"有機溶剤Xで現像を行うレジストパターン形成方法に用いられる感放射線性樹脂組成物であって、重合体Aと、感放射線性酸発生剤Bと、溶剤Cとを含有し、上記重合体Aは、下記式1-1ないし下記式1-7から選ばれる少なくとも1つの繰り返し単位a2を含むことを特徴とする感放射線性樹脂組成物。式1-1~1-7において、R1は水素原子、メチル基、またはトリフルオロメチル基である。R2は水素原子または炭素数1~4の置換もしくは非置換のアルキル基である。R3は水素原子またはメトキシ基である。Aは単結合、メチレン基、炭素数2~10の直鎖状もしくは分岐状の2価の炭化水素基、または酸素原子もしくは硫黄原子を有する2価の連結基である。Bは酸素原子またはメチレン基である。R4は単結合または2価の連結基である。R5は環状カーボネート構造を有する1価の有機基である。pは2~3の整数であり、mは0または1であり、nは0または1である。但し、nが0のとき、Aが単結合かつBがメチレン基であることはない。上記重合体Aが、下記式2-1ないし式2-4から選ばれる少なくとも1つの繰り返し単位a3をさらに含む請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。式2-1~2-4において、R6は水素原子、トリフルオロメチル基、または炭素数1~3のアルキル基である。R7はそれぞれ独立に、水素原子または水酸基である。R8は炭素数1~5の直鎖状もしくは分岐状のヒドロキシアルキル基である。Lは炭素数1~5のアルキル基で置換されていてもよい炭素数1~5の直鎖状もしくは分岐状の2価の炭化水素基である。Mは下記式M1ないし式M4のいずれかで示される基である。qは1~3の整数である。上記重合体Aが、下記式3で表される繰り返し単位a1をさらに含む請求項1または請求項2に記載の感放射線性樹脂組成物。式3において、R1は水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基である。R9は、相互に独立に、炭素数1~4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、または炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体である。但し、いずれか2つのR9が相互に結合して炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基またはその誘導体を形成していてもよい。基板上に感放射線性樹脂組成物を塗布してレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、このレジスト層にフォトマスクを介して放射線照射を行う露光工程と、有機溶剤Xで現像する現像工程とを備えてなるレジストパターン形成方法において、上記感放射線性樹脂組成物が、請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の感放射線性樹脂組成物であるレジストパターン形成方法。上記露光工程において、露光後、続けて露光を行う請求項4に記載のレジストパターン形成方法。上記有機溶剤Xが、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤および炭化水素系溶剤からなる群より選ばれる少なくとも1つの溶剤である請求項4または請求項5に記載のレジストパターン形成方法。上記露光工程において、ラインアンドスペースパターンを形成するフォトマスクを用いた第1の露光及び第2の露光を行い、上記第1の露光パターンと上記第2の露光パターンが互いに交差する請求項5または請求項6に記載のレジストパターン形成方法。しかしながら、いくつかの提案されたプロセスはあるものの、このような液浸露光プロセスを用い、且つ有機溶剤で現像を行うパターンニングに好適に用いられる具体的な材料の提案は、未だなされていないのが現状である。本発明は、このような従来技術の有する問題点に鑑みてなされたものであり、その課題とするところは、有機溶剤で現像を行うパターンニングに用いられ、液浸露光プロセスにも好適に用いることが可能な感放射線性樹脂組成物を提供することにある。本発明者らは上記課題を達成すべく鋭意検討した結果、樹脂成分に所定の構成成分を含有させることによって、上記課題を達成することが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、有機溶剤Xで現像を行うレジストパターン形成方法に用いられる感放射線性樹脂組成物であって、重合体Aと、感放射線性酸発生剤Bと、溶剤Cとを含有し、上記重合体Aは、下記式1-1ないし下記式1-7から選ばれる少なくとも1つの繰り返し単位a2を含むことを特徴とする感放射線性樹脂組成物である。式1-1~1-7において、R1は水素原子、メチル基、またはトリフルオロメチル基である。R2は水素原子または炭素数1~4の置換もしくは非置換のアルキル基である。R3は水素原子またはメトキシ基である。Aは単結合、メチレン基、炭素数2~10の直鎖状もしくは分岐状の2価の炭化水素基、または酸素原子もしくは硫黄原子を有する2価の連結基である。Bは酸素原子またはメチレン基である。R4は単結合または2価の連結基である。R5は環状カーボネート構造を有する1価の有機基である。pは2~3の整数であり、mは0または1であり、nは0または1である。但し、nが0のとき、Aが単結合、かつBがメチレン基であることはない。上記重合体Aが、下記式2-1ないし式2-4から選ばれる少なくとも1つの繰り返し単位a3をさらに含むことが好ましい。式2-1~2-4において、R6は水素原子、トリフルオロメチル基、または炭素数1~3のアルキル基である。R7はそれぞれ独立に、水素原子または水酸基である。R8は炭素数1~5の直鎖状もしくは分岐状のヒドロキシアルキル基である。Lは炭素数1~5のアルキル基で置換されていてもよい炭素数1~5の直鎖状もしくは分岐状の2価の炭化水素基である。Mは下記式M1ないし式M4のいずれかで示される基である。qは1~3の整数である。上記重合体Aが、下記式3で表される繰り返し単位a1をさらに含むことが好ましい。式3において、R1は水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基である。R9は、相互に独立に、炭素数1~4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、または炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体である。但し、いずれか2つのR9が相互に結合して炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基またはその誘導体を形成していてもよい。本発明は、基板上に感放射線性樹脂組成物を塗布してレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、このレジスト層にフォトマスクを介して放射線照射を行う露光工程と、有機溶剤Xで現像する現像工程とを備えてなるレジストパターン形成方法において、上記感放射線性樹脂組成物が、当該感放射線性樹脂組成物であるレジストパターン形成方法を含む。また、上記露光工程において、露光後、続けて露光を行うことが好ましい。上記有機溶剤Xが、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤および炭化水素系溶剤からなる群より選ばれる少なくとも1つの溶剤であることが好ましい。上記露光工程において、ラインアンドスペースパターンを形成するフォトマスクを用いた第1の露光及び第2の露光を行い、上記第1の露光パターンと上記第2の露光パターンが互いに交差することが好ましい。本発明の感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法では、露光により、酸を発生させた露光部が極性変化すること、及びこれにより有機溶剤Xに対して難溶化させることが可能となり、その結果、有機溶媒現像で容易かつ確実にパターニングが可能となる。ここで、極性変化とは樹脂成分となる重合体A中の酸解離性基が脱離することにより、酸解離性基の脱離前と後で極性が変化することをいう。本発明の感放射線性樹脂組成物及びこれを用いたレジストパターン形成方法によれば、DEによるパターンニングにおいて、DPのような第2のレジスト組成物を用いることなく、レジスト層を複数回露光処理することによってコンタクトホールパターンを形成することができ、アライメント精度スループットの面でDPよりも優れる。また、液浸露光プロセスにも好適に採用することができる。以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下の実施の形態に対し適宜変更、改良等が加えられたものも本発明の範囲に入る。<レジストパターン形成方法>本発明のレジストパターン形成方法の一実施形態について図面を用いて説明する。なお、本明細書中、ラインパターンとは、レジストパターンが、ライン部分とスペース部分とを有するLSであることをいう。1基板上へのレジスト層形成工程図1は、基板1上にレジスト層2を形成した後の状態の一例を断面図にて示す模式図である。基板1としては、特に限定されるものではなく、例えば、シリコンウェハ、アルミニウムで被覆されたウェハ等の従来公知の基板を使用することができる。また、感放射線性樹脂組成物の潜在能力を最大限に引き出すために、例えば、特公平6-12452号公報や特開昭59-93448号公報等に開示されているように、使用される基板上に有機系或いは無機系の反射防止膜を形成しておくこともできる。レジスト層2は、感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布することで形成することができる。感放射線性樹脂組成物は、後述する本発明の感放射線性樹脂組成物である。塗布する方法は、特に限定されるものではなく、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によって行なうことができる。なお、形成されるレジスト層2の厚さは特に限定されるものではないが、通常、10~1000nmであり、10~500nmであることが好ましい。また、感放射線性樹脂組成物を塗布した後、必要に応じて、プレベーク以下、PBともいうすることによって塗膜中の溶剤を揮発させてもよい。PBの加熱条件は、感放射線性樹脂組成物3の配合組成によって適宜選択されるが、通常、30~200°C程度であり、50~150°Cであることが好ましい。更に、環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するために、例えば、特開平5-188598号公報等に開示されているように、レジスト層上に保護膜を設けることもできる。また、レジスト層からの酸発生剤等の流出を防止するために、例えば、特開2005-352384号公報等に開示されているように、レジスト層上に液浸用保護膜を設けることもできる。なお、これらの技術は併用することができる。2露光工程図2に示すように、感放射線性樹脂組成物を用いて、基板1上にレジスト層2を形成した後に所用の領域に所定LSパターンのマスクを介し、任意に、水等の液浸液を介して、露光を露光部3に対して平面図の上方より行なう。更に図3に示すように、続けて第1の露光部3に対して交差するように第2の露光部4に対して平面図の上方より露光する。第1の露光部3と第2の露光部4とは直交することが好ましい。直交することにより、露光部3と露光部4とで囲まれた未露光部5において真円状のコンタクトホールパターンが形成しやすくなる。また、ドットパターンのマスクを使用することにより1回の露光でコンタクトホールを形成してもよい。なお、露光の際に、任意に水やフッ素系不活性液体等の液浸液を介してもよい。露光に使用される放射線としては、感放射線性樹脂組成物に含有される感放射線性酸発生剤B以下、酸発生剤Bともいうの種類に応じて、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等から適宜選定される。これらの中でも、ArFエキシマレーザー波長193nmやKrFエキシマレーザー波長248nmで代表される遠紫外線が好ましく、ArFエキシマレーザー波長193nmによる遠紫外線が特に好ましい。露光量等の露光条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成や添加剤の種類等に応じて適宜選定される。また、露光後に加熱処理であるベーク以下、PEBともいうを行なうことが好ましい。PEBを行なうことにより、感放射線性樹脂組成物中の酸解離性基または酸不安定基の解離反応を円滑に進行させることができる。PEBの温度条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成によって適宜選択されるが、通常、30~200°Cであり、50~170°Cであることが好ましい。3現像工程露光工程後に有機溶剤Xを用いた現像を行い、基板上にコンタクトホールパターンを形成する。有機溶剤Xの好適例としては、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、エーテル系溶剤、アミド系溶剤等の極性溶剤、および炭化水素系溶剤を用いることができる。ケトン系溶剤としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、アセトン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等が挙げられる。エステル系溶剤としては、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等が挙げられる。アルコール系溶剤としては、メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、n-ヘプチルアルコ;エチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤等を挙げることができる。エーテル系溶剤としては、上記グリコールエーテル系溶剤の他、ジオキサン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。アミド系溶剤としては、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド等が挙げられる。炭化水素系溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。これら有機溶剤Xの中でも酢酸ブチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、メチルアミルケトンが好ましい。上記の有機溶剤Xは、複数混合してもよいし、上記以外の溶剤や水と混合し使用してもよい。4リンス工程現像後のリンス工程では、アルカン系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤およびエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄することが好ましい。より好ましくは、現像の後に、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行なうことである。更により好ましくは、ネガ型現像の後に、アルコール系溶剤またはエステル系溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行なうことである。特に好ましくは、ネガ型現像の後に、炭素数6~8の1価アルコールを含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行なうことである。ここで、ネガ型現像後のリンス工程で用いられる炭素数6~8の1価アルコールとしては、直鎖状、分岐状、環状の1価アルコールが挙げられ、具体的には、1-ヘキサノール、1-ヘプタノール、1-オクタノール、2-ヘキサノール、2-ヘプタノール、2-オクタノール、3-ヘキサノール、3-ヘプタノール、3-オクタノール、4-オクタノール、ベンジルアルコールなどを用いることができ、好ましくは、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、2-ヘプタノールである。上記リンス液の各成分は、複数混合してもよいし、上記以外の有機溶剤と混合し使用してもよい。リンス液中の含水率は、10質量以下が好ましく、更により好ましくは5質量以下、特に好ましくは3質量以下である。含水率を10質量以下にすることで、良好な現像特性を得ることができる。リンス液には、更に界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。本発明のレジストパターン形成方法は、図3に示すように、レジストパターンのライン部が相互に交差するように形成することが好ましい。相互に交差する部分において、有機溶剤Xを用いた現像により基板上にコンタクトホールパターンが形成できる。<感放射線性樹脂組成物>感放射線性樹脂組成物は、露光により感放射線性酸発生剤から発生する酸の作用によって、組成物中に存する酸解離性基または酸不安定基が解離してカルボキシル基を生じ、その結果、露光部が有機溶剤Xに対して溶解性が低下し、未露光部が有機溶剤Xによって溶解、除去され、パターンを形成することができるものである。特にコンタクトホールパターンを形成するために好適である。以下、本発明の感放射線性樹脂組成物について説明する。当該感放射線性樹脂組成物は、酸不安定基を有する繰り返し単位を含む重合体Aと、酸発生剤Bと、溶剤Cとを含有する。なお、本明細書にいう酸不安定基と酸解離性基とは、酸によって解離する基をいい、特別異なる基をいうのではない。酸不安定基または酸解離性基を有し、有機溶剤Xに可溶な重合体が、酸の作用によりその酸不安定基または酸解離性基が解離してカルボキシル基となることにより、有機溶剤Xに不溶または難溶な重合体となる。<重合体A>重合体Aは、上記式1-1ないし下記式1-7から選ばれる少なくとも1つの繰り返し単位a2を含む。i繰り返し単位a2繰り返し単位a2は、それぞれ対応する下記式1a-1~下記式1a-7で表される単量体を重合させることにより得られる。式1a-1~式1a-7において、R1、R2、R3、R4、R5、A、B、p、m、nは、式1-1~式1-7におけるそれらと同義である。上記式1-1におけるR2として表される炭素数1~4の置換もしくは非置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、またはこれらの構造異性体が挙げられる。上記式1-2及び式1-3におけるAとして表される酸素原子もしくは硫黄原子を有する2価の連結基としては、-Ra-O-Rb-、-Ra-CO-Rb-、-Ra-COO-Rb-、または-Ra-S-Rb-で表される2価の基等を挙げることができる。RaおよびRbは、それぞれ独立して単結合または炭素数1~10の炭化水素基を示す。上記2価の連結基としては、下記式A-1~式A-6で表される基が挙げられる。上記式A-1~式A-6中、Ra1及びRb1は、相互に独立に水素原子、メチル基、エチル基又はプロピル基を表す。また、q、rは相互に独立に0~5の整数を表す。但し、1つの連結基中においてqおよびrが同時に0となることはない。上記式1-7におけるR4として表される2価の連結基としては、炭素数1~10の炭化水素基、-Rc-O-Rd-、-Rc-CO-Rd-、-Rc-COO-Rd-、で表される2価の基等を挙げることができる。RcおよびRdはそれぞれ独立して炭素数1~10の炭化水素基を示す。なおRcおよびRdは、主鎖側の酸素原子、もしくはR5のどちらに結合してもよい。上記式1-7におけるR5としては、下記式1-7a、1-7bで表される基等を挙げることができる。式1-7aにおいて、n1は0~2の整数を表す。式1-7bにおいて、n2~n5は、それぞれ独立に、0~2の整数を表す。式1-7aおよび式1-7bにおいて、は式1-7におけるR4に結合する結合手を示す。また、式1-7aおよび式1-7bで表される基は置換基を有していてもよい。上記式1-7aまたは式1-7bで表される好ましい基としては、下記式1-7aaまたは1-7bbで表されるものを挙げることができる。式1-7aaおよび式1-7bbにおいて、は、一般式1-7におけるR4に結合する結合手を表す。繰り返し単位1-7の具体例としては、下記式で表されるものを挙げることができる。なお、式1-7-1~1-7-22中のR1は、式1-7中のR1と同義である。式1-7で表される繰り返し単位を与える単量体は、例えば、TetrahedronLetters,Vol.27,No.32p.37411986、OrganicLetters,Vol.4,No.15p.25612002等に記載された、従来公知の方法により合成することができる。繰り返し単位a2を与える単量体として、好ましい単量体を以下に例示する。重合体Aは、繰り返し単位a2を1種のみ含むものであってもよく、2種以上含むものであってもよい。繰り返し単位a2の含有割合は、重合体Aに含まれる繰り返し単位の合計100molに対して、通常、80mol以下であり、好ましくは20~80molであり、更に好ましくは30~70molである。繰り返し単位a2の含有割合がこの範囲内である場合、フォトリソグラフィ後のスカム発生の抑制効果及び著しいパターントップロス抑制効果という観点から特に有効である。ii繰り返し単位a3重合体Aは上記式2-1ないし式2-4から選ばれる少なくとも1つの繰り返し単位a3を含むことが好ましい。重合体Aは、繰り返し単位a3を含有することで、露光部のエッチング耐性を向上させることができる。上記式2-1~2-4におけるR6として表される炭素数1~3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基が挙げられる。また、R8として表される炭素数1~5の直鎖状もしくは分岐状のヒドロキシアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、またはこれらの構造異性体の水素原子が水酸基で置換された基が挙げられる。また、Lとして表される炭素数1~5のアルキル基で置換されていてもよい炭素数1~5の直鎖状もしくは分岐状の炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基等が挙げられる。また、Mは上記式M1~式M4のいずれかで示される基を表す。また、上記式M1、式M2の結合の向きは問わない。例えば、式M1において、酸素原子がアダマンタンの橋頭位に結合していても、-CH2-と結合していてもよい。qは1~3の整数を表し、特にq=1であることが好ましい。繰り返し単位a3を与える重合性単量体としては、下記式2-a~2-tで表される化合物を挙げることができる。なお、本発明において、繰り返し単位a3を与える重合性単量体としては、これらに限定されるものではない。重合体Aは、繰り返し単位a3を1種のみ含むものであってもよく、2種以上含むものであってもよい。繰り返し単位a3の含有割合は、重合体Aに含まれる繰り返し単位の合計100molに対して、通常、60mol以下であり、好ましくは60~5molであり、更に好ましくは50~5molである。繰り返し単位a3の含有割合がこの範囲内である場合、露光部のエッチング耐性が向上する。iii繰り返し単位a1重合体Aは、上記式3で表される酸不安定基を含む繰り返し単位a1を含有することが好ましい。上記式3におけるR9として表される炭素数1~4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。また、炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体としては、ノルボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン、アダマンタン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカン類等に由来する脂環族環からなる基;これらの脂環族環からなる基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の炭素数1~4の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基で置換した基等が挙げられる。更に、いずれか2つのR9が相互に結合して形成される炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基またはその誘導体としては、ノルボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン、アダマンタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等に由来する脂環族環からなる基;これらの脂環族環からなる基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の炭素数1~4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、または炭素数3~10の脂環式炭化水素基で置換した基等が挙げられる。式3において、-CR93として表される基の好適例としては、t-ブチル基、1-n-1-エチル-1-メチルプロピル基、1-n-1,1-ジメチルプロピル基、1-n-1,1-ジメチルブチル基、1-n-1,1-ジメチルペンチル基、1-1,1-ジエチルプロピル基、1-n-1,1-ジエチルブチル基、1-n-1,1-ジエチルペンチル基等の脂環族環を有しない基;1-1-メチルシクロペンチル基、1-1-エチルシクロペンチル基、1-1-n-プロピルシクロペンチル基、1-1-i-プロピルシクロペンチル基、1-1-メチルシクロヘキシル基、1-1-エチルシクロヘキシル基、1-1-n-プロピルシクロヘキシル基、1-1-i-プロピルシクロヘキシル基、1-1-メチル-1-2-ノルボルニルエチル基、1-1-メチル-1-2-テトラシクロデカニルエチル基、1-1-メチル-1-1-アダマンチルエチル基、2-2-メチルノルボルニル基、2-2-エチルノルボルニル基、2-2-n-プロピルノルボルニル基、2-2-i-プロピルノルボルニル基、2-2-メチルテトラシクロドデカニル基、2-2-エチルテトラシクロドデカニル基、2-2-n-プロピルテトラシクロドデカニル基、2-2-i-プロピルテトラシクロドデカニル基、2-メチル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基、2-プロピル-2-アダマンチル基等の脂環族環を有する基;これらの脂環族環を有する基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の炭素数1~10の直鎖状または分岐状のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等の炭素数4~20の環状のアルキル基で置換した基等が挙げられる。繰り返し単位a1を与える単量体の中でも、メタアクリル酸2-メチルアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸2-エチルアダマンチル-2-イルエステル、メタアクリル酸-2-メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸-2-エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸1-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1-アダマンタン-1-イル-1-メチルエチルエステル、メタアクリル酸1-メチル-1-シクロペンチルエステル、メタアクリル酸1-エチル-1-シクロペンチルエステル、メタアクリル酸1-メチル-1-シクロヘキシルエステル、メタアクリル酸1-エチル-1-シクロヘキシルエステル等が特に好ましい。繰り返し単位a1を与える単量体として、好ましい単量体を以下に例示する。重合体Aは、繰り返し単位a1を1種のみ含むものであってもよく、2種以上含むものであってもよい。繰り返し単位a1の含有割合は、重合体Aに含まれる繰り返し単位の合計100molに対して、好ましくは20~90molであり、より好ましくは20~80molであり、更に好ましくは20~70molである。繰り返し単位a1の含有割合がこの範囲内である場合、塗布後の撥水性確保と、PEB後の現像液に対する接触角の上昇との両立という観点から特に有効である。iV他の繰り返し単位重合体Aは、繰り返し単位a1、繰り返し単位a2および繰り返し単位a3以外の繰り返し単位以下、他の繰り返し単位ともいうを1種以上含むものであってもよい。他の繰り返し単位としては、例えば、式4で表される繰り返し単位以下、繰り返し単位a4ともいう、式5で表される繰り返し単位以下、繰り返し単位a5ともいう、式b-2-1で表される繰り返し単位b-2-1、式b-2-2で表される繰り返し単位b-2-2、これら以外の他の繰り返し単位a6等がある。式4において、R10は、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基である。Yは、単結合または炭素数1~3の2価の有機基である。Wは、炭素数7~20の置換または非置換の多環型脂環式炭化水素基である。但し、上記多環型脂環式炭化水素基が置換基を有する場合、置換基は炭素数1~10の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数4~20の環状のアルキル基、ヒドロキシル基、シアノ基、炭素数1~10のヒドロキシアルキル基、カルボキシル基、またはオキソ基である。式5において、R11は、水素原子、炭素数1~4のアルキル基、トリフルオロメチル基またはヒドロキシメチル基である。R12は、2価の有機基である。式4中、Wとして表される炭素数7~20の置換または非置換の多環型脂環式炭化水素基としては、例えば、下記式に示す、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン4a、ビシクロ[2.2.2]オクタン4b、トリシクロ[5.2.1.026]デカン4c、テトラシクロ[6.2.1.136.027]ドデカン4d、トリシクロ[3.3.1.137]デカン4e等のシクロアルカン類に由来する炭化水素基等が挙げられる。上記シクロアルカン類に由来する炭化水素基が置換基を有している場合、置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の炭素数1~10の直鎖状または分岐状のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等の炭素数4~20の環状のアルキル基等が挙げられる。なお、置換基はこれらのアルキル基に限定されるものではなく、ヒドロキシル基、シアノ基、炭素数1~10のヒドロキシアルキル基、カルボキシル基、オキソ基であってもよい。式5において、R11として表される炭素数1~4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。式5において、R12として表される2価の有機基としては、2価の炭化水素基が好ましい。なお、アルキレングリコール基、アルキレンエステル基等であってもよい。2価の有機基として、具体的には、メチレン基、エチレン基、1,3-プロピレン基もしくは1,2-プロピレン基等のプロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、トリデカメチレン基、テトラデカメチレン基、ペンタデカメチレン基、ヘキサデカメチレン基、ヘプタデカメチレン基、オクタデカメチレン基、ノナデカメチレン基、イコサレン基、1-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,2-プロピレン基、1-メチル-1,4-ブチレン基、2-メチル-1,4-ブチレン基、エチリデン基、プロピリデン基、2-プロピリデン基等の鎖状炭化水素基;1,3-シクロブチレン基等のシクロブチレン基、1,3-シクロペンチレン基等のシクロペンチレン基、1,4-シクロヘキシレン基等のシクロヘキシレン基、1,5-シクロオクチレン基等のシクロオクチレン基等の炭素数3~10のシクロアルキレン基等の単環式炭化水素環基;1,4-ノルボルニレン基または2,5-ノルボルニレン基等のノルボルニレン基、1,5-アダマンチレン基または2,6-アダマンチレン基等のアダマンチレン基等の2~4環式の炭素数4~30の炭化水素環基等の架橋環式炭化水素環基等を挙げることができる。これらの中でも、2,5-ノルボルニレン基を含む炭化水素基、1,2-エチレン基、プロピレン基が好ましい。なお、R12が2価の脂肪族環式炭化水素環基を含む場合には、ビストリフルオロメチル-ヒドロキシ-メチル基-CCF32OHと、2価の脂肪族環式炭化水素基との間にスペーサーとして炭素数1~4のアルキレン基を配置することが好ましい。繰り返し単位a6としては、不飽和カルボン酸の有橋式炭化水素骨格を有するカルボキシル基含有エステル類;有橋式炭化水素骨格をもたないメタアクリル酸エステル類;不飽和カルボン酸の有橋式炭化水素骨格をもたないカルボキシル基含有エステル類;有橋式炭化水素骨格を有する多官能性単量体;有橋式炭化水素骨格をもたない多官能性単量体等の重合性不飽和結合が開裂した単位等がある。これらの中でも、有橋式炭化水素骨格を有するメタアクリル酸エステル類の重合性不飽和結合が開裂した繰り返し単位等が好ましい。なお、重合体Aは、繰り返し単位a4~a6、b-2-1またはb-2-2を1種のみ含むものであってもよく、2種以上含むものであってもよい。上記他の繰り返し単位を与える単量体として、好ましい単量体を以下に例示する。[重合体Aの調製方法]重合体Aは、例えば、前述した各繰り返し単位を与える重合性不飽和単量体を、ヒドロパーオキシド類、ジアルキルパーオキシド類、ジアシルパーオキシド類、アゾ化合物等のラジカル重合開始剤を使用し、必要に応じて連鎖移動剤の存在下、適当な溶媒中で重合することにより調製することができる。重合に使用される溶媒としては、例えば、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等のアルカン類;シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン類;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類;クロロブタン、ブロモヘキサン、ジクロロエタン、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類;アセトン、2-ブタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-ヘプタノン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジエトキシエタン等のエーテル類等がある。なお、これらの溶媒は1種単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。[重合体Aの物性値]重合体AのゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCによるポリスチレン換算の重量平均分子量以下、Mwともいうは特に限定されるものではないが、それぞれ、1,000~100,000であることが好ましく、1,000~30,000であることがより好ましく、1,000~20,000であることが更に好ましい。Mwが1,000未満であると、レジスト層の耐熱性が低下するおそれがある。一方、100,000超であると、アルカリ現像部の現像性が低下するおそれがある。また、各重合体のMwと、各重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCによるポリスチレン換算の数平均分子量以下、Mnともいうとの比Mw/Mnは、それぞれ、通常、1~5であり、1~3であることが好ましい。重合体Aには、調製する際に用いられる単量体に由来する低分子量成分が含まれる場合がある。この低分子量成分の含有割合は、各重合体100質量固形分換算に対して、好ましくは0.1質量以下であり、より好ましくは0.07質量以下であり、更に好ましくは0.05質量以下である。低分子量成分の含有割合が0.1質量以下であると、液浸露光時に接触した水等の液浸液への溶出物の量を少なくすることができる。また、レジスト保管時にレジスト中に異物が発生することが少なく、レジスト塗布時においても塗布ムラが発生することが少なく、レジストパターン形成時における欠陥の発生を十分に抑制することができる。なお、本明細書中、低分子量成分とは、Mwが500以下の成分をいい、具体的には、モノマー、ダイマー、トリマー、オリゴマーを挙げることができる。低分子量成分は、例えば、水洗、液々抽出等の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法との組合せ等により除去することができる。また、分析は、高速液体クロマトグラフィーHPLCにより行うことができる。更に、重合体Aは、ハロゲン、金属等の不純物が少ないものであることが好ましい。不純物を少なくすることにより、形成するレジスト層の感度、解像度、プロセス安定性、パターン形状等を更に改善することができるからである。重合体Aの精製法としては、例えば、水洗、液々抽出等の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法との組合せ等がある。<酸発生剤B>酸発生剤Bとしては、オニウム塩化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物等が挙げられる。酸発生剤Bは、下記式6で表される化合物であることが好ましい。上記式6において、R13は、水素原子、フッ素原子、水酸基、炭素数1~10の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数1~10の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシル基、または炭素数2~11の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシカルボニル基を表す。また、R14は、炭素数1~10の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数1~10の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシル基、または炭素数1~10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルカンスルホニル基を表す。更に、R15は、相互に独立に、炭素数1~10の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、フェニル基、またはナフチル基を表す。2つのR15が相互に結合してイオウカチオンを含む炭素数2~10の2価の基を形成していてもよい。但し、上記フェニル基、ナフチル基、および炭素数2~10の2価の基は置換基を有してもよい。kは、0~2の整数を表し、rは、0~10の整数好ましくは0~2の整数を表す。X-は、下記式7-1~7-4で表されるアニオンを表す。式7-1および7-2において、R16は、フッ素原子または置換されていてもよい炭素数1~12の炭化水素基を表す。式7-1において、tは、1~10の整数を示す。式7-3および7-4において、R17は、相互に独立に、フッ素原子で置換された炭素数1~10の直鎖状または分岐状のアルキル基を表す。また、2つのR17が相互に結合してフッ素原子で置換された炭素数2~10の2価の有機基を形成していてもよい。但し、フッ素原子で置換された炭素数2~10の2価の有機基はフッ素原子以外の置換基を有してもよい。酸発生剤Bは、上記式6で表される酸発生剤、または上記例示した酸発生剤を1種単独で含んでもよく、2種以上を含んでもよい。酸発生剤Bの使用割合は、感放射線性樹脂組成物100質量に対して、20質量以下であり、好ましくは1~15質量である。また、他の酸発生剤を使用する場合、その使用割合は、酸発生剤B100質量に対して、通常、80質量以下であり、好ましくは60質量以下である。<溶剤C>溶剤Cとしては、例えば、2-ブタノン、2-ペンタノン、3-メチル-2-ブタノン、2-ヘキサノン、4-メチル-2-ペンタノン、3-メチル-2-ペンタノン、3,3-ジメチル-2-ブタノン、2-ヘプタノン、2-オクタノン等の直鎖状または分岐状のケトン類;シクロペンタノン、3-メチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、2-メチルシクロヘキサノン、2,6-ジメチルシクロヘキサノン、イソホロン等の環状のケトン類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-n-プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-i-プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-n-ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-i-ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-sec-ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-t-ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;2-ヒドロキシプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシプロピオン酸n-プロピル、2-ヒドロキシプロピオン酸i-プロピル、2-ヒドロキシプロピオン酸n-ブチル、2-ヒドロキシプロピオン酸i-ブチル、2-ヒドロキシプロピオン酸sec-ブチル、2-ヒドロキシプロピオン酸t-ブチル等の2-ヒドロキシプロピオン酸アルキル類;3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル等の3-アルコキシプロピオン酸アルキル類の他、n-プロピルアルコール、i-プロピルアルコール、n-ブチルアルコール、t-ブチルアルコール、シクロヘキサノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ-n-プロピルエーテル、エチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ-n-プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ-n-プロピルエーテル、トルエン、キシレン、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2-ヒドロキシ-3-メチル酪酸メチル、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルプロピオネート、3-メチル-3-メトキシブチルブチレート、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸n-ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、N-メチルピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ベンジルエチルエーテル、ジ-n-ヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、カプロン酸、カプリル酸、1-オクタノール、1-ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、しゅう酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ-ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン等が挙げられる。これらの中でも、直鎖状または分岐状のケトン類、環状のケトン類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、2-ヒドロキシプロピオン酸アルキル類、3-アルコキシプロピオン酸アルキル類、γ-ブチロラクトン等が好ましい。感放射線性樹脂組成物は、溶剤Cを1種単独で含有していてもよく、2種以上含有していてもよい。溶剤Cの使用量は、感放射線性樹脂組成物の全固形分濃度が、通常、1~50質量となる量であり、好ましくは1~25質量となる量である。<添加剤>感放射線性樹脂組成物は、必要に応じて、酸拡散制御剤D、脂環族添加剤、界面活性剤、増感剤、フッ素原子含有重合体以下、重合体Fともいう等の各種の添加剤を含有してもよい。i酸拡散制御剤D:酸拡散制御剤は、露光により酸発生剤Bから生じる酸のレジスト層中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制する作用を有する成分である。このような酸拡散制御剤を含有することにより、感放射線性樹脂組成物の貯蔵安定性が向上する。また、レジストとしての解像度が更に向上するとともに、露光から露光後の加熱処理までの引き置き時間PEDの変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れた組成物が得られる。酸拡散制御剤としては、例えば、アミン化合物、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等がある。アミン化合物モノシクロアルキルアミン類;ジシクロアルキルアミン類;トリシクロアルキルアミン類;置換アルキルアニリンまたはその誘導体;エチレンジアミン、N,N,N,N-テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4-ジアミノジフェニルメタン、4,4-ジアミノジフェニルエーテル、4,4-ジアミノベンゾフェノン、4,4-ジアミノジフェニルアミン、2,2-ビス4-アミノフェニルプロパン、2-3-アミノフェニル-2-4-アミノフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-3-ヒドロキシフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-4-ヒドロキシフェニルプロパン、1,4-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、1,3-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、ビス2-ジメチルアミノエチルエーテル、ビス2-ジエチルアミノエチルエーテル、1-2-ヒドロキシエチル-2-イミダゾリジノン、2-キノキサリノール、N,N,N,N-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、N,N,N,N’’,N’’-ペンタメチルジエチレントリアミン等がある。アミド基含有化合物アミド基含有化合物の好適例としては、N-t-ブトキシカルボニルピロリジン等のN-t-ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物の他、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン、N-アセチル-1-アダマンチルアミン、イソシアヌル酸トリス2-ヒドロキシエチル等がある。ウレア化合物ウレア化合物の好適例としては、尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリ-n-ブチルチオウレア等がある。含窒素複素環化合物含窒素複素環化合物の好適例としては、イミダゾール類;ピリジン類;ピペラジン類の他、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペリジンエタノール、3-ピペリジノ-1,2-プロパンジオール、モルホリン、4-メチルモルホリン、1-4-モルホリニルエタノール、4-アセチルモルホリン、3-N-モルホリノ-1,2-プロパンジオール、1,4-ジメチルピペラジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等がある。また、酸拡散制御剤として、前述した酸拡散制御剤の他に、露光により感光し、塩基を発生する光崩壊性塩基を用いることもできる。光崩壊性塩基の一例として、露光により分解して酸拡散制御性を失うオニウム塩化合物がある。このようなオニウム塩化合物の具体例としては、式8で表されるスルホニウム塩化合物や、式9で表されるヨードニウム塩化合物を挙げることができる。式8におけるR18~R20、および式9におけるR21~R22は、相互に独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、ヒドロキシル基、またはハロゲン原子を表す。また、式8および式9において、Z-は、OH-、R23-COO-、R23-SO3-但し、R23は、アルキル基、アリール基、またはアルカリール基を表す、または式10で表されるアニオンである。式10において、R24は、フッ素原子で置換もしくは非置換の炭素数1~12の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、または炭素数1~12の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシル基を表し、nは0~2の整数を表す。酸拡散制御剤の含有量は、重合体A100質量部に対して、0.001~15質量部であることが好ましく、0.01~10質量部であることがより好ましく、0.05~5質量部であることが更に好ましい。含有量が15質量部超であると、レジストとしての感度が低下する場合がある。一方、0.001質量部未満であると、プロセス条件によっては、レジストとしてのパターン形状や寸法忠実度が低下する場合がある。なお、これらの酸拡散制御剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。ii脂環族添加剤:脂環族添加剤は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等を更に改善する作用を示す成分である。脂環族添加剤としては、例えば、1-アダマンタンカルボン酸、2-アダマンタノン、1-アダマンタンカルボン酸t-ブチル、1-アダマンタンカルボン酸t-ブトキシカルボニルメチル、1-アダマンタンカルボン酸α-ブチロラクトンエステル、1,3-アダマンタンジカルボン酸ジ-t-ブチル、1-アダマンタン酢酸t-ブチル、1-アダマンタン酢酸t-ブトキシカルボニルメチル、1,3-アダマンタンジ酢酸ジ-t-ブチル、2,5-ジメチル-2,5-ジアダマンチルカルボニルオキシヘキサン等のアダマンタン誘導体類;デオキシコール酸t-ブチル、デオキシコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸2-エトキシエチル、デオキシコール酸2-シクロヘキシルオキシエチル、デオキシコール酸3-オキソシクロヘキシル、デオキシコール酸テトラヒドロピラニル、デオキシコール酸メバロノラクトンエステル等のデオキシコール酸エステル類;リトコール酸t-ブチル、リトコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸2-エトキシエチル、リトコール酸2-シクロヘキシルオキシエチル、リトコール酸3-オキソシクロヘキシル、リトコール酸テトラヒドロピラニル、リトコール酸メバロノラクトンエステル等のリトコール酸エステル類;3-2-ヒドロキシ-2,2-ビストリフルオロメチルエチルテトラシクロ[6.2.1.136.027]ドデカン等がある。なお、これらの脂環族添加剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。iii界面活性剤:界面活性剤は、塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する作用を示す成分である。界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn-オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn-ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤の他、以下商品名で、KP341信越化学工業社製、ポリフローNo.75、同No.95以上、共栄社化学社製、エフトップEF301、同EF303、同EF352以上、トーケムプロダクツ社製、メガファックスF171、同F173以上、大日本インキ化学工業社製、フロラードFC430、同FC431以上、住友スリーエム社製、アサヒガードAG710、サーフロンS-382、同SC-101、同SC-102、同SC-103、同SC-104、同SC-105、同SC-106以上、旭硝子社製等がある。なお、これらの界面活性剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。iv増感剤:増感剤は、放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを酸発生剤Bに伝達し、それにより酸の生成量を増加させる作用を示すもので、感放射線性樹脂組成物のみかけの感度を向上させる効果を有する。増感剤としては、カルバゾール類、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、フェノール類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等がある。なお、これらの増感剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。vフッ素原子含有重合体F感放射線性樹脂組成物が、フッ素原子含有重合体Fを含有することで、レジスト膜を形成した際に、膜中のフッ素原子含有重合体の撥油性的特徴により、その分布がレジスト膜表面近傍で偏在化する傾向があるので、液浸露光時における酸発生剤や酸拡散制御剤等が液浸媒体に溶出することを抑制することができる。上記フッ素含有重合体Fとしては、フッ素原子を有している限り、特に限定されないが、[A]重合体よりフッ素原子含有率質量が高いことが好ましい。[A]重合体よりフッ素原子含有率が高いことで、上述の偏在化の度合いがより高くなり、得られるレジスト被膜の撥水性及び溶出抑制性等の特性が向上する。vi他の添加剤:感放射線性樹脂組成物は、前述した添加剤以外の添加剤以下、他の添加剤ともいうを含有してもよい。他の添加剤としては、アルカリ可溶性樹脂、酸解離性の保護基を有する低分子のアルカリ溶解性制御剤、ハレーション防止剤、保存安定化剤、消泡剤等がある。また、染料或いは顔料を含有させることにより、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を緩和することができる。更に、接着助剤を含有させることにより、基板との接着性を改善することができる。感放射線性樹脂組成物は、上述の各構成成分を溶剤Cに溶解した後、例えば孔径0.2μm程度のフィルターでろ過することによって塗工液として調製し、基板上に塗布することができる。以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、実施例、比較例中の部およびは、特に断らない限り質量基準である。また、各種物性値の測定方法、および諸特性の評価方法を以下に示す。[重量平均分子量Mwおよび数平均分子量Mn]:東ソー社製GPCカラムG2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を用い、流量:1.0mL/min、溶出溶剤:テトラヒドロフラン、カラム温度:40°Cの分析条件で、ゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCにより、単分散ポリスチレンを標準として測定した。[13C-NMR分析]:各重合体の13C-NMR分析は、日本電子社製JNM-EX270を用いて測定した。[パターン評価]:シングルパターニング以下、SEともいうおよびDEで形成したコンタクトホールパターン形成後の評価用基板を、走査型電子顕微鏡日立計測器社製、CG-4000を用いて観察し、レジストパターンが損失または不溶物の付着がある場合を不良と評価し、穴埋まりスカムなく底部まで解像し、コンタクトホールパターンが形成されている場合を良好と評価した。[エッチングレート評価]:コンタクトホールパターンを形成後の評価用基板を簡易エッチング装置を用いて観察し、エッチング後の残膜率が当初膜厚に対して60以下のものを不良と評価し、60より良い場合を良好と評価した。以下、重合体Aの調製方法について記載する。なお、重合体Aの調製に用いた単量体M-1~単量体M-26を以下に示す。単量体M-1~単量体M-26において、繰り返し単位a1を与える単量体が単量体M-1~単量体M-5であり、繰り返し単位a2を与える単量体が単量体M-7~単量体M-13であり、繰り返し単位a3を与える単量体が単量体M-14~単量体M-23であり、その他の繰り返し単位を与える単量体が単量体M-6および単量体M-24~単量体M-26である。[重合例1]重合体A-1の調製まず、単量体M-1150mol、単量体M-315mol、単量体M-235mol、および重合開始剤ジメチル-2,2-アゾビスイソブチレートMAIBを100gのメチルエチルケトンに溶解した単量体溶液を準備した。仕込み時の単量体の合計量を50gに調製した。尚、各単量体のmolは単量体全量に対するmolを表し、重合開始剤の使用割合は、単量体と重合開始剤の合計量に対して、5molとした。一方、温度計および滴下漏斗を備えた500mLの三つ口フラスコにメチルエチルケトン50gを加え、30分間窒素パージを行なった。その後、フラスコ内をマグネティックスターラーで攪拌しながら、80°Cになるように加熱した。次いで、準備した単量体溶液をフラスコ内に、滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下終了後、3時間熟成させた後、30°C以下になるまで冷却して重合体溶液を得た。その後、重合体溶液を1000gのメタノールに投入して混合した。次いで、吸引濾過を実施した。その後、粉体を回収し、200gのメタノールに再度投入し、洗浄し、濾過した。本洗浄を再度行ない、回収した粉体を60°Cにて減圧乾燥させた。得られた重合体を重合体A-1とする。この重合体A-1は、Mwが6,200であり、Mw/Mnが1.5であり、13C-NMR分析の結果、各単量体に由来する各繰り返し単位の含有率M-3/M-2/M-11=14.6/35.9/49.5molの共重合体であった。[重合例2~21]重合体A-2~A-16、重合体F-1~F-5の調製重合体A-2~A-16および重合体F-1~F-5について、表1に示す種類および仕込み量の単量体を用いること以外は重合例1と同様の手法にて調製した。なお、表2に、各重合体の13C-NMRによる各単量体に由来する各繰り返し単位の含有率、Mw、およびMw/Mnを記載した。[実施例1]感放射線性樹脂組成物の調製重合体Aとして重合体A-1100部、酸発生剤Bとして酸発生剤B-1トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート7.5部、含窒素化合物Dとして酸拡散抑制剤D-1N-t-ブトキシカルボニルピロリジン0.94部、重合体Fとして重合体F-25部、並びに溶剤Cとして溶剤C-1プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート1287部および溶剤C-2シクロヘキサノン551部を添加し、各成分を混合して均一溶液とした。その後、孔径200nmのメンブランフィルターを用いてろ過することにより、感放射線性樹脂組成物を調製した。[実施例2~16および比較例1]表3に記載した配合処方にしたこと以外は、実施例1と同様にして各感放射線性樹脂組成物を調製した。尚、表1で用いた酸発生剤、溶剤、および酸拡散制御剤の種類を以下に記す。酸発生剤B-1:トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート溶剤C-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶剤C-2:シクロヘキサノン酸拡散制御剤D-1:N-t-ブトキシカルボニルピロリジン[実施例17]レジストパターンの形成12インチシリコンウェハ上に、下層反射防止膜商品名ARC66、ブルワーサイエンス社製を、商品名LithiusPro-i東京エレクトロン社製を使用してスピンコートした後、PB205°C、60秒を行なうことにより膜厚77nmの塗膜を形成した。商品名CLEANTRACKACT12を使用して実施例1で調製した感放射線性組成物1をスピンコートし、PB130°C、60秒した後、冷却23°C、30秒することにより膜厚90nmのレジスト層を形成した。形成されたレジスト層を用いて、以下のDEパターン、SEパターンを形成し、各評価を行った。[DEパターン]:ArF液浸露光装置商品名S610C、NIKON社製を使用し、NA:1.30、Dipoleの光学条件にて、48nmライン96nmピッチ48nm1L/1Sのパターン形成用のマスクを介して露光した。その後続けて先の露光に対して直交するように、48nmライン/96nmピッチ48nm1L/1Sのパターン形成用のマスクを介して露光した。商品名LithiusPro-iのホットプレート上でPEB125°C、60秒をし、冷却23°C、30秒した後、現像カップのGPノズルにて、酢酸ブチルを現像液としてパドル現像10秒間し、4-メチル-2-ペンタノールでリンスした。2000rpm、15秒間振り切りでスピンドライすることにより、48nmホール/96nmピッチのコンタクトホールパターンが形成された評価用基板を得た。この評価用基板のDEパターンの評価およびエッチングレートの評価は良好であった。[SEパターン]:ArF液浸露光装置商品名S610C、NIKON社製を使用し、NA:1.30、クロスポールの光学条件にて、48nmドット96nmピッチマスクバイアスは15nmで、実際にマスク上では252nmドット384nmピッチになっているのパターン形成用のマスクを介して露光した。商品名LithiusPro-iのホットプレート上でPEB125°C、60秒をし、冷却23°C、30秒した後、現像カップのGPノズルにて、酢酸ブチルを現像液としてパドル現像30秒間し、4-メチル-2-ペンタノールでリンスした。2000rpm、15秒間振り切りでスピンドライすることにより、48nmホール/96nmピッチのコンタクトホールパターンが形成された評価用基板を得た。この評価用基板のSEパターンの評価およびエッチングレートの評価は良好であった。[実施例18~32、比較例2]表4に記載したこと以外は実施例17と同様にして各評価用基板を得た。得られた各評価用基板の評価結果を併せて表4に記載する。表4からわかるように、本発明の感放射線組成物を用いたレジストパターン形成方法によれば、SE、DE共にパターンが良好であり、良好なエッチング耐性も示すことから、波長限界を超えるパターンを形成することができる。一方、比較例1の感放射線性組成物を用いた比較例2においては、SE、DPパターンの評価は不良であった。。"