"実質的な固定面において物体を保持する静電クランプであって、基部と該基部から延在する複数のバールとを含むサポートであって、該複数のバールの各々は頂部と底部とを含み、該バールの該頂部は前記物体が保持される平面を決定する、サポートと、隣接するバール間に設けられた材料の第1層および材料の第2層であって、該第1層および該第2層は該隣接するバールの頂部より高く延在せず、該隣接するバールの底部より低く延在しない、第1層および第2層と、前記隣接するバール間に設けられ、かつ前記第1層および前記第2層によって囲まれた電極と、を備える、静電クランプ。前記第1層は、各バールから第1距離だけ離れて設けられる、請求項1に記載の静電クランプ。前記第2層は、各バールから第2距離だけ離れて設けられる、請求項1または2に記載の静電クランプ。前記第2層は、前記第1層と前記バールとの間の前記第1距離によって形成された領域の少なくとも一部内に設けられる、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の静電クランプ。前記第1層および前記第2層は、同様の材料である、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の静電クランプ。前記第2層は、前記第1層の上に設けられる、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の静電クランプ。前記第1層、前記第2層、またはそれら両方は、誘電体材料を含む、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の静電クランプ。前記誘電体材料は、ポリp-キシレンポリマーである、請求項7に記載の静電クランプ。前記第1層および前記第2層の両方は、ポリp-キシレンポリマーを含む、請求項7に記載の静電クランプ。物体を物体サポートに対して静電的にクランプするように構成された静電クランプを製造する方法であって、該静電クランプは、基部と該基部から延在する複数のバールとを含むサポートであって、該複数のバールの各々は頂部と底部とを含み、該バールの該頂部は前記物体が保持される平面を決定する、サポートを備え、該方法は、前記基部および前記バールの頂部の上に材料の第1層を設けることと、前記第1層を含んで、前記基部および前記バールの上に電極を設けることと、少なくとも前記第1層が前記バールから前記第1距離だけ離れるように、少なくとも第1層において前記複数のバールの周囲に第1凹みをエッチングで形成することと、前記第1層を含む前記基部、前記第1凹み、および前記バールの前記頂部の上に材料の第2層を設けることと、少なくとも前記材料の第2層が前記バールから前記第2距離だけ離れるように、少なくとも第2層において前記複数のバールの周囲に第2凹みをエッチングで形成することと、を含む、方法。前記第1層および前記第2層は、同様の材料である、請求項10に記載の方法。前記第1層、前記第2層、またはそれら両方は、誘電体材料を含む、請求項10または11に記載の方法。前記誘電体材料は、ポリp-キシレンポリマーである、請求項12に記載の方法。前記第1層および前記第2層の両方は、ポリp-キシレンポリマーを含む、請求項12に記載の方法。前記第1層および/または前記第2層を設けることは、スパッタリングプロセスを用いること、化学蒸着プロセスを用いること、またはそれら両方を含む、請求項10乃至14のいずれか1項に記載の方法。前記第1凹みをエッチングで形成すること、および/または、前記第2凹みをエッチングで形成することは、レーザアブレーションプロセスを用いることを含む、請求項10乃至14のいずれか1項に記載の方法。装置であって、放射ビームのビーム経路において物体を支持する物体サポートと、前記物体サポートに対して前記物体を静電的にクランプする静電クランプであって、基部と該基部から延在する複数のバールとを含むサポートであって、該複数のバールの各々は頂部と底部とを含み、該バールの該頂部は前記物体が保持される平面を決定する、サポートと、隣接するバール間に設けられた材料の第1層および材料の第2層であって、該第1層および該第2層は該隣接するバールの頂部より高く延在せず、該隣接するバールの底部より低く延在しない、第1層および第2層と、前記隣接するバール間に設けられ、かつ前記第1層および前記第2層によって囲まれた電極と、を備える、静電クランプと、を備える、装置。前記物体は、前記放射ビームによって露光される基板である、請求項17に記載の装置。前記物体は、前記放射ビームにパターンを付けるように構成されたパターニングデバイスである、請求項17または18に記載の装置。前記第1層および前記第2層の両方は、ポリp-キシレンポリマーを含む、請求項17乃至19のいずれか1項に記載の装置。前記装置はリソグラフィ装置であり、放射ビームにパターンを付けてパターン付き放射ビームを形成するように構成されたパターニングデバイスを保持するパターニングデバイスサポートと、基板を保持する基板サポートと、パターン付き放射ビームを前記基板上に投影する投影システムと、を備え、前記物体サポートは、前記パターニングデバイスまたは前記基板サポートである、請求項17乃至20のいずれか1項に記載の方法。0027図1は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームB例えば紫外線またはEUV放射を調整するように構成された照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えば、マスクMAを支持するように構築され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに連結されたサポート構造、サポート、またはパターンサポート例えば、マスクテーブルMTと、基板例えば、レジストコートウェーハWを保持するように構築され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに連結された基板テーブル例えば、ウェーハテーブルWTと、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば、1つ以上のダイを含む上に投影するように構成された投影システム例えば、屈折投影レンズシステムPSと、を含む。0028照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光学コンポーネントを含むことができる。0029サポート構造は、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持し得る。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用されるレチクルまたはマスクという用語はすべて、より一般的なパターニングデバイスという用語と同義であると考えるとよい。0030本明細書において使用されるパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。0031パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型位相シフト、およびハーフトーン型位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。0032本明細書において使用される投影システムという用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される投影レンズという用語はすべて、より一般的な投影システムという用語と同義であると考えるとよい。0033サポート構造および基板テーブルは、本明細書において物品サポートとも呼ばれ得る。物品は、レチクルなどのパターニングデバイスおよびウェーハなどの基板を含むがこれらに限定されない。0034本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの例えば、反射型マスクを採用しているものである。また、リソグラフィ装置は、透過型のもの例えば、透過型マスクを採用しているものであってもよい。0035リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルおよび/または2つ以上のマスクテーブルを有する型のものであってもよい。そのようなマルチステージ機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を1つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の1つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。0036また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体例えば、水によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間例えば、マスクと投影システムとの間に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書において使用される液浸という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。0037図1を参照すると、イルミネータILは、放射源SOから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源SOからイルミネータILへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源SOおよびイルミネータILは、必要ならばビームデリバリシステムとともに、放射システムと呼んでもよい。0038イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常、それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるを調節することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータおよびコンデンサといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。0039放射ビームBは、サポート構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されているパターニングデバイス例えば、マスクMA上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス例えば、マスクMAによって反射された後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点をあわせる。第2ポジショナPWおよび位置センサIF2例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサを使って、例えば、さまざまなターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置決めするように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサIF1を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイス例えば、マスクMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、サポート構造例えば、マスクテーブルMTの移動は、第1ポジショナPMの一部を形成するロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めを使って達成することができる。同様に、基板テーブルWTの移動も、第2ポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合はスキャナとは対照的に、サポート構造例えば、マスクテーブルMTは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイス例えば、マスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1およびM2と、基板アライメントマークP1およびP2とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできるこれらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である。同様に、複数のダイがパターニングデバイス例えば、マスクMA上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。0040例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。00411.ステップモードにおいては、パターニングデバイス例えば、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影するすなわち、単一静的露光。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。00422.スキャンモードにおいては、サポート構造例えば、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影するすなわち、単一動的露光。サポート構造例えば、マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの縮小拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅非スキャン方向が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さスキャン方向が決まる。00433.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造例えば、マスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0044図4は、本発明の一実施形態に係る静電クランプの部分断面を示している。図4に示す実施形態において、静電クランプ20は、使用中、実質的な固定平面24において物体を保持するように構成され、バール21を備えたサポートまたはテーブル25を含む。バール21の頂部は物体が保持される平面24を決定し、誘電体23によって囲まれた例えば、封入された電極22がバール21間に設けられる。誘電体23は絶縁体としても機能する。実質的な固定平面または実質的に平らな面は、基板露光中に基板が保持される平面に対応し得る。電極22とバール21の頂部との間の距離は、50~1000μmであり得る。図4には2つのバール21しか示されていないが、当然のことながら、通常、複数のバールが用いられてよく、また、電極22および誘電体材料23がバール21の各々の間に配置されてよい。一実施形態において、バール21を備えたサポート25は1つの材料から形成されてよく、それにより、サポート25上のバール21の位置が非常に安定し固定される。これは、物体を平面24内の当該位置上で安定して保持するのに役立つ。安定性を向上させるために、サポート25は、バール21の高さの10~200倍の厚さを有してよい。例えば、サポートの厚さは40nmとすることでき、バールの高さは約300μmとすることができる。0045バール21の頂部は、物体が保持される平面24または実質的に平らな面を決定する。バール21の頂部は、物体と接触することができ、この接触は、バール21の材料が耐摩耗性を有することを必要とし得る。というのは、物体がバール21上にクランプされるたびにバール21上に力が及ぼされ、これはバール21の摩耗を引き起こすおそれがあるからである。摩耗によって、クランプ20のバール21は付着作用の影響をより受けやすくなり得る。付着作用は、通常、物体の底部とバール21の頂部との間の接着力に起因し、および/または、残留静電荷によって生成された静電力に起因する。接着力は、材料不純物と、接触面のラフネス欠陥とによって生成され得る。物体は、バール21上を滑ることがあり、それによって、バール21上の摩耗およびラフネス欠陥が引き起こされ、それが更なる付着につながり得る。摩耗の別の原因は、汚染物質がバール21に付着した場合に望ましいバール21の洗浄であり得る。0046静電クランプ20上にクランプされる物体は、非常に高い精度で位置決めされる必要があり、静電クランプ20上の物体の位置は、経時的に安定している必要がある。バール21およびサポート25のそれぞれに銅およびアルミニウムが使用される場合、金属の熱膨張それぞれ、16.5m/m.K×10-6および22.5m/m.K×10-6が高いので、十分に高い精度で位置を保証できない場合がある。クランプ20の温度が変化する場合、高い熱膨張は、バール21の平面24の非平坦性および移動にリスクをもたらすおそれがある。さらに、またはあるいは、クランプ20に用いられる異なる材料の熱膨張係数の違いは、材料間の張力とクランプ20の非平坦性を招き得る。別のリスクとしては、バール21とサポート25との間の接続が弱すぎることがあり、それによって、例えば電極22または誘電体23によって引き起こされるあらゆる張力がクランプに非平坦性および/または平面24におけるバール21の平行移動の原因となり得る、ということがある。従って、サポート25およびバール21を1つの材料から形成することが有益であり得る。1つの物から形成された場合、向上した剛性を有して両者間の接続を形成することができ、それによって、クランプ20内のあらゆる張力が解消される。バール21を備えたサポート25の材料は、10m/m.K×10-6未満の熱膨張を有することが望ましい。材料としては、例えば、SiC4m/m.K×10-6の熱膨張を有する炭化ケイ素、SiSiC4m/m.K×10-6の熱膨張を有するシリコン処理された炭化ケイ素、またはSi3N43.3m/m.K×10-6の熱膨張を有する窒化ケイ素が挙げられる。静電クランプ2上にクランプされる必要があり得る物体は、シリコン基板などおよび石英レチクルなどから形成され得る。シリコンは、2~3m/m.K×10-6の熱膨張を有し、石英は、その製造プロセスによって、0.05~9m/m.K×10-6の熱膨張を有する。クランプ20の熱膨張は、クランプ20上にクランプされる物体の熱膨張に近くなるように選択されて、物体と静電クランプ20との間の張力を低減させ得る、または最小限にし得る。これによって、クランプ20上の物体のより良好な平坦性およびクランプ2上の物体のより安定した位置がもたらされる。0047上記の材料は、銅よりかなり硬い。SiCおよびSiSiCのヌープ100g硬度は、9~10のモース硬度に当たる2800Kg/mm2であり、Si3N4は、9のモース硬度に当たる2200Kg/mm2のヌープ100g硬度を有する。上述の通り、硬度は、バール21の摩耗および接着力を回避するために重要である。銅は、約3~5のモース硬度を有し、これは、上記のシリコンケイ素および窒化ケイ素よりかなり軟らかいことを意味する。本明細書で述べる通り、静電クランプ2上にクランプされる必要があり得る物体は、シリコンおよび/または石英で形成され得る。シリコンは6~7のモース硬度を有し、石英は7のモース硬度を有し、それによって、バール21に銅が用いられる場合、摩耗するバールとなる。バール21が摩耗すると、平面24が異なることがあり、バール21は接着力に影響されやすくなることがある。0048SiCの熱伝導率は120W/m.Kであり、窒化ケイ素の熱伝導率は30W/m.Kであり、それらは394W/m.Kである銅の熱伝導率または237W/m.Kであるアルミニウムの熱伝導率より低い。しかし、たいていの用途において、これは、温度制御システムへの十分な熱伝達を得るために十分である。温度制御システムは、静電クランプ20のサポート25内の液体例えば水導管27を用いてクランプ2の温度を制御し得る。0049片面または両面クランプに対して誘電体層を形成することは、重大な歩留まりの問題を有することがある。静電クランプの薄層を形成するために用いられる製造プロセスの一部は、さまざまな制限および限定、例えばピンホールおよび/または材料不安定性を伴い得る。例えば、静電クランプの一部の設計には、静電クランプ用の誘電体層およびパターン付き電極を形成するための製造プロセスの一部として、接着および/または陽極接合などの技術が利用される。クランプ上に安定した層を設けることは、基板を支持することに対する安定した基礎を設けることの役に立つ。0050図5は、本発明の一実施形態に係る静電クランプの最上層の一部断面を示している。図4に示す実施形態において、電極32は絶縁体33、35に囲まれ、バール31間に設けられる。一実施形態において、絶縁体は誘電体材料から形成され得る。図5の実施形態において、誘電体材料35は電極32の上方に設けられ、絶縁材料層誘電体を有し得る33は電極32の下方に設けられる。誘電体材料としては、例えば、ParaTechCoating,Inc.によるPARYLENE登録商標ポリp-キシレンポリマー、E.I.duPontdeNemoursandCompanyによるKAPTON登録商標ポリイミドもしくはMYLAR登録商標ポリエステル、または液晶ポリマーLCPなどのプラスチックが挙げられる。SCHOTT登録商標封着ガラス、SCHOTT登録商標AF37またはSCHOTTBOROFLOAT登録商標33などの石英が誘電体材料として用いられ得る。絶縁体および/または誘電体として用いられ得る別の材料は、窒化ホウ素であり得る。0051図6~図9は、本発明の一実施形態に係る静電クランプに2つ以上の層を塗布する製造方法の工程の詳細な部分断面図である。すなわち、本明細書記載の実施形態において、誘電体材料例えば、PARYLENE登録商標の2つ以上の層が静電クランプのサポート上に塗布され、アルミニウム電極がバール間に位置し、誘電体層によって囲まれる。本実施形態の複数の誘電体層は、放射例えば、EUV放射を照射する際、最小限の固有の絶縁破壊強度を増加させ、誘電体層の局所破壊を低減させる。誘電体層の数の増加によって電極の周囲の厚さを増加させることができ、従って、クランプ領域あたりの不良の数の低下をもたらすことができる。例えば、多くの誘電体不良は欠陥によるものである。複数の層を用いることによってどの層において欠陥の影響を軽減することができ、より最小の絶縁破壊強度がもたらされる。また、クランプを歪めるまたは変形させるパワーまたは力は、層の厚さに正比例する。つまり、誘電体層の厚さが増加するにつれて、強度も増加し、それによってクランプの変形しやすさが低下する。0052図6~図9は、物体を図4に示す方法と同様の方法で実質的な固定平面に保持するように構成された静電クランプ40を製造する工程の詳細な図である。静電クランプ40は、基部43と、基部43から延在する複数のバール44とを含むサポートまたはテーブル42を含む。複数のバール44の各々は、頂部および底部を含む。バール44は、底部またはサポート42の表面から頂部まで測定される高さHを有する。一実施形態において、バール44は、約85μmの範囲の高さHで設けられる。一実施形態において、バールの頂部は物体が保持される平面を決定する。0053図6は、サポート42およびそのバール44に対する材料の第1層46が設けられるまたは塗布される、サポート42の表面を示している。第1層46は、基部43とバール44の頂部に対して設けられる。また、電極層48が、少なくともバール44間に設けられる、または塗布される。図示の実施形態において、電極48は、第1層46、基部43、およびバール44の頂部の上に完全に塗布される。0054一実施形態において、第1層46は誘電体材料を含む。一実施形態において、第1層46はプラスチックを含む。一実施形態において、第1層46はPARYLENE登録商標を含む。0055一実施形態において、電極48はアルミニウムを含む。0056サポート42の表面上に設けられる、または塗布される第1層46の厚さTは、限定されるべきでない。一実施形態において、材料の第1層46の厚さTは、約20ミクロン以上かつ約30ミクロン以下である。一実施形態において、第1層46の厚さTは約25ミクロンである。一実施形態において、電極の厚さは約300nmである。0057次のステップにおいて、図7に示すように、サポート42の表面から、少なくとも第1層46をエッチングする。すなわち、複数のバール44に対して、および/または複数のバール44の周囲に、第1凹み50が少なくとも第1層46において形成されるように、少なくとも第1層46をエッチングし、それにより、第1層46は、バール44のエッジ56から第1距離Aだけ離れる。また、バール44から、電極層48をエッチングし得る。一実施形態において、第1凹み50は、各バール44のエッジ56から約100ミクロンだけ第1層46および電極層48をエッチングすることによって形成されるすなわち、A=約100ミクロン。一実施形態において、第1層46をエッチングする量は、距離A/-Xミクロンである。一実施形態において、バール44から約100/-25ミクロンだけ第1層46をエッチングする。0058図8において、サポート42に、基部43に対する第1層46、第1凹み50、および複数のバール44の頂部の上に、を含む材料の第2層52が設けられる、または塗布される。一実施形態において、第2層52は誘電体材料を含む。一実施形態において、第2層52はプラスチックを含む。一実施形態において、第2層52はPARYLENE登録商標を含む。0059一実施形態において、第1層46および第2層52は同様の材料を含む。一実施形態において、第1層46および第2層52はともにPARYLENE登録商標を含む。0060サポート42の表面上第1層46、第1凹み50、およびバール44に対する、を含むに設けられる、または塗布される第2層52の厚さT2は、限定されるべきでない。一実施形態において、第2層52の厚さT2は、約40ミクロン以上かつ約60ミクロン以下である。一実施形態において、第2層52の厚さT2は約50ミクロンである。一実施形態において、第2層52がサポート42の表面上に塗布される際、第2層52の厚さT2は実質的に均一である。一実施形態において、第2層52の厚さT2は、サポート42の表面に沿って均一でなくてよい。0061そして、図9に示すように、サポート42の表面から、少なくとも第2層52をエッチングする。すなわち、複数のバール44に対して、および/または複数のバール44の周囲に、第2凹み54が少なくとも第2層52において形成されるように、少なくとも第2層52をエッチングし、それにより、第2層52は、バール44のエッジ56から第2距離Bだけ離れる。一実施形態において、第2凹み54は、各バール44から約25ミクロンだけ第2層52をエッチングすることによって形成されるすなわち、B=約25ミクロン。一実施形態において、第2層52をエッチングする量は、距離B/-Xミクロンであるここで、Xは第1層46についての値と同じ値である必要はない。一実施形態において、バール44のエッジ56から約25/-25ミクロンだけ第2層52をエッチングする。一実施形態において、距離Bは距離Aより短い。0062第1および第2層46、52の塗布は限定されるべきでない。例えば、一実施形態において、第1層46および/または第2層52は、スパッタリングプロセスを用いて、化学蒸着プロセス、またはその組合せを用いてサポート上に設けられる。さらに、第1および第2層46、52のエッチングすなわち、第1および第2凹み50、54のエッチングは、あらゆる方法で行われて良く、限定されるべきでない。一実施形態において、第1および第2凹みを形成するために、レーザアブレーションプロセスが利用される。0063図10は、本発明の一実施形態に係る、図6~図9に示すエッチングおよび処理の後の、サポート42上のバール44の、上方からの詳細な上面図である。バール44は、バール44のエッジ56と第2層52のエッジ58との間に実質的に形成された第2凹み54を有する。第1層46および電極48のエッジ60は、図10において破線によっておおむね表されているというのは、それらの層は、図7に示すように、バール44から、層46および48を第1距離Aだけエッチングすることにより、第2層52の下に設けられるからである。0064一実施形態において、第1層46および第2層52は誘電体材料を含む。一実施形態において、第1層46および第2層52はPARYLENE登録商標を含む。0065一実施形態において、バール44は、約500ミクロンの直径を有する。材料の第1層46および電極層48は、バール44の周囲から、最大約700/-ミクロンの直径だけ除去され得る。材料の第2層52は、バール44を囲む最大約550/-ミクロンの直径だけ除去され得る。00661つのバール44の一部しか図6~図10に示されていないが、通常、複数のバールが用いられ得ることと、電極48および材料層46、52がそれらのバール44の各々の間に位置し得ることとが明らかである。図11は、本発明の一実施形態に係る、基部と複数のバール44とを有するサポート42の詳細な平面図である。一実施形態において、バール44を備えたサポート42は1つの材料から形成されてよく、それにより、サポート42上のバール44の位置が安定し固定され、これは、物体を平面内の当該位置上で安定して保持するのに役立つ。0067安定性を向上させるために、サポート42は、バール44の高さの10~200倍とすることができる。例えば、一実施形態において、約85μmのバールの高さHで、サポートは直径約500μmを有し得る。隣接するバールの中心62間の距離Cは、最大約2mmミリメートルであり得る。0068バールの中心62から層52、48、および46のエッジ58までの距離Dは、限定されるべきでない。バールの中心62を用いて、例えば2mm×2mmすなわち4mm2の領域を形成することによって、正方形単位セルsquareunitcellが測定され得る。一実施形態において、バールの中心62から層52、48、および46のエッジ58までの距離Dは、約375μmであり得る。4mm2によって形成された領域は、層46、52および電極48の約89を覆い得る。0069一実施形態において、電極48とバール44の頂部との間の距離は、50~1000μmであり得る。0070図6~図9の実施形態のサポート42、その基部43、および複数のバール44ならびに図10および図11に示す実施形態は、1つ以上の材料から形成されてよく当該材料は上記に開示した材料を含むが、これらに限定されない、限定的であるべきでない。0071本明細書において、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用されるウェーハまたはダイという用語はすべて、それぞれより一般的な基板またはターゲット部分という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ICを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。0072光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。0073本明細書で使用される放射およびビームという用語は、紫外線UV例えば、365nm、355nm、248nm、193nm、157nm、または126nmの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する、および極端紫外線EUV例えば、5~20nmの範囲の波長を有する、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。0074レンズという用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光学コンポーネントを含む様々な種類の光学コンポーネントのいずれか1つまたはこれらの組合せを指すことができる。0075上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。従って、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。"