半導体ウェーハを載置するためのステージと、前記ステージ上に載置される半導体ウェーハの周縁部を覆うように配置されるエッジカット部を備え、前記半導体ウェーハ上にタングステン膜を成膜する成膜装置であって、前記エッジカット部は、前記半導体ウェーハの周縁部と接触可能に設けられた第1のエッジカット部と、前記第1のエッジカット部に接続され、前記半導体ウェーハと実質的に垂直な方向に上下動可能な接続部と、前記接続部に接続され、前記接続部の上下動により前記半導体ウェーハの内側面に当接するように配置された第2のエッジカット部と、を備えたことを特徴とする成膜装置。前記エッジカット部は、前記半導体ウェーハ周縁部において、所定の間隔ごとに配置されることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。前記第2のエッジカット部は、前記第1のエッジカット部の内側面及び上面に当接可能に設けられたことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の成膜装置。半導体ウェーハ上にタングステン膜を成膜する成膜方法であって、前記半導体ウェーハの周縁部を覆うように第1のエッジカット部を配置し、第2のエッジカット部を前記半導体ウェーハから離隔させた第1の状態で前記半導体ウェーハ上に第1のタングステン膜を成膜する工程と、前記第2のエッジカット部を、前記半導体ウェーハの周縁部を覆うように配置された前記第1のエッジカット部の少なくとも内側面に当接させた第2の状態で前記第1のタングステン膜上に第2のタングステン膜を成膜する工程と、を備えたことを特徴とする成膜方法。請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の成膜装置を用いる成膜方法であって、前記半導体ウェーハの周縁部を覆うように前記第1のエッジカット部を配置し、前記第2のエッジカット部を前記半導体ウェーハから離隔させた第1の状態で前記半導体ウェーハ上に第1のタングステン膜を成膜する工程と、前記第2のエッジカット部を、前記半導体ウェーハの周縁部を覆うように配置された前記第1のエッジカット部の少なくとも内側面に当接させた第2の状態で前記第1のタングステン膜上に第2のタングステン膜を成膜する工程と、を備えたことを特徴とする成膜方法。本発明が解決しようとする課題は、タングステン膜を成膜する際に半導体ウェーハがエッチングされることを抑制する成膜装置及び成膜方法を提供することである。実施形態に係る成膜装置は、半導体ウェーハを載置するためのステージと、前記ステージ上に載置される半導体ウェーハの周縁部を覆うように配置されるエッジカット部を備え、前記半導体ウェーハ上にタングステン膜を成膜する。前記エッジカット部は、前記半導体ウェーハの周縁部と接触可能に設けられた第1のエッジカット部と、前記第1のエッジカット部に接続され、前記半導体ウェーハと実質的に垂直な方向に上下動可能な接続部と、前記接続部に接続され、前記接続部の上下動により前記半導体ウェーハの内側面に当接するように配置された第2のエッジカット部と、を備える。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。図1は本実施形態に係る成膜装置の主要部の部分を拡大した断面図を、図2は、本実施形態に係る成膜装置の主要部の断面図を、図3は、本実施形態に係る成膜装置の主要部の平面図を示す。本実施形態に係る成膜装置には、半導体ウェーハ2上に成膜処理を行う反応室図示なしが設けられている。反応室の主要部には、半導体ウェーハ2を載置するためのステージ1が設けられる。このステージ1上には、半導体ウェーハ2が載置される。図1に示すように、半導体ウェーハ2上には、層間絶縁膜図示なし及びバリアメタル膜3が形成されている。バリアメタル膜3は、例えばTi膜とTiN膜との積層膜である。図1に示すように、反応室内には、半導体ウェーハ2の周縁部を覆うように配置するエッジカット部4が設けられる。エッジカット部4には、半導体ウェーハ2の周縁部と接触可能な第1のエッジカット部4aが設けられている。第1のエッジカット部4aの断面は、例えば長方形、正方形又はL字型の形状をしている。第1のエッジカット部4aにおける半導体ウェーハ2の径方向の長さは、例えば1~3mm程度である。第1のエッジカット部4aによって半導体ウェーハ2をステージ1に押さえることで、半導体ウェーハ2は固定される。さらに、第1のエッジカット部4aが、半導体ウェーハ2の周縁部に設けられていることにより、後述するタングステン膜の成膜の際に半導体ウェーハ2の周縁部にタングステン膜が成膜されない。第1のエッジカット部4aには、第1のエッジカット部4aに接続する接続部4bが設けられる。接続部4bは、後述する第1の状態及び第2の状態において、第1のエッジカット部4aに固定される。接続部4bは、例えば半導体ウェーハ2と実質的に垂直な方向、すなわち本実施形態に係る成膜装置の上下方向に上下動可能なロッドである。接続部4bとしてのロッドの上部には、第2のエッジカット部4cが接続部4bと接続されるように設けられている。第2のエッジカット部4cは、例えばロッド上部に固定されている。第2のエッジカット部4cは、接続部4bが上下動する際に、一体となって例えば本実施形態に係る成膜装置の上下方向に移動する。エッジカット部4は、接続部4b及び第2のエッジカット部4cが成膜装置の上下方向に移動することにより、図2aに示すような半導体ウェーハ2の周縁部を覆うように第1のエッジカット部4aを配置し、第2のエッジカット部4cを半導体ウェーハ2から離隔させた第1の状態と、図2bに示すような第2のエッジカット部4cを、半導体ウェーハ2の周縁部を覆うように配置された第1のエッジカット部4aの少なくとも内側面に当接させた第2の状態をとり得る。ここで、第2の状態において、第2のエッジカット部4cは、第1のエッジカット部4aの内側面と当接するだけでなく、第1のエッジカット部4aの上面や外側面と当接してもよい。なお、本明細書中においては、第1のエッジカット部4aの内側面とは、第1のエッジカット部4aにおいて半導体ウェーハ2の中心側の側面のことをいい、第1のエッジカット部4aの外側面とは、第1のエッジカット部4aにおいて半導体ウェーハ2の外側における側面のことをいう。第2のエッジカット部4cの断面は、第1のエッジカット部4aの内側面や上面等に当接するように、例えばL字型の形状をしている。エッジカット部4は、例えば、図3aに示すように半導体ウェーハ2周縁部全体を覆うように設けられる。この場合、第1のエッジカット部4aは、図3aに示すように、例えばリング形状である。第2のエッジカット部4cは、第1のエッジカット部4aの内側面に当接するように、例えば断面がL字型のリング形状である。また、エッジカット部4は、図3bに示すように、半導体ウェーハ2周縁部において所定の間隔ごとに設けられてもよい。ここで、所定の間隔ごとに設けられるとは、例えば、半導体ウェーハ2を円形状としたとき、円の角度で10度ごとの一定の間隔ごとに設けられることをいう。この円の角度は、10度に限るものではなく、15度、20度、30度等種々選択されるものである。エッジカット部4が、半導体ウェーハ2周縁部において所定の間隔ごとに設けられる場合、エッジカット部4が存在しない部分において、半導体ウェーハ2の外側から半導体ウェーハ2に反応室中に供給される不活性ガスのArガスが流れ、後述するタングステン膜の成膜中に供給されるWF6ガスが希釈される。これにより、半導体ウェーハ2へのエッチングを抑制することができる。第1のエッジカット部4a及び第2のエッジカット部4cの形状をいくつか挙げたが、これらに限らず、第2のエッジカット部4cが第1のエッジカット部4aの少なくとも内側面に当接する形状であればよい。本実施形態に係る成膜装置によれば、第1の状態と第2の状態を変化させることにより、エッジカット部4全体における半導体ウェーハ2の径方向の長さを変えることができる。特に、第1の状態から、第2の状態にすることにより、エッジカット部4全体の半導体ウェーハ2の径方向の長さを長くすることができる。これにより、後述するタングステン膜の成膜領域を制御することができる。以下、本実施形態に係る成膜方法について図4を用いて説明する。まず、半導体ウェーハ2上には、配線又はコンタクトプラグを形成するまでに、所定の素子図示なしが形成される。このとき、半導体ウェーハ2上には、層間絶縁膜が形成される。層間絶縁膜は、リソグラフィ法及びRIEReactiveIonEtching等のドライエッチングにより、コンタクトホール及び配線溝が形成される。コンタクトホール、配線溝及び層間絶縁膜上には、バリアメタル膜3として例えばTiN膜が形成される。バリアメタル膜3は、コンタクトホール又は配線溝の底面及び側面全体に成膜する。次に、バリアメタル膜3上に、コンタクトプラグ又は配線を形成するため、タングステン膜を成膜する。タングステン膜は、熱CVDChemicalVaporDeposition法により成膜される。本実施形態においては、以下の2工程に分けて第1のタングステン膜5及び第2のタングステン膜6を成膜する。まず、半導体ウェーハ2を熱CVD装置の反応室の主要部にあるステージ1に搬送する。その後、図4aに示すように、反応室に設けられているエッジカット部4を半導体ウェーハ2の周縁部を覆うように配置する。まず、図4bに示すように、第1の状態、すなわち第2のエッジカット部4cが第1のエッジカット部4aの上方向に半導体ウェーハ2から離隔して配置されており、第2のエッジカット部4cと第1のエッジカット部4aが非接触である状態にし、バリアメタル膜3上に、第1のタングステン膜5を成膜する。第1のタングステン膜5は、反応室に成膜ガスとしてSiH4ガス又はB2H6ガスとWF6ガスを供給し、SiH4又はB2H6によりWF6を還元することにより成膜される。これらの成膜ガスは、例えば半導体ウェーハ2上方から供給されるものである。第1のタングステン膜5は、核形成を行うために成膜する。このとき、バックサイドガスである不活性ガスのArガスが供給されている。エッジカット部4が、所定の間隔ごとに設けられ、互いのエッジカット部4間に隙間が生じている場合には、バックサイドガスであるArガスが、半導体ウェーハ2の外側から半導体ウェーハ2上に供給される。また、このとき、第2のエッジカット部4cは、半導体ウェーハ2から離隔して第1のエッジカット部4aと非接触状態にあり、第1のエッジカット部4aの上方にある。したがって、第1のタングステン膜5の成膜時に第2のエッジカット部4cは影響しない。すなわち、第1の状態においては、半導体ウェーハ2周縁部には、エッジカット部4のうち第1のエッジカット部4aが配置されているため、半導体ウェーハ2端から距離D1の領域は、第1のタングステン膜5が成膜されていない領域となる。次に、図4cに示すように、第2の状態、すなわち第2のエッジカット部4cと第1のエッジカット部4aの少なくとも内側面が当接している状態にし、第1のタングステン膜5上に第2のタングステン膜6を成膜する。第2のタングステン膜6は、反応室に成膜ガスとしてH2ガスとWF6ガスを供給し、H2によりWF6を還元することにより成膜される。これらの成膜ガスは、例えば半導体ウェーハ2上方から供給されるものである。第2のタングステン膜6の成膜は、厚膜のタングステン膜を形成するために行う。このとき、バックスサイドガスである不活性ガスのArガスが供給されている。エッジカット部4が、所定の間隔ごとに設けられ、互いのエッジカット部4間に隙間が生じている場合には、バックサイドガスであるArガスが、半導体ウェーハ2の外側から半導体ウェーハ2上に供給される。これにより、第2のタングステン膜6の成膜中に供給されるWF6ガスが希釈され、半導体ウェーハ2のエッチングを抑制することができる。また、このとき、第2のエッジカット部4cは、第1のエッジカット部4aの少なくとも内側面が当接している状態である。すなわち、第1の状態に比べて、エッジカット部4全体の半導体ウェーハ2の径方向の長さが長くなっている。半導体ウェーハ2端から距離D2の領域には、第2のタングステン膜6が成膜されていないとすると、第2のタングステン膜6の非成膜領域は、第1のタングステン膜5の非成膜領域より大きいものとなるD2≧D1。換言すると、第1のタングステン膜5の成膜領域は、第2のタングステン膜6の成膜領域より大きいものとなる。これにより、半導体ウェーハ2の周縁部において、層間絶縁膜が成膜されていない領域が存在したとしても、厚膜の第2のタングステン膜6は、半導体ウェーハ2上に直接成膜されない。したがって、第2のタングステン膜6の成膜ガスによる半導体ウェーハ2のエッチングを抑制することができる。以上のように、本発明の本実施形態によれば、接続部4b及び第2のエッジカット部4cを上下動させ、第1の状態と第2の状態とを変化させることにより、エッジカット部4全体の半導体ウェーハ2の径方向の長さを変えることができる。これにより、タングステン膜の成膜領域を制御することができる。さらに、本実施形態によれば、第2のエッジカット部4cを半導体ウェーハ2から離隔させた第1の状態において、半導体ウェーハ2上に第1のタングステン膜5を成膜し、第2のエッジカット部4cと第1のエッジカット部4aの少なくとも内側面が当接している第2の状態において、第1のタングステン膜5上に第2のタングステン膜6を成膜している。これにより、第1のタングステン膜5の成膜領域を第2のタングステン膜6の成膜領域より大きくすることができ、第2のタングステン膜6は、半導体ウェーハ2上に直接成膜されることを抑制できる。すなわち、成膜ガスによる半導体ウェーハ2のエッチングを抑制することができる。なお、本発明は、上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの実施形態は、その他のさまざまな形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。