ダイシングシート上にウエハを載置する載置工程と、上記ウエハを複数のチップにダイシングするダイシング工程と、上記ダイシング工程の後に、上記ウエハの表面に接着剤層を形成する接着剤層形成工程と、上記ウエハが載置された上記ダイシングシートを伸張させることにより上記ウエハ及び上記接着剤層を個片化するエクスパンド工程とを備えるウエハのダイシング方法。上記エクスパンド工程は、10°C以下で行われるコールドエクスパンドである請求項1記載のウエハのダイシング方法。上記接着剤層形成工程は、接着フィルムを上記ウエハ表面に貼着することにより行う請求項1又は請求項2に記載のウエハのダイシング方法。上記接着フィルムは、絶縁性接着フィルム又は導電性粒子を含有する異方性導電接着フィルムである請求項3記載のウエハのダイシング方法。ダイシングシート上にウエハを載置する載置工程と、上記ウエハを複数のチップにダイシングするダイシング工程と、上記ダイシング工程の後に、上記ウエハの表面に接着剤層を形成する接着剤層形成工程と、上記ウエハが載置された上記ダイシングシートを伸張させることにより上記ウエハ及び上記接着剤層を個片化するエクスパンド工程と、上記個片化された上記ウエハを、上記接着剤層を介して基板の実装部に実装する実装工程とを備える実装方法。ダイシングシート上にウエハを載置する載置工程と、上記ウエハを複数のチップにダイシングするダイシング工程と、上記ダイシング工程の後に、上記ウエハの表面に接着剤層を形成する接着剤層形成工程と、上記ウエハが載置された上記ダイシングシートを伸張させることにより上記ウエハ及び上記接着剤層を個片化するエクスパンド工程とを備える接着剤層付きチップの製造方法。請求項5記載の方法により製造された実装体。しかし、ダイシングにより接着剤層111及び半導体チップ110を一括して個片化する工法では、接着剤層111として異方性導電接着フィルムや異方性導電接着ペーストを用いた場合、バインダー樹脂中に分散されている導電性粒子が接着剤層111の視認性を著しく悪化させてしまい、接着剤層111を通じて半導体ウエハ101の表面に設けられたスクライブラインを視認することが困難となってしまう。また、異方性導電接着フィルムや絶縁性接着フィルムなどの半導体実装用の樹脂は、線膨張係数を下げるために、フィラーを添加することが必須となっている。しかし、このフィラーが接着剤層111の視認性を更に悪化させている。また、通常、フィラーにはシリカが用いられているが、シリカの添加量を減らしたり、シリカよりも視認性を悪化させないアルミナ等のフィラーを添加したりすることで接着剤層111の視認性を改善することはできるが、線膨張係数を下げる効果が不十分となり、基板112と半導体チップ110との導通信頼性が低くなってしまう。さらに、ソーブレード103によるダイシングには、切断箇所に水を吹き付けながらダイシングを行うことから、水による接着剤層111の製品寿命や性能の劣化が懸念される。また、ダイシングの際に発生する切り粉や塵埃が接着剤層111に付着することによる接続不良の危険もある。また、かかる水や切り粉等による悪影響を抑えるために、接着剤層111に透明なカバーフィルムを貼り付けることも提案されているが、ダイシング後に個片化された半導体チップ110の接着剤層111よりカバーフィルムを剥離することは困難且つ煩雑となる。そこで、本発明は、ダイシング工程におけるスクライブラインの視認性を悪化させることなく、また接着剤層111を個々の半導体チップ110に簡易に貼着することができるウエハのダイシング方法、実装方法、接着剤層付きチップの製造方法、実装体を提供することを目的とする。上述した課題を解決するために、本発明に係るウエハのダイシング方法は、ダイシングシート上にウエハを載置する載置工程と、上記ウエハを複数のチップにダイシングするダイシング工程と、上記ダイシング工程の後に、上記ウエハの表面に接着剤層を形成する接着剤層形成工程と、上記ウエハが載置された上記ダイシングシートを伸張させることにより上記ウエハ及び上記接着剤層を個片化するエクスパンド工程とを備えるものである。また、本発明に係る実装方法は、ダイシングシート上にウエハを載置する載置工程と、上記ウエハを複数のチップにダイシングするダイシング工程と、上記ダイシング工程の後に、上記ウエハの表面に接着剤層を形成する接着剤層形成工程と、上記ウエハが載置された上記ダイシングシートを伸張させることにより上記ウエハ及び上記接着剤層を個片化するエクスパンド工程と、上記個片化された上記ウエハを、上記接着剤層を介して基板の実装部に実装する実装工程とを備えるものである。また、本発明に係る接着剤層付きチップの製造方法は、ダイシングシート上にウエハを載置する載置工程と、上記ウエハを複数のチップにダイシングするダイシング工程と、上記ダイシング工程の後に、上記ウエハの表面に接着剤層を形成する接着剤層形成工程と、上記ウエハが載置された上記ダイシングシートを伸張させることにより上記ウエハ及び上記接着剤層を個片化するエクスパンド工程とを備えるものである。また、本発明に係る実装体は、上記記載の方法により製造されたものである。本発明によれば、ウエハのダイシング後に接着面に接着剤層が形成される。したがって、ウエハは、接着剤層がスクライブラインの視認性を損なうことがなく、確実に所定のダイシング処理を行うことができる。また、接着剤層は、ダイシング工程において発生する切り粉や塵埃、ノズルより供給される水等の影響を受けることがなく、製品寿命の劣化もなく、また導通信頼性を確保することができる。以下、本発明が適用されたウエハのダイシング方法、実装方法、接着剤層付きチップの製造方法、実装体について、図面を参照しながら詳細に説明する。図1に示すように、本実施の形態に係るウエハのダイシング方法は、載置工程と、ダイシング工程と、接着剤層形成工程と、エクスパンド工程とを有する。本実施の形態に係るウエハのダイシング方法は、例えば図2に示すダイシング装置1を用いて行うことができる。[ダイシング装置1]ダイシング装置1は、ウエハ20を保持した治具22が載置されるチャックテーブル2と、チャックテーブル2の位置を調整するアライメントステージ3と、ウエハ20のスクライブラインを視認するための撮像部4と、ウエハ20のダイシングを行う切削部5と、ダイシング部分に水を供給するノズル6と、装置全体を制御する制御部7とを備える。チャックテーブル2は、例えば、図示しない減圧装置により治具22を吸引、固定する。アライメントステージ3は、制御部7の指示に基づいて、チャックテーブル2を図2中x方向およびy方向に移動させる。撮像部4は、例えば、赤外線カメラで構成され、ウエハ20の表面、すなわち、ウエハ20の接着面20aで反射した光を受光する光学系と、光学系が捉えた像を撮像する撮像素子とを有する。撮像部4は、例えば、ウエハ20の接着面20aあるいは載置面20b側から光を照射し、ウエハ20の接着面20aからの反射光あるいはウエハ20を透過した透過光を受光することにより、ウエハ20の接着面20aの画像を撮像する。そして、撮像部4は、撮像した画像の情報を制御部7に送信する。切削部5は、制御部7の指示に基づいて、ウエハ20を切削する。切削部5は、例えば、ウエハ20を切削するブレード8を有する。切削部5は、回転するブレード8をウエハ20のスクライブラインに沿って押圧して、ウエハ20を切削する。ノズル6は、制御部7の指示に基づいて、ブレード8によるダイシング部分に水を供給する。制御部7は、撮像部4が撮影した画像を処理する画像処理部9と、画像処理部9からウエハ20のスクライブラインに関する情報を受けとりアライメントステージ3及び切削部5を駆動する駆動部10と、切削部5のダイシング動作に応じてノズル6からダイシング部分に水を供給させるノズル制御部11とを有する。[載置工程]次いで、図3を参照してダイシング装置1のチャックテーブル2にウエハ20を載置する載置工程について説明する。ウエハ20は、ダイシング装置1によって複数の半導体チップ30に個片化されるものであり、例えばシリコンウエハ等の半導体ウエハが挙げられる。ウエハ20は、一方の表面を半導体チップ30に個片化されたときに接着剤層31を介して基板33の実装部に形成された基板電極34と導通接続される接着面20aとし、他方の面をダイシングテープ21に貼着されることにより治具22に固定される載置面20bとする。ウエハ20の接着面20aは、スクライブライン25によって区分される各半導体チップ30毎に、基板33側の電極と導通接続されるチップ電極32が設けられている。ウエハ20を固定する治具22は、例えば、ウエハ20の直径よりも大きな直径を有するリング状又は枠状のフレーム23と、フレーム23に貼り付けられたダイシングテープ21とを備えている。フレーム23は、チャックテーブル2の指示によって図2中x方向及びy方向にエクスパンド可能に設けられている。ダイシングテープ21は、ウエハ20の載置面20bが貼り付けられるものであり、ダイシング工程においてウエハ20を固定すると共に、半導体チップ30に分割された各チップのチップ飛びなどを防止するものである。また、ダイシングテープ21は、エクスパンド性を有し、ダイシングされたウエハ20を複数の半導体チップ30に個片化させるものである。ダイシングテープ21は、例えば、フレーム23の一方の面の側に貼り付けられ、フレーム23の内側に展張されている。ダイシングテープ21としては、例えば、紫外線を照射することにより剥離力が小さくなる粘着フィルムが用いられる。これにより、ダイシングテープ21は、ウエハ20が複数の半導体チップ30に個片化された後、紫外線が照射されることで、個々の半導体チップ30をピックアップするときに半導体チップ30を容易に分離することができる。載置工程では、ダイシングテープ21に、ウエハ20が、例えば、治具22の一方の面の中央部に貼り付けられる。[ダイシング工程]治具22にウエハ20が固定されると、ウエハ20を切断するスクライブライン25を確定するために、撮像部4によるウエハ20の接着面20aの撮像が行われる。撮像は、撮像部4と対峙するウエハ20の接着面20a側から光を照射して接着面20aからの反射光を撮像部4によって受光することにより行うことができる。また、撮像は、チャックテーブル2からウエハ20の載置面20bに向かってウエハ20の接着面20aまで透過する光を照射し、この透過光を撮像部4によって受光してもよい。撮像部4は、撮像した画像情報を制御部7に送信する。制御部7は、画像処理部9によりこの画像情報から所定のスクライブライン25を決定する。そして、制御部7は、駆動部10が画像処理部9によって決定されたスクライブライン25に沿ってウエハ20を切断するようにアライメントステージ3及び切削部5を駆動する。例えば、スクライブライン25に沿ってウエハ20を図2中x方向に分割する場合、駆動部10は、アライメントステージ3を駆動してスクライブライン25の一端がブレード8の下方に位置するようにチャックテーブル2を移動させる。次いで、駆動部10は、切削部5を駆動して、ブレード8を回転させた状態で切削部5を降下させ、ブレード8によってウエハ20を切削する。続いて、駆動部10は、アライメントステージ3を駆動して、ウエハ20をx方向に移動させていく。このように、ダイシング工程では、スクライブライン25に沿ってウエハ20を所定方向に切断することで、複数の半導体チップ30に分割することができる。このとき、ウエハ20は、載置面20bがダイシングテープ21に貼着されているため、複数の半導体チップ30に分割された各チップのチップ飛びもなく、円盤状に保持されている。なお、ダイシング工程では、ノズル制御部11によって、ノズル6よりダイシング部分に水が供給される。[接着剤層形成工程]次いで、図4に示すように、ウエハ20の接着面20aに接着剤層31が形成される。接着剤層31は、バインダー樹脂中に導電性粒子を分散させて形成された異方性導電接着フィルムACF:AnisotropicConductiveFilmや導電性接着ペースト、あるいは導電性粒子を含まない絶縁性接着フィルムNCF:NonParticleConductiveFilmや絶縁性接着ペースト、ACFとNCFとを積層したものなどを用いて形成される。なお、接着剤層として、導電性接着ペーストや絶縁性接着ペーストを用いる場合、ウエハ20の接着面20aに積層する前に、予め導電性接着ペーストや絶縁性接着ペーストを100°C程度に加熱することによりBステージ化しておく。接着剤層31は、例えば、膜形成樹脂、液状硬化成分及び硬化剤を含んでいる。また、接着剤層31は、例えば、各種ゴム成分、柔軟剤、各種フィラー類等の添加剤を含んでいてもよい。膜形成樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂を例示できる。膜形成樹脂は、材料の入手の容易さ及び接続信頼性の観点から、フェノキシ樹脂を含むことが好ましい。液状硬化成分としては、液状エポキシ樹脂、アクリレートを例示できる。液状硬化成分は、接続信頼性及び硬化物の安定性の観点から、2以上の官能基を有することが好ましい。硬化剤としては、液状硬化成分が液状エポキシ樹脂の場合は、イミダゾール、アミン類、スルホニウム塩、オニウム塩、フェノール類を例示できる。液状硬化成分がアクリレートの場合には、硬化剤として有機過酸化物を例示できる。異方性導電接着フィルムや導電性接着ペーストに含有される導電性粒子としては、異方性導電フィルムにおいて使用されている公知の何れの導電性粒子を挙げることができ、例えば、ニッケル、鉄、銅、アルミニウム、錫、鉛、クロム、コバルト、銀、金等の各種金属や金属合金の粒子、金属酸化物、カーボン、グラファイト、ガラス、セラミック、プラスチック等の粒子の表面に金属をコートしたもの、或いは、これらの粒子の表面に更に絶縁薄膜をコートしたもの等が挙げられる。樹脂粒子の表面に金属をコートしたものである場合、樹脂粒子としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリルスチレンAS樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジビニルベンゼン系樹脂、スチレン系樹脂等の粒子を挙げることができる。なお、異方性導電接着フィルムや絶縁性接着フィルムは、取り扱いの容易さ、保存安定性等の見地から、剥離処理が施されたPET等の剥離フィルム上に塗布形成される。異方性導電接着フィルムや絶縁性接着フィルムは、ウエハ20の接着面20aには剥離フィルムが設けられた面と反対側の面が貼着される。また、異方性導電接着フィルムや絶縁性接着フィルムの形状は、ウエハ20と同一形状の例えば円形状に形成される。接着剤層の形成工程では、ウエハ20の接着面20aに異方性導電接着フィルムや絶縁性接着フィルムが配置される。次いで、図示しない加熱ボンダーによって、剥離フィルムの上から異方性導電接着フィルムや絶縁性接着フィルムに流動性が生じるが本硬化は生じない程度の所定の温度、圧力、時間で加熱押圧される。これによりウエハ20は、接着面20aに異方性導電接着フィルムや絶縁性接着フィルムからなる接着剤層31が形成される。接着剤層31の形成後、剥離フィルムは剥離される。なお、加熱ボンダーは、ウエハ20との間にシリコーンゴム等の弾性体を介在して加熱押圧してもよい。弾性体を介在させることにより、加熱ボンダーは、ウエハ20の全面に亘って均等に圧力をかけることができる。[エクスパンド工程]次いで、図5に示すように、ウエハ20をエクスパンドすることにより各半導体チップ30毎に個片化する。このエクスパンド工程では、チャックテーブル2の指示によってダイシングテープ21が図2中x方向及びy方向に亘って水平方向に伸張される。これにより、ウエハ20は、スクライブライン25に沿って分割された複数の半導体チップ30毎に個片化される。このとき、ウエハ20の接着面20aに形成された接着剤層31は、ウエハ20が個々の半導体チップ30に個片化されると同時に、エクスパンドによる応力によりスクライブライン25に沿って半導体チップ30と同形状に切断される。したがって、エクスパンド工程により、接着剤層31が形成されたウエハ20は、基板33への実装面に接着剤層31が設けられた複数の半導体チップ30毎に個片化される。その後、ダイシングテープ21に紫外線を照射するなどにより粘着力を減じさせた後、各接着剤層31付き半導体チップ30を引っ張ることで、ダイシングテープ21より剥離する。これにより、接着剤層31が形成されたウエハ20より、複数の接着剤層31付き半導体チップ30が形成される。この接着剤層31付き半導体チップ30は、ウエハ20の接着面20aであった面が、基板33の基板電極34と導通接続されるチップ電極32が形成された接着面30aとなり、この載置面30aに接着剤層31が形成されている。なお、半導体チップ30は、接着剤層31として絶縁性接着フィルムを用いる場合には、チップ電極32として、バンプ電極を形成してもよい。このように、本実施の形態に係るウエハのダイシング方法及び接着剤層付き半導体チップの製造方法によれば、ウエハ20のダイシング後に接着面20aに接着剤層31が形成される。したがって、ウエハ20は、接着剤層31がスクライブライン25の視認性を損なうことがなく、確実に所定のダイシング処理を行うことができる。また、接着剤層31は、ダイシング工程において発生する切り粉や塵埃、ノズル6より供給される水等の影響を受けることがなく、製品寿命の劣化もなく、また導通信頼性を確保することができる。また、本実施の形態に係るウエハのダイシング方法及び接着剤層付き半導体チップの製造方法によれば、ウエハ20のダイシング工程までは、従来の工法を用いることができ、製造設備や製造工程の大きな変更を伴うことなく導入できる。また、ダイシング工程の後に接着剤層を形成するため、接着剤層31の材料として、視認性の低い導電性接着フィルムやフィラー充填量の多い絶縁性接着フィルムを用いることができ、接着剤層31の線膨張係数を降下させることができる。[実装工程]ダイシングテープ21よりピックアップされた接着剤層31付き半導体チップ30は、図6に示すように、接着剤層31を介して半導体集積回路を構成する基板33に実装される。基板33は、例えばリジット基板やフレキシブル基板であり、半導体チップ30が実装される実装部には、半導体チップ30の接着面30aに形成されたチップ電極32と導通接続される基板電極34が形成されている。半導体チップ30は、例えば図6に示す実装装置40を用いて実装することができる。実装装置40は、基板33が載置されるステージ41と、ステージ41と対向して支持され半導体チップ30を基板33に加熱押圧する加熱ボンダー42とを有する。加熱ボンダー42は、シリコンラバーのエラストマーなどの弾性体からなる押圧部材43が取り付けられ、この押圧部材43によって半導体チップ30を加熱押圧する。実装工程では、まず、ステージ41に載置された基板33上に複数の接着剤層31付き半導体チップ30が仮搭載される。このとき、接着剤層31付き半導体チップ30は、接着剤層31が設けられた接着面30aが基板33に向けて仮搭載される。また、接着剤層31付き半導体チップ30は、接着面30aに形成されたチップ電極32と、基板33に設けられた基板電極34とが対向するように位置合わせされて仮搭載される。次いで、実装装置40は、加熱ボンダー42を下降させ、押圧部材43で接着剤層31付き半導体チップ30を基板33へ加熱押圧する。このとき、例えば、EBSElasticityBondingSystem工法と呼ばれる基板33全体を弾性体で覆った状態で押圧する方法によれば、同一基板上に複数仮搭載された半導体チップ30を一括して圧着することができる。加熱ボンダー42によって、所定の温度、圧力、時間で加熱押圧されることにより、接着剤層31は、バインダー樹脂が流動し、導電性粒子がチップ電極32と基板電極34との間に挟持されるとともに、この状態で熱硬化する。これにより、半導体チップ30のチップ電極32が基板33の基板電極34と電気的、機械的に接続された実装体が形成される。ここで、本実施の形態に係る実装方法、及び実装体によれば、上述したように、ウエハ20のダイシング後に接着面20aに接着剤層31が形成されることから、接着剤層31は、ダイシング工程において発生する切り粉や塵埃、ノズル6より供給される水等の影響を受けることがなく、半導体チップ30が実装された実装体の製品寿命の劣化もなく、また長期に亘る導通信頼性を確保することができる。[コールドエクスパンド]また、上述したエクスパンド工程において、10°C以下に冷却した環境下で行うと、異方性導電接着フィルムや絶縁性接着フィルムといった接着剤層31は、低温のため伸縮性が低くなっているコールドエクスパンド。したがって、かかる低温環境下でエクスパンド工程を実施することにより、ウエハ20の接着面20aに形成された接着剤層31は、より確実にスクライブライン25に沿って半導体チップ30と同形状に切断される。[その他]なお、上記実施形態では、押圧部材43にエラストマーなどの弾性体を用いて、複数の接着剤層31付き半導体チップ30を基板33に一括して実装する場合について説明した。しかし、基板33に接着剤層31付き半導体チップ30を実装する方法は、これに限定されない。例えば、エラストマーなどの弾性体を用いずに、接着剤層31付き半導体チップ30を基板33に実装してもよい。また、複数の接着剤層31付き半導体チップ30を、1つずつ基板33に実装してもよい。また、加熱ボンダー42は、セラミックや金属等の硬質ヘッド、あるいは超音波ヘッドを用いて形成してもよい。