リードフレームのダイパッド上に半導体チップを搭載する工程と、前記リードフレームを金型内に配置して封止樹脂により封止するモールド工程と、封止された前記リードフレームを前記金型から取り出す工程と、前記封止樹脂の不要部分を除去する除去工程と、を有し、前記モールド工程前において、前記リードフレームの支持フレームの少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部を形成する工程を有し、前記モールド工程において、前記半導体チップを内包するキャビティに前記封止樹脂を案内するランナを、前記半抜き加工部の上を通るように配置し、前記不要部分は、前記ランナに残留した前記封止樹脂であり、前記除去工程において、前記半抜き加工部を除去することにより前記不要部分を除去する半導体装置の製造方法。請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記半抜き加工部を形成する工程において、片面側から前記支持フレームにおける板厚の30以上50以下にプレス加工した後、逆面側からプレス加工して平坦化させる半導体装置の製造方法。少なくとも一つ以上のダイパッドと、前記ダイパッドを支持する吊りリードと、前記吊りリードを支持する支持フレームと、を有し、前記支持フレームは、少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部を有するリードフレーム。しかし、特許文献1に記載の方法では、ランナとリードフレームの密着力が強い場合、ランナの一部の封止樹脂が、打ち抜きピンで押し出しても剥離しきれず、リードフレームの表面に残存してしまう可能性があった。本発明によれば、リードフレームのダイパッド上に半導体チップを搭載する工程と、前記リードフレームを金型内に配置して封止樹脂により封止するモールド工程と、封止された前記リードフレームを前記金型から取り出す工程と、前記封止樹脂の不要部分を除去する除去工程と、を有し、前記モールド工程前において、前記リードフレームの支持フレームの少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部を形成する工程を有し、前記モールド工程において、前記半導体チップを内包するキャビティに前記封止樹脂を案内するランナを、前記半抜き加工部の上を通るように配置し、前記不要部分は、前記ランナに残留した前記封止樹脂であり、前記除去工程において、前記半抜き加工部を除去することにより前記不要部分を除去する半導体装置の製造方法、が提供される。本発明によれば、少なくとも一つ以上のダイパッドと、前記ダイパッドを支持する吊りリードと、前記吊りリードを支持する支持フレームと、を有し、前記支持フレームは、少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部を有するリードフレーム、が提供される。本発明によれば、モールド工程前において、リードフレームの支持フレームの少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部を形成し、ランナに残留した封止樹脂と固着させる。その後の除去工程において、半抜き加工部を切断する。これにより、不要部分を容易に除去することができる。以上により、リードフレームに不要な封止樹脂を残存させることなく、確実に除去することができる。本発明によれば、リードフレームに不要な封止樹脂を残存させることなく、確実に除去することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。第一の実施形態図1は、第一の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。図1を用いて、第一の実施形態で用いられるリードフレーム200について説明する。本実施形態のリードフレーム200は、少なくとも一つ以上のダイパッド210と、ダイパッド210を支持する吊りリード220と、吊りリード220を支持する支持フレーム240と、を有する。支持フレーム240は、少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部260を有している。この半抜き加工部260は、後述するように、ランナ図3の340に残留した封止樹脂と固着する。以下、詳細を説明する。図1は、半導体チップ100が搭載されたリードフレーム200を示している。なお、図1aは平面図である。また、図1bは図1aのA-A線断面図である。また、図1cは図1bのC部を拡大した断面図である。図1aのように、リードフレーム200は、ダイパッド210と、吊りリード220と、リード230と、支持フレーム240を有している。また、ダイパッド210は、吊りリード220によって支持されている。ダイパッド210上には、半導体チップ100が固定されている。リード230は、半導体チップ100上の電極パッド非表示とボンディングワイヤ120により接続されている。図1aのように、支持フレーム240には、少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部260が形成されている。なお、図1aの半抜き加工部260を囲む実線部が、溝の形成部分に相当する。また、図1cのように、本実施形態では、支持フレーム240の両面側から溝が形成されている。これにより、半抜き加工部260が形成されている。この半抜き加工部260は、後述するように、たとえば、プレス加工により形成されている。また、図1bのように、リードフレーム200には、複数の半抜き加工部260と開口部280が、第一の方向に沿って、交互に繰り返し形成されている。また、第一の方向とは、例えば、後述する封止樹脂を案内するランナ340の延伸方向である。次に、図1~5を用いて、第一の実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。図1は、第一の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す図であり、図2~図5は、第一の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。本実施形態の半導体装置の製造方法は、以下の工程を有している。まず、リードフレーム200のダイパッド210上に半導体チップ100を搭載する。次いで、リードフレーム200を金型内に配置して封止樹脂により封止するモールド工程。次いで、封止されたリードフレーム200を金型から取り出す。次いで、封止樹脂の不要部分600を除去する除去工程。ここで、モールド工程前において、リードフレーム200の支持フレーム240の少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部260を形成する。次いで、モールド工程において、半導体チップ100を内包するキャビティ380に封止樹脂を案内するランナ340を、半抜き加工部260の上を通るように配置して封止する。また、不要部分600とは、ランナ340に残留した封止樹脂である。また、除去工程において、半抜き加工部260を除去することにより、不要部分600を除去する。以下、詳細を説明する。図2a~図2dは、半抜き加工部260の形成工程を示している。少なくともモールド工程よりも前において、下記のような半抜き加工部260の形成工程を行う。まず、図2aのように、ダイ740上に、支持フレーム240が所定のプレス加工位置に来るように、リードフレーム200を載置する。次いで、図2bのように、リードフレーム200の片側から、パンチ720によりプレス加工を行う。このとき、片面側から支持フレーム240における板厚の30以上50以下にプレス加工する。この範囲内のプレス加工を施すことにより、モールド工程までは、後述する半抜き加工部260を支持フレーム240に固定しておくことができる。また、除去工程において、半抜き加工部260を容易に除去することができる。次いで、図2cのように、図2bと逆の方向からプレス加工を行う。これにより、支持フレーム240の平坦化を行う。このようにして、図2dのように、支持フレーム240の少なくとも片面本実施形態では両面に、溝で囲まれた半抜き加工部260を形成する。なお、この半抜き加工部260の形成工程は、後述する半導体チップ100をリードフレーム200に搭載する工程の後で行ってもよい。次いで、図1aに示すように、リードフレーム200のダイパッド210上に半導体チップ100を搭載する。次いで、半導体チップ上の電極パッド非表示とリード230とを、ボンディングワイヤ120により接続する。次いで、以下のように、モールド工程を行う。まず、リードフレーム200を金型内に投入する。ここで、図3は、金型内に配置したリードフレーム200を示している。また、図4aは、図3のA-A線断面図を示している。また、図4bは、図2のB-B線断面図を示している。なお、図3、図4中の太実線部は、金型の内壁形状を示している。図3、図4bのように、半導体チップ100を内包するキャビティ380に封止樹脂を案内するランナ340を、半抜き加工部260の上を通るように配置する。次いで、図4aのプランジャ460により、封止樹脂をカル320からキャビティ380まで充填させる。次いで、加熱して封止樹脂を硬化させる。このとき、図4aのように、ランナ340は半抜き加工部260や開口部280の上を通るように配置されている。このため、支持フレーム240本体のうち、ランナ340に残留した封止樹脂と固着する部分は小さい。次いで、封止樹脂を硬化した後、上金型420と下金型440を外して、リードフレーム200を取り出す。次いで、以下のように、不要部分600の除去工程を行う。図5a、図5bは、第一の実施形態における除去工程で不要部分600を分離したときを示している。ここで、不要部分600とは、ランナ340に残留した封止樹脂のことである。図5aのように、半抜き加工部260及び開口部280の直上に、半抜き加工部260及び開口部280に対して挿入できる範囲で大きい断面を有する打ち抜きピン540を配置する。次いで、プッシャプレート520を下降させる。これにより、打ち抜きピン540は、半抜き加工部260を切断するとともに、不要部分600を押し出す。このとき、上記したように、支持フレーム240本体のうち、封止樹脂と固着する部分が小さい。ここで、支持フレーム240本体のうち、ランナ340に残留した封止樹脂と固着する部分とは、半抜き加工部260以外の支持フレーム240と接する部分、およびキャビティ380に接続するゲート不図示と接する部分である。なお、上記した封止樹脂と固着する部分は、固着面積が小さいため、弱い力をかけるだけで簡単に剥離することができる。また、半抜き加工部260の裏面において封止樹脂と固着する部分は、半抜き加工部260を切断することにより、半抜き加工部260とともに除去される。このように、半抜き加工部260を切断することにより、ランナ340の封止樹脂不要部分600を容易に除去することができる。したがって、図5bのように、半導体パッケージ部620をリードフレーム200に残しつつ、不要部分600だけを的確に除去することができる。その後、リードフレーム200における吊りリード220とリード230を切断し、各々の半導体装置を得る。次に、図6を用いて、本実施形態の効果について説明する。図6は、上記した不要部分600の除去工程後の平面図を示している。なお、図6aは、比較例として、本実施形態のような半抜き加工部260を設けない場合を示しており、図6bは、本実施形態の場合を示している。図6aのように、比較例では半抜き加工部260が形成されていない。これにより、モールド工程において、支持フレーム240本体のうち、封止樹脂と固着する部分が大きい。このため、除去工程において、開口部280に設置された打ち抜きピン540で押し出しても完全に剥離しきれない場合が生じる。このようにして、支持フレーム240には、封止樹脂の一部残存部640が残存してしまう。このような残存部640がある状態では、後工程での搬送不具合が生じる可能性がある。また、除去工程後の意図しないときにおいて残存部640が剥離することにより、半導体パッケージ部620に異物が付着してしまうなどの不具合が生じる可能性がある。一方、本実施形態によれば、モールド工程前において、リードフレーム200の支持フレーム240の少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部260を形成する。次いで、モールド工程において、半抜き加工部260を、ランナ340に残留した封止樹脂と固着させる。これにより、支持フレーム240本体のうち、封止樹脂と固着する部分が小さくなる。したがって、図6bのように、除去工程において、半抜き加工部260を切断することにより、残存部640を生じることなく、不要部分600を容易に除去することができる。以上により、本実施形態によれば、リードフレーム200に不要な封止樹脂を残存させることなく、確実に除去することができる。以上、本実施形態では、リードフレーム200の支持フレーム240の両面に、溝で囲まれた半抜き加工部260を形成する場合を説明したが、たとえば、片面にビク刃によって溝を形成してもよい。また、たとえば、片面にハーフエッチング加工することにより溝を形成してもよい。また、本実施形態では、溝で囲まれた半抜き加工部260を形成する場合を説明したが、その溝の一部に貫通開口部を有していてもよい。本実施形態では、半抜き加工部260が長方形の場合を説明したが、形状が限定されるわけではなく、たとえば円状でもよい。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。