基板を処理する減圧処理容器内にパージガスを供給して衝撃波を与え、次いで高電圧を断続的に印加して電磁応力を与えることによりパーティクルを飛散させて前記減圧処理容器内を清浄化する際に、当該減圧処理容器からの排気に含まれるパーティクルをモニタするパーティクルモニタ方法であって、前記減圧処理容器を清浄化している間に、前記減圧処理容器からの排気に含まれるパーティクルを計数手段により計数し、前記パーティクルの計数結果から、時間に関するパーティクル数のヒストグラムを作成し、前記ヒストグラムから、パーティクル数の最頻値とパーティクルの計数期間との相関を表す第1の特徴量を抽出し、さらに、前記ヒストグラムから、パーティクルの計数期間と当該計数期間におけるパーティクルの分布傾向との相関を表す第2の特徴量を抽出することを特徴とする、パーティクルモニタ方法。前記第1の特徴量は、で示される式により求められ、前記第2の特徴量は、で示される式により求められることを特徴とする、請求項1に記載のパーティクルモニタ方法。X:第1の特徴量T:パーティクルの計数期間t:測定時Pt:測定時におけるパーティクル数Y:第2の特徴量前記第1の特徴量と前記第2の特徴量との差分を求め、当該差分と予め定められた閾値との関係と、前記第1の特徴量と、前記第2の特徴量との相関関係に基づいて、前記減圧処理容器内の清浄化の条件を変更することを特徴とする、請求項1または2のいずれかに記載のパーティクルモニタ方法。前記処理容器内の清浄化の条件は、少なくとも前記パージガスの供給条件又は前記断続的な高電圧印加の条件であることを特徴とする、請求項3に記載のパーティクルモニタ方法。前記抽出された第1の特徴量と第2の特徴量を、表示手段に比較して表示することを特徴とする、請求項1~4のいずれかに記載のパーティクルモニタ方法。基板を処理する減圧処理容器内にパージガスを供給して衝撃波を与え、次いで高電圧を断続的に印加して電磁応力を与えることによりパーティクルを飛散させて前記減圧処理容器内を清浄化する際に、当該減圧処理容器からの排気に含まれるパーティクルをモニタするパーティクルモニタ方法であって、前記減圧処理容器を清浄化している間に、前記減圧処理容器からの排気に含まれるパーティクルを計数手段により計数し、前記パーティクルの計数結果から、時間に関するパーティクル数のヒストグラムを作成し、前記ヒストグラムから、パーティクル数の最頻値とパーティクルの計数期間との相関を表す第1の特徴量を抽出し、さらに、前記ヒストグラムから、パーティクル計数期間において計数されたパーティクルの総数と最頻値におけるパーティクル数と相関を表す第2の特徴量を抽出し、前記第1の特徴量の抽出と前記第2の特徴量の抽出を、前記減圧処理容器内での基板処理ごとに行い、前記抽出された複数の第1の特徴量と複数の第2の特徴量を変数とする主成分分析を行って、前記第1の特徴量と前記第2の特徴量の主成分負荷量をそれぞれ求め、前記各主成分負荷量に基づいて前記第1の特徴量と前記第2の特徴量について主成分得点をそれぞれ求め、前記各主成分得点に関するクラスター分析を行い、当該クラスター分析の結果に基づいて、前記減圧処理容器内のパーティクルの付着状況を推定することを特徴とする、パーティクルモニタ方法。前記第1の特徴量は、で示される式により求められ、前記第2の特徴量は、で示される式により求められることを特徴とする、請求項6に記載のパーティクルモニタ方法。X:第1の特徴量T:パーティクルの計数期間t:測定時Pt:測定時におけるパーティクル数Z:第2の特徴量MAXPt:最頻値におけるパーティクル数前記クラスター分析後の主成分得点を、表示手段にプロットして表示することを特徴とする、請求項6又は7のいずれかに記載のパーティクルモニタ方法。基板を処理する減圧処理容器内にパージガスを供給して衝撃波を与え、次いで高電圧を断続的に印加して電磁応力を与えることによりパーティクルを飛散させて前記減圧処理容器内を清浄化する際に、当該減圧処理容器からの排気に含まれるパーティクルをモニタするパーティクルモニタシステムであって、前記減圧処理容器を清浄化している間に、前記減圧処理容器からの排気に含まれるパーティクルを計数する計数手段と、前記パーティクルの計数結果から、時間に関するパーティクル数のヒストグラムを作成する演算手段と、前記ヒストグラムから、パーティクル数の最頻値とパーティクルの計数期間との相関を表す第1の特徴量を抽出し、さらに、前記ヒストグラムから、パーティクルの計数期間と当該計数期間におけるパーティクルの分布傾向との相関を表す第2の特徴量を抽出する抽出手段と、を有することを特徴とする、パーティクルモニタシステム。前記第1の特徴量は、で示される式により求められ、前記第2の特徴量は、で示される式により求められることを特徴とする、請求項9に記載のパーティクルモニタシステム。X:第1の特徴量T:パーティクルの計数期間t:測定時Pt:測定時におけるパーティクル数Y:第2の特徴量前記第1の特徴量と前記第2の特徴量との差分を求め、当該差分と予め定められた閾値との関係と、前記第1の特徴量と、前記第2の特徴量との相関関係に基づいて、前記減圧処理容器内の清浄化の条件を変更する条件変更手段を有することを特徴とする、請求項9または10のいずれかに記載のパーティクルモニタシステム。前記処理容器内の清浄化の条件は、少なくとも前記パージガスの供給条件又は前記断続的な高電圧印加の条件であることを特徴とする、請求項11に記載のパーティクルモニタシステム。前記抽出された第1の特徴量と第2の特徴量を、比較して表示する表示手段を有することを特徴とする、請求項9~12のいずれかに記載のパーティクルモニタシステム。基板を処理する減圧処理容器内にパージガスを供給して衝撃波を与え、次いで高電圧を断続的に印加して電磁応力を与えることによりパーティクルを飛散させて前記減圧処理容器内を清浄化する際に、当該減圧処理容器からの排気に含まれるパーティクルをモニタするパーティクルモニタシステムであって、前記減圧処理容器を清浄化している間に、前記減圧処理容器からの排気に含まれるパーティクルを計数する計数手段と、前記パーティクルの計数結果から、時間に関するパーティクル数のヒストグラムを作成する演算手段と、前記ヒストグラムから、パーティクル数の最頻値とパーティクルの計数期間との相関を表す第1の特徴量を抽出し、さらに、前記ヒストグラムから、パーティクル計数期間において計数されたパーティクルの総数と最頻値におけるパーティクル数と相関を表す第2の特徴量を抽出し抽出手段と、前記減圧処理容器内での基板処理ごとに抽出した複数の前記第1の特徴量と複数の前記第2の特徴量を変数とする主成分分析を行って、前記第1の特徴量と前記第2の特徴量の主成分負荷量をそれぞれ求める分析手段と、前記各主成分負荷量に基づいて前記第1の特徴量と前記第2の特徴量について主成分得点をそれぞれ算出する算出手段と、前記各主成分得点に関するクラスター分析を行い、当該クラスター分析の結果に基づいて、前記減圧処理容器内のパーティクルの付着状況を推定する推定手段と、を有することを特徴とする、パーティクルモニタシステム。前記第1の特徴量は、で示される式により求められ、前記第2の特徴量は、で示される式により求められることを特徴とする、請求項14に記載のパーティクルモニタ方法。X:第1の特徴量T:パーティクルの計数期間t:測定時Pt:測定時におけるパーティクル数Z:第2の特徴量MAXPt:最頻値前記クラスター分析後の主成分得点をプロットして表示する表示手段を有することを特徴とする、請求項14又は15のいずれかに記載のパーティクルモニタシステム。しかしながら、基板上におけるパーティクルの分布などに基づいてパーティクルの発生源を特定するには、基板処理のプロセスや装置に関する高度な知識と経験が必要であり、作業員の熟練度により判定結果にばらつきが生じていた。また、パーティクルの分布については、パーティクルの成分や数に比べて解析も容易ではなく、その特徴も非常に分かり難いので、異常か否かの判定も困難であった。そのため、処理容器内の清浄化に際して供給するガスの条件設定や、処理容器を分解点検する時期を適切に判断する手法は確立されておらず、処理容器の清浄化が最適化されていないのが現状である。本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、基板を処理する減圧処理容器内のパーティクルを適切にモニタリングすることを目的としている。上記目的を達成するため、本発明は、基板を処理する減圧処理容器内にパージガスを供給して衝撃波を与え、次いで高電圧を断続的に印加して電磁応力を与えることによりパーティクルを飛散させて前記減圧処理容器内を清浄化する際に、当該減圧処理容器からの排気に含まれるパーティクルをモニタするパーティクルモニタ方法であって、前記減圧処理容器を清浄化している間に、前記減圧処理容器からの排気に含まれるパーティクルを計数手段により計数し、前記パーティクルの計数結果から、時間に関するパーティクル数のヒストグラムを作成し、前記ヒストグラムから、パーティクル数の最頻値とパーティクルの計数期間との相関を表す第1の特徴量を抽出し、さらに、前記ヒストグラムから、パーティクルの計数期間と当該計数期間におけるパーティクルの分布傾向との相関を表す第2の特徴量を抽出することを特徴としている。本発明によれば、パーティクル数の最頻値とパーティクルの計数期間との関係から抽出される第1の特徴量と、パーティクル数の分布傾向とパーティクルの計数期間との関係から抽出される第2の特徴量を求めるので、この第1の特徴量及び第2の特徴量を比較することで、減圧処理容器を清浄化している最中のパーティクルの傾向、より具体的には、パーティクルの飛散要因として、パージガスの衝撃波と電磁応力のいずれが支配的であるかを定量的に把握することがきる。これにより、減圧処理容器内のパーティクルを適切にモニタリングすることが可能となる。前記第1の特徴量は、で示される式により求められ、前記第2の特徴量は、で示される式により求められてもよい。この際、Xは第1の特徴量、Tはパーティクルの計数期間、tは測定時、Ptは測定時におけるパーティクル数、Yは第2の特徴量であってもよい。前記第1の特徴量と前記第2の特徴量との差分を求め、当該差分と予め定められた閾値との関係と、前記第1の特徴量と、前記第2の特徴量との相関関係に基づいて、前記減圧処理容器内の清浄化の条件を変更してもよい。前記処理容器内の清浄化の条件は、少なくとも前記パージガスの供給条件又は前記断続的な高電圧印加の条件であってもよい。前記抽出された第1の特徴量と第2の特徴量を、表示手段に比較して表示してもよい。別な観点による本発明は、基板を処理する減圧処理容器内にパージガスを供給して衝撃波を与え、次いで高電圧を断続的に印加して電磁応力を与えることによりパーティクルを飛散させて前記減圧処理容器内を清浄化する際に、当該減圧処理容器からの排気に含まれるパーティクルをモニタするパーティクルモニタ方法であって、前記減圧処理容器を清浄化している間に、前記減圧処理容器からの排気に含まれるパーティクルを計数手段により計数し、前記パーティクルの計数結果から、時間に関するパーティクル数のヒストグラムを作成し、前記ヒストグラムから、パーティクル数の最頻値とパーティクルの計数期間との相関を表す第1の特徴量を抽出し、さらに、前記ヒストグラムから、パーティクル計数期間において計数されたパーティクルの総数と最頻値におけるパーティクル数と相関を表す第2の特徴量を抽出し、前記第1の特徴量の抽出と前記第2の特徴量の抽出を、前記減圧処理容器内での基板処理ごとに行い、前記抽出された複数の第1の特徴量と複数の第2の特徴量を変数とする主成分分析を行って、前記第1の特徴量と前記第2の特徴量の主成分負荷量をそれぞれ求め、前記各主成分負荷量に基づいて前記第1の特徴量と前記第2の特徴量について主成分得点をそれぞれ求め、前記各主成分得点に関するクラスター分析を行い、当該クラスター分析の結果に基づいて、前記減圧処理容器内のパーティクルの付着状況を推定することを特徴としている。前記第1の特徴量は、で示される式により求められ、前記第2の特徴量は、で示される式により求められてもよい。この際、Xは第1の特徴量、Tはパーティクルの計数期間、tは測定時、Ptは測定時におけるパーティクル数、Zは第2の特徴量、MAXPtは最頻値におけるパーティクル数であってもよい。前記クラスター分析後の主成分得点を、表示手段にプロットして表示してもよい。また、別な観点による本発明は、基板を処理する減圧処理容器内にパージガスを供給して衝撃波を与え、次いで高電圧を断続的に印加して電磁応力を与えることによりパーティクルを飛散させて前記減圧処理容器内を清浄化する際に、当該減圧処理容器からの排気に含まれるパーティクルをモニタするパーティクルモニタシステムであって、前記減圧処理容器を清浄化している間に、前記減圧処理容器からの排気に含まれるパーティクルを計数する計数手段と、前記パーティクルの計数結果から、時間に関するパーティクル数のヒストグラムを作成する演算手段と、前記ヒストグラムから、パーティクル数の最頻値とパーティクルの計数期間との相関を表す第1の特徴量を抽出し、さらに、前記ヒストグラムから、パーティクルの計数期間と当該計数期間におけるパーティクルの分布傾向との相関を表す第2の特徴量を抽出する抽出手段と、を有することを特徴としている。前記第1の特徴量は、で示される式により求められ、前記第2の特徴量は、で示される式により求められてもよい。この際、Xは第1の特徴量、Tはパーティクルの計数期間、tは測定時、Ptは測定時におけるパーティクル数、Yは第2の特徴量であってもよい。前記第1の特徴量と前記第2の特徴量との差分を求め、当該差分と予め定められた閾値との関係と、前記第1の特徴量と、前記第2の特徴量との相関関係に基づいて、前記減圧処理容器内の清浄化の条件を変更する条件変更手段を有していてもよい。前記処理容器内の清浄化の条件は、少なくとも前記パージガスの供給条件又は前記断続的な高電圧印加の条件であってもよい。前記抽出された第1の特徴量と第2の特徴量を、比較して表示する表示手段を有していてもよい。さらに、別な観点による本発明は、基板を処理する減圧処理容器内にパージガスを供給して衝撃波を与え、次いで高電圧を断続的に印加して電磁応力を与えることによりパーティクルを飛散させて前記減圧処理容器内を清浄化する際に、当該減圧処理容器からの排気に含まれるパーティクルをモニタするパーティクルモニタシステムであって、前記減圧処理容器を清浄化している間に、前記減圧処理容器からの排気に含まれるパーティクルを計数する計数手段と、前記パーティクルの計数結果から、時間に関するパーティクル数のヒストグラムを作成する演算手段と、前記ヒストグラムから、パーティクル数の最頻値とパーティクルの計数期間との相関を表す第1の特徴量を抽出し、さらに、前記ヒストグラムから、パーティクル計数期間において計数されたパーティクルの総数と最頻値におけるパーティクル数と相関を表す第2の特徴量を抽出し抽出手段と、前記減圧処理容器内での基板処理ごとに抽出した複数の前記第1の特徴量と複数の前記第2の特徴量を変数とする主成分分析を行って、前記第1の特徴量と前記第2の特徴量の主成分負荷量をそれぞれ求める分析手段と、前記各主成分負荷量に基づいて前記第1の特徴量と前記第2の特徴量について主成分得点をそれぞれ算出する算出手段と、前記各主成分得点に関するクラスター分析を行い、当該クラスター分析の結果に基づいて、前記減圧処理容器内のパーティクルの付着状況を推定する推定手段と、を有することを特徴としている。前記第1の特徴量は、で示される式により求められ、前記第2の特徴量は、で示される式により求められてもよい。この際、Xは第1の特徴量、Tはパーティクルの計数期間、tは測定時、Ptは測定時におけるパーティクル数、Zは第2の特徴量、MAXPtは最頻値であってもよい。前記クラスター分析後の主成分得点をプロットして表示する表示手段を有していてもよい。本発明によれば、基板を処理する減圧処理容器内のパーティクルを適切にモニタリングすることができる。その結果、減圧処理容器の清浄化を適正な条件で行うことができる。以下、本発明の実施の形態の一例について、図を参照して説明する。図1は、本発明の実施の形態に係るパーティクルモニタシステム1を備えた基板処理システム10の概略構成を示す縦断面図である。なお、本実施の形態における基板処理システム10は、例えば装置内に供給された処理ガスをマイクロ波によりプラズマ化させ、ウェハWに対してエッチング処理や成膜処理を行うプラズマ処理システムである。基板処理システム10は、ウェハWを保持する保持台としてのサセプタ11が設けられた減圧処理容器12を有している。減圧処理容器12は、サセプタ11上のウェハWに対応して上部が開口した本体部13と、本体部13の開口を塞ぎ、減圧処理容器12内にマイクロ波発生源14で発生させた例えば2.45GHzのマイクロ波を供給するマイクロ波供給部15とを有している。サセプタ11には電極11aが内蔵され、電極11aにはウェハWを吸着保持するための電圧を印加する電源11bが接続されている。また、電源11bは、電極11aに例えば±1kVの高電圧を交互に印加可能に構成されている。そのため、電源11bにより高電圧を断続的に印加し、減圧処理容器12内に電磁応力を発生させることで、減圧処理容器12内に付着するパーティクルを飛散させることができる。減圧処理容器12の本体部13の底部には、排気室13aが設けられている。排気室13aには、排気装置16に通じる排気管17が接続されている。排気装置16は、減圧処理容器12内を低真空まで粗引きするドライポンプ16aと、ウェハWをプラズマ処理する際に高真空を得るためのターボポンプ16bを備え、ターボポンプ16bは、排気管17におけるドライポンプ16aの上流側に配置されている。ターボポンプ16bの上流側と下流側には、排気管17における排気量の制御と遮断を行う制御弁17aがそれぞれ設けられている。また、排気管17には、制御弁17aごとターボポンプ16bを迂回するように設けられたバイパス管17bが接続されている。バイパス管17bには、減圧処理容器12からの排気に含まれるパーティクルを計数する計数手段としてのパーティクルモニタ18が設けられている。バイパス管17bにおけるパーティクルモニタ18の上流側と下流側には、バイパス弁17cが設けられている。このため、制御弁17aとバイパス弁17cの操作により、減圧処理容器12からの排気系統を排気管17とバイパス管17bとの間で切り替えることができる。パーティクルモニタ18は、バイパス管17b内にレーザ光を照射する光源図示せずと、バイパス管17b内を流れるパーティクルにより散乱されたレーザ光を受光して電気信号に変換する受光素子図示せずを備えている。受光素子で変換された電気信号は、後述する制御装置50に入力される。マイクロ波供給部15は、例えば本体部13の内側に突出して設けられた支持部材20に、気密性を確保するためのOリングなどのシール材図示せずを介して支持されるマイクロ波透過板21と、マイクロ波透過板21の上面に配置された、アンテナとして機能するスロット板22と、スロット板22の上面に配置された、遅波板として機能する誘電体板23、及び誘電体板23の上面に配置された金属性のプレート24を有している。また、マイクロ波供給部14の中央には、同軸導波管25が接続され、当該同軸導波管25にはマイクロ波発生装置14が接続されている。マイクロ波透過板21及び誘電体板23は、例えば石英、アルミナ、窒化アルミニウムなどの誘電体により構成されている。また、スロット板22は、導電性を有する材質、たとえば銅、アルミニウム、ニッケルなどの薄い円板からなり、表面に複数のスロット22aが同心円状に形成された、いわゆるラジアルラインスロットアンテナである。プレート24の内部には、冷媒が流れる冷媒路24aが設けられている。減圧処理容器12内のサセプタ11の周囲には、例えば石英からなるガスバッフル板26が配置されている。ガスバッフル板26の下面には、当該ガスバッフル板26を支持する、例えばアルミニウムの支持部材27が設けられている。減圧処理容器12の本体部13の上部内周面には、減圧処理容器内にガスを供給するためのガス供給口30が形成されている。ガス供給口30は、例えば減圧処理容器12の内周面に沿って複数箇所に形成されている。ガス供給口30には、例えば減圧処理容器12の外部に設置されたガス供給部31に連通するガス供給管32が接続されている。本実施の形態におけるガス供給部31は、プラズマ生成用の希ガスを供給する希ガス供給部33と、ウェハWの処理後に減圧処理容器12内をパージするパージガス供給部34を有している。また、ガス供給部31は、各ガス供給部33、34とガス供給口30との間にそれぞれ設けられたバルブ33a、34a、マスフローコントローラ33b、34bを備えている。ガス供給口30から供給されるガスの流量は、マスフローコントローラ33b、34bによって制御される。パージガス供給部34は、従来行われるウェハ処理後のパージよりも高い流量、例えば70L/min70000SCCMの大流量で減圧処理容器12にパージガスを供給することができる。そのため、大流量でパージガスを供給して減圧処理容器12内に急激にパージガスを流入させ、減圧処理容器12内に衝撃波を与えることで減圧処理容器12内に付着するパーティクルを飛散させることができる。なお、上述の、サセプタ11に内蔵された電極11aと電源11b、及びガス供給部31により減圧処理容器12内を清浄化する清浄化手段40が構成される。以上の基板処理システム10には、制御装置50が設けられている。制御装置50は、例えば図2に示すようにパーティクルモニタ18によるパーティクルの計数結果に基づいてヒストグラムを作成する演算手段100と、ヒストグラムから所定の特徴量を抽出する抽出手段101と、抽出手段101で抽出した特徴量に基づいて清浄化手段40による清浄化の条件を変更する条件変更手段102を有している。なお、本実施の形態にかかるパーティクルモニタシステム1は、上記の各手段100、101、102とパーティクルモニタ18により構成されている。また、制御装置50は、例えばCPUやメモリなどを備えたコンピュータにより構成され、例えばメモリに記憶されたプログラムを実行することによって、基板処理システム10における基板処理や清浄化手段40による減圧処理容器12内の清浄化などを行うことができる。なお、基板処理システム10における基板処理や基板搬送を実現するための各種プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスクHD、フレキシブルディスクFD、コンパクトディスクCD、マグネットオプティカルデスクMO、メモリーカードなどの記憶媒体Hに記憶されていたものであって、その記憶媒体Hから制御装置50にインストールされたものが用いられている。演算手段100には、パーティクルモニタ18で計数された例えば単位時間ごとのパーティクル数が、電気信号として制御装置50を介して入力される。演算手段100では、入力された電気信号に基づいて、例えば図3に示すような、パーティクル数と時間に関するヒストグラムを作成する。図3のヒストグラムでは、横軸を時間、縦軸をパーティクル数として表している。抽出手段101では、演算手段100で求めたヒストグラムにおけるパーティクル数の分布傾向を分析し、パーティクル数の最頻値とパーティクルの計数期間との相関を表す第1の特徴量Xを抽出する。この、第1の特徴量Xは、例えば次の式1により表される。式1のTはパーティクルの計数期間、tは測定時、Ptは測定時におけるパーティクル数である。式1から分かるように、第1の特徴量Xは測定時t、即ちパーティクルが観測された時刻を、各測定時tにおいて観測されたパーティクル数で加重平均したものであり、パーティクル数の最頻値が、後述する清浄化シーケンスにおけるどの時間帯に分布するかについての傾向を示している。なお、第1の特徴量Xにより求まる時刻は最頻値と必ずしも一致するものではなく、例えば図3のヒストグラムでは、最頻値が20秒であるのに対して、式1により求まる第1の特徴量Xは例えば21.1秒となる。また、第1の特徴量Xと最頻値との不一致は、例えば最頻値におけるパーティクル数が減少するほど大きくなる傾向がある。具体的には、例えば図4に示すように、最頻値におけるパーティクル数のみが図3の場合よりも小さく、それ以外のパーティクル数は同じとなるヒストグラムでは、第1の特徴量Xの値は図3に示す場合と比較して大きくなる。また、抽出手段101では、ヒストグラムから、パーティクルの計数期間と計数期間におけるパーティクルの分布傾向との相関を表す第2の特徴量Yを抽出する。第2の特徴量Yは、次の式2で表される。式2のPtは、測定時におけるパーティクル数であり、Dtの値は、Ptがゼロ以上、測定時tにおいてパーティクルが計数されると1となり、Ptがゼロの場合は0となる。式2から求まる第2の特徴量Yは、パーティクルを観測した時刻を単純平均したものであり、パーティクル数の多寡にかかわらず、パーティクルが後述する清浄化シーケンスのどの時間帯で観測されたかについての傾向を示すものである。そのため、図3に示すヒストグラムと図4に示すヒストグラムから求まる第2の特徴量Yは、同じ値となる。なお、図3及び図4から求まる第2の特徴量Yは、例えば27.3秒である。条件変更手段102には、例えば図5に示すような、清浄化手段40による減圧処理容器12内の清浄化シーケンスが予め入力されている。図5の清浄化シーケンスは、横軸を時間、縦軸を電圧及びパージガスの流量とし、パーティクルモニタ18でのパーティクルの計測開始と共に電圧Vや流量Fがどのように変化するかを示している。この清浄化シーケンスでは、パーティクルモニタ18でのパーティクルの計数開始15秒後に先ず減圧処理容器12内にパージガスを供給し、その7秒後に、電源11bは、電極11aに極性を例えば1秒のサイクルで反転させながら±1kVの高電圧を断続的に18秒間印加する。そして、条件変更手段102では、第1の特徴量Xと第2の特徴量Yに基づいてこの清浄化シーケンスの条件変更が行われる。条件変更手段102による清浄化シーケンスの変更について説明する。既述のように、第1の特徴量Xからは、パーティクルが多量に発生する時間帯を傾向として捉えることができる。しかしながら、第1の特徴量Xは、パーティクルが多量に観測される時間帯だけでなく、例えば図3と図4に示すように、最頻値近傍におけるパーティクル数の多寡が変動することによってもその値が増減する。したがって、第1の特徴量Xだけでは、減圧処理容器12から飛散するパーティクルの傾向を正確に把握することができない。一方、第2の特徴量Yからは、パーティクル数の多寡にかかわらず、パーティクルモニタ18による計数期間中におけるパーティクルの分布傾向を知ることができる。そのため、例えば第1の特徴量Xが第2の特徴量Yより大きければ、例えばパーティクル数がピーク値を示す時間帯以降もパーティクルが計数され、その一方、例えば第1の特徴量Xが第2の特徴量Yより小さければ、パーティクル数がピーク値を示す時間帯以前においてもパーティクルが計数されていると判断できる。また、第1の特徴量Xと第2の特徴量Yとの差分が大きいほど、最頻値近傍におけるパーティクル数が支配的であり、その逆に、差分が小さいほど、最頻値近傍において計数されるパーティクル数の全体に占める割合が小さいと判断できる。そのため、条件変更手段102では、先ず第1の特徴量Xと第2の特徴量Yとの差分を求め、その差分の絶対値が予め定められた閾値を越えるか否かを判定する。また、第1の特徴量Xの値が、パージガスによる清浄化の時間帯と高電圧印加による清浄化の時間帯とのいずれに属しているかについても判定する。これにより、減圧処理容器12内に付着しているパーティクルの傾向、即ちパージガスの衝撃波により飛散する物理的な吸着によるものが支配的であるか、或いは静電気力により付着しているためパージガスでは飛散しないもの、換言すれば電磁応力により飛散するものが支配的であるのかの傾向を把握することができる。そして、減圧処理容器12内に付着するパーティクルの傾向に基づき、清浄化手段40による清浄化シーケンスの条件を変更する。より具体的には、条件変更手段102には、例えば図6の表に示すように、各特徴量X、Yとそれに対応する清浄化シーケンスの変更内容が予め記憶されており、この表と各特徴量X、Yとに基づいて、パージガスの供給量及び高電圧の印加回数を変更する。図6に示す特徴量X小は、第1の特徴量Xの値が高電圧の印加開始以前の時間帯に属する場合を示し、特徴量X大は、第1の特徴量Xの値が高電圧の印加開始より後の時間帯に属する場合を示している。特徴量Y小、特徴量Y大についても、特徴量Xの場合と同様である。なお本実施の形態では、以下のように清浄化シーケンスの変更内容を決定している。各特徴量X、Yの差分の絶対値が閾値以上で、且つ特徴量X小の場合、パージガスにより飛散するパーティクルが支配的であるものの、パーティクルは最頻値以外でも観測されるため、パージガスの流量と高電圧の印加回数を共に標準時図5に示される清浄化シーケンスの状態よりも増加させる。各特徴量X、Yの差分の絶対値が閾値以上で、且つ特徴量X大の場合、高電圧の印加により飛散するパーティクルが支配的であるため、高電圧の印加回数を標準時よりも増加させる。なお、この場合にパージガスの流量を増加させないのは、一般に、高電圧の印加により飛散するパーティクルの数は、パージガスにより飛散するパーティクルの数と比較して小さく、パージガスの流量を増加させても清浄化に寄与しないためである。そのためこの場合は、パージガスの流量を減少させるか、あるいはパージガス供給時間を短くして、清浄化シーケンスそのものの時間を短縮するようにしてもよい。また、各特徴量X、Yの差分が閾値より小さく、且つ特徴量X小及び特徴量Y小の場合、パージガスにより飛散するパーティクルが支配的であり、高電圧の印加によるパーティクルがほとんど観測されないことを意味しているので、パージガスの流量のみ標準時よりも増加させる。この場合も、高電圧の印加回数を減少させてもよい。各特徴量X、Yの差分が閾値より小さく、且つ特徴量X大及び特徴量Y大の場合、高電圧の印加により飛散するパーティクルが支配的であり、パージガスによるパーティクルがほとんど観測されないことを意味しているので、高電圧の印加回数のみを標準時よりも増加させる。この場合も、パージガスの流量を減少させるか又は供給時間を短くしてもよい。なお、各特徴量X、Yの差分が閾値より小さく、特徴量X小且つ特徴量Y大の場合、及び特徴量X大且つ特徴量Y小の場合は、パージガスの時間帯と高電圧の印加の時間帯をまたいでおり且つその差分が小さいため、支配的なパーティクルの判断がつきにくい。そのため、本実施の形態においては、清浄化シーケンスの条件変更は行わないこととしているが、図6に示される条件そのものついては任意に決定可能であり、本実施の形態に限定されるものではない。また、図6では、例えば第1の特徴量Xと第2の特徴量Yとの関係に基づいて8通りの場合分けを行ったが、場合の数や清浄化シーケンスの変更内容についても任意に設定が可能である。本実施の形態にかかる基板処理システム10は以上のように構成されており、次に、基板処理システム10での清浄化及びそれに伴うパーティクルモニタの方法について説明する。図7は、パーティクルモニタ方法の主な工程の例を示すフローチャートである。図7に示すように、ウェハWの処理が終了してウェハWが減圧処理容器12から搬出図7の工程S1されると、制御装置50により制御弁17aが閉じられると共に、バイパス弁17cが開かれる。これにより、減圧処理容器12の排気がバイパス管17bによるものに切り替えられ、パーティクルモニタ18によるパーティクルの計数が開始される図7の工程S2。次いで、図5に示す清浄化シーケンスのとおり、パーティクルモニタ18によるパーティクルの計数開始15秒後にパージガス供給部34の下流側に設けられたバルブ34aが開けられ、例えば70L/min70000SCCMの流量で減圧処理容器12内へのパージガスの供給を開始する図7の工程S3。このパージガスの導入により、減圧処理容器12内に衝撃波が発生し、当該減圧処理容器12内に物理的に付着していたパーティクルが飛散する。飛散したパーティクルはバイパス管17bから排気され、パーティクルモニタ18により計数される。計数されたパーティクルは制御装置50を介して演算手段100に入力される。その後、パージガスの供給開始から7秒経過した時点で、電源11bにより電極11aに高電圧が印加され図7の工程S4、電磁応力により減圧処理容器12内のパーティクルが飛散する。飛散したパーティクルはバイパス管17bから排気され、パーティクルモニタ18により計数される。高電圧の印加が所定の回数繰り返されると、パージガスの供給量が低減され、引き続き減圧処理容器12からのパーティクルの排出とパーティクルモニタ18による計数が継続される図7の工程S5。その後、バイパス弁17cが閉じられ、パーティクルモニタ18による計数が終了する。それと共に制御弁17aが開かれることにより排気系統が切り替えられ、再びターボポンプ16bにより減圧処理容器12の排気が行われる図7の工程S6。また、排気の切り替えと並行して、パーティクルモニタシステム1によるパーティクルモニタ方法が実行される。このパーティクルモニタシステム1におけるパーティクルモニタ方法については、後述において詳しく説明する。その後、減圧処理容器12内に新たなウェハWが搬入され、プラズマ処理が施される図7の工程S7。そして、このウェハWの処理が終了すると、ウェハWが減圧処理容器12から搬出される図7の工程S8。そして、再び真空系統の切り替えによりパーティクルモニタ18によるパーティクルの計数が開始され図7の工程S9、次いで減圧処理容器内の清浄化が行われ、この一連の工程が繰り返し行われる。次に、上述したパーティクルモニタ方法について説明する。上述のパーティクルモニタ18によるパーティクルの計数が終了すると、演算手段100において、例えば図3に示すようなパーティクル数の時間に関するヒストグラムが作成される図7の工程T1。次いで、抽出手段101において、このヒストグラムに基づいて、第1の特徴量X及び第2の特徴量Yがそれぞれ求められる図7の工程T2。その後、条件変更手段102では、第1の特徴量X及び第2の特徴量Yとの相関関係に基づいて、清浄化手段40による清浄化シーケンスの条件が変更される図7の工程T3。そして、図7の工程S7におけるウェハWの処理が終了し、ウェハWが減圧処理容器12から搬出されると図7の工程S8、再び真空系統の切り替えによりパーティクルモニタ18によるパーティクルの計数が開始され図7の工程S9、次いで変更後の清浄化シーケンスにより減圧処理容器内の清浄化が行われる。以上の実施の形態によれば、減圧処理容器12を清浄化している間に当該減圧処理容器12から排出されるパーティクルを計数してヒストグラム化し、このヒストグラムに基づいて第1の特徴量Xと第2の特徴量Yを求めるので、減圧処理容器を清浄化している最中のパーティクルの傾向、即ち、減圧処理容器12から排出されるパーティクルとして、パージガスの衝撃波により飛散するものが支配的であるのか、或いは電磁応力により飛散するものが支配的であるのかの傾向を定量的に把握することができる。これにより、減圧処理容器12内のパーティクルを適切にモニタリングすることが可能となる。また、支配的なパーティクルの傾向を把握することにより、条件変更手段102において清浄化シーケンスの最適化を図ることができるので、効率よく減圧処理容器12内を清浄化することができる。なお、以上の実施の形態では、条件変更手段102により清浄化シーケンスの条件を変更したが、例えば図2に破線で示すように、制御装置50に各種情報を表示したり、制御装置50への入力操作をしたりする表示手段103設け、当該表示手段103に各特徴量X、Yを比較して表示することで、作業員がこの表示内容に基づいて清浄化シーケンスの条件を変更してもよい。なお、表示手段103は、例えばタッチパネル、モニタ又は液晶ディスプレイなどを備えた、いわゆるグラフィカルユーザインターフェイスである。また、以上の実施の形態では、例えば図5に示す基準となる清浄化シーケンスに対してパージガスや高電圧印加の条件を変更したが、例えば、条件変更手段102で変更後の清浄化シーケンスを記憶しておき、この変更後の清浄化シーケンスに対してさらに条件の変更を行う、換言すれば、変更後の清浄化シーケンスを基準のシーケンスとしてもよく、基準に用いる清浄化シーケンスについては、任意に設定が可能である。なお、以上の実施の形態では、第1の特徴量Xと第2の特徴量Yとの差分が小さくなる場合は、最頻値近傍において計数されるパーティクル数の全体に占める割合が小さいと説明したが、実際にはピーク近傍のみでしかパーティクルが計数されない場合も各特徴量X、Yの差分が小さくなる。ただし、通常、そのような場合は極めて希であるが、そのような場合を除外するために、第1の特徴量Xと第2の特徴量Yに加えて、後述する第3の特徴量Zを考慮するようにしてもよい。第3の特徴量Zは、パーティクルの計数期間中に計数されたパーティクルの総量に占める、最頻値におけるパーティクル数の割合を示すものであり、この値を考慮することで、特徴量X、Yの差分が小さくなる原因が、最頻値近傍にパーティクルが集中しているものであるか否かを判断できる。そして、最頻値近傍にパーティクルが集中していると判断された場合は、それに基づいて清浄化手段40の条件を設定すればよい。また、最頻値におけるパーティクル数そのものも考慮して、例えば最頻値近傍にパーティクルが集中していると判断されたにもかかわらずパーティクル数が従来と比較して少ない場合は、例えばパージガスの流量と高電圧の印加回数の双方を減少させるようにしてもよい。以上の実施の形態では、減圧処理容器12内のパーティクルの傾向を把握し、次回のウェハW処理後の清浄化の条件を例えばウェハWの処理を行うごとに変更する場合について説明したが、次に他の実施の形態にかかるパーティクルモニタの方法として、減圧処理容器12内のパーティクルについて長期的な傾向を把握する場合について説明する。本実施の形態における、制御装置110は、例えば図8に示すように、既述の演算手段100と抽出手段101のほかに、抽出手段で求めた特徴量を蓄積する蓄積手段111と、蓄積手段111に記憶された特徴量に対して主成分分析を行う分析手段112と、分析手段112での分析結果と蓄積手段111に記憶された特徴量から主成分得点を求める算出手段113と、主成分得点に関するクラスター分析の結果に基づいて減圧処理容器12内のパーティクルの付着状況を推定する推定手段114を有している。本実施の形態にかかるパーティクルモニタシステムは、各手段100、101、111、112、113、114とパーティクルモニタ18により構成されている。なお、制御装置110は、上述の表示手段103を有していてもよい。また、制御装置110における抽出手段101では、上述の第2の特徴量Yに代えて、次の式3により表される第3の特徴量Zが求められる。式3のMAXPtは、ヒストグラムの最頻値におけるパーティクル数である。式3から明らかなように、第3の特徴量Zは、パーティクルの計数期間中に計数されたパーティクルの総量に占める、最頻値におけるパーティクル数の割合である、いわゆるピーク比を示すものである。抽出手段101では、図7に示される工程S1~工程S7のウェハ処理を繰り返し実行するごとに各特徴量X、Zが求められ、各特徴量X、Zは、蓄積手段111に記憶される。分析手段112では、蓄積手段111に蓄積された複数の特徴量X、Zを変数として主成分分析を行い、第1の特徴量Xと第3の特徴量Zのそれぞれについて主成分負荷量が求められる。算出手段113では、分析手段112で求められた主成分負荷量と第1の特徴量Xと第3の特徴量Zに基づいて、各特徴量X、Zのそれぞれについて主成分得点が求められる。推定手段114では、算出手段113で求められた各主成分得点に関するクラスター分析を実施して各主成分得点を複数のクラスターに層別化する。そして、各クラスターの特徴を確認し、各クラスターごとに減圧処理容器12内のパーティクルの付着状況を推定する。なお、各手段112、113、114は、例えば汎用の数値解析ソフトを用いて構成できる。分析手段112、算出手段113、推定手段114による減圧処理容器12内のパーティクル付着状況推定の具体的な例として、例えば蓄積手段111に、図9の表に示すように、サンプル番号1~89についての各特徴量X、Zが記憶されている場合について説明する。なお、清浄化はサンプル番号の小さいものから大きいものの順で時系列に行われており、図9のサンプル番号12と13の間、サンプル番号32と33の間及びサンプル番号48と49の間には、それぞれ減圧処理容器12の開放点検が行われている。また、サンプル12と13の間では、減圧処理容器12内の一部の部品交換が実施されている。分析手段112では、蓄積手段111の各特徴量X、Zから主成分負荷量が求められる。なお、第1の特徴量Xの第1の主成分負荷量は0.7342、第2の主成分負荷量は-0.6790である。また、第3の特徴量Zの主成分負荷量は、第1の特徴量Xの各主成分負荷量から求まる直線に直交する直線の傾きとして求められ、第1の主成分負荷量と第2の主成分負荷量は、それぞれ0.7342と0.6790となる。次に、算出手段113では、分析手段112で求めた各主成分負荷量と各特徴量X、Zから、各サンプル1~89について第1の主成分得点図9のPCS1と、第2の主成分得点図9のPCS2がそれぞれ求められる。そして、算出手段113では、例えば図10に示すように、各サンプル番号1~89の主成分得点をプロットしたデータが作成される。なお、図10のプロットに示す番号は、図9に示す各サンプル番号と対応している。推定手段114では、算出手段113で求められたプロットデータに対するクラスター分析がおこなわれ、例えば図11に示されるように、複数のクラスターに層別される。本実施の形態においては、4つのクラスターに分類され、その結果、サンプル番号1~12は第1のクラスター、サンプル番号13~32は第2のクラスター、サンプル番号33~48は第3のクラスター、サンプル番号49~89は第4のクラスターをそれぞれ形成する。なお、図11の◇は第1のクラスター、□は第2のクラスター、△は第3のクラスター、○は第4のクラスターをそれぞれ表している。次いで、推定手段114では、各クラスターの特徴を確認し、各クラスターごとに減圧処理容器12内のパーティクルの付着状況を推定する。具体的には、第1のクラスターは、第1の特徴量と第3の特徴量Zの値が共に非常に大きいため、清浄化シーケンス後半の高電圧印加により飛散したパーティクル、或いは図7の工程S5における減圧処理容器12の排気の過程で排出されたパーティクルが大半を占めていると判断される。これにより、第1のクラスターに属するサンプルのパーティクルは、例えば排気管17や各バルブの汚れに起因するものと推定される。また、第2のクラスターでは、第1の特徴量Xが非常に小さく、換言すれば、清浄化シーケンスのパージガス供給直後と一致し、且つ第3の特徴量Zが非常に大きいため、清浄化シーケンス前半のパージガスにより飛散したパーティクルが大半を占めていると判断される。これにより、第2のクラスターに属するサンプルのパーティクルは、減圧処理容器12内に物理的に吸着しているものが支配的であると推定される。なお、パーティクルが第1のクラスターと異なる傾向を示すのは、サンプル12と13の間で減圧処理容器12の部品交換に伴い、減圧処理容器の外部から塵が持ち込まれたためと推測される。第3のクラスターでは、第1の特徴量Xが第2のクラスターに比べて大きく、また、第3の特徴量Zが第2のクラスターに比べて減少している。したがって、パージガスによるパーティクルが高電圧印加によるパーティクルと比較して支配的であるものの、高電圧印加によるパーティクルも若干計数されていると判断される。第4のクラスターでは、第1の特徴量Xが第3のクラスターよりさらに大きく、また、第3の特徴量Zが第3のクラスターに比べてさらに減少している。この場合、パーティクルの計数期間の全域にわたってパーティクルが計数されており、高電圧印加によるパーティクルがパージガスによるパーティクルと比較して支配的であるものの、パージガスによるパーティクルも若干計数されていると判断される。これにより、第4のクラスターに属するサンプルのパーティクルは、高電圧印加により飛散したパーティクルが支配的であり、主に排気系統の汚れに起因するものと推定される。また、クラスター分析の結果から、減圧処理容器12内の清浄化を繰り返すごとにパーティクルが高電圧印加由来のものとなってゆくこと、及び減圧処理容器12の開放点検の際に部品交換を行うことで、パージガス由来のパーティクルが増加することが確認された。以上の実施の形態によれば、抽出手段101で求めた複数の特徴量X、Zに基づいて主成分得点をそれぞれ求め、さらに各主成分得点に関するクラスター分析に基づいて減圧処理容器12内のパーティクルの付着状況を推定するので、減圧処理容器12内のパーティクルについて長期的な傾向を把握することができる。これにより、例えばウェハW処理を所定の回数繰り返すごとに清浄化シーケンスにおいて高電圧印加の回数を増加させ、その一方でパージガスの供給時間を減少させるといったシーケンス条件の変更を行うことが可能となる。なお、通常は、既述のようにウェハWへのパーティクルの付着状況を確認したりパーティクルの成分分析をしたりするために、1日に1回程度の頻度で、例えばダミーウェハを用いてウェハ処理と清浄化が行われるが、希に、何らかの要因でダミーウェハに付着するパーティクル数が極端に多くなる場合がある。この場合、ダミーウェハのパーティクルを分析するのみでは、イレギュラーでパーティクル数が増加したのか否かを判断できないため、イレギュラーか否かを判断するには、再度ダミーウェハを用いてパーティクルの確認を行う必要がある。しかしながら、その間は製品化するウェハWの処理を行うことができないため、ウェハW処理のスループットの低下を招いてしまう。かかる場合、本実施の形態にかかるパーティクルモニタ方法により長期的な傾向を把握していれば、ダミーウェハの異常がイレギュラーなものであるか否かを判断することも可能となる。なお、以上の実施の形態においても、制御装置110に条件変更手段102を設け、推定手段114による推定結果に基づいて、自動的に清浄化シーケンスを変更するようにしてもよい。かかる場合、図6に示す表の内容とは独立して、クラスター分析で推定された支配的なパーティクルに対応してパージガスや高電圧印加の条件が変更される。また、制御装置110に表示手段103を設け、クラスター分析後の各主成分得点、即ち図11に示す内容を当該表示手段103に表示し、この表示内容に基づいて作業員が清浄化シーケンスの条件を変更するようにしてもよい。なお、以上の実施の形態では、パーティクルモニタ18は、バイパス管17bに設けていたが、減圧処理容器12からのパーティクル数を計数できれば、必ずしもバイパス管17bに設ける必要はなく、例えば排気室13aに設けてもよい。また、以上の実施の形態では、第1の特徴量Xは式1により求めたが、例えば第1の特徴量としてヒストグラムの最頻値そのものを用いてもよい。また、清浄化シーケンスの条件を変更するにあたっては、例えば最頻値の左右方向にパーティクル数の積分を行い、積分値と計数期間中に計測されたパーティクルの総数との比が所定の値に達するまでの時間を求めることでパーティクルの分布の傾向を把握し、この分布傾向と最頻値とに基づいて条件変更を行うようにしてもよい。以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。平行平板型のプラズマ装置や、他のマイクロ波プラズマ装置、例えば、ECRプラズマ装置、表面波プラズマ装置などに適用可能である。また、当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。