"長波長光を出射する第1の光源と、前記長波長光より短波長の短波長光を出射する第2の光源と、これらの第1及び第2の光源から出射された長波長光と短波長光とを同一光路に集合させる第1の光学系と、この第1の光学系からの集合光をマスク及び基板にそれらの面に垂直に照射する第2の光学系と、カメラと、前記マスク及び基板のアライメントマークで反射した反射光を前記第2の光学系と同一の光路を戻した後前記カメラまで導く第3の光学系と、前記第3の光学系に設けられ前記長波長光と前記短波長光とを分離した後長波長光と短波長光とを前記カメラのセンサの異なる視野領域に結像させるフィルタと、を有することを特徴とする露光装置のアライメント装置。前記長波長光及び前記短波長光の波長は、400乃至700nmの範囲にあり、前記長波長光と前記短波長光の波長差による焦点位置の差が、前記基板と前記マスクとの間の間隔に対応していることを特徴とする請求項1に記載の露光装置のアライメント装置。前記長波長光は波長が670nmの赤色光であり、前記短波長光は波長が405nmの青色光であることを特徴とする請求項2に記載の露光装置のアライメント装置。しかしながら、アライメントマーク5,6により、基板1とマスク2とを同期させる場合、±1μm程度の高精度で基板1とマスク2とを同期させようとすると、両アライメントマーク5,6を同一のカメラにより同時に観察する必要がある。即ち、異なるカメラで別々にアライメントマーク5,6を観察すると、両アライメントマーク5,6の相対的な位置を保証できない。近接露光の場合は、マスクと基板とが200μm程度で近接しており、この間隔はカメラの焦点深度内に収まるので、マスクのアライメントマークと基板のアライメントマークとを同時にカメラで観察することが可能である。しかし、マイクロレンズアレイ3を使用した露光装置においては、基板1とマスク2との間にマイクロレンズアレイ3を介装する必要があるため、基板1とマスク2との間の距離、即ち、アライメントマーク5,6間の間隔は、5mm程度存在する。この5mmの間隔は、通常のカメラのレンズ系では、同時に観察することができない。なお、図5に示すように、基板1のアライメントマーク5からの反射光と、マスク2のアライメントマーク6からの反射光とで、光路差を設け、基板1のアライメントマーク5とマスク2のアライメントマーク6とのフォーカス差を補正することも考えられる。図4に示すように、基板1とマスク2との間のギャップGは約5mmである。この場合に、視野とアライメント精度とを考慮すると、レンズ倍率は4倍程度が必要である。よって、アライメントのパターンギャップG=5mmは、カメラ側でみると、5mm×42=80mmに相当する。この80mmのフォーカス差を補正する必要がある。そこで、図5においては、光源20からの光をレンズ21で収束して反射鏡22により反射させ、レンズ23を介してビームスプリッタ17に入射させる。そして、ビームスプリッタ17からの光は、レンズ18及び19を経由してマスク2に入射し、マスク2のアライメントマーク6で反射すると共に、基板1に入射し、基板1のアライメントマーク5で反射する。これらのアライメントマーク5、6で反射した光は、ビームスプリッタ17に向かい、このビームスプリッタ17を透過した後、レンズ16,15を介して、ビームスプリッタ14に入射する。アライメントマーク5、6からの反射光は、ビームスプリッタ14で、ビームスプリッタ11に向かう光と、ミラー13に向かう光とに分離され、ミラー13に向かった光は、ミラー12により、ビームスプリッタ11に向かう。そして、ビームスプリッタ11にて、ビームスプリッタ14からの光はそのまま透過し、ミラー12からの光は反射して、カメラ10に向かう。このようにして、ビームスプリッタ14からミラー13,12を経由した光と、ビームスプリッタ14から直接到達した光とは、カメラ10により検出される。そして、ビームスプリッタ14からミラー13までの光路と、ミラー13からミラー12までの光路と、ミラー12からビームスプリッタ11までの光路との総長が、ビームスプリッタ14からビームスプリッタ11に直接入射する光の光路の長さよりも、80mmだけ長くなるように設定されている。従って、マスク2のアライメントマーク6からの反射光であってミラー12,13を経由した光路を進行した光と、基板1のアライメントマーク5からの反射光であってビームスプリッタ14から直接ビームスプリッタ11に入射した光路を進行した光とがいずれもカメラ10のCCD電荷結合素子に結像し、アライメントマーク5,6をカメラ10で同時に観察することができる。これにより、基板1とマスク2のアライメントマーク5,6のパターンのフォーカス差80mm相当を、別光路に分けて補正することができる。しかしながら、このように、フォーカス差を別光路で補正すると、各光路での光軸ずれが生じた場合に、アライメントマーク5,6の両パターンの相対位置がずれてしまうという問題点がある。このため、この方法では、アライメント精度が低下する。アライメント精度が低下すると、露光パターン精度も低下し、近時の高精細液晶パネルの露光にとって、致命的な問題となる。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、光路の光軸ずれが生じても、基板のアライメントマークとマスクのアライメントマークとのパターン相対位置の変化が生じにくく、アライメント精度が高い露光装置のアライメント装置を提供することを目的とする。本発明に係る露光装置のアライメント装置は、長波長光を出射する第1の光源と、前記長波長光より短波長の短波長光を出射する第2の光源と、これらの第1及び第2の光源から出射された長波長光と短波長光とを同一光路に集合させる第1の光学系と、この第1の光学系からの集合光をマスク及び基板にそれらの面に垂直に照射する第2の光学系と、カメラと、前記マスク及び基板のアライメントマークで反射した反射光を前記第2の光学系と同一の光路を戻した後前記カメラまで導く第3の光学系と、前記第3の光学系に設けられ前記長波長光と前記短波長光とを分離した後長波長光と短波長光とを前記カメラのセンサの異なる視野領域に結像させるフィルタと、を有することを特徴とする。この露光装置のアライメント装置において、例えば、前記長波長光及び前記短波長光の波長は、400乃至700nmの範囲にあり、前記長波長光と前記短波長光の波長差による焦点位置の差が、前記基板と前記マスクとの間の間隔に対応している。この場合に、例えば、前記長波長光は波長が670nmの赤色光であり、前記短波長光は波長が405nmの青色光である。本発明によれば、例えば、波長が405nmの青色光と、波長が670nmの赤色光とを使用して、これらの光の集合光を、同一光路で、基板及びマスクのアライメントマークに照射して反射させ、カメラのセンサに入射する前に、フィルタにより青色光と赤色光とに分離し、青色光による像と、赤色光による像とを、カメラのセンサの異なる視野領域に結像させると、波長によるフォーカス差により、カメラのセンサに対する距離が異なる基板とマスクのアライメントマークを前記カメラに同時に結像させることができる。そこで、基板のアライメントマークと、マスクのアライメントマークとの間の距離を、好ましくは複数の箇所にて、一定に保持することにより、基板とマスクとのアライメントをとることができる。この場合に、結像光路は共通なので、光軸ずれが生じてもアライメントパターンの相対位置は変化しにくく、極めて高いアライメント精度を得ることができる。以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。図1は本発明の実施形態に係る露光装置のアライメント装置を示す図である。長波長光を出射する第1の光源27と、短波長光を出射する第2の光源26とが設けられており、第1の光源27からの長波長光は、反射鏡29で反射した後、ビームスプリッタ28に向かい、第2の光源26からの短波長光がこのビームスプリッタ28で、第1の光源27からの長波長光と集合する。そして、これらの集合光は、レンズ30で収束された後、ビームスプリッタ24にて反射して、レンズ25を経た後、マスク2及び基板1に向かう。この集合光は、マスク2及び基板1にその面に垂直に入射し、マスク2のアライメントマーク6及び基板1のアライメントマーク5で反射して、入射光路と同一の光路を戻ってくる。この反射光は、ビームスプリッタ24を通過し、レンズ23,22と、フィルタ21を経て、カメラ20に入射する。よって、反射鏡29及びビームスプリッタ28が、第1及び第2の光源27,26から出射した長波長光と短波長光とを同一光路に集合させる第1の光学系を構成し、レンズ30、ビームスプリッタ24、レンズ25が、この第1の光学系からの集合光をマスク2及び基板1にそれらの面に垂直に照射する第2の光学系を構成し、レンズ25、ビームスプリッタ24、レンズ23、レンズ22が、マスク2及び基板1のアライメントマーク6,5で反射した反射光を第2の光学系と同一の光路を戻した後カメラ20まで導く第3の光学系を構成する。このフィルタ21は、その光透過域の半分が長波長光を透過すると共に短波長光を遮蔽し、光透過域の残りの半分が短波長光を透過すると共に長波長光を遮蔽するものである。そして、フィルタ21を経由した反射光は、カメラ20のCCD電荷結合素子センサの光検出領域の半分の領域に、長波長光が検出され、残りの半分の領域に短波長光が検出される。第1及び第2の光源としては、レーザ光又は干渉フィルタを透過したランプ光を使用することができる。そして、第1の光源27から出射する長波長光は、例えば、波長が670nmの赤色光であり、第2の光源26から出射する短波長光は、例えば、波長が405nmの青色光である。従って、フィルタ21は、CCD視野領域光検出領域の半分が、405nm光を透過し、670nm光を反射するものであり、残りの半分が、670nm光を透過し、405nm光を反射するものである。次に、上述のごとく構成された本実施形態の動作について説明する。第1の光源27から例えば波長が670nmの赤色光を出射し、第2の光源26から例えば波長が405nmの青色光を出射する。これらの光は、ビームスプリッタ28で集合した後、カメラ20まで同一光路を進行する。即ち、集合光は、図3に示すように、ビームスプリッタ24からマスク2及び基板1に向かい、このマスク2及び基板1に対し、その面に垂直に入射する。その後、マスク2のアライメントマーク6及び基板1のアライメントマーク5で反射した集合光の反射光は、入射光と同一光路をとおり、ビームスプリッタ24を直進して、フィルタ21を透過し、カメラ20のセンサに入射する。この反射光は、フィルタ21によりフィルタリングされて、カメラの視野領域の半分に長波長光例えば、波長が670nmが入射し、カメラの視野領域の残りの半分に短波長光例えば、波長が405nmが入射する。このとき、集合光は同一レンズ25,23,22からなる光学系を通過するので、このような同一レンズの場合、青色光波長405nmは焦点距離が短く、赤色光波長670nmは焦点距離が長い。よって、レンズ25、23,22の光学定数等を適切に設定すれば、カメラ20のセンサに入射する光のうち、マスク2のアライメントマーク6で反射した光は、青色光の成分がカメラ20のセンサで合焦点となり、カメラ20からより遠い基板1のアライメントマーク5で反射した光は、赤色光の成分がカメラ20のセンサで合焦点となるようにすることができる。基板1とマスク2との間のギャップGは通常5mm程度であるが、カメラ20に対する入射光のうち、赤色光と青色光とが異なる光路長を経てセンサに合焦点となるので、ギャップGの5mmを吸収して、基板1及びマスク2の双方のアライメントマーク5,6をカメラ20のセンサ上でフォーカスすることができる。この結果、図2にカメラの光検出領域視野領域40を示すように、その半分の領域40aに赤色光が入射して、基板1のアライメントマーク5の十字パターン41が結像し、残りの半分の領域40bに青色光が入射して、マスク2のアライメントマーク6の4点パターン42が結像する。これにより、カメラ20においては、基板1上のパターン41と、マスク2上のパターン42との双方をセンサにフォーカスさせて、同時に観察することができる。そこで、パターン41とパターン42との間の距離等のパターン41とパターン42との位置関係を計測し、この位置関係が一定になるように、基板1とマスク2との間の相対的な位置を制御することにより、基板1とマスク2とのアライメントをとることができる。この場合に、青色光と赤色光の結像光路は、共通であるので、光軸ずれが発生しても、基板1とマスク2とが同期していれば、パターン41,42の相対的位置関係は変化しないか、又は変化しても、十分に高いアライメント精度を得ることができる程度の変化であり、いずれにしても、高アライメント精度を得ることができる。以上のように、本発明は基本的には、長波長光と短波長光との焦点距離の相違を利用して、マイクロレンズアレイ3を使用した露光装置の基板1とマスク2との間の大きなギャップGを吸収する。即ち、長波長光と短波長光とによるダブル焦点を利用して、基板1とマスク2からの反射光をカメラのCCD上にフォーカスさせる。しかし、この波長の相違によるダブル焦点に加えて、レンズ設計によって、焦点位置を更にずらすこともできる。つまり、レンズには収差があり、一般的なレンズ設計ではこの収差をとる方向にレンズを設計するが、本発明においては、このレンズ収差を広げる方向にレンズを設計すればよい。また、長波長光及び短波長光の波長は、通常、400乃至700nmの範囲にあればよい。この波長範囲では、カメラのCCDにより検出することができ、しかも長波長光と短波長光の波長差による焦点位置の差が、基板1とマスク2との間の間隔に対応するように設定することができる。"