入力される交流電圧を整流する整流回路と、平滑コンデンサと、前記整流回路と前記平滑コンデンサとの間に接続され、前記整流回路から出力される電圧が相対的に高いときオンの状態とオフの状態とを繰り返すスイッチング動作をし、前記整流回路から出力される電圧が相対的に低いときオンの状態を継続して前記整流回路に電流を流す波形成形回路と、前記平滑コンデンサに充電された電圧を変換するDC-DCコンバータと、を備えた照明用電源。交流電圧を導通させるタイミングを制御して調光する調光器をさらに備えた請求項1記載の照明用電源。前記波形成形回路は、ノーマリオン形の素子を有する請求項1または2に記載の照明用電源。前記波形成形回路は、前記平滑コンデンサに充電された電圧を供給されてオンの状態にバイアスされたノーマリオフ型の素子を有する請求項1または2に記載の照明用電源。照明負荷と、前記照明負荷に電力を供給する請求項1~4のいずれか1つに記載の照明用電源と、を備えた照明装置。しかし、この調光器は、負荷となる白熱電球のフィラメントと直列接続して全位相で調光器に必要な保持電流以上の電流が流れて動作するように構成されている。そのため、スイッチング電源を接続した場合は、負荷インピーダンスが変化して保持電流が流れない期間が発生し、誤動作する可能性がある。本発明の実施形態は、調光器による出力電流の制御を安定化し、かつ消費電力を低減した照明用電源及び照明装置を提供することを目的とする。実施形態の照明用電源は、整流回路と、平滑コンデンサと、波形成形回路と、DC-DCコンバータと、を持つ。前記整流回路は、入力される交流電圧を整流する。前記波形成形回路は、前記整流回路と前記平滑コンデンサとの間に接続され、前記整流回路から出力される電圧が相対的に高いときオンの状態とオフの状態とを繰り返すスイッチング動作をし、前記整流回路から出力される電圧が相対的に低いときオンの状態を継続して前記整流回路に電流を流す。前記DC-DCコンバータは、前記平滑コンデンサに充電された電圧を変換する。本発明の実施形態によれば、調光器による出力電流の制御を安定化し、かつ消費電力を低減した照明用電源及び照明装置を提供することができる。以下、実施形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。まず、第1の実施形態について説明する。図1は、第1の実施形態に係る照明用電源を含む照明装置を例示する回路図である。図1に表したように、照明装置1は、照明負荷2と、照明負荷2に電力を供給する照明用電源3と、を備えている。照明負荷2は、例えばLEDなどの照明光源4を有し、照明用電源3から出力電圧VOUT、出力電流IOUTを供給されて点灯する。また、照明負荷2は、出力電圧VOUT及び出力電流IOUTの少なくともいずれかを変化させて調光することができる。なお、出力電圧VOUT、出力電流IOUTの値は、照明光源に応じて規定される。照明用電源3は、交流電源7に接続され、交流電圧を位相制御して導通するタイミングを制御する調光器8、位相制御された交流電圧を整流する整流回路9、整流回路9に流れる電流波形を成形する波形成形回路10、出力電圧VOUTを生成するDC-DCコンバータ11、平滑コンデンサ40を有する。なお、交流電源7は、例えば商用電源である。調光器8は、交流電源7に接続され、電源電圧VINを供給する一対の電源ラインの一方に直列に挿入される。なお、調光器8は、電源電圧VINを供給する一対の電源ラインに直列に挿入されてもよい。図2は、調光器を例示する回路図である。図2に表したように、調光器8は、2線式位相制御調光器である。調光器8は、電源ラインに直列に挿入されたトライアック12、トライアック12と並列に接続された位相回路13と、トライアック12のゲートと位相回路13との間に接続されたダイアック14と、を有する。トライアック12は、通常オフの状態であり、ゲートにパルス信号が入力されるとオンする。トライアック12は、交流の電源電圧VINが正極性のときと負極性のときの双方向に電流を流すことができる。位相回路13は、可変抵抗15とコンデンサ16とで構成され、コンデンサ16の両端に位相が遅延した電圧を生成する。また、可変抵抗15の抵抗値を変化させると、時定数が変化し、遅延時間が変化する。ダイアック14は、位相回路13のコンデンサに充電される電圧が一定値を超えるとパルス電圧を生成し、トライアック12をオンさせる。調光器8は、位相回路13の時定数を変化させてダイアック14がパルスを生成するタイミングを制御することにより、トライアック12がオンするタイミングを調整することができる。調光器8は、調光度に応じて、導通するタイミングが変化する交流電圧VCTを出力する。再度図1に戻ると、整流回路9は、調光器8により導通するタイミングが制御された交流電圧VCTを整流して、直流電圧脈流電圧VREを出力する。整流回路9は、調光器8による調光度に応じて導通するタイミング、すなわち電圧が立上がる位相が変化する直流電圧VREを出力する。整流回路9は、ダイオードブリッジで構成され、高電位端子9aと低電位端子9bとの間に、直流電圧VREを出力する。なお、整流回路9は、調光器8から入力される交流電圧を整流できればよく、他の構成でもよい。また、整流回路9の入力側には、DC-DCコンバータで発生するノイズを低減するコンデンサが接続されている。波形成形回路10は、スイッチング素子17、抵抗18、ダイオード19、21、チョークコイル20、チョークコイル20と磁気結合した駆動巻き線38、コンデンサ39を有する。スイッチング素子17は、例えば電界効果トランジスタFETであり、例えば高電子移動度トランジスタHighElectronMobilityTransistor:HEMTであり、ノーマリオン形の素子である。スイッチング素子17のドレインは、チョークコイル20を介して、整流回路9の高電位端子9aに接続され、スイッチング素子17のソースは、抵抗18を介して、整流回路9の低電位端子9bに接続される。スイッチング素子17のゲートは、コンデンサ39を介して、駆動巻き線38の一端に接続される。駆動巻き線38の他端は、整流回路9の低電位端子9bに接続される。駆動巻き線38は、チョークコイル20に高電位端子9aからスイッチング素子17のドレインの方向に増加する電流が流れるとき、スイッチング素子17のゲートにソースに対して正極性の電圧が供給される極性で接続される。また、スイッチング素子17のゲートには、保護ダイオード19が接続される。また、ダイオード21のアノードは、チョークコイル20を介して、整流回路9の高電位端子9aに接続され、ダイオード21のカソードは、DC-DCコンバータ11及び平滑コンデンサ40に接続される。DC-DCコンバータ11は、平滑コンデンサ40に充電された電圧を変換して出力電圧VOUTを生成する。次に、照明用電源3の動作について説明する。調光器8は、上記のとおり、調光度に応じて導通するタイミング、すなわち電圧が立上がる位相が変化する交流電圧VCTを出力する。交流電圧VCTは、調光度が100のとき位相0度で立上がり、ほぼ入力される電源電圧VINと同一となる。また、交流電圧VCTは、調光度が100から減少すると立上がる位相が遅れ、調光度0のとき180度遅れ、すなわち、ほぼ0Vになる。なお、調光度は、出力電流IOUTの最大電流値に対する比率であり、交流電圧VCTが立上がる位相とは、比例しない。整流回路9は、調光器8から出力される交流電圧VCTを整流した直流電圧脈流電圧VREを出力する。したがって、整流回路9から出力される直流電圧VREは、時間とともに値が変化し、平均値が調光度に応じて変化する電圧である。図3は、整流回路の電圧VRE及び電流IREの波形図である。図3に表したように、整流回路9は、調光器8により位相制御されており、電源7の交流電圧VINのゼロクロスから、例えば期間T1だけ遅れて立上がる電圧VRE図3の破線を出力する。また、整流回路9の電流IRE図3の実線は、そのままチョークコイル20を流れる。波形成形回路10に入力される直流電圧VREの瞬時値が相対的に低いとき図3の期間T1、T3、チョークコイル20を流れる電流IREの値は小さく、抵抗18に流れる電流も小さく、チョークコイル20と磁気接合した駆動巻き線38に誘起される電圧は低い。その結果、駆動巻き線38から誘起電圧をゲートに供給されるスイッチング素子17はオンの状態を継続する。スイッチング素子17は、チョークコイル20、整流回路9を介して、調光器8から直流電流を流す。なお、このときの電流値は、調光器8の位相回路13を流れる電流、すなわち保持電流よりも大きく設定される。また、波形成形回路10に入力される直流電圧VREの瞬時値が相対的に高いとき図3の期間T2、チョークコイル20を流れる電流IREが増加し、抵抗18に流れる電流が増加し、スイッチング素子17のソース電位が上昇する。スイッチング素子17のゲートソース間に閾値電圧を越える負電圧が発生する。その結果、スイッチング素子17がオフし、チョークコイル20を流れていた電流IREは、ダイオード21を介して、平滑コンデンサ40を充電する。このとき、チョークコイル20を流れる電流IREが減少していく。そして、チョークコイル20を流れる電流IREがゼロになると、スイッチング素子17はオンする。その結果、チョークコイル20を流れる電流が増加する状態に戻り、以下、同様の動作を繰り返す。スイッチング素子17は、オンの状態とオフの状態とを繰り返すスイッチング動作をして発振する。したがって、スイッチング素子17は、チョークコイル20、整流回路9を介して、調光器8から発振電流を流し、また、ダイオード21を介して、平滑コンデンサ40を充電する。なお、スイッチング素子17は、ノーマリオン形の素子であり、駆動巻き線38に誘起される電圧が低くなると、オンする。そのため、チョークコイル20には、連続して電流IREが流れる。その結果、整流回路9を介して、調光器8に電流を連続して流すことができる。なお、交流電圧VINの半周期の時間、すなわちゼロクロス間の時間Tに対して、期間T1、T2は、調光器8の調光度により変化する。次に、本実施形態の効果について説明する。このように、本実施形態においては、整流回路の電圧の瞬時値が相対的に低いとき、波形成形回路のスイッチング素子がオンの状態を継続して直流電流を流す。その結果、調光器が導通していない期間においても、調光器の位相回路に保持電流を流すことができ、調光器による出力電流の制御を安定化することができる。また、本実施形態においては、整流回路の電圧の瞬時値が相対的に高いとき、波形成形回路のスイッチング素子がオンの状態とオフの状態とを繰り返すスイッチング動作をする。その結果、オンの状態を継続することによる電力消費を抑制して、消費電力を低減することができる。また、本実施形態においては、整流回路の電圧の瞬時値が相対的に低いとき、スイッチング素子はオンの状態とオフの状態とを繰り返すスイッチング動作をせずに、オンの状態を継続する。その結果、電圧が低くなるとスイッチング周波数が高くなり、スイッチング損失が増加して電力効率が低下する問題がない。また、スイッチング周波数に最大値を設けてスイッチング損失を制限した場合のように、電流が流れない休止期間が発生しないため、調光器による出力電流の制御を安定化することができる。また、本実施形態においては、波形成形回路は、入力される電圧が相対的に高いときオンの状態とオフの状態とを繰り返すスイッチング動作をして発振し、発振電流を流す。その結果、電源から入力される電流波形の平均値が交流電圧波形に近づき、力率が改善される。さらにまた、本実施形態においては、波形成形回路は、自励式のため回路構成が簡単であり、小型化が可能である。なお、本実施形態においては、波形成形回路が、ノーマリオン形の素子を有する構成について説明したが、ノーマリオフ形の素子を有する構成も可能である。図5は、第2の実施形態に係る照明用電源を含む照明装置を例示する回路図である。図5に表したように、第2の実施形態は、第1の実施形態と比較して、波形成形回路10の構成が異なっている。すなわち、照明用電源3aは、調光器8、整流回路9、波形成形回路10a、DC-DCコンバータ11を有している。調光器8、整流回路9及びDC-DCコンバータ11については、第1の実施形態と同様である。また、照明装置1aは、照明負荷2と照明用電源3aとを備えている。照明負荷2については、第1の実施形態と同様である。波形成形回路10aは、第1の実施形態における波形成形回路10と比較して、スイッチング素子17がノーマリオフ形の素子である点と、バイアス回路の構成が異なっている。すなわち、波形成形回路10aは、スイッチング素子17a、抵抗18、チョークコイル20、ダイオード21、バイアス抵抗32、チョークコイル20と磁気結合した駆動巻き線38、コンデンサ39、ツェナーダイオード41を有する。スイッチング素子17aは、例えばFETであり、ノーマリオフ形の素子である。スイッチング素子17aのドレインは、チョークコイル20を介して、整流回路9の高電位端子9aに接続され、スイッチング素子17aのソースは、抵抗18を介して、整流回路9の低電位端子9bに接続される。スイッチング素子17aのゲートは、コンデンサ39を介して、駆動巻き線38の一端に接続される。駆動巻き線38の他端は、整流回路9の低電位端子9bに接続される。駆動巻き線38は、チョークコイル20に高電位端子9aからスイッチング素子17のドレインの方向に増加する電流が流れるとき、スイッチング素子17のゲートにソースに対して正極性の電圧が供給される極性で接続される。また、ダイオード21のアノードは、チョークコイル20を介して、整流回路9の高電位端子9aに接続され、ダイオード21のカソードは、DC-DCコンバータ11及び平滑コンデンサ40に接続される。また、バイアス抵抗32は、ダイオード21のカソードとスイッチング素子17aのゲートとの間に接続され、ツェナーダイオード41は、スイッチング素子17のゲートと整流回路9の低電位端子9bとの間に接続される。スイッチング素子17aは、バイアス抵抗32とツェナーダイオード41とにより、駆動巻き線38に電圧が誘起されていないときオンするようにバイアスされる。したがって、波形成形回路10aの動作及び効果については、ノーマリオン形の素子を用いた第1の実施形態における波形成形回路10と同様である。以上、具体例を参照しつつ実施形態について説明したが、それらに限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、照明用電源及び照明装置は、調光器8を含まない構成としてもよい。図1及び図5においては、整流回路9は、接続部43aを介して調光器8に接続され、接続部43bを介して交流電源7に接続される。しかし、接続部43a、43bを交流電源7に接続して、調光器8を含まない構成とすることも可能である。また、調光器8を別体として設け、接続部43a、43bの構造を、調光器8を含む場合の調光器8の交流電源の入力部の構造と同一にすることもできる。この場合、照明用電源及び照明装置を、調光器8を介してまたは介さないで、交流電源7に接続することができる。また、波形成形回路の構成は、図1及び図4に表したものに限定されない。例えば、整流回路9の前段に2つの波形成形回路を設けて、半波ごとに交互に動作する構成とすることもできる。また、出力素子5a、5b及び定電流素子6a、6bはGaN系HEMTには限定されない。例えば、半導体基板に炭化珪素SiCや窒化ガリウムGaNやダイヤモンドのようなワイドバンドギャップを有する半導体ワイドバンドギャップ半導体を用いて形成した半導体素子でもよい。ここで、ワイドバンドギャップ半導体とは、バンドギャップが約1.4eVのヒ化ガリウムGaAsよりもバンドギャップの広い半導体をいう。例えば、バンドギャップが1.5eV以上の半導体、リン化ガリウムGaP、バンドギャップ約2.3eV、窒化ガリウムGaN、バンドギャップ約3.4eV、ダイアモンドC、バンドギャップ約5.27eV、窒化アルミニウムAlN、バンドギャップ約5.9eV、炭化ケイ素SiCなどが含まれる。このようなワイドバンドギャップ半導体素子は、耐圧を等しくする場合、シリコン半導体素子よりも小さくできるために寄生容量が小さく、高速動作が可能なため、スイッチング周期を短くすることができ、巻線部品やコンデンサなどの小形化が可能となる。また、照明光源4はLEDに限らず、OLEDなどでもよく、照明負荷2には、複数個の照明光源4が直列又は並列に接続されていてもよい。本発明のいくつかの実施形態および実施例を説明したが、これらの実施形態または実施例は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態または実施例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態または実施例やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。