"基板に対する工程が行われるチャンバ;前記チャンバの内部に設けられ,前記基板が載置される基板支持台;及び前記チャンバの内部に反応ガスを供給する流入口及び前記チャンバ内部に供給された前記反応ガスを排出する流出口が対称をなして形成されるシャワーヘッドを備え,前記反応ガスは,前記チャンバの内部で前記基板と略同じ方向に流れることを特徴とする基板処理装置。前記シャワーヘッドは,前記流入口に連結され前記反応ガスの流動方向に沿って断面積が増加する1つ以上の拡散流路を有することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。前記シャワーヘッドは,前記流入口に連結され前記反応ガスの流動方向に沿って断面積が増加する複数の拡散流路と前記拡散流路を互いに連結する流入連結流路とを有することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。前記拡散流入流路は,上下に配置されることを特徴とする請求項3記載の基板処理装置。前記シャワーヘッドは,前記流出口に連結され前記反応ガスの流動方向に沿って断面積が減少する複数の収斂流路と前記収斂流路を互いに連結する流出連結流路とを有することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。前記シャワーヘッドは,中央部分が中空になっているリング形状で,前記基板処理装置は,前記中央部分に対応するように前記チャンバの上部に設けられ前記チャンバの内部に電界を形成するアンテナを含み,前記アンテナは,あらかじめ設定された中心線を基準に対称をなすように配置される第1及び第2アンテナを備え,前記第1アンテナは,第1及び第2半径をそれぞれ有しあらかじめ設定された中心線を基準に一側及び他側にそれぞれ位置する半円形状の第1内側アンテナ及び第1中間アンテナと,前記第1内側アンテナ及び前記第1中間アンテナを互いに連結する第1連結アンテナと,を有し,前記第2アンテナは,前記第1及び第2半径をそれぞれ有し前記中心線を基準に一側及び他側にそれぞれ位置する半円形状の第2中間アンテナ及び第2内側アンテナと,前記第2中間アンテナ及び前記第2内側アンテナを互いに連結する第2連結アンテナと,を備えることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。前記基板処理装置は,前記基板支持台に連結され前記基板支持台とともに昇降する昇降軸及び前記昇降軸を駆動して前記基板支持台の上部に工程領域が形成される工程位置及び前記基板支持台の上部に前記基板が載置される解除位置に前記基板支持台を切り替える駆動部をさらに含み,前記シャワーヘッドは,前記基板支持台が前記工程位置にある時,前記基板支持台の上部面のエッジと隣接する対向面及び前記対向面に形成され前記上部面のエッジに遮断ガスを吐出する下部吐出口を有することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。本発明の目的は,工程の均一性を確保できるプラズマ処理装置及びプラズマアンテナを提供することにある。本発明の他の目的は,次の詳細な説明と添付図面によって明確になる。本発明の一実施形態によれば,基板処理装置は,基板に対する工程が行われるチャンバ;前記チャンバの内部に設けられ,前記基板が載置される基板支持台;及び前記チャンバの内部に反応ガスを供給する流入口及び前記チャンバ内部に供給された前記反応ガスを排出する流出口が対称をなして形成されるシャワーヘッドを備え,前記反応ガスは,前記チャンバの内部で前記基板と略同じ方向に流れる。前記シャワーヘッドは,前記流入口に連結され前記反応ガスの流動方向に沿って断面積が増加する1つ以上の拡散流路を有し得る。前記シャワーヘッドは,前記流入口に連結され前記反応ガスの流動方向に沿って断面積が増加する複数の拡散流路と前記拡散流路を互いに連結する流入連結流路とを有し得る。前記拡散流路は,縦に配置され得る。前記シャワーヘッドは,前記流出口に連結され前記反応ガスの流動方向に沿って断面積が減少する複数の収斂流路と前記収斂流路を互いに連結する流出連結流路とを有し得る。前記シャワーヘッドは,中央部分が中空になっているリング形状で,前記基板処理装置は,前記中央部分に対応するように前記チャンバの上部に設けられ前記チャンバの内部に電界を形成するアンテナを含み,前記アンテナは,あらかじめ設定された中心線を基準に対称をなすように配置される第1及び第2アンテナを備え,前記第1アンテナは,第1及び第2半径をそれぞれ有しあらかじめ設定された中心線を基準に一側及び他側にそれぞれ位置する半円形状の第1内側アンテナ及び第1中間アンテナと,前記第1内側アンテナ及び前記第1中間アンテナを互いに連結する第1連結アンテナと,を有し,前記第2アンテナは,前記第1及び第2半径をそれぞれ有し前記中心線を基準に一側及び他側にそれぞれ位置する半円形状の第2中間アンテナ及び第2内側アンテナと,前記第2中間アンテナ及び前記第2内側アンテナを互いに連結する第2連結アンテナと,を備えることができる。前記基板処理装置は,前記基板支持台に連結され前記基板支持台とともに昇降する昇降軸及び前記昇降軸を駆動して前記基板支持台の上部に工程領域が形成される工程位置及び前記基板支持台の上部に前記基板が載置される解除位置に前記基板支持台を切り替える駆動部をさらに含み,前記シャワーヘッドは,前記基板支持台が前記工程位置にある時,前記基板支持台の上部面のエッジと隣接する対向面及び前記対向面に形成され前記上部面のエッジに遮断ガスを吐出する下部吐出口を有し得る。本発明によれば,チャンバ内に均一な密度を有するプラズマを生成できる。また,プラズマを用いる被処理体に対する工程均一度を確保することができる。図1及び図2は,本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す図である。図1及び図2に示すように,基板処理装置は,基板に対する工程が行われるチャンバを含み,チャンバは外部から遮断される内部空間を提供して工程進行時に基板を外部から遮断する。チャンバは,上部が開放された形状の下部チャンバ10と上部チャンバ10の上部を開閉するチャンバ蓋12を備え,チャンバ蓋12は,固定リング32によって下部チャンバ10の上部に固定される。下部チャンバ10は,一側壁に形成された通路14を有し,基板は,通路14を介して下部チャンバ10の内部を出入する。通路14は,下部チャンバ10の外部に設けられたゲートバルブ16によって開閉される。また,下部チャンバ10の他側壁には排気口18が形成され,排気口18は,排気ライン19aに連結される。排気ライン19aは,真空ポンプ図示せずに連結され,基板が下部チャンバ10の内部に伝達された後,工程が進む前のステップで,排気口18を介して下部チャンバ10内部のガスを排気して下部チャンバ10の内部に真空を形成できる。基板は,ゲートバルブ16によって開放された通路14を介して下部チャンバ10の内部に移動し,内部空間内に設けられた支持台11の上部に載置される。この時,図1に示すように,支持台11は,下部チャンバ10の下部に位置する解除位置。支持台11上には複数のリフトピン11aが提供され,リフトピン11aは,起立した状態で支持台11の上部に移動した基板を支持する。支持台11が下部チャンバ10の下部に位置した状態で,リフトピン11aの下端は,下部チャンバ10の下部壁によって支持され,リフトピン11aの上端は,支持台11の上部面から突出した状態を維持するため,基板は,リフトピン11aによって支持台11から離隔して位置する。支持台11は,昇降軸13に連結され,昇降軸13は,駆動部15によって昇降する。昇降軸13は,下部チャンバ10の開放された下部を介して駆動部15に連結されることができ,駆動部15によって支持台11を上下に移動させる。図2に示すように,支持台11は上昇してシャワーヘッド40の近くまで移動でき工程位置,支持台11は,シャワーヘッド40の両側突出部の下端に接して支持台11とチャンバ蓋12によって囲まれた工程領域13aが形成され得る。支持台11は,基板の温度を調節できる温度調節システム例えば,ヒータのようなものを備えることができる。後述のように,支持台11に載置された基板に対する工程は,工程領域13a内でのみ行われ,反応ガス又はパージガスは,工程領域13a内にのみ供給されることができる。この時,支持台11が上昇するにつれリフトピン11aの上端が支持台11の内部に挿入され,基板は,支持台11の上部面に定着され得る。一方,ガイド19は,支持台11の外側に設けられ,支持台11の昇降方向に沿って配置される。ガイド19は,排気口18と連通されるガイド孔18aを有し,工程進行時にガイド孔18a及び排気口18を介して下部チャンバ10内部のガスを排出して下部チャンバ10内部の圧力を調節する。図1を参照すると,基板処理装置は,シャワーヘッド40をさらに含み,シャワーヘッド40は,下部チャンバ10とチャンバ蓋12の間に設けられる。シャワーヘッド40は,反応ガス又はパージガスを工程領域13a内に供給するだけでなく,供給された反応ガス又はパージガスを外部に排出する。このために,シャワーヘッド40は,流入口41a及び流出口41bを有し,流入口41aと流出口41bは,一側及び他側にそれぞれ形成されて互いに対称をなす。図3は,図2に示すシャワーヘッドの流入口部分を拡大した図である。図3に示すように,シャワーヘッド40は,複数の拡散流路42,44,46と拡散流路42,44,46を互いに連結する流入連結流路42a,44aを有する。拡散流路42,44,46は,略水平をなす形で互いに並んで形成され,上下に積層されて配置される。下部拡散流路42は,入口48を介して下部チャンバ10に形成された連結ライン40aに連結され,連結ライン40aは,供給ライン50に連結される。原子層蒸着において,膜を一度で単層として形成するために基板を加熱中に膜前駆体及び還元ガスのような2つ以上の工程ガスが交互に順次導入される。第1ステップで基板表面に膜前駆体を吸収し,第2ステップで所定の膜を形成するように還元される。このように,チャンバ内で2つの工程ガスを交互に使用することによって,比較的遅い蒸着速度で蒸着が行われる。プラズマ強化原子層蒸着PEALDにおいては,還元ガスを導入中にプラズマが形成されて還元プラズマを形成する。これまで,ALDとPEALD工程は,これらの工程がCVD及びPECVD工程より遅いという短所にもかかわらず,層厚さの改善された均一性と層が蒸着される要部に対する適合性とを提供することが確認された。供給ライン50は,第1及び第2反応ガスライン52,54,パージガスライン56,及びプラズマライン58を含み,これらは連結ライン40aを介してシャワーヘッド40に供給される。上部拡散流路46は,流入口41aに連結され,供給ライン50を介して供給された反応ガス又はパージガスは,拡散流路42,44,46を順に通過した後,流入口41aを介して工程領域13aに供給される。第1反応ガスライン52は,第1反応ガスを供給し,第1反応ガスは,基板に形成された膜で見られる主要原子又は分子種を有する組成物のような膜前駆体を含むことができる。例えば,膜前駆体は固相,液相又は気相として開始し,気相でシャワーヘッド40に供給されることができる。工程進行時に所定周期の間,第1反応ガスが工程領域13aに供給され,第1反応ガスは,単層として基板に吸収される。以降,後述のパージガスライン56を介して工程領域13aにパージガスがパージされる。第2反応ガスライン54は,第2反応ガスを供給し,第2反応ガスは,還元剤を含むことができる。例えば,還元剤は,固相,液相又は気相として開始し,気相でシャワーヘッド40に供給されることができる。工程進行時,先行のパージが完了すると,所定周期の間,還元ガスが工程領域13aに供給され,アンテナ20にRF電流が供給される。これにより,第2反応ガスライン54を介して供給された第2反応ガスのイオン化及び解離をもたらすことができ,これは,第1反応ガスによる膜前駆体を還元させるように膜前駆体と反応して膜を形成できる解離した種を形成できる。一方,第1反応ガスと第2反応ガスは,交互に供給されることができ,交互に供給されることは周期的に行なわれても良く,第1及び第2反応ガスの供給間の時間周期を可変的にして非周期的に行われても良い。パージガスライン56は,第1反応ガスと第2反応ガスの供給の間にパージガスをシャワーヘッド40に供給できる。パージガスは,希ガスすなわち,ヘリウム,ネオン,アルゴン,キセノン,クリプトン,窒素又は窒素含有ガス,水素又は水素含有ガスのような不活性ガスを含むことができる。プラズマライン58は,遠隔プラズマをシャワーヘッド40に選択的に供給することができ,遠隔プラズマは,チャンバの内部に供給されてチャンバ内部をクリーニングするために使用される。一方,図3に示すように,チャンバ蓋12の下部面は,中央部がエッジ部より下部に向かって突出するように形成され,シャワーヘッド40は,陥没したチャンバ蓋12のエッジ部に収容される。この時,シャワーヘッド40の内周面とチャンバ蓋12の中央部の側面の間に間隙が形成される。また,支持台11が工程位置に移動した場合,支持台11の上部面のエッジは,シャワーヘッド40に近接し,支持台11とシャワーヘッド40の間には,微細な間隙が存在する。この時,シャワーヘッド40は,上部吐出口75及び下部吐出口77を介して遮断ガスを吐出し,遮断ガスは,流入口41aを介して供給された反応ガス又はパージガスが外部に漏れることを防止する。すなわち,上部吐出口75は,シャワーヘッド40とチャンバ蓋12の間に形成された間隙に遮断ガスを吐出し,下部吐出口77は,支持台11の上部面のエッジに遮断ガスを吐出する。吐出されたガスは,間隙を介してガスが漏れることを防止する。上部吐出口75は,シャワーヘッド40の内周面に形成され,下部吐出口77は,支持台11と隣接するシャワーヘッド40の対向面に形成される。上部吐出口75及び下部吐出口77は,シャワーヘッド40の内部に形成された上部流路74及び下部流路76を介して下部チャンバ10の側壁に形成された遮断ガス供給流路72に連結され,遮断ガス供給流路72は,遮断ガス供給ライン59に連結される。遮断ガス供給ライン59の内部には遮断ガスが流れ,遮断ガスは,不活性気体例えば,アルゴンArであることが好ましい。図4は,図2に示すシャワーヘッドの流出口部分を拡大した図である。図4に示すように,シャワーヘッド40は,複数の収斂流路43,45,47と収斂流路43,45,47を互いに連結する流出連結流路43a,45aを有する。収斂流路43,45,47は,略水平をなす形で互いに並んで形成され,上下に積層されて配置される。下部収斂流路43は,出口49を介して下部チャンバ10に形成された連結ライン40bに連結され,連結ライン40bは,排気ライン19aに連結される。上部収斂流路47は,流出口41bに連結され,工程領域13a内に供給された反応ガス又はパージガスは流出口41bを介して収斂流路43,45,47を順に通過した後,排気ライン19aを介して排出される。図5A乃至図5Cは,図1に示すシャワーヘッドによる流動を示す図である。図3乃至図5Cを参照して上述の拡散流路42,44,46及び収斂流路43,45,47の形状及びこれらを介した流動を説明する。まず,上述のように,原子層蒸着は,第1反応ガスを供給して基板上に第1反応ガスを吸着させ,パージガスを供給して第1反応ガスや副産物を除去した後,第2反応ガスを供給して第2反応ガスが第1反応ガスと反応して原子層を蒸着し,再度パージガスを供給して第2反応ガスや副産物を除去する。すなわち,2つの工程ガスが順に供給及び除去されなければならない。一般的な化学気相蒸着CVDは,反応ガスを同時に供給して薄膜を形成するように設計されているため,反応ガスを不連続的に供給して薄膜を形成したり,順次的に供給される反応ガスをチャンバ内で気相反応を起こさせないようにパージによって除去しつつ反応させる方法には適していなかった。また,化学気相蒸着を用いる装置では一般にシャワーヘッドを用いて反応ガスを上方向から下方向へ基板上に均一に供給する。しかし,このような構造は,工程気体の流れを複雑化し,大きな反応体積を要求するため,反応ガスの供給を迅速に切り替えることが困難である。図5Aは,図2のA-Aに沿って構成した断面図である。図5Aに示すように,シャワーヘッド40は,中央部分が中空になっているリング形状であり,中央部分は基板Sの位置と対応するように形成される。上述のアンテナ20は,シャワーヘッド40の中央部分を介して基板Sの上部に電界を形成できる。下部拡散流路42及び入口48と下部収斂流路43及び出口49は,反対側に位置し,これらの間に基板Sが載置される。入口48は,供給ライン50に連結され,供給ライン50を介して反応ガス又はパージガスが流入される。出口49は,排気ライン19aに連結され,排気ライン19aを介して反応ガス又はパージガスが排出される。したがって,図5Aに示すように,入口48から出口49に向かう流動が基板Sの上部に形成され,後述のように,流動は拡散流路42,44,46及び収斂流路43,45,47の形状によって均一に形成される。図5Aに示すように,下部拡散流路42は,入口48と連通し,供給ライン50から供給されたガスは,入口48を介して流入された後,下部拡散流路42を介して矢印方向に拡散される。この時,下部拡散流路42は,ガスの流動方向又は矢印方向に沿って断面積が漸進的に又は連続的に増加し,これによってガスは流動方向に沿って拡散され得る。また,図5Aに示すように,下部収斂流路43は,出口49と連通し,流出口41bを介して流入されたガスは,下部収斂流路43を介して矢印方向に合流して出口49に向かう。この時,下部収斂流路43は,ガスの流動方向又は矢印方向に沿って断面積が漸進的に又は連続的に減少し,これによってガスは,流動方向に沿って収斂し得る。図5Bは,図2のB-Bに沿って構成した断面図である。図5Bに示すように,中間拡散流路44は,流入連結流路42aを介して下部拡散流路42と連通し,下部拡散流路42を介して流入されたガスは,中間拡散流路44を介して矢印方向に拡散される。この時,中間拡散流路44は,ガスの流動方向又は矢印方向に沿って断面積が漸進的に又は連続的に増加し,これによってガスは流動方向に沿って拡散され得る。また,図5Bに示すように,中間収斂流路45は,流出連結流路43aを介して下部収斂流路43と連通し,流出口41bを介して流入されたガスは,中間収斂流路45を介して矢印方向に合流して流出連結流路43aに向かう。この時,中間収斂流路45は,ガスの流動方向又は矢印方向に沿って断面積が漸進的に又は連続的に減少し,これによってガスは,流動方向に沿って収斂し得る。図5Cは,図2のC-Cに沿って構成した断面図である。図5Cに示すように,上部拡散流路46は,流入連結流路44aを介して中間拡散流路44と連通し,中間拡散流路44を介して流入されたガスは上部拡散流路46を介して矢印方向に拡散される。この時,上部拡散流路46は,ガスの流動方向又は矢印方向に沿って断面積が漸進的に又は連続的に増加し,これによってガスは流動方向に沿って拡散され得る。拡散されたガスは流入口41aを介して基板Sの上部に供給され,流出口41bに向かって互いに平行をなす平行流動を形成する。また,図5Cに示すように,上部収斂流路47は,流出連結流路45aを介して中間収斂流路45と連通し,流出口41bを介して流入されたガスは上部収斂流路47を介して矢印方向に合流して流出連結流路45aに向かう。この時,上部収斂流路47は,ガスの流動方向又は矢印方向に沿って断面積が漸進的に又は連続的に減少し,これによってガスは流動方向に沿って収斂され得る。図3及び図5A乃至図5Cをさらに参照すると,供給ライン50から供給されたガスは入口48を介してシャワーヘッド40に流入され,ガスが下部拡散流路42,中間拡散流路44及び上部拡散流路46を通過することによって流動方向が右→左→右へ変わるとともに,流路の断面積が増加することによって拡散され得る。すなわち,ガスは拡散流路42,44,46を通過しながら十分に拡散されることができ,これによって,流入口41aを介して工程領域13aに供給されるガスは基板Sに対応する流動幅を有し得る。また,図4及び図5A乃至図5Cをさらに参照すると,流出口41b及び上部収斂流路47は,基板Sに対応する流動幅を有し,出口49を介して提供される排気圧力は,収斂流路43,45,47を介して流出口41bの全面に対して均等に提供される。したがって,基板Sは,上部拡散流路46と上部収斂流路47の間に位置し,流入口41aを介して流入されたガスは基板Sの上部に流出口41bに向かう均一な平行流動を形成する。以降,ガスは上部収斂流路47,中間収斂流路45及び下部収斂流路43を通過することによって流動方向が右→左→右へ変わるとともに,流路の断面積が減少することによって徐々に収斂され,出口49を介して排気ライン19aに沿って排出される。上述によれば,工程領域13a内にガスの均一な流動が形成されるので,ガスを迅速に供給及び排出することができ,特に,2つ以上の反応ガス及びパージガスを迅速に切り替えて供給できる。また,工程領域13aの体積を最小化する場合,ガスの切り替えをなるべく迅速に行うことができる。図6は,本発明の他の実施形態によるシャワーヘッドの流入口部分を拡大した図で,図7は,本発明のさらに他の実施形態によるシャワーヘッドの流入口部分を拡大した図である。上述の図3は,下部拡散流路42,中間拡散流路44及び上部拡散流路46を示しているが,図6に示すように,シャワーヘッド40は,中間拡散流路44及び上部拡散流路46のみを有することができ,中間拡散流路44は,入口48を介して供給ライン50に連結され得る。中間拡散流路44及び上部拡散流路46の具体的な形状は,上述の図5B及び図5Cと略同一な場合がある。また,シャワーヘッド40は,上部拡散流路46のみを有することができ,上部拡散流路46は,入口48を介して下部チャンバ10に形成された連結ライン40aに連結され,連結ライン40aは,供給ライン50に連結され得る。上部拡散流路46の具体的な形状は,上述の図5Cと略同一である。すなわち,上述の図3と異なり,拡散流路の個数は,増減することができ,これによって拡散流路の具体的な形状は変形され得る。ただし,ガスは,拡散流路を通過しながら十分に拡散され,これによって,供給ライン50を介して供給されるガスとは異なり,流入口41aを介して工程領域13aに供給されるガスは,基板Sに対応する流動幅を有し得る。また,図1を参照すると,アンテナ20は,チャンバ蓋12の上部に設けられる。アンテナ20は,RF電源図示せずにそれぞれ連結され工程領域13a内に電界を形成し,工程領域13a内に供給された反応ガスからプラズマを発生させる。図8は,図1に示すアンテナを概略的に示す平面図である。図8に示すように,アンテナ20は,一体に形成された第1及び第2アンテナを備え,第1及び第2アンテナは,中心線Rを基準に180 ゚の回転対称をなす。第1アンテナは,中心を基準に半円形状をなす第1内側アンテナ21,第1中間アンテナ23,第1外側アンテナ25を有する。第1内側アンテナ21は,第1半径r1を有し,第1中間アンテナ23は,第2半径r2を有し,第1外側アンテナ25は,半径r3を有するr1<r2<r3。この時,第1内側連結アンテナ21aは,第1内側アンテナ21と第1中間アンテナ23を連結し,第1外側連結アンテナ23aは,第1中間アンテナ23と第1外側アンテナ25を連結する。同様に,第2アンテナは,中心を基準に半円形状をなす第2内側アンテナ22,第2中間アンテナ24,第2外側アンテナ26を有する。第2内側アンテナ22は,第1半径r1を有し,第2中間アンテナ24は,第2半径r2を有し,第2外側アンテナ26は,半径r3を有するr1<r2<r3。この時,第2内側連結アンテナ22aは,第2内側アンテナ22と第2中間アンテナ24を連結し,第2外側連結アンテナ24aは,第2中間アンテナ24と第2外側アンテナ26を連結する。第1及び第2アンテナは,別途のRF電源図示せずにそれぞれ連結され,RF電源を介して第1及び第2アンテナにRF電流が流れると,第1及び第2アンテナは,下部チャンバ10内に電界を形成する。この時,第1及び第2アンテナは,相互補完して下部チャンバ10内に均一な電界を形成できる。図8に示すように,中心Oから半径方向に沿って,第1及び第2アンテナは,交互に配置される。すなわち,第1中間アンテナ23は,第2内側アンテナ22と第2外側アンテナ26の間に位置し,第2中間アンテナ24は,第1内側アンテナ21と第1外側アンテナ25の間に位置する。したがって,第1アンテナによって形成される電界が第2アンテナによって形成される電界より弱い場合,隣接する第2アンテナによって形成された電界によって補強されることができ,第1アンテナによって形成される電界が第2アンテナによって形成される電界より強い場合,隣接する第2アンテナによって形成された電界によって相殺されることができる。したがって,第1及び第2アンテナによってそれぞれ形成され得る電界の大きさに差があっても,電界間の補強干渉によって均一な電界を形成できる。一方,図1に示すように,調節プレート30がチャンバ蓋12とアンテナ20の間に設けられる。調節プレート30は,チャンバ蓋12と固定プレート34の間に配置され,固定プレート34は,固定リング32に固定され調節プレート30を固定する。調節プレート30は,誘電体材質からなり,調節プレート30の厚さによってアンテナ20によって形成される電界を調節できる。図9は,図1に示す調節プレートの厚さと基板の蒸着率との関係を示すグラフである。図9の上側に示すように,蒸着工程を終えた後,蒸着率Dを測定すると,基板の中心Oと基板のエッジ部分で低い値を表し,基板の中心Oと基板のエッジの間で高い値を表す。したがって,調節プレート30を用いて基板の蒸着均一度を改善する。調節プレート30は,アンテナ20によって形成される電界に対する抵抗の役割を行う。調節プレート30の厚さが増加するほどアンテナ20によって形成される電界は弱くなり,これによって蒸着率は低下する。この点を利用して,調節プレート30の厚さを調節することによって基板の蒸着均一度を改善できる。図4に示すように,蒸着率の低い基板の中心Oと基板のエッジ部分の厚さd0,deを基板の中心Oと基板のエッジの間の部分の厚さdmより大きくして電界の大きさを調節することによって,蒸着均一度を改善できる。一方,図4に示す蒸着率及び調節プレート30の厚さは,例をあげて説明するためのものであり,蒸着率と調節プレート30の厚さはこれと異なる場合がある。図10は,本発明の実施形態によるサイクリック薄膜蒸着方法を示すフローチャートである。図10を参照すると,半導体製造装置のチャンバ内部に基板をロードするS100。前記チャンバ内部にロードされた基板にシリコン薄膜が形成されS200,シリコン薄膜を形成するためにシリコンを蒸着するステップS210及び第1パージステップS220が共に行われる。シリコンを蒸着するために前記チャンバ内部にシリコン前駆体を注入して,前記基板上にシリコンを蒸着させることができるS210。前記基板上にシリコンを蒸着した後,未反応のシリコン前駆体及び反応副産物を除去する第1パージステップを行うS220。以降,シリコンを蒸着するステップS210及び第1パージステップS220を繰り返しS230,前記基板上にシリコン薄膜を形成する。シリコンを蒸着するステップS210及び第1パージステップS220は,例えば,3乃至10回繰り返して行うことができる。各シリコンを蒸着するステップS210では1つ乃至複数のシリコン原子層が前記基板上に形成され得る。したがって,シリコンを蒸着するステップS210及び第1パージステップS220を繰り返して行うとS230,非晶質のシリコン又は多結晶性を有するポリシリコンからなるシリコン薄膜が前記基板上に形成され得る。非晶質のシリコン又は多結晶性のシリコン薄膜は,数乃至数十Åの厚さを有し得る。以降,前記基板上に形成されたシリコン薄膜をシリコンが含まれる絶縁膜に形成するS300。シリコンが含まれる絶縁膜は,例えば,シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜であっても良い。シリコン薄膜をシリコンが含まれる絶縁膜に形成するために,前記チャンバ内部にプラズマ雰囲気を形成して反応ガスを注入できる。反応ガスは,例えばO2,O3,N2及びNH3を含む群から選択された1つ以上のガスであっても良い。シリコンが含まれる絶縁膜がシリコン酸化膜である場合,前記反応ガスは,O2又はO3のような酸素原子を含むガスであっても良い。シリコンが含まれる絶縁膜がシリコン窒化膜である場合,前記反応ガスは,N2又はNH3のような窒素原子を含むガスであっても良い。又は,シリコン薄膜をシリコンが含まれる絶縁膜,例えばシリコン酸化膜に形成するために,前記チャンバ内部にO2,又はO3を点火ガスとして用いてプラズマ雰囲気を形成できる。又は,シリコン薄膜をシリコンが含まれる絶縁膜,例えばシリコン窒化膜に形成するために,前記チャンバ内部にN2又はNH3を点火ガスとして用いてプラズマ雰囲気を形成できる。以降,チャンバの内部から反応副産物と反応ガス又は点火ガスを除去する第2パージステップを行うことができるS400。所望の厚さのシリコンが含まれる絶縁膜を得るために,必要に応じてシリコン薄膜を形成するステップS200,シリコンが含まれる絶縁膜に形成するステップS300及び第2パージステップS400は,繰り返して行うことができるS500。所望の厚さのシリコンが含まれる絶縁膜が形成された場合,基板は,チャンバからアンロードされ得るS900。図11は,本発明の実施形態によるサイクリック薄膜蒸着方法を示すダイアグラムである。図11に示すように,シリコンSi前駆体の注入とパージが繰り返して行われる。シリコン前駆体の注入とパージがそれぞれ数回繰り返して行われた後,プラズマ雰囲気が形成される。プラズマ雰囲気が形成された状態では必要に応じて反応ガスが注入され得る。このように,シリコン前駆体の注入及びパージが繰り返して行われた後,プラズマ雰囲気が形成されるステップまでが1サイクルとして動作する。すなわち,シリコン前駆体の注入及びパージが繰り返して行われてシリコン薄膜を形成した後,プラズマ雰囲気を形成してシリコンが含まれる絶縁膜を形成する過程が1サイクルとして動作する。したがって,サイクリック薄膜蒸着方法はシリコン前駆体の注入とパージが繰り返して行われることができることは無論,シリコン薄膜の形成と絶縁膜の形成も繰り返して行われることができる。図12A乃至図15は,上記内容を基に,本発明の実施形態によるサイクリック薄膜蒸着方法をステップ毎に詳細に説明する。図12A乃至図15に関する説明で,必要な場合,図10及び図11に対する参照符号が共に使われることができる。図12A乃至図12Cは,本発明の実施形態によるシリコンを蒸着するステップを示す断面図である。図12Aは,本発明の実施形態によるシリコン前駆体を注入するステップを示す断面図である。図12Aを参照すると,基板100がロードされたチャンバ内にシリコン前駆体50が注入される。基板100は,例えば,シリコン又は化合物半導体ウエハのような半導体基板を含むことができる。又は基板100はガラス,金属,セラミック,石英のような半導体と他の基板物質などが含まれ得る。シリコン前駆体50は,例えば,BEMAS,BDMAS,BEDAS,TEMAS,TDMAS,TEDASのようなアミノ系シラン,又はHCDのような塩化系シランであっても良く,シリコンと水素を含むシラン系の前駆体であっても良い。基板100がシリコン前駆体50と反応できるように,基板100は,50乃至600°Cの温度を維持できる。また,基板100がロードされたチャンバ内部の圧力は,0.05乃至10Torrを維持できる。図12Bは,本発明の実施形態による基板上にシリコンを蒸着した様子を示す断面図である。図12Bを参照すると,シリコン前駆体50のうち基板100と反応したものによって,基板100上にはシリコン原子が蒸着されてシリコン層112が形成され得る。シリコン層112は,1つ乃至複数のシリコン原子層からなることができる。シリコン前駆体50は,基板100と反応した後,反応副産物52を形成できる。またシリコン前駆体50の一部は,基板100と反応せず,未反応状態で残る場合もある。図12Cは,本発明の実施形態による第1パージステップを行った様子を示す断面図である。図12Cを参照すると,基板100上にシリコン層112を形成した後,残留した未反応状態のシリコン前駆体50及び反応副産物52をチャンバ11内部から除去するパージを行うことができる。未反応のシリコン前駆体50及び反応副産物52をチャンバ11内部から除去するパージステップを第1パージステップと称することができる。前記第1パージステップの間,基板100は,50乃至600°Cの温度を維持できる。また,基板100がロードされたチャンバ11内部の圧力は,0.05乃至10Torrを維持できる。すなわち,シリコン層112を蒸着するステップと前記第1パージステップの間に基板100の温度及びチャンバ11内部の圧力を一定に維持できる。図13は,本発明の実施形態によるシリコン薄膜を蒸着した様子を示す断面図である。図13に示すように,図12A乃至図12Cに示したステップを繰り返して,複数のシリコン層112,114,116を基板100上に蒸着し,非晶質のシリコン又は多結晶性を有するポリシリコンからなるシリコン薄膜110を形成する。シリコン薄膜110は,数乃至数十Åの厚さを有し得る。シリコン薄膜110は,3乃至10個のシリコン層112,114,116を含むように,シリコン層112を蒸着するステップと前記第1パージステップは,3乃至10回繰り返して行うことができる。このように,シリコン薄膜110を複数のシリコン層112に形成すると,シリコン薄膜110は,優れた膜質とステップカバレージを有することができる。図14Aは,本発明の実施形態によるシリコン薄膜をシリコンが含まれる絶縁膜に形成するステップを示す断面図である。図14Aを参照すると,シリコン薄膜110が形成された基板100上にプラズマを加える。すなわち,基板100がロードされたチャンバ内部をプラズマ雰囲気に形成する。プラズマ雰囲気を形成するために,ICP,CCP又はMWPlasma方式が用いられ得る。この時,プラズマ雰囲気を形成するために,100W乃至3kWの電力が印加され得る。プラズマ雰囲気を形成するために,例えば,Ar,He,Kr及びXeを含む群から選択された1つ以上の点火ガスと例えば,O2,O3,N2及びNH3を含む群から選択された1つ以上の反応ガス60が注入され得る。この時,点火ガスは,100乃至3000sccmの流量で注入され得る。又は,プラズマ雰囲気を形成するために,例えばO2,O3,N2及びNH3を含む群から選択された1つ以上の反応ガス60が注入され得る。その場合は,反応ガス60が点火ガスの役割を行うので別途の点火ガスを注入しなくて良い。反応ガス60として,例えば,O2,O3のような酸素原子を含むガスを使用する場合,シリコン薄膜110は,反応ガス60に含まれた酸素原子と反応してシリコン酸化膜に形成され得る。又は,反応ガス60として,例えば,N2及びNH3のような窒素原子を含むガスを使用する場合,シリコン薄膜110は,反応ガス60に含まれた窒素原子と反応してシリコン窒化膜に形成され得る。プラズマ雰囲気でシリコン薄膜110をシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜のような後述のシリコンが含まれる絶縁膜に変化して形成するために,基板100がロードされたチャンバ11の圧力を0.05乃至10Torrに維持できる。図14Bは,本発明の実施形態によるシリコンが含まれた第2パージステップを行った様子を示す断面図である。図14A及び図14Bを共に参照すると,残留した反応ガス60又は反応副産物を除去する第2パージステップを行い,シリコンが含まれる絶縁膜120aを形成する。シリコンが含まれる絶縁膜120aは,例えば,シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜であっても良い。シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜のような前記シリコンが含まれる絶縁膜120aをプラズマ雰囲気で形成すると,優れた膜質を得ることができる。特に,シリコンが含まれる絶縁膜120aが薄い厚さを有するように形成しても,優れた膜質を有し得る。また,上述のように,シリコン薄膜110が優れた膜質とステップカバレージを有することができるため,シリコンが含まれる絶縁膜120aも優れた膜質とステップカバレージを有し得る。特に,シリコンが含まれる絶縁膜120aは,プラズマ雰囲気で形成されるので,より良い膜質を有し得る。残留した未反応状態の反応ガス60又は反応副産物をチャンバ11内部から除去するパージステップを第2パージステップと称することができる。図15は,本発明の他の実施形態によるシリコンが含まれた絶縁膜を形成した様子を示す断面図である。図15に示すように,図12A乃至図14Bで示したステップを繰り返して,複数のシリコンが含まれる絶縁膜120a,120bが含まれる絶縁膜120を形成できる。図14Aに示したシリコン薄膜110をシリコンが含まれる絶縁膜120aに形成する場合,シリコン薄膜110は,露出された表面から絶縁膜に変化するようになる。したがって,シリコン薄膜110が厚い場合,シリコン薄膜110と反応するための酸素又は窒素は,シリコン薄膜110表面に形成された絶縁膜を破って拡散しなければならない。したがって,絶縁膜の形成速度は,シリコン薄膜110が厚いほどさらに遅くなるようになる。形成しようとする絶縁膜120が相対的に厚い場合,相対的に薄いシリコン薄膜を形成した後,シリコンが含まれる絶縁膜に形成する過程を繰り返せば,相対的に厚いシリコン薄膜を一度で絶縁膜に形成することに比べ工程時間が短縮され得る。したがって,工程時間とシリコンが含まれる絶縁膜の所望の厚さを考慮して,図12A乃至図14Bで説明したステップを繰り返す回数を決定できる。また,絶縁膜120は,2つのシリコンが含まれる絶縁膜120a,120bが含まれるものを示したが,3つ又はそれ以上のシリコンが含まれる絶縁膜を含むことも可能である。図16は,本発明のさらに他の実施形態によるサイクリック薄膜蒸着方法を示すフローチャートである。図16を参照すると,半導体製造装置のチャンバ内部に基板をロードするS100。前記チャンバ内部にロードされた基板に絶縁膜が蒸着されS200,絶縁膜を蒸着するためにシリコンを蒸着するステップS210,第1パージステップS220,反応ステップS230及び第2パージステップS240が共に行われる。シリコンを蒸着するために前記チャンバ内部にシリコン前駆体を注入し,前記基板上にシリコンを蒸着させることができるS210。前記基板上にシリコンを蒸着した後,未反応のシリコン前駆体及び反応副産物を除去する第1パージステップを行うS220。以降,前記基板上に形成されたシリコンを反応ガスと反応させ,シリコンが含まれる絶縁膜に形成する反応ステップを行うS230。シリコンが含まれる絶縁膜は,例えば,シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜であっても良い。シリコンをシリコンが含まれる絶縁膜に形成するために,前記チャンバ内部に第1反応ガスを注入できる。第1反応ガスは,例えばO2,O3,N2及びNH3を含む群から選択された1つ以上のガスであっても良い。シリコンが含まれる絶縁膜がシリコン酸化膜である場合,前記第1反応ガスはO2又はO3のような酸素原子を含むガス,又はO2雰囲気でプラズマを用いて形成されたO2酸素陰イオン又はO酸素ラジカルであっても良い。シリコンが含まれる絶縁膜がシリコン窒化膜である場合,前記第1反応ガスはN2又はNH3のような窒素原子を含むガスであっても良い。以降,チャンバの内部から反応副産物と反応ガス又は点火ガスを除去する第2パージステップを行うことができるS240。シリコンを蒸着するステップS210,第1パージステップS220,反応ステップS230及び第2パージステップS240は,繰り返して行うことができるS250。シリコンを蒸着するステップS210,第1パージステップS220,反応ステップS230及び第2パージステップS240は,例えば,3乃至10回繰り返して行うことができる。シリコンを蒸着するステップS210,第1パージステップS220,反応ステップS230及び第2パージステップS240を含む絶縁膜蒸着ステップS200の間に基板の温度及びチャンバ内部の圧力を一定に維持できる。各シリコンを蒸着するステップS210では少なくとも1つのシリコン原子層が前記基板上に形成され得る。シリコンが含まれる絶縁膜は,数乃至数十Åの厚さを有するように形成され得る。シリコンが含まれる絶縁膜が形成された後,緻密化ステップを行うS300。シリコンが含まれる絶縁膜を緻密化するために,前記チャンバ内部にプラズマ雰囲気を形成できる。また,プラズマ雰囲気とともに追加的に第2反応ガスを注入できる。第2反応ガスは,例えばH2,O2,O3,N2及びNH3を含む群から選択された1つ以上のガスであっても良い。所望の厚さのシリコンが含まれる絶縁膜を得るために,必要に応じて絶縁膜蒸着ステップS200及び緻密化ステップS300は,繰り返して行うことができるS400。所望の厚さのシリコンが含まれる絶縁膜が形成された場合,基板は,チャンバからアンロードされ得るS900。図17は,本発明のさらに他の実施形態によるサイクリック薄膜蒸着方法を示すダイアグラムである。図17に示すように,シリコンSi前駆体の注入及びパージと第1反応ガスの注入及びパージが繰り返して行われる。シリコンSi前駆体の注入後のパージと第1反応ガスの注入後のパージが繰り返して行われた後,プラズマ雰囲気が形成される。プラズマ雰囲気が形成された状態では必要に応じて第2反応ガスが注入され得る。このように,シリコン前駆体の注入及びパージと第1反応ガスの注入及びパージが繰り返して行われた後,プラズマ雰囲気が形成されるステップまでが1サイクルとして動作する。すなわち,シリコン前駆体の注入及びパージと反応ガスの注入及びパージが繰り返して行われてシリコンが含まれる絶縁膜を形成した後,プラズマ雰囲気を形成してシリコンが含まれる絶縁膜を緻密化する。また,上記過程をすべて繰り返して,所望の厚さのシリコンが含まれる絶縁膜を得ることができる。したがって,サイクリック薄膜蒸着方法は,シリコン前駆体の注入及びパージと第1反応ガスの注入及びパージが繰り返して行われることができることは無論,シリコンが含まれる絶縁膜の形成と緻密化も繰り返して行うことができる。図18A乃至図22は,上記内容を基に,本発明のさらに他の実施形態によるサイクリック薄膜蒸着方法をステップ毎に詳細に説明する。図18A乃至図22に関する説明で,必要な場合,図16及び図17に対する参照符号が共に使われることができる。図18A乃至図18Cは,本発明の実施形態によるシリコンを蒸着するステップを示す断面図である。図18Aは,本発明の実施形態によるシリコン前駆体を注入するステップを示す断面図である。図18Aを参照すると,基板100がロードされたチャンバ内にシリコン前駆体50が注入される。基板100は,例えば,シリコン又は化合物半導体ウエハのような半導体基板を含むことができる。又は基板100はガラス,金属,セラミック,石英のような半導体と他の基板物質などが含まれ得る。シリコン前駆体50は,例えば,BEMAS,BDMAS,BEDAS,TEMAS,TDMAS,TEDASのようなアミノ系シラン,又はHCDのような塩化系シランであり得る。基板100がシリコン前駆体50と反応できるように,基板100は,50乃至600°Cの温度を維持できる。また,基板100がロードされたチャンバ内部の圧力は,0.05乃至10Torrを維持できる。図18Bは,本発明の実施形態による基板上にシリコンを蒸着した様子を示す断面図である。図18Bを参照すると,シリコン前駆体50のうち基板100と反応したものによって,基板100上にはシリコン原子が蒸着されてシリコン層112が形成され得る。シリコン層112は,少なくとも1つのシリコン原子層からなることができる。シリコン前駆体50は,基板100と反応した後,反応副産物52を形成できる。またシリコン前駆体50の一部は基板100と反応せず,未反応状態で残る場合もある。図18Cは,本発明の実施形態による第1パージステップを行った様子を示す断面図である。図18Cを参照すると,基板100上にシリコン層112を形成した後,残留した未反応状態のシリコン前駆体50及び反応副産物52をチャンバ内部から除去するパージを行うことができる。未反応のシリコン前駆体50及び反応副産物52をチャンバ内部から除去するパージステップを第1パージステップと称することができる。前記第1パージステップの間,基板100は,50乃至600°Cの温度を維持できる。また,基板100がロードされたチャンバ内部の圧力は,0.05乃至10Torrを維持できる。すなわち,シリコン層112を蒸着するステップと前記第1パージステップの間に基板100の温度及びチャンバ内部の圧力を一定に維持できる。図19A乃至図19Cは,本発明の実施形態によるシリコンが含まれる絶縁膜を形成するステップを示す断面図である。図19Aは,本発明の実施形態による反応ガスを注入するステップを示す断面図である。図19Aを参照すると,基板100がロードされたチャンバ内に第1反応ガス60が注入される。第1反応ガス60は,例えば,O2,O3,N2及びNH3を含む群から選択された1つ以上のガスであっても良い。又は第1反応ガス60は,例えば,O2雰囲気でプラズマを用いて形成されたO2酸素陰イオン又はO酸素ラジカルであっても良い。基板100が第1反応ガス60と反応できるように,基板100は,50乃至600°Cの温度を維持できる。また,基板100がロードされたチャンバ内部の圧力は,0.05乃至10Torrを維持できる。図19Bは,本発明の実施形態による基板上にシリコンが含まれる絶縁膜を蒸着した様子を示す断面図である。図19Bを参照すると,第1反応ガス60のうちシリコン層112と反応したものによって,基板100上にはシリコンが含まれる絶縁膜122aが形成され得る。第1反応ガス60は,シリコン層112と反応した後,反応副産物62を形成できる。また,第1反応ガス60のうち一部は,シリコン層112と反応せず,未反応状態で残る場合もある。第1反応ガス60として,例えば,O2,O3のような酸素原子を含むガス又はO2雰囲気でプラズマを用いて形成されたO2酸素陰イオン又はO酸素ラジカルを使用する場合,シリコン層112は,第1反応ガス60に含まれた酸素原子と反応してシリコン酸化膜に形成され得る。又は,第1反応ガス60として,例えば,N2及びNH3のような窒素原子を含むガスを使用する場合,シリコン層112は,第1反応ガス60に含まれた窒素原子と反応してシリコン窒化膜に形成され得る。図19Cは,本発明の実施形態による第2パージステップを行った様子を示す断面図である。図19Cを参照すると,基板100上にシリコンが含まれる絶縁膜122aを形成した後,残留した未反応状態の第1反応ガス60及び反応副産物62をチャンバ内部から除去するパージを行うことができる。未反応状態の第1反応ガス60及び反応副産物62をチャンバ内部から除去するパージステップを第2パージステップと称することができる。前記第2パージステップの間,基板100は,50乃至600°Cの温度を維持できる。また,基板100がロードされたチャンバ内部の圧力は,0.05乃至10Torrを維持できる。図20は,本発明の実施形態による複数のシリコンが含まれる絶縁膜を形成した様子を示す断面図である。図20に示すように,図18A乃至図18Cに示したステップを繰り返して,複数のシリコンが含まれる絶縁膜122a,122b,122cからなる絶縁膜層122を形成する。絶縁膜層122は,数乃至数十Åの厚さを有し得る。絶縁膜層122は,3乃至10個のシリコンが含まれる絶縁膜122a,122b,122cを含むように,各シリコンが含まれる絶縁膜122a,122b又は122cを蒸着する過程は,3乃至10回繰り返して行うことができる。このように,絶縁膜層122を複数のシリコンが含まれる絶縁膜122a,122b,122cに形成すると,絶縁膜層122は,優れた膜質とステップカバレージを有することができる。図21A及び図21Bは,本発明の実施形態による絶縁膜を緻密化するステップを示す断面図である。図21Aは,本発明の実施形態による絶縁膜層にプラズマ雰囲気を供給する様子を示す断面図である。図21Aを参照すると,絶縁膜層122が形成された基板100上にプラズマを加える。すなわち,基板100がロードされたチャンバ内部をプラズマ雰囲気に形成する。プラズマ雰囲気を形成するために,ICP,CCP又はMWPlasma方式が用いられ得る。この時,プラズマ雰囲気を形成するために,100W乃至3kWの電力が印加され得る。プラズマ雰囲気を形成するために,例えば,Ar,He,Kr及びXeを含む群から選択された1つ以上の点火ガスが注入され得る。この時,点火ガスは,100乃至3000sccmの流量で注入され得る。プラズマ雰囲気で絶縁膜層122をさらに緻密化するために,第2反応ガス64が追加的に注入され得る。第2反応ガス64は,例えば,H2,O2,O3,N2及びNH3を含む群から選択された1つ以上のガス又はO2雰囲気でプラズマを用いて形成されたO2酸素陰イオン又はO酸素ラジカルであっても良い。絶縁膜層122がシリコン酸化膜である場合,第2反応ガス64として,例えば,O2,O3のような酸素原子を含むガス,O2雰囲気でプラズマを用いて形成されたO2酸素陽イオン又はO酸素ラジカル,又はH2を使用することができる。絶縁膜層122がシリコン窒化膜である場合,第2反応ガス64として,例えば,N2及びNH3のような窒素原子を含むガス又はH2を使用することができる。図21Bは,本発明の実施形態による緻密化した絶縁膜層122Dを形成した様子を示す断面図である。図21A及び図21Bを共に参照すると,プラズマ雰囲気で絶縁膜層122は,緻密化が行われて緻密化した絶縁膜層122Dが形成され得る。緻密化した絶縁膜層122Dを形成するために,基板100がロードされたチャンバの圧力を0.05乃至10Torrに維持できる。また,絶縁膜層122をプラズマ雰囲気で処理して得られた緻密化した絶縁膜層122Dは,絶縁特性などが膜質が優秀であることができる。特に,緻密化した絶縁膜層112Dが薄い厚さを有するように形成しても,優れた膜質を有し得る。図22は,本発明の他の実施形態によるシリコンが含まれた絶縁膜を形成した様子を示す断面図である。図22を参照すると,図18A乃至図21Bで説明したステップを繰り返して,複数の緻密化した絶縁膜層122D,124Dが含まれる絶縁膜120を形成できる。図21Aに示した絶縁膜層122が相対的に厚い場合,絶縁膜層122の下部にはプラズマ又は第2反応ガス64による影響は相対的に少なくなり得る。したがって,絶縁膜120の膜質をより向上させるために,相対的に薄い複数の緻密化した絶縁膜層122D,124Dが含まれる絶縁膜120を形成できる。また,絶縁膜120は,2つの緻密化した絶縁膜層122D,124Dが含まれるものを示したが,3つ以上の緻密化した絶縁膜層を含むことも可能である。すなわち,絶縁膜120が含む緻密化した絶縁膜層の個数は,絶縁膜120の所望の厚さを考慮して決定できる。すなわち,絶縁膜120の所望の厚さを考慮して図4A乃至図21Bで説明したステップを繰り返す回数を決定できる。"