スイッチング素子と、前記スイッチング素子の上に配置されるとともに第1上面及び前記第1上面から前記スイッチング素子まで貫通した第1コンタクトホールを有する有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜の前記第1上面に配置された上部電極及び前記上部電極と繋がり前記第1コンタクトホールに配置され前記スイッチング素子に電気的に接続された下部電極を有する島状の中継電極と、前記有機絶縁膜の前記第1上面に配置され前記中継電極から離間した共通電極と、前記中継電極及び前記共通電極の上に配置されるとともに前記中継電極の前記上部電極及び前記下部電極まで貫通した第2コンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の前記第2コンタクトホールで前記中継電極に電気的に接続され前記共通電極と向かい合うスリットを有する画素電極と、を備えた第1基板と、前記第1基板に対向配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。前記中継電極及び前記画素電極の膜構造は、前記層間絶縁膜より粗い膜であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記中継電極及び前記共通電極は、透明な導電材料によって形成されたことを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置。前記中継電極と前記共通電極との間に、前記有機絶縁膜の上に前記層間絶縁膜が積層された環状の隙間領域が形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の液晶表示装置。前記画素電極は、第1方向に沿った長さが第1方向に交差する第2方向に沿った長さよりも短い画素にそれぞれ配置され、前記共通電極は、第1方向に隣接する各画素及び第2方向に隣接する各画素に亘って共通に形成されたことを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置。第1コンタクトホールを有する有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜の上に配置され前記第1コンタクトホールに延在した島状の第1電極と、前記第1電極の上に配置されるとともに前記第1コンタクトホールの内側から前記第1コンタクトホールの外側に亘って形成され前記第1電極まで貫通した第2コンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の前記第2コンタクトホールを介して前記第1電極に電気的に接続された第2電極と、を備えた第1基板と、前記第1基板に対向配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。前記第1電極及び前記第2電極の膜構造は、前記層間絶縁膜より粗い膜であることを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置。前記第1電極及び前記第2電極は、透明な導電材料によって形成されたことを特徴とする請求項6または7に記載の液晶表示装置。前記第2電極は、スリットを有することを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載の液晶表示装置。さらに、前記有機絶縁膜の上に配置され前記層間絶縁膜によって覆われるとともに前記第1電極から離間し前記第2電極と向かい合う第3電極を備えたことを特徴とする請求項6乃至9のいずれか1項に記載の液晶表示装置。前記有機絶縁膜は、透明な有機材料によって形成されたことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の液晶表示装置。前記層間絶縁膜は、シリコンSiを含む無機材料によって形成されたことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の液晶表示装置。前記スイッチング素子は、ポリシリコン半導体層を備えたことを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の液晶表示装置。画素電極及び共通電極を備えた第1基板と第2基板との間に液晶層を保持した液晶表示装置の製造方法であって、絶縁基板の上にスイッチング素子を形成し、前記スイッチング素子を有機絶縁膜で覆った後に、前記有機絶縁膜に前記スイッチング素子まで貫通した第1コンタクトホールを形成し、前記有機絶縁膜の上に第1導電材料を成膜し、前記第1導電材料をパターニングして、前記第1コンタクトホールを介して前記スイッチング素子に電気的に接続した島状の中継電極、及び、前記中継電極から離間した共通電極を形成し、前記中継電極及び前記共通電極を層間絶縁膜で覆った後に、前記層間絶縁膜のうち、前記第1コンタクトホールの内側から前記第1コンタクトホールの外側に亘り前記中継電極まで貫通した第2コンタクトホールを形成し、前記層間絶縁膜の上に第2導電材料を成膜し、前記第2導電材料をパターニングして、前記第2コンタクトホールを介して前記中継電極に電気的に接続し前記共通電極と向かい合うスリットを有する画素電極を形成する、ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。前記第1導電材料及び前記第2導電材料は、透明であることを特徴とする請求項14に記載の液晶表示装置の製造方法。前記有機絶縁膜は、透明な有機材料によって形成することを特徴とする請求項14または15に記載の液晶表示装置の製造方法。前記層間絶縁膜は、シリコンSiを含む無機材料によって形成することを特徴とする請求項14乃至16のいずれか1項に記載の液晶表示装置の製造方法。本実施形態の目的は、歩留まりの低下を抑制することが可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。本実施形態によれば、スイッチング素子と、前記スイッチング素子の上に配置されるとともに第1上面及び前記第1上面から前記スイッチング素子まで貫通した第1コンタクトホールを有する有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜の前記第1上面に配置された上部電極及び前記上部電極と繋がり前記第1コンタクトホールに配置され前記スイッチング素子に電気的に接続された下部電極を有する島状の中継電極と、前記有機絶縁膜の前記第1上面に配置され前記中継電極から離間した共通電極と、前記中継電極及び前記共通電極の上に配置されるとともに前記中継電極の前記上部電極及び前記下部電極まで貫通した第2コンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の前記第2コンタクトホールで前記中継電極に電気的に接続され前記共通電極と向かい合うスリットを有する画素電極と、を備えた第1基板と、前記第1基板に対向配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。本実施形態によれば、第1コンタクトホールを有する有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜の上に配置され前記第1コンタクトホールに延在した島状の第1電極と、前記第1電極の上に配置されるとともに前記第1コンタクトホールの内側から前記第1コンタクトホールの外側に亘って形成され前記第1電極まで貫通した第2コンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の前記第2コンタクトホールを介して前記第1電極に電気的に接続された第2電極と、を備えた第1基板と、前記第1基板に対向配置された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。本実施形態によれば、画素電極及び共通電極を備えた第1基板と第2基板との間に液晶層を保持した液晶表示装置の製造方法であって、絶縁基板の上にスイッチング素子を形成し、前記スイッチング素子を有機絶縁膜で覆った後に、前記有機絶縁膜に前記スイッチング素子まで貫通した第1コンタクトホールを形成し、前記有機絶縁膜の上に第1導電材料を成膜し、前記第1導電材料をパターニングして、前記第1コンタクトホールを介して前記スイッチング素子に電気的に接続した島状の中継電極、及び、前記中継電極から離間した共通電極を形成し、前記中継電極及び前記共通電極を層間絶縁膜で覆った後に、前記層間絶縁膜のうち、前記第1コンタクトホールの内側から前記第1コンタクトホールの外側に亘り前記中継電極まで貫通した第2コンタクトホールを形成し、前記層間絶縁膜の上に第2導電材料を成膜し、前記第2導電材料をパターニングして、前記第2コンタクトホールを介して前記中継電極に電気的に接続し前記共通電極と向かい合うスリットを有する画素電極を形成する、ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法が提供される。以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。図1は、本実施形態における液晶表示装置の構成を模式的に示す図である。すなわち、液晶表示装置1は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルLPN、液晶表示パネルLPNを照明するバックライト4などを備えている。図示した例では、液晶表示装置1は、液晶表示パネルLPNを駆動するのに必要な信号源として、駆動ICチップ2及びフレキシブル配線基板3を備えている。液晶表示パネルLPNは、アレイ基板第1基板ARと、アレイ基板ARに対向配置された対向基板第2基板CTと、これらのアレイ基板ARと対向基板CTとの間に保持された図示しない液晶層と、を備えて構成されている。このような液晶表示パネルLPNは、画像を表示するアクティブエリア画面部ACTを備えている。このアクティブエリアACTは、m×n個のマトリクス状に配置された複数の画素PXによって構成されている但し、m及びnは正の整数。バックライト4は、アレイ基板ARの背面側に配置されている。このようなバックライト4としては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオードLEDを利用したものや冷陰極管CCFLを利用したものなどのいずれでも適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。図2は、図1に示した液晶表示パネルLPNの構成及び等価回路を概略的に示す図である。アレイ基板ARは、アクティブエリアACTにおいて、n本のゲート配線GG1~Gn及びn本の容量線CC1~Cn、m本のソース配線SS1~Sm、各画素PXにおいてゲート配線G及びソース配線Sと電気的に接続されたm×n個のスイッチング素子SW、各画素PXにおいてスイッチング素子SWに各々電気的に接続されたm×n個の画素電極PE、容量線Cの一部であり画素電極PEと向かい合う共通電極CEなどを備えている。保持容量Csは、容量線Cと画素電極PEとの間に形成される。各ゲート配線Gは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、第1駆動回路GDに接続されている。各ソース配線Sは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、第2駆動回路SDに接続されている。各容量線Cは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、第3駆動回路CDに接続されている。これらの第1駆動回路GD、第2駆動回路SD、及び、第3駆動回路CDは、アレイ基板ARに形成され、駆動ICチップ2と接続されている。図示した例では、駆動ICチップ2は、液晶表示パネルLPNのアクティブエリアACTの外側において、アレイ基板ARに実装されている。また、図示した例の液晶表示パネルLPNは、アレイ基板ARに画素電極PE及び共通電極CEを備え、これらの間に形成される横電界特に、フリンジ電界のうちの基板の主面にほぼ平行な電界を主に利用して液晶層LQを構成する液晶分子をスイッチングするFringeFieldSwitchingFFSモードを適用している。図3は、図2に示したアレイ基板ARにおける画素PXの構造を対向基板CTの側から見た概略平面図である。なお、ここに示した平面図は画素レイアウトの一例であって、本実施形態はこの画素レイアウトに限定されるものではない。ゲート配線Gは、第1方向Xに沿って延出している。ソース配線Sは、第1方向Xに交差する第2方向Yに沿って延出している。スイッチング素子SWは、ゲート配線Gとソース配線Sとの交差部近傍に配置され、例えば、薄膜トランジスタTFTによって構成されている。このスイッチング素子SWは、ポリシリコン半導体層SCを備えている。スイッチング素子SWのゲート電極WGは、ポリシリコン半導体層SCの直上に位置し、ゲート配線Gに電気的に接続されている図示した例では、ゲート電極WGは、ゲート配線Gと一体的に形成されている。スイッチング素子SWのソース電極WSは、ソース配線Sに電気的に接続されている図示した例では、ソース電極WSは、ソース配線Sと一体的に形成されている。中継電極第1電極REは、島状に形成されている。この中継電極REは、その少なくとも一部がスイッチング素子SWのドレイン電極WDの上方に配置されている。このような中継電極REは、スイッチング素子SWのドレイン電極WDに電気的に接続されている。容量線Cは、複数の画素PXに亘って共通に形成された共通電極第3電極CEを含んでいる。すなわち、共通電極CEは、各画素PXに配置されるとともに、ソース配線Sの上方にも延在し、第1方向Xに隣接する各画素PX及び第2方向Yに隣接する各画素PXに亘って共通に形成されている。このような共通電極CEは、各画素PXにおいて、例えば、略長方形状に形成されている。また、この共通電極CEは、中継電極REから離間している。この共通電極CEは、例えば、コモン電位に設定される。画素電極第2電極PEは、第1方向Xに沿った長さが第2方向に沿った長さよりも短い略長方形状の各画素PXにおいて、例えば、略長方形状に形成されている。この画素電極PEは、共通電極CE及び中継電極REの上方に配置されている。このような画素電極PEは、中継電極REと電気的に接続されている。これにより、画素電極PEは、スイッチング素子SWと電気的に接続される。また、この画素電極PEには、共通電極CEと向かい合う複数のスリットPSLが形成されている。図示した例では、1つの画素電極PEが4本のスリットPSLを有しているが、第1方向Xに沿った画素ピッチがより狭い設定では、画素PXの第1方向Xに沿った長さがより短くなり、画素電極PEの第1方向Xに沿った長さがより短くなることから、1つの画素電極PEが2本程度のスリットPSLを有する場合もあり得る。また、図示した例では、スリットPSLは、第2方向Yに沿って延出しているが、第2方向Yに対して5°~10°程度傾斜した方向に延出している場合もあり得るし、くの字形に屈曲している場合もあり得る。図4は、図3に示した画素PXにおける主要部を拡大した概略平面図である。なお、ここでは、説明に必要な部分のみを図示している。ドレイン電極WDの上方には、第1コンタクトホールCH1が形成されている。中継電極REは、第1コンタクトホールCH1の内側から第1コンタクトホールCH1の外側に亘って延在し、第1コンタクトホールCH1を介してドレイン電極WDに電気的に接続されている。この中継電極REの上方には、第2コンタクトホールCH2が形成されている。第2コンタクトホールCH2は、第1方向Xに沿って、第1コンタクトホールCH1の内側から第1コンタクトホールCH1の外側に亘って形成されている。つまり、図示した平面図において、第1コンタクトホールCH1と第2コンタクトホールCH2とが交差している。画素電極PEは、第2コンタクトホールCH2の内側から第2コンタクトホールCH2の外側に亘って延在し、第2コンタクトホールCH2を介して、中継電極REと電気的に接続されている。共通電極CEに着目すると、ドレイン電極WDと画素電極PEとが電気的に接続されるコンタクト領域において、矩形状の開口部APが形成されている。中継電極REは、開口部APの内側に形成されている。中継電極REと共通電極CEとの間には、環状の隙間領域が形成されている。第2方向Yに隣接する画素に対応して配置された共通電極CEは、第2方向Yに沿って延出した接続部CNによって電気的に接続されている。接続部CNは、容量線の一部である。このような接続部CNは、第1方向Xに隣接する中継電極REの間に配置されている。図5は、図3に示した画素PXにおけるスイッチング素子SWと画素電極PEとのコンタクト領域の断面構造を概略的に示す図である。すなわち、アレイ基板ARは、ガラス基板などの光透過性を有する第1絶縁基板20を用いて形成されている。このアレイ基板ARは、第1絶縁基板20の内面すなわち対向基板CTに対向する面にスイッチング素子SWを備えている。ここに示したスイッチング素子SWは、トップゲート型の薄膜トランジスタである。ポリシリコン半導体層SCは、第1絶縁基板20の上に形成されている。このようなポリシリコン半導体層SCは、第1絶縁膜21によって覆われている。また、第1絶縁膜21は、第1絶縁基板20の上にも配置されている。スイッチング素子SWのゲート電極WGは、第1絶縁膜21の上に形成され、ポリシリコン半導体層SCの直上に位置している。このようなゲート電極WGは、第2絶縁膜22によって覆われている。また、第2絶縁膜22は、第1絶縁膜21の上にも配置されている。これらの第1絶縁膜21及び第2絶縁膜22は、シリコンSiを含む透明な無機材料などによって形成されている。スイッチング素子SWのソース電極WS及びドレイン電極WDは、第2絶縁膜22の上に形成されている。これらのソース電極WS及びドレイン電極WDは、それぞれ第1絶縁膜21及び第2絶縁膜22を貫通するコンタクトホールを介してポリシリコン半導体層SCにコンタクトしている。ソース電極WS及びドレイン電極WDは、第3絶縁膜23によって覆われている。また、この第3絶縁膜23は、第2絶縁膜22の上にも配置されている。このような第3絶縁膜23は、スイッチング素子SWの上に配置された有機絶縁膜に相当し、透明な有機材料によって形成されている。また、この第3絶縁膜23は、略平坦な上面23T、及び、この上面23Tからスイッチング素子SWのドレイン電極WDまで貫通した第1コンタクトホールCH1を有している。中継電極REは、第3絶縁膜23の上面23Tに形成されている。また、この中継電極REは、第1コンタクトホールCH1にも延在し、スイッチング素子SWに電気的に接続されている。換言すると、この中継電極REは、上面23Tに配置された上部電極REUと、この上部電極REUと繋がり第1コンタクトホールCH1に配置された下部電極REBと、を有している。下部電極REBは、ドレイン電極WDに積層され、スイッチング素子SWと電気的に接続されている。共通電極CEは、第3絶縁膜23の上面23Tに形成され、中継電極REから離間している。これらの中継電極RE及び共通電極CEは、第4絶縁膜24によって覆われている。また、この第4絶縁膜24は、第3絶縁膜23の上にも配置されている。このような第4絶縁膜24は、中継電極RE及び共通電極CEの上に配置された層間絶縁膜に相当し、シリコンSiを含む透明な無機材料、例えば、窒化シリコンSiNや酸化シリコンSiOなどによって形成されている。共通電極CEと中継電極RE上部電極REUとの間図4に示した環状の隙間領域では、第3絶縁膜23の上に第4絶縁膜24が積層されている。また、この第4絶縁膜24は、上面24T、及び、この上面24Tから中継電極REまで貫通した第2コンタクトホールCH2を有している。この第2コンタクトホールCH2は、第1コンタクトホールCH1の内側から第1コンタクトホールCH1の外側に亘って形成され、第1コンタクトホールCH1の内外で中継電極REまで貫通している。つまり、第2コンタクトホールCH2は、第3絶縁膜23の上面23Tに形成された上部電極REU、及び、第1コンタクトホールCH1に形成された下部電極REBまで貫通している。画素電極PEは、第4絶縁膜24の上面24Tに形成され、共通電極CEと対向している。また、この画素電極PEは、第2コンタクトホールCH2にも形成され、第2コンタクトホールCH2において、中継電極REに積層されている。これにより、画素電極PEは、中継電極REに電気的に接続されている。また、この画素電極PEは、破線で示したようなスリットPSLを有している。スリットPSLは、共通電極CEの直上に形成されている。これらの中継電極RE及び共通電極CEと、画素電極PEとは、ともに透明な導電材料、例えば、インジウムティンオキサイドITOやインジウムジンクオキサイドIZOなどによって形成されている。画素電極PEは、第1配向膜AL1によって覆われている。この第1配向膜AL1は、アレイ基板ARの液晶層LQに接する面に配置されている。なお、ソース配線Sは、第2絶縁膜22の上に形成され、第3絶縁膜23によって覆われている。このような構成のアレイ基板ARでは、第1コンタクトホールCH1と第2コンタクトホールCH2とが重畳する領域においては、露出したドレイン電極WDの上に中継電極REの下部電極REBが積層され、さらに、下部電極REBの上に画素電極PEが積層されている。また、第1コンタクトホールCH1の内側において第2コンタクトホールCH2と重畳しない領域においては、露出したドレイン電極WDの上に中継電極REの下部電極REBが積層され、下部電極REBと画素電極PEとの間に第4絶縁膜24が介在している。また、第1コンタクトホールCH1の外側の第2コンタクトホールCH2においては、露出した中継電極REの上部電極REUの上に画素電極PEが積層されている。一方、対向基板CTは、ガラス基板などの光透過性を有する第2絶縁基板30を用いて形成されている。この対向基板CTは、第2絶縁基板30の内面すなわちアレイ基板ARに対向する面に、各画素PXを区画するブラックマトリクス31、カラーフィルタ32、オーバーコート層33などを備えている。ブラックマトリクス31は、第2絶縁基板30の内面において、アレイ基板ARに設けられたゲート配線Gやソース配線S、さらにはスイッチング素子SWなどの配線部に対向するように形成されている。カラーフィルタ32は、第2絶縁基板30の内面に形成され、互いに異なる複数の色、例えば赤色、青色、緑色といった3原色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。赤色に着色された樹脂材料は赤色画素に対応して配置され、同様に、青色に着色された樹脂材料は青色画素に対応して配置され、緑色に着色された樹脂材料は緑色画素に対応して配置されている。オーバーコート層33は、ブラックマトリクス31及びカラーフィルタ32の上に形成されている。このオーバーコート層33は、ブラックマトリクス31及びカラーフィルタ32の表面の凹凸を平坦化する。オーバーコート層33は、第2配向膜AL2によって覆われている。この第2配向膜AL2は、対向基板CTの液晶層LQに接する面に配置されている。上述したようなアレイ基板ARと対向基板CTとは、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2が向かい合うように配置されている。このとき、アレイ基板ARと対向基板CTとの間には、図示しないスペーサ例えば、樹脂材料によって一方の基板に一体的に形成された柱状スペーサが配置され、これにより、所定のギャップが形成される。アレイ基板ARと対向基板CTとは、所定のギャップが形成された状態でシール材によって貼り合わせられている。液晶層LQは、これらのアレイ基板ARの第1配向膜AL1と対向基板CTの第2配向膜AL2との間に形成されたギャップに封入された液晶分子を含む液晶組成物によって構成されている。このような構成の液晶表示パネルLPNに対して、その背面側にはバックライト4が配置されている。液晶表示パネルLPNの一方の外面、すなわちアレイ基板ARを構成する第1絶縁基板20の外面には、第1偏光板PL1を含む第1光学素子OD1が配置されている。また、液晶表示パネルLPNの他方の外面、すなわち対向基板CTを構成する第2絶縁基板30の外面には、第2偏光板PL2を含む第2光学素子OD2が配置されている。第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2は、X-Y平面内において、同一方位に配向処理されている。このため、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されていない状態では、液晶層LQに含まれる液晶分子は、X-Y平面内において、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2の配向処理方向に初期配向する。画素電極PEと共通電極CEとの間にフリンジ電界が形成された状態では、液晶分子は、X-Y平面内において、初期配向方向とは異なる方位に配向する。次に、上述した構成の液晶表示装置の製造方法について簡単に説明する。まず、アレイ基板ARを製造するための第1絶縁基板20の上に、半導体材料、導電材料、絶縁膜材料などを成膜し、所望形状にパターニングすることにより、第1絶縁膜21、第2絶縁膜22、ゲート配線G、ソース配線S、スイッチング素子SWなどを形成する。その後、透明な有機材料からなる第3絶縁膜23でスイッチング素子SWなどを覆った後に、この第3絶縁膜23にスイッチング素子SWまで貫通した第1コンタクトホールCH1を形成する。その後、第3絶縁膜23の上に透明な第1導電材料例えば、ITOを成膜し、この第1導電材料をパターニングすることによって、第1コンタクトホールCH1を介してスイッチング素子SWに電気的に接続した島状の中継電極RE、及び、中継電極REから離間した共通電極CEを形成する。その後、シリコンを含む透明な無機材料例えば、SiNからなる第4絶縁膜24で中継電極RE及び共通電極CEを覆った後に、この第4絶縁膜24のうち、第1コンタクトホールCH1の内側から第1コンタクトホールCH1の外側に亘り中継電極REまで貫通した第2コンタクトホールCH2形成する。このような第2コンタクトホールCH2は、例えば、ドライエッチングによって中継電極REと重なる位置に形成される。このとき、中継電極REは、エッチングストッパとして機能し、第3絶縁膜23を保護している。その後、第4絶縁膜24の上に透明な第2導電材料例えば、ITOを成膜し、この第2導電材料をパターニングすることによって、第2コンタクトホールCH2を介して中継電極REに電気的に接続するとともに共通電極CEと向かい合うスリットPSLを有する画素電極PEを形成する。そして、このようにして製造したアレイ基板ARの表面を第1配向膜AL1で覆い、ラビング処理や光配向処理などの配向処理を施す。一方で、対向基板CTを用意し、シール材を用いてアレイ基板ARと対向基板CTとを貼り合わせる。液晶層LQは、アレイ基板ARと対向基板CTとを貼り合わせる前に適量を滴下することで封入されても良いし、アレイ基板ARと対向基板CTとを貼り合わせた後に、シール材によって形成された液晶注入口から注入され、封止されてもよい。その後、アレイ基板ARの外面に第1光学素子OD1を貼付し、対向基板CTの外面に第2光学素子OD2を貼付し、液晶表示パネルLPNに信号源を実装する。以上のような工程を経て液晶表示装置が製造される。上記の製造過程では、第3絶縁膜23を形成した後の洗浄工程やパターニングの際のウエット工程で、有機材料からなる第3絶縁膜23が水分を吸収しやすい。あるいは、第3絶縁膜23は、大気中の水分を吸収する場合もある。本実施形態においては、第3絶縁膜23は、中継電極RE、共通電極CE、及び、第4絶縁膜24によって覆われている。第4絶縁膜24を形成する材料は比較的緻密な膜を形成する一方で、中継電極RE及び共通電極CEを形成する材料は、第4絶縁膜24を形成する材料と比較して粗い膜を形成する。また、第2コンタクトホールCH2で中継電極REに積層された画素電極PEを形成する材料についても、中継電極RE及び共通電極CEを形成する材料と同様に、第4絶縁膜24を形成する材料と比較して粗い膜を形成する。第3絶縁膜23に吸収された水分は、高温プロセスを経て蒸気となって外部に放出されることがある。第3絶縁膜23を中継電極RE、共通電極CE、及び、第4絶縁膜24によって覆った後に高温プロセスに導入すると、第3絶縁膜23から放出された蒸気は、膜の密度の高い緻密な第4絶縁膜24を透過しにくい一方で、第4絶縁膜24と比較して膜の密度の低い、すなわち第4絶縁膜24と比較して膜構造が粗い中継電極RE及び共通電極CEに浸入する。但し、共通電極CEは第4絶縁膜24によって覆われているため、共通電極CEに浸入した蒸気の放出経路はほとんどない。中継電極REについても一部は第4絶縁膜24によって覆われているが、第2コンタクトホールCH2においては第4絶縁膜24から露出している。露出した中継電極REの上には、画素電極PEが積層されている。つまり、第2コンタクトホールCH2においては、第3絶縁膜23の上面23Tから上方に向かって中継電極RE及び画素電極PEが積層されており、これらの積層体が緻密な第4絶縁膜24から露出している。このため、中継電極RE及び画素電極PEの積層体は、蒸気の放出経路を形成する。すなわち、第3絶縁膜23から中継電極REに浸入した蒸気は、第2コンタクトホールCH2において画素電極PEを経由して外部に放出される。上述の通り、有機材料からなる第3絶縁膜23の一部を覆う電極を設け、更にこの電極及び第3絶縁膜23を覆う無機材料からなる第4絶縁膜24においては、第4絶縁膜24の膜の密度より低い膜の密度をもつ電極上に第2コンタクトホールCH2を設ける。これにより、第3絶縁膜23内の水分は第2コンタクトホールCH2を介して外部に放出可能となる。また、このような第2コンタクトホールCH2は、各画素PXに形成されているため、アクティブエリアACTの全体に亘り、略均一に分布している。このため、アクティブエリアACTの略全体において第2コンタクトホールCH2から第3絶縁膜23の水分を放出することが可能となる。したがって、第3絶縁膜23と第4絶縁膜24との密着性の低下、あるいは、蒸気の放出に伴った第4絶縁膜24の浮き上がり、あるいは、剥がれの発生を抑制することが可能となる。これにより、第4絶縁膜24の浮き、剥がれに起因した不良パネルの発生を抑制することができ、歩留まりの低下を抑制することが可能となる。なお、このような第3絶縁膜23からの蒸気の放出は、アレイ基板ARの製造過程におけるベークなどの高温プロセスで発生するものであり、アレイ基板ARを対向基板CTに貼り合わせる前にほぼ完了する。このため、アレイ基板ARと対向基板CTとを貼り合わせた後に、蒸気の放出に伴った不具合例えば、液晶層LQにおける気泡の発生などの不具合はほとんど発生しない。また、第2コンタクトホールCH2は、第1方向Xに沿って第1コンタクトホールCH1の内側から第1コンタクトホールCH1の外側に亘って形成されている。このため、第1コンタクトホールCH1と第2コンタクトホールCH2とが交差することなく第1方向Xに沿って並んだ構成と比較して、スイッチング素子SWと画素電極PEとのコンタクト領域の第1方向Xに沿った幅を低減することが可能となる。つまり、第1方向Xに沿った画素ピッチを低減した狭画素ピッチに対応することが可能となり、高精細化が可能となる。また、スイッチング素子SWと画素電極PEとのコンタクト領域の第1方向Xに沿った幅を低減することが可能となるため、中継電極REと共通電極CEとの間に十分なマージンを確保することが可能となる。このため、第1方向Xに隣接する各画素PXの中継電極REの間に容量線Cの一部である接続部CNを配置することが可能となる。このような中継電極REの間の接続部CNは、第2方向Yに隣接する各画素PXに対応した共通電極CEを電気的に接続する。つまり、共通電極CEは、第1方向Xに隣接する各画素PXのみならず、第2方向Yに隣接する各画素PXに亘って共通に形成される。このため、クロストークなどの表示不良の発生を抑制することが可能となる。ところで、第1コンタクトホールCH1が形成される第3絶縁膜23は、その表面を平坦化するため、有機材料を用いて比較的厚い膜厚に形成される。このため、第1コンタクトホールCH1の段差、つまり、上面23Tからドレイン電極WDの上面までの高低差は、第3絶縁膜23の膜厚と同様に大きい。一方で、第2コンタクトホールCH2が形成される第4絶縁膜24は、第3絶縁膜23よりも薄い膜厚に形成される。このため、第2コンタクトホールCH2の段差、つまり、上面24Tから中継電極REまでの高低差は、比較的小さい。本実施形態では、画素電極PEと中継電極REとを接続するための第2コンタクトホールCH2は、第1コンタクトホールCH1の内外に亘って形成されている。このような第1コンタクトホールCH1の内側に形成された第2コンタクトホールCH2のエッジ付近では、大きな段差に起因して画素電極PEの膜切れが発生しやすい。つまり、中継電極REの下部電極REBとコンタクトした画素電極PEが途切れてしまうことがある。一方で、第1コンタクトホールCH1の外側に形成された第2コンタクトホールCH2のエッジ付近では、第1コンタクトホールCH1の大きな段差の影響を受けないため、画素電極PEの膜切れを抑制することが可能である。つまり、中継電極REの上部電極REUとコンタクトした画素電極PEの途切れを抑制できる。このため、中継電極REと画素電極PEとの電気的な接続を確保することが可能となる。次に、比較例について説明する。図6は、比較例に相当するアレイ基板ARの断面構造を概略的に示す図である。この比較例においては、第4絶縁膜24の第2コンタクトホールCH2は、第1コンタクトホールCH1の直上の位置に形成されている。すなわち、第1コンタクトホールCH1においては、露出したドレイン電極WDの上に中継電極REが積層され、さらに、この中継電極REは、第4絶縁膜24によって覆われている。この第4絶縁膜24は、第1コンタクトホールCH1の内側に位置する中継電極REを露出する第2コンタクトホールCH2を有している。この第2コンタクトホールCH2においては、露出した中継電極REの上に画素電極PEが積層されている。このように、中継電極REと画素電極PEとの積層体は、第1コンタクトホールCH1の内側に形成されており、第3絶縁膜23の上面23Tには形成されていない。第3絶縁膜23の上面23Tを覆う中継電極RE及び共通電極CEは、さらに第4絶縁膜24によって覆われており、第1コンタクトホールCH1に形成された中継電極REは、そのほぼ中央まで第4絶縁膜24によって覆われている。このような比較例においては、第3絶縁膜23に吸収された水分を外部に放出するための放出経路がほとんどない。すなわち、共通電極CEは第4絶縁膜24によって覆われているため、共通電極CEに浸入した蒸気の放出経路はほとんどない。また、第3絶縁膜23の上面23Tに形成された中継電極REについても第4絶縁膜24によって覆われているため、中継電極REに浸入した蒸気の放出経路はほとんどない。なお、第1コンタクトホールCH1に形成された中継電極REは、第2コンタクトホールCH2において第4絶縁膜24から露出している。しかしながら、第2コンタクトホールCH2に形成された中継電極REと画素電極PEとの積層体の位置は、第3絶縁膜23から離れている。また、第3絶縁膜23から中継電極REと画素電極PEとの積層体に至る中継電極RE内の水平方向の経路長は、本実施形態のような積層体の厚さ方向の経路長と比較して極めて長い。このため、中継電極RE内の水平方向の経路は、蒸気の放出経路としてほとんど機能しない。したがって、第3絶縁膜23からの蒸気の放出経路が少なく、第3絶縁膜23に重なる第4絶縁膜24との間、中継電極REと第4絶縁膜24との間、あるいは、共通電極CEと第4絶縁膜24との間に蒸気が溜り、気泡、あるいは、第4絶縁膜24の浮きが発生してしまう。このため、歩留まりの低下を招くおそれがある。このように、水分を吸収しやすい有機材料からなる第3絶縁膜23の上に、中継電極RE及び共通電極CEを形成するとともに、これらを比較的緻密な無機材料からなる第4絶縁膜24で覆い、この第4絶縁膜24を画素電極PEと共通電極CEとの層間絶縁膜とする構成においては、第3絶縁膜23の水分が閉じ込められやすい。このため、第3絶縁膜23から水分を外部に放出する放出経路を形成することが極めて有効である。本実施形態においては、第3絶縁膜23の上面23Tに比較的粗い膜である中継電極RE及び画素電極PEの積層体を形成し、第3絶縁膜23から水分を放出するための放出経路を形成する。これにより、第4絶縁膜24の浮きを抑制することが可能となる。また、比較例では、第1コンタクトホールCH1の内側に第2コンタクトホールCH2が位置しているため、第2コンタクトホールCH2のエッジ付近において、第1コンタクトホールCH1の大きな段差に起因して画素電極PEの膜切れが発生しやすい。このような画素電極PEの膜切れは、第2コンタクトホールCH2の全周に亘って形成される場合もあり、最悪の場合には、中継電極REと画素電極PEとの導通が取れなくなってしまうおそれもある。このため、第2コンタクトホールCH2の一部は、第1コンタクトホールCH1の外側に位置することが極めて有効である。本実施形態においては、第2コンタクトホールCH2は、第1コンタクトホールCH1の内側から外側に亘って延在しているため、少なくとも第1コンタクトホールCH1の外側では、画素電極PEの膜切れを抑制することが可能となる。したがって、中継電極REと画素電極PEとの導通を確保することが可能となる。以上説明したように、本実施形態によれば、歩留まりの低下を抑制することが可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供することができる。なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。上記の本実施形態においては、アクティブエリアの画素部分の構造を例に説明したが、アクティブエリアの周辺部分においても、第1コンタクトホールCH1を有する有機絶縁膜である第3絶縁膜23と、第3絶縁膜23の上に配置され第1コンタクトホールCH1に延在した第1電極と、第1電極の上に配置されるとともに第1コンタクトホールCH1の内側から第1コンタクトホールCH1の外側に亘って形成され第1電極まで貫通した第2コンタクトホールCH2を有する層間絶縁膜である第4絶縁膜24と、第4絶縁膜24の第2コンタクトホールCH2を介して第1電極に電気的に接続された第2電極と、を備えた構造の場合には、上述の効果と同様の効果が得られる。