"フッ化リチウム結晶相とセリウムを含有するフッ化カルシウム結晶相とから実質的になることを特徴とする金属フッ化物共晶体。前記両結晶相が層状構造を形成しており、フッ化リチウム結晶相の層の厚さが0.1μm~5μmであることを特徴とする請求項1に記載の金属フッ化物共晶体。前記フッ化カルシウム結晶相が一方向に直線的に連続していることを特徴とする、請求項1に記載の金属フッ化物共晶体。セリウムの含有量が、フッ化カルシウムに対して0.05~10molであることを特徴とする請求項1に記載の金属フッ化物共晶体。請求項1に記載の金属フッ化物共晶体からなることを特徴とする中性子用シンチレーター。本発明は、中性子に対する検出効率、及びn/γ弁別能に優れた中性子用シンチレーターおよび当該中性子用シンチレーターに好適な結晶体を提供することを目的とする。本発明者等は、フッ化リチウム結晶およびフッ化カルシウム結晶からなる金属フッ化物共晶体について種々検討した。その結果、当該金属フッ化物共晶体を構成するフッ化カルシウム結晶中にセリウムを含有せしめることによって、優れたn/γ弁別能を有する中性子用シンチレーターが得られることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、本発明によれば、フッ化リチウム結晶相とセリウムを含有するフッ化カルシウム結晶相とから実質的になることを特徴とする金属フッ化物共晶体が提供される。上記金属フッ化物共晶体において、1フッ化リチウム結晶相が、0.1μm~5μmの厚さの層状構造であること、2セリウムの含有量が、フッ化カルシウムに対して0.05~10molであること、3前記フッ化カルシウム結晶相が一方向に直線的に連続していること、が好適である。また、本発明によれば、上記金属フッ化物共晶体からなる中性子用シンチレーターが提供される。本発明によれば、中性子に対する検出効率が高く、かつn/γ弁別能に優れた中性子用シンチレーターおよび当該中性子用シンチレーターに好適な金属フッ化物共晶体が提供される。かかる中性子用シンチレーターを使用した中性子検出器は、中性子回折による構造解析等の学術研究分野、非破壊検査分野、或いは貨物検査等の保安分野等で好適に使用できる。本発明の金属フッ化物共晶体は、フッ化リチウム以下、LiFともいう結晶とセリウムを含有するフッ化カルシウム以下、Ce:CaF2ともいう結晶との二つの結晶相から実質的になる金属フッ化物共晶体である。かかる金属フッ化物共晶体では、前記二つの結晶相が相分離した層状構造を有する。当該金属フッ化物共晶体は、中性子の入射によって、以下の過程に基づくシンチレーション光を発するため、中性子用シンチレーターとして好適に用いることができる。まず、中性子がLiFに入射すると、該中性子がLiF中の6Li同位体に捕獲され、捕獲反応を起こして2次粒子であるα粒子及びトリチウムが生じる。次いで、かかる2次粒子が共晶体中を遊走し、Ce:CaF2に到達してCe:CaF2を励起する。最終的に、励起されたCe:CaF2がシンチレーション光を発する。すなわち、本発明の金属フッ化物共晶体のLiFおよびCe:CaF2は、それぞれ中性子捕獲材、シンチレーション光を発する蛍光体として作用する。上記金属フッ化物共晶体において、フッ化リチウムとフッ化カルシウムとの成分比フッ化リチウム/フッ化カルシウムは、特に限定されないが、0.75mol/0.25mol~0.85mol/0.15molが好ましく、理想的にはフッ化リチウムとフッ化カルシウムの共晶点における成分比、即ちフッ化リチウム/フッ化カルシウム=0.8mol/0.2molが特に好ましい。かかる共晶点における成分比を大きく外れたモル比とした場合には、金属フッ化物共晶体が著しく白濁したり、シンチレーション光の輝度が低下するおそれがある。上記金属フッ化物共晶体において、LiFの6Li同位体比を20~99とすることが好ましい。6Li同位体比を20以上、好ましくは90以上とすることによって、前記捕獲反応の確率が高まり中性子に対する検出効率が向上する。一方、同位体濃縮にかかるコストに鑑みて、6Li同位体比を99以下とすることが好ましい。本発明の金属フッ化物共晶体は、前記シンチレーション光を発する蛍光体として機能するCe:CaF2を含有することを最大の特徴とする。Ce:CaF2のシンチレーション光の輝度は、中性子を捕獲して生じる2次粒子で励起された場合は充分に高く、γ線で励起された場合は特異的に低い。したがって、本発明の金属フッ化物共晶体によれば、シンチレーション光の輝度に基づいて中性子の入射とγ線の入射を容易に弁別することができ、n/γ弁別能に優れた中性子用シンチレーターを提供できる。本発明の金属フッ化物共晶体は、フッ化カルシウム結晶中のセリウムの含有量によって、シンチレーション光の輝度等の特性が変化する。かかるセリウムの含有量は、金属フッ化物共晶体を製造する際に原料混合物に添加するセリウム原料の量によって調整することができる。セリウム含有量は特に制限されないが、フッ化カルシウムに対して0.05~10molとすることが好ましい。セリウム含有量を0.05mol以上とすることによって、シンチレーション光の輝度を高めることができ、また10mol以下とすることによって、金属フッ化物共晶体の顕著な白濁、あるいは濃度消光によるシンチレーション光の減退等の問題を回避することができる。なお、セリウム含有量が多い場合は、Ce:CaF2結晶とは別にフッ化セリウムの結晶相が生じる場合があるが、基本的には、Ce:CaF2結晶が前記メカニズムでシンチレーション機能を発現する限り、障害とはならない。なお、セリウム原子の正確な存在状態は不明であるが、フッ化カルシウム結晶中において、その大部分は、Ca原子と置換されて存在し、一部は結晶格子間にも存在すると考えられる。上記共晶体は、層状のフッ化リチウム結晶層の厚さが0.1~5μmであることが好ましい。前述したように、LiF結晶中で中性子を捕獲して生じた2次粒子は、共晶体中を遊走してCe:CaF2結晶に到達するが、遊走する過程でエネルギーの一部を失う。したがって、LiF結晶層が厚い場合には、核反応によって生じた2次粒子からCe:CaF2に付与されるエネルギーのばらつきが大きくなり、結果としてCe:CaF2より発せられるシンチレーション光の輝度のばらつきが大きくなる。本発明者らの検討によれば、LiF結晶層の厚さが薄いほど、前記シンチレーション光の輝度のばらつきが小さくなり、かかる厚さを5μm以下とすることによってn/γ弁別能に優れた中性子用シンチレーターを得ることができることが判明した。なお、LiF結晶層の厚さを0.1μm未満とすることは技術的に困難であり、特段の手段を講じる必要があるため、かかる厚さの下限は0.1μmとする。本発明の金属フッ化物共晶体の製造方法は特に限定されず、一般にはフッ化リチウム、フッ化カルシウム、及びフッ化セリウムの各原料の粉末等を混合して原料混合物を調製し、この原料混合物を加熱して溶融せしめた後、冷却して凝固せしめる方法を採用することができる。しかしながら、この方法は、フッ化カルシウム結晶に比較的多量のセリウムを含有させる場合には必ずしも好適ではなく、シンチレーション光の輝度が低下するおそれがある。この現象は、フッ化リチウムとフッ化カルシウムからなる金属フッ化物共晶体にセリウム等の3価のランタノイドを添加する場合に特異的に見られる現象であって、その原因は定かではない。本発明者らの検討によれば、予めセリウムを含有するフッ化カルシウム結晶からなる原料以下、Ce:CaF2原料というを別途作製し、当該Ce:CaF2原料とフッ化リチウムを混合して原料混合物を調製し、かかる原料混合物を加熱して溶融せしめた後、冷却して凝固せしめる製造方法が、多量のセリウムを含有させる場合好適であることが判明した。この製造方法によれば、充分な量のセリウムをフッ化カルシウム結晶に含有せしめることができ、したがってシンチレーション光の輝度を充分に高めることができる。Ce:CaF2原料を作製する方法は特に制限されないが、フッ化セリウムとフッ化カルシウムの各原料の粉末等を混合して原料混合物を調製し、この原料混合物を加熱して溶融せしめた後、冷却して凝固せしめる方法が好ましい。添加するフッ化セリウムの添加量は特に制限されないが、フッ化カルシウムに対して0.05~10molとすることにより、前出のフッ化カルシウム結晶中のセリウム含有量となる。さらに、本発明者らの別の検討によれば、前記各原料の粉末等を混合した原料混合物を溶融、凝固せしめる製造方法において、添加助剤としてNaF,KF、RbFおよびCsFから選ばれる少なくとも1種のアルカリ金属フッ化物を添加することが、多量のセリウムを含有させる場合特に好適であることが判明した。フッ化リチウム、フッ化カルシウム、及びフッ化セリウムの各原料から直接金属フッ化物共晶体を製造する場合もまた、かかる添加助剤の添加によって、充分な量のセリウムをフッ化カルシウム結晶に含有せしめることができる。更に、前記Ce:CaF2原料を用いる方法に比較して、製造プロセスを簡略化することができるため、製造にかかるコストを大幅に低減できる。上記アルカリ金属フッ化物としては、フッ化ナトリウムまたはフッ化カリウムが好適である。また、当該アルカリ金属フッ化物の添加量は特に制限されないが、フッ化セリウムに対して10~1000mol、且つフッ化カルシウムに対して0.05~10molとすることが好ましい。アルカリ金属フッ化物の添加量をフッ化セリウムに対して10mol以上、且つフッ化カルシウムに対して0.05mol以上とすることによって、セリウムをフッ化カルシウム結晶に効率よく含有せしめることができる。一方、当該添加量を極端に増加すると、アルカリ金属フッ化物の結晶相が別に生じて金属フッ化物共晶体の顕著な白濁が生じるおそれがあるため、フッ化セリウムに対して1000mol以下、且つフッ化カルシウムに対して10mol以下とすることが好ましい。以下、本発明の金属フッ化物共晶体の製造方法について説明する。まず、フッ化リチウム、フッ化カルシウム、及びフッ化セリウムの各原料の粉末等を混合して原料混合物を調製する。ただし、前記Ce:CaF2原料を用いる製造方法を採用する場合には、フッ化リチウムとCe:CaF2原料とを混合して原料混合物を調製する。また、前記添加助剤としてアルカリ金属フッ化物を原料混合物に添加してもよい。本発明において、フッ化リチウム、フッ化カルシウム、及びフッ化セリウムの各原料、及び添加助剤であるアルカリ金属フッ化物の純度は特に限定されないが、99.99以上とすることが好ましい。このような純度の高い原料、及び添加助剤を用いることにより、シンチレーション光の輝度等の特性が向上する。原料、及び添加助剤は、粉末状あるいは粒状で用いても良く、あらかじめ焼結或いは溶融固化させてから用いても良い。前記原料混合物を坩堝に充填し、加熱して溶融せしめた後、溶融した原料混合物の融液を冷却して凝固せしめる。かかる凝固の際にLiF相とCe:CaF2相の相分離が生じ、凝固と同時に金属フッ化物共晶体が生成する。特に層構造厚み、連続性、直線性を制御するためには、前記融液を特定の一方向に凝固せしめる一方向凝固法が好適に採用できる。一方向凝固法について、図1を例にとって説明する。上方が高温、下方が低温となるように調整された炉体の内部に融液を置く。該融液を下降するか、あるいは炉体を上昇すると、融液は下部より冷却され、凝固点を下回った部分は凝固して金属フッ化物共晶体となる。このとき、金属フッ化物共晶体と融液の間に固液界面が形成される。さらに融液を下降するか、あるいは炉体を上昇すると、固液界面が上方に移動して金属フッ化物共晶体が伸長する。かかる操作を連続的に行うことにより、融液を特定の一方向に凝固せしめることができる。なお、本発明において、融液を特定の一方向に凝固せしめる方向を凝固方向といい、凝固を進める速度を凝固速度という。上記一方向凝固法によれば、凝固速度を高めることによって、金属フッ化物共晶体中のLiF結晶層の厚さを薄くすることが容易であり、当該LiF結晶層の厚さが5μm以下である金属フッ化物共晶体を効率よく製造することができる。また、一方向凝固法により、LiF結晶もCe:CaF2結晶も、図1に示すように凝固方向に沿って伸長し、その結果、LiF結晶が一方向に直線的に連続し、且つ、Ce:CaF2結晶も一方向に直線的に連続している金属フッ化物共晶体を製造することができる。このようにCe:CaF2結晶が一方向に直線的に連続した金属フッ化物共晶体は、光検出器と組み合わせて中性子検出器とした場合に特段の効果を発揮する。すなわち、一般には、LiF結晶とCe:CaF2結晶とからなる共晶体において、Ce:CaF2結晶は一方向に直線的に連続しておらず、そのため、Ce:CaF2よりシンチレーション光が発せられると、該シンチレーション光はCe:CaF2結晶とLiF結晶との界面において散乱される。その結果、シンチレーション光の光検出器への伝搬効率が低下する。これに対して、Ce:CaF2結晶が一方向に直線的に連続した金属フッ化物共晶体を使用した中性子用シンチレーターにおいては、Ce:CaF2結晶が直線的に連続した方向図2中の矢印で示した方向にはシンチレーション光の伝搬効率が高くなるため、かかる連続した結晶方向の端部に光検出器を配置することにより、光検出器におけるシンチレーション光の検出効率を向上させることができる。尚、Ce:CaF2結晶層の厚さは、シンチレーション光の伝搬効率に影響を与えるものではないため、特に限定されないが、例えば0.1乃至10μmである。一方向凝固法の具体的な方法を例示すれば、上方が高温、下方が低温となるように調整された炉体の内部に融液を充填した坩堝を置き、坩堝を下降して融液を下方より上方へ一方向に凝固せしめるブリッジマン法、上方が高温、下方が低温となるように調整された炉体の内部に融液を充填した坩堝を置き、常に下方が低温となる温度分布を保ったまま冷却し、融液を下方より上方へ一方向に凝固せしめる温度勾配固化GradientFreeze法、固液界面を一定の位置に保ったまま、金属フッ化物共晶体を一方向に凝固させながら引き上げるチョクラルスキー法、或いは固液界面を一定の位置に保ったまま金属フッ化物共晶体を一方向に凝固させながら引き下げるマイクロ引下げ法が挙げられる。以下、一方向凝固法を採用する場合の製造方法について、ブリッジマン法を例にとって詳細に説明する。まず、フッ化リチウム、フッ化カルシウム、及びフッ化セリウムの各原料の粉末等を混合して原料混合物を調製する。ただし、前記アルカリ金属フッ化物を添加する場合には、当該原料混合物に前記アルカリ金属フッ化物を添加したものを原料とする。また、前記予めCe:CaF2原料を別途作製する方法を採用する場合には、フッ化リチウムの粉末等とCe:CaF2原料を混合して原料混合物を調製する。次いで、前記原料混合物を坩堝に充填し、加熱ヒーター、断熱材、及び真空排気装置を備えたチャンバー内にセットする。真空排気装置を用いて、チャンバーの内部を1.0×10-3Pa以下まで真空排気した後、高純度アルゴン等の不活性ガスをチャンバー内に導入してガス置換操作を行う。ガス置換操作後のチャンバー内の圧力は特に限定されないが、大気圧が一般的である。かかるガス置換操作によって、原料或いはチャンバー内に付着した水分を除去することができ、かかる水分に由来する金属フッ化物共晶体のシンチレーション光の減退等の問題を回避することができる。上記ガス置換操作によっても除去できない水分による悪影響を避けるため、水分との反応性の高いスカベンジャーを用いて、水分を除去することが好ましい。かかるスカベンジャーとしては、四フッ化メタン等の気体スカベンジャーを好適に用いることができる。なお、気体スカベンジャーを用いる場合には上記不活性ガスに混合してチャンバー内に導入する方法が好適である。ガス置換操作を行った後、加熱ヒーターによって原料混合物を加熱して溶融せしめる。原料混合物を溶融せしめる際の温度は、原料混合物の化学組成によって異なるが、一般にはフッ化リチウムとフッ化カルシウムとの共晶点である770°C~900°Cの範囲である。なお、加熱ヒーターの加熱方式は特に限定されず、例えば高周波誘導加熱方式、あるいは抵抗加熱方式等を適宜用いることができる。次いで、溶融した原料混合物の融液を坩堝とともに降下せしめる。加熱ヒーター及び断熱材は、上方が高温、下方が低温となるように配置されているため、融液は降下するにつれて下方より凝固する。かかる凝固の際にLiF結晶とCe:CaF2結晶との相分離が生じ、凝固と同時に金属フッ化物共晶体が生成する。さらに融液を連続的に降下せしめることによって、融液は下方より上方へ一方向に凝固し、金属フッ化物共晶体が凝固方向に沿って伸長するため、Ce:CaF2結晶層が一方向に直線的に連続した金属フッ化物共晶体を製造することができる。上記ブリッジマン法において、融液を降下せしめる速度、すなわち凝固速度は特に制限されないが、2~50mm/hrとすることが好ましい。凝固速度が速いほど、LiF結晶層の厚さは薄くなり、凝固速度を2mm/hr以上とすることによって、LiF結晶層の厚さが5μm以下の金属フッ化物共晶体を製造することができる。一方、凝固速度が50mm/hrを超える場合には、金属フッ化物共晶体の白濁や割れが顕著になるおそれがあるため、凝固速度は50mm/hr以下とすることが好ましい。凝固方向に沿った単位距離あたりの温度変化、すなわち温度勾配は、特に限定されないが、0.5°C/mm以上とすることが好ましい。温度勾配を0.5°C/mm以上とすることによって、Ce:CaF2結晶層の一方向性を高めることができる。温度勾配の上限は、何ら制限されないが、一般には10°C/mm以下である。得られた金属フッ化物共晶体の層構造は、走査型電子顕微鏡SEMを用いて反射電子組成像を観察することにより同定できる。すなわち、反射電子組成像においては、LiF結晶とCaF2結晶がそれぞれの原子番号の差異に基づく明瞭なコントラストを呈するため、図1に示すような層構造を反映した像を容易に得ることができる。金属フッ化物共晶体を構成する結晶相の同定は、粉末X線回折測定によって行うことができる。すなわち、金属フッ化物共晶体を粉砕した粉末について粉末X線回折測定を行い、得られた回折パターンを解析することにより、LiF結晶とCaF2結晶からなる金属フッ化物共晶体であることが同定される。本発明の金属フッ化物共晶体は、良好な加工性を有しており、所望の形状に加工して用いることが容易である。加工に際しては、公知のブレードソー、ワイヤーソー等の切断機、研削機、或いは研磨盤を何ら制限無く用いることができる。本発明の金属フッ化物共晶体は、所望の形状に加工して本発明の中性子用シンチレーターとすることができる。中性子用シンチレーターの形状は任意の形状で良く、板状、ブロック状、もしくは四角柱形状の金属フッ化物共晶体を複数個配列させたアレイ状とすることができる。また、本発明の金属フッ化物共晶体からなる中性子用シンチレーターは、光電子増倍管等の光検出器と組み合わせて中性子検出器とすることができる。即ち、中性子の照射により中性子用シンチレーターから発せられたシンチレーション光を、光電子増倍管によって電気信号に変換することによって、中性子の有無及び強度を電気信号として捉えることができる。本発明の中性子用シンチレーターから発せられるシンチレーション光は、約300~350nmの波長の光であり、この領域の光を検出できる光電子増倍管が特に好適に使用できる。かかる光電子増倍管として具体的なものを例示すれば、浜松ホトニクス社製R7600U、H7416等が挙げられる。具体的には、例えば光電子増倍管の光電面に、本発明の中性子用シンチレーターを光学グリース等で接着し、該光電子増倍管に高電圧を印加して、光電子増倍管より出力される電気信号を計測する方法が挙げられる。この光電子増倍管より出力される電気信号を利用して中性子線の強度等を解析する目的で、光電子増倍管の後段に増幅器や多重波高分析器等を設けても良い。更に、本発明の金属フッ化物共晶体からなる中性子用シンチレーターは、位置敏感型光検出器と組み合わせて中性子撮像装置とすることができる。かかる位置敏感型光検出器としては、位置敏感型光電子増倍管が好適に使用でき、具体的なものを例示すれば、PHOTONIS社製XP85012等が挙げられる。以下、本発明の実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら制限されるものではない。また、実施例の中で説明されている特徴の組み合わせすべてが本発明の解決手段に必須のものとは限らない。実施例1[Ce:CaF2原料の製造]まず、フッ化カルシウム180gに対してフッ化セリウム2.3gを添加し、すなわちフッ化カルシウムに対して0.5molのセリウムを添加し、よく混合してから坩堝に充填した。なお、当該フッ化カルシウム、及びフッ化セリウムは、純度が99.99以上の粉末を用いた。次いで、前記フッ化カルシウム、及びフッ化セリウムを充填した坩堝を、真空排気装置、及び加熱ヒーターを備えたチャンバー内にセットした。真空排気装置を用いて、チャンバーの内部を5.0×10-4Pa以下まで真空排気した後、四フッ化メタン5vol、及び高純度アルゴン95volからなる混合ガスをチャンバー内に導入してガス置換操作を行った。ガス置換操作を行った後、抵抗加熱方式のカーボンヒーターによって前記フッ化カルシウム、及びフッ化セリウムを1500°Cまで加熱して溶融せしめた。その後、冷却して凝固せしめ、Ce:CaF2原料を得た。[金属フッ化物共晶体の製造]まず、前記Ce:CaF2原料180gを解砕し、これにフッ化リチウム230gを添加し、よく混合して原料混合物を調製した。なお、当該フッ化リチウムは、6Li同位体比が95、純度が99.99以上の粉末を用いた。該原料混合物において、フッ化リチウムとフッ化カルシウムの混合比はフッ化リチウム0.8/フッ化カルシウム0.2mol/molであり、セリウム添加量はフッ化カルシウムに対して0.5molであった。次いで、前記原料混合物を内径が50mmのカーボン製の坩堝に充填し、抵抗加熱方式の加熱ヒーター、断熱材、及び真空排気装置を備えたチャンバー内にセットした。真空排気装置を用いて、チャンバーの内部を2.0×10-4Pa以下まで真空排気した後、5volの四フッ化メタンを混合した高純度アルゴンガスをチャンバー内に導入してガス置換操作を行った。ガス置換操作後のチャンバー内の圧力は大気圧とした。ガス置換操作を行った後、加熱ヒーターによって原料混合物を加熱して溶融せしめた。なお、加熱ヒーター及び断熱材は、凝固方向の温度勾配が2.5°C/mmとなるように配置し、加熱ヒーターの出力は、坩堝底部の温度が830°Cとなるように調整した。次いで、溶融した原料混合物の融液を坩堝とともに連続的に降下せしめ、融液を下方より上方へ一方向に凝固せしめた。なお、本実施例において、融液を降下せしめる速度、すなわち凝固速度は10mm/hrとした。かかる操作により、融液を全て凝固せしめ、本発明で使用する金属フッ化物共晶体を得た。得られた金属フッ化物共晶体を、凝固方向に平行な方向、及び凝固方向に鉛直な方向にダイヤモンドワイヤーを備えたワイヤーソーによって切断し、切断面を鏡面研磨した。凝固方向に平行な方向に切断した面の反射電子組成像を図3に、凝固方向に鉛直な方向に切断した面の反射電子組成像を図4に示す。当該反射電子組成像の明部はCaF2結晶層であり、暗部はLiF結晶層である。図3よりCaF2結晶層が一方向に直線的に連続していることが分かる。また、図4の反射電子組成像について、SEMの測長機能を用いてLiF結晶層の厚さを計測した結果、当該金属フッ化物共晶体のLiFの層の厚さは3μmであった。なお、LiF結晶層の厚さの計測においては、間隔の長さが25μmの標準グリッドで校正して計測した。また、得られた金属フッ化物共晶体を粉砕した粉末について粉末X線回折測定を行い、結晶相を同定した。測定装置にはBrukerAXS社製、D8DISCOVERを用いた。得られた回折パターンを図5に示す。図5より、LiF結晶とCaF2結晶に由来する回折ピークが確認でき、当該金属フッ化物共晶体がLiF結晶とCaF2結晶からなる金属フッ化物共晶体であることが分かった。[中性子用シンチレーターの作製およびその特性評価]得られた金属フッ化物共晶体を、ダイヤモンドワイヤーを備えたワイヤーソーによって切断し、研削及び鏡面研磨を行い、長さ7mm、幅2mm、厚さ1mmの形状に加工し、本発明の中性子用シンチレーターを得た。当該中性子用シンチレーターの中性子に対する応答特性を以下の方法によって評価した。まず光電子増倍管浜松ホトニクス社製R7600Uの光電面に、中性子用シンチレーターの長さ7mm、幅2mmの面を光学グリースで接着し、中性子検出器を製作した。前記光電子増倍管の光電面に外の光が入射しないよう中性子検出器を黒色のビニールシート製の遮光材で覆った後に、1MBqの放射能の252Cfからの中性子を、40mmの厚みのポリエチレンブロックからなる中性子減速材を介して減速して照射した。中性子用シンチレーターより発せられたシンチレーション光を計測するため、光電子増倍管には電源供給線より800Vの高電圧を印加し、シンチレーション光を電気信号に変換し、信号出力線より出力した。ここで、光電子増倍管より出力される電気信号は、シンチレーション光を反映したパルス状の信号であり、パルスの波高がシンチレーション光の輝度を表す。かかる光電子増倍管より出力された電気信号を整形増幅器で整形、増幅した後、多重波高分析器に入力して解析し、波高分布スペクトルを作成した。得られた波高分布スペクトルを図6に示す。該波高分布スペクトルの横軸は、電気信号の波高値すなわちシンチレーション光の輝度を表しており、ここでは、前記多重波高分析器の波高チャンネルの値を示した。また、縦軸は各波高値を示した電気信号の頻度を表し、ここでは、電気信号が計測された回数countsで示した。図6より中性子を検出したことを示す明瞭なピークが確認でき、本発明の金属フッ化物共晶体が中性子用シンチレーターとして有効に作用し、また、当該中性子用シンチレーターを用いた中性子検出器が有効であることが分かった。中性子用シンチレーターのn/γ弁別能を評価するため、α線で励起した場合のシンチレーション光と、γ線で励起した場合のシンチレーション光を以下の方法でそれぞれ計測し、比較した。α線で励起する場合には、前記中性子検出器の中性子用シンチレーター部に4MBqの放射能を有する241Amを中性子用シンチレーターに近接して配置し、α線を照射した状態で外部からの光が入らないように遮光シートで遮光した。また、γ線で励起する場合には、外部からの光が入らないように遮光シートで遮光した後に、1kBqの放射能を有する137Csを中性子用シンチレーターから約30mmの位置に設置し、γ線を照射した。α線、及びγ線で励起した場合のシンチレーション光を計測するため、800Vの高電圧を印加した光電子増倍管を介して、シンチレーション光を電気信号に変換した。かかる光電子増倍管から出力された電気信号を整形増幅器で整形、増幅した後、多重波高分析器に入力して解析し、波高分布スペクトルを作成した。得られた波高分布スペクトルを図7に示す。当該波高分布スペクトルにおいて、実線および点線は、それぞれα線、及びγ線で励起した際の波高分布スペクトルであって、横軸は、α線で励起した際の波高分布スペクトルのピーク値を1とした相対値で示した。得られた波高分布スペクトルにおいて、γ線で励起した場合の波高値は最大で0.3であり、α線で励起した場合の波高値のピークに比較して充分に低い。したがって、例えば、図7の鎖線で示した波高値を閾値とし、当該閾値以下の波高値の電気信号を除去し、当該閾値を超える波高値の電気信号のみを選別することでγ線ノイズを除去することが容易であることが分かる。すなわち本発明の中性子用シンチレーターは、優れたn/γ弁別能を有することが分かった。実施例2[金属フッ化物共晶体の製造]まず、フッ化カルシウム180g、フッ化リチウム230g、フッ化セリウム2.3g、及び添加助剤であるフッ化ナトリウム1.4gをそれぞれ秤量し、よく混合して混合原料を調製した。なお、各原料及び添加助剤であるフッ化ナトリウムは、純度が99.99以上の粉末を用い、フッ化リチウムの6Li同位体比は95とした。該原料混合物において、フッ化リチウムとフッ化カルシウムの混合比はフッ化リチウム0.8/フッ化カルシウム0.2mol/molであり、セリウム添加量はフッ化カルシウムに対して0.5molであった。また、添加助剤であるフッ化ナトリウムの添加量は、フッ化セリウムに対して300mol、且つフッ化カルシウムに対して1.5molであった。次いで、前記原料混合物を内径が50mmのカーボン製の坩堝に充填し、抵抗加熱方式の加熱ヒーター、断熱材、及び真空排気装置を備えたチャンバー内にセットした。真空排気装置を用いて、チャンバーの内部を2.0×10-4Pa以下まで真空排気した後、5volの四フッ化メタンを混合した高純度アルゴンガスをチャンバー内に導入してガス置換操作を行った。ガス置換操作後のチャンバー内の圧力は大気圧とした。ガス置換操作を行った後、加熱ヒーターによって原料混合物を加熱して溶融せしめた。なお、加熱ヒーター及び断熱材は、凝固方向の温度勾配が2.5°C/mmとなるように配置し、加熱ヒーターの出力は、坩堝底部の温度が830°Cとなるように調整した。次いで、溶融した原料混合物の融液を坩堝とともに連続的に降下せしめ、融液を下方より上方へ一方向に凝固せしめた。なお、本実施例において、融液を降下せしめる速度、すなわち凝固速度は10mm/hrとした。かかる操作により、融液を全て凝固せしめ、本発明で使用する金属フッ化物共晶体を得た。得られた金属フッ化物共晶体を、実施例1と同様にして加工し、反射電子組成像を観察した結果、本実施例の金属フッ化物共晶体において、CaF2結晶層が一方向に直線的に連続しており、また、LiFの層の厚さは3μmであることが分かった。また、得られた金属フッ化物共晶体を粉砕した粉末について、実施例1と同様にして粉末X線回折測定を行い、結晶相を同定した。得られた回折パターンを図5に示す。図5より、LiF結晶とCaF2結晶に由来する回折ピークが確認でき、当該金属フッ化物共晶体がLiF結晶とCaF2結晶からなる金属フッ化物共晶体であることが分かった。[中性子用シンチレーターの作製およびその特性評価]得られた金属フッ化物共晶体を、実施例1と同様にして加工し、本発明の中性子用シンチレーターを得た。当該中性子用シンチレーターの中性子に対する応答特性を実施例1と同様にして評価した。得られた波高分布スペクトルを図8に示す。図8より中性子を検出したことを示す明瞭なピークが確認でき、本発明の金属フッ化物共晶体が中性子用シンチレーターとして有効に作用し、また、当該中性子用シンチレーターを用いた中性子検出器が有効であることが分かった。中性子用シンチレーターのn/γ弁別能を評価するため、実施例1と同様にして、α線で励起した場合のシンチレーション光と、γ線で励起した場合のシンチレーション光をそれぞれ計測し、比較した。得られた波高分布スペクトルを図9に示す。当該波高分布スペクトルにおいて、γ線で励起した場合の波高値は最大で0.35であり、α線で励起した場合の波高値のピークに比較して充分に低く、本発明の中性子用シンチレーターは、優れたn/γ弁別能を有することが分かった。比較例1[金属フッ化物共晶体の製造]本比較例では、フッ化リチウム結晶、及びユーロピウムを含有するフッ化カルシウム結晶からなる金属フッ化物共晶体を製造した。まず、フッ化カルシウム180g、フッ化リチウム230g、及びフッ化ユーロピウム2.4gをそれぞれ秤量し、よく混合して混合原料を調製した。なお、各原料は、純度が99.99以上の粉末を用い、フッ化リチウムの6Li同位体比は95とした。かかる原料混合物において、フッ化リチウムとフッ化カルシウムの混合比はフッ化リチウム0.8/フッ化カルシウム0.2mol/molであり、ユーロピウムの添加量はフッ化カルシウムに対して0.5molであった。次いで、前記原料混合物を内径が50mmのカーボン製の坩堝に充填し、抵抗加熱方式の加熱ヒーター、断熱材、及び真空排気装置を備えたチャンバー内にセットした。真空排気装置を用いて、チャンバーの内部を2.0×10-4Pa以下まで真空排気した後、5volの四フッ化メタンを混合した高純度アルゴンガスをチャンバー内に導入してガス置換操作を行った。ガス置換操作後のチャンバー内の圧力は大気圧とした。ガス置換操作を行った後、加熱ヒーターによって原料混合物を加熱して溶融せしめた。なお、加熱ヒーター及び断熱材は、凝固方向の温度勾配が2.5°C/mmとなるように配置し、加熱ヒーターの出力は、坩堝底部の温度が830°Cとなるように調整した。次いで、溶融した原料混合物の融液を坩堝とともに連続的に降下せしめ、融液を下方より上方へ一方向に凝固せしめた。なお、本実施例において、融液を降下せしめる速度、すなわち凝固速度は10mm/hrとした。かかる操作により、融液を全て凝固せしめ、金属フッ化物共晶体を得た。得られた金属フッ化物共晶体を、実施例1と同様にして加工し、反射電子組成像を観察した結果、本比較例の共晶体において、CaF2結晶層が一方向に直線的に連続しており、また、LiFの層の厚さは3μmであることが分かった。得られた金属フッ化物共晶体を粉砕した粉末について、実施例1と同様にして粉末X線回折測定を行い、結晶相を同定した。得られた回折パターンを図5に示す。図5より、LiF結晶とCaF2結晶に由来する回折ピークが確認でき、当該金属フッ化物共晶体がLiF結晶とCaF2結晶からなる金属フッ化物共晶体であることが分かった。[中性子用シンチレーターの作製およびその特性評価]得られた金属フッ化物共晶体を、実施例1と同様にして加工し、中性子用シンチレーターを得た。当該中性子用シンチレーターの中性子に対する応答特性を実施例1と同様にして評価した。得られた波高分布スペクトルを図10に示す。図10より中性子を検出したことを示す明瞭なピークが確認でき、本比較例の金属フッ化物共晶体が中性子用シンチレーターとして作用することが分かった。中性子用シンチレーターのn/γ弁別能を評価するため、実施例1と同様にして、α線で励起した場合のシンチレーション光と、γ線で励起した場合のシンチレーション光をそれぞれ計測し、比較した。得られた波高分布スペクトルを図11に示す。当該波高分布スペクトルにおいて、γ線で励起した場合の波高値は最大で0.7に達し、当該フッ化リチウム結晶、及びユーロピウムを含有するフッ化カルシウム結晶からなる金属フッ化物共晶体は、中性子用シンチレーターとしての応用においてn/γ弁別能に乏しいことが分かった。また、本比較例と前記実施例1、及び実施例2で示した本発明の中性子用シンチレーターとの比較から、本発明の金属フッ化物共晶体からなる中性子用シンチレーターは、従来公知の金属フッ化物共晶体からなる中性子用シンチレーターに比較して、特に優れたn/γ弁別能を有することが分かった。"