"第1の誘電体基板の内層又は裏面に施されている平板状接地導体と、上記第1の誘電体基板の表層に設けられている第1の信号バンプ搭載用パッドと、上記第1の誘電体基板の表層において上記第1の信号バンプ搭載用パッドの周辺に設けられている複数の第1の接地バンプ搭載用パッドと、一端が上記第1の接地バンプ搭載用パッドと接続され、他端が上記第1の信号バンプ搭載用パッドとの距離が離れる方向に延伸されている形態で上記第1の誘電体基板の表層に施されている複数の第1の接地導体と、上記第1の接地導体の他端と上記平板状接地導体の間に接続されている複数の第1の柱状導体と、上記複数の第1の柱状導体の間に接続されている形態で上記第1の誘電体基板の表層に施されている第2の接地導体と、上記第2の接地導体と上記平板状接地導体の間に接続されている第2の柱状導体と、上記第1の接地導体の一部を覆う形態で上記第1の接地バンプ搭載用パッドの外周を囲んでいる絶縁コーティング材と、第2の誘電体基板の裏層に設けられている第2の信号バンプ搭載用パッドと、上記第2の誘電体基板の裏層において上記第2の信号バンプ搭載用パッドの周辺に設けられている複数の第2の接地バンプ搭載用パッドと、上記第1の信号バンプ搭載用パッドと上記第2の信号バンプ搭載用パッドの間に接続されている信号バンプと、上記第1の接地バンプ搭載用パッドと上記第2の接地バンプ搭載用パッドの間に接続されている複数の接地バンプとを備えた高周波信号接続構造。第1の誘電体基板の表層に設けられている第1の信号バンプ搭載用パッドと、上記第1の誘電体基板の表層において上記第1の信号バンプ搭載用パッドの周辺に設けられている複数の第1の接地バンプ搭載用パッドと、一端が上記第1の接地バンプ搭載用パッドと接続され、他端が上記第1の信号バンプ搭載用パッドとの距離が離れる方向に延伸されている形態で上記第1の誘電体基板の表層に施されている複数の第1の接地導体と、上記複数の第1の接地導体の他端の間に接続されている形態で上記第1の誘電体基板の表層に施されている第2の接地導体と、上記第1の接地導体の一部を覆う形態で上記第1の接地バンプ搭載用パッドの外周を囲んでいる絶縁コーティング材と、第2の誘電体基板の裏層に設けられている第2の信号バンプ搭載用パッドと、上記第2の誘電体基板の裏層において上記第2の信号バンプ搭載用パッドの周辺に設けられている複数の第2の接地バンプ搭載用パッドと、上記第1の信号バンプ搭載用パッドと上記第2の信号バンプ搭載用パッドの間に接続されている信号バンプと、上記第1の接地バンプ搭載用パッドと上記第2の接地バンプ搭載用パッドの間に接続されている複数の接地バンプとを備えた高周波信号接続構造。第1の接地導体の幅が第1の接地バンプ搭載用パッドの径より狭いことを特徴とする請求項1または請求項2記載の高周波信号接続構造。一端が第1の信号バンプ搭載用パッドと接続されている第1の信号線導体が第1の誘電体基板の表層に施され、上記第1の信号線導体の一部を覆う形態で上記第1の信号バンプ搭載用パッドの外周が絶縁コーティング材で囲まれており、上記第1の信号線導体の幅が上記第1の信号バンプ搭載用パッドの径より狭いことを特徴とする請求項1から請求項3のうちのいずれか1項記載の高周波信号接続構造。第2の接地導体の導体形状が閉じた形状であり、上記第2の接地導体が第1の信号バンプ搭載用パッドを取り囲んでいることを特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか1項記載の高周波信号接続構造。第1の誘電体基板の平面方向に延伸されている形態で上記第1の誘電体基板の内層に施されている第2の信号線導体と、上記第2の信号線導体の一端と第1の信号バンプ搭載用パッドの間に接続されている第3の柱状導体と、上記第1の誘電体基板の平面方向に延伸されている形態で上記第1の誘電体基板の裏層又は内層に施されている第3の信号線導体と、上記第2の信号線導体の他端と上記第3の信号線導体の間に接続されている第4の柱状導体とを備えていることを特徴とする請求項1から請求項5のうちのいずれか1項記載の高周波信号接続構造。第1の誘電体基板の平面方向に延伸されている形態で上記第1の誘電体基板の内層に施されている第2の信号線導体と、上記第2の信号線導体の一端と第1の信号線導体の間に接続されている第3の柱状導体と、上記第1の誘電体基板の平面方向に延伸されている形態で上記第1の誘電体基板の裏層又は内層に施されている第3の信号線導体と、上記第2の信号線導体の他端と上記第3の信号線導体の間に接続されている第4の柱状導体とを備えていることを特徴とする請求項4記載の高周波信号接続構造。2つの第1の信号バンプ搭載用パッドが隣接して設けられていることを特徴とする請求項1から請求項7のうちのいずれか1項記載の高周波信号接続構造。第2の誘電体基板の平面方向に延伸されている形態で上記第2の誘電体基板の内層に施されている第4の信号線導体と、上記第4の信号線導体の一端と第2の信号バンプ搭載用パッドの間に接続されている第5の柱状導体と、上記第2の誘電体基板の平面方向に延伸されている形態で上記第2の誘電体基板の表層又は内層に施されている第5の信号線導体と、上記第4の信号線導体の他端と上記第5の信号線導体の間に接続されている第6の柱状導体とを備えていることを特徴とする請求項1から請求項8のうちのいずれか1項記載の高周波信号接続構造。従来の高周波信号接続構造は以上のように構成されているので、接地バンプ用パッドも信号バンプ用パッドと同様に島状のパッドを採用し、絶縁コーティング材の開口サイズを信号線導体及び接地導体サイズと比べて大きくすれば、バンプ形状の均一性と寄生容量の低減を実現することができる。しかし、接地バンプ用パッドは内層接地導体と短絡する必要であり、短絡用の柱状導体スルーホール、VIAホールは接地バンプ用パッドと1対1で対応することから、短絡用の柱状導体のピッチが接地バンプのピッチに制限を受けることになる。このため、高周波信号接続構造から外部に漏洩する不要なエネルギーの抑圧が不十分シールド効果が不十分になるなどの課題があった。この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、バンプ形状の均一性の維持、シールド効果の向上及び高周波信号の伝送特性劣化の低減を同時に実現することができる高周波信号接続構造を得ることを目的とする。この発明に係る高周波信号接続構造は、第1の誘電体基板の内層又は裏面に施されている平板状接地導体と、第1の誘電体基板の表層に設けられている第1の信号バンプ搭載用パッドと、第1の誘電体基板の表層において第1の信号バンプ搭載用パッドの周辺に設けられている複数の第1の接地バンプ搭載用パッドと、一端が第1の接地バンプ搭載用パッドと接続され、他端が第1の信号バンプ搭載用パッドとの距離が離れる方向に延伸されている形態で第1の誘電体基板の表層に施されている複数の第1の接地導体と、第1の接地導体の他端と平板状接地導体の間に接続されている複数の第1の柱状導体と、複数の第1の柱状導体の間に接続されている形態で第1の誘電体基板の表層に施されている第2の接地導体と、第2の接地導体と平板状接地導体の間に接続されている第2の柱状導体と、第1の接地導体の一部を覆う形態で第1の接地バンプ搭載用パッドの外周を囲んでいる絶縁コーティング材と、第2の誘電体基板の裏層に設けられている第2の信号バンプ搭載用パッドと、第2の誘電体基板の裏層において第2の信号バンプ搭載用パッドの周辺に設けられている複数の第2の接地バンプ搭載用パッドと、第1の信号バンプ搭載用パッドと第2の信号バンプ搭載用パッドの間に接続されている信号バンプと、第1の接地バンプ搭載用パッドと第2の接地バンプ搭載用パッドの間に接続されている複数の接地バンプとを備えるようにしたものである。この発明によれば、第1の誘電体基板の内層又は裏面に施されている平板状接地導体と、第1の誘電体基板の表層に設けられている第1の信号バンプ搭載用パッドと、第1の誘電体基板の表層において第1の信号バンプ搭載用パッドの周辺に設けられている複数の第1の接地バンプ搭載用パッドと、一端が第1の接地バンプ搭載用パッドと接続され、他端が第1の信号バンプ搭載用パッドとの距離が離れる方向に延伸されている形態で第1の誘電体基板の表層に施されている複数の第1の接地導体と、第1の接地導体の他端と平板状接地導体の間に接続されている複数の第1の柱状導体と、複数の第1の柱状導体の間に接続されている形態で第1の誘電体基板の表層に施されている第2の接地導体と、第2の接地導体と平板状接地導体の間に接続されている第2の柱状導体と、第1の接地導体の一部を覆う形態で第1の接地バンプ搭載用パッドの外周を囲んでいる絶縁コーティング材と、第2の誘電体基板の裏層に設けられている第2の信号バンプ搭載用パッドと、第2の誘電体基板の裏層において第2の信号バンプ搭載用パッドの周辺に設けられている複数の第2の接地バンプ搭載用パッドと、第1の信号バンプ搭載用パッドと第2の信号バンプ搭載用パッドの間に接続されている信号バンプと、第1の接地バンプ搭載用パッドと第2の接地バンプ搭載用パッドの間に接続されている複数の接地バンプとを備えるように構成したので、バンプ形状の均一性の維持、シールド効果の向上及び高周波信号の伝送特性劣化の低減を同時に実現することができる効果がある。実施の形態1.図1はこの発明の実施の形態1による高周波信号接続構造を示す断面図である。図1aは図1bのB-B’面に相当する断面図であり、図1bは図1aにおけるA-A’面についての断面図である。また、図1cは図1aにおけるC-C’面についての断面図である。最初に、図1の高周波信号接続構造の構成を簡単に説明する。誘電体基板1は第1の誘電体基板を構成し、誘電体基板2は第2の誘電体基板を構成しており、誘電体基板1と誘電体基板2は異なる誘電体基板である。平板状接地導体11は誘電体基板1の内層に施されている導体である。図1の例では、平板状接地導体11が誘電体基板1の内層に施されているが、誘電体基板1の裏面に施されていてもよい。信号バンプ搭載用パッド12は誘電体基板1の表層に設けられているパッドである。なお、信号バンプ搭載用パッド12は第1の信号バンプ搭載用パッドを構成している。信号線導体パターン13は一端が信号バンプ搭載用パッド12と接続されている形態で誘電体基板1の表層に施されている導体である。なお、信号線導体パターン13は第1の信号線導体を構成している。接地バンプ搭載用パッド14は誘電体基板1の表層において信号バンプ搭載用パッド12の周辺に設けられているパッドである。なお、接地バンプ搭載用パッド14は第1の接地バンプ搭載用パッドを構成している。接地導体15は一端が接地バンプ搭載用パッド14と接続され、他端が信号バンプ搭載用パッド12との距離が離れる方向に延伸されている形態で誘電体基板1の表層に施されている導体である。なお、接地導体15は第1の接地導体を構成している。ランド導体16は信号線導体パターン13が配置される領域を除く領域に施されており、接地導体15の他端と接地導体18が接続されている。柱状導体17はランド導体16と平板状接地導体11の間に接続されている導体である。なお、柱状導体17は第1の柱状導体を構成している。接地導体18は隣り合っている柱状導体17と柱状導体17の間に接続されている形態で誘電体基板1の表層に施されている導体である。なお、接地導体18は第2の接地導体を構成している。ランド導体19は接地導体18の一部に配置されている導体である。柱状導体20はランド導体19と平板状接地導体11の間に接続されている導体である。なお、柱状導体20は第2の柱状導体を構成している。絶縁コーティング材21は誘電体基板1の表層に形成されている各種導体の上部に配置されており、絶縁コーティング材21は、接地導体15の一部を覆う形態で接地バンプ搭載用パッド14の外周を囲んでいる。また、信号線導体パターン13の一部を覆う形態で信号バンプ搭載用パッド12の外周を囲んでいる。絶縁コーティング材開口22は信号バンプ搭載用パッド12を露出させるための開口である。絶縁コーティング材開口23は接地バンプ搭載用パッド14を露出させるための開口である。絶縁コーティング材開口24は柱状導体17,20がスルーホールで形成された場合、絶縁コーティング材21がスルーホールの穴に流入することを防ぐ目的で設けられている開口である。信号バンプ搭載用パッド31は誘電体基板2の裏層に設けられているパッドである。なお、信号バンプ搭載用パッド31は第2の信号バンプ搭載用パッドを構成している。接地バンプ搭載用パッド32は誘電体基板2の裏層において信号バンプ搭載用パッド31の周辺に設けられているパッドである。なお、接地バンプ搭載用パッド32は第2の接地バンプ搭載用パッドを構成している。信号バンプ33は信号バンプ搭載用パッド12と信号バンプ搭載用パッド31の間に接続されているバンプである。接地バンプ34は接地バンプ搭載用パッド14と接地バンプ搭載用パッド32の間に接続されているバンプである。信号線導体35は誘電体基板2の表層に施されている導体である。柱状導体36は信号バンプ搭載用パッド31と信号線導体35の間に接続されている導体である。接地導体37は誘電体基板2の内層に施されている導体である。柱状導体38は接地バンプ搭載用パッド32と接地導体37の間に接続されている導体である。次に、図1の高周波信号接続構造の具体的な構成と作用について説明する。この実施の形態1では、図1に示すように、誘電体基板1の内層には平板状接地導体11が形成され、誘電体基板1の表層には信号バンプ搭載用パッド12と接地バンプ搭載用パッド14が形成されており、信号バンプ搭載用パッド12と接地バンプ搭載用パッド14は電気的に隔離されている。また、接地バンプ搭載用パッド14は、信号バンプ搭載用パッド12を取り囲むように、4つ配置されている。信号バンプ搭載用パッド12は、信号線導体パターン13と導通しており、信号線導体パターン13と平板状接地導体11によってマイクロストリップ線路が構成されている。接地バンプ搭載用パッド14は、図1に示すように、接地導体15と導通しており、接地導体15は、信号バンプ搭載用パッド12との距離が離れる方向に延伸して、ランド導体16と導通している。ランド導体16と平板状接地導体11は、柱状導体17を介して導通している。図1では、柱状導体17が、穴壁面に導体パターンが形成されているスルーホールである例を示しているが、柱状導体17はスルーホールであるものに限るものではなく、例えば、穴内部を導体によって埋められているVIAホールなどでもよい。ランド導体16は、信号線導体パターン13が配置されている領域を除き、互いに接地導体18によって導通されている。接地導体18の一部にはランド導体19が配置されており、ランド導体19と平板状接地導体11は、柱状導体20を介して導通している。誘電体基板1の表層に形成されている各種導体の上部には、絶縁コーティング材21が施されており、絶縁コーティング材21には、信号バンプ搭載用パッド12が露出するように絶縁コーティング材開口22が設けられ、また、接地バンプ搭載用パッド14が露出するように絶縁コーティング材開口23が設けられている。ここで、絶縁コーティング材開口22の径Ws2は、信号バンプ搭載用パッド12の径Ws1と比べて大きく、絶縁コーティング材開口23の径Wg2は、接地バンプ搭載用パッド14の径Wg1と比べて大きい。また、柱状導体17,20がスルーホールで形成された場合、絶縁コーティング材21がスルーホールの穴に流入することを防ぐ目的で、絶縁コーティング材21には、絶縁コーティング材開口24が設けられている。信号バンプ搭載用パッド12の上部には信号バンプ33が形成され、接地バンプ搭載用パッド14の上部には接地バンプ34が形成されている。ここで、信号バンプ33及び接地バンプ34の底面サイズは、信号バンプ搭載用パッド12及び接地バンプ搭載用パッド14のサイズとほぼ同等である。これにより、信号バンプ搭載用パッド12の径Ws1と接地バンプ搭載用パッド14の径Wg1を同等サイズに選び、信号線導体パターン13の幅Ws3が信号バンプ搭載用パッド12の径Ws1より狭く、接地導体15の幅Wg3が接地バンプ搭載用パッド14の径Wg1より狭くすることで、信号バンプ33と接地バンプ34のバンプ形状の均一性を確保することができる。信号バンプ33は、誘電体基板1とは別の誘電体基板2の裏面に設けられている信号バンプ搭載用パッド31に導通し、接地バンプ34は、誘電体基板2の裏面に設けられている接地バンプ搭載用パッド32に導通している。誘電体基板2の表層には信号線導体35が施されており、信号バンプ搭載用パッド31と信号線導体35は、柱状導体36によって導通している。誘電体基板2の内層には、接地導体37が施されており、接地バンプ搭載用パッド32と接地導体37は、柱状導体38によって導通している。以上の構成により、誘電体基板1を伝送する高周波信号と、誘電体基板2を伝送する高周波信号との高周波信号接続が実現される。平板状接地導体11と誘電体基板1の表層に配置されている各種接地導体との間、あるいは、平板状接地導体11と誘電体基板2の裏面に配置されている接地導体との間には、不要な平行平板モードが発生し得る。この平行平板モードは、図1の高周波信号接続構造の外部への漏洩エネルギーの増加に起因しており、この平行平板モードによって、他の端子への不要な結合による不安定動作や、信号伝送特性の劣化を招く可能性がある。漏洩エネルギーを抑圧し、シールド効果を高めるためには、接地バンプ34のピッチに相当する接地バンプ搭載用パッド14のピッチPb1と、柱状導体17,20のピッチの最小ピッチPt1とを、伝送させる高周波信号の波長と比べて、十分に小さくすることが必要である。図2は図1bに示す誘電体基板1の表層パターンを従来技術で構成した場合の断面図である。各部の符号については図1と同様である。図2の構成では、接地バンプ搭載用パッド14と柱状導体17が1対1で対応しており、各々が図1における平板状接地導体11に相当する接地導体に接続される。柱状導体17がスルーホールで構成されている場合、バンプ構成用はんだがスルーホールの内部へ流入することを防ぐため、図2に示すように、柱状導体17は接地バンプ搭載用パッド14の位置から隔離距離Lpt2だけ隔てた位置に設けられる。また、柱状導体17がVIAホールである場合でも、パッドの平坦性を確保する目的で、同様に隔離距離Lpt2を確保する場合がある。図2では、計4箇所の接地用導体15の形状が同一であり、接地バンプ搭載用パッド14は一辺のピッチがPb2の正方形形状に配置されている。また、柱状導体17も同様に一辺ピッチがPt2の正方形形状に配置されており、Pb2=Pt2である。つまり、従来技術においては、柱状導体17のピッチPt2は、接地バンプ搭載用パッド14のピッチPb2に制限される。局所的にPt2<Pb2を実現することは可能であるが、他の部分において、Pt2>Pb2となる箇所が発生するため、柱状導体17のピッチPt2をピッチPb2以下に配置することが困難である。また、接地バンプの形成領域が中空である場合、誘電体基板1の内部は基板の誘電率による波長短縮が起こるため、接地バンプ搭載用パッド14のピッチと比べて、柱状導体17のピッチはより密に配置する必要があり、図2の構成では、これの実現が困難である。また、隔離距離Lpt2を確保するため、接地バンプ搭載用パッド14のピッチPb2を小さくすることにも限界がある。一方、図1の構成では、柱状導体17,20のピッチPt1は、接地バンプ搭載用パッド12のピッチPb1の影響を受けずに、Pt1<Pb1の実現が可能であり、誘電体基板1の内部における漏洩エネルギーを低減することが可能になる。また、接地バンプ搭載用パッド14のピッチは、図2に示す隔離距離Lpt2の影響を受けないため、Pb1<Pb2の実現が可能であり、バンプ形成部における漏洩エネルギーを低減することが可能になる。以上より、従来構造と比べて、シールド効果を高めることが可能になる。図3はシールド効果を確認するために実施した漏洩エネルギーの計算結果を示す説明図である。この計算には有限要素法を用いた3次元電磁界シミュレーションを適用している。図3において、実線は図1の高周波信号接続構造による計算結果を示し、破線は図2の従来技術の構造による計算結果を示している。ここで、誘電体基板1の比誘電率は3.4、バンプ形成部は中空、Pb1=Pb2=Pt2=1.8mm、Pt1=1.1mmの条件で計算している。グラフ横軸は周波数であり、グラフ縦軸は入力電力と漏洩電力の比をdBで表記している。図3より、本発明の構造を採用することで、漏洩エネルギーレベルが1.5dB程度低減されて、改善していることが確認される。この実施の形態1では、ランド導体16,19の径と比べて、接地導体15,18の幅が狭い例を示したが、逆の関係でもよく、接地導体18がランド導体16,19を含有していてもよい。また、この実施の形態1では、接地導体15が信号バンプ搭載用パッド12から放射状に離れる方向へ延伸している例を示したが、二つの接地導体15が平行に延伸していても構わない。また、この実施の形態1では、接地バンプ搭載用パッド14を4つ配置している例を示したが、接地バンプ搭載用パッド14を2つ又は3つ配置するようにしてもよいし、接地バンプ搭載用パッド14を5つ以上配置するようにしてもよい。この実施の形態1では、信号線導体パターン13と平板状接地導体11によってマイクロストリップ線路を構成する例を示したが、他の線路形式を適用してもよく、例えば、信号線導体パターン13が誘電体基板1の内層に配置される埋め込み型マイクロストリップ線路、あるいは、信号線導体パターン13の上下層に接地導体を有するストリップ線路を適用してもよい。また、この実施の形態1では、隣り合う柱状導体17の間に2つの柱状導体20を3箇所に配置している例を示したが、柱状導体20の個数は、これに限るものではなく、少なくとも一組の隣り合う柱状導体17の間に少なくとも1つの柱状導体20を配置するようにすればよい。この実施の形態1では、絶縁コーティング材21の形状が、接地導体15,18がほぼ全て覆われている形状である例を示したが、バンプ形成が可能であれば、これ以外の形状でもよく、バンプ形成用に接地導体15の一部を覆う構成を適用してもよい。また、この実施の形態1では、信号線導体35を誘電体基板2の表層に施している例を示したが、誘電体基板2の内層に施されていてもよい。また、接地導体37は誘電体基板2の内層に施している例を示したが、誘電体基板2の表層に施されていてもよい。以上より、この実施の形態1によれば、バンプ形状の均一性の維持、シールド効果の向上及び高周波信号の伝送特性劣化の低減を同時に実現することができる効果を奏する。実施の形態2.図4はこの発明の実施の形態2による高周波信号接続構造を示す断面図である。図4aは図4bのB-B’面に相当する断面図であり、図4bは図4aにおけるA-A’面についての断面図である。図4では、図1における平板状接地導体11が除去されており、これに伴って、柱状導体17,20が除去されている。接地導体15は信号バンプ搭載用パッド12との距離が離れる方向へ延伸しており、接地導体15は、信号線導体パターン13が配置される領域を除き、互いに接地導体18によって導通されている。信号線導体パターン13と接地導体18によってコプレーナ線路が構成されている。その他の構造については、図1の構造と同様である。図4の構造では、誘電体基板1の内層及び裏面に平板状接地導体11が施されていないため、誘電体基板1内での平行平板モードの伝搬を排除することが可能になる。また、上記実施の形態1でも述べたように、接地バンプ搭載用パッド14のピッチPb1が、図2に示す隔離距離Lpt2の影響を受けずに、Pb1<Pb2の実現が可能になる。このため、バンプ形成部における漏洩エネルギーを低減することが可能になる。また、図4の構造では、信号バンプ33と接地バンプ34の形状均一性を維持することができる。以上より、この実施の形態2によれば、バンプ形状の均一性の維持、シールド効果の向上及び高周波信号の伝送特性劣化の低減を同時に実現することができる効果を奏する。実施の形態3.図5はこの発明の実施の形態3による高周波信号接続構造を示す断面図である。図5aは図5bのB-B’面に相当する断面図であり、図5bは図5aにおけるA-A’面についての断面図である。また、図5cは図5aにおけるC-C’面についての断面図であり、図5dは図5bにおけるD-D’面についての断面図である。図5において、図1と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。信号線導体41は誘電体基板1の平面方向に延伸されている形態で誘電体基板1の内層に施されている導体である。なお、信号線導体41は第2の信号線導体を構成している。ランド導体42は信号線導体パターン13と接続されている導体である。柱状導体43はランド導体42と信号線導体41の間に接続されている導体である。なお、柱状導体43は第3の柱状導体を構成している。図5の例では、柱状導体43がランド導体42と信号線導体41の間に接続されているが、柱状導体43が信号バンプ搭載用パッド12と信号線導体41の間に接続されていてもよい。信号線導体44は誘電体基板1の平面方向に延伸されている形態で誘電体基板1の裏層又は内層に施されている導体誘電体基板1の内層に施される場合、信号線導体41より下部の層に施されるである。なお、信号線導体44は第3の信号線導体を構成している。柱状導体45は信号線導体41と信号線導体44の間に接続されている導体である。なお、柱状導体45は第4の柱状導体を構成している。平板状接地導体46は誘電体基板1の内層に施されている導体である。次に、図5の高周波信号接続構造の具体的な構成と作用について説明する。信号線導体パターン13は、ランド導体42と導通しており、ランド導体42は、柱状導体43を介して、誘電体基板1の内層に施されている信号線導体45と導通している。誘電体基板1の内層には板状接地導体11が施されており、平板状接地導体11、信号線導体41,44からストリップ線路が構成されている。図1の構造では、誘電体基板1の表層に施されている信号線導体パターン13との干渉を防ぐために、信号線導体パターン13が配置されている領域には、接地導体18を配置しない構成であったが、図5の構造では、信号線導体パターン1が内層に潜る構成となっているため、該部図5bの左側においても、接地導体18によってランド導体16が接続され、柱状導体20によって平板状接地導体11と導通する構造となっている。この結果、ランド導体16、接地導体18及びランド導体19の形状が、信号バンプ搭載用パッド12を取り囲むように閉じた導体形状となっている。その他の構造については、上記実施の形態1と同様である。図5の構造では、柱状導体17,20によって、高周波信号接続構造の周囲を囲むことが可能になり、誘電体基板1の内部における漏洩エネルギー低減効果をさらに高めることが可能となる。以上より、この実施の形態3によれば、バンプ形状の均一性の維持、シールド効果の向上及び高周波信号の伝送特性劣化の低減を同時に実現することができる効果を奏する。実施の形態4.図6はこの発明の実施の形態4による高周波信号接続構造を示す断面図である。図6aは図6bのB-B’面に相当する断面図であり、図6bは図6aにおけるA-A’面についての断面図である。また、図6cは図6aにおけるC-C’面についての断面図である。上記実施の形態1~3では、信号バンプ搭載用パッド12と信号線導体パターン13が1組だけ設けられているものを示したが、図6に示すように、2組の信号バンプ搭載用パッド12及び信号線導体パターン13が隣接して配置されていてもよい。これにより、一対の信号線導体パターン13によって差動信号を伝送することが可能である。その他の構造については、上記実施の形態1と同様である。図6の構造において、差動信号を伝送する際でも、図1の構造で不平衡伝送を行う場合と同様に、柱状導体17,20のピッチPt1は、接地バンプ搭載用パッド14のピッチPb1の影響を受けずに、誘電体基板1の内部における漏洩エネルギーの低減が可能になる。図6の例では、誘電体基板1の表層に信号線導体パターン13が施されているが、上記実施の形態3のように、誘電体基板1の内層に信号線導体パターン13が施されていてもよい。また、上記実施の形態2のように、平板状接地導体11が取り除かれた構成を採用してもよい。以上より、この実施の形態4によれば、バンプ形状の均一性の維持、シールド効果の向上及び高周波信号の伝送特性劣化の低減を同時に実現することができる効果を奏する。実施の形態5.図7はこの発明の実施の形態5による高周波信号接続構造を示す断面図である。図7aは図7bのB-B’面に相当する断面図であり、図7bは図7aにおけるA-A’面についての断面図である。また、図7cは図7aにおけるC-C’面についての断面図である。図において、図1と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。信号線導体51は誘電体基板2の平面方向に延伸されている形態で誘電体基板2の内層に施されている導体である。なお、信号線導体51は第4の信号線導体を構成している。柱状導体52は信号線導体51の一端と信号バンプ搭載用パッド31の間に接続されている導体である。なお、柱状導体52は第5の柱状導体を構成している。信号線導体53は誘電体基板2の平面方向に延伸されている形態で誘電体基板2の表層又は内層に施されている導体誘電体基板2の内層に施される場合、信号線導体51より上部の層に施されるである。なお、信号線導体53は第5の信号線導体を構成している。柱状導体54は信号線導体51の他端と信号線導体53の一端の間に接続されている導体である。なお、柱状導体54は第6の柱状導体を構成している。柱状導体55は信号線導体53の他端と信号線導体35の間に接続されている導体である。図7の構造では、図1の柱状導体36が複数に分かれており、柱状導体52が信号バンプ搭載用パッド31と導通し、柱状導体54が信号線導体51を介して柱状導体52と導通し、柱状導体55が信号線導体53を介して柱状導体54と導通し、柱状導体55が信号線導体35と導通する構造である。その他の構造については、上記実施の形態1と同様である。図7の構造では、柱状導体52と柱状導体54を誘電体基板2の平面方向内において異なる領域に配置し、柱状導体52と柱状導体54を信号線導体51によって誘電体基板2の平面方向へ接続する構造であることから、信号線導体51により構成される伝送線路の特性インピーダンスを誘電体基板2の厚み方向へ伝送する伝送線路の特性インピーダンスと比べて高く設計することが可能になる。信号線導体53についても同様に、高い特性インピーダンスに設計することが可能になる。バンプ接続部は、信号バンプ搭載用パッド12及び信号バンプ搭載用パッド31と周囲の接地導体との間に寄生の容量成分が発生し、周波数が高くなるにつれて、その影響が顕著になり、高周波特性に影響を与える。図7の構成を用いることにより、高インピーダンス線路により得られる誘導性素子が、上記の寄生容量成分を打ち消すため、高周波領域の伝送特性劣化の更なる改善が可能である。この実施の形態5では、誘電体基板2内の2箇所に信号線導体51,53を配置している例を示したが、1箇所あるいは3箇所以上に配置するようにしてもよい。また、誘電体基板1の内部に同様の構成を配置してもよく、誘電体基板1、誘電体基板2の双方に同様の構成を採用してもよい。以上より、この実施の形態5によれば、バンプ形状の均一性の維持、シールド効果の向上及び高周波信号の伝送特性劣化の低減を同時に実現することができる効果を奏する。なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。"