"液体金属の液滴および溶媒を含むエマルジョンであって、-金属が、インジウムIn、ガリウムGaおよびこれらの金属の合金から選択されること、-溶媒が、下記式1のアルカンチオール、下記式2のアルカンチオールエステル、および下記式3のアルカンチオールプロピオニックエーテル式中、nは、5から19の間これらを含むであり、Rは、メチルまたはエチル基であるから選択されること、ならびに-界面活性剤を特徴とする、エマルジョン。界面活性剤が、少なくとも1つのチオール官能基を有する界面活性剤、セチルトリメチルアンモニウムブロミドCTAB、モノステアリン酸ソルビタンのファミリーの界面活性剤、好ましくはSpan登録商標、ポリソルベートのファミリーの界面活性剤、好ましくはTween登録商標、オクチルフェノールエトキシレート界面活性剤、好ましくはTriton登録商標X100、ピロリドール基を有する界面活性剤およびこれらの混合物から選択されることを特徴とする、請求項1に記載のエマルジョン。数を基準として90の液体金属液滴が、1μm未満の平均直径を有することを特徴とする、請求項1または2に記載のエマルジョン。溶媒が、エマルジョン中に存在するInもしくはGa金属またはIn-Ga合金の融点より少なくとも5°C高い沸点を有することを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載のエマルジョン。溶媒が、ドデカンチオールであることを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載のエマルジョン。界面活性剤が、Triton登録商標X100であることを特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載のエマルジョン。金属が、インジウムであることを特徴とする、請求項1から6のいずれか一項に記載のエマルジョン。金属が、ガリウムであることを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載のエマルジョン。金属が、インジウムおよびガリウムの合金であることを特徴とする、請求項1から8のいずれか一項に記載のエマルジョン。インジウムおよびガリウムの合金が、インジウムおよびガリウムの総重量に対して、70質量のインジウムおよび30質量のガリウムを含むことを特徴とする、請求項9に記載のエマルジョン。10nmから500nmの間のサイズを有する、金属銅Cu0または金属銅の前駆体の粒子をさらに含むことを特徴とする、請求項1から10のいずれか一項に記載のエマルジョン。金属銅前駆体が、塩化銅CuCl2、硝酸銅CuNO32、式CuOOCR2式中、Rは、直鎖C1~C3アルキル基であるのカルボン酸銅、好ましくは酢酸銅、式CuR1COCH2COR22式中、R1およびR2は、好ましくは銅アセチルアセトネートであるの銅β-ジケトネート、式CuOR32式中、R3は、直鎖C1~C4アルキルであるまたは式CuOR42NR5式中、R4は、直鎖C1~C2アルキルであり、R5は、Hもしくは直鎖C2アルコール基もしくは直鎖C1~C4アルキル、式HOCH2CH2NR6R7式中、R6およびR7は、同一もしくは異なり、互いに独立して、H、Me、Et、PrもしくはBuから選択されるのアルコールであるの銅アルコキシドであることを特徴とする、請求項11に記載のエマルジョン。金属前駆体が、銅アルコキシドCuOCH2CH22NH、CuOCH2CH22NnBuもしくはCuOCH2CH22NEtまたはこれらの混合物から選択されることを特徴とする、請求項12に記載のエマルジョン。界面活性剤/溶媒体積比が、10-4から10-2の間これらを含むであることを特徴とする、請求項1から13のいずれか一項に記載のエマルジョン。液体金属の液滴を含むエマルジョンを製造するための方法であって、aインジウム、ガリウムおよびこれらの金属の合金から選択される金属を、下記式1のアルカンチオール、下記式2のアルカンチオールエステル、および下記式3のアルカンチオールプロピオニックエーテル式中、nは、5から19の間これらを含むであり、Rは、メチルまたはエチル基であるから選択される溶媒に導入するステップと、bステップaにおいて得られた懸濁液を、金属の融点を超え溶媒の温度未満である温度に加熱するステップと、c界面活性剤を添加するステップと、dステップbおよびcにおける温度と同じ温度を維持しながら、20kHzプローブ、75の振幅で15分間超音波を照射するステップと、e自然冷却により、ステップdにおいて得られたエマルジョンを冷却するステップと、f周囲温度で、20kHzプローブ、振幅20で15分間超音波を照射するステップとを含むことを特徴とする方法。界面活性剤が、少なくとも1つのチオール官能基を有する界面活性剤、セチルトリメチルアンモニウムブロミドCTAB、モノステアリン酸ソルビタンのファミリーの界面活性剤、好ましくはSpan登録商標、ポリソルベートのファミリーの界面活性剤、好ましくはTween登録商標、オクチルフェノールエトキシレート界面活性剤、好ましくはTriton登録商標X100、ピロリドール基を有する界面活性剤およびこれらの混合物から選択されることを特徴とする、請求項15に記載の方法。金属がインジウムであり、ステップb、cおよびdにおける加熱温度が180°Cであることを特徴とする、請求項15または16に記載の方法。金属がガリウムであり、ステップb、cおよびdにおける加熱温度が70°Cであることを特徴とする、請求項15または16に記載の方法。金属が、インジウムおよびガリウムの合金であること、ならびにステップaにおいて、インジウムおよびガリウムの予形成合金の粒子もしくは所望の割合のインジウムの粒子およびガリウムの粒子が導入される、または、請求項7に記載のエマルジョンが、請求項8に記載のエマルジョンと、インジウムおよびガリウムの所望の合金を形成するために必要なインジウムおよびガリウムの割合で混合されること、ならびにステップb、cおよびdにおける加熱温度が180°Cであることを特徴とする、請求項15または16に記載の方法。ステップcの後に、銅の粒子、あるいは塩化銅CuCl2、硝酸銅CuNO32、式CuOOCR2式中、Rは、直鎖C1~C3アルキル基であるのカルボン酸銅、好ましくは酢酸銅、式CuR1COCH2COR22式中、R1およびR2は、好ましくは銅アセチルアセトネートであるの銅β-ジケトネート、式CuOR32式中、R3は、直鎖C1~C4アルキルであるまたは式CuOR42NR5式中、R4は、直鎖C1~C2アルキルであり、R5は、Hもしくは直鎖C2アルコール基もしくは直鎖C1~C4アルキル、式HOCH2CH2NR6R7式中、R6およびR7は、同一もしくは異なり、互いに独立して、H、Me、Et、PrもしくはBuから選択されるのアルコールであるの銅アルコキシドの粒子から選択される銅前駆体の粒子を添加するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項15から19のいずれか一項に記載の方法。銅前駆体が、銅アルコキシドCuOCH2CH22NH、CuOCH2CH22NnBuもしくはCuOCH2CH22NEtまたはこれらの混合物から選択されることを特徴とする、請求項20に記載の方法。溶媒が、ドデカンチオールであることを特徴とする、請求項15から21のいずれか一項に記載の方法。界面活性剤が、Triton登録商標X100であることを特徴とする、請求項15から22のいずれか一項に記載の方法。必要に応じてCuとともに、インジウム、ガリウムおよびこれらの合金から選択される金属で作製されたフィルムを堆積させるための方法であって、a基板の少なくとも1つの表面上に、請求項1から14のいずれか一項に記載の所望の金属のエマルジョン、または請求項15から23のいずれか一項に記載の方法により得られるエマルジョンを堆積させるステップと、b前記少なくとも1つの表面を熱処理するステップとを含むことを特徴とする方法。堆積させるステップaが、前記エマルジョンをスクリーン印刷、ペーストコーティングまたは噴霧することにより行われることを特徴とする、請求項24に記載の方法。熱処理するステップbが、120°Cを超えるが300°C未満である温度で、10分から60分の間これらを含むの期間行われることを特徴とする、請求項24または25に記載の方法。Cu-In-Ga-Xフィルム式中、XはSおよび/またはSeであるを堆積させるための方法であって、a基板の少なくとも1つの表面上に、請求項11から13のいずれか一項に記載のエマルジョン、または請求項19から23のいずれか一項に記載の方法により得られるエマルジョンを堆積させるステップと、bXの蒸気の存在下で、前記少なくとも1つの表面を熱処理するステップとを含むことを特徴とする方法。光起電デバイスの活性層を製造するための方法であって、請求項27に記載の方法により、基板の少なくとも1つの表面上に、Cu-In-Ga-Xフィルム式中、Xは、SまたはSeであるを堆積させるステップを含むことを特徴とする方法。光起電デバイスを製造するための方法であって、請求項28に記載の方法により、基板の少なくとも1つの表面上に、Cu-In-Ga-Xフィルム式中、Xは、SまたはSeであるを堆積させるステップを含むことを特徴とする方法。光起電デバイスが、太陽光発電バッテリー、電池またはパネルであることを特徴とする、請求項28または29に記載の方法。インジウム、ガリウムおよびこれらの合金から選択される金属のフィルムを、少なくとも1つの基板の表面上に堆積させるための、請求項1から14のいずれか一項に記載のエマルジョン、または請求項15から23のいずれか一項に記載の方法により得られるエマルジョンの使用。本発明は、真空を使用せず、良好な変換収率を得ることができ、所望の化学量を得ることができ、金属塩の使用を最小限化またはさらに排除し、さらに周囲雰囲気中空気中で行うことができるプロセスを提供することにより、先行技術のプロセスの欠点を克服することを目的とする。この目的のため、本発明は、インジウムおよび/またはガリウム液体金属のエマルジョンを使用してCu-In-Ga-X層式中、Xは、SまたはSeであるを形成することを提案し、このエマルジョンは、アルカンチオールまたは脂肪族メルカプタンである溶媒中の液体金属の液滴を含む。溶媒中の懸濁液としての液体金属または液体合金を使用することは既に提案されているが、固体金属粒子を合成するためであり、本発明の場合のように、薄型フィルムを形成するためではない。したがって、Wangら、Bottom-UpandTop-DownApproachestotheSynthesisofMonodispersedSphericalColloidsofLowMelting-PointMetals、NanoLetters、2004、410、2047~2050頁は、金属ビスマス粉末の融点より高い温度でジエチレングリコール中で加熱することにより、ビスマス粒子を合成するためのプロセスを説明している。磁気撹拌により、およびポリビニルピロリドンPVPを使用して、形成されたエマルジョンを硬化させるためにエタノール中で急冷した後、金属ビスマスの単分散ビーズが形成される。Hendersonら、Low-TemperatureSolution-MediatedSynthesisofPolycrystallineIntermetallicCompoundsfromBulkMetalPowders、Chem.Mater.2008、20、3212~3217は、二元金属合金の形成のための同様の方法を示している。本発明において、問題は、ペーストコーティング、噴霧またはスピンコーティング法により塗布され得るために、安定なインジウムもしくはガリウム液体金属またはIn-Ga合金のエマルジョン、あるいはインジウムもしくはガリウム液体金属またはIn-Ga-Cu合金のエマルジョン中の銅粒子の懸濁液を得ることにある。安定とは、物理的安定性、すなわち、In-Ga合金の構成物質の金属の液滴およびCu粒子の沈降または分離がないことだけでなく、化学的安定性、すなわち、薄型フィルムまたはこの薄型フィルムを備えるデバイスの製造および形成の様々なステップ中に、金属または合金が酸化されないことを意味する。したがって、本発明は、液体金属の液滴および溶媒を含むエマルジョンであって、-金属は、インジウムIn、ガリウムGaおよびこれらの金属の合金から選択されること、-溶媒は、下記式1のアルカンチオール、下記式2のアルカンチオールエステル、および下記式3のアルカンチオールプロピオニックエーテル式中、nは、5から19の間これらを含むであり、Rは、メチルまたはエチル基であるから選択されること、ならびに-界面活性剤をさらに含むことを特徴とするエマルジョンを提供する。好ましくは、界面活性剤は、少なくとも1つのチオール官能基を有する界面活性剤、セチルトリメチルアンモニウムブロミドCTAB、モノステアリン酸ソルビタンのファミリーの界面活性剤、好ましくはSpan登録商標、ポリソルベートのファミリーの界面活性剤、好ましくはTween登録商標、オクチルフェノールエトキシレート界面活性剤、好ましくはTriton登録商標X100、ピロリドール基を有する界面活性剤およびこれらの混合物から選択される。好ましくは、このエマルジョンは、1μm未満の平均直径を有する90の液体金属液滴を含む。好ましくは、チオール含有溶媒は、金属または金属合金の融点より少なくとも5°C高い沸点を有する。また、好ましくは、溶媒は、ドデカンチオールである。さらに、好ましくは、界面活性剤は、Triton登録商標Xである。第1の実施形態において、金属は、インジウムである。第2の実施形態において、金属は、ガリウムである。好ましい第3の実施形態において、金属は、インジウムおよびガリウムの合金である。この場合、好ましくは、インジウムおよびガリウムの合金は、インジウムおよびガリウムの総重量に対して、70質量のインジウムおよび30質量のガリウムを含む。同じく好ましい第4の実施形態において、エマルジョンは、10nmから1μmの間、好ましくは10nmから500nmの間走査型電子顕微鏡SEM、透過型電子顕微鏡TEMもしくは動的光散乱DLSにより測定されるのサイズ最大寸法を有する金属銅Cu0、または有機金属形態もしくは塩形態の金属銅の前駆体の粒子をさらに含む。この場合、好ましくは、金属銅前駆体は、塩化銅CuCl2、硝酸銅CuNO32、式CuOOCR2式中、Rは、直鎖C1~C3アルキル基であるのカルボン酸銅、好ましくは酢酸銅、式CuR1COCH2COR22式中、R1およびR2は、好ましくは銅アセチルアセトネートであるの銅β-ジケトネート、式CuOR32式中、R3は、直鎖C1~C4アルキルであるまたは式CuOR42NR5式中、R4は、直鎖C1~C2アルキルであり、R5は、Hもしくは直鎖C2アルコール基もしくは直鎖C1~C4アルキル、式HOCH2CH2NR6R7式中、R6およびR7は、同一もしくは異なり、互いに独立して、H、Me、Et、PrもしくはBuから選択されるのアルコールであるの銅アルコキシドである。さらに、この場合、より好ましくは、金属銅前駆体は、銅アルコキシドCuOCH2CH22NH、CuOCH2CH22NnBuもしくはCuOCH2CH22NEtまたはこれらの混合物から選択される。さらに、この場合、また好ましくは、界面活性剤/溶媒体積比は、10-4から10-2の間これらを含むである。また、本発明は、液体金属の液滴を含む、本発明によるエマルジョンを製造するための方法であって、aインジウム、ガリウムおよびこれらの金属の合金から選択される金属を、下記式1のアルカンチオール、下記式2のアルカンチオールエステル、および下記式3のアルカンチオールプロピオニックエーテル式中、nは、5から19の間これらを含むであり、Rは、メチルまたはエチル基であるから選択される溶媒に導入するステップと、bステップaにおいて得られた懸濁液を、金属の融点を超え溶媒の沸点未満である温度に加熱するステップと、c界面活性剤を添加するステップと、dステップbおよびcにおける温度と同じ温度を維持しながら、20kHzプローブ、75の振幅で15分間超音波を照射するステップと、eステップdにおいて得られたエマルジョンを冷却するステップと、f周囲温度で、20kHzプローブ、振幅20で15分間超音波を照射するステップとを含むことを特徴とする方法を提供する。周囲温度という用語は、本発明において、15°Cから30°Cの間これらを含むの温度を意味するよう意図される。第1の実施形態において、金属は、インジウムであり、ステップb、cおよびdにおける加熱温度は、180°Cである。第2の実施形態において、金属は、ガリウムであり、ステップb、cおよびdにおける加熱温度は、70°Cである。好ましい第3の実施形態において、金属は、インジウムおよびガリウムの合金であり、ステップaにおいて、インジウムおよびガリウムの予形成合金の粒子、もしくは所望の割合のインジウムの粒子およびガリウムの粒子が導入され、または、本発明による液体ガリウムエマルジョンが、本発明による液体インジウムエマルジョンと、インジウムおよびガリウムの所望の合金を形成するために望ましいインジウムおよびガリウムの割合で混合され、ステップb、cおよびdにおける加熱温度は、180°Cである。界面活性剤は、好ましくは、少なくとも1つのチオール官能基を必要に応じて有する界面活性剤、セチルトリメチルアンモニウムブロミドCTAB、モノステアリン酸ソルビタンのファミリーの界面活性剤、好ましくはSpan登録商標、ポリソルベートのファミリーの界面活性剤、好ましくはTween登録商標、オクチルフェノールエトキシレート界面活性剤、好ましくはTriton登録商標X100、ピロリドール基を有する界面活性剤およびこれらの混合物から選択される。ステップbは、好ましくは、30分から90分の間持続する。ステップcの冷却に関して、冷却は、自然冷却または強制冷却であってもよい。全ての場合において、本発明の方法は、好ましくは、ステップcの後に、銅の粒子、あるいは塩化銅CuCl2、硝酸銅CuNO32、式CuOOCR2式中、Rは、直鎖C1~C3アルキル基であるのカルボン酸銅、好ましくは酢酸銅、式CuR1COCH2COR22式中、R1およびR2は、好ましくは銅アセチルアセトネートであるの銅β-ジケトネート、式CuOR32式中、R3は、直鎖C1~C4アルキルであるまたは式CuOR42NR5式中、R4は、直鎖C1~C2アルキルであり、R5は、Hもしくは直鎖C2アルコール基もしくは直鎖C1~C4アルキル、式HOCH2CH2NR6R7式中、R6およびR7は、同一もしくは異なり、互いに独立して、H、Me、Et、PrもしくはBuから選択されるのアルコールであるの銅アルコキシドの粒子から選択される銅前駆体の粒子を添加するステップをさらに含む。好ましくは、銅前駆体は、銅アルコキシドCuOCH2CH22NH、CuOCH2CH22NnBuもしくはCuOCH2CH22NEtまたはこれらの混合物から選択される。また、好ましくは、溶媒は、ドデカンチオールである。また、好ましくは、界面活性剤は、Triton登録商標X100である。また、本発明は、インジウムおよびガリウムならびにこれらの合金から選択される金属で作製されたフィルムを堆積させるための方法であって、a基板の少なくとも1つの表面上に、選択された金属のエマルジョンを堆積させるステップと、b前記少なくとも1つの表面を熱処理するステップとを含むことを特徴とする方法を提供する。好ましくは、堆積ステップaは、前記エマルジョンをペーストコーティング、スクリーン印刷または噴霧することにより行われる。また、好ましくは、熱処理するステップbは、120°Cを超え300°C未満である温度で、10分から60分の間の期間行われる。さらに、本発明は、Cu-In-Ga-Xフィルム式中、Xは、SまたはSeであるを堆積させるための方法であって、a基板の少なくとも1つの表面上に、In-Ga-Cuエマルジョンを堆積させるステップと、bXの蒸気の存在下で、前記少なくとも1つの表面を熱処理するステップとを含むことを特徴とする方法を提供する。本発明はまた、光起電デバイスの活性層を製造するための方法であって、上述の本発明の方法により、基板の少なくとも1つの表面上に、Cu-In-Ga-Xフィルム式中、Xは、Sおよび/もしくはSeこれら2種の混合物であるを堆積させるステップを含むことを特徴とする方法を提供する。また、本発明は、光起電デバイスを製造するための方法であって、上述の本発明による方法により、基板の少なくとも1つの表面上に、Cu-In-Ga-Xフィルム式中、Xは、SまたはSeであるを堆積させるステップを含むことを特徴とする方法を提供する。第1の実施形態において、光起電デバイスは、太陽光発電バッテリーもしくは太陽光発電パネル、または光電池である。最後に、本発明は、インジウムおよびガリウムならびにこれらの合金から選択される金属のフィルムを、少なくとも1つの基板の表面上に堆積させるための、本発明によるエマルジョンの使用を提供する。以下に記載される、図面を参照してなされる説明の記述を考慮すれば、本発明がより良く理解され、本発明の他の特徴および利点がより明確となる。本発明は、In、Gaおよびそれらを含む合金から選択される液体金属の、溶媒中のエマルジョンの形成および使用にある。したがって、本発明の第1の主題は、溶媒中の懸濁液としてのInおよび/またはGa液体金属の液滴を含むエマルジョンである。Inおよび/またはGa金属が液体であるためには、それが溶融している必要があり、すなわち、エマルジョンは、少なくともIn-Ga合金の融点に等しい温度に至る必要がある。しかしながら、溶媒は、In-Ga合金の融点を超える沸点を有さなければならない。これらの温度は、当然ながら、金属の性質に依存する。インジウムの融点は156°Cである。ガリウムの融点は30°Cである。70質量のインジウムおよび30質量のガリウムを含むIn-Ga合金の場合、融点は120°Cである。したがって、溶媒は、上述のIn-Ga合金の場合、120°Cを超える、好ましくは130°Cを超える沸点を有さなければならないが、Inの場合、156°Cを超える、またGaの場合、30°Cを超える沸点を有さなければならない。最良の性能を有するCIGSベースの電池は、最適なバンドギャップを有するために、これらの相対的な割合のGaおよびInを必要とするため、この合金は特に適切である。さらに、この溶媒は、本発明によれば、チオール含有溶媒でなければならない。これは、そのような溶媒が、液体金属の液滴の周りに不動態化層を形成することを可能にし、すると液体金属は、その液滴が使用される最終デバイスの形成に至るまで、後に行われる様々な熱処理中の表面酸化に非感受性となるためである。換言すれば、本発明による液体金属エマルジョンの形成のためのそのような溶媒の選択により、金属の再凝固後であっても、不活性雰囲気下で作業する必要がなくなる。好ましいチオール含有溶媒は、下記式1~3のうちの1つを有する。下記式1のアルカンチオール、下記式2のアルカンチオールエステル、および下記式3のアルカンチオールプロピオニックエーテル式中、nは、5から19の間これらを含むであり、Rは、CH3または-CH2-CH3である。好ましくは、溶媒は、ドデカンチオールである。本発明のエマルジョンはまた、エマルジョンの形成および安定化、ならびに液体金属液滴のサイズの低減を可能とする界面活性剤を含む。したがって、好ましくは、液体金属液滴の90は、1μm未満のサイズを有する。当業者は、どの界面活性剤を使用すべきかを決定することができる。しかしながら、非イオン性界面活性剤が好ましい。したがって、本発明のエマルジョンのための好ましい界面活性剤は、セチルトリメチルアンモニウムブロミドCTAB、チオール官能基を有する界面活性剤、例えばドデカンチオールもしくはオクタデカンチオール、ピロリドール基を有する分子、ポリソルベートのファミリーの界面活性剤、例えばTween登録商標、モノステアリン酸ソルビタンのファミリーの界面活性剤、例えばSpan登録商標界面活性剤、またはオクチルフェノールエトキシレート界面活性剤、例えばTriton登録商標X100である。以下が特に好ましい。1ジチアンのファミリーの以下の界面活性剤:a1,4-ジチアン-2,5-ジオールb2,5-ジヒドロキシ-2,5-ジメチル-1,4-ジチアン式:C6H12O2S2分子量:180.29g/mol同義語:2,5-ジメチル-1,4-ジチアン-2,5-ジオールまたは1-メルカプトプロパノン二量体またはシクロジタルファロール-705または2,5-ジメチル-2,5-ジヒドロキシ-p-ジチアンc2-メチル-1,3-ジチアンdエチル1,3-ジチアン-2-カルボキシレートetrans-4,5-ジヒドロキシ-1,2-ジチアン2チオールのファミリーの以下の界面活性剤:abcdef±-α-リポアミドgL---ジチオトレイトール95以上hチオアセトアミドiシステインjドデシルチオグリコピラノシドサルフェート3式CH3CH2nSCH2mNCH33Br-式中、nおよびmは、以下の表1に示される通りであるのチオール含有界面活性剤:さらに、構造CH3CH25SCH26SCH26NCH33Br-を有する、2つの硫黄原子を含むチオール含有界面活性剤もまた好ましい。これらの界面活性剤の混合物もまた、安定なエマルジョンを得るために、および液滴のサイズを低減するために使用することができる。また、形成される液滴のサイズを最小化するために、粘度粒子の濃度およびサイズならびに溶媒と液体合金との間の界面張力を変化させることもできる。溶媒の密度kg/m3が大きいほど、エマルジョンが安定性を維持するための、本発明のエマルジョンに投入される高含量のInおよび/またはGaを得ることがより可能となる。溶媒中の懸濁液としてのInおよび/またはGa液体金属の液滴を含むこのエマルジョンは、所望の表面へのこのエマルジョンの塗布、ペーストコーティング、スクリーン印刷または噴霧により、基板の少なくとも1つの表面上にInおよび/またはGaフィルムを堆積させるために使用することができる。次いで、このようにして形成されたフィルムに、当業者に知られている任意の方法により銅を導入することができ、その後このフィルムは、当業者に知られている任意の方法により、例えば得られたインジウム-ガリウム-Cuフィルムをセレンまたは硫黄蒸気の雰囲気下でアニールすることにより、セレン化または硫化することができる。しかしながら、好ましくは、銅は、溶媒中の懸濁液としてのInおよび/またはGa液体金属の液滴を含む本発明のエマルジョンに導入される。銅は、酸化状態が0である金属銅の粒子の形態で導入されてもよく、またこれは本発明の好ましい実施形態である。銅粒子は、好ましくは、1μm未満、好ましくは10nm未満のサイズを有する。これは、所望の化学量でエマルジョンに金属銅粒子を導入することにより、無機または有機銅塩である銅前駆体の使用が回避されるためであり、この塩は、その後、後続のセレン化または硫化処理中に除去することが困難となり得る。しかしながら、銅は、当然ながら、溶媒中の懸濁液としてのIn-Ga液体合金の液滴を含む本発明のエマルジョン中に、当技術分野において知られているその前駆体、例えば、塩化銅CuCl2、硝酸銅CuNO32、式CuOOCR2式中、Rは、直鎖C1~C3アルキル基であるのカルボン酸銅、好ましくは酢酸銅、式CuR1COCH2COR22式中、R1およびR2は、好ましくは銅アセチルアセトネートであるの銅β-ジケトネート、式CuOR32式中、R3は、直鎖C1~C4アルキルであるまたは式CuOR42NR5式中、R4は、直鎖C1~C2アルキルであり、R5は、Hもしくは直鎖C2アルコール基もしくは直鎖C1~C4アルキル、式HOCH2CH2NR6R7式中、R6およびR7は、同一もしくは異なり、互いに独立して、H、Me、Et、PrもしくはBuから選択されるのアルコールであるの銅アルコキシドの形態で導入されてもよい。カルボン酸銅、β-ジケトネートおよびアルコキシド前駆体は、還元媒体中での熱処理により、酸化状態が0である金属銅のナノ粒子の形成をもたらし得る。還元剤として、アルカリ金属水素化物、ヒドラジン、アスコルベート、例えばアスコルビン酸エステルまたはアスコルビン酸、糖およびポリオール、例えばエチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール等を使用することができる。銅アルコキシドは、カルボン酸銅またはβ-ジケトネートよりも容易に還元されるため、好ましくはこれらの前駆体が本発明において使用される。さらに、銅アルコキシドにより、アルコール溶液および還元媒体中で、エマルジョンを不安定化することなく、In-GaまたはInおよびGaナノドメインまたはInもしくはGaナノドメインとナノメートル規模で合金を形成し得る銅ナノ粒子を得ることができる。これは、アルコール性銅アルコキシド溶液の添加中に本発明のエマルジョンを不安定化しないこと、および過度に激しい温度上昇中に本発明のエマルジョンを不安定化しないことが非常に重要であるためである。銅アルコキシドの還元後に、ある量の酸化状態が0である金属銅を得ることを目的とする当業者は、先験的に、短い直鎖を有する銅アルコキシドを使用する。しかしながら、これらのアルコキシドCuOR2式中、R=MeまたはEtであるは、周囲温度において固体のポリマーであり、加水分解に敏感で、したがってポリマー水酸化物を形成する。それらのポリマー的性質は、その溶解度を制限する。結果として、添加される銅アルコキシド溶液は希釈され、これはエマルジョンを不安定化する危険性を有する。そのため、本発明の好ましい銅アルコキシドは、ブチルまたはヘキシルR基を有するより長い脂肪族鎖を有する。これらのアルコキシドは、周囲温度で粘稠性の液体であり、したがってそれらは、溶媒を添加する必要なくエマルジョンに直接添加することができ、これは、添加されていないものは除去する必要がないという、少なからざる利点を構成する。銅アルコキシドをさらに選択するために、銅の質量パーセントが重要である。アルコキシドの種類毎の銅の質量パーセントを、以下の表2に示す。さらにより好ましくは、それらの中でも、以下の表3にまとめられたアルコキシドが使用されるが、これは、それらが、表3に示される、酸化状態が0である金属銅への還元のための温度を有するためである。この還元温度は、以下の2つの理由から重要である。-基板へのペーストコーティングの前に、エマルジョン中の銅アルコキシドを還元することが望ましい場合、このエマルジョンを不安定化しないのが賢明である。したがって、この温度が高すぎないことが必要である。-エマルジョンがその基板にペーストコーティングされた後に還元が生じる場合、同様に還元温度が高すぎないことが必要であるが、これは、銅アルコキシドを昇華させる危険性があり、それによって、形成されるフィルムの化学量の制御が不規則となるためである。具体的には、本発明において、上述の銅前駆体は、予形成In-Gaフィルム上に使用されてもよく、または、エマルジョン自体に導入されてもよい。したがって、フィルムの形成前、またはIn-Gaフィルムの形成後にエマルジョンに添加される好ましい銅前駆体は、還元後に形成される銅の最終的な量が高いため、さらに液体であることから希釈されずにエマルジョンに添加され得るため、式CuOCH2CH22NH、CuOCH2CH22NnBuおよびCuOCH2CH22NEtの銅アルコキシドである。本発明において使用される銅アルコキシドは、銅Iアルコキシドではなく、銅IIアルコキシドであるが、これは、それらの合成が、CuClのアルコールまたはTHFに対する低い溶解度に起因してCuClは銅Iアルコキシドの形成をもたらす、銅Iアルコキシドの合成よりも少ない溶媒を使用することを可能とするためである。しかしながら、Inおよび/もしくはGa液体金属エマルジョンに添加されるか、または予形成Inおよび/もしくはGaフィルムに塗布される、本発明において使用され得る他の銅前駆体は、式HOCH2CH2NRR’式中、RおよびR’は、同一または異なり、互いに独立して、H、Me、Et、PrまたはBuから選択されるのアルコールである。これは、アルコールが極めて揮発性であり、したがって、形成されるCuInおよび/またはGaSまたはSe層中の炭素系残渣の形式で比較的僅かしか形成しないためである。したがって、本発明の第2の主題は、溶媒中の懸濁液としての、インジウムおよび/またはガリウム液体金属の液滴と、銅または銅前駆体の粒子とを含むエマルジョンである。ここでもまた、溶媒は、上で定義されたようなチオール含有溶媒である。このエマルジョンは、基板の少なくとも1つの表面上のCu-In-GaまたはCu-InまたはCu-Ga合金の薄型フィルムの形成に使用され得る。このフィルムが形成されたら、得られたフィルムの硫化またはセレン化により、Cu-In-XまたはCu-In-Ga-X合金式中、Xは、SまたはSeに等しいの薄型フィルムを得ることができる。上述のように、この硫化またはセレン化は、当技術分野において知られているように、蒸気の形態でのセレンまたは硫黄とともに、フィルムを、またはより正確にはこのフィルムが堆積される基板の表面を熱処理することにより行うことができる。したがって、本発明の第3の主題は、基板上のInおよび/もしくはGa金属で作製されたフィルムの形成のための、または基板の表面上のCu-InもしくはGa-InもしくはCu-In-Gaフィルムの形成のための、またはさらに、基板の表面上にCu-In-SもしくはCu-In-SeもしくはCu-Ga-SもしくはCu-Ga-SeもしくはCu-In合金のフィルムを形成するための、より具体的には、太陽光発電バッテリー、電池または太陽光発電パネルであってもよい光起電デバイスの活性層の形成のための、銅粒子を含まない本発明のエマルジョンの使用である。本発明の第4の主題は、基板の表面上のCu-InまたはCu-In-SまたはCu-In-SeまたはCu-GaまたはCu-In-Ga-SまたはCu-In-Ga-Se合金の薄型フィルムの形成のための、具体的には、太陽光発電バッテリー、電池またはパネル等の光起電デバイスの活性層の形成のための、上述の銅粒子または銅前駆体を含む本発明のエマルジョンの使用である。本発明の第5の主題は、インジウムおよび/またはガリウム金属で作製されたフィルムを堆積させるための方法であって、処理の少なくとも1つの表面上に、銅を含まない本発明によるInおよび/またはGaエマルジョンを堆積させるステップと、この少なくとも1つの表面を熱処理するステップとを含む方法である。好ましくは、堆積は、基板の表面上に前記エマルジョンをペーストコーティングすることにより行われ、熱処理するステップは、In-Ga合金が70質量のインジウムおよび30質量のガリウムを含む合金である場合、120°Cを超える温度で10から60分の期間行われる。金属がInである場合、ペーストコーティングするステップは、160°Cを超える温度で、10分から60分の期間行われる。金属がGaである場合、ペーストコーティングするステップは、30°Cを超える温度で、10分から60分の期間行われる。本発明の第6の主題は、基板の少なくとも1つの表面上にCu-In-Gaフィルムを堆積させるための方法であって、本発明の第5の主題の方法に従い、Inおよび/またはGa金属で作製されたフィルムを堆積させるステップと、次いで、このフィルムにおいて望ましい化学量で銅を導入するステップとを含む方法である。しかしながら、基板の少なくとも1つの表面上にCu-InまたはCu-GaまたはCu-In-Gaフィルムを堆積させるための本発明の好ましい方法は、上述のように、基板の前記表面上に、銅または銅の前駆体の粒子を含む本発明によるエマルジョンを堆積させるステップと、堆積されたフィルムの構造を硬化させるためにこの表面を熱処理するステップとを含む。有利には、150°Cでの第1の熱処理によって、フィルムの構造を硬化させることができ、また例えば250°Cでの、および任意の場合においては溶媒の沸点を超える温度での第2の熱処理によって、溶媒を蒸発により除去することができる。この場合、本発明による方法は、ステップcの後、銅の粒子、あるいは塩化銅CuCl2、硝酸銅CuNO32、式CuOOCR2式中、Rは、直鎖C1~C3アルキル基であるのカルボン酸銅、好ましくは酢酸銅、式CuR1COCH2COR22式中、R1およびR2は、好ましくは銅アセチルアセトネートであるの銅β-ジケトネート、式CuOR32式中、R3は、直鎖C1~C4アルキルであるまたは式CuOR42NR5式中、R4は、直鎖C1~C2アルキルであり、R5は、Hもしくは直鎖C2アルコール基もしくは直鎖C1~C4アルキル、式HOCH2CH2NR6R7式中、R6およびR7は、同一もしくは異なり、互いに独立して、H、Me、Et、PrもしくはBuから選択されるのアルコールであるの銅アルコキシドの粒子から選択される銅前駆体の粒子を添加するステップをさらに含む。好ましくは、銅前駆体は、銅アルコキシドCuOCH2CH22NH、CuOCH2CH22NnBuもしくはCuOCH2CH22NEtまたはこれらの混合物から選択される。好ましい溶媒は、ドデカンチオールである。同様に、好ましい界面活性剤は、Triton登録商標X100である。好ましくは、所望の表面へのエマルジョンの堆積は、この表面上に前記エマルジョンをペーストコーティングすることにより行われる。しかしながら、この堆積はまた、当業者により制御される通常の技術に従い、噴霧により行われてもよい。好ましくは、In-Ga合金が70質量のインジウムおよび30質量のガリウムを含む合金である場合、熱処理は、120°Cの温度で、10分から60分の期間行われる。本発明の第7の主題は、Cu-In-Ga-X式中、Xは、SまたはSeであるのフィルムを堆積させるための方法であって、上述の方法の1つに従い、すなわち、In-Gaフィルムの形成、次いで銅の導入により、または銅もしくは銅の前駆体を含む本発明のエマルジョンから、Cu-InもしくはCu-GaもしくはCu-In-Gaフィルムを直接形成することにより、基板の表面上にCu-In-Gaフィルムを堆積させるステップと、X、すなわち硫黄またはセレンの蒸気の存在下でこの表面を熱処理するステップとを含む方法である。典型的には、この熱処理は、300°Cから600°Cの間で行われる。この方法は、太陽電池の活性層の製造、光起電デバイス、例えば太陽光発電バッテリー、電池またはパネルの製造、ならびに特にインジウムおよびガリウムから選択される金属で作製されたフィルムの堆積に使用され得る。したがって、本発明の第8の主題は、a基板の少なくとも1つの表面上に、本発明による、または本発明の方法により得られる液体In-Ga-Cu合金のエマルジョンを堆積させるステップと、bXXは、SおよびSeから選択されるの蒸気の存在下で、前記少なくとも1つの表面を熱処理するステップとを含む。好ましくは、堆積ステップaは、前記エマルジョンをペーストコーティングまたは噴霧することにより行われる。好ましくは、ステップbにおいて、熱処理は、300°Cから600°Cの間で行われる。ここで、本発明がより良く理解されるために、本発明の実施形態の純粋に例示的および非限定的な例として、説明を行う。本発明によるインジウムエマルジョンの製造手順の最後に超音波を照射することにより処置を行った。使用した手順は以下の通りである。-1gのインジウムを、40mlのドデカンチオール中に秤取する。-丸底フラスコを、撹拌せずに加熱プレート上に設置する。-180°Cで3/4時間加熱を行う。-Triton登録商標X100250μlを添加し、混合物を180°Cで1/4時間撹拌すると、溶液が灰色になる。-高温条件下で、200W/cm2で15分間超音波を照射する20kHzプローブ。-冷却を行う。-低温条件下で、200W/cm2で15分間超音波を照射する。得られたエマルジョンを、図1および2に示す。比較例1:実施例1と同様であるが、低温条件下での超音波照射なしで処置を行った。使用した手順は以下の通りである。-1gのインジウムを、40mlのドデカンチオール中に秤取する。-丸底フラスコを、撹拌せずに加熱プレート上に設置する。-混合物を180°Cで3/4時間加熱する。-Triton登録商標X100250μlを添加し、混合物を180°Cで1/4時間撹拌すると、溶液が灰色になる。-丸底フラスコを超音波プローブに向けて移動するが、丸底フラスコはもはや加熱しない。-高温条件下で、100W/cm2で15分間超音波を照射する20kHzプローブ。得られたエマルジョンを、図3および4に示す。比較例2:この例では、実施例1と同様であるが、界面活性剤を入れず、また冷却後に超音波を照射せずに処置を行った。このエマルジョンの合成のための手順は、以下の通りである。-1gのインジウムを、40mlのドデカンチオール中に秤取する。-丸底フラスコを、撹拌せずに加熱プレート上に設置する。-混合物を180°Cで1時間加熱し、3/4時間後に撹拌すると、溶液は灰色になる。-高温条件下で、200W/cm2で15分間超音波を照射する20kHzプローブ。比較例3:実施例1と同様であるが、冷却中にのみ超音波を照射することにより処置を行った。以下の様式で処置を行った。-1gのインジウムを、40mlのドデカンチオール中に秤取する。-丸底フラスコを、撹拌せずに加熱プレート上に設置する。-180°Cで3/4時間加熱を行う。-Triton登録商標X100250μlを添加し、180°Cで1/4時間撹拌を行うと、溶液が灰色になる。-丸底フラスコを超音波プローブに向けて移動するが、丸底フラスコはもはや加熱しない。-高温条件下で、200W/cm2で15分間超音波を照射する20kHzプローブ。得られたエマルジョンを、図5および6に示す。比較例4:比較例3と同様であるが、加熱を維持しながら超音波を照射することにより処置を行った。使用した手順は以下の通りである。-1gのインジウムを、40mlのドデカンチオール中に秤取する。-丸底フラスコを、撹拌せずに加熱プレート上に設置する。-180°Cで3/4時間加熱を行う。-Triton登録商標X100250μlを添加し、180°Cで1/4時間撹拌を行うと、溶液が灰色になる。-高温条件下で、200W/cm2で15分間超音波を照射する20kHzプローブ。得られたエマルジョンを、図7から9に示す。比較例5:実施例1と同様であるが、手順の最後にもう1回超音波を照射することにより処置を行った。使用した手順は以下の通りである。-1gのインジウムを、40mlのドデカンチオール中に秤取する。-丸底フラスコを、撹拌せずに加熱プレート上に設置する。-180°Cで3/4時間加熱を行う。-Triton登録商標X100250μlを添加し、180°Cで1/4時間撹拌を行うと、溶液が灰色になる。-高温条件下で、200W/cm2で15分間超音波を照射する20kHzプローブ。-混合物を冷却する。-低温条件下で、20の振幅で15分間超音波を照射する。再び、-混合物を冷却する。-低温条件下で、20の振幅で15分間超音波を照射する。得られたエマルジョンを、図10および11に示す。比較例6:この例においては、界面活性剤を使用せず、150°Cで1時間加熱を行った。さらに、冷却後に超音波を照射しなかった。使用した手順は以下の通りである。-1gのインジウムを、40mlのドデカンチオール中に秤取する。-丸底フラスコを、撹拌せずに加熱プレート上に設置する。-150°Cで3/4時間加熱を行う。-Triton登録商標X100250μlを添加し、150°Cで1/4時間撹拌を行うと、溶液が灰色になる。-200W/cm2で15分間超音波を照射する20kHzプローブ。得られたエマルジョンを、図12および13に示す。比較例7:比較例6と同様であるが、超音波なしで加熱する期間の最後から1/4時間前に界面活性剤を添加することにより処置を行った。より具体的には、手順は以下の通りである。-1gのインジウムを、40mlのドデカンチオール中に秤取する。-丸底フラスコを、撹拌せずに加熱プレート上に設置する。-150°Cで3/4時間加熱を行う。-Triton登録商標X100250μlを添加し、150°Cで1/4時間撹拌を行うと、溶液が灰色になる。-200W/cm2で15分間超音波を照射する20kHzプローブ。得られたエマルジョンを、図14、15および16に示す。比較例8:比較例7と同様であるが、180°Cで加熱し、冷却のために0°Cに冷却した瓶内で急冷することにより処置を行った。従った手順は以下の通りである。-1gのインジウムを、40mlのドデカンチオール中に秤取する。-丸底フラスコを、撹拌せずに加熱プレート上に設置する。-180°Cで3/4時間加熱を行う。-Triton登録商標X100250μlを添加し、180°Cで1/4時間撹拌を行うと、溶液が灰色になる。-200W/cm2で15分間超音波を照射する20kHzプローブ。-丸底フラスコの中身を、0°Cに冷却した瓶内に流し込む。得られたエマルジョンを、図17および18に示す。比較例9:比較例8と同様に処置を行ったが、液体窒素中で急冷を行った。手順は以下の通りである。-1gのインジウムを、40mlのドデカンチオール中に秤取する。-丸底フラスコを、撹拌せずに加熱プレート上に設置する。-180°Cで3/4時間加熱を行う。-Triton登録商標X100250μlを添加し、180°Cで1/4時間撹拌を行うと、溶液が灰色になる。-200W/cm2で15分間超音波を照射する20kHzプローブ。-丸底フラスコの中身を、液体窒素中で冷却した瓶内に流し込む。得られたエマルジョンを、図19および20に示す。比較例10:比較例9と同様であるが、冷却のための急冷を行わず、また2倍の量の界面活性剤を使用することにより、すなわち界面活性剤/溶媒比=1.25×10-2で処置を行った。手順は以下の通りである。-1gのインジウムを、40mlのドデカンチオール中に秤取する。-丸底フラスコを、撹拌せずに加熱プレート上に設置する。-180°Cで3/4時間加熱を行う。-Triton登録商標X100500μlを添加し、180°Cで1/4時間撹拌を行うと、溶液が灰色になる。-200W/cm2で15分間超音波を照射する20kHzプローブ。得られたエマルジョンを、図21および22に示す。比較例11:比較例10と同様であるが、1/4倍の量の界面活性剤を使用することにより、すなわち界面活性剤/溶媒比=3.12×10-3で処置を行った。手順は以下の通りである。-1gのインジウムを、40mlのドデカンチオール中に秤取する。-丸底フラスコを、撹拌せずに加熱プレート上に設置する。-180°Cで3/4時間加熱を行う。-Triton登録商標X100125μlを添加し、180°Cで1/4時間撹拌を行うと、溶液が灰色になる。-200W/cm2で15分間超音波を照射する20kHzプローブ。得られたエマルジョンを、図23、24および25に示す。比較例12:比較例11と同様であるが、15分の超音波の最後に銅を添加することにより処置を行った。手順は以下の通りである。-1gのインジウムを、40mlのドデカンチオール中に秤取する。-丸底フラスコを、撹拌せずに加熱プレート上に設置する。-180°Cで3/4時間加熱を行う。-Triton登録商標X100125μlを添加し、180°Cで1/4時間撹拌を行うと、溶液が灰色になる。-高温条件下で、200W/cm2で15分間超音波を照射する20kHzプローブ。-15分の最後に、銅を添加する。得られたエマルジョンを、図26、27および28に示す。インジウムエマルジョンの合成の結果上記の例において、使用した超音波の出力を変化させた。比較例1および3から、超音波の出力が大きい程、粒子のサイズが小さいことが分かる。界面活性剤の影響もまた検討した。低減された超音波出力の場合、比較例2および4から、界面活性剤の添加により、液滴のサイズを低減することができることが分かる。比較例1および3では、同じ効果が観察され得る。溶媒に対して過度に少ない量の界面活性剤では、3μmの粒子が得られ比較例11-比3.12×10-3、一方2倍の量では、粒子の最大サイズを、2分の1に低減することができる比較例4-比6.25×10-3。また、さらに界面活性剤の量を2倍にすることにより比1.25×10-2、粒子サイズの低減の現象はもはや生じないことから、界面活性剤の最適な量が存在する。溶媒の加熱温度もまた検討した。比較試験4および7の結果から、エマルジョンを問題となる金属の融点未満の温度に加熱することにある技術における予想とは対照的に、インジウム粒子の融点を超える超音波照射の温度を使用すると、液滴のサイズが低減されることが分かる。上記の例において、生成されるエマルジョンを冷却するために、異なる冷却方法を試験した。比較試験8および9は、比較例4と比較して、エマルジョンの急激冷却により粒子のサイズを固定することができないことを示している。粒子のサイズをさらに低減するために、第2の、さらには第3の超音波照射今回は周囲温度下の効果を試験した。上記の比較例4および実施例1から、周囲温度での2回目の超音波照射により、液滴のサイズを低減することができることが分かる。様々な製造パラメータ、ならびに本発明による方法および比較例による方法によって得られた液滴のサイズを、以下の表4に要約する。本発明によるガリウムエマルジョンの調製。以下の手順に従い処置を行った。-1gのガリウムを、40mlのドデカンチオール中に秤取する。-丸底フラスコを、撹拌せずに加熱プレート上に設置する。-70°Cで3/4時間加熱を行う。-Triton登録商標X100250μlを添加し、70°Cで1/4時間撹拌を行う。-高温条件下で、200W/cm2で15分間超音波を照射する20kHzプローブ。-冷却を行う。-低温条件下で、200W/cm2で15分間超音波を照射する。得られたエマルジョンを、図29、30および31に示す。比較例13:実施例2と同様であるが、超音波の照射前および照射中の加熱期間なしで処置を行った。使用した手順は以下の通りである。-1gのガリウムを、40mlのドデカンチオール中に秤取する。-Triton登録商標X100250μlを添加する。-200W/cm2で15分間超音波を直接照射する20kHzプローブ。得られたエマルジョンを、図32、33および34に示す。比較例14:実施例2と同様であるが、エマルジョンの冷却後の超音波照射なしで処置を行った。使用した手順は以下の通りである。-1gのガリウムを、40mlのドデカンチオール中に秤取する。-Triton登録商標X100250μlを添加する。-丸底フラスコを、撹拌せずに加熱プレート上に設置する。-70°Cで3/4時間加熱を行う。-Triton登録商標X100250μlを添加し、70°Cで1/4時間撹拌を行うと、溶液が灰色になる。-高温条件下で、200W/cm2で15分間超音波を直接照射する20kHzプローブ。得られたエマルジョンを、図35および36に示す。ガリウムエマルジョンの合成の結果ガリウムの融点は30°Cである。したがって、超音波により消散したエネルギーから、この融点を超える温度を得ることができ、したがってガリウムエマルジョンを生成することが可能となり得る。30°Cにおいて、粒子は極めて多分散性であり、1マイクロメートルを超える直径を有する比較例13。次いで、ガリウムの融点を超える温度を使用した。この合成は、比較例14に対応する。この温度を使用することにより、粒子のサイズを、比較例13のサイズに対して半分に低減することができた。続いて、本発明の方法に従って、すなわちガリウムエマルジョンを周囲温度に冷却した後に2回目の超音波を照射することにより調製されるエマルジョンを製造した。周囲温度における2回目の超音波の照射により、粒子のサイズをさらに低下させることができ、大多数の1ミクロン未満の粒子を得ることができた。実施例2ならびに例13および14の結果および条件を、合わせて以下の表5に示す。本発明によるインジウムガリウムエマルジョンの調製In0.7Ga0.3を得るため、以下の手順に従い処置を行った。-0.32gのガリウムおよび0.78gのインジウムを、40mlのドデカンチオール中に秤取する。-丸底フラスコを、撹拌せずに加熱プレート上に設置する。-160°Cで3/4時間加熱を行う。-Triton登録商標X100250μlを添加し、160°Cで1/4時間撹拌を行う。-高温条件下で、200W/cm2で15分間超音波を照射する20kHzプローブ。得られたエマルジョンを、図37、38および39に示す。比較例15:実施例3と同様であるが、さらに低温条件下での超音波照射ありで処置を行った。使用した手順は以下の通りである。-0.32gのガリウムおよび0.78gのインジウムを、40mlのドデカンチオール中に秤取する。-丸底フラスコを、撹拌せずに加熱プレート上に設置する。-160°Cで3/4時間加熱を行う。-Triton登録商標X100250μlを添加し、160°Cで1/4時間撹拌を行う。-高温条件下で、200W/cm2で15分間超音波を照射する20kHzプローブ。-冷却を行う。-低温条件下で、200W/cm2で15分間超音波を照射する。得られたエマルジョンを、図40、41および42に示す。"