"一対の接続用電極を有するIC搭載用樹脂基板を、前記樹脂基板より厚いインレット基材に設けた開口部に収容し、インレット基材の周縁にアンテナとして敷設された金属ワイヤの両端部を前記樹脂基板の一対の接続用電極にそれぞれ接合するにあたり、接続用電極面とインレット基材面とが面一になるように高さを調整した上、金属ワイヤの端部を、接続用電極上を開口部を横断するように配置し、次いで上部から接触部を加熱圧着し金属ワイヤと接続用電極とを接続することを特徴とする非接触ICカードの製造方法。一対の接続用電極を有するIC搭載用樹脂基板を、前記樹脂基板より厚いインレット基材に設けた開口部に収容し、ICチップを前記接続電極に接続するにあたり、接続用電極面とインレット基材面とが面一になるように高さを調整した上、ICチップを接続用電極のスリットを跨ぐように配置し、超音波を利用してフリップチップ接続することを特徴とする非接触ICカードの製造方法。一対の接続用電極を有するIC搭載用樹脂基板を、前記樹脂基板より厚いインレット基材に設けた開口部に収容し、インレット基材の周縁にアンテナとして敷設された金属ワイヤの両端部を一対の接続用電極にそれぞれ接合する際に用いる製造装置であって、少なくとも、インレット基材が載置される平坦部と、インレット基材に設けた開口部に収容されるIC搭載用樹脂基板を下面から開口部に一部貫入して支持する台状突出部とを備えるステージ及びTCBとを備え、台状突出部の平坦部からの高さが、インレット基材面と接続用電極面が面一になるようにインレット基材の厚みと樹脂基板の厚みの差を補償する高さであることを特徴とするICカードの製造装置。一対の接続用電極を有するIC搭載用樹脂基板を、前記樹脂基板より厚いインレット基材に設けた開口部に収容し、ICチップをフリップチップ接続により一対の接続電極に接続する際に用いる製造装置であって、少なくとも、インレット基材が載置される平坦部と、インレット基材に設けた開口部に収容されるIC搭載用樹脂基板を下面から開口部に一部貫入して支持する台状突出部とを備えるステージ及び超音波実装ヘッドとを備え、台状突出部の平坦部からの高さが、インレット基材面と接続用電極面が面一になるようにインレット基材の厚みと樹脂基板の厚みの差を補償する高さであることを特徴とするICカードの製造装置。前記ステージの平坦部にインレット基材吸着用の引き穴、台状突出部にはIC搭載用樹脂基板吸着用の引き穴を有することを特徴とする請求項3又は請求項4に記載のICカードの製造装置。前記IC搭載用樹脂基板吸着用の引き穴は、IC搭載位置の直下近傍と金属ワイヤと接続用電極が接続する位置の直下近傍とを除く台状突出部に掘られていることを特徴とする請求項5に記載のICカードの製造装置。本発明は、上記の問題に鑑みてなされたもので、IC搭載用樹脂基板の板厚がインレット基材の厚みより薄くても、インレット基材に敷設した金属ワイヤを精度良くIC搭載用樹脂基板へ配設し、且つICチップも前記樹脂基板に安定してフリップチップ搭載できる手段を提供することを目的とした。上記課題を達成するための請求項1に記載の発明は、一対の接続用電極を有するIC搭載用樹脂基板を、前記樹脂基板より厚いインレット基材に設けた開口部に収容し、インレット基材の周縁にアンテナとして敷設された金属ワイヤの両端部を前記樹脂基板の一対の接続用電極にそれぞれ接合するにあたり、接続用電極面とインレット基材面とが面一になるように高さを調整した上、金属ワイヤの端部を、接続用電極上を開口部を横断するように配置し、次いで上部から接触部を加熱圧着し金属ワイヤと接続用電極とを接続することを特徴とする非接触ICカードの製造方法としたものである。請求項2に記載の発明は、一対の接続用電極を有するIC搭載用樹脂基板を、前記樹脂基板より厚いインレット基材に設けた開口部に収容し、ICチップを前記接続電極に接続するにあたり、接続用電極面とインレット基材面とが面一になるように高さを調整した上、ICチップを接続用電極のスリットを跨ぐように配置し、超音波を利用してフリップチップ接続することを特徴とする非接触ICカードの製造方法としたものである。請求項3に記載の発明は、一対の接続用電極を有するIC搭載用樹脂基板を、前記樹脂基板より厚いインレット基材に設けた開口部に収容し、インレット基材の周縁にアンテナとして敷設された金属ワイヤの両端部を一対の接続用電極にそれぞれ接合する際に用いる製造装置であって、少なくとも、インレット基材が載置される平坦部と、インレット基材に設けた開口部に収容されるIC搭載用樹脂基板を下面から開口部に一部貫入して支持する台状突出部とを備えるステージ及びTCBとを備え、台状突出部の平坦部からの高さが、インレット基材面と接続用電極面が面一になるようにインレット基材の厚みと樹脂基板の厚みの差を補償する高さであることを特徴とするICカードの製造装置としたものである。請求項4に記載の発明は、一対の接続用電極を有するIC搭載用樹脂基板を、前記樹脂基板より厚いインレット基材に設けた開口部に収容し、ICチップをフリップチップ接続により一対の接続電極に接続する際に用いる製造装置であって、少なくとも、インレット基材が載置される平坦部と、インレット基材に設けた開口部に収容されるIC搭載用樹脂基板を下面から開口部に一部貫入して支持する台状突出部とを備えるステージ及び超音波実装ヘッドとを備え、台状突出部の平坦部からの高さが、インレット基材面と接続用電極面が面一になるようにインレット基材の厚みと樹脂基板の厚みの差を補償する高さであることを特徴とするICカードの製造装置としたものである。請求項5に記載の発明は、前記ステージの平坦部にインレット基材吸着用の引き穴、台状突出部にはIC搭載用樹脂基板吸着用の引き穴を有することを特徴とする請求項3又は請求項4に記載のICカードの製造装置としたものである。請求項6に記載の発明は、前記IC搭載用樹脂基板吸着用の引き穴は、IC搭載位置の直下近傍と金属ワイヤと接続用電極が接続する位置の直下近傍とを除く台状突出部に掘られていることを特徴とする請求項5に記載のICカードの製造装置としたものである。本発明に係る請求項1と請求項3の発明によれば、IC搭載用樹脂基板とインレット基板が面一の状態で金属ワイヤと電極が熱圧着されるので、金属ワイヤに張力が加わらず且つ金属ワイヤが弛まないことから、金属ワイヤと電極の接続安定性が向上し、同時に圧着後の樹脂基板のインレット基板開口部への嵌め込み位置が安定し、その停留形態も曲がったり傾くことがない。したがって、樹脂基板のインレット基材への乗り上げ潜り込みという固定位置不良が低減する。次に、請求項2と請求項4の発明によれば、前記の発明で樹脂基板の開口部での位置が安定した上に、さらにステージから突出する硬い台座に隙間無く接触して支えられていることから、ICチップと電極のアライメントが容易となり、且つ超音波が効果的に作用しICチップを電極に確実にフリップチップ接続することができる。次に請求項5と請求項6の発明によれば、樹脂基板が歪むことなしにしっかりとステージに固定できるので金属ワイヤの熱圧着とICチップの電極への接続を確実に行うことができる。本発明の対象となる非接触型ICカードの形態は、図3aに記載の従来型の構成のものと同一であるが、インレット基材2の開口部13に所定の樹脂基板を嵌め込んでから当該基板に予め形成してある接続用電極6A、6Bにアンテナ線端部5とICチップ8をそれぞれ接続して製造するものに限られる。この場合、樹脂基板3の厚みはインレット基材2の厚みより薄く設定されるのが普通であるが、その結果としてワイヤ端部5とICチップ8とを基板の接続電極6A,6Bにそれぞれ接続する場合種々の不都合が発生した。具体的には、インレット基材2に敷設したワイヤ端5を電極6Aに確実に接続し、接続することで樹脂基板3が開口部13の所定の位置に所定の高さと向きで留まるようにするには、インレット基材2の表面と樹脂基板3の表面が同一平面をなすようにする必要がある。面一になるようにするためには、薄いほうの樹脂基板2を下から厚みの差の分だけ持ち上げる必要がある。この様にしてワイヤ端部5が電極6Aに接続されると、樹脂基板3はワイヤ端部に吊り下がる状態になりステージから浮き上がるため、このままではICチップ8をフリップチップ接続できない。そこで吊り下がった樹脂基板3を下から平坦な台座で支えるということである。下から持ち上げて支持するという目的が同じだが異なる台座作業用ステージを使用するのは、ワイヤ4を電極6Aに押し付ける装置TCBと、ICチップ8を電極6Bに接続する装置超音波実装ヘッドが異なるからである。基材側を固定してTCBと超音波実装ヘッドを入れ替えることができればステージの方は共通にできる。以下、実施例に基づいて本発明を簡単に説明する。本実施形態に係るICカードは、少なくともコア層1として図3に示すように、インレット基材2と金属ワイヤ4、及びIC搭載用樹脂基板3と該基板に搭載するICチップ8とを有している。最終的にはコア層1はオーバーコート材で表裏が被覆され、非接触ICカードとなるものである。インレット基材インレット基材2以下、単に基材とも記す。は、平板形状となっていると共に、上質紙や樹脂など少なくとも表層が非導電性物質からなる。基材表面であってワイヤ4がアンテナとして敷設される位置には、塗布等によって粘着材層として熱可塑性樹脂層9が予め設けられている基材2を使用する。さらに基材2には、図3で示すような、IC搭載用樹脂基板3以下、単に基板とも記す。と略同形の開口部13が形成されていて、その開口部13に基板3が嵌め込まれる。IC搭載用樹脂基板IC搭載用樹脂基板3は、FR-4、ポリイミド、PET、PENに代表される樹脂などの非導電性材料から板状に構成される。その基板3の表面上面と裏面下面のうち、少なくとも表面には、図3bに示すように一対の電極6が形成されている。電極6は、Cu、Al等の導電性材料で構成されている。図3b中、ICチップが実装されたように描いているが、現時点ではチップ搭載の予定位置を示すものである。各電極6はそれぞれ、図3bに示すように、接合パッド部6Aと実装部6Bとを備える。接合パッド部6Aは、金属ワイヤ5を接続するための部分である。実装部6Bは、ICチップ4をスリット7を跨ぐように搭載する部分である。本実施形態の対を成す電極6は、図3bに示すように、平面視において左右対称に形成され、所定のスリット7を挟んで各実装部6Bが対向配置し、その左右両側にそれぞれ長方形形状の接合パッド部6Aが形成されている。接合パッド部6Aは、上記スリット7と同方向に長辺を向けて配置している。但し、電極の形状自体は図示したものに限られず2つの電極があればよい。そして、本実施形態では、図3cに示すように、電極6を含む基板3の総厚みaを、インレット基材2の厚みb熱可塑性樹脂層8の厚みは除くよりも薄くなるように調整している。なお、ICカードの場合には、上記総厚みaと基材2の厚みbの差は0.2mm以下に収めるのが好ましい。ICカードのコア部の製造方法基材2に形成した開口部13に一対の電極6が形成されたIC搭載用樹脂基板3を嵌め込む。嵌め込みの詳細は省略するが、インレット基材を、上部にTCBを備えるステージ10上にセットする。ステージ10は断面が図1aで示されるもので、中央にステージ10から突出する台座11を設けてある。台座11は、大きさがインレット基材の開口部13より小さく基材の下部から僅かに開口部13に貫入するようになっている。台座11の張り出し高さは、インレット基材2の厚みと開口部13に収容される基板3の厚みの差程度であって、丁度インレット基材の上表面と基板3の表面が面一になる高さである。インレット基材2に塗布された熱可塑性樹脂9の厚みは考慮に入れないが、基材3上の電極6は基材の厚みに入れる。次に、基材2表面に対し、図示しない敷設ヘッドから金属ワイヤ4を送り出しながら、敷設ヘッドによって基材2の上面に塗布された熱可塑性樹脂層8を溶融させることで、基材2表面に対して、目的とするアンテナ形状に金属ワイヤ4を敷設しつつ固定する。このとき、基材2の開口部13に配置した基板3上においても、敷設ヘッドから金属ワイヤ5を送り出して、各電極6の接合パッド部6A上を通過するようにワイヤ端部5を敷設する。その後、基板3位置では、熱圧着ヘッド12で金属ワイヤ5を電極6に押し付け熱圧着することで、金属ワイヤ5を電極6に固定する。ワイヤの配置については、図2bを参照されたいが、ここでは金属同士が接触する部分はワイヤの潰れが発生するため太く示してある。これによって基板3が金属ワイヤ端部5に吊り下がるようにして固定される。このとき、平坦なステージに基材2を載置すると、電極6を含むIC搭載用樹脂基板3の総厚みaが基材2の厚みbよりも薄いことから、基材2の上面熱可塑性樹脂層8の厚みは除く。よりも、IC搭載用樹脂基板3の電極7が下方に凹んだ状態となる。この状態で金属ワイヤ5を開口部13を横断するように送り出して敷設すると、金属ワイヤ5は、弛んだ状態で敷設されることがあり、圧着後の基板3の開口部13内の位置や停留形態が安定しない。突出する台座11を設けることでこうした不安定さが解消される。次に、超音波実装ヘッド14を備える別のステージ10にインレット基材2を移動する図2参照。そして対をなす電極6の各実装部6Bに跨るようにICチップ8を配置する。また、台座11に形成した吸引穴図示せずから真空引きすることで、基材2及びIC搭載用樹脂基板3を台座11に吸着固定した状態とする。この状態で、ICチップ8に上側から超音波実装ヘッド14を当接して超音波を付与することで、ICチップ8を一対の実装部6Bに接合して固定する。この場合の台座11の高さはワイヤ4を熱圧着する場合と同様である。このようにインレット基材を持ち上げて支えれば、IC搭載用樹脂基板3の吸着固定を十分に行うことが可能となり、ICチップ8を超音波実装する際にも、超音波エネルギーを有効に活用できる。すなわち、IC搭載用樹脂基板3の裏面下面を台座14に密着するように吸着した状態で、ICチップ8の実装を確実に行うことができる。最後に、インレット基材とIC搭載用樹脂基板をステージに密着固定するための吸引穴の配置について説明する。図4は、ステージから突出した台座近傍における吸引穴の一例を上面視で図示したものである。少なくとも、インレット基材を吸引するための吸引穴20を台座11の周囲に配置する必要がある。これについては、インレット基材単体の大きさに合わせて配置する。この他、IC搭載用樹脂基板を吸引する吸引穴21を台座11にも配置する。この位置については、ICチップ8が搭載される位置図の黒四角直下から離れたところで、且つワイヤ端部5が走る位置直下からも離れた部位が好ましい。吸引穴直上は、搭載される基板のそこの温度が下がったり加圧時の基板の歪みにより、熱圧着及び超音波実装が確実に行えなくなるおそれがあるからである。"