"電磁波の透過、屈折、反射、放射、又は、入射を制御する電磁波制御装置において、基板の面上に設けられ、磁場又は電場により吸引力又は斥力を受け、前記基板上で流動可能な第1流動性材料と、磁場又は電場により吸引力も斥力も受けないか、又は、磁場又は電場により前記第1流動性材料に作用する力とは反対向きの力を受ける、前記基板上で流動可能な第2流動性材料とから成る流動性材料と、前記流動性材料を流動可能に前記基板の面上に封止する封止部材と、前記基板の面上における磁場分布又は電場分布を可変発生させる場分布発生装置と、を有し、前記場分布発生装置により任意の磁場分布又は電場分布を前記基板の面上に発生させて、その発生された磁場分布又は電場分布に沿って前記第1流動性材料を移動させることにより、電磁波の透過、屈折、反射、放射、又は、入射を制御することを特徴とする電磁波制御装置。前記第1流動性材料は磁性粉末を分散させた流体材料又は磁性流体材料であり、前記第2流動性材料は非磁性流体材料であり、前記場分布発生装置は磁場分布を発生させる装置であることを特徴とする請求項1に記載の電磁波制御装置。前記第1流動性材料は液体金属であり、前記第2流動性材料は誘電体液体であることを特徴とする請求項1に記載の電磁波制御装置。前記第1流動性材料は油性材料であり、前記第2流動性材料は親水性材料であり、前記場分布発生装置は前記基板の面上に形成された疎水性膜であって、その膜上に前記流動性材料が配置され、電界の印加により疎水性から親水性に変化する疎水性膜を有し、この疎水性膜に電場分布を発生させる装置であることを特徴とする請求項1に記載の電磁波制御装置。前記第1流動性材料は電荷の帯電が可能な流動性材料であり、前記第2流動性材料は電荷を帯電しない流動性材料であって、前記場分布発生装置は電場分布を発生させる装置であることを特徴とする請求項1に記載の電磁波制御装置。前記第1流動性材料は分極の大きな流動性材料であり、前記第2流動性材料は分極が前記第1流動性材料よりも小さな流動性材料であって、前記場分布発生装置は電場分布を発生させる装置であることを特徴とする請求項1に記載の電磁波制御装置。前記第1流動性材料は正電荷を荷電した粒子を含む流動性材料であり、前記第2流動性材料は負電荷を荷電した粒子を含む流動性材料であって、前記場分布発生装置は電場分布を発生させる装置であることを特徴とする請求項1に記載の電磁波制御装置。前記第1流動性材料と前記第2流動性材料とは、それらの誘電率が前記電磁波に対する影響に差を与える程度に異なっていることを特徴とする請求項1乃至請求項7の何れか1項に記載の電磁波制御装置。前記第1流動性材料と前記第2流動性材料とは、それらの透磁率が前記電磁波に対する影響に差を与える程度に異なっていることを特徴とする請求項1乃至請求項8の何れか1項に記載の電磁波制御装置。ところが、上記の従来技術では、形状や配置を空間的に変化させているが、その変化量において、駆動方式や用いている材料の制御性に問題があり、十分に形状を変化させることができなかった。また、これまでは、ある物理量に関する構造最適化技術が十分でなく、どのような形状をとるのが最適であるのかもわかっていなかった。また、上記特許文献1によるエレクトロウエッティング法を用いた電子ペーパ応用においては、画素内での複数材料の分布を変化させ、ある観測方向からの反射スペクトルを変化させる構成となっている。画素サイズは、ディスプレイとして認識する際には、十分小型であるが、対象とする光の波長に比べて、十分大きなサイズである。このため、画素が十分小さいものの、原理的に画素内部に、油の液溜がある構成となっており、その部分が望ましくない干渉等の作用を及ぼすことがああり、素子性能を下げることがある。また、上記特許文献2、3の技術による焦点可変の液体レンズにおいては、液体レンズのサイズは、光の波長より大きい。しかし、液滴の性質上、レンズサイズを大きくすることができず、制御できる光のビーム径が、数mm以下と制限される。液体レンズをアレイ化した場合、額縁が電磁波ビームと干渉して、問題を起こすことがある。また、上記特許文献4の流体を用いた容量可変のMEMSデバイスでは、液体の出し入れによって、キャパシタ容量などの電気的な特性を可変にできるが、固定部と流体の可動部から構成されており、その形状変形の自由度に制限がある。何れの技術においても、流動性材料の配置や形状変化が、限定的であった。このため、必要な特性を得るまでには至っていない。電気抵抗や磁気抵抗などは、半導体や磁性材料の開発により、様々な素子により制御されてきた。しかし、空間の誘電率を変化させる必要のある電磁波や熱などの伝播や放射の制御に関しては、効果的に制御できる素子の開発が遅れている。そこで、本発明の目的は、簡単な構造で電磁波の透過、屈折、反射、放射、又は、入射の角度や大きさを制御できる装置を実現することである。上記課題を解決するための第1の発明は、電磁波の透過、屈折、反射、放射、又は、入射を制御する電磁波制御装置において、基板の面上に設けられ、磁場又は電場により吸引力又は斥力を受け、基板上で流動可能な第1流動性材料と、磁場又は電場により吸引力も斥力も受けないか、又は、磁場又は電場により第1流動性材料に作用する力とは反対向きの力を受ける、基板上で流動可能な第2流動性材料とから成る流動性材料と、流動性材料を流動可能に基板の面上に封止する封止部材と、基板の面上における磁場分布又は電場分布を可変発生させる場分布発生装置と、を有し、場分布発生装置により任意の磁場分布又は電場分布を基板の面上に発生させて、その発生された磁場分布又は電場分布に沿って第1流動性材料を移動させることにより、電磁波の透過、屈折、反射、放射、又は、入射を制御することを特徴とする電磁波制御装置である。上記電磁波には光も含まれる。電磁波を入射させる方向は、基板の面に平行、すなわち、基板の側面から入射し、他の側面から放射させる場合、面に垂直又は任意の入射角で入射させて反射させる場合、面に垂直又は任意の入射角で入射させて、裏面側から放射させる場合など任意である。また、本電磁波制御装置は、有線により高周波信号を供給して、電磁波を放射する放射アンテナ、電磁波を入射して有線に高周波信号を出力する受信アンテナなどであっても良い。上記発明において、第1流動性材料は磁性粉末を分散させた流体材料又は磁性流体材料であり、第2流動性材料は非磁性流体材料であり、場分布発生装置は磁場分布を発生させる装置とすることができる。磁性粉末には、フエライト、BaFeO3などの磁性酸化物、SmCo5、SmCo17、Nd2Fe14Bなどの異方性希土類磁性材料、その他のNd-Fe-B系材料、Nd-Fe-Bに他の希土類元素を含んでいたり、その他の添加元素を含んでいたりする材料を用いることができる。更に、Nd以外の希土類元素を含んだ材料、例えば、Sm-Fe-N系材料、SmCo系材料、または、Nd-Fe-B系材料とこれらの混合物質を用いることができる。また、磁性粉末と界面活性剤とを用いた磁性流体を用いることができる。磁性流体には、水、炭化水素系オイル及びフッ素系オイルを媒体するものがある。また、第1流動性材料は液体金属であり、第2流動性材料は誘電体液体を用いることができる。また、第1流動性材料は油性材料であり、第2流動性材料は親水性材料であり、場分布発生装置は基板の面上に形成された疎水性膜であって、その膜上に流動性材料が配置され、電界の印加により疎水性から親水性に変化する疎水性膜を有し、この疎水性膜に電場分布を発生させる装置とすることができる。電場の印加により疎水性膜は親水性となり、第2流動性材料が疎水性膜に引き寄せられる結果、第1流動性材料は排斥されて一箇所に集中する。したがって、結果的に、第1流動性材料は、電場の分布により斥力を受けて移動し、第2流動性材料は、第1流動性材料とは反対向きの力を受けるものと見做すことができる。この発明は、エレクトロウェッティングを用いて、誘電率、透磁率の平面分布や、容量の平面分布を発生させるものである。また、第1流動性材料は電荷の帯電が可能な流動性材料であり、第2流動性材料は電荷を帯電しない流動性材料であって、場分布発生装置は電場分布を発生させる装置としても良い。また、第1流動性材料は分極の大きな流動性材料であり、第2流動性材料は分極が第1流動性材料よりも小さな流動性材料であって、場分布発生装置は電場分布を発生させる装置としても良い。また、第1流動性材料は正電荷を荷電した粒子を含む流動性材料であり、第2流動性材料は負電荷を荷電した粒子を含む流動性材料であって、場分布発生装置は電場分布を発生させる装置としても良い。また、第1流動性材料と第2流動性材料とは、それらの誘電率が電磁波に対する影響に差を与える程度に異なっていることが望ましい。これにより、電磁波に対する各種の特性を変化させることができる。また、第1流動性材料と第2流動性材料とは、それらの透磁率が電磁波に対する影響に差を与える程度に異なっていることが望ましい。この場合にも、電磁波に対する各種の特性を変化させることができる。電磁波の伝播や放射を制御するためには、空間において、所望の物性値誘電率、透磁率、容量、インダクタンスなどを変化させる必要があるが、本発明において、電場又は磁場に感応する第1流動性材料と、電場又は磁場の感応が低い第2流動性材料とを用いているので、電場分布と磁場分布を発生させることにより、第1流動性材料をその分布に沿わせて分布させることで、物性値の分布を容易に生成することができる。これにより、この物性値の分布に電磁波を作用させることにより、電磁波の各種の特性を制御することができる。また、物性値の分布は、電磁界解析による構造最適化手法を用いることで、予め求めることができる。以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。実施例1の電磁波制御装置1は、ミリ波周波数76GHzの伝播を制御する装置である。本電磁波制御装置1は、波源からのミリ波ビームをある焦点に収束させたり、ミリ波ビームを2つに分けたり、平面波として指向性を鋭角化させることができる装置である。図1に示すように、実施例1の電磁波制御装置1は、基板22の面上に第1流動性材料10と第2流動性材料11との混合から成る流動性材料12が設けられている。また、2次元アレイ配列されたマイクロコイル21を表面に有し、内部に、x,yアドレスを指定して、そのアドレスにより選択されたマイクロコイル21に通電する駆動回路ICを有した基台20を有している。マイクロコイル21の軸は基板22の表面に垂直である。上記の流動性材料12を配置した基板22は、このマイクロコイル21の2次元アレイを表面に有した基台20上に載置されている。また、図2に示すように、流動性材料12の上面を覆い、基板22の上面との間において、流動性材料12を流動可能に封止するパレリン膜から成る封止膜13が形成されている。パリレン膜には、弾力性があるため、内部の流動性材料12の配置がかわっても、全体の形状を保持することができる。第1流動性材料10は、例えば、NbFeB系の磁性ナノ粒子を分散させた親油性流体であり、第2流動性材料11は、例えば、水などの親水性の流体である。第1流動性材料10の誘電率は、第2流動性材料に比べて十分に高い。本実施例では第1流動性材料10の比誘電率は2.2である。次に、本実施例の電磁波制御装置1の作用について説明する。図1に示すように、外部からミリ波ビームEHを基板22の側面22aからx軸方向に入射させて、他方の側面22bから出射させて、電磁波を一つの焦点に収束させる場合、電磁波を2本のビームに分離する場合、電磁波を平面波として側面22bから垂直前方に出射させる場合について説明する。マイクロコイル21の2次元アレイのx,yアドレスを選択して、選択されたマイクロコイル21に通電して、所定のパターンの磁場分布を生成する。すると、流動性材料12のうち、磁性体である第1流動性材料10はこの磁場に吸引されて、基板22の表面上に生成された磁場分布にしたがって分布することになり、第2流動性材料11は第1流動性材料10が存在しない領域に排斥される。この結果、基板22の表面上に形成された磁場分布に沿って、高透磁率μ且つ高誘電率εの第1流動性材料10が分布し、低透磁率且つ低誘電率の第2流動性材料11はその他の領域に分布することになる。所定の波源の位置から放射されたミリ波電磁波EHを基板22の側面22aからx軸方向に入射させた時に、他方の側面22bからx軸方向に出射するミリ波ビームを焦点に収束させる場合について説明する。この状況が得られるように、予め電磁界解析により基板22の面上のμ,ε分布を演算しておく。そして、その分布が得られるように、マイクロコイル21のx,yアドレスを指定して、マイクロコイル21に通電する。図3に、基板22の面上の第1流動性材料10の分布を示す。基板22の大きさは幅y軸が3cm、電磁波の通過幅x軸が0.9cmである。黒色部分が第1流動性材料10が存在している部分である。図4はビームの伝搬の様子を示している。波源A1から出射されたミリ波ビームは、基板22の側面22aから入射して、他方の側面22bから屈折して出射し、焦点B1に収束していることが理解される。次に、所定の波源の位置から放射されたミリ波電磁波EHを基板22の側面22aからx軸方向に入射させた時に、他方の側面22bからx軸方向に出射するミリ波ビームを2本のビームに分離する場合について説明する。この状況が得られるように、予め電磁界解析により基板22の面上のμ,ε分布を演算しておく。そして、その分布が得られるように、マイクロコイル21のx,yアドレスを指定して、マイクロコイル21に通電する。図5.Aに示すように、2本のミリ波ビームは2本に分離していることが理解される。次に、所定の波源の位置から放射されたミリ波電磁波EHを基板22の側面22aからx軸方向に入射させた時に、他方の側面22bからx軸方向に出射するミリ波ビームを平面波として側面22bから垂直前方に出射させる場合について説明する。この状況が得られるように、予め電磁界解析により基板22の面上のμ,ε分布を演算しておく。そして、その分布が得られるように、マイクロコイル21のx,yアドレスを指定して、マイクロコイル21に通電する。図5.Bに示すように、他方の側面22bからその側面22bに垂直な方向に平面ミリ波ビームが得られていることが理解される。なお、上記実施例において、磁性粉末には、マグネタイトFe3O4、マンガンフェライトMnFe2O4、BaFeO3などの磁性酸化物、SmCo5、SmCo17、Nd2Fe14Bなどの異方性希土類磁性材料、その他のNd-Fe-B系材料、Nd-Fe-Bに他の希土類元素や、その他の添加元素を含んでいる材料を用いることができる。さらに、磁性粉末には、Nd以外の希土類元素を含んだ材料、例えば、Sm-Fe-N系材料、SmCo系材料、又は、Nd-Fe-B系材料とこれらの混合物質を用いることができる。第1流動性材料10に用いる親油性流動体には、各種のオイル、炭化水素例えば、イソパラフィン、アルキルナフタレンなどやフッ素系オイルパーフルオロポリエタノールなどの液体を用いることができる。また、第2流動性材料11には、水、空気、イオン性液体例えば、イミダゾール誘導体、ブチルメチルイミダゾール誘導体、ピリジニウム誘導体、脂肪族系誘導体、ホスホネート誘導体などのイオン性液体を用いることができる。イオン性液体は、水やオイルに溶けないので、第2流動性材料として適している。また、第1流動性材料10に荷電粒子を含む流動性材料、第2流動性材料11には荷電粒子を含まない流動性材料を用いても良い。この場合には、マイクロコイル21に換えて、電場分布を基板22の上面に形成させるための電極の2次元アレイを用いれば良い。電場分布にしたがって、第1流動性材料10が移動するので、上記のようにμ,ε分布を基板22の上面に形成することができる。また、第1流動性材料10は、帯電可能な粒子を含む材料、第2流動性材料11には帯電しない流動性材料を用いても良い。この場合には、初期条件として、電極の2次元アレイの全てに一定の電圧を印加して、第1流動性材料10に含む帯電可能粒子に帯電させた後に、基板22の上面に所定の電場分布を形成すれば良い。また、第1流動性材料10に正電荷を帯電させた流動性材料、第2流動性材料11には負電荷を帯電させた粒子を含む流動性材料を用いても良い。この場合には、電場分布を基板22の上面に形成させるための電極の2次元アレイを用いて、正電位と負電位との分布を形成すれば良い。負電位の領域には第1流動性材料が吸引され、正電位の領域には第2流動性材料が吸引されることになる。そして、第1流動性材料と第2流動性材料とで、透磁率と誘電率を異ならせれば、上記のようにμ,ε分布を基板22の上面に形成することができる。上記において、荷電粒子の材料、帯電可能な粒子の材料としては、樹脂の例としては、ウレタン樹脂、ウレア樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、アクリルウレタン樹脂、アクリルウレタンシリコーン樹脂、アクリルウレタンフッ素樹脂、アクリルフッ素樹脂、シリコーン樹脂、アクリルシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、スチレンアクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ブチラール樹脂、塩化ビニリデン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスルフォン樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリアミド樹脂等が挙げられ、2種以上混合することができる。特に、粉砕および球状化を行う観点から、スチレンアクリル樹脂、アクリル樹脂、アクリルフッ素樹脂、ポリスチレン樹脂が望ましい。また、必要に応じて、荷電制御剤、着色剤、無機添加剤等を混合させることができる。正帯電性の荷電制御剤としては、ポリアミン樹脂、3級アミノ基含有共重合体、及び4級アンモニウム塩基含有共重合体等の荷電制御樹脂、イミダゾール化合物、ニグロシン染料、4級アンモニウム塩、並びにトリアミノトリフェニルメタン化合物等を用いることができる。負帯電性の荷電制御剤としては、スルホン酸基含有共重合体、スルホン酸塩基含有共重合体、カルボン酸基含有共重合体、及びカルボン酸塩基含有共重合体等の荷電制御樹脂、並びにCr、Co、Al、及びFe等の元素記号で表される金属を含有するアゾ染料、サリチル酸金属化合物、並びにアルキルサルチル酸金属酸化物等がある。荷電制御剤の中でも、荷電制御樹脂を用いることが好ましい。荷電粒子は、これらの材料を予め帯電させることにより実現される。また、帯電可能な粒子には、初期条件として、電極の2次元アレイの全てに一定の正、又は、負の電圧を印加することで、第1流動性材料を帯電させ、又は、正の電圧と負の電圧を印加して第1流動性材料、第2流動性材料を帯電させる。帯電しない流動性材料としては、金属微粒子、In2O3、SnO2、などの導電性酸化物、表面を導電性処理した樹脂材料を用いることができる。また、第1流動性材料10に分極粒子を含む流動性材料、第2流動性材料11に無分極分子から成る流動性材料を用いても良い。この場合にも基板22の面上の電波分布にしたがって、第1流動性材料10は分布することになる。分極粒子としては、外部から電界を与えなくとも自発的な分極を有している焦電体や強誘電体材料が適している。例えば、チタン酸ジルコン酸鉛PZT、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛PLZT、チタン酸バリウムBaTiO3、ビスマス鉄酸化物BiFeO3、PVDFボリフッ化ビニリデンなどを用いることができる。無分極粒子としては、帯電しない材料である金属微粒子、In2O3、SnO2などの導電性酸化物、表面を導電性処理した樹脂材料を用いることができる。本実施例2は、電磁波制御装置は放射アンテナである。第1流動性材料10には液体金属を用いた。室温で液体の金属としては、ガリウム、インジウム、スズの合金であるガリンスタンと呼ばれる液体金属融点-19°Cを用いることができる。使用する温度によって、組成を変化させて最適な融点を調整することが可能である。また、封止された状態で用いる場合には、水銀融点-39°Cを用いることも可能である。使用温度が高い場合には、ウッドメタル融点70°Cやローズ合金融点100°Cをどの合金を用いることもできる。基板22の面上に、実施例1と同様に所望の磁場分布を形成する。本実施例では、基板22の面上に形成される平面金属体の形状を変化させている。そして、この平面金属体をパッチアンテナとして用いて、この平面金属体に高周波を供給して、平面金属体を放射アンテナとしたものである。図6には、基板22の面上に形成される平面金属体が正方形の場合を示している。この場合には、正面に指向性を有する放射特性が得られている。また、図7に示すように、基板22の面上の磁場分布を変化させて第1流動性材料10の分布を制御して、平面金属体の形状を図示するように、順次変化させた。図7のaの形状の場合には、正面に指向性が強く、その放射電磁波の周波数は4.5GHzであり、bの形状の場合には、30度に指向性が強く、その放射電磁波の周波数は4.5GHzであり、cの長方形の形状の場合には、正面に指向性が強く、その放射電磁波の周波数は6.0GHzであることが理解される。このアンテナの反射損失の周波数特性を図8に示す。このように、数GHzの電磁波の放射を、パッチアンテナを構成する第1流動性材料の形状を変えることで制御することができる。十分に形状変化の応答速度が速いと、複数の性能を合わせ持つアンテナが構成できることになる。第1流動性材料の構造変化が十分早くなると例えば10kHz以上、指向性をこの応答速度で変化させることができるので、空間的に違った方向に、違った情報を送れる可能性がでてきる。応答速度は、デバイスの応用先を広げる重要な要素となる。本実施例3の電磁波制御装置は、エレクトロウェッティング技術を用いた電磁波制御装置である。全体の構成は図9に示すように構成されている。基台30の上に誘電体層34が形成されており、その誘電体層34の上に、電磁波の入射方向であるx軸方向に伸びた短冊状の列電極33がy軸方向に周期的に形成されている。また、装置の上面に形成された封止層38の上面には、y軸方向に伸びた短冊状の行電極31がx軸方向に周期的に形成されている。列電極33と行電極31とは、相互に直交する方向に配列されている。列電極33のyアドレスと、行電極31のxアドレスを選択することで、選択された両電極間にのみ電圧を印加することができる。列電極33の上面と、隣接する列電極33の間の誘電体層34の上面上には、疎水性誘電体膜35が形成されており、その疎水性誘電体膜35の上には、第1流動性材料10と第2流動性材料11からなる流動性材料が配設されている。第1流動性材料10と第2流動性材料11を封止するための封止膜38が基台30の上方を覆っている。第1流動性材料10には油性の高誘電率の液体、第2流動性材料11には水を用いた。基台30、誘電体層34、列電極33、疎水性誘電体膜35が、基板に相当し、疎水性誘電体膜35が基板の上面に相当する。次、本電磁波制御装置の作用について説明する。xアドレスとyアドレスを選択して、所定の行電極31と列電極22に電圧を印加する。すると、疎水性膜35のうち電圧が印加された領域は、親水性に変化させることかできる。この結果、この親水性に変化した領域には第2流動性材料11の水が集められ、油性の第1流動性材料10は、電圧が印加されていない領域に排斥される。これにより、基板の面上にμ,εの平面分布を形成することができる。図10のbに示すように、電圧が印加されていない領域に、第1流動性材料10が盛り上がり、厚くなる。この結果、この領域の静電容量を大きくすることができる。このようなμ,εや静電容量の分布により、入射する電磁波を屈折させたり、反射させたり、放射する電磁波の方向を制御することができる。次に実施例4の電磁波制御装置について説明する。基板40の上にITOから成る透明導電膜である、y軸方向に伸びた短冊状の行電極43がx軸方向に周期的に形成されている。行電極43の上面には、各ピクセル毎に、リング形状の疎水性膜42がy軸方向に周期的に形成されている。また、装置の上面に形成されたパリレン膜から成る封止層41の上面には、x軸方向に伸びた短冊状の金薄膜から成る列電極44がy軸方向に周期的に形成されている。封止層41と行電極43との間に、第1流動性材料10と第2流動性材料11とが混合された流動性材料が封止されている。1つのピクセルでは、流動性材料は半球状に盛り上がり、封止膜41と列電極44とは半球面状となっている。装置全体では、この半球面状の列電極44と封止膜41とがx軸方向に連続していることになる。次に、本電磁波制御装置の作用について説明する。列電極44のyアドレスと、行電極43のxアドレスを選択することで、選択された両電極間にのみ電圧を印加することができる。選択されずに両電極間に電圧が印加されていないセルでは、図12のbに示すように、第1流動性材料10と第2流動性材料11とが混合された状態であるので、セルの高さは初期値になっている。一方、選択された列電極44と行電極43との間に存在する疎水性膜42に電界が印加されて、疎水性膜42は帯電されるので、親水性に変化する。この結果、この変化した膜の近くに第2流動性材料11が他の電圧が印加されていないセルから引き寄せされるので、第1流動性材料10を半球の中心軸方向に排斥する。この結果、セルの中心部では、第1流動性材料10が盛り上がることになり、列電極41の曲率半径が大きくなる。この列電極41に電磁波を導波路45を介して供給することで、放射する電磁波の指向性を制御することができる。前記全実施例では、電磁波の透過波の屈折角や放射角を制御するものであったが、基板の側面や面から電磁波を入射して電磁波の透過波の屈折角、放射角、反射角を制御するものであっても良い。また、同様に、透磁率や誘電率をの分布を制御することにより、透過、反射する電磁波の大きさを制御することも可能である。場分布発生装置は磁場や電場を発生する装置であり、上記実施例ではマイクロコイル21及びマイクロコイルに選択的に通電する回路、また、行電極31、43、列電極33、44や行電極、列電極を選択して電圧を印加する回路から構成されている。"