基板と、前記基板上に実装された半導体素子と、前記半導体素子の少なくとも一部を被覆する保護膜と、前記半導体素子及び前記保護膜を封止している封止樹脂とを備え、前記保護膜と前記封止樹脂との間に、前記保護膜と前記封止樹脂が密着していない空隙が少なくとも1箇所存在する、半導体装置。前記保護膜は、撥水性を有している、請求項1記載の半導体装置。前記保護膜は、界面張力エネルギーが15mN/m以上30mN/m以下のシリコーンゴム材料で形成されており、前記封止樹脂は、界面張力エネルギーが40mN/m以上60mN/m以下である、請求項1又は2に記載の半導体装置。前記保護膜は、厚みが10μm以上2000μm以下であり、摂氏25度から摂氏260度にわたり、弾性率が0.5MPa以上10MPa以下の範囲内である、請求項1~3のいずれかに記載の半導体装置。前記保護膜は、シリコーンゴム材料で形成されており、前記シリコーンゴム材料の前駆体が、オルガノポリシロキサン骨格を有し、前記前駆体は、ヒドロシリル化反応による熱硬化反応で、シロキサン骨格を有するシリコーンゴムへと硬化する、請求項1に記載の半導体装置。前記空隙の厚みが、0.1μm以上100μm以下である、請求項1~5のいずれかに記載の半導体装置。基板に実装された半導体素子の少なくとも一部を被覆するように、保護膜の前駆体を載せる載置工程と、前記前駆体が重合することによって前記保護膜が形成される重合工程と、前記半導体素子及び前記保護膜を封止樹脂で封止し、前記保護膜と前記封止樹脂との間に、前記保護膜と前記封止樹脂が少なくとも1箇所以上密着していない空隙を形成する封止工程とを備えた、半導体装置の製造方法。前記載置工程では、前記保護膜の前駆体であるシリコーンゴムモノマーが載置され、前記重合工程では、前記シリコーンゴムモノマーの重合によるゴム化により、前記保護膜が形成される、請求項7記載の半導体装置の製造方法。前記封止工程では、前記封止樹脂との濡れ性が悪い材料を用いて、前記保護膜が形成される、請求項7記載の半導体装置の製造方法。基板と、前記基板上に実装された半導体素子と、前記半導体素子の少なくとも一部を被覆する保護膜と、前記半導体素子及び前記保護膜を封止している封止樹脂とを備え、前記封止樹脂は、エポキシ樹脂であり、前記保護膜は、シリコーンゴム材料で形成されており、前記シリコーンゴム材料の前駆体が、オルガノポリシロキサン骨格を有し、前記前駆体は、ヒドロシリル化反応による熱硬化反応で、シロキサン骨格を有するシリコーンゴムへと硬化する、半導体装置。しかしながら、上記特許文献1では、シリコーンゴムとしてエポキシシリコーンエラストマー樹脂組成物が使用され、表面に存在する反応性官能基が、エポキシ基、アルコキシ基、シラノール基、ヒドロキシル基、アミノ基の少なくとも一種からなっているため、エポキシ樹脂組成物との密着性に優れている。このため、半導体素子の一部を被覆するシリコーンゴム107の保護膜と、封止用樹脂が密着し、応力緩和には限界があった。本発明は、上記従来の半導体装置の課題を考慮し、応力の緩和に優れた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、第1の本発明は、基板と、前記基板上に実装された半導体素子と、前記半導体素子の少なくとも一部を被覆する保護膜と、前記半導体素子及び前記保護膜を封止している封止樹脂とを備え、前記保護膜と前記封止樹脂との間に、前記保護膜と前記封止樹脂が密着していない空隙が少なくとも1箇所存在する、半導体装置である。第2の本発明は、前記保護膜は、撥水性を有している、第1の本発明の半導体装置である。第3の本発明は、前記保護膜は、界面張力エネルギーが15mN/m以上30mN/m以下のシリコーンゴム材料で形成されており、前記封止樹脂は、界面張力エネルギーが40mN/m以上60mN/m以下である、第1又は2の本発明の半導体装置である。第4の本発明は、前記保護膜は、厚みが10μm以上2000μm以下であり、摂氏25度から摂氏260度にわたり、弾性率が0.5MPa以上10MPa以下の範囲内である、第1~3のいずれかの本発明の半導体装置である。第5の本発明は、前記保護膜は、シリコーンゴム材料で形成されており、前記シリコーンゴム材料の前駆体が、オルガノポリシロキサン骨格を有し、前記前駆体は、ヒドロシリル化反応による熱硬化反応で、シロキサン骨格を有するシリコーンゴムへと硬化する、第1の本発明の半導体装置である。第6の本発明は、前記空隙の厚みが、0.1μm以上100μm以下である、第1~5のいずれかの本発明の半導体装置である。第7の本発明は、基板に実装された半導体素子の少なくとも一部を被覆するように、保護膜の前駆体を載置する載置工程と、前記前駆体が重合することによって前記保護膜が形成される重合工程と、前記半導体素子及び前記保護膜を封止樹脂で封止し、前記保護膜と前記封止樹脂との間に、前記保護膜と前記封止樹脂が少なくとも1箇所以上密着していない空隙を形成する封止工程とを備えた、半導体装置の製造方法である。第8の本発明は、前記載置工程では、前記保護膜の前駆体であるシリコーンゴムモノマーが載置され、前記重合工程では、前記シリコーンゴムモノマーの重合によるゴム化により、前記保護膜が形成される、第7の本発明の半導体装置の製造方法である。第9の本発明は、前記封止工程では、前記封止樹脂との濡れ性が悪い材料を用いて、前記保護膜が形成される、第7の本発明の半導体装置の製造方法である。第10の本発明は、基板と、前記基板上に実装された半導体素子と、前記半導体素子の少なくとも一部を被覆する保護膜と、前記半導体素子及び前記保護膜を封止している封止樹脂とを備え、前記封止樹脂は、エポキシ樹脂であり、前記保護膜は、シリコーンゴム材料で形成されており、前記シリコーンゴム材料の前駆体が、オルガノポリシロキサン骨格を有し、前記前駆体は、ヒドロシリル化反応による熱硬化反応で、シロキサン骨格を有するシリコーンゴムへと硬化する、半導体装置である。本発明によれば、応力の緩和に優れた半導体装置及びその製造方法を提供することが出来る。以下、本発明にかかる実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。実施の形態1図1は、本発明にかかる実施の形態1における半導体装置の構造を示す断面構成図である。図1に示すように、本実施の形態1の半導体装置は、ダイパッド部1Bと外部端子1Aを有するリードフレーム1と、ダイパッド部1Bにペースト材料2を介して搭載された半導体素子3と、半導体素子3と外部端子1Aを接続する金属ワイヤー4とを備えている。更に、本実施の形態1の半導体装置では、半導体素子3が撥水性シリコーンゴムの保護膜5で被覆されており、リードフレーム1の外部端子1Aが露出され、且つダイパッド部1B、及び半導体素子3、保護膜5及び金属ワイヤー4を覆うように、封止樹脂6で封止されている。尚、金属ワイヤー4の半導体素子3との接続部分4aも撥水性シリコーンゴムの保護膜5に覆われている。そして、保護膜5と封止樹脂6の間に、本発明の空隙の一例に対応する空隙層7が形成されている。尚、本発明の基板の一例は、本実施の形態のリードフレーム1に対応する。又、図1の空隙層7は、その厚みを誇張して図示されており、以下の図面においても同様である。リードフレーム1は、銅などの熱伝導性および電気伝導性に優れた材料から形成されている。封止樹脂6は特に限定するものではなく、たとえば主剤としてオルトクレゾールノボラック型のエポキシ、硬化剤として主剤を硬化させることのできるフェノール樹脂が配合され、無機充填剤比率が70重量部から90重量部程度配合された公知の熱硬化性エポキシ樹脂とすることができる。上述した撥水性シリコーンゴムの保護膜5およびそれによって構成される空隙層7は本発明を構成する重要な部分であり、その詳細を以下に述べる。保護膜5を形成する材料は限定するものではないが、疎水性官能基を有するシリコーンゴム前駆体を硬化して形成される硬化後の界面張力エネルギーが15mN/m以上30mN/m以下であるシリコーンゴムが望ましい。保護膜5は無機充填材を含有していても良い。この場合には、その体積抵抗率が上昇することにより、金属ワイヤー4間のショートやマイグレーションといった不良をより確実に防止することができる。液状シリコーンゴムの前駆体としては、例えば文献OriginTechnicalJournalNo67III7に記載されたビニル基含有オルガノポリシロキサンとオルガノポリシロキサンと白金などの硬化触媒の混合物などの公知のものを使用することができ、1液型か2液型かは限定するものではない。すなわちその基本的な化学構造としては、主鎖構造がシロキサン骨格構造であり、アルキル基もしくはフルオロアルキル基あるいはその両方がシリコン原子に結合している。さらに、シロキサン骨格の末端にはビニル基などシロキサン骨格同士の結合に必要な反応部位が結合している。上記混合物を公知の方法で熱による付加硬化させる際には、ヒドロシリル化反応がおこり、前駆体は、本発明における重要な部位であるところの、化学的に安定、且つ低弾性率、且つ欠陥のない緻密な構造をもつ保護膜を形成することとなる。シリコン原子に結合する官能基は、撥水性となる必要に応じて、炭化水素系官能基であることが特に好ましい。このようなシリコーンゴムの前駆体であるオルガノポリシロキサンは、例えばオルガノシロキサンを強酸の存在下で重合させた後、水と特定の有機珪素化合物とを添加するなどといった公知の方法により製造することが出来る。このように形成された保護膜5は、硬化後の界面張力エネルギーが15mN/m以上30mN/m以下の範囲内にあり、撥水性を示す。エポキシ系熱硬化性樹脂である封止樹脂6の界面張力エネルギーは40mN/m以上60mN/m以下であり、保護膜5は封止とそれに続く硬化の工程において封止樹脂6とは密着せず、その界面には空隙層7が形成されることになる。尚、保護膜5の界面張力エネルギーが15mN/mより小さいと、保護膜自身の形状維持が困難となり、樹脂の封止工程において形が崩れてしまい好ましくない。また界面張力エネルギーが30mN/mより大きいと、十分な撥水性を得られず、封止樹脂6と密着性を示すようになり、当該実施例の構成をとることができなくなる。ただし、封止樹脂6は硬化時に金属表面の官能基と反応することにより、金属への密着性に優れているため、保護膜5以外のリードフレーム1、具体的にはダイパッド部1Bの保護膜5と接触していない部分やリードフレーム1の外部端子1Aとは密着している。従って保護膜5およびそれによって被覆された半導体素子3はパッケージ内において固定され、パッケージ全体としては十分な強度を維持することが可能である。又、硬化後の弾性率は、摂氏25°C室温~260°Cリフロー温度にわたり、0.5MPa以上10MPa以下の範囲になっている。又、上記空隙層7の厚みは、0.1μm以上100μm以下となっている。次に、本発明の実施の形態1の半導体装置の製造方法について説明する。図2a~eは、本実施の形態1の半導体装置の製造方法を説明するための断面構成図である。図2aのように、リードフレーム1のダイパッド部1B上にペースト材料2が、適当量塗布される。さらに、図2bに示すように、ペースト材料2上に半導体素子3が搭載される。ペースト材料2の塗布には公知のディスペンサーを、半導体素子3の搭載には公知のダイボンダーを使用することが可能である。その後、図2cに示すように、半導体素子3と、リードフレーム1の外部端子1Aとが、金線ワイヤー4を使用し電気的かつ機械的に接合される。金線ワイヤー4の接続には公知のワイヤボンダを使用することができる。その後、図2dに示すように、保護膜5の前駆体であるシリコーンゴムモノマー5aが、半導体素子3とペースト材料2の空気と接触している部分上に適量滴下される。その際、金線ワイヤー4の半導体素子3との接続部分4a上にもシリコーンゴムモノマー5aは滴下される。この滴下量としては、後述する方法でシリコーンゴムへと硬化した際の厚さが10μmより大きく、2000μmより小さくなることが望ましい。厚さが10μmより小さいと、リフロー工程など加熱時に発生する熱応力の十分な緩和が期待できず、2000μmより大きいと、後に述べる封止樹脂6の厚みが小さくなり、封止樹脂6の厚みが小さくなった部分の強度が不足することとなる。尚、本実施の形態1の半導体装置全体の厚みは、5mmである。又、シリコーンゴムモノマーとしては、シリコン原子にアルキル基が結合したオルガノポリシロキサンと白金などの硬化触媒の混合物とすることができる。シリコーンゴムモノマーを滴下した後、150°Cで4時間程度加熱することにより、保護膜5とすることができる。尚、上記のようにシリコーンゴムモノマーを滴下する工程が、本発明の載置工程の一例に対応する。又、上記のように加熱する工程が、本発明の重合工程の一例に対応する。このようにして半導体素子3上に保護膜5が形成されたものが、適当な温度に加熱した封止金型内に設置され、図2eに示すように、エポキシ系熱硬化樹脂である封止樹脂6が公知のトランスファーモールド法により押圧充填され、硬化される。このように、封止樹脂を押圧充填し、硬化させる工程が、本発明の封止工程の一例に対応する。エポキシ系熱硬化性樹脂封止樹脂6を硬化させる際、エポキシ系熱硬化性樹脂の界面張力エネルギーが40mN/m以上60mN/m以下であることにより、保護膜5を形成するシリコーンゴム硬化体とは、その表面が完全には密着しない。このように保護膜5の材料として封止樹脂6に対する濡れ性が悪いものを用いることによって、完全に密着せず、空隙層7が形成され、図1に示す本発明の実施の形態1の半導体装置が製造される。本実施の形態1の半導体装置では、上述したように、保護膜5と封止樹脂6の間に、空隙層7が形成されていることにより、封止樹脂とその他部材の線膨張係数差に起因する内部応力を極めて効果的に緩和することが出来る。ところで、従来の特許文献1に示したシリコーンゴムは、エポキシシリコーンエラストマー樹脂組成物が使用され、表面に存在する反応性官能基が、エポキシ基、アルコキシ基、シラノール基、ヒドロキシル基、アミノ基の少なくとも一種からなっているが、以上の官能基はいずれも親水性であり、エポキシ樹脂組成物との間のわずかな剥離であっても、その親水性のためにエポキシ樹脂封止用樹脂層104とシリコーンゴム107の間に水を滞留させることとなり、リフロー工程時などにおける信頼性の低下をまねくという課題があった。しかしながら、本実施の形態1では、撥水性シリコーンゴムの保護膜5を用いていることにより、外部からの水の浸入によるリフロー時の不良の発生の低減を図ることが可能となる。すなわち、シリコーンゴム硬化体で形成される保護膜5の界面張力エネルギーが15mN/m以上30mN/mであるのに対して、水の界面張力エネルギーは約72mN/Nであるために、シリコーンゴム硬化体で形成される保護膜5は撥水性を有することになる。そのため、エポキシ系熱硬化性樹脂である封止樹脂6とシリコーンゴム硬化体で形成される保護膜5の間の空隙層7には水が滞留しない。あるいは滞留したとしても、水は界面張力の低いシリコーンゴム硬化体中には浸入することができない。このように、外部からの水の侵入による信頼性の低下が抑制され、各部材の熱変形による応力の発生も空隙層7により緩和される。すなわち、本発明の半導体装置は、水の浸入および熱応力による信頼性の低下を同時に抑制することにより長寿命とすることができる。尚、本実施の形態では、保護膜5を形成する材料として熱により硬化するシリコーンゴムモノマーを用いたが、光あるいは熱と光の両方で硬化が可能なシリコーンゴムモノマーが用いられてもよい。実施の形態2次に、本発明にかかる実施の形態2について説明する。本実施の形態2の半導体装置では、実施の形態1と異なり半導体素子3が回路基板上に配置されている。尚、実施の形態1と対応する構成については同一の符号が付されている。図3は本発明にかかる実施の形態2における半導体装置の断面構成図である。本実施の形態2の半導体装置は、回路基板8と、回路基板8にペースト材料2を介して搭載された半導体素子3と、半導体素子3と回路基板8上の電極部8aとを接続する金属ワイヤー4とを備えている。更に、本実施の形態2の半導体装置では、半導体素子3が撥水性シリコーンゴムの保護膜5で被覆されている。その際、金属ワイヤー4の半導体素子3の接続部分4aもまた撥水性シリコーンゴムの保護膜5に覆われ、撥水性シリコーンゴムと密着している。さらに、半導体素子3、金属ワイヤー4、撥水性シリコーンゴムの保護膜5全体が封止樹脂6で封止されている。尚、本発明の基板の一例は、本実施の形態2の回路基板8に対応し、図3では多層基板として示されているが、多層に限らなくても良い。本実施の形態2の半導体装置では、実施の形態1と同様に、保護膜5と封止樹脂6の間に空隙層7が形成されている。このように、空隙層7が形成されていることにより、各材料の熱変形による応力の発生を緩和することが出来る。又、撥水性シリコーンゴムの保護膜5を用いていることにより、外部からの水の浸入による信頼性の低下が抑制される。このため、長寿命な半導体装置とすることができる。次に、本発明にかかる実施の形態2における半導体装置の製造方法について説明する。図4a~eは、本実施の形態2の半導体装置の製造方法を説明するための断面構成図である。図4aのように、回路基板8上に、導電性のペースト材料2が、適当量塗布される。さらに、図4bに示すように、ペースト材料2上に半導体素子3が搭載される。ペースト材料2の塗布には公知のディスペンサーを、半導体素子3の搭載には公知のダイボンダーを使用することが可能である。その後、図4cに示すように、半導体素子3と、回路基板の電極部8aとが、金線ワイヤー4を使用し、電気的かつ機械的に接合される。金線ワイヤー4の接続には公知のワイヤボンドを使用することができる。その後、図4dに示すように、保護膜5の前駆体であるシリコーンゴムモノマー5aが、半導体素子3とペースト材料2の空気と接触している部分上に適量滴下される。その際、金線ワイヤー4の半導体素子3との接続部分4a上にもシリコーンゴムモノマー5aは滴下される。この滴下量としては、後述する方法でシリコーンゴムへと硬化した際の厚さが10μmより大きく、2000μmより小さくなることが望ましい。厚さが10μmより小さいと、リフロー工程など加熱時に発生する熱応力の十分な緩和が期待できず、2000μmより大きいと、後に述べる封止樹脂6の厚みが小さくなり、封止樹脂6の厚みが小さくなった部分の強度が不足することとなる。又、シリコーンゴムモノマーとしては、上記実施の形態1の半導体装置の製造方法の説明で述べたものと同様とすることができる。シリコーンゴムモノマーを滴下した後、150°Cで4時間程度加熱することにより、保護膜5を形成することができる。尚、上記のようにシリコーンゴムモノマーを滴下する工程が、本発明の載置工程の一例に対応する。又、上記のように加熱する工程が、本発明の重合工程の一例に対応する。このように保護膜5が形成されたものが、適当な温度に加熱した封止金型内に設置され、図4eに示すように、回路基板8の半導体素子を搭載した面にのみエポキシ系熱硬化樹脂である封止樹脂6が公知のトランスファーモールド法により押圧充填され、硬化される。このように、封止樹脂を押圧充填し、硬化させる工程が、本発明の封止工程の一例に対応する。エポキシ系熱硬化性樹脂を硬化させる際、エポキシ系熱硬化性樹脂の界面張力エネルギーが40mN/m以上60mN/m以下であることにより、保護膜5を形成するシリコーンゴム硬化体とはその表面が完全には密着しない。このように保護膜5の材料として封止樹脂6に対する濡れ性が悪いものを用いることによって、完全に密着せず、空隙層7が形成され、図3に示す本発明の実施の形態2の半導体装置が製造される。このような実施の形態2では、次に説明するように、外部からの水の浸入によるリフロー時の不良や、樹脂とその他部材の線膨張係数差により発生する内部応力の緩和に優れた信頼性の高いものとすることができる。すなわち、シリコーンゴム硬化体である保護膜5の界面張力エネルギーが15mN/m以上30mN/mであるのに対して、水の界面張力エネルギーは約72mN/Nであるために、シリコーンゴム硬化体である保護膜5は撥水性を有することになる。そのため、エポキシ系熱硬化性樹脂である封止樹脂6とシリコーンゴム硬化体である保護膜5の間の空隙層7には水が滞留しない。あるいは滞留したとしても、水は界面張力の低いシリコーンゴム硬化体中には浸入することができない。さらに、空隙層7の存在により、各部材の線膨張係数差に起因する内部応力は極めて効果的に緩和されることとなり、当該実施形態では長寿命の信頼性の高い半導体装置を提供することとなる。実施の形態3次に、本発明にかかる実施の形態3について説明する。本実施の形態3の半導体装置では、実施の形態2と異なり、半導体素子3が回路基板と半田によって電気的及び機械的に接続されている点が異なっている。尚、実施の形態2と対応する構成については同一の符号が付されている。図5は本発明にかかる実施の形態3における半導体装置の断面構成図である。本実施の形態3の半導体装置では、回路基板80と、半導体素子3と、回路基板80の電極パッド9と半導体素子3の電極パッド10を電気的かつ機械的に接続する半田接続部11を備えている。この半田接続部11が配置された領域は、アンダーフィル樹脂12で充填されている。さらに半導体素子3および、アンダーフィル樹脂12のフィレット部12aが撥水性シリコーンゴムの保護膜5で被覆されている。さらに、半導体素子3、アンダーフィル樹脂12のフィレット部12a、撥水性シリコーンゴムの保護膜5全体が封止樹脂6で封止されている。尚、本発明の基板の一例は、本実施の形態3の回路基板80に対応する。そして、保護膜5と封止樹脂6の間に空隙層7が形成されており、アンダーフィル樹脂12のフィレット部12aと封止樹脂6の間に空隙層71が形成されている。このように、空隙層7が形成されていることにより、各材料の熱変形による応力の発生が緩和され、本実施の形態3では、空隙層71が形成されることにより、更に応力の発生が緩和される。又、外部からの水の浸入による信頼性の低下も抑制され、さらに長寿命な半導体装置とすることができる。次に、本発明にかかる実施の形態3における半導体装置の製造方法について説明する。図6a~eは、本実施の形態3の半導体装置の製造方法を説明するための断面構成図である。図6aに示すように、回路基板80上には電極パッド9が設けられており、半導体素子3上には電極パッド10が設けられている。さらに電極パッド9および電極パッド10上には半田ボール11aが配置されている。次に、図6bに示すように、電極パッド9と電極パッド10を半田ボール11aで接続するが、接続方法としては次のように接続する。公知のフリップチップボンダーで、接続前の回路基板80及び半導体素子3の設定温度は摂氏170度とする。その後、画像認識による位置合わせとそれに続く接続工程に移行するが、加圧する際、加圧力を0.1Nとし、3秒間の間に回路基板80及び半導体素子3を装置設定温度として摂氏170度から摂氏300度まで昇温加熱させることで、接続が可能である。次に、図6cに示すように、フリップチップ接続された回路基板80と半導体素子3の間隙にアンダーフィル樹脂12が充填され、硬化させられる。アンダーフィル樹脂12の充填には公知のディスペンサーを使用し、公知の方法で充填することができる。すなわち、回路基板80と半導体素子3の間隙の端部における少なくとも1箇所に適量のアンダーフィル材料が滴下される。その後、毛細管現象によりアンダーフィル材料は半田接続部11と回路基板80と半導体素子3の間隙を過不足なく満たしながら充填される。充填された後、例えば165°Cで2時間加熱し、アンダーフィル材料が熱硬化することでアンダーフィル材料の充填工程が完了する。その後、図6dに示すように、半導体素子3およびアンダーフィル樹脂12のフィレット部12aを覆うように保護膜5の前駆体であるシリコーンゴムモノマー5aが適量滴下される。滴下量としては、後述する方法でシリコーンゴムへと硬化した際の厚さが10μmより大きく、2000μmより小さくなることが望ましい。厚さが10μmより小さいと、リフロー工程など加熱時に発生する熱応力の十分な緩和が期待できず、2000μmより大きいと、後に述べる封止樹脂6の厚みが小さくなり、封止樹脂6の厚みが小さくなった部分の強度が不足することとなる。又、シリコーンゴムモノマーとしては、上記実施の形態1の半導体装置の製造方法の説明で述べたものと同様とすることができる。シリコーンゴムモノマーを滴下した後、150°Cで4時間程度加熱することにより、保護膜5を形成することができる。尚、上記のようにシリコーンゴムモノマーを滴下する工程が、本発明の載置工程の一例に対応する。又、上記のように加熱する工程が、本発明の重合工程の一例に対応する。このように保護膜5が形成されたものが、適当な温度に加熱した封止金型内に設置され、図6eに示すように、回路基板80の半導体素子を搭載した面にのみエポキシ系熱硬化樹脂である封止樹脂6が公知のトランスファーモールド法により押圧充填され、硬化される。このように、封止樹脂6を押圧充填し、硬化させる工程が、本発明の封止工程の一例に対応する。エポキシ系熱硬化性樹脂である封止樹脂6を硬化させる際、エポキシ系熱硬化性樹脂の界面張力エネルギーが40mN/m以上60mN/m以下であるであることにより、保護膜5を形成するシリコーンゴム硬化体とはその表面が完全には密着しない。このように保護膜5の材料として封止樹脂6に対する濡れ性が悪いものを用いることによって、完全に密着せず、空隙層7が形成される。尚、充填硬化されたアンダーフィル樹脂12としては、エポキシ樹脂が用いられているため、その後、図6d、eに示すように保護膜5を形成する際に、界面張力エネルギーの差により、空隙層71が形成されることになる。以上のように、図5に示す本発明の実施の形態3の半導体装置が製造される。このような実施の形態3では、次に説明するように、外部からの水の浸入によるリフロー時の不良や、樹脂とその他部材の線膨張係数差により発生する内部応力の緩和に優れた信頼性の高いものとすることができる。すなわち、シリコーンゴム硬化体である保護膜5の界面張力エネルギーが15mN/m以上30mN/mであるのに対して、水の界面張力エネルギーは約72mN/Nであるために、前記シリコーンゴム硬化体である保護膜5は撥水性を有することになる。そのため、エポキシ系熱硬化性樹脂である封止樹脂6とシリコーンゴム硬化体である保護膜5の間の空隙層7には水が滞留しない。あるいは滞留したとしても、水は界面張力の低いシリコーンゴム硬化体中には浸入することができない。さらに、空隙層7および空隙層71の存在により、各部材の線膨張係数差に起因する内部応力は極めて効果的に緩和されることとなり、当該実施の形態では長寿命の信頼性の高い半導体装置を提供することとなる。尚、上記実施の形態1~3では、半導体素子3の全体を覆うように保護膜5が形成されているが、図7の実施の形態1の変形例の半導体装置の断面構成図に示すように、保護膜5が半導体素子3の一部を覆うように形成されていてもよい。図7に示す半導体装置では、金属ワイヤー4の半導体素子3との接続部分4aと、ペースト材料2の端部分2a露出部分と、半導体素子3の端部3aが、保護膜50によって覆われている。この保護膜50は、実施の形態1の保護膜5と材料及び製造方法は同じものである。そして、保護膜5と封止樹脂6の間に、空隙層72が形成されている。この構成では、接続部分4a近傍にかかる応力は低減出来、水の滞留も防止することが出来る。又、実施の形態2では、金属ワイヤー4の半導体素子3との接触部分4aが保護膜5によって覆われていたが、図8の実施の形態2の変形例の半導体装置の断面構成図に示すように、金属ワイヤー4の電極部8aとの接続部分4bを覆うように保護膜が形成されていても良い。図8に示す半導体装置では、半導体素子3の端部3aから電極部8aまでが保護膜52によって覆われており、保護膜52と封止樹脂6の間には空隙層73が形成されている。この構成では、少なくとも接続部分4bにかかる応力は低減出来、水の滞留も防止することが出来る。更に、図7に示すように、接続部分4aも覆うように保護膜を形成しても良い。又、上記実施の形態1~3では、保護膜5と封止樹脂6の間の境界全域に渡って空隙層7が形成されているが、全域に渡って形成されていなくてもよい。更に、空隙が層状に形成されていなくてもよく、例えば、図9に示す実施の形態1の変形例の半導体装置のように、少なくとも1箇所に空隙74が形成されておりさえすれば、従来の構成と比較して応力を緩和することが出来る。尚、本発明における空隙は、封止樹脂6に対する濡れ性が悪い材料により保護膜5を形成することによって封止樹脂6と保護膜5の密着性が悪くなり、応力緩和の効果が発揮される程度に形成されている。