絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された金属板と、板状の接合部を有し、当該接合部が前記金属板上に配置されて前記金属板にレーザスポット溶接される金属端子とを備え、前記金属端子の前記接合部は、長さ方向に沿った両端部分が前記レーザスポット溶接の溶接位置に規定され、当該両端部分の厚みが他の部分よりも小さい、電力用半導体装置。絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された金属板と、板状の接合部を有し、当該接合部が前記金属板上に配置されて前記金属板にレーザスポット溶接される金属端子とを備え、前記金属端子の前記接合部は、長さ方向に沿った中央部分が前記レーザスポット溶接の溶接位置に規定され、当該中央部分の厚みが他の部分よりも小さい、電力用半導体装置。絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された金属板と、板状の接合部を有し、当該接合部が前記金属板上に配置されて前記金属板にレーザスポット溶接される金属端子とを備え、前記金属端子の前記接合部は、幅方向に沿った中央部分が前記レーザスポット溶接の溶接位置に規定され、当該中央部分の厚みが他の部分よりも小さい、電力用半導体装置。しかし、特許文献1のように金属端子の接合部分全面を薄くすると、金属端子の強度が低下するおそれがある。そこで、本発明は上述の問題に鑑み、強度を低下させることなく金属端子を金属板と安定的に接合することが可能な電力用半導体装置の提供を目的とする。本発明の電力用半導体装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された金属板と、板状の接合部を有し、当該接合部が前記金属板上に配置されて前記金属板にレーザスポット溶接される金属端子とを備え、前記金属端子の前記接合部は、長さ方向に沿った両端部分が前記レーザスポット溶接の溶接位置に規定され、当該両端部分の厚みが他の部分よりも小さい。本発明の電力用半導体装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された金属板と、板状の接合部を有し、当該接合部が前記金属板上に配置されて前記金属板にレーザスポット溶接される金属端子とを備え、前記金属端子の前記接合部は、長さ方向に沿った両端部分が前記レーザスポット溶接の溶接位置に規定され、当該両端部分の厚みが他の部分よりも小さいので、絶縁基板にダメージを与えることなく、金属端子と金属板を接合できる。また、接合部の一部の厚みを薄くするため、金属端子の強度を保つことが出来る。前提技術図6は、前提技術に係る電力用半導体装置の金属端子周辺の構造を示す斜視図、図7は図6の奥行き方向断面図である。絶縁基板3上に形成された電極パッドなどの金属板2に金属端子1が接合される。金属端子1は、金属板2に垂直な端子部と、金属板2に平行な接合部とを備えており、接合部が金属板2とレーザスポット溶接される。電力用半導体装置では、金属端子1は大電流を流すために厚く形成されるのに対し、金属板2は表面積が大きく、金属端子1に対して薄く形成される。その為、金属端子1の接合部に対してレーザ照射すると、金属端子1が溶融した時点で金属板2も溶融してしまい、図8に領域4で示すように、金属板2下の絶縁基板3にダメージを与えてしまうことがある。特に、金属板2の融点が金属端子1より低い場合にその影響は顕著となる。そこで、本発明は金属端子1のレーザ照射部分を他の部分よりも薄く形成することにより、金属板2の溶融を防ぐものである。実施の形態1<構成>図1は、本発明の実施の形態1に係る金属端子の構造を示す斜視図である。この金属端子1aでは、金属板2との接合部の両端が端子の長さ方向に沿って、他の部分よりも薄く形成されている。金属端子1aの薄く形成された部分にレーザ照射を行うことにより、少ない熱量で金属端子1aの照射箇所を溶融させて金属板2と接合することが可能になるので、レーザスポット溶接の過程で金属板2が溶融することを抑制する。<効果>実施の形態1の電力用半導体装置は、絶縁基板3と、絶縁基板3上に形成された金属板2と、板状の接合部を有し、当該接合部が金属板2上に配置されて金属板2にレーザスポット溶接される金属端子1とを備え、金属端子1aの前記接合部は、長さ方向に沿った両端部分が前記レーザスポット溶接の溶接位置に規定され、当該両端部分の厚みが他の部分よりも小さいので、少ない熱量で金属端子1aの照射箇所を溶融させて金属板2と接合することが可能になり、レーザスポット溶接の過程で金属板2が溶融することを抑制する。また、接合部の一部の厚みを薄くするため、金属端子1aの強度を保つことが出来る。実施の形態2<構成>図2は、本発明の実施の形態2に係る金属端子の構造を示す斜視図である。この金属端子1bでは、金属板2との接合部の中央部が端子の長さ方向に沿って、他の部分よりも薄く形成されている。金属端子1bの薄く形成された部分にレーザ照射を行うことにより、少ない熱量で金属端子1bの照射箇所を溶融させて金属板2と接合することが可能になるので、レーザスポット溶接の過程で金属板2が溶融することを抑制する。<効果>実施の形態2の電力用半導体装置は、絶縁基板3と、絶縁基板3上に形成された金属板2と、板状の接合部を有し、当該接合部が前記金属板2上に配置されて金属板2にレーザスポット溶接される金属端子1bとを備え、金属端子1bの接合部は、長さ方向に沿った中央部分がレーザスポット溶接の溶接位置に規定され、当該中央部分の厚みが他の部分よりも小さいので、少ない熱量で金属端子1bの照射箇所を溶融させて金属板2と接合することが可能になり、レーザスポット溶接の過程で金属板2が溶融することを抑制する。また、接合部の一部の厚みを薄くするため、金属端子1bの強度を保つことが出来る。実施の形態3<構成>図3は、本発明の実施の形態3に係る金属端子の構造を示す斜視図である。この金属端子1cでは、金属板2との接合部の中央部が端子の幅方向に沿って、他の部分よりも薄く形成されている。金属端子1cの薄く形成された部分にレーザ照射を行うことにより、少ない熱量で金属端子1cの照射箇所を溶融させて金属板2と接合することが可能になるので、レーザスポット溶接の過程で金属板2が溶融することを抑制する。<変形例1>図4は、第1の変形例に係る金属端子の構造を示す斜視図である。この金属端子1dでは、金属板2との接合部の複数個所に丸穴状のプレス加工を施すことにより、プレス加工した部分の厚みを他の部分よりも薄くしている。当該プレス加工した箇所にレーザスポット照射を行うことにより、少ない熱量で金属端子1dの照射箇所を溶融させて金属板2と接合することが可能になるので、レーザスポット溶接の過程で金属板2が溶融することを抑制する。<変形例2>図5は、第2の変形例に係る金属端子の構造を示す斜視図である。この金属端子1eは、金属板2との接合部の中央部に丸穴状のプレス加工を施すことにより、プレス加工した部分の厚みを他の部分よりも薄くしている。当該プレス加工した箇所にレーザスポット照射を行うことにより、少ない熱量で金属端子1eの照射箇所を溶融させて金属板2と接合することが可能になるので、レーザスポット溶接の過程で金属板2が溶融することを抑制する。<効果>実施の形態3の電力用半導体装置は、絶縁基板3と、絶縁基板3上に形成された金属板2と、板状の接合部を有し、当該接合部が金属板2上に配置されて金属板2にレーザスポット溶接される金属端子1cとを備え、金属端子1cの接合部は、幅方向に沿った中央部分がレーザスポット溶接の溶接位置に規定され、当該中央部分の厚みが他の部分よりも小さいので、少ない熱量で金属端子1cの照射箇所を溶融させて金属板2と接合することが可能になり、レーザスポット溶接の過程で金属板2が溶融することを抑制する。また、接合部の一部の厚みを薄くするため、金属端子1cの強度を保つことが出来る。