n型クラッド層、前記n型クラッド層上に形成された活性層、前記活性層上に形成された第1のp型クラッド層、および前記第1のp型クラッド層上に形成されたリッジを有する第2のp型クラッド層からなる共振器を備え、前記第1のp型クラッド層および前記第2のp型クラッド層は、第1の不純物が添加されており、前記共振器端面近傍の前記活性層および前記第1のp型クラッド層に第2の不純物が注入された注入領域を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。n型クラッド層、前記n型クラッド層上に形成された活性層、前記活性層上に形成された第1のp型クラッド層、前記第1のp型クラッド層上に形成された第2のp型クラッド層、および前記第1のp型クラッド層と前記第2のp型クラッド層との間に形成されたストライプ状の開口部を有する電流ブロック層からなる共振器を備え、前記第1のp型クラッド層および前記第2のp型クラッド層は、第1の不純物が添加されており、前記共振器端面近傍の前記活性層および前記第1のp型クラッド層に第2の不純物が注入された注入領域を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。前記活性層は、量子井戸構造を有しており、前記活性層の前記注入領域は、量子井戸構造が無秩序化された無秩序部となっていることを特徴とする請求項1又は2に記載の窒化物半導体レーザ素子。前記無秩序部におけるエネルギーバンドギャップは、前記活性層の前記無秩序部以外の部分のエネルギーバンドギャップよりも大きいことを特徴とする請求項3に記載の窒化物半導体レーザ素子。前記活性層は、AlGaInNから構成され、前記無秩序部は、B、Al、Gaのいずれかを含むイオン種が注入された、前記活性層のB、AlもしくはGaの組成比が前記活性層のB、AlもしくはGaの平均組成比より大きくされた部分であることを特徴とする請求項4に記載の窒化物半導体レーザ素子。前記無秩序部は、B、Al、Gaのいずれかを含み、かつInを含むイオン種が注入された部分であることを特徴とする請求項5に記載の窒化物半導体レーザ素子。前記第1の不純物は、Mgであり、前記第2の不純物は、H、B、C、N、Al、Si、Zn、Ga、As、Inのうち少なくとも1つであることを特徴とする請求項3に記載の窒化物半導体レーザ素子。しかしながら、窒化物半導体レーザ素子における窓構造は、現在までほとんど提案されていない。さらに、窒化物半導体においては、不純物拡散やイオン注入といった技術が確立していないため、窓構造を形成するための量子井戸構造の無秩序化や高抵抗化といった効果がほとんど確認されていない。一般に、窒化物半導体は他の化合物半導体より熱的に安定であるため、不純物の拡散といったプロセスはほとんど実用化されていない。窒化物半導体の場合、p型層にはMgをドープした層を用いるのが一般的であるが、この層は結晶成長後に750~800°Cの熱処理によりp型不純物としてのMgを活性化してはじめてp型層として機能することが知られている。活性化温度が低すぎると、十分な正孔濃度が得られず、活性化温度が高すぎると表面からNの脱離が起きてしまう。Nの脱離が起きた場合、Nの空孔がドナー的に機能するため、n型層については問題が生じないが、p型層についてはp型層として機能しなくなる。量子井戸構造の無秩序化には高温での熱処理を必要とするが、AlGaAs系のレーザ素子においてはイオン注入後の熱処理や不純物拡散の熱処理の温度は500~700°C程度で十分であるが、窒化物半導体の場合、熱的により安定なため800~1300°Cの熱処理が必要となる。このような温度での熱処理を行うと前述のように、p型層において表面からNの脱離が起きてしまうため、特性の劣化を招くという問題がある。半導体レーザ素子にはpn接合が必須であるため、p型層の劣化はレーザ素子の特性に直結する問題である。そこで、本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、高出力長寿命な、青色から紫外域の光を出力する窒化物半導体レーザ素子を提供することにある。上記課題を解決し上記目的を達成するために、本発明の窒化物半導体レーザ素子は、n型クラッド層、前記n型クラッド層上に形成された活性層、前記活性層上に形成された第1のp型クラッド層、および前記第1のp型クラッド層上に形成されたリッジを有する第2のp型クラッド層からなる共振器を備え、前記第1のp型クラッド層および前記第2のp型クラッド層は、第1の不純物が添加されており、前記共振器端面近傍の前記活性層および前記第1のp型クラッド層に第2の不純物が注入された注入領域を有することを特徴としている。このように、本発明の窒化物半導体レーザ素子では共振器端部にイオン注入された注入領域を備える。これにより、高出力、長寿命である窒化物半導体レーザ素子を実現できる。また、本発明は、n型クラッド層、前記n型クラッド層上に形成された活性層、前記活性層上に形成された第1のp型クラッド層、前記第1のp型クラッド層上に形成された第2のp型クラッド層、および前記第1のp型クラッド層と前記第2のp型クラッド層との間に形成されたストライプ状の開口部を有する電流ブロック層からなる共振器を備え、前記第1のp型クラッド層および前記第2のp型クラッド層は、第1の不純物が添加されており、前記共振器端面近傍の前記活性層および前記第1のp型クラッド層に第2の不純物が注入された注入領域を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子とすることもできる。この構成によれば、内部埋込型のストライプ状の導波路を備えた、高出力、長寿命である窒化物半導体レーザ素子を実現することができるという効果がある。ここで、前記活性層は、量子井戸構造を有しており、前記活性層の前記注入領域は、量子井戸構造が無秩序化された無秩序部となっていてもよい。この構成によれば、活性層の一部での光吸収がなくなり、高出力動作時の共振器端面の劣化などを抑制できるという効果がある。ここで、前記無秩序部におけるエネルギーバンドギャップは、前記活性層の前記無秩序部以外の部分のエネルギーバンドギャップより大きくてもよい。この構成によれば、無秩序部とされた活性層における光吸収を阻止できるという効果がある。ここで、前記第1の不純物は、Mgであり、前記第2の不純物は、H、B、C、N、Al、Si、Zn、Ga、As、Inのうち少なくとも1つであってもよい。この構成によれば、H、B、C、N、Znは主に高抵抗化の効果が、Siは主にn型化の効果が、Al、Ga、As、Inは主に無秩序化の効果があるので、注入領域を高抵抗化もしくは無秩序化できるという効果がある。ここで、前記活性層は、AlGaInNから構成され、前記無秩序部は、B、Al、Gaのいずれかを含むイオン種が注入された、前記活性層のB、AlもしくはGaの組成比が前記活性層のB、AlもしくはGaの平均組成比より大きくされた部分であってもよい。この構成によれば、注入領域のバンドギャップを更に大きくするという効果がある。ここで、前記無秩序部は、B、Al、Gaのいずれかを含み、かつInを含むイオン種が注入された部分であってもよい。この構成によれば、Inによるバンドギャップ縮小の効果が、B、Al、Gaによるバンドギャップ拡大の効果に打ち消され、Inの拡散による無秩序化の効果が最大限に発揮されうるという効果がある。本発明の窒化物半導体レーザ素子によれば、共振器端面近傍に形成された無秩序化もしくは高抵抗化された変質部により光吸収や電流注入による共振器端部の発熱を抑えることができるため、CODや共振器端面の劣化を抑制でき、その結果、高出力長寿命の信頼性の高い窒化物半導体レーザ素子を実現できる。また複数種のイオンを同時に注入することで、無秩序化及び高抵抗化された変質部が形成された構造の窒化物半導体レーザ素子を実現でき、簡易なプロセスで高品質な窒化物半導体レーザ素子の作製が可能になる。第1の実施の形態以下、本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を図1~4に基づいて詳細に説明する。本実施の形態ではイオン注入による窓構造と、リッジストライプ型の導波路とを有する窒化物半導体レーザ素子について説明する。なお、窓構造とは、共振器の共振方向の端部において、活性層が無秩序化され、共振する光に対して透明な部分が形成されている構造をいう。また、リッジストライプ型の導波路とは、共振方向と平行なストライプ状のリッジ部から構成される導波路をいう。図1は本実施の形態における窒化物半導体レーザ素子の斜視図であり、図2aは同半導体レーザ素子の共振器の共振方向図1のC方向からみた断面図図1のBB’線における断面図であり、図2bは同半導体レーザ素子の共振方向と垂直な方向からみた断面図図1のAA’線における断面図である。本半導体レーザ素子は、Ti/Al/Ni/Auからなるn電極101と、n型GaN基板102と、n型GaNもしくはn型AlGaNからなる第1クラッド層103と、イオン注入部104と、AlGaInN多重量子井戸からなる活性層105と、p型もしくはアンドープのGaNもしくはAlGaNからなる第2クラッド層106と、p型GaNもしくはp型AlGaNからなる第3クラッド層107と、SiO2からなる誘電体絶縁膜108と、Ni/Pt/Auからなるp電極109とから構成される。なお、イオン注入部104は、本発明の変質部の一例である。このとき、第1クラッド層103、活性層105、第2クラッド層106、第3クラッド層107及び誘電体絶縁膜108によりレーザ発振させる共振器が形成される。本実施の形態の半導体レーザ素子は、共振器の共振方向の端面共振器端面D近傍の領域共振器端部において、第2クラッド層106、活性層105及び第1クラッド層103の一部にイオン注入とそれに続く熱アニールとにより無秩序化領域イオン注入部104が形成され、その後の再成長により第3クラッド層107が形成された、リッジストライプ型の導波路を備えた窒化物半導体より構成される青紫色半導体レーザ素子である。すなわち、本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子は、光が共振する共振器の中間部を挟み込む共振器端部において、中間部のp型半導体層としての第3クラッド層107よりも下方に位置する半導体層を変質させた無秩序化領域イオン注入部104が形成された青紫色半導体レーザ素子である。例えば、n型GaN基板102上には、n型AlxGa1xNただし、0≦x≦1からなる第1クラッド層103と、In1xbGaxbNただし、0≦xb≦1バリア層及びIn1xwGaxwNただし、0≦xw≦1ウエル層からなるInGaN多重量子井戸活性層105と、p型もしくはアンドープのGaNもしくはAlxGa1xNからなる第2クラッド層106と、p型AlxGa1xNからなる第3クラッド層107とが順次形成される。第3クラッド層107はストライプ状のリッジ部図1におけるE部を有し、第3クラッド層107のリッジ部の側面と非リッジ部上面にはSiO2からなる誘電体絶縁膜108が形成される。リッジ部の上面にはNi/Pt/Auからなるオーミック電極がp電極109として形成され、n型GaN基板102の裏面にはTi/Al/Ni/Auからなるオーミック電極がn電極101として形成される。さらに、共振器端部において、第1クラッド層103の一部、活性層105及び第2クラッド層106にイオン注入部104が設けられる。n型層である第1クラッド層103にはSiが、p型層である第2クラッド層106p型である場合及び第3クラッド層107にはMgがそれぞれ不純物としてドーピングされる。イオン注入部104はAlが1×1015cm2の不純物濃度で注入されて形成される。イオン注入部104は、イオン注入に続く1000°Cでの熱アニール処理が施されて形成され、イオン注入部104では活性層105が無秩序化され、活性層105の青紫色発光約405nmを吸収しない程度にバンドギャップが大きくなっている。以上のように本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子によれば、共振器端部において、活性層105が無秩序化され、活性層105のバンドギャップが大きくなったイオン注入部104が形成されている。この結果、共振器端部での光吸収がなくなり、高出力動作時のCODや共振器端面の劣化などを抑制することができるので、高出力長寿命のレーザ素子を実現できる。なお、本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子においては、イオン注入部104を形成するために注入されるイオン種はAlであったが、H、B、C、N、Si、Zn、Ga、As、Inといった他のイオン種でも構わない。また、イオン種の注入量は1×1014cm2~1×1016cm2の範囲であることが望ましい。例えば、H、B、C、N、Znといったイオン種を注入イオンとすると、イオン注入部104は活性層105、第1クラッド層103及び第2クラッド層106の高抵抗な部分となり、活性層105の発光に対する透明化の効果とともに高抵抗化の効果、つまり共振器端部を電流非注入領域とすることによる効果も期待できるので、さらにレーザ素子の高出力化長寿命化が期待できる。また、Siを注入イオン種とした場合は、イオン注入部104はn型化するため、イオン注入部104の周辺がすべてp型であれば、p-n-p接合が形成されるので、上記と同様の共振器端部を電流非注入領域とすることによる効果が期待できる。さらに、注入イオン種がB、Al、Ga、InといったIII族イオンである場合は、活性層105を形成する元素との無秩序化によりイオン注入部104のIII族元素の組成比を活性層105のIII族元素の平均組成比よりも大きくなるように制御でき、窓構造のチューニングが可能となる。III族イオン注入による波長のチューニングを行う場合には1×1016cm2以上の高い注入量が好ましい。このような高い注入量によりイオン注入部104のIII族組成比を変化させることが可能になる。また、イオン注入部104を形成するために注入されるイオン種は2種以上でも構わない。例えば、Al等のIII族元素とInの同時注入や、Al等のIII族元素とZnの同時注入などを行うことで、より特性の良い窓構造を実現できる。具体的には、AlとInを同時に注入した場合、Inの方がAlよりも質量が大きく、GaN中での拡散係数も大きいため、活性層105の無秩序化には適しているが、Inは活性層105のバンドギャップを小さくする方に働くため、Inと同量程度のAlを同時に注入することで、Inの効果を補償し、活性層105のバンドギャップを大きくすることができる。すなわち、光吸収が無いイオン注入部104を形成することができる。また、Al、Znを同時に注入した場合には、Alにはバンドギャップ増大の効果が、Znには高抵抗化の効果がそれぞれ期待でき、透明化と高抵抗化の効果を両方備えた窓構造を実現できる。また、本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子によれば、半導体層へのイオン注入により窓構造を形成する。よって、イオン注入部104と非注入部の屈折率差がほとんどないため、レーザ素子内部の活性層105、リッジストライプ型の導波路、及び誘電体絶縁膜108による光の閉じ込め構造と共振器端部のイオン注入部104における光の閉じ込め構造がほぼ同一になり、安定したレーザ発振を実現できる。図1、2に示すような構造の窒化物半導体レーザ素子を作製するためには、例えば、図3に示す製造方法が考えられる。図3は本発明の第1の実施の形態における窒化物半導体レーザ素子の製造方法を示す断面図である。図3において、図1、2と同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略する。まず、例えば、転位密度が106cm3台のn型GaN基板102の0001面上に、有機金属気相成長法MetalOrganicChemicalVaporDeposition:MOCVD法等の結晶成長法により、n型GaN緩衝層不図示と、n型GaNもしくはn型AlGaNからなる第1クラッド層103と、InGaN多重量子井戸活性層105と、p型もしくはアンドープのGaNもしくはAlGaNからなる第2クラッド層106とを順次形成する図3a。活性層105からは電流注入により、405nmの青紫色発光が生じる。次に、第2クラッド層106上に、共振器端部のみに開口部を有するSiO2マスク110を形成し、例えばAlイオンを用いて活性層105及び第1クラッド層103の一部まで到達する加速電圧でイオン注入を行い、第1クラッド層103及び活性層105における共振器端部となる部分にイオン注入部104を形成する図3b。イオン注入量は例えば1×1015cm2である。その後、イオン注入部104を800°C以上の熱処理、例えば1000°Cに加熱する熱アニールを行い、イオン注入部104のダメージを回復するとともに、イオン注入部104の注入イオンを拡散させ共振器端部の活性層105を無秩序化する。次に、p型AlGaNからなる第3クラッド層107をMOCVD法等の結晶成長法により第2クラッド層106上に再成長させる。その後、第2クラッド層106p型である場合及び第3クラッド層107に対し、N2雰囲気中で例えば750°C、30分のアニールを施し、第2クラッド層106p型である場合、第3クラッド層107のp型不純物を活性化させる図3c。次に、p型不純物の活性化処理の後、第3クラッド層107上にストライプ状の開口部を有するフォトレジスト不図示を形成する。このフォトレジストをマスクとして例えばCl2ガスを用いたICPInductiveCoupledPlasmaエッチングと呼ばれるドライエッチングにより第3クラッド層107にストライプ状のリッジ部を形成する図3d。次に、第3クラッド層107上にSiO2からなる誘電体絶縁膜108を形成し、フォトリソグラフィによるパターンニングとウェットエッチングにより、第3クラッド層107のリッジ部上方にのみに開口部を形成する。その後、リッジ部上方の開口部にNi/Pt/Au電極を、例えばEBElectronBeam蒸着とリフトオフにより形成する。ここではp型層へのコンタクト抵抗低減のためにN2雰囲気中で600°Cのシンタを行い、オーミック電極p電極109を形成する。次に、n型GaN基板102を裏面より厚さ約150μm程度まで研磨し、さらにn型GaN基板102の裏面にTi/Al/Ni/Au電極を例えばEB蒸着とリフトオフにより形成する。ここでは、n型層へのコンタクト抵抗低減のためにN2雰囲気中で600°Cのシンタを行い、オーミック電極n電極101を形成する。以上により図1、2に示すような構造の窒化物半導体レーザ素子が形成される図3e。以上のように、本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子の製造方法によれば、イオン注入及び熱アニールによる窓構造の形成を行った後にp型層第3クラッド層107を再成長により形成する。よって、p型層第3クラッド層107を800°C以上の高温にさらすことなく、窓構造を備えた窒化物半導体レーザ素子を製造でき、高出力長寿命の青紫色窒化物半導体レーザ素子を実現できる。なお、上述の窒化物半導体レーザ素子の製造方法においては、イオン注入部104を形成するために注入されるイオン種としてAlを例示したが、H、B、C、N、Si、Zn、Ga、As、Inといった他のイオン種でも構わない。また複数種のイオン種を同時に注入しても構わない。イオン種の注入量は1×1014cm2~1×1016cm2の範囲であることが望ましく、Al、Ga、InといったIII族イオンを注入する場合は1×1016cm2以上の注入量が好ましい。また、図3bで示すイオン注入時にn型GaN基板102及び半導体層を400°C以上に加熱してもよい。これによって、n型GaN基板102の格子エネルギーが大きくなり、イオン注入時の結晶ダメージを軽減でき、窓構造の透過特性を向上させることができる。このとき、イオン注入時に、YAGの3倍波レーザ波長355nmやKrFレーザ波長248nmなどのイオン注入部104が形成される部分のバンドギャップより大きいエネルギーを持つレーザをイオン注入部104が形成される部分に照射してもよい。これによって、イオン注入部104が形成される部分のみを選択的に加熱することができ、イオン注入時の結晶ダメージを軽減し、窓構造の透過特性を向上させることができる。また、図3bで示すイオン注入後の熱処理時に、図4に示すようにYAGの3倍波レーザ波長355nmやKrFレーザ波長248nmなどのレーザ111をイオン注入部104が形成される部分に照射し、800°C以上に加熱してもよい。これによって、イオン注入部104が形成される部分のみを選択的に加熱することができる。第2の実施の形態以下、本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を図5~7に基づいて詳細に説明する。本実施の形態ではイオン注入による高抵抗電流非注入領域を備えた、リッジストライプ型の導波路を有する窒化物半導体レーザ素子について説明する。図5は本実施の形態における窒化物半導体レーザ素子の斜視図であり、図6aは同半導体レーザ素子の共振器の共振方向図5のC方向からみた断面図図5のBB’線における断面図であり、図6bは同半導体レーザ素子の共振方向と垂直な方向からみた断面図図5のAA’線における断面図である。図5、6において、図1、2と同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略する。本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子は、n電極101と、n型GaN基板102と、第1クラッド層103と、イオン注入部204と、活性層105と、p型GaNもしくはp型AlGaNからなる第3クラッド層201と、誘電体絶縁膜108と、p電極109とから構成される。なお、イオン注入部204は、本発明の変質部の一例である。このとき、第1クラッド層103、活性層105、第3クラッド層201及び誘電体絶縁膜108によりレーザ発振させる共振器が形成される。本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子は、共振器端面D近傍の領域共振器端部において、第3クラッド層201の一部にイオン注入により高抵抗領域イオン注入部204が形成された、リッジストライプ型の導波路を備えた窒化物半導体より構成される青紫色半導体レーザ素子である。すなわち、本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子は、光が共振する共振器の中間部を挟み込む共振器端部において、中間部の活性層105よりも上方に位置する半導体層を変質させた電流非注入領域が形成された青紫色半導体レーザ素子である。例えば、n型GaN基板102上には、n型AlxGa1xNただし、0≦x≦1からなる第1クラッド層103と、In1xbGaxbNただし、0≦xb≦1バリア層及びIn1xwGaxwNただし、0≦xw≦1ウエル層からなるInGaN多重量子井戸活性層105と、p型AlxGa1xNからなる第3クラッド層201とが順次形成される。第3クラッド層201はストライプ状のリッジ部図5におけるE部を有し、第3クラッド層201のリッジ部の側面と非リッジ部上面にはSiO2からなる誘電体絶縁膜108が形成されている。リッジ部の上面にはNi/Pt/Auからなるオーミック電極がp電極109として形成され、n型GaN基板102の裏面にはTi/Al/Ni/Auからなるオーミック電極がn電極101として形成される。さらに、共振器端部において、第3クラッド層201の一部にイオン注入部204が設けられる。n型層である第1クラッド層103にはSiが、p型層である第3クラッド層201にはMgがそれぞれ不純物としてドーピングされる。イオン注入部204にはZnが1×1015cm2の不純物濃度で注入される。イオン注入部204は第3クラッド層201のみに形成されており、活性層105には形成されていない。またイオン注入部204では第3クラッド層201がイオン注入によって、例えば比抵抗108Ωcm以上に高抵抗化され、イオン注入部204は共振器端部での電流注入をブロックする電流注入ブロック層として機能している。以上のように本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子によれば、イオン注入部204は共振器端部での電流注入をブロックする電流注入ブロック層として機能する。よって、共振器端部での発熱が抑えられ、高出力動作時のCODや共振器端面の劣化などを抑制することができるので、高出力長寿命のレーザ素子が実現できる。また、本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子によれば、半導体層へのイオン注入により電流非注入領域を形成する。よって、イオン注入部204とイオン非注入部の屈折率差がほとんどないため、共振器端部での導波路構造を乱すことなく、電流非注入領域を形成できるので、安定した単一横モード動作を実現できる。なお、本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子においては、イオン注入部204を形成するために注入されるイオン種はZnであったが、イオン注入によって第3クラッド層201を高抵抗化できればこれに限られず、H、B、C、N、Al、Si、Ga、As、Inといった他のイオン種でも構わない。本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子では、注入後の高温>800°Cでの熱アニールを行わないため、注入イオン種としては、その他のプロセスにおける比較的低温~600°Cの熱処理によって抵抗が低下しないものであればZnに限られない。例えば、Siを注入イオン種とした場合は、イオン注入部204はn型化し、イオン注入部204の周辺がすべてp型であるので、p-n-p接合が形成され、上記と同様の共振器端部を電流非注入領域とすることによる効果が期待できる。イオン種の注入量は1×1014cm2~1×1016cm2の範囲であることが望ましい。また、イオン注入部204に注入されるイオン種は2種以上でも構わない。図5、6に示すような窒化物半導体レーザ素子を作製するためには、例えば、図7に示す製造方法が考えられる。図7は本発明の第2の実施の形態における窒化物半導体レーザ素子の製造方法を示す断面図である。図7において、図5、6と同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略する。まず、例えば、転位密度が106cm3台のn型GaN基板102の0001面上に、MOCVD法等の結晶成長法により、n型GaN緩衝層不図示、n型GaNもしくはn型AlGaNからなる第1クラッド層103と、InGaN多重量子井戸活性層105と、p型GaNもしくはp型AlGaNからなる第3クラッド層201とを順次形成する図7a。活性層105からは電流注入により、405nmの青紫色発光が生じる。その後、第3クラッド層201に対し、N2雰囲気中で例えば750°C、30分のアニールを施し、第3クラッド層201のp型不純物を活性化させる。次に、第3クラッド層201上に、共振器端部のみに開口部を有するSiO2マスク110を形成し、例えばZnイオンを用いて活性層105に到達しない程度の加速電圧で第3クラッド層201にイオン注入を行い、第3クラッド層201における共振器端部となる部分にイオン注入部204を形成する図7b。イオン注入量は例えば1×1015cm2である。次に、イオン注入部204がリッジ部となるように、第3クラッド層201にストライプ状のリッジ部を形成する。すなわち、第3クラッド層201上にストライプ状の開口部を有するフォトレジスト不図示を形成する。このフォトレジストをマスクとして例えばCl2ガスを用いたICPドライエッチングにより第3クラッド層201にストライプ状のリッジ部を形成する図7c。次に、第3クラッド層201上にSiO2からなる誘電体絶縁膜108を形成し、フォトリソグラフィによるパターンニングとウェットエッチングにより、第3クラッド層201のリッジ部上方にのみに開口部を形成する。その後、リッジ部上方の開口部にNi/Pt/Au電極を、例えばEB蒸着とリフトオフにより形成する。ここではp型層へのコンタクト抵抗低減のためにN2雰囲気中で600°Cのシンタを行い、オーミック電極p電極109を形成する。次に、n型GaN基板102を裏面より厚さ約150μm程度まで研磨し、さらにn型GaN基板102の裏面にTi/Al/Ni/Au電極を例えばEB蒸着とリフトオフにより形成する。ここでは、n型層へのコンタクト抵抗低減のためにN2雰囲気中で600°Cのシンタを行い、オーミック電極n電極101を形成する。以上により、図5、6に示すような構造の窒化物半導体レーザ素子が形成される図7d。以上のように、本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子の製造方法によれば、活性層105に到達しないイオン注入による高抵抗化で電流非注入領域を形成する。よって、注入ダメージの回復のための高温熱アニールを施すことなく、共振器端部に電流非注入領域を有する構造の窒化物半導体レーザ素子を製造でき、高出力長寿命の青紫色窒化物半導体レーザ素子を実現できる。なお、上述の窒化物半導体レーザ素子の製造方法においては、イオン注入部204を形成するために注入されるイオン種としてZnを例示したが、H、B、C、N、Al、Si、Ga、As、Inといった他のイオン種でも構わない。イオン種の注入量は1×1014cm2~1×1016cm2の範囲であることが望ましい。また、図7bで示すイオン注入時にn型GaN基板102及び半導体層を400°C以上に加熱してもよい。これによって、n型GaN基板102の格子エネルギーが大きくなり、イオン注入時の結晶ダメージを軽減できる。このとき、イオン注入時に、YAGの3倍波レーザ波長355nmやKrFレーザ波長248nmなどのイオン注入部204が形成される部分のバンドギャップより大きいエネルギーを持つレーザをイオン注入部204が形成される部分に照射してもよい。これによって、イオン注入部204が形成される部分のみを選択的に加熱することができ、イオン注入時の結晶ダメージを軽減できる。第3の実施の形態以下、本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を図8~11に基づいて詳細に説明する。本実施の形態ではイオン注入による窓構造を備えた、内部埋込型のストライプ状の導波路を有する窒化物半導体レーザ素子について説明する。なお、内部埋込型のストライプ状の導波路とは、半導体層の内部に埋め込まれた共振方向と平行なストライプ状の導波路をいう。図8は本実施の形態における窒化物半導体レーザ素子の斜視図であり、図9aは同半導体レーザ素子の共振器の共振方向図8のC方向からみた断面図図8のBB’線における断面図であり、図9bは共振方向と垂直な方向からみた断面図図8のAA’線における断面図である。図8、9において、図1、2と同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略する。本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子は、n電極101と、n型GaN基板102と、第1クラッド層103と、イオン注入部304と、活性層105と、第2クラッド層106と、p型GaNもしくはp型AlGaNからなる第3クラッド層307と、n型もしくはアンドープのAlGaNからなる電流ブロック層301と、p電極109とから構成される。なお、イオン注入部304は、本発明の変質部の一例である。このとき、第1クラッド層103、活性層105、第2クラッド層106、第3クラッド層307及び電流ブロック層301によりレーザ発振させる共振器が形成される。本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子は、共振器端面D近傍の領域共振器端部において、電流ブロック層301と第2クラッド層106と活性層105と第1クラッド層103の一部にイオン注入とそれに続く熱アニールとにより無秩序化領域イオン注入部304が形成され、その後の再成長により第3クラッド層307が形成された、内部埋込型のストライプ状の導波路を備えた窒化物半導体より構成される青紫色半導体レーザ素子である。すなわち、本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子は、光が共振する共振器の中間部を挟み込む共振器端部において、中間部のp型半導体層としての第3クラッド層307よりも下方に位置する半導体層を変質させた無秩序化領域イオン注入部304が形成された青紫色半導体レーザ素子である。例えば、n型GaN基板102上には、n型AlxGa1xNただし、0≦x≦1からなる第1クラッド層103と、In1xbGaxbNただし、0≦xb≦1バリア層及びIn1xwGaxwNただし、0≦xw≦1ウエル層からなるInGaN多重量子井戸活性層105と、p型もしくはアンドープのGaNもしくはAlxGa1xNからなる第2クラッド層106と、n型もしくはアンドープのAlyGa1yNただし、0≦y≦1からなる電流ブロック層301と、p型AlxGa1xNからなる第3クラッド層307とが順次形成される。電流ブロック層301はストライプ状の開口部図8におけるE部を有し、第3クラッド層307の上面にはNi/Pt/Auからなるオーミック電極がp電極109として形成され、n型GaN基板102の裏面にはTi/Al/Ni/Auからなるオーミック電極がn電極101として形成される。さらに、共振器端部において、第1クラッド層103の一部、活性層105、第2クラッド層106及び電流ブロック層301の一部にイオン注入部304が設けられる。n型層である第1クラッド層103、及び電流ブロック層301n型である場合にはSiが、p型層である第2クラッド層106p型である場合、及び第3クラッド層307にはMgがそれぞれ不純物としてドーピングされる。イオン注入部304はAlが1×1015cm2の不純物濃度で注入されて形成される。イオン注入部304は、イオン注入に続く1000°Cでの熱アニール処理が施されて形成され、イオン注入部304では活性層105が無秩序化され、活性層105の青紫色発光約405nmを吸収しない程度にバンドギャップが大きくなっている。以上のように本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子によれば、共振器端部において、活性層105が無秩序化され、活性層105のバンドギャップが大きくなったイオン注入部304が形成されている。この結果、共振器端部での光吸収がなくなり、高出力動作時のCODや端面劣化などを抑制することができるので、高出力長寿命のレーザ素子が実現できる。なお、本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子においては、イオン注入部304を形成するために注入されるイオン種はAlであったが、H、B、C、N、Si、Zn、Ga、As、Inといった他のイオン種でも構わない。また、イオン種の注入量は1×1014cm2~1×1016cm2の範囲であることが望ましい。例えば、H、B、C、N、Znといったイオン種を注入イオンとすると、イオン注入部304は活性層105、第1クラッド層103及び第2クラッド層106の高抵抗な部分となり、活性層105の発光に対する透明化の効果とともに高抵抗化の効果、つまり共振器端部を電流非注入領域とすることによる効果も期待できるので、さらにレーザ素子の高出力化長寿命化が期待できる。また、Siを注入イオン種とした場合は、イオン注入部304はn型化するため、イオン注入部304の周辺がすべてp型であれば、p-n-p接合が形成されるので、上記と同様の共振器端部を電流非注入領域とすることによる効果が期待できる。さらに、注入イオン種がB、Al、Ga、InといったIII族イオンである場合は、活性層105を形成する元素との無秩序化によりイオン注入部304のIII族元素の組成比を活性層105のIII族元素の平均組成比よりも大きくなるように制御でき、窓構造のチューニングが可能となる。III族イオン注入による波長のチューニングを行う場合には1×1016cm2以上の高い注入量が好ましい。このような高い注入量によりイオン注入部304のIII族組成比を変化させることが可能になる。また、イオン注入部304を形成するために注入されるイオン種は2種以上でも構わない。例えば、Al等のIII族元素とInの同時注入や、Al等のIII族元素とZnの同時注入などを行うことで、より特性の良い窓構造を実現できる。具体的には、AlとInを同時に注入した場合、Inの方がAlよりも質量が大きく、GaN中での拡散係数も大きいため、活性層105の無秩序化には適しているが、Inは活性層105のバンドギャップを小さくする方に働くため、Inと同量程度のAlを同時に注入することで、Inの効果を補償し、活性層105のバンドギャップを大きくすることができる。すなわち、光吸収が無いイオン注入部304を形成することができる。また、Al、Znを同時に注入した場合には、Alにはバンドギャップ増大の効果が、Znには高抵抗化の効果がそれぞれ期待でき、透明化と高抵抗化の効果を両方備えた窓構造を実現できる。また、本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子によれば、半導体層へのイオン注入により窓構造を形成する。よって、イオン注入部304と非注入部の屈折率差がほとんどないため、レーザ素子内部の活性層105、ストライプ状の導波路、及び電流ブロック層301による光の閉じ込め構造と共振器端部のイオン注入部304における光の閉じ込め構造がほぼ同一になり、安定したレーザ発振が実現できる。図8、9に示すような構造の窒化物半導体レーザ素子を作製するためには、例えば、図10に示す製造方法が考えられる。図10は第3の実施の形態における窒化物半導体レーザ素子の製造方法を示す断面図である。図10において、図8、9と同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略する。まず、例えば、転位密度が106cm3台のn型GaN基板102の0001面上に、MOCVD法等の結晶成長法により、n型GaN緩衝層不図示と、n型GaNもしくはn型AlGaNからなる第1クラッド層103と、InGaN多重量子井戸活性層105と、p型もしくはアンドープのGaNもしくはAlGaNからなる第2クラッド層106と、n型もしくはアンドープのAlGaNからなる電流ブロック層301とを順次形成する図10a。活性層105からは電流注入により、405nmの青紫色発光が生じる。次に、電流ブロック層301上に、ストライプ状の開口部を有するフォトレジスト不図示を形成する。このフォトレジストをマスクとして例えばCl2ガスを用いたICPドライエッチングにより電流ブロック層301にストライプ状の開口部を形成する。次に、電流ブロック層301上に、共振器端部となる部分のみに開口部を有するSiO2マスク110を形成し、例えばAlイオンを用いて電流ブロック層301の開口部において、活性層105及び第1クラッド層103の一部まで到達する加速電圧でイオン注入を行い、第1クラッド層103及び活性層105における共振器端部となる部分にイオン注入部304を形成する。イオン注入量は例えば1×1015cm2である。その後、イオン注入部304を800°C以上の熱処理、例えば1000°C加熱する熱アニールを行い、イオン注入部304のダメージを回復するとともに、イオン注入部304の注入イオンを拡散させ共振器端部の活性層105を無秩序化する図10b、c。次に、p型AlGaNからなる第3クラッド層307をMOCVD法等の結晶成長法により電流ブロック層301の開口部から再成長させる。その後、第2クラッド層106p型である場合及び第3クラッド層307に対し、N2雰囲気中で例えば750°C、30分のアニールを施し、第2クラッド層106p型である場合、第3クラッド層307のp型不純物を活性化させる図10d。次に、p型不純物の活性化処理の後、第3クラッド層307上にNi/Pt/Au電極を、例えばEB蒸着とリフトオフにより形成する。ここではp型層へのコンタクト抵抗低減のためにN2雰囲気中で600°Cのシンタを行い、オーミック電極p電極109を形成する。次に、n型GaN基板102を裏面より厚さ約150μm程度まで研磨し、さらにn型GaN基板102の裏面にTi/Al/Ni/Au電極を例えばEB蒸着とリフトオフにより形成する。ここでは、n型層へのコンタクト抵抗低減のためにN2雰囲気中で600°Cのシンタを行い、オーミック電極n電極101を形成する。以上により図8、9に示すような構造の窒化物半導体レーザ素子が形成される図10e。以上のように、本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子の製造方法によれば、イオン注入及び熱アニールによる窓構造の形成を行った後にp型層第3クラッド層307を再成長により形成する。よって、p型層第3クラッド層307を800°C以上の高温にさらすことなく、窓構造を備えた構造の窒化物半導体レーザ素子を製造でき、高出力長寿命の青紫色窒化物半導体レーザ素子を実現できる。なお、上述の窒化物半導体レーザ素子の製造方法においては、イオン注入部304を形成するために注入されるイオン種としてAlを例示したが、H、B、C、N、Si、Zn、Ga、As、Inといった他のイオン種でも構わない。また複数種のイオン種を同時に注入しても構わない。イオン種の注入量は1×1014cm2~1×1016cm2の範囲であることが望ましく、Al、Ga、InといったIII族イオンを注入する場合は1×1016cm2以上の注入量が好ましい。また、図10b、cで示すイオン注入時にn型GaN基板102及び半導体層を400°C以上に加熱してもよい。これによって、n型GaN基板102の格子エネルギーが大きくなり、イオン注入時の結晶ダメージを軽減でき、窓構造の透過特性を向上させることができる。このとき、イオン注入時に、YAGの3倍波レーザ波長355nmやKrFレーザ波長248nmなどのイオン注入部304が形成される部分のバンドギャップより大きいエネルギーを持つレーザをイオン注入部304が形成される部分に照射してもよい。これによって、イオン注入部304が形成される部分のみを選択的に加熱することができ、イオン注入時の結晶ダメージを軽減し、窓構造の透過特性を向上させることができる。また、図10b、cで示すイオン注入後の熱処理時に、図11に示すようにYAGの3倍波レーザ波長355nmやKrFレーザ波長248nmなどのレーザ111をイオン注入部304が形成される部分に照射し、800°C以上に加熱してもよい。これによって、イオン注入部304のみを選択的に加熱することができる。第4の実施の形態以下、本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を図12~14に基づいて詳細に説明する。本実施の形態ではイオン注入による高抵抗電流非注入領域を備えた、内部埋込型のストライプ状の導波路を有する窒化物半導体レーザ素子について説明する。図12は本実施の形態における窒化物半導体レーザ素子の斜視図であり、図13aは同半導体レーザ素子の共振器の共振方向図12のC方向からみた断面図図12のBB’線における断面図であり、図13bは同半導体レーザ素子の共振方向と垂直な方向からみた断面図図12のAA’線における断面図である。図12、13において、図8、9と同一の構成要素には同一の符号を付し説明を省略する。本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子は、n電極101と、n型GaN基板102と、第1クラッド層103と、イオン注入部404と、活性層105と、第2クラッド層106と、第3クラッド層307と、電流ブロック層301と、p電極109とから構成される。なお、イオン注入部404は、本発明の変質部の一例である。このとき、第1クラッド層103、活性層105、第2クラッド層106、第3クラッド層307及び電流ブロック層301によりレーザ発振させる共振器が形成される。本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子は、共振器端面D近傍の領域共振器端部において、第3クラッド層307と電流ブロック層301の一部または全体へのイオン注入により高抵抗電流非注入領域イオン注入部404が形成された、内部埋込型のストライプ状の導波路を備えた窒化物半導体から構成される青紫色半導体レーザ素子である。すなわち、本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子は、光が共振する共振器の中間部を挟み込む共振器端部において、中間部の活性層105よりも上方に位置する半導体層を変質させた高抵抗電流非注入領域イオン注入部404が形成された青紫色半導体レーザ素子である。例えば、n型GaN基板102上には、n型AlxGa1xNただし、0≦x≦1からなる第1クラッド層103と、In1xbGaxbNただし、0≦xb≦1バリア層及びIn1xwGaxwNただし、0≦xw≦1ウエル層からなるInGaN多重量子井戸活性層105と、p型もしくはアンドープのGaNもしくはAlxGa1xNからなる第2クラッド層106と、n型もしくはアンドープのAlyGa1yNただし、0≦y≦1からなる電流ブロック層301と、p型AlxGa1xNからなる第3クラッド層307とが順次形成されている。電流ブロック層301はストライプ状の開口部図12におけるE部を有し、第3クラッド層307の上面にはNi/Pt/Auからなるオーミック電極がp電極109として形成され、n型GaN基板102の裏面にはTi/Al/Ni/Auからなるオーミック電極がn電極101として形成される。イオン注入部404は、電流ブロック層301の開口部内の第3クラッド層307に形成される。さらに、共振器端部において、第3クラッド307と電流ブロック層301の一部または全体にイオン注入部404が設けられる。n型層である第1クラッド層103、及び電流ブロック層301n型である場合にはSiが、p型層である第2クラッド層106p型である場合、及び第3クラッド層307にはMgがそれぞれ不純物としてドーピングされる。イオン注入部404はZnが1×1015cm2の不純物濃度で注入されて形成される。イオン注入部404では、第3クラッド307がイオン注入によって、例えば比抵抗108Ωcm以上に高抵抗化され、イオン注入部404は共振器端部での電流注入をブロックする電流注入ブロック層として機能している。以上のように本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子によれば、イオン注入部404は共振器端部での電流注入をブロックする電流注入ブロック層として機能する。よって、共振器端部での発熱が抑えられ、高出力動作時のCODや端面劣化などを抑制することができるので、高出力長寿命のレーザ素子が実現できる。また、本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子によれば、半導体層へのイオン注入により電流非注入領域を形成する。よって、イオン注入部404とイオン非注入部との屈折率差がほとんどないため、共振器端部での導波路構造を乱すことなく、電流非注入領域を形成できるので、安定した単一横モード動作を実現できる。なお、本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子においては、イオン注入部404を形成するために注入されるイオン種はZnであったが、イオン注入によって第3クラッド層307を高抵抗化できればこれに限られず、H、B、C、N、Al、Si、Ga、As、Inといった他のイオン種でも構わない。本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子では、注入後の高温>800°Cでの熱アニールを行わないため、注入イオン種としては、その他のプロセスにおける比較的低温~600°Cの熱処理によって抵抗が低下しないものであればZnに限られない。例えば、Siを注入イオン種とした場合は、イオン注入部404はn型化し、イオン注入部404の周辺がすべてp型であるので、p-n-p接合が形成され、上記と同様の共振器端部を電流非注入領域とすることによる効果が期待できる。イオン種の注入量は1×1014cm2~1×1016cm2の範囲であることが望ましい。また、イオン注入部404に注入されるイオン種は2種以上でも構わない。図12、13に示すような窒化物半導体レーザ素子を作製するためには、例えば、図14に示す製造方法が考えられる。図14は本発明の第4の実施の形態における窒化物半導体レーザ素子の製造方法を示す断面図である。図14において、図12、13と同一の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。まず、例えば、転位密度が106cm3台のn型GaN基板102の0001面上に、MOCVD法等の結晶成長法により、n型GaN緩衝層不図示と、n型GaNもしくはn型AlGaNからなる第1クラッド層103と、InGaN多重量子井戸活性層105と、p型もしくはアンドープのGaNもしくはAlGaNからなる第2クラッド層106と、n型もしくはアンドープのAlGaNからなる電流ブロック層301とを順次形成する図14a。活性層105からは電流注入により、405nmの青紫色発光が生じる。次に、電流ブロック層301上に、ストライプ状の開口部を有するフォトレジスト不図示を形成する。このフォトレジストをマスクとして例えばCl2ガスを用いたICPドライエッチングにより電流ブロック層301にストライプ状の開口部を形成する図14b。次に、p型AlGaNからなる第3クラッド層307をMOCVD法等の結晶成長法により電流ブロック層301の開口部から再成長させる。その後、第2クラッド層106p型である場合及び第3クラッド層307に対し、N2雰囲気中で例えば750°C、30分のアニールを施し、第2クラッド層106p型である場合及び第3クラッド層307のp型不純物を活性化させる図14c。次に、p型不純物の活性化処理の後、第3クラッド層307上に、共振器端部となる部分のみに開口部を有するSiO2マスク110を形成し、例えばZnイオンを用いて第3クラッド層307及び電流ブロック層301の一部または全体まで到達する加速電圧でイオン注入を行い、開口部内の第3クラッド層307及び電流ブロック層301における共振器端部となる部分にイオン注入部404を形成する図14d。イオン注入量は例えば1×1015cm2である。次に、第3クラッド層307上にNi/Pt/Au電極を、例えばEB蒸着とリフトオフにより形成する。ここではp型層へのコンタクト抵抗低減のためにN2雰囲気中で600°Cのシンタを行い、オーミック電極p電極109を形成する。次に、n型GaN基板102を裏面より厚さ約150μm程度まで研磨し、さらにn型GaN基板102の裏面にTi/Al/Ni/Au電極を例えばEB蒸着とリフトオフにより形成する。ここでは、n型層へのコンタクト抵抗低減のためにN2雰囲気中で600°Cのシンタを行い、オーミック電極n電極101を形成する。以上により、図12、13に示すような構造の窒化物半導体レーザ素子が形成される図14e。以上のように、本実施の形態の窒化物半導体レーザ素子の製造方法によれば、活性層105に到達しないイオン注入による高抵抗化で電流非注入領域を形成する。よって、注入ダメージの回復のための高温熱アニールを施すことなく、共振器端部に電流非注入領域を有する構造の窒化物半導体レーザ素子を製造でき、高出力長寿命の青紫色窒化物半導体レーザ素子を実現できる。なお、上述の窒化物半導体レーザ素子の製造方法においては、イオン注入部404を形成するために注入されるイオン種としてZnを例示したが、H、B、C、N、Al、Si、Ga、As、Inといった他のイオン種でも構わない。イオン種の注入量は1×1014cm2~1×1016cm2の範囲であることが望ましい。また、図14dで示すイオン注入時にn型GaN基板102及び半導体層を400°C以上に加熱してもよい。これによって、n型GaN基板102の格子エネルギーが大きくなり、イオン注入時の結晶ダメージを軽減できる。このとき、イオン注入時に、YAGの3倍波レーザ波長355nmやKrFレーザ波長248nmなどのイオン注入部404が形成される部分のバンドギャップより大きいエネルギーを持つレーザをイオン注入部404が形成される部分に照射してもよい。これによって、イオン注入部404が形成される部分のみを選択的に加熱することができ、イオン注入時の結晶ダメージを軽減できる。以上、本発明の窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態の限定されるものではない。本発明の要旨を逸脱しない範囲内で当業者が思いつく各種変形を施したものも本発明の範囲内に含まれる。例えば、上記実施の形態においては、405nmの青紫色レーザ素子について示したが、活性層をAlxbGaybInNただし、0≦xb≦1、0≦yb≦1、0≦1-xb-yb≦1からなるバリア層と、AlxwGaywInNただし、0≦xw≦1、0≦yw≦1、0≦1-xw-yw≦1からなるウエル層とを有する多重量子井戸とすることで、360nmで発光する紫外レーザ素子を実現する場合にも、同様の方法で窓構造を形成でき、高出力長寿命の紫外半導体レーザ素子を実現できる。また、上記実施の形態に示した窒化物半導体レーザ素子では全てn型GaN基板が用いられ、基板裏面にn電極が形成されるとしたが、サファイア基板などの絶縁性基板が用いられ、図15の従来例に示したようなn電極が基板表面に形成されても構わない。また、基板は導電性、絶縁性どちらでも良く、GaN、サファイア、SiC、ZnO、Si、GaAs、InP、LiGaO2、LiAlO2あるいはこれらの混晶からなる基板であっても良い。また、基板の面方位もいかなるものでも良く、代表面からオフアングルのついた基板であっても良い。また、基板はストライプ状の導波路が形成される部分の転位密度が106cm2台以下となっていることが望ましい。また、基板上に形成される半導体層の構造は所望のレーザ特性が実現できる限りいかなる多層構造を含んでも構わない。また、基板上に半導体層を形成するために用いられる結晶成長方法はMOCVD法でなく、分子線エピタキシーMolecularBeamEpitaxy:MBE法やハイドライド気相成長HydrideVaporPhaseEpitaxy:HVPE法でも良い。