"露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、前記基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第1保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、前記第1部材、及び前記間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部をクリーニングするクリーニング装置と、を備える露光装置。前記間隙の下方に位置する部材は、流体を回収可能な回収口を有する請求項1に記載の露光装置。前記基板保持装置は、前記間隙の下方に位置する部材を有する請求項1又は2に記載の露光装置。前記クリーニング装置は、前記第1面が対向可能な位置に配置され、クリーニング液体を供給する第1供給口を有する請求項1~3のいずれか一項に記載の露光装置。前記第1供給口は、前記基板保持装置に対して移動可能な第1可動部材に配置される請求項4に記載の露光装置。前記光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、前記基板の露光において前記基板との間で前記露光液体の液浸空間を形成する液浸部材を備え、前記第1供給口は、前記液浸部材に配置される請求項4に記載の露光装置。少なくとも前記第1供給口から前記クリーニング液体が供給されるときに、前記第1保持部にダミー基板が保持され、前記ダミー基板の上面と前記第1面との間の間隙上に前記クリーニング液体の液浸空間の少なくとも一部が形成されるように、前記液浸部材の下面と前記ダミー基板の上面及び前記第1面の少なくとも一方とが対向する状態で、前記第1供給口から前記クリーニング液体を供給する請求項6に記載の露光装置。前記間隙の下方に位置する部材は、多孔部材を含む請求項1~7のいずれか一項に記載の露光装置。露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、前記基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第1保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、前記基板が前記第1保持部に保持されている状態において前記基板と前記第1部材との間に少なくとも一部が配置され、多孔部材を含む第2部材と、前記光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、前記基板の露光において前記基板との間で前記露光液体の液浸空間を形成する液浸部材と、前記液浸部材と前記第2部材との間にクリーニング液体の液浸空間の少なくとも一部が形成されるように、前記クリーニング液体を供給する第1供給口と、を備える露光装置。少なくとも前記第1供給口から前記クリーニング液体が供給されるときに、前記第1保持部にダミー基板が保持され、前記ダミー基板と前記第1部材との間の間隙に前記第2部材の少なくとも一部が配置された状態で、前記第1供給口から前記クリーニング液体を供給する請求項9に記載の露光装置。前記第2部材上に前記クリーニング液体の液浸空間の少なくとも一部が形成されるように、前記液浸部材の下面と前記ダミー基板の上面及び前記第1面の少なくとも一方とが対向する状態で、前記第1供給口から前記クリーニング液体を供給する請求項9又は10に記載の露光装置。前記第1供給口は、前記液浸部材に配置される請求項9~11のいずれか一項に記載の露光装置。前記第2部材が有する回収口は、前記第1供給口から供給された前記クリーニング液体の少なくとも一部を回収する請求項9~12のいずれか一項に記載の露光装置。前記第1供給口は、前記基板の露光において、前記露光液体の供給及び回収の一方又は両方を行う請求項9~13のいずれか一項に記載の露光装置。前記基板保持装置は、前記基板の上面と前記第1面との間の間隙に通じる空間部と、前記空間部に配置され、クリーニング液体を供給可能な第2供給口と、を有する請求項9~14のいずれか一項に記載の露光装置。露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、前記基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第1保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、前記基板と前記第1面との間の間隙に通じる空間部に配置され、流体を回収可能な回収口を有する第2部材と、前記空間部に配置され、クリーニング液体を供給する第2供給口と、を備える露光装置。前記第2部材が有する回収口は、前記第2供給口から供給された前記クリーニング液体の少なくとも一部を回収する請求項16に記載の露光装置。少なくとも前記第2供給口から前記クリーニング液体が供給されるときに、前記第1保持部にダミー基板が保持され、前記第2供給口から供給された前記クリーニング液体の少なくとも一部は、前記ダミー基板と前記第1部材との間の間隙を介して、前記ダミー基板の上面及び前記第1面の少なくとも一方が面する空間に流れる請求項16又は17に記載の露光装置。前記ダミー基板と前記第1部材との間の間隙に前記第2部材の少なくとも一部が配置された状態で、前記第2供給口から前記クリーニング液体を供給する請求項18に記載の露光装置。前記クリーニング装置は、クリーニング光を射出する射出部を有する請求項1~19のいずれか一項に記載の露光装置。露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、前記基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第1保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、前記第1部材、及び前記間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部にクリーニング光を照射する射出部と、を備える露光装置。前記間隙の下方に位置する部材は、流体を回収可能な回収口を有する請求項21に記載の露光装置。前記基板保持装置は、前記間隙の下方に位置する部材を有する請求項21又は22に記載の露光装置。前記射出部は、前記第1面が対向可能な位置に配置される請求項20~23のいずれか一項に記載の露光装置。前記射出部は、前記基板保持装置に対して移動可能な第2可動部材に配置される請求項20~24のいずれか一項に記載の露光装置。少なくとも前記射出部から前記クリーニング光が射出されるときに、前記第1保持部にダミー基板が保持され、前記射出部から射出された前記クリーニング光は、前記ダミー基板が有する反射面を介して照射される請求項20~25のいずれか一項に記載の露光装置。前記ダミー基板と前記第1部材との間の間隙に前記第2部材の少なくとも一部が配置された状態で、前記射出部から前記クリーニング光を射出する請求項20~26のいずれか一項に記載の露光装置。前記射出部は、前記基板の上面と前記第1面との間の間隙に通じる空間部に配置される請求項20~27のいずれか一項に記載の露光装置。前記間隙の下方に位置する部材の少なくとも一部は、前記基板の露光において前記基板と前記第1部材との間の間隙に配置される請求項20~28のいずれか一項に記載の露光装置。前記第1部材の表面、及び前記間隙の下方に位置する部材の表面の少なくとも一部に接触するクリーニング部材を有する請求項1~28のいずれか一項に記載の露光装置。露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、前記基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第1保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、前記第1部材、前記間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部に接触するクリーニング部材と、を備える露光装置。前記間隙の下方に位置する部材は、流体を回収可能な回収口を有する請求項31に記載の露光装置。前記基板保持装置は、前記間隙の下方に位置する部材を有する請求項31又は32に記載の露光装置。前記クリーニング部材は、前記第1面が対向可能な位置に配置される請求項31~33のいずれか一項に記載の露光装置。前記クリーニング部材は、前記基板保持装置に対して移動可能である請求項31~334のいずれか一項に記載の露光装置。前記クリーニング部材は、異物を吸引する吸引口を有する請求項31~35のいずれか一項に記載の露光装置。前記間隙の下方に位置する部材の少なくとも一部は、前記基板の露光において前記基板と前記第1部材との間の間隙に配置される請求項31~36のいずれか一項に記載の露光装置。前記第1保持部の周囲に配置され、前記第1部材をリリース可能に保持する第2保持部を備える請求項1~37のいずれか一項に記載の露光装置。請求項1~38のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、前記露光装置は、前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、前記基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第1保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、を備え、前記第1部材、及び前記間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部をクリーニングすることを含むクリーニング方法。前記間隙の下方に位置する部材は、流体を回収可能な回収口を有する請求項40に記載のクリーニング方法。前記基板保持装置は、前記間隙の下方に位置する部材を有する請求項40又は41に記載のクリーニング方法。露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、前記露光装置は、前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、前記基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第1保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、前記基板が前記第1保持部に保持されている状態において前記基板と前記第1面を有する第1部材との間に少なくとも一部が配置され、多孔部材を含む第2部材と、前記光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、前記基板の露光において前記基板との間で前記露光液体の液浸空間を形成する液浸部材と、を備え、前記液浸部材と前記第2部材との間にクリーニング液体の液浸空間を形成することを含むクリーニング方法。露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、前記露光装置は、前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、前記基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第1保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、前記基板と前記第1面との間の間隙に通じる空間部に配置され、流体を回収可能な回収口を有する第2部材と、を備え、前記空間部にクリーニング液体を供給することを含むクリーニング方法。露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、前記露光装置は、前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、前記基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第1保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、を備え、前記第1部材、及び前記間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部にクリーニング光を照射することを含むクリーニング方法。前記間隙の下方に位置する部材は、流体を回収可能な回収口を有する請求項45に記載のクリーニング方法。前記基板保持装置は、前記間隙の下方に位置する部材を有する請求項45又は46に記載のクリーニング方法。露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、前記露光装置は、前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、前記基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第1保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、を備え、前記第1部材、及び前記間隙の下方に位置する部材の少なくとも一部にクリーニング部材を接触させることを含むクリーニング方法。前記間隙の下方に位置する部材は、流体を回収可能な回収口を有する請求項48に記載のクリーニング方法。前記基板保持装置は、前記間隙の下方に位置する部材を有する請求項48又は49に記載のクリーニング方法。請求項40~50のいずれか一項に記載のクリーニング方法でクリーニングされた露光装置を用いて基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。コンピュータに、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、前記露光装置は、前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、前記基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第1保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、を備え、前記第1部材、及び前記間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部をクリーニングすることを実行させるプログラム。コンピュータに、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、前記露光装置は、前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、前記基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第1保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、前記基板が前記第1保持部に保持されている状態において前記基板と前記第1面を有する第1部材との間に少なくとも一部が配置され、多孔部材を含む第2部材と、前記光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、前記基板の露光において前記基板との間で前記露光液体の液浸空間を形成する液浸部材と、を備え、前記液浸部材と前記第2部材との間にクリーニング液体の液浸空間を形成することを実行させるプログラム。コンピュータに、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、前記露光装置は、前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、前記基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第1保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、前記基板と前記第1面との間の間隙に通じる空間部に配置され、流体を回収可能な回収口を有する第2部材と、を備え、前記空間部にクリーニング液体を供給することを実行させるプログラム。コンピュータに、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、前記露光装置は、前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、前記基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第1保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、を備え、前記第1部材、及び前記間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部にクリーニング光を照射することを実行させるプログラム。コンピュータに、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、前記露光装置は、前記露光光が射出される射出面を有する光学部材と、前記基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、前記基板が配置可能な開口を規定し、前記基板が前記第1保持部に保持されている状態において前記基板の上面の周囲に配置され、前記基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、を備え、前記第1部材、及び前記間隙の下方に位置する部材の少なくとも一部にクリーニング部材を接触させることを実行させるプログラム。請求項52~56のいずれか一項に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。液浸露光装置において、例えば基板ステージが汚染されていると、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置及びクリーニング方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体を提供することを目的とする。本発明の第1の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第1保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、第1部材、及び間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部をクリーニングするクリーニング装置と、を備える露光装置が提供される。本発明の第2の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第1保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、基板が第1保持部に保持されている状態において基板と第1部材との間に少なくとも一部が配置され、多孔部材を含む第2部材と、光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、基板の露光において基板との間で露光液体の液浸空間を形成する液浸部材と、液浸部材と第2部材との間にクリーニング液体の液浸空間の少なくとも一部が形成されるように、クリーニング液体を供給する第1供給口と、を備える露光装置が提供される。本発明の第3の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第1保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、基板と第1面との間の間隙に通じる空間部に配置され、流体を回収可能な回収口を有する第2部材と、空間部に配置され、クリーニング液体を供給する第2供給口と、を備える露光装置が提供される。本発明の第4の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第1保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、第1部材、及び間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部にクリーニング光を照射する射出部と、を備える露光装置が提供される。本発明の第5の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第1保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、第1部材、間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部に接触するクリーニング部材と、を備える露光装置が提供される。本発明の第6の態様に従えば、第1~第5のいずれか一つの態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。本発明の第7の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第1保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、を備え、第1部材、及び間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部をクリーニングすることを含むクリーニング方法が提供される。本発明の第8の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第1保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、基板が第1保持部に保持されている状態において基板と第1面を有する第1部材との間に少なくとも一部が配置され、多孔部材を含む第2部材と、光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、基板の露光において基板との間で露光液体の液浸空間を形成する液浸部材と、を備え、液浸部材と第2部材との間にクリーニング液体の液浸空間を形成することを含むクリーニング方法が提供される。本発明の第9の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第1保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、基板と第1面との間の間隙に通じる空間部に配置され、流体を回収可能な回収口を有する第2部材と、を備え、空間部にクリーニング液体を供給することを含むクリーニング方法が提供される。本発明の第10の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第1保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、を備え、第1部材、及び間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部にクリーニング光を照射することを含むクリーニング方法が提供される。本発明の第11の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のクリーニング方法であって、露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第1保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、を備え、第1部材、及び間隙の下方に位置する部材の少なくとも一部にクリーニング部材を接触させることを含むクリーニング方法が提供される。本発明の第12の態様に従えば、第7~第11のいずれか一つの態様のクリーニング方法でクリーニングされた露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。本発明の第13の態様に従えば、コンピュータに、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第1保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、を備え、第1部材、及び間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部をクリーニングすることを実行させるプログラムが提供される。本発明の第14の態様に従えば、コンピュータに、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第1保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、基板が第1保持部に保持されている状態において基板と第1面を有する第1部材との間に少なくとも一部が配置され、多孔部材を含む第2部材と、光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、基板の露光において基板との間で露光液体の液浸空間を形成する液浸部材と、を備え、液浸部材と第2部材との間にクリーニング液体の液浸空間を形成することを実行させるプログラムが提供される。本発明の第15の態様に従えば、コンピュータに、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第1保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、基板と第1面との間の間隙に通じる空間部に配置され、流体を回収可能な回収口を有する第2部材と、を備え、空間部にクリーニング液体を供給することを実行させるプログラムが提供される。本発明の第16の態様に従えば、コンピュータに、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第1保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、を備え、第1部材、及び間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部にクリーニング光を照射することを実行させるプログラムが提供される。本発明の第17の態様に従えば、コンピュータに、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置の制御を実行させるプログラムであって、露光装置は、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第1保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、を備え、第1部材、及び間隙の下方に位置する部材の少なくとも一部にクリーニング部材を接触させることを実行させるプログラムが提供される。本発明の第18の態様に従えば、第13~第17のいずれか一つの態様のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向すなわち鉛直方向をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転傾斜方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。<第1実施形態>第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る露光装置EXの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置EXは、液体LQを介して露光光ELで基板Pを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、露光光ELの光路の少なくとも一部が液体LQで満たされるように液浸空間LSが形成される。液浸空間とは、液体で満たされた部分空間、領域をいう。基板Pは、液浸空間LSの液体LQを介して露光光ELで露光される。本実施形態においては、液体LQとして、水純水を用いる。また、本実施形態の露光装置EXは、例えば米国特許第6897963号明細書、及び欧州特許出願公開第1713113号明細書等に開示されているような、基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置である。図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージ1と、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ2と、基板Pを保持せずに、露光光ELを計測する計測部材C及び計測器を搭載して移動可能な計測ステージ3と、マスクステージ1を移動する駆動システム4と、基板ステージ2を移動する駆動システム5と、計測ステージ3を移動する駆動システム6と、マスクMを露光光ELで照明する照明系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影光学系PLと、露光光ELの光路の少なくとも一部が液体LQで満たされるように液浸空間LSを形成可能な液浸部材7と、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置8と、制御装置8に接続され、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置8Rとを備えている。記憶装置8Rは、例えばRAM等のメモリ、ハードディスク、CD-ROM等の記録媒体を含む。記憶装置8Rには、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステムOSがインストールされ、露光装置EXを制御するためのプログラムが記憶されている。また、露光装置EXは、マスクステージ1、基板ステージ2、及び計測ステージ3の位置を計測する干渉計システム11と、検出システム300とを備えている。検出システム300は、基板Pのアライメントマークを検出するアライメントシステム302と、基板Pの上面表面Paの位置を検出する表面位置検出システム303とを含む。なお、検出システム300が、例えば米国特許出願公開第2007/0288121号明細書に開示されているような、基板ステージ2の位置を検出するエンコーダシステムを備えてもよい。マスクMは、基板Pに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクMは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクMとして、反射型マスクを用いることもできる。基板Pは、デバイスを製造するための基板である。基板Pは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材フォトレジストの膜である。また、基板Pが、感光膜に加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Pが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜トップコート膜を含んでもよい。また、露光装置EXは、露光光ELが進行する空間102の環境温度、湿度、圧力、及びクリーン度の少なくとも一つを調整するチャンバ装置103を備えている。チャンバ装置103は、空間102を形成するチャンバ部材104と、その空間102の環境を調整する空調システム105とを有する。空間102は、空間102A及び空間102Bを含む。空間102Aは、基板Pが処理される空間である。基板ステージ2及び計測ステージ3は、空間102Aを移動する。空調システム105は、空間102A、102Bに気体を供給する給気部105Sを有し、その給気部105Sから空間102A、102Bに気体を供給して、その空間102A、102Bの環境を調整する。本実施形態においては、少なくとも基板ステージ2、計測ステージ3、及び投影光学系PLの終端光学素子12が空間102Aに配置される。照明系ILは、所定の照明領域IRに露光光ELを照射する。照明領域IRは、照明系ILから射出される露光光ELが照射可能な位置を含む。照明系ILは、照明領域IRに配置されたマスクMの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ELで照明する。照明系ILから射出される露光光ELとして、例えば水銀ランプから射出される輝線g線、h線、i線及びKrFエキシマレーザ光波長248nm等の遠紫外光DUV光、ArFエキシマレーザ光波長193nm、及びF2レーザ光波長157nm等の真空紫外光VUV光等が用いられる。本実施形態においては、露光光ELとして、紫外光真空紫外光であるArFエキシマレーザ光を用いる。マスクステージ1は、マスクMを保持した状態で、照明領域IRを含むベース部材9のガイド面9G上を移動可能である。駆動システム4は、ガイド面9G上でマスクステージ1を移動するための平面モータを含む。平面モータは、例えば米国特許第6452292号明細書に開示されているような、マスクステージ1に配置された可動子と、ベース部材9に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、マスクステージ1は、駆動システム4の作動により、ガイド面9G上において、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。投影光学系PLは、所定の投影領域PRに露光光ELを照射する。投影領域PRは、投影光学系PLから射出される露光光ELが照射可能な位置を含む。投影光学系PLは、投影領域PRに配置された基板Pの少なくとも一部に、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系PLは、その投影倍率が例えば1/4、1/5、又は1/8等の縮小系である。なお、投影光学系PLは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系PLの光軸は、Z軸と平行である。また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。基板ステージ2は、投影光学系PLから射出される露光光ELが照射可能な位置投影領域PRに移動可能である。基板ステージ2は、基板Pを保持した状態で、投影領域PRを含むベース部材10のガイド面10G上を移動可能である。計測ステージ3は、投影光学系PLから射出される露光光ELが照射可能な位置投影領域PRに移動可能である。計測ステージ3は、計測部材Cを保持した状態で、投影領域PRを含むベース部材10のガイド面10G上を移動可能である。基板ステージ2と計測ステージ3とは、ガイド面10G上を独立して移動可能である。基板ステージ2を移動するための駆動システム5は、ガイド面10G上で基板ステージ2を移動するための平面モータを含む。平面モータは、例えば米国特許第6452292号明細書に開示されているような、基板ステージ2に配置された可動子と、ベース部材10に配置された固定子とを有する。同様に、計測ステージ3を移動するための駆動システム6は、平面モータを含み、計測ステージ3に配置された可動子と、ベース部材10に配置された固定子とを有する。本実施形態において、基板ステージ2は、基板Pの下面Pbをリリース可能に保持する第1保持部31と、基板Pが配置可能な開口Thを規定し、基板Pが第1保持部31に保持されている状態において基板Pの上面Paの周囲に配置される上面とを有する。本実施形態において、基板ステージ2は、例えば米国特許出願公開第2007/0177125号明細書、米国特許出願公開第2008/0049209号明細書等に開示されているような、第1保持部31の周囲に配置され、カバー部材Tの下面Tbをリリース可能に保持する第2保持部32を有する。カバー部材Tは、第1保持部31に保持された基板Pの周囲に配置される。本実施形態においては、カバー部材Tが、第1保持部31に保持された基板Pが配置される開口Thを有する。本実施形態においては、カバー部材Tが上面2Uを有する。本実施形態において、第1保持部31は、基板Pの上面PaとXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。第2保持部32は、カバー部材Tの上面2UとXY平面とがほぼ平行となるように、カバー部材Tを保持する。本実施形態において、第1保持部31に保持された基板Pの上面Paと第2保持部32に保持されたカバー部材Tの上面2Uとは、ほぼ同一平面内に配置されるほぼ面一である。なお、カバー部材Tは、基板ステージ2に一体的に形成されていてもよい。例えば、基板ステージ2の少なくとも一部の部材が上面2Uを有してもよい。本実施形態において、計測ステージ3は、計測部材Cをリリース可能に保持する第3保持部33と、第3保持部33の周囲に配置され、カバー部材Qをリリース可能に保持する第4保持部34とを有する。第3,第4保持部33,34は、ピンチャック機構を有する。カバー部材Qは、第3保持部33に保持された計測部材Cの周囲に配置される。なお、第3保持部33及び第4保持部34の少なくとも一方で使用される保持機構はピンチャック機構に限られない。また、計測部材C及びカバー部材Qの少なくとも一方は、計測ステージ3に一体的に形成されていてもよい。本実施形態において、第3保持部33は、計測部材Cの上面とXY平面とがほぼ平行となるように、計測部材Cを保持する。第4保持部34は、カバー部材Qの上面とXY平面とがほぼ平行となるように、カバー部材Qを保持する。本実施形態において、第3保持部33に保持された計測部材Cの上面と第4保持部34に保持されたカバー部材Qの上面とは、ほぼ同一平面内に配置されるほぼ面一である。ここで、以下の説明において、第2保持部32に保持されたカバー部材Tの上面2Uを適宜、基板ステージ2の上面2U、と称し、第3保持部33に保持された計測部材Cの上面及び第4保持部34に保持されたカバー部材Qの上面を合わせて適宜、計測ステージ3の上面3U、と称する。干渉計システム11は、マスクステージ1の位置を計測するレーザ干渉計ユニット11Aと、基板ステージ2及び計測ステージ3の位置を計測するレーザ干渉計ユニット11Bとを含む。レーザ干渉計ユニット11Aは、マスクステージ1に配置された計測ミラー1Rを用いて、マスクステージ1の位置を計測可能である。レーザ干渉計ユニット11Bは、基板ステージ2に配置された計測ミラー2R、及び計測ステージ3に配置された計測ミラー3Rを用いて、基板ステージ2及び計測ステージ3それぞれの位置を計測可能である。アライメントシステム302は、基板Pのアライメントマークを検出して、その基板Pのショット領域Sの位置を検出する。アライメントシステム302は、基板ステージ2基板Pが対向可能な下面を有する。基板ステージ2の上面2U、及び基板ステージ2に保持されている基板Pの上面表面Paは、-Z方向を向くアライメントシステム302の下面と対向可能である。表面位置検出システム303は、例えばオートフォーカスレベリングシステムとも呼ばれ、基板ステージ2に保持された基板Pの上面表面Paに検出光を照射して、その基板Pの上面Paの位置を検出する。表面位置検出システム303は、基板ステージ2基板Pが対向可能な下面を有する。基板ステージ2の上面2U、及び基板ステージ2に保持されている基板Pの上面Paは、-Z方向を向く表面位置検出システム303の下面と対向可能である。基板Pの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置8は、干渉計システム11の計測結果、及び検出システム300の検出結果に基づいて、駆動システム4,5,6を作動し、マスクステージ1マスクM、基板ステージ2基板P、及び計測ステージ3を含むプレート状の部材である。なお、開口7Pに、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。本実施形態において、多孔部材19は、基板P物体が対向可能な下面19Hと、下面19Hの反対方向を向く上面19Uと、上面19Uと下面19Hとを結ぶ複数の孔とを有する。下面19Hは、保持面7Hの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材7の下面14の少なくとも一部は、保持面7H及び下面19Hを含む。本実施形態において、回収口16は、多孔部材19の孔を含む。本実施形態において、基板P物体上の液体LQは、多孔部材19の孔回収口16を介して回収される。なお、多孔部材19が配置されなくてもよい。回収口16は、流路20を介して、液体回収装置21と接続されている。液体回収装置21は、回収口16を真空システムに接続可能であり、回収口16を介して液体LQを吸引可能である。流路20は、液浸部材7の内部に形成された回収流路20R、及びその回収流路20Rと液体回収装置21とを接続する回収管で形成される流路を含む。回収口16から回収された液体LQは、流路20を介して、液体回収装置21に回収される。本実施形態においては、制御装置8は、供給口15からの液体LQの供給動作と並行して、回収口16からの液体LQの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子12及び液浸部材7と、他方側の物体との間に液体LQで液浸空間LSを形成可能である。なお、液浸部材7として、例えば米国特許出願公開第2007/0132976号明細書、欧州特許出願公開第1768170号明細書に開示されているような液浸部材ノズル部材を用いることができる。図2及び図3に示すように、カバー部材Tは、基板Pの上面Paと間隙Gaを介して隣接する上面Taを有する。間隙Gaは、第1保持部31に保持された基板Pと第2保持部32に保持されたカバー部材Tとの間の間隙を含む。基板ステージ2は、少なくとも一部が基板Pとカバー部材T基板ステージ2との間の間隙Gaに配置される多孔部材80を備えている。多孔部材80の少なくとも一部は、間隙Gaの下方に位置する。本実施形態において、間隙Gaに流入する液体LQの少なくとも一部は、多孔部材80を介して回収される。本実施形態において、多孔部材80は、射出面13及び下面14の少なくとも一方が対向可能な上面80Aと、第1保持部31に保持された基板Pの側面Pcが対向可能な第1側面80Bと、第2保持部32に保持されたカバー部材Tの内面Tcが対向可能な第2側面80Cとを有する。基板Pの側面Pcは、基板Pの上面Paと、上面Paの反対方向を向く基板Pの下面Pbとを結ぶ。カバー部材Tの内面Tcは、カバー部材Tの上面Taと、上面Taの反対方向を向くカバー部材Tの下面Tbとを結ぶ。カバー部材Tの上面Taは、基板ステージ2の上面2Uを含む。多孔部材80が配置されない状態において、基板Pの側面Pcとカバー部材Tの内面Tcとは、対向可能である。本実施形態において、多孔部材80は、例えばチタン製である。多孔部材80は、例えば焼結法により形成可能である。本実施形態において、多孔部材80の上面80Aは、液体LQに対して撥液性である。本実施形態において、液体LQに対する上面80Aの接触角は、例えば90度よりも大きい。液体LQに対する上面80Aの接触角は、例えば100度以上でもよいし、110度以上でもよい。本実施形態においては、多孔部材80の上面80Aに、フッ素を含む撥液性の材料がコーティングされている。すなわち、上面80Aに、撥液性の材料を含む膜80Fが配置されている。撥液性の材料は、例えばPFATetrafluoroethyleneperfluoroalkylvinylethercopolymerでもよいし、PTFEPolytetrafluoroethyleneでもよいし、PEEKpolyetheretherketoneでもよいし、テフロン登録商標でもよい。本実施形態において、液体LQに対する多孔部材80の上面80Aの接触角は、第1側面80Bの接触角よりも大きい。また、本実施形態において、液体LQに対する多孔部材80の上面80Aの接触角は、第2側面80Cの接触角よりも大きい。なお、液体LQに対する多孔部材80の上面80Aの接触角は、第1側面80Bの接触角よりも小さくてもよいし、第1側面80Bの接触角とほぼ同じでもよい。なお、液体LQに対する多孔部材80の上面80Aの接触角は、第2側面80Cの接触角よりも小さくてもよいし、第2側面80Cの接触角とほぼ同じでもよい。本実施形態において、液体LQに対する基板Pの上面Paの接触角、及びカバー部材Tの上面Taの接触角は、第1側面80Bの接触角よりも大きい。また、本実施形態において、液体LQに対する基板Pの上面Paの接触角、及びカバー部材Tの上面Taの接触角は、第2側面80Cの接触角よりも大きい。なお、液体LQに対する基板Pの上面Paの接触角、及びカバー部材Tの上面Taの接触角は、第1側面80Bの接触角よりも小さくてもよいし、第1側面80Bの接触角とほぼ同じでもよい。なお、液体LQに対する基板Pの上面Paの接触角、及びカバー部材Tの上面Taの接触角は、第2側面80Cの接触角よりも小さくてもよいし、第2側面80Cの接触角とほぼ同じでもよい。また、本実施形態において、多孔部材80の上面80Aは、第1保持部31に保持された基板Pの上面Pa、及び第2保持部32に保持されたカバー部材Tの上面Taとほぼ面一である。なお、多孔部材80の上面80Aは、基板Pの上面Pa及びカバー部材Tの上面Taよりも低い位置-Z側の位置に配置されてもよいし、高い位置Z側の位置に配置されてもよい。本実施形態において、第1保持部31に保持された基板Pの側面Pcと、多孔部材80の第1側面80Bとの距離L1は、第2保持部32に保持されたカバー部材Tの内面Tcと多孔部材80の第2側面80Cとの距離L2よりも大きい。なお、側面Pcと第1側面80Bとの距離L1は、内面Tcと第2側面80Cとの距離L2よりも小さくてもよいし、距離L2とほぼ同じでもよい。本実施形態において、基板ステージ2は、間隙Gaに通じる空間部23を有する。空間部23は、間隙Gaの下方に位置する。本実施形態において、多孔部材80の少なくとも一部は、空間部23に配置される。すなわち、本実施形態において、多孔部材80の少なくとも一部は、間隙Gaの下方に配置される。本実施形態において、多孔部材80は、間隙Gaに配置される第1部分801と、間隙Gaの下方の空間部23に配置される第2部分802とを含む。本実施形態において、第1保持部31の中心に対する放射方向に関して、間隙Gaの寸法Waは、空間部23の寸法Wbよりも小さい。なお、寸法Waは、寸法Wbよりも大きくてもよいし、寸法Wbとほぼ同じでもよい。また、本実施形態において、第1保持部31の中心に対する放射方向に関して、第2部分802の寸法W2は、第1部分801の寸法W1よりも大きい。なお、寸法W2は、寸法W1よりも小さくてもよいし、寸法W1とほぼ同じでもよい。なお、第1保持部31の中心に対する放射方向の寸法とは、XY平面内における放射方向に関する寸法をいう。本実施形態において、多孔部材80は、ケース81に支持されている。ケース81は、空間部23において、第2部分802の少なくとも一部に接触するように配置される。本実施形態において、ケース81は、第2部分802の下面及び側面の少なくとも一部に接触するように配置される。本実施形態において、ケース81は、例えばセラミック製である。なお、ケース81が金属製でもよい。また、本実施形態において、多孔部材80及びケース81とカバー部材Tとの間に、支持部材82が配置される。支持部材82は、多孔部材80第2部分802及びケース81の少なくとも一部に支持される。支持部材82は、カバー部材Tの下面Tbの少なくとも一部と対向可能である。支持部材82は、カバー部材Tの下面Tbの少なくとも一部を支持する。本実施形態において、基板ステージ2は、空間部23に配置される吸引口24を有する。本実施形態において、吸引口24は、空間部23を形成する基板ステージ2の内面の少なくとも一部に形成されている。吸引口24は、空間部23が負圧になるように、空間部23の流体の少なくとも一部を吸引する。吸引口24は、空間部23の液体及び気体の一方又は両方を吸引可能である。吸引口24は、流路25を介して、流体吸引装置26と接続されている。流体吸引装置26は、吸引口24を真空システムに接続可能であり、吸引口24を介して液体及び気体の一方又は両方を吸引可能である。流路25の少なくとも一部は、基板ステージ2の内部に形成される。吸引口24から吸引された流体液体及び気体の少なくとも一方は、流路25を介して、流体吸引装置26に吸引される。本実施形態において、ケース81は、ケース81の外面と内面とを結ぶ孔開口81Hを有する。孔81Hの上端の開口83は、多孔部材80の下面に面する。孔81Hの下端の開口は、吸引口24と結ばれる。吸引口24は、ケース81の内側の空間が負圧になるように、そのケース81の内側の空間の流体を、孔81Hを介して吸引可能である。本実施形態において、第1保持部31は、例えばピンチャック機構を有する。第1保持部31は、基板ステージ2の支持面31Sに配置され、基板Pの下面Pbが対向可能な周壁部35と、周壁部35の内側の支持面31Sに配置され、複数のピン部材を含む支持部36と、支持面31Sに配置され、流体を吸引する吸引口37とを有する。吸引口37は、流体吸引装置と接続される。流体吸引装置は、制御装置8に制御される。周壁部35の上面は、基板Pの下面Pbと対向可能である。周壁部35は、基板Pの下面Pbとの間の少なくとも一部に負圧空間を形成可能である。制御装置8は、基板Pの下面Pbと周壁部35の上面とが接触された状態で、吸引口37の吸引動作を実行することによって、周壁部35と基板Pの下面Pbと支持面31Sとで形成される空間31Hを負圧にすることができる。これにより、基板Pが第1保持部31に保持される。また、吸引口37の吸引動作が解除されることによって、基板Pは第1保持部31から解放される。本実施形態において、第2保持部32は、例えばピンチャック機構を有する。第2保持部32は、基板ステージ2の支持面32Sにおいて周壁部35を囲むように配置され、カバー部材Tの下面Tbが対向可能な周壁部38と、支持面32Sにおいて周壁部38を囲むように配置され、カバー部材Tの下面Tbが対向可能な周壁部39と、周壁部38と周壁部39との間の支持面32Sに配置され、複数のピン部材を含む支持部40と、支持面32Sに配置され、流体を吸引する吸引口41とを有する。吸引口41は、流体吸引装置と接続される。流体吸引装置は、制御装置8に制御される。周壁部38、39の上面は、カバー部材Tの下面Tbと対向可能である。周壁部38、39は、カバー部材Tの下面Tbとの間の少なくとも一部に負圧空間を形成可能である。制御装置8は、カバー部材Tの下面Tbと周壁部38、39の上面とが接触された状態で、吸引口41の吸引動作を実行することによって、周壁部38と周壁部39とカバー部材Tの下面Tbと支持面32Sとで形成される空間32Hを負圧にすることができる。これにより、カバー部材Tが第2保持部32に保持される。また、吸引口41の吸引動作が解除されることによって、カバー部材Tは第2保持部32から解放される。空間部23は、周壁部35の周囲の空間を含む。本実施形態において、空間部23は、周壁部35と周壁部38との間の空間を含む。図4は、間隙Gaに流入する液体LQの少なくとも一部が、多孔部材80を介して回収される状態の一例を示す図である。本実施形態においては、終端光学素子12及び液浸部材7と第1保持部31に保持された基板P及び第2保持部32に保持されたカバー部材Tの少なくとも一方との間に液浸空間LSが形成される。また、液浸空間LSは、間隙Ga上に形成される可能性がある。その液浸空間LSの液体LQの少なくとも一部が、間隙Gaに流入する可能性がある。本実施形態において、制御装置8は、間隙Gaに流入した液体LQの少なくとも一部を、多孔部材80を介して回収する。間隙Gaに流入した液体LQを回収するとき、制御装置8は、流体吸引装置26を制御して、吸引口24を真空システムに接続する。これにより、空間部23の流体が、吸引口24から吸引され、空間部23が負圧になる。上述のように、吸引口24は、孔81Hを介して、ケース81の内側の空間の流体を吸引可能である。吸引口24の吸引動作が行われることによって、ケース81の内側の空間、及びそのケース81の内側の空間に配置されている多孔部材80の孔が負圧になる。これにより、多孔部材80の周囲の流体が、多孔部材80の孔から吸引される。本実施形態において、多孔部材80の孔は、流体を回収可能な回収口として機能する。図4に示すように、吸引口24の吸引動作が行われることによって、多孔部材80の第1側面80Bと基板Pの側面Pcとの間に流入した液体LQは、第1側面80Bの孔に吸引される。すなわち、多孔部材80は、第1側面80Bと基板Pの側面Pcとの間に流入した液体LQを、基板Pの側面Pcと対向する第1側面80Bの孔から回収する。また、図4に示すように、吸引口24の吸引動作が行われることによって、多孔部材80の第2側面80Cとカバー部材Tの内面Tcとの間に流入した液体LQは、第2側面80Cの孔に吸引される。すなわち、多孔部材80は、第2側面80Cとカバー部材Tの内面Tcとの間に流入した液体LQを、カバー部材Tの内面Tcと対向する第2側面80Cの孔から回収する。多孔部材80を介して回収された液体LQの少なくとも一部は、吸引口24から吸引される。本実施形態において、第1、第2側面80B、80Cの孔から回収された液体LQの少なくとも一部は、多孔部材80の内部を流れた後、吸引口24から吸引される。これにより、間隙Ga及び空間部23から液体LQが除去される。本実施形態において、第2部分802の下面及び側面は、ケース81で覆われている。第1部分801の第1、第2側面80B、80Cは、ケース81で覆われていない。第1部分801の第1、第2側面80B、80Cは、間隙Gaに流入した液体LQと接触可能である。したがって、吸引口24の吸引動作が行われることによって、間隙Gaに流入した液体LQは、第1、第2側面80B、80Cから円滑に回収される。上述のように、本実施形態において、液体LQに対する多孔部材80の上面80Aの接触角は、第1、第2側面80B、80Cの接触角よりも大きい。本実施形態において、液体LQの上面80Aの孔への流入は、第1、第2側面80B、80Cの孔への流入よりも抑制される。例えば、多孔部材80は、上面80Aの孔から液体LQを回収しなくてもよい。なお、液体LQの上面80Aの孔への流入が、第1、第2側面80B、80Cの孔への流入よりも抑制されなくてもよい。すなわち、多孔部材80は、上面80Aの孔から液体LQを回収してもよい。次に、露光装置EXの動作の一例について、図5~図10を参照して説明する。図5は、本実施形態に係る露光装置EXの動作の一例を示すフローチャートである。図5に示すように、本実施形態においては、露光用の液体LQを介して露光光ELで基板Pを露光する処理を含む露光シーケンスSM1と、露光装置EXの少なくとも一部をクリーニングするクリーニングシーケンスSM2とが実行される。本実施形態においては、露光シーケンスSM1が実行された後に、クリーニングシーケンスSM2が実行される例について説明するが、クリーニングシーケンスSM2が実行された後に、露光シーケンスSM1が実行されてもよいし、露光シーケンスSM1とクリーニングシーケンスSM2とが複数回繰り返されてもよい。なお、クリーニングシーケンスSM2は、例えば露光によって基板Pに形成されたパターンに欠陥が増えた場合、あるいは露光後の基板Pの上面Paの周縁部に残留液体が増えた場合等、必要に応じて実行されてもよい。露光シーケンスSM1について説明する。図6は、本実施形態に係る露光シーケンスSM1の一例を示すフローチャートである。図7は、第1保持部31基板ステージ2に保持された基板Pの一例を示す図である。図8は、基板ステージ2及び計測ステージ3の動作の一例を示す図である。本実施形態において、基板ステージ2は、少なくとも第1位置EPと第2位置RPとの間を移動可能である。第1位置EPは、終端光学素子12及び液浸部材7と第1保持部31に保持した基板Pの上面Pa及び基板ステージ2の上面2UTaの少なくとも一方との間に液浸空間LSを形成可能な位置である。換言すれば、第1位置EPは、終端光学素子12及び液浸部材7と対向する位置である。第2位置RPは、終端光学素子12及び液浸部材7と第1保持部31に保持した基板Pの上面Pa及び基板ステージ2の上面2Uの少なくとも一方との間に液浸空間LSを形成不可能な位置である。第1位置EPは、第1保持部31に保持された基板Pを露光可能な位置である。本実施形態において、第2位置RPは、例えば露光後の基板Pを第1保持部31から搬出する動作、及び露光前の基板Pを第1保持部31に搬入する動作の少なくとも一方が実行される基板交換位置である。なお、第2位置EPは、基板交換位置に限られない。以下の説明において、第1位置EPを適宜、露光位置EP、と称し、第2位置RPを適宜、基板交換位置RP、と称する。また、以下の説明において、基板交換位置RPにおいて、露光前の基板Pを第1保持部31に搬入する処理、及び露光後の基板Pを第1保持部31から搬出する処理を適宜、基板交換処理、と称する。第1保持部31に保持されている基板Pを露光するために、基板ステージ2を露光位置EPに移動して、終端光学素子12及び液浸部材7と基板ステージ2基板Pとの間に液体LQで液浸空間LSが形成された後、制御装置8は、基板Pの露光処理を開始するステップST1。本実施形態の露光装置EXは、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクMのパターンの像を基板Pに投影する走査型露光装置所謂スキャニングステッパである。本実施形態においては、基板Pの走査方向同期移動方向をY軸方向とし、マスクMの走査方向同期移動方向もY軸方向とする。制御装置8は、基板Pを投影光学系PLの投影領域PRに対してY軸方向に移動するとともに、その基板PのY軸方向への移動と同期して、照明系ILの照明領域IRに対してマスクMをY軸方向に移動しつつ、投影光学系PLと基板P上の液浸空間LSの液体LQとを介して基板Pに露光光ELを照射する。これにより、基板Pが液体LQを介して露光光ELで露光され、マスクMのパターンの像が投影光学系PL及び液体LQを介して基板Pに投影される。図7に示すように、本実施形態においては、基板P上に露光対象領域であるショット領域Sがマトリクス状に複数配置されている。制御装置8は、基板P上に定められた複数のショット領域Sを順次露光する。基板Pのショット領域Sを露光するとき、終端光学素子12及び液浸部材7と基板Pとが対向され、終端光学素子12と基板Pとの間の露光光ELの光路Kが液体LQで満たされるように液浸空間LSが形成される。基板Pの複数のショット領域Sを順次露光するとき、終端光学素子12及び液浸部材7と基板Pの上面Pa及び基板ステージ2の上面2Uの少なくとも一方との間に液体LQで液浸空間LSが形成されている状態で、駆動システム5によって基板ステージ2がXY平面内において移動される。制御装置8は、終端光学素子12及び液浸部材7と基板Pの上面Pa及び基板ステージ2の上面2Uの少なくとも一方との間に液体LQで液浸空間LSが形成されている状態で、基板ステージ2を移動しながら、基板Pの露光を実行する。例えば基板P上の複数のショット領域Sのうち最初のショット領域第1のショット領域Sを露光するために、制御装置8は、その第1のショット領域Sを露光開始位置に移動する。制御装置8は、液浸空間LSが形成された状態で、第1のショット領域S基板Pを投影光学系PLの投影領域PRに対してY軸方向に移動しながら、その第1のショット領域Sに対して露光光ELを照射する。第1のショット領域Sの露光が終了した後、次の第2のショット領域Sを露光するために、制御装置8は、液浸空間LSが形成された状態で、基板PをX軸方向あるいはXY平面内においてX軸方向に対して傾斜する方向に移動し、第2のショット領域Sを露光開始位置に移動する。制御装置8は、第1のショット領域Sと同様に、第2のショット領域Sを露光する。制御装置8は、投影領域PRに対してショット領域SをY軸方向に移動しながらそのショット領域Sに露光光ELを照射する動作スキャン露光動作と、そのショット領域Sの露光が終了した後、次のショット領域Sを露光開始位置に移動するための動作ステッピング動作とを繰り返しながら、基板P上の複数のショット領域Sを、投影光学系PL及び液浸空間LSの液体LQを介して順次露光する。基板Pの複数のショット領域Sに対して露光光ELが順次照射される。本実施形態において、制御装置8は、投影光学系PLの投影領域PRと基板Pとが、図7中、矢印R1に示す移動軌跡に沿って相対的に移動するように基板ステージ2を移動しつつ投影領域PRに露光光ELを照射して、液体LQを介して基板Pの複数のショット領域Sを露光光ELで順次露光する。基板Pの露光における基板ステージ2の移動中の少なくとも一部において、液浸空間LSは、間隙Ga上に形成される。基板P上の複数のショット領域Sのうち最後のショット領域Sの露光が終了することによって、換言すれば、複数のショット領域Sに対する露光光ELの照射が終了することによって、その基板Pの露光が終了するステップST2。複数のショット領域Sに対する露光光ELの照射終了後基板Pの露光終了後、制御装置8は、基板交換処理を実行するために、基板ステージ2を基板交換位置RPに移動するステップST3。図8に示すように、基板交換位置RPに基板ステージ2が配置された後、制御装置8は、基板搬送装置不図示を用いて、露光後の基板Pを第1保持部31から搬出アンロードするステップST4。露光後の基板Pが第1保持部31から搬出アンロードされた後、制御装置8は、基板搬送装置不図示を用いて、露光前の基板Pを第1保持部31に搬入ロードするステップST5。なお、図8に示すように、基板交換処理が実行されているとき、露光位置EPに計測ステージ3が配置される。制御装置8は、必要に応じて、計測ステージ3計測部材C、計測器を用いて、所定の計測処理を実行する。露光前の基板Pが第1保持部31にロードされ、計測ステージ3を用いる計測処理が終了した後、制御装置8は、基板ステージ2を露光位置EPに移動するステップST6。本実施形態においては、制御装置8は、基板ステージ2を基板交換位置RPから露光位置EPへ移動するときに、アライメントシステム302を用いて、基板ステージ2第1保持部31に保持されている基板Pのアライメントマークを検出するステップST7。また、制御装置8は、基板ステージ2を基板交換位置RPから露光位置EPへ移動するときに、表面位置検出システム303を用いて、基板ステージ2第1保持部31に保持されている基板Pの上面Paの位置を検出する。基板Pのアライメントマークの検出及び基板Pの上面Paの位置の検出が終了した後、制御装置8は、その検出結果に基づいて、基板Pの位置を調整しつつ、その基板Pの露光を開始する。以下、同様の処理が繰り返され、複数の基板Pが順次露光される。本実施形態においては、基板Pの露光が実行される第1期間の少なくとも一部、及び基板Pの露光が実行されない第2期間の少なくとも一部のそれぞれにおいて、吸引口24多孔部材80の吸引動作が実行される。本実施形態において、第1期間は、基板ステージ2Pが露光位置EPに配置される期間を含む。また、第1期間は、基板Pの露光が開始されてからステップST1、その基板Pの露光が終了するまでステップST2の期間を含む。本実施形態において、第1期間は、複数のショット領域Sのうち最初のショット領域Sの露光が開始されてから最後のショット領域Sの露光が終了するまでの期間を含む。制御装置8は、複数のショット領域Sのうち最初のショット領域Sの露光が開始されてから最後のショット領域Sの露光が終了するまで、吸引口24の流体吸引動作を実行し続ける。これにより、例えば複数のショット領域Sに対して露光光ELが順次照射される第1期間の少なくとも一部において、間隙Ga上に液浸空間LSが形成され、その液浸空間LSの液体LQが間隙Gaに流入しても、間隙Gaに流入した液体LQは、第1期間において吸引口24多孔部材80から直ちに吸引される。また、間隙Gaを介して空間部23に流入した液体LQも、吸引口24多孔部材80から吸引される。本実施形態において、第2期間は、基板Pに対する露光光ELの照射終了後の期間を含む。本実施形態において、第2期間は、複数のショット領域Sに対する露光光ELの照射終了後の期間を含む。換言すれば、第2期間は、複数のショット領域Sのうち最後のショット領域Sの露光後の期間を含む。第2期間において吸引口24多孔部材80の吸引動作が実行されることによって、第1期間における吸引口24多孔部材80の吸引動作によって空間部23の液体LQが吸引回収仕切れなくても、その第2期間における吸引口24多孔部材80の吸引動作によって、間隙Ga空間部23から液体LQが除去される。また、本実施形態において、第2期間は、基板Pに対する露光光ELの照射開始前の期間を含む。本実施形態において、第2期間は、複数のショット領域Sに対する露光光ELの照射開始前の期間を含む。換言すれば、第2期間は、複数のショット領域Sのうち最初のショット領域Sの露光前の期間を含む。第2期間において吸引口24多孔部材80の吸引動作が実行されることによって、間隙Ga空間部23から液体LQを除去した後、基板Pの露光を開始することができる。本実施形態において、制御装置8は、基板Pの露光が実行される第1期間の少なくとも一部における吸引口24多孔部材80の吸引力を、基板Pの露光が実行されない第2期間における吸引口24多孔部材80の吸引力よりも小さくする。すなわち、制御装置8は、第1期間の少なくとも一部において、間隙Ga空間部23の流体を吸引口24から第1吸引力で吸引し、第2期間において、間隙Ga空間部23の流体を吸引口24から第1吸引力よりも大きい第2吸引力で吸引する。換言すれば、制御装置8は、第1期間の少なくとも一部において吸引口24多孔部材80から単位時間当たり第1流量で流体を吸引し、第2期間において吸引口24多孔部材80から単位時間当たり第1流量よりも多い第2流量で流体を吸引する。本実施形態において、第2期間は、順次露光される複数の基板Pのうち、第1の基板Pの露光終了時最後のショット領域Sの露光終了時から次の第2の基板Pの露光開始時最初のショット領域Sの露光開始時までの少なくとも一部の期間を含む。例えば、第2期間は、第1の基板Pの露光終了後ステップST2から、その露光後の第1の基板Pが第1保持部31から搬出され、露光前の第2の基板Pが第1保持部31に搬入され、その露光前の第2の基板Pのアライメントマーク検出開始ステップST7までの期間でもよい。すなわち、本実施形態において、第2期間は、基板Pの露光終了ステップST2から次の基板Pのアライメントマーク検出までステップST7の期間でもよい。また、第2期間は、基板Pに対する露光光ELの照射終了後ステップST2、露光前の基板Pを第1保持部31で保持した基板ステージ2が露光位置EPに移動を開始するまでステップST6の期間でもよい。また、第2期間は、基板Pに対する露光光ELの照射終了後ステップST2、露光前の基板Pを第1保持部31に搬入するまでステップST5の期間でもよい。また、第2期間は、基板Pに対する露光光ELの照射終了後ステップST2、基板Pが第1保持部31から搬出されるまでステップST4の期間でもよい。また、第2期間は、基板Pに対する露光光ELの照射終了後ステップST2、その露光後の基板Pを第1保持部31で保持した基板ステージ2が基板交換位置EPに移動を開始するまでステップST3の期間でもよい。なお、第2期間は、基板ステージ2が基板交換位置RPに配置される期間でもよい。また、第2期間は、第1保持部31に基板Pが保持されていない期間でもよい。第1保持部31に基板Pが保持されていない期間は、露光後の基板Pが第1保持部31から搬出されてからステップST4、露光前の基板Pが第1保持部31に搬入されるまでステップST5の期間基板交換処理期間を含む。なお、第1保持部31に基板Pが保持されていない期間は、基板交換処理期間に限られない。なお、第2期間は、ステップST3~ST7の期間でもよいし、ステップST3~ST6の期間でもよいし、ステップST3~ST5の期間でもよいし、ステップST3~ST4の期間でもよいし、ステップST4~ST7の期間でもよいし、ステップST4~ST6の期間でもよい。本実施形態において、制御装置8は、基板P複数のショット領域Sの露光において吸引口24多孔部材80から第1吸引力で流体を吸引し、基板Pの最後のショット領域Sに対する露光光ELの照射終了時ステップST2に、吸引口24多孔部材80の吸引力を第1吸引力から第2吸引力へ変更する。その場合、第2期間は、基板P複数のショット領域Sに対する露光光ELの照射終了後、終端光学素子12及び液浸部材7と基板Pの上面及び基板ステージ2の上面2Uの少なくとも一方との間に液浸空間LSが形成されている期間を含む。なお、液浸空間LSが基板ステージ2上に形成されている状態から計測ステージ3上に形成される状態へ変化するとき例えばステップST3に、吸引口24多孔部材80の吸引力を第1吸引力から第2吸引力へ変更してもよい。その場合、露光光ELの照射終了後、液浸空間LSが基板Pの上面及び基板ステージ2の上面2Uの少なくとも一方の上に形成されている期間において吸引口24多孔部材80から第1吸引力で流体が吸引される。なお、露光後の基板Pが第1保持部31から搬出されるときステップST4に、吸引口24多孔部材80の吸引力を第1吸引力から第2吸引力へ変更してもよい。なお、露光前の基板Pが第1保持部31に搬入されるときステップST5に、吸引口24多孔部材80の吸引力を第2吸引力から第1吸引力へ変更してもよい。なお、液浸空間LSが計測ステージ3上に形成されている状態から基板ステージ2上に形成される状態へ変化するとき例えばステップST6に、吸引口24多孔部材80の吸引力を第2吸引力から第1吸引力へ変更してもよい。なお、基板Pのアライメントマークが検出されるときステップST7に、吸引口24多孔部材80の吸引力を第2吸引力から第1吸引力へ変更してもよい。なお、基板Pの最初のショット領域Sに対する露光光ELの照射開始時ステップST1に、吸引口24多孔部材80の吸引力を第2吸引力から第1吸引力へ変更してもよい。なお、本実施形態において、例えば基板Pショット領域Sに露光光ELが照射されるスキャン露光動作において吸引口24多孔部材80の流体吸引動作を実行し、基板Pに露光光ELが照射されないステッピング動作において吸引口24多孔部材80の流体吸引動作を停止してもよい。なお、基板Pに露光光ELが照射されないステッピング動作において吸引口24多孔部材80の流体吸引動作を実行し、基板Pショット領域Sに露光光ELが照射されるスキャン露光動作において吸引口24多孔部材80の流体吸引動作を停止してもよい。なお、本実施形態において、スキャン露光動作中に吸引口24多孔部材80から第1吸引力で流体を吸引し、ステッピング動作中に吸引口24多孔部材80から第2吸引力で流体を吸引してもよい。次に、クリーニングシーケンスSM2について説明する。図9は、本実施形態に係るクリーニングシーケンスSM2の一例を示すフローチャートである。本実施形態においては、クリーニング用の液体LCを用いてクリーニングシーケンスSM2が実行される。本実施形態において、クリーニングシーケンスSM2は、クリーニング用の液体LCを供給する処理ステップSC1と、液体LCを用いるクリーニングを行った後、リンスフラッシング用の液体を供給する処理ステップSC2とを含む。本実施形態においては、液体LCを用いて、カバー部材Tの少なくとも一部、及び間隙Gaの下方に位置する部材の少なくとも一部の一方又は両方をクリーニングする例について説明する。本実施形態において、間隙Gaの下方に位置する部材は、多孔部材80の少なくとも一部を含む。なお、間隙Gaの下方に位置する部材は、基板ステージ2が有する部材でもよい。なお、間隙Gaの下方に位置する部材が、間隙Gaの下方に配置される基板ステージ2の空間部23の内面の少なくとも一部でもよい。すなわち、例えば基板Pの露光において基板Pとカバー部材Tとの間の間隙Gaからその間隙Gaの下方の空間に流入した液体LQが接触する可能性がある部材が液体LCでクリーニングされてもよい。図10は、本実施形態に係るクリーニングシーケンスSM2の一例を示す図である。本実施形態においては、クリーニングシーケンスSM2を実行するとき、第1保持部31にダミー基板DPが保持される。ダミー基板DPは、デバイスを製造するための基板Pよりも異物を放出し難い基板である。ダミー基板DPとして、例えば半導体ウエハを用いてもよい。例えば、感光膜が形成されてなく、液体LCLQに対して撥液性の膜が形成されている半導体ウエハを用いてもよい。なお、ダミー基板DPとして、例えば金属製の基板を用いてもよい。本実施形態において、ダミー基板DPの外形は、基板Pの外形とほぼ等しい。第1保持部31は、ダミー基板DPを保持可能である。本実施形態において、第1保持部31に保持されたダミー基板DPの側面と第1側面80Bとの距離は、第1保持部31に保持された基板Pの側面と第1側面80Bとの距離とほぼ等しい。なお、ダミー基板DPの外形は、基板Pの外形よりも小さくてもよいし、大きくてもよい。なお、第1保持部31に保持されたダミー基板DPの側面と第1側面80Bとの距離は、第1保持部31に保持された基板Pの側面と第1側面80Bとの距離よりも大きくてもよいし、小さくてもよい。本実施形態においては、液浸部材7の下面14が対向可能なダミー基板DPの上面は、液体LCLQに対して撥液性である。また、第1側面80Bと対向するダミー基板DPの側面も、液体LCLQに対して撥液性である。例えば、液体LCLQに対するダミー基板DPの上面及び側面の接触角は、90度以上である。本実施形態において、液体LCと液体LQとは種類が異なる。液体LCが、例えばアルコールを含んでもよい。例えば、液体LCが、エタノール、イソプロピルアルコールIPA、及びペンタノールの少なくとも一つを含んでもよい。なお、液体LCとして、アルカリ性液体を用いてもよい。例えば、液体LCが、水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH:tetramethylammoniumhydroxideを含んでもよい。例えば、液体LCとして、水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH:tetramethylammoniumhydroxide水溶液を用いてもよい。なお、液体LCとして、酸性液体を用いてもよい。例えば、液体LCが、過酸化水素を含んでもよい。例えば、液体LCとして、過酸化水素水溶液過酸化水素水を用いてもよい。なお、液体LCとして、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリの溶液、水酸化トリメチル2-ヒドロキシエチルアンモニウム等の有機アルカリの溶液を用いてもよい。なお、液体LCとして、アンモニア水を用いてもよい。なお、液体LCが、バッファードフッ酸溶液を含んでもよい。また、液体LCが、バッファードフッ酸及び過酸化水素を含む溶液でもよい。バッファードフッ酸緩衝フッ酸は、フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合物である。なお、液体LCとして、オゾンを含むオゾン液体を用いてもよい。なお、液体LCとして、過酸化水素とオゾンとを含む溶液を用いてもよい。図10に示すように、本実施形態においては、液浸部材7と多孔部材80との間に液体LCの液浸空間LTが形成されるように、液浸部材7の下面14が面する空間に液体LCが供給される。本実施形態においては、下面14が面する空間に液体LCが供給されるときに、第1保持部31にダミー基板DPが保持され、第2保持部32にカバー部材Tが保持される。ダミー基板DPとカバー部材Tとの間の間隙Gdに多孔部材80の少なくとも一部が配置された状態で、下面14が面する空間に液体LCが供給される。また、本実施形態においては、多孔部材80上に液体LCの液浸空間LTの少なくとも一部が形成されるように、液浸部材7の下面14とダミー基板DPの上面Pad及びカバー部材Tの上面Taの少なくとも一方とが対向する状態で、下面14が面する空間に液体LCが供給される。本実施形態においては、カバー部材Tの上面Ta、多孔部材80の上面80A、及びダミー基板DPの上面Padの少なくとも一つが対向可能な位置に配置された供給口から、下面14が面する空間に液体LCが供給される。例えば、液浸部材7の供給口15から下面14が面する空間に液体LCが供給されてもよい。例えば、液体LCを送出可能な供給装置を流路17に接続し、その供給装置から送出された液体LCを、流路17を介して供給口15に供給してもよい。例えば、制御装置8は、供給口15から液体LCを供給するとともに、液浸部材7の回収口16から液体LCを回収して、液浸部材7と多孔部材80との間に液体LCの液浸空間LTを形成してもよい。なお、液浸部材7の回収口16から下面14が面する空間に液体LCが供給されてもよい。すなわち、クリーニングシーケンスSM2において、上面Ta、上面80A、及び上面Padの少なくとも一つが対向可能な液浸部材7の回収口16が、液体LCを供給する供給口として機能してもよい。例えば、液体LCを送出可能な供給装置を流路20に接続し、その供給装置から送出された液体LCを、流路20を介して回収口16に供給してもよい。なお、上面Ta、上面80A、及び上面Padの少なくとも一つが対向可能な液浸部材7の少なくとも一部に供給口15及び回収口16とは別の開口を設け、その開口から液体LCを供給してもよい。液浸部材7例えば、供給口15及び回収口16の一方又は両方から供給された液体LCは、多孔部材80の上面80Aに接触する。これにより、上面80Aが液体LCでクリーニングされる。また、液体LCは、カバー部材Tの上面Taの少なくとも一部に接触する。これにより、上面Taの少なくとも一部が液体LCでクリーニングされる。また、液体LCは、多孔部材80とダミー基板DPとの間の間隙に流入する。これにより、多孔部材80の第1側面80Bが液体LCでクリーニングされる。また、液体LCは、多孔部材80とカバー部材Tとの間の間隙に流入する。これにより、多孔部材80の第2側面80C及びカバー部材Tの内面Tcが液体LCでクリーニングされる。本実施形態において、多孔部材80は、液浸部材7から供給された液体LCの少なくとも一部を回収する。制御装置8は、流体吸引装置26を制御して、多孔部材80の孔から液体LCを回収する。これにより、多孔部材80の孔の内面多孔部材80の内部が液体LCでクリーニングされる。本実施形態において、制御装置8は、液浸部材7から液体LCを供給するとともに、多孔部材80の孔から液体LCを回収して、液浸部材7と多孔部材80との間に液体LCの液浸空間LTを形成する。なお、制御装置8は、液浸部材7から液体LCを供給するとき、多孔部材80の回収動作を停止し、液浸部材7からの液体LCの供給を停止したとき、多孔部材80からの液体LCの回収を行ってもよい。制御装置8は、液体LCの供給を所定時間実行する。所定時間は、多孔部材80及びカバー部材T等をクリーニングするのに十分な液体LCの供給時間である。制御装置8は、液体LCの供給を開始してから所定時間経過後、液体LCの供給を停止する。これにより、液体LCを用いるクリーニングが終了する。なお、制御装置8は、液体LCを所定量供給した後、液体LCの供給を停止してもよい。所定量は、多孔部材80及びカバー部材T等をクリーニングするのに十分な液体LCの供給量である。液体LCの供給を停止した後、制御装置8は、多孔部材80を用いる回収を所定時間係属し、間隙Gd等に存在する液体LCを全て回収する。液体LCが全て回収された後、制御装置8は、リンスフラッシング用の液体を供給する。本実施形態においては、リンス用の液体として、露光用の液体LQを用いる。本実施形態においては、液浸部材7からリンス用の液体LQが供給される。例えば、液浸部材7の供給口15から液体LQが供給されてもよいし、回収口16から液体LQが供給されてもよいし、供給口15及び回収口16とは別に液浸部材7に設けられた開口から液体LQが供給されてもよい。液浸部材7からリンス用の液体LQが供給されるとき、第1保持部31にダミー基板DPが保持される。本実施形態においては、液浸部材7と、ダミー基板DP、多孔部材80、及びカバー部材Tの少なくとも一部との間に液体LQの液浸空間LSが形成されるように、液浸部材7の下面14が面する空間に液体LQが供給される。本実施形態において、制御装置8は、液浸部材7の供給口15から液体LQを供給するとともに、液浸部材7の回収口16から液体LQを回収して、液浸部材7と多孔部材80との間に液体LQの液浸空間LSを形成する。液浸部材7から供給された液体LQは、多孔部材80の上面80Aに接触する。これにより、上面80Aが液体LQでリンスされる。また、液体LQは、カバー部材Tの上面Taの少なくとも一部に接触する。これにより、上面Taの少なくとも一部が液体LQでリンスされる。また、液体LQは、多孔部材80とダミー基板DPとの間の間隙に流入する。これにより、多孔部材80の第1側面80Bが液体LQでリンスされる。また、液体LQは、多孔部材80とカバー部材Tとの間の間隙に流入する。これにより、多孔部材80の第2側面80C及びカバー部材Tの内面Tcが液体LQでリンスされる。本実施形態においては、多孔部材80上に液体LQの液浸空間LSの少なくとも一部が形成されている状態で、多孔部材80から液体LQの少なくとも一部が回収される。制御装置8は、流体吸引装置26を制御して、多孔部材80の孔から液体LQを回収する。これにより、多孔部材80の孔の内面多孔部材80の内部が液体LQでリンスされる。なお、例えば供給口15からリンス用の液体LQを供給し、その液体LQの少なくとも一部を多孔部材80から回収し、液浸部材7の回収口16から液体LQを回収しないようにしてもよい。制御装置8は、液体LQの供給を所定時間実行する。所定時間は、多孔部材80及びカバー部材T等をリンスするのに十分な液体LQの供給時間である。制御装置8は、液体LQの供給を開始してから所定時間経過後、液体LQの供給を停止する。これにより、液体LQを用いるリンスが終了する。リンス用の液体LQが供給されることによって、多孔部材80及びカバー部材T等に残留する液体LCが除去される。なお、制御装置8は、液体LQを所定量供給した後、液体LQの供給を停止してもよい。所定量は、多孔部材80及びカバー部材T等をリンスするのに十分な液体LQの供給量である。なお、本実施形態においては、クリーニング用の液体LCを供給するクリーニング処理が行われた後、リンスフラッシング用の液体LQを供給するリンス処理フラッシング処理が行われることとしたが、リンス処理フラッシング処理は省略されてもよい。以上により、クリーニングシーケンスSM2が終了する。クリーニングシーケンスSM2が終了した後、例えば露光シーケンスSM1が実行されてもよい。以上説明したように、本実施形態によれば、間隙Gaの周囲に配置されている多孔部材80及びカバー部材T等を良好にクリーニングすることができる。したがって、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生を抑制できる。<第2実施形態>次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。なお、以下の実施形態においては、主に、多孔部材80、ケース81、カバー部材T、及び空間部23の内面の少なくとも一部をクリーニングする場合を例にして説明するが、上述のように、間隙Gaの下方に位置する部材、あるいは基板Pの露光において基板Pとカバー部材Tとの間の間隙Gaからその間隙Gaの下方の空間に流入した液体LQが接触する可能性がある部材をクリーニング対象としてもよい。図11は、第2実施形態に係る基板ステージ200Aの一例を示す図である。図11に示すように、本実施形態において、多孔部材80は、多孔部材80の第2側面80Cと、カバー部材Tの内面Tcとが接触するように配置される。なお、図11に示す例では、支持部材82は省略されている。なお、図11に示す例においても、支持部材82が配置されてもよい。また、本実施形態において、基板ステージ2は、多孔部材80の温度を調整する温度調整装置305を備えている。温度調整装置305は、例えばペルチェ素子を含む。本実施形態において、温度調整装置305は、ケース81に接触するように配置されている。温度調整装置305は、ケース81を介して、多孔部材80の温度を調整する。温度調整装置305は、ケース81の温度も調整可能である。なお、温度調整装置305が、多孔部材80の少なくとも一部に接触するように配置されてもよい。なお、温度調整装置305が、例えばケース81の内部に形成された流路に温度調整された流体気体及び液体の一方又は両方を供給する供給装置を含んでもよい。また、本実施形態において、基板ステージ200Aは、カバー部材Tの温度を調整する温度調整装置306を備えている。温度調整装置306は、例えばペルチェ素子を含む。本実施形態において、温度調整装置306は、カバー部材Tの下面Tbに接触するように配置されている。本実施形態において、温度調整装置306は、周壁部38と周壁部39との間の空間32Hにおいて、カバー部材Tの下面Tbに接触するように配置される。なお、温度調整装置306は、カバー部材Tに接触しなくてもよい。例えば、温度調整装置306が、カバー部材Tの下面Tbに対向するように、支持面32Sに配置されてもよい。なお、温度調整装置306が、例えばカバー部材Tの内部に形成された流路に温度調整された流体気体及び液体の一方又は両方を供給する供給装置を含んでもよい。なお、第1実施形態で説明した多孔部材80の温度を調整する温度調整装置、及びカバー部材Tの温度を調整する温度調整装置が設けられてもよい。本実施形態において、多孔部材80をクリーニングする場合、第1側面80Bとダミー基板DPの側面との間の間隙上に、液体LCの液浸空間LTが形成される。液体LCは、上面80A、及び第1側面80Bに接触する。制御装置8は、流体吸引装置26を制御して、多孔部材80の吸引動作を実行する。第1側面80Bとダミー基板DPの側面との間の間隙の液体LCは、第1側面80Bの孔から回収される。これにより、多孔部材80の内部が液体LCでクリーニングされる。また、液浸空間LTの液体LCをカバー部材Tに接触させることにより、カバー部材Tが液体LCでクリーニングされる。なお、クリーニングシーケンスSM2において、温度調整装置305を用いて多孔部材80の温度を調整しながら、多孔部材80に液体LCを供給してもよい。また、温度調整装置305を用いて多孔部材80の温度を調整しながら、多孔部材80の孔から液体LCを回収してもよい。なお、クリーニングシーケンスSM2において、温度調整装置306を用いてカバー部材Tの温度を調整しながら、カバー部材Tに液体LCを供給してもよい。<第3実施形態>次に、第3実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図12は、本実施形態に係るクリーニングシーケンスSM2の一例を示す図である。図12に示すように、本実施形態においては、クリーニング用の液体LCが、空間部23の内面とケース81の外面との間の空間23Sに供給される。液体LCは、空間部23の内面及びケース81の外面の少なくとも一方に接触する。これにより、空間部23の内面及びケース81の外面の少なくとも一部が液体LCでクリーニングされる。本実施形態においては、液体LCが空間23Sに供給されるように、液浸部材7からの液体LCの供給、及び多孔部材80からの液体LCの回収が行われる。例えば、液浸部材7から液体LCが供給されるとき、その液体LCが空間23Sに流入するように、多孔部材80からの液体LCの回収量が低減される。本実施形態においては、空間23Sの液体LCを回収する回収口351を有する回収機構350が設けられる。図12において、回収口351は、空間23Sに面するように、空間部23の内面に形成されている。回収口351は、流路352を介して、流体吸引装置26Bに接続される。回収口351から回収された液体LCの少なくとも一部は、流体吸引装置26Bに吸引される。本実施形態によれば、多孔部材23及びカバー部材Tのみならず、間隙GaGdの下方に配置される空間部23の内面及びケース81の外面の少なくとも一方も液体LCでクリーニングされる。<第4実施形態>次に、第4実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図13は、本実施形態に係るクリーニングシーケンスSM2の一例を示す図である。図13において、第1保持部31に保持されたダミー基板DP2は、第1側面80Bが対向する側面Pcdを有する。本実施形態において、側面Pcdは、ダミー基板DP2の中心第1保持部31の中心に対して外側に向かって下方に傾斜している。本実施形態においては、側面Pcdが傾斜しているので、ダミー基板DP2の上面と多孔部材80の上面80Aとの間の間隙に供給された液体LCは、第1側面80Bに円滑に接触する。また、ダミー基板DP2の上面と多孔部材80の上面80Aとの間の間隙に供給された液体LCは、その間隙を介して、空間部23に円滑に流入する。これにより、多孔部材80等は、良好にクリーニングされる。図14は、本実施形態に係るクリーニングシーケンスSM2の一例を示す図である。図14において、第1保持部31に保持されたダミー基板DP3は、第1側面80Bが対向する側面Pcdを有する。本実施形態において、側面Pcdは、ダミー基板DP3の中心第1保持部31の中心に対して外側に向かって上方に傾斜している。本実施形態においては、側面Pcdが上方に傾斜しているので、ダミー基板DP3の上面と多孔部材80の上面80Aとの間の間隙に供給された液体LCは、その間隙を介して、空間部23に円滑に流入する。これにより、多孔部材80等は、良好にクリーニングされる。<第5実施形態>次に、第5実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図15は、本実施形態に係るクリーニングシーケンスSM2の一例を示す図である。本実施形態においては、液体LCは、カバー部材Tの上面Ta及びダミー基板DPの上面Padの少なくとも一方が対向可能な位置に配置される可動部材360から供給される。可動部材360は、例えば基板交換位置RPにおいて、基板ステージ2の少なくとも一部に液体LCを供給可能である。可動部材360は、基板ステージ2に対して移動可能である。可動部材360は、上面Ta及び上面Padの少なくとも一方が対向可能な位置に配置され、液体LCを供給可能な供給口361を有する。本実施形態において、可動部材360は、アクチュエータを含む駆動装置362の作動により移動可能である。可動部材360は、例えばZ軸方向に移動可能である。本実施形態において、駆動装置362は、可動部材360を、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZの6つの方向に移動可能である。本実施形態において、供給口361は、上面Ta及び上面Padの少なくとも一方が対向可能な可動部材360の下面に配置される。また、本実施形態において、可動部材360は、液体LCを回収可能な回収口363を有する。空間部23には、多孔部材80が配置される。多孔部材80の少なくとも一部は、間隙GdGaに配置される。本実施形態において、カバー部材Tに超音波を与える超音波発生装置85が設けられている。超音波発生装置85は、例えばピエゾ素子等の超音波発生素子を含む。超音波発生装置85は、カバー部材Tの少なくとも一部と接触する。本実施形態において、超音波発生装置85は、カバー部材Tの裏面Tbに接触するように配置される。本実施形態において、超音波発生装置85は、周壁部38と周壁部39との間の空間32Hにおいて、裏面Tbに接触するように配置される。本実施形態において、第2保持部32は、空間32Hに配置され、超音波発生装置85を支持する支持部86を有する。超音波発生装置85が作動することによって、カバー部材Tが振動する。本実施形態においては、ダミー基板DPの上面Padとカバー部材Tの上面Taとの間の間隙上に液体LCの液浸空間LTの少なくとも一部が形成されるように、可動部材360の下面とダミー基板DPの上面Pad及びカバー部材Tの上面Taの少なくとも一方とが対向する状態で、供給口361から液体LCが供給される。供給口361から供給された液体LCの少なくとも一部は、上面Taと上面Padとの間隙を介して、多孔部材800が配置されている空間部23に流入する。これにより、多孔部材800の上面が液体LCでクリーニングされる。また、空間部23の内面も液体LCでクリーニングされる。制御装置8は、多孔部材800の孔から液体LCを回収しながら、供給口361から液体LCを供給する。これにより、多孔部材800の内部も液体LCでクリーニングされる。また、本実施形態においては、可動部材360の供給口361からの液体LCの供給と並行して、回収口363からの液体LCの回収が行われる。制御装置8は、駆動装置362を制御して、基板ステージ2間隙に対する可動部材360の位置を調整しながら、供給口361から液体LCを供給することができる。また、本実施形態において、制御装置8は、超音波発生装置85を制御して、カバー部材Tに超音波を与えながら、供給口361から液体LCを供給することができる。本実施形態においても、多孔部材800を含む基板ステージ2の少なくとも一部を良好にクリーニングすることができる。なお、本実施形態おいては、基板交換位置RPにおいて、可動部材360を用いる基板ステージ2の少なくとも一部のクリーニングが実行されることとしたが、露光位置EPにおいて、液浸部材7を用いる基板ステージ2の少なくとも一部のクリーニングが実行されてもよい。液浸部材7を用いてクリーニングする場合、制御装置8は、液浸部材7の下面14が対向可能な位置に基板ステージ2を配置する。制御装置8は、ダミー基板DPの上面Padとカバー部材Tの上面Taとの間の間隙上に液体LCの液浸空間LTの少なくとも一部が形成されるように、液浸部材7の下面14とダミー基板DPの上面及びカバー部材Tの上面Taの少なくとも一方とが対向する状態で、例えば供給口15から液体LCを供給する。<第6実施形態>次に、第6実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図16は、本実施形態に係るクリーニングシーケンスSM2の一例を示す図である。本実施形態において、基板ステージ2は、少なくとも一部が空間部23に配置され、流体を回収可能な孔を有する多孔部材80と、空間部23に配置され、クリーニング用の液体LCを供給する供給口370とを備えている。本実施形態において、供給口370は、空間部23の内面とケース81の外面との間の空間23Sに面するように、空間部23の内面に配置される。供給口370は、流路371を介して、液体LCを送出可能な供給装置372と接続される。供給装置372から送出された液体LCは、流路371を介して、供給口370に供給される。クリーニングシーケンスSM2の少なくとも一部の期間において、第1保持部31にダミー基板DPが保持される。多孔部材80の一部は、ダミー基板DPとカバー部材Tとの間の間隙に配置される。また、多孔部材80の一部は、空間部23に配置される。本実施形態においては、少なくとも供給口370から液体LCが供給されるときに、第1保持部31にダミー基板DPが保持される。クリーニングシーケンスSM2において、供給口370から空間23Sに液体LCが供給される。供給口370から空間23Sに供給された液体LCは、空間部23の内面及びケース81の外面の少なくとも一部に接触する。これにより、空間部23の内面及びケース81の外面の少なくとも一部が液体LCでクリーニングされる。また、供給口370から空間23Sに供給された液体LCの少なくとも一部は、多孔部材80の第1側面80Bに接触する。これにより、多孔部材80の第1側面80Bの少なくとも一部が液体LCでクリーニングされる。本実施形態において、供給口370から供給され、多孔部材80の表面に接触した液体LCは、多孔部材80の孔を介して回収される。すなわち、クリーニングシーケンスSM2において、制御装置8は、流体吸引装置26を制御して、多孔部材80の孔からの回収動作を実行する。図16に示す例においては、供給口370から供給された液体LCの少なくとも一部は、第1側面80Bに接触する。第1側面80Bに接触した液体LCの少なくとも一部は、その第1側面80Bの孔から回収される。なお、供給口370から供給された液体LCの少なくとも一部が、第2側面80Cに接触してもよい。また、第2側面80Cに接触した液体LCの少なくとも一部が、その第2側面80Cの孔から回収されてもよい。本実施形態において、制御装置8は、供給口370からの液体LCの供給と並行して、多孔部材80からの液体LCの回収を実行する。なお、供給口370から液体LCが供給されるとき、多孔部材80の回収動作が停止されてもよい。また、供給口370からの液体LCの供給が停止されるとき、多孔部材80の液体LCの回収が実行されてもよい。以上説明したように、本実施形態によれば、空間部23に配置された供給口370から液体LCを供給することにより、間隙GdGaの下方に配置される空間部23の内面の少なくとも一部、及びケース81の外面の少なくとも一部を液体LCでクリーニングすることができる。また、供給口370から供給された液体LCで、多孔部材80の孔をクリーニングすることができる。なお、図17に示すように、空間部23の供給口370から供給された液体LCの少なくとも一部が、ダミー基板DPとカバー部材Tとの間の間隙Gdを介して、ダミー基板DPの上面Pad及びカバー部材Tの上面Taの少なくとも一方が面する空間に流れてもよい。図17に示す例では、空間部23の液体LCは、間隙Gdのうち、ダミー基板DPの上面Padと多孔部材80の上面80Aとの間の間隙から、上面Pad及び上面Taが面する空間に供給される。これにより、カバー部材Tの上面Ta及び内面Tcの少なくとも一方が液体LCでクリーニングされる。本実施形態において、空間部23から上面Ta及び上面Padが面する空間に流出した液体LCは、例えば上面Ta及び上面Padの少なくとも一方が対向可能に配置された液浸部材7の回収口16から回収される。なお、例えば図15等を参照して説明した可動部材360が有する回収口363から液体LCを回収してもよい。<第7実施形態>次に、第7実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図18は、本実施形態に係るクリーニングシーケンスSM2の一例を示す図である。本実施形態において、露光装置EXは、カバー部材T、多孔部材80、ケース81の外面、及び空間部23の内面の少なくとも一部に光ECを照射する射出装置380を備えている。本実施形態において、光ECは、カバー部材T、多孔部材80、ケース81の外面、及び空間部23の内面の少なくとも一部をクリーニングするための光である。光ECは、例えば光洗浄効果を有する紫外光を含む。本実施形態において、射出装置380は、光ECを射出する射出部381を含む射出部材382と、射出部材382を移動可能なアクチュエータを含む駆動装置383とを有する。本実施形態において、射出部381は、上面Ta及び上面80Aの少なくとも一方が対向可能な位置に配置される。駆動装置383は、基板ステージ2に対して射出部材382を移動可能である。本実施形態において、射出部材382は、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZの6つの方向に移動可能である。また、駆動装置383は、基板ステージ2に対する射出部材382の位置を調整可能である。射出部材382が移動することによって、射出部381も移動する。射出部材382の位置が調整されることによって、基板ステージ2に対する射出部381の位置も調整される。本実施形態においては、クリーニングシーケンスSM2の少なくとも一部の期間において、第1保持部31にダミー基板D4が保持される。本実施形態においては、少なくとも射出部381から光ECが射出されるときに、第1保持部31にダミー基板DP4が保持される。本実施形態においては、ダミー基板DP4とカバー部材Tとの間の間隙に多孔部材80の少なくとも一部が配置される。本実施形態において、ダミー基板DP4の少なくとも一部が第1側面80Bと対向する。本実施形態において、ダミー基板DP4は、第1側面80Bが対向可能な側面Pc4を有する。本実施形態において、側面Pc4は、光ECの少なくとも一部を反射する反射面を含む。反射面は、例えば蒸着法により形成された金属膜の表面を含む。本実施形態において、側面Pc4は、ダミー基板DP4第1保持部31の中心に対する放射方向に関して、外側に向かって下方に傾斜する。本実施形態において、射出部381は、ダミー基板DP4の側面Pc4に光ECを照射する。制御装置8は、射出部381からの光ECが側面Pc4に照射されるように、ダミー基板DP4基板ステージ2に対する射出部381の位置を調整する。射出部381から射出され、側面Pc4に照射された光ECの少なくとも一部は、その側面Pc4で反射する。側面Pc4で反射した光ECの少なくとも一部は、多孔部材80の第1側面80Bに照射される。これにより、第1側面80Bが光ECでクリーニングされる。なお、本実施形態においては、射出部381から射出された光ECは、ダミー基板DP4を介して第1側面80Bに照射されることとしたが、例えば図19に示すように、上面80A及び上面Taの少なくとも一方が対向可能な位置に配置される射出部381から射出された光ECが、ケース81の外面、及び空間部23の内面の少なくとも一部に照射されてもよい。なお、射出部381から射出された光ECが、カバー部材Tの少なくとも一部に照射されてもよい。例えば、射出部381から射出された光ECが、上面Ta及び内面Tcの少なくとも一方に照射されてもよい。なお、本実施形態において、ダミー基板DP4を介さずに、第1側面80Bに光ECを照射してもよい。また、第1側面80Bに限らず、上面80A及び第2側面80Cの少なくとも一部に、射出部381からの光ECが照射されてもよい。なお、図20に示すように、光ECを射出する射出部381Bが、空間部23に配置されてもよい。射出部381Bから射出された光ECが、多孔部材80ケース81、カバー部材T、及び空間部23の内面の少なくとも一部に照射されることによって、それら多孔部材80ケース81、カバー部材T、及び空間部23の内面の少なくとも一部が光ECでクリーニングされる。<第8実施形態>次に、第8実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図21は、本実施形態に係るクリーニングシーケンスSM2の一例を示す図である。本実施形態において、露光装置EXは、カバー部材Tの表面、及び多孔部材80の表面の少なくとも一部に接触するクリーニング部材390を備えている。本実施形態において、クリーニング部材390は、カバー部材Tの表面、及び多孔部材80の表面の少なくとも一部を擦ることができる研磨部材を含む。本実施形態において、クリーニング部材390は、砥石を含む。本実施形態において、クリーニング部材390は、アクチュエータを含む駆動装置391の作動によって、基板ステージ2に対して移動可能である。駆動装置391は、基板ステージ2に対するクリーニング部材390の位置を調整可能である。本実施形態において、クリーニング部材390は、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZの6つの方向に移動可能である。本実施形態において、クリーニング部材390は、カバー部材Tの上面Ta及び多孔部材80の上面80Aの少なくとも一方が対向可能な位置に配置される。本実施形態においては、クリーニングシーケンスSM2の少なくとも一部の期間において、第1保持部31にダミー基板等の物体は保持されない。本実施形態において、多孔部材80は、基板Pの露光において間隙Gaに配置される第1部分801を有する。図21に示す例では、クリーニング部材391は、第1側面80Bに接触する。駆動装置391は、第1側面80Bとクリーニング部材391とが接触した状態で、クリーニング部材391を動かす。これにより、第1側面80Bがクリーニング部材391で擦られ、第1側面80Bがクリーニングされる。本実施形態において、クリーニング部材390は、異物を吸引する吸引口392を有する。吸引口392は、流路393を介して、吸引装置394と接続される。本実施形態において、流路393の少なくとも一部は、クリーニング部材390の内部に形成される。多孔部材80とクリーニング部材390との接触により発生した異物は、吸引口392から吸引される。以上説明したように、本実施形態によれば、クリーニング部材390を用いて、多孔部材80の少なくとも一部をクリーニングすることができる。なお、本実施形態においては、クリーニング部材390を用いて第1側面392をクリーニングすることとしたが、上面80Aとクリーニング部材390とを接触させてもよいし、第2側面80Cとクリーニング部材390とを接触させてもよい。また、カバー部材Tの表面上面Ta、内面Tc、及び下面Tbの少なくとも一つとクリーニング部材390とを接触させてもよい。なお、クリーニング部材390とケース81の外面とを接触させてもよいし、クリーニング部材390と空間部23の内面とを接触させてもよい。なお、ケース81の外面及び空間部23の外面の少なくとも一方と接触可能なように、クリーニング部材390の外形が調整されてもよい。<第9実施形態>次に、第9実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図22は、本実施形態に係る液浸部材700の一例を示す図である。図22において、液浸部材700は,液体LQを供給する供給口15Kと、液体LQを回収する回収口16Kとを備えている。供給口15Kは、射出面13から射出される露光光ELの光路Kに面するように配置される。なお、供給口15Kの少なくとも一部が、終端光学素子12の側面と対向するように配置されてもよい。回収口16Kは、基板Pが対向可能に配置される。本実施形態において、回収口16Kは、多孔部材19Kの孔を含む。回収口16は、光路Kに対して供給口15Kの外側に配置される。液浸部材700は、回収口16から回収された液体LQが流動可能な流路20Kを有する。なお、回収口16から回収された気体も、流路20Kを流動する。本実施形態において、液浸部材700は、流路20Kに面する第1排出口701と、流路20Kに面する第2排出口702とを有する。本実施形態において、第1排出口701は、実質的に流路20Kの気体のみを排出し、液体LQを排出しない。第2排出口702は、実質的に流路20Kの液体LQのみを排出し、気体を排出しない。本実施形態において、第2排出口702は、多孔部材の孔を含む。なお、第1排出口701から液体及び気体の両方が排出されてもよいし、第2排出口702から液体及び気体の両方が排出されてもよい。供給口15Kは、流路を介して液体供給装置18Kと接続される。第1排出口701は、流路を介して第1回収装置21Kaと接続される。第2排出口702は、流路を介して第2回収装置21Kbと接続される。本実施形態において、液浸部材700の周囲の少なくとも一部に、流体を回収する回収部材750が配置される。回収部材750は、基板Pが対向可能な下面を有する。回収部材750は、基板Pが対向可能な回収口751を有する。回収口751は、流路を介して回収装置21Kcと接続される。回収口751は、回収部材750の下面と基板Pとの間の空間の液体LQを回収可能である。回収口751は、液浸部材700の下面と基板Pとの間の空間から流出した液体LQを回収する。なお、図22においては、液浸部材700の下面及び回収部材750の下面と対向する位置に基板Pが配置されることとしたが、例えば基板ステージ2及び計測ステージ3の少なくとも一方が配置されてもよいし、基板P、基板ステージ2、及び計測ステージ3とは異なる物体が配置されてもよい。次に、液浸部材700を用いて、基板ステージ2の少なくとも一部をクリーニングする例について説明する。図23は、液浸部材700を用いるクリーニングシーケンスSM2の一例を示す図である。クリーニングシーケンスSM2において、第1保持部31にダミー基板DPが配置される。ダミー基板DPとカバー部材Tとの間の間隙に、多孔部材80の第1部分801が配置される。また、クリーニングシーケンスSM2において、液浸部材700の下面と多孔部材80の上面80Aとが対向するように、液浸部材700に対する基板ステージ2の位置が調整される。本実施形態においては、カバー部材T、多孔部材80、ケース81、及び空間部23の内面の少なくとも一部がクリーニング用の液体LCによってクリーニングされる。本実施形態においては、第2排出口702から流路20Kに液体LCが供給される。本実施形態において、第2回収装置21Kbは、液体LCを送出可能である。第2回収装置21Kbから送出された液体LCは、第2排出口702に供給される。第2排出口702から流路20Kに液体LCが供給されることによって、流路20Kの内面の少なくとも一部が液体LCでクリーニングされる。また、流路20Kの液体LCの少なくとも一部は、回収口16Kを介して、液浸部材700の下面が面する空間SPに供給される。液浸部材700の下面が面する空間は、液浸部材700と基板ステージ2との間の空間を含む。本実施形態においては、液浸部材700の下面と多孔部材80の上面80A間隙Gdとが対向された状態で、回収口16Kから液体LCが供給される。回収口16Kから供給された液体LCは、多孔部材80の少なくとも一部に接触する。これにより、多孔部材80の少なくとも一部が液体LCでクリーニングされる。本実施形態においては、回収口16Kから空間SPに液体LCが供給されるとき、供給口15Kから液体LQが供給される。供給口15Kから供給された液体LQは、終端光学素子12の表面の少なくとも一部を覆う。また、供給口15Kから供給された液体LQは、終端光学素子12の光軸に対する放射方向に関して、終端光学素子12から外側に向かって流れる。これにより、空間SPの液体LCが終端光学素子12に接触することが抑制される。回収口16Kから空間SPに供給された液体LC、及び供給口15Kから供給された液体LQは、回収部材750の回収口751から回収される。以上説明したように、本実施形態においても、液体LCを用いて、間隙GaGdの周囲に存在する部材の表面の少なくとも一部を良好にクリーニングすることができる。なお、上述の各実施形態においては、少なくとも一部が間隙Gaに配置される多孔部材80をクリーニングすることとしたが、例えば図24に示すように、間隙Gaの下方に位置する多孔部材800がクリーニングされてもよい。図24において、多孔部材800の全部が間隙Gaの下方に配置されている。すなわち、多孔部材800は、間隙Gaに配置されない。また、図24に示す例では、多孔部材800は、ケース810に支持される。図24に示す多孔部材800ケース810であっても、上述の実施形態に従って、クリーニングすることができる。なお、図25及び図26に示すように、ケース81810が省略されてもよい。ケース81810に支持されていない多孔部材80800を、上述の実施形態に従って、クリーニングしてもよい。なお、上述したように、制御装置8は、CPU等を含むコンピュータシステムを含む。また、制御装置8は、コンピュータシステムと外部装置との通信を実行可能なインターフェースを含む。記憶装置8Rは、例えばRAM等のメモリ、ハードディスク、CD-ROM等の記録媒体を含む。記憶装置8Rには、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステムOSがインストールされ、露光装置EXを制御するためのプログラムが記憶されている。なお、制御装置8に、入力信号を入力可能な入力装置が接続されていてもよい。入力装置は、キーボード、マウス等の入力機器、あるいは外部装置からのデータを入力可能な通信装置等を含む。また、液晶表示ディスプレイ等の表示装置が設けられていてもよい。記憶装置8Rに記録されているプログラムを含む各種情報は、制御装置コンピュータシステム8が読み取り可能である。記憶装置8Rには、制御装置8に、液体LQを介して露光光ELで基板Pを露光する露光装置EXの制御を実行させるプログラムが記録されている。露光装置が、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第1保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、を備える場合、記憶装置8Rに記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置8に、第1部材、及び間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部をクリーニングすることを実行させてもよい。また、露光装置が、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第1保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、基板が第1保持部に保持されている状態において基板と第1面を有する第1部材との間に少なくとも一部が配置され、多孔部材を含む第2部材と、光学部材の周囲の少なくとも一部に配置され、基板の露光において基板との間で露光液体の液浸空間を形成する液浸部材と、を備える場合、記憶装置8Rに記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置8に、液浸部材と第2部材との間にクリーニング液体の液浸空間を形成することを実行させてもよい。また、露光装置が、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第1保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、基板と第1面との間の間隙に通じる空間部に配置され、流体を回収可能な回収口を有する第2部材と、を備える場合、記憶装置8Rに記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置8に、空間部にクリーニング液体を供給することを実行させてもよい。また、露光装置が、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第1保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、を備える場合、記憶装置8Rに記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置8に、第1部材、及び間隙の下方に位置する部材の少なくとも一つの少なくとも一部にクリーニング光を照射することを実行させてもよい。また、露光装置が、露光光が射出される射出面を有する光学部材と、基板の下面をリリース可能に保持する第1保持部と、基板が配置可能な開口を規定し、基板が第1保持部に保持されている状態において基板の上面の周囲に配置され、基板の上面と間隙を介して隣接する第1面を有する第1部材と、を含む基板保持装置と、を備える場合、記憶装置8Rに記録されているプログラムは、上述の実施形態に従って、制御装置8に、第1部材、及び間隙の下方に位置する部材の少なくとも一部にクリーニング部材を接触させることを実行させてもよい。記憶装置8Rに記憶されているプログラムが制御装置8に読み込まれることにより、基板ステージ2、液浸部材7、駆動システム5、及び流体吸引装置26等、露光装置EXの各種の装置が協働して、液浸空間LSが形成された状態で、基板Pの液浸露光等、各種の処理を実行する。なお、上述の各実施形態においては、投影光学系PLの終端光学素子12の射出側像面側の光路Kが液体LQで満たされているが、投影光学系PLが、例えば国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているような、終端光学素子12の入射側物体面側の光路も液体LQで満たされる投影光学系でもよい。なお、上述の各実施形態においては、露光用の液体LQとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。液体LQとしては、露光光ELに対して透過性であり、露光光ELに対して高い屈折率を有し、投影光学系PLあるいは基板Pの表面を形成する感光材フォトレジストなどの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体LQとして、ハイドロフロロエーテルHFE、過フッ化ポリエーテルPFPE、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体LQとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。なお、上述の各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版合成石英、シリコンウエハ等が適用される。露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップアンドスキャン方式の走査型露光装置スキャニングステッパの他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップアンドリピート方式の投影露光装置ステッパにも適用することができる。さらに、ステップアンドリピート方式の露光において、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第1パターンの縮小像を基板P上に転写した後、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第2パターンの縮小像を第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光してもよいスティッチ方式の一括露光装置。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップアンドスティッチ方式の露光装置にも適用できる。また、例えば米国特許第6611316号明細書に開示されているように、2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、1回の走査露光によって基板上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクションアライナーなどにも本発明を適用することができる。また、本発明は、米国特許第6341007号明細書、米国特許第6208407号明細書、米国特許第6262796号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子CCD、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン又は位相パターン減光パターンを形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6778257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれるを用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。上述の各実施形態においては、投影光学系PLを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系PLを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射することができる。また、例えば国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にラインアンドスペースパターンを露光する露光装置リソグラフィシステムにも本発明を適用することができる。上述の実施形態の露光装置EXは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図27に示すように、マイクロデバイスの機能性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスクレチクルを製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理露光処理を含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む205、検査ステップ206等を経て製造される。なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。"