"入力において第一の出力インピーダンスZ1を有する第一の構成要素PAを備え、出力において第二の入力インピーダンスZ2を有する第二の構成要素ANTを備え、そしてインピーダンス整合回路を前記第一と第二の構成要素間に備える装置であって、前記第一及び/又は第二のインピーダンスが変化するため、前記インピーダンス整合回路が、前記第一と第二の構成要素間に位置し、少なくとも2つの音響波用の結合された共振器を含む、前記第一と第二のインピーダンスに整合可能なインピーダンスを有するフィルターFadpを備え、前記共振器の少なくとも1つが、ペロブスカイト型の材料と、その誘電率とインピーダンスを変えるように、前記共振器に電圧を加える手段とを備えることを特徴とする装置。各共振器がペロブスカイト型の材料を含むことを特徴とする、請求項1に記載の装置。前記フィルターがバルク波共振器を備えることを特徴とする、請求項1あるいは2のいずれか一項に記載の装置。前記フィルターが少なくとも1つの支持膜及び、ペロブスカイト型の材料の層を含む積層を含んだ、FBARバルク波共振器を備えることを特徴とする、請求項3に記載の装置。前記フィルターが、少なくとも1つの音響反射器及びペロブスカイト型の材料の層を含むSMR型のバルク波共振器を備えることを特徴とする、請求項3に記載の装置。前記ペロブスカイト型の材料が、チタン酸バリウムストロンチウムBSTに基づくことを特徴とする、請求項1~5のいずれか一項に記載の装置。前記フィルターが、梯子構造及び/又は格子構造でつながれる一組の共振器を備えることを特徴とする、請求項1~6のいずれか一項に記載の装置。前記インピーダンス整合回路が更に別のインピーダンス要素を含むことを特徴とする、請求項1~7のいずれか一項に記載の装置。可変インピーダンス要素がアンテナであることを特徴とする、請求項1~8のいずれか一項に記載の装置。前記可変インピーダンス要素が増幅器であることを特徴とする、請求項1~9のいずれか一項に記載の装置。前記可変インピーダンス要素がトランジスターであることを特徴とする、請求項1~10のいずれか一項に記載の装置。無線送信機及び/又は受信機の中に含まれ、そこで前記第一の構成要素が増幅器PA、前記第二の構成要素がアンテナANTであることを特徴とする、請求項1~11のいずれか一項に記載の装置。前記電圧を加える手段が、前記インピーダンス整合フィルターの周波数帯域が僅かに、典型的には数だけ変化する電圧範囲に調整されることを特徴とする、請求項1~12のいずれか一項に記載の装置。調整可能な整合回路の制約を緩和し、ここで説明される方法の適用分野を増やすために、出願人は、可能な限り極度に短い整合時間を持つ、インピーダンスにおいて敏捷なフィルターの配置を可能にする、とりわけ単純で速い構成要素のインピーダンス整合用の装置を提案し、これらのフィルターは、その誘電体の誘電率が急速に整合し得る材料を使用する。より正確には、本発明の主題は、入力において第一の出力インピーダンスを有する第一の構成要素を備え、出力において第二の入力インピーダンスを有する第二の構成要素を備え、そしてインピーダンス整合回路を前記第一と第二の構成要素間に備える装置であって、第一及び/又は第二のインピーダンスが変化するため、前記インピーダンス整合回路が、前記第一と第二の構成要素間に位置し、音響波用の少なくとも2つの結合された共振器を含む、第一と第二のインピーダンスに整合可能なインピーダンスを有するフィルターを備え、共振器の少なくとも1つは、ペロブスカイト型の材料と、その誘電率とインピーダンスを変えるように、前記共振器に電圧を加える手段とを備えることを特徴とする。本発明の1つの変形によれば、各共振器はペロブスカイト型の材料を含む。本発明の別の変形によれば、フィルターはバルク波共振器を備える。本発明の別の変形によれば、フィルターは少なくとも1つの支持膜及び、ペロブスカイト型の材料の層を含む積層を含んだ、FBARバルク波共振器を備える。本発明の1つの変形によれば、フィルターは少なくとも1つの音響反射器及びペロブスカイト型の材料の層を含む、SMRバルク波共振器を備える。本発明の別の変形によれば、ペロブスカイト型の材料はチタン酸バリウムストロンチウムBSTに基づく。本発明の別の変形によれば、フィルターは梯子構造及び/又は格子構造でつながれる一組の共振器を備える。本発明の別の変形によれば、前記インピーダンス整合回路は更に別のインピーダンス要素を含む。本発明の別の変形によれば、可変インピーダンス要素はアンテナであり、そして第一又は第二の構成要素であり得る。本発明の別の変形によれば、可変インピーダンス要素は増幅器であり、そして第一及び/又は第二の構成要素であり得る。本発明の別の変形によれば、可変インピーダンス要素はトランジスターであり、そして第一及び/又は第二の構成要素であり得る。本発明の別の変形によれば、装置は無線送信機及び/又は受信機の中に含まれ、そこで第一の構成要素は増幅器、第二の構成要素はアンテナである。本発明の別の変形によれば、電圧を加える手段は、前記インピーダンス整合フィルターの周波数帯域が僅かに、典型的には数だけ変化する電圧範囲に調整される。インピーダンス整合回路はさらに、フィルターに加えて、装置のインピーダンス変化の可能な範囲を増加させるインダクタンス又はコンデンサーのような、補足的要素を一般に直列に備え得る。本発明は以下の限定されない記述を読み、そして添付図のおかげでより良く理解され、その他の利点が明らかになるであろう。本発明によれば、ペロブスカイト型の材料を含む共振器を用い、加えられた電界における変動の作用の下でその誘電率が大幅に変化するような、インピーダンス整合フィルターを作ることが提案されている。このタイプの材料は、確かに、電界の作用の下で大幅に変動し得る、大きな誘電率を有する。本発明は以下においてバルク波共振器に関して記述されるが、しかしそれでもなお、それはまた表面波フィルター又はLam波フィルターにおいて使用され得る。そして前記フィルターは、各共振器のインピーダンスがその端子に加えられる直流電圧を用いて変更され得るような特性を有する、ペロブスカイト型の材料を含む。ペロブスカイト型の材料、そしてとりわけPbMg1/3Nb2/3O3PMNの利点は、図5に例証されている。これらの材料は一般に、加えられた直流電圧に依存する圧電結合係数を特に生じる、非常に顕著な電歪特性をそれらが示すような結晶配置を有する。従って、ペロブスカイト材料の勾配は、従来の圧電材料とは対照的に、図5の曲線5aに例証されるように電界の値に応じて変動し、その結合係数は曲線5bに例証されるように、加えられた電界にかかわらず一定のまま留まる。確かに、ペロブスカイト型の材料の利点は、従来の圧電材料と比べて、電界の影響下における変形の変動の非線形性にあり、そのような材料が、電気的誘電率εにおける変動に関して、及びそれゆえ加えられた電界の関数としてのインピーダンスに関して、高い感度を得ることを可能にする。電歪として知られる電界Edcの影響下での、材料の物理的特性、とりわけ誘電率ε、剛性c、及び圧電結合係数hの変動は次の方程式により記述される。従来の圧電材料の全ての物理的特性は、これらの方程式において認識できるが、電歪係数M及びGと、電気的減衰係数E1/2によって表わされる、追加の影響もまた存在する。音響変換器用のそのような材料は、特にFoster,F.S.;Ryan,L.K.;Turnbul,D.H.;による論文、Characterizationofleadzirconatetitanateceramicsforuseinminiaturehigh-frequency20-80MHztransducers;Ultrasonics,FerroelectricsandFrequencyControl,Volume38,Issue5,Sept.1991に記述されている。マイクロエレクトロニクスにおける、そのような材料の使用について言及している最初の出版物は1999年から、特にLobl,H.P.;Klee,M.;Wunnicke,O.;Kiewitt,R.;Dekker,R.;Pelt,E.V.;Piezo-electricAlNandPZTfilmsformicro-electronicapplications;UltrasonicsSymposium,1999から始まっている。PZTジルコン酸鉛チタン石は、それが無線周波数の用途において示す圧電特性のため、興味深い。PZT及び大部分のペロブスカイト材料は誘電体の高い誘電率を有し、それらはフィルター又は共振器のような、それらの圧電特性を利用する用途に直接的に向けられておらず、非常に高密度のコンデンサーを集積する手段に向けられていることを意味する。今日、例えば特に論文:Ivira,B.;Reinhardt,A.;IntegrationofelectrostrictiveBa0.7Sr0.3TiO3thinfilmsintoBulkAcousticWaveresonatorforRF-frequencytuningunderDCbias;FrequencyControlSymposium,19-21May2008,に記述されているような、チタン酸バリウムストロンチウムBSTの如き、代替の化合物が最近の数年間にわたり提案されている。この公開文献から取り出された図6は、この点において200nmのプラチナ電極の存在下で、厚さ580nmのBST層に加えられる電圧に応じた、インピーダンス変動の範囲を示す。それにもかかわらず、この公表文献は特徴的に、作られたBST層の解析に焦点を合わせており、共振器の問題には組み込まれていない。可変周波数のBST材料に基づくフィルターもまた文献に記述されているが、それらは少なくとも2つの構成要素を含む一連のユニット内のインピーダンス整合回路における、インピーダンス調整機能を確実にするために用いられておらず、そのインピーダンスは変動し得る。この点に関して次の参照文献が言及され得る:PavelATuralchuketal.;ModellingoftunablebulkacousticresonatorsandfilterswithinducedpiezoelectriceffectinBSTOfilminawidetemperaturerange;NoethA.etal.;TunablethinfilmbulkacousticwaveresonatorbasedonBaxSr1-xTiO3;及び米国特許出願公開第2001/02825号明細書。これに関連して本発明の出願人は、本発明により取り組まれる問題において、窒化アルミニウムタイプの材料の利点を証明するため、前記材料に基づくフィルターの製作において、堅牢性が既に実証されているモデルの使用を選択した。使用されたモデルは、電気音響的Masonのモデルであった。ここで、そのモデルはBST材料の特殊性を反映するため、とりわけ電界への依存性を導入するために適合させられた。使用された物理定数は、出願人によって作られた装置の解析から得られた。より正確には、Masonのモデルは電気機械的モデルであり、バルク波共振器の場合、それは圧電層の両側の変位速度の関数として表わされる、材料の装填の影響、及びそれらの機械的相互作用の表現を可能にする。電気機械的類似により、力は電圧で表わされ、変位速度は電流で表わされる。従って、圧電層はその圧電特性に起因して、2つの電圧ポート及び1つの電流ポートを有するブロックによりモデル化され、それゆえその接触面における力の存在下で電気音響的エネルギーを発生する能力と、一方で主として電極である別の受動材料は、図7に例証されるように電圧ポートを本質的に有するブロックによりモデル化される。より正確には、出願人はBST材料を用いて作られるBAW共振器を使って以下の特徴を実証し、共振器の特性は次の積層を用いて得られる。圧電材料の層:300nmのBST電極:100nmのプラチナ0~32Vの間の電圧を加える手段所有面積:12μm×12μm8.5Vにおいて50Ω8.5Vにおいて得られる性能は:直列周波数Fs=3.404GHz直列品質係数Qs=157並列周波数Fp=3.565GHz並列品質係数Qp=242結合係数Kt2=10.65である。図8、9、10、11及び12の集合から、そのような共振器の特性を実証する次の考察をすることが可能である。誘電率の変動に関連する、共振器のインピーダンス変動が注目に値する。結合係数は低い電界強度において非常に速く変動し、次に僅かな変動を示す。並列共振に比較して大きな直列共振における変動もまた見られる。高い電界強度において、2つの共振が反対方向に進行することもまた注目に値する。とりわけ、本発明において記述されている独創的要素をもたらす、自動整合におけるフィルターの機能性に対する新たな必要性と共に提示されるのは、この解析である。本発明による例示的インピーダンス整合フィルターインピーダンス整合フィルターは、二重格子構造及びBSTペロブスカイト型の材料に基づく共振器を含む。図13a、13b、及び13cは、そのような二重格子フィルターの応答を示し、フィルターの複数の共振器に同時に加えられた直流電圧は、V1、V2、及びV3の値をとる。結果的なフィルターの等価特性インピーダンスは、次の表で与えられる:フィルターの中心周波数はV1からV3へと僅かに変化し、より明白にはV2とV3との間よりもV1とV2との間で変化することが観察される。これは図8~12に示される曲線に関する場合のように、結合係数及び共振器の共振周波数が、高電圧よりも低電圧においてより多く変動するという事実に起因する。さらに、インピーダンス自体は同じ電圧変動の範囲内で、直線的に変動することが観察される。本例において、フィルターの特性インピーダンスの実数部分は、V1~V3の間で3倍100~300Ω変動している。フィルターは、3.3GHz~3.485GHzの間、すなわち185MHzの幅それはまた、中心周波数のパーセンテージとして、すなわち3.4GHzにおいて5.5と表わされ得るにある帯域において、最大の出力伝送を示す。V=V3に対して得られる230MHzすなわち3.4GHzにおいて6.7と比較して、帯域の20を潜在的に失う可能性がある。反射係数自体は使用範囲内で約-10dBで、満足できる状態に留まっている。使用可能な帯域を増やすために、後に続くインピーダンスの範囲を狭め、低電圧における大きな変動の回避を可能にすることは興味深い。従って、後に続くインピーダンスを、この例13V~32Vの間にある電圧において150~300Ωの間に維持することにより、帯域はわずか5だけ変動する。これは13V、19V、及び32Vの電圧V1、V2、及びV3に対する図14a、14b、及び14cにおいて例証されている。本発明によれば、従ってインピーダンス整合フィルターを用いたインピーダンス整合装置を製作すること、及びそれを図15に例証されるような送信機内に含むことが提案されている。より正確には、この動的に作動する増幅のチェーンは、電力増幅器PA、その機能が増幅器の不整合を検知することであるセンサーC、2つの追加インピーダンス要素EZ1及びEZ2、インピーダンス整合フィルターFadp、アンテナ、及びその役割が可変要素を制御することであるプロセッサPを備える。インピーダンス整合フィルターと組み合わされたインピーダンス要素は、アンテナの変動し得るインピーダンスと相関する、インピーダンス整合の調整を可能にする。より正確には、インピーダンス整合フィルターは図16に示すような、格子状の4グループに電気的に接続された、参照番号1、2、3、4、5、6、7及び8である8台の共振器を含む、二重格子構造を有するBAW共振器を用いて作られる。各共振器は、直流電圧発生器により電気的に制御される。本発明において使用されるフィルターは同じく、例えばインダクタンス、コンデンサー、又は伝送ラインのような、異なる性質の受動要素を含み得る、少なくとも2つの音響共振器の配置を備えた、ラダータイプの回路、又は任意の別のタイプの回路で良好に機能し得る。FBAR積層は各共振器のための1つの可能な実施形態である。これは後側の空洞を含む基板10と、支持膜11と、そのような共振器を通る断面を表わす図17に示されるような、2つの金属電極13と14との間に挿入される、電歪材料12の層とを備えた技術的な積層である。この例によれば、下部電極は4個ずつ接続され、そして上部電極は2個ずつ接続され、共振器はまた図18において参照番号1、2、3、4、5、6、7及び8を有し得る。図16における配置に対応する、別の共振器の組み合わせもまた可能であり得ることに注意されたい。全ての下部電極は、図18に例証されるようにRF絶縁を確実にする装置を介して、直流接地される。同一の直流電圧がここでフィルターの入力及び出力におけるRF信号に重ねられる。この例によれば、加えられる全ての電圧は提案されている共振器の配置のおかげで、全ての共振器に対して同じであり得る。"