集積回路システムであって、その上に形成される第1の集積回路を有する第1の集積回路ダイ、その上に形成される第2の集積回路を有する第2の集積回路ダイ、及び誘電体基板上に形成され、前記第1の集積回路と前記第2の集積回路との間に電気的に接続される変圧器、を含む、集積回路システム。請求項1に記載の集積回路システムであって、前記誘電体基板がクォーツ基板を含む、集積回路システム。請求項1に記載の集積回路システムであって、前記誘電体基板がガラス基板を含む、集積回路システム。請求項1に記載の集積回路システムであって、前記変圧器が空心変圧器を含む、集積回路システム。請求項1に記載の集積回路システムであって、前記変圧器が磁心を含む、集積回路システム。請求項1に記載の集積回路システムであって、前記第1の集積回路ダイ及び前記第2の集積回路ダイが前記誘電体基板に取り付けられる、集積回路システム。請求項1に記載の集積回路システムであって、前記第1の集積回路がそれに関連付けられる5kVより高い又は5kVに等しい電圧を有する、集積回路システム。集積回路システムであって、クォーツ基板、前記クォーツ基板に取り付けられ、その上に形成される第1の集積回路を有する第1の集積回路ダイであって、前記第1の集積回路がそれに関連付けられる第1の電圧を有する、前記第1の集積回路ダイ、前記クォーツ基板に取り付けられ、その上に形成される第2の集積回路を有する第2の集積回路ダイであって、前記第2の集積回路がそれに関連付けられる第2の電圧を有し、前記第2の電圧が前記第1の電圧より低い、前記第2の集積回路ダイ、及び前記クォーツ基板上に形成され、前記第1の集積回路と前記第2の集積回路との間にガルバニック絶縁を提供するようにそれらの間に電気的に接続される変圧器システム、を含む、集積回路システム。請求項8に記載の集積回路システムであって、前記第1の集積回路ダイ及び前記第2の集積回路ダイが前記クォーツ基板上に形成される、集積回路システム。請求項8に記載の集積回路システムであって、前記第1の電圧が5kVより高い又は5kVに等しい、集積回路システム。請求項8に記載の集積回路システムであって、前記変圧器システムが相互巻型interwound変圧器を含む、集積回路システム。請求項8に記載の集積回路システムであって、前記変圧器システムが積層変圧器を含む、集積回路システム。請求項8に記載の集積回路システムであって、前記変圧器システムが、前記第1の集積回路と前記第2の集積回路との間にマルチチャネル信号通信を提供するように複数の相互巻型変圧器を含む、集積回路システム。請求項8に記載の集積回路システムであって、前記第1の集積回路が、前記第1の集積回路によって生成されるデータをエンコードし、前記エンコードされたデータを前記変圧器を介して前記第2の集積回路に伝送する、第1のエンコーダ/デコーダを含み、前記第2の集積回路が、前記第1の集積回路によって伝送された前記エンコードされたデータをデコードし、前記第2の集積回路による利用のために前記データを抽出する、第2のエンコーダ/デコーダを含む、集積回路システム。集積回路システムを形成する方法であって、その上に形成される第1の集積回路を有する第1の集積回路ダイを提供すること、その上に形成される第2の集積回路を有する第2の集積回路ダイを提供すること、及び、誘電体基板上に形成される変圧器システムを、前記第1の集積回路と前記第2の集積回路との間にガルバニック絶縁を提供するようにそれらの間に電気的に接続すること、を含む、方法。請求項15に記載の方法であって、前記誘電体基板がクォーツを含む、方法。請求項15に記載の方法であって、前記第1の集積回路ダイシステム及び前記第2の集積回路ダイシステムが前記クォーツ基板に取り付けられる、方法。請求項15に記載の方法であって、前記変圧器システムが相互巻型変圧器を含む、方法。請求項15に記載の方法であって、前記変圧器システムが積層変圧器を含む、方法。請求項15に記載の方法であって、前記変圧器システムが、前記第1の集積回路と前記第2の集積回路との間にマルチチャネル信号通信を提供するように複数の相互巻型変圧器を含む、方法。前述のように、高電圧、例えば5kVに等しい又は5kVより大きい電圧レベル、のガルバニック絶縁のための典型的な集積回路変圧器プロセスは、基板へのリーク又は誘電破壊を避けるために、相互巻型又は積層変圧器の高電圧巻線が半導体例えばシリコンウェハ基板の上の充分な距離にあることが要求される。その結果、かなりの追加のプロセス及びコストが生じる。本明細書で開示及び請求される対象は、或るプロセスを提供し、そのプロセスにより、1つ又は複数の金属層内であるがシリコンウェハではなくクォーツウェハの上に、ガルバニック絶縁変圧器が作成され得る。クォーツは、二酸化ケイ素と同様に誘電絶縁体であり、そのため、変圧器の高電圧巻線から基板に対する破壊が除去されることを意味する。図2は、誘電体基板204上に形成され、第1の半導体例えばシリコンダイ208上に形成される第1の集積回路206と第2の半導体例えばシリコンダイ212上に形成される第2の集積回路210との間に接続される変圧器202を含む、集積回路システム200を示す。一実施形態において、第1の半導体ダイ208及び第2の半導体ダイ212の双方も誘電体基板204上に形成される。誘電体基板204は、クォーツウェハ、或いはガラスウェハ又はそのバージョン、例えば、パイレックス、ソーダ石灰、ホウケイ酸ガラス、又はアルミナホウケイ酸ガラス、など任意の絶縁ウェハを含んでもよいが、これらに限定されない。第1の集積回路206は、例えば5kVに等しい又はそれより高い、それに関連付けられる第1の電圧を有し、第2の集積回路210は、それに関連付けられる、第1の電圧より低い第2の電圧を有する。図2は、変圧器202を第1の集積回路206と第2の集積回路210との間に電気的に接続するワイヤボンド214を示す。図2の集積回路システム200では、データを伝送するために、第1の集積回路206に含まれるアナログ又はデジタルエンコーダ/デコーダが、第1の集積回路206によって生成されるデータを受け取り、これをエンコードし、非常に短い矩形パルス又は高周波数搬送波のいずれかを用いて変圧器102を横切ってこれを伝送し、第2の集積回路210に含まれるアナログ又はデジタルエンコーダ/デコーダが、これらのパルスを検出し、それらをデコードし、第2の集積回路210による利用のためデータを抽出する。図2に示す集積回路システム設計は、パッケージ内部の2つのダイ取付けパドルを用いて実装され得る。DAPはダイのサポートとして働く。しかしながらその結果、金属の単一レベルのみが利用可能な場合にワイヤボンドが困難となり、コストが高くなる。したがって図2の設計は、単一クォーツ基板204上に全体が形成されるシステムを示す。第1のシリコンダイ208及び第2のシリコンダイ212は、ボンド接着材を用いてクォーツ基板204に取り付けられる。クォーツをシリコンに、又は、例えばCuを用いて、金属板に、ボンドするために当業者に周知のボンド接着材を用いることが可能であり、金属板がパターニングされ得、その後金属板とシリコンとの間がボンドされ、これはより標準的な手法である。集積回路システム全体をクォーツ基板上に形成することの利点には、これらに限定されないが、3つの回路間の絶縁が達成されること、パッケージ内部に単一DAPを利用することが可能であり、それによりパッケージ設計が簡略化されること、DAPは導電性又は非導電性のいずれか、最も低コストのものとすることが可能であること、クォーツ上の銅相互接続のローカルルーティングを使用することが可能であり、それによりDAPからリードフレームへのワイヤボンディングのためのボンドパッドの最適な配置が可能となること、パッケージ内で複数のDAPを使用することに比してダイのパッケージングがタイトであること、2つのシリコンダイをクォーツ基板の表面上に画定された銅パッドにバンプパッドは金属バンプである、フリップチップ、及びボンドすることも可能であり、それによりワイヤボンドの数が低減され、それに関連する寄生が低減されること、が含まれる。変圧器202は、単一金属層とレイアウト設計に基づいて誘電材料によって分離された巻線とを用いる相互巻型タイプ、又は2つの巻線間の電圧差を隔てるのに充分大きな距離だけ誘電材料によって分離された二層の金属を用いる積層タイプのいずれかであってよい。相互巻型変圧器タイプ及び積層変圧器タイプのどちらにおいても、誘電材料は、上記表1で識別された誘電材料しかしこれらに限定されないから選択されてよい。本明細書で説明する変圧器は空心変圧器であるが、当業者であれば、本明細書において開示する概念を磁心を備える変圧器にも適用し得ることを理解されよう。図3は、クォーツ基板302上に形成される相互巻型変圧器300を示す。ワイヤボンド304が、第1の半導体ダイ上に形成される例えば、それに関連付けられる5kVに等しい又はそれより高い電圧を有する高電圧集積回路と、相互巻型変圧器300の銅高電圧巻線306との間の電気接続を提供する。ワイヤボンド308が、第2の半導体ダイ上に形成される低電圧集積回路と、相互巻型変圧器300の銅低電圧巻線310との間の電気接続を提供する。前述のように、銅高電圧巻線306及び銅低電圧巻線310は、レイアウト設計に基づく最小巻線分離厚さを有する誘電体、例えばベンゾシクロブテンBCB、によって分離される。BCBを用いる一実施形態において、変圧器巻線の銅金属幅は20μmであってよく、巻線間の間隔は25μmであってよく、巻線の厚さは、7/7巻き図3の概略図では図示せず、外寸2100×2100μm、及び内寸800×800μmを有する変圧器内で5μmであってよい。図4は、銅高電圧巻線306の巻きと銅低電圧巻線310の巻きとを分離する10μm厚さのBCB層を備えた、図3の相互巻型変圧器300の断面を示す。図3及び図4に示す相互巻型平面変圧器300の実施形態のプロセス態様は、銅高電圧巻線304と銅低電圧巻線が、当業者に周知の技法に従ってクォーツ基板302上に直接めっき又は堆積され得るため、有利である。応力及びウェハ反りが非常に良好であるのと同様、クォーツへの銅接着は非常に良好である。前述のように、クォーツが絶縁体であるため基板302に対する誘電破壊は生じない。クォーツの絶縁耐力は25~40V/μmであり、これは、750μm又はそれより厚い厚さのクォーツ基板の場合、基板への早期破壊がないことを意味する。クォーツがパッケージングされ得る前に、ウェハは、例えば16ミルまで、薄化され、基板への破壊電圧が、評価された絶縁レーティングを上回って維持されるように注意を払うべきである。クォーツ基板を使用することの更なる利点は周波数ドメインにあり、ここで、インダクタに用いられる一般的な良度指数は、Q値と呼ばれ、虚部インピーダンスと実部インピーダンスの比として定義される。シリコン基板上に形成されるインダクタ又は変圧器では、周波数が上昇するとシリコン基板内に渦電流が発生する。これは、シリコン内の集積スパイラルインダクタにおける良く知られた現象である。クォーツ基板の利用により、渦電流の存在が効果的に除去され、インダクタ又は変圧器がその最大可能周波数応答を得ることが可能となる。その結果、最大Qが大幅に増加する。当業者であれば、クォーツ基板上に形成される変圧器に関して本明細書で開示する概念及び対象を、クォーツ基板上に形成されるインダクタに等しく適用し得ることに留意されたい。図5は、図3及び図4に示したクォーツ上の相互巻型変圧器300の周波数応答を示す。前述のように、この設計では、金属は5μm厚さの銅であり、スパイラルに対して7つの巻線があり、金属幅は20μm、金属間間隔は25μmである。金属はパッシベーション層として10μm厚さのBCB層で覆われる。図5に示すように、70MHzの周波数を達成するシリコンウェハ上の同じ設計に比し、クォーツ基板は周波数400MHzで最大Qを達成する。シリコンウェハの10に比し、クォーツ基板の最大Qも、図5において19と、ずっと高い。図6はマルチチャネル実施形態を示し、ここでは、高電圧シリコンダイ及び低電圧シリコンダイが、4つの相互巻型変圧器と共に、クォーツ基板にボンディングされる。図6では、変圧器は相互巻型八角形設計として示しているが、他の混交設計例えば図3及び図4に示した設計又は積層設計も利用可能である。クォーツ上での銅のローカルルーティングを利用して、高電圧ダイと低電圧ダイとの間で4つの相互巻型変圧器が相互接続される。図6の実施形態では、4つの変圧器を44リードPLCCパッケージに組み込むことができる。これにより、ボンドワイヤ用の金属パッドを、クォーツ基板の端部周辺に分散させ、ローカル銅相互接続を用いて変圧器に接続させることができる。共通のクォーツ基板と、ワイヤボンドパッドを分散させるようクォーツ上で相互接続される銅のローカルルーティングとを用いなければ、このマルチチャネル設計を44リードPLCCパッケージに適合することはできない。本明細書で説明された特定の実施形態は例として提供されたものであり、当業者であれば、添付の特許請求の範囲及びそれらの等価物で表されるような請求された対象の範囲から逸脱することなく、他の改変が想起可能であることを理解されたい。