"主表面を有する基材と、前記基材の前記主表面上に位置し、光を投光または受光する光半導体素子と、前記基材の前記主表面を覆うとともに前記光半導体素子を封止する光透過性封止層とを備え、前記光透過性封止層の内部に、前記光半導体素子の光軸を囲繞する形状の空隙部を設けることにより、前記光が、前記空隙部と前記光透過性封止層とによって形成される界面のうちの前記空隙部の内周面に相当する部分の界面において反射されるように構成されている、光半導体パッケージ。前記空隙部が、パルス幅が1015秒以上1011秒以下の超短パルスレーザ光を前記光透過性封止層に照射することによって形成されたものである、請求項1に記載の光半導体パッケージ。前記空隙部が、前記光半導体素子を囲繞している、請求項1または2に記載の光半導体パッケージ。前記空隙部が、前記光透過性封止層の厚み方向に沿って前記光半導体素子から遠ざかるにつれてその直径が大きくなる略円錐板状の形状を有している、請求項1から3のいずれかに記載の光半導体パッケージ。前記空隙部の内周面に相当する部分の前記界面が、前記光半導体素子の光軸に対して異なる傾角を有する2つ以上の面にて構成されている、請求項1から4のいずれかに記載の光半導体パッケージ。前記空隙部の内側であってかつ前記基材が位置する側とは反対側に位置する部分の前記光透過性封止層に、前記空隙部と同軸上に配置された筒状の内側付加空隙部がさらに設けられている、請求項1から5のいずれかに記載の光半導体パッケージ。前記空隙部の内側であってかつ前記基材が位置する側とは反対側に位置する部分の前記光透過性封止層に、前記空隙部と同軸上に輪帯化されて配置された複数の筒状の輪帯状付加空隙部がさらに設けられている、請求項1から6のいずれかに記載の光半導体パッケージ。前記空隙部の内側であってかつ前記基材が位置する側とは反対側に位置する部分の前記光透過性封止層に、アレイ状に配置された複数の筒状のアレイ状付加空隙部がさらに設けられている、請求項1から6のいずれかに記載の光半導体パッケージ。前記光透過性封止層は、母材としての光透過性組成物と、前記光透過性組成物中に分散配置された光透過性フィラーとを有し、前記空隙部の外側に位置する部分の前記光透過性封止層に、前記空隙部と同軸上に配置された筒状の外側付加空隙部がさらに設けられている、請求項1から8のいずれかに記載の光半導体パッケージ。前記空隙部の内周面に相当する部分の前記界面と、前記外側付加空隙部と前記光透過性封止層とによって形成される界面のうちの前記外側付加空隙部の内周面に相当する部分の界面との間の距離が、前記光透過性フィラーの直径よりも大きい、請求項9に記載の光半導体パッケージ。請求項1から10のいずれかに記載の光半導体パッケージと、前記光半導体パッケージが実装された実装基板と、前記実装基板が固定されたケーシングとを備えた、光半導体モジュール。前記光半導体モジュールは、光学式センサである、請求項11に記載の光半導体モジュール。請求項1から10のいずれかに記載の光半導体パッケージの製造方法であって、前記光半導体素子を前記基材の前記主表面上に搭載する工程と、前記基材の前記主表面上に搭載された前記光半導体素子を前記光透過性封止層によって封止する工程と、前記光半導体素子の封止後に、パルス幅が1015秒以上1011秒以下の超短パルスレーザ光を前記光透過性封止層に照射することで前記空隙部を形成する工程とを備えた、光半導体パッケージの製造方法。前記空隙部を形成する工程において、前記光半導体素子の位置を検出し、検出した前記光半導体素子の位置に基づいて前記空隙部の形成位置または/および形状を決定する、請求項13に記載の光半導体パッケージの製造方法。前記空隙部を形成する工程において、前記光半導体素子の表面の傾きを検出し、検出した前記光半導体素子の表面の傾きに基づいて前記空隙部の形成位置または/および形状を決定する、請求項13または14に記載の光半導体パッケージの製造方法。前記空隙部を形成する工程において、前記光半導体素子の発光特性または受光特性を検出し、検出した前記光半導体素子の発光特性または受光特性に基づいて前記空隙部の形成位置または/および形状を決定する、請求項13から15のいずれかに記載の光半導体パッケージの製造方法。請求項11に記載の光半導体モジュールの製造方法であって、前記光半導体素子を前記基材の前記主表面上に搭載する工程と、前記基材の前記主表面上に搭載された前記光半導体素子を前記光透過性封止層によって封止する工程と、前記基材を前記実装基板に実装する工程と、前記実装基板を前記ケーシングに固定する工程と、前記光半導体素子の封止後であってかつ前記実装基板を前記ケーシングに固定した後に、パルス幅が1015秒以上1011秒以下の超短パルスレーザ光を前記光透過性封止層に照射することで前記空隙部を形成する工程とを備えた、光半導体モジュールの製造方法。前記空隙部を形成する工程において、前記光半導体素子の位置を検出し、検出した前記光半導体素子の位置に基づいて前記空隙部の形成位置または/および形状を決定する、請求項17に記載の光半導体モジュールの製造方法。前記空隙部を形成する工程において、前記光半導体素子の表面の傾きを検出し、検出した前記光半導体素子の表面の傾きに基づいて前記空隙部の形成位置または/および形状を決定する、請求項17または18に記載の光半導体モジュールの製造方法。前記空隙部を形成する工程において、前記光半導体素子の発光特性または受光特性を検出し、検出した前記光半導体素子の発光特性または受光特性に基づいて前記空隙部の形成位置または/および形状を決定する、請求項17から19のいずれかに記載の光半導体モジュールの製造方法。前記光半導体モジュールは、光学式センサである、請求項17から20のいずれかに記載の光半導体モジュールの製造方法。しかしながら、上記特許文献1に記載の如く、金属製のリフレクタを利用することとした場合には、部品点数が増加したり製造工程が煩雑化したりすることで製造コストが嵩むといった問題や、リフレクタのLEDチップまたはPDチップに対する組付け位置精度を高精度に管理することが困難になるといった問題が生じてしまう。さらには、通常、LEDチップの表面には、電気的接続のためにボンディングワイヤが接続されるが、当該ボンディングワイヤの短絡を防止するためにリフレクタを避けるようにボンディングワイヤを迂回させることが必要になり、光半導体パッケージの薄型化が困難になる問題も生じてしまう。また、ボンディングワイヤを高さのあるループ形状に形成することが困難であるため、必然的にリフレクタの高さを低く設定することが必要になってしまい、そのように設定した場合にはリフレクタによって反射される光の光量が減少することとなってしまい、十分な光の利用効率の向上が見込めない問題も生じてしまう。また、上記特許文献2に記載の如く、光透過性封止層の表面の一部を延設することでリフレクタに相当する部分を形成することとした場合には、当該リフレクタに相当する部分をLEDチップに近接して配置することができないため、十分な光の制御が行なえず、そのため光の利用効率が十分には向上しないといった問題や、金型等を用いてリフレクタに相当する部分の光透過性封止層の形状加工を行なうことが必要になり、組付け位置精度を高精度に管理することが困難になるといった問題が生じてしまう。さらには、当該リフレクタに相当する部分の界面が外部に露出した構成であるため、当該部分に異物が付着した場合等に所望の反射特性が得られない問題も生じてしまう。また、上記特許文献3に記載の如く、光透過性封止層の内部に当該光透過性封止層とは異なる屈折率を有する球状の構造体を埋設することとした場合には、球状の構造体の表面における屈折を利用するのみであるため、十分な光の制御が行なえず、そのため光の利用効率が十分には向上しないといった問題や、当該球状の構造体のLEDチップに対する組付け位置精度を高精度に管理することが非常に困難になるといった問題が生じてしまう。したがって、本発明は、上述した問題点を解決すべくなされたものであり、容易に製造することが可能で小型かつ薄型に構成することができ、さらには光の利用効率の向上が十分に実現できる光半導体パッケージおよびこれを備えた光半導体モジュールならびにこれらの製造方法を提供することを目的とする。本発明に基づく光半導体パッケージは、主表面を有する基材と、上記基材の上記主表面上に位置し、光を投光または受光する光半導体素子と、上記基材の上記主表面を覆うとともに上記光半導体素子を封止する光透過性封止層とを備えており、上記光透過性封止層の内部に、上記光半導体素子の光軸を囲繞する形状の空隙部を設けることにより、上記光が、上記空隙部と上記光透過性封止層とによって形成される界面のうちの上記空隙部の内周面に相当する部分の界面において反射されるように構成されてなるものである。ここで、光半導体素子の光軸を囲繞する形状には、光半導体素子の光軸を全周囲において完全に囲繞する円筒状、円錐板状、角筒状、角錐板状等の各種筒形状や、光半導体素子の光軸を全周囲において完全には囲繞せず、その周方向の一部に途切れた部分を有するような略筒形状等、少なくとも光半導体素子の光軸を囲う部分を有する形状であれば、どのような形状も含まれる。上記本発明に基づく光半導体パッケージにあっては、上記空隙部が、パルス幅が1015秒以上1011秒以下の超短パルスレーザ光を上記光透過性封止層に照射することによって形成されたものであることが好ましい。上記本発明に基づく光半導体パッケージにあっては、上記空隙部が、上記光半導体素子を囲繞していることが好ましい。上記本発明に基づく光半導体パッケージにあっては、上記空隙部が、上記光透過性封止層の厚み方向に沿って上記光半導体素子から遠ざかるにつれてその直径が大きくなる略円錐板状の形状を有していることが好ましい。上記本発明に基づく光半導体パッケージにあっては、上記空隙部の内周面に相当する部分の上記界面が、上記光半導体素子の光軸に対して異なる傾角を有する2つ以上の面にて構成されていてもよい。上記本発明に基づく光半導体パッケージにあっては、上記空隙部の内側であってかつ上記基材が位置する側とは反対側に位置する部分の上記光透過性封止層に、上記空隙部と同軸上に配置された筒状の内側付加空隙部がさらに設けられていてもよい。上記本発明に基づく光半導体パッケージにあっては、上記空隙部の内側であってかつ上記基材が位置する側とは反対側に位置する部分の上記光透過性封止層に、上記空隙部と同軸上に輪帯化されて配置された複数の筒状の輪帯状付加空隙部がさらに設けられていてもよい。上記本発明に基づく光半導体パッケージにあっては、上記空隙部の内側であってかつ上記基材が位置する側とは反対側に位置する部分の上記光透過性封止層に、アレイ状に配置された複数の筒状のアレイ状付加空隙部がさらに設けられていてもよい。上記本発明に基づく光半導体パッケージにあっては、上記光透過性封止層は、母材としての光透過性組成物と、上記光透過性組成物中に分散配置された光透過性フィラーとを有していてもよく、その場合には、上記空隙部の外側に位置する部分の上記光透過性封止層に、上記空隙部と同軸上に配置された筒状の外側付加空隙部がさらに設けられていることが好ましい。また、その場合には、上記空隙部の内周面に相当する部分の上記界面と、上記外側付加空隙部と上記光透過性封止層とによって形成される界面のうちの上記外側付加空隙部の内周面に相当する部分の界面との間の距離が、上記光透過性フィラーの直径よりも大きいことが好ましい。本発明に基づく光半導体モジュールは、上記本発明に基づく光半導体パッケージと、上記光半導体パッケージが実装された実装基板と、上記実装基板が固定されたケーシングとを備えてなるものである。ここで、上記光半導体モジュールには、いわゆる光学式センサが含まれる。本発明に基づく光半導体パッケージの製造方法は、上記本発明に基づく光半導体パッケージを製造するための方法であって、上記光半導体素子を上記基材の上記主表面上に搭載する工程と、上記基材の上記主表面上に搭載された上記光半導体素子を上記光透過性封止層によって封止する工程と、上記光半導体素子の封止後に、パルス幅が1015秒以上1011秒以下の超短パルスレーザ光を上記光透過性封止層に照射することで上記空隙部を形成する工程とを備えている。上記本発明に基づく光半導体パッケージの製造方法にあっては、上記空隙部を形成する工程において、上記光半導体素子の位置を検出し、検出した上記光半導体素子の位置に基づいて上記空隙部の形成位置または/および形状を決定することが好ましい。上記本発明に基づく光半導体パッケージの製造方法にあっては、上記空隙部を形成する工程において、上記光半導体素子の表面の傾きを検出し、検出した上記光半導体素子の表面の傾きに基づいて上記空隙部の形成位置または/および形状を決定することが好ましい。上記本発明に基づく光半導体パッケージの製造方法にあっては、上記空隙部を形成する工程において、上記光半導体素子の発光特性または受光特性を検出し、検出した上記光半導体素子の発光特性または受光特性に基づいて上記空隙部の形成位置または/および形状を決定することが好ましい。本発明に基づく光半導体モジュールの製造方法は、上記本発明に基づく光半導体モジュールを製造するための方法であって、上記光半導体素子を上記基材の上記主表面上に搭載する工程と、上記基材の上記主表面上に搭載された上記光半導体素子を上記光透過性封止層によって封止する工程と、上記基材を上記実装基板に実装する工程と、上記実装基板を上記ケーシングに固定する工程と、上記光半導体素子の封止後であってかつ上記実装基板を上記ケーシングに固定した後に、パルス幅が1015秒以上1011秒以下の超短パルスレーザ光を上記光透過性封止層に照射することで上記空隙部を形成する工程とを備えている。ここで、上記光半導体モジュールには、いわゆる光学式センサが含まれる。上記本発明に基づく光半導体モジュールの製造方法にあっては、上記空隙部を形成する工程において、上記光半導体素子の位置を検出し、検出した上記光半導体素子の位置に基づいて上記空隙部の形成位置または/および形状を決定することが好ましい。上記本発明に基づく光半導体モジュールの製造方法にあっては、上記空隙部を形成する工程において、上記光半導体素子の表面の傾きを検出し、検出した上記光半導体素子の表面の傾きに基づいて上記空隙部の形成位置または/および形状を決定することが好ましい。上記本発明に基づく光半導体モジュールの製造方法にあっては、上記空隙部を形成する工程において、上記光半導体素子の発光特性または受光特性を検出し、検出した上記光半導体素子の発光特性または受光特性に基づいて上記空隙部の形成位置または/および形状を決定することが好ましい。本発明によれば、容易に製造することが可能で小型かつ薄型に構成することができ、さらには光の利用効率の向上が十分に実現できる光半導体パッケージおよびこれを備えた光半導体モジュールならびにこれらの製造方法を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について、図を参照して詳細に説明する。以下においては、本発明が適用された光半導体パッケージを実施の形態1において、本発明が適用された光半導体モジュールを実施の形態2において、本発明が適用された光半導体パッケージの製造方法を実施の形態3ないし5において、本発明が適用された光半導体モジュールの製造方法を実施の形態6において、それぞれ例示して説明する。ここで、実施の形態2および6においては、光半導体モジュールの代表例として、光学式センサの一種である光電センサの投光器を例示して説明する。なお、以下においては、同等のまたは共通する部分について図中同一の符号を付し、その説明は都度繰り返さないこととする。実施の形態1図1は、本発明の実施の形態1における光半導体パッケージの概略斜視図であり、図2は、本実施の形態における光半導体パッケージの平面図および断面図である。なお、図2Aは、光半導体パッケージの平面図であり、図2Bおよび図2Cは、それぞれ図1および図2A中に示すIIB-IIB線およびIIC-IIC線に沿った光半導体パッケージの断面図である。まず、これら図1および図2を参照して、本実施の形態における光半導体パッケージの構造について説明する。図1および図2に示すように、本実施の形態における光半導体パッケージ1Aは、略直方体形状の外形を有しており、実装基板への表面実装が可能な電子部品として構成されたものである。本実施の形態における光半導体パッケージ1Aは、たとえば光電センサの投光器や照明装置に搭載されるものである。図1および図2に示すように、光半導体パッケージ1Aは、基材としてのインターポーザ10と、光半導体素子としてのLEDチップ20と、光透過性封止層30とを主として備えている。光半導体パッケージ1Aは、いわゆるCOBChipOnBoard技術を適用してLEDチップ20をインターポーザ10に直接実装した構成のものである。インターポーザ10は、たとえば平面視略矩形状の平板状のプリント配線基板からなり、好適にはガラスエポキシ基板等の有機基板からなる。インターポーザ10としては、その厚みが概ね0.1mm~0.8mm程度のものが好適に利用できる。インターポーザ10の主表面10aには、ランド11,12が形成されている。これらランド11,12は、LEDチップ20に設けられた一対の電極アノード電極およびカソード電極のそれぞれに電気的に接続される接続電極である。また、インターポーザ10の裏面には、一対のランド13が形成されている。これら一対のランド13は、光半導体パッケージ1Aを実装基板に表面実装する際の接続電極となる。また、インターポーザ10には、主表面10aから裏面に達するように貫通して一対のスルーホール14が設けられている。これら一対のスルーホール14は、導電材料にて埋め込まれており、インターポーザ10の主表面10aに設けられたランド11,12とインターポーザ10の裏面に設けられた一対のランド13とをそれぞれ電気的に接続している。LEDチップ20は、通電されることで発光する発光素子であり、インターポーザ10の主表面10a上に配設されている。より詳細には、LEDチップ20は、インターポーザ10に形成されたランド12上に位置しており、半田層15によってランド12に接合されている。半田層15は、LEDチップ20の裏面に設けられた電極たとえばカソード電極とランド12とを電気的に接続している。また、LEDチップ20の表面には、ループ状に設けられたボンディングワイヤ16の一端が接合されており、ボンディングワイヤ16の他端は、インターポーザ10の主表面10a上に設けられたランド11に接合されている。ボンディングワイヤ16は、LEDチップ20の表面に設けられた電極たとえばアノード電極とランド11とを電気的に接続している。なお、ボンディングワイヤ16としては、好適には金ワイヤが利用できる。LEDチップ20から出射された光は、LEDチップ20から放射状に広がる。すなわち、LEDチップ20の出射光は、LEDチップ20の表面側から発せられるのみならず、LEDチップ20の側面周面からも発せられる。インターポーザ10の主表面10a上には、光透過性封止層30が形成されている。光透過性封止層30は、上述したLEDチップ20、半田層15、ボンディングワイヤ16等をその内部に封止しており、LEDチップ20から出射される光を透過可能な材料にて構成されている。光透過性封止層30は、高分子材料を原料としてたとえば注型やキャスティング等を用いて形成される。ここで、使用される高分子材料としては、好適にはエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー等が利用できる。光透過性封止層30の内部には、空隙部31が設けられている。空隙部31は、LEDチップ20の光軸OAを囲繞する筒状の形状を有しており、好適にはLEDチップ20をも囲繞している。この空隙部31は、たとえばパルス幅が1015秒1フェムト秒以上1011秒10ピコ秒以下の超短パルスレーザ光以下、便宜上これをフェムト秒レーザ光とも称するを光透過性封止層30に照射することによって形成されたものである。フェムト秒レーザ光を用いたレーザ加工は、高分子構造体の内部にフェムト秒レーザ光を照射することで、当該フェムト秒レーザ光が照射された部分において屈折率変化や空孔形成、黒色化等を誘起する加工であり、本実施の形態においては、このうちの空孔形成を利用することで光透過性封止層30の内部に空隙部31を形成する。なお、具体的な加工方法については、後述する実施の形態3ないし6において詳説することとする。空隙部31は、好適には、図示する如く、光透過性封止層30の厚み方向に沿ってLEDチップ20から遠ざかるにつれてその直径が大きくなる略円錐板状の形状に形成される。当該形状の空隙部31を形成するためには、たとえばフェムト秒レーザ光の照射位置を当該形状に沿って走査させればよい。図3は、本実施の形態における光半導体パッケージにおける光の経路を示す模式断面図である。次に、この図3を参照して、本実施の形態における光半導体パッケージにおける光の経路について説明する。図3に示すように、本実施の形態における光半導体パッケージ1Aにあっては、LEDチップ20から出射された光が光透過性封止層30を透過して光透過性封止層30の表面から外部に向けて投光される。その際、光軸OAに対して所定の角度以下の角度をもってLEDチップ20から出射された光は、照射対象領域に向けて投光されることになるが、仮に光透過性封止層30に空隙部31を設けなかった場合には、当該所定の角度よりも大きい角度をもってLEDチップ20から出射された光は、照射対象領域外に向けて投光されることになる。この照射対象領域外に向けて投光された光は、利用されない光となってしまうため、光の取り出し効率を低下させる原因となる。しかしながら、本実施の形態における光半導体パッケージ1Aにあっては、当該所定の角度よりも大きい角度をもってLEDチップ20から出射された光についても、これが、筒状の空隙部31と光透過性封止層30とによって形成される界面のうちの空隙部31の内周面に相当する部分の界面R1において反射されることになり、反射後の光が、光軸OAに対して上記所定の角度以下の角度を有することとなり、照射対象領域に向けて投光されることになる。したがって、上記界面R1が、LEDチップ20から出射された光の一部を反射する反射面リフレクタとして機能することになり、集光能力が高まって光の取り出し効率が飛躍的に向上することになる。また、上述したように、筒状の空隙部31によってLEDチップ20が囲繞されるように構成すればすなわち、LEDチップ20の側面周面に対向する位置にまで筒状の空隙部31の軸方向端部を延設すれば、LEDチップ20から側方に向けて出射された光を上記界面R1によって反射させることが可能となるため、光半導体パッケージ1Aから照射対象領域に向けて出射される光の光量を増加させることも可能になる。したがって、当該観点からも集光能力が高まって光の取り出し効率が向上することになる。また、本実施の形態における光半導体パッケージ1Aにあっては、上述したように、LEDチップ20から出射される光の一部を反射させて経路変更するものであるため、回折や屈折を利用して経路変更するものに比べて、光の経路制御の自由度が増すことにもなる。したがって、設計自由度が大幅に向上し、仕様に応じてより最適化された光半導体パッケージを容易に製造することができることにもなる。また、本実施の形態における光半導体パッケージ1Aにおいては、リフレクタとして機能する上記界面R1が光透過性封止層30の内部に埋設した状態で形成されるため、当該界面R1をLEDチップ20に近接して配置することが可能となって上述した取り出し効率の向上が実現できるとともに、光半導体パッケージ1Aの厚みを従来に比して大幅に薄型化および小型化することもできる。加えて、空隙部31が光透過性封止層30に埋設されているため、当該界面R1が外部に露出することがないため、異物の付着等が防止でき、所望の反射特性を再現性よく得ることもできる。また、本実施の形態における光半導体パッケージ1Aにあっては、空隙部31の形成にフェムト秒レーザ光を用いたレーザ加工を利用しているため、その加工条件を適切に設定することでボンディングワイヤ16に断線等の破損が生じないようにすることも可能である。したがって、ボンディングワイヤ16が上記界面R1と交差しないようにこれを迂回させる必要もなく、そのためボンディングワイヤ16を高さのあるループ形状にする必要もなく、通常の高さのループ形状にでき、その結果、上記界面R1の高さをボンディングワイヤ16によって制限を受けることなく自由に設定でき、光の利用効率の向上と光半導体パッケージ1Aの薄型化とを同時に実現することが可能になる。さらには、本実施の形態における光半導体パッケージ1Aにおいては、金属製のリフレクタを利用する等、別部品を用いてリフレクタを構成する必要がないため、部品点数の削減や組立て工数の削減等が図られ、容易にかつ安価に光半導体パッケージを製造することが可能になる。加えて、空隙部31の形成にフェムト秒レーザ光を用いたレーザ加工を利用しているため、上記界面R1をLEDチップ20に対して高精度に位置決めして形成できるとともに、LEDチップ20の組付け状態や素子特性のばらつき等を考慮して当該界面R1の形成位置や形状を最適化することが可能であるため、製造が容易になるばかりでなく、性能面においてもその向上を図ることが可能になる。なお、この点については、後述する本発明の実施の形態3ないし6において詳説する。このように、本実施の形態における光半導体パッケージ1Aとすることにより、容易に製造することが可能で小型かつ薄型に構成することができ、さらには光の利用効率の向上が十分に実現できる光半導体パッケージとすることができる。したがって、当該光半導体パッケージ1Aを光電センサの投光器に適用すれば、検出距離を長距離化することや、より微小な部品の検出を可能にすることが可能になり、性能面での向上を図ることができる。また、当該光半導体パッケージ1Aを照明装置に適用すれば、正面視した場合に明るい照明装置とすることができる。ここで、本実施の形態における光半導体パッケージ1Aを光電センサの投光器に適用した場合についてさらに詳細に説明すれば、上述したように、光の利用効率を向上させながら照射対象領域に対して出射される光の広がりを抑えることが可能になるため、当該照射対象領域に配置されるレンズの開口数を下げることが可能になる。したがって、上述した検出距離の長距離化が容易に実現できるようになるとともに、投光器からの光を光ファイバに導入するいわゆるファイバ光電センサに適用した場合には、光ファイバにおける結合効率も向上することになる。[実施例]図4は、本実施の形態に従った実施例に係る光半導体パッケージの概略図である。以下においては、当該図4を参照しつつ、具体的な設計事例である実施例について説明する。図4に示す実施例は、LEDチップ20として、空気中における発光特性が、全角120°半角60°、発光面が□0.3mmのものすなわち、一辺の長さW=0.3mmを利用し、光透過性封止層30として、屈折率が1.5の高分子材料を利用し、光透過性封止層30の表面から出射される光の発光特性が、全角60°半角30°となるように設計した場合を示している。なお、上記LEDチップ20を屈折率が1.5の上記光透過性封止層30にて封止した場合には、LEDチップ20の発光特性は、全角70.5°半角35.3°となる。ここでは、光透過性封止層30の内部に空隙部31を設けることによって形成される界面R1のLEDチップ20の光軸OAに対する傾角aを8°に設定し、当該界面R1の光軸OAに沿った軸方向長さここでは、LEDチップ20の表面と同高さの位置から光透過性封止層30の表面近傍に達する部分までの界面R1の長さLを1.7mmに設定し、当該界面R1とLEDチップ20との間の距離ここでは、LEDチップ20と同高さにおける界面R1とLEDチップ20の表面の端部との間の距離Dを0.06mmに設定することとする。この場合、LEDチップ20の表面から出射される光のうち、光軸OAに対する出射角b1が19.5°以下の光については、光透過性封止層30の表面における出射角b2が30°以下となる。したがって、当該光については、上記界面R1で反射されることなくすべて光透過性封止層30の表面から上記条件を充足した光として出射されることになる。一方、LEDチップ20の表面から出射される光のうち、光軸OAに対する出射角b1が19.5°よりも大きく上記半角である35.3°以下の光については、上記界面R1に対して入射角b3が62.7°よりも大きい角度をもって入射することになる。ここで、当該入射角b3は、臨界角以上の角度であるため、全反射条件を充足することになり、上記界面R1に対して入射角b3が62.7°よりも大きい角度をもって入射した光は、界面R1を透過せずにすべて反射されることになる。当該界面R1において、反射角b3が62.7°よりも大きい角度をもって反射された光は、光透過性封止層30の表面に対して入射角b4が19.3°よりも小さい角度をもって入射することになり、入射した当該光については、光透過性封止層30の表面における出射角b5が29.7°以下となる。したがって、本実施例に係る光半導体パッケージにあっては、光透過性封止層30の内部に上述した構成の界面R1が形成されるように空隙部31を設けることにより、空気中においてLEDチップ20から出射角60°以下で出射された光すなわち、LEDチップ20の全角成分内の光が余すことなく出射角30°以下の光すなわち、全角60°以下の光として光透過性封止層30の表面から出射されるように変換されることになる。このように、上述した界面R1の形状や大きさ、配置位置等を適宜調節することにより、飛躍的に集光能力を高めることができるため、光の利用効率の大幅な向上が実現できることになる。<第1変形例>図5は、本実施の形態に基づいた第1変形例に係る光半導体パッケージの模式断面図である。以下においては、この図5を参照して、第1変形例に係る光半導体パッケージについて説明する。図5に示すように、本第1変形例に係る光半導体パッケージ1Bにあっては、光透過性封止層30の内部に、上述した空隙部31に加え、当該空隙部31とは異なる空隙部32が設けられている。空隙部32は、LEDチップ20の光軸OAを囲繞する筒状の形状を有しており、LEDチップ20を囲繞している。当該空隙部32も、空隙部31と同様に、たとえばフェムト秒レーザ光を光透過性封止層30に照射することによって形成されたものであり、図示する如く、略円錐板状の形状に形成されている。空隙部32は、空隙部31のLEDチップ20側の端部近傍に交差するように設けられており、空隙部31とLEDチップ20の光軸OAとが成す角よりもより大きい傾角をもって傾いて形成されている。ここで、筒状の空隙部32と光透過性封止層30とによって形成される界面のうちの空隙部32の内周面に相当する部分の界面R2は、LEDチップ20から側方に向けて出射された光特にLEDチップ20の側面周面から出射された光を反射する反射面リフレクタとして機能する。以上により、本第1変形例に係る光半導体パッケージ1Bにあっては、空隙部31,32の内周面に相当する部分の界面が、LEDチップ20の光軸OAに対して異なる傾角を有する2つの連続した界面R1,R2によって構成されることになり、このうちの界面R2の傾角を界面R1の傾角よりも大きくすることで、LEDチップ20から側方に向けて出射された光を当該界面R2によって反射させて光透過性封止層30の表面に導光することが可能になる。したがって、本第1変形例に係る光半導体パッケージ1Bとすることにより、上述した本実施の形態における光半導体パッケージ1Aとした場合に比べ、さらに照射対象領域に向けて出射される光の光量を増加させることが可能になり、光の取り出し効率の向上が図られる。なお、上記界面R2の光軸OAに対する傾角としては、好ましくは45°程度とする。<第2変形例>図6は、本実施の形態に基づいた第2変形例に係る光半導体パッケージの模式断面図である。なお、図6Aは、LEDチップの光軸を含む平面に沿って光半導体パッケージを切断した場合の断面図であり、図6Bは、図6A中に示すVIB-VIB線に沿った光半導体パッケージの断面図である。以下においては、この図6を参照して、第2変形例に係る光半導体パッケージについて説明する。図6に示すように、本第2変形例に係る光半導体パッケージ1Cにあっては、光透過性封止層30の内部に、上述した空隙部31に加え、内側付加空隙部33が設けられている。内側付加空隙部33は、LEDチップ20の光軸OAを囲繞する筒状の形状を有している。当該内側付加空隙部33も、空隙部31と同様に、たとえばフェムト秒レーザ光を光透過性封止層30に照射することによって形成されたものであり、図示する如く、略円錐板状の形状に形成されている。内側付加空隙部33は、空隙部31の内側であってかつインターポーザ10が位置する側とは反対側に位置する部分の光透過性封止層30にすなわち、光透過性封止層30の表面寄りの部分設けられており、空隙部31と同軸上に配置されている。ここで、筒状の内側付加空隙部33と光透過性封止層30とによって形成される界面のうちの内側付加空隙部33の内周面に相当する部分の界面R3は、LEDチップ20から出射された光の一部を反射する反射面リフレクタとして機能することになる。本第2変形例に係る光半導体パッケージ1Cは、上述した本実施の形態における光半導体パッケージ1Aと比較して、特に光透過性封止層30の厚みのさらなる薄型化を図った場合に好適なものである。すなわち、上述した本実施の形態における光半導体パッケージ1Aにおいて光透過性封止層30をより薄型化した場合には、LEDチップ20の光軸OAの延在方向においてリフレクタとして機能する界面R1の長さを十分に確保することができず、特にLEDチップ20の表面の端部寄りの部分から、直近に位置する部分の界面R1から遠ざかる方向に向けて所定の角度よりも大きい角度をもって出射された光が、界面R1のいずれの部分においても反射されることなく光透過性封止層30の表面に達し、そのまま照射対象領域外に向けて投光されることになってしまう。これに対し、本第2変形例に係る光半導体パッケージ1Cの如くの構成を採用すれば、リフレクタとして機能する界面R1の内側にリフレクタとして機能するさらに他の界面R3が配設されることになり、上述した光についてもこれを界面R3において反射させて照射対象領域に向けて投光させることができる。したがって、本第2変形例に係る光半導体パッケージ1Cとすることにより、上述した本実施の形態における光半導体パッケージ1Aとした場合に比べ、集光能力を落とすことなく、さらなる薄型化および小型化が図られることになる。なお、本第2変形例に係る光半導体パッケージ1Cにおいては、内側付加空隙部33を光透過性封止層30の表面寄りの部分に設けた場合を例示したが、これを光透過性封止層30のインターポーザ10寄りの部分や、光軸OA方向に沿った光透過性封止層30の略中央部付近に配置することとしてもよい。<第3変形例>図7は、本実施の形態に基づいた第3変形例に係る光半導体パッケージの模式断面図である。なお、図7Aは、LEDチップの光軸を含む平面に沿って光半導体パッケージを切断した場合の断面図であり、図7Bは、図7A中に示すVIIB-VIIB線に沿った光半導体パッケージの断面図である。以下においては、この図7を参照して、第3変形例に係る光半導体パッケージについて説明する。図7に示すように、本第3変形例に係る光半導体パッケージ1Dにあっては、光透過性封止層30の内部に、上述した空隙部31に加え、輪帯状付加空隙部34が設けられている。輪帯状付加空隙部34に含まれる個々の空隙部は、LEDチップ20の光軸OAを囲繞する筒状の形状を有している。当該輪帯状付加空隙部34も、空隙部31と同様に、たとえばフェムト秒レーザ光を光透過性封止層30に照射することによって形成されたものであり、図示する如く、その個々の空隙部は、略円錐板状の形状に形成されている。輪帯状付加空隙部34は、空隙部31の内側であってかつインターポーザ10が位置する側とは反対側に位置する部分の光透過性封止層30にすなわち、光透過性封止層30の表面寄りの部分設けられており、空隙部31と同軸上に配置されている。ここで、輪帯状付加空隙部34と光透過性封止層30とによって形成される界面R4は、LEDチップ20から出射された光の一部を反射する反射面リフレクタとして機能することになる。本第3変形例に係る光半導体パッケージ1Dにあっては、上記輪帯状付加空隙部34を設けることによって形成される複数の界面R4に多くの光が入射することになり、当該界面R4によって光が多重反射されて光透過性封止層30の表面に達することになる。そのため、必ずしも全反射条件を充足するように界面R4が設けられていなくとも、多くの光を照射対象領域に向けて投光させることができる。したがって、本第3変形例に係る光半導体パッケージ1Dとすることにより、上述した本実施の形態における光半導体パッケージ1Aとした場合に比べ、さらなる薄型化および小型化が図られることになる。なお、本第3変形例に係る光半導体パッケージ1Dにおいては、輪帯状付加空隙部34を光透過性封止層30の表面寄りの部分に設けた場合を例示したが、これを光透過性封止層30のインターポーザ10寄りの部分や、光軸OA方向に沿った光透過性封止層30の略中央部付近に配置することとしてもよい。<第4変形例>図8は、本実施の形態に基づいた第4変形例に係る光半導体パッケージの模式断面図である。なお、図8Aは、LEDチップの光軸を含む平面に沿って光半導体パッケージを切断した場合の断面図であり、図8Bは、図8A中に示すVIIIB-VIIIB線に沿った光半導体パッケージの断面図である。以下においては、この図8を参照して、第4変形例に係る光半導体パッケージについて説明する。図8に示すように、本第4変形例に係る光半導体パッケージ1Eにあっては、光透過性封止層30の内部に、上述した空隙部31に加え、アレイ状付加空隙部35が設けられている。アレイ状付加空隙部35に含まれる個々の空隙部は、筒状の形状を有している。当該アレイ状付加空隙部35も、空隙部31と同様に、たとえばフェムト秒レーザ光を光透過性封止層30に照射することによって形成されたものであり、図示する如く、その個々の空隙部は、略円錐板状の形状に形成されている。アレイ状付加空隙部35は、空隙部31の内側であってかつインターポーザ10が位置する側とは反対側に位置する部分の光透過性封止層30にすなわち、光透過性封止層30の表面寄りの部分設けられている。ここで、アレイ状付加空隙部35と光透過性封止層30とによって形成される界面R5は、LEDチップ20から出射された光の一部を反射する反射面リフレクタとして機能することになる。本第4変形例に係る光半導体パッケージ1Eにあっては、上記アレイ状付加空隙部35を設けることによって形成される複数の界面R5に多くの光が入射することになり、当該界面R5によって光が反射されて光透過性封止層30の表面に達することになる。そのため、多くの光を照射対象領域に向けて投光させることができる。したがって、本第4変形例に係る光半導体パッケージ1Eとすることにより、上述した本実施の形態における光半導体パッケージ1Aとした場合に比べ、さらなる薄型化および小型化が図られることになる。特に、本第4変形例に係る光半導体パッケージ1Eを、マルチコア光ファイバに光を投光するファイバ光電センサの投光器に具備させ、上記アレイ状付加空隙部35の個々をマルチコア光ファイバのそれぞれのコアに対応付けて配置することとすれば、光ファイバにおける結合効率も飛躍的に向上することになる。なお、本第4変形例に係る光半導体パッケージ1Eにおいては、アレイ状付加空隙部35を光透過性封止層30の表面寄りの部分に設けた場合を例示したが、これを光透過性封止層30のインターポーザ10寄りの部分や、光軸OA方向に沿った光透過性封止層30の略中央部付近に配置することとしてもよい。<第5変形例>図9は、本実施の形態に基づいた第5変形例に係る光半導体パッケージの模式断面図であり、図10は、本変形例に係る光半導体パッケージの要部拡大模式断面図である。以下においては、これら図9および図10を参照して、第5変形例に係る光半導体パッケージについて説明する。図9に示すように、本第5変形例に係る光半導体パッケージ1Fにあっては、光透過性封止層30が、母材としての光透過性組成物41と、当該光透過性組成物41中に分散配置された光透過性フィラー42とを有している。ここで、光透過性組成物41としては、高分子材料が原料として使用され、使用される高分子材料としては、好適にはエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー等が利用できる。また、光透過性フィラー42としては、ガラスフィラーが好適に利用される。当該光透過性フィラー42は、主として、光透過性封止層30とインターポーザ10およびLEDチップ20との間の線膨張係数差に基づいて、各種界面に剥離が生じたり、パッケージ全体に反りが生じたり、ボンディングワイヤ16に断線が生じたりすることを防止するために光透過性封止層30に添加されるものであり、これにより光半導体パッケージの信頼性が向上することになる。光透過性封止層30が光透過性フィラー42を含有している場合には、フェムト秒レーザ光による空隙部31の形成の際に、当該光透過性封止層30に含まれる光透過性組成物41の加工条件では、光透過性フィラー42がその材質の違いに基づいて加工されず、当該光透過性フィラー42が位置する部分において空隙部31が形成されないことになる。そのため、空隙部31を設けることによって形成されたリフレクタとして機能する界面R1に、無数の穴が存在することになり、当該部分において光が反射されずに光透過性フィラー42中を経由して透過してしまう現象が生じる。そこで、本第5変形例に係る光半導体パッケージ1Fにあっては、光透過性封止層30の内部に、上述した空隙部31に加え、外側付加空隙部36が設けられている。外側付加空隙部36は、LEDチップ20の光軸OAを囲繞する筒状の形状を有しており、好ましくはLEDチップ20を囲繞している。当該外側付加空隙部36も、空隙部31と同様に、たとえばフェムト秒レーザ光を光透過性封止層30に照射することによって形成されたものであり、図示する如く、略円錐板状の形状に形成されている。外側付加空隙部36は、空隙部31の外側に位置する部分の光透過性封止層30に設けられており、空隙部31と同軸上に配置されている。ここで、筒状の外側付加空隙部36と光透過性封止層30とによって形成される界面のうちの外側付加空隙部36の内周面に相当する部分の界面R6は、LEDチップ20から出射された光の一部を反射する反射面リフレクタとして機能することになる。上述の如くの構成を採用することにより、図10に示すように、上記界面R1にて反射されずに光透過性フィラー42中を経由して透過した光の多くは、上記界面R1の外側に位置する上記界面R6において反射されることになる。当該界面R6において反射された光のうちの少なくとも一部は、再び空隙部31を跨ぐように位置する光透過性フィラー42中を経由して再び空隙部31の内側に戻されることになる。したがって、本第5変形例に係る光半導体パッケージ1Fとすることにより、光透過性封止層30が光透過性フィラー42を含有している場合に生じる光の取り出し効率の低下を抑制することが可能になる。なお、空隙部31と外側付加空隙部36とを近接配置した場合に、これらの双方に跨って位置する光透過性フィラー42の存在確率が高くなってしまうため、図10に示すように、上記界面R1と上記界面R6との間の距離Aが光透過性フィラー42の直径Bよりも大きくなるように、空隙部31と外側付加空隙部36とが配置することが好ましい。<第6変形例>図11は、本実施の形態に基づいた第6変形例に係る光半導体パッケージの模式断面図である。以下においては、この図11を参照して、第6変形例に係る光半導体パッケージについて説明する。図11に示すように、本第6変形例に係る光半導体パッケージ1Gは、上述した第5変形例に示した特徴的な構成と第3変形例に示した特徴的な構成とを兼ね備えたものである。すなわち、本第6変形例に係る光半導体パッケージ1Gにあっては、光透過性封止層30が光透過性フィラー42を含有しており、光透過性封止層30の内部に、空隙部R1に加えて、輪帯状付加空隙部34と外側付加空隙部36とがさらに設けられている。なお、輪帯状付加空隙部34は、光透過性封止層30の表面寄りの部分に設けられている。光透過性封止層30が光透過性フィラー42を含有している場合には、光透過性組成物41と光透過性フィラー42との屈折率差に基づいて、当該界面において屈折や回折さらには反射が生じ、光透過性フィラー42の含有量が多いほど、LEDチップ20から出射された光は、散乱した状態になる。そのため、照射対象領域により多くの光を照射させるためには、光透過性封止層30の表面により多くの光が達するように構成するとともに、当該光透過性封止層30の表面近傍において光路制御を行なうことが好ましい。したがって、上述した本第6変形例に係る光半導体パッケージ1Gの如くの構成を採用することにより、これら条件がすべて満たされることになるため、光透過性封止層30が光透過性フィラー42を含有している場合に生じる光の取り出し効率の低下を抑制することができ、高い集光能力が実現できる薄型および小型の光半導体パッケージとすることができる。<第7変形例>図12は、本実施の形態に基づいた第7変形例に係る光半導体パッケージの模式断面図である。以下においては、この図12を参照して、第7変形例に係る光半導体パッケージについて説明する。図12に示すように、本第7変形例に係る光半導体パッケージ1Hにあっては、LEDチップ20の光軸OAに対して異なる傾角を有する複数の筒状の空隙部を光軸OAの延在方向に沿って並べて配置することで、全体として筒状の形状を有する空隙部37を構成している。これら複数の空隙部のそれぞれは、たとえばフェムト秒レーザ光を光透過性封止層30に照射することによって形成されたものである。このような構成を採用することとすれば、個々の空隙部の傾きや大きさ、配置位置等を適宜調節することにより、リフレクタとして機能する界面R7の形状を擬似曲面状等に構成することが可能であり、光制御性の設計自由度が高まることになる。<第8変形例>図13は、本実施の形態に基づいた第8変形例に係る光半導体パッケージの模式断面図である。以下においては、この図13を参照して、第8変形例に係る光半導体パッケージについて説明する。図13に示すように、本第8変形例に係る光半導体パッケージ1Iにあっては、光透過性封止層30の表面に凸レンズ38を設けた構成としている。ここで、当該凸レンズ38は、光透過性封止層30の形成時に一体的に設けられるものであり、LEDチップ20から出射される光の集光レンズとして機能する。このような構成を採用することとすれば、筒状の空隙部31を設けることによって形成されたリフレクタとしての機能を有する界面R1と凸レンズ38との組み合わせにより、さらに高い集光能力が実現できる光半導体パッケージとすることができる。ここで、凸レンズ38の形状や大きさ、配置位置、空隙部31の傾きや大きさ、配置位置等を適宜調節することにより、光制御性の設計自由度がさらに高まることにもなる。<第9変形例>図14は、本実施の形態に基づいた第9変形例に係る光半導体パッケージの模式断面図である。以下においては、この図14を参照して、第9変形例に係る光半導体パッケージについて説明する。図14に示すように、本第9変形例に係る光半導体パッケージ1Jにあっては、光透過性封止層30の表面近傍にフレネルレンズ39を設けた構成としている。ここで、当該フレネルレンズ39は、光透過性封止層30の形成時に一体的に設けられるものであり、LEDチップ20から出射される光の集光レンズとして機能する。なお、当該フレネルレンズ39は、空隙部31と同様に、たとえばフェムト秒レーザ光を光透過性封止層30に照射することによって形成されたものである。このような構成を採用することとすれば、筒状の空隙部31を設けることによって形成されたリフレクタとしての機能を有する界面R1とフレネルレンズ39との組み合わせにより、さらに高い集光能力が実現できる光半導体パッケージとすることができる。ここで、フレネルレンズ39の形状や大きさ、配置位置、空隙部31の傾きや大きさ、配置位置等を適宜調節することにより、光制御性の設計自由度がさらに高まることにもなる。実施の形態2図15は、本発明の実施の形態2における光半導体モジュールの分解斜視図である。次に、この図15を参照して、本実施の形態における光半導体モジュールについて説明する。図15に示すように、本実施の形態における光半導体モジュール50は、光半導体パッケージ1Aと、ケース51と、キャップ52と、実装基板53とを備えている。光半導体パッケージ1Aは、上述した本発明の実施の形態1において説明した表面実装が可能な電子部品であり、光透過性封止層30に筒状の空隙部31が形成されてなるものである。なお、本実施の形態における光半導体モジュール50は、たとえば光電センサの投光器である。上述したように、光半導体パッケージ1Aのインターポーザ10の裏面には、ランド13が設けられており、当該ランド13と実装基板53の表面に設けられたランドとが半田を用いて接合されることにより、光半導体パッケージ1Aが実装基板53に実装される。当該光半導体パッケージ1Aが実装された実装基板53は、ケース51の内部に収容されて固定される。ケース51には、キャップ52が取り付けられ、これによりケース51の開口が閉塞される。キャップ52は、光半導体パッケージ1Aから投光される光を外部に向けて透過可能な光透過性の部材にて構成されている。当該キャップ52を構成する光透過性の部材としては、機械的強度の観点から、たとえばポリカーボネート製やアクリル製、ポリアリレート製とすることが好ましい。以上において説明した如くの光半導体モジュール50とすることにより、容易に製造することが可能で小型かつ薄型に構成することができ、さらには光の利用効率の向上が十分に実現できる光半導体モジュールとすることができる。実施の形態3図16は、本発明の実施の形態3における光半導体パッケージの製造方法を実現するための製造装置の構成を示す図である。次に、この図16を参照して、本実施の形態における光半導体パッケージの製造方法について説明する。図16に示すように、本実施の形態における光半導体パッケージの製造方法を実現するための製造装置100Aは、パルス幅が1015秒1フェムト秒以上1011秒10ピコ秒以下の超短パルスレーザ光フェムト秒レーザ光を利用して、光半導体パッケージの光透過性封止層に空隙部を形成するレーザ加工装置である。製造装置100Aは、カメラ101と、照明源108と、レーザ源109と、各種光学系102~105,111~114と、ワーク1Xが載置されるステージ106と、演算処理部120と、メモリ部121と、表示部122と、操作部123と、画像コントローラ124と、照明コントローラ125と、レーザコントローラ126と、ステージコントローラ127と、ステージ駆動機構128とを備えている。カメラ101は、ステージ106上に載置されたワーク1Xを撮像するための手段であり、画像コントローラ124によってその動作が制御される。画像コントローラ124は、カメラ101の動作を制御するとともに、演算処理部120に対して撮像した画像のデータを出力する。なお、カメラ101には、結像レンズ102および対物レンズ105が付設される。ここで、カメラ101に付設される光学系は、無限遠配置共焦点配置されていてもよいし、有限遠配置されていもよい。また、結像レンズ102は、後述するハーフミラー103および誘電体ミラー104よりもカメラ101側に配置されることが好ましい。照明源108は、ステージ106上に載置されたワーク1Xに対して照明光を照射するための手段であり、照明コントローラ125によってその動作が制御される。照明コントローラ125は、照明源108の動作を制御する。なお、照明源108には、ハーフミラー103が付設され、これにより撮像のための光線と照明のための光線とが、同軸落射される。レーザ源109は、ステージ106上に載置されたワーク1Xに対してレーザ光200を照射するための手段であり、レーザ媒質としてたとえばチタンサファイア結晶を含む。当該レーザ源109から発せられるレーザ光200は、上述したフェムト秒レーザ光である。レーザ源109は、レーザコントローラ126によってその動作が制御される。レーザコントローラ126は、演算処理部120の演算結果の入力を受け付け、これに基づいてレーザ源109の動作を制御する。レーザ源109には、NDフィルタ111、アッテネータ112、電磁シャッタ113およびアパーチャ114が付設される。これらNDフィルタ111、アッテネータ112、電磁シャッタ113およびアパーチャ114は、レーザ光200のエネルギーパルスエネルギーや加工パターン、ビーム径等を調整するためのものである。また、レーザ源109には、誘電体ミラー104が付設され、これによりレーザ加工のためのレーザ光と撮像のための光線とが、同軸落射される。なお、対物レンズ105は、レーザ源109から発せられるレーザ光200の対物レンズとしても機能する。ステージ106は、上述したようにワーク1Xが載置されてこれを保持するための保持手段であり、ステージ駆動機構128によってX軸方向、Y軸方向およびZ軸方向からなる並進3軸方向と、Z軸周りの回転方向であるθ方向に駆動される。ステージ駆動機構128は、ステージコントローラ127によってその動作が制御される。ステージコントローラ127は、演算処理部120の演算結果の入力を受け付け、これに基づいてステージ駆動機構128の動作を制御する。演算処理部120は、各種演算を行なうとともに、製造装置100Aの全体を制御する。メモリ部121は、カメラ101、照明源108、レーザ源109およびステージ106等を駆動制御するための各種プログラムやこれらを駆動制御する上で必要になる各種情報等を記憶するための手段である。表示部122は、製造装置100Aの動作状態や加工処理の進捗状況等を表示するための手段である。操作部123は、製造装置100Aに対して命令を入力するための手段である。本実施の形態における光半導体パッケージの製造方法にあっては、ワーク1X中におけるLEDチップの組付け位置をカメラ101を利用して観察し、当該観察結果に基づいて、空隙部を形成すべき位置を決定し、当該位置に空隙部が形成されるようにレーザ源109およびステージ106の駆動を制御してレーザ加工を行なう。具体的には、たとえば以下の手順が採用される。まず、ステージ106上の観察領域内に、未だ空隙部が形成されていないワーク1Xが配置され、照明源108を駆動することで照明光がワーク1Xに対して照射され、この状態においてカメラ101が用いられて画像認識が行なわれる。その際、ステージ106がZ軸方向に沿って駆動されることにより、画像のピントがLEDチップの表面に合うように調整され、ピントが合った後に画像が撮像されてこれが画像認識の対象として利用される。次に、撮像された画像の画像データに基づいて、画像コントローラ124によってLEDチップの中心位置が求められ、当該中心位置の情報が演算処理部120に入力される。演算処理部120は、メモリ部121に記憶されているレーザ光200の加工軸の位置情報と、上記LEDチップの中心位置の情報とに基づいてこれらの差分を算出する。算出された差分の情報は、ステージコントローラ127に入力され、これに基づいてステージコントローラ127は、ステージ駆動機構128を駆動することでレーザ光200の加工軸とLEDチップの中心位置とを合致させる。次に、演算処理部120は、メモリ部121に予め記憶されていた加工プログラムを読み出し、これに基づいてレーザ源109およびステージ106の駆動を制御しつつレーザ加工を行なう。たとえば、空隙形成したい初期位置にレーザ光200の焦点が合致するようにステージ106をX軸方向およびZ軸方向に沿って移動させた後に、ステージ106をθ方向に一回転させつつレーザ照射を行なうことで1層目の空隙部を形成し、次に、X軸方向およびZ軸方向に沿ってステージ106を移動させて空隙形成したい初期位置を変更し、その後ステージ106をθ方向に再度一回転させつつレーザ照射を行なうことで2層目の空隙部を形成する。この動作を繰り返し行なうことにより、所望の形状の空隙部が形成されることになる。以上において説明した本実施の形態における光半導体パッケージの製造方法を採用することにより、画像認識精度、ステージ駆動精度およびレーザ加工精度に基づいて、リフレクタとして機能する界面のLEDチップに対する位置精度を確保することが可能になる。そのため、部品を組み立てる際に生じる組立て誤差が一切含まれないことになり、従来に比して高精度にリフレクタとして機能する上記界面を形成することができる。したがって、光半導体パッケージの光透過性封止層の所望の位置に高精度に空隙部を容易に形成することが可能になり、高性能で性能ばらつきの少ない光半導体パッケージを安価に製造することができるようになる。実施の形態4図17は、本発明の実施の形態4における光半導体パッケージの製造方法を実現するための製造装置の構成を示す図である。次に、この図17を参照して、本実施の形態における光半導体パッケージの製造方法について説明する。図17に示すように、本実施の形態における光半導体パッケージの製造方法を実現するための製造装置100Bは、上述した図16に示す製造装置100Aに比べ、ステージ106上にゴニオステージ107をさらに備えている。ゴニオステージ107は、載置されたワーク1XをY軸周りの回転方向であるα方向に駆動するための手段であり、ステージ106と組み合わされることで並進3軸方向および回転2軸方向のワーク1Xの駆動を可能にする。ゴニオステージ107は、ステージ駆動機構128によってその駆動が制御される。本実施の形態における光半導体パッケージの製造方法にあっては、ワーク1X中におけるLEDチップの組付け位置をカメラ101を利用して観察し、当該観察結果に基づいて、空隙部を形成すべき位置を決定し、当該位置に空隙部が形成されるようにレーザ源109およびステージ106の駆動を制御してレーザ加工を行なう。その際、本実施の形態における光半導体パッケージの製造方法にあっては、LEDチップの表面が傾斜配置されている場合にこれを補正してレーザ加工を行なう。具体的には、上述した実施の形態3における光半導体パッケージの製造方法の手順のうち、画像認識の際に、LEDチップの表面の4つの角のうちの3つの角にピントが合うようにステージ106およびゴニオステージ107が駆動され、当該3つの角にピントが合った状態において残る1つの角と他の角との間の距離を測距し、これに基づいてLEDチップの表面の傾きを求める。その後、ゴニオステージ107を駆動することで当該傾きを補正し、上述した実施の形態3における光半導体パッケージの製造方法の手順に従って、レーザ加工を実施する。以上において説明した本実施の形態における光半導体パッケージの製造方法を採用することにより、上述した実施の形態3において説明した効果に加え、さらに高精度にリフレクタとして機能する界面を形成できる効果が得られる。実施の形態5図18は、本発明の実施の形態5における光半導体パッケージの製造方法を実現するための製造装置の構成を示す図であり、図19は、空隙部が傾斜配置されるようにレーザ加工された光半導体パッケージの断面図である。次に、これら図18および図19を参照して、本実施の形態における光半導体パッケージの製造方法について説明する。図18に示すように、本実施の形態における光半導体パッケージの製造方法を実現するための製造装置100Cは、上述した図17に示す製造装置100Bに比べ、ワーク1Xに含まれるLEDチップを発光駆動するためのLED用ドライバ129をさらに備えている。本実施の形態における光半導体パッケージの製造方法にあっては、ワーク1X中におけるLEDチップの組付け位置をカメラ101を利用して観察し、当該観察結果に基づいて、空隙部を形成すべき位置を決定し、当該位置に空隙部が形成されるようにレーザ源109およびステージ106の駆動を制御してレーザ加工を行なう。その際、本実施の形態における光半導体パッケージの製造方法にあっては、LEDチップの光軸の傾きを検出し、その傾きが許容範囲にない場合に、これが補正されるように空隙部が傾斜配置されるようにレーザ加工を行なう。すなわち、LEDチップの表面が傾斜配置されている場合には、LEDチップの光軸もこれに起因して傾斜配置されることになる。通常、光半導体パッケージが組付けられる光半導体モジュールの筐体等の構成部品と、光半導体パッケージとの位置決めは、光半導体パッケージのインターポーザの裏面を基準に設計されている場合が多い。したがって、上記光軸のずれは、補正されない限り光半導体モジュールにおいても光軸のずれとなって表われてしまう。そこで、本実施の形態における光半導体パッケージの製造方法にあっては、図19に示すように、光半導体パッケージから投光される光の投光軸がインターポーザ10の裏面の法線方向と合致するように、リフレクタとして機能する界面R1の傾角が調整されるように筒状の空隙部31を形成することを可能にするものである。具体的には、上述した実施の形態3における光半導体パッケージの製造方法の手順のうち、画像認識の際に、LED用ドライバ129を用いてLED20を発光駆動させ、その照射強度分布を画像データに基づいて算出し、これに基づいてLEDチップ20の光軸OAの傾きを求める。その後、上述したLEDチップ20の光軸OAと光半導体パッケージの投光軸との傾き分に相当する分だけ、筒状の空隙部31が傾斜して設けられるように、ステージ106およびゴニオステージ107を適宜調節しつつ、レーザ加工を実施する。なお、その際の加工プログラムは、LEDチップ20の光軸OAと光半導体パッケージの投光軸との傾き分に応じてこれが適切に補正されるように予め構築しておけばよい。以上において説明した本実施の形態における光半導体パッケージの製造方法を採用することにより、上述した実施の形態3において説明した効果に加え、さらに高精度にリフレクタとして機能する界面を形成できる効果が得られる。実施の形態6図20は、本発明の実施の形態6における光半導体モジュールの製造方法を実現するための製造装置の構成を示す図である。次に、この図20を参照して、本実施の形態における光半導体モジュールの製造方法について説明する。図20に示すように、本実施の形態における光半導体パッケージの製造方法を実現するための製造装置100Dは、上述した図17に示す製造装置100Bと同様のものである。当該製造装置100Dにあっては、ゴニオステージ107上にワーク50X未だ空隙部が形成されていない光半導体モジュールが載置される点においてのみ、製造装置100Bと相違している。なお、本実施の形態において製造される光半導体モジュールは、たとえば光電センサの投光器である。本実施の形態における光半導体モジュールの製造方法にあっては、ワーク50X中におけるLEDチップの組付け位置をカメラ101を利用して観察し、当該観察結果に基づいて、空隙部を形成すべき位置を決定し、当該位置に空隙部が形成されるようにレーザ源109およびステージ106の駆動を制御してレーザ加工を行なう。その際、本実施の形態における光半導体モジュールの製造方法にあっては、LEDチップの表面が傾斜配置されている場合にこれを補正してレーザ加工を行なうものであり、その具体的な手順は、上述した本発明の実施の形態4における光半導体パッケージの製造方法に準じている。以上において説明した本実施の形態における光半導体モジュールの製造方法を採用することにより、画像認識精度、ステージ駆動精度およびレーザ加工精度に基づいて、リフレクタとして機能する界面のLEDチップに対する位置精度を確保することが可能になる。そのため、部品を組み立てる際に生じる組立て誤差が一切含まれないことになり、従来に比して高精度にリフレクタとして機能する上記界面を形成することができる。したがって、光半導体パッケージの光透過性封止層の所望の位置に高精度に空隙部を容易に形成することが可能になり、高性能で性能ばらつきの少ない光半導体モジュールを安価に製造することができるようになる。なお、本実施の形態における光半導体モジュールの製造方法は、LEDチップの表面が傾斜配置されている場合にこれを補正してすなわち、LEDチップの表面が水平配置されるように補正してレーザ加工を行なうようにした場合を例示したものであるが、LEDチップの光軸の傾きを検出し、その傾きが許容範囲にない場合に、これが補正されるように空隙部が傾斜配置されるようにレーザ加工を行なうこととしてもよい。通常、光半導体モジュールの外部設備等への取付けの際には、光半導体モジュールの外部設備等への取付面通常は、光が投光される投光面とは反対側に位置する筐体背面、すなわち図20に示す場合においては、ワーク50Xのゴニオステージ107側に位置する面が基準面として採用される。そのため、当該基準面とLEDチップの光軸との垂直度が非常に重要になることになる。したがって、当該基準面とLEDチップの光軸との垂直度が確保されるようにするためには、上述した本発明の実施の形態5において説明した光半導体パッケージの製造方法に準じた製造方法を採用して光半導体モジュールを製造すればよい。すなわち、図20を参照して、たとえばゴニオステージ107上に載置されたワーク50Xに含まれるLEDチップをLED用ドライバを用いて発光駆動することで光軸の傾きを求め、その後、LEDチップの光軸の傾き分に相当する分だけ筒状の空隙部が傾斜して設けられるように、ステージ106およびゴニオステージ107を適宜調節しつつ、レーザ加工を実施すればよい。このような光半導体モジュールの製造方法を採用すれば、より高性能で性能ばらつきの少ない光半導体モジュールを安価に製造することができることになる。以上において説明した本発明の実施の形態1ないし6およびその変形例においては、本発明をLEDパッケージおよびLEDモジュールならびにこれらの製造方法に適用した場合を例示して説明を行なったが、指向性の低いすなわち、発光特性の全角が広い光半導体発光素子を光源とするものであれば、どのような光半導体パッケージおよび光半導体モジュールならびにそれらの製造方法であっても、本発明を適用することが可能である。また、以上において説明した本発明の実施の形態1ないし6およびその変形例においては、本発明を光半導体発光素子を含む光半導体パッケージおよび光半導体モジュールならびにこれらの製造方法に適用した場合を例示して説明を行なったが、PDに代表される光半導体受光素子を含む光半導体パッケージおよび光半導体モジュールならびにそれらの製造方法においても、本発明の適用が可能である。すなわち、光電センサの受光器等にも本発明の適用が可能である。また、以上において説明した本発明の実施の形態3ないし6においては、ワークを個別にステージ上に載置して撮像、演算処理、レーザ加工の順で処理する場合を例示して説明を行なったが、複数のワークをステージ上に載置してこれらを個別に上記手順で処理するようにしてもよいし、複数のワークをステージ上に載置してすべてについて撮像を行ない、すべてについて演算処理を行ない、その後にすべてについて順次レーザ加工を行なうようにしてもよい。また、光半導体パッケージの段階においてレーザ加工を行なう場合であって、複数のワークをステージ上に載置する場合には、ダイシング後の光半導体パッケージをステージ上に複数個載置して処理を行なってもよいし、ダイシング前の光半導体パッケージ群をステージ上に載置して処理を行ない、その後にダイシングを行なうこととしてもよい。また、以上において説明した本発明の実施の形態3ないし6においては、単一の製造装置において、撮像、演算処理、レーザ加工が実施されるように構成した場合を例示したが、たとえばこれらを分離した製造装置にて構成し、リードタイムを短縮することも当然に可能である。また、以上において説明した本発明の実施の形態1ないし6およびその変形例において示した特徴的な構成は、本発明の目的に照らして許容される範囲で相互に組み合わせることが当然に可能である。このように、今回開示した上記各実施の形態およびその変形例はすべての点で例示であって、制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって画定され、また特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。"