"主磁極と、該主磁極と磁気回路を形成するライトシールドと、該主磁極とライトシールド間に設けられ、該ライトシールドから主磁極にかけて順に設けられた、第1の発振層、Ru,Rh,Ta,W,Cr,Ir,Mo,Re,Nb,Pt,及びPdからなる群から選択される少なくとも1種の元素を含む非磁性スピンシンク層、第2の発振層、非磁性中間層、及びスピン注入層を有するスピントルク発振素子とを具備することを特徴とする磁気ヘッド。前記非磁性スピンシンク層は、0.1ないし3nmの厚さを有することを特徴とする請求項1に記載の磁気ヘッド。第1の発振層は、FeCoに、Al,Ge,Si,Ga,B,C,Se,Sn,及びNiのうち少なくとも1つが添加されたもの、Fe/Co、Fe/Ni、及びCo/Nからなる群から選択される少なくとも1種の磁性材料からなる請求項1に記載の磁気ヘッド。前記第2の発振層の厚さt2nmは、下記式1及び20.1<t2=t1...1Ms1t1>Ms2t2...2但し、t1は第1の発振層の厚さnm、Ms1は第1の発振層の飽和磁化、Ms2は第2の発振層は飽和磁化を示す。で表される関係を満足することを特徴とする請求項1に記載の磁気ヘッド。第2の発振層は、FeCoに、Al,Ge,Si,Ga,B,C,Se,Sn,及びNiのうち少なくとも1つが添加されたもの、Fe/Co、Fe/Ni、及びCo/Nからなる群から選択される少なくとも1種の磁性材料からなる請求項1に記載の磁気ヘッド。前記スピン注入層は、FeCoに、Al,Ge,Si,Ga,B,C,Se,Sn,及びNiのうち少なくとも1つが添加された合金材料、CoPt、CoCrPt、CoCrTa、TbFeCo、及びFePt合金材料、Fe/Co、Fe/Ni、Co/Ni、Co/Pt、Co/Pd、Fe/Pt、Fe/Pdからなる人工格子群から選択される少なくとも1種の磁性材料からなる請求項1に記載の磁気ヘッド。主磁極と、該主磁極と磁気回路を形成するライトシールドと、該主磁極とライトシールド間に設けられ、該ライトシールドから主磁極にかけて順に設けられた、第1の発振層、Ru,Rh,Ta,W,Cr,Ir,Mo,Re,Nb,Pt,及びPdからなる群から選択される少なくとも1種の元素を含む非磁性スピンシンク層、第2の発振層、非磁性中間層、及びスピン注入層を有するスピントルク発振素子とを含む磁気ヘッドを有する磁気記録再生装置。実施形態によれば、高周波磁界を維持したまま、低電圧でアシスト磁界の駆動を行うことを目的とする。実施形態によれば、主磁極と、該主磁極と磁気回路を形成するライトシールドと、該主磁極とライトシールド間に設けられ、該ライトシールドから主磁極にかけて順に設けられた、第1の発振層、Ru,Rh,Ta,W,Cr,Ir,Mo,Re,Nb,Pt,及びPdからなる群から選択される少なくとも1種の元素を含む非磁性スピンシンク層、第2の発振層、非磁性中間層、及びスピン注入層を有するスピントルク発振素子とを具備することを特徴とする磁気ヘッドが提供される。以下、図面を参照し、実施形態をより詳細に説明する。実施形態に係る磁気ヘッドは、主磁極と、該主磁極と磁気回路を形成するライトシールドと、主磁極とライトシールド間に設けられたスピントルク発振素子とを具備する。スピントルク発振素子には、ライトシールド側から主磁極側にかけて順に、第1の発振層、非磁性スピンシンク層、第2の発振層、非磁性中間層、及びスピン注入層設けられている。非磁性スピンシンク層は、Ru,Rh,Ta,W,Cr,Ir,Mo,Re,Nb,Pt,及びPdからなる群から選択される少なくとも1種の元素を含む。また、実施形態に係る磁気記録再生装置は、上記磁気ヘッドを有する。実施形態によれば、第1の発振層と第2の発振層の間に非磁性スピンシンク層を挿入することにより、スピン注入層から注入されたスピントルクを吸収することができる。非磁性スピンシンク層は十分に薄い場合、第1の発振層と第2の発振層の2層に分断された発振層の磁化は交換結合し、一体となって1つの磁性体として振る舞い、高周波アシスト磁界を発生させることができる。吸収されたスピントルクは、スピン角運動量保存則に従い、第1の発振層と第2の発振層の系全体で消費される。これにより、第1の発振層と第2の発振層の材料の制限スピン拡散長がなくなり、また、非磁性スピンシンク層がない場合よりもトルクの受け渡し効率が高まり、その結果、発振電流密度の低減がなされる。非磁性スピンシンク層がない場合、発振層のスピン拡散長が膜厚に対し十分短い場合にはスピントルクを十分に受け渡すことができるが、発振層の膜厚は、狭ギャップ化の影響で高飽和磁化材料を用いて、薄く作成される傾向があり、発振層のスピン拡散長が膜厚に対し十分短くなくなると、スピントルクの受け渡しが発振層中で十分に行われない可能性がある。非磁性スピンシンク層は、0.1ないし3nmの厚さを有することが好ましい。0.1nm未満であると、スピン注入層から注入されたスピントルクを吸収する効果が低下する傾向があり、3nmを超えると、第1の発振層及び第2の発振層の交換結合の強度が不十分となる傾向がある。非磁性スピンシンク層の厚さを調整することによって、第1の発振層と第2の発振層は、強磁性結合にも反強磁性結合にもなる。非磁性スピンシンク層の厚さを変化させると、第1の発振層と第2の発振層の結合力は振動的に変化し、反強磁性結合と強磁性結合がある振動周期で繰り返される。どちらの場合も電流密度低減効果が期待できるが、強磁性結合が高周波磁界強度が強いという点で好ましい。反強磁性結合と強磁性結合が繰り返される振動周期、結合強度の数値は、第1の発振層と第2の発振層の磁性材料や非磁性スピンシンク層の材料の組み合わせによって異なる。第1の発振層は、FeCoに、Al,Ge,Si,Ga,B,C,Se,Sn,及びNiのうち少なくとも1つが添加された合金材料、Fe/Co、Fe/Ni、及びCo/Niからなる人工格子群から選択される少なくとも1種の材料からなることが好ましい。第1の発振層の厚さt1は、0.1nm以上であることが好ましい。第1の発振層の厚さが0.1nm未満であると通常の磁性体として振る舞わない傾向がある。磁化が発現しない、いわゆるデットレイヤーが形成される。第2の発振層は、FeCoに、Al,Ge,Si,Ga,B,C,Se,Sn,及びNiのうち少なくとも1つが添加された合金材料、Fe/Co、Fe/Ni、及びCo/Niからなる人工格子群から選択されることが好ましい。第1の発振層11と第2の発振層13は、同じ材料、あるいは異なる材料を用いることができ、FeCo合金やその積層人工格子、FeCoに、Al,Ge,Si,Ga,B,C,Se,Sn,及びNiのうち少なくとも1つが添加された合金材料を用いるのが好ましい。第1の発振層の厚さをt1nm、第2の発振層の厚さをt2nmとするとき、t2<t1を満足することができる。あるいは、第1の発振層の厚さをt1nm、第2の発振層の厚さをt2nm、は第1の発振層の飽和磁化をMs1、第2の発振層は飽和磁化をMs2とするとき、下記式1及び2で表される関係を満足することができる。0.1<t2=t1...1Ms1t1>Ms2t2...2式1は、一般的な磁性体が磁化を持つために必要な膜厚を規定するものである。式2において、飽和磁化と磁性体膜厚の積は、一般に磁気膜厚と呼ばれる量である。スピントルク発振の開始される臨界電流密度は磁気膜厚に比例する。ここで、スピン注入層からのスピントルクを受け取る層は中間層を介してスピン注入層と隣接する第2の発振層である。スピン注入層で生成されたスピン分極電流は、非磁性スピンシンク層よりも先にスピン情報が伝達されず、非磁性スピンシンク層付近にスピン蓄積や反射を起こすと考えられる。第2発振層に伝わったスピントルクは非磁性スピンシンク層を介して磁気的に結合した第1の発振層へ伝達される。ここで、式2とは逆にMs2t2>Ms1t1の場合、反射によって消費されるスピントルクは2Ms2t2となり、非磁性スピンシンク層によって、臨界電流密度を下げる効果が期待できない。一方、式2を満足する設計を行うことによって、スピントルクを受け取る層である第2の発振層が第1の発振層に比べ、2Ms2t2<であるので、確実に発振しやすく、臨界電流密度を低減する効果が期待できる。第1の発振層11と第2の発振層13の合計の厚さは、5ないし30nmであることが好ましい。発振層は、高周波磁界強度の観点から厚い膜厚が好ましいが、1Tbits/inch2に対応できる記録ヘッド内にSTOを形成するためには、前記の膜厚程度が限界である。また、5nm未満であると、一般に知られる磁性体の飽和磁化では、高周波磁界強度の不足によるアシスト効果への影響が顕著になると考えられる。スピン注入層としては、FeCoに、Al,Ge,Si,Ga,B,C,Se,Sn,及びNiのうち少なくとも1つが添加された合金材料、Fe/Co、Fe/Ni、Co/Ni、Co/Pt、Co/Pd、Fe/Pt、Fe/Pdからなる人工格子群から選択される少なくとも1種の材料からなることが好ましい。非磁性中間層は、例えばCu,Ag,Ir,Os,Pd,Pt,Al,及びAuから選択することができる。以下、図面を参照し、実施形態をより詳細に説明する。図1は、実施の形態にかかる磁気記録ヘッドの一例の概略構成を表す斜視図である。また、図2は、この磁気記録ヘッドが搭載されるヘッドスライダーの一例を表す斜視図である。また、図3は、この磁気記録ヘッドに設けられるスピン発振素子の一例の構成を例示する模式図である。実施形態にかかる磁気記録ヘッド5は、再生ヘッド部70と、書込ヘッド部60と、を備えている。再生ヘッド部70は、磁気シールド層72aと、磁気シールド層72bと、磁気シールド層72aと磁気シールド層72bとに挟まれた磁気再生素子71と、を有する。また、書込ヘッド部60は、記録磁極61と、リターンパス補助磁極62と、励磁コイル63と、図示しない電極を含むスピン発振素子10と、を有する。再生ヘッド部70の各要素、および書込ヘッド部60を構成する各要素は、アルミナ等の絶縁体図示せずにより分離されている。磁気再生素子71としては、GMR素子なTMR素子などを利用することが可能である。また、再生分解能をあげるために、磁気再生素子71は、2枚の磁気シールド層71a、72bの間に設置される。この磁気記録ヘッド5は、図2に表したようにヘッドスライダー3に搭載される。ヘッドスライダー3は、Al2O3/TiCなどからなり、磁気ディスクなどの磁気記録媒体80図1参照の上を浮上または接触しながら相対的に運動できるように設計加工されている。そして、ヘッドスライダー3は、空気流入側3Aと空気流出側3Bとを有し、磁気記録ヘッド5、空気流出側3Bの側面などに配置される。磁気記録媒体80は、媒体基板82とその上に設けられた磁気記録層81とを有する。書込ヘッド部60から印加される磁界により磁気記録層81の磁化が所定の方向に制御され、書込がなされる。そして、再生ヘッド部70は、磁気記録層81の磁化の方向を読み取る。記録磁極61のみからなる書込みヘッドでは、垂直成分の記録磁界が主に発生し、磁気記録媒体80内部にて斜め記録磁界が十分に発生しない場合がある。このため記録磁極61の近傍にリターンパス補助磁極62を設置することが望ましい。また、記録磁極61からの漏洩記録磁界により、隣接トラックもしくは隣接ビットの磁化84が影響を受ける場合がある。このため、補助磁極62以外にも記録磁極61に対向、もしくは取り囲むように磁気シールド図示せずを設置し、記録磁極61から磁気記録媒体80への漏洩記録磁界を少なくしても良い。図3は、スピン発振素子の第1の例の構成を備えた書き込みヘッドを例示する模式図である。この書き込みヘッド60は、スピントルク発振素子10は、ライトシールド62側から主磁極61側にかけて順に、第1の発振層11、非磁性スピンシンク層12、第2の発振層13、非磁性中間層14、及びスピン注入層15を積層した構成を有する。図中、矢印は15a,13a,11aは、それぞれ、スピン注入層の磁化、第2の発振層の磁化、第1の発振層の磁化を表している。この例では、第1の発振層11と第2の発振層13の磁化は、強磁性結合している。図4は、書き込みヘッドに設けられたスピン発振素子の第2の例の構成を例示する模式図である。この例では非磁性スピンシンク層12の厚さが図3とは異なり、第1の発振層11と第2の発振層13が、反強磁性結合していること以外は図3と同様である。実施例1例えば、SiO2基板、下地層としてTa4nm、Ru2nm、Cu2nm、スピン注入層としてCo/Nix14nm、スペーサ非磁性中間層層としてCu2nm、第2の発振層としてFeCoAl2nm、非磁性スピンシンク層としてRu0.4nm、第1の発振層としてFeCoAl11nm、酸化防止層としてRu15nmを積層することにより、スピントルク発振素子を得た。ここでは、スペーサ非磁性中間層Cu界面から約2nmの位置に極薄のRuスピンシンク層挿入し、スピントルクの受け渡しを2nm矢印13aで完結させる。試料振動型磁力計VSMにて磁化を測定した結果磁化曲線が磁気結合を示す結果であったことから、得られたスピントルク発振素子において、第1の発振層と第2の発振層は、図3に示すように、強磁性結合していることがわかる。得られたスピントルク発振素子を図1に示す磁気ヘッドに搭載して、電流の変化に対するSNRの変化を測定し、アシスト効果の立ち上がりを調べた。磁気ヘッドに印加される電流とそのときのSNRとの関係を表すグラフを図5のグラフ101に示す。また、第1の発振層および第2の発振層の飽和磁化は1.5T、であり、上記式1及び2で表される関係を満足していることがわかった。比較例1FeCoAl層2nm、Ru層0.4nm、FeCoAl層11nmを積層する代わりに、FeCoAlを13nm形成すること以外は、実施例1と同様にして、スピントルク発振素子を得た。得られたスピントルク発振素子を図1に示す磁気ヘッドに搭載して、電流の変化に対するSNRの変化を測定し、アシスト効果の立ち上がりを調べた。磁気ヘッドに印加される電流とSNRとの関係を表すグラフを図5のグラフ102に示す。図5から明らかなように、実施形態によれば、発振層を単一層ではなく、第1の発振層と非磁性スピンシンク層と第2の発振層の積層にすることにより、高周波磁界を維持したまま、低電圧でアシスト磁界の駆動を行うことが可能である。実施例2Ru膜厚を0.4nmから0.8nmへ変更すること以外は実施例1と同様にして、スピントルク発振素子を得た。VSM測定の結果から、Ru膜厚を0.4nmから0.8nmへ変更すると、図4の矢印13a’に示すように、第1の発振層11と第2の発振層13の結合は強磁性から反強磁性へ変化することがわかる。第1の発振層と第2の発振層の結合は強磁性結合であっても反強磁性結合であっても発振に必要な電流密度は低減することができるが、高周波磁界強度の点で、磁化を打ち消しあう反強磁性結合よりも強磁性結合のケースのほうがより好ましい。また、第1の発振層および第2の発振層の飽和磁化は1.5T、であり、上記式1及び2で表される関係を満足していることがわかった。図6は、実施形態にかかる磁気ヘッドを搭載可能な磁気記録再生装置の概略構成を例示する要部斜視図である。すなわち、磁気記録再生装置150は、ロータリーアクチュエータを用いた形式の装置である。同図において、記録用媒体ディスク180は、スピンドル152に装着され、図示しない駆動装置制御部からの制御信号に応答する図示しないモータにより矢印Aの方向に回転する。本発明の磁気記録再生装置150は、複数の媒体ディスク180を備えたものとしてもよい。媒体ディスク180に格納する情報の記録再生を行うヘッドスライダー3は、図2に関して前述したような構成を有し、薄膜状のサスペンション154の先端に取り付けられている。ここで、ヘッドスライダー3は、例えば、前述したいずれかの実施の形態にかかる磁気記録ヘッドをその先端付近に搭載している。媒体ディスク180が回転すると、ヘッドスライダー3の媒体対向面ABSは媒体ディスク180の表面から所定の浮上量をもって保持される。あるいはスライダが媒体ディスク180と接触するいわゆる接触走行型であってもよい。サスペンション154は、図示しない駆動コイルを保持するボビン部などを有するアクチュエータアーム155の一端に接続されている。アクチュエータアーム155の他端には、リニアモータの一種であるボイスコイルモータ156が設けられている。ボイスコイルモータ156は、アクチュエータアーム155のボビン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、このコイルを挟み込むように対向して配置された永久磁石および対向ヨークからなる磁気回路とから構成される。アクチュエータアーム155は、スピンドル157の上下2箇所に設けられた図示しないボールベアリングによって保持され、ボイスコイルモータ156により回転摺動が自在にできるようになっている。図7は、アクチュエータアーム155から先の磁気ヘッドアセンブリをディスク側から眺めた拡大斜視図である。すなわち、磁気ヘッドアッセンブリ160は、例えば駆動コイルを保持するボビン部などを有するアクチュエータアーム155を有し、アクチュエータアーム155の一端にはサスペンション154が接続されている。サスペンション154の先端には、図1~図4に関して前述したいずれかの磁気記録ヘッド5を具備するヘッドスライダー3が取り付けられている。サスペンション154は信号の書き込みおよび読み取り用のリード線164を有し、このリード線164とヘッドスライダー3に組み込まれた磁気ヘッドの各電極とが電気的に接続されている。図中165は磁気ヘッドアッセンブリ160の電極パッドである。実施形態によれば、図1~図4に関して前述したような磁気記録ヘッドを具備することにより、従来よりも高い記録密度で垂直磁気記録型の媒体ディスク180に情報を確実に記録することが可能となる。なお、効果的な高周波アシスト記録を行うためには、使用する媒体ディスク180の共鳴周波数とスピン発振素子10の発振周波数とをほぼ等しくすることが望ましい。図8は、本実施形態に用いることができる磁気記録媒体を例示する模式図である。磁気記録媒体1は、非磁性体あるいは空気87により互いに分離された垂直配向した多粒子系の磁性ディスクリートトラック86を有する。この媒体1がスピンドルモータ4により回転され、媒体走行方向85に向けて移動する際に、図1~図4に関して前述した磁気記録ヘッド5により、記録磁化84を形成することができる。スピン発振素子10の記録トラック幅方向の幅TSを記録トラック86の幅TW以上で、且つ記録トラックピッチTP以下とすることによって、スピン発振素子10から発生する漏れ高周波磁界による隣接記録トラックの保磁力低下を大幅に抑制することができる。このため、本具体例の磁気記録媒体では、記録したい記録トラック86のみを効果的に高周波アシスト磁気記録することができる。本具体例によれば、いわゆるべた膜状の多粒子系垂直媒体を用いるよりも、狭トラックすなわち高トラック密度の高周波アシスト記録装置を実現することが容易になる。また、高周波アシスト磁気記録方式を利用し、さらに従来の磁気記録ヘッドでは書き込み不可能なFePtやSmCo等の高磁気異方性エネルギーKuの媒体磁性材料を用いることによって、媒体磁性粒子のさらなる微細化ナノメーター級のサイズが可能となり、記録トラック方向ビット方向においても、従来より遥かに線記録密度の高い磁気記録装置を実現することができる。図9は、本実施形態において用いることができるもうひとつの磁気記録媒体を例示する模式図である。すなわち、本具体例の磁気記録媒体1は、非磁性体87により違いに分離された磁性ディスクリートビット88を有する。この媒体1がスピンドルモータ4により回転され、媒体走行方向85に向けて移動する際に、図1~図4に関して前述した磁気記録ヘッド5により、記録磁化84を形成することができる。実施形態によれば、図8及び図9に表したように、ディスクリート型の磁気記録媒体1において、高い保磁力を有する記録層に対しても確実に記録することができ、高密度且つ高速の磁気記録が可能となる。この具体例においても、スピン発振素子10の記録トラック幅方向の幅TSを記録トラック86の幅TW以上で、且つ記録トラックピッチTP以下とすることによって、スピン発振素子10から発生する漏れ高周波磁界による隣接記録トラックの保磁力低下を大幅に抑制することができるため、記録したい記録トラック86のみを効果的に高周波アシスト磁気記録することができる。本実施例を用いれば、使用環境下での熱揺らぎ耐性を維持できる限りは、磁性ドット88の高磁気異方性エネルギーKu化と微細化を進めることで、10Tbits/inch2以上の高い記録密度の高周波アシスト磁気記録装置を実現できる可能性がある。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"