"下記式1で表される構造単位及び架橋部位を有する構造単位を含むポリマーと、架橋剤と、架橋反応を促進させる化合物と、有機溶媒とを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。式中、R1は水素原子又はメチル基を表し、Aは炭素原子数1乃至13のアルキレン基又はフェニレン基を表し、Yは窒素原子又はリン原子を表し、R2、R3及びR4はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数1乃至13のアルキル基、又はフェニル基を表し、Xは炭素原子数1乃至13のアルキルスルホン酸アニオン、炭素原子数1乃至13のアルキルスルファートアニオン、クロリドアニオン、ブロミドアニオン、炭素原子数1乃至13のフルオロアルキルスルホン酸アニオン、4フッ化ホウ素アニオン、6フッ化リンアニオン及び炭素原子数1乃至13のアルキルカルボン酸アニオンからなる群から選択されるアニオンを表す。前記ポリマーの架橋部位を有する構造単位は、下記式2で表されることを特徴とする、請求項1に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。式中、R5は水素原子又はメチル基を表し、Dは直鎖状、分岐状又は環状の炭素原子数1乃至13の炭化水素基を表し、該炭化水素基は少なくとも1つのヒドロキシ基を置換基として有する。前記ポリマーが、さらに下記式3で表される構造単位を有することを特徴とする、請求項1又は請求項2に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。式中、R6は水素原子又はメチル基を表し、L1は単結合又は直鎖状若しくは分岐鎖状の炭素原子数1乃至13のアルキレン基を表し、Eは置換基を有していてもよいラクトン環又はアダマンタン環を表す。請求項1乃至請求項3のうちいずれか一項に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成してレジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト下層膜と前記レジスト膜で被覆された半導体基板をKrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、極端紫外線及び電子線からなる群から選択される放射線により露光する工程、露光後にアルカリ性現像液によって現像する工程を含む、レジストパターンの形成方法。上述の有機反射防止膜レジスト下層膜に要求される特性としては、レジストとのインターミキシングが起こらないことレジスト溶剤に不溶であること、裾引きなどのないレジストパターンが形成できること、レジストとの密着性に優れること、レジストに比べて大きなドライエッチング速度を有すること等が挙げられる。さらに、フォーカス深度マージンを広くとることができるという特性や、高い解像度を達成できるという特性への要求も高まっている。フォーカス深度マージンとは、露光時に最適なフォーカス位置に対して上方又は下方にフォーカスがずれた際にレジストパターンが実用可能な状態で維持できる全深度領域の幅のことであり、すなわち、フォーカス深度マージンの拡張は、製造工程における余裕度を大きくすることに寄与する。しかしながら、これら種々の要求特性を満足できる下層膜材料は未だ見出されていない。本発明は、レジスト膜との密着性が高く、レジストの薄膜化に対応してレジスト下層膜が薄膜でも良好な矩形のレジストパターンを形成でき、そしてフォーカス深度マージンの拡張を達成できる、新たな下層膜形成組成物、並びに該下層膜形成組成物を用いるレジストパターン形成法を提供することを目的とする。本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、硬化膜のベースとなるポリマーの骨格内にカチオン部位を導入することにより、硬化膜形成後、上側に設けられるレジスト層との密着性を格段に向上できるレジスト下層膜形成組成物が得られることを見出し、本発明を完成した。すなわち、本発明は、第1観点として、下記式1で表される構造単位及び架橋部位を有する構造単位を含むポリマーと、架橋剤と、架橋反応を促進させる化合物と、有機溶媒とを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物に関する。式中、R1は水素原子又はメチル基を表し、Aは炭素原子数1乃至13のアルキレン基又はフェニレン基を表し、Yは窒素原子又はリン原子を表し、R2、R3及びR4はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数1乃至13のアルキル基、又はフェニル基を表し、Xは炭素原子数1乃至13のアルキルスルホン酸アニオン、炭素原子数1乃至13のアルキルスルファートアニオン、クロリドアニオン、ブロミドアニオン、炭素原子数1乃至13のフルオロアルキルスルホン酸アニオン、4フッ化ホウ素アニオン、6フッ化リンアニオン及び炭素原子数1乃至13のアルキルカルボン酸アニオンからなる群から選択されるアニオンを表す。第2観点として、前記ポリマーの架橋部位を有する構造単位は、下記式2で表されることを特徴とする、第1観点に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物に関する。式中、R5は水素原子又はメチル基を表し、Dは直鎖状、分岐状又は環状の炭素原子数1乃至13の炭化水素基を表し、該炭化水素基は少なくとも1つのヒドロキシ基を置換基として有する。第3観点として、前記ポリマーが、さらに下記式3で表される構造単位を有することを特徴とする、第1観点又は第2観点に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物に関する。式中、R6は水素原子又はメチル基を表し、L1は単結合又は直鎖状若しくは分岐鎖状の炭素原子数1乃至13のアルキレン基を表し、Eは置換基を有していてもよいラクトン環又はアダマンタン環を表す。第4観点として、第1観点乃至第3観点のうちいずれかに記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成してレジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト下層膜と前記レジスト膜で被覆された半導体基板をKrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、極端紫外線及び電子線からなる群から選択される放射線により露光する工程、露光後にアルカリ性現像液によって現像する工程を含む、レジストパターンの形成方法に関する。本発明のレジスト下層膜形成組成物は、当該レジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーの側鎖末端にカチオン部位を組み込んだ点を特徴とするものであり、斯かるポリマーと、架橋剤、架橋反応を促進させる化合物及び有機溶媒とを含有する組成物である。このような構成としたことにより、下層膜の上側に設けられるレジスト層との密着性に優れ、パターン剥れやパターン消失のない良好なレジストパターンを形成することができる。また本発明のレジスト下層膜形成組成物は、下部にすそ引き形状をほとんど有さない良好な形状を有し、寸法制御性に優れるレジストパターンを形成できるレジスト下層膜を提供することができる。さらに、本発明のレジスト下層膜形成組成物は、広いフォーカス深度マージンを達成できるレジスト下層膜を提供できる。[ポリマー]本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーは前記式1で表される構造単位及び架橋部位を有する構造単位を必須の構造単位として含むポリマーである。<式1で表される構造単位>本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーにおいて、必須の構造単位として含まれる構造単位の1つは、下記式1で表されるカチオン部位を有する構造単位である。式中、R1は水素原子又はメチル基を表し、Aは炭素原子数1乃至13のアルキレン基又はフェニレン基を表し、Yは窒素原子又はリン原子を表し、R2、R3及びR4はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数1乃至13のアルキル基、又はフェニル基を表し、Xは炭素原子数1乃至13のアルキルスルホン酸アニオン、炭素原子数1乃至13のアルキルスルファートアニオン、クロリドアニオン、ブロミドアニオン、炭素原子数1乃至13のフルオロアルキルスルホン酸アニオン、4フッ化ホウ素アニオン、6フッ化リンアニオン及び炭素原子数1乃至13のアルキルカルボン酸アニオンからなる群から選択されるアニオンを表す。前記式1で表される構造単位を形成するモノマーとしては、例えば[2-メタクリロイルオキシエチル]トリメチルアンモニウムメチルスルファート、2-メタクリロイルオキシエチルトリメチルアンモニウムクロリド、が挙げられる。<式2で表される構造単位及びその他の構造単位>本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーは、前記式1で表される構造単位に加え、架橋部位を有する構造単位を必須の構造単位として含むポリマーである。前記架橋部位を有する構造単位は、例えば下記式2で表される。前記ポリマーは、さらに下記式3で表される構造単位を含んでいてもよく、さらに光吸収部位を有する下記式4で表される構造単位を含んでいてもよい。式中、R5乃至R7はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を表し、Dは直鎖状、分岐状又は環状の炭素原子数1乃至13の炭化水素基を表し、該炭化水素基は少なくとも1つのヒドロキシ基を置換基として有するものであり、L1は単結合又は直鎖状若しくは分岐状の炭素原子数1乃至13のアルキレン基を表し、L2は-C=OO-基、-CONH-基又は単結合を表し、Eは置換基を有していてもよいラクトン環又はアダマンタン環を表し、そしてBは置換基を有していてもよい芳香環又は複素環を含む基を表す。前記環状の炭素原子数1乃至13の炭化水素基としては、例えばアダマンチル基を挙げることができる。前記芳香環として、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環を挙げることができる。前記複素環として、例えば、トリアジン環を挙げることができる。前記式2で表される構造単位は、架橋剤と反応し、溶剤耐性を備えたレジスト下層膜を形成する部位である。前記式2で表される構造単位を形成するモノマーとしては、例えば以下のヒドロキシ基を有するモノマーを挙げることができる。:2-ヒドロキシエチルメタアクリレート、2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2-ヒドロキシ-3-フェノキシプロピルメタアクリレート、2-ヒドロキシ-3-クロロプロピルメタアクリレート、3-パーフルオロ-3-メチルブチル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、4-ヒドロキシブチルメタアクリレート、2,3-ジヒドロキシプロピルメタアクリレート、N-2-ヒドロキシプロピルメタアクリルアミド、1-ヒドロキシアダマンチルメタアクリレート等。前記式3で表される構造単位を形成するモノマーのうち、好ましい一例として、以下の構造式で表される化合物が挙げられる。前記式中、Raは水素原子又はメチル基を表し、Rbはそれぞれ独立して水素原子又は直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数1乃至5のアルキル基を表し、Rcは直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数1乃至5のアルキル基を表し、Rdはそれぞれ独立して直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数1乃至5のアルキル基を表す。より具体的には、例えば以下のγ-ブチロラクトン環又はアダマンタン環を有するモノマーを挙げることができる。:前記式4で表される光吸収部位を有する構造単位は、形成されるレジスト下層膜の光学パラメーターn値及びk値を調整する。前記式4で表される構造単位を形成するモノマーとしては、例えば以下の芳香環を有するモノマーを挙げることができる。:ベンジルメタアクリレート、9-フェナントリルメチルメタアクリレート、1-ピレニルメチルメタアクリレート、3-トリフルオロメチルベンジルメタアクリレート、ペンタフルオロベンジルメタアクリレート、ペンタブロモベンジルメタアクリレート、3-ヨードベンジルメタアクリレート、トリフェニルメチルメタアクリレート、シンナミルメタアクリレート、N-ベンジルメタアクリルアミド、2,6-ジ-第三ブチル-4-メタアクリロイルアミノメチルフェノール、スチレン、1-ビニルナフタレン、9-ビニルアントラセン、N-1-アリルアミノ-2,2,2-トリクロロ-エチル-3-フェニル-メタアクリルアミド、1-アリル-1,3,5-トリアジン-2,4,6-トリオン、1-アリル-3,5-ジグリシジル-1,3,5-トリアジン-2,4,6-トリオン、アントラセンメチルメタアクリレート、p-ヒドロキシフェニルメタアクリレート等。本発明のレジスト下層膜形成組成物に用いるのに好ましいポリマーとしては、下記式1-1乃至式4-1で表される構造単位を含む共重合体、或いは、下記式1-1乃至式3-1及び式4-2で表される構造単位を含む共重合体である。本発明のレジスト下層膜形成組成物に用いるポリマーにおける前記式1乃至式4で表される構造単位の総計を100質量とすると、式1で表される構造単位の割合は0.5質量~10質量モノマーの仕込み比換算であり、好ましくは0.5質量~5質量、より好ましくは1質量~3質量である。また、式2乃至式4で表される構造単位の割合は、それぞれ、20質量~50質量、0質量~40質量、0質量~40質量である。本発明のレジスト下層膜形成組成物に用いるポリマーは、ランダム共重合体、ブロック共重合体あるいはグラフト共重合体のいずれであってもよい。本発明のレジスト下層膜を形成する樹脂は、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合などの方法により合成することができる。その重合方法としては、溶液重合、懸濁重合、乳化重合、塊状重合など種々の方法が可能であり、適宜重合触媒等を用いてもよい。一例として、有機溶媒中で、上記式1乃至式4の構造単位を形成するモノマーに重合開始剤を加えて加熱重合を行い合成することができる。ここで使用する有機溶媒は、後述する本発明のレジスト下層膜形成組成物に含まれる有機溶媒として好ましい例示の中より適宜選択できる。当該重合開始剤としては、例えば、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネート、ベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド等を挙げることができ、通常50°C乃至80°Cに加熱して重合できる。反応時間としては通常2時間乃至100時間、又は5時間乃至30時間である。本発明のレジスト下層膜形成組成物におけるポリマーの割合は、当該レジスト下層膜形成組成物に対し例えば0.5質量以上30質量以下の割合とすることができる。また、後述する溶媒を除いた成分を固形分と定義すると、その固形分はポリマー及び、架橋剤、その他必要に応じて添加される後述する添加剤を含む。固形分中のポリマーの割合は、例えば60質量以上98質量以下である。[架橋剤及び架橋反応を促進させる化合物]本発明のレジスト下層膜形成組成物はさらに架橋剤を含む。その架橋剤として特に制限はないが、少なくとも二つの架橋形成置換基を有する架橋性化合物が好ましく用いられる。当該架橋剤としては、例えば、メチロール基、メトキシメチル基といった架橋形成置換基を有するメラミン系化合物、置換尿素系化合物、エポキシ基を含有するポリマー系化合物等が挙げられる。好ましくは、メチロール基又はアルコキシメチル基で置換された窒素原子を2乃至4つ有する含窒素化合物である。当該架橋剤の具体例としては、ヘキサメトキシメチルメラミン、テトラメトキシメチルベンゾグアナミン、1,3,4,6-テトラキスメトキシメチルグリコールウリル、1,3,4,6-テトラキスブトキシメチルグリコールウリル、1,3,4,6-テトラキスヒドロキシメチルグリコールウリル、1,3-ビスヒドロキシメチル尿素、1,1,3,3-テトラキスブトキシメチル尿素及び1,1,3,3-テトラキスメトキシメチル尿素が挙げられる。本発明のレジスト下層膜形成組成物における上記架橋剤の含有量は、後述する有機溶媒を除いた成分を固形分と定義するすなわち固形分はポリマー及び、架橋剤、架橋反応を促進させる化合物、その他必要に応じて添加される後述する添加剤を含む。と、当該レジスト下層膜形成組成物の固形分の含有量に基づいて、1質量乃至50質量であり、又は8質量乃至40質量であり、又は15質量乃至30質量である。これら架橋剤は自己縮合による架橋反応を起こすこともあるが、前記ポリマー、特に、架橋剤と反応して架橋を形成する構造単位である式2で表される構造単位中の架橋官能基ヒドロキシ基と架橋反応を起こす事ができる。また本発明のレジスト下層膜形成組成物は、さらに架橋反応を促進させる化合物架橋触媒を含む。そのような架橋反応を促進させる化合物としては、例えば、p-トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウム-p-トルエンスルホンナート、カンファースルホン酸、5-スルホサリチル酸、4-クロロベンゼンスルホン酸、4-ヒドロキシベンゼンスルホン酸、ベンゼンジスルホン酸、1-ナフタレンスルホン酸等のスルホン酸化合物を挙げることができ、クエン酸、サリチル酸、安息香酸、及びヒドロキシ安息香酸等のカルボン酸化合物も使用できる。これら架橋反応を促進させる化合物は、一種のみを使用することができ、また、二種以上を組み合わせて用いることもできる。本発明のレジスト下層膜形成組成物における上記架橋反応を促進させる化合物の含有量は、当該レジスト下層膜形成組成物の固形分の含有量に基づいて、0.01質量乃至10質量であり、又は0.1質量乃至8質量であり、又は0.5質量乃至5質量である。[有機溶媒]本発明のレジスト下層膜形成組成物はさらに有機溶媒を含む。本発明において使用される有機溶媒としては、前述のポリマーを溶解することができれば特に制限されず、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、メトキシブタノール類、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、γ-ブチロラクトン、N-メチル-2-ピロリドン、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2-ヒドロキシ-3-メチルブタン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル等を用いることができる。これらの有機溶媒は単独で、又は2種以上の組合せで使用される。さらに、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等の高沸点溶媒を上記有機溶媒に混合して使用することができる。これらの有機溶媒の中でプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル、及びシクロヘキサノンが好ましい。そして、本発明のレジスト下層膜形成組成物に対する有機溶媒の割合は、例えば50質量以上99.5質量以下である。[その他の添加剤]本発明のレジスト下層膜形成組成物には、前記以外に必要に応じて界面活性剤、接着補助剤、レオロジー調整剤等の各種添加剤を、本発明の効果を損なわない限りにおいてさらに含んでもよい。界面活性剤は、基板に対するレジスト下層膜形成組成物の塗布性を向上させるための添加物である。ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤のような公知の界面活性剤を用いることができる。前記界面活性剤の具体例としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフエノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフエノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトップ[登録商標]EF301、EF303、EF352株ジェムコ製、メガファック[登録商標]F171、F173、R30DIC株製、フロラードFC430、FC431住友スリーエム株製、アサヒガード[登録商標]AG710、サーフロン[登録商標]S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106旭硝子株製等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーKP341信越化学工業株製等を挙げることができる。これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また2種以上の組合せで添加することもできる。上記界面活性剤が使用される場合、本発明のレジスト下層膜形成組成物における含有量は、本発明のレジスト下層膜形成組成物の固形分中の含有量に基づいて、例えば3質量以下であり、好ましくは1質量以下であり、より好ましくは0.5質量以下である。次に本発明のレジストパターン形成法について説明する。まず、精密集積回路素子の製造に使用される基板例えば、酸化珪素膜、窒化珪素膜又は酸化窒化珪素膜で被覆されたシリコン等の半導体基板、窒化珪素基板、石英基板、ガラス基板無アルカリガラス、低アルカリガラス、結晶化ガラスを含む、ITO膜が形成されたガラス基板上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により本発明のレジスト下層膜反射防止膜形成組成物を塗布し、その後、ホットプレート等の加熱手段を用いて焼成ベークして硬化させレジスト下層膜反射防止膜を作製する。塗布後、焼成する条件としては、例えば焼成温度:80°C乃至250°C、焼成時間:0.3分乃至60分間の中から適宜選択され、好ましくは例えば、焼成温度150°C乃至250°C、焼成時間:0.5分乃至5分間である。また、レジスト下層膜反射防止膜の膜厚としては、例えば0.005μm乃至3.0μmであり、好ましくは0.01μm乃至1.0μmであり、より好ましくは0.01μm乃至0.5μmである。次に、レジスト下層膜上にレジスト膜を形成する。レジスト膜の形成は一般的な方法、すなわち、レジスト溶液のレジスト下層膜上への塗布及びベークによって行うことができる。本発明におけるレジスト下層膜反射防止膜の上層に塗布されるレジストとしては露光光に感光するものであれば、特に限定はなく、ネガ型、ポジ型いずれも使用できる。当該レジストとしては、例えば、ノボラック樹脂と1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとからなるポジ型レジスト、酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと光酸発生剤とからなる化学増幅型レジスト、酸により分解してレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物とアルカリ可溶性バインダーと光酸発生剤とからなる化学増幅型レジスト、酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと酸により分解してレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物と光酸発生剤とからなる化学増幅型レジスト等がある。具体的には、住友化学株製、商品名PAR710、同PAR855;JSR株製、商品名AR2772JN;信越化学工業株製、商品名R430;ダウケミカル社旧ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ社製、商品名APEX-X等が挙げられる。また、Proc.SPIE,Vol.3999,330-3342000、Proc.SPIE,Vol.3999,357-3642000、やProc.SPIE,Vol.3999,365-3742000に記載されているような、含フッ素原子ポリマー系レジストも挙げることができる。続いて、レジスト下層膜の上層に形成されたレジスト層に対して、所定のマスクを通して露光する。露光には、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー等を使用することができる。また露光後、必要に応じて露光後加熱PEB:PostExposureBakeを行うこともできる。露光後加熱の条件としては、加熱温度80°C乃至150°C、加熱時間0.3分乃至60分間の中から適宜選択される。露光後、現像、リンス、乾燥することにより良好なレジストパターンを得る。本発明のレジスト下層膜反射防止膜形成組成物を使用して形成したレジスト下層膜反射防止膜を有するポジ型レジストの現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n-プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ-n-ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第4級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。さらに、前記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。これらの中で好ましい現像液は第四級アンモニウム塩の水溶液、さらに好ましくはテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液である。現像の条件としては、現像温度5°C乃至50°C、現像時間10秒乃至300秒から適宜選択される。本発明のレジスト下層膜形成組成物から形成されるレジスト下層膜は、レジストの現像に汎用されている2.38質量の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて、室温で容易に現像を行うことができる。そして、レジストが前記工程により現像除去された部分のレジスト下層膜反射防止膜をドライエッチングにより除去し、所望のパターンを基板上に形成することができる。以下、本発明について実施例を挙げて詳述するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。<合成例1:PQMA/HPMA/GBLMA=34/33/33質量>p-ヒドロキシフェニルメタクリレートPQMAと略称、昭和高分子株式会社製2.72g、2-ヒドロキシプロピルメタクリレートHPMAと略称、東京化成工業株式会社製2.64g及びγ-ブチロラクトンメタクリレートGBLMAと略称、大阪有機化学工業株式会社製2.64gを乳酸エチル22.64gに溶解させ、加熱撹拌しながら80°Cに昇温した。乳酸エチル10gに溶解させたアゾビスイソブチロニトリル0.16gを1時間かけて滴下し、滴下後24時間反応させた。反応後冷却して、固形分20質量のポリマー溶液を得た。得られたポリマー溶液の粘度は66.0cP東機産業株式会社製、VISCOMETERTV-20であった。<合成例2:PQMA/HPMA/GBLMA/Salt=34/33/30/3質量>p-ヒドロキシフェニルメタクリレート2.72g、2-ヒドロキシプロピルメタクリレート2.64g、γ-ブチロラクトンメタクリレート2.40g及び2-メタクリロイルオキシエチルトリメチルアンモニウムメチルスルファートSaltと略称、和光純薬工業株式会社製0.24gを乳酸エチル22.64gに溶解させ、加熱撹拌しながら80°Cに昇温した。乳酸エチル10gに溶解させたアゾビスイソブチロニトリル0.16gを1時間かけて滴下し、滴下後24時間反応させた。反応後冷却して、固形分20質量のポリマー溶液を得た。得られたポリマー溶液の粘度は63.1cP東機産業株式会社製、VISCOMETERTV-20であった。<合成例3:PQMA/HPMA/GBLMA/Salt=34/33/28/5質量>p-ヒドロキシフェニルメタクリレート2.72g、2-ヒドロキシプロピルメタクリレート2.64g、γ-ブチロラクトンメタクリレート2.24g及び2-メタクリロイルオキシエチルトリメチルアンモニウムメチルスルファート0.40gを乳酸エチル22.64gに溶解させ、加熱撹拌しながら80°Cに昇温した。乳酸エチル10gに溶解させたアゾビスイソブチロニトリル0.16gを1時間かけて滴下し、滴下後24時間反応させた。反応後冷却して、固形分20質量のポリマー溶液を得た。得られたポリマー溶液の粘度は89.6cP東機産業株式会社製、VISCOMETERTV-20であった。<合成例4:BMA/HPMA/GBLMA=34/33/33質量>ベンジルメタクリレートBMAと略称、東京化成工業株式会社製2.72g、2-ヒドロキシプロピルメタクリレート2.64g及びγ-ブチロラクトンメタクリレート2.64gを乳酸エチル22.64gに溶解させ、加熱撹拌しながら80°Cに昇温した。乳酸エチル10gに溶解させたアゾビスイソブチロニトリル0.16gを1時間かけて滴下し、滴下後24時間反応させた。反応後冷却して、固形分20質量のポリマー溶液を得た。得られたポリマー溶液の粘度は59.4cP東機産業株式会社製、VISCOMETERTV-20であった。<合成例5:BMA/HPMA/GBLMA/Salt=34/33/30/3質量>ベンジルメタクリレート2.72g、2-ヒドロキシプロピルメタクリレート2.64g、γ-ブチロラクトンメタクリレート2.40g及び2-メタクリロイルオキシエチルトリメチルアンモニウムメチルスルファート0.24gを乳酸エチル22.64gに溶解させ、加熱撹拌しながら80°Cに昇温した。乳酸エチル10gに溶解させたアゾビスイソブチロニトリル0.16gを1時間かけて滴下し、滴下後24時間反応させた。反応後冷却して、固形分20質量のポリマー溶液を得た。得られたポリマー溶液の粘度は40.1cP東機産業株式会社製、VISCOMETERTV-20であった。<合成例6:BMA/HPMA/GBLMA/Salt=34/33/28/5質量>ベンジルメタクリレート2.72g、2-ヒドロキシプロピルメタクリレート2.64g、γ-ブチロラクトンメタクリレート2.24g及び2-メタクリロイルオキシエチルトリメチルアンモニウムメチルスルファート0.40gを乳酸エチル22.64gに溶解させ、加熱撹拌しながら80°Cに昇温した。乳酸エチル10gに溶解させたアゾビスイソブチロニトリル0.16gを1時間かけて滴下し、滴下後24時間反応させた。反応後冷却して、固形分20質量のポリマー溶液を得た。得られたポリマー溶液の粘度は34.6cP東機産業株式会社製、VISCOMETERTV-20であった。<実施例1>前記合成例2で得たポリマー1gを含有する溶液5gに、テトラメトキシメチルグリコールウリル日本サイテックインダストリーズ株式会社、商品名:POWDERLINK登録商標11740.25g及びピリジニウム-p-トルエンスルホナート0.0156gを混合し、乳酸エチル20.43g及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート10.47gに溶解させ溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。<実施例2>前記合成例3で得たポリマー1gを含有する溶液5gに、テトラメトキシメチルグリコールウリル日本サイテックインダストリーズ株式会社、商品名:POWDERLINK登録商標11740.25g及びピリジニウム-p-トルエンスルホナート0.0156gを混合し、乳酸エチル20.43g及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート10.47gに溶解させ溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。<実施例3>前記合成例5で得たポリマー1gを含有する溶液5gに、テトラメトキシメチルグリコールウリル日本サイテックインダストリーズ株式会社、商品名:POWDERLINK登録商標11740.25g及びピリジニウム-p-トルエンスルホナート0.0156gを混合し、乳酸エチル20.43g及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート10.47gに溶解させ溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。<実施例4>前記合成例6で得たポリマー1gを含有する溶液5gに、テトラメトキシメチルグリコールウリル日本サイテックインダストリーズ株式会社、商品名:POWDERLINK登録商標11740.25g及びピリジニウム-p-トルエンスルホナート0.0156gを混合し、乳酸エチル20.43g及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート10.47gに溶解させ溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。<比較例1>前記合成例1で得たポリマー1gを含有する溶液5gに、テトラメトキシメチルグリコールウリル日本サイテックインダストリーズ株式会社、商品名:POWDERLINK登録商標11740.25g及びピリジニウム-p-トルエンスルホナート0.0156gを混合し、乳酸エチル20.43g及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート10.47gに溶解させ溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。<比較例2>前記合成例4で得たポリマー1gを有する溶液5gに、テトラメトキシメチルグリコールウリル日本サイテックインダストリーズ株式会社、商品名:POWDERLINK登録商標11740.25g及びピリジニウム-p-トルエンスルホナート0.0156gを混合し、乳酸エチル20.43g及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート10.47gに溶解させ溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。<レジストパターンの形成>前記実施例1乃至実施例4及び比較例1乃至比較例2で得たレジスト下層膜形成組成物を、それぞれスピナーにより、シリコンウエハー上に塗布した。ホットプレート上で、205°Cで1分間加熱し、レジスト下層膜膜厚100nmを形成した。このレジスト下層膜の上層に、市販のレジスト溶液住友化学株式会社製、商品名:PAR855をスピナーにより塗布し、ホットプレート上で100°Cにて1分間ベークすることによりレジスト膜膜厚:120nmを形成した。このレジスト膜に株式会社ニコン製、NSR307Eスキャナー波長193nm、NA,σ:0.85、0.92/0.65Annularを用い、現像後にレジストのライン幅が80nm、スペースの幅が100nmでありすなわち80nmL/S=1/1.25、そのようなラインが9本形成されるように設定されたマスクを通して、露光を行った。その後、ホットプレート上で、105°C、1分間ベークし、冷却後、工業規格の60秒シングルパドル式工程にて0.26Nテトラメチルアンモニウムヒドロキシド現像液で現像した。実施例3、実施例4及び比較例2のレジスト下層膜形成組成物を用いて作製したレジストパターンの場合の断面SEM像を図1に示す。<フォーカス深度マージン評価>フォーカス深度マージンは次のようにして決定した。すなわち、前記<レジストパターンの形成>における露光を、最適フォーカス位置を基準としてフォーカスの位置を上下に0.05μmずつずらしながら行い、その後の現像処理によりレジストパターンを形成した。そして、形成されるべきレジストのライン9本のうち、7本以上のラインが形成されている場合を合格とし、残っているラインの数が6本以下の場合を不合格とした。そして、その合格の結果を得ることのできるフォーカス位置のずれの上下の幅をフォーカス深度マージンとした。得られた結果を表1に示す。表1に示すとおり、本発明に係る各実施例1乃至実施例4で得たレジスト下層膜形成組成物を用いた場合、比較例1及び比較例2の場合と比較して、フォーカス深度マージンが広く、製造工程における余裕度が広いことが確認された。また、形成されたレジストパターンの裾形状は、いずれの例もほぼストレート形状であった。<レジストとのインターミキシング試験>本発明の実施例1乃至実施例4で得たレジスト下層膜形成組成物を、それぞれスピナーにより、シリコンウエハー上に塗布した。ホットプレート上で、205°Cで1分間加熱し、レジスト下層膜膜厚:100nmを形成した。このレジスト下層膜の上層に、市販のレジスト溶液住友化学株式会社製、商品名:PAR855をスピナーにより塗布し、ホットプレート上で100°Cにて1分間ベークすることにより、レジスト膜膜厚:120nmを形成した。このレジスト膜に露光装置を用いて露光した後、露光後加熱PEB:PostExposureBakeを105°Cで1分間行い、その後、現像した。現像後に残ったレジスト下層膜の膜厚を測定し、実施例1乃至実施例4で得たレジスト下層膜形成組成物を用いて形成したレジスト下層膜と、前記レジスト膜とのインターミキシングが生じないことを確認した。"