"入射する光を変調する空間光変調器であって、液体を収容可能な枠状の隔壁部及び可変の電圧が印加される第1電極を有する複数のセル部と、前記複数のセル部に収容可能に保持された互いに屈折率及び誘電率が異なる第1及び第2の液体と、前記複数のセル部で増減する前記第1及び第2の液体を貯蔵可能な貯蔵部と、を備え、前記セル部の前記第1電極に印加される電圧によって、前記隔壁部内における前記第1及び第2の液体の厚さの比を制御して、前記セル部を通過する光の光路長を制御することを特徴とする空間光変調器。前記複数のセル部は、前記隔壁部内に入射する光を反射するとともに前記隔壁部内と前記貯蔵部との間で液体を流通させる開口が設けられた反射部を有し、前記複数のセル部は、入射する光の位相を制御して反射することを特徴とする請求項1に記載の空間光変調器。前記セル部の前記第1電極は、前記隔壁部に設けられたことを特徴とする請求項1又は2に記載の空間光変調器。前記貯蔵部に前記第1及び第2の液体のうちより誘電率の高い液体を引き込むための電圧が印加される第2電極を備えることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の空間光変調器。前記第2電極によって引き込まれる液体中に少なくとも一部が配置されるとともに、前記第2電極に印加される電圧と異なる電圧が印加される第3電極を備えることを特徴とする請求項4に記載の空間光変調器。入射する光を変調する空間光変調器であって、液体を収容可能な枠状の隔壁部及び可変の電圧が印加される第1電極を有する複数のセル部と、前記複数のセル部に収容可能に保持された互いに屈折率及び誘電率が異なる第1及び第2の液体と、前記第1及び第2の液体を貯蔵可能な貯蔵部と、前記第1及び第2の液体のうちより誘電率の高い液体を前記貯蔵部に引き込むための電圧が印加される第2電極と、を備え、前記セル部の前記第1電極に印加される電圧によって、前記セル部を進行する光の光路における前記第1及び第2の液体の厚さの比を制御することを特徴とする空間光変調器。前記複数のセル部は、前記隔壁部内に入射する光を反射するとともに前記隔壁部内と前記貯蔵部との間で液体を流通させる開口が設けられた反射部を有し、前記複数のセル部は、入射する光の位相を制御して反射することを特徴とする請求項6に記載の空間光変調器。前記第2電極は、前記貯蔵部及び前記反射部に設けられ、前記セル部の前記第1電極は、前記隔壁部に設けられたことを特徴とする請求項7に記載の空間光変調器。前記複数のセル部の前記第1電極には、前記セル部を通過する光の位相を第1の位相だけ変化させる第1の電圧、又は前記セル部を通過する光の位相を前記第1の位相と180°異なる第2の位相だけ変化させる第2の電圧が印加されることを特徴とする請求項1~8のいずれか一項に記載の空間光変調器。前記複数のセル部は2次元又は1次元のアレイ状に配列されていることを特徴とする請求項1~9のいずれか一項に記載の空間光変調器。請求項6~8のいずれか一項に記載の空間光変調器の製造方法であって、前記複数のセル部、前記第1及び第2の液体を貯蔵可能な前記貯蔵部、及び前記第2電極を備えた空間光変調器の本体部を用意する工程と、前記第2電極に電圧を印加して、前記貯蔵部に前記第1及び第2の液体のうちより誘電率の高い液体を引き込む工程と、前記貯蔵部に貯蔵された液体上に、前記第1及び第2の液体のうちより誘電率の低い液体を供給する工程と、前記貯蔵部を透明基板で密閉する工程と、を含むことを特徴とする空間光変調器の製造方法。前記貯蔵部に前記誘電率の高い液体を引き込む工程は、前記誘電率の高い液体中に少なくとも一部が配置された第3電極に電圧を印加する工程を含むことを特徴とする請求項11に記載の空間光変調器の製造方法。露光光で基板を露光する露光装置において、請求項1~10のいずれか一項に記載の空間光変調器と、前記空間光変調器の前記複数のセル部のアレイに前記露光光を照射する照明光学系と、前記複数のセル部からの光を前記基板上に導いて前記基板上にパターンを投影する投影光学系と、前記基板に露光されるパターンを制御するために、前記空間光変調器の前記複数のセル部を通過する光の位相を制御する制御装置と、を備えることを特徴とする露光装置。露光光でマスクパターンを介して基板を露光する露光装置において、請求項1~10のいずれか一項に記載の空間光変調器を有し、前記露光光で前記空間光変調器を介して前記マスクパターンを照明する照明光学系と、前記マスクパターンを照明する前記露光光の入射角の分布を制御するために、前記空間光変調器の前記複数のセル部を通過する光の位相を制御する制御装置と、を備えることを特徴とする露光装置。請求項13又は14に記載の露光装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、前記パターンが形成された前記基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。従来のエレクトロウェッティングを利用した空間光変調器は、各画素が電極のみで区分されているため、例えば一列の複数の画素を交互に明状態及び暗状態に正確に設定するのが困難であり、解像度を高めるのが困難であった。さらに、従来のエレクトロウェッティングを利用した空間光変調器は、各画素を通過する光の位相を制御することが困難であった。本発明の態様は、このような事情に鑑み、エレクトロウェッティングを用いて、高い解像度が得られるとともに、各画素を通過する光の位相を制御可能な空間光変調器及びこの空間光変調器を使用する技術を提供することを目的とする。本発明の第1の態様によれば、入射する光を変調する第1の空間光変調器が提供される。この第1の空間光変調器は、液体を収容可能な枠状の隔壁部及び可変の電圧が印加される第1電極を有する複数のセル部と、その複数のセル部に収容可能に保持された互いに屈折率及び誘電率が異なる第1及び第2の液体と、その複数のセル部で増減するその第1及び第2の液体を貯蔵可能な貯蔵部と、を備え、そのセル部のその第1電極に印加される電圧によって、その隔壁部内におけるその第1及び第2の液体の厚さの比を制御して、そのセル部を通過する光の光路長を制御するものである。また、第2の態様によれば、入射する光を変調する第2の空間光変調器が提供される。この第2の空間光変調器は、液体を収容可能な枠状の隔壁部及び可変の電圧が印加される第1電極を有する複数のセル部と、その複数のセル部に収容可能に保持された互いに屈折率及び誘電率が異なる第1及び第2の液体と、その第1及び第2の液体を貯蔵可能な貯蔵部と、その第1及び第2の液体のうちより誘電率の高い液体をその貯蔵部に引き込むための電圧が印加される第2電極と、を備え、そのセル部の第1電極に印加される電圧によって、そのセル部を進行する光の光路におけるその第1及び第2の液体の厚さの比を制御するものである。また、第3の態様によれば、本発明の第2の空間光変調器の製造方法が提供される。この製造方法は、その複数のセル部、その第1及び第2の液体を貯蔵可能なその貯蔵部、及びその第2電極を備えた空間光変調器の本体部を用意する工程と、その第2電極に電圧を印加して、その貯蔵部にその第1及び第2の液体のうちより誘電率の高い液体を引き込む工程と、その貯蔵部に貯蔵された液体上に、その第1及び第2の液体のうちより誘電率の低い液体を供給する工程と、その貯蔵部を透明基板で密閉する工程と、を含むものである。また、第4の態様によれば、露光光で基板を露光する露光装置が提供される。この露光装置は、本発明の空間光変調器と、その空間光変調器の複数のセル部のアレイにその露光光を照射する照明光学系と、その複数のセル部からの光をその基板上に導いてその基板上にパターンを投影する投影光学系と、その基板に露光されるパターンを制御するために、その空間光変調器の複数のセル部を通過する光の位相を制御する制御装置と、を備えるものである。また、第5の態様によれば、露光光でマスクを介して基板を露光する露光装置が提供される。この露光装置は、本発明の空間光変調器を有し、その露光光でその空間光変調器を介してそのマスクを照明する照明光学系と、そのマスクを照明するその露光光の入射角の分布を制御するために、その空間光変調器の複数のセル部を通過する光の位相を制御する制御装置と、を備えるものである。また、第6の態様によれば、本発明の露光装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、そのパターンが形成されたその基板を処理することと、を含むデバイス製造方法が提供される。第1の態様又は第2の態様の空間光変調器によれば、各セル部の第1電極に印加される電圧によって、誘電率の相違に基づいて、第1電極と第1及び第2の液体との間の静電力のバランスが変化する。従って、エレクトロウェッティングの作用によって、当該セルの隔壁部内における第1及び第2の液体の厚さの比を制御することができ、2つの液体の屈折率の相違に基づいて、そのセル部を通過する光の光路長が制御される。このように光路長を制御することで、各セル部を含む画素光学要素を通過透過又は反射する光の位相を制御できる。さらに、各画素は隔壁部で仕切られているため、画素間の静電力の影響及び画素間の液体の流れが抑制されて、高い解像度が得られる。[第1の実施形態]本発明の第1の実施形態につき図1A~図7を参照して説明する。図1Aは、本実施形態に係る空間光変調器spatiallightmodulatorSLM28の概略構成を示し、図1Bは空間光変調器28の本体部30の一部を拡大して示す。本実施形態の空間光変調器28は、2次元のアレイ状に配列された光学要素としての複数の画素32を有する本体部30と、その複数の画素32に入射して反射される照明光ILの位相を個別に制御する変調制御部48と、を有し、エレクトロウェッティングElectrowetting電気毛管現象を用いて各画素32に入射する光を変調する。照明光ILは、例えば波長193nmのArFエキシマレーザ光、波長248nmのKrFエキシマレーザ光、又は固体レーザ半導体レーザ等から出力されるレーザ光の高調波等である。照明光ILは、一例として数kHz又は1~2MHz程度の周波数でパルス発光される光である。以下では、複数の画素32の直交する第1及び第2の配列方向に沿ってX軸及びY軸を取り、X軸及びY軸に直交する方向にZ軸を取って説明する。図1Aにおいて、空間光変調器28の本体部30は、上面が開いた矩形の箱状の絶縁体からなる貯蔵部31と、X方向及びY方向に2次元の格子状に配列されるように複数の正方形の開口が形成された絶縁体よりなる隔壁部材33と、貯蔵部31内に隔壁部材33を支持する複数の連結部33Sと、を有する。なお、隔壁部材33は、貯蔵部31の底面側から支持してもよい。隔壁部材33は、X方向、Y方向に密着して等しいピッチ周期px,pypx=pyで配列された正方形の筒状の隔壁部33aの集合である。隔壁部33aを含んでセル部34が構成され、セル部34を含んで画素32が構成される詳細後述。従って、複数の画素32のX方向、Y方向の配列のピッチは隔壁部33aの配列のピッチpxと等しい。また、本体部30は、貯蔵部31の内部及び各画素32のセル部34内に混合しない状態で貯蔵されて互いに屈折率及び誘電率比誘電率が異なる後述の第1液体Lqa及び第2液体Lqbと、貯蔵部31の上部を密閉する平板状のカバーガラス35図1B参照と、を有する。画素32の配列のピッチpxは、例えば10~1μm程度であり、一例として、画素32のX方向の配列数は数1000~数万、Y方向の配列数はX方向の配列数の1/10程度である。図1Aでは、各画素32は、拡大して表されている。なお、画素32のX方向、Y方向の配列数は任意であり、隔壁部33aの断面形状画素32の形状は長方形でもよく、画素32のX方向、Y方向の配列のピッチpx,pyは互いに異なってもよい。貯蔵部31は、例えばフルオロポリマーフッ素重合体よりなる絶縁体、シリコン基板の表面に酸化ケイ素SiO2若しくは窒化ケイ素例えばSi3N4等の絶縁層を形成した材料、又はセラミックス等から形成可能である。隔壁部材33は、例えば酸化ケイ素若しくは窒化ケイ素、又はセラミックス等から形成可能である。カバーガラス35は、例えば石英又は蛍石CaF2のような照明光ILを透過する材料から形成されており、液体Lqa,Lqbは照明光ILを透過する液体である。本実施形態では、各画素32は入射する照明光ILを液体Lqa,Lqbを介して反射するXY面に平行な反射面37mを有し、反射面37mの中央にはそれぞれ液体Lqa,Lqbを通過させる開口37aが設けられている。なお、図1Aでは、開口37aは、位置A1の画素32に関してのみ表示されている。そして、エレクトロウェッティングを用いることによって、各画素32は、位置A1の画素32のように、垂直にZ方向に入射する照明光IL1の位相を第1の所定の位相δだけ変化させて反射する第1の状態と、位置A2の画素32のように、入射する照明光IL2の位相をその位相δと180°πradだけ異なる位相だけ変化させて反射する第2の状態と、を含む複数の状態に設定可能である。その第1の状態の画素32を画素320とも呼び、その第2の状態の画素32を画素32πとも呼ぶ。次に、図2は、図1Aの空間光変調器28の本体部30中の2つの画素32のみを代表的に示す拡大断面図である。図2には、空間光変調器28の変調制御部48のブロック図も示されている。図2において、各セル部34は、隔壁部33aと、隔壁部33aの内面側に埋め込まれるように形成された金属膜よりなる画素電極38とを有する。一例として、画素電極38は、図1Bに示すように、正方形の枠状の隔壁部33aの内面の全周に形成されている。なお、画素電極38としては、隔壁部33aの±X方向の内面に形成される一対の電極と、±Y方向の内面に形成される一対の電極とを配線で導通したものを使用してもよい。また、本体部30は、貯蔵部31の液体Lqa,Lqbを貯蔵する内面の底面のほぼ全面に形成された金属膜よりなる第1基板電極36と、各隔壁部33aの底面に形成された金属膜よりなり、中央に開口37aが設けられた第2基板電極37と、貯蔵部31の側面から液体中に差し込まれた金属ロッドよりなる液中電極39と、を有する。画素電極38及び基板電極36,37はポリシリコンから形成することも可能である。基板電極36及び37、並びに画素電極38の表面には、それぞれ液体との直接的な接触を防止するための誘電体の薄膜50A,50B及び50Cが形成されている。誘電体の薄膜50A~50Cの材料としては、例えばフッ素添加の酸化ケイ素SiOF、炭素添加の酸化ケイ素SiOC、又はセラミックス等が使用可能である。第2基板電極37の隔壁部33a側の面薄膜50Bの表面には、例えば誘電体多層膜よりなり照明光を反射する反射面37mが形成されている。反射面37mの中央の円形の開口37aの面積は、セル部34の内側の面積の例えば1/10程度より小さく、照明光ILの利用効率は高く維持されている。各画素32は、それぞれセル部34と、セル部34隔壁部33aの底面に設けられた第2基板電極37と、セル部34内の液体Lqa,Lqbとを有する。本実施形態では、一例として、第1液体Lqaの屈折率naは第2液体Lqbの屈折率nbよりも大きく、第1液体Lqaの比誘電率εaは第2液体Lqbの比誘電率εbよりも例えば10倍~40倍程度大きい。また、一例として、本体部30のカバーガラス35の表面の照明光ILが通過しない周辺の領域には、例えば透明電極不図示が形成され、その透明電極は接地接地レベルを0Vとするされている。透明電極としては、ITO、酸化すずSn02、酸化インジウムIn2O3、ガリウム添加酸化すずGZO、アルミニウム添加酸化すずAZO、又は他の材料が使用可能である。本実施形態の複数の画素32及び画素電極38用の配線不図示等が形成された隔壁部材33は、例えばMEMSMicroelectromechanicalSystems:微小電気機械システム技術を用いて製造可能である。また、第1基板電極36、誘電体の薄膜50A、及び液中電極39が設けられた貯蔵部31は、通常の半導体デバイスの製造工程で製造可能である。なお、貯蔵部31及び隔壁部材33を含む本体部30の全体をMEMS技術を用いて製造することも可能である。本実施形態では、空間光変調器28の使用時には、一例として液中電極39は接地又は開放され、第1基板電極36及び第2基板電極37には0Vよりも高い電圧電圧V1とする。が印加されている。電圧V1は例えば数V~数10Vである。この結果、貯蔵部31内の第1基板電極36底面側には、より比誘電率の高い第1液体Lqaが移動している。また、照明光IL2が照射されているセル部34で示すように、画素電極38が接地されている状態電圧V1より低い状態では、セル部34の内面において、画素電極38の下端とセル部34の底面第2基板電極37の上面との間の位置まで、第1液体Lqaが満たされ、その上に第2液体Lqbが満たされている。これは、第1液体Lqaの比誘電率εaが第2液体Lqbの比誘電率εbよりも大きく、基板電極36,37と第1液体Lqaとの間の静電力が基板電極36,37と第2液体Lqbとの間の静電力よりも大きいことによるエレクトロウェッティングの作用に基づいている。この際に、各セル部34内の第1液体Lqaは、第2基板電極37内の開口37aを通して貯蔵部31の底部との間で円滑に流通可能であり、セル部34内の第2液体Lqbは、セル部34の上方の開放端を通して貯蔵部31の上部との間で円滑に流通可能である。一方、照明光IL1が照射されているセル部34で示すように、画素電極38に基板電極36,37よりも高い電圧電圧V3とする。が印加されると、画素電極38と第1液体Lqaとの間の静電力が第2基板電極37と第1液体Lqaとの間の静電力よりも大きくなる。なお、電圧V3は、例えば電圧V1の1.5~数倍である。さらに、第1液体Lqaの比誘電率は第2液体Lqbの比誘電率に対してほぼ10倍以上であるため、画素電極38と第1液体Lqaとの間の静電力は、画素電極38と第2液体Lqbとの間の静電力よりも大きくなる。そのため、エレクトロウェッティングによって、当該セル部34の内面において画素電極38の上端まで第1液体Lqaが満たされる。各セル部34の上面と第2基板電極37の上面反射面37mとの間のZ方向の間隔がd1の空間以下、光路長可変部という34aは、カバーガラス35を介して入射する照明光IL1,IL2が反射面37mで反射されて往復する領域である。さらに、光路長可変部34aは、画素電極38に印加される電圧によって、第1液体Lqaと第2液体Lqbとの厚さの比が変化して、その領域を往復して反射される照明光IL1,IL2の光路長、ひいては位相が変化する領域である。光路長可変部34a内で、画素電極38に印加される電圧を接地レベル0Vから電圧V3に変化させたときに第2液体Lqbが第1液体Lqaに置き換わる部分のZ方向の間隔dは、ほぼ画素電極38のZ方向の幅に等しく、間隔d1よりも小さい。本実施形態では、画素電極38に印加される電圧がV3の画素32の反射面37mで反射される照明光IL1の位相の変化量に対して、画素電極38に印加される電圧が接地レベルの画素32の反射面37mで反射される照明光IL2の位相の変化量は180°π異なっているものとする。言い換えると、画素電極38に印加される電圧がV3の画素32を上記の第1の状態の画素320、画素電極38に印加される電圧が接地レベルの画素32を上記の第2の状態の画素32πとする。このためには、照明光IL1が照射される画素32において、間隔dの第1液体Lqa屈折率naの部分をZ方向に往復する照明光IL1の位相の変化量が、間隔dの第2液体Lqb屈折率nbの部分をZ方向に往復する照明光IL2の位相の変化量に対して180°πrad異なっていればよい。照明光IL1,IL2の波長をλとすると、上記のように第1の状態及び第2の状態の画素32を設定するための条件は次のようになる。2dna-nb=λ/2...1、d=λ/{4na-nb}...2式1又は式2の条件を満たすことができる第1液体Lqa及び第2液体Lqbの例を次の表1に示す。表1において、照明光としてはArFエキシマレーザ光波長193nmを想定しており、比誘電率は例えば100Hz以上の交流信号に対する値である。フロリナート登録商標、ハイドロフルオロエーテルHFE、パーフロロポリエーテルPFPEはフッ素系オイルであり、いずれも屈折率が純水よりも小さく、比誘電率が純水の1/10~1/40程度である。また、これらのフッ素系オイルフッ素系不活性液体は水とは混じり合わない水と非混合性である。従って、本実施形態において、純水を第1液体Lqaとして使用し、フロリナート、HFE、又はPFPEを第2液体Lqbとして使用可能である。表1には、各フッ素系オイルの純水との屈折率差Δn、及び式1を満たすための間隔d厚さの値nmが示されている。表1から、式1を満たすための間隔dは255~345nmであるため、各画素32の大きさ配列のピッチを1μm程度にすることも可能である。なお、フロリナートは比誘電率が最も小さく、かつ屈折率が最も小さく必要な間隔dが最も小さいため、第2液体Lqbとしてはフロリナートが最も好ましい。また、表1には、高屈折率液体であるデカリンを切り替えて使用する場合のように、照明光学系ILSの瞳面における照明光ILの光量分布を、通常照明用の円形、輪帯照明用の輪帯状、複数極照明用の2極又は4極状の形状等の任意の分布に制御できる。例えば1ロットのウエハの露光開始前に、主制御系40の制御のもとで照明系制御部41が空間光変調器9の変調制御部49に、各照明条件に対応して複数の画素12のアレイによって設定される照明光ILの位相分布の情報を供給する。これに応じて変調制御部49が空間光変調器9の各画素12を第1の状態位相0又は第2の状態位相πに制御する。なお、各画素12は、反射光の位相を第1又は第2の状態以外の位相で変化させる状態に設定してもよい。空間光変調器9で反射された照明光ILは、レンズ14a,14bよりなるリレー光学系14及びミラー8Bを介してY軸光軸AXIに沿ってマイクロレンズアレイ16の入射面に導かれる。マイクロレンズアレイ16に入射した照明光ILは、マイクロレンズアレイ16を構成する多数の微小なレンズエレメントによって二次元的に分割波面分割され、各レンズエレメントの後側焦点面である照明光学系ILSの瞳面以下、照明瞳面IPPというには二次光源面光源が形成される。なお、マイクロレンズアレイ16の代わりにフライアイレンズ等も使用可能である。照明瞳面IPPに形成された二次光源からの照明光ILは、第1リレーレンズ18A、視野絞り20、第2リレーレンズ18B、及びコンデンサ光学系22を介してハーフミラー24に入射し、ハーフミラー24でZ方向に反射された照明光ILが、XY平面に平行な被照射面設計上の転写用のパターンが配置される面に入射する。その被照射面又はその近傍の面に、空間光変調器28の2次元のアレイ状に配列された多数の画素32図2のセル部34を有する光学要素の反射面37a図2参照が配置される。ビームエキスパンダ4からコンデンサ光学系22までの光学部材を含んで照明光学系ILSが構成されている。なお、ハーフミラー24を偏光ビームスプリッターとして、これに入力する照明光ILの偏光状態をS偏光として、偏光ビームスプリッターと空間光変調器28との間に1/4波長板を配置してもよい。これによって、空間光変調器28で反射される照明光ILはほぼ全部が偏光ビームスプリッターを透過して投影光学系PLに向かうため、照明光ILの利用効率を高めることができる。一例として、照明光学系ILSからの照明光ILは、空間光変調器28の多数の画素32のアレイ上のX方向に細長い長方形状の照明領域26Aをほぼ均一な照度分布で照明する。照明光学系ILS、ハーフミラー24、及び空間光変調器28の本体部30は、不図示のフレームに支持されている。一例として、所定パルス数の照明光ILの発光毎に、主制御系40の制御下の露光パターン制御部43が空間光変調器28の変調制御部48に、画素32のアレイによって設定される照明光ILの位相分布の情報を供給する。これに応じて変調制御部48が空間光変調器28の各画素32を第1の状態位相0又は第2の状態位相πに制御する。ウエハWの表面にはその位相分布に応じた空間像が形成される。空間光変調器28の照明領域26A内の多数の画素32のアレイで反射された照明光ILは、ハーフミラー24を介して投影光学系PLに入射する。不図示のコラムに支持された光軸AXを持つ投影光学系PLは、両側テレセントリックの縮小投影光学系である。投影光学系PLは、空間光変調器28によって設定される照明光ILの位相分布に応じた空間像の縮小像を、ウエハWの1つのショット領域内の露光領域26B照明領域26Aと光学的に共役な領域に形成する。投影光学系PLの投影倍率βは例えば1/10~1/100程度であり、その解像度ハーフピッチ又は線幅は、例えば空間光変調器28の画素32の像の幅程度である。例えば、画素32の幅が数μm程度、投影光学系PLの投影倍率βが1/100程度であれば、投影光学系PLの解像度は数10nm程度である。ウエハW基板は、例えばシリコン又はSOI等の円形の平板状の基材の表面に、フォトレジスト感光材料を数10nm~200nm程度の厚さで塗布したものを含む。また、露光装置EXが液浸型である場合には、例えば米国特許出願公開第2007/242247号明細書に開示されているように、投影光学系PLの先端の光学部材とウエハWとの間に照明光ILを透過する液体例えば純水を供給して回収する局所液浸装置が設けられる。液浸型の場合には解像度をさらに高めることができる。図8において、ウエハWはウエハホルダ不図示を介してウエハステージWSTの上面に吸着保持され、ウエハステージWSTは、不図示のガイド面上でX方向、Y方向にステップ移動を行うとともに、Y方向に一定速度で移動する。ウエハステージWSTのX方向、Y方向の位置、及びθz方向の回転角等はレーザ干渉計45によって形成され、この計測情報がステージ制御系44に供給されている。ステージ制御系44は、主制御系40からの制御情報及びレーザ干渉計45からの計測情報に基づいて、リニアモータ等の駆動系46を介してウエハステージWSTの位置及び速度を制御する。なお、ウエハWのアライメントを行うために、ウエハWのアライメントマークの位置を検出するアライメント系不図示等も備えられている。ウエハWの露光時には、ウエハWのアライメントを行った後、空間光変調器9を用いて照明光学系ILSの照明条件を設定する。そして、ウエハWの表面でY方向に一列に配列されたショット領域に露光を行うために、ウエハWを走査開始位置に位置決めする。その後、ウエハWのY方向への一定速度での走査を開始する。次に、主制御系40は、ウエハWの露光領域26Bのショット領域に対する相対位置に応じて、露光パターン制御部43を介して変調制御部48に露光領域26Bに形成される空間像に対応する空間光変調器28の反射面における照明光ILの位相分布の情報を供給するとともに、電源部42に発光トリガパルスTPを供給する。これによって、露光領域26Bには、Y方向の位置に応じて目標とする空間像が逐次露光される。この動作をショット領域が露光領域26Bを横切るまで繰り返すことで、ショット領域に全体の空間像回路パターンが露光される。その後、ウエハWのそのショット領域に隣接するショット領域に露光するために、ウエハWを同じ方向に走査したまま、主制御系40は露光パターン制御部43を介して変調制御部48に照明光ILの位相分布の情報を供給するとともに、電源部42に発光トリガパルスTPを供給する。このようにして、第1のショット領域から次のショット領域にかけて連続的に露光を行うことができる。そして、ウエハWのX方向に隣接するショット領域を含む列の露光に移行する場合には、ウエハステージWSTを駆動してウエハWをX方向走査方向に直交する非走査方向にステップ移動する。そして、露光領域26Bに対するウエハWの走査方向を逆の-Y方向に設定し、主制御系40から露光パターン制御部43を介して変調制御部48に逆の順序で照明光ILの位相分布の情報を供給し、電源部42に発光トリガパルスTPを供給することで、隣接する列の一連のショット領域に対して連続的に露光を行うことができる。この露光に際して、複数のショット領域に互いに異なる空間像を露光することも可能である。なお、各ショット領域を複数回の走査で露光してもよい。その後、ウエハWのフォトレジストの現像を行うことで、ウエハWの各ショット領域にレジストパターンが形成される。本実施形態の効果等は以下の通りである。1本実施形態のウエハWを照明光ILで露光する露光装置EXは、第1の観点では、空間光変調器28と、空間光変調器28の複数のセル部34画素32のアレイに照明光ILを照射する照明光学系ILSと、複数のセル部34からの照明光をウエハWに導いてウエハWにパターンを投影する投影光学系PLと、ウエハWに露光されるパターンを制御するために、空間光変調器28の複数のセル部34を通過する照明光の位相を制御する露光パターン制御部43と、を備えている。この第1の観点の露光装置EXによれば、空間光変調器28を備えているため、マスクレス方式でウエハWに任意のパターンを露光できる。このようにマスクレス方式で露光を行う場合には、照明光学系ILS中の空間光変調器9の代わりに、例えば米国特許第6,900,915号明細書、米国特許第7,095,546号明細書、又は米国特許公開第2005/0095749号明細書等に開示されているように、それぞれ直交する2軸の回りの傾斜角が可変の多数の微小ミラーを有する空間光変調器を用いることもできる。さらに、空間光変調器9の代わりに、複数の回折光学素子を切り替えて使用してもよい。2また、空間光変調器28のセル部34画素32は、X方向を長手方向とする長方形の領域に設けられ、ウエハWを投影光学系PLの像面でX方向と直交するY方向に対応する走査方向に移動するウエハステージWST基板ステージを備え、露光パターン制御部43は、ウエハステージWSTによるウエハWの移動に応じて、複数の画素32によって形成されるパターン位相分布をY方向に移動する。これによって、マスクレス方式でウエハWの全面を効率的に露光できる。3また、本実施形態のマスクパターンを介してウエハWを照明光ILで露光する露光装置EXは、第2の観点では、空間光変調器9を有し、照明光ILで空間光変調器9を介してそのマスクパターンを照明する照明光学系ILSと、そのマスクパターンを照明する照明光ILの入射角の分布照明瞳面IPPにおける光量分布を制御するために、記空間光変調器9の複数のセル部画素12を通過する照明光ILの位相を制御する照明系制御部41と、を備えている。この第2の観点の露光装置EXによれば、照明光学系ILSで空間光変調器9を用いているため、空間光変調器9によって照明光ILの位相分布を制御するのみで、そのマスクパターンを照明する照明光ILの入射角の分布照明瞳面IPPにおける光量分布を任意の分布に制御できる。なお、この第2の観点の露光装置EXにおいては、マスクパターン位相パターンを設定する空間光変調器28の代わりに、少なくともY方向に往復移動可能なレチクルステージと、レチクルステージに載置されて転写用のパターンが形成されたレチクルとを使用してもよい。次に、本実施形態では、次のような変形が可能である。まず、本実施形態では、ウエハWを連続的に移動してウエハWを走査露光している。その他に、ウエハWの各ショット領域をY方向に複数の部分領域に分割し、投影光学系PLの露光領域26Bにある部分領域が達したときに、照明光ILを所定パルス数だけ発光させて、空間光変調器28の画素32のアレイからの反射光で部分領域を露光してもよい。この後、ウエハWをY方向にステップ移動させて、次の部分領域が露光領域26Bに達してから、同様に部分領域に露光が行われる。この方式は実質的にステップアンドリピート方式であるが、隣接する部分領域には互いに異なるパターンが露光される。また、上記の実施形態では、物体側及び像面側にテレセントリックの投影光学系PLを用いている。それ以外に、図9の変形例の露光装置EXAで示すように、物体側に非テレセントリックの投影光学系PLAを用いることも可能である。図9において、露光装置EXAの照明光学系ILSAは、図8の光源2から第1リレーレンズ18Aまでの光学部材を含む本体部ILSBと、本体部ILSBからの照明光ILが順次照射される視野絞り20、ミラー8C、第2リレーレンズ18B、コンデンサ光学系22、及びミラー8Dを備えている。照明光学系ILSAは、投影光学系PLAの物体面に配置された空間光変調器28の画素32セル部34のアレイを、θx方向に入射角βで照明光ILを照射する。投影光学系PLAは、画素32のアレイから斜めに反射される照明光ILによりウエハWの表面に所定の空間像を形成する。入射角βは例えば数deg°から数10degである。この入力角βに応じて、第1の状態の画素32で反射される照明光と第2の状態の画素32で反射される照明光との位相差が180°になるように、式1又は式2のセル部34内の間隔dの値を調整してもよい。この他の構成及び動作は、上記の実施形態と同様である。また、図8の波面分割型のインテグレータであるマイクロレンズアレイ16に代えて、内面反射型のオプティカルインテグレータとしてのロッド型インテグレータを用いることもできる。この場合、図8において、リレー光学系14よりも空間光変調器9側に集光光学系を追加して空間光変調器9の反射面の共役面を形成し、この共役面近傍に入射端が位置決めされるようにロッド型インテグレータを配置してもよい。また、このロッド型インテグレータの射出端面又は射出端面近傍に配置される照明視野絞りの像を空間光変調器9の反射面上に形成するためのリレー光学系を配置する。この構成の場合、二次光源はリレー光学系14及び集光光学系の瞳面に形成される二次光源の虚像はロッド型インテグレータの入射端近傍に形成される。また、電子デバイス又はマイクロデバイスを製造する場合、電子デバイスは、図10に示すように、電子デバイスの機能性能設計を行うステップ221、この設計ステップに基づいたマスクのパターンデータを実施形態の露光装置EX,EXAの主制御系に記憶するステップ222、デバイスの基材である基板ウエハを製造してレジストを塗布するステップ223、前述した露光装置EX,EXA又は露光方法により空間光変調器28又はマスクパターンで生成される位相分布の空間像を基板感応基板に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱キュア及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ224、デバイス組み立てステップダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む225、並びに検査ステップ226等を経て製造される。このデバイスの製造方法は、上記の実施形態の露光装置を用いてウエハWを露光する工程と、露光されたウエハWを処理する工程ステップ224とを含んでいる。従って、電子デバイスを効率的に高精度に製造できる。また、本発明は、半導体デバイスの製造プロセスへの適用に限定されることなく、例えば、液晶表示素子、プラズマディスプレイ等の製造プロセスや、撮像素子CMOS型、CCD等、マイクロマシーン、MEMS、薄膜磁気ヘッド、及びDNAチップ等の各種デバイス電子デバイスの製造プロセスにも広く適用できる。なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。"