"A活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、B酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が変化する樹脂、C塩基性化合物、D界面活性剤、E溶剤を含有する化学増幅型レジスト組成物の製造方法において、A成分の溶液とB成分の溶液を準備し、B成分の溶液をフィルターでろ過する工程、A成分の溶液とB成分の溶液を混合する工程を含むことを特徴とする化学増幅型レジスト組成物の製造方法。B成分の溶液のろ過に使用するフィルターの材質が、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン、ナイロン又はポリスルフォンを含有することを特徴とする請求項1に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。B成分の溶液のろ過に使用するフィルターの平均ポアサイズが2.0μm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。樹脂Bが、ヒドロキシスチレン繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。樹脂Bが、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増加する樹脂であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。樹脂Bが、下記一般式pIで示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位を有することを特徴とする請求項5に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。一般式pI中、R11は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基又はsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともにシクロアルキル基を形成するのに必要な原子団を表す。樹脂Bが、ラクトン基を有する繰り返し単位を有することを特徴とする請求項5又は6に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。樹脂Bが、下記一般式VIIaで表される構造を有する繰り返し単位を有することを特徴とする請求項5~7のいずれか一項に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。一般式VIIa中、R2c~R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c~R4cの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。E成分以外の全ての原材料を溶液として準備し、各々の原材料を溶液として混合する工程を含むことを特徴とする請求項1~8のいずれか一項に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。C及びD成分の溶液をフィルターでろ過する工程を含むことを特徴とする請求項9に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。C及びD成分の溶液のろ過に使用するフィルターの平均ポアサイズが0.4μm以下であることを特徴とする請求項10に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。A成分の溶液をフィルターでろ過する工程を含むことを特徴とする請求項1~11のいずれか一項に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。A成分の溶液のろ過に使用するフィルターの平均ポアサイズが0.4μm以下であることを特徴とする請求項12に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。請求項1~13のいずれか一項に記載の化学増幅型レジスト組成物を0.05μm以下の平均ポアサイズのフィルターでろ過することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物の製造方法。請求項1~14のいずれか一項に記載の製造方法で製造された化学増幅型レジスト組成物。本発明は、前記事情に鑑みてなされたものであり、現像後のレジストパターンのディフェクト、特に微細なスカムやマイクロブリッジの発生を抑制できるレジスト組成物が得られる技術を提供することを課題とする。また、異物経時特性保存安定性に優れるレジスト組成物が得られる技術を提供することを目的とする。本発明は、下記の構成であり、これにより本発明の上記目的が達成される。<1>A活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、B酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が変化する樹脂、C塩基性化合物、D界面活性剤、E溶剤を含有する化学増幅型レジスト組成物の製造方法において、A成分の溶液とB成分の溶液を準備し、B成分の溶液をフィルターでろ過する工程、A成分の溶液とB成分の溶液を混合する工程を含むことを特徴とする化学増幅型レジスト組成物の製造方法。<2>前記フィルターの材質が、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン、ナイロン又はポリスルフォンを含有することを特徴とする上記<1>に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。<3>B成分の溶液のろ過に使用するフィルターの平均ポアサイズが2.0μm以下であることを特徴とする上記<1>又は<2>に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。<4>樹脂Bが、ヒドロキシスチレン繰り返し単位を含有することを特徴とする上記<1>~<3>のいずれか一項に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。<5>樹脂Bが、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増加する樹脂であることを特徴とする上記<1>~<3>のいずれか一項に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。<6>樹脂Bが、下記一般式pIで示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位を有することを特徴とする上記<5>に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。一般式pI中、R11は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基又はsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともにシクロアルキル基を形成するのに必要な原子団を表す。<7>樹脂Bが、ラクトン基を有する繰り返し単位を有することを特徴とする上記<5>又は<6>に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。<8>樹脂Bが、下記一般式VIIaで表される構造を有する繰り返し単位を有することを特徴とする上記<5>~<7>のいずれか一項に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。一般式VIIa中、R2c~R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c~R4cの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。<9>E成分以外の全ての原材料を溶液として準備し、各々の原材料を溶液として混合する工程を含むことを特徴とする上記<1>~<8>のいずれか一項に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。<10>C及びD成分の溶液をフィルターでろ過する工程を含むことを特徴とする上記<9>に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。<11>C及びD成分の溶液のろ過に使用するフィルターの平均ポアサイズが0.4μm以下であることを特徴とする上記<10>に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。<12>A成分の溶液をフィルターでろ過する工程を含むことを特徴とする上記<1>~<11>のいずれか一項に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。<13>A成分の溶液のろ過に使用するフィルターの平均ポアサイズが0.4μm以下であることを特徴とする上記<12>に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。<14>上記<1>~<13>のいずれか一項に記載の化学増幅型レジスト組成物を0.05μm以下の平均ポアサイズのフィルターでろ過することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物の製造方法。<15>上記<1>~<14>のいずれか一項に記載の製造方法で製造された化学増幅型レジスト組成物。本発明は、上記<1>~<15>に記載の発明であるが、以下、他の事項も含めて記載している。1A活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、B酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が変化する樹脂、C塩基性化合物、D界面活性剤、E溶剤を含有する化学増幅型レジスト組成物の製造方法において、A成分の溶液を準備して混合する工程を含むことを特徴とする化学増幅型レジスト組成物の製造方法。2A活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、B酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が変化する樹脂、C塩基性化合物、D界面活性剤、E溶剤を含有する化学増幅型レジスト組成物の製造方法において、A成分の溶液とB成分の溶液を準備して混合する工程を含むことを特徴とする上記1に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。3E成分以外の全ての原材料を溶液として準備し、各々の原材料を溶液として混合する工程を含むことを特徴とする上記1に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。4B成分の溶液をフィルターでろ過する工程を含むことを特徴とする上記1~3のいずれかに記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。5フィルターの平均ポアサイズが2.0μm以下であることを特徴とする上記4に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。6A成分の溶液をフィルターでろ過する工程を含むことを特徴とする上記1~5のいずれかに記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。7フィルターの平均ポアサイズが0.4μm以下であることを特徴とする上記6に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。8C及びD成分の溶液をフィルターでろ過する工程を含むことを特徴とする上記3~7に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。9フィルターの平均ポアサイズが0.4μm以下であることを特徴とする上記8に記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。10A活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、B酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が変化する樹脂、C塩基性化合物、D界面活性剤、E溶剤を含有する化学増幅型レジスト組成物を0.05μm以下の平均ポアサイズのフィルターでろ過する上記1~9のいずれかに記載の化学増幅型レジスト組成物の製造方法。11上記1~10のいずれかに記載の製造方法で製造された化学増幅型レジスト組成物。本発明の化学増幅型レジスト組成物の製造方法の特徴は、溶液状態の原材料を混合してレジスト組成物を製造することにより、欠陥やパーティクルの経時増加を抑えることにあり、少なくとも予め活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物A成分を含有する溶液を調製し、レジスト組成物の調製に用いる。従来のように、原材料を粉体で溶剤に添加していく場合、原材料の粒子を核とした凝集体が生成し、欠陥やパーティクルの増加につながる。凝集体の核となりやすい原材料としては、A成分、更には酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が変化する樹脂B成分であり、A成分を含有する溶液及びB成分を含有する溶液を調製し、これらの溶液を、レジスト組成物の調製に用いることがより好ましく、更には、全ての原材料の各々について、予め溶剤に溶解した溶液原材料の溶液を用いて混合する方法が最も好ましい。A~D成分などの原材料の溶液の調製に用いる溶剤には、E成分を用いる。E成分が2種以上の場合、それらのうち1種又は複数種を用いても良いし、全てを用いてもよく、E成分の複数種以上を用いる場合、その体積比率は任意で定めることができる。原材料の溶液における原材料の濃度は、該原材料が十分に溶解できる濃度以下であればよいが、レジスト調製温度における、原材料の溶剤に対する飽和溶解度Lの80以下の濃度であることが好ましい。L=飽和溶解時の原材料の質量/溶剤の体積×100同一成分について2種以上の原材料を用いる場合例えば、2種の光酸発生剤、原材料毎に溶液を作成しても良いし、2種以上の原材料を含有する混合溶液を作成しても良いが、それぞれの原材料ごとに溶液を作成する方が好ましい。更に、これら原材料の溶液をフィルターでろ過した後に混合する方法を取ると、溶液中の凝集体の核となりうる微粒子をより低減できるため好ましい。原材料の溶液を濾過するために使用されるフィルターは、レジスト分野で使用されるものの中から選択され、具体的にはフィルターの材質が、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン、ナイロン又はポリスルフォンを含有するものが使用される。より具体的には、ミリポア社製のマイクロガード、マイクロガードPlus、マイクロガードミニケム-D、マイクロガードミニケム-DPR、ミリポアオブチマイザーDEV/DEV-C、ミリポアオブチマイザー16/14、ポール社製のウルチボアN66、ポジダイン、ナイロンファルコン等が挙げられる。B成分の溶液をフィルターでろ過する場合、溶液の粘度が高いために、フィルターの平均孔径はあまりに小さすぎるとろ過時間が長くなるために生産効率が低くなる恐れがある。また、フィルターの平均孔径が大きすぎる場合には、溶液中に存在する凝集体の核となりうる微粒子がフィルターを通り抜けてしまい除くことができない。このため、B成分の溶液のろ過に用いるフィルターの平均孔径は0.1μm以上2.0μm以下であることが好ましい。B成分以外の原材料溶液をフィルターでろ過する場合は、B成分の溶液の場合ほど溶液の粘度は高くないため、フィルターの平均孔径はB成分の溶液の場合ほど大きくする必要がなく、平均孔径は0.1μm以上0.4μm以下であることが好ましい。また、全ての原材料を混合して均一なレジスト組成物とした後、このレジスト組成物を更にフィルターでろ過することが好ましく、その場合のフィルターの平均孔径は0.05μm以下であることが好ましい。レジスト組成物をろ過する際に用いるフィルターは、前述した材質のものを用いることができる。最終的なレジスト組成物における固形分濃度は、一般的には1.0~30.0質量、好ましくは2.0~20.0質量である。以下、各成分について、詳細に説明するが、これらに限定するものではない。<A成分:活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物>活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物光酸発生剤ともいうとしては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている公知の光400~200nmの紫外線、遠紫外線、特に好ましくは、g線、h線、i線、KrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光、電子線、X線、分子線又はイオンビームにより酸を発生する化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。たとえば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o-ニトロベンジルスルホネートを挙げることができ、SISchlesingerPhotogrSciEng18387、TSBaletalPolymer21423等に記載のジアゾニウム塩、米国特許第4069055号、同4069056号、同Re27992号、特開平3140140号等に記載のアンモニウム塩、DCNeckeretalMacromolecules172468、CSWenetalTehProcConfRadCuringASIAp478TokyoOct、米国特許第4069055号、同4069056号等に記載のホスホニウム塩、JVCrivelloetalMacromorecules101307、ChemEngNewsNov28p31、欧州特許第104143号、米国特許第339049号、同第410201号、特開平2150848号、特開平2296514号等に記載のヨードニウム塩、JVCrivelloetalPolymerJ1773、JVCrivelloetalJOrgChem433055、WRWattetalJPolymerSciPolymerChemEd221789、JVCrivelloetalPolymerBull14279、JVCrivelloetalMacromorecules141141、JVCrivelloetalJPolymerSciPolymerChemEd172877、欧州特許第370693号、同161811号、同410201号、同339049号、同233567号、同297443号、同297442号、米国特許第3902114号同4933377号、同4760013号、同4734444号、同2833827号、獨国特許第2904626号、同3604580号、同3604581号、特開平728237号、同827102号等に記載のスルホニウム塩、JVCrivelloetalMacromorecules101307、JVCrivelloetalJPolymerSciPolymerChemEd171047等に記載のセレノニウム塩、CSWenetalTehProcConfRadCuringASIAp478TokyoOct等に記載のアルソニウム塩等のオニウム塩、米国特許第3905815号、特公昭464605号、特開昭4836281号、特開昭5532070号、特開昭60239736号、特開昭61169835号、特開昭61169837号、特開昭6258241号、特開昭62212401号、特開昭6370243号、特開昭63298339号等に記載の有機ハロゲン化合物、KMeieretalJRadCuring1326、TPGilletalInorgChem193007、DAstrucAccChemRes19377、特開平2161445号等に記載の有機金属/有機ハロゲン化物、SHayaseetalJPolymerSci25753、EReichmanisetalJPholymerSciPolymerChemEd231、QQZhuetalJPhotochem368539317、BAmitetalTetrahedronLett2205、DHRBartonetalJChemSoc3571、PMCollinsetalJChemSocPerkinI1695、MRudinsteinetalTetrahedronLett1445、JWWalkeretalJAmChemSoc1107170、SCBusmanetalJImagingTechnol11191、HMHoulihanetalMacormolecules212001、PMCollinsetalJChemSocChemCommun532、SHayaseetalMacromolecules181799、EReichmanetalJElectrochemSocSolidStateSciTechnol130、FMHoulihanetalMacromolcules212001、欧州特許第0290750号、同046083号、同156535号、同271851号、同0388343号、米国特許第3901710号、同4181531号、特開昭60198538号、特開昭53133022号等に記載のo-ニトロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、MTUNOOKAetalPolymerPreprintsJapan35、GBerneretalJRadCuring13、WJMijsetalCoatingTechnol5545Akzo、HAdachietalPolymerPreprintsJapan37、欧州特許第0199672号、同84515号、同044115号、同618564号、同0101122号、米国特許第4371605号、同4431774号、特開昭6418143号、特開平2245756号、特開平3140109号等に記載のイミノスルフォネ-ト等に代表される光分解してスルホン酸を発生する化合物、特開昭61166544号、特開平271270号等に記載のジスルホン化合物、特開平3103854号、同3103856号、同4210960号等に記載のジアゾケトスルホン、ジアゾジスルホン化合物を挙げることができる。また、これらの光により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、MEWoodhouseetalJAmChemSoc1045586、SPPappasetalJImagingSci30218、SKondoetalMakromolChemRapidCommun9625、YYamadaetalMakromolChem152153163、JVCrivelloetalJPolymerSciPolymerChemEd173845、米国特許第3849137号、獨国特許第3914407、特開昭6326653号、特開昭55164824号、特開昭6269263号、特開昭63146038号、特開昭63163452号、特開昭62153853号、特開昭63146029号等に記載の化合物を用いることができる。更にVNRPillaiSynthesis1、AAbadetalTetrahedronLett4555、DHRBartonetalJChemSoc329、米国特許第3779778号、欧州特許第126712号等に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。A成分の添加量は、レジスト組成物の全固形分を基準として、0.1~20質量が好ましく、より好ましくは0.5~10質量、更に好ましくは1~7質量である。A成分として、好ましい例を以下に挙げるが、これらに限定するものではない。<B成分:酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が変化する樹脂>本発明で用いられる酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が変化する樹脂以下、B成分と表すは、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物から発生した酸によりアルカリ現像液に対する溶解度が変化する樹脂である。レジスト組成物は、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、F2エキシマレーザ、EUV極端紫外光、EB電子線等の250nm以下の波長を持つ光源放射線源に用いる化学増幅型のレジスト組成物であり、B成分はそれぞれの光源に好適なものであればいずれにても良い。例えば、KrFエキシマレーザー用ポジ型レジストには、特開2005-10217号公報、特開平11-84639、日本特許第3116751号等に開示されている樹脂を用いることができ、KrFエキシマレーザー用ネガ型レジストには、特開2003-302670、特開2005-37414号公報等に開示されている樹脂を用いることができ、ArFエキシマレーザー用ポジ型レジストには、特開2005-37888号公報、特開2005-41857号公報、特開2005-10217号公報等に開示されている樹脂を用いることができる。B成分としての酸により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂は、樹脂の主鎖又は側鎖、或いは、主鎖及び側鎖の両方に、酸で分解し得る基以下、酸分解性基ともいうを有する樹脂である。この内、酸で分解し得る基を側鎖に有する樹脂がより好ましい。酸で分解し得る基として好ましい基は、-COOH基、-OH基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。本発明においては、酸分解性基は、アセタール基又は3級エステル基が好ましい。これら酸で分解し得る基が側鎖として結合する場合の母体樹脂は、側鎖に-OH若しくは-COOH基を有するアルカリ可溶性樹脂である。例えば、後述するアルカリ可溶性樹脂を挙げることができる。これらアルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解速度は、0.261NテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドTMAHで測定23°Cして170Å/秒以上が好ましい。特に好ましくは330A/秒以上であるÅはオングストローム。このような観点から、特に好ましいアルカリ可溶性樹脂は、o-,m-,p-ポリヒドロキシスチレン及びこれらの共重合体、水素化ポリヒドロキシスチレン、ハロゲン若しくはアルキル置換ポリヒドロキシスチレン、ポリヒドロキシスチレンの一部、O-アルキル化若しくはO-アシル化物、スチレン-ヒドロキシスチレン共重合体、α-メチルスチレン-ヒドロキシスチレン共重合体、水素化ノボラック樹脂等のヒドロキシスチレン構造単位を有するアルカリ可溶性樹脂、メタアクリル酸、ノルボルネンカルボン酸などのカルボキシル基を有する繰り返し単位を含有するアルカリ可溶性樹脂である。本発明に於ける好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位としては、例えば、t-ブトキシカルボニルオキシスチレン、1-アルコキシエトキシスチレン、メタアクリル酸3級アルキルエステル等を挙げることができ、2-アルキル-2-アダマンチルメタアクリレート及びジアルキル1-アダマンチルメチルメタアクリレートがより好ましい。B成分は、欧州特許254853号、特開平2-25850号、同3-223860号、同4-251259号等に開示されているように、アルカリ可溶性樹脂に酸で分解し得る基の前駆体を反応させる、若しくは、酸で分解し得る基の結合したアルカリ可溶性樹脂モノマーを種々のモノマーと共重合して得ることができる。本発明のレジスト組成物にKrFエキシマレーザー光、電子線、X線、波長50nm以下の高エネルギー光線EUVなどを照射する場合には、B成分の樹脂はヒドロキシスチレン繰り返し単位を有することが好ましい。更に好ましくはヒドロキシスチレン/酸分解基で保護されたヒドロキシスチレン共重合体、ヒドロキシスチレン/メタアクリル酸3級アルキルエステルが好ましい。B成分の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。上記具体例において、tBuはt-ブチル基を表す。酸で分解し得る基の含有率は、樹脂中の酸で分解し得る基の数Bと酸で脱離する基で保護されていないアルカリ可溶性基の数Sをもって、B/BSで表される。含有率は、好ましくは0.01~0.7、より好ましくは0.05~0.50、更に好ましくは0.05~0.40である。本発明のポジ型レジスト組成物にArFエキシマレーザー光を照射する場合には、B成分の樹脂は、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増加する樹脂であることが好ましい。単環又は多環の脂環炭化水素構造を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増加する樹脂以下、脂環炭化水素系酸分解性樹脂ともいうとしては、下記一般式pI~一般式pVで示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位及び下記一般式IIABで示される繰り返し単位の群から選択される少なくとも1種を有する樹脂であることが好ましい。一般式pI~pV中、R11は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基又はsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともにシクロアルキル基を形成するのに必要な原子団を表す。R12~R16は、各々独立に、炭素数1~4個の、直鎖若しくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。但し、R12~R14の内の少なくとも1つ、若しくはR15、R16のいずれかはシクロアルキル基を表す。R17~R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1~4個の、直鎖若しくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。但し、R17~R21の内の少なくとも1つはシクロアルキル基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1~4個の、直鎖若しくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。R22~R25は、各々独立に、水素原子、炭素数1~4個の、直鎖若しくは分岐のアルキル基又はシクロアルキル基を表す。但し、R22~R25の内の少なくとも1つはシクロアルキル基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。一般式IIAB中、R11及びR12は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。Zは、結合した2つの炭素原子C-Cを含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。また、上記一般式IIABは、下記一般式II-AB1又は一般式II-AB2であることが更に好ましい。一般式II-AB1、II-AB2中、R13~R16は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、水酸基、-COOH、-COOR5、酸の作用により分解する基、-C=O-X-A-R17、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Rl3~R16のうち少なくとも2つが結合して環を形成してもよい。ここで、R5は、アルキル基、シクロアルキル基又はラクトン構造を有する基を表す。Xは、酸素原子、硫黄原子、-NH-、-NHSO2-又は-NHSO2NH-を表す。Aは、単結合又は2価の連結基を表す。R17は、-COOH、-COOR5、-CN、水酸基、アルコキシ基、-CO-NH-R6、-CO-NH-SO2-R6又はラクトン構造を有する基を表す。R6は、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。nは、0又は1を表す。一般式pI~pVにおいて、R12~R25におけるアルキル基は、1~4個の炭素原子を有する直鎖若しくは分岐のアルキル基を表し、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基等を挙げることができる。R12~R25におけるシクロアルキル基或いはZと炭素原子が形成するシクロアルキル基は、単環式でも、多環式でもよい。具体的には、炭素数5以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができる。その炭素数は6~30個が好ましく、特に炭素数7~25個が好ましい。これらのシクロアルキル基は置換基を有していてもよい。好ましいシクロアルキル基としては、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチル基、ノルボルニル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、テトラシクロドデカニル基、トリシクロデカニル基を挙げることができる。これらのアルキル基、シクロアルキル基は、更に置換基を有していてもよい。アルキル基、シクロアルキル基の更なる置換基としては、アルキル基炭素数1~4、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基炭素数1~4、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基炭素数2~6が挙げられる。上記のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基等は、更に置換基を有していてもよい。アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基等が、更に有していてもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることができる。上記樹脂における一般式pI~pVで示される構造は、アルカリ可溶性基の保護に使用することができる。アルカリ可溶性基としては、この技術分野において公知の種々の基が挙げられる。具体的には、カルボン酸基、スルホン酸基、フェノール基、チオール基の水素原子が一般式pI~pVで表される構造で置換された構造などが挙げられ、好ましくはカルボン酸基、スルホン酸基の水素原子が一般式pI~PVで表される構造で置換された構造である。一般式pI~pVで示される構造で保護されたアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式pAで示される繰り返し単位が好ましい。一般式pAに於いて、Rは、水素原子、ハロゲン原子又は1~4個の炭素原子を有する直鎖若しくは分岐のアルキル基を表す。複数のRは、各々同じでも異なっていてもよい。Aは、単結合、アルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルホンアミド基、ウレタン基、又はウレア基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表す。好ましくは単結合である。Rp1は、上記一般式pI~pVのいずれかの基を表す。一般式pAで表される繰り返し単位は、最も好ましくは、2-アルキル-2-アダマンチルメタアクリレート、ジアルキル1-アダマンチルメチルメタアクリレートによる繰り返し単位である。以下、一般式pAで示される繰り返し単位の具体例を示す。上記各構造式に於いて、Rxは、H、CH3、CF3又はCH2OHを表し、Rxa及びRxbは、各々独立に、炭素数1~4のアルキル基を表す。一般式II-ABに於ける、R11、R12のハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。R11、R12におけるアルキル基としては、炭素数1~10個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、直鎖状又は分岐状の、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等が挙げられる。上記Zの脂環式構造を形成するための原子団は、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素の繰り返し単位を樹脂に形成する原子団であり、中でも有橋式の脂環式炭化水素の繰り返し単位を形成する有橋式脂環式構造を形成するための原子団が好ましい。形成される脂環式炭化水素の骨格としては、一般式pI~pVIに於けるR12~R25のシクロアルキル基と同様のものが挙げられる。上記脂環式炭化水素の骨格には置換基を有していてもよい。そのような置換基としては、前記一般式II-AB1又はII-AB2中のR13~R16を挙げることができる。脂環炭化水素系酸分解性樹脂においては、酸の作用により分解する基は、前記一般式pI~一般式pVで示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位、一般式IIABで表される繰り返し単位、及び後記共重合成分の繰り返し単位のうち少なくとも1種の繰り返し単位に有することができる。上記一般式II-AB1又は一般式II-AB2におけるR13~R16の各種置換基は、上記一般式IIABにおける脂環式構造を形成するための原子団ないし有橋式脂環式構造を形成するための原子団Zの置換基ともなり得る。上記一般式II-AB1又は一般式II-AB2で表される繰り返し単位として、下記具体例を挙げるが、本発明は、これらの具体例に限定されない。脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、ラクトン基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。ラクトン基としては、ラクトン構造を有していればいずれの基でも用いることができるが、好ましくは5~7員環ラクトン構造を有する基であり、5~7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。本発明の脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、下記一般式LC1-1~LC1-16のいずれかで表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造を有する基が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としてはLC1-1、LC1-4、LC1-5、LC1-6、LC1-13、LC1-14であり、特定のラクトン構造を用いることでラインエッジラフネス、現像欠陥が良好になる。ラクトン構造部分は、置換基Rb2を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基Rb2としては、炭素数1~8のアルキル基、炭素数4~7のシクロアルキル基、炭素数1~8のアルコキシ基、炭素数1~8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。n2は、0~4の整数を表す。n2が、2以上の整数の時、複数存在するRb2は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在するRb2同士が結合して環を形成してもよい。一般式LC1-1~LC1-16のいずれかで表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位としては、上記一般式II-AB1又はII-AB2中のR13~R16の内の少なくとも1つが一般式LC1-1~LC1-16で表される基を有するもの例えば-COOR5のR5が一般式LC1-1~LC1-16で表される基を表す、又は下記一般式AIで表される繰り返し単位等を挙げることができる。一般式AI中、Rb0は、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1~4のアルキル基を表す。Rb0のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基等を挙げることができる。Rb0のアルキル基は、置換基を有していてもよい。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、例えば、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rb0は水素原子、メチル基が好ましい。Abは、アルキレン基、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有する2価の連結基、単結合、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カルボキシル基、又はこれらを組み合わせた2価の基を表す。好ましくは、単結合又は-Ab1-CO2-で表される連結基である。Ab1は、直鎖、分岐アルキレン基、単環又は多環のシクロアルキレン基であり、好ましくは、メチレン基、エチレン基、シクロヘキシル残基、アダマンチル残基、ノルボルニル残基である。Vは、一般式LC1-1~LC1-16のうちのいずれかで示される基を表す。ラクトン構造を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度eeが90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。ラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位を有していることが好ましい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。極性基としては水酸基、シアノ基が好ましい。極性基で置換された脂環炭化水素構造としては、例えば、下記一般式VIIa又はVIIbで表される構造を挙げることができる。一般式VIIa中、R2c~R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c~R4cの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c~R4cの内の1つ又は2つが、水酸基で残りが水素原子であり、更に好ましくはR2c~R4cの内の2つが、水酸基で残りが水素原子である。一般式VIIaで表される基は、好ましくはジヒドロキシ体、モノヒドロキシ体であり、より好ましくはジヒドロキシ体である。一般式VIIa又はVIIbで表される基を有する繰り返し単位としては、前記一般式II-AB1又はII-AB2中のR13~R16の内の少なくとも1つが、上記一般式VIIa又はVIIbで表される基を有するもの例えば-COOR5のR5が、一般式VIIa又はVIIbで表される基を表す、又は下記一般式AIIa又はAIIbで表される繰り返し単位を挙げることができる。一般式AIIa、AIIb中、R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキメチル基を表す。R2c~R4cは、一般式VIIaに於けるR2c~R4cと同義である。一般式AIIa又はAIIbで表される極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、これらに限定されない。脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、下記一般式VIIIで表される繰り返し単位を有してもよい。一般式VIIIに於いて、Z2は、-O-又は-NR41-を表す。R41は、水素原子、水酸基、アルキル基又は-OSO2-R42を表す。R42は、アルキル基、シクロアルキル基又は樟脳残基を表す。R41及びR42のアルキル基は、ハロゲン原子好ましくはフッ素原子等で置換されていてもよい。一般式VIIIで表される繰り返し単位として、以下の具体例が挙げられるが、本発明は、これらに限定されない。脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を有することが好ましく、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。これを有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。カルボキシル基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接カルボキシル基が結合している繰り返し単位、或いは連結基を介して樹脂の主鎖にカルボキシル基が結合している繰り返し単位のいずれも好ましく、連結基は、単環又は多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。最も好ましくはアクリル酸、メタクリル酸である。脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、下記一般式F1で表される基を1~3個有する繰り返し単位を有していてもよい。これによりラインエッジラフネス性能が向上する。一般式F1中、R50~R55は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。但し、R50~R55の内、少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。Rxは、水素原子又は有機基好ましくは酸分解性保護基、アルキル基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシカルボニル基を表す。R50~R55のアルキル基は、フッ素原子等のハロゲン原子、シアノ基等で置換されていてもよく、好ましくは炭素数1~3のアルキル基、例えば、メチル基、トリフルオロメチル基を挙げることができる。R50~R55は、すべてフッ素原子であることが好ましい。Rxが表わす有機基としては、酸分解性保護基、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アシル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルメチル基、アルコキシメチル基、1-アルコキシエチル基が好ましい。一般式F1で表される基を有する繰り返し単位として、好ましくは、下記一般式F2で表される繰り返し単位を挙げることができる。一般式F2中、Rxは、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1~4のアルキル基を表す。Rxのアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Faは、単結合、直鎖又は分岐のアルキレン基を表し、好ましくは単結合である。Fbは、単環又は多環の環状炭化水素基を表す。Fcは、単結合、直鎖又は分岐のアルキレン基を表し、好ましくは単結合又はメチレン基である。F1は、一般式F1で表される基を表す。p1は、1~3を表す。Fbに於ける環状炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基が好ましい。以下、一般式F1の構造を有する繰り返し単位の具体例を示す。脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これにより、脂環炭化水素系酸分解性樹脂に要求される性能、特に、1塗布溶剤に対する溶解性、2製膜性ガラス転移点、3アルカリ現像性、4膜べり親疎水性、アルカリ可溶性基選択、5未露光部の基板への密着性、6ドライエッチング耐性、等の微調整が可能となる。このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。脂環炭化水素系酸分解性樹脂において、各繰り返し構造単位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。脂環炭化水素系酸分解性樹脂の好ましい態様としては、以下のものが挙げられる。1上記一般式pI~で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位を含有するもの側鎖型。好ましくはpI~の構造を有するメタアクリレートによる繰り返し単位を有するもの。2一般式IIABで表される繰り返し単位を有するもの主鎖型。但し、2においては、例えば、更に以下のものが挙げられる。3一般式IIABで表される繰り返し単位、無水マレイン酸誘導体構造及びメタアクリレート構造を有するものハイブリッド型。脂環炭化水素系酸分解性樹脂中、酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中10~60モルが好ましく、より好ましくは20~50モル、更に好ましくは25~40モルである。脂環炭化水素系酸分解性樹脂中、一般式pI~で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中25~70モルが好ましく、より好ましくは35~65モル、更に好ましくは40~60モルである。脂環炭化水素系酸分解性樹脂中、一般式IIABで表される繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中10~60モルが好ましく、より好ましくは15~55モル、更に好ましくは20~50モルである。また、上記更なる共重合成分の単量体に基づく繰り返し構造単位の樹脂中の含有量も、所望のレジストの性能に応じて適宜設定することができるが、一般的に、上記一般式pI~で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し構造単位と上記一般式IIABで表される繰り返し単位の合計した総モル数に対して99モル以下が好ましく、より好ましくは90モル以下、更に好ましくは80モル以下である。本発明のレジスト組成物がArF露光用であるとき、ArF光への透明性の点から樹脂は芳香族基を有さないことが好ましい。本発明に用いる脂環炭化水素系酸分解性樹脂として好ましくは、繰り返し単位のすべてがメタアクリレート繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート、繰り返し単位のすべてがアクリレート、メタクリレート/アクリレート混合のいずれのものでも用いることができるが、アクリレート繰り返し単位が全繰り返し単位の50mol以下であることが好ましい。より好ましくは一般式pI~で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位を25~50、上記ラクトン構造を有する繰り返し単位を25~50、上記極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位を5~30有する3元共重合ポリマー、又は更に、カルボキシル基、あるいは一般式F1で表される構造を有する繰り返し単位を5~20有する4元共重合ポリマーである。本発明に用いる脂環炭化水素系酸分解性樹脂は、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、更には後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明のレジスト組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5~50質量であり、好ましくは10~30質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、更に好ましくは50~100°Cである。本発明の組成物を多層レジストの上層レジストに使用する場合に、B成分の樹脂は、シリコン原子を有することが好ましい。シリコン原子を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大する樹脂としては、シリコン原子を主鎖及び側鎖の少なくとも一方に有する樹脂を用いることができる。樹脂の側鎖にシロキサン構造を有する樹脂として、例えば、シリコン原子を側鎖に有するオレフィン系単量体、無水マレイン酸及び酸分解性基を側鎖に有するアクリル酸系単量体の共重合体を挙げることができる。シリコン原子を有する樹脂としてはトリアルキルシリル構造、単環又は多環の環状シロキサン構造を有する樹脂が好ましく、下記一般式SS-1~SS-4で表される構造を有する繰り返しを有する樹脂がより好ましく、一般式SS-1~SS-4で表される構造を有するメタアクリル酸エステル系繰り返し単位、ビニル系繰り返し単位又はアリル系繰り返し単位を有する樹脂がより好ましい。一般式SS-1~SS-4中、Rsは炭素数1~5のアルキル基を表し、好ましくはメチル基、エチル基である。シリコン原子を有する樹脂は、異なる2種類以上のシリコン原子を有する繰り返し単位を有することが好ましく、より好ましくはSaシリコン原子を1~4個有する繰り返し単位とSbシリコン原子を5~10個有する繰り返し単位の両方を有する樹脂であり、更により好ましくは一般式SS-1~SS-3で表される構造を有する少なくとも1種類の繰り返し単位と一般式SS-4で表される構造を有する繰り返し単位を有する樹脂である。本発明のレジスト組成物にF2エキシマレーザー光を照射する場合に、B成分の樹脂は、ポリマー骨格の主鎖及び/又は側鎖にフッ素原子が置換した構造を有し、かつ酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度を増大する樹脂以下、フッ素基含有樹脂ともいうが好ましく、更に好ましくは1位がフッ素原子若しくはフロロアルキル基で置換された水酸基又は1位がフッ素原子若しくはフロロアルキル基で置換された水酸基を酸分解基で保護した基を有する樹脂であり、特に好ましくはヘキサフロロ-2-プロパノール構造又はヘキサフロロ-2-プロパノールの水酸基を酸分解基で保護した構造を有する樹脂である。フッ素原子を導入することで遠紫外光、特にF2157nm光に対する透明性を向上させることができる。B酸分解性樹脂におけるフッ素基含有樹脂として、例えば、下記一般式FA~FGで示される繰り返し単位を少なくとも1種類有する樹脂を好ましく挙げることができる。前記一般式中、R100R103は、それぞれ、水素原子、フッ素原子、アルキル基又はアリール基を表す。R104及びR106は、それぞれ、水素原子、フッ素原子又はアルキル基であり、R104及びR106の少なくとも1方がフッ素原子又はフルオロアルキル基である。R104及びR106は、好ましくは両方トリフルオロメチル基である。R105は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシカルボニル基又は酸の作用により分解する基である。A1は、単結合、2価の連結基、例えばアルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、-OCO-、-COO-、又は-CONR24-、及びこれらのうちの複数を含有する連結基である。R24は、水素原子又はアルキル基である。R107R108は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基又は酸の作用により分解する基である。R109は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又は酸の作用により分解する基である。aは、0又は1を表す。bは、0、1又は2である。また、一般式FA及びFCにおけるR100とR101は、フッ素で置換されていてよいアルキレン基炭素数1~5を介して環を形成していてもよい。一般式FA~FGで表される繰り返し単位は、一繰り返し単位あたりに少なくとも1つ、好ましくは3つ以上のフッ素原子を有する。上記一般式FA~FGにおいて、アルキル基としては、例えば炭素数1~8個のアルキル基であって、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基を好ましく挙げることができる。シクロアルキル基としては単環型でもよく、多環型でもよい。単環型としては、炭素数3~8個の、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基を好ましく挙げることができる。多環型としては炭素数6~20個のものであって、例えばアダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α-ピネル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、アンドロスタニル基等を好ましく挙げることができる。但し、上記の単環又は多環のシクロアルキル基中の炭素原子が、酸素原子等のヘテロ原子に置換されていてもよい。フルオロアルキル基としては、例えば炭素数1~12個のものであって、具体的にはトリフルオロメチル基、パーフルロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロオクチルエチル基、パーフルオロドデシル基等を好ましくあげることができる。アリール基としては、例えば炭素数6~15個のアリール基であって、具体的には、フェニル基、トリル基、ジメチルフェニル基、2,4,6-トリメチルフェニル基、ナフチル基、アントリル基、9,10-ジメトキシアントリル基等を好ましく挙げることができる。アルコキシ基としては、例えば炭素数1~8個のアルコキシ基であって、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、アリルオキシ基、オクトキシ基等を好ましく挙げることができる。アシル基としては、例えば炭素数1~10個のアシル基であって、具体的には、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基、ピバロイル基、オクタノイル基、ベンゾイル基等を好ましく挙げることができる。アルコキシカルボニル基としては、i-プロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、t-アミロキシカルボニル基、1-メチル-1-シクロヘキシルオキシカルボニル基等、好ましくは2級、より好ましくは3級のアルコキシカルボニル基が挙げられる。ハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等を挙げることができる。アルキレン基としては、好ましくはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1~8個のものが挙げられる。アルケニレン基としては、好ましくはエテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基等の炭素数2~6個のものが挙げられる。シクロアルキレン基としては、好ましくはシクロペンチレン基、シクロヘキシレン基等の炭素数5~8個のものが挙げられる。アリーレン基としては、好ましくはフェニレン基、トリレン基、ナフチレン基等の炭素数6~15個のものが挙げられる。また、これらの基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシル基、カルボキシ基等の活性水素を有するものや、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子、アルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等、チオエーテル基、アシル基アセチル基、プロパノイル基、ベンゾイル基等、アシロキシ基アセトキシ基、プロパノイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等、アルコキシカルボニル基メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基等、シアノ基、ニトロ基等が挙げられる。ここで、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基は上記で示したものが挙げられるが、アルキル基は、更にフッ素原子、シクロアルキル基で置換されていてもよい。本発明のフッ素基含有樹脂に含まれる、酸の作用により分解しアルカリ可溶性を示す基としては、例えば-O-CR36R37R38、-O-CR36R37OR39、-O-COO-CR36R37R38、-O-CR01R02COO-CR36R37R38、-COO-CR36R37R38、-COO-CR36R37OR39等が挙げられる。R36~R39は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表し、R01、R02は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基ビニル基、アリル基、ブテニル基、シクロヘキセニル基等、アラルキル基ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等又はアリール基を表す。好ましい具体例としては、t-ブチル基、t-アミル基、1-アルキル-1-シクロヘキシル基、2-アルキル-2-アダマンチル基、2-アダマンチル-2-プロピル基、2-4-メチルシクロヘキシル-2-プロピル基等の3級アルキル基のエーテル基又はエステル基、1-アルコキシ-1-エトキシ基、テトラヒドロピラニル基等のアセタール基又はアセタールエステル基、t-アルキルカーボネート基、t-アルキルカルボニルメトキシ基等が好ましく挙げられる。以下に一般式FA~FGで表される繰り返し構造単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。一般式FA~FGで示される繰り返し単位の含量の合計は、樹脂を構成する全繰り返し単位に対して、一般的に10~80モル、好ましくは30~70モル、更に好ましくは35~65モルの範囲で使用される。フッ素基含有樹脂は、上記のような繰り返し構造単位以外にも、更に本発明のレジストの性能を向上させる目的で、他の重合性モノマーを共重合させてもよい。使用することができる共重合モノマーとしては、以下に示すものが含まれる。例えば、上記以外のアクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン類、クロトン酸エステル類などから選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物である。このようなフッ素基含有樹脂には、ドライエッチング耐性向上、アルカリ可溶性調節、基板密着性向上などの観点から、前記フッ素原子を有する繰り返し単位の他に共重合成分として他の繰り返し単位を含有することが好ましい。他の繰り返し単位として好ましいものとしては:1前記一般式pI~pVI及びII-ABに示す脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位。具体的には前記1~23の繰り返し単位及び[II-1]~[II-32]の繰り返し単位。好ましくは上記具体例1~23のうちRxがCF3のものである。2前記一般式Lc及びV-1~V-5に示すラクトン構造を有する繰り返し単位。具体的には先に例示した繰り返し単位、特に先に例示した一般式Lc、V-1~V-4で表される基を有する繰り返し単位。3無水マレイン酸、ビニルエーテル又はシアノ基を有するビニル化合物から由来される下記一般式XVXVIXVII、具体的にはC-1~C-15に挙げられる繰り返し単位が挙げられる。これら他の繰返し単位中にはフッ素原子を含んでいてもいなくてもよい。式中、R41は、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基若しくはアリール基を表す。R41のアルキル基は、アリール基で置換されていてもよい。R42は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキル基を表す。A5は、単結合、2価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基若しくはアリーレン基、又は-O-CO-R22-、-CO-O-R23-、-CO-NR24-R25-を表す。R22、R23、R25は、同じでも異なっていてもよく、単結合、又はエーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基若しくはウレイド基を有してもよい、2価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基又はアリーレン基を表す。R24は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基又はアリール基を表す。ここで、各置換基の例は、前記一般式FA~FGの置換基と同様のものがあげられる。また一般式XV~XVIIで表される繰り返し構造単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。一般式XV~XVIIで表される繰り返し単位とその他繰り返し単位の総量は、樹脂を構成する全繰り返し単位に対して、一般的に0~70モル、好ましくは10~60モル、更に好ましくは20~50モルの範囲で使用される。フッ素基含有樹脂は、酸分解性基をいかなる繰り返し単位に含んでいてもよい。酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し単位に対して、10~70モルが好ましく、より好ましくは20~60モル、更に好ましくは30~60モルである。フッ素基含有樹脂は、脂環炭化水素系酸分解性樹脂とほぼ同様にラジカル重合によって合成することができる。B成分の樹脂の重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは2,000~200,000である。重量平均分子量を2,000以上とすることにより、耐熱性、ドライエッチング耐性を向上させることができ、また、重量平均分子量を200,000以下とすることにより、現像性を向上させることができ、かつ、粘度が低くなるために製膜性を向上させることができる。より好ましい分子量としては、5,000~50,000であり、更に好ましくは、7,000~30,000である。分子量を調整することにより、組成物の耐熱性、解像力、現像欠陥等を両立させることができる。B成分の樹脂の分散度Mw/Mnは、1.0~3.0が好ましく、より好ましくは1.2~2.5であり、更により好ましくは1.2~1.6である。分散度を適宜の範囲に調整することでラインエッジラフネス性能を向上させることができる。本発明のレジスト組成物において、B成分の樹脂の組成物全体中の配合量は、全固形分中40~99.99質量が好ましく、より好ましくは50~99質量、更により好ましくは80~96質量である。<C成分:塩基性化合物>C成分としては、有機アミン、塩基性のアンモニウム塩、塩基性のスルホニウム塩などの含窒素塩基性化合物が挙げられ、昇華やレジスト性能を劣化させないものであればよい。これらの含窒素塩基性化合物の中でも、有機アミンが画像性能が優れる点で好ましい。例えば特開昭63149640号、特開平5249662号、特開平5127369号、特開平5289322号、特開平5249683号、特開平5289340号、特開平5232706号、特開平5257282号、特開平6242605号、特開平6242606号、特開平6266100号、特開平6266110号、特開平6317902号、特開平7120929号、特開平7146558号、特開平7319163号、特開平7508840号、特開平7333844号、特開平7219217号、特開平792678号、特開平728247号、特開平822120号、特開平8110638号、特開平8123030号、特開平9274312号、特開平9166871号、特開平9292708号、特開平9325496号、特表平7508840号、米国特許5525453号、米国特許5629134号、米国特許5667938号等に記載の塩基性化合物を用いることができる。好ましい構造として、下記式A~Eで示される構造を挙げることができる。ここでR250、R251及びR252は、各々独立に、水素原子、炭素数1~20のアルキル、炭素数3~20のシクロアルキル基又は炭素数6~20のアリール基であり、ここでR250とR251は互いに結合して環を形成してもよい。これらは置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数1~20のアミノアルキル基又は炭素数3~20のアミノシクロアルキル基、炭素数1~20のヒドロキシアルキル基又は炭素数3~20のヒドロキシシクロアルキル基が好ましい。また、これらはアルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を含んでも良い。式中、R253、R254、R255及びR256は、各々独立に、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数3~6のシクロアルキル基を示す。好ましい化合物として、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、ピペリジンを挙げることができ、置換基を有していてもよい。更に好ましい化合物として、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造又はピリジン構造を有する化合物、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体等を挙げることができる。イミダゾール構造を有する化合物としてはイミダゾール、2、4、5-トリフェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール等があげられる。ジアザビシクロ構造を有する化合物としては1、4-ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、1、5-ジアザビシクロ[4,3,0]ノナ-5-エン、1、8-ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカ-7-エンなどがあげられる。オニウムヒドロキシド構造を有する化合物としてはトリアリールスルホニウムヒドロキシド、フェナシルスルホニウムヒドロキシド、2-オキソアルキル基を有するスルホニウムヒドロキシド、具体的にはトリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリスt-ブチルフェニルスルホニウムヒドロキシド、ビスt-ブチルフェニルヨードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェニウムヒドロキシド、2-オキソプロピルチオフェニウムヒドロキシドなどがあげられる。オニウムカルボキシレート構造を有する化合物としてはオニウムヒドロキシド構造を有する化合物のアニオン部がカルボキシレートになったものであり、例えばアセテート、アダマンタン-1-カルボキシレート、パーフロロアルキルカルボキシレート等があげられる。トリアルキルアミン構造を有する化合物としては、トリn-ブチルアミン、トリn-オクチルアミン等を挙げることができる。アニリン化合物としては、2,6-ジイソプロピルアニリン、N,N-ジメチルアニリン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリスメトキシエトキシエチルアミン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体としては、N,N-ビスヒドロキシエチルアニリン等を挙げることができる。これらの塩基性化合物は、単独であるいは2種以上で用いられる。塩基性化合物の使用量は、レジスト組成物の固形分を基準として、通常0.001~10質量、好ましくは0.01~5質量である。十分な添加効果を得る上で0.001質量以上が好ましく、感度や非露光部の現像性の点で10質量以下が好ましい。<D成分:界面活性剤>D成分としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタン脂肪族エステル類、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪族エステル類等のノニオン系界面活性剤を挙げることができる。これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、いくつかの組み合わせで添加することもできる。界面活性剤として、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤フッ素系界面活性剤及びシリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を含有する界面活性剤のいずれか、あるいは2種以上を含有することが好ましい。これらのフッ素及び/又はシリコン系界面活性剤として、例えば特開昭62-36663号公報、特開昭61-226746号公報、特開昭61-226745号公報、特開昭62-170950号公報、特開昭63-34540号公報、特開平7-230165号公報、特開平8-62834号公報、特開平9-54432号公報、特開平9-5988号公報、特開2002-277862号公報、米国特許第5405720号明細書、同5360692号明細書、同5529881号明細書、同5296330号明細書、同5436098号明細書、同5576143号明細書、同5294511号明細書、同5824451号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、下記市販の界面活性剤をそのまま用いることもできる。市販の界面活性剤として、例えばエフトップEF301、EF303、製、フロラードFC430、431製、メガファックF171、F173、F176、F189、R08大日本インキ化学工業株製、サーフロンS-382、SC101、102、103、104、105、106旭硝子株製、トロイゾルS-366トロイケミカル株製等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製もシリコン系界面活性剤として用いることができる。また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法テロマー法ともいわれる若しくはオリゴメリゼーション法オリゴマー法ともいわれるにより製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開2002-90991号公報に記載された方法によって合成することが出来る。フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーとポリオキシアルキレンアクリレート及び/又はポリオキシアルキレンメタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布していても、ブロック共重合していてもよい。また、ポリオキシアルキレン基としては、ポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基、ポリオキシブチレン基などが挙げられ、また、ポリオキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体やポリオキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。更に、フルオロ脂肪族基を有するモノマーとポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体は2元共重合体ばかりでなく、異なる2種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる2種以上のポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートなどを同時に共重合した3元系以上の共重合体でもよい。例えば、市販の界面活性剤として、メガファックF178、F-470、F-473、F-475、F-476、F-472大日本インキ化学工業株製を挙げることができる。更に、C6F13基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体、C6F13基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシエチレンアクリレート又はメタクリレートとポリオキシプロピレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体、C8F17基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体、C8F17基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシエチレンアクリレート又はメタクリレートとポリオキシプロピレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体、などを挙げることができる。界面活性剤の使用量は、レジスト組成物の全量溶剤を除くに対して、好ましくは0.0001~2質量、より好ましくは0.001~1質量である。<E成分:溶剤>E成分としては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2-メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N-メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶剤を単独あるいは混合して使用する。上記の中でも、好ましい溶剤としては2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、N-メチルピロリドン、テトラヒドロフランを挙げることができる。<F成分:酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量3000以下の溶解阻止化合物>酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量3000以下の溶解阻止化合物としては、220nm以下の透過性を低下させないため、ProceedingofSPIE2724355に記載されている酸分解性基を含むコール酸誘導体のような、酸分解性基を含有する脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。酸分解性基、脂環式構造としては、上記脂環炭化水素系酸分解性樹脂のところで説明したものと同様のものが挙げられる。本発明のレジスト組成物をKrFエキシマレーザーで露光するか、或いは電子線で照射する場合には、フェノール化合物のフェノール性水酸基を酸分解基で置換した構造を含有するものが好ましい。フェノール化合物としてはフェノール骨格を1~9個含有するものが好ましく、更に好ましくは2~6個含有するものである。溶解阻止化合物の分子量は、3000以下であり、好ましくは300~3000、更に好ましくは500~2500である。溶解阻止化合物の添加量は、レジスト組成物の固形分に対し、好ましくは3~50質量であり、より好ましくは5~40質量である。以下に溶解阻止化合物の具体例を示すが、これらに限定されない。<G成分:アルカリ現像液に可溶な樹脂>アルカリ現像液に可溶な樹脂アルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解速度は、0.261NテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドTMAHで測定23°Cして20Å/秒以上が好ましい。特に好ましくは200Å/秒以上であるÅはオングストローム。アルカリ可溶性樹脂としては、例えばノボラック樹脂、水素化ノボラツク樹脂、アセトン-ピロガロール樹脂、o-ポリヒドロキシスチレン、m-ポリヒドロキシスチレン、p-ポリヒドロキシスチレン、水素化ポリヒドロキシスチレン、ハロゲン若しくはアルキル置換ポリヒドロキシスチレン、ヒドロキシスチレン-N-置換マレイミド共重合体、o/p-及びm/p-ヒドロキシスチレン共重合体、ポリヒドロキシスチレンの水酸基に対する一部O-アルキル化物例えば、5~30モルのO-メチル化物、O-1-メトキシエチル化物、O-1-エトキシエチル化物、O-2-テトラヒドロピラニル化物、O-t-ブトキシカルボニルメチル化物等若しくはO-アシル化物例えば、5~30モルのo-アセチル化物、O-t-ブトキシカルボニル化物等、スチレン-無水マレイン酸共重合体、スチレン-ヒドロキシスチレン共重合体、α-メチルスチレン-ヒドロキシスチレン共重合体、カルボキシル基含有メタクリル系樹脂及びその誘導体、ポリビニルアルコール誘導体を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。特に好ましいアルカリ可溶性樹脂はノボラック樹脂及びo-ポリヒドロキシスチレン、m-ポリヒドロキシスチレン、p-ポリヒドロキシスチレン及びこれらの共重合体、アルキル置換ポリヒドロキシスチレン、ポリヒドロキシスチレンの一部O-アルキル化、若しくはO-アシル化物、スチレン-ヒドロキシスチレン共重合体、α-メチルスチレン-ヒドロキシスチレン共重合体である。該ノボラック樹脂は所定のモノマーを主成分として、酸性触媒の存在下、アルデヒド類と付加縮合させることにより得られる。また、アルカリ溶解性樹脂の重量平均分子量は、2000以上、好ましくは5000~200000、より好ましくは5000~100000である。ここで、重量平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値をもって定義される。アルカリ可溶性樹脂は2種類以上組み合わせて使用してもよい。アルカリ可溶性樹脂の使用量は、レジスト組成物の全組成物の固形分に対し、40~97質量、好ましくは60~90質量である。<H成分:酸の作用により上記アルカリ可溶性樹脂と架橋する酸架橋剤>ネガ型レジスト組成物である場合は、架橋剤を含有する。例えば、KrFエキシマレーザー用ネガ型レジストなどネガ型の場合は、露光部で発生した酸の触媒反応により、架橋剤と樹脂の架橋反応を生起させること等により現像液への溶解速度を低下させて、レジストパターンを形成しているため、架橋剤が必要となる場合がある。架橋剤としては、例えば、特開平1-293339号公報及び特開平2-15270号公報に開示されているグリコールウリル樹脂等のアミノ樹脂、特開平5-34922号公報に開示されているグリコールウリル樹脂架橋剤、特開平6-301200号公報に開示されているN-アルコキシメチルグリコールウリル化合物からなる架橋剤、特開2003-302670に開示されているN-アルコキシアルキルグリコールウリル化合物や記N-アルコキシアルキルメラミン化合物等を使用することができる。架橋剤としては酸の作用によりアルカリ現像液に可溶な樹脂を架橋する化合物であればいずれも用いることができるが、以下の1~3が好ましい。1フェノール誘導体のヒドロキシメチル体、アルコキシメチル体、アシルオキシメチル体。2N-ヒドロキシメチル基、N-アルコキシメチル基、N-アシルオキシメチル基を有する化合物。3エポキシ基を有する化合物。アルコキシメチル基としては炭素数6個以下、アシルオキシメチル基としては炭素数6個以下が好ましい。これらの架橋剤の内、特に好ましいものを以下に挙げる。式中、L1~L8は、同じであっても異なっていてもよく、水素原子、ヒドロキシメチル基、メトキシメチル基、エトキシメチル基又は炭素数1~6個のアルキル基を示す。架橋剤は、レジスト組成物の固形分中、通常3~70質量、好ましくは5~50質量の添加量で用いられる。<その他の添加剤>本発明のレジスト組成物には、必要に応じて更に染料、可塑剤、光増感剤、及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物等を含有させることができる。これら全ての添加剤も、溶液状態にしてレジスト組成物を製造することが好ましい。本発明で使用できる現像液に対する溶解促進性化合物は、フェノール性OH基を2個以上、又はカルボキシ基を1個以上有する分子量1,000以下の低分子化合物である。カルボキシ基を有する場合は脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。これら溶解促進性化合物の好ましい添加量は、B成分の樹脂及びG成分の樹脂に対して2~50質量であり、更に好ましくは5~30質量である。現像残渣抑制、現像時パターン変形防止の点で50質量以下が好ましい。このような分子量1000以下のフェノール化合物は、例えば、特開平4-122938号、特開平2-28531号、米国特許第4916210号、欧州特許第219294号等に記載の方法を参考にして、当業者において容易に合成することができる。カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物の具体例としてはコール酸、デオキシコール酸、リトコール酸などのステロイド構造を有するカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。<レジスト組成物によるパターン形成方法>レジスト組成物は基板上に塗布され、薄膜を形成する。この塗膜の膜厚は0.05~1.5μmが好ましい。本発明においては、必要により、市販の無機あるいは有機反射防止膜を使用することができる。反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、α-シリコン、窒化ケイ素等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型が用いることができる。前者は膜形成に真空蒸着装置、CVD装置、スパッタリング装置等の設備を必要とする。有機反射防止膜としては、例えば特公平7-69611記載のジフェニルアミン誘導体とホルムアルデヒド変性メラミン樹脂との縮合体、アルカリ可溶性樹脂、吸光剤からなるものや、米国特許5294680記載の無水マレイン酸共重合体とジアミン型吸光剤の反応物、特開平6-118631記載の樹脂バインダーとメチロールメラミン系熱架橋剤を含有するもの、特開平6-118656記載のカルボン酸基とエポキシ基と吸光基を同一分子内に有するアクリル樹脂型反射防止膜、特開平8-87115記載のメチロールメラミンとベンゾフェノン系吸光剤からなるもの、特開平8-179509記載のポリビニルアルコール樹脂に低分子吸光剤を添加したもの等が挙げられる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUVシリーズ、ARCシリーズや、シプレー社製のACシリーズ、ARシリーズ等を使用することもできる。上記レジスト液を精密集積回路素子の製造に使用されるような基板例:シリコン/二酸化シリコン被覆上に必要により上記反射防止膜を設けられた基板上に、スピナー、コーター等の適当な塗布方法により塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを行い現像することにより良好なレジストパターンを得ることができる。ここで露光光としては、好ましくは150nm~250nmの波長の光である。具体的には、KrFエキシマレーザー248nm、ArFエキシマレーザー193nm、F2エキシマレーザー157nm、X線、電子ビーム等が挙げられる。現像において使用するアルカリ現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n-プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ-n-ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用することができる。更に、上記アルカリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1~20質量である。アルカリ現像液のpHは、通常10.0~15.0である。以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例1、2、8、9、15及び16は参考例である。KrFエキシマレーザー用ポジレジストに用いる樹脂B-2の合成常法に基づいて脱水、蒸留精製したp-tert-ブトキシスチレンモノマー35.25g0.2モル及びt-Buスチレンモノマー5.21g0.05モルをテトラヒドロフラン100mlに溶解した。窒素気流及び攪拌下、80°CにてアゾビスイソブチロニトリルAIBN0.033gを2.5時間置きに3回添加し、最後に更に5時間攪拌を続けることにより、重合反応を行った。反応液をヘキサン1200mlに投入し、白色の樹脂を析出させた。得られた樹脂を乾燥後、テトラヒドロフラン150mlに溶解した。これに4N塩酸を添加し、6時間加熱還流することにより加水分解させた後、5Lの超純水に再沈し、この樹脂を濾別し、水洗乾燥させた。更にテトラヒドロフラン200mlに溶解し、5Lの超純水中に激しく攪拌しながら滴下、再沈を行った。この再沈操作を3回繰り返した。得られた樹脂を真空乾燥器中で120°C、12時間乾燥し、ポリp-ヒドロキシスチレン/t-ブチルスチレン共重合体アルカリ可溶性樹脂B-1を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は12000であった。樹脂B-120gとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート320gをフラスコ中で溶解し、減圧蒸留を行い、水とPGMEAを共沸留去した。含水が十分低くなったことを確認した後、エチルビニルエーテル24g及びp-トルエンスルホン酸0.35gを加え、室温にて1時間撹拌した。そこへトリエチルアミンを0.28g加えて反応をクエンチした。反応液に酢酸エチルを添加、更に水洗した後、減圧留去によって酢酸エチル、水、共沸分のPGMEAを留去し、樹脂B-2を得た。KrFエキシマレーザー用ネガレジストに用いる樹脂B-3の合成p-t-ブトキシスチレン100g、スチレン19.7g、アゾビスイソブチロニトリル8.1g、及びt-ドデシルメルカプタン2.5gをプロピレングリコールモノメチルエーテル180gに溶解し、80°Cにて9時間重合反応を行った。重合液をメタノールで再沈精製し、p-t-ブトキシスチレン/スチレン共重合体Mw;7200、Mw/Mn;1.80の100gを得た。この共重合体及び10質量硫酸水50gをプロピレングリコールモノメチルエーテル300gに溶解し、90°Cにて6時間加水分解反応を行った。そして、反応液を多量の水で中性になるまで再沈精製することにより、p-ヒドロキシスチレン/スチレン=75/25mol共重合体である樹脂B-3を得た。得られた樹脂の重量平均分子量は5200であった。ArFエキシマレーザー用ポジレジストに用いる樹脂B-4の合成2-メチル-2-アダマンチルメタクリレート、3-ヒドロキシ-1-アダマンチルメタクリレート、ブチロラクトンメタクリレートを40/20/40モル比の割合で仕込みメチルエチルケトン/テトラヒドロフラン=5/5に溶解し、固形分濃度20質量の溶液100mLを調製した。この溶液に和光純薬工業製重合開始剤V-65を2mol加え、これを窒素雰囲気下、4時間かけて60°Cに加熱したメチルエチルケトン10mLに滴下した。滴下終了後、反応液を4時間加熱、再度V-65を1mol添加し、4時間攪拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、蒸留水/ISOプロピルアルコール=1/1質量比の混合溶媒3Lに晶析、析出した白色粉体である樹脂B-4を得た。13CNMRから求めたポリマー組成比は41/21/38であった。得られた樹脂の重量平均分子量は10700であった。略号の説明PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGME:プロピレングリコールモノメチルエーテルPAG-1:トリフェニルスルホニウムノナフレートAMINE-1:2,6-ジイソプロピルアニリンADD-1:N,N,N,N-テトラメトキシメチルグリコールウリルW-1:メガファックR08大日本インキ化学工業株製実施例1樹脂B-4をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、PAG-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製した。樹脂B-4の溶液30g、PAG-1の溶液1.5g、AMINE-10.12g、W-10.01g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.02μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ポジ型レジスト組成物を調製した。実施例2樹脂B-4をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、PAG-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、AMINE-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製し、W-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製した。樹脂B-4の溶液30g、PAG-1の溶液1.5g、AMINE-1の溶液1.2g、W-1の溶液0.1g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.02μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ポジ型レジスト組成物を調製した。実施例3樹脂B-4をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、1.0μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。PAG-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製した。樹脂B-4の溶液30g、PAG-1の溶液1.5g、AMINE-10.12g、W-10.01g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.05μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ポジ型レジスト組成物を調製した。実施例4樹脂B-4をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、1.0μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。PAG-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、AMINE-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製し、W-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製した。樹脂B-4の溶液30g、PAG-1の溶液1.5g、AMINE-1の溶液1.2g、W-1の溶液0.1g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.02μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ポジ型レジスト組成物を調製した。実施例5樹脂B-4をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、1.0μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。PAG-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、0.1μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。樹脂B-4の溶液30g、PAG-1の溶液1.5g、AMINE-10.12g、W-10.01g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.05μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ポジ型レジスト組成物を調製した。実施例6樹脂B-4をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、1.0μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。PAG-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、0.1μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。AMINE-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製し、W-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製した。樹脂B-4の溶液30g、PAG-1の溶液1.5g、AMINE-1の溶液1.2g、W-1の溶液0.1g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.02μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ポジ型レジスト組成物を調製した。実施例7樹脂B-4をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、1.0μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。PAG-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、0.1μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。AMINE-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製し、0.1μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。W-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製し、0.1μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。樹脂B-4の溶液30g、PAG-1の溶液1.5g、AMINE-1の溶液1.2g、W-1の溶液0.1g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.02μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ポジ型レジスト組成物を調製した。実施例8樹脂B-2をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、PAG-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製した。樹脂B-2の溶液30g、PAG-1の溶液1.5g、AMINE-10.12g、W-10.01g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.02μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ポジ型レジスト組成物を調製した。実施例9樹脂B-2をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、PAG-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、AMINE-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製し、W-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製した。樹脂B-2の溶液30g、PAG-1の溶液1.5g、AMINE-1の溶液1.2g、W-1の溶液0.1g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.02μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ポジ型レジスト組成物を調製した。実施例10樹脂B-2をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、1.0μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。PAG-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製した。樹脂B-2の溶液30g、PAG-1の溶液1.5g、AMINE-10.12g、W-10.01g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.05μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ポジ型レジスト組成物を調製した。実施例11樹脂B-2をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、1.0μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。PAG-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、AMINE-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製し、W-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製した。樹脂B-2の溶液30g、PAG-1の溶液1.5g、AMINE-1の溶液1.2g、W-1の溶液0.1g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.02μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ポジ型レジスト組成物を調製した。実施例12樹脂B-2をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、1.0μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。PAG-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、0.1μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。樹脂B-2の溶液30g、PAG-1の溶液1.5g、AMINE-10.12g、W-10.01g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.05μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ポジ型レジスト組成物を調製した。実施例13樹脂B-2をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、1.0μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。PAG-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、0.1μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。AMINE-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製し、W-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製した。樹脂B-2の溶液30g、PAG-1の溶液1.5g、AMINE-1の溶液1.2g、W-1の溶液0.1g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.02μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ポジ型レジスト組成物を調製した。実施例14樹脂B-2をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、1.0μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。PAG-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、0.1μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。AMINE-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製し、0.1μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。W-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製し、0.1μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。樹脂B-2の溶液30g、PAG-1の溶液1.5g、AMINE-1の溶液1.2g、W-1の溶液0.1g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.02μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ポジ型レジスト組成物を調製した。実施例15樹脂B-3をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、PAG-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製した。樹脂B-3の溶液30g、PAG-1の溶液1.5g、AMINE-10.12g、ADD-10.3g、W-10.01g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.02μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ネガ型レジスト組成物を調製した。実施例16樹脂B-3をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、PAG-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、AMINE-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製し、ADD-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製し、W-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製した。樹脂B-3の溶液30g、PAG-1の溶液1.5g、AMINE-1の溶液1.2g、ADD-1の溶液1.5g、W-1の溶液0.1g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.02μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ネガ型レジスト組成物を調製した。実施例17樹脂B-3をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、1.0μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。PAG-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製した。樹脂B-3の溶液30g、PAG-1の溶液1.5g、AMINE-10.12g、ADD-10.3g、W-10.01g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.05μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ネガ型レジスト組成物を調製した。実施例18樹脂B-3をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、1.0μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。PAG-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、AMINE-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製し、ADD-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製し、W-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製した。樹脂B-3の溶液30g、PAG-1の溶液1.5g、AMINE-1の溶液1.2g、ADD-1の溶液1.5g、W-1の溶液0.1g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.02μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ネガ型レジスト組成物を調製した。実施例19樹脂B-3をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、1.0μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。PAG-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、0.1μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。樹脂B-3の溶液30g、PAG-1の溶液1.5g、AMINE-10.12g、ADD-10.3g、W-10.01g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.05μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ネガ型レジスト組成物を調製した。実施例20樹脂B-3をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、1.0μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。PAG-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、0.1μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。AMINE-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製し、ADD-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製し、W-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製した。樹脂B-3の溶液30g、PAG-1の溶液1.5g、AMINE-1の溶液1.2g、ADD-1の溶液1.5g、W-1の溶液0.1g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.02μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ネガ型レジスト組成物を調製した。実施例21樹脂B-3をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、1.0μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。PAG-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、0.1μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。AMINE-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製し、0.1μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。ADD-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製し、0.1μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。W-1をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度10質量の溶液を調製し、0.1μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。樹脂B-3の溶液30g、PAG-1の溶液1.5g、AMINE-1の溶液1.2g、ADD-1の溶液1.5g、W-1の溶液0.1g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.02μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ネガ型レジスト組成物を調製した。比較例1樹脂B-46g、PAG-10.3g、AMINE-10.12g、W-10.01g、PGMEA56g、PGME38gを混合し、得られた混合液を0.02μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ポジ型レジスト組成物を調製した。比較例2樹脂B-4をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製した。樹脂B-4の溶液30g、PAG-10.3g、AMINE-10.12g、W-10.01g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.02μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ポジ型レジスト組成物を調製した。比較例3樹脂B-4をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、1.0μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。樹脂B-4の溶液30g、PAG-10.3g、AMINE-10.12g、W-10.01g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.02μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ポジ型レジスト組成物を調製した。比較例4樹脂B-26g、PAG-10.3g、AMINE-10.12g、W-10.01g、PGMEA56g、PGME38gを混合し、得られた混合液を0.02μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ポジ型レジスト組成物を調製した。比較例5樹脂B-2をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製した。樹脂B-2の溶液30g、PAG-10.3g、AMINE-10.12g、W-10.01g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.02μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ポジ型レジスト組成物を調製した。比較例6樹脂B-2をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、1.0μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。樹脂B-2の溶液30g、PAG-10.3g、AMINE-10.12g、W-10.01g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.02μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ポジ型レジスト組成物を調製した。比較例7樹脂B-36g、PAG-10.3g、AMINE-10.12g、ADD-10.3g、W-10.01g、PGMEA56g、PGME38gを混合し、得られた混合液を0.02μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ネガ型レジスト組成物を調製した。比較例8樹脂B-3をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製した。樹脂B-3の溶液30g、PAG-10.3g、AMINE-10.12g、ADD-10.3g、W-10.01g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.02μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ネガ型レジスト組成物を調製した。比較例9樹脂B-3をPGMEAとPGMEの混合溶媒質量比率60/40に溶解させて固形分濃度20質量の溶液を調製し、1.0μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過した。樹脂B-3の溶液30g、PAG-10.3g、AMINE-10.12g、ADD-10.3g、W-10.01g、PGMEA42g、PGME28gを混合し、得られた混合液を0.02μmのPE製フィルター47mmUPEMembraneDisks、マイクロリス社製でろ過することにより、ネガ型レジスト組成物を調製した。実施例1~7、比較例1~3のレジストパターン形成スピンコーターにてシリコンウエハ上にブリューワーサイエンス社製ARC29Aを78nm均一に塗布し、205°Cで60秒間加熱乾燥を行い、反射防止膜を形成させた。その後、調製直後の各ポジ型レジスト組成物をスピンコーターで塗布し120°Cで60秒間乾燥PBを行い150nmのレジスト膜を形成させた。このレジスト膜に対し、110nmのラインアンドスペースの6ハーフトーンマスクを通してArFエキシマレーザーステッパーASML社製PAS5500/1100NA=0.752/3輪帯照明で露光し、露光後直ちに120°Cで60秒間ホットプレート上で加熱PEBした。更に2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で23°Cで60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後、乾燥し、110nmのラインアンドスペースのレジストパターンを得た。実施例8~14、比較例4~6のレジストパターン形成スピンコーターにてシリコンウエハ上にブリューワーサイエンス社製ARC29Aを78nm均一に塗布し、205°Cで60秒間加熱乾燥を行い、反射防止膜を形成させた。その後、調製直後の各ポジ型レジスト組成物をスピンコーターで塗布し120°Cで60秒間乾燥PBを行い150nmのレジスト膜を形成させた。このレジスト膜に対し、200nmライン/120nmスペースの6ハーフトーンマスクを通してKrFエキシマレーザー波長248nm、NA=0.63、σ=0.65のキヤノン製FPA-3000EX5で露光し、露光後直ちに100°Cで60秒間ホットプレート上で加熱PEBした。更に2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で23°Cで60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後、乾燥し、210nmライン/110nmスペースのレジストパターンを得た。実施例15~21、比較例7~9のレジストパターン形成スピンコーターにてシリコンウエハ上にブリューワーサイエンス社製ARC29Aを78nm均一に塗布し、205°Cで60秒間加熱乾燥を行い、反射防止膜を形成させた。その後、調製直後の各ポジ型レジスト組成物をスピンコーターで塗布し110°Cで60秒間乾燥PBを行い150nmのレジスト膜を形成させた。このレジスト膜に対し、120nmライン/200nmスペースの6ハーフトーンマスクを通してKrFエキシマレーザー波長248nm、NA=0.63、σ=0.65のキヤノン製FPA-3000EX5で露光し、露光後直ちに110°Cで60秒間ホットプレート上で加熱PEBした。更に2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で23°Cで60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後、乾燥し、210nmライン/110nmスペースのレジストパターンを得た。現像欠陥評価上記パターンをKLA2112機KLAテンコール社製により、現像欠陥数を測定したThreshold=12,ピクセルサイズ=0.39。評価結果は、下記表1~3に、ウェハー毎の欠陥の個数で示した。表1~3において、Aは、A成分である光酸発生剤、BはB成分である樹脂を意味する。本発明の方法により製造したレジスト組成物は、パターン上での現像欠陥の発生が少ないことがわかる。"