垂直共振器型面発光レーザーの製造方法であって、基板上に、屈折率の異なる2つの層を1ペアとして複数ペア積層することによって構成される下部DBRと、活性領域とを、順に成長させる工程と、前記活性領域の上部に、中間層を成長させる工程と、前記中間層をパターニングし、電流狭窄部となる領域を形成する工程と、前記パターニングされた前記電流狭窄部となる領域を含む前記中間層の上に、前記中間層よりも厚さの薄い選択酸化層と、屈折率の異なる2つの層を1ペアとして複数ペア積層することによって構成される上部DBRとを、順に成長させる工程と、水蒸気酸化により、前記電流狭窄部となる領域上に形成された選択酸化層以外の選択酸化層を酸化することによって、前記水蒸気酸化により酸化されていない前記電流狭窄部となる領域上の選択酸化層で電流狭窄部を形成する工程と、を有することを特徴とする垂直共振器型面発光レーザーの製造方法。前記中間層の厚さが、前記上部DBRの1ペアと同じ厚さであることを特徴とする請求項1に記載の垂直共振器型面発光レーザーの製造方法。前記中間層の抵抗値が、前記上部DBRを構成する材料の抵抗値よりも高いことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の垂直共振器型面発光レーザーの製造方法。前記電流狭窄部となる領域が、前記中間層においてパターニングされた電流狭窄部となる領域をエッチングすることにより形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の垂直共振器型面発光レーザーの製造方法。前記電流狭窄部となる領域が、前記中間層においてパターニングされた電流狭窄部となる領域以外の領域をエッチングすることにより形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の垂直共振器型面発光レーザーの製造方法。基板の上に、屈折率の異なる2層をペアとして複数ペア積層されて構成される下部DBR、活性領域、中間層、該中間層の上に形成された選択酸化層、屈折率の異なる2層をペアとして複数ペア積層されて構成される上部DBR、がこの順に積層された垂直共振器型面発光レーザーであって、前記選択酸化層は、前記中間層の上に該中間層より薄い厚さで形成され、該選択酸化層は、水蒸気酸化により、前記中間層をパターニングして形成された電流狭窄部となる領域以外の選択酸化層を酸化することによって、前記水蒸気酸化により酸化されていない前記電流狭窄部となる領域上の選択酸化層によって構成されていることを特徴とする垂直共振器型面発光レーザー。前記中間層の厚さが、前記上部DBRの1ペアと同じ厚さであることを特徴とする請求項6に記載の垂直共振器型面発光レーザ。前記中間層の抵抗値が、前記上部DBRを構成する材料の抵抗値よりも高いことを特徴とする請求項6または請求項7に記載の垂直共振器型面発光レーザー。しかしながら、上記従来例の非特許文献1の方法では、高温水蒸気雰囲気で、酸化時間を制御して行う選択酸化は制御性が悪いことが、一般的に知られている。その際、非特許文献2に記載されているように、酸化レートの制御性を向上させても、バッチ間において10程度変化してしまう。例えば、直径25umのメサ形状のVCSELに対して、直径6umの電流狭窄部を形成したい場合、メサ側壁から選択酸化層を酸化する距離は9.5umとなる。これに対して酸化レートが10変化した場合、同じ酸化時間で酸化して形成した電流狭窄部の径は、1.9umも変動する電流狭窄径が5.05~6.95umの間で変動する可能性がある。この理由として、酸化速度がAl組成に非常に強く左右されることが挙げられる。結晶成長時において基板面内のAl組成バラツキや、成長のバッチ間によってもAl組成が変わってしまう。そのため、常に同一条件にて高温水蒸気酸化を行ったとしても基板面内、バッチ間によって選択酸化レートがばらついてしまう。また、選択酸化は酸化する時の温度にも非常に敏感であり、酸化時の温度によって同一Al組成であっても酸化レートが左右される。例えば、ある温度条件下では、数度ずれることで酸化レートが10変動してしまうこともある。そのため、酸化する時の基板面内の温度ムラや、バッチ間の温度変化によっても選択酸化レートがばらついてしまう。また、選択酸化プロセスには面方位依存性があるため、特別な面方位の酸化が早く進むため、メサ断面形状が円形であっても電流狭窄領域の形状は、四角や楕円等になることが良く知られており、これは選択酸化層のAl組成が大きいほど顕著である。これらの理由から、選択酸化型VCSELの製造時において選択酸化レートのバラツキを避けることは困難であり、電流狭窄部の径の変動が生じVCSELの製造歩留まりが悪くなることがある。VCSELの特性上この電流狭窄部の径の変動は、VCSELの特性を大きく変化させてしまい、所望の特性のVCSELの製造歩留まりを悪化させてしまうことがある。特に、一次元あるいは二次元にアレイ配置されたVCSELアレイではこの影響は顕著であり、根本的な解決策が求められていた。本発明は、上記課題に鑑み、選択酸化により電流狭窄構造を製造するに当たり、製造歩留まりの向上を図ることが可能となる垂直共振器型面発光レーザーの製造方法、垂直共振器型面発光レーザーを提供することを目的とするものである。本発明の垂直共振器型面発光レーザーの製造方法は、電流狭窄部を備えた垂直共振器型面発光レーザーの製造方法であって、基板上に、屈折率の異なる2つの層を1ペアとして複数ペア積層することによって構成される下部DBRと、活性領域とを、順に成長させる工程と、前記活性領域の上部に、中間層を成長させる工程と、前記中間層をパターニングし、電流狭窄部となる領域を形成する工程と、前記パターニングされた前記電流狭窄部となる領域を含む前記中間層の上に、前記中間層よりも厚さの薄い選択酸化層と、屈折率の異なる2つの層を1ペアとして複数ペア積層することによって構成される上部DBRとを、順に成長させる工程と、水蒸気酸化により、前記電流狭窄部となる領域上に形成された選択酸化層以外の選択酸化層を酸化することによって、前記水蒸気酸化により酸化されていない前記電流狭窄部となる領域上の選択酸化層で電流狭窄部を形成する工程と、を有することを特徴とする。また、本発明の垂直共振器型面発光レーザーは、基板の上に、屈折率の異なる2層をペアとして複数ペア積層されて構成される下部DBR、活性領域、中間層、該中間層上に形成された選択酸化層、屈折率の異なる2層をペアとして複数ペア積層されて構成される上部DBR、がこの順に積層された垂直共振器型面発光レーザーであって、前記選択酸化層は、前記中間層上に該中間層より薄い厚さで形成され、該選択酸化層は、水蒸気酸化により、前記中間層をパターニングして形成された電流狭窄部となる領域以外の選択酸化層を酸化することによって、前記水蒸気酸化により酸化されていない前記電流狭窄部となる領域上の選択酸化層によって構成されていることを特徴とする。本発明によれば、選択酸化により電流狭窄構造を製造するに当たり、製造歩留まりの向上を図ることが可能となる垂直共振器型面発光レーザーの製造方法、垂直共振器型面発光レーザーを実現することができる。本発明は、選択酸化型VCSELの電流狭窄部を形成するために選択酸化層の酸化を時間による制御を行わずに、結晶成長を2回に分け、その間に実施するパターニングのサイズによって電流狭窄部の形状及びサイズを制御するようにしたものである。このような、本発明のVCSEL垂直共振器型面発光レーザーの製造方法によれば、酸化時間を制御して行う従来例のような選択酸化レートのバラツキを避けることができ、製造歩留まりの向上を図ることが可能となる。以下に、本発明の実施形態のVCSELの製造方法において、電流狭窄部の形状サイズを制御する方法について説明する。図1は、本実施形態におけるVCSELの製造方法を説明するプロセスフロー図である。図1aに示す工程では、半導体基板101上に、下部DBR102、活性領域103、中間層104まで結晶成長を行っている。図1bに示す工程では、フォトリソグラフィ、エッチングを行い中間層104にパターニングを行った後、レジスト除去、洗浄を行っている。この中間層104に形成したパターニング部電流狭窄部となる領域105が後の電流狭窄部109となるため、VCSELの特性を考慮してサイズ及び形状を決定する必要がある。このサイズ及び形状は、フォトリソグラフィ工程において使用するフォトマスクのパターンを所望の形状サイズにすることによって決定できる。図1cに示す工程では、上記パターニングされた上記電流狭窄部となる領域を含む中間層104の上に再び結晶成長を行い、選択酸化層106、上部DBR107、コンタクト層108を順次成長させる。このとき選択酸化層106が中間層104よりも薄いことが重要であり、本発明の重要な構成の一部となっている。また、上部DBR107は選択酸化層106よりもAl組成の低い材料で構成される必要がある。これは、次の高温水蒸気雰囲気下での酸化工程にて、選択酸化層106のみを酸化するためである。図1dに示す工程において、結晶成長した基板を、フォトリソグラフィ、エッチングを行いメサ形状にする。この時に少なくとも選択酸化層106がメサ側壁に露出する深さエッチングを行う必要がある。次に、高温水蒸気の雰囲気に曝すことによって、選択酸化層106を酸化して、AlOx層110と変質させている。この時の酸化時間は、酸化したい領域全てが酸化するに十分な時間を設定すればよい。このとき、図1cに示す工程での再成長時において中間層104が選択酸化層106よりも厚いため選択酸化層が基板面内方向において、パターニングを行った箇所着目部1において不連続に形成されている。選択酸化はメサ側壁から始まりメサ内部へと進んでいくが、選択酸化層106が不連続となっており、選択酸化層106に隣接する層は選択酸化層106よりもAl組成が低いため酸化が進行しない。このようなことから中間層104をパターニングした箇所において酸化が自動的に止まる。これは、上述した上部DBR107を構成する材料が、選択酸化層106よりもAl組成が低い事に起因している。この選択酸化層106を酸化する際に、選択酸化層106を除いた上部DBR107の各層が酸化されないことが望ましい。具体的には、選択酸化層106に用いるAlGaAsのAl組成よりも低いAl組成の材料で構成されたDBRが適している。そのため、この中間層104のパターニング部105を含んだ形でメサ形状を形成し、高温水蒸気雰囲気下にて選択酸化を行う。これにより中間層104のパターニング時に決定した、パターンとサイズに略等しい形で、電流狭窄部109を形成することができる。酸化レートにバラツキが生じたとしても、全ての被酸化領域が酸化するに十分な時間とすることで、電流狭窄部109のバラツキを抑制することができる。このような製造方法によって、電流狭窄部となる領域上に形成された選択酸化層以外の選択酸化層を酸化することによって、水蒸気酸化により酸化されていない電流狭窄部となる領域上の選択酸化層で電流狭窄部を形成することができる。これにより、中間層104のパターニング時に決定した所望のサイズ、形状に酸化が行われない領域である電流狭窄部109を形成することができるため、VCSELの製造歩留まりを高めることが可能となる。本実施の形態では、電流狭窄部となる箇所の中間層をエッチングし孔を形成していたが、これとは逆に、図4に示すように電流狭窄部409となる箇所の中間層404を残し、その周囲をエッチングするようなパターニングを行っても良い。製造方法は、中間層404のエッチング箇所が逆になっている以外は、上述の製造方法と同様である図4a~dを参照。これにより、電流及び光が通過する領域の活性領域表面を大気に曝露することなくVCSELを製造することが可能となる。この様にVCSELを製造すると活性領域表面の酸化や不純物の付着を抑制することができ、活性領域の劣化を防止することが可能となる。活性領域が劣化すると、キャリアの非発光再結合量の増大や、光の散乱、電気抵抗の増大等の悪影響が起こる事があるため、電流狭窄部となる領域以外の中間層をエッチングするパターンを用いることが有用となることもある。以下に、本発明の実施例について説明する。[実施例1]実施例1として、本発明を適用した面発光レーザーの製造方法の構成例について説明する。図2は本実施例におけるVCSEL垂直共振器型面発光レーザーの製造方法のプロセスフローである。まず最初に図2aに示すように、基板上に各層をつぎのように結晶成長させる。すなわち、面方位100のn型GaAs基板201上に、n型の下部DBR202、活性領域203、中間層204の順番で積層構造をMOCVDMetalOrganicChemicalVaperDeposition法にて結晶成長させる。下部DBR202は、屈折率の異なる2つの層を1ペアとして複数ペア積層することによって構成される。例えば、VCSELの発振波長をλとすると、屈折率の異なる材料で、λ/4nnは材料の屈折率の膜厚で交互に積層される。以下、このDBRを構成する層において、屈折率が低い層を低屈折率層301、高い層を高屈折率層302と記述する。具体的には、波長680nmに発振波長を有するVCSELの場合、例えば、高屈折率層302として屈折率3.43のAl05GaAsを49.56nm、低屈折率層301として屈折率3.141のAl09GaAsを54.12nm積層したものを1ペアとする。このペアを下部DBR202として、例えば60ペア積層する。その後、活性領域203として、AlGaInP系の材料でn型スペーサ層、バリア層、量子井戸層、バリア層、p型スペーサ層を形成する。次に、中間層204として、p型Al05GaAsを103.68nm積層する。この中間層204は、この後積層するp型の上部DBR207の1ペアと同じ厚さを有している。ここで活性領域203の厚さは、共振波長が680nmとなるように調整する。また、活性領域203は、波長680nmに利得を有する材料によって構成する。中間層204まで結晶成長した基板に対して、フォトリソグラフィとエッチングを行い中間層204に直径6umの円の孔を形成する。この時に利用するエッチャントとしては、例えば、リン酸と過酸化水素水を混合した水溶液を用いることができる。適切な濃度のエッチャントであれば、中間層204であるAl05GaAsをエッチングし、且つ、活性領域203のp型スペーサ層であるAlGaInPをエッチングせずに中間層204とp型スペーサ層界面でエッチングが止まるようにする。これにより、直径6um、深さ103.68nmのパターンが形成される。この後、エッチングマスクに用いたフォトレジストを除去し、表面の洗浄を行い図2b、選択酸化層206、上部DBR207を結晶成長させる図2c。選択酸化層206は、例えばAl098GaAsを30nmの厚さで形成される。また、上部DBR207は、高屈折率層302としてp型Al05GaAsを49.56nm、低屈折率層301としてp型Al09GaAsを54.12nmの厚さで形成する。この2層を1ペアとして、最適なペア数だけ積層する。例えば、34ペア積層することは、VCSELの発振閾値や取り出し効率の面から好適な値である。上部DBR207は、選択酸化層206のみ酸化させるために高温水蒸気雰囲気下においても酸化しない材料でDBRを形成しておくことが望ましい。ここで、中間層204の厚さとp型の上部DBR207の1ペアの厚さは、両者ともに103.68nmであり、中間層の厚さと、上部DBRの1ペアとは同じ厚さとなっている。そのため、中間層204をエッチングしたパターニング部205に形成したDBRの2ペア目と、中間層204上に形成したDBRの1ペア目が着目部2に示すように、同じ材料同士が面内で連続して形成されることになる。そのため、光が上部DBR207内を通過する際に、基板面内方向に不連続な屈折率分布が生じないため、光の損失を小さくすることができる。上部DBR207を形成した後に、必要に応じてコンタクト層208を形成しても良い。次に、通常のVCSELを形成する製造方法にてメサ形状を形成する。例えばフォトリソグラフィとドライエッチングにて実施する。この時、メサの側壁において選択酸化層206が露出する深さまでエッチングすることが、後の選択酸化層206の酸化工程において必須である。ここで形成するメサは、例えば直径25umの円柱状に形成する。次に、メサ構造を形成した基板を高温水蒸気雰囲気下に40min曝すことで、選択酸化層206を酸化しAlOx層210へと変質させる。高温水蒸気雰囲気は、例えば440°Cのヒータ上に基板を配置し120°Cに熱した配管を通して水蒸気をチャンバー内に導入することで実施する図2d。このときの酸化レートはおおよそ0.3um/minとなる。しかしながら、基板面内にて酸化レートにバラツキが生じるため、直径25umのメサ径にて直径6umの電流狭窄部209を形成するために必要な酸化時間である約32minよりも十分長い時間である40minの酸化時間を本実施例では用いる。本発明の特徴である、中間層をパターニングした箇所において、選択酸化層206が不連続となっているため、長い酸化時間においても不連続箇所において選択酸化層206の酸化が停止する。そのため、十分長い時間をかけて選択酸化を実施することで基板全面に渡って均一なサイズ形状の電流狭窄部209が形成される。その後、通常のVCSELの製造方法を用いて、パッシベーション膜303、n側電極304及びp側電極305を形成することで、VCSELを製造する図3。以上の工程を用いて、基板面内において同時に多数のVCSELを製造することができる。これにより基板面内及びバッチ間において、中間層204をパターニングした領域において均一なサイズ形状の電流狭窄部209を形成することが可能となり、特性の揃ったVCSELを歩留まり良く製造することが可能となる。また、本実施例では波長680nmで発振するVCSELについて具体的な材料サイズを挙げて説明を行ったが、本発明の主旨はこれら材料サイズに制限されるものではない。例えば、波長850nmで発振するように設計されたVCSELであれば、DBRに用いる材料として、高屈折率層にAl02GaAsを、低屈折率層にAl08GaAsを用いることができる。そして、それらの厚さは波長850nmλのλ/4nnは材料の屈折率の厚さとすることができる。また、活性領域も波長850nmに対して利用できる材料を用いればよく、例えばAlGaAs系材料を用いれば良い。この時の活性領域の厚さは、850nmで発振するよう厚さを調整すればよい。また、DBRを構成する層構成として高屈折率層と低屈折率層が各々λ/4nのλ:発振波長、n:材料の屈折率としているが、これらの層の間にバンドギャップが緩やかに変化するよう、材料組成を傾斜させたグレーデッド層を挟んでも良い。この場合、グレーデッド層と高低屈折率層を合わせてλ/4nとすればよい。これ以外にも、他の既知の技術を用いたDBRであっても、本発明の主旨に反しない限り制限が加えられるものではない。また、選択酸化層に関しても同様であり、Al組成や厚さに限定されるものではなく、VCSELの特性を考慮して決定すれば良い。例えば、選択酸化層に厚さ20nmのAlAsを用いても良い。しかしながら、中間層よりも薄いことは、本発明において必須の条件ではある。さらに、本発明の補足的な効果として、選択酸化プロセスの面方位依存性を緩和できるという点がある。すなわち、結晶方位によって酸化レートが異なっていても、中間層のパターン形状で最終の電流狭窄形状が確定するために、最終の電流狭窄層の形状がばらつくという影響を避けることができる。[実施例2]実施例2として、実施例1の中間層に特徴を有している構成例について説明する。なお、中間層以外の他の構成は実施例1と同様のため実施例1と同様に図2を用いて説明する。まず、実施例1と同様に、n型GaAs基板201上に下部DBR202、活性領域203、中間層204を結晶成長させる図2a。本実施例では、中間層にアンドープのAlGaAsを用いることが実施例1と異なる点であり、本実施例の特徴となる。その後、実施例1と同様に中間層のパターニング図2b、選択酸化層206及び上部DBR207、コンタクト層208の結晶成長を行う図2c。次に、実施例1と同様にメサ形状を形成した後、選択酸化層206を高温水蒸気雰囲気で選択酸化層を酸化しAlOx層210へと変質させ図2d、パッシベーション膜303、n側電極304及びp側電極305を形成しVCSELを製造する図3。本実施例では中間層にアンドープのAlGaAsを用いているため、実施例1と比較し中間層の電気伝導度が低くなっている。そのため、電流注入を行った際に、選択酸化層を通過した後の電流が、中間層を通って横方向に広がることを抑制することが可能となる。これにより、電流をより所望の領域に制限して注入することが可能となり、ウエハ面内に渡って均一な特性を有する発光効率の良いVCSElの製造が可能となる。また、ここでは、中間層にアンドープのAlGaAsを用いているが、上部DBRと比較し抵抗値が高い材料であれば、中間層において電流の拡がりを抑制することが可能となり、本実施例特有の効果を有することができる。例えば、上部DBRの材料のドーピング濃度が、1×10E18[cm3]であるならば、中間層には1×10E17[cm3]としても良い。