"上面にレジストが塗布されているウエハに対して、その上方から前記レジストを感光させる所定の照射範囲の光を照射する光照射部と、中央に前記光が通過する開口部を有する遮光部と、を備え、平面視で、前記開口部の直径が、前記ウエハの直径以上であることを特徴とする露光装置。前記ウエハ内における前記光の照射位置を移動させる照射位置移動部を、さらに備え、前記照射位置移動部が、前記照射位置を移動させる毎に、前記光照射部が前記ウエハに対して前記光を照射することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。平面視で、前記遮光部の内縁と外縁間の距離が、前記照射範囲の最小幅以上であることを特徴とする請求項2に記載の露光装置。平面視で、前記遮光部の内縁と外縁間の距離が、前記照射範囲の最大幅以上であることを特徴とする請求項3に記載の露光装置。平面視で、前記開口部の直径と前記ウエハの直径との差が、前記照射範囲の最大幅の2倍よりも小さいことを特徴とする請求項2~4のいずれか1項に記載の露光装置。平面視で、前記開口部の直径と前記ウエハの直径との差が、前記照射範囲の最小幅の2倍よりも小さいことを特徴とする請求項5に記載の露光装置。前記ウエハが載置されるステージを、さらに備え、前記遮光部が、前記ステージと一体的に構成され、前記照射位置移動部が、前記ステージを駆動することで、前記ウエハ内における前記光の照射位置を移動させることを特徴とする請求項2~6のいずれか1項に記載の露光装置。前記ウエハが載置されるステージを、さらに備え、前記遮光部が、前記ステージとは別体として構成され、前記照射位置移動部が、前記ウエハ内における前記光の照射位置を移動させる際に、前記ステージを駆動するとともに、前記ステージと同期させて前記遮光部を駆動することを特徴とする請求項2~7のいずれか1項に記載の露光装置。平面視で、前記開口部の直径と前記ウエハの直径とが等しいことを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載の露光装置。前記光照射部が光を照射するときに、平面視で、前記開口部の外縁と前記ウエハの外縁とが一致することを特徴とする請求項1~9のいずれか1項に記載の露光装置。前記遮光部が、前記ウエハと前記光照射部との間に配置されることを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載の露光装置。請求項1~11のいずれか1項に記載の露光装置を用いて、前記ウエハの上面に塗布されている前記レジストを選択的に感光させる露光ステップと、前記露光ステップにおける感光の有無に応じて、前記ウエハの上面から前記レジストを選択的に除去する現像ステップと、前記現像ステップによって前記ウエハの上面に残留した前記レジストを利用して、前記ウエハを加工する加工ステップと、を備えることを特徴とする半導体素子の製造方法。特許文献1で提案される露光装置によれば、過露光を抑制することは可能である。しかしながら、この露光装置では、ウエハの外縁付近の領域に対して、一切光を照射することができなくなるため、1つのウエハから得られる半導体素子の数取れ数が、減少する。これに対して、特許文献2で提案されている露光装置では、不要チップ領域のみを選択的に遮光するため、取れ数の減少を抑制することは可能である。しかしながら、ダミーショットを行う度に、2つの遮光板を精緻に駆動して不要チップ領域を覆う必要があるため、遮光板を駆動するための複雑な機構が必要になる。また、この露光装置では、露光の前に、不要チップ領域を示す位置データを予め露光装置に入力しておく必要があるため、露光の準備が煩雑になる。さらに、特許文献1及び2で提案されている露光装置では、露光時に、ウエハの外縁付近の領域の直上に、遮光部材や遮光板が侵入する。そのため、これらの露光装置を用いて露光したレジストを現像すると、ウエハの外縁付近の領域におけるレジストが、ポジ型であれば全て残留し、ネガ型感光していない部分が選択的に除去されるタイプ、以下同じであれば全て除去される。すると、ウエハの外縁付近の領域と、ウエハの中央付近の領域と、において、現像後のレジストの形状に著しい差異が生じ、当該レジストを利用した成膜やエッチング等の加工の効果がばらつくことで、得られる半導体素子の形状や特性がばらついてしまう。なお、過露光を抑制しつつ、ウエハの外縁付近の領域を露光するために、ダミーショットで照射する光のエネルギーを、ショットで照射する光のエネルギーよりも小さくすることが考えられる。しかしながら、この場合も、ウエハの外縁付近の領域と、ウエハの中央付近の領域と、において、照射する光のエネルギーが異なるため、現像後のレジストの形状に差異が生じ、得られる半導体素子の形状や特性がばらついてしまう。そこで、本発明は、簡易な構成で均一なパターンとなるレジストを形成可能な露光装置と、当該露光装置を用いることで製造される半導体素子の形状や特性のばらつきを抑制した半導体素子の製造方法と、を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明は、上面にレジストが塗布されているウエハに対して、その上方から前記レジストを感光させる所定の照射範囲の光を照射する光照射部と、中央に前記光が通過する開口部を有する遮光部と、を備え、平面視で、前記開口部の直径が、前記ウエハの直径以上であることを特徴とする露光装置を提供する。この露光装置では、ウエハを、平面視で開口部の外縁以内に載置して、露光することが可能になる。そのため、遮光部は、ウエハの外縁付近の領域に照射される光を妨げることなく、ウエハの外縁の外側に照射されて過露光の原因となる光を遮ることが可能になる。したがって、遮光部を設けるだけで、ウエハの中央付近だけでなく外縁付近まで均一なパターンとなるレジストを、形成することが可能になる。なお、開口部及びウエハは、必ずしも平面視で完全な円形である必要はなく、それぞれの直径は、略円形部分の直径として解釈することが可能である。また、開口部が閉じている遮光部が環状であると好ましいが、開いていてもよい。さらに、上記特徴の露光装置において、前記ウエハ内における前記光の照射位置を移動させる照射位置移動部を、さらに備え、前記照射位置移動部が、前記照射位置を移動させる毎に、前記光照射部が前記ウエハに対して前記光を照射すると、好ましい。この露光装置では、ステップアンドリピート方式で露光を行う場合において生じ得る、ダミーショットに起因する過露光を、抑制することが可能になる。さらに、上記特徴の露光装置において、平面視で、前記遮光部の内縁と外縁間の距離が、前記照射範囲の最小幅以上であると、好ましい。この露光装置では、ウエハの外縁の少なくとも一部において、ダミーショットによって遮光部のさらに外側へ光が漏出することを、防止することが可能になる。さらに、上記特徴の露光装置において、平面視で、前記遮光部の内縁と外縁間の距離が、前記照射範囲の最大幅以上であると、好ましい。この露光装置では、ウエハの外縁の全部において、ダミーショットによって遮光部のさらに外側へ光が漏出することを、防止することが可能になる。さらに、上記特徴の露光装置において、平面視で、前記開口部の直径と前記ウエハの直径との差が、前記照射範囲の最大幅の2倍よりも小さいと、好ましい。この露光装置では、ウエハの外縁の、少なくともダミーショット領域が最大幅まで突出し得る部分においては、ダミーショットによってウエハの外縁の外側に照射される光の少なくとも一部を、遮光部によって遮ることができる可能性がある。さらに、上記特徴の露光装置において、平面視で、前記開口部の直径と前記ウエハの直径との差が、前記照射範囲の最小幅の2倍よりも小さいと、好ましい。この露光装置では、ウエハの外縁の全部において、ダミーショットによってウエハの外縁の外側に照射される光の少なくとも一部を、遮光部によって遮ることができる可能性がある。さらに、上記特徴の露光装置において、前記ウエハが載置されるステージを、さらに備え、前記遮光部が、前記ステージと一体的に構成され、前記照射位置移動部が、前記ステージを駆動することで、前記ウエハ内における前記光の照射位置を移動させると、好ましい。この露光装置では、照射位置移動部がステージを駆動するだけで、同時に遮光部を駆動することが可能になる。そのため、照射位置移動部の機構を、簡易的なものにすることが可能になる。一方、上記特徴の露光装置において、前記ウエハが載置されるステージを、さらに備え、前記遮光部が、前記ステージとは別体として構成され、前記照射位置移動部が、前記ウエハ内における前記光の照射位置を移動させる際に、前記ステージを駆動するとともに、前記ステージと同期させて前記遮光部を駆動してもよい。この露光装置では、ステージと遮光部とを接続する部材が不要になるため、ステージ上にウエハを容易に載置することが可能になる。さらに、ウエハ及び遮光部を、光の照射方向に対してそれぞれ別々に位置合わせアライメントすることが可能になる。そのため、遮光部とウエハとの位置関係を気にすることなく、ウエハをステージ上に載置することが可能になる。さらに、上記特徴の露光装置において、平面視で、前記開口部の直径と前記ウエハの直径とが等しいと、好ましい。この露光装置では、ダミーショットによってウエハの外縁の外側に照射される光を、最も効果的に遮ることが可能になる。さらに、上記特徴の露光装置において、前記光照射部が光を照射するときに、平面視で、前記開口部の外縁と前記ウエハの外縁とが一致すると、好ましい。この露光装置では、平面視でウエハが完全な円形である場合のみならず、オリエンテーションフラットなどが設けられて完全な円形ではない場合においても、ダミーショットによってウエハWの外縁の外側に照射される光を、最も効果的に遮ることが可能になる。さらに、上記特徴の露光装置において、前記遮光部が、前記ウエハと前記光照射部との間に配置されると、好ましい。この露光装置では、遮光部が反射した光がウエハに照射されることが抑制される。そのため、遮光部が効果的に光を遮ることが可能になる。また、本発明は、上記の露光装置を用いて、前記ウエハの上面に塗布されている前記レジストを選択的に感光させる露光ステップと、前記露光ステップにおける感光の有無に応じて、前記ウエハの上面から前記レジストを選択的に除去する現像ステップと、前記現像ステップによって前記ウエハの上面に残留した前記レジストを利用して、前記ウエハを加工する加工ステップと、を備えることを特徴とする半導体素子の製造方法を提供する。この半導体素子の製造方法では、露光ステップにおいて、ウエハの外縁付近の領域に照射される光を妨げることなく、ウエハの外縁の外側に照射されて過露光の原因となる光を遮ることが可能になる。そのため、現像ステップにおいて、ウエハの中央付近だけでなく外縁付近まで均一なパターンとなるレジストを、形成することが可能になる。したがって、加工ステップにおいて、ウエハの中央付近だけでなく外縁付近まで均一な加工例えば、成膜やエッチングなどの何らかの処理を行うことが可能になり、得られる半導体素子の形状や特性を揃えることが可能になる。上記特徴の露光装置によれば、簡易な構成で均一なパターンとなるレジストを形成することが可能になる。また、上記特徴の半導体素子の製造方法によれば、製造される半導体素子の形状や特性のばらつきを抑制することが可能になる。以下、本発明の実施形態として、縮小投影型ステップアンドリピート方式の露光装置に本発明を適用する場合について例示する。ただし、本発明は、等倍露光型の露光装置など、縮小投影型以外の露光装置にも適用可能である。また、以下では説明の具体化のため、ウエハの上面に塗布されるレジストがポジ型である場合について例示するが、当該レジストはネガ型であってもよい。同様に、以下ではウエハの平面視の形状が完全な円形である場合について例示するが、当該ウエハの形状は円形に限られない。具体的に例えば、ウエハにオリエンテーションフラットやノッチなどが設けられており、ウエハの平面視の形状が、一部が欠けた円形であってもよい。<第1実施形態>最初に、本発明の第1実施形態に係る露光装置について、図面を参照して説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る露光装置の概略構造例を示す模式的なブロック図である。なお、図1中の破線の矢印は、光の進行方向を示したものである。図1に示すように、第1実施形態に係る露光装置1は、上面にレジストRが塗布されているウエハWに対してその上方からレジストRを感光させる所定の照射範囲の光を照射する光照射部10と、中央に光が通過する開口部21を有する遮光部20と、ウエハWが載置されるステージ30と、ステージ30を駆動する照射位置移動部40と、ステージ30と遮光部20とを一体的に接続する支持部50と、を備える。光照射部10は、レジストRを感光する光を出射する光源11と、光源11が出射した光を集光する集光レンズ12と、集光レンズが集光した光の一部を通過させるフォトマスクであるレチクル13と、レチクル13を通過した光を縮小してウエハWに照射する投影レンズ14と、を備える。レチクル13は、例えば、透光性の材料に、遮光性の材料から成るパターンが形成されて成る。そのため、光源11が出射して集光レンズ12が集光した光をレチクル13に通じると、レチクル13に形成されたパターンに応じて二次元方向に強度分布を有する光が得られる。そして、レチクル13を通過させた光を投影レンズ14によって縮小し、遮光部20の開口部21を通過させて、ウエハWに照射する。これにより、レチクル13に形成されたパターンに応じて、レジストRを選択的に感光させることができる。また、露光装置1は、照射位置移動部40がステージ30を駆動してウエハW内の光の照射位置を移動させる毎に、光照射部10がウエハWに対して光を照射するステップアンドリピート方式で露光を行う。また、このときウエハWに照射される光の照射範囲には、図10に示したように、全体がウエハW内に収まるショット領域SAと、一部がウエハW外にはみ出すダミーショット領域DAと、が含まれる。次に、本発明の第1実施形態に係る露光装置が備える遮光部について、図面を参照して説明する。図2は、本発明の第1実施形態に係る露光装置が備える遮光部の構造例を示す上面図及び断面図である。なお、図2aは、遮光部20の上面図であり、図2bは、図2aのA-A断面開口部21及びウエハWのそれぞれの直径を含む断面を示す断面図である。図2aに示すように、遮光部20は、平面視で円環状である。また、支持部50は、遮光部20の半円部分図2a中の上半分の外縁に沿って設けられ、他方の半円部分図2a中の下半分の外縁には設けられていない。また、図2bに示すように、遮光部20の下方開口部21の直下のステージ30上に、ウエハWが載置される。例えばこの場合、支持部50が設けられていない遮光部20の半円部分側図2a中の下半分側から、遮光部20とステージ30との間にウエハWを挿入してステージ30上に載置し、露光を行う。そして、露光後も同様に、支持部50が設けられていない遮光部20の半円部分側図2a中の下半分側から、ウエハWを取り出す。遮光部20は、その中央に開口部21を有しており、開口部21の直径は、ウエハWの直径以上となるように設計する。この場合、ウエハWを、平面視で開口部21の外縁以内に載置して、露光することが可能になる。なお、詳細については後述するが、図2に示すように、平面視で開口部21の直径がウエハWの直径と等しいと好ましく、平面視で開口部21の外縁とウエハWの外縁とが一致するとさらに好ましい。そこで、以下では、開口部21の直径とウエハWの直径とが等しく、さらに開口部21の外縁とウエハWの外縁とが一致する場合について説明する。図2に示した遮光部及びウエハに対する露光について、図面を参照して説明する。図3は、図2に示す遮光部及びウエハに対して露光を行った状態について示す上面図であり、図2aと同様の上面を示すものである。図4は、図2に示す遮光部及びウエハに対して露光を行い、さらに現像を行った状態について示す断面図であり、図2bと同様の断面を示すものである。なお、図3では、ショット領域SAを白色の領域で表示している。また、図3において、ダミーショット領域DAの中でウエハWに光が照射された領域を灰色の領域で表示し、ダミーショット領域DAの中でウエハWに光が照射されていない領域を斜線のハッチングを付した領域で表示している。また、図4aは、露光中ダミーショット中の状態を示す断面図であり、図4bは、現像後の状態を示す断面図である。図3及び図4aに示すように、本発明の第1実施形態の露光装置1では、ダミーショットを行った場合に、遮光部20が、ウエハWの外縁付近の領域に照射される光を妨げることなく、ウエハWの外縁の外側に照射されて過露光の原因となる光を遮ることが可能になる。したがって、遮光部20を設けるだけで、図4bに示すように、ウエハWの中央付近だけでなく外縁付近まで均一なパターンとなるレジストRを、形成することが可能になる。また、本発明の第1実施形態の露光装置1を用いて露光を行い、さらに現像を行なって得られたウエハWの加工について、図面を参照して説明する。図5は、図4に示す現像後のウエハに対して加工エッチングを行った状態について示す断面図であり、図4と同様の断面を示すものである。なお、図5aは、加工前の状態を示す断面図であり、図5bは、加工後の状態を示す断面図である。図5aに示すように、現像後のウエハWの上面には、ウエハWの中央付近だけでなく外縁付近まで均一なパターンとなるレジストRが、形成される。そのため、図5bに示すように、現像後のウエハWの上面に対して、全体として均一な加工を行うことが可能になる。具体的に例えば、図5では、ウエハWがサファイアなどから成る基板であり、その上面を凹凸状にエッチングする工程について例示しているが、このエッチングにおいて、凹凸の大きさや間隔、形状が、中央付近だけでなく外縁付近まで均一となるウエハWを、形成することが可能になる。そして、上面を凹凸状にしたウエハW基板上に、素子構造を形成する。例えば、当該ウエハWを用いてLEDLightEmittingDiodeを作製する場合、当該ウエハWの上面に半導体層や電極を形成する。なお、半導体層や電極を形成する際にも、必要に応じて、上述の露光装置1を用いた露光を行い、さらに現像を行うことで、中央付近だけでなく外縁付近まで均一なパターンとなるレジストRを形成し、加工を行う。このように、露光装置1を用いて露光を行い、さらに現像を行うことで、ウエハWの中央付近だけでなく外縁付近まで均一なパターンとなるレジストRを形成すると、ウエハの中央付近だけでなく外縁付近まで均一な加工を行うことが可能になり、得られる半導体素子の形状や特性を揃えることが可能になる。具体的に例えば、上述のLEDの場合、それぞれのLEDについて外部量子効率の劣化を抑制し、信頼性の向上を図ることが可能になる。以上の通り、本発明の第1実施形態に係る露光装置1によれば、簡易な構成で均一なパターンとなるレジストRを形成することが可能になる。また、この露光装置1を用いて半導体素子を製造することで、半導体素子の形状や特性のばらつきを抑制することが可能になる。また、本発明の第1実施形態に係る露光装置1では、照射位置移動部40がステージ30を駆動するだけで、同時に遮光部20を駆動することが可能になる。そのため、照射位置移動部40の機構を、簡易的なものにすることが可能になる。<第2実施形態>次に、本発明の第2実施形態に係る露光装置について、図面を参照して説明する。なお、第2実施形態に係る露光装置は、遮光部及び支持部を除いて、第1実施形態に係る露光装置と同様である。そのため、以下では第2実施形態に係る露光装置が備える遮光部及び支持部の構造について詳細に説明し、その他については適宜第1実施形態に係る露光装置の説明を参酌するものとして、その詳細な説明を省略する。図6は、本発明の第2実施形態に係る露光装置が備える遮光部の構造例を示す上面図及び断面図であり、第1実施形態に係る露光装置について示した図2に相当するものである。図6aは、遮光部20aの上面図であり、図6bは、図6aのB-B断面開口部21a及びウエハWのそれぞれの直径を含む断面を示す断面図である。図6に示すように、遮光部20aは、第1実施形態に係る露光装置1の遮光部20図2参照と同様に、その中央に光が通過する開口部21aを有するとともに、支持部50aによってステージ30と一体的に接続されている。しかし、図6aに示すように、遮光部20aは、平面視で環状であり、半円部分図6a中の上半分は内縁と外縁間の距離が均一であり、他の部分図6a中の下半分は内縁と外縁間の距離がこれよりも広くなっている。また、図6aに示すように、支持部50aは、遮光部20aの内縁と外縁間の距離が均一な半円部分図6a中の上半分の外縁と、遮光部20aの内縁と外縁間の距離が広い他の部分図6a中の下半分の外縁と、のそれぞれに沿って設けられる。ただし、遮光部20aの内縁と外縁間の距離が広い他の部分図6a中の下半分の外縁の一部図6a中の下端の辺については、支持部50aが設けられない。また、図6bに示すように、遮光部20aの下方開口部21aの直下のステージ30上に、ウエハWが載置される。例えばこの場合、支持部50aが設けられていない遮光部20aの一部側図6a中の下端の辺側から、遮光部20aとステージ30との間にウエハWを挿入してステージ30上に載置し、露光を行う。そして、露光後も同様に、支持部50aが設けられていない遮光部20aの一部側図6a中の下端の辺側から、ウエハWを取り出す。第2実施形態に係る露光装置では、第1実施形態に係る露光装置1と比較して、遮光部20aの内縁と外縁間の距離が増大するとともに、支持部50aが長くなる。そのため、遮光部20a及び支持部50aの強度を、向上させることが可能になる。<第3実施形態>次に、本発明の第3実施形態に係る露光装置について、図面を参照して説明する。なお、第3実施形態に係る露光装置は、支持部を備えないことや、遮光部及び照射位置移動部を除いて、第1実施形態に係る露光装置と同様である。そのため、以下では第3実施形態に係る露光装置が備える遮光部及び照射位置移動部について詳細に説明し、その他については適宜第1実施形態に係る露光装置の説明を参酌するものとして、その詳細な説明を省略する。図7は、本発明の第3実施形態に係る露光装置の概略構造例を示す模式的なブロック図である。また、図8は、本発明の第3実施形態に係る露光装置が備える遮光部の構造例を示す上面図及び断面図であり、第1実施形態に係る露光装置について示した図2に相当するものである。図8aは、遮光部20bの上面図であり、図8bは、図8aのC-C断面開口部21b及びウエハWのそれぞれの直径を含む断面を示す断面図である。図7に示すように、第3実施形態に係る露光装置1bは、光照射部10と、開口部21bを有する遮光部20bと、ステージ30と、ステージ30及び遮光部20bを駆動する照射位置移動部40bと、を備える。第3実施形態に係る露光装置1bは、第1及び第2実施形態に係る露光装置とは異なり、支持部50,50aを備えず、遮光部20bがステージ30とは別体になっている。ただし、その代わりに、照射位置移動部40bが、ステージ30と同期させて遮光部20bを駆動する。これによって、図8bに示すように、遮光部20aの下方開口部21aの直下のステージ30上に、ウエハWが位置するようにする。第3実施形態に係る露光装置1bでは、ステージ30と遮光部20bとを接続する部材例えば、支持部50,50aが不要になるため、ステージ30上にウエハWを容易に載置することが可能になる。さらに、ウエハW及び遮光部20bを、光の照射方向に対してそれぞれ別々に位置合わせアライメントすることが可能になる。そのため、遮光部20bとウエハWとの位置関係を気にすることなく、ウエハWをステージ30上に載置することが可能になる。<変形等>[1]開口部21,21a,21b及びウエハWは、上述のように必ずしも平面視で完全な円形である必要はなく、それぞれの直径は、略円形部分の直径として解釈することも可能である。また、開口部21,21a,21bが閉じている遮光部20,20a,20bが環状であると好ましいが、開いていてもよい。[2]遮光部20,20a,20bの内縁と外縁間の距離は、平面視で、ダミーショット領域DAの最小幅以上であると、ウエハWの外縁の少なくとも一部において、ダミーショットによって遮光部20,20a,20bのさらに外側へ光が漏出することを、防止することが可能になるため、好ましい。なお、図3及び図10に示すように、ダミーショット領域DAが矩形であり、それぞれが回転しない場合、最小幅は当該矩形の短辺の長さとなり得る。さらに、遮光部20,20a,20bの内縁と外縁間の距離は、平面視で、ダミーショット領域DAの最大幅以上であると、ウエハWの外縁の全部において、ダミーショットによって遮光部20,20a,20bのさらに外側へ光が漏出することを、防止することが可能になるため、好ましい。なお、図3及び図10に示すように、ダミーショット領域DAが矩形であり、それぞれが回転しない場合、最大幅は当該矩形の対角線の長さとなり得る。[3]平面視で開口部21,21a,21bの直径がウエハWの直径と等しくなるようにすると、ダミーショットによってウエハWの外縁の外側に照射される光を、最も効果的に遮ることができるため、好ましい。さらに、露光時において、平面視で開口部21,21a,21bの外縁がウエハWの外縁に一致するようにすると、平面視でウエハWが完全な円形である場合のみならず、オリエンテーションフラットなどが設けられて完全な円形ではない場合においても、ダミーショットによってウエハWの外縁の外側に照射される光を、最も効果的に遮ることができるため、好ましい。ところで、上記以外の場合であっても、ダミーショットによってウエハWの外縁の外側に照射される光を、遮光部によって遮ることは可能である。これについて、以下図面を参照して説明する。図9は、ダミーショットによってウエハの外縁の外側に照射される光を、遮光部によって遮ることが可能となる条件について説明する上面図である。なお、ここでは説明の具体化のために、本発明の第1実施形態に係る露光措置1について例示する。図9aは、平面視で、開口部21の直径とウエハWの直径との差が、ダミーショット領域DAの最大幅矩形の対角線の長さの2倍であり、ウエハWが開口部21から最も離れるように配置即ち、ウエハWを開口部21の中心に配置した場合を示すものである。なお、図9aには、各方向に対して、ウエハWから最もはみ出した場合のダミーショット領域DAを示している。図9aに示すように、平面視で、開口部21の直径とウエハWの直径との差が、ダミーショット領域DAの最大幅の2倍よりも小さければ、ウエハWの外縁の、少なくともダミーショット領域DAが最大幅まで突出し得る部分においては、ダミーショットによってウエハWの外縁の外側に照射される光の少なくとも一部を、遮光部20によって遮ることができる可能性がある。また、図9bは、平面視で、開口部21の直径とウエハWの直径との差が、ダミーショット領域DAの最小幅矩形の短辺の長さの2倍であり、ウエハWが開口部21から最も離れるように配置即ち、ウエハWを開口部21の中心に配置した場合を示すものである。なお、図9aと同様に、図9bにも、各方向に対して、ウエハWから最もはみ出した場合のダミーショット領域DAを示している。図9bに示すように、平面視で、開口部21の直径とウエハWの直径との差が、ダミーショット領域DAの最小幅の2倍よりも小さければ、ウエハWの外縁の全部において、ダミーショットによってウエハWの外縁の外側に照射される光の少なくとも一部を、遮光部20によって遮ることができる可能性がある。[4]遮光部20,20a,20bが、ウエハWと光照射部10との間に配置される場合について例示したが、遮光部20,20a,20bは、ウエハWやレジストRの上面よりも下側ステージ30側に設けてもよい。具体的に例えば、遮光部20,20a,20bを、ステージ30上に直接的に形成し、その内側にウエハWを載置してもよい。ただしこの場合、遮光部20,20a,20bの内側や上方にウエハWが存在するため、遮光部20,20a,20bは、照射された光を十分に吸収するか、照射された光を外側に反射する必要がある。なお、遮光部20,20a,20bを、ウエハWと光照射部10との間に配置すると、遮光部20,20a,20bが反射した光がウエハWに照射されることが抑制される。そのため、遮光部20,20a,20bによって、効果的に光を遮ることが可能になる。[5]遮光部20,20a,20bの平面視における形状は、開口部21,21a,21bを備える限り、どのような形状であってもよい。また、支持部50,50aは、ウエハWの挿入及び取り出しを妨げない限り、遮光部20,20aの外縁に沿った位置に限らずどの部分に設けてもよい。さらに、支持部50,50aは、必ずしも連続して一体となる必要はなく、いくつかに分断されていてもよい。[6]照射位置移動部40,40bは、ステージ30を駆動することで、ウエハW内の光の照射位置を移動させるものとしたが、これに加えてまたは代えて、光照射部10の少なくとも一部を駆動することで、ウエハW内の光の照射位置を移動させてもよい。"