ベアチップを樹脂材料で封止した樹脂モールド基板の製造方法であって、前記ベアチップの周りを囲む枠を第1の樹脂材料を用いて形成する枠形成工程と、前記ベアチップが配置された前記枠の内側に、第2の樹脂材料を充填して該ベアチップを封止する封止工程とを有することを特徴とする樹脂モールド基板の製造方法。前記第1の樹脂材料と前記第2の樹脂材料は同一の熱硬化樹脂であることを特徴とする請求項1に記載の樹脂モールド基板の製造方法。前記第1の樹脂材料の軟化温度は、前記第2の硬化温度より高い、ことを特徴とする請求項1または2のいずれか1項に記載の樹脂モールド基板の製造方法。同一平面上に、接続用パッドを形成したデバイス面を揃えて配置されたベアチップと、前記ベアチップの周りを囲んだ樹脂枠と、前記ベアチップのデバイス面を除く面と前記樹脂枠との間に充填された封止樹脂と、を有することを特徴とする樹脂モールド基板。前記樹脂枠と前記封止樹脂とは、同一の樹脂材料であることを特徴とする請求項4に記載の樹脂モールド基板。前記樹脂枠は、前記平面に対して垂直な断面形状が台形であることを特徴とする請求項4または5のいずれか1項に記載の樹脂モールド基板。前記樹脂枠と前記封止樹脂とは、無機材料のフィラーを含有することを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1項に記載の樹脂モールド基板。上記したように、半導体チップの高集積化を図るために複数のベアチップを一つのパッケージに収容することが行なわれており、その実装技術の一つとしてベアチップのデバイス面を同一面になるように配置し、ベアチップのデバイス面を除いた面を樹脂材料で封止する構造樹脂モールド基板とすることが知られている。樹脂モールド基板の製造においては、ベアチップのデバイス面を下方に向けて仮接着剤を塗布した支持基板に配置し、例えば全体のベアチップを囲う枠を設けてその枠の中に封止剤である樹脂を流し込み充填する。充填した樹脂が硬化した後に、デバイス面に配線層を形成するため樹脂モールド基板を支持基板から剥すが、そのとき硬化収縮によって生じた応力により樹脂モールド基板に反りが発生する、と言う問題がある。また、樹脂モールド基板全体が収縮する、という問題もある。配線層の形成にはホトリソグラフィ技術を用いて行なうが、樹脂モールド基板に大きな反りがあると樹脂モールド基板上に投影される配線パターンがボケてファインパターンの形成が困難となる。また、樹脂モールド基板のハンドリングに真空吸着を用いているが、この反りのために吸着不良が発生し、樹脂モールド基板をハンドリング中に落下してしまうこともある。樹脂モールド基板の収縮も、6インチ~12インチある基板では大きな値となり、フォトマスクとの位置合わせが困難となる。上記した反りを抑制するために矯正部材と樹脂とを積層体構造とする方法は、半導体チップの薄膜化を阻害し、高集積化が困難になると言う問題がある。また、上記したヤング率の異なる樹脂を用いる方法は、一般に大きくヤング率が異なる材料は熱膨張係数も大きく異なる。樹脂モールド基板のプロセスにおいては、室温から200°C位までの温度変化が生じ、熱膨張係数による応力がベアチップにかかることになり、ベアチップの損傷が懸念される、という問題がある。本発明は、上記の問題を解決するためになされたもので、反りや収縮を抑制する樹脂モールド基板の製造方法と、反りや収縮を抑制した樹脂モールド基板とを提供することを目的とする。発明の一観点によれば、本発明の樹脂モールド基板の製造方法は、ベアチップを樹脂材料で封止した樹脂モールド基板の製造方法であって、1つ以上のベアチップの周りを囲む枠を第1の樹脂材料を用いて形成する枠形成工程と、ベアチップが配置された枠の内側に、第2の樹脂材料を充填してベアチップを封止する封止工程と、を有する樹脂モールド基板の製造方法が提供される。発明の他の一観点によれば、本発明の樹脂モールド基板は、同一平面上に接続用パッドを形成したデバイス面を揃えて配置された1つ以上のベアチップと、ベアチップの周りを囲んだ樹脂枠と、ベアチップのデバイス面を除く面と樹脂枠との間に充填された封止樹脂と、を有する樹脂モールド基板が提供される。本発明は、ベアチップの周りに樹脂枠を設け、その中に封止樹脂を流し込んで硬化させることで、封止樹脂の硬化による収縮を基板上に形成したそれぞれの樹脂枠内に止めることができる。これによって基板全体の反りと収縮とを抑制する樹脂モールド基板の製造方法と樹脂モールド基板とを提供できる。本発明の実施例を説明する前に、マルチチップパッケージの構造とそのプロセスの一般例を説明する。図1は一般的なマルチチップパッケージの構造を示した図で、ここで示したマルチチップパッケージ100は3個のベアチップ30を1パッケージ化した例である。ベアチップ30のデバイス面接続パッドを有する面を除いた面即ち、背面と側面は封止樹脂40で封止され、一体化して樹脂モールド基板50を形成している。ベアチップ30間の相互接続は、デバイス面に形成した配線層60で接続している。配線層60の下面にはバンプ70が形成され、他の部品との電気的接続はこのバンプ70を介して行なわれる。図2は、一般的なマルチチップパッケージのプロセス例を示した図である。まず、支持基板10の表面に仮接着剤20を塗布したものを用意する図2a参照。支持基板10は、以降の工程でウェーハプロセスと同じ製造機器を用い行なうため、半導体チップを製作するときに用いるSiウェーハと同一形状である。例えば、直径8インチ、1mm厚のガラス基板が用いられる。仮接着剤20は熱可塑性の樹脂が用いられる。仮接着剤20を塗布した支持基板10の上の適宜の位置に、ベアチップ30のデバイス面を下に向けた状態で配置する。ベアチップ30の配置にはダイボンダが用いられ、配置されたベアチップ30は仮接着剤20により支持基板10上に固定される。次いで、支持基板10の周りを囲い不図示、上方から封止樹脂40を流し込み硬化させる。封止樹脂40の硬化により、ベアチップ30は封止されることになる。ベアチップ30を封止した樹脂板が樹脂モールド基板50である図2b、c。樹脂硬化後、全体を仮接着剤20の溶融温度まで加熱し、支持基板10から樹脂モールド基板50を分離する図2d。樹脂モールド基板50の上下面を返してベアチップ30のデバイス面が露出する面を上に向け、配線層60を形成する。配線層60は、デバイス面上に絶縁膜と導電膜とを成膜しフォトリソグラフィを用いて形成する。続いて、配線層60の所定位置にバンプ70を形成する。例えば、半田メッキ法によりバンプ70を形成する。続いて、ダイシングソー80により樹脂モールド基板50を切断して個片化し、マルチチップパッケージ100が完成する図2e~h。図2dにおける支持基板10と樹脂モールド基板50との分離の際に、封止樹脂40の硬化時に生じた収縮応力で樹脂モールド基板50に反りが発生する。例えば、8インチの樹脂モールド基板50では、200μm前後の反りを生じる場合がある。200μmの反りは、以降のウェーハプロセスて障害となる。図3はその反りを説明する図で、図3aは樹脂モールド基板50が支持基板10に仮接着剤20で支持されている状態を示し、図3bは図3aの状態から支持基板10から樹脂モールド基板50を分離したときに樹脂モールド基板50に反りを発生した状態を示している図3bの矢印は分離の方向を表す。樹脂モールド基板50のベアチップ30が露出する面と反対の面は、ベアチップ30がない分だけ封止樹脂40の量が多いため収縮の程度は大きく、図3bに示すように樹脂モールド基板50を断面で表すと両端が持ち上がるように反ることになる。樹脂モールド基板50は円板であり、樹脂モールド基板50上のベアチップ30の配置状態にもよるが、実際は複雑に変形するが概ね中央部分が窪む形状になる。次に、本発明の樹脂モールド基板の構造とプロセス例の実施例について説明する。図4は、本発明の樹脂モールド基板200の構造を説明する図である。図4aは樹脂モールド基板200を封止樹脂230によって封止されたベアチップ220のデバイス面が露出する側から見た外観図である。左に樹脂モールド基板200の全体図を、右に樹脂モールド基板200の部分拡大図を示している。部分拡大図に示すように、井形に形成したそれぞれの樹脂枠210の中に、ここでは2個のベアチップ220を配置し、その周りを封止樹脂230で充填している。図4bは部分拡大図に示したA-A’の断面を示した図で、2個のベアチップ220のそれぞれは各樹脂枠210内に配置され、ベアチップ220のデバイス面図4bではベアチップ220の上辺の面を除く面が封止樹脂230により封止されている。樹脂枠210は樹脂モールド基板200の両面を貫通し、デバイス面と同一面となる辺が反対の面の辺より長い台形形状に形成されている。図4に示す樹脂モールド基板200は、これ以降にデバイス面に配線層が形成され、ダイシングソーによる個片化が行なわれる。次に、本発明の樹脂モールド基板のプロセス例を図5と図6を用いて説明する。図5において、まず仮接着剤20を塗布した支持基板10を用意する。支持基板10と仮接着剤20は図2で説明したものと同一のものである。即ち、支持基板10は8インチ、1mm厚のガラス基板、仮接着剤20は熱可塑樹脂である図5a。この仮接着剤20を塗布した支持基板10の上に、井形形状の樹脂枠210を形成する。支持基板10は枡目状に複数の樹脂枠210が隣接して形成されることになる。1つの井形の外形寸法は10×8mmである。樹脂枠210の断面形状は前述したように台形である。台形形状とすることにより、封止樹脂を充填するときに空気を包み込んでボイドを作ることを抑制できる。台形の側面の角度は60~95°程度が適切である。なお、樹脂枠210の上面の枠幅は1mm、高さは800μmである。樹脂枠210の材料は、溶剤により所定の粘度を有したエポキシ系樹脂で、スクリーン印刷により形成する。樹脂枠210の硬化温度は190°Cである図5b。樹脂枠210を形成した後、ベアチップ220の配置を行なう。ここでは、2個のベアチップチップサイズ3×5×0.4mmをそれぞれの樹脂枠210の中に所定位置にダイボンダを用いて行なう。配置されたベアチップ220は予め塗布されている仮接着剤20より支持基板10上に接着される図5c。次に、樹脂枠210の上から封止樹脂230を樹脂枠210の高さを少し超える程度に流し込む。使用する封止樹脂230は、樹脂枠210の形成に用いたエポキシ系樹脂と同一の樹脂である。本実施例では、封止樹脂230の流し込みを空気中で行っているが、ボイドの発生を防止するために真空中で行ってもよい図5d。封止樹脂230の流し込みが終わった後に、樹脂枠210の高さから上の封止樹脂230の除去を行なう。具体的には、スキージ240を樹脂枠210の高さに合わせ、水平移動させて樹脂枠210の高さ以上にある封止樹脂230を除去するスキージ240の水平移動により、樹脂枠210の高さを超えた封止樹脂230は樹脂枠210の外に押し出される。この樹脂の除去は、封止樹脂230が樹脂枠210を超えて連ならないようにするためである。本プロセスでは、支持基板10上の樹脂枠210の全体に対して封止樹脂230を流し込み、スキージ240で樹脂枠210の高さ以上の樹脂の除去を行なったが、樹脂枠210の一つ一つにディスペンサを用いて樹脂枠210から溢れない量の封止樹脂230を注入するようにしてもよい。この場合はスキージ240による除去は不要となる図5e。スキージ240による樹脂の除去後、熱処理により封止樹脂230を硬化する。このときの硬化温度は180°Cである。樹脂枠210を190°Cで硬化しているため、樹脂枠210の軟化温度は封止樹脂230よりも高く即ち、高剛性、樹脂枠210が変形することはない。熱硬化した後の封止樹脂230の状態は、それぞれの樹脂枠210内で硬化するため図5fに示すようなリセス窪みを発生する。本実施例で発生したリセスの大きさ深さは2μmであった図5f。次に、バックグラインディングにより、樹脂枠210を含めた封止樹脂230の上面を平坦面にする。ここでのバックグラインディング量は約100μm700μmが残るとした。これよりリセス部分は研削されることになる。ここまでの工程で、支持基板10上に樹脂モールド基板200ができたことになる図6g。バックグラインディング後、樹脂モールド基板200を支持基板10から分離デボンドする。仮接着剤である熱可塑性の軟化温度以上に加熱し、スライドオフして分離する。ここでは、160~170°Cに加熱し、スライドオフした。樹脂枠210および封止樹脂230の硬化時に180°C、190°Cの温度が仮接着剤20にかかるが、このとき仮接着剤20は軟化するがベアチップ220を剥離してしまうことはない。分離後の樹脂モールド基板200の反りは、樹脂モールド基板230の寸法8インチφ約200mmφに対して約10μmであった。この程度の反りであれば、以降のウェーハプロセスに充分耐えられる値である図6h。次いで、樹脂モールド基板200のベアチップ220のデバイス面が露出している面への配線層60の形成、さらにバンプ70の形成、ダイシングソー150による樹脂モールド基板200の切断、個片化は前述と同様であるので説明は省略する図6i~l。上記により作成した樹脂モールド基板を用いたマルチチップパッケージ300の例を図7に示す。図7は図1のマルチチップパッケージ100に合わせて描いた図である。マルチチップパッケージ300がマルチチップパッケージ100と異なる点は、ベアチップ220が樹脂枠210内に配置され、その樹脂枠210に流し込まれた封止樹脂230によって封止されている点である。それ以外の、配線層60およびバンプ70はマルチチップパッケージ100と同様である。上記実施例では、樹脂枠と封止樹脂にエポキシ系樹脂を用いたが、この樹脂に限らずフェノール樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂のように熱硬化性を主成分とした樹脂を用いることもできる。また、樹脂枠と封止樹脂にシリカやアルミナ、カーボンブラックなどの無機フィラーを配合させてもよい。これらの無機フィラーを配合することでベアチップを包む封止樹脂の熱伝導率が上がり、ベアチップが発熱する温度上昇を抑制できる。本発明により、封止樹脂の硬化による収縮をそれぞれの樹脂枠内に止めるようにしたので、樹脂モールド基板に反りが生ずる問題を解消できる。また、樹脂モールド基板全体が収縮する、という問題も解消する。また、樹脂枠210と封止樹脂230とを同一の樹脂を用いたため、熱膨張係数に起因する変形を生じることはない。以上、本発明の樹脂モールド基板とその製造方法の実施例を説明したが、これらは上記した内容に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々なる態様で実施し得るものである。