プラズマ処理槽と、前記処理槽内に配され、基板を一面に接して載置する支持部材と、前記処理槽外に配されたガス供給手段から、前記支持部材と前記基板との間の空隙内へ、ガスを供給する流路と、を有し、前記空隙は、該空隙を通して前記プラズマ処理槽内にガスを誘導するように形成されている、ことを特徴とするプラズマ処理装置。前記支持部材の一面の全域にわたって凹凸パターンが設けられている、ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記支持部材の一面のうち、前記基板と接する領域にのみ凹凸パターンが設けられている、ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記ガスは不活性ガスである、ことを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のプラズマ処理装置。前記不活性ガスはヘリウムガスである、ことを特徴とする請求項4のいずれかに記載のプラズマ処理装置。前記ガスを供給する流路は、前記ガスが、前記基板の最外周から処理槽内へ均等に流出するように配されている、ことを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載のプラズマ処理装置。前記支持部材は、静電チャックである、ことを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載のプラズマ処理装置。プラズマ処理槽と、前記処理槽内に配され、基板を一面に接して載置する支持部材と、前記処理槽外に配されたガス供給手段から、前記支持部材と前記基板との間の空隙内へ、ガスを供給する流路と、を有し、前記空隙が、該空隙を通して前記プラズマ処理槽内にガスを誘導するように形成されたプラズマ処理装置を用い、前記空隙に供給されたガスを前記プラズマ処理槽内に誘導しつつ、前記基板に対してプラズマ処理を行う、ことを特徴とするプラズマ処理方法。本発明は、以上のような点を考慮してなされたものであり、プラズマ処理槽内に配された支持部材の一面のうち被処理基板と接する領域において設けられた凹凸パターンと支持部材に載置された基板との間に空隙が形成されたプラズマ処理装置であって、該空隙が、そこに供給されたガスを処理槽内の空間へ誘導するような形状の流路をなすように構成されたプラズマ処理装置を提供することを、第一の目的とする。また、上記構成を備えたプラズマ処理装置を用い、空隙に供給されたガスを被処理基板に接触させ、該被処理基板の温度を制御しつつ行うことが可能な、プラズマ処理方法を提供することを、第二の目的とする。本発明の請求項1に係るプラズマ処理装置は、プラズマ処理槽と、前記処理槽内に配され、基板を一面に接して載置する支持部材と、前記処理槽外に配されたガス供給手段から、前記支持部材と前記基板との間の空隙内へ、ガスを供給する流路と、を有し、前記空隙は、該空隙を通して前記プラズマ処理槽内にガスを誘導するように形成されている、ことを特徴とする。本発明の請求項2に係るプラズマ処理装置は、請求項1において、前記支持部材の一面の全域にわたって凹凸パターンが設けられている、ことを特徴とする。本発明の請求項3に係るプラズマ処理装置は、請求項1において、前記支持部材の一面のうち、前記基板と接する領域にのみ凹凸パターンが設けられている、ことを特徴とする。本発明の請求項4に係るプラズマ処理装置は、請求項1~3のいずれかにおいて、前記ガスは不活性ガスである、ことを特徴とする。本発明の請求項5に係るプラズマ処理装置は、請求項4において、前記不活性ガスはヘリウムガスである、ことを特徴とする。本発明の請求項6に係るプラズマ処理装置は、請求項1~5のいずれかにおいて、前記ガスを供給する流路は、前記ガスが、前記基板の最外周から処理槽内へ均等に流出するように配されている、ことを特徴とする。本発明の請求項7に係るプラズマ処理装置は、請求項1~6のいずれかにおいて、前記支持部材は、静電チャックである、ことを特徴とする。本発明の請求項8に係るプラズマ処理方法は、プラズマ処理槽と、前記処理槽内に配され、基板を一面に接して載置する支持部材と、前記処理槽外に配されたガス供給手段から、前記支持部材と前記基板との間の空隙内へ、ガスを供給する流路と、を有し、前記空隙が、該空隙を通して前記プラズマ処理槽内にガスを誘導するように形成されたプラズマ処理装置を用い、前記空隙に供給されたガスを前記プラズマ処理槽内に誘導しつつ、前記基板に対してプラズマ処理を行う、ことを特徴とする。本発明に係るプラズマ処理装置によれば、空隙は、ガス供給手段から供給されたガスを、処理槽内の空間に誘導するように形成されている。そのため、空隙内のガスは、時間の経過とともに自然に、基板の最外周から排出される。そしてガスの排出速度は、そこに新たに供給されるガスの圧力により、調整することが出来る。したがって、空隙内からのガスの排出手段を別途設ける必要がなく、ガス排出手段を必須とする従来のプラズマ処理装置に比べて、装置構成を簡略化することができる。また、本発明に係るプラズマ処理方法によれば、上記プラズマ処理装置を用いることにより、被処理基板の支持部材と接する面に対してガスを均等に接触させ、該基板の温度を制御した状態でプラズマ処理を行うことができる。したがって、プラズマ処理中に、プラズマからの吸熱により、前記基板の温度が必要以上に上昇してしまうのを防ぐことができる。以下、好適な実施形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。<第一実施形態>図1aは、第一実施形態に係るプラズマ処理装置100と、それに付設されるガス供給手段104、および直流電源107の概略構成を示す図である。プラズマ処理装置100は、プラズマ処理槽101と、処理槽101の内部の底面に配され、被処理基板102を支持する部材支持部材103と、上部電極108および下部電極をなす支持部材103で構成されるプラズマを発生させる手段と、を備える。支持部材103は、基板102と接する一面103Sの深さ方向の近傍において、空隙103Dを有する。また、支持部材103は、一端がガス供給手段104に、他端が空隙103Dにそれぞれ接続されたガス供給流路105を有する。ガスGは、ガス供給手段104から、ガス供給流路105を経由して、空隙103Dに供給される。空隙103D近傍の領域Aを、図1bに拡大して示す。また、ガスGは、処理槽101内においてプラズマ雰囲気P、基板102の積層膜等と化学反応を起こさないガスであることが求められるため、不活性ガスであることが望ましい。さらに、この不活性ガスは、温度上昇の制御に用いられるため、沸点が低く、冷媒としての機能を有するヘリウムガスであることが望ましい。支持部材103は、少なくとも基板102が接して配される領域Bにおいては、平坦な形状をなす。また、支持部材103は、その内部に吸着電極107aと吸着電極107bとからなる吸着電極対107を備えた静電チャック方式の基板吸着体をなす。この静電チャック方式の基板吸着体は、例えば、円盤状の誘電体からなり、電極107aと107bとの間に直流電源106から供給される電圧を印加すると、電極107aおよび107bは、それぞれ正または負に帯電する。電極107aおよび107bを帯電状態にした上で、基板102を支持部材103に近づけると、吸着部107a、107bが発する電気的な引力により、基板102の支持部材103との接触面が、支持部材103と引き合うように帯電する。これにより、プラズマPを用いて処理する際に、基板102が支持部材103に吸着保持されるようになっている。したがって支持部材103は、基板102に対する成膜やエッチング等の工程において、プラズマを用いた処理を行う際に、基板102を空間的に固定する手段として用いることができる。空隙103Dは、支持部材の一面103Sに設けられた複数の凹凸パターンに対して基板102を載置した際に、支持部材103と基板102との間に形成される空間に相当する。また空隙103Dを構成する凹凸パターンは、少なくともガス供給流路105の開口部105Cから領域Bの最外周まで通じた流路をなしていればよく、規則的である必要はない。すなわち、凹凸パターンは、開口部105Cから領域Bの最外周までの経路において、各々ランダムな方向に曲がる形状であってもよい。また、凹凸パターンは、領域Bにおいて、各々合流、分岐をともなう形状であってもよい。図1a、bでは、空隙を支持部材103側に設けた例を示しているが、空隙103Dは被処理基板102側に設けてもよい。すなわち、空隙103Dを構成する凹凸パターンは被処理基板102の支持部材103との接触面に形成してもよい。図2は、プラズマ処理槽101の上面側から見た断面図である。支持部材の一面103Sにおける凹凸パターン103Eの分布を示すため、図2には、基板102は含まれていないが、実際には領域Bにおいて、支持部材103に載置されているものとする。本実施形態では、凹凸パターン103Eは、支持部材の一面103Sの全域にわたって設けられている。ガスGはガス供給流路105の開口部105Cから領域Bの最外周に向かって流れ、処理槽101内部の空間に排出される。規則的な凹凸パターンを形成する場合にはエッチング処理を行う必要があるが、各々ランダムな方向に延びる凹凸パターンであれば、支持部材の一面103Sを研磨して粗面化させることによって形成することもできる。第一実施形態の構成において、空隙103Dは、ガス供給手段104から供給されたガスGを、処理槽101内の空間に誘導するように形成されている。そのため、空隙103D内のガスGは、時間の経過とともに自然に、領域Bの最外周から排出される。そしてガスGが排出される速度は、そこに新たに供給するガスGの圧力により、調整することが出来る。したがって、空隙内からのガスの排出手段を別途設ける必要がなく、ガス排出手段を必須とする従来のプラズマ処理装置に比べて、装置構成を簡略化することができる。また第一実施形態の構成において、ガスGは、ガス供給流路105の開口部105Cから領域Bの最外周に向けて一方的に流れる。すなわち領域BおいてガスGを循環させないため、空隙103Dがなす流路は、閉じた形状でなくてもよい。流路の形状が制限されないため、領域Bにおいて、空隙103Dの占める割合を増やし、基板102にガスGを接触させる面積を増やすことができる。したがって、基板102の温度を表面全域にわたって均等に制御することができる。第一実施形態の構成を備えたプラズマ処理装置100を用いることにより、被処理基板102の支持部材103と接する面に対してガスGを均等に接触させ、基板102の温度を制御した状態でプラズマ処理を行うことができる。したがって、プラズマ処理中に、プラズマからの吸熱により、基板102の温度が必要以上に上昇してしまうのを防ぐことができる。[変形例1]図3は、プラズマ処理槽の上面側から見た断面図であり、第一実施形態の変形例1を示している。支持部材の一面203Sにおける凹凸パターン203Eの分布を示すため、図3には、被処理基板は含まれていないが、実際には領域Bにおいて、支持部材203に載置されているものとする。変形例1の構成において、凹凸パターン203Eが、支持部材の一面のうち、基板と接する領域Bにおいてのみ設けられている点が、第一実施形態の構成と異なる。その他の部分の構成については、第一実施形態と同様であって、ガスGはガス供給流路205の開口部205Cから領域Bの最外周に向かって流れ、処理槽201内部の空間に排出される。すなわち、変形例1の構成によっても、空隙203Dは、ガス供給手段から供給されたガスGを、処理槽201内の空間に誘導するように形成されている。そのため、空隙203D内のガスGは、時間の経過とともに自然に、領域Bの最外周から排出される。そしてガスGが排出される速度は、そこに新たに供給するガスGの圧力により、調整することが出来る。したがって、空隙内からのガスの排出手段を別途設ける必要がなく、ガス排出手段を必須とする従来のプラズマ処理装置に比べて、装置構成を簡略化することができる。また、変形例1の構成によっても、ガスGは、ガス供給流路205の開口部205Cから領域Bの最外周に向けて一方的に流れる。すなわち領域BおいてガスGを循環させないため、空隙203Dがなす流路は、閉じた形状でなくてもよい。流路の形状が制限されないため、領域Bにおいて、空隙203Dの占める割合を増やし、基板202にガスGを接触させる面積を増やすことができる。したがって、基板202の温度を表面全域にわたって均等に制御することができる。また、変形例1の構成を備えたプラズマ処理装置を用いることにより、被処理基板の支持部材と接する面に対してガスを均等に接触させ、該基板の温度を制御した状態でプラズマ処理を行うことができる。したがって、プラズマ処理中に、プラズマからの吸熱により、前記基板の温度が必要以上に上昇してしまうのを防ぐことができる。なお、変形例1においては、凹凸パターン203Eを形成する領域を、支持部材の一面のうち基板が接する領域Bとした例を示したが、少なくとも領域Bが含まれていれば、これ以外の領域に凹凸パターン203Eが形成されてもよい。[変形例2]図4は、プラズマ処理槽の上面側から見た断面図であり、第一実施形態の変形例2を示している。支持部材の一面303Sにおける凹凸パターン303Eの分布を示すため、図4には、被処理基板は含まれていないが、実際には領域Bにおいて、支持部材303に載置されているものとする。凹凸パターン303Eは、支持部材303の一面の全域にわたって設けられているが、ガス供給流路305が複数設けられている点が、第一実施形態と異なる。その他の部分の構成については、第一実施形態と同様であって、ガスGは複数のガス供給流路305の各々の開口部305Cから領域Bの最外周に向かって流れ、処理槽301内部の空間に排出される。複数のガス供給流路305を設けることにより、凹凸パターン303Eに対して複数個所で同時にガスを供給することができる。したがって、この場合、ガス供給流路の開口部305Cから領域Bの各箇所に向けて、ガスGが移動する距離は、ガス供給流路が単数である場合に比べて短くなる。すなわち、変形例2の構成においては、基板温度の制御に要する時間を、ガス供給流路が単数である場合よりも短縮することができる。変形例2の構成によっても、空隙303Dは、ガス供給手段から供給されたガスGを、処理槽301内の空間に誘導するように形成されている。そのため、空隙303D内のガスGは、時間の経過とともに自然に、領域Bの最外周から排出される。そしてガスGが排出される速度は、そこに新たに供給するガスGの圧力により、調整することが出来る。したがって、空隙内からのガスの排出手段を別途設ける必要がなく、ガス排出手段を必須とする従来のプラズマ処理装置に比べて、装置構成を簡略化することができる。また、変形例2の構成によっても、ガスGは、ガス供給流路305の開口部305Cから領域Bの最外周に向けて一方的に流れる。すなわち領域BおいてガスGを循環させないため、空隙303Dがなす流路は、閉じた形状でなくてもよい。流路の形状が制限されないため、領域Bにおいて、空隙303Dの占める割合を増やし、基板302にガスGを接触させる面積を増やすことができる。したがって、基板302の温度を表面全域にわたって均等に制御することができる。また、変形例2の構成を備えたプラズマ処理装置を用いることにより、被処理基板の支持部材と接する面に対してガスを均等に接触させ、該基板の温度を制御した状態でプラズマ処理を行うことができる。したがって、プラズマ処理中に、プラズマからの吸熱により、前記基板の温度が必要以上に上昇してしまうのを防ぐことができる。なお、変形例2においては、領域Bの中心から等距離の4箇所にガス供給流路305が1個ずつ形成された例を示したが、ガスGが、領域Bの最外周から処理槽301内へ均等に流出する条件を満たせば、これ以外の配置で形成されてもよい。また、ガス供給流路305は5箇所以上に形成されてもよく、領域Bの外に形成されてもよい。[変形例3]図5は、プラズマ処理槽の上面側から見た断面図であり、第一実施形態の変形例3を示している。支持部材の一面403Sにおける凹凸パターン403Eの分布を示すため、図5には、被処理基板は含まれていないが、実際には領域Bにおいて、支持部材403に載置されているものとする。変形例3の構成において、凹凸パターン403Eは、支持部材403の一面の全域にわたって設けられているが、ガス供給流路405が、領域Bの中心から外れた位置に設けられている点が、第一実施形態と異なる。また、凹凸パターン403Eは、ガスGが領域Bの最外周から処理槽401内へ均等に流出する条件を満たすように形成される。すなわち、ガス供給流路405は、その開口部405Cから見て、領域Bの最外周に遠い方向に流れるガスG1が、近い方向に流れるガスG2よりも流れやすくなるように形成される。その他の部分の構成については、第一実施形態と同様であって、ガスGはガス供給流路405の開口部405Cから領域Bの最外周に向かって流れ、処理槽401内部の空間に排出される。すなわち、変形例3の構成によっても、空隙403Dは、ガス供給手段から供給されたガスGを、処理槽401内の空間に誘導するように形成されている。そのため、空隙403D内のガスGは、時間の経過とともに自然に、領域Bの最外周から排出される。そしてガスGが排出される速度は、そこに新たに供給するガスGの圧力により、調整することが出来る。したがって、空隙内からのガスの排出手段を別途設ける必要がなく、ガス排出手段を必須とする従来のプラズマ処理装置に比べて、装置構成を簡略化することができる。また、変形例3の構成によっても、ガスGは、ガス供給流路405の開口部405Cから領域Bの最外周に向けて一方的に流れる。すなわち領域BおいてガスGを循環させないため、空隙403Dがなす流路は、閉じた形状でなくてもよい。流路の形状が制限されないため、領域Bにおいて、空隙403Dの占める割合を増やし、基板402にガスGを接触させる面積を増やすことができる。したがって、基板402の温度を表面全域にわたって均等に制御することができる。