半導体装置を形成する基板上に、下層レジスト、金属層および上層レジストがこの順序で配された加工対象を準備する準備段階と、前記上層レジストにパターンを形成する上層パターン形成段階と、前記上層レジストのパターンを用いて、前記下層レジストが耐腐食性を有するエッチング液で前記金属層を腐食することにより、前記金属層にパターンを形成する金属パターン形成段階と、前記金属層のパターンに光を照射して、前記金属層のパターンのエッジから近接場光を発生させることにより、前記金属層の前記パターンよりも微細なパターンを前記下層レジストに形成する下層パターン形成段階と、前記下層レジストの前記パターンを前記基板上に転写する基板転写段階とを備える半導体装置形成方法。前記上層レジストは、ArFレジストであって、前記下層レジストは、EBレジストであって、前記金属パターン形成段階において、前記エッチング液は弱アルカリ性水溶液を用い、前記上層パターン形成段階および前記下層パターン形成段階において、ArFレーザのリソグラフィを用いる請求項1に記載の半導体装置形成方法。前記上層レジストおよび前記下層レジストは、ArFレジストであって、前記金属パターン形成段階において、前記エッチング液は弱アルカリ性水溶液を用い、前記上層パターン形成段階および前記下層パターン形成段階において、ArFレーザのリソグラフィを用いる請求項1に記載の半導体装置形成方法。しかしながら、近接場光は、到達できる距離が短いので、面に垂直な方向において、レジストに対するマスクの位置合わせが難しいといった課題がある。本発明の第1の態様においては、半導体装置を形成する基板上に、下層レジスト、金属層および上層レジストがこの順序で配された加工対象を準備する準備段階と、前記上層レジストにパターンを形成する上層パターン形成段階と、前記上層レジストのパターンを用いて、前記下層レジストが耐腐食性を有するエッチング液で前記金属層を腐食することにより、前記金属層にパターンを形成する金属パターン形成段階と、前記金属層のパターンに光を照射して、前記金属層のパターンのエッジから近接場光を発生させることにより、前記金属層の前記パターンよりも微細なパターンを前記下層レジストに形成する下層パターン形成段階と、前記下層レジストの前記パターンを前記基板上に転写する基板転写段階とを備える半導体装置形成方法を提供する。なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。図1から図9は、半導体装置形成方法を説明する工程図である。図1に示すように、準備段階において、基板10の一面に、下層レジスト12と、金属層の一例である近接場光生成層14と、上層レジスト16とを、この順序で積層することにより配して、加工対象を準備する。基板10は、半導体装置を形成可能な基板であればよく、例えば、シリコン等の半導体材料、GaAs等の化合物半導体材料、ガラス等の絶縁材料によって構成される。尚、この段階で、基板10に半導体装置が形成されていてもよい。下層レジスト12は、配線層をパターニングする。下層レジスト12は、基板10の一面に密着して形成される。下層レジスト12は、300nm以下の波長の光で感光するPMMA=ポリメタクリル酸メチル等のポジ型のEB=電子線レジストによって構成される。EBレジストの他の例は、αクロロエチルアクリレートとαメチルスチレンとの共重合体=ZEPである。下層レジストを構成する他のレジスト材料の例は、PMIPK=ポリメチルイソプロピニルケトン、ポリビニルケトン、ポリオレフィンスルホン、PBS=ポリブテンスルホンである。下層レジスト12の厚みの一例は、15nmから20nmである。下層レジスト12は、スピンコートまたは吹きつけ等によって基板10の一面の全面に塗布した後、プリベークにより仮硬化される。近接場光生成層14は、金属層の一例である。近接場光生成層14は、下端に近接場光を生成して、下層レジスト12を感光する。近接場光生成層14は、下層レジスト12の一面に密着して形成されている。近接場光生成層14は、真空蒸着によって形成されたアルミニウムにより構成される。尚、近接場光生成層14は、低温で蒸着することが好ましい。近接場光生成層14は、アルミニウム以外の金属によって構成してもよい。近接場光生成層14の厚みの一例は、50nmから100nmである。上層レジスト16は、下層レジスト12の破損を抑制しつつ、近接場光生成層14をパターニングする。上層レジスト16は、近接場光生成層14の一面に密着して形成されている。上層レジスト16は、ポジ型のArFレジストにより構成される。例えば、ArFレジスト材料として、脂環アクリレート樹脂、主脂環系材料等を適用できる。上層レジスト16の厚みの一例は、100nmである。上層レジスト16は、スピンコートまたは吹きつけ等によって近接場光生成層14の一面の全面に塗布した後、プリベークにより仮硬化される。次に、図2に示すように、上層パターン形成段階において、位相シフトマスク50を介して、ArFエキシマレーザから出射された193nmの波長のレーザ光54を上層レジスト16に照射して、位相シフト法により上層レジスト16をリソグラフィする。位相シフトマスク50は、透過部51と、位相シフト部52と、遮光部53とを有する。位相シフト部52は、透過部51に対して光の位相をシフトさせる。遮光部53は、透過部51と、位相シフト部52との間に配置され、レーザ光54を遮光する。透過部51、位相シフト部52、及び、遮光部53の幅の一例は、対象のパターンの約4倍である。これにより、上層レジスト16が、位相シフトマスク50の透過部51及び位相シフト部52による一次回折光によって、透過部51及び位相シフト部52よりも微細なパターンで露光される。この後、現像によって上層レジスト16の露光部分を除去する。この結果、透過部51及び位相シフト部52による一次回折光によって露光された領域の上層レジスト16が除去されて、上層レジスト16に開口20を含むパターンが形成される。上層レジスト16の開口20の幅は、例えば、約45nmである。この後、位相シフトマスク50を除去する。尚、2本の開口20が並列して形成されるが、以下の説明においては、1本のみを表示して説明する。次に、図3に示すように、金属パターン形成段階において、上層レジスト16のパターンをマスクとして用いて、エッチング液により近接場光生成層14を腐食する。エッチング液は、下層レジスト12が耐腐食性を有するものが適用される。従って、下層レジスト12は、エッチング液によって劣化しない。エッチング液の一例は、塩化第二鉄水溶液、フッ素化合物を含む水溶液等の弱アルカリ性水溶液である。エッチング液の他の例は、硫酸系、燐酸系、苛性ソーダである。湿式の腐食により、上層レジスト16の開口20から露出している領域から近接場光生成層14が除去されて、近接場光生成層14に開口24を含むパターンが形成される。湿式の腐食なので、近接場光生成層14は、エッチング液により等方に腐食される。従って、近接場光生成層14の開口24の上面の幅は、下面の幅よりも大きくなる。開口24の下面の幅は、下層レジスト12を露光するレーザ光の波長の193nmよりも小さい。開口24の幅の一例は、45nmである。次に、図4に示すように、上層レジスト16をO2アッシングによって除去する。次に、図5に示すように、ArFエキシマレーザのリソグラフィを用いて、マスクとして機能する近接場光生成層14に193nmの波長を有する偏光のレーザ光56を照射する。ここで、レーザ光の偏光方向は、開口24の幅方向である。ここで、近接場光生成層14の開口24は、レーザ光56の波長よりも小さい。従って、近接場光生成層14の開口24は、レーザ光56をほとんど伝搬させない。近接場光生成層14の開口24から露出している領域の下層レジスト12は、伝搬光によって露光しない。一方、近接場光生成層14の開口24の側壁には、表面プラズモンが生成される。これにより、近接場光生成層14の下端であって、開口24の両側のエッジから近接場光が発生する。この近接場光26は、急激に減衰する光である。従って、近接場光26は、開口24のエッジの近傍の領域の下層レジスト12へと局所的に入射する。この急激に減衰する近接場光により、当該領域の下層レジスト12を構成する分子の各電子が、異なる位相、異なる振幅、異なる方向で振動する。これにより、当該分子が化学反応を起こして露光する。この結果、近接場光26によって露光された露光領域28が、開口24の両側のエッジの下方の領域の下層レジスト12に、例えば約10nmの幅で形成される。尚、近接場光生成層14をアルミニウム以外の金属によって構成する場合、近接場光26の強度を強くするため、表面プラズモン共鳴を生じさせる波長の偏光により近接場光を発生させることが好ましい。次に、図6に示すように、近接場光生成層14を塩素系ガスによるドライエッチングによって除去する。塩素系ガスの一例は、Cl2、BCl3、SiCl4である。次に、図7に示すように、下層レジスト12を現像する。下層レジスト12は、ポジ型なので、感光された部分が除去される。これにより、下層レジスト12には、近接場光生成層14の開口24よりも微細な開口30を含むパターンが形成される。この結果、基板10の一部が開口30から露出する。次に、図8に示すように、基板転写段階において、蒸着によって、下層レジスト12と、開口30から露出した基板10の面とにリフトオフ層32を形成する。リフトオフ層32は、アルニミウム等の導電性材料によって構成される。次に、図9に示すように、下層レジスト12とともに、下層レジスト12の上面に形成されたリフトオフ層32をアセトン等の有機溶媒により除去する。これにより、下層レジスト12のパターンがリフトオフ層32に転写されることによって、パターニングされた半導体装置の一部を構成する配線層34が基板10の一面上に形成される。上述したように、近接場光生成層14を下層レジスト12の一面に密着して形成することができる。これにより、近接場光生成層14と下層レジスト12との間の面に垂直な方向の間隔の調整を簡略化しつつ、近接場光が、近接場光生成層14の開口24の下面から下層レジスト12へと効率よく入射することができる。この結果、下層レジスト12の下面までパターンを露光することができる。更に、近接場光生成層14は、下層レジスト12の一面に形成された状態で、パターニングされて、下層レジスト12のマスクとなる。従って、下層レジスト12に対する近接場光生成層14の位置合わせを簡略化することができる。上述したように、下層レジスト12が耐腐食性を有するエッチング液により、近接場光生成層14をパターニングしている。これにより、近接場光生成層14のパターニングの段階で、下層レジスト12の劣化を抑制できるので、近接場光によって、下層レジスト12を精度よくパターニングすることができる。上述した実施形態における各構成の材料、厚み等の数値、形状は適宜変更してよい。例えば、レジスト材料、露光用の光、エッチング液の組み合わせは適宜変更してよい。また、露光に使用する光源は、ArFエキシマレーザ以外の光源であってもよい。他の光源として、KrFエキシマレーザ等をあげることができる。下層レジスト12は、Arレジストであってもよい。この実施形態において、金属パターン形成段階では、例えば、塩化第二鉄水溶液、フッ素化合物を含む水溶液等の弱アルカリ性水溶液をエッチング液として用いることが好ましい。また、上層パターン形成段階及び下層パターン形成段階では、ArFレーザのリソグラフィーを用いることが好ましい。上述の実施形態では、線状のパターンを例にあげたが、円形状または正方形状等の他の形状のパターンを形成してもよい。図10は、円形状の開口124のパターンを説明する平面図である。近接場光生成層14に形成されるパターンとなる円形状の開口124の直径の一例は、45nmである。このパターンに偏光を照射すると、円形状の開口124の偏光方向の両端に近接場光26が生成される。この場合、最終的に得られるパターンの一例は、40nmの間隔で配置される直径20nmの2個の楕円形状である。以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段より前に、先立って等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上まず、、次に、等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。