"内部に基準圧室が形成された基板と、前記基板の一部からなり、前記基準圧室を区画するように前記基板の表層部に形成され、前記基準圧室に連通した貫通孔が形成されたダイヤフラムと、前記ダイヤフラムの前記基準圧室に臨む表面に形成されたエッチングストップ層と、前記貫通孔内に配置された埋め込み材とを含む、圧力センサ。前記ダイヤフラムにおいて前記基準圧室に臨む表面とは反対側の表面に形成されたピエゾ抵抗をさらに含む、請求項1に記載の圧力センサ。前記ダイヤフラムの周囲を取り囲み、当該ダイヤフラムを前記基板の他の部分から分離する分離層をさらに含む、請求項2に記載の圧力センサ。前記分離層が、前記基準圧室の底面よりも深い位置まで前記基板内に延びている、請求項3に記載の圧力センサ。前記基準圧室の内壁面において、前記エッチングストップ層に対向する底面に形成された第2のエッチングストップ層をさらに含む、請求項1に記載の圧力センサ。前記貫通孔の側壁を覆うように筒状に形成され、前記エッチングストップ層から前記基準圧室内に突出した側壁層をさらに含む、請求項1に記載の圧力センサ。前記基板に形成された集積回路デバイスを有する集積回路部をさらに含む、請求項1~6のいずれか一項に記載の圧力センサ。基板の表面から所定の深さの位置にエッチングストップ層を形成する工程と、前記基板の表面から前記エッチングストップ層を貫通する深さの貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔内にエッチング剤を導入して前記エッチングストップ層下の基板材料をエッチングすることにより、前記エッチングストップ層の下方に基準圧室を形成し、前記エッチングストップ層の上にダイヤフラムを形成するエッチング工程と、前記貫通孔内に埋め込み材を配置する工程とを含む、圧力センサの製造方法。前記エッチングストップ層を形成する工程が、前記基板に窒素イオンまたは酸素イオンを打ち込むイオン打ち込み工程と、前記イオン打ち込み工程後に前記基板に対して熱処理を施す熱処理工程とを含む、請求項8に記載の圧力センサの製造方法。前記熱処理工程が、前記イオン打ち込み工程後に前記基板の表面に半導体層をエピタキシャル成長させる工程を含む、請求項9に記載の圧力センサの製造方法。前記ダイヤフラムにおいて前記基準圧室に臨む表面とは反対側の表面にピエゾ抵抗を形成する工程をさらに含む、請求項8に記載の圧力センサの製造方法。前記エッチング工程の前に、前記基板の表面において前記貫通孔が形成される予定の領域を取り囲む環状トレンチを、前記基板において前記基準圧室の底面となる予定の部分より深くなるように形成するトレンチ形成工程と、前記環状トレンチに分離絶縁層を埋め込むトレンチ埋め込み工程とをさらに含む、請求項8に記載の圧力センサの製造方法。前記基板に前記貫通孔を形成する工程の前に、前記基板において前記基準圧室の底面が形成される予定の深さの位置に第2のエッチングストップ層を形成する工程をさらに含む、請求項8に記載の圧力センサの製造方法。前記エッチング工程は、前記貫通孔の側壁に側壁絶縁層を形成する工程と、前記貫通孔内にエッチング剤を導入して前記基板の材料を等方性エッチングする工程とをさらに含む、請求項8に記載の圧力センサの製造方法。前記基板において前記基準圧室が形成される領域以外の領域に集積回路デバイスを形成する工程をさらに含む、請求項8に記載の圧力センサの製造方法。内部に基準圧室が形成された半導体基板と、前記半導体基板の一部からなり、前記基準圧室を区画するように前記半導体基板の表層部に形成され、前記基準圧室に連通した貫通孔が形成されたダイヤフラムと、前記基準圧室の内壁面のうち、前記ダイヤフラムの前記基準圧室への対向面である天井面と、この天井面に対向する底面との少なくとも一方に形成されたエッチングストップ層と、前記貫通孔内に配置された埋め込み材と、前記ダイヤフラムの周囲を取り囲み、当該ダイヤフラムを前記半導体基板の他の部分から分離する分離絶縁層とを含む、静電容量型圧力センサ。前記エッチングストップ層が絶縁層である、請求項16に記載の静電容量型圧力センサ。前記ダイヤフラムに接続された第1配線と、前記半導体基板において前記分離絶縁層によって前記ダイヤフラムから絶縁された部分に接続された第2配線とをさらに含む、請求項17に記載の静電容量型圧力センサ。前記分離絶縁層が、前記基準圧室の底面よりも深い位置まで前記半導体基板内に延びている、請求項16に記載の静電容量型圧力センサ。前記貫通孔の側壁を覆うように筒状に形成され、前記ダイヤフラムから前記基準圧室内に突出した側壁絶縁層をさらに含む、請求項16に記載の静電容量型圧力センサ。前記半導体基板に形成された集積回路デバイスを有する集積回路部をさらに含む、請求項16に記載の静電容量型圧力センサ。半導体基板の表面から所定の深さの位置に第1のエッチングストップ層を形成する工程と、前記半導体基板において、前記第1のエッチングストップ層の上方の所定領域を取り囲む環状トレンチを、前記第1のエッチングストップ層よりも深くなるように形成するトレンチ形成工程と、前記環状トレンチに分離絶縁層を埋め込むトレンチ埋め込み工程と、前記半導体基板の表面から前記第1のエッチングストップ層を貫通する深さの孔を形成する工程と、前記孔内にエッチング剤を導入して前記第1のエッチングストップ層下の基板材料をエッチングすることにより、前記第1のエッチングストップ層の下方に基準圧室を形成し、前記第1のエッチングストップ層の上にダイヤフラムを形成するエッチング工程と、前記孔内に埋め込み材を配置する工程とを含む、静電容量型圧力センサの製造方法。半導体基板の表面から所定の深さの位置に第1のエッチングストップ層を形成する工程と、前記半導体基板において前記第1のエッチングストップ層よりも深い位置に第2のエッチングストップ層を形成する工程と、前記半導体基板において、前記第1のエッチングストップ層の上方の所定領域を取り囲む環状トレンチを、前記第1のエッチングストップ層よりも深くなるように形成するトレンチ形成工程と、前記環状トレンチに分離絶縁層を埋め込むトレンチ埋め込み工程と、前記半導体基板の表面から前記第1のエッチングストップ層を貫通して前記第1のエッチングストップ層と前記第2のエッチングストップ層との間の深さ位置に底面を有する孔を形成する工程と、前記孔内にエッチング剤を導入して前記第1のエッチングストップ層下の基板材料をエッチングすることにより、前記第1のエッチングストップ層と前記第2のエッチングストップ層との間に基準圧室を形成し、前記第1のエッチングストップ層の上にダイヤフラムを形成するエッチング工程と、前記孔内に埋め込み材を配置する工程とを含む、静電容量型圧力センサの製造方法。半導体基板の表面から所定の深さの位置に第2のエッチングストップ層を形成する工程と、前記半導体基板において、前記第2のエッチングストップ層の上方の所定領域を取り囲む環状トレンチを形成するトレンチ形成工程と、前記環状トレンチに分離絶縁層を埋め込むトレンチ埋め込み工程と、前記半導体基板の表面から前記第2のエッチングストップ層よりも浅い孔を形成する工程と、前記孔内にエッチング剤を導入して前記孔の下部の基板材料をエッチングすることにより、前記第2のエッチングストップ層の上に基準圧室を形成し、前記基準圧室の上方にダイヤフラムを形成するエッチング工程と、前記孔内に埋め込み材を配置する工程とを含む、静電容量型圧力センサの製造方法。前記エッチングストップ層を形成する工程が、前記半導体基板に窒素イオンまたは酸素イオンを打ち込むイオン打ち込み工程と、前記イオン打ち込み工程後に前記半導体基板に対して熱処理を施す熱処理工程とを含む、請求項22に記載の静電容量型圧力センサの製造方法。前記ダイヤフラムに第1配線を接続する工程と、前記半導体基板において前記分離絶縁層によって前記ダイヤフラムから絶縁された部分に第2配線を接続する工程とをさらに含む、請求項22に記載の静電容量型圧力センサの製造方法。前記エッチング工程は、前記孔の側壁に側壁絶縁層を形成する工程と、前記孔内にエッチング剤を導入して前記半導体基板の材料を等方性エッチングする工程とをさらに含む、請求項22に記載の静電容量型圧力センサの製造方法。前記半導体基板において前記基準圧室が形成される領域以外の領域に集積回路デバイスを形成する工程をさらに含む、請求項22に記載の静電容量型圧力センサの製造方法。半導体基板に凹部を形成する工程と、前記凹部の内壁面に絶縁層を形成する工程と、前記凹部内に導体層を埋め込む工程と、前記導体層の表面から前記導体層および絶縁層を貫通する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔内にエッチング剤を導入することにより、前記絶縁層の下方に基準圧室を形成する工程と、前記貫通孔に埋め込み材を埋め込む工程とを含む、静電容量型圧力センサの製造方法。前記基準圧室を形成する工程が、前記基準圧室が前記凹部よりも広い領域に至るように前記絶縁層の下方の前記半導体基板の材料をエッチングする工程を含む、請求項29に記載の静電容量型圧力センサの製造方法。前記凹部を形成する前に、前記凹部を形成する予定の領域を取り囲み、かつ、前記基準圧室を形成する予定の深さよりも深い環状トレンチを前記半導体基板に形成する工程と、前記環状トレンチにエッチングストップ層を埋め込むトレンチ埋め込み工程とを含む、請求項30に記載の静電容量型圧力センサの製造方法。前記貫通孔を形成する工程は、前記導体層の表面から前記絶縁層に至る第1孔部を形成する工程と、前記第1孔部の内側壁に側壁絶縁層を形成する工程と、前記側壁絶縁層の内側の領域において前記絶縁層を貫通する第2孔部を形成する工程とを含む、請求項29に記載の静電容量型圧力センサの製造方法。前記半導体基板に前記凹部を形成する工程の前に、前記半導体基板において前記基準圧室の底面が形成される予定の深さの位置に第2のエッチングストップ層を形成する工程をさらに含む、請求項29に記載の静電容量型圧力センサの製造方法。前記半導体基板において前記基準圧室が形成される領域以外の領域に集積回路デバイスを形成する工程をさらに含む、請求項29に記載の静電容量型圧力センサの製造方法。導体層を含むダイヤフラムと、前記ダイヤフラムの周端面および下面に接する絶縁層と、前記絶縁層によって区画された基準圧室を前記ダイヤフラムの下方に有し、前記絶縁層を介して前記ダイヤフラムの周縁部を支持する半導体基板とを含み、前記導体層および絶縁層を貫通して前記基準圧室に至る貫通孔が形成されており、この貫通孔に埋め込み材が埋め込まれている、静電容量型圧力センサ。前記基準圧室が前記導体層よりも広い領域に至るように形成されていることを特徴とする、請求項35に記載の静電容量型圧力センサ。前記基準圧室の側面を区画するように前記基準圧室を取り囲み、前記基準圧室の底面よりも深い位置まで前記半導体基板内に延びるエッチングストップ層をさらに含む、請求項36に記載の静電容量型圧力センサ。前記貫通孔の内側壁を覆うように筒状に形成され、前記基準圧室にはみ出ないように前記貫通孔内に配置された側壁絶縁層をさらに含む、請求項35に記載の静電容量型圧力センサ。前記基準圧室の底面に形成された第2のエッチングストップ層をさらに含む、請求項35に記載の静電容量型圧力センサ。前記半導体基板に形成された集積回路デバイスを有する集積回路部をさらに含む、請求項35に記載の静電容量型圧力センサ。前述の先行技術では、1つの圧力センサを製造するために2枚の基板が必要になるので、製造コストが高くなってしまう。また、この圧力センサは、基板2枚分の厚みに近い厚みを有することから、圧力センサ全体の嵩が大きくなってしまう。また、1つの圧力センサを製造するために2枚の基板を用いる分だけ、圧力センサの製造工程数が増えてしまう。特に、2枚の基板で静電容量型の圧力センサを製造する場合、ダイヤフラムを有する第1の基板と、空間を挟んでダイヤフラムと対向する部分を有する第2の基板との両方に電極を形成しなければならない。本発明の目的は、低コスト化かつ小型化を実現できる圧力センサ、特に静電容量型の圧力センサを提供することである。また、本発明の別の目的は、低コストかつ小型な圧力センサを簡単に製造することができる圧力センサの製造方法を提供することである。前記の目的を達成するため、本発明の圧力センサは、内部に基準圧室が形成された基板と、前記基板の一部からなり、前記基準圧室を区画するように前記基板の表層部表面付近の基板内領域に形成され、前記基準圧室に連通した貫通孔が形成されたダイヤフラムと、前記ダイヤフラムの前記基準圧室に臨む表面に形成されたエッチングストップ層と、前記貫通孔内に配置された埋め込み材とを含む。この構成によれば、1枚の基板において、その内部に基準圧室空間が形成されているともに、この基板の一部でダイヤフラムが形成されている。そのため、2枚の基板を接合することによって基準圧室およびダイヤフラムを形成する必要がないから、コストを低くすることができる。また、1枚の基板によって圧力センサが構成されることから、2枚の基板を接合することで圧力センサを構成する場合に比べて、圧力センサを小型にすることができる。また、基準圧室を区画するダイヤフラムにおいて基準圧室に連通した貫通孔が、埋め込み材によって塞がれているので、基準圧室を密閉することができる。これにより、基準圧室内の圧力を基準圧力としておけば、ダイヤフラムが受ける圧力を基準圧力に対する相対的な圧力として検出することができる。基準圧室は、貫通孔からエッチング剤を導入して行う等方性エッチングによって形成することができる。このとき、ダイヤフラムにおいて基準圧室に臨む表面に形成されたエッチングストップ層は、ダイヤフラムを構成する基板材料のエッチングを防ぐ。これにより、ダイヤフラムが、基準圧室のエッチング剤によって不必要にエッチングされることがないので、ダイヤフラムの厚さを、正確に狙いの厚さにすることができる。そのため、圧力センサでは、感度の向上を図れるとともに感度のばらつきを抑えることができる。前記圧力センサは、前記ダイヤフラムにおいて前記基準圧室に臨む表面とは反対側の表面に形成されたピエゾ抵抗をさらに含むことが好ましい。これにより、ダイヤフラムが受ける圧力による歪みをピエゾ抵抗の抵抗値変化として検出するピエゾ抵抗型の圧力センサを構成できる。前記圧力センサは、前記ダイヤフラムの周囲を取り囲み、当該ダイヤフラムを前記基板の他の部分から分離する分離層をさらに含むことが好ましい。これにより、ダイヤフラムが分離層によって区画されることから、ダイヤフラムを、精度良く、狙った寸法で形成することができる。そのため、圧力センサでは、感度の向上を図れるとともに感度のばらつきを抑えることができる。前記分離層は、前記基準圧室の底面よりも深い位置まで前記基板内に延びていることが好ましい。これにより、ダイヤフラムだけでなく、基準圧室までもが分離層によって区画されることから、ダイヤフラムおよび基準圧室の両方を、精度良く、狙った寸法で形成することができる。前記圧力センサは、前記基準圧室の内壁面において、前記エッチングストップ層に対向する底面に形成された第2のエッチングストップ層をさらに含むことが好ましい。これにより、基板の厚さ方向において、基準圧室が、エッチングストップ層と第2のエッチングストップ層とによって挟まれて区画されるので、基準圧室を、精度良く、狙った寸法で形成することができる。前記圧力センサは、前記貫通孔の側壁を覆うように筒状に形成され、前記エッチングストップ層から前記基準圧室内に突出した側壁層をさらに含むことが好ましい。これにより、貫通孔を有するダイヤフラムが基準圧室側へ大きく撓んだときには、側壁層が基準圧室の内壁面に接触して、ダイヤフラムの過度な変形を規制する。そのため、ダイヤフラムの損傷を防止できる。前記圧力センサは、前記基板に形成された集積回路デバイスを有する集積回路部をさらに含むことが好ましい。これにより、圧力センサおよび集積回路部を同一基板に形成することができる。また、本発明の圧力センサの製造方法は、基板の表面から所定の深さの位置にエッチングストップ層を形成する工程と、前記基板の表面から前記エッチングストップ層を貫通する深さの貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔内にエッチング剤を導入して前記エッチングストップ層下の基板材料をエッチングすることにより、前記エッチングストップ層の下方に基準圧室を形成し、前記エッチングストップ層の上にダイヤフラムを形成するエッチング工程と、前記貫通孔内に埋め込み材を配置する工程とを含む。この方法により、前述の構造の圧力センサが得られる。そして、この方法によれば、エッチングストップ層の下では、貫通孔内に導入されたエッチング剤で基板材料がエッチングされることによって基準圧室が形成される。その一方で、エッチングストップ層の上にダイヤフラムが形成される。この際、ダイヤフラムは、エッチングストップ層によって、基準圧室内のエッチング剤から遮断される。これにより、基準圧室を形成するためのエッチング剤によってダイヤフラムが浸食されることがないので、ダイヤフラムの厚さを、精度良く、狙いの厚さにすることができる。そのため、感度の向上を図れるとともに感度のばらつきを抑えることができる圧力センサを簡単に製造することができる。また、この方法によれば、2枚の基板を接合しなくても、基板を1枚だけ用いた少ない工程で基準圧室およびダイヤフラムを形成することができるので、低コストかつ小型な圧力センサを簡単に製造することができる。また、貫通孔内に埋め込み材を配置することによって、エッチングストップ層の下の基準圧室を密閉することができる。これにより、完成した圧力センサは、基準圧室内の圧力を基準圧力としておくことにより、ダイヤフラムが受ける圧力を基準圧力に対する相対的な圧力として検出することができる。前記エッチングストップ層を形成する工程は、前記基板に窒素イオンまたは酸素イオンを打ち込むイオン打ち込み工程と、前記イオン打ち込み工程後に前記基板に対して熱処理を施す熱処理工程とを含むことが好ましい。基板に打ち込まれた窒素イオンまたは酸素イオンが熱処理工程によって活性化されることにより、基板の表面から所定の深さの位置に窒化膜または酸化膜からなるエッチングストップ層を形成することができる。前記熱処理工程が、前記イオン打ち込み工程後に前記基板の表面に半導体層をエピタキシャル成長させる工程を含んでいることが好ましい。この場合、熱処理工程後において、エッチングストップ層は、半導体層の下側に配置されるから、基板の表面から所定の深さの位置に確実に形成される。また、エピタキシャル成長時に基板が加熱されることによって、窒素イオンまたは酸素イオンが同時に活性化されるから、イオン活性化のための熱処理を別途行う必要がない。本発明の圧力センサの製造方法は、前記ダイヤフラムにおいて前記基準圧室に臨む表面とは反対側の表面にピエゾ抵抗を形成する工程をさらに含むことが好ましい。これにより、ダイヤフラムが受ける圧力による歪みをピエゾ抵抗の抵抗値変化により検出するピエゾ抵抗型の圧力センサが得られる。本発明の圧力センサの製造方法は、前記エッチング工程の前に、前記基板の表面において前記貫通孔が形成される予定の領域を取り囲む環状トレンチを、前記基板において前記基準圧室の底面となる予定の部分より深くなるように形成するトレンチ形成工程と、前記環状トレンチに分離絶縁層を埋め込むトレンチ埋め込み工程とをさらに含んでいることが好ましい。これにより、エッチング工程では、ダイヤフラムおよび基準圧室が分離絶縁層によって区画されて形成されるので、ダイヤフラムを、狙った寸法で精度良く形成することができる。そのため、感度の向上を図れるとともに感度のばらつきを抑えることができる圧力センサを製造することができる。また、基準圧室のエッチングが分離絶縁層で停止することにより、ダイヤフラムだけでなく、基準圧室も、狙った寸法で精度良く形成することができる。本発明の圧力センサの製造方法は、前記基板に前記貫通孔を形成する工程の前に、前記基板において前記基準圧室の底面が形成される予定の深さの位置に第2のエッチングストップ層を形成する工程をさらに含むことが好ましい。これにより、エッチング工程では、基板の厚さ方向において、基準圧室が、エッチングストップ層と第2のエッチングストップ層とによって区画されて形成されるので、基準圧室を、狙った寸法で精度良く形成することができる。前記エッチング工程は、前記貫通孔の側壁に側壁絶縁層を形成する工程と、前記貫通孔内にエッチング剤を導入して前記基板の材料を等方性エッチングする工程とをさらに含むことが好ましい。貫通孔の側壁に側壁絶縁層が予め形成されるので、貫通孔内に導入されるエッチング剤が貫通孔の側壁ダイヤフラム部分をエッチングしてしまうことを防止できる。そして、貫通孔の下端側における基板の材料を等方性エッチングすると、側壁絶縁層がエッチングストップ層から基準圧室内に突出する。これにより、エッチングストップ層の上のダイヤフラムが基準圧室側へ大きく撓んだときに、側壁絶縁層が基準圧室の内壁面に当接して、ダイヤフラムの過大な変形を規制する。そのため、ダイヤフラムの損傷を防止できる。本発明の圧力センサの製造方法は、前記基板において前記基準圧室が形成される領域以外の領域に集積回路デバイスを形成する工程をさらに含むことが好ましい。これにより、圧力センサおよび集積回路部を同一基板に形成することができる。圧力センサ部および集積回路部は、少なくとも一部の製造工程が共有されることが好ましい。たとえば、コンタクト孔形成工程や、配線工程は、圧力センサ部および集積回路部に対して同時に行われてもよい。また、本発明の静電容量型圧力センサは、内部に基準圧室が形成された半導体基板と、前記半導体基板の一部からなり、前記基準圧室を区画するように前記半導体基板の表層部表面付近の基板内領域に形成され、前記基準圧室に連通した貫通孔が形成されたダイヤフラムと、前記基準圧室の内壁面のうち、前記ダイヤフラムの前記基準圧室への対向面である天井面と、この天井面に対向する底面との少なくとも一方に形成されたエッチングストップ層と、前記貫通孔内に配置された埋め込み材と、前記ダイヤフラムの周囲を取り囲み、当該ダイヤフラムを前記半導体基板の他の部分から分離する分離絶縁層とを含む。この構成によれば、1枚の半導体基板において、その内部に基準圧室空間が形成されているともに、この半導体基板の一部でダイヤフラムが形成されている。そのため、2枚の半導体基板を接合することによって基準圧室およびダイヤフラムを形成する必要がないから、コストを低くすることができる。また、1枚の半導体基板によって静電容量型圧力センサが構成されることから、2枚の半導体基板を接合することで静電容量型圧力センサを構成する場合に比べて、静電容量型圧力センサを小型にすることができる。また、基準圧室を区画するダイヤフラムにおいて基準圧室に連通した貫通孔が、埋め込み材によって塞がれているので、基準圧室を密閉することができる。これにより、基準圧室内の圧力を基準圧力としておけば、ダイヤフラムが受ける圧力を基準圧力に対する相対的な圧力として検出することができる。より具体的には、ダイヤフラムは、基準圧室側の圧力と、基準圧室とは反対側の圧力との差に応じて変形する。これにより、ダイヤフラムと、基準圧室の底面との間の距離が変化する。その結果、ダイヤフラムと、基準圧室の底面との間の静電容量が変化する。この静電容量を検出することによって、ダイヤフラムが受ける圧力を検出できる。基準圧室は、貫通孔からエッチング剤を導入して行う等方性エッチングによって形成することができる。このとき、基準圧室の内壁面のうち、天井面と底面との少なくとも一方には、エッチングストップ層が形成されているので、基準圧室を形成するときにおいて、基準圧室がエッチングストップ層に区画される。これにより、基準圧室を狙った寸法で形成することができる。そのため、静電容量型圧力センサでは、感度の向上を図れるとともに感度のばらつきを抑えることができる。また、分離絶縁層が、ダイヤフラムの周囲を取り囲み、当該ダイヤフラムを半導体基板の他の部分から分離している。これにより、ダイヤフラムと半導体基板の他の部分とが絶縁されているから、ダイヤフラムと基準圧室の底面を区画する部分の半導体基板とによって、キャパシタ構造を形成できる。また、ダイヤフラムが分離絶縁層によって区画されることから、ダイヤフラムを、狙った寸法で形成することができる。そのため、静電容量型圧力センサの感度の向上を図れるとともに感度のばらつきを抑えることができる。前記エッチングストップ層が絶縁層であることが好ましい。これにより、ダイヤフラムと基準圧室の底面との間の静電容量を大きくすることができるから、感度を高くすることができる。静電容量型圧力センサは、前記ダイヤフラムに接続された第1配線と、前記半導体基板において前記分離絶縁層によって前記ダイヤフラムから絶縁された部分に接続された第2配線とをさらに含むことが好ましい。これにより、同一の半導体基板における当該部分およびダイヤフラムのそれぞれを電極とする簡素な構成の静電容量型圧力センサを提供することができる。前記分離絶縁層が、前記基準圧室の底面よりも深い位置まで前記半導体基板内に延びていることが好ましい。これにより、ダイヤフラムだけでなく、基準圧室も分離絶縁層によって区画されることから、ダイヤフラムおよび基準圧室の両方を、狙った寸法で形成することができる。すなわち、半導体基板においてダイヤフラムに対向する部分基準圧室の底面を区画する部分の寸法が正確に定まる。そのため、ダイヤフラムと基準圧室の底面部とで形成されるキャパシタ構造の静電容量を精度良く設計値に制御できる。これにより、静電容量型圧力センサの感度のばらつきを抑えることができる。静電容量型圧力センサは、前記貫通孔の側壁を覆うように筒状に形成され、前記ダイヤフラムから前記基準圧室内に突出した側壁絶縁層をさらに含むことが好ましい。これにより、貫通孔を有するダイヤフラムが基準圧室側へ大きく撓んだときには、側壁絶縁層が基準圧室の内壁面に接触して、ダイヤフラムの過度の変形を規制する。そのため、ダイヤフラムの損傷を防止できる。静電容量型圧力センサは、前記半導体基板に形成された集積回路デバイスを有する集積回路部をさらに含むことが好ましい。これにより、静電容量型圧力センサおよび集積回路部を同一の半導体基板に形成することができる。また、本発明の静電容量型圧力センサの製造方法は、半導体基板の表面から所定の深さの位置に第1のエッチングストップ層を形成する工程と、前記半導体基板において、前記第1のエッチングストップ層の上方の所定領域を取り囲む環状トレンチを、前記第1のエッチングストップ層よりも深くなるように形成するトレンチ形成工程と、前記環状トレンチに分離絶縁層を埋め込むトレンチ埋め込み工程と、前記半導体基板の表面から前記第1のエッチングストップ層を貫通する深さの孔を形成する工程と、前記孔内にエッチング剤を導入して前記第1のエッチングストップ層下の基板材料をエッチングすることにより、前記第1のエッチングストップ層の下方に基準圧室を形成し、前記第1のエッチングストップ層の上にダイヤフラムを形成するエッチング工程と、前記孔内に埋め込み材を配置する工程とを含む。この方法により、前述の構造の静電容量型圧力センサが得られる。そして、この方法によれば、半導体基板において、第1のエッチングストップ層の下では、第1のエッチングストップ層を貫通する孔内に導入されたエッチング剤で基板材料がエッチングされることによって基準圧室が形成される。その一方で、第1のエッチングストップ層の上にダイヤフラムが形成される。この際、ダイヤフラムは、第1のエッチングストップ層によって、基準圧室のエッチング剤から遮断される。これにより、基準圧室を形成するためのエッチング剤によってダイヤフラムが侵食されることがないので、ダイヤフラムの厚さを、精度良く、狙いの厚さにすることができる。また、この際、第1のエッチングストップ層よりも深くなるように形成された環状トレンチに埋め込まれた分離絶縁層が、第1のエッチングストップ層の上方の所定領域にあるダイヤフラムを取り囲む。これにより、ダイヤフラムが分離絶縁層によって区画されることから、ダイヤフラムを、狙った寸法で精度良く形成することができる。また、分離絶縁層が、ダイヤフラムを半導体基板の他の部分から分離することで、ダイヤフラムと当該部分とが絶縁されるから、ダイヤフラムと基準圧室の底面を区画する部分の半導体基板とによって、キャパシタ構造を形成できる。さらに、この際、基準圧室の天面が、第1のエッチングストップ層によって区画されることから、基準圧室を、狙った寸法で精度良く形成することができる。以上により、感度の向上を図れるとともに感度のばらつきを抑えることができる静電容量型圧力センサを簡単に製造することができる。また、この方法によれば、2枚の半導体基板を接合しなくても、半導体基板を1枚だけ用いた少ない工程で基準圧室およびダイヤフラムを形成することができるので、低コストかつ小型な静電容量型圧力センサを簡単に製造することができる。また、孔内に埋め込み材を配置することによって、第1のエッチングストップ層の下の基準圧室を密閉することができる。これにより、完成した静電容量型圧力センサは、基準圧室内の圧力を基準圧力としておくことにより、ダイヤフラムが受ける圧力を基準圧力に対する相対的な圧力として検出することができる。より具体的には、ダイヤフラムは、基準圧室側の圧力と、基準圧室とは反対側の圧力との差に応じて変形する。これにより、ダイヤフラムと、基準圧室の底面との間の距離が変化する。その結果、ダイヤフラムと、基準圧室の底面との間の静電容量が変化する。この静電容量を検出することによって、ダイヤフラムが受ける圧力を検出できる。また、本発明の静電容量型圧力センサの製造方法は、半導体基板の表面から所定の深さの位置に第1のエッチングストップ層を形成する工程と、前記半導体基板において前記第1のエッチングストップ層よりも深い位置に第2のエッチングストップ層を形成する工程と、前記半導体基板において、前記第1のエッチングストップ層の上方の所定領域を取り囲む環状トレンチを、前記第1のエッチングストップ層よりも深くなるように形成するトレンチ形成工程と、前記環状トレンチに分離絶縁層を埋め込むトレンチ埋め込み工程と、前記半導体基板の表面から前記第1のエッチングストップ層を貫通して前記第1のエッチングストップ層と前記第2のエッチングストップ層との間の深さ位置に底面を有する孔を形成する工程と、前記孔内にエッチング剤を導入して前記第1のエッチングストップ層下の基板材料をエッチングすることにより、前記第1のエッチングストップ層と前記第2のエッチングストップ層との間に基準圧室を形成し、前記第1のエッチングストップ層の上にダイヤフラムを形成するエッチング工程と、前記孔内に埋め込み材を配置する工程とを含む。この方法により、前述の構造の静電容量型圧力センサが得られる。そして、この方法によれば、半導体基板において、第1のエッチングストップ層と第2のエッチングストップ層との間では、第1のエッチングストップ層を貫通する孔内に導入されたエッチング剤で基板材料がエッチングされることによって基準圧室が形成される。その一方で、第1のエッチングストップ層の上にダイヤフラムが形成される。この際、ダイヤフラムは、第1のエッチングストップ層によって、基準圧室のエッチング剤から遮断される。これにより、基準圧室を形成するためのエッチング剤によってダイヤフラムが侵食されることがないので、ダイヤフラムの厚さを、精度良く、狙いの厚さにすることができる。また、この際、第1のエッチングストップ層よりも深くなるように形成された環状トレンチに埋め込まれた分離絶縁層が、第1のエッチングストップ層の上方の所定領域にあるダイヤフラムを取り囲む。これにより、ダイヤフラムが分離絶縁層によって区画されることから、ダイヤフラムを、狙った寸法で精度良く形成することができる。また、分離絶縁層が、ダイヤフラムを半導体基板の他の部分から分離することで、ダイヤフラムと当該部分とが絶縁されるから、ダイヤフラムと基準圧室の底面を区画する部分の半導体基板とによって、キャパシタ構造を形成できる。さらに、この際、基準圧室が、第1のエッチングストップ層と第2のエッチングストップ層とによって挟まれて区画されることから、基準圧室を、狙った寸法で精度良く形成することができる。以上により、感度の向上を図れるとともに感度のばらつきを抑えることができる静電容量型圧力センサを簡単に製造することができる。また、この方法によれば、2枚の半導体基板を接合しなくても、半導体基板を1枚だけ用いた少ない工程で基準圧室およびダイヤフラムを形成することができるので、低コストかつ小型な静電容量型圧力センサを簡単に製造することができる。また、孔内に埋め込み材を配置することによって、第1のエッチングストップ層の下の基準圧室を密閉することができる。これにより、完成した静電容量型圧力センサは、基準圧室内の圧力を基準圧力としておくことにより、ダイヤフラムが受ける圧力を基準圧力に対する相対的な圧力として検出することができる。より具体的には、ダイヤフラムは、基準圧室側の圧力と、基準圧室とは反対側の圧力との差に応じて変形する。これにより、ダイヤフラムと、基準圧室の底面との間の距離が変化する。その結果、ダイヤフラムと、基準圧室の底面との間の静電容量が変化する。この静電容量を検出することによって、ダイヤフラムが受ける圧力を検出できる。また、本発明の静電容量型圧力センサの製造方法は、半導体基板の表面から所定の深さの位置に第2のエッチングストップ層を形成する工程と、前記半導体基板において、前記第2のエッチングストップ層の上方の所定領域を取り囲む環状トレンチを形成するトレンチ形成工程と、前記環状トレンチに分離絶縁層を埋め込むトレンチ埋め込み工程と、前記半導体基板の表面から前記第2のエッチングストップ層よりも浅い孔を形成する工程と、前記孔内にエッチング剤を導入して前記孔の下部の基板材料をエッチングすることにより、前記第2のエッチングストップ層の上に基準圧室を形成し、前記基準圧室の上方にダイヤフラムを形成するエッチング工程と、前記孔内に埋め込み材を配置する工程とを含む。この方法により、前述の構造の静電容量型圧力センサが得られる。そして、この方法によれば、半導体基板において、第2のエッチングストップ層よりも浅い孔内に導入されたエッチング剤で孔の下部の基板材料がエッチングされることによって、第2のエッチングストップ層の上に基準圧室が形成される。その一方で、基準圧室の上にダイヤフラムが形成される。この際、基準圧室の底が、第2のエッチングストップ層によって区画されることから、基準圧室を、狙った寸法で精度良く形成することができる。また、この際、環状トレンチに埋め込まれた分離絶縁層が、第2のエッチングストップ層の上方の所定領域にあるダイヤフラムを取り囲む。これにより、ダイヤフラムが分離絶縁層によって区画されることから、ダイヤフラムを、狙った寸法で精度良く形成することができる。また、分離絶縁層が、ダイヤフラムを半導体基板の他の部分から分離することで、ダイヤフラムと当該部分とが絶縁されるから、ダイヤフラムと基準圧室の底面を区画する部分の半導体基板とによって、キャパシタ構造を形成できる。以上により、感度の向上を図れるとともに感度のばらつきを抑えることができる静電容量型圧力センサを簡単に製造することができる。また、この方法によれば、2枚の半導体基板を接合しなくても、半導体基板を1枚だけ用いた少ない工程で基準圧室およびダイヤフラムを形成することができるので、低コストかつ小型な静電容量型圧力センサを簡単に製造することができる。また、孔内に埋め込み材を配置することによって、孔の下の基準圧室を密閉することができる。これにより、完成した静電容量型圧力センサは、基準圧室内の圧力を基準圧力としておくことにより、ダイヤフラムが受ける圧力を基準圧力に対する相対的な圧力として検出することができる。より具体的には、ダイヤフラムは、基準圧室側の圧力と、基準圧室とは反対側の圧力との差に応じて変形する。これにより、ダイヤフラムと、基準圧室の底面との間の距離が変化する。その結果、ダイヤフラムと、基準圧室の底面との間の静電容量が変化する。この静電容量を検出することによって、ダイヤフラムが受ける圧力を検出できる。前記エッチングストップ層を形成する工程が、前記半導体基板に窒素イオンまたは酸素イオンを打ち込むイオン打ち込み工程と、前記イオン打ち込み工程後に前記半導体基板に対して熱処理を施す熱処理工程とを含むことが好ましい。半導体基板に打ち込まれた窒素イオンまたは酸素イオンが熱処理工程によって活性化されることにより、半導体基板の表面から所定の深さの位置に窒化膜または酸化膜からなるエッチングストップ層を形成することができる。本発明の静電容量型圧力センサの製造方法は、前記ダイヤフラムに第1配線を接続する工程と、前記半導体基板において前記分離絶縁層によって前記ダイヤフラムから絶縁された部分に第2配線を接続する工程とをさらに含むことが好ましい。これにより、同一の半導体基板における当該部分およびダイヤフラムのそれぞれを電極とする簡素な構成の静電容量型圧力センサを簡単に製造することができる。前記エッチング工程は、前記孔の側壁に側壁絶縁層を形成する工程と、前記孔内にエッチング剤を導入して前記半導体基板の材料を等方性エッチングする工程とをさらに含むことが好ましい。孔の側壁に側壁絶縁層が予め形成されるので、孔内に導入されるエッチング剤が孔の側壁ダイヤフラム部分をエッチングしてしまうことを防止できる。そして、孔の下端側における半導体基板の材料を等方性エッチングすると、側壁絶縁層がダイヤフラムから基準圧室内に突出する。これにより、ダイヤフラムが基準圧室側へ大きく撓んだときに、側壁絶縁層が基準圧室の内壁面に当接して、ダイヤフラムの過大な変形を規制する。そのため、ダイヤフラムの損傷を防止できる。本発明の静電容量型圧力センサの製造方法は、前記半導体基板において前記基準圧室が形成される領域以外の領域に集積回路デバイスを形成する工程をさらに含むことが好ましい。これにより、静電容量型圧力センサおよび集積回路部を同一基板に形成することができる。圧力センサ部および集積回路部は、少なくとも一部の製造工程が共有されることが好ましい。たとえば、コンタクト孔形成工程や、配線工程は、圧力センサ部および集積回路部に対して同時に行われる。さらに、本発明の静電容量型圧力センサの製造方法は、半導体基板に凹部を形成する工程と、前記凹部の内壁面に絶縁層を形成する工程と、前記凹部内に導体層を埋め込む工程と、前記導体層の表面から前記導体層および絶縁層を貫通する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔内にエッチング剤を導入することにより、前記絶縁層の下方に基準圧室を形成する工程と、前記貫通孔に埋め込み材を埋め込む工程とを含む。この方法によれば、半導体基板に形成した凹部の内壁面に絶縁層を形成し、凹部内に導体層を埋め込むことによって、導体層と半導体基板とを絶縁層で絶縁することができる。そして、導体層および絶縁層を貫通する貫通孔内にエッチング剤が導入されることによって、絶縁層の下方に基準圧室が形成される。その一方で、凹部内の導体層が、圧力変動に応じて変形するダイヤフラムとなる。そのため、2枚の半導体基板を接合しなくても、半導体基板を1枚だけ用いた少ない工程で基準圧室およびダイヤフラムを形成することができるので、低コストかつ小型な静電容量型圧力センサを簡単に製造することができる。そして、絶縁層によってダイヤフラムと半導体基板とが絶縁されているから、絶縁層の下方の基板材料をエッチングするエッチング剤によってダイヤフラムが侵食されることがないので、ダイヤフラムの厚さを、精度よく、狙った寸法で形成することができる。そのため、感度の向上を図れるとともに感度のばらつきを抑えることができる静電容量型圧力センサを簡単に製造することができる。また、貫通孔に埋め込み材を埋め込むことによって、貫通孔の下の基準圧室を密閉することができる。これにより、完成した静電容量型圧力センサは、基準圧室内の圧力を基準圧力としておくことにより、ダイヤフラムが受ける圧力を基準圧力に対する相対的な圧力として検出することができる。より具体的には、ダイヤフラムは、基準圧室側の圧力と、基準圧室とは反対側の圧力との差に応じて変形する。これにより、ダイヤフラムと、基準圧室の底面との間の距離が変化する。その結果、ダイヤフラムと、基準圧室の底面との間の静電容量が変化する。この静電容量を検出することによって、ダイヤフラムが受ける圧力を検出できる。前記基準圧室を形成する工程が、前記基準圧室が前記凹部よりも広い領域に至るように前記絶縁層の下方の前記半導体基板の材料をエッチングする工程を含むことが好ましい。この場合、静電容量型圧力センサが完成すると、基準圧室の上方には、ダイヤフラムおよびその周囲に形成された外周膜部を有する可動膜が形成される。ダイヤフラムは外周膜部の内側の中央領域に位置するので、可動膜が撓んだときに、大きく変位する。これにより、微小な圧力変動に対するダイヤフラムの応答性が良くなる。そのため、静電容量型圧力センサの感度を向上できる。本発明の静電容量型圧力センサの製造方法は、前記凹部を形成する前に、前記凹部を形成する予定の領域を取り囲み、かつ、前記基準圧室を形成する予定の深さよりも深い環状トレンチを前記半導体基板に形成する工程と、前記環状トレンチにエッチングストップ層を埋め込むトレンチ埋め込み工程とを含むことが好ましい。この場合、凹部内のダイヤフラムが、環状トレンチのエッチングストップ層によって区画される。また、基準圧室を形成するときの横方向へのエッチングが、エッチングストップ層で停止する。このように、ダイヤフラムおよび基準圧室の両方がエッチングストップ層によって区画されることから、ダイヤフラムおよび基準圧室のそれぞれを、狙った寸法で精度良く形成することができる。そのため、感度の向上を図れるとともに感度のばらつきを抑えることができる静電容量型圧力センサを簡単に製造することができる。前記貫通孔を形成する工程は、前記導体層の表面から前記絶縁層に至る第1孔部を形成する工程と、前記第1孔部の内側壁に側壁絶縁層を形成する工程と、前記側壁絶縁層の内側の領域において前記絶縁層を貫通する第2孔部を形成する工程とを含むことが好ましい。この場合、貫通孔は、第1孔部と第2孔部とによって構成される。第1孔部の内側壁に側壁絶縁層が形成されているので、貫通孔内に導入されたエッチング剤によって第1孔部の内側壁が侵食されることを防止できる。そして、第1孔部の内側壁に側壁絶縁層を形成してから、絶縁層を貫通する第2孔部を形成することで貫通孔を完成させるので、貫通孔が完成した状態で、側壁絶縁層が貫通孔から基準圧室内に突出しない。そのため、側壁絶縁層の突出に起因する静電容量の変動が生じない。これにより、ダイヤフラムと基準圧室の底面との間の静電容量を、側壁絶縁層の影響を考慮することなく定めることができから、設計が容易になる。その結果として、感度の向上を図れるとともに、感度のばらつきを抑えることができる静電容量型圧力センサを簡単に製造することができる。本発明の静電容量型圧力センサの製造方法は、前記半導体基板に前記凹部を形成する工程の前に、前記半導体基板において前記基準圧室の底面が形成される予定の深さの位置に第2のエッチングストップ層を形成する工程をさらに含むことが好ましい。この場合、貫通孔内にエッチング剤を導入して絶縁層の下方の半導体基板の材料をエッチングする際に、第2のエッチングストップ層より下側の半導体基板の材料は、エッチング剤によって侵食されない。そのため、基準圧室が、絶縁層と第2のエッチングストップ層とに挟まれて区画されることから、基準圧室を、狙った寸法で精度良く形成することができる。すなわち、ダイヤフラム導体層と基準圧室の底面との間の距離を精度良く設計値に合わせ込むことができるから、それらの間の静電容量のばらつきを抑制できる。そのため、感度の向上を図れるとともに、感度のばらつきを抑えることができる静電容量型圧力センサを簡単に製造することができる。本発明の静電容量型圧力センサの製造方法は、前記半導体基板において前記基準圧室が形成される領域以外の領域に集積回路デバイスを形成する工程をさらに含むことが好ましい。これにより、静電容量型圧力センサおよび集積回路部を同一基板に形成することができる。圧力センサ部および集積回路部は、少なくとも一部の製造工程が共有されることが好ましい。たとえば、コンタクト孔形成工程や、配線工程は、圧力センサ部および集積回路部に対して同時に行われてもよい。本発明の静電容量型圧力センサは、導体層を含むダイヤフラムと、前記ダイヤフラムの周端面および下面に接する絶縁層と、前記絶縁層によって区画された基準圧室を前記ダイヤフラムの下方に有し、前記絶縁層を介して前記ダイヤフラムの周縁部を支持する半導体基板とを含み、前記導体層および絶縁層を貫通して前記基準圧室に至る貫通孔が形成されており、この貫通孔に埋め込み材が埋め込まれている。この構成によれば、1枚の半導体基板が、導体層を含むダイヤフラムの周端面および下面に接する絶縁層を介して、ダイヤフラムの周縁部を支持しており、ダイヤフラムの下方に基準圧室空間を有している。そのため、2枚の半導体基板を接合することによって基準圧室およびダイヤフラムを形成する必要がないから、コストを低くすることができる。また、1枚の半導体基板によって静電容量型圧力センサが構成されることから、2枚の半導体基板を接合することで静電容量型圧力センサを構成する場合に比べて、静電容量型圧力センサを小型にすることができる。また、基準圧室を区画する絶縁層と導体層とを貫通して基準圧室に至る貫通孔に埋め込み材が埋め込まれているので、基準圧室を密閉することができる。これにより、基準圧室内の圧力を基準圧力としておけば、ダイヤフラムが受ける圧力を基準圧力に対する相対的な圧力として検出することができる。ダイヤフラムは、基準圧室側の圧力と、基準圧室とは反対側の圧力との差に応じて変形する。これにより、ダイヤフラムと、基準圧室の底面との間の距離が変化する。その結果、ダイヤフラム導体層と、基準圧室の底面との間の静電容量が変化する。この静電容量を検出することによって、ダイヤフラムが受ける圧力を検出できる。前記基準圧室が前記導体層よりも広い領域に至るように形成されていることが好ましい。より具体的には、基準圧室の上方に、ダイヤフラムおよびその周囲に形成された外周膜部を有する可動膜が形成されていることが好ましい。これにより、ダイヤフラムは外周膜部の内側の中央領域に位置するので、可動膜が撓んだときに、大きく変位する。したがって、微小な圧力変動に対するダイヤフラムの応答性が良くなる。そのため、静電容量型圧力センサの感度の向上を図ることができる。静電容量型圧力センサは、前記基準圧室の側面を区画するように前記基準圧室を取り囲み、前記基準圧室の底面よりも深い位置まで前記半導体基板内に延びるエッチングストップ層をさらに含むことが好ましい。これにより、静電容量型圧力センサの製造工程において、基準圧室を形成するときの横方向へのエッチングが、エッチングストップ層で停止する。したがって、基準圧室を、狙った寸法で精度良く形成することができる。そのため、静電容量型圧力センサの感度の向上を図れるとともに、その感度のばらつきを抑えることができる。静電容量型圧力センサは、前記貫通孔の内側壁を覆うように筒状に形成され、前記基準圧室にはみ出ないように前記貫通孔内に配置された側壁絶縁層をさらに含むことが好ましい。貫通孔の内側壁に側壁絶縁層が形成されているから、基準圧室を形成するためのエッチングの際に貫通孔内に導入されたエッチング剤によって貫通孔の内側壁が侵食されることを防止できる。したがって、ダイヤフラム導体層の面積のばらつきを抑制できる。そして、側壁絶縁層が貫通孔から基準圧室内にはみ出ていないことから、側壁絶縁層の突出に起因する静電容量の変動が生じない。これにより、ダイヤフラムと基準圧室の底面との間の静電容量を、側壁絶縁層の影響を考慮することなく定めることができるから、設計が容易になる。そのため、静電容量型圧力センサの感度の向上を図れるとともに、感度のばらつきを抑えることができる。静電容量型圧力センサは、前記基準圧室の底面に形成された第2のエッチングストップ層をさらに含むことが好ましい。これにより、基準圧室が、絶縁層と第2のエッチングストップ層とに挟まれて区画されることから、基準圧室を、狙った寸法で精度良く形成することができる。すなわち、ダイヤフラム導体層と基準圧室の底面との間の距離を精度良く設計値に合わせ込むことができるから、それらの間の静電容量のばらつきを抑制できる。そのため、静電容量型圧力センサの感度の向上を図れるとともに、感度のばらつきを抑えることができる。静電容量型圧力センサは、前記半導体基板に形成された集積回路デバイスを有する集積回路部をさらに含むことが好ましい。これにより、静電容量型圧力センサおよび集積回路部を同一の半導体基板に形成することができる。以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る圧力センサの製造過程で用いられるシリコン基板の概略平面図である。シリコン基板2は、具体的には、P型またはN型の不純物を添加しながら結晶成長させたシリコンからなる。シリコン基板2は、たとえば、比抵抗が5~100mΩcmの低抵抗のものであることが好ましい。1枚のシリコン基板2上に、多数の圧力センサ1が一括して形成される。圧力センサ1は、シリコン基板2に規則的に配列された複数の矩形領域3にそれぞれ形成される。図1の例では、各矩形領域3は平面視略正方形状であり、互いに間隔を開けて行列状に配列されている。圧力センサ1は、その構造および製造方法に応じた複数の形態を有することができる。以下では、圧力センサ1の代表的な実施形態を説明する。1第1の実施形態図2は、第1の実施形態に係る圧力センサの拡大平面図である。図3aは、図2の切断面線A-Aにおける断面図であり、図3bは、図2の集積回路領域における圧力センサの要部断面図である。図4は、金属配線およびピエゾ抵抗により構成されるブリッジ回路の回路図である。図3aに示すように、個々の圧力センサ1は、矩形領域3に相当する大きさのシリコン基板2を含んでいる。シリコン基板2の表面4は、被覆層5で被覆されている。さらに、被覆層5の表面には、絶縁層6が形成されている。被覆層5および絶縁層6は、たとえば、いずれも、酸化シリコンSiO2からなる。シリコン基板2の裏面7は、露出面である。シリコン基板2の内部には、基準圧室8が形成されている。基準圧室8は、この実施形態では、シリコン基板2の表面4および裏面7に平行に広がり、かつ上下方向シリコン基板2の厚さ方向の高さが低い扁平な空洞扁平空間である。つまり、基準圧室8は、表面4および裏面7に平行な方向における寸法が、高さ方向における寸法よりも大きくなっている。基準圧室8は、各圧力センサ1に1つずつ形成されている。基準圧室8は、この実施形態では、平面視円形状立体的には、円筒状に形成されている。シリコン基板2の内部には、基準圧室8を上側表面4側から区画する平面視円形のエッチングストップ層9が形成されている。エッチングストップ層9は、基準圧室8より大径である。基準圧室8がシリコン基板2内に形成されていることによって、シリコン基板2の表面4側は、基準圧室8と対向する部分エッチングストップ層9も含むが、残余部分よりも薄膜化されている。これにより、シリコン基板2は、基準圧室8に対して表面4側に、平面視円形状のダイヤフラム10を有している。ダイヤフラム10は、基準圧室8との対向方向シリコン基板2の厚さ方向に変位可能な薄膜である。ダイヤフラム10は、シリコン基板2の一部であり、基準圧室8を区画するようにシリコン基板2の表層部に形成されている。エッチングストップ層9は、ダイヤフラム10において基準圧室8に臨む表面下面に形成されており、ダイヤフラム10の一部をなしている。ダイヤフラム10の下面とは反対側の表面は、シリコン基板2の表面4である。ダイヤフラム10の直径は、基準圧室8の直径とほぼ同じであり、この実施形態では、200~600μmである。また、ダイヤフラム10の厚みは、たとえば、0.5~1μmである。ただし、図3aでは、構造を明瞭に表すために、ダイヤフラム10の厚みを誇張して描いてある。ダイヤフラム10は、シリコン基板2における残余部分に一体的に支持されている。この実施形態では、ダイヤフラム10は、平面視において矩形領域3の略中央に配置されている図2参照。ダイヤフラム10には、平面視円形の貫通孔11が、ダイヤフラム10の輪郭換言すれば、平面視における基準圧室8の輪郭よりも内側の全域にわたって、所定の等間隔を隔てて多数形成されている図2参照。この実施形態では、複数の貫通孔11は、平面視において交差する2方向に沿って行列状に規則配列されている。全ての貫通孔11は、シリコン基板2における表面4の被覆層5と基準圧室8との間の部分被覆層5およびエッチングストップ層9も含むを貫通し、基準圧室8に連通している。各貫通孔11の直径は、この実施形態では、たとえば、0.5μmである。また、各貫通孔11の深さは、この実施形態では、たとえば、2~7μmである。貫通孔11の内壁面は、酸化シリコンSiO2からなる保護薄膜12側壁層、側壁絶縁層で被覆されている。全ての貫通孔11において、保護薄膜12の内側にはCVDChemicalVaporDeposition:化学的気相成長法によって形成された酸化シリコンSiO2からなる酸化膜が充填されて埋め込まれている。これにより、全ての貫通孔11が酸化膜の充填体13埋め込み材により閉塞されていて、貫通孔11の下方の扁平空間は、その内部圧力が圧力検出の際の基準とされる基準圧室8として密閉されている。基準圧室8は、この実施形態では、真空または減圧状態たとえば、10-5Torrに保持されている。貫通孔11に充填された酸化膜は、貫通孔11の各上方部において各貫通孔11を閉塞する充填体13をなしている。この酸化膜は、さらに、充填体13の下部に連続する被覆膜14をなしている。被覆膜14は、基準圧室8内に至り、基準圧室8の内壁面の全域を被覆している。図2に示すように、個々の圧力センサ1は、さらに、歪みゲージとしてのピエゾ抵抗R1~R4と、金属端子15~18と、金属配線19~22とを含んでいる。ピエゾ抵抗R1~R4は、シリコン基板2にボロンB等の不純物を導入することによりシリコン基板2の表層部表面4の周辺に形成された拡散抵抗であり、ゲージとも呼ばれる。この実施形態では、4つのピエゾ抵抗R1~R4は、略円形のダイヤフラム10の周方向に沿って略等間隔に配置されている。ダイヤフラム10の中心を挟んで対向する一対のピエゾ抵抗R1およびR3は、ダイヤフラム10の円形の輪郭Lの半径方向に沿って延びる棒状であり、平面視でダイヤフラム10の内外に跨るように形成されている。同じくダイヤフラム10の中心を挟んで対向する他の一対のピエゾ抵抗R2およびR4は、ダイヤフラム10の輪郭Lに対する接線方向に沿って延びる棒状であり、平面視でダイヤフラム10の内側に収まるように形成されている。ピエゾ抵抗R1~R4のそれぞれの両端には、中継配線23が接続されている。中継配線23も、ピエゾ抵抗R1~R4と同様に、シリコン基板2に不純物を導入することによりシリコン基板2の表層部に形成される。中継配線23は、たとえば、P型不純物を高濃度に導入して形成したP領域であり、接続されたピエゾ抵抗からダイヤフラム10の輪郭Lの外側まで延びている。金属端子15~18は、接地端子15GNDと、負側電圧出力端子16Vout-と、電圧印加用端子17Vddと、正側電圧出力端子18Voutとを含んでいる。これら4つの金属端子15~18は、絶縁層6上に形成され図3a参照、矩形領域3の四隅に1つずつ配置されている。また、金属端子15~18は、この実施形態では、アルミニウムAlからなる。金属配線19~22は、ピエゾ抵抗R1~R4をブリッジ接続して、図4に示すブリッジ回路ホイートストンブリッジを形成するための配線である。具体的には、金属配線19は、ピエゾ抵抗R3とピエゾ抵抗R4とをダイヤフラム10外で接続し、接地端子15に接続される接地用配線19である。金属配線20は、ピエゾ抵抗R1とピエゾ抵抗R4とをダイヤフラム10外で接続し、負側電圧出力端子16に接続される負側出力配線20である。また、金属配線21は、ピエゾ抵抗R1とピエゾ抵抗R2とをダイヤフラム10外で接続し、電圧印加用端子17に接続される電圧印加用配線21である。そして、金属配線22は、ピエゾ抵抗R2とピエゾ抵抗R3とをダイヤフラム10外で接続し、正側電圧出力端子18に接続される正側出力配線22である。これらの金属配線19~22は、この実施形態では、アルミニウムAlからなり、絶縁層6上に形成されている図3a参照。金属配線19~22は、それぞれ、対応するピエゾ抵抗からダイヤフラム10の径方向に沿って直線状に延び、矩形領域3の外周縁の付近で略直角に折れ曲って、矩形領域3の外周縁に沿って直線状に延びて、対応する金属端子に接続されている。金属配線19~22と、ピエゾ抵抗R1~R4との間は、中継配線23によって中継されている。図3aに示すように、金属端子15~18図3aでは、金属端子16および金属配線19~22図3aでは、金属配線20および21は、窒化シリコンSiNからなるパッシベーション膜25により被覆されている。パッシベーション膜25には、金属端子15~18をそれぞれパッドとして露出させる開口26が形成されている。図2では、パッシベーション膜25の図示が省略されている。この圧力センサ1では、ダイヤフラム10がシリコン基板2の表面4側から圧力たとえば、気体圧力を受けると、基準圧室8の内部と外部との間に差圧が生じることによってダイヤフラム10がシリコン基板2の厚さ方向に変位する。その変位により、ピエゾ抵抗R1~R4を構成するシリコン結晶が歪んで、ピエゾ抵抗R1~R4の抵抗値が変化する。図4に示すように、電圧印加用端子17に一定のバイアス電圧を与えておくと、ピエゾ抵抗R1~R4の抵抗値の変化に応じて、出力端子16,18間の電圧が変化する。したがって、その電圧変化に基づいて、圧力センサ1に生じた圧力の大きさを検出することができる。図2を参照して、シリコン基板2の各矩形領域3において、その外周縁詳しくは、金属配線19~22のそれぞれにおいて矩形領域3の外周縁に沿って直線状に延びている部分とダイヤフラム10との間には、集積回路領域272点鎖線で囲まれた領域が設けられている。集積回路領域27は、平面視でダイヤフラム10を取り囲む略矩形の環状領域である。集積回路領域27には、トランジスタや抵抗その他の集積回路デバイス機能素子を含む集積回路部28が形成されている。すなわち、この圧力センサ1は、ダイヤフラム10等が形成されたシリコン基板2上に形成された集積回路部28を含んでいる。具体的には、図3bに示すように、集積回路領域27は、LOCOS層29によってシリコン基板2の他の領域から絶縁分離されている。集積回路領域27におけるシリコン基板2の表層部には、ソース30とドレイン31とが形成されており、シリコン基板2の表面4において集積回路領域27に相当する部分には、ゲート酸化膜32が、ソース30とドレイン31とに跨って形成されている。ゲート酸化膜32上には、ゲート電極33が、ソース30とドレイン31との間の部分チャンネルが形成される部分と対向するように形成されている。LOCOS層29およびゲート酸化膜32の上には、ゲート電極33を覆うように、絶縁層6が形成されている。そして、絶縁層6の表面には、ソース側金属配線35と、ドレイン側金属配線36とが設けられている。ソース側金属配線35は、絶縁層6およびゲート酸化膜32を貫通してソース30に接続されている。ドレイン側金属配線36は、絶縁層6およびゲート酸化膜32を貫通してドレイン31に接続されている。絶縁層6の表面には、ソース側金属配線35およびドレイン側金属配線36を覆うように、パッシベーション膜25が形成されている。ここでは、集積回路領域27に配置された構成要素群を集積回路部28と呼ぶ。図5A~図5Oは、図2および図3に示す圧力センサの製造工程を示す。図5A~図5Oのそれぞれにおいて、断面図が2つ示されている場合、上側の断面図は、図3aと同じ位置での切断面を示し、下側の断面図は、図3bと同じ位置での切断面を示す。圧力センサ1を製造するには、図5Aに示すように、シリコン基板2ウエハが準備される。この時点でのシリコン基板2の厚さは、この実施形態では、約300μmである。具体的には、直径が6インチで厚さが約625μmのシリコン基板2、または、直径が8インチで厚さが約725μmのシリコン基板2のいずれかを選択して、300μmまで薄くした後の状態が、図5Aに示されている。次いで、熱酸化法またはCVD法により、シリコン基板2の表面4に、数百Åの厚さの酸化膜40が形成される。次いで、図5Baおよび図5Bbに示すように、酸化膜40上に、フォトリソグラフィにより、レジストパターン41が形成される。レジストパターン41は、エッチングストップ層9図3a参照に対応した1つの丸い開口42を有している図5Bb参照。そして、シリコン基板2の表層部図5Baにおいて×を付けた部分に、レジストパターン41をマスクとして、不純物たとえば、窒素Nイオンまたは酸素Oイオンが打ち込まれるイオン注入。インプランテーション。イオン注入の際の加速電圧は、たとえば、50~120keV程度とすればよい。酸化膜40は、イオン注入による表面4の損傷を抑制する。次いで、酸化膜40およびレジストパターン41が除去された後に、シリコン基板2の表面4に半導体層をエピタキシャル成長させる処理が行われる。エピタキシャル成長時にはシリコン基板2が加熱されるので、シリコン基板2に注入された不純物イオンが活性化する。これにより、図5Caに示すように、酸化シリコンSiO2または窒化シリコンSiNからなるエッチングストップ層9が、シリコン基板2の表面4から所定の深さの位置に形成される。シリコン基板2において、エッチングストップ層9よりも上方の部分エッチングストップ層9と表面4との間が、エピタキシャル成長したシリコン層エピタキシャル層である。エピタキシャル層の厚さは、たとえば、0.5~1μm程度である。エピタキシャル成長の代わりに、シリコン基板2の熱処理注入イオン拡散のためのドライブインのみでも、エッチングストップ層9をシリコン基板2の表面4から所定の深さの位置たとえば、表面4から0.5~1μm程度の深さに形成することができる。この場合、不純物イオンをインプランテーションする際に図5Ba参照、インプランテーションの加速電圧を高くして、不純物イオン酸素イオンまたは窒素イオンを、シリコン基板2の表面4から前記所定の深さの位置に打ち込む。不純物イオンの加速電圧は、たとえば、200~400keV程度とされる。その後、ドライブインを施して、注入したイオンを活性化すると、酸化物または窒化物からなるエッチングストップ層9が、シリコン基板2の表面4から前記所定の深さの位置に形成される。その後に、酸化膜40図5Ba参照が除去される。なお、エピタキシャル成長の代わりにドライブインのみを適用する場合には、エピタキシャル層が存在しない分、シリコン基板2を薄くできる。次いで、図5Daに示すように、熱酸化法またはCVD法により、シリコン基板2の表面4に、数百Åの厚さの酸化膜43が形成され、その後、シリコン基板2の表層部に、所定パターンのマスク44を介して、不純物たとえば、硼素Bがインプランテーションされる。続いて、酸化膜43およびマスク44が除去されて、ドライブインが行われる。このドライブインにより、シリコン基板2に注入された不純物のイオンが活性化して、シリコン基板2の表層部にピエゾ抵抗ゲージR1~R4が形成される図5Dbを併せて参照。なお、図5Daでは、ピエゾ抵抗R1~R4のうち、ピエゾ抵抗R2のみが図示されている。そして、シリコン基板2には、ピエゾ抵抗R1~R4の場合と同様の手順で、ピエゾ抵抗R1~R4のそれぞれに連続するように、中継配線P領域23が形成される。すなわち、シリコン基板2の表面上での酸化膜およびレジストマスクの形成、P型不純物イオンたとえば硼素イオン注入、酸化膜およびレジストマスクの除去、およびドライブインが順に行われる。レジストマスクは、この場合、中継配線23のパターンに対応した開口を有する。なお、ピエゾ抵抗R1~R4および中継配線23を形成する工程は、エッチングストップ層9の形成直後に行う必要はなく、以降の工程における適切な他のタイミングで実施されてもよい。次いで、図5Eaに示すように、CVD法により、シリコン基板2の表面4に、酸化シリコンSiO2からなる被覆層5が形成される。次いで、フォトリソグラフィにより、被覆層5上に、レジストパターン45が形成される。レジストパターン45は、複数の貫通孔11図2および図3a参照に対応した複数の開口46を有している。貫通孔11の断面を円形に形成するときには、それに応じて、開口46は円形に形成される。各開口46の直径は、貫通孔11と同様に、約0.5μmである。平面視において、各開口46は、ピエゾ抵抗R1~R4および各中継配線23と重ならない位置に形成される図5Eb参照。次いで、レジストパターン45をマスクとするプラズマエッチングにより、被覆層5が選択的に除去される。これにより、被覆層5に、貫通孔11に対応した開口が形成される。図5Eでは、プラズマエッチングが終了した状態が示されている。次いで、レジストパターン45をマスクとする異方性のディープRIEReactiveIonEtching:反応性イオンエッチングにより、シリコン基板2が掘り下げられる。これにより、図5Faに示すように、シリコン基板2においてレジストパターン45の各開口46換言すれば、被覆層5において選択的に除去された部分に一致する位置に貫通孔11が形成される。開口46が円形であれば、表面4の被覆層5から下方に延びる円柱凹状をなす貫通孔11が形成される。各貫通孔11は、エッチングストップ層9を貫通し、各貫通孔11の底面がエッチングストップ層9の下方に位置するように形成される。貫通孔11の形成の際、レジストパターン45が同時にエッチングされて薄膜化されていく。貫通孔11の形成後には、レジストパターン45の残った部分が剥離される。貫通孔11の形成のための深掘りRIEは、いわゆるボッシュプロセスで行ってもよい。ボッシュプロセスでは、SF6六フッ化硫黄を使用してシリコン基板2をエッチングする工程と、C4F8パーフルオロシクロブタンを使用してエッチング面に保護膜を形成する工程とが交互に繰り返される。これにより、高いアスペクト比でシリコン基板2をエッチングすることができる。次いで、図5Gaに示すように、熱酸化法またはCVD法により、シリコン基板2において各貫通孔11を区画する内面全域つまり、貫通孔11の円周面および底面および被覆層5の表面に、酸化シリコンSiO2からなる保護薄膜12が形成される。保護薄膜12の厚さは、約1000Åである。この時点では、各貫通孔11内における保護薄膜12は、貫通孔11の側壁を覆いつつエッチングストップ層9を貫通する筒状具体的には円筒状であって、貫通孔11の下端に底面部分を有している。次いで、図5Haに示すように、RIEにより、保護薄膜12における貫通孔11の底面上の部分円筒状の保護薄膜12における底面部分と被覆層5の表面上の部分とが除去される。これにより、貫通孔11の底面からシリコン基板2の結晶面が露出する。次いで、図5Iaに示すように、シリコン基板2の表面4側から各貫通孔11内にエッチング剤が導入される等方性エッチング。たとえば、プラズマエッチング等のドライエッチングを適用する場合にはエッチンガスが貫通孔11に導入される。また、ウェットエッチングを適用する場合にはエッチング液が貫通孔11に導入される。これにより、被覆層5と各貫通孔11の内側面の保護薄膜12とをマスクとして、シリコン基板2における各貫通孔11の底の周囲つまり、エッチングストップ層9より下の基板材料が等方的にエッチングされる。具体的には、各貫通孔11の底を起点として、シリコン基板2が、その厚さ方向と、厚さ方向に直交する方向とにエッチングされる。この際、エッチングストップ層9が存在することにより、エッチングストップ層9より表面4側の基板材料がエッチングされることはない。そして、等方性エッチングの結果、シリコン基板2の内部において、エッチングストップ層9の下方かつ各貫通孔11の底の周囲には、各貫通孔11に連通する基準圧室8扁平空間が形成される。同時に、エッチングストップ層9の上にダイヤフラム10が形成される。完成した基準圧室8の深さシリコン基板2の厚さ方向の寸法は、たとえば、10~15μmとなっている。また、各貫通孔11の内壁に形成された筒状の保護薄膜12において、エッチングストップ層9より下側の部分は、エッチングストップ層9から基準圧室8内に突出し、基準圧室8の底面に上から対向している。そのため、基準圧室8は、完全な円筒形状ではなく、その天面部分において、各貫通孔11の位置で内側下側に凹んでいる。そして、図5Jaに示すように、CVD法により、各貫通孔11を酸化膜で埋め尽くして閉塞する。より詳細には、貫通孔11の円周面にある保護薄膜12の内側部分における上方部に、貫通孔11を閉塞するように酸化膜が形成される。この酸化膜が、前述した充填体13である。つまり、この工程では、各貫通孔11内に充填体13が配置される。各貫通孔11が閉塞されることによって、基準圧室8が真空状態で密閉される。貫通孔11を閉塞するための酸化膜は、貫通孔11内だけにとどまらず、前述した被覆膜14として、充填体13に連続して、貫通孔11の底から基準圧室8内に至り、基準圧室8の内壁面の全域を被覆する。基準圧室8は、十分な深さ10~15μmを有しているので、被覆膜14によって埋まってしまうことはない。なお、貫通孔11の直径が小さい程、貫通孔11が速やかに閉塞されるから、被覆膜14が薄くなる。次に、集積回路領域27に集積回路部28図3b参照を形成する工程が実施される。集積回路領域27は、シリコン基板2において基準圧室8およびダイヤフラム10が形成される領域以外の領域である。まず、図5Kに示すように、シリコン基板2の被覆層5の表面に、窒化シリコンSiNからなる窒化膜48が形成される。次いで、図5Lに示すように、所定パターンのマスク図示せずを介したプラズマエッチングにより、窒化膜48が選択的に除去される。その結果、集積回路領域27になる予定の部分にだけ、窒化膜48が残る。次いで、残った窒化膜48をマスクにして、その周囲のシリコン基板2の表面部を熱酸化して窒化膜48の周りにLOCOS層29を形成する。その後、窒化膜48およびその下の被覆層5を除去して、前述したゲート酸化膜32をたとえば熱酸化法によって新たに形成する。ゲート酸化膜32が形成された状態が、図5Mbに示されている。シリコン基板2においてゲート酸化膜32が形成された領域LOCOS層29によって分離された領域が、集積回路領域27となる。次いで、集積回路領域27内のゲート酸化膜32上にポリシリコン膜が堆積される。このポリシリコン膜を、フォトリソグラフィによってパターニングすることにより、図5Nに示すように、ゲート酸化膜32上にゲート電極33が形成される。次いで、図5Obに示すように、シリコン基板2の表面上に、レジストパターン51が形成される。レジストパターン51は、集積回路領域27に対応した1つの開口52を有している。そして、シリコン基板2の表層部に、レジストパターン51およびゲート電極33をマスクとして、不純物たとえば、砒素Asのイオンが注入される。これにより、集積回路領域27におけるシリコン基板2の表層部には、ゲート電極33を挟んで対向する領域にソース30とドレイン31とが形成される。レジストパターン51が除去された後、CVD法によって、シリコン基板2の表面を覆う絶縁層6が形成される。この絶縁層6は、具体的には、図5Oaに示す被覆層5、ならびに、図5Obに示すLOCOS層29およびゲート酸化膜32を覆うように形成される。次いで、図3aに示すように、フォトリソグラフィにより、開口コンタクトホール53が、絶縁層6および被覆層5を貫通するように形成される。開口53は、ピエゾ抵抗R1~R4に連続した中継配線23の一部を露出させる位置に形成される。同時に、図3bに示すように、ソース30およびドレイン31のためのコンタクトホール54が形成される。コンタクトホール54は、絶縁層6およびゲート酸化膜32を貫通して、ソース30およびドレイン31の各一部を露出させるように形成される。なお、図示していないが、同じ工程において、ゲート電極33につながるコンタクトホールが、絶縁層6を貫通するように形成される。次いで、スパッタ法により、絶縁層6上に、アルミニウムが堆積され、アルミニウム堆積膜55が形成される。アルミニウム堆積膜55は、コンタクトホール53,54等を介して、ピエゾ抵抗R1~R4、ソース30、ドレイン31およびゲート電極33のそれぞれに接続される。次いで、フォトリソグラフィにより、アルミニウム堆積膜55上にレジストパターン図示せずが形成され、その後、このレジストパターンをマスクとするプラズマエッチングにより、アルミニウム堆積膜55が選択的に除去される。これにより、金属端子15~18および金属配線19~22が同時に形成される図2参照。また、集積回路部28のソース30、ドレイン31およびゲート電極33のそれぞれにつながる金属配線前述したソース側金属配線35やドレイン側金属配線36等や金属端子図示せずも同時に形成される。その後、このレジストパターンは、剥離される。次いで、CVD法により、絶縁層6上に、パッシベーション膜25が形成される。その後は、図3aに示すように、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、パッシベーション膜25に、金属端子15~18集積回路部28側の図示しない金属端子も含むをそれぞれパッドとして露出させる開口26が形成される。図3aでは、金属端子16を露出させる開口26を示す。また、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、パッシベーション膜25に、絶縁層6において全ての貫通孔11を包囲する領域を露出させる開口56が形成される。開口56は、たとえば、平面視において基準圧室8と相似の形状である円形とされる。以上により、図2および図3に示す第1の実施形態の圧力センサ1が得られる。パッシベーション膜25に開口56を形成して開口56からダイヤフラム10を露出させるのは、ダイヤフラム10を撓みやすくするためである。ダイヤフラム10上にパッシベーション膜25が存在すると、ダイヤフラム10が撓みにくくなり、圧力センサ1の感度が下がる。第1の実施形態によれば、図5Iaに示すように、シリコン基板2において、エッチングストップ層9の下では、貫通孔11内に導入されたエッチング剤で基板材料がエッチングされる。これによって、エッチングストップ層9の下に基準圧室8が形成される一方で、エッチングストップ層9の上にダイヤフラム10が形成される。この際、ダイヤフラム10は、エッチングストップ層9によって、基準圧室8に導入されるエッチング剤から遮断される。これにより、ダイヤフラム10がエッチングされることがないので、ダイヤフラム10の厚さを、正確に狙いの厚さにすることができる。そのため、感度の向上を図れるとともに感度のばらつきを抑えることができる圧力センサ1図3a参照を簡単に製造することができる。また、この実施形態によれば、2枚のシリコン基板2を接合しなくても、シリコン基板2を1枚だけ用いた少ない工程で基準圧室8およびダイヤフラム10を形成することができるので、低コストかつ小型な薄い圧力センサ1を簡単に製造することができる。特に、2枚のシリコン基板2を接合することで圧力センサ1を構成する場合には、2枚のシリコン基板2の接合部分においてリークが生じやすい。これに対して、本実施形態では、可動部品であるダイヤフラム10がシリコン基板2の一部であることから、基準圧室8は、リークが生じない密閉空間に維持できるので、信頼性の高い圧力センサ1を提供できる。また、図5Jaに示すように、貫通孔11内に充填体13を配置することによって、エッチングストップ層9の下の基準圧室8を密閉することができる。これにより、完成した圧力センサ1図3a参照では、ダイヤフラム10が受ける圧力を基準圧室8内の圧力基準圧力に対する相対的な大きさとして検出することができる。また、図5Iaに示すように、貫通孔11の側壁に保護薄膜12が形成されているので、エッチング工程で貫通孔11内に導入されたエッチング剤が貫通孔11の側壁をエッチングしてしまうことを防止できる。そして、貫通孔11の下端側におけるシリコン基板2の材料を等方性エッチングすると、貫通孔11の側壁を覆って円筒状になった保護薄膜12が、エッチングストップ層9から基準圧室8内に突出する。これにより、エッチングストップ層9の上のダイヤフラム10が基準圧室8の内方へ大きく撓んだときに、保護薄膜12が基準圧室8の底面に当接して、ダイヤフラム10の過大な変形を規制する。そのため、ダイヤフラム10の損傷を防止できる。また、図3bに示すように、集積回路領域27に集積回路部28を形成することにより、圧力センサ1および集積回路部28を同一のシリコン基板2詳しくは、図1の各矩形領域3に一度に形成することができる。特に、ダイヤフラム10を、シリコン基板2の一部を用いて構成していることから、シリコン基板2の表面4が平坦な状態を維持しつつ圧力センサ1を形成しているので図3a参照、各矩形領域3の平坦な表面4において、ダイヤフラム10以外の領域に、集積回路部28を併せて形成することができる。これにより、圧力センサ1の本体部分ダイヤフラム10が形成された部分と集積回路部28LSIとを1チップで構成すること1チップ化が可能となる図2参照。集積回路部28は、たとえば、ピエゾ抵抗からの出力信号を処理する回路を含んでいてもよい。2第2の実施形態次に、第2の実施形態について説明するが、第2の実施形態において、第1の実施形態で説明した部分と対応する部分には、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。また、第2の実施形態の圧力センサ1の製造工程に関し、第1の実施形態で説明した製造工程と同じものについては、詳細な説明を省略する。図6aは、第2の実施形態に係る圧力センサの拡大平面図であり、図6bは、図6aの切断面線B-Bにおける断面図である。第2の実施形態に係る圧力センサ1では、第1の実施形態の構成図3a参照に加えて、図6に示すように、ダイヤフラム10の周囲を取り囲む分離層60分離絶縁層が備えられている。分離層60は、平面視でダイヤフラム10を区画する円環状の縦壁であり図6a参照、図6bに示すように、分離層60の内周縁とダイヤフラム10の輪郭Lとは一致している。分離層60は、シリコン基板2の表面4の被覆層5から連続して、基準圧室8の底面よりも深い位置までシリコン基板2内に延びている。そのため、分離層60は、ダイヤフラム10だけでなく、基準圧室8も区画している。また、分離層60は、その縦方向シリコン基板2の厚さ方向における途中位置でエッチングストップ層9につながっている。エッチングストップ層9を基準とすると、エッチングストップ層9は、分離層60の内部を縦方向において二分するように分離層60につながっている。そのため、シリコン基板2の厚さ方向におけるダイヤフラム10エッチングストップ層9も含むの下側に基準圧室8が存在し、当該厚さ方向に直交する方向におけるダイヤフラム10の外側に分離層60が存在するので、ダイヤフラム10は、シリコン基板2における他の部分から分離されている。図7A~図7Rは、図6に示す圧力センサの製造工程を示す。ここで、図7A~図7Rのそれぞれにおいて、断面図が2つ示されている場合、上側の断面図は、図6bと同じ位置での切断面を示し、下側の断面図は、図3bと同じ位置での切断面を示す。第2の実施形態の圧力センサ1を製造するには、図7Aに示すように、シリコン基板2が準備され、図5Aで説明したように、シリコン基板2の表面4に酸化膜40が形成される。次いで、図7Bを参照して、図5Bで説明したように、レジストパターン41をマスクとして、シリコン基板2の表層部に不純物イオンが注入される。次いで、図7Cを参照して、図5Cで説明したように、エピタキシャル成長が行われて、エッチングストップ層9がシリコン基板2の表面4から所定の深さの位置に形成される。ここで、前述したように、インプランテーションの加速電圧が高かった場合には、エピタキシャル成長の代わりに、ドライブインのみが行われてもよい。次いで、図7Dを参照して、シリコン基板2の表面4に、酸化膜43が形成され、フォトリソグラフィにより、酸化膜43上に、図示しないレジストパターンが形成される。このレジストパターンは、分離層60図6参照に対応した円環状の開口を有している。次いで、このレジストパターン図示せずをマスクとするプラズマエッチングにより、酸化膜43が選択的に除去される。図7Dでは、プラズマエッチングが終了した状態が示されており、酸化膜43には、円環状の開口62が形成されている。次いで、酸化膜43をマスクとする異方性のディープRIEにより、シリコン基板2が掘り下げられ、図7Eに示すように、シリコン基板2に環状トレンチ61が形成される。環状トレンチ61は、円環状の縦溝であり、エッチングストップ層9の外側周縁部を全周に亘って削り取っている。エッチングストップ層9がある領域に貫通孔11が形成されるから図6b参照、環状トレンチ61は、シリコン基板2の表面4において貫通孔11が形成される予定の領域を取り囲むように形成される。さらに、環状トレンチ61は、シリコン基板2において基準圧室8の底面となる予定の部分図6b参照より深くなるように形成される。次いで、図7Fに示すように、CVD法により、環状トレンチ61が、酸化膜で埋め尽くされる。環状トレンチ61内にある酸化膜が、前述した分離層60である。つまり、この工程において、環状トレンチ61に分離層60が埋め込まれる。この際、環状トレンチ61から酸化膜がはみ出ることによって、酸化膜43の表面に凹凸ができるが、レジストエッチバック法により、酸化膜43の表面が平坦化される。その後の工程は、第1の実施形態の図5D以降の工程と同じである。つまり、まず、図7Gを参照して、図5Dで説明したように、シリコン基板2の表層部に、ピエゾ抵抗R1~R4および中継配線23が形成される。ピエゾ抵抗R1~R4および中継配線23の形成が完了した時点では、酸化膜43前述したマスク44も含むは、除去されている。なお、ピエゾ抵抗R1~R4および中継配線23を形成する工程は、エッチングストップ層9の形成直後に行う必要はなく、以降の工程における適切な他のタイミングで実施されてもよい。次いで、図7Hに示すように、図5Eで説明したように、CVD法により、シリコン基板2の表面4に被覆層5が形成され、その後、フォトリソグラフィによって被覆層5上に形成されたレジストパターン45をマスクとするプラズマエッチングにより、被覆層5が選択的に除去される。図7Hでは、プラズマエッチングが終了した状態が示されている。次いで、図5Fで説明したように、レジストパターン45をマスクとする異方性のディープRIEによってシリコン基板2が掘り下げられ、図7Iaに示すように、エッチングストップ層9を貫通する貫通孔11が形成されるとともに、レジストパターン45の残った部分が剥離される。次いで、図5Gで説明したように、熱酸化法またはCVD法により、図7Jaに示すように、貫通孔11の円周面および底面および被覆層5の表面に保護薄膜12が形成される。次いで、図5Hで説明したように、図7Kaに示すように、RIEにより、保護薄膜12における貫通孔11の底面上の部分と被覆層5の表面上の部分とが除去される。次いで、図5Iで説明したように、図7Laに示すように、等方性エッチングによって、シリコン基板2の内部において、エッチングストップ層9の下方かつ各貫通孔11の底の周囲には基準圧室8が形成されるとともに、エッチングストップ層9の上にダイヤフラム10が形成される。ここで、エッチングストップ層9が存在することにより、エッチングストップ層9より表面4側の基板材料がエッチングされることはないが、分離層60が存在することから、シリコン基板2の厚さ方向に直交する方向において分離層60より外側の基板材料がエッチングされることもない。次いで、図5Jで説明したように、図7Maに示すように、各貫通孔11に充填体13が配置されるとともに、被覆膜14によって、基準圧室8の内壁面の全域が被覆される。次に、集積回路領域27に集積回路部28図3b参照を形成する工程が実施される。まず、図5Kで説明したように、図7Nに示すように、シリコン基板2の被覆層5の表面に窒化膜48が形成される。次いで、図5Lで説明したように、図7Oに示すように、所定パターンのマスク図示せずを介したプラズマエッチングにより、集積回路領域27になる予定の部分にだけ、窒化膜48が残る。次いで、図5Mで説明したように、図7Pbに示すように、LOCOS層29が形成され、その後、ゲート酸化膜32が形成される。次いで、図5Nで説明したように、図7Qに示すように、ゲート酸化膜32上にゲート電極33が形成される。次いで、図5Oで説明したように、図7Rbに示すように、集積回路領域27におけるシリコン基板2の表層部に、ソース30とドレイン31とが形成される。その後、絶縁層6が形成され、図3で説明したように、図6に示すように、金属端子15~18および金属配線19~22図6a参照が同時に形成される。同時に、集積回路部28のソース30、ドレイン31およびゲート電極33のそれぞれにつながる金属配線前述したソース側金属配線35やドレイン側金属配線36等であり、図3b参照や金属端子図示せずも形成される。また、絶縁層6上にパッシベーション膜25が形成され、パッシベーション膜25に、金属端子15~18集積回路部28側の図示しない金属端子も含むをそれぞれパッドとして露出させる開口26と開口56とが形成される図6b参照。以上により、第2の実施形態の圧力センサ1が得られる。第2の実施形態によれば、第1の実施形態で説明した効果に加えて、以下の効果を奏することができる。つまり、エッチング工程図7J~図7L参照では、シリコン基板2の厚さ方向に直交する方向において、ダイヤフラム10および基準圧室8が分離層60によって区画されて形成されるので、ダイヤフラム10を、狙った寸法で精度良く形成することができる。そのため、感度の向上を図れるとともに感度のばらつきを抑えることができる圧力センサ1を製造することができる。また、基準圧室8のエッチングが分離層60で停止することにより、ダイヤフラム10だけでなく、基準圧室8も、シリコン基板2の厚さ方向に直交する方向において、狙った寸法で精度良く形成することができる。3第3の実施形態次に、第3の実施形態について説明するが、第3の実施形態において、第1の実施形態で説明した部分と対応する部分には、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。また、第3の実施形態の圧力センサ1の製造工程に関し、第1の実施形態で説明した製造工程と同じものについては、詳細な説明を省略する。図8aは、第3の実施形態に係る圧力センサの拡大平面図であり、図8bは、図8aの切断面線C-Cにおける断面図である。第3の実施形態に係る圧力センサ1では、第1の実施形態の構成図3a参照に加えて、図8bに示すように、基準圧室8の底面を区画する位置エッチングストップ層9よりも深い位置に第2のエッチングストップ層70が備えられている。ここで、基準圧室8の底面は、基準圧室8の内壁面においてエッチングストップ層9に下から対向する面である。第2のエッチングストップ層70は、エッチングストップ層9説明の便宜上、以下では、第1のエッチングストップ層9というと同じ大きさの平面視円形状である。第1のエッチングストップ層9と第2のエッチングストップ層70とは、基準圧室8の上下方向寸法深さに相当する間隔を隔てて上下に対向している。図9A~図9Qは、図8に示す圧力センサの製造工程を示す。ここで、図9A~図9Qのそれぞれにおいて、断面図が2つ示されている場合、上側の断面図は、図8bと同じ位置での切断面を示し、下側の断面図は、図3bと同じ位置での切断面を示す。第3の実施形態の圧力センサ1を製造するには、図9Aに示すように、シリコン基板2が準備され、図5Aで説明したように、シリコン基板2の表面4に酸化膜40が形成される。次いで、図9Bを参照して、図5Bで説明したように、レジストパターン41をマスクとして、シリコン基板2の表層部に不純物イオン酸素イオンまたは窒素イオンが注入される。次いで、図9Cを参照して、図5Cで説明したように、エピタキシャル成長が行われる。このとき、第2のエッチングストップ層70がシリコン基板2の表面4から所定の深さの位置に形成される。第2のエッチングストップ層70が形成される位置は、シリコン基板2において基準圧室8の底面が形成される予定の深さたとえば、表面4から10~17μmの深さの位置である図8b参照。次いで、図9Dを参照して、新たに設けたレジストパターン41をマスクとして、再度、シリコン基板2の表層部第2のエッチングストップ層70よりも表面4側の部分に不純物イオン酸素イオンまたは窒素イオンが注入される。次いで、図9Eを参照して、再び、エピタキシャル成長が行われる。このとき、シリコン基板2では、第2のエッチングストップ層70よりも表面4側であって表面4から所定の深さたとえば、0.5~1μmの位置に、第1のエッチングストップ層9が形成される。ここで、前述したように、インプランテーションの加速電圧が高かった場合には、エピタキシャル成長の代わりに、ドライブインのみが行われてもよい。ただし、第1のエッチングストップ層9を形成する場合、および、第2のエッチングストップ層70を形成する場合のいずれにおいてもドライブインのみを行うのであれば、第2のエッチングストップ層70を形成するためのインプランテーションの加速電圧を、第1のエッチングストップ層9を形成するためのインプランテーションの加速電圧よりも高くする必要がある。そうすれば、シリコン基板2内では、第1のエッチングストップ層9よりも深い位置に第2のエッチングストップ層70が位置するように、それぞれのエッチングストップ層が形成される。その後の工程は、第1の実施形態の図5D以降の工程と同じである。つまり、まず、図9Fを参照して、図5Dで説明したように、シリコン基板2の表層部に、ピエゾ抵抗R1~R4および中継配線23が形成される。ピエゾ抵抗R1~R4および中継配線23の形成が完了した時点では、酸化膜43前述したマスク44も含むは、除去されている。なお、ピエゾ抵抗R1~R4および中継配線23を形成する工程は、エッチングストップ層9,70の形成直後に行う必要はなく、以降の工程における適切な他のタイミングで実施されてもよい。次いで、図9Gに示すように、図5Eで説明したように、CVD法により、シリコン基板2の表面4に被覆層5が形成され、その後、フォトリソグラフィによって被覆層5上に形成されたレジストパターン45をマスクとするプラズマエッチングにより、被覆層5が選択的に除去される。図9Gでは、プラズマエッチングが終了した状態が示されている。次いで、図5Fで説明したように、レジストパターン45をマスクとする異方性のディープRIEによってシリコン基板2が掘り下げられ、図9Haに示すように、第1のエッチングストップ層9を貫通する貫通孔11が形成されるとともに、レジストパターン45の残った部分が除去される。ここで、各貫通孔11の底面は、第1のエッチングストップ層9と第2のエッチングストップ層70との間の深さの位置にある。次いで、図5Gで説明したように、熱酸化法またはCVD法により、図9Iaに示すように、貫通孔11の円周面および底面および被覆層5の表面に保護薄膜12が形成される。次いで、図5Hで説明したように、図9Jaに示すように、RIEにより、保護薄膜12における貫通孔11の底面上の部分と被覆層5の表面上の部分とが除去される。次いで、図5Iで説明したように、図9Kaに示すように、等方性エッチングによって、シリコン基板2の内部において、第1のエッチングストップ層9と第2のエッチングストップ層70との間かつ各貫通孔11の底の周囲には基準圧室8が形成される。同時に、第1のエッチングストップ層9の上にダイヤフラム10が形成される。ここで、第1のエッチングストップ層9が存在することにより、第1のエッチングストップ層9より表面4側の基板材料がエッチングされることはないが、第2のエッチングストップ層70が存在することから、第2のエッチングストップ層70より裏面7側の基板材料がエッチングされることもない。次いで、図5Jで説明したように、図9Laに示すように、各貫通孔11に充填体13が配置されるとともに、被覆膜14によって、基準圧室8の内壁面の全域が被覆される。次に、集積回路領域27に集積回路部28図3b参照を形成する工程が実施される。まず、図5Kで説明したように、図9Mに示すように、シリコン基板2の被覆層5の表面に窒化膜48が形成される。次いで、図5Lで説明したように、図9Nに示すように、所定パターンのマスク図示せずを介したプラズマエッチングにより、集積回路領域27になる予定の部分にだけ、窒化膜48が残る。次いで、図5Mで説明したように、図9Obに示すように、LOCOS層29が形成され、その後、ゲート酸化膜32が形成される。次いで、図5Nで説明したように、図9Pに示すように、ゲート酸化膜32上にゲート電極33が形成される。次いで、図5Oで説明したように、図9Qbに示すように、集積回路領域27におけるシリコン基板2の表層部に、ソース30とドレイン31とが形成される。その後、絶縁層6が形成され、図3で説明したように、図8に示すように、金属端子15~18および金属配線19~22図8a参照が同時に形成される。同時に、集積回路部28のソース30、ドレイン31およびゲート電極33のそれぞれにつながる金属配線前述したソース側金属配線35やドレイン側金属配線36等であり、図3b参照や金属端子図示せずも形成される。また、絶縁層6上にパッシベーション膜25が形成され、パッシベーション膜25に、金属端子15~18集積回路部28側の図示しない金属端子も含むをそれぞれパッドとして露出させる開口26と開口56とが形成される図8b参照。以上により、第3の実施形態の圧力センサ1が得られる。第3の実施形態によれば、第1の実施形態で説明した効果に加えて、以下の効果を奏することができる。つまり、エッチング工程図9I~図9Kでは、シリコン基板2の厚さ方向において、基準圧室8が、第1のエッチングストップ層9と第2のエッチングストップ層70とによって区画されて形成されるので、基準圧室8を、狙った深さ寸法で精度良く形成することができる。4第4の実施形態次に、第4の実施形態について説明するが、第4の実施形態において、第1~第3の実施形態で説明した部分と対応する部分には、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。また、第4の実施形態の圧力センサ1の製造工程に関し、第1~第3の実施形態で説明した製造工程と同じものについては、詳細な説明を省略する。図10aは、第4の実施形態に係る圧力センサの拡大平面図であり、図10bは、図10aの切断面線D-Dにおける断面図である。第4の実施形態に係る圧力センサ1では、第1の実施形態の構成図3a参照に加えて、図10に示すように、第2の実施形態の分離層60と、第3の実施形態の第2のエッチングストップ層70とが備えられている。分離層60は、第2のエッチングストップ層70よりも深い位置までシリコン基板2内に延びている。そのため、分離層60は、その縦方向シリコン基板2の厚さ方向における途中位置で第1のエッチングストップ層9につながっているとともに、その下端部において第2のエッチングストップ層70にもつながっている。第2のエッチングストップ層70は、分離層60の内部に下から蓋をするように分離層60につながっている。そのため、ダイヤフラム10は、シリコン基板2における他の部分から分離されている。また、基準圧室8は、第1のエッチングストップ層9および第2のエッチングストップ層70によって、シリコン基板2の厚さ方向において区画され、さらに、その厚さ方向に直交する方向において分離層60によって区画されている。図11A~図11Tは、図10に示す圧力センサの製造工程を示す。ここで、図11A~図11Tのそれぞれにおいて、断面図が2つ示されている場合、上側の断面図は、図10bと同じ位置での切断面を示し、下側の断面図は、図3bと同じ位置での切断面を示す。第4の実施形態の圧力センサ1を製造するには、図11Aに示すように、シリコン基板2が準備され、図9Aで説明したように、シリコン基板2の表面4に酸化膜40が形成される。次いで、図11Bを参照して、図9Bで説明したように、レジストパターン41をマスクとして、シリコン基板2の表層部に不純物イオンが注入される。次いで、図11Cを参照して、図9Cで説明したように、第2のエッチングストップ層70がシリコン基板2の表面4から所定の深さの位置に形成される。次いで、図11Dを参照して、図9Dで説明したように、新たに設けたレジストパターン41をマスクとして、再度、シリコン基板2の表層部に不純物イオンが注入される。次いで、図11Eを参照して、図9Eで説明したように、第2のエッチングストップ層70よりも表面4側であって表面4から所定の深さの位置に、第1のエッチングストップ層9が形成される。次いで、図11Fを参照して、図7Dで説明したように、シリコン基板2の表面4に酸化膜43が形成され、フォトリソグラフィにより、酸化膜43上に、図示しないレジストパターンが形成される。このレジストパターンは、分離層60図10参照に対応した円環状の開口を有している。次いで、このレジストパターン図示せずをマスクとするプラズマエッチングにより、酸化膜43が選択的に除去され、酸化膜43には、環状の開口62が形成される。図11Fでは、プラズマエッチングが終了した状態が示されている。次いで、図7Eで説明したように、酸化膜43をマスクとする異方性のディープRIEにより、シリコン基板2が掘り下げられ、図11Gaに示すように、環状トレンチ61が形成される。環状トレンチ61は、第2のエッチングストップ層70よりも深く、第1のエッチングストップ層9および第2のエッチングストップ層70のそれぞれの外側周縁部を全周に亘って削り取っている。次いで、図7Fで説明したように、図11Haで示すように、環状トレンチ61が、酸化膜で埋め尽くされ、環状トレンチ61に分離層60が埋め込まれる。また、前述したように、レジストエッチバック法により、酸化膜43の表面が平坦化される。その後の工程は、第1の実施形態の図5D以降の工程と同じである。つまり、まず、図11Iを参照して、図5Dで説明したように、シリコン基板2の表層部に、ピエゾ抵抗R1~R4および中継配線23が形成される。ピエゾ抵抗R1~R4および中継配線23の形成が完了した時点では、酸化膜43前述したマスク44も含むは、除去されている。なお、ピエゾ抵抗R1~R4および中継配線23を形成する工程は、エッチングストップ層9,70の形成直後に行う必要はなく、以降の工程における適切な他のタイミングで実施されてもよい。次いで、図11Jに示すように、図5Eで説明したように、CVD法により、シリコン基板2の表面4に被覆層5が形成され、その後、フォトリソグラフィによって被覆層5上に形成されたレジストパターン45をマスクとするプラズマエッチングにより、被覆層5が選択的に除去される。図11Jでは、プラズマエッチングが終了した状態が示されている。次いで、図5Fで説明したように、レジストパターン45をマスクとする異方性のディープRIEによってシリコン基板2が掘り下げられ、図11Kaに示すように、第1のエッチングストップ層9を貫通する貫通孔11が形成されるとともに、レジストパターン45の余った部分が除去される。ここで、各貫通孔11の底面は、第1のエッチングストップ層9と第2のエッチングストップ層70との間の深さの位置にある。次いで、図5Gで説明したように、熱酸化法またはCVD法により、図11Laに示すように、貫通孔11の円周面および底面および被覆層5の表面に保護薄膜12が形成される。次いで、図5Hで説明したように、図11Maに示すように、RIEにより、保護薄膜12における貫通孔11の底面上の部分と被覆層5の表面上の部分とが除去される。次いで、図5Iで説明したように、図11Naに示すように、等方性エッチングによって、シリコン基板2の内部において、第1のエッチングストップ層9と第2のエッチングストップ層70との間かつ各貫通孔11の底の周囲には基準圧室8が形成される。同時に、第1のエッチングストップ層9の上にダイヤフラム10が形成される。ここで、第1のエッチングストップ層9が存在することにより、第1のエッチングストップ層9より表面4側の基板材料がエッチングされることはないが、第2のエッチングストップ層70が存在することから、第2のエッチングストップ層70より裏面7側の基板材料がエッチングされることもない。さらに、分離層60が存在することから、シリコン基板2の厚さ方向に直交する方向において分離層60より外側の基板材料がエッチングされることもない。次いで、図5Jで説明したように、図11Oaに示すように、各貫通孔11に充填体13が配置されるとともに、被覆膜14によって、基準圧室8の内壁面の全域が被覆される。次に、集積回路領域27に集積回路部28図3b参照を形成する工程が実施される。まず、図5Kで説明したように、図11Pに示すように、シリコン基板2の被覆層5の表面に窒化膜48が形成される。次いで、図5Lで説明したように、図11Qに示すように、所定パターンのマスク図示せずを介したプラズマエッチングにより、集積回路領域27になる予定の部分にだけ、窒化膜48が残る。次いで、図5Mで説明したように、図11Rbに示すように、LOCOS層29が形成され、その後、ゲート酸化膜32が形成される。次いで、図5Nで説明したように、図11Sに示すように、ゲート酸化膜32上にゲート電極33が形成される。次いで、図5Oで説明したように、図11Tbに示すように、集積回路領域27におけるシリコン基板2の表層部に、ソース30とドレイン31とが形成される。その後、絶縁層6が形成され、図3で説明したように、図10に示すように、金属端子15~18および金属配線19~22図10a参照が同時に形成される。同時に、集積回路部28のソース30、ドレイン31およびゲート電極33のそれぞれにつながる金属配線前述したソース側金属配線35やドレイン側金属配線36等であり、図3b参照や金属端子図示せずも形成される。また、絶縁層6上にパッシベーション膜25が形成され、パッシベーション膜25に、金属端子15~18集積回路部28側の図示しない金属端子も含むをそれぞれパッドとして露出させる開口26と開口56とが形成される図10b参照。以上により、第4の実施形態の圧力センサ1が得られる。第4の実施形態によれば、第1~第3の実施形態で得られる効果を奏することができる。特に、基準圧室8を、シリコン基板2の厚さ方向、および、厚さ方向に直交する方向のそれぞれにおいて、狙った寸法で形成することができる。5第5の実施形態図12は、第5の実施形態に係る圧力センサの拡大平面図である。図13aは、第5の実施形態の圧力センサの場合における、図12の切断面線A-Aにおける断面図であり、図13bは、図12の集積回路領域における圧力センサの要部断面図である。図13aに示すように、個々の圧力センサ1は、矩形領域3に相当する大きさのシリコン基板2を含んでいる。シリコン基板2の表面4は、被覆層5で被覆されている。さらに、被覆層5の表面には、絶縁層6が形成されている。被覆層5および絶縁層6は、たとえば、いずれも、酸化シリコンSiO2からなる。シリコン基板2の裏面7は、露出面である。シリコン基板2の内部には、基準圧室8が形成されている。基準圧室8は、この実施形態では、シリコン基板2の表面4および裏面7に平行に広がり、かつ上下方向シリコン基板2の厚さ方向の高さが低い扁平な空洞扁平空間である。つまり、基準圧室8は、表面4および裏面7に平行な方向における寸法が、高さ方向における寸法よりも大きくなっている。基準圧室8は、各圧力センサ1に1つずつ形成されている。基準圧室8は、この実施形態では、平面視円形状立体的には、円筒状に形成されている。シリコン基板2の内部には、基準圧室8を上側表面4側から区画する平面視円形の絶縁層をなす第1のエッチングストップ層9が形成されている。第1のエッチングストップ層9の直径は、基準圧室8の直径とほぼ同じである。基準圧室8がシリコン基板2内に形成されていることにより、シリコン基板2の表面4側は、基準圧室8と対向する部分エッチングストップ層9も含むが残余部分よりも薄膜化されている。これにより、シリコン基板2は、基準圧室8に対して表面4側に、平面視円形状のダイヤフラム10を有している。ダイヤフラム10は、基準圧室8との対向方向シリコン基板2の厚さ方向に変位可能な薄膜である。ダイヤフラム10は、シリコン基板2の一部であり、基準圧室8を上から区画するようにシリコン基板2の表層部に形成されている。第1のエッチングストップ層9は、基準圧室8の内壁面のうち、ダイヤフラム10の基準圧室8への対向面である天井面に形成されており、ダイヤフラム10の一部をなしている。基準圧室8の内壁面において、底面は、前記天井面に対して下から対向する。ダイヤフラム10の直径は、基準圧室8の直径とほぼ同じで、この実施形態では、200~600μmである。また、ダイヤフラム10の厚みは、たとえば、0.5~1μmである。ただし、図13aでは、構造を明瞭に表すために、ダイヤフラム10の厚みを誇張して描いてある。ダイヤフラム10は、シリコン基板2における他の部分残余部分11という。に一体的に支持されている。この実施形態では、ダイヤフラム10は、平面視において矩形領域3の略中央に配置されている図12参照。シリコン基板2には、ダイヤフラム10の周囲を取り囲む分離絶縁層12が形成されている。分離絶縁層12は、平面視でダイヤフラム10を区画する円環状の縦壁であり、分離絶縁層12の内周縁とダイヤフラム10の輪郭Lとは一致している図12参照。分離絶縁層12は、シリコン基板2の表面4の被覆層5から連続して、基準圧室8の底面よりも深い位置までシリコン基板2内に延びている。分離絶縁層12は、シリコン基板2の厚さ方向に対する直交方向において、基準圧室8およびダイヤフラム10を区画している。シリコン基板2の厚さ方向におけるダイヤフラム10の下側に基準圧室8が存在し、当該厚さ方向に直交する方向におけるダイヤフラム10の外側に分離絶縁層12が存在するので、ダイヤフラム10は、シリコン基板2における他の部分残余部分11から絶縁分離されている。ダイヤフラム10には、平面視円形の貫通孔13が、ダイヤフラム10の輪郭L換言すれば、分離絶縁層12の内周縁よりも内側の全域にわたって、所定の等間隔を隔てて多数形成されている図12参照。この実施形態では、複数の貫通孔13は、平面視において交差する2方向に沿って行列状に規則配列されている。全ての貫通孔13は、シリコン基板2における表面4の被覆層5と基準圧室8との間の部分被覆層5および第1のエッチングストップ層9も含むを貫通し、基準圧室8に連通している。各貫通孔13の直径は、この実施形態では、たとえば、0.5μmである。また、各貫通孔13の深さは、この実施形態では、たとえば、2~7μmである。貫通孔13の内壁面は、酸化シリコンSiO2からなる保護薄膜14側壁絶縁層で被覆されている。全ての貫通孔13において、保護薄膜14の内側にはCVDChemicalVaporDeposition:化学的気相成長法によって形成された酸化シリコンSiO2からなる酸化膜が充填されて埋め込まれている。これにより、全ての貫通孔13が酸化膜の充填体15埋め込み材により閉塞されていて、貫通孔13の下方の基準圧室8は、その内部圧力が圧力検出の際の基準とされる基準圧室として密閉されている。基準圧室8は、この実施形態では、真空または減圧状態たとえば、10-5Torrに保持されている。貫通孔13に充填された酸化膜は、貫通孔13の各上方部において各貫通孔13を閉塞する充填体15をなしている。この酸化膜は、さらに、充填体15の下部に連続する被覆膜16をなしている。被覆膜16は、基準圧室8内に至り、基準圧室8の内壁面の全域を被覆している。個々の圧力センサ1において、ダイヤフラム10には、第1金属配線17第1配線が接続され、シリコン基板2において分離絶縁層12によってダイヤフラム10から絶縁分離された残余部分11には、第2金属配線18第2配線が接続されている。第1金属配線17および第2金属配線18は、この実施形態ではアルミニウムAlからなり、絶縁層6上に設けられている。第1金属配線17は、絶縁層6および被覆層5を貫通して、ダイヤフラム10に接続されている。第2金属配線18は、絶縁層6および被覆層5を貫通して、残余部分11に接続されている。図12に示すように、第1金属配線17には、第1金属端子19が接続されており、第2金属配線18には、第2金属端子20が接続されている。第1金属端子19および第2金属端子20は、この実施形態ではアルミニウムAlからなり、絶縁層6上に形成されている図13a参照。第1金属端子19は、平面視において、矩形領域3の四隅のいずれかに配置されている。第2金属端子20は、矩形領域3の一辺の長手方向略中央位置の近傍に配置されている。第1金属配線17は、ダイヤフラム10の径方向に沿って直線状に延び、矩形領域3の外周縁の周辺で略直角に折れ曲って、矩形領域3の外周縁に沿って直線状に延びて、第1金属端子19に接続されている。第2金属配線18は、ダイヤフラム10の径方向に沿って直線状に延びて、第2金属端子20に接続されている。図13aに示すように、第1金属配線17、第2金属配線18、第1金属端子19および第2金属端子20は、窒化シリコンSiNからなるパッシベーション膜21により被覆されている。ただし、第1金属端子19は、図13aの切断面には表れていない。パッシベーション膜21には、第1金属端子19および第2金属端子20をそれぞれパッドとして露出させる開口22が形成されている。図12では、パッシベーション膜21の図示が省略されている。この圧力センサ1では、ダイヤフラム10が可動電極となって、残余部分11において、基準圧室8を挟んでダイヤフラム10に下から対向する部分が固定電極11Aとなるキャパシタ構造コンデンサが構成されている。ダイヤフラム10と固定電極11Aとは、分離絶縁層12によって絶縁されている。そして、第1金属端子19および第2金属端子20のそれぞれにバイアス電圧が与えられ、可動電極ダイヤフラム10と固定電極11Aとの電位差が一定になっている。ここで、ダイヤフラム10がシリコン基板2の表面4側から圧力たとえば、気体圧力を受けると、基準圧室8の内部と外部との間に差圧が生じることによってダイヤフラム10がシリコン基板2の厚さ方向に変位する。これに伴い、ダイヤフラム10と固定電極11Aとの間隔基準圧室8の深さが変化し、ダイヤフラム10と固定電極11Aとの間の静電容量が変化する。この静電容量の変化に基づいて、圧力センサ1に生じた圧力の大きさを検出することができる。つまり、この圧力センサ1は、静電容量型圧力センサである。図12を参照して、シリコン基板2の各矩形領域3において、その外周縁詳しくは、第1金属配線17において矩形領域3の外周縁に沿って直線状に延びている部分とダイヤフラム10との間には、集積回路領域272点鎖線で囲まれた領域が設けられている。集積回路領域27は、平面視でダイヤフラム10を取り囲む略矩形の環状領域である。集積回路領域27には、トランジスタや抵抗その他の集積回路デバイス機能素子を含む集積回路部28が形成されている。すなわち、この圧力センサ1は、ダイヤフラム10等が形成されたシリコン基板2上に形成された集積回路部28を含んでいる。具体的には、図13bに示すように、集積回路領域27は、LOCOS層29によってシリコン基板2の他の領域から絶縁分離されている。集積回路領域27におけるシリコン基板2の表層部には、ソース30とドレイン31とが形成されており、シリコン基板2の表面4において集積回路領域27に相当する部分には、ゲート酸化膜32が、ソース30とドレイン31とに跨って形成されている。ゲート酸化膜32上には、ゲート電極33が、ソース30とドレイン31との間の部分チャンネルが形成される部分と対向するように形成されている。LOCOS層29およびゲート酸化膜32の上には、ゲート電極33を覆うように、絶縁層6が形成されている。そして、絶縁層6の表面には、ソース側金属配線35と、ドレイン側金属配線36とが設けられている。ソース側金属配線35は、絶縁層6およびゲート酸化膜32を貫通してソース30に接続されている。ドレイン側金属配線36は、絶縁層6およびゲート酸化膜32を貫通してドレイン31に接続されている。絶縁層6の表面には、ソース側金属配線35およびドレイン側金属配線36を覆うように、パッシベーション膜21が形成されている。ここでは、集積回路領域27に配置された構成要素群を集積回路部28と呼ぶ。図14A~図14Qは、第5の実施形態の圧力センサの製造工程を示す。図14A~図14Qのそれぞれにおいて、断面図が2つ示されている場合、上側の断面図は、図13aと同じ位置での切断面を示し、下側の断面図は、図13bと同じ位置での切断面を示す。圧力センサ1を製造するには、図14Aに示すように、シリコン基板2ウエハが準備される。この時点でのシリコン基板2の厚さは、この実施形態では、約300μmである。具体的には、直径が6インチで厚さが約625μmのシリコン基板2、または、直径が8インチで厚さが約725μmのシリコン基板2のいずれかを選択して、300μmまで薄くした後の状態が、図14Aに示されている。次いで、熱酸化法またはCVD法により、シリコン基板2の表面4に、数百Åの厚さの酸化膜40が形成される。次いで、図14Baに示すように、酸化膜40上に、フォトリソグラフィにより、レジストパターン41が形成される。レジストパターン41は、第1のエッチングストップ層9図13a参照に対応した1つの丸い開口42を有している図14Bb参照。そして、シリコン基板2の表層部図14Baにおいて×を付けた部分に、レジストパターン41をマスクとして、不純物たとえば、窒素Nイオンや酸素Oイオンが打ち込まれるイオン注入。インプランテーション。イオン注入の際の加速電圧は、たとえば、50~120keV程度とすればよい。酸化膜40は、イオン注入による表面4の損傷を抑制する。次いで、酸化膜40およびレジストパターン41が除去された後に、シリコン基板2の表面4に半導体層をエピタキシャル成長させる処理が行われる。エピタキシャル成長時にはシリコン基板2が加熱されるので、シリコン基板2に注入された不純物イオンが活性化する。これにより、図14Caに示すように、酸化シリコンSiO2または窒化シリコンSiNからなる第1のエッチングストップ層9が、シリコン基板2の表面4から所定の深さの位置に形成される。シリコン基板2において、エッチングストップ層9よりも上方の部分エッチングストップ層9と表面4との間が、エピタキシャル成長したシリコン層エピタキシャル層である。エピタキシャル層の厚さは、たとえば、0.5~1μm程度である。エピタキシャル成長の代わりに、シリコン基板2の熱処理注入イオン拡散のドライブインのみでも、第1のエッチングストップ層9をシリコン基板2の表面4から所定の深さの位置たとえば、表面4から0.5~1μm程度の深さに形成することができる。この場合、不純物イオンをインプランテーションする際に図14Ba参照、インプランテーションの加速電圧を高くして、不純物イオン酸素イオンまたは窒素イオンを、シリコン基板2の表面4から前記所定の深さの位置に打ち込む。不純物イオンの加速電圧は、たとえば、200~400keV程度とされる。その後、ドライブインを施して、注入したイオンを活性化すると、酸化物または窒化物からなる第1のエッチングストップ層9が、シリコン基板2の表面4から前記所定の深さの位置に形成される。その後に、酸化膜40図14Ba参照が除去される。なお、エピタキシャル成長の代わりにドライブインのみを適用する場合には、エピタキシャル層が存在しない分、シリコン基板2を薄くできる。次いで、熱酸化法またはCVD法により、シリコン基板2の表面4に、酸化シリコンSiO2からなる被覆層5が形成され、フォトリソグラフィにより、被覆層5上に、図示しないレジストパターンが形成される。このレジストパターンは、分離絶縁層12図12および図13a参照に対応した円環状の開口を有している。次いで、このレジストパターン図示せずをマスクとするプラズマエッチングにより、被覆層5が選択的に除去される。図14Dでは、プラズマエッチングが終了した状態が示されており、被覆層5には、円環状の開口43が形成されている。次いで、被覆層5をマスクとする異方性のディープRIEReactiveIonEtching:反応性イオンエッチングにより、シリコン基板2が掘り下げられ、図14Eに示すように、環状トレンチ44が形成される。環状トレンチ44は、円環状の縦溝であり、第1のエッチングストップ層9の外側周縁部を全周に亘って削り取っている。そのため、環状トレンチ44は、シリコン基板2において少なくとも第1のエッチングストップ層9の上方の所定領域を取り囲むように形成されている。さらに、環状トレンチ44は、シリコン基板2において基準圧室8の底面となる予定の部分図13a参照よりも深くなるように形成されている。そのため、環状トレンチ44は、基準圧室8の天井面に位置する予定の第1のエッチングストップ層9よりも深くなるように形成されている。次いで、図14Fに示すように、CVD法により、環状トレンチ44が、酸化膜で埋め尽くされる。環状トレンチ44内にある酸化膜が、前述した分離絶縁層12である。つまり、この工程において、環状トレンチ44に分離絶縁層12が埋め込まれる。この際、環状トレンチ44から酸化膜がはみ出ることによって、被覆層5の表面に凹凸ができるが、レジストエッチバック法により、被覆層5の表面が平坦化される。次いで、図14Gaに示すように、フォトリソグラフィにより、被覆層5上に、レジストパターン45が形成される。レジストパターン45は、複数の貫通孔13図12および図13a参照に対応した複数の開口46を有している。貫通孔13の断面を円形に形成するときには、それに応じて、開口46は円形に形成される。各開口46の直径は、貫通孔13と同様に、約0.5μmである。平面視において、全ての開口46は、環状トレンチ44分離絶縁層12の内側に形成される図14Gb参照。次いで、レジストパターン45をマスクとするプラズマエッチングにより、被覆層5が選択的に除去される。これにより、被覆層5に、貫通孔13に対応した開口が形成される。図14Gでは、プラズマエッチングが終了した状態が示されている。次いで、レジストパターン45をマスクとする異方性のディープRIEにより、シリコン基板2が掘り下げられる。これにより、図14Haに示すように、シリコン基板2においてレジストパターン45の各開口46換言すれば、被覆層5において選択的に除去された部分に一致する位置に貫通孔13が形成される。開口46が円形であれば、表面4の被覆層5から所定の深さで下方に延びる円柱凹状をなす貫通孔13が形成される。各貫通孔13は、第1のエッチングストップ層9を貫通し、各貫通孔13の底面が環状トレンチ44分離絶縁層12の底面より上方浅い位置に位置するように形成される。これらの貫通孔13は、環状トレンチ44分離絶縁層12に囲まれた所定の領域に形成されている。貫通孔13の形成の際、レジストパターン45が同時にエッチングされて薄膜化されていく。貫通孔13の形成後には、レジストパターン45の残った部分が剥離される。貫通孔13の形成のための深掘りRIEは、いわゆるボッシュプロセスで行ってもよい。ボッシュプロセスでは、SF6六フッ化硫黄を使用してシリコン基板2をエッチングする工程と、C4F8パーフルオロシクロブタンを使用してエッチング面に保護膜を形成する工程とが交互に繰り返される。これにより、高いアスペクト比でシリコン基板2をエッチングすることができる。次いで、図14Iaに示すように、熱酸化法またはCVD法により、シリコン基板2において各貫通孔13を区画する内面全域つまり、貫通孔13の円周面および底面および被覆層5の表面に、酸化シリコンSiO2からなる保護薄膜14が形成される。保護薄膜14の厚さは、約1000Åである。この時点では、各貫通孔13内における保護薄膜14は、貫通孔13の側壁を覆いつつ第1のエッチングストップ層9を貫通する筒状具体的には、円筒状であって、貫通孔13の下端に底面部分を有している。次いで、図14Jaに示すように、RIEにより、保護薄膜14における貫通孔13の底面上の部分円筒状の保護薄膜14における底面部分と被覆層5の表面上の部分とが除去される。これにより、貫通孔13の底面からシリコン基板2の結晶面が露出する。次いで、図14Kaに示すように、シリコン基板2の表面4側から各貫通孔13内にエッチング剤が導入される。たとえば、プラズマエッチング等のドライエッチングを適用する場合にはエッチングガスが貫通孔13に導入される。また、ウェットエッチングを適用する場合にはエッチング液が貫通孔13に導入される。これにより、被覆層5と各貫通孔13の内側面の保護薄膜14とをマスクとして、シリコン基板2において第1のエッチングストップ層9の下厳密には、各貫通孔13の底の周囲の基板材料が等方的にエッチングされる。具体的には、各貫通孔13の底を起点として、シリコン基板2が、その厚さ方向と、厚さ方向に直交する方向とにエッチングされる。ここで、第1のエッチングストップ層9が存在することにより、第1のエッチングストップ層9より表面4側の基板材料がエッチングされることはないが、分離絶縁層12が存在することから、シリコン基板2の厚さ方向に直交する方向において分離絶縁層12より外側の基板材料がエッチングされることもない。そして、等方性エッチングの結果、シリコン基板2の内部において、第1のエッチングストップ層9の下方には、各貫通孔13に連通する基準圧室8扁平空間が形成される。同時に、第1のエッチングストップ層9の上方にダイヤフラム10が形成される。ここで、エッチング液の導入量に応じて、基準圧室8の深さシリコン基板2の厚さ方向における寸法を調整することができる。また、隣り合う貫通孔13の間隔に応じて基準圧室8の深さを調整することもできる。この場合、たとえば、貫通孔13の間隔が狭いと、比較的短時間のエッチングで隣接する貫通孔13から広がった空間が連続して基準圧室8が形成される。したがって、基準圧室8の高さは比較的低くなる。一方、貫通孔13の間隔が広いと、隣接する貫通孔13から広がる空間がつながるまでに比較的長時間エッチングしなければならない。それに応じて、基準圧室8の高さが高くなる。このように基準圧室8の深さを調整することで、ダイヤフラム10可動電極と残余部分11固定電極11Aとの間隔を制御でき、これに応じて、圧力センサ1図13a参照の感度を調整できる。また、等方性エッチングの結果、各貫通孔13の底の周囲の基板材料がエッチングされる。これにより、基準圧室8が完成した状態で、各貫通孔13の内壁に形成された筒状の保護薄膜14において第1のエッチングストップ層9より下側底側の部分は、ダイヤフラム10から基準圧室8内に突出し、基準圧室8の底面に対して、所定の間隔を隔てて上から対向している。そのため、基準圧室8は、完全な円筒形状ではなく、その天面部分において、各貫通孔13の位置で内側下側に凹んでいる。そして、図14Laに示すように、CVD法により、各貫通孔13を酸化膜で埋め尽くして閉塞する。より詳細には、貫通孔13の円周面にある保護薄膜14の内側部分における上方部に、貫通孔13を閉塞するように酸化膜が形成される。この酸化膜が、前述した充填体15である。つまり、この工程では、各貫通孔13内に充填体15が配置される。各貫通孔13が閉塞されることによって、基準圧室8が真空状態で密閉される。また、この際、貫通孔13から酸化膜がはみ出ることによって、被覆層5の表面に凹凸ができるが、レジストエッチバック法により、被覆層5の表面が平坦化される。貫通孔13が大径であるほど、被覆層5の表面に大きな凹凸ができやすい。貫通孔13を閉塞するための酸化膜が、貫通孔13内だけにとどまらず、前述した被覆膜16として、充填体15に連続して、貫通孔13の底から基準圧室8内に至り、基準圧室8の内壁面の全域を被覆する。基準圧室8は、十分な深さたとえば、10~15μmを有しているので、被覆膜16によって埋まってしまうことはない。なお、貫通孔13の直径が小さい程、貫通孔13が速やかに閉塞されるから、被覆膜16が薄くなる。次に、集積回路領域27に集積回路部28図13b参照を形成する工程が実施される。集積回路領域27は、シリコン基板2において基準圧室8およびダイヤフラム10が形成される領域以外の領域である。まず、図14Mに示すように、シリコン基板2の被覆層5の表面に、窒化シリコンSiNからなる窒化膜48が形成される。次いで、図14Nに示すように、所定パターンのマスク図示せずを介したプラズマエッチングにより、窒化膜48が選択的に除去される。その結果、集積回路領域27になる予定の部分にだけ、窒化膜48が残る。次いで、残った窒化膜48をマスクにして、その周囲のシリコン基板2の表面部を酸化して窒化膜48の周りにLOCOS層29を形成する。その後、窒化膜48およびその下の被覆層5を除去して、前述したゲート酸化膜32をたとえば熱酸化法によって新たに形成する。ゲート酸化膜32が形成された状態が、図14Obに示されている。シリコン基板2においてゲート酸化膜32が形成された領域LOCOS層29によって分離された領域が、集積回路領域27となる。次いで、集積回路領域27内のゲート酸化膜32上にポリシリコン膜が堆積される。このポリシリコン膜を、フォトリソグラフィによってパターニングすることにより、図14Pに示すように、ゲート酸化膜32上にゲート電極33が形成される。次いで、図14Qbに示すように、シリコン基板2の表面上に、レジストパターン51が形成される。レジストパターン51は、集積回路領域27に対応した1つの開口52を有している。そして、シリコン基板2の表層部に、レジストパターン51およびゲート電極33をマスクとして、不純物たとえば、砒素Asイオンが注入される。これにより、集積回路領域27におけるシリコン基板2の表層部には、ゲート電極33を挟んで対向する領域にソース30とドレイン31とが形成される。レジストパターン51が除去された後、CVD法によって、シリコン基板2の表面を覆う絶縁層6が形成される。この絶縁層6は、具体的には、図14Qaに示す被覆層5、ならびに、図14Qbに示すLOCOS層29およびゲート酸化膜32を覆うように形成される。次いで、図13aに示すように、フォトリソグラフィにより、開口コンタクトホール53が、絶縁層6および被覆層5を貫通するように形成される。コンタクトホール53は、ダイヤフラム10の一部を露出させる位置に形成される。同時に、別のコンタクトホール53が、絶縁層6および被覆層5を貫通するように形成される。このコンタクトホール53は、残余部分11の一部を露出させる位置に形成される。同時に、図13bに示すように、ソース30およびドレイン31のためのコンタクトホール54が形成される。コンタクトホール54は、絶縁層6およびゲート酸化膜32を貫通して、ソース30およびドレイン31の各一部を露出させるように形成される。なお、図示していないが、同じ工程において、ゲート電極33につながるコンタクトホールが、絶縁層6を貫通するように形成される。次いで、スパッタ法により、絶縁層6上に、アルミニウムが堆積され、アルミニウム堆積膜55が形成される。アルミニウム堆積膜55は、コンタクトホール53,54等を介して、ダイヤフラム10、残余部分11、ソース30、ドレイン31およびゲート電極33のそれぞれに接続される。次いで、フォトリソグラフィにより、アルミニウム堆積膜55上にレジストパターン図示せずが形成され、その後、このレジストパターンをマスクとするプラズマエッチングにより、アルミニウム堆積膜55が選択的に除去される。これにより、第1金属配線17、第2金属配線18、第1金属端子19および第2金属端子20が同時に形成される図12参照。この際、第1金属配線17は、対応するコンタクトホール53を介してダイヤフラム10に接続され、第2金属配線18は、対応するコンタクトホール53を介して残余部分11に接続される図13a参照。同時に、集積回路部28のソース30、ドレイン31およびゲート電極33のそれぞれにつながる金属配線前述したソース側金属配線35やドレイン側金属配線36等や金属端子図示せずも形成される。その後、このレジストパターンは、剥離される。次いで、CVD法により、絶縁層6上に、パッシベーション膜21が形成される。その後は、図13aに示すように、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、パッシベーション膜21に、第1金属端子19および第2金属端子20集積回路部28側の図示しない金属端子も含むをそれぞれパッドとして露出させる開口22が形成される。図13aでは、第2金属端子20を露出させる開口22を示す。また、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、パッシベーション膜21に、絶縁層6において全ての貫通孔13を包囲する領域つまり、ダイヤフラム10のほぼ全域を露出させる開口56が形成される。開口56は、たとえば、平面視において基準圧室8と相似の形状である。以上により、第5の実施形態の圧力センサ1が得られる。パッシベーション膜21に開口56を形成して開口56からダイヤフラム10を露出させるのは、ダイヤフラム10を撓みやすくするためである。ダイヤフラム10上にパッシベーション膜21が存在すると、ダイヤフラム10が撓みにくくなり、圧力センサ1の感度が下がる。第5の実施形態によれば、図14Kaに示すように、シリコン基板2において、第1のエッチングストップ層9の下では、第1のエッチングストップ層9を貫通する貫通孔13内に導入されたエッチング剤で基板材料がエッチングされることによって基準圧室8が形成される。その一方で、第1のエッチングストップ層9の上にダイヤフラム10が形成される。この際、ダイヤフラム10は、第1のエッチングストップ層9によって、基準圧室8のエッチング剤から遮断される。これにより、基準圧室8を形成するためのエッチング剤によってダイヤフラム10が侵食されることがないので、ダイヤフラム10の厚さを、精度良く、狙いの厚さにすることができる。また、この際、第1のエッチングストップ層9よりも深くなるように形成された環状トレンチ44に埋め込まれた分離絶縁層12が、第1のエッチングストップ層9の上方の所定領域にあるダイヤフラム10を取り囲む。これにより、シリコン基板2の厚さ方向に直交する方向において、ダイヤフラム10が分離絶縁層12によって区画されることから、ダイヤフラム10を、狙った寸法で精度良く形成することができる。ここで、分離絶縁層12が、ダイヤフラム10をシリコン基板2の他の残余部分11から分離している。これにより、ダイヤフラム10と残余部分11とが絶縁されているから、ダイヤフラム10と残余部分11の固定電極11Aとによってキャパシタ構造を形成できる。さらに、この際、シリコン基板2の厚さ方向において、基準圧室8の天面が、第1のエッチングストップ層9によって区画されることから、基準圧室8を、狙った寸法で精度良く形成することができる。以上により、感度の向上を図れるとともに感度のばらつきを抑えることができる圧力センサ1図13a参照を簡単に製造することができる。また、この方法によれば、2枚のシリコン基板2を接合しなくても、シリコン基板2を1枚だけ用いた少ない工程で基準圧室8およびダイヤフラム10を形成することができるので、低コストかつ小型な薄い圧力センサ1を簡単に製造することができる。たとえば、2枚のシリコン基板2を接合することで圧力センサ1を構成する場合には、2枚のシリコン基板2の接合部分においてリークが生じやすい。これに対して、本実施形態では、可動部品であるダイヤフラム10がシリコン基板2の一部であることから、基準圧室8は、リークが生じない密閉空間に維持できる。また、ダイヤフラム10と残余部分11の固定電極11Aとが分離絶縁層12によって絶縁されている。そのため、1枚のシリコン基板2によって、信頼性の高い圧力センサ1を構成できる。また、図14Laに示すように、貫通孔13内に充填体15を配置することによって、第1のエッチングストップ層9の下の基準圧室8を密閉することができる。これにより、完成した圧力センサ1は、基準圧室8内の圧力を基準圧力としておくことにより、ダイヤフラム10が受ける圧力を基準圧力に対する相対的な圧力として検出することができる。また、分離絶縁層12が、基準圧室8の底面よりも深い位置までシリコン基板2内に延びているので、シリコン基板2の厚さ方向に直交する方向において、ダイヤフラム10だけでなく、基準圧室8も分離絶縁層12によって区画される。これにより、ダイヤフラム10および基準圧室8の両方を、狙った寸法で形成することができる。すなわち、シリコン基板2においてダイヤフラム10に対向する固定電極11A基準圧室8の底面を区画する部分の寸法が正確に決まる。そのため、ダイヤフラム10と固定電極11Aとで形成されるキャパシタ構造の静電容量を精度良く設計値に制御できる。これにより、圧力センサ1の感度のばらつきを抑えることができる。また、図13aに示すように、ダイヤフラム10に第1金属配線17を接続し、残余部分11に第2金属配線18を接続することによって、同一のシリコン基板2における残余部分11固定電極11Aおよびダイヤフラム10のそれぞれを電極とする簡素な構成の圧力センサ1を簡単に製造することができる。特に、高濃度のシリコン基板2を用いることによって、ダイヤフラム10および残余部分11固定電極11Aのそれぞれを、そのままで、電極として用いることができるので、ダイヤフラム10および残余部分11のそれぞれに別途イオン注入インプランテーションして電極を設ける手間を省くこができる。また、図14Kaに示すように、エッチング工程では、貫通孔13の側壁に保護薄膜14が予め形成されているので、エッチング工程で貫通孔13内に導入されるエッチング剤が貫通孔13の側壁ダイヤフラム10となる部分をエッチングしてしまうことを防止できる。そして、貫通孔13の下端側におけるシリコン基板2の材料を等方性エッチングすると、保護薄膜14がダイヤフラム10から基準圧室8内に突出する。これにより、ダイヤフラム10が基準圧室8側へ大きく撓んだときに、保護薄膜14が基準圧室8の内壁面に当接して、ダイヤフラム10の過大な変形を規制する。そのため、ダイヤフラム10の損傷を防止できる。また、集積回路領域27図12参照に集積回路部28を形成することにより、圧力センサ1および集積回路部28を同一のシリコン基板2厳密には、各矩形領域3に形成することができる図13b参照。特に、図13aを参照して、ダイヤフラム10を、シリコン基板2の一部を用いて構成していることから、シリコン基板2の表面4が平坦な状態を維持しつつ圧力センサ1を形成しているので、各矩形領域3の平坦な表面4においてダイヤフラム10以外の領域に、集積回路部28を併せて形成することができる。これにより、圧力センサ1の本体部分ダイヤフラム10が形成された部分と集積回路部28LSIとを1チップで構成すること1チップ化が可能となる図12参照。6第6の実施形態次に、第6の実施形態について説明するが、第6の実施形態において、第5の実施形態で説明した部分と対応する部分には、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。また、第6の実施形態の圧力センサ1の製造工程に関し、第5の実施形態で説明した製造工程と同じものについては、詳細な説明を省略する。図15は、第6の実施形態の圧力センサの場合における、図12の切断面線A-Aにおける断面図である。第6の実施形態に係る圧力センサ1では、第5の実施形態の構成図13a参照に加えて、図15に示すように、基準圧室8の底面を区画する位置第1のエッチングストップ層9よりも深い位置に第2のエッチングストップ層60が備えられている。ここで、基準圧室8の底面は、基準圧室8の内壁面において第1のエッチングストップ層9に下から対向する面である。第2のエッチングストップ層60は、第1のエッチングストップ層9と同じ大きさの平面視円形状の絶縁層である。第1のエッチングストップ層9と第2のエッチングストップ層60とは、基準圧室8の上下方向寸法深さに相当する間隔を隔てて上下に対向している。ここで、分離絶縁層12は、第2のエッチングストップ層60よりも深い位置までシリコン基板2内に延びている。そのため、分離絶縁層12は、その縦方向シリコン基板2の厚さ方向における途中位置で第1のエッチングストップ層9につながっているとともに、その下端部において第2のエッチングストップ層60にもつながっている。第2のエッチングストップ層60は、分離絶縁層12の内部に下から蓋をするように分離絶縁層12につながっている。そのため、ダイヤフラム10は、シリコン基板2における他の残余部分11から分離されている。また、基準圧室8は、第1のエッチングストップ層9および第2のエッチングストップ層60によって、シリコン基板2の厚さ方向において区画され、さらに、その厚さ方向に直交する方向において分離絶縁層12によって区画されている。図16A~図16Sは、第6の実施形態の圧力センサの製造工程を示す。図16A~図16Sのそれぞれにおいて、断面図が2つ示されている場合、上側の断面図は、図15と同じ位置での切断面を示し、下側の断面図は、図13bと同じ位置での切断面を示す。第6の実施形態の圧力センサ1を製造するには、図16Aに示すように、シリコン基板2が準備され、図14Aで説明したように、シリコン基板2の表面4に酸化膜40が形成される。次いで、図16Bを参照して、図14Bで説明したように、レジストパターン41をマスクとして、シリコン基板2の表層部に不純物イオン窒素イオンまたは酸素イオンが注入される。イオン注入の際の加速電圧は、たとえば、50~120keVである。次いで、図16Cを参照して、図14Cで説明したように、エピタキシャル成長が行われる。このとき、第2のエッチングストップ層60がシリコン基板2の表面4から所定の深さたとえば、10~17μmの深さの位置に形成される。第2のエッチングストップ層60が形成される位置は、シリコン基板2において基準圧室8の底面が形成される予定の深さたとえば、表面4から10~17μmの深さの位置である図15参照。次いで、図16Dを参照して、新たに設けたレジストパターン41をマスクとして、再度、シリコン基板2の表層部第2のエッチングストップ層60よりも浅い表面4側の部分に不純物イオン窒素イオンまたは酸素イオンが注入される。イオン注入の際の加速電圧は、たとえば、50~120keVである。次いで、図16Eを参照して、再び、エピタキシャル成長が行われる。このとき、シリコン基板2では、第2のエッチングストップ層60よりも表面4側であって表面4から所定の深さの位置たとえば、0.5~1μmに、第1のエッチングストップ層9が形成される。ここで、前述したように、インプランテーションの加速電圧が高かった場合たとえば、加速電圧が200~400keVであった場合には、エピタキシャル成長の代わりに、ドライブインのみが行われてもよい。ただし、第1のエッチングストップ層9を形成する場合、および、第2のエッチングストップ層60を形成する場合のいずれにおいてもドライブインのみを行うのであれば、第2のエッチングストップ層60を形成するためのインプランテーションの加速電圧を、第1のエッチングストップ層9を形成するためのインプランテーションの加速電圧よりも高くする必要がある。そうすれば、シリコン基板2内では、第1のエッチングストップ層9よりも深い位置に第2のエッチングストップ層60が位置するように、それぞれのエッチングストップ層が形成される。次いで、図16Fを参照して、図14Dで説明したように、シリコン基板2の表面4に被覆層5が形成され、フォトリソグラフィにより、被覆層5上に、図示しないレジストパターンが形成される。このレジストパターンは、分離絶縁層12図15参照に対応した円環状の開口を有している。次いで、このレジストパターン図示せずをマスクとするプラズマエッチングにより、被覆層5が選択的に除去され、被覆層5には、環状の開口43が形成される。図16Fでは、プラズマエッチングが終了した状態が示されている。次いで、図14Eで説明したように、被覆層5をマスクとする異方性のディープRIEにより、シリコン基板2が掘り下げられ、図16Gaに示すように、環状トレンチ44が形成される。環状トレンチ44は、第2のエッチングストップ層60よりも深く、第1のエッチングストップ層9および第2のエッチングストップ層60のそれぞれの外側周縁部を全周に亘って削り取っている。次いで、図14Fで説明したように、図16Hで示すように、環状トレンチ44が、酸化膜で埋め尽くされ、環状トレンチ44に分離絶縁層12が埋め込まれる。また、前述したように、レジストエッチバック法により、被覆層5の表面が平坦化される。その後の工程は、第5の実施形態の図14G以降の工程と同じである。つまり、まず、図16Iを参照して、図14Gで説明したように、フォトリソグラフィによって被覆層5上に形成されたレジストパターン45をマスクとするプラズマエッチングにより、被覆層5が選択的に除去される。図16Iでは、プラズマエッチングが終了した状態が示されている。次いで、図14Hで説明したように、レジストパターン45をマスクとする異方性のディープRIEによってシリコン基板2が掘り下げられ、図16Jaに示すように、シリコン基板2の表面4から第1のエッチングストップ層9を貫通する貫通孔13が形成される。また、レジストパターン45の残った部分が剥離される。ここで、各貫通孔13の底面は、第1のエッチングストップ層9と第2のエッチングストップ層60との間の深さの位置にある。次いで、図14Iで説明したように、熱酸化法またはCVD法により、図16Kaに示すように、貫通孔13の円周面および底面および被覆層5の表面に保護薄膜14が形成される。次いで、図14Jで説明したように、図16Laに示すように、RIEにより、保護薄膜14における貫通孔13の底面上の部分と被覆層5の表面上の部分とが除去される。次いで、図14Kで説明したように、図16Maに示すように、各貫通孔13内にエッチング剤が導入されて第1のエッチングストップ層9の下の基板材料が等方的にエッチングされる。これにより、シリコン基板2の内部において、第1のエッチングストップ層9と第2のエッチングストップ層60との間かつ各貫通孔13の底の周囲には基準圧室8が形成される。同時に、第1のエッチングストップ層9の上にダイヤフラム10が形成される。ここで、第1のエッチングストップ層9が存在することにより、第1のエッチングストップ層9より表面4側の基板材料がエッチングされることはないが、第2のエッチングストップ層60が存在することから、第2のエッチングストップ層60より裏面7側の基板材料がエッチングされることもない。さらに、分離絶縁層12が存在することから、シリコン基板2の厚さ方向に直交する方向において分離絶縁層12より外側の基板材料がエッチングされることもない。次いで、図14Lで説明したように、図16Naに示すように、各貫通孔13内に充填体15が配置されるとともに、被覆膜16によって、基準圧室8の内壁面の全域が被覆される。次に、集積回路領域27に集積回路部28図13b参照を形成する工程が実施される。まず、図14Mで説明したように、図16Oに示すように、シリコン基板2の被覆層5の表面に窒化膜48が形成される。次いで、図14Nで説明したように、図16Pに示すように、所定パターンのマスク図示せずを介したプラズマエッチングにより、集積回路領域27になる予定の部分にだけ、窒化膜48が残る。次いで、図14Oで説明したように、図16Qbに示すように、LOCOS層29が形成され、その後、ゲート酸化膜32が形成される。次いで、図14Pで説明したように、図16Rに示すように、ゲート酸化膜32上にゲート電極33が形成される。次いで、図14Qで説明したように、図16Sに示すように、集積回路領域27におけるシリコン基板2の表層部に、ソース30とドレイン31とが形成される。その後、絶縁層6が形成され、図13で説明したように、図15に示すように、第1金属配線17、第2金属配線18、第1金属端子19および第2金属端子20図12参照が形成される。同時に、集積回路部28のソース30、ドレイン31およびゲート電極33のそれぞれにつながる金属配線前述したソース側金属配線35やドレイン側金属配線36等であり、図13b参照や金属端子図示せずも形成される。また、絶縁層6上にパッシベーション膜21が形成され、パッシベーション膜21に、第1金属端子19および第2金属端子20集積回路部28側の図示しない金属端子も含むをそれぞれパッドとして露出させる開口22と開口56とが形成される。以上により、第6の実施形態の圧力センサ1が得られる。第6の実施形態によれば、第5の実施形態で説明した効果に加えて、以下の効果を奏することができる。図16Maに示すように、エッチング工程では、シリコン基板2において、第1のエッチングストップ層9と第2のエッチングストップ層60との間では、第1のエッチングストップ層9を貫通する貫通孔13内に導入されたエッチング剤で基板材料がエッチングされることによって基準圧室8が形成される。その一方で、第1のエッチングストップ層9の上にダイヤフラム10が形成される。この際、シリコン基板2の厚さ方向において、基準圧室8が、第1のエッチングストップ層9と第2のエッチングストップ層60とによって挟まれて区画されることから、基準圧室8を、狙った寸法で精度良く形成し、可動電極ダイヤフラム10と固定電極11A残余部分11との対向距離を制御できる。そのため、感度の向上を図れるとともに感度のばらつきを抑えることができる圧力センサ1を簡単に製造することができる。また、図16B~図16Eで説明したように、第1のエッチングストップ層9および第2のエッチングストップ層60を形成する際、シリコン基板2に打ち込まれた窒素イオンまたは酸素イオンが熱処理によって活性化される。これにより、窒化膜または酸化膜からなる第1のエッチングストップ層9および第2のエッチングストップ層60を形成することができる。また、図15を参照して、第1のエッチングストップ層9および第2のエッチングストップ層60が絶縁層である。これにより、ダイヤフラム10と基準圧室8の底面との間の静電容量を大きくすることができるから、感度を高くすることができる。第1のエッチングストップ層9および第2のエッチングストップ層60のいずれかが絶縁層であれば、この効果を得ることができる。7第7の実施形態次に、第7の実施形態について説明するが、第7の実施形態において、第5および第6の実施形態で説明した部分と対応する部分には、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。また、第7の実施形態の圧力センサ1の製造工程に関し、第5および第6の実施形態で説明した製造工程と同じものについては、詳細な説明を省略する。図17は、第7の実施形態の圧力センサの場合における、図12の切断面線A-Aにおける断面図である。第7の実施形態に係る圧力センサ1では、第5の実施形態の構成図13a参照において、第1のエッチングストップ層9の代わりに第2のエッチングストップ層60図15参照が備えられている。この場合、シリコン基板2の厚さ方向において、基準圧室8とダイヤフラム10とが、被覆膜16を挟んで隣り合っており、基準圧室8およびダイヤフラム10は、分離絶縁層12および第2のエッチングストップ層60によって、シリコン基板2における他の残余部分11から絶縁分離されている。図18A~図18Qは、第7実施形態の圧力センサの製造工程を示す。図18A~図18Qのそれぞれにおいて、断面図が2つ示されている場合、上側の断面図は、図17と同じ位置での切断面を示し、下側の断面図は、図13bと同じ位置での切断面を示す。第7の実施形態の圧力センサ1を製造するには、図18Aに示すように、シリコン基板2が準備され、図14Aで説明したように、シリコン基板2の表面4に酸化膜40が形成される。次いで、図18Bを参照して、図14Bで説明したように、レジストパターン41をマスクとして、シリコン基板2の表層部に不純物イオン窒素イオンまたは酸素イオンが注入される。イオン注入の際の加速電圧は、50~120keVである。次いで、図18Cを参照して、図14Cで説明したように、エピタキシャル成長が行われる。このとき、第2のエッチングストップ層60がシリコン基板2の表面4から所定の深さの位置たとえば、10~17μmの深さに形成される。第2のエッチングストップ層60が形成される位置は、シリコン基板2において基準圧室8の底面が形成される予定の深さの位置たとえば、表面4から10~17μmの深さである図17参照。その後の工程は、第5の実施形態の図14D以降の工程と同じである。つまり、図18Dを参照して、図14Dで説明したように、シリコン基板2の表面4に被覆層5が形成され、図示しないレジストパターンをマスクとするプラズマエッチングにより、被覆層5が選択的に除去され、被覆層5には、環状の開口43が形成される。次いで、図14Eで説明したように、被覆層5をマスクとする異方性のディープRIEにより、シリコン基板2が掘り下げられ、図18Eaに示すように、環状トレンチ44が形成される。環状トレンチ44は、第2のエッチングストップ層60よりも深く、第2のエッチングストップ層60の外側周縁部を全周に亘って削り取っており、シリコン基板2において第2のエッチングストップ層60の上方の所定領域を取り囲んでいる。次いで、図14Fで説明したように、図18Fに示すように、環状トレンチ44が、酸化膜で埋め尽くされ、環状トレンチ44に分離絶縁層12が埋め込まれる。また、前述したように、レジストエッチバック法により、被覆層5の表面が平坦化される。次いで、図18Gを参照して、図14Gで説明したように、フォトリソグラフィによって被覆層5上に形成されたレジストパターン45をマスクとするプラズマエッチングにより、被覆層5が選択的に除去される。図18Gでは、プラズマエッチングが終了した状態が示されている。次いで、図14Hで説明したように、レジストパターン45をマスクとする異方性のディープRIEによってシリコン基板2が掘り下げられ、図18Haに示すように、シリコン基板2の表面4側から窪む貫通孔13が形成される。また、レジストパターン45の残った部分が剥離される。ここで、各貫通孔13の底面は、第2のエッチングストップ層60より浅い位置にある。次いで、図14Iで説明したように、熱酸化法またはCVD法により、図18Iaに示すように、貫通孔13の円周面および底面および被覆層5の表面に保護薄膜14が形成される。次いで、図14Jで説明したように、図18Jaに示すように、RIEにより、保護薄膜14における貫通孔13の底面上の部分と被覆層5の表面上の部分とが除去される。次いで、図14Kで説明したように、図18Kaに示すように、各貫通孔13内にエッチング剤が導入されて各貫通孔13の下部各貫通孔13の底の周囲の基板材料が等方的にエッチングされる。これにより、シリコン基板2の内部において、第2のエッチングストップ層60の上方かつ各貫通孔13の底の周囲には基準圧室8が形成される。同時に、基準圧室8の上方にダイヤフラム10が形成される。ここで、第2のエッチングストップ層60が存在することから、第2のエッチングストップ層60より裏面7側の基板材料がエッチングされることがない。さらに、分離絶縁層12が存在することから、シリコン基板2の厚さ方向に直交する方向において分離絶縁層12より外側の基板材料がエッチングされることもない。次いで、図14Lで説明したように、図18Laに示すように、各貫通孔13内に充填体15が配置されるとともに、被覆膜16によって、基準圧室8の内壁面の全域が被覆される。次に、集積回路領域27に集積回路部28図13b参照を形成する工程が実施される。まず、図14Mで説明したように、図18Mに示すように、シリコン基板2の被覆層5の表面に窒化膜48が形成される。次いで、図141Nで説明したように、図18Nに示すように、所定パターンのマスク図示せずを介したプラズマエッチングにより、集積回路領域27になる予定の部分にだけ、窒化膜48が残る。次いで、図14Oで説明したように、図18Obに示すように、LOCOS層29が形成され、その後、ゲート酸化膜32が形成される。次いで、図14Pで説明したように、図18Pに示すように、ゲート酸化膜32上にゲート電極33が形成される。次いで、図14Qで説明したように、図18Qに示すように、集積回路領域27におけるシリコン基板2の表層部に、ソース30とドレイン31とが形成される。その後、絶縁層6が形成され、図13で説明したように、図17に示すように、第1金属配線17、第2金属配線18、第1金属端子19および第2金属端子20図12参照が形成される。同時に、集積回路部28のソース30、ドレイン31およびゲート電極33のそれぞれにつながる金属配線前述したソース側金属配線35やドレイン側金属配線36等であり、図13b参照や金属端子図示せずも形成される。また、絶縁層6上にパッシベーション膜21が形成され、パッシベーション膜21に、第1金属端子19および第2金属端子20集積回路部28側の図示しない金属端子も含むをそれぞれパッドとして露出させる開口22と開口56とが形成される。以上により、第7の実施形態の圧力センサ1が得られる。第7の実施形態によれば、第5および第6の実施形態で説明した効果に加えて、以下の効果を奏することができる。図18Kaに示すように、エッチング工程では、シリコン基板2において、第2のエッチングストップ層60よりも浅い貫通孔13内に導入されたエッチング剤で貫通孔13の下部の基板材料がエッチングされることによって、第2のエッチングストップ層60の上に基準圧室8が形成される。その一方で、基準圧室8の上にダイヤフラム10が形成される。この際、シリコン基板2の厚さ方向において、基準圧室8の底が、第2のエッチングストップ層60によって区画されることから、基準圧室8を、狙った寸法で形成することができる。そのため、感度の向上を図れるとともに感度のばらつきを抑えることができる圧力センサ1を簡単に製造することができる。8第8の実施形態図19は、第8の実施形態の圧力センサの拡大平面図である。図20aは、図19の切断面線A-Aにおける断面図であり、図20bは、図19の集積回路領域における圧力センサの要部断面図である。図20aに示すように、個々の圧力センサ1は、矩形領域3に相当する大きさのシリコン基板2を含んでいる。シリコン基板2の表面4には、シリコン基板2の裏面5側へ窪む凹部6が形成されている。凹部6は、平面視で円形状立体的には、円筒状をなしている。凹部6の底面は、平坦であり、表面4と平行に延びている。シリコン基板2の裏面5は、露出面である。シリコン基板2の表面4凹部6を区画する部分も含むは、酸化シリコンSiO2からなる絶縁層7で被覆されている。絶縁層7は、凹部6の側面円筒面および底面も被覆している。凹部6内には、ポリシリコン層8導体層が埋め込まれている。ポリシリコン層8は、凹部6に収まる円柱形状に形成されている。ポリシリコン層8は、シリコン基板2の厚さ方向において扁平である。ポリシリコン層8の天面と、凹部6以外の領域における絶縁層7の表面とは、ほぼ面一になっている。ポリシリコン層8は、P型またはN型の不純物を添加して低抵抗化したポリシリコンからなる。ポリシリコン層8の比抵抗は、たとえば、5~500mΩcmである。ポリシリコン層8の天面と、凹部6以外の領域における絶縁層7の表面との両方には、被覆層9が形成されている。さらに、被覆層9の表面には、表面絶縁層10が形成されている。被覆層9および表面絶縁層10は、たとえば、いずれも、酸化シリコンSiO2からなる。シリコン基板2の内部において、凹部6の下方には、基準圧室11が形成されている。そのため、基準圧室11の真上表面4側には、凹部6の底に設けられた絶縁層7を挟んで、ポリシリコン層8が位置している。基準圧室11は、この実施形態では、シリコン基板2の表面4および裏面5に平行に広がり、かつ、上下方向シリコン基板2の厚さ方向の高さが低い扁平な空洞扁平空間である。つまり、基準圧室11は、表面4および裏面5に平行な方向における寸法が、上下方向寸法よりも大きくなっている。基準圧室11は、各圧力センサ1に1つずつ形成されている。基準圧室11は、この実施形態では、平面視円形状立体的には、円筒状に形成されている。凹部6の底に設けられた絶縁層7は、基準圧室11を上側表面4側から区画している。基準圧室11の直径は、凹部6の直径より若干大きい。そのため、シリコン基板2の厚さ方向に直交する方向において、基準圧室11は、凹部6内に設けられたポリシリコン層8よりも広い領域に至るように形成されている。すなわち、平面視において、基準圧室11の形成領域は、ポリシリコン層8の形成領域を包含している。これにより、シリコン基板2において凹部6の円筒面に設けられた絶縁層7の外周領域ポリシリコン層8とは反対側の外側領域が、ポリシリコン層8と略等しい膜厚を有する外周膜部24となる。したがって、ポリシリコン層8、凹部6の円筒面に設けられた絶縁層7および外周膜部24を含む可動膜25が構成されている。可動膜25は、ポリシリコン層8と略等しい膜厚を有する薄膜である。可動膜25は、全体が基準圧室11との対向方向に変位可能である。ポリシリコン層8は、外周膜部24の内側である可動膜25の中央領域に位置している。ポリシリコン層8は、平面視円形状のダイヤフラム12を構成している。ダイヤフラム12は、基準圧室11を上から区画するようにシリコン基板2の表層部に形成されている。ダイヤフラム12は、基準圧室11との対向方向シリコン基板2の厚さ方向に変位可能な薄膜である。ダイヤフラム12は、可動膜25の一部をなしていて、可動膜25の中央領域に位置している。ダイヤフラム12の直径は、基準圧室11の直径より若干小さく、この実施形態では、500~600μmである。また、ダイヤフラム12の厚みは、たとえば、0.5~1μmである。ただし、図20aでは、構造を明瞭に表すために、ダイヤフラム12の厚みを誇張して描いてある。凹部6の側面および底面に設けられた絶縁層7は、ダイヤフラム12の周端面の全域および下面の全域に接している。シリコン基板2は、凹部6に配置された絶縁層7を介して、ダイヤフラム12の周縁部を支持している。この状態で、ダイヤフラム12は、シリコン基板2に埋め込まれており、絶縁層7によって、シリコン基板2から絶縁分離されている。この実施形態では、ダイヤフラム12は、平面視において矩形領域3圧力センサ1の略中央に配置されている図19参照。ダイヤフラム12には、平面視円形の貫通孔13が、ダイヤフラム12の輪郭Lよりも内側の全域にわたって、所定の等間隔を隔てて多数形成されている図19参照。この実施形態では、複数の貫通孔13は、平面視において交差する2方向に沿って行列状に規則配列されている。全ての貫通孔13は、ダイヤフラム12の表面の被覆層9と基準圧室11との間の部分ポリシリコン層8、被覆層9および凹部6の底の絶縁層7も含むを貫通し、基準圧室11に連通している。各貫通孔13の直径は、この実施形態では、たとえば、0.5μmである。また、各貫通孔13の深さは、この実施形態では、たとえば、2~20μmである。貫通孔13の内壁面は、酸化シリコンSiO2からなる保護薄膜14側壁絶縁層で被覆されている。保護薄膜14は、貫通孔13の内壁面を覆うように筒状ここでは、円筒状に形成されており、基準圧室11にはみ出ないように、貫通孔13内に配置されている。全ての貫通孔13において、保護薄膜14の内側にはCVDChemicalVaporDeposition:化学的気相成長法によって形成された酸化シリコンSiO2からなる酸化膜が充填されて埋め込まれている。これにより、全ての貫通孔13が酸化膜の充填体15埋め込み材により閉塞されていて、貫通孔13の下方の扁平空間は、その内部圧力が圧力検出の際の基準とされる基準圧室11として密閉されている。基準圧室11は、この実施形態では、真空または減圧状態たとえば、10-5Torrに保持されている。貫通孔13に充填された酸化膜は、貫通孔13の各上方部において各貫通孔13を閉塞する充填体15をなしている。この酸化膜は、さらに、充填体15の下部に連続する被覆膜16をなしている。被覆膜16は、基準圧室11内に至り、基準圧室11の内壁面の全域を被覆している。個々の圧力センサ1において、ダイヤフラム12には、第1金属配線17第1配線が接続され、絶縁層7によってダイヤフラム12から絶縁分離されたシリコン基板2には、第2金属配線18第2配線が接続されている。第1金属配線17および第2金属配線18は、この実施形態ではアルミニウムAlからなり、表面絶縁層10上に設けられている。第1金属配線17は、表面絶縁層10および被覆層9を貫通して、ダイヤフラム12に接続されている。第2金属配線18は、表面絶縁層10、被覆層9および絶縁層7を貫通して、シリコン基板2に接続されている。図19に示すように、第1金属配線17には、第1金属端子19が接続されており、第2金属配線18には、第2金属端子20が接続されている。第1金属端子19および第2金属端子20は、この実施形態ではアルミニウムAlからなり、表面絶縁層10上に形成されている図20a参照。第1金属端子19は、平面視において、矩形領域3の四隅のいずれかに配置されている。第2金属端子20は、矩形領域3の一辺の長手方向略中央位置の近傍に配置されている。第1金属配線17は、ダイヤフラム12の径方向に沿って直線状に延び、矩形領域3の外周縁の付近で略直角に折れ曲って、矩形領域3の外周縁に沿って直線状に延びて、第1金属端子19に接続されている。第2金属配線18は、ダイヤフラム12の径方向に沿って直線状に延びて、第2金属端子20に接続されている。図20aに示すように、第1金属配線17、第2金属配線18、第1金属端子19および第2金属端子20は、窒化シリコンSiNからなるパッシベーション膜21により被覆されている。ただし、第1金属端子19は図20aの切断面には表れていない。パッシベーション膜21には、第1金属端子19および第2金属端子20をそれぞれパッドとして露出させる開口22が形成されている。図19では、パッシベーション膜21の図示が省略されている。この圧力センサ1では、ダイヤフラム12が可動電極となって、シリコン基板2が固定電極となるキャパシタ構造コンデンサが構成されている。具体的には、シリコン基板2において、基準圧室11を挟んでダイヤフラム12に下から対向する対向部分が固定電極部23となる。そして、第1金属端子19および第2金属端子20のそれぞれにバイアス電圧が与えられると、可動電極ダイヤフラム12と固定電極部23との電位差が一定になる。ダイヤフラム12がシリコン基板2の表面4側から圧力たとえば、気体圧力を受けると、基準圧室11の内部と外部との間ダイヤフラム12の両表面間に差圧が生じることによってダイヤフラム12を含む可動膜25全体がシリコン基板2の厚さ方向に変位する。この際、可動膜25では、その中央領域にあるダイヤフラム12が最も大きく変位する撓む。これに伴い、ダイヤフラム12と固定電極部23との間隔基準圧室11の深さが変化し、ダイヤフラム12と固定電極部23との間の静電容量が変化する。この静電容量の変化に基づいて、圧力センサ1に生じた圧力の大きさを検出することができる。つまり、この圧力センサ1は、静電容量型圧力センサである。ダイヤフラム12をシリコン基板2に埋め込んで、ダイヤフラム12の周縁部だけがシリコン基板2に支持される構成とすることにより、ダイヤフラム12と固定電極部23との対向面積を極力小さくして、寄生容量を小さく抑えることができる。図19を参照して、シリコン基板2の各矩形領域3において、その外周縁詳しくは、第1金属配線17において矩形領域3の外周縁に沿って直線状に延びている部分とダイヤフラム12との間には、集積回路領域272点鎖線で囲まれた領域が設けられている。集積回路領域27は、平面視でダイヤフラム12を取り囲む略矩形の環状領域である。集積回路領域27には、トランジスタその他の集積回路デバイス機能素子を含む集積回路部28が形成されている。すなわち、この圧力センサ1は、ダイヤフラム12等が形成されたシリコン基板2上に形成された集積回路部28を含んでいる。具体的には、図20bに示すように、集積回路領域27は、LOCOS層29によってシリコン基板2の他の領域から絶縁分離されている。集積回路領域27におけるシリコン基板2の表層部には、ソース30とドレイン31とが形成されており、シリコン基板2の表面4において集積回路領域27に相当する部分には、ゲート酸化膜32が、ソース30とドレイン31とに跨って形成されている。ゲート酸化膜32上には、ゲート電極33が、ソース30とドレイン31との間の部分チャンネルが形成される部分と対向するように形成されている。LOCOS層29およびゲート酸化膜32の上には、ゲート電極33を覆うように、表面絶縁層10が形成されている。そして、表面絶縁層10の表面には、ソース側金属配線35と、ドレイン側金属配線36とが設けられている。ソース側金属配線35は、表面絶縁層10およびゲート酸化膜32を貫通してソース30に接続されている。ドレイン側金属配線36は、表面絶縁層10およびゲート酸化膜32を貫通してドレイン31に接続されている。表面絶縁層10の表面には、ソース側金属配線35およびドレイン側金属配線36を覆うように、パッシベーション膜21が形成されている。ここでは、集積回路領域27に配置された構成要素群を集積回路部28と呼ぶ。図21A~図21Rは、第8の実施形態の圧力センサの製造工程を示す。図21A~図21Rのそれぞれにおいて、断面図が2つ示されている場合、上側の断面図は、図20aと同じ位置での切断面を示し、下側の断面図は、図20bと同じ位置での切断面を示す。圧力センサ1を製造するには、図21Aに示すように、シリコン基板2ウエハが準備される。この時点でのシリコン基板2の厚さは、この実施形態では、約300μmである。具体的には、直径が6インチで厚さが約625μmのシリコン基板2、または、直径が8インチで厚さが約725μmのシリコン基板2のいずれかを選択して、300μmまで薄くした後の状態が、図21Aに示されている。次いで、熱酸化法またはCVD法により、シリコン基板2の表面4に、数百Åの厚さの酸化膜40が形成され、フォトリソグラフィにより、酸化膜40上に、図示しないレジストパターンが形成される。このレジストパターンは、凹部6図20a参照に対応した円形状の開口を有している。次いで、このレジストパターン図示せずをマスクとするプラズマエッチングにより、酸化膜40が選択的に除去される。図21Bでは、プラズマエッチングが終了した状態が示されており、酸化膜40には、円形状の開口41が形成されている。次いで、酸化膜40をマスクとする異方性のエッチングたとえばCDEChemicalDryEtchingにより、シリコン基板2が掘り下げられ、図21Cに示すように、シリコン基板2に凹部6が形成される。凹部6の深さは、ここでは、1μm程度である。その後、酸化膜40は、除去される。次いで、図21Dに示すように、熱酸化法またはCVD法により、シリコン基板2の表面4には、絶縁層7が形成される。このとき、絶縁層7は、シリコン基板2の全表面を被覆するので、凹部6の内壁面側面および底面にも形成される。次いで、CVD法により、図21Eに示すように、絶縁層7の表面に、ポリシリコンからなるポリシリコン膜42が形成される。ここで、ポリシリコン膜42の厚さ寸法は、凹部6の深さ寸法1μm程度とほぼ同じである。次いで、このポリシリコン膜42に対して、不純物たとえば、リンPイオンやボロンBイオンが打ち込まれるイオン注入。インプランテーション。その後、シリコン基板2に熱処理が施される。これにより、ポリシリコン膜42が低抵抗化される。次いで、CMPChemicalMechanicalPolishing:化学的機械的研磨法により、図4Faに示すように、凹部6の外にはみ出たポリシリコン膜42が研磨されて除去される。これにより、ポリシリコン膜42は、凹部6内にだけ存在し、ポリシリコン層8として、凹部6内に埋め込まれた状態となる。この状態では、凹部6以外の領域における絶縁層7の表面が露出され、ポリシリコン層8の上面と、ほぼ面一になっている。その後、集積回路領域27側の絶縁層7図21Fc参照が除去される。次いで、図21Gに示すように、熱酸化法またはCVD法により、凹部6以外の領域における絶縁層7の表面と、ポリシリコン層8の天面と、集積回路領域27側におけるシリコン基板2の表面4とには、酸化シリコンSiO2からなる被覆層9が形成される。次いで、図21Haに示すように、フォトリソグラフィにより、被覆層9上に、レジストパターン45が形成される。レジストパターン45は、複数の貫通孔13図19および図20a参照に対応した複数の開口46を有している。貫通孔13の断面を円形に形成するときには、それに応じて、開口46は、円形に形成される。各開口46の直径は、貫通孔13と同様に、約0.5μmである。平面視において、全ての開口46は、ポリシリコン層8の内側に形成される図21Hb参照。次いで、レジストパターン45をマスクとするプラズマエッチングにより、被覆層9が選択的に除去される。これにより、被覆層9に、貫通孔13に対応した開口が形成される。図21Hでは、プラズマエッチングが終了した状態が示されている。次いで、レジストパターン45をマスクとする異方性のディープRIEReactiveIonEtching:反応性イオンエッチングにより、ポリシリコン層8が掘り下げられる。これにより、図21Iaに示すように、ポリシリコン層8においてレジストパターン45の各開口46換言すれば、被覆層9において選択的に除去された部分に一致する位置に第1孔部47が形成される。開口46が円形であれば、円柱凹状の第1孔部47が形成される。第1孔部47は、ポリシリコン層8の表面の被覆層9から凹部6の底の絶縁層7に至る深さで下方に延びており、各第1孔部47の底面が凹部6の底における絶縁層7の表面と一致するように形成される。つまり、第1孔部47は、絶縁層7を貫通しない。第1孔部47の形成の際、レジストパターン45が同時にエッチングされて薄膜化されていく。第1孔部47の形成後には、レジストパターン45の余った部分が剥離される。第1孔部47の形成のための深掘りRIEは、いわゆるボッシュプロセスで行ってもよい。ボッシュプロセスでは、SF6六フッ化硫黄を使用してポリシリコン層8をエッチングする工程と、C4F8パーフルオロシクロブタンを使用してエッチング面に保護膜を形成する工程とが交互に繰り返される。これにより、高いアスペクト比でポリシリコン層8をエッチングすることができる。次いで、図21Jaに示すように、熱酸化法またはCVD法により、ポリシリコン層8において各第1孔部47を区画する内側壁全域つまり、第1孔部47の円周面および底面および被覆層9の表面に、酸化シリコンSiO2からなる保護薄膜14が形成される。保護薄膜14の厚さは、約1000Åである。この時点で、各第1孔部47内における保護薄膜14は、第1孔部47の内側壁を覆う筒状具体的には円筒状であって、第1孔部47の下端に底面部分を有している。次いで、図21Kaに示すように、RIEにより、保護薄膜14における第1孔部47の底面上の部分円筒状の保護薄膜14における底面部分と被覆層9の表面上の部分とが除去される。同時に、凹部6の底における絶縁層7において各第1孔部47の真下の部分が除去される。これにより、各第1孔部47の真下には、第1孔部47の内側壁の保護薄膜14の内側の領域において絶縁層7を貫通する第2孔部48が形成される。このとき、上下に並ぶ第1孔部47と第2孔部48とは互いに連通する。これにより、ポリシリコン層8の表面からポリシリコン層8および絶縁層7凹部6の底の絶縁層7を貫通する貫通孔13が完成する。第2孔部48が形成されて貫通孔13が完成した状態で、貫通孔13の底面第2孔部48の底面でもあるからシリコン基板2の結晶面が露出する。次いで、図21Laに示すように、シリコン基板2の表面4側から各貫通孔13内にエッチング剤が導入される等方性エッチング。たとえば、プラズマエッチング等のドライエッチングを適用する場合にはエッチングガスが貫通孔13に導入される。また、ウェットエッチングを適用する場合にはエッチング液が貫通孔13に導入される。これにより、被覆層9と各第1孔部47貫通孔13の内側面の保護薄膜14と、絶縁層7とをマスクとして、シリコン基板2において、凹部6の底における絶縁層7の下厳密には、各貫通孔13の底の周囲の基板材料が等方的にエッチングされる。具体的には、各貫通孔13の底を起点として、シリコン基板2が、その厚さ方向と、厚さ方向に直交する方向とにエッチングされる。ここで、ポリシリコン層8は、被覆層9、保護薄膜14および絶縁層7に被覆されているので、絶縁層7より上側のポリシリコン層8がエッチングされることはない。そして、等方性エッチングの結果、シリコン基板2の内部において、凹部6の底の絶縁層7の下方には、各貫通孔13に連通する基準圧室11が形成される。同時に、基準圧室11の上方のポリシリコン層8がダイヤフラム12となる。完成した基準圧室11の深さシリコン基板2の厚さ方向の寸法は、たとえば、10~15μmとなっている。また、等方性エッチングの際、基準圧室11が凹部6のポリシリコン層8よりも広い領域に至るように絶縁層7の下方のシリコン基板2の材料がエッチングされ、シリコン基板2の厚さ方向に直交する方向において、基準圧室11がポリシリコン層8よりも広い領域に至るように形成される。その結果、前述した外周膜部24が形成され、ポリシリコン層8、凹部6の円筒面に設けられた絶縁層7および外周膜部24によって、前述した可動膜25が構成される。ここで、エッチング剤の導入量に応じて、基準圧室11の深さを調整することができる。また、隣り合う貫通孔13の間隔に応じて基準圧室11の深さを調整することもできる。この場合、たとえば、貫通孔13の間隔が狭いと、比較的短時間のエッチングで隣接する貫通孔13から広がった空間が連続して基準圧室11が形成される。したがって、基準圧室11の高さは比較的低くなる。一方、貫通孔13の間隔が広いと、隣接する貫通孔13から広がる空間がつながるまでに比較的長時間エッチングしなければならない。それに応じて、基準圧室11の高さが高くなる。このように基準圧室11の深さを調整することで、ダイヤフラム12可動電極とシリコン基板2の固定電極部23との間隔を制御でき、これに応じて、圧力センサ1図20a参照の感度を調整できる。また、絶縁層7より上側の部材がエッチングされないから、基準圧室11が完成した状態で、各貫通孔13第1孔部47における円筒状の保護薄膜14が基準圧室11内にはみ出ることはない。そのため、基準圧室11の天面は平坦であり、基準圧室11は、ほぼ完全な円筒形状をなしている。そして、図21Maに示すように、CVD法により、各貫通孔13を酸化膜で埋め尽くして閉塞する。より詳細には、貫通孔13を構成する第1孔部47の円周面にある保護薄膜14の内側部分における上方部に、貫通孔13を閉塞するように酸化膜が形成される。この酸化膜が、前述した充填体15である。つまり、この工程では、各貫通孔13内に充填体15が埋め込まれる。各貫通孔13が閉塞されることによって、基準圧室11が真空状態で密閉される。また、この際、貫通孔13から酸化膜がはみ出ることによって、被覆層9の表面に凹凸ができるが、レジストエッチバック法により、被覆層9の表面が平坦化される。貫通孔13が大径であるほど、被覆層9の表面に大きな凹凸ができやすい。貫通孔13を閉塞するための酸化膜は、貫通孔13内だけにとどまらず、前述した被覆膜16として、充填体15に連続して、貫通孔13の底から基準圧室11内に至り、基準圧室11の内壁面の全域を被覆する。基準圧室11は、十分な深さ10~15μmを有しているので、被覆膜16によって埋まってしまうことはない。なお、貫通孔13の直径が小さい程、貫通孔13が速やかに閉塞されるから、被覆膜16が薄くなる。次に、集積回路領域27に集積回路部28図20b参照を形成する工程が実施される。集積回路領域27は、シリコン基板2において基準圧室11およびダイヤフラム12が形成される領域以外の領域である。まず、図21Nに示すように、シリコン基板2の被覆層9の表面に、窒化シリコンSiNからなる窒化膜49が形成される。次いで、図21Oに示すように、所定パターンのマスク図示せずを介したプラズマエッチングにより、窒化膜49が選択的に除去される。その結果、集積回路領域27になる予定の部分にだけ、窒化膜49が残る。次いで、残った窒化膜49をマスクにして、その周囲のシリコン基板2の表面部を酸化して窒化膜49の周りにLOCOS層29を形成する。その後、窒化膜49およびその下の被覆層9を除去して、ゲート酸化膜32をたとえば熱酸化法によって新たに形成する。ゲート酸化膜32が形成された状態が、図21Pbに示されている。シリコン基板2においてゲート酸化膜32が形成された領域LOCOS層29によって分離された領域が、集積回路領域27となる。次いで、集積回路領域27内のゲート酸化膜32にポリシリコン膜が堆積される。このポリシリコン膜を、フォトリソグラフィによってパターニングすることにより、図21Qに示すように、ゲート酸化膜32上にゲート電極33が形成される。次いで、図21Rbに示すように、シリコン基板2の表面上に、レジストパターン51が形成される。レジストパターン51は、集積回路領域27に対応した1つの開口52を有している。そして、シリコン基板2の表層部に、レジストパターン51およびゲート電極33をマスクとして、不純物たとえば、砒素Asイオンが注入される。これにより、集積回路領域27におけるシリコン基板2の表層部には、ゲート電極33を挟んで対向する領域にソース30とドレイン31とが形成される。レジストパターン51が除去された後、CVD法によって、シリコン基板2の表面を覆う表面絶縁層10が形成される。この表面絶縁層10は、具体的には、図21Raに示す被覆層9、ならびに、図21Rbに示すLOCOS層29およびゲート酸化膜32を覆うように形成される。表面絶縁層10は、たとえば、酸化シリコンからなる。次いで、図20aに示すように、フォトリソグラフィにより、開口コンタクトホール53が、表面絶縁層10および被覆層9を貫通するように形成される。コンタクトホール53は、ダイヤフラム12の一部を露出させる位置に形成される。同時に、別のコンタクトホール53が、表面絶縁層10、被覆層9および絶縁層7を貫通するように形成される。このコンタクトホール53は、シリコン基板2の一部を露出させる位置に形成される。さらに、同時に、図20bに示すように、ソース30およびドレイン31のためのコンタクトホール54が形成される。コンタクトホール54は、表面絶縁層10およびゲート酸化膜32を貫通して、ソース30およびドレイン31の各一部を露出させるように形成される。なお、図示していないが、同じ工程において、ゲート電極33につながるコンタクトホールが、表面絶縁層10を貫通するように形成される。次いで、スパッタ法により、表面絶縁層10上に、アルミニウムが堆積され、アルミニウム堆積膜55が形成される。アルミニウム堆積膜55は、コンタクトホール53,54等を介して、ダイヤフラム12、シリコン基板2、ソース30、ドレイン31およびゲート電極33のそれぞれに接続される。次いで、フォトリソグラフィにより、アルミニウム堆積膜55上にレジストパターン図示せずが形成され、その後、このレジストパターンをマスクとするプラズマエッチングにより、アルミニウム堆積膜55が選択的に除去される。これにより、第1金属配線17、第2金属配線18、第1金属端子19および第2金属端子20が同時に形成される図19参照。この際、第1金属配線17は、対応するコンタクトホール53を介してダイヤフラム12に接続され、第2金属配線18は、対応するコンタクトホール53を介してシリコン基板2に接続される図20a参照。また、集積回路部28のソース30、ドレイン31およびゲート電極33のそれぞれにつながる金属配線ソース側金属配線35やドレイン側金属配線36等や金属端子図示せずも同時に形成される。その後、このレジストパターンは、剥離される。次いで、CVD法により、表面絶縁層10上に、パッシベーション膜21が形成される。その後は、図20aに示すように、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、パッシベーション膜21に、第1金属端子19および第2金属端子20集積回路部28側の図示しない金属端子も含むをそれぞれパッドとして露出させる開口22が形成される。図20aでは、第2金属端子20を露出させる開口22が図示されている。また、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、パッシベーション膜21に、表面絶縁層10において全ての貫通孔13を包囲する領域つまり、ダイヤフラム12のほぼ全域を露出させる開口56が形成される。開口56は、たとえば、平面視において基準圧室11と相似の形状であり、ここでは、円形状とされる図19参照。以上により、第8の実施形態の圧力センサ1が得られる。パッシベーション膜21に開口56を形成して開口56からダイヤフラム12を露出させるのは、ダイヤフラム12を撓みやすくするためである。ダイヤフラム12上にパッシベーション膜21が存在すると、ダイヤフラム12が撓みにくくなり、圧力センサ1の感度が下がる。ここで、集積回路部28を形成する工程は、集積回路領域27側におけるシリコン基板2の表面4に被覆層9を形成する工程図21Gb参照から、基準圧室11を形成するために被覆層9にレジストパターン45を形成する工程図21Hまでの間に実施されてもよい以降の実施形態においても同じ。第8の実施形態によれば、シリコン基板2に形成した凹部6の内壁面に絶縁層7を形成し図21Da参照、凹部6内にポリシリコン層8を埋め込むことによって図21Ea参照、ポリシリコン層8とシリコン基板2とを絶縁層7で絶縁することができる図21Fa参照。そして、図21Laに示すように、ポリシリコン層8および絶縁層7を貫通する貫通孔13内にエッチング剤が導入されることによって、絶縁層7の下方に基準圧室11が形成される。その一方で、凹部6内のポリシリコン層8が、圧力変動に応じて変形するダイヤフラム12となる。そのため、2枚のシリコン基板2を接合しなくても、シリコン基板2を1枚だけ用いた少ない工程で基準圧室11およびダイヤフラム12を形成することができるので、低コストかつ小型な圧力センサ1図20a参照を簡単に製造することができる。そして、絶縁層7によってダイヤフラム12とシリコン基板2とが絶縁されているから、絶縁層7の下方の基板材料をエッチングするエッチング剤によってダイヤフラム12が侵食されることがないので、ダイヤフラム12の厚さを、精度よく、狙った寸法で形成することができる。そのため、感度の向上を図れるとともに感度のばらつきを抑えることができる圧力センサ1を簡単に製造することができる。また、図21Maに示すように、貫通孔13に充填体15を埋め込むことによって、貫通孔13の下の基準圧室11を密閉することができる。これにより、図20aに示すように、完成した圧力センサ1は、基準圧室11内の圧力を基準圧力としておくことにより、ダイヤフラム12が受ける圧力を基準圧力に対する相対的な圧力として検出することができる。また、基準圧室11を凹部6よりも広い領域に至るように絶縁層7の下方のシリコン基板2の材料がエッチングされる図21La参照。そのため、圧力センサ1が完成すると、基準圧室11の上方には、ダイヤフラム12およびその周囲に形成された外周膜部24を有する可動膜25が形成される。ダイヤフラム12は、外周膜部24の内側の中央領域に位置するので、可動膜25が撓んだときに、大きく変位する。これにより、微小な圧力変動に対するダイヤフラム12の応答性が良くなる。そのため、圧力センサ1の感度を向上できる。また、貫通孔13は、第1孔部47と第2孔部48とによって構成される。第1孔部47の内側壁に保護薄膜14が形成されているので、貫通孔13内に導入されたエッチング剤によって第1孔部47の内側壁ダイヤフラム12となる部分が侵食されることを防止できる図21La参照。これにより、ダイヤフラム12ポリシリコン層8の面積のばらつきを抑制できる。そして、第1孔部47の内側壁に保護薄膜14を形成してから、絶縁層7を貫通する第2孔部48を形成することで貫通孔13を完成させるので図21Ka参照、貫通孔13が完成した状態で、保護薄膜14が貫通孔13から基準圧室11内に突出しない。そのため、保護薄膜14の突出に起因する静電容量の変動が生じない。これにより、ダイヤフラム12と基準圧室11の底面の固定電極部23との間の静電容量を、保護薄膜14の影響を考慮することなく定めることができるから、設計が容易になる。その結果として、感度の向上を図れるとともに、感度のばらつきを抑えることができる圧力センサ1を簡単に製造することができる。また、図20bに示すように、シリコン基板2において基準圧室11が形成される領域以外の集積回路領域27に集積回路部28を形成することで、圧力センサ1および集積回路部28を同一のシリコン基板2詳しくは、図1の各矩形領域3に形成することができる。特に、ダイヤフラム12がシリコン基板2に埋め込まれていることから図20a参照、シリコン基板2の表面4が平坦な状態を維持しつつ圧力センサ1を構成しているので、各矩形領域3の平坦な表面4においてダイヤフラム12以外の領域に、集積回路部28を併せて形成することができる。これにより、圧力センサ1の本体部分ダイヤフラム12が形成された部分と集積回路部28LSIとを1チップで構成すること1チップ化が可能となる図19参照。9第9の実施形態次に、第9の実施形態について説明するが、第9の実施形態において、第8の実施形態で説明した部分と対応する部分には、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。また、第9の実施形態の圧力センサ1の製造工程に関し、第8の実施形態で説明した製造工程と同じものについては、詳細な説明を省略する。図22aは、第9の実施形態の圧力センサの拡大平面図であり、図22bは、図22aの切断面線B-Bにおける断面図である。第9の実施形態に係る圧力センサ1では、第8の実施形態の構成図20a参照に加えて、図22bに示すように、エッチングストップ層60が備えられている。エッチングストップ層60は、基準圧室11およびダイヤフラム12のそれぞれの側面を区画するように形成されている。エッチングストップ層60は、平面視で基準圧室11およびダイヤフラム12を取り囲む円筒状の縦壁を形成している図22a参照。これにより、基準圧室11およびダイヤフラム12のそれぞれの側面が、エッチングストップ層60によって区画されている。平面視において、エッチングストップ層60の内周縁とダイヤフラム12の輪郭Lとは一致している。エッチングストップ層60は、シリコン基板2の表面4を被覆する絶縁層7に連続しており、シリコン基板2の深部に向かって延びている。より具体的には、エッチングストップ層60は、基準圧室11の底面よりも深い位置までシリコン基板2内に延びている。また、エッチングストップ層60は、その縦方向シリコン基板2の厚さ方向における途中位置において、凹部6の底に設けられた絶縁層7につながっている。換言すれば、凹部6の底に設けられた絶縁層7は、エッチングストップ層60を縦方向において二分するようにエッチングストップ層60の縦方向途中位置につながっている。エッチングストップ層60において、凹部6の底に設けられた絶縁層7より上側の部分は、凹部6の側面円筒状の内周面を被覆している。ダイヤフラム12凹部6の底の絶縁層7も含むの下側に基準圧室11が存在し、ダイヤフラム12の外側にエッチングストップ層60が存在するので、ダイヤフラム12は、シリコン基板2から電気的に絶縁分離されている。図23A~図23Uは、第9の実施形態の圧力センサの製造工程を示す。図23A~図23Uのそれぞれにおいて、断面図が2つ示されている場合、上側の断面図は、図22bと同じ位置での切断面を示し、下側の断面図は、図20bと同じ位置での切断面を示す。第9の実施形態の圧力センサ1を製造するには、図23Aに示すように、シリコン基板2が準備され、図21Aで説明したように、シリコン基板2の表面4に酸化膜40が形成される。次いで、フォトリソグラフィにより、酸化膜40上に、図示しないレジストパターンが形成される。このレジストパターンは、エッチングストップ層60図22参照に対応した円環状の開口を有している。次いで、このレジストパターン図示せずをマスクとするプラズマエッチングにより、酸化膜40が選択的に除去される。図23Bでは、プラズマエッチングが終了した状態が示されており、酸化膜40には、円環状の開口61が形成されている。次いで、酸化膜40をマスクとする異方性のディープRIEにより、シリコン基板2が掘り下げられ、図23Cに示すように、シリコン基板2に環状トレンチ62が形成される。環状トレンチ62は、円環状の縦溝である。環状トレンチ62は、シリコン基板2の表面4において凹部6換言すれば、ダイヤフラム12が形成される予定の領域を取り囲むように形成される図22b参照。さらに、環状トレンチ62は、シリコン基板2において基準圧室11の底面となる予定の部分図22b参照よりも深くなるように形成される。次いで、図23Dに示すように、CVD法により、環状トレンチ62が、酸化膜で埋め尽くされる。環状トレンチ62内にある酸化膜が、エッチングストップ層60である。つまり、この工程において、環状トレンチ62にエッチングストップ層60が埋め込まれる。この際、環状トレンチ62から酸化膜がはみ出ることによって、酸化膜40の表面に凹凸ができるが、レジストエッチバック法により、酸化膜40の表面が平坦化される。その後の工程は、第8の実施形態の図21B以降の工程と同じである。つまり、まず、フォトリソグラフィにより、酸化膜40上に、図示しないレジストパターンが形成される。このレジストパターンは、凹部6図22b参照に対応した開口を有している。ここでは、凹部6は円形状なので、レジストパターンの開口は円形状をなす。次いで、図21Bで説明したように、このレジストパターン図示せずをマスクとするプラズマエッチングにより、酸化膜40が選択的に除去され、プラズマエッチングが終了すると、図23Eに示すように、酸化膜40に円形状の開口41が形成される。平面視において、開口41の輪郭とエッチングストップ層60の内周縁とが一致している。次いで、図21Cで説明したように、酸化膜40をマスクとする異方性のエッチングたとえば、CDEにより、シリコン基板2が掘り下げられ、図23Fに示すように、エッチングストップ層60の内側に、1μm程度の深さの凹部6が形成される。凹部6は、エッチングストップ層60の下端の深さよりも浅く形成される。その後、シリコン基板2の表面4上の酸化膜40が除去される。このとき、凹部6の底より上側のエッチングストップ層60は、引き続き存在していて、凹部6の円周面を区画している。次いで、図21Dで説明したように、図23Gに示すように、熱酸化法またはCVD法により、シリコン基板2の表面4に絶縁層7が形成される。このとき、絶縁層7は、凹部6の内壁面にも形成される。ただし、凹部6の円周面には、エッチングストップ層60が既に存在して絶縁層7として機能しているので、今回、凹部6では、底面に絶縁層7が新しく形成される。次いで、図21Eで説明したように、図23Hに示すように、CVD法により、絶縁層7の表面にポリシリコン膜42が形成される。次いで、このポリシリコン膜42に対して、不純物が注入され、その後、シリコン基板2に熱処理が施される。これにより、ポリシリコン膜42が低抵抗化される。次いで、図21Fで説明したように、図23Iaに示すように、凹部6の外にはみ出たポリシリコン膜42が研磨されて除去され、これにより、残ったポリシリコン膜42がポリシリコン層8として凹部6内に埋め込まれた状態となる。その後、集積回路領域27側の絶縁層7図23Ic参照は除去される。次いで、図21Gで説明したように、図23Jに示すように、凹部6以外の領域における絶縁層7の表面と、ポリシリコン層8の天面と、集積回路領域27側におけるシリコン基板2の表面4とには、熱酸化法またはCVD法により、酸化シリコンSiO2からなる被覆層9が形成される。次いで、図21Haで説明したように、図23Kに示すように、フォトリソグラフィにより被覆層9上に形成されたレジストパターン45をマスクとするプラズマエッチングにより、被覆層9が選択的に除去される。次いで、レジストパターン45をマスクとする異方性のディープRIEにより、ポリシリコン層8が掘り下げられる。これにより、図21Iaで説明したように、図23Laに示すように、ポリシリコン層8に第1孔部47が形成されるとともに、レジストパターン45の余った部分が剥離される。次いで、図21Jaで説明したように、図23Maに示すように、熱酸化法またはCVD法により、第1孔部47の円周面および底面、ならびに被覆層9の表面に保護薄膜14が形成される。次いで、図21Kaで説明したように、図23Naに示すように、RIEにより、各第1孔部47の真下に第2孔部48が形成され、貫通孔13が完成する。次いで、図21Laで説明したように、図23Oaに示すように、各貫通孔13内にエッチング剤が導入され、シリコン基板2において、凹部6の底における絶縁層7の下の基板材料が等方的にエッチングされる。ここで、前述したようにポリシリコン層8がエッチングされることはないが、エッチングストップ層60が存在することから、シリコン基板2の厚さ方向に直交する方向においてエッチングストップ層60より外側の基板材料がエッチングされることもない。そして、等方性エッチングの結果、基準圧室11が形成される。このとき、基準圧室11の上方のポリシリコン層8がダイヤフラム12となる。ここで、シリコン基板2の厚さ方向に直交する方向において、基準圧室11およびダイヤフラム12は、エッチングストップ層60によって区画されている。そして、図21Maで説明したように、図23Paに示すように、CVD法により、各貫通孔13内に充填体15が埋め込まれる。また、レジストエッチバック法により、被覆層9の表面が平坦化される。次に、集積回路領域27に集積回路部28図20b参照を形成する工程が実施される。まず、図21Nで説明したように、図23Qに示すように、シリコン基板2の被覆層9の表面に窒化膜49が形成される。次いで、図21Oで説明したように、図23Rに示すように、所定パターンのマスク図示せずを介したプラズマエッチングにより、集積回路領域27になる予定の部分にだけ、窒化膜49が残る。次いで、図21Pで説明したように、図23Sbに示すように、LOCOS層29が形成され、その後、ゲート酸化膜32が形成される。次いで、図21Qで説明したように、図23Tに示すように、ゲート酸化膜32上にゲート電極33が形成される。次いで、図21Rで説明したように、図23Ubに示すように、集積回路領域27におけるシリコン基板2の表層部に、ソース30とドレイン31とが形成される。その後、表面絶縁層10が形成され、図20で説明したように、図22に示すように、第1金属配線17、第2金属配線18、第1金属端子19および第2金属端子20図22a参照が形成される。同時に、集積回路部28のソース30、ドレイン31およびゲート電極33のそれぞれにつながる金属配線ソース側金属配線35やドレイン側金属配線36等であり、図20b参照や金属端子図示せずも形成される。また、表面絶縁層10上にパッシベーション膜21が形成され、パッシベーション膜21に、第1金属端子19および第2金属端子20集積回路部28側の図示しない金属端子も含むをそれぞれパッドとして露出させる開口22と開口56とが形成される。以上により、第9の実施形態の圧力センサ1が得られる。第9の実施形態によれば、第8の実施形態で得られる効果に加えて、以下の効果も奏することができる。第9の実施形態によれば、図22bに示すように、凹部6内のダイヤフラム12が、環状トレンチ62のエッチングストップ層60によって区画される。また、基準圧室11を形成するときの横方向へのエッチングが、エッチングストップ層60で停止する図23Oa参照。このように、ダイヤフラム12および基準圧室11の両方がエッチングストップ層60によって区画されることから、ダイヤフラム12および基準圧室11のそれぞれを、狙った寸法で精度良く形成することができる。そのため、感度の向上を図れるとともに感度のばらつきを抑えることができる圧力センサ1を簡単に製造することができる。10第10の実施形態次に、第10の実施形態について説明するが、第10の実施形態において、第8の実施形態で説明した部分と対応する部分には、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。また、第10の実施形態の圧力センサ1の製造工程に関し、第8の実施形態で説明した製造工程と同じものについては、詳細な説明を省略する。図24aは、第10の実施形態の圧力センサの拡大平面図であり、図24bは、図24aの切断面線C-Cにおける断面図である。第10の実施形態に係る圧力センサ1では、第8の実施形態の構成図20a参照に加えて、図24bに示すように、基準圧室11の底面を区画する位置に第2のエッチングストップ層70が備えられている。ここで、基準圧室11の底面は、基準圧室11の内壁面において凹部6の底の絶縁層7に下から対向する面である。第2のエッチングストップ層70は、平面視で基準圧室11より大径の円形状をなす絶縁層である。凹部6の底の絶縁層7と第2のエッチングストップ層70とは、基準圧室11の上下方向寸法深さ寸法に相当する間隔を隔てて上下に対向している。そのため、基準圧室11は、上下方向において、凹部6の底の絶縁層7と第2のエッチングストップ層70とに挟まれて区画されている。図25A~図25Uは、第10の実施形態の圧力センサの製造工程を示す。ここで、図25A~図25Uのそれぞれにおいて、断面図が2つ示されている場合、上側の断面図は、図24bと同じ位置での切断面を示し、下側の断面図は、図20bと同じ位置での切断面を示す。第10の実施形態の圧力センサ1を製造するには、シリコン基板2が準備され、図25Aに示すように、シリコン基板2の表面4に、数百Åの厚さの酸化膜73が形成される。次いで、図25Baに示すように、酸化膜73上に、フォトリソグラフィにより、レジストパターン71が形成される。レジストパターン71は、第2のエッチングストップ層70図24b参照に対応した1つの丸い開口72を有している図25Bb参照。そして、シリコン基板2の表層部図25Baにおいて×を付けた部分に、レジストパターン71をマスクとして、不純物たとえば、窒素Nイオンや酸素Oイオンが打ち込まれるイオン注入。インプランテーション。イオン注入の際の加速電圧は、たとえば、20~120keVとすればよい。酸化膜73は、イオン注入による表面4の損傷を抑制する。次いで、酸化膜73およびレジストパターン71が除去された後に、シリコン基板2の表面4に半導体層をエピタキシャル成長させる処理が行われる。エピタキシャル成長時にはシリコン基板2が加熱されるので、シリコン基板2に注入された不純物イオンが活性化する。これにより、図25Caに示すように、酸化シリコンSiO2または窒化シリコンSiNからなる第2のエッチングストップ層70が、シリコン基板2の表面4から所定の深さの位置に形成される。前記所定の深さの位置とは、シリコン基板2において基準圧室11の底面が形成される予定の深さの位置である図24b参照。シリコン基板2において、第2のエッチングストップ層70よりも上方の部分第2のエッチングストップ層70と表面4との間が、エピタキシャル成長したシリコン層エピタキシャル層である。エピタキシャル層の厚さは、たとえば、10~17μm程度である。エピタキシャル成長の代わりに、シリコン基板2の熱処理注入イオン拡散のためのドライブインのみでも、第2のエッチングストップ層70をシリコン基板2の表面4から前記所定の深さの位置たとえば、表面4から10~17μm程度の深さに形成することができる。この場合、不純物イオンをインプランテーションする際に図25Ba参照、インプランテーションの加速電圧を高くして、不純物イオン酸素イオンまたは窒素イオンを、シリコン基板2の表面4から前記所定の深さの位置に打ち込む。不純物イオンの加速電圧は、たとえば、200~1000keVとされる。その後、ドライブインを施して、注入したイオンを活性化すると、酸化物または窒化物からなる第2のエッチングストップ層70が、シリコン基板2の表面4から前記所定の深さの位置に形成される。その後に、酸化膜73図25Ba参照が除去される。なお、エピタキシャル成長の代わりにドライブインのみを適用する場合には、エピタキシャル層が存在しない分、シリコン基板2を薄くできる。その後の工程は、第8の実施形態の図21A以降の工程と同じである。つまり、まず、図21Aで説明したように、図25Dに示すように、シリコン基板2の表面4に酸化膜40が形成され、フォトリソグラフィにより、酸化膜40上に、図示しないレジストパターンが形成される。このレジストパターンは、凹部6図24b参照に対応した円形状の開口を有している。次いで、図21Bで説明したように、図25Eに示すように、このレジストパターン図示せずをマスクとするプラズマエッチングにより、酸化膜40が選択的に除去され、プラズマエッチングが終了すると、酸化膜40に円形状の開口41が形成される。次いで、図21Cで説明したように、酸化膜40をマスクとする異方性のエッチングたとえば、CDEにより、シリコン基板2が掘り下げられ、図25Fに示すように、1μm程度の深さの凹部6が形成される。次いで、図21Dで説明したように、図25Gに示すように、熱酸化法またはCVD法により、シリコン基板2の表面4に絶縁層7が形成される。このとき、絶縁層7は、凹部6の内壁面円周面および底面にも形成される。次いで、図21Eで説明したように、図25Hに示すように、CVD法により、絶縁層7の表面にポリシリコン膜42が形成される。次いで、このポリシリコン膜42に対して、不純物がインプランテーションされ、その後、シリコン基板2に熱処理が施される。これにより、ポリシリコン膜42が低抵抗化される。次いで、図21Fで説明したように、図25Iaに示すように、凹部6の外にはみ出たポリシリコン膜42が研磨されて除去され、これにより、残ったポリシリコン膜42がポリシリコン層8として凹部6内に埋め込まれた状態となる。その後、集積回路領域27側の絶縁層7図25Ic参照が除去される。次いで、図21Gで説明したように、図25Jに示すように、凹部6以外の領域における絶縁層7の表面と、ポリシリコン層8の天面と、集積回路領域27側におけるシリコン基板2の表面4とには、熱酸化法またはCVD法により、酸化シリコンSiO2からなる被覆層9が形成される。次いで、図21Haで説明したように、図25Kに示すように、フォトリソグラフィにより被覆層9上に形成されたレジストパターン45をマスクとするプラズマエッチングにより、被覆層9が選択的に除去される。次いで、レジストパターン45をマスクとする異方性のディープRIEにより、ポリシリコン層8が掘り下げられる。これにより、図21Iaで説明したように、図25Laに示すように、ポリシリコン層8に第1孔部47が形成されるとともに、レジストパターン45の余った部分が剥離される。次いで、図21Jaで説明したように、図25Maに示すように、熱酸化法またはCVD法により、第1孔部47の円周面および底面、ならびに被覆層9の表面に保護薄膜14が形成される。次いで、図21Kaで説明したように、図25Naに示すように、RIEにより、各第1孔部47の真下に第2孔部48が形成され、貫通孔13が完成する。次いで、図21Laで説明したように、図25Oaに示すように、各貫通孔13内にエッチング剤が導入され、シリコン基板2において、凹部6の底における絶縁層7の下の基板材料が等方的にエッチングされる。ここで、前述したようにポリシリコン層8がエッチングされることはないが、第2のエッチングストップ層70が存在することから、シリコン基板2において第2のエッチングストップ層70より下側の基板材料がエッチングされることもない。そして、等方性エッチングの結果、基準圧室11が形成される。このとき、基準圧室11の上方のポリシリコン層8がダイヤフラム12となる。ここで、シリコン基板2の厚さ方向において、基準圧室11は、凹部6の底の絶縁層7と第2のエッチングストップ層70とによって挟まれて区画されている。また、ダイヤフラム12が形成されるのと同時に、外周膜部24が形成され、これにより、可動膜25が形成される。そして、図21Maで説明したように、図25Paに示すように、CVD法により、各貫通孔13内に充填体15が埋め込まれる。また、レジストエッチバック法により、被覆層9の表面が平坦化される。次に、集積回路領域27に集積回路部28図20b参照を形成する工程が実施される。まず、図21Nで説明したように、図25Qに示すように、シリコン基板2の被覆層9の表面に窒化膜49が形成される。次いで、図21Oで説明したように、図25Rに示すように、所定パターンのマスク図示せずを介したプラズマエッチングにより、集積回路領域27になる予定の部分にだけ、窒化膜49が残る。次いで、図21Pで説明したように、図25Sbに示すように、LOCOS層29が形成され、その後、ゲート酸化膜32が形成される。次いで、図21Qで説明したように、図25Tに示すように、ゲート酸化膜32上にゲート電極33が形成される。次いで、図21Rで説明したように、図25Ubに示すように、集積回路領域27におけるシリコン基板2の表層部に、ソース30とドレイン31とが形成される。その後、表面絶縁層10が形成され、図20で説明したように、図24に示すように、第1金属配線17、第2金属配線18、第1金属端子19および第2金属端子20図24a参照が形成される。同時に、集積回路部28のソース30、ドレイン31およびゲート電極33のそれぞれにつながる金属配線ソース側金属配線35やドレイン側金属配線36等であり、図20b参照や金属端子図示せずも形成される。また、図24bに示すように、表面絶縁層10上にパッシベーション膜21が形成され、パッシベーション膜21に、第1金属端子19および第2金属端子20集積回路部28側の図示しない金属端子も含むをそれぞれパッドとして露出させる開口22と開口56とが形成される。以上により、第10の実施形態の圧力センサ1が得られる。第10の実施形態によれば、第8の実施形態で得られる効果に加えて、以下の効果を奏することもできる。第10の実施形態では、シリコン基板2において基準圧室11の底面に第2のエッチングストップ層70を形成する。この場合、貫通孔13内にエッチング剤を導入して絶縁層7の下方のシリコン基板2の材料をエッチングする際に、第2のエッチングストップ層70より下側のシリコン基板2の材料は、エッチング剤によって侵食されない図25Oa参照。そのため、基準圧室11が、絶縁層7と第2のエッチングストップ層70とに挟まれて区画されることから、基準圧室11を、狙った寸法で精度良く形成することができる。すなわち、ダイヤフラム12ポリシリコン層8と基準圧室11の底面固定電極部23との間の距離を精度良く設計値に合わせ込むことができるから、それらの間の静電容量のばらつきを抑制できる。そのため、感度の向上を図れるとともに、感度のばらつきを抑えることができる圧力センサ1を簡単に製造することができる。11第11の実施形態次に、第11の実施形態について説明するが、第11の実施形態において、第8~第10の実施形態で説明した部分と対応する部分には、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。また、第11の実施形態の圧力センサ1の製造工程に関し、第8~第10の実施形態で説明した製造工程と同じものについては、詳細な説明を省略する。図26aは、第11の実施形態の圧力センサの拡大平面図であり、図26bは、図26aの切断面線D-Dにおける断面図である。第11の実施形態に係る圧力センサ1では、第8の実施形態の構成図20a参照に加えて、図26bに示すように、第2の実施形態のエッチングストップ層60と、第3の実施形態の第2のエッチングストップ層70とが備えられている。以下では、エッチングストップ層60を、説明の便宜上、第1のエッチングストップ層60という。第1のエッチングストップ層60は、第2のエッチングストップ層70の深さまでシリコン基板2内に延びている。第1のエッチングストップ層60は、その縦方向シリコン基板2の厚さ方向における途中位置で凹部6の底の絶縁層7につながっているとともに、その下端部において第2のエッチングストップ層70にもつながっている。第2のエッチングストップ層70は、第1のエッチングストップ層60の内部に下から蓋をするように第1のエッチングストップ層60につながっている。そのため、ダイヤフラム12は、シリコン基板2から分離されている。また、基準圧室11は、凹部6の底の絶縁層7および第2のエッチングストップ層70によって、シリコン基板2の厚さ方向において区画され、さらに、その厚さ方向に直交する方向において第1のエッチングストップ層60によって区画されている。図27A~図27Xは、第11の実施形態の圧力センサの製造工程を示す。ここで、図27A~図27Xのそれぞれにおいて、断面図が2つ示されている場合、上側の断面図は、図26bと同じ位置での切断面を示し、下側の断面図は、図20bと同じ位置での切断面を示す。第11の実施形態の圧力センサ1を製造するには、図25Aで説明したように、図27Aに示すように、シリコン基板2の表面4に酸化膜73が形成される。次いで、図25Baで説明したように、図27Baに示すように、酸化膜73上に形成されたレジストパターン71をマスクとして、シリコン基板2の表層部に不純物が打ち込まれる。次いで、図25Cで説明したように、図27Caに示すように、酸化膜73およびレジストパターン71が除去された後に、シリコン基板2の表面4に半導体層をエピタキシャル成長させる処理が行われ、第2のエッチングストップ層70が、シリコン基板2の表面4から所定の深さの位置に形成される。ここで、インプランテーションの加速電圧が高かった場合には、エピタキシャル成長の代わりに、ドライブインのみが行われてもよい。その後の工程は、第9の実施形態の図23A以降の工程と同じである。つまり、まず、図23Aで説明したように、図27Dに示すように、シリコン基板2の表面4に酸化膜40が形成される。次いで、フォトリソグラフィにより、酸化膜40上に、図示しないレジストパターンが形成される。このレジストパターンは、エッチングストップ層60図26参照に対応した円環状の開口を有している。次いで、図23Bで説明したように、このレジストパターン図示せずをマスクとするプラズマエッチングにより、酸化膜40が選択的に除去される。図27Eでは、プラズマエッチングが終了した状態が示されており、酸化膜40には、円環状の開口61が形成されている。次いで、図23Cで説明したように、酸化膜40をマスクとする異方性のディープRIEにより、シリコン基板2が掘り下げられ、図27Fに示すように、環状トレンチ62が形成される。環状トレンチ62は、シリコン基板2の表面4において凹部6換言すれば、ダイヤフラム12が形成される予定の領域を取り囲むように形成される図26b参照。さらに、環状トレンチ62は、シリコン基板2において基準圧室11の底面となる予定の部分図26b参照より深くなるように形成される。形成された環状トレンチ62の下端部は、第2のエッチングストップ層70の周縁部に一致している。次いで、図23Dで説明したように、図27Gに示すように、CVD法により、環状トレンチ62にエッチングストップ層60が埋め込まれる。この際、レジストエッチバック法により、酸化膜40の表面が平坦化される。次いで、フォトリソグラフィにより、酸化膜40上に、図示しないレジストパターンが形成される。このレジストパターンは、凹部6図26b参照に対応した円形状の開口を有している。次いで、図23Eで説明したように、図27Hに示すように、このレジストパターン図示せずをマスクとするプラズマエッチングにより、酸化膜40が選択的に除去され、プラズマエッチングが終了すると、酸化膜40に円形状の開口41が形成される。平面視において、開口41の輪郭とエッチングストップ層60の内周縁とが一致している。次いで、図23Fで説明したように、酸化膜40をマスクとする異方性のエッチングたとえば、CDEにより、シリコン基板2が掘り下げられ、図27Iに示すように、エッチングストップ層60の内側に、1μm程度の深さの凹部6が形成される。その後、シリコン基板2の表面4上の酸化膜40が除去される。このとき、凹部6の底より上側のエッチングストップ層60は、引き続き存在している。次いで、図23Gで説明したように、図27Jaに示すように、熱酸化法またはCVD法により、シリコン基板2の表面4に絶縁層7が形成される。このとき、絶縁層7は、凹部6の内壁面にも形成される。ただし、凹部6の円周面には、エッチングストップ層60が既に存在して絶縁層7として機能しているので、今回、凹部6では、底面に絶縁層7が新しく形成される。次いで、図23Hで説明したように、図27Kに示すように、CVD法により、絶縁層7の表面にポリシリコン膜42が形成される。次いで、このポリシリコン膜42に対して、不純物がインプランテーションされ、その後、シリコン基板2に熱処理が施される。これにより、ポリシリコン膜42が低抵抗化される。次いで、図23Iaで説明したように、図27Laに示すように、凹部6の外にはみ出たポリシリコン膜42が研磨されて除去され、これにより、残ったポリシリコン膜42がポリシリコン層8として凹部6内に埋め込まれた状態となる。その後、集積回路領域27側の絶縁層7図27Lc参照が除去される。次いで、図23Jで説明したように、図27Mに示すように、凹部6以外の領域における絶縁層7の表面と、ポリシリコン層8の天面と、集積回路領域27側におけるシリコン基板2の表面4とには、熱酸化法またはCVD法により、酸化シリコンSiO2からなる被覆層9が形成される。次いで、図23Kで説明したように、図27Naに示すように、フォトリソグラフィにより被覆層9上に形成されたレジストパターン45をマスクとするプラズマエッチングにより、被覆層9が選択的に除去される。次いで、レジストパターン45をマスクとする異方性のディープRIEにより、ポリシリコン層8が掘り下げられる。これにより、図23Laで説明したように、図27Oaに示すように、ポリシリコン層8に第1孔部47が形成されるとともに、レジストパターン45の余った部分が剥離される。次いで、図23Maで説明したように、図27Pに示すように、熱酸化法またはCVD法により、第1孔部47の円周面および底面、ならびに被覆層9の表面に保護薄膜14が形成される。次いで、図23Naで説明したように、図27Qaに示すように、RIEにより、各第1孔部47の真下に第2孔部48が形成され、貫通孔13が完成する。次いで、図23Oaで説明したように、図27Raに示すように、各貫通孔13内にエッチング剤が導入され、シリコン基板2において、凹部6の底における絶縁層7の下の基板材料が等方的にエッチングされる。ここで、前述したようにポリシリコン層8がエッチングされることはないが、第1のエッチングストップ層60が存在することから、シリコン基板2の厚さ方向に直交する方向において第1のエッチングストップ層60より外側の基板材料がエッチングされることもない。また、第2のエッチングストップ層70が存在することから、シリコン基板2において第2のエッチングストップ層70より下側の基板材料がエッチングされることもない。そして、等方性エッチングの結果、基準圧室11が形成される。このとき、基準圧室11の上方のポリシリコン層8がダイヤフラム12となる。ここで、シリコン基板2の厚さ方向に直交する方向において、基準圧室11およびダイヤフラム12は、第1のエッチングストップ層60によって区画されている。また、シリコン基板2の厚さ方向において、基準圧室11は、凹部6の底の絶縁層7と第2のエッチングストップ層70とによって挟まれて区画されている。そして、図23Paで説明したように、図27Saに示すように、CVD法により、各貫通孔13内に充填体15が埋め込まれる。また、レジストエッチバック法により、被覆層9の表面が平坦化される。次に、集積回路領域27に集積回路部28図20b参照を形成する工程が実施される。まず、図23Qで説明したように、図27Tに示すように、シリコン基板2の被覆層9の表面に窒化膜49が形成される。次いで、図23Rで説明したように、図27Uに示すように、所定パターンのマスク図示せずを介したプラズマエッチングにより、集積回路領域27になる予定の部分にだけ、窒化膜49が残る。次いで、図23Sbで説明したように、図27Vbに示すように、LOCOS層29が形成され、その後、ゲート酸化膜32が形成される。次いで、図23Tで説明したように、図27Wに示すように、ゲート酸化膜32上にゲート電極33が形成される。次いで、図23Ubで説明したように、図27Xbに示すように、集積回路領域27におけるシリコン基板2の表層部に、ソース30とドレイン31とが形成される。その後、表面絶縁層10が形成され、図20で説明したように、図26に示すように、第1金属配線17、第2金属配線18、第1金属端子19および第2金属端子20図26a参照が形成される。同時に、集積回路部28のソース30、ドレイン31およびゲート電極33のそれぞれにつながる金属配線ソース側金属配線35やドレイン側金属配線36等であり、図20b参照や金属端子図示せずも形成される。また、図26bに示すように、表面絶縁層10上にパッシベーション膜21が形成され、パッシベーション膜21に、第1金属端子19および第2金属端子20集積回路部28側の図示しない金属端子も含むをそれぞれパッドとして露出させる開口22と開口56とが形成される。以上により、第11の実施形態の圧力センサ1が得られる。第11の実施形態によれば、第8~10の実施形態で得られる効果を奏することができる。12その他以上の実施形態では、ダイヤフラム10が、多数の貫通孔11を有する薄い円板形状である例を示した。ダイヤフラム10を形成する際、その直径を小さくすればダイヤフラム10を薄くできる。また、圧力センサ1の感度は、ダイヤフラム10の直径、厚さおよび形状に応じて変化し得る。以下では、ダイヤフラム10の直径、厚さおよび形状のそれぞれに応じた圧力センサ1の感度について説明する。図28aは、円形状のダイヤフラムの平面図であり、図28bは、四隅が直角になった四角形状のダイヤフラムの平面図であり、図28cは、四隅が丸められた四角形状のダイヤフラムの平面図である。図29は、ダイヤフラム径と圧力センサの感度との関係を示すグラフである。図30は、ダイヤフラム厚さと圧力センサの感度との関係を示すグラフである。図28を参照して、ダイヤフラム10の平面形状には、前述した円形状図28a参照の他に、四角形状図28b参照や、四隅が丸められた四角形状コーナー形状といい、図28c参照がある。ここで、四角形状およびコーナー形状のそれぞれのダイヤフラム10において点線で示した内接円図28bおよび図28c参照は、図28aに示す円形状のダイヤフラム10と同じ大きさの円である。図29は、ダイヤフラム10の厚さダイヤフラム厚さが一定ここでは、4.5μmの条件におけるダイヤフラム10の直径ダイヤフラム径と圧力センサ1の感度との関係を示している。ここでの感度とは、ダイヤフラム10に作用する圧力に90kPaの変化ΔPがあったときにおける、前述した出力端子16,18図4参照間の電圧変化の値ΔV単位はmVの大きさを指しており、ΔVが大きいほど感度が高い図14においても同じ。また、四角形状およびコーナー形状のダイヤフラム10のそれぞれでは、前述した内接円の直径が、ダイヤフラム径に相当する図28bおよび図28c参照。図29において、横軸は、ダイヤフラム径を示し、縦軸は、感度を示している。図29に示すように、ダイヤフラム10の形状を問わず、ダイヤフラム径が大きくなるほど感度が高い。そして、四角形状およびコーナー形状の方が円形状よりも感度が高い。また、同じダイヤフラム径ここでは、500μmを基準とすると、四角形状の方がコーナー形状よりも感度が若干高い。図30は、ダイヤフラム径が一定ここでは、500μmの条件におけるダイヤフラム厚さと圧力センサ1の感度との関係を示している。図30に示すように、ダイヤフラム10の形状を問わず、ダイヤフラム厚さが小さくなるほど感度が高い。そして、この場合においても、四角形状およびコーナー形状の方が円形状よりも感度が高い。以上のように、ダイヤフラム10の形状に関し、四角形状およびコーナー形状の方が、円形状よりも感度が高いのだが、その理由として、四角形状およびコーナー形状の方が、四隅の分だけ円形状よりも面積が大きいことが挙げられる図28参照。ダイヤフラム10の面積が大きくなるほどダイヤフラム10が撓みやすくなり、その分、ピエゾ抵抗R1~R4図2参照が歪みやすくなるので、圧力センサ1の感度が高くなる。ただし、四角形状では、四隅において、局所的な力がかかりやすいことから、破損が生じやすい。逆に、円形状のダイヤフラム10では、このような破損は生じにくい。そのため、感度および耐久性のいずれに重点を置くかで、ダイヤフラム10の形状が適宜選択される。四隅が丸いコーナー形状とすれば、感度と耐久性との要求を両立できる。むろん、ダイヤフラム10を四角形状以外の多角形状に形成してもよい。また、前述の実施形態では、圧力センサ1が作り込まれたシリコン基板2に集積回路部28が形成されている例を示したが、シリコン基板2に集積回路部28を形成しなくてもよい。以上、本発明の実施形態を説明したが、その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。"