タンタル、チタン、及びタングステンのいずれかの窒化物からなる窒化金属膜が凹部を有する基板に形成される窒化金属膜形成工程と、ケイ化タングステン膜が前記窒化金属膜に積層されるケイ化タングステン膜形成工程と、前記窒化金属膜と、前記ケイ化タングステン膜とが形成された前記凹部内に、銅からなる配線層が電解めっきによって形成される配線形成工程とを備える配線構造の形成方法。前記ケイ化タングステン膜形成工程と、前記配線形成工程との間に、銅からなるシード層が前記ケイ化タングステン膜上に形成されるシード層形成工程を更に備える請求項1に記載の配線構造の形成方法。前記窒化金属膜形成工程、及び前記ケイ化タングステン膜形成工程では、前記窒化金属膜及び前記ケイ化タングステン膜がCVD法及びALD法のいずれかによって形成される請求項1又は2に記載の配線構造の形成方法。前記窒化金属膜形成工程、及び前記ケイ化タングステン膜形成工程では、前記窒化金属膜及び前記ケイ化タングステン膜が前記ALD法によって形成され、前記窒化金属膜形成工程では、タングステンを含む原料ガスが前記基板に供給される第1原料ガス供給工程と、前記原料ガスを還元する還元ガスが前記基板に供給される還元ガス供給工程と、前記原料ガスが前記基板に供給される第2原料ガス供給工程と、タングステンを窒化する窒化ガスが前記基板に供給される窒化ガス供給工程とが、この順に繰り返されることで窒化タングステン膜が形成され、前記ケイ化タングステン膜形成工程では、前記原料ガスが前記基板に供給される原料ガス供給工程と、前記還元ガス供給工程とが、この順に繰り返される請求項3に記載の配線構造の形成方法。ところで、上記Cu配線は、図7に示される工程を経て形成される。すなわち、Cu配線の形成時には、図7aに示されるように、半導体基板51上に形成された絶縁膜52に対して、バリアメタル層53としてのWN膜が、例えばALD法によって形成される。バリアメタル層53が形成されると、図7bに示されるように、Cuからなるシード層54が、例えばスパッタ法によってバリアメタル層53上に形成される。このとき、貫通孔52aの底面、及び貫通孔52aの開口付近の側面には、Cuのスパッタ粒子が到達しやすいことから、所定の膜厚を有したシード層54が形成される。これに対し、貫通孔52aの底面付近の側面には、スパッタ粒子が到達しにくいことから、シード層54が形成されない、あるいは、他の領域よりもシード層54が薄い不連続部54aが生じることになる。その後、図7cに示されるように、電解めっきによって貫通孔52a内に配線層55が形成される。このとき、上記不連続部54aには電流が流れにくく、また、バリアメタル層53を形成するWNの抵抗も高いため、該不連続部54aの近くではCuの析出が起こりにくくなる。これにより、配線層55における上記不連続部54aの近くには、空隙55aが形成されてしまう。なお、WN膜上に直接Cu配線を形成した場合には、電流は、シード層54よりも抵抗の高いWN膜のみを介して流れることになるため、配線層55中には、より空隙55aが生じやすくなる。なお、こうした問題は、バリアメタル層53の形成材料がWNである場合に限らず、TaNやTiN等の他の窒化金属膜から形成される場合や、バリアメタル層53の形成対象が、半導体基板、及び該半導体基板に形成された貫通孔やトレンチ等の凹部である場合にも、概ね共通するものである。また、同問題は、上記バリアメタル層53やシード層54の成膜方法によらず、概ね共通するものである。本開示の技術は、上記実情に鑑みてなされたものであり、電解めっきにより形成される配線層の埋め込み性を高めることができる配線構造の形成方法を提供することを目的とする。以下、上記課題を解決するための手段及びその作用効果について記載する。本開示の技術における一態様は、配線構造の形成方法であって、タンタル、チタン、及びタングステンのいずれかの窒化物からなる窒化金属膜が凹部を有する基板に形成される窒化金属膜形成工程と、ケイ化タングステン膜が前記窒化金属膜に積層されるケイ化タングステン膜形成工程と、前記窒化金属膜と、前記ケイ化タングステン膜とが形成された前記凹部内に、銅からなる配線層が電解めっきによって形成される配線形成工程とを備える。上記態様では、窒化金属膜が基板に形成された後、窒化金属膜よりも抵抗の小さいケイ化タングステン膜が、該窒化金属膜に積層される。そのため、電解めっきによって銅配線が形成されるときには、窒化金属膜のみが形成されている場合と比較して、凹部の内壁に電流が流れやすくなる。これにより、凹部の内壁には、電流の流れない領域が生じにくくなることから、凹部内に形成された配線層中には空隙が生じにくくなる。つまり、上記一態様によれば、電解めっきにより形成される配線層の埋め込み性を高めることができる。本開示における配線構造の形成方法の別の態様は、上述の態様において、前記ケイ化タングステン膜形成工程と、前記配線形成工程との間に、銅からなるシード層が前記ケイ化タングステン膜上に形成されるシード層形成工程を更に備える。上記態様では、ケイ化タングステン膜上に銅からなるシード層が形成されるため、電解めっき時には、窒化金属膜、ケイ化タングステン膜、及び、シード層に電流が流れることになる。そのため、配線層中には、より空隙が形成されにくくなる。また、シード層の下層としてケイ化タングステン膜が形成されているため、シード層が凹部の内壁面の全体に形成されていない場合であっても、ケイ化タングステン膜を介して電流が流れることとなり、配線層には空隙が形成されにくくなる。そのため、窒化金属膜上に直接シード層が形成される場合よりも、シード層の膜厚を薄くすることが可能にもなる。本開示における配線構造の形成方法の別の態様は、上記態様において、前記窒化金属膜形成工程、及び前記ケイ化タングステン膜形成工程では、前記窒化金属膜及び前記ケイ化タングステン膜がCVD法及びALD法のいずれかによって形成される。上記態様によれば、窒化金属膜及びケイ化タングステン膜がCVD法及びALD法のいずれかによって形成される。そのため、窒化金属膜及びケイ化タングステン膜が例えばスパッタ法等で形成される場合と比較して、これらの膜が、凹部の内壁面全体により形成されやすくなる。それゆえに、電解めっきにより形成される配線層の埋め込み性が高められることになる。本開示における配線構造の形成方法の別の態様は、上記態様において、前記窒化金属膜形成工程、及び前記ケイ化タングステン膜形成工程では、前記窒化金属膜及び前記ケイ化タングステン膜が前記ALD法によって形成され、前記窒化金属膜形成工程では、タングステンを含む原料ガスが前記基板に供給される第1原料ガス供給工程と、前記原料ガスを還元する還元ガスが前記基板に供給される還元ガス供給工程と、前記原料ガスが前記基板に供給される第2原料ガス供給工程と、タングステンを窒化する窒化ガスが前記基板に供給される窒化ガス供給工程とが、この順に繰り返されることで窒化タングステン膜が形成され、前記ケイ化タングステン膜形成工程では、前記原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、前記還元ガス供給工程とが、この順に繰り返される。上記態様では、窒化金属膜としての窒化タングステン膜と、ケイ化タングステン膜とが、数原子層ずつ基板上に形成するALD法によって形成される。この場合、ケイ化タングステン膜は、窒化タングステン膜の形成工程から、第2原料ガス供給工程及び窒化ガス供給工程を除いた工程が繰り返されることによって形成される。そのため、窒化タングステン膜上に積層されたケイ化タングステン膜によれば、配線層の埋め込み性を高めることができる上、より少ない工程にて数原子層からなる開ケイ化タングステン膜の形成を行うことができる。以下、本開示における配線構造の形成方法を具体化した一実施形態について、図1~図6を参照して説明する。まず、配線構造の有する窒化タングステン膜WN膜及びケイ化タングステン膜WSi膜を形成するマルチチャンバ型成膜装置について図1を参照して説明する。なお、図1では、処理の対象である基板の搬送される方向が矢印で示されている。[マルチチャンバ型成膜装置の構成]図1に示されるように、マルチチャンバ型成膜装置10が有する搬送チャンバ11には、搬入チャンバ12、搬出チャンバ13、前処理チャンバ14、成膜チャンバ15、及びシード層形成チャンバ16の各々が連結されている。また、搬送チャンバ11には、基板を搬送する搬送ロボット11aが搭載されている。基板は、マルチチャンバ型成膜装置10での処理の対象であり、貫通孔の形成された絶縁膜、例えばシリコン酸化膜が積層された半導体基板である。なお、基板は、貫通孔やトレンチ等の凹部を有するシリコン基板等の半導体基板であってもよく、この場合、シリコン基板の上面及び貫通孔内には、例えばシリコン酸化膜等の絶縁膜が形成されている。搬送ロボット11aは、搬入チャンバ12に搬入された処理前の基板を、前処理チャンバ14、成膜チャンバ15、及びシード層形成チャンバ16に対してこの順に搬送し、これらチャンバ14~16での処理が終了した処理後の基板を搬出チャンバ13に搬送する。搬入チャンバ12は、内部を大気圧とした状態で、外部から処理前の基板を搬入し、また、図示されない排気部によって内部を大気圧から減圧した状態で、処理前の基板を搬送チャンバ11に搬出する。搬出チャンバ13は、図示されない排気部によって内部を減圧した状態で、処理後の基板を搬送チャンバ11から搬入し、また、内部を大気圧とした状態で、処理後の基板を外部に搬出する。なお、搬入チャンバ12と搬出チャンバ13は搬出入の両方の機能を有する1つのロードロックチャンバとして備えられてもよい。前処理チャンバ14は、水素H2ガスからプラズマを生成するプラズマ処理チャンバである。前処理チャンバ14は、例えば周波数が13.56MHzである高周波電力をH2ガスに供給することで、該H2ガスからプラズマを生成する。成膜チャンバ15は、WN膜及びWSi膜の各々を基板に対して数原子膜ずつ形成するALDチャンバである。成膜チャンバ15は、WN膜とWSi膜とがこの順に積層された積層膜を形成する。シード層形成チャンバ16は、基板に対して銅Cu膜を形成するスパッタチャンバである。基板に形成されたCu膜、及び上記積層膜は、電解めっきによって銅配線を貫通孔に形成するときのシード層となる。なお、上記搬送チャンバ11、前処理チャンバ14、成膜チャンバ15、及びシード層形成チャンバ16は、上記搬入チャンバ12及び搬出チャンバ13と同様、図示されない排気部を有し、該排気部によって大気圧から減圧された状態に維持されている。[成膜チャンバの構成]上記成膜チャンバ15の構成について、図2を参照してより詳しく説明する。図2に示されるように、成膜チャンバ15が有する真空槽21内には、上記基板Sを保持する基板ステージ22が設置されている。基板ステージ22の内部には、該基板ステージ22を加熱するヒータ23が搭載されている。ヒータ23には、直流電流を出力するヒータ電源24が接続されている。ヒータ23は、ヒータ電源24からの電流の供給によって発熱することで、基板ステージ22を介して基板Sを所定の温度に加熱する。真空槽21の底壁21aには、該底壁21aを貫通する2つの排気ポートP1が形成されている。2つの排気ポートP1には、真空槽21内を排気する排気部25が接続されている。排気部25は、例えば、各種真空ポンプと、真空ポンプの排気流量を調節するバルブとから構成されている。真空槽21の上壁21bには、シャワープレート26が、上記基板ステージ22と対向する位置に取り付けられている。シャワープレート26には、基板ステージ22側に開口する複数の開口部26aが形成されている。真空槽21の上壁21bと、シャワープレート26における上壁21bへの取り付け面とには、これらを貫通するガス供給ポートP2が形成されている。ガス供給ポートP2には、水素を含むガスを上記真空槽21に供給する水素系ガス配管GL1と、フッ素を含むガスを同真空槽21に供給するフッ素系ガス配管GL2とが接続されている。水素系ガス配管GL1は、モノシランSiH4ガス等のシランガスを真空槽21に供給するシランガス供給部31が接続されたシランガス配管と、アンモニアNH3ガス等の窒化ガスを真空槽21に供給する窒化ガス供給部32が接続された窒化ガス配管とに分岐している。シランガス配管には、該配管を介して真空槽21に窒素N2ガス等の不活性ガスを供給する不活性ガス供給部33が接続され、他方、窒化ガス配管には、該配管を介して真空槽21にN2ガスを供給する不活性ガス供給部34が接続されている。フッ素系ガス配管GL2には、六フッ化タングステンWF6ガス等のタングステンを含む原料ガスを真空槽21に供給する原料ガス供給部35が接続されている。フッ素系ガス配管GL2からは、N2ガスを同真空槽21に供給する不活性ガス供給部36の接続された不活性ガス配管が分岐している。[配線構造の形成方法]以下、本実施形態における配線構造の形成方法について、図3及び図4を参照して説明する。なお、該配線構造の形成方法は、WN膜、WSi膜、及びシード層が、上記マルチチャンバ型成膜装置10にて形成される工程と、配線層が、電解めっきを行う他の装置において形成される工程とからなる。以下では、WN膜及びWSi膜の形成工程について図3を参照して説明し、他方、シード層及び配線層の形成工程について図4を参照して説明する。マルチチャンバ型成膜装置10にてWN膜とWSi膜とが形成される際には、まず、処理前の基板Sが、外部の搬送ロボットによって上記搬入チャンバ12に搬入される。基板Sが搬入チャンバ12に搬入されると、同基板Sは、搬送ロボット11aによって前処理チャンバ14に搬入される。次いで、前処理チャンバ14では、図3に示されるように、タイミングT1にて、H2ガスの供給と、該H2ガスに対する高周波電力の供給とが開始される。これにより、基板Sに対してH2ガスから生成されたプラズマが供給され、基板Sに形成された絶縁膜の表面が水素によって終端される。あるいは、半導体基板の表面に水素を含む励起種が吸着する。こうした水素プラズマ供給工程が所定の時間継続されると、タイミングT2にて、H2ガス及び高周波電力の供給が停止される。H2プラズマが供給されると、基板Sは、搬送ロボット11aによって、前処理チャンバ14から成膜チャンバ15に搬送される。基板Sが成膜チャンバ15に搬入されると、タイミングT3にて、シランガス供給部31から真空槽21に対するSiH4ガスの供給が開始される。SiH4ガスの供給が所定の時間継続されると、タイミングT4にて、SiH4ガスの供給が停止される。これにより、基板Sの表面における略全体には、上記水素を介してSiH4が吸着する。また、同じくタイミングT4では、WN膜を形成する際の原料ガスであるWF6ガスの供給が開始される。このように、SiH4ガスの供給が停止されるタイミングと、WF6ガスの供給が開始されるタイミングとを同時としていることから、WF6ガスが供給されるときには、それ以降のタイミングよりも多くのSiH4が基板Sに吸着している可能性が高くなる。そのため、基板Sの全体にWF6が吸着しやすくなる。なお、タイミングT4でWF6ガスを導入する前に、成膜面内均一性やパーティクル対策のための排気時間、若しくは真空槽にN2ガスを導入するN2ガス導入時間が設けられていてもよく、その場合、例えば排気時間及びN2ガス導入時間は1~2秒である。原料ガス供給部35から真空槽21に対するWF6ガスの供給が所定の時間継続されると、タイミングT5にて、WF6ガスの供給が停止される。こうした第1原料ガス供給工程により、基板Sに対して供給されたWF6は、上記SiH4を介して基板S上に吸着する。基板Sに対するWF6ガスの供給が行われると、同じくタイミングT5にて、上記不活性ガス供給部36から真空槽21へのN2ガスの供給が開始され、そして、所定時間後のタイミングT6にて、N2ガスの供給が停止される。これにより、真空槽21内のWF6が、N2ガスとともに排気される。N2ガスによる排気が行われると、タイミングT6にて、シランガス供給部31から真空槽21への還元ガスとしてのSiH4ガスの供給が開始され、所定時間後のタイミングT7にて、SiH4ガスの供給が停止される。こうした還元ガス供給工程により、WF6とSiH4とが基板S上にて反応し、その結果、Siを含む数原子層のW膜が基板S上に形成される。W膜が形成されると、タイミングT7にて、上記不活性ガス供給部33から真空槽21へのN2ガスの供給が開始され、所定時間後のタイミングT8にて、N2ガスの供給が停止される。これにより、真空槽21内のSiH4ガスが、N2ガスとともに排気される。N2ガスによる排気が行われると、タイミングT8にて、原料ガス供給部35から真空槽21へのWF6ガスの供給が再び開始され、所定時間後のタイミングT9にて、WF6ガスの供給が停止される。こうした第2原料ガス供給工程により、数原子層のW膜が形成された基板S上にWF6が吸着する。WF6ガスの供給が行われると、タイミングT9にて、不活性ガス供給部36から真空槽21へのN2ガスの供給が開始され、所定時間後のタイミングT10にて、N2ガスの供給が停止される。これにより、真空槽21内のWF6が、N2ガスとともに排気される。N2ガスによる排気が行われると、タイミングT10にて、窒化ガス供給部32から真空槽21への窒化ガスとしてのNH3ガスの供給が開始され、所定時間後のタイミングT11にて、NH3ガスの供給が停止される。こうした窒化ガス供給工程により、基板S上に吸着したWF6と、NH3との反応によって、NH3よりもWとの反応性が高いWNH2F5が生成される。このWNH2F5が基板S上に形成されたWと反応することで、数原子層のWN膜が形成される。WN膜が形成されると、タイミングT11にて、上記不活性ガス供給部34から真空槽21へのN2ガスの供給が開始され、所定時間後のタイミングT12にて、N2ガスの供給が停止される。これにより、真空槽21内のNH3が、N2ガスとともに排気される。こうしたタイミングT4からタイミングT12までを1サイクルとし、該成膜サイクルが所定の回数繰り返されることによって、所定の膜厚を有したWN膜が形成される。なお、先行するサイクルの終了と同時に、後続するサイクルが開始される。つまり、先行するサイクルのタイミングT12と、後続するサイクルのタイミングT4とが同時となる。こうした窒化金属膜形成工程により、基板S上にはWN膜が形成される。WN膜が形成されると、タイミングT13にて、原料ガス供給部35から真空槽21へのWF6ガスの供給が開始され、所定時間後のタイミングT14にて、WF6ガスの供給が停止される。こうした原料ガス供給工程により、WF6が、基板S上に形成されたWN膜の略全体に吸着する。なお、WN膜形成における最終サイクルの終了と同時に、WSi膜形成における初回のサイクルが開始される。つまり、WN膜形成の最終サイクルにおけるタイミングT12と、WSi膜形成の初回のサイクルにおけるタイミングT13とが同時となる。WF6ガスが供給されると、タイミングT14にて、不活性ガス供給部36から真空槽21へのN2ガスの供給が開始され、所定時間後のタイミングT15にて、N2ガスの供給が停止される。これにより、真空槽21内のWF6が、N2ガスとともに排気される。N2ガスによる排気が行われると、タイミングT15にて、シランガス供給部31から真空槽21へのSiH4ガスの供給が開始され、所定時間後のタイミングT16にて、SiH4ガスの供給が停止される。こうした還元ガス供給工程により、基板S上に吸着したWF6とSiH4とが反応することで、基板S上に数原子層のWSi膜が形成される。WSi膜が形成されると、タイミングT16にて、不活性ガス供給部33から真空槽21へのN2ガスの供給が開始され、所定時間後のタイミングT17にて、N2ガスの供給が停止される。これにより、真空槽21内のSiH4が、N2ガスとともに排気される。こうしたタイミングT13からタイミングT17までを1サイクルとし、該成膜サイクルが所定の回数繰り返されることによって、所定の膜厚を有したWSi膜が形成される。なお、先行するサイクルの終了と同時に、後続するサイクルが開始される。つまり、先行するサイクルのタイミングT13と、後続するサイクルのタイミングT17とが同時となる。こうしたケイ化タングステン膜形成工程により、WSi膜がWN膜上に形成される。このように、WN膜とWSi膜とは、該膜を数原子層ずつ形成するALD法によって形成される。そのため、基板Sの上面、及び貫通孔の内壁面の全体に対して、WN膜及びWSi膜が略均一に形成されることになる。こうして、図4aに示されるように、半導体基板41上の絶縁膜42には、該絶縁膜42の上面、及び貫通孔42aの内壁面にWN膜43とWSi膜44とが形成される。WN膜とWSi膜とが形成されると、基板Sは、上記搬送ロボット11aによって、成膜チャンバ15からシード層形成チャンバ16に搬送される。基板Sがシード層形成チャンバ16に搬送されると、Cuターゲットが、例えばアルゴンガス等の不活性ガスから生成されたプラズマによってスパッタされることで、図4bに示されるように、Cuからなるシード層45がWSi膜44上に形成される。このシード層形成工程では、絶縁膜42の上面と、貫通孔42aの開口部付近及び底面とには、スパッタ粒子が到達しやすいことから、シード層45が相対的に厚く形成される。これに対し、貫通孔42aの内壁面における底面側にはスパッタ粒子が到達しにくいことから、シード層45が形成されない、あるいはシード層45が相対的に薄く形成される不連続部45aが生じる。基板Sに対してシード層45が形成されると、基板Sは、搬送ロボット11aによって搬出チャンバ13に搬送され、そして、基板Sは、搬出チャンバ13によってマルチチャンバ型成膜装置10の外に搬出される。マルチチャンバ型成膜装置10から基板Sが搬出されると、同基板Sは、電解めっき用の装置に搬入され、そして、基板Sに対して電解めっきを用いた配線層の形成が該装置において行われる。つまり、基板Sと銅源とが電解液中に浸された後、基板Sの有するWN膜43、WSi膜44、及びシード層45が陰極となり、且つ、銅源が陽極となるように、外部電源から直流電流が供給される。こうした配線形成工程により、銅源から溶出した銅イオンが、シード層45上にて還元されることによって、図4cに示されるように、配線層46が絶縁膜42の表面、及び貫通孔42a内に形成される。これにより、WN膜43と、WSi膜44と、Cuからなる配線層46とを有する配線構造が形成される。このとき、貫通孔42aの内壁面における上記不連続部45aでは、シード層45を介しては電流が流れないものの、シード層45の下層であるWSi膜44を介して電流が流れることになる。そのため、シード層45に不連続部45aが生じていたとしても、Cuの析出は、貫通孔42aの内壁面における略全体で生じることになる。それゆえに、貫通孔42a内に形成された配線層46中には、空隙が生じにくくなる。言い換えれば、配線層46の埋め込み性が高められることになる。[試験例][Cu配線の埋め込み性]直径が8インチであるシリコン基板に、開口部の直径が5.7μmであり、深さが51μmであるホールを複数形成した。そして、シリコン基板を180°Cに加熱した状態で、H2プラズマの供給と、SiH4ガスの供給とを該シリコン基板に対して行った後、ALD法を用いてWN膜とWSi膜とを順に形成した。なお、シリコン基板の上面及びホールの内壁面には絶縁膜が形成されている。なお、H2プラズマの供給時には、H2ガスの流量を200sccm、前処理チャンバ内の圧力を37Pa、高周波電力を200W、処理時間を60秒とした。また、SiH4ガスの供給時には、SiH4ガスの流量を70sccm、上記真空槽の圧力を21Pa、処理時間を60秒とした。そして、WN膜は、WF6ガスの供給、N2ガスの供給、SiH4ガスの供給、N2ガスの供給、WF6ガスの供給、N2ガスの供給、NH3ガスの供給、及びN2ガスの供給からなるサイクルを複数回繰り返して形成した。WF6ガスの供給時には、WF6ガスの流量を20sccm、真空槽の圧力を60Pa、処理時間を2秒とした。SiH4ガスの供給時には、SiH4ガスの流量を70sccm、真空槽の圧力を70Pa、処理時間を4秒とした。NH3ガスの供給時には、NH3ガスの流量を5sccm、真空槽の圧力を10Pa、処理時間を2秒とした。N2ガスの供給時には、N2ガスの流量を400sccm、真空槽の圧力を1.7Pa、処理時間を2秒とした。これにより、5nmの厚さを有したWN膜をシリコン基板の上面、及びホールの内壁面に形成した。上記WSi膜は、WF6ガスの供給、N2ガスの供給、SiH4ガスの供給、及びN2ガスの供給からなるサイクルを複数回繰り返して形成した。WF6ガスの供給、SiH4ガスの供給、及びN2ガスの供給の各々は、WN膜を形成したときと同じ条件で行った。これにより、25nmの厚さを有したWSi膜をWN膜上に形成した。次いで、500nmのCu膜をWSi膜上にスパッタ法によって形成し、そして、Cu配線を電解めっきによって形成した。図5aは、こうして形成されたCu配線の断面構造を撮像したSEM画像である。図5aに示されるように、WN膜とWSi膜とを形成した上でCu配線を形成した場合、該Cu配線中には空隙が形成されないことが認められた。また、同じく8インチのシリコン基板に上記と同様のホールを形成した後、該シリコン基板を180°Cに加熱した状態で、H2プラズマの供給と、SiH4ガスの供給とを該シリコン基板に対して行った後、ALD法を用いてWN膜のみを形成した。なお、シリコン基板の上面及びホールの内壁面には絶縁膜が形成されている。H2プラズマの供給、SiH4ガスの供給、及びWN膜の形成は、いずれも、上述と同様の条件にて行った。その後、500nmのCu膜をWN膜上にスパッタ法によって形成し、そして、Cu配線を電解めっきによって形成した。図5bは、こうして形成されたCu配線の断面構造を撮像したSEM画像である。図5bに示されるように、WN膜のみを形成してCu配線を形成した場合、該Cu配線中には空隙が形成されることが認められた。なお、シリコン基板に形成されたホールのアスペクト比が、上述より大きい場合や、シリコン基板上に形成されるWSi膜の厚さが、上述より小さい場合には、WN膜上にWSi膜を形成したとしても、Cu配線中に空隙が生じることもある。しかしながら、こうした場合であっても、WSi膜を形成せずにCu配線を形成したものと比較して、空隙が形成されにくく、Cu配線の埋め込み性が高められていることが認められた。また、Cu配線の形成対象が絶縁膜に形成されたホールや、半導体基板に形成されたホールであっても、上述と同様の結果が認められた。[WN膜及びWSi膜の成膜速度]WN膜及びWSi膜の各々を上述の条件にて形成したときの膜厚を測定した。なお、WN膜については、上記サイクルを4回繰り返したときの膜厚、8回繰り返したときの膜厚、及び、12回繰り返したときの膜厚を測定した。また、WSi膜については、上記サイクルを3回繰り返したときの膜厚、及び、12回繰り返したときの膜厚を測定した。この測定結果を図6に示す。図6に示されるように、WN膜が、1サイクル当たり略0.4nmの膜厚で形成される一方、WSi膜は、1サイクル当たり略1nmの膜厚で形成されることが認められた。しかも、WN膜の形成時には、1サイクル当たりに要する時間が18秒である一方、WSi膜の形成時には、1サイクル当たりに要する時間が10秒であることから、1分当たりに形成される膜厚は、WN膜は1.2nmであり、WSi膜は5nmであることが認められた。このように、WN膜上にWSi膜を形成する場合、WN膜のみを形成する場合と比較して、シリコン基板上に形成する膜が2種類に増えるとはいえ、1サイクルを構成する工程数、1サイクルに要する時間、及び膜の形成に必要なガスの数を減らし、且つ、単位時間当たりの成膜速度を高くすることができる。したがって、シリコン基板上に形成する膜の種類を増加させても、形成方法が煩雑化すること、形成に要する時間が長くなること、及び形成にかかる費用が高くなることを抑えることが可能であると言える。以上説明したように、上記実施形態によれば、以下に列挙する効果を得ることができる。1WN膜43が基板Sに形成された後、WN膜43よりも抵抗の小さいWSi膜44が、該WN膜43に積層される。そのため、電解めっきによって配線層46を形成するときには、WN膜43のみが形成されている場合と比較して、貫通孔42aの内壁面に電流が流れやすくなる。これにより、貫通孔42aの内壁面には、電流の流れない領域が生じにくくなることから、貫通孔42a内に形成された配線層46中に、空隙が生じにくくなる。つまり、電解めっきにより形成される配線層46の埋め込み性を高めることができる。2WSi膜44上にCuからなるシード層45を形成するため、電解めっき時には、WN膜43、WSi膜44、及びシード層45に電流が流れることになる。そのため、配線層46中には、より空隙が形成されにくくなる。また、シード層45の下層としてWSi膜44が形成されているため、シード層45が貫通孔42aの内壁面の全体に形成されていない場合であっても、WSi44膜を介して電流が流れることとなり、配線層46には空隙が形成されにくくなる。そのため、WN膜43上に直接シード層45を形成する場合よりも、シード層45の膜厚を薄くすることも可能になる。3WN膜43及びWSi膜44をALD法によって形成する。そのため、WN膜43及びWSi膜44を例えばスパッタ法等で形成する場合と比較して、これらの膜が、貫通孔42aの内壁面全体により形成されやすくなる。それゆえに、電解めっきにより形成される配線層46の埋め込み性を高めることができる。4WN膜43と、WSi膜44とを、基板S上にて数原子層ずつ形成するALD法を用いて形成するようにしている。この場合、WSi膜44は、WN膜43の形成工程から、第2原料ガス供給工程及び窒化ガス供給工程を除いた工程の繰り返しによって形成される。そのため、WN膜43上に積層されたWSi膜44によれば、配線層46の埋め込み性を高めることができる上、より少ない工程にて数原子層の形成を行うことができる。なお、上記実施形態は、以下のように適宜変更して実施することもできる。WSi膜44の下層には、WN膜43に限らず、窒化金属膜であるTiN膜及びTaN膜のいずれかを形成するようにしてもよい。こうした構成であっても、上記1~4に準じた効果を得ることができる。WSi膜44上にシード層45を形成しなくともよい。こうした構成であっても、上記1、3、4に準ずる効果を得ることができる。このようにシード層45を形成せずに配線層46を形成した場合であっても、WSi膜44が形成されている以上、WN膜43上に配線層46を形成する場合よりも、配線層46の埋め込み性が高められる。WN膜43及びWSi膜44は、CVD法によって形成するようにしてもよい。こうした構成であっても、上記1、2に準じた効果を得ることができる。WN膜43及びWSi膜44は、CVD法及びALD法以外の成膜方法、例えばスパッタ法によって形成されるようにしてもよい。こうした構成であっても、同一の形成方法によってWN膜43のみが形成される場合と比較すれば、WSi膜44が形成されている分、配線層46の埋め込み性は高められる。WN膜43の形成は、WF6ガスの供給、N2ガスの供給、NH3ガスの供給、及びN2ガスの供給がこの順に繰り返されることによって行われるようにしてもよい。ただし、WF6とNH3との反応には、WF6とSiH4との反応、及びWF6とNH3との反応よりも、より高い熱エネルギーが必要とされる。そのため、上記実施形態に記載の方法にてWN膜が形成される方が、基板Sの温度をより低温とすることが可能ではある。WN膜43の形成は、WF6ガスの供給、N2ガスの供給、SiH4ガスの供給、N2ガスの供給、NH3ガスの供給、及びN2ガスの供給がこの順に繰り返されることによって行われるようにしてもよい。ただし、WF6とSiH4との反応によって形成されたWをNH3によって窒化するためには、上記実施形態に記載のWNH2F5によってWを窒化する場合よりも高い熱エネルギーが必要とされる。そのため、上記実施形態に記載の方法にてWN膜が形成された方が、基板Sの温度をより低温とすることが可能ではある。SiH4ガスの供給に先立ってH2ガスから生成されたプラズマが基板Sの表面に供給されるようにしたが、H2プラズマの供給を割愛してもよい。また、H2プラズマの供給とSiH4ガスの供給との両方を割愛してもよい。シランガス供給工程でのSiH4ガスの供給停止と、WF6ガスの供給開始とが同時に行われるようにしたが、SiH4ガスの供給が停止されてから所定の時間の後にWF6ガスの供給が開始されるようにしてもよい。マルチチャンバ型成膜装置10は、上記以外の処理チャンバを有していてもよいし、また、シード層形成チャンバを有していなくともよい。成膜チャンバ15とは別に前処理チャンバ14を有するようにしたが、成膜チャンバ15に高周波電源、H2ガス供給部、あるいはArガス供給部を設けることによって、成膜チャンバにて上記前処理を行うようにしてもよい。この場合、前処理チャンバ14を割愛することができる。前処理チャンバ14では、周波数が13.56MHzの高周波電力を用いてH2プラズマやArプラズマが形成されるようにしたが、これらガスからプラズマを生成することが可能であれば、高周波電力の周波数や、前処理チャンバ14の構成は、任意に変更可能である。シード層形成チャンバ16は、スパッタ法に限らず、CVD法やスパッタ以外のPVD法等の成膜方法にてCu膜を形成するものであってもよい。CVD法にてCu膜を形成した場合、スパッタ法にてCu膜を形成する場合よりも、貫通孔42aの内壁面には均一にCu膜が形成されるようにはなる。しかしながら、CVD法を用いた場合であっても、貫通孔42aの底面と比較して、内壁面の底面付近にはCu膜が形成されにくいことから、上記WSi膜を形成することで、配線層46の埋め込み性が高められることになる。成膜チャンバ15のシランガス供給部31と窒化ガス供給部32とは、各別の配管に接続される構成であってもよい。シランガス供給工程及び還元ガス供給工程で用いられるガスは、SiH4ガスに限らず、ジシランSi2H6ガス等、SinH2n2で表されるシランガスであればよい。第1原料ガス供給工程、還元ガス供給工程、第2原料ガス供給工程、窒化ガス供給工程の後に行われる各種ガスの排気には、N2ガスに限らず、他の不活性ガス、例えばArガスやヘリウムガスを用いるようにしてもよい。原料ガス供給工程で用いられるガスは、WF6ガス以外のWを含むガス、例えば、六塩化タングステンや、WOF2、WOF4、WOCl2、及びWOCl4等のオキシハロゲン化タングステンであってもよい。窒化ガス供給工程で用いられるガスは、NH3ガス以外のNを含むガス、例えば、ヒドラジンガスN2H4、ヒドラジン中の水素が炭化水素基に置換されたヒドラジン誘導体のガスを用いるようにしてもよい。要は、Wを窒化することのできるガスであればよい。WN膜、WSi膜、及びWSiN膜を形成するときに、WF6ガス、SiH4ガス、あるいはNH3ガスが基板に供給された後に、N2ガスによる排気がわれるようにしたが、不活性ガスが供給されることなく、排気部25のみによる真空槽21内の排気が行われるようにしてもよい。上記各工程におけるガスの供給流量、処理室内の圧力、処理時間等の条件は、WN膜の形成が可能な範囲で、任意に変更することができる。不活性ガス供給部33は、窒化ガス供給部32からNH3ガスが供給されているとき、及び原料ガス供給部35からWF6ガスが供給されているときに、真空槽21に対してN2ガスが供給されるようにしてもよい。これにより、NH3ガスやWF6ガスが、シランガス配管側に逆流することを抑えられる。不活性ガス供給部34は、シランガス供給部31からSiH4ガスが供給されているとき、及び原料ガス供給部35からWF6ガスが供給されているときに、真空槽21に対してN2ガスが供給されるようにしてもよい。これにより、SiH4ガスやWF6ガスが、窒化ガス配管側に逆流することを抑えられる。不活性ガス供給部36は、シランガス供給部31からSiH4ガスが供給されているとき、及び窒化ガス供給部32からNH3ガスが供給されているときに、真空槽21に対してN2ガスが供給されるようにしてもよい。これにより、SiH4ガス及びNH3ガスが、フッ素系ガス配管GL2側に逆流することを抑えられる。基板Sの有する絶縁膜はシリコン酸化膜に限らず、シリコン窒化膜、及び金属ホウ素酸化物であってもよい。なお、金属ホウ素酸化物としては、ZrBO、TaBO、TiBO、及びHfBO等が挙げられる。基板Sを構成する半導体基板は、上記シリコン基板以外の半導体基板であってもよい。