発光ダイオードウェハレベルの色純化方法であって、前記方法は、少なくとも、既にn型半導体エピタキシャル層、活性層、p型半導体エピタキシャル層のプロセスが完了したLEDウェハを提供する工程と、所定の中心波長値を設定する工程と、二酸化ケイ素を多層膜のうちの第1の透明膜の材質として選択する工程と、反射率が前記二酸化ケイ素膜よりも高い金属酸化膜を第2の透明膜の材質として選択する工程と、前記LEDウェハの発光の中心波長値を設定する工程と、前記第1の透明膜、前記第2の透明膜が交互に堆積する場合の厚さの所定値を計算し、前記厚さの所定値は、前記中心波長、前記第1の透明膜、前記第2の透明膜、前記LEDウェハの最外層膜の反射率に基づいて、前記第1の透明膜、前記第2の透明膜が交互に堆積する場合について各層の厚さの所定値を計算し、前記反射率は前記中心波長に対する反射率である、工程と、前記第1の透明膜、前記第2の透明膜を堆積するとともに、前記膜の厚さの所定値に基づいて順次交互に堆積する工程と、を備えることを特徴とする発光ダイオードウェハレベルの色純化方法。前記方法は、前記第1の透明膜を前記LEDウェハに堆積する前に、まず前記LEDウェハの最外層膜を不活性イオンプラズマビームによって洗浄しておくことを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記厚さの所定値の計算においては、全膜層の厚さ又は前記中心波長における発光の透過率を境界条件として含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記厚さの所定値の計算においては、前記境界条件において所定の多層透明膜の最後の一層から内側に向かって前記LEDウェハの最外層膜まで推算することを特徴とする請求項3に記載の方法。前記第2の透明膜は、TiO2、Ti2O5からいずれか1つが選ばれることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記堆積の方法は、イオンプラズマアシスト電子銃堆積であることを特徴とする請求項1に記載の方法。発光ダイオードウェハレベルの色純化構造であって、前記構造は、少なくとも、第1の透明膜及び第2の透明膜を備え、前記LEDウェハの発光の中心波長の波長幅が所定値の±1内となるように交互に90層以上堆積され、又は、中心波長の波長幅が所定値の±3内となるように交互に80層以上堆積され、前記第1の透明膜は低反射率材料膜層であり、前記第2の透明膜は高反射率材料膜層であることを特徴とする発光ダイオードウェハレベルの色純化構造。以上のプロセスは典型的な発光ダイオードプロセスである。しかしながら、エピタキシープロセスでは均一度が不足し、実務上は青色発光ダイオードプロセス、緑色発光ダイオードプロセス、又は赤色発光ダイオードプロセスを問わず、2インチ以上のウェハ上においては、図1Bに示すように、ウェハの中心のダイ30と縁部のダイ32、33、34とでは、発光ダイオードにおける発光の中心波長にずれが生じる。例えば、青色発光ダイオードについて言えば、中心波長はおよそ440nmであるが、実際には、ウェハの縁部のダイ34直径の一端から他端までの中心波長には30nm~40nmの偏差が生じる可能性があり、それによってダイdieに色ずれが起きてしまう。たとえウェハ中心のダイ30dieであっても、プロセスによってずれが生じる可能性があり、そのロットと前のロットにおいて、ウェハの中心波長が偏移してしまう。従って、LEDダイの半導体製造業者にとって、全ロットのウェハを不良品とするか否か、又は品質管理によって各ダイの発光の色差を測定することで範囲内に入らなかった製品を排除するか否かは、極めて大きな問題である。LEDダイを使用することで照明器具を製造するメーカにとっては、中心波長に僅かな偏移や大きな偏移があることは、許容範囲であるが、若しその他の原色LEDとの組み合わせによって光を生成する必要がある場合、例えばLEDバックライトテレビ、LEDバックライトノートPC、LEDバックライトディスプレイ、LEDバックライト携帯といった装飾又はパターンの生成に係るメーカにとっては、通常その要求が厳しいために、受け入れることができない。特にハイエンドの機種においてはそうである。これに鑑み、本発明は、発光ダイオードの色を純化するのに用いられるウェハレベル発光ダイオード多層フィルタを提供する。本発明は、主にLEDウェハレベルの色純化方法及びLEDウェハの色純化に係る構造を提供することを目的とする。本発明に係る発光ダイオードLEDウェハレベルの色純化方法は、少なくとも以下の工程を含む。即ち、まず従来の半導体プロセスによってLEDウェハを製造する。片面からの発光とするか両面からの発光とするかは制限されない。また、2つの電極はまだ製造されていない。次いで、発光ダイオードLEDウェハレベルを所定の発光の中心波長値を設定する。その後、適切な2種類の透明膜を多層膜として選択する。この2種類の透明膜における好ましい実施例は、一方が低反射率の二酸化ケイ素膜であり、他方が反射率が相対的に高い金属酸化膜であり且つ二酸化ケイ素膜との組み合わせによって堆積時の残留応力が膜数の増加によって増加しないものであり、例えば二酸化チタンを第2の透明膜とする。その後、中心波長、2つの材質の中心波長における反射率、LEDウェハの最上層の材質の反射率、及び最終的な所定の多層の厚さの総厚さ又は光透過率の下限値を含むパラメータに基づいて、上述した2つの透明膜の交互に堆積する場合の所定の厚さの値を計算する。本発明の目的の一つは、既にn型半導体エピタキシャル層、活性層、p型半導体エピタキシャル層のプロセスが完了したLEDウェハを提供する工程と、所定の中心波長値を設定する工程と、二酸化ケイ素を多層膜のうちの第1の透明膜の材質として選択する工程と、反射率が二酸化ケイ素膜よりも高い金属酸化膜を第2の透明膜の材質として選択する工程と、LEDウェハの発光の中心波長値を設定する工程と、第1の透明膜、第2の透明膜が交互に堆積する場合の厚さの所定値を計算し、厚さの所定値は前記中心波長、第1の透明膜、第2の透明膜、LEDウェハの最外層膜の反射率に基づいて、第1の透明膜、第2の透明膜が交互に堆積する場合について各層の厚さの所定値を計算し、反射率は中心波長に対する反射率である工程と、第1の透明膜、第2の透明膜を堆積するとともに、膜の厚さの所定値に基づいて順次交互に堆積する工程と、を備える発光ダイオードウェハレベルの色純化方法を提供することである。また、本発明の目的の一つは、第1の透明膜及び第2の透明膜を備え、LEDウェハの発光の中心波長の波長幅が所定値の±1内となるように交互に90層以上堆積され、又は、中心波長の波長幅が所定値の±3内となるように交互に80層以上堆積され、第1の透明膜は低反射率材料膜層であり、第2の透明膜は高反射率材料膜層である発光ダイオードウェハレベルの色純化に係る構造を提供することである。LEDウェハをイオンプラズマ洗浄し、すぐ後に、イオンプラズマアシスト電子銃堆積技術を用いて、各膜層の所定の厚さに基づいて、第1の透明膜、第2の透明膜を交互に堆積する。最後に、p、n電極を形成し、ウェハをダイdieにダイシングする。従来のウェハでは発光ダイオードプロセスの後に色ずれが生じる問題においては、ウェハの中心から周縁までの発光における中心波長に差異が生じている可能性があり、色ずれが許容範囲を超えると、当該ウェハは不良品と見なされ、廃棄される。また、品質管理において、問題のある製品を排除するか否かの根拠とするために、各ウェハの中心波長について測定しなければならない。本発明は、上述した課題を解決するために、ウェハレベル発光ダイオード多層フィルタ及びその色純化方法を提供する。ウェハ全体の中心波長がいずれも一致する目標波長に調整されると、LEDダイの半導体製造業者は、輝度が悪いものを排除しさえすればウェハ全体の中心波長は1つのみ色ずれを考慮する必要がなく、品質管理が非常に容易となる。下流業者にとっては、使い勝手がより便利となり、LEDバックライトテレビ、LEDバックライトノートPC、LEDバックライトディスプレイ、LEDバックライト携帯の品質が一致するようになる。図1Aは、従来の発光ダイオード構造の横断面を示した図である。下から上へ基板10n型半導体エピタキシャル層を含む、活性層12、透光層15p型半導体層、電流拡散層を含むを有する。p、nが同側の発光ダイオードであれ、p、nが異なる側の発光ダイオードであれ、いずれも本発明に係る方法を応用してLED発光の中心波長を一定値に設定することができる。図2に示すように、本発明に係る構造では、図1Aの最上層15に更に第1の透明膜51と第2の透明膜52とが交互に重ねられた多層フィルタ50が形成されている。好ましい実施例において、第1の透明膜51と第2の透明膜52はそれぞれSiO2及びTiO2である。この2つの材料の反射率はそれぞれ1.45~1.48及び2.2~2.5である。当然ながら、第1の透明膜51はSiO2に限定されず、例えば酸化ジルコニウムZrO2など、その他の金属酸化物又は例えばMgF2などのフッ化物であってもよい。第2の透明膜52は、Ti2O5、Ta2O5、Nb2O5であってよい。上述した第1の透明膜51と第2の透明膜52が具える共通した特色は、第1の透明膜51と第2の透明膜52とでは反射率が異なり、且つ反射率が低いものと高いものとが交互に堆積されることである。また、本発明において堆積される多層フィルタ50は少なくとも数十層、例えば少なくとも八十層以上であるため、交互に重ねる際に先に低い反射率の層を堆積してその後高い反射率の層を堆積するか又は順序をその逆とするかは重要ではない。本発明に係る方法では、ウェハ全体の中心波長がいずれも同じである。例えば、目標波長が440nmである場合、全体でも全て440nmであり、元のLEDウェハ半完成品ここで言う半完成品とは従来のLEDウェハプロセスが全て完了したものであり、ウェハ上のダイの最上部の金属電極が未完成のものを除くのウェハ中心からウェハの周縁に向かって中心波長がどのように変化するかを問わない。本発明に係る方法では、例えばTiO2及びTa2O5などの反射率の高い金属酸化物材料を第1層51又は第2層52としてウェハの最上層にメッキする。ウェハ20の最上層は、1つの実施例においては、透明導体酸化層15であり、例えば酸化インジウムスズITOであり、他の実施例においては、例えばp型エピタキシャル層であり、2元又は4元のエピタキシャル層である。更に、例えばSiO2などの反射率の低い酸化物材料を第2層又は第1層として第1層にメッキする。高反射率と低反射率の2層のメッキ膜を交互に堆積する。ウェハの最上層の反射率は第1層のメッキ膜の厚さに影響を及ぼし、第1層のメッキ膜の厚さ及び反射率は第2層のメッキ膜への入射角に影響を及ぼす。本発明に係る方法によれば、境界条件の設定が必要である。即ち、境界条件の設定としては、1多層膜の最外層の発光の中心波長を設定するとともに、層の数を選択した後、多層膜の全層数、又は2当該中心波長における透過率の下限、例えば透過率の下限を95とすること、又は3透過率を50とした場合は中心波長の±1若しくは2若しくは3の波長幅、を境界条件とする。また、4LEDウェハの発光が第1の透明膜に進入する入射角を境界条件としてもよいが、この入射角は±45度を下回ってはならない。次いで、最外層の反射率及び厚さに基づいて、第2外層について有すべき厚さ及び反射角を推算し、第2外層の反射率、入射角及び厚さに基づいて第3外層が有すべき厚さを推算し、以下これに準ずるものとして、LEDウェハの最上層まで行う。上述した演算は、数式では以下のように表される。本発明の1つの実施例によれば、発光の中心波長が純化されるほど、より多くの膜層が必要となり、1つの実施例においては、百層に達する。従って、計算に際しては、以下の数式をコンピュータプログラムで表し、最終目標である発光の中心波長、許容される波長幅、最外層の所定の厚さ、第1の材料膜層の反射率、第2の材料膜層の反射率、ウェハ基板の反射率をパラメータとして入力しさえすれば、各膜層の所定の厚さを計算することができる。従って、最外層520、第2外層510、第3外層、...ウェハ最上層まで、各層の所定の厚さを全て取得してから、イオンビームアシスト電子銃蒸着法によって多層膜50の堆積を行う。基材と膜層の数学的関係式を行列の形式で表すと、以下のようになる:従って、単一膜層境界面の電磁場の関係は:多層膜をメッキした時、境界面の電磁場の関係は次のように表すことができる:本発明の好ましい実施例によれば、ウェハをプラズマ洗浄する時、イオン源はアルゴンガス流量が45sccmであり、酸素の流量が8sccmであり、電子銃蒸着を行う時は次の通りである。その他の条件は表の通りである。ここで、中和器の作用は、イオン源の電荷を放電中和することであるため、マッチングする比率を有する。若しイオン源の電流値が900mAであれば、中和器のマッチング率は150であり、中和器が放出する電流値は1350mAである。図3は、本発明に係る方法に基づいて、青色LEDウェハ、緑色LEDウェハ及び赤色LEDウェハに対してそれぞれ95層、105層及び120層のフィルタをメッキした後の中心波長のシミュレーション結果を示す。これは、50の光透過率における波長幅を中心波長の2とするという条件を境界条件としてシミュレートしたものである。図4A、図4Bは、多層フィルタ緑色光が105層の場合の交互に重なる2層の各膜厚を示す。図3の結果は図4A、図4B及び図5A、図5Bの条件に基づいてシミュレートしたものである。上述した演算法において、膜層と膜層との間の結合性、膜層ウェハ基板の最外層の結合性は、いずれも考慮しなければならない。本発明の長所は以下の通りである。1本発明ではLEDウェハレベルの色を純化する。換言すれば、発光の中心波長をいずれも同一値に調節する。従って、色を組み合わせて使用する際に極めて便利である。2本発明が提供するLEDウェハレベルの色純化方法によれば、品質管理のコストを低減することができ、品質管理要員は光透過率のみを品質管理の合格基準としさえすればよい。従来のLEDウェハでは色純化が行われず、その後、各ウェハの中心波長について合格するか否かを判定しなければならなかったのに比べ、明らかに本発明の優位性は顕著である。3本発明は青色、赤色及び緑色の色純化に幅広く応用することができる。以上の説明は、本発明の好ましい実施例に過ぎず、本発明の実施可能範囲を限定するものではない。当業者は、本発明に対して適切に行われた若干の変更及び調整は、依然として本発明の主旨を逸するものではなく、また本発明の請求の範囲を逸脱するものでもなく、いずれも本発明の範囲に属するものであることを理解することができる。