"レーザーパルスを増幅する方法であって、周波数において線形チャープを持ち、各入力レーザーパルスの持続時間より長いパルス持続時間を持つように引き伸ばされたレーザーパルスを発生させるために入力レーザーパルスを増幅する入力光増幅器を作動させることと、各レーザーパルスにおいて低減したピークパワーを持つ引き伸ばされたレーザーパルスを発生させるために、レーザーパルスの持続時間をさらに引き伸ばす初光増幅器の下流で光パルスストレッチャーを作動させることと、増幅され引き伸ばされたレーザーパルスを発生させるために、引き伸ばされたレーザーパルスを、引き伸ばされたレーザーパルスを増幅する光増幅器内に案内することと、高ピークパワーを持つ増幅され圧縮された出力レーザーパルスを発生させるために、増幅され引き伸ばされたレーザーパルスの各々のパルス持続時間を圧縮することと、を含むレーザーパルスを増幅する方法。光増幅器による増幅に先立ち光パルスストレッチャーにより、引き伸ばされた各レーザーパルス出力を増幅するために光パルスストレッチャーと光増幅器との間に存在する前段光増幅器を作動させることを含む請求項1に記載の方法。前段光増幅器によりレーザーパルス出力を光増幅器に案内する前にレーザーパルスのパルス反復率を低下させることを含む請求項2に記載の方法。光増幅器の不安定性を低減するため又は光増幅器の自然放出増幅光を低減するために、低減したパルス反復率を閾パルス反復率より高く維持することを含む請求項3に記載の方法。レーザーパルスの圧縮に先立ち、増幅され引き伸ばされたレーザーパルスの低減パルス反復率をさらに低減させることと、その後に、所望の出力パルス反復率にて増幅され圧縮された出力レーザーパルスを発生させるために、各パルスの持続時間を圧縮することと、を含む請求項2に記載の方法。レーザーパルスの歪みを低減するために光パルスストレッチャーの下流と光増幅器の上流位置にてレーザーパルスの光スペクトルをフィルターすることを含む請求項2に記載の方法。レーザーパルスを光増幅器に案内する前にレーザーパルスのパルス反復率を低減することを含む請求項1に記載の方法。光増幅器の不安定性を少なくするため、又は光増幅器の自然放出増幅光を低減するために、低減したパルス反復率をパルス反復閾率より高く維持することを含む請求項7に記載の方法。レーザーパルス圧縮に先立ち、増幅され引き伸ばされたレーザーパルスの低減したパルス反復率を所望の出力パルス反復率までさらに低減させることと、その後に、所望の出力パルス反復率において、増幅され圧縮された出力レーザーパルスを発生させるために、各パルスの持続時間を圧縮することと、を含む請求項1に記載の方法。レーザーパルスに歪みを生じさせるために光パルスストレッチャーの下流と光増幅器の上流位置にてレーザーパルスの光スペクトルをフィルターすることを含む請求項1に記載の方法。10dB未満のスペクトル歪みを持つように初光増幅器より前の位置にて入力レーザーパルスを制御することを含む請求項1に記載の方法。引き伸ばされたレーザーパルスを発生させるために、各パルスの持続時間を10倍以上引き伸ばす光パルスストレッチャーを作動させることを含む請求項1に記載の方法。増幅され圧縮された出力レーザーパルスが10マイクロジュールより大きなパルスエネルギーを持つ請求項1に記載の方法。増幅され圧縮された出力レーザーパルスが10ピコセカンドより長いパルス持続時間を持つ請求項1に記載の方法。光増幅器内の非線形歪みを低減させるに充分な短さとなる光増幅器としてファイバー増幅器のファイバー長さを保つことを含む請求項1に記載の方法。35dBより大きな光ゲインを持つように光増幅器を構成することを含む請求項1に記載の方法。初光増幅器がパラボラ光増幅器であり、初光増幅器によるレーザーパルス出力が時間において放物線状パルス形状を持つ請求項1に記載の方法。入力レーザーパルスを発生するパルスシードレーザーと、周波数における線形チャープと、各出力レーザーパルスパルス持続時間より長いパルス持続時間と、を持つレーザーパルスを発生させるために、受取った入力レーザーパルスを増幅するため入力レーザーパルスを受取る初光増幅器と、低減されたピークパワーを持つ引き伸ばされたレーザーパルスを発生させるためにレーザーパルスの持続時間をさらに引き伸ばす初光増幅器の下流に設けた光パルスストレッチャーと、増幅され引き伸ばされたレーザーパルスを発生させるために、引き伸ばされたレーザーパルスをさらに増幅する光増幅器と、増幅され、圧縮され、高ピークパワーを持つ出力レーザーパルスを発生させるために、増幅され引き伸ばされたレーザーパルスの各パルスのパルス持続時間を圧縮するパルス圧縮器と、を含むパルスレーザー装置。パルスストレッチャーがレーザーパルスを引き伸ばすチャープファイバーブラッグゲーティングを含む請求項18に記載の装置。チャープファイバーブラッグゲーティングが、レーザーパルスを引き伸ばすことに加えて、引き伸ばされたレーザーパルスに歪みを発生させるためにレーザーパルスの光スペクトルの光学的フィルタリングを行う構造を持つ請求項19に記載の装置。チャープファイバーブラッグゲーティングが、レーザーパルスのスペクトル形状の端縁付近でスペクトル成分を除去する構造を持つ請求項20に記載の装置。光増幅器に入る前にレーザーパルスでの歪みを低減させるためレーザーパルスの光スペクトルをフィルターするために初光増幅器と光増幅器間のレーザーパルスの光学通路に設けた光帯域フィルターを含む請求項18に記載の装置。引き伸ばされた光パルスのパルス反復率を低減させるために光増幅の上流に設けたパルスピッキング装置を含む請求項18に記載の装置。パルスピッキング装置によって低減された、引き伸ばされた光パルスの低減されたパルス反復率が、閾値を越えると光増幅器内の不安定性または自然放出増幅光が低減されるそのパルス反復率閾値より大きい請求項23に記載の装置。増幅され引き伸ばされたレーザーパルスのパルス反復率を所望の出力パルス反復率までさらに低下させるために光増幅器とパルス圧縮器間に設けた第2パルスピッキング装置を含む請求項23に記載の装置。第2パルスピッキング装置が、入力光の方向とは異なる方向に回折ビームを発生させる入力光を受取る音響光学変調器と、出力光を発生させるため回折ビームを受取る位置に設けたプリズムと、を含む請求項25に記載の装置。光増幅器が、レーザーパルスのレーザー波長とは異なるポンプ波長における光ポンプ光の光励起下でレーザーパルス用の光ゲインを発生させるためのドーピングしたファイバーゲイン部と、ファイバーゲイン部内のレーザーパルス伝搬方向にポンプ光をファイバーゲイン部に連結させるカプラーと、ファイバーゲイン部からの光を連結させるコリメータレンズと、ポンプ光をレーザーパルスの光から分離させるためにファイバーゲイン部のコリメータレンズに近い片側に連結したポンプダンプと、を含む請求項18に記載の装置。光増幅器が、レーザーパルスのレーザー波長とは異なるポンプ波長における光ポンプ光の光励起下でレーザーパルス用の光ゲインを発生させるためのドーピングしたファイバーゲイン部と、ファイバーゲイン部内のレーザーパルス伝搬方向にポンプ光をファイバーゲイン部に連結させるカプラーと、ファイバーゲイン部からの光を連結させるコリメータレンズと、ポンプ光とレーザーパルスの光とを分離する二色反射板と、を含む請求項18に記載の装置。光増幅器が、レーザーパルスのレーザー波長とは異なるポンプ波長における光ポンプ光の光励起下でレーザーパルス用の光ゲインを発生させるためのドーピングしたファイバーゲイン部と、ファイバーゲイン部内のレーザーパルス伝搬方向とは反対の方向にポンプ光をファイバーゲイン部に連結させるカプラーと、ファイバーゲイン部からの残留ポンプ光を連結させるためにカプラーの反対側でファイバーゲイン部に連結されたポンプダンプカプラーと、ファイバーゲイン部からのレーザーパルスの光を連結しその光をパルス圧縮器の方へコリメーとするコリメータレンズと、を含む請求項18に記載の装置。光増幅器が、レーザーパルスのレーザー波長とは異なるポンプ波長における光ポンプ光の光励起下でレーザーパルス用の光ゲインを発生させるためのドーピングしたファイバーゲイン部と、その光ポンプ光を発生させるポンプ光源と、そのポンプ源から光ポンプ光を受取り、その光ポンプ光をファイバーゲイン部に向けて反射する二色反射板と、二色反射板から反射された光ポンプ光をファイバーゲイン部内のレーザーパルスの伝搬方向とは反対の方向にファイバーゲイン部に連結するコリメータレンズと、ファイバーゲイン部からの残留ポンプ光を連結させるためにコリメータの反対側でファイバーゲイン部に連結されたポンプダンプカプラーと、を含み、ファイバーゲイン部により増幅されたレーザーパルスは二色反射板を通ってパルス圧縮器へと向かう請求項18に記載の装置。光パルスストレッチャーと光増幅器との間に設けた前段光増幅器を含む請求項18に記載の装置。入力レーザーパルスを発生させるパルスレーザー装置と、低減されたピークパワーを持つ引き伸ばされたレーザーパルスを発生させる入力レーザーパルス起因のレーザーパルスの持続時間を引き伸ばすシードレーザー下流に設けた光パルスストレッチャーと、増幅され引き伸ばされたレーザーパルスを発生させるために、引き伸ばされたレーザーパルスを受取り、引き伸ばされたレーザーパルスを増幅するために光パルスストレッチャーの下流に設けた光増幅器と、高ピークパワーを持つ圧縮されたレーザーパルスを発生させるために光増幅器の下流に在って各受取レーザーパルスのパルス持続時間を圧縮するパルス圧縮器と、光パルスストレッチャーとパルス圧縮器間に在って、受け取ったレーザーパルスのパルス反復率を低下させ入力光の方向とは異なる方向に回折光を発生させる音響光学変調器及び出力光を発生させるため回折ビームを受取る位置に設けたプリズムを含むパルスピッキング装置と、を含むパルスレーザー装置。パルスピッキング装置が光増幅器とパルス圧縮器との間に存在する請求項32に記載の装置。パルスピッキング装置が光パルスストレッチャーと光増幅器との間に存在する請求項32に記載の装置。各レーザーパルスの付加的増幅を与えるために光増幅器とパルス圧縮器との間に存在する第2光増幅器を含む請求項32に記載の装置。パルスピッキング装置が光増幅器と第2光増幅器との間に存在する請求項35に記載の装置。放物線状パルスとスペクトル形状を持ち、かつ、各入力レーザーパルスのパルス持続時間より長いパルス持続時間を持つために引き伸ばされた放物線状レーザーパルスを発生させるために入力レーザーパルスを増幅するための、シードレーザーと光パルスストレッチャー間の光パラボラ増幅器と、光増幅器によって出力された各増幅され引き伸ばされたレーザーパルスにおける歪みを減少させるためにレーザーパルスの光スペクトルをフィルターしレーザーパルスの放物線状スペクトル形状の端付近でスペクトル成分を除去するためにパラボラ光増幅器と光増幅器間のレーザーパルス通路にある光帯域フィルターと、を含む請求項32に記載の装置。シードレーザーで発生させたレーザーパルスを増幅することにより高エネルギーのレーザーパルスを発生させることができる。光増幅器の光ゲイン媒体を通過後の光がそのパワーとエネルギーを増幅されてその増幅された光が増幅前の元の光と同じ波長になるように、その増幅させるべき光と同じ波長で光ゲインを発生させることによって光を増幅させるための様々な光パルス増幅器が設計されている。光増幅器の光ゲインはNdやYbをドーピングしたファイバー増幅器などの光パルス媒体を光学的に励起させるポンプ光によって、或いは量子井戸やその他のゲイン機構に基づく半導体光増幅器などの電圧印加ゲイン媒体によって得ることができる。本明細書は、チャープパルス増幅に基づく短レーザーパルスを発生させる技術と装置とを記載する。一態様において、周波数において線形チャープを持ち、各入力レーザーパルスのパルス持続時間より長いパルス持続時間を持つように引き伸ばされたレーザーパルスを発生させるために入力レーザーパルスを増幅させる入力光増幅器を作動させることと、各レーザーパルスにおいて低減したピークパワーを持つ引き伸ばしレーザーパルスを発生させるレーザーパルスの持続時間をさらに引き伸ばすために第1の光増幅器より下流の光パルスストレッチャーを作動することと、増幅され引き伸ばされたレーザーパルスを発生させるために引き伸ばされたレーザーパルスを増幅のために引き伸ばされたレーザーパルスを光増幅器内に案内することと、高ピークパワーを持つ増幅され圧縮された出力レーザーパルス発生させるために増幅され圧縮された各出力レーザーパルスのパルス持続時間を圧縮することと、を含むレーザーパルスを増幅する方法が提供される。別の態様において、入力レーザーパルスを発生させるパルスシードレーザーと、周波数において線形チャープを持ち各入力レーザーパルスのパルス持続時間より長いパルス持続時間を持つレーザーパルスを発生させるため受取った入力レーザーパルスを増幅する入力レーザーパルスを受取る初期光増幅器と、低減ピークパワーを持つ引き伸ばされたレーザーパルスを発生させるためにレーザーパルスの持続時間をさらに引き伸ばすため第1の光増幅器より下流にある光パルスストレッチャーと、増幅され引き伸ばされたレーザーパルス発生させるために引き伸ばされたさらに増幅する光増幅器と、高ピークパワーを持つ増幅され圧縮された出力レーザーパルス発生させるために増幅され圧縮されたレーザーパルスの各パルスのパルス持続時間を圧縮するパルス圧縮器と、を含むパルスレーザー装置が提供される。別の態様において、入力レーザーパルス発生させるパルスシードレーザーと、低減ピークパワーを持つ引き伸ばされたレーザーパルスを発生させるために入力レーザーパルス起因のレーザーパルス持続時間を引き伸ばすためにシードレーザーの下流にある光パルスストレッチャーと、増幅され引き伸ばされたレーザーパルス発生させるために引き伸ばされたレーザーパルスを受取り、かつ、増幅する光パルスストレッチャーの下流にある光増幅器と、この光増幅器の下流にあって、高ピークパワーを持つ圧縮されたレーザーパルス発生させるために受取った各レーザーパルスのパルス持続時間を圧縮するパルス圧縮器と、パルスストレッチャーとパルス圧縮器間にあって受取ったレーザーパルスのパルス反復率を弱める一方、入力光の方向とは異なる方向に沿って回折光を発生させるための入力光を受取る音響光学変調器および回折光を受取って出力光を発生させる位置に配置したプリズムを含むピッキング装置と、を含むパルスレーザー装置が提供される。別の態様において、放物線状パルスとスペクトル形状を持ち各入力レーザーパルスのパルス持続時間より長いパルス持続時間を持つように引き伸ばされたパラボラレーザーパルスを発生させるために一定の入力パルス反復率にて入力レーザーパルスを増幅させるパラボラ光増幅器を作動させることと、低減したピークパワーを持つ引き伸ばされたパラボラレーザーパルスの持続時間をさらに引き伸ばすためにパラボラ光増幅器より下流の光パルスストレッチャーを作動することと、増幅され引き伸ばされた第1のレーザーパルスを発生させるために引き伸ばされた放物線状レーザーパルスを増幅するために引き伸ばされたレーザーパルスを光増幅器内に案内することと、増幅され圧縮された第2のレーザーパルス発生させるために増幅され圧縮された第1のレーザーパルスを増幅され引き伸ばされた第1のレーザーパルスを第2の光増幅器に案内することと、増幅され圧縮された高ピークパワーを持つ出力レーザーパルスを発生させるために増幅され引き伸ばされた第2のレーザーパルスにおいて各パルスのパルス持続時間を圧縮することと、を含むレーザーパルスを増幅する方法が提供される。なお又別の態様において、入力レーザーパルスを発生させるパルスシードレーザーと、放物線状パルスとスペクトル形状を持ち各入力レーザーパルスのパルス持続時間より長いパルス持続時間を持つパラボラレーザーパルスを発生させるたに受取った入力レーザーパルスを増幅するため入力レーザーパルスを受取るパラボラ光増幅器と、低減ピークパワーを持つ引き伸ばされた放物線状レーザーパルスを発生させるために放物線状レーザーパルスの持続時間をさらに引き伸ばすためパラボラ光増幅器より下流にある光パルスストレッチャーと、増幅され引き伸ばされた第1のレーザーパルス発生させるために引き伸ばされた放物線状レーザーパルスを受取り、かつ、増幅する光パルスストレッチャーの下流にある第1の光増幅器と、増幅され引き伸ばされた第2のレーザーパルスを発生させるために最初に増幅され引き伸ばされたレーザーパルスをさらに増幅する第2の光増幅器と、高ピークパワーを持つ増幅され圧縮されたレーザーパルス発生させるために2番目に増幅され引き伸ばされたレーザーパルスにおいて各パルスのパルス持続時間を圧縮するパルス圧縮器と、を含むパルスレーザー装置が提供される。上記の態様や他の態様、その実装や他の特徴については、図面、本明細書、及び特許請求の範囲に詳述する。レーザーパルスのパルスエネルギーはパルス幅とパルスピークパワーとの積により推定できる。所与のパルスエネルギーにおける短パルスは高ピークパワーを持ち得る。例えば、パルスエネルギーが10-100マイクロJ、パルス幅が1psecのパルスエネルギーを持つパルスは10-100Mワットのピークパワーを持つ。短いパルス持続時間に起因するこの高ピークパワーは様々な用途に望ましいものとなり得る。高ピークパワーを持つパルスが微小な箇所に焦点を当てられると、その電界の強さはその材料内の電子に影響を与えるに充分なものとなりプラズマ効果を生み出す。このプラズマ効果は例えば熱影響を与えることなく材料を除去するという冷間切除と称される作用を可能にする。これに比べて長パルス幅のレーザーには、熱により材料を除去し、そのため、かなりの熱影響部をもたらして材料周辺部を歪ませるものがある。USPレーザーにおける高ピークパワーによる高電界は、レーザーパルスがレーザーのゲイン材料やレーザーの他の要素と相互作用するにつれて除去効果がレーザーにダメージを与えたりレーザーに歪みを発生させたりすることがあるため、UPSレーザーの構成を困難にする。通常、光の歪みを引き起こすものの一つは非線形の光効果である。例えば、誘導ラマン散乱光SRSは或る光波長における光度がSRS閾値を越える場合の材料内の光学フォノンと光との非線形光相互作用である。SRSが生起すると、ラマン周波数離調によって元の光の光周波数から偏移を受けたラマン周波数において、媒体内の非線形SRSプロセスによって元の光と同じ伝搬方向にラマン信号が発生する。このSRSはファイバーやその他の光媒体中での光パルス増幅時に好ましからぬ影響につながり得る。例えば、光パルスの強さがSRSの閾値レベルまで達するべく増すにつれて、光パルス中の光パワーは減少し、このためSRSプロセスは光パルスの光パワーに上限を加えることになる。又、パルスが伝搬し、カー効果に基づく自己位相変調SPMが常態的に新たなスペクトル成分を発生させるにつれて、SPMのような光学的非線形効果を蓄積させことができ、これによりレーザー材料の処理とか他のレーザー用途などの様々なパルスレーザー用途において望ましい短パルスを得ることが困難になる。したがって、本明細書に記載の光パルス増幅技術と装置は、光増幅プロセス中の例えばSRS閾下のパルスピークパワーを弱め、光学的非線形効果の蓄積のような歪みを軽減するために、先ず、時間領域内の光パルスを引き伸ばす。このパルスはピークパワーを任意の係数例:100以上によって時間内に引き伸ばすことができ、それにより同じ係数でピークパワーを弱めることができる。引き伸ばされた光パルスの増幅後、増幅された光パルスは次に所望の光短パルス発生のため時間内に圧縮される。このパルス増幅プロセスはチャープパルス増幅CPAとして知られている。この引き伸ばしと圧縮は異なる時間量によりパルス内の異なる波長を遅延させることに基づいている。超短パルスはその性質により1-10nm以上の広いスペクトルを持つ。ストレッチャー内では短波長パルスは長波長パルスに関して遅れることがあり、逆もまた真である。圧縮機内では、この効果は再び元に戻される。放物線状パルス増幅は、線形にチャープする引き伸ばされた光パルスを発生させるため、ファイバー増幅器の正ゲインと組み合わせた光ファイバーの正規分散を用いる。無限のゲイン帯域幅と有限のファイバー長さを持つ理想的なパラボラ増幅器においては、出力パルス幅とスペクトルは、入力エネルギーと入力パルス形状に依存しない放物線形状を拡げ、パルスは該放物線形状を持つ。しかし、実用上のパラボラ増幅器にあっては、ゲイン帯域幅と有限ファイバー長さは有限で限りがあり、放物線状出力パルスは増幅器のゲイン媒体のスペクトルの歪み、入力パワー、拡げ量を初めとする多数の入力パルス条件に依存して得られよう。出力パルスの形状はほぼ放物線状である。したがって、パラボラ増幅器を本件のチャープパルス増幅に使用して、増幅され引き伸ばされた放物線状パルスを得ることができる。引き伸ばされた放物線状パルスをその後に圧縮して短く高パワーのパルスを発生することができる。図1は、CPAとパラボラ増幅に基づくパルスレーザーの一例を示す。このパルスレーザー装置100は入力レーザーパルスを発生させるパルスシードレーザー101を含む。放物線状レーザーパルスを発生するため受取った入力レーザーパルスを増幅するため入力レーザーパルスを受取るシードレーザー101の下流に光パラボラ増幅器110を設けてある。放物線状パルスは放物線状パルスとスペクトル形状を持つ。このパラボラ増幅器110からの出力パルスは、実用上の装置制約のため、理想的な放物線状パルスとはならず、放物線状パルスに近い形状になるかもしれない。増幅器110は、出力レーザーパルスのパルス持続時間が入力レーザーパルスのパルス持続時間よりも長くなり出力レーザーパルスが周波数又は位相において線状チャープを持つようにするためこの増幅プロセスによりパルスを拡げるべく設計された初期増幅器である。下記の諸例においてはこの増幅器110は便宜上パラボラ増幅器と称してあるが、実施時の実際の増幅器110は理想的なパラボラ増幅器とはならないかもしれない。そこで、初期増幅器110からの出力パルスは、理想的な放物線状パルスではないかもしれないが、該諸例では放物線状パルスとしてある。図1において、弱められたピークパワーを持つ引き伸ばされた放物線状レーザーパルスを発生させるため放物線状レーザーパルスをさらに引き伸ばすパラボラ光増幅器110の下流に放物線状パルスストレッチャー120を設けてある。これのパルス持続時間中における引き伸ばし量は、初期増幅器110により初期に引き伸ばされたパルス持続時間よりも10か10倍以上となる。この例では、増幅され引き伸ばされた第1の放物線状レーザーパルスを発生させるため、引き伸ばされた放物線状レーザーパルスを受取り、かつ、増幅する前段光増幅器130を設けてある。次に、第2の増幅され引き伸ばされた放物線状レーザーパルスを発生させるために最初に増幅され引き伸ばされた放物線状レーザーパルスをさらに増幅させる主増幅器として作用する第2の光増幅器114を設けてある。一部の実装では、前段光増幅器110を使用せず、引き伸ばされたレーザーパルスは増幅のため光増幅器140に直接送られるということもあり得る。シードレーザーパルスにおいて元のパルス反復率を低下させるために主増幅器140の前にパルスピッキング機能を含めることができる。一部の実装では、パルス数あるいはパルス反復率を低減するために光パルスストレッチャー120と光増幅器140との間、例えば前段増幅器130と主増幅器140との間、にパルスピッカー装置を挿入する場合もあり得る。このパルスピッカーは前段光増幅器130を使用していない用途において設け得る。該装置100には、高ピークパワーを持つ増幅され圧縮された出力レーザーパルスを発生させるため2番目に増幅され引き伸ばされた放物線状レーザーパルスにおいて各パルスのパルス持続時間を圧縮させるパルス圧縮器150も含む。一部の実装では、この増幅され圧縮された出力レーザーパルスは10マイクロジュールを越えるパルスエネルギー及び/又は10ピコ秒未満のパルス持続時間を持つことが可能である。図1の装置により発生させたこれらや他の短く高パワーのパルスは広範な用途に使用できる。パルス圧縮器150は様々な構成にて実施できる。パルス圧縮器150の一例は、パルス圧縮を行うためパルスを2枚の格子を通すように按排した1対の格子である。第1の格子が角分散を発生させ、第2の格子がそれを元通りに戻す。第1の格子により発生した、様々な回折スペクトル成分が2枚の格子間で様々な回折角度にて回折され、2枚の格子間で様々な伝搬長さで伝搬して強く分散する。適正なパルス圧縮には、ストレッチャーと圧縮器の分散特性を考慮するだけではなく、パルス歪みを少なくするためレーザー内の他の成分はもとより高次の分散条件を考慮することが重要である。シードレーザー101からのレーザー光の波長は、Erのスペクトル帯域内にあるもの、Er/Ybファイバー内の約155μm、Ybファイバー内の約1μm、Hоファイバー内の約2μm、或いは希土元素をドーピングしたファイバーゲイン帯域内など様々であり得る。レーザー101のレーザーパワーは様々な範囲内にあり得る。パラボラ増幅器110は高エネルギーと線形チャープ出力の両方を実行させることに使用できる。パラボラファイバー増幅器110は入力パルスの諸パラメーターに無感応となり得るものであり、この特性は該装置100の安定性を向上させることができる。図2は、図1のレーザーの典型的実装を示す。本例におけるパラボラ増幅器110はポンプ光源212と、ポンプ光源212からのポンプ光をレーザー100の主ファイバー路に連結するファイバーカプラー214を含む。ファイバーゲイン部210はパラボラ増幅のための光ゲインを生むためポンプ光により光学的にポンピングされる。この例において、ポンプ光はシードレーザー101からのレーザーパルスと同じ伝搬方向にファイバーゲイン部210に連結される。パラボラ増幅器110を通って伝搬するレーザーパルスが引き伸ばされ、そのスペクトルが広げられる。増幅器からの出力パルスはほぼ放物線状のパルスとスペクトル形状を持つ。その後、この出力はパルスストレッチャー120に送られる。この例において、パルスストレッチャー120はチャープファイバーブラッグ格子CFBGを含み、CFBGではファイバー沿いの格子域が空間的にチャープする。CFBGはさらにパルスを引き伸ばしてピークパワーレベルを下げ、放物線状のパルス形状を保持しながらSPMによる歪みのないさらなる増幅を可能にする。入力光をパラボラ増幅器110からCFBGパルスストレッチャー220へと向かわせ、その反射光をレーザー100の主ファイバーラインに向かわせるため、光サーキュレーター222が設けられる。この構成において、レーザーパルスはCFBGストレッチャー220を2回通過する。光サーキュレーター222からの出力を、平均的パワーを主パワー増幅器140へ投入するに適したレベルまで高めるため、別のパラボラ増幅器110ファイバー前段増幅器232に投入することができる。必要に応じ、追加の増幅器を使用できる。或る種の用途でのオプションとして、前段増幅器232と主増幅器140間にパルスピッカー234を置くことができる。パルスピッカー234は、より低いパルス反復率で修正したパルスを発生させるため、パルスをピッキングすることによりパルス反復率を修正したり低下させたりする。パルスピッカー234の一例が音響光AO変調器や電気光EO変調器である。この種の変調器はシードレーザー101によって発生されたパルスをピックするために電気ゲーティング信号により駆動される。その場合、パルスピッカー234はさらなる増幅のためにパルス数を低減させる。それによりパルス当りのエネルギーを高めることが可能となる。パルスピッカー234はシードレーザー101が望ましいパルス反復率でパルスを発生させる装置では使用されない。パルスのパルス反復率を任意の率で調節するために主パワー増幅器140の前にパルスピッカー234を使用できる。しかし、その使用は主パワー増幅器140への平均入力信号を変化させ、主パワー増幅器140に大きな変化と不安定性とを起こさせる恐れがある。閾値未満の低反復率、例えば10kHz、ではパルス間の増幅器ゲインはかなりの自然放出増幅光ASEを発生させて例えば残留反射による増幅器の自己レージングを起こさせる恐れがある。そこで、レーザー100のパルスのパルス反復率をより良く制御するために、パワー増幅器140の後に第2のパルスピッカー260を設けてある。この第2パルスピッカー260の作動は、主パワー増幅器140の作動に影響しないので、それぞれの用途の要求を満たす広範囲の率で反復率を設定することに使用できる。この2段階のパルスピッキングは様々なパルス反復率を提供する際に何らかの利点を持つ。様々なタイプのパルスピッカーが使用できる。ファイバー連結にてパルスピッカーを連結すると高ピークパワーにて大きなひずみを生じさせるファイバーピグテールができる。電気光EO変調器か音響光AO変調器を使って、パルス数を減らすことによりパルスをピッキングするための光変調器を用意することができる。様々なEO変調器は高電圧で作動するので適応性は少ない。AO変調器は低電圧で作動でき、AO結晶に当てたRF信号に基づきビームを偏向させる。AO結晶からのゼロオーダーのビームはその出力を変調させることに使用できる。様々なAO変調器においては、光の90ほどだけしかゼロオーダービームで偏向されないので、ゼロオーダービームを使用することは選択されたパルス近辺の一連の小パルスにつながることになり得る。そういった小パルスを充分ブロックできないからである。一次オーダーのビームを使用すればこの問題を切り抜けられる。図2において、光パワー増幅器140は様々な構成で実施できる。幾つか例を挙げると、コアポンプファイバー増幅器、ダブルクラッド増幅器、コアポンプ増幅器とダブルクラッド増幅器との組み合わせ、半導体レーザー増幅器などの他の増幅器の設計、などである。半導体レーザーゲイン媒体は例えばダイオードレーザーや懐中電灯ポンプにより光学的にポンピングできる。様々な増幅器の設計において、半導体レーザー増幅器を使って多段階増幅器の設計においてその大きな断面により最終段階の増幅を行わせることができる。半導体レーザー増幅器に使用される典型的材料はNd:YLF,Nd:ガラス、その他である。シードレーザー101のパルス幅は特に問題とはならないかもしれないが、パルス形状は充分制御する必要がある。理想的なパラボラ増幅器の場合は、増幅器からの出力はパルスエネルギーのみに依存することが理論的に示されているので、パルス形状は問題とはならない。実際のパラボラ増幅器においては、ファイバー長さやゲイン帯域幅は限られている。そのような実際のパラボラ増幅器において、入力パルス内の歪みは出力パルス内に強い歪みを生じさせ得る。図3A-1と3A-2はパラボラ増幅器の出力における歪みを示す。図3A-1に示した入力スペクトルはそのピークの右近くに10dBの落ち込みがある。この種の落ち込みはポンプシードレーザーで生じる可能性がある。例えば、ソリトン系のパルスレーザーは、通常、主パルス近くに小パルスを発生させ得る分散波を持つ。このパルスは、主パルスに近接の場合、シード源にスペクトル上の歪みを生じさせる。レーザーに後続の他のタイプのレーザーや構成部品は他のタイプの歪みを生じさせることがある。図3A-2に示したパラボラ増幅器にから測定した出力スペクトルはきれいで滑らかな出力スペクトルというよりは強いリップルを示している。実際のパラボラ増幅器からきれいで滑らかなスペクトルとパルスを生じさせるためには、二次パルスがスペクトル内に10~15dB以下の歪みを生じさせると判断された。10dBを越える歪みを持つシード源からの測定入力スペクトルを図3B-1に示す。図3B-2に示したパラボラ増幅器の測定出力スペクトルは強いリップルを示してはいない。主パルスの帯域幅の外のスペクトル歪みについても、パラボラ増幅器からきれいな出力スペクトルが得られよう。実際のパラボラ増幅器は入力パルスエネルギーとピークパワーの影響を受けやすい。図4Aと図4Bはピークパワーレベルについて30ワットと4ワットでのそれぞれの入力パルススペクトルの測定値を示す。これら測定結果は30ワットピークパワーパルスの場合のかなりの歪みを示している反面、4ワットピークパワーパルスの場合は歪みが小さいことを示している。パルス歪みは様々なメカニズムにより高パルスピークパワーによって引き起こされ得る。例えば、シードレーザー源内の残留歪みは、大きな非線形性を発生させて残留歪みと信号パルスとの境界面を生じさせる高入力パワーにおいてパラボラ増幅器内にさらなる歪みを起こし得る。出力歪みを小さく保つには、スペクトル拡大を期待レベル以下に、例えば信号パルスと残留歪み間のスペクトル上の距離以下に制御する必要がある。ゲイン媒体のゲイン帯域幅に対比し得る幅にまでパルスのスペクトルを急速に広げさせる高ピークパワーレベルにおいては、増幅器相互作用は、もはやゲイン、分散、及びシミラリトンを支える非線形相互作用、の三者間バランスを取ることができず、パルスは歪み始める。小さな歪みの場合、増幅器に沿うスペクトルはゲイン媒体の帯域幅未満であるべきである。実施用途においては、ファイバー内のゲインがファイバーの長さ沿いの諸位置でのパルスの帯域幅全域にわたって3dB未満に変化する用途もある。実際の入力歪みが1~10dBであるパラボラ増幅器からきれいな出力パルスを得るためには、入力パワーは、スペクトル拡大を信号と歪み間距離図3B-1で約6nm未満に保つと共に帯域幅全幅を媒体の3dBゲイン帯域幅未満に保つに充分な小ささに保つ必要がある。具体的な入力パワーレベルはファイバードーパント、ポンプ条件、ファイバー設計コアサイズとファイバー長、レーザー波長に左右され得るものであり、ゲイン帯域幅とスペクトル拡大の同じ限定により限定される。ドーパント、ポンプ条件、信号波長が異なれば増幅器の帯域幅も変わり得る。コアサイズとファイバー長が異なれば、所与の入力パワーにおける拡大量に影響し得る。例えば、レーザー波長1030nm用に10メートルの単モード6ミクロンTbドーピング処理ファイバーの場合は、入力パワーはピークパワー時で5ワット未満であるべきである。155ミクロン前後の波長にはErかEr:Yb、16ミクロン前後の波長にはYbかNd,2ミクロン前後の波長にはTmかHo、等を含めた異なる希土類のドーパントを利用することによって異なる出力波長をPACPAから得ることができる。パラボラ増幅器内の能動ファイバーを、ファイバーの長さにわたって分散が変わる受動ファイバーに置換することもできる。レーザーパルスの光スペクトルをフィルターしレーザーパルスの放物線状スペクトル形状の端付近にてスペクトル成分を除去するために、パラボラ光増幅器110と前段光増幅器232間のレーザーパルスの光経路に光帯域フィルターを設置可能であることが図2の試験で示唆されている。このフィルター作用は増幅され引き伸ばされた放物線状レーザーパルス出力内の歪みを前段光増幅器232によって減少できる。図5Aはこの帯域フィルター設置場所として3つの異なる箇所510A,510B,510Cを示す。このフィルターを実施する便利な一方法は、所要のフィルター帯域幅に等しい反射帯域幅を持つようにCFBG220を設計することによりこのフィルターをCFBG220と一体化することである。こうしたフィルターを使用することによりパラボラ増幅器からの信号の出力スペクトルの端付近に通常発生するスペクトル内の歪みをなくすことができる。多層電気フィルターやファイバー系のフィルターなどの他タイプの光ファイバーも同様に使用でき、CFBGと光サーキュレーター間に設置できる。フィルターを使用することの効果を図5Bと5Cに示す。図5Bは増幅器又はストレッチャーの後にフィルター無しパラボラ増幅器からの出力スペクトルを示す。図5Cはフィルター有りの出力スペクトルを示す。この出力スペクトルはスペクトル中心部のほとんどにわたって滑らかではあるが、スペクトルはスペクトルの端近くにピークを示している。このような振幅のピークは基本的にスペクトルのこの部分における位相歪みにも関係する。この位相歪みの結果、スペクトルの歪んだ端のエネルギーは正しく圧縮せず、圧縮後にパルス歪みを引き起こす。光帯域フィルターを通過したパラボラ増幅器からの出力は端部にて位相歪みを除去する。CFBGストレッチャーに加えて他のタイプのパルスストレッチャーも使用できる。例えば、パラボラ増幅器からの出力光は、なるべくファイバーストレッチャーに先立ち光を減衰させる減衰器の後に、ファイバーストレッチャーとしての分散性ファイバーの全長を通過させられる。この場合、ファイバーの末端に反射器が設けてあればファイバーストレッチャーをCFBGと類所の構成とすることはできるが、光サーキュレーターは不要である。CFBGが有利なのは、非常に長いファイバーにおいてそれは大幅に短くなり、パルスのパルス歪みの問題が少ないことである。バルクグレーティングストレッチャーなどの他のタイプのストレッチャーも使用できよう。実際のパラボラ増幅器へのシードレーザー信号の入力パワーとスペクトル純度に適正な注意を払えば、パラボラ増幅器無しの構成全般にわたって幾つかの利点を実現するためにシードレーザーとパラボラ増幅器とを組み合わせて使用できる。例えば、パラボラ増幅器において、線形チャープを加えながらスペクトルは広がる。その結果、入力パルスは圧縮された出力パルスよりも大幅に広くなる。これにより長いパルス持続時間を持つパルスシードレーザーが使用できるようになる。別の一例を挙げると、同じパルス長さに到達するにはスペクトル帯域パルスが広くなれば分散は少なくする必要があるので、パルス内のパラボラ増幅器による広いスペクトルはパルスを引き伸ばし易くなる。パルス引き伸ばしの引き伸ばし範囲に対する要求がこのように少なくなることは、使用すべきCFBGストレッチャーであれ他のストレッチャーであれ、より安価化、単純化を可能にする。又別の一例を挙げると、放物線状パルス形状は、標準的グレーティング圧縮器で修正できる後続パラボラ増幅器内にSPM歪みを作るという利点を持つ。さらに別の例を挙げると、図4A、図4Bに示したように、このパラボラ増幅器はシードレーザーからの多少の歪みを消去できる。実際のパラボラ増幅器からの出力はほぼ放物線状の輪郭を持つパルス輪郭を持ち、線形チャープを伴う拡がったスペクトルを持つ。本システムにフィルターを加えて、パラボラ増幅器が発生する出力パルスの端からの非線形チャープをスペクトルフィルタリングすることによるパルス横断線状チャープ以外の非放物線状出力形状を持つ実際のパラボラ増幅器の作動を実現することに使用できる。図1と図2の主パワー増幅器140は様々な構成で実施できる。引き伸ばされた固定パルス長さが所与のとき、パワー増幅器内の非線形歪みは究極的にPACPAからのパルスエネルギーとピークパワーを限定する。パルスの放物線状の入力形状は圧縮器により補正可能な非線形SPM歪みを起こす。しかしその補正はパワーに依存し、しかも実際にはパルスは近似的に放物線状であって、補正できない位相歪みを生じさせる。したがって、主パワー増幅器140はSPMを通して最小限の歪みを示すものであることが望ましい。実装において、多モードポンプ源の大きな配列によってポンピングされるのでパワー増幅器は容易にパワーを増加するため、最終パワー増幅器140にダブルクラッドファイバーを使用できる。しかし、コアポンピング持つ非ダブルクラッドファイバーも使用できよう。ポンプ源からのポンプビームの波長多重送信や偏波多重送信、及びファイバー両端からのポンピングは非ダブルクラッドファイバー用のパワーを標尺できよう。ファイバー内のパルスの有効相互作用長さを最小化しモードフィールド域を最大化することでSPMを有益に最小化できる。この点はファイバーの大ファイバーコアと高ドーピング密度のためには良い。ファイバーはコアサイズとドーピング濃度において様々な要因により制約がある。例えば、直径15~30ミクロンの大きなコアサイズは、高次のモードを励起してビーム歪みを起こさせることにつながり、その影響はファイバーコアのサイズに制限を加える。ドーパント濃度は、その高濃度のときは希土類原子が結集して効率低下を招いたり、その他の影響によって制限される。図6は主パワー増幅器140の一例を示す。この設計は、レーザーパルスのレーザー波長とは異なるポンプ波長において光ポンプ光の光励起下においてレーザーパルスのための光ゲインを発生させるべくドーピングされたファイバーゲイン部160と、その光ポンプ光を発生させるポンプ光源と、ポンプ光源620から光ポンプ光を受取り光ポンプ光をファイバーゲイン部610の方へ反射させる二色反射板630と、二色反射板630から反射した光ポンプ光を、ファイバーゲイン部610内のレーザーパルスの伝搬方向とは反対方向にあるファイバーゲイン部に結合させるコリメータレンズ640と、ファイバーゲイン部610からの残留ポンプ光を結合させるためコリメータレンズ640の反対側にてファイバーゲイン部610と連結したポンプダンプカプラー650とを含む。ポンプダンプカプラー650は増幅器のファイバーゲイン部610の構造に応じて様々な構成で実施できる。例えば、ダブルクラッドゲイン部については、ポンプダンプカプラー650は、異種クラッド材料製の二種のファイバークラッドによる光波抑閉をなくすため外側のクラッドを内側のクラッドと同じ材料に換えてこの部位のファイバークラッド2層が同材料で形成されるよう造ることができる。ファイバーゲイン部610で増幅されたレーザーパルスは二色反射板630を通ってパルス圧縮器150に向かう。図7は主パワー増幅器140の別の一例を示すもので、これは1回目と2回目の光ポンプビームをそれぞれ発生させる二つのポンプ光源710と720を使用する。1回目と2回目の光ポンプビームをファイバーゲイン部610でのレーザーパルスの伝搬方向と反対方向にファイバーゲイン部610内へ連結し組み合わせるために、ヒューズを取付けたファイバーカプラー730を設けてある。ファイバーゲイン部610からの残留ポンプ光を連結するため、カプラー730の反対側でポンプダンプカプラー650がファイバーゲイン部610に連結されている。コリメータレンズ640はファイバーゲイン部610からのレーザーパルスの光を連結し光アイソレータ202を通してパルス圧縮器150の方向にコロメートする。様々なファイバー制限条件が与えられている場合、光ポンプ、信号、ファイバー長さ条件はファイバー内の有効相互作用長さを短くすることによってファイバー増幅器の利用可能なパルスエネルギーをかなりの程度に増すことができる。増幅器の末端ポンピングは、信号が最大となりゲイン飽和を最小にし、光ゲインを最適化し有効相互作用長さを最小にするファイバー末端近くで高ポンプパワーを生じさせる傾向がある。末端ポンピングの一つの短所は、ヒューズ付きコンバイナーでポンプしたときにポンプ光をファイバーからファイバーへの連結でファイバーに連結するにはファイバーに余分な長さが必要となることである図7。通常20~30cm以上となるこの余分なファイバー長さは、増幅器からの大きなエネルギーを持つ出力パルスがこのファイバーピグテールを通る際にかなりのSPMを生じさせる。これに代わる方法として、二色反射場のようなバルク光学器を使って、図6に示した後方ポンプ連結構成にてポンプを連結することができる。この場合の後方ポンピングファイバー増幅器の入力端付近に強いポンプパワーを生じさせ得る。このポンプパワーは図6と図7に示したようにファイバー入力端近くのダブルクラッドファイバー周りのポンプダンプで除去できる可能性がある。図8Aにおいて、二つのポンプ光710と720と、ファイバーゲイン部610内で第1と第2の光ポンプビームをレーザーパルスの伝搬方向にファイバーゲイン部610と連結させ組み合わせるファイバー系のカプラー730と、ファイバーゲイン部からの光を連結するコリメータレンズ640と、を含めて主パワー増幅器を実施する。ポンプ光とレーザーパルスの光を分離するため、又、図示例において、ポンプ光を反射しながらレーザー光を伝送するために、二色反射板630を使用している。前方向のポンピングには後方進行ポンプ光の問題はないが、ファイバーの出力端付近で充分なポンプパワーがあるように注意を要する。このように、ファイバー末端からポンプ光のかなりの部分>10が漏れ出すようにファイバー長さを調節する必要がある。ファイバーの出力から放出されたポンプ光は増幅器の出力に後続するアイソレータやその他の構成品を総称する恐れがある。このポンプ出力パワーは後方ポンピングと比べて比較的除去できる。さらに、増幅器の出力端部にある光部品は、増幅器の入力端部にある部品に比べると、より高レベルのパワーに対処できる設計にすることができる。ポンプNAはレーザーNAと比べて通常は大幅に高いので、ポンプ光を遮るためにコリメーションレンズの前に簡単な空間フィルターを使用することもできる。図8Bは、二色反射板630を除去することにより、かつ、レンズ640の近くのファイバーゲイン部610の出力端にポンプ光カプラー650を加えることにより図8Aの主パワー増幅器が修正できる前方向ポンプの設計の別の一例を示す。このポンプ光カプラー650又はポンプダンプは、ファイバーゲイン部610からレンズ640によって連結される光が増幅されたレーザーパルスの光となるように、ファイバーからのポンプ光を連結するために使われる。この構成において、堅固なヒューズ付きポンプカプラー730で前方向にポンプされ、その出力ポンプ光はファイバー終端近くのポンプダンプ650で除去される。信号パワーは固定最大利用可能ポンプパワー内で35dB以上のゲインを得るように調節できる。高ゲインは相互作用長さを減少できる。その上、この増幅器はゲインを支えるため最小長さに調節されている。増幅器をより長くすれば有効ファイバー長さを増し得る。単位長さ当たりのゲインはファイバーとポンプで制限されるため、ファイバーを短くすればもはや、>35dBのゲインは許されない。例えば、コア直径が25ミクロン、ポンプ吸収が10dB/m、1030nmで使用のYbダブルクラッドファイバーは約1メートルのファイバー長さを持つ。このような増幅器で普通である低ゲイン例えば20dBゲインに反して35dBゲインを超えるファイバーの使用は、いくつかの増幅器特徴を活用することにより可能となる。そのような高ゲインでは、自然放出増幅光ASEはかなりのものとなり、後方向でそのピークに達し得、そこにおいてそれはアイソレータを損傷させたり、このASEを前段増幅器に注入してこの増幅器の不安定性を引き起こす恐れがある。入出力アイソレータは例えば30dB以上などの高分離性を持つ必要がある。高ゲインは自己レージングをも起こし、空所の両端からの全反射の総和はゲイン以下となる。これらの反射には入力アイソレータ、ファイバー端面、出力光学器からの反射を含むこともある。ASEを少なくするために本レーザー装置をゲインピーク付近の波長で使用できる。例えばYbドーピングした増幅器において、高ポンプの短い増幅器でのゲインピークは1030nm近辺である。この波長で運転すればASEが信号より高いゲインと出会う恐れはなくなる。光学的設計上のこういった注意点に加えて、入力パワーとASEパワーをモニターで監視し、光学的不安定の場合にそれらのパワーを使って本レーザーを制御できる。パルスピッキング装置、例えば図2の装置234か260を、様々な構成にて実施できる。図9、図10、図11はパルスピッキング装置260の3つの例を示す。図9において、第2のパルスピッキング装置260は、入力光を受取り入力光の方向とは別方向の回折ビームを発生させる第1の音響光学変調器910と、1番目の音響光学変調器からの回折ビームを受取り第1と第2の音響光学変調器910と920間の回折ビームの方向とは異なる方向に出力回折ビームを発生させる第2の音響光学変調器920とを含む。この出力回折ビームは増幅され圧縮された出力レーザーパルスを発生させるためパルス圧縮器150に案内される。図10において、第2のパルスピッキング装置260は主光増幅器140からの入力光を受取る偏波ビームスプリッター1040と、偏波ビームスプリッター1040からの入力光を受取ってその入力光の方向とは異なる方向に回折ビームを発生させる音響光学変調器1010と、その回折ビームをもう一度音響光学変調器1010を通過させるように設置した反射板1020と、偏波ビームスプリッター1040と音響光学変調器1010間に設けた四分の一波長板1030とを含む。反射した回折ビームは音響光学変調器1010と四分の一波長板1030とを通過した後、偏波ビームスプリッター1040によってパルス圧縮器150へ反射される。図11は別の設計を示すもので、この設計において音響光学変調器1010は入力光を受取って、入力光の方向とは異なる方向に回折ビームを発生させ、プリズム1110はその回折光を受取って、出力光を発生させるように設置される。AOM1010の作用によって、出力光の増幅され引き伸ばされた放物線状レーザーパルスのパルス反復率は、音響光学変調器1010が受取った入力光のパルス反復率よりも低い所望の出力パルス反復率となる。AOM1010からの出力はプリズム1110を通過して、付加的な実質的損失を受けることなく角歪みを補正する。異なる波長間のビームウォークオフによるビーム歪みを少なくするために、AOM1010とプリズム1110間の距離はなるべく短くすべきである。プリズム1110内でのビーム歪みを少なくするためにはプリズム1110の頂角には注意してプリズム1110の方位はプリズム1110に関して光への回折角がプリズムの両端でほぼ同じとなるようにすべきである。図9のパルスピッカーの設計とは違って図11のパルスピッカーは、プリズム1110と共同して初期のパルスピッキング作用を果たすために、増幅され引き伸ばされたパルスを一度だけ光変調器1010内に通すべく1台の光変調器1010を使用する。図11のこの1台の光変調器1010は図9の設計のものより安価で、図9の2台のAO変調器に比べて光の損失が少ない。図11の設計の物的サイズはその構造が簡単なため図9の設計よりも大幅に小さくできる。図10の設計は2回目のために光を反射してAO変調器に戻し、それにより図11の設計における光の損失を倍増する。図11のパルスピッカーの設計における1台の光変調器1010とプリズム1110との組み合わせは、多段処理段階後の増幅され引き伸ばされたレーザーパルスの貴重な光エネルギーの光学的損失を少なくするため構造的に単純でコンパクトなパルスピッカー装置を提供する。本明細書に具体的な内容を多く含めてはあるが、それらは記載の特許請求の範囲もしくは特許請求があり得る範囲に対する限定事項と解されるべきではなく、特定の実施形態についての具体的な特徴の説明と解されるべきである。個別の実施形態の文脈上本明細書に記載した幾つかの特徴は単独の実装と抱合せて実施することもできる。逆に、単独の実施形態の文脈上記載した様々な特徴は複数の実施形態にて個別に或いは適当なサブコンビネーションにおいても実施できる。なお又、諸特徴は特定の組み合わせにて作用すると上記され、そのようなものとして最初にクレームされていることもあるが、場合によってはクレームされた組み合わせからの一つ以上の特徴はその組合せから発揮されることを得、その請求された組み合わせはサブコンビネーションやサブコンビネーションの変種に向けられることもあり得る。いくつかのの例や実装のみを説明した。記載した例および実装の他の実装、変形、変更、および改良を行うことができる。"