モバイル装置であって、第1の無線周波数RF信号を増幅するよう構成された第1の電力増幅器を含む複数の電力増幅器を備え、前記第1の電力増幅器はイネーブル状態とディスエーブル状態とを有し、前記モバイル装置はさらに、前記複数の電力増幅器に電力供給するために使用される第1の電源ノード用の電源電圧を生成するよう構成されたエンベロープトラッキングモジュールと、前記第1の電力増幅器に動作可能に関連付けられ、第1の端と第2の端とを有する第1のスイッチ可能キャパシタとを備え、前記第1のスイッチ可能キャパシタの第1の端は前記第1の電源ノードに電気的に接続されており、前記モバイル装置はさらに、前記第1の電力増幅器に動作可能に関連付けられ、前記第1のスイッチ可能キャパシタの第2の端の電圧を制御するよう構成された第1のスイッチを備え、前記第1のスイッチは、前記第1の電力増幅器がディスエーブルにされると、前記エンベロープトラッキングモジュールの容量性負荷を減少させるように、前記第1のスイッチ可能キャパシタの第2の端を電気的に浮かせるよう構成されている、モバイル装置。前記第1のスイッチは、前記第1の電力増幅器がイネーブルにされると、前記第1のスイッチ可能キャパシタの第2の端と第2の電源ノードとの間に低インピーダンス経路を提供するよう構成されている、請求項1に記載のモバイル装置。前記第1の電力増幅器がイネーブルにされると、前記第1の電力増幅器に安定性を提供するように、減衰抵抗器として前記第1のスイッチにバイアスをかけるよう構成された電力増幅器制御ブロックをさらに備える、請求項1に記載のモバイル装置。前記第1のスイッチは、電界効果トランジスタFETを含む、請求項3に記載のモバイル装置。前記電力増幅器制御ブロックは、前記第1の電力増幅器がイネーブルにされると、約0.5Ω~約2Ωの範囲のチャネル抵抗を有するように前記FETのゲートにバイアスをかけるよう構成されている、請求項4に記載のモバイル装置。前記電力増幅器制御ブロックは、前記FETのゲートにバイアスをかけるための制御信号を生成するよう構成されたデジタル/アナログコンバータを含む、請求項4に記載のモバイル装置。前記複数の電力増幅器のうちの第2の電力増幅器に各々動作可能に関連付けられた第2のスイッチ可能キャパシタおよび第2のスイッチをさらに備え、前記第2のスイッチ可能キャパシタは、前記第1の電源ノードに電気的に接続された第1の端と、第2の端とを有し、前記第2のスイッチは、前記第2の電力増幅器がディスエーブルにされると、前記第2のスイッチ可能キャパシタの第2の端を電気的に浮かせるよう構成されている、請求項1に記載のモバイル装置。ダイをさらに備え、前記第1のスイッチと前記第1の電力増幅器とは前記ダイ上に形成されている、請求項1に記載のモバイル装置。前記第1のスイッチ可能キャパシタと前記ダイとを含むマルチチップモジュールMCMをさらに備える、請求項8に記載のモバイル装置。電話ボードをさらに備え、前記MCMと前記エンベロープトラッキングモジュールとは前記電話ボード上に実装されている、請求項9に記載のモバイル装置。前記エンベロープトラッキングモジュールは、前記第1のRF信号のエンベロープに少なくとも部分的に基づいて前記電源電圧を制御するよう構成されている、請求項1に記載のモバイル装置。電力増幅器モジュールであって、第1の無線周波数RF信号を増幅するよう構成された第1の電力増幅器を含む第1の増幅ダイを備え、前記第1の増幅器はイネーブル状態とディスエーブル状態とを有し、前記電力増幅器モジュールはさらに、前記第1の増幅ダイの電源入力に電気的に接続された第1の電源ピンと、前記第1の増幅ダイに動作可能に関連付けられた第1のスイッチ可能キャパシタとを備え、前記第1のスイッチ可能キャパシタは第1の端と第2の端とを有し、前記第1のスイッチ可能キャパシタの第1の端は前記第1の電源ピンに電気的に接続されており、前記電力増幅器モジュールはさらに、前記第1の増幅ダイ上に配置され、前記第1のスイッチ可能キャパシタの第2の端の電圧を制御するよう構成された第1のスイッチを備え、前記第1のスイッチは、前記第1の電力増幅器がディスエーブルにされると、前記第1の電源ピンの静電容量を減少させるように、前記第1のスイッチ可能キャパシタの第2の端を電気的に浮かせるよう構成されている、電力増幅器モジュール。前記第1のスイッチは、前記第1の電力増幅器がイネーブルにされると、前記第1のスイッチ可能キャパシタの第2の端と接地ピンとの間に低インピーダンス経路を提供するよう構成されている、請求項12に記載の電力増幅器モジュール。前記第1のスイッチのインピーダンスを制御するよう構成された電力増幅器バイアス制御ダイをさらに備える、請求項12に記載の電力増幅器モジュール。前記電力増幅器バイアス制御ダイは、前記第1の電力増幅器がイネーブルにされると、減衰抵抗器として前記第1のスイッチにバイアスをかけるよう構成されている、請求項13に記載の電力増幅器モジュール。第2の電力増幅器を含む第2の増幅ダイをさらに備え、前記第1の電源ピンは前記第2の増幅ダイの電源入力に電気的に接続されている、請求項12に記載の電力増幅器モジュール。前記第1のスイッチ可能キャパシタは、表面実装部品である、請求項12に記載の電力増幅器モジュール。前記第1のスイッチは、電界効果トランジスタFETである、請求項12に記載の電力増幅器モジュール。前記第1の電力増幅器は第1の段と第2の段とを含み、前記第1の段は前記第2の段を駆動するよう構成されている、請求項12に記載の電力増幅器モジュール。前記第2の段は前記第1の電源ピンに電気的に接続されており、前記第1の段は第2の電源ピンに電気的に接続されている、請求項19に記載の電力増幅器モジュール。前記第1および第2の段は各々、前記第1の電源ピンに電気的に接続されている、請求項19に記載の電力増幅器モジュール。電力増幅器システムにおいて容量性負荷を減少させるための方法であって、前記方法は、エンベロープトラッカを用いて、複数の電力増幅器用の電源電圧を生成するステップを備え、前記複数の電力増幅器は第1の電力増幅器と第2の電力増幅器とを含み、前記方法はさらに、バイアス制御モジュールを用いて、前記第1の電力増幅器をディスエーブルにするとともに、前記第2の電力増幅器をイネーブルにするステップと、前記第1の電力増幅器がディスエーブルにされると、前記エンベロープトラッカの容量性負荷を減少させるように、第1のスイッチを用いて、前記第1の電力増幅器に関連付けられた第1のデカップリングキャパシタの一端を電気的に浮かせるステップとを備える、方法。前記第2の電力増幅器がイネーブルにされると、バイパス静電容量を前記第2の電力に提供するように、第2のスイッチを用いて、前記第2の電力増幅器に関連付けられた第2のデカップリングキャパシタの一端を接地するステップをさらに備える、請求項22に記載の方法。接地ノードと、前記第2の電力増幅器に関連付けられた第2のデカップリングキャパシタの一端との間に、電界効果トランジスタを提供するステップをさらに備える、請求項22に記載の方法。前記第2の電力増幅器の振動を抑制するための減衰抵抗器を提供するように、前記バイアス制御モジュールを用いて、電界効果トランジスタのゲートにバイアスをかけるステップをさらに備える、請求項22に記載の方法。電力増幅器の電力消費は、重要な検討事項となり得る。電力増幅器の電力消費を減少させるための1つの手法はエンベロープトラッキングであり、それでは、電力増幅器の電源の電圧レベルがRF信号のエンベロープに関連して変更される。このため、RF信号のエンベロープが増加すると、電力増幅器に供給される電圧が増加し得る。同様に、RF信号のエンベロープが減少すると、電力増幅器に供給される電圧が減少して電力消費が減少し得る。改良された電力増幅器が必要である。また、容量性負荷が減少したエンベロープトラッカを含む電力増幅器システムが必要である。概要ある実施例では、この開示は、複数の電力増幅器と、エンベロープトラッキングモジュールと、第1のスイッチ可能キャパシタと、第1のスイッチとを含むモバイル装置に関する。複数の電力増幅器は、第1の無線周波数RF信号を増幅するよう構成された第1の電力増幅器を含む。第1の電力増幅器はイネーブル状態とディスエーブル状態とを有する。エンベロープトラッキングモジュールは、複数の電力増幅器に電力供給するために使用される第1の電源ノード用の電源電圧を生成するよう構成されている。第1のスイッチ可能キャパシタは第1の電力増幅器に動作可能に関連付けられ、第1の端と第2の端とを有しており、第1のスイッチ可能キャパシタの第1の端は第1の電源ノードに電気的に接続されている。第1のスイッチは第1の電力増幅器に動作可能に関連付けられ、第1のスイッチ可能キャパシタの第2の端の電圧を制御するよう構成されている。第1のスイッチは、第1の電力増幅器がディスエーブルにされると、エンベロープトラッキングモジュールの容量性負荷を減少させるように、第1のスイッチ可能キャパシタの第2の端を電気的に浮かせるよう構成されている。さまざまな実施例では、第1のスイッチは、第1の電力増幅器がイネーブルにされると、第1のスイッチ可能キャパシタの第2の端と第2の電源ノードとの間に低インピーダンス経路を提供するよう構成されている。複数の実施例では、モバイル装置は、減衰抵抗器として第1のスイッチにバイアスをかけるよう構成された電力増幅器制御ブロックをさらに含む。いくつかの実施例では、第1のスイッチは電界効果トランジスタfieldeffecttransistor:FETを含む。いくつかの実施例によれば、電力増幅器制御ブロックは、第1の電力増幅器がイネーブルにされると、第1の電力増幅器に安定性を提供するように、約0.5Ω~約2Ωの範囲のチャネル抵抗を有するようにFETにバイアスをかけるよう構成されている。いくつかの実施例では、電力増幅器制御ブロックは、FETのゲートにバイアスをかけるための制御信号を生成するよう構成されたデジタル/アナログコンバータを含む。いくつかの実施例では、モバイル装置は、複数の電力増幅器のうちの第2の電力増幅器に各々動作可能に関連付けられた第2のスイッチ可能キャパシタおよび第2のスイッチをさらに含む。第2のスイッチ可能キャパシタは、第1の電源ノードに電気的に接続された第1の端と、第2の端とを有する。第2のスイッチは、第2の電力増幅器がディスエーブルにされると、第2のスイッチ可能キャパシタの第2の端を電気的に浮かせるよう構成されている。いくつかの実施例では、モバイル装置はダイをさらに含み、第1のスイッチと第1の電力増幅器とはダイ上に形成されている。ある実施例では、モバイル装置は、第1のスイッチ可能キャパシタとダイとを含むマルチチップモジュールmultichipmodule:MCMをさらに含む。いくつかの実施例によれば、モバイル装置は電話ボードphoneboardをさらに含み、MCMとエンベロープトラッキングモジュールとは電話ボード上に実装されている。複数の実施例では、エンベロープトラッキングモジュールは、第1のRF信号のエンベロープに少なくとも部分的に基づいて電源電圧を制御するよう構成されている。ある実施例では、この開示は、第1の増幅ダイと、第1の電源ピンと、第1のスイッチ可能キャパシタと、第1のスイッチとを含む電力増幅器モジュールに関する。第1の増幅ダイは、第1の無線周波数RF信号を増幅するよう構成された第1の電力増幅器を含み、第1の増幅器はイネーブル状態とディスエーブル状態とを有する。第1の電源ピンは、第1の増幅ダイの電源入力に電気的に接続されている。第1のスイッチ可能キャパシタは第1の増幅ダイに動作可能に関連付けられ、第1の端と第2の端とを有している。第1のスイッチ可能キャパシタの第1の端は第1の電源ピンに電気的に接続されている。第1のスイッチは第1の増幅ダイ上に配置され、第1のスイッチ可能キャパシタの第2の端の電圧を制御するよう構成されている。第1のスイッチは、第1の電力増幅器がディスエーブルにされると、第1の電源ピンの静電容量を減少させるように、第1のスイッチ可能キャパシタの第2の端を電気的に浮かせるよう構成されている。いくつかの実施例によれば、第1のスイッチは、第1の電力増幅器がイネーブルにされると、第1のスイッチ可能キャパシタの第2の端と接地ピンとの間に低インピーダンス経路を提供するよう構成されている。いくつかの実施例では、電力増幅器モジュールは、第1のスイッチのインピーダンスを制御するよう構成された電力増幅器バイアス制御ダイをさらに含む。複数の実施例では、電力増幅器バイアス制御ダイは、第1の電力増幅器がイネーブルにされると、減衰抵抗器として第1のスイッチにバイアスをかけるよう構成されている。さまざまな実施例では、第2の電力増幅器を含む第2の増幅ダイをさらに含み、第1の電源ピンは第2の増幅ダイの電源入力に電気的に接続されている。複数の実施例では、第1のスイッチ可能キャパシタは表面実装部品である。いくつかの実施例では、第1のスイッチは電界効果トランジスタFETである。さまざまな実施例では、第1の電力増幅器は第1の段と第2の段とを含み、第1の段は第2の段を駆動するよう構成されている。いくつかの実施例では、第2の段は第1の電源ピンに電気的に接続されており、第1の段は第2の電源ピンに電気的に接続されている。複数の実施例では、第1および第2の段は各々、第1の電源ピンに電気的に接続されている。ある実施例では、この開示は、電力増幅器システムにおいて容量性負荷を減少させるための方法に関する。この方法は、エンベロープトラッカを用いて、複数の電力増幅器用の電源電圧を生成するステップを含み、複数の電力増幅器は第1の電力増幅器と第2の電力増幅器とを含む。この方法は、バイアス制御モジュールを用いて、第1の電力増幅器をディスエーブルにするとともに、第2の電力増幅器をイネーブルにするステップをさらに含む。この方法は、第1の電力増幅器がディスエーブルにされると、エンベロープトラッカの容量性負荷を減少させるように、第1のスイッチを用いて、第1の電力増幅器に関連付けられた第1のデカップリングキャパシタの一端を電気的に浮かせるステップをさらに含む。さまざまな実施例では、この方法は、第2の電力増幅器がイネーブルにされると、バイパス静電容量を第2の電力に提供するように、第2のスイッチを用いて、第2の電力増幅器に関連付けられた第2のデカップリングキャパシタの一端を接地するステップをさらに含む。いくつかの実施例によれば、この方法は、接地ノードと、第2の電力増幅器に関連付けられた第2のデカップリングキャパシタの一端との間に、電界効果トランジスタを提供するステップをさらに含む。いくつかの実施例では、この方法は、第2の電力増幅器の振動を抑制するための減衰抵抗器を提供するように、バイアス制御モジュールを用いて、電界効果トランジスタのゲートにバイアスをかけるステップをさらに含む。ある実施例では、この開示は、複数の電力増幅器と、エンベロープトラッキング用手段と、第1のスイッチ可能キャパシタと、第1のスイッチング用手段とを含むモバイル装置に関する。複数の電力増幅器は、第1の無線周波数RF信号を増幅するよう構成された第1の電力増幅器を含む。第1の電力増幅器はイネーブル状態とディスエーブル状態とを有する。エンベロープトラッキング用手段は、複数の電力増幅器に電力供給するために使用される第1の電源ノード用の電源電圧を生成するよう構成されている。第1のスイッチ可能キャパシタは第1の電力増幅器に動作可能に関連付けられ、第1の端と第2の端とを有しており、第1の端は第1の電源ノードに電気的に接続されている。第1のスイッチング用手段は第1の電力増幅器に動作可能に関連付けられ、第1のスイッチ可能キャパシタの第2の端の電圧を制御するよう構成されている。第1のスイッチング用手段は、第1の電力増幅器がディスエーブルにされると、エンベロープトラッキング用手段の容量性負荷を減少させるように、第1のスイッチ可能キャパシタの第2の端を電気的に浮かせるよう構成されている。実施例の詳細な説明ここに見出しが記載されている場合、それらは便宜上のためのみであり、請求されている発明の範囲または意味に必ずしも影響しない。無線周波数RF信号の増幅を容易にするための装置および方法のさまざまな非限定的な例をここに提供する。図1は、無線周波数RF信号を増幅するための電力増幅器モジュール10の概略図である。図示された電力増幅器モジュール10は、RF入力信号RF_INを増幅し、増幅RF出力信号RF_OUTを生成するよう構成可能である。ここに説明されるように、電力増幅器モジュール10は1つ以上の電力増幅器を含み得る。図2は、図1の電力増幅器モジュール10を1つ以上含み得る例示的なモバイル装置または無線装置11の概略ブロック図である。無線装置11は、この開示の1つ以上の特徴を実現可能である。図2に示す例示的な無線装置11は、マルチバンド/マルチモード携帯電話などのマルチバンドおよび/またはマルチモード装置を表わし得る。一例として、グローバルシステムフォーモバイルGSM通信規格は、世界各地で利用されるデジタルセルラー通信のモードである。GSMモードの携帯電話は、850MHz送信用:約824~849MHz、受信用:約869~894MHz、900MHz送信用:約880~915MHz、受信用:約925~960MHz、1800MHz送信用:約1710~1785MHz、受信用:約1805~1880MHz、および1900MHz送信用:約1850~1910MHz、受信用:約1930~1990MHzという4つの周波数帯域のうちの1つ以上で動作可能である。GSM帯域のさまざまな種類および/または各地域/国での実現化例も、世界各地で利用されている。符号分割多重アクセスCDMAは、携帯電話装置で実現可能な別の規格である。ある実現化例では、CDMA装置は、800MHz、900MHz、1800MHz、および1900MHzの帯域のうちの1つで動作可能であり、一方、あるW-CDMA装置およびロングタームエボリューションLongTermEvolution:LTE装置は、たとえば、約22の無線周波数スペクトル帯域にわたって動作可能である。この開示の1つ以上の特徴は、前述の例示的なモードおよび/または帯域で、ならびに他の通信規格で実現可能である。たとえば、3G、4G、LTE、およびLTEアドバンストは、そのような規格の非限定的な例である。ある実施例では、無線装置11は、スイッチ12と、トランシーバ13と、アンテナ14と、電力増幅器17と、制御要素18と、コンピュータ読取可能媒体19と、プロセッサ20と、バッテリ21と、電源制御ブロック22とを含み得る。トランシーバ13は、アンテナ14を介した送信のためにRF信号を生成可能である。また、トランシーバ13は、アンテナ14から入来RF信号を受信可能である。RF信号の送信および受信に関連するさまざまな機能が、図2にトランシーバ13として総称される1つ以上の要素によって達成可能である、ということが理解されるであろう。たとえば、単一の要素が送信機能および受信機能を両方とも提供するよう構成されてもよい。別の例では、送信機能および受信機能が別々の要素によって提供されてもよい。同様に、RF信号の送信および受信に関連するさまざまなアンテナ機能が、図2にアンテナ14として総称される1つ以上の要素によって達成可能である、ということが理解されるであろう。たとえば、単一のアンテナが送信機能および受信機能を両方とも提供するよう構成されてもよい。別の例では、送信機能および受信機能が別々のアンテナによって提供されてもよい。さらに別の例では、無線装置11に関連付けられた異なる帯域に異なるアンテナが提供されてもよい。図2では、トランシーバ13からの1つ以上の出力信号が、1つ以上の送信経路15を介してアンテナ14に提供されるよう図示されている。図示された例では、異なる送信経路15は、異なる帯域および/または異なる電力出力に関連付けられた出力経路を表わし得る。たとえば、図示された2つの例示的な電力増幅器17は、異なる電力出力構成たとえば、低電力出力および高電力出力に関連付けられた増幅、および/または異なる帯域に関連付けられた増幅を表わし得る。図2は無線装置11が2つの送信経路15を含むものとして図示しているが、無線装置11は、より多いまたはより少ない数の送信経路15を含むよう適合されていてもよい。図2では、アンテナ14からの1つ以上の検出信号が、1つ以上の受信経路16を介してトランシーバ13に提供されるよう図示されている。図示された例では、異なる受信経路16は、異なる帯域に関連付けられた経路を表わし得る。たとえば、図示された4つの例示的な受信経路16は、いくつかの無線装置に提供される4帯域能力を表わし得る。図2は無線装置11を4つの受信経路16を含むものとして図示しているが、無線装置11は、より多いまたはより少ない数の受信経路16を含むよう適合されていてもよい。受信経路と送信経路とのスイッチングを容易にするために、スイッチ12は、アンテナ14を選択された送信経路または受信経路に電気的に接続するよう構成可能である。このため、スイッチ12は、無線装置11の動作に関連する複数のスイッチング機能を提供可能である。ある実施例では、スイッチ12は、たとえば、異なる帯域間のスイッチング、異なる電力モード間のスイッチング、送受信モード間のスイッチング、またはそれらの何らかの組合せに関連する機能を提供するよう構成された複数のスイッチを含んでいてもよい。スイッチ12はまた、信号のフィルタリングおよび/または二重化を含むさらなる機能を提供するよう構成されてもよい。ある実施例では、スイッチ12、電力増幅器17、電源制御ブロック22、および/または他の動作要素の動作に関連するさまざまな制御機能を制御するために、制御要素18が提供され得る、ということを図2は示している。ある実施例では、プロセッサ20は、ここに説明されるさまざまなプロセスの実現を容易にするよう構成可能である。説明のため、この開示の実施例はまた、方法、装置システム、およびコンピュータプログラム製品のフローチャート図および/またはブロック図を参照して説明される場合がある。フローチャート図および/またはブロック図の各ブロック、ならびにフローチャート図および/またはブロック図のブロックの組合せは、コンピュータプログラム命令によって実現されてもよい、ということが理解されるであろう。これらのコンピュータプログラム命令は、マシンを作るための、汎用コンピュータ、専用コンピュータ、または他のプログラム可能なデータ処理装置のプロセッサに提供されて、コンピュータまたは他のプログラム可能なデータ処理装置のプロセッサを介して実行される命令が、フローチャートおよび/またはブロック図のブロックまたは複数のブロックで特定される動作を実現するための手段を作り出すようになっていてもよい。ある実施例では、コンピュータまたは他のプログラム可能なデータ処理装置に特定の態様で動作するよう命令可能なこれらのコンピュータプログラム命令は、コンピュータ読取可能メモリ19にも格納されて、コンピュータ読取可能メモリに格納された命令が、フローチャートおよび/またはブロック図のブロックまたは複数のブロックで特定される動作を実現する命令手段を含む製品を作るようになっていてもよい。コンピュータプログラム命令は、コンピュータまたは他のプログラム可能なデータ処理装置にもロードされ、コンピュータまたは他のプログラム可能な装置上で実行されるべき一連の動作によってコンピュータにより実現されるプロセスを作り、コンピュータまたは他のプログラム可能な装置上で実行される命令は、フローチャートおよび/またはブロック図のブロックまたは複数のブロックで特定される動作を実現するためのステップを提供する。図示された無線装置11は電源制御ブロック22も含んでおり、それは、電源電圧を電力増幅器17のうちの1つ以上に提供するために使用可能である。たとえば、電源制御ブロック22は、増幅すべきRF信号のエンベロープに基づいて電力増幅器17に提供される電源電圧を変動させるよう構成されたエンベロープトラッカを含んでいてもよい。しかしながら、ある実施例では、電源制御ブロック22は異なる要素を含んでいてもよい。電源制御ブロック22はバッテリ21に電気的に接続可能であり、また電源制御ブロック22は電力増幅器17用の電源電圧を生成するよう構成可能である。バッテリ21は、たとえばリチウムイオンバッテリを含む、無線装置11で使用される任意の好適なバッテリであってもよい。さらに以下に詳細に説明されるように、電力増幅器に提供される電源の電圧レベルを制御することにより、バッテリ21から消費される電力を減少させることができ、それにより、無線装置11のバッテリの寿命が長くなる。ある実現化例では、電源制御ブロック22は、増幅すべきRF信号のエンベロープに基づいて、電力増幅器電源電圧を制御可能である。エンベロープ信号はトランシーバ13から電源制御ブロック22に提供可能である。しかしながら、エンベロープは他の方法で定められてもよい。たとえば、エンベロープは、任意の好適なエンベロープ検出器を用いてRF信号からエンベロープを検出することによって定められてもよい。図3は、エンベロープトラッカ30を有する電力増幅器システム25の一例の概略ブロック図である。図示された電力増幅器システム25は、スイッチ12と、トランシーバ13と、アンテナ14と、バッテリ21と、エンベロープトラッカ30と、電力増幅器32と、遅延素子34とを含む。トランシーバ13はRF信号RF_SIGNALを生成可能であり、それは遅延素子34に提供され得る。遅延素子34は、以下に説明されるように、電力増幅器32用の電力増幅器電源電圧VCCPAの生成に関連する時間を補償するようにRF信号RF_SIGNALを遅延させるために使用可能である。電力増幅器32は遅延されたRF信号を増幅し、増幅された信号をスイッチ12の入力に提供することができる。スイッチ12は、アンテナ14に電気的に接続された出力を有し得る。図3には図示されていないが、所望の数の送信経路および/または受信経路を提供するのを助けるために、より多いまたはより少ない数の電力増幅器がスイッチ12を通してアンテナ14に電気的に接続されてもよい。トランシーバ13は、RF信号のエンベロープをエンベロープトラッカ30に提供可能である。エンベロープトラッカ30は、バッテリ21からもバッテリ電圧VBATTを受信可能である。エンベロープトラッカ30は、RF信号のエンベロープに関連して電力増幅器電源電圧VCCPAの電圧レベルを変更するために使用可能である。トランシーバ13はエンベロープ信号をエンベロープトラッカ30に提供するよう図示されているが、エンベロープ信号は他の方法で生成されてもよい。加えて、図3は、遅延素子34がRF信号RF_SIGNALと電力増幅器32の入力との間の信号経路に配置されている構成を図示しているが、他の構成では、遅延素子34を省略したり、または他の方法で構成してもよい。たとえば、いくつかの実現化例では、RF信号RF_SIGNALがエンベロープ信号よりも大きい遅延を有する場合があり、遅延素子34は、エンベロープトラッカ30に提供されるエンベロープ信号を遅延させるために使用されてもよい。図4A~4Bは、時間に対する電源電圧の2つの例を示す。図4Aでは、グラフ47は、時間に対するRF信号41の電圧および電力増幅器電源電圧43を示す。RF信号41はエンベロープ42を有する。ある実現化例では、電力増幅器の電源電圧43は、RF信号41の電圧よりも大きい電圧を有し得る。たとえば、大きさがRF信号41よりも小さい電源電圧を電力増幅器に提供することはRF信号をクリップする場合があり、それにより信号歪みおよび/または他の問題が生じる。このため、電源電圧43はエンベロープ42の電圧より大きくすることができる。しかしながら、電力増幅器電源電圧43とRF信号41のエンベロープ42との電圧差を小さくすることが望ましい。なぜなら、電力増幅器電源電圧43とエンベロープ42との間の区域は失われたエネルギを表わし、それはバッテリの寿命を短くし、モバイル装置で生じる熱を増加し得るためである。図4Bでは、グラフ48は、時間に対するRF信号41の電圧および電力増幅器電源電圧44を示す。図4Aの電力増幅器電源電圧43とは異なり、図4Bの電力増幅器電源電圧44は、RF信号41のエンベロープ42に関連して変化する。図4Bの電力増幅器電源電圧44とエンベロープ42との間の区域は、図4Aの電力増幅器電源電圧43とエンベロープ42との間の区域よりも小さく、このため、図4Bのグラフ48は、エネルギ効率がより高い電力増幅器システムに関連付けることができる。図5は、エンベロープトラッカ30を含む電力増幅器システム50の別の例の概略ブロック図である。図示された電力増幅器システム50は、バッテリ21と、エンベロープトラッカ30と、電力増幅器32と、遅延制御ブロック33と、遅延素子34とを含む。エンベロープトラッカ30は、マルチレベル電源制御ブロック51と、スイッチ52と、スイッチ制御53と、電圧調節モジュール54とを含む。図5に示すように、例示的な電力増幅器システム50は、RF入力信号RF_INとエンベロープ信号とを受信し、エンベロープ信号を用いて電力増幅器32用の電源電圧VCCPAを生成することができる。電力増幅器電源電圧VCCPAの生成時の遅延を補償するために、遅延素子34および遅延制御ブロック33が含まれ得る。たとえば、遅延制御ブロック33は、RF信号のエンベロープに基づいて遅延素子34の遅延を制御して、電力増幅器電源電圧VCCPAと電力増幅器32によって増幅されたRF信号とを揃えるのを助けるために使用可能である。マルチレベル電源制御ブロック51はエンベロープトラッカ30に含まれ、バッテリ21から実質的にDCの複数の出力電圧を生成するために使用可能である。たとえば、マルチレベル電源制御ブロック51は、バッテリ電圧VBATTから出力電圧VMLS1、VMLS2、およびVMLS3を生成するために使用可能である。マルチレベル電源制御ブロック51は3つの出力電圧を生成するものとして図示されているが、マルチレベル電源制御ブロック51は、より多いまたはより少ない数の出力電圧を生成するよう構成されてもよい。マルチレベル電源制御ブロック51は、たとえば、降圧/昇圧コンバータまたは任意の他の好適なDC/DCコンバータを含んでいてもよい。スイッチ制御ブロック53は、マルチレベル電源制御ブロック51によって生成された出力電圧の中から選択するよう構成可能である。スイッチ制御ブロック53によって選択された電圧は、電圧調節モジュール54によって調節されてから、電力増幅器32などの1つ以上の電力増幅器に供給され得る。たとえば、電圧調節モジュール54は、電力増幅器電源電圧VCCPAを生成するためにエンベロープ信号のリニアトラッキングを提供するよう構成された増幅器を含み得る。ある実現化例では、電圧調節モジュール54は増幅器と加算器とを含んでいてもよく、加算器は、増幅器からのエラー信号をスイッチ52によって選択された出力電圧に加算することにより、電力増幅器電源電圧VCCPAを生成してもよい。マルチレベル電源制御ブロック51および電圧調節モジュール54の両方を提供することにより、エンベロープトラッカ30の設計に対する制約を減少させることができ、それにより、より大きい柔軟性と改良された電力効率とを有するシステムが可能になる。しかしながら、エンベロープトラッカ30の他の構成が使用されてもよい。図6は、エンベロープトラッカ30を有する電力増幅器システム60のさらに別の一例の概略ブロック図である。図示された電力増幅器システム60は、エンベロープトラッカ30と、電力増幅器32と、インダクタ62と、デカップリングまたはバイパスキャパシタ63と、インピーダンス整合ブロック64と、スイッチ12と、アンテナ14とを含む。図示されたエンベロープトラッカ30は、RF信号のエンベロープを受信し、電力増幅器32用の電力増幅器電源電圧VCCPAを生成するよう構成されている。図示された電力増幅器32は、エミッタと、ベースと、コレクタとを有するバイポーラトランジスタ61を含む。バイポーラトランジスタ61のエミッタは、たとえば接地ノードであり得る第1の電圧供給V1に電気的に接続可能である。加えて、RF入力信号RF_INが、バイポーラトランジスタ61のベースに供給可能である。バイポーラトランジスタ61は、RF入力信号RF_INを増幅するとともに、増幅RF信号RF_OUTをコレクタで提供することができる。バイポーラトランジスタ61は、任意の好適な装置であってもよい。1つの実現化例では、バイポーラトランジスタ61は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタheterojunctionbipolartransistor:HBTである。電力増幅器32は、増幅RF信号RF_OUTをスイッチ12に提供するよう構成可能である。インピーダンス整合ブロック64は、電力増幅器32とスイッチ12との電気的接続を終了させるのを助けるために使用可能である。たとえば、インピーダンス整合ブロック64は、電力増幅器32を用いて生成された増幅RF信号の電力伝達を増加させ、および/または増幅RF信号の反射を減少させるために使用可能である。インダクタ62は、高周波RF信号成分を絞りまたは阻止しながら電力増幅器電源電圧VCCPAを電力増幅器32に提供するために使用可能である。インダクタ62は、エンベロープトラッカ30に電気的に接続された第1の端と、バイポーラトランジスタ61のコレクタに電気的に接続された第2の端とを含み得る。デカップリングまたはバイパスキャパシタ63は、インダクタ62の第1の端に電気的に接続された第1の端と、第1の電源電圧V1に電気的に結合された第2の端とを含む。デカップリングキャパシタ63は高周波信号に低インピーダンス経路を提供可能であり、それにより、電力増幅器電源電圧VCCPAのノイズを減少させ、電力増幅器の安定性を向上させ、および/またはRFチョークとしてのインダクタ62の性能を向上させる。図6は電力増幅器32の一実現化例を示しているが、当業者であれば、ここに説明された教示が、多段電力増幅器構造、および他のトランジスタ構造を採用する電力増幅器といった、さまざまな電力増幅器構造に適用可能であることを理解するであろう。たとえば、いくつかの実現化例では、バイポーラトランジスタ61を省略して、シリコンFET、ガリウムヒ素GaAs高電子移動度トランジスタhighelectronmobilitytransistor:HEMT、または横方向拡散金属酸化膜laterallydiffusedmetaloxidesemiconductor:LDMOSトランジスタといった電界効果トランジスタFETを採用してもよい。図7は、一実施例に従った電力増幅器システム70の概略図である。電力増幅器システム70は、バッテリ21と、エンベロープトラッカ30と、第1~第3の電力増幅器32a~32cと、第1~第3の電界効果トランジスタFET71a~71cと、第1~第3のインダクタ72a~72cと、第1および第3のスイッチドまたはスイッチ可能キャパシタ74a~74cと、エンベロープトラッキングキャパシタ75とを含む。第1の電力増幅器32aは、第1のRF入力信号RF_IN1を受信するための入力と、第1の増幅RF出力信号RF_OUT1を生成するための出力とを含む。加えて、第2の電力増幅器32bは、第2のRF入力信号RF_IN2を受信するための入力と、第2の増幅RF出力信号RF_OUT2を生成するための出力とを含み、第3の電力増幅器32cは、第3のRF入力信号RF_IN3を受信するための入力と、第3の増幅RF出力信号RF_OUT3を生成するための出力とを含む。第1、第2、および第3の電力増幅器32a~32cは各々、イネーブル信号を受信するよう構成されており、それは電力増幅器の各々をイネーブル状態とディスエーブル状態との間でスイッチングするために使用可能である。たとえば、第1の電力増幅器32aは第1のイネーブル信号EN1を受信するよう構成され、第2の電力増幅器32bは第2のイネーブル信号EN2を受信するよう構成され、第3の電力増幅器32cは第3のイネーブル信号EN3を受信するよう構成されている。図7は3つの電力増幅器を用いた構成を図示しているが、電力増幅器システム70は、より多いまたはより少ない数の電力増幅器を含むよう変更されてもよい。エンベロープトラッカ30は、バッテリ21からバッテリ電圧VBATTを受信するよう構成された入力と、第1~第3の電力増幅器32a~32c用の電力増幅器電源電圧VCCPAを生成するよう構成された出力とを含む。電力増幅器電源電圧VCCPAは、VCCPA電源ノードまたはネットワーク77を用いて第1~第3の電力増幅器32a~32cに分配され得る。電力増幅器システム70は、第1~第3のスイッチドキャパシタ74a~74cと、第1~第3のFET71a~71cを含み得る。第1~第3のFET71a~71cの各々は、ゲートと、ソースと、ドレインとを含む。第1のスイッチドキャパシタ74aは、VCCPA電源ノード77に電気的に接続された第1の端と、第1のFET71aのドレインに電気的に接続された第2の端とを含む。同様に、第2のスイッチドキャパシタ74bは、VCCPA電源ノード77に電気的に接続された第1の端と、第2のFET71bのドレインに電気的に接続された第2の端とを含み、第3のスイッチドキャパシタ74cは、VCCPA電源ノード77に電気的に接続された第1の端と、第3のFET71cのドレインに電気的に接続された第2の端とを含む。第1~第3のFET71a~71cのソースは第1の電源電圧V1に電気的に接続され、第1、第2、および第3のFET71a~71cのゲートは、第1のイネーブル信号EN1、第2のイネーブル信号EN2、および第3のイネーブル信号EN3をそれぞれ受信するよう構成されている。エンベロープトラッカ30は、イネーブルにされた電力増幅器に関連付けられたRF信号のエンベロープに基づいて、電力増幅器電源電圧VCCPAを制御可能である。たとえば、第1の電力増幅器32aがイネーブルにされていることを第1のイネーブル信号EN1が示す場合、エンベロープトラッカ30は、第1のRF入力信号RF_IN1のエンベロープに関連して電力増幅器電源電圧VCCPAを変更できる。同様に、第2の電力増幅器32bがイネーブルにされていることを第2のイネーブル信号EN2が示す場合、エンベロープトラッカ30は、第2のRF入力信号RF_IN2のエンベロープに関連して電力増幅器電源電圧VCCPAを変更できる。加えて、第3の電力増幅器32cがイネーブルにされていることを第3のイネーブル信号EN3が示す場合、エンベロープトラッカ30は、第3のRF入力信号RF_IN3のエンベロープに関連して電力増幅器電源電圧VCCPAを変更できる。複数の電力増幅器を含むことにより、電力増幅器システム70は、たとえば異なる帯域間のスイッチングおよび/または異なる電力モード間のスイッチングに関連付けられた機能を提供できるようになる。エンベロープトラッキングキャパシタ75は、VCCPA電源ノード77に電気的に接続された第1の端と、たとえば接地ノードであり得る第1の電源電圧V1に電気的に接続された第2の端とを含む。エンベロープトラッキングキャパシタ75は、電力増幅器32a~32cの動作に関連するノイズなどのVCCPA電源ノード77上のノイズを減少させるのを助けることができる。第1~第3のインダクタ72a~72cは各々、VCCPA電源ノード77に電気的に接続された第1の端と、それぞれ第1~第3の電力増幅器32a~32cに電気的に接続された第2の端とを含み得る。第1~第3のインダクタ72a~72cを含むことは、VCCPA電源ノード77と第1~第3の電力増幅器32a~32cによって生成された増幅RF信号との絶縁を可能にしつつ、第1および第3の電力増幅器32a~32cに電力供給することを助けることができる。VCCPA電源ノード77の容量性負荷は、比較的大きなサイズおよび/または低減された電力効率を有するエンベロープトラッカ30をもたらし得る。しかしながら、VCCPA電源ノード77上のノイズを減少させるのを助けるために、および/または電力増幅器に安定性を提供するのを助けるために、第1および第3の電力増幅器32a~32cの各々で局所的に、比較的大きい静電容量が必要とされる場合がある。たとえば、電力増幅器用にVCCPA電源ノード77上に十分な静電容量を提供できない場合、電力増幅器が不要の出力振動を生成したり、および/または他の望ましくない効果を呈する可能性がある。第1~第3のスイッチドキャパシタ74a~74cと、第1~第3のFET71a~71cなどの関連付けられたスイッチとを提供することは、第1~第3の電力増幅器31a~31cの動作にとって十分なデカップリングキャパシタンスを提供しつつ、エンベロープトラッカ30の容量性負荷を減少させるのを助けることができる。いくつかの実施例では、第1~第3の電力増幅器31a~31cのうちの1つしか一度にイネーブルにされないため、イネーブルにされた電力増幅器用のデカップリングキャパシタンスを提供するために、イネーブルにされた電力増幅器に関連付けられたスイッチはON状態または低インピーダンス状態に設定可能である。しかしながら、ある特定の電力増幅器がディスエーブルにされると、ディスエーブルにされた電力増幅器に関連付けられたスイッチはOFF状態または高インピーダンス状態に設定され、それにより、エンベロープトラッカ30上の容量性負荷を減少させ、電力増幅器システム70の効率を向上させることができる。ある実現化例では、ここに説明されたスイッチドキャパシタ方式は、電力増幅器システムのエンベロープトラッキングキャパシタ75の値を減少させるために、または電力増幅器システム70からエンベロープトラッキングキャパシタ75を完全に取り除くために使用することができる。図示された構成では、第1~第3のFET71a~71cは、VCCPA電源ノード77上の容量性負荷としての第1~第3のキャパシタ74a~74cをそれぞれ選択的に含むためのスイッチとして動作する。たとえば、所与の電力増幅器がイネーブルにされると、関連付けられたFETは低インピーダンス状態になり、第1の電源電圧V1とほぼ等しい電圧を関連付けられたスイッチドキャパシタの第2の端に提供することができる。関連付けられたスイッチドキャパシタの第2の端が第1の電源電圧V1に電気的に接続されると、スイッチドキャパシタは、関連付けられた電力増幅器用のバイパスキャパシタとして動作可能である。しかしながら、電界効果トランジスタが高インピーダンス状態になると、関連付けられたスイッチングキャパシタの第2の端を電気的に浮かせることができ、したがって、VCCPA電源ノード77上の容量性負荷を減少させることができる。いくつかの実現化例では、第1~第3のスイッチドキャパシタ74a~74cは各々、単一の要素を用いて実現される。しかしながら、第1~第3のスイッチドキャパシタ74a~74cが各々、複数の要素を含んでいる実現化例のような他の構成が可能である。たとえば、一実施例では、第1~第3のスイッチドキャパシタ74a~74cは各々、キャパシタ群を含む。図7に示すように、第1~第3のFET71a~71cは、第1~第3のスイッチドキャパシタ74a~74c用のスイッチとして動作する。しかしながら、当業者であれば、ここに説明された容量性負荷減少方式に従って他のスイッチを使用できることを理解するであろう。たとえば、いくつかの実現化例では、第1~第3のFET71a~71cの各々が省略されて、印加された制御電圧に基づいて変化するインピーダンスを有するよう構成されたピンダイオードが使用される。図8は、一実施例に従ったマルチチップモジュールMCM80の概略図である。図示されたMCM80は、バイアス制御ダイ81と、第1および第2の電力増幅器ダイ82a、82bと、インダクタ84と、第1および第2のスイッチドキャパシタ85a、85bと、第1および第2のインピーダンス整合ネットワーク86a、86bとを含む。MCM80はさらに、電力増幅器電源電圧ピンVCCPAと、第1のRF入力信号ピンRF_IN1と、第2のRF入力信号ピンRF_IN2と、第1のRF出力信号ピンRF_OUT1と、第2のRF出力信号ピンRF_OUT2と、制御ピンCONTROLと、接地ピンGNDとを含む。ある実現化例では、電源ピンVCCPAは、MCM80が実装され得る電話ボード上に配置されたエンベロープトラッキングモジュールなどのエンベロープトラッカに電気的に接続可能である。加えて、明確にするために図8には示されていないものの、MCM80は、1つ以上の入力ピン、制御ピン、高調波終端ピン、および/または、たとえば電力増幅器入力段に関連付けられた電源ピンを含む他の電源ピンといった追加のピンを含んでいてもよい。MCM80はインダクタ84を含み、それは電力増幅器電源電圧ピンVCCPAと第1および第2の電力増幅器ダイ82a、82bの電源入力との間の信号経路に配置可能である。図8に示された構成は、インダクタ84が、第1および第2の電力増幅器ダイ82a、82bの両方に電源電圧を提供するために使用されることを示しているが、他の実現化例では、第1および第2の電力増幅器ダイ82a、82bの各々に供給するために別々のインダクタが使用されてもよい。インダクタ84は、たとえば、MCM80上の配線によって形成可能である。しかしながら、インダクタ84は、1つ以上の表面実装部品の使用などの他の方法で形成されてもよい。第1の電力増幅器ダイ82aは、第1の電力増幅器92aと第1のFET94aとを含み、第2の電力増幅器ダイ82bは、第2の電力増幅器92bと第2のFET94bとを含む。第1の電力増幅器92aは、第1のRF入力信号ピンRF_IN1に電気的に接続された入力を含み、第2の電力増幅器92bは、第2のRF入力信号ピンRF_IN2に電気的に接続された入力を含む。加えて、第1の電力増幅器92aは、第1のインピーダンス整合回路86aを介して第1のRF出力信号ピンRF_OUT1に電気的に接続された出力を含み、第2の電力増幅器92bは、第2のインピーダンス整合回路86bを介して第2のRF出力信号ピンRF_OUT2に電気的に接続された出力を含む。第1および第2の電力増幅器92a、92bはそれぞれ、第1および第2のRF入力信号ピンRF_IN1、RF_IN2上で受信されたRF信号を増幅し、RF出力信号ピンRF_OUT1、RF_OUT2上で増幅RF信号を生成するために使用可能である。第1および第2の電力増幅器ダイ82a、82bは、電力増幅器電源電圧ピンVCCPAと接地ピンGNDとを用いて電力供給され得る。たとえば、第1の電力増幅器92aは、インダクタ84を通して電力増幅器電源電圧ピンVCCPAに電気的に接続され、また接地ピンGNDに電気的に接続されている。同様に、第2の電力増幅器92bは、インダクタ84を通して電力増幅器電源電圧ピンVCCPAに電気的に接続され、また接地ピンGNDに電気的に接続されている。一実施例では、第1および第2の電力増幅器ダイ82a、82bは、バイポーラ電界効果トランジスタBiFETプロセスを用いて形成されたガリウムヒ素GaAsダイである。第1および第2のインピーダンス整合ネットワーク86a、86bはそれぞれ、第1の電力増幅器92aの出力と第1のRF出力ピンRF_OUT1との電気的接続、および第2の電力増幅器92bの出力と第2のRF出力ピンRF_OUT2との電気的接続を終了させるのを助けるために使用可能である。また、第1および第2のインピーダンス整合ネットワーク86a、86bはそれぞれ、第1および第2の電力増幅器92a、92bのために、周波数に対する所望の負荷ラインインピーダンス特性を達成するよう構成可能である。ある構成では、第1および第2のインピーダンス整合ネットワーク92a、92bは各々、誘導性成分と容量性成分とを含む。誘導性成分は、たとえば、MCM80上に配置された配線を用いて、1つ以上のボンドワイヤを用いて、および/または1つ以上の表面実装部品を用いて形成可能である。容量性成分は、たとえば、1つ以上の表面実装部品を用いて形成可能である。PAバイアス制御ダイ81は制御ピンCONTROLに電気的に接続されており、たとえば、1つ以上の増幅器をイネーブルおよびディスエーブルにするために、および/またはバイアス信号または制御信号を電力増幅器に提供するために使用可能である。たとえば、図示された構成では、PAバイアス制御ダイ81は、第1の電力増幅器ダイ82a用の第1のイネーブル信号EN1と、第1の電力増幅器ダイ82a用の第1のバイアス信号BIAS1と、第2の電力増幅器ダイ82b用の第2のイネーブル信号EN2と、第2の電力増幅器ダイ82b用の第2のバイアス信号BIAS2とを生成するよう構成されている。一実施例では、第1および第2の電力増幅器ダイ82a、82bはバイポーラトランジスタを含み、第1および第2のバイアス信号BIAS1、BIAS2は各々、バイポーラトランジスタ用のベース電流を生成するために使用される電流ミラーにバイアスをかけるための基準電圧である。加えて、第1および第2のイネーブル信号EN1、EN2は、電流ミラーの動作を選択的にイネーブルまたはディスエーブルにするために使用される制御信号として使用可能である。第1および第2のスイッチドキャパシタ85a、85bは各々、第1の端と第2の端とを含む。第1および第2のスイッチドキャパシタ85a、85bの各々の第1の端は、MCM80の電力増幅器電源電圧ピンVCCPAに電気的に接続されている。第1および第2のスイッチドキャパシタ85a、85bは、たとえば、MCM80上に実装された表面実装部品であってもよい。第1のFET94aは、第1のスイッチドキャパシタ85aの第2の端に電気的に接続されたドレインを含み、第2のFET94bは、第2のスイッチドキャパシタ85bの第2の端に電気的に接続されたドレインを含む。第1のFET94aはさらに、第1のイネーブル信号EN1に電気的に接続されたゲートと、接地ピンGNDに電気的に接続されたソースとを含む。第2のFET94bはさらに、第2のイネーブル信号EN2に電気的に接続されたゲートと、接地ピンGNDに電気的に接続されたソースとを含む。一実施例では、第1および第2のFET94a、94bは、電力増幅器ダイ82a、82b上に形成される。第1および第2のスイッチドキャパシタ85a、85bは、図7に関して上述したものと同様の態様で、電力増幅器電源電圧ピンVCCPAの容量性負荷として選択的に含まれ得る。たとえば、第1のイネーブル信号EN1を用いて、第1のFET94aのチャネルを通る低インピーダンスまたは高インピーダンスの経路を作り、それにより第1のスイッチドキャパシタ85aの第2の端を選択的に接地することができる。同様に、第2のイネーブル信号EN2を用いて、第2のFET94bを通る低インピーダンスまたは高インピーダンスの経路を作り、それにより第2のスイッチドキャパシタ85bの第2の端を選択的に接地することができる。図8はMCM80を第1および第2の電力増幅器ダイ82a、82bを含むものとして図示しているが、MCM80は、より多いまたはより少ない数の電力増幅器ダイを含むよう変更されてもよい。加えて、ある実現化例では、ある要素および/またはピンをMCM80から省略し、一方、他の要素および/またはピンを追加してもよい。一実施例では、電力増幅器バイアス制御ダイ81は、第1および第2のFET94a、94bのゲートにそれぞれバイアスをかけるための第1の制御信号および第2の制御信号を生成するよう構成されている。図11に関してさらに以下に詳細に説明されるように、ある特定の電力増幅器がイネーブルにされると、電力増幅器の振動を減衰させるのに好適なチャネル抵抗を有するように、関連付けられたFETにバイアスをかけることができ、それにより安定性が向上する。図9Aは、別の実施例に従った電力増幅器システム100の概略図である。図示された電力増幅器システム100は、スイッチ12と、アンテナ14と、エンベロープトラッカ30と、第1~第5の入力段102a~102eと、第1~第5の出力段103a~103eと、第1~第5のインピーダンス整合ブロック64a~64eと、第1~第5のスイッチドキャパシタ104a~104eと、第1~第5のFET101a~101eと、第1~第5の出力段インダクタ106a~106eと、第1~第5の入力段インダクタ107a~107eと、第1~第5のキャパシタ105a~105eとを含む。第1~第5の入力段102a~102eと第1~第5の出力段103a~103eとは、複数の多段電力増幅器として動作するよう構成されたものである。たとえば、第1の入力段102aと第1の出力段103aとは、第1のRF信号RF_IN1を増幅し、第1の増幅RF信号RF_OUT1を生成するよう構成された第1の電力増幅器として動作する。加えて、第2の入力段102bと第2の出力段103bとは、第2のRF信号RF_IN2を増幅し、第2の増幅RF信号RF_OUT2を生成するよう構成された第2の電力増幅器として動作する。また、第3の入力段102cと第3の出力段103cとは、第3のRF信号RF_IN3を増幅し、第3の増幅RF信号RF_OUT3を生成するよう構成された第3の電力増幅器として動作する。加えて、第4の入力段102dと第4の出力段103dとは、第4のRF信号RF_IN4を増幅し、第4の増幅RF信号RF_OUT4を生成するよう構成された第4の電力増幅器として動作する。また、第5の入力段102eと第5の出力段103eとは、第5のRF信号RF_IN5を増幅し、第5の増幅RF信号RF_OUT5を生成するよう構成された第5の電力増幅器として動作する。第1~第5の入力段102a~102eはそれぞれ、第1~第5の入力バイポーラトランジスタ112a~112eを含む。加えて、第1~第5の出力段103a~103eはそれぞれ、第1~第5の出力バイポーラトランジスタ113a~113eを含む。第1~第5の入力バイポーラトランジスタ112a~112eのベースはそれぞれ、第1~第5のRF信号RF_IN1~RF_IN5を受信するよう構成されている。加えて、第1~第5の入力バイポーラトランジスタ112a~112eおよび第1~第5の出力バイポーラトランジスタ113a~113eの各々のエミッタは各々、たとえば接地ノードであり得る第1の電圧供給V1に電気的に接続されている。第1~第5の入力バイポーラトランジスタ112a~112eのコレクタはそれぞれ、第1~第5の出力バイポーラトランジスタ113a~113eのベースに電気的に接続されている。加えて、第1~第5の出力バイポーラトランジスタ113a~113eのコレクタはそれぞれ、第1~第5のインピーダンス整合ブロック64a~64eを介してスイッチ12の第1~第5の入力に電気的に接続されている。スイッチ12はさらに、アンテナ14に電気的に接続された出力を含んでおり、第1~第5の増幅RF出力信号RF_OUT1~RF_OUT5のうちの1つをアンテナ14に提供するために使用可能である。上述のように、第1~第5の入力段102a~102eおよび第1~第5の出力段103a~103eはそれぞれ、第1~第5のRF信号RF_IN1~RF_IN5を増幅し、第1~第5の増幅RF信号RF_OUT1~RF_OUT5を生成するよう構成されたものである。増幅を提供するために多段電力増幅器を用いることにより、各電力増幅器に対して単一の段を採用する設計に比べて、電力増幅器の設計制約を減少させることができる。第1~第5のインピーダンス整合ブロック64a~64eはそれぞれ、第1~第5の出力段103a~103eとスイッチ12の第1~第5の入力との電気的接続を終了させるのを助けるために使用可能である。たとえば、第1~第5のインピーダンス整合ブロック64a~64bはそれぞれ、第1~第5の出力段103a~103bによって生成された第1~第5の増幅RF信号RF_OUT1~RF_OUT5の電力伝達を増加させ、および/または増幅RF信号の反射を減少させるために使用可能である。第1~第5のインピーダンス整合ブロック64a~64bのさらなる詳細は、前述のものと同様であり得る。図9Aの電力増幅器システム100は、第1~第5の入力段102a~102eおよび第1~第5の出力段103a~103eに電力供給するために別々の電源を使用するよう構成されたものである。たとえば、第1~第5の入力段インダクタ107a~107eはそれぞれ、第1の電力増幅器電源電圧VCC1を第1~第5の入力段102a~102eに提供するために使用されたものである。加えて、第1~第5の出力段インダクタ106a~106eはそれぞれ、第2の電力増幅器電源電圧VCC2を第1~第5の出力段103a~103eに提供するために使用されたものである。第1~第5の入力段インダクタ107a~107eおよび第1~第5の出力段インダクタ106a~106eは、高周波数RF信号およびノイズを絞りまたは阻止しながら電源電圧に低インピーダンス経路を提供するために使用可能である。第1~第5の入力段102a~102eおよび第1~第5の出力段103a~103eに電力を提供するために異なる電源を用いることは、電力増幅器システム100の安定性を向上させ得る。たとえば、別々の電源を使用することは、第1~第5の出力段103a~103eに関連するノイズから第1~第5の入力段102a~102eを絶縁することができる。電力増幅器システム100の電力効率を向上させるために、エンベロープトラッカ30が、第2の電力増幅器電源電圧VCC2の電圧レベルを制御するために使用されてきた。図9Aに示すように、ある構成では、第1~第5の入力段102a~102eは、エンベロープトラッカ30によって制御された電源を有する必要がない。むしろ、第1~第5の入力段102a~102eは、他の構成を用いて電力供給されてもよい。たとえば、一実施例では、第1の電力増幅器電源電圧VCC1は、バッテリからの電圧である。第1~第5のキャパシタ105a~105eはそれぞれ、第1~第5の入力段102a~102e用のバイパスキャパシタとして動作するよう、第1の電力増幅器電源電圧VCC1と第1の電圧供給V1との間に電気的に接続されたものである。第1~第5のFET101a~101eは、第2の電力増幅器電源電圧VCC2のバイパスキャパシタとしての第1~第5のスイッチドキャパシタ104a~104eをそれぞれ選択的に含むためのスイッチとして動作するよう構成されたものである。たとえば、第1~第5のFET101a~101eの各々のソースは、第1の電圧供給V1に電気的に接続されたものであり、第1~第5のFET101a~101eのゲートはそれぞれ、第1~第5のイネーブル信号EN1~EN5を受信するよう構成されたものである。加えて、第1~第5のスイッチドキャパシタ104a~104eはそれぞれ、第1~第5のFET101a~101eのソースと第1~第5の出力段インダクタ106a~106eとの間に電気的に接続されたものである。このため、図7に関して上述したものと同様の態様で、第1~第5のFET101a~101eはそれぞれ、第1~第5のスイッチドキャパシタ104a~104eの一端を選択的に浮かすために使用可能であり、それによりエンベロープトラッカ30の容量性負荷を制御する。ある実現化例では、スイッチ12によって選択された信号経路に関連付けられた、出力段103a~103eのうちの1つがイネーブルにされ、残りの出力段がディスエーブルにされて電力を節約する。ある特定の出力段がディスエーブルにされると、ディスエーブルにされた出力段に関連付けられたスイッチドキャパシタはオフに切替可能となり、それにより、エンベロープトラッカ30上の容量性負荷を減少させ、電力増幅器システム100の効率を向上させる。たとえば、第1の出力段103aがイネーブルにされ、第2~第5の出力段103b~103eがディスエーブルにされていると第1~第5のイネーブル信号EN1~EN5が示す場合、第1のFET101aは、第1のスイッチドキャパシタ104aの一端を第1の電圧供給V1に電気的に接続し、各第2~第5のスイッチドキャパシタ104b~104eの一端を電気的に浮かせるよう構成可能である。このように第1~第5のスイッチドキャパシタ104a~104eを制御することは、電力増幅器システム100の安定性仕様を満たすのに十分な静電容量を提供しつつ、エンベロープトラッカ30の容量性負荷を減少させ得る。図示された電力増幅器システム100は、たとえば、電話ボード上に設けられたスタンドアローンのダイとして、または1つ以上のマルチチップモジュールとしての構成を含む、無線装置における任意の好適な構成で実現可能である。たとえば、第1~第3の破線のボックス115a~115cは、MCM間での電力増幅器およびスイッチドキャパシタ回路のグループ分けの1つの可能な実現化例を示している。たとえば、破線のボックス115aによって示された第1のMCMは、第1および第2の入力段102a、102bと、第1および第2の出力段103a、103bと、第1および第2のインピーダンス整合ブロック64a、64bと、第1および第2のスイッチドキャパシタ104a、104bと、第1および第2のFET101a、101bと、第1および第2の出力段インダクタ106a、106bと、第1および第2の入力段インダクタ107a、107bと、第1および第2のキャパシタ105a、105bとを含み得る。加えて、破線のボックス115bによって示された第2のMCMは、第3および第4の入力段102c、102dと、第3および第4の出力段103c、103dと、第3および第4のインピーダンス整合ブロック64c、64dと、第3および第4のスイッチドキャパシタ104c、104dと、第3および第4のFET101c、101dと、第3および第4の出力段インダクタ106c、106dと、第3および第4の入力段インダクタ107c、107dと、第3および第4のキャパシタ105c、105dとを含み得る。また、破線のボックス115cによって示された第3のMCMは、第5の入力段102eと、第5の出力段103eと、第5のインピーダンス整合ブロック64eと、第5のスイッチドキャパシタ104eと、第5のFET101eと、第5の出力段インダクタ106eと、第5の入力段インダクタ107eと、第5のキャパシタ105eとを含み得る。しかしながら、破線のボックス115a~115cは、MCMおよび/または他のモジュール上の要素のグループ分けの多くの可能な構成のうちの1つを示しており、他の構成が使用されてもよい。図9Bは、さらに別の実施例に従った電力増幅器システム120の概略図である。図示された電力増幅器システム120は、スイッチ12と、アンテナ14と、エンベロープトラッカ30と、第1~第5の入力段102a~102eと、第1~第5の出力段103a~103eと、第1~第5のインピーダンス整合ブロック64a~64eと、第1~第5のスイッチドキャパシタ104a~104eと、第1~第5のFET101a~101eと、第1~第5の出力段インダクタ106a~106eと、第1~第5の入力段インダクタ107a~107eと、第6~第10のスイッチドキャパシタ124a~124eと、第6~第10のFET121a~121eとを含む。図9Bの電力増幅器システム120は図9Aの電力増幅器システム100と同様であり、電力増幅器システム120が、電力増幅器電源電圧VCCPAを第1~第5の出力段103a~103eおよび第1~第5の入力段102a~102eの両方に提供するためにエンベロープトラッカ30が使用された構成を示す点のみ異なっている。加えて、エンベロープトラッカ30の容量性負荷を減少させるのを助けるために、図9Aの第1~第5のキャパシタ105a~105eが省略されて、第6~第10のスイッチドキャパシタ124a~124eおよび第6~第10のFET121a~121eが使用されている。たとえば、第6~第10のFET121a~121eの各々のソースは、第1の電圧供給V1に電気的に接続されたものであり、第6~第10のFET121a~121eのゲートはそれぞれ、第1~第5のイネーブル信号EN1~EN5を受信するよう構成されたものである。また、第6~第10のスイッチドキャパシタ124a~124eは、第6~第10のFET121a~121eのソースと第1~第5の入力段インダクタ107a~107eとの間に電気的に接続されたものである。第6~第10のFET121a~121eはそれぞれ、上述したものと同様の態様で、第6~第10のスイッチドキャパシタ124a~124eの一端を選択的に浮かせることにより、エンベロープトラッカ30の容量性負荷を制御するために使用可能である。電力増幅器システム120のさらなる詳細は、図9Aに関して上述したものと同様であり得る。図10は、電力増幅器システム140の一例の概略図である。電力増幅器システム140は、エンベロープトラッカ30と、電力増幅器32と、キャパシタ141と、インダクタ143と、抵抗器144とを含む。電力増幅器32は、RF入力信号RF_INを増幅し、増幅RF信号RF_OUTを生成するよう構成されている。図示されたエンベロープトラッカ30は、電力増幅器32用の電力増幅器電源電圧VCCPAを生成するよう構成されている。インダクタ143は、電力増幅器電源電圧VCCPAを受信するよう構成された第1の端と、電力増幅器32の電源入力に電気的に接続された第2の端とを含む。インダクタ143は、RF信号およびノイズを絞りまたは阻止しながら電力増幅器電源電圧VCCPAを電力増幅器32に提供するために使用可能である。キャパシタ141は、電力増幅器電源電圧VCCPAに電気的に接続された第1の端と、抵抗器144の第1の端に電気的に接続された第2の端とを含む。第2の抵抗器144はさらに、第1の電圧供給V1に電気的に接続された第2の端を含む。図10の電力増幅器システム140は、図6の電力増幅器システム60と同様である。しかしながら、電力増幅器電源電圧VCCPAと第1の電圧供給V1との間に接続されたバイパスキャパシタ63を含む図6の電力増幅器システム60とは異なり、図10の電力増幅器システム140は、キャパシタ141および抵抗器144が電力増幅器電源電圧VCCPAと第1の電圧供給V1との間で電気的に直列に接続された構成を示している。キャパシタ141の第2の端および第1の電圧供給V1と直列に抵抗器144を含むことは、電力増幅器システム140の安定性を向上させ得る。たとえば、電力増幅器システム140に不安定性または振動が存在する場合、抵抗器144は、電力増幅器システム140を安定した動作条件に戻すために振動を減衰させるよう動作可能である。抵抗器144はバイパスキャパシタまたはデカップリングキャパシタとしてのキャパシタ141の有効性も減少させ得るが、ある実現化例では、安定した電力増幅器システムを達成するために抵抗器144を含むことが重要となり得る。図11は、さらに別の実施例に従った電力増幅器システム150の概略図である。図示された電力増幅器システム150は、エンベロープトラッカ30と、第1~第3の電界効果トランジスタFET71a~71cと、第1~第3のインダクタ72a~72cと、第1~第3のスイッチドキャパシタ74a~74cと、電力増幅器制御ブロック151とを含む。図11は3つの電力増幅器を用いる構成を示しているが、電力増幅器システム150は、より多いまたはより少ない数の電力増幅器を含むよう変更されてもよい。第1の電力増幅器32aは、第1のRF入力信号RF_IN1を受信するための入力と、第1の増幅RF出力信号RF_OUT1を生成するための出力とを含む。加えて、第2の電力増幅器32bは、第2のRF入力信号RF_IN2を受信するための入力と、第2の増幅RF出力信号RF_OUT2を生成するための出力とを含み、第3の電力増幅器32cは、第3のRF入力信号RF_IN3を受信するための入力と、第3の増幅RF出力信号RF_OUT3を生成するための出力とを含む。エンベロープトラッカ30は、第1~第3の電力増幅器32a~32c用の電力増幅器電源電圧VCCPAを生成するよう構成されている。電力増幅器電源電圧VCCPAは、VCCPA電源ノードまたはネットワーク77を用いて第1~第3の電力増幅器32a~32cに分配される。第1~第3のインダクタ72a~72cはそれぞれ、第1~第3の電力増幅器32a~32cによって生成されたRF信号を絞りまたは阻止しながら、電力増幅器電源電圧VCCPAを第1~第3の電力増幅器32a~32cに提供するために使用されたものである。電力増幅器システム70は、第1~第3のスイッチドキャパシタ74a~74cと、第1~第3のFET71a~71cとを含み、それらはエンベロープトラッカ30の容量性負荷を制御するために使用可能である。たとえば、第1~第3のスイッチドキャパシタ74a~74cはそれぞれ、VCCPA電源ノード77と第1~第3のFET71a~71cのドレインとの間に電気的に接続されている。加えて、第1~第3のFET71a~71cのソースは各々、第1の電源電圧V1に電気的に接続され、第1~第3のFET71a~71cのゲートは、第1~第3の制御信号CNTRL1~CNTRL3を受信するよう構成されている。電力増幅器制御ブロック151は、エンベロープトラッカ30の負荷の制御を助けるように第1~第3の制御信号CNTRL1~CNTRL3の電圧レベルを制御するために使用可能である。たとえば、電力増幅器制御ブロック151は、第1~第3の制御信号CNTRL1~CNTRL3を使用して、第1~第3のFET71a~71cのチャネルインピーダンスをそれぞれ制御可能である。第1~第3のFET71a~71cのうちの1つ以上を高インピーダンス状態で構成することにより、電力増幅器制御ブロック151は、エンベロープトラッカ30の容量性負荷を制御するように、関連付けられたスイッチングキャパシタの端を電気的に浮かせることができる。たとえば、電力増幅器制御ブロック151は、第1のスイッチドキャパシタ74aの一端を電気的に浮かせるために、カットオフ動作モードで第1の制御信号CNTRL1を用いて第1のFET71aにバイアスをかけることができる。同様に、電力増幅器制御ブロック151は、第2および第3のスイッチドキャパシタ74b、74cの一端を電気的に浮かせるために、カットオフで第2および第3の制御信号CNTRL2、CNTRL3を用いて第2および第3のFET71b、71cにそれぞれバイアスをかけることができる。電力増幅器制御ブロック151はまた、第1~第3の電力増幅器32a~32cのうちの1つ以上の安定性を制御するためにも使用可能である。たとえば、第1~第3の電力増幅器32a~32cのうちの1つ以上がイネーブルにされると、電力増幅器制御ブロック151は、電力増幅器安定性を向上させるのに好適な抵抗を有するように、関連付けられたFETにバイアスをかけることができる。たとえば、第1の電力増幅器32aがイネーブルにされると、電力増幅器制御ブロック151は、第1の電力増幅器32aに関連するあらゆる振動を減衰させるのに好適なチャネル抵抗を有するように、リニア動作モードで第1の制御信号CNTRL1を用いて第1のFET71aにバイアスをかけることができる。加えて、第2の電力増幅器32bがイネーブルにされると、電力増幅器制御ブロック151は、第2の電力増幅器32bに関連するあらゆる振動を減衰させるのに好適なチャネル抵抗を有するように、リニアモードで第2の制御信号CNTRL2を用いて第2のFET71bにバイアスをかけることができる。また、第3の電力増幅器32cがイネーブルにされると、電力増幅器制御ブロック151は、第3の電力増幅器32cに関連するあらゆる振動を減衰させるのに好適なチャネル抵抗を有するように、リニアモードで第3の制御信号CNTRL3を用いて第3のFET71cにバイアスをかけることができる。したがって、ある実現化例では、電力増幅器制御ブロック151は、第1の電源V1とイネーブルにされた電力増幅器に関連付けられた1つ以上のスイッチドキャパシタとの間に直列抵抗を提供しつつ、ディスエーブルにされた電力増幅器に関連付けられた1つ以上のスイッチドキャパシタの一端を電気的に浮かせるために使用可能である。このため、電力増幅器制御ブロック151は、第1~第3のFET71a~71cを用いて、エンベロープトラッカ30上の容量性負荷としての第1~第3のスイッチドキャパシタ74a~74cの各々を選択的に含めるかまたは除外しつつ、容量性負荷として含まれる各スイッチドキャパシタの減衰について好適な抵抗を提供することができる。一実施例では、減衰抵抗器としてFETにバイアスをかける際、電力増幅器制御ブロック151は、約0.5Ω~約2Ωの範囲のチャネル抵抗を有するようにFETにバイアスをかけるよう構成可能である。しかしながら、他のチャネル抵抗が当業者によって容易に定められるであろう。第1~第3の制御信号CNTRL1~CNTRL3は、任意の好適な態様で生成可能である。たとえば、図11に示す構成では、第1の制御信号CNTRL1は第1のD/Aコンバータ152aを用いて生成され、第2の制御信号CNTRL2は第2のD/Aコンバータ152bを用いて生成され、第3の制御信号CNTRL3は第3のD/Aコンバータ152cを用いて生成されたものである。しかしながら、他の構成を用いて第1~第3の制御信号CNTRL1~CNTRL3を生成してもよい。いくつかの実現化例では、電力増幅器システム150の全体または一部がマルチチップモジュールMCM上に実現化され得る。たとえば、一実施例では、第1の電力増幅器32aはMCMの第1の増幅ダイ上に実現され、電力増幅器制御ブロック151はMCMのバイアス制御ダイ上に実現される。図11は、第1~第3のFET71a~71cを、それぞれ第1~第3のスイッチドキャパシタ74a~74c用のスイッチとして用いた構成を示しているが、他の構成が可能である。たとえば、いくつかの実現化例では、たとえばピンダイオードを含む他の装置をスイッチとして用いてもよい。一実施例では、減衰抵抗器としてスイッチにバイアスをかける際、電力増幅器制御ブロック151は、約0.5Ω~約2Ωの範囲の抵抗を有するようにスイッチにバイアスをかけるよう構成可能である。しかしながら、他の抵抗が当業者によって容易に定められるであろう。適用上述の実施例のいくつかは、携帯電話に関連した例を提供している。しかしながら、実施例の原理および利点は、電力増幅器システムを必要とする他のあらゆるシステムまたは装置のために使用可能である。そのような電力増幅器システムは、さまざまな電子装置で実現可能である。電子装置の例は、家電製品、家電製品の部品、電子検査機器などを含み得るが、それらに限定されない。電子装置の例はまた、メモリチップ、メモリモジュール、光ネットワークまたは他の通信ネットワークの回路、およびディスクドライバ回路を含み得るが、それらに限定されない。家電製品は、携帯電話、電話、テレビ、コンピュータモニタ、コンピュータ、ハンドヘルドコンピュータ、携帯情報端末PDA、電子レンジ、冷蔵庫、自動車、ステレオシステム、カセットレコーダまたはプレーヤ、DVDプレーヤ、CDプレーヤ、VCR、MP3プレーヤ、ラジオ、カムコーダ、カメラ、デジタルカメラ、ポータブルメモリチップ、洗濯機、乾燥機、洗濯乾燥機、複写機、ファクシミリ機、スキャナ、多機能周辺装置、腕時計、時計などを含み得るが、それらに限定されない。また、電子装置は未完成の製品を含み得る。結論文脈上明白に他の意味に解釈すべき場合を除き、この説明および請求項全体を通して、~を備えるなどの文言は、排他的または網羅的な意味とは対照的な包含的な意味で、すなわち~を含むがそれに限定されないという意味で解釈されるべきである。ここに概して使用されるような結合されるという文言は、2つ以上の要素が直接接続されるかまたは1つ以上の中間要素によって接続され得ることを意味する。同様に、ここに概して使用されるような接続されるという文言は、2つ以上の要素が直接接続されるかまたは1つ以上の中間要素によって接続され得ることを意味する。加えて、ここに、上述の、以下にという文言、および同様の意味の文言は、本願で使用される場合、本願全体を意味しており、本願の任意の特定の部分を意味するものではない。文脈が許すならば、上述の詳細な説明において単数または複数で用いられた文言はそれぞれ、複数または単数も含んでもよい。2つ以上の項目のリストに関するまたはという文言は、その文言に続く解釈のすべて、すなわち、リストにある項目のいずれか、リストにある項目のすべて、およびリストにある項目の任意の組合せを網羅する。また、とりわけ、できる、可能である、かもしれない、し得る、たとえば、など、といったなどの、ここに使用される条件付き文言は、特に明記しない限り、または使用される文脈において他の意味に理解すべき場合を除き、概して、ある特徴、要素、および/または状態を、ある実施例は含み、他の実施例は含まないということを伝えるよう意図されている。このため、そのような条件付き文言は概して、特徴、要素、および/または状態が1つ以上の実施例にとって多少なりとも必要であるということ、または、これらの特徴、要素、および/または状態が含まれるかどうか、または任意の特定の実施例で実行されるべきものかどうかを、著者からの情報や示唆の有無に係わらず決定するための論理を、1つ以上の実施例が必ず含むということを暗示するよう意図されてはいない。上述のこの発明の実施例の詳細な説明は、網羅的であるよう、または発明を上に開示された形態そのものに限定するよう意図されてはいない。この発明の特定の実施例および例を例示的な目的のために上に説明してきたが、当業者であればわかるように、さまざまな均等な変更がこの発明の範囲内で可能である。たとえば、プロセスまたはブロックが所与の順序で提示されているが、代替的な実施例は、異なる順序で、ステップを有するルーチンを実行したり、またはブロックを有するシステムを採用してもよく、いくつかのプロセスまたはブロックを、削除し、移動し、追加し、細分化し、組合せ、および/または変更してもよい。これらのプロセスまたはブロックの各々は、さまざまな異なる方法で実現されてもよい。また、プロセスまたはブロックは、連続して実行されるものとして示されることもあるが、代わりに、これらのプロセスまたはブロックは、並行して行なわれてもよく、または異なった時間に行なわれてもよい。ここに提供されたこの発明の教示は、必ずしも上述のシステムにではなく、他のシステムに適用されてもよい。上述のさまざまな実施例の要素および動作を組合せて、さらに別の実施例を提供してもよい。この発明のある実施例を説明してきたが、これらの実施例は単なる例示として提示されたものであり、この開示の範囲を限定するよう意図されてはいない。実際、ここに説明された新規の方法およびシステムは、さまざまな他の形態で実現されてもよい。また、ここに説明された方法およびシステムの形態におけるさまざまな省略、代用、および変更が、この開示の精神から逸脱することなく行なわれてもよい。添付の請求項およびそれらの均等物は、この開示の範囲および精神に含まれるような形態または変更を網羅するよう意図されている。