サセプタプレートの上面内に配設されるポケットを有し、かつ前記上面内に形成され前記ポケットを取り囲むリップを有するサセプタプレートであって、前記リップが前記リップ上に基板を支持するように構成される、サセプタプレートと、前記ポケットから前記サセプタプレートの前記上面に延在し、基板が前記リップ上に配設されるとき、前記基板の裏側と前記ポケットの間に閉じ込められるガスを排気する複数の通風口とを備える基板支持体。各通風口が、前記ポケットの内部から前記サセプタプレートの前記リップを超える点にまたは前記サセプタプレートの前記リップの部分に放射状に延在し、前記基板が前記リップ上に配設されるときに前記基板のエッジが位置する場所を超えて、放射状に配置される溝である、請求項1に記載の基板支持体。各通風口が、前記リップに近接して配設され、かつ孔が一部には前記サセプタの前記上面内に、一部には前記ポケット内に形成されるような位置および直径を有する孔である、請求項1に記載の基板支持体。サセプタプレートの上面内に配設されるポケットを有し、かつ前記上面内に形成され前記ポケットを取り囲むリップを有するサセプタプレートであって、前記リップが前記リップ上に基板を支持するように構成されるサセプタプレートと、前記ポケットから前記サセプタプレートの裏側に延在し、基板が存在するとき前記基板の前記裏側と前記ポケットの間に閉じ込められるガスを排気する複数の通風口であって、前記通風口が、前記ポケットから前記サセプタプレートの前記裏側へ、前記サセプタプレートの中心軸に平行な方向に、見通し線がないように構成される複数の通風口とを備える基板支持体。各通風口が、前記ポケットの周辺エッジに近接し、前記外部エッジに沿って円周方向に配設されるスロットである、請求項4に記載の基板支持体。前記ポケットの面が凹状である、請求項1ないし5のいずれか一項に記載の基板支持体。中央支持体から放射状に延在する支持部材を有し、前記支持部材上に前記サセプタプレートを支持する中央支持体をさらに備える、請求項1ないし5のいずれか一項に記載の基板支持体。前記サセプタプレートを通り、前記ポケットと前記サセプタプレートの裏側の間に配設される複数のリフトピン孔と、複数のリフトピンであって、各リフトピンがそれぞれのリフトピン孔を通って移動可能に配設される複数のリフトピンとをさらに備える、請求項7に記載の基板支持体。内部エッジを有し、前記内部エッジ上に基板を支持するサセプタリングと、中央支持体から放射状に延在する支持部材を有し、前記支持部材上で前記サセプタリングを支持する中央支持体であって、前記支持部材が、前記支持部材のサセプタリングに面する側に複数のリフトピン支持面を有し、前記サセプタリングに面する側と前記支持部材の裏側の間の各リフトピン支持面を通って配設される孔を各リフトピン支持面が有する中央支持体と、各リフトピンが各リフトピン支持面内の孔を通って移動可能に配設され、前記リフトピンが引込み位置にいるとき、前記リフトピン支持面によって支持される、複数のリフトピンとを備える基板支持体。前記支持部材がさらに複数の支持アームを備える、請求項9に記載の基板支持体。支持アームの数が3であり、リフトピンの数が3であり、各支持アームが1つのリフトピンを支持する、請求項10に記載の基板支持体。前記中央支持体の周りに配設され、各リフトピンを係合するため、前記中央支持体に沿って軸方向に移動可能であり、基板を請求項8の前記サセプタプレートまたは請求項9の前記サセプタリングに対して上昇または下降する基板リフトアセンブリをさらに備える、請求項8または9に記載の基板支持体。前記サセプタプレートまたは前記サセプタリングが、炭化ケイ素コーティングされたグラファイト、固体炭化ケイ素、固体焼結シリコン炭素、または固体無金属焼結炭化ケイ素のうちの少なくとも1つを含む、請求項1ないし5または請求項9ないし11のいずれか一項に記載の基板支持体。プロセスチャンバの内部容積内に配設される請求項1ないし5または請求項9ないし11のいずれか一項に記載の基板支持体を有するプロセスチャンバであって、前記内部容積が、前記基板支持体の上に配設される第1の容積および前記基板支持体の下に配設される第2の容積を備える、プロセスチャンバと、前記第1の容積にプロセスガスを提供するように前記基板支持体の上に配設され、前記基板支持体上に配設される基板を処理する第1のガスの入り口と、前記第2の容積に加圧ガスを提供するように前記基板支持体の前記面の下に配設され、前記チャンバ圧力を所望の圧力ランピング速度で所望のチャンバ圧力に上昇することを可能にする第2のガスの入り口とを備える基板プロセスチャンバ。前記プロセスガスおよび加圧ガスを提供するためのガスパネルと前記第1および第2のガスの入り口との間に結合された圧力制御バルブをさらに備え、前記圧力制御バルブが前記プロセスガスおよび加圧ガスの流れを調整し、そのため、前記圧力を前記所望の圧力ランピング速度で増加する期間に、前記チャンバ圧力が前記所望のチャンバ圧力を実質的に超えない、請求項14に記載の基板プロセスチャンバ。理解しやすくするために、可能な場合は、図に共通な同一の要素を指定するため、同一の参照番号が使用されている。図は原寸に比例して示されておらず、見やすいように簡略化される場合がある。一実施形態の要素および特徴が、さらなる記述なしに、他の実施形態に有利に組み込まれ得ることが企図されている。堆積プロセスのための方法および装置を、本明細書で開示する。本発明の装置は、本明細書で開示するように、サセプタ設計および/または追加の装置を含み、有利なことには、選択的エピタキシャル堆積プロセスの期間の堆積プロセスとエッチングプロセスの間で切り替えるときなど、処理期間に基板の表側と裏側の間で急速な圧力平衡を可能にすることができる。本発明の装置は、有利なことに、基板全体にわたる温度均一性の改善をさらに可能にすることができる。発明性のある方法も開示され、本発明の装置を用いて発明性のある方法を使用して、圧力を急速に増加し、このことによって、有利なことに、プロセスのスループットを改善することができる。本発明の方法は、有利なことに、堆積期間に、選択性、成長速度、層の品質をさらに維持することができる。図1は、本発明のいくつかの実施形態にしたがうプロセスチャンバ100の概略側面図を描く。プロセスチャンバ100は、カリフォルニア州サンタクララのAppliedMaterials、Inc.から入手可能な、RPEPI登録商標リアクタ、またはエピタキシャル堆積プロセスを実施するよう適合された、任意の好適な半導体プロセスチャンバなどの、市販されているプロセスチャンバから改変され得る。あるいは、プロセスチャンバ100は、一体型半導体デバイスおよび回路の製造で実施されるプロセスの中でも、とりわけ、堆積プロセス、エッチングプロセス、プラズマ促進堆積および/またはエッチングプロセス、ならびに熱プロセスのうちの少なくとも1つを実施するように適合することができる。具体的には、そのようなプロセスとしては、限定するものではないが、処理期間に急速な圧力変化が使用されるプロセスが挙げられる。いくつかの実施形態において、プロセスチャンバ100は、上で論じたように、エピタキシャル堆積プロセスを実施するように適合することができ、例示的に、チャンバ本体110、支持システム130、およびコントローラ140を備える。チャンバ本体110は、一般的に、第1の内部容積103を有する上部102、第2の内部容積105を有する下部104、および筐体120を含む。上部102は、下部104上に配設され、リッド106、クランプリング108、ライナ116、ベースプレート112、1つまたは複数の上側ランプ136および1つまたは複数の下側ランプ138、ならびに上側高温計156を含む。一実施形態において、リッド106はドーム様のフォームファクタを有するが、他のフォームファクタを有するリッド例えば、平坦なリッドまたはリバースカーブリッドも企図されている。下部104は、第1のガス吸入口114および排気口118と結合され、ベースプレートアセンブリ121、下側ドーム132、基板支持体124A、前加熱リング122、1つまたは複数の上側ランプ152および1つまたは複数の下側ランプ154、ならびに下側高温計158を備える。前加熱リング122または以下で論じられるサセプタリング123など、プロセスチャンバの特定の構成要素を記述するために、用語リングが使用されているが、これらの構成要素の形状は円形である必要はなく、限定するものではないが、矩形、多角形、長円形などを含む任意の形状を含み得ることが企図されている。いくつかの実施形態において、基板支持体124Aは、一般的に、支持されるサセプタリング123、サセプタリング123をその上に支持するための基板支持アセンブリ164A、および基板リフトアセンブリ160を含む。サセプタリング123は、図1に概略側面図が、図4Aに側面図および上面図が図示される。サセプタリング123は、その上に基板125を支持するための内部エッジ402を有する。サセプタリング123は、炭化ケイ素コーティングされたグラファイト、固体炭化ケイ素、固体焼結シリコン炭素、または固体無金属焼結炭化ケイ素のうちの少なくとも1つを含むことができる。本発明者は、サセプタリング設計を使用することによって、有利なことに、従来型のサセプタのポケットに支えられるリフトピンにより処理期間に引き起こされるリフトピンパターンの影響を制限できることを発見した。さらに、サセプタリング設計によって、基板の裏側は、例えばプロセスチャンバ100の下側ランプ154を直接視野に入れ、下側ランプ154と基板の裏側の間にサセプタプレートが配設されないので、基板加熱の均一性の改善を実現することができる。さらに、サセプタリング設計によって、例えば、チャンバ圧力が急速に減少するとき、従来型サセプタの支持面と基板の裏側の間に閉じ込められるガス間の圧力差によって引き起こされ得る、基板の摺動、移動などを取り除くことができる。基板支持アセンブリ164Aは、一般的に、中央支持体165から放射状に延在し、中央支持体165上にサセプタリング123を支持するための支持部材163Aを有する中央支持体165を含む。支持部材163Aは、支持部材163Aのサセプタリングに面する側168上に複数のリフトピン支持面167Aを含む。各リフトピン支持面167Aは、サセプタリングに面する側168と支持部材163Aの裏側170の間に、各リフトピン支持面167Aを通って配設されるリフトピン孔169Aを有する。各リフトピン孔169Aは、各リフトピン孔169Aを通って移動可能に配設されるリフトピン128を有するように構成することができる。各リフトピン支持面167Aは、リフトピンが引込み位置であるとき、リフトピン128を支持するように構成することができる。いくつかの実施形態において、支持部材163Aは、複数の支持アーム134Aをさらに備える。各支持アーム134Aは、各支持アーム134A上に配設されるリフトピン支持面167A、および各支持アーム134Aを通って配設されるリフトピン孔169Aを有することができる。いくつかの実施形態において、各支持アーム134Aは、支持アームをサセプタリング123に結合するための支持ピン166をさらに含むことができる。いくつかの実施形態において、支持アーム134Aの数は3であり、リフトピン128の数は3である。別法として、図示しないが、支持部材は1個の円錐形の部材であってもよい。円錐形の部材は、基板125の裏側をプロセスチャンバ100の第2の内部容積105に流体結合するため、円錐形の部材を通って配設される複数の通風口をさらに含むことができる。そのような実施形態において、円錐形の部材は、処理期間に提供される放射エネルギーについて吸収性または透過性であり、基板の温度を所望に応じて制御することができる。基板リフトアセンブリ160は、中央支持体165の周りに配設され、中央支持体165に沿って軸方向に移動可能であってもよい。基板リフトアセンブリ160は、基板リフトシャフト126、および基板リフトシャフト126のそれぞれのパッド127上に選択的に載る複数のリフトピンモジュール161を備える。いくつかの実施形態において、リフトピンモジュール161は、リフトピン128がベース129に結合される、任意選択のベース129を備える。別法として、リフトピン128の底部がパッド127上に直接載ることができる。加えて、リフトピン128を上昇および下降させるための他の機構も使用することができる。各リフトピン128は、各支持アーム134A内のリフトピン孔169Aを通って移動可能に配設され、例えば基板125がサセプタリング123上に下げられたときなど、リフトピン128が引込み位置であるとき、リフトピン支持面167A上に載せることができる。動作の際に、基板リフトシャフト126は、リフトピン128と係合するため動かされる。係合すると、リフトピン128は、基板125を基板支持体124の上方に上げる、または基板125をサセプタリング123に接するまで下げることができる。基板支持体124Aは、本明細書で開示される発明性のある基板支持体の一実施形態である。しかし、基板支持体のさらなる実施形態が、プロセスチャンバ100、例えば図2のプロセスチャンバ100内ならびに図4Bの概略側面図内および概略上面図内にインサイチュで描かれる基板支持体124B、または図3のプロセスチャンバ100内ならびに図4Cの概略側面図内および概略上面図内にインサイチュで描かれる基板支持体124Cとともに使用することができる。図2および図4Bに描かれる基板支持体124Bは、サセプタプレート404の上面408に配設されるポケット406を有するサセプタプレート404、基板支持アセンブリ164B上にサセプタプレート404を支持するための基板支持アセンブリ164B、および上で論じたような基板リフトアセンブリ160を含むことができる。サセプタプレート404は、上で論じたサセプタリング123と同様の材料を含むことができる。サセプタプレート404は、上面408内に形成され、ポケット406を取り囲むリップ410をさらに備える。リップ410は、図示のように、リップ410の上に基板125を載せるまたは支持するよう構成することができる。ポケット406の面407は、図示のように凹状または任意の好適な形状であり、基板125の加熱を制御し均一にするため、放射エネルギーを吸収および反射することができる。基板支持体124Bは、ポケット406からサセプタプレート404の上面408に延在する複数の通風口412を含み、ポケット406内に閉じ込められるガスをプロセスチャンバの上部102の第1の内部容積103に排気する。上で論じたように、通風口なしでは、処理の期間、例えば基板125が基板支持体124B上などに、最初に配置されるとき、ガスが閉じ込められる可能性がある。例えばチャンバ圧力の急速な圧力低下期間に、ガスが閉じ込められたままである場合、閉じ込められたガスは、低下したチャンバ圧力に対して膨張し、基板125を、基板支持体124B上の基板125の場所から、跳ね上がる、移動する、または動くことを引き起こす可能性がある。いくつかの実施形態において、通風口412のうちの1つまたは複数は、図4Bに示すように溝414であってもよい。各溝414は、ポケット406の内部416からサセプタプレート404のリップ410を超える点に放射状に延在し、ポケット406からサセプタプレート404の上面408にガスを排気することを可能にすることができる。いくつかの実施形態において、1つまたは複数の通風口412は、ポケットの内部416からサセプタプレート404のリップ410の部分に放射状に延在し、図4B内の409で点線で図示されるように基板125がリップ410上に配設されるとき、基板125のエッジが位置する場所を超え放射状に配置された溝であってもよい。各溝は、任意の好適な深さおよび/または長さに切ることができ、溝の間の数および/または間隔は、ガスをポケット406から急速に排気することを実施するように選択することができる。例えば、溝は図2に示すようにサセプタプレート404を完全に貫通して延在することができ、または溝は図4Bに示すようにサセプタプレート404を単に部分的に通って延在することができる。いくつかの実施形態において、通風口412のうちの1つまたは複数は、リップ410に近接して配設され、サセプタプレート404の上面408内かつポケット406内に、リップ410を超えて、孔が放射状に延在するような直径を有する孔であってもよい。各孔は、任意の好適な深さおよび/または直径に機械加工することができ、孔の間の数および/または間隔は、ガスをポケット406から急速に排気することを可能にするように選択することができる。基板支持アセンブリ164Bは、一般的に、中央支持体165から放射状に延在し、中央支持体165上にサセプタプレート404を支持するための支持部材163Bを有する中央支持体165を含む。リフトピンが引込み位置であるときに各リフトピン128を支持するためのリフトピン支持面を支持部材163Bが含まない点で、支持部材163Bは、一般的に支持部材163Aと異なってもよい。いくつかの実施形態において、支持部材163Bは、複数の支持アーム134Bをさらに備える。いくつかの実施形態において、各支持アーム134Bは、支持アームをサセプタプレート404に結合するための支持ピン166をさらに含むことができる。いくつかの実施形態において、3つの支持アーム134Bが設けられるが、より多くの数を同様に使用することができる。基板支持体124Bは、ポケット406とサセプタプレート404の裏側418の間のサセプタプレート404内に配設される複数のリフトピン孔169Bをさらに含む。基板支持体124Bは、複数のリフトピン128をさらに含み、各リフトピン128は、各リフトピン孔169Bを通って移動可能に配設されるように構成される。基板支持体124Bは、複数のリフトピン支持面167Bをさらに含み、各リフトピン支持面は、各リフトピン孔のポケットに面する側420上に配設され、リフトピンが引込み位置であるとき、リフトピン128を支持するように構成される。各リフトピン支持面167Bは、例えばリフトピン128がリフトピン孔169Bを通って落下することを防止するため、各リフトピン128の形状が一致するように、かつ/または例えばポケット406の面407からの放射エネルギーの吸収および反射との干渉を最小化するため、各リフトピン128の上部例えば、ヘッドをポケット406の面407と実質的に面一にするように構成することができる。例えば、図4Bに例示されるいくつかの実施形態において、各リフトピン支持面167Bは、リフトピン128の座面424の形状と一致する、円錐形の面422を含むことができる。基板支持体124Bは、中央支持体165の周りに配設され、リフトピン128を係合するため、中央支持体165に沿って軸方向に移動可能な基板リフトアセンブリ160をさらに含み、基板125を基板支持体124Bに対して上昇および下降する。基板リフトアセンブリ160の実施形態は、上で詳細に論じた。本発明のいくつかの実施形態にしたがう基板支持体124Cは、図3のプロセスチャンバ100内および図4C内の概略側面図および概略上面図内にインサイチュで描かれる。基板支持体124Cは、上で論じたように、サセプタプレート426の上面428内に配設されるポケット406を有するサセプタプレート426、基板支持アセンブリ164B上にサセプタプレート426を支持するための基板支持アセンブリ164B、および基板リフトアセンブリ160を含む。基板支持体124Cは、下で論ずるように、サセプタプレート426を除いて、基板支持体124Bと実質的に同様であってもよい。サセプタプレート426は、上で論じたように、サセプタリング123およびサセプタプレート404と同様の材料を含むことができる。サセプタプレート426は、上面428内に形成され、ポケット406を取り囲むリップ410をさらに備える。リップ410は、図示のように、リップ410の上に基板125を載せるまたは支持するよう構成することができる。ポケット406の面407は、図示のように凹状または任意の好適な形状であって、基板125の加熱を制御し均一にするため、放射エネルギーを吸収および反射することができる。基板支持体124Cは、サセプタプレート426を通って配設される複数の通風口430を含む。通風口430は、ポケット406からサセプタプレート426の裏側432に延在し、基板が存在するときポケット406内に閉じ込められるガスを排気することを可能にする。通風口430は、ポケット406からサセプタプレート426の裏側432へ、サセプタプレート426の中心軸434に平行な方向に、垂直の見通し線がないように構成される。サセプタプレート426の裏側432に直接の見通し線を有さないことによって、有利なことに、放射エネルギーがポケット406から反射ではなく逃げることを制限することを本発明者は発見した。いくつかの実施形態において、各通風口430は、ポケットの周辺エッジに近接して配設され、ポケットの外部エッジに沿って円周方向に走るスロット433である。基板支持体124Cの他の構成要素、例えば、基板支持アセンブリ124B、基板リフトアセンブリ160、リフトピン128などは、上で基板支持体124B用に記載したものと実質的に同様である。プロセスチャンバ100に戻って、処理期間に、基板125は基板支持体124上に配設される。ランプ136、138、152、および154は、赤外IR放射すなわち熱の源であり、動作に際し、基板125にわたって所定の温度分布を生成する。いくつかの実施形態において、リッド106、クランプリング116、および下部ドーム132は、石英から形成されるが、他のIR透過性で、プロセス互換性のある材料を使用してこれらの構成要素を形成することもできる。プロセスチャンバ100は、プロセスチャンバ100の第1の内部容積103および第2の内部容積105にプロセスガスを供給するためのガスパネル113をさらに含む。例えば、ガスパネル113は、堆積ガス、エッチャントなどのプロセスガス、および/またはキャリアガス、希釈のためのガス、チャンバ加圧のためのガスなど他のガスを提供することができる。ガスパネル113は、プロセスチャンバ100に下部ドーム132で結合される、第1のガス吸入口114および第2のガス吸入口115にガスを提供する。第2のガス吸入口115の例えば、下部ドーム132における結合点は、単に例示であり、第2のガス吸入口115が第2の内部容積105にガスを提供することを可能にする、任意の好適な結合点を使用することができる。一般的に、第1のガス吸入口114は、第1の内部容積103にプロセスガスを提供し、上で論じた基板支持体124の実施形態のいずれかの上に配設される基板125を処理する。第2のガス吸入口115は、第2の内部容積105に加圧ガスを提供し、チャンバ圧力を所望のチャンバ圧力に所望の圧力ランピング速度で上昇させることを可能にする。いくつかの実施形態において、所望のチャンバ圧力は、約30から約600トルの範囲にわたる。いくつかの実施形態において、所望の圧力ランピング速度は、約30から約150トル毎秒の範囲にわたる。いくつかの実施形態において、選択的エピタキシャル堆積プロセスのエッチング部分の期間にチャンバ圧力を増加させるとき、エッチャントガスを含むプロセスガスを、第1のガス吸入口114を介して、第1の内部容積103に流すことができる。同時に、加圧ガスを第2のガス吸入口115を介して、第2の内部容積105に流し、選択的堆積プロセスのエッチング部分のために、チャンバ圧力を所望の圧力に上昇させることを可能にすることができる。本発明者は、加圧ガスを第2のガス吸入口115を介して流すことによって、堆積される膜の品質および選択性が維持される一方プロセススループットが改善されることを発見した。いくつかの実施形態において、プロセスチャンバ100は、プロセスガスおよび加圧ガスを供給するためのガスパネル113と第1のガス吸入口114および第2のガス吸入口115の間に結合される圧力制御バルブ117を含む。圧力制御バルブは、プロセスガスおよび加圧ガスの流れを調整することができ、そのため、圧力を所望の圧力ランピング速度で増加する期間に、チャンバ圧力が所望のチャンバ圧力を実質的に超えない例えば、チャンバ圧力は、所望のチャンバ圧力を、約10より多く、または約3から約5だけ超えることがない。支持システム130は、プロセスチャンバ100内で、所定のプロセス例えば、エピタキシャルシリコン膜を成長することを実施および監視するため使用される構成要素を含む。そのような構成要素としては、一般的にプロセスチャンバ100の様々なサブシステム例えば、ガスパネル複数可、ガス分配コンジット、真空サブシステムおよび排気サブシステムなどおよびデバイス例えば、電源、プロセス制御機器などが挙げられる。これらの構成要素は、当業者にはよく知られており、明快にするために図からは省略される。コントローラ140は、一般的に中央処理装置CPU142、メモリ144、および支持回路146を備え、図1に示すように直接または別法としてプロセスチャンバおよび/または支持システムと関連するコンピュータまたはコントローラを介して、プロセスチャンバ100および支持システム130に結合されプロセスチャンバ100および支持システム130を制御する。図5は、本発明のいくつかの実施形態にしたがって、基板上にエピタキシャル層を選択的に堆積させる方法500のための流れ図を示す。本発明の方法は、上で論じた、プロセスチャンバ100および基板支持体124の実施形態のいずれかとともに使用することができる。しかし、本発明の方法は、図1および図4Aに例示される基板支持体124Aの実施形態にしたがって、下で論ずることになる。さらに、図6は、図5の方法にしたがって、基板上にエピタキシャル層を選択的に堆積するステージを描く。方法500は、基板支持体124Aがプロセスチャンバ100内に配設され、基板125が基板支持体124上に配設される、内部容積を有するプロセスチャンバ100を用意することによって、502において開始し、内部容積は、基板支持体124Aの上の第1の内部容積103およびサセプタリング123の下かつ基板125の裏側の第2の内部容積105を備える。プロセスチャンバ100および基板支持体124Aの簡略化した概略図が、図6Aに描かれる。504において、基板125は、その上にエピタキシャル層を堆積する第1の面602および反対側の第2の面604を有して用意される図6Bに図示。基板125は、結晶シリコン例えば、Si<100>またはSi<111>、酸化ケイ素、ストレインドシリコン、シリコンゲルマニウム、ドープされたポリシリコンまたは非ドープポリシリコン、ドープされたシリコンウエハまたは非ドープシリコンウエハ、パターン形成されたウエハまたは未パターン形成ウエハ、シリコンオンインシュレータSOI、炭素がドープされた酸化ケイ素、窒化ケイ素、ドープされたシリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、ガラス、サファイアなどの好適な材料を含み得る。さらに、基板125は、複数の層を備え、または例えば、トランジスタ、フラッシュメモリデバイスなどの、部分的に製作されたデバイスを含み得る。506において、堆積ガスが流され、第1のチャンバ圧力で基板125の第1の面602上にエピタキシャル層606を堆積する図6Cに図示。いくつかの実施形態において、第1のチャンバ圧力は、約0.1から約100トルの範囲にわたる。いくつかの実施形態において、堆積ガスはシランSiH4、ジシランSi2H6、メチルシランH3CSiH3などのうちの少なくとも1つを含む。いくつかの実施形態において、エピタキシャル層は、シリコンおよび炭素を含む。506における堆積プロセス期間に、第2の層608を第2の面604上に形成することができる。第2の層608は、エピタキシャル層606と化学組成では同様であるが、化学構造では異なる場合がある。例えば、第2の層608は、エピタキシャル層606と異なり、下で論じられるように選択的エッチングプロセスをより受けやすい、非晶質構造、多結晶構造、アモルファス構造、または任意の好適な結晶構造または非晶質構造であってもよい。508において、エッチングガスが第1の内部容積103内に流され、第2の面604上に堆積された第2の層608を選択的にエッチングする。例えば、エッチングガスは、上で論じたように、第1のガス吸入口114を介して第1の内部容積103内に流すことができる。いくつかの実施形態において、エッチングガスは、塩化水素HCl、塩素Cl2、ゲルマンGeH4、塩化ゲルマニウムGeCl4、四塩化ケイ素SiCl4、四塩化炭素CCl4などのうちの少なくとも1つを含む。510において、エッチングガスを第1の内部容積103内に流すことと同時に、加圧ガスが第2の内部容積105内に流され、チャンバ圧力を、第1のチャンバ圧力より高い第2のチャンバ圧力に、所望の圧力ランピング速度で上昇させる。例えば、加圧ガスは、上で論じたように、第2のガス吸入口115を介して第2の内部容積内に流すことができる。いくつかの実施形態において、加圧ガスは、窒素N2、水素H2、アルゴンAr、ヘリウムHeなどのうちの少なくとも1つを含む。いくつかの実施形態において、第2のチャンバ圧力は、約30から約600トルの範囲にわたる。いくつかの実施形態において、所望の圧力ランピング速度は、約30から約150トル毎秒の範囲にわたる。エッチングプロセスは、典型的には第2の圧力で起こる。いくつかの実施形態において、加圧されたガスを第2の内部容積105に流し、一方同時にエッチングガスを第1の内部容積103内に流すことにより例えば、508および510は同時にまたは重複して起こる、圧力を例えば、第1の圧力から第2の圧力に増加することができる。この手法は、有利なことにプロセススループットを改善することができる。しかし、エッチングは圧力が特定の閾値圧力例えば、約80トル、または約30から約600トルの間を超えたときにのみ起こるので、いくつかの実施形態において、第2の圧力は、最初に例えば、510において加圧ガスで増加することができ、次いで例えば、508においてエッチングガスを第1の内部容積103内にエッチングのため流すことができる。上で論じたように508の前に510を実施することは、より良いプロセス制御を実現することができるが、このことはまた、エッチングをしない、数秒例えば、最大7秒のランピング時間を無駄にする。同時にエッチングガスを流すことによって、ランピング期間にいくらかのエッチングが起こることになり、このことにより、安定な第2のチャンバ圧力で必要なエッチング時間を短縮する。しかし、エッチングのほとんどは、依然として第2のチャンバ圧力に到達したときに起こる。そのため、508および510は、いずれの順番で生じても、または部分的にもしくは完全に重複して生じてもよい。加圧ガスとエッチングガスを組み合わせて使用して、チャンバ圧力を好適なチャンバ圧力に上昇させ、図6Dに図示するように、第2の層608を選択的にエッチングする。堆積プロセスおよびエッチングプロセスは、数回、または所望の厚さのエピタキシャル層が基板上に堆積されるまで、繰り返すことができる。例えば、選択的エッチングプロセスが完了した後、連続する堆積ステップのために、チャンバ圧力を、急速に減少する場合がある。上で論じたように、ポケットがない例えば、基板支持体124A、または排気型ポケットの使用例えば、基板支持体124B、124Cのいずれかによって、基板125は、堆積プロセスのためのチャンバ圧力の急速な低下期間に、基板支持体上で安定したままでいる。かくして、堆積プロセスの方法および装置が、本明細書で開示された。本発明の装置は、上で開示されたように、サセプタ設計および/または追加の装置を含み、有利なことに、異なる圧力を使用する堆積プロセスとエッチングプロセスの間で切り替えるときなど、処理期間に、基板の表側と裏側の間で、急速な圧力平衡を可能にすることができる。本発明の装置は、有利なことに、基板全体にわたる温度均一性を改善することをさらに可能にすることができる。発明性のある方法も開示され、本発明の装置を用いて発明性のある方法を使用して、圧力を急速に増加し、一方堆積期間に、選択性、成長速度、および層の品質を維持することができる。上記が本発明の実施形態を対象とする一方、本発明の他のさらなる実施形態が、本発明の基本範囲から逸脱することなく考案され得る。