"レーザ光のエネルギー密度の低い部分をスリットによって遮断し、且つエネルギー密度の高い部分を前記スリットを通過させ、前記スリットにおける像を凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズを用いて半導体膜の表面に投影することによって、前記半導体膜の表面に線状ビームを照射する半導体装置の作製方法であって、前記線状ビームの走査位置を、前記線状ビームの長辺方向に前記線状ビームの幅ずつずらすことを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1において、前記線状ビームを照射することによって、前記半導体膜の結晶化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1又は請求項2において、前記線状ビームを照射することによって、前記半導体膜に含まれる不純物元素の活性化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記スリットと前記凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズとの間隔M1及び前記凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズと前記半導体膜の表面との間隔M2は、下記の式1及び式2の関係を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。M1=fsD/D式1M2=fsD/s式2但し、前記式1及び前記式2において、sは前記スリットの幅、Dは前記半導体膜の表面における前記線状ビームの長辺方向の長さ、fは前記凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズの焦点距離である。請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、少なくとも前記線状ビームの長辺方向の端部が照射された前記半導体膜を用いてTFTを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項5に記載の前記TFTを電子機器に用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項6に記載の前記電子機器は、IDチップであることを特徴とする半導体装置の作製方法。レーザ発振器と、前記レーザ発振器から射出されたレーザ光のエネルギー密度の低い部分を遮断し、且つ前記エネルギー密度の高い部分を通過させるスリットと、前記スリットにおける像を照射面に投影する凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズと、を有し、前記像を投影することで前記照射面に照射される線状ビームの走査位置を、前記線状ビームの長辺方向に前記線状ビームの幅ずつずらすことを特徴とするレーザ照射装置。請求項8において、前記レーザ発振器は、CWレーザ発振器であることを特徴とするレーザ照射装置。請求項8において、前記レーザ発振器は、パルスレーザ発振器であることを特徴とするレーザ照射装置。請求項10において、前記パルスレーザ発振器は、繰り返し周波数が10MHz以上のモードロックパルス発振のレーザ発振器であることを特徴とするレーザ照射装置。請求項8乃至請求項11のいずれか一項において、前記スリットと前記凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズとの間隔M1及び前記凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズと前記照射面との間隔M2は、下記の式1及び式2の関係を満たすことを特徴とするレーザ照射装置。M1=fsD/D式1M2=fsD/s式2但し、前記式1及び前記式2において、sは前記スリットの幅、Dは前記照射面における前記線状ビームの長辺方向の長さ、fは前記凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズの焦点距離である。前記したとおりガウス分布に起因する短所を回避するための手法であるトップフラットにする手法にも問題点があり、そのようなことからガウス分布に起因する短所を回避するための別な手法を本発明者らは開発し、既に特許出願した特願2004-58378。それは、レーザ光が照射される前にスリットを用いて、ガウス分布の裾部分を遮断する手法である。この方法は、結晶性不良領域が形成される部分の弱いレーザ光のみを遮断し、大粒径結晶領域のみのレーザ光を用いることで、結晶性不良領域を減らすことを可能とするものであるが、この手法でも、レーザ光がスリットを通過することにより照射面において回折による縞が現れ、結晶性不良領域の形成を完全には回避できないことがわかった。本発明者らは、レーザ光のエネルギー強度の弱い、ガウス分布の裾部分をスリットによって遮断して線状レーザ光によりレーザアニールする手法において、回折による縞の出現を回避する技術を開発すべく鋭意研究開発に努め、その結果、開発に成功したのが本発明である。したがって、本発明は、レーザ光のエネルギー密度の低い部分をスリットにより遮断し、かつ光の回折による縞を照射面において発生させることなく、照射面上に均一強度の線状ビームを照射する、非結晶質半導体膜の結晶化等に好適なレーザアニール方法及びレーザアニール装置を提供することを解決すべき課題、すなわち目的とするものである。また、本発明は、回折により生ずる縞に基づく結晶性不良領域のない結晶性半導体膜、それを具備するTFTを簡便な手法で製造する方法及び装置を提供することを課題とするものである。さらに、これらを簡潔に言えば、本発明は回折による縞を生じさせることなく、簡便な手法でレーザアニールの際の結晶性不良領域を無くすことをも課題とするものである。本発明の前記した解決すべき課題との関連で、まず縞を出現させることになる回折が起こる現象について説明する。スリットと像面の距離をLとし、波数はk、波長はλとし、幅wのスリット状開口に、平面波が入射した際に生ずるフラウンホーファー回折像について考察する。この際スリット面における光の変位を開口での座標ξ、ηの関数として下記式A-1で表す。また、その際における光の変位像面における複素振幅uは、xの関数として下記式A2で表すことができ、光強度Iは、下記式A3となる。なお、このときスリットの中心をx=0とする。さらに、長さの逆数であるXは、下記式A4となる。そして、これらの関数で与えられる強度分布は、X=0で最大値1をとり、大部分のレーザ光が中心部に集中する。この中心部分のピークを0次回折光と呼び、これはスリットから光軸に沿って直進してきた光に相当する。中心の周辺にある明るい部分は順に、±1次、±2次、の回折光と呼ばれる。±m次回折光のm≠0強度が極大値をとる位置は、下記に示すほぼ式A5となり、これを変換すると式Azとなる。本発明は、前記したとおりレーザ光のエネルギー密度の低い部分を遮断し、かつ光の回折による縞を照射面において発生させることなく、線状レーザ光を照射面に照射することができる、照射面上に線状ビームを照射する、非結晶質半導体膜の結晶化等に好適なレーザアニール方法及びレーザアニール装置を提供するものである。そのレーザアニール方法には、大別して2つの方法があり、第1の方法は、レーザ発振器から射出されたレーザ光をスリットを通過させてエネルギー密度の低い部分を遮断し、該レーザ光の通過線上でスリットにできた像を凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズによって照射面に投影し、照射することを特徴とするものである。その際、好ましくはスリットと凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズとの間隔M1及び凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズと照射面との間隔M2が下記の式1及び式2の関係を満たすようにそれらを配置するのがよい。M1=fsD/D式1M2=fsD/s式2但し、前記式において、sはスリットの幅、Dは線状ビームの長辺方向の長さ、fは凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズの焦点距離である。これにより、スリットにおける像が凸型シリンドリカルレンズによって照射面に投影される。そのスリットにおける像は式A4において、L=0の場合に相当するため、この位置では回折による縞は発生しない。したがって、スリットの像を投影される照射面においても、縞は発生しない。第2の方法は、レーザ発振器から射出されたレーザ光をミラーにより所定角度傾斜した方向から入射し、第1の凸型球面レンズを通過させて非点収差により線状のレーザ光を形成し、その後スリットで該線状レーザ光のエネルギー密度の低い部分を遮断し、スリットにおける線状レーザ光の像を第2の凸型球面レンズを用いて投影できる位置に配置した照射面に照射することを特徴とするものであり、好ましくはスリットと第2の凸型球面レンズとの間隔M1及び第2の凸型球面レンズと照射面との間隔M2が下記式1及び式2の関係を満たすようにそれらを配置するのがよい。M1=fsD/D式1M2=fsD/s式2但し、前記式において、sはスリットの幅、Dは線状ビームの長辺方向の長さ、fは第2の凸型球面レンズの焦点距離である。そして、レーザアニール装置も、レーザアニール方法と同様に2つに大別でき、第1のレーザアニール装置は、レーザ発振器、該発振器から射出されたレーザ光を通過させエネルギー密度の低い部分を遮断するスリット、及び該低い部分を遮断された該レーザ光の通過線上でスリットにできた像を照射面に投影する凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズを備えたことを特徴とするものであり、好ましくはスリットと凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズとの間隔M1、及び凸型シリンドリカルレンズ又は凸型球面レンズと照射面との間隔M2が前記した式1及び式2の関係を満たすようにそれらを配置するのがよい。第2のレーザアニール装置は、レーザ発振器、該発振器から射出されたレーザ光を凸型球面レンズに導く所定角度傾斜させたミラー、該ミラーにより反射されたレーザ光を通過させ非点収差により線状レーザ光を形成する第1の凸型球面レンズ、該線状レーザ光のエネルギー密度の低い部分を遮断するスリット、及び該スリットにおける線状レーザ光の像を照射面に投影する第2の凸型球面レンズを備えたことを特徴とするものであり、好ましくは該スリットと該第2の凸型球面レンズとの間隔M1及び該第2の凸型球面レンズと該照射面との間隔M2が前記した式1及び式2の関係を満たすようにそれらを配置するのがよい。本発明は、スリットを用いてレーザ光のエネルギー密度の低い部分を遮断し、該低い部分を遮断された該レーザ光の通過線上でスリットにできた像をレンズを用いて照射面に投影するものであり、それによりスリットにおける光の回折による干渉縞の出現を照射面において回避できる。そのため照射面上に光の回折による干渉縞のない線状のレーザビームを照射することができ、非結晶質半導体膜の結晶化等において好適なレーザアニールを行うことができる。また、本発明を利用することにより結晶性の均一なTFT等の半導体装置を簡便に製造することができる。以下において、本発明について、発明を実施するための最良の形態を含む実施の形態に関し説明するが、本発明は、それによって何ら限定されるものではなく特許請求の範囲の記載によって特定されるものであることはいうまでもない。本発明は、前記したとおりの発明特定事項を有するものであり、その特徴を簡単にいえば、それはスリットを用いてレーザ光のエネルギー密度の低い部分を遮断し、その低い部分を遮断されたレーザ光の通過線上でスリットにできた像をレンズにより照射面に投影することである。また、本発明は、前記したとおり凸型シリンドリカルレンズを用いる第1のレーザアニール方法と凸型球面レンズを用いる第2レーザアニール方法の2種の態様に大別することができ、さらに、第1のレーザアニール方法には、図1、2に図示する実施例1の照射面に対してレーザ光が垂直入射する場合と、図3に図示する実施例2の同面に斜め入射する場合の2つの態様がある。そのスリットを入れる位置については、投影手段として用いるレンズの焦点距離、スリットの幅及び投影倍率により決まる。スリットの位置は式AzにおいてL=0に相当するため、スリットにできた像をレンズを用いて転送し、完全に投影することができれば、高次の回折光を限りなく小さくすることができる。したがって、前記スリット、レンズ及び照射面の位置関係が適切な位置でのみ回折による縞を照射面に伝達することなく、大粒径結晶領域を作製することが可能となる。すなわち、線状レーザ光のエネルギー密度が不均一となる回折光による縞を照射面に形成することなく、レーザ照射を行うことができる。本発明において使用するレーザ発振器については特に制限されることはなく、パルス発振あるいは連続発振のいずれのレーザ発振器も使用することができ、パルス発振のレーザ発振器としては、エキシマレーザ、YAGレーザあるいはYVO4レーザ等が例示でき、連続発振のレーザ発振器としてはArレーザ、YVO4レーザあるいはYAGレーザ等を例示できる。本発明においては、レーザ発振器から射出されたレーザ光は、スリットに直進させてもよいが、レーザ発振器とスリットの間にミラーを配置し、レーザ光の進行方向を偏向してスリットに導くほうが光学調整が正確にできるので好ましい。そのレーザ発振器に連続発振するレーザを用いると、半導体膜内に形成される結晶の粒径が大きくなって、該半導体膜を用いて形成されるTFTチャネル領域に入る粒界の数が減り、その結果キャリア移動度が高くなり、より高性能なデバイスの開発に利用でき好ましいが、特に固体レーザを用いると更にレーザ出力安定の点で好ましい。また、CW連続発振レーザに用いられる固体のレーザ媒質から発振する波長は、一般的に赤から近赤外域であり、これらの波長域は半導体膜への吸収効率が低いため、非線形光学素子を用いて可視域以下の波長を持つ高調波に変換するのがよい。なお、その際には大出力を得やすい近赤外の基本波を第二高調波であるグリーンのレーザビームに変換するのが最も変換効率が高くよい。本発明において使用するスリットについても特に制限されることはなく、スリットを通過した際にエネルギー密度の低い部分を遮断できれば各種の構造あるいは形状のものが使用でき、それには、反射体、吸収体あるいはプリズム等が例示できるが、耐久性の点で反射体が好ましい。同じく使用する凸型シリンドリカルレンズについても特に制限されることはなく、一方向にのみ伸びる長尺状のビームを形成することができるものであれば、各種の構造あるいは形状のものが使用できる。そのような凸型シリンドリカルレンズとしては、凸面が入射側、出射側のいずれか一方に形成されているものでもよく、両方に形成されているものでも勿論よいが、低収差、精度の点で入射側に凸面が形成されているものがよい。本発明の第2のレーザアニール方法及び装置においては、第1のレーザアニール方法及び装置で使用する凸型シリンドリカルレンズではなく、凸型球面レンズを使用するものであり、凸型球面レンズはその場合にも特に制限されることはなく、スリットで形成された長尺状のレーザ光を照射面に投影できるものであれば各種の構造あるいは形状のものが使用でき、その凸面の形成形態については、凸型シリンドリカルレンズと同様に入射側、出射側のいずれか一方、あるいは両方に形成されていてもよい。なお、本発明の第2のレーザアニール方法及び装置については、図4及び5に図示し、実施例3において詳述する。次に、本発明について、発明を実施するための最良の形態に関し、図1を用いて、その概要をまず説明する。図1において、レーザ光は、CWあるいは繰り返し周波数が10MHz以上のモードロックパルス発振のレーザ発振器101から射出され、そのレーザ光はスリット102によってレーザ光のエネルギー密度が低い部分を遮断され、ミラー103によって半導体膜106の方向に偏向される。その偏向されたレーザ光は一方向にのみ作用する凸型シリンドリカルレンズ発明を実施するための最良の形態の欄における以下の記載及び実施例の記載においては、特に必要が無い限り、単にシリンドリカルレンズという104によって、スリット102の像を長尺状にして照射面である半導体膜106上に投影する。そのシリンドリカルレンズは、前記したとおり一方向にのみ作用するものであるから、先のレーザ光はシリンドリカルレンズ104と90度回転した一方向にのみ作用するシリンドリカルレンズ105によって集光され、半導体膜106に照射される。なお、その際には、シリンドリカルレンズ104は照射面における線状ビームの長辺方向にのみ作用し、シリンドリカルレンズ105は短辺方向にのみ作用するものである。すなわち、シリンドリカルレンズ104によって長辺方向の長さを変更されたレーザ光は、シリンドリカルレンズ105によっては長辺方向の長さが変化することはなく、短辺方向の長さのみが変化することになる。これらに関し、図2を用いて更に詳しく説明する。この図2における番号についても図1で用いたものと共通の番号を使用する。図2は図1における上面図であり、そこでは照射面における線状ビームの長軸方向に作用する光路を示しており、図2は、図1における側面図であり同ビームの短軸方向を示している。レーザ発振器101から射出したレーザ光はスリット102によってレーザ光の一部を遮られ、レーザ光の強度が強い部分のみが通過する。通過したレーザ光はシリンドリカルレンズ104によってスリット102でできた像を半導体膜106に投影するものである。ここで、本発明で採用するシリンドリカルレンズ104とスリット102及び照射面となる半導体膜106との間の位置関係について式を使用して詳しく説明する。その際に使用する記号は以下のとおりである。シリンドリカルレンズ104の焦点距離をfとし、スリット102の幅をsとする。このとき、スリット102とシリンドリカルレンズ104との間隔をM1とし、シリンドリカルレンズ104と半導体膜106との間隔をM2とする。また、照射面となる半導体膜106上での長辺方向の長さをDとする。これら記号を使用すると、前記位置関係については次の2式が成り立つ。s/D=M1/M2式a1/f=1/M11/M2式bさらに、これら2式より下記式の関係が成り立つ。M1=fsD/D式1M2=fsD/s式2したがって、これらの関係を満たす位置にスリット、シリンドリカルレンズ、照射面を配置することで、回折による光の強弱は半導体膜に伝達されなくなる。これにより、結晶性不良領域を形成することがほとんどないレーザ照射が可能となり、これらの関係を満たすことは好ましい。さらに、シリンドリカルレンズの代わりに同じ焦点距離fを持つ凸型球面レンズを使ってもよい。なお、その際には凸型球面レンズは線状ビームの短辺方向にも作用するため、それを補償するレンズを加えて使用するのがよい。そして、本発明においては、前記に加えてシリンドリカルレンズを用いることなく、凸型球面レンズを用いる図4及び図5に図示する第2レーザアニール方法もあるが、その場合にも同様の関係が成り立つ。すなわち、実施例3において述べるように、スリット404、第2の凸型球面レンズ405及び半導体膜406の位置関係について同様の関係が成り立つ。具体的には、スリット404と第2の凸型球面レンズ405との間隔M1、第2の凸型球面レンズ405と半導体膜406との間隔M2の位置関係には、前記式1及び2の関係が成り立つ。但し、その場合には前記式においてfは第2の凸型球面レンズの焦点距離である。続いて、図1に基づいて、本発明によるレーザアニールについて説明にする。照射面となる半導体膜106を成膜したガラス基板107を、100~1000mm/secの速度で移動させることができるXステージ108及びYステージ109上に設置し、レーザ発振器101から射出されたレーザ光を照射しながら適切な速度にて走査移動させることにより、本発明では基板全面に大粒径結晶を作製するものである。本発明者らの経験から予想される最適な走査速度は、400mmsec前後である。このような手法で大粒径結晶を形成した半導体膜は、その後周知の手段を使用することによりTFTを作製することができ、高速デバイスを作製することができる。以下において、本発明に関し実施例1ないし5を挙げて更に具体的に説明するが、本発明はこれら実施例によってなんら限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載によって特定されるものであることはいうまでもない。まず、モードロックパルスレーザとシリンドリカルレンズ2枚を用いて垂直入射した場合について実施例1として以下に示す。モードロックパルスレーザとシリンドリカルレンズ2枚を用いた垂直入射の実施例この実施例1は、第1のレーザアニール方法及び装置の実施例であって、かつ強度の弱い部分を遮断されたレーザ光を照射面に垂直入射する実施例であり、これに関し再度図1を用いて説明する。この実施例においては、レーザ発振器101は、出力10W,繰り返し周波数80MHz、パルス幅10psec、波長532nm、ビーム径2.25mm、ビーム品質TEM00のモードロックパルスレーザ発振器を用いた。そこから射出したレーザ光は、スリット102によってレーザ光のエネルギー密度が低い部分を遮断され、ミラー103によってガラス基板107上に成膜された半導体膜106に対して垂直方向に偏向される。前記半導体膜106は、厚さ0.7mmのガラス基板107上にCVD装置を用いてa-Si膜を厚さ660Åに成膜した後に、該a-Si膜のレーザビームに対する耐性を向上させるために500度の窒素雰囲気下で1時間の炉アニールを行ったものを使用した。なお、前記スリット102の間隔は0.8mmとした。前記偏向されたレーザ光は、一方向にのみ作用するシリンドリカルレンズ104によって、スリット102の像を照射面である半導体膜106上に垂直に投影する。さらに、レーザ光はシリンドリカルレンズ104と凸面が90度回転した同じく一方向にのみ作用するシリンドリカルレンズ105によって集光され、半導体膜106に照射される。そのため、シリンドリカルレンズ104は照射面における線状ビームの長辺方向にのみ作用し、シリンドリカルレンズ105は短辺方向にのみ作用することになる。なお、照射面となる半導体膜106上に整形する線状ビームの長辺方向の長さは0.2mmとし、前記シリンドリカルレンズ104及び105は、焦点距離がそれぞれ150mm及び20mmのものを用いた。また、この実施例1では、超短パルスのレーザ光を用いているため、ガラス基板裏面からの反射光と入射光との光の干渉の影響を受けることがなく、半導体膜106上において結晶性の大きなばらつきが生ずることを回避できる。すなわち、この2つの光による干渉の影響を受けた場合、レーザ光の強弱が縞となって現れ、アニール後の半導体膜106上に結晶のばらつきが大きく生じる。これに関し、以下において更に言及する。前記したとおり該実施例1におけるレーザ光のパルス幅は10psecであり、1パルスのレーザ光がその間に進む距離は3mm程度である。この実施例ではガラス基板107は、厚さが0.7mmのものを使用しており、その結果入射光がガラス基板107の裏面で反射し、再びガラス基板107の表面に戻ってくるまでの距離は1.4mmとなり、入射光とガラス基板107の裏面からの反射光が同時に半導体膜106内に混在する時間は、パルス幅の約半分程度である。そのため、この実施例1では、光の干渉の影響を大きく受けることなくレーザアニールを行うことが可能となる。本発明では、シリンドリカルレンズ104とスリット102及び照射面となる半導体膜106との間の位置関係は、前記式1及び2を満たすことが好ましいことから、それを満たすために本実施例1においてもそれら位置関係は以下の通りとした。前記したとおりシリンドリカルレンズ104の焦点距離150mm、スリットの幅0.8mm、照射面となる半導体膜106上に整形する線状ビームの長辺方向の長さ0.2mmであるから、それらに基づいて前記1及び2を満たすために必要なスリット102とシリンドリカルレンズ104との間隔M1及びシリンドリカルレンズ104と半導体膜106との間隔M2を求めた。その結果は、以下の通りとなる。M1=fsD/D=150×0802/02=750mmM2=fsD/s=150×0802/08=1875mmしたがって、本実施例においては、これらの関係を満たす位置にスリット102、シリンドリカルレンズ104、照射面106を配置した。このように配置して、モードロックパルスレーザを放射し照射面である半導体膜上に照射したところ、回折による縞は伝達されなくなり、レーザ光が均一に照射され大粒径結晶領域の幅が0.2mmで、結晶性不良領域が形成されることなく大粒径結晶がむら無く均一に形成された。その結果、本実施例1では結晶性不良領域がほとんど形成されないレーザ照射が可能となった。また、本実施例において、半導体膜106を成膜したガラス基板107を、Xステージ108及びYステージ109上に設置し、400mm/secの速度で走査移動させることにより基板全面に大粒径結晶を作製できた。このような手法で大粒径結晶を形成した半導体膜は、その後周知の手段を使用することによりTFTを作製することができ、高速デバイスを作製することができる。CWレーザとシリンドリカルレンズ2枚を用いた斜め入射の実施例この実施例2も第1のレーザアニール方法及び装置の実施例であり、この実施例においても実施例1と同様にシリンドルカルレンズを用いているが、レーザ発振器に実施例1とは異なるCWレーザを用いており、それに伴って実施例1とは異なる態様となっている。すなわち、この実施例2は、第1のレーザアニール方法及び装置の実施例ではあるが、実施例1とは別な態様のものであって、エネルギー密度の低い部分を遮断されたレーザ光は照射面に斜めに入射するものであり、この実施例2に関し図3を用いてまず説明する。本実施例においては、レーザ発振器301は、出力10W、波長532nm、ビーム径2.25mm、ビーム品質TEM00のCWレーザ発振器を用いた。そこから射出したレーザ光は、スリット302によってレーザ光のエネルギー密度が低い部分を遮断され、ミラー303によってガラス基板307上に成膜された半導体膜306の面に対して斜めの方向に偏向される。前記半導体膜306は、厚さ0.7mmのガラス基板307上にCVD装置を用いてa-Si膜を厚さ660Åに成膜した後に、該a-Si膜のレーザビームに対する耐性を向上させるために500度の窒素雰囲気下で1時間の炉アニールを行ったものを使用した。なお、前記スリット302の間隔は0.8mmとする。その偏向されたレーザ光は、一方向にのみ作用するシリンドリカルレンズ304によって、スリット302の像を照射面である半導体膜306上に斜めに投影する。さらに、レーザ光はシリンドリカルレンズ304と90度回転した同じく一方向にのみ作用するシリンドリカルレンズ305によって集光され、半導体膜306に照射される。そのため、シリンドリカルレンズ304は照射面における線状ビームの長辺方向にのみ作用し、シリンドリカルレンズ305は短辺方向にのみ作用する。なお、照射面となる半導体膜106上に整形する線状ビームの長辺方向の長さは0.2mmとし、前記シリンドリカルレンズ304及び305は、焦点距離がそれぞれ150m及び20mmのものを用いた。本発明では、シリンドリカルレンズ304とスリット302及び照射面となる半導体膜306との間の位置関係は、前記式1及び2を満たすことが好ましいことから、それを満たすために本実施例2においてもそれら位置関係は以下の通りとした。すなわち、シリンドリカルレンズ304の焦点距離150mm、スリットの幅0.8mm、照射面となる半導体膜306上に整形する線状ビームの長辺方向の長さ0.2mmであるから、それらに基づいて前記1及び2を満たすために必要なスリット302とシリンドリカルレンズ304との間隔M1及びシリンドリカルレンズ304と半導体膜306との間隔M2を実施例1の場合と同様に求めた。その結果は、実施例1の場合と同様であり、下記のとおりとなる。M1=fsD/D=150×0802/02=750mmM2=fsD/s=150×0802/08=1875mmしたがって、本実施例においては、これらの関係を満たす位置にスリット、シリンドリカルレンズ及び照射面を配置した。このように配置して、CWレーザを放射し照射面である半導体膜上に照射したところ、回折による縞は伝達されなくなり、レーザ光が均一に照射され大粒径結晶領域の幅が0.2mmで、結晶性不良領域が形成されることなく大粒径結晶が均一に形成された。その結果、本実施例2では結晶性不良領域がほとんど形成されないレーザ照射が可能となった。そして、この実施例2においては、レーザ発振器はCWレーザを用いており、そのためガラス基板307の裏面からの反射光と、レーザ入射光とが半導体膜306上で干渉することを避けるために、反射光と入射光が半導体膜306上で重なり合わないように、レーザ光を半導体膜306に対してある一定の角度以上を持って入射させる必要がある。その際には、レーザ光の入射方向におけるビームスポットの長さをl、レーザ光の入射角度をθ、ガラス基板の厚さをdとすると、レーザ光の入射角度は下記式を満たすようにするのが好ましく、本実施例では前記入射角度θを20度とした。なお、本実施例は、この点において実施例1とは異なっており、この点は本実施例の特徴点ともなっているが、逆にこの点の存在ゆえに第1のレーザアニール方法であるにもかかわらず、実施例1とは別の態様となっている。また、本実施例において、半導体膜306を成膜したガラス基板307を、Xステージ308及びYステージ309上に設置し、400mm/secの速度で走査移動させることにより基板全面に大粒径結晶を作製できた。このような手法で大粒径結晶を形成した半導体膜は、その後周知の手段を使用することによりTFTを作製することができ、高速デバイスを作製することができる。モードロックパルスレーザと凸型球面レンズ2枚を用いた斜め入射の実施例この実施例3は、シリンドルカルレンズに代わって、凸型球面レンズを用いる第2のレーザアニール方法及び装置の実施例であり、これについて図4を用いて説明する。本実施例においては、レーザ発振器401は、出力10W、繰り返し周波数80MHz、パルス幅10psec、波長532nm、ビーム径2.25mm、ビーム品質TEM00のモードロックパルスレーザ発振器401を用いた。そこから射出したレーザ光は、まずミラー402によって偏向される。その偏向されたレーザ光は、焦点距離20mmの第1の凸型球面レンズ403に斜め方向より入射することで、レンズの非点収差によりスリット404上において線状となる。この線状となったレーザ光のスポットサイズは、短軸方向に0.04mm、長軸方向に1mmである。そのスリット404の間隔を長軸方向に0.8mmとし、このスリットにより線状ビームの両端のエネルギー密度が低い部分を遮断する。その遮断されたレーザ光を焦点距離40mmの第2の凸型球面レンズ405を用いて半導体膜406上に4分の1の大きさで縮小投影し、半導体膜406上において短軸10μm、長軸200μmの線状ビームを形成する。これらに関し、実施例3の光学系の概略図を示す図5を用いて更に詳しく説明する。この図5における番号についても図4で用いたものと共通の番号を使用する。図5は図4における上面図であり、そこでは照射面における線状ビームの長軸方向に作用する光路を示しており、図5は、図4における側面図であり同ビームの短軸方向を示している。前記照射面に配置される前記半導体膜406は、厚さ0.7mmのガラス基板407上にCVD装置を用いてa-Si膜を厚さ660Åに成膜した後に、該a-Si膜のレーザビームに対する耐性を向上させるために、予め500度の窒素雰囲気下で1時間の炉アニールを行ったものを使用した。本実施例では、前記したとおり超短パルスのレーザ光を用いており、その結果ガラス基板裏面からの反射光と入射光との光の干渉による悪影響を受けることはない。なお、この光の干渉の影響を受けた場合、レーザ光の強弱が縞となって現れ、アニール後の半導体膜406上に結晶のばらつきが大きく生じる。この実施例における、前記光の干渉に関し、詳述すると以下のとおりである。本実施例においては、レーザ光のパルス幅は10psecであることから、1パルスのレーザ光が10psecの間に進む距離は3mm程度である。また、本実施例では、ガラス基板407の厚さは0.7mmとしており、入射光がガラス基板407の裏面で反射し、再びガラス基板407の表面に戻ってくるまでの距離は1.4mmであり、入射光とガラス基板407の裏面からの反射光が同時に半導体膜406内に混在する時間は、パルス幅の約半分程度である。そのため光の干渉の影響を大きく受けることなくレーザアニールが可能となる。本発明の第2のレーザアニール方法及び装置においては、第2の凸型球面レンズ405とスリット404、及び第2の凸型球面レンズ405と照射面となる半導体膜406との間の位置関係は、前記したとおり前記した式1及び2を満たすことが好ましいことから、それを満たすために本実施例3においてもそれら位置関係は以下の通りとした。前記したとおり第2の凸型球面レンズ405の焦点距離40mm、スリットの幅は0.8mm、照射面となる半導体膜406上で整形したい線状ビームの長辺方向の長さ0.2mmであるから、それらに基づいて前記した式1及び2を満たすために必要なスリット404と第2の凸型球面レンズ405の間隔M1及び第2の凸型球面レンズ405と半導体膜406の間隔M2を実施例1及び実施例2の場合と同様に求めた。その結果は、下記のとおりとなる。M1=fsD/D=40×0802/02=200mmM2=fsD/s=40×0802/08=50mmしたがって、本実施例においては、これらの関係を満たす位置にスリット、第2の凸型球面レンズ及び照射面を配置した。このように配置して、モードロックパルスレーザを放射し照射面である半導体膜上に照射したところ、回折による縞は伝達されなくなり、レーザ光が均一に照射され大粒径結晶領域の幅が0.2mmで、結晶性不良領域が形成されることなく大粒径結晶がむら無く均一に形成された。その結果、本実施例3では結晶性不良領域がほとんど形成されないレーザ照射が可能となった。また、本実施例においても、半導体膜406を成膜したガラス基板407を、Xステージ408及びYステージ409上に設置し、400mm/secの速度で線状ビームの短辺方向に走査移動させることにより基板全面に大粒径結晶を作製できた。このような手法で大粒径結晶を形成した半導体膜は、その後周知の手段を使用することによりTFTを作製することができ、高速デバイスを作製することができる。本実施例4では、上記実施の形態又は実施例で示したレーザ照射方法を用いて、半導体膜の結晶化を行った場合の実施例であり、これについて以下に説明する。また、比較例として従来のレーザ照射方法を用いて結晶化を行った場合も示す。本実施例においては、上記実施例1と同様に第1のレーザアニール方法及び装置を用い図1参照、かつ強度の弱い部分を遮断したレーザ光を照射面に垂直入射する方法を用いた。ここでは、レーザ発振器として、出力10W、繰り返し周波数80MHz、パルス幅10psec、波長532nm、ビーム径1.00mm、ビーム品質TEM00のモードロックパルスレーザ発振器を用いた。結晶化を行う半導体膜は、厚さ0.7mmのガラス基板上にCVD装置を用いてa-Si膜を厚さ66nmに成膜した後、窒素雰囲気下で500°C、1時間の熱処理を行ったものを使用した。なお、熱処理は当該a-Si膜のレーザビームに対する耐性を向上させるために行った。その際に用いるレーザ照射装置の光学系の構成は実施例1と同様とし、レーザ発振器から射出されたレーザ光を、スリットを通過させ、それぞれ一方向のみに作用する第1のシリンドリカルレンズと第2のシリンドリカルレンズを介して半導体膜表面に垂直に照射させた。なお、第1のシリンドリカルレンズは照射面における線状ビームの長辺方向にのみ作用し、第2のシリンドリカルレンズは短辺方向にのみ作用するものとする。そのスリットの幅、スリットと第1のシリンドリカルレンズとの間隔、第1のシリンドリカルレンズと半導体膜との間隔が上記実施の形態で示した式1及び式2を満たすように配置した。ここでは、スリットの間隔を0.8mmとし、前記第1のシリンドリカルレンズと第2のシリンドリカルレンズとして、焦点距離がそれぞれ150mm及び20mmのものを用い、半導体膜上に照射されたビームスポットの長辺方向の長さを250μmとした。そして、半導体膜が設けられたガラス基板を、Xステージ及びYステージ上に設置し、400mm/secの速度で走査移動させることにより半導体膜の結晶化を行った。このときの半導体膜の表面の像を図8に示す。その図8の像より、上記レーザ照射装置を用いて半導体膜の結晶化を行った場合、レーザ光が照射された領域の全面に大粒径結晶領域が形成されているのが観察された。ここでは幅250μmの大粒径結晶が形成された。また、上記レーザ照射方法で行った場合と比較するために、上記方法とは異なるレーザ照射方法により半導体膜の結晶化を行った。ここでは、スリットを設けずに2枚のシリンドリカルレンズを用いて半導体膜にレーザ光を照射することにより結晶化を行った。このときの半導体膜の表面の像を図9に示す。ここでは、図8と同様に半導体膜上に幅250μmの大粒径結晶が形成される条件でレーザ発振器の出力及びシリンドリカルレンズの配置を調整した。その図9において、半導体膜表面に幅250μmの大粒径結晶領域が形成されているが、レーザ光を照射した領域の両端には結晶性不良領域が形成されているのが観察された。これは、半導体膜に照射されるレーザ光はガウス型の強度分布を持っているため、レーザ光のエネルギー密度の低い部分ビームスポットの両端部では、レーザ照射によって半導体膜を十分に溶融させることができない。つまり、スリットを設けない方法では、半導体膜に照射されるレーザ光はガウス型の強度分布を有しているため、強度の強いレーザ光が照射された部分では半導体膜を十分に溶融させることができるが、強度の弱いレーザ光が照射された部分では、半導体膜を十分に溶融させることができないため、結晶性不良領域が形成される。それに対して、本実施例のレーザ照射方法では、スリットを通過したレーザ光を特定の条件を満たすように配置したレンズを介して半導体膜に照射するため、レーザ光の回折による縞の発生を防ぎ、スリットを設けないレーザ照射方法に比べて結晶性不良領域を縮小することができる。そして、図8、9で示したように、同じ幅を有する大粒径結晶領域を形成する場合、従来の方法図9だと結晶性領域の両端部に幅の広い結晶性不良領域が形成される。そのレーザを照射した半導体膜を用いてTFTを作製する場合、このような結晶性不良領域をTFTの活性層に用いると電気特性のばらつきや動作不良の原因となる。従って、結晶性不良領域を避けてTFTを形成する必要があり、幅の広い結晶性不良領域の存在は高集積化を妨げる要因となる。他方、本実施例のレーザ照射方法を用いた場合には、図8に示すように大粒径結晶領域の両端部に結晶性不良領域がほとんど形成されない。そのため、基板上にほとんど隙間無くTFTを形成することができ、TFTを高集積化することが可能である。また、本実施例のレーザ照射方法を用いた場合、従来のレーザ照射方法により結晶化した場合に比べて、線状ビームのエネルギー密度分布のバラツキが小さいため、大粒径結晶領域の結晶性のばらつきが改善されている。そのため、本実施例のレーザ照射方法を用いることにより、TFT特性のばらつきが少なくなり、デバイス特性を向上させることが可能である。前記のとおりであり、本実施例のようにスリットと2枚のシリンドリカルレンズと高出力のレーザ発振器を組み合わせて用いることで結晶性不良領域を拡大することなく大粒径結晶領域を拡大でき、半導体膜表面に結晶の大きなばらつきを生じさせることなく幅の広い大粒径結晶領域を作製することが可能である。したがって、本実施例のレーザ照射装置を用いた場合、TFT特性を向上させ、TFTを高集積化することが可能となる。なお、本実施例ではガラス基板上にa-Si膜を成膜した基板にレーザ照射を行ったが、基板の構成は本実施例の形状に限定されない。本発明の光学系はスリットを用いて一定の大きさの線状ビームを半導体膜表面に形成しているため、照射対象になるものが変わっても大粒径結晶領域の幅は変化しない。例えば、下地膜を有するガラス基板上にa-Si膜を成膜した基板にレーザ照射を行ってもよいし、あるいは基板上に剥離層、下地膜、a-Si膜の順に形成した基板にレーザ照射しても幅の広い大粒径結晶領域を作製することが可能である。TFTを作製するための実施例この実施例においては、本発明によるレーザアニール装置を用いて、薄膜トランジスタTFTを作製する工程について、図6を用いて説明する。まず、図6Aに示すように、絶縁表面を有するガラス基板700上に下地膜701を形成する。その基板700には、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、SUS基板等を用いることができる。また、PET、PES、PENに代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板は、一般的に他の基板と比較して耐熱温度が低い傾向にあるが、作製工程における処理温度に耐え得るのであれば用いることができる。下地膜701は、ガラス基板700中に含まれるNaなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が、半導体膜中に拡散し、半導体素子の特性に悪影響を及ぼすのを防ぐために設ける。そのため、アルカリ金属やアルカリ土類金属の半導体膜中への拡散を抑えることができる酸化珪素や、窒化珪素、窒化酸化珪素などの絶縁膜を用いて形成する。本実施例では、プラズマCVD法を用いて窒化酸化珪素膜を10~400nmの膜厚になるように成膜した。ガラス基板又はプラスチック基板のようにアルカリ金属やアルカリ土類金属が多少なりとも含まれている基板を用いる場合、不純物の拡散を防ぐという観点から下地膜を設けることは有効であるが、石英基板など不純物の拡散がさして問題とならない場合には必ずしも設ける必要はない。その下地膜上には、続いて非晶質半導体膜702を形成するが、その膜厚は25~100nm好ましくは30~60nmとする。また、非晶質半導体膜は、珪素やシリコンゲルマニウムを用いることができるがここでは珪素を用いる。シリコンゲルマニウムを用いる場合、ゲルマニウムの濃度は0.01~4.5atomic程度であることが好ましい。続いて、図6Bに示すように、本発明のレーザアニール装置を用いて非晶質半導体膜702にレーザ光を照射し、結晶化を行う。本実施例では、レーザ光として、10Wの第2高調波、TEM00の連続発振のNd:YVO4レーザを用いる。なお、スリット731、レンズ732を用いてレーザ光を加工することで非晶質半導体膜702の表面に形成される第1のビームスポットを短軸10μm、長軸500μmの矩形状とする。そのレーザ光は、非晶質半導体膜702の表面において、図6Bに示した矢印の方向に向かって走査する。そのレーザ光の照射により走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒が形成される。前記のように、走査方向に向かって長く延びた結晶の粒を形成することで、少なくともTFTのチャネル方向には結晶粒界のほとんど存在しない結晶性半導体膜703の形成が可能となる。また、スリット731を用いてレーザ光のエネルギー密度が低い部分を遮断し、レンズ732を用いて照射面に投影することによって、光の回折による縞のない均一強度の線状のレーザ光を照射することができる。その後、図6Cに示すように結晶性半導体膜703をパターニングし、島状の半導体膜704~707が形成され、島状の半導体膜704~707を用いてTFTに代表される各種の半導体素子が形成される。さらに、その島状の半導体膜704~707を覆うようにゲート絶縁膜708を形成する。そのゲート絶縁膜708には、例えば酸化珪素、窒化珪素または窒化酸化珪素等を用いることができる。その際の成膜方法には、プラズマCVD法、スパッタ法などを用いることができる。ここでは、スパッタ法を用いて、膜厚を30nm~200nmとして珪素を含む絶縁膜を形成する。次に、図示しないが、ゲート絶縁膜上に導電膜を形成しパターニングすることでゲート電極を形成する。その後、ゲート電極、又はレジストを形成しパターニングしたものをマスクとして用い、島状の半導体膜704~707にn型又はp型の導電性を付与する不純物を選択的に添加し、ソース領域、ドレイン領域、さらにはLDD領域等を形成する。上述の工程によって、Nチャネル型TFT710、712と、Pチャネル型TFT711、713を同一基板上に形成することができる図6D。続いて、それらの保護膜として絶縁膜714を形成する。この絶縁膜714については、プラズマCVD法又はスパッタ法を用い、厚さを100nm~200nmとして珪素を含む絶縁膜を用いて、単層又は積層構造として形成する。本実施例では、プラズマCVD法により膜厚100nmの酸化窒化珪素膜を形成した。その後、絶縁膜714上に、有機絶縁膜715を形成する。その有機絶縁膜715としては、SOG法によって塗布されたポリイミド、ポリアミド、BCB、アクリル等の有機絶縁膜を用いる。その絶縁膜715は、ガラス基板上900に形成されたTFTによる凹凸を緩和し、平坦化する意味合いが強いので、平坦性に優れた膜が好ましい。さらに、フォトリソグラフィ法を用いて、絶縁膜714及び有機絶縁膜715をパターン加工して、不純物領域に達するコンタクトホールを形成する。次に、導電性材料を用いて、導電膜を形成し、該導電膜をパターン加工して、配線716~723を形成する。その後、保護膜として絶縁膜724を形成すると、図6Dに図示するような半導体装置が完成する。なお、本発明のレーザアニール方法を用いた半導体装置の作製方法は、上述したTFTの作製工程に限定されない。本発明では、レーザ光の照射方法を用いて得られる結晶性半導体膜をTFTの活性層として用いることを特徴とする。その結果、素子間の移動度、閾値及びオン電流のばらつきを抑えることができる。なお、レーザ光は、本実施例で示した照射条件に限定されない。また、レーザ光による結晶化の前に、触媒元素を用いた結晶化工程を設けてもよい。その触媒元素としては、ニッケルNiを用いているが、その以外にもゲルマニウムGe、鉄Fe、パラジウムPd、スズSn、鉛Pb、コバルトCo、白金Pt、銅Cu、金Auといった元素を用いることができる。触媒元素を用いた結晶化工程の後に、レーザ光による結晶化工程を行うと、触媒元素による結晶化の際に形成された結晶が、レーザ光の照射により溶融されずに残存し、この結晶を結晶核として結晶化が進む。つまり、レーザ照射により半導体膜の上層部が溶けるが、下層部は溶けない。前記のとおりであり、半導体膜の下層部において溶けずに残った結晶が結晶核となり、半導体膜の下層部から上層部に向かって結晶化が進む。そのため、レーザ光による結晶化工程のみの場合に比べて、より半導体膜の結晶性を高めることができ、レーザ光による結晶化後の半導体膜表面の荒れが抑えられることもできる。したがって、後に形成される半導体素子、代表的にはTFTの特性のバラツキがより抑えられ、オフ電流を抑えることができる。なお、触媒元素を添加し加熱処理を行って結晶化を促進してから、レーザ光の照射により結晶性をより高めてもよいし、加熱処理の工程を省略してもよい。具体的には、触媒元素を添加してから加熱処理の代わりにレーザ光を照射し、結晶性を高めるようにしてもよい。本実施例では、半導体膜の結晶化に本発明のレーザ照射方法を用いた例を示したが、半導体膜にドーピングした不純物元素の活性化を行うために用いてもよい。また、本発明を用いた半導体装置の作製方法は、集積回路や半導体表示装置の作製方法にも用いることができる。ドライバやCPUなどの機能回路を用途としたトランジスタは、LDD構造又はLDDがゲート電極とオーバーラップする構造が好適であり、高速化のためには、トランジスタの微細化を図ることが好ましい。本実施例により完成されるトランジスタ710~713は、LDD構造を有するため、高速動作が必要な駆動回路に用いることが好適である。そして、本発明を用いることにより図6で示した薄膜トランジスタを用いて様々な電子機器を完成させることができる。その具体例について、図7を用いて説明する。図7Aは表示装置であり、筐体2001、支持台2002、表示部2003、スピーカー部2004、ビデオ入力端子2005等を含む。この表示装置は、図6に示した作製方法により形成した薄膜トランジスタをその表示部2003に用いることにより作製される。なお、表示装置には、液晶表示装置や発光装置などがあり、具体的には、コンピュータ用、TV放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。図7Bは、コンピュータであり、筐体2200、表示部2201、キーボード2203、外部接続ポート2204、ポインティングマウス2205等を含む。図6に示した作製方法を用いることにより、表示部2201やその他の回路への適用が可能である。さらに、本発明は本体内部のCPU,メモリなどの半導体装置にも適用が可能である。図7Cは携帯端末のうちの携帯電話、筐体2301、表示部2302等を含む。上記携帯電話を始めとするPDAやデジタルカメラなどの電子機器は携帯端末であるため、表示画面が小さい。従って、図6で示したような微細なトランジスタを用いてCPU等の機能回路を形成することによって、小型軽量化を図ることができる。また、本実施例で作製した薄膜トランジスタはIDチップとして利用ですることができる。例えば、図6に示した作製方法を用いることにより、IDチップ内の集積回路やメモリとしての適用が可能である。メモリとして用いた場合、商品の流通のプロセスを記録することができる。さらに、商品の生産段階におけるプロセスを記録しておくことで、卸売業者、小売業者、消費者が、産地、生産者、製造年月日、加工方法などを把握することが容易になる。以上の様に、本発明により作製された半導体装置の適用範囲は極めて広く、本発明により作製された半導体装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。"