"基板の回路パターンに接合された電力用半導体素子と、板状であり、上記電力用半導体素子の表面電極及び上記回路パターンのそれぞれに一端側をそれぞれ接合して立設した複数の電極ポストと、線材にてなり、それぞれの電極ポストの他端側に渡され各電極ポストを電気的に接続する金属線と、を備え、各電極ポストの他端側は、上記金属線を支持する支持部を有する、ことを特徴とする電力用半導体装置。上記金属線と上記電極ポストとは互いに直交して配置され、各電極ポストの支持部は、金属線を保持する溝を形成する受け板を有し、この受け板は、上記溝の両側に位置し金属線と接合される、請求項1記載の電力用半導体装置。上記金属線と上記電極ポストとは互いに同方向に配置され、それぞれの支持部は、金属線の軸方向に配列されて金属線を支持する複数の支持片で構成され、各支持片は、金属線に対して互いに逆方向へ折り曲げられている、請求項1又は2記載の電力用半導体装置。上記金属線と上記電極ポストとは互いに直交して配置され、各電極ポストの支持部は、金属線を嵌合する嵌合隙間を形成する挟持板を有し、この挟持板は、金属線の線幅よりも小さい幅を形成して上記嵌合隙間の両側に位置し金属線を挟持する、請求項1から3のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。上記金属線は、上記電極ポストの近傍では上記回路基板に平行状に延在し、複数の電力用半導体素子のそれぞれに立設された各電極ポストの間にて、凸状の変形部を有する、請求項1から4のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。上記変形部は、基板とは反対側へ凸で配向され、当該変形部の頂点部分での金属線における回路基板に面する近位面は、変形部の近傍での金属線における反回路基板側の遠位面よりも反回路基板側に配置される、請求項5記載の電力用半導体装置。しかし、これらの構造は、次のような問題がある。即ち、昨今のパワーモジュールでは、素子の定格電流やモジュール内の回路構成が多岐にわたることから、各種のモジュールごとに半導体素子の配置が大きく相違する。つまり、パワーモジュールの多品種少量生産化に対応して、モジュールの仕様毎に部品を用意する必要がある。このため、例えばプレス金型などで製造可能な金属板部品等の大量生産部品は、生産性及び費用面において、多品種少量生産には適用しにくいという問題がある。また、100Aを超えるような大電流を扱うモジュールに対し、プリント基板や薄板を配線として用いた場合には、配線幅が大きくなってしまい、半導体装置自体が大型化するという懸念もある。さらには、剛性の高い配線材料を用いて、半導体素子などの複数の接続点に対して接続が行われる場合には、半導体素子の実装精度も向上させる必要があるなど、生産性に課題が生じ、そのため設計に制約が生じるという問題がある。このようにパワーモジュールでは、今後の、さらに多様化する要求に対応するため、その生産性の向上、及び小型化が課題となっている。本発明は、このような問題を解決するためになされたもので、多品種少量生産化に対する生産性の向上、及び小型化が可能である電力用半導体装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明は以下のように構成する。即ち、本発明の一態様における電力用半導体装置は、基板の回路パターンに接合された電力用半導体素子と、板状であり、上記電力用半導体素子の表面電極及び上記回路パターンのそれぞれに一端側をそれぞれ接合して立設した複数の電極ポストと、線材にてなり、それぞれの電極ポストの他端側に渡され各電極ポストを電気的に接続する金属線と、を備え、各電極ポストの他端側は、上記金属線を支持する支持部を有することを特徴とする。本発明の一態様における電力用半導体装置によれば、電極ポスト及び金属線を備え、電力用半導体素子の表面電極と、回路基板の回路パターンとは、電極ポストを介して金属線にて電気的に接続される。よって、同じ材料の金属線であっても、配線長さ、角度、断面積などにおいて自由度の高い配線を行うことが可能であり、また配線幅が広がることも抑えられ半導体装置の小型化に寄与することができる。また、各電極ポストを共通化することも可能である。さらに、電極ポストによって金属線を支持することで、金属線と、この金属線が接続される電極及び回路パターンとは異なる電極及び回路配線、例えば半導体素子裏面や裏面側回路配線との距離を確保することが可能となる。これらの点によって、より多品種少量生産に適した生産性の高い電力用半導体装置を提供することができる。本発明の実施形態である電力用半導体装置について、図を参照しながら以下に説明する。尚、各図において、同一又は同様の構成部分については同じ符号を付している。また、以下に説明するように、本発明の実施形態に備わる配線構造が大電流を扱う場合に特に有効であることから、本発明の実施形態は、電力用の半導体装置を例に採るが、別段、電力用半導体装置に限定するものではなく、一般の半導体装置にも適用可能である。実施の形態1.図1には、本発明の実施の形態1にかかる電力用半導体装置101の断面が示されている。電力用半導体装置101は、基本的構成部分として、電力用半導体素子、絶縁基板2、第1電極ポスト61、第2電極ポスト62、及び金属線7を備える。さらに電力用半導体装置101では、放熱板1、外部電極8、樹脂ケース9、及び外部制御電極11等を備えることができる。電力用半導体装置101のこれらの構成部分について、以下に順次説明していく。窒化アルミニウムAlNにて形成された絶縁基板2の表裏両面には、それぞれ銅のパターン2A、2Bが形成されている。このように銅パターン2A、2Bが形成された絶縁基板2が回路基板に相当する。絶縁基板2の裏面側の銅パターン2Bには、主に銅からなる放熱板1がはんだ3にて接合されている。一方、放熱板1に対向する、絶縁基板2の表面側の銅パターンつまり回路パターン2Aには、電力用半導体素子に相当するIGBT4InsulatedGateBipolarTransistorの裏面電極であるコレクタ電極と、同じく電力用半導体素子に相当するFWDi5FreeWheelDiodeの裏面電極であるカソード電極とがはんだ付けされ、これらは互いに電気的に接続されている。尚、以下では、IGBT4及びFWDi5を総称して半導体素子4,5あるいは電力用半導体素子4,5と記す場合もある。IGBT4の表面電極20であるエミッタ電極、及び、FWDi5の表面電極20であるアノード電極には、それぞれ、第1電極ポスト61の一端側がはんだ付けされている。また、絶縁基板2の表面側の回路パターン2Aには、第2電極ポスト62の一端側がはんだ付けされている。本実施形態では、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62は、同一形状で、同じ材料にて作製されている。第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62は、主として銅からなる、一例として厚さ0.4mmの板材で構成されており、図2に示すように、半導体素子4,5の表面電極20や絶縁基板2の回路パターン2Aに、半導体素子4,5及び絶縁基板2の主面に対して垂直にあるいは概ね垂直に立設される。この立設及びはんだ付けを容易にするために、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62の一端側は、脚部63を有する。本実施形態では、脚部63は、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62の板厚方向64aに直交する幅方向64bにおいて2箇所に位置し、板状の電極ポスト本体部69に対してL字形をなすように折り曲げられた折曲部であり、各脚部63は、半導体素子4,5及び絶縁基板2の主面と平行で、かつ板厚方向64aにおいて互いに逆向きに折り曲げられている。尚、脚部63は、本実施形態では上述のように2つ設けているが、3つ以上設け互いに逆向きに折り曲げて構成されても良い。また、脚部63は、容易な立設及びはんだ付けを可能にするために好ましい構成であるが、必須の構成ではない。さらに、上記一端部に対向する、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62の他端側は、金属線7を支持する支持部65を有する。この支持部65は、例えばU字形、V字形等の溝65aと、この溝65aの両側に位置する受け板65bとで構成される。溝65aは、本実施形態では、金属線7の線径を超える大きさを有し、溝65aには、図2に示すように、線材にてなる金属線7が、その軸方向を、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62の板厚方向64aに対応させて嵌め込まれる。よって金属線7は、各受け板65bで支持されて、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62の各支持部65に渡され、各支持部65とはんだ付けされて各支持部65に固定される。このような金属線7は、主として銅からなり、一例として直径1mmであり、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62に支持されながら、絶縁基板2の回路パターン2Aと平行又は略平行に配線される。尚、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62の、絶縁基板2の厚み方向2Cにおける高さがばらついている場合には、金属線7を支持部65に押し込み金属線7を変形させることで、配線高さを一定に維持する。絶縁基板2の回路パターン2Aには、電力用半導体装置101の外部に取り出される外部電極8がはんだ付けされている。外部電極8は、絶縁性の樹脂ケース9に固定される。また、IGBT4に設けられた制御電極であるゲート電極図示せずは、アルミニウムワイヤ10により外部制御電極11に接続され、電力用半導体装置101の外部に導出される。外部制御電極11も外部電極8と同様に樹脂ケース9に固定される。樹脂ケース9の内部は、絶縁基板2、IGBT4、FWDi5、第1電極ポスト61、第2電極ポスト62、金属線7、外部電極8、アルミニウムワイヤ10を覆うように絶縁性の封止材12で、ここではシリコーンゲルで封止される。封止材12は、樹脂ケース9内部への異物の侵入を防ぎ、電極間の絶縁を維持している。以上のように構成される電力用半導体装置101は、以下の効果を奏する。第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62と、金属線7とを用いることで、回路構成に関わらず、電極ポスト61、62及び金属線7を共通して使用することが可能となる。例えば、金属線7を任意の長さに裁断し、曲げて使用することで、プリント基板や銅リード等のように一品一様の部品を用いる必要がなくなる。よって、低コストで生産性の高い大電流対応の半導体装置を提供することが可能となる。また、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62を用いることで、回路構成に関わらず同じ電極ポストを使用することが可能であり、また、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62は、加工費の安価な打抜き加工及びプレス加工で作製することが可能である。また、本実施形態では、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62の板厚方向64aに金属線7の軸方向を対応させて金属線7を配置し接続することで、次の効果が得られる。即ち、電力用半導体装置101に温度変化が生じたとき、絶縁基板2と金属線7との熱膨張率差に起因して両者間には熱応力が発生するが、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62は、その板厚方向64aに変位することが可能であり、熱応力を緩和することができる。よって、電力用半導体素子4,5、及び、絶縁基板2と配線材料との接続界面における信頼性が向上する。併せて、金属線7の断面積を大きくして大電流に対応させた場合でも、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62の板厚を薄くして、その剛性を下げることにより、電力用半導体素子4,5と、第1電極ポスト61とを接合するはんだにかかる応力を下げ、信頼性を向上させることが可能となる。さらに、電気的には、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62を用いることで、電力用半導体素子4,5と、金属線7との間の距離を確実に確保することができるため、絶縁性の確保が容易であり、また金属板を用いる場合に比べ、配線幅を小さくすることができ、半導体装置の小型化に寄与することができる。さらには、電力用半導体素子4,5の搭載位置、及び第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62の搭載位置が多少ずれても、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62に金属線7が支持されれば良く、組立精度が緩和でき、生産性を向上させることができる。実施の形態2.本実施形態2では、上述した第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62の変形例について説明する。その他の構成部分は、実施形態1の電力用半導体装置101における構成に同じであり、その説明を省略する。図3には、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62の変形例に相当する電極ポスト160が示されている。図3では、IGBT4の表面電極20に接続された第1電極ポスト61に対応する電極ポスト160を示しているが、電極ポスト160は、第1電極ポスト及び第2電極ポストの少なくとも一方に適用可能である。尚、実施の形態2では、電極ポスト160は、第1電極ポスト及び第2電極ポストを区別することなく説明を行う。電極ポスト160は、本実施の形態2では板厚0.2mmの銅板から形成され、その一端部には、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62と同様に脚部63を設けている。一方、電極ポスト160の他端部は、金属線7を支持し固定する支持部161を有する。支持部161は、電極ポスト160の幅方向64bに沿って配列された、それぞれ板材からなる2つの支持片161aを有する。各支持片161aは、板厚方向64aにおいて互いに逆方向に折り曲げられている。このように構成することで2つの支持片161aにてV字状の受け部が形成され、この受け部に対して、金属線7が載置、支持され、各支持片161aにはんだ付けされる。よって図示するように、本実施形態では、金属線7の軸方向は、幅方向64bに沿って配向される。図3では、幅方向64bに沿って2つの支持片161aを配列した構成を図示するが、3つ以上の支持片161aを配列し、板厚方向64aにおいて互いに逆方向に折り曲げる構成を採ることもできる。また、各支持片161aが<、>形状となるように各支持片161aの先端側を屈曲させ、その中央膨らみ部分に金属線7を嵌め込むように構成してもよい。このように構成した電極ポスト160を用いることで、本実施の形態2の電力用半導体装置は、実施の形態1で説明した高生産性、小型、高信頼性、低コスト等の効果を得ることができるとともに、さらに以下の効果を得ることができる。例えば、高温動作する電力用半導体装置などでは、動作中に発生する温度サイクルが大きくなる。実施の形態1で述べた通り、信頼性を向上させる手法として、電力用半導体素子4,5と電極ポストとを接合するはんだに作用する応力を低減することが有効である。そのための一例として、電極ポストの板厚を薄くすることが挙げられる。しかしながら、実施の形態1における第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62の支持部65では、幅方向64bと金属線7の軸方向とが直交する配置であることから、電極ポスト61,62の板厚を例えば0.2mm以下に薄くすると、電極ポスト61,62と金属線7との接続面積を増加させるのは難しくなる。これに対し本実施の形態2の電極ポスト160では、実施形態1の構成に比べてその板厚を薄くしたが、支持部161のように、幅方向64bと金属線7の軸方向とが平行する配置となり電極ポスト160の主面と金属線7とを接触させることによって、接続面積を容易に拡大することができる。これにより、大電流化に対応しつつ、温度サイクル信頼性、及び接続信頼性を向上させることができる。また、各支持片161aの折り曲げ角度を小さく形成しておき、この折り曲げ角度を広げながら2つの支持片161aによる受け部へ金属線7を押し込む形態を採った場合には、電極ポスト160の設置高さがばらついたり、わずかに傾いているようなときでも、電極ポスト160と金属線7とを確実に接触させることができる。よって、より太い金属線7を用いることが可能となり、配線抵抗を低減することができるとともに、生産性の向上を図ることができる。また、電極ポスト160では、幅方向64bに沿って金属線7が配向されることから、例えば回路パターンが細長い部分など、電極ポストの配向が制限される場合でも、金属線7を用いて回路構成を行うことが可能となる。また、上述のように、実施の形態1で示した第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62と、本実施形態に係る電極ポスト160とを組み合わせることもできる。実施の形態3.図4には、本発明の実施の形態3における電力用半導体装置103が示されている。電力用半導体装置103では、実施の形態1における電力用半導体装置101と比べて金属線の構成のみが相違し、その他の構成は同じである。従って、以下では電力用半導体装置103に備わる金属線71についてのみ説明を行う。尚、図4では、電極ポストとして、実施の形態1における第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62を用いた構成を図示するが、実施の形態2にて説明した電極ポスト160を用いても良いし、また、これらを組み合わせた構成を採ることもできる。金属線71は、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62の近傍位置では、絶縁基板2と平行状につまり絶縁基板2と平行にあるいは略平行に延在する。一方、IGBT4に立設された第1電極ポスト61と、FWDi5に立設された第1電極ポスト61との間には、金属線71は、凸状に変形した変形部72を有する。本実施形態では、変形部72は、金属線71を円弧状に撓ませた湾曲形状としている。変形部72を設ける理由は次の通りである。即ち、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62に金属線71を固定した場合、金属線71が電流により自己発熱すると、金属線71と絶縁基板2との温度差、熱膨張率差により、金属線71の軸方向に熱応力が生じる。第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62と金属線71とははんだ付けされているため、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62が厚い材料で構成され剛性が高い場合には、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62は、板面方向64aに変形しにくくなる。よって、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62と金属線71とのはんだ付け部分に応力が集中し、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62と金属線71とのはんだ付け部の界面にせん断応力が発生する場合もある。このような場合、界面に亀裂が生じ、接触抵抗が増大する恐れがある。そこで、金属線71に変形部72を設けることで、金属線71の軸方向における変位を変形部72に集中させることができる。その結果、はんだ付け部の界面に発生するせん断応力を低減することができる。よって、金属線71と第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62との接続信頼性の向上を図ることができ、電力用半導体素子103の長寿命化を図ることが可能となる。金属線71と、絶縁基板2の回路パターン2Aとの絶縁距離を確保する必要があることから、変形部72は、絶縁基板2から離れる方向、つまり絶縁基板2とは反対側へ凸となるように配向するのが好ましい。また、図4に示すように、変形部72は、IGBT4とFWDi5との間など温度上昇が大きく、絶縁基板2の厚み方向における金属線71の高低差が無い箇所あるいは少ない箇所に設けるのが好ましい。さらに、変形部72は、できるだけ曲げ角度を大きく取るのが好ましい。具体的には、金属線71の軸方向の応力を低減するためには、絶縁基板2の厚み方向2Cにおいて、少なくとも、変形部72の頂点部分での金属線71における絶縁基板2に面する近位面72aは、変形部72の近傍での金属線71における反絶縁基板側の遠位面72bと同位置、あるいは遠位面72bよりも反絶縁基板側に位置しなければならない。このような変形部72を有する電力用半導体装置103では、実施の形態1で説明した高生産性、小型、高信頼性、低コスト等の効果を得ることができるとともに、さらに以下の効果を得ることができる。即ち、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62に対して順次金属線71を接合あるいは嵌合していくときには、金属線71の軸方向に応力が発生する場合がある。このような場合でも、変形部72を設けたことで、軸方向の応力を吸収できるため、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62の変形や、既に接続済みの箇所に対して応力を与えることはない。よって、大電流化のための金属線の太線化に対して容易に対応することができ、かつ生産性にも優れるという効果がある。本実施の形態では、変形部72は、図4に示すように円弧状に撓んだ湾曲形状を有するが、このような形状に限定するものではない。即ち、上述のように、変形部72は、金属線71の軸方向における変位を吸収するという機能を達成可能な形状であればよく、例えば三角形状、四角形状、ループ状屈曲形状等であってもよい。実施の形態4.本実施形態4では、上述した第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62の変形例について説明する。その他の構成部分は、実施形態1の電力用半導体装置101における構成に同じであり、その説明を省略する。図5に示すように、本発明の実施の形態4にかかる電力用半導体装置104は、電極ポスト162を有する。また、図6には、IGBT4の表面電極20に立設された電極ポスト162が示されている。電極ポスト162は、実施の形態1に示す第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62の変形例に相当し、これらの少なくとも一方に適用可能である。尚、実施の形態4では、電極ポスト162は、第1電極ポスト及び第2電極ポストを区別することなく説明を行う。また、実施の形態4にかかる電力用半導体装置104においても、上述した各電極ポスト61,62,160、及び本実施形態4に備わる電極ポスト162を適宜組み合わせても良く、さらに実施の形態3で説明した変形部72を金属線に適用しても良い。尚、金属線7及び金属線71は、上述したように主に銅からなるものであったが、本実施形態4に備わる金属線73は、主としてアルミニウムからなる。但し、金属線73の形状、構成、及び作用は、金属線7及び金属線71と変わらない。電極ポスト162は、本実施の形態4では板厚0.4mmのリン青銅板から形成され、その一端部には、第1電極ポスト61及び第2電極ポスト62と同様に脚部63を設けている。一方、電極ポスト162の他端部は、金属線73を支持し固定する、蟹爪状の支持部163を有する。支持部163は、絶縁基板2の厚み方向2Cにおいて長円とした楕円形の嵌合隙間163aと、この嵌合隙間163aの両側に位置する挟持板163bとを有する。また、嵌合隙間163aにおける、幅方向64bに沿った短軸の長さは、本実施形態では、金属線73の線幅よりも小さい。電極ポスト162の脚部63が電極に接合された後、嵌合隙間163aには、金属線73が圧入され嵌合し、両側の各挟持板163bによって金属線73が挟持される。さらに、嵌合隙間163aへの金属線73の嵌め込みを容易にし、かつ各挟持板163bによる挟持動作を確保する、換言すると各挟持板163bのバネ性を確保するために、電極ポスト162の電極ポスト本体部69には、幅方向64bに延在する切り込み164が電極ポスト162の両側に設けられている。また、嵌合隙間163aへの金属線73の嵌め込みを容易にするため、電極ポスト162の他端部上端には、嵌合隙間163aの長軸上で嵌合隙間163aに到達する切欠163cが形成されている。嵌合隙間163aへの金属線73の嵌め込みにより、金属線73の軸方向は、電極ポスト162の板厚方向64aに対応し、金属線73は電極ポスト162に電気的及び機械的に保持される。電極ポスト162は、上述のように、比較的電気伝導性に優れ、バネ性に優れた材料とすることが好ましく、リン青銅、黄銅等を用いるのが好ましい。また、複合材料を用いることも有効であり、銅とステンレス鋼とのクラッド材料を選択することも可能である。説明したような電極ポスト162を有することで、本実施形態4における電力用半導体装置104は、実施の形態1で説明した高生産性、小型、高信頼性、低コスト等の効果を得ることができるとともに、さらに以下の効果を奏することができる。即ち、半導体装置の製造プロセスとして、電力用半導体素子、電極ポスト、金属線を同時にはんだ付により接合することは、回路が複雑になり接合点数が増えるため困難である。よって、電極ポスト162のように、金属線73を電極ポスト162の支持部163へ圧入により嵌合すること、もしくは、金属線73を載置可能なように予め支持部163の嵌合隙間163aを開放しておき、嵌合隙間163aに載置後、各挟持板163bを閉じ金属線73を挟持することによって、接合点数が増えても加熱工程を必要とせず、簡便に接続が可能となる。よって、さらに生産性の向上を図ることができる。また、電極ポスト162と金属線73とのはんだ付けが不要となることから、金属線の材料としてアルミニウムを使用することが可能となる。よって、通常、アルミニウム材を用いた場合には、はんだ付けを可能にするため、メッキ等の表面処理が必要であるが、本実施形態4の構成では、この表面処理は不要となる。その結果、比較的柔軟なアルミニウムの太い金属線73を使用することができ、かつコスト低減を図ることができる。さらに、金属線73の曲げ加工が銅線に比べて容易になることから、複雑な曲げ加工が可能になる。よって、電力用半導体装置の小型化を図ることも可能となる。封止材12について、実施の形態1と同様にシリコーンゲルを用いることができるが、シリコーンゲルに比べて弾性率の高いエポキシ樹脂などを用いることも可能である。エポキシ樹脂を用いた場合には、金属線73等にエポキシ樹脂が接着して金属線73等を拘束することから、金属線73等に発生した熱応力はエポキシ樹脂に分散される。よって、電極ポスト162と金属線73との接続信頼性をより向上させるというメリットを奏することができる。また、炭化珪素SiCを基材とした電力用半導体素子を用いた場合には、200°C以上の温度で動作する半導体装置となる。このような半導体装置においても高温動作化及び高接続信頼化を実現するためには、SiCを基材とした電力用半導体素子との熱膨張率差を低減する必要がある。よってこのような場合には、銅と、低熱膨張材料であるインバーとのクラッド材料を電極ポスト162、さらには金属線に用いることが有効となる。また、実施の形態3で説明した変形部72を金属線73に適用する場合、電極ポスト162との嵌合によって、金属線73がその軸周りに回転するのを防止できる。よって本実施形態4では、変形部72を上述のように反絶縁基板2側へ配向させることが容易に行えるというメリットもある。"