、ビームスポットのサイズを調節することで、いっぺんに7個の六角形部分を分離することもできる。また、本発明の半導体製造方法によれば、個別半導体素子領域を最小の単位サイズごとに形成した後、実際にパターンによる分離の際には、一つ以上の個別半導体素子領域を含むグループを一つの個別半導体素子に分離することもできる。例えば、前述したハニカム構造において、一つの六角形部分が個別半導体素子に分離することもでき、より大きなサイズのチップが必要なときには7個の六角形部分を一グループに結束して一つの個別チップに分離することもできる。前記のような目的を達成するために、本発明の一実施例による半導体素子はP型の半導体層、N型の半導体層、発光層を含み、個別半導体素子は多角柱または円柱をなす。発光層はP型の半導体層とN型の半導体層の間に位置する。ウェハー上に形成された多数の多角柱または円柱の形状に形成された複数の半導体素子のそれぞれは互いに周期的にperiodicallyまたは規則的にregularly離隔することができる。半導体素子は、半導体素子が占める面積に対する前記半導体素子が占める外周の長さstreetlineが最小化するように多角形の形状を取ることができる。この際、可能な多角形の形状の一例として正六角形を挙げることができる。正六角形の半導体素子は互いにずれて配置されるとき、離隔距離を最小化することができる。このような配置構造をハニカムhoneycomb構造ともいう。または、面積に対する外周の長さstreetlineを最小化することができるように円形の形状を取ることもできる。半導体素子の形状及びその境界面は半導体結晶構造によって形成できる。一例として、GaN系の発光ダイオード素子は0001結晶構造によって正六角柱の形態を取ることができる。また、本発明の一実施例による複数の半導体素子は同一の連結支持層上に形成され、前記連結支持層によって支持されることができる。この際、連結支持層は金属層または金属化合物であることもでき、あるいはSi、GaN、Al2O3、またはSiCの中で少なくとも1種を含む化合物によって具現されることもできる。また、本発明の一実施例による半導体製造方法は、基板上に半導体構造層を形成する段階;半導体構造層の表面上に金属層を積層する段階;半導体構造層及び金属層を基板から分離して、半導体構造層を露出させる段階;半導体構造層を第1マスクパターンによってエッチングすることで、複数の多角柱または円柱の形状を取った個別半導体素子を形成する段階;及び第1マスクパターンに対応する第2マスクパターンによって金属層が複数の多角形または円形に残るように前記金属層を乾式または湿式エッチングして前記個別半導体素子を分離する段階;を含む。多角柱または円柱の形状を取った複数の個別半導体素子は分離前には金属層によって支持される。金属層を個別半導体素子の形状に一致して残してエッチングすることにより、個別半導体素子が互いに分離される。また、本発明の他の実施例による半導体製造方法は、基板上に半導体構造層を形成した後、将来に半導体素子が形成される領域を除いた境界領域にマスクを積層する段階;マスクが積層されなくて露出された半導体構造層の表面に金属層を積層する段階;半導体構造層を基板から分離して露出させる段階;半導体構造層を境界領域に対応してパターニング工程でエッチングすることにより、多角柱または円柱の形状を取った複数の個別半導体素子を形成する段階;及び境界領域に積層されたマスク層を除去して個別半導体素子を分離する段階;を含む。この際、個別半導体素子が分離されるに先立ち、個別半導体素子を連結して支持することができる支持層が金属層の表面または金属層の反対側表面上にさらに積層されることができる。または、支持用テープなどの支持部材が金属層の表面または金属層の反対側表面上に接着されることができる。本発明のさらに他の実施例による半導体製造方法は、基板上に多角柱または円柱の形状を取る複数の半導体構造体を形成する段階;複数の半導体構造体の表面上に金属層を積層する段階;複数の半導体構造体及び金属層を基板から分離して複数の半導体構造体を露出させる段階;複数の半導体構造体のいずれか一つ以上を選択的に含む一つ以上の半導体構造体グループに対応する第1マスクパターンを準備する段階;及び第1マスクパターンを用いて複数の半導体構造体及び金属層を乾式または湿式エッチングすることにより、一つ以上の半導体構造体グループのそれぞれを個別半導体素子に分離する段階;を含む。この際、結果として得られた個別半導体素子は多角柱または円柱を持つ一つ以上の半導体構造体を含むことができる。前記の第1マスクパターンは半導体構造体を多角柱または円柱に形成するためのマスクパターンと同一であることも、違うこともできる。前記方法によれば、半導体構造体は最小サイズ単位に形成されることができるが、分離過程でより大きな第1マスクパターンを用いることで、いっぺんに複数の半導体構造体を一つの個別半導体素子に分離することもできる。本発明のさらに他の実施例による半導体製造方法は、基板上に多角柱または円柱の形状を取る複数の半導体構造体を形成する段階;複数の半導体構造体のいずれか一つ以上を含む一つ以上の半導体構造体グループに対応する第1マスクパターンを準備する段階;第1マスクパターンを用いて一つ以上の半導体構造体グループを除いた境界領域にマスク層を積層する段階;第1マスクパターンに対応する第2マスクパターンを用いて一つ以上の半導体構造体グループに対応する領域に金属層を積層する段階;基板を複数の半導体構造体から分離して除去する段階;第1マスクパターンを用いて複数の半導体構造体を乾式または湿式エッチングすることにより、一つ以上の半導体構造体グループに対応する個別半導体素子を形成する段階;及び境界領域に積層されたマスク層を除去して個別半導体素子を分離する段階;を含む。金属層または金属層の反対側表面上にはさらに支持層が形成されるか接着され、個別半導体素子が分離される前まで、前記追加的な支持層が複数の個別半導体素子を連結して支持することができる。分離される個別半導体素子は、前もって形成された多角柱または円柱の素子を一つ以上含む。本発明のさらに他の実施例による半導体製造方法は、基板上に多角柱または円柱の形状を取り、互いに周期的に離隔する複数の半導体構造体を形成する段階;複数の半導体構造体または半導体構造体間の境界領域上に金属層を積層する段階;複数の半導体構造体の中で一つまたは二つ以上の形状を含むグループの形状に対応し、均一なビームプロファイルを持つレーザーが複数の半導体構造体と基板の間の境界面に吸収されるように基板に対して垂直な方向にレーザーを照射する段階;吸収されたレーザーによって複数の半導体構造体のいずれか一つ以上を基板から分離する段階;を含む。この際、ビームプロファイルは一つの半導体構造体と基板の間の境界面に照射されて、一つの半導体構造体を一つのチップに分離することもでき、ビームプロファイルが周期的に配列された複数の半導体構造体に照射されて、複数の半導体構造体グループをいっぺんに基板から分離することもできる。本発明のさらに他の実施例による半導体製造方法は、基板上に半導体構造層を形成する段階;前記半導体構造層の表面の個別半導体素子が形成される多角形または円形の素子領域を除いた境界領域にマスク層を積層する段階;前記半導体構造層の表面の前記素子領域に第1金属層を積層する段階;前記境界領域に積層された前記マスク層を除去する段階;前記境界領域及び前記第1金属層上に第2金属層を積層する段階;前記半導体構造層を前記基板から分離して、前記半導体構造層を露出させる段階;前記半導体構造層を前記境界領域に対応するマスクパターンによってエッチングすることで、複数の多角柱または円柱の形状を取った個別半導体素子を形成する段階;及び前記境界領域に対応する前記マスクパターンによって前記第2金属層の前記境界領域上に積層された部分をエッチングして、前記個別半導体素子を分離する段階;を含む。前記実施例によれば、第1金属層は選択的に素子領域のみに積層され、第2金属層は全領域に積層される。その後、エッチング工程によってエッチングされるものは第2金属層の境界領域である。したがって、第1金属層及び第2金属層の厚さを適切に選択することによって、金属層に対するエッチング工程の所要時間を調節することができる。また、本発明の一実施例による発光ダイオード装置によれば、半導体素子の表面上に形成された電極及び電極に連結されたフィンガーを含む。電極とフィンガーは導体であり、電極を介して電圧が印加されれば、電流がフィンガーを介して半導体素子の表面に拡散する。フィンガーは実施例によって内側フィンガーと外側フィンガーを含むことができ、内側フィンガーと外側フィンガーは連結フィンガーによって連結される。半導体素子の表面上のすべての点からフィンガーまでの距離が一定の基準以下となるように設定することができる。このようなフィンガーの配置によって、半導体素子の表面上のすべての点に速かに電流が伝達される。フィンガーは電極の拡張部extensionとも名付けることもできる。以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。しかし、本発明が実施例によって制限されるか限定されるものではない。各図に提示された同じ参照符号は同一部材を示す。以下の図面は本発明の特徴を著しく示すために簡略化し、ちょっと誇張して図示されており、以下の図面内の寸法は実際の本発明の製品の寸法と正確に一致しないこともある。当該技術分野の通常の技術者であれば、以下の図面の記載から各構成要素の長さ、外周、厚さなどの寸法を容易に変形して実際の製品に適用することができ、このような変形は本発明の権利範囲に属するものであるのは当該技術分野の通常の技術者に自明である。本発明の発光ダイオード半導体素子は周期的で規則的な形態及び配列であればいずれの形態にも具現できることを最大の特徴とする。本発明の半導体素子が具体的にどの形態を取るかは次の基準の中で少なくとも一つによって決定できる。1.発光表面の面積に対する外周の長さを最小化する形態を取ることができる。理想的には円形が前記条件を満たすが、実施例によっては円形に近い正六角形または正八角形などの形態が可能である。2.発光表面の面積が最小化する形態を取ることができる。3.発光ダイオードの基盤となる半導体の結晶構造を反映する形態を取ることができる。4.隣接した半導体素子との間隔が最小となるように配列されることができる。例えば、正六角形の半導体素子であれば、互いにずれて配列されてハニカム構造を取ることが前記条件を満たすことができる。本発明の半導体素子は前記条件のいずれも満たすこともでき、ある一条件のみを満たす形態を取ることもできる。図1は本発明の一実施例による複数の半導体素子を示す平面図である。ウェハー100上に個別半導体素子110が配置される。半導体素子110間の間隔をグリッドライン120ということにする。半導体素子110はパターニング可能な任意の形態を取ることができる。これは、半導体素子110の分離工程が従来のスクライビング法またはダイシング法ではないパターンによるエッチングまたは選択的積層メッキ法によって行われるからである。半導体素子110及びグリッドライン120はパターニングによって形成されるので、周期的に繰り返される形状を取ることができる。また、実施例によっては、半導体素子110の面積に対するグリッドライン120の長さを最小化するように、半導体素子110及びグリッドライン120の形態を変形して適用することができる。図2は本発明の一実施例による半導体素子を示す図である。半導体素子200は、金属層210、第1接着層220、第2接着層230、第1半導体層240、発光層250、第2半導体層260、透明電極層270、及び電極層280を含む。第1半導体層240はP型の半導体層、第2半導体層260はN型の半導体層であることができる。発光層250は、発光ダイオード半導体素子の発光効率を高めるために、第1半導体層240と第2半導体層260の間に配置され、多重量子井戸MQW、multi-quantumwellと呼ばれることもある。実施例によっては、P型の半導体層とN型の半導体層の位置は互いに変更可能である。第1半導体層240、発光層250、第2半導体層260は、GaN、AlGaN、AlGaAs、AlGaInP、GaAsP、GaPまたはInGaNの中で少なくとも1種を含む物質で具現されることができる。金属層210は第1半導体層240に電流を供給する機能をし、半導体素子200を支持する機能もする。金属層210は電気伝導度及び熱伝導度が高く、機械的な強度が相対的に高い金属、例えば銅または銅化合物などが利用可能である。金属層210は電気的メッキ法によって形成でき、実施例によっては、低密度を持ち、ストレスを緩和させることができる軟性銅層図示せずと、高い密度と強度を持ち、機械的な支持mechanicalsupportを提供する硬性銅層図示せずとの2層で構成されることもできる。第1接着層220は金属層210と直接接触し、第1半導体層240と金属層210の間の電気的経路の一部を形成する。第2接着層230も第1半導体層240と金属層210の間の電気的経路の一部を形成し、第1半導体層240に直接接触する。製造工程上、第1半導体層240上に第2接着層230、第1接着層220、金属層210が順に形成されることもできる。この場合に、第2接着層230は第1半導体層210に第1接着層220が円滑に結合されるように機能することができ、Ag、ITO、Ni、Pt、PdまたはAuの中で少なくとも1種を含む化合物であることができる。第1接着層220は金属層210と第2接着層230の間の中問層として機能し、例えばAuを含むことができる。透明電極層270はN型のインジウムスズ酸化物ITO、IndiumTinOxideであることができる。電極層280は金属及び金属化合物を含むことができ、第2半導体層260の表面に電流が拡散するように促進する機能をすることができる。図3は図2の半導体素子200が周期的に配列された状態の一例を示す図である。半導体素子200のそれぞれは周期的に互いに離隔して配置されることができる。図3においては、一実施例として、半導体素子200のそれぞれは正六角形の発光側表面を持ち、正六角柱の形態を取る。また、半導体素子200のそれぞれが互いに離隔する距離を最小化し、同一ウェハーから生産される半導体素子200の数を増加させるために、半導体素子200は互いにずれるように配置されるハニカムhoneycombの構造を取ることができる。従来のダイシング法またはスクライビング法は物理力によってチップを分離する技法なので、グリッドラインが必ず一直線を成した。しかし、本発明の半導体素子200は金属層210の選択的エッチング前記エッチングは化学的エッチングchemicaletchingを含むことができ、パターンによる乾式エッチングも可能であるまたは選択的メッキ法金属層210の一部のみをパターンによって前もって形成する技法によって容易に分離されるので、グリッドラインが必ず一直線である必要がなく、パターニング可能な周期的な配列であれば任意の形状が可能である。図3のように半導体素子200が正六角形の構造を取る場合、半導体素子200の発光側面積に対するグリッドラインまたはストリートラインを最小化して結果的に発光効率を増大させることができる。チップとチップの間の境界edgeの長さを減少させることで、表面での電子-正孔再結合recombination及び漏れ電流leakagecurrentを減少させることができ、これは投入される電流に対する発光効率を増大させる効果を持つ。また、半導体素子200の発光側表面の境界付近で電流拡散currentspreadingを向上させて大電力highpower発光ダイオードの具現が容易である。図2及び図3のような正六角形の構造は、パッケージングの際に光抽出効率をさらに高めることができる。一般に、光を伝達するレンズは円形に近いので、正四角形よりは正六角形の表面を持つ発光ダイオードが円形と類似した形状を取り、同一面積の円形レンズに一層高い光量を伝達することができる。したがって、正六角形の半導体素子200がパッケージングされて円形レンズと結合されれば光抽出効率をさらに高めることもできる。半導体素子200は規則的で周期的なパターンであればいずれの形態でも取ることができるので、円形に近い正多角形を取ることが光抽出効率を高め、投入する電流に対する発光効率も増大させることができる。ただ、同一ウェハー面積から生産される半導体素子200の数を増加させ、チップ当たり面積を最小化するためには、ずれた正六角形の配列、つまりハニカム構造を取ることができる。ハニカム構造はGaN系の半導体のc-planeである0001面の結晶構造と一致するので、チップ分離の際に欠陥を最小化することができる利点を持つ。図4~図6は図1の半導体素子110の電極構造の多様な実施例を示すための図である。図4において、半導体素子110は、電極410、電極に連結された外側フィンガー420、外側フィンガー420から一定の距離だけ離隔して配置される内側フィンガー430、電極410、及び外側フィンガー420と内側フィンガー430を連結する連結フィンガー440を含む。電極410、外側フィンガー420、内側フィンガー430及び連結フィンガー440は図2の電極層280に対応する。電極410は外部でから導体素子110に電圧を印加することができる部分で、ワイヤボンディングなどの配線方法によって外部から電圧を印加することができる。外側フィンガー420は電極410に連結され、半導体素子110の表面の境界部分にも電圧を効果的に伝達することができる。内側フィンガー430は連結フィンガー440を介して電極410または外側フィンガー420に連結され、半導体素子110の表面の中間部分にも効果的に電圧を印加することができる。半導体素子110の表面のどの部分にも、電極410または電極410に連結されたフィンガー420、430、440からの距離が一定の距離、例えば外側フィンガー420と内側フィンガー430の間の距離の半分以下となるように設計することができる。電極層280が光を反射する物質不透明物質で形成される場合、電極層280の占有面積が増加すれば、半導体素子400が外部に放出する光量が減少する欠点がある。電極410及び電極410に連結されたフィンガー420、430、440を使う場合、半導体素子110の表面に電圧を円滑に印加することができるとともに電極層280の面積を小さく維持することができる。図4に示す構造において、電極410は正六角形の外部フィンガー420の中で隣り合う二つの頂点に配列されており、外部フィンガー420及び内部フィンガー430は中空の正六角形である。連結フィンガー440は、二つの外部フィンガー420とそれぞれの外部フィンガー420から最も近い内部フィンガー430の頂点を連結する。図5は本発明の他の実施例による半導体素子500において電極及びフィンガーのサイズ及び位置を説明するための図である。図4と同様な方式で、外部から電圧印加が可能な電極510、電極510に連結され、半導体素子110の表面の境界部分に電圧を円滑に印加する外部フィンガー520、半導体素子110の表面の中間部分に電圧を円滑に印加する内部フィンガー530、及び電極510と内部フィンガー530を連結する連結フィンガー540を含んでいる。図5に示す構造において、外部フィンガー520及び内部フィンガー530は中空の正六角形であり、電極510は外部フィンガー520が形成する正六角形の隣接した頂点の間に全て配置されている。連結フィンガー540は各電極510と各電極510に最も近い内部フィンガー530の一点を連結する。図6は本発明の他の実施例による半導体素子600において電極及びフィンガーのサイズ及び位置を説明するための図である。図6に示す構造において、外部フィンガー620及び内部フィンガー630は中空の正六角形であり、電極610は外部フィンガー620が形成する正六角形の頂点に全て配置されている。連結フィンガー640は各電極610と各電極610に最も近い内部フィンガー630の一点を連結する。図4~図6の電極構造の例示において、電極及びフィンガーは導体であるので、電極に電圧が印加される瞬間とほぼ同時にフィンガーにも電圧が伝達される。半導体素子110の表面の全領域に均一に電圧が伝達されるので、半導体素子110の表面の全領域に電流が速かに拡散する。図7は本発明の他の実施例による複数の半導体素子を示す平面図である。ウェハー700は半導体素子710とグリッドライン720を含む。前述したように、本発明の半導体素子710の形状には制限がない。図1において半導体素子110の形状は正六角形であったが、図7において半導体素子710の形状は円形である。図8は本発明の他の実施例による半導体素子を示す図である。半導体素子800は、金属層810、第1接着層820、第2接着層830、第1半導体層840、発光層850、第2半導体層860、透明電極層870、及び電極層880を含む。図2に示す半導体素子200及び図8に示す半導体素子800は形状がそれぞれ正六角形と円形であるという点だけが違い、全体構造は非常に似ている。したがって、各構成要素についての説明は省略する。図9及び図10は図7の半導体素子の電極及びフィンガーのサイズ及び位置を例示的に説明するための図である。図9において、全体半導体素子の中で、半導体素子900部分は、電極910、電極に連結された外側フィンガー920、外側フィンガー920から一定の距離だけ離隔して配置される内側フィンガー930、電極910、及び外側フィンガー920と内側フィンガー930を連結する連結フィンガー940を含む。電極910、外側フィンガー920、内側フィンガー930及び連結フィンガー940は図8の電極層880に対応する。電極910は外部から半導体素子900に電極を印加することができる部分であり、ワイヤボンディングなどの配線方法によって外部から電圧を印加することができる。外側フィンガー920は電極910に連結され、半導体素子710の表面の境界部分に電圧を円滑に印加することができる。内側フィンガー930は連結フィンガー940を介して電極910または外側フィンガー920に連結され、半導体素子710の表面の中間部分にも電圧を印加することができる。図9に示す構造において、外部フィンガー920及び内部フィンガー930は中空の円形であり、電極910は外部フィンガー920が形成する円上の任意の二点に配置されている。連結フィンガー940は各電極910と各電極910に最も近い内部フィンガー930の一点を連結する。図10は本発明の他の実施例による半導体素子1000において電極及びフィンガーのサイズ及び位置を説明するための図である。図10に示す構造において、外部フィンガー1020及び内部フィンガー1030は中空の円形であり、電極1010は外部フィンガー1020が形成する円上に形成されており、60度の間隔で配置されている。連結フィンガー1040は各電極1010と各電極1010に最も近い内部フィンガー1030の一点を連結する。図9及び図10に示す電極構造は、不透明な電極層880が光の経路を最小に邪魔するように電極層880の面積を減らし、半導体素子710の表面の全領域に均一に電圧を印加し、電流を拡散する効果がある。図11~図13は本発明の半導体製造方法の第1実施例を説明するための工程状態図である。図11において、基板1110に発光ダイオード層1120とP型の第1コンタクト層1130を形成する。発光ダイオード層1120は、N型の半導体層、P型の半導体層、及び発光層を含むことができる。半導体構造層1120、1130を形成した後、第1金属層1140を形成する。第1コンタクト層1130と第1金属層1140の間の円滑な接合のために、第1コンタクト層1130と第1金属層1140の間に接合層をさらに形成することもできる。金属層1140としては、電気伝導度及び熱伝導度が高くて機械的支持mechanicalsupportを提供することができる物質が用いられ、例えば銅などの物質が可能である。第1金属層1140を積層した後、ウェハーキャリア1150を第1金属層1140に接合する。ウェハーキャリアの例としては、多孔性ウェハーキャリアperforatedwafercarrierまたは半導体、半導体化合物、または金属酸化物の中で少なくとも1種以上を含む化合物が可能であり、円滑な接合のために、第1金属層1140とウェハーキャリア1150の間に接合層を形成することもできる。前記化合物の具体的な例として、Si、GaN、Al2O3サファイア、Si-Cシリコンカーバイドなどの物質またはその化合物を挙げることができる。図12において、基板1110と発光ダイオード層1120を分離する。基板1110を透過することができる特定の周波数帯域のレーザーを基板1110に照射すれば、基板1110を透過したレーザーが基板1110と発光ダイオード層1120の間の境界面に吸収されて熱が発生する。この際、基板1110と発光ダイオード層1120の間の境界面が溶融して基板1110と発光ダイオード層1120が分離される。このように、レーザーを用いた基板1110の分離過程をレーザーリフトオフLLO、LaserLiftOffともいう。基板1110から分離された発光ダイオード層1120は金属層1140及びウェハーキャリア1150によって支持される。基板1110と発光ダイオード層1120の間の分離過程は化学的リフトオフCLO、ChemicalLiftOffによって遂行することもできる。CLO工程は基板1110と発光ダイオード層1120の間の境界物質の化学的反応によって進む。基板1110と発光ダイオード層1120を分離した後、透明電極層1160を形成することができる。透明電極層1160としてはn型インジウムスズ酸化物Indiumtinoxideが可能である。図12及び図13には省略されたが、透明電極層1160の形成後、透明電極層1160と接する電極層をさらに形成することができる。図13において、個別半導体素子1300を製造するために、透明電極層1160、発光層1120、及び第1コンタクト層1130を所定のパターンでエッチングする。この際、透明電極層1160、発光層1120、及び第1コンタクト層1130に対するエッチング/分離の工程は前記図1~図10に示すように所定のマスクパターンによって進む。すなわち、個別半導体素子1300が形成される素子領域上にはマスクパターンが積層され、素子領域と素子領域の間の境界領域に対応する表面は露出される。エッチング工程が進むにつれて、透明電極層1160、発光層1120、及び第1コンタクト層1130の境界領域は除去され、隣接した個別半導体素子1300の間の分離工程が部分的に進む。ウェハーキャリア1150は、透明電極層1160、発光ダイオード層1120、第1コンタクト層1130に対するエッチング過程が進んだ後、金属層1140から除去されることができる。この際、金属層1140のエッチング及び分離過程に先立ち、透明電極層1160に支持用テープ図示せずが接着されることができる。ウェハーキャリア1150が除去された後、金属層1140の素子領域にはマスクパターンが積層され、境界領域は露出される。その後、金属層1140に対して乾式エッチングまたは湿式エッチング技法が適用され、境界領域の金属層1140がエッチングされる。金属層1140の境界領域に対するエッチング工程が完了した後、積層されたマスクパターンが除去される。マスクパターンが除去された後、転写transfer工程によって金属層1140が支持用テープ1170に接着される。図13はエッチングが完了した状態であり、前記金属層1140のエッチング過程によって個別的な半導体素子1300が互いに分離される。個別半導体素子1300は、金属層1140、第1コンタクト層1130、発光ダイオード層1120、及び透明電極層1160を含む。したがって、個別半導体素子1300の断面は前記図13のようであり、個別半導体素子1300の発光側の表面は、円形、正多角形などの多様な形態を取ることができる。この際、金属層1140が既に分離されて、連結支持層として機能することができないので、支持用テープ1170が一時個別半導体素子1300を連結して支持する機能をする。支持テープ1170から個別半導体素子1300のそれぞれが分離され、パッケージング工程を経ることで、個別チップが出来上がる。従来技術においては、連結支持層を金属層1140として選択する場合、これに対するエッチング工程が円滑に進むことができなかった。よって、連結支持層を分離するために、ダイシング法またはスクライビング法を広く用いた。ダイシング法またはスクライビング法は、連結支持層としてシリコンカーバイドSi-Cなどの物質を用い、さらに多数の半導体素子を分離することができずに一度に一つずつの半導体素子のみを分離することができるので、分離工程は発光ダイオードの製造工程において最も退屈で、失敗しやすい工程であった。従来技術においては、電気伝導度が高くて熱伝導度が高いため、電流伝達能力に優れた銅のような金属物質を連結支持層として用いようとしても、銅層の軟性及び展性に優れるため、ダイシング法またはスクライビング法を適用しにくいので、銅層の代わりにモリブデンのようにスクライビング法の適用が可能であるが、電気伝導度の低い物質を用いていた。本発明の半導体製造方法の第1実施例においては、金属層1140の一部分素子領域を除いた境界領域だけが露出され、塩化第2銅CuCl2、塩化水素HCL、及び過酸化水素H2O2の中で少なくとも1種を含む溶液でエッチングされることができる。この際、素子領域を除いた境界領域だけが露出され、金属層1140のエッチングしようとする部分に溶液が集中するので、銅に対するエッチング進行を促進することができ、実験によって、溶液の濃度、露出される境界領域の線幅などが決定されることができる。このように、従来に不可能であった金属層1140に対するパターンエッチングが可能となることにより、同時に複数の半導体素子1300を分離することができ、分離工程の時間を大幅に短縮した。また、分離工程の際ダイシング法またはスクライビング法とは異なり物理的な衝撃も加わらなくて分離工程の収率を大きく向上させた。また、金属層1140に対するエッチング法としては、湿式エッチングの外にも乾式エッチングが適用できる。金属層1140が銅層である場合の乾式エッチング法としては、レーザーによる方法、ICP、Ionmilling、RIE、sputteretching、IonBeamassistedetchingなどが適用できる。一例として、塩素プラズマChlorineplasmaで金属層1140をエッチングして、前記半導体素子1300に対応するチップを分離することができる。図14及び図15は本発明の半導体製造方法の第2実施例を説明するための工程状態図である。図14において、基板1410に発光ダイオード層1420とP型の第1コンタクト層1430を形成する。半導体構造層1420、1430を形成した後、マスク層1441を形成する。マスク層1441が積層されなくて露出された半導体構造層1420、1430の一部には第1金属層1440が形成される。すなわち、第1マスクパターンは発光ダイオード素子が形成される素子領域を覆うが、素子領域を除いた境界領域を開放openするように製作される。第1マスクパターンによってコンタクト層1430の境界領域だけが露出されるので、マスク層1441は境界領域に積層される。第2マスクパターンは、第1マスクパターンとは反対に、素子領域を開放するが、境界領域を覆うように製作される。第1金属層1440の形成過程は第2マスクパターンによって進む。この際、先に形成されたマスク層1441が自然に第2マスクパターンとして作用することもできる。例えば、メッキで第1金属層1440を形成する場合、マスク層1441が不導体例えば、感光剤であれば、電流が通電しないためマスク層1441上にはメッキされない。マスク層1441がなくて第1コンタクト層1430が露出された素子領域は電流が流れるので、第1金属層1440のメッキが進む。マスク層1441と第1金属層1440を形成した後、マスク層1441と第1金属層1140上にウェハーキャリア1450を接合する。ウェハーキャリア1450は、図12及び図13と同様に、半導体構造層1420、1430及び第1金属層1440を支持する。図15において、基板1410から発光ダイオード層1420を分離する。分離する方法は前述したレーザーリフトオフ工程を用いることができるので、その説明は省略する。分離されて露出された発光ダイオード層1420の表面に透明電極層1460、及び個別半導体素子1500に電圧を印加するための電極層図示せずをさらに形成することができる。透明電極層1460及び電極層が形成された後、それぞれの半導体素子1500を所望の形状に分離するために、透明電極層1460、発光ダイオード層1420及び第1コンタクト層1430をパターニングしてからエッチングする。マスク層1441を形成するときに用いた第1マスクパターンは素子領域を覆って境界領域を開放するので、第1マスクパターンによって発光ダイオード層1420、第1コンタクト層1430及び透明電極層1460に対するエッチング工程が進むことができる。エッチングによって個別半導体素子1500のそれぞれが互いに分離される。分離された後の個別半導体素子1500はウェハーキャリア1450によって互いに連結された状態を維持して支持される。ウェハーキャリア1450が除去されれば、個別半導体素子1500の製造工程が完了する。図16は前記図14及び15の第1マスクパターンの多様な実施例を示す図である。前記第1マスクパターンは図13で個別半導体素子1300の分離のためのエッチング工程にも用いられることができる。図16のマスクパターン中の灰色部分はマスクによって対象物が覆われる部分であり、白色部分はマスクが形成されなくて対象物が露出される部分である。対象物が露出された領域に対してエッチングまたはマスク層の積層1441がなされる。図16のa、b、cはエッチングのためのマスクパターンの多様な実施例の例示であり、マスクが形成された部分だけ残してエッチングを行う場合、マスクで具現することができる任意の形態多角形、円形などの柱状に半導体素子を製造することができる。図16においては、灰色領域が素子領域、白色領域が境界領域であり、説明の便宜上、境界領域の線幅が非常に誇張して描かれているが、これが本発明の本質ではない付随的な問題に過ぎないのは当該分野の従事者に自明である。図17は図14及び図15の第2マスクパターンの多様な実施例を示す図である。第2マスクパターンは金属層1440の選択的積層のためのもので、既に形成されたマスク層1441が自然に図17のような役目をすることもできる。灰色領域は対象物を覆って保護する領域であり、白色領域は対象物が露出される領域である。図17において、灰色領域は境界領域、白色領域は素子領域に区分される。本発明のさらに他の実施例によれば、図16及び図17のマスクパターンは次のように変形して適用可能である。LLO工程によって基板と発光ダイオード層が分離される場合、レーザービームスポットlaserbeamspotのサイズを適切に調節して複数の個別半導体素子に対する分離工程を同時に進めることができる。レーザービームスポットが図16及び図17の一つずつの円形または多角形をカバーする場合、LLO工程は一つの個別半導体素子ごとに行われる。一方、レーザービームスポットが充分に大きくて図16及び図17に示す円形及び多角形のいずれもカバーする場合、LLO工程は複数の個別半導体素子に対して同時に進むので、LLO工程にかかる時間を縮めることができる。このようにLLO工程時間を縮めることができる理由は、本発明の個別半導体素子が規則的で周期的に配列されているからである。例えば、図16a及び図17aを参照すれば、レーザービームスポットが7個の6角形パターンをカバーする場合、同時に7個の個別半導体素子に対するLLO工程を進めることができるので、7倍の時間短縮効果を持つことができる。本発明のさらに他の実施例によれば、個別的なチップに分離される半導体素子の面積を調整することができる手段が提供される。図16及び図17のマスクパターンを参照すれば、一つの個別半導体素子がそれぞれの円形または多角形の形態に形成された後、これら個別半導体素子の分離過程でマスクを調整して一つまたは二つ以上の個別半導体素子を一グループに形成することができる。一グループに指定された個別半導体素子または複数の素子は一つの個別的なチップにパッケージングできる。具体的に、図16及び図17のマスクパターンによって円形または多角形の形状を取る個別半導体素子を形成する。その後、分離工程で図16及び図17のマスクパターンを用いる場合、一つずつの個別半導体素子が一つの個別チップにパッケージングされる。一方、分離工程で複数の円形または多角形を一グループに結束し、グループ間の境界領域のみを分離し、グループ内の境界領域に対するエッチング工程は行わなければ、複数の個別半導体素子が一つの個別チップにパッケージングできる。このような分離工程はマスクパターンを調整することで比較的容易に具現することができる。例えば、図16aにおいて、それぞれの六角形パターンに対応する個別半導体素子が形成された後、分離工程で7個の六角形パターンを一グループに取り扱って分離する場合、7個の六角形パターンは一つの大きな六角形素子グループをなすことができる。実際の応用例では、それぞれの発光ダイオードチップのサイズに対する要求事項が変更されることができる。この際、費用及び最終製品の製造時間を最小化するために、最小化した単位面積の個別半導体素子を前もって形成しておき、最終に分離段階で個別半導体素子の個数を選択して発光ダイオードチップのサイズを選択的に調整することができる。図18は本発明のさらに他の実施例による半導体素子を説明するための断面図である。半導体素子1800は、基板1816、第1半導体層1808、第2半導体層1812、第1半導体層1808と第2半導体層1812の間に位置する発光層1810、基板1816と第2半導体層1812の円滑な接合及び第2半導体層1812の保護のために形成されるバッファ層1814、第1半導体層1808に電圧を印加するための第1電極層1802及び透明電極層1804、及び第2半導体層1812に電圧を円滑に印加するための第2電極層1818を含む。このような形態の半導体素子1800の場合、サファイア基板1816をレーザーリフトオフ工程で除去し、これに金属支持層図示せずを形成した後、金属支持層を所定のパターンによる乾式または湿式エッチングで分離することにより、任意の形態多角形、円形などの柱状に半導体素子を製造することができる。図19~図21は本発明の半導体製造方法の第3実施例を示す図である。図19を参照すれば、基板1910上に発光ダイオード層1920が形成され、P型の第1コンタクト層1930が発光ダイオード層1920上に積層される。第1コンタクト層1930上の素子領域を除いた境界領域にマスク層1950が積層される。その後、第1コンタクト層1930の素子領域に第1金属層1940が積層される。図20を参照すれば、第1金属層1940が所定の厚さに積層された後、マスク層1950が除去される。その後、素子領域と境界領域を含む全領域に第2金属層1960が積層される。以後の過程は前記の図11~図15の過程と多少類似するように進む。基板1910はレーザーリフトオフLLOまたは化学的リフトオフCLO工程によって発光ダイオード層1920から分離される。発光ダイオード層1920の露出された表面には透明電極層1970が形成できる。透明電極層1970、発光ダイオード層1920及び第1コンタクト層1930に対するエッチング工程は個別半導体素子を形成する工程である。透明電極層1970、発光ダイオード層1920及び第1コンタクト層1930の素子領域のみを残し、境界領域はエッチングされて除去される。その後、第2金属層1960の分離工程に先立ち、支持テープ1980が第2金属層1960の反対側、つまり透明電極層1970に接着されて、個別半導体素子に対する連結及び支持supportを提供することができる。図21を参照すれば、第2金属層1960の素子領域上にマスク層1990が積層され、第2金属層1960の露出された境界領域はエッチャント2100によってエッチングされる。エッチング法としては乾式エッチングまたは湿式エッチングが適用可能であるのは前述したようである。第3実施例によれば、部分的に形成された第1金属層1940と全面的に形成された第2金属層1960の厚さを調整することで、第2金属層1960に対するエッチング工程の所要時間を最適化することができる。また、金属層に対するエッチング工程後の側面の形態が充分に制御可能であるかも考慮すべき要因の一つである。第2金属層1960は個別半導体素子に対する連結及び支持supportを提供するので、第2金属層1960の厚さは、エッチング工程の所要時間、エッチング後の側面の形態及び構造的支持structuralsupportのための強度strengthなどの要因を考慮して決定可能である。分離された個別半導体素子は第1金属層1940及び第2金属層1960によって支持されるので、より安定的に支持可能である。図22は本発明の一実施例によるハニカム構造の半導体素子を示す図である。図22を参照すれば、図4の電極構造を持つハニカム構造の発光ダイオードの製造サンプルが示されている。走査電子燎微鏡SEM、ScanningElectronMicroscope写真は個別的なチップに分離された後の六角柱状の発光ダイオードを拡大して示す。個別的なチップに分離された後、電圧が印加されて発光している状態も図22に示されている。図22に従来の技術と本発明の差別性が明確に提示されている。本発明は、従来の技術とは異なり、六角柱状の発光ダイオード個別素子を高収率で得ることができ、分離過程で素子の損傷を最小化することができる。本発明は、マスクパターンによって具現可能な形態であれば、六角形のみならず円形または任意の多角形にも適用可能である。また、本発明は、図22に示すように、グリッドラインが一直線ではない場合にも容易に発光ダイオード個別素子を分離することができる。本発明の実施例による半導体素子を製造する方法は、多様なコンピュータ手段によって遂行可能なプログラム命令形態に具現され、コンピュータ可読媒体に記録されることができる。また、前記方法は半導体素子製造装備の制御信号を発生するコントローラーのメモリに予めプログラムされたソフトウェア/ファームウェアの形態として提供されることもでき、プログラムされた手順に順次遂行されることができる。前記コンピュータ可読媒体は、プログラム命令、データファイル、データ構造などを単独でまたは組合わせで含むことができる。前記媒体に記録されるプログラム命令は本発明のために特別に設計されて構成されたものであるか、あるいはコンピュータソフトウェアの当該技術分野の通常の技術者に知られて使用可能なものであるかも知れない。コンピュータ可読記録媒体の例には、ハードディスク、フロッピー登録商標ディスク及び磁気テープのような磁気媒体magneticmedia、CD-ROM、DVDのような光記録媒体opticalmedia、フロプティカルディスクflopticaldiskのような磁気光媒体magneto-opticalmedia、及びROM、RAM、フラッシュメモリなどのように、プログラム命令を保存して遂行するように特別に構成されたハードウェア装置が含まれる。プログラム命令の例には、コンパイラーによって作られるもののような機械語コードだけではなく、インタープリターなどを用いてコンピュータによって実行可能な高級言語コードを含む。前記のようなハードウェア装置は本発明の動作を遂行するために一つ以上のソフトウェアモジュールとして作動するように構成されることができ、その逆も同様である。以上のように、本発明は具体的な構成要素などの特定事項と限定された実施例及び図面に基づいて説明されたが、これは本発明のより全般的な理解のために提供されたものであるだけ、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、本発明が属する分野で通常的な知識を持つ者であればこのような記載から多様な修正及び変形が可能である。したがって、本発明の思想は前述した実施例に限って決定されてはいけなく、後述する特許請求範囲だけではなく、この特許請求範囲と均等または等価の変形があるすべてのものは本発明思想の範疇に属するものであると言える。