成膜を行うためのガスを供給するガス供給部と、成膜を行う基板を成膜を行うための所定の温度にするための加熱部と、前記ガス供給部から供給される前記ガスを用いて成膜を行う成膜領域と、前記成膜領域の内部に供給された前記ガスを分解するための分解領域とを備え、前記分解領域は、前記ガスが流通する方向において前記成膜領域の下流側に配置されており、かつ前記分解領域において前記ガスが流通するチャネル中に位置し、前記ガスを分解するための発熱体を有する、成膜装置。前記分解領域は、前記ガスが流通する前記チャネルを囲うように形成されたサセプタを含み、前記発熱体は、前記サセプタから前記チャネルに突出するように配置されている、請求項1に記載の成膜装置。前記発熱体は、回転可能に設けられている、請求項1または2に記載の成膜装置。前記発熱体は、気体が流れることで回転される、請求項3に記載の成膜装置。前記サセプタは、前記発熱体の台座部を収容する収容部と、前記収容部の内壁と前記発熱体の前記台座部との間の空隙に前記気体を導入するための導入配管とを含む、請求項4に記載の成膜装置。前記発熱体の前記台座部は前記台座部によって保持されている傘状部よりも幅が広くなっている、請求項5に記載の成膜装置。前記発熱体と直接接触し前記発熱体を回転駆動する駆動部材をさらに備えた、請求項3に記載の成膜装置。前記発熱体の回転数は、20rpm以上100rpm以下である、請求項3~7のいずれか1項に記載の成膜装置。前記発熱体は、前記サセプタに固定されている、請求項2に記載の成膜装置。前記発熱体の幅は、前記チャネルの幅の50以上90以下である、請求項1~9のいずれか1項に記載の成膜装置。前記発熱体の高さは、前記チャネルの高さの50以上80以下である、請求項1~10のいずれか1項に記載の成膜装置。前記発熱体は、前記分解領域に対して着脱自在に設けられている、請求項1~11のいずれか1項に記載の成膜装置。しかしながら、基板のサイズが大型化たとえば4インチ超してくると、成膜効率を向上させる観点からも成膜に使用する原料ガスの濃度が高くなる。従来の方法によって高い濃度の原料ガスを分解する場合には、分解領域を長くする必要がある。しかしながら、分解領域を大きくすると装置が大型化してしまいコストアップにつながってしまう。また、高い濃度の原料ガスを分解するために加熱領域を広くする必要があるので消費電力が大きくなってしまう。そのため、基板サイズが大型化した場合、効率的に未反応の原料ガスを分解することが困難であった。本発明は、以上の問題に鑑みなされたものであり、その目的は、未反応のガスを効率的に分解することができる成膜装置を提供することである。本発明に係る成膜装置は、成膜を行うためのガスを供給するガス供給部と、成膜を行う基板を成膜を行うための所定の温度にするための加熱部と、ガス供給部から供給されるガスを用いて成膜を行う成膜領域と、成膜領域の内部に供給されたガスを分解するための分解領域とを有している。ガス供給部は、成膜を行うためのガスを供給するためのものである。加熱部は、成膜を行う基板を成膜を行うための所定の温度にするためのものである。成膜領域は、ガス供給部から供給されるガスを用いて成膜を行うためのものである。分解領域は、成膜領域の内部に供給されたガスを分解するためのものである。分解領域は、ガスが流通する方向において成膜領域の下流側に配置されており、かつ分解領域においてガスが流通するチャネル中に位置し、ガスを分解するための発熱体を有している。分解領域において、加熱部に近い位置にあるガスは分解されやすいが、加熱部から遠い位置すなわちチャネルの中心付近にあるガスは加熱されにくいので分解されにくい。本発明に係る成膜装置は、ガスが流通するチャネル中にガスを分解するための発熱体を有している。そのため、加熱されにくいチャネルの中心付近のガスを発熱体で加熱することでガスが効率的に分解される。結果としてガスが分解されずに成膜装置の外部に排気されることを抑制することができる。上記の成膜装置において好ましくは、分解領域は、ガスが流通するチャネルを囲うように形成されたサセプタを含む。発熱体は、サセプタからチャネルに突出するように配置されている。発熱体がサセプタからチャネルに突出するように配置されているため、チャネルの中心付近から外周付近に存在するガスを加熱することでガスを効率的に分解することができる。上記の成膜装置において好ましくは、発熱体は、回転可能に設けられている。発熱体が回転することによって、分解領域のチャネル中のガスの流速を遅くすることができる。これにより、チャネル中のガスを長時間加熱することができるので、より効率的にガスを分解することができる。上記の成膜装置において好ましくは、発熱体は、気体が流れることで回転される。これにより、簡易な構造で発熱体を回転させることができる。上記の成膜装置において好ましくは、サセプタは、発熱体の台座部を収容する収容部と、収容部の内壁と発熱体の台座部との間の空隙に気体を導入するための導入配管とを含む。これにより、簡易な構造で発熱体を回転させることができる。上記の成膜装置において好ましくは、発熱体の台座部は台座部によって保持されている傘状部よりも幅が広くなっている。これにより、発熱体が気体によって安定して回転する。上記の成膜装置において好ましくは、発熱体と直接接触し発熱体を回転駆動する駆動部材をさらに有している。これにより、発熱体の回転数を正確に制御することができる。上記の成膜装置において好ましくは、発熱体の回転数は、20rpm以上100rpm以下である。これにより、成膜領域のガスの気流を乱すことなくガスの流速を低減することができる。発熱体の回転数が20rpm以上であれば、発熱体の回転によってガスの流速を低下させる効果が大幅に向上する。一方、発熱体の回転数が100rpm以下であれば、成膜領域におけるガスの層流を乱すことなく分解領域のガスの流速を低減することができる。上記の成膜装置において好ましくは、発熱体は、サセプタに固定されている。これにより、サセプタからの熱を発熱体に効率的に伝達することができる。上記の成膜装置において好ましくは、発熱体の幅は、チャネルの幅の50以上90以下である。これにより、チャネル中のガスの流速を広い範囲で低減することで、効率良くガスを分解することができる。発熱体の幅がチャネルの幅の50以上であれば、発熱体がガスを加熱する効果が大幅に向上する。一方、発熱体の幅がチャネルの幅の90以下であれば、ガスが通過する領域を小さくし過ぎることなく、発熱体によってガスを加熱することができる。そのため、発熱体の幅は、チャネルの幅の50以上90以下であることが好ましい。上記の成膜装置において好ましくは、発熱体の高さは、チャネルの高さの50以上80以下である。これにより、チャネル中のガスの流速を広い範囲で低減することで、効率良くガスを分解することができる。発熱体の高さがチャネルの高さの50以上であれば、サセプタに近い部分のガスのみならずサセプタから離れたチャネルの中央部分のガスを効果的に加熱することができる。一方、発熱体の高さがチャネルの高さの80以下であれば、発熱体を容易に取出すことができる。そのため、発熱体の高さは、チャネルの高さの50以上80以下であることが好ましい。上記の成膜装置において好ましくは、発熱体は、分解領域に対して着脱自在に設けられている。発熱体が着脱自在であるので、分解領域から基板を取出すことができる。それゆえ、成膜領域から基板を取出す必要がないので、パーティクルを低減することができる。本発明の成膜装置によれば、分解領域においてガスが流通するチャネル中に設けられた発熱体によって未反応のガスを効率的に分解することができる。以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態が説明される。なお、各実施の形態において、同一の機能を果たす部位には同一の参照符号が付されており、その説明は特に必要がなければ繰り返さない。実施の形態1図1を参照して、本発明の実施の形態1に係る成膜装置の構成を示す。本実施の形態1に係る成膜装置100は、基板11の主表面上にたとえば炭化珪素や珪素などのエピタキシャル層を形成するためのCVDChemicalVaporDeposition装置である。図1に示すように、成膜装置100は、ガス供給部9と、成膜領域21と、分解領域22と、加熱部2と、発熱体10とを主に有している。ガス供給部9は、成膜を行う成膜領域21の内部に成膜の原料となるガスG1を供給する部分である。成膜領域21は、ガス供給部9から供給された成膜の原料となるガスを用いて基板11に成膜を行う部分である。分解領域22は、成膜領域21の内部に供給されたガスであって、成膜に用いられなかった未反応の残留ガスを分解する部分である。本実施の形態1の成膜装置100は、成膜領域21と分解領域22とが水平方向に隣接して配置されている、所謂、横型の成膜装置である。加熱部2は、たとえば高周波コイルから成り、成膜を行う基板11を成膜を行うための所定の温度にするための部分である。発熱体10は、分解領域22においてガスが流通するチャネル7中に位置しており、ガスを分解するためのものである。発熱体10は、たとえばカーボンを主な原料とする材料からなる。本実施の形態における成膜領域21および分解領域22は、石英管1と、断熱材3と、サセプタ5とを有している。石英管1は、高周波コイルの巻回を容易にするため、たとえば円筒状である。断熱材3は、成膜装置100の内部であるチャネル7と成膜装置100の外部とを断熱するためのものである。断熱材3の材質としては、たとえば炭素繊維を用いることができる。加熱部2である高周波コイルが石英管1の回りに配置されており、高周波コイルによってサセプタ5を加熱することによって原料ガスG1、基板11および発熱体10を加熱することができる。これにより、成膜を行う基板11を、成膜を行うための所定の温度にすることができる。また、分解領域22においては、残留ガスを分解するために必要な温度にまで残留ガスを加熱することができる。また、成膜領域21および分解領域22は、原料ガスG1が流通するチャネル7を囲うように形成されたサセプタ5を有している。分解領域22は、原料ガスG1が流通する方向において成膜領域21の下流側に配置されている。言い換えれば、原料ガスG1は成膜領域21から分解領域22に向かって流通する。図1および図2を参照して、成膜領域21および分解領域22の長軸方向に垂直な断面における中央部分に、ガス供給部9が供給するガスの流路としてのチャネル7が形成されている。チャネル7は、サセプタ5の中央部を空洞化することで形成されている。なお、ここで長軸方向とは、図1における左右方向、図2における奥行き方向のように、ガスの流路に沿った方向流通方向のことである。本実施の形態において、成膜領域21の長軸方向の長さL1は、分解領域22の長軸方向の長さL2よりも長くなっているが、成膜領域21の長軸方向の長さL1が、分解領域22の長軸方向の長さL2よりも短くてもよいし、同じでもよい。図2に示すように、チャネル7の断面形状は、たとえば矩形状を有している。チャネル7中でのガスの流れの状態を成膜に適したものとするため、また、基板11を均等に加熱するため、チャネル7の断面は矩形状とすることが好ましい。チャネル7の外周部を囲むように、サセプタ5が長軸方向に配置されている。そしてサセプタ5の外周部を囲むように、断熱材3が配置されている。長軸方向に垂直な断面における断熱材3の外周形状は、たとえば円形状である。断熱材3の外周を覆うように石英管1が配置されている。石英管1は図2に示すように長軸方向に垂直な断面での外周形状が円形状となっている。また、チャネル7の外周部を取り囲むサセプタ5の、長軸方向に垂直な断面における外周形状は、たとえば六角形状を有している。また、石英管1の形状は円筒状である。高周波コイルに高周波電流を流すための電源図示せずから、石英管1の回りに配置された高周波コイルに高周波電流を流すと、電磁誘導作用により、高周波コイルに囲まれた領域、すなわち図2に示す高周波コイルの内部の領域に存在する導電性物質は誘導加熱される。ここで、サセプタ5としてたとえば導電性の高純度カーボンを用いれば、サセプタ5が電磁誘導作用を受けて発熱する。このサセプタ5は、図1に示すように成膜領域21および分解領域22の両方に配置されている。成膜領域21におけるサセプタ5が、加熱部2である高周波コイルに通電することより発熱すれば、チャネル7に供給された成膜の原料としてのガスおよび基板11が加熱される。同様に、分解領域22におけるサセプタ5が加熱すれば発熱体10が加熱される。成膜領域21のチャネル7には、ガス供給部9により、継続的に成膜用のガスが供給される。このガスの一部は成膜領域21において加熱、分解されて、基板11の主表面上に形成される膜の材料となる。しかし、特に図2に示したチャネル7の中央付近の領域図1における上下方向の中央付近に存在するガスは、チャネル7中の他の領域に位置するガスよりサセプタ5からの距離が相対的に遠いため、成膜領域21において十分に加熱されないことがある。十分に加熱されなかったガスは成膜領域21において分解されず、未反応のまま残留ガスとして分解領域22のチャネル7に到達する。図2を参照して、発熱体10は、サセプタ5からチャネル7に突出するように配置されている。発熱体10は、サセプタ5に接触して固定されてチャネル7に突出していてもよいし、サセプタ5に接触することなくサセプタ5近傍からチャネル7へ突出していてもよい。発熱体10の幅W2は、チャネル7の幅W1の50以上90以下であることが好ましい。また、発熱体10の高さH2はチャネルの高さH1の50以上80以下であることが好ましい。ここで、幅方向とは、上記長軸方向ガスの流通方向と垂直であって、基板11が配置されている側のサセプタ5の面に沿った方向であり、図2において左右方向である。高さ方向とは、上記長軸方向ガスの流通方向および上記幅方向に垂直な方向であり、図2において上下方向である。発熱体10の形状は、本実施の形状においては円柱状であるがこれに限られず、たとえば、直方体、多角柱、円板状などであっても構わない。また、好ましくは、発熱体10は分解領域22に対して着脱可能に設けられている。図3を参照して、分解領域22のチャネル7中に位置する発熱体10の変形例について説明する。なお、図3は、チャネル7の中央部を通り上記長軸方向と幅方向とに沿った平面における断面図である。複数の発熱体10が、分解領域22の長軸方向に沿って、サセプタ5からチャネル7に突出するように配置されている。チャネル7中に存在するガスのうち、サセプタ5に近い位置に存在するガスは加熱されやすいが、サセプタ5から遠い位置に存在するガスは加熱されづらい。そのため、効率的にチャネル7の中央付近におけるガスを分解するために、チャネル7の幅方向での中央付近に配置されている発熱体10の数が、チャネル7の幅方向での外周付近に配置されている発熱体10の数よりも多いことが好ましい。またサセプタ5の形状も、サセプタ5から発生する熱が効率よくチャネル7のガスに伝播する構成とすることが好ましい。図2に示すように、サセプタ5の1頂点Bの近傍において、サセプタ5の厚みがたとえば位置Aの近傍でのサセプタ5の厚みより厚くなっているつまり頂点Bの近傍においては位置Aの近傍よりサセプタ5の部分の体積が大きくなっている。この結果、頂点Bの近傍において、サセプタ5の熱容量が大きくなる。このため、図2における上下方向については、サセプタ5がチャネル7に供給することができる熱量が安定する。さらに、サセプタ5の断面形状を六角形状とすれば、サセプタ5の断面形状がたとえば四角形状である場合より、サセプタ5の全体を高周波コイルの電磁誘導作用により均一に加熱することができる。これは六角形状が左右対称かつ点対称な形状であること、六角形状からなるサセプタ5の外周面上の任意の位置から高周波コイルまでの距離の偏差が、たとえば四角形状からなるサセプタ5における当該偏差に比べて小さくなることによるものである。上述したように成膜装置100はCVD法を用いて基板11の主表面上に所望の膜をエピタキシャル成長させる。基板11としては、たとえばSiやSiC、SiGeなどの半導体基板を用いることができる。そして、成膜の原料としてガス供給部9から供給するガスG1としては、たとえばSiH4やC3H8のほか、Si2H6やGeH4などを用いることができる。そしてこれらのそれぞれのガスを用いた場合に形成できる成膜の種類としては、たとえばSiH4を用いればSiのエピタキシャル層、SiH4とC3H8、それにキャリアガスとしてのH2水素を供給した場合にはSiCのエピタキシャル層などを挙げることができる。次に、本実施の形態1の成膜装置100の作用効果について説明する。本実施の形態1に係る成膜装置100は、分解領域22においてガスが流通するチャネル7中に位置し、ガスを分解するための発熱体10を有している。そのため、加熱されにくいチャネル7の中心付近のガスを発熱体10で加熱することでガスが効率的に分解される。結果としてガスが分解されずに排気されることを抑制することができる。また、分解領域22はガスが流通するチャネル7を囲うように形成されたサセプタ5を含み、発熱体10はサセプタ5からチャネル7に突出するように配置されている。そのため、チャネル7の中心付近から外周付近に存在するガスを加熱することで効率的にガスを分解することができる。また、発熱体10はサセプタ5に固定されている。これにより、サセプタ5からの熱を発熱体10に効率的に伝達することができる。また、発熱体10の幅は、チャネル7の幅の50以上90以下である。これにより、チャネル7中のガスの流速を広い範囲で低減することで、効率良くガスを分解することができる。なお図3に示すように複数の発熱体10を設置する場合、上記チャネル7中の所定の位置での発熱体10の合計の幅がチャネル7の幅の50以上90以下であることが好ましい。また、発熱体10の高さは、チャネル7の高さの50以上80以下である。これにより、チャネル7中のガスの流速を広い範囲で低減することで、効率良くガスを分解することができる。また、発熱体10は分解領域22に対して着脱自在に設けられている。発熱体10が着脱自在であるので、分解領域22を介して成膜領域21から基板11を容易に取出すことができる。それゆえ、成膜領域21に基板11の取出し口などを設ける必要がないので、パーティクルを低減することができる。実施の形態2図4を参照して、本発明の実施の形態2に係る成膜装置の構成を説明する。実施の形態2に係る成膜装置200は、上述した本発明の実施の形態1に係る成膜装置100と、基本的に同様の構造を備えている。ただし、本実施の形態2の成膜装置200の発熱体10は、気体が流れることで回転されるように、回転可能に設けれておりこの点において実施の形態1の成膜装置100と異なっている。実施の形態2の成膜装置200のサセプタ5には成膜装置200の外部から気体G2を分解領域22に供給するための導入配管12図5が設けられている。気体G2は、たとえばH2ガスである。導入配管12は、成膜領域21にあるサセプタ5の内部を通過した後、分解領域22にあるサセプタ5にまで延在している。導入配管12は、分解領域22にあるサセプタ5においてチャネル7に開通するように曲がっている。図5および図6を参照して、本実施の形態2に係る成膜装置200の発熱体10の構成について説明する。発熱体10は、台座部30と、傘状部31とを備える。台座部30には、溝部14と、凹部15とが形成されている。台座部30は、傘状部31を支える部分であり、傘状部31と支柱により連結されている。言い換えれば、傘状部31は台座部30によって保持されている。好ましくは、台座部30の幅bは、それ以外部分たとえば傘状部31の幅aよりも広い。図6に示すように、発熱体10の台座部30の裏面には複数の溝部14が設けられている。溝部14は、その底面が円周方向に向かって傾斜するように設けられており、溝部14の深さが円周方向に変化する。図5に示すように、サセプタ5には、発熱体10の台座部30を収容するための収容部32が設けられている。収容部32の中心付近には突起13が設けられており、台座部30の裏面の中央付近に設けられている凹部15に突起13が挿入される。導入配管12を通じて収容部32に気体G2が供給可能になっている。気体G2が導入配管12を通じて、収容部32の内壁と発熱体10の台座部30との間の空隙にたとえば台座部30の裏面の外周部に向けて導入されると、気体G2が発熱体10の溝部14に継続的に吹き付けられることによって発熱体10が回転する。発熱体10の回転数は、たとえば気体G2の供給量を変化させることで調節可能である。発熱体10の回転数は、好ましくは、20rpm以上100rpm以下である。発熱体10の傘状部31が回転することで、チャネル7中のガスの流速を低減可能である。本発明の実施の形態2は、上述した各点においてのみ、本発明の実施の形態1と異なる。すなわち、本発明の実施の形態2において、上述しなかった構成や条件、手順や効果などは、全て本発明の実施の形態1に準ずる。次に、本実施の形態2の成膜装置200の作用効果について説明する。本実施の形態2に係る成膜装置200の発熱体10は回転可能に設けられている。発熱体10が回転することによって、チャネル7中のガスの流速を遅くすることができる。これにより、分解領域22におけるチャネル7中のガスを長時間加熱することができるので、より効率的にガスを分解することができる。また、発熱体10は気体が流れることで回転される。これにより、簡易な構造で発熱体10を回転させることができる。また、サセプタ5は、発熱体10の台座部30を収容する収容部32と、収容部32の内壁と発熱体10の台座部30との間の空隙に気体を導入するための導入配管12とを含む。これにより、簡易な構造で発熱体10を回転させることができる。また、発熱体10の台座部30は発熱体10の台座部30によって保持されている傘状部31よりも幅が広くなっている。これにより、発熱体10が気体によって安定して回転する。また、発熱体10の回転数は、20rpm以上100rpm以下である。これにより、成膜領域21のガスの気流を乱すことなくガスの流速を低減することができる。実施の形態3図7を参照して、本発明の実施の形態3に係る成膜装置300の構成を説明する。実施の形態3に係る成膜装置300は、上述した本発明の実施の形態2に係る成膜装置200と、基本的に同様の構造を備えている。ただし、本実施の形態3の成膜装置300は、発熱体10と直接接触し発熱体10を回転駆動する駆動部材18が設けられている。駆動部材18とはたとえばモータである。発熱体10と駆動部材18とは軸17によって接続されており、駆動部材18による駆動力を発熱体10に伝達することができる。軸17は、サセプタ5、断熱材3および石英管1を貫通する貫通孔の内部を通るように配置されている。軸受けシール16は、たとえば石英管1の内部に配置され、軸17を囲うように設けられている。発熱体10の回転数は、駆動部材18を制御する制御部図示せずによって精度よく調整することができる。本発明の実施の形態3は、上述した各点においてのみ、本発明の実施の形態2と異なる。すなわち、本発明の実施の形態3において、上述しなかった構成や条件、手順や効果などは、全て本発明の実施の形態2に準ずる。次に、本実施の形態3の成膜装置300の作用効果について説明する。本実施の形態の成膜装置300は、発熱体10と直接接触し発熱体10を回転駆動する駆動部材18をさらに有している。これにより、発熱体10の回転数を精度よく制御することができる。実施の形態4図8を参照して、本発明の実施の形態4に係る成膜装置400の構成を説明する。本発明の実施の形態4に係る成膜装置400は、上述した本発明の実施の形態3に係る成膜装置300と、基本的に同様の構造を備えている。ただし、成膜装置400は、いわゆる縦型の成膜装置であって、長軸方向、すなわちガス供給部9から供給したガスがチャネル7において流通する方向が鉛直方向に沿っている。すなわち、図7における成膜装置300を、図8に示すようにガスが図の上下方向に流通するよう90°回転させた構造となっている。このため、成膜装置400では、成膜領域21上に分解領域22が積層配置された状態になっている。ガスが上下方向に沿った方向に具体的には下方から上方に向けて流通する成膜装置400においても、ガスが左右方向水平方向に沿った方向に流通する成膜装置300と同様に、分解領域22に発熱体10を設けていることにより、成膜領域21にて分解しなかった未反応のガスを、サセプタ5に加えて発熱体10によって加熱することにより分解することができるという効果を奏する。なお、ガス供給部9から供給される成膜の原料としてのガスは、チャネル7の下方からチャネル7に導入され、チャネル7中を上方に向けて流通する。したがって図8に示す成膜装置400のように、ガスの上流側に位置する成膜領域21が下側に、ガスの下流側に位置する分解領域22が上側になるように配置することが好ましい。発熱体10は、駆動部材18により直接接続されて回転駆動されることが好ましい。駆動部材18は、成膜装置400の分解領域22の横側に設置されている。本発明の実施の形態4は、上述した各点においてのみ、本発明の実施の形態3と異なる。すなわち、本発明の実施の形態4において、上述しなかった構成や条件、手順や効果などは、全て本発明の実施の形態3に準ずる。次に、本実施の形態4の成膜装置400の作用効果について説明する。本実施の形態の成膜装置400は、所謂縦型の成膜装置であって、発熱体10と直接接触し発熱体10を回転駆動する駆動部材18をさらに有している。それゆえ、発熱体10が重力によって落ちないように保持しながら発熱体10を回転させることができる。今回開示された各実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上述した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。