複数の荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画する描画装置であって、前記複数の荷電粒子線のそれぞれを偏向する複数の偏向器を含み、前記複数の偏向器のそれぞれの駆動によって前記基板への荷電粒子線の照射又は非照射を行うブランキング偏向部と、前記ブランキング偏向部を制御するための制御信号を前記ブランキング偏向部に送信するブランキング制御部と、を有し、前記ブランキング偏向部は、前記基板に描画すべきパターンの少なくとも一部を構成する描画パターンを表すパターンデータを記憶する記憶部と、前記制御信号に含まれた前記記憶部に記憶された前記パターンデータの使用を指示する指示情報に応じて、前記制御信号に含まれた前記基板における前記描画パターンの描画位置を指定する位置情報を取得し、前記取得した位置情報で指定された描画位置に前記描画パターンを描画するための前記複数の偏向器による前記基板への荷電粒子線の照射又は非照射を表すブランキング信号を前記記憶部に記憶された前記パターンデータから生成する生成部と、前記生成部で生成された前記ブランキング信号に応じて前記複数の偏向器を駆動する駆動部と、を含むことを特徴とする描画装置。前記記憶部は、前記基板に描画すべきパターンの少なくとも一部を構成する複数種類の描画パターンのそれぞれを表す複数種類のパターンデータを記憶し、前記制御信号は、前記複数種類の描画パターンのそれぞれを識別するための識別情報を含み、前記生成部は、前記制御信号に含まれた前記識別情報を取得し、当該識別情報で識別される描画パターンを表すパターンデータを前記記憶部に記憶された前記複数種類のパターンデータから選択し、前記選択したパターンデータから前記ブランキング信号を生成することを特徴とする請求項1に記載の描画装置。前記基板に描画される前記描画パターンの間隔は、前記基板における前記複数の荷電粒子線のそれぞれの描画範囲を表す描画グリッドの間隔より大きいことを特徴とする請求項1に記載の描画装置。前記ブランキング偏向部は、前記基板における前記複数の荷電粒子線のそれぞれの位置ずれを補正するための補正情報を記憶する補正情報記憶部を含み、前記生成部は、前記補正情報記憶部に記憶された前記補正情報に基づいて、前記位置ずれが低減するように前記ブランキング信号を生成することを特徴とする請求項1に記載の描画装置。前記ブランキング制御部は、前記駆動部が前記複数の偏向器を駆動するタイミングにあわせて前記制御信号を前記ブランキング偏向部に順次送信し、前記生成部は、前記ブランキング制御部から順次送信される前記制御信号のタイミングにあわせて前記ブランキング信号を生成することを特徴とする請求項1に記載の描画装置。前記ブランキング偏向部は、前記ブランキング制御部から送信された前記制御信号を保持するレジスタを含み、前記生成部は、前記駆動部が前記複数の偏向器を駆動するタイミングにあわせて前記レジスタから前記制御信号を読み出して前記ブランキング信号を生成することを特徴とする請求項1に記載の描画装置。前記ブランキング偏向部は、前記基板における前記複数の荷電粒子線のそれぞれの位置ずれを補正するための補正情報を記憶する補正情報記憶部を含み、前記生成部は、前記補正情報記憶部に記憶された前記補正情報に基づいて、前記位置ずれが低減するように前記ブランキング信号を生成するタイミングを変更することを特徴とする請求項1に記載の描画装置。前記記憶部は、前記パターンデータを書き換え可能に記憶することを特徴とする請求項1に記載の描画装置。前記描画パターンは、前記基板に形成された線状パターンを切断するためのカットパターン又はホールパターンであることを特徴とする請求項1に記載の描画装置。請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載の描画装置を用いて基板の上にパターンを描画するステップと、パターンが描画された前記基板を現像するステップと、を有することを特徴とするデバイスの製造方法。しかしながら、マルチ荷電粒子線方式の荷電粒子線露光装置では、荷電粒子線の数及び描画周波数の増加に伴い、光通信用ファイバからブランキング偏向器に送信される制御信号のデータレートが増加している。例えば、単位時間あたり10枚以上の基板にハーフピッチ22nmの描画パターンを描画するためには、伝送レート10Gbps相当の光通信用ファイバが5000チャネルch以上必要となる。また、ブランキング偏向器に備えられた通信部では、通常、数mW/Gps/chの消費電力が発生する。従って、伝送レート10Gbps相当の光通信用ファイバが5000chを超える場合においては、通信部では、少なくとも50W以上、通常数百Wの消費電力が発生する。ブランキング偏向器は、荷電粒子線を基板に導く荷電粒子光学系電子光学系の鏡筒内に配置される。荷電粒子光学系の鏡筒内は、高真空環境に維持され、冷却構造を配置可能な空間に制約があるため、通信部における数百Wの消費電力に相当する発熱を除去することは困難である。その結果、通信部における発熱がブランキング偏向器電極に描画精度上無視できない幾何学的歪を発生させてしまう。本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、ブランキング偏向部を制御するための制御信号のデータレートを低減し、優れた描画精度を維持することができる技術を提供することを例示的目的とする。上記目的を達成するために、本発明の一側面としての描画装置は、複数の荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画する描画装置であって、前記複数の荷電粒子線のそれぞれを偏向する複数の偏向器を含み、前記複数の偏向器のそれぞれの駆動によって前記基板への荷電粒子線の照射又は非照射を行うブランキング偏向部と、前記ブランキング偏向部を制御するための制御信号を前記ブランキング偏向部に送信するブランキング制御部と、を有し、前記ブランキング偏向部は、前記基板に描画すべきパターンの少なくとも一部を構成する描画パターンを表すパターンデータを記憶する記憶部と、前記制御信号に含まれた前記記憶部に記憶された前記パターンデータの使用を指示する指示情報に応じて、前記制御信号に含まれた前記基板における前記描画パターンの描画位置を指定する位置情報を取得し、前記取得した位置情報で指定された描画位置に前記描画パターンを描画するための前記複数の偏向器による前記基板への荷電粒子線の照射又は非照射を表すブランキング信号を前記記憶部に記憶された前記パターンデータから生成する生成部と、前記生成部で生成された前記ブランキング信号に応じて前記複数の偏向器を駆動する駆動部と、を含むことを特徴とする。本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。本発明によれば、例えば、ブランキング偏向部を制御するための制御信号のデータレートを低減し、優れた描画精度を維持する技術を提供することができる。以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。図1は、本発明の一側面としての荷電粒子線露光装置100の構成を示す図である。荷電粒子線露光装置100は、複数の荷電粒子線電子線を用いて基板にパターンを描画する描画装置である。電子源1は、LaB6、BaO/Wディスペンサーカソードなどの熱電子型の電子源である。コリメータレンズ2は、荷電粒子線を電界によって収束させる静電型のレンズである。コリメータレンズ2は、本実施形態では、電子源1からの荷電粒子線を略平行な荷電粒子線に変換する。アパーチャアレイ3には、複数の開口が2次元状に配列形成されている。コンデンサーレンズアレイ4は、同一の光学パワーを有する静電型のコンデンサーレンズを2次元状に配列させて構成される。開口アレイ5は、荷電粒子線の形状を規定する開口が配列されたサブアレイを、コンデンサーレンズアレイ4を構成する各コンデンサーレンズに対応して配列させて構成される。なお、アパーチャアレイ3は、基板10における荷電粒子線の照射範囲を規定する機能を有する。コリメータレンズ2からの略平行な荷電粒子線は、アパーチャアレイ3によって複数の荷電粒子線に分割される。アパーチャアレイ3で分割された複数の荷電粒子線は、コンデンサーレンズアレイ4の対応するコンデンサーレンズを介して、開口アレイ5の対応するサブアレイを照明する。ブランキング偏向器ブランキング偏向部6は、複数の荷電粒子線のそれぞれを偏向する複数の偏向器例えば、静電型のブランカーを含み、複数の偏向器のそれぞれの駆動によって基板10への荷電粒子線の照射又は非照射を行う。ブランキングアパーチャアレイ7は、1つの開口を有するブランキングアパーチャを、コンデンサーレンズアレイ4を構成する各コンデンサーレンズに対応して配列させて構成される。偏向器アレイ8は、荷電粒子線を任意の方向に偏向する偏向器を、コンデンサーレンズアレイ4を構成する各コンデンサーレンズに対応して配列させて構成される。対物レンズアレイ9は、静電型の対物レンズを、コンデンサーレンズアレイ4を構成する各コンデンサーレンズに対応して配列させて構成される。基板10は、パターンが転写される基板であって、ウエハやガラスプレートなどを含む。基板ステージ11は、基板10を保持して移動するステージであって、基板10を所定の位置に位置決めする。基板ステージ11には、基板10を保持固定するための静電チャックや荷電粒子線の位置を測定するための測定器などが配置される。基板搬送部12は、基板ステージ11に基板10を搬入したり、基板ステージ11から基板10を搬出したりする機構である。開口アレイ5の各サブアレイを通過した荷電粒子線は、ブランキング偏向器6の対応する偏向器、ブランキングアパーチャアレイ7の対応するブランキングアパーチャ、偏向器アレイ8の対応する偏向器、対物レンズアレイ9の対応する対物レンズを通過する。換言すれば、開口アレイ5の各サブアレイを通過した荷電粒子線は、ブランキング偏向器6、ブランキングアパーチャアレイ7、偏向器アレイ8及び対物レンズアレイ9を介して、基板10に導かれる。従って、本実施形態の荷電粒子線露光装置100では、開口アレイ5の各サブアレイが物面、基板10が像面という関係になっている。また、開口アレイ5の各サブアレイを通過した荷電粒子線は、ブランキング偏向器6の対応する偏向器が駆動すると即ち、偏向器で偏向されると、ブランキングアパーチャアレイ7で遮断され、基板10に入射することが防止制限される。一方、開口アレイ5からの荷電粒子線は、ブランキング偏向器6の対応する偏向器が駆動されていなければ、ブランキングアパーチャアレイ7を通過し、偏向器アレイ8の対応する偏向器によって、同一の偏向量で基板10の上を走査する。電子源1からの荷電粒子線は、コリメータレンズ2及びコンデンサーレンズアレイ4を介して、ブランキングアパーチャアレイ7に結像され、その大きさは、ブランキングアパーチャアレイ7の開口の大きさより大きくなるように設定されている。従って、基板10に対する荷電粒子線の入射角は、ブランキングアパーチャアレイ7の開口によって規定される。また、ブランキングアパーチャアレイ7の開口は、対物レンズアレイ9の対応する対物レンズの前側焦点位置に配置されている。従って、開口アレイ5の各サブアレイの複数の開口を通過した荷電粒子線の主光線が基板10に垂直に入射するため、基板10が上下方向光軸方向に変動した場合にも、荷電粒子線の位置変動が少なくなるような構成となっている。ブランキング制御部13は、ブランキング偏向器6を構成する複数の偏向器のそれぞれを個別に制御する機能を有し、本実施形態では、光通信用ファイバ17を介して、ブランキング偏向器6を制御するための制御信号をブランキング偏向器6に送信する。偏向器制御部14は、偏向器アレイ8を構成する複数の偏向器を共通して制御する機能を有する。ステージ制御部15は、基板ステージ11の位置を検出するレーザ干渉計不図示と協同して、基板ステージ11の駆動を制御する機能を有する。主制御部16は、CPUやメモリなどを含み、ブランキング制御部13、偏向器制御部14及びステージ制御部15などを介して、荷電粒子線露光装置100の全体動作を制御する。ブランキング制御部13からの制御信号は、光通信用ファイバ17を介して、ブランキング偏向器6に入力される。1つの光通信用ファイバ17からの制御信号は、対物レンズアレイ9の1つの対物レンズに対応したブランキング偏向器6の偏向器を制御する。換言すれば、1つの光通信用ファイバ17からの制御信号は、開口アレイ5の1つのサブアレイ内に配置された複数の偏向器のそれぞれを通過する荷電粒子線の基板への照射/非照射を制御する。図2は、ブランキング偏向器6の構成を詳細に示す図である。ブランキング偏向器6は、図2に示すように、通信部CUと、記憶部27と、補正情報記憶部28と、シフトレジスタ29と、生成部30などを含む。記憶部27は、基板10に描画すべきパターンの少なくとも一部を構成する描画パターンを表すパターンデータを記憶する。補正情報記憶部28は、基板10における複数の荷電粒子線のそれぞれの位置ずれを補正するための補正情報各種アライメント量を含む複数の荷電粒子線の基板10での集束点の位置を補正するための情報を記憶する。シフトレジスタ29は、ブランキング制御部13から送信された制御信号、詳細には、かかる制御信号に含まれる位置情報などを保持する。ここで、位置情報とは、描画パターンの描画位置を指定する情報である。また、制御信号には、ブランキング偏向器6を構成する複数の偏向器による基板10への荷電粒子線の照射又は非照射を表すブランキング信号を生成する際に記憶部27に記憶されたパターンデータの使用を指示する指示情報も含まれている。生成部30は、制御信号に含まれた指示情報に応じて、制御信号に含まれた指示情報を取得し、取得した位置情報で指定された描画位置に描画パターンを描画するためのブランキング信号を記憶部27に記憶されたパターンデータから生成する。ブランキング制御部13から送信された制御信号光信号は、図2に示すように、ブランキング偏向器6に備えられた通信部CUで受信される。通信部CUは、フォトダイオード21、トランスファーインピーダンスアンプ22、リミッティングアンプ1023及びシリアル/パラレル変換器SERDES24で構成される。ブランキング制御部13からの制御信号は、フォトダイオード1021で受光され、トランスファーインピーダンスアンプ1022で電流電圧変換され、リミッティングアンプ1023で振幅調整される。そして、リミッティングアンプ1023からの信号は、SERDES1024に入力され、シリアル信号からパラレル信号に変換される。通信部ICで受信された制御信号に含まれている位置情報は、シフトレジスタ29に保持される。シフトレジスタ29は、通信部ICで受信された順番荷電粒子線の走査に従って描画される順番で、複数の位置情報を保持することができる。また、位置情報は、例えば、基板10における複数の荷電粒子線のそれぞれの描画範囲を表す描画グリッドのそれぞれに対して、描画パターンを描画するかどうか即ち、描画パターンの有無を示す情報である。記憶部27には、本実施形態では、ディザ処理済みの描画パターンを表すパターンデータが予め記憶されている。パターンデータは、基板10に形成された線状パターンを切断するためのカットパターンを表すパターンデータ又はホールパターンを表すパターンデータなどの繰り返し性の高いパターンデータであるとよい。また、記憶部27には、複数種類の描画パターンのそれぞれを表す複数種類のパターンデータを記憶させることができる。このような場合には、生成部30は、ブランキング制御部13からの制御信号に含まれた複数種類の描画パターンのそれぞれを識別するための識別情報を取得する。そして、生成部30は、取得した識別情報で識別される描画パターンを表すパターンデータを記憶部27に記憶された複数種類のパターンデータから選択し、選択したパターンデータからブランキング信号を生成する。また、記憶部27は、パターンデータを使用頻度の高い順に、或いは、繰り返し性が高い順に記憶する。これにより、生成部30が記憶部27に記憶されたパターンデータを選択する読み出す際に要する時間を少なくすることが可能となる。また、記憶部27は、ブランキング制御部13の制御下において、通信部CUを介して、パターンデータを書き換えることができる。換言すれば、記憶部27は、パターンデータを書き換え可能に記憶する。これにより、記憶部27の記憶容量を抑えることができるため即ち、大量のパターンデータを記憶するための記憶容量を必要としないため、記憶部27をブランキング偏向器6に構成可能なサイズに抑えることができる。また、ブランキング制御部13の制御下において、通信部CUを介して、補正情報記憶部28に記憶された補正情報も書き換え可能である。図3a乃至図3bを参照して、生成部30によるブランキング信号の生成処理について説明する。ここでは、記憶部27に記憶されたパターンデータは、図3aに示すように、描画位置の単位描画パターンの間隔をPX、PYとする2次元描画パターンを表すパターンデータであるものとする。まず、ブランキング制御部13からの制御信号が通信部CUで受信され、かかる制御信号に指示情報が含まれている場合には、制御信号に含まれた位置情報及び識別情報がシフトレジスタ29に保持される。ここで、位置情報は、描画グリッドのそれぞれに対する描画位置の単位PX、PYでの描画パターンの有無を示す情報である。次いで、生成部30は、シフトレジスタ29から位置情報及び識別情報を取得する。そして、生成部30は、取得した識別情報で識別される描画パターンを表すパターンデータを記憶部27に記憶された複数種類のパターンデータから選択する。また、生成部30は、取得した位置情報で指定された描画位置に取得した識別情報で識別される描画パターンを描画するためのブランキング信号を選択したパターンデータから生成する。具体的には、生成部30は、図3bに示すように、描画パターンが位置情報で指定される描画位置描画パターン有の位置にさしかかると、記憶部27に記憶されたパターンデータから選択されたパターンデータに基づいて、ブランキング信号を生成する。この際、生成部30は、描画パターンの描画位置の単位PX、PYよりも細かい描画グリッドの単位GX、GYでディザ処理されたブランキング信号を生成する。次に、生成部30は、図3cに示すように、補正情報記憶部28に記憶された補正情報及びシフトレジスタ29に保持された位置情報に基づいて、描画パターンを描画するための荷電粒子線の位置ずれが低減するように、生成されたブランキング信号を補正する。この際、描画パターンの描画位置の単位PX、PYよりも細かい描画グリッドの単位GX、GYで荷電粒子線の位置ずれが補正される。具体的には、ブランキング信号を生成するタイミングを変更することによって、基板10への荷電粒子線の照射又は非照射を行うタイミングを変更し、基板10における荷電粒子線の位置ずれを補正する。なお、各荷電粒子線の描画範囲外の補正が必要である場合には、その範囲を描画する荷電粒子線に対して補正を行えばよい。本実施形態では、描画パターンを表すパターンデータを描画グリッド単位に展開した後に荷電粒子線の位置ずれを補正しているが、これに限定されるものではない。例えば、荷電粒子線の位置ずれを補正した後にパターンデータを描画グリッド単位に展開してもよいし、或いは、パターンデータの展開と荷電粒子線の位置ずれを同時に行ってもよい。また、本実施形態では、記憶部27にディザ処理されたパターンデータを記憶させたが、記憶部27にはディザ処理されていないパターンデータを記憶させ、生成部30でディザ処理を行うようにしてもよい。次いで、生成部30は、データドライバ31やゲートドライバ32などのブランキング偏向器6を構成する複数の偏向器を駆動する駆動部に対して、ブランキングの時間間隔描画周期に応じたタイミングでブランキング信号を送信する。図2に示すように、ブランキング偏向器6は、トランジスタFETをスイッチとして用いたアクティブマトリクス駆動方式を採用している。具体的には、横方向に配線されたゲート電極線と縦方向に配線されたソース電極線との交点にはFET33が配置され、2つのバス線がFET33のゲート及びソースに接続されている。FET33のドレイン側には偏向器の電極35及びコンデンサ34が接続され、これら2つの容量性素子の反対側は共通電極コモン電極となっている。ゲート電極線に印加された電圧によって、かかるゲート電極線に接続された1列分の全てのFET33がON動作となる。これにより、ソースとドレインとの間に電流が流れ、ソース電極線に印加されているそれぞれの電圧が電極35にかかり、コンデンサ34には電圧に応じた電荷が蓄積される。1列分のコンデンサ34の充電が終わると、次のゲート電極線に電圧が印加され、電圧が印加されていた前回のゲート電極線に接続されたFET33は、ゲート電圧を失ってOFF動作となる。OFF動作となったFET33に接続された電極1035は、ソース電極線からの電圧を失うが、コンデンサ34に蓄積された電荷によって次にゲート電極線が選択されるまでの間時間、必要な電圧を維持することができる。本実施形態では、電極35が4行4列で配置され、生成部30からのブランキング信号はデータドライバ31に入力され、ソース電極を介して、FET33のソース電極に電圧を印加する。また、ゲートドライバ32を介して、1列分の全てのFET33がON動作となることで、1列分の電極35が制御される。そして、生成部30からのブランキング信号をデータドライバ31に順次入力し、ゲートドライバ32を介して、次の1列分の全てのFET33をON動作とすることで、4行4列の電極35ブランキング偏向器6を制御する。本実施形態では、ブランキング制御部13からブランキング偏向器6に対して、描画グリッド単位で制御信号を送信する従来技術のではなく、描画グリッドよりも大きい描画パターンの描画位置の単位で制御信号位置情報や識別情報を送信する。そして、位置情報や識別情報に基づいて、描画パターンの描画位置の単位でブランキング信号を生成する。これにより、本実施形態では、ブランキング制御部13とブランキング偏向器6との間において、従来技術のように、描画グリッド間の荷電粒子線の走査時間間隔ごとに制御信号が送信されることはない。換言すれば、ブランキング制御部13とブランキング偏向器6との間では、描画パターンの描画位置間の荷電粒子線の走査時間間隔ごとに制御信号が送信されることになる。このように、本実施形態では、従来技術と比較して、制御信号の送信が発生する時間間隔即ち、制御信号を送信する周期が長くなり、制御信号のデータレートを低減することができる。従って、通信部CUにおける発熱が抑えられる即ち、ブランキング偏向器6に発生する幾何学的歪が低減されるため、荷電粒子線露光装置100は、優れた描画精度を維持することができる。例えば、図3a乃至図3bに示すように、描画パターンの描画位置の単位PX、PYを25μm、50μm、描画グリッドの単位GX、GYを2.5μm、5.0μmとすると、その面積比は100となる。この場合、ブランキングの時間間隔が同じであるスループットが同じである従来技術と比較すると、本実施形態では、ブランキング制御部13とブランキング偏向器6との間で発生する制御信号の送信回数を1/100に低減することができる。単純にブランキングに必要なデータ量で説明すると、例えば、各描画グリッドにおけるブランキング信号を1bitとすると、100個の描画グリッドでは、ブランキング信号は100bitとなる。一方、描画パターンの種類が1000種類だとすると、かかる描画パターンを識別するための識別情報は14bitとなる。また、描画グリッドのそれぞれに対する描画位置の単位PX、PYでの描画パターンの有無を示す位置情報を1bitとすると、識別情報と位置情報との合計で15bitとなる。従って、本実施形態では、制御信号のデータレートを従来技術における制御信号のデータレートの15/100に低減することができる。また、ブランキング制御部13は、ブランキング偏向器6の複数の偏向器を駆動するタイミングにあわせて位置情報や識別情報を含む制御信号をブランキング偏向器6に順次送信してもよい。この場合、生成部30は、ブランキング制御部13から順次送信される制御信号のタイミングにあわせてブランキング信号を生成する。また、ブランキング制御部13は、ブランキング偏向器6のよりも早いタイミングで位置情報や識別情報を含む制御信号をブランキング偏向器6に順次送信してもよい。上述したように、シフトレジスタ29は、ブランキング制御部13から順次送信される制御信号を保持することがきる。従って、生成部30は、ブランキング偏向器6の複数の偏向器を駆動するタイミングにあわせてシフトレジスタ29から制御信号を読み出してブランキング信号を生成することができる。この場合、制御信号のデータレートは一時的に高くなるが、平均としては制御信号のデータレートを低減することができる。本実施形態の荷電粒子線露光装置100によれば、ブランキング制御部13とブランキング偏向器6との間の制御信号のデータレートを低減することが可能であり、通信部CUにおける発熱を抑えることができる。また、ブランキング制御部13とブランキング偏向器6との間の伝送路の実装ボリュームも抑えることができる。従って、荷電粒子線露光装置100は、優れた描画精度を維持し、高いスループットで経済性よく高品位なデバイス半導体集積回路素子、液晶表示素子等を提供することができる。ここで、デバイスは、荷電粒子線露光装置100を用いてフォトレジスト感光剤が塗布された基板ウエハ、ガラスプレート等にパターンを描画する工程と、パターンが描画された基板を現像する工程と、その他の周知の工程と、を経ることにより製造される。本実施形態の荷電粒子線露光装置100は、特に、同じ描画パターンを繰り返し描画する場合、例えば、カットパターンを描画する場合に適している。図4a及び図4bは、荷電粒子線露光装置100によるカットパターンCPの描画を説明するための図である。但し、荷電粒子線露光装置100は、高い繰り返し性を有するその他の描画パターン、例えば、ロジックパターンのホールパターンコンタクトホールやVIAホールに対しても適している。図4aに示すように、カットパターンCPを描画する場合には、基板10には、例えば、Y軸方向に長手方向を有する線状パターンLPが予め形成されている。ここでは、基板10には、線状パターンLPがX軸方向に50nmピッチで形成されている。そして、線状パターンLPをカットパターンCPによって切断するように、カットパターンCPを描画する。図4aにおいて、カットパターンCPの描画位置の単位PX、PYは25nm、50nm、描画グリッドの単位GX、GYを2.5nm、5.0nmである。まず、ブランキング制御部13からカットパターンCPの描画位置の単位で送信される制御信号が通信部CUで受信され、かかる制御信号に含まれた位置情報がシフトレジスタ29に保持される。また、生成部30は、シフトレジスタ29に保持された位置情報を取得し、かかる位置情報で指定された描画位置にカットパターンCPを描画するためのブランキング信号を、記憶部27に記憶されたカットパターンCPを表すパターンデータから生成する。この際、補正情報記憶部28に記憶された補正情報及びシフトレジスタ29に保持された位置情報に基づいて、カットパターンCPを描画するための荷電粒子線の位置ずれが低減するように、生成されたブランキング信号を補正する。そして、生成部30は、データドライバ31やゲートドライバ32などのブランキング偏向器6を構成する複数の偏向器を駆動する駆動部に対して、ブランキングの時間間隔描画周期に応じたタイミングでブランキング信号を送信する。図4bは、生成部30で生成されたブランキング信号に応じてブランキング偏向器6を構成する複数の偏向器を駆動させながらカットパターンCPを描画した結果レジスト像を示す図である。図4bを参照するに、分離すべきカットパターンCPは十分に分離し、その後の工程で問題のないレベルでカットパターンCPが描画されていることがわかる。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。