基板上に支持脚により保持された赤外線検知部を有する赤外線撮像素子であって、該赤外線検知部は、該基板の表面に平行なpn接合面を有する、第1pn接合ダイオードおよび第2pn接合ダイオードを含み、該第1pn接合ダイオードと該第2pn接合ダイオードとが、該基板の表面に平行な接合面を有するように積層された熱電気変換素子を含むことを特徴とする赤外線撮像素子。上記第1pn接合ダイオードに含まれるpn接合面、上記第2pn接合ダイオードに含まれるpn接合面、および該第1pn接合ダイオードと該第2pn接合ダイオードとの接合面が、それぞれ上記基板の表面に平行な平面のみからなることを特徴とする請求項1に記載の赤外線撮像素子。上記第1pn接合ダイオードの第2導電型領域の一部の上に、上記第2pn接合ダイオードの第1導電型領域が積層されて上記接合面を形成することを特徴とする請求項1または2に記載の赤外線撮像素子。上記第1pn接合ダイオードは、第1導電型領域と、該第1導電型領域の内方に形成されたウエル状の第2導電型領域を含み上記第2pn接合ダイオードは、第1導電型領域と、該第1導電型領域の内方に形成されたウエル状の第2導電型領域を含み、該第2pn接合ダイオードの第1導電型領域は、該第1pn接合ダイオードの第2導電型領域の内方にウエル状に形成されたことを特徴とする請求項1に記載の赤外線撮像素子。上記熱電気変換素子の、上記基板の表面に垂直な方向の側面が絶縁膜に覆われ、上記第1pn接合ダイオードの第1導電性領域のみが該絶縁膜に接することを特徴とする請求項4に記載の赤外線撮像素子。上記第1pn接合ダイオードと上記第2pn接合ダイオードとの接合面を挟む、該第1pn接合ダイオードの第2導電性領域と、該第2pn接合ダイオードの第1導電性領域とが、配線層により電気的に接続されたことを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の赤外線撮像素子。上記配線層は、上記第1pn接合ダイオードの第1導電性領域に接続された配線層、および上記第2pn接合ダイオードの第2導電性領域に接続された配線層と、同一材料からなることを特徴とする請求項6に記載の赤外線撮像素子。請求項1~7のいずれかに記載の熱電気変換素子が、上記基板の表面に平行な方向に複数設けられ、それぞれの熱電気変換素子が電気的に直列になるように接続されたことを特徴とする赤外線撮像素子。請求項1~8のいずれかに記載の赤外線撮像素子が、2次元アレイ状に配置されたことを特徴とする赤外線撮像装置。従来の赤外線撮像素子では、例えば、画素内の限られた赤外線検知部の領域に形成するダイオードの直列個数を増やすために、個々のダイオードが逆バイアスとなる部分を活性領域内部に形成されたコンタクトホールの金属膜により接続することによって、ダイオード-ダイオード間の省スペース化を実現している。しかしながら、この構造はダイオード自体を小型化しているのではなく、ダイオード-ダイオード間の分離幅をなくすことによるものであり、赤外線撮像素子を小型化するには限度があった。一方で、ダイオード自身を小型化すると、ダイオードの感度に寄与するpn接合面積が小さくなり、ダイオード1個あたりの温度変化率を大きくすることが難しくなるという問題があった。そこで、本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、赤外線撮像素子において、赤外線検知部の限られた面積内に広いpn接合面積を有するダイオードを複数個直列に接続した、高感度な赤外線撮像素子を提供することを目的とする。本発明は、基板上に支持脚により保持された赤外線検知部を有する赤外線撮像素子であって、赤外線検知部は、基板の表面に平行なpn接合面を有する、第1pn接合ダイオードおよび第2pn接合ダイオードを含み、第1pn接合ダイオードと第2pn接合ダイオードとが、基板の表面に平行な接合面を有するように積層された熱電気変換素子を含むことを特徴とする赤外線撮像素子である。また、本発明は、上述の赤外線撮像素子が、2次元アレイ状に配置されたことを特徴とする赤外線撮像装置でもある。本発明では、第1pn接合ダイオードのpn接合面と、第2pn接合ダイオードのpn接合面が基板の表面に平行になるように、第1pn接合ダイオードと第2pn接合ダイオードを積層して熱電気変換素子を形成することにより、画素内の限られた領域で、pn接合ダイオードのpn接合面積を大きくでき、高感度の赤外線撮像素子を得ることができる。実施の形態1.図1は、全体が100で表される、本発明の実施の形態1に係る非冷却の赤外線撮像装置の概略を示す斜視図である。図1に示すように、赤外線撮像装置100は、2次元アレイ状マトリックス状に配置された赤外線撮像素子1と、それぞれの赤外線撮像素子1に接続された選択線2および信号線3を含む。更に、駆動走査回路4および信号走査回路5が、2次元アレイ状に配置された赤外線撮像素子1の周囲に設けられ、駆動走査回路4に選択線2が、信号走査回路5に信号線3が、それぞれ接続されている。赤外線撮像素子1は、光電気変換素子として、マイクロマシニング技術を用いて形成される断熱構造体と断熱構造体上に形成された赤外線検知部熱電気変換素子を含むとを有する。断熱構造体上の赤外線検知部の温度は、赤外光の入射により上昇する。その温度上昇を熱電気変換素子で検出し、電気信号に変換して出力する。上述のように、赤外線撮像素子1が基板上の撮像領域に2次元アレイ状に並べられ、駆動走査回路4と信号走査回路5によって赤外線撮像素子1の信号が読み出され、出力アンプ6より出力される。駆動走査回路4と信号走査回路5とのスキャン動作によって、アレイ状に配置された赤外線撮像素子1の出力が時系列に読み出され、赤外画像信号が得られる。図2aは、図1に示した断面Aにおける赤外線撮像素子1の断面図であり、図2bは、赤外線撮像素子1の上面図である。なお、図2bでは、分かりやすくするために赤外線吸収部9は透明に記載してある。図2abに示すように、実施の形態1に係る赤外線撮像素子1は回路部と画素部とを有する。基板12は、例えばシリコン基板上に酸化シリコン層を介してシリコン層が形成されたSOISiliconOnInsulator基板であることが好ましい。また、SOI基板の埋め込み酸化膜層は、赤外線検知部の熱容量に含まれるため、より薄い方が赤外線検知部の熱容量が小さくなる。このような基板を用いることによりSOI層に熱電気変換素子を形成し、赤外線検知部とすることができる。この場合、汎用のシリコンプロセスの適用が可能となる。回路部には、基板12中に、MOS型の半導体素子を含む回路部15が設けられている。回路部15の上には、酸化シリコン等からなる絶縁膜10が設けられ、その上に配線16が設けられている。配線16は、酸化シリコン等からなる層間膜a17、層間膜b18に覆われ、その上に配線11が設けられている。配線11は、アルミニウム、Ti、TiN、W、WSi等から形成され、酸化シリコン等の保護膜で覆われている。一方、画素部には、基板12に設けられた空洞13上に、支持脚14で支持された赤外線検知部8が設けられている。赤外線検知部8には、温度によって電気特性が変化する感温素子として、熱電気変換素子23が設けられている。熱電気変換素子23の周囲には絶縁膜10が設けられている。回路部15と熱電気変換素子23とは、支持脚14に設けられた薄膜配線22で電気的に接続されている。また、赤外線検知部8は保護膜19を含み、その上に傘構造をした赤外線吸収部9が設けられている。かかる赤外線撮像素子1では、入射した赤外線が赤外線吸収部9で吸収され、熱に変換される。この熱は赤外線検知部8に伝わり、これにより赤外線検知部8の温度が上昇し、赤外線検知部熱電気変換素子8の電気特性が変化する。この特性の変化は電気信号として配線11を介して回路部15に送られる。回路部15では、各画素の電気信号の変化から赤外線検知部8に入射した赤外線量を検出する。熱電気変換素子としてpn接合ダイオードを用いる場合は、順方向電圧を印加した状態で使用する。図3aは、図2bに示した断面Cにおける、赤外線検知部8に含まれる熱電気変換素子23の断面図である。図3aに示すように、熱電気変換素子23は、2つのpn接合ダイオードが直列に接続された構造を有し、具体的にはn型第1導電型不純物領域24、p型第2導電型不純物領域25、n型不純物領域26、およびp型不純物領域27の各半導体層を順次積層した構造からなる第1導電型、第2導電型の文言は相互に入れ替えても構わない。p型不純物領域27とn型不純物領域26との接合面、およびp型不純物領域25とn型不純物領域24との接合面の面積がそれぞれ広くなるように、接合面は半導体層および半導体基板の表面に対して平行図3aでは横方向に設けられている。電圧印加時にダイオード間が逆バイアスとなるn型不純物領域26とp型不純物領域25との間は、半導体層内部に形成されたコンタクトホールを成すトレンチ構造部に形成された薄膜配線22により、半導体層表面で電気的に短絡されている。直列接続された4つのpn接合ダイオードの最初のp型不純物領域27と、最後のn型不純物領域24は、活性領域内部に形成されたトレンチ構造部に形成された配線11によって、半導体層の表面に導かれている。図3aでは、半導体層の表面に導かれた2つの配線11の間で、右から左へpn接合ダイオードが2個直列に接続された構造になっている図3a中のダイオード記号参照。トレンチ構造部の側壁には、例えば酸化シリコンからなる絶縁性を有するサイドウォール28が形成されており、電気的に接続をしない不純物領域例えば、n型不純物領域24、p型不純物領域25と配線11との間を絶縁している。図3bは、図3aのような熱電気変換素子23を2組設けた構造の断面図を示す断面C方向。2組の熱電気変換素子23の間は、例えば酸化シリコンからなる絶縁膜10で電気的に分離されている。左側の熱電気変換素子23と右側の熱電気変換素子23とは、半導体層の表面に設けられた配線11により直列に接続されている。即ち、4つpn接合ダイオードが直列接続された構造となっている。本実施の形態1にかかる構造では、例えばn型不純物層24のような不純物領域が活性領域素子形成領域全面に均一に形成されているため、ダイオード配線の取り出し口を任意の位置に決めることができる。例えば、図3aに示すような、右側から左側へpn接合ダイオードが2個直列に接続された構造から、図3cに示すような、左側から右側へpn接合ダイオードが2個直列に接続された構造に変更することも容易である。ダイオードの配線引き出し口の位置を任意に決めることができるので、赤外線検知部8からの支持脚14の取り出し口図2b参照を容易に変更することができ、画素レイアウトの自由度が向上する。なお、図3bでは、2組の熱電気変換素子23を直列に接続したが、3組以上の熱電気変換素子23を直列に接続しても良い以下の実施の形態において同じ。図4は、図3aに示す熱電気変換素子23の製造工程を示す断面図である。製造工程は、以下の工程1~6を有する。図4中、図3と同一符号は、同一または相当箇所を示す。工程1:図4aに示すように、例えば酸化シリコンからなる絶縁膜10の上に、例えばシリコンからなる半導体層を形成した後、半導体層の活性領域素子形成領域に、例えばイオン注入法を用いて、p型不純物領域25とn型不純物領域24を形成する。工程2:図4bに示すように、更にイオン注入法を用いて、p型不純物領域27とn型不純物領域26を形成する。かかる工程では、半導体層および基板の表面に平行な方向に、pn接合面が形成できる。イオン注入法に代えて拡散法等を用いても良い。工程3:図4cに示すように、動作時にダイオード間が逆バイアスとなるn型不純物領域26とp型不純物領域25に達するように、半導体層内部にコンタクトホールを成すトレンチ構造を、例えばRIE法を用いて形成する。続いて、サイドウォール28を形成するために、例えばCVD法を用いて絶縁膜10を全面に堆積する。絶縁膜10は、例えば酸化シリコンや窒化シリコンからなる。工程4:図4dに示すように、絶縁膜10を全面エッチングすることにより、トレンチ構造開口部分の側壁に絶縁膜10を残存させ、サイドウォール28を形成する。この時、トレンチ構造の底部の絶縁膜10は除去され、n型不純物領域26、p型不純物領域25が露出する。続いて、このトレンチ構造部中に薄膜配線22を形成し、n型不純物領域26とp型不純物領域25とを電気的に短絡させる。薄膜配線は、例えば多結晶シリコンからなる。工程5:図4eに示すように、例えば酸化シリコンからなる層間膜b18を上面に堆積させる。続いて、直列接続されたpn接合ダイオードの最初のp型不純物領域27と最後のn型不純物領域24に達するように、例えばRIE法を用いて活性領域にトレンチ構造を形成する。トレンチ構造内には、工程3、4と同じ工程を用いてサイドウォール28を形成する。トレンチ構造の底部には、n型不純物領域24、p型不純物領域27が露出する。工程6:図4fに示すように、トレンチ構造内に、配線11を埋め込む。最後に、上面を覆うように、例えば酸化シリコンからなる保護膜19を形成する。以上の工程で、図3aに示す熱電気変換素子23が完成する。図5は、比較のための、従来構造の赤外線撮像素子であり、bに上面図、aにbのC断面における熱電気変換素子23の断面図を示す。図5中、図2と同一符号は、同一または相当箇所を示し、図5bにおいて赤外線吸収部9は透明に記載してある。図5aに示すように、従来の熱電気変換素子23では、一つの活性領域に2組のpn接合ダイオードが横方向に形成されている。即ち、n型不純物領域26、p型不純物領域27からなるPN-ダイオードと、n型不純物領域24、p型不純物領域25からなるNP-ダイオードが、半導体層の表面に垂直な界面で接するように形成されている。動作時に個々のダイオードが逆バイアスとなる部分PN-ダイオードとNP-ダイオードの境界に、ダイオードを接続するためのコンタクトホールおよび配線30がダイオード活性領域内に形成され、隣り合うダイオードp型不純物領域25とn型不純物領域26が接続されている。図5aに示すように、p型不純物領域27とn型不純物領域26とのpn接合面、およびn型不純物領域24とp型不純物領域25とのpn接合面は、半導体層の表面に対して平行な深さ方向と、半導体層表面に対して垂直な水平方向の両方に形成されている。図5bに示すように、赤外線撮像素子1の各画素部には、空洞13上に支持脚14で支持された赤外線検知部8が設けられている。この構造では、活性領域内に2組のpn接合ダイオードが横方向に配置されているため、各ダイオードの感度に寄与するpn接合面積を大きくすることは困難である。次に、図6を用いて、図2に示す赤外線撮像素子1の製造方法について説明する。図6は、赤外線撮像素子1の製造工程の断面図であり、以下の工程1~6を含む。工程1:図6aに示すように、例えばシリコンからなる基板12に、回路部15が形成される。回路部は、例えば走査回路等に用いるMOS型の半導体素子からなる。続いて、基板12の表面上に、例えば酸化シリコンからなる絶縁膜10を、CVD法等を用いて形成する。続いて、画素部の絶縁膜10中に、熱電気変換素子23を含む赤外線検出部8を形成する。赤外線検出部8の形成方法は上述とおりである図4参照。更に、赤外線検出部8の上が、絶縁膜10で覆われる。続いて、回路部の絶縁膜10上に、回路部15の半導体素子の電極に接続された配線16を形成する。工程2:図6bに示すように、例えば酸化シリコンからなる層間膜a17を全面に形成する。続いて、全面にフォトレジスト20を形成した後、赤外線検知部8上のみ開口する。工程3:図6cに示すように、赤外線検出部8上の絶縁膜10、層間膜a17を、フォトレジスト20をエッチングマスクに用いてエッチングする。絶縁膜10、層間膜a17のエッチングは、弗化水素酸溶液を用いたウェットエッチングにより行う。弗化水素酸溶液により、フォトレジスト20が開口している領域の絶縁膜10、層間膜a17のみがエッチングされ、赤外線検知部8上の絶縁膜が薄膜化される。また、ドライエッチングにより絶縁膜10、層間膜a17をエッチングしても良い。続いてフォトレジスト20を除去する。工程4:図6dに示すように、赤外線検知部8と赤外線検知部8を中空に保持する支持脚部分、n型不純物領域26とp型不純物領域25を短絡するために半導体層内部に形成されたトレンチ構造部に、薄膜配線22を形成する。続いて、酸化シリコン等からなる層間膜b18を所望の膜厚だけ堆積する。工程5:図6eに示すように、アルミニウム、Ti、TiN、W、WSi等からなる配線11を形成する。配線11の形成後、全面に例えば酸化シリコンからなる保護膜19を形成する。工程6:図6fに示すように、ドライエッチングでエッチングホール21を形成した後、犠牲層図示せずを用いて傘構造の赤外線吸収部9を形成する。続いて、犠牲層を除去した後、XeF2等を用いたドライエッチングにより基板12をエッチングして、赤外線検知部8を中空構造にする。赤外線検知部8は、支持脚14により空洞13の上に保持される。以上の工程で、赤外線吸収部9を備え、熱電気変換素子23が形成された赤外線検知部8と、回路部15等が同一半導体基板上に形成された、図2に示す非冷却の赤外線撮像素子が完成する。以上のように、本発明の実施の形態1にかかる赤外線撮像素子1では、pn接合ダイオードのpn接合面を半導体基板および半導体層の表面に平行な方向に積層配置することにより、pn接合ダイオードのpn接合面積を大きくすることができる。このため、同一個数のpn接合ダイオードを用いた場合、従来構造図5よりもpn接合面積が大きくなり、高感度な赤外線検出が可能となる。実施の形態2.図7aは、本発明の実施の形態2にかかる赤外線撮像素子に含まれる熱電気変換素子33の断面図であり、図2bのC断面に相当する断面を示す。また、図7bは、2組の熱電気変換素子33を直列に接続した構造である。図7中、図2と同一符号は、同一または相当箇所を示す。本発明の実施の形態2にかかる熱電気変換素子33では、n型不純物領域24内にp型不純物領域25が形成され、このp型不純物領域25内にn型不純物領域26が形成され、更に、このn型不純物領域26内にp型不純物領域27が形成された構造となっている。このため、熱電気変換素子33のpn接合面境界が活性領域の分離のための絶縁膜10に接していない。これにより、pn接合ダイオードが形成される活性領域と、絶縁膜10との境界をダイオード電流が流れることがなくなる。絶縁膜10と活性領域との界面には界面トラップが存在し、電気伝導のキャリアが生成再結合することで雑音が発生する。このため、境界のダイオード電流を無くすことで、赤外線撮像素子の低雑音化高感度化が可能となる。図7bに示すように、2またはそれ以上の熱電気変換素子33を、横方向に配置して、直列に接合しても良い。実施の形態3.図8は、本発明の実施の形態3にかかる赤外線撮像素子に含まれる熱電気変換素子43の断面図であり、図2bのC断面に相当する断面を示す。図8中、図2と同一符号は、同一または相当箇所を示す。本実施の形態3にかかる熱電気変換素子43では、ダイオード間が逆バイアスとなるn型不純物領域26とp型不純物領域25は、実施の形態1にかかる熱電気変換素子23図3a参照と同様に、半導体層内部に設けられたトレンチ構造部に形成された薄膜配線22により、半導体層表面で電気的に接続されている。また、直列接続されたpn接合ダイオードの、最初のp型不純物領域27と最後のn型不純物領域24も、同様に、活性領域内部に設けられたトレンチ構造部に形成された薄膜配線22によって、半導体層表面に導かれている。即ち、活性領域に設けたトレンチ構造部内の薄膜配線22により、n型不純物領域26とp型不純物領域25との接続、およびn型不純物領域24とp型不純物領域27への接続の双方を行っている。かかる構造を採用することにより、図3aの層間膜b18の形成が不要となるとともに、すべての薄膜配線22を1工程で形成できる。このため。製造工程が、2工程配線工程×1、層間膜の形成工程×1削減できる。実施の形態4.図9は、本発明の実施の形態4にかかる赤外線撮像素子に含まれる熱電気変換素子53の断面図であり、図2bのC断面に相当する断面を示す。図9中、図2と同一符号は、同一または相当箇所を示す。本実施の形態4にかかる熱電気変換素子53では、n型不純物領域24の上にp型不純物領域25が積層され、p型不純物領域25の一部の上に、n型不純物領域26、p型不純物領域27が積層されている。ダイオード間が逆バイアスとなるn型不純物領域26とp型不純物領域25の境界部分に薄膜配線22が形成され、n型不純物領域26とp型不純物領域25とが電気的に接続させている。図9は、本発明の実施の形態4にかかる熱電気変換素子53の製造工程の断面図である。熱電気変換素子53の製造工程は、以下の工程1~6を含む。工程1:図10aに示すように、例えば酸化シリコンからなる絶縁膜10の上に、例えばシリコンからなる半導体層を形成した後、半導体層の活性領域素子形成領域に、例えばイオン注入法を用いて、n型不純物領域24とp型不純物領域25を形成する。工程2:図10bに示すように、p型不純物領域25上の一部の領域活性領域の薄膜化を行なわない領域に窒化膜29を形成する。工程3:図10cに示すように、例えば熱酸化法を用いて、窒化膜29で覆われていないp型不純物領域25の酸化を行う。これにより、p型不純物領域25の一部に酸化膜10を形成する。工程4:図10dに示すように、p型不純物領域25の表面上の酸化膜10と窒化膜29を除去した後、酸化膜10の底面であったp型不純物領域25の表面上に、フォトレジスト20を形成する。続いて、フォトレジスト20をマスクに用いて、例えばイオン注入法により、p型不純物領域25中にn型不純物領域26を形成する。工程5:図10eに示すように、更に、例えばイオン注入法によりp型不純物領域27を形成する。フォトレジスト20を除去した後、半導体層の表面上に例えば酸化シリコンからなる絶縁膜10を形成する。続いて、ダイオード間が逆バイアスとなるn型不純物領域26とp型不純物領域25の境界部分が露出するように、絶縁膜10をエッチングしてトレンチ構造部を形成し、その中に薄膜配線22を形成する。これにより、n型不純物領域26とp型不純物領域25は、半導体層表面で電気的に接続される。工程6:図10fに示すように、直列接続されたダイオードの最初のp型不純物領域27と最後のn型不純物領域24から配線を引き出すためにトレンチ構造を形成する。p型不純物領域27とn型不純物領域24は活性領域内部に形成されたトレンチ構造部に形成された配線11によって、半導体層表面に導かれる。これにより、図9の右側から左側へpn接合ダイオードが2個直列に接続された、図9の熱電気変換素子53が得られる。本発明の実施の形態4にかかる赤外線撮像素子では、温度センサとなるpn接合ダイオードが形成される半導体層の一部が薄膜化されており、温度センサを含む赤外線検知部8の熱容量を小さくできる。赤外線検知部8を低熱容量化することにより、赤外線の検出感度を高くし、熱時定数を短くすることができる。このように、本実施の形態4にかかる赤外線撮像素子では、赤外線検出部の熱時定数が短くなるため、速い動きの物体の撮像が可能となる。