"照射された放射線に応じた電荷を発生し、画素領域が六角形状の複数の画素をハニカム状に配列したセンサ部と、前記複数の画素の各々に設けられるとともに、前記電荷を収集する画素電極、該画素電極で収集された電荷を蓄積する蓄積容量、及び該蓄積容量に蓄積された電荷を読み出すための第1スイッチ素子と第2スイッチ素子とを有する検出部と、複数の画素行の各々に対応して配置されるとともに、該対応する画素行の前記第1スイッチ素子の制御端の各々に接続された複数の第1スキャン配線と、前記複数の画素行の列方向に隣接する一対の画素行の各々に対応して配置されるとともに、該列方向に隣接する一対の画素行の前記第2スイッチ素子の制御端の各々に接続された複数の第2スキャン配線と、前記複数の第1スキャン配線及び前記複数の第2スキャン配線と交差して配置された複数のデータ配線であって、前記列方向に隣接する一対の画素行において互いに隣接する3画素の前記第2スイッチ素子により読み出された該3画素の合成電荷量に相当する第1電荷信号を伝送する複数の第1データ配線と、該3画素と画素行方向に隣り合う所定の2画素の前記第2スイッチ素子により読み出された該2画素の合成電荷量に相当する第2電荷信号、及び該所定の2画素と画素列方向に隣接する所定の1画素の前記第1スイッチ素子により読み出された第3電荷信号を伝送する複数の第2データ配線とを含む複数のデータ配線と、前記複数のデータ配線の各々の一端に接続された複数のチャージアンプであって、第1期間に前記第1電荷信号を電圧信号に変換する複数の第1チャージアンプと、第2期間に前記第2電荷信号と前記第3電荷信号とを加算して電圧信号に変換する複数の第2チャージアンプとを含む複数のチャージアンプと、を備える放射線画像検出器。前記複数のデータ配線がさらに、前記複数の画素の各々に設けられた前記第1スイッチ素子により読み出された該複数の画素の各々の電荷に対応する第4電荷信号を伝送し、前記複数のチャージアンプがさらに、前記第4電荷信号を電圧信号に変換する請求項1に記載の放射線画像検出器。前記3画素、及び前記所定の2画素と前記所定の1画素とからなる3画素は、同一の画素行方向に連続する3画素と、該3画素と画素列方向下部において隣接しながら画素行方向に連続する2画素と、該3画素と画素列方向上部に隣接する1画素とを繰り返し単位とする画素群を構成し、該3画素の各々の画素の隣接する2辺が他の2つの画素の各々の1辺と隣接するように配置された請求項1又は請求項2に記載の放射線画像検出器。前記第1電荷信号及び前記第2電荷信号は、前記複数の第2スキャン配線に出力された信号に応じて前記第2スイッチ素子により読み出された前記合成電荷量に相当する信号であり、前記第3電荷信号は、前記複数の第2スキャン配線からの信号出力に対応して前記複数の第1スキャン配線より出力された信号に応じて前記第1スイッチ素子により読み出された電荷に対応する信号であり、前記第4電荷信号は、前記複数の第1スキャン配線に出力された信号に応じて前記複数の画素の前記第1スイッチ素子により読み出された電荷に対応する信号である請求項2に記載の放射線画像検出器。前記複数の第2チャージアンプは、前記第2期間のうち前記第1期間に対応する期間に前記第2電荷信号を積分し、前記第2期間のうち前記第1期間に相当する期間が経過後、前記第3電荷信号を積分する請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の放射線画像検出器。各々が前記3画素で構成される複数の画素群の輪郭によって囲まれた各領域の重心を用いて、1つの重心を内部に含みかつ該1つの重心の周囲に存在する6個の重心を結んだ線分で形成される六角形状の領域を隣接させて複数個形成したときに、該形成した複数個の六角形状の領域がハニカム状に配列されるように、前記画素群の各画素の組み合わせを定めたことを特徴とする請求項3に記載の放射線画像検出器。前記六角形状の画素領域を正六角形状となるように形成した請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の放射線画像検出器。前記六角形状の画素領域を扁平させた六角形状となるように形成した請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の放射線画像検出器。前記六角形状の画素領域を、該画素領域の中心を通る3本の対角線のうち1本の対角線を他の2本の対角線より短くし、該他の2本の対角線が等しい長さとなるように扁平させて形成した請求項8に記載の放射線画像検出器。前記複数のデータ配線は、前記六角形状の画素領域周縁の一部に沿って屈曲して配される請求項1又は請求項2に記載の放射線画像検出器。前記センサ部は前記放射線の照射を受けて電荷を発生する半導体膜を有し、該電荷が前記複数の画素の各々に設けられた蓄積容量に蓄積されるとともに、前記第1スイッチ素子及び前記第2スイッチ素子により該蓄積容量に蓄積された電荷が読み出される請求項1乃至10のいずれか1項に記載の放射線画像検出器。前記センサ部は照射された前記放射線を可視光に変換するシンチレータを有し、該変換された可視光が半導体層で電荷に変換された後、前記第1スイッチ素子及び前記第2スイッチ素子により該電荷が読み出される請求項1乃至10のいずれか1項に記載の放射線画像検出器。前記蓄積容量の一方の電極同士を相互に接続して所定電位に固定する複数の共通配線を、さらに備える請求項11に記載の放射線画像検出器。前記複数の共通配線は、前記蓄積容量、前記第1スイッチ素子、及び前記第2スイッチ素子を介して前記複数のデータ配線に接続される請求項13に記載の放射線画像検出器。前記複数の第1スキャン配線、前記複数の第2スキャン配線、前記複数のデータ配線、前記複数の共通配線、前記第1スイッチ素子、及び前記第2スイッチ素子は、前記センサ部の下層側に配されている請求項13に記載の放射線画像検出器。請求項1乃至15のいずれか1項に記載の放射線画像検出器により放射線画像を撮像することを特徴とする放射線画像撮像装置。請求項16に記載の放射線画像撮像装置と、前記放射線画像撮像装置に放射線画像の撮影を指示するとともに、該放射線画像撮像装置から放射線画像を取得する制御手段と、を備え、前記制御手段は、外部からの指示に基づき、放射線画像検出素子の1画素単位の画素情報を取得する第1の画像取得方法と、複数画素単位の画像情報を取得する第2の画像取得方法とを切り換える切換手段を有する放射線画像撮像システム。上述した六角形状の画素を用いて静止画と動画透視画の撮影をすることを考えた場合、特に動画のように高いフレームレートを維持するためには、同時に複数画素から電荷を読み取って、得られた値を加算する手法ビニングを考慮に入れるとともに、その画素加算をセンサ内で行うことが考えられる。ところが、複数の六角形状画素の画素加算において、その加算方法によっては、加算前後における画素位置複数の画素を1かたまりの画素としたときの重心位置に偏りが生じ、加算前に水平垂直斜め方向の各々の方向で均等な解像度を確保していたものが、加算後には維持できなくなる、という問題がある。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、複数の画素についての電荷の合成前後において、水平垂直斜めの各方向の解像度が維持できる放射線画像検出器を提供することを目的とする。上記の課題を解決するために、請求項1に記載の放射線画像検出器は、照射された放射線に応じた電荷を発生し、画素領域が六角形状の複数の画素をハニカム状に配列したセンサ部と、前記複数の画素の各々に設けられるとともに、前記電荷を収集する画素電極、該画素電極で収集された電荷を蓄積する蓄積容量、及び該蓄積容量に蓄積された電荷を読み出すための第1スイッチ素子と第2スイッチ素子とを有する検出部と、複数の画素行の各々に対応して配置されるとともに、該対応する画素行の前記第1スイッチ素子の制御端の各々に接続された複数の第1スキャン配線と、前記複数の画素行の列方向に隣接する一対の画素行の各々に対応して配置されるとともに、該列方向に隣接する一対の画素行の前記第2スイッチ素子の制御端の各々に接続された複数の第2スキャン配線と、前記複数の第1スキャン配線及び前記複数の第2スキャン配線と交差して配置された複数のデータ配線であって、前記列方向に隣接する一対の画素行において互いに隣接する3画素の前記第2スイッチ素子により読み出された該3画素の合成電荷量に相当する第1電荷信号を伝送する複数の第1データ配線と、該3画素と画素行方向に隣り合う所定の2画素の前記第2スイッチ素子により読み出された該2画素の合成電荷量に相当する第2電荷信号、及び該所定の2画素と画素列方向に隣接する所定の1画素の前記第1スイッチ素子により読み出された第3電荷信号を伝送する複数の第2データ配線とを含む複数のデータ配線と、前記複数のデータ配線の各々の一端に接続された複数のチャージアンプであって、第1期間に前記第1電荷信号を電圧信号に変換する複数の第1チャージアンプと、第2期間に前記第2電荷信号と前記第3電荷信号とを加算して電圧信号に変換する複数の第2チャージアンプとを含む複数のチャージアンプと、を備えることを特徴とする。請求項2に記載の放射線画像検出器は、前記複数のデータ配線がさらに、前記複数の画素の各々に設けられた前記第1スイッチ素子により読み出された該複数の画素の各々の電荷に対応する第4電荷信号を伝送し、前記複数のチャージアンプがさらに、前記第4電荷信号を電圧信号に変換することを特徴とする。請求項3に記載の放射線画像検出器は、前記3画素、及び前記所定の2画素と前記所定の1画素とからなる3画素が、同一の画素行方向に連続する3画素と、該3画素と画素列方向下部において隣接しながら画素行方向に連続する2画素と、該3画素と画素列方向上部に隣接する1画素とを繰り返し単位とする画素群を構成し、該3画素の各々の画素の隣接する2辺が他の2つの画素の各々の1辺と隣接するように配置されたことを特徴とする。請求項4に記載の放射線画像検出器は、前記第1電荷信号及び前記第2電荷信号は、前記複数の第2スキャン配線に出力された信号に応じて前記第2スイッチ素子により読み出された前記合成電荷量に相当する信号であり、前記第3電荷信号は、前記複数の第2スキャン配線からの信号出力に対応して前記複数の第1スキャン配線より出力された信号に応じて前記第1スイッチ素子により読み出された電荷に対応する信号であり、前記第4電荷信号は、前記複数の第1スキャン配線に出力された信号に応じて前記複数の画素の前記第1スイッチ素子により読み出された電荷に対応する信号であることを特徴とする。また、請求項5に記載の放射線画像検出器は、前記複数の第2チャージアンプは、前記第2期間のうち前記第1期間に対応する期間に前記第2電荷信号を積分し、前記第2期間のうち前記第1期間に相当する期間が経過後、前記第3電荷信号を積分することを特徴とする。請求項6に記載の放射線画像検出器は、各々が前記3画素で構成される複数の画素群の輪郭によって囲まれた各領域の重心を用いて、1つの重心を内部に含みかつ該1つの重心の周囲に存在する6個の重心を結んだ線分で形成される六角形状の領域を隣接させて複数個形成したときに、該形成した複数個の六角形状の領域がハニカム状に配列されるように、前記画素群の各画素の組み合わせを定めたことを特徴とする。請求項7に記載の放射線画像検出器は、前記六角形状の画素領域を正六角形状となるように形成したことを特徴とする。また、請求項8に記載の放射線画像検出器は、前記六角形状の画素領域を扁平させた六角形状となるように形成したことを特徴とする。さらに、請求項9に記載の放射線画像検出器は、前記六角形状の画素領域を、該画素領域の中心を通る3本の対角線のうち1本の対角線を他の2本の対角線より短くし、該他の2本の対角線が等しい長さとなるように扁平させて形成したことを特徴とする。請求項10に記載の放射線画像検出器は、前記複数のデータ配線が、前記六角形の画素領域周縁の一部に沿って屈曲して配されることを特徴とする。請求項11に記載の放射線画像検出器は、前記センサ部が前記放射線の照射を受けて電荷を発生する半導体膜を有し、該電荷が前記複数の画素の各々に設けられた蓄積容量に蓄積されるとともに、前記第1スイッチ素子及び前記第2スイッチ素子により該蓄積容量に蓄積された電荷が読み出されることを特徴とする。また、請求項12に記載の放射線画像検出器は、前記センサ部が照射された前記放射線を可視光に変換するシンチレータを有し、該変換された可視光が半導体層で電荷に変換された後、前記第1スイッチ素子及び前記第2スイッチ素子により該電荷が読み出されることを特徴とする。請求項13に記載の放射線画像検出器は、前記蓄積容量の一方の電極同士を相互に接続して所定電位に固定する複数の共通配線を、さらに備えることを特徴とする。請求項14に記載の放射線画像検出器は、前記複数の共通配線が、前記蓄積容量、前記第1スイッチ素子、及び前記第2スイッチ素子を介して前記複数のデータ配線に接続されることを特徴とする。また、請求項15に記載の放射線画像検出器は、前記複数の第1スキャン配線、前記複数の第2スキャン配線、前記複数のデータ配線、前記複数の共通配線、前記第1スイッチ素子、及び前記第2スイッチ素子が、前記センサ部の下層側に配されていることを特徴とする。さらに、請求項16に記載の放射線画像撮像装置は、請求項1乃至15のいずれか1項に記載の放射線画像検出器により放射線画像を撮像することを特徴とする。また、請求項17に記載の放射線画像撮像システムは、上記放射線画像撮像装置と、前記放射線画像撮像装置に放射線画像の撮影を指示するとともに、該放射線画像撮像装置から放射線画像を取得する制御手段と、を備え、前記制御手段は、外部からの指示に基づき、放射線画像検出素子の1画素単位の画素情報を取得する第1の画像取得方法と、複数画素単位の画像情報を取得する第2の画像取得方法とを切り換える切換手段を有することを特徴とする。このように、本発明によれば、複数の画素からなる画素群の電荷の合成前後においても、水平垂直斜めの各方向の解像度を維持することができる。以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。図1は、本発明の実施形態に係る放射線画像撮影システム100の構成を示すブロック図である。この放射線画像撮影システム100は、放射線画像を撮影する撮影装置41と、撮影した放射線画像を表わす画像データに対して画像処理を施す画像処理装置50と、画像処理された画像データが表す被写体画像の表示を行う表示装置80と、を備えている。撮影装置41は、放射線照射部24と、放射線画像を検出する放射線検出器42と、管電圧、管電流、及び照射時間等の情報等の曝射条件、撮影条件、各種の操作情報や各種の操作指示が入力される操作パネル44と、装置全体の動作を制御する撮影装置制御部46と、操作メニューや各種情報等を表示するディスプレイ47と、LAN等のネットワーク56に接続され、このネットワーク56に接続された他の機器との間で各種情報を送受信する通信I/F部48と、を備えている。本実施の形態に係る撮影装置41は、連続的に放射線画像の撮影動画撮影を行う動画撮影モードと静止画撮影を行う静止画撮影モードとが切替え可能に構成され、撮影モードは撮影条件の1つとして操作パネル44から入力することが可能である。撮影装置41では、操作パネル44から入力された撮影モードに応じて動画撮影又は静止画撮影が行われる。撮影装置制御部46は、CPU46A、ROM46B、RAM46C、及びHDDやフラッシュメモリ等から成る不揮発性の記憶部46Dを備えており、図示しないバスを介して放射線照射部24、放射線検出器42、操作パネル44、ディスプレイ47、及び通信I/F部48と接続されている。記憶部46Dには、CPU46Aが実行するプログラム等が記憶されている。記憶部46Dには、放射線画像を表わす画像データデジタルデータ等が記憶される。例えば、本実施の形態に係る撮影装置41が、マンモグラフィーに用いられる場合には、被験者の乳房を撮影して得られた放射線画像データが記憶部46Dに記憶される。放射線検出器42は、曝射条件に応じて放射線照射部24の放射線源30から放射線が照射されると、その放射線を検出して、放射線画像を示す画像データを撮影装置制御部46へ出力する。なお、放射線検出器42の詳細な構成は、後述する。撮影装置制御部46は、通信I/F部48及びネットワーク56を介して画像処理装置50と通信が可能とされており、画像処理装置50との間で各種情報の送受信を行う。このネットワーク56には、管理サーバ57が更に接続されている。管理サーバ57は、所定の管理情報を記憶する記憶部57Aを含んで構成されている。撮像装置制御部46は、通信I/F部48及びネットワーク56を介して管理サーバ57と通信が可能とされている。一方、画像処理装置50は、サーバコンピュータとして構成されており、操作メニューや各種情報等を表示するディスプレイ52と、複数のキーを含んで構成され、各種情報や操作指示が入力される操作入力部54と、を備えている。また、画像処理装置50は、装置全体の動作を司るCPU60と、制御プログラムを含む各種プログラム等が予め記憶されたROM62と、各種データを一時的に記憶するRAM64と、各種データを記憶して保持するHDD66と、ディスプレイ52への各種情報の表示を制御するディスプレイドライバ68と、操作入力部54に対する操作状態を検出する操作入力検出部70と、ネットワーク56を介して撮影装置41に接続され、撮影装置41との間で各種情報の送受信を行う通信I/F部72と、ディスプレイケーブル58を介して表示装置80に対して画像データを出力する画像信号出力部74と、を備えている。画像処理装置50は、通信IF部72を介して、記憶部46Dに記憶された放射線画像を表わす画像データデジタルデータを撮影装置41から取得する。CPU60、ROM62、RAM64、HDD66、ディスプレイドライバ68、操作入力検出部70、通信I/F部72、及び画像信号出力部74は、システムバスBUSを介して相互に接続されている。従って、CPU60は、ROM62、RAM64、及びHDD66へのアクセスを行うことができる。また、CPU60は、ディスプレイドライバ68を介したディスプレイ52への各種情報の表示の制御、通信I/F部72を介した撮影装置41との各種情報の送受信の制御、及び画像信号出力部74を介した表示装置80の表示部80Aに表示される画像の制御の各々の制御を行うことができる。さらに、CPU60は、操作入力検出部70を介して操作入力部54に対するユーザの操作状態を把握することができる。図2は、本実施形態に係る撮影装置の放射線検出器の電気的な構成を示している。図2に示す放射線検出器42の放射線検出素子10は、画素領域が六角形状の複数の画素20が互いに隣接しながら2次元状にハニカム状に配列され、全体として略矩形状の領域を構成している。各画素20は、照射された放射線X線を受けて電荷を発生するセンサ部103と、センサ部103で発生した電荷を蓄積する電荷蓄積容量5と、電荷蓄積容量5に蓄積された電荷を読み出すための2つの薄膜トランジスタTFTスイッチともいう4a,4bとを含んで構成される。なお、複数の画素20のうち、例えば、画素P6,P12等は、後述する撮影モードにおける電荷の読み出しタイミングとの関係から、画素内の電荷蓄積容量に蓄積された電荷を読み出すトランジスタとして、薄膜トランジスタ4aのみを有する。また、各画素20をハニカム状に配置するとは、画素領域が六角形状の同じ大きさの画素20を、隣り合う画素同士の1辺が各々隣接するように行方向図2の水平方向に複数配列した第1の画素行と、この第1の画素行の画素20と同じ大きさの、画素領域が六角形状の画素20を、隣り合う2辺が第1の画素行の隣り合う画素の隣り合う2辺の各々に隣接するように行方向に複数配列した第2の画素行とを、列方向図2の垂直方向に繰り返し配列するとともに、上記第2の画素行の画素20が、上記第1の画素行の隣接する画素間に対応して配置され、上記第1の画素行の各画素20の配列ピッチの1/2だけ行方向にずれるように配置されることである。放射線検出器42は、各画素20内に設けたTFT4aのゲート端子に接続され、TFT4aのON/OFFを制御するための第1のスキャン配線G1-1~G1-5適宜、これらをまとめて第1のスキャン配線G1ともいうと、TFT4bのゲート端子に接続され、TFT4bのON/OFFを制御するための第2のスキャン配線G2-1,G2-2適宜、これらをまとめて第2のスキャン配線G2ともいうと、センサ部103で発生し、電荷蓄積容量5に蓄積された電荷を読み出すための複数のデータ配線D1~D3これらをまとめてデータ配線D、またはデータ配線3ともいうと、共通グランド配線30とを備える。図2では、説明と図示の便宜上、5本の第1のスキャン配線G1、2本の第2のスキャン配線G2、4本のデータ配線D、及び4本の共通グランド配線30を配した構成を例示している。例えば、画素20が行方向及び列方向にm×n個m,nは正の整数配置されている場合、m本の第1のスキャン配線G1と、n本のデータ配線Dが設けられる。また、放射線検出器42の放射線検出素子10は、後述するようにアモルファスセレン等の放射線-電荷変換材料を用いて、放射線を電荷へ直接変換する構成をとる。なお、各画素20のセンサ部103は、図示を省略した共通配線に接続されており、共通配線を介して電源不図示からバイアス電圧が印加されるように構成されている。放射線検出器42において、スキャン配線G1,G2と、データ配線D及び共通グランド配線30とが互いに交差するように配され、データ配線Dは、画素領域が六角形の画素20の周縁に沿って、それらの画素20を迂回するようにジグザグ状に蛇行するように配置されている。すなわち、データ配線Dは、個々の画素20の周縁6辺のうち連続する3辺に沿いながら、列方向に延設されている。また、共通グランド配線30も、各画素20のTFTスイッチ4a,4bを避けるようにジグザグ状に蛇行するように配されている。TFTスイッチ4aのゲート電極は、第1のスキャン配線G1に接続され、TFTスイッチ4bのゲート電極は、第2のスキャン配線G2に接続されている。また、TFTスイッチ4a,4bのドレイン電極及びソース電極の一方が蓄積容量5の一方の電極に接続され、ドレイン電極及びソース電極の他方がデータ配線Dに接続されている。放射線検出器42の制御部150は、スキャン信号制御部35a,35bに信号検出のタイミングを示す制御信号やスキャン信号の出力のタイミングを示す制御信号を出力する。スキャン信号制御装置35aは、制御部150からの制御信号を受けて、第1のスキャン配線G1-1~G1-5にTFTスイッチ4aをON/OFFするための信号を出力する。また、スキャン信号制御装置35bは、第2のスキャン配線G2-1,G2-2にTFTスイッチ4bをON/OFFするための信号を出力する。例えば、放射線画像を撮影する場合、外部より放射線X線が照射される間、第1のスキャン配線G1に対してOFF信号を出力して各TFTスイッチ4aをオフにし、第2のスキャン配線G2に対してOFF信号を出力して各TFTスイッチ4bをオフにして、半導体層に発生した電荷を各電荷蓄積容量5に蓄積する。画像の読出し時には、例えば、静止画の場合、第1のスキャン配線G1に対して1ラインずつ順にON信号を出力して各画素20内のTFTスイッチ4aをオンにする。また、例えば、動画の読出し時には、第2のスキャン配線G2に対して1ラインずつ順にON信号を出力して、後述する画素群内の複数の画素に係るTFTスイッチ4bをオンにするとともに、特定の第1のスキャン配線G1にON信号を出力して、画素20内のTFTスイッチ4aをオンにする。こうすることで、各電荷蓄積容量5に蓄積された電荷を電気信号として読み出し、読み出した電気信号をデジタルデータへ変換することにより、放射線画像を得る。放射線検出器42は、図2に示すようにデータ配線D1~D3の各々に対応する可変ゲインプリアンプチャージアンプ、あるいは積分増幅器ともいうCA1~CA3を備え、これらのチャージアンプCA1~CA3の各々の出力側には、サンプルホールド回路SH97A~97Dが配置されている。放射線検出器42は、複数のデータ配線がデータ配線D1~D3を単位として繰り返して配され、それに対応して、複数のチャージアンプがチャージアンプCA1~CA3を単位として繰り返して配される構成をとる。チャージアンプCA1~CA3は、正入力側が接地されたオペアンプ92aと、オペアンプ92aの負入力側と出力側との間に、それぞれ並列に接続されるコンデンサ92bと、リセットスイッチ92cとを含んで構成されており、リセットスイッチ92cは、制御部150により切り換えられる。さらに、放射線検出器42は、マルチプレクサ98及びA/Dアナログ/デジタル変換器99を備える。なお、サンプルホールド回路97A~97Dのサンプルタイミング、及びマルチプレクサ98に設けられたスイッチ98a~98dによる選択出力も、制御部150によって切り換えられる。また、図2では、マルチプレクサ98が4画素を1つに束ねる構成としているが、これに限定されず、例えば、上述したデータ配線D1~D3の繰り返し単位に合わせて、3画素を1つに束ねる構成としてもよい。図3は、本実施形態に係る放射線検出器の放射線検出素子の1画素を含む一部断面構造を示している。放射線検出器42の放射線検出素子10は、図3に示すように、絶縁性の基板1上にゲート配線層として、ゲート電極2、スキャン配線101図3では不図示、蓄積容量下部電極14が形成された構造になっている。ソース電極9、ドレイン電極13、信号配線3、及び蓄積容量上部電極16が形成された配線層ソース配線層ともいうは、例えば、AlあるいはCu、又はAlあるいはCuを主体とした積層膜を用いて形成される。ソース電極9及びドレイン電極13と半導体活性層8との間には、不純物添加アモルファスシリコン等による不純物添加半導体層不図示が形成されている。なお、TFTスイッチ4a,4bは、後述する下部電極11により収集、蓄積される電荷の極性によってソース電極9とドレイン電極13が逆になる。ゲート電極2のためのゲート配線層は、例えば、AlあるいはCu、又はAlあるいはCuを主体とした積層膜を用いて形成されている。また、ゲート配線層上には、一面に絶縁膜15Aが形成されており、ゲート電極2上に位置する部位がTFTスイッチ4a,4bにおけるゲート絶縁膜として作用する。この絶縁膜15Aは、例えば、SiNX等からなっており、例えば、CVD成膜法により形成される。さらに、絶縁膜15A上のゲート電極2の上には、半導体活性層8が島状に形成されている。この半導体活性層8は、TFTスイッチ4a,4bのチャネル部であり、例えば、アモルファスシリコン膜からなる。これらゲート電極2等の上層には、ソース電極9、及びドレイン電極13が形成されている。ソース電極9及びドレイン電極13が形成された配線層には、ソース電極9、及びドレイン電極13とともに、データ配線3が形成されている。また、絶縁膜15A上の、蓄積容量下部電極14に対応する位置に蓄積容量上部電極16が形成されている。ドレイン電極13は蓄積容量上部電極16に接続されている。データ配線3は、上述したように画素20の周縁に沿って、隣接する画素と画素の間を迂回するように屈曲して配設されており、各画素行の画素20に形成されたソース電極9に接続されている。ソース配線層を覆い、基板1上の画素が設けられた領域のほぼ全面ほぼ全領域には、TFT保護膜層15Bが形成されている。このTFT保護膜層15Bは、例えば、SiNX等からなり、例えば、CVD成膜法により形成される。そして、このTFT保護膜層15B上には、塗布型の層間絶縁膜12が形成されている。この層間絶縁膜12は、低誘電率比誘電率εr=2~4の感光性の有機材料例えば、ポジ型感光性アクリル系樹脂:メタクリル酸とグリシジルメタクリレートとの共重合体からなるベースポリマーに、ナフトキノンジアジド系ポジ型感光剤を混合した材料等により1~4μmの膜厚で形成されている。本実施の形態に係る放射線検出器42では、層間絶縁膜12によって層間絶縁膜12上層と下層に配置される金属間の容量を低く抑えている。また、層間絶縁膜12を形成する上述した材料は、一般的に平坦化膜としての機能も有しており、下層の段差が平坦化される効果も有する。放射線検出器42の放射線検出素子10では、この層間絶縁膜12及びTFT保護膜層15Bの蓄積容量上部電極16と対向する位置にコンタクトホール17が形成されている。層間絶縁膜12上には、各画素20毎に、各々コンタクトホール17を埋めつつ、画素領域を覆うようにセンサ部103の下部電極11が形成されている。この下部電極11は、非晶質透明導電酸化膜ITOからなり、コンタクトホール17を介して蓄積容量上部電極16と接続されている。その結果、下部電極11とTFTスイッチ4とが、蓄積容量上部電極16を介して電気的に接続されている。なお、下部電極11は、画素20の画素領域の形状に合わせた形状とするのが好ましいが、これに限定されない。例えば、画素20の画素領域が正六角形の場合、隣接する画素の下部電極に接触しないように多少縮めた正六角形とし、画素20の画素領域が扁平した六角形の場合も同様に、多少縮めた六角形とするのが好ましい。すなわち、下部電極の画素配置が六角格子になっていれば、下部電極の形状は角切りの六角形でも、あるいは、正方形等であってもよい。下部電極11上であって基板1上の画素20が設けられた画素領域のほぼ全面には、光電変換層6が一様に形成されている。この光電変換層6は、X線等の放射線が照射されることにより、内部に電荷電子-正孔を発生する。つまり、光電変換層6は導電性を有し、放射線による画像情報を電荷情報に変換するためのものであり、例えば、セレンを主成分とする膜厚100~1000μmの非晶質のa-Seアモルファスセレンからなる。ここで、主成分とは、50以上の含有率を有することを意味する。光電変換層6上には、上部電極7が形成されている。この上部電極7は、図示しないバイアス電源に接続されており、そのバイアス電源からバイアス電圧例えば、数kVが供給されている。上述した複数のスキャン配線G1,G2、データ配線3、共通グランド配線30、及び各TFTスイッチ4a,4bは、光電変換層6からなるセンサ部103の下層側に配されている。放射線検出器の放射線検出素子は、絶縁性の基板1上にゲート配線層として、ゲート電極2、第1及び第2のスキャン配線G1,G2、蓄積容量下部電極14が形成され、共通グランド配線30が、例えば、絶縁性の基板1上に蓄積容量下部電極14等と同じ金属層により形成されている。次に、本実施形態に係る放射線検出器42の動作を説明する。上述した上部電極7と蓄積容量下部電極14との間にバイアス電圧を印加した状態で、光電変換層6にX線が照射されると、光電変換層6内に電荷電子-正孔対が発生する。光電変換層6と電荷蓄積容量5は、電気的に直列に接続された構造となっているため、光電変換層6内に発生した電子はプラス電極側に、正孔は-マイナス電極側に移動する。画像検出時には、スキャン信号制御部35a,35bから全てのスキャン配線G1,G2に対してOFF信号0Vが出力され、TFTスイッチ4a,4bのゲート電極に負バイアスが印加される。これにより、各TFTスイッチ4a,4bがOFF状態に保持される。その結果、光電変換層6内に発生した電子は下部電極11により収集されて、電荷蓄積容量5に蓄積される。光電変換層6は、照射された放射線量に応じた電荷量を発生するので、その放射線が担持した画像情報に応じた電荷が各画素の電荷蓄積容量5に蓄積される。なお、上部電極7と蓄積容量下部電極14との間に上述した数kVの電圧が印加されることとの関係から、光電変換層6で形成される容量に対して、電荷蓄積容量5を大きくとる必要がある。一方、画像の読出時、放射線検出器42は、上述したように画像処理装置50からの指示に基づいて、静止画撮影モード及び動画撮影モードのいずれかを行う。静止画撮影モードの指示があった場合、制御部150は、第2のスキャン配線G2-1,G2-2から各画素20内のTFT4bをオフにするためのゲート制御信号が出力されるようにスキャン信号制御部35bを制御する。さらに、制御部150は、各画素20内のTFT4aをオンにするため、順次、第1のスキャン配線G1-1~G1-5からTFT4aの各ゲートに対して、例えば、電圧が10~20VのON信号が印加されるようにスキャン信号制御部35aを制御する。これにより、各画素行の各画素20内のTFT4aが順次、オン状態となり、TFT4aによりセンサ部103から電荷が読み出され、その電荷に対応する信号がデータ配線Dに出力される。このように放射線検出器42では、静止画撮影モードにおいて、データ配線D1~D3の全てにおいて、各画素行毎に各画素20に対応する電荷信号が流れる。これにより、放射線検出器42の放射線検出素子10に照射された放射線により示される画像を示す画像情報を得ることができる。そして、信号処理部25において電荷信号がデジタル信号に変換され、その電荷信号に応じた画像データに基づいて放射線画像が生成される。次に、本実施の形態に係る放射線検出器における、動画撮影モード時の動作について、図4に示す動作タイミングチャートを参照しながら説明する。本実施の形態に係る放射線検出器42の複数の画素20のうち、例えば、図2において点線で囲んだ3つの画素P1~P3内に配置された各TFTスイッチ4bのゲート端子は、第2のスキャン配線G2-1に接続されている。同じく点線で囲んだ3つの画素P4~P6のうち、画素P4,P5内に配置された各TFTスイッチ4bのゲート端子も、第2のスキャン配線G2-1に接続されている。同様に、画素P7~P9内に配置された各TFTスイッチ4bのゲート端子は、第2のスキャン配線G2-2に接続され、画素P10~P12のうち、画素P10,P11内に配置された各TFTスイッチ4bのゲート端子も、第2のスキャン配線G2-2に接続されている。ここでは、画素P1~P3をまとめて画素群PG1と呼ぶ。また、画素P4~P6をまとめて画素群PG2、画素P7~P9をまとめて画素群PG3、画素P10~P12をまとめて画素群PG4と呼ぶ。図2では図示を省略したが、放射線検出素子10は、さらに、これらの画素群PG1,PG2等と隣り合う、特定の3画素を構成画素とする他の複数の画素群で構成される例えば、図5を参照。これらの画素群について、画素群PG1,PG2を例にとると、画素群PG1の3画素P1~P3、及び画素群PG2の2画素P4,P5と画素群PG2の1画素P6とからなる3画素は、同一の画素行方向に連続する3画素ここでは、PG1,PG4,PG5と、これら連続する3画素と画素列方向の下部において隣接し、かつ画素行方向に連続する2画素ここでは、PG2,PG3と、これら連続する3画素と画素列方向上部において隣接する1画素ここでは、PG6とを繰り返し単位とする画素群計6画素からなるを構成している。そして、画素群PG1,PG2の各々の3画素は、各々の画素の隣接する2辺が他の2つの画素の各々の1辺と隣接するように配置されている。本実施の形態に係る放射線検出器42では、上記の画素P1~P6を1つの画素群単位として、この画素群単位が図2の水平及び垂直方向に連続して配置されることで、放射線検出素子10を構成している。言い換えれば、放射線検出器42において、画素P1~P5と画素P12とを1つの画素群単位として、この画素群単位が図2の水平及び垂直方向に連続して配置されている、ともいえる。放射線検出器42に対して動画撮影モードの指示があった場合、制御部150は、最初にスキャン信号制御部35aを制御して、第1のスキャン配線G1-1~G1-5から各画素20のTFT4aの各ゲート電極に対してOFF信号を出力して、各画素20のTFT4aをオフにする。次に、制御部150は、チャージアンプのリセットスイッチを短絡させるためのリセット信号を出力する。例えば、図4の5,6に示すように、チャージアンプCA1,CA2に対してリセット信号を出力して、チャージアンプCA1,CA2のコンデンサに蓄積されていた電荷を放電リセットする。その後、制御部150は、スキャン信号制御部35bを制御して、第2のスキャン配線G2-1よりスキャン信号ON信号を出力する。具体的には、図4の1に示すように、第2のスキャン配線G2-1より、所定期間、ON信号を出力する。これにより、画素群PG1の3個の画素P1~P3のTFTスイッチ4bがオンとなる。その結果、画素P1~P3の各電荷蓄積容量5に蓄積された電荷の電荷信号が放射線検出素子10内で合成され、データ配線D1には、これら3画素の合成電荷信号が流れる。データ配線D1を伝送された電気信号3画素分の合成電荷信号は、図4の7に示す期間積分期間T1-1という、チャージアンプCA1において予め定められた増幅率で増幅され、サンプルホールド回路97Bに保持される。そして、積分期間T1-1の経過とともに電荷信号のサンプリングを終了する。また、第2のスキャン配線G2-1よりON信号が出力されると図4の1、画素群PG2の画素P4,P5内のTFTスイッチ4bもオンになる。その結果、これらの画素P4,P5の各電荷蓄積容量に蓄積された電荷の合成電荷信号が、データ配線D2に流出する。データ配線D2を伝送された電気信号画素P4,P5の合成電荷信号は、図4の8に示す積分期間T2-1のうち、上記の積分期間T1-1に相当する期間において、チャージアンプCA2で増幅され、サンプルホールド回路97Cに保持される。なお、制御部150は、第2のスキャン配線G2-1からの出力信号がONからOFFとなったとき、積分期間T1-1を終了するが、積分期間T2-1を続行させて、チャージアンプCA2における電荷信号の蓄積及び増幅積分を継続できる状態にする。制御部150は、第2のスキャン配線G2-1からの出力信号をOFFにした後、図4の2に示すように、スキャン信号制御部35aを制御して、第1のスキャン配線G1-1からの出力信号をONにする。これにより、第1のスキャン配線G1-1に対応する画素行の画素内のTFTスイッチ4aがオンとなり、それらの画素から読み出された電荷信号が各データ配線に流出する。このとき、チャージアンプCA2は、上記のように電荷信号を蓄積及び増幅積分できる状態にあるが、チャージアンプCA1は、非作動状態にある。なお、動画撮影モード時ビニング駆動時、データ配線D3には信号が流れないため、制御部150は、図4の9に示すように、チャージアンプCA3を常時、非作動状態にする。よって、図4の8に示すように、積分期間T2-1のうち、積分期間T1-1が経過した後の期間において、画素群PG2の画素P6の電荷信号が流出するデータ線D2に接続されるチャージアンプCA2で、画素P6の電荷信号が蓄積及び増幅積分される。その結果、チャージアンプCA2では、積分期間T2-1において、画素P6の電荷信号と、先に蓄積及び増幅積分された画素P4,P5の電荷信号とが加算される。その後、画素P4~P6の合成電荷信号は、サンプルホールド回路97Cに保持され、積分期間T2-1の経過とともにサンプリングを終了する。上記のように、第2のスキャン配線G2-1よりON信号が出力され、第1のスキャン配線G1-1よりON信号が出力されると、上記画素群PG1,PG2の画素と行方向に連続する他の複数の画素についても、画素群PG1,PG2と同様、所定の3画素分の合成電荷信号等がデータ配線に出力される。制御部150は、上記の処理に続いて、画素群PG1,PG2等と列方向に隣り合う画素群図2に示す例では、画素群PG3,PG4についてビニング処理を行う。すなわち、制御部150は、図4の5,6に示すように、チャージアンプCA1,CA2にリセット信号を送って、それらのアンプのコンデンサに蓄積されていた電荷を放電リセットする。そして、制御部150は、図4の3に示すように、第2のスキャン配線G2-2よりスキャン信号ON信号が出力されるように、スキャン信号制御部35bを制御する。これにより、画素群PG3の3個の画素P7~P9のTFTスイッチ4bがオンとなり、画素P7~P9の各電荷蓄積容量5に蓄積された電荷の電荷信号が放射線検出素子10内で合成され、データ配線D1に、3画素P7~P9の合成電荷信号が流れる。これら3画素の合成電荷信号は、図4の7に示す積分期間T1-2において、チャージアンプCA1で増幅され、サンプルホールド回路97Bに保持される。そして、積分期間T1-2の経過とともに電荷信号のサンプリングが終了する。第2のスキャン配線G2-2よりON信号が出力されると、画素群PG4の画素P10,P11内のTFTスイッチ4bもオンになり、画素P10,P11に蓄積された電荷の合成電荷信号がデータ配線D2を流れる。この合成電荷信号は、図4の8に示す積分期間T2-2のうち、上記の積分期間T1-2に相当する期間において、チャージアンプCA2で増幅され、サンプルホールド回路97Cに保持される。ここでも、制御部150は、第2のスキャン配線G2-2からの出力信号がOFFとなったとき、積分期間T1-2を終了させるが、積分期間T2-2は終了させずに、チャージアンプCA2における電荷信号の蓄積及び増幅積分を継続できる状態にする。第2のスキャン配線G2-2からの出力信号がOFFとなった後、図4の4に示すように、第1のスキャン配線G1-3からの出力信号をONにする。これにより、第1のスキャン配線G1-3に対応する画素行の画素内のTFTスイッチ4aがオンとなる。このとき、チャージアンプCA1は作動状態にないが、チャージアンプCA2は、上記のように電荷信号を蓄積及び増幅積分できる状態に維持される。なお、上記のように、動画撮影モード時ビニング駆動時、データ配線D3には信号が流れない。そのため、図4の9に示すように、ビニング駆動時にはチャージアンプCA3を常時、非作動状態にする。よって、図4の8に示すように、積分期間T2-2のうち、積分期間T1-2が経過した後の期間において、画素群PG4の画素P12の電荷信号が流出するデータ線D2に接続されるチャージアンプCA2において、画素P12の電荷信号が蓄積及び増幅積分される。その結果、チャージアンプCA2では、積分期間T2-2において、画素P12の電荷信号と、既にチャージアンプCA2で蓄積及び増幅積分された画素P10,P11の電荷信号とが加算される。その後、画素P10~P12の合成電荷信号は、サンプルホールド回路97Cに保持され、積分期間T2-2の経過とともにサンプリングが終了する。なお、第2のスキャン配線G2-2、及び第1のスキャン配線G1-3よりON信号が出力されると、上記画素群PG3,PG4の画素と行方向に連続する他の複数の画素についても、画素群PG3,PG4と同様、所定の3画素分の合成電荷信号等がデータ配線に出力される。制御部150は、サンプルホールド回路97A~97Dを所定期間、駆動させることより、可変ゲインプリアンプであるチャージアンプCA1~CA3によって増幅された電気信号の信号レベルを、サンプルホールド回路に保持させる。個々のサンプルホールド回路に保持された電荷信号は、マルチプレクサ98によって順次、選択された後、A/D変換器99によってデジタル画像データに変換される。なお、A/D変換器99から出力されたデジタル画像データは、画像メモリ90に順に記憶される。画像メモリ90は、例えば、撮影された放射線画像を複数フレーム分のデジタル画像データとして記憶する。このように、動画撮影モードの場合、放射線検出素子10を構成する複数の画素のうち予め特定した3つの画素を束ねて構成される複数の画素群の各々について、それら3個の画素に蓄積された電荷がまとめられビニングされ、そのビニングにより合成された電荷に相当する電荷信号がデータ配線に出力される。また、第2のスキャン配線G2の制御に続いて、第1のスキャン配線G1のうち、図2において奇数番号が付与されたスキャン配線G1-1,G1-3等にON信号を出力することで、先に2画素分の合成電荷信号が取得された画素群中の残りの1画素分の電荷信号がデータ配線を流れる。動画撮影モードでは、第1のスキャン配線G1のうち、偶数番号が付与されたスキャン配線G1-2,G1-4等からは、常時、オフ信号が出力される。よって、本実施の形態に係る放射線検出器では、特定の画素群PG2,PG4等の画素については、各画素群を構成する3画素のうち、2画素分の電荷信号と、残りの1画素分の電荷信号とを、同一のチャージアンプの積分タイミングをずらして加算、合成することで、3画素のビニング処理を行う。図5は、上述した動画撮影モードにおいてビニングの対象となる画素と画素群の配置を示している。図5に示す例では、放射線検出器42の放射線検出素子10において、各々が上述した3画素からなる画素群A,B,C,D,E,F,Gを特定する。なお、図5では、各々の画素群が区別しやすいように、隣り合う画素群の各画素に対する塗りつぶしパターンを変えてある。ここでは、各画素群が、各々の画素の隣接する2辺が他の2つの画素の各々の1辺と隣り合うように配置された3個の画素を組み合わせて構成される。本実施の形態の放射線検出器42では、上述したように静止画撮影モードの指示があった場合、制御部150は、放射線検出器42の各画素20内のTFT4aをオンにして、各画素から電荷を読み出し、その電荷に対応する信号がデータ配線Dに出力される。このとき、放射線検出器42の放射線検出素子10の個々の画素として、画素領域が六角形状の画素を用いることにより、水平、垂直、斜めの各方向で高い解像度を確保することができる。一方、動画撮影モードにおいて、制御部150は、各画素群を構成する3画素内のTFTスイッチ4bをオンにすることによって、これら3画素を1つの画素とみなして、3画素分の電荷信号を合成するビニングを行うとともに、これら3画素に対するON信号によりTFTスイッチ4bがオンとなる他の画素群の画素についても、チャージアンプの積分タイミングを制御して3画素分のビニングをする。そこで、各画素群について3画素のビニングをする場合、図5において、各画素群A,B,C,D,E,F,Gの重心位置をそれぞれa,b,c,d,e,f,gとし、それらの位置を黒点で示すと、画素群Dの重心dを中心として、他の画素群の重心a-b-e-g-f-c-aを結ぶ正六角形が形成される。しかも、これらの画素群の重心間距離、すなわち、da間、db間、de間、dg間、df間、dc間の距離が6方向において等しいことが分かる。よって、ビニング前において、各画素20の画素領域を六角形状としたことで、水平、垂直、斜めの各方向において解像度を確保することができ、さらに、ビニング後においても、画素群の重心を結ぶことにより正六角形が形成されるので、水平、垂直、斜めの各方向において解像度が確保される。つまり、画素群A,B,C,D,E,Gの輪郭によって囲まれた各領域の重心a,b,c,d,e,gを用いて、1つの重心dを内部に含み、その重心dの周囲に存在する6個の重心a,b,e,g,f,cを結ぶ線分で形成される六角形状の領域を隣接させて複数個形成したときに、これら形成した複数個の六角形状の領域がハニカム状に配列されるように、各画素群の各画素の組み合わせを定める。こうすることで、水平方向、垂直方向、及び斜め方向の各方向についてビニング後の画素位置画素群の重心位置の偏りを抑制し、ビニング前の画像と同様に、それぞれの方向について解像度を確保することができる。このように、ビニング前の重心配列と、ビニング後の重心配列とがともに、重心により形成される六角形状の領域がハニカム状に配列された状態となっていることから、ビニング後に画素密度変換を行う場合であっても、ビニングせずに画素密度変換を行うときと同様のアルゴリズムで処理することができる。つまり、ビニング処理後の画素密度変換処理のアルゴリズムを別途、用意しなくても、画素密度変換処理のアルゴリズムを共有することができる。また、画像処理装置50では、放射線検出器42で検出された放射線画像を表わす画像データに対して画素密度変換を行うためのプログラムは、ROM62やHDD66に記憶されている。そして、表示装置80に対して出力する画像データは、画素密度変換後の画像データとなる。図6は、本実施の形態に係る放射線画像撮影システムの画像処理装置50で実行される画像撮影処理手順の一例を示すフローチャートである。図6のステップ300で、撮影装置41の放射線検出器42において、放射線照射部24から照射された放射線量を検知する。続くステップ302では、上記の放射線量が予め定められた閾値を超えるか否かを判定する。照射された放射線量が閾値を超えていると判断された場合には、画像撮影に対して十分な感度が得られる画像のS/Nが十分であるとしてステップ304に進み、複数の画素20それぞれに制御信号を送って、電荷蓄積容量に蓄積された個別の電荷信号を読み取る通常の処理静止画撮影モードを行う。一方、ステップ302で、照射された放射線量が閾値以下であると判断された場合には、得られる画像のS/Nが不十分であるとして、ステップ306に進み、高S/N画像を撮影するための処理を行う。具体的には、上述した特定の3画素からなる画素群A,B,C,D,E等を設定する。そして、ステップ308で、スキャン信号制御部35bより第2のスキャン配線G2に対して、画素群A,B,C,D,E等の各画素に配されたTFTスイッチ4bをオンにするためのスキャン信号ON信号を出力し、各画素群の3画素を1画素として扱うビニング処理を行う。このように、照射された放射線量が閾値以下であれば、撮像感度が十分ではないと考えられるため、複数画素の電荷信号を合成して処理するビニングすることで、S/Nの良好な放射線撮影画像が得られる。なお、図6に示す画像撮影処理では、照射された放射線量に応じて、得られる放射線撮影画像のS/Nを考慮した処理を行っているが、これに限定されない。例えば、照射放射線量によらず、静止画撮影モードと動画撮影モードの要求に応じて、ビニングを行わない通常の処理とビニングを行う処理との切替えを行う構成としてもよいし、撮影画像の解像度の要求に応じて、上記のような切替えを行う構成としてもよい。すなわち、第1のモード動画撮影モードでは、複数のデータ配線Dのうち、複数の第1データ配線が、複数の画素20の列方向に隣接する一対の画素行において互いに隣接する3画素の各々に設けられたTFTスイッチ4b第2スイッチ素子ともいうによって読み出された、これら3画素の合成電荷量に相当する電荷信号第1電荷信号ともいうを伝送し、複数の第2データ配線が、上記の3画素と画素行方向に隣り合う所定の2画素の各々に設けられた第2スイッチ素子により読み出された、これら2画素の合成電荷量に相当する電荷信号第2電荷信号ともいう、及び上記の2画素と画素列方向に隣接する所定の1画素に設けられたTFTスイッチ4a第1スイッチ素子ともいうにより読み出された電荷信号第3電荷信号ともいうを伝送する。そして、この第1のモードでは、複数のデータ配線Dの各々の一端に接続された複数のチャージアンプCAのうち、複数の第1チャージアンプが、第1期間に第1電荷信号を電圧信号に変換し、複数の第2チャージアンプが、第2期間に上記第2電荷信号と第3電荷信号とを加算して電圧信号に変換する。また、第2のモード静止画撮影モードでは、複数のデータ配線Dの全てが、複数の画素20の各々に設けられたTFTスイッチ4a第1スイッチ素子によって読み出された、これら複数の画素20の各々の電荷に対応する電荷信号第4電荷信号ともいうを伝送し、複数のチャージアンプCAが、この第4電荷信号を電圧信号に変換する。このように本実施形態では、放射線検出器においてハニカム状に配列された、画素領域が六角形状の複数の画素のうち、各々が3画素からなる予め定めた複数の画素群それぞれに対して、放射線検出器の放射線検出素子内で3画素分の電荷をまとめて読み取り、これらの電荷信号を合成するビニング処理を行う。さらに、特定の画素群に対して、その画素群を構成する3画素のうち、2画素分の電荷信号と、残りの1画素分の電荷信号とを、同一のチャージアンプの積分タイミングをずらして加算することで、3画素のビニング処理を行う。このような複数画素3画素のビニング処理を行うことで、収集した電荷量の増加によるS/Nの向上と、高いフレームレートが求められる動画撮影モードや、照射される放射線量が少ないことで生じる低感度画像に対処できる。また、画素群の輪郭によって囲まれた各領域の重心を用いて、1つの重心を内部に含み、かつ、1つの重心の周囲に存在する6個の重心を線で結んで形成される六角形状の領域を隣接させて複数個形成したときに、形成した複数個の六角形状の領域がハニカム状に配列されるように、各画素群の各画素の組み合わせを定めるようにすることで、水平方向、垂直方向、及び斜め方向の各方向についてビニング後の画素位置複数の画素を1かたまりの画素としたときの重心位置の偏りを抑制して、ビニング前の画像と同様に、上記の各方向について解像度を確保することができる。その結果、画素密度変換においてビニングの前後において同一のIC集積回路を共通に使用できる。また、動画の撮影を行う場合は、各々が3画素からなる画素群を1つの画素とみなして電荷を取り出し、画素群を構成する各画素に蓄積された電荷を合成するビニング処理を行うことで、静止画に比べて解像度が低くなるものの、フレームレートを、画素行毎に電荷を読み出す静止画モードの2倍フレーム期間を1/2にすることができる。さらには、ビニングの対象画素行毎にスキャン配線を設ける場合と比較して、スキャン配線の数を削減できる。別言すれば、図2に示す放射線検出器の構成において、ビニングをしない場合に必要となるスキャン配線数5に対して、ビニングを含めた画素のスキャンに要する総スキャン配線数が、本来ならば5本の2倍の10本必要となるところ、7本で済むことになる。なお、上記各実施の形態では、放射線検出素子の六角形状の画素領域は、正六角形であってもよいし、角を取った略六角形も含まれる。また、例えば、図2の紙面上下方向に潰した扁平六角形等、平面視したとき略六角形になるものも含まれる。よって、画素領域が扁平六角形であっても、ビニング処理の前後において、重心距離と水平、垂直、斜めの6方向との関係が維持される。また、上記各実施の形態では、放射線を吸収して電荷に変換する光電変換層にアモルファスセレン等の放射線-電荷変換材料を使用した直接変換方式の放射線検出器に本発明を適用した場合について説明したが、これに限定されない。例えば、本発明を、照射された放射線を可視光に変換するシンチレータを備えた間接変換方式の放射線検出器に適用してもよい。また、上記実施の形態では、共通グランド配線30を絶縁性の基板1上に配しているが、これに限定されず、光電変換層6で発生した電荷を収集する画素電極としての下部電極11の下のいずれかの層に配されていればよい。こうすることで、共通グランド配線30がセンサ部103へ照射される放射線の照射効率を低下させることを回避できる。上記各実施の形態では、図2等に示すように放射線検出器42の放射線検出素子10の列方向図2の垂直方向それぞれの辺側にスキャン信号制御部35a,35bを配置した例を示したが、スキャン信号制御部の配置は、これに限定されない。例えば、マンモグラフィ用途として、放射線検出素子10の列方向の一辺側にスキャン信号制御部35a,35bを設け、列方向の他辺側が被検者の胸壁側となるように構成してもよい。この場合、スキャン信号制御部35a,35bとして汎用のゲートIC2個を積層構造2段重ねにして、それぞれよりスキャン配線G1,G2を延設するか、あるいは1個の専用ゲートICからスキャン配線G1,G2を延設する。"