半導体基板の上面に、列状に配置された複数の受光素子、該受光素子の列に沿って列状に配置された複数の発光素子、前記受光素子に電気的に接続された複数の受光素子側電極、前記発光素子に電気的に接続された複数の発光素子側電極、および前記受光素子の列と前記発光素子の列との間に位置するとともに前記受光素子の列または前記発光素子の列に沿った凹部を有する受発光素子アレイと、該受光素子アレイの上方に位置している、前記受光素子の列に対応した第1貫通孔、前記発光素子の列に対応した第2貫通孔、前記複数の受光素子側電極のそれぞれに対応した複数の受光素子用電極、前記複数の発光素子側電極のそれぞれに対応した複数の発光素子用電極、および前記凹部に対応する第1凸部を有する配線基板と、前記第1貫通孔および前記第2貫通孔のそれぞれに対応して設けられた複数のレンズとを備え、前記第1凸部が前記凹部に嵌合しており、前記複数の受光素子側電極と前記複数の受光素子用電極とが、および前記複数の発光素子側電極と前記複数の発光素子用電極とがそれぞれ複数の接合材を介して電気的に接続されていることを特徴とする受発光素子モジュール。前記受光素子は、前記半導体基板の上面に不純物がドーピングされて形成されており、前記発光素子は、前記半導体基板の上面に複数の半導体層が積層されて形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子モジュール。前記レンズは、シリンドリカルレンズであり、該シリンドリカルレンズの光軸と、前記複数の受光素子のそれぞれにおける受光部の中心を結んだ直線および前記複数の発光素子のそれぞれにおける発光部の中心を結んだ直線とが一致していることを特徴とする請求項1または2に記載の受発光素子モジュール。前記凹部および前記第1凸部がそれぞれ1つずつあり、前記凹部および前記第1凸部の前記受光素子の列または前記発光素子の列に沿った方向の両端は、前記受光素子の列および前記発光素子の列の両端よりも外側に位置することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の受発光素子モジュール。前記凹部は、前記半導体基板の前記受光素子の列または前記発光素子の列に沿った方向の一端側から他端側まで連続的に設けられていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の受発光素子モジュール。前記配線基板の少なくとも前記受光素子の列または前記発光素子の列に沿った方向の両端部に、前記配線基板から前記半導体基板に向かって伸びる第2凸部をそれぞれ有しており、該第2凸部は、前記半導体基板の端面に当接していることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の受発光素子モジュール。請求項1乃至6のいずれか1項に記載の受発光素子モジュールを用いたセンサ装置であって、前記発光素子から被照射物に向けて光を照射し、前記被照射物からの反射光に応じて出力される前記受光素子からの出力電流に応じて前記被照射物の位置情報、距離情報および濃度情報のうち少なくとも1つを検出することを特徴とするセンサ装置。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、センシング性能の高い受発光素子モジュールおよびこれを用いたセンサ装置を提供することを目的とする。本発明の受発光素子モジュールは、半導体基板の上面に、列状に配置された複数の受光素子、該受光素子の列に沿って列状に配置された複数の発光素子、前記受光素子に電気的に接続された複数の受光素子側電極、前記発光素子に電気的に接続された複数の発光素子側電極、および前記受光素子の列と前記発光素子の列との間に位置するとともに前記受光素子の列または前記発光素子の列に沿った凹部を有する受発光素子アレイと、該受光素子アレイの上方に位置している、前記受光素子の列に対応した第1貫通孔、前記発光素子の列に対応した第2貫通孔、前記複数の受光素子側電極のそれぞれに対応した複数の受光素子用電極、前記複数の発光素子側電極のそれぞれに対応した複数の発光素子用電極、および前記凹部に対応する第1凸部を有する配線基板と、前記第1貫通孔および前記第2貫通孔のそれぞれに対応して設けられた複数のレンズとを備え、前記第1凸部が前記凹部に嵌合しており、前記複数の受光素子側電極と前記複数の受光素子用電極とが、および前記複数の発光素子側電極と前記複数の発光素子用電極とがそれぞれ複数の接合材を介して電気的に接続されていることを特徴とする。また、本発明の受発光素子モジュールは、上記構成において、前記受光素子は、前記半導体基板の上面に不純物がドーピングされて形成されており、前記発光素子は、前記半導体基板の上面に複数の半導体層が積層されて形成されていることを特徴とする。さらに、本発明の受発光素子モジュールは、上記構成において、前記レンズは、シリンドリカルレンズであり、該シリンドリカルレンズの光軸と、前記複数の受光素子のそれぞれにおける受光部の中心を結んだ直線および前記複数の発光素子のそれぞれにおける発光部の中心を結んだ直線とが一致していることを特徴とする。また、本発明の受発光素子モジュールは、上記構成において、前記凹部および前記第1凸部がそれぞれ1つずつあり、前記凹部および前記第1凸部の前記受光素子の列または前記発光素子の列に沿った方向の両端は、前記受光素子の列および前記発光素子の列の両端よりも外側に位置することを特徴とする。さらに、本発明の受発光素子モジュールは、上記構成において、前記凹部は、前記半導体基板の前記受光素子の列または前記発光素子の列に沿った方向の一端側から他端側まで連続的に設けられていることを特徴とする。また、本発明の受発光素子モジュールは、上記構成において、前記配線基板の少なくとも前記受光素子の列または前記発光素子の列に沿った方向の両端部に、前記配線基板から前記半導体基板に向かって伸びる第2凸部をそれぞれ有しており、該第2凸部は、前記半導体基板の端面に当接していることを特徴とする。本発明のセンサ装置は、上述したいずれかの本発明の受発光素子モジュールを用いたセンサ装置であって、前記発光素子から被照射物に向けて光を照射し、前記被照射物からの反射光に応じて出力される前記受光素子からの出力電流に応じて前記被照射物の位置情報、距離情報および濃度情報のうち少なくとも1つを検出することを特徴とする。本発明の受発光素子モジュールによれば、半導体基板の上面に、列状に配置された複数の受光素子、該受光素子の列に沿って列状に配置された複数の発光素子、前記受光素子に電気的に接続された複数の受光素子側電極、前記発光素子に電気的に接続された複数の発光素子側電極、および前記受光素子の列と前記発光素子の列との間に位置するとともに前記受光素子の列または前記発光素子の列に沿った凹部を有する受発光素子アレイと、該受光素子アレイの上方に位置している、前記受光素子の列に対応した第1貫通孔、前記発光素子の列に対応した第2貫通孔、前記複数の受光素子側電極のそれぞれに対応した複数の受光素子用電極、前記複数の発光素子側電極のそれぞれに対応した複数の発光素子用電極、および前記凹部に対応する第1凸部を有する配線基板と、前記第1貫通孔および前記第2貫通孔のそれぞれに対応して設けられた複数のレンズとを備え、前記第1凸部が前記凹部に嵌合しており、前記複数の受光素子側電極と前記複数の受光素子用電極とが、および前記複数の発光素子側電極と前記複数の発光素子用電極とがそれぞれ複数の接合材を介して電気的に接続されていることから、受光素子と発光素子とを、および受光素子ならびに発光素子とそれぞれに対応するレンズとを所定の位置に精度よく配置することが可能であるので、受光素子および発光素子の中心とレンズの光軸とが所定の位置に精度よく配置することができ、センシング性能の高い受発光素子モジュールを実現することができる。以下、本発明の受発光素子モジュールおよびこれを用いたセンサ装置の実施の形態の例について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の例は本発明の実施の形態を例示するものであって、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではない。受発光素子モジュール図1aおよびbに示す受発光素子モジュール1は、コピー機やプリンタなどの画像形成装置に組み込まれて、トナーやメディアなどの被照射物の位置情報、距離情報または濃度情報などを検出するセンサ装置として機能する。受発光素子モジュール1は、半導体基板20の上面に、複数の受光素子21、複数の発光素子22、凹部23、受光素子21に接続される受光素子側電極24および発光素子22に接続される発光素子側電極25を有する受発光素子アレイ2と、凹部23に嵌合される第1凸部33a、受光素子21の列と発光素子22の列にそれぞれ対応した第1貫通孔31および第2貫通孔32、受光素子側電極24のそれぞれに対応した受光素子用電極34および発光素子側電極25のそれぞれに対応した発光素子用電極35を有している配線基板3と、第1貫通孔31および第2貫通孔32のそれぞれに対応して設けられた第1レンズ41および第2レンズ42とを有している。そして、配線基板3は受発光素子アレイ2の上方に位置し、受光素子側電極24と受光素子用電極34と、および発光素子側電極25と発光素子用電極35とをそれぞれ接合材5を介して接続されている。次に、受発光素子アレイ2、配線基板3およびレンズ第1レンズ41ならびに第2レンズについてそれぞれ説明する。受発光素子アレイまず、受発光素子アレイ2について説明する。半導体基板20は、一導電型の半導体材料からなる。一導電型の不純物濃度に限定はないが、高い電気抵抗を有することが望ましい。本例では、シリコンSi基板に一導電型の不純物としてリンPを1×1017~2×1017atoms/cm3の濃度で含むn型のシリコンSi基板を用いている。n型の不純物としては、リンPの他に、たとえば窒素N、砒素As、アンチモンSbおよびビスマスBiなどが挙げられ、ドーピング濃度は1×1016~1×1020atoms/cm3とされる。以下、n型を一導電型、p型を逆導電型とする。半導体基板20の上面に、複数の受光素子21が列状に配置されており、受光素子21の列に沿って複数の発光素子22が列状に配置されている。発光素子22は被照射物に照射する光の光源として機能し、発光素子22から発せられた光が、被照射物で反射されて受光素子21に入射する。受光素子21は、光の入射を検出する光検出部として機能する。受光素子21は、図2aに示すように、半導体基板20の上面にp型半導体領域21aを設けることによって、n型の半導体基板20とでpn接合を形成して構成される。p型半導体領域21aは、半導体基板20にp型不純物を高濃度に拡散させて形成されている。p型不純物としては、たとえば亜鉛Zn、マグネシウムMg、炭素C、ホウ素B、インジウムInまたはセレンSeなどが挙げられ、ドーピング濃度は1×1016~1×1020atoms/cm3とされる。本例では、p型半導体領域21aの厚さが0.5~3μm程度となるように、ホウ素Bがp型不純物として拡散されている。p型半導体領域21aは、受光素子側電極24と電気的に接続されている。この点を詳しく説明する。受光素子側電極24は、受光素子20を構成するp型半導体領域21aに接続された受光素子側第1電極24aとn型半導体である半導体基板20に接続された受光素子側第2電極24bとで構成されている。そして、図示はしないが、p型半導体領域21aは、受光素子側第1電極配線26を介して、それぞれ受光素子側第1電極24aに電気的に接続されている。受光素子側第1電極配線26は、半導体基板20の上面に絶縁層6を介して配置されているため、半導体基板20と電気的に絶縁されている。絶縁層6は、たとえば窒化シリコンSiNxまたは酸化シリコンSiO2などの無機絶縁膜や、ポリイミドなどの有機絶縁膜などで形成され、その厚さが0.1~1μm程度とされている。受光素子側第1電極24a、受光素子側第2電極24bおよび受光素子側第1電極配線26は、たとえば金AuとクロムCr、アルミニウムAlとクロムCrまたは白金PtとチタンTiの合金などで、その厚さが0.5~5μm程度となるように形成されている。このように構成された受光素子21は、p型半導体領域21aに光が入射すると、光電効果によって光電流が発生して、この光電流を受光素子側第1電極24aを介して取り出すことによって、光検出部として機能する。なお、受光素子側第1電極24aと受光素子側第2電極24bとの間に逆バイアスを印加すれば、受光素子21の光検出感度が高くなるので好ましい。一方、発光素子22は、図2bに示すように、半導体基板20の上面に複数の半導体層が積層されて形成されている。まず、半導体基板20の上面には、半導体基板20と半導体基板20の上面に積層される半導体層本例の場合は後に説明するn型コンタクト層22bとの格子定数の差を緩衝するバッファ層22aが形成されている。バッファ層22aは、半導体基板20と半導体基板20の上面に形成される半導体層との格子定数の差を緩衝することによって、半導体基板20と半導体層の間に発生する格子歪などの格子欠陥を少なくし、ひいては半導体基板20の上面に形成される半導体層全体の格子欠陥または結晶欠陥を少なくする機能を有する。本例のバッファ層22aは、不純物を含まないガリウム砒素GaAsからなり、その厚さが2~3μm程度とされている。なお、半導体基板20と半導体基板20の上面に積層される半導体層との格子定数の差が大きくない場合には、バッファ層22aは省略することができる。バッファ層22aの上面には、n型コンタクト層22bが形成されている。n型コンタクト層22bは、ガリウム砒素GaAsにn型不純物であるシリコンSiまたはセレンSeなどがドーピングされており、ドーピング濃度は1×1016~1×1020atoms/cm3程度とされるとともに、その厚さが0.8~1μm程度とされている。本例では、n型不純物としてシリコンSiが1×1018~2×1018atoms/cm3のドーピング濃度でドーピングされている。n型コンタクト層22bの上面の一部は露出しており、この露出している部分に発光素子側第1電極配線27aを介して、発光素子側電極25と電気的に接続されている。発光素子側電極25は、n型コンタクト層22bに接続される発光素子側第1電極25aと、後に説明するp型コンタクト層22fに接続される発光素子側第2電極25bとで構成される。n型コンタクト層22bは、n型コンタクト層22bに接続される発光素子側第1電極配線27aとの接触抵抗を下げる機能を有している。発光素子側第1電極25aおよび発光素子側第1電極配線27aは、たとえば金AuアンチモンSb合金、金AuゲルマニウムGe合金またはNi系合金などを用いて、その厚さが0.5~5μm程度で形成される。それとともに、半導体基板20の上面からn型コンタクト層22bの上面を覆うように形成される絶縁層6の上に配置されているため、半導体基板20およびn型コンタクト層22b以外の半導体層とは電気的に絶縁されている。n型コンタクト層22bの上面には、n型クラッド層22cが形成されており、後に説明する活性層22dに正孔を閉じ込める機能を有している。n型クラッド層22cは、アルミニウムガリウム砒素AlGaAsにn型不純物であるシリコンSiまたはセレンSeなどがドーピングされており、ドーピング濃度は1×1016~1×1020atoms/cm3程度とされるとともに、その厚さが0.2~0.5μm程度とされている。本例では、n型不純物としてシリコンSiが1×1017~5×1017atoms/cm3のドーピング濃度でドーピングされている。n型クラッド層22cの上面には、活性層22dが形成されており、電子や正孔などのキャリアが集中して、再結合することによって光を発する発光層として機能する。活性層22dは、不純物を含まないアルミニウムガリウム砒素AlGaAsであるとともに、その厚さが0.1~0.5μm程度とされている。なお、本例の活性層22dは、不純物を含まない層であるが、p型不純物を含むp型活性層であっても、n型不純物を含むn型活性層であってもよく、活性層のバンドギャップがn型クラッド層22cおよび後に説明するp型クラッド層のバンドギャップよりも小さくなっていればよい。活性層22dの上面には、p型クラッド層22eが形成されており、活性層22dに電子を閉じ込める機能を有している。p型クラッド層22eは、アルミニウムガリウム砒素AlGaAsにp型不純物である亜鉛Zn、マグネシウムMgまたは炭素Cなどがドーピングされており、ドーピング濃度は1×1016~1×1020atoms/cm3程度とされるとともに、その厚さが0.2~0.5μm程度とされている。本例では、p型不純物としてマグネシウムMgが1×1019~5×1020atoms/cm3のドーピング濃度でドーピングされている。p型クラッド層22eの上面には、p型コンタクト層22fが形成されている。p型コンタクト層22fは、アルミニウムガリウム砒素AlGaAsにp型不純物である亜鉛Zn、マグネシウムMgまたは炭素Cなどがドーピングされており、ドーピング濃度は1×1016~1×1020atoms/cm3程度とされるとともに、その厚さが0.2~0.5μm程度とされている。p型コンタクト層22fは、発光素子側第2電極25bに発光素子側第2電極配線27bを介して電気的に接続されている。p型コンタクト層22fは、p型コンタクト層22fに接続される発光素子側第2電極配線27bとの接触抵抗を下げる機能を有している。なお、発光素子側第1電極25aが発光素子毎に個別電極として設けられていれば、発光素子側第2電極25bは発光素子毎に設ける必要はなく、共通の発光素子側第1電極25bを少なくとも1つ設ければよい。本例では、発光素子側第2電極25bは、発光素子側第1電極25aの列の一方端側に並んで、1つの共通電極として配置されている。当然のことながら、発光素子側第1電極25aを共通電極として、発光素子側第1電極25bを発光素子のそれぞれに個別電極として設けてもよい。またなお、p型コンタクト層22fの上面には、p型コンタクト層22fの酸化を防止する機能を有するキャップ層を形成してもよい。キャップ層は、たとえば不純物を含まないガリウム砒素GaAsで形成して、その厚さを0.01~0.03μm程度とすればよい。発光素子側第2電極25bおよび発光素子側第2電極配線27bは、たとえば金AuやアルミニウムAlと、密着層であるニッケルNi、クロムCrまたはチタンTiとを組み合わせたAuNi、AuCr、AuTiまたはAlCr合金などで形成されており、その厚さが0.5~5μm程度とされるとともに、半導体基板20の上面からp型コンタクト層22fの上面を覆うように形成される絶縁層6の上に配置されているため、半導体基板20およびp型コンタクト層22f以外の半導体層とは電気的に絶縁されている。このようにして構成された発光素子22は、発光素子側第1電極25aと発光素子側第2電極25bとの間にバイアスを印加することによって、活性層22dが発光して、光の光源として機能する。半導体基板20の上面に形成される凹部23は、受光素子21の列と発光素子22の列との間に位置するとともに、受光素子21の列と発光素子22の列とに沿って配置されている。本例の凹部23は、受光素子21の列からと発光素子22の列からとの距離が等しくなる位置に配置されているが、受光素子21の列と発光素子22の列との間に位置していれば、配置される位置は特に限定されない。また、本例の凹部23は、受光素子21または発光素子22の列に沿った方向の両端が、受光素子21の列および発光素子22の列の両端よりも外側に位置している。次に、受発光素子アレイ2の製造方法の例を示す。まず、シリコンSiにp型不純物がドーピングされた半導体基板20を準備する。そして、従来周知の熱酸化法を用いて、半導体基板20の上に酸化シリコンSiO2からなる拡散素子膜S図示せずを形成する。拡散阻止膜S上にフォトレジストを塗布して、従来周知のフォトリソグラフィ法によって所望のパターンを露光、現像した後、従来周知のウェットエッチング法によって、p型半導体領域21aを形成するための開口部Sa図示せずを拡散阻止膜S中に形成する。開口部Saは、必ずしも拡散阻止膜Sを貫通している必要はない。そして、拡散阻止膜S上にポリボロンフィルムPBFを塗布する。続いて、熱拡散法を用いて、拡散阻止膜Sの開口部Saを介して、ポリボロンフィルムPBFに含まれているホウ素Bを半導体基板20の内部に拡散させ、p型半導体領域21aを形成する。このとき、たとえばポリボロンフィルムPBFの厚さを0.1~1μmとし、窒素N2および酸素O2を含む雰囲気中で700~1200°Cの温度で熱拡散させる。その後、拡散阻止膜Sを除去する。次に、半導体基板20をMOCVD有機金属化学気相成長:MetalorganicChemicalVaporDeposition装置の反応炉内で熱処理することによって、半導体基板20の表面に形成された自然酸化膜を除去する。この熱処理は、たとえば1000°Cの温度で10分間程度行なう。次いで、MOCVD法を用いて、発光素子22を構成する各々の半導体層バッファ層22a、n型コンタクト層22b、n型クラッド層22c、活性層22d、p型クラッド層22e、p型コンタクト層22fを半導体基板20上に順次積層する。そして、積層された半導体層L図示せず上にフォトレジストを塗布し、従来周知のフォトリソグラフィ法によって所望のパターンを露光、現像した後、従来周知のウェットエッチング法によって発光素子22を形成する。なお、n型コンタクト層22bの上面の一部が露出するように、複数回のエッチングを行なう。その後、フォトレジストを除去する。次に、従来周知の熱酸化法、スパッタリング法またはプラズマCVD法などを用いて、発光素子21の露出面および半導体基板20n型半導体領域21aを含むの上面を覆うように絶縁層6を形成する。続いて、絶縁層6上にフォトレジストを塗布し、従来周知のフォトリソグラフィ法によって所望のパターンを露光、現像した後、従来周知のウェットエッチング法によって、後に説明する受光素子側第1電極配線26、発光素子側第1電極配線27aおよび発光素子側第2電極配線27bをそれぞれp型半導体領域21a、n型コンタクト層22bおよびp型コンタクト層22fに接続するための開口を、絶縁層6に形成する。その後、フォトレジストを除去する。次に、絶縁層6上にフォトレジストを塗布し、従来周知のフォトリソグラフィ法によって所望のパターンを露光、現像した後、従来周知の抵抗加熱法やスパッタリング法などを用いて、受光素子側第1電極24a、受光素子側第2電極24bおよび受光素子側第1電極配線26を形成するための合金膜を形成する。そして、従来周知のリフトオフ法を用いて、フォトレジストを除去するとともに、受光素子側第1電極24a、受光素子側第2電極24bおよび受光素子側第1電極配線26を所望の形状に形成する。同様に発光素子側第1電極25aならびに発光素子側第1電極配線27a、および発光素子側第2電極25bならびに発光素子側第2電極配線27bも、それぞれ同様の工程によって形成する。次に、半導体基板20の受光素子21の列と発光素子22の列との間に、受光素子21または発光素子22の列に沿って、レーザーまたはダイシングブレードなどによって切り込みを入れて凹部23を形成する。なお、本例の受発光素子アレイ2は、円板状のウェハに複数の受発光素子アレイ2を作り込んだ後に、ダイシングによって分割されたものである。凹部23をダイシングブレードによって形成する場合には、円板上のウェハから受発光素子アレイ2を分割する工程と凹部23を形成する工程を1工程として行なってもよい。配線基板次に、配線基板3について説明する。配線基板3は、受発光素子アレイ2の上方に位置して、受発光素子アレイ2および外部装置とそれぞれ電気的に接続されて、受発光素子アレイ2に形成された受光素子21および発光素子22にバイアスを印加したり、受発光素子アレイ2と外部装置との間で電気信号の授受を行なったりするための配線基板として機能する。配線基板3には、受光素子21の列および発光素子22の列のそれぞれに対応した位置に、第1貫通孔31および第2貫通孔32が形成されている。本例では、第1貫通孔31および第2貫通孔32は、受発光素子アレイ2側と反対側から平面視して、略矩形状である。第1貫通孔31および第2貫通孔32には、後に説明する第1レンズおよび第2レンズがそれぞれ対応して配置される。また、受発光素子アレイ2の受光素子側第1電極24a、受光素子側第2電極24b、発光素子側第1電極25aおよび発光素子側第2電極25bのそれぞれに対応した位置に、受光素子用第1電極34a、受光素子用第2電極34b、発光素子用第1電極35aおよび発光素子用第2電極35bが配置されている。配線基板3に配置されたそれぞれの電極は、外部装置と接続されて、受発光素子アレイ2に形成された複数の受光素子21および発光素子22にバイアスを印加するための電力を供給したり、受光素子21および発光素子21と外部装置との間で電気信号の授受を行なったりする。そして、配線基板3には、受発光素子アレイ2の凹部23に対応する位置に、凹部23と嵌合される第1凸部33aが形成されている。本例の第1凸部33aは、凹部32と同様に、受光素子21または発光素子22の列に沿った方向の両端が、受光素子21の列および発光素子22の列の両端に対応する位置よりも外側に位置している。本例の配線基板3は、セラミックスからなり、次のような工程を経て製造される。まず、従来周知の方法によって製作されたセラミックグリーンシートを準備する。このセラミックグリーンシートに、第1貫通孔31および第2貫通孔32に対応する孔をパンチングまたはレーザーなどの方法によって形成する。次に、受光素子用第1電極34a、受光素子用第2電極34b、発光素子用第1電極35aおよび発光素子用第2電極35bやこれらの電極をそれぞれ接続したり、外部装置と接続したりするための電気配線となる金属ペーストをセラミックグリーンシート上に印刷する。そして、第1凸部33aとなるセラミックグリーンシートを所望の位置に積層して積層体とする。受光素子用第1電極34aなどになる金属ペーストとしては、たとえばタングステンW、モリブデンMo、マンガンMnおよび銅Cuなどの金属を含有させたものが挙げられる。次に、この積層体を焼成することによって、第1貫通孔31ならびに第2貫通孔32、受光素子用第1電極34aならびに受光素子用第2電極34b、発光素子用第1電極35aならびに発光素子用第2電極35b、および第1凸部33aを有する配線基板3を形成することができる。なお、配線基板3は樹脂からなるものでもよい。この場合の配線基板3の製造方法は、たとえば次のような方法が考えられる。まず、熱硬化型樹脂の前駆体シートを準備する。次に、受光素子用第1電極34a、受光素子用第2電極34b、発光素子用第1電極35aおよび発光素子用第2電極35bやこれらの電極をそれぞれ接続したり、外部装置と接続したりするための電気配線となる、金属材料からなるリード端子を前駆体シート間に配置し、かつリード端子を前駆体シートに埋設させるように複数の前駆体シートを積層し、さらに第1凸部33aとなる複数の前駆体シートを積層する。このリード端子の形成材料としては、例えば銅Cu、銀Ag、アルミニウムAl、鉄Fe-ニッケルNi-コバルトCo合金および鉄Fe-ニッケルNi合金などの金属材料が挙げられる。そして、前駆体シートに貫通孔31および貫通孔32に対応する穴をレーザー加工やエッチング等の方法によって形成した後、これを熱硬化させることにより、配線基板3が完成する。なお、レーザー加工によって貫通孔31および貫通孔32を形成する場合には、前駆体シートを熱硬化させた後でもよい。レンズ次に、レンズについて説明する。上述したように、配線基板3の有する貫通孔31および貫通孔32に対応して第1レンズ41および第2レンズ42が形成される。第1レンズ41および第2レンズ42の材質は、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂ならびにエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、またはポリカーボネート樹脂ならびにアクリル樹脂などの熱可塑性樹脂などのプラスチック、あるいはサファイアおよび無機ガラスなどが挙げられる。本例の第1レンズ41および第2レンズ42は、シリコーン樹脂で形成されたシリンドリカルレンズであり、貫通孔31および貫通孔32の長手方向、つまり受発光素子アレイ2に形成された受光素子21の列および発光素子22の列に沿った方向に直交する方向に曲率を有している。また、貫通孔31および貫通孔32のそれぞれに嵌合する形状を有していることから、第1レンズ41および第2レンズ42を配線基板3に取り付ける際に、それぞれ第1貫通孔31および第2貫通孔32との位置精度を高くすることができる。第1レンズ41および第2レンズ42の配線基板3への取付けは、シリコーン樹脂などの有機接着剤などによって行なえばよい。上述した受発光素子アレイ2、配線基板3および第1レンズ41ならびに第2レンズ42は、上述したように、配線基板3は受発光素子アレイ2の上方に位置して、受発光素子アレイ2の有する凹部23に配線基板3の有する第1凸部33aが嵌合されているとともに、受発光素子アレイ2と配線基板3とが接合材5を介して接続されている。このような構成とすることにより、受発光素子アレイ2の有する受光素子21および発光素子22と、第1レンズ41および第2レンズ42とのそれぞれの位置精度を高くすることができる。なぜなら、受光素子21および発光素子22は、半導体基板20の上面に半導体プロセスによって一体的に形成されていることから、受光素子21および発光素子22の配列精度は高く、受光素子21の列と発光素子22の列との間に形成される凹部23は、レーザーやダイシングブレードによって形成されるため、位置精度の高い配置が可能となる。そして、配線基板3に設けられた第1凸部33aと凹部23とを嵌合させることによって、受光素子21および発光素子22と、それぞれ第1貫通孔31および第2貫通孔32、つまりこれらの貫通孔のそれぞれに対応した第1レンズ41および第2レンズ42との対応位置関係を、受光素子21の列または発光素子22の列に沿った方向およびこれに直交する方向との双方において高精度とすることができる。本例では、受光素子21の受光部の中心を結んだ直線および発光素子22の発光部の中心を結んだ直線と、第1レンズ41および第2レンズ42の光軸とをそれぞれ略一致させており、光軸は受発光素子アレイ2の上面から上方に向かう法線方向と略一致する。このような構成とすることにより、発光素子22から発した光を高い照度で被照射物に照射することが可能となり、発光素子22が発した光が被照射物で反射されて受光素子21によって受光するときの照度を高くすることが可能となるため、感度の高い、つまりセンシング性能の高い受発光素子モジュール1を実現することができる。ここで、受光部の中心とは、p型半導体領域21a側から半導体基板20を平面視した場合のp型半導体領域21aの中心のことである。同様に、発光部の中心とは、p型コンタクト層22f側から半導体基板20を平面視した場合の活性層22dの中心のことである。活性層22dの上面には、p型クラッド層22eおよびp型コンタクト層22fなどが積層されているため、活性層22dの中心を直接に観察することができないことから、p型コンタクト層22fの中心を活性層22dの中心とみなしても問題ない。なぜなら、上述したように、半導体層の各層は非常に薄いことから、発光素子アレイ22を形成するためのエッチングとn型コンタクト層22bの上面の一部を露出するためのエッチングとが個別に行なわれたとしても、p型コンタクト層22f側から平面透視して、p型コンタクト層22fの中心と活性層22dの中心とは略一致するからである。なお、凹部23は、受発光素子アレイ2と配線基板3に配置される第1レンズ41および第2レンズ42との位置関係を精度よく規定するという効果を奏するだけでなく、発光素子22が駆動することによって発生する漏れ電流が半導体基板20を介して受光素子21に伝播してノイズとなることを抑制する効果も奏する。また、第1凸部33aは、受発光素子アレイ2に形成される発光素子22が発した光が、直接に受光素子21に漏れ光として入射することを抑制する効果も奏する。つまり、凹部23を有する受発光素子モジュール1に形成されている受光素子21の受光感度は、ノイズが少ないという点からも、漏れ光が少ないという点からも高い感度とすることが可能となり、センシング性能の高い受発光素子モジュール1を実現することができる。受発光素子アレイ2と配線基板3との電気的な接続は、受発光素子アレイ2の受光素子側第1電極24aと配線基板3の受光素子用第1電極34aとのそれぞれが、同様に受光素子側第2電極24bと受光素子用第2電極34bとのそれぞれが、さらに発光素子側第1電極25aと発光素子用第1電極35aとのそれぞれが、および発光素子側第2電極25bと発光素子用第2電極35bとのそれぞれが、いずれも接合材5を介して接続されることによって行なわれる。接合材5は、はんだ、銀ロウおよび銅ロウなどのロウ材、金スタッドバンプとはんだとの組合せ、あるいは異方性導電フィルムなど、電気的な接続が行なえるものであれば、どのような材料や構成であってもよい。センサ装置次に、受発光素子モジュール1を備えたセンサ装置100について説明する。以下では、受発光素子モジュール1を、コピー機やプリンタなどの画像形成装置における、中間転写ベルトV上に付着したトナーT被照射物の位置を検出するセンサ装置に適用する場合を例に挙げて説明する。図3に示すように、本例のセンサ装置100は、受発光素子モジュール1の受光素子21および発光素子22が形成された面が、中間転写ベルトVに対向するように配置される。そして、発光素子22から中間転写ベルトV上のトナーTへ光が照射される。本例では、発光素子22の上方にプリズムP2を、また受光素子21の上方にプリズムP1を配置して、発光素子22から発せられた光が、第2レンズ42を介してプリズムP2で屈折して中間転写ベルトV上のトナーTに入射する。そして、この入射光L1に対する正反射光L2が、プリズムP2で屈折して、第1レンズ41を介して受光素子21によって受光される。受光素子21には、受光した光の強度に応じて光電流が発生し、受光素子側第1電極24aなどを介して、外部装置でこの光電流が検出される。本例のセンサ装置100では、以上のようにトナーTからの正反射光の強度に応じた光電流を検出することができる。そのため、たとえば受光素子21の列の一端側からn番目の受光素子から検出される光電流値が最も大きい場合は、このn番目の受光素子21に対応する位置にトナーTが位置するというように、中間転写ベルトV上のトナーTの位置を検出することができる。なお、正反射光の強度はトナーTの濃度にも対応するため、発生した光電流の大きさに応じて、トナーTの濃度を検出することも可能である。同様に、正反射光の強度は、受発光素子アレイ2からトナーTとの距離にも対応するため、発生した光電流の大きさに応じて、受発光素子アレイ2とトナーTとの距離を検出することも可能である。本例のセンサ装置100によれば、受発光素子モジュール1の有する上述の効果を奏することができる。以上、本発明の具体的な実施の形態の例を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更が可能である。たとえば、本例の凹部23および第1凸部33aは、それぞれ1つで構成されているが、複数個から構成されていてもよい。ただし、本例のように、凹部23および第1凸部33aの受光素子21または発光素子22の列に沿った方向の両端が、受光素子21の列および発光素子22の列の両端または両端に対応する位置よりも外側に位置していることに加えて、それぞれが連続的に1つの凹部23および第1凸部33aとして形成されている方が、上述の発光素子22から受光素子21への漏れ電流によるノイズが少ないという点からも、発光素子22から受光素子21への漏れ光が少ないという点からも好ましく、よりセンシング性能の高い受発光素子モジュール1とすることができる。また、本例の第1レンズ41および第2レンズ42は、シリンドリカルレンズであるが、受光素子21および発光素子22のそれぞれに対応した平凸レンズであってもよい。さらに、本例では、受光素子21の受光部の中心を結んだ直線および発光素子22の発光部の中心を結んだ直線と、第1レンズ41および第2レンズ42の光軸とを略一致させているが、図4に示す第1変形例のように、発光素子21から発した光の光軸と被照射物で反射された光の光軸とが被照射物上で交わるようにするとよい。このような構成とすることで、受発光素子モジュール1自体をセンサ装置100として使用することが可能となる。なぜなら、本例の受発光素子モジュール1を用いたセンサ装置100では、プリズムP1およびプリズムP2により、発光素子22から発した光、および被照射物で反射した光を屈折させているが、図4に示すように、発光素子22から発した光が第2レンズ42を介してトナーT上で焦点を結び、トナーTで反射した光が第1レンズ41を介して受光素子21の発光部の中心を結んだ直線状で焦点を結ぶように、発光素子22と第2レンズ42とを、および受光素子21と第1レンズ41とを配置すれば、プリズムP1およびプリズムP2を省略することが可能となる。プリズムP1およびプリズムP2を省略することが可能であれば、受発光素子モジュール1をセンサ装置1として使用することが可能となり、センサ装置100の小型化および低コスト化が図れるばかりではなく、プリズムP1と第1レンズ41および受光素子21との位置関係、ならびにプリズムP2と第2レンズ42および発光素子22との位置関係を調整する必要がないことから、センサ装置のセンシング性能を高くすることが可能となる。また、図5に示す第2変形例のように、受発光素子アレイ2の有する凹部23を、半導体基板20の受光素子21の列または発光素子22の列に沿った方向の一端側から他端側まで連続的に設けていてもよい。このような構成とすることで、受発光素子アレイ2の上述のノイズと漏れ光とをさらに抑制することができるばかりでなく、工程が簡略化されることによるコスト低減にも貢献する。さらに、図6に示す第3変形例のように、配線基板3の受光素子21の列または発光素子22の列に沿った方向の両端に、配線基板3から半導体基板20に向かう方向に伸びる第2凸部33bを有し、第2凸部33bが半導体基板20の端面に当接していてもよい。このように構成することで、受発光素子モジュール1の製造中に、半導体基板20と配線基板3との位置決めを行なうのが容易になり、作業性が向上する。また、第2変形例と組み合わせることによって、第2変形例の受光素子21の列または発光素子22の列に沿った方向の受発光素子アレイ2と配線基板3との位置精度、つまり受光素子21および発光素子22と第1レンズ41および第2レンズ42との対応位置関係を高精度に設定することができる。また、本例では、第1レンズ41および第2レンズ42は、別途製作したものを配線基板3の第1貫通孔31および第2貫通孔32にそれぞれ一体的に取り付けたものであるが、図7に示す第4変形例のように、たとえばシリコーン樹脂などで受発光素子アレイ2と配線基板3とで挟まれる空間を充填するとともに、第1レンズ41および第2レンズ42を形成してもよい。このような構成とするには、次のような製造方法が考えられる。受発光素子アレイ2に第1レンズ41および第2レンズ42を取り付けていない配線基板3を、接合材5によって接合する。そして、図8aに示すように、受発光素子アレイ2に配線基板3を接合したものを、枡状の第1金型201に少なくとも受発光素子アレイ2および配線基板3のそれぞれの端面が当接するように配置する。次に、図8bに示すように、配線基板3の受発光素子アレイ2と反対側の面の上に、第1レンズ41および第2レンズ42を形成するための第2金型202を配置する。そして、図示はしないが、第1レンズ31または第2レンズ32に対応する領域に設けられた第2金型202の樹脂注入口から、シリコーン樹脂などを注入する。次に、オーブンなどで加熱することによって、シリコーン樹脂を硬化させる。最後に金型を外せば、第4変形例に示す受発光素子モジュール1となる。このような構成とすることで、受光素子22および発光素子21をシリコーン樹脂によって封止できることから、外部からの水分の浸入を防止したり、あるいは外部からの衝撃を吸収したりして、受光素子21および発光素子22を保護する機能を有するものとなる。また、受光素子21および発光素子22と第1レンズ41および第2レンズ42との空間を同一の材料で充填するため、空間と第1レンズ41および第2レンズのそれぞれとの境界で光が反射することがないことから、光の透過効率を高くすることができる。