"光電変換部からなる画素が複数形成された基板と、前記基板上部に形成された無機材料からなる無機マイクロレンズと、前記無機マイクロレンズに隣接して形成され、裾部が前記無機マイクロレンズの裾部に接するか、又は乗り上げるようにして形成された有機材料からなる有機マイクロレンズと、を備える固体撮像装置。前記基板上に形成された有機材料からなる平坦化膜を有し、前記平坦化膜と無機マイクロレンズとの間には、少なくとも1層以上の応力緩和層を有する請求項1に記載の固体撮像装置。前記無機マイクロレンズは、Si3N4、SiO2、SiON但し、0<X≦1,0<Y≦1のいずれかで形成されている請求項2に記載の固体撮像装置。前記応力緩和層がSi3N4、SiO2、SiON但し、0<X≦1,0<Y≦1で表されるシリコン化合物から選ばれる少なくとも1つ以上の材料から形成されている請求項3に記載の固体撮像装置。前記応力緩和層の屈折率が1.4~2.0である請求項4に記載の固体撮像装置。前記応力緩和層は反射防止膜を兼ねる請求項5に記載の固体撮像装置。前記無機マイクロレンズは、瞳分割された像を検出し、位相差検出用信号を出力する一対の位相差検出画素の上部に形成されており、前記有機マイクロレンズは、被写体像の画像信号を出力する撮像画素の上部に形成されており、前記無機マイクロレンズの屈折率は、前記有機マイクロレンズの屈折率よりも大きい請求項1に記載の固体撮像装置。基板に、光電変換部を備える複数の画素を形成する工程と、前記基板に形成された所定の画素の上部に、無機材料からなる無機マイクロレンズを形成する工程と、前記無機マイクロレンズが形成されていない画素の上部に、有機材料からなる有機マイクロレンズを形成する工程と、を備える固体撮像装置の製造方法。前記有機マイクロレンズを形成する工程では、有機材料からなる有機マイクロレンズ層をパターニングにより所定の画素の上部に形成する工程と、熱リフローにより有機マイクロレンズ層を変形させる工程とを有する請求項8に記載の固体撮像装置の製造方法。前記無機マイクロレンズは、市松状に形成する請求項9に記載の固体撮像装置の製造方法。前記無機マイクロレンズを形成する前の工程において、前記基板上に有機材料からなる平坦化膜を形成する工程と、前記平坦化膜上に、少なくとも1層以上の応力緩和層を形成する工程と、備える請求項10に記載の固体撮像装置の製造方法。前記無機マイクロレンズは、Si3N4、SiO2、SiON但し、0<X≦1,0<Y≦1のいずれかで形成する請求項11に記載の固体撮像装置の製造方法。前記応力緩和層はSi3N4、SiO2、SiON但し、0<X≦1,0<Y≦1で表されるシリコン化合物から選ばれる少なくとも1つ以上の材料で形成する請求項12に記載の固体撮像装置の製造方法。前記応力緩和層は屈折率が1.4~2.0の材料で形成する請求項13に記載の固体撮像装置の製造方法。前記有機マイクロレンズの形成を繰り返すことにより、異なる屈折率を有する有機マイクロレンズを形成する請求項8に記載の固体撮像装置の製造方法。光学レンズと、光電変換部からなる画素が複数形成された基板と、前記基板上部に形成された無機材料からなる無機マイクロレンズと、前記無機マイクロレンズに隣接して形成され、裾部が前記無機マイクロレンズの裾部に接するか、又は乗り上げるようにして形成された有機材料からなる有機マイクロレンズと、を備える固体撮像装置であって、前記光学レンズに集光された光が入射される固体撮像装置と、前記固体撮像装置から出力される出力信号を処理する信号処理回路と、を備える電子機器。上述の点に鑑み、本開示は、異なる屈折率を有するマイクロレンズが画素毎に精度良く形成された固体撮像装置を提供することを目的とする。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。本開示の固体撮像装置は、光電変換部からなる画素が複数形成された基板と、基板上部に形成された無機材料からなる無機マイクロレンズを有する。また、無機マイクロレンズに隣接して形成され、裾部が無機マイクロレンズの裾部に接するか、又は乗り上げるようにして形成された有機材料からなる有機マイクロレンズを有する。本開示の固体撮像装置では、無機マイクロレンズを無機材料で形成し、有機マイクロレンズを有機材料で形成することにより、無機マイクロレンズと有機マイクロレンズとで屈折率を異ならせることができる。本開示の固体撮像装置の製造方法は、基板に、光電変換部を備える複数の画素を形成する工程と、基板に形成された所定の画素の上部に、無機材料からなる無機マイクロレンズを形成する工程を有する。また、無機マイクロレンズが形成されていない画素の上部に、有機材料からなる有機マイクロレンズを形成する工程を有する。本開示の固体撮像装置の製造方法では、始めに耐光性、耐熱性に優れた無機材料からなる無機マイクロレンズを形成する。このため、無機マイクロレンズのレンズ性能を低下させることなく、有機マイクロレンズを形成することができる。これにより、屈折率の異なるマイクロレンズを精度良く形成することができる。本開示の電子機器は、光学レンズと、光学レンズに集光された光が入射される固体撮像装置であって、上述の構成とされた固体撮像装置と、固体撮像装置から出力される出力信号を処理する信号処理回路とを備える本開示によれば、異なる屈折率を有するマイクロレンズが画素毎に精度良く形成された固体撮像装置を得ることができる。また、その固体撮像装置を適用することで、画質の向上が図れた電子機器を得ることができる。以下に、本開示の実施形態に係る電子機器、及びその電子機器に用いられる固体撮像装置の一例を、図1~図10を参照しながら説明する。本開示の実施形態は以下の順で説明する。なお、本開示は以下の例に限定されるものではない。1.第1の実施形態:固体撮像装置1-1固体撮像装置の全体構成1-2固体撮像装置の要部の構成1-3固体撮像装置の製造方法2.第2の実施形態:固体撮像装置2-1固体撮像装置の要部の構成2-2固体撮像装置の製造方法3.第3の実施形態:電子機器<1.第1の実施形態:固体撮像装置>[1-1固体撮像装置の全体構成]図1は、本開示の第1の実施形態に係るCMOS型の固体撮像装置の全体を示す概略構成図である。本実施形態例の固体撮像装置1は、シリコンからなる基板11上に配列された複数の画素2から構成される画素領域3と、垂直駆動回路4と、カラム信号処理回路5と、水平駆動回路6と、出力回路7と、制御回路8等を有して構成される。画素2は、フォトダイオードからなる光電変換部と、複数の画素トランジスタとから構成され、基板11上に、2次元アレイ状に規則的に複数配列される。画素2を構成する画素トランジスタは、転送トランジスタ、リセットトランジスタ、選択トランジスタ、アンプトランジスタで構成される4つのMOSトランジスタであってもよく、また、選択トランジスタを除いた3つのトランジスタであってもよい。画素領域3は、2次元アレイ状に規則的に複数配列された画素2から構成される。画素領域3は、実際に光を受光し光電変換によって生成された信号電荷を増幅してカラム信号処理回路5に読み出す有効画素領域と、黒レベルの基準になる光学的黒を出力するための黒基準画素領域図示せずとから構成されている。黒基準画素領域は、通常は、有効画素領域の外周部に形成されるものである。制御回路8は、垂直同期信号、水平同期信号及びマスタクロックに基づいて、垂直駆動回路4、カラム信号処理回路5、及び水平駆動回路6等の動作の基準となるクロック信号や制御信号などを生成する。そして、制御回路8で生成されたクロック信号や制御信号などは、垂直駆動回路4、カラム信号処理回路5及び水平駆動回路6等に入力される。垂直駆動回路4は、例えばシフトレジスタによって構成され、画素領域3の各画素2を行単位で順次垂直方向に選択走査する。そして、各画素2のフォトダイオードにおいて受光量に応じて生成した信号電荷に基づく画素信号を、垂直信号線を通してカラム信号処理回路5に供給する。カラム信号処理回路5は、例えば、画素2の列毎に配置されており、1行分の画素2から出力される信号を画素列毎に黒基準画素領域図示しないが、有効画素領域の周囲に形成されるからの信号によって、ノイズ除去や信号増幅等の信号処理を行う。カラム信号処理回路5の出力段には、水平選択スイッチ図示せずが水平信号線10とのあいだに設けられている。水平駆動回路6は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路5の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路5の各々から画素信号を水平信号線10に出力させる。出力回路7は、カラム信号処理回路5の各々から水平信号線10を通して、順次に供給される信号に対し信号処理を行い出力する。[1-2固体撮像装置の要部の構成]図2に、本実施形態例の固体撮像装置1の要部の断面構成を示す。図2では、画素領域における3画素分の断面構成を示している。本実施形態例では、画素領域が、被写体像の画像信号を出力する撮像画素2aと、焦点位置を検出するための位相差検出画素2bとを有して構成されたオートフォーカス機能を有する固体撮像装置を例としている。図2では、位相差検出画素2bに撮像画素2aが挟まれるように構成された領域の断面を示す。撮像画素2a及び位相差検出画素2bについては、後述する。以下の説明で、撮像画素2aと位相差検出画素2bとを区別しない場合には、画素2として説明する。本実施形態例の固体撮像装置1は、光電変換部であるフォトダイオードPDからなる画素2が複数形成された基板12と、配線層14と、カラーフィルタ層18と、平坦化膜19と、応力緩和層20とを備える。また、位相差検出画素2b上部に形成された無機マイクロレンズ21と、撮像画素2a上部に形成された有機マイクロレンズ22とを備える。基板12は、例えばシリコンからなる半導体基板で構成されている。基板12の表面には、第1導電型、例えばp型の半導体ウェル領域13が形成されており、その半導体ウェル領域13の表面側には、光電変換部を構成するフォトダイオードPDと、画素トランジスタ図示せずが画素毎に形成されている。フォトダイオードPDは、第2導電型、例えばn型の不純物領域で構成され、入射した光の光量に応じた信号電荷を生成、蓄積する。フォトダイオードPDで生成、蓄積された信号電荷は、図示しない画素トランジスタを介して画素毎に読み出される。配線層14は、基板12の表面側に形成され、層間絶縁膜15を介して複数層図2では3層に積層された配線16を有して構成されている。撮像画素2a上部では、配線16は、基板12に形成されたフォトダイオードPDを光入射側に開口するように形成されている。また、位相差検出画素2b上部では、最下層、すなわち基板12表面に一番近い側の配線16が位相差検出画素2bを一部遮光する遮光膜17を兼ねる構成とされている。遮光膜17の上部の配線16は、撮像画素2aと同様、基板12に形成されたフォトダイオードPDを光入射側に開口するように形成されている。ところで、位相差検出画素2bは自動焦点検出AF:オートフォーカスを行うために位相差検出用信号を出力する画素とされ、本実施形態例の固体撮像装置1におけるオートフォーカスは、瞳分割を行うことで2つの像を得る瞳分割位相差方式を適用する。このため、本実施形態例では、固体撮像装置1の上部に設置される図示しない光学系の射出瞳からの光束を2つの位相差検出画素2bで分離し、その一対の位相差検出画素2bから出力された像の位相差を検出することで、オートフォーカスがなされる。そして、対象な位置の射出瞳領域からの光束を分離するため遮光膜17が形成されており、一対の位相差検出画素2bでは、遮光膜17で開口される開口領域が鏡面対象となるように設けられている。カラーフィルタ層18は、配線層14上部に形成され、画素2毎に、例えば、赤R、緑G青Bの光を選択的に透過するような材料で構成されている。図2では、緑赤R、緑G、青Bの3原色で画素2を構成しているが、これに限られるものではなく、シアン、黄色、黒色を用いることもでき、また、白色のような全ての光を透過し、赤外領域を透過させないように構成することもできる。その他、画素毎に、異なる色を透過するカラーフィルタ層18を用いてもよく、また、全ての画素2において同じ色を透過するカラーフィルタ層18を用いてもよい。カラーフィルタ層18において透過させる色の組み合わせは、その仕様により種々の選択が可能である。なお、カラーフィルタ層18は、感度特性及び色再現性向上のため、フィルタ毎に最適な分光特性を達成する必要があり、各フィルタの厚さは色毎に異なる。平坦化膜19は、カラーフィルタ層18上に形成され、上述したように、色毎に厚さの異なるカラーフィルタ層18上を平坦化するために形成されている。平坦化膜19としては、透過性、及び耐熱性などを有する材料を用いることが好ましく、アクリル系熱硬化樹脂材料及びスチレン系樹脂材料、エポキシ系樹脂材料等を用いることが望ましい。さらに、固体撮像装置1の集光特性向上に向けて縦方向構造の低層化を行う場合には、熱可塑性と熱硬化性を兼ね備えるアクリル系樹脂材料及び、スチレン系樹脂材料、エポキシ系樹脂材料などを用いることが好ましい。応力緩和層20は、平坦化膜19上に形成されており、上述の有機材料からなる平坦化膜19と、後述する無機材料からなる無機マイクロレンズ21との膜応力の差を緩和するために設けられている。応力緩和層20は、無機系の材料で形成することが望ましく、また、低温CVDChemicalVaporDeposition法での成膜方法で形成することが好ましい。応力緩和層20としては、例えば、SiO2、Si3N4以下、SiN、又は組成式SixOy但し、0<x≦1、0<y≦1、以下、SiONと記すで表されるシリコン化合物のいずれかを用いることが好ましい。無機マイクロレンズ21は、位相差検出画素2b上の応力緩和層20上部に形成され、表面が所望の曲率を有するように形成されている。位相差検出画素2b上部に形成される無機マイクロレンズ21は、無機材料で構成されており、例えば、SiN、SiO、又はSiONのいずれかを用いることが好ましい。また、位相差検出画素2bでは、瞳分割された像を位相差検出用信号として得るため、入射光の焦点位置が遮光膜17の表面となるように形成することが好ましい。このため、位相差検出画素2b上部に形成される無機マイクロレンズ21は、後述の有機マイクロレンズ22を構成する有機材料よりも屈折率の高い無機材料で形成することがより好ましく、例えばSiN、又はSiONで形成することが好ましい。そして、無機マイクロレンズ21は、入射した光の焦点が遮光膜17の表面となるような曲率に形成されている。有機マイクロレンズ22は、撮像画素2a上の平坦化膜19上部に形成され、表面が所望の曲率を有するように形成されている。撮像画素2a上部に形成される有機マイクロレンズは、有機材料で構成されており、例えば、アクリル系樹脂材料、スチレン系樹脂材料、エポキシ系樹脂、又はアクリルスチレン強重合樹脂で構成することが好ましい。また、撮像画素2aでは、感度向上のため焦点位置が基板12の表面となることが好ましい。このため、撮像画素2a上部に形成される有機マイクロレンズ22は、入射した光の焦点が基板12の表面となるような曲率に形成されている。このように、本実施形態例では、撮像画素2aに比較して焦点距離が短く設定される位相差検出画素2b上部では、無機材料からなる無機マイクロレンズ21が形成される。そして、位相差検出画素2bよりも焦点距離が長く設定される撮像画素2a上部には、有機材料からなる有機マイクロレンズ22が形成される。反射防止膜23は、無機マイクロレンズ21及び有機マイクロレンズ22表面を被覆するように形成されており、マイクロレンズ表面での光の反射を低減するために形成されている。反射防止膜23の材料としては、例えば、LTOLowTemperatureOxide膜や、SiONを用いることができる。ところで、有機材料層と無機材料層とでは、その膜応力が大きく異なる。このため、有機材料からなる平坦化膜19上に無機材料からなる無機マイクロレンズ21を直接接する形で積層すると、その界面に膜応力差に起因するシワや歪みが発生する。つまり、無機材料層と有機材料層とを積層した場合には、膜応力差に起因した不具合が積層界面に発生する。これに対し、本実施形態例では、有機材料からなる平坦化膜19と、無機材料とからなる無機マイクロレンズ21との積層体において、有機材料層と無機材料層の膜応力値の間で、これらと異なる応力値を有する応力緩和層20を形成する。すなわち、本実施形態例では、膜応力の関係は、無機材料層<応力緩和層<有機材料層とされ、この条件に合った材料を応力緩和層20として用いる。このように、応力緩和層20を設けることにより、応力緩和層20の上下に形成された平坦化膜19と無機マイクロレンズ21の間の膜応力差を緩和することができる。これにより、有機材料層と無機材料層とを積層した場合にも膜応力差に起因する表面不具合の発生を抑制することができる。この結果、積層界面に発生する表面のシワ、歪みの不具合を抑制し、その後のリソグラフィプロセスで問題無くパターン形成が可能となる。したがって、固体撮像装置1において集光特性の悪化を避けることができる。平坦化膜19、応力緩和層20、無機マイクロレンズ21に適用可能な材料を上述したが、それらの組み合わせとしては、例えば、平坦化膜19をアクリル系熱可塑性硬化材料で形成し、無機マイクロレンズ21を低温SiN膜で形成することが好ましい。この場合、応力緩和層20を低温SiON膜で形成することで新たな工程を追加することなく、同一CVDプロセス内で応力緩和層20SiONと無機マイクロレンズ層21aSiNを連続して形成することができ、簡便性に優れる。また、応力緩和層20の光学特性は、屈折率が、1.4~2.0であり、透明性を有することが好ましい。特に、応力緩和層20をSiONで形成した場合には、屈折率が1.6~1.9となる。このため、応力緩和層20が、屈折率が1.8~2.0のSiNからなる無機マイクロレンズ21と屈折率が1.4~1.5のアクリル系樹脂からなる平坦化膜19の界面反射を低減する反射防止膜を兼ねることができる。この結果、固体撮像装置1の集光特性が向上する。応力緩和層20の膜応力は、-100~100MPaが好ましい。なお、ここで示す膜応力は、薄膜応力測定器ウエハ反り測定装置FSM500TC株ビジョンを用いて測定した値である。以上の構成を有する固体撮像装置1では、撮像画素2aにおいて、入射した光の光量に応じた信号電荷が生成され、画素信号として出力されることにより画像を得ることができる。また、位相差検出画素2bでは瞳分割された像を取得し位相差を検出することで、オートフォーカスを行うことができる。対象な位置の瞳射出領域からの光束を分離する一対の位相差検出画素2bは、固体撮像装置の仕様に応じて画素領域3内に複数設ける。位相差検出画素2bは、画素領域3内にライン状に設けてもよく、ランダムに配置してもよい。また、図2では、赤色画素と青色画素を位相差検出画素2bとし、緑色画素を撮像画素2aとしたが、位相差検出画素2bを構成する画素は任意に設定できる。また、本実施形態例の固体撮像装置1では、無機マイクロレンズ21を、有機マイクロレンズ22を構成する有機材料よりも高屈折率の無機材料で形成し、入射した光の焦点が遮光膜17の表面となるような曲率に形成されている。これにより、一対の位相差検出画素2bの一方には、固体撮像装置1の光入射面側に設置された撮影光学系図示せずの一対の部分領域の一方の領域を通過した被写体光束が入射する。また、他方の位相差検出画素2bには、固体撮像装置1の光入射面側に設置された撮影光学系の一対の部分領域の他方の領域を通過した被写体光束が入射する。このように、位相差検出画素2bでは、遮光膜17を設け、入射した光の焦点位置が遮光膜17上となるように無機マイクロレンズ21の屈折率を調整することにより、各位相差検出画素2bには瞳分割された所望の光束が入射する。そして、一対の位相差検出画素2bで検出された像の位相差を検出することで、位相差を検出することができる。[1-3固体撮像装置の製造方法]次に、本実施形態例の固体撮像装置1の製造方法を説明する。図3~図7は、本実施形態例の固体撮像装置1の製造方法を示した製造工程図である。まず、図3Aに示すように、シリコンからなる基板12の表面側にp型半導体ウェル領域13を形成し、その表面に、イオン注入によりフォトダイオードPDを形成する。その後、図示しない画素トランジスタを形成した後、層間絶縁膜15と配線16との形成を交互に繰り返すことにより、複数層本実施形態例では3層の配線16を有する配線層14を形成する。そして、配線層14上部に、色毎にカラーフィルタ層18をパターンニング形成することで、画素2毎に異なるカラーフィルタ層18を形成する。これらの工程は、一般的な固体撮像装置と同様の製造方法を適用することができる。次に、図3Bに示すように、カラーフィルタ層18上部に有機樹脂系材料、特に、アクリル系樹脂材料、スチレン系樹脂材料、又はエポキシ系樹脂材料からなる平坦化膜19を形成する。平坦化膜19を薄く平坦化するためには、熱硬化性に加えて、熱可塑性も同時に有する樹脂材料を用いることが好ましい。平坦化膜19は、上記材料をカラーフィルタ層18上部にスピンコーディング法により塗布し、カラーフィルタ層18等の耐熱劣化が起こらない温度、例えば200~300°Cにて数分間熱硬化処理を行うことにより形成する。そして、平坦化膜19を形成することにより、カラーフィルタ層18表面の凹凸が平坦化される。次に、図4Cに示すように、平坦化膜19上に応力緩和層20を形成する。応力緩和層20は、例えばプラズマCVD法を用いてSiN、SiO、SiON等を上記と同様に200~230°Cの処理温度で形成する。次に、図4Dに示すように、応力緩和層20上部に、無機マイクロレンズ21を構成する無機マイクロレンズ層21aを形成する。無機マイクロレンズ層21aは、例えばプラズマCVD法を用いてSiN等の無機材料を、200~230°Cの処理温度で形成する。次に、図5Eに示すように、無機マイクロレンズ層21a上部に、所望の領域が開口されたレジストマスク24を形成する。このレジストマスク24は、レジスト層を塗布し、フォトリソグラフィーによりパターニングすることにより形成する。本実施形態例では、撮像画素2a上部が開口されるようにレジストマスクを形成する。次に、図5Fに示すように、レジストマスク24を熱リフローし、レジストマスク24がレンズ形状となるように処理する。ここでも、下の層を劣化させない処理温度で処理する。次に、レジストマスク24を介してエッチング加工を行うことにより、図6Gに示すように、無機マイクロレンズ層21aにレジストマスク24の形状を転写し、半球状の無機マイクロレンズ21を形成する。無機マイクロレンズ21を構成するSiN等の無機材料層のエッチングは、例えば、CF4/O2ガスなどを用いたプラズマエッチング法により行う。なお、図6Gでは、全面に一層無機マイクロレンズ層21aが残るようにエッチングされているが、無機マイクロレンズ21が形成される領域以外に無機マイクロレンズ層21aが残らないようにエッチングしてもよい。次に、図6Hに示すように、無機マイクロレンズ21が形成されていない画素2、本実施形態例では撮像画素2aの上部に、有機材料からなる有機マイクロレンズ層22aを形成する。この有機マイクロレンズ層22aは、画素領域3全面に有機材料層を塗布した後、一般的な方法と同様にしてパターニングすることで形成する。次に、有機マイクロレンズ層22aを熱リフローすることにより、図7Iに示すように、半球状の有機マイクロレンズ22を形成する。その後、無機マイクロレンズ21、及び有機マイクロレンズ22表面にLTO、又はSiOCからなる反射防止膜23を形成することにより、図2に示した固体撮像装置1が完成する。本実施形態例では、無機マイクロレンズ21は耐熱性、耐光性に優れた無機材料で形成されている。このため、無機マイクロレンズ21の形状や表面へのダメージをほとんど発生させることなく、有機マイクロレンズ22を形成することができる。これにより、屈折率の異なるレンズを容易に形成できる。また、無機マイクロレンズ21が無機材料で構成されるため、有機材料からなる有機マイクロレンズ22の作成時にリフロー温度の設定範囲が広がる。図2に示すように、有機材料からなる有機マイクロレンズ22を挟むように無機マイクロレンズ21を形成した場合には、有機マイクロレンズ層22aのリフロー時に、有機材料の滑りが無機マイクロレンズ21の裾で止まる。これにより、有機マイクロレンズ層22aのリフロー時の滑り特性が緩やかになり、有機マイクロレンズ22の形状制御性が向上する。以上のように、本実施形態例の固体撮像装置1では、最適な屈折率が異なる撮像画素2aと位相差検出画素2bとで、それぞれ最適な屈折率を有するマイクロレンズを形成することができる。また、無機材料からなる無機マイクロレンズ21を形成した後で、有機材料からなる有機マイクロレンズ22を形成することで、レンズ性能を損なうことなく、屈折率の異なる2種類のマイクロレンズを形成することができる。本実施形態例では、オートフォーカス用の位相差検出画素2bを所望の領域に形成する例としたが、市松状に設けてもよい。市松状に設けた場合には、有機マイクロレンズ22を形成する領域の四方が無機マイクロレンズ21で囲まれるため、有機材料の熱リフロー時における樹脂の滑りが無機材料からなるマイクロレンズの裾でとまる。これにより、有機材料からなるマイクロレンズを精度良く形成することができる。<2.第2の実施形態:固体撮像装置>[2-1固体撮像装置の要部の構成]次に、本開示の第2の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。図8に、本実施形態例の固体撮像装置30の要部の断面構成を示す。本実施形態例の固体撮像装置30の全体構成は、図1と同様であるから、図示を省略し、重複説明を省略する。また、図8において、図2に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。本実施形態例の固体撮像装置30は、画素2を、赤R、緑G、青Bのベイヤー配列とし、各画素2の色毎に、異なる屈折率のマイクロレンズを形成する例である。本実施形態例では、緑色画素2Gに無機マイクロレンズ31を形成し、青色画素2Bに第1の有機マイクロレンズ32を形成し、赤色画素2Rに第2の有機マイクロレンズ33を形成する。光は波長が長いほど屈折率が小さい。このため、無機マイクロレンズ31の屈折率n1と、第1の有機マイクロレンズ32の屈折率n2と、第2の有機マイクロレンズ33の屈折率n3との大小関係をn1>n2>n3とすることで、各画素2で入射した光の焦点位置が基板12表面となるように調整する。[2-2固体撮像装置の製造方法]図9~図12に、本実施形態例の固体撮像装置30の製造工程を示す断面図を示す。また、図13A~Cに、本実施形態例の固体撮像装置30の製造工程に対応した平面図を示す。まず、図3A~図4Cと同様にして、画素2が形成された基板12上に、配線層14、カラーフィルタ層18、平坦化膜19、応力緩和層20を形成する。次に、図9Aに示すように、応力緩和層20上部の画素領域全面に、無機マイクロレンズ31を構成する無機マイクロレンズ層31aを形成する。無機マイクロレンズ層31aは、例えばプラズマCVD法を用いてSiN等の無機材料を、200~230°Cの処理温度で形成する。次に、図9Bに示すように、無機マイクロレンズ層31a上部に、緑色画素2G以外の領域が開口されたレジストマスク34を形成する。このレジストマスク34は、レジスト層を塗布し、フォトリソグラフィーによりパターニングすることにより形成する。次に、図10Cに示すように、レジストマスク34を熱リフローし、レジストマスク34がレンズ形状となるように処理する。ここでも、下の層を劣化させない処理温度で処理する。次に、図10Dに示すように、レジストマスク34を介してエッチング加工を行うことにより、無機マイクロレンズ層31aにレジストマスク34の形状を転写し、半球状の無機マイクロレンズ31を形成する。無機マイクロレンズ31を構成するSiN等の無機材料層のエッチングは、例えば、CF4/O2ガスなどを用いたプラズマエッチング法により行う。以上のようにして、緑色画素2G上部に無機材料からなる無機マイクロレンズ31を選択的に形成する。図13Aは、緑色画素2G上部に無機マイクロレンズ31を形成したときの平面構成図である。本実施形態例では、画素2はベイヤー配列とされているため、無機マイクロレンズ31は、図13Aに示すように、画素領域3に市松状に形成される。次に、図11Eに示すように、青色画素2Bの上部に、有機材料からなる第1の有機マイクロレンズ層32aを形成する。この第1の有機マイクロレンズ層32aは、画素領域全面に有機材料層を塗布した後、一般的な方法と同様にしてパターニングすることで形成する。次に、図11Fに示すように、第1の有機マイクロレンズ層32aを熱リフローすることにより、半球状の第1の有機マイクロレンズ32を形成する。第1の有機マイクロレンズ32は、入射した光の焦点位置が基板12表面となるような曲率を有するように形成する。図13Bは、青色画素2B上部に第1の有機マイクロレンズ32を形成したときの平面構成図である。本実施形態例では、画素2はベイヤー配列とされているため、第1の有機マイクロレンズ32は、市松状に形成された無機マイクロレンズ31に囲まれた位置に形成される。このため、第1の有機マイクロレンズ層32aをリフローする際に、第1の有機マイクロレンズ層32aを構成する有機材料の滑りが無機マイクロレンズの裾で止まる。これにより、第1の有機マイクロレンズ層32aのリフロー時の滑り特性が緩やかになり、第1の有機マイクロレンズ32の形状制御性が向上する。また、第1の有機マイクロレンズ32は、無機マイクロレンズ31に囲まれた領域に形成されるため、実質的にセルフアラインで形成される。次に、図12Gに示すように、赤色画素2Rの上部に、有機材料からなる第2の有機マイクロレンズ層33aを形成する。この第2の有機マイクロレンズ層33aは、画素領域全面に有機材料層を塗布した後、一般的な方法と同様にしてパターニングすることで形成する。次に、図12Hに示すように、第2の有機マイクロレンズ層33aを熱リフローすることにより、半球状の第2の有機マイクロレンズ33を形成する。第2の有機マイクロレンズ33は、入射した光の焦点位置が基板12表面となるような曲率を有するように形成する。図13Cは、赤色画素2R上部に第2の有機マイクロレンズ33を形成したときの平面構成図である。本実施形態例では、画素2はベイヤー配列とされているため、第2の有機マイクロレンズ33は、市松状に形成された無機マイクロレンズ31に囲まれた位置に形成される。このため、第2の有機マイクロレンズ層33aをリフローする際も、第2の有機マイクロレンズ層33aを構成する有機材料の平面方向の滑りが無機マイクロレンズ31の裾部で止まる。これにより、第2の有機マイクロレンズ層33aのリフロー時の滑り特性が緩やかになり、第2の有機マイクロレンズ33の形状制御性が向上する。また、第2の有機マイクロレンズ33は、無機マイクロレンズ31に囲まれた領域に形成されるため、実質的にセルフアラインで形成される。その後、図8に示すように、無機マイクロレンズ31、第1の有機マイクロレンズ32及び第2の有機マイクロレンズ33表面にLTO、又はSiOCからなる反射防止膜23を形成することにより、本実施形態例の固体撮像装置30が完成する。本実施形態例の固体撮像装置30では、第1の有機マイクロレンズ32、及び第2の有機マイクロレンズ33は、無機マイクロレンズ31の裾で止まるような構成としたが、一部、無機マイクロレンズ31の裾部に乗り上げるまでリフローしてもよい。第1の有機マイクロレンズ32及び第2の有機マイクロレンズ33の形状は熱リフロー時に制御可能であり、種々の選択が可能である。このように、本実施形態例では、始めに無機材料からなるマイクロレンズを市松状に形成し、その後、マイクロレンズが形成されていない領域に、有機材料からなるマイクロレンズを形成する。これにより、有機材料からなるマイクロレンズの形成時には、その周りに無機材料のマイクロレンズが既に形成されている。このため、有機材料からなるマイクロレンズのリフロー時における滑りが無機材料からなるマイクロレンズで抑えられるため、滑り特性が緩やかになり、形状制御性や形状自由度が向上する。これにより、所望の屈折率のレンズを容易に形成することができる。そして、四方が無機マイクロレンズで囲まれた領域に有機マイクロレンズを形成するため、リフロー時にはセルフアラインで有機マイクロレンズが形成される。その他、第1の実施形態と同様の効果を有する。また、上述の本実施形態例では、無機マイクロレンズ31を形成した後、第1の有機マイクロレンズ32、及び第2の有機マイクロレンズ33を形成する例としたが、これに限られるものではない。所定の位置に無機マイクロレンズを形成した後、その無機マイクロレンズとは異なる位置に、屈折率の異なる無機マイクロレンズを形成し、最後に有機マイクロレンズを形成するようにしてもよい。以上の第1及び第2の実施形態に係る固体撮像装置では、CMOS型の固体撮像装置を例に説明したが、CCD型固体撮像装置に適用することもできる。また、本開示では、可視光の入射光量の分布を検知して画像として撮像する固体撮像装置への適用に限らず、赤外線やX線、あるいは粒子等の入射量の分布を画像として撮像する固体撮像装置にも適用可能である。広義の意味として、圧力や静電容量など、他の物理量の分布を検知して画像として撮像する指紋検出センサ等の固体撮像装置物理量分布検知装置全般に対して適用可能である。さらに、本開示は、画素領域の各単位画素を行単位で順に走査して各単位画素から画素信号を読み出す固体撮像装置に限られるものではない。画素単位で任意の画素を選択して、当該選択画素から画素単位で信号を読み出すX-Yアドレス型の固体撮像装置に対しても適用可能である。なお、固体撮像装置はワンチップとして形成された形態であってもよいし、画素領域と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。また、本開示は、固体撮像装置への適用に限られるものではなく、撮像装置にも適用可能である。ここで、撮像装置とは、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラ等のカメラシステムや、携帯電話機などの撮像機能を有する電子機器のことを言う。なお、電子機器に搭載される上記モジュール状の形態、即ちカメラモジュールを撮像装置とする場合もある。<3.第3の実施形態:電子機器>次に、本開示の第3の実施形態に係る電子機器について説明する。図14は、本開示の第3の実施形態に係る電子機器200の概略構成図である。本実施形態に係る電子機器200は、固体撮像装置1と、光学レンズ201と、シャッタ装置202と、駆動回路205と、信号処理回路204とを有する。本実施形態例の電子機器200は、固体撮像装置1として上述した本開示の第1の実施形態における固体撮像装置を電子機器カメラに用いた場合の実施形態を示す。光学レンズ201は、被写体からの像光入射光を固体撮像装置1の撮像面上に結像させる。これにより固体撮像装置1内に一定期間当該信号電荷が蓄積される。シャッタ装置202は、固体撮像装置1への光照射期間および遮光期間を制御する。駆動回路205は、固体撮像装置1の転送動作およびシャッタ装置202のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路205から供給される駆動信号タイミング信号により、固体撮像装置1の信号転送を行なう。信号処理回路204は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶され、あるいはモニタに出力される。本実施形態例の電子機器200では、固体撮像装置1においてオンチップマイクロレンズのレンズ特性が向上し、集光特性の向上が図られるため、画質の向上が図られる。固体撮像装置1を適用できる電子機器200としては、カメラに限られるものではなく、デジタルスチルカメラ、さらには携帯電話機等のモバイル機器向けカメラモジュールなどの撮像装置に適用可能である。本実施形態例においては、固体撮像装置1として、第1の実施形態における固体撮像装置1を電子機器に用いる構成としたが、前述した第2の実施形態で製造した固体撮像装置を用いることもできる。なお、本開示は以下のような構成をとることができる。1光電変換部からなる画素が複数形成された基板と、前記基板上部に形成された無機材料からなる無機マイクロレンズと、前記無機マイクロレンズに隣接して形成され、裾部が前記無機マイクロレンズの裾部に接するか、又は乗り上げるようにして形成された有機材料からなる有機マイクロレンズと、を備える固体撮像装置。2前記基板上に形成された有機材料からなる平坦化膜を有し、前記平坦化膜と無機マイクロレンズとの間には、少なくとも1層以上の応力緩和層を有する1に記載の固体撮像装置。3前記無機マイクロレンズは、Si3N4、SiO2、SiON但し、0<X≦1,0<Y≦1のいずれかで形成されている1又は2に記載の固体撮像装置。4前記応力緩和層がSi3N4、SiO2、SiON但し、0<X≦1,0<Y≦1で表されるシリコン化合物から選ばれる少なくとも1つ以上の材料から形成されている1~3のいずれかに記載の固体撮像装置。5前記応力緩和層の屈折率が1.4~2.0である1~4のいずれかに記載の固体撮像素子。6前記応力緩和層は反射防止膜を兼ねる1~5のいずれかに記載の固体撮像装置。7前記無機マイクロレンズは、瞳分割された像を検出し、位相差検出用信号を出力する一対の位相差検出画素の上部に形成されており、前記有機マイクロレンズは、被写体像の画像信号を出力する撮像画素の上部に形成されており、前記無機マイクロレンズの屈折率は、前記有機マイクロレンズの屈折率よりも大きい1~6のいずれかに記載の固体撮像装置。8基板に、光電変換部を備える複数の画素を形成する工程と、前記基板に形成された所定の画素の上部に、無機材料からなる無機マイクロレンズを形成する工程と、前記無機マイクロレンズが形成されていない画素の上部に、有機材料からなる有機マイクロレンズを形成する工程と、を備える固体撮像装置の製造方法。9前記有機マイクロレンズを形成する工程では、有機材料からなる有機マイクロレンズ層をパターニングにより所定の画素の上部に形成する工程と、熱リフローにより有機マイクロレンズ層を変形させる工程とを有する8に記載の固体撮像装置の製造方法。10前記無機マイクロレンズは、市松状に形成する8又は9に記載の固体撮像装置の製造方法。11前記無機マイクロレンズを形成する前の工程において、前記基板上に有機材料からなる平坦化膜を形成する工程と、前記平坦化膜上に、少なくとも1層以上の応力緩和層を形成する工程と、備える8~10のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。12前記無機マイクロレンズは、Si3N4、SiO2、SiON但し、0<X≦1,0<Y≦1のいずれかで形成する8~11のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。13前記応力緩和層はSi3N4、SiO2、SiON但し、0<X≦1,0<Y≦1で表されるシリコン化合物から選ばれる少なくとも1つ以上の材料で形成する8~12のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。14前記応力緩和層は屈折率が1.4~2.0の材料で形成する8~13のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。15前記有機マイクロレンズの形成を繰り返すことにより、異なる屈折率を有する有機マイクロレンズを形成する8~14のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。16光学レンズと、光電変換部からなる画素が複数形成された基板と、前記基板上部に形成された無機材料からなる無機マイクロレンズと、前記無機マイクロレンズに隣接して形成され、裾部が前記無機マイクロレンズの裾部に接するか、又は乗り上げるようにして形成された有機材料からなる有機マイクロレンズと、を備える固体撮像装置であって、前記光学レンズに集光された光が入射される固体撮像装置と、前記固体撮像装置から出力される出力信号を処理する信号処理回路と、を備える電子機器。"