ストリップ上にAl-Zn-Si-Mg合金被覆を形成する方法であって、ストリップをAl-Zn-Si-Mg合金の浴に浸漬させて、前記ストリップ上に前記合金の被覆を形成することを含み、前記浴は、溶融金属層と、前記金属層上の表面垢層とを有し、前記方法は、前記溶融浴における条件を制御して、前記溶融浴中の前記表面垢層を最小化することを含んだ方法。請求項1に記載の方法であって、前記溶融浴における前記条件を制御して、前記表面垢層の酸化物膜中の溶融金属、ガス及び金属間粒子の1以上のエントレインメントを最小化することにより、前記溶融浴における前記条件を制御して、前記溶融浴中の前記表面垢層を最小化することを含んだ方法。請求項1又は2に記載の方法であって、前記浴の組成を制御して、前記溶融浴中の前記表面垢層を最小化することを含んだ方法。請求項3に記載の方法であって、Caを前記浴の前記組成に含ませることにより、前記浴の組成を制御して、前記溶融浴中の前記表面垢層を最小化することを含んだ方法。請求項4に記載の方法であって、50ppmを超えるCaを含むように前記浴の前記組成を制御することを含んだ方法。請求項に記載の方法であって、150ppmを超えるCaを含むように前記浴の前記組成を制御することを含んだ方法。請求項4に記載の方法であって、200ppmを超えるCaを含むように前記浴の前記組成を制御することを含んだ方法。請求項4乃至7の何れか1項に記載の方法であって、1000ppm未満のCaを含むように前記浴の前記組成を制御することを含んだ方法。請求項4乃至7の何れか1項に記載の方法であって、750未満のCaを含むように前記浴の前記組成を制御することを含んだ方法。請求項4乃至7の何れか1項に記載の方法であって、500ppm未満のCaを含むように前記浴の前記組成を制御することを含んだ方法。請求項3に記載の方法であって、前記浴の前記組成にSrを含ませることにより、前記浴の組成を制御して、前記溶融浴中の前記表面垢層を最小化することを含んだ方法。請求項に記載の方法であって、100ppmを超えるSrを含むように前記浴の前記組成を制御することを含んだ方法。請求項11に記載の方法であって、150ppmを超えるSrを含むように前記浴の前記組成を制御することを含んだ方法。請求項11に記載の方法であって、200ppmを超えるSrを含むように前記浴の前記組成を制御することを含んだ方法。請求項11乃至14の何れか1項に記載の方法であって、1250ppm未満のSrを含むように前記浴の前記組成を制御することを含んだ方法。請求項11乃至14の何れか1項に記載の方法であって、1000ppm未満のSrを含むように前記浴の前記組成を制御することを含んだ方法。請求項3乃至16の何れか1項に記載の方法であって、前記浴の前記組成にCa及びSrを含めることにより、前記浴の前記組成を制御して、前記溶融浴中の前記表面垢層を最小化することを含んだ方法。請求項3乃至17の何れか1項に記載の方法であって、前記浴の前記組成にイットリウムなどの希土類元素並びに希土類とCa及び/又はSrとの組み合わせを含めることにより、前記浴の前記組成を制御して、前記溶融浴中の前記表面垢層を最小化することを含んだ方法。先行する請求項の何れか1項に記載の方法であって、前記Al-Zn-Si-Mg合金は0.3重量を超えるMgを含んだ方法。先行する請求項の何れか1項に記載の方法であって、前記Al-Zn-Si-Mg合金は1.0重量を超えるMgを含んだ方法。先行する請求項の何れか1項に記載の方法であって、前記Al-Zn-Si-Mg合金は3重量未満のMgを含んだ方法。先行する請求項の何れか1項に記載の方法であって、前記Al-Zn-Si-Mg合金は1.2重量を超えるSiを含んだ方法。先行する請求項の何れか1項に記載の方法であって、前記Al-Zn-Si-Mg合金は、元素Al、Zn、Si及びMgを、重量で表した以下の範囲で含んでいる方法。Al:40乃至60Zn:30乃至60Si:0.3乃至3Mg:0.3乃至10先行する請求項の何れか1項に記載の方法であって、前記Al-Zn-Si-Mg合金は、元素Al、Zn、Si及びMgを、重量で表した以下の範囲で含んでいる方法。Al:45乃至60Zn:35乃至50Si:1.2乃至2.5Mg:1.0乃至3.0