中性子線の照射による結晶格子の原子配列に損傷を有する半導体基板に、200°C以上で30分以上の熱処理を施した後、YVO4レーザーを半導体基板表面の余白部に照射して識別パターンを刻印することを特徴とする半導体基板へのレーザー印字方法。前記熱処理が400°C以上で30分以上であることを特徴とする請求項1記載の半導体基板へのレーザー印字方法。前記熱処理が電気炉、ホットプレート、フラッシュランプ、レーザー光により行われることを特徴とする請求項2記載の半導体基板へのレーザー印字方法。前記YVO4レーザー照射による識別パターンの凹凸ドットの深さが2.5μm以上であることを特徴とする請求項1記載の半導体基板へのレーザー印字方法。レーザー光出力が5~25ワットで照射時間が10msecであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体基板へのレーザー印字方法。しかしながら、前述した中性子線照射によってN型半導体として形成されたNTDシリコン半導体基板6に前述のYVO4レーザー光を用いて文字パターンを印字をする場合、図4に示すように、文字パターン、識別コードパターンとして認識できるような深さの凹凸形状の印字ドット10を形成することが困難という問題が発生した。すなわち、印字ドットが形成されたとしても図4の印字ドット11のようにドットの深さの浅い視認性の悪い状態でしか印綬できなかった。本発明は、このような問題を解消するためになされたものであり、本発明は、NTDシリコン半導体基板に対しても、YVO4レーザー光を用いて文字パターン、識別パターンを、視認性の良好な深さを有する凹凸形状の印字ドットによって表示することができる半導体基板へのレーザー印字方法を提供することを目的とする。本発明は、前記課題を達成するために、中性子線の照射による結晶格子の原子配列に損傷を有する半導体基板に、200°C以上で30分以上の熱処理を施した後、YVO4レーザーを半導体基板表面の余白部に照射して所要の識別パターンを印字する半導体基板へのレーザー印字方法とする。前記熱処理が400°C以上で30分以上であることがより好ましい。前記熱処理が電気炉、ホットプレート、フラッシュランプ、レーザー光により行われることも好ましい。さらに、前記YVO4レーザー照射による識別パターンの凹凸形状の印字ドットの深さが2.5μm以上であることが望ましい。また、YVO4レーザー光出力が5~25ワットで照射時間が10msec程度であることが好適である。本発明によれば、NTDシリコン半導体基板に対しても、YVO4レーザー光を用いて文字パターン、識別パターンを、視認性の良好な深さを有する凹凸形状の印字ドットによって表示することができる。以下、本発明にかかる半導体基板へのレーザー印字方法の実施例について、図面を参照して詳細に説明する。本発明はその要旨を超えない限り、以下に説明する実施例の記載に限定されるものではない。<実施例1>前述のように、中性子線照射されたシリコン半導体基板NTDウエハ6に、YVO4レーザー光により識別コードを形成する場合、文字パターン、識別コードパターンとして容易に認識できるような深さに凹凸形状の印字ドットを形成することが困難という問題がある。そこで、NTD半導体基板6を調べたところ、このNTD半導体基板6は、この段階では中性子線照射後に目的とする抵抗率を得るために必要な照射損傷の回復のための熱処理アニールがまだ行われていないことが判明した。通常、照射損傷の回復のための熱処理は、安定した設計どおりの抵抗率を得る程度に照射損傷を回復させるには、NTD半導体基板を600°C~800°C以上で0.5時間~4時間以上の処理である。しかし、NTD半導体基板に、デバイス製造のために所要の半導体領域を形成する際に、後工程でイオン注入などによりドープした不純物元素の熱拡散のために1200°Cを超える熱処理が加えられるので、前述の照射損傷の回復のための熱処理についても、前述の後工程における熱拡散処理工程と同時に照射損傷の回復処理を兼用して行っていたのである。その結果、前記熱拡散処理工程の前の段階のNTDウエハには照射損傷の回復のための熱処理がされていない状態であった。そこで、NTD半導体基板に対する熱処理とYVO4レーザー光による印字の視認性との関係を調べた。印字の視認性の良否を決める基準として、凹凸形状の印字ドットの深さを用い、2.5μm以上の深さがあれば、視認性良好であると確認した。YVO4レーザー光出力を5~25ワットで照射時間が10msec程度としたときの凹凸形状の印字ドットの深さとNTD半導体基板の熱処理温度との関係を調べた。その結果を図3に示す。視認性の良好な印字ドットを得るためには、凹部の深さを2.5μm以上とするのが望ましい。図3に示すように、ウエハ半導体基板の加熱温度を200°C以上とし、加熱時間を30分にすると、印字ドットの深さを2.5μm以上にすることができる。400°C、600°Cいずれも保持時間は30分では印字ドットの深さはそれぞれ6.0μm、7.0μmとなり、いずれも良好な視認性が得られる。ウエハの加熱処理はいずれもホットプレート上にウエハを載置することにより、前述の所定の加熱温度とした。このホットプレートに代えて電気炉、フラッシュランプ、レーザー照射などによる熱処理とすることもできる。このように印字ドットの識別性の観点では、前述の抵抗率の場合よりも弱い熱処理でも充分有効であるので、熱処理工程を容易で簡単な工程として行うことができる。NTDシリコン半導体基板1への加熱処理がない場合は、レーザー光による温度上昇が少なく、印字ドットの深さが浅い。この温度上昇が少ない理由は、中性子線の照射による結晶格子の原子配列に損傷を有する前記NTDシリコン半導体基板では、その損傷の回復のために、レーザー光のエネルギーが消費されるためではないかと考えられる。図1に示すように、中性子線の照射による結晶格子の原子配列に損傷を有するNTDシリコン半導体基板1に対して、前述の加熱処理を施した後に、YVO4レーザー光によるNTD半導体基板1への識別性コードの印字をすると、前述のように、視認性の良好な深さdが2.5μm以上の印字ドット10を有する識別性コードが得られる。以上説明した実施例によれば、NTDシリコン半導体基板に対しても、200°C以上の温度で30分の熱処理、好ましくは400°C以上で、30分の熱処理を加えることにより、YVO4レーザー光を用いて文字パターン、識別パターンを、視認性の良好な深さを有する凹凸形状の印字ドットによって表示することができる