"拡散バリア材料と、遷移領域と、炭素がドープされた酸化ケイ素を含む低誘電率誘電体材料とを含む超小型電子デバイス構造を製造する方法であって、前記遷移領域を形成するために使用されるガスの組合せの流量を制御しながら、PECVD処理チャンバ内に前記超小型電子デバイス構造を形成するステップを含み、前記遷移領域の形成中に、反応性ガスを輸送するために使用されるヘリウムキャリアガスの流量を減少させ、前記遷移領域の形成中に、酸素を含むガスの流量を減少させるもので、前記ヘリウムキャリアガスおよび前記酸素を含むガスの相対的な減少率が、前記ヘリウムキャリアガスの減少率と前記酸素を含むガスの減少率との比が約60:1から約1:2の範囲になるような関係を有する、方法。前記ヘリウムキャリアガスの前記減少率と前記酸素を含むガスの前記減少率との前記比が約60:1から約1:1の範囲である、請求項1に記載の方法。前記ヘリウムキャリアガスの前記減少率と前記酸素を含むガスの前記減少率との前記比が約30:1から約1:2の範囲である、請求項2に記載の方法。前記ヘリウムキャリアガスの前記減少率と前記酸素を含むガスの前記減少率との前記比が約30:1から約1:1の範囲である、請求項1に記載の方法。前記超小型電子デバイス構造の製造中に前記プラズマを形成する前記ガスが、有機ケイ素化合物、ポロゲン化合物、酸素含有源、およびヘリウムからなる群から選択される、請求項1に記載の方法。前記超小型電子デバイス構造の製造中、本明細書に記載する種類の前記炭素がドープされた酸化ケイ素を含む低誘電率誘電体材料を形成するために使用される前記有機ケイ素化合物が、テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ペンタメチルシクロペンタシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、ジエトキシメチルシラン、ジメチルジシロキサン、テトラシラノ-2,6-ジオキシ-4,8-ジメチレン、テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、1,3-ビスシラノメチレン-ジシロキサン、ビス1-メチルジシロキサニルメタン、ビス1-メチルジシロキサニルプロパン、ヘキサメトキシジシロキサン、ジメチルジメトキシシラン、およびジメトキシメチルビニルシラン、ならびにこれらの組合せからなる群から選択される、請求項5に記載の方法。前記ポロゲンが、シクロヘキサジエン、ビシクロヘプタジエン、1-メチル-4-1-メチル-エチル-1,3-シクロヘキサジエン、1-メチル-4-1-メチルエチル-ベンゼン、α-テルピネン、3-カレン、フェンコン、リモネン、酸化シクロペンテン、ビニル-1,4-ジオキシニルエーテル、ビニルフリルエーテル、ビニル-1,4-ジオキシン、ビニルフラン、フロン酸メチル、蟻酸フリル、酢酸フリル、フルアルデヒド、ジフリルケトン、ジフリルエーテル、ジフルフリルエーテル、フラン、1,4ジオキシン、およびこれらの組合せからなる群から選択される、請求項6に記載の方法。前記酸素を含むガスが、O2、CO2、CO、O3、H2O、およびこれらの組合せからなる群から選択される、請求項1ないし6のいずれか一項に記載の方法。前記酸素を含むガスがO2である、請求項8に記載の方法。炭素がドープされた酸化ケイ素を含む低誘電率誘電体材料を含む超小型電子構造であって、拡散バリア材料と、遷移材料と、前記炭素がドープされた酸化ケイ素を含む低誘電率誘電体材料とを含み、前記拡散バリア材料と前記炭素がドープされた酸化ケイ素を含む低誘電率誘電体材料との間の遷移領域内に存在する前記遷移材料が、前記拡散バリア材料に隣接して、酸化ケイ素が3原子未満の炭素含有率を呈する酸化ケイ素を含み、約12原子以下の炭素含有率を含む前記炭素がドープされた酸化ケイ素低誘電率誘電体材料と同じ高さのより高い炭素含有率へ遷移し、前記拡散バリア層と前記ドープされた酸化ケイ素を含む低誘電率誘電体との間に明確なインターフェースがない、超小型電子構造。前記構造の4点接着強度が約7.0J/m2から約2.5J/m2の範囲である、請求項10に記載の超小型電子構造。前記構造の前記接着強度が約7.0J/m2から約5.0J/m2の範囲である、請求項11に記載の超小型電子構造。前記構造の前記接着強度が約7.0J/m2から約5.9J/m2の範囲である、請求項12に記載の超小型電子構造。前記炭素がドープされた酸化ケイ素低誘電率誘電体材料が約2.6以下の誘電率を呈する、請求項11ないし13のいずれか一項に記載の超小型電子構造。前記炭素がドープされた酸化ケイ素を含む低誘電率誘電体材料内に存在する前記炭素が約11原子以下である、請求項10に記載の超小型電子構造。前記炭素がドープされた酸化ケイ素を含む低誘電率誘電体材料内に存在する前記炭素が約10原子以下である、請求項10に記載の超小型電子構造。詳細な説明の前書きとして、本明細書および添付の特許請求の範囲では、単数形のa、an、およびtheは、文脈上別途明示しない限り、複数の指示対象を含むことに留意されたい。本明細書では約という単語は、提示される公称の値が±10の範囲内で正確であることを意味するものとする。本発明の実施形態における焦点は、誘電体層の誘電率を2.6未満、好ましくは2.5未満に下げる一方、堆積させたデバイス構造内の構造上の機械的強度を実現することにある。本発明の概略的な実施形態では、半導体デバイス構造は、約12原子の範囲内の炭素含有率を有する少なくとも1つの炭素がドープされた低誘電率拡散バリア材料を用いる。拡散バリア材料の表面を覆って3原子より大きい炭素、典型的に約12原子の高さの炭素までを含有する多孔質の炭素がドープされた低誘電率誘電体材料を堆積させることが望ましい。これらの2つの材料間で良好な曲げ/剪断強度または接着強度を得るには、拡散バリア材料から低誘電率誘電体材料への遷移領域を作ることが必要である。全体的な遷移領域は、3.0原子以下の炭素を含有し、約12原子の炭素、より典型的には約10原子の炭素から11原子の炭素までを含有する炭素がドープされた酸化ケイ素を含む材料まで遷移する酸化ケイ素を含む材料である。図3を参照すると、3.0原子以下の炭素原子を含有する酸化ケイ素を含む材料を第1の遷移領域306として示し、3.0原子以下の炭素から12原子以下の炭素を含有する炭素がドープされた酸化ケイ素低誘電率誘電体材料まで遷移する酸化ケイ素を含む材料を第2の遷移領域308として示す。上にある多孔質の炭素がドープされた低誘電率誘電体材料を、領域309として示す。これと同じ構造を第2の例にも示し、遷移領域316および318は拡散バリア材料314の上にあり、上にある多孔質の炭素がドープされた低誘電率誘電体材料319まで上方へ延びる。それぞれ領域306および308、または316および318の間の違いは、領域306が本質的に酸化ケイ素であり、領域318が酸化ケイ素から上にある多孔質の炭素がドープされた酸化ケイ素低誘電率誘電体材料層の炭素含有率まで遷移することである。従来技術の図1Aは、半導体デバイス構造100の断面概略図を示し、基層102はケイ素層である。ケイ素層102の上には、第1の炭素がドープされた酸化ケイ素低誘電率誘電体材料層104がある。この低誘電率誘電体層は、第1の金属化層106を含む。金属化層106および周囲の低誘電率誘電体材料104の上部表面の上にはバリア/キャッピング層110があり、バリア/キャッピング層110は、金属化層106から、第2の金属化層116の表面を提供する第2の炭素がドープされた酸化ケイ素低誘電率誘電体層114内へ、金属がマイグレーションするのを防止するために使用される。また低誘電率誘電体層114を導電ビア108が貫通しており、導電ビア108も典型的に、金属を含む特徴である。従来技術の図1Aに示すキャッピング層110および120は、SiCHまたはSiCHNなどの炭化ケイ素ベースの材料である。第1のキャッピング層110の上には、第1のキャッピング層110と上にある炭素がドープされた酸化ケイ素低誘電率誘電体層114との間の接着を改善するように設計された第1のインターフェース構造112がある。第2のキャッピング層120と上にある第2の炭素がドープされた酸化ケイ素低誘電率誘電体124との間の接着を改善するように、第2のインターフェース構造122が設計される。また第2の低誘電率誘電体層124を導電ビア118が貫通しており、導電ビア118は、半導体処理デバイス100内の第3の金属化層に至ることができる。従来技術の図1Bは、図1Aからの第1のキャッピングインターフェース構造112をより詳細に示し、上にある第2の炭素がドープされた酸化ケイ素低誘電率誘電体層114と下にあるキャッピング/バリア層110との接着を改善するように設計されたデュアル層のインターフェース構造を示す。インターフェース構造112内には、3原子の炭素を下回る低い炭素含有率を含有する層112aと、低い炭素含有率から約2.6以下の範囲内の誘電率を提供するのに十分なほどより高い炭素含有率まで遷移する層112bとがある。従来技術の図2はEdelsteinらの文献から得たものであり、Edelsteinらの文献ではこの図は図7と表示されていた。図7は、通常1~4秒の時間T1にわたるPECVD処理チャンバ内への酸素および誘電体前駆体の供給を示すとされている。この説明によれば、酸素を有する処理チャンバ内へ、任意選択でヘリウムまたはアルゴンを導入することができる。軸204に示すように、処理チャンバへの様々な前駆体の流量によって処理200を示す。様々な関連する期間を軸202上に示す。誘電体前駆体材料オルガノシランなどの供給率を曲線208上に示し、ポロゲン当技術分野では周知の種類の流量を曲線206上に示し、酸素の流量を曲線208上に示す。遷移層の形成中、T1から始まる誘電体前駆体材料210およびポロゲン前駆体206の供給率の増加と、T3から始まる酸素の供給208の減少とを組み合わせることで、炭素ピークまたは炭素低下を発生させることなく炭素グレーデッド遷移層を生じさせると述べている。これは、Edelsteinの文献でカラム6~8に論じられている。図3は、本発明の一実施形態による半導体デバイス構造300の断面概略図を示す。層302はケイ素基板を表す。領域304は、典型的に約3原子より大きく約12原子までの炭素の原子で炭素を含有する炭素がドープされた窒化ケイ素バリア材料を表す。領域306は、炭素含有率が3原子未満の酸化ケイ素を含む遷移領域を表す。すでに論じたように、領域308は、材料が堆積されるにつれて炭素含有率が3原子の炭素から約12原子の炭素まで、より典型的には約10原子の炭素から11原子の炭素まで増大する遷移領域を表す。領域309は、3原子より大きく約11原子の炭素までの範囲の原子で炭素を含有する多孔質の炭素がドープされた酸化ケイ素低誘電率誘電体層を表す。層310は金属導体層を表す。領域314は、3原子より大きい炭素から約12原子の炭素までを含有する第2の炭素がドープされた窒化ケイ素低誘電率バリア材料を表す。領域316は、3原子以下の炭素を含有する遷移領域を表す。領域318は、本質的に3.0原子未満の炭素から約12原子の炭素まで遷移する酸化ケイ素を含有する遷移領域を表す。領域319は、3原子より大きく約11原子の炭素までの範囲の原子で炭素を含有する炭素がドープされた酸化ケイ素低誘電率誘電体材料を表す。領域312は、金属導電性材料で充填されたコンタクトビアを表す。図4は、図3に示す種類のデバイスの製造中に、具体的には領域308から領域310へ遷移するために、PECVDチャンバ内へ供給されるヘリウムキャリアガス405と酸素試薬ガス407との間の相対的な流れ減少率の重要な関係400を示す。領域308では、材料は酸化ケイ素誘電体であり、炭素含有率は3原子未満である。領域310では、材料は炭素がドープされた酸化ケイ素低誘電率誘電体であり、炭素含有率は3原子より大きく約11原子までの範囲である。図4の軸400は、ヘリウムキャリアガスおよび酸素反応ガスの相対的な流量を示す。軸402は、曲線405に示すPECVDチャンバへのヘリウムキャリアガス供給の減少の始端410、および曲線407によって示す対応する酸素反応ガスの減少の始端からの相対的な期間を示す。ヘリウムキャリアガスの減少期間の終端を点412で示し、酸素反応ガスの減少期間の終端を点414で示す。図4に示す実施形態では、ヘリウムキャリアガスの減少率は約3,000sccm/秒であり、酸素反応ガスの減少率は約100sccm/秒であった。図4は本発明の一実施形態を表し、これらの流量は処理チャンバの1つの寸法を示す。他の実施形態では、異なる処理装置ならびに異なる流量および減少率を使用することが企図される。重要なことは、ヘリウムキャリアガスの流量と酸素反応性ガスの流量との間の関係であり、遷移領域の形成中のこれらの2つのガスの相対的な減少率については上記で論じた。熱および質量伝達の技術に関する当業者であれば、堆積膜の炭素含有率の平滑な遷移を提供するのに必要なヘリウムキャリアガスおよび酸素反応ガスの開始率を推定することができ、最小限の実験後には本明細書に記載するものに類似の結果に到達することができる。PECVD処理チャンバへのヘリウムキャリアガスおよび酸素反応ガスの流量の変更は、有機ケイ素化合物および炭素源を含む化合物たとえば、ポロゲン前駆体化合物の追加の前駆体材料の供給を使用して、炭素がドープされた酸化ケイ素低誘電率誘電体材料が形成されることを背景にしていることも重要である。これらの他の前駆体材料が変更されると、本明細書に論じた反応性酸素化合物および関連するヘリウムキャリアガスの減少率の調整を加えることが必要になることがある。しかし、本発明の概略的な概念は同じままであり、当業者であれば、本開示を見て調整を加えることができる。本実験例は、カリフォルニア州サンタクララのAppliedMaterials,Inc.によって製造されたProducer登録商標処理チャンバ内で実施した。Producer登録商標処理チャンバ200mmまたは300mmは、炭素がドープされた酸化ケイ素および他の材料を堆積させるために使用できる2つの分離された処理領域を有する。2つの分離された処理領域を有するチャンバについては、1999年1月5日発行のUltraHighThroughputWaferVacuumProcessingSystemという名称のMaydanらの米国特許第5,855,681号に記載されている。同特許を参照により本明細書に組み込む。本明細書に記載する種類の炭素がドープされた酸化ケイ素を含む低誘電率誘電体材料を形成するために使用される有機ケイ素化合物は、テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ペンタメチルシクロペンタシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、ジエトキシメチルシラン、ジメチルジシロキサン、テトラシラノ-2,6-ジオキシ-4,8-ジメチレン、テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、1,3-ビスシラノメチレン-ジシロキサン、ビス1-メチルジシロキサニルメタン、ビス1-メチルジシロキサニルプロパン、ヘキサメトキシジシロキサン、ジメチルジメトキシシラン、およびジメトキシメチルビニルシラン、ならびにこれらの組合せからなる群から選択することができる。これらの前駆体材料は、限定ではなく例として示す。本明細書に記載する種類の炭素がドープされた酸化ケイ素を含む低誘電率誘電体材料を形成するために使用されるポロゲン化合物は、シクロヘキサジエン、ビシクロヘプタジエン、1-メチル-4-1-メチル-エチル-1,3-シクロヘキサジエン、1-メチル-4-1-メチルエチル-ベンゼン、α-テルピネン、3-カレン、フェンコン、リモネン、酸化シクロペンテン、ビニル-1,4-ジオキシニルエーテル、ビニルフリルエーテル、ビニル-1,4-ジオキシン、ビニルフラン、フロン酸メチル、蟻酸フリル、酢酸フリル、フルアルデヒド、ジフリルケトン、ジフリルエーテル、ジフルフリルエーテル、フラン、1,4ジオキシン、およびこれらの組合せからなる群から選択することができる。本発明の実施形態を生みだした開発作業において、ケイ素を含有する前駆体のmgm供給率は、約300mgmから約2200mgmの範囲であった。ポロゲン供給率は、約200mgmから約3500mgmの範囲であった。酸素流量は、約50sccmから約3000sccmの範囲であった。ヘリウムキャリアガス流量は、約500から約5500sccmの範囲であった。印加されたプラズマ出力は、約450Wから約650Wの範囲であった。印加された出力は、周波数13.56MHZでRF出力であった。組み合わせた遷移領域を形成する1つの例示的な処理では、第1の遷移領域を開始する際、処理チャンバへの酸素の流量は約500sccmの範囲内であり、処理チャンバへのヘリウムキャリアガスの流量は約5500sccmであり、有機ケイ素前駆体化合物の典型的な流量は約300mg/分mgmであり、ポロゲン化合物の流量は200mgmであった。第2の遷移領域が形成されるにつれて、炭素がドープされた低誘電率誘電体層の形成の始端まで、有機ケイ素前駆体流量は約1000mgmまで増大され、ポロゲン化合物前駆体流量は約1250mgmまで増大された。同時に、酸素供給率は約50sccmまで低減され、ヘリウムキャリアガス供給率は約1000sccmまで低減された。多孔質の炭素がドープされた酸化ケイ素低誘電率誘電体のバルク堆積が始まった時点で、ケイ素前駆体ヘリウムキャリアガスは約3,000sccmであり、ポロゲン前駆体ヘリウムキャリアガスは約3,000sccmであり、合計約6,000sccmのヘリウムキャリアガスの流れを提供した。膜の形成中に印加されたRF出力の量は、第1の遷移領域の開始時の約650Wから、遷移材料の終端時および多孔質の炭素がドープされた酸化ケイ素低誘電率誘電体材料の堆積の開始時の約450Wまでの範囲であった。有機ケイ素前駆体の流量の増加率は約1000mgm/秒であり、有機ポロゲン前駆体の流量の増加率は約500mgm/秒であった。有機ケイ素前駆体向けのヘリウムキャリアガスの減少率は約1000sccm/秒であり、ポロゲン前駆体向けのヘリウムキャリアガスの減少率は約500sccm/秒であった。低誘電率バリア材料と炭素がドープされた低誘電率誘電体材料との間の遷移材料の形成中、処理チャンバ内でアークの兆候は見られなかった。炭素がドープされた低誘電率誘電体層のバルク形成中、ケイ素前駆体ヘリウムガスの流れは典型的に、約4,000から約5,000sccmの範囲であり、良好な膜の均一性を提供した。有機ポロゲン前駆体ヘリウムガスの流れは典型的に、約500から約2,500sccmの範囲であり、良好な膜の均一性を提供した。これにより、ヘリウムキャリアガスは合計約4,500sccmから約7,500sccmになる。従来技術の図5は、本明細書に記載する様々な構造に対するPECVD反応を実施できる処理システム500の断面概略図示す。平行板プラズマ化学気相堆積リアクタ510を、処理チャンバ510へキャリアガスおよび反応ガスを投入するためのガス投入ライン518と組み合わせて示す。スロットルバルブ図示せずを有する真空ポンプ532が、処理チャンバ510からのガスおよびプラズマ種の排気率を制御する。平行板化学気相堆積リアクタ510は、高真空領域515を有する。リアクタ510はガス分配マニホルド511を含み、ガス分配マニホルド511は、リフトモータ14によって上下される基板支持板またはサセプタ512上に位置する基板図示せずへ、マニホルド内の穿孔を通ってプロセスガスを分散させる。液体の反応物質を噴射するために、典型的には有機ケイ素化合物の液体の噴射に使用されるような液体噴射システム図示せずを設けることもできる。リアクタ510は、抵抗性加熱コイル図示せずまたは外部ランプ図示せずなどによってプロセスガスおよび基板を加熱することを含む。サセプタ512は、下部のローディング/オフローディング位置図示せずとマニホルド511に密接している上部の処理位置との間でサセプタ512を制御可能に動かすことができるように、支持棒513上に取り付けられる。サセプタ512および基板は、処理位置514にあるときは絶縁体517によって取り囲まれ、プロセスガスがマニホルド524内へ排気される。処理中、マニホルド511へのガス入り口は、基板の表面全体にわたって放射状に均一に分配される。スロットルバルブを有する真空ポンプ532が、チャンバからの排気率を制御する。マニホルド511に到達する前に、堆積ガスおよびキャリアガスがガスライン518を通って混合システム519内へ投入され、混合システム519において組み合わされ、次いでマニホルド511へ送られる。酸化ガス用の投入ガスライン上に、アプリケータ管520を有する任意選択のマイクロ波システム図示せずを配置して、リアクタ110へ入る前に酸化ガスだけを解離させる追加のエネルギーを提供することができる。本発明では酸化ガスについて酸素として説明しているが、酸化ガスは、本発明の方法を参照して説明した酸素量を生じさせる酸素を含有する化合物とすることができることが当業者には理解されるであろう。マイクロ波アプリケータは、約0から約6000Wの間の出力を提供する。通常、各プロセスガス用のプロセスガス供給ライン518は、iチャンバ内へのプロセスガスの流れを自動または手動で遮断するために使用できる安全遮断バルブ図示せずと、iiガス供給ラインを通るガスの流れを測定する質量流量コントローラ図示せずとを含む。処理中に有毒なガスが使用されるとき、従来の構成における各ガス供給ライン上にいくつかの安全遮断バルブが位置決めされる。リアクタ510内で実行される堆積処理は、冷却された基板ペデスタル上の非プラズマ処理、またはプラズマ処理のいずれかとすることができる。本発明の方法では、プラズマ処理、すなわちPECVD処理を使用した。PECVD処理では、RF電源525から分配マニホルド511に印加したRFエネルギーによって、制御されたプラズマを基板付近に形成したサセプタ512は接地させた。別法として、サセプタ512にRF出力を提供することができ、または異なる周波数で異なる構成要素にRF出力を提供することができる。RF電源525は、単一または混合周波数のRF出力を供給して、高真空領域515内へ導入された反応性種の分解を促進させることができる。混合周波数のRF電源は典型的に、約13.56MHZの高RF周波数RF1の出力を分配マニホルド511に供給し、約360KHzの低RF周波数RF2の出力をサセプタ512に供給する。本発明の酸化ケイ素を含む層は、低レベルまたはパルスレベルの高周波数RF出力を使用して作られることが多い。パルスRF出力は、約10から約30のデューティーサイクル中に約20から約200Wで13.56MHZのRF出力を提供することが好ましい。パルス以外のRF出力で典型的に13.56MHZのRF出力は典型的に、約10Wから約700Wの範囲にわたって印加される。低出力の堆積は、約-20°Cから約40°Cの温度範囲で行われることが多い。好ましい温度範囲にわたって、堆積される炭素がドープされた酸化ケイ素低誘電率誘電体材料は、堆積中に部分的に重合し、重合はその膜の後の硬化中に完了する。本明細書で本発明の実施形態に説明した遷移材料は典型的に、約200°Cから約400°Cの範囲の温度に加熱された基板上に堆積される。遷移材料の堆積中の処理チャンバの圧力は、約1から約10トルの範囲とすることができるが、典型的には7.5トル±0.5トルの範囲内である。リアクタ内への前駆体ガスの流量は変動することがあり、堆積されている材料の化学的および物理的構成に依存する。所与の遷移材料の堆積期間は典型的に、約1秒から約6秒の範囲である。遷移材料の堆積中は、絶対に必要というわけではないが、プロセスガス流量の変化に基づいてスロットルバルブの位置を調整できるようにすることによって、一定のチャンバ圧力が維持されることが多い。絶対に必要というわけではないが、より再現可能な膜の組成および厚さを提供するために、所与の遷移材料の堆積中には同じ出力レベルが維持されることが多い。従来技術の図6は、図5に示す処理システム500と組み合わせて使用できるシステムコントローラ600のブロック図を示す。システムコントローラ600は、メモリ610とともに動作可能なプログラム可能な中央処理装置CPU620、ならびに大容量記憶デバイス615、入力制御ユニット645、およびディスプレイユニット655を含む。メモリ610は、処理システム500の動作を容易にするためにCPU620が実行する命令を含む。CPU620は汎用コンピュータを形成し、本発明の方法の実施形態を実施するために使用できるプログラム605などのプログラムを実行するときは専用コンピュータになる。システムコントローラ600は、システムバス630およびI/O回路640を介して、本発明による堆積処理で用いられる処理システムの要素に結合される。I/O回路640は、CPU620およびシステムバス630を介して、メモリ610内に記憶されたプログラム605からの命令を受け取る。プログラム605は、I/O回路640がリアクタの基板/サセプタ位置決め制御650、プロセスガス制御660、圧力制御670、加熱器制御680、およびプラズママイクロ波制御690を実現できるようにするプログラムサブルーチンを提供する。図7は、半導体基板のSIMSプロファイル700を示し、基板の一部分は、炭素がドープされた窒化ケイ素を含む低誘電率バリア層材料約12原子の炭素を含有するから炭素がドープされた酸化ケイ素低誘電率誘電体材料約10.5原子の炭素を含有するへ遷移する遷移材料である。遷移材料は酸窒化ケイ素材料および酸化ケイ素材料を含み、これらの材料はそれぞれ、3原子以下の濃度で炭素を含む。703に示すように、遷移膜の全体的な厚さは約215Åであった。遷移膜は、膜の堆積中にヘリウムを約3000sccm/秒の率で減少させ、酸素を約50sccm/秒の率で減少させる処理を使用して作られた。4点屈曲試験によって試験した遷移膜の接着強度は6.6J/m2であり、炭素がドープされた酸化ケイ素低誘電率誘電体に対して測定したkは2.57であった。図8は、半導体基板のSIMSプロファイル800を示し、基板の一部分は、3原子未満の炭素を有する酸化ケイ素誘電体から約10.4原子の炭素を有する炭素がドープされた酸化ケイ素低誘電率誘電体への遷移膜である。803に示すように、遷移膜の全体的な厚さは約161Åである。遷移膜は、膜の堆積中にヘリウムを約3000sccm/秒の率で減少させ、酸素を約300sccm/秒の率で減少させる処理を使用して作られた。4点屈曲試験によって試験した遷移膜の接着強度は5.6J/m2であり、炭素がドープされた酸化ケイ素低誘電率誘電体に対して測定したkは2.55であった。図9は、半導体基板のSIMSプロファイル900を示し、基板の一部分は、3原子未満の炭素を有する酸化ケイ素誘電体から約10.1原子の炭素を有する炭素がドープされた酸化ケイ素低誘電率誘電体への遷移膜である。903に示すように、遷移膜の全体的な厚さは約157Åである。遷移膜は、膜の堆積中にヘリウムを3000sccm/秒の率で減少させ、酸素を3000sccm/秒の率で減少させる処理を使用して作られた。4点屈曲試験によって試験した遷移膜の接着強度は5.9J/m2であり、炭素がドープされた酸化ケイ素低誘電率誘電体に対して測定したkは2.55であった。前述の例示的な実施形態は、本発明の範囲を限定しようとするものではなく、当業者であれば、本開示を読めば、以下に主張する本発明の主題に一致するようにそのような実施形態を拡大することができる。"