"とりわけシリコンから形成され、使用状態にて光入射面として使用される第1主表面と、裏面として使用される第2主表面とを有する、nまたはpドーピングされた半導体基板と、複数の島形の開口部を有しており、前記開口部内では完全に除去された、前記第2主表面上のパッシベーション積層体と、前記パッシベーション積層体上と、前記基板表面上の前記開口部内とに設けられた、第1金属層と、第1規則的パターンの幅狭の線形の開放部と、第2規則的パターンの格段に幅広の線形または細長島形の開放部とを有し、前記第1開放部パターンと前記第2開放部パターンとは互いに角度付けられて配向されている、有利には互いに直角に配向されている、前記第1金属層を被覆する薄い誘電性のカバー層と前記第2金属層は、前記第1および第2開放部パターンの開放部内に設けられ、はんだ付け可能である露出した表面を有し、前記開放部内で前記第1金属層とコンタクトしている、第2金属層とを備えることを特徴とする太陽電池。前記第2金属層は、Pd,Ni,Ag,Cu,Snを含むグループから少なくとも1つの金属を含む、ことを特徴とする請求項1記載の太陽電池。前記第2金属層は、金属の積層体、とりわけ積層体Pd/Ni/AgまたはNi/Cu/Snを含む、ことを特徴とする請求項2記載の太陽電池。前記第1金属層は、Al,Ti,Pd,Ag,NiCr,Ni,Agを含むグループから少なくとも1つの金属を含む、ことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の太陽電池。前記第1金属層は、金属の積層体、とりわけ積層体Ti/Pd/AgまたはNiCr/Ni/AgまたはAl/Ni種層を含む、ことを特徴とする請求項4記載の太陽電池。前記第2金属層は、化学的または電気メッキによって堆積された強化層を含む、ことを特徴とする請求項1から5のいずれか一項記載の太陽電池。前記薄い誘電性のカバー層は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタンを含むグループから少なくとも1つの材料を含む、ことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項記載の太陽電池。前記半導体基板は、前記第1主表面上の燐ドーピングされたエミッタを備えるpドーピングされたシリコン基板である、ことを特徴とする請求項1から7のいずれか一項記載の太陽電池。前記半導体基板は、前記第2主表面上のホウ素またはアルミニウムドーピングされたpエミッタを備えるnドーピングされたシリコン基板である、ことを特徴とする請求項1から7のいずれか一項記載の太陽電池。請求項1から9のいずれか一項記載の太陽電池の製造方法において、前記第1金属層を、真空蒸着法またはスパッタリング法によって形成する、ことを特徴とする方法。前記第2金属層を、化学的または電気メッキによる強化槽を用いて形成する、ことを特徴とする請求項10記載の方法。前記薄い誘電性のカバー層に設けられる前記第1および第2開放部を、マスキングされたイオンエッチングによって、とりわけ前記薄い誘導性のカバー層を形成した装置と同一の装置において形成する、ことを特徴とする請求項10または11記載の方法。前記薄い誘電性のカバー層に設けられる第1および第2開放部を、レーザアプレーションによって、または、シルクスクリーン印刷またはインクジェット印刷を用いて被着されるエッチングペーストを使用したエッチングによって形成する、ことを特徴とする請求項10または11記載の方法。"