被処理体上に、EUVExtremeUltraViolet光を吸収して2次電子を発生する増感剤を含む下層膜を形成する工程と、前記下層膜上に、前記2次電子のエネルギーにより酸を発生する酸発生剤を含むレジスト膜を形成する工程と、前記下層膜から前記レジスト膜に前記増感剤を拡散させて、前記レジスト膜に、前記増感剤の濃度が表面側よりも底部側で高く、且つ前記増感剤の濃度が最大の部分が厚さ方向の中央よりも前記底部側にある濃度プロファイルを与える工程と、前記濃度プロファイルを有するレジスト膜に対して前記表面側から前記EUV光を照射する工程と、前記レジスト膜に前記EUV光を照射した後、前記レジスト膜を現像する工程と、を備えたパターン形成方法。被処理体上に、感光性物質を含むレジスト膜であって、前記感光性物質の濃度が表面側よりも底部側で高く、且つ前記感光性物質の濃度が最大の部分が厚さ方向の中央よりも前記底部側にある濃度プロファイルを有するレジスト膜を形成する工程と、前記表面側から前記レジスト膜に対して光を照射する工程と、前記レジスト膜に前記光を照射した後、前記レジスト膜を現像する工程と、を備えたパターン形成方法。前記感光性物質は、前記光として使用されるEUVExtremeUltraViolet光を吸収して2次電子を発生する増感剤と、前記2次電子のエネルギーにより酸を発生する酸発生剤とを有し、前記増感剤の濃度が前記表面側よりも前記底部側で高く、且つ前記増感剤の濃度が最大の部分が前記厚さ方向の中央よりも前記底部側にある請求項2記載のパターン形成方法。前記レジスト膜を形成する前、前記被処理体上に前記感光性物質を含む下層膜を形成する工程をさらに備え、前記下層膜上に前記濃度プロファイルを有する前のレジスト膜を形成した後、前記下層膜から前記レジスト膜に前記感光性物質を拡散させて、前記レジスト膜に前記濃度プロファイルを与える請求項2または3に記載のパターン形成方法。前記被処理体上に、前記濃度プロファイルを有する前のレジスト膜を形成した後、前記レジスト膜の表面側の前記感光性物質を洗い流して、前記レジスト膜に前記濃度プロファイルを与える請求項2または3に記載のパターン形成方法。本発明の実施形態は、高精度なパターン形成が可能なパターン形成方法を提供する。実施形態によれば、パターン形成方法は、被処理体上に、感光性物質を含むレジスト膜であって、前記感光性物質の濃度が表面側よりも底部側で高く、且つ前記感光性物質の濃度が最大の部分が厚さ方向の中央よりも前記底部側にある濃度プロファイルを有するレジスト膜を形成する工程と、前記表面側から前記レジスト膜に対して光を照射する工程と、前記レジスト膜に前記光を照射した後、前記レジスト膜を現像する工程と、を備えている。KrF露光やArF露光では、露光光を吸収することで分解して酸を発生する感光剤を含む化学増幅型レジストが用いられている。その感光剤は、光酸発生剤PAG:PhotoAcidGeneratorと称されている。この酸発生剤が発生した酸は、例えば、レジスト中のポリマーの不溶性保護基と反応して、露光部の現像液に対する溶解性を変化させる。EUV露光においても化学増幅型レジストを用いることができる。ただし、EUV露光では、KrF露光やArF露光とは、酸発生機構が異なる。KrF露光のエネルギーは5.0eV、ArF露光のエネルギーは6.5eVであり、レジストの主な構成元素である炭素、酸素、水素のイオン化エネルギーはいずれも約10eVである。これに対して、波長13.5nmのEUV露光のエネルギーは92eVであり、レジストを構成する主な元素のイオン化エネルギーよりも大きい。このため、KrF露光、ArF露光では酸発生剤の直接励起が主な酸発生機構であるのに対して、EUV露光では、EUV光子によるレジスト材料のイオン化によって発生する2次電子のエネルギーによって、主に酸発生剤が分解して酸を発生する。そのため、EUV露光では、レジストの感度は、酸発生剤ではなく、EUV光を吸収して2次電子を発生する元素に依存する。現状、EUV露光機の光源パワーが十分ではないことから、EUVレジストは、KrFレジストやArFレジストに比べて、高感度が求められている。しかし、EUVレジストでは、感度、解像性、LWRLineWidthRoughnessの間にトレードオフの関係があり、例えば、感度を上げると解像性の劣化やラフネスが増大する傾向がある。したがって、EUVリソグラフィーでは、解像性やラフネスを劣化させずに、レジストを高感度化することが求められる。以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。第1実施形態図1a~図2cは、第1実施形態のパターン形成方法を示す模式断面図である。第1実施形態のパターン形成方法は、レジスト膜にEUV光を照射した後、レジスト膜を現像する工程を有し、さらに、現像後のパターニングされたレジスト膜をマスクにして、被処理体に対する処理エッチング、イオン注入などを行う工程を有する。被処理体としては、図1aに示すように、基板11上に形成された被加工膜12を例示する。基板11は、被処理体の支持体であり、例えば、半導体素子が形成される基板、フォトマスクの基板などである。あるいは、基板11自体が被処理体であってもよい。被加工膜12は、レジスト膜をマスクにして、例えばエッチング加工される半導体膜、絶縁膜、導体膜などである。被加工膜12は、単層に限らず、複数層の積層体であってもよい。第1実施形態では、レジスト膜を形成する前、被加工膜12上に下層膜13が形成される。下層膜13については、後で詳細に説明する。下層膜13上には、図1bに示すように、レジスト膜14が形成される。例えば、液状のレジスト膜14がスピンコート法で下層膜13上に塗布される。レジスト膜14は、ベースレジンと酸発生剤とを含む。ベースレジンは、不溶性保護基を有するポリマーあるいはオリゴマーなどの有機化合物を含む。また、本明細書において、酸発生剤と、後述する増感剤とを総称して感光性物質と称する。図1bの段階では、感光性物質として少なくとも酸発生剤がレジスト膜14に含まれていればよく、増感剤は含まれていても含まれていなくてもよい。増感剤は、EUV光を吸収して2次電子を発生する元素を含む。図5は、各種元素のEUV光に対する吸収係数の大きさの相対関係を表す。増感剤は、レジスト膜14のベースレジンや酸発生剤の主な構成元素である炭素、酸素、水素よりもEUV光の吸収係数の大きな元素を含む。中でも吸収係数が比較的大きな原子番号50~56の元素Sn、Sb、Te、I、Xe、Cs、Baを増感剤として用いると、より少ない量でEUV光に対する感度を高めることができ効率がよい。実施形態では、それら原子番号50~56の元素の中でも、ベースレジン及び酸発生剤との親和性に優れたヨウ素Iを増感剤として用いて説明する。レジスト膜14の下でレジスト膜14に接する下層膜13は、上記増感剤を含んでいる。その増感剤は、例えばヨウ素化合物として、樹脂ベースの下層膜13に含まれている。下層膜13中のヨウ素濃度が1atomic未満であると、後述するレジスト膜14への拡散によるレジスト膜14の感度向上効果が不十分であり、下層膜13中のヨウ素濃度が50atomicを超えると、下層膜13の形成が困難になる。したがって、下層膜13中のヨウ素濃度は、1~50atomicの範囲が望ましい。下層膜13は、例えば、スピンコート法で形成される。あるいは、下層膜13は、CVDchemicalvapordeposition法、スパッタ法などで形成することもできる。例えば、スピンコート法により液状の状態で被加工膜12上に塗布された下層膜13は、ホットプレートにより加熱され架橋が進み、レジスト膜14の有機溶剤に対し不溶化される。この加熱処理は、例えば、150°Cから250°Cの温度で、30秒から120秒程度行われる。その下層膜13上に、前述したレジスト膜14が形成される。レジスト膜14を形成した後、ホットプレートにより、基板11、被加工膜12、下層膜13及びレジスト膜14を含むウェーハを加熱する。この加熱処理により、下層膜13中の増感剤ヨウ素化合物がレジスト膜14へと拡散する。増感剤は、下層膜13とレジスト膜14との界面を通じて、下層膜13からレジスト膜14中に拡散する。このときの加熱温度と加熱時間を調整することで、厚さ方向に所望の増感剤濃度プロファイルを有するレジスト膜14’図1cに示すが得られる。すなわち、上記加熱処理後のレジスト膜14’の底部側の増感剤濃度は、表面側の増感剤濃度よりも高くなる。レジスト膜14’の表面の増感剤濃度はゼロである場合もあり得る。また、レジスト膜14’の厚さ方向の増感剤の濃度変化は、連続的な変化の場合も、段階的な変化の場合もある。いずれにしても、増感剤の濃度が最大の部分は、レジスト膜14’の厚さ方向の中央よりも底部側にある。ここで、増感剤の濃度は、炭素、酸素、水素よりもEUV光の吸収係数が大きい元素例えばヨウ素の、atomic、単位体積あたりの原子数などを表す。レジスト膜14’において表面側よりも底部側で増感剤濃度が高く、且つ増感剤濃度が最大の部分が厚さ方向の中央よりも底部側にあるため、EUV光に対する吸収係数がレジスト膜14’の表面から底部に向かって連続的に増加する吸収プロファイルが得られる。図4aに、その吸収プロファイルa1の一例を表す。横軸は、レジスト膜14’の表面を0として、その表面からの深さnmを表す。縦軸は、例えば下記の式1で与えられる、レジスト膜14’のEUV光に対する吸収係数kを表す。k=1000×lnTr-lnTr-x/x式1Trはレジスト膜14’の膜厚、xはレジスト膜14’の表面からの深さを表す。図4aに示す吸収プロファイルa1を有するレジスト膜14’では、表面から底部に向かうほど吸収係数kの増加率が大きい。この吸収プロファイルa1によって、図4bに示す透過プロファイルa2が得られる。図4bにおける横軸は、レジスト膜14’の表面を0として、その表面からの深さnmを表す。縦軸は、EUV光の透過率を表す。図4bに示す透過プロファイルa2を有するレジスト膜14’では、表面から底部に向かうにしたがって透過率が略一定の傾きで線形に減少する。したがって、実施形態のレジスト膜14’では、単位膜厚あたりのEUV光の吸収量が厚さ方向で略一定となる。このため、レジスト膜14’の厚さ方向での酸発生量のばらつきを低減できる。ここで、比較例として、レジスト膜の厚さ方向で増感剤濃度を一定にすると、図4aに示す吸収プロファイルb1のようにレジスト膜の厚さ方向で吸収係数が一定となり、図4bに示す透過プロファイルb2が得られる。すなわち、比較例では、レジスト膜において単位膜厚あたりのEUV光の吸収量が底部に向かうにしたがって指数関数で減少する。例えば、レジスト膜の厚さを100nm程とした場合、比較例では表面に入射したEUV光の60~70が途中で吸収されずにレジスト膜の底部に達する。すなわち、入射したEUV光のうちレジスト膜で吸収されるのは30~40であり、EUV光の利用効率が悪い。これに対して、実施形態によれば、レジスト膜14’に前述した増感剤濃度プロファイルを与えることで、図4bに例示されるような透過プロファイルa2をレジスト膜14’に与えることができる。この透過プロファイルa2を有するレジスト膜14’を例えば100nmの膜厚で形成すると、表面から入射したEUV光は底部にいたるまでの間にほとんどがレジスト膜14’に吸収されることになり、EUV光の利用効率が非常に高く、感度が高い。増感剤の添加はレジスト膜14’を高感度にするが、過剰に増感剤を添加すると透過率の低下をまねき、現像後のレジスト形状を劣化させる原因になり得る。そのため、増感剤の添加量には上限があり、増感剤の添加量を増やすことによる高感度化には制限がある。これに対して、実施形態では、増感剤の量を増やすアプローチではなく、レジスト膜14’の厚さ方向に増感剤の濃度変化をもたせることによってレジスト膜14’における光吸収効率を上げて感度向上を図る。したがって、実施形態によれば、レジスト膜14’の高感度化によるスループットの向上を図りつつ、現像後のレジスト形状の劣化を抑制して、高精度なパターン形成が可能となる。図4aの吸収プロファイルa1および図4bの透過プロファイルa2は、一例であって、レジスト膜14’に与えるプロファイルはそれらに限定されるものではない。レジスト膜14’におけるEUV光の効率的な吸収を可能にすればよく、それらプロファイルに近似または類似したプロファイルをレジスト膜14’に与えても同様な効果を得ることができる。また、吸収係数kも、式1で規定されるものに限らない。図4bの透過プロファイルa2は、例えば100nmの膜厚のレジスト膜14’において入射したEUV光のすべてがレジスト膜14’中で吸収されることを表す。図4aの吸収プロファイルa1は、その透過プロファイルa2を実現するために計算して得られたものである。そして、例えば、レジスト膜14’の底部でのヨウ素濃度を5~10atomicの範囲に調整すると、吸収プロファイルa1を実現可能である。原子番号50~56の元素のうちヨウ素以外の他の元素を増感剤として用いた場合においても、原子番号50~56の元素のEUV光の吸収係数は相互に比較的近いことから、それらの元素のレジスト膜14’底部での濃度を5~10atomicの範囲に調整すると、吸収プロファイルa1を実現可能である。増感剤としては、原子番号50~56の元素に限らず、レジスト膜14’の主な構成元素である炭素、酸素、水素よりもEUV光の吸収係数が大きな元素を用いれば、感度向上効果が得られる。例えば、フッ素を増感剤として用いることもできる。フッ素の吸収係数はヨウ素の吸収係数の約1/7であることから、吸収プロファイルa1を実現するには、レジスト膜14’底部でのフッ素濃度を10atomicよりも高くすることになる。あるいは、透過プロファイルa2よりも傾きが小さい透過プロファイルをレジスト膜14’に与える場合には、透過プロファイルa2に調整する場合よりもレジスト膜14’底部のフッ素濃度を低くすることができる。上記加熱処理により厚さ方向に増感剤の濃度プロファイルが与えられたレジスト膜14’に対しては、図2aに示すように、表面側からEUV光100が照射される。この露光には、図示しない反射型または透過型のマスクが用いられる。EUV光は波長13.5nmであることから、真空雰囲気中でEUV光100がレジスト膜14’に照射される。EUV光100を照射されたレジスト膜14’に対しては必要に応じてポストエクスポジャーベークPEBが行われた後、現像液を使った現像が行われる。これにより、レジスト膜14’における露光部または未露光部が現像液に対して溶解し、図2bに示すように、レジスト膜14’がパターニングされる。レジスト膜14’のベースレジンが、例えば、ポリヒドロキシスチレンPHS樹脂系、ポリメタアクリル樹脂系、ノボラック樹脂系の場合には、現像液として、アルカリ現像液、より具体的には有機アルカリを用いたテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドTMAH現像液を用いることができる。この場合、露光部が現像液に対して溶解するポジ型のレジストパターン形成となる。すなわち、露光部に存在する増感剤がEUV光を吸収して2次電子を発生し、その2次電子のエネルギーにより酸発生剤が分解して酸を発生する。その酸は、レジスト膜14’中の有機化合物の不溶性保護基と反応して、アルカリ現像液に対する可溶性基へと変化させる。あるいは、現像液として有機溶媒を用いることで、露光部が有機溶媒に対して不溶化し、未露光部が現像液に対して溶解するネガ型のレジストパターン形成が可能となる。レジスト膜14’の現像後、リンス処理および必要に応じてポストベークが行われる。そして、パターニングされたレジスト膜14’をマスクにして、図2cに示すように、レジスト膜14’の下の下層膜13、さらにはその下の被加工膜12をエッチングする。これにより、被加工膜12がパターニングされる。第2実施形態図3a及びbは、第2実施形態のパターン形成方法を示す模式断面図である。第2実施形態では、下層膜13を形成せずに、図3aに示すように、被加工膜12上にレジスト膜15を形成する。例えば、液状のレジスト膜15がスピンコート法で被加工膜12上に塗布される。レジスト膜15は、ベースレジンと酸発生剤とを含む。ベースレジンは、不溶性保護基を有するポリマーあるいはオリゴマーなどの有機化合物を含む。さらに、第2実施形態では、レジスト膜15中にあらかじめ増感剤も含まれている。増感剤は、ベースレジンや酸発生剤の主な構成元素である炭素、酸素、水素よりもEUV光の吸収係数の大きな例えば原子番号50~56の元素を含む。例えば、第2実施形態においても、それら原子番号50~56の元素の中でも、ベースレジン及び酸発生剤との親和性に優れたヨウ素を増感剤として用いて説明する。レジスト膜15を形成した後、ベークする前に、レジスト膜15の表面を洗浄して、レジスト膜15の表面側の増感剤を洗い流す。このときの洗浄液としては、レジスト膜15のベースレジンや酸発生剤を構成する有機物を溶解しない洗浄液が用いられる。そのような洗浄液として、例えば、純水、低級アルコール、液浸保護膜の溶剤である4-メチル-2ペンタノールなどを用いることができる。この洗浄処理により、レジスト膜15の表面側の増感剤ヨウ素化合物が除去され、図3bに示すレジスト膜15’が得られる。すなわち、洗浄処理後のレジスト膜15’において、表面側の増感剤濃度は底部側の増感剤濃度に比べて低くなり、且つ増感剤濃度が最大の部分が厚さ方向の中央よりも底部側にある。第2実施形態においても、上記増感剤濃度プロファイルをレジスト膜15’に与えることで、第1実施形態と同様、EUV光に対する吸収係数がレジスト膜15’の表面から底部に向かって連続的に増加する吸収プロファイル、および表面から底部に向かうにしたがってEUV光の透過率が略一定の傾きで線形に減少する透過プロファイルが得られる。すなわち第2実施形態においても、増感剤の量を増やすアプローチではなく、厚さ方向に増感剤の濃度変化をもたせることによってレジスト膜15’における光吸収効率を上げて感度向上を図る。したがって、レジスト膜15’の高感度化によるスループットの向上を図りつつ、現像後のレジスト形状の劣化を抑制して、高精度なパターン形成が可能となる。上記洗浄処理により膜厚方向に増感剤の濃度プロファイルが与えられたレジスト膜15’に対しては、第1実施形態と同様、EUV光の露光および現像が行われ、レジスト膜15’はパターニングされる。さらに、パターニングされたレジスト膜15’をマスクにして被加工膜12に対するエッチングが行われ、被加工膜12がパターニングされる。前述した実施形態では、EUV露光について説明したが、本発明はKrF露光やArF露光にも適用することができる。KrF露光やArF露光では、露光光による直接励起により酸発生剤が主に酸を発生する。したがって、レジスト膜の感度は酸発生剤に依存する。したがって、KrF露光やArF露光では、感光性物質として酸発生剤の濃度が表面側よりも底部側で高く、且つ酸発生剤の濃度が最大の部分が厚さ方向の中央よりも底部側にある濃度プロファイルをレジスト膜に与えることで、表面から底部に向かって連続的に増大する吸収プロファイルおよび表面から底部に向かって線形で透過率が減少する透過プロファイルを実現できる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。