"入射した光を電荷に変換して蓄積する光電変換素子が形成された第1面及び前記第1面と反対側の第2面を有する複数の画素が2次元的に配置され、前記複数の画素の前記第1面によって上面が形成され、前記複数の画素の前記第2面によって裏面が形成された撮像基板と、前記撮像基板の前記上面側に設けられた遮光部材と、を備え、前記複数の画素は、前記遮光部材の上方から光が照射された場合に、前記遮光部材によって、遮光される画素と、遮光されない画素とに区別され、前記遮光されない画素の前記光電変換素子によって蓄積された前記電荷は、前記遮光される画素の前記第2面に形成されたAD変換回路によってデジタル信号に変換される固体撮像装置。前記遮光されない画素の前記第2面にも、AD変換回路が形成されている請求項1記載の固体撮像装置。前記遮光部材は、マイクロレンズが2次元的に配列されたマイクロレンズアレイ基板である請求項1または2に記載の固体撮像装置。前記遮光される画素は、前記マイクロレンズを透過して集光した光が入射されない領域に配置された前記画素であり、前記遮光されない画素は、前記マイクロレンズを透過して集光した光が入射される領域に配置された前記画素である請求項3記載の固体撮像装置。前記マイクロレンズは、前記マイクロレンズアレイ基板の上面に六方最密配列で配置された請求項4記載の固体撮像装置。前記入射される領域の形状は、円形であり、前記入射される領域は、前記撮像基板の上面において六方最密配列され、隣接する3つの前記入射される領域の各中心を結ぶ三角形の領域に配置された前記画素を単位として、前記電荷は、前記デジタル信号に変換される請求項5記載の固体撮像装置。前記マイクロレンズは、前記マイクロレンズアレイ基板の上面に正方配列で配置された請求項4記載の固体撮像装置。前記入射される領域の形状は、円形であり、前記入射される領域は、前記撮像基板の上面において正方配列され、1つの前記入射される領域の中心を第1の点とし、前記1つの入射される領域から一つの方向に隣接する前記入射される領域の中心を第2の点とし、前記1つの入射される領域から前記一つの方向に直交する方向に隣接する前記入射される領域の中心を第3の点とし、前記第2の点及び前記第3の点を結ぶ線分に対して前記1つの入射される領域と対称の位置にある前記入射される領域の中心を第4の点としたときに、前記第1の点、前記第2の点、前記第3の点及び前記第4の点から形成される四角形の領域に配置された前記画素を単位として、前記電荷は、前記デジタル信号に変換される請求項7記載の固体撮像装置。前記入射される領域の形状は、円形であり、前記入射される領域は、前記撮像基板の上面において正方配列され、1つの前記入射される領域の中心を第1の点とし、前記1つの入射される領域から一つの方向に隣接する前記入射される領域と前記1つの入射される領域との接点を第2の点とし、前記1つの入射される領域から前記一つの方向に直交する方向に隣接する前記入射される領域と前記1つの入射される領域との接点を第3の点とし、前記第2の点及び前記第3の点を結ぶ線分に対して前記第1の点と対称の位置にある点を第4の点としたときに、前記第1の点、前記第2の点、前記第3の点及び前記第4の点から形成される四角形の領域に配置された前記画素を単位として、前記電荷は、前記デジタル信号に変換される請求項7記載の固体撮像装置。請求項1~9のいずれか1つに記載の固体撮像装置を備えた携帯情報端末装置。本発明の実施形態は、高集積化を図ることができる固体撮像装置及び携帯情報端末装置を提供する。実施形態に係る固体撮像装置は、入射した光を電荷に変換して蓄積する光電変換素子が形成された第1面及び前記第1面と反対側の第2面を有する複数の画素が2次元的に配置され、前記複数の画素の前記第1面によって上面が形成され、前記複数の画素の前記第2面によって裏面が形成された撮像基板と、前記撮像基板の前記上面側に設けられた遮光部材と、を備える。前記複数の画素は、前記遮光部材の上方から光が照射された場合に、前記遮光部材によって、遮光される画素と、遮光されない画素とに区別され、前記遮光されない画素の前記光電変換素子によって蓄積された前記電荷は、前記遮光される画素の前記第2面に形成されたAD変換回路によってデジタル信号に変換される。また、実施形態に係る携帯情報端末装置は、前記固体撮像装置を備える。第1の実施形態以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。先ず、第1の実施形態について説明する。図1は、第1の実施形態に係る固体撮像装置を例示する光学モデル図である。図2は、第1の実施形態における撮像基板を例示する断面図である。図3は、第1の実施形態における半導体基板を例示する図であり、aは、上面図であり、bは、下面図である。図4aは、第1の実施形態におけるマイクロレンズアレイ基板を例示する平面図であり、bは、第1の実施形態における撮像基板を例示する上面図である。図5aは、第1の実施形態において、マイクロレンズ毎に結像された画像を例示する図であり、bは、これらの画像を画像処理して得られた2次元画像を例示する図である。図1に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置1には、板状の撮像基板10が設けられている。撮像基板10の上面11側には、マイクロレンズアレイ基板13が設けられている。マイクロレンズアレイ基板13は、撮像基板10に対して平行に配置されている。また、マイクロレンズアレイ基板13は、透明基板、例えば石英板を用いて形成されている。マイクロレンズアレイ基板13には、複数のマイクロレンズ14がマイクロレンズアレイ基板13の一方の面15に平行な面内において2次元的に配置されている。マイクロレンズアレイ基板13における撮像基板10と反対側には、結像レンズ16が設けられている。結像レンズ16は収差補正のため、複数のレンズの組合せで構成させていても良い。結像レンズ16は、その光軸17がマイクロレンズアレイ基板13の一方の面15及び撮像基板10の上面11を垂直に通過するように配置されている。結像レンズ16の結像面35は、撮像基板10より下方に設定されている。また、結像レンズ16を透過して集光した光による各マイクロレンズ14の結像面36は、撮像基板10の上面11に設定されている。図2に示すように、撮像基板10は、例えばシリコンSiからなる半導体基板18に設けられている。また、撮像基板10には、複数の画素19が撮像基板10の上面11に平行な面内において2次元的に形成されている。複数の画素19は上面20及び裏面21を同じ方向に向けて配置されている。複数の画素19の上面20によって、撮像基板10の上面11が形成されている。複数の画素19の裏面21によって、撮像基板10の裏面12が形成されている。撮像基板10を構成する半導体基板18において、画素19の上面20側に相当する部分には、入射した光を電荷に変換して蓄積する光電変換素子22、例えば、フォトダイオード41が形成されている。フォトダイオード41の側面には、素子分離層のp形の不純物領域42が形成されている。フォトダイオード41上には、p層の不純物領域43が形成されている。光電変換素子22上には、反射防止層23が設けられている。反射防止層23上には、カラーフィルタ24が設けられている。各画素19には、カラーフィルタ24上に集光レンズ25が設けられている。また、画素19の裏面21側に相当する半導体基板18の下面にはn形のウェル44が形成されている。n形のウェル44から下方には、転送トランジスタ26が形成されている。また、nウェル44から下方には、読出しトランジスタ27またはAD変換回路28が設けられている。半導体基板18の下方には、多層配線層29が形成されている。多層配線層29の下方には、支持基板30が設けられている。支持基板30は、多層配線層29を挟んで半導体基板18を下面から支持している。これらp、nの極性は、逆転した構成であっても良い。図3aに示すように、光電変換素子22はマトリックス状に配列された画素19のそれぞれに形成されている。一方、図3bに示すように、転送トランジスタ26、読出しトランジスタ27及びAD変換回路28は、2行2列に配列された4つの画素19を基本ユニットとして配置されている。すなわち、これらの4つの画素19のうち、1つの画素19の裏面上には、読出しトランジスタ27が形成されている。読出しトランジスタ27が形成された画素19以外の3つの画素19の裏面21に渡って、1つのL字形のAD変換回路28が形成されている。各画素19に一つの転送トランジスタ26が形成されている。転送トランジスタ26は、2行2列に配置された4つの画素19が形成する基本ユニットの4つの角部に配置されている。上記の基本ユニットは、2行2列に限るものではなく、N,Mを自然数としたN行M列を基本ユニットとした場合も同等の構成が可能である。図4aに示すように、マイクロレンズアレイ基板13を光軸17が延びる方向から見ると、各マイクロレンズ14の形状は円形である。光軸17が延びる方向から見て、複数のマイクロレンズ14の配列は、六方最密配列となっている。すなわち、各マイクロレンズ14は、他の6つのマイクロレンズ14と接している。1個のマイクロレンズ14の大きさは、1個の画素19よりも大きい。マイクロレンズ14の円の大きさと、画素19の大きさとを比較すると、例えば、1個のマイクロレンズ14の大きさは、その円の中に、数十から数百個の画素19が入る大きさである。図4bに示すように、撮像基板10の上面11において、円形の各マイクロレンズ14を透過して集光した光が入射する領域31の形状は、円形となる。また、領域31の配列は、マイクロレンズアレイ基板13におけるマイクロレンズ14の配列が反映されて、六方最密配列となる。各領域31は、各マイクロレンズ14に対応づけられている。領域31に配置された画素19の集合体を画素ブロック48という。撮像基板10の上面11には、各マイクロレンズ14を透過して集光した光によって照射されない領域33がある。すなわち、領域33に配置された画素19には、各マイクロレンズ14を透過して集光した光が入射しない。このように、マイクロレンズアレイ基板13を透過して集光した光は、撮像基板10の上面において、領域31と領域33とを形成する。したがって、マイクロレンズアレイ基板13は、遮光部材となる。すなわち、マイクロレンズアレイ基板13の上方から光が照射された場合に、マイクロレンズアレイ基板13によって、遮光される領域33と、遮光されない領域31とが区別される。互いに隣接する3つの領域31の円形45a、円形45b及び円形45cの中心46a、中心46b及び中心46cを頂点とする三角形を三角形47とする。円形45aと三角形47とが重なる領域における画素19の集合体を画素ブロック48aという。円形45bと三角形47とが重なる領域における画素19の集合体を画素ブロック48bという。円形45cと三角形47とが重なる領域における画素19の集合体を画素ブロック48cという。画素ブロック48a~48cに属する画素19は、遮光されない画素19である。一方、三角形47の内部の領域であって、円形45a~45cに属さない領域における画素19の集合体を画素ブロック49という。画素ブロック49に属する画素19は、遮光される画素19である。次に、本実施形態に係る固体撮像装置1の動作について説明する。被写体36からの光を、結像レンズ16を透過させることによって集光し、マイクロレンズアレイ基板13に入射させる。マイクロレンズアレイ基板13に入射した光のうち、マイクロレンズ14に到達した光を、それぞれのマイクロレンズ14を透過させてマイクロレンズ14ごとに集光し、撮像基板10の上面11において、マイクロレンズ14ごとに結像させる。本実施形態において、三角形47の内部の領域における画素ブロック48a、48b及び48cに属する画素19の光電変換素子22によって蓄積させた電荷を、画素ブロック48a、48b及び48cに属する画素19の裏面21に形成した読出しトランジスタ27によって読出し、読出した電荷を転送トランジスタ26によりアナログ信号として、遮光される領域33の画素ブロック49に属する画素19の裏面に形成されたAD変換回路28に転送する。そして、画素ブロック49に属する画素19の裏面に形成されたAD変換回路28が、各画素ブロック48a~48cにおいて読出しトランジスタ27によって読み出された電荷に対応するアナログ信号を、デジタル信号に変換する。画素ブロック48a、48b及び48cに属する画素19の裏面に形成されたAD変換回路28は動作させない。このように、三角形47の内部に配置された複数の画素19を1つの単位として、光電変換素子22によって蓄積された電荷を、AD変換回路28によってデジタル信号に変換する。その後、各画素ブロック48a~48c毎にAD変換されたデジタル信号を、画像処理する。図5aに示すように、各マイクロレンズ14に対応した領域31ごとに、被写体36の像が形成される。各領域31毎に形成された像は、マイクロレンズ14の配置された位置の違いに起因して、少しずつ異なっている。このように、マイクロレンズ14の数だけ、相互間に視差が生じた複数の像が取得される。多数のマイクロレンズ15から得られた視差が生じた画像群を画像処理することで、三角測量の原理により、被写体36と固体撮像装置1との間の距離の推定を行う。また、図5bに示すように、多数のマイクロレンズ15から得られた視差が生じた画像群のつなぎ合わせの画像処理を行うことによって2次元画像とする。次に、本実施形態に係る固体撮像装置1の効果について説明する。本実施形態に係る固体撮像装置1によれば、光電変換素子22を、光の入射面である画素19の上面20に形成し、転送トランジスタ26、読出しトランジスタ27及びAD変換回路28を、光の入射面の反対側の裏面21に形成している。よって、撮像基板10の上面11に対する光電変換素子22が光を受ける割合、すなわち、開口率を向上させることができる。マイクロレンズ14を六方最密配列で配置した場合には、撮像基板10の上面11における遮光される領域33が占める割合を、9.3まで低下させることができる。これにより、固体撮像装置1を高集積化することができる。遮蔽される画素19の裏面21に形成されたAD変換回路28を動作させるので、光電変換素子22を透過した光によって、AD変換回路28が誤作動することがない。また、画素ブロック48a~48c毎に並列に電荷を読み出してAD変換するので画像処理を高速化することができる。よって、AD変換の遅延から生じるロータリーシャッター問題が発生しない。マイクロレンズアレイ基板13を結像レンズ16と撮像基板10との間に設けることによって、結像面35を結像レンズ16に近い結像面36まで近づけることができる。この結果、固体撮像装置1を小型化することができる。第1の実施形態の第1の変形例次に、第1の実施形態の第1の変形例について説明する。図6aは、第1の実施形態の第1の変形例におけるマイクロレンズアレイ基板を例示する平面図であり、bは、第1の実施形態の第1の変形例における撮像基板を例示する上面図である。図6aに示すように、本変形例においては、マイクロレンズアレイ基板13におけるマイクロレンズ14が正方配列となっている。正方配列とは、マイクロレンズアレイ基板13の一方の面15に平行な面内における1つの方向及び1つの方向と直交する他の方向にマイクロレンズ14が配置された配列をいう。さらに、各マイクロレンズ14は、4個のマイクロレンズ14で囲まれ、各マイクロレンズ14は、各マイクロレンズ14を囲む4個のマイクロレンズ14と接するように配置された配列をいう。図6bに示すように、領域31の配置は、マイクロレンズアレイ基板13におけるマイクロレンズ14の配置が反映されて、正方配列となる。一つの領域31の円形45aの中心を中心46aとし、1つの方向に隣接する円形45bの中心を中心46bとし、他の方向に隣接する円形45cの中心を中心46cとし、中心46b及び中心46cを結ぶ線分に対して、円形45aと対称の位置にある円形を円形45dとし、円形45dの中心を中心46dとしたときに、中心46a、中心46b、中心46c及び中心46dによって四角形57が形成される。円形45aと四角形57とが重なる領域における画素19の集合体を画素ブロック48aという。円形45bと四角形57とが重なる領域における画素19の集合体を画素ブロック48bという。円形45cと四角形57とが重なる領域における画素19の集合体を画素ブロック48cという。円形45dと四角形57とが重なる領域における画素19の集合体を画素ブロック48dという。画素ブロック48a~48dに属する画素19は、遮光されない画素19である。一方、四角形57の内部の領域であって、円形45a~45dに属さない領域における画素19の集合体を画素ブロック49という。画素ブロック49に属する画素19は、遮光される画素19である。画素ブロック49に属する画素19の裏面に形成されたAD変換回路28は、各画素ブロック48a~48dにおいて読出しトランジスタ27によって読み出された電荷をデジタル信号に変換する。このように、四角形57の内部に配置された複数の画素19を1つの単位として、光電変換素子22によって蓄積された電荷を、AD変換回路28によってデジタル信号に変換する。本変形例においては、撮像基板10の上面11における遮光される領域33が占める割合は、21.5となる。動作させるAD変換回路28を含む画素19の割合を高めることができる。よって、高速処理を可能とする。本変形例における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第1の実施形態と同様である。第1の実施形態の第2の変形例図7は、第1の実施形態の第2の変形例における撮像基板を例示する上面図である。本変形例においては、マイクロレンズアレイ基板13におけるマイクロレンズ14は、前述の第1の実施形態の第1の変形例と同様に正方配列となっている。したがって、図6に示すように、領域31の配置は、マイクロレンズアレイ基板13におけるマイクロレンズ14の配置が反映されて、正方配列となる。円形45aと円形45bとの接点を接点50とし、円形45aと円形45cとの接点を接点51とし、接点50と接点51とを結ぶ線分に対して中心46aと対称の位置にある点を点52としたときに、中心46a、接点50、接点51及び点52によって四角形67が形成される。円形45aと四角形67とが重なる領域における画素19の集合体を画素ブロック48aという。画素ブロック48aに属する画素19は、遮光されない画素19である。一方、四角形67の内部の領域であって、円形45aに属さない領域における画素19の集合体を画素ブロック49という。画素ブロック49に属する画素19は、遮光される画素19である。画素ブロック49に属する画素19の裏面に形成されたAD変換回路28は、画素ブロック48aにおいて読出しトランジスタによって読み出された電荷をデジタル信号に変換する。このように、四角形67の内部に配置された複数の画素19を1つの単位として、光電変換素子22によって蓄積された電荷を、AD変換回路28によってデジタル信号に変換する。本変形例における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第1の実施形態と同様である。第1の実施形態の第3の変形例図8は、第1の実施形態の第3の変形例における半導体基板を例示する図であり、aは、上面図を示し、bは、下面図を示す。図8aに示すように、光電変換素子22はマトリックス状に配列された画素19のそれぞれに形成されている。一方、図8bに示すように、各画素19の裏面21の中央部に転送トランジスタ26が形成されている。2行2列に配列された4つの画素19を基本ユニットとして配置されている。これらの基本ユニットの中央部に、4つの画素19にまたがるように、読出しトランジスタ27が形成されている。4つの画素19の集合体の裏面における周辺領域に沿って、AD変換回路28が形成されている。本変形例における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第1の実施形態と同様である。上記の基本ユニットは、2行2列に限るものではなく、N,Mを自然数としたN行M列を基本ユニットとした場合も同等の構成が可能である。第2の実施形態次に、第2の実施形態について説明する。図9は、第2の実施形態に係る携帯情報端末装置を例示する平面図である。図9に示すように、本実施形態に係る携帯情報端末装置2には、固体撮像装置1が設けられている。固体撮像装置1は、例えば、前述の第1の実施形態に係る固体撮像装置1である。固体撮像装置1の結像レンズ16は、携帯情報端末装置2の一つの面38に配置されている。携帯情報端末装置2には、固体撮像装置1に接続された記憶装置37が設けられている。次に、本実施形態に係る携帯情報端末装置2の動作について説明する。携帯情報端末装置2における固体撮像装置1の結像レンズ15の光軸17を被写体36に向ける。そして、固体撮像装置1を動作させて被写体36を撮像する。撮像した画像を記憶装置37に記録させる。また、撮像した画像を表示部図示せずに表示させる。次に、本実施形態の効果について説明する。本実施形態に係る携帯情報端末装置2は、固体撮像装置1を搭載することにより高集積化を実現している。以上説明した実施形態によれば、高集積化を図ることができる固体撮像装置及び携帯情報端末装置を提供することができる。以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びその等価物の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。"