複数のプラズマ生成容器と、各プラズマ生成容器内に設けられ、プラズマ生成容器内部に突出した先端部がプラズマと接触しない位置に配置された少なくとも1つのカソードと、各プラズマ生成容器に連結され、各プラズマ生成容器内に導入されるイオン化ガスの流量を個別に調整するガス流量調節器と、各プラズマ生成容器に形成されたスリット状開口部と、前記スリット状開口部より、引出し方向と垂直な平面内で略長方形状の断面を有するリボン状のイオンビームを引き出す引出電極と、前記スリット状開口部の長手方向に沿って、各プラズマ生成容器内に磁場を発生させる磁場生成手段とを備えたイオン源であって、各プラズマ生成容器から引き出された前記リボン状のイオンビームを前記断面の短手方向から見たとき、前記断面の長手方向における少なくとも一方の端部が互いに重なるように構成されていることを特徴とするイオン源。前記スリット状開口部の長手方向において、前記プラズマ生成容器内に前記カソードと対向配置された反射電極が設けられていることを特徴とする請求項1記載のイオン源。前記磁場発生手段は複数個設けられており、所定数のプラズマ生成容器毎に独立して磁場を発生させることを特徴とする請求項1または2記載のイオン源。前記磁場発生手段は、各プラズマ生成容器の内部に共通した磁場を発生させることを特徴とする請求項1、2または3記載のイオン源。請求項1、2、3または4に記載のイオン源を備えたイオン注入装置であって、当該イオン注入装置は、各プラズマ生成容器より引き出されたリボン状のイオンビームが導入される処理室と、前記処理室内で、前記リボン状のイオンビームが照射される基板の全面にイオン注入処理がなされるように、前記基板を前記リボン状のイオンビームと交差する方向に移動させる基板駆動機構とを備えていることを特徴としている。請求項1、2、3または4に記載のイオン源を備えたイオン注入装置であって、当該イオン注入装置は、各プラズマ生成容器より引き出されたリボン状のイオンビームの質量分析を行う分析電磁石と、前記分析電磁石を通過したリボン状のイオンビームのうち、所望するイオンを含むリボン状のイオンビームのみを通過させる分析スリットと、各プラズマ生成容器より引き出されたリボン状のイオンビームが導入される処理室と、前記処理室内で、前記リボン状のイオンビームが照射される基板の全面にイオン注入処理がなされるように、前記基板を前記リボン状のイオンビームと交差する方向に移動させる基板駆動機構とを備えていることを特徴としている。前記分析電磁石は、各プラズマ生成容器より引き出されたリボン状のイオンビームをその長辺方向より挟むように対向配置された磁極対を複数有しており、各プラズマ生成容器より引き出されたリボン状のイオンビームが前記分析電磁石を通過する距離が長くなるほど、各磁極対を構成する磁極間の距離が広がるように構成されていることを特徴とする請求項6記載のイオン注入装置。前記イオン源と前記処理室までの経路には、各プラズマ生成容器より引き出されたリボン状のイオンビームが通過する経路を電位的に分離する導電性部材が配置されていることを特徴とする請求項5、6または7記載のイオン注入装置。前記イオン注入装置は、前記処理室内に各イオンビームのビーム電流密度分布を測定するビーム電流計測器を備えていることを特徴とする請求項5、6、7または8記載のイオン注入装置。前記ビーム電流計測器での計測結果に応じて、各イオンビームのビーム電流密度分布を合成した分布が所望範囲内であるかどうかを判断し、当該判断に基づき、所望範囲外であると判断された場合に、前記イオン源の運転パラメーターの調整を行う機能を有する制御装置を備えていることを特徴とする請求項9記載のイオン注入装置。特許文献1に記載のバケット型イオン源では、プラズマ生成容器内に導入されたイオンビーム生成用のイオン化ガスとプラズマ生成容器内に配置された複数本のフィラメントより放出された電子が衝突して、プラズマが生成される。そして、プラズマ生成容器の開口部に隣接して配置された引出電極系を構成する複数枚の電極によって、このプラズマからイオンビームの引出が行われる。この種のイオン源では、プラズマ生成容器内で生成されたプラズマ中に、フィラメントの一部先端部が配置されている。長時間プラズマ中に配置されたフィラメントは、プラズマ内のイオンによってスパッタリングされて、急激にやせ細ってしまう。その場合、安定して電子の供給ができなくなり、プラズマ生成容器内で生成されるプラズマの生成効率に悪影響を及ぼしてしまう。一般的に、長時間、イオン源から安定してイオンビームを供給することが望まれるが、前述したスパッタリングによってフィラメントが急激にやせ細ってしまった場合、イオンビームの安定供給ができなくなってしまうという問題があった。また、イオン注入処理に要する時間を短縮させる場合やいわゆる高ドーズ注入といわれる多量のイオンを注入する場合には、イオン源で生成されるイオンビームのビーム電流量を増加させることイオンビームの大電流化が必要となる。このような大電流化を実現する為に、例えば、フィラメントからの電子の放出量を増加させ、生成されるプラズマを濃くすることが考えられる。しかしながら、電子放出量の増加は、フィラメントに流す電流量を多くして、フィラメントをより高温に加熱することを意味するので、そうなるとフィラメントの加熱による蒸発が進み、フィラメントがやせ細ってしまう。特許文献1のイオン源において、フィラメントへ流す電流量を多くしてイオンビームの大電流化を行うと、前述したプラズマによるフィラメントのスパッタリング作用と高温によるフィラメントの蒸発作用とが相俟って、ごく短時間でフィラメントが消耗してしまう恐れがある。フィラメントの消耗により、フィラメントが断線してしまうと、イオン源を停止してメンテナンスを行わなければならないので、装置の可動効率が悪くなってしまう。このような事情を鑑み、本発明では、従来のイオン源に比べて、フィラメントカソードの断線が少なく、安定して大型かつ大電流のイオンビームを生成することのできるイオン源および当該イオン源を備えたイオン注入装置を提供することを期所の目的とする。本発明に係るイオン源は、複数のプラズマ生成容器と、各プラズマ生成容器内に設けられ、プラズマ生成容器内部に突出した先端部がプラズマと接触しない位置に配置された少なくとも1つのカソードと、各プラズマ生成容器に連結され、各プラズマ生成容器内に導入されるイオン化ガスの流量を個別に調整するガス流量調節器と、各プラズマ生成容器に形成されたスリット状開口部と、前記スリット状開口部より、引出し方向と垂直な平面内で略長方形状の断面を有するリボン状のイオンビームを引き出す引出電極と、前記スリット状開口部の長手方向に沿って、各プラズマ生成容器内に磁場を発生させる磁場生成手段とを備えたイオン源であって、各プラズマ生成容器から引き出された前記リボン状のイオンビームを前記断面の短手方向から見たとき、前記断面の長手方向における少なくとも一方の端部が互いに重なるように構成されていることを特徴としている。カソードの先端部をプラズマと接触しない位置に配置しているので、プラズマによるカソードのスパッタリングが大幅に軽減される。その為、カソードが断線する可能性が低く、長時間、安定してイオンビームを生成することができる。また、大電流化に伴ってカソードへ流す電流量が増加したとしても、プラズマによるスパッタリング作用の影響が小さいので、カソードが著しく短時間で消耗してしまうといった問題も生じない。さらに、複数のプラズマ生成容器から引出し方向と垂直な平面内で略長方形状の断面を有するリボン状のイオンビームを引出し、それらをその断面の短手方向から見たとき、長手方向における少なくとも一方の端部が互いに重なるように構成したので、大型基板に対しても従来と同様に対応することができる。プラズマ生成容器内でのプラズマ生成効率を向上させる為に、前記スリット状開口部の長手方向において、前記プラズマ生成容器内に前記カソードと対向配置された反射電極が設けられていることが望まれる。前記磁場生成手段は複数個設けられており、所定数のプラズマ生成容器毎に独立して磁場を発生させるようにしておいても良い。一方で、前記磁場生成手段は、各プラズマ生成容器の内部に共通した磁場を発生させるようにしておいても良い。この場合、磁場生成手段が一つで済むので、その分、メンテナンスが簡便になるといったメリットがある。本発明に係るイオン注入装置は、上記したイオン源を備えたイオン注入装置であって、当該イオン注入装置は、各プラズマ生成容器より引き出されたリボン状のイオンビームが導入される処理室と、前記処理室内で、前記リボン状のイオンビームが照射される基板の全面にイオン注入処理がなされるように、前記基板を前記リボン状のイオンビームと交差する方向に移動させる基板駆動機構とを備えていることを特徴としている。一方で、本発明に係る他のイオン注入装置は、上記したイオン源を備えたイオン注入装置であって、当該イオン注入装置は、各プラズマ生成容器より引き出されたリボン状のイオンビームの質量分析を行う分析電磁石と、前記分析電磁石を通過したリボン状のイオンビームのうち、所望するイオンを含むイオンビームのみを通過させる分析スリットと、各プラズマ生成容器より引き出されたリボン状のイオンビームが導入される処理室と、前記処理室内で、前記リボン状のイオンビームが照射される基板の全面にイオン注入処理がなされるように、前記基板を前記リボン状のイオンビームと交差する方向に移動させる基板駆動機構とを備えていることを特徴としている。このようなイオン注入装置であれば、分析電磁石によりイオンビームの質量分析を行って所望するイオン種を含むイオンビームのみを基板に照射することができる。また、前記分析電磁石は、各プラズマ生成容器より引き出されたリボン状のイオンビームをその長辺方向より挟むように対向配置された磁極対を複数有しており、各プラズマ生成容器より引き出されたリボン状のイオンビームが前記分析電磁石を通過する距離が長くなるほど、各磁極対を構成する磁極間の距離が広がるように構成されていることが望まれる。各プラズマ生成容器より引き出されたリボン状のイオンビームは、分析電磁石内を通過する経路が異なる。分析電磁石内を通過する距離が長ければ、その分、リボン状のイオンビームの偏向量が大きくなる。そうなると、分析電磁石を通過した後で、各プラズマ生成容器から引き出されたリボン状のイオンビームのビーム経路が交差してしまう恐れがある。また、各リボン状のイオンビームの基板への照射角度が過度に異なると、基板上に製造されるデバイスの特性に悪影響を及ぼしてしまう。これに対して、上記したように、各プラズマ生成容器より引き出されたリボン状のイオンビームが分析電磁石を通過する距離が長くなるほど、各磁極対を構成する磁極間の距離が広がるように構成しておくと、上記したビーム経路の交差を防止し、基板上に製造されるデバイスの特性への悪影響を防止することが期待できる。さらに、前記イオン源と前記処理室までの経路には、各プラズマ生成容器より引き出されたリボン状のイオンビームが通過する経路を、電位的に分離する導電性部材が配置されていることが望ましい。このような導電性部材を用いると、隣り合うビーム経路を通過している一方のイオンビームの周囲で生じた空間電荷効果による空間的な電位の変動が、他方のイオンビームへ影響を及ぼすことを防止することができる。また、前記イオン注入装置は、前記処理室内に各イオンビームのビーム電流密度分布を測定するビーム電流計測器を備えていることが望ましい。このようなビーム電流計測器を備えておけば、測定結果をモニターし、イオン注入装置の操作者がイオン注入装置の各種パラメーターを変更して、基板に照射される各リボン状のイオンビームのビーム電流密度分布を調整するといった作業を行うことが可能となる。さらに、前記ビーム電流計測器での計測結果に応じて、各リボン状のイオンビームのビーム電流密度分布を合成した分布が所望範囲内であるかどうかを判断し、当該判断に基づき、所望範囲外であると判断された場合に、前記イオン源の運転パラメーターの調整を行う機能を有する制御装置を備えていることが望ましい。このような制御装置を備えていれば、自動的にビーム電流密度分布を目標とする値に調整することが可能となる。従来のイオン源に比べて、フィラメントカソードの断線が少なく、安定して、大型かつ大電流のイオンビームを生成することができる。図1には、本発明に係る一のイオン源を構成するプラズマ生成容器1の断面図が描かれている。X方向、Y方向およびZ方向は互いに1点で直交しており、Z方向はプラズマ生成容器1より後述するイオンビーム19が引き出される方向である。プラズマ生成容器1の壁面には、ガス供給路5が連結されている。このガス供給路5には、バルブ9を介してガス源6が取り付けられており、このガス源6よりイオンビーム19の原料となるイオン化ガスの供給がなされる。また、ガス供給路5にはガス流量調節器7マスフローコントローラーが設けられており、これによってガス源6からプラズマ生成容器1内部へのイオン化ガスの供給量が調整される。プラズマ生成容器1の一側面には、絶縁物10を介して、U字型のフィラメント2が取り付けられている。フィラメント2の端子間には、フィラメント電源VFが接続されており、フィラメント2に流す電流量の調整が行えるように構成されている。このフィラメント電源VFは、アーク電源VAを介してプラズマ生成容器1に接続されている。フィラメント2に電流を流して、フィラメント2を加熱させることによって、そこから電子が放出される。プラズマ生成容器1内部には、後述する磁場生成手段12により、プラズマ生成容器1内部に図示される矢印の方向に磁場Bが生成されており、この磁場Bに沿って、フィラメント2から放出された電子が移動する。この電子が、プラズマ生成容器1の内部に供給されたイオン化ガスPH3やBF3等に衝突してイオン化ガスの電離を引き起こし、プラズマ生成容器1内にプラズマ3が生成される。本発明のフィラメント2は、X方向に位置する先端部がプラズマ3に接触しない位置に配置されている。この為、プラズマ3によるフィラメント2のスパッタリングを軽減させることができる。ここでは、フィラメント2の本数は1本しか描かれていないが、従来技術と同様に複数本のフィラメント2を配置するようにしても良い。プラズマ生成容器1内部には、反射電極4がフィラメント2と対向する位置に設けられている。この反射電極4は、絶縁物10を介してプラズマ生成容器1に取り付けられており、プラズマ生成容器1を基準電位にして、負の電位となるように電源VBが接続されている。このようにして、反射電極4の電位を負電位にしておくことで、フィラメント2より放出された電子が磁場Bによって反射電極4側に移動した際、これを反対側に反射させることができる。その結果、イオン化ガスと電子との衝突確率が向上し、プラズマ3の生成効率を高めることができる。なお、この反射電極4はプラズマ3の生成効率を向上させる為のものであって、必ず設けなければならないといったものではない。また、ここでは、電源VBを用いて反射電極6の電位が負電位となるように構成したが、このような電源を用いずに、浮遊電位にしておいても良い。その場合、フィラメント2より放出された電子が反射電極6に衝突することで、反射電極6が負に帯電し、最終的にはフィラメント2側に電子を反射させることができる。また、図示はなされていないが、フィラメント2の背面側にも反射電極を設けておいても良い。図2には、図1をZ方向反対側より見た時のプラズマ生成容器1の様子が描かれている。この図2に示されているように、プラズマ生成容器1のZ方向側に位置する側面には、スリット状開口部11が形成されており、ここを通して、後述する引出電極16を用いてイオンビーム19の引き出しが行われる。本発明では、複数のプラズマ生成容器1によって、イオン源8が構成されている。図3には、その一例として、おおよそ行列状に配置された4つのプラズマ生成容器U11、U12、U21、U22を備えた例が開示されている。なお、各プラズマ生成容器U11、U12、U21、U22の構成は、図1で説明したプラズマ生成容器1と同一の構成である。図1で説明したように、本発明のイオン源8には、プラズマ生成容器1内部に磁場Bを生成する為の磁場生成手段12が設けられている。図3の例では、4つのプラズマ生成容器U11、U12、U21、U22の全てに対して、その内部に共通した磁場Bを生成する磁場生成手段12の例が開示されている。図3に描かれる磁場生成手段12は、内部に各プラズマ生成容器U11、U12、U21、U22が配置される略ロの字状のヨーク13と当該ヨーク13よりX方向に沿って、ヨーク13の内側領域各プラズマ生成容器が配置される側の領域に突出し、互いに対向配置された一対の磁極14を備えている。各磁極14にはそれぞれコイル15が巻回されており、それぞれのコイル15には図示されない電源に接続されている。例えば、紙面上側に位置する磁極14がN極、紙面下側に位置する磁極14がS極となるように、各コイル15に電流を流すと、図示されるように各プラズマ生成容器U11、U12、U21、U22の内側領域に共通した磁場Bが生成される。図3の例では、1つの磁場生成手段12を用いて、各プラズマ生成容器U11、U12、U21、U22の内側領域に共通した磁場Bを生成したが、これに代えて、図4のように、磁場生成手段12を複数設けても良い。図4の例では、プラズマ生成容器U11とU12からなる組と、プラズマ生成容器U21とU22からなる組とで、個別に磁場生成手段12が設けられている。各磁場生成手段12の構成は、前述の例で説明したものと同一である為、その詳細な説明は省略するが、ここでは、個々の磁場生成手段12によって、各プラズマ生成容器組に対して独立して磁場を発生させることが可能となる。なお、図4の例では、プラズマ生成容器U11とU12からなる組に対して磁場B1が生成されているのに対して、プラズマ生成容器U21とU22からなる組では磁場B2が生成されているが、各プラズマ生成容器組に対して発生される磁場を同じにしても良い。図4の例では、2つのプラズマ生成容器を組として、それに1つの磁場生成手段12を対応させる構成であったが、各プラズマ生成容器に対して、1つの磁場生成手段12を対応させるようにしても良い。さらに、1つの組を2つのプラズマ生成容器で構成し、別の組を3つのプラズマ生成容器で構成するようにしても良い。その場合、先の例と同じく、各組に対して1つずつ磁場生成手段12設けておく。また、ここでは、磁場生成手段12として電磁石を用いたが、これに代えて、永久磁石を用いるようにしても良い。その場合、2つの永久磁石を用意し、互いに異なる極性がX方向において対向配置されるようにして、各々の磁極14に取り付けて置けば良い。本発明のイオン源8には、イオンビーム19をプラズマ生成容器1より引き出す為の引出電極16が設けられている。この引出電極16の構成について、図5を基に説明する。図5A、図5Bには、図3と図4で一例として挙げた4つのプラズマ生成容器U11、U12、U21、U22とその前方Z方向側に配置された引出電極16が描かれている。なお、この図において、各プラズマ生成容器U11、U12、U21、U22とプラズマ生成容器に形成されたスリット状開口部11は、破線で描かれている。この例では、引き出されるイオンビームとして正の電荷を有するイオンビームを想定している。その為、引出電極16には、各プラズマ生成容器U11、U12、U21、U22を基準にして、引出電極16の電位が負の電位となるような図示されない電源が接続されている。引出電極16の構成について具体的に説明する。図5Aの例では、1枚の大きな引出電極16に2つの引出し開口17が形成されている。各引出し開口17は、プラズマ生成容器U11とプラズマ生成容器U12からなる組とプラズマ生成容器U21とプラズマ生成容器U22からなる組に対して個別に設けられている。図5Aでは2つプラズマ生成容器に対して1つの引出し開口17が配置される構成であったが、これに代えて図5Bに示されるように、個々のプラズマ生成容器に対して個別に引出し開口17を設けておいても良い。また、ここには図示されていないが、このような引出電極16の引出し開口部17を通して引き出されるイオンビーム19は、引出し方向Z方向に垂直な平面内で略長方形状の断面を有するリボン状のイオンビームとなる。図3~図5では、4つのプラズマ生成容器を配置した例を挙げたが、本発明のプラズマ生成容器の配置はこれに限られない。図6A~Cには、本発明のイオン源8を構成するプラズマ生成容器の配置例が挙げられている。本発明では、各プラズマ生成容器から引き出されたリボン状のイオンビームを引出し方向に垂直な平面で切断し、そのときの略長方形状の切断面において、切断面の短手方向から各リボン状のイオンビームを見たときに、切断面の長手方向における少なくとも一方の端部が互いに重なっていることを特徴としている。このような構成にすることで、基板寸法が大型になった場合でも、従来と同様に問題なくイオン注入処理を行うことができる。引出電極16によって引き出されるリボン状のイオンビーム19の略長方形状断面は、各プラズマ生成容器に形成されたスリット状開口部11の形状にほぼ等しい。その為、図6A~Cに描かれるように、各プラズマ生成容器を配置することができる。具体的に説明すると、図6Aでは、Y方向において、奇数番目に配置されるプラズマ生成容器の組U11とU12からなる組、U31とU32からなる組と、偶数番目に配置されるプラズマ生成容器の組U21とU22からなる組、U41とU42からなる組とのX方向における位置が異なっている。奇数番目に配置されたプラズマ生成容器組と偶数番目に配置されたプラズマ生成容器組のX方向における位置は、Y方向リボン状のイオンビームを引出し方向に垂直な平面で切断したときの略長方形状の切断面の短手方向に相当において隣り合うプラズマ生成容器に形成されたスリット状開口部11のX方向リボン状のイオンビームを引出し方向に垂直な平面で切断したときの略長方形状の切断面の長手方向に相当における少なくとも一方の端部が互いに重なるように配置されている。このような配置にすることで、各プラズマ生成容器から引き出されたリボン状のイオンビーム19を略長方形状断面の短手方向から見たとき、略長方形状断面の長手方向における少なくとも一方の端部が互いに重なるように構成することができる。図6Aでは、奇数番目のプラズマ生成容器組と偶数番目のプラズマ生成容器組とのX方向における位置を交互に異ならせて配置した例を示したが、これを図6Bに示すように、変形しても良い。図6Bでは、Y方向に沿って1番目と4番目に配置されるプラズマ生成容器組U11とU12からなる組、U41とU42からなる組と2番目と3番目に配置されるプラズマ生成容器組U21とU22からなる組、U31とU32からなる組とのX方向における位置が異なるように配置されている。このようにしても、図6Aで示した例と同様の作用効果を奏することができる。また、図6Cに示すように、Y方向に配置される各プラズマ生成容器組の構成を変更しても良い。ここでは、Y方向において1番目と2番目に配置されるプラズマ生成容器の個数は1つであって、3番目に配置されるプラズマ生成容器の個数は2つである。このような構成であっても、各プラズマ生成容器U11、U21、U31、U32に形成されたスリット状開口部11のX方向リボン状のイオンビームを引出し方向に垂直な平面で切断したときの略長方形状の切断面の長手方向に相当における少なくとも一方の端部が、Y方向リボン状のイオンビームを引出し方向に垂直な平面で切断したときの略長方形状の切断面の短手方向に相当から見たときに重なるように配置されていれば、先に示した図6A、図6Bと同等の効果を奏することができる。なお、当然ながら、プラズマ生成容器の数は、ここに示されるものに限定されない。プラズマ生成容器の数は、2個以上であれば良い。図7に記載のプラズマ生成容器1の構成は、図1に記載のものとカソード部分が異なっている。図7の例では、電子を放出するカソードが傍熱型カソード18によって構成されている。この構成は、傍熱型イオン源として知られる構成である。フィラメント電源VFによってフィラメント2に電流を流し、フィラメント2を加熱して電子を放出させる。フィラメント2を基準電位にして、傍熱型カソード18の電位がそれよりも正の電位となるようにカソード電源VCが接続されている。このカソード電源VCによって、フィラメント2より放出された電子が傍熱型カソード18に引き寄せられて、そこにたたきつけられる。電子が傍熱型カソード18にたたきつけられると、傍熱型カソード18が加熱され、ある温度まで加熱されると、傍熱型カソード18より電子が放出される。以降、プラズマ3の生成に仕組みについては、図1の例と同じである為、ここではその説明を省略するが、電子を放出するためのカソードとしてこのような傍熱型カソード18を用いても良い。なお、本発明で言うプラズマ生成容器の内部とは、プラズマ生成容器に形成された傍熱型カソード18が配置される開口部も含めた領域を意味する。図8には、本発明に係るイオン注入装置IMの例が描かれている。ここではイオン源8の図示を簡略化する為に、これまでに説明した磁場生成手段12、引出電極16等の図示を省略している。また、以降の説明を簡略化する為、複数のプラズマ生成容器の構成としては、ここでは図4に示した4つのプラズマ生成容器U11、U12、U21、U22のうち、2つのプラズマ生成容器U11とU21を備えた構成を例として挙げている。各プラズマ生成容器U11、U21より引き出されたイオンビーム19には、所望するイオン種以外のものが含まれている。その為、所望するイオン種のみを基板23に照射する為に、従来から知られているように、分析電磁石20と分析スリット21を用いて質量分析が行われる。質量分析されたイオンビーム19は、処理室22内に配置されたビーム電流計測器25に照射される。ビーム電流計測器25では、後述するようにX方向に沿ってビーム電流密度分布の計測がなされ、その計測結果が制御装置26に信号S9として送信される。制御装置26は、ビーム電流密度分布が所望する範囲内にあると判断した場合、基板23を支持する基板駆動機構24に制御信号S7を送信する。制御信号S7を受信した基板駆動機構24は、2本のイオンビーム19を用いて、基板23の全面にイオンビーム19が照射されるように、当該イオンビーム19と交差する方向ここでは、Y方向に基板23を駆動する。一方、ビーム電流密度分布が所定範囲外であると判断された場合には、制御装置26によって、イオン源8に制御信号S1~S4が送信され、イオン源8に備えられたフィラメント電源VF、アーク電源VA、マスフローコントローラー7、カソード電源VCといったイオン源の運転パラメーターの値が調整される。また、この運転パラメーターの調整に加えて、分析スリット21の下流側処理室22側に、各イオンビーム19を部分的に遮蔽する遮蔽手段27を設けておき、これを用いてビーム電流密度分布の調整を行うようにしても良い。なお、この遮蔽手段27は、制御装置26からの制御信号S6によって制御され、図示される矢印の方向への移動量の調整が行われる。また、ビーム電流密度分布の調整時にはビーム電流計測器25によってビーム電流密度分布のモニタリングがなされている。各プラズマ生成容器U11、U21より引き出されるイオンビーム19の経路は、イオン源8から処理室22までの間で、メッシュ状の孔を有する導電性部材31によって電位的に分離されている。また、この導電性部材31は、例えば、非磁性体であるカーボンで構成されており、電気的に接地されている。このような導電性部材31によって、2本のイオンビーム19のビーム経路を電位的に分離しておくと、空間電荷効果によって一方のイオンビーム19の周囲で生じた空間的な電位の変動が、他方のイオンビーム19へ影響を及ぼすことを防止することができる。また、各イオンビームは正の電荷を有しているので、近づけ過ぎると互いに反発し合う。しかしながら、このような導電性部材31を設けておくと、電位的に分離されるので、2本のイオンビーム19を近づけて配置することが可能となり、イオン注入装置IMの小型化や、基板駆動機構24を用いて基板23の全面にイオン注入処理を施す時の基板23の駆動範囲を狭くすることができる。イオン注入装置IMを構成する各部について以下に説明する。図9には、ビーム電流計測器25の例が描かれている。ビーム電流計測器25は、例えば、Y方向に長いファラデーカップ40が、X方向に沿って複数個配置されている。このファラデーカップ40は、Y方向において各プラズマ生成容器U11、U21より引き出された2本のイオンビーム19を覆うほど大きく、X方向において2本のイオンビーム19の一端から他端を覆うように複数個配置されている。このビーム電流計測器25での計測結果が、図9に記載のビーム電流計測器25の紙面右側に描かれている。この計測結果において、縦軸はビーム電流計測器25上の位置を表し、横軸はビーム電流密度の大きさを表す。各イオンビーム19のビーム電流密度分布に着目すると、イオンビーム19の中央部近傍でのビーム電流密度は大きく、端部に行くに従ってなだらかな分布となる。この例では、プラズマ生成容器U11とプラズマ生成容器U21から引き出された各イオンビーム19のX方向における端部は、Y方向から見たときに重なっている。この重なり部分は、計測結果にAとして示される領域に位置しており、この領域において、各イオンビーム19によるビーム電流密度分布は、破線で示されるようになだらかに減少しているが、ここでは各イオンビーム19の電流密度が重ね合わされて、実線で記載されているようなビーム電流密度分布が計測される。図10A、図10Bを用いて、所望するビーム電流密度分布を得るための手法について、簡単に説明する。図10Aには、ビーム電流計測器25で計測されたビーム電流密度分布が描かれている。ここでは、ビーム電流密度の値がH±αであって、X方向における幅がWのイオンビーム19を用いて、基板23へのイオン注入を行うことを想定している。この場合、図示されるCとDの領域では、ビーム電流密度の値がHαの範囲を超えている。その為、この領域でのビーム電流密度を減らさなければならない。この場合、例えば、制御装置26によって、フィラメント電源VFが制御され、フィラメント2に流れる電流量が減少させられる。電流量が減少すると、プラズマ3の濃度が薄くなるので、プラズマ生成容器1より引き出されるイオンビーム19のビーム量が減少する。その結果、図10Bに示すように、ビーム電流密度分布が全体的に減少し、所定の範囲内を満たすようになる。ここでは、フィラメント電源VFを調整する制御例を述べたが、これ以外に、前述したイオン源8に備えられたアーク電源VCやプラズマ生成容器に導入されるガス流量等を制御するようにしても良い。また、制御対象としては、予め順番を決めておき、その順番を制御装置26内に記憶させておいて、所定の順番に従って、制御対象を制御していくようにすることが考えられる。この場合、制御する順番は、所望する範囲と計測されたビーム電流密度分布との差で決定されるようにしても良い。例えば、差が大きい場合には、粗い調整に適したパラメーター少しの調整で、大きくビーム電流密度分布が変動するパラメーターの調整を行うようにし、差が小さくなった場合には、細かい調整に適したパラメーター調整量が多くても、ほとんどビーム電流密度分布が変動しないパラメーターの調整を行うようにして、調整対象とする運転パラメーターの順番が決定されるようにしても良い。一方、制御装置26を設けずに、イオン注入装置IMの操作者オペレーターが手動で調整できるようにしておいても良い。その場合、ビーム電流計測器25による計測結果を映し出すモニターを用意しておき、このモニターを見ながら、計測されたビーム電流密度分布が所望の範囲内に入るように、操作者が調整できるように構成しておくことが考えられる。また、ビーム電流計測器25の構成としては、複数本のイオンビーム19を一括して計測する構成ではなく、個々のイオンビーム19を個別に計測できるように、各イオンビーム19に対して個別にビーム電流計測器25を設けておいても良い。その場合、計測結果は、後で足し合わせが行われるようにしておけば良い。図11Aと図11Bは、図8に記載の分析電磁石20の一例である。図11Aには分析電磁石20の断面の様子が描かれている。分析電磁石20は、ヨーク28を備えており、ヨーク28には、X方向における磁極間距離ギャップの異なる第一の磁極対29と第二の磁極対30が設けられている。Y方向において、X方向に対向配置された第一の磁極対29と第二の磁極対30の両磁極を覆うようにコイル15が巻回されており、この例では、紙面上側に配置された各磁極対より紙面下側に配置された各磁極対に向けて、磁場が生成されている。また、第一の磁極対29と第二の磁極対30は、モーター等からなる磁極駆動機構39によって、独立して磁極間距離の変更ができるように構成されている。第一の磁極対29間には、図8に記載のプラズマ生成容器U11から引き出されたイオンビーム19が通過し、同様に、第二の磁極対30間には、図8に記載のプラズマ生成容器U21から引き出されたイオンビーム19が通過する。また、Y方向において、各イオンビーム19のビーム経路を電位的に分離するように、導電性部材31が設けられている。各プラズマ生成容器U11、U21から引き出されたイオンビーム19の旋回半径は、所望するイオン種とイオンビームのエネルギーが同じである場合、分析電磁石20での旋回半径が同一となる。分析電磁石20と基板23までの距離等にもよるが、旋回半径が同一である場合、各イオンビーム19の経路が交差してしまう恐れがある。また、各イオンビーム19による基板23への入射角度の差が大きくなると、基板上に製造されるデバイスの特性が場所によって大きく異なってしまう。その為、各プラズマ生成容器U11、U21から引き出されたイオンビーム19の旋回半径を異ならせ、出来るだけ両イオンビーム19の軌道が平行となるように調整することが望まれる。図8の場合、各イオンビーム19は分析電磁石20で時計回りに旋回させられるので、外側を旋回する図11AでY方向側に位置するイオンビーム19プラズマ生成容器U11より引き出されたイオンビーム19の旋回半径を、内側を旋回する他方のイオンビーム19プラズマ生成容器U21より引き出されたイオンビーム19の旋回半径よりも大きくしておく必要がある。イオンビーム19のイオン種とエネルギーが同じ場合、イオンビーム19を旋回させる磁場の強度に応じて、旋回半径は異なる。磁場の強度は、磁極間距離が広がるのに従って弱くなるので、この例では第一の磁極対29の磁極間距離を第二の磁極対30の磁極間距離よりも広くしている。磁極間距離の大小関係については、上記した通りであるが、各磁極間距離の間隔をどのように設定するかは、分析電磁石20と基板23までの距離、基板23上に製造されるデバイスの特性等の諸条件に応じて、適宜、設定される。このように各磁極間距離を異ならせることで、第一の磁極対29で発生する第一の磁場B1を第二の磁極対30で発生する第二の磁場B2よりも弱くすることができ、磁極間距離の設定次第では、各イオンビーム19のビーム経路をほぼ平行にすることができる。ここでは、分析電磁石20において、外側を旋回するイオンビーム19の旋回半径を、内側を旋回する他方のイオンビーム19の旋回半径よりも大きくする為に、外側を旋回するイオンビーム19が通過する磁極間の距離を他方のイオンビーム19が通過する磁極間の距離よりも広げる旨の表現を用いたが、これを換言すると、次のように表現することができる。分析電磁石20の内部をイオンビームが通過する距離が長くなるほど、分析電磁石20に形成された各磁極間の距離は広がるように構成されている。つまり、分析電磁石20内部で、外側を通過するイオンビーム19ほど、分析電磁石20内を通過する距離は長くなる。反対に、分析電磁石20内部で、内側を通過するイオンビーム19ほど、分析電磁石20内を通過する距離は短くなる。その為、内側、外側という表現に代えて、イオンビーム19が分析電磁石20内を通過する距離という表現を用いることができる。磁極29と磁極30のY方向における幅は、そこを通過するイオンビーム19の同方向における寸法に比べて、十分に広くしておく。また、磁極間を通過するイオンビーム19は、Y方向において各磁極の中央部分を通過するように構成しておくことが望まれる。これは、Y方向において隣り合う磁極間に配置された磁極端部では、磁場同士が干渉して磁場分布に歪みが生じて、イオンビーム19の質量分析に支障を来す恐れがある為である。このような理由から、上記したように磁極寸法と磁極間を通過するイオンビームの通過位置を設定することが望ましい。図11Bには、X方向から分析電磁石20を見たときの様子が描かれている。この図で、分析電磁石20の内側領域に記載の一点鎖線は第一の磁極対29と第二の磁極対30の外形を表し、実線は所望するイオンビーム19の軌道を表す。そして、破線は導電性部材31を表している。この図を見れば理解できるように、第一の磁極対29の幅と第二の磁極対30の幅は、それぞれイオンビーム19のビーム経路に沿って同一である。なお、図11Bに記載のX軸、Y軸、Z軸は、分析電磁石20の出口紙面右側での方向を示しており、分析電磁石20内部では、X軸の方向を除いて、これらの方向は適宜変更される。図12A、図12Bには、図8に記載の遮蔽手段27の一例が記載されている。ここに示されているように、例えば、遮蔽手段27は、各プラズマ生成容器U11、U21より引き出されたイオンビーム19に対して、個別に設けられている。この遮蔽手段27は、各イオンビーム19をその短辺方向Y方向より挟むように対向配置された一対の遮蔽部材34を備えており、対を成す遮蔽部材34はイオンビーム19の長辺方向X方向に沿って複数配置されている。個々の遮蔽部材34には、支持軸33が連結されており、この支持軸33が遮蔽部材駆動機構32により図示される矢印の方向に、独立して移動させられることで、イオンビーム19の一部を遮蔽して、ビーム電流密度分布の調整が行われる。遮蔽部材駆動機構32としては、例えば、動力源として複数のモーターを有し、個々の支持軸33を個別に駆動させる機構で構成されるものが考えられる。図12Bには、遮蔽手段27をY方向から見たときの様子が描かれている。この図に描かれているように、複数の遮蔽部材34は、X方向に沿って、Z方向における位置が交互に異なるように、千鳥状に配置されている。このような配置にしておくと、イオンビーム19の電流密度分布をX方向全域に渡って、切れ目無く調整することができる。図13には、図8に記載の基板駆動機構24の一例が描かれている。基板駆動機構24は、基板23を支持する基板ホルダ38を備えており、基板ホルダ38の下方端面X方向側に位置する端面と下方端面よりZ方向に沿って延設された下方端部は、4つの回転体37によって支持されている。基板ホルダ38の下方端面を支持する2つの回転体37は、処理室22上に配置された支持台41に取り付けられた支持軸36によって、図示される矢印の方向へ回動可能に支持されている。基板ホルダ38の下方端部のZ方向側を支持する回転体37は、処理室22上に設けられた支持軸36によって図示される矢印の方向へ回動可能に支持されている。一方、下方端部のZ方向反対側を支持する回転体37は、真空シール35を介して処理室22の外側に設けられた駆動源42モーターの回転軸43に固定されており、駆動源42によって回転軸43が回転されることで、回転軸43と一体となって図示される矢印の方向へ回転させられる。これによって、基板ホルダ38をY方向へ移動させることができる。なお、図示は省略しているが、上記した4つの回転体37を有する基板ホルダ38の支持機構は、Y方向に沿って、複数設けられている。図14には、基板23上に、各プラズマ生成容器U11、U21から引き出されたイオンビーム19が照射される様子が描かれている。基板23はY方向に沿って2本のイオンビーム19と交差する方向この例では、Y方向に移動されるので、これによって基板23の全面へのイオン注入が達成される。<その他変形例>図8の例では、プラズマ生成容器U11とプラズマ生成容器U21のZ方向における位置を同一にしていた。その場合、各プラズマ生成容器から引き出されたイオンビーム19が基板に照射されるまでのビーム経路の距離が異なる。ビーム経路の距離が異なると、各イオンビーム19が受ける空間電荷効果の影響が異なるので、基板23に照射されるイオンビーム19の形状に差が生じてしまう。また、図8の例では、プラズマ生成容器の個数は2つであるが、Y方向に配置するプラズマ生成容器の数が増えるほど、各イオンビーム19のビーム輸送距離の差が大きくなってしまう。基板23に照射されるイオンビーム19の形状がほぼ同一であれば、各イオンビーム19のビーム電流密度分布の制御を容易に行うことができる。これは、1本のイオンビームの電流密度分布を調整して得られた結果を用いて、別のイオンビームの電流密度分布の調整が行うことが期待できるからである。その為、図15に描かれているように各プラズマ生成容器U11、U21のイオンビーム19の進行方向における位置を異ならせて、各プラズマ生成容器U11、U21から基板23にイオンビーム19が照射されるまでの距離L1とL2が同じ距離となるようにしておく。このような構成を用いると、基板23への照射位置で、各プラズマ生成容器U11、U21より引き出されたイオンビーム19の形状をほぼ同一にすることができる。前述した以外に、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行っても良いのはもちろんである。