"ダイパッドとリードとを有する単位リードフレームが複数個連設されたリードフレームであって、前記ダイパッド及び前記リードを画定する開口部と、前記ダイパッドの側面又は前記リードの側面である前記開口部の内壁面の少なくとも一部に形成される、表面が粗面化された粗面めっき層と、前記粗面めっき層に接するように前記開口部の少なくとも一部に埋め込まれた絶縁性の樹脂層と、を有することを特徴とするリードフレーム。前記粗面めっき層の表面粗さRaが100nm以上であることを特徴とする請求項1に記載のリードフレーム。ダイパッドとリードとを有する単位リードフレームが複数個連設されるリードフレームの製造方法であって、前記ダイパッド及び前記リードを画定するための開口部を導電性基板に形成して基板フレームを形成する基板形成工程と、前記ダイパッドの側面又は前記リードの側面である前記開口部の内壁面の少なくとも一部に、表面が粗面化された粗面めっき層を形成する粗化工程と、前記粗面めっき層に接するように絶縁性の樹脂を前記開口部の少なくとも一部に埋め込む樹脂埋め込み工程と、を有することを特徴とするリードフレームの製造方法。前記基板形成工程は、前記開口部が空間的に連続して形成されるように前記基板フレームを形成し、前記樹脂埋め込み工程は、前記粗化工程後の基板フレームを金型で固定し、前記単位リードフレームよりも外側に設けられたゲート部から絶縁性の樹脂を加熱及び加圧しながら注入することにより、前記樹脂を前記開口部に充填することを特徴とする請求項3に記載のリードフレームの製造方法。前記基板形成工程は、前記導電性基板の両面に前記開口部の形状に対応する開口部を有するレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層をエッチングマスクとして、前記導電性基板を両面からエッチングする工程と、を含み、前記粗面めっき層を形成する工程は、前記レジスト層をマスクとした電解めっきにより行うことを特徴とする請求項3又は4に記載のリードフレームの製造方法。ダイパッドとリードとを有する単位リードフレームが複数個連設されるリードフレームの製造方法であって、導電性基板の第1主面に第1凹部を形成する第1基板加工工程と、前記第1凹部の内壁面の少なくとも一部に、表面が粗面化された粗面めっき層を形成する粗化工程と、前記粗面めっき層に接するように絶縁性の樹脂を前記第1凹部の少なくとも一部に埋め込む樹脂埋め込み工程と、前記導電性基板の第2主面に、前記第1凹部と連通する第2凹部を形成し、前記ダイパッド及び前記リードを画定する開口部を形成する第2基板加工工程と、を有することを特徴とするリードフレームの製造方法。前記第1基板加工工程は、前記第1凹部が空間的に連続して形成されるように前記導電性基板を加工し、前記樹脂埋め込み工程は、前記粗化工程後の導電性基板を金型で固定し、前記単位リードフレームよりも外側に設けられたゲート部から絶縁性の樹脂を加熱及び加圧しながら注入することにより、前記樹脂を前記第1凹部に充填することを特徴とする請求項6に記載のリードフレームの製造方法。請求項1又は2に記載のリードフレームの前記単位リードフレームと、前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子と前記リードとを電気的に接続するボンディングワイヤと、前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤを封止する封止樹脂と、を有することを特徴とする半導体装置。請求項3~7のいずれか1つに記載のリードフレームの製造方法によって製造されたリードフレームを用いた半導体装置の製造方法であって、前記リードフレームの各ダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子の電極と前記リードとをボンディングワイヤにより電気的に接続する工程と、前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤを封止樹脂により封止する工程と、前記封止樹脂により封止されたリードフレームを、各半導体装置単位に分割する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。しかしながら、リードフレームの厚みは100~500μm程度と薄いため、貫通孔に埋め込んだ樹脂とリードフレームとが接する面積が少ない。このため、樹脂埋め込み後の工程例えば、めっき工程や実装工程において、リードフレームに若干の曲げ変形が生じたり、リードフレームに熱や力がかかったりすると、上記埋め込んだ樹脂がリードフレームから容易に剥離するという問題がある。本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、開口部に埋め込まれた樹脂の剥離を抑制することのできるリードフレーム、リードフレームの製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。本発明の一観点によれば、ダイパッドとリードとを有する単位リードフレームが複数個連設されたリードフレームであって、前記ダイパッド及び前記リードを画定する開口部と、前記ダイパッドの側面又は前記リードの側面である前記開口部の内壁面の少なくとも一部に形成される、表面が粗面化された粗面めっき層と、前記粗面めっき層に接するように前記開口部の少なくとも一部に埋め込まれた絶縁性の樹脂層と、を有する。この構成によれば、開口部の内壁面に粗面めっき層が形成されることにより、その内壁面粗面めっき層と樹脂層との接触面積が、内壁面が平滑面の場合よりも増大される。これにより、開口部の内壁面粗面めっき層と樹脂層との密着性を向上させることができる。したがって、開口部からの樹脂層の剥離等の発生を好適に抑制することができる。本発明の一観点によれば、ダイパッドとリードとを有する単位リードフレームが複数個連設されるリードフレームの製造方法であって、前記ダイパッド及び前記リードを画定するための開口部を導電性基板に形成して基板フレームを形成する基板形成工程と、前記ダイパッドの側面又は前記リードの側面である前記開口部の内壁面の少なくとも一部に、表面が粗面化された粗面めっき層を形成する粗化工程と、前記粗面めっき層に接するように絶縁性の樹脂を前記開口部の少なくとも一部に埋め込む樹脂埋め込み工程と、を有する。この構成によれば、開口部の内壁面に粗面めっき層が形成されることにより、その内壁面粗面めっき層とその粗面めっき層に接するように開口部に埋め込まれる樹脂との接触面積が、内壁面が平滑面の場合よりも増大される。このため、開口部の内壁面粗面めっき層と樹脂層との密着性を向上させることができる。したがって、開口部からの樹脂層の剥離等の発生を好適に抑制することができる。本発明の一観点によれば、開口部に埋め込まれた樹脂の剥離を抑制することができるという効果を奏する。以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。尚、添付図面は、構造の概略を説明するためのものであり、実際の大きさを表していない。第1実施形態以下、第1実施形態を図1~図4に従って説明する。図1に示すリードフレーム1は、基本的には、QFNの基板として用いられる基板フレーム2から構成されている。基板フレーム2の材料としては、例えば銅Cu、Cuをベースにした合金、鉄-ニッケルFe-Ni又はFe-Niをベースにした合金等を用いることができる。図1aに示すように、基板フレーム2の一方の面には、複数図では、3つのモールドキャビティ3が分離して画定されている。各モールドキャビティ3には、単位リードフレーム10がマトリクス状図では、5×5に複数個連設して形成されている。この単位リードフレーム10は、最終的に半導体素子が搭載されて個々の半導体装置パッケージとして切り出されるものである。なお、半導体装置の組み立てを行う際には、各単位リードフレーム10に半導体素子が搭載された後、各モールドキャビティ3毎に一括モールディング方式により樹脂封止が行われる。図1bに示すように、単位リードフレーム10は、格子状に形成された内フレーム以下、セクションバーともいう。11と、そのセクションバー11から延在する4本のサポートバー12によって支持されているダイパッド13と、セクションバー11からダイパッド13に向かって延在されている櫛歯状の複数のリード14とを有している。リード14は、ダイパッド13の周囲に設けられている。このリード14は、図1cに示すように、搭載する半導体素子の電極端子に電気的に接続されるインナーリード14Aと、マザーボード等の実装用基板の配線に電気的に接続されるアウターリード外部接続端子14Bとを有している。このアウターリード14Bは、断面視において、インナーリード14Aよりも幅が狭くなっている。また、上記ダイパッド13は、その裏面図1cでは下面が表面図1cでは上面よりも幅が狭くなっている。なお、図示は省略しているが、平面視において、ダイパッド13の裏面は表面よりも面積が小さくなっている。また、単位リードフレーム10には、これらセクションバー11、サポートバー12、ダイパッド13及びリード14を画定する開口部15が形成されている。この開口部15は、基板フレーム2の厚み方向に貫通して形成されている。このため、この開口部15の内壁面15Aは、基板フレーム2の厚み方向の面、つまりダイパッド13の側面又はリード14の側面になる。また、セクションバー11の裏面図中の下面には、凹部16が形成されている。開口部15の内壁面15A及び凹部16の内壁面16Aには、表面が粗面化された粗面めっき層17が形成されている。また、上記粗面めっき層17は、例えばNi、クロムCr、Fe又はそれらの合金のうちのいずれか一つ、又はこれらのうちの2つ以上からなる積層体から構成することができる。この粗面めっき層17の粗化面表面17Aは、微細な凹凸形状に形成されている。この粗化面17Aの粗度は、当該めっき層17を電解めっき法にて形成する際に使用するめっき液の組成や電流密度等を調整することにより、例えば表面粗さRa値で100nm以上になるように設定されている。ここで、表面粗さRaとは、表面粗さを表わす数値の一種であり、算術平均粗さと呼ばれるものであって、具体的には測定領域内で変化する高さの絶対値を平均ラインである表面から測定して算術平均したものである。また、上記開口部15内及び凹部16内には、粗面めっき層17の粗化面17Aに接するように、絶縁性の樹脂層18が形成されている。この樹脂層18の材料としては、例えばビルドアップ樹脂フィラー入りのエポキシ樹脂などや封止用樹脂などを用いることができる。次に、このような構造を採用したリードフレーム1の作用を説明する。リードフレーム1の開口部15の内壁面15Aに、表面が粗面化された粗面めっき層17が形成される。そして、この粗面めっき層17の粗化面17Aに接するように、開口部15内に絶縁性の樹脂層18が形成される。これにより、その粗面めっき層17の粗化面17Aと樹脂層18との接触面積が、開口部15の内壁面15Aが平滑面である場合よりも増大され、粗面めっき層17基板フレーム2と樹脂層18との密着性を向上させることができる。したがって、基板フレーム2からの樹脂層18の剥離等の発生を好適に抑制することができる。次に、このように構成されたリードフレーム1の製造方法について説明する。まず、図2aに示す導電性基板30を準備する。この導電性基板30としては、例えばCu、Cuをベースにした合金、Fe-Ni又はFe-Niをベースにした合金等の金属板を用いることができる。また、この導電性基板30の厚さは、例えば100~500μmである。次に、図2bに示すように、上記導電性基板30の両面に、開口部15及び凹部16の形状に対応した開口部31Aを有するレジスト層31を形成する。このレジスト層31は、例えばフォトリソグラフィ法によって形成される。また、このレジスト層31の材料としては、所望の解像性があり、耐エッチング性及び耐めっき性がある材料であれば、特に限定されない。続いて、図2cに示すように、レジスト層31をエッチングマスクとして、導電性基板30を両面からエッチングして上記基板フレーム2を形成する基板形成工程。具体的には、レジスト層31の開口部31Aから露出された導電性基板30を両面からエッチングし、導電性基板30に上記開口部15及び凹部16を形成して基板フレーム2を形成する。これら開口部15及び凹部16の形成により、搭載される複数個の半導体素子の各個に対応してセクションバー11、サポートバー12図1b参照、ダイパッド13及びリード14が画定される。なお、この工程で使用されるエッチング液は、導電性基板30の材質に応じて適宜選択することができる。例えば導電性基板30として銅を用いる場合には、エッチング液として塩化第二鉄水溶液を使用することができ、導電性基板30の両面からスプレーエッチングにて上記基板形成工程を実施することができる。次に、図2dに示すように、上記レジスト層31をめっきマスクとして、基板フレーム2に電解めっきを施す。具体的には、レジスト層31から露出された導電性基板30の面、つまり開口部15及び凹部16の内壁面15A,16Aに、表面が粗化面17Aである粗面めっき層17を形成する粗化工程。これにより、開口部15及び凹部16の内壁面15A,16Aに粗化面が形成されたことになる。ここで、粗面めっき層17の厚さは、例えば1~10μmとすることができる。また、粗化面17Aの表面粗度としては、表面粗さRa値で100~500nmの範囲であることが上記樹脂層18との密着性の点で好ましい。但し、このような粗度に設定するためには、上述もしたように、使用するめっき液の組成や電流密度を適切に調整する必要がある。以下に、電解めっきの方法の一例を説明する。まず、めっき処理装置40の構成を説明する。図3に示すように、めっき処理装置40は、処理槽41とめっき液42とを有している。処理槽41に処理対象である上記基板形成工程後の基板フレーム2が浸漬される。処理槽41は、付属の案内ローラ図示略によって上記基板フレーム2が矢印方向に搬送可能なように構成されている。また、処理槽41は、電解めっきのため、整流器43に接続された2枚の白金電極板44,45を備えている。整流器43は、基板フレーム2にも給電している。このように構成されためっき処理装置40を利用してNiから構成される粗面めっき層17を形成する際の条件の一例を説明する。すなわち、めっき液として塩化ニッケルめっき浴を使用する場合のめっき浴の組成及びめっき条件は、次の通りである条件1。塩化ニッケルめっき浴:塩化ニッケル75g/Lチオシアン酸ナトリウム15g/L塩化アンモニウム30g/LpH:約4.5~5.5浴温:常温約25°C陰極電流密度:約1~3A/cm2このように、予め使用するめっき液の組成や電流密度等を適切に調整することにより、粗面めっき層17の表面が粗面化され、その粗化面17Aの粗度を所望の表面粗度に設定させることができる。なお、上述しためっき液の組成やめっき条件は一例であり、粗面めっき層17の粗化面17Aが所望の表面粗度になるように調整されるのであれば、その組成や条件は特に限定されない。そして、このような電解めっき後、図2eに示すように両面のレジスト層31を剥離する。次に、図2fに示すように、粗化後の基板フレーム2の一側面ここでは、下面側に、半硬化状態とされた樹脂シート33を配置する。ここで、樹脂シート33の材料としては、例えばビルドアップ樹脂フィラー入りのエポキシ樹脂などや封止用樹脂などを使用することができる。続いて、基板フレーム2及び樹脂シート33を、下側の板材34と上側の板材35との間に配置し、プレス装置などによって上下両面から加圧及び加熱する。これにより、樹脂シート33が溶融し、図2gに示すように、その溶融した樹脂が上記樹脂層18として上記開口部15及び凹部16内に埋め込まれる樹脂埋め込み工程。ここで、上記板材34,35の材料としては、耐熱性及び剛性が高い材料が好ましく、さらに樹脂層18との剥離性に優れた材料がより好ましく、例えばポリテトラフルオロエチレンなどを使用することができる。そして、樹脂埋め込み後の基板フレーム2の両面を研磨してダイパッド13の端面及びリード14インナーリード14A及びアウターリード14Bの端面を露出させる。この研磨は、例えばサンドブラストやバフ研磨などにより実行することができる。以上説明した製造工程により、搭載する各半導体素子毎にそれぞれ割り当てられた単位リードフレーム10がマトリクス状に複数個連結された構造、つまり図1に示す構造のリードフレーム1が製造される。なお、このリードフレーム1は、露出されているダイパッド13の端面及びリード14の端面にめっき処理が施された後、そのめっき処理されたダイパッド13に半導体素子が搭載され、半導体素子とインナーリード14Aとがワイヤボンディングされ、一括モールディングに供される。粗面めっき層の密着性評価次に、上述した条件1にて製造された粗面めっき層の密着性についての評価を行った結果について説明する。まず、評価用のサンプルを作製した。具体的には、微量のFeを含有する銅合金材商品名CDA194をサンプルとして用意し、その片面にNiからなる粗面めっき層を異なる膜厚で電解めっきし、下記の4種類のサンプルを作製した。サンプルA1:膜厚0.5μmサンプルB1:膜厚1.0μmサンプルC1:膜厚3.0μmサンプルD1:膜厚5.0μmこの評価用サンプルA1~D1の作製に使用した電解めっき浴の組成及びめっき条件は、上述した条件1である。また、上記評価用サンプルA1~D1に対する比較用のサンプルも作製した。具体的には、微量のFeを含有する銅合金材商品名CDA194をサンプルとして用意し、その片面に、表面が平滑面であるNiめっき層を異なる膜厚で電解めっきし、下記の4種類の比較用サンプルを作製した。サンプルA2:膜厚0.5μmサンプルB2:膜厚1.0μmサンプルC2:膜厚3.0μmサンプルD2:膜厚5.0μmこの比較用サンプルA2~D2の作製に使用した電解めっき浴の組成及びめっき条件は、次の通りである条件2。スルファミン酸ニッケルめっき浴:スルファミン酸ニッケル320g/L硼酸30g/L臭化ニッケル10g/LpH:約3.0~4.0浴温:約30~50°C陰極電流密度:約3~30A/cm2このように作製された全てのサンプル、すなわち評価用サンプルA1~D1及び比較用サンプルA2~D2のそれぞれについて、表面粗さRaを求めた。その結果を表1に示す。また、全てのサンプルA1~D1,A2~D2について、SEMI標準規格G69-0996に規定される手順に従ってカップせん断強さを測定し、Niからなる粗面めっき層に対する樹脂の密着性を評価した。その結果を図4に示す。この図4は、めっき層の表面粗さRaとカップ剪断強さとの関係を例示するグラフである。この図において、評価用サンプルの結果は、表面粗さRaが異なる評価用サンプルA1~D1についてそれぞれ測定された剪断強さをグラフ化したものであり、比較用サンプルの結果は、表面粗さRaが異なる比較用サンプルA2~D2についてそれぞれ測定された剪断強さをグラフ化したものである。この結果から明らかなように、表面粗さRaが高くなるほど剪断強さを強くなり、樹脂との密着性が高くなる。さらに、粗面めっき層の表面粗さRaが100nm以上になると、カップ剪断強さが、表面が平滑面である場合のカップ剪断強さよりも4倍程度強くなることが分かる。したがって、めっき層の表面粗さRaが100nm以上になると、そのめっき層と樹脂との密着性が良好となる。以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。1基板フレーム2の開口部15の内壁面15Aに、表面が粗化面17Aである粗面めっき層17を形成し、その粗化面17Aに接するように樹脂層18を開口部15内に埋め込むようにした。この粗化面17Aにより、開口部15の内壁面と樹脂層18との接触面積が増大されるため、粗面めっき層17基板フレーム2と樹脂層18との密着性を向上させることができる。したがって、基板フレーム2からの樹脂層18の剥離等の発生を好適に抑制することができる。2開口部15の内壁面15Aへの粗化を電解めっきにより行うようにした。これにより、粗化をエッチングで行う場合に比べて、処理液めっき液の寿命を延ばすことができ、そのめっき液を継続的に使用することができる。このため、コスト削減に貢献することができる。3樹脂層18と接する粗面めっき層17の粗化面17Aの粗度を、表面粗さRaで100nm以上になるようにした。これにより、粗面めっき層17と樹脂層18との間で良好な密着性を得ることができる。4レジスト層31をエッチングマスク及びめっきマスクとして利用するようにした。これにより、エッチング工程基板形成工程とめっき工程粗化工程のそれぞれで別個のマスクを形成する必要がなくなるため、製造工程を減らすことができ、コストを削減することができる。なお、上記第1実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。上記第1実施形態では、ダイパッド13の端面及びリード14の端面を露出させるようにしたが、図5に示すように、ダイパッド13の端面及びリード14の端面の各々にめっき層13C,14Cを形成するようにしてもよい。このめっき層13C,14Cは、例えば図2gに示す研磨工程後の基板フレーム2にめっき処理を施すことにより形成することができる。めっき処理としては、順にNiめっき、Auめっきを施すめっき処理や、Agめっきを施すめっき処理などが挙げられるが、これに限定されない。上記第1実施形態では、エッチング加工により導電性基板30から基板フレーム2を形成するようにしたが、例えばプレス加工により導電性基板30から基板フレーム2を形成するようにしてもよい。第2実施形態以下、第2実施形態を図6及び図7に従って説明する。先の図1~図5に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。図6に示すように、本実施形態のリードフレーム1Aの基板フレーム2Aは、製品となる単位リードフレーム10よりも外側の領域に、樹脂を充填するための注入口であるゲート部4が複数設けられている。このゲート部4は、各モールドキャビティ3に対応して設けられている。次に、このゲート部4を利用したリードフレーム1Aの製造方法を説明する。まず、図7aに示す導電性基板50を準備する。この導電性基板50としては、例えばCu、Cuをベースにした合金、Fe-Ni又はFe-Niをベースにした合金等の金属板を用いることができる。また、この導電性基板50の厚さは、例えば100~500μmである。次に、図7bに示すように、上記導電性基板50の両面に、開口部15、凹部16及びゲート部4の形状に対応した開口部51Aを有するレジスト層51を形成する。このレジスト層51は、例えばフォトリソグラフィ法によって形成される。また、このレジスト層51の材料としては、所望の解像性があり、耐エッチング性及び耐めっき性がある材料であれば、特に限定されない。続いて、図7cに示すように、レジスト層51の開口部51Aから露出された導電性基板50を両面からエッチングし、導電性基板50に上記開口部15、凹部16及びゲート部4を形成して基板フレーム2Aを形成する。これら開口部15及び凹部16の形成により、搭載される複数個の半導体素子の各個に対応してセクションバー11、サポートバー12図1b参照、ダイパッド13及びリード14が画定される。このとき、本工程では、上記開口部15が空間的に連続して形成されるように導電性基板50がエッチングされる。次に、図7dに示すように、上記第1実施形態と同様に、レジスト層51から露出された導電性基板50の面、つまり開口部15及び凹部16の内壁面15A,16Aに、表面が粗化面17Aである粗面めっき層17を形成する。なお、この粗化工程では、ゲート部4にも粗面めっき層17が形成される。ここで、粗面めっき層17の厚さは、例えば1~10μmとすることができる。また、粗化面17Aの表面粗度としては、表面粗さRa値で100~500nmの範囲である。このようなめっき処理後、図7eに示すように両面のレジスト層51を剥離する。次に、図7fに示すように、粗化後の基板フレーム2Aの両面に該基板フレーム2Aの表面を保護するための樹脂フィルム52,53を配置し、これら基板フレーム2A及び樹脂フィルム52,53をモールディング金型1組の上型54及び下型55により固定する。続いて、上記ゲート部4から絶縁性の樹脂56を加熱及び加圧しながら注入する樹脂埋め込み工程。これにより、図7gに示すように、基板フレーム2Aと樹脂フィルム52,53とによって空間が形成されている開口部15及び凹部16に樹脂56が充填されて樹脂層18が形成される。このとき、樹脂56を全体に行き渡らせるためには、樹脂56を注入する空間が連続している必要がある。このため、本来のリードフレームのパターンだけでは樹脂56を注入する空間が連続していない場合には、上述した図7b、cの工程において、本来のリードフレームのパターンに加えて、本工程において樹脂56の通り道となるパターンを導電性基板50に加工することで、開口部15及び凹部16が空間的に連続するように形成されている。ここで、上記樹脂フィルム52,53の材料としては、耐熱性及び柔軟性が高い材料が好ましく、上記金型54,55で固定した際に、当該樹脂フィルム52,53と基板フレーム2Aとの間に樹脂56が入らないように基板フレーム2Aに密着させることも可能な材料がより好ましく、さらに樹脂56との剥離性に優れた材料が好ましい。例えば樹脂フィルム52,53の材料としては、フッ素樹脂などを用いることができる。この樹脂フィルム52,53の厚さは、例えば50~100μmである。一方、樹脂56の材料としては、流動性の高い材料が好ましい。例えば樹脂56の材料としては、例えばビルドアップ樹脂フィラー入りのエポキシ樹脂などや封止用樹脂などを用いることができる。次に、図7gに示すように、樹脂層18が形成された基板フレーム2Aを金型54,55から取り出し、基板フレーム2Aから樹脂フィルム52,53を剥離する。これにより、ゲート部4以外の構造が図1に示す構造と略同様であるリードフレーム1Aを製造することができる。続いて、図7hに示すように、ダイパッド13の端面及びリード14の端面にめっき処理を施し、ダイパッド13の端面及びリード14の端面の各々にめっき層13C,14Cを形成する。以上の製造工程により、ゲート部4以外の構造が図5に示す構造と略同様であるリードフレーム1Aを製造することができる。なお、このリードフレーム1Aは、めっき処理されたダイパッド13に半導体素子が搭載され、半導体素子とリード14とがワイヤボンディングされ、一括モールディングに供される。また、リードフレーム1Aは、製品部分よりも外側領域に設けられた上記ゲート部4を切断した上で、半導体素子を搭載する工程に供することもできる。以上説明した実施形態によれば、第1実施形態の1~4の効果に加えて以下の効果を奏する。5樹脂56を加圧及び加熱しながら注入することにより、開口部15及び凹部16内に樹脂層18を形成するようにした。これにより、リードフレーム1A基板フレーム2Aの外表面が樹脂56で汚染されることを好適に抑制することができる。なお、上記第2実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。上記第2実施形態におけるゲート部4を設ける位置は、製品となる単位リードフレーム10よりも外側の領域であれば、特に限定されない。上記第2実施形態の樹脂埋め込み工程図7f参照において、基板フレーム2Aの上面側に配置する樹脂フィルム52と下面側に配置する樹脂フィルム53とを異なる材料としてもよい。例えば、基板フレーム2Aの一方の面に別な素材の樹脂フィルムを予め貼り付けておくこともできる。あるいは、樹脂フィルム52,53を省略するようにしてもよい。第3実施形態以下、第3実施形態を図8~図10に従って説明する。先の図1~図7に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。図8aに示すように、各単位リードフレーム10Bには、セクションバー11、サポートバー12、ダイパッド13及びリード14を画定する開口部15が形成されている。この開口部15は、図8bに示すように、基板フレーム2Bの第1主面R1から第2主面R2までを貫通するように形成されている。具体的には、開口部15は、第1主面R1側に形成された第1凹部21と第2主面R2側に形成された第2凹部22とが連通することにより形成されている。また、セクションバー11の裏面図中の下面には、凹部16が形成されている。開口部15の一部の内壁面、具体的には第1凹部21の内壁面21Aには、表面が粗面化された粗面めっき層23が形成されている。ここで、第1凹部21の内壁面21Aは、ダイパッド13の側面の一部の面又はリード14の側面の一部の面である。また、凹部16の内壁面16Aにも同様に、粗面めっき層23が形成されている。粗面めっき層23は、例えばNi、Cr、Fe又はそれらの合金のうちのいずれか一つ、又はこれらのうちの2つ以上からなる積層体から構成することができる。この粗面めっき層23の粗化面表面23Aは、微細な凹凸形状に形成されている。この粗化面23Aの粗度は、当該粗面めっき層23を電解めっき法にて形成する際に使用するめっき液の組成や電流密度等を調整することにより、例えば表面粗さRa値で100~500nmの範囲になるように設定されている。また、第1凹部21及び凹部16には、粗面めっき層23の粗化面23Aに接するように、絶縁性の樹脂層24が形成されている。この樹脂層24の材料としては、例えばビルドアップ樹脂フィラー入りのエポキシ樹脂などや封止用樹脂などを用いることができる。次に、このように構成されたリードフレーム1Bの製造方法を説明する。まず、図9aに示す導電性基板60を準備する。この導電性基板60としては、例えばCu、Cuをベースにした合金、Fe-Ni又はFe-Niをベースにした合金等の金属板を用いることができる。また、この導電性基板60の厚さは、例えば100~500μmである。次に、図9bに示すように、上記導電性基板60の両面に、所定パターンのレジスト層61,62を形成する。具体的には、導電性基板60の下面には上記凹部16,21の形状に対応する開口部61Aを有するレジスト層61が形成され、導電性基板60の上面には上記凹部22の形状に対応するレジスト層62が形成される。このレジスト層61,62は、例えばフォトリソグラフィ法によって形成される。また、このレジスト層61,62の材料としては、所望の解像性があり、耐エッチング性及び耐めっき性がある材料であれば、特に限定されない。続いて、図9cに示すように、上記第2主面R2となる導電性基板60の上面をカバーシート63で覆い、第1主面R1となる導電性基板60の下面に形成されたレジスト層61から露出された導電性基板60を、所定の量だけエッチングして凹部16,21を形成する第1基板加工工程。ここで、カバーシート63としては、例えばポリオレフィン系粘着フィルムなどを用いることができる。また、ここで使用されるエッチング液は、導電性基板60の材質に応じて適宜選択することができる。例えば導電性基板60として銅を用いる場合には、エッチング液として塩化第二鉄水溶液を使用することができる。次に、図9dに示すように、上記第1実施形態と同様に、レジスト層61及びカバーシート63から露出された導電性基板60の面、つまり凹部16,21の内壁面16A,21Aに、表面が粗化面23Aである粗面めっき層23を形成する。これにより、第1凹部21の内壁面21A及び凹部16の内壁面16Aに粗化面が形成されたことになる。ここで、粗面めっき層23の厚さは、例えば1~10μmとすることができる。また、粗化面23Aの表面粗度としては、表面粗さRa値で100~500nmの範囲である。このようなめっき処理後、図9eに示すように、導電性基板60の下面側に形成されたレジスト層61を剥離し、カバーシート63を除去する。その後、導電性基板60とその導電性基板60の下面側に配置された樹脂シート64とを、下側の板材65と上側の板材66との間に配置し、プレス装置などによって上下両面から加圧及び加熱する。これにより、樹脂シート64が溶融し、図10aに示すように、その溶融した樹脂64が上記樹脂層24として第1凹部21内及び凹部16内に埋め込まれる。ここで、樹脂シート64の材料としては、例えばビルドアップ樹脂フィラー入りのエポキシ樹脂などや封止用樹脂などを使用することができる。また、上記板材65,66の材料としては、耐熱性及び剛性が高い材料が好ましく、さらに樹脂層24との剥離性に優れた材料がより好ましく、例えばポリテトラフルオロエチレンなどを使用することができる。なお、この樹脂埋め込み工程は、上記カバーシート63図9d参照を除去せずに行うようにしてもよい。すなわち、カバーシート63と導電性基板60と樹脂シート64とを、板材65,66で挟むようにしてもよい。この場合には、カバーシート63の材料としては、耐熱性の高い材料であることが好ましい。次に、導電性基板60の上記樹脂層24が埋め込まれた側の面図中の下面を研磨してダイパッド13の端面及びアウターリード14Bの端面を露出させる。この研磨は、例えばサンドブラストやバフ研磨などにより実行することができる。次に、図10bに示すように、導電性基板60の両面にめっき処理を施し、ダイパッド13の端面及びリード14の端面の各々にめっき層13C,14Cを形成する。このとき、導電性基板60の上面側ではレジスト層62がめっきマスクとして機能し、導電性基板60の下面側では上記樹脂層24がめっきマスクとして機能する。なお、めっき処理としては、めっき処理としては、順にNiめっき、Auめっきを施すめっき処理や、Agめっきを施すめっき処理などが挙げられるが、これに限定されない。続いて、図10cに示すようにレジスト層62を剥離した後、めっき層13Cをエッチングマスクとして、導電性基板60を上面側からエッチングする第2基板加工工程。すなわち、図10dに示すように、上記第2主面R2となる導電性基板60の上面に形成されためっき層13Cから露出された導電性基板60を所定の量だけエッチングして、樹脂層24の上面に形成された粗面めっき層23を露出させる。さらに、その露出された粗面めっき層23をエッチングして、上記第1凹部21と連通する第2凹部22を形成して上記開口部15を形成する。これにより、セクションバー11、サポートバー12図8a参照、ダイパッド13及びリード14が画定された基板フレーム2Bが形成される。以上の製造工程により、搭載する各半導体素子毎にそれぞれ割り当てられた単位リードフレーム10Bがマトリクス状に複数個連結された構造、つまり図8に示す構造のリードフレーム1Bが製造される。なお、このリードフレーム1Bは、めっき処理されたダイパッド13上に半導体素子が搭載され、半導体素子とリード14とがワイヤボンディングされ、一括モールディングに供される。以上説明した実施形態によれば、第1実施形態の1~4と同様の効果を奏する。なお、上記第3実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。上記実施形態では、樹脂埋め込み工程を上記第1実施形態と同様の方法で行うようにした。これに限らず、例えば樹脂埋め込み工程を上記第2実施形態と同様の方法で行うようにしてもよい。すなわち、単位リードフレーム10Bよりも外側領域に設けられるゲート部を利用して絶縁性の樹脂を加圧及び加熱しながら注入するようにしてもよい。具体的には、粗化後の導電性基板60とその導電性基板60の両面に配置された樹脂フィルムとを金型で固定し、上記ゲート部から絶縁性の樹脂を加熱及び加圧しながら注入することにより、第1凹部21内及び凹部16内に樹脂層24を形成するようにしてもよい。この場合、注入する樹脂を全体に行き渡らせるためには、樹脂を注入する空間が連続している必要があるため、図9b、cの工程では、第1凹部21が空間的に連続するように導電性基板60が加工される。あるいは、上記樹脂埋め込み工程を、例えば真空印刷などにより行うようにしてもよい。上記実施形態では、開口部15のうち第1凹部21の内壁面21Aに粗面めっき層23を形成し、その第1凹部21に樹脂層24を形成するようにした。これに限らず、例えば図11に示すように、開口部15のうち第2凹部22の内壁面22Aに粗面めっき層23を形成し、その第2凹部22に樹脂層24を形成するようにしてもよい。なお、このリードフレーム1Cを製造する方法は、図9及び図10に示したリードフレーム1Bの製造工程と略同様であるため、その説明を省略する。第4実施形態以下、第4実施形態を図12及び図13に従って説明する。先の図1~図11に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。図12に示すように、本実施形態の半導体装置70は、上記第1実施形態のリードフレーム1を用いて作製されたQFNのパッケージ構造を有している。この半導体装置70は、上記リードフレーム1の単位リードフレーム10を有している。この単位リードフレーム10のダイパッド13上、具体的にはめっき層13Cを有するダイパッド13上には、半導体素子71が搭載されている。この半導体素子71の電極図示略は、ボンディングワイヤ72を介してめっき層14Cインナーリード14Aに接続されている。これら半導体素子71及びボンディングワイヤ72は、封止樹脂73によって封止されている。そして、この半導体装置70では、アウターリード14Bめっき層14Cが外部接続端子として封止樹脂73から露出されている。なお、半導体素子71は、例えばICチップやLSIチップなどである。また、ボンディングワイヤ72としては、例えば金AuやアルミニウムAlなどの細線を用いることができる。封止樹脂73の材料としては、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂や塩化ビニル樹脂などを用いることができる。次に、このように構成された半導体装置70の製造方法を説明する。まず、先の図2で説明した製造方法によりリードフレーム1を製造し、図13aに示すように、ダイパッド13の端面及びリード14の端面の各々にめっき層13C,14Cを形成した後、そのめっき層13Cが形成された各ダイパッド13上に半導体素子71を搭載する。その後、各半導体素子71の電極とインナーリード14Aとをボンディングワイヤ72により電気的に接続する。これにより、半導体素子71が単位リードフレーム10に実装されたことになる。続いて、図13bに示すように、一括モールディング方式により、モールドキャビティ3図1a参照毎に、リードフレーム1の半導体素子71が搭載されている側の面図中、上面を封止樹脂73で封止する。これにより、半導体素子71及びボンディングワイヤ72が封止樹脂73で封止される。この封止工程は、図示は省略するが、モールディング金型1組の上側及び下型の下型の上にリードフレーム1を載せ、そのリードフレーム1を上方から上型で挟み込むようにして、封止樹脂73を充填しながら加熱及び加圧処理することにより行われる。この封止の手法としては、例えばトランスファモールドを用いることができる。なお、この封止工程において、開口部15に充填された樹脂層18は封止樹脂73の流れを防止する部材として機能する。次に、図10Cに示すように、ダイシングソーにより、矢印の位置のセクションバー11及び封止樹脂73を切断し、個別の半導体装置70に個片化する。このような工程により、図10dに示す個別の半導体装置70が製造される。以上説明した本実施形態によれば、上記第1実施形態と同様の効果を奏する。なお、上記第4実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。上記第4実施形態では、ダイパッド13の端面及びリード14の端面の各々にめっき層13C,14Cを形成するようにした。これに限らず、例えば図14aに示すように、めっき層13C,14Cを形成せずに、単位リードフレーム10に半導体素子71を実装した半導体装置80に具体化してもよい。また、めっき層13C,14Cのうちいずれか一方を省略するようにしてもよい。上記第4実施形態では、第1実施形態のリードフレーム1を用いて作製された半導体装置70に具体化した。これに限らず、例えば第2実施形態のリードフレーム1Aの単位リードフレーム10を用いて作製された半導体装置に具体化してもよい。また、図14bに示すように、第3実施形態のリードフレーム1Bの単位リードフレーム10Bを用いて作製される半導体装置81に具体化してもよい。また、図14cに示すように、第3実施形態の変形例のリードフレーム1C図11参照の単位リードフレーム10Cを用いて作製される半導体装置82に具体化してもよい。なお、これらの半導体装置81,82を製造する方法は、図13に示した半導体装置80の製造工程と略同じであるため、ここでは説明を省略する。他の実施形態なお、上記各実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。上記各実施形態において、図3に示しためっき処理装置40の白金電極板44,45の代わりに、ニッケルチップを使用するようにしてもよい。上記各実施形態において、開口部15の少なくとも一部の内壁面に、表面が平滑面のめっき層を形成した後に、そのめっき層の上に粗面めっき層を形成するようにしてもよい。上記各実施形態では、電解めっきにより開口部15や凹部16,21,22の内壁面を粗化するようにしたが、粗化の方法はこれに限定されない。上記各実施形態のリードフレーム1,1A,1B,1Cの形状に特に制限はない。すなわち、ダイパッド13及びリード14を画定する開口部15の内壁面15Aの少なくとも一部が粗化され、その粗化した面と接するように樹脂が開口部15の少なくとも一部に埋め込まれた構成を有するリードフレームであれば、その形状は特に制限されない。上記各実施形態では、単位リードフレーム10,10B,10Cがマトリクス状に複数個連設されたリードフレームに具体化したが、例えば単位リードフレーム10,10B,10Cが帯状に複数個連設されたリードフレームに具体化してもよい。すなわち、単位リードフレームが複数個連設されたリードフレームであれば、その単位リードフレームの配列は特に限定されない。上記第1~第3実施形態では、QFNに用いられるリードフレームに具体化したが、これに限定されない。例えばBGA、LGA、CSPやSONSmallOutlineNonLeadedPackage等のようなパッケージの一面に外部接続用の端子を複数露出させたタイプの表面実装型パッケージに用いられるリードフレームに具体化してもよい。"