"基板と、該基板上に周期的に配置されたグリッド構造と、を備え、前記グリッド構造は、アルミニウムを主成分とした材料からなるグリッドラインと、前記グリッドラインの上側を被覆するケイ素酸化物と、前記グリッドラインの側面を被覆するアルミニウム酸化物と、を有することを特徴とするワイヤグリッド素子。基板と、該基板上に周期的に配置されたグリッド構造と、を備えるワイヤグリッド素子であって、前記基板上にアルミニウムを主成分とした材料からなる薄膜、及びケイ素酸化物からなる薄膜を、この順に真空中にて連続成膜した後に、該ケイ素酸化物からなる薄膜の表面に別の材料からなるパターンを形成し、次いで、前記別の材料からなるパターンをマスクにしてエッチングを行うことにより前記ケイ素酸化物からなる薄膜にパターンを転写し、さらに、ケイ素酸化物をマスクにアルミニウムにパターンを転写し、大気に取り出す前に酸素プラズマを施し、前記グリッド構造が作製されてなることを特徴とするワイヤグリッド素子。基板と、該基板上に周期的に配置されたグリッド構造と、を備え、前記グリッド構造は、アルミニウムを主成分とした材料からなるグリッドラインと、前記グリッドラインの上側を被覆する誘電体と、を有し、前記誘電体は、凸レンズ状の曲面構造を有することを特徴とするワイヤグリッド素子。基板と、該基板上に周期的に配置されたグリッド構造と、を備えるワイヤグリッド素子であって、前記基板上にアルミニウムを主成分とした材料からなる薄膜、及び誘電体からなる薄膜を、この順に真空中にて連続成膜した後に、該誘電体からなる薄膜の表面に別の材料からなるパターンを形成し、次いで、前記別の材料からなるパターンをマスクにしてエッチングを行うことにより前記誘電体からなる薄膜にパターンを転写し、さらに、誘電体をマスクにアルミニウムにパターンを転写し、前記グリッド構造が作製されてなり、前記誘電体は、凸レンズ状の曲面構造を有することを特徴とするワイヤグリッド素子。前記誘電体は、ケイ素酸化物またはケイ素窒化物からなることを特徴とする請求項3または4に記載のワイヤグリッド素子。入射する光束を光電変換する撮像素子と、該撮像素子の光束入射面側に設けられた請求項1乃至5のいずれかに記載のワイヤグリッド素子と、を備えることを特徴とする偏光画像撮像装置。請求項1乃至5のいずれかに記載のワイヤグリッド素子を偏光子として備えることを特徴とするプロジェクタ。以上のように、Alによるワイヤグリッド素子は、大気中の水分やガスと反応しやすいため、特に高温高湿下にて放置した後に偏光子としての機能が劣化するという問題がある。従って本発明は、耐食性があり、簡易な構造からなり、偏光子としての光学特性TE透過率、TM透過率、消光比が良好なワイヤグリッド素子ならびに該ワイヤグリッド素子を用いた偏光画像撮像装置及びプロジェクタを提供することを目的とする。また本発明は、TM透過率が高いと共に、信頼性も充分であるワイヤグリッド素子ならびに該ワイヤグリッド素子を用いた偏光画像撮像装置及びプロジェクタを提供することを目的とする。上記課題を解決するために本発明に係るワイヤグリッド素子は、基板と、該基板上に周期的に配置されたグリッド構造と、を備え、前記グリッド構造は、アルミニウムを主成分とした材料からなるグリッドラインと、前記グリッドラインの上側を被覆するケイ素酸化物と、前記グリッドラインの側面を被覆するアルミニウム酸化物と、を有することを特徴とする。また、上記課題を解決するために本発明に係るワイヤグリッド素子は、基板と、該基板上に周期的に配置されたグリッド構造と、を備えるワイヤグリッド素子であって、前記基板上にアルミニウムを主成分とした材料からなる薄膜、及びケイ素酸化物からなる薄膜を、この順に真空中にて連続成膜した後に、該ケイ素酸化物からなる薄膜の表面に別の材料からなるパターンを形成し、次いで、前記別の材料からなるパターンをマスクにしてエッチングを行うことにより前記ケイ素酸化物からなる薄膜にパターンを転写し、さらに、ケイ素酸化物をマスクにアルミニウムにパターンを転写し、大気に取り出す前に酸素プラズマを施し、前記グリッド構造が作製されてなることを特徴とする。さらに、上記課題を解決するために本発明に係るワイヤグリッド素子は、基板と、該基板上に周期的に配置されたグリッド構造と、を備え、前記グリッド構造は、アルミニウムを主成分とした材料からなるグリッドラインと、前記グリッドラインの上側を被覆する誘電体と、を有し、前記誘電体は、凸レンズ状の曲面構造を有することを特徴とする。またさらに、上記課題を解決するために本発明に係るワイヤグリッド素子は、基板と、該基板上に周期的に配置されたグリッド構造と、を備えるワイヤグリッド素子であって、前記基板上にアルミニウムを主成分とした材料からなる薄膜、及び誘電体からなる薄膜を、この順に真空中にて連続成膜した後に、該誘電体からなる薄膜の表面に別の材料からなるパターンを形成し、次いで、前記別の材料からなるパターンをマスクにしてエッチングを行うことにより前記誘電体からなる薄膜にパターンを転写し、さらに、誘電体をマスクにアルミニウムにパターンを転写し、前記グリッド構造が作製されてなり、前記誘電体は、凸レンズ状の曲面構造を有することを特徴とする。そして、上記課題を解決するために本発明に係る偏光画像撮像装置は、入射する光束を光電変換する撮像素子と、該撮像素子の光束入射面側に設けられた上記いずれかに記載のワイヤグリッド素子と、を備えることを特徴とする。またそして、上記課題を解決するために本発明に係るプロジェクタは、上記いずれかに記載のワイヤグリッド素子を偏光子として備えることを特徴とする。本発明によれば、高温高湿下においても劣化がなく、耐久性に優れ、光学特性も良好であり、且つ、低コストのワイヤグリッド素子なワイヤグリッド素子ならびに該ワイヤグリッド素子を用いた偏光画像撮像装置及びプロジェクタを提供することができる。また本発明によれば、光学性能として高いTM透過率を有し、信頼性が高く、低コストのワイヤグリッド素子ならびに該ワイヤグリッド素子を用いた偏光画像撮像装置及びプロジェクタを提供することができる。本発明は基板上に微細構造が形成された平板型光学素子の一つである、アルミニウムワイヤグリッド素子に関するものである。アルミニウムワイヤグリッド素子は、プロジェクタでは、偏光ビームスプリッタや検光子としての利用のほか、偏光再利用のための反射型偏光子として利用される。また、偏光画像撮像装置においては、撮像素子の前にワイヤグリッド素子を配置することにより、偏光画像を取得する。本発明に係るワイヤグリッド素子は、基板11と、該基板上11に周期的に配置されたグリッド構造12と、を備え、前記グリッド構造12は、アルミニウムを主成分とした材料からなるグリッドライン12aと、前記グリッドライン12aの上側を被覆するケイ素酸化物12bと、前記グリッドライン12aの側面を被覆するアルミニウム酸化物12cと、を有することを特徴とする。また、上記課題を解決するために本発明に係るワイヤグリッド素子は、基板11と、該基板11上に周期的に配置されたグリッド構造12と、を備え、前記グリッド構造1は、アルミニウムを主成分とした材料からなるグリッドライン12aと、前記グリッドライン12aの上側を被覆する誘電体12bと、を有し、前記誘電体12bは、凸レンズ状の曲面構造を有することを特徴とする。次に、本発明に係るワイヤグリッド素子ならびに該ワイヤグリッド素子を用いた偏光画像撮像装置及びプロジェクタについてさらに詳細に説明する。尚、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な実施の形態であるから技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は以下の説明において本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。《ワイヤグリッド偏光子》第1の実施の形態本発明に係るワイヤグリッド素子の第1の実施の形態であるワイヤグリッド偏光子における構成例を図2に示す。図2aは断面模式図、図2bは上面模式図である。図2におけるサイズは図面作製上の便宜のためであり、実際のスケールは異なる。アルミニウムグリッドパターン方向に対して、入射TM偏光は透過し、入射TE偏光は反射もしくは吸収される。基板11はホウケイ酸ガラス基板であり、透明基板である。この透明基板11上にワイヤグリッド素子としての機能を示す周期的なライン状のグリッド構造グリッドパターン12が設けられ、このグリッド構造12の中心部であるグリッドライン12aはアルミニウムAlからなる。グリッド構造12の上側基板と反対側の被覆層12bは厚み30nmのケイ素酸化物からなる。Alグリッド構造の両側面の被覆層12cは厚み約10nmのアルミニウム酸化物からなる。また、グリッド構造12のライン配列方向の周期は150nmであり、Alグリッド構造12のライン配列方向の幅はグリッドライン12aと両側面のアルミニウム酸化物の領域とをあわせて70nm、基板11に対して垂直方向の高さは180nmである。本発明におけるワイヤグリッド偏光子の作製フローの一例を図3a~eに示す。<図3a成膜、図3bレジストパターニング>まず、透明基板11上にAl12a及びケイ素酸化物SiOx12bをそれぞれ、例えば、180nm、30nmの厚さで連続的に成膜する。その後、有機レジスト等を用い、例えば、150nmの周期、70nmの幅で有機レジストパターン13を形成する。<図3cSiOxエッチング、図3dAlエッチング>続いて、RIEエッチング装置で、フッ素系ガスを用いてケイ素酸化物をドライエッチングし、有機レジストパターン13をケイ素酸化物12bに転写し、Alエッチングのハードマスクを形成する。その後、金属用ドライエッチング装置で、塩素系ガスを用いて、ケイ素酸化物12bをマスクとしてAl12aをドライエッチングし、グリッド構造12a,12bおよび12cの酸化前の状態を形成する。<図3eプラズマ酸化>更に、同一エッチャー内で、連続して酸素ガスを用いてプラズマ酸化することにより、Alグリッド両側壁12cにアルミニウム酸化物を形成し例えば、10nmの厚み、耐食性の高いワイヤグリッド素子を形成することができる。本作製フローの特徴としては、下記1~3が挙げられ、低コストで耐食性の高いワイヤグリッド素子を形成することができる。1Al成膜に続けてSiOx成膜することにより、Alが大気に触れる時間が短く、また、Alがウエットプロセスにさらされることがない。よって、作製途中でのAlの劣化や腐食が起こり難い。2Alのエッチングとプラズマ酸化を同一エッチング装置内で、連続的に行える。よって、基板を取り出して大気中に触れること無く、清浄なAlグリッド側面に緻密なアルミニウム酸化物を形成することができる。尚、Alエッチング後にエッチャーから基板を取り出した場合には、残留塩素と大気中の水分から酸が発生しAlを腐食する心配があるが、このような腐食を防ぐ効果もある。3保護層であるアルミニウム酸化物は同一エッチング装置内で作製出来る為、特別な工程の増加もなく低コストで作製できる。本実施の形態におけるワイヤグリッドの構造についてさらに詳しく説明する。図2に示す構造では、ケイ素酸化物12bとアルミニウム酸化物12cとに囲まれたAlグリッド構造の中心部であるグリッドライン12aは、大気と直接触れる箇所がないという特徴がある。したがって、アルミニウムからなるAlグリッドライン12aは基本的に、腐食を生じさせる元素と触れることはなく、化学反応することもない。また、通常の酸化アルミニウム被膜のみの場合よりも、Alグリッド構造の上部をケイ素酸化物で被覆することにより、信頼性をより高めることができる。さらに、ケイ素酸化物はAlをドライエッチングする際のマスクとしても利用し、また、Alとケイ素酸化物は連続成膜できることから、Alを大気にさらす工程を極力減らすことができる。また、アルミニウム酸化物に関しては、Alのドライエッチング工程と連続して行えることからエッチング箇所を大気にさらす前に酸素プラズマなどの簡易なプロセスにより形成できる。したがって、本実施の形態では、新たに保護膜材料を用意するなどのプロセスは不要であり、コストの増加に繋がらないという利点がある。他の材料を用いた場合について述べる。基板11基板11となるガラス素材としては、ホウケイ酸ガラス、合成石英、結晶化ガラス、極低膨張ガラスセラミックス、低膨張ガラス、光学ガラス、特殊ガラス、無アルカリガラス、白板ガラス、青板ガラスなどが挙げられる。いずれも基本的にAlを腐食する成分がAlグリッド構造に染み出すことはない。通常、基板11の厚みは0.5~1mm程度である。ホウケイ酸ガラスを用いた場合には、基板上に信頼性の高いワイヤグリッド素子が形成できる。このため、Siウエハ上に形成される結像素子とするような場合や他のデバイス等と積層するような場合、陽極接合によりウエハレベル同士で接合できるので、低コスト実装が可能になる。グリッド構造12:アルミニウムグリッド12a、ケイ素酸化物12b、アルミニウム酸化物12cAlの成膜は、スパッタリング法、蒸着法などの真空成膜技術により形成できる。グリッド構造12を作製するためのパターン形成には、電子線描画等を用いた微細加工プロセスやアルミニウムを加工するドライエッチングプロセスが必要となる。なお、アルミニウムが主成分であるとは、アルミニウムの原子比が98以上であることを意味する。ワイヤグリッド素子としてのTM透過率を向上させる観点からは、純AlAlが100であることが好ましいが、さらに耐久性を必要とする場合などには、SiやNd、Tiを2以内の範囲で添加することもある。Alグリッド構造12の上部に形成されている上側被覆層12bを構成するケイ素酸化物については、基本的には化学組成としてSiOxxは1.0~2.0と記載される。ケイ素酸化物は、二酸化ケイ素の化学量論的組成であるSiO2と酸化ケイ素SiOとが混じりあった状態である。したがって、xとしては特に1.0~2.0の範囲で限定されないが、光学的に透明である方が良いという点でx=2に近いことが好ましい。本実施の形態では、xはほぼ2であり、SiO2がケイ素酸化物の大部分を占めている。Alグリッド構造の両側面の側面被覆層12cを構成するアルミニウム酸化物に関しても、酸化アルミニウムアルミナ、化学量論的組成:Al2O3と、AlOが混じりあった状態であるため、AlOxと記載される。このとき、前記xとしては1.0~1.5程度である。本実施の形態では、xはほぼ1.5であり、Al2O3がアルミニウム酸化物の大部分を占めている。また、上記作製したワイヤグリッド素子に対して電子顕微鏡を用いて断面観察を行い、測長した結果、Alグリッドのピッチは150nm、Alライン幅は50nmであり、左右の側面に形成されたアルミニウム酸化物の厚みが各々10nmであった。即ち、アルミニウム酸化物もふくめたグリッド幅は70nmであった。また、同様に上記作製したワイヤグリッド素子に対して電子顕微鏡を用いて断面観察を行い、測長した結果、Alの高さは180nmであり、その上側に形成されたケイ素酸化物の高さは30nmであった。さらに、ワイヤグリッド偏光子としての光学特性を評価した。波長550nmにて、TM透過率が85.0、TE透過率が0.02であり、消光比TM透過率とTE透過率の比は4250であった。また、高温高湿下温度:85°C、湿度:85RHの一定条件にて、500時間放置し、試験前後にて光学特性を比較したが、大きな変化はなく、高温高湿下においても充分な耐食性をもつことを確認した。なお、100個の試料にて劣化を示す試料はなかった。また、計算機シミュレータを用いて、Alライン構造の側面はアルミニウム酸化物Al2O3とした上で、上側の材料がケイ素酸化物SiO2である場合と、アルミニウム酸化物Al2O3である場合とについて、比較した。図4aはAlライン構造の側面はAl2O3、上面はSiO2が保護膜として形成された構造の断面模式図である。また、図4bはAlライン構造の側面、および、上面がAl2O3を保護膜として形成された構造の断面模式図である。また、図4cは、aおよびbにおけるTM、TE透過率の波長依存性を示す。例えば、波長550nmにおける透過率値を具体的に比較してみると、図4aに示す構成ではTM透過率が67.9、TE透過率が0.019、図4bに示す構成ではTM透過率が66.4、TE透過率が0.021である。消光比は、図4aに示す構成では3637、図4bに示す構成では3224である。なお、図4cにおいて右側の縦軸がTE透過率を表し、左側の縦軸がTM透過率を表す。また、図4c中、減少していく曲線がTE透過率を表し、山型の曲線がTM透過率を表す。以上の計算機シミュレータによるシミュレーションによれば、本発明に対応する図4aに示す構成の方が、図4bに示す構成よりも、偏光子としての光学特性が良好であることがわかる。この計算において、アルミニウム酸化物を完全なAl2O3と仮定して計算したが、実際にはAlラインの側面においてはAl2O3よりもAlの成分は多い。同様の構造で測定値と計算値を比較した場合、測定値の方が計算値よりもTM透過率がより高くなっているのはこのためと考えられる。第2の実施の形態第1の実施の形態と同様の構造にて、Alの代わりにAl-SiSiの原子比1を用い、ホウケイ酸ガラス基板の代わりに石英基板を用いて図5に示す構造とした。グリッド構造12の上側基板と反対側の被覆層12bは厚み30nmのケイ素酸化物からなる。Al-Siグリッド構造の両側面の被覆層12cは厚み約20nmのアルミニウム酸化物からなる。また、Al-Siグリッドライン配列方向12の周期は200nmであり、Al-Siラインのライン配列方向の幅はグリッドライン12aと両側面のアルミニウム酸化物の領域とをあわせて110nm、基板に対して垂直方向の高さは200nmである。本実施の形態も第1の実施の形態と同様に、ワイヤグリッドを形成する金属Al-Siの側面のアルミニウム酸化物、および上部のケイ素酸化物がAl-Siに対して保護膜として働き、充分な耐久性を示すことを確認した。第3の実施の形態本発明に係るワイヤグリッド素子の第3の実施の形態であるワイヤグリッド偏光子における構成例を図6に示す。図6aは断面模式図、図6bは上面模式図である。図6におけるサイズは図面作製上の便宜のためであり、実際のスケールは異なる。アルミニウムグリッドパターン方向に対して、入射TM偏光は透過し、入射TE偏光は反射もしくは吸収される。基板11はホウケイ酸ガラス基板であり、透明基板である。この透明基板11上にワイヤグリッド素子としての機能を示す周期的なライン状のグリッド構造グリッドパターン12が設けられ、このグリッド構造12の中心部であるグリッドライン12aはアルミニウムAlからなる。Alグリッドライン配列方向12の周期は150nmであり、グリッドライン12aのライン配列方向の幅は60nm、基板に対して垂直方向の高さは210nmである。また、グリッド構造の上側基板と反対側の被覆層12bは厚み50nmのケイ素酸化物またはケイ素窒化物等の誘電体からなり、最大高さ50nm、最小高さ20nmの凸状レンズ構造である。次に、本実施の形態における作製フローについて説明する。まず、透明基板11上にAl12a及びケイ素酸化物SiOx12bをそれぞれ、例えば、210nm、60nmの厚さで連続的に成膜する。その後、有機レジスト等を用い、例えば、150nmの周期、60nmの幅で有機レジストパターン13を形成する。続いて、RIEエッチング装置で、フッ素系ガスを用いてケイ素酸化物をドライエッチングし、有機レジストパターン13をケイ素酸化物に転写し、Alエッチングのハードマスクを形成する。その後、金属用ドライエッチング装置で、塩素系ガスを用いて、ケイ素酸化物をマスクとしてAlをドライエッチングし、Alからなるグリッド構造を形成する。ケイ素酸化物はAlをドライエッチングする際のマスクとしても利用し、また、Alとケイ素酸化物は連続成膜できることから、Alを大気にさらす工程を極力減らすことができる。他の材料を用いた場合について述べる。基板11基板11となるガラス素材としては、ホウケイ酸ガラス、合成石英、結晶化ガラス、極低膨張ガラスセラミックス、低膨張ガラス、光学ガラス、特殊ガラス、無アルカリガラス、白板ガラス、青板ガラスなどが挙げられる。いずれも基本的にAlを腐食する成分がAlグリッド構造に染み出すことはない。通常、基板11の厚みは0.5~1mm程度である。ホウケイ酸ガラスを用いた場合には、基板上に信頼性の高いワイヤグリッド素子が形成できる。このため、Siウエハ上に形成される結像素子とするような場合や他のデバイス等と積層するような場合、陽極接合によりウエハレベル同士で接合できるので、低コスト実装が可能になる。グリッド構造12:アルミニウムグリッドライン12a、誘電体12bAlの成膜は、スパッタリング法、蒸着法などの真空成膜技術により形成できる。グリッド構造を作製するためのパターン形成には、電子線描画等を用いた微細加工プロセスやアルミニウムを加工するドライエッチングプロセスが必要となる。なお、アルミニウムが主成分であるとは、アルミニウムの原子比が98以上であることを意味する。ワイヤグリッド素子としてのTM透過率を向上させる観点からは、純AlAlが100であることが好ましいが、さらに耐久性を必要とする場合などには、SiやNd、Tiを2以内の範囲で添加することもある。Alグリッド構造12の上部に形成されている上側被覆層12bを構成するケイ素酸化物については、基本的には化学組成としてSiOxxは1.0~2.0と記載される。ケイ素酸化物は、二酸化ケイ素の化学量論的組成であるSiO2と酸化ケイ素SiOとが混じりあった状態である。したがって、xとしては特に1.0~2.0の範囲で限定されないが、光学的に透明である方が良いという点でx=2に近いことが好ましい。本実施の形態では、xはほぼ2であり、SiO2がケイ素酸化物の大部分を占めている。Alグリッド構造12の上部に形成されている上側被覆層12bを構成するケイ素窒化物については、化学量論的組成であるSi3N4から、Nが欠乏することもあるが、ケイ素酸化物の場合と同様に光学的に透明である方が良いという点で、化学量論的組成に近いことが好ましい。上記作製したワイヤグリッド素子に対して電子顕微鏡を用いて断面観察を行い、測長した結果、Alグリッドのピッチは150nm、Alライン幅は60nmであった。また、同様に上記作製したワイヤグリッド素子に対して電子顕微鏡を用いて断面観察を行い、測長した結果、Alの高さは210nmであり、その上側に形成されたケイ素酸化物は凸レンズ形状であり、凸状箇所の最大高さは50nm、最小高さは20nmであった。さらに、ワイヤグリッド偏光子としての光学特性を評価した。波長550nmにて、TM透過率が85.0、TE透過率が0.02であり、消光比TM透過率とTE透過率の比は4250であった。なお、ケイ素酸化物が上部にて凸状の曲面構造である場合と、平坦である場合とを光学シミュレーションにより比較すると、凸状の曲面構造の方が、TM透過率が高くなることが判明している。光が入射した際に、ケイ素酸化物の層が平坦である場合には光は屈折率変化の影響を急激に受けるため、反射が生じやすいが、凸形状である場合には、光は次第に屈折率変化の影響を受けるため、反射抑制効果があり、TM透過率が高まる。計算例を以下に示す。図7は、第3の実施の形態におけるワイヤグリッド偏光子のシミュレーションを行った構造であり、図7aは第3の実施の形態に基づく構造、図7bは従来の構造である。ワイヤグリッドを形成するAlラインのピッチは150nm、高さは210nm、幅は60nmとした。図7aでは、Alラインの上に誘電体層のSiO2が存在する。SiO2層の上部の凸部は高さ30nmの曲面であり、その下に高さt1の誘電体層が存在する構造である。図7bは平坦なSiO2層厚みt2がAlラインの上に存在する構造である。各々の構造において、SiO2層の厚みt1、およびt2を変化させた場合の計算結果として、TM透過率の波長依存性を図8に示す。図7aにおける構造においては、t1が増加するほど、TM透過率が高くなる。この場合、消光比は若干低下するが、高いTM透過率が光学素子とて必要な特性である場合が多く、TM透過率が数でも高い光学素子を利用することが、撮像装置やプロジェクタでは好ましい。一方、図7bにおける構造においては、t2が増加するほど、TM透過率は低くなる。なお、図8a及び図8bにおいて、曲線を横切る矢印の方向の順に膜厚t1,t2は0,20,40,60nmと変化している。以上より、上記第3の実施の形態の構造においては、凸構造をもちながら、TM透過率も高くすることができる。第4の実施の形態本実施の形態では、第3の実施の形態と同様の構造にて、Alグリッドライン12aの高さを180nmに変更し、ホウケイ酸ガラス基板の代わりに石英基板を用いて図9に示す構造とした。本実施の形態も第3の実施の形態と同様に、ケイ素酸化物がAlワイヤグリッド構造に対して、反射抑制構造として働き、透過率としてもTM透過率が87、TE透過率は0.02であった。第5の実施の形態本実施の形態では、第3の実施の形態と同様の構造にて、Alグリッドライン12aの幅は40nmとし、グリッド構造12の両側壁部12cは酸化させることにより、10nmの幅のアルミニウム酸化物を形成し図10に示す構造とした。ケイ素酸化物がAlワイヤグリッド構造に対して、反射抑制構造として働き、透過率としてもTM透過率が89、TE透過率は0.03であった。信頼性の点では、図10の構造は、Alラインの上面および、側壁などの側面全体が誘電体により被覆され、大気中の水分の浸入を防ぐようになっている。したがって、信頼性が高いワイヤグリッド素子構造となっている。《偏光画像撮像装置》第1の実施の形態のワイヤグリッド素子を二次元アレイ状に作製するとともに、偏光画像撮像装置を作製した。模式図を図11に示す。偏光画像撮像装置では、撮像素子受光素子22が図示の如く横方向および縦方向にそれぞれ等間隔で二次元配列され、各撮像素子の手前受光面側に領域ごとに偏光軸が異なるワイヤグリッド素子21が二次元配置されている。複数の領域のそれぞれにおいて、ワイヤグリッド素子21の一辺の大きさは約5μmである。また、複数の領域のうち、図11中において黒の点線で囲われた領域である縦横2×2の4つの領域において、各々の領域はそれぞれ偏光軸が異なり、異なる偏光成分の光を取り出す一組の偏光子アレイとなっている。これらの4つの領域を、多数配置したワイヤグリッド偏光子アレイを透過した偏光成分が、領域ごとに撮像素子例えば、CCD等。にて受光されるため、偏光情報を画像として得ることができる。このような場合に、ワイヤグリッドは偏光フィルタとして機能しているが、偏光画像撮像装置は、車載利用など、環境として過酷な環境下においても利用される。本発明のワイヤグリッド素子では、そのような場合においても充分利用可能である。なお、撮像素子の偏光軸やそれらの配列、撮像素子の配列などは限定されない。ワイヤグリッドの基板としてホウケイ酸ガラスを用いた場合には、ガラス基板上に信頼性の高いワイヤグリッド素子が形成できるので、Siウエハ上に形成される結像素子とする場合や他のデバイス等と積層するような場合、陽極接合によりウエハレベル同士で接合できるので、低コスト実装が可能になる。《プロジェクタ》本プロジェクタにかかる実施の形態は、上述したワイヤグリッド素子を偏光子31として利用したプロジェクタである。プロジェクタは、画像を鮮明に投射することが必要とされ、偏光分離素子の機能が低下すると画像品質に影響する。本実施の形態においては、高温高湿下においても光学特性が変化することのない耐久性のあるワイヤグリッド素子を利用しているため、プロジェクタの画像が劣化することはない。図12に3板式液晶プロジェクタの表示部中心の構成を示す。光源からの光は波長分離ダイクロイックミラーを通して、R赤色、G緑色、B青色の3つのパネル用に分けられ、表示用に使用している液晶パネルに裏面から各々光が照射される。パネルを透過した光は、ダイクロイッククロスプリズム34により、3つの光が1つに集められ、最終的にパネルの映像は投射レンズ35で拡大投射される。コンデンサレンズ33は、棚珪酸ガラスからなるレンズであり、光源からの光を効率的に集光するために用いられる。LCライトバルブ32により光源からの光の変調を行う。ここで、本発明におけるワイヤグリッド素子は、LCOSなどの空間光変調器を用いたプロジェクタにも利用できる。以上、本発明におけるワイヤグリッド素子の偏光子としての利用について述べたが、偏光分離素子としての利用においても、ワイヤグリッド素子は充分に機能を保つ。上記のように、本発明を説明するために具体例として実施の形態を示してきたが、本発明はこれらの実施の形態にとどまることなく応用できることは言うまでもない。なお、上記第3及び第4の実施の形態においてAlラインの側壁に誘電体層が形成されていてもよい。従来例と異なり、凸状の誘電体層が効果につながっている。また、ワイヤグリッド素子として平面上に一方向のみならず、二方向、もしくは、ランダムに配置した場合でも有用である。ワイヤグリッドのグリッド箇所を構成する材料として、Alのみの場合や、Alを主成分としながら、SiやTiチタン、Ndネオジウム、Csセシウムなどの添加物が入った材料においても、本発明の構成は適用できる。また、上記実施の形態では、TE光成分は主に反射される反射型のワイヤグリッド素子について述べたが、光吸収層を新たに用意した反射抑制型のワイヤグリッド素子についても同様に適用できる。なお、ケイ素酸化物及び/またはアルミニウム酸化物の厚みについて、耐久性を向上させるという観点で説明したが、これらの厚みを制御することにより、ワイヤグリッド素子の偏光子としての光学特性も制御できる。"