集積回路デバイスにおいて使用される第1のポートおよび第2のポートを有するインダクタであって、頂面、底面、第1の側壁、および第2の側壁を有する高抵抗率基板と、前記基板の前記頂面上の実質的に互いに平行な複数の頂面導電トレースと、前記基板の前記底面上の実質的に互いに平行な複数の底面導電トレースと、前記第1の側壁上の複数の側壁導電トレースの各々が前記複数の頂面導電トレースの1つを前記複数の底面導電トレースの1つに結合している、前記基板の前記第1の側壁上の複数の側壁導電トレースと、前記第2の側壁上の複数の側壁導電トレースの各々が前記複数の頂面導電トレースの1つを前記複数の底面導電トレースの1つに結合している、前記基板の前記第2の側壁上の複数の側壁導電トレースとを備え、前記複数の頂面導電トレース、底面導電トレース、および側壁導電トレースが、前記インダクタの前記第1のポートから前記第2のポートまでの連続した導電パスを形成するインダクタ。前記高抵抗率基板がガラス、サファイア、または石英で作られる、請求項1に記載のインダクタ。前記頂面導電トレースが、集積回路ダイのバックエンドオブライン工程の間に形成される、請求項1に記載のインダクタ。前記底面導電トレースが、前記集積回路ダイの裏面メッキ工程によって形成される、請求項3に記載のインダクタ。前記基板の前記第1の側壁および前記第2の側壁上のチャネルをさらに備え、前記側壁導電トレースが前記チャネル内に形成されている、請求項1に記載のインダクタ。前記側壁導電トレースが、前記基板の前記第1の側壁および前記第2の側壁上に印刷されている、請求項1に記載のインダクタ。前記基板の前記第1の側壁および前記第2の側壁に結合された複数の頂部接点であって、前記複数の側壁導電トレースの各々が前記複数の頂部接点の1つを通じて前記複数の頂面導電トレースの1つに結合している、複数の頂部接点と、前記基板の前記第1の側壁および前記第2の側壁に結合された複数の底部接点であって、前記複数の側壁導電トレースの各々が前記複数の底部接点の1つを通じて前記複数の底面導電トレースの1つに結合している、複数の底部接点とをさらに備える、請求項1に記載のインダクタ。前記基板の前記頂面と前記頂面導電トレースとの間に位置する、前記基板の前記頂面上の頂部絶縁層と、前記基板の前記底面と前記底面導電トレースとの間に位置する、前記基板の前記底面上の底部絶縁層とをさらに備える、請求項1に記載のインダクタ。前記頂部絶縁層に結合された複数の頂部接点であって、前記複数の側壁導電トレースの各々が前記複数の頂部接点の1つを通じて前記複数の頂面導電トレースの1つに結合している、複数の頂部接点と、前記底部絶縁層に結合された複数の底部接点であって、前記複数の側壁導電トレースの各々が前記複数の底部接点の1つを通じて前記複数の底面導電トレースの1つに結合している、複数の底部接点とをさらに備える、請求項8に記載のインダクタ。前記複数の頂面導電トレース、底面導電トレース、および側壁導電トレースが、前記インダクタの前記第1のポートから前記第2のポートまでのソレノイド状導電パスを形成する、請求項1に記載のインダクタ。前記インダクタが一体化される、セットトップボックス、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末PDA、固定位置データユニット、モバイルロケーションデータユニット、携帯電話、セルフォン、コンピュータ、ポータブルコンピュータ、デスクトップコンピュータ、モニタ、コンピュータモニタ、テレビジョン、チューナ、ラジオ、衛星無線、ミュージックプレーヤ、デジタルミュージックプレーヤ、ポータブルミュージックプレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、デジタルビデオディスクDVDプレーヤ、およびポータブルデジタルビデオプレーヤからなる群から選択されたデバイスをさらに備える、請求項1に記載のインダクタ。集積回路デバイスにおいて使用される変圧器であって、頂面、底面、第1の側壁、および第2の側壁を有する高抵抗率基板と、前記基板の前記頂面上の実質的に互いに平行な複数の頂面導電トレースと、前記基板の前記底面上の実質的に互いに平行な複数の底面導電トレースと、前記第1の側壁上の複数の側壁導電トレースの各々が前記複数の頂面導電トレースの1つを前記複数の底面導電トレースの1つに結合している、前記基板の前記第1の側壁上の複数の側壁導電トレースと、前記第2の側壁上の複数の側壁導電トレースの各々が前記複数の頂面導電トレースの1つを前記複数の底面導電トレースの1つに結合している、前記基板の前記第2の側壁上の複数の側壁導電トレースと、入力ポートおよび出力ポートを有する第1のインダクタであって、第1の組の前記複数の頂面導電トレース、第1の組の前記複数の底面導電トレース、および第1の組の前記複数の側壁導電トレースによって形成され、前記第1の組の前記複数の頂面導電トレース、前記第1の組の前記複数の底面導電トレース、および前記第1の組の前記複数の側壁導電トレースが前記第1のインダクタの前記入力ポートから前記出力ポートまでの連続した第1の導電パスを形成している、第1のインダクタと、入力ポートおよび出力ポートを有する第2のインダクタであって、第2の組の前記複数の頂面導電トレース、第2の組の前記複数の底面導電トレース、および第2の組の前記複数の側壁導電トレースによって形成され、前記第2の組の前記複数の頂面導電トレース、前記第2の組の前記複数の底面導電トレース、および前記第2の組の前記複数の側壁導電トレースが前記第2のインダクタの前記入力ポートから前記出力ポートまでの連続した第2の導電パスを形成し、前記連続した第2の導電パスが前記連続した第1の導電パスから独立している、第2のインダクタとを備え、前記第1のインダクタが前記第2のインダクタに電磁結合される変圧器。前記第1の組の前記複数の頂面導電トレースの各頂面導電トレースが、前記第2の組の前記複数の頂面導電トレースの1つの前記頂面導電トレースに隣接し、前記第1の組の前記複数の底面導電トレースの各底面導電トレースが、前記第2の組の前記複数の底面導電トレースの1つの前記底面導電トレースに隣接し、前記第1の組の前記複数の側壁導電トレースの各側壁導電トレースが、前記第2の組の前記複数の側壁導電トレースの1つの前記側壁導電トレースに隣接するように、前記第1のインダクタの前記連続した第1の導電パスが前記第2のインダクタの前記連続した第2の導電パスと交互配置される、請求項12に記載の変圧器。前記高抵抗率基板がガラス、サファイア、または石英で作られる、請求項12に記載の変圧器。前記頂面導電トレースが、集積回路ダイのバックエンドオブライン工程の間に形成される、請求項12に記載の変圧器。前記底面導電トレースが、前記集積回路ダイの裏面メッキ工程によって形成される、請求項15に記載の変圧器。前記基板の前記第1の側壁および前記第2の側壁上のチャネルをさらに備え、前記側壁導電トレースが前記チャネル内に形成されている、請求項12に記載の変圧器。前記側壁導電トレースは、前記基板の前記第1の側壁および前記第2の側壁上に印刷されている、請求項12に記載の変圧器。前記基板の前記第1の側壁および前記第2の側壁に結合された複数の頂部接点であって、前記複数の側壁導電トレースの各々が前記複数の頂部接点の1つを通じて前記複数の頂面導電トレースの1つに結合している、複数の頂部接点と、前記基板の前記第1の側壁および前記第2の側壁に結合された複数の底部接点であって、前記複数の側壁導電トレースの各々が前記複数の底部接点の1つを通じて前記複数の底面導電トレースの1つに結合している、複数の底部接点とをさらに備える、請求項12に記載の変圧器。前記基板の前記頂面と前記頂面導電トレースとの間に位置する、前記基板の前記頂面上の頂部絶縁層と、前記基板の前記底面と前記底面導電トレースとの間に位置する、前記基板の前記底面上の底部絶縁層とをさらに備える、請求項12に記載の変圧器。前記頂部絶縁層に結合された複数の頂部接点であって、前記複数の側壁導電トレースの各々が前記複数の頂部接点の1つを通じて前記複数の頂面導電トレースの1つに結合している、複数の頂部接点と、前記底部絶縁層に結合された複数の底部接点であって、前記複数の側壁導電トレースの各々が前記複数の底部接点の1つを通じて前記複数の底面導電トレースの1つに結合している、複数の底部接点とをさらに備える、請求項20に記載の変圧器。前記第1のインダクタの前記連続した第1の導電パスがソレノイド状であり、かつ前記第2のインダクタの前記連続した第2の導電パスがソレノイド状である、請求項12に記載の変圧器。前記変圧器が一体化される、セットトップボックス、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末PDA、固定位置データユニット、モバイルロケーションデータユニット、携帯電話、セルフォン、コンピュータ、ポータブルコンピュータ、デスクトップコンピュータ、モニタ、コンピュータモニタ、テレビジョン、チューナ、ラジオ、衛星無線、ミュージックプレーヤ、デジタルミュージックプレーヤ、ポータブルミュージックプレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、デジタルビデオディスクDVDプレーヤ、およびポータブルデジタルビデオプレーヤからなる群から選択されたデバイスをさらに備える、請求項12に記載の変圧器。集積回路デバイスにおいて使用される第1のポートおよび第2のポートを有するインダクタであって、外面を有する高抵抗率基板と、前記基板の前記外面の周囲において前記インダクタの前記第1のポートから前記第2のポートまで通電するための手段とを備えるインダクタ。通電するための前記手段がソレノイド状である、請求項24に記載のインダクタ。集積回路デバイスにおいて使用される変圧器であって、外面を有する高抵抗率基板と、前記基板の前記外面の周囲に通電するための第1の手段と、前記基板の前記外面の周囲に通電するための第2の手段とを備え、前記第1の手段が前記第2の手段に電磁結合される変圧器。前記第1の手段および前記第2の手段がソレノイド状である、請求項26に記載の変圧器。前記第1の手段が前記第2の手段と交互配置される、請求項27に記載の変圧器。集積回路デバイスにおいて使用される第1のポートおよび第2のポートを有するインダクタを開示する。このインダクタは、頂面、底面、第1の側壁、および第2の側壁を有する高抵抗率基板を含む。インダクタはまた、基板の頂面上の実質的に互いに平行な複数の頂面導電トレースと、基板の底面上の実質的に互いに平行な複数の底面導電トレースと、基板の第1の側壁および第2の側壁上の複数の側壁導電トレースとを含む。第1の側壁および第2の側壁上の各側壁導電トレースは、1つの頂面導電トレースを1つの底面導電トレースに結合する。頂面導電トレース、底面導電トレース、および側壁導電トレースは、インダクタの第1のポートから第2のポートまでの連続した導電パスを形成する。頂面導電トレース、底面導電トレース、および側壁導電トレースは、インダクタの第1のポートから第2のポートまでのソレノイド状導電パスを形成してもよい。高抵抗率基板は、ガラス、サファイア、石英、またはその他の高抵抗率材料で作られてもよい。頂面導電トレースは、集積回路ダイのバックエンドオブライン工程の間に形成されてもよい。底面導電トレースは、集積回路ダイの裏面メッキ工程によって形成されてもよい。インダクタは、基板の第1の側壁および第2の側壁上にチャネルを含んでもよく、側壁導電トレースはチャネル内に形成されてもよい。側壁導電トレースは、基板の第1の側壁および第2の側壁上に印刷されてもよい。インダクタは、基板の第1の側壁および第2の側壁に結合された複数の頂部接点および複数の底部接点を含んでもよく、各側壁導電トレースは1つの頂部接点を通じて1つの頂面導電トレースに結合し、1つの底部接点を通じて1つの底面導電トレースに結合する。インダクタは、基板の頂面上に頂部絶縁層を含み、かつ基板の底面上に底部絶縁層を含んでもよく、頂部絶縁層は、基板の頂面と頂面導電トレースとの間に配置され、底部絶縁層は、基板の底面と底面導電トレースとの間に配置される。頂部接点は、頂部絶縁層に結合されてもよく、底部接点は底部絶縁層に結合されてもよい。インダクタは、セットトップボックス、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末PDA、固定位置データユニット、モバイルロケーションデータユニット、携帯電話、セルフォン、コンピュータ、ポータブルコンピュータ、デスクトップコンピュータ、モニタ、コンピュータモニタ、テレビジョン、チューナ、ラジオ、衛星無線、ミュージックプレーヤ、デジタルミュージックプレーヤ、ポータブルミュージックプレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、デジタルビデオディスクDVDプレーヤ、およびポータブルデジタルビデオプレーヤを含む様々なデバイスに一体化されてもよい。本明細書では、集積回路デバイスにおいて使用される変圧器を開示する。この変圧器は、頂面、底面、第1の側壁、および第2の側壁を有する高抵抗率基板を含む。変圧器はまた、基板の頂面上の実質的に互いに平行な複数の頂面導電トレースと、基板の底面上の実質的に互いに平行な複数の底面導電トレースと、基板の第1の側壁および第2の側壁上の複数の側壁導電トレースとを含む。第1の側壁および第2の側壁上の各側壁導電トレースは、1つの頂面導電トレースを1つの底面導電トレースに結合する。変圧器は、第1のインダクタと第2のインダクタとを含む。第1のインダクタは、入力ポートと、出力ポートと、第1の組の頂面導電トレース、第1の組の底面導電トレース、および第1の組の側壁導電トレースによって形成される入力ポートから出力ポートまでの連続した第1の導電パスとを有する。第2のインダクタは、入力ポートと、出力ポートと、第2の組の頂面導電トレース、第2の組の底面導電トレース、および第2の組の側壁導電トレースによって形成される入力ポートから出力ポートまでの連続した第2の導電パスとを有する。連続した第2の導電パスは連続した第1の導電パスから独立しており、第1のインダクタは第2のインダクタに電磁的に結合される。第1のインダクタの連続した第1の導電パスおよび第2のインダクタの連続した第2の導電パスはソレノイド状であってもよい。第1のインダクタの連続した第1の導電パスは、第2のインダクタの連続した第2の導電パスと交互配置されてもよい。連続した第1の導電パスと第2の導電パスを交互配置すると、第1の組の頂面導電トレースの各頂面導電トレースは、第2の組の頂面導電トレースの1つの頂面導電トレースに隣接し、第1の組の底面導電トレースの各底面導電トレースは、第2の組の底面導電トレースの1つの底面導電トレースに隣接し、第1の組の側壁導電トレースの各側壁導電トレースは、第2の組の側壁導電トレースの1つの側壁導電トレースに隣接する。高抵抗率基板は、ガラス、サファイア、石英、またはその他の高抵抗率材料で作られてもよい。頂面導電トレースは、集積回路ダイのバックエンドオブライン工程の間に形成されてもよい。底面導電トレースは、集積回路ダイの裏面メッキ工程によって形成されてもよい。変圧器は、基板の第1の側壁および第2の側壁上にチャネルを含んでもよく、側壁導電トレースはチャネル内に形成されてもよい。側壁導電トレースは、基板の第1の側壁および第2の側壁上に印刷されてもよい。変圧器は、基板の第1の側壁および第2の側壁に結合された複数の頂部接点および複数の底部接点を含んでもよく、各側壁導電トレースは1つの頂部接点を通じて1つの頂面導電トレースに結合し、1つの底部接点を通じて1つの底面導電トレースに結合する。変圧器は、基板の頂面と頂面導電トレースとの間に頂部絶縁層を含み、基板の底面と底面導電トレースとの間に底部絶縁層を含んでもよい。頂部接点は、頂部絶縁層に結合されてもよく、底部接点は底部絶縁層に結合されてもよい。変圧器は、セットトップボックス、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末PDA、固定ロケーションデータユニット、モバイルロケーションデータユニット、携帯電話、セルフォン、コンピュータ、ポータブルコンピュータ、デスクトップコンピュータ、モニタ、コンピュータモニタ、テレビジョン、チューナ、ラジオ、衛星無線、ミュージックプレーヤ、デジタルミュージックプレーヤ、ポータブルミュージックプレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、デジタルビデオディスクDVDプレーヤ、およびポータブルデジタルビデオプレーヤを含む様々なデバイスに一体化されてもよい。集積回路デバイスにおいて使用される第1のポートおよび第2のポートを有するインダクタであって、外面を有する高抵抗率基板と、外面の周囲においてインダクタの第1のポートから第2のポートまで通電する手段とを含むインダクタを開示する。通電手段はソレノイド状であってもよい。集積回路デバイスにおいて使用される変圧器であって、外面を有する高抵抗率基板と、基板の外面の周囲において通電する第1の手段と、基板の外面の周囲において通電する第2の手段とを含み、第1の手段が第2の手段に電磁的に結合される変圧器を開示する。第1の手段および第2の手段はソレノイド状であってもよい。第1の手段は、第2の手段と交互配置されてもよい。本開示のより完全な理解のために、ここで、以下の詳細な説明および添付の図面を参照する。図1は、ガラス基板102と、デバイス層104と、複数のバックエンドオブラインBEOL層106とを含むガラス技術ダイ100を示している。ガラス基板102は、相補型金属酸化膜半導体CMOS基板よりも抵抗率が高く、かつ誘電率が低い約4.7。集積回路ダイでは抵抗率のより高い他の基板材料、たとえばサファイアまたは石英を使用してもよい。図2は、ソレノイド状導電パス202と、入力ポート204と、出力ポート206とを備える3次元インダクタ200を示している。ソレノイド状導電パス202は、実質的に互いに平行な複数の頂面トレース210と、底面トレース212と、側壁トレース214とを備え、側壁トレース214が頂面トレース210を底面トレース212に結合してソレノイド状導電パス202内にプログレッシブループを形成している。導電パス202は入力ポート204から出力ポート206まで延びている。インダクタ200に通電すると、ソレノイド状導電パス202内に磁界が生成される。インダクタ200のインダクタンスは導電パス202の長さ、ループの数、および導電パス202内のループのサイズに比例する。図3は、高抵抗率基板302上の3次元ソレノイド状インダクタ300の一実施形態を示している。基板302は、ガラス、サファイア、またはその他の適切な高抵抗率材料で作られてもよい。例示的な基板302は、頂面304と、底面306と、第1の側壁308と、第2の側壁310とを含む。基板は、所望される場合、これよりも多いかまたは少ない数の面を含む他の形状を有してもよい。インダクタ300は、第1のポート312と、第2のポート314と、第1のポート312から第2のポート314まで延びる連続したソレノイド状導電パス316とを含む。ソレノイド状導電パス316は、基板302の頂面304上の実質的に互いに平行な複数の頂面導電トレース318と、基板302の底面306上の実質的に互いに平行な複数の底面導電トレース図示せずと、基板302の側壁308、310上の実質的に互いに平行な複数の側壁導電トレース320とを備える。各側壁導電トレース320は、基板302の頂面304上の1つの頂面導電トレース318を基板302の底面306上の1つの底面導電トレースに結合して連続したソレノイド状導電パス316を形成する。インダクタ300に通電すると、ソレノイド状導電パス316内に磁界が生成される。インダクタ300のインダクタンスは導電パス316の長さ、導電トレースによって形成されるループの数、およびループのサイズに比例する。図4は、第1のインダクタ402と第2のインダクタ404とを含む変圧器400を示している。第1のインダクタ402は、第1のポート406と第2のポート408とを有し、第1のポート406は、一次回路図示せずに結合されてもよく、第2のポート408はグランドに結合されるように示されている。第2のインダクタ404は、第1のポート410と第2のポート412とを有し、第1のポート410は、負荷図示せずに結合されてもよく、第2のポート412はグランドに結合されるように示されている。第1のインダクタ402は、第2のインダクタ404から物理的に分離されており、そのため、2つのインダクタ間の電磁結合を推進し、したがって、第1のインダクタ402内の可変電流が変圧器400の第1のインダクタ402の両端間に第1の電位P1を生成し、それによって変圧器400の第2のインダクタ404の両端間に第2の電位P2を生じさせ、負荷に電圧を生じさせる。図5は、第2のソレノイド状インダクタ530と交互配置された第1のソレノイド状インダクタ510を備える3次元変圧器500を示している。第1のインダクタ510は、第1の入力ポート514から第1の出力ポート516まで延びる第1のソレノイド状導電パス512を備える。第1のソレノイド状導電パス512は、実質的に互いに平行な複数の頂面トレース518と、底面トレース520と、側壁トレース522とを備え、側壁トレース522が頂面トレース518を底面トレース520に結合してソレノイド状導電パス512内にプログレッシブループを形成している。第2のインダクタ530は、第2の入力ポート534から第2の出力ポート536まで延びる第2のソレノイド状導電パス532を備える。第2のソレノイド状導電パス532は、実質的に互いに平行な複数の頂面トレース538と、底面トレース540と、側壁トレース542とを備え、各側壁トレース542が1つの頂面トレース538を1つの底面トレース540に結合して第2のソレノイド状導電パス532内にプログレッシブループを形成している。変圧器500の第1のインダクタ510に通電すると磁界が生成され、それによって、変圧器500の第2のインダクタ530内に電流が誘導される。図6は、高抵抗率基板602上で第2のソレノイド状インダクタ606と交互配置された第1のソレノイド状インダクタ604を備える高抵抗率基板602上の3次元変圧器600の例示的な実施形態を示している。基板602は、ガラス、サファイア、またはその他の適切な高抵抗率材料で作られてもよい。基板602は、頂面608と、底面610と、第1の側壁612と、第2の側壁614とを含む。基板は、所望される場合、これよりも多いかまたは少ない数の面を含む他の形状を有してもよい。第1のインダクタ604は、第1の入力ポート622から第1の出力ポート624まで延びる連続した第1のソレノイド状導電パス620を含む。第1の導電パス620は、基板602の頂面608上の実質的に互いに平行な複数の頂面導電トレース626と、基板602の底面610上の実質的に互いに平行な複数の底面導電トレース図示せずと、基板602の側壁612、614上の実質的に互いに平行な複数の側壁導電トレース628とを備える。各側壁導電トレース628は、基板602の頂面608上の1つの頂面導電トレース626を基板602の底面610上の1つの底面導電トレースに結合して第1のインダクタ604の連続したソレノイド状導電パス620を形成する。第2のインダクタ606は、第2の入力ポート632から第2の出力ポート634まで延びる連続した第2のソレノイド状導電パス630を備える。第2の導電パス630は、基板602の頂面608上の実質的に互いに平行な複数の頂面導電トレース636と、基板602の底面610上の実質的に互いに平行な複数の底面導電トレース図示せずと、基板602の側壁612、614上の実質的に互いに平行な複数の側壁導電トレース638とを備える。各側壁導電トレース638は、基板602の頂面608上の1つの頂面導電トレース636を基板602の底面610上の1つの底面導電トレースに結合して第2のインダクタ606の連続したソレノイド状導電パス630を形成する。変圧器600の第1のインダクタ604に通電すると、変圧器600の交互配置された第2のインダクタ606内に電流が誘導される。図7~図9は、図3に示されているインダクタ300と同様のインダクタ900に関する例示的な製造プロセスを示している。同様のプロセスを使用して図6の変圧器600と同様の変圧器を製造してもよい。この例示的なプロセスではまず、高抵抗率基板702が用意される。バックエンドオブラインBEOL製造プロセスの間に高抵抗率基板702上の金属層704内に互いに平行な1組の頂面導電トレースを形成してもよい。裏面メッキ工程を使用して基板702の底面上に互いに平行な1組の底面導電トレース806を形成してもよい。各側壁トレース908が金属層704内の1つの頂面トレースを裏面メッキ層806内の1つの底面トレースに結合して基板702の外側の周囲にソレノイド状導電パスを形成するように、基板702の側壁上に1組の側壁トレース908を形成してもよい。図10は、図を明確にするために金属層704および裏面メッキ層806が除去された基板702上の側壁トレース908の例示的な実施形態のより詳細な図を示している。この実施形態では、側壁トレース908は、基板702の側壁の刻み目として示されている。これらの刻み目は、基板に切り込みを入れて側壁にノッチまたはチャネルを形成することによって形成されてもよい。次いで、基板702の側壁のノッチまたはチャネルに側壁トレース908を形成してもよい。代替実施形態では、基板にノッチまたはトレースを形成せずに基板の側壁上に側壁トレースを印刷してもよい。図11は、基板1102上に形成されたインダクタ1100の例示的な実施形態の一部を示している。この実施形態では、基板1102の頂面上に頂部絶縁層1104が形成され、基板1102の底面上に底部絶縁層1106が形成される。インダクタ1100は、基板1102、頂部絶縁層1104、および底部絶縁層1106の外側の周囲を延びる連続した導電パス1108を備える。インダクタ1100の導電パス1108は、頂部絶縁層1104の頂部を横切って延びる複数の頂面導電トレース1110と、底部絶縁層1106の底部を横切って延びる複数の底面導電トレース1112と、複数の側壁トレース1114とを備える。各側壁トレース1114は、1つの頂面導電トレース1110を1つの底面導電トレース1112に結合する。頂部絶縁層1104は、基板1102の頂面と複数の頂面トレース1110との間に位置し、底部絶縁層1106は、基板1102の底面と複数の底面トレース1112との間に位置している。インダクタ1100は、頂部絶縁層1104に結合された複数の頂部接点1116と、底部絶縁層1106に結合された複数の底部接点1118も含む。頂部接点1116は、頂面トレース1110を側壁トレース1114の頂部に結合し、底部接点1118は、底面トレース1112を側壁トレース1114の底部に結合している。頂部金属接点1116、側壁トレース1114、および底部接点1118の同様の構造が基板1102の反対側の側壁上に形成され、頂部金属トレース1110と底部金属トレース1112を基板1102の反対側の側壁上で結合している。頂部金属トレース1110、頂部接点1116、側壁トレース1114、底部接点1118、および底部金属トレース1112を通る連続した導電パスはインダクタ1100の連続した導電パスを形成している。図12~図16はインダクタ素子または変圧器素子用の例示的な製造プロセスを示している。図12は、頂面1204と底面1206とを有する高抵抗率ウエハ1202上の例示的な素子列1200を示している。素子列1200の各素子は、ウエハ1202の頂面1204上に複数の導電トレース1210を含む。ウエハ1202の頂面1204上の導電トレース1210は、BEOL工程の間に金属層から形成されてもよい。素子列1200の各素子は、ウエハ1202の底面1206上に複数の導電トレース1212も含む。ウエハ1202の底面1206上の導電トレース1212は、裏面メッキ工程を使用して形成されてもよい。ウエハ1202は、複数の素子列を含んでもよいが、図を明確にするために1列1200のみが示されている。図13は、ウエハ1202の残りの部分から分離された後の素子列1200を示している。素子列1200は、ウエハ1202の一部であった基板1302を含む。基板1302は、頂面1304と、底面1306と、第1の側壁1308と、第2の側壁1310とを有する。導電トレース1210は、基板1302の頂面1304上に位置している。図14は、導電トレース1212を示す、基板1302の底面1306の例示的な図を示している。基板1302をウエハ1202から切り出すまたは分離するプロセスの間に、基板1302の側壁1308、1310にノッチまたはチャネルを形成してもよい。このようなノッチまたはチャネルを以後の工程において形成される側壁トレースに使用してもよい。図15は、側壁トレース1500が基板1302の第1の側壁1308および第2の側壁1310上に形成された後の素子列1200を示している。各側壁トレース1500は、1つの頂面導電トレース1210を1つの底面導電トレース1212に結合し、連続した導電パスを形成している。側壁トレース1500は、第1の側壁1308および第2の側壁1310に形成されたノッチまたはチャネル内に形成されてもよい。図16は、素子列1200を個々の素子に分離することによって作られた4つの変圧器素子またはインダクタ素子1602、1604、1606、1608を示している。各素子1602、1604、1606、1608はそれぞれ、素子1602、1604、1606、1608の基板の頂面、第1の側壁、底面、および第2の側壁の周囲を延びる、連続した少なくとも1つのソレノイド状導電パス1612、1614、1616、1618を備える。図17は、基板の頂部、底部、および側壁の周囲を延びて連続したソレノイド状導電パスを形成する複数の導電トレースによって実現されるインダクタまたは変圧器の実施形態を有利に使用することができる例示的なワイヤレス通信システム1700を示している。例示のために、図17は、3つの遠隔ユニット1720、1730および1750ならびに2つの基地局1740を示している。一般的なワイヤレス通信システムは、これよりも多くの遠隔ユニットおよび基地局を有し得ることを認識されたい。遠隔ユニット1720、1730、および1750のいずれも、基板の頂部、底部、および側壁の周囲を延びて、本明細書において開示するような連続したソレノイド状導電パスを形成する複数の導電トレースによって実現されるインダクタまたは変圧器を含んでもよい。図17は、基地局1740から遠隔ユニット1720、1730および1750への順方向リンク信号1780、ならびに遠隔ユニット1720、1730および1750から基地局1740への逆方向リンク信号1790を示している。図17では、遠隔ユニット1720は携帯電話として示され、遠隔ユニット1730はポータブルコンピュータとして示され、遠隔ユニット1750はワイヤレスローカルループシステム内の固定ロケーション遠隔ユニットとして示されている。たとえば、遠隔ユニットはセルフォン、ハンドヘルドパーソナル通信システムPCSユニット、個人情報端末などのポータブルデータユニット、またはメータ読取り機器などの固定位置データユニットであってもよい。図17は、本明細書に開示されているように実現されるインダクタおよび変圧器を含んでもよいあるいくつかの例示的な遠隔ユニットを示しているが、本明細書に開示されているように実現されるインダクタおよび変圧器はこれらの例示的な図示のユニットに限定されない。基板の頂部、底部、および側壁の周囲を延びて連続したソレノイド状導電パスを形成する複数の導電トレースによって実現されるインダクタまたは変圧器が望ましい任意の電子デバイスにおいて各実施形態を好適に使用することができる。上記に本発明の原則を組み込んだ例示的な実施形態を開示したが、本発明は開示された実施形態に限定されない。その代わり、本出願は、本発明のあらゆる変形例、用途、または適応例を、本発明の一般的な原則を使用して対象とするものである。また、本出願は、本発明が関係する、添付の特許請求の範囲の制限内の技術分野の公知の慣習または慣習の範囲内の、本開示からのそのような逸脱を対象とするものである。