焼結金属層18と導電層20で構成された層シーケンスを少なくとも1つの主面16に有する絶縁平坦ベース本体14を備えて構成されるパワー半導体基板12を、圧力と温度をかけて作製するための方法であって、少なくとも1つのパワー半導体基板12が、ポッティング材28で囲まれることと、前記ポッティング材28で囲まれた前記少なくとも1つのパワー半導体基板12が、続いて、液体30で満たされた圧力チャンバ10に導入されて圧力および温度にさらされ、前記圧力が、前記少なくとも1つのパワー半導体基板12に直ちに等方的に効果があるもので、前記温度が、前記ポッティング材28によって時間的に遅延されたやり方で、前記焼結金属層18を用いて、前記ベース本体14を関連の前記導電層20に密着接続するために前記少なくとも1つのパワー半導体基板12に効果があることと、を特徴とする方法。シリコーンポッティング材が、前記ポッティング材28として用いられることを特徴とする、請求項1に記載の方法。焼結ペーストが、前記焼結金属層18用に用いられることを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記圧力チャンバ10における前記液体30が、220°C~280°C、好ましくは250°Cの温度に加熱され、35MPa~45MPa、好ましくは38MPa~40MPaの圧力にさらされることを特徴とする、請求項1に記載の方法。多数のパワー半導体基板12が、互いに重ねて配置されてスタック22を形成し、このスタック12が、前記ポッティング材28で囲まれることを特徴とする、請求項1~4のいずれか一項に記載の方法。前記スタック22が、シリコーン膜24と、導電層20を形成する金属膜と、焼結金属層18を形成する焼結ペーストと、絶縁平坦ベース本体14と、焼結金属層18を形成する焼結ペーストと、導電層20を形成する金属膜と、シリコーン膜24と、からなる繰り返し重層化された膜から形成されることを特徴とする、請求項5に記載の方法。前記スタック22が、熱的に安定した膜26で囲まれ、その後、前記ポッティング材28を用いたカプセル化が実施されることを特徴とする、請求項5または6に記載の方法。本発明は、擬似等方圧だけでなく、等方圧およびしたがって少なくとも1つの導電層への絶縁平坦ベース本体の信頼できる密着接続を実現するようなやり方で、導入部で言及したタイプの方法を発展させる目的に基づいている。この目的は、本発明に従い、請求項1の特徴によって達成される。すなわち、少なくとも1つのパワー半導体基板が、ポッティング材で囲まれる点と、ポッティング材で囲まれた少なくとも1つのパワー半導体基板が、続いて、液体で満たされた圧力チャンバに導入され、圧力が、少なくとも1つのパワー半導体基板に直ちに等方的に効果があり、温度が、ポッティング材によって時間的に遅延されたやり方で、絶縁平坦ベース本体を、関連する導電層に密着接続するために、少なくとも1つのパワー半導体基板に効果がある点と、において達成される。本発明による方法には、次の利点がある。すなわち、温度効果の時間的な遅延は、圧力チャンバを直ちに閉じる必要がなく、より正確にはまた望み通りに後の時点でのみ閉じることができるように、ポッティング材の厚さに依存して望み通りに調整できるという利点がある。なぜなら、圧力チャンバにある液体の温度が、ただ、ポッティング材によって時間的に遅延されて、少なくとも1つのパワー半導体基板に到達するからである。本発明による方法において、シリコーンポッティング材がポッティング材として用いられるのが好ましい。焼結ペーストが、焼結金属層用に用いられるのが好ましい。焼結ペーストは、周知の方法では、溶剤と組み合わせた適切な焼結金属である。焼結金属には、例えば、数μm程度の範囲の大きさを有する金属フレークを含むことができる。圧力チャンバにおける液体は、適切なオイルであるのが好都合である。圧力チャンバにおける液体は、220°C~280°C、好ましくは250°Cの温度に加熱され、35MPa~45MPa、好ましくは38MPa~40MPaの圧力にさらされるのが好ましい。本発明による方法を用いて優れた生産性を得るために、すなわち、単位時間当たり比較的多数のパワー半導体基板を実現するために、本発明は、多数のパワー半導体基板が折り重なるように配置されてスタックを形成し、このスタックが、好ましくは、ポッティング材で囲まれ、次に、液体で満たされた圧力チャンバに導入されることを提案する。このために、独立した特許保護が求められている。本発明によるこの方法において、スタックは、シリコーン膜と、導電層を形成する金属膜と、焼結ペーストと、絶縁平坦ベース本体と、焼結ペーストと、導電層を形成する金属膜と、シリコーン膜と、からなる繰り返し重層化された膜から形成される。本発明による方法は、例えば、5インチ×7インチの寸法を有するパワー半導体基板を作製するのに適しているが、この場合にはもちろん、他の寸法を有するパワー半導体基板もまた実現することができる。前記スタックが、熱的に安定した膜で囲まれ、その後、ポッティング材を用いたカプセル化が実施される場合には、有利なことが分かった。本発明による方法には、次の利点がある。すなわち、圧力が、等方的にスタックに導入され、かつ等方的にパワー半導体基板に効果があることと、ポッティング材が、圧力チャンバにおいて液体に対して不浸透性を保証することと、ポッティング化合物が、焼結中に方法シーケンス用の断熱を構成することと、の利点がある。ポッティング材は、例えば、0.3W/m.Kの熱伝導率を有する。スタックがポッティング材でカプセル化される前にスタックを囲む熱的に安定した膜は、例えば、アルミニウム膜によって形成することができる。さらなる詳細、特徴および利点は、添付の図面に関連した以下の説明から明らかになろう。圧力チャンバ10では、多数のパワー半導体基板12が、互いに積み重ねられてスタックを形成するが、図面の図では1つのパワー半導体基板12のみが示されている。それぞれのパワー半導体基板12は、絶縁平坦ベース本体14を有するが、絶縁平坦ベース本体14は、互いに外側を向いた自身の2つの主面16に、各場合に焼結金属層18および導電層20で構成された層シーケンスを有する。導電層20は、大きな面積に、かつ/または回路を構造化する方式で具体化することができる。かかる多数のパワー半導体基板12を含むスタック22単に概略的に示されているは、シリコーン膜24と、導電層20を形成する金属膜と、焼結金属層18を形成する焼結ペーストと、絶縁平坦ベース本体14と、焼結金属層18を形成する焼結ペーストと、導電層20を形成する金属膜と、シリコーン膜24と、からなる繰り返し重層化されたシーケンスから形成される。このように形成されたスタック22は、熱的に安定した膜26で囲まれるが、この膜26は、例えばアルミニウム膜によって形成される。熱的により安定した膜26で囲まれたスタック22は、ポッティング材28で囲まれるが、ポッティング材28は、好ましくはシリコーンポッティング材である。ポッティング材28によって囲まれたスタック構造は、液体30で満たされた圧力チャンバ10に配置され、等方的に圧力および温度にさらされるが、圧力は、互いに積み重ねられたパワー半導体基板12を含むスタック22に直ちに等方的に効果があり、温度は、焼結金属層18によってそれぞれのベース本体14を、関連する導電層20に密着接続するために、ポッティング材28によって時間的に遅延されたやり方でパワー半導体基板12に効果がある。密着接続後に、圧力チャンバ10は開かれ、ポッティング材28および熱的に安定した膜26は、スタック22から除去され、その後、導電層20が自身の上に密着して設けられた個々のパワー半導体基板12は、個々に利用可能になる。なぜなら、シリコーン膜24が、個々のパワー半導体基板12を、問題なしに互いに分離できるようにするからである。