第1面と該第1面とは反対側の第2面とを有し、該第1面側に形成されていて該第1面から該第2面に向かって細くなっている第1開口部と該第2面側に形成されていて該第2面から該第1面に向かって細くなっている第2開口部とからなる貫通孔を有するコア基板と、前記コア基板の第1面に形成されている第1の回路と、前記コア基板の第2面に形成されている第2の回路と、前記貫通孔に形成されていて前記第1の回路と前記第2の回路とを接続するスルーホール導体とからなるプリント配線板において、前記第1開口部は前記コア基板の第1面に第1開口を有し、前記第1開口部は該第1開口を含む第1-1開口部と該第1-1開口部に繋がっている第1-2開口部とからなり、前記第2開口部は前記コア基板の第2面に第2開口を有し、前記第2開口部は該第2開口を含む第2-1開口部と該第2-1開口部に繋がっている第2-2開口部とからなり、前記第1開口部の内壁は第1-1開口部と第1-2開口部の境界で貫通孔の内側に屈曲しており、前記第2開口部の内壁は第2-1開口部と第2-2開口部の境界で貫通孔の内側に屈曲している。請求項1に記載のプリント配線板において、前記コア基板は、主面と該主面とは反対側の副面とを有する絶縁基板と、表面と該表面とは反対側の裏面とを有し該裏面が前記絶縁基板の主面と対向するように前記絶縁基板の主面上に形成されている第1樹脂絶縁層と、上面と該上面とは反対側の下面を有し該上面が前記絶縁基板の副面と対向するように前記絶縁基板の副面下に形成されている第2樹脂絶縁層とからなる。請求項1に記載のプリント配線板において、前記コア基板の第1面から第2面の方向に前記第1-1開口部が細くなる割合をΔW1とし、前記コア基板の第1面から第2面の方向に前記第1-2開口部が細くなる割合をΔW2とすると、ΔW1とΔW2との関係は、ΔW1<ΔW2であり、前記コア基板の第2面から第1面の方向に第2-1開口部が細くなる割合をΔW3とし、前記コア基板の第2面から第1面の方向に第2-2開口部が細くなる割合をΔW4とすると、ΔW3とΔW4との関係は、ΔW3<ΔW4である。請求項2に記載のプリント配線板において、前記第1樹脂絶縁層と前記絶縁基板に同条件でレーザにより開口部が形成される時、前記第1樹脂絶縁層は前記絶縁基板より加工されやすく、前記第2樹脂絶縁層と前記絶縁基板に同条件でレーザにより開口部が形成される時、前記第2樹脂絶縁層は前記絶縁基板より加工されやすい。請求項2に記載のプリント配線板において、第1開口部が屈曲する位置は第1樹脂絶縁層と絶縁基板の界面であり、第2開口部が屈曲する位置は第2樹脂絶縁層と絶縁基板の界面である。請求項1に記載のプリント配線板において、前記第1開口部と第2開口部はCO2ガスレーザで形成されている。請求項2に記載のプリント配線板において、前記絶縁基板は補強材を有している。請求項7に記載のプリント配線板において、前記第1樹脂絶縁層と前記第2樹脂絶縁層は無機フィラーを含んでいる。請求項8に記載のプリント配線板において、前記第1樹脂絶縁層と前記第2樹脂絶縁層は補強材を有していない。請求項7に記載のプリント配線板において、前記補強材はガラスクロスである。請求項1に記載のプリント配線板において、前記第1開口の重心を通り前記コア基板の第1面に垂直な直線と前記第2開口の重心を通り前記コア基板の第1面に垂直な直線はオフセットしている。請求項1に記載のプリント配線板において、前記第1開口部は前記第1-1開口部と前記第1-2開口部との接合部分に第3開口を有し、前記第2開口部は前記第2-1開口部と前記第2-2開口部との接合部分に第4開口を有していて、前記第3開口の重心を通り前記コア基板の第1面に垂直な直線と前記第4開口の重心を通り前記コア基板の第1面に垂直な直線はオフセットしている。請求項11に記載のプリント配線板において、前記第1開口部は前記第1-1開口部と前記第1-2開口部との接合部分に第3開口を有し、前記第2開口部は前記第2-1開口部と前記第2-2開口部との接合部分に第4開口を有していて、前記第3開口の重心を通り前記コア基板の第1面に垂直な直線と前記第4開口の重心を通り前記コア基板の第1面に垂直な直線はオフセットしている。請求項1に記載のプリント配線板において、前記スルーホール導体は前記貫通孔を充填しているめっき膜からなる。第1面と該第1面とは反対側の第2面を有するコア基板を準備することと、レーザにより前記コア基板の第1面から第2面に向かって細くなる第1開口部を前記コア基板の第1面側に形成することとレーザにより前記コア基板の第2面から第1面に向かって細くなる第2開口部を前記コア基板の第2面側に形成することにより第1の開口部と第2の開口部とからなる貫通孔を前記コア基板に形成することと、前記コア基板の第1面に第1の回路を形成することと、前記コア基板の第2面に第2の回路を形成することと、前記貫通孔にめっき膜を形成することで前記第1の回路と前記第2の回路とを接続するスルーホール導体を形成することとからなるプリント配線板の製造方法において、前記第1開口部は前記コア基板の第1面に第1開口を有し、前記第1開口部は該第1開口を含む第1-1開口部と該第1-1開口部に繋がっている第1-2開口部とからなり、前記第2開口部は前記コア基板の第2面に第2開口を有し、前記第2開口部は該第2開口を含む第2-1開口部と該第2-1開口部に繋がっている第2-2開口部とからなり、前記第1開口部の内壁は第1-1開口部と第1-2開口部の境界で貫通孔の内側に屈曲しており、前記第2開口部の内壁は第2-1開口部と第2-2開口部の境界で貫通孔の内側に屈曲している。請求項15に記載のプリント配線板の製造方法において、前記コア基板を準備することは、主面と該主面と反対側の副面とを有する絶縁基板の主面に表面と該表面と反対側の裏面とを有する第1樹脂絶縁層を前記絶縁基板の主面と該第1樹脂絶縁層の裏面が対向するように積層することと前記絶縁基板の副面に上面と該上面とは反対側の下面とを有する第2樹脂絶縁層を前記絶縁基板の副面と該第2樹脂絶縁層の上面が対向するように積層することとからなる。特許文献1の図3から、特許文献1は、第1と第2のブラインド孔の内壁を直線的に細くする思想を有していると考えられる。第1と第2のブラインド孔が誘電体層の中央から表面に向かって直線的に太くなると貫通孔の径が大きくなると考えられる。ここで、貫通孔の径は第1のブラインド孔または第2のブラインド孔の誘電体層の表面における径の内、大きい径である。貫通孔の径が大きいと、貫通孔を狭いピッチで形成することが難しいと考えられる。そのため、スルーホール導体を狭いピッチで形成することが難しいと考えられる。プリント配線板を小さくすることが難しいと考えられる。第1と第2のブラインド孔が直線的に細くなると、プリント配線板の反りなどによりスルーホール導体が応力を受ける場合、第1と第2のブラインド孔の連結部分でスルーホール導体にクラックが発生することがあると考えられる。本発明の目的は、信頼性を低下させること無くスルーホール導体を高密度に配置することができるプリント配線板及び該プリント配線板の製造方法を提供することにある。本発明のプリント配線板は、第1面と該第1面とは反対側の第2面とを有し、該第1面側に形成されていて該第1面から該第2面に向かって細くなっている第1開口部と該第2面側に形成されていて該第2面から該第1面に向かって細くなっている第2開口部とからなる貫通孔を有するコア基板と、前記コア基板の第1面に形成されている第1の回路と、前記コア基板の第2面に形成されている第2の回路と、前記貫通孔に形成されていて前記第1の回路と前記第2の回路とを接続するスルーホール導体とを有している。そして、前記第1開口部は前記コア基板の第1面に第1開口を有し、前記第1開口部は該第1開口を含む第1-1開口部と該第1-1開口部に繋がっている第1-2開口部とからなり、前記第2開口部は前記コア基板の第2面に第2開口を有し、前記第2開口部は該第2開口を含む第2-1開口部と該第2-1開口部に繋がっている第2-2開口部とからなり、前記第1開口部の内壁は第1-1開口部と第1-2開口部の境界で貫通孔の内側に屈曲しており、前記第2開口部の内壁は第2-1開口部と第2-2開口部の境界で貫通孔の内側に屈曲している。第1実施形態の多層プリント配線板10について、図6を参照して説明する。図6は該多層プリント配線板10の断面図を示している。多層プリント配線板10では、コア基板30の第1面に第1の回路34A、第2面に第2の回路34Bが形成されている。第1の回路34Aは第1の導体回路34ACと第1のランド34ALを有し、第2の回路34Bは第2の導体回路34BCと第2のランド34BLとを有している。第1の導体回路と第2の導体回路はスルーホール導体36を介して接続されている。第1のランドと第2のランドはスルーホール導体36を介して接続されている。コア基板30の第1面と第1の回路上に上層の第1層間樹脂絶縁層50Aが形成されている。上層の第1層間樹脂絶縁層50Aは第1面と第1面とは反対側の第2面とを有している。上層の第1層間樹脂絶縁層50Aの第2面はコア基板の第1面と対向している。上層の第1層間樹脂絶縁層50Aの第1面上に導体回路58Aが形成されている。上層の第1層間樹脂絶縁層50A上の導体回路58Aと第1の回路またはスルーホール導体は上層の第1層間樹脂絶縁層50Aを貫通するビア導体60Aで接続されている。コア基板30の第2面と第2の回路上に下層の第1層間樹脂絶縁層50Bが形成されている。下層の第1層間樹脂絶縁層50Bは第1面と第1面とは反対側の第2面とを有している。下層の第1層間樹脂絶縁層50Bの第2面はコア基板の第2面と対向している。下層の第1層間樹脂絶縁層50Bの第1面上に導体回路58Bが形成されている。下層の第1層間樹脂絶縁層50B上の導体回路58Bと第2の回路またはスルーホール導体は下層の第1層間樹脂絶縁層50Bを貫通するビア導体60Bで接続されている。上層の第1層間樹脂絶縁層50Aの第1面上に上層のソルダーレジスト層70Aが形成され、下層の第1層間樹脂絶縁層50Bの第1面上に下層のソルダーレジスト層70Bが形成されている。上層と下層のソルダーレジスト層70A、70Bはビア導体60A、60Bや導体回路58A、58Bを露出する開口71A、71Bを有している。開口71A、71Bにより露出するビア導体や導体回路の上面は半田パッド72A、72Bとして機能する。半田パッド72A、72B上に半田バンプ78A、78Bが形成されている。図6中のコア基板30に形成されているスルーホール導体36を拡大して図10Bに示す。コア基板30は、主面31Aと主面とは反対側の副面31Bとを有する絶縁基板31と絶縁基板31の主面上に形成されている第1樹脂絶縁層32Aと副面下に形成されている第2樹脂絶縁層32Bとからなる。コア基板30はコア基板を貫通する貫通孔33を有している。第1樹脂絶縁層32Aは表面と表面とは反対側の裏面とを有し、裏面と主面が対向している。第2樹脂絶縁層32Bは上面と上面とは反対側の下面とを有し、上面と副面が対向している。コア基板は第1面と第1面とは反対側の第2面とを有し、第1面と表面は同じ面であり、第2面と下面は同じ面である。絶縁基板31は補強材を有し、第1樹脂絶縁層32Aと第2樹脂絶縁層32Bは補強材を有していないことが好ましい。補強材として、ガラスクロスやアラミド繊維などを例示することができる。第1と第2樹脂絶縁層32A、32Bはシリカやアルミナなどの無機フィラーを有してもよい。スルーホール導体36は貫通孔33をめっきで充填している金属からなる。図11は、スルーホール導体用の貫通孔33を示している。貫通孔33は、コア基板30の第1面30A側からレーザを照射することで形成される第1開口部33Aとコア基板の第2面30B側からレーザを照射することで形成される第2開口部33Bとからなる。図11A-1はコア基板の第1面の平面図であり、図11A-2はコア基板の第2面の平面図である。第1開口部33Aはコア基板の第1面に第1開口33A-Aを有し、第2開口部33Bはコア基板の第2面に第2開口33B-Bを有する。第1開口部33Aと第2開口部33Bは絶縁基板31内で繋がっている。第1開口部33Aはコア基板の第1面から第2面に向かって細くなっていて、第2開口部33Bはコア基板の第2面から第1面に向かって細くなっている。図11は第1開口の重心を通りコア基板の第1面に垂直な直線第1重心線G1を含む平面で貫通孔33を切断することで得られる断面図である。図11が示すように、第1開口部の内壁は第1樹脂絶縁層と絶縁基板の界面で内側に屈曲していて、第2開口部の内壁は第2樹脂絶縁層と絶縁基板の界面で内側に屈曲している。屈曲する方向は第1重心線に向かう方向である。第1開口の重心を通りコア基板の第1面に垂直な直線と第2開口の重心を通りコア基板の第1面に垂直な直線第2重心線G2はオフセットしても良い図11B。第1重心線と第2重心線は重なる必要は無い。この場合、貫通孔がめっきで充填されやすい。第1開口部と第2開口部が接続する部分の面積が増える。スルーホール導体の接続信頼性が高くなる。第1開口部は第1-1開口部と第1-2開口部との接合部分に第3開口を有し、第2開口部は第2-1開口部と第2-2開口部との接合部分に第4開口を有する。第3開口の重心を通りコア基板の第1面に垂直な直線第3重心線G3と第1重心線はオフセットしても良い。第1重心線と第3重心線は重なる必要は無い。第4開口の重心を通りコア基板の第1面に垂直な直線第4重心線G4と第2重心線はオフセットしても良い。第2重心線と第4重心線は重なる必要は無い。貫通孔33がめっき膜で充填されやすい。スルーホール導体内のボイドが少なくなる。スルーホール導体の信頼性が高くなる。図7は第1重心線と第3重心線がオフセットしている場合に得られる貫通孔の断面図を示している。対向している貫通孔の内壁X、Yはコア基板の第1面に対し異なる角度θ1、θ2を有している。貫通孔をめっき膜で充填する場合、貫通孔は内壁Xと内壁Yから徐々にめっき膜で充填される。内壁Xとコア基板の第1面との角度θ1と内壁Yとコア基板の第1面との角度θ2が異なると、内壁X上のめっき膜に沿って貫通孔内に供給されるめっき液と内壁Y上のめっき膜に沿って貫通孔内に供給されるめっき液は異なる方向から貫通孔内へ侵入すると考えられる。また、めっき液は異なる角度で貫通孔内に供給されると考えられる。貫通孔内のめっき液が入れ替わり易い。貫通孔がめっきで充填されやすい。貫通孔を電解めっき膜で充填する時、電解めっきは析出速度が速いので電解めっき膜にボイドが入り易い。しかしながら、第1重心線と第3重心線がオフセットしている場合、開口部内のめっき液が入れ替わり易いので、第1開口部がめっき膜で充填され易い。同様に、第2重心線と第4重心線がオフセットしている場合、第2開口部がめっき膜で充填され易い。第1重線、第2重心線、第3重心線と第4重心線は全てオフセットしても良い。第1重線、第2重心線、第3重心線と第4重心線は全て重ならなくて良い。上述と同様な効果が得られる。コア基板が絶縁基板とその絶縁基板を挟む第1樹脂絶縁層と第2樹脂絶縁層とからなる場合、第3開口は絶縁基板と第1樹脂絶縁層との界面に形成されやすく、第4開口は絶縁基板と第2樹脂絶縁層との界面に形成されやすい。第1開口部は第1-1開口部33A-1と第1-2開口部33A-2とからなる。コア基板の第1面から第2面の方向に第1-1開口部が細くなる割合をΔW1とし、コア基板の第1面から第2面の方向に第1-2開口部が細くなる割合をΔW2とすると、ΔW1はΔW2より小さい。また、第2開口部は第2-1開口部33B-1と第2-2開口部33B-2とからなる。コア基板の第2面から第1面の方向に第2-1開口部33B-1が細くなる割合をΔW3とし、コア基板の第2面から第1面の方向に第2-2開口部が細くなる割合をΔW4とすると、ΔW3はΔW4より小さい。コア基板が絶縁基板とその絶縁基板を挟む第1樹脂絶縁層と第2樹脂絶縁層とからなる場合、第1-1開口部は第1樹脂絶縁層に形成され、第1-2開口部と第2-2開口部は絶縁基板に形成され、第2-1開口部は第2樹脂絶縁層に形成されるケースが多い。この場合、ΔW1は第1樹脂絶縁層の表面から裏面に向かって第1-1開口部が細くなる割合であり、ΔW2は絶縁基板の主面から副面に向かって第1-2開口部が細くなる割合であり、ΔW4は絶縁基板の副面から主面に向かって第2-2開口部が細くなる割合であり、ΔW3は第2樹脂絶縁層の下面から上面に向かって第2-1開口部が細くなる割合である。このため、第1開口部と第2開口部とが接合する部分接合部分33cの径Wminが大きくなり易い。そして、第1開口33A-Aや第2開口33B-Bの径を小さくすることができる。径Wminは貫通孔の最小径であり、図11中のWminに相当する。図11中のWminは第1開口部と第2開口部が交差する部分間の距離である。第1実施形態では、貫通孔の最小径が大きくなるので、接合部分33cでスルホール導体にクラックが入りがたくなる。また、第1開口の径と第2開口の径を小さくすることができる。第1の開口の径と第2の開口の径の内、大きい径が貫通孔の径に相当する。小径化によるスルーホール導体の信頼性の低下を防ぎながらスルーホール導体を高密度で配置することができる。図8Aは参考例の貫通孔を示している。参考例では、第1開口部333Aの内壁は直線的に変化している。同様に、第2開口部333Bの内壁は直線的に変化している。図8Bでは参考例の貫通孔に第1実施形態の貫通孔が重ねられている。参考例の内壁は実線で描かれている。第1実施形態の内壁の一部が破線で描かれている。第1実施形態の第1開口部は第1-1開口部と第1-2開口部とからなり、第1開口部の内壁は所定の位置a、bで屈曲している。コア基板の第1面から屈曲部a、bまでが第1-1開口部の内壁であり、第1-1開口部の内壁は破線Zで描かれている。屈曲部a、bから屈曲部c、dまでの内壁が第1-2開口部の内壁である。参考例の内壁と第1実施形態の第1-2開口部の内壁は重なっている図8B参照。第1開口部は第1-1開口部と第1-2開口部との境界で貫通孔の内側に屈曲している。第2開口部の内壁は所定の位置e、fで屈曲している。コア基板の第2面から屈曲部e、fまでが第2-1開口部の内壁であり、第2-1開口部の内壁は破線Vで描かれている。屈曲部e、fから屈曲部c、dまでの内壁が第2-2開口部の内壁である。参考例の内壁と第1実施形態の第2-2開口部の内壁は重なっている図8B参照。第2開口部は第2-1開口部と第2-2開口部との境界で貫通孔の内側に屈曲している。図8Bが示すように、参考例と第1実施形態で貫通孔の最小径Wminが同じ場合、第1実施形態の第1開口33A-Aの径W2は参考例の第1開口の径W1より小さく、第1実施形態の第2開口33B-Bの径W3は参考例の第2開口の径W4より小さい。参考例の貫通孔の最小径と第1実施形態の貫通孔の最小径が同等でも、第1実施形態の貫通孔の径WWは参考例の貫通孔の径より小さい。貫通孔の径WWはW2とW3の内、大きい径である。従って、第1実施形態では、参考例より、スルーホール導体の径貫通孔の径を小さくできる。第1実施形態は参考例よりスルーホール導体を狭ピッチに配置できる。第1実施形態ではコア基板を小さくすることができる。第1実施形態のスルーホール導体は、参考例のスルーホール導体より信頼性が優れる。第1実施形態と参考例を比較すると、図8Bに示すように、第1実施形態では貫通孔33の径WWに対する最小径Wminの比Wmin/WWが大きくなるため、熱収縮によるコア基板の反りなどに対して、スルーホール導体の信頼性を高くすることができる。図8Cでは参考例の貫通孔に第1実施形態の貫通孔が重ねられている。参考例の内壁は破線で描かれている。第1実施形態の内壁が実線で描かれている。第1実施形態の第1開口部33Aは第1-1開口部と第1-2開口部とからなり、第1開口部の内壁は所定の位置で屈曲している。第1-1開口部の内壁は実線Z‘で描かれている。第2開口部33Bの内壁は所定の位置で屈曲している。第2-1開口部の内壁は実線V’で描かれている。図8Cが示すように、参考例と第1実施形態で貫通孔の第1開口の径W1が同じ場合、第1実施形態の貫通孔の最小径D1は、参考例の貫通孔の最小径D2よりも大きい。即ち、第1実施形態では、第1開口の径に対して、貫通孔の最小径を大きくすることができるため、第1開口部と第2開口部とを精度高く接合することができる。また、貫通孔の最小径を大きくできるので、プリント配線板の反りを改善することができる。更に、貫通孔に充填されるスルーホール導体の信頼性を高めることができる。図9は第1重心線を含む平面でコア基板を切断することで得られる断面図である。コア基板の左側に示されている矢印はZ軸であり、コア基板の第1面に垂直な軸である。上方向が方向で下方向が-方向である。図9Aでは、コア基板が1種の材料からなっている。図9Aに示すように、第1実施形態では、第1開口部33Aは第1-1開口部33A-1と第1-2開口部33A-2とからなり、第2開口部33Bは第2-1開口部33B-1と第2-2開口部33B-2とからなる。第1開口部と第2開口部がコア基板の内部で繋がることで貫通孔が形成されている。第1-1開口部は第1開口を含む開口部であり、第1-2開口部はコア基板の内部で第1-1開口部に繋がっている開口部である。第2-1開口部は第2開口を含む開口部であり、第2-2開口部はコア基板の内部で第2-1開口部に繋がっている開口部である。第1開口部の内壁は第1-1開口部と第1-2開口部との境界で第1重心線の方向に屈曲している。第2開口部の内壁は第2-1開口部と第2-2開口部との境界で第1重心線の方向に屈曲している。第1開口部、第1-1開口部と第1-2開口部はコア基板の第1面から第2面に向かって徐々に細くなっている。第1-1開口部が細くなるなっている割合をΔW1とし、第1-2開口部が細くなるなっている割合をΔW2とすると、ΔW2はΔW1より大きい。ΔW1とΔW2はZ軸の-方向に第1-1開口部と第1-2開口部が細くなる割合である。図9A内のH1は第1-1開口部33A-1の内径であり、所定位置において向かい合う第1-1開口部の内壁間の距離である。H1の大きさはコア基板の第1面から第2面に向かって小さくなっているH1の大きさはZ軸のマイナス方向に向かって小さくなっている。その変化量はΔH1である。図9A内のH2は第1-2開口部33A-2の内径であり、所定位置において向かい合う第1-2開口部の内壁間の距離である。H2の大きさはコア基板の第1面から第2面に向かって小さくなっているH2の大きさはZ軸のマイナス方向に向かって小さくなっている。その変化量はΔH2である。ΔH2はΔH1より大きい。第2開口部33B、第2-1開口部33B-1と第2-2開口部33B-2はコア基板の第2面から第1面に向かって徐々に細くなっている。第2-1開口部が細くなるなっている割合をΔW3とし、第2-2開口部が細くなるなっている割合をΔW4とすると、ΔW4はΔW3より大きい。ΔW3とΔW4はZ軸の方向に第2-1開口部と第2-2開口部が細くなる割合である。図9A内のH3は第2-1開口部33B-1の内径であり、所定位置における向かい合う第2-1開口部の内壁間の距離である。H3の大きさはコア基板の第2面から第1面に向かって小さくなっているH3の大きさはZ軸の方向に向かって小さくなっている。その変化量はΔH3である。図9A内のH4は第2-2開口部33B-2の内径であり、所定位置において向かい合う第2-2開口部の内壁間の距離である。H4の大きさはコア基板の第2面から第1面に向かって小さくなっているH4の大きさはZ軸のプラス方向に向かって小さくなっている。その変化量はΔH4である。ΔH4はΔH3より大きい。図9Bはコア基板が絶縁基板と絶縁基板を挟む樹脂絶縁層とからなる例を示している。第1-1開口部は第1樹脂絶縁層を貫通する開口であり、第1-2開口部は絶縁基板の主面側に形成されている開口である。第1-1開口部は第1樹脂絶縁層の表面から裏面に向かって徐々に細くなっている。その割合はΔW1である。第1-2開口部は絶縁基板の主面から副面に向かって徐々に細くなっている。その割合はΔW2である。ΔW2はΔW1より大きい。ΔW1とΔW2はZ軸の-方向に第1-1開口部と第1-2開口部が細くなる割合である。図9B内のH1は第1-1開口部の内径であり、所定位置において向かい合う第1-1開口部の内壁間の距離である。H1の大きさは第1樹脂絶縁層の表面から裏面に向かって小さくなっているH1の大きさはZ軸のマイナス方向に向かって小さくなっている。図9B内のH2は第1-2開口部の内径であり、所定位置において向かい合う第1-2開口部の内壁間の距離である。H2の大きさは絶縁基板の主面から副面に向かって小さくなっているH2の大きさはZ軸のマイナス方向に向かって小さくなっている。第2-1開口部は第2樹脂絶縁層を貫通する開口であり、第2-2開口部は絶縁基板の副面側に形成されている開口である。第2-1開口部は第2樹脂絶縁層の下面から上面に向かって徐々に細くなっている。その割合はΔW3である。第2-2開口部は絶縁基板の副面から主面に向かって徐々に細くなっている。その割合はΔW4である。ΔW4はΔW3より大きい。ΔW3とΔW4はZ軸のプラス方向に第2-1開口部と第2-2開口部が細くなる割合である。図9B内のH3は第2-1開口部の内径であり、所定位置において向かい合う第2-1開口部の内壁間の距離である。H3の大きさは第2樹脂絶縁層の下面から上面に向かって小さくなっているH3の大きさはZ軸のプラス方向に向かって小さくなっている。その量はΔH3である。図9B内のH4は第2-2開口部の内径であり、所定位置において向かい合う第2-2開口部の内壁間の距離である。H4の大きさは絶縁基板の副面から主面に向かって小さくなっているH4の大きさはZ軸のプラス方向に向かって小さくなっている。その変化量はΔH4である。ΔH4はΔH3より大きい。第1開口部内でΔW1とΔW2の大きさが異なるので、第1開口部は第1-1開口部と第1-2開口部との境界で屈曲する。同様に、第2開口部内でΔW3とΔW4の大きさが異なるので、第2開口部は第2-1開口部と第2-2開口部との境界で屈曲する。第1開口部内でΔH1とΔH2の大きさが異なるので、第1開口部は第1-1開口部と第1-2開口部との境界で屈曲する。同様に、第2開口部内でΔH3とΔH4の大きさが異なるので、第2開口部は第2-1開口部と第2-2開口部との境界で屈曲する。コア基板を構成する絶縁基板と樹脂絶縁層を同条件でレーザにより開口部を形成する場合、樹脂絶縁層に開口部を形成することは絶縁基板に開口部を形成することより容易であることが望ましい。1種の材料で形成されているコア基板図9Aより、屈曲部を有する第1開口部や第2開口部を容易に形成することができる。第1実施形態や参考例の貫通孔図8、図9を導体で充填することで得られるスルーホール導体が図10に示されている。図10Aは参考例のスルーホール導体360を示し、図10B、Eは第1実施形態のスルーホール導体を示している。図10B、Eでは、第1重心線と第2重心線がオフセットしている。図10Bのコア基板は絶縁基板と絶縁基板を挟む第1樹脂絶縁層と第2樹脂絶縁層とからなる。図10Eのコア基板は1種類の材料からなっている。貫通孔を充填する導体として、めっき膜からなる金属や導電性ペーストを例示することができる。めっき膜としては、電解めっき膜や無電解めっき膜を挙げることができる。スルーホール導体としては、貫通孔の内壁に形成されているシード層とシード層上の電解めっき膜とからなる金属が好ましい。電解めっき膜が貫通孔を充填する。シード層として、スパッタ膜や無電解めっき膜を例示することができる。第1実施形態のスルーホール導体36は、第1-1開口部、第1-2開口部、第2-1開口部と第2-2開口部を充填している導体からなっている。第1-1開口部を充填している導体はコア基板の第1面から第2面の方向に向かって細くなっている。その割合はδ1である。第1-2開口部を充填している導体はコア基板の第1面から第2面の方向に向かって細くなっている。その割合はδ2である。δ1の大きさとδ2の大きさが異なるので、スルーホール導体はコア基板内で屈曲する。そのため、第1開口部内のスルーホール導体は屈曲部36dを有する。第2-1開口部を充填している導体はコア基板の第2面から第1面の方向に向かって細くなっている。その割合はδ4である。第2-2開口部を充填している導体はコア基板の第2面から第1面の方向に向かって細くなっている。その割合はδ3である。δ3の大きさとδ4の大きさが異なるので、スルーホール導体はコア基板内で屈曲する。そのため、第2開口部内のスルーホール導体は屈曲部36eを有する。コア基板が絶縁基板とその絶縁基板を挟む第1樹脂絶縁層と第2樹脂絶縁層とからなる場合、屈曲部36dは第1樹脂絶縁層と絶縁基板との界面に位置し、屈曲部36eは第2樹脂絶縁層と絶縁基板との界面に位置する。さらに、第1実施形態のスルーホール導体は第1開口部と第2開口部との接合部に屈曲部36fを有する。それに対し、参考例は第1-2開口部と第2-2開口部とを有していない。このため、参考例のスルーホール導体は第1開口部と第2開口部との接合部に屈曲部を有しているが、第1-1開口部と第1-2開口部の境界や第2-1開口部と第2-2開口部の境界で屈曲部を有しない。図10C、D、Fはスルーホール導体が屈曲している部分を示している。丸で囲まれている部分が屈曲部である。図10Cは参考例のスルーホール導体360であり、図10D、Fは第1実施形態のスルーホール導体36である。コア基板が反ると屈曲する部分に応力が集中し易いと考えられる。断面図において、参考例と第1実施形態を比較すると、参考例のスルーホール導体の屈曲部分は2箇所であり、第1実施形態のスルーホール導体の屈曲部は6箇所である。第1実施形態のスルーホール導体は参考例のスルーホール導体より多くの屈曲部を有している。そのため、第1実施形態と参考例を比較すると、第1実施形態は参考例より、スルーホール導体にかかる応力が多くの箇所に分散されると考えられる。従って、第1実施形態のスルーホール導体は参考例のスルーホール導体より信頼性が高いと考えられる。図10Dと図10Fを比較すると、図10Dでは、樹脂絶縁層と絶縁基板の強度を変えることができる。第1-1開口部と第1-2開口部の境界でスルーホール導体が曲がる程度と第1開口部と第2開口部の接合部分でスルーホール導体が曲がる程度を比較すると後者が大きい。第1開口部と第2開口部の接合部分でスルーホール導体が破壊され易い。しかしながら、絶縁基板の強度を樹脂絶縁層の強度より高くすることで、絶縁基板の変形を小さくできるので、第1開口部と第2開口部の接合部分に集中する応力を小さくすることができる。この点から、コア基板は絶縁基板と絶縁基板を挟む第1樹脂絶縁層と第2樹脂絶縁層とからなり、絶縁基板の強度は第1樹脂絶縁層及び第2樹脂絶縁層の強度より高いことが好ましい。このため、第1実施形態のスルーホール導体は、コア基板の反りなどで発生するストレスに対して、参考例よりも耐性が高いと考えられる。コア基板が絶縁基板と絶縁基板を挟む第1樹脂絶縁層と第2樹脂絶縁層とからなる場合、第1樹脂絶縁層32Aと第2樹脂絶縁層32Bに薬品に溶解する成分を含有させることができる。薬液で樹脂絶縁層の表面に存在する可溶性成分を溶解することで、樹脂絶縁層の表面に粗面を形成することができる。コア基板30の表面に粗面32αを形成することで、コア基板30の第1面と第2面にアディティブ法で第1と第2の回路を形成することができる。サブトラクティブ法でなくアディティブ法でコア基板上に回路を形成することができるので、コア基板上の回路の幅や回路間の間隔を小さくすることできる。このため、コア基板上のビルドアップ層の層数を減らすことが可能になる。引き続き、多層プリント配線板10の製造方法について図1~図5を参照して説明する。1補強材と樹脂とからなる絶縁基板31を用意する図1A。絶縁基板31の厚さは0.2~0.8mmである。補強材として、ガラスクロス、アラミド繊維、ガラス繊維を例示することができる。補強材としてガラスクロスが強度の点から好ましい。樹脂として、エポキシ樹脂やBTビスマレイミドトリアジン樹脂を例示することができる。樹脂中に水酸化物からなる粒子を分散させることができる。水酸化物としては、AlOH3、MgOH2、CaOH2、BaOH2などの金属水酸化物が好ましい。絶縁基板の熱膨張係数を小さくすることができる。レーザで絶縁基板に第1-2開口部や第2-2開口部を形成するとき、ΔW2とΔW4の値を大きくすることができる。水酸化物は熱で分解し水が生成する。そのため、水酸化物は絶縁基板を構成する材料から熱を奪うことが可能と考えられる。つまり、絶縁基板が水酸化物を含むことで、絶縁基板はレーザで加工され難くなると考えられる。第1-1開口部と第1-2開口部とからなる第1開口部を形成することや第2-1開口部と第2-2開口部とからなる第2開口部を形成することが容易になる。開口部がCO2レーザで形成される場合、絶縁基板は水酸化物を含むことが好ましい。絶縁性基板31の主面31A及び副面31Bに、樹脂絶縁層用樹脂フィルム味の素社製:商品名;ABF-45SH32を積層する。加熱プレスにより、絶縁基板と樹脂絶縁層とからなるコア基板が得られる図1B。コア基板は第1面30Aと第1面と反対側の第2面30Bとを有している。絶縁基板31の主面上に形成されている樹脂絶縁層が第1樹脂絶縁層32Aである。第1樹脂絶縁層は表面と表面とは反対側の裏面とを有している。裏面と主面は対向している。絶縁基板31の副面下に形成されている樹脂絶縁層が第2樹脂絶縁層32Bである。第2樹脂絶縁層は上面と上面とは反対側の下面とを有している。副面と上面は対向している。樹脂絶縁層用樹脂フィルムは、薬品に溶解する成分と熱膨張率調整用の無機粒子とを含有している。第1樹脂絶縁層の材質と第2樹脂絶縁層の材質と絶縁基板の材質を同じ材質にすることができる。しかしながら、第1樹脂絶縁層と第2樹脂絶縁層は補強材を有さず、絶縁基板は補強材を有することが好ましい。ΔW1とΔW2の大きさを容易に変えることができる。ΔW3とΔW4の大きさを容易に変えることができる。ΔH1とΔH2の大きさを容易に変えることができる。ΔH3とΔH4の大きさを容易に変えることができる。2コア基板30の第1面30A側からCO2ガスレーザにて、レーザを照射してコア基板の第1面側に第1開口部33Aを形成する図1C。3コア基板30の第2面30B側からCO2ガスレーザにて、レーザを照射してコア基板の第2面側に第2開口部33Bを形成する。第1開口部と第2開口部が絶縁基板31内で連結することで、貫通孔33が形成される図1D。図1D中の貫通孔33を拡大して図11と図14に示す。図11では、コア基板が樹脂絶縁層と絶縁基板からなっている。樹脂絶縁層と絶縁基板は同じ材質でも異なる材質でもよい。異なる材質が好ましい。図14ではコア基板が1つの絶縁基板または1つの樹脂絶縁層からなっている。図11Aと図14Aは第1重心線、第2重心線、第3重心線と第4重心線が一致している例を示している。図11Bと図14Bは第1重心線と第3重心線が一致し、第2重心線と第4重心線は一致しているが、第1重心線と第2重心線がオフセットしている例を示している。図11Cと図14Cは、第2重心線と第4重心線は一致しているが、第1重線、第2重心線と第3重心線がそれぞれオフセットしている例を示している。図11Dと図14Dは第1重心線、第2重心線、第3重心線と第4重心線がそれぞれオフセットしている例を示している。第1開口部はコア基板の第1面から第2面に向かって細くなっている。図11では、第1開口部の内壁は絶縁基板と第1樹脂絶縁層の界面で第1開口部の内部の方向に屈曲している。第2開口部はコア基板の第2面から第1面に向かって細くなっている。第2開口部の内壁は絶縁基板と第2樹脂絶縁層の界面で第2開口部の内部の方向に屈曲している。第1開口部33Aの縮径する割合は、第1樹脂絶縁層内より絶縁基板31内で大きい。同様に、第2開口部33Bの縮径する割合は、第2樹脂絶縁層内より絶縁基板内31で大きい。第1開口部はコア基板の第1面から第2面に向かって細くなっている。図14では、第1開口部の内壁は第1-1開口部と第1-2開口部との境界で第1開口部の内部の方向に屈曲している。第2開口部はコア基板の第2面から第1面に向かって細くなっている。第2開口部の内壁は第2-1開口部と第2-2開口部との境界で第2開口部の内部の方向に屈曲している。第1開口部33Aの縮径する割合は、第1-1開口部より第1-2開口部の方が大きい。同様に、第2開口部33Bの縮径する割合は、第2-1開口部より第2-2開口部の方が大きい。以下に、図11と図14に示されている貫通孔の形成方法を示す。図11と図14に示す貫通孔は以下のような加工方法で形成することができる。第1開口部や第2開口部が複数のパルスのレーザ照射で形成される場合、所定パルス以降のレーザの強度を弱くする。例えば、第1開口部や第2開口部が2パルスのレーザ照射で形成される場合、2パルス目のレーザの強度を1パルス目のレーザの強度より弱くする。1パルス目で形成される開口が第1-1開口部や第2-1開口部であり、2パルス目で形成される開口が第1-2開口部や第2-2開口部である。これにより、1パルス目で形成される開口と2パルス目で形成される開口の形状を変えることができる。2パルス目のエネルギーは1パルス目のエネルギーより弱いので、第1開口部は第1-1開口部と第1-2開口部の境界で内側へ屈曲する。同様に、第2開口部は第2-1開口部と第2-2開口部の境界で内側へ屈曲する。それぞれの重心線の位置を変えることは、レーザを照射する位置を変えることで可能である。より詳しいことは以下に示されている。その他の例が以下に示されている。コア基板がレーザ加工されがたい絶縁基板とその絶縁基板を挟むレーザ加工され易い樹脂絶縁層とからなることで、図11に示す貫通孔を形成することができる。この場合、樹脂絶縁層と絶縁基板を同じレーザ強度で加工する場合、樹脂絶縁層と絶縁基板で加工される量が異なる。樹脂絶縁層は絶縁基板より加工される量が多い。これにより、樹脂絶縁層に形成される開口と絶縁基板に形成される開口の形状を変えるここができる。樹脂絶縁層に形成される開口が第1-1開口部と第2-1開口部であり、絶縁基板に形成される開口が第1-2開口部と第2-2開口部である。絶縁基板は樹脂絶縁層よりレーザで加工され難いので、第1開口部は第1-1開口部と第1-2開口部の境界で内側へ屈曲する。同様に、第2開口部は第2-1開口部と第2-2開口部の境界で内側へ屈曲する。この場合、境界は概ね樹脂絶縁層と絶縁基板との界面に位置する。但し、第1開口部と第2開口部が屈曲する位置は絶縁基板内であっても良い。なぜなら、上述と同様な効果が発揮されるからである。絶縁基板と樹脂絶縁層の組み合わせの例を以下に示す。絶縁基板は補強材と樹脂とからなり、樹脂絶縁層は無機粒子と樹脂とからなる。絶縁基板が補強材を有するため、絶縁基板は樹脂絶縁層よりレーザで加工されがたい。第1開口部と第2開口部が屈曲する位置は、樹脂絶縁層と絶縁基板との界面から絶縁基板内の補強材との間であることが好ましい。補強材内で屈曲する場合は含まれる図12C参照。その他の例として、樹脂絶縁層が酸化物からなる粒子を含有し、絶縁基板が水酸化物からなる粒子を含有している例を挙げることができる。絶縁基板が水酸化物からなる粒子を有するため、絶縁基板は樹脂絶縁層よりレーザで加工されがたい。酸化物からなる粒子として、アルミナ、シリカ、酸化バリウムなどを挙げることができる。絶縁基板は樹脂と補強材とからなり、樹脂絶縁層は無機粒子と樹脂とからなり、補強材を有しない。この場合でも、図11に示される貫通孔が得られる。さらに、絶縁基板は水酸化物からなる粒子を有し、樹脂絶縁層は水酸化物からなる粒子を含まないことが好ましい。図11Aや図14Aの貫通孔は以下の方法で形成することができる方法例1。コア基板の第1面の所定位置に1パルス目のレーザを照射する。この位置を位置Mとする。同じ位置に2パルス目のレーザを照射する。1パルス目のレーザエネルギーは2パルス目のレーザエネルギーより強い。これにより、第1-1開口部と第1-2開口部とからなる第1開口部が形成される。続いて、コア基板の第2面に1パルス目のレーザを照射する。1パルス目のレーザの位置位置Nは位置Mに対向する位置である。つまり、1パルス目のレーザの位置位置Nは、位置Mを通りコア基板の第1面と垂直な直線とコア基板の第2面と交わる点である。同じ位置に2パルス目のレーザを照射する。1パルス目のレーザエネルギーは2パルス目のレーザエネルギーより強い。第1開口部と第2開口部が繋がることで、図11Aや図14Aに示される貫通孔が形成される。この方法で利用できるコア基板として、樹脂と無機粒子とからなるコア基板400や樹脂と補強材とからなるコア基板400や無機粒子と樹脂と補強材とからなるコア基板400や水酸化物からなる粒子と樹脂と補強材とからなるコア基板400や絶縁基板とその絶縁基板を挟む樹脂絶縁層とからなるコア基板30を使うことが出来る。絶縁基板と樹脂絶縁層に同条件でレーザにより開口を形成すると、樹脂絶縁層に開口を形成することは絶縁基板に開口を形成することより容易である。図11Bの貫通孔は以下の方法で形成することができる方法例2。図11Bに示されているコア基板は、補強材と金属水酸化物と樹脂とからなる絶縁基板と無機粒子と樹脂とからなり絶縁基板を挟んでいる樹脂絶縁層とからなる。コア基板の第1面の所定位置位置Oにレーザを照射して第1-1開口部と第1-2開口部とからなる第1開口部33Aを形成する図15A。続いて、コア基板の第2面の所定位置位置Pにレーザを照射して第2-1開口部と第2-2開口部とからなる第2開口部33Bを形成する図15B。位置Oと位置Pは対向していない。つまり、位置Pは、位置Oを通りコア基板の第1面と垂直な直線とコア基板の第2面と交わる点から所定距離離れている。これにより、第1開口部と第2開口部が絶縁機基板内で繋がることで図11Bに示されている貫通孔が形成される。図11Cや図14Cの貫通孔は方法例1をモディファイすることで形成することができる方法例3。方法例1において、コア基板の第1面に照射する1パルス目のレーザの位置と2パルス目のレーザの位置位置Qをずらすことで、図11Cや図14Cの貫通孔が得られる。図11Cの貫通孔は第1開口部と第2開口部が繋がることで得られる。この時、2パルス目のレーザの径は1パルス目のレーザの径より小さいことが好ましい。図11Cの貫通孔は方法例2をモディファイすることで形成することができる方法例4。方法例2において、コア基板の第1面に照射されるレーザのパルス数を方法1と同様に複数にする。コア基板の第1面に照射する1パルス目のレーザの位置位置Oと2パルス目のレーザの位置位置Sをずらすことで図15C、図11Cの貫通孔が得られる。図11Cの貫通孔は第1開口部と第2開口部が絶縁基板内で繋がることで得られる。この時、2パルス目のレーザの径は1パルス目のレーザの径より小さいことが好ましい。図11Dや図14Dの貫通孔は方法例3をモディファイすることで形成することができる方法例5。方法例5では、コア基板の第2面に照射される2パルス目のレーザの位置位置Rは1パルス目のレーザの照射位置からを所定距離離れている。図11Dや図14Dの貫通孔は第1開口部と第2開口部が繋がることで得られる。この時、2パルス目のレーザの径は1パルス目のレーザの径より小さいことが好ましい。位置Mを通りコア基板の第1面に垂直な直線直線Mと位置Nを通りコア基板の第1面に垂直な直線直線Nと位置Qを通りコア基板の第1面に垂直な直線直線Qと位置Rを通りコア基板の第1面に垂直な直線直線Rは重ならない図15D。図11Dの貫通孔は方法例4をモディファイすることで形成することができる方法例6。方法例6では、コア基板の第2面に照射されるレーザのパルス数を複数にする。コア基板の第2面に照射される2パルス目のレーザの位置位置Rは1パルス目のレーザの照射位置からを所定距離離れている。この時、2パルス目のレーザの径は1パルス目のレーザの径より小さいことが好ましい。図11Dの貫通孔は第1開口部と第2開口部が繋がることで得られる。位置Oを通りコア基板の第1面に垂直な直線直線Oと位置Pを通りコア基板の第1面に垂直な直線直線Pと位置Sを通りコア基板の第1面に垂直な直線直線Sと位置Rを通りコア基板の第1面に垂直な直線直線Rは重ならない。いずれの方法例においても、図12A、Bに示されるエネルギー強度を有するレーザが照射されることが好ましい。長さがレーザの強度を模式的に示している。中心部の強度は外周部の強度より強い。中心から外周に向かってレーザの強度は指数関数的または直線的に弱くなっている。第1重心線と第3重心線とをオフセットするために、第1-1開口部を形成するためのレーザ照射位置と第1-2開口部を形成するためのレーザ照射位置が所定距離離される場合、第1-1開口部を形成するためのレーザの径は第1-2開口部を形成するためのレーザの径より大きいことが好ましい。第2重心線と第4重心線とをオフセットするために、第2-1開口部を形成するためのレーザ照射位置と第2-2開口部を形成するためのレーザ照射位置が所定距離離される場合、第2-1開口部を形成するためのレーザの径は第2-2開口部を形成するためのレーザの径より大きいことが好ましい。4貫通孔33を有するコア基板30は、60g/lの過マンガン酸を含む80°Cの溶液に10分間浸漬される。樹脂絶縁層32の表面に粗面32αが形成される図1E。コア基板の第1面とコア基板の第2面に粗面が形成される。5コア基板30の表面に、パラジウム触媒アトテック製を付与する。その後、無電解めっき液にコア基板を浸漬する。コア基板の第1面、第2面と貫通孔の内壁に無電解めっき膜23が形成される図2A参照。無電解めっき膜として、無電解銅めっき膜や無電解ニッケルめっき膜を例示することができる。厚さは0.2μm~0.6μmである。無電解めっき膜23上にめっきレジスト25が形成される図2B。無電解めっき膜をシード層として、めっきレジストから露出している無電解めっき膜上に電解めっき膜を形成する。貫通孔33は電解めっき膜24で充填される図2C。無電解めっき膜の代わりに、貫通孔33の内壁とコア基板の表面にスパッタ膜を形成することができる。6めっきレジストが除去される。めっきレジストを除去することで露出する無電解めっき膜がエッチングで除去される。コア基板の第1面に第1の回路34Aが形成される。コア基板の第2面に第2の回路34Bが形成される図3A参照。プリント配線板1000が完成する。第1の回路は第1の導体回路34ACや第1のスルーホールランド第1のランド34ALを有する。第1の導体回路はコア基板の第1面に形成されている回路であり、第1のスルーホールランド34ALは、スルーホール導体を覆う回路とコア基板の第1面上であってスルーホール導体の周りに形成されている回路とからなる。第2の回路は第2の導体回路34BCや第2のスルーホールランド第2のランド34BLを有する。第2の導体回路34BCはコア基板の第2面に形成されている回路であり、第2のスルーホールランド34BLは、スルーホール導体を覆う回路とコア基板の第2面上であってスルーホール導体の周りに形成されている回路とからなる。上述の例では、コア基板が樹脂絶縁層と絶縁基板からなっているが、コア基板は1つの絶縁基板や1つの樹脂絶縁層からなってもよい。製造方法が簡略化できる。上述の方法図1から図3A以外の方法で、プリント配線板を製造する方法が図13に示されている。この例では、1つの絶縁基板または1つの樹脂絶縁層が出発材料である図13A。1つの絶縁基板400Aまたは1つの樹脂絶縁層400Aに銅箔401が積層される図13B。1つの絶縁基板または1つの樹脂絶縁層の第1面30Aにレーザが照射される。1つの絶縁基板または1つの樹脂絶縁層の第1面側に第1開口部33Aが形成される図13C。1つの絶縁基板または1つの樹脂絶縁層の第2面30Bにレーザが照射される。1つの絶縁基板または1つの樹脂絶縁層の第2面側に第2開口部33Bが形成される。第1開口部33Aと第2開口部33Bが1つの絶縁基板または1つの樹脂絶縁層内で繋がることで貫通孔33が形成される図13D。貫通孔を有するコア基板が完成する。貫通孔は上述のいずれかの方法により形成することができる。コア基板の表面と貫通孔の内壁に無電解めっきなどでシード層323が形成される。シード層323上に電解めっき膜324を形成する。貫通孔33が電解めっき膜324で充填される図13E。エッチングによりコア基板上に導体回路34AC、34BCとランド34AL、34BLを形成することで、プリント配線板1000が完成する図13F。7次に、第1と第2の回路34A、34Bの表面に粗化層34βが形成される図3B。8回路を有するコア基板30の両面に、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム味の素社製:商品名;ABF-45SHが積層される。硬化することで、コア基板の両面に層間樹脂絶縁層50A、50Bが形成される図3C。9CO2ガスレーザにて層間樹脂絶縁層50A、50Bに導体回路やスルーホールランドに到達するビア導体用開口51が形成される図3D。10ビア導体用開口51を有する基板は、60g/lの過マンガン酸を含む80°Cの溶液に10分間浸漬される。ビア導体用開口51の内壁を含む層間樹脂絶縁層50A、50Bの表面に粗面50αが形成される図4A。触媒液に基板を浸漬することにより、層間樹脂絶縁層の表面およびビア導体用開口の内壁面に触媒核が付着される。11次に、上村工業社製の無電解銅めっき水溶液スルカップPEAに基板を浸漬することで、ビア導体用開口51の内壁を含む層間樹脂絶縁層50A、50Bの表面に無電解銅めっき膜52が形成される図4B。12無電解銅めっき膜52上にめっきレジスト54が形成される。めっきレジスト54から露出する無電解めっき膜上に、電解銅めっき膜56が形成される図4C。13めっきレジスト54が除去される。電解銅めっき膜間の無電解めっき膜をエッチングで除去することで独立の導体回路58A、58B、及び、ビア導体60A、60Bが形成される図4D。多層配線板300が得られる。14ついで、導体回路58A、58B及びビア導体60A、60Bの表面に粗化層58αが形成される図5A。15次に、多層配線板300の両面に、開口71A、71Bを有するソルダーレジスト層70A、70Bが形成される図5B。開口71A、71Bにより導体回路58A、58Bやビア導体60A、60Bの上面が露出する。開口71A、71Bにより露出する導体回路58A、58Bやビア導体60A、60Bの上面が半田パッド72A、72Bとして機能する。16半田パッド上ニッケルめっき層を形成し、さらに、ニッケルめっき層上に、金めっき層を形成する図5C。半田パッド上に、ニッケル-金層以外に、ニッケル-パラジウム-金層を形成してもよい。17この後、ソルダーレジスト層の開口部71A、71Bにそれぞれ半田ボールを搭載し、230°Cでリフローすることにより、半田パッド上に半田バンプ78A、78Bが形成される図6。第1実施例1ガラスクロスとエポキシ樹脂と水酸化マグネシウムとからなる絶縁基板31を用意する図1A。絶縁基板31の厚さは0.2mmである。絶縁基板31は主面31Aと主面と反対側の副面31Bとを有している。絶縁基板の両面に、樹脂絶縁層用樹脂フィルム味の素社製:商品名;ABF-45SH32を積層する。加熱プレスにより、絶縁基板と樹脂絶縁層とからなるコア基板が得られる図1B。樹脂絶縁層は、KMnO4溶液に溶解する成分と熱膨張率調整用のシリカとを含有している。第1樹脂絶縁層と第2樹脂絶縁層は補強材を有していない。2コア基板30の第1面30Aの所定の位置位置1にCO2ガスレーザにてレーザを照射する。照射されるレーザ数は4パルスである。コア基板の第1面側に第1-1開口部と第1-2開口部とからなる第1開口部33Aが形成される図1C。第1-1開口部は第1樹脂絶縁層に形成されている開口部であり、第1-2開口部は絶縁基板に形成されている開口部である。第1樹脂絶縁層32Aは絶縁基板31よりレーザで加工されやすいので、第1開口部は第1-1開口部と第1-2開口部の境界で内側へ屈曲している。屈曲している位置は第1樹脂絶縁層32Aと絶縁基板31との界面とほぼ一致している。3コア基板30の第2面30Bの所定の位置位置2にCO2ガスレーザにてレーザを照射する。位置1を通りコア基板の第1面に垂直な直線とコア基板の第2面との交点が位置2である。第1重心線と第2重心線が重なっている。照射されるレーザ数は4パルスである。コア基板の第2面側に第2-1開口部と第2-2開口部とからなる第2開口部33Bが形成される図1D。第1開口部と第2開口部が繋がることで貫通孔が形成される。第2-1開口部は第2樹脂絶縁層に形成されている開口部であり、第2-2開口部は絶縁基板に形成されている開口部である。第2樹脂絶縁層32Bは絶縁基板31よりレーザで加工されやすいので、第2開口部は第2-1開口部と第2-2開口部の境界で内側へ屈曲している。屈曲している位置は第2樹脂絶縁層32Bと絶縁基板31との界面とほぼ一致している。図11Aに示される貫通孔が形成される。4貫通孔33を有するコア基板30を、60g/lの過マンガン酸を含む80°Cの溶液に10分間浸漬する。樹脂絶縁層32の表面に粗面32αが形成される図1E。コア基板の第1面と第2面に粗面が形成される。5コア基板30表面に、パラジウム触媒アトテック製を付与する。その後、無電解銅めっき液上村工業社製にコア基板を浸漬する。コア基板の第1面、第2面と貫通孔の内壁に無電解銅めっき膜23が形成される図2A参照。無電解銅めっき膜の厚さは0.4μmである。無電解めっき膜23上にめっきレジスト25が形成される図2B。無電解めっき膜23をシード層として、めっきレジスト25から露出している無電解めっき膜上に電解銅めっき膜24を形成する。貫通孔33は電解銅めっき膜24で充填される図2C。6めっきレジストが除去される。めっきレジストを除去することで露出する無電解銅めっき膜がエッチングで除去される。コア基板の第1面に第1の導体回路34ACや第1のスルーホールランド34ALが形成され、コア基板の第2面に第2の導体回路34BCや第2のスルーホールランド34BLが形成される。同時に、第1と第2の導体回路とを接続するスルーホール導体36が形成される図3A参照。電解銅めっき膜の厚さは略15μmである。第1実施例のプリント配線板1000が完成する。第2実施例1ガラスクロスとエポキシ樹脂とからなるプリプレグ400を用意する図13A。プリプレグの両面に12μmの銅箔401が積層される。加熱プレスによりプリプレグが硬化することで銅箔を有するコア基板30が得られる図13B。2コア基板30の第1面30Aの所定の位置位置10にCO2ガスレーザにてレーザを照射する。照射されるレーザ数は4パルスである。1パルス目と2パルス目のレーザの強度は同じであり、3パルス目と4パルス目のレーザの強度は同じである。1パルス目のレーザの強度は3パルス目のレーザの強度より強い。照射される位置は全て同じ位置位置10である。コア基板の第1面側に第1-1開口部33A-1と第1-2開口部33A-2とからなる第1開口部33Aが形成される図13C。レーザの強度が3パルス以降弱くなっているので、第1開口部33Aは第1-1開口部33A-1と第1-2開口部33A-2との境界で内側へ屈曲している。コア基板30の第2面30Bの所定の位置位置11にCO2ガスレーザにてレーザを照射する。照射されるレーザ数は4パルスである。1パルス目と2パルス目のレーザの強度は同じであり、3パルス目と4パルス目のレーザの強度は同じである。1パルス目のレーザの強度は3パルス目のレーザの強度より強い。照射される位置は全て同じ位置位置11である。コア基板の第2面側に第2-1開口部33B-1と第2-2開口部33B-2とからなる第2開口部33Bが形成される。第1開口部と第2開口部とからなる貫通孔33が形成される図13D。位置10を通りコア基板の第1面に垂直な直線とコア基板の第2面との交点は位置11から所定距離離れている。レーザの強度が3パルス以降弱くなっているので、第2開口部は第2-1開口部と第2-2開口部との境界で内側へ屈曲している。図14Bに示される貫通孔33が形成される。コア基板の第1面、第2面と貫通孔の内壁にスパッタで銅膜323が形成される。銅膜323をシード層として、コア基板の第1面と第2面上に電解銅めっき膜324が形成される。同時に貫通孔33は電解銅めっき膜324で充填される図13E。電解銅めっき膜上にエッチングレジストが形成される。エッチングレジストから露出する電解銅めっき膜、銅膜と銅箔がエッチングで除去される。コア基板の第1面に第1の導体回路34ACや第1のスルーホールランド34ALが形成され、コア基板の第2面に第2の導体回路34BCや第2のスルーホールランド34BLが形成される。同時に、第1と第2の導体回路とを接続するスルーホール導体36が形成される。電解銅めっき膜の厚さは略15μmである。第2実施例のプリント配線板1000が完成する図13F。第3実施例第3実施例のプリント配線板の作り方は第1実施例の変更例である。第3実施例のコア基板の作成方法は第1実施例と同様である。コア基板の第1面の所定位置位置10に1パルス目と2パルス目のレーザが照射される。その後、位置10から所定距離離れている位置位置100に3パルス目と4パルス目のレーザが照射される。1パル目のレーザの強度と2パルス目のレーザの強度は同等であり、3パル目のレーザの強度と4パルス目のレーザの強度は同等である。1パルス目のレーザの強度は3パルス目のレーザの強度より強い。1パル目のレーザの径と2パルス目のレーザの径は同等であり、3パル目のレーザの径と4パルス目のレーザの径は同等である。1パルス目のレーザの径は3パルス目のレーザ径より大きい。コア基板の第2面の所定位置位置20に1パルス目から4パルス目のレーザが照射される。位置10を通りコア基板の第1面に垂直な直線とコア基板の第2面との交点交点1は位置20から所定距離離れている。また、位置100を通りコア基板の第1面に垂直な直線とコア基板の第2面との交点交点2は位置20から所定距離離れている。交点1、交点2と位置20は一致しない。1パル目のレーザの強度と2パルス目のレーザの強度は同等であり、3パル目のレーザの強度と4パルス目のレーザの強度は同等である。1パルス目のレーザの強度は3パルス目のレーザの強度より強い。図11Cに示される貫通孔が形成される。第4実施例第4実施例のプリント配線板の作り方は第3実施例の変更例である。第4実施例のコア基板の作成方法は第1実施例と同様である。コア基板の第1面の所定位置位置10に1パルス目と2パルス目のレーザが照射される。その後、位置10から所定距離離れている位置位置100に3パルス目と4パルス目のレーザが照射される。1パル目のレーザの強度と2パルス目のレーザの強度は同等であり、3パル目のレーザの強度と4パルス目のレーザの強度は同等である。1パルス目のレーザの強度は3パルス目のレーザの強度より強い。1パル目のレーザの径と2パルス目のレーザの径は同等であり、3パル目のレーザの径と4パルス目のレーザの径は同等である。1パルス目のレーザの径は3パルス目のレーザ径より大きい。コア基板の第2面の所定位置位置20に1パルス目と2パルス目のレーザが照射される。その後位置20から所定距離離れている位置位置200に3パルス目と4パルス目のレーザが照射される。位置10を通りコア基板の第1面に垂直な直線とコア基板の第2面との交点交点1は位置20、位置200から所定距離離れている。また、位置100を通りコア基板の第1面に垂直な直線とコア基板の第2面との交点交点2は位置20、位置200から所定距離離れている。交点1、交点2、位置20と位置200は一致しない。1パル目のレーザの強度と2パルス目のレーザの強度は同等であり、3パル目のレーザの強度と4パルス目のレーザの強度は同等である。1パルス目のレーザの強度は3パルス目のレーザの強度より強い。1パルス目のレーザの径は3パルス目のレーザ径より大きい。図11Dに示される貫通孔が形成される。ビルドアップ配線板の例第1実施例から第4実施例のプリント配線板1000はビルドアップ配線板のコア基板に利用することができる。第1実施例から第4実施例のいずれかのプリント配線板の両面に、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム味の素社製:商品名;ABF-45SHが積層される。硬化することで、コア基板の両面に層間樹脂絶縁層50A、50Bが形成される図3C。9CO2ガスレーザにて層間樹脂絶縁層50A、50Bに導体回路やスルーホールランドに到達するビア導体用開口51を形成する図3D。10ビア導体用開口51を有する基板を、60g/lの過マンガン酸を含む80°Cの溶液に10分間浸漬する。ビア導体用開口51の内壁を含む層間樹脂絶縁層50A、50Bの表面に粗面50αが形成される図4A。触媒液に基板を浸漬することにより、層間樹脂絶縁層の表面およびビア導体用開口の内壁面に触媒核が付着される。11次に、上村工業社製の無電解銅めっき水溶液スルカップPEAに基板を浸漬することで、ビア導体用開口51の内壁を含む層間樹脂絶縁層50A、50Bの表面に無電解銅めっき膜52が形成される図4B。12無電解銅めっき膜52上にめっきレジスト54が形成される。めっきレジスト54から露出する無電解めっき膜上に、電解銅めっき膜56が形成される図4C。13めっきレジスト54が除去される。電解銅めっき膜間の無電解めっき膜をエッチングで除去することで独立の導体回路58A、58B、及び、ビア導体60A、60Bが形成される図4D。多層配線板300が得られる。14ついで、導体回路58A、58B及びビア導体60A、60Bの表面に粗化層58αが形成される図5A。15次に、多層配線板の両面に、開口71A、71Bを有するソルダーレジスト層70A、70Bが形成される図5B。開口71A、71Bにより導体回路58A、58Bやビア導体60A、60Bの上面が露出する。開口71Aにより露出する導体回路58A、58Bやビア導体60A、60Bの上面が半田パッドとして機能する。16半田パッド上ニッケルめっき層を形成し、さらに、ニッケルめっき層上に、金めっき層を形成する図5C。17この後、ソルダーレジスト層の開口部71A、71Bにそれぞれ半田ボールを搭載し、230°Cでリフローすることにより、半田パッド上に半田バンプ78A、78Bが形成される図6。ビルドアップ配線板が完成する。第2実施形態図16を参照して本発明の第2実施形態に係る多層プリント配線板について説明する。第1実施形態に係る多層プリント配線板では、コア基板の貫通孔33内にめっきが充填されている。これに対して、第2実施形態では、貫通孔33の側壁にスルーホール導体36が形成され、該スルーホール導体36の内部は充填樹脂37で充填されている。第2実施形態のように、スルーホール導体内に樹脂が充填されているプリント配線板においても、スルーホール導体の信頼性を高めることができる。