交互に積層された複数の導体層および複数の絶縁層を含む基板本体と、複数の放熱ビアと、を備え、前記複数の導体層は、最上導体層と、最下導体層と、を含み、前記最上導体層は、複数の半導体素子が、それぞれ、実装された複数の導体パターンを含み、前記最下導体層は、複数の放熱パターンを含む複数の導体パターンを含み、前記複数の放熱パターンは、それぞれ、前記複数の半導体素子に1対1で対応するように設けられ、各前記放熱パターンは、それぞれ対応する半導体素子の面積以上の面積を有しており、各前記放熱パターンは、それぞれ対応する放熱ビアを介してそれぞれ対応する半導体素子に接続されている多層回路基板。請求項1において、前記放熱パターンは、絶縁性の樹脂層を介して前記放熱板に接続されている多層回路基板。請求項2において、前記樹脂層に、熱伝導向上材が添加されている多層回路基板。請求項3において、前記熱伝導向上材は、絶縁性セラミックスを含む多層回路基板。請求項3または4において、前記熱伝導向上材は、金属またはカーボンを含む多層回路基板。請求項1から5の何れか1項において、前記最上導体層の各前記導体パターンと、前記最上導体層の各前記導体パターンにそれぞれ対応する放熱パターンとが、複数の前記放熱ビアを介して接続されている多層回路基板。請求項1から6の何れか1項において、前記半導体素子は、スイッチング素子のベアチップである多層回路基板。ビアを用いることで最下層の導体層までの放熱の効率は上がる。一方、その最下層の導体層から絶縁樹脂層を介して金属板に放熱する経路の放熱効率の高低が、多層回路基板全体としての放熱性を向上するときのボトルネックとなっている。そこで、本発明の目的は、全体としての放熱性を向上することができる多層回路基板を提供することである。前記目的を達成するため、請求項1記載の発明は、交互に積層された複数の導体層および複数の絶縁層を含む基板本体と、複数の放熱ビアと、を備え、前記複数の導体層は、最上導体層と、最下導体層と、を含み、前記最上導体層は、複数の半導体素子が、それぞれ、実装された複数の導体パターンを含み、前記最下導体層は、複数の放熱パターンを含む複数の導体パターンを含み、前記複数の放熱パターンは、それぞれ、前記複数の半導体素子に1対1で対応するように設けられ、各前記放熱パターンは、それぞれ対応する半導体素子の面積以上の面積を有しており、各前記放熱パターンは、それぞれ対応する放熱ビアを介してそれぞれ対応する半導体素子に接続されている多層回路基板を提供する。なお、括弧内の英数字は、後述する実施形態における対応構成要素等を表すが、このことは、むろん、本発明がそれらの実施形態に限定されるべきことを意味するものではない。以下、この項において同じ。また、請求項2のように、前記放熱パターンは、絶縁性の樹脂層を介して放熱板に接続されていてもよい。また、請求項3のように、前記樹脂層に、熱伝導向上材が添加されていてもよい。また、請求項4のように、前記熱伝導向上材は、絶縁性セラミックスを含んでいてもよい。また、請求項5のように、前記熱伝導向上材は、金属またはカーボンを含んでいてもよい。また、請求項6のように、前記最上導体層の各前記導体パターンと、前記最上導体層の各前記導体パターンにそれぞれ対応する放熱パターンとが、複数の前記放熱ビアを介して接続されていてもよい。また、請求項7のように、前記半導体素子は、スイッチング素子のベアチップであってもよい。請求項1の発明では、それぞれ半導体素子が実装される最上導体層の導体パターンから、各別の放熱ビアを介して、最下導体層のそれぞれ対応する放熱パターンに熱を効率的に逃がすことができる。しかも、最下導体層の各放熱パターンの面積が、最上導体層のそれぞれ対応する導体パターンのそれぞれ対応する半導体素子の面積以上としてあるので、下記の利点がある。すなわち、本多層回路基板が絶縁樹脂層を介して放熱板例えばアルミニウム板等の金属板によって支持される場合に、最下導体層の放熱パターンから前記放熱板側へ効率良く熱を逃がすことができる。したがって、多層回路基板全体としての放熱性が向上する。また、請求項2の発明によれば、放熱パターンが樹脂層を介して放熱板に接続されているので、多層回路基板全体としての放熱効果を高くすることができる。また、請求項3の発明によれば、放熱パターンを放熱板に接続する樹脂層に、熱伝導向上材が添加されているので、樹脂層の熱伝導性を向上することより、放熱効果を高くすることができる。また、請求項4の発明によれば、樹脂層に添加する熱伝導向上材として絶縁性セラミックスを用いることにより、樹脂層として絶縁性を維持しつつ熱伝導性を高めて放熱効果を高くすることができる。また、請求項5の発明によれば、樹脂層に添加する熱伝導向上材として金属またはカーボンを用いることにより、樹脂層の熱伝導性を向上することができるので、放熱効果を高くすることができる。ただし、通例、金属およびカーボンは導電性を有するので、母材の絶縁抵抗を下げない範囲の添加率で添加されることが好ましい。これにより、樹脂層として絶縁性を維持しつつで熱伝導性を高めて放熱効果を高くすることができる。また、請求項6の発明によれば、最上導体層の各導体パターンと、各導体パターンにそれぞれ対応する放熱パターンとが複数の放熱ビアを介して接続されているので、各導体パターンから対応する放熱パターンへの熱伝導性を格段に高くすることができ、ひいては、全体としての放熱効果を格段に高くすることができる。また、請求項7の発明によれば、半導体素子がスイッチング素子のベアチップであるので、スイッチング素子の高温化を防止することができ、例えば電動モータを安定して駆動することができる。以下には、図面を参照して、本発明の実施形態について具体的に説明する。図1は本発明の一実施の形態の多層回路基板の断面図である。図1に示すように、多層回路基板1は、基板本体2と、例えばアルミニウム板からなる放熱板3とを備えている。基板本体2と放熱板3とが、例えばエポキシ樹脂を主成分とする絶縁性の接着層4を介して接続されている。基板本体2は、交互に積層された複数の導体層11~14および複数の絶縁層21~23を含む。すなわち、基板本体2は、最上導体層としての第1の導体層11、第1の絶縁層21、第2の導体層12、第2の絶縁層22、第3の導体層13、第3の絶縁層23および最下導体層としての第4の導体層14が、この順で積層されることにより形成されている。各導体層11~14は、銅、アルミニウム、ニッケル、銀、チタン、金等の金属、またはそれらの金属の合金で形成されていてもよいし、それらの金属の表面、またはそれらの金属の合金の表面に、ニッケルメッキまたはニッケル/金メッキが施されたもので形成されていてもよい。各絶縁層21~24は、例えばガラス繊維とエポキシ樹脂の合成物で形成されていてもよい。接着層4は、例えばエポキシ樹脂等の樹脂を含む母材41に、熱伝導性を高めるために熱伝導向上材42を添加して構成されていてもよい。熱伝導向上材42は、熱伝導率が高い素材の粉体または粒体である。熱伝導向上材42として、絶縁性セラミックスを用いてもよい。その絶縁性セラミックスとしては、窒化アルミニウムAlN、酸化アルミニウムAl2O3、窒化珪素Si3N4、酸化珪素SiO2の少なくとも1つを用いてもよい。熱伝導向上材42として、絶縁性セラミックスを用いた場合、接着層4として絶縁性を維持しつつ熱伝導性を高めて、多層回路基板1全体としての放熱効果を高くすることができる。また、熱伝導向上材42として、金属およびカーボンの少なくとも一方を用いてもよい。通例、金属およびカーボンは導電性を有するので、母材の絶縁抵抗を下げない範囲の添加率で添加されることが好ましい。これにより、接着層4として絶縁性を維持しつつで熱伝導性を高めることができる。また、熱伝導向上材42として、金属およびカーボンの少なくとも一方と、前記絶縁性セラミックスとを併用してもよい。図2に示すように、最上導体層としての第1の導体層11には、第1の導体パターン111、第2の導体パターン112、第3の導体パターン113、第4の導体パターン114、第5の導体パターン115および第6の導体パターン116が含まれている。各導体パターン111~116には、それぞれ対応する半導体素子51~56が実装されている。すなわち、第1の導体パターン111に、第1の半導体素子51が実装されている。第2の導体パターン112に、第2の半導体素子52が実装されている。第3の導体パターン112に、第3の半導体素子53が実装されている。第4の導体パターン114に、第4の半導体素子54が実装されている。第5の導体パターン115に、第5の半導体素子55が実装されている。第6の導体パターン116に、第6の半導体素子56が実装されている。各半導体素子51~56は、例えば電動モータを駆動するためのMOSFET等のスイッチング素子のベアチップであってもよい。また、模式的平面図である図3に示すように、基板本体2の最下導体層としての第4の導体層14には、導体パターンとして、第1の放熱パターン141、第2の放熱パターン142、第3の放熱パターン143、第4の放熱パターン144、第5の放熱パターン145および第6の放熱パターン146が含まれている。図2に示す最上導体層としての第1の導体層11の各導体パターン111~116が、図3に示す最下導体層としての第4の導体層14の、それぞれ対応する放熱パターン141~146に、1対1で接続されている。換言すると、半導体素子51~56のそれぞれが、最下層の第4の導体層14の、それぞれ対応する放熱パターン141~146に、1対1で対応して接続されている。すなわち、第1の半導体素子51が、複数の放熱ビア61を介して第1の放熱パターン141に接続されている。第2の半導体素子52が、複数の放熱ビア61を介して第2の放熱パターン142に接続されている。また、図示していないが、第3半導体素子53が、複数の放熱ビアを介して第3の放熱パターン143に接続されている。第4の半導体素子54が、複数の放熱ビアを介して第4の放熱パターン144に接続されている。第5の半導体素子55が、複数の放熱ビアを介して第5の放熱パターン145に接続されている。第6の半導体素子56が、複数の放熱ビアを介して第6の放熱パターン146に接続されている。最上導体層としての第1の導体層11の各導体パターン111~116と、最下導体層としての第4の導体層14のそれぞれ対応する放熱パターン141~146とが、それぞれ複数の放熱ビア61を介して接続されていることが、最下導体層としての第4の導体層14の放熱パターン141~146への熱伝達を良くするうえで好ましい。各放熱ビア61は、サーマルビアホールに、導電性金属材料、例えば銅を充填して構成されている。また、サーマルビアホールに充填される導電性金属材料として、銅に代えて、アルミニウム、ニッケル、銀、チタン、金等の金属、またはそれらの金属の合金が用いられていてもよい。図3に示すように、各放熱パターン141~146の面積は、それぞれ対応する半導体素子51~56の面積以上とされている。すなわち、第1の放熱パターン141の面積は、第1の半導体素子51の面積よりも大きい。第2の放熱パターン142の面積は、第2の半導体素子52の面積よりも大きい。第3の放熱パターン143の面積は、第3の半導体素子53の面積よりも大きい。第4の放熱パターン144の面積は、第4の半導体素子54の面積よりも大きい。第5の放熱パターン145の面積は、第5の半導体素子55の面積よりも大きい。第6の放熱パターン146の面積は、第6の半導体素子56の面積よりも大きい。また、図3に示すように、半導体素子51~56を最下導体層としての第4の導体層14に投影した場合、各放熱パターン141~146は、それぞれ対応する半導体素子51~56の投影像図3において、一点鎖線で示されているを包括する構成となっている。再び、図1を参照して、最上導体層としての第1の導体層11の第1の導体パターン111は、複数の放熱ビア61を介して、第4の導体層14の第1の放熱パターン141に接続されている。同様に、第1の導体層11の第2の導体パターン112は、複数の放熱ビア61を介して、第4の導体層14の第2の放熱パターン142に接続されている。図1では図示していないが、第1の導体層11の他の導体パターン113~116のそれぞれも、対応する放熱ビア61を介して、第4の導体層14のそれぞれ対応する放熱パターン143~146に接続されている。放熱ビア61は、第1の導体層11の直下の第1の絶縁層21から、最下導体層としての第4の導体層14の直上の第3の絶縁層23までを貫く孔の内面に導体層を形成したものである。図示していないが、前記孔の内面に形成された導体層の内部に樹脂を充填したものであってもよい。本実施の形態によれば、各半導体素子51~56が実装される最上導体層としての第1の導体層11の各導体パターン111~116から、各別の複数の放熱ビア61を介して、最下導体層としての第4の導体層14のそれぞれ対応する放熱パターン141~146に熱を効率的に逃がすことができる。しかも、最下導体層としての第4の導体層14の各放熱パターン141~146の面積が、最上導体層としての第1の導体層11のそれぞれ対応する半導体素子51~56の面積以上とされている。したがって、最下導体層としての第4の導体層14の各放熱パターン141~146から、高熱伝導率を有する接着層4を介して放熱板3側へ効率良く熱を逃がすことができる。したがって、多層回路基板1全体としての放熱性が向上する。すなわち、第1~第6の放熱パターン141~146が、絶縁性の樹脂層である接着層4を介して放熱板3に接続されているので、多層回路基板1全体としての放熱効果を高くすることができる。また、半導体素子51~56がスイッチング素子のベアチップであるので、スイッチング素子の高温化を防止することができ、これらのスイッチング素子を用いて例えば電動モータを安定して駆動することができる。本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、例えば放熱ビアは、配線ビアの少なくとも一部を兼用していてもよい。