"第1絶縁基板と、第2絶縁基板と、両基板間に設けられた液晶とを備え、前記第1絶縁基板上において、行列状に配置された複数の走査電極および複数の信号電極と、前記走査電極と前記信号電極との交点近傍に配置された複数の画素電極と、各走査電極と各信号電極と各画素電極に接続された各スイッチング素子と、前記第1絶縁基板上に配置された複数の第1共通電極と、各画素電極と各第1共通電極の間に接続された各補助コンデンサと、各第1共通電極に接続された第2共通電極とを備え、各走査電極と前記第2共通電極との交点において、両電極との間に、第1絶縁層および第2絶縁層が積層された事を特徴とする液晶表示装置。前記信号電極と前記第2共通電極との間に位置し、前記第2共通電極の近傍に、列電極が設けられ、前記列電極と各走査電極との間に各静電破壊防止素子が設けられ、各走査電極と前記列電極との交点において、両電極との間に、第1絶縁層および第2絶縁層が積層された事を特徴とする請求項1の液晶表示装置。前記信号電極と前記第2共通電極との間に位置し、前記第2共通電極の近傍に、列電極が設けられ、前記列電極と各走査電極との間に各静電破壊防止素子が設けられ、各第1共通電極と前記列電極との交点において、両電極との間に、第1絶縁層および第2絶縁層が積層された事を特徴とする請求項1の液晶表示装置。前記第2共通電極に共通電極が印加され、前記第2共通電極は閉回路とされた事を特徴とする請求項1の液晶表示装置。前記第1絶縁層はSiNXからなり、前記第2絶縁層は、a-Si層およびna-Si層が積層されている事を特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一つに記載された液晶表示装置。上記装置では、クロストークやフリッカが生じ易い、第1の欠点がある。本発明者がその原因を究明したところ、各共通電極6に接続された各補助コンデンサ13に印加される電圧が一定でなく、ばらついているからである事がわかった。その結果、各走査電極1に印加されるゲートパルスが立ち上がった後に、各画素電極に印加される電圧の特性がばらつくので、クロストークやフリッカが起こり易い事が分かった。そもそもの原因は、高精細とするためには、各画素30同士の隙間を大きくできないため、共通電極6の幅を10~20μmと、狭くせざるを得ない。そのため、共通電極6の先端近傍での電圧降下が大きいためである。この欠点を解消するために、本発明者は、各電極1,2,10の周囲に位置し、各共通電極6に接続された幅広の第2共通電極を設けた。そして、各走査電極1と、第2共通電極の交点においては、両電極の間に、SiNXからなる絶縁層を設けた。しかし、この交点におけるコンデンサ容量が大きく、電力消費量が大きい、第2の欠点がある。更に、上記装置では、静電破壊の対策がなされていない、第3の欠点がある。そこで、本発明はこの様な従来の欠点を考慮して、クロストーク等が生じにくい、電力消費量が小さい、静電破壊を防止した、液晶表示装置を提供する。上記課題を解決するために、請求項1の本発明では、第1絶縁基板と、第2絶縁基板と、両基板間に設けられた液晶とを備え、前記第1絶縁基板上において、行列状に配置された複数の走査電極および複数の信号電極と、前記走査電極と前記信号電極との交点近傍に配置された複数の画素電極と、各走査電極と各信号電極と各画素電極に接続された各スイッチング素子と、前記第1絶縁基板上に配置された複数の第1共通電極と、各画素電極と各第1共通電極の間に接続された各補助コンデンサと、各第1共通電極に接続された第2共通電極とを備え、各走査電極と前記第2共通電極との交点において、両電極との間に、第1絶縁層および第2絶縁層が積層された。請求項2の本発明では、前記信号電極と前記第2共通電極との間に位置し、前記第2共通電極の近傍に、列電極が設けられ、前記列電極と各走査電極との間に各静電破壊防止素子が設けられ、各走査電極と前記列電極との交点において、両電極との間に、第1絶縁層および第2絶縁層が積層された。請求項3の本発明では、前記信号電極と前記第2共通電極との間に位置し、前記第2共通電極の近傍に、列電極が設けられ、前記列電極と各走査電極との間に各静電破壊防止素子が設けられ、各第1共通電極と前記列電極との交点において、両電極との間に、第1絶縁層および第2絶縁層が積層された。請求項4の本発明では、前記第2共通電極に共通電極が印加され、前記第2共通電極は閉回路とされた。請求項5の本発明では、前記第1絶縁層はSiNXからなり、前記第2絶縁層は、a-Si層およびna-Si層が積層されている。請求項1の様に、各走査電極と第2共通電極の交点において、第1絶縁層および第2絶縁層を積層することにより、上記交点近傍でのコンデンサ容量は、従来に比べ、極めて小さくなる。その結果として、上記交点部分における電力ロス電力消費量は極めて小さくなる。請求項2の様に、各走査電極と列電極の交点において、第1絶縁層および第2絶縁層を積層することにより、上記交点近傍でのコンデンサ容量は、従来に比べ、極めて小さくなる。その結果として、上記交点部分における電力ロス電力消費量は極めて小さくなる。また、請求項2の構成により、静電破壊を防止できる。請求項3の様に、各第1共通電極と列電極の交点において、第1絶縁層および第2絶縁層を積層することにより、上記交点近傍でのコンデンサ容量は、従来に比べ、極めて小さくなる。その結果として、上記交点部分における電力ロス電力消費量は極めて小さくなる。また、請求項3の構成により、静電破壊を防止できる。請求項4の様に、各第1共通電極に接続され、共通電圧が供給され、閉回路とされた第2共通電極を設ける事により、各第1共通電極の各部分における電圧降下が小さくなる。その結果、各第1共通電極に接続された各補助コンデンサの印加電圧が略一定となり、クロストークやフリッカの発生を防止できる。請求項5の様に、各交点部分における第1絶縁層および第2絶縁層の具体的構成は、スイッチング素子の構成と同一になる。故に、スイッチング素子と各交点部分は、同一の製造プロセスにて成膜されるので、製造コストが安い。以下に、本発明を実施するための最良の形態を、実施例及び図面を用いて詳細に説明する。以下の実施例は、本発明の技術思想を具体化するための液晶表示装置の一例を例示するものである。本発明は、特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく、種々の変更を行ったものにも、均しく適用し得る。以下、図1ないし図3に従い、本実施例に係る液晶表示装置1を説明する。図1は液晶表示装置1の部分断面図である。図2は液晶表示装置1の電気回路図である。図3は図2のA部詳細図である。図1において、液晶表示装置1は、第1絶縁基板2と、第2絶縁基板3と、両基板2,3間に設けられた液晶4等を有している。第1絶縁基板2および第2絶縁基板3は例えばガラス板等からなる。第1絶縁基板2上において、配線2aと、ドレイン2b等が形成され、その上に第1絶縁層2cが形成されている。ドレイン2bと導通して、第1絶縁層2c上に画素電極10が形成され、その上に配向膜7が形成されている。第2絶縁基板3の背面には、カラーフィルタ層5と、ブラックマトリクス5aと、共通電極6と、配向膜7等が形成されている。カラーフィルタ層5は例えば、R,G,Bの各フィルタがストライプ状に順に、繰り返し、配置されたものである。液晶4はシール剤4aにより封止されている。図2において、第1絶縁基板2上において、行列状に、複数の走査電極8と、複数の信号電極9が形成されている。信号電極9は、図1の上から順に、s1,s2,...s527,s528で示されたものである。走査電極8は、図1の右から順に、g1,...g110,g220,...g111で示したものである。複数の画素電極10は、各走査電極8と、各信号電極9の交点近傍に配置されている。各スイッチング素子11は、各走査電極8と、各信号電極9と、各画素電極10に接続されている。各スイッチング素子11は例えば、TFT薄膜トランジスタ等からなる。各スイッチング素子11のソースは各信号電極9に接続されている。各スイッチング素子11のゲートは各走査電極8に接続されている。各スイッチング素子11のドレインは、各画素電極10に接続されている。複数の第1共通電極C1,...C110,C220,...C111は、第1絶縁基板2上に配置されている。各第1共通電極C1,...C110,C220,...C111は、走査電極g1,...g110,g220,...g111に隣接して配置されている。各補助コンデンサ12は、各画素電極10と、各第1共通電極C1~C220との間に接続されている。即ち、図3に示す様に、第1絶縁基板2上に第1共通電極C111~114が形成されている。第1共通電極C111~114上に、第1絶縁層2cが形成されている。画素電極10は、第1絶縁層2c上に形成されている。これらの第1共通電極C111~114と、第1絶縁層2cと、画素電極10とにより、各補助コンデンサ12が形成されている。第2共通電極13は、第1絶縁基板2上の、第1絶縁層2c上に形成され、各第1共通電極C1~C220に接続され、閉回路として構成されている。第2共通電極13は、入力端子18を介して、共通電圧例えば、直流5ボルトが供給される。第2共通電極13は例えばアルミニュウム等からなる。第2共通電極13は、第1絶縁基板2上の、第1絶縁層2cの上に、例えば、厚さが2000オングストローム、幅が100μmないし500μmにて形成されている。第2共通電極13は、幅が100μm以上になると、第1共通電極C1~C220における電圧降下が減ることにより、実用上、差し支えない程度に、クロストークやフリッカの発生を防止できる。また、第2共通電極13は、幅が500μmを越えても、幅が500μmの時と、上記電圧降下値は変わらない。従って、第2共通電極13は、幅が100μmないし500μmが望ましい。第3共通電極17は第1絶縁基板2上の、第1絶縁層2cの上に、第2共通電極13と離れて配置されている。例えば、第2共通電極13は、第1絶縁基板2の1辺近傍に配置されている。第3共通電極17は、上記1辺に対向する位置にある第1絶縁基板2の他辺近傍に配置されている。第3共通電極17は、各第1共通電極C1~C220に接続され、閉回路として構成されている。第3共通電極17は、入力端子14,15,16を介して、共通電圧例えば、直流5ボルトが供給されている。第3共通電極17は、例えばアルミニュウム等からなる。第3共通電極17は、第1絶縁層2c上に、例えば、厚さが2000オングストローム、幅が100μmないし500μmにて形成されている。第3共通電極17の幅は、100μmないし500μmが望ましい理由は、第2共通電極13と同じである。接続線19は、第2共通電極13と、第3共通電極17とを電気的接続させるものである。接続線19は、IC20内の絶縁基板図示せず上に、厚さが2000オングストローム、幅が100μmないし500μmのアルミニュウムにて形成されている。第1共通電極C1~C220及び/又は第2共通電極13及び/又は第3共通電極17は、第2絶縁基板3の背面に設けられた共通電極6に電気的接続されている。IC20を構成する走査駆動部43の各出力端子GD1~G110は行電極23、走査電極g1~g110に接続され、各々、電極23,g1~g110を駆動する。IC20を構成する走査駆動部44の各出力端子GD3~G220は行電極22、走査電極g111~g220に接続され、各々、電極22,g111~g220を駆動する。IC20を構成する信号駆動部45の各出力端子S1~S528は,信号電極s1~s528に接続され、各々、信号電極s1~s528を駆動する。以下に、本発明の特徴をまとめる。第1の特徴は、第1絶縁基板2と、第2絶縁基板3と、両基板間に設けられた液晶4とを備え、第1絶縁基板上2において、行列状に配置された複数の走査電極8および複数の信号電極9と、走査電極8と信号電極9との交点近傍に配置された複数の画素電極10が設けられている。そして、各走査電極8と各信号電極9と各画素電極10に接続された各スイッチング素子11と、第1絶縁基板2上に配置された複数の第1共通電極C1~C220と、各画素電極10と各第1共通電極C1~C220との間に接続された各補助コンデンサ12が設けられている。そして、各第1共通電極C1~C220に接続され、共通電圧が供給され、閉回路とされた第2共通電極13とが設けられている。第2の特徴は、第1絶縁基板2上に、第2共通電極13と離れて配置され、各第1共通電極C1~C220に接続され、共通電圧が供給され、閉回路とされた第3共通電極17が設けられている。第3の特徴は、第2共通電極13と、第3共通電極17とを電気的接続させた構成である。第4の特徴は、第2絶縁基板3の背面に共通電極7が配置され、第1共通電極C1~C220及び/又は第2共通電極13及び/又は第3共通電極17が、共通電極7に電気的接続された構成である。第5の特徴は、第2共通電極13および第3共通電極17の各幅が、100μmないし500μmである事である。以上で、本発明の特徴の説明を終わる。共通線21は、走査電極g111の左側に形成されている。行電極22は共通線21の左側に形成されている。第1共通電極C1の右側には順に、行電極23、共通線24,25,26,27が形成されている。共通線24~27は、第2共通電極13と、第3共通電極17との間に接続されている。信号電極s1の上側には順に、列電極28,29,30が形成されている。信号電極s528の下側には順に、列電極31,32,33が形成されている。スイッチング素子11は、各電極22、g111,...g1,23と、各列電極29,28と、各画素電極10とに接続されている。各補助コンデンサ12は、各画素電極10と、共通線21と、第1共通電極C111,...C1と、共通線24との間に形成されている。同様に、スイッチング素子11は、各電極22、g111,...g1,23と、列電極31と、各画素電極10とに接続されている。各補助コンデンサ12は、各画素電極10と、共通線21と、第1共通電極C111,...C1と、共通線24との間に形成されている。この様に、走査電極g1~g220と、信号電極s1~s220と、画素電極10に接続された各TFTを有する画素34は、有効表示領域である。また、上記画素34を外れた、各TFTを有する画素35は、非表示領域である。この非表示領域は、表示領域が、入力された画像データを正確に表示するために必要である。静電破壊防止素子36は、行電極23および走査電極g1~g110と、列電極30との間に接続されている。静電破壊防止素子36は、走査電極g1~g110から列電極30を介して、第2共通電極13へ、静電気で生じた電流を流すものである。また、上記流れとは、逆の流れ方もある。静電破壊防止素子37は、行電極22および走査電極g111~g220と、列電極33との間に接続されている。静電破壊防止素子37は、走査電極g111~g220から列電極33を介して、第3共通電極17へ、静電気で生じた電流を流すものである。また、上記流れとは、逆の流れ方もある。保護ダイオード38は、列電極29,28および信号電極s1~s528および列電極31,32と、共通線26との間に接続されている。保護ダイオード38は、信号電極s1~s528から共通線26を介して、第2共通電極13および第3共通電極17へ、静電気で生じた電流を流すものである。また、上記流れとは、逆の流れ方もある。上記内容をまとめる。第2共通電極13と、信号電極s1~s528との間に位置し、第2共通電極13の近傍に、列電極33が設けられている。列電極33と、各走査電極g111~g220との間に、各静電破壊防止素子37が設けられている。また、第3共通電極17と、信号電極s1~s528との間に位置し、第3共通電極17の近傍に、列電極30が設けられている。列電極30と、各走査電極g1~g110との間に、各静電破壊防止素子36が設けられている。次に、図1ないし図4に従い、本液晶表示装置1の第6の特徴を説明する。図4は図3のB-B断面図である。図3に示す様に、各走査電極g111~g114と、第2共通電極13との交点において、各走査電極g111~g114と、第2共通電極13との間に第1絶縁層2cおよび第2絶縁層46が積層されている点が特徴である。図4に示す様に、第1絶縁層2cはSiNXからなり、層厚は約2000オングストロームである。第2絶縁層46は、a-Si層47層厚が約2000オングストロームと、na-Si層48層厚が約500オングストロームが積層されたものである。スイッチング素子11は例えば、a-TFTアモルファスシリコン、薄膜トランジスタからなる。スイッチング素子11は、第1絶縁層2cの上に、a-Si層と、na-Si層が積層されている。それ故、上記a-Si層47と、na-Si層48は、このスイッチング素子11を製造する時に、同一のプロセスにて成膜することができ、製造コストが安くなる。次に、図1、図2、図3、図5に従い、本液晶表示装置1の第7の特徴を説明する。図5は図3のC-C断面図である。図3に示す様に、各走査電極g111~g114と、列電極33との交点において、各走査電極g111~g114と、列電極33との間に第1絶縁層2cおよび第2絶縁層46aが積層されている点が特徴である。図5に示す様に、第1絶縁層2cはSiNXからなり、層厚は約2000オングストロームである。第2絶縁層46aは、a-Si層47a層厚が約2000オングストロームと、na-Si層48a層厚が約500オングストロームが積層されたものである。スイッチング素子11は例えば、a-TFTアモルファスシリコン、薄膜トランジスタからなる。スイッチング素子11は、第1絶縁層2cの上に、a-Si層と、na-Si層が積層されている。それ故、上記a-Si層47aと、na-Si層48aは、このスイッチング素子11を製造する時に、同一のプロセスにて成膜することができ、製造コストが安くなる。次に、図1、図2、図3、図6に従い、本液晶表示装置1の第8の特徴を説明する。図6は図3のD-D断面図である。図3に示す様に、各第1共通電極C111~C114と、列電極33との交点において、各第1共通電極C111~C114と、列電極33との間に第1絶縁層2cおよび第2絶縁層46bが積層されている点が特徴である。図6に示す様に、第1絶縁層2cはSiNXからなり、層厚は約2000オングストロームである。第2絶縁層46bは、a-Si層47b層厚が約2000オングストロームと、na-Si層48b層厚が約500オングストロームが積層されたものである。スイッチング素子11は例えば、a-TFTアモルファスシリコン、薄膜トランジスタからなる。スイッチング素子11は、第1絶縁層2cの上に、a-Si層と、na-Si層が積層されている。それ故、上記a-Si層47bと、na-Si層48bは、このスイッチング素子11を製造する時に、同一のプロセスにて成膜することができ、製造コストが安くなる。次に、図1、図2、図3、図7に従い、本液晶表示装置1に用いられるスイッチング素子11を説明する。図7は図3のE-E断面図である。図7に示す様に、第1絶縁基板2上に、ゲート49アルミニュウム等からなり、層厚は約2000オングストロームから形成されている。ゲート49上に、第1絶縁層2cSiNXからなり、層厚が約2000オングストロームが形成されている。第1絶縁層2c上に、a-Si層47c左、右の層厚が約2000オングストロームが形成されている。左右のa-Si層47c上に各々、na-Si層48c,48dが形成されている。na-Si層48c上に、ソース50が形成されている。na-Si層48d上に、ドレイン51が形成されている。これらのソース50と、a-Si層47cと、ドレイン51を覆う様に、保護層52が形成されている。ゲート49は走査電極g112に接続されている。ソース50は信号電極s528に接続されている。ドレイン51は画素電極10に接続されている。以上の部品により、この液晶表示装置1は構成されている。"