"プラズマ電位測定対象プラズマに対して該プラズマ中のイオンの質量分析を行える質量分析器を配置すること、該質量分析器と該プラズマとの間に少なくとも二つの異なる電圧をそれぞれ印加して質量分析を実施し、該質量分析実施にあたっては、該少なくとも二つの異なる電圧の各電圧Vbごとに、該少なくとも二つの異なる電圧のうちの他の電圧の場合と同一のイオンを検出できる、該質量分析器に応じた質量分析条件Xを求めること及びプラズマ電位算出部において、かくして得た各電圧Vbと該電圧に対応する前記質量分析条件Xのデータに、予め導いておいた式Vb=aX2-VpVpは前記電位測定対象プラズマのプラズマ電位を回帰式として該回帰式を最小二乗法を用いてフィッティングさせることにより、該回帰式におけるa及びVpをそれぞれ算出させることで、該プラズマ電位Vpを求めさせ、併せてイオン種を同定するためのaを求めさせることを含むことを特徴とするプラズマ電位計測方法。前記質量分析器に対して該質量分析器と該プラズマとの間にイオン質量分析のための電圧を印加する電圧印加部及び該質量分析器に応じた質量分析条件Xを求めるための質量分析条件把握部を設け、該電圧印加部に前記質量分析器と前記プラズマとの間に前記少なくとも二つの異なる電圧をそれぞれ印加させて該質量分析器に質量分析を実施させ、該質量分析実施にあたっては、前記質量分析条件把握部に該少なくとも二つの異なる電圧の各電圧Vbごとに、該少なくとも二つの異なる電圧のうちの他の電圧の場合と同一のイオンを検出できる、該質量分析器に応じた質量分析条件Xを求めさせる請求項1記載のプラズマ電位計測方法。前記質量分析器はE×B型質量分析器であり、前記質量分析条件Xは電界強度Eと磁束密度Bとの比E/Bであり、前記回帰式におけるaは、該質量分析器により検出される同一イオンの質量をm、該イオンの価数をZ、該イオンの電荷素量をeとすると、m/Z/2eであり、前記Vb=aX2-Vpは、Vb=m/Z/2e×E/B2-Vpである請求項1又は2記載のプラズマ電位計測方法。前記質量分析器は磁場偏向型質量分析器であり、前記質量分析条件Xは磁束密度Bと該質量分析器によるイオンの飛行軌道半径rの積r×Bであり、前記回帰式におけるaは、該質量分析器により検出される同一イオンの質量をm、該イオンの価数をZ、該イオンの電荷素量をeとすると、Z/m×e/2であり、前記Vb=aX2-Vpは、Vb=Z/m×e/2×r×B2-Vpである請求項1又は2記載のプラズマ電位計測方法。電位測定対象プラズマに対して配置されべき、該プラズマ中のイオンの質量分析を行える質量分析器と、該質量分析器と該プラズマとの間に電圧を印加するための電圧印加部と、該質量分析器に応じた質量分析条件Xを求める質量分析条件把握部と、プラズマ電位算出部とを含んでおり、前記プラズマ電位算出部は、プラズマ電位を計測するにあたり前記電圧印加部から前記質量分析器と前記プラズマとの間に印加される少なくとも二つの異なる電圧のデータ及び前記質量分析条件把握部により求められる該少なくとも二つの異なる電圧の各電圧Vbごとの該質量分析器に応じた質量分析条件Xのデータを入力することができ、前記プラズマ電位算出部は、入力される各電圧Vbと該電圧に対応する前記質量分析条件Xのデータに、予め設定された式Vb=aX2-VpVpは前記電位測定対象プラズマのプラズマ電位を回帰式として該回帰式を最小二乗法を用いてフィッティングすることにより、該回帰式におけるa及びVpをそれぞれ算出することで、該プラズマ電位Vpを求め、併せてイオン種を同定するためのaを求めることができることを特徴とするプラズマ電位計測装置。前記電圧Vbとそれに対応する前記質量分析条件Xのデータを集める部分及び前記プラズマ電位算出部を含むプラズマ電位計測部が設けられており、該データを集める部分は、前記プラズマの電位を計測するにあたり、前記電圧印加部に、前記質量分析器と前記プラズマとの間に少なくとも二つの異なる電圧をそれぞれ印加させて該質量分析器に該プラズマ中のイオンの質量分析を実施させるとともに前記質量分析条件把握部に該少なくとも二つの異なる電圧の各電圧Vbごとに、該少なくとも二つの異なる電圧のうちの他の電圧の場合と同一のイオンを検出できる、該質量分析器に応じた質量分析条件Xを求めさせ、前記プラズマ電位算出部は、かくして得られる、各電圧Vbと該電圧に対応する前記質量分析条件Xのデータに、前記式Vb=aX2-Vpを最小二乗法を用いてフィッティングさせることにより、該式におけるa及びVpをそれぞれ算出することで、該プラズマ電位Vpを求め、併せてイオン種を同定するためのaを求める請求項5記載のプラズマ電位計測装置。前記質量分析器はE×B型質量分析器であり、前記質量分析条件Xは電界強度Eと磁束密度Bとの比E/Bであり、前記回帰式におけるaは、該質量分析器により検出される同一イオンの質量をm、該イオンの価数をZ、該イオンの電荷素量をeとすると、m/Z/2eであり、前記Vb=aX2-Vpは、Vb=m/Z/2e×E/B2-Vpである請求項5又は6記載のプラズマ電位計測装置。前記質量分析器は磁場偏向型質量分析器であり、前記質量分析条件Xは磁束密度Bと該質量分析器によるイオンの飛行軌道半径rの積r×Bであり、前記回帰式におけるaは、該質量分析器により検出される同一イオンの質量をm、該イオンの価数をZ、該イオンの電荷素量をeとすると、Z/m×e/2であり、前記Vb=aX2-Vpは、Vb=Z/m×e/2×r×B2-Vpである請求項5又は6記載のプラズマ電位計測装置。真空チャンバ内にプラズマを発生させ、該プラズマのもとで被処理物品に目的とする処理を施すことができるプラズマ処理装置であり、請求項5から8のいずれかに記載のプラズマ電位計測装置を含んでいることを特徴とするプラズマ処理装置。膜形成、イオン注入、エッチング及び物品表面清浄化処理のうちから選ばれた1又は2以上の処理を行える装置である請求項9記載のプラズマ処理装置。請求項1、2、3又は4記載のプラズマ電位計測方法を実施する手順の少なくとも一部をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体であり、前記質量分析器とプラズマとの間に少なくとも二つの異なる電圧をそれぞれ印加して質量分析を実施し、該質量分析実施にあたって、該少なくとも二つの異なる電圧の各電圧Vbごとに、該少なくとも二つの異なる電圧のうちの他の電圧の場合と同一のイオンを検出できる、該質量分析器に応じた質量分析条件Xを求めることで得られる該各電圧Vbと該電圧に対応する前記質量分析条件Xのデータを読み込むステップ及び読み込んだ該データに前記式Vb=aX2-Vpを最小二乗法を用いてフィッティングすることにより、該式におけるa及びVpをそれぞれ算出することで、該プラズマ電位Vpを求め、併せてイオン種を同定するためのaを求めるステップをコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。請求項1、2、3又は4記載のプラズマ電位計測方法を実施する手順の少なくとも一部をコンピュータに実行させるためのプログラムであり、前記質量分析器とプラズマとの間に少なくとも二つの異なる電圧をそれぞれ印加して質量分析を実施し、該質量分析実施にあたって、該少なくとも二つの異なる電圧の各電圧Vbごとに、該少なくとも二つの異なる電圧のうちの他の電圧の場合と同一のイオンを検出できる、該質量分析器に応じた質量分析条件Xを求めることで得られる該各電圧Vbと該電圧に対応する前記質量分析条件Xのデータを読み込むステップ及び読み込んだ該データに前記式Vb=aX2-Vpを最小二乗法を用いてフィッティングすることにより、該式におけるa及びVpをそれぞれ算出することで、該プラズマ電位Vpを求め、併せてイオン種を同定するためのaを求めるステップをコンピュータに実行させるためのプログラム。以上の説明から分かるように、イオン種計測とプラズマ電位計測の両方を実施するには、質量分析器とプローブ計測器の両方が必要である。しかし、それら両方をチャンバー内に設置するとすれば、チャンバ内にそのための設置スペースが必要となり、チャンバサイズが大型化してプラズマ処理装置の設置面積が増えたり、プラズマ処理装置のコストアップを招く。そこで本発明は、プラズマの状態を示すパラメータであるプラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割りには安価に済むプラズマ電位計測方法を提供することを第1の課題とする。また本発明は、プラズマの状態を示すパラメータであるプラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割りには簡素化された安価なプラズマ電位計測装置を提供することを第2の課題とする。さらに本発明は、真空チャンバ内にプラズマを発生させ、該プラズマのもとで被処理物品に目的とする処理を施すプラズマ処理装置であって、プラズマの状態を示すパラメータであるプラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割りには、大型化することなく、安価に済むプラズマ処理装置を提供することを第3の課題とする。また本発明は、第1の課題を解決できるプラズマ電位計測方法の実施のためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能の記録媒体及びプログラムを提供することを第4、第5の課題とする。本発明は前記第1の課題を解決するため、プラズマ電位測定対象プラズマに対して該プラズマ中のイオンの質量分析を行える質量分析器を配置すること、該質量分析器と該プラズマとの間に少なくとも二つの異なる電圧をそれぞれ印加して質量分析を実施し、該質量分析実施にあたっては、該少なくとも二つの異なる電圧の各電圧Vbごとに、該少なくとも二つの異なる電圧のうちの他の電圧の場合と同一のイオンを検出できる、該質量分析器に応じた質量分析条件Xを求めること及びプラズマ電位算出部において、かくして得た各電圧Vbと該電圧に対応する前記質量分析条件Xのデータに、予め導いておいた式Vb=aX2-VpVpは前記電位測定対象プラズマのプラズマ電位を回帰式として該回帰式を最小二乗法を用いてフィッティングさせることにより、該回帰式におけるa及びVpをそれぞれ算出させることで、該プラズマ電位Vpを求めさせ、併せてイオン種を同定するためのaを求めさせることを含むプラズマ電位計測方法を提供する。本発明は前記第2の課題を解決するため、電位測定対象プラズマに対して配置されべき、該プラズマ中のイオンの質量分析を行える質量分析器と、該質量分析器と該プラズマとの間に電圧イオン質量分析のための電圧を印加するための電圧印加部と、該質量分析器に応じた質量分析条件Xを求める質量分析条件把握部と、プラズマ電位算出部とを含んでおり、前記プラズマ電位算出部は、プラズマ電位を計測するにあたり前記電圧印加部から前記質量分析器と前記プラズマとの間に印加される少なくとも二つの異なる電圧のデータ及び前記質量分析条件把握部により求められる該少なくとも二つの異なる電圧の各電圧Vbごとの該質量分析器に応じた質量分析条件Xのデータを入力することができ、前記プラズマ電位算出部は、入力される各電圧Vbと該電圧に対応する前記質量分析条件Xのデータに、予め設定された式Vb=aX2-VpVpは前記電位測定対象プラズマのプラズマ電位を回帰式として該回帰式を最小二乗法を用いてフィッティングすることにより、該回帰式におけるa及びVpをそれぞれ算出することで、該プラズマ電位Vpを求め、併せてイオン種を同定するためのaを求めることができるプラズマ電位計測装置を提供する。本発明に係る上記プラズマ電位計測方法において、前記質量分析器と前記プラズマとの間に少なくとも二つの異なる電圧をそれぞれ印加するあたっては、そのような電圧を印加できる電圧印加部を設けておくことができ、また、該少なくとも二つの異なる電圧の各電圧Vbごとに、該少なくとも二つの異なる電圧のうちの他の電圧の場合と同一のイオンを検出できる、前記質量分析器に応じた質量分析条件Xを求めるにあたっても、そのような質量分析条件Xを求めることができる質量分析条件把握部を設けておくことができる。そして、前記電圧印加部に前記質量分析器と前記プラズマとの間に少なくとも二つの異なる電圧をそれぞれ印加させて該質量分析器に質量分析を実施させ、該質量分析実施にあたっては、前記質量分析条件把握部に該少なくとも二つの異なる電圧の各電圧Vbごとに、該少なくとも二つの異なる電圧のうちの他の電圧の場合と同一のイオンを検出できる、該質量分析器に応じた質量分析条件Xを求めさせることができる。本発明に係る上記プラズマ電位計測装置において、前記プラズマの電位を計測するにあたり、前記電圧印加部に、前記質量分析器と前記プラズマとの間に少なくとも二つの異なる電圧をそれぞれ印加させて該質量分析器に該プラズマ中のイオンの質量分析を実施させ、該少なくとも二つの異なる電圧の各電圧Vbごとに、該少なくとも二つの異なる電圧のうちの他の電圧の場合と同一のイオンを検出できる、該質量分析器に応じた質量分析条件Xを求めるにあたっては、電位計測装置のユーザーが前記電圧印加部及び前記質量分析条件把握部を操作して前記電圧を質量分析器とプラズマとの間に印加させて質量分析を実施し、質量分析条件Xを求め、そのデータをユーザーがデータ入力部からプラズマ電位算出部に入力するようにしてもよい。しかし、前記電圧Vbとそれに対応する前記質量分析条件Xのデータを集める部分及び前記プラズマ電位算出部を含むプラズマ電位計測部を設け、該データを集める部分が、プラズマの電位を計測するにあたり、前記電圧印加部に、前記質量分析器と前記プラズマとの間に少なくとも二つの異なる電圧をそれぞれ印加させて該質量分析器に該プラズマ中のイオンの質量分析を実施させるとともに、前記質量分析条件把握部に該少なくとも二つの異なる電圧の各電圧Vbごとに、該少なくとも二つの異なる電圧のうちの他の電圧の場合と同一のイオンを検出できる、該質量分析器に応じた質量分析条件Xを求めさせ、前記プラズマ電位算出部が、かくして得られる、各電圧Vbと該電圧に対応する前記質量分析条件Xのデータに、前記式Vb=aX2-Vpを最小二乗法を用いてフィッティングさせることにより、該式におけるa及びVpをそれぞれ算出することで、該プラズマ電位Vpを求め、併せてイオン種を同定するためのaを求めるようにしてもよい。いずれにしても、プラズマ電位算出部或いはプラズマ電位計測部としては、本発明に係るプラズマ電位計測装置専用のものとして設けられてもよいし、例えば外部のコンピュータを利用するものであってもよい。プラズマ電位計測装置専用のものの場合もコンピュータを利用したものとすることができる。なお、本発明に係るプラズマ電位計測方法及び装置において、質量分析器とプラズマとの間に印加する電圧とは、図1に示す質量分析例で言えば、バイアス電源10により印加される電圧に相当する電圧であり、図4に示す質量分析例で言えば、バイアス電源22により印加される電圧に相当する電圧である。本発明に係るプラズマ電位計測方法及び装置によると、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せてプラズマ電位を計測できるので、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割りには安価に質量分析とプラズマ電位計測を行える。本発明に係るプラズマ電位計測方法及び装置における質量分析器としては、代表例として図1に例示するタイプのE×B型質量分析器や図4に例示するタイプの偏向磁場型質量分析器を挙げることができる。E×B型質量分析器を採用する場合には、質量分析器で同一イオンが検出された電界強度Eと磁界の磁束密度Bの比E/Bとの関係から、また、磁場偏向型質量分析器を採用する場合には、質量分析器で同一イオンが検出された磁界の磁束密度Bとイオンの軌道半径rの積rBの関係から、プラズマ電位を算出する。E×B型質量分析器を採用する場合についてさらに説明すると、プラズマ電位計測方法においても、プラズマ電位計測装置においても、前記質量分析器はE×B型質量分析器であり、前記質量分析条件Xは電界強度Eと磁束密度Bとの比E/Bであり、前記回帰式におけるaは、該質量分析器により検出される同一イオンの質量をm、該イオンの価数をZ、該イオンの電荷素量をeとすると、m/Z/2eであり、前記Vb=aX2-Vpは、Vb=m/Z/2e×E/B2-Vpである。磁場偏向型質量分析器を採用する場合には、前記質量分析器は磁場偏向型質量分析器であり、前記質量分析条件Xは磁束密度Bと該質量分析器によるイオンの飛行軌道半径rの積r×Bであり、前記回帰式におけるaは、該質量分析器により検出される同一イオンの質量をm、該イオンの価数をZ、該イオンの電荷素量をeとすると、Z/m×e/2であり、前記Vb=aX2-Vpは、Vb=Z/m×e/2×r×B2-Vpである。本発明は前記第3の課題を解決するため、真空チャンバ内にプラズマを発生させ、該プラズマのもとで被処理物品に目的とする処理を施すことができるプラズマ処理装置であり、本発明に係るプラズマ電位計測装置を含んでいるプラズマ処理装置を提供する。本発明に係るプラズマ処理装置は、本発明に係るプラズマ電位計測装置を含んでいるので、プラズマの状態を示すパラメータであるプラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割りには、大型化することなく、安価に提供できる。本発明に係るプラズマ処理装置として、例えば、膜形成、イオン注入、エッチング及び物品表面清浄化処理のうちから選ばれた1又は2以上の処理を行えるプラズマ処理装置を例示できる。また本発明は、前記第4の課題を解決するため、本発明に係るプラズマ電位計測方法を実施する手順の少なくとも一部をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、前記質量分析器とプラズマとの間に少なくとも二つの異なる電圧をそれぞれ印加して質量分析を実施し、該質量分析実施にあたって、該少なくとも二つの異なる電圧の各電圧Vbごとに、該少なくとも二つの異なる電圧のうちの他の電圧の場合と同一のイオンを検出できる、該質量分析器に応じた質量分析条件Xを求めることで得られる該各電圧Vbと該電圧に対応する前記質量分析条件Xのデータを読み込むステップ及び読み込んだ該データに前記式Vb=aX2-Vpを最小二乗法を用いてフィッティングすることにより、該式におけるa及びVpをそれぞれ算出することで、該プラズマ電位Vpを求め、併せてイオン種を同定するためのaを求めるステップをコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体も提供する。さらに本発明は、前記第5の課題を解決するため、本発明に係るプラズマ電位計測方法を実施する手順の少なくとも一部をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、前記質量分析器とプラズマとの間に少なくとも二つの異なる電圧をそれぞれ印加して質量分析を実施し、該質量分析実施にあたって、該少なくとも二つの異なる電圧の各電圧Vbごとに、該少なくとも二つの異なる電圧のうちの他の電圧の場合と同一のイオンを検出できる、該質量分析器に応じた質量分析条件Xを求めることで得られる該各電圧Vbと該電圧に対応する前記質量分析条件Xのデータを読み込むステップ及び読み込んだ該データに前記式Vb=aX2-Vpを最小二乗法を用いてフィッティングすることにより、該式におけるa及びVpをそれぞれ算出することで、該プラズマ電位Vpを求め、併せてイオン種を同定するためのaを求めるステップをコンピュータに実行させるためのプログラムも提供する。以上説明したように本発明によると、プラズマの状態を示すパラメータであるプラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割りには安価に済むプラズマ電位計測方法を提供することができる。また本発明によると、プラズマの状態を示すパラメータであるプラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割りには簡素化された安価なプラズマ電位計測装置を提供することができる。さらに本発明によると、真空チャンバ内にプラズマを発生させ、該プラズマのもとで被処理物品に目的とする処理を施すことができるプラズマ処理装置であって、プラズマの状態を示すパラメータであるプラズマ電位を、プローブ計測器に頼ることなく、質量分析器を応用して、イオン種の分析と併せて計測でき、質量分析とプラズマ電位計測の双方を行える割りには、大型化することなく、安価に済むプラズマ処理装置を提供することができる。また本発明によると、上記プラズマ電位計測方法の実施のためのプログラム及び該プログラムを記録した記録媒体であって、プラズマ電位を求め、イオン種を同定することを容易化するものを提供することができる。以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。図1は本発明に係るプラズマ電位計測装置例を備えたプラズマ処理装置の1例を示している。図1に示すプラズマ処理装置PAはプラズマ電位計測装置Aを備えている。プラズマ電位計測装置Aは図5に示す質量分析器と同じE×B型質量分析器3を含んでいるとともに、本発明に係るプログラムの1例を記録した記録媒体M1から該プログラムを読み込み、プラズマ電位及びイオン種同定のためのファクタを算出するプラズマ電位算出部例としてのパーソナルコンピュータPC1を含んでいる。図1に示す各部等であって、図5に示す各部等と実質上同じものについては、図5で使用されている参照符号と同じ参照符号を付してある。すなわち、PAはプラズマ処理装置本例では図示省略のバイアス電源からバイアス電圧が印加される被処理物品Sにプラズマのもとで目的とする処理例えばアルゴンイオン等のイオン照射による清浄化処理を施す装置、1は真空チャンバ、2はプラズマ、3はプラズマ2と接する位置に配置されたE×B型質量分析器、4は質量分析器3の入口スリット、5は正イオン、6は出力可変の偏向電源8から正電圧を印加される偏向板、7は出力可変の偏向電源9から負電圧を印加される偏向板、10は質量分析器3とプラズマ2との間に負電圧を印加する出力可変のバイアス電源、11はイオン出口のFCスリット、12、14は2次電子を押し返すサプレッサー及びサプレッサー電源13はイオンを検出するファラデーカップ15は電流計イオン電流計測器である。16は磁界磁力線が図1において手前から奥方向へ向かう磁界17は磁界磁束密度Bがイオン5に及ぼす力の方向下向き方向18は偏向板6、7間の電界電界強度Eがイオン5に及ぼす力の方向上向き方向である。プラズマ2は、例えば、チャンバ1内を図示省略の排気装置で排気減圧してガスプラズマ生成圧に維持しつつ、チャンバ1内に図示省略のガス供給装置からガス例えばアルゴンガスを供給し、図示省略の熱陰極型アーク放電によって生成することができる。質量分析器3は図5の質量分析器と同様に質量分析を行える。図1のプラズマ電位計測装置Aによると、プラズマ2の電位とともにプラズマにおけるイオン種の同定のためのファクタも求めることができる。すなわち、質量分析器3とプラズマ2との間に出力可変のバイアス電源10から少なくとも二つの異なる電圧をそれぞれ印加して質量分析を実施し、該質量分析実施にあたっては、該少なくとも二つの異なる電圧の各電圧Vbごとに、該少なくとも二つの異なる電圧のうちの他の電圧の場合と同一のイオンを検出できる、質量分析器2に応じた質量分析条件Xを求め、かくして得た、各電圧Vbと該電圧に対応する前記質量分析条件Xのデータに、予め導いておいた式Vb=aX2-VpVpは前記電位測定対象プラズマのプラズマ電位を回帰式として該回帰式を最小二乗法を用いてフィッティングすることにより、該回帰式におけるa及びVpをそれぞれ算出することで、該プラズマ電位Vpを求め、併せてイオン種を同定するためのaを求めることができる。質量分析器としてE×B型質量分析器3を採用している本例では、前記Vb=aX2-Vpにおける質量分析条件Xは電界強度Eと磁束密度Bとの比E/Bであり、aはm/Z/2eであるmは質量分析器により検出される同一イオンの質量、Zはイオンの価数、eはイオンの電荷素量。従ってVb=aX2-Vpは、Vb=m/Z/2e×E/B2-Vpとなる。Vb=m/Z/2e×E/B2-Vpを採用する理由を以下に説明する。電源10から質量分析器3に印加されるバイアス電圧をVb、プラズマ2のプラズマ電位をVpとすると次式が成り立つ。上記式において、mはイオン質量、vはイオン速度、Zはイオンの価数、eは電荷素量である。イオンの熱エネルギーは室温状態において0.03eV程度と非常に小さいので無視した。なお、本例の場合、バイアス電圧は負電圧、プラズマ電位は正電位であるが、いずれも絶対値で記載している。E×B型質量分析器3において、イオンの検出条件は、磁界磁束密度Bと電界電界強度から受ける力が釣り合う場合であるから、次の式から導かれる式のようになる。式を前記式に代入して整理すると、次式が得られる。式は、バイアス電圧Vbが電界偏向電界強度Eと磁界磁束密度Bとの比E/Bの2次式であることを示している。図2は次のことを示している。すなわち、チャンバ1内を図示省略の排気装置で排気減圧してアルゴンガスプラズマ生成圧に維持しつつ、チャンバ1内に図示省略のガス供給装置からアルゴンガスを供給し、図示省略の熱陰極型アーク放電によってプラズマを生成し、これを質量分析器3で分析した場合の例を示している。図2において縦軸は電流計15で検出されるイオン電流、横軸はイオンを検出したピーク偏向電界強度Eを示している。この場合のバイアス電圧Vbは380Vとし、磁束密度Bは0.102Tで固定したところ、イオンを検出したピーク偏向電界強度Eは4.42kV/mであった。バイアス電圧Vbを変化させ、同様に計測を実施し、バイアス電圧Vbとピーク偏向電界強度Eの関係を調べた結果を図3に黒丸で示す。図3の黒丸で示す座標Vb,Eは、380442、、である。電界強度Eは一般的に言えば電源8、9のうち少なくとも一方の電源の出力を調整することで調整可能である。しかし電界強度Eの調整にあたっては、電源8、9間で絶対値が同じ電圧を印加することが好ましい。具体例を挙げると、上記のようにバイアス電圧Vbとして380Vを印加する場合には、電源8、9間で190V、-190Vというような絶対値が同じ電圧を印加する場合を挙げることができる。いずれにしても、出力可変の電源8及び/又は電源9は質量分析器の質量分析条件把握部質量分析条件把握手段の少なくとも一部の構成メンバーであると言える。プラズマ電位算出部としてのコンピュータPC1には、記録媒体M1から次のプログラムを読み込ませてある。すなわち、バイアス電圧Vbとそれに対応するピーク偏向電界強度Eと磁束密度Bの比E/Bのデータ、図2で言えば、少なくとも二つの黒丸に相当するVbとE/Bの組み合わせデータのキーボードからの入力に応じて該データを読み込み、読み込んだ該データに前記式を最小二乗法を用いてフィッティングすることにより、該式におけるイオン種同定のためのm/Z/2e及びプラズマ電位Vpをそれぞれ算出するプログラムである。従って、質量分析器3によりプラズマを質量分析することで、少なくとも二つのバイアス電圧Vbをそれぞれ印加するとともに各電圧Vbに対応するE/Bを得てなお、本例ではBは既知の0.102T、これらデータをコンピュータPC1に入力して、プラズマ電位Vp及びイオン種同定のためのm/Z/2eを求めることができる。このようにしてVp等を算出したところ、プラズマ電位Vpは11.8Vであった。m/Z/2eをm/Z/2e×B2として算出したところ、20.1であった。いずれにしても、イオン種同定については、eも既知であるから、m/Zを求めることができ、それにより、イオン種を同定できる。プログラムには、算出したm/Z/2eからさらにm/Zを算出する手順が含まれていてもよい。また、本例では、Bを固定しているため、実際には比E/BについてはEを入力することで足りるようにしておき、VbとEの図3に示される組み合わせのうちから少なくとも二つを入力することで、m/Z/2e×B2とVpを算出することができるようにしておいてもよい。。m/Z/2e×B2のうち、e及びBは既知であるから、m/Zを算出することができ、これからイオン種を同定することができる。プログラムには、算出したm/Z/2e×B2からさらにm/Zを算出する手順が含まれていてもよい。以上説明した例では、比E/BのうちBを固定して電界強度Eを変化させたが、逆に比E/BのうちEを固定して磁束密度Bを変化させてもよく、両者を変化させてもよい。磁束密度を変化させるときは、例えば電磁石タイプ等の通電制御可能の磁界発生部を採用し、この磁界発生部への通電を制御して磁束密度Bを調整することができる。また、比E/BのうちBを固定して電界強度Eを変化させる場合、例えば、コンピュータPC1で、例えば図1に鎖線で示すようなインターフエースIFaを介して、或いは、電源の構成によってはかかるインターフエースIFaを介することなく、各電源へ電圧印加のオン、オフの指示や必要に応じて出力電圧の指示を出すようにするとともに電流計15で検出される情報を読み込むようにし、コンピュータPC1において各バイアス電圧Vbとそれに対応するピークイオン電流を検出したときの偏向電界強度Eのデータを収集し、そのデータに基づいてVp及びイオン種同定のためのm/Zを算出できるようにしてもよい。図4は本発明に係るプラズマ電位計測装置の他の例を備えたプラズマ処理装置の例を示している。図4に示すプラズマ処理装置PBはプラズマ電位計測装置Bを備えている。プラズマ電位計測装置Bは、図6に示す質量分析器と同じ偏向磁場型質量分析器19を含んでいるとともに、本発明に係るプログラムの他の例を記録した記録媒体M2から該プログラムを読み込み、プラズマ電位及びイオン種同定のためのファクタを算出するプラズマ電位算出部例としてのパーソナルコンピュータPC2を含んでいる。図4に示す各部等であって、図6に示す各部等と実質上同じものについては、図6で使用されている参照符号と同じ参照符号を付してある。すなわち、PBはプラズマ処理装置本例では図示省略のバイアス電源からバイアス電圧が印加される被処理物品Sにプラズマのもとで目的とする処理例えばアルゴンイオン等のイオン照射による清浄化処理を施す装置、1は真空チャンバ、2はプラズマ、19はプラズマ2と接する位置に配置された偏向磁場型質量分析器、20は質量分析器3の入口スリット、21は正イオン、22は質量分析器19とプラズマ2との間に負電圧を印加する出力可変のバイアス電源、23はイオン出口のFCスリット、24、26は2次電子を押し返すサプレッサ及びサプレッサ電源25はイオンを検出するファラデーカップ27は電流計イオン電流計測器である。28は磁界磁力線が図1において手前から奥方向へ向かう磁界29は磁界磁束密度Bがイオン21に及ぼす力の方向rはイオン21の飛行円軌跡の半径である。装置PBにおいても、プラズマ2は、例えば、チャンバ1内を図示省略の排気装置で排気減圧してガスプラズマ生成圧に維持しつつ、チャンバ1内に図示省略のガス供給装置からガス例えばアルゴンガスを供給し、図示省略の熱陰極型アーク放電によって生成することができる。質量分析器19は図6の質量分析器と同様に質量分析を行える。図4のプラズマ電位計測装置Bによると、プラズマ2の電位とともにプラズマにおけるイオン種の同定のためのファクタも求めることができる。すなわち、質量分析器19とプラズマ2との間に出力可変バイアス電源22から少なくとも二つの異なる電圧をそれぞれ印加して質量分析を実施し、該質量分析実施にあたっては、該少なくとも二つの異なる電圧の各電圧Vbごとに、該少なくとも二つの異なる電圧のうちの他の電圧の場合と同一のイオンを検出できる、質量分析器19に応じた質量分析条件Xを求め、かくして得た、各電圧Vbと該電圧に対応する前記質量分析条件Xのデータに、予め導いておいた式Vb=aX2-VpVpは前記電位測定対象プラズマのプラズマ電位を回帰式として該回帰式を最小二乗法を用いてフィッティングすることにより、該回帰式におけるa及びVpをそれぞれ算出することで、該プラズマ電位Vpを求め、併せてイオン種を同定するためのaを求めることができる。質量分析器として偏向磁場型質量分析器19を採用している本例では、前記Vb=aX2-Vpにおける質量分析条件Xは磁束密度Bと該質量分析器によるイオンの飛行軌道半径rの積r×Bであり、前記式におけるaは、該質量分析器により検出される同一イオンの質量をm、該イオンの価数をZ、該イオンの電荷素量をeとすると、Z/m×e/2であり、前記Vb=aX2-Vpは、Vb=Z/m×e/2×r×B2-Vpとなる。Vb=Z/m×e/2×r×B2-Vpが導かれる理由は次の通りである。電源22から質量分析器19に印加されるバイアス電圧をVb、プラズマ2のプラズマ電位をVpとすると、E×B型質量分析器の場合と同様に次式が成り立つ。上記式において、mはイオン質量、vはイオン速度、Zはイオンの価数、eは電荷素量である。イオンの熱エネルギーは室温状態において0.03eV程度と非常に小さいので無視した。なお、本例の場合も、バイアス電圧は負電圧、プラズマ電位は正電位であるが、いずれも絶対値で記載している。偏向磁場型質量分析器19において、イオンの検出条件は、磁界磁束密度Bによりイオンが受ける力が遠心力と釣り合う場合であるから、次の式から導かれる式のようになる。式を前記式に代入して整理すると、次式が得られる。式は、バイアス電圧Vbが磁界磁束密度Bとイオンの軌道半径rとの積r×Bの2次式であることを示している。そこで、例えばイオンの軌道半径rを固定し、図1のプラズマ電位計測の場合と同様に、質量分析器19とプラズマ2との間に電源22から少なくとも二つの異なるバイアス電圧をそれぞれ印加して質量分析を実施し、各バイアス電圧Vbとそのバアイス電圧のときにイオンを検出した磁束密度Bとイオンの軌道半径の積r×Bの組み合わせデータを少なくとも二組求め、それらデータをプラズマ電位算出部としてのコンピュータPC2に入力して、プラズマ電位Vp及びイオン種を同定するためのファクタを算出させることができる。磁束密度Bは、例えば図4に例示するように電磁石タイプ等の通電制御可能の磁界発生部280を採用し、この磁界発生部への通電を制御して磁束密度Bを調整することができる。すなわち、磁束密度Bを調整できる磁界発生部280は質量分析器の質量分析条件把握部質量分析条件把握手段の少なくとも一部の構成メンバーであるとも言える。コンピュータPC2には、記録媒体M2から次のプログラムを読み込ませてある。すなわち、少なくとも二つの異なるバイアス電圧Vbと、各バイアス電圧に対応する磁束密度Bとイオン軌道半径rの積r×Bの組み合わせデータのキーボードからの入力に応じて該データを読み込み、読み込んだ該データに前記式を最小二乗法を用いてフィッティングすることにより、該式におけるイオン種同定のためのZ/m×e/2及びプラズマ電位Vpをそれぞれ算出するプログラムである。従って、質量分析器19によりプラズマを質量分析することで、少なくとも二つのバイアス電圧Vbと、各電圧Vbに対応するr×Bを得て、これらデータをコンピュータPC2に入力して、プラズマ電位Vp及びイオン種同定のためのZ/m×e/2を求めることができる。イオン種同定については、eが既知であるから、Z/mを求めることができ、そによりイオン種を同定できる。プログラムには、算出したZ/m×e/2からさらにZ/mを算出する手順が含まれていてもよい。また、本例では、rを固定しているため、実際には積r×BについてはBを入力することで足りるようにしておき、VbとBの組み合わせのうちから少なくとも二つを入力することで、Z/m×e×r2/2とVpを算出することができるようにしておいてもよい。。Z/m×e×r2/2のうち、e及びrは既知であるから、m/Zを算出することができ、これからイオン種を同定することができる。プログラムには、算出したZ/m×e×r2/2からさらにm/Zを算出する手順が含まれていてもよい。以上説明した例では、積r×Bのうちrを固定して磁束密度Bを変化させたが、逆にBを固定してイオン軌道半径rを変化させてもよく、両者を変化させてもよい。イオンの軌道半径rはファラデーカップ25、サプレッサ24及びFCスリット23を移動させることで変化させることができる。また、積r×Bのうちrを固定して磁束密度Bを変化させる場合、例えば、コンピュータPC2から、例えば図4に鎖線で示すようなインターフエースIFbを介して、或いは、電源の構成によってはかかるインターフエースIFbを介することなく、各電源へ電圧印加のオン、オフの指示や必要に応じて出力電圧の指示を出すようにするとともに、電流計27で検出される情報を読み込むようにし、コンピュータPC2において各バイアス電圧Vbとそれに対応する磁束密度Bのデータを収集し、そのデータに基づいてVp及びイオン種同定のためのm/Zを算出できるようにしてもよい。"