"半導体キャリアフィルム上に実装された複数の半導体デバイスの良否を識別する半導体デバイスの試験装置であって、該複数の半導体デバイスに対して所定の測定試験を行う測定部を含む一または複数のハンドラー装置と、該一または複数のハンドラー装置で測定試験した測定試験結果がネットワークを介してテープマップデータとして格納されるデータベースと、該データベースのテープマップデータに基づいて不良デバイスを該半導体キャリアフィルムから打ち抜く一または複数の集中パンチ装置とを有する半導体デバイスの試験装置。前記集中パンチ装置は、前記テープマップデータ内の空デバイス位置と前記不良デバイスのアドレスデータとの関係を照合した後に、該不良デバイスを前記半導体キャリアフィルムから打ち抜く請求項1に記載の半導体デバイスの試験装置。前記テープマップデータ内の空デバイス位置と前記不良デバイスのアドレスデータとの照合処理は、該不良デバイスのアドレスデータの上流側直近の空デバイス位置のテープアドレスデータを基準位置として、当該空デバイス位置からの該不良デバイスのアドレス位置を照合する請求項2に記載の半導体デバイスの試験装置。前記空デバイス位置は、半導体キャリアフィルム不良としてデバイスなし状態で予め打ち抜かれているアドレスデータである請求項2に記載の半導体デバイスの試験装置。前記ハンドラー装置と前記ネットワーク中の前記データベースを介して接続された前記集中パンチ装置により、前記不良デバイスを前記半導体キャリアフィルムから集中して打ち抜く請求項1に記載の半導体デバイスの試験装置。前記複数のハンドラー装置は再測定試験可能に構成されており、該複数のハンドラー装置から得られる測定試験結果を監視する監視制御部が設けられ、該測定試験で連続して所定基準数の不良デバイスが検出されるかまたは、所定基準値以上の不良デバイス検出率を検出した場合に、当該不良デバイスが検出されたハンドラー装置を自動停止処理し、前記データベースのテープマップデータにおける不良品デバイスデータが、再測定試験の結果データとしての良品デバイスデータにテープマップ合成されて変更される請求項1に記載の半導体デバイスの試験装置。前記ハンドラー装置で測定試験した測定試験結果として、良否識別情報の他に複数のランク情報が付加されて前記データベースに前記テープマップデータとして格納されており、前記不良デバイスの打ち抜きに代えて、該複数のランク情報のうちの一のランク情報の半導体デバイスを残して、それ以外のランク情報の半導体デバイスが、前記集中パンチ装置により前記データベースのテープマップデータに基づいて打ち抜かれ、該打ち抜かれたランク情報のうちの全部または一部の半導体デバイスは当該ランク情報毎にテープ再編成される請求項1に記載の半導体デバイスの試験装置。前記テープマップデータ内の空デバイス位置と、前記複数のランク情報のうちの一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータとの関係を照合した後に、前記集中パンチ装置により、前記不良デバイスの打ち抜きに代えて、該一のランク情報以外の半導体デバイスを前記半導体キャリアフィルムから打ち抜く請求項7に記載の半導体デバイスの試験装置。前記テープマップデータ内の空デバイス位置と前記一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータとの照合処理は、該一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータの上流側直近の空デバイス位置のテープアドレスデータを基準位置として、当該空デバイス位置からの該一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレス位置を照合する請求項8に記載の半導体デバイスの試験装置。前記ハンドラー装置が、前記半導体キャリアフィルム上に順次搭載された半導体デバイスの複数の端子にICテスタの接触子を接触導通させて該半導体キャリアフィルム内の各半導体デバイスの良否識別を含むランク識別の測定試験を行う請求項7に記載の半導体デバイスの試験装置。前記ハンドラー装置と前記ネットワーク中の前記データベースを介して接続された前記集中パンチ装置により、前記一のランク情報以外の半導体デバイスを前記半導体キャリアフィルムから集中して打ち抜く請求項8に記載の半導体デバイスの試験装置。前記複数のハンドラー装置は再測定試験可能に構成されており、該複数のハンドラー装置から得られる測定試験結果を監視する監視制御部が設けられ、該測定試験で連続して所定基準数の所定ランク情報の半導体デバイスが検出されるかまたは、所定基準値以上の所定ランク情報半導体デバイスの検出率を検出した場合に、当該所定ランク情報半導体デバイスが検出されたハンドラー装置を自動停止処理し、前記データベースのテープマップデータにおける所定ランク情報半導体デバイスデータが、再測定試験の結果データとしての別の所定ランク情報半導体デバイスデータにテープマップ合成されて変更される請求項8に記載の半導体デバイスの試験装置。複数の半導体デバイスに対して所定の測定試験を行う一または複数のハンドラー装置で測定試験した測定試験結果がネットワークを介してテープマップデータとして格納されるデータベースのテープマップデータに基づいて不良デバイスまたは所定ランクデバイスを該半導体キャリアフィルムから打ち抜くものであり、該テープマップデータ内の空デバイス位置と前記不良デバイスまたは所定ランクデバイスのアドレスデータとの関係を照合した後に、該不良デバイスまたは該所定ランクデバイスを前記半導体キャリアフィルムから打ち抜く集中パンチ装置。いずれにせよ、良品/不良品を識別する場合に、良品にマークパンチする良品マークパンチ方式と、不良デバイスに打抜きする不良デバイス打抜き方式とがあるが、良品マークパンチ方式では、直径2mm程度のパンチ金型で良品に穴開け加工を実施するため、打ち抜きバリが発生する虞があり、特に、歩留まりがよい場合、このマークパンチの打ち抜き時間とマークパンチ検出時間が必要となる。一方、不良デバイス打抜き方式では、不良デバイスはICチップを含めてデバイスごと打ち抜きを実施するために、デバイスごと打ち抜いた後では、不良デバイスが壊れて再テストができないばかりか、不良デバイスの救済が全くできない。特許文献1では、エラー率が所定のエラー率しきい値を超えた場合に、試験装置を停止して、試験装置側の接触不良で所定数が連続して不良になっても、試験装置を停止することでそれ以上、不良デバイスを増やさないことから、ある程度の不良デバイスの救済はできるものの、不良デバイスの救済をより効率よく完全に行うことはできない。特許文献2の試験装置では、撮像カメラ211,212にてTABを測定前後に画像認識することにより、誤検出を防止するものの、良品デバイスであるにもかかわらず、データマップ位置ずれによる誤打抜きの可能性もある。本発明は、上記従来の問題を解決するもので、測定試験時のハンドリング時間を短縮すると共に、一旦、不良と判定したデバイスをも救済可能となって、歩留まりを更に向上させることができる半導体デバイスの試験装置およびこれに用いられる集中パンチ装置を提供することを目的とする。本発明の半導体デバイスの試験装置は、半導体キャリアフィルム上に実装された複数の半導体デバイスの良否を識別する半導体デバイスの試験装置であって、該複数の半導体デバイスに対して所定の測定試験を行う一または複数のハンドラー装置と、該一または複数のハンドラー装置で測定試験した測定試験結果がネットワークを介してテープマップデータとして格納されるデータベースと、該データベースのテープマップデータに基づいて不良デバイスを該半導体キャリアフィルムから打ち抜く一または複数の集中パンチ装置とを有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。また、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置における集中パンチ装置は、前記テープマップデータ内の空デバイス位置と前記不良デバイスのアドレスデータとの関係を照合した後に、該不良デバイスを前記半導体キャリアフィルムから打ち抜く。また、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置における集中パンチ装置は、前記テープマップデータ内の空デバイス位置と前記不良デバイスのアドレスデータとの関係を照合しつつ、該不良デバイスを前記半導体キャリアフィルムから連続的に打ち抜く。さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるテープマップデータ内の空デバイス位置と前記不良デバイスのアドレスデータとの照合処理は、該不良デバイスのアドレスデータの上流側直近の空デバイス位置のテープアドレスデータを基準位置として、当該空デバイス位置からの該不良デバイスのアドレス位置を照合する。さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置における空デバイス位置は、半導体キャリアフィルム不良としてデバイスなし状態で予め打ち抜かれているアドレスデータである。さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるハンドラー装置は、前記半導体キャリアフィルム上に順次搭載された半導体デバイスの複数の端子にICテスタの接触子を接触導通させて該半導体キャリアフィルム内の各半導体デバイスの良否識別の測定試験を行う。さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置において、前記ハンドラー装置と前記ネットワーク中の前記データベースを介して接続された前記集中パンチ装置により、前記不良デバイスを前記半導体キャリアフィルムから集中して打ち抜く。さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置における複数のハンドラー装置は再測定試験可能に構成されており、該複数のハンドラー装置から得られる測定試験結果を監視する監視制御部が設けられ、該測定試験で連続して所定基準数の不良デバイスが検出されるかまたは、所定基準値以上の不良デバイス検出率を検出した場合に、当該不良デバイスが検出されたハンドラー装置を自動停止処理する。さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるデータベースのテープマップデータにおける不良品デバイスデータを、前記再測定試験の結果データとしての良品デバイスデータにテープマップ合成して変更する。さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるハンドラー装置で測定試験した測定試験結果として、良否識別情報の他に複数のランク情報が付加されて前記データベースに前記テープマップデータとして格納される。さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置における不良デバイスの打ち抜きに代えて、前記複数のランク情報のうちの一のランク情報の半導体デバイスを残して、それ以外のランク情報の半導体デバイスが、前記集中パンチ装置により前記データベースのテープマップデータに基づいて打ち抜かれ、該打ち抜かれたランク情報のうちの全部または一部の半導体デバイスは当該ランク情報毎にテープ再編成される。さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるテープマップデータ内の空デバイス位置と、前記複数のランク情報のうちの一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータとの関係を照合した後に、前記集中パンチ装置により、前記不良デバイスの打ち抜きに代えて、該一のランク情報以外の半導体デバイスを前記半導体キャリアフィルムから打ち抜く。また、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるテープマップデータ内の空デバイス位置と、前記複数のランク情報のうちの一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータとの関係を照合しつつ、前記集中パンチ装置により、前記不良デバイスの打ち抜きに代えて、該一のランク情報以外の半導体デバイスを前記半導体キャリアフィルムから連続的に打ち抜く。さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるテープマップデータ内の空デバイス位置と前記一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータとの照合処理は、該一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータの上流側直近の空デバイス位置のテープアドレスデータを基準位置として、当該空デバイス位置からの該一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレス位置を照合する。さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるハンドラー装置が、前記半導体キャリアフィルム上に順次搭載された半導体デバイスの複数の端子にICテスタの接触子を接触導通させて該半導体キャリアフィルム内の各半導体デバイスの良否識別を含むランク識別の測定試験を行う。さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置において、前記ハンドラー装置と前記ネットワーク中の前記データベースを介して接続された前記集中パンチ装置により、前記一のランク情報以外の半導体デバイスを前記半導体キャリアフィルムから集中して打ち抜く。さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置における複数のハンドラー装置は再測定試験可能に構成されており、該複数のハンドラー装置から得られる測定試験結果を監視する監視制御部が設けられ、該測定試験で連続して所定基準数の所定ランク情報の半導体デバイスが検出されるかまたは、所定基準値以上の所定ランク情報半導体デバイスの検出率を検出した場合に、当該所定ランク情報半導体デバイスが検出されたハンドラー装置を自動停止処理する。さらに、好ましくは、本発明の半導体デバイスの試験装置におけるデータベースのテープマップデータにおける所定ランク情報半導体デバイスデータを、前記再測定試験の結果データとしての別の所定ランク情報半導体デバイスデータにテープマップ合成して変更する。本発明の集中パンチ装置は、複数の半導体デバイスに対して所定の測定試験を行う一または複数のハンドラー装置で測定試験した測定試験結果がネットワークを介してテープマップデータとして格納されるデータベースのテープマップデータに基づいて不良デバイスまたは所定ランクデバイスを該半導体キャリアフィルムから打ち抜くものであり、そのことにより上記目的が達成される。また、好ましくは、本発明の集中パンチ装置において、前記テープマップデータ内の空デバイス位置と前記不良デバイスまたは所定ランクデバイスのアドレスデータとの関係を照合した後に、該不良デバイスまたは該所定ランクデバイスを前記半導体キャリアフィルムから打ち抜く。また、好ましくは、本発明の集中パンチ装置において、前記テープマップデータ内の空デバイス位置と前記不良デバイスまたは所定ランクデバイスのアドレスデータとの関係を照合しつつ、該不良デバイスまたは該所定ランクデバイスを前記半導体キャリアフィルムから連続的に打ち抜く。上記構成により、以下、本発明の作用を説明する。本発明においては、複数の半導体デバイスに対して所定の測定試験を行う一または複数のハンドラー装置と、一または複数のハンドラー装置で測定試験した測定試験結果がネットワークを介してテープマップデータとして格納されるデータベースと、データベースのテープマップデータに基づいて不良デバイスを該半導体キャリアフィルムから打ち抜く一または複数の集中パンチ装置とを有している。これによって、測定試験時のハンドリング時間を短縮すると共に、一旦、不良と判定したデバイスをも救済可能となって、歩留まりを更に向上させることが可能となる。以上により、本発明によれば、測定試験時のハンドリング時間を短縮すると共に、一旦、不良と判定したデバイスをも救済可能となる。このように、測定試験時のハンドリング時間を短縮することができる上、マップデータにランク分けデータを付加することにより良品のランク分けおよび不良デバイスを救済することができる。以下に、本発明の半導体デバイスの試験装置の実施形態1について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図における構成部材のそれぞれの厚みや長さなどは図面作成上の観点から、図示する構成に限定されるものではない。実施形態1図1は、本発明の実施形態1における半導体デバイスの試験装置の要部構成例を模式的に示す側面図である。図2は、図1のTCPの一部分を示す平面図である。図1および図2において、本実施形態1の半導体デバイス41の試験装置1では、複数の半導体デバイス41に対して所定の測定試験を行う測定部としてのICテスタ51を含む一または複数のハンドラー装置5と、一または複数のハンドラー装置5で測定試験した試験結果がネットワークを介してテープマップデータとして格納されるデータベース6と、データベース6のテープマップデータに基づいて不良デバイスを半導体キャリアフィルムCOFChipOnFilmなどもあるが、ここではTCP4とするから打ち抜く一または複数の集中パンチ装置7とを有し、この不良デバイスの打ち抜きによりTCP4に実装された複数の半導体デバイスの良否を識別することができる。TCP4テープキャリヤパッケージにおいて、液晶ドライバなどの半導体集積回路ICである半導体デバイス41がテープに複数並べられて実装されており、複数の半導体デバイス41にはそれぞれ複数の配線を介して複数の端子42がその周囲にそれぞれ配置されている。測定試験時には、測定部としてのICテスタ51のプローブカードからの複数のプローブが半導体デバイス41毎の所定の各端子42に接触導通されることにより、所定の電圧をTCP4の各端子42に印加して所定範囲の期待値出力が得られるかどうかの測定試験結果に応じて、所定範囲の期待値出力が得られない場合に不良品と判定すると共に、データベース6に測定試験アドレス順に測定結果を記録して、データベース6のTPCデバイスデータから、デバイスなしのTCP不良の空デバイス位置との関係を含むテープマップデータを作成する。なお、この場合のTCP不良の空デバイス位置は、ロット毎にユニークである。TCP4は、配線が接続された複数の端子42に対して半導体デバイス41の半導体チップがパッド43にワイヤボンディングなどで接続されて搭載されたものであるが、その半導体チップの搭載前のテープは、パッド43、配線および端子42のカケやその他の損傷などの不良部分は、半導体チップが搭載されないように、TCP不良の空デバイス位置として予め打ち抜かれている。即ち、空デバイス位置とは、TCP不良としてデバイスなし状態で打ち抜かれているアドレスデータのことである。TCP4の複数の半導体デバイス41の全体の例えば数パーセントほど、TCP不良の空デバイス位置が存在するが、これを利用して測定アドレスの位置決めを補強している。ハンドラー装置5は、供給リール2から供給されたTCP4の半導体デバイス41に対して所定の測定試験をした後に回収リール3にTCP4を巻き取って回収するものであって、TCP4に順次搭載された各半導体デバイス41の複数の端子42にICテスタ51のプローブなどの接触子を接触導通させて、所定電圧を端子42に印加してその出力電流や出力電圧が所定範囲内に収まるかどうかを測定試験することにより、TCP4内の各半導体デバイス41の良否判定試験を順次行っている。ICテスタ51は、半導体デバイス41が液晶ドライバなどのICデバイスの場合に、各半導体デバイス41の所定の端子42に接触子を介して所定電圧が所定タイミングに印加できるように構成されていると共に、各半導体デバイス41の所定の別端子42に接触子を介して出力電流または電圧が出力されるように構成されている。所定の別端子42から接触子を介して入力してきた出力電流または電圧が所定の範囲であるかどうかを検出し、これが所定の範囲から外れている場合に不良デバイスであると判定する。また、ICテスタ51は、半導体デバイス41がLED素子の場合には、各半導体デバイス41の所定の端子42に接触子を介して所定電圧が所定タイミングに印加できるように構成されていると共に、各半導体デバイス41の発光量を検出する撮像素子を含む発光量測定手段が設けられ、発光量測定手段から得られた発光量が所定の基準発光量に達していなければこれを検出して不良デバイスとして判定する。これらの良否判定結果測定試験結果は、ICテスタ51内の所定の記録制御部によりネットワークを介してデータベース6に記録制御される。なお、この測定試験は、良否判定の他に、複数ランク分けに判定するように構成することもできる。データベース6は、一または複数のハンドラー装置5で良否判定試験をした測定試験結果がネットワークを介してテープマップデータとして記録される。このテープマップデータは、空デバイス位置のアドレスデータとTCP4内のテープアドレスデータとの関係が対応可能になっている。集中パンチ装置7は、データベース6内のテープマップデータに基づいて、このテープマップデータ内のデバイスなしの空デバイス位置と測定順のテープアドレスデータとの関係を照合した後に、不良デバイスをTCP4からパンチ金型からなるパンチユニット71を用いてまとめて集中して打ち抜き処理を行う。このように、テープマップデータに良品、不良品情報の他に空デバイス位置テープ不良でデバイスなしの情報も付加し、空デバイス位置は、テープロット毎にユニークであり、空デバイス位置をロットID情報として常に照合する。従来は、所定の電圧をTCP4の複数の端子42に印加して所定範囲の期待値出力が得られるかどうかの測定試験を行い、その測定試験結果に応じて、所定範囲の期待値出力が得られない場合に不良デバイスと判定してパンチでTAB4の半導体チップ41ごと打ち抜いていたが、本実施形態1においては、このハンドラー装置5による測定試験時には、試験装置1側の例えば接触不良に起因して連続して不良デバイスが発生する虞もあることから、測定試験時の不良デバイスの打ち抜きを行わずに、測定試験結果データの位置を用いて測定試験後に集中して不良デバイスの打ち抜きを行う。この場合、TCPの不良デバイスの位置を間違えることがないように、TCP不良の空になった空デバイス位置と測定結果データの良否位置との照合を行って、不良デバイスの打ち抜きを精度よく行う。要するに、本実施形態1では、TCP品で良品識別として使用している良品不良品パンチ方式の代わりに、ハンドラー装置5とネットワーク接続された別装置の集中パンチ装置7を使用してパンチを実施する。この集中パンチ方式は、テープマップズレの可能性があるので、空デバイス位置TCP不良の空になった位置を測定アドレスの良否判定結果と照合することにより、テープマップズレを防止することができる。以下、本実施形態1の半導体集積回路の試験装置1の事例について更に具体的に説明する。図3aは、従来の場合に、測定試験とパンチを行う複数のハンドラー装置が個別に配置されている様子を示す図、図3bは、本実施形態1の半導体集積回路の試験装置1において、図1の測定試験を行う複数のハンドラー装置5とパンチを行う集中パンチ装置7がデータベース6を介してネットワークで接続された様子を示す図である。図3aに示すように、従来の場合には、測定試験とパンチを行う複数のハンドラー装置が個別に複数配置され、測定試験の結果、不良デバイスはICチップを含めてデバイスごと打ち抜きされる。一方、図3bに示すように、本実施形態1の半導体デバイスの試験装置1において、図1の測定試験を行う複数のハンドラー装置5とパンチを行う集中パンチ装置7がデータベース6を介してネットワークで接続されているため、複数のハンドラー装置5で測定試験だけを行って、試験装置1側の接触不良などに起因する不良デバイスが連続して発生しても、これらを自動的に検出してそのハンドラー装置5を停止処理してもよいし、手動でハンドラー装置5を一時停止処理してもよく、その不良デバイスに対して容易に再試験を行って不良デバイスを救済することができる。その後、集中パンチ装置7でまとめて正確に不良デバイスのICチップ41を含めてTCPデバイスごと打抜くことができる。要するに、複数のハンドラー装置5は再測定試験可能に構成されており、複数のハンドラー装置5から得られる測定試験結果テープマップデータを監視する監視制御部図示せずが設けられ、測定試験で連続して所定基準数の不良デバイスが検出されるかまたは、所定基準値以上の不良デバイス検出率を検出した場合に、当該不良デバイスが検出されたハンドラー装置5を自動停止処理して、その不良デバイスに対して再測定試験を容易に行う。図4は、図1の集中パンチ装置7でまとめてTCPを打ち抜く場合の、データベース内のTCPデバイスデータとテープマップデータの照合処理について説明するためのデータ図である。図4に示すように、集中パンチ装置7でまとめてTCPを打ち抜く場合のデータ照合処理は、データベース6内に格納されたTCPデバイスデータと、これに良否判定結果が格納されたテープマップデータとにおいて、デバイスなしの空デバイス位置TCP不良のデバイスが空になった位置のテープアドレスと不良デバイスのアドレス位置とを対応付けて常に照合することにより、誤打ち抜きを防止することができる。仮に、誤打ち抜きが発生した場合であっても、空デバイス位置から次の空デバイス位置までの区間のみが対象になり、被害が最小限に抑制される。この場合のテープマップデータ内の空デバイス位置と不良デバイスのアドレスデータとの照合処理は、その不良デバイスのアドレスデータの上流側直近の空デバイス位置のテープアドレスデータを基準位置として、その不良デバイスのアドレス位置の当該空デバイス位置からのアドレスを対応付けることにより行う。不良デバイスのアドレス位置の当該空デバイス位置からのアドレスは、不良デバイスのアドレスデータから上流側直近の空デバイス位置の差を求めればよい。次に、測定試験結果として、良否判定だけではなく、ランク情報を付加して不良デバイスを一部救済することができる。これについて図5を用いて説明する。図5は、ランク情報を付加した各ランクデータ毎のデバイスが搭載されたテープを作成する場合を説明する図である。図5において、最も左のTCPデバイスデータには、ハンドラー装置5で測定試験した測定試験結果として、良否判定の他にランク情報として、例えば良品Aランク、良品Bランク、不良品Aランクおよび不良品Bランクが付加されてデータベース6にテープマップデータとして格納されている。この最も左のTCPデバイスデータにランク情報が付与されたテープマップデータ対して、最も左から次の良品Aランクロットデータでは、ランク情報として良品Aランクのみ残してそれ以外のランク情報のTCPデバイスICデバイス41および配線を介して複数の端子42は打ち抜かれている。この良品Aランク品は規格品として打ち抜き部を含むテープの状態で出荷される。最も左から3番目の良品Bランクロットデータおよび最も右の不良品Aランクロットデータではそれぞれ個別にテープ編成している。良品Bランク品および不良品Aランク品はそれぞれ別規格品としてテープ状態で出荷される。即ち、良品Bランク品および不良品Aランク品はそれぞれ、図5に示すようにテープに再登載再ASSYされて別使用の規格品として出荷される。不良品Aランクは、ICデバイス41が例えば液晶ドライバの場合で4倍速において消費電流値に問題があっても、通常速度では全く問題のない範囲内であれば、使用用途に応じて用いることができる。また、ICデバイス41が例えばLED素子の場合には、発光強度によってランク分けがされ、ランク分けされた各発光強度のLED素子を組み合わせて用いたりしている。複数のランク情報のうちの一のランク情報ここでは良品Aランクを残して、それ以外のランク情報ここでは、良品Bランク、不良品Aランクおよび不良品Bランクの半導体デバイスが、集中パンチ装置7によりデータベース6内のテープマップデータに基づいて打ち抜かれ、その打ち抜かれたランク情報のうちの全部または一部ここでは、良品Bランクおよび不良品Aランクの半導体デバイスは当該ランク情報毎にテープに再登載されてテープ再編成される。次に、テープマップデータの再測定試験後のデータ重ね合わせについて説明する。図6は、再測定試験前のテープマップデータ、テープマップデータの不良品のみを再測定試験した結果を示すテープマップデータ、再測定試験前後のテープマップデータを合成した後のテープマップデータを示す図である。測定試験の時点では、不良デバイスをパンチで打ち抜くことがないので、再試験が容易に可能である。試験装置1側の例えば接触不良に起因して連続して不良デバイスが発生したような場合に、図6に示すように、再測定試験前のテープマップデータにおける不良デバイスの再測定試験を行って良品判定となった場合に、その良品判定となったアドレスデータに、デバイスなしのアドレス位置と対応して照合しつつ、その対応する再測定試験前のテープマップデータを再測定試験結果に変更する。以上により、本実施形態1においては、まず、測定試験の時点で不良デバイスをパンチで打ち抜くことなく、測定試験結果をデータベース6内のテープマップデータとして格納し、テープマップデータ全体または一部を監視して、再測定試験が必要かどうかを自動的に判定してもよいし、または、不良デバイスの数が所定の基準不良率全体であってもよいし、または、空デバイス位置間であってもよいを超えた場合や、測定試験で連続して所定数の不良デバイスが検出された場合に、ハンドラー装置5による測定試験を自動停止して、不良デバイスだけを別途、テープマップデータの不良デバイスのアドレス位置に基づいて、デバイスなしのアドレス位置と照合しつつ、再測定試験を実施してもよい。次に、図6に示すように、ここでは良否判定であるが、再測定試験前のテープマップデータにおける不良デバイスに対応するデバイスの再測定試験を行って良品判定となった場合に、その良品判定となったアドレスデータに、デバイスなしのアドレス位置と照合しつつ、対応する再測定試験前のテープマップデータを変更する。その後、変更したテープマップデータに基づいて、デバイスなしのアドレス位置と照合した後に、集中パンチ装置7で不良デバイスを打ち抜く。以上によって、ハンドラー装置5とネットワーク接続された別装置の集中パンチ装置7を使用してパンチを実施するため、ハンドラー装置5による測定試験結果を格納したテープマップデータのみ取得してハンドラー装置5ではパンチをしない。このため、測定試験時のハンドリング時間を短縮すると共に、マップデータ結果を重ね合わせてデータ更新することが可能なため、再測定試験も容易に行うことができて、一旦、不良と判定したデバイスをも救済可能となって、歩留まりを向上させることができる。この場合、別装置で打抜き処理をするため、測定試験時の穴あけ時間打抜き時間とそのチック時間を不要とすることができてICテスタ51の稼働率を向上させることができる。テープマップデータを活用して、不良デバイスまたは特定項目不良の再測定試験が可能となる。また、別装置での再測定試験も可能となる。この再測定試験の際には、テープマップデータの重合せを実施する。また、従来の表示方式では、良品不良品識別のみであったが、テープマップ情報の良品不良品にランク分け情報を付加することで、打抜き、再ASSY後に別規格の良品として救済が可能となる。要するに、テープマップデータを活用して、良品、不良品処理に加えて、テープマップデータ中に、ランク分け用データを付加することにより、ランク分け、例えば良品デバイスのランク分け、例えば不良デバイスの救済ランク落ち品が可能となる。さらに、空デバイステープ不良でデバイス無しのアドレス情報もテープマップデータ中に付加して、打ち抜くアドレス位置と空デバイスのアドレス情報との関係もアドレス照合することにより不良デバイスの誤打抜きを防止することができる。仮に、誤打抜きが発生した場合でも、空デバイスから次の空デバイスまでの区間が対象となり、最小限のロス発生に抑制できる。また、集中パンチ装置7ではパンチをまとめて実施するため、各ハンドラ装置5で保有している打抜き金型であるパンチユニット71を不要とすることができて、従来のようにハンドラー装置内のパンチ時に発生するダストを防止することができると共に、打抜き用金型の台数抑制をも図ることができて、管理する打抜き用金型台数を削減することができる。なお、本実施形態1では、ハンドラー装置5で測定試験した測定試験結果として、良否識別情報の他に複数のランク情報が付加されてデータベース6にテープマップデータとして格納される。この場合に、不良デバイスの打ち抜きに代えて、複数のランク情報のうちの一のランク情報の半導体デバイスを残して、それ以外のランク情報の半導体デバイスが、集中パンチ装置7によりデータベース6のテープマップデータに基づいて打ち抜かれ、打ち抜かれたランク情報のうちの全部または一部の半導体デバイスは当該ランク情報毎にテープ再編成される場合について説明したが、これに加えて、本実施形態1では特に説明しなかったが、次のように行うことができる。テープマップデータ内の空デバイス位置と、複数のランク情報のうちの一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータとの関係を照合した後に、集中パンチ装置7により、不良デバイスの打ち抜きに代えて、一のランク情報以外の半導体デバイスをTCPから打ち抜くようにすることができる。テープマップデータ内の空デバイス位置と一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータとの照合処理は、一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレスデータの上流側直近の空デバイス位置のテープアドレスデータを基準位置として、当該空デバイス位置からの一のランク情報以外の半導体デバイスのアドレス位置を照合することおができる。ハンドラー装置5が、TCP4に順次搭載された半導体デバイスの複数の端子にICテスタの接触子を接触導通させてTCP4内の各半導体デバイスの良否識別を含むランク識別の測定試験を行うようにすることができる。ハンドラー装置5とネットワーク中のデータベース6を介して接続された集中パンチ装置7により、一のランク情報以外の半導体デバイスをTCP4から集中して打ち抜くようにすることもできる。複数のハンドラー装置5は再測定試験可能に構成されており、複数のハンドラー装置5から得られる測定試験結果を監視する監視制御部が設けられ、測定試験で連続して所定基準数の所定ランク情報の半導体デバイスが検出されるかまたは、所定基準値以上の所定ランク情報半導体デバイスの検出率を検出した場合に、当該所定ランク情報半導体デバイスが検出されたハンドラー装置5を自動停止処理するように構成することもできる。データベース6のテープマップデータにおける所定ランク情報半導体デバイスデータを、再測定試験の結果データとしての別の所定ランク情報半導体デバイスデータにテープマップ合成して変更することができる。以上のように、本発明の好ましい実施形態1を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態1に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態1の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。"