"下地部材上に形成された絶縁層と、前記絶縁層によって覆われた第1メタル層と、互いに間隔をあけて前記絶縁層上に配列され且つ前記第1メタル層より厚く形成された複数の電極部分を有する第2メタル層とを備え、前記絶縁層は、前記第1メタル層と前記複数の電極部分との間を繋ぐ複数のビアホールを有し、前記複数のビアホール内に配置され、前記複数の電極部分を前記第1メタル層に電気的に接続する複数の貫通配線を備えたことを特徴とする半導体装置の配線構造。前記複数の電極部分は、複数行複数列に配列されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の配線構造。前記複数の電極部分のそれぞれの平面形状は、四角形であり、前記複数のビアホールは、前記複数の電極部分の角部近傍にそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の配線構造。前記第1メタル層は、単一の配線構造体から成り、前記配線構造体は、前記絶縁層を挟んで前記複数の電極部分と対向配置されることを特徴とする請求項1から3までのいずれか1項に記載の半導体装置の配線構造。前記第1メタル層は、複数の配線構造体から成り、前記複数の配線構造体は、前記絶縁層を挟んで前記複数の電極部分と対向配置されることを特徴とする請求項1から3までのいずれか1項に記載の半導体装置の配線構造。前記複数の電極部分が、M行N列M及びNのそれぞれは2以上の整数に配列されている場合に、前記複数の配線構造体は、M-1行以下の行数とN-1列以下の列数に配列されることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の配線構造。前記第1メタル層、前記貫通配線、及び前記第2メタル層は、同じ導電性材料から構成されることを特徴とする請求項1から5までのいずれか1項に記載の半導体装置の配線構造。前記下地部材は、半導体基板であることを特徴とする請求項1から6までのいずれか1項に記載の半導体装置の配線構造。前記下地部材は、半導体基板上に形成された他の層であることを特徴とする請求項1から7までのいずれか1項に記載の半導体装置の配線構造。前記第2メタル層は、配線がボンディングされるパッド電極であることを特徴とする請求項1から8までのいずれか1項に記載の半導体装置の配線構造。下地部材上に第1絶縁層を形成する工程と、前記第1絶縁層上に第1メタル層を形成する工程と、前記第1メタル層を覆う第2絶縁層を形成する工程と、前記第2絶縁層に複数のビアホールを形成する工程と、前記複数のビアホール内に、前記第1メタル層に電気的に接続された複数の貫通配線を形成する工程と、互いに間隔をあけて前記第2絶縁層上に配列され、前記複数の貫通配線のいずれかに電気的に接続され、前記第1メタル層より厚くなるように、第2メタル層を構成する複数の電極部分を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の配線構造の製造方法。前記複数の電極部分は、複数行複数列に配列されていることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造方法。前記複数の電極部分のそれぞれの平面形状は、四角形であり、前記複数のビアホールは、前記複数の電極部分の角部近傍にそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項11又は12に記載の半導体装置の配線構造の製造方法。前記第1メタル層は、単一の配線構造体から成り、前記配線構造体は、前記絶縁層を挟んで前記複数の電極部分と対向配置されることを特徴とする請求項11から13までのいずれか1項に記載の半導体装置の配線構造の製造方法。前記第1メタル層は、複数の配線構造体から成り、前記複数の配線構造体は、前記絶縁層を挟んで前記複数の電極部分と対向配置されることを特徴とする請求項11から13までのいずれか1項に記載の半導体装置の配線構造の製造方法。前記複数の電極部分が、M行N列M及びNのそれぞれは2以上の整数に配列されている場合に、前記複数の配線構造体は、M-1行以下の行数とN-1列以下の列数に配列されることを特徴とする請求項15に記載の半導体装置の配線構造の製造方法。前記第1メタル層、前記貫通配線、及び前記第2メタル層は、同じ導電性材料から構成されることを特徴とする請求項11から16までのいずれか1項に記載の半導体装置の配線構造の製造方法。上記したように、従来の半導体装置の配線構造には、パッド電極となるメタル層が密着する絶縁層に、スパッタ後又はボンディング時などに、クラックが生じやすく、このクラックに起因する不具合が発生し易いという問題があった。そこで、本発明は、上記従来技術の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、第2メタル層が密着する絶縁層にクラックを生じ難い半導体装置の配線構造及びその製造方法を提供することにある。本発明に係る半導体装置の配線構造は、下地部材上に形成された絶縁層と、前記絶縁層によって覆われた第1メタル層と、互いに間隔をあけて前記絶縁層上に配列され且つ前記第1メタル層より厚く形成された複数の電極部分を有する第2メタル層とを備え、前記絶縁層は、前記第1メタル層と前記複数の電極部分との間を繋ぐ複数のビアホールを有し、前記複数のビアホール内に配置され、前記複数の電極部分を前記第1メタル層に電気的に接続する複数の貫通配線を備えたことを特徴としている。本発明に係る半導体装置の配線構造の製造方法は、下地部材上に第1絶縁層を形成する工程と、前記第1絶縁層上に第1メタル層を形成する工程と、前記第1メタル層を覆う第2絶縁層を形成する工程と、前記第2絶縁層に複数のビアホールを形成する工程と、前記複数のビアホール内に、前記第1メタル層に電気的に接続された複数の貫通配線を形成する工程と、互いに間隔をあけて前記第2絶縁層上に配列され、前記複数の貫通配線のいずれかに電気的に接続され、前記第1メタル層より厚くなるように、第2メタル層を構成する複数の電極部分を形成する工程とを有することを特徴としている。本発明の一形態に係る半導体装置の配線構造及びその製造方法によれば、第2メタル層が密着する絶縁層にクラックを生じ難くすることができ、配線構造の品質を向上させることができる。《1》第1の実施形態《1-1》第1の実施形態の構成図3は、第1の実施形態に係る半導体装置の配線構造を概略的に示す平面図である。また、図4は、図3の配線構造をIV-IV線で切った面を概略的に示す断面図であり、図5は、図3の配線構造をV-V線で切った面を概略的に示す断面図であり、図6は、図3の配線構造をVI-VI線で切った面を概略的に示す断面図である。図3から図6までに示されるように、第1の実施形態に係る半導体装置の配線構造は、下地部材としての半導体基板例えば、シリコン基板11上に形成された絶縁層例えば、SiO2層12と、この絶縁層12によって覆われた配線層としての第1メタル層13と、互いに間隔をあけて絶縁層12上に配列され且つ第1メタル層13より厚く形成された複数の電極部分101,102,103,104,105,...を有する第2メタル層14とを備えている。絶縁層12は、第1メタル層13と複数の電極部分101,102,103,104,105,...との間を繋ぐ複数のビアホールvia-hole例えば、101a,102a,102b,103a,103b,...を有している。複数のビアホール内には、複数の電極部分101,102,103,104,105,...を第1メタル層13に電気的に接続する複数の貫通配線15が備えられている。また、複数の電極部分101,102,103,104,105,...は、複数行複数列本実施形態では、5行5列に配列されている。ただし、配列の行数及び列数は、図示の例に限定されず、4行4列、3行3列、又は、5行6列のような他の配列であってもよい。また、複数の電極部分101,102,103,104,105,...のそれぞれの平面形状は、四角形図では、正方形又は長方形である。ただし、複数の電極部分101,102,103,104,105,...のそれぞれの平面形状は、四角形に限定されず、円形、楕円形、4以外の角を持つ多角形などの他の形状であってもよい。また、複数のビアホール101a,102a,102b,103a,103b,...は、複数の電極部分の角部近傍にそれぞれ配置されている。ただし、複数のビアホールの位置は、他の位置であってもよい。また、第1の実施形態においては、第1メタル層13は、単一の構造体から成り、この構造体は、絶縁層12の一部を挟んで複数の電極部分101,102,103,104,105,...と対向配置されている。また、第1メタル層13、貫通配線15、及び第2メタル層14は、同じ導電性材料、例えば、アルミ又は銅又はこれらのいずれかを含む合金又は他の導電性金属から構成されている。下地部材は、半導体基板上に形成された他の層、例えば、他の絶縁層図示せずであってもよい。《1-2》第1の実施形態の製造方法図7a~dは、第1の実施形態に係る半導体装置の配線構造の製造方法の工程説明図である。第1の実施形態に係る半導体装置の配線構造の製造方法においては、図7aに示されるように、半導体基板11上に公知の成膜プロセスを用いて第1絶縁層12aを形成し、第1絶縁層12a上に公知の成膜プロセス例えば、スパッタ法などを用いて第1メタル層13を形成し、公知の成膜プロセスを用いて第1メタル層を覆う第2絶縁層12bを形成し、公知の平坦化処理を施す。なお、第1絶縁層12aと第2絶縁層12bとによって、絶縁層12が構成される。次に、図7bに示されるように、公知のプロセス例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて第2絶縁層12bに複数のビアホール101a,102a,...を形成し、複数のビアホール内に、第1メタル層に電気的に接続された複数の貫通配線15を形成する。次に、図7cに示されるように、公知の成膜プロセス例えば、スパッタ法などを用いてメタル層14aを形成する。次に、図7dに示されるように、公知のプロセス例えば、フォトリソグラフィ技術を用いてメタル層14aを分割して、複数の電極部分101,102,103,104,105,...からなるパッド電極を形成する。以上のプロセスにより、第1の実施形態の半導体装置の配線構造が製造できる。《1-3》第1の実施形態の効果図8は、第1の実施形態に係る半導体装置の配線構造による効果の説明図であり、図9は、比較例の半導体装置の配線構造の説明図である。図8に示されるように、第1の実施形態に係る半導体装置の配線構造によれば、電極パッド14を複数の電極部分101,102,103,104,105,...によって構成しているので、各電極部分の内部に発生する応力は、例えば、図8に矢印で示すように、電極パッド14の内部及び周辺の広い範囲に分散され、絶縁層12の特定の箇所に、各電極部分の応力実線矢印で示すに起因する力が集中しない。このため、絶縁層12が電極パッド14の各電極部分から受ける力F14破線出示す矢印は比較的小さく、絶縁層12にクラックは生じ難い。仮に、図9に示されるように、電極パッド4を1つの電極部分によって構成した場合には、電極パッド4の内部に発生する応力は、例えば、図9に矢印で示すように、電極パッド4の角部の4箇所に特に集中し、絶縁層2の特定の箇所に応力実線矢印で示すに起因する力が集中する。このため、絶縁層2が電極パッド4の電極部分から受ける力F4破線出示す矢印は大きく、絶縁層2にクラックが生じ易い。また、第1の実施形態に係る半導体装置の配線構造によれば、第1メタル層13を単一の配線構造体によって構成しているので、第1メタル層13の内部に発生する応力は絶縁層12の特定の箇所に集中するが、第1メタル層13はパッド電極よりも薄く形成されているので、絶縁層12にかかる力は比較的小さく、絶縁層22に与える影響は少ない。以上に説明したように、第1の実施形態に係る半導体装置の配線構造及びその製造方法によれば、パッド電極14が密着する絶縁層12にクラックを生じ難くすることができ、半導体装置の配線構造の品質及び信頼性を向上させることができる。《2》第2の実施形態《2-1》第2の実施形態の構成図10は、第2の実施形態に係る半導体装置の配線構造を概略的に示す平面図である。また、図11は、図10の配線構造をXI-XI線で切った面を概略的に示す断面図であり、図12は、図10の配線構造をXII-XII線で切った面を概略的に示す断面図であり、図13は、図10の配線構造をXIII-XIII線で切った面を概略的に示す断面図である。図10から図13までに示されるように、第2の実施形態に係る半導体装置の配線構造は、下地部材としての半導体基板例えば、シリコン基板21上に形成された絶縁層例えば、SiO2層22と、この絶縁層22によって覆われた配線層としての第1メタル層23と、互いに間隔をあけて絶縁層22上に配列され且つ第1メタル層23より厚く形成された複数の電極部分201,202,203,204,205,...を有する第2メタル層24とを備えている。絶縁層22は、第1メタル層23と複数の電極部分201,202,203,204,205,...との間を繋ぐ複数のビアホール例えば、201a,202a,202b,203a,203b,...を有している。複数のビアホール内には、複数の電極部分201,202,203,204,205,...を第1メタル層23に電気的に接続する複数の貫通配線25が備えられている。また、複数の電極部分201,202,203,204,205,...は、複数行複数列本実施形態では、5行5列に配列されている。ただし、配列の行数及び列数は、図示の例に限定されず、4行4列、3行3列、又は、5行6列のような他の配列であってもよい。また、複数の電極部分201,202,203,204,205,...のそれぞれの平面形状は、四角形図では、正方形又は長方形である。ただし、複数の電極部分201,202,203,204,205,...のそれぞれの平面形状は、四角形に限定されず、円形、楕円形、4以外の角を持つ多角形などの他の形状であってもよい。また、複数のビアホール201a,202a,202b,203a,203b,...は、複数の電極部分の角部近傍にそれぞれ配置されている。ただし、複数のビアホールの位置は、他の位置であってもよい。また、第2の実施形態においては、第1メタル層23は、複数の配線構造体第2の実施形態においては4行4列から成り、複数の配線構造体は、絶縁層を挟んで複数の電極部分と対向配置されている。なお、複数の電極部分が、M行N列M及びNのそれぞれは2以上の整数に配列されている場合に、複数の配線構造体は、M-1行以下の行数とN-1列以下の列数に配列されることが望ましい。《2-2》第2の実施形態の製造方法第2の実施形態に係る半導体装置の配線構造の製造方法は、第1メタル層23を公知のエッチング技術を用いて複数の配線構造体にするプロセスがある点において相違するが、他の点は第1の実施形態におけるものと同様である。《2-3》第2の実施形態の効果第2の実施形態に係る半導体装置の配線構造によれば、電極パッド24を複数の電極部分201,202,203,204,205,...によって構成しているので、各電極部分の内部に発生する応力は、電極パッド24の内部及び周辺の広い範囲に分散され、絶縁層22の特定の箇所に、各電極部分の応力に起因する力が集中しない。このため、絶縁層22が電極パッド24の各電極部分から受ける力は比較的小さく、絶縁層22にクラックは生じ難い。加えて、第2の実施形態に係る半導体装置の配線構造によれば、第1メタル層23を複数の配線部分によって構成しているので、各配線部分の内部に発生する応力は広い範囲に分散され、絶縁層22の特定の箇所に、各電極部分の応力に起因する力が集中しない。このため、絶縁層22が電極パッド24の各電極部分から受ける力は比較的小さく、絶縁層22にクラックは生じ難い。以上に説明したように、第2の実施形態に係る半導体装置の配線構造及びその製造方法によれば、パッド電極24が密着する絶縁層22にクラックを生じ難くすることができ、半導体装置の配線構造の品質及び信頼性を一層向上させることができる。"