超伝導材料から構成されたマイクロディスクアレイ及びカバーディスクを備える捕捉部であって、前記マイクロディスクアレイは、前記カバーディスクの面の範囲内に配置され、前記マイクロディスクアレイの超伝導転移温度は、前記カバーディスクの超伝導転移温度より高い、捕捉部と、均一な第1の磁場と、前記第1の磁場とは逆向きの均一な第2の磁場とを前記捕捉部に印加する磁場印加部と、前記第1の磁場の印加後に、前記捕捉部を前記カバーディスクの超伝導転移温度より大きく前記マイクロディスクアレイの超伝導転移温度より小さい第1の温度に冷却し、前記第1の磁場を遮断後に、前記捕捉部を前記カバーディスクの超伝導転移温度より小さい第2の温度に冷却する冷却部とを備え、前記磁場印加部は、前記捕捉部を前記第1の温度に冷却した後に前記第1の磁場を遮断し、前記捕捉部を前記第2の温度に冷却した後に前記第2の磁場を印加することを特徴とする原子捕捉装置。前記捕捉部は、前記マイクロディスクアレイと前記カバーディスクとの間に設けられた絶縁層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の原子捕捉装置。前記第1の磁場及び前記第2の磁場は、前記捕捉部の積層方向に平行な成分を有する磁場であることを特徴とする請求項1又は2に記載の原子捕捉装置。前記捕捉部の近傍に捕捉対象の原子を供給する原子供給手段をさらに備えることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の原子捕捉装置。超伝導材料から構成されたマイクロディスクアレイ及びカバーディスクを備える捕捉部に均一な第1の磁場を印加するステップであって、前記マイクロディスクアレイは、前記カバーディスクの面の範囲内に配置され、前記マイクロディスクアレイの超伝導転移温度は、前記カバーディスクの超伝導転移温度より高い、ステップと、前記捕捉部を前記カバーディスクの超伝導転移温度より大きく前記マイクロディスクアレイの超伝導転移温度より小さい第1の温度に冷却するステップと、前記第1の磁場を遮断するステップと、前記捕捉部を前記カバーディスクの超伝導転移温度より小さい第2の温度に冷却するステップと、前記捕捉部の近傍に捕捉対象の原子を供給するステップと、前記第1の磁場とは逆向きの均一な第2の磁場を前記捕捉部に印加するステップとを備えることを特徴とする原子捕捉方法。前記捕捉部は、前記マイクロディスクアレイと前記カバーディスクとの間に設けられた絶縁層をさらに備えることを特徴とする請求項5に記載の原子捕捉方法。前記第1の磁場及び前記第2の磁場は、前記捕捉部の積層方向に平行な成分を有する磁場であることを特徴とする請求項5又は6に記載の原子捕捉方法。超伝導電流や超伝導磁束を用いて原子を捕捉する技術は実現しているが、従来の技術では、自然定数の組み合わせの整数倍で規定されるような正確な値に磁場を制御することは実現していない。本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、超伝導磁束が磁束量子Φ0=h/2eという自然定数によって規定される磁束の量子性を利用して、磁束量子の数を制御することで原子を捕捉する磁場を精度良く制御する技術を実現するものである。上述のような問題を解決するために、本発明の請求項1に記載の原子捕捉装置は、超伝導材料から構成されたマイクロディスクアレイ及びカバーディスクを備える捕捉部であって、前記マイクロディスクアレイは、前記カバーディスクの面の範囲内に配置され、前記マイクロディスクアレイの超伝導転移温度は、前記カバーディスクの超伝導転移温度より高い、捕捉部と、均一な第1の磁場と、前記第1の磁場とは逆向きの均一な第2の磁場とを前記捕捉部に印加する磁場印加部と、前記第1の磁場の印加後に、前記捕捉部を前記カバーディスクの超伝導転移温度より大きく前記マイクロディスクアレイの超伝導転移温度より小さい第1の温度に冷却し、前記第1の磁場を遮断した後、前記捕捉部を前記カバーディスクの超伝導転移温度より小さい第2の温度に冷却する冷却部とを備え、前記磁場印加部は、前記捕捉部を前記第1の温度に冷却した後に前記第1の磁場を遮断し、前記捕捉部を前記第2の温度に冷却した後に前記第2の磁場を印加することを特徴とする。本発明の請求項2に記載の原子捕捉装置は、本発明の請求項1に記載の原子捕捉装置であって、前記捕捉部は、前記マイクロディスクアレイと前記カバーディスクとの間に設けられた絶縁層をさらに備えることを特徴とする。本発明の請求項3に記載の原子捕捉装置は、本発明の請求項1又は2に記載の原子捕捉装置であって、前記第1の磁場及び前記第2の磁場は、前記捕捉部の積層方向に平行な成分を有する磁場であることを特徴とする。本発明の請求項4に記載の原子捕捉装置は、本発明の請求項1から3のいずれかに記載の原子捕捉装置であって、前記捕捉部の近傍に捕捉対象の原子を供給する原子供給手段をさらに備えることを特徴とする。本発明の請求項5に記載の原子捕捉方法は、超伝導材料から構成されたマイクロディスクアレイ及びカバーディスクを備える捕捉部に均一な第1の磁場を印加するステップであって、前記マイクロディスクアレイは、前記カバーディスクの面の範囲内に配置され、前記マイクロディスクアレイの超伝導転移温度は、前記カバーディスクの超伝導転移温度より高い、ステップと、前記捕捉部を前記カバーディスクの超伝導転移温度より大きく前記マイクロディスクアレイの超伝導転移温度より小さい第1の温度に冷却するステップと、前記第1の磁場を遮断するステップと、前記捕捉部を前記カバーディスクの超伝導転移温度より小さい第2の温度に冷却するステップと、前記捕捉部の近傍に捕捉対象の原子を供給するステップと、前記第1の磁場とは逆向きの均一な第2の磁場を前記捕捉部に印加するステップとを備えることを特徴とする。本発明の請求項6に記載の原子捕捉方法は、本発明の請求項5に記載の原子捕捉装置であって、前記捕捉部は、前記マイクロディスクアレイと前記カバーディスクとの間に設けられた絶縁層をさらに備えることを特徴とする。本発明の請求項7に記載の原子捕捉方法は、本発明の請求項5又は6に記載の原子捕捉装置であって、前記第1の磁場及び前記第2の磁場は、前記捕捉部の積層方向に平行な成分を有する磁場であることを特徴とする。本発明によれば、磁束量子Φ0=h/2eの数を制御することで、原子を捕捉する磁場を精度よく制御する技術を実現することができる。この技術を応用すれば、一定の強さで原子を捕捉することができるので、内部状態外部自由度の全てがまったく同一の量子状態を持つ原子を多数準備して、スケーラブルな量子デバイスとして利用することができる。以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図1及び図2は、本発明の実施の形態における原子捕捉装置の構成を示す図である。図1及び図2に示されるように、本発明に係る原子捕捉装置は、超伝導素子を含む捕捉部101と、捕捉部101を超伝導転移温度以下に冷却する冷却部102と、均一磁場131及び均一磁場131とは逆向きの均一な反転磁場132を捕捉部101に印加する磁場印加部103とを備える。以下、本発明の最も特徴的である超伝導素子を含む捕捉部101の構成及び磁化の方法について記した後、この捕捉部101に原子を供給し、その原子を捕捉する方法について記す。捕捉部101として、超伝導転移温度Tcの異なる2種類の超伝導体を用いた超伝導素子を作成する。1つ目の超伝導体Aの超伝導転移温度をTcAとし、2つ目の超伝導体Bの超伝導転移温度をTcBとすると、超伝導転移温度の値がTcA>TcBの関係となるように1つ目の超伝導体A及び2つ目の超伝導体Bを構成する。例えば、1つ目の超伝導体Aとして第2種超伝導体のホウ化マグネシウムMgB2:超伝導転移温度TcA=39Kを用い、2つ目の超伝導体BとしてニオブNb:超伝導転移温度TcB=9.2Kを用いることができる。この例の他にも、バナジウムV:超伝導転移温度TcB=5.3K、窒化ニオブNbN:超伝導転移温度TcB=15.7K、銅酸化物高温超伝導体YBa2Cu2O78:超伝導転移温度TcB=90~95Kなど、ほとんど全ての第2種超伝導体も同様に本発明において利用可能と考えられる。図3は捕捉部101の構成法の一例を立体的に表した図であり、図4は捕捉部101の断面の構成の一例を示す図である。図3及び図4には、超伝導材料から構成された複数のマイクロディスクを含むマイクロディスクアレイ201と、絶縁層202と、超伝導材料から構成されたカバーディスク203と、絶縁性基板204とを備える捕捉部101が示されている。図3及び図4で示される捕捉部101は、絶縁性基板204上にマイクロディスクアレイ201が設けられ、マイクロディスクアレイ201上に絶縁層202が設けられ、絶縁層202上にカバーディスク203が設けられるように構成されている。図5は捕捉部101の構成法の他の例を立体的に表した図であり、図6は図5で示される捕捉部101の断面の構成を示す図である。図3及び図4と同様に、図5及び図6には、マイクロディスクアレイ201と、絶縁層202と、カバーディスク203と、絶縁性基板204とを備える捕捉部101が示されている。図5及び図6で示される捕捉部101は、絶縁性基板204上にカバーディスク203が設けられ、カバーディスク203上に絶縁層202が設けられ、絶縁層202上にマイクロディスクアレイ201が設けられるように構成されている。絶縁性基板204は、例えば、コランダム、石英、又は酸化シリコンなどとすることができ、絶縁性基板204上に捕捉部101を構成する超伝導素子を形成することにより、超伝導素子を他の構成に対して絶縁分離された状態とすることができる。冷却部102による捕捉部101の超伝導素子の冷却は、絶縁性基板204を介して行うことができる。図7は、捕捉部101を磁場印加部103方向から見た形状を示す図である。図7に示されるように、超伝導体Aとしてのマイクロディスクアレイ201を、例えば、半径r=2.5μmの円形薄膜をnA=50000個程度、おおよそ円形に並べることにより作成する。また、図7に示されるように、超伝導体Bとしてのカバーディスク203を、マイクロディスクアレイ201の全体を覆い隠すように、おおよそ半径R=1mmの円形薄膜形状となるように作成する。すなわち、マイクロディスクアレイ201は、カバーディスク203の面の範囲内に絶縁層202を介して配置される。ここで、マイクロディスクアレイ201におけるマイクロディスクの配置は、カバーディスク203の全体に渡りほぼ均一であれば、局所的には不規則であってもよい。このように、マイクロディスクアレイ201を絶縁層202を介して半径R=1mmの円形薄膜形状のカバーディスク203に渡ってほぼ均一に配置することにより、後述するような方法で捕捉部101に磁場を印加した場合に、捕捉部101の下部に単一の磁場極小点を形成することができる。捕捉部101全体で1つの磁場極小点が形成されるため、自然定数の組み合わせの整数倍で規定されるような正確な値に磁場を制御することが可能となる。捕捉部101は、絶縁性基板204上に、マイクロディスクアレイ201及びカバーディスク203により絶縁層202を挟んで重ねた積層構造を設けることにより構成される。捕捉部101の重ね順は、図3及び図4のように絶縁性基板204マイクロディスクアレイ201絶縁層202カバーディスク203の順でも、図5及び図6のように絶縁性基板204カバーディスク203絶縁層202マイクロディスクアレイ201の順でも、いずれでも良い。次に捕捉部101の磁化の方法について、図8のフローチャートを用いて説明する。まず、磁場印加部103を動作させて、磁束密度BiがnBr≦Bi<n1Brである均一磁場131であって、捕捉部101から磁場印加部103の方向に向かう均一磁場131を加えるステップ801。この均一磁場131の印加後、冷却部102を動作させて捕捉部101の冷却を開始するステップ802。捕捉部101の温度TをTcA以上からTcB<T<TcAまで冷却ステップ803することにより、マイクロディスクアレイ201部分を超伝導状態にする。ステップ803の冷却後、ステップ801で印加した均一磁場131を遮断するステップ804。これにより、マイクロディスクアレイ201のマイクロディスクの各々にn個の磁束量子が侵入してピン留めされ、捕捉部101は全体としてM=nAnφ0に磁化される。ここで、図9は、捕捉部101が磁化されたときに、マイクロディスクアレイ201の各マイクロディスクが磁化される大きさを縦軸に記し、磁場印加部103により加えられた均一磁場131の大きさを横軸に記したグラフである。均一磁場131が大きくなるにつれて各マイクロディスクの磁化が階段状に大きくなることから、自然定数の整数倍の正確な値に磁化できることが理解できる。この状態から冷却部102を更に動作させてステップ805、捕捉部101の温度TをT<TcBまで冷却ステップ806することにより、捕捉部101のカバーディスク203部分も超伝導状態にする。それにより、外から加えた磁場はカバーディスク203部分に流れるマイスナー電流で打ち消すことができるようになる。すなわち、カバーディスク203に覆われたマイクロディスクアレイ201の個々のマイクロディスクの間には、外部から加えた磁場が侵入することができない。そのため、マイクロディスクアレイ201の個々のマイクロディスクが独立に磁場極小点を生成するのではなく、多数のマイクロディスクが全体として1つの磁場極小点を生成ことができるようになる。以上のように磁化した捕捉部101により原子を捕捉するためには、対象となる原子を捕捉部101の近傍にまで供給するステップ807必要がある。例えば、図10で示される原子捕捉装置を用いた原子の捕捉方法のように、予め室温20°C程度から磁気光学トラップ501により予備冷却数百マイクロケルビン程度した原子を、四重極磁場トラップ502中に保持し、四重極磁場トラップ502を移動させることにより、保持した原子を捕捉部101の近傍にまで供給すれば良い。予備冷却した原子を供給する手段としては、この他にも光トラップFORT:Faroffresonantopticaltrapなども利用可能である。なお、冷却された原子は、室温の原子との衝突により簡単に加熱され、高いエネルギーを持ち捕捉できなくなるため、これらのことは他の原子との衝突確率が極めて小さい真空中で行う。捕捉対象となる原子は、レーザー冷却可能な磁気モーメントがゼロでない原子であれば良いので、例えばルビジウム原子87Rbの|F=2mF=2状態、|F=2mF=1状態、F=1mF=-1状態、ルビジウム原子85Rbの|F=3mF=3状態、F=3mF=2状態、|F=3mF=1状態、|F=2mF=-2状態、|F=2mF=-1状態、リチウム原子7Liの|F=2mF=2状態、|F=2mF=1状態、|F=1mF=-1状態、ナトリウム原子23Naの|F=2mF=2状態、|F=2mF=1状態、|F=1mF=-1状態、カリウム原子39Kの|F=2mF=2状態、|F=2mF=1状態、|F=1mF=-1状態、セシウム原子133Csの|F=4mF=4状態、|F=4mF=3状態、|F=4mF=2状態、|F=4mF=1状態、|F=3mF=-3状態、|F=3mF=-2状態、|F=3mF=-1状態などを用いれば良い。原子を保持した四重極磁場トラップ502を、捕捉部101の下、約1mmの位置まで搬送した後、四重極磁場トラップ502の駆動電流を遮断すると同時に、磁場印加部103を動作させ、捕捉部101に向けて磁束密度Beの均一な反転磁場132を印加するステップ808。それにより、捕捉部101の近傍に不均一な磁場が形成されるようになる。このような不均一な磁場が形成されることにより、不均一な磁場の磁場勾配によるポテンシャルの磁場極小点において原子を捕捉することが可能となる。ここで、反転磁場132の磁束密度Beは、捕捉部101の超伝導性が壊れる臨界磁場より小さければどのような値でもよい。磁束密度Beを調節することにより、単一の磁場極小点が形成される、捕捉部101からの高さを調節することができる。この原子捕捉方法において、捕捉部101を磁化させる均一磁場131の向きと原子捕捉時に加える反転磁場132の向きとが互いに逆向きであれば、磁場の極性のすべてが反転した場合でも同様に原子を捕捉することができる。また、捕捉部101には、捕捉部101の各層201-204の積層方向に平行な成分を有する磁場を磁場印加部103により印加するとよい。図11は、本発明の方法により原子を捕捉する場合に、捕捉部101の近傍に形成される不均一磁場の、捕捉部101の中心を通る平面によって切断して得られる断面形状を、側方より見た状態を模式的に示している。なお、不均一磁場の局所的な方向を矢印151の向きで、強さを矢印151の長さで表し、磁場極小点152付近の磁場の状態を等磁場強度曲線153により表している。図11には、カバーディスク203によりマイクロディスクアレイ201の個々のマイクロディスクの間に外部から加えた磁場が侵入することができないため、捕捉部101のマイクロディスクアレイ201全体で1つの磁場極小点が形成されていることが示されている。図12は、本発明に係る捕捉部101の構成からカバーディスク203を取り除いた場合に、捕捉部101の近傍に形成される不均一磁場の、捕捉部101の中心を通る平面によって切断して得られる断面形状を、側方より見た状態を模式的に示している。図12に示されるように、カバーディスク203が無い場合、マイクロディスクアレイ201の個々のマイクロディスクの間を磁場が通り抜けることができるため、個々のマイクロディスクがそれぞれ磁場極小点を形成し、図11のように捕捉部101のマイクロディスクアレイ201全体で1つの磁場極小点を形成することはできない。捕捉部101を構成するマイクロディスクの形状は、必ずしも真円である必要はなく、互いの面積が等しければ、楕円であっても、多角形であっても、それらの互いに異なる形状が混在する場合であっても同様の効果が期待できる。また、カバーディスク203もマイクロディスクアレイ201を覆い隠す形状であれば、真円である必要はなく、楕円であっても、多角形であっても同様の効果が期待できるが、真円に近い方が安定に原子を捕捉できる。捕捉部101を構成するマイクロディスクの形状、および、マイクロディスクアレイ201は、例えば半径r=2.5μmの薄膜ループマイクロループ形状、および、マイクロループアレイとしても、同様の効果が期待できる。このとき、物理的にはマイクロディスクに侵入する磁束が量子的に振る舞うことはマイクロループの内側を貫く磁束が量子的に振る舞うことで置き換えられる。なお、このマイクロループは必ずしも円環形状である必要はなく、ループの内側が囲む面積が等しければ、楕円環形状であっても、多角形環形状であっても同様の効果が期待できる。