"Crが20mol以下、Ruが0.5mol以上30mol以下、残余がCoである組成の金属からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲットが、金属素地Aと、前記Aの中に、Ruを30mol以上含有するCo-Ru合金相Bと前記相Bとは異なるCo又はCoを主成分とする金属又は合金相Cを有することを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲット。Crが20mol以下、Ruが0.5mol以上30mol以下、Ptが0.5mol以上、残余がCoである組成の金属からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲットの組織が、金属素地Aと、前記Aの中に、Ruを30mol以上含有するCo-Ru合金相Bと前記相Bとは異なるCo又はCoを主成分とする金属又は合金相Cを有することを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲット。前記金属又は合金相Cは、Coを90mol以上含有する相であることを特徴とする請求項1又は2に記載の強磁性材スパッタリングターゲット。添加元素としてB、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W、Si、Alから選択した1元素以上を、0.5mol以上10mol以下含有することを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲット。金属素地Aが、炭素、酸化物、窒化物、炭化物、炭窒化物から選択した1成分以上の無機物材料を、該金属素地中に含有することを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲット。前記無機物材料がCr,Ta,Si,Ti,Zr,Al,Nb,B,Coから選択した1種以上の酸化物であることを特徴とし、当該非磁性材料の体積比率が20~40であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲット。相対密度が97以上であることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲット。一般に、マグネトロンスパッタ装置で強磁性材スパッタリングターゲットをスパッタしようとすると、磁石からの磁束の多くは強磁性体であるターゲット内部を通過してしまうため、漏洩磁束が少なくなり、スパッタ時に放電が立たない、あるいは放電しても放電が安定しないという大きな問題が生じる。この問題を解決するには、強磁性金属であるCoの含有割合を減らすことが考えられる。しかし、Coを減少させると、所望の磁気記録膜を得ることができないため本質的な解決策ではない。また、ターゲットの厚みを薄くすることで漏洩磁束を向上させることは可能だが、この場合ターゲットのライフが短くなり、頻繁にターゲットを交換する必要が生じるのでコストアップの要因になる。本発明は上記問題を鑑みて、漏洩磁束を増加させて、マグネトロンスパッタ装置で安定した放電が得られる非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、ターゲットの組成及び組織構造を調整することにより、漏洩磁束の大きいターゲットが得られることを見出した。このような知見に基づき、本発明は、1Crが20mol以下、Ruが0.5mol以上30mol以下、残余がCoである組成の金属からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲットが、金属素地Aと、前記Aの中に、Ruを30mol以上含有するCo-Ru合金相Bと前記相Bとは異なるCo又はCoを主成分とする金属又は合金相Cを有することを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。また、本発明は、2Crが20mol以下、Ruが0.5mol以上30mol以下、Ptが0.5mol以上、残余がCoである組成の金属からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲットの組織が、金属素地Aと、前記Aの中に、Ruを30mol以上含有するCo-Ru合金相Bと前記相Bとは異なるCo又はCoを主成分とする金属又は合金相Cを有することを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。さらに、本発明は、3前記金属又は合金相Cは、Coを90mol以上含有する相であることを特徴とする上記1~2のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。4添加元素としてB、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W、Si、Alから選択した1元素以上を、0.5mol以上10mol以下含有することを特徴とする上記1~3のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。さらに、本発明は、5金属素地Aが、炭素、酸化物、窒化物、炭化物、炭窒化物から選択した1成分以上の無機物材料を、該金属素地中に含有することを特徴とする上記1~4のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。さらに、本発明は、6前記無機物材料がCr,Ta,Si,Ti,Zr,Al,Nb,B,Coから選択した1種以上の酸化物であることを特徴とし、当該非磁性材料の体積比率が20~40であることを特徴とする上記1~5のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。さらに、本発明は、7相対密度が97以上であることを特徴とする上記1~6のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。このように調整した本発明の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットは、漏洩磁束の大きいターゲットとなり、マグネトロンスパッタ装置で使用したとき、不活性ガスの電離促進が効率的に進み、安定した放電が得られる。またターゲットの厚みを厚くすることができるため、ターゲットの交換頻度が小さくなり、低コストで磁性体薄膜を製造できるというメリットがある。本発明の強磁性材スパッタリングターゲットを構成する主要成分は、Crが20mol以下、Ruが0.5mol以上30mol以下、残余がCoである組成の金属、又はCrが20mol以下、Ruが0.5mol以上30mol以下、Ptが0.5mol以上、残余がCoである組成の金属からなる。前記Crは必須成分として添加するものであり、0molを除く。すなわち、分析可能な下限値以上のCr量を含有させるものである。Cr量が20mol以下であれば、微量添加する場合においても効果がある。前記Ruについては、0.5mol以上から磁性体薄膜の効果を得ることができるので、下限値を前記の通りとした。一方、Ruが多すぎると、磁性材としての特性上好ましくないので、上限値を30molとした。Ptは45mol以下であるのが望ましい。Ptを過剰に添加した場合には、磁性材としての特性が低下すること、また、Ptは高価であることから、添加量をなるべく低減することが生産コストからみて望ましいと言える。また、0.5mol以上10mol以下の添加元素としてB、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W、Si、Alから選択した1元素以上を含有させることができる。これらは磁気記録媒体としての特性を向上させるために、必要に応じて添加される元素である。配合割合は上記範囲内で様々に調整でき、いずれも有効な磁気記録媒体としての特性を維持することができる。なお、0.5mol以上10mol以下の添加元素としてB、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W、Si、Alから選択した1元素以上は、基本的には金属素地A中に存在するものであるが、これらが後述するCo-Ru合金からなる相Bの界面を介して、該相B中に若干拡散する場合がある。本願発明は、これらを包含するものである。同様に、0.5mol以上10mol以下の添加元素としてB、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W、Si、Alから選択した1元素以上は、基本的には金属素地A中に存在するものであるが、これらが後述するCo又はCoを主成分とする金属又は合金相Cの界面を介して、該相C中に若干拡散する場合がある。本願発明は、これらを包含するものである。さらに、前記金属又は合金相Cは、Coを90mol以上含有する相であり、添加元素であるB、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W、Si、Alから選択した1元素以上との合金を含む。本願発明において重要なことは、ターゲットの組織が、金属素地Aと、前記素地Aの中に、Ruを30mol以上含有するCo-Ru合金相BとCo又はCoを主成分とする金属又は合金相Cを有していることである。この相Bは周囲の組織より最大透磁率が低く、金属素地Aによって各々分離された構造になっている。また、相Cは周囲の組織より最大透磁率が高く、金属素地Aによって各々分離された構造になっている。金属素地AとRuを30mol以上含有するCo-Ru合金相B、あるいは、金属素地AとCo又はCoを主成分とする金属又は合金相Cであるターゲット組織でも漏洩磁束向上の効果はあるが、金属素地Aと相Bと相Cを存在させることにより、より一層の漏洩磁束向上の効果がある。このような組織を有するターゲットにおいて、漏洩磁束が向上する理由は現時点では、必ずしも明確ではないが、ターゲット内部の磁束に密な部分と疎な部分が生じ、均一な透磁率を有する組織と比較し静磁エネルギーが高くなるため、磁束がターゲット外部に漏れ出た方がエネルギー的に有利になるためと考えられる。また、相Bは、直径が10~150μmとするのが望ましい。金属素地Aには、相Bと細かい無機物粒子が存在しているが、相Bの直径が10μm未満の場合は、無機物粒子との粒サイズ差が小さくなるので、ターゲット素材を焼結させる際に、相Bと金属素地Aとの拡散が進み易くなる。この拡散が進むことにより、金属素地Aと相Bとの構成要素の違いが不明確になる傾向がある。したがって、直径10μm以上とするのが良い。好ましくは直径30μm以上である。一方、150μmを超える場合には、スパッタリングが進むにつれてターゲット表面の平滑性が低下し、パーティクルの問題が発生しやすくなることがある。したがって、相Bの直径は150μm以下とするのが望ましいと言える。なお、これらはいずれも漏洩磁束を増加させるための手段であるが、添加金属、無機物粒子の量と種類等により、漏洩磁束を調整することが可能なので、相Bのサイズを必ずこの条件にしなければならないというものではない。しかし、上記の通り、好ましい条件の一つであることは言うまでもない。相Bの大きさは、ターゲットの全体積又はターゲットのエロージョン面に占める体積又は面積のわずかな量例えば1程度であっても、それなりの効果を有するものである。相Bの存在による効果を十分に発揮させるためには、ターゲットの全体積又はターゲットのエロージョン面に占める体積又は面積の10以上であることが望ましい。相Bを多く存在させることにより、漏洩磁束を増加させることが可能である。ターゲット組成によっては、相Bをターゲットの全体積又はターゲットのエロージョン面に占める体積又は面積の50以上、さらには60以上とすることもでき、これらの体積率又は面積率は、ターゲットの組成に応じて、任意に調整が可能である。本発明はこれらを包含する。なお、本発明における相Bの形状は特に問わず、平均粒径とは最短径と最長径との平均を意味する。相Bは、金属素地Aと組成が異なるので、焼結時に元素の拡散により、相Bの外周部は、前記相Bの組成から多少ずれてしまうことがある。しかし、相Bの径長径及び短径のそれぞれを2/3に縮小した相似形の相の範囲内において、Ruを30mol以上含有するCo-Ru合金であれば目的を達成することが可能である。本願発明は、これらのケースを含むものであり、このような条件でも本願発明の目的を達成できる。相Cは、直径が30~150μmとするのが望ましい。相Cの直径が30μm未満の場合は、無機物粒子と混在している金属との粒サイズ差が小さくなるので、ターゲット素材を焼結させる際に、相Cと金属素地Aとの拡散が進み、金属素地Aと相Cとの構成要素の違いが不明確になる傾向がある。したがって、直径30μm以上とするのが良い。好ましくは直径40μm以上である。一方、150μmを超える場合には、スパッタリングが進むにつれてターゲット表面の平滑性が失われ、パーティクルの問題が発生しやすくなることがある。従って相Cの大きさは30~150μmとするのが望ましい。なお、これらはいずれも漏洩磁束を増加させるための手段であるが、添加金属、無機物粒子の量と種類等により、漏洩磁束を調整することが可能なので、相Cのサイズを必ずこの条件にしなければならないというものではない。しかし、上記の通り、好ましい条件の一つであることは言うまでもない。相Cの存在による効果を十分に発揮させるためには、ターゲットの全体積又はターゲットのエロージョン面に占める体積又は面積の10以上であることが望ましい。相Cを多く存在させることにより、漏洩磁束を増加させることが可能である。ターゲット組成によっては、相Cをターゲットの全体積又はターゲットのエロージョン面に占める体積又は面積の50以上、さらには60以上とすることもでき、これらの体積率又は面積率は、ターゲットの組成に応じて、任意に調整が可能である。本発明はこれらを包含する。なお、本発明における相Cの形状は特に問わず、平均粒径とは最短径と最長径との平均を意味する。相Cは、金属素地Aと組成が異なるので、焼結時に元素の拡散により、相Cの外周部は、前記相Cの組成から多少ずれてしまうことがある。しかし、相Cの径長径及び短径のそれぞれを2/3に縮小した相似形の相の範囲内において、Co又はCoを主成分とする金属又は合金相Cであれば目的を達成することが可能である。本願発明は、これらのケースを含むものであり、このような条件でも本願発明の目的を達成できる。さらに、本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、炭素、酸化物、窒化物、炭化物、炭窒化物から選択し一種以上の無機物材料を、金属素地中に分散した状態で含有することができる。この場合、グラニュラー構造をもつ磁気記録膜、特に垂直磁気記録方式を採用したハードディスクドライブの記録膜の材料に好適な特性を備える。さらに、前記無機物材料としては、Cr,Ta,Si,Ti,Zr,Al,Nb,B,Coから選択した1種以上の酸化物が有効であり、当該非磁性材料の体積比率が20~40とすることができる。なお、上記Cr酸化物の場合は、金属として添加するCr量とは別であり、酸化クロムとしての体積比率である。非磁性材料粒子は通常、金属素地Aに分散しているが、ターゲット作製中に相B又は相Cの周囲に固着する場合あるいは内部に含まれる場合もある。少量であれば、このような場合であっても、相B又は相Cの磁気特性に影響を及ぼさず、目的を阻害することはない。本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、相対密度を97以上とすることが望ましい。一般に、高密度のターゲットほどスパッタ時に発生するパーティクルの量を低減させることができることが知られている。本発明においても同様、高密度とするのが好ましい。本願発明では、相対密度97以上を達成することができる。本発明において相対密度とは、ターゲットの実測密度を計算密度理論密度ともいうで割り返して求めた値である。計算密度とはターゲットの構成成分が互いに拡散あるいは反応せずに混在していると仮定したときの密度で、次式で計算される。式:計算密度=シグマΣ構成成分の分子量×構成成分のモル比/Σ構成成分の分子量×構成成分のモル比/構成成分の文献値密度ここでΣは、ターゲットの構成成分の全てについて、和をとることを意味する。このように調整したターゲットは、漏洩磁束の大きいターゲットとなり、マグネトロンスパッタ装置で使用したとき、不活性ガスの電離促進が効率的に進み、安定した放電が得られる。またターゲットの厚みを厚くすることができるため、ターゲットの交換頻度が小さくなり、低コストで磁性体薄膜を製造できるというメリットがある。さらに、高密度化により、歩留まり低下の原因となるパーティクルの発生量を低減させることができるというメリットもある。本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製することができる。まず、金属元素又は合金の粉末相Bを形成するためには、Co-Ruの合金粉末は必須となると、さらに必要に応じて添加金属元素の粉末を用意する。各金属元素の粉末の作製方法は特に制限はないが、これらの粉末は最大粒径が20μm以下のものを用いることが望ましい。また、各金属元素の粉末の代わりにこれら金属の合金粉末を用意してもよいが、その場合も作製方法は特に制限はないが、最大粒径が20μm以下とすることが望ましい。一方、小さ過ぎると、酸化が促進されて成分組成が範囲内に入らないなどの問題があるため、0.1μm以上とすることがさらに望ましい。そして、これらの金属粉末及び合金粉末を所望の組成になるように秤量し、ボールミル等の公知の手法を用いて粉砕を兼ねて混合する。無機物粉末を添加する場合は、この段階で金属粉末及び合金粉末と混合すればよい。無機物粉末としては炭素粉末、酸化物粉末、窒化物粉末、炭化物粉末または炭窒化物を用意するが、無機物粉末は最大粒径が5μm以下のものを用いることが望ましい。一方、小さ過ぎると凝集しやすくなるため、0.1μm以上のものを用いることがさらに望ましい。Co-Ru粉末は、Co粉とRu粉との混合粉末を焼結した後、粉砕篩別することで得ることが出来る。粉砕は高エネルギーボールミルが望ましい。このようにして準備した直径が30~150μmの範囲にあるCo-Ru粉末を用い、予め準備した金属粉末と、必要に応じて選択した無機物粉末とを、ミキサーで混合する。ミキサーとしては、遊星運動型ミキサーあるいは遊星運動型攪拌混合機であることが好ましい。さらに、混合中の酸化の問題を考慮すると、不活性ガス雰囲気中あるいは真空中で混合することが好ましい。使用する高エネルギーボールミルは、ボールミルや振動ミルに比べて、短時間で原料粉末の粉砕混合をすることができる。また、直径が30~150μmの範囲にあるCo粉末については、ガスアトマイズ法で作製したものを篩別することで得ることが出来る。このようにして得られた粉末を、真空ホットプレス装置を用いて成型焼結し、所望の形状へ切削加工することで、本発明の強磁性材スパッタリングターゲットが作製される。また、成型焼結は、ホットプレスに限らず、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。焼結時の保持温度はターゲットが十分緻密化する温度域のうち最も低い温度に設定するのが好ましい。ターゲットの組成にもよるが、多くの場合、800~1300°Cの温度範囲にある。また、焼結時の圧力は300~500kg/cm2であることが好ましい。以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。実施例1、比較例1、2実施例1では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉末、平均粒径6μmのCr粉末、平均粒径2μmのCoO粉末、平均粒径1μmのSiO2粉末、直径が50~150μmの範囲にあるCo-45Rumol粉末、直径が70~150μmの範囲にあるCo粉末を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が8880Co-5Cr-15Ru-5CoO-7SiO2molとなるように、Co粉末18.70wt、Cr粉末3.52wt、CoO粉末5.76wt、SiO2粉末6.46wt、Co-Ru粉末45.56wt、直径が70~150μmの範囲にあるCo粉末20.0wtの重量比率で秤量した。次に、Co粉末とCr粉末とCoO粉末とSiO2粉末と直径が70~150μmの範囲にあるCo粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とCo-Ru粉末をボール容量約7リットルの遊星運動型ミキサーで10分間混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°C、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを、平面研削盤を用いて研削加工して直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットを得た。漏洩磁束の測定はASTMF2086-01StandardTestMethodforPassThroughFluxofCircularMagneticSputteringTargetsMethod2に則して実施した。ターゲットの中心を固定し、0度、30度、60度、90度、120度と回転させて測定した漏洩磁束密度PTFを、ASTMで定義されているreferencefieldの値で割り返し、100を掛けてパーセントで表した。そしてこれら5点について平均した結果、平均漏洩磁束密度PTFは52.0であった。比較例1では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉末、平均粒径6μmのCr粉末、平均粒径10μmのRu粉末、平均粒径2μmのCoO粉末、平均粒径1μmのSiO2粉末、これらの粉末をターゲットの組成が8880Co-5Cr-15Ru-5CoO-7SiO2molとなるように、Co粉末63.76wt、Cr粉末3.52wt、Ru粉末20.50wt、CoO粉末5.76wt、SiO2粉末6.46wtの重量比率で秤量した。そしてこれらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°C、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを平面研削盤で直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットへ加工し、平均漏洩磁束密度PTFを測定した結果、43.5であった。比較例2では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉末、平均粒径6μmのCr粉末、平均粒径2μmのCoO粉末、平均粒径1μmのSiO2粉末、直径が50~150μmの範囲にあるCo-70Rumol粉末を用意した。そして、これらの粉末をターゲットの組成が8880Co-5Cr-15Ru-5CoO-7SiO2molとなるように、Co粉末54.97wt、Cr粉末3.52wt、CoO粉末5.76wt、SiO2粉末6.46wt、Co-Ru粉末29.29wtの重量比率で秤量した。次に、Co粉末とCr粉末とCoO粉末とSiO2粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とCo-Ru粉末をボール容量約7リットルの遊星運動型ミキサーで10分間混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°C、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを、平面研削盤を用いて研削加工して直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットを得た。平均漏洩磁束密度PTFを測定した結果、44.9であった。比較例3では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉末、平均粒径6μmのCr粉末、平均粒径2μmのCoO粉末、平均粒径1μmのSiO2粉末、直径が50~150μmの範囲にあるCo-36Rumol粉末を用意した。そして、これらの粉末をターゲットの組成が8880Co-5Cr-15Ru-5CoO-7SiO2molとなるように、Co粉末27.31wt、Cr粉末3.52wt、CoO粉末5.76wt、SiO2粉末6.46wt、Co-Ru粉末56.95wtの重量比率で秤量した。次に、Co粉末とCr粉末とCoO粉末とSiO2粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。さらに得られた混合粉末とCo-Ru粉末をボール容量約7リットルの遊星運動型ミキサーで10分間混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°C、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを、平面研削盤を用いて研削加工して直径が180mm、厚さが5mmの円盤状のターゲットを得た。平均漏洩磁束密度PTFを測定した結果、46.2であった。以上の結果をまとめて、表1に示す。表1に示すとおり、実施例1のターゲットの平均漏洩磁束密度PTFは52.0であり、比較例1の43.5、比較例2の44.9、比較例3の46.2より大きく向上していることが確認された。また、実施例1の相対密度は97.4となり、97を超える高密度なターゲットが得られた。上記実施例は、ターゲットの組成が、8880Co-5Cr-15Ru-5CoO-7SiO2molの例を示しているが、これらの組成比を、本願発明の範囲内で変更した場合でも、同様の効果を確認している。また、上記実施例では、Ruを単独添加した例を示しているが、添加元素としてB、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W、Si、Alから選択した1元素以上を含有させることができ、いずれも有効な磁気記録媒体としての特性を維持することができる。すなわち、これらは磁気記録媒体としての特性を向上させるために、必要に応じて添加される元素であり、特に実施例に示さないが、本願実施例と同等の効果を確認している。さらに、上記実施例では、Co,Siの酸化物を添加した例を示しているが、この他Cr,Ta,Ti,Zr,Al,Nb,Bの酸化物も同等の効果を有する。さらに、これらについては、酸化物を添加した場合を示しているが、これらの窒化物、炭化物、炭窒化物、さらには炭素を添加した場合も、酸化物添加と同等の効果を得ることができることを確認している。"