"電子線源装置と、この電子線源装置から放射された電子線によって励起されることにより紫外光を放射する半導体発光素子とが真空容器の内部に配置されてなる電子線励起型光源装置において、前記半導体発光素子には、前記電子線源装置からの電子線が入射される一面の電荷を取り除くための導電性の除電部材が設けられていることを特徴とする電子線励起型光源装置。前記半導体発光素子は、導電性支持体を介して前記真空容器に固定されており、前記除電部材は、前記導電性支持体に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の電子線励起型光源装置。而して、電子線励起型光源装置においては、半導体発光素子として、例えば絶縁基板上に複数の半導体層が結晶成長により積層されて形成されたものが用いられているが、電子線励起型光源装置の高出力化、小型化に伴って、電子線源から放射される電子が、半導体発光素子の一面に照射されたときに、電子の衝突によって、半導体発光素子の一面や当該一面側の周側面に電荷が溜まりチャージアップされることが判明した。その結果、電子線源から放射される電子線の軌道が変化すること、あるいは、電子線源からの電子が半導体発光素子の一面によって反発されることなどの理由により、電子線源からの電子線を効率よく半導体発光素子の一面に入射させることができなくなり、発光効率が低下するという問題が生ずる。本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、電子線源装置からの電子線を効率よく半導体発光素子の一面に照射することができ、高い光出力を得ることのできる電子線励起型光源装置を提供することにある。本発明の電子線励起型光源装置は、電子線源装置と、この電子線源装置から放射された電子線によって励起されることにより紫外光を放射する半導体発光素子とが真空容器の内部に配置されてなる電子線励起型光源装置において、前記半導体発光素子には、前記電子線源装置からの電子線が入射される一面の電荷を取り除くための導電性の除電部材が設けられていることを特徴とする。本発明の電子線励起型光源装置においては、前記半導体発光素子は、導電性支持体を介して前記真空容器に固定されており、前記除電部材は、前記導電性支持体に電気的に接続された構成とされていることが好ましい。本発明の電子線励起型光源装置によれば、半導体発光素子における電子線源装置からの電子線が照射される一面の電荷を取り除くための除電部材が設けられた構成とされていることにより、半導体発光素子における電子線源装置からの電子線が照射される一面に、電子線源装置からの電子線の照射により電荷が蓄積されることが防止または抑制されるので、電子線源装置からの電子線を効率よく半導体発光素子の一面に照射することができて高い光出力を得ることができる。以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。図1は、本発明の電子線励起型光源装置の一例における構成の概略を示す説明図であり、Aは側面断面図、Bは光透過窓を取り外した状態を示す平面図、図2は、図1に示す電子線励起型光源装置における電子線源装置の構成を概略的に示す、図1BにおけるA-A線拡大断面図である。なお、図1Bにおいては、便宜上、電子線源装置にハッチングが付してある。この電子線励起型光源装置は、内部が負圧の状態で密閉された外形が直方体状の真空容器10を具えており、この真空容器10は、一方図1Aにおいて上方が開口すると共に底壁中央位置に貫通孔を有する容器基体11と、この容器基体11の上方開口を塞ぐよう配置されて当該容器基体11に気密に封着された光透過窓15と、容器基体11の底壁における貫通孔に挿入されて当該容器基体11に気密に封着された半導体発光素子保持部材18とによって構成されている。真空容器10内には、半導体発光素子20が、その一面図1Aにおいて上面20aが光透過窓15に離間して対向するよう配置され、この半導体発光素子20の周辺領域、具体的には、半導体発光素子20の一面上の領域および対向する他面上の領域以外の当該半導体発光素子20に近接した領域には、面状の電子線放出部32を有する電子線源装置30が、当該半導体発光素子20を取り囲むよう配置されている。図示の例では、電子線源装置30は円環状の帯状体として構成されており、当該電子線放出部32における電子線が放射される表面が半導体発光素子20の電子線が入射される一面20aと同方向を向いた姿勢すなわち真空容器10の光透過窓15を向いた姿勢で、半導体発光素子20を取り囲むよう配置され、この状態で、支持部材37を介して真空容器10における容器基体11の底壁に固定されている。半導体発光素子20および電子線源装置30は、真空容器10の内部から外部に引き出された導電線図1Aにおいて二点鎖線で示す。を介して、真空容器10の外部に設けられた、加速電圧を印加するための電子加速手段55に、半導体発光素子20が正極、電子線源装置30が負極となるよう電気的に接続されている。また、半導体発光素子20は、電子線が入射される一面20aと対向する他面20bが半導体発光素子保持部材18の一面図1Aにおいて上面に設けられた導電性支持体16を介して半導体発光素子保持部材18に固定されて配置されている。そして、半導体発光素子20に対して電子線源装置30より外方の位置には、電子線源装置30から放射された電子線の軌道を半導体発光素子20における光が放射される一面20aに向かって指向させる電界制御用電極50が配置されている。具体的には、電界制御用電極50は、電子線源装置30の外径より大きい内径を有する胴部51と、この胴部51に連続して形成された、先端図1Aにおいて上端に向かって小径となるテーパ部52とよりなる円筒体により構成されている。この電界制御用電極50は、電子線源装置30の外周を取り囲むよう配置されており、当該電界制御用電極50の基端が、真空容器10における容器基体11の底壁に固定されている。電子線源装置30および電界制御用電極50は、真空容器10の内部から外部に引き出された導電線図1Aにおいて二点鎖線で示す。を介して、真空容器10の外部に設けられた電界制御用電源57に、電子線源装置30が正極、電界制御用電極50が負極となるよう電気的に接続されている。真空容器10における容器基体11を構成する材料としては、コバールガラス、石英ガラス等のガラス材料を用いることができる。また、真空容器10における光透過窓15を構成する材料としては、半導体発光素子20からの光を透過し得るものが用いられ、例えばサファイア、石英ガラスなどを用いることができる。また、真空容器10の内部の圧力は、例えば10-4~10-6Paである。半導体発光素子保持部材18を構成する材料としては、熱膨張率が、容器基体11を構成する材料の熱膨張率と近似する値を示す材料が好ましく、例えば容器基体11の材料にコバールガラスを用いる場合には、例えばコバールメタルなどを用いることができる。導電性支持体16を構成する材料としては、銅などの熱伝導性の高い金属を用いることができる。この例における電子線源装置30は、図2に示すように、面状の電子線放出部32を有するカソード電極31を備えている。カソード電極31は、カソード基板31bの全周面に電子線放出層31aが形成されて構成されている。電子線放出層31aは、多数のカーボンナノチューブがカソード基板31bの表面に支持されることによって形成されている。カーボンナノチューブよりなる電子線放出層31aをカソード基板31bに形成する方法としては、特に限定されず公知の方法を用いることができ、例えば表面に金属触媒層が形成されたカソード基板31bを加熱し、COやアセチレン等のカーボンソースガスを供給することにより、カソード基板31bの表面に形成された金属触媒層上にカーボンを堆積してカーボンナノチューブを形成する熱CVD法、アーク放電法等によって形成されたカーボンナノチューブの粉体および有機バインダーが液状媒体中に含有されてなるペーストを調製し、このペーストをスクリーン印刷によってカソード基板31bの表面に塗布して乾燥するスクリーン印刷法などを好適に用いることができる。このカソード電極31は、例えばアルミナなどのセラミックスよりなる板状のベース35の一面上に設けられたベースフレーム36の一面上に配置されている。この電子線源装置30においては、電子線放出部32における電子線放出面32aの面方向外方へ向かう電子線を遮蔽するシールド部材40がカソード電極31の側方の位置においてベースフレーム36の一面上に固定されて設けられている。このシールド部材40は、カソード電極31の両側を囲む胴部41と、この胴部41の先端に連続するカソード電極31における電子線放出面32aの周縁に沿って当該電子線放出面32aの面方向内方に延びるよう形成されたフランジ部42とにより構成されており、このフランジ部42の内面とベースフレーム36の一面とによってカソード電極31が保持固定されている。カソード電極31の上方には、電子線放出部32から電子線を放出するための網状の電子引き出し電極グリッド電極46が電子線放出部32と離間して対向するよう配置されている。この電子引き出し電極46は、弧状に湾曲する先端部を有するキャップ部材48における当該先端部48aの一面上に固定されている。キャップ部材48は、その先端部48aの内面が、ベース35の一面上におけるベースフレーム36の外方位置に固定された板状のベースフレーム39の一面上の一部において接触されるよう同電位となるよう、設けられている。ここに、電子引き出し電極46とカソード電極31の各々の電子線放出部32における電子線放出面32aとの間の離間距離ギャップは例えば100~1000μmである。以上において、カソード電極31におけるカソード基板31b、シールド部材40、ベースフレーム36,39、電子引き出し電極46およびキャップ部材48を構成する材料としては、例えば、鉄もしくはニッケルの少なくとも一つを含む合金などを用いることができる。カソード電極31および電子引き出し電極46は、真空容器10の内部から外部に引き出された導電線図1Aにおいて二点鎖線で示す。を介して、真空容器10の外部に設けられた、電子線放出用電源56に電気的に接続されている。半導体発光素子20は、図3に示すように、例えばサファイアよりなる基板21と、この基板21の一面上に形成された例えばAlNよりなるバッファ層22と、このバッファ層22の一面上に形成された、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造を有する活性層25とにより構成されており、活性層25が真空容器10における光透過窓15に対向した状態で、基板21が導電性支持体16に例えば導電性接着剤Sで接合されている。基板21の厚みは、例えば10~1000μmであり、バッファ層22の厚みは、例えば100~1000nmである。また、半導体発光素子20における活性層25と電子線源装置30との離間距離は、例えば5~15mmである。また、半導体発光素子20における光が放射される一面20aと光透過窓15の内面との距離は、例えば3~25mmである。活性層25は、それぞれInxAlyGa1-x-yN0≦x<1,0<y≦1,xy≦1からなる単一量子井戸構造または多重量子井戸構造であり、単一または複数の量子井戸層26と単一または複数の障壁層27とが、バッファ層22上にこの順で交互に積層されて構成されている。量子井戸層26の各々の厚みは、例えば0.5~50nmである。また、障壁層27はその禁制帯幅が量子井戸層26のそれよりも大きくなるように組成を選択され、一例としては、AlNを用いればよく、各々の厚みは量子井戸層26の井戸幅より大きく設定され、具体的には、例えば1~100nmである。活性層25を構成する量子井戸層26の周期は、量子井戸層26、障壁層27および活性層25全体の厚みや、用いられる電子線の加速電圧などを考慮して適宜設定されるが、通常、1~100である。上記の半導体発光素子20は、例えばMOCVD法有機金属気相成長法によって形成することができる。具体的には、水素および窒素からなるキャリアガスと、トリメチルアルミニウムおよびアンモニアからなる原料ガスとを用い、サファイアよりなる基板21の0001面上に気相成長させることにより、所要の厚みを有するAlNからなるバッファ層22を形成した後、水素ガスおよび窒素ガスからなるキャリアガスと、トリメチルアルミニウム、トリメチルガリウム、トリメチルインジウムおよびアンモニアからなる原料ガスとを用い、バッファ層22上に気相成長させることにより、所要の厚みを有するInxAlyGa1-x-yN0≦x<1,0<y≦1,xy≦1からなる単一量子井戸構造または多重量子井戸構造を有する活性層25を形成し、以て、半導体発光素子20を形成することができる。上記のバッファ層22、量子井戸層26および障壁層27の各形成工程において、処理温度、処理圧力および各層の成長速度などの条件は、形成すべきバッファ層22、量子井戸層26および障壁層27の組成や厚み等に応じて適宜に設定することができる。また、InAlGaNよりなる量子井戸層26を形成する場合には、原料ガスとして、上記のものに加えてトリメチルインジウムを用い、処理温度をAlGaNよりなる量子井戸層26を形成する場合よりも低く設定すればよい。また、半導体多層膜の形成方法は、MOCVD法に限定されるものではなく、例えばMBE法分子線エピタキシー法なども用いることができる。而して、本発明の電子線励起型光源装置においては、半導体発光素子20に、少なくとも電子線源装置30からの電子線が入射される一面20a上の電荷を取り除くための導電性の除電部材が設けられている。この実施の形態に係る電子線励起型光源装置においては、除電部材は、例えば、半導体発光素子20の外周側面および一面20aの外周縁部を被覆するよう設けられた導電性膜28により構成されており、この導電性膜28は、導電性支持体16に電気的に接続、あるいは、リード部28aを介して電気的に接続されている。導電性膜28を形成するための材料としては、例えばAgペースト、Alペースト、銀ロウなどを用いることができる。導電性膜28の厚みは、例えば1~100μmである。上記の電子線励起型光源装置においては、電子線源装置30と電子引き出し電極46との間に電圧が印加されると、当該電子線源装置30における電子線放出部32から電子引き出し電極46に向かって電子が放出され、この電子は、半導体発光素子20と電子線源装置30との間に印加された加速電圧によって、半導体発光素子20に向かって加速されて電子線が形成されると共に、この電子線の軌道が、加速電圧および、電界制御用電源57によって電子線源装置30と電界制御用電極50との間に印加される電圧によって、半導体発光素子20における光が放射される一面20aに向かって指向され、その結果、当該電子線は、半導体発光素子20の一面20aすなわち活性層25の表面に入射される。そして、半導体発光素子20においては、電子線が入射されることによって活性層25の電子が励起され、これにより、当該半導体発光素子20における電子線が入射された一面20aから紫外線などの光が放射され、真空容器10における光透過窓15を介して当該真空容器10の外部に出射される。以上において、電子線放出用電源56によって電子線源装置30と電子引き出し電極46との間に印加される電圧は、例えば1~5kVである。また、電子加速手段55によって印加される電子線の加速電圧は、6~12kVであることが好ましい。加速電圧が過小である場合には、高い光の出力を得ることが困難となる。一方、加速電圧が過大である場合には、半導体発光素子20からX線が発生しやすくなり、また、電子線のエネルギーにより、半導体発光素子20がダメージを受けやすくなるため、好ましくない。また、電界制御用電源57によって電子線源装置30と電界制御用電極50との間に印加される電圧は、例えば-2~2kVである。而して、上記の電子線励起型光源装置によれば、半導体発光素子20の外周側面および電子線源装置30からの電子線が入射される一面20aの外周縁部を被覆するよう設けられた導電性膜28よりなる除電部材を具えていることにより、電子線源装置30からの電子線の照射により半導体発光素子20の一面20aに電荷が蓄積されることが防止または抑制されるので、電子線源装置30から放射される電子線の軌道が変化したり、あるいは、電子線源装置30からの電子が半導体発光素子20の一面20aによって反発されたりすることを回避することができて電子線源装置30からの電子線を効率よく半導体発光素子20の一面20aに照射することができ、従って、高い光出力発光効率を得ることができる。さらにまた、半導体発光素子20における電子線源装置30からの電子線が入射される一面20aから光が放射される構成とされているため、半導体発光素子20の、電子線が入射される一面20aに対向する他面20bから導電性支持体16を介して当該半導体発光素子20を冷却することが可能である。従って、半導体発光素子20を効率よく冷却することができるので、この点においても、半導体発光素子20の発光効率が低下することがなくて高い出力の光が維持される。図1乃至図3に示す構成に従って本発明に係る電子線励起型光源装置を作製した。この電子線励起型光源装置の仕様は次に示す通りである。真空容器10容器基体11:材質;コバールガラス、外形の寸法;40mm×40mm×20mm、肉厚;2mm、開口;36mm×36mm、光透過窓15:材質;サファイア、寸法;40mm×40mm×2mm、電子線源装置30電子線放出部32:外径;24mm、内径;20mm、厚み;0.02mm、電子線が放射される面の面積;138mm2、半導体発光素子20基板21:材質;サファイア、厚み;400μm、バッファ層22:材質;GaN、厚み;2μm、活性層25:量子井戸層26の材質;InGaN、量子井戸層26の厚み;3nm、障壁層27の材質;GaN、障壁層27の厚み;18nm、量子井戸層26の周期;6、導電性膜28:材質;Ag、厚み500μm、また、上記において作製した電子線励起型光源装置において、図4に示すように、チャージアップ抑制部材を有さない構成とされていることの他は本発明に係る電子線励起型光源装置におけるものと同一の構成を有する半導体発光素子201を具えた比較用の電子線励起型光源装置を作製した。本発明に係る電子線励起型光源装置および比較用の電子線励起型光源装置を、以下に示す動作条件で作動させたときの光出力および発光効率を測定した。結果を下記表1に示す。表1中、本発明に係る電子線励起型光源装置における光出力の値および発光効率の値は、いずれも、比較用の電子線励起型光源装置における光出力の値および発光効率の値の相対値を示す。<動作条件>電子線源装置と引き出し電極との間に印加される電圧;2kV、電子線の加速電圧:8kV、電子線源装置と電界制御用電極との間に印加される電圧:1kV、半導体発光素子への入力電力:32mW以上の結果より、半導体発光素子に除電部材が設けられた本発明に係る電子線励起型光源装置によれば、比較用の電子線励起型光源装置の20倍の大きさの光出力が得られることが確認された。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の変更を加えることができる。例えば、除電部材を構成する導電性膜は、半導体発光素子における電子線源装置からの電子線が照射される表面の外周縁部および半導体発光素子の外周側面の全部を必ずしも被覆するよう形成されている必要はなく、半導体発光素子における電子線源装置からの電子線が照射される表面の外周縁部および半導体発光素子の外周側面の少なくとも一部に形成された構成としても効果は望める。また、除電部材は、半導体発光素子における電子線源装置からの電子線が照射される表面にパターン化されて形成された導電性膜、例えば開口を有する導電性膜により構成されていてもよい。上記の実施の形態においては、半導体発光素子における電子線が入射される一面から光が放射される構成のものについて説明したが、図5に示すように、電子線源装置30が電子線放出部32の表面が半導体発光素子20の一面と対向する状態で配置され、半導体発光素子20の一面に電子線源装置30からの電子線が入射されることにより半導体発光素子20の他面から放射される光が光透過窓15を介して出射される構成とされていてもよい。さらにまた、電子線源装置は、面状の電子線放射部を有するものであれば、その具体的な形状は特に限定されず、また、カーボンナノチューブよりなるものに限定されない。また、電子線源の配置位置は、半導体発光素子の周辺であって、当該半導体発光素子の光出射面に電子線を入射することができる位置であれば、特に限定されない。"