"はんだ堆積物を基板上に形成する方法であって、以下の工程:a.少なくとも1つの内部層コンタクトパッド102を含む、銅表面又は銅合金表面101を含む基板を準備する工程、b.該銅表面101を貫通する少なくとも1つの内部層コンタクトパッド102のための開口部104を形成する工程、c.該開口部104及び該少なくとも1つの内部層コンタクトパッド102を含む基板表面全体を、伝導性層105を該基板表面上に設けるのに適した溶液と接触させる工程、d.レジスト層106を堆積及びパターン化し、それによって、該少なくとも1つの内部層コンタクトパッド102を露出する工程、e.錫又は錫合金から成るはんだ堆積物層108を該開口部104中に電気めっきする工程、f.該レジスト層106を除去する工程、g.該はんだ堆積物層108によって覆われていない剥き出しの伝導性層105及び錫層又は錫合金層によって覆われていない該伝導性層105の下の銅表面又は銅合金表面をエッチングによって除去する工程、その際、該はんだ堆積物層108は、エッチレジストの機能を有する、h.該はんだレジスト層112を塗布し、かつ該はんだレジスト開口部113を形成して該はんだ堆積物層108を露出する工程を含む方法。工程d.において、金属レジスト107のための開口部も形成し、該開口部を、工程eにおいて、錫又は錫合金の電気めっきによってパターン化金属レジスト層109で充填する、請求項1記載の方法。付加的な処理工程g2.錫エッチレジスト層114を、前記はんだ堆積物層108上に堆積させ、かつ層109を除去する工程、及びg3.該錫エッチレジスト層114を、前記はんだ堆積物層108から除去する工程を施す、請求項2記載の方法。金属レジスト層109をエッチングによって除去する、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。付加的な金属層115を、請求項1における工程c.と工程d.との間で堆積させる、請求項1記載の方法。付加的な金属層115を、請求項1における工程d.と工程e.との間で堆積させる、請求項1記載の方法。介在的なはんだ堆積物最上層121を、前記はんだ堆積物層108上に堆積させる、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。前記伝導性シード層105を、銅、ニッケル、銀、それらの合金並びに前記の金属及び合金のマルチレイヤーの群から選択している、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。リフロー処理を、取り付けられたはんだ堆積物層108及びはんだレジスト層112を有する基板に施す、請求項1から8までのいずれか1項記載の方法。前記内部層コンタクトパッド102が、バイア又はトレンチを有する、請求項1から9までのいずれか1項記載の方法。前記基板が、プリント回路板、IC基板又はインターポーザーである、請求項1から10までのいずれか1項記載の方法。プロセスシーケンスは、図2に従う。図2aに従った外部銅層101及び内部層コンタクトパッド102を有するPCB基板を用いる。次の工程において、開口部104を紫外線で穴あけする図2b。開口部4内部のスミアを、スミア除去プロセス、例えば、aプラスチック材料をブチルグリコールベースの膨潤剤中で膨潤させる工程、b過マンガン酸カリウムベースの組成物を用いて過マンガンエッチングを行う工程、及び過酸化水素を有する還元溶液で還元する工程を含む、過マンガン酸アルカリ処理によって除去する。次に、銅の伝導性シード層105を、基板表面全体に形成する図2c。このために該表面を、イオノゲン性パラジウムを含有する酸性溶液と、次いで無電解銅めっきのための溶液とまず接触させる。次いで、ドライフィルムフォトレジスト106PM250、DuPontを、外部銅層101上に積層する。このドライフィルムフォトレジストを標準的な方法でパターン化して開口部104を露出する図2d。その後、錫はんだ堆積物108を及びパターン化金属レジスト層109を、以下SnMSA2としてのSn245g/l、MSA70溶液60ml/l、ヒドロキノン2g/l及びベンザルアセトン100mg/lを含有する浴から伝導性層上にめっきする図2e。該浴のpHは0であり、温度は25°Cである。めっきは7分間にわたる。パルスめっきを、次のパラメーターを適用しながら使用する:順電流パルスの平均電流密度:2A/dm2;順電流パルスの期間:20ms;逆電流パルスの平均電流密度:0A/dm2逆パルスなし、休止パルスのみ;逆電流パルスの期間:4ms。図2による開口部108を、いかなるボイド形成も伴うことなく、錫はんだ堆積物で完全に充填する。さらに、開口部107を、パターン化金属レジスト層109で充填する。次いで、パターン化ドライフィルムレジスト106を、炭酸カリウム2質量の水溶液で除去する図2f。構造化された銅層110及び銅リング111を、HCl200ml/l32及びCuCl22H2O160g/lを有するエッチング組成物による銅層101及び伝導性シード層105のエッチングによって形成する。このために基板を、ノズルのアレイを有する水平配置において45°Cの温度でエッチング組成物と接触させる。接触時間は約30秒である。はんだ堆積物層108は、金属レジストの機能を有する。したがって、構造化された銅層110及び銅リング111の形成のために、付加的なエッチレジスト又はマスク、例えばフォトレジストは使用されない。パターン化金属レジスト層109及びはんだ堆積物層の部分108を、次の工程において、硝酸30体積を含有する溶液中で40°Cの温度にて1分間処理することによって除去する図2h。次に、25μmの厚さを有するはんだレジスト層112LackwerkePeters,ELPEMERSD2467SG-DG525を、構造化された銅層110及び非伝導性基板103aの隣接表面上に堆積する。はんだレジスト層をフォト構造化し、はんだ堆積物層108を露出する図2i。錫はんだ堆積物108はボイドを含んでおらず、非常に均質な表面分布を示し、かつウイスカーフリーである。該基板は、チップ又は回路にはんだ付けされることに適している。リフロー118はんだ付け後に生じるはんだ接合はボイドフリーである。"