"主成分の組成式を、αZrO2βSnO2γTiO2と表したとき、モル比α,βおよびγが下記式を満足するとともに、前記主成分100質量に対して、MnをMnO2換算で0.01質量以上0.1質量未満含むことを特徴とする誘電体セラミックス。0.240≦α≦0.4700.040≦β≦0.2000.400≦γ≦0.650αβγ=1前記組成式のモル比α,β,γが下記式を満足するとともに、前記主成分100質量に対して、MnをMnO2換算で0.02質量以上0.07質量以下含むことを特徴とする請求項1に記載の誘電体セラミックス。0.300≦α≦0.4400.080≦β≦0.1500.420≦γ≦0.600αβγ=1Mn,Zr,Tiを含む酸化物からなる化合物が結晶粒界に存在していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の誘電体セラミックス。Si,Nb,ZnおよびCuの酸化物を含み、前記主成分100質量に対して、それぞれSiO2,Nb2O5,ZnOおよびCuOに換算した合計の含有量が0.3質量以下0質量を除くであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の誘電体セラミックス。磁器密度が5.16g/cm3以上であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の誘電体セラミックス。前記主成分100質量に対して、PをP2O5換算で0.7質量以下0質量を除く含むことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の誘電体セラミックス。Mo,YおよびBiの酸化物の少なくともいずれかを含み、前記主成分100質量に対して、それぞれMoO3,Y2O3およびBi2O3に換算した合計の含有量が0.1質量以下0質量を除くであることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の誘電体セラミックス。Ti0.8Sn0.2O2の結晶相を含むことを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の誘電体セラミックス。請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の誘電体セラミックスと、該誘電体セラミックスと電磁界結合され、外部から電気信号が入力される入力端子と、前記誘電体セラミックスと電磁界結合されて前記誘電体セラミックスの共振周波数と対応した電気信号を選択的に出力する出力端子とを備えることを特徴とする誘電体フィルタ。特許文献1によれば、MnO2の添加量が01重量部未満では焼結性が不十分であり、比誘電率εrが低下すると記載され、MnO2を01~10重量部添加することにより、誘電特性に優れたものとできることが示されている。しかしながら、今般の誘電体セラミックスにおいては、更なる誘電特性の向上が要求され、特に広範囲な温度域における共振周波数の変化の少ないことが求められている。本発明は、上記課題を解決すべく案出されたものであり、比誘電率εrが35~45の範囲において、Qf値が高く、かつ低温域から高温域にわたる広範囲な温度域における共振周波数の変化を示す温度係数τfの絶対値の小さい誘電体セラミックスおよびこれを備える誘電体フィルタを提供することを目的とするものである。本発明者らは、誘電体セラミックスの組成について種々検討を行なった結果、Zr,SnおよびTiのモル比を規定するとともに、特許文献1の記載において焼結性が不十分となると記載された量のMnO2を含有させた焼結体とすることによって、更に誘電特性を向上させることができることを見出した。本発明の誘電体セラミックスは、主成分の組成式を、αZrO2βSnO2γTiO2と表したとき、モル比α,βおよびγが、0240≦α≦0470,0040≦β≦0200,0400≦γ≦0650,αβγ=1を満足するとともに、前記主成分100質量に対して、MnをMnO2換算で001質量以上01質量未満含むことを特徴とするものである。また、本発明の誘電体フィルタは、上記構成の誘電体セラミックスと、該誘電体セラミックスと電磁界結合され、外部から電気信号が入力される入力端子と、前記誘電体セラミックスと電磁界結合されて前記誘電体セラミックスの共振周波数と対応した電気信号を選択的に出力する出力端子とを備えることを特徴とするものである。本発明の誘電体セラミックスによれば、比誘電率εrが35~45であり、Qf値が高く、気温差の激しい場所においても共振周波数の変化の小さい、誘電特性の優れた誘電体セラミックスとすることができる。本発明の誘電体フィルタによれば、比誘電率εrが35~45であり、Qf値が高く、気温差の激しい場所においても共振周波数の変化が小さいことから、長期間にわたって良好な性能を安定して維持できる信頼性の高い誘電体フィルタとすることができる。以下に、本実施形態の誘電体セラミックスの一例について説明する。本実施形態の誘電体セラミックスは、主成分の組成式を、αZrO2βSnO2γTiO2と表したとき、モル比α,βおよびγが、0240≦α≦0470,0040≦β≦0200,0400≦γ≦0650,αβγ=1を満足するとともに、この主成分100質量に対して、MnをMnO2換算で001質量以上01質量未満含むことを特徴としている。なお、本実施形態における誘電体セラミックスの主成分とは、Zr,Sn,Tiの酸化物からなり、誘電体セラミックスを構成する全成分を100質量としたとき、ZrをZrO2,SnをSnO2,TiをTiO2に換算した値の合計で975質量以上含有するものである。Zr,Sn,Ti以外に誘電体セラミックスに含まれる成分としては、Hf,Si,Cr,Fe,Ni,Cu,Zn,Nb,P,Mo,Y,Bi等が挙げられる。そして、本実施形態の誘電体セラミックスは、主成分の組成式を、αZrO2βSnO2γTiO2と表したとき、モル比α,βおよびγが、0240≦α≦0470,0040≦β≦0200,0400≦γ≦0650,αβγ=1を満足するとともに、この主成分100質量に対して、MnをMnO2換算で001質量以上01質量未満含んでいることにより、誘電特性に優れた誘電体セラミックスとすることができる。このように誘電特性に優れた誘電体セラミックスとすることができる理由は明らかではないが、焼成中における誘電体セラミックスの組織中に生じる酸素欠陥に、Mn酸化物の価数変化に伴って生じる余剰の酸素が供給されることによって、焼成後の誘電体セラミックス中に存在する酸素欠陥を低減することができ、焼結性が高まっていることによると考えられる。具体的な誘電特性としては、比誘電率εrが35~45であり、Qf値を45000以上とすることができる。また、-40~85°Cの温度範囲における共振周波数を測定し、20°Cでの共振周波数を基準にして算出した-40~20°C以下、低温域という。,20~85°C以下、高温域という。の共振周波数の温度係数τfの絶対値を10ppm/°C以下とすることができる。ここで、比誘電率εrは、円柱共振器法国際規格IEC61338-1-3に基づいて、35~45GHzの周波数で測定された値である。また、Qf値は、マイクロ波誘電体において一般的に成立するQ値×測定周波数f=一定の関係から、1GHzでの値に換算したものである。これに対し、Mnの含有量が主成分100質量に対してMnO2換算で001質量未満では、添加量が少な過ぎるために、焼成時に酸素欠陥を低減することや焼結性を高める効果が少ない。また、Mnの含有量が主成分100質量に対してMnO2換算で01質量以上では、比誘電率εr、Qf値および共振周波数の温度係数τfなどの誘電特性が低下することとなる。この理由は明らかではないが、結晶粒界に存在するMn成分量が多くなり過ぎるため、誘電特性に影響を与えているものと考えられる。また、本実施形態の誘電体セラミックスは、主成分の組成式のモル比α,β,γが、0300≦α≦0440,0080≦β≦0150,0420≦γ≦0600,αβγ=1を満足するとともに、主成分100質量に対して、MnをMnO2換算で002質量以上007質量以下含むことによりさらに良好な誘電特性を得ることができる。具体的には比誘電率εrが365~43であり、Qf値を50000以上とすることができる。また、低温域および高温域における共振周波数の温度係数τfの絶対値を6ppm/°C以下とすることができる。また、本実施形態の誘電体セラミックスにおいて、Mn,Zr,Tiを含む酸化物からなる化合物が結晶粒界に存在していることが好ましい。Mn,Zr,Tiを含む酸化物からなる化合物とは、例えば、Mn0.33Zr0.33Ti0.33O1.67であり、このような化合物が、Zr,Sn,Tiの酸化物からなる主成分の結晶以下、主結晶と称す。の粒界以下、結晶粒界と称す。に存在していることにより、Qf値を向上させることができる。Qf値を向上できる理由については明らかではないが、Mn,Zr,Tiを含む酸化物からなる化合物が結晶粒界に存在していることにより、主結晶の粒成長が抑制され組織が均質化されるためと考えられる。このように、結晶粒界にMn,Zr,Tiを含む酸化物からなる化合物を存在させるには、仮焼により主成分を合成した仮焼粉体にMn成分を添加すればよい。なお、結晶粒界におけるMn,ZrおよびTiを含む酸化物からなる化合物の存在の有無は、次の方法によって確認することができる。例えば、X線回折装置BrukerAXS社製D8ADVANCEを用いて、誘電体セラミックスの表面にCuKα線を照射し、CuKα線の回折方向と入射方向の角度差2θと回折X線強度を検出器で走査した結果であるX線回折チャートを得て、JCPDSカードに基づいて同定することにより確認することができる。また、本実施形態の誘電体セラミックスにおいては、Si,Nb,ZnおよびCuの酸化物を含み、前記主成分100質量に対して、それぞれSiO2,Nb2O5,ZnOおよびCuOに換算した合計の含有量が03質量以下0質量を除くであることが好ましい。これにより、低温域と高温域との共振周波数の温度係数τfの差を小さくすることができ、気温の低い地域や高い地域であっても、誘電特性差が少なく、寒暖の激しい地域であっても好適に用いることができる誘電体セラミックスとなる。また、本実施形態の誘電体セラミックスは、磁器密度が516g/cm3以上であることが好ましい。このように、誘電体セラミックスの磁器密度が516g/cm3以上であるときには、表面に微細気孔の少ない誘電体セラミックスとすることができるので、湿度の高い環境下において、吸湿することによるQf値の変動を少なくすることができる。また、磁器密度が516g/cm3以上であれば、焼成後の研削加工時に欠けや割れなどが生じることの少ない機械的特性を有する誘電体セラミックスとなる。なお、この磁器密度については、JISR1634-1998に準拠して測定すればよい。また、本実施形態の誘電体セラミックスは、主成分100質量に対して、PをP2O5換算で07質量以下0質量は除く含んでいることが好ましい。このようにPをP2O5換算で07質量以下0質量は除く含んでいるときには、P以外の組成が同じでありPを含有しない誘電体セラミックス、または、P以外の組成が同じでありPをP2O5換算で07質量を越えて含む誘電体セラミックスよりも機械的特性を向上させることができる。ここで、機械的特性を向上させることができる理由は、誘電体セラミックスの焼成工程において、PをP2O5換算で07質量以下0質量は除く含むことによって主結晶の成長が抑えられ、結晶粒径が小さくなり、より緻密化されたものとできるからであると考えられる。そして、機械的特性を向上させることができることにより、焼成後の研削加工時や作製過程における取り扱い、フィルタとして載置台に取り付けるときにかかる応力によって生じる欠けや割れを少なくすることができる。より好ましいPの含有量としては、P2O5換算で01質量以上05質量以下であり、この含有量であれば、機械的特性を示す3点曲げ強度を180MPa以上とすることができる。なお、3点曲げ強度の測定としては、JISR1601-1995に準拠して測定すればよい。また、本実施形態の誘電体セラミックスは、Mo,YおよびBiの酸化物の少なくともいずれかを含み、前記主成分100質量に対して、MoO3,Y2O3およびBi2O3に換算した合計の含有量が01質量以下0質量を除くであることが好ましい。これにより、Qf値をさらに向上させることができる。また、本実施形態の誘電体セラミックスは、Ti0.8Sn0.2O2の結晶相を含むことが好ましい。これにより、比誘電率を向上させることが可能となる。Ti0.8Sn0.2O2の結晶相については、例えば、X線回折装置BrukerAXS社製D8ADVANCEを用いて、誘電体セラミックスの表面にCuKα線を照射し、CuKα線の回折方向と入射方向の角度差2θと回折X線強度を検出器で走査した結果であるX線回折チャートを得て、JCPDSカードに基づいて同定することにより確認することができる。または、TEMによる電子回折法等により確認することができる。また、本実施形態の誘電体セラミックス中に含まれる各成分の含有量については、誘電体セラミックスの一部を粉砕し、得られた粉体から所定量を秤量して塩酸などによって溶解する前処理を行なった後、ICPInductivelyCoupledPlasma発光分光分析装置ICPS-8100;株島津製作所製を用いて、検量線法またはイットリウムを内標準物質とする内標準法を用いて測定を行ない、得られた各成分の金属量を酸化物換算することにより得ることができる。また、ここで求めたZrO2,SnO2,TiO2の値を用いて、それぞれの分子量からモルに換算し、これらのモルの値を用いてモル比を算出することができる。次に、本実施形態の誘電体セラミックスを備える誘電体フィルタの一例を示す断面図である図1に基づいて以下に説明する。図1に示すように、本実施形態のTEモ-ド型の誘電体フィルタ1は、金属ケース2、入力端子3、出力端子4、誘電体セラミックス5および載置台6を有する。金属ケース2は、軽量なアルミニウム等の金属からなり、入力端子3および出力端子4は、金属ケース2の内壁の相対向する両側に設けられている。また、誘電体セラミックス5は、本実施形態の誘電体セラミックスからなる。そして、誘電体セラミックス5は、入力端子3と出力端子4の間に配置され、入力端子3および出力端子4とそれぞれ電磁界結合されている。このような、誘電体フィルタ1において、外部から電気信号が入力端子3に入力され、金属ケース2内で磁界が発生し、誘電体セラミックス5が特定の周波数で共振を起こして、この共振周波数を対応した電気信号が出力端子4から出力される。このように、誘電体フィルタ1は、誘電体セラミックス5の共振周波数に対応した電気信号を選択的に出力することができる。なお、TEモードに限らず、TMモード、TEMモードもしくは多重モードとしてもよい。また、誘電体フィルタ1の構成は上述した構成に限定されず、入力端子3および出力端子4を誘電体セラミックス5に直接設けてもよい。また、誘電体セラミックス5は、本実施形態の誘電体セラミックスからなる所定形状の共振媒体であるが、その形状は筒状体,直方体,立方体,板状体,円板,円柱,多角柱またはその他共振が可能な立体形状であればよい。また、入力される高周波信号の周波数は500MHz~500GHz程度であり、共振周波数としては500MHz~10GHz程度が実用上好ましい。そして、本実施形態の誘電体フィルタ1は、本実施形態の誘電体セラミックスを備えることにより、比誘電率εrが35~45であり、45000以上の高いQf値が得られ、かつ低温域および高温域での共振周波数の変化を示す温度係数τfの絶対値を10ppm/°C以下とすることができ、気温差の激しい場所においても共振周波数の変化が小さいことから、長期間にわたって良好な性能を安定して維持できる信頼性の高い誘電体フィルタ1とすることができる。次に、本実施形態の誘電体セラミックスの製造方法の一例について説明する。まず、出発原料として、主成分である高純度の酸化ジルコニウムZrO2、酸化スズSnO2、酸化チタンTiO2と、炭酸マンガンMnCO3とをそれぞれ所望の割合となるように秤量後、純水とともにジルコニアボールなどを使用したボールミルに入れて、平均粒径が2μm以下となるまで1~50時間の湿式混合および粉砕することにより1次原料を得る。なお、湿式混合および粉砕後の平均粒径の測定については、例えばマイクロトラック9320-X100;日機装株製を用いて、レーザー回折散乱法により測定することができる。次に、この1次原料を乾燥後、1100°Cを超え1300°C以下の温度で1~10時間仮焼し、ボールミル等により平均粒径が2μm以下、好ましくは平均粒径1μm以下となるまで湿式粉砕する。ここで、仮焼温度が1100°C以下では十分に合成することができず、1300°Cを超えると得られる仮焼体が硬くなり過ぎて粉砕しにくくなる。そして、湿式粉砕後のスラリーをステンレス容器に移し、乾燥後、メッシュを通過させて仮焼粉体を得る。なお、炭酸マンガンMnCO3については、前述のように仮焼前の出発原料に添加しても良いが、仮焼後の仮焼粉体に添加しても良い。炭酸マンガンを仮焼後に添加したときには、Mn,ZrおよびTiを含む酸化物からなる化合物を結晶粒界に存在させることができる。また、低温域と高温域との共振周波数の温度係数τfの差をより改善するには、酸化珪素SiO2、酸化ニオブNb2O5、酸化亜鉛ZnOおよび酸化銅CuOを用いて、主成分である酸化ジルコニウムZrO2、酸化スズSnO2、酸化チタンTiO2の合計100質量に対して、合計で03質量以下0質量を除く含む誘電体セラミックスとなるように秤量して出発原料または仮焼後の仮焼粉体に添加すればよい。また、より良好な機械的特性を有するものとするには、P源として、P2O5,NH4H2PO4等を準備し、主成分100質量に対して、Pの含有量がP2O5換算で07質量以下0質量は除く含む誘電体セラミックスとなるように秤量し、出発原料または仮焼後の仮焼粉体に加えればよい。また、Qf値をさらに向上させるには、酸化モリブデンMoO3、酸化イットリウムY2O3および酸化ビスマスBi2O3の少なくともいずれかを用いて、主成分である酸化ジルコニウムZrO2、酸化スズSnO2、酸化チタンTiO2の合計100質量に対して、合計で01質量以下0質量を除く含む誘電体セラミックスとなるように秤量して出発原料または仮焼後の仮焼粉体に添加すればよい。また、比誘電率を向上させるには、仮焼温度における低温側の1100°Cを超えて1150°C以下の範囲で仮焼を行なうことで誘電体セラミックス中にTi0.8Sn0.2O2の結晶相を析出させれば良い。また、酸化チタンTiO2と酸化スズSnO2とを用いて熱処理することによって生成させたTi0.8Sn0.2O2を生成させ、出発原料または仮焼後の仮焼粉体に添加してもよい。次に、仮焼粉体に所定量の純水を加えた後、ボールミル等により所定時間湿式混合を行ない、バインダを加えてさらに混合し、スプレードライヤで噴霧造粒して2次原料を得る。そして、この2次原料を用いて、金型プレス法、冷間静水圧プレス成形法、押出成形法等により任意の形状に成形して成形体を得る。そして、得られた成形体を大気雰囲気中1430°C以上1530°C以下の最高温度で30分~10時間保持して焼成した後、必要に応じて研削加工を施すことにより、本実施形態の誘電体セラミックスを得ることができる。なお、焼成時の最高温度までの昇温速度を150°C/時間以下とすることにより、磁器密度を516g/cm3以上とすることができ、より好ましい昇温速度としては、50°C/時間以上150°C/時間以下である。そして、上記製造方法により作製された本実施形態の誘電体セラミックスは、誘電体セラミックスの共振周波数と対応した電気信号を選択的に出力するフィルタとして用いることができる。また、本実施形態の誘電体セラミックスは、共振器以外に、MICMonolithicIC用誘電体基板,誘電体導波路または積層型セラミックコンデンサに使用することができる。主成分の組成式を、αZrO2βSnO2γTiO2と表したとき、モル比α,βおよびγの値と、MnO2の添加量を種々変更した試料を作製し、比誘電率εr、Qf値および共振周波数の温度係数τfの測定を行なった。製造方法および特性測定方法の詳細を以下に説明する。出発原料となる主成分として、純度が995以上の酸化ジルコニウムZrO2、酸化スズSnO2および酸化チタンTiO2の各粉末を準備した。また、純度が995以上の炭酸マンガンMnCO3の粉末を準備した。次に、得られる誘電体セラミックスの主成分におけるモル比が表1の割合となるように、また主成分100質量に対するMnの含有量がMnO2換算で表1に示す量となるように秤量した。そして、秤量した酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化チタンおよび炭酸マンガンを純水とともにジルコニアボール等を使用したボールミルに入れて、平均粒径が2μm以下となるまで湿式混合および粉砕することにより1次原料を得た。次に、この1次原料を乾燥後、1200°Cで2時間仮焼し、ボールミルにより平均粒径が1μmとなるまで湿式混合および粉砕した。そして、湿式混合および粉砕後のスラリーをステンレス容器に移し、乾燥後、メッシュを通過させて仮焼粉体を得た。次に、仮焼粉体に純水を加え、ジルコニアボール等を使用したボールミルにより、湿式混合を行なった。次に、これに5質量のバインダを加えてさらに混合し、スプレードライヤで噴霧造粒して2次原料を得た。次に、この2次原料を用いて、金型プレス成形法によりφ20mm、高さが15mmの円柱体の成形体を得た。そして、得られた成形体を大気中1450°Cの焼成温度で2時間保持して、試料No.1~41の誘電体セラミックスを得た。なお、これら試料は、焼成後に上下面と側面の一部に研磨加工を施し、アセトン中で超音波洗浄を行なった。なお、試料No.34については、出発原料に炭酸マンガンを添加しないこと以外は上述した製造方法と同様の工程にて作製した。そして、これら試料No.1~41について、誘電特性を測定した。誘電特性は円柱共振器法国際規格IEC61338-1-3により35~45GHzの周波数で比誘電率εrおよびQf値を測定した。Qf値は、マイクロ波誘電体において一般的に成立するQ値×測定周波数f=一定の関係から、1GHzでのQf値に換算した。また、-40~85°Cの温度範囲における共振周波数を測定し、20°Cでの共振周波数を基準にして低温域-40~20°C、高温域20~85°Cの共振周波数の温度係数τfをそれぞれ算出した。結果を表1に示す。なお、各試料の一部を粉砕し、得られた粉体を塩酸などの溶液に溶解した後、ICP発光分光分析装置島津製作所製:ICPS-8100を用いて測定し、得られた各成分の金属量を酸化物換算し、それぞれの分子量からモル比に換算し、表1に示した。また、MnO2換算での含有量については、主成分100質量に対する値を表1に示した。表1から、モル比α,β,γが、0240≦α≦0470,0040≦β≦0200,0400≦γ≦0650のいずれかを満足しない、試料No.1,11,12,22,23,33については、比誘電率εrが35~45の範囲外またはQf値が45000未満であった。また、試料No.1,12,22,33については、低温域および高温域の共振周波数の温度係数τfの絶対値が10ppm/°Cを超えていた。また、Mn源を添加しなかった試料No.16については、焼結不良により各誘電特性を測定することができなかった。また、主成分100質量に対して、Mnの含有量がMnO2換算で001質量未満である試料No.35については、比誘電率εrおよびQf値が小さく、共振周波数の温度係数τf値の絶対値が大きかった。そのため、JISR1634-1998に準拠して磁器密度を測定したところ、513g/cm3であり、充分緻密化していないことがわかった。また、主成分100質量に対して、MnをMnO2換算で01質量含む試料No.41については、比誘電率εrが35未満となり、試料No.40よりもQf値が小さくなった。これに対し、モル比α,β,γが、0240≦α≦0470,0040≦β≦0200,0400≦γ≦0650、かつαβγ=1を満足するとともに、主成分100質量に対して、MnをMnO2換算で001質量以上01質量未満含む試料No.2~10,13~21,24~32,36~40は、比誘電率εrが35~45であり、Qf値が45000以上と高く、低温域および高温域のそれぞれにおける共振周波数の温度係数τfの絶対値が10ppm/°C以下であり、良好な誘電特性を有する誘電体セラミックスとできることがわかった。また、組成式のモル比α,β,γが、0300≦α≦0440,0080≦β≦0150,0420≦γ≦0600,αβγ=1を満足するとともに、主成分100質量に対して、MnをMnO2換算で002質量以上007質量以下含む試料No.5~8,16~19,25~30,37~39は、比誘電率εrが365~43であり、Qf値が50000以上と高く、低温域および高温域のそれぞれにおける共振周波数の温度係数τfの絶対値が6ppm/°C以下であり、さらに良好な誘電特性を有する誘電体セラミックスとできることがわかった。以上の結果、本実施形態の誘電体セラミックスを誘電体フィルタに備えれば、気温差の激しい場所においても長期間にわたって良好な性能を安定して維持できる信頼性の高い誘電体フィルタとできることがわかった。次に、Mn源の添加を仮焼後に行ない、仮焼前に添加した場合とのQf値の比較を行なった。Mn源である炭酸マンガンを仮焼後に添加すること以外の製造方法については、実施例1と同様の方法により、試料No.42~46の誘電体セラミックスを得た。なお、表2における仮焼前添加の品質係数Qf欄の値は、実施例1の試料No.36~40のQf値であり、試料No.42~46は、試料No.36~40のそれぞれと主成分のモル比およびMnO2換算での含有量は同じとしてある。そして、実施例1と同様の方法で、試料No.42~46のQf値の測定を行ない、仮焼後添加の品質係数Qf欄にその値を示した。仮焼後添加の品質係数Qf値と仮焼前添加の品質係数Qf値との差を仮焼前添加の品質係数Qf値で除して100倍することにより、仮焼後添加によるQf値の向上率を算出し、表2に示した。表2から、仮焼後にMn源を添加することにより、Qf値を向上できることがわかった。また、X線回折装置BrukerAXS社製D8ADVANCEを用いて、各試料No.42~46の誘電体セラミックスの表面にCuKα線を照射し、CuKα線の回折方向と入射方向の角度差2θと回折X線強度を検出器で走査した結果であるX線回折チャートを得て、JCPDSカードに基づいて同定したところ、Mn0.33Zr0.33Ti0.33O1.67が存在していることが確認できた。これにより、Mn,Zr,Tiを含む酸化物からなる化合物が結晶粒界に存在していることにより、Qf値の向上した誘電体セラミックスとできることがわかった。次に、実施例1の試料No.38と同様の主成分モル比およびMnO2換算での含有量となるように秤量した出発原料に、得られる誘電体セラミックスの主成分100質量に対する含有量が表3に示す量となるように、酸化珪素SiO2、酸化ニオブNb2O5、酸化亜鉛ZnOおよび酸化銅CuOの各粉末を添加した1次原料を作製した。その後は、実施例1と同様の方法により試料No.47~53の誘電体セラミックスを得た。そして、得られた試料について、実施例1と同様の方法により、ICP発光分光装置を用いて、主成分100質量に対する含有量、比誘電率εr、Qf値、低温域および高温域における温度係数τfをそれぞれ求めた。結果を表3に示す。なお、比較のため実施例1の試料No.38の誘電特性等も合わせて示す。表3から、Si,Nb,ZnおよびCuの酸化物を含むことにより、低温域と高温域との共振周波数の温度係数τfの差を小さくできることが確認された。特に、主成分100質量に対して、SiO2,Nb2O5,ZnOおよびCuOに換算した合計の含有量が03質量以下0質量を除くであれば、Qf値の低下が少ない範囲で低温域と高温域との共振周波数の温度係数τfの差の小さい誘電体セラミックスとできることがわかった。次に、実施例1の試料No.16と同様の主成分モル比およびMnO2換算での含有量となるように秤量した出発原料を用いて、実施例1と同様の方法で成形までを行なった。そして、これらの成形体を表4に示す種々の昇温速度で1450°Cまで昇温し、2時間保持して焼成することにより、試料No.54~59の誘電体セラミックスを得た。そして、得られた試料について、実施例1と同様の方法により、Qf値吸湿前を測定し、測定後の試料を、湿度80とした密閉容器内に12時間以上置いた後、実施例1と同様の方法によりQf値吸湿後を測定した。そして、吸湿前のQf値と吸湿後のQf値の差を算出し、この差を吸湿前のQf値で除算して100倍することにより、各試料のQf値の変化率を算出した。また、JISR1634-1998に準拠して磁器密度を測定した。結果を表4に示す。表4から、焼成時の昇温速度が150°C/時間以下であることにより、磁器密度が516g/cm3以上とできることがわかった。そして、磁器密度が516g/cm3以上であることにより、吸湿前と吸湿後のQf値の変化率を小さくできることがわかった。次に、実施例1の試料No.16と同様の主成分モル比およびMnO2換算での含有量となるように秤量した出発原料に、得られる誘電体セラミックスの主成分100質量に対する含有量が表5に示す量となるように、五酸化二リンP2O5の粉末を添加した1次原料を作製した。そして、成形体形状をJISR1601-1995に準拠した試験片形状とすること以外は、実施例1と同様の方法で各試料No.60~67につき5個ずつ作製した。そして、各試料について、JISR1601-1995に準拠して3点曲げ強度を測定し、各試料における5個の3点曲げ強度の平均値を算出した。また、実施例1と同様の方法により、ICP発光分光装置を用いて、主成分100質量に対する含有量を求めた。結果を表5に示す。表5から、主成分100質量に対し、PをP2O5換算で07質量以下0質量を除く含むときには、3点曲げ強度を160MPa以上とすることができ、機械的特性を高められることがわかった。次に、実施例1の試料No.38と同様の主成分モル比およびMnO2換算での含有量となるように秤量した出発原料に、得られる誘電体セラミックスの主成分100質量に対する含有量が表6に示す量となるように、酸化モリブデンMoO3、酸化イットリウムY2O3および酸化ビスマスBi2O3の各粉末を添加した1次原料を作製した。その後は、実施例1と同様の方法により作製し、試料No.68~89の誘電体セラミックスを得た。そして、得られた試料について、実施例1と同様の方法により、ICP発光分光装置を用いて、主成分100質量に対する含有量を求めた。また、実施例1と同様の方法によりQf値を求め、さらに実施例1の試料No.38のQf値との差を試料No.38のQf値で除して100倍することにより、Qf値の向上率を算出し、結果を表6に示した。なお、比較のため実施例1の試料No.38の誘電特性等も合わせて示す。表6から、Mo,YおよびBiの酸化物の少なくともいずれかを含むことにより、Qf値を向上できることが確認された。特に、主成分100質量に対して、MoO3,Y2O3およびBi2O3に換算した合計の含有量が0.1質量以下0質量を除くであれば、3以上のQf値向上を図れることがわかった。次に、実施例1の試料No.38と同様の主成分モル比およびMnO2換算での含有量となるように秤量した出発原料を用いて、実施例1と同様の方法で1次原料の乾燥までを行なった。そして、1次原料の乾燥粉体を表7に示す仮焼温度で仮焼し、仮焼後は、実施例1と同様の方法により作製し、試料No.90~92の誘電体セラミックスを得た。そして、得られた試料について、X線回折装置BrukerAXS社製D8ADVANCEを用いて、各試料No.42~46の誘電体セラミックスの表面にCuKα線を照射し、CuKα線の回折方向と入射方向の角度差2θと回折X線強度を検出器で走査した結果であるX線回折チャートを得て、JCPDSカードに基づいて同定し、Ti0.8Sn0.2O2結晶相の有無を確認した。また、実施例1と同様の方法により、比誘電率εrを求めた。結果を表7に示す。なお、比較のため実施例1の試料No.38の誘電特性等も合わせて示す。表7から、Ti0.8Sn0.2O2の結晶相を含むことにより、比誘電率の向上を図れることがわかった。"