"フォトダイオードから出力される電荷を保持する第1の保持部と、前記第1の保持部に保持された電圧をリセットするリセット部と、前記フォトダイオードから出力される電荷を前記第1の保持部に転送する転送部と、画素電源の供給線より供給される直流電圧をスイッチングするスイッチング部と、前記第1の保持部により保持された電圧を信号出力線に出力する出力部と、前記スイッチング部を介して供給された前記直流電圧を保持する第2の保持部と、前記第2の保持部により保持された前記直流電力を電源として供給を受けて前記出力部を駆動する駆動部とを備える画像処理装置。前記スイッチング部は、画素電源の供給線より供給される直流電圧を保持している状態で、前記リセット部によるリセットが行われる前にオフされ、前記出力部による前記第1の保持部により保持された電圧の前記信号出力線への出力が完了した後にオンされる請求項1に記載の画像処理装置。前記画像処理装置は、CMOSイメージセンサである請求項2に記載の画像処理装置。第1の保持部により、フォトダイオードから出力される電圧を保持し、リセット部により、前記第1の保持部に保持された電圧をリセットし、転送部により、前記フォトダイオードから出力される電圧を前記第1の保持部に転送し、スイッチング部により、画素電源の供給線より供給される直流電圧をスイッチングし、出力部により、前記第1の保持部により保持された電圧を信号出力線に出力し、第2の保持部により、前記スイッチング部を介して供給された前記直流電圧を保持し、駆動部により、前記第2の保持部により保持された前記直流電力を電源として供給を受けて前記出力部を駆動する画像処理方法。しかしながら、このようなスイッチングを行うと、SEL線27がフローティング状態になり、ストリーキングが発生する。つまり、SEL線27の電圧変動が寄生容量22を介して電荷蓄積部FDに伝達されるということは、ある画素の電荷蓄積部FDおよび信号出力線24に電圧変動があると、それがSEL線27を介してそれに接続されている他の画素の電荷蓄積部FDおよび信号出力線24に伝達され、他の画素の電荷蓄積部FDおよび信号出力線24の本来の電圧に誤差を与えることになる。すなわち、スイッチングにより電圧変動が発生するので、ストリーキングが発生することになる。本技術はこのような状況に鑑みてなされたものであり、電源電圧変動を抑制するとともに、ストリーキングの発生を抑制する。本技術の側面は、フォトダイオードから出力される電圧を保持する第1の保持部と、前記第1の保持部に保持された電圧をリセットするリセット部と、前記フォトダイオードから出力される電荷を前記第1の保持部に転送する転送部と、画素電源の供給線より供給される直流電圧をスイッチングするスイッチング部と、前記第1の保持部により保持された電圧を信号出力線に出力する出力部と、前記スイッチング部を介して供給された前記直流電圧を保持する第2の保持部と、前記第2の保持部により保持された前記直流電力を電源として供給を受けて前記出力部を駆動する駆動部とを備える画像処理装置である。前記スイッチング部は、画素電源の供給線より供給される直流電圧を保持している状態で、前記リセット部によるリセットが行われる前にオフされ、前記出力部による前記第1の保持部により保持された電圧の前記信号出力線への出力が完了した後にオンされることができる。前記画像処理装置は、CMOSイメージセンサとすることができる。本技術の側面においては、第1の保持部が、フォトダイオードから出力される電荷を保持し、リセット部が、第1の保持部に保持された電圧をリセットし、転送部が、フォトダイオードから出力される電荷を第1の保持部に転送する。スイッチング部が、画素電源の供給線より供給される直流電圧をスイッチングし、出力部が、第1の保持部により保持された電圧を信号出力線に出力し、第2の保持部が、スイッチング部を介して供給された直流電圧を保持する。駆動部が、第2の保持部により保持された直流電力を電源として供給を受けて出力部を駆動する。本技術の側面の画像処理方法は、上述した本技術の側面の画像処理装置に対応する画像処理方法である。以上のように、本技術の側面によれば、電源電圧変動を抑制するとともに、ストリーキングの発生を抑制することができる。以下、技術を実施するための形態以下、実施の形態と称するについて説明する。図2は、CMOSイメージセンサ101の構成を示す図である。CMOSComplementaryMetalOxideSemiconductorイメージセン101は、画素アレイ部111、垂直駆動部112、カラム処理部113、水平駆動部114、制御部115、および信号処理部116を有している。画素アレイ部111は、水平方向および垂直方向に配列された複数の画素を有している。この画素により被写体からの光が光電変換される。垂直駆動部112は、複数の画素が配列された各ラインを選択し、駆動する。水平駆動部114は、各ラインの所定の垂直方向の画素を選択し、駆動する。カラム処理部113は、選択された画素から読み出された画素データを保持し、信号処理部116に供給する。制御部115は、各部の動作を制御する。信号処理部116はカラム処理部113から読み出された画素データを処理する。以下に説明するSELドライバ163の制御は垂直駆動部112で行われる。図3は、画素アレイ部111と垂直駆動部112の構成を示す図である。画素アレイ部111には、m×n個の画素171-iji=1,2,,m、j=1,2,,nが配列されている。すなわち、第1行目には、画素171-11,171-12,、171-1nが配置され、第2行目には、画素171-21,171-22,、171-2nが配置されている。以下、同様に、第m行目には、画素171-m1,171-m2,,171-mnが配置されている。なお、図3には、2×2個のみが示されている。以下、画素171-ijを個々に区別する必要がない場合、単に画素171と記載する。他の要素についても同様である。画素171-11においては、フォトダイオード183-11の電荷が、転送部としてのFET182-11を介してコンデンサ184-11に転送されるように接続されている。保持部としてのコンデンサ184-11の電荷蓄積部FDは、リセット部としてのFET181-11を介して画素電源線192に接続されているとともに、FET185-11のゲートに接続されている。FET185-11の一端は画素電源線192に接続され、他端は出力部としてのFET186-11を介して信号出力線191-1に接続されている。画素電源線192には、電力供給部141から直流電力が供給されている。電力供給部141は、電池あるいは交流電力を整流平滑する回路から構成され、電圧を安定するコンデンサも内蔵している。RSTドライバ161-1の出力は、RST線201-1を介してFET181-11のゲートに接続されている。TRGドライバ162-1の出力は、TRG線202-1を介してFET182-11のゲートに接続されている。駆動部としてのSELドライバ163-1の出力は、SEL線203-1を介してFET186-11のゲートに接続されている。RSTドライバ161-1とTRGドライバ162-1には、画素電源線192から電力が供給されている。保持部としてのコンデンサ152は、スイッチング部としてのFET151を介して画素電源線192から充電されるように構成されている。FET151は、制御信号SWにより制御される。SELドライバ163-1の電力は、コンデンサ152の直流電力がSELドライバ電源線153を介して供給されている。RSTドライバ161-1は、入力される制御信号RSTによりFET181-11を制御し、TRGドライバ162-1は、入力される制御信号TRGによりFET182-11を制御し、SELドライバ163-1は、入力される制御信号SELによりFET186-11を制御する。説明は省略するが、他の画素171-ijも同様に構成されている。次に、図4を参照して垂直駆動部112と画素アレイ部111の動作について説明する。図4は、動作を説明するタイミングチャートである。画素信号を読み出す前、垂直駆動部112は、制御信号SWを高レベルにしている図4D。制御信号SWが高レベルのとき、FET151がオンし、コンデンサ152は画素電源線192から充電される。これによりコンデンサ152は、SELドライバ163を駆動可能な電力を保持する。換言すれば、コンデンサ152は、SELドライバ163を駆動可能な電力を保持できるだけの容量を有している。つまり、このコンデンサ152は、単なる寄生容量では構成することができない。1つの部品として積極的に採用することが必要である。その容量については後述する。画素信号を読み出すとき、垂直駆動部112は、制御信号SWを高レベルから低レベルに変更する図4D。これによりFET151はオフし、SELドライバ163の電力源は画素電源線192から切り離される。従って、画素電源線192に電圧変動が発生しても、その変動はSELドライバ163の出力先であるSEL線203には伝達されない。その結果、PSRRを改善することができる。さらに制御信号SWを高レベルから低レベルに変更した後、垂直駆動部112は、制御信号SELを低レベルから高レベルに変更する図4C。これにより、FET186がオンし、電荷蓄積部FDの電圧の読み出しが可能な状態になる。制御信号SELを低レベルから高レベルに変更した後、垂直駆動部112は、所定の期間高レベルの制御信号RSTを出力する図4A。これによりRSTドライバ161によりFET181がオンし、コンデンサ184が画素電力線192の電圧によりリセットされる。コンデンサ184の電圧は、その後の期間T1において、FET185により増幅され、FET186を介して信号出力線191にP相信号として読み出される。信号出力線191に読み出されたP相信号のレベルは、図示せぬA/D変換部によりA/D変換され、カラム処理部113に読み出され、水平駆動部114により信号処理部116に転送される。P相信号のレベルの読み出しが完了した後、垂直駆動部112は、所定の期間高レベルの制御信号TRGを出力する図4B。これによりTRGドライバ162はFET182をオンし、フォトダイオード183の電荷をコンデンサ184に転送させる。つまり、P相信号の読み出しが完了した後、制御信号TRGが出力されるまでの期間の入射光量に対応する電圧がコンデンサ184に保持される。コンデンサ184の電圧は、その後の期間T2において、FET185により増幅され、FET186を介して信号出力線191にD相信号として読み出される。信号出力線191に読み出されたD相信号のレベルは、図示せぬA/D変換部によりA/D変換され、カラム処理部113に読み出され、水平駆動部114により信号処理部116に転送される。信号処理部116は、P相信号のレベルとD相信号のレベルとの差を演算し、画素信号とする。D相信号の読み出しが完了すると、垂直駆動部112は、制御信号SELを高レベルから低レベルに変更する図4C。これによりFET186がオフする。さらに制御信号SELを高レベルから低レベルに変更した後、垂直駆動部112は、制御信号SWを低レベルから高レベルに変更する図4D。これによりFET151がオンし、コンデンサ152は再び画素電源線192から充電される。次に、ストリーキングの抑制について、図5を参照して説明する。図5は、ストリーキングの抑制を説明する図である。いま、選択状態にあるSEL線203-1に接続されているある電荷蓄積部FDxが、自身以外の全ての電荷蓄積部FDの電位が変化した場合に受ける誤差であるストリーキングについて考える。図5において、CPVSLは、SEL線203-1と信号出力線191-1との間の寄生容量であり、CSHは、SELドライバ163-1に電力を供給するコンデンサ152の容量である。また、CPFDは、SEL線203-1と電荷蓄積部FDの間の寄生容量であり、CFDは、電荷蓄積部FDのコンデンサ184の容量である。例えば信号出力線191-1に発生した電圧変化は、寄生容量CPVSLを介してSEL線203-1に伝達される。また、電荷蓄積部FDに発生した電圧変化も、FET185-11や寄生容量CPVSLを介してSEL線203-1に伝達される。SEL線203-1の電圧変化は、寄生容量CPFDを介して、電荷蓄積部FDxに伝達される。信号出力線191の数がn本、画素171-1x以外の画素が接続されている信号出力線191-ii=1,2,,x-1x1,,nの電位変化をVVSLとすると、SEL線203-1の電位変化ΔVSELと、画素171-1xの電荷蓄積部FDxが受ける電位変化分ΔVFDXは、次の式で表される。なお、図6は式1を説明する図であり、図7は式2を説明する図である。ΔVSEL=VVSL×n-1×CPVSL/CSHn×CPVSL1ΔVFDX=ΔVSEL×CPFD/CFDCPFD2いま、CFD=10f[F]、CPFD=1f[F]、CPVSL=1f[F]、VVSL=1[V]、n=1000本であるとする。この場合、VVSLに対してΔVFDXを1/1000以下に抑えようとすると、CSHは、89.2p[F]以上の容量が必要となる。このように、SELドライバ電源線153にコンデンサ152を接続することで、ストリーキングを抑制することができる。容量が大きいので、コンデンサ152は寄生容量で構成することはできず、独立した1つの部品で構成する必要がある。コンデンサ152を各SEL線203-1乃至203-mのそれぞれに接続しても同様にストリーキングを抑制することができる。しかし、そうすると、各SELドライバ163に余分の負荷がかかってしまうばかりでなく、コンデンサの数が多くなり、広い面積が必要となり、実用的には実現が困難である。従って、SELドライバ電源線153に、各SEL線203-1乃至203-mのSELドライバ163-1乃至163-mに共通の1個のコンデンサ152を接続することが好ましい。FET151によるスイッチングをしなければストリーキングの発生を防止することができる。しかしその場合、PSRRを改善することができない。SELドライバ電源を別電源にしたり、チップ内に安定化電源を構成することでもストリーキングとPSRRの両方を抑制することが可能である。しかしその場合、部品点数が増え、コスト高となる。なお、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。本技術は、CMOSイメージセンサなどの個体撮像装置の他、各種の画像処理装置に適用することができる。本技術は、以下のような構成もとることができる。1フォトダイオードから出力される電荷を保持する第1の保持部と、前記第1の保持部に保持された電圧をリセットするリセット部と、前記フォトダイオードから出力される電荷を前記第1の保持部に転送する転送部と、画素電源の供給線より供給される直流電圧をスイッチングするスイッチング部と、前記第1の保持部により保持された電圧を信号出力線に出力する出力部と、前記スイッチング部を介して供給された前記直流電圧を保持する第2の保持部と、前記第2の保持部により保持された前記直流電力を電源として供給を受けて前記出力部を駆動する駆動部とを備える画像処理装置。2前記スイッチング部は、画素電源の供給線より供給される直流電圧を保持している状態で、前記リセット部によるリセットが行われる前にオフされ、前記出力部による前記第1の保持部により保持された電圧の前記信号出力線への出力が完了した後にオンされる上記1に記載の画像処理装置。3前記画像処理装置は、CMOSイメージセンサである上記2に記載の画像処理装置。4第1の保持部により、フォトダイオードから出力される電圧を保持し、リセット部により、前記第1の保持部に保持された電圧をリセットし、転送部により、前記フォトダイオードから出力される電圧を前記第1の保持部に転送し、スイッチング部により、画素電源の供給線より供給される直流電圧をスイッチングし、出力部により、前記第1の保持部により保持された電圧を信号出力線に出力し、第2の保持部により、前記スイッチング部を介して供給された前記直流電圧を保持し、駆動部により、前記第2の保持部により保持された前記直流電力を電源として供給を受けて前記出力部を駆動する画像処理方法。"