"基板上に、第1のミラーと第2のミラーとによって共振器が構成され、前記共振器を構成する前記第1のミラーと前記第2のミラーとの間に設けられた第1の活性層と、前記第1の活性層と前記第1のミラーとの間に設けられた第2の活性層と、を有する発振波長λの垂直共振器型面発光レーザであって、前記共振器における実効的な共振器長をLとするとき、前記第1の活性層は、前記実効的な共振器長Lを構成する実効共振器の端から3L/8~5L/8となる第1の領域内であって、かつ、前記発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置され、前記第2の活性層は、前記実効共振器の端から3L/8M~5L/8MMは2以上の整数となる第2の領域内であって、かつ、前記発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置されていることを特徴とする垂直共振器型面発光レーザ。前記実効的な共振器長Lは、前記第1のミラーと前記第2のミラーとで構成された前記共振器の共振器長であるL1と、前記第1のミラーへの光の侵入長であるL2と、前記第2のミラーへの光の侵入長であるL3との和であることを特徴とする請求項1に記載の垂直共振器型面発光レーザ。前記共振器は、6λ以上の光学厚さを有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の垂直共振器型面発光レーザ。前記第2の活性層は、前記実効共振器の端から3L/16~5L/16となる前記第2の領域内であって、かつ、前記発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置されることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の垂直共振器型面発光レーザ。前記第1の活性層は、前記実効共振器の端からL/2の位置に最も近い前記発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置されることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の垂直共振器型面発光レーザ。前記第2の活性層は、前記実効共振器の端からL/2MMは2以上の整数の位置に最も近い前記発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置されることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の垂直共振器型面発光レーザ。前記垂直共振器型面発光レーザは、実効屈折率をnとし、縦モード間隔をΔλNとし、該ΔλNがλ2/2nLにより求められるとき、前記縦モード間隔ΔλNが5nm以下とされていることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の垂直共振器型面発光レーザ。前記第2の活性層と前記第1のミラーの間に設けられる第1のスペーサ層と、前記第1の活性層と前記第2の活性層の間に設けられる第2のスペーサ層と、前記第1の活性層と前記第2のミラーの間に設けられる第3のスペーサ層と、を有し、前記第1のスペーサ層と前記第2のスペーサ層の導電型が異なり、前記第2のスペーサ層と前記第3のスペーサ層の導電型が異なることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の垂直共振器型面発光レーザ。第3の活性層をさらに有し、該第3の活性層は、前記第1のスペーサ層、前記第2のスペーサ層および前記第3のスペーサ層のうち、いずれか一つのスペーサ層内に配置され、かつ、前記第2の活性層とMが異なる前記実効共振器の端から3L/8M~5L/8MMは2以上の整数となる第3の領域内であって、かつ、前記垂直共振器型面発光レーザの発振波長に対応した縦モードの定在波の腹に配置されることを特徴とする請求項8に記載の垂直共振器型面発光レーザ。前記第1のスペーサ層、前記第2のスペーサ層および前記第3のスペーサ層のうち、前記第3の活性層を含まない2つのスペーサ層、前記第3の活性層で分割されたスペーサ層のうち、基板から近い位置にある第4スペーサ層および前記基板から離れた位置にある第5スペーサ層、におけるそれぞれのスペーサ層の導電型が、前記第1の活性層、前記第2の活性層、前記第3の活性層を挟んで異なる導電型で構成されていることを特徴とする請求項9に記載の垂直共振器型面発光レーザ。前記第1のミラーと前記第2のミラーのうち、前記基板から離れた位置のミラーである上部ミラーと、前記第1の活性層との間に前記第3のスペーサ層による上部スペーサ層を有し、前記上部スペーサ層は、導電性の導電性スペーサ層と非導電性の非導電性スペーサ層で構成され、前記非導電性スペーサ層は、前記上部ミラーに接することを特徴とする請求項8または請求項10に記載の垂直共振器型面発光レーザ。前記上部ミラーと前記非導電性スペーサ層とは、少なくとも一方が誘電体層で構成されていることを特徴とする請求項11に記載の垂直共振器型面発光レーザ。しかしながら、上記非特許文献1のものでは、長共振器構造を用いることによりつぎのようなデメリットも有している。通常の1波長共振器の面発光レーザでは縦モード間隔は50nm以上と大きいため、単一縦モード発振が達成される。一方、上記非特許文献1のように共振器内に2~8μmのスペーサ層を導入し共振器長を長くすると、縦モード間隔が10nm程度まで小さくなってしまう。このように縦モード間隔が小さくなると、図9に示すように利得スペクトル1510と、発振波長に対応した縦モード1540以外にも隣接する縦モード1530、1550の共振波長が重なってしまい、複数の縦モードの利得が同程度となる。そのため、縦モードホッピングが生じてしまう恐れがある。さらに、縦モード間隔が狭くなり、5nm以下となると、隣の縦モード1520、1560等の共振波長も重なってきてしまうため、さらなる縦モードホッピングが発生する可能性が生じる。ここで、発振波長に対応した縦モードとは、単に発振しているモードではなく、設計時に狙った特定の波長のモードのことである。本発明は上記課題に鑑み、高出力の単一横モード発振のため長共振器化した際においても縦モードホッピングの発生を抑制することでき、より安定した単一縦モード発振が可能となる垂直共振器型面発光レーザの提供を目的とする。本発明の垂直共振器型面発光レーザは、基板上に、第1のミラーと第2のミラーとによって共振器が構成され、前記共振器を構成する前記第1のミラーと前記第2のミラーとの間に設けられた第1の活性層と、前記第1の活性層と前記第1のミラーとの間に設けられた第2の活性層と、を有する発振波長λの垂直共振器型面発光レーザであって、前記共振器における実効的な共振器長をLとするとき、前記第1の活性層は、前記実効的な共振器長Lを構成する実効共振器の端から3L/8~5L/8となる第1の領域内であって、かつ、前記発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置され、前記第2の活性層は、前記実効共振器の端から3L/8M~5L/8MMは2以上の整数となる第2の領域内であって、かつ、前記発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置されていることを特徴とする。本発明によれば、高出力の単一横モード発振のため長共振器化した際においても縦モードホッピングの発生を抑制することでき、より安定した単一縦モード発振が可能となる垂直共振器型面発光レーザを実現することができる。本発明は、高出力による単一横モード発振のため長共振器化することにより、縦モードホッピングを生じる恐れのある構造のもとで、つぎのような面発光レーザの構成を採ることによって、安定した単一縦モード発振を可能としたものである。本発明においては、垂直共振器型面発光レーザの発振波長λに対応した縦モードの利得が大きく、かつ、他の縦モードの利得が小さくなる位置に活性層が配置される。すなわち、面発光レーザの共振器内に生じる定在波の光強度分布において、上記発振波長に対応した縦モードで他の縦モードより光強度の重なりが大きくなり、かつ、他の縦モードの光強度の重なりが小さくなる位置に活性層が配置される。ここで、各縦モードの利得は定在波により決まる活性層への光閉じ込め係数Γと活性層の利得gの積により決まる。上記発振波長に対応した縦モードが発振するには、該発振波長に対応した縦モードにおける上記光強度の重なり、すなわち、Γが大きいことが望ましく、他の縦モードにおけるΓが小さいことが望ましい。また、活性層の利得gとは活性層を起源とする利得スペクトルにおける各縦モードの共振波長での利得である。任意の縦モードに関して、上記効果を得られる位置に活性層が複数配置されることで、上記発振波長に対応した縦モードと他の縦モードの利得差を大きくできるため、該発振波長に対応した縦モードの安定した単一縦モード発振が可能となる。以下に、本発明の実施形態の垂直共振器型面発光レーザの構成について、図1を用いて説明する。図1は本実施形態における実効共振器長、発振波長に対応した縦モードの定在波と活性層の位置を示す図である。なお、図で示す定在波は定在波の腹と節をわかりやすく示すために定在波の光強度分布で示している。発振波長に対応した縦モードでは、共振波長がλ、実効共振器内に発生する定在波の数がN個とする。これを縦モードNとし、その他の各縦モードで定在波数がN±m個mは自然数のものを縦モードN±mとする。定在波の数は定在波の山1つ分、例えば縦モードNではλ/2nで定在波1個と数え、実効共振器の端に定在波の節がくるようにその数を定義する。なお、nは実効屈折率である。本実施形態の面発光レーザは、基板上に、第1のミラー110と、第2のミラー120を備え、これらの第1のミラーと第2のミラーによって共振器130が構成されている。そして、上記共振器を構成する第1のミラーと第2のミラーとの間に設けられた第1の活性層と、第1の活性層と第1のミラーとの間に設けられた第2の活性層とを備える。具体的には、共振器130内に第1の領域155、第2の領域165があり、第1の領域155内に第1の活性層150、第2の領域165内に第2の活性層160が配置される。共振器130の共振器長がL1、第1のミラー110への光の侵入長がL2、第2のミラー120への光の侵入長がL3であり、これらで構成される実効共振器の実効的な共振器長LはL=L1L2L3である。なお、第1のミラー110および第2のミラー120への光の侵入長は共振波長λ、上下ミラーの高反射率層、低反射率層の屈折率、高反射率層、低反射率層で構成されるペア数で決まる。これらは、非特許文献2D.I.BabicandS.W.Corzine,IEEEJOURNALOFQUANTUMELECTRONICS,Vol.28,No.2,Feb.1992,p.514-524においても記されているところである。なお、ここでは、実効共振器の端は、第1のミラー110側の端を基準としている。つぎに、本発明の効果を得る構成として、第1の活性層150と、第2の活性層160との位置の関係について説明する。第1の活性層150の位置と縦モードの定在波の位置関係は、縦モードNの定在波180と縦モードN-1の定在波181とによる、図1に示されるような位置関係となる。第1の活性層150は、発振波長に対応した縦モードNと隣接する縦モードN±1に関して利得差が大きくなる位置に配置される。すなわち、発振波長に対応した縦モードNの利得が大きく、かつ、縦モードN±1の利得が小さくなる位置であり、実効共振器の端から3L/8~5L/8となる第1の領域155内、かつ、縦モードNの定在波180の腹に第1の活性層150は配置される。このとき、第1の活性層150は縦モードN-1の定在波181の節近傍に配置される。なお、縦モード間隔をΔλNとし、該ΔλNがλ2/2nLにより求められるとき、前記縦モード間隔ΔλNが5nm以下とされていることが望ましい。縦モードNの定在波180の腹に第1の活性層150が配置されることで縦モードNの利得は大きくなる。なお、定在波の腹とは定在波の腹から±λ/16以内であれば、定在波の腹の光強度を1としたときに光強度が0.85以上を得ることができる。ここで、定在波の腹の位置は上記範囲内であればよいが、腹と活性層位置の中心が一致することが好ましい。第1の活性層150は第1の領域155内、かつ、縦モードNの定在波180の腹に配置されると、定在波の腹の光強度を1としたときに縦モードN±1の定在波の光強度が0.2以下となる。すなわち、縦モードNに比べて縦モードN±1のしきい値利得が5倍以上必要となるため、縦モードN±1は発振しにくく、縦モードNの発振が促進される。なお、実効共振器の端からL/2の位置に最も近い縦モードNの定在波180の腹に第1の活性層150が配置されると、縦モードN±1の定在波は節の位置となるため、その効果が最も大きくなる。さらに、このときには縦モードN±1±2mmは自然数の定在波に関しても節の位置となるため、複数の縦モードN±1±2mに対して縦モードNは利得差を大きくすることができる。上記第1の活性層150の位置、実効共振器の端からL/2の位置に最も近い縦モードNの定在波180の腹の位置を説明する。この位置は、実効共振器内に発生する定在波の数Nによって変化する。具体的に、縦モードNの腹に対して縦モードN±1が節となる位置はNが奇数か偶数かで異なり、Nが奇数のときにはL/2の位置、Nが偶数のときにはL/2±λ/4nの位置に第1の活性層150は配置される。第2の活性層160は、発振波長に対応した縦モードNと任意の縦モードN±MMが2以上の整数に関して利得差が大きくなる位置に配置される。すなわち、発振波長に対応した縦モードNの利得が大きく、かつ、縦モードN±Mの利得が小さくなる位置であり、実効共振器の端から3L/8M~5L/8Mとなる第2の領域165内、かつ、縦モードNの定在波の腹に第2の活性層160は配置される。例えば、M=2のとき、第2の領域165の範囲は3L/16~5L/16、M=3のとき、第2の領域165の範囲は3L/24~5L/24となる。第2の活性層160は上記位置に配置されると、第1の活性層150と同様に縦モードN±Mに対して縦モードNは利得差を大きくすることができる。なお、実効共振器の端からL/2Mの位置に最も近い縦モードNの定在波の腹に第2の活性層160が配置されると、縦モードN±Mの定在波は節の位置となるため、その効果が最も大きくなる。この位置に関しても、第1の活性層150の位置と同様に定在波の数Nによって決められる。例えば、M=2のとき、定在波数によってどの位置に活性層が配置されると最も効果が大きくなるかを示したものとして、第1の活性層、第2の活性層の位置をまとめたものを図8に示す。ここでも、図で示す定在波は定在波の腹と節をわかりやすく示すために定在波の光強度分布で示している。上記位置に第1の活性層、第2の活性層が配置されることで任意の縦モードに比べて、発振波長に対応した縦モードNの利得が大きくなるため、単一縦モード発振が可能となる。なお、活性層は量子井戸や量子ドットのように数nm、数10nm間で複数存在する場合には、それら複数の活性層の塊で1つの活性層とみなす。また、活性層の位置は、誘導増幅を起こす層の中心とし、例えば、量子井戸のように複数存在する場合にはそれらの重心となる位置とする。例えば、バルクの活性層ならその中心、複数の量子井戸や量子ドットでは各量子井戸の中心の重心となる位置を活性層位置とする。以下に、本発明の実施例について説明する。[実施例1]実施例1として、本発明を適用した垂直共振器型面発光レーザの構成例について、図2を用いて説明する。本実施例では活性層が2つとされている場合の構成例である。本実施例の面発光レーザは、基板205上に、第1のミラーとしての下部ミラー210、第1のスペーサ層240が積層されている。また、その上に第2の活性層260、第2のスペーサ層243、第1の活性層250、第3のスペーサ層245、第2のミラーとしての上部ミラー220が積層されている。上部ミラー220上に上部電極290が、基板205下に下部電極280が配置されている。上部ミラー220と下部ミラー210に挟まれた第1のスペーサ層240、第2の活性層260、第2のスペーサ層243、第1の活性層250、第3のスペーサ層245で構成された層を共振器230とする。実効共振器長Lに対して、下部ミラー210側の実効共振器端を位置0とし、上部ミラー220側の実効共振器端を位置Lとする。第1の領域255は3L/8~5L/8を満たす範囲となる。第1の活性層250はL/2の位置に最も近い縦モードNの定在波の腹に配置される。この位置は第1の領域255内、かつ、縦モードNの定在波の腹を満たしており、この範囲内で最も効果の大きい位置となっている。なお、ここではL/2の位置に最も近い縦モードNの定在波の腹に第1の活性層250は配置されるが、第1の領域255内、かつ、縦モードNの定在波の腹であれば、本発明の効果を有する。第2の活性層260は3L/16~5L/16となる位置に配置される。これは第2の領域3L/8M~5L/8Mで、M=2となる範囲である。第2の活性層260はL/4の位置に最も近い縦モードNの定在波の腹に配置される。この位置は第2の領域265内、かつ、縦モードNの定在波の腹を満たしており、この範囲内で最も効果の大きい位置となっている。なお、ここではL/4の位置に最も近い縦モードNの定在波の腹に第2の活性層260は配置されるが、第2の領域265内、かつ、縦モードNの定在波の腹であれば、本発明の効果を有する。ここで、第2の活性層260はM=2となる位置に配置されたが、第1の活性層250と合わせると、縦モードNに最隣接した縦モードN±1、N±2に関して縦モードNとの利得差を大きくできる。さらに、第1の活性層250は第1の領域255内のL/2の位置に最も近い縦モードNの定在波の腹に配置されているため、縦モードN±3に関しても同様な効果を得ることができ、より大きな効果を得ることができる。ここでは、第1のミラーとして下部ミラー210、第2のミラーとして上部ミラー220が設けられたが、第1のミラーとして上部ミラー220、第2のミラーとして下部ミラー210が設けられてもよい。そのときには、第2の活性層260が第1の活性層250と上部ミラー220の間に設けられる。上部ミラー220、および、下部ミラー210は低屈折率層と高屈折率層が交互に積層されており、各層の光学的厚さはλ/4である。第1の活性層250、第2の活性層260への電流注入は上下電極により行い、本実施例ではp-i-n接合構造を有する。第1のスペーサ層240、第2のスペーサ層243、第3のスペーサ層245はそれぞれp型、半絶縁性であるi型、n型とする。第1のスペーサ層240がn型、第3のスペーサ層245がp型でもよいが、好ましくはn型より光吸収の大きくなるp型が薄くなるように導電型を決定するのがよい。よって、図2の構成においては第1のスペーサ層240がp型、第3のスペーサ層245がn型とするのが好ましい。なお、p型、n型のキャリア濃度は5×1016cm3以上、i型のキャリア濃度は1×1016cm3未満とする。p型半導体層には、アクセプタとなる不純物、例えば、CやZnをドーピングする。n型半導体層には、ドナーとなる不純物、例えば、SiやSeをドーピングする。第1のスペーサ層240、第2のスペーサ層243、第3のスペーサ層245には電流狭窄部が設けられてもよい。ここで、電流狭窄部の形成法として、例えば、AlAs膜を酸化して絶縁性のAlxOy膜を形成する方法、プロトンインプランテーションにより活性層近傍に絶縁領域を設ける方法、AlAs膜のエッチングなどにより電流経路以外の領域を除去する方法、等がある。電流狭窄部が設けられる位置としてはp電極から注入した電流が活性層に狭窄される位置であることが好ましい。本実施例のように第1のスペーサ層240がp型、第3のスペーサ層245がn型である場合には、第1のスペーサ層240の第2の活性層260近傍に電流狭窄部が設けられるとよい。さらに、第2のスペーサ層243が厚く、電流の拡がりが生じる場合には第2のスペーサ層243の第1の活性層250近傍に電流狭窄部が設けられてもよい。第1の活性層250、第2の活性層260には、各活性層を挟むように上部クラッド層、下部クラッド層が通常、設けられる。上部ミラー220上の上部電極290が形成される層は電流を流しやすくするために、キャリア濃度の高いコンタクト層が設けられてもよい。例えば、キャリア濃度は1×1019cm3とする。図2に、波長680nmの赤色面発光レーザを用いた、具体的な活性層の位置についての例を示す。図3に、計算結果の1例として、赤色面発光レーザの各層構成と断面模式図を示す。本実施例においては、基板305にp型GaAsを用い、その上に、つぎのような材料による各層が積層される。すなわち、下部ミラー310としてp型AlAs/Al05Ga05As、第1のスペーサ層340としてp型Al05Ga05As、電流狭窄部341として第1のスペーサ層内にAl098Ga002As、第2の下部クラッド層362としてp型AlGaInP、第2の活性層360としてi型GaInP/AlGaInP多重量子井戸、第2の上部クラッド層363としてi型AlGaInP、第2のスペーサ層343としてi型Al05Ga05As、第1の下部クラッド層352としてi型AlGaInP、第1の活性層350としてi型GaInP/AlGaInP多重量子井戸、第1の上部クラッド層353としてn型AlGaInP、第3のスペーサ層345としてn型Al05Ga05As、上部ミラー320としてn型Al09Ga01As/Al05Ga05As、コンタクト層375としてn型GaAs、が積層される。また、AlAs/Al05Ga05As下部ミラー310は60ペア、Al09Ga01As/Al05Ga05As上部ミラー320は38ペア、GaInP/AlGaInP第1の活性層350、第2の活性層360は量子井戸3個とされている。そして、量子井戸3個の真ん中の量子井戸中心を活性層の位置としている。また、上部ミラー320、下部ミラー310の各層はλ/4の光学厚さで積層されている。メサを覆うようにSiO2絶縁膜395が形成され、さらに、AuGe/Au上部電極390、および、Ti/Au下部電極380が形成される。ここで、本構成における下部ミラー310への光の侵入長L2は5.75λ、すなわち、定在波数は11.5個、上部ミラー320への光の侵入長L3は6.25λ、すなわち、定在波数は12.5個である。本実施例での共振器長は22λ、実効共振器長は34λである。実効共振器内の定在波数は68個、縦モード間隔ΔλN=10nmとなる。図8で示した関係から、第1の活性層350はL/2±λ/4nの位置、第2の活性層360はL/4±λ/4nの位置が縦モードNと縦モードN±1、N±2との利得差が最も大きくなる位置である。よって、第1の活性層350はL/2-λ/4nの位置、第2の活性層360はL/4-λ/4nの位置に配置される。このときの共振器部330の各層構成、膜厚は以下のようになる。基板305側の下層から、電流狭窄部341を含む第1のスペーサ層340は、Al05Ga05As380nm/Al098Ga002As30nm/Al05Ga05As36nmであり、AlGaInP第2の下部クラッド層362は、46nm、第2の活性層360は、AlGaInP42nm/GaInP6.5nm/AlGaInP5.5nm/GaInP6.5nm/AlGaInP5.5nm/GaInP6.5nm/AlGaInP42nmの多重量子井戸であり、AlGaInP第2の上部クラッド層363は、46nm、Al05Ga05As第2のスペーサ層343は、1.5μm、AlGaInP第1の下部クラッド層352は、46nm、第1の活性層350は、AlGaInP42nm/GaInP6.5nm/AlGaInP5.5nm/GaInP6.5nm/AlGaInP5.5nm/GaInP6.5nm/AlGaInP42nmの多重量子井戸であり、AlGaInP第1の上部クラッド層353は、46nm、Al0.5Ga0.5As第3のスペーサ層345は2.1μm、である。各スペーサ層の膜厚は、p型Al05Ga05As第1のスペーサ層340は、0.45μm、i型Al05Ga05As第2のスペーサ層343は、1.5μm、n型Al05Ga05As第3のスペーサ層345は、2.1μm、である。ここで、上部ミラー320の下部端から第1の活性層350の中央までが10.75λ、第1の活性層350の中央から第2の活性層360の中央までが8.5λ、第2の活性層360の中央から下部ミラー310の上部端までが2.75λである。このとき、第1の活性層350はL/2-λ/4nの位置、第2の活性層360はL/4-λ/4nの位置となる。また、第1の活性層350の中央とは上層から2つ目のGaInP層が3.25nmの位置である。上記位置に第1の活性層350、第2の活性層360が配置されることで、縦モードNと縦モードN±1、N±2との利得差を大きくでき、単一縦モード発振が実現できる。さらに、ここでは縦モードN±1±2mに関しても同様の効果が得られる。ここで、第1の活性層350はL/2-λ/4nの位置、第2の活性層360はL/4-λ/4nの位置に配置されている。しかし、第1の活性層350は第1の領域355内、かつ、縦モードNの定在波の腹、第2の活性層360は第2の領域365内、かつ、縦モードNの定在波の腹であればこれに限らない。例えば、第1の活性層350はL/2-λ/4nの位置、第2の活性層360はL/4-7λ/4nの位置に配置されると、縦モードN±2は定在波の節でなくなる。そのため、利得は多少増加するが、利得は十分に小さいまま、p層を薄くでき、吸収を小さくできる。図3を用いて、本発明の実施例1における面発光レーザの作製方法を説明する。以下のように基板305上に、下部ミラー310、上部ミラー320、これらの間に配置された複数の半導体層が積層された面発光レーザを作製する。まず、基板305上に、下部ミラー310からコンタクト層375までを順次成長させる。例えば、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法により、つぎの各層を成長させる。すなわち、下部ミラー310、第1のスペーサ層340、第2の下部クラッド層362、第2の活性層360、第2の上部クラッド層363、第2のスペーサ層343、第1の下部クラッド層352、第1の活性層350、第1の上部クラッド層353、第3のスペーサ層345、上部ミラー320、コンタクト層375、を成長させる。次に、上記の各層が積層されたウエハを一般的な半導体リソグラフィー法および半導体エッチング、ここではドライエッチングにより第1のスペーサ層340の上部まで除去することで、メサ構造を形成する。メサ構造の直径は、例えば、26μmである。なお、エッチングの位置として電流狭窄部341より下までエッチングを行う。電流狭窄部341は、例えば、選択酸化法や、プロトン打ち込みにより形成される。選択酸化法による電流狭窄部の形成では、例えば、AlAs層やAl組成の高いAl098Ga002As層を第1のスペーサ層340内に設けて、高温水蒸気雰囲気中で選択酸化する。これにより電流狭窄構造を形成し、必要な領域のみに電流を注入できるようにする。このときの電流狭窄径は、例えば5μmである。次に、メサ構造を覆うように絶縁膜395を成膜し、メサ上部の一部の絶縁膜395を除去する。絶縁膜395の成膜は、例えばSiO2膜を、例えばプラズマCVD法により行う。絶縁膜395の除去は、例えばバッファードフッ酸で行う。次に、例えば真空蒸着法およびリソグラフィー法を用いて上部電極390、および、下部電極380を成膜する。上部電極390は、例えばAuGe/Auであり、下部電極380は、例えばTi/Auである。なお、必要であれば面発光レーザ301を300°C程度でアニール処理を行っても良い。なお、上記形成方法や半導体材料、電極材料、誘電体材料などは実施例で開示したものに限るものではなく、本発明の主旨を外れないものであれば、他の方法、材料を利用することも可能である。例えば、基板305はn型GaAs基板を用いてもよく、その場合、下部ミラー310はn型半導体、上部ミラー320はp型半導体となり、共振器部330の各半導体層の導電型もそれに応じて変更させる。下部ミラー310と上部ミラー320のペア数は必要な反射率に応じて適宜変更してもよい。また、下部ミラー310と上部ミラー320を構成する材料は高屈折率層と低屈折率層を適正に配置されれば上記材料以外の材料を用いてもよく、各層の間に組成傾斜層を設けるなどしてもよい。第1のスペーサ層340、第2のスペーサ層343、第3のスペーサ層345では、AlAs/Al05Ga05Asとがλ/2の光学的膜厚で積層されている構成を用いてもよい。各スペーサ層が同一の材料でなくてもよく、膜厚に関しても適宜変更してもよい。共振器の長さは単一横モード制御に有効である厚さ以上が望ましい。例えば、6λ以上であることが好ましく、これは上記非特許文献1においてスペーサ層2μmで効果が得られており、共振器長が6λ程度と考えられるためである。活性層ではGaInP/AlGaInPの多重量子井戸数は1個や4個でもよく、組成比は適宜変更してもよい。量子井戸構造に限られたものでなく、バルク材や量子ドットを用いてもよい。また、波長680nmの面発光レーザとして、発光材料にGaInPを用いた例を説明したが、波長、材料もこれに限られたものでない。AlGaAs、AlGaInN、AlGaInP、AlGaInAsP、AlGaAsSb等の発光材料を用いてもよい。また、第1の領域、第2の領域内に活性層は複数配置されてもよい。例えば、上記実施例での第1の領域内のL/2-λ/4nの位置と、L/2λ/4nの位置に活性層を置くような周期利得構造としてもよい。このように、周期利得構造を設けることで利得の増加を見込むことができる。[実施例2]実施例1においてはp-i-n接合のi層が厚くなり、抵抗が大きくなってしまう。そこで、実施例2においてはそれを解決する構成例について、図4を用いて説明する。本実施例では、複数の活性層に電流注入する方式として、各活性層に対しp-n接合を有する。すると、抵抗が大きく、厚いi層がなくなるため、実施例1に比べ、電流が流れやすくなる。本実施例を表す垂直共振器型面発光レーザの構成例として、図4に活性層が2つであり、第2の活性層位置が第2の領域のM=2の範囲内である場合について示す。各層の構成は実施例1と基本的な層構成は同様であるため、実施例1との差異点を以下に示す。本実施例では、第1のスペーサ層440、第2のスペーサ層443、第3のスペーサ層445でn-p-n接合構造をとり、電極も上部電極、下部電極2つでなく、第1電極480、第2電極485、第3電極490を有する。ここでは、第1のスペーサ層440がn型、第2のスペーサ層443がp型、第3のスペーサ層445がn型としたが、第1のスペーサ層440がp型、第2のスペーサ層443がn型、第3のスペーサ層445がp型とp-n-p接合構造としてもよい。但し、各層の導電型はn層より光吸収の大きくなるp層が薄くなるように導電型を決定するのがよい。図4の活性層位置の計算例として波長680nmの赤色面発光レーザについて各層構造を以下に示す。各層の材料は実施例1と同様であり、ここでは導電型のみを記載する。基板405、下部ミラー410、第1のスペーサ層440はn型、第2の活性層460はi型、第2のスペーサ層443はp型、第1の活性層450はi型、第3のスペーサ層445、上部ミラー420はn型、である。第1電極480、第2電極485、第3電極490がそれぞれ基板405直下、第2のスペーサ層443上、上部ミラー420上に形成される。第1の活性層450はL/2に最も近い縦モードNの定在波の腹の位置、第2の活性層460はL/4に最も近い縦モードNの定在波の腹の位置に配置される。実施例1と同様に、本構成における下部ミラー410の実効反射鏡長さL2は5.75λ、すなわち、定在波数は11.5個、上部ミラー420の実効反射鏡長さL3は6.25λ、すなわち、定在波数は12.5個である。また、本実施例での共振器長は58.5λ、実効共振器長は70.5λである。実効共振器内の定在波数は141個、縦モード間隔ΔλN=4.8nmとなる。図8で示した関係から、第1の活性層450はL/2の位置、第2の活性層460はL/4λ/8nの位置に配置される。各層の膜厚は、上部ミラー420の下部端から第1の活性層450の中央までが29λ、第1の活性層450の中央から第2の活性層460の中央までが17.5λ、第2の活性層460の中央から下部ミラー410の上部端までが12λ、となるように構成される。各スペーサ層の膜厚は、n型Al05Ga05As第1のスペーサ層440は2.28μm、p型Al05Ga05As第2のスペーサ層443は3.27μm、n型Al05Ga05As第3のスペーサ層445は5.65μm、である。図4では記載していないが、第1の活性層450、第2の活性層460を挟む構成として、実施例1と同様に上下クラッド層を有する。電流狭窄部は第1のスペーサ層440、第2のスペーサ層443、第3のスペーサ層445内に設けられてもよい。本実施例の構成では、p型Al05Ga05As第2のスペーサ層443内には第1電流狭窄部と第2電流狭窄部が設けられると好ましい。第1電流狭窄部は第2のスペーサ層443内の第1の活性層450近傍、第2電流狭窄部は第2の活性層460近傍である。ここでは、第1電流狭窄部と第2電流狭窄部の非酸化領域の大きさを同様な大きさにするために、第2電流狭窄部のAl組成を大きくする。Al組成が大きいほど低温で酸化可能、かつ、酸化レートが早くなるため、酸化を行う領域が異なる第1電流狭窄部と第2電流狭窄部の非酸化領域をそろえることが可能となる。本実施例においても、第1の活性層450は第1の領域455内、かつ、縦モードNの定在波の腹、第2の活性層460は第2の領域465内、かつ、縦モードNの定在波の腹であればこの位置に限らない。位置を変える際には、例えば、第1のスペーサ層440、第2のスペーサ層443、第3のスペーサ層445の膜厚を変化させることで活性層位置を調整する。第2のスペーサ層443内で第2電極485が設けられる層となる位置にキャリア濃度の高いコンタクト層が配置されてもよい。すると、より効率良く電流を流すことが可能となる。そのときには、第2のスペーサ層443内にエッチングストップ層を設ける等して作製精度の向上をはかってもよい。利得スペクトルに対して複数の縦モードが重なり、特に本実施例のように縦モード間隔が狭い場合には、本発明による単一縦モードの効果が大きくなる。これは本実施例では、例えば、特許文献1特開2009-152553号公報のように利得や吸収のスペクトル依存性によって縦モード制御を行っているのではなく、活性層の位置による定在波の光強度差で縦モードを制御しているため、間隔が狭い縦モードでも単一縦モード発振が可能となる。ここで、各電極を設ける位置は同じ導電型内であり、各活性層を挟む位置であればよく、例えば、図5のように第1電極580は基板505直下でなく、第1のスペーサ層540上に配置されてもよい。本実施例の面発光レーザの作製方法を記す。実施例1ではメサ構造が1段であったのに対して、ここでは2段メサ構造を有する。多段メサ構造は半導体リソグラフィー法および半導体エッチングを複数回、ここでは2回行うことで形成する。例えば、1回目のエッチングを第2のスペーサ層543まで、2回目のエッチングを第1のスペーサ層540まで行う。第1電流狭窄部、第2電流狭窄部を選択酸化する場合、第1電流狭窄部、第2電流狭窄部を別々に酸化しても、同時に酸化してもよい。その後は、実施例1と同様に第2電極、第3電極を形成する。なお、上記形成方法や半導体材料、電極材料、誘電体材料などは実施例で開示したものに限るものではなく、本発明の主旨を外れないものであれば、他の構造、材料を利用することも可能である。例えば、基板はp型GaAs基板を用いてもよく、その場合、下部ミラーはp型半導体、上部ミラーはn型半導体となり、共振器部の各半導体層も導電型をそれに応じて変更させる。[実施例3]実施例3では、実施例2と比べてp層の膜厚を薄くでき、光吸収を低減できる構成例について、図6を用いて説明する。第1のミラーと第2のミラーのうち、基板から離れた位置にある上部ミラーと、第1の活性層に挟まれた積層部に活性層を含まない構成のとき、上部ミラーと第1の活性層との間の上部スペーサ層内に導電性の導電性スペーサ層と非導電性の非導電性スペーサ層を有する構成をとる。このとき、非導電性スペーサ層が上部ミラー直下に構成される。導電性スペーサ層は非導電性スペーサ層に比べて十分に薄いことで本実施例の効果が顕著となる。また、実施例2で上部ミラー上に形成していた電極は導電性スペーサ層上に形成される。活性層の数が第1の活性層、第2の活性層の2つであり、第2の活性層は第2の領域のM=2の範囲内に位置されるとして、図6を用いて本実施例の面発光レーザの構成を説明する。第1のミラーが下部ミラー610であると、実施例2での第3のスペーサ層とここでの上部スペーサ層645は同じものとみなせる。実施例2との差異点として、上部スペーサ層645内に導電性スペーサ層648、非導電性スペーサ層649があり、第3電極690は導電性スペーサ層648上に形成される。各スペーサ層の導電型は、第1のスペーサ層640がp型、第2のスペーサ層643がn型、第3導電性スペーサ層648がp型、第3非導電性スペーサ層649がi型である。上部ミラー620には、誘電体ミラーやi型半導体ミラーを用いてもよい。誘電体ミラーは以下のような特徴がある。誘電体ミラーは導電型半導体ミラーに比べて吸収が小さい。ミラーへの光の侵入長が半導体ミラーに比べて短い。誘電体ミラーは構成膜間の屈折率差を大きくできるため、より少ない層数で高い反射率が得られる。また、非導電性スペーサ層649には、誘電体層やi型半導体層を用いてもよい。導電性スペーサ層648内の第3電極690と接する部分はキャリア濃度の高いコンタクト層とすることが好ましい。また、第2のスペーサ層643内の第2電極685と接する部分はキャリア濃度の高いコンタクト層とすることが好ましい。第1のスペーサ層640、第2のスペーサ層643、導電性スペーサ層648には電流狭窄部が設けられてもよく、ここでは、第1のスペーサ層640、導電性スペーサ層648内の各活性層近傍に設けられることが好ましい。導電性スペーサ層の厚さは、電流狭窄部、コンタクト層部を考慮した上で、出来る限り薄くすることが好ましい。図6の活性層位置の計算例として波長680nmの赤色面発光レーザについて各層構造を以下に示す。非導電性スペーサ層649、上部ミラー620には誘電体材料を用い、非導電性スペーサ層649はTiO2膜、上部ミラー620はTiO2/SiO2多層膜、である。上部ミラー620の各層はλ/4の光学的厚さで積層され、ペア数は5ペアである。その他、各層の材料は実施例2と同様であり、以下に導電型のみを記載する。基板605、下部ミラー610、第1のスペーサ層640はp型、第2の活性層660はi型、第2のスペーサ層643はn型、第1の活性層650はi型、導電性スペーサ層648はn型、である。第1電極680、第2電極685、第3電極690がそれぞれ基板605直下、第2のスペーサ層643上、上部ミラー620上に形成される。第1の活性層650はL/2に最も近い縦モードNの定在波の腹の位置、第2の活性層660はL/4に最も近い縦モードNの定在波の腹の位置に配置される。本実施例の構成において下部ミラー610の実効反射鏡長さL2は5.75λ、すなわち、定在波数は11.5個、上部ミラー620の実効反射鏡長さL3は1.25λ、すなわち、定在波数は2.5個である。また、本実施例での共振器長は63.5λ、実効共振器長は70.5λである。実効共振器内の定在波数は141個、縦モード間隔ΔλN=4.8nmとなる。図8で示した関係から、第1の活性層650はL/2の位置、第2の活性層660はL/4λ/8nの位置に配置される。各層の膜厚は、非導電性スペーサ層649が27.75λ、導電性スペーサ層648が0.75λ、導電性スペーサ層648の下部端から第1の活性層650の中央までが0.5λ、第1の活性層650の中央から第2の活性層660の中央までが17.5λ、第2の活性層660の中央から下部ミラー610の上部端までが12λ、となるように構成される。また、各スペーサ層の膜厚は、p型Al05Ga05As第1のスペーサ層640は2.28μm、n型Al05Ga0.5As第2のスペーサ層643は3.27μm、p型Al05Ga05As導電性スペーサ層648は0.15μm、TiO2誘電体非導電性スペーサ層649は7.64μm、である。本実施例では実施例2と同じ実効共振器長において、p型スペーサ層の総厚が薄くなっており、p型ミラーも存在しないため、吸収を抑制できることがわかる。本実施例の作製方法として、基板605上に下部ミラー610から第3導電性スペーサ層648までを、例えば、MOCVD法により成長させる。実施例2と同様に多段メサ構造を形成し、第1のスペーサ層640、第3導電性スペーサ層648内に電流狭窄部を、例えば、選択酸化により形成する。第2電極685、第3電極690を形成後、第3非導電性スペーサ層649と上部ミラー620の成膜、形成を、例えばフォトリソグラフィー法とプラズマCVD法により行う。第3非導電性スペーサ層649と上部ミラー620は誘電体層でなく、半導体層としてもよい。しかし、少なくとも一方を誘電体層とすることで、第3導電性スペーサ層648の最上部をコンタクト層とする際に、エッチングストップ層を必要としない等、素子形成が容易になるメリットがある。なお、上記形成方法や半導体材料、電極材料、誘電体材料などは実施例で開示したものに限るものではなく、本発明の主旨を外れないものであれば、他の構造、材料を利用することも可能である。[実施例4]実施例1から3では活性層の数が第1の活性層、第2の活性層の2つの例を示したが、実施例4では活性層が3つ以上ある場合として、活性層が3つの構成例について、図7を用いて説明する。本実施例では、図7に示すように第1の活性層750、第2の活性層760、第3の活性層766の3つの活性層を有する垂直共振器型面発光レーザが構成される。活性層数の追加に伴い、スペーサ層、電極数もそれぞれ追加する。ここでは、第2の活性層760はM=2となる第2の領域765内、第3の活性層766はM=4となる第3の領域767内、すなわち、3L/32~5L/32の範囲内、かつ、縦モードNの定在波の腹となる位置に配置される。具体的に、第1の活性層750はL/2に最も近い縦モードNの定在波の腹の位置、第2の活性層760はL/4に最も近い縦モードNの定在波の腹の位置、第3の活性層766はL/8に最も近い縦モードNの定在波の腹の位置に配置される。第3の活性層766は、第1のスペーサ層内に配置されており、第1のスペーサ層はこの第3の活性層766によって基板から近い位置にある第4のスペーサ層747と基板から遠い位置にある第5のスペーサ層748とに分割されている。すなわち、第3の活性層で分割されたスペーサ層のうち、基板から近い位置にある第4のスペーサ層747は、第3の活性層766と下部ミラー710の間に配置される。また、基板から遠い位置にある第5のスペーサ層748は、第3の活性層766と第2の活性層760の間に配置される。第1電極780、第2電極782、第3電極785、第4電極790を有し、各電極はそれぞれ、基板705直下、第5のスペーサ層748上、第2のスペーサ層743上、上部ミラー720上に形成される。ここで、各電極を設ける位置は各活性層を挟む位置であればよい。図7の活性層位置の計算例として、波長680nmの赤色面発光レーザについて各層構造を以下に示す。第3の活性層766は第1の活性層750、第2の活性層760と同じ材料、第4のスペーサ層747、第5のスペーサ層748も第2のスペーサ層743、第3のスペーサ層745と同じ材料とし、他の各層は実施例2と同様とする。ここでは導電型のみを記載する。基板705、下部ミラー710、第4のスペーサ層747はp型、第3の活性層766はi型、第5のスペーサ層748はn型、第2の活性層760はi型、第2のスペーサ層743はp型、第1の活性層750はi型、第3のスペーサ層745、上部ミラー720はn型、である。但し、活性層の位置、各層の膜厚により、第2のスペーサ層743、第4のスペーサ層747がn型、第3のスペーサ層745、第5のスペーサ層748がp型としてもよい。材料、膜厚も適宜変更してもよい。ここで、共振器長は50λ、実効共振器長は62λとする。実効共振器内の定在波数は124個、縦モード間隔ΔλN=5.5nmとなる。各活性層が縦モードNの腹、かつ、縦モードNと縦モードN±1、N±2、N±4との利得差が最も大きくなる位置として、図8で示した関係と同様に第3の活性層766の位置も計算する。すると、第1の活性層はL/2±λ/4nの位置、第2の活性層はL/4±λ/4nの位置、第3の活性層はL/8の位置となる。そのため、第1の活性層はL/2-λ/4nの位置、第2の活性層はL/4-λ/4n、第3の活性層はL/8の位置に配置される。第1の活性層がL/2-λ/4nの位置に配置されると、縦モードNと縦モードN±1のみでなく、N±3、N±5...に関しても利得差が大きくなる。そのため、第3の活性層はM=3でなく、縦モードN±4との利得差が大きくなるM=4の位置とした。このとき、各層の膜厚は、上部ミラー720の下部端から第1の活性層750の中央までが24.5λ、第1の活性層750の中央から第2の活性層760の中央までが15.5λ、第2の活性層760の中央から第3の活性層766の中央までが8λ、第3の活性層766の中央から下部ミラー710の上部端までが2λ、となるように構成される。また、各スペーサ層の膜厚は、p型Al05Ga05As第4スペーサ層747は0.30μm、n型Al05Ga05As第5スペーサ層748は1.48μm、p型Al05Ga05As第2のスペーサ層743は2.87μm、n型Al05Ga05As第3のスペーサ層745は4.76μm、である。ここでも、活性層位置は上記位置のみでなく、定められた範囲内であれば、どの位置に配置されてもよい。ここでは、第3の活性層は第1のスペーサ層内に配置されたが、第1のスペーサ層、2のスペーサ層および第3のスペーサ層のうち、いずれか一つのスペーサ層内に配置されるようにしてもよい。これは第3の領域の定義が実効共振器の端から3L/8M~5L/8MM:2,3,4...となる第3の領域内であり、第1のミラー側、第2のミラー側双方を含んでいるためである。本実施例では、活性層3つの場合を示したが、活性層は4つ以上配置してもよく、それに応じてスペーサ層も追加する。その場合、活性層を配置する位置は、第4、第5...領域内、かつ、縦モードNの定在波の腹となる位置である。そのときの電極数はスペーサ層と同じ数である。電極の数え方として同じ導電型内では複数あっても1個とみなす。また、活性層が複数配置されるときに同一領域内に複数の活性層が配置されてもよい。ここでは、実施例2をベースとして考えたが、実施例3の場合にも適用される。なお、上記形成方法や半導体材料、電極材料、誘電体材料などは実施例で開示したものに限るものではなく、本発明の主旨を外れないものであれば、他の構造、材料を利用することも可能である。"