"aノボラック樹脂5~30重量、bジアジド系感光性化合物2~10重量、c下記の化学式1で表される共溶媒1~70重量、及びd有機溶媒残量を含むフォトレジスト組成物。上記の式中、R1は、水素または1~10個の直鎖または側鎖の炭素原子を有するアルキル基であり、R2は、1~10個の直鎖または側鎖の炭素原子を有するアルキル基またはアリル基である。前記化学式1で表される共溶媒が、ジメチル-2-メチルグルタレート、ジメチルアジペート、ジメチルグルタレート、ジメチルスクシネート、ジイソブチルアジペート、ジイソブチルグルタレート、及びジイソブチルスクシネートからなる群より選択された1種以上のものである、請求項1に記載のフォトレジスト組成物。前記ノボラック樹脂は、メタクレゾールとパラクレゾールの重量比が2:8~8:2のノボラック樹脂の2種以上の混合物である、請求項1または2に記載のフォトレジスト組成物。前記感光性化合物は、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸塩、2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸塩、またはこれらの混合物である、請求項1~3のいずれか1項に記載のフォトレジスト組成物。前記有機溶媒は、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、2-メトキシ酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、及び1-メチル-2-ピロリジノンからなる群より1種以上選択されるものである、請求項1~4のいずれか1項に記載のフォトレジスト組成物。請求項1~5のいずれか1項によるフォトレジスト組成物を基板にコーティングした後、熱処理して、所定厚さのフォトレジスト膜を形成し、露光及び現像してパターンを形成する段階を含むパターンの形成方法。本発明の目的は、塗布時の染みを減らし、塗布均一性を向上させ、真空乾燥時に逆テーパ状とならないように特定構造の共溶媒を含んで、パターン形状を著しく改善するだけでなく、パターン幅の不均一問題を発生しないフォトレジスト組成物を提供することになる。本発明は、aノボラック樹脂5~30重量、bジアジド系感光性化合物2~10重量、c下記の化学式1で表される化合物1~70重量、及びd有機溶媒残量を含むフォトレジスト組成物を提供する。上記の式中、R1は、水素または1~10個の直鎖または側鎖の炭素原子を有するアルキル基であり、R2は、1~10個の直鎖または側鎖の炭素原子を有するアルキル基またはアリル基である。また、本発明は、前記フォトレジスト組成物を基板にコーティングした後、熱処理して、所定厚さのフォトレジスト膜を形成し、露光及び現像してパターンを形成する段階を含むパターンの形成方法を提供する。本発明のフォトレジスト組成物は、塗布時の塗布染みを減少し、塗布均一性を向上し、真空乾燥時に逆テーパ状とならない好ましいパターン形状を有するようにする。特に、本発明の場合、パターン形状を改善するために従来に実施された感光剤の量や種類による比率、コントラストエンハンサーの低減などの方法のようにパターンの幅が不均一になる問題を起こさない。以下、本発明についてさらに詳細に説明する。本発明は、感光速度、残膜率、現像コントラスト、解像度、高分子樹脂の溶解性、基板との接着力、回路線幅の均一度などのフォトレジスト組成物で要求する物性を全て満足しながら、特に、塗布均一度に優れ、塗布染みを防止して、優れたパターン形状を有するようにするフォトレジスト組成物に関する。このような本発明のフォトレジスト組成物は、ノボラック樹脂、ジアジド系感光性化合物及び有機溶媒を含み、ここに塗布性を改善するための上記化学式1で表される共溶媒を含むことを特徴とする。上記の式中、R1は、水素または1~10個の直鎖または側鎖の炭素原子を有するアルキル基であり、R2は1~10個の直鎖または側鎖の炭素原子を有するアルキル基またはアリル基である。上記化学式1で表される共溶媒は、ジメチル-2-メチルグルタレートdimethyl-2-methylglutarate、ジメチルアジペートdimethyladipate、ジメチルグルタレートdimethylglutarate、ジメチルスクシネートdimethylsuccinate、ジイソブチルアジペートdiisobutyladipate、ジイソブチルグルタレートdiisobutylglutarate、ジイソブチルスクシネートdiisobutylsuccinateまたはこれらが1種以上混合されたものが好ましく、塗布均一度や染み特性が良好なジメチル-2-メチルグルタレートを使用するのがさらに好ましい。本発明のフォトレジスト組成物において、上記化学式1の共溶媒の含有量は、塗布均一度を考慮して適切に添加すればよく、例えば、全体フォトレジスト組成物に対して1~70重量で使用し、より好ましくは5~50重量で使用するのが良い。この時、その含有量が1重量未満であれば、真空乾燥時の染みが発生するか、または逆テーパ状のパターンが生じる問題があり、70重量を超えれば、残膜率が低下し、真空乾燥時間が長くなる問題がある。また、前記ノボラック樹脂はアルカリ可溶性であり、従来のフォトレジスト組成物で使用されている通常のものを使用することができる。具体的に、前記ノボラック樹脂は、フェノール系化合物とアルデヒド系化合物またはケトン系化合物を酸触媒下で縮重合反応させて得ることができる。例えば、前記ノボラック樹脂は、メタクレゾール単独で合成されたノボラック樹脂、パラクレゾール単独で合成されたノボラック樹脂、レゾルシノールを使用したノボラック樹脂、サリシリックアルデヒドとベンジルアルデヒドを反応させて製造したノボラック樹脂、メタクレゾール、パラクレゾール、レゾルシノールをなどを混合使用したノボラック樹脂などが全て使用できる。前記フェノール系化合物としては、フェノール、オルトクレゾール、メタクレゾール、パラクレゾール、2,3-ジメチルフェノール、3,4-ジメチルフェノール、3,5-ジメチルフェノール、2,4-ジメチルフェノール、2,6-ジメチルフェノール、2,3,6-トリメチルフェノール、2-t-ブチルフェノール、3-t-ブチルフェノール、4-t-ブチルフェノール、2-メチルレゾルシノール、4-メチルレゾルシノール、5-メチルレゾルシノール、4-t-ブチルカテコール、2-メトキシフェノール、3-メトキシフェノール、2-プロピルフェノール、3-プロピルフェノール、4-プロピルフェノール、2-イソプロピルフェノール、2-メトキシ-5-メチルフェノール、2-t-ブチル-5-メチルフェノール、チモール、イソチモールなどが挙げられる。これらは、それぞれ単独で、または混合して使用できる。前記アルデヒド系化合物としては、ホルムアルデヒド、ホルマリン、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α-フェニルプロピルアルデヒド、β-フェニルプロピルアルデヒド、o-ヒドロキシベンズアルデヒド、m-ヒドロキシベンズアルデヒド、p-ヒドロキシベンズアルデヒド、o-クロロベンズアルデヒド、m-クロロベンズアルデヒド、p-クロロベンズアルデヒド、o-メチルベンズアルデヒド、m-メチルベンズアルデヒド、p-メチルベンズアルデヒド、p-エチルベンズアルデヒド、p-n-ブチルベンズアルデヒド、テレフタル酸アルデヒドなどが挙げられる。これらは、それぞれ単独で、または混合して使用することができる。前記ケトン系化合物としては、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジフェニルケトンが挙げられる。これらは、それぞれ単独で、または混合して使用できる。前記酸触媒としては、硫酸、塩酸、ホルム酸酢酸、シュウ酸などがある。前記ノボラック樹脂は、ゲル浸透クロマトグラフィーGPCによって測定した単分散ポリスチレン換算の重量平均分子量が3,000~30,000であるのが好ましい。好ましくは、前記ノボラック樹脂は、メタクレゾールとパラクレゾールの重量比が2:8~8:2であり、これらを2種以上混合して使用する。前記ノボラック樹脂は、メタクレゾール:パラクレゾールの重量比が8:2のノボラック樹脂と、メタクレゾール:パラクレゾールの重量比が6:4のノボラック樹脂の混合物であるのがさらに好ましい。本発明のフォトレジスト組成物において、ノボラック樹脂の含有量は、全体フォトレジスト組成物に対して5~30重量で使用するのが好ましい。この時、その含有量が5重量未満であれば、一定の厚さ以上の塗布膜が得られないか、または塗布膜の内部の流動性が大きくて染みが発生しやすい問題があり、30重量を超えれば、一定の厚さ以下の塗布膜が得られないか、または膜が不均一に塗布される問題がある。前記ジアジド系感光性化合物は、ポリヒドロキシベンゾフェノン、1,2-ナフトキノンジアジド、及び2-ジアゾ-1-ナフトール-5-スルホン酸などの化合物を反応させて製造することができる。例えば、前記bジアジド系感光性化合物は、トリヒドロキシベンゾフェノンと2-ジアゾ-1-ナフトール-5-スルホン酸をエステル化反応させて製造された2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸塩;またはテトラヒドロキシベンゾフェノンと2-ジアゾ-1-ナフトール-5-スルホン酸をエステル化反応させて製造された2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸塩であるのができ、これらは単独または混合して使用することができる。また、前記例示したジアジド系化合物を混合使用時、その混合比は特に限定されず、この分野の当業者によく知られた比率で混合することができる。本発明のフォトレジスト組成物において、ジアジド系感光性化合物の含有量は、全体フォトレジスト組成物に対して2~10重量で使用するのが好ましい。この時、その含有量が2重量未満であれば、残膜率が低くなり、基板との接着力が落ちる問題があり、10重量を超えれば、感光速度が遅くなり、現像コントラストが高くなる問題がある。前記有機溶媒は共溶媒と共に使用されて、フォトレジストの溶解性を向上させることができ、溶解性及び各成分との反応性に優れ、塗布膜の形成が容易なグリコールエーテル流、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート流、及びジエチレングリコール流などが使用できる。好ましくは、前記有機溶媒は、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、2-メトキシ酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、及び1-メチル-2-ピロリジノンからなる群より1種以上選択されるものを使用することができる。本発明のフォトレジスト組成物において、有機溶媒の含有量は、全体フォトレジスト組成物に残部として含まれることができ、好ましくは全体フォトレジスト組成物に対して70~90重量で使用することができる。また、本発明のフォトレジスト組成物は、必要に応じてフォトレジストの感度向上及びハードベーク工程時のパターンの流れを向上させるために、通常の感度増進剤をさらに含むことができる。また、前記フォトレジスト組成物は、着色剤、染料、可塑剤、接着促進剤、界面活性剤、擦痕防止剤などの添加剤をさらに含むことができる。これら添加剤が本発明のフォトレジスト組成物に添加される場合、その含有量が特に限定されず、通常の範囲で添加されることができる。また、本発明は、前記フォトレジスト組成物を利用してパターンを形成することができる。好ましい一例を挙げれば、本発明は前記フォトレジスト組成物を基板にコーティングした後、熱処理して、所定厚さのフォトレジスト膜を形成し、露光及び現像してパターンを形成する段階を含むパターンの形成方法を提供することができる。また、本発明は前記パターンを有する基板をエッチング液を用いてエッチング工程を行う段階をさらに含むことができる。前記基板としては、シリコン、アルミニウム、インジウムティンオキサイドITO、インジウムジンクオキサイドIZO、モリブデン、二酸化シリコン、ドーピングされた二酸化シリコン、窒化シリコン、タンタル、銅、ポリシリコン、セラミック、アルミニウム/銅混合物及び重合成樹脂からなる群より選択されるものを使用することができ、特に限られない。前記コーティング方法は、浸漬、噴霧、回転及びスピンコーティングを含む通常のコーティング方法で行うことができ、その方法が特に限られない。例えば、スピンコーティングをする場合、フォトレジスト溶液の固体含有量をスピニング装置の種類と方法により適切に変化させることによって、目的とする厚さの被膜を形成することができる。前記熱処理は、通常のソフトベーキング及びハードベーキングを行うことができる。前記熱処理は、フォトレジスト組成物のうちの固体成分を熱分解させることなく、溶媒を蒸発させるために実施することである。一般に、ソフトベーク工程によって溶媒の濃度を最小化するのが好ましく、厚さ3μm以下のフォトレジスト膜が基板に残るまで行うのが好ましい。前記露光は、フォトレジスト膜が形成された基板を適当なマスクまたは型板などを用いて光、特に紫外線に露光させることによって目的とする形態のパターンを形成する。前記露光された基板は、アルカリ性の現像水溶液に十分に浸漬させた後、光に露出した部位のフォトレジスト膜の全部またはほとんど大部分が溶解するまで放置する。この時、前記現像水溶液は、アルカリ水酸化物、水酸化アンモニウムまたはテトラメチルアンモニウムヒドロキシドtetramethylammoniumhydroxideを含有する水溶液を使用するのが好ましい。前記のように露光した部位が溶解されて除去された基板を現像液から取り出した後、さらにハードベークhardbake工程によって熱処理して、フォトレジスト膜の接着性及び耐薬品性を増進させることができる。このような熱処理は、フォトレジスト膜の軟化点以下の温度で実施するのが好ましく、特に90~140°Cの温度で実施するのが好ましい。また、前記露光及び現像が完了したパターンは、通常の銅エッチング溶液または気体プラズマでエッチング処理して露出した基板部位を処理することができ、この時、基板の露出しない部位はフォトレジスト膜によって保護される。このように、基板を処理した後に適切なストリッパーでフォトレジスト膜を除去することによって、基板に微細回路パターンを形成することができる。前記方法で製造されたパターンは、印刷性の向上によって、真空乾燥による膜表面が内部と同時に乾燥されてパターン形状に優れているので、後続工程の不良を最小化することができる。したがって、本発明のフォトレジスト組成物を利用したパターンは、液晶表示装置回路、半導体集積回路など微細回路の製造への使用に適合する。以下、本発明を下記の実施例及び比較例を参照して説明する。しかし、これら例は本発明を例示するためのものに過ぎず、本発明がこれらに制限されるわけではない。実施例1~4及び比較例1~3メタクレゾール:パラクレゾールの重量比が6:4のノボラック樹脂、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸塩と2,3,4,4-テトラヒドロキシベンゾフェノン-1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸塩を5:5重量部で混合した感光性化合物、共溶媒としてジメチル-2-メチルグルタレート、溶媒としてプロピレングリコールメチルエーテルアセテートPGMEA、乳酸エチル、ノーマルブチルアセテートを使用して、下記表1の組成と含有量で各成分を均一に混合し、実施例及び比較例のフォトレジスト組成物を製造した。"