被処理体が収納される内部空間を有する反応室と、前記反応室内に配置され、前記内部空間を前記被処理体が配置される第1の空間と前記第1の空間以外の第2の空間とに仕切る仕切部と、前記仕切部に設けられ、前記第1の空間に向けてガスを放出するガス放出部と、前記ガス放出部に前記反応室外から第1のガスを導入する第1のガス導入部と、前記第2の空間に前記反応室外から前記第1のガスと異なる第2のガスを導入する第2のガス導入部と、前記第2の空間に位置し、前記第1の空間に容量結合プラズマを発生させる容量結合電極と、前記第2の空間内部又は前記第2の空間側外部に配置され、前記第2の空間に誘導結合プラズマを発生させる誘導結合プラズマ発生源と、を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。前記仕切部が、前記容量結合電極の一方として用いられることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。前記第1のガス導入部は、前記仕切部内部に設けられたガス流路を有しており、該ガス流路と前記ガス放出部とが連通していることを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。前記仕切部に前記第1の空間と前記第2の空間とが連通する連通部を有することを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。前記ガス放出部は、前記仕切部の仕切面方向に亘って複数が分散配置されていることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。仕切部によって内部空間が第1の空間と第2の空間とに仕切られた反応室を用いて、前記第1の空間に被処理体を配置し、前記仕切部を通して前記第1の空間に第1のガスを導入するとともに、前記第2の空間に、前記第1のガスと異なる第2のガスを導入しつつ、前記第1の空間に容量結合プラズマを発生させて前記第1のガスをプラズマ化するとともに、前記第2の空間に誘導結合プラズマを発生させて前記第2のガスをプラズマ化し、プラズマ化によって生成された前記第1のガスのラジカルと前記第2のガスのラジカルとによって前記第1の空間内で前記被処理体の処理を行うことを特徴とする被処理体のプラズマ処理方法。前記第1のガスは、前記仕切部の仕切面方向に亘って前記第1の空間にシャワー状に放出されることを特徴とする請求項6記載の被処理体のプラズマ処理方法。ところで、欠陥密度の低い高品質な微結晶シリコン薄膜を成膜するためには、水素ラジカルとシリルSiH3ラジカルとが必要であるといわれている。しかしながら、一般的に、シランSiH4と水素H2とが同時に存在するような空間では、プラズマエネルギーを上げると、水素の解離が進行し、水素ラジカルの生成量が増加するが、同時にシランの解離も進行する。このため、成膜種であるSiH3ラジカルの生成量が相対的に減少する。逆に、シランの解離を抑制するためにプラズマエネルギーを下げると、水素の解離する割合も減少し、その結果として水素ラジカルの生成量が減少する。このように、水素ラジカルの生成量とSiH3ラジカルの生成量とを同時に増加することは、相反する両立困難なことであると知られている。また、上記のような従来のプラズマ処理装置では、処理対象物が大面積の基板であっても、シリコン薄膜等の薄膜を均一な膜厚で形成することが望まれている。その一方で、従来のICP-CVD装置では、該装置に特有のアンテナ近傍における高密度プラズマによってシランの解離が過度に進行する。シランの過度の解離により、従来のICP-CVD装置では、SiH3ラジカルの生成がうまくできず、SiH3ラジカルの生成量よりもSiラジカル、SiHラジカル、SiH2ラジカルの生成量が増加する。これらSiH3ラジカル以外のラジカルはシランと2次反応又は3次反応をすることにより、ダイマー、トリマー等が生成され、結果として膜の欠陥密度が増加し、膜質が低下するという問題が生じる。上記のような理由により、従来のプラズマ処理装置では、膜質を向上するためにSiH3ラジカルの生成量と水素ラジカルの生成量の両方を増加させることは困難である。また、ICP-CVD装置では、生成されるプラズマの密度が高いため、膜質を考慮しなければ、微結晶シリコン膜を容易に成膜することができる。しかしながら、ICP-CVD装置では、高密度のアモルファスシリコン膜を成膜することは困難である。本発明は、上記のような従来の課題を解決するためになされたもので、互いに異なるガスをガス種に応じて適切にプラズマ化でき、高品質の薄膜を成膜できるプラズマ処理装置及び被処理体のプラズマ処理方法を提供することを目的としている。すなわち、本発明のプラズマ処理装置は、被処理体が収納される内部空間を有する反応室と、前記反応室内に配置され、前記内部空間を前記被処理体が配置される第1の空間と前記第1の空間以外の第2の空間とに仕切る仕切部と、前記仕切部に設けられ、前記第1の空間に向けてガスを放出するガス放出部と、前記ガス放出部に前記反応室外から第1のガスを導入する第1のガス導入部と、前記第2の空間に前記反応室外から前記第1のガスと異なる第2のガスを導入する第2のガス導入部と、前記第2の空間に位置し、前記第1の空間に容量結合プラズマを発生させる容量結合電極と、前記第2の空間内部又は前記第2の空間側外部に配置され、前記第2の空間に誘導結合プラズマを発生させる誘導結合プラズマ発生源と、を備えることを特徴とする。また、本発明の被処理体のプラズマ処理方法は、仕切部によって内部空間が第1の空間と第2の空間とに仕切られた反応室を用いて、前記第1の空間に被処理体を配置し、前記仕切部を通して前記第1の空間に第1のガスを導入するとともに、前記第2の空間に、前記第1のガスと異なる第2のガスを導入しつつ、前記第1の空間に容量結合プラズマを発生させて前記第1のガスをプラズマ化するとともに、前記第2の空間に誘導結合プラズマを発生させて前記第2のガスをプラズマ化し、プラズマ化によって生成された前記第1のガスのラジカルと前記第2のガスのラジカルとによって前記第1の空間内で前記被処理体の処理を行うことを特徴とする。上記本発明によれば、第1のガスは、反応室の内部空間を第1の空間と第2の空間とに仕切る仕切部のガス放出部を通して第1の空間に導入される。一方、第2のガスは、第2の空間に導入される。このようなガス導入において、第1のガスは、第2の空間に位置する容量結合プラズマ発生源である容量結合電極によりプラズマ化され、第2のガスは、第2の空間内部又は第2の空間側外部に配置された誘導結合プラズマ発生源によりプラズマ化される。このように、第1のガスと第2のガスとは互いに別個独立のプラズマ発生源によりプラズマ化されるため、第1のガスと第2のガスとを互いに異なるエネルギーでプラズマ化することができる。これにより、第1のガスと第2のガスとをガス種に応じて適切にプラズマ化することができる。したがって、上記本発明によれば、第1のガスのプラズマ化により生成されるラジカル等の反応種と、第2のガスのプラズマ化により生成されるラジカル等の反応種とをそれぞれ薄膜の成膜に好適な生成量で生成することができ、高品質の薄膜を成膜することができる。なお、第2の空間においてプラズマ化された第2のガスは、第1の空間に導入される必要がある。このためには、第1の空間と第2の空間とが連通する連通部を反応室内に設ければよい。例えば、連通部は、連通孔等として仕切部に設けることができる。第2の空間においてプラズマ化された第2のガスは、連通部を介して第1の空間に導入される。こうして、第1の空間において容量結合電極によりプラズマ化された第1のガスと、第2の空間において誘導結合プラズマ発生源によりプラズマ化された第2のガスとにより、第1の空間において被処理体上に薄膜が形成される。容量結合プラズマ発生源である容量結合電極は、第2の空間に位置し、第1の空間に容量結合プラズマを発生させることができるものであれば、特に限定されるものではない。例えば、容量結合電極の一方としては、仕切部を用いることができ、また、仕切部とは別個独立に設けられた電極を用いることもできる。容量結合電極の他方としては、反応室の内部空間において被処理体を保持する保持部や、反応室の第1の空間側壁部を用いることができ、また、これらとは別個独立に設けられた電極を用いることもできる。なかでも、容量結合電極として、仕切部と、保持部又は反応室の第1の空間側壁部とを用いれば、部品点数が少なくメンテナンス性に優れた装置構成を実現することができる。なお、容量結合電極は、プラズマの発生効率の観点からは、互いに対向して配置された一対の平行平板電極状に構成されていることが好ましい。また、誘導結合プラズマ発生源は、第2の空間内部又は第2の空間側外部に配置され、第2の空間に誘導結合プラズマを発生させることができるものであれば、特に限定されるものではない。誘導結合プラズマ発生源としては、例えば、第2の空間内部又は第2の空間側外部に配置されたアンテナを有するものを用いることができる。例えば、微結晶シリコン膜やアモルファスシリコン膜等のシリコン膜を成膜する際には、第1のガスとしてシラン系ガスを選択し、第2のガスとして水素含有ガスを選択することができる。シラン系ガスとしては、シランガス、ジシランガス等が挙げられる。水素含有ガスとしては、水素の単一ガス、又は、水素ガスと希ガス、ホスフィンガス及びジボランガスのうちの1種以上とを含む混合ガスが挙げられる。例えば、水素希ガス、水素ホスフィン、水素ホスフィン希ガス、水素ジボラン、水素ジボラン希ガス等が示される。シラン系ガスは、第1の空間において、容量結合電極によりプラズマ化されて、成膜種となるSiH3ラジカルが生成される。例えば、仕切部等の容量結合電極の一方に印加する高周波電圧の振幅、周波数を適宜設定したり、仕切部と保持部との間の距離を適宜設定したりする等、容量結合電極によるシラン系ガスのプラズマ化の条件を適宜設定することにより、Siラジカル、SiHラジカル、SiH2ラジカルへの分解を抑制しつつ、SiH3ラジカルをシリコン膜の成膜に好適な生成量で生成することができる。他方、水素含有ガスは、第2の空間において、誘導結合プラズマ発生源によりプラズマ化されて、水素ラジカルが生成される。例えば、誘導結合プラズマ発生源のアンテナに印加する高周波電圧の振幅、周波数を適宜設定したり、該アンテナのインダクタンスを適宜設定したりする等、誘導結合プラズマ発生源による水素含有ガスのプラズマ化の条件を適宜設定することにより、水素ラジカルをシリコン膜の成膜に好適な生成量で生成することができる。なお、第2の空間において生成された水素ラジカルは、第2の空間から第1の空間に連通部を介して導入される。以上のように、本発明によれば、微結晶シリコン膜やアモルファスシリコン膜等のシリコン膜を成膜する場合には、シラン系ガスと水素含有ガスとを互いに別個独立のプラズマ発生源によりプラズマ化するため、SiH3ラジカルと水素ラジカルとをそれぞれシリコン膜の成膜に好適な生成量で生成することができる。これにより、被処理体上に欠陥密度の低い微結晶シリコン膜やアモルファスシリコン膜等の高品質のシリコン膜を成膜することができる。但し、本発明としては、上記処理内容に限定されるものではない。なお、第1のガス導入部は、仕切部内部に設けられたガス流路を有するように構成してもよく、該ガス流路と前記ガス放出部が連通しているようにすることができる。また、ガス放出部は、前記仕切部の仕切面方向に亘って複数が分散配置されていてもよい。分散配置された複数のガス放出部は、仕切面の仕切方向に亘って第1のガスを第1の空間にシャワー状に放出することができる。このように第1のガスをシャワー状に放出することにより、被処理体の中心部から周縁部に亘って、より均一な膜厚及び膜質を有する薄膜を成膜することができる。また、仕切部及び保持部は、それぞれ金属部材等の導電性部材で構成することができる。仕切部及び保持部は、導電性部材で構成されていることにより、容量結合電極として機能することができる。また、保持部にバイアス電圧を印加して、ラジカルの移動を調整するようにしてもよい。すなわち、本発明によれば、仕切部によって内部空間が第1の空間と第2の空間とに仕切られた反応室を用いて、前記第1の空間に被処理体を配置し、前記仕切部を通して前記第1の空間に第1のガスを導入するとともに、前記第2の空間に、前記第1のガスと異なる第2のガスを導入しつつ、前記第1の空間に容量結合プラズマを発生させて前記第1のガスをプラズマ化するとともに、前記第2の空間に誘導結合プラズマを発生させて前記第2のガスをプラズマ化し、プラズマ化によって生成された前記第1のガスのラジカルと前記第2のガスのラジカルとによって前記第1の空間内で前記被処理体の処理を行うので、互いに異なるガスをガス種に応じて適切にプラズマ化することができ、高品質の薄膜を成膜することができる。実施形態1以下、本発明の一実施形態を図1に基づいて説明する。図1は、本実施形態のプラズマ処理装置を示す概略図である。本実施形態のプラズマ処理装置は、本発明の反応室に相当する真空槽1を有している。真空槽1は、周側壁1a1及び底板1a2により構成される真空槽下部本体1aと、周側壁1b1及び天板1b2により構成される真空槽上部本体1bとを有している。真空槽下部本体1aと真空槽上部本体1bとは、後述する板状の仕切部7を介して上下に重ねられて密閉されている。なお、真空槽下部本体1aと仕切部7との間には絶縁板71aが介在されており、真空槽下部本体1aと仕切部7との間が絶縁されている。また、真空槽上部本体1bと仕切部7との間には絶縁板71bが介在されており、真空槽上部本体1bと仕切部7との間が絶縁されている。真空槽下部本体1aの周側壁1a1及び底板1a2は一体に構成され、真空槽上部本体1bの周側壁1b1及び天板1b2とは別体で構成されている。周側壁1b1及び天板1b2とは、密着固定されているものの、互いに分離できるようにしてもよい。例えば、周側壁1b1を高さの異なるものに変更することで、真空槽1の高さを容易に変更できる。また、周側壁1b1の内径は周側壁1a1の内径よりも大きく、周側壁1b1の外径と周側壁1a1の外径とは一致しており、周側壁1b1の壁厚は周側壁1a1の壁厚よりも小さくなっている。真空槽下部本体1aの内部中央には、ステージ3が設置されている。ステージ3は、真空槽下部本体1aの底板1a2上に設けられた支持部3aにより支持されている。ステージ3は、金属部材等の導電性部材で構成されており、仕切部7とともに本発明の容量結合電極として機能する。ステージ3は、支持部3a及び底板1a2を介して接地電位に接続されている。ステージ3上には、プラズマ処理を行うべき被処理体4が載置されて保持されるようになっている。被処理体4は、例えば、半導体基板、ガラス基板等の基板である。ステージ3には、図示しない加熱用ヒーターが埋設されている。真空槽上部本体1bの天板1b2中央には、高周波放電により真空槽1内に誘導結合プラズマを発生させる誘導結合プラズマ発生部5が下向きに設けられている。誘導結合プラズマ発生部5は、マッチング回路等を備えた誘導結合プラズマ発生部本体5aと、真空槽1内に高周波放電を発生させて誘導結合プラズマを発生させる誘導結合プラズマ発生アンテナ5bとを有している。誘導結合プラズマ発生部本体5aは、真空槽上部本体1bの天板1b2中央に嵌装されている。誘導結合プラズマ発生アンテナ5bは、誘導結合プラズマ発生部本体5aの真空槽1内側に接続され、真空槽1内の上部に配置されている。誘導結合プラズマ発生部5は、本発明の誘導結合プラズマ発生源に相当する。また、誘導結合プラズマ発生部本体5aの真空槽1外側には、高周波電源6が接続されている。上記真空槽下部本体1aと真空槽上部本体1bとの間の仕切部7は、ステージ3に載置された被処理体4に対向するように配置されている。真空槽1の内部空間8は、仕切部7により、被処理体4が配置されるステージ3側の第1の空間8aと、誘導結合プラズマ発生アンテナ5b側の第2の空間8bとに仕切られている。仕切部7は、金属部材等の導電性部材で構成されており、ステージ3とともに本発明の容量結合電極として機能する。仕切部7には、真空槽1外側に配置された高周波電源9が接続されている。上記高周波電源9、6の出力周波数は、それぞれプラズマ化すべき後述の第1のガス及び第2のガスの種類に応じて設定されている。例えば、第1のガスとしてシランガスを用い、第2のガスとして水素ガスを用いて被処理体4上にシリコン膜を形成する場合、高周波電源9の出力周波数は例えば13.56MHzに設定されている。これに対し、高周波電源6の出力周波数は高周波電源9の出力周波数と同じく例えば13.56MHz又は高周波電源9の出力周波数よりも高い周波数に設定されている。このように、第1のガス及び第2のガスの種類に応じて高周波電源9、6の出力周波数を適宜設定することにより、第1のガスのプラズマ化により生成されるラジカル等の反応種の生成量及び第2のガスのプラズマ化により生成されるラジカル等の反応種の生成量を互いに独立して制御することができる。仕切部7の内部には、第1のガスが流通するガス流路7bが形成されている。ガス流路7bは、仕切部7の板面に沿って均等に複数本に分岐している。ガス流路7bの下面には、ガス流路7bに連通する複数のガス放出孔7cが仕切部7の板面方向に亘って分散配置されている。ガス放出孔7cは、仕切部7の板面に沿った断面において、好適には直径1mmの円形の断面形状を有している。ガス放出孔7cは、本発明のガス放出部に相当する。さらに、仕切部7には、前記ガス放出孔7cと区別されて上下面に貫通する複数の連通孔7dが仕切部7の板面方向に亘って分散配置されている。第1の空間8aと第2の空間8bとは、連通孔7dを介して連通している。連通孔7dは、仕切部7の板面に沿った断面において、好適にはガス放出孔7cと同じく直径1mmの円形の断面形状を有している。連通孔7dは、本発明の連通部に相当する。真空槽下部本体1aの周側壁1a1には、第1のガスが流通するガス流路10が設けられている。ガス流路10は、真空槽下部本体1aの周側壁1a1外周面上部及び周側壁1a1上端面に開口している。真空槽下部本体1aの周側壁1a1上端面に開口するガス流路10の開口部は、絶縁板71aに形成された開口部を介して、仕切部7の端部下面に開口するガス流路7bの開口部に連通している。真空槽下部本体1aの周側壁1a1外周面上部に開口するガス流路10の開口部には、第1のガスが導入される第1のガス導入口11が設けられている。第1のガス導入口11に導入される第1のガスは、ガス流路10及びガス流路7bを通して、ガス流路7bに導入され、複数のガス放出孔7cから第1の空間8a内の被処理体4に向けてシャワー状に放出される。第1のガス導入口11、ガス流路10、及びガス流路7bは、本発明の第1のガス導入部を構成する。第1のガス導入口11には、第1のガス供給管12を介して、第1のガスを供給する第1のガス供給源13が接続されている。また、第1のガス導入口11に対向する側の真空槽上部本体1bの周側壁1b1には、第2のガスが流通するガス流路14が設けられている。ガス流路14は、真空槽上部本体1bの周側壁1b1の外周面上部及び周側壁1b1の内周面上部に開口している。真空槽上部本体1bの周側壁1b1の外周面上部に開口するガス流路14の開口部には、第2のガスが導入される第2のガス導入口15が設けられている。第2のガス導入口15に導入される第2のガスは、ガス流路14を通して真空槽1内の第2の空間8bに導入される。第2のガス導入口15及びガス流路14は、本発明の第2のガス導入部を構成する。第2のガス導入口15には、第2のガス供給管16を介して、第2のガスを供給する第2のガス供給源17が接続されている。真空槽下部本体1aの底板1a2には、真空槽1内の第1の空間8aに接続されたガス排気路2aが設けられている。ガス排気路2aには、真空排気系2が接続されている。真空排気系2により、真空槽1内の第1の空間8aと、連通孔7dを介して第1の空間8aに連通する第2の空間8bとを互いに同等の真空度に真空排気することが可能になっている。次に、上記図1に示すプラズマ処理装置の動作について説明する。まず、ステージ3上に被処理体4を載置して保持する。次いで、真空排気系2により真空槽1内を真空排気し、真空槽1内を所定の真空度の真空状態とする。第1の空間8aと第2の空間8bとは、これらを連通する複数の連通孔7dにより、互いに同じ真空度の真空状態となる。真空槽1内が所定の真空度となった後、ステージ3に埋設された加熱用ヒーターにより、ステージ3上の被処理体4を所定の温度に加熱する。なお、真空排気系2では、以後、真空槽1内が所定の真空度に維持されるように真空排気を継続する。次いで、第1のガス供給源13から、第1のガス供給管12を通して第1のガスを第1のガス導入口11に導入する。第1のガス導入口11に導入された第1のガスは、ガス流路10を通して、仕切部7に形成されたガス流路7bに導入される。ガス流路7bに導入された第1のガスは、複数のガス放出孔7cから第1の空間8a内の被処理体4に向けてシャワー状に均一に放出される。また、上記第1のガスの導入と並行して、第2のガス供給源17から、第2のガス供給管16を通して第2のガスを第2のガス導入口15に導入する。第2のガス導入口15に導入された第2のガスは、ガス流路14を通して真空槽1内の第2の空間8bに導入される。第2の空間8bに導入された第2のガスは、仕切部7の複数の連通孔7dを通して第1の空間8a内の被処理体4に向けてシャワー状に均一に放出される。上記のように第1のガスと第2のガスとを真空槽1内に導入しつつ、高周波電源9により仕切部7に高周波電圧を印加するとともに、誘導結合プラズマ発生アンテナ5bに、プラズマ発生部本体5aのマッチング回路等を介して、高周波電源6により高周波電圧を印加する。仕切部7とステージ3との間の第1の空間8aでは、高周波電圧が印加された仕切部7及びステージ3により、高周波放電が発生して容量結合プラズマが発生する。これより、第1のガスがプラズマ化されて第1のガスのラジカル等の反応種が生成される。第1のガスのプラズマ化により生成されるラジカル等の反応種の生成量は、高周波電源9により仕切部7に印加される高周波電圧の振幅、周波数を適宜設定したり、仕切部7とステージ3との間の距離を適宜設定したりすることにより制御することができる。また、第2の空間8bでは、高周波電圧が印加された誘導結合プラズマ発生アンテナ5bにより、高周波放電が発生して誘導結合プラズマが発生する。これにより、第2のガスがプラズマ化されて第2のガスのラジカル等の反応種が生成される。第2のガスのプラズマ化により生成されるラジカル等の反応種の生成量は、高周波電源6により誘導結合プラズマ発生アンテナ5bに印加される高周波電圧の振幅、周波数を適宜設定したり、誘導結合プラズマ発生アンテナ5bのインダクタンスを適宜設定したりすることにより制御することができる。第2の空間8b内においてプラズマ化された第2のガスは、仕切部7の複数の連通孔7dから第1の空間8a内の被処理体4に向けてシャワー状に均一に放出される。第1の空間8a内には、プラズマ化された第1のガスが存在している。これにより、プラズマ化された第1のガスとプラズマ化された第2のガスとが、第1の空間8a内の被処理体4の近傍で接触して反応する。この結果、被処理体4上に薄膜が成膜される。上述のように、本実施形態においては、第1のガスと第2のガスとは互いに別個独立のプラズマ発生源によりプラズマ化されるため、第1のガスと第2のガスとを互いに異なるエネルギーでプラズマ化することができる。これにより、第1のガスと第2のガスとをガス種に応じて適切にプラズマ化することができる。したがって、第1のガスのプラズマ化により生成されるラジカル等の反応種と、第2のガスのプラズマ化により生成されるラジカル等の反応種とをそれぞれ薄膜の成膜に好適な生成量で生成することができ、高品質の薄膜を成膜することができる。具体的には、上記図1に示すプラズマ処理装置を用いて被処理体4上に微結晶シリコン膜やアモルファスシリコン膜等のシリコン膜を成膜する場合、例えば、第1のガスとしてSiH4ガスを用い、第2のガスとして水素ガスを用いる。仕切部7とステージ3との間の第1の空間8aでは、高周波電圧が印加された仕切部7及びステージ3により容量結合プラズマが発生する。これにより、SiH4ガスがプラズマ化されて成膜種となるSiH3ラジカルが生成される。SiH3ラジカルは、高周波電源9により仕切部7に印加される高周波電圧の振幅、周波数を適宜設定したり、仕切部7とステージ3との間の距離を適宜設定したりすることにより、Siラジカル、SiHラジカル、SiH2ラジカルへの分解を抑制しつつ、シリコン膜の成膜に好適な生成量で生成することができる。他方、第2の空間8bでは、誘導結合プラズマ発生アンテナ5bにより誘導結合プラズマが発生する。これにより、水素ガスがプラズマ化されて水素ラジカルが生成される。水素ラジカルは、高周波電源6により誘導結合プラズマ発生アンテナ5bに印加される高周波電圧の振幅、周波数を適宜設定したり、誘導結合プラズマ発生アンテナ5bのインダクタンスを適宜設定したりすることにより、シリコン膜の成膜に好適な生成量で生成することができる。第2の空間8b内において生成された水素ラジカルは、仕切部7の複数の連通孔7dから第1の空間8a内の被処理体4に向けてシャワー状に放出される。また、第1の空間8a内には、SiH3ラジカルが生成されている。これにより、水素ラジカルとSiH3ラジカルとが、第1の空間8a内の被処理体4の近傍で接触して反応する。この結果、被処理体4上に薄膜が成膜される。上述のようにSiH3ラジカルと水素ラジカルとをシリコン膜の成膜に好適な生成量で生成することができるため、欠陥密度の低い微結晶シリコン膜やアモルファスシリコン膜等の高品質のシリコン膜を成膜することができる。実施形態2次に、本発明の他の実施形態を図2に基づいて説明する。図2は、本実施形態のプラズマ処理装置を示す概略図である。なお、上記実施形態1と同様の構成については同一の符号を付してその説明を省略又は簡略化する。本実施形態のプラズマ処理装置は、上記図1に示す実施形態1のプラズマ処理装置において、ステージ3にバイアス電圧を印加するための直流電源18を更に有するものである。図2に示すように、ステージ3には、ステージ3にバイアス電圧を印加するための直流電源18が接続されている。ステージ3を支持する支持部3aは絶縁体で構成されており、直流電源18によりバイアス電圧が印加されるステージ3と、接地電位に接続された真空槽下部本体1aとの間が絶縁されている。上記図2に示すプラズマ処理装置では、直流電源18によりステージ3に所定のバイアス電圧を印加しつつ、上記実施形態1の場合と同様にプラズマ処理を行う。直流電圧18によりステージ3に印加するバイアス電圧は、プラズマ化による第1のガス及び第2のガスの電離状態等を考慮して適宜設定することができる。こうしてステージ3に所定のバイアス電圧を印加することにより、プラズマ化された第1のガス及び第2のガスがステージ3側に引き寄せられて、ステージ3上の被処理体4に対して効率よくプラズマ処理を行うことが可能になる。なお、上記各実施形態では、誘導結合プラズマ発生アンテナ5bが真空槽1内に配置されているものについて説明したが、第2の空間8b側の真空槽1外に誘導結合プラズマ発生アンテナ5bを配置し、真空槽1内に第2の空間8b側から第1の空間8a側に向かって高周波放電が発生するようにしてもよい。この場合には、誘導結合プラズマ発生アンテナ5bにより真空槽1内に高周波放電が発生することができるように、真空槽1の誘導結合プラズマ発生アンテナ5bが配置された側の部分に、誘電体よりなる窓部等を設ければよい。また、上記各実施形態では、単一の誘導結合プラズマ発生部5を設けたものについて説明したが、複数の誘導結合プラズマ発生部5を設けてもよい。この場合、例えば、真空槽上部本体1bの天板1b2に、複数の誘導結合プラズマ発生部5を並列して設ければよい。また、上記各実施形態では、仕切部7の構成として、ガス流路7b、ガス放出孔7c、及び連通孔7cが形成されている構成について図1に基づいて説明したが、仕切部7の構成は、図1に示す構成に限定されるものではない。例えば、仕切部7の構成としては、板状導電性部材の内部に、ガス導入路10を通して第1のガスが導入される空洞部が形成され、該空洞部内に板状導電性部材の板面に沿った単段又は複数段の仕切板が設置され、各仕切板に上下に貫通する複数の通気孔が分散配置され、板状導電性部材の底部に上下に貫通する複数のガス放出孔が分散配置されている構成を用いてもよい。なお、この場合、第1の空間8aと第2の空間8bとが連通する本発明の連通部として、前記第1の空間8a、第2の空間8bと区画され、仕切部7の上下に貫通する連通孔を設けることができる。この構成において、第1のガスは、ガス流路10を通して、板状導電性部材内部に形成された空洞部内に導入される。空洞部内に導入された第1のガスは、単段又は複数段の仕切板のそれぞれに分散配置された複数の通気孔を通過した後、導電性板状部材の底部に分散配置された複数のガス放出孔から第1の空間8a内の被処理体4に向けてシャワー状に放出される。空洞部内に設置される仕切板の枚数をより多くすることにより、より均一に第1のガスを被処理体4に向けてシャワー状に放出することができる。また、上記各実施形態では、仕切部7とステージ3とを容量結合電極として用いるものについて説明したが、容量結合電極の構成はこれに限定されるものではない。例えば、真空槽1内に仕切部7及びステージ3とは別個独立の一対の電極を設けて該一対の電極を容量結合電極として用いてもよい。また、真空槽1内に仕切部7又はステージ3とは別個独立の電極を設けて該電極と仕切部7又はステージ3とを容量結合電極として用いてもよい。以上、本発明について上記実施形態に基づいて説明を行ったが、本発明は上記実施形態の説明に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない限りは適宜の変更が可能である。