"光電池用途用の薄層形態のI-III-VI族化合物の製造方法であって、a電極SUBの表面にI族元素および/またはIII族元素を含む層状構造を電着させるステップと、b前記構造に少なくとも1つのVI族元素を組み込んでI-III-VI族化合物を得るステップとを含み、前記電着ステップが、前記層の厚さを、前記堆積を受ける電極の全表面にわたって厚さ均一性のばらつきを3未満に制御することを含むことを特徴とする、製造方法。前記層状構造が、少なくともそれぞれのX元素およびY元素の連続した元素の層を備え、ここで、XがI族元素とIII族元素の一方であり、YがI族元素とIII族元素の他方であり、III族元素に対するI族元素の化学量論比を、前記層状構造の全表面にわたってIII族元素に対するI族元素の化学量論比のばらつきを4未満に制御するために、前記電着ステップが、前記元素の層のそれぞれの厚さを、前記電着を受ける基板の全表面にわたって厚さ均一性のばらつきを3未満に制御することを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記電着ステップが、前記堆積を受ける電極の全表面にわたって前記元素の層のナノメートルスケールの均一性を制御することをさらに含むことを特徴とする、請求項1から2のいずれか一項に記載の方法。前記層状構造の粒子粗さが約50nm以下であることを特徴とする、請求項3に記載の方法。前記電着ステップが、前記電極の表面の前で少なくとも1つの電解槽撹拌器T1、T2を機械的に掃引させる動作を含むことを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。前記撹拌器が、前記電極の表面と平行な直線の前後移動で移動することを特徴とする、請求項5に記載の方法。前記撹拌器が、2つの逆三角形T1、T2を有する断面を含み、前記電極に最も近い三角形T2の底辺が、前記電極SUBの表面と平行であることを特徴とする、請求項5から6のいずれか一項に記載の方法。前記電極の大きさが約700cm2以上であることを特徴とする、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。前記機械的掃引が、0.2~1.8Hzの間に含まれる周波数で動作されることを特徴とする、請求項5から8のいずれか一項に記載の方法。前記撹拌器が、前記電極から5mm未満だけ離して配置されることを特徴とする、請求項5から9のいずれか一項に記載の方法。前記電極がフレームCA1、CA2によって境界をつけられ、前記移動の振幅が前記フレームを越えて広がることを特徴とする、請求項6から10のいずれか一項に記載の方法。前記機械的掃引動作が、前記電極の表面の前に少なくとも2つの電解槽撹拌器を伴い、前記2つの撹拌器が、同一速度および同一振幅で、前記電極の表面と平行に段階的な前後移動することを特徴とする、請求項6から11のいずれか一項に記載の方法。各撹拌器が所定の厚さを有し、前記撹拌器が所定の間隔をおいて配置されており、各撹拌器の移動振幅が、撹拌器間の間隔よりも大きく、1つの撹拌器の厚さよりも小さいことを特徴とする、請求項12に記載の方法。前記撹拌器が所定の間隔をおいて配置されており、各撹拌器の移動振幅が、撹拌器間の間隔の2倍未満であることを特徴とする、請求項12から13のいずれか一項に記載の方法。各撹拌器の速度が、1秒につき1移動振幅より大きいことを特徴とする、請求項13から14のいずれか一項に記載の方法。各撹拌器の速度が0.2m/s以下であることを特徴とする、請求項13から15のいずれか一項に記載の方法。前記電極が、前記電解槽の中で、前記前後移動と平行な方向に毎分0.5~2メートルの速度で移動されることを特徴とする、請求項6から16のいずれか一項に記載の方法。前記機械的掃引動作が、60cm×120cmの寸法のプレートに対して少なくとも4つの撹拌器を伴い、前記120cmが、前記撹拌器の前後移動の方向に測定されるものであることを特徴とする、請求項12から17のいずれか一項に記載の方法。前記層状構造が、前記I-III-VI族組成物のIII族元素として含まれる少なくとも1つの第3の元素Zを含むことを特徴とする、請求項1から18のいずれか一項に記載の方法。請求項1から19のいずれか一項に記載の方法によって得られた、光電池用途用の薄層形態のI-III-VI族化合物であって、I族元素が銅を表し、III族元素がインジウムおよび/またはガリウムを表し、VI族元素が硫黄および/またはセレンを表し、前記層の全表面にわたって厚さ均一性のばらつきが3未満であることを特徴とする、I-III-VI族化合物。前記層の全表面にわたってIII族元素に対するI族元素の化学量論比のばらつきが4未満であることを特徴とする、請求項20に記載のI-III-VI族化合物。III族元素がインジウムおよび/またはガリウムを表し、VI族元素が硫黄および/またはセレンを表す、請求項20から21のいずれか一項に記載のI-III-VI族化合物の薄層を含む光電池。したがって、現在は、一連の元素の層による多層構造例えばI族元素の層、次いでIII族元素の層、次いで任意選択で更なるI族元素の層およびIII族元素の層などを堆積し、次いで、熱処理をして典型的には、選択された一連の温度の上昇、保持および低下によってアニールして、全体的なI-III族の化学量論比の混合intermixed構造、したがって混合された構造を得ることが好まれている。VI族元素が、セレン化および/または硫化の熱処理によってその後に、または上記のアニールと同時に供給され、所望のI-III-VI2の化学量論比を得ることができる。それによって、このような薄層を含む光電池の良好な歩留まりがもたらされることにより、得られる層は十分な光起電力特性を有する。しかし、その種の電気分解による堆積で得られた電池では、光起電性層の不均一性のために、電子輸送の問題が認められている。本発明は、この状況を改善することを目的とする。その目的のために、光電池用途用の薄層形態のI-III-VI族化合物の製造方法であって、a電極の表面にI族元素および/またはIII族元素を含む層状構造を電着させるステップと、bこの構造に少なくとも1つのVI族元素を組み込んでI-III-VI族化合物を得るステップとを含む方法を提案する。本発明の趣旨において、電着のステップは、層の厚さを、堆積を受ける電極の全表面にわたって厚さ均一性のばらつきを3未満に制御することを含む。この堆積の全表面にわたる厚さ制御の特徴は、このような層状構造を含む太陽電池の優れた動作にとって特に有利であると思われる。さらに、上記に示されたように、I族元素とIII族元素の連続した元素の層を堆積することにより、場合によるが、限定的ではなくI-III族の層状構造を得ることができる。各元素の層の厚さ制御は、I-III族の化学量論比の十分な制御のために最終的に、所望のI-III-VI2の化学量論比を得るために重要である。したがって、層状構造が、少なくともそれぞれのX元素およびY元素の連続した元素の層を備え、ここで、XがI族元素とIII族元素の一方であり、YがI族元素とIII族元素の他方である場合、III族元素に対するI族元素の化学量論比を、層状構造の全表面にわたってIII族元素に対するI族元素の化学量論比のばらつきを4未満に制御するために、電着ステップが、元素の層のそれぞれの厚さを、厚さ均一性のばらつきを3未満に制御することを含むことが特に有利である。この有利な特性は、典型的には700cm2以上例えば30cm×60cmの大きな寸法の電極または基板において認められる。これらの満足の行く結果は、それぞれ、銅CuなどをベースにしたI族元素の層およびインジウムInなどをベースにしたIII族元素の層を用いて、ならびに2つを超える元素の層を積み重ねて達成することができる。例えば、この層状構造は、I-III-VI族組成物のIII族元素として含まれる少なくとも1つの第3の元素Z例えばガリウム、Gaを含むことができる。したがって、熱処理およびVI族元素の供給前のI-III族組成物は、例えば、Cu-In型でよく、もしくはIn-Cuでもよく、また、Cu-In-Ga型でよく、もしくはCu-Ga-Inでもよい。I族元素の前にIII族元素例えばインジウムを堆積することが有利である場合があり、この場合、I-III族組成物は、例えば、In-Ga-Cuでよく、もしくはIn-Cu-Gaでもよく、または、元素Gaが最初に堆積される変形形態では、Ga-In-Cuでよく、もしくはGa-Cu-Inでもよい。しかし、銅Cuの元素の層およびインジウム-ガリウムIn-Gaの二元合金層で試験が行われたことも注目に値する。ここでも、各層の厚さを制御することにより、層状構造の全表面にわたってI-III族の化学量論比のばらつきを4未満にすることが可能になった。上記に示されたどの場合でも、ステップbは、最終的には適当な化学量論比のI-III族合金層を得るように、多層構造の元素の層を混合するためのアニールするステップを先立って含むことができる。より一般的には、I-III族層の堆積についての試験例えば、同じ電解槽の中の銅の塩およびインジウムの塩を用いるも行われており、I族元素の層とIII族元素の層をあらかじめ積み重ねることなくI-III族層が直接得られ、そのI-III族層の厚さも、全表面にわたって3未満のばらつきで制御されているこの場合、化学量論比のばらつきは4未満のままである。したがって、本発明は、多層構造への適用も、I-III族の単一層構造への適用も意図されている。さらに、本発明を実施することにより、厚さ、化学量論比のみならず、層の均一性も、マクロスケールのみならず、ナノメートルスケールでも実現されることが認められた。したがって、電着ステップは、堆積を受ける基板の全表面にわたって薄層構造の均一性をナノメートルスケールで制御することをさらに含む。より特には、層状構造の粒子粗さは50nm以下の寸法である。以下に示される試験により、例えば、本発明の方法によって電着されたIII族元素の層の粒子粗さは、有利なことに、50nm以下の寸法であることが実際に示された。このような特性を達成するための有利な手段は、特に、基板が堆積を受けるために浸漬される電解槽を撹拌するための手段を設けることから成る。したがって、電着ステップは、好ましくは、基板表面の前で電解槽撹拌器を機械的に掃引させる動作を含む。特定の実施形態では、撹拌器が、基板の表面と平行な直線の前後移動で移動する。行なわれた試験によれば、以下でより詳細に説明する十分な結果が得られているが、撹拌器は、好ましくは、2つの逆三角形を有する断面を含み、基板に最も近い三角形の底辺が基板の表面と平行である。このような撹拌器の形状により、700cm2という大きな寸法の基板上での均一性という特徴、およびナノメートルスケールでの均一性という特徴を達成することが可能になる。このような手段の使用は、特に簡単で、大きな寸法の基板上での工業規模の実施のために強い。したがって、本発明を実施することにより、厚さのばらつきが、有利なことに、層の全表面にわたって3未満である。したがって、本発明は、層の全表面にわたって厚さ均一性のばらつきが3未満である、光電池用途用のI-III-VI族化合物も目的とする。さらに、本発明を実施することにより、特に多層構造の場合、最終的なI-III-VI族化合物で達成される、III族元素に対するI族元素の化学量論比のばらつきは、有利なことに、層の全表面にわたって4未満である。本発明は、このようなI-III-VI族化合物の薄層を含む光電池も目的とする。以下の詳細な説明および添付図面を考察すれば、本発明の他の特徴および利点が明白になるであろう。図1に関しては、陰極として基板SUBが電解槽に浸漬され、陽極ANが基板の反対側に配置され、これにより、I族元素銅などの塩および/またはIII族元素インジウムなどの塩が基板の方へ移動し、したがってI族元素またはIII族元素の薄層の堆積物を形成する。撹拌器T1、T2は、基板の全長および全幅図1の参照記号Lにわたって基板と平行に移動する。図1では、移動は水平である。ここで、寸法Lは300mmである。基板は、フレームCA1、CA2によって境界がつけられ、撹拌器T1、T2の移動がフレームを越えて広がる振幅Nとなる。例えば、フレームの縁端部CA1、CA2の幅Mが100mmであれば、撹拌器の全行程Nは535mmである。撹拌器は、パドル形の2つの同一の三角形T1およびT2の断面図1の平面を有し、三角形T2の底辺は基板SUBの表面と平行である。この底辺は、一実施例では25mmの幅Jを有する。三角形の高さBは25mmである。2つの三角形の間の間隙Cは、18mmまたは19mmである。撹拌器特に、三角形T2は、上記に示された寸法で、基板から5mm未満、好ましくは3mmまたは4mmの距離Aに配置される。他方の三角形T1の底辺は、陽極ANから160mmの距離Gに配置される。そのとき、電解槽の全幅LTは、約350mmであり得る。行なわれた試験によれば、好ましくは0.2~1.8Hzの間に含まれる周波数で動作される機械的掃引により、厚さの均一性に加えて、ナノメートルスケールでの均一性を向上することが可能になる。堆積された材料の粒子の微細性は、堆積された層の輝度測定を用いて推定することができる。行なわれた試験から抽出された例として、III族元素の層からの粒子粗さの平均寸法は、掃引周波数が約0.25Hzのとき53nmであり、輝度が0から100までのスケールで約36になるように影響を及ぼす。掃引周波数が約0.5Hzのとき41nmであり、輝度が0から100までのスケールで約46になるように影響を及ぼす。掃引周波数が約0.75Hzのとき37nmであり、輝度が0から100までのスケールで約54になるように影響を及ぼす。掃引周波数が約1Hzのとき28nmであり、輝度が0から100までのスケールで約64になるように影響を及ぼす。したがって、次に図2を参照すると、I族元素およびIII族元素が本発明の方法によって堆積されたI-III-VI族のより詳細には、ちょうどI-III-VI2の化学量論比を有する層を備える太陽電池の効率縦座標と、示された例においてIII族の層上で測定された輝度横座標との間の関係が示されている。輝度の測定は、輝度計を用いて、560nmの波長および60°の入射角で行なわれた。粒子粗さのトポグラフィ測定は原子間力顕微鏡を用いて行なわれた。ばらつきを評価するための層の厚さの測定は、蛍光X線によって行なわれた。したがって、電着によって製造されたI-III-VI族の薄層太陽電池に関して、本発明は、大きな寸法の表面への移行を可能にする方法を採用することを提案することができる。半導体層および超小形電子システムを積み重ねるために以前も用いることができた、撹拌器を有する垂直のセルを使用する方法その原理は、例えば米国特許第5,516,412号明細書に記載されているが、少なくとも30cm×60cmの表面積を有する薄層太陽電池を扱えるように改善された。撹拌器を有する垂直のセルにより、実施形態の一例では、特にp型のI-III-VI族の吸収層CISと呼ばれるを製造するために、I族元素CuなどおよびIII族元素Inなどの多層の方法を選択することにより、大きな寸法の基板上に均一な薄層を得ることが可能になった。さらに、この方法により、別々の材料の均一な層を次々と連続的に形成し、次いで、最終的にI-III-VI2のカルコパイライト材料を生成するために、例えばVI族元素の雰囲気の中でこれらの薄層のアニールを続けて行うことによって、太陽電池板用に十分な大きな寸法のダイオード光電池などを製造することが可能になる。均一な薄層を連続的に付加することにより、大きな寸法のダイオードが製造される。Cu、In、および任意選択で、可能な他のIII族元素としてガリウムGaの薄層の厚さを精密に制御することにより、CIS層の組成の制御が保証される。本発明の趣旨における電着により、実際に、大きな寸法の基板上の極薄層の厚さの精密な制御が可能になる。例えばCu層、In層およびGa層を電着するための、この撹拌器を有する垂直のセルにおける逐次電着方法は、図2に示された特性を有する光電池などの電気ダイオードを得ることを可能にするので、特に有利である。実際には、このような方法は、以下のステップ:裏面電極が基板の裏面に接触面を備えるように、裏面電極を基板の裏面に配置するステップと、基板の表面に生成された最初の金属層例えばモリブデンの層上に、I族またはIII族の層を堆積するステップであって、このI族またはIII族の層が、この層の全表面にわたって平均厚さの3未満の厚さ均一性を有するステップとを含む。この方法は、特に、少なくとも1つのI族の層例えば、銅Cuおよび少なくとも1つのIII族の層例えば、インジウムInおよび/またはガリウムGaを堆積することを伴う。次に、最終的に得られたI-III-VI族の層上に半導体材料を含むn型層を堆積し、ここで、このn型層がI-III-VI族の層とp-nダイオード接合を形成することから成るステップを計画することができる。この方法は、また、透明な導電層典型的にはZnOを堆積するステップを続けることができる。電気ダイオードは、2つ以上の補助構造に分割することができる。基板は、以下の材料:ガラス、金属、金属板シート、ステンレス鋼、銅板シートの1つ以上を含む。さらに、基板上に裏面電極を配置する前に、基板を平滑化することから成るステップを設けることができる。さらに、基板と最初の金属層の間に、バリアを形成する層を配置することから成るステップを設けることができる。したがって、以下のステップ:基板SUBの少なくとも2つの側面に接する、シーフthiefを形成する要素上記のCA1、CA2のフレームを有する支持体に基板を配置し、ここで、支持体は支持体電極を備え、基板は基板の表面上に裏面電極を備えるステップ、第1のタンクの中に基板と支持体を配置し、ここで、第1のタンクは第1のタンク電極を有し、さらに第1のタンクは銅電解液を含むステップ、シーフの電流密度を第1のシーフ電流密度に維持し、裏面電極の電流密度を裏面電流密度に維持しながら、支持体電極と第1のタンク電極に電位差を与えることによって励起するステップ、撹拌器を、裏面電極に対して第1の撹拌器距離で、裏面電極表面上の第1の電解液中を繰り返し移動させて、銅金属層の全表面の第1の平均厚さの3未満の第1の厚さ均一性で銅金属層が電着されるように、裏面電極上に第1の金属層を電着させるステップ、第2のタンクの中に基板と、その支持体前記第1の支持体と同一のものであってよいを配置し、ここで、第2のタンクは第2のタンク電極を有し、さらに第2のタンクはインジウム電解液を含むステップ、第2のシーフの電流密度を第2のシーフ電流密度に維持し、銅金属層の電流密度を銅金属層電流密度に維持しながら、第2の支持体電極と第2のタンク電極に電位差を与えることによって励起するステップ、任意選択で、別の撹拌器を、基板に対して第2の撹拌器距離で、銅金属層表面上のインジウム電解液中を繰り返し移動させて、インジウム金属層の全表面の平均厚さの3未満の第2の厚さ均一性でインジウム金属層が電着されるように、銅層上にインジウム金属層を電着させるステップ、を設けることができる。このように、銅層が、次いでインジウム層が連続的に堆積される。さらに、第3のタンクの中に基板と、その支持体前記第1の支持体と同一のものであってよいを配置し、ここで、第3のタンクは少なくとも1つの第3のタンク電極を有し、さらに第3のタンクはガリウム電解液を含み、第3のシーフの電流密度を第3のシーフ電流密度に維持し、インジウム金属層の電流密度を第3の金属層電流密度に維持しながら、第3の支持体電極と第3のタンク電極を逆極性で励起し、第3の撹拌器を、インジウム金属層に対して第3の撹拌器距離で、インジウム金属層表面上のガリウム電解液中を繰り返し移動させて、ガリウム金属層の全表面の平均厚さの3未満の第3の厚さ均一性でガリウム金属層が電着されるように、インジウム金属層上にガリウム金属層を電着させることができる。このようにして、第3の層、ここではガリウム層が堆積される。当然、以下の要素:第1のタンク、第2のタンクおよび第3のタンクの少なくとも2つが同一のものであることができ、および/または、以下の要素:第1のタンク電極、第2のタンク電極および第3のタンク電極の少なくとも2つが同一のものであることができ、および/または、以下の要素:第1の撹拌器、第2の撹拌器および第3の撹拌器の少なくとも2つが同一のものであることができる。裏面電極は、以下の要素:モリブデン、銅モリブデン、モリブデン合金、第1の層としてのモリブデンと銅および/またはインジウムの第2の導電層との2層、の1つから成ることができる。特に、基板の縁部が陽極との電位差に由来する力線fieldlineを変えないように、フレームがスチール電流stealingcurrent、すなわち分流電流divertingcurrentのために設けられる実施形態では裏面電極の電流密度と裏面電流密度の間にある第1のシーフ電流密度を加えることができる。したがって、フレームに加えられる電流密度は、基板に加えられる電流密度を基準として調整できることが理解されよう。次に、以下のステップ:0.5mA/cm2と100mA/cm2の間にある第1のシーフ電流密度を加え、0.5mA/cm2と100mA/cm2の間にある裏面電流密度で裏面電極に電流密度を加えるステップ、第1の金属層の全表面にわたって第1の平均厚さの3未満の第1の厚さ均一性を得るステップ、第2のシーフ電流密度を加え、第1の金属層電流密度で第1の金属層に電流密度を加えるステップ、第2の撹拌器を、基板に対して第2の撹拌器距離で、0.2Hzと1.8Hzの間に含まれる周波数で繰り返し移動させるステップ、第2の金属層の全表面にわたって平均厚さの3未満の第2の厚さ均一性を得るステップ、第3のシーフ電流密度を加え、第2の金属層電流密度で第2の金属層に電流密度を加えるステップ、第3の撹拌器を、第3の電解液中を、0.3Hzから1.8Hzの周波数で繰り返し移動させるステップ、第3の金属層の全表面にわたって平均厚さの3未満の第3の厚さ均一性を有する第3の金属層例えばガリウムを電着させるステップを実施することができる。当然、本発明は、上記で例として説明された実施形態に決して限定されるものではなく、他の変形形態にも及ぶものである。したがって、図1には、基板が1つ以上のタンクの中に垂直に配置されることが示されている。変形形態として、基板は水平に配置することもできる。さらに、図1に示されるように、1対の逆三角形を備える撹拌器が上記で説明されている。明らかに、撹拌器は、各三角形の各底辺が少なくとも対の間では平行である、1対より多くの三角形を備えてよい。このような実施形態の詳細が以下に記載される。特に、厳密に30cm×60cmより大きい基板サイズに関して、本発明による撹拌器によって助けられた堆積の性能が、複数の撹拌器を使用すると向上させることができることが判明している。複数の撹拌器を使用することにより、以下に記載されるように、I-III-VI族の材料をベースにした光電池の製造に適合する堆積の均一性および品質を保証することが可能になる。特に、銅の上にインジウムを電着する試験が行われた。60cm×120cmの寸法のプレート堆積電極を形成するが、電解槽すなわちタンクの中を、毎分0.5メートルから2メートルの間の速度、例えば毎分約1メートルの速度で動くコンベヤ上に、堆積面を下に向けて配置される。図3Aおよび図3Bに示されるように、プレートPLの120cmは、タンクCUの中で、その通過方向に矢印DEF測定されるものである。電解槽の長さは90cmであり、タンクは複数の撹拌器AG1、、AGNを備える。撹拌器は、それぞれ、その長軸に垂直に、またプレートの移動方向DEFと平行に振幅Sの前後移動をする。特に、撹拌器の前後移動は、段階的で、同一速度および同一振幅である。それにもかかわらず、トポグラフィ表面および局所的な厚さ均一性が撹拌パラメータに密接に依存するので、撹拌パラメータを最適化する必要があることが判明した。例えば、撹拌器の長軸と平行な跡マークが、堆積上に生じることがある。これらのマークは、各撹拌器によって引き起こされた局所的な定常乱流の生成と関連している。各撹拌器によって生じた渦が、他の撹拌器によって生じた渦と相互作用して、イオンの形で堆積される材料例えばIn3と、特に電気分解を促進するように加えられる電子との間の相互作用層の局所的な厚さに影響を与える遮蔽現象を生じさせることがある。この層は拡散バリア層と呼ばれる。さらに、ファラデー効率と呼ばれる、電解効率を表わすパラメータを定義することが必要である。ファラデー効率は、実際に電着された材料の量と、電気分解中に電極間に流れる電流に相当する電荷に基づいて予想される電着物質の量との間の比を含む。そして、この層の均一性の欠如が、最終的に電着される層の局所的トポグラフィに影響を与え、その結果として、その電気的特性に影響を与える。上記の遮蔽現象を改善するために、図3Aおよび図3Bを参照して、撹拌器の移動振幅S、撹拌器の移動速度、各撹拌器の幅W例えば三角形の底辺で測定される、2つの連続した撹拌器の間の距離M中心から中心、などの撹拌器の移動パラメータを注意深く選択する必要がある。実施形態の一例では、距離Mは100mm近辺、または200mm近辺である。各撹拌器は、上記の2つの三角形の形状を示す。撹拌器と堆積電極図2Aの間の距離gは2mmである。より具体的には、行なった試験は、以下の状態を満たす結果を示す。各撹拌器の移動振幅Sが、2つの連続した撹拌器の間の距離Mよりも大きく、1つの撹拌器の厚さWよりも小さく、好ましくは撹拌器間の距離Mの2倍未満である。振幅がこの範囲未満であると、インジウムの堆積のファラデー効率が低下し、プレートの外観が乳白色になることが観測された。図4から図6を参照して以下に記載される結果を達成するのを可能にする実施形態の一例では、振幅Sは140mmであることができる。各撹拌器の速度は、1秒につき1移動振幅Sより大きく、好ましくは0.2m/s以下である。各撹拌器によって生成される乱流の有効な持続時間は約2秒であり、有効な乱流を補充するためには、撹拌器の移動速度は1秒につき振幅Sより大きいことが好ましく、0.2m/sを超えると、乱流が、均一な堆積を得るのを不可能にする渦を生成することが観測された。図4から図6を参照して以下に記載される結果を達成するのを可能にする実施形態の一例では、掃引速度は0.16m/sである。機械的掃引動作は、60cm×120cmの寸法のプレートに対して、少なくとも2つの撹拌器、好ましくは少なくとも4つの撹拌器を伴うことができ、図4から図6を参照して以下に記載される結果を達成するのを可能にする実施形態の一例では、撹拌機は8つである。実施形態の例において、2つの連続した撹拌器の間の距離Mは、8つの撹拌器の場合は100mmであり、4つの撹拌器の場合は200mmである。これらの結果が以下に示される。得られた結果は満足の行くものである。特に、以下のことが観測された。図4に示されるように、変動率が3未満である電着層の厚さ均一性蛍光X線によって測定された図5に示されるように、特に8つの撹拌器の場合、変動率が2未満であるトポグラフィ均一性層の反射率と関連したグレースケールで、したがって光学的的な面によって測定された確認できるとしても、3cm未満の上記のハイドロメカニカルマーク間の距離。図4を参照すると、60cm×120cmのプレートに対して、4つの撹拌器で、既に、3未満のインジウムの厚さ均一性の変動率の達成が可能になることが明白である3は、光起電力モジュールの満足の行く実施形態に適合する、元素Cu、InおよびGaについての変動率の限界値である。これらのデータは、プレートの全面に均一に配置された140の測定点で、蛍光X線を用いて測定された。図6は、複数の撹拌器を用いて得られたインジウムの堆積のファラデー効率を、単一の撹拌器を用いたものと比較して示す。このファラデー効率は、80得られる最高のファラデー効率を基準にして規格化したを超えるものである。この効率が80未満であると、電気分解中に生成する水素の排出が不十分であることに伴い、プレートの外観が乳白色になる。実際、水素生成反応はインジウム堆積反応と競合するものであり、インジウムの電着を妨げないように水素を排出する必要がある。より具体的には、インジウムの電気分解は、水素ガスを生成する水の電気分解と競合する。この水素は、効果的に撹拌しないと表面から排出されず、したがってインジウムの堆積のために利用可能な電極表面の部分が減少する。有利には、撹拌器の数NbAGが増加すると、したがってインジウムの堆積のファラデー効率が増加する撹拌器無し、から4つの撹拌器に変わると、30増加する。このように、タンクの単位長さ当たりの撹拌器の数を増加することにより、横方向の厚さ均一性の顕著な向上が得られる。上記に示された結果は、効率の点で、I-III-VI族材料をベースにした高性能の光電池の実施形態に適合する。これらはインジウムについて記載されているが、ガリウムについては同じ範囲のパラメータで、銅については非常に近似したパラメータで得られた。"