一般的な化学式NiaCubZncMndO4で示され、009a06、002b065、012c058および16d21であり、電気抵抗の温度係数が負であるコバルトフリーNTCセラミック。電荷輸送の活性化エネルギーEAを特徴づけるB定数が、一般的な化学式NiaCubCocMndO4ただし、009a06、002b065、012c058および16d21であり、abcおよびdが、abcおよびdとそれぞれ等しいかまたは異なるで示されるコバルト含有NTCセラミックのB定数と1未満だけ異なる請求項1に記載のコバルトフリーNTCセラミック。Ni05748Cu03164Zn01440Mn1965O4、Ni06168Cu01712Zn02614Mn19512O4、Ni05508Cu01413Zn02797Mn20280O4、Ni02817Cu03274Zn03911Mn2000O4およびNi04295Cu04183Zn01522Mn2000O4を含むグループから選択した組成を備える請求項1又は2に記載のコバルトフリーNTCセラミック。コバルトフリーNTCセラミックの組成が、一般的な化学式NiaCubCocMndO4ただし、009a06、002b065、012c058および16d21で示されるコバルト含有NTCセラミックから導出され、CoがZnによって置き換えられている、コバルトフリーNTCセラミックを製造する方法において、次のステップ:ANiaCubCocMndO4を、それぞれ少なくともNi、Cu、CoまたはMnの酸化物を含有するスピネル成分に形式的に分解するステップと、B少なくともコバルト含有スピネル成分をコバルトフリーのスピネル成分によって形式的に置換するステップと、C少なくとも部分的に置換されたスピネル成分を、009α06、002β065、012γ058および16δ21である組成NiαCuβZnγMnδO4を備える中間体に形式的に合成するステップと、D009a06、002b065、012c058および16d21である組成NiaCubZncMndO4を得るためにαβγおよびδを適合させるステップと、E前駆物質から組成NiaCubZncMndO4を備えるセラミックを作製するステップとを含み、前記方法ステップDにおける前記適合は、コバルトフリーNTCセラミックの電気的特性がコバルト含有セラミックの電気的特性に適合するように行う、コバルトフリーNTCセラミックを製造する方法。方法ステップAでCuMn2O4、NiMn2O4、MnCo2O4、NiCo2O4、Co3O4、CoMn2O4およびMn3O4を含むグループからスピネル成分を選択する、請求項4に記載の方法。方法ステップBで、ZnMn2O4、Zn15Mn15O4およびCuMn2O4からコバルトフリーのスピネル成分を選択する、請求項5に記載の方法。コバルトフリーNTCセラミックの電気的特性をコバルト含有NTCセラミックの電気的特性に適合させ、コバルトフリーNTCセラミックのB定数が、コバルト含有NTCセラミックのB定数と1未満しか異ならないように適合を行う、請求項4から6までのいずれか一項に記載の方法。方法ステップDを少なくとも2回繰り返す、請求項4から7までのいずれか一項に記載の方法。方法ステップEが次の方法ステップ:E1化学量論的な比率で前駆物質を混合し、か焼するステップと、E2ステップE1で得られた物質を焼結するステップとを含む、請求項4から8までのいずれか一項に記載の方法。方法ステップAで、Ni05553Cu02278Co02685Mn18984O4を05553NiMn2O4、02778CuMn2O4、00653CoMn2O4および01016MnCo2O4に形式的に分解し、方法ステップBで、CoMn2O4をZnMn2O4によって、MnCo2O4を23Zn15Mn15O4によって形式的に置換し、方法ステップDで、組成Ni05748Cu03164Zn01440Mn1965O4を得る、請求項4から9までのいずれか一項に記載の方法。方法ステップAでNi05877Cu01290Co02835Mn2000O4を05877NiMn2O401290CuMn2O4および02835CoMn2O4に形式的に分解し、方法ステップBで、CoMn2O4をZnMn2O4によって形式的に置換し、方法ステップDで、組成Ni06168Cu01712Zn02614Mn19512O4を得る、請求項4から9までのいずれか一項に記載の方法。方法ステップAでNi05547Cu01080Co02817Mn20553O4を05547NiMn2O401080CuMn2O4、02817CoMn2O4および00555Mn3O4に形式的に分解し、方法ステップBではCoMn2O4をZnMn2O4によって置換し、方法ステップDで、組成Ni05508Cu01413Zn02797Mn20280O4を得る、請求項4から9までのいずれか一項に記載の方法。方法ステップAでNi02817Cu01499Co05708Mn1998O4を02817NiMn2O4、01499CuMn2O4、05673CoMn2O4および000115Co3O4に形式的に分解し、方法ステップBで、CoMn2O4およびCo3O4をZnMn2O4およびCuMn2O4によって形式的に置換し、方法ステップDで組成Ni02817Cu03274Zn03911Mn2000O4を得る、請求項4から9までのいずれか一項に記載の方法。方法ステップAで、Ni05130Cu04602Co02475Mn17993O4を042945NiMn2O4、04602CuMn2O4、008355NiCo2O4および002680Co3O4に形式的に分解し、方法ステップBでNiCo2O4をCuMn2O4によって、Co3O4をZnMn2O4によってそれぞれ形式的に置換し、方法ステップDで、組成Ni04295Cu04183Zn01522Mn2000O4を得る、請求項4から9までのいずれか一項に記載の方法。請求項4から14までのいずれか一項に記載の方法により作製されたコバルトフリーNTCセラミックの、突入電流リミタとしての使用。本発明の課題は、安価に製造可能であり、電気的特性、例えば比抵抗または活性化エネルギーにおいて、既知の酸化物系に広範囲に対応している、すなわち、これらの酸化物系に対して等しいか、または類似した特性値ρ25°CおよびBを有する代替的なNTCセラミックを提供することである。この課題は、請求項1に記載のNTCセラミックによって解決される。NTCセラミックの他の実施形態、NTCセラミックを製造する方法、およびNTCセラミックの使用が、それ以降の請求項の対象である。電気抵抗の温度係数が負である、一般に化学式NiaCubZncMndO4のコバルトフリーセラミックNTCセラミックが提案される。この場合、009a06、002b065、012c058および16d21が成り立つ。このようなNTCセラミックは、有利な電気的特性、すなわち、低い比抵抗ρ25°Cを有するとともに、比抵抗が低いにもかかわらず十分に高い活性化エネルギーEAを有し、安価に製造可能である。四元スピネル系NiaCubZncMndO4では、高価なコバルト成分が不要であることによって安価な製造がもたらされる。低比抵抗は、例えば、装置と直列に接続されたICLでは室温でも電流を保障する。ICLはこれにより加熱され、ついには電流制限ある前記装置の内部抵抗よりもさらに低い抵抗に達する。ICLのセラミックのジュール加熱もこの場合にはもはや生じない。このような安定状態は、活性化エネルギーが高いほど迅速に調整される。同時に、このNTCセラミックは、Zn部分の代わりにCo部分を組成に含む類似の組成のコバルト含有NTCセラミックと一致した、または同様の特性を備える。コバルト含有NTCセラミックは一般的な組成NiaCubCocMndO4009a06、002b065、012c058および16d21である。したがって、コバルトフリーNTCセラミックを製造する場合、混合相の酸化コバルト成分を省略し、代わりに酸化亜鉛を使用することができ、特性曲線データの形態の電気的特性、すなわち、コバルトフリーNTCセラミックおよびコバルト含有NTCセラミック電荷輸送の活性化エネルギーEAを特徴づけるB定数、および場合によっては、比抵抗ρ25°Cができるだけわずかにしか相互に異なっていないように組成が調整される。電荷輸送の活性化エネルギーEAを特徴づけるB定数が、一般的な化学式NiaCubCocMndO4のコバルト含有NTCセラミックのB定数とは1未満だけ異なるコバルトフリーNTCセラミックが提案される。コバルト含有NTCセラミックのabcおよびdは、それぞれabcおよびdと等しい範囲から選択してもよい。この場合、abcおよびdは、abcおよびdと等しくてもよいし、異なっていてもよい。さらにabcd3およびabcd3が成り立つ。コバルトフリーNTCセラミックのB定数は、例えば01未満だけコバルト含有セラミックのB定数と異なっていてもよい。B定数の他にコバルトフリーNTCセラミックの比抵抗ρ25°Cもコバルト含有NTCセラミックの比抵抗とわずかにのみ異なっていてもよい。コバルト含有NTCセラミックおよびコバルトフリーNTCセラミックの比抵抗の広範囲の一致は、さらにNTCセラミックを含む構成部品の寸法の調整によっても達成することができる。コバルトフリーNTCセラミックは、Ni05748Cu03164Zn01440Mn1965O4、Ni06168Cu01712Zn02614Mn19512O4、Ni05508Cu01413Zn02797Mn20280O4、Ni02817Cu03274Zn03911Mn2000O4およびNi04295Cu04183Zn01522Mn2000O4を含むグループから選択した組成を有していてもよい。コバルト含有NTCセラミックの電気的な特性、すなわち、比抵抗ρ25°CおよびB定数が、類似の組成のコバルトフリーNTCセラミックと比較して次の表に要約されている:上記表に基づいて、B定数は、コバルト含有NTCセラミックの25°C~100°Cの温度範囲でコバルトフリーNTCセラミックの対応したB定数と広範囲の一致を示すことがわかる。B定数のずれは、それぞれ01未満である。比抵抗ρ25°Cも、コバルト含有NTCセラミックと対応したコバルトフリーNTCセラミックとの間で良好な一致を示す。比抵抗が大きく異なる場合には、コバルトフリーNTCセラミックを使用すべき構成部品を適宜に寸法決めすることにより補正を行うことができる。さらに、コバルトフリーNTCセラミックを製造する方法が提案される。コバルトフリーNTCセラミックの組成は、一般的な化学式NiaCubCocMndO4009a06、002b065、012c058および16d21で示されるコバルト含有NTCセラミックから導出され、CoはZnによって置き換えられる。この方法は、次のステップ:ANiaCubCocMndO4を、それぞれ少なくともNiCuCoまたはMnの酸化物を含有するスピネル成分に形式的に分解するステップと、B少なくともコバルト含有スピネル成分をコバルトフリーのスピネル成分によって形式的に置換するステップと、C少なくとも部分的に置換されたスピネル成分を、009α06、002β065、012γ058および16δ21である組成NiαCuβZnγMnδO4を備える中間体に形式的に合成するステップと、D009a06002b065012c058および16d21である組成NiaCubZncMndO4を得るためにαβγおよびδを適合させるステップと、E前駆物質から組成NiaCubZncMndO4を備えるセラミックを作製するステップとを含む。この場合、方法ステップDにおける適合は、コバルトフリーNTCセラミックの電気的特性がコバルト含有セラミックの電気的特性に適合するように行われる。方法ステップEにおける前駆物質は、例えば、酸化金属および/または金属カルボニルから選択してもよい。方法ステップCで得られる中間体の係数については、αβγδ3が成り立つ。四元スピネル系もしくはスピネル混合相NiaCubCocMndO4の電気的特性は、抵抗の高低にかかわらず、スピネル成分の混合物におおむね対応していることが判明した。高抵抗のスピネルは、例えば、CoMn2O4、Co3O4、Mn3O4およびZnMn2O4であり、低抵抗のスピネルは、例えば、NiCo2O4およびCuMn2O4であり、NiMn2O4、MnCo2O4およびZn15Mn15O4は中間位置をとる。このような分解は、四元系コバルト含有NTCセラミックにおける亜鉛によるコバルトの置換、および、亜鉛含有スピネルの電気的特性の、コバルト含有スピネルの所与の値への適合を容易にする。この方法では、方法ステップAのスピネル成分は、CuMn2O4NiMn2O4、MnCo2O4、NiCo2O4、Co3O4、CoMn2O4およびMn3O4を含むグループから選択してもよい。Co3O4は、四元系スピネルにおいて酸化コバルトが余剰の場合に方法ステップAで選択することができ、Mn3O4は、酸化マンガンが余剰の場合に、NiCo2O4は酸化マンガンの含有量が不十分な場合に選択することができる。方法ステップAでコバルト含有NTCセラミックが分解され得るこれらのスピネルは、低抵抗の立方晶系スピネルCuMn2O4、NiMn2O4MnCo2O4、NiCo2O4および高抵抗のスピネルCo3O4、CoMn2O4およびMn3O4である。CoMn2O4およびMn3O4は、正方晶系に分解されたスピネルであり、これらのスピネルは、限定的にのみ立方晶系混合スピネルに分解可能であり、NTCセラミックがとりわけこれら2つの化合物に分解され、分解限界を超過した場合には不均一相構造が形成される場合もある。分解は、おおむね四元系コバルト含有スピネルの個々の成分が四元系スピネルとほぼ同量で、コバルト含有NTCセラミックを分解した異なる個々の成分に提供されているように行われる。方法ステップBでは、コバルトフリースピネル成分をZnMn2O4、Zn15Mn15O4およびCuMn2O4から選択してもよい。すなわち、特に亜鉛含有スピネルを選択してもよい。これにより、高抵抗のコバルト含有スピネルCoMn2O4およびCo3O4ならびに必要に応じて同様に高抵抗であるMn3O4を、同様に高抵抗のスピネルZnMn2O4またはZn15Mn15O4によって置換することもできる。さらに、元のNTCセラミック内に提供されていたMn含有量が不十分である場合にはNiCo2O4がCuMn2O4によって置き換えられる。方法ステップCでは、コバルトフリーNTCセラミックNiαCuβZnγMnδO4が中間体として得られ、その化学量論的な係数αβγおよびδは、方法ステップDで、電気的特性がコバルト含有セラミックの電気的特性とほぼ一致するレセプターをコバルトフリーセラミックのために規定する化学量論的な係数abcおよびdが生じるように適合される。方法ステップDにおける前記適合は、コバルトフリーNTCセラミックの電気的特性をコバルト含有NTCセラミックの電気的特性に適合させることによって行われる。適合は、コバルトフリーNTCセラミックのB定数が、コバルト含有NTCセラミックのB定数とは1未満、好ましくは01未満しか異ならないように行うことができる。適合の1つとしては、例えば、高抵抗スピネルZnMn2O4および低抵抗スピネルCuMn2O4の割合、または高抵抗スピネルMn3O4および低抵抗スピネルCuMn2O4の割合を均一相もしくは不均一相の四元系混合相で変化させること、すなわち、方法ステップCで得られたコバルトフリー中間体を変化させることによって行うことができる。NiMn2O4およびZn15Mn15O4を使用して変化させることもできる。これにより、コバルト含有セラミックが有していたものに広範囲に近似した電気的特性を具えたコバルトフリーNTCセラミックのためのabcおよびdの値がNiaCubZngMndO4をベースに決定される。方法ステップDは、方法ステップCで得られたNTCセラミックの中間体NiaCubZngMndO4を合成するステップD1、NTCセラミックの特性曲線データを算出するステップD2、電気的特性をコバルト含有NTCセラミックの電気的特性に適合させることにより中間体の係数αβγおよびδを適合させるステップD3を含む。したがって、方法ステップDでは、新しい中間体のNiαCuβZnγMnδO4が得られ、方法ステップDは繰り返され、数回の繰返し後にコバルトフリーNTCセラミックNiaCubZncMndO4が得られる。方法ステップDは、例えば、少なくとも2回繰り返すことができる。コバルトフリーNTCセラミックNiaCubZncMndO4は、方法ステップDを一回実施した後に得ることもできる。方法ステップDにおける適合は、例えば、方法ステップCで得られた高抵抗および低抵抗スピネルの比率が、レセプターNiαCuβZnγMnδO4で化学的に生成され、これにより得られたNTCセラミックの特性曲線データ、すなわち、NTCセラミックの比抵抗およびB定数を測定することにより行うこともできる。このコバルトフリーNTCセラミックの電気的特性と、コバルト含有NTCセラミックの電気的特性との比較は、電気的特性の、組成物における高抵抗スピネルおよび低抵抗スピネルの割合との、所定の相関関係に基づいて、内挿法もしくは外挿法を用いることにより、により次の段階での適合を可能にする。これにより、一般に最大で5回の適合ステップ、すなわち、方法ステップDの繰返しで、B定数がコバルト含有NTCセラミックのB定数に適合されたコバルトフリーの組成NiaCubZncMndO4を得ることができる。この方法において、方法ステップEは次の方法ステップ:E1化学量論的な比率で前記前駆物質を混合し、か焼するステップと、E2ステップE1で得られた物質を焼結するステップとを含む。前記前駆物質は、酸化マンガン、ニッケルカルボニル、酸化銅または酸化亜鉛を含むグループから選択してもよい。したがって、方法ステップEでは、方法ステップA、B、CおよびDによって提供されたレセプターがNTCセラミックに加工される。この方法によれば、例えば、方法ステップAではスピネル混合相Ni05553Cu02278Co02685Mn18984O4を05553NiMn2O4、02278CuMn2O4、00653CoMn2O4および01016MnCo2O4に形式的に分解することができる。このコバルト含有NTCセラミックは、31Ωcmの比抵抗ρ25°Cおよび2915KのB定数を有する。次いで、方法ステップBでは、CoMn2O4をZnMn2O4によって、MnCo2O4を23Zn15Mn15O4によって置換することができ、これにより、方法ステップCではコバルトフリーNTCセラミックのために中間体として38Ωcmの比抵抗ρ25°Cおよび2990KのB定数を備えるNi05748Cu02874Zn01728Mn1965O4の組成物が生じる。電気的値がコバルト含有NTCセラミックの電気的値に適合されることが望ましい場合には、例えば、方法ステップDでCuMn2O4の10molをZnMn2O4の代わりに付加的に構成することができ、これにより、方法ステップDでは組成Ni05748Cu03164Zn01440Mn1965O4が得られる。この組成物は、ρ25°C=305Ωcmおよび2910KのB定数を備え、これは、コバルト含有NTCセラミックのそれぞれの値とほぼ一致する。さらに、この方法では、方法ステップAでコバルト含有NTCセラミックとしてNi05877Cu01290Co02835Mn2000O4を05877NiMn2O4、01290CuMn2O4および02835CoMn2O4に形式的に分解することができる。コバルト含有セラミックは、97Ωcmのρ25°Cおよび3165KのB定数を備える。方法ステップBでは、CoMn2O4をZnMn2O4により置換することができ、これにより、方法ステップCで中間体として、組成Ni05877Cu01290Zn02835Mn2000O4のコバルトフリーNTCセラミックが得られる。このコバルトフリーNTCセラミックは167Ωcmの比抵抗ρ25°Cおよび3285KのB定数を備える。コバルトフリーNTCセラミックの電気的値を、コバルト含有NTCセラミックによって付与された電気的値に適合させるために、例えば、方法ステップDを数回繰り返した後にNiMn2O4の割合を495molだけ増大し、CuMn2O4の割合を328molだけ増大し、ZnMn2O4の含有量の60molを00984Zn15Mn15O4によって置換することができる。これにより、最後に実施した方法ステップDの結果として、97Ωcmの比抵抗ρ25°Cおよび3164KのB定数を有する組成Ni06168Cu01712Zn02614Mn19512O4のNTCセラミックが生じる。さらにこの方法では方法ステップAでNi05547Cu01080Co02817Mn20553O4を05547NiMn2O4、01080CuMn2O4、02817CoMn2O4および00555Mn3O4に形式的に分解することができる。コバルト含有NTCセラミックは、140~200Ωcm、例えば145Ωcmのρ25°Cおよび3300KのB定数を備える。方法ステップBでは、CoMn2O4をZnMn2O4によって置換することができ、これにより、方法ステップCにしたがった形式的な合成によって、Ni05547Cu01080Zn02817Mn20553O4が得られる。この組成物の電気的特性は、ρ25°C277ΩcmおよびB3467Kである。方法ステップDにおけるコバルト含有NTCセラミックにより規定された電気的値への電気的な特性の適合は、例えばNiMn2O4およびZnMn2O4の含有量をそれぞれ07molだけ低減し、CuMn2O4の含有量を308molだけ増大し、同時にMn3O4の割合を493molだけ低減することにより、達成することができる。この適合は、方法ステップDの数回の繰返しの間に行うことができる。したがって、組成Ni05508Cu01413Zn02797Mn20280O4のコバルトフリーNTCセラミックが生じる。このセラミックは、144Ωcmのρ25°Cおよび3299KのB定数を備える。この値は、再びコバルト含有NTCセラミックのそれぞれの値との良好な一致を示す。本発明によれば、方法ステップAでは、例えば、Ni02817Cu01499Co05708Mn1998O4を02817NiMn2O401499CuMn2O405673CoMn2O4および000115Co3O4に形式的に分解することができる。コバルト含有NTCセラミックは、70Ωcmのρ25°Cおよび3060KのB定数を有する。方法ステップBでは、例えば、2つのコバルトスピネル化合物の和を、05685ZnMn2O4によって、およびそのうちの312molをCuMn2O4によって置換することができ、これにより、方法ステップCの後に方法ステップDで組成Ni02817Zn03911Cu03274Mn2000O4が生じる。これにより、3062KのB定数および315Ωcmのρ25°Cが生じる。この場合、コバルトフリーNTCセラミックの比抵抗は、コバルト含有NTCセラミックの比抵抗とは異なるので、抵抗値は、構成形式、例えば、セラミック構成部品の面および/または厚さによって適合させることもできる。組成の変更によるさらなる適合も同様に可能である。さらに、この方法では、方法ステップAで、Ni05130Co02475Cu04602Mn17993O4を042945NiMn2O4、04602CuMn2O4、008355NiCo2O4および002680Co3O4に形式的に分解することができる。このコバルト含有セラミックは、8~12Ωcmのρ25°Cおよび2800KのB定数を有する。さらに、コバルト含有セラミックはわずかなMn含有量を有し、これにより、スピネル成分に形式的に分解される場合に、CuMn2O4およびNiMn2O4の他にNiCo2O4およびCo3O4も考慮すべきである。方法ステップBでは、NiCo2O4をCuMn2O4によって、Co3O4をZnMn2O4によって置換することができる。これにより、まず方法ステップCでρ25°C48ΩcmおよびB2672Kの電気的特性を備えるコバルトフリーNTCセラミックNi04295Zn00268Cu05438Mn2000O4が生じる。方法ステップDにおけるコバルト含有NTCセラミックの電気的特性への適合は、例えば、ZnMn2O4の含有量を01522ZnMn2O4に増大し、CuMn2O4の含有量を同じ値だけ04183CuMn2O4に低減することによって達成することができる。これにより、方法ステップCでは、ρ93ΩcmおよびB2797Kの電気的特性を備えるコバルトフリーNTCセラミックNi04295Zn01522Cu04183Mn2000O4が生成される。さらに、上記方法にしたがって作製されたコバルトフリーNTCセラミックの使用法が突入電流リミタとして示される。コバルト含有NTCセラミックの電気的特性とは極わずかにのみ異なる上記電気的特性に基づいて、コバルトフリーNTCセラミックは、わずかな比抵抗および最適な作動エネルギーにより突入電流リミタに用いるのに適している。次に、コバルトフリーNTCセラミックの作製方法を実施例に基づいて詳細に説明する。この方法は、方法ステップEで、例えば、混合酸化物方法によって行うことができる。この場合、例えば酸化マンガン、ニッケルカルボニル、酸化銅または酸化亜鉛などの前駆物質が、方法ステップA~Dで算出された金属カチオンの化学量論的な比率で混合される。この場合、前駆物質は、分析的に調査された微小素子の不純物含有率ができるだけわずかであることが望ましい。前駆物質は、例えば、湿式に混合してもよい。前駆物質の湿式混合後に、これにより生じたスラリーが蒸気処理され、乾燥され、スクリーニングにかけられ、例えば850°Cで4時間、か焼される。さらなる加熱で、か焼の際に既に始まっていたスピネル相の生成を完了することができる。得られた材料は、ZrO2球によって、例えば、偏心ミルで約1μmの平均的な直径d50に粉砕される。次いで、約900°Cで約4時間かけて2回目のか焼が行われる。さらなるステップで、材料を1μm未満の平均的な直径d50に微粉砕することができる。次いで、材料は粒子状に加工され、例えば、55mmの直径、および15~155mmの高さを有していてもよいシリンダ状のサンプルに圧縮され、焼結酸化アルミニウムプレート、例えばALOX基盤上で、約1210°Cで2時間かけて焼結される。焼結は、1000°Cで2時間、800°Cで2時間、700°Cで2時間、および600°Cで3時間の段階的な冷却により終了する。NTCセラミックの銅含有率が高く、マンガン含有率が低い場合には、1100°Cで2時間焼結され、900°Cで1時間、800°Cで1時間、700°Cで2時間、600°Cで3時間かけて段階的に冷却される。この方法によって、コバルトフリーNTCセラミックの98以上の相対密度が達成される。サンプルの電気的特性、すなわち、比抵抗およびB定数の測定は、約750°Cで電気接点としてのシルバーペーストをシリンダ状サンプルに塗布し、焼成した後に25°Cおよび100°Cで行われる。それぞれのコバルトフリーNTCセラミックから10~15個の焼結されたサンプルが測定され、中間値が形成される。このようにして作製されたNTCセラミックは、例えば、起動電流を制限するための構成部品で使用することができる。本発明は、上記実施形態および実施例に制限されず、本明細書に記載していない他の構成も可能である。