"ベースと、少なくとも1つの回路基板と、を備える半導体モジュールであって、前記少なくとも1つの回路基板が、支持基板と前記支持基板によって支持される半導体素子とを有し、前記ベース及び/又は前記支持基板が、前記少なくとも1つの回路基板を前記ベースに嵌め合わせるための構造を有する、半導体モジュール。前記少なくとも1つの回路基板が複数の回路基板を備え、前記複数の回路基板のそれぞれが、前記支持基板と前記半導体素子とを有する、請求項1に記載の半導体モジュール。前記半導体素子と電気的に接続される端子を支持すると共に、前記ベースに取り付けられる絶縁支持体を更に備える、請求項1又は2に記載の半導体モジュール。前記ベースが、前記構造として凹部又は凸部を有する、請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体モジュール。前記ベースが、前記構造として溝を有する、請求項4に記載の半導体モジュール。前記溝が、前記溝の延在方向に沿って深くなっている、請求項5に記載の半導体モジュール。前記少なくとも1つの回路基板を前記ベースに固定する固定部材を更に備える、請求項1~6のいずれか一項に記載の半導体モジュール。前記少なくとも1つの回路基板の主面の中心を通ると共に前記主面に垂直な軸線に対して、前記構造が非対称に形成されている、請求項1~7のいずれか一項に記載の半導体モジュール。前記半導体素子がワイドバンドギャップ半導体を含む、請求項1~8のいずれか一項に記載の半導体モジュール。前記ワイドバンドギャップ半導体がSiC又はGaNである、請求項9に記載の半導体モジュール。支持基板と前記支持基板によって支持される半導体素子とを有する少なくとも1つの回路基板をベースに嵌め合わせる工程を含み、前記ベース及び/又は前記支持基板が、前記少なくとも1つの回路基板を前記ベースに嵌め合わせるための構造を有する、半導体モジュールの製造方法。溝を有するベースに、前記溝に対向配置された端子を支持する絶縁支持体を取り付ける工程と、前記端子と前記ベースとの間に、支持基板と前記支持基板によって支持される半導体素子とを有する回路基板の第1の端部を挿入する工程と、前記回路基板の第1の端部とは異なる第2の端部を固定部材によって前記ベースに固定して、前記端子を前記半導体素子と電気的に接続すると共に、前記回路基板を前記ベースの前記溝に嵌め合わせる工程と、を含む、半導体モジュールの製造方法。前記溝が、前記溝の延在方向に沿って前記端子に向かって深くなっている、請求項12に記載の半導体モジュールの製造方法。しかしながら、上述の半導体モジュールでは、半田等によりセラミックス基板を金属ベースに取り付ける際に、セラミックス基板が所望の位置からずれてしまうおそれがある。このため、セラミックス基板と金属ベースとの間の位置決め精度を向上させるのは容易でない。本発明は、上記事情に鑑みて為されたものであり、半導体素子を有する回路基板とベースとの間において高い位置決め精度を有する半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法を提供することを目的とする。上述の課題を解決するため、本発明の一側面に係る半導体モジュールは、ベースと、少なくとも1つの回路基板と、を備える半導体モジュールであって、前記少なくとも1つの回路基板が、支持基板と前記支持基板によって支持される半導体素子とを有し、前記ベース及び/又は前記支持基板が、前記少なくとも1つの回路基板を前記ベースに嵌め合わせるための構造を有する。この半導体モジュールでは、回路基板をベースに嵌め合わせることによって、回路基板とベースとの間において高い位置決め精度が得られる。一実施形態において、半導体モジュールは、前記少なくとも1つの回路基板が複数の回路基板を備え、前記複数の回路基板のそれぞれが、前記支持基板と前記半導体素子とを有してもよい。半導体素子を支持基板に搭載する際に、実装によるストレスによって不良品の半導体素子が発生する可能性がある。半導体素子を直接検査することは困難であるため、通常、支持基板に搭載した後に半導体素子を検査する。ここで、複数の半導体素子が単一の支持基板によって支持されていると、検査により1つでも不良品の半導体素子が見つかると、支持基板によって支持された全ての半導体素子が無駄になってしまう。一方、上記半導体モジュールでは、個々の回路基板を検査して良品の回路基板を選別し、選別された良品の回路基板を選択的にベースに嵌め合わせることができる。このため、複数の半導体素子が単一の支持基板によって支持される場合に比べて、半導体モジュールの製造歩留まりを向上させることができる。また、複数の半導体素子が単一の支持基板によって支持される場合、不良品の半導体素子が見つかった場合に備えて、良品の半導体素子を新たに搭載するためのスペースを支持基板に設けることがある。この場合、支持基板のサイズは大きくなる。一方、上記半導体モジュールでは、そのようなスペースが必要ないので、半導体モジュールを小型化できる。さらに、上記半導体モジュールでは、複数の半導体素子が単一の支持基板によって支持される場合に比べて、個々の回路基板のサイズを小さくすることができるので、回路基板が応力によって撓むことを抑制できる。一実施形態において、半導体モジュールは、前記半導体素子と電気的に接続される端子を支持すると共に、前記ベースに取り付けられる絶縁支持体を更に備えてもよい。この場合、端子と絶縁支持体とが一体化しているので、半導体モジュールの組み立てが容易になる。一実施形態において、前記ベースが、前記構造として凹部又は凸部を有してもよい。一実施形態において、前記ベースが、前記構造として溝を有してもよい。この場合、溝に沿って回路基板をスライドさせてベースに嵌め合わせることができるので、半導体モジュールの組み立てが容易になる。一実施形態において、前記溝が、前記溝の延在方向に沿って深くなってもよい。この場合、溝が深くなっている部分に回路基板の端部を差し込み易くなるので、半導体モジュールの組み立てが容易になる。一実施形態において、半導体モジュールは、前記少なくとも1つの回路基板を前記ベースに固定する固定部材を更にてもよい。この場合、回路基板とベースとの間においてより高い位置決め精度が得られる。一実施形態において、前記少なくとも1つの回路基板の主面の中心を通ると共に前記主面に垂直な軸線に対して、前記構造が非対称に形成されてもよい。この場合、ベースに対する回路基板の向きが1つに決まるので、間違った向きで回路基板をベースに嵌め合わせることを抑制できる。その結果、半導体モジュールの組み立てが容易になる。一実施形態において、前記半導体素子がワイドバンドギャップ半導体を含んでもよい。前記ワイドバンドギャップ半導体がSiC又はGaNであってもよい。本発明の一側面に係る半導体モジュールの製造方法は、支持基板と前記支持基板によって支持される半導体素子とを有する少なくとも1つの回路基板をベースに嵌め合わせる工程を含み、前記ベース及び/又は前記支持基板が、前記少なくとも1つの回路基板を前記ベースに嵌め合わせるための構造を有する。この半導体モジュールの製造方法では、回路基板をベースに嵌め合わせることによって、回路基板とベースとの間において高い位置決め精度を有する半導体モジュールが得られる。本発明の別の側面に係る半導体モジュールの製造方法は、溝を有するベースに、前記溝に対向配置された端子を支持する絶縁支持体を取り付ける工程と、前記端子と前記ベースとの間に、支持基板と前記支持基板によって支持される半導体素子とを有する回路基板の第1の端部を挿入する工程と、前記回路基板の第1の端部とは異なる第2の端部を固定部材によって前記ベースに固定して、前記端子を前記半導体素子と電気的に接続すると共に、前記回路基板を前記ベースの前記溝に嵌め合わせる工程とを含む。この半導体モジュールの製造方法では、回路基板をベースに嵌め合わせることによって、回路基板とベースとの間において高い位置決め精度を有する半導体モジュールが得られる。さらに、回路基板の第1の端部を端子とベースとの間に挿入する際に、端子が第1の端部を押圧することによって回路基板の反対側の端部が浮き上がってしまっても、固定部材によって回路基板をベースの溝に嵌め合わせることができる。一実施形態において、前記溝が、前記溝の延在方向に沿って前記端子に向かって深くなってもよい。この場合、端子と溝の底との間のスペースを広く維持することができるので、回路基板の第1の端部を斜めに挿入することができる。その結果、半導体モジュールの組み立てが容易になる。また、固定部材によってベースに第2の端部を固定する際に、てこの原理によって端子と半導体素子との間の電気的接続がより確実に得られる。本発明によれば、半導体素子を有する回路基板とベースとの間において高い位置決め精度を有する半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法が提供され得る。以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。第1実施形態<半導体モジュール>図1は、第1実施形態に係る半導体モジュールを模式的に示す平面図である。図2は、図1のII-II線に沿った半導体モジュールの断面図である。図3は、図1のIII-III線に沿った半導体モジュールの断面図である。図1において蓋70は便宜上表示されていない。図1~3に示される半導体モジュール10は、ベース20と、複数の回路基板30本実施形態では例えば6つとを備える。複数の回路基板30は、ベース20上にアレイ配置され得る。半導体モジュール10は、単一の回路基板30を備えてもよい。複数の回路基板30のそれぞれは、支持基板31と支持基板31によって支持される半導体素子32とを有する図6~図8参照。ベース20は、例えばCu、Al等の金属を含む金属ベースであり得る。ベース20は、放熱板として機能し得る。ベース20は、回路基板30をベース20に嵌め合わせるための構造として溝22を有してもよい。溝22は、ベース20の互いに対向する端部120からベース20の中央部220に向けて形成され得る。溝22は凹部であってもよい。支持基板31は、絶縁基板33と、絶縁基板33の主面に設けられた電極パッド36a,36b,36cと、絶縁基板33の主面とは反対側の面に設けられた金属層34とを備え得る。絶縁基板33は例えばAlN、Al2O3等のセラミックスを含む。電極パッド36a,36b,36c及び金属層34は、例えばCuを含む。金属層34上には、ベース20の溝22に嵌め合わされる凸部35が形成され得る。凸部35は、一方向に延在し得る。凸部35は、例えばCu等の金属を含む。凸部35の延在方向に垂直な断面形状は例えば矩形である。半導体素子32は、例えば半導体チップである。半導体素子32は、ワイドバンドギャップ半導体を含む。この場合、シリコンに比べて半導体素子32の発生する熱量は大きくなるが、ベース20により放熱が適切に行われる。ワイドバンドギャップ半導体としては、例えばSiC又はGaN等の化合物半導体が挙げられる。このような場合、半導体素子32はパワー半導体素子として機能し得る。半導体素子32は、トランジスタ32a及びダイオード32bを備え得る。トランジスタ32aとしては、例えばバイポーラトランジスタ、MOSFET、絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBT等が挙げられる。トランジスタ32aは、半田37aを介して電極パッド36cに電気的に接続されている。ダイオード32bは、半田37bを介して電極パッド36cに電気的に接続されている。トランジスタ32aのゲートは、ワイヤ38aを介して電極パッド36aに電気的に接続されている。トランジスタ32aのソースは、ワイヤ38bを介して電極パッド36bに電気的に接続されている。ダイオード32bは、ワイヤ38cを介して電極パッド36bに電気的に接続されている。半導体モジュール10は、ベース20に取り付けられる絶縁支持体40を備えてもよい。絶縁支持体40は、ベース20の中央部220に取り付けられる。絶縁支持体40は、回路基板30の端部130第1の端部を把持する把持部42を有する。絶縁支持体40は、半導体素子32と電気的に接続される端子80~91を支持する。端子80~91は、ベース20上の回路基板30の端部130に向けて絶縁支持体40から突出している。半導体モジュール10は、ベース20に取り付けられる絶縁支持体50a,50bを備えてもよい。絶縁支持体50a,50bは、ベース20の互いに対向する端部120にそれぞれ取り付けられる。絶縁支持体50a,50bのそれぞれは、ベース20の端部120を把持する把持部52と、回路基板30の端部230第2の端部を把持する把持部54とを有する。回路基板30の端部230は、溝22の延在方向に沿って端部130と反対側に位置する。絶縁支持体50aは、半導体素子32と電気的に接続される端子92~95を支持する。端子92~95は、ベース20上の回路基板30の端部230に向けて絶縁支持体50aから突出している。絶縁支持体50bは、半導体素子32と電気的に接続される端子96~102を支持する。端子96~102は、ベース20上の回路基板30の端部230に向けて絶縁支持体50bから突出している。半導体モジュール10は、ベース20に取り付けられる絶縁支持体60を備えてもよい。絶縁支持体60は、絶縁支持体40,50a,50bを挟むように、ベース20の互いに対向する側部320にそれぞれ取り付けられる。絶縁支持体60は、ベース20の互いに対向する側部320を把持する把持部62と、回路基板30の側部330を把持する把持部64とを有する。絶縁支持体60は、端子を支持していない。絶縁支持体40,50a,50b,60は例えば樹脂を含む。端子80~102は例えば金属ワイヤである。端子80~102は、半導体素子32に直接接触例えばスプリングコンタクトしてもよいし、ワイヤボンディング等により半導体素子32に接続されてもよい。端子80は、第1の半導体素子32の電極パッド36aに接続され、絶縁支持体40を貫通して半導体モジュール10の外部に突出する。端子81は、第1の半導体素子32の電極パッド36bに接続され、絶縁支持体40を貫通して半導体モジュール10の外部に突出する。端子82は、第1の半導体素子32の電極パッド36bに接続され、絶縁支持体40中を通って第2の半導体素子32の電極パッド36cに接続される。端子83は、第2の半導体素子32の電極パッド36aに接続され、絶縁支持体40を貫通して半導体モジュール10の外部に突出する。端子84は、第3の半導体素子32の電極パッド36aに接続され、絶縁支持体40を貫通して半導体モジュール10の外部に突出する。端子85は、第3の半導体素子32の電極パッド36bに接続され、絶縁支持体40を貫通して半導体モジュール10の外部に突出する。端子86は、第3の半導体素子32の電極パッド36bに接続され、絶縁支持体40中を通って第4の半導体素子32の電極パッド36cに接続される。端子87は、第4の半導体素子32の電極パッド36aに接続され、絶縁支持体40を貫通して半導体モジュール10の外部に突出する。端子88は、第5の半導体素子32の電極パッド36aに接続され、絶縁支持体40を貫通して半導体モジュール10の外部に突出する。端子89は、第5の半導体素子32の電極パッド36bに接続され、絶縁支持体40を貫通して半導体モジュール10の外部に突出する。端子90は、第5の半導体素子32の電極パッド36bに接続され、絶縁支持体40中を通って第6の半導体素子32の電極パッド36cに接続される。端子91は、第6の半導体素子32の電極パッド36aに接続され、絶縁支持体40を貫通して半導体モジュール10の外部に突出する。端子92は、第1の半導体素子32の電極パッド36cに接続され、絶縁支持体50aを貫通して半導体モジュール10の外部に突出する。端子93は、第1の半導体素子32の電極パッド36cに接続され、絶縁支持体50a中を通って第3の半導体素子32の電極パッド36cに接続される。端子94は、第3の半導体素子32の電極パッド36cに接続され、絶縁支持体50a中を通って第5の半導体素子32の電極パッド36cに接続される。端子95は、第5の半導体素子32の電極パッド36cに接続され、絶縁支持体50aを貫通して半導体モジュール10の外部に突出する。端子96は、第2の半導体素子32の電極パッド36aに接続され、絶縁支持体50bを貫通して半導体モジュール10の外部に突出する。端子97は、第2の半導体素子32の電極パッド36bに接続され、絶縁支持体50bを貫通して半導体モジュール10の外部に突出する。端子98は、第2の半導体素子32の電極パッド36bに接続され、絶縁支持体50b中を通って第4の半導体素子32の電極パッド36bに接続される。端子99は、第4の半導体素子32の電極パッド36aに接続され、絶縁支持体50bを貫通して半導体モジュール10の外部に突出する。端子100は、第4の半導体素子32の電極パッド36bに接続され、絶縁支持体50b中を通って第6の半導体素子32の電極パッド36bに接続される。端子101は、第6の半導体素子32の電極パッド36aに接続され、絶縁支持体50bを貫通して半導体モジュール10の外部に突出する。端子102は、第6の半導体素子32の電極パッド36bに接続され、絶縁支持体50bを貫通して半導体モジュール10の外部に突出する。半導体モジュール10は、絶縁支持体40,50a,50b,60上に配置されると共にベース20に対向配置される蓋70を更に備えてもよい。蓋70には、端子80,81,83,84,85,87,88,89,91,92,95,96,97,99,101,102通る貫通孔が形成され得る。蓋70は例えば樹脂を含む。図4は、図1の半導体モジュールの等価回路結線図である。図5は、図1の半導体モジュールの端子の配置を模式的に示す図である。図4及び図5に示されるように、半導体モジュール10は、U相、V相及びW相を有する3相インバータ用モジュールとして機能し得る。各回路基板30において、トランジスタ32aはダイオード32bと逆並列接続されている。半導体モジュール10では、回路基板30をベース20に嵌め合わせることによって、回路基板30とベース20との間において高い位置決め精度が得られる。半導体素子を支持基板に搭載する際に、実装ダイシング、ダイボンディング、ワイヤボンディング等によるストレスによって不良品の半導体素子が発生する可能性がある。半導体素子を直接検査することは困難であるため、通常、支持基板に搭載した後に半導体素子を検査する。ここで、複数の半導体素子が単一の支持基板によって支持されていると、検査により1つでも不良品の半導体素子が見つかると、支持基板によって支持された全ての半導体素子が無駄になってしまう。一方、半導体モジュール10では、個々の回路基板30を検査して良品の回路基板30を選別し、選別された良品の回路基板30を選択的にベース20に嵌め合わせることができる。このため、複数の半導体素子が単一の支持基板によって支持される場合に比べて、半導体モジュール10の製造歩留まりを向上させることができる。また、複数の半導体素子が単一の支持基板によって支持される場合、不良品の半導体素子が見つかった場合に備えて、良品の半導体素子を新たに搭載するためのスペースを支持基板に設けることがある。この場合、支持基板のサイズは大きくなる。一方、半導体モジュール10では、複数の回路基板30のそれぞれが支持基板31と半導体素子32とを有している。そのため、良品の半導体素子を新たに搭載するためのスペースが必要ないので、半導体モジュール10を小型化できる。さらに、半導体モジュール10では、複数の半導体素子が単一の支持基板によって支持される場合に比べて、個々の回路基板30のサイズを小さくすることができるので、回路基板30が応力によって撓むことを抑制できる。半導体モジュール10が、端子80~91を支持する絶縁支持体40を備える場合、端子80~91と絶縁支持体40とが一体化しているので、半導体モジュール10の組み立てが容易になる。半導体モジュール10が、溝22を有するベース20を備える場合、溝22に沿って回路基板30をスライドさせてベース20に嵌め合わせることができるので、半導体モジュール10の組み立てが容易になる。<半導体モジュールの製造方法>図6~図21を参照しながら、本実施形態に係る半導体モジュールの製造方法の一例として、図1~3に示される半導体モジュール10の製造方法について説明する。半導体モジュール10は例えば以下のようにして製造される。回路基板の準備工程まず、図6~図8に示されるように、回路基板30を準備する。回路基板30の凸部35は、例えば以下にようにして形成される。まず、絶縁基板33の主面とは反対側の面に設けられた金属層34上に金属膜を形成する。次に、フォトリソグラフィー法を用いて当該金属膜をエッチングすることによって凸部35を形成する。回路基板30は、必要に応じて電気試験等によって検査され得る。検査により、良品の回路基板30が選別される。第1の絶縁支持体の取り付け工程次に、図9~図13に示されるように、ベース20に絶縁支持体40を取り付ける。絶縁支持体40は、ベース20の溝22に端子80~91が対向配置されるように取り付けられ得る。絶縁支持体40は、樹脂中に端子80~91を圧入し、樹脂を成型することにより形成される。また、ベース20に絶縁支持体60を取り付けてもよい。ベース20の溝22は、フォトリソグラフィー法を用いてベースをエッチングすることによって形成され得る。回路基板の嵌め合わせ工程次に、図14~図16に示されるように、回路基板30をベース20に嵌め合わせる。回路基板30の凸部35が、ベース20の溝22に嵌め合わされ得る。例えば、凸部35が溝22に嵌め合わされた状態で、回路基板30をベース20の溝22に沿ってベース20の端部120から中央部220に向かってスライドさせることによって、端子80~91とベース20との間に、回路基板30の第1の端部130を挿入する。これにより、半導体素子32の電極パッド36a,36b,36cが端子80~91と接触して電気的に接続され得る。第2の絶縁支持体の取り付け工程次に、図17~図20に示されるように、ベース20に絶縁支持体50a,50bを取り付ける。絶縁支持体50a,50bは、樹脂中に端子92~102を圧入し、樹脂を成型することにより形成される。これにより、回路基板30の端部230がベース20に固定され得る。また、半導体素子32の電極パッド36a,36b,36cが端子92~102と接触して電気的に接続され得る。蓋の貼り付け工程次に、図21に示されるように、蓋70を絶縁支持体40,50a,50b,60に貼り付ける。蓋70によって、ベース20及び絶縁支持体40,50a,50b,60によって囲まれた空間が封止される。なお、上記各工程の順序を入れ替えてもよいし、複数の工程を同時に行ってもよい。例えば、第1の絶縁支持体の取り付け工程の前に回路基板の嵌め合わせ工程を行ってもよい。また、第1の絶縁支持体の取り付け工程の後に回路基板の準備工程を行ってもよい。また、回路基板の嵌め合わせ工程と第2の絶縁支持体の取り付け工程とを同時に行ってもよい。上記半導体モジュールの製造方法では、回路基板30をベース20に嵌め合わせることによって、回路基板30とベース20との間において高い位置決め精度を有する半導体モジュール10が得られる。第2実施形態図22は、第2実施形態に係る半導体モジュールを模式的に示す平面図である。図23は、図22のXXIII-XXIII線に沿った半導体モジュールの断面図である。図24は、図22のXXIV-XXIV線に沿った半導体モジュールの断面図である。図22において蓋70は便宜上表示されていない。図22~23に示される半導体モジュール10aは、回路基板30に代えて回路基板30aを備えること以外は半導体モジュール10と同じ構成を備える。回路基板30aは、支持基板131と支持基板131によって支持される半導体素子132とを有する図26~図28参照。支持基板131は、絶縁基板33と、絶縁基板33の主面に設けられた電極パッド136a,136b,136c,136dと、絶縁基板33の主面とは反対側の面に設けられた金属層34とを備え得る。半導体素子132は、トランジスタ132a、ダイオード132b及びダイオード132cを備え得る。トランジスタ132aは、半田137aを介して電極パッド136cに電気的に接続されている。ダイオード132bは、半田137bを介して電極パッド136cに電気的に接続されている。トランジスタ132aのゲートは、ワイヤ138aを介して電極パッド136aに電気的に接続されている。ダイオード132cは、半田137cを介して電極パッド136dに電気的に接続されている。トランジスタ132aのソースは、ワイヤ138bを介して電極パッド136bに電気的に接続されている。ダイオード132bは、ワイヤ138cを介して電極パッド136dに電気的に接続されている。ダイオード132cは、ワイヤ138dを介して電極パッド136bに電気的に接続されている。図25は、図22の半導体モジュールの等価回路結線図である。半導体モジュール10aの端子の配置は、図5に示される半導体モジュール10の端子の配置と同じである。図5及び図25に示されるように、半導体モジュール10aは、U相、V相及びW相を有する3相インバータ用モジュールとして機能し得る。各回路基板30において、トランジスタ132aはMOSFETであり、ダイオード132bはトランジスタ132aに直列接続され、ダイオード132cはトランジスタ132a及びダイオード132bの両端に逆並列接続される。ダイオード132bはMOSFET中の寄生ダイオードの動作を抑制し得る。半導体モジュール10aでは、半導体モジュール10と同様の作用効果が得られる。また、半導体モジュール10aは、半導体モジュール10の製造方法と同様の方法によって製造され得る。第3実施形態図29は、第3実施形態に係る半導体モジュールを模式的に示す平面図である。図30は、図29のXXX-XXX線に沿った半導体モジュールの断面図である。図31は、図29のXXXI-XXXI線に沿った半導体モジュールの断面図である。図29において蓋70は便宜上表示されていない。図29~31に示される半導体モジュール10bは、絶縁支持体50a,50bに代えて絶縁支持体150a,150bを備え、ベース20に代えてベース20aを備え、固定部材としてのねじ200を更に備えること以外は半導体モジュール10と同じ構成を備える。ベース20aは、ねじ孔24を更に備えること以外はベース20と同じ構成を備える。絶縁支持体150a,150bは、把持部52を備えておらず、ねじ200が貫通していること以外は絶縁支持体50a,50bと同じ構成を備える。ねじ200は、回路基板30をベース20aに固定する。ねじ200は、絶縁支持体150a,150bを介して、回路基板30の端部230をベース20aに固定する。ねじ200は、ベース20のコーナーにおいて、絶縁支持体150a,150bを通ってベース20aのねじ孔24に取り付けられている。半導体モジュール10bでは、半導体モジュール10と同様の作用効果が得られる。また、半導体モジュール10bは、半導体モジュール10の製造方法と同様の方法によって製造され得る。本実施形態では、回路基板の嵌め合わせ工程と第2の絶縁支持体の取り付け工程とが同時に行われる。まず、凸部35が溝22に嵌め合わされた状態で、回路基板30をベース20の溝22に沿ってベース20の端部120から中央部220に向かってスライドさせることによって、端子80~91とベース20との間に、回路基板30の第1の端部130を挿入する。その後、図32に示されるように、絶縁支持体150a,150bを圧力Pによってベース20aに押圧し、ねじ200をねじ孔24に取り付けることによって、回路基板30の端部230をベース20aに固定する。これにより、端子80~91を半導体素子32と電気的に接続すると共に、回路基板30をベース20aの溝22に嵌め合わせる。半導体モジュール10bの製造方法では、回路基板30の端部130を端子80~91とベース20aとの間に挿入する際に、図32に示されるように、端子80~91が端部130を押圧することによって回路基板30の端部230が浮き上がってしまっても、ねじ200によって回路基板30をベース20aの溝22に嵌め合わせることができる。溝22は、図33に示されるように、溝22の延在方向に沿って深くなってもよい。溝22は、溝22の全体又は一部において、溝22の延在方向に沿って徐々に深くなってもよいし、溝22の延在方向に沿って階段状に深くなってもよい。溝22は、端子80~91に向かって深くなっている。この場合、端子80~91と溝22の底との間のスペースを広く維持することができるので、回路基板30の端部130を斜めに挿入することができる。その結果、半導体モジュール10bの組み立てが容易になる。また、ねじ200によってベース20aに回路基板30の端部230を固定する際に、てこの原理によって端子80~91と半導体素子32との間の電気的接続がより確実に得られる。なお、固定部材として、ねじ200に代えて例えば接着剤を用いてもよい。第4実施形態図34は、第4実施形態に係る半導体モジュールを模式的に示す断面図である。図34に示される半導体モジュール10cは、回路基板をベースに嵌め合わせるための構造が異なること以外は半導体モジュール10と同じ構成を備える。半導体モジュール10cは、回路基板30b及びベース20bを備える。回路基板30bは、凹部35a及び凸部35を備えること以外は回路基板30と同じ構成を備える図35~図36参照。凹部35a及び凸部35は、回路基板30bの主面の中心例えば重心を通ると共に主面に垂直な軸線Aの両側に配置されている。回路基板30bをベース20bに嵌め合わせるための構造は、軸線Aに対して非対称に形成されている。凹部35aは金属層34をエッチングすることにより形成され得る。ベース20bは、凸部35に嵌め合わされる溝22に加えて、凹部35aに嵌め合わされる凸部22aを有する。凸部22aは、ベースをエッチングすることにより形成され得る。半導体モジュール10cでは、半導体モジュール10と同様の作用効果が得られる。また、半導体モジュール10cは、半導体モジュール10の製造方法と同様の方法によって製造され得る。さらに、半導体モジュール10cでは、ベース20bに対する回路基板30bの向きが1つに決まるので、間違った向きで回路基板30bをベース20bに嵌め合わせることを抑制できる。その結果、半導体モジュール10cの組み立てが容易になる。第5実施形態図37は、第5実施形態に係る半導体モジュールを模式的に示す断面図である。図37に示される半導体モジュール10dは、回路基板をベースに嵌め合わせるための構造が異なること以外は半導体モジュール10と同じ構成を備える。半導体モジュール10dは、回路基板30c及びベース20cを備える。回路基板30cは、金属層34に形成された凹部35aを備える。ベース20cは、凹部35aに対応する凸部22aを備える。半導体モジュール10dでは、半導体モジュール10と同様の作用効果が得られる。また、半導体モジュール10dは、半導体モジュール10の製造方法と同様の方法によって製造され得る。第6実施形態図38は、第6実施形態に係る半導体モジュールを模式的に示す断面図である。図38に示される半導体モジュール10eは、回路基板をベースに嵌め合わせるための構造が異なること以外は半導体モジュール10と同じ構成を備える。半導体モジュール10eは、回路基板30d及びベース20dを備える。回路基板30dは、凸部35及び凹部35aを備えていない。ベース20dは、回路基板30d全体に対応する溝22を備える。半導体モジュール10eでは、半導体モジュール10と同様の作用効果が得られる。また、半導体モジュール10eは、半導体モジュール10の製造方法と同様の方法によって製造され得る。第7実施形態図39は、第7実施形態に係る半導体モジュールを模式的に示す断面図である。図39に示される半導体モジュール10fは、回路基板をベースに嵌め合わせるための構造が異なること以外は半導体モジュール10と同じ構成を備える。半導体モジュール10fは、回路基板30e及びベース20eを備える。回路基板30eでは、凸部35の延在方向に垂直な断面形状が三角形になっている。このため、ベース20eでは、溝22の延在方向に垂直な断面形状も三角形になっている。半導体モジュール10fでは、半導体モジュール10と同様の作用効果が得られる。また、半導体モジュール10fは、半導体モジュール10の製造方法と同様の方法によって製造され得る。第8実施形態図40は、第8実施形態に係る半導体モジュールを模式的に示す断面図である。図40に示される半導体モジュール10gは、回路基板をベースに嵌め合わせるための構造が異なること以外は半導体モジュール10と同じ構成を備える。半導体モジュール10gは、回路基板30f及びベース20fを備える。回路基板30fでは、凸部35の延在方向に垂直な断面形状が半円になっている。このため、ベース20fでは、溝22の延在方向に垂直な断面形状も半円になっている。半導体モジュール10gでは、半導体モジュール10と同様の作用効果が得られる。また、半導体モジュール10gは、半導体モジュール10の製造方法と同様の方法によって製造され得る。以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されない。第1~第8実施形態に係る半導体モジュールの各構成は、互いに組み合わされてもよい。ベースが凹部を有し、支持基板が凹部に対応する凸部を有してもよい。ベースが凸部を有し、支持基板が凸部に対応する凹部を有してもよい。ベースが凹部を有し、支持基板が凹部にそのまま嵌め合わされてもよい。回路基板をベースに嵌め合わせるための構造は、任意の形状を有する凹部、溝、凸部、レール等であってもよい。"