基板の表面に形成された第1配線と、前記基板の表面における前記第1配線の両側に、前記第1配線に沿って形成された第1グランド線及び第2グランド線と、前記第1配線の上部を覆うように、前記第1配線に対し交差する方向に配置され、前記第1グランド線及び前記第2グランド線を電気的に接続すると共に前記第1配線からの電磁放射を抑制する複数の第2配線と、を備えることを特徴とする電子装置。前記第1配線と前記第2配線との距離は、前記第1配線からの電磁放射のうち抑制すべき電磁波の波長をλとした場合に、λ/6より大きいことを特徴とする請求項1に記載の電子装置。前記基板の内部において、少なくとも前記第1配線、前記第1グランド線、及び前記第2グランド線の下方の領域に形成されたグランド層を備えることを特徴とする請求項1または2に記載の電子装置。前記複数の第2配線は、ボンディングワイヤであることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。前記複数の第2配線は、棒状または板状の金具であることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。前記第1グランド線及び前記第2グランド線は、前記基板に設けられた貫通孔内に延在し、前記金具の両端には、弾性変形可能な弾性部が設けられ、前記弾性部が前記貫通孔に挿入される際に弾性変形することにより、前記金具が前記基板に固定されるとともに、前記金具と前記第1グランド線及び前記金具と前記第2グランド線とがそれぞれ電気的に接続されることを特徴とする請求項5に記載の電子装置。前記第2配線は、前記第1配線の延在方向に対し斜めに設けられていることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。前記第1グランド線及び前記第2グランド線の間に、前記第1配線に沿って形成され、前記第1配線と共に差動信号を伝送する第3配線を備え、前記第2配線は、前記第1配線および前記第3配線の上部を覆うように、前記第1配線及び前記第3配線に対し交差する方向に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。基板表面に形成された伝送路からは強い電磁波が放射されるため、当該電磁波による他の信号ラインや電子素子への影響を抑制することが求められる。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基板表面に伝送路が形成された電子装置において、伝送路からの電磁放射を抑制することを目的とする。本発明は、基板の表面に形成された第1配線と、前記基板の表面における前記第1配線の両側に、前記第1配線に沿って形成された第1グランド線及び第2グランド線と、前記第1配線の上部を覆うように、前記第1配線に対し交差する方向に配置され、前記第1グランド線及び前記第2グランド線を電気的に接続すると共に前記第1配線からの電磁放射を抑制する複数の第2配線と、を備えることを特徴とする電子装置である。上記構成において、前記第1配線と前記第2配線との距離は、前記第1配線からの電磁放射のうち抑制すべき電磁波の波長をλとした場合に、λ/6より大きい構成とすることができる。上記構成において、前記基板の内部において、少なくとも前記第1配線、前記第1グランド線、及び前記第2グランド線の下方の領域に形成されたグランド層を備える構成とすることができる。上記構成において、前記複数の第2配線は、ボンディングワイヤである構成とすることができる。上記構成において、前記複数の第2配線は、棒状または板状の金具である構成とすることができる。上記構成において、前記第1グランド線及び前記第2グランド線は、前記基板に設けられた貫通孔内に延在し、前記金具の両端には、弾性変形可能な弾性部が設けられ、前記弾性部が前記貫通孔に挿入される際に弾性変形することにより、前記金具が前記基板に固定されるとともに、前記金具と前記第1グランド線及び前記金具と前記第2グランド線とがそれぞれ電気的に接続される構成とすることができる。上記構成において、前記第2配線は、前記第1配線の延在方向に対し斜めに設けられている構成とすることができる。上記構成において、前記第1グランド線及び前記第2グランド線の間に、前記第1配線に沿って形成され、前記第1配線と共に差動信号を伝送する第3配線を備え、前記第2配線は、前記第1配線および前記第3配線の上部を覆うように、前記第1配線及び前記第3配線に対し交差する方向に設けられている構成とすることができる。本発明によれば、基板表面に伝送路が形成された電子装置において、伝送路からの電磁放射を抑制することができる。図1aは、実施例1に係る電子装置の構成を示す平面模式図であり、図1bは、図1aのA-A線に沿った断面模式図である。配線基板10は、例えば複数の誘電体層が積層された多層基板であり、内部には接地電位に接続された金属のグランド層12及び14が形成されている。配線基板10としては、例えばガラスエポキシ基板、セラミック基板等を用いることができ、グランド層12及び14の材料としては、例えば金Au、銅Cu、アルミニウムAl等を用いることができる。配線基板10の表面には、信号伝送用の配線パターン20が形成されている。配線パターン20の両側には、接地電位に接続されたグランドパターン第1グランドパターン22及び第2グランドパターン24が、それぞれ配線パターン20の両側に沿って形成されている。配線パターン20及びグランドパターン22、24の材料としては、例えば金Au、銅Cu、アルミニウムAl等を用いることができる。また、配線基板10の表面には、半導体チップ30が実装されている。半導体チップ30には、信号処理用の各種の回路素子及び配線が形成されている。半導体チップ30に形成された外部端子のうち、1つは配線パターン20に、他の1つは第1グランドパターン22に、それぞれワイヤボンディングにより接続されている32、34。配線基板10の内部のグランド層12及び14は、上記の配線パターン20、第1グランドパターン22、及び第2グランドパターン24に対応する領域に跨って形成されている。このように、配線基板10内部のグランド層12及び14と、配線基板10表面の配線パターン20とにより、マイクロストリップライン構造の信号ラインが形成されているグランド層12及び14はいずれか一方だけであってもよい。なお、配線基板10内部のグランド12、14と、配線基板10表面のグランドパターン22、24とは、例えば配線基板10に形成されたビア配線図1では不図示等を介して互いに接続される構成とすることができる。マイクロストリップラインは、高速信号伝送を行う配線パターン20からの電磁放射が比較的多いことで知られている。実施例1に係る電子装置は、当該電磁放射を抑制するために以下に説明する構成を備えている。図1a及びbに示すように、第1グランドパターン22及び第2グランドパターン24は、複数のワイヤ40により互いに電気的に接続されている。ワイヤ40は、配線パターン20の上部を覆うようにワイヤボンディングにより形成されたボンディングワイヤであり、第1グランドパターン22及び第2グランドパターン24のそれぞれの表面に固定されている。ワイヤ40の材料としては、例えば金Auを用いることができるが、他にもアルミニウムAlや銅Cu等を用いることができる。複数のワイヤ40は、配線パターン20の延在方向に対し垂直になるように、一定の間隔を隔てて互いに平行に配置されている。これにより、複数のワイヤ40は、配線パターン20から放射される電磁波を抑制するシールドとして機能する。ワイヤ40同士の間隔及びワイヤ40の本数は、抑制すべき電磁波の周波数に応じて適宜定められる。電磁放射抑制のためには、抑制すべき電磁波の波長よりもワイヤ40同士の間隔を小さくすることが好ましい。次に、当該ワイヤ40を用いたシールドによる電磁放射の抑制効果をシミュレーションにより検証する。図2は、シミュレーションに用いた電子装置の概略構成を示す図である。図2aは、比較例としてシールドがないマイクロストリップラインを示す。図2bは、サイズの小さいシールドを用いた例であり、図2cは、サイズの大きいシールドを用いた例である。ここで、シールドのサイズの大小は、中央の配線パターン20とワイヤ40との距離dにより定められる。本シミュレーションでは、図2bにおいてd=10mm、図2cにおいてd=25mmとした。また、配線パターン20の特性インピーダンスは50Ωとした。本シミュレーションでは、ワイヤ40間の共振の影響を除外するために、ワイヤ40同士の間を同種の素材符号41により接続した仮想的な構成図2c及び図2bに基づいて近似的な計算を行っている。実際の電子装置は、図2dのようにワイヤ40間が離間した構成となっているが、この場合でもワイヤ40同士の間隔を適切に調整することで、以下のシミュレーション結果と同様のシールド効果を得ることができると考えられる。図3は、シミュレーションの結果を示すグラフである。横軸は配線パターン20から放射される電磁波の周波数を、縦軸はシールド付近における電界強度をそれぞれ示している。図2bの小さなシールドでは少なくとも60GHz以上で、図2cの大きなシールドでは少なくとも40GHz以上で、それぞれ電磁放射の強度が図2aの場合より大きくなり、シールド効果を確認することができる。このように、シールドのサイズが大きい方が、より低い周波数の電磁波において、より大きなシールド効果を得ることができる。更に詳細な検証の結果、放射される電磁波の波長をλとした場合に、ワイヤ40と配線パターン20との距離dがλ/6を超えるとシールド効果が得られることが分かった。両者の距離dがλ/6より小さい場合は、通常の同軸ケーブルと同様の構造となるため、別の方法による最適化が必要となる。従って、実施例1に係るワイヤシールド構造を用いる場合には、ワイヤ40と配線パターン20との距離dが、λ/6より大きくなるようにすることが好ましい。以上のように、実施例1に係る電子装置によれば、配線基板10の表面に形成された配線パターン20の上部を覆うように複数のワイヤ40を設け、当該ワイヤ40が配線パターン20の両側に形成された第1グランドパターン22及び第2グランドパターン24を互いに電気的に接続するようにした。これにより、ワイヤ40が電磁波を抑制するシールドとして機能するため、基板表面に伝送路が形成された電子装置において、伝送路からの電磁放射を抑制することができる。なお、配線パターン20は電磁放射を行う伝送路である第1配線の一例であり、ワイヤ40は電磁放射を抑制する第2配線の一例である。また、第1グランドパターン22及び第2グランドパターン24は、それぞれ第1配線の両側に第1配線に沿って形成されると共に、接地電位に接続された第1グランド線及び第2グランド線の一例である。実施例1では、ワイヤ40を配線パターン20の延在方向に対し垂直になるように配置したが、ワイヤ40は配線パターン20に対し斜めに配置してもよい。図4a~bは、実施例1の第1変形例に係る電子装置の構成を示す図である。図4aに示すように、ワイヤ40が配線パターン20に対し斜めに配置されている他は、図1a~bと同様である。配線パターン20に対しワイヤ40を斜めに配置した場合でも、垂直に配置した場合と同様に電磁波のシールド効果を得ることができる。さらに、配線パターン20に対するワイヤ40の角度αを調整することにより、ワイヤの長さを調整し、ワイヤ40間の共振を抑制することができる。実施例1では、高周波信号を伝送するマイクロストリップラインを例に説明を行ったが、本実施例に係る構成はこれ以外の形態の伝送路に対しても適用することができる。例えば、図1の構成において、配線パターン20を電源ラインとしてもよいし、低速の信号ラインとしてもよい。また、以下に説明するように、配線パターン20の本数を2本以上としてもよい。マイクロストリップライン以外の構成を採用する場合、図1でグランド層12及び14として表記された層はグランド線以外の配線パターンとして使用してもよいし、これらの層を備えない構成としてもよい。図5a~bは、実施例1の第2変形例に係る電子装置の構成を示す図である。図1a~bと異なり、第1グランドパターン22と第2グランドパターン24との間に、配線パターンが2本第1配線パターン20a及び第2配線パターン20b形成されている。第1配線パターン20a及び第2配線パターン20bは、差動信号を伝送するデファレンシャルの信号ラインであり、それぞれ半導体チップ30の外部端子とワイヤボンディングにより接続されている32、34。電磁波シールド用のワイヤ40は、第1配線パターン20a及び第2配線パターン20bの両方に跨って形成されている。本構成においても、実施例1と同様に伝送路からの電磁放射を抑制することができる。なお、第2配線パターン20bは、第1配線パターン20a第1配線と共に差動信号を伝送する第3配線の一例である。実施例2は、シールド用のワイヤの代わりに金具を用いた例である。図6a~bは、実施例2に係る電子装置の構成を示す図である。実施例1図1と異なり、第1グランドパターン22及び第2グランドパターン24は、金具50により接続されている。その他の構成は実施例1と同様である。金具50は、例えばプレス加工等により中央部が湾曲するように形成された棒状または板状の金具である。金具50は、配線パターン20の上部を覆うように配置され、第1グランドパターン22及び第2グランドパターン24に対し半田51により固定されている金具50同士の間隔及び金具50の個数は、抑制すべき電磁波の周波数に応じて適宜定められるが、電磁放射抑制のためには、金具50同士の間隔を当該電磁波の波長より小さくすることが好ましい。金具50の材料としては、例えば銅Cu及び銅を含む合金リン青銅、ベリ銅、真鍮等を用いることができるが、他にもステンレス等を用いることができる。また、上記の材料に対し、例えば金Au、銀Ag、ニッケルNi、半田等によるメッキを施してもよい。実施例2に係る電子装置によれば、電磁放射を抑制する第2配線を金具50とすることで、電磁波のシールド効果を得ると共に、ワイヤ40を用いる場合に比べ、より頑丈な構造の電子装置を得ることができる。図7は、実施例2の変形例に係る電子装置の構成を示す図である。図7aに示すように、本変形例では、配線基板10に貫通孔16が形成されている点と、金具50の代わりにブレスフィットピン52を用いている点が図6bと異なるが、その他の構成は図6bと同一である。図7bは、ブレスフィットピン52の挿入部図7aの符号60における詳細な構成を示す図である。ブレスフィットピン52は、先端部が尖ったピン形状を有すると共に、当該先端部の付近に弾性変形可能な弾性部54が形成されている。本変形例では、弾性部54は、ブレスフィットピン52の一部が2つに分離湾曲して中央部に空洞56が形成された構造を有するが、弾性部54の具体的形状はこれに限定されるものではない。図7bに示すように、ブレスフィットピン52は、配線基板10に形成された貫通孔16に挿入される。ここで、貫通孔16には、第1グランドパターン22及び第2グランドパターン24がそれぞれ延在して形成されている。また、ブレスフィットピン52の長径L1は、貫通孔16の直径L2より大きくなるように設定されている。ブレスフィットピン52は、貫通孔16に挿入される際に弾性変形し、その復元力により弾性部54が貫通孔16の壁面に押し付けられる。これにより、ブレスフィットピン52と第1グランドパターン22、ブレスフィットピン52と第2配線パターン20とは、それぞれ貫通孔16の内部で互いに電気的に接続される。また、ブレスフィットピン52自体も、配線基板10に対して固定される。このように、金具としてブレスフィットピン52を用いることで、配線基板10への金具の固定と、当該金具のグランド線への接続とを同時に行うことができる。実施例2及びその変形例においても、実施例1の変形例にて説明したのと同様に、電磁放射を抑制するための金具を斜めに配置した構成図4参照や、伝送路としての第1配線を2本以上使用した構成図5参照を採用することができる。また、実施例1~2の構成は、様々な形態の伝送路において採用することができるが、基板の表面に伝送路が形成されたマイクロストリップラインでは、ストリップライン等に比べて強い電磁放射が行われるため特に好適である。以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。