電源に接続されたバスバーと、前記バスバーの表面に載置され、表裏面の電極面のうちの少なくとも一方の電極面が前記バスバーに電気的に接続された半導体素子と、第1の樹脂材で形成され、枠状の形状で前記バスバーの外周を覆って前記バスバーと接合する第1の樹脂部と、第2の樹脂材で形成され、前記枠状の第1の樹脂部の内部に充填されて前記半導体素子をモールドするとともに、前記第1の樹脂部および前記バスバーと接合する第2の樹脂部と、を備え、前記第1の樹脂部と前記第2の樹脂部との接合面の接合強度は、前記第1の樹脂部と前記バスバーとの接合面の接合強度よりも大きい、ことを特徴とする半導体装置。前記第1の樹脂部と前記第2の樹脂部との接合面は、前記第1の樹脂部と前記バスバーとの接合面と略平行である、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第1の樹脂部と前記第2の樹脂部との接合面における前記第1の樹脂部の少なくとも一部の表面は、前記第1の樹脂部と前記バスバーとの接合面における前記第1の樹脂部の表面に比べて粗い、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。前記バスバーは、前記第1の樹脂部側に突出した凸部を有し、前記凸部の上面および下面は、前記第1の樹脂部と接合している、ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置。前記半導体素子の表裏面の電極面は、それぞれ異なるバスバーに電気的に接続されている、ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置。しかしながら、バスバーとモールド樹脂の線膨張係数は異なるため、半導体装置が熱によって膨張収縮すると、モールド樹脂と枠体を形成する樹脂との間が剥離して、バスバーと、半導体素子面と同電位の部材との間例えば、上下のバスバー間の絶縁信頼性が低下する可能性がある。本発明は、バスバーと、半導体素子面と同電位の部材との間の絶縁信頼性が高い半導体装置を提供することを目的とする。本発明による半導体装置は、電源に接続されたバスバーと、バスバーの表面に載置され、表裏面の電極面のうちの少なくとも一方の電極面が前記バスバーに電気的に接続された半導体素子と、第1の樹脂材で形成され、枠状の形状で前記バスバーの外周を覆ってバスバーと接合する第1の樹脂部と、第2の樹脂材で形成され、枠状の第1の樹脂部の内部に充填されて半導体素子をモールドするとともに、第1の樹脂部およびバスバーと接合する第2の樹脂部とを備える。そして、第1の樹脂部と第2の樹脂部との接合面の接合強度は、第1の樹脂部とバスバーとの接合面の接合強度よりも大きい。本発明によれば、半導体装置が熱膨張収縮する際に、相対的に接合強度が小さい第1の樹脂部とバスバーとの接合面が先に剥離するので、第1の樹脂部と第2の樹脂部との接合面が剥離して、バスバーと、半導体素子面と同電位の部材との間の絶縁信頼性が低下するのを防ぐことができる。<第1の実施形態>図1は、第1の実施形態における半導体装置の上面図である。また、図2は、図1に示す第1の実施形態における半導体装置をA-A平面で切断した場合の断面図である。半導体素子1の下面は、はんだ等の接合部材2によって、通電および放電機能を有する第1のバスバー3に接合されている。第1のバスバー3は、第1の樹脂部5と一体成形されており、枠状の形状をしている。より具体的には、枠状の形状である第1の樹脂部5が第1のバスバー3の外周を覆って第1のバスバー3と一体成形されている。なお、第1のバスバー3と第1の樹脂部5とが一体成形されている必要はない。第1の樹脂部5は、第1の樹脂材で形成されている。第1の樹脂材は、例えば、PPSポリフェニレンサルファイドやPBTポリブチレンテレフタートである。半導体素子1の上面は、アルミからなるボンディングワイヤ7によって、第2のバスバー4に接続されている。半導体素子1は、IGBTやダイオードである。半導体素子1がIGBTの場合、半導体素子の上面側はエミッタ電極、下面側はコレクタ電極である。第1のバスバー3および第2のバスバー4は、電源に接続されている。なお、半導体素子1は、複数並列に接続されていてもよい。ワイヤボンディングされた半導体装置は、第2の樹脂材であるエポキシ樹脂からなる第2の樹脂部6によって封止される。ただし、第2の樹脂材がエポキシ樹脂に限定されることはない。第2の樹脂部6の封止工法としては、第1の樹脂部5からなるケースに大気圧もしくは減圧下で第2の樹脂材を流し込んだ後、高温下で樹脂を硬化させる工法や、キャビティを有する金型内に半導体装置をセットし、圧力をかけながら樹脂をケース内に注入するトランスファーモールド工法を用いることができる。ただし、第2の樹脂部6の封止工法が上述した工法に限定されることはない。なお、内部構造を分かりやすくするため、図1では、第2の樹脂部6を図示していないが、第1の樹脂部5の上面の高さ以下、もしくは同じ高さまで第2の樹脂部6が充填されている。第1のバスバー3は、例えば銅からなり、その線膨張係数は17ppm/°Cである。また、第2の樹脂部6は、線膨張係数が第1のバスバー3よりも小さく、例えば13ppm/°C程度に調整されたエポキシ樹脂である。第1のバスバー3は、図2に示すように、第1の樹脂部5側に延伸した凸部3aを有している。凸部3aの上面および下面はそれぞれ、第1の樹脂部5に接している。第1のバスバー3の凸部3aの上面と第1の樹脂部5との接合面は、第1の樹脂部5と第2の樹脂部6との接合面と略平行である。第1のバスバー3の凸部3aの上部において、第2の樹脂部6と接する第1の樹脂部5の接合面は、その表面が粗い粗化面5aを有する。粗化面5aは、例えば、ショットブラストで製作したり、樹脂材の成型金型を粗くすることによって製作することができる。このような構成とすることにより、第1の樹脂部5の粗化面5aと第2の樹脂部6との接合面の接合強度は、第1のバスバー3の凸部3aの上面と第1の樹脂部5との接合面の接合強度よりも大きくなる。ここで、第1の実施形態における半導体装置が高温環境下に置かれると、第1のバスバー3と第2の樹脂部6の線膨張係数の違いから、第1のバスバー3が第2の樹脂部6よりも半導体素子1の外周方向に伸びようとする。図3は、高温環境下に置かれた半導体装置の第1のバスバー3が膨張した状態を示す図である。図3では、膨張する前の第1のバスバー3の大きさを波線3bで示している。また、以下の説明のため、第1のバスバー3の凸部3aと第2の樹脂部6との間にある第1の樹脂部5の部分を薄肉部5bと呼ぶ。上述したように、第1のバスバー3の凸部3aの上面と第1の樹脂部5の接合面は、第1の樹脂部5と第2の樹脂部6との接合面と略平行であるため、第1のバスバー3の外周方向の変位に対して、両接合面には、同じ方向の応力が発生する。また、第1の樹脂部5の粗化面5aと第2の樹脂部6との接合面の接合強度は、第1のバスバー3の凸部3aの上面と第1の樹脂部5との接合面の接合強度よりも大きい。従って、第1のバスバー3の外周方向の変位に対して、第1の樹脂部5の薄肉部5bと、第1のバスバー3の凸部3aの接合面が剥離して、薄肉部5bが変形する。これにより、第1の樹脂部5の粗化面5aと第2の樹脂部6との接合面に加わるせん断応力を低下させることができ、この接合面が剥離することを防止して、第1のバスバー3と第2のバスバー4間での絶縁信頼性が低下することを防ぐことができる。また、第1の樹脂部5の粗化面5aと第2の樹脂部6との接合面が剥離することなく、第1のバスバー3と第2のバスバー4との間の絶縁性を確保することができるので、第1のバスバー3と第2のバスバー4間の絶縁距離を小さくすることができる。これにより、絶縁信頼性を確保したまま、半導体装置のサイズを小さくすることができる。以上、第1の実施形態における半導体装置は、電源に接続されたバスバー3と、バスバー3の表面に載置され、表裏面の電極面のうちの少なくとも一方の電極面がバスバー3に電気的に接続された半導体素子1と、第1の樹脂材で形成され、枠状の形状でバスバー3の外周を覆ってバスバー3と接合する第1の樹脂部5と、第2の樹脂材で形成され、枠状の第1の樹脂部の内部に充填されて半導体素子1をモールドするとともに、第1の樹脂部5およびバスバー3と接合する第2の樹脂部6とを備える。そして、第1の樹脂部5と第2の樹脂部6との接合面の接合強度は、第1の樹脂部5とバスバー3との接合面の接合強度よりも大きい。このような構成としたことにより、半導体装置が熱膨張する際に、相対的に接合強度が小さい第1の樹脂部5とバスバー3との接合面が先に剥離して変形することで、バスバー3と第2の樹脂部6の接合面が剥離するのを防いで、バスバー3と、半導体素子面と同電位の部材との間の絶縁信頼性が低下するのを防ぐことができる。また、第1の樹脂部5と第2の樹脂部6の接合面が剥離した場合を考慮してバスバー3と、半導体素子面と同電位の部材との間の絶縁距離を大きくする必要が無いので、半導体装置を小型化することができる。第1の樹脂部5と第2の樹脂部6との接合面は、第1の樹脂部5とバスバー3との接合面と略平行であるので、半導体装置が熱膨張すると、第1の樹脂部5と第2の樹脂部6との接合面には、第1の樹脂部5とバスバー3との接合面と同じ方向の力が加わる。これにより、相対的に強度が小さい第1の樹脂部5とバスバー3との接合面が確実に先に剥離して変形するので、バスバー3と第2の樹脂部6の接合面が剥離して、バスバーと、半導体素子面と同電位の部材との間の絶縁信頼性が低下するのを防ぐことができる。また、第1の樹脂部5と第2の樹脂部6との接合面における第1の樹脂部5の少なくとも一部の表面は、第1の樹脂部5とバスバー3との接合面における第1の樹脂部5の表面に比べて粗い。これにより、複雑な工程を追加することなく、第1の樹脂部5と第2の樹脂部6との接合面の接合強度を、第1の樹脂部5とバスバー3との接合面の接合強度よりも大きくすることができる。さらに、バスバー3は、第1の樹脂部5側に突出した凸部3aを有し、凸部3aの上面および下面は、それぞれ第1の樹脂部5と接合している、すなわち、凸部3aは、第1の樹脂部5によって挟み込まれているので、第1の樹脂部5がバスバー3から外れるのを防ぐことができる。<第2の実施形態>第2の実施形態における半導体装置の構成は、第1の実施形態における半導体装置の構成と同じである。第2の実施形態における半導体装置が第1の実施形態における半導体装置と異なるのは、第1のバスバー3と第2の樹脂部6の線膨張係数の大小関係である。すなわち、第2の実施形態における半導体装置では、第1のバスバー3の線膨張係数よりも、第2の樹脂部6の線膨張係数の方が大きい。ここでは、第1のバスバー3の線膨張係数は、第1の実施形態と同じ17ppm/°Cとし、第2の樹脂部6の線膨張係数を、20ppm/°Cとする。第2の実施形態における半導体装置が低温環境下に置かれると、半導体装置全体が熱収縮する。その際に、第1のバスバー3の線膨張係数と第2の樹脂部6の線膨張係数の大小関係から、第1のバスバー3が第2の樹脂部6よりも半導体素子1の内周方向に縮もうとする。図4は、低温環境下に置かれた半導体装置の第1のバスバー3が収縮した状態を示す図である。図4では、収縮する前の第1のバスバー3の大きさを波線3cで示している。第1の実施形態における半導体装置と同様に、第1のバスバー3の凸部3aの上面と第1の樹脂部5の接合面は、第1の樹脂部5と第2の樹脂部6との接合面と略平行である。また、第1の樹脂部5の粗化面5aと第2の樹脂部6との接合面の接合強度は、第1のバスバー3の凸部3aの上面と第1の樹脂部5との接合面の接合強度よりも大きい。従って、第1のバスバー3の内周方向への変位に対して、第1の樹脂部5の薄肉部5bと、第1のバスバー3の凸部3aの接合面が剥離して、薄肉部5bが変形する。これにより、第1の樹脂部5の粗化面5aと第2の樹脂部6との接合面に加わるせん断応力を低下させることができ、この接合面が剥離することを防止することにより、第1のバスバー3と第2のバスバー4間で絶縁信頼性が低下することを防ぐことができる。また、第1の樹脂部5の粗化面5aと第2の樹脂部6との接合面が剥離することなく、第1のバスバー3と第2のバスバー4との間の絶縁性を確保することができるので、第1のバスバー3と第2のバスバー4間の絶縁距離を小さくすることができる。これにより、絶縁信頼性を確保したまま、半導体装置のサイズを小さくすることができる。以上、第2の実施形態における半導体装置によれば、半導体装置が熱収縮する場合でも、相対的に強度が小さい第1の樹脂部5とバスバー3との接合面が先に剥離して変形することで、第1の樹脂部5と第2の樹脂部6の接合面が剥離するのを防いで、バスバー3と、半導体素子面と同電位の部材との間の絶縁信頼性が低下するのを防ぐことができる。また、第1の樹脂部5と第2の樹脂部6の接合面が剥離した場合を考慮してバスバー3と、半導体素子面と同電位の部材との間の絶縁距離を大きくする必要が無いので、半導体装置を小型化することができる。<第3の実施形態>図5は、第3の実施形態における半導体装置の上面図である。また、図6は、図5に示す第3の実施形態における半導体装置をB-B平面で切断した場合の断面図である。第1および第2の実施形態における半導体装置では、半導体素子1の上面は、ボンディングワイヤ7によって、第2のバスバー4に接続される構成となっていた。第3の実施形態における半導体装置では、半導体素子1の上面は、はんだ等の接合部材8によって、第2のバスバー4に接合されている。すなわち、第3の実施形態における半導体装置は、半導体素子1の両面にバスバー3、4が接続され、半導体素子1によって発生した熱を半導体素子1の両面のバスバー3、4を介して放熱することができる、放熱性の良い両面放熱型半導体装置である。第3の実施形態における半導体装置において、第1のバスバー3は、第1の樹脂部5側であって、図6の左右方向に延伸した凸部3aを有している。2つの凸部3aの上面および下面はそれぞれ、第1の樹脂部5に接している。第1のバスバー3の凸部3aのそれぞれの上面と第1の樹脂部5との接合面は、第1の樹脂部5と第2の樹脂部6との接合面と略平行である。また、2つの凸部3aの上部において、第2の樹脂部6と接する第1の樹脂部5の接合面は、その表面が粗い粗化面5aを有する。このような構成とすることにより、第1の樹脂部5の粗化面5aと第2の樹脂部6との接合面の接合強度は、第1のバスバー3の凸部3aの上面と第1の樹脂部5との接合面の接合強度よりも大きくなる。なお、第1のバスバー3と第2の樹脂部6の線膨張係数の大小関係は、第1の実施形態と同じとする。すなわち、第1のバスバー3の線膨張係数よりも、第2の樹脂部6の線膨張係数の方が小さい。第3の実施形態における半導体装置が高温環境下に置かれると、第1の実施形態における半導体装置と同様に、第1の樹脂部5の薄肉部5bと、第1のバスバー3の凸部3aの接合面が剥離して、薄肉部5bが変形する。これにより、第1の樹脂部5の粗化面5aと第2の樹脂部6との接合面に加わるせん断応力を低下させることができ、この接合面が剥離することを防止して第1のバスバー3と第2のバスバー4間で絶縁信頼性が低下することを防ぐことができる。また、第1の樹脂部5の粗化面5aと第2の樹脂部6との接合面が剥離することなく、第1のバスバー3と第2のバスバー4との間の絶縁性を確保することができるので、第1のバスバー3と第2のバスバー4間の絶縁距離を小さくすることができる。これにより、絶縁信頼性を確保したまま、半導体装置のサイズを小さくすることができる。以上、第3の実施形態における半導体装置によれば、半導体素子1の両面にバスバー3、4を接続する構成であっても、第1の実施形態における半導体装置と同様に、半導体装置が熱膨張する際に、相対的に接合強度が小さい第1の樹脂部5とバスバー3との接合面が先に剥離して変形することで、第1の樹脂部5と第2の樹脂部6の接合面が剥離するのを防いで、バスバー3と、半導体素子面と同電位の部材との間の絶縁信頼性が低下するのを防ぐことができる。また、第1の樹脂部5と第2の樹脂部6の接合面が剥離した場合を考慮してバスバー3と、半導体素子面と同電位の部材との間の絶縁距離を大きくする必要が無いので、半導体装置を小型化することができる。<第4の実施形態>第4の実施形態における半導体装置の構成は、第3の実施形態における半導体装置の構成と同じである。第4の実施形態における半導体装置が第3の実施形態における半導体装置と異なるのは、第1のバスバー3と第2の樹脂部6の線膨張係数の大小関係である。すなわち、第4の実施形態における半導体装置では、第1のバスバー3の線膨張係数よりも、第2の樹脂部6の線膨張係数の方が大きい。ここでは、第1のバスバー3の線膨張係数は、第1の実施形態と同じ17ppm/°Cとし、第2の樹脂部6の線膨張係数を、20ppm/°Cとする。第4の実施形態における半導体装置が低温環境下に置かれると、半導体装置全体が熱収縮する。その際に、第1のバスバー3の線膨張係数と第2の樹脂部6の線膨張係数の大小関係から、第1のバスバー3が第2の樹脂部6よりも半導体素子1の外周方向に縮もうとする。第3の実施形態における半導体装置と同様に、第1のバスバー3の凸部3aの上面と第1の樹脂部5の接合面は、第1の樹脂部5と第2の樹脂部6との接合面と略平行である。また、第1の樹脂部5の粗化面5aと第2の樹脂部6との接合面の接合強度は、第1のバスバー3の凸部3aの上面と第1の樹脂部5との接合面の接合強度よりも大きい。従って、第1のバスバー3の外周方向の変位に対して、第1の樹脂部5の薄肉部5bと、第1のバスバー3の凸部3aの接合面が剥離して、薄肉部5bが変形する。これにより、第1の樹脂部5の粗化面5aと第2の樹脂部6との接合面に加わるせん断応力を低下させることができ、この接合面が剥離することを防止して第1のバスバー3と第2のバスバー4間で絶縁信頼性が低下することを防ぐことができる。以上、第4の実施形態における半導体装置によれば、半導体素子1の両面にバスバー3、4を接続する構成であっても、第2の実施形態における半導体装置と同様、半導体装置が熱収縮する際に、相対的に接合強度が小さい第1の樹脂部5とバスバー3との接合面が先に剥離して変形することで、第1の樹脂部5と第2の樹脂部6の接合面が剥離するのを防いで、バスバー3と、半導体素子面と同電位の部材との間の絶縁信頼性が低下するのを防ぐことができる。また、第1の樹脂部5と第2の樹脂部6の接合面が剥離した場合を考慮してバスバー3と、半導体素子面と同電位の部材との間の絶縁距離を大きくする必要が無いので、半導体装置を小型化することができる。本発明は、上述した第1~第4の実施形態に限定されることはない。例えば、上述した各実施形態では、第2の樹脂部6と接する第1の樹脂部5の接合面は、その表面が粗い粗化面5aを有する構成とすることにより、第1の樹脂部5と第2の樹脂部6との接合面の接合強度を、第1の樹脂部5とバスバー3との接合面の接合強度よりも大きくした。しかしながら、第1の樹脂部5と第2の樹脂部6との接合強度を向上させるような中間材を、第1の樹脂部5と第2の樹脂部6との間に介在させることによって、第1の樹脂部5と第2の樹脂部6との接合面の接合強度を、第1の樹脂部5とバスバー3との接合面の接合強度よりも大きくすることもできる。このような中間材としては、例えば、ポリイミドやポリアミドの樹脂からなる薄膜層がある。