コンタクト又はビアと、前記コンタクト又は前記ビアよりも上層に配置されたダミーパターンと、を有し、前記ダミーパターンは、前記コンタクト又は前記ビアの真上の所定範囲の領域には存在せず、且つ、前記所定範囲の領域の周囲の領域においては、所定の規則性に従って平面視において分散して配置されていることを特徴とする半導体装置。前記ダミーパターンを前記所定範囲の領域も含めた領域に前記所定の規則性に従って配置したと仮定した場合に、前記コンタクト又は前記ビアの最も近くに配置される1つ又は複数の前記ダミーパターンが、存在しないことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記ダミーパターンが平面視において千鳥状に配置され、且つ、各ダミーパターンが平面視矩形状に形成され、平面視において前記コンタクト又は前記ビアを取り巻く4つの前記ダミーパターンの1つずつの辺の延長線の交点と重なる位置に、前記コンタクト又は前記ビアが配置されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。平面視において、前記コンタクト又は前記ビアの中心が、前記交点と重なっていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。コンタクト又はビアと、前記コンタクト又は前記ビアよりも上層に配置されたダミーパターンと、を有し、前記ダミーパターンは、前記コンタクト又は前記ビアの真上の所定範囲の領域にのみ配置されていることを特徴とする半導体装置。前記ダミーパターンは、前記コンタクト又は前記ビアの真上に配置されていることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。平面視において、前記ダミーパターンの中心と、前記コンタクト又は前記ビアの中心と、が重なっていることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。前記コンタクトの真上に前記ビアが配置されていることを特徴とする請求項1乃至7の何れか一項に記載の半導体装置。コンタクト又はビアを形成する工程と、前記コンタクト又は前記ビアよりも上層にダミーパターンを形成する工程と、を有し、前記ダミーパターンを形成する工程では、前記ダミーパターンが、前記コンタクト又は前記ビアの真上の所定範囲の領域には存在せず、且つ、前記所定範囲の領域の周囲の領域においては所定の規則性に従って平面視において分散して配置されるように、前記ダミーパターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記ダミーパターンの配置パターンを決定する工程を更に有し、前記ダミーパターンを形成する工程では、前記ダミーパターンの配置を決定する工程にて決定された配置パターンで前記ダミーパターンを形成し、前記ダミーパターンの配置パターンを決定する工程は、前記ダミーパターンの格子状の配置パターンを自動生成する工程と、前記自動生成された配置パターンにおける前記ダミーパターンのうち、平面視において前記コンタクト又は前記ビアの最も近くに位置する前記ダミーパターンを削除する工程と、を含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。コンタクト又はビアを形成する工程と、前記コンタクト又は前記ビアよりも上層にダミーパターンを形成する工程と、を有し、前記ダミーパターンを形成する工程では、前記コンタクト又は前記ビアの真上の所定範囲の領域にのみ前記ダミーパターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。複数のコンタクト或いはビアが規則的に配置されている場合、所定のコンタクト或いはビアの位置を特定する作業も比較的容易である。しかしながら、コンタクト或いはビアの配置が疎な場合には、所定のコンタクト或いはビアの位置を特定することが非常に困難となる。このように、コンタクト或いはビアの位置を特定することが困難な場合がある。本発明は、コンタクト又はビアと、前記コンタクト又は前記ビアよりも上層に配置されたダミーパターンと、を有し、前記ダミーパターンは、前記コンタクト又は前記ビアの真上の所定範囲の領域には存在せず、且つ、前記所定範囲の領域の周囲の領域においては、所定の規則性に従って平面視において分散して配置されていることを特徴とする半導体装置を提供する。この半導体装置によれば、コンタクト又はビアよりも上層に配置されたダミーパターンが、コンタクト又はビアの真上の所定範囲の領域には存在せず、且つ、所定範囲の領域の周囲の領域においては、所定の規則性に従って平面視において分散して配置されているので、ダミーパターンの配置に基づいてコンタクトの位置又はビアの位置を特定することができる。つまり、ダミーパターンを観察し、その位置を確認することにより、コンタクト又はビアの位置を特定することができる。よって、例えば、コンタクト又はビアの断面形状観察などの物理解析を容易に行うことができる。また、本発明は、コンタクト又はビアと、前記コンタクト又は前記ビアよりも上層に配置されたダミーパターンと、を有し、前記ダミーパターンは、前記コンタクト又は前記ビアの真上の所定範囲の領域にのみ配置されていることを特徴とする半導体装置を提供する。この半導体装置によれば、コンタクト又はビアよりも上層に配置されたダミーパターンが、コンタクト又はビアの真上の所定範囲の領域にのみ配置されているので、ダミーパターンの配置に基づいてコンタクトの位置又はビアの位置を特定することができる。つまり、ダミーパターンを観察し、その位置を確認することにより、コンタクト又はビアの位置を特定することができる。よって、例えば、コンタクト又はビアの断面形状観察などの物理解析を容易に行うことができる。また、本発明は、コンタクト又はビアを形成する工程と、前記コンタクト又は前記ビアよりも上層にダミーパターンを形成する工程と、を有し、前記ダミーパターンを形成する工程では、前記ダミーパターンが、前記コンタクト又は前記ビアの真上の所定範囲の領域には存在せず、且つ、前記所定範囲の領域の周囲の領域においては所定の規則性に従って平面視において分散して配置されるように、前記ダミーパターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。また、本発明は、コンタクト又はビアを形成する工程と、前記コンタクト又は前記ビアよりも上層にダミーパターンを形成する工程と、を有し、前記ダミーパターンを形成する工程では、前記コンタクト又は前記ビアの真上の所定範囲の領域にのみ前記ダミーパターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。本発明によれば、コンタクト或いはビアの位置を容易に特定することができる。以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜に説明を省略する。各平面図においては、絶縁膜の図示を省略しており、対応する断面図に示される金属層のうち最上層のメタル膜コンタクト又はビアを実線で示している。図1及び図2は第1の実施形態に係る半導体装置の一連の製造工程を示す図である。図1b、図2bは、それぞれ平面図である。図1aは図1bのA-A線に沿った断面図であり、図2aは図2bのA-A線に沿った断面図である。なお、図2は、第1の実施形態に係る半導体装置の断面図及び平面図でもある。図9はコンタクト10の平面レイアウトの例を示す平面図である。図10はダミーパターン20の平面レイアウトの例を示す平面図である。図11は複数の孤立コンタクト10aの各々の周辺におけるダミーパターン20の平面レイアウトの例を示す平面図である。図12は比較例1に係る半導体装置を示す図であり、このうち図12bは平面図、図12aは図12bのA-A線に沿った断面図である。第1の実施形態に係る半導体装置を説明する前に、図12を参照して、比較例1に係る半導体装置を説明する。図12に示される比較例1のように、半導体装置は、平面的に孤立したレイアウトのコンタクト10以下、孤立コンタクト10a、或いは、平面的に孤立したレイアウトのビア図示略、以下孤立ビアを有する場合がある。孤立コンタクト10a及び孤立ビアの孤立の程度周囲のコンタクト10或いはビアからの距離は、コンタクト10及びビアの平面寸法などにより異なるが、例えば、リソグラフィーにおいて光近接効果OpticalProximityCorrection:OPCが影響する範囲には他のコンタクト10が存在しないコンタクト10を孤立コンタクト10aとすることが挙げられる。同様に、リソグラフィーにおいて光近接効果が影響する範囲には他のビアが存在しないビアを孤立ビアとすることが挙げられる。孤立コンタクト10a或いは孤立ビアについて、例えば、断面形状観察などの物理解析を行う必要がある場合には、その位置を特定した上で、FIB装置などにより試料としての半導体装置をボックス状に掘っていくことにより、該当箇所の観察断面を形成し、TEMやSEMなどの観察装置を用いて断面観察を行う。その際、孤立コンタクト10aは、周囲に別のコンタクト10が存在していないため、その位置を特定することが困難である。同様の理由から、孤立ビアの位置を特定することも困難である。このため、FIB装置により掘られた箇所に所望の孤立コンタクト10a或いは孤立ビアを露出させることができないことが非常に多く、検査効率が非常に悪いという課題がある。実際の製品の場合は、半導体装置の各構成要素の配置パターンが非常に複雑であるため、尚更、孤立コンタクト10a或いは孤立ビアの位置特定が困難となる。なお、TEMやSEMなどの観察装置では、電子線を利用して観察を行うが、コンタクトやビアが層間絶縁膜により覆われた状態では、コンタクトやビアを観察することが非常に困難である。なお、孤立コンタクト10a以外の通常のコンタクト10の近傍には、別のコンタクト10が存在している。同様に、孤立ビア以外の通常のビアの近傍には、別のビアが存在している。よって、通常のコンタクト10或いはビアについては、それらの配置の規則性に基づき、位置を比較的容易に特定することができる。また、半導体装置には、CMPChemicalMechanicalPolish加工の際の平坦性を確保するために、例えば図12に示すようにダミーパターン20を設ける場合がある。しかしながら、一般的な半導体装置では、図12の比較例1と同様に、ダミーパターン20が所定の規則的な配置となっているが、ダミーパターン20の配置と孤立コンタクト10a或いは孤立ビアの配置とに関連性がない。このため、ダミーパターン20の配置に基づいて、孤立コンタクト10a或いは孤立ビアの位置を特定することは困難である。なお、比較例1に係る半導体装置のダミーパターン20の平面レイアウトは、具体的には、例えば、以下のようになっている。図12bに示すように、比較例1においては、ダミーパターン20は、平面視において千鳥状に配置されている。より具体的には、例えば、縦方向に隣り合うダミーパターン20は、ダミーパターン20の一辺の長さの半分ずつ、横方向における一方向に互いにずれており、且つ、横方向に隣り合うダミーパターン20は、ダミーパターン20の一辺の長さの半分ずつ、縦方向における一方向に互いにずれている。ここで、ダミーパターン20の4つの辺を、時計回りにそれぞれ第1の辺21、第2の辺22、第3の辺23、第4の辺24と称する。各ダミーパターン20は、それの最も近傍に位置して当該ダミーパターン20を取り巻く4つのダミーパターン20の1つずつの辺の延長線の交点に位置している。すなわち、各ダミーパターン20は、その右隣のダミーパターン20の第1の辺21の延長線と、その手前側に隣接するダミーパターン20の第2の辺22の延長線と、その左隣のダミーパターン20の第3の辺23の延長線と、その奥に隣接するダミーパターン20の第4の辺24の延長線と、の交点に位置している。比較例1に係る半導体装置におけるダミーパターン20の平面レイアウトでは、図2bに示される領域R1に相当する位置にもダミーパターン20以下、このダミーパターン20をダミーパターン20aというが存在している。それ以外の点では、比較例1での平面レイアウトは、第1の実施形態に係る半導体装置後述におけるダミーパターン20の平面レイアウトと同一である。図12に示すように、具体的には、ダミーパターン20aは、孤立コンタクト10aの真上に位置している。より具体的には、平面視において、ダミーパターン20aの中心と孤立コンタクト10aの中心とは一致している。第1の実施形態本実施形態に係る半導体装置は、コンタクト又はビア例えば、孤立コンタクト10aと、コンタクト又はビアよりも上層に配置されたダミーパターン20と、を有し、ダミーパターン20は、コンタクト又はビアの真上の所定範囲の領域R1には存在せず、且つ、所定範囲の領域R1の周囲の領域においては、所定の規則性に従って平面視において分散して配置されている。以下、詳細に説明する。図9に示すように、本実施形態に係る半導体装置は、例えば、複数のコンタクト10を有している。これらコンタクト10には、平面的に孤立した配置のコンタクト10孤立コンタクト10aが含まれる。孤立コンタクト10aの近傍には、他のコンタクト10が存在していない。一方、孤立コンタクト10a以外のコンタクト10以下、通常コンタクト10bの近傍には、別のコンタクト10別の通常コンタクト10bが存在している。各コンタクト10孤立コンタクト10a、10bを含むは、同一の層に配置されている。図2に示すように、コンタクト10が配置されている層よりも上の層例えば、コンタクト10が配置されている層の1つ上の層には、ダミーパターン20が配置されている。ダミーパターン20は、孤立コンタクト10aと所定の関連性のある位置に配置されている。よって、ダミーパターン20の配置を確認することにより、孤立コンタクト10aの位置を特定できる。具体的には、半導体装置を上層から研磨し、ダミーパターン20が配置されている層を露出させ、その層を観察することにより、ダミーパターン20の配置を確認し、その確認した配置から、孤立コンタクト10aの位置を特定することができる。このため、比較例1のようにダミーパターン20の配置が孤立コンタクト10aの位置と全く関連性が無い場合と比べると、極めて容易に、孤立コンタクト10aの位置を特定することができる。ダミーパターン20は、孤立コンタクト10aの真上の所定範囲の領域R1図2bには存在していない。そして、この所定範囲の領域R1の周囲の領域においては、複数のダミーパターン20が、所定の規則性に従って平面視において分散して配置されている。つまり、孤立コンタクト10aの近傍の領域である領域R1においては、ダミーパターン20の配置の規則性が崩れており、それ以外の場所においては、ダミーパターン20が規則的に配置されている。よって、ダミーパターン20の規則性が崩れている箇所を探し出すことにより、容易に、孤立コンタクト10aの位置の目星をつけることができる。従って、孤立コンタクト10aの位置を領域R1内に絞り込んだ上で、FBI装置などによる観察断面の形成を試みることができるので、比較例1のようにダミーパターン20の配置が孤立コンタクト10aの位置と全く関連性が無い場合と比べると、極めて容易に、孤立コンタクト10aの位置を特定することができる。本実施形態に係る半導体装置におけるダミーパターン20の平面レイアウトは、具体的には、例えば、図2及び図10aに示すように、図12上記比較例1におけるダミーパターン20aを削除した抜かしたものに相当する。すなわち、本実施形態に係る半導体装置は、ダミーパターン20を配置する設計の半導体装置において、孤立コンタクト10aの位置を特定できるように、孤立コンタクト10aの真上の所定範囲の領域R1のダミーパターン20aを抜かした構造となっている。なお、このように削除する抜かすダミーパターン20の数は、1つとは限らず、複数のダミーパターン20を抜かすことによって、孤立コンタクト10aの位置を特定できるようにしても良い。領域R1は、例えば、ダミーパターン20a図12を取り巻く4つのダミーパターン20における孤立コンタクト10a側を向く辺により囲まれる領域矩形状の領域である。より具体的には、図2及び図10aの平面レイアウトにおいては、ダミーパターン20を所定範囲の領域R1も含めた領域に所定の規則性に従って配置したと仮定した場合に、孤立コンタクト10aの最も近くに配置される1つ又は複数のダミーパターン例えば、図12に示される1つのダミーパターン20aが、存在しない。これにより、孤立コンタクト10aの真上の所定範囲の領域R1図2bにダミーパターン20が存在しない構造となっている。このような構造を採用することにより、より容易に、孤立コンタクト10aの位置を特定することができる。より具体的には、図2及び図10aの平面レイアウトにおいては、個々のダミーパターン20が平面視において千鳥状に配置され、且つ、各ダミーパターン20が平面視矩形状例えば、正方形状に形成され、平面視において孤立コンタクト10aを取り巻く4つのダミーパターン20の何れか1つずつの辺図10aの辺21、22、23、24の延長線の交点と重なる位置に、孤立コンタクト10aが配置されている。これにより、上記交点の下に孤立コンタクト10aが存在することが分かるため、より容易且つ正確に、孤立コンタクト10aの位置を特定することができる。より具体的には、平面視において、上記4つのダミーパターン20の何れか1つずつの辺辺21、22、23、24の延長線の交点と、孤立コンタクト10aの中心と、が重なっている。これにより、上記交点の下に孤立コンタクト10aの中心が位置することが分かるため、より容易且つ正確に、孤立コンタクト10aの位置を特定することができる。次に、図2aに示される構成において、上述した構成以外の構成についても説明する。本実施形態に係る半導体装置は、基板例えば、半導体基板31と、この基板31の表層に形成されたシリサイド層32と、このシリサイド層32上及び基板31上に形成されたコンタクト層間絶縁膜33と、コンタクト層間絶縁膜33上に形成された層間絶縁膜34と、この層間絶縁膜34上に形成された層間絶縁膜35と、を有している。コンタクト10孤立コンタクト10a、通常コンタクト10bを含むは、コンタクト層間絶縁膜33に埋め込まれている。また、ダミーパターン20は、層間絶縁膜34に埋め込まれている。なお、上記においては、ダミーパターン20の配置パターンが千鳥格子状の例を説明したが、例えば、図10bに示すように、ダミーパターン20の配置パターンは正格子状であっても良い。図10bの場合も、領域R1は、ダミーパターン20aを取り巻く4つのダミーパターン20における孤立コンタクト10a側を向く辺により囲まれる領域矩形状の領域である。また、ダミーパターン20を所定範囲の領域R1も含めた領域に所定の規則性に従って配置したと仮定した場合に、孤立コンタクト10aの最も近くに配置される1つ又は複数のダミーパターン例えば、1つのダミーパターン20aが、存在しない。より具体的には、図10bの平面レイアウトにおいては、個々のダミーパターン20が平面視において正格子状に配置され、且つ、各ダミーパターン20が平面視矩形状例えば、正方形状に形成され、平面視において孤立コンタクト10aを取り巻く4つのダミーパターン20の何れか1つずつの辺図10bの辺21、22、23、24のうち、対向する辺辺21と23、辺22と24の中点どうしを結ぶ線の交点と重なる位置に、孤立コンタクト10aが配置されている。より具体的には、平面視において、その交点と、孤立コンタクト10aの中心と、が重なっている。次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。この製造方法は、コンタクト又はビア例えば、コンタクト10を形成する工程と、コンタクト又はビアよりも上層にダミーパターン20を形成する工程と、を有し、ダミーパターン20を形成する工程では、ダミーパターン20が、コンタクト又はビアの真上の所定範囲の領域R1には存在せず、且つ、所定範囲の領域R1の周囲の領域においては所定の規則性に従って平面視において分散して配置されるように、ダミーパターン20を形成する。以下、詳細に説明する。例えば、予め、半導体装置の設計を行う。この際に、コンタクト10孤立コンタクト10a、通常コンタクト10bを含むの配置パターン、及び、ダミーパターン20の配置パターンを決定する。具体的には、例えば、先ず、ダミーパターン20の配置パターンとして、格子状例えば、千鳥格子状、或いは、正格子状の配置パターンを自動生成する。そして、自動生成された配置パターンにおけるダミーパターン20のうち、平面視において孤立コンタクト10aの最も近くに位置するダミーパターン20例えば、図12におけるダミーパターン20aを削除する。つまり、例えば、ダミーパターン20の配置パターンを決定する前に、孤立コンタクト10aの配置を決定しておき、孤立コンタクト10aの配置に合わせて、ダミーパターン20の配置パターンを決定する。なお、例えば、図11に示すように、半導体装置が複数の孤立コンタクト10aを有している場合がある。その場合に、半導体装置の全域においてダミーパターン20を一定の規則性で配置してしまうと、ある孤立コンタクト10aの周囲にはダミーパターン20を所望の配置例えば、図2及び図10aの配置、或いは、図10bの配置に出来ても、他の孤立コンタクト10aの周囲にはダミーパターン20を所望の配置にすることができない場合がある。そこで、例えば、図11に示すように、各孤立コンタクト10aの周囲において、ダミーパターン20が所望の配置で配置されるように、ダミーパターン20の配置パターンを各孤立コンタクト10a毎に、個別に設定する。つまり、図11の左側の孤立コンタクト10aの周囲のダミーパターン20と、右側の孤立コンタクト10aの周囲のダミーパターン20とでは、規則性が互いにずれており、このように各孤立コンタクト10aの位置に合わせてその周囲のダミーパターン20の規則性をずらすことにより、各孤立コンタクト10aの周囲においてダミーパターン20を所望の配置にすることができる。このように半導体装置の設計を行った後で、以下のように半導体装置を製造する。図1に示すように、基板31を準備し、その基板31の表層にシリサイド層32を形成する。次に、シリサイド層32上及び基板31上にコンタクト層間絶縁膜33を形成し、このコンタクト層間絶縁膜33にコンタクト10孤立コンタクト10a、通常コンタクト10bを含むを埋め込み形成する。次に、図2に示すように、コンタクト層間絶縁膜33上に層間絶縁膜34を形成し、この層間絶縁膜34にダミーパターン20を埋め込み形成する。この工程では、予め設計された配置パターンにて、ダミーパターン20を配置する。次に、層間絶縁膜34上に層間絶縁膜35を形成する。こうして、本実施形態に係る半導体装置を製造することができる。以上のような第1の実施形態によれば、コンタクト又はビア例えば、コンタクト10よりも上層に配置されたダミーパターン20が、コンタクト又はビアの真上の所定範囲の領域R1には存在せず、且つ、所定範囲の領域R1の周囲の領域においては、所定の規則性に従って平面視において分散して配置されているので、ダミーパターン20の配置に基づいてコンタクトの位置又はビアの位置を特定することができる。つまり、ダミーパターン20を観察し、その位置を確認することにより、コンタクト又はビアの位置を特定することができる。よって、例えば、コンタクト又はビア例えば、孤立コンタクト10aの断面形状観察などの物理解析を容易に行うことができる。第2の実施形態図3及び図4は第2の実施形態に係る半導体装置の一連の製造工程を示す図である。図3b及び図4bは、それぞれ平面図である。図3aは図3bのA-A線に沿った断面図であり、図4aは図4bのA-A線に沿った断面図である。なお、図4は、第2の実施形態に係る半導体装置の断面図及び平面図でもある。本実施形態に係る半導体装置は、以下に説明する点でのみ、上記の第1の実施形態に係る半導体装置図2と相違し、その他の点では第1の実施形態に係る半導体装置と同様に構成されている。図4に示すように、本実施形態の場合、層間絶縁膜34には、ダミーパターン20ではなく、配線40が埋め込み形成されている。そして、層間絶縁膜34の上層の層間絶縁膜35の更に1つ上の層の層間絶縁膜36に、ダミーパターン20が埋め込み形成されている。層間絶縁膜36上には層間絶縁膜37が形成されている。本実施形態の場合も、ダミーパターン20と孤立コンタクト10aとの平面的な位置関係は、第1の実施形態と同様である。次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。本実施形態の場合も、コンタクト10、ダミーパターン20等の配置パターンの決定を含む設計を行った後で、半導体装置を製造する。図1に示す工程を第1の実施形態と同様に行った後、図3に示すように、コンタクト層間絶縁膜33上に層間絶縁膜34を形成し、この層間絶縁膜34に配線40を埋め込み形成する。次に、図4に示すように、層間絶縁膜34上に層間絶縁膜35を形成する。次に、層間絶縁膜35上に層間絶縁膜36を形成し、この層間絶縁膜36にダミーパターン20を埋め込み形成する。この工程では、予め設計された配置パターンにて、ダミーパターン20を配置する。次に、層間絶縁膜36上に層間絶縁膜37を形成する。こうして、第2の実施形態に係る半導体装置を製造することができる。以上のような第2の実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果が得られる。第3の実施形態図5は第3の実施形態に係る半導体装置を示す図であり、このうち図5aは断面図、図5bは平面図である。図13は比較例2に係る半導体装置を示す図であり、このうち図13bは平面図、図13aは図13bのA-A線に沿った断面図である。第3の実施形態に係る半導体装置を説明する前に、図13を参照して、比較例2に係る半導体装置を説明する。図13に示すように、比較例2に係る半導体装置は、ダミーパターン20を有していない点で、比較例1に係る半導体装置図12と相違し、その他の点では、比較例1に係る半導体装置と同様に構成されている。比較例2に係る半導体装置の場合も、比較例1に係る半導体装置の場合と同様の理由から、孤立コンタクト10aの位置を特定することが困難である。一方、第3の実施形態に係る半導体装置は、以下に説明する点でのみ、比較例2に係る半導体装置図13と相違し、その他の点では、比較例2に係る半導体装置と同様に構成されている。図5に示すように、第3の実施形態に係る半導体装置においては、コンタクト又はビア例えば、孤立コンタクト10aの真上の所定範囲の領域R2にのみ、ダミーパターン20が配置されている。そして、領域R2の外には、ダミーパターン20が配置されていない。よって、ダミーパターン20の配置を確認することにより、孤立コンタクト10aの位置を特定できる。より具体的には、ダミーパターン20は、例えば、孤立コンタクト10aの真上に配置されており、平面視において、ダミーパターン20と孤立コンタクト10aとが重なっている。よって、より容易且つ正確に、孤立コンタクト10aの位置を特定することができる。より具体的には、平面視において、ダミーパターン20の中心と、孤立コンタクト10aの中心と、が重なっている。よって、より容易且つ正確に、孤立コンタクト10aの位置を特定することができる。次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。本実施形態の場合も、コンタクト10、ダミーパターン20等の配置パターンの決定を含む設計を行った後で、半導体装置を製造する。図1に示す工程を第1の実施形態と同様に行った後、図5に示すように、コンタクト層間絶縁膜33上に層間絶縁膜34を形成し、この層間絶縁膜34にダミーパターン20を埋め込み形成する。この工程では、予め設計された配置パターンにて、ダミーパターン20を配置する。次に、層間絶縁膜34上に層間絶縁膜35を形成する。こうして、本実施形態に係る半導体装置を製造することができる。以上のような第3の実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果が得られる。また、特に、コンタクト又はビア例えば、孤立コンタクト10aの真上の所定範囲の領域R2にのみ、ダミーパターン20が配置されているため、ダミーパターン20を見つけ出すことができれば、その近傍にコンタクト又はビアが存在することを認識することができる。第4の実施形態図6は第4の実施形態に係る半導体装置を示す図であり、このうち図6aは図6bのA-A線に沿った断面図、図6bは平面図である。本実施形態に係る半導体装置は、以下に説明する点でのみ、上記の第3の実施形態に係る半導体装置図5と相違し、その他の点では第3の実施形態に係る半導体装置と同様に構成されている。図6に示すように、本実施形態の場合、層間絶縁膜34には、ダミーパターン20ではなく、配線40が埋め込み形成されている。そして、層間絶縁膜34の上層の層間絶縁膜35の更に1つ上の層の層間絶縁膜36に、ダミーパターン20が埋め込み形成されている。層間絶縁膜36上には層間絶縁膜37が形成されている。本実施形態の場合も、ダミーパターン20と孤立コンタクト10aとの平面的な位置関係は、第3の実施形態と同様である。次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。本実施形態の場合も、コンタクト10、ダミーパターン20等の配置パターンの決定を含む設計を行った後で、半導体装置を製造する。図1に示す工程を第1の実施形態と同様に行った後、図3に示す工程を第2の実施形態と同様に行う。次に、図6に示すように、層間絶縁膜34上に層間絶縁膜35を形成する。次に、層間絶縁膜35上に層間絶縁膜36を形成し、この層間絶縁膜36にダミーパターン20を埋め込み形成する。この工程では、予め設計された配置パターンにて、ダミーパターン20を配置する。次に、層間絶縁膜36上に層間絶縁膜37を形成する。こうして、第4の実施形態に係る半導体装置を製造することができる。以上のような第4の実施形態によっても、第3の実施形態と同様の効果が得られる。第5の実施形態図7は第5の実施形態に係る半導体装置を示す図であり、このうち図7aは図7bのA-A線に沿った断面図、図7bは平面図である。本実施形態に係る半導体装置は、以下に説明する点でのみ、上記の第2の実施形態に係る半導体装置図4と相違し、その他の点では第2の実施形態に係る半導体装置と同様に構成されている。図7に示すように、本実施形態の場合、孤立コンタクト10aの真上に孤立ビア50aが配置されている。ここで、本実施形態に係る半導体装置においては、例えば、層間絶縁膜35に複数のビア50図7では1つのビア50のみを図示が配置されており、そのうち、孤立ビア50aは、平面的に孤立したレイアウトのビア50である。本実施形態の場合も、第2の実施形態と同様の配置パターンでダミーパターン20が配置されている。このため、ダミーパターン20の配置を確認することにより、容易に、孤立コンタクト10a及び孤立ビア50aの位置を特定することができる。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、層間絶縁膜35に対し、予め決定した配置パターンでビア50孤立ビア50aを含むを埋め込み形成する点でのみ、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法と相違し、その他の点は、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様である。以上のような第5の実施形態によれば、第2の実施形態と同様の効果が得られる他、ダミーパターン20の配置に基づいて孤立ビア50aの位置を特定することもできる。第6の実施形態図8は第6の実施形態に係る半導体装置を示す図であり、このうち図8aは図8bのA-A線に沿った断面図、図8bは平面図である。本実施形態に係る半導体装置は、以下に説明する点でのみ、上記の第4の実施形態に係る半導体装置図6と相違し、その他の点では第4の実施形態に係る半導体装置と同様に構成されている。図8に示すように、本実施形態の場合、孤立コンタクト10aの真上に孤立ビア50aが配置されている。ここで、本実施形態に係る半導体装置においては、例えば、層間絶縁膜35に複数のビア50図8では1つのビア50のみを図示が配置されており、そのうち、孤立ビア50aは、平面的に孤立したレイアウトのビア50である。本実施形態の場合も、第4の実施形態と同様の配置パターンでダミーパターン20が配置されている。このため、ダミーパターン20の配置を確認することにより、容易に、孤立コンタクト10a及び孤立ビア50aの位置を特定することができる。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、層間絶縁膜35に対し、予め決定した配置パターンでビア50孤立ビア50aを含むを埋め込み形成する点でのみ、第4の実施形態に係る半導体装置の製造方法と相違し、その他の点は、第4の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様である。以上のような第6の実施形態によれば、第4の実施形態と同様の効果が得られる他、ダミーパターン20の配置に基づいて孤立ビア50aの位置を特定することもできる。上記の第1乃至第4の各実施形態では、ダミーパターン20の配置に基づいて孤立コンタクト10aの位置を特定できるような構造の半導体装置について具体的に説明したが、孤立コンタクト10aを有さず、孤立ビア50aを有する構造の半導体装置において、上記の第1乃至第4の各実施形態での孤立コンタクト10aとダミーパターン20との平面的な位置関係と同様に、孤立ビア50aとダミーパターン20との平面的な位置関係を設定することにより、ダミーパターン20の配置に基づいて孤立ビア50aの位置を特定できるようにすることができる。また、ダミーパターン20を配置するレイヤーは、上記において図示したレイヤー以外であっても良い。