CIGS系太陽電池のアルカリ制御層に用いられる金属酸化物薄膜であって、Nb系酸化物を主成分とすることを特徴とするソーダライムガラス基板と裏面電極層との密着性、及びアルカリ拡散制御性に優れたCIGS系太陽電池用金属酸化物薄膜。ソーダライムガラス基板、アルカリ制御層、裏面電極層、CIGS系光吸収層、透明導電層の順に積層されたCIGS系太陽電池において、請求項1に記載の金属酸化物薄膜で形成されたアルカリ制御層を備えたCIGS系太陽電池。前記アルカリ制御層の膜厚は5nm~20nmの範囲である請求項2に記載のCIGS系太陽電池。前記裏面電極層はMoで形成されたものである請求項2または3に記載のCIGS系太陽電池。本発明者らが特許文献1の技術について検討したところ、SiO2系薄膜に含まれるSiが、裏面電極層に含まれるMoとMoシリサイドを形成し、それによって裏面電極層の電気抵抗が上昇すると共に、基板面内での電気抵抗の分布が不均一となり、太陽電池の品質が安定しないという問題を生じることが分かった。本発明は上記の様な事情に着目してなされたものであって、その目的はソーダライムガラス基板からのNaの過剰な拡散を抑制すると共に、ソーダライムガラス基板と裏面電極層との熱膨張率線膨張係数の差によって生じる膜応力を緩和し、熱膨張率差による裏面電極層の剥離という問題を解消し、且つNaの凝集によって裏面電極層が剥離し易くなるという基板と裏面電極層との密着性の問題を解決し得る技術を提供することである。上記課題を達成し得た本発明のCIGS系太陽電池用金属酸化物薄膜とは、CIGS系太陽電池のアルカリ制御層に用いられる金属酸化物薄膜であって、Nb系酸化物を主成分とし、残部不可避不純物からなることに要旨を有するソーダライムガラス基板と裏面電極層との密着性、及びアルカリ拡散制御性に優れたCIGS系太陽電池用金属酸化物薄膜である。本発明には、ソーダライムガラス基板、アルカリ制御層、裏面電極層、CIGS系光吸収層、透明導電層の順に積層されたCIGS系太陽電池において、前記金属酸化物薄膜で形成されたアルカリ制御層を備えたCIGS系薄膜太陽電池も含む。また前記太陽電池の前記アルカリ制御層の膜厚を5nm~20nmの範囲とすることも好ましい実施態様である。更に前記太陽電池の裏面電極層として、Moを用いることも好ましい実施態様である。本発明のNb系酸化物は、高いアルカリ拡散制御性と、ソーダライムガラス基板と裏面電極層との密着性に優れた特性を有しているため、CIGS系太陽電池に用いると、ソーダライムガラス基板からの過剰なNaの拡散を抑制することができる。また本発明のNb系酸化物を主成分とする金属酸化物薄膜は、ソーダライムガラス基板の熱膨張によって生じる応力を緩和する緩衝層として作用すると共に、Naが凝集しても高い密着性を維持できる。したがって、本発明の金属酸化物薄膜をソーダライムガラス基板と裏面電極層の間に設けることによって、上記Na拡散による問題と密着性の問題を解決できる。以下、本発明に至った経緯を説明しつつ、本発明のCIGS系太陽電池用金属酸化物薄膜について説明する。ソーダライムガラス基板を備えたCIGS系太陽電池は、その製造過程でNaの拡散やカルコパライト型結晶を成長させるために高温加熱することが必要であるものの、500°C以上に加熱すると基板と裏面電極層の熱膨張係数差が顕著になると共に、Naの拡散量も増大するため、裏面電極層が剥離し易くなることが知られている。本発明者らが裏面電極層の剥離について確認したところ、熱履歴によってソーダライムガラス基板の表面側にはNaまたはNa化合物が濃化する傾向があり、Naが濃化すると、裏面電極層例えばMoとソーダライムガラス基板との化学的結合力が低下して裏面電極層との密着性に影響を及ぼす一因となっていること、また線膨張係数差が大きくなる原因として裏面電極成膜時の基板温度が高いとソーダライムガラス基板が膨張している状態で成膜されることになるが、その後の冷却による収縮率が裏面電極層とソーダライムガラス基板とで異なるため応力が発生すること、更にセレン化工程等の高温熱処理時の線膨張係数がソーダライムガラス基板と裏面電極層とで異なるため応力が発生するなど、ソーダライムガラス基板と裏面電極層では熱履歴に対する線膨張係数膜応力が異なるため、裏面電極層の剥離が生じる一因となっていることが判明した。そこで本発明者らは上記原因によるソーダライムガラス基板と裏面電極層との剥離を防止するとともに、Naの過剰拡散を防止するには、中間層をソーダライムガラス基板と裏面電極層との間に設けることが有効であるとの観点から、中間層として最適な構成について鋭意研究を重ねた。その結果、CIGS系太陽電池の基板にソーダライムガラスを用いた場合のNaの過剰拡散や裏面電極層の密着性などの問題は、ソーダライムガラス基板と裏面電極層の間にNb系酸化物を主体とするアルカリ制御層以下、Nb系酸化物層と呼ぶことがあるを設けることによって、解決できることを見出し、本発明に至った。以下、本発明のアルカリ制御層について詳しく説明する。本発明ではNb系酸化物を主体としてアルカリ制御層を形成している。上記したようにソーダライムガラス基板中のNaは熱履歴を受けると基板表面側積層側のNa濃度が高くなる傾向があるが、Nb系酸化物層はNa原子を固溶してNb酸ナトリウム化合物層を形成してNb酸化物内部に取り込むと共に、ソーダライムガラス基板との密着層として機能するためにNa濃化を緩和することができるだけでなく、ソーダライムガラス基板表面側のNa濃化に起因する裏面電極層の剥離という問題を解消できる。また本発明のアルカリ制御層は、熱膨張係数の異なるソーダライムガラス基板と裏面電極層との間に形成されるが、機械的強度が低いので、線膨張係数の違いにより発生する膜応力に対して柔軟に変形するため、剥離の原因となる膜応力を緩和できる。したがって本発明のアルカリ制御層は、安定した中間層として膜剥がれの防止効果を発揮する。以上のように、本発明のアルカリ制御層Nb系酸化物層は良好なアルカリ拡散制御性を有すると共に、ソーダライムガラス基板と裏面電極層との密着性に優れた特性を有する。更に本発明のアルカリ制御層は以下のような効果も兼備している。すなわち、本発明のアルカリ制御層は、熱履歴によって膜中に取り込んだNaの一部をCIGS系光吸収層に拡散させることができるため、過剰なNaの拡散を防止しつつ、CIGS系光吸収層にNaを供給することができるアルカリ拡散制御性。このように本発明のアルカリ制御層は完全にNaを遮断するものではないことから、光吸収層にNaを添加するための膜を別途形成する必要もない。また本発明のアルカリ制御層を構成するNbが熱履歴によって裏面電極層に拡散してもNb自体は電気抵抗率が低いため、例えばNbが裏面電極層を構成する代表的な金属であるMoとの化合物を形成したとしても、電気抵抗率の上昇を抑えることができる。したがって前述した特許文献1のようなSiO2系薄膜を中間層に用いた場合は、SiとMoが反応してMoシリサイドが形成され、基板面内でのシート抵抗が高抵抗化してシート抵抗のばらつきが発生するのに対し、本発明のアルカリ制御層を中間層として用いたときは、このような問題が見られず、CIGS系太陽電池モジュール全体の電気抵抗低減に寄与することができる。更に本発明のアルカリ制御層によって熱膨張による裏面電極層の剥離と、Naの過剰拡散を抑制できるため、例えばセレン化する際の温度を高めて、光吸収層中でのGaの拡散を均一に行うことができると共に、高温加熱によってCIGS結晶の結晶粒の微細化、緻密化を促進できるためバンドギャップを大きくすることができ、発電効率が向上する。このような効果を発揮する本発明のアルカリ制御層を構成する成分組成は、Nb系酸化物を主体とするものである。Nb系酸化物には、Nbの酸化物代表的にはNb2O5以外に、他の元素Xを含むNb-Xの複合酸化物も含む趣旨であり、Xとしては例えばTa、Zr、W、Ti、V、Cr、Hfなどの原子周期表においてNbと同族、あるいはNbと近接する族の原子が例示される。ここでNb系酸化物を主体とするとは、アルカリ制御層がNb系酸化物で構成されており、残部として不可避不純物を含んでもよい意味であるが、本発明のアルカリ制御層には、Nb系酸化物の上記効果を阻害しない範囲で他の成分を添加することも許容する趣旨である。上記アルカリ制御層は好ましくはNb系酸化物層のみから構成されており、より好ましくはNb2O5のみから構成されているいずれも不可避不純物を含有していてもよい趣旨である。以下、本発明の実施形態について、図1に示すCIGS系太陽電池に基づいて説明するが、本発明は図1に示す構成に限定する趣旨ではなく、必要に応じて適宜変更を加えた構成にも適用される。図1は、本発明にかかるCIGS系太陽電池の一例の概略断面図である。本発明に係るCIGS系太陽電池の基本構造は、ソーダライムガラス基板1の上に、アルカリ制御層2、裏面電極層3、CIGS系光吸収層4、透明導電層5が順に積層されているものである。基板1として用いられるソーダライムガラスとは、シリカSiO2を主成分とし、ライムCaCO3、ソーダNa2CO3などを原料とするNa2O3-CaCO3-SiO2系ガラスである。その具体的な成分組成等については特に限定されず、各種市販品を用いることができる。上記したようにソーダライムガラス基板は安価であるため、製造コストを削減でき、しかも基板中のNa等のアルカリ金属が製造プロセスの熱履歴によってCIGS系光吸収層4に拡散してCIGS結晶粒の微細化、緻密化に寄与して結晶粒界での電子損失を低減することができる。更にNa等のアルカリ金属の拡散によってCIGS系光吸収層4のバンドキャップを変化させて発電効率向上に寄与することができるため、本発明では基板としてソーダライムガラス基板を用いる。アルカリ制御層2は、上記した本発明のNb系酸化物を主成分とする金属酸化物薄膜の層である。ソーダライムガラス基板1から滲出するアルカリ成分は、主にNaであるが、他にはCa、Mg、K等が含まれることがある。上記したように本発明のアルカリ制御層2はこれらアルカリ成分の過剰な拡散を抑制できるだけでなく、基板表面に濃化するアルカリ成分を固溶して密着性低下要因となる基板表面でのアルカリ成分の高濃度化を防ぐことができ、アルカリ拡散制御性に優れている。Nb系酸化物を主体とするアルカリ制御層2がこのような効果を発現する詳細な理由は明らかではないが、本発明者らが以下の様な実験を重ねたところ、Nb系酸化物とNaが化合物を形成してアルカリ制御層2中にNaを蓄積する一方で、アルカリ制御層2から徐々にNa原子が裏面電極層3側に拡散するため、Na拡散防止能力Na蓄積能力に優れており、しかも裏面電極層3例えばMo層表面のNa濃度はSiO2系薄膜と同等若しくはそれ以上であることがわかった。本発明者らはアルカリ制御層2の膜厚と上記効果との関係を調べるために、後記する実施例と同じ方法によって、ソーダライムガラス基板1上にアルカリ制御層2と、裏面電極層3を順次形成した試料[裏面電極層3Mo:膜厚400nm/アルカリ制御層2Nb2O5:膜厚10nm/ソーダライムガラス基板1以下、SLG基板ということがある]を用いてSIMS分析法SecondaryIonMassSpectrometry:二次イオン質量分析法によって裏面電極層3中に含まれるNa量を調べた。また比較のため従来のSiO2系薄膜を形成した試料[裏面電極層3Mo:膜厚400nm/SiO2系薄膜膜厚:10nm:アルカリ制御層2に相当/ソーダライムガラス基板1SLG基板]も作成して同様に調べた。図3は実験結果の一例を示すグラフ正の相対二次イオン強度の深さ方向分布図である各試料につき、2回行った結果を表示。SIMS分析には、ATOMIKA社製の4500二次イオン質量分析装置を用いると共に、1次イオンとしてCsを1keVでイオン注入した照射領域:350×700μm。また156NaCsを指標として深さ膜厚方向基板に達するまでの2次イオンを測定した分析領域:135×270μm、二次イオン極性:正、チャージ補正:有。2次イオン測定後、スパッタクレータ深さを表面粗さ計段差標準試料9090Å±5で測定し、その値とスパッタ時間から深さ方向に対する濃度に変換した。なお、裏面電極層3Mo膜中における231MoCsの二次イオン強度の平均値が1×104countsとなる係数を各元素の二次イオン強度にかけると共に、裏面電極層3とアルカリ制御層2本発明例ではMo/Nb2O5、従来例ではMo/SiO2系薄膜界面は、Mo膜中の231MoCsの平均強度の約1/2の強度となる深さに設定すると共に、アルカリ制御層2とSLG基板1本発明例ではNb2O5/SLG基板、従来例ではSiO2系薄膜/SLG基板界面160AlCsのSLG中の平均強度の約1/2の強度となる深さに設定した。この図3から次のことがわかる。すなわち、本発明例の場合、裏面電極層3表面グラフ左側では高いNa濃度を有すると共に、裏面電極層3中のNa濃度が縦方向に異なることが示されている。これはNb2O5とNaとが化合物を形成してアルカリ制御層2でNa原子を蓄積すると共に、徐々に裏面電極層3にNa原子を適度な速度で供給拡散させているためと考えられる。そしてこの結果から、従来例Mo/SiO2系薄膜/SLG基板よりも本発明例Mo/Nb2O5/SLG基板の方が、Na拡散制御性が高く、しかも裏面電極層3Mo表面側では従来例と同等若しくはそれ以上のNa濃度を有していることがわかる。なお、この本発明例の結果からは、本発明例のアルカリ制御層2は高いアルカリ拡散制御性を有することが示されていることから、アルカリ制御層2の膜厚を5nmとしても、従来のSiO2系薄膜と同等のNa拡散防止能力を維持できることを読み取ることができる。このような優れた効果を発揮するには、アルカリ制御層2の膜厚を好ましくは5nm以上、より好ましくは10nm以上とすることであるが、所望の効果に応じて膜厚を変えればよい。一方、上記効果の観点からはアルカリ制御層2の膜厚の上限は特に限定されないが、厚くなりすぎると、ソーダライムガラス基板1からのアルカリ成分がCIGS系光吸収層4に供給され難くなるため、適宜膜厚を制御することが望ましく、例えば20nm以下が好ましく、より好ましくは15nm以下であるが、所望の効果に応じて膜厚を設定すればよく、これに限定されない。裏面電極層3は、アルカリ制御層2の上側に形成され、電極正極として作用する金属薄膜である。裏面電極層を構成する金属薄膜としては導電性を有すれば特に限定されないが、CIGS系光吸収層4を構成するSeに対して耐食性を有すると共に、熱履歴で溶融することがないMo、Ti、Taなどの高融点金属を用いることが望ましい。これらの中でも特にMoが望ましい。Moで裏面電極層3を構成すると、CIGS結晶の製造プロセスにおける熱履歴によってMo原子がCIGS結晶中に拡散しても効率を低下させることがないからである。裏面電極層3の膜厚についても特に限定されず、要求特性に応じた膜厚とすることができる。例えば裏面電極層3の膜厚は厚くし過ぎると膜応力が高くなることがあるため2000nm以下、より好ましくは1000nm以下とするのがよい。また裏面電極層3の膜厚が薄すぎると電極の抵抗を上昇させて発電効率が低下することがあるため、好ましくは250nm以上、より好ましくは500nm以上とするのがよい。CIGS系光吸収層4は、裏面電極層3の上側に形成され、光電変換作用を有する金属薄膜であるp型光吸収層。CIGS系光吸収層4の構成元素としては例えば銅、インジウム、ガリウム、セレンを含み、残部:不可避不純物である。なお、本発明に用いられるCIGS系光吸収層4は上記以外の他の成分も含ませることができ、上記本発明のアルカリ制御層2の作用効果を阻害しない範囲で必要に応じて適宜成分組成を変更させることも可能である。またCIGS系光吸収層4は単層構造の他、異なる成分組成の2層以上の積層構造とすることもできる。CIGS系光吸収層4の膜厚全厚についても特に限定されず、例えば2μm~5μm程度とすることができる。透明導電層5は、CIGS系光吸収層4の上側に形成され、電極負極としての作用を有する金属薄膜であるn型透明導電膜層。具体的には光を透過し、光吸収層4で励起されたキャリアを収集する機能を有する。透明導電層5を構成する金属膜としてはITOスズ添加酸化インジウムやZTOスズ添加酸化亜鉛、ZnOAl、ZnOGa、CuAlO2などが例示される。透明導電層5の膜厚は特に限定されないが、膜厚を厚くし過ぎると光吸収層4に到達する光量が減ってしまい、光電変換効率が低下することがあるため、好ましくは500μm以下、より好ましくは250μm以下とする。透明導電層5の膜厚の下限も特に限定されず、例えば1μm以上が好ましく、より好ましくは1.5μm以上である。本発明のCIGS系薄膜太陽電池は上記構成を基本とし、必要に応じて例えばバッファ層6、取り出し電極7、9、導線8、10や等を設けることができる。例えばバッファ層6は、CIGS系光吸収層4表面の酸化膜の除去、高抵抗層形成によるシャントパスの低減などの作用を有する透光性の膜である。バッファ層6としては、例えばCdS、ZnOなどのZn系化合物、InSなどのIn系化合物を用いることができる。また取り出し電極7は透明導電層5に接続され、透明導電層5で収集されたキャリアを導線8から移送する機能を有しており、例えばAl、Cu、Ag、Au等の任意の金属を用いて形成することができる。同様に取り出し電極9も裏面電極層3に接続され、導線10を介してキャリアを移送する機能を有する。上記本発明のCIGS系太陽電池の透明導電層5側から光太陽光が照射されると、起電力が生じるため、電極から導線を通じて電流を取り出すこと出力ができる。以上、本発明のCIGS系太陽電池について説明した。次に本発明のCIGS系太陽電池の製造方法について説明するが、以下の製造方法は好ましい製造例であり、本発明の特徴であるアルカリ制御層2以外は、公知の製造方法によればよく、本発明のCIGS系太陽電池の製造方法は下記例に限定されず、適宜変更を加えてもよい趣旨である。ソーダライムガラス基板1に、アルカリ制御層2を形成する方法としては特に限定されず、各種公知の成膜方法を採用することができるが、本発明では特にスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法によってアルカリ制御層2を形成することが望ましい。スパッタリング法を用いると均一に成膜できるため望ましい。スパッタリング法に用いるスパッタリングターゲットは、膜組成に対応したターゲットを用いればよく、好ましくはNb系酸化物を主体とするターゲット、より好ましくはNb2O5を主体残部:不可避不純物とするターゲットNb-O合金を用いればよい。またスパッタリングターゲットとして純Nbターゲット残部:不可避不純物を用いることもでき、その場合は、スパッタリング時の雰囲気ガス中に、酸素若しくは酸素を含むガスなどの酸素供給源を適量添加することによってNb2O5を主体とする膜を形成することができる。成膜条件について、雰囲気ガスとしては、Nb系酸化物を主体とするターゲットに対しては例えばArガスなどの不活性ガスが好ましく、また純Nbターゲットの場合は、Arなどの不活性ガスに酸素供給源酸素含有ガスを添加したものが例示されるが、これに限定されず、所望の膜組成となるように選定すればよい。またガス圧は、アルカリ制御層2を構成するNb系酸化物の結晶粒が粗大化して抵抗率が高くなるのを防止する観点から10mTorr以下とすることが望ましい下限は1mTorr。ガス流量は特に限定されず、おおむね、1~10sccmmL/分:標準状態程度である。成膜時のパワー密度は、高くし過ぎると成膜したNb系酸化物層アルカリ制御層2の特性が変化することがあるため5W/cm24インチφターゲットの面積で規格化以下とすることが望ましい下限は1W/cm2。周波数は2MHz~30MHz、到達真空度は、膜中に含まれる不純物量を低減する観点から5×10-5Pa~5×10-3Pa程度とすることが望ましい。次いでアルカリ制御層2例えばNb2O5の上に裏面電極層3を構成するMo等をスパッタリング法によって成膜する。スパッタリング条件は従来公知の裏面電極層の成膜条件を採用すればよい。裏面電極層3を成膜した後、CIGS系光吸収層4を構成する銅、インジウム、ガリウムをスパッタリング法や蒸着法等よって成膜し、プリカーサを形成する。そしてこのプリカーサを加熱炉等の加熱装置に投入し、例えばH2Seガス雰囲気中で350~550°C程度の温度で加熱してSe化合物を生成し、CIGS系光吸収層4を得ることが出来るセレン化工程。なお、この際の熱処理によって、ソーダライムガラス基板1に含まれているNa等のアルカリ金属がCIGS系光吸収層4に拡散するが、本発明では上記のようにアルカリ制御層2を形成しているため、過剰なアルカリ金属の滲出は抑制されており、適量のアルカリ金属例えばNaをCIGS系光吸収層4で拡散させることができる。CIGS光吸収層4は他にも多元蒸着法などによって形成することもできるが均一な膜を形成する観点からはスパッタリング法が望ましい。なお、CIGS系光吸収層4の成膜条件は特に限定されず、従来公知の成膜条件を採用すればよい。次に必要に応じてバッファ層6を形成する。バッファ層6は例えばCds、ZnOなどのZn系化合物、InSなどのIn系化合物を用いて、化学析出法ChemicalBathDeposition法:CBD法によって形成することができる。続いて電極を構成する透明導電層5となるITO等をスパッタリング法等で成膜する。その後、電極7、9や導線8、10を公知の方法で配設すれば、図1に示す構成のCIGS系太陽電池を作製することができる。以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。実施例1試料の作製アルカリ制御層の成膜工程ソーダライムガラス基板テクノクォーツ社製、直径φ4インチ、厚さ0.7mm上に、スパッタリングターゲットNb2O5を用いてULVBC社製多元スパッタ装置CS-200回転試料台は固定にて表1に示す厚さのNb2O5膜アルカリ制御層を成膜した試料を作製した膜厚:10nm、15nm、20nmの3種類。スパッタリング条件は以下の通りである。ガス:Arガスガス圧:2mTorrパワー密度:2.55W/cm24インチφターゲットの面積で規格化周波数:13.56MHz到達真空度1×10-4Pa以下裏面電極層の成膜工程次いでアルカリ制御層Nb2O5膜上に純Moスパッタリングターゲットφ6インチを用いてULVAC社製バッチ式スパッタ装置SH-450-10にてスパッタリングを行い、膜厚400nmのMo膜を成膜した試料を得た。スパッタリング条件は以下の通りである。DCマグネトロンスパッタリング方式ガス:Arガスガス圧:9mTorrパワー密度:2.83W/cm26インチφターゲットの面積で規格化到達真空度1×10-4Pa以下電極間距離:100mm加熱処理工程加熱処理工程は、CIGS系光吸収層をカルコパライト構造結晶構造に成長させるために必要なアニール処理を模擬して以下の熱処理を行った。上記裏面電極層を形成した試料を加熱処理するために、真空加熱炉内に導入した。具体的には真空加熱炉内を室温下で真空状態とした後到達真空度1×10-4Pa以下、500°Cまで加熱した。この際の昇温速度は10°C/分とし、500°Cで1時間保持した。1時間保持した後、真空状態を保ったまま室温まで放冷した。得られた試験片に対して以下の各種試験を行った。試験条件は以下の通りである。比較のために、アルカリ制御層を成膜するスパッタリングターゲットをNb2O5に代えて特許文献1を模擬してSiO2とし、上記実施例1に準拠スパッタ装置は、ULVAC社製バッチ式スパッタ装置SH-450-10して成膜した以外は、上記実施例1と同様にして試験片を作製し、各種試験を行った。シート抵抗各試験片のシート抵抗は、四探針式シート抵抗測定装置四探針プローブはKYOWARIKEN社製453型、抵抗の測定はHIOKI社製:3540mΩHiTESTERを用いて測定した。実施例1では、上記裏面電極層Mo:400nmの成膜工程後に図2に示すNo.2~17の位置で試料のシート抵抗を測定した表中、加熱処理工程前に結果を記載。その後、試料を4分割図2中線引部分で均等4分割してから上記加熱処理工程を行い、得られた試験片のシート抵抗を測定測定箇所は図2に示すNo.2~17した表中、加熱処理工程後に結果を記載。なお、分割後の試験片ではNo.1に該当する箇所が分割されるため、測定対象としなかった。結果を表1に示す。表1には測定箇所No.2~17のシート抵抗の最大値と最小値の差max-min、標準偏差stdev1σ、平均抵抗meanΩ□を記載した。上記シート抵抗試験の結果から、本発明のNb2O5をアルカリ制御層として用いた場合、SiO2を用いた場合と比べて、次のような良好な結果が得られた。Nb2O5を用いた場合には熱処理工程の前後でシート抵抗の上昇が著しく抑制されているのに対し、SiO2では加熱処理工程後のシート抵抗が上昇していた。またNb2O5の場合は加熱処理工程後もシート抵抗の面内でのばらつきが小さかった。しかもNb2O5の場合は、いずれの膜厚でも良好な結果が得られた。これはSiO2を用いた場合は裏面電極層を構成するMoとSiがMoシリサイドを形成してシート抵抗が上昇するのに対し、Nb2O5を用いた場合は、シート抵抗を上昇させるような化合物が形成されていないためである。なお、加熱処理工程後にアルカリ制御層や裏面電極層の剥離の有無を目視で確認したが、いずれも剥離は生じていなかった。実施例2実施例2では、アルカリ制御層とソーダライムガラス基板との密着性、及びアルカリ制御層と裏面電極層との密着性を以下の方法で調べた。密着性加熱処理工程前の密着性試験:テープ剥離テスト表2に示す各種組成のターゲットをアルカリ制御層として用いた以外は上記実施例1に記載のアルカリ制御層の成膜工程に基づいてソーダライムガラス基板に種々のアルカリ制御層膜厚:20nmを成膜した。続いてアルカリ制御層の上に裏面電極層Mo:膜厚400nmを上記実施例1に記載の裏面電極層の成膜工程に基づいて成膜した。得られた試料の密着性について常温におけるテープ剥離試験により評価した。具体的には成膜したままの状態100の裏面電極層に縦横6本の切り目を入れて25個縦5個×横5個のます縦1mm×横1mmを作成し、中興化成工業株式会社製チューコーフローテープを裏面電極層に貼り、これを剥がした際の裏面電極層の剥離状態を観察して密着率を測定した。裏面電極層が付着しているテープの数を全体25から引いて、密着率を算出した密着率=[25-剥離したます個数/25]×100。なお、テープに付着している裏面電極層の面積率が50以下の場合は、0.5個とカウントした。加熱処理工程後の密着性試験:テープ剥離テスト上記加熱処理工程前の密着性試験と同様にして作製した試料に、実施例1に記載の加熱処理工程を施して試験片を得た。得られた試験片の密着性について、上記加熱処理工程前の密着性試験と同様にしてテープ剥離試験を行って評価した。結果を表2に示す。密着性試験の結果、Nb2O5No.1、2をアルカリ制御層として用いた場合、加熱処理工程前後で密着性が低下していなかったのに対し、TiO2No.3やWO2No.4の場合は、加熱処理工程後の密着性が著しく低下した。なお、No.2では加熱処理工程前よりも加熱処理工程後の密着性が高くなっているが、これは測定誤差と考えられる。この実験結果から、Nb2O5を用いたアルカリ制御層は、加熱の前後ともにソーダライムガラス基板、及び裏面電極層との密着性に優れていることが分かった。実施例3実施例3では、アルカリ制御層に本発明のNb2O5膜膜厚:20nmを用いた場合と、比較例としてSiO2膜膜厚:20nmを用いた場合のソーダライムガラス基板直径4インチ、厚さ0.7mm、及び裏面電極層Mo膜:200nmまたは400nmとの膜応力を調べた。なお、試料試験片は実施例1に基づいて作製した。膜応力測定膜応力の測定をするにあたっては、成膜前アルカリ制御層の成膜工程前のガラス基板と加熱処理工程後加熱処理工程後の試験片の反りを測定した。詳細には、レーザー式の応力測定装置TohoTechnologyCoopration製:型番FLX-2320Sを用いて、上記成膜前のソーダライムガラス基板の形状プロファイルを測定した値と、上記加熱処理工程後の試験片の形状プロファイルを測定して、膜応力を基板の反りから計算して求めた。結果を表3に示す。表3の結果から、次のことが分かる。SiO2よりもNb2O5をアルカリ制御層として形成した場合の方が、膜応力が低い。この実験からもSiO2よりもNb2O5はソーダライムガラス基板と裏面電極層との間に生じる膜応力を緩和でき、ソーダライムガラス基板、および/または裏面電極層との密着性に優れた特性を有することが確認された。なお、No.2とNo.4の膜応力は同程度であるが、密着性はNo.2の方が優れていた。これは加熱処理工程後の各試験片の膜厚方向深さ方向のSIMS分析2次イオン質量分析を行い、Na原子の分布を測定した結果から次の様に考えられる。すなわち、No.1とNo.2ではソーダライムガラス基板とアルカリ制御層の界面にNb酸ナトリウム化合物層が形成されており、アルカリ制御層とソーダライムガラス基板の間でNaの濃化層を形成しないことと、Nb酸ナトリウム化合物層とソーダライムガラス基板との密着力が強い結果、アルカリ制御層の密着力が高まり、同じ膜応力でも高い密着性が得られたと考えられる。一方、No.3とNo.4ではソーダライムガラス基板とアルカリ制御層の界面にはそのような層は形成されておらず、密着力が弱いものと考えられる。