"[A]下記式1で表される構造単位Iを有する重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物。式1中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Xは、単結合又は2価の連結基である。RCは、炭素数3~30のn1価の脂肪族環状炭化水素基である。この脂肪族環状炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Rfは、1~10個のフッ素原子を有する炭素数1~30の1価の鎖状炭化水素基又は1~10個のフッ素原子を有する炭素数3~30の1価の脂肪族環状炭化水素基である。nは、1~3の整数である。但し、nが2又は3の場合、複数のRfは同一でも異なっていてもよい。上記式1におけるRCが、炭素数4~30のn1価の脂肪族多環式炭化水素基である請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。上記構造単位Iが、下記式1-1で表される構造単位I-1である請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。式1-1中、R、X、Rf及びnは、上記式1と同義である。RSは、-RP1、-RP2-O-RP1、-RP2-CO-RP1、-RP2-CO-ORP1、-RP2-O-CO-RP1、-RP2-OH、-RP2-CN又は-RP2-COOHである。RP1は、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素数6~30の1価の芳香族炭化水素基である。RP2は、単結合、炭素数1~10の2価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の2価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基である。RP1及びRP2の有する水素原子の一部又は全部はフッ素原子で置換されていてもよい。nSは、0~3の整数である。上記構造単位I-1が、下記式1-1a、1-1b及び1-1cで表される構造単位群より選ばれる少なくとも1種の構造単位である請求項3に記載の感放射線性樹脂組成物。式1-1a、1-1b及び1-1c中、R、X、Rf、RS及びnSは上記式1-1と同義である。[C]上記[A]重合体よりもフッ素原子含有率の小さい重合体をさらに含有し、この[C]重合体が酸解離性基を有する請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。上記[A]重合体が、下記式2で表される構造単位II及び下記式3で表される構造単位IIIからなる群より選ばれる少なくとも1種の構造単位をさらに有する請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の感放射線性樹脂組成物。式2及び3中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。式2中、Gは、単結合、酸素原子、硫黄原子、-CO-O-、-SO2-O-NH-、-CO-NH-又は-O-CO-NH-である。R1は、少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~6の1価の鎖状炭化水素基又は少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数4~20の1価の脂肪族環状炭化水素基である。式3中、R2は、炭素数1~20のm1価の炭化水素基であり、R2のR3側の末端に酸素原子、硫黄原子、-NR’-、カルボニル基、-CO-O-又は-CO-NH-が結合された構造のものも含む。R’は、水素原子又は1価の有機基である。R3は、単結合、炭素数1~10の2価の鎖状炭化水素基又は炭素数4~20の2価の脂肪族環状炭化水素基である。X2は、少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~20の2価の鎖状炭化水素基である。Aは、酸素原子、-NR’’-、-CO-O-又は-SO2-O-である。R’’は、水素原子又は1価の有機基である。は、R4に結合する結合部位を示す。R4は、水素原子又は1価の有機基である。mは、1~3の整数である。但し、mが2又は3の場合、複数のR3、X2、A及びR4はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。1請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の感放射線性樹脂組成物を用いて基板上にフォトレジスト膜を形成する工程、2上記フォトレジスト膜上に液浸露光用液体を配置し、この液浸露光用液体を介して上記フォトレジスト膜を液浸露光する工程、及び3液浸露光された上記フォトレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有するレジストパターン形成方法。下記式1で表される構造単位Iを有する重合体。式1中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Xは、単結合又は2価の連結基である。RCは、炭素数3~30のn1価の脂肪族環状炭化水素基である。この脂肪族環状炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Rfは、1~10個のフッ素原子を有する炭素数1~30の1価の鎖状炭化水素基又は1~10個のフッ素原子を有する炭素数3~30の1価の脂肪族環状炭化水素基である。nは、1~3の整数である。但し、nが2又は3の場合、複数のRfは同一でも異なっていてもよい。下記式2で表される構造単位II及び下記式3で表される構造単位IIIからなる群より選ばれる少なくとも1種の構造単位をさらに有する請求項8に記載の重合体。式2及び3中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。式2中、Gは、単結合、酸素原子、硫黄原子、-CO-O-、-SO2-O-NH-、-CO-NH-又は-O-CO-NH-である。R1は、少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~6の1価の鎖状炭化水素基又は少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数4~20の1価の脂肪族環状炭化水素基である。式3中、R2は、炭素数1~20のm1価の炭化水素基であり、R2のR3側の末端に酸素原子、硫黄原子、-NR’-、カルボニル基、-CO-O-又は-CO-NH-が結合された構造のものも含む。R’は、水素原子又は1価の有機基である。R3は、単結合、炭素数1~10の2価の鎖状炭化水素基又は炭素数4~20の2価の脂肪族環状炭化水素基である。X2は、少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~20の2価の鎖状炭化水素基である。Aは、酸素原子、-NR’’-、-CO-O-又は-SO2-O-である。R’’は、水素原子又は1価の有機基である。は、R4に結合する結合部位を示す。R4は、水素原子又は1価の有機基である。mは、1~3の整数である。但し、mが2又は3の場合、複数のR3、X2、A及びR4はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。下記式iで表される化合物。式i中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Xは、単結合又は2価の連結基である。RCは、炭素数3~30のn1価の脂肪族環状炭化水素基である。この脂肪族環状炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Rfは、1~10個のフッ素原子を有する炭素数1~30の1価の鎖状炭化水素基又は1~10個のフッ素原子を有する炭素数3~30の1価の脂肪族環状炭化水素基である。nは、1~3の整数である。但し、nが2又は3の場合、複数のRfは同一でも異なっていてもよい。本発明は以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、液浸露光プロセスにおいて、露光時には高い動的接触角を示すことにより、レジスト被膜表面が優れた水切れ性を示し、またバブル欠陥の発生が低減される一方で、現像時には動的接触角が大きく低下することにより現像液やリンス液の広がりが向上し、高い洗浄効率を示して現像欠陥の発生が抑制されるレジスト被膜を与える感放射線性樹脂組成物を提供することにある。本発明者らは、上述の目的を達成すべく鋭意検討した結果、特定の構造単位を有するフッ素含有重合体を感放射線性樹脂組成物の構成成分とすることによって、上記課題を解決可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。上記課題を解決するためになされた発明は、[A]下記式1で表される構造単位Iを有する重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物である。式1中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Xは、単結合又は2価の連結基である。RCは、炭素数3~30のn1価の脂肪族環状炭化水素基である。この脂肪族環状炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Rfは、1~10個のフッ素原子を有する炭素数1~30の1価の鎖状炭化水素基又は1~10個のフッ素原子を有する炭素数3~30の1価の脂肪族環状炭化水素基である。nは、1~3の整数である。但し、nが2又は3の場合、複数のRfは同一でも異なっていてもよい。当該感放射線性樹脂組成物は、[A]成分として上記式1で表される構造単位Iを有する重合体以下、[A]重合体ともいう。と、[B]成分として感放射線性酸発生体以下、[B]酸発生体ともいう。とを含有する。[A]重合体はフッ素原子を有する基以下、フッ素含有基ともいう。を含む上記特定の構造単位Iを有しているため、その疎水性の高さに起因して、被膜表面においてその存在分布が高くなり、被膜表層に偏在化することができる。その結果、レジスト被膜と液浸媒体を遮断することを目的とした上層膜を別途形成することを要することなく、レジスト被膜表面は高い動的接触角を示す。従って、当該感放射線性樹脂組成物によれば、被膜からの酸発生剤等の溶出を抑制すると共に、被膜表面に高い水切れ特性を付与することができる。また、上記構造単位Iが有するフッ素含有基のフッ素原子数が上記範囲であることから、被膜表面の動的接触角は、良好な水切れ性を有する程度に高くかつバブル欠陥が発生しない程度に高度にバランスされ制御されている。従って、当該感放射線性樹脂組成物は、バブル欠陥の発生を確実に抑制することができる。加えて、上記フッ素含有基は、アルカリ現像において加水分解により解離して水酸基を生じるので、レジスト被膜表面の疎水性が低下する。その結果、アルカリ現像後において、レジスト被膜表面は、現像液やリンス液に対する濡れ性が大きく向上するので、リンス液による洗浄効率が低いことに起因して起こるレジスト膜の現像欠陥の発生を抑制することができる。また、[A]重合体は嵩高い脂肪族環状炭化水素基を含有することで疎水性が高く液浸露光時に膜中への水のしみ込みを限りなく抑制することができるため、水のしみ込みによるウォーターマークなどの液浸起因の欠陥が抑制されると推察される。また、上記[A]重合体は、アルカリ現像後においても、上記嵩高い脂肪族環状炭化水素基が側鎖に残り、重合体の剛直性が保持された状態で未露光部分に留まるので、このようなレジスト被膜は、現像後のエッチング工程において、優れたエッチング耐性を発揮することができる。上記構造単位Iにおいて、RCが、炭素数4~30のn1価の脂肪族多環式炭化水素基であることが好ましい。これにより、[A]重合体のアルカリ現像における加水分解速度が向上して被膜表面の動的接触角をより小さくすると共に、レジスト被膜のエッチング耐性を向上させることができる。上記構造単位Iが、下記式1-1で表される構造単位I-1であることが好ましい。式1-1中、R、X、Rf及びnは、上記式1と同義である。RSは、-RP1、-RP2-O-RP1、-RP2-CO-RP1、-RP2-CO-ORP1、-RP2-O-CO-RP1、-RP2-OH、-RP2-CN又は-RP2-COOHである。RP1は、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素数6~30の1価の芳香族炭化水素基である。RP2は、単結合、炭素数1~10の2価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の2価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基である。RP1及びRP2の有する水素原子の一部又は全部はフッ素原子で置換されていてもよい。nSは、0~3の整数である。上記構造単位Iが、上記のアダマンタン骨格を有する特定の構造であると、[A]重合体のアルカリ現像における加水分解速度がさらに向上し、被膜表面の動的接触角がさらに低下すると共に、レジスト被膜のエッチング耐性がさらに向上する。上記構造単位I-1としては、下記式1-1a、1-1b及び1-1cで表される構造単位群より選ばれる少なくとも1種の構造単位であることが特に好ましい。式1-1a、1-1b及び1-1c中、R、X、Rf、RS及びnSは上記式1-1と同義である。上記構造単位Iにおいて、アルカリ解離性基極性官能基中の水素原子を置換する基であって、アルカリの存在下で解離する基をいう。であるフッ素含有基がアダマンタン構造の上記特定の位置に結合していると、アルカリ現像における加水分解の反応速度が一段と向上し、被膜表面の動的接触角がさらに低下する。当該感放射線性樹脂組成物では、[C]上記[A]重合体よりもフッ素原子含有率の小さい重合体以下、[C]重合体ともいう。をさらに含有し、この[C]重合体が酸解離性基を有することが好ましい。このような[C]重合体をさらに含有することにより、[A]重合体及び[C]重合体を含む組成物からレジスト被膜を形成した際に、[A]重合体がレジスト被膜表面に偏在化する度合いが高くなる。その結果、上述の[A]重合体の疎水性及びその低下に起因する特性がより効率的に発現される。当該感放射線性樹脂組成物では、[A]重合体が、下記式2で表される構造単位II及び下記式3で表される構造単位IIIからなる群より選ばれる少なくとも1種の構造単位をさらに有することが好ましい。式2及び3中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。式2中、Gは、単結合、酸素原子、硫黄原子、-CO-O-、-SO2-O-NH-、-CO-NH-又は-O-CO-NH-である。R1は、少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~6の1価の鎖状炭化水素基又は少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数4~20の1価の脂肪族環状炭化水素基である。式3中、R2は、炭素数1~20のm1価の炭化水素基であり、R2のR3側の末端に酸素原子、硫黄原子、-NR’-、カルボニル基、-CO-O-又は-CO-NH-が結合された構造のものも含む。R’は、水素原子又は1価の有機基である。R3は、単結合、炭素数1~10の2価の鎖状炭化水素基又は炭素数4~20の2価の脂肪族環状炭化水素基である。X2は、少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~20の2価の鎖状炭化水素基である。Aは、酸素原子、-NR’’-、-CO-O-又は-SO2-O-である。R’’は、水素原子又は1価の有機基である。は、R4に結合する結合部位を示す。R4は、水素原子又は1価の有機基である。mは、1~3の整数である。但し、mが2又は3の場合、複数のR3、X2、A及びR4はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。上記[A]重合体が、上記構造単位II及び構造単位IIIからなる群より選ばれる少なくとも1種の構造単位をさらに有することで、当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジスト被膜の現像プロセスにおける動的接触角の変化度をさらに大きくすることができる。本発明のレジストパターン形成方法は、1当該感放射線性樹脂組成物を用いて基板上にフォトレジスト膜を形成する工程、2上記フォトレジスト膜上に液浸露光用液体を配置し、この液浸露光用液体を介して上記フォトレジスト膜を液浸露光する工程、及び、3液浸露光された上記フォトレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有する。当該形成方法は、フォトレジスト組成物として当該感放射線性樹脂組成物を用いているので、被膜表面の水切れ性が高く、高速スキャン露光によりプロセスタイムを短縮させると共に、バブル欠陥や現像欠陥の発生を抑制して、良好なレジストパターンを効率良く形成することができる。本発明の重合体は、下記式1で表される構造単位Iを有する。式1中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Xは、単結合又は2価の連結基である。RCは、炭素数3~30のn1価の脂肪族環状炭化水素基である。この脂肪族環状炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Rfは、1~10個のフッ素原子を有する炭素数1~30の1価の鎖状炭化水素基又は1~10個のフッ素原子を有する炭素数3~30の1価の脂肪族環状炭化水素基である。nは、1~3の整数である。但し、nが2又は3の場合、複数のRfは同一でも異なっていてもよい。また、当該重合体は、下記式2で表される構造単位II及び下記式3で表される構造単位IIIからなる群より選ばれる少なくとも1種の構造単位をさらに有することが好ましい。式2及び3中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。式2中、Gは、単結合、酸素原子、硫黄原子、-CO-O-、-SO2-O-NH-、-CO-NH-又は-O-CO-NH-である。R1は、少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~6の1価の鎖状炭化水素基又は少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数4~20の1価の脂肪族環状炭化水素基である。式3中、R2は、炭素数1~20のm1価の炭化水素基であり、R2のR3側の末端に酸素原子、硫黄原子、-NR’-、カルボニル基、-CO-O-又は-CO-NH-が結合された構造のものも含む。R’は、水素原子又は1価の有機基である。R3は、単結合、炭素数1~10の2価の鎖状炭化水素基又は炭素数4~20の2価の脂肪族環状炭化水素基である。X2は、少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~20の2価の鎖状炭化水素基である。Aは、酸素原子、-NR’’-、-CO-O-又は-SO2-O-である。R’’は、水素原子又は1価の有機基である。は、R4に結合する結合部位を示す。R4は、水素原子又は1価の有機基である。mは、1~3の整数である。但し、mが2又は3の場合、複数のR3、X2、A及びR4はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。当該重合体は上記構造単位Iを有しており、また上記構造単位II及び構造単位IIIからなる群より選ばれる少なくとも1種の構造単位をさらに有することもできる。このような重合体は高い疎水性を有する一方、加水分解により疎水性が低下するという特性を有しているので、例えば、レジスト被膜表面の動的接触角を、露光時は高く、アルカリ現像後は低く制御することが可能になる。従って、当該重合体は、例えば、リソグラフィー技術に用いられる感放射線性樹脂組成物等に好適である。本発明の化合物は、下記式iで表される。式i中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Xは、単結合又は2価の連結基である。RCは、炭素数3~30のn1価の脂肪族環状炭化水素基である。この脂肪族環状炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Rfは、1~10個のフッ素原子を有する炭素数1~30の1価の鎖状炭化水素基又は1~10個のフッ素原子を有する炭素数3~30の1価の脂肪族環状炭化水素基である。nは、1~3の整数である。但し、nが2又は3の場合、複数のRfは同一でも異なっていてもよい。本発明の化合物は上記式iで表される構造を有するので、当該重合体中に構造単位Iを組み込むモノマーとして好適に用いることができる。本明細書において、単に炭化水素基という場合には、鎖状炭化水素基、脂肪族環状炭化水素基、芳香族炭化水素基が含まれる。この炭化水素基は飽和炭化水素基であってもよいし、不飽和炭化水素基であってもよい。また、鎖状炭化水素基とは、主鎖に環状構造を含まず、鎖状構造のみで構成された炭化水素基を意味し、直鎖状炭化水素基及び分岐状炭化水素基の双方を含むものとする。脂肪族環状炭化水素基とは、環構造としては脂肪族環状炭化水素の構造のみを含み、芳香環構造を含まない炭化水素基を意味する。但し、脂肪族環状炭化水素の構造のみで構成されている必要はなく、その一部に鎖状構造を含んでいてもよい。芳香族炭化水素基とは、環構造として、芳香環構造を含む炭化水素基を意味する。但し、芳香環構造のみで構成されている必要はなく、その一部に鎖状構造や脂肪族環状炭化水素の構造を含んでいてもよい。以上説明したように、本発明の感放射線性樹脂組成物は、特定の構造単位を有する重合体及び感放射線性酸発生体を含有していることから、液浸露光プロセスにおいて形成されたレジスト被膜が露光時には適度に高い動的接触角を示す一方、現像時には動的接触角が大きく低下することにより、アルカリ現像時には現像液の広がりが良好で、現像液塗布後のリンス液に対する親和性も高く、現像性が良好となる。その結果、当該感放射線性樹脂組成物によれば、レジスト被膜からの溶出が抑制されることに加えて、被膜表面が優れた水切れ性を有することで高速スキャン露光を可能にすると共に、ウォーターマーク欠陥、バブル欠陥、現像欠陥等各種欠陥の発生を抑制して、良好なレジストパターンを形成することができる。本発明の感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体及び[B]酸発生体を含有し、好適な任意成分として[C]重合体を含有していてもよく、さらにその他の任意成分として、[D]酸拡散制御体、[E]溶媒及び[F]添加剤等を含有していてもよい。以下、各構成成分について順に説明する。<[A]重合体>本発明における[A]重合体は、上記式1で表される構造単位Iを有する重合体である。[A]重合体は、フッ素置換炭化水素基を有していることから疎水性が高く、他の重合体と共にレジスト被膜を形成した際には、その表面において[A]重合体の存在分布が高くなる、すなわち[A]重合体が被膜表層に偏在化する傾向がある。その結果、形成されたレジスト被膜は高い動的接触角を示すので、被膜からの酸発生体等の溶出が抑制されると共に、被膜表面は優れた水切れ特性を発揮する。これにより、同様の目的で、レジスト被膜表面と液浸媒体を遮断するための上層膜を別途形成することが不要になる。一方、[A]重合体のフッ素含有基はアルカリ現像において加水分解により解離して水酸基を生じるので、レジスト被膜表面の疎水性が低下する。その結果、アルカリ現像後において被膜表面の現像液やリンス液に対する濡れ性が大きく向上するので、リンス液による洗浄効率が低いことに起因して起こるレジスト膜の現像欠陥の発生を抑制することができる。また、[A]重合体は嵩高い脂肪族環状炭化水素基を含有することで疎水性が高く液浸露光時に膜中への水のしみ込みを限りなく抑制することができ、水のしみ込みによるウォーターマークなどの液浸起因の欠陥が抑制されると推察される。[構造単位I]構造単位Iは、上記式1で表される構造単位である。上記式1中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Xは、単結合又は2価の連結基である。RCは、炭素数3~30のn1価の脂肪族環状炭化水素基である。この脂肪族環状炭化水素基の有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。Rfは、1~10個のフッ素原子を有する炭素数1~30の1価の鎖状炭化水素基又は1~10個のフッ素原子を有する炭素数3~30の1価の脂肪族環状炭化水素基である。nは、1~3の整数である。但し、nが2又は3の場合、複数のRfは同一でも異なっていてもよい。上記Xで表される2価の連結基としては、例えば、炭素数1~30の2価の鎖状炭化水素基、炭素数3~30の2価の脂肪族環状炭化水素基、炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基、又はこれらとエーテル基、エステル基、カルボニル基、イミノ基、もしくはアミド基を組み合わせた2価の基を挙げることができる。また、上記2価の連結基は置換基を有していてもよい。上記炭素数1~30の2価の鎖状炭化水素基の具体例としては、例えば、メタンジイル基、エタンジイル基、プロパンジイル基、ブタンジイル基、ペンタンジイル基、ヘキサンジイル基、オクタンジイル基、デカンジイル基、ウンデカンジイル基、ヘキサデカンジイル基、イコサンジイル基等の鎖状飽和炭化水素基;エテンジイル基、プロペンジイル基、ブテンジイル基、ペンテンジイル基、ヘキセンジイル基、オクテンジイル基、デセンジイル基、ウンデセンジイル基、ヘキサデセンジイル基、イコセンジイル基、エチンジイル基、プロピンジイル基、ブチンジイル基、オクチンジイル基、ブタジエンジイル基、ヘキサジエンジイル基、オクタトリエンジイル基等のアルキンジイル基等の鎖状不飽和炭化水素基等が挙げられる。上記炭素数3~30の2価の脂肪族環状炭化水素基の具体例としては、例えば、シクロプロパンジイル基、シクロブタンジイル基、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、シクロヘプタンジイル基、シクロオクタンジイル基、シクロデカンジイル基、メチルシクロヘキサンジイル基、エチルシクロヘキサンジイル基等の単環式飽和炭化水素基;シクロブテンジイル基、シクロペンテンジイル基、シクロヘキセンジイル基、シクロヘプテンジイル基、シクロオクテンジイル基、シクロデセンジイル基、シクロペンタジエンジイル基、シクロヘキサジエンジイル基、シクロオクタジエンジイル基、シクロデカジエンジイル基等の単環式不飽和炭化水素基;ビシクロ[2.2.1]ヘプタンジイル基、ビシクロ[2.2.2]オクタンジイル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカンジイル基、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカンジイル基、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカンジイル基、アダマンタンジイル基等の多環式飽和炭化水素基;ビシクロ[2.2.1]ヘプテンジイル基、ビシクロ[2.2.2]オクテンジイル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デセンジイル基、トリシクロ[3.3.1.13,7]デセンジイル基、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデセンジイル基等の多環式不飽和炭化水素基等が挙げられる。上記炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基の具体例としては、例えば、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ベンジレン基、フェニレンエチレン基、フェニレンシクロへキシレン基、ナフチレン基等が挙げられる。また、上記2価の連結基の具体例としては、下記式X-1~X-6で表される基も挙げることができる。上記式X-1~X-6中、Rx1は、それぞれ独立して、炭素数1~30の2価の鎖状炭化水素基、炭素数3~30の2価の脂肪族環状炭化水素基又は炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基である。は上記式1のRCに結合する結合部位を示す。上記RCで表される炭素数3~30のn1価の脂肪族環状炭化水素基の具体例としては、例えば、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロデカン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等の単環式飽和炭化水素;シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロデセン、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、シクロオクタジエン、シクロデカジエン等の単環式不飽和炭化水素;ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン、アダマンタンなどの多環式飽和炭化水素;ビシクロ[2.2.1]ヘプテン、ビシクロ[2.2.2]オクテン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デセン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デセン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデセン等の多環式不飽和炭化水素等の炭素数3~30の環状炭化水素等からn1個の水素原子を除いた基等を挙げることができる。この中で、アルカリ解離性基であるフッ素含有基の加水分解速度が向上すると共に、形成されるレジスト被膜のエッチング耐性が向上することから、炭素数4~30のn1価の脂肪族多環式炭化水素基が好ましく、炭素数6~15の2価又は3価の脂肪族多環式炭化水素基がより好ましく、炭素数8~12の2価の脂肪族多環式炭化水素基が特に好ましい。また、RCは置換基を有していてもよい。このような置換基としては、例えば、-RP1、-RP2-O-RP1、-RP2-CO-RP1、-RP2-CO-ORP1、-RP2-O-CO-RP1、-RP2-OH、-RP2-CN又は-RP2-COOH等を挙げることができる。ここで、RP1は、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素数6~30の1価の芳香族炭化水素基である。RP2は、単結合、炭素数1~10の2価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の2価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基である。RP1及びRP2の有する水素原子の一部又は全部はフッ素原子で置換されていてもよい。RCは、上記置換基を1種単独で1つ以上有していてもよいし、上記置換基のうち複数種を各1つ以上有していてもよい。上記Rfで表される基においては、炭化水素基が有するフッ素原子の数が1~10個であることが重要である。Rfで表される基が有するフッ素原子の数が上記範囲であることにより、[A]重合体の疎水性の高さが適度なものとなり、当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジスト被膜表面の動的接触角が、良好な水切れ性を有する程度に高く、かつバブル欠陥の発生が抑制される程度に高度にバランスされて制御される。その結果、バブル欠陥の発生を確実に抑制することができる。Rfで表される基が有するフッ素原子の数が10個を超えると、[A]重合体の疎水性が高くなり過ぎるため、形成されるレジスト被膜表面の前進接触角が高くなり過ぎ、バブル欠陥が発生し易くなる。またRfで表される基がフッ素原子を有しないと、[A]重合体の疎水性が不足し、形成されるレジスト被膜表面の後退接触角が低くなると共に、Rfで表される基の加水分解性が低下し、アルカリ現像による疎水性の低下も小さいものとなる。Rfで表される基が有するフッ素原子の数の上限は9個が好ましく、8個がより好ましく、7個がさらに好ましい。一方このフッ素原子の数の下限は、2個が好ましく、3個がより好ましく、5個がさらに好ましい。上記Rfで表される1~10個のフッ素原子を有する炭素数1~30の1価の鎖状炭化水素基としては、例えば、炭素数1~30の鎖状炭化水素基の水素原子のうち1~10個がフッ素原子で置換されたものを挙げることができる。このような鎖状炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、2-2-メチルプロピル基、1-ペンチル基、2-ペンチル基、3-ペンチル基、1-2-メチルブチル基、1-3-メチルブチル基、2-2-メチルブチル基、2-3-メチルブチル基、ネオペンチル基、1-ヘキシル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基、1-2-メチルペンチル基、1-3-メチルペンチル基、1-4-メチルペンチル基、2-2-メチルペンチル基、2-3-メチルペンチル基、2-4-メチルペンチル基、3-2-メチルペンチル基、3-3-メチルペンチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基、イコサニル基等を挙げることができる。上記Rfで表される1~10個のフッ素原子を有する炭素数3~30の1価の脂肪族環状炭化水素基としては、例えば、炭素数3~30の脂肪族環状炭化水素基の水素原子のうち1~10個がフッ素原子で置換されたものを挙げることができる。このような脂肪族環状炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、1-1-シクロペンチルエチル基、1-2-シクロペンチルエチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、1-1-シクロヘキシルエチル基、1-2-シクロヘキシルエチル基、シクロヘプチル基、シクロヘプチルメチル基、1-1-シクロヘプチルエチル基、1-2-シクロヘプチルエチル基、2-ノルボルニル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基等を挙げることができる。Rfで表される基としては、これらの中でも、形成されるレジスト被膜表面の現像前の動的接触角が大きい観点から、炭素数1~4のパーフルオロアルキル基、炭素数2~5のモノパーフルオロアルキルメチレン基又は炭素数3~5のジパーフルオロアルキルメチレン基が好ましく、その中でも、トリフルオロメチル基又はパーフルオロプロピル基が特に好ましい。上記構造単位Iの好ましい具体例としては、下記式1-1~1-4で表される構造単位を挙げることができる。上記式1-1~1-4中、R、X、Rf及びnは、上記式1と同義である。RSは、-RP1、-RP2-O-RP1、-RP2-CO-RP1、-RP2-CO-ORP1、-RP2-O-CO-RP1、-RP2-OH、-RP2-CN又は-RP2-COOHである。RP1は、炭素数1~10の1価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の1価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素数6~30の1価の芳香族炭化水素基である。RP2は、単結合、炭素数1~10の2価の鎖状飽和炭化水素基、炭素数3~20の2価の脂肪族環状飽和炭化水素基又は炭素数6~30の2価の芳香族炭化水素基である。RP1及びRP2の有する水素原子の一部又は全部はフッ素原子で置換されていてもよい。nSは、0~3の整数である。上記式1-1~1-4で表される構造単位において、アダマンタン骨格、ノルボルナン骨格、ビシクロオクタン骨格、トリシクロデカン骨格を有する脂肪族環状炭化水素基は、その骨格上の水素原子を置換する置換基RSとして、上記RCの置換基として例示したものを有していてもよい。この中で、上記式1-1で表される構造単位が好ましい。当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジスト被膜は、このような構造単位を有することで、嵩高いアダマンタン骨格にアルカリ解離性基であるフッ素含有基が結合しているため、その加水分解速度が高く、アルカリ現像後の動的接触角の低下が大きくなることと共に、形成されるレジスト被膜のエッチング耐性が向上する。また、その中でも、上記式1-1a、1-1b及び1-1cで表される構造単位が、アダマンタン構造の特定の位置にアルカリ解離性基が結合していることから、加水分解速度が一段と高くなり、アルカリ現像後の動的接触角の低下がさらに大きくなる観点から特に好ましい。上記式1-1a、1-1b及び1-1c中、R、X、Rf、RS及びnSは上記式1-1と同義である。上記式1-1aで表される構造単位において、Xとしては単結合又は炭素数1~5のアルカンジイル基が好ましく、炭素数1~5のアルカンジイル基がさらに好ましい。Xが炭素数1~5のアルカンジイル基であることによって、アルカリ解離性基が、[A]重合体の主鎖から一定距離離れるので、アルカリ現像液による加水分解が起こり易くなり、その速度がさらに増大するため、動的接触角の低下がさらに大きくなる。Xは水酸基を有していてもよい。上記式1-1aで表される構造単位の具体例としては、例えば、下記式1-1a-1~1-1a-9で表されるものを挙げることができる。上記式1-1a-1~1-1a-9中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。また、上記式1-1b及び1-1cにおいて、Xとしては上記1-1aの場合と同様の理由から、単結合、炭素数1~5のアルカンジイル基、炭素数1~5のアルカンジイルオキシ基又は炭素数1~5のアルカンジイルカルボニルオキシ基が好ましい。Xが単結合以外の場合、水酸基を有していてもよい。上記式1-1bで表される構造単位の具体例としては、例えば、下記式1-1b-1~1-1b-9で表されるものを挙げることができる。また上記式1-1cで表される構造単位の具体例としては、例えば、下記式1-1c-1~1-1c-6で表されるものを挙げることができる。上記式1-1b-1~1―1b-9中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。上記式1-1c-1~1-1c-6中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。上記式1-2、1-3及び1-4で表される構造単位の具体例として、例えば、下記式1-2a、1-2b、1-3a及び1-4aで表される基が挙げられる。[A]重合体は、構造単位Iを1種単独で、又は2種以上を組み合わせて有してもよい。上記式1-2a、1-2b、1-3a及び1-4a中、R及びRfは上記式1と同義である。上記構造単位Iの含有率としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、1~100モルであることが好ましく、1~80モルであることがより好ましく、1~50モルであることがさらに好ましい。このような含有率にすることによって、液浸露光時における高い動的接触角と共に、現像による動的接触角の十分な低下を達成することができる。[A]重合体は、後述するように、上記構造単位Iを与える単量体の他、必要に応じて他の構造単位を与える単量体と共にラジカル重合させることで得られる。上記構造単位Iを与える化合物iの合成方法は以下の通りであり、下記のスキームに従い合成することができる。上記式において、R、X、RC、Rf及びnは、上記式1と同義である。水酸基と、連結基Xを介してメタアクリロイルオキシ基とを有する脂肪族環状炭化水素をフッ素含有カルボン酸の無水物と、テトラヒドロフラン等の溶媒中で攪拌することにより化合物i及びフッ素含有カルボン酸が得られる。反応溶液に炭酸水素ナトリウム等を添加することによりフッ素含有カルボン酸を中和除去した後、分液洗浄や蒸留、再結晶など適切に処理することにより、化合物iを単離することができる。また、フッ素含有カルボン酸の無水物を用いない方法として、フッ素含有カルボン酸の酸クロリドを用いる上記水酸基のエステル化反応を用いることもできる。[構造単位II]上記[A]重合体は、構造単位IIとして、上記式2で表される構造単位を有することが好ましい。[A]重合体は、フッ素原子を含有する構造単位IIをさらに有することで疎水性が上がるため、当該感放射線性樹脂組成物から形成されたレジスト被膜表面の動的接触角をさらに向上させることができる。上記式2中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Gは、単結合、酸素原子、硫黄原子、-CO-O-、-SO2-O-NH-、-CO-NH-又は-O-CO-NH-である。R1は、少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~6の1価の鎖状炭化水素基又は少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数4~20の1価の脂肪族環状炭化水素基である。上記R1で表される少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~6の鎖状炭化水素基の具体例としては、例えば、トリフルオロメチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、パーフルオロエチル基、2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロピル基、パーフルオロn-プロピル基、パーフルオロi-プロピル基、パーフルオロn-ブチル基、パーフルオロi-ブチル基、パーフルオロt-ブチル基、2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基等が挙げられる。上記R1で表される少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数4~20の脂肪族環状炭化水素基の具体例としては、例えば、モノフルオロシクロペンチル基、ジフルオロシクロペンチル基、パーフルオロシクロペンチル基、モノフルオロシクロヘキシル基、ジフルオロシクロペンチル基、パーフルオロシクロヘキシルメチル基、フルオロノルボルニル基、フルオロアダマンチル基、フルオロボルニル基、フルオロイソボルニル基、フルオロトリシクロデシル基、フルオロテトラシクロデシル基等が挙げられる。上記構造単位IIを与える単量体としては、例えば、トリフルオロメチルメタアクリル酸エステル、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロi-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロi-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロt-ブチルメタアクリル酸エステル、2-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロシクロヘキシルメチルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、モノフルオロシクロペンチルメタアクリル酸エステル、ジフルオロシクロペンチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロシクロペンチルメタアクリル酸エステル、モノフルオロシクロヘキシルメタアクリル酸エステル、ジフルオロシクロペンチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロシクロヘキシルメチルメタアクリル酸エステル、フルオロノルボルニルメタアクリル酸エステル、フルオロアダマンチルメタアクリル酸エステル、フルオロボルニルメタアクリル酸エステル、フルオロイソボルニルメタアクリル酸エステル、フルオロトリシクロデシルメタアクリル酸エステル、フルオロテトラシクロデシルメタアクリル酸エステル等を挙げることができる。上記構造単位IIの含有率としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、0~50モルが好ましく、0~30モルがさらに好ましく、5~20モルが特に好ましい。このような含有率にすることによって液浸露光時においてレジスト被膜表面のより高い動的接触角を発現させることができる。なお、[A]重合体は、構造単位IIを1種単独で、又は2種以上を組み合わせて有していてもよい。[構造単位III]上記[A]重合体は、構造単位IIIとして、上記式3で表される構造単位を有することが好ましい。[A]重合体は、フッ素原子を含有する構造単位IIIをさらに有することで疎水性が上がるため、当該感放射線性樹脂組成物から形成されたレジスト被膜表面の動的接触角をさらに向上させることができる。上記式3中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R2は、炭素数1~20のm1価の炭化水素基であり、R2のR3側の末端に酸素原子、硫黄原子、-NR’-、カルボニル基、-CO-O-又は-CO-NH-が結合された構造のものも含む。R’は、水素原子又は1価の有機基である。R3は、単結合、炭素数1~10の2価の鎖状炭化水素基又は炭素数4~20の2価の脂肪族環状炭化水素基である。X2は、少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~20の2価の鎖状炭化水素基である。Aは、酸素原子、-NR’’-、-CO-O-又は-SO2-O-である。R’’は、水素原子又は1価の有機基である。は、R4に結合する結合部位を示す。R4は、水素原子又は1価の有機基である。mは、1~3の整数である。但し、mが2又は3の場合、複数のR3、X2、A及びR4はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。上記R4が水素原子である場合には、[A]重合体のアルカリ現像液に対する溶解性を向上させることができる点で好ましい。上記R4で表される1価の有機基としては、例えば、酸解離性基、アルカリ解離性基又は置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基を挙げることができる。酸解離性基とは、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基等の極性官能基中の水素原子を置換する基であって、酸の作用により解離する基をいう。これにより、構造単位IIIは、酸の作用によって極性基を生じることとなる。従って、上記R4が酸解離性基の場合には、後述するレジストパターン形成方法における露光工程において露光された部分のアルカリ現像液に対する溶解性を高くすることができる点で好ましい。アルカリ解離性基とは、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基等の極性官能基中の水素原子を置換する基であって、アルカリの存在下例えば、23°Cのテトラメチルアンモニウムヒドロキシシド2.38質量水溶液中で解離する基をいう。これにより、構造単位IIIは、アルカリの作用によって極性基を生じることとなる。従って、上記R4がアルカリ解離性基の場合には、アルカリ現像液に対する溶解性を向上させられると共に現像後におけるレジスト被膜表面の疎水性をより低下させられる点で好ましい。上記酸解離性基の具体例としては、例えば、t-ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、チオテトラヒドロピラニルスルファニルメチル基、チオテトラヒドロフラニルスルファニルメチル基や、アルコキシ置換メチル基、アルキルスルファニル置換メチル基等を挙げることができる。なお、アルコキシ置換メチル基におけるアルコキシ置換基としては、例えば、炭素数1~4のアルコキシ基が挙げられる。また、アルキルスルファニル置換メチル基におけるアルキル基としては、例えば炭素数1~4のアルキル基が挙げられる。また、上記酸解離性基としては、後述する構造単位IVの項に記載した式Y-1で表される基であってもよい。これらの中でも、上記式3におけるAが酸素原子又は-NR’’-の場合はt-ブトキシカルボニル基又はアルコキシ置換メチル基が好ましい。また、上記式3におけるAが-CO-O-の場合、後述する構造単位IVの項に記載した式Y-1で表される基であることが好ましい。上記アルカリ解離性基の具体例としては、例えば、下記式W-1~W-4で表される基を挙げることができる。これらの中でも、上記式3におけるAが酸素原子又は-NR’’-の場合は下記式W-1で表される基が好ましい。また、式3におけるAが-CO-O-の場合、下記式W-2~W-4で表される基のうちいずれか1種であることが好ましい。上記式W-1中、Rfは上記式1と同義である。上記式W-2及びW-3中、R41は置換基である。R41が複数ある場合、複数のR41は同一でも異なっていてもよい。m1は、0~5の整数である。m2は、0~4の整数である。上記式W-4中、R42及びR43は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~10のアルキル基である。R42及びR43は互いに結合して、それらが結合する炭素原子と共に、炭素数4~20の2価の脂肪族環状炭化水素基を形成していてもよい。上記R41で表される置換基の例としては、上記RSで表される置換基と同じ例を挙げることができる。上記R42及びR43が互いに結合してそれらが結合する炭素原子とともに形成する2価の脂肪族環状炭化水素基としては、シクロペンタンジイル基、メチルシクロペンタンジイル基、エチルシクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、メチルシクロヘキサンジイル基、エチルシクロヘキサンジイル基、シクロヘプタンジイル基、メチルシクロヘプタンジイル基、エチルシクロヘプタンジイル基、2-ノルボルナンジイル基、2-アダマンタンジイル基等を挙げることができる。上記式W-4で表される基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基、1-ペンチル基、2-ペンチル基、3-ペンチル基、1-2-メチルブチル基、1-3-メチルブチル基、2-3-メチルブチル基、ネオペンチル基、1-ヘキシル基、2-ヘキシル基、3-ヘキシル基、1-2-メチルペンチル基、1-3-メチルペンチル基、1-4-メチルペンチル基、2-3-メチルペンチル基、2-4-メチルペンチル基、3-2-メチルペンチル基等を挙げることができる。これらの中でもメチル基、エチル基、1-プロピル基、2-プロピル基、1-ブチル基、2-ブチル基が好ましい。上記X2で表される少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~20の2価の鎖状炭化水素基の具体例としては、例えば、下記式X2-1~X2-6で表される基を挙げることができる。上記X2としては、上記式3におけるAが酸素原子の場合には上記式X2-1で表されるものが好ましい。また、上記式3におけるAが-CO-O-の場合には上記式X2-2~X2-6で表される基のうちのいずれか1種であることが好ましく、上記式X2-2で表されるものであることがさらに好ましい。なお、上記式3におけるmは1~3の整数である。従って、構造単位IIIにはR4が1~3個導入される。mが2又は3の場合、R3、R4、X2及びAはそれぞれ独立である。すなわち、mが2又は3の場合、複数のR4は同じ構造のものであってもよいし異なる構造のものであってもよい。また、mが2又は3の場合、複数のR3がR2の同一の炭素原子に結合していてもよいし、異なる炭素原子に結合していてもよい。上記構造単位IIIの具体例としては、例えば、下記式3-1a~3-1cで表される構造単位を挙げることができる。上記式3-1a~3-1c中、R5は、炭素数1~20の2価の直鎖状、分岐状若しくは環状の飽和若しくは不飽和の炭化水素基である。X2、R4及びmは、上記式3と同義である。mが2又は3である場合、複数のX2及びR4はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。上記構造単位IIIを与える単量体の具体例としては、例えば、下記式3m-1~3m-6で表される化合物を挙げることができる。式3m-1~3m-6中、Rは、上記式3と同義である。R4は、それぞれ独立して、水素原子又は1価の有機基である。上記構造単位IIIの含有率としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、0~90モルが好ましく、5~85モルがさらに好ましく、10~80モルが特に好ましい。このような含有率にすることによって、当該感放射線性樹脂組成物から形成されたレジスト被膜表面は、アルカリ現像において動的接触角の低下度を向上させることができる。なお、[A]重合体は、構造単位IIIを1種単独で、又は2種以上を組み合わせて有してもよい。[構造単位IV]上記[A]重合体は、下記式4で表される構造単位IVを有していてもよい。[A]重合体が構造単位IVを含むことにより、現像後のレジストパターンの形状をより改善させることができる。上記式4中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Yは、酸解離性基である。上記Yで表される酸解離性基としては、下記式Y-1で表される基が好ましい。上記式Y-1中、R6、R7及びR8は、それぞれ独立して、炭素数1~4のアルキル基又は炭素数4~20の1価の脂肪族環状炭化水素基である。R7及びR8は互いに結合して、それらが結合している炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂肪族環状炭化水素基を形成していてもよい。上記式Y-1中、R6、R7及びR8で表される基のうち、炭素数1~4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。また炭素数4~20の1価の脂肪族環状炭化水素基、もしくはR7及びR8が互いに結合してそれらが結合している炭素原子と共に形成される炭素数4~20の2価の脂肪族環状炭化水素基としては、例えば、アダマンタン骨格、ノルボルナン骨格等の有橋式骨格や、シクロペンタン、シクロヘキサン等の単環のシクロアルカン骨格を有する基;これらの基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基等の炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種又は1個以上で置換した基等の脂肪族環状炭化水素骨格を有する基が挙げられる。これらの中でも、現像後のレジストパターンの形状をより改善させることができる点で単環のシクロアルカン骨格を有する基が好ましい。上記構造単位IVの具体例としては、例えば、下記式4-1~4-4で表される構造単位を挙げることができる。上記式4-1~4-4中、Rは、上記式4と同義である。R6、R7及びR8は、上記式Y-1と同義である。R7及びR8は互いに結合して、それらが結合している炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂肪族環状炭化水素基を形成していてもよい。rは、それぞれ独立して、1~3の整数である。上記構造単位IVの含有率としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、70モル以下が好ましく、5~60モルがさらに好ましく、5~50モルが特に好ましい。このような含有率にすることによって現像後のレジストパターン形状をさらに改善することができる。なお、[A]重合体は、構造単位IVを、1種単独で又は2種以上を組み合わせて有してもよい。[構造単位V]上記[A]重合体は、アルカリ可溶性基を有する構造単位以下、構造単位Vともいう。を有していてもよい。[A]重合体が構造単位Vを含むことにより、現像液に対する親和性を向上させることができる。上記構造単位Vにおけるアルカリ可溶性基は、現像液に対する溶解性向上の観点から、pKaが4~11の水素原子を有する官能基であることが好ましい。このような官能基として、例えば、下記式5s-1及び5s-2で表される官能基等を挙げることができる。上記式5s-1中、R9は、少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~10の炭化水素基である。上記R9で表される少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~10の炭化水素基としては、炭素数1~10の炭化水素基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子に置換されたものであれば特に限定されないが、中でも、トリフルオロメチル基が好ましい。上記構造単位Vを与える単量体としては、特に限定されるものではないが、メタクリル酸エステル、アクリル酸エステル又はα-トリフルオロアクリル酸エステルが好ましい。上記構造単位Vの具体例としては、例えば、下記式5-1及び5-2で表される構造単位が挙げられる。上記式5-1及び5-2中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R9は、上記式5s-1と同義である。R10は、単結合又は炭素数1~20の2価の直鎖状、分岐状若しくは環状の、飽和若しくは不飽和の炭化水素基である。上記式5-2中、R11は、2価の連結基である。kは0又は1である。上記R11で表される2価の連結基の例としては、例えば、上記構造単位Iにおける2価の連結基Xの例と同じものが挙げられる。構造単位Vの具体例としては、例えば、下記式5-1a、5-1b及び5-2a~5-2eで表される構造単位を挙げることができる。上記式5-1a、5-1b及び5-2a~5-2e中、Rは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。上記構造単位Vの含有率としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、通常50モル以下であり、5~30モルが好ましく、5~20モルがさらに好ましい。このような含有率にすることによって、液浸露光時におけるスキャン追従性および撥水性の確保と現像時における現像液への親和性向上をバランス良く達成することができる。[構造単位VI]上記[A]重合体は、下記式6で表される構造単位VIを有していてもよい。[A]重合体が構造単位VIを含むことにより、現像液に対する親和性を向上させることができる。上記式6中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。RL1は、単結合又は2価の連結基である。RLcは、ラクトン構造を有する1価の有機基又は環状カーボネート構造を有する1価の有機基である。上記RL1で表される2価の連結基の例としては、例えば、上記構造単位Iにおける2価の連結基Xの例と同じものが挙げられる。上記RLcで表されるラクトン構造を有する1価の有機基としては、例えば、下記式Lc-1~Lc-6で表される基等を挙げることができる。上記式Lc-1~Lc-6中、RLc1は、それぞれ独立して、酸素原子又はメチレン基である。RLc2は、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基である。nLc1は、それぞれ独立して、0又は1である。nLc2は、0~3の整数である。は、上記式6におけるRL1に結合する結合部位を示す。上記式Lc-1~Lc-6で表される基は置換基を有していてもよい。上記式Lc-1~Lc-6で表される基が有する置換基の例としては、例えば上記構造単位IにおけるRCが有する置換基の例と同じものを挙げることができる。構造単位VIの具体例としては、例えば、特開2007-304537号公報[0054]~[0057]段落に記載のもの、特開2008-088343号公報[0086]~[0088]段落に記載の構造単位、下記式6-1a~6-1lで表される構造単位等を挙げることができる。上記式6-1a~6-1l中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。なお、上記構造単位VIは1種単独で又は2種以上が組み合わされて含まれていてもよい。上記構造単位VIを与える好ましい単量体としては、例えば、国際公開第2007/116664号公報[0043]段落に記載の単量体を挙げることができる。上記構造単位VIのうち、環状カーボネート構造を有する構造単位としては、例えば、下記式6-2aで表される構造単位等が挙げられる。上記式6-2a中、Rは、上記式6と同義である。Dは、炭素数1~30の3価の鎖状炭化水素基、炭素数3~30の3価の脂肪族環状炭化水素基又は炭素数6~30の3価の芳香族炭化水素基である。Dは、その骨格中に酸素原子、カルボニル基、-NH-を有していてもよい。また、Dは置換基を有していてもよい。上記Dが有していてもよい置換基の例としては、例えば、上記構造単位IにおけるRCの置換基の例と同じものを挙げることができる。上記式6-2aで表される構造単位を与える単量体は、例えば、TetrahedronLetters,Vol.27,No.32p.37411986、OrganicLetters,Vol.4,No.15p.25612002等に記載された従来公知の方法により合成することができる。上記式6-2aで表される構造単位の好ましい例としては、下記式6-2a-1~6-2a-22で表される構造単位が挙げられる。上記構造単位VIの含有率としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、通常50モル以下であり、40モル以下が好ましく、5~30モルがさらに好ましい。このような含有率にすることによって、液浸露光時における高い動的接触角と共に、現像による動的接触角の十分な低下を達成することができる。[構造単位VII]上記[A]重合体は下記式7で表される構造単位VIIを有していてもよい。[A]重合体が構造単位VIIを含むことにより、現像液に対する親和性を向上させることができる。上記式7中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R71は、フッ素原子を有さない2価の連結基である。R72は、アルカリ解離性基である。上記R71で表されるフッ素原子を有さない2価の連結基の具体例としては、例えば、上記構造単位Iにおける2価の連結基Xでフッ素原子を有さない基の例と同じものを挙げることができる。上記R72で表されるアルカリ解離性基の例としては、例えば、上記式W-2~W-4で表される基を挙げることができる。上記構造単位VIIの具体例としては、例えば、下記式で表される構造単位を挙げることができる。上記式7-1~7-6中、Rは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。上記構造単位VIIの含有率としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、通常50モル以下であり、40モル以下が好ましく、5~20モルがさらに好ましい。このような含有率にすることによって、液浸露光時における高い動的接触角と共に、現像による動的接触角の十分な低下を達成することができる。[A]重合体の含有量としては、当該感放射線性樹脂組成物において[A]重合体と必要に応じて含有させる他の重合体とを合わせた全重合体に対して、0.1~20質量が好ましく、0.3~15質量がより好ましく0.3~10質量がさらに好ましく、0.5~10質量が特に好ましく、1~10質量がさらに特に好ましい。[A]重合体の含有量が0.1質量未満であると、当該組成物から得られるレジスト被膜の動的接触角に場所によるムラが生じるおそれがある。一方、この含有量が20質量を超えると、露光部と未露光部でレジスト被膜の溶解差が小さくなるため、パターン形状が悪化するおそれがある。<[A]重合体の合成方法>上記[A]重合体は、ラジカル重合等の常法に従って合成することができる。例えば、1単量体及びラジカル開始剤を含有する溶液を、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;2単量体を含有する溶液とラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;3各々の単量体を含有する、複数種の溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;4単量体及びラジカル開始剤を含有する溶液を無溶媒中や反応溶媒中で重合反応させる方法等の方法で合成することが好ましい。なお、単量体溶液に対して、単量体溶液を滴下して反応させる場合、滴下される単量体溶液中の単量体量は、重合に用いられる単量体総量に対して30モル以上であることが好ましく、50モル以上であることがさらに好ましく、70モル以上であることが特に好ましい。これらの方法における反応温度は開始剤種によって適宜決定すればよい。通常、30~150°Cであり、40~150°Cが好ましく、50~140°Cがさらに好ましい。滴下時間は、反応温度、開始剤の種類、反応させる単量体等の条件によって異なるが、通常、30分~8時間であり、45分~6時間が好ましく、1~5時間がさらに好ましい。また、滴下時間を含む全反応時間も、滴下時間と同様に条件により異なるが、通常、30分~12時間であり、45分~12時間が好ましく、1~10時間がさらに好ましい。上記重合に使用されるラジカル開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリルAIBN、2,2’-アゾビス4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2-シクロプロピルプロピオニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネート等のアゾ系ラジカル開始剤;ベンゾイルパーオキサイド、t-ブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド等の過酸化物系ラジカル開始剤等を挙げることができる。この中でAIBN、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネートが好ましい。これらのラジカル開始剤は単独で又は2種以上を混合して使用することができる。重合溶媒としては、重合を阻害する溶媒重合禁止効果を有するニトロベンゼン、連鎖移動効果を有するメルカプト化合物等以外の溶媒であって、その単量体を溶解可能な溶媒であれば使用することができる。例えば、アルコール類、エーテル類、ケトン類、アミド類、エステルラクトン類、ニトリル類及びその混合溶媒等を挙げることができる。これらの溶媒は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。重合反応により得られた重合体は、再沈殿法により回収することが好ましい。すなわち重合反応終了後、重合液を再沈溶媒に投入することにより、目的の重合体を粉体として回収する。再沈溶媒としては、アルコール類やアルカン類等を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。また、再沈殿法の他に、分液操作やカラム操作、限外ろ過操作等により、単量体、オリゴマー等の低分子成分を除去して、重合体を回収することもできる。上記[A]重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量以下、Mwともいう。は、特に限定されないが、1,000~50,000であることが好ましく、1,000~40,000であることがさらに好ましく、1,000~30,000であることが特に好ましい。[A]重合体のMwが1,000未満であると、十分な動的接触角を有するレジスト被膜を得ることができないおそれがある。一方、[A]重合体のMwが50,000を超えると、レジスト被膜の現像性が低下するおそれがある。また、上記[A]重合体のGPCによるポリスチレン換算数平均分子量以下、Mnともいう。に対するMwの比Mw/Mnは、通常、1.0~5.0であり、1.0~4.0であることが好ましく、1.0~2.0であることがさらに好ましい。<[B]酸発生体>当該感放射線性樹脂組成物を構成する[B]酸発生体としては、スルホニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩、ヨードニウム塩等のオニウム塩化合物、有機ハロゲン化合物、ジスルホン類、ジアゾメタンスルホン類等のスルホン化合物、スルホン酸化合物等を挙げることができる。[B]酸発生体の当該感放射線性樹脂組成物における含有形態としては、後述するような化合物である酸発生剤の形態以下、適宜[B]酸発生剤ともいう。でも、[A]重合体や後述する[C]重合体等他の重合体の一部として組み込まれた酸発生基の形態でも、これらの両方の形態でもよい。このような[B]酸発生体の好適な具体例としては、例えば、特開2009-134088号公報の段落[0080]~[0113]に記載されている化合物などを挙げることができる。[B]酸発生剤としては、具体的には、ヨードニウム塩として、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート;スルホニウム塩として、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、シクロヘキシル2-オキソシクロヘキシルメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル2-オキソシクロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、2-オキソシクロヘキシルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート;テトラヒドロチオフェニウム塩として、4-ヒドロキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-1-ナフチルアセトメチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-1-ナフチルアセトメチルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-1-ナフチルアセトメチルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート;スルホン酸化合物として、トリフルオロメタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、パーフルオロ-n-オクタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、N-ヒドロキシスクシイミドトリフルオロメタンスルホネート、N-ヒドロキシスクシイミドノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、N-ヒドロキシスクシイミドパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1,8-ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスルホネートが好ましい。[B]酸発生剤は、単独で又は2種以上を混合して使用できる。[B]酸発生剤の含有量は、レジストとしての感度及び現像性を確保する観点から、当該感放射線性樹脂組成物に含まれる重合体の総量100質量部に対して、0.1~30質量部であることが好ましく、0.1~20質量部であることがさらに好ましい。この場合、[B]酸発生剤の含有量が0.1質量部未満では、感度及び現像性が低下する傾向がある。一方、30質量部を超えると、放射線に対する透明性が低下して、矩形のレジストパターンが得られ難くなる傾向がある。当該感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体とは別に、酸解離性基を有する重合体を含有することが好ましい。このような酸解離性基を有する重合体は酸の作用前はアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性で、[B]酸発生体等から発生する酸の作用により酸解離性基が脱離するとアルカリ可溶性となる。重合体がアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性であるとは、当該感放射線性樹脂組成物を用いて形成したレジスト被膜からレジストパターンを形成する際に採用されるアルカリ現像条件下で、レジスト被膜に代えてこのような重合体のみを用いた膜厚100nmの被膜を現像した場合に、被膜の初期膜厚の50以上が現像後に残存する性質をいう。<[C]重合体>本発明の感放射線性樹脂組成物においては、上記酸解離性基を有する重合体としては、上記[A]重合体よりもフッ素原子含有率の小さい重合体であることが好ましい。[C]重合体におけるフッ素原子含有率が[A]重合体におけるフッ素原子含有率よりも小さいと、[C]重合体及び[A]重合体を含む感放射線性樹脂組成物によって形成されたレジスト塗膜において、[A]重合体がその表層に偏在化する傾向がより強くなるため、[A]重合体の疎水性及びその低下に起因する動的接触角に関する特性がより効果的に発揮される。なお、このフッ素原子含有率質量は、13C-NMRにより[C]重合体及び[A]重合体の構造をそれぞれ測定し、その構造から算出して求めることができる。[C]重合体は、上述のような性質を有する重合体である限り、その具体的な構造は特に限定されるものではないが、[A]重合体についての上記式3で表される構造単位III及び上記式6で表される構造単位VIを有することが好ましい。[構造単位III]上記構造単位IIIの含有率としては、[C]重合体を構成する全構造単位に対して0~30モルが好ましく、0~15モルがさらに好ましい。含有率が30モルを超えると、基板との密着性が不十分となりパターンが剥がれてしまうおそれがある。[構造単位VI]上記構造単位VIの含有率としては、[C]重合体を構成する全構造単位に対して、5~75モルが好ましく、15~65モルがさらに好ましく、25~55モルが特に好ましい。含有率が5モル未満であるとレジストとして基板との密着性が不十分となりパターンが剥がれてしまうおそれがある。一方、含有率が75モルを超えると、溶解した後のコントラストが損なわれ、パターン形状が低下するおそれがある。[他の構造単位][C]重合体は、上記フッ素原子含有率を有する限り、構造単位III及び構造単位VI以外の他の構造単位を有するものであってもよい。上記他の構造単位を与える重合性不飽和単量体としては、例えば、国際公開2007/116664A号[0065]~[0085段落に開示されている単量体を挙げることができる。上記他の構造単位としては、メタアクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸2-ヒドロキシプロピル、又はメタアクリル酸3-ヒドロキシプロピルに由来する構造単位;上記構造単位V;下記式o-1で表される構造単位が好ましい。上記式o-1中、Rは、水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基である。Ro1は、2価の連結基である。上記Ro1で表される2価の連結基の例としては、例えば、上記構造単位Iにおける2価の連結基Xの例と同じものを挙げることができる。上記式o-1で表される構造単位としては、例えば、下記式o-1a~o-1hで表される構造単位等を挙げることができる。上記式o-1a~o-1h中、Rは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。上記他の構造単位の含有率としては、[C]重合体を構成する全構造単位に対して、通常、20モル以下であり、15モル以下が好ましい。含有率が20モルを超えると、パターン形成性が低下する場合がある。[C]重合体のMwとしては、通常、3,000~300,000であり、好ましくは4,000~200,000であり、さらに好ましくは4,000~100,000である。Mwが3,000未満であると、レジストとしての耐熱性が低下するおそれがある。一方、Mwが300,000を超えると、レジストとしての現像性が低下するおそれがある。当該感放射線性樹脂組成物における[C]重合体の含有量としては、全固形分に対して、通常、70質量以上であり、80質量以上が好ましい。含有量が70質量未満だと、レジストとしての解像性能が低下する場合がある。<[D]酸拡散制御体>本発明の感放射線性樹脂組成物は、必要に応じて、[D]成分として、酸拡散制御体を含有することができる。[D]酸拡散制御体としては、例えば、下記式8で表される化合物以下、含窒素化合物Iともいう。、同一分子内に窒素原子を2個有する化合物以下、含窒素化合物IIともいう。、窒素原子を3個以上有する化合物以下、含窒素化合物IIIともいう。、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等を挙げることができる。[D]酸拡散制御体を含有すると、レジストとしてのパターン形状や寸法忠実度を向上させることができる。[D]酸拡散制御体の当該感放射線性樹脂組成物における含有形態としては、後述するような化合物である酸拡散制御剤の形態以下、適宜[D]酸拡散制御剤ともいう。でも、[A]重合体や[C]重合体等他の重合体の一部として組み込まれた酸拡散制御基の形態でも、これらの両方の形態でもよい。上記式8中、R12~R14は、それぞれ独立して、水素原子、置換されていてもよい直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。含窒素化合物Iとしては、例えば、n-ヘキシルアミン等のモノアルキルアミン類;ジ-n-ブチルアミン等のジアルキルアミン類;トリエチルアミン等のトリアルキルアミン類;アニリン等の芳香族アミン類等を挙げることができる。含窒素化合物IIとしては、例えば、エチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン等を挙げることができる。含窒素化合物IIIとしては、例えば、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン等のポリアミン化合物;ジメチルアミノエチルアクリルアミド等の重合体等を挙げることができる。アミド基含有化合物としては、例えば、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン等を挙げることができる。ウレア化合物としては、例えば、尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリブチルチオウレア等を挙げることができる。含窒素複素環化合物としては、例えば、ピリジン、2-メチルピリジン等のピリジン類、ピラジン、ピラゾール等を挙げることができる。また上記含窒素有機化合物として、酸解離性基を有する化合物を用いることもできる。このような酸解離性基を有する含窒素有機化合物としては、例えば、N―t-ブトキシカルボニルピペリジン、N―t-ブトキシカルボニルイミダゾール、N―t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N―t-ブトキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール、N―t-ブトキシカルボニルジ-n-オクチルアミン、N―t-ブトキシカルボニルジエタノールアミン、N―t-ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、N―t-ブトキシカルボニルジフェニルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン等を挙げることができる。また、酸拡散制御体としては、下記式9で表される化合物を用いることもできる。XZ-9上記式9中、Xは、下記式9-1-1又は9-1-2で表されるカチオンである。Z-は、OH-、RD1-COO-で表されるアニオン、RD1-SO3-で表されるアニオン又はRD1-N--SO2-RD2で表されるアニオンである。RD1は、置換されていてもよいアルキル基、1価の脂肪族環状炭化水素基又はアリール基である。RD2は、一部又は全部の水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基若しくは1価の脂肪族環状炭化水素基である。上記式9-1-1中、RD3~RD5は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、水酸基又はハロゲン原子である。上記式9-1-2中、RD6及びRD7は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、水酸基又はハロゲン原子である。上記化合物は、露光により分解して酸拡散制御性を失う酸拡散制御体以下、光分解性酸拡散制御体ともいう。として用いられるものである。この化合物を含有することによって、露光部では酸が拡散し、未露光部では酸の拡散が制御されることにより露光部と未露光部のコントラストが優れるすなわち、露光部と未露光部の境界部分が明確になるため、特に本発明の感放射線性樹脂組成物のレジストとしての解像性能の改善に有効である。上記式9におけるXは、上記式9-1-1又は9-1-2で表されるカチオンである。そして、上記式9-1-1におけるRD3~RD5は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、水酸基又はハロゲン原子であり、これらの中でも、上記化合物の現像液に対する溶解性を低下させる効果があるため、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子であることが好ましい。また、上記式9-1-2中のRD6及びRD7は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、水酸基、又はハロゲン原子であり、これらの中でも水素原子、アルキル基、ハロゲン原子であることが好ましい。上記式9中のZ-は、OH-、RD1-COO-で表されるアニオン、RD1-SO3-で表されるアニオン又は式RD1-N--SO2-RD2で表されるアニオンである。但し、これらの式中のRD1は、置換されていてもよいアルキル基、脂肪族環状炭化水素基又はアリール基であり、これらの中でも、上記化合物の現像液に対する溶解性を低下させる効果があるため、脂肪族環状炭化水素基又はアリール基であることが好ましい。上記式9における置換されていてもよいアルキル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基等の炭素数1~4のヒドロキシアルキル基;メトキシ基等の炭素数1~4のアルコキシル基;シアノ基;シアノメチル基等の炭素数2~5のシアノアルキル基等の置換基を1種以上有する基等を挙げることができる。これらの中でも、ヒドロキシメチル基、シアノ基、シアノメチル基が好ましい。上記式9における置換されていてもよい脂肪族環状炭化水素基としては、例えば、ヒドロキシシクロペンタン、ヒドロキシシクロヘキサン、シクロヘキサノン等の単環のシクロアルカン骨格;1,7,7-トリメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-オンカンファー等の有橋脂肪族環状炭化水素骨格等の脂肪族環状炭化水素由来の1価の基等を挙げることができる。これらの中でも、1,7,7-トリメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-オン由来の基が好ましい。上記式9における置換されていてもよいアリール基としては、例えば、フェニル基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルシクロヘキシル基等、及びこれらの基の水素原子の一部又は全部を、ヒドロキシル基、シアノ基等で置換した基等を挙げることができる。これらの中でも、フェニル基、ベンジル基又はフェニルシクロヘキシル基が好ましい。上記式9におけるZ-は、下記式9-2-1で表されるアニオンRD1がフェニル基であるRD1-COO-で表されるアニオン、下記式9-2-2で表されるアニオンRD1が1,7,7-トリメチルビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-オン由来の基であるRD1-SO3-で表されるアニオン又は下記式9-2-3で表されるアニオンRD1がブチル基であり、RD2がトリフルオロメチル基であるRD1-N--SO2-RD2で表されるアニオンであることが好ましい。上記光分解性酸拡散制御体は、上記式9で表されるものであり、具体的には、上記条件を満たすスルホニウム塩化合物又はヨードニウム塩化合物であることが好ましい。上記スルホニウム塩化合物としては、例えば、トリフェニルスルホニウムハイドロオキサイド、トリフェニルスルホニウムサリチラート、トリフェニルスルホニウム4-トリフルオロメチルサリチラート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムサリチラート、トリフェニルスルホニウム10-カンファースルホナート、4-t-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム10-カンファースルホナート等を挙げることができる。なお、これらのスルホニウム塩化合物は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。また、上記ヨードニウム塩化合物としては、例えば、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムサリチラート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム4-トリフルオロメチルサリチラート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホナート等を挙げることができる。なお、これらのヨードニウム塩化合物は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。なお、[D]酸拡散制御体は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。[D]酸拡散制御剤の含有量としては、当該感放射線性樹脂組成物に含まれる重合体の総量100質量部に対して、30質量部以下が好ましく、20質量部以下がより好ましく、10質量部以下がさらに好ましく、5質量部以下が特に好ましい。[D]酸拡散制御剤が過剰に含有されると、形成したレジスト被膜の感度が著しく低下するおそれがある。<[E]溶媒>本発明の感放射線性樹脂組成物は通常、[E]溶媒を含有する。[E]溶媒は、少なくとも[A]重合体、[B]酸発生体、及び所望により含有される[C]重合体等を溶解可能な溶媒であれば特に限定されるものではない。このような[E]溶媒として、例えば、2-ペンタノン、2-ヘキサノン、2-ヘプタノン、2-オクタノン等の直鎖状又は分岐状のケトン類;シクロペンタノン、シクロヘキサノン等の環状のケトン類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類;ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテル類;2-ヒドロキシプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル等の2-ヒドロキシプロピオン酸アルキル類;3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル等の3-アルコキシプロピオン酸アルキル類;酢酸n-ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等のエステル類等;が挙げられる。これらの中でも、直鎖状又は分岐状のケトン類、環状のケトン類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセタート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、2-ヒドロキシプロピオン酸アルキル類及び3-アルコキシプロピオン酸アルキル類が好ましく、その中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート、プロピレングリコールモノメチルエーテル及びシクロヘキサノンがさらに好ましい。[E]溶媒は、1種単独で又は2種以上を混合して使用することができる。<[F]添加剤>本発明の感放射線性樹脂組成物には、上記の他、必要に応じ[F]添加剤として、偏在化促進剤、界面活性剤、脂環族化合物、増感剤、架橋剤等を配合することができる。偏在化促進剤偏在化促進剤は、[A]重合体を、より効率的にレジスト膜表面に偏析させる効果を有するものである。当該感放射線性樹脂組成物にこの偏在化促進剤を含有させることで、[A]重合体の添加量を従来よりも少なくすることができる。従って、LWR、現像欠陥、パターン倒れ耐性等のレジスト基本特性を損なうことなく、レジスト膜から液浸液への成分の溶出をさらに抑制したり、高速スキャンにより液浸露光をより高速に行うことが可能になり、結果としてウォーターマーク欠陥等の液浸由来欠陥を抑制するレジスト膜表面の疎水性を向上させることができる。このような偏在化促進剤として用いることができるものとしては、比誘電率が30以上200以下で、1気圧における沸点が100°C以上の低分子化合物を挙げることができる。このような化合物としては、具体的には、ラクトン化合物、カーボネート化合物、ニトリル化合物、多価アルコール等が挙げられる。上記ラクトン化合物の具体例としては、例えば、γ-ブチロラクトン、バレロラクトン、メバロニックラクトン、ノルボルナンラクトン等を挙げることができる。上記カーボネート化合物の具体例としては、例えば、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネート、ビニレンカーボネート等を挙げることができる。上記ニトリル化合物の具体例としては、例えば、スクシノニトリル等を挙げることができる。上記多価アルコールの具体例としては、例えばグリセリン等を挙げることができる。本発明の感放射線性樹脂組成物において、上記偏在化促進剤の含有量は、重合体の総量100質量部に対して、10~500質量部が好ましく、30~300質量部がより好ましい。上記偏在化促進剤としては、1種類のみ含有されていてもよいし、2種以上含有されていてもよい。界面活性剤界面活性剤は、塗布性、現像性等を改良する作用を示す成分である。界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn-オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn-ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤の他、以下商品名で、KP341信越化学工業社製、ポリフローNo.75、同No.95共栄社化学社製、エフトップEF301、同EF303、同EF352トーケムプロダクツ社製、メガファックF171、同F173大日本インキ化学工業社製、フロラードFC430、同FC431住友スリーエム社製、アサヒガードAG710、サーフロンS-382、同SC-101、同SC-102、同SC-103、同SC-104、同SC-105、同SC-106旭硝子社製等を挙げることができる。これらの界面活性剤は、1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。上記界面活性剤の含有量としては、当該感放射線性樹脂組成物に含まれる重合体の総量100質量部に対して、通常、2質量部以下である。脂環式骨格化合物脂環式骨格含有化合物は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等をさらに改善する作用を示す成分である。脂環式骨格含有化合物としては、例えば、1-アダマンタンカルボン酸、2-アダマンタノン、1-アダマンタンカルボン酸t-ブチル等のアダマンタン誘導体類;デオキシコール酸t-ブチル、デオキシコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸2-エトキシエチル等のデオキシコール酸エステル類;リトコール酸t-ブチル、リトコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸2-エトキシエチル等のリトコール酸エステル類;3-2-ヒドロキシ-2,2-ビストリフルオロメチルエチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、2-ヒドロキシ-9-メトキシカルボニル-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン等を挙げることができる。これらの脂環式骨格含有化合物は、1種単独で又は2種以上を混合して使用することができる。上記脂環式骨格化合物の含有量としては、当該感放射線性樹脂組成物に含まれる重合体の総量100質量部に対して、通常、50質量部以下であり、好ましくは30質量部以下である。増感剤増感剤は、[B]酸発生体等に吸収される放射線のエネルギー以外のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを例えばラジカルのような形で[B]酸発生体等に伝達し、それにより酸の生成量を増加する作用を示すものであり、当該感放射線性樹脂組成物のみかけの感度を向上させる効果を有する。増感剤としては、例えば、カルバゾール類、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、フェノール類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等を挙げることができる。これらの増感剤は、1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。架橋剤本発明の感放射線性樹脂組成物をネガ型感放射性樹脂組成物として用いる場合においては、アルカリ現像液に可溶な重合体を、酸の存在下で架橋しうる化合物以下、架橋剤ともいう。を配合してもよい。上記架橋剤としては、例えば、アルカリ現像液に可溶な重合体との架橋反応性を有する官能基以下、架橋性官能基という。を1種以上有する化合物を挙げることができる。上記架橋性官能基としては、例えば、グリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、グリシジルアミノ基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、アセトキシメチル基、ベンゾイルオキシメチル基、ホルミル基、アセチル基、ビニル基、イソプロペニル基、ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノメチル基、ジメチロールアミノメチル基、ジエチロールアミノメチル基、モルホリノメチル基等を挙げることができる。架橋剤としては、例えば、国際公開第2009/51088号公報の[0169]~[0172]段落に記載のものを挙げることができる。上記架橋剤としては、特に、メトキシメチル基含有化合物、より具体的には、ジメトキシメチルウレア、テトラメトキシメチルグリコールウリルが好ましい。上記ネガ型感放射線性樹脂組成物において、架橋剤は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。上記架橋剤の含有量としては、アルカリ現像液に可溶な重合体100質量部に対して、好ましくは5~95質量部、さらに好ましくは15~85質量部、特に好ましくは20~75質量部である。架橋剤の含有量が5質量部未満だと、残膜率の低下、パターンの蛇行や膨潤等を来しやすくなる傾向があり、一方、95質量部を超えると、アルカリ現像性が低下する傾向がある。[F]添加剤としては、上記のもの以外に、染料、顔料、接着助剤等を用いることもできる。例えば、染料又は顔料を用いることによって、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を緩和できる。また、接着助剤を配合することによって、基板との接着性を改善することができる。他の添加剤としてはアルカリ可溶性樹脂、酸解離性の保護基を有する低分子のアルカリ溶解性制御剤、ハレーション防止剤、保存安定化剤、消泡剤等を挙げることができる。なお、[F]添加剤は、以上説明した各種添加剤1種を単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。<感放射線性樹脂組成物の調製方法>本発明の感放射線性樹脂組成物は、通常、全固形分濃度が1~50質量、好ましくは1~25質量となるように[E]溶媒に溶解した後、例えば、孔径5nm程度のフィルターでろ過することによって調製される。フィルターの材質は特に制限されることは無いが、例えば、ナイロン6,6やナイロン6、ポリエチレンあるいはこれらの組み合わせ等が挙げられる。なお、当該感放射線性樹脂組成物は、ハロゲンイオン、金属等の不純物の含有量が少ないほど好ましい。このような不純物の含有量が少ないと、レジスト被膜の感度、解像度、プロセス安定性、パターン形状等をさらに向上させることができる。そのため、当該感放射線性樹脂組成物に含有させる上記[A]重合体や[C]重合体等の重合体は、例えば、水洗、液々抽出等の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法との組み合わせ等によって精製することが好ましい。<レジストパターンの形成方法>本発明のレジストパターンの形成方法は、1当該感放射線性樹脂組成物を用いて基板上にフォトレジスト膜を形成する工程以下、工程1ともいう。、2上記フォトレジスト膜上に液浸露光用液体を配置し、上記液浸露光用液体を介して上記フォトレジスト膜を液浸露光する工程以下、工程2ともいう。、及び3液浸露光された上記フォトレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程以下、工程3ともいう。を有する。このような形成方法によれば、良好なパターン形状のレジストパターンを形成することができる。上記工程1では、本発明の感放射線性樹脂組成物の溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によって、例えば、シリコンウェハ、アルミニウムで被覆されたウェハ等の基板上に塗布することにより、フォトレジスト膜が形成される。具体的には、得られるレジスト膜が所定の膜厚となるように感放射線性樹脂組成物溶液を塗布したのち、プレベークPBすることにより塗膜中の溶剤を揮発させ、レジスト膜が形成される。上記レジスト膜の厚みは特に限定されないが、10~5,000nmであることが好ましく、10~2,000nmであることがさらに好ましい。また、プレベークの加熱条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成によって変わるが、30~200°C程度であることが好ましく、より好ましくは50~150°Cである。上記工程2では、工程1で形成されたフォトレジスト膜上に液浸露光用液体を配置し、液浸露光用液体を介して、放射線を照射し、フォトレジスト膜を液浸露光する。上記液浸露光用液体としては、例えば、純水、長鎖又は環状の脂肪族化合物等を用いることができる。上記放射線としては、使用される酸発生剤の種類に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等から適宜選定されて使用されるが、ArFエキシマレーザー波長193nm若しくはKrFエキシマレーザー波長248nmに代表される遠紫外線が好ましく、特にArFエキシマレーザー波長193nmが好ましい。また、露光量等の露光条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成や添加剤の種類等に応じて適宜選定することができる。本発明においては、露光後に加熱処理PEBを行うことが好ましい。このPEBにより、樹脂成分中の酸解離性基の解離反応を円滑に進行させることができる。PEBの加熱条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成によって適宜調整されるが、通常、30~200°C、好ましくは50~170°Cである。本発明においては、感放射線性樹脂組成物の潜在能力を最大限に引き出すため、例えば特公平6-12452号公報特開昭59-93448号公報等に開示されているように、使用される基板上に有機系又は無機系の反射防止膜を形成しておくこともできる。また、環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するため、例えば、特開平5-188598号公報等に開示されているように、フォトレジスト膜上に保護膜を設けることもできる。さらに、液浸露光においてフォトレジスト膜からの酸発生剤等の流出を防止するため、例えば、特開2005-352384号公報等に開示されているように、フォトレジスト膜上に液浸用保護膜を設けることもできる。また、これらの技術は併用することができる。なお、液浸露光によるレジストパターン形成方法においては、フォトレジスト膜上に、上述の保護膜上層膜を設けることなく、本発明の感放射線性樹脂組成物を用いて得られるフォトレジスト膜のみにより、レジストパターンを形成することができる。このような上層膜フリーのフォトレジスト膜によりレジストパターンを形成する場合、保護膜上層膜の製膜工程を省くことができ、スループットの向上を期待することができる。上記工程3では、露光されたレジスト膜を現像することにより、所定のレジストパターンが形成される。この現像工程に使用される現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも1種を溶解したアルカリ性水溶液が好ましい。上記アルカリ性水溶液の濃度は、10質量以下であることが好ましい。アルカリ性水溶液の濃度が10質量を超える場合、非露光部も現像液に溶解するおそれがある。また、上記アルカリ性水溶液からなる現像液には、有機溶媒を添加することもできる。上記有機溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルi-ブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、3-メチルシクロペンタノン、2,6-ジメチルシクロヘキサノン等のケトン類;メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、i-プロピルアルコール、n-ブチルアルコール、t-ブチルアルコール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、1,4-ヘキサンジオール、1,4-ヘキサンジメチロール等のアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-アミル等のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類や、フェノール、アセトニルアセトン、ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。これらの有機溶媒は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。上記有機溶媒の使用量は、アルカリ性水溶液100体積部に対して、100体積部以下であることが好ましい。有機溶媒の使用量が100体積部を超える場合、現像性が低下して、露光部の現像残りが多くなるおそれがある。また、上記アルカリ性水溶液からなる現像液には、界面活性剤等を適量添加することもできる。なお、アルカリ性水溶液からなる現像液で現像したのちは、一般に、水で洗浄して乾燥する。本発明の感放射線性樹脂組成物を用い、上述のようにして得られるレジストパターンはレジスト被膜からの溶出による被膜性能の低下が抑制されていると共に、ウォーターマーク欠陥、バブル欠陥、現像欠陥等の各種欠陥の発生が抑制されているため、良好なパターン性を有しており、リソグラフィー技術を応用した微細加工に好適である。以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。各種物性値の測定方法を以下に示す。[重量平均分子量Mw、数平均分子量Mn]東ソー株式会社製GPCカラムG2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を用い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶媒にテトラヒドロフラン、カラム温度40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより測定した。[1H-NMR分析、13C-NMR分析]化合物の1H-NMR分析、重合体のフッ素原子含有率を求めるための13C-NMR分析は、核磁気共鳴装置日本電子株式会社製JNM-ECX400を使用して行った。<化合物iの合成>[実施例1]3-2,2,2-トリフルオロアセトキシ-1-アダマンチルメタクリラートの合成真空加熱により内部を十分に乾燥させた反応器を、乾燥窒素で置換した後、上記反応器内に、3-ヒドロキシアダマンチルメタクリラート23.63g0.1mol、トリフルオロ酢酸無水物23.10g0.11mol及びTHF500mLを加えた。その後室温にて2時間攪拌した。次いで、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液300g及び酢酸エチル500mLを加えた後、有機層を分離し抽出液を得た。この抽出液を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウム乾燥剤を加えて乾燥させた。その後、ブフナー漏斗にて上記乾燥剤を濾別後、有機溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。このようにして、下記式M-18で表される3-2,2,2-トリフルオロアセトキシアダマンチルメタクリラート30.95g収率93を得た。なお、実施例1で得られた3-2,2,2-トリフルオロアセトキシアダマンチルメタクリラートの1H-NMRデータを以下に示す。1H-NMRCDCl3δ:1.53-1.69m,2H、1.80-1.94m,3H、2.07-2.26m,8H、2.39-2.50m,2H、2.52-2.67m,2H、5.52s,1H,C=CH2、6.02s,1H,C=CH2[実施例2]3-メタクリロイルオキシ-1-アダマンチル-2,2,3,3,4,4,4-ヘプタフルオロブタノエートの合成真空加熱により内部を十分に乾燥させた反応器を、乾燥窒素で置換した後、上記反応器内に、3-ヒドロキシアダマンチルメタクリラート23.63g0.1mol、ヘプタフルオロ酪酸無水物45.11g0.11mol及びTHF500mLを加えた。その後室温にて2時間攪拌した。次いで、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液300g及び酢酸エチル500mLを加えた後、有機層を分離し抽出液を得た。この抽出液を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウム乾燥剤を用いて乾燥させた。その後、ブフナー漏斗にて上記乾燥剤を濾別後、有機溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。このようにして、下記式M-19で表される3-メタクリロイルオキシ-1-アダマンチル-2,2,3,3,4,4,4-ヘプタフルオロブタノエート35.87g収率83を得た。なお実施例2で得られた3-メタクリロイルオキシ-1-アダマンチル-2,2,3,3,4,4,4-ヘプタフルオロブタノエートの1H-NMRデータを以下に示す。1H-NMRCDCl3δ:1.51-1.66m,2H、1.81-1.96m,3H、2.07-2.30m,8H、2.37-2.48m,2H、2.49-2.66m,2H、5.51s,1H,C=CH2、6.02s,1H,C=CH2[実施例3]1-2,2,2-トリフルオロアセトキシアダマンチルメチルメタクリラートの合成真空加熱により内部を十分に乾燥させた反応器を、乾燥窒素で置換した後、上記反応器内に1-ヒドロキシアダマンチルメチルメタクリラート25.03g0.1mol、トリフルオロ酢酸無水物23.10g0.11mol及びTHF500mLを加えた。その後室温にて2時間攪拌した。次いで、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液300g及び酢酸エチル500mLを加えた後、有機層を分離し抽出液を得た。この抽出液を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウム乾燥剤を用いて乾燥させた。その後、ブフナー漏斗にて上記乾燥剤を濾別後、有機溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。このようにして、下記式M-20で表される1-2,2,2-トリフルオロアセトキシ-1-アダマンチルメチルメタクリラート31.50g収率91を得た。なお、実施例3で得られた1-2,2,2-トリフルオロアセトキシアダマンチルメチルメタクリラートの1H-NMRデータを以下に示す。1H-NMRCDCl3δ:1.47-1.72m,2H、1.79-1.91m,3H、1.98-2.33m,8H、2.41-2.56m,2H、2.61-2.78m,2H、4.22d,2H、5.54s,1H,C=CH2、6.00s,1H,C=CH2[実施例4]2-オキソ-2-3-2,2,2-トリフルオロアセトキシ-1-アダマンチルオキシエチルメタクリラートの合成真空加熱により内部を十分に乾燥させた反応器を、乾燥窒素で置換した後、上記反応器内に、3-ヒドロキシアダマンチルメタクリラート29.43g0.1mol、トリフルオロ酢酸無水物23.10g0.11mol及びTHF500mLを加えた。その後室温にて2時間攪拌した。次いで、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液300g及び酢酸エチル500mLを加えた後、有機層を分離し抽出液を得た。この抽出液を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウム乾燥剤を用いて乾燥させた。その後、ブフナー漏斗にて上記乾燥剤を濾別後、有機溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。このようにして、下記式M-21で表される2-オキソ-2-3-2,2,2-トリフルオロアセトキシ-1-アダマンチルオキシエチルメタクリラート33.56g収率86を得た。なお、実施例4で得られた3-2,2,2-トリフルオロアセトキシアダマンチルメタクリラートの1H-NMRデータを以下に示す。1H-NMRCDCl3δ:1.50-1.67m,2H、1.79-1.98m,3H、2.00-2.22m,8H、2.35-2.49m,2H、2.50-2.65m,2H、5.11d,2H、5.50s,1H,C=CH2、6.01s,1H,C=CH2[実施例5]3,5-ジトリフルオロアセトキシ-1-アダマンチルメタクリラートの合成真空加熱により内部を十分に乾燥させた反応器を、乾燥窒素で置換した後、上記反応器内に、攪拌子、上記式で表される3,5-ジヒドロキシ-1-アダマンチルメタクリラート5.00g0.0198mol及びジメチルアミノピリジンDMAP0.121g0.00099molを加え、反応器を氷浴にて冷やしながらスターラーを用いて攪拌した。そこに、トリフルオロ酢酸無水物12.50g0.0594molを5分かけて滴下し、10分間氷浴にて攪拌した。その後、室温にて10時間攪拌した。次いで、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液100g及び酢酸エチル200mLを加えた後、有機層を分離し抽出液を得た。この抽出液を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウム乾燥剤で乾燥させた。その後、ブフナー漏斗にて上記乾燥剤を濾別後、有機溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。このようにして、式M-24で表される3,5-ジトリフルオロアセトキシ-1-アダマンチルメタクリラート4.51g収率51を得た。なお、実施例5で得られた3,5-ジトリフルオロアセトキシ-1-アダマンチルメタクリラートの1H-NMRデータを以下に示す。1H-NMRCDCl3δ:1.85-1.95m,3H、2.10-2.25m,6H、2.55-2.75m,7H、5.56s,1H,C=CH2、6.04s,1H,C=CH2<[A]重合体及び[C]重合体の合成>上述のようにして合成した化合物i下記式M-18~M-21及びM-24で表される化合物及びその他の化合物下記式M-1~M-17、M-22、M-23及びM-25で表される化合物の中から選択される化合物をそれぞれ用い、下記方法により、[A]重合体である重合体A-1~A-21及び[C]重合体である重合体C-1~C-5を合成した。[[A]重合体の合成][実施例6]重合体A-1の合成化合物M-185.0g0.0150モルを2-ブタノン10gに溶解し、さらにジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネート0.25gを200mLの三口フラスコに投入し、30分窒素パージした後、反応釜を攪拌しながら80°Cに加熱した。加温開始を重合開始時間とし、重合反応を4時間実施した。重合終了後、重合溶液を水冷することにより30°C以下に冷却した。その重合溶液をエバポレーターにて重合溶液の重量が7.5gになるまで減圧濃縮した。その後、50gのメタノール及び50gの水の混合液中に濃縮液を投入し、スライム状の白色固体を析出させた。デカンテーションにて液体部を取り除き、再度50gのメタノール及び50gの水の混合液を投入してスライム状の白色固体を繰り返し2回洗浄した。回収した固体を60°C、15時間真空乾燥することにより、白色の粉体である重合体A-13.1gを得た収率62。この重合体A-1のMwは6,900であり、Mw/Mnは1.44であり、13C-NMR分析の結果、化合物M-18に由来する構造単位の含有率が100モルであった。[実施例7]重合体A-2の合成化合物M-184.0g0.0120モル、80モル及び化合物M-30.59g0.0030モル、20モルを、2-ブタノン10gに溶解し、さらにジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネート0.90gを溶解した単量体溶液を準備した。一方、100mLの三口フラスコに5gの2-ブタノンを投入し、30分窒素パージした後、反応釜を攪拌しながら80°Cに加熱した。次いで滴下漏斗を用い、上記予め準備しておいた単量体溶液を3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液を水冷することにより30°C以下に冷却した。その重合溶液をエバポレーターにて重合溶液の重量が30gになるまで減圧濃縮した。その後、100gのメタノール及び100gの水の混合液中に濃縮液を投入し、スライム状の白色固体を析出させた。デカンテーションにて液体部を取り除き、100gのメタノールを投入してスライム状の白色固体を繰り返し2回洗浄した。回収した固体を60°C、15時間で真空乾燥することにより白色の粉体である重合体A-215.1gを得た収率76。この重合体A-2のMwは4,900であり、Mw/Mnは1.39であり、13C-NMR分析の結果、化合物M-18及びM-3に由来する構造単位の含有率が各々81.4モル、18.6モルであった。[実施例8~26]重合体A-3~A-21の合成単量体化合物の総モル数が同じ0.0153molになるようにし、重合反応における各々の仕込み量モル比を表1記載の通りとした以外は実施例7と同様にして重合体A-3~A-21を調製した。重合体A-1~A-21の物性値を表2に示す。[合成例1~8]重合体a-1~a-8の合成また、化合物iを用いず、表1記載の通りの化合物を用い、実施例7と同様にして重合体a-1~a-8を調製した。重合体a-1~a-8の物性値も表2に示す。[[C]重合体の合成][合成例9~13]重合体C-1~C-5の合成表3に記載した通りの化合物を用い、実施例7と同様にして、[C]重合体である重合体C-1~C-5を調製した。重合体C-1~C-5の物性値を表3に合わせて示す。<感放射線性樹脂組成物の調製>上記[A]重合体及び[C]重合体以外の感放射線性樹脂組成物を構成する各成分について以下に示す。[B]酸発生体:下記に構造式を示す。B-1:トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネートB-2:4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネートB-3:トリフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート[D]酸拡散制御剤:下記に構造式を示す。D-1:N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン[E]溶媒E-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタートE-2:シクロヘキサノン[F]添加剤偏在化促進剤F-1:γ-ブチロラクトン[実施例27]重合体A-15質量部、酸発生剤B-19.9質量部、重合体C-2100質量部、酸拡散制御剤D-11.5質量部、[F]添加剤としてγ-ブチロラクトン100質量部、並びに溶媒E-11500質量部及びE-2650質量部を混合して感放射線性樹脂組成物を調製した。実施例28~57、及び比較例1~8実施例27において、[A]成分、[B]酸発生剤及び[C]重合体については表4に示す種類及び量にしたこと以外は実施例27と同様にして各感放射線性樹脂組成物を調製した。<評価>実施例27~57及び比較例1~8で得られた感放射線性樹脂組成物について以下のようにレジスト被膜を形成し、動的接触角前進接触角、後退接触角及び欠陥防止性能バブル欠陥数についてそれぞれ下記方法により評価を行った。評価結果を表4に示す。[前進接触角、後退接触角の測定]上記調製した各感放射線性樹脂組成物を用いて基板ウェハ上に被膜を形成した。その後、形成した被膜について、室温23°C、湿度45、常圧の環境下で、KRUS社製のDSA-10を用いて以下の手順で前進接触角及び後退接触角を測定した。前進接触角の測定方法ウェハステージ位置を調整してから、ウェハをステージにセットし、DSA-10の針に水を注入した。針の位置を微調整した後、針から水を排出してウェハ上に10μLの水滴を形成し、水滴から針を一旦引き抜いた。次に、針を上記微調整した位置に再び引き下げた後、針によって10μL/分の速度で90秒間水を排出するとともに、接触角を毎秒計90回測定した。接触角が安定した時点から計20点の接触角について平均値を算出して前進接触角°とした。後退接触角の測定方法ウェハステージ位置を調整してから、ウェハをステージにセットし、DSA-10の針に水を注入した。針の位置を微調整した後、針から水を排出してウェハ上に25μLの水滴を形成し、水滴から針を一旦引き抜いた。次に、針を上記微調整した位置に再び引き下げた後、針によって水滴を10μL/分の速度で90秒間吸引するとともに、接触角を毎秒計90回測定した。接触角が安定した時点から計20点の接触角について平均値を算出して後退接触角°とした。8インチシリコンウェハ上に、上記感放射線性樹脂組成物によって、膜厚110nmの被膜を形成し、120°Cで60秒間ソフトベークSBを行った基板の前進接触角及び後退接触角をそれぞれSB後の前進接触角及びSB後の後退接触角とした。8インチシリコンウェハ上に、上記感放射線性樹脂組成物によって、膜厚110nmの被膜を形成し、120°Cで60秒間ソフトベークSBを行った。その後、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により15秒間現像処理し、水洗し、乾燥した基板の前進接触角及び後退接触角をそれぞれ現像後の前進接触角及び現像後の後退接触角とした。[欠陥防止性能バブル欠陥の発生数の測定]基板として、表面に膜厚105nmの下層反射防止膜日産化学工業株式会社製ARC66を形成した12インチシリコンウェハを用いた。なお、この反射防止膜の形成には東京エレクトロン株式会社製のCLEANTRACKACT12を用いた。次いで、上記調製した感放射線性樹脂組成物をこの基板上に、上記CLEANTRACKACT12にて、スピンコートし、120°Cで60秒間プレベークPBを行うことにより、膜厚100nmのフォトレジスト膜を形成した。このフォトレジスト膜に、ArFエキシマレーザー液浸露光装置NIKON製のNIKONS610CをNA=1.30、σ0/σI=0.96/0.76、Annularにより、線幅45nmのラインアンドスペースパターン1L1Sのマスクを介して露光した。この際、レジスト上面と液浸露光機レンズの間には液浸溶媒として純水を配置した。その後、85°Cで60秒間PEBを行ったのち、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により、23°Cで60秒間現像し、水洗、乾燥することにより、ポジ型のレジストパターンを形成した。それから、線幅45nmのラインアンドスペースパターン1L1S上の欠陥数を、KLA-Tencor社製KLA2810を用いて測定した。さらに、KLA2810にて測定された欠陥を、走査型電子顕微鏡株式会社日立ハイテクノロジーズ製S-9380を用いて観察し、レジスト由来と判断されるものと外部由来の異物によるものとに分類してカウントし、ArFエキシマレーザー液浸露光由来と分類されるものの数をバブル欠陥数とした。表4の結果から、本発明に係る[A]重合体を含有する実施例27~57の感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜は、いずれも、[A]重合体を含有しない比較例1~8の感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜と比べて、SB後の水に対する後退接触角が大きいことが確認できた。このことより、[A]重合体を含有することにより、レジスト膜の疎水性が高まることが分かる。これにより、液浸スキャン露光時のスキャン追従性及び溶出低減の効果がいずれも向上することが期待される。また、表4の結果から、実施例27~57の感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジストは、いずれも、現像後の水に対する動的接触角が、前進接触角及び後退接触角とも、現像前の接触角に比べて大きく低下しており、特に、後退接触角は非常に大きく低下していることが確認できた。このことより、当該[A]重合体を含有することにより、現像液及びリンス液の広がり性が向上することが期待されると共に、液浸由来のディフェクトの低減効果が発揮されることが期待される。また、構造単位Iを示す上記式1におけるnが2である[A]重合体を用いた実施例54~57の感放射線性樹脂組成物によれば、前進接触角及び後退接触角とも、現像後の現像前に対する低下がさらに大きくできることも示された。このことにより、上記スキャン追従性、溶出低減の効果並びに現像液及びリンス液の広がり性等をさらに向上できることが期待される。一方、フッ素原子数が多いフッ素含有基を有する重合体に係る比較例6及び7は、バブル欠陥の発生が非常に多い。本発明の感放射線性樹脂組成物によれば、このようなバブル欠陥の発生は十分抑制されることが示された。"