"基板処理チャンバの基板処理領域内でパターン付き基板のトレンチ内にポリシリコン層を堆積させる方法であって、前記方法は、前記パターン付き基板を前記基板処理領域内へ移動させることと、約20ミリトル以下の前記基板処理領域内の平均圧力を維持し、500°C以下のパターン付き基板の平均温度を維持しながら、ケイ素源を含む堆積プロセスガスから前記基板処理領域内で高密度プラズマを形成することによって、前記パターン付き基板上で前記ポリシリコン層を成長させることと、前記基板処理領域から前記パターン付き基板を取り出すこととを含む方法。前記パターン付き基板上で前記ポリシリコン層を成長させる前に、水素源を含む前処理プロセスガスから前記基板処理領域内の高密度プラズマ内で前記パターン付き基板を前処理することをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記ポリシリコン層が本質的に共形になるように、前記ポリシリコン層を成長させる間に前記パターン付き基板と前記高密度プラズマとの間に本質的にバイアスが印加されない、請求項1に記載の方法。前記ポリシリコン層の成長速度が約500Å/分未満である、請求項3に記載の方法。前記トレンチの壁上で測定される前記ポリシリコン層の水平方向の成長速度が、前記トレンチの開口の周りの表面上の垂直方向の成長速度の約50~100である、請求項3に記載の方法。前記トレンチがポリシリコンで充填されるように、前記ポリシリコン層を成長させる間に前記パターン付き基板と前記高密度プラズマとの間にプラズマバイアス電力が印加される、請求項1に記載の方法。前記ケイ素源がシランである、請求項1に記載の方法。前記プロセスガスが、2つの層のうちの少なくとも1つの成長中に第4の流量で流されるアルゴン、ネオン、およびヘリウムから選択される流動ガスをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記パターン付き基板の平均温度が約400°C以下である、請求項1に記載の方法。前記プロセスガスが、成長中に前記ポリシリコン層へドーパントを提供するドーピング源をさらに含み、前記ドーパントが、前記ポリシリコン層の形成後にすでに活性化されており、別個のドーパント活性化動作が必要ない、請求項1に記載の方法。前記プロセスガスが、リン源またはホウ素源をさらに含む、請求項1に記載の方法。前記プロセスガスが、第4のガス流量で流されるPH3を含む、請求項1に記載の方法。前記ポリシリコン層の成長中の堆積対スパッタ比が約2:1~6:1である、請求項1に記載の方法。前記パターン付き基板を前記基板処理領域内へ移動させる動作の前に、前記基板処理領域の内部が酸化ケイ素でシーズニングされる、請求項1に記載の方法。前記基板処理領域の前記内部をシーズニングすることが、酸素源およびケイ素源を含むシーズニングプロセスガスから前記基板処理領域内で高密度プラズマを形成することを含む、請求項14に記載の方法。前記酸素源が2原子酸素O2であり、前記ケイ素源がシランSiH4である、請求項15に記載の方法。前記プロセスガスが炭素源をさらに含み、前記ポリシリコン層が、炭素がドープされたポリシリコン層である、請求項1に記載の方法。ポリシリコン層を形成する方法が記載される。これらの方法は、堆積基板を収容する基板処理領域内でシリコン前駆体から高密度プラズマを形成することを含む。これらの記載の方法は、従来技術の技法に比べて低い基板温度たとえば、500°C未満で多結晶膜を生じさせる。バイアスプラズマ出力調整を利用できることで、形成されたポリシリコン層の共形性の調整をさらに可能にする。高密度プラズマ内にドーパントが含まれるとき、ドーパントは、別個の活性化ステップを必要としないように、ポリシリコン層内へ組み込むことができる。パターン付き基板上にポリシリコンを堆積させることは、バイアス電力が印加されるか否かにかかわらず、高密度プラズマ技法を使用することで可能になることが判明した。特にパターン付き基板上に露出された酸化ケイ素を有するシステム内には、高密度プラズマ膜に一般的に伴う応力が含まれることが分かった。共形の間隙充填堆積方式とボトムアップ式の間隙充填堆積方式はどちらも、主としてバイアス電力の有無およびポリシリコン膜の成長速度に依存することが判明した。共形の間隙充填方式とボトムアップ式の間隙充填方式のどちらにおいても、ポリシリコンを堆積させる前のパターン付き基板の水素によるプラズマ処理は、ポリシリコン層の成長を促進させることが分かった。高密度プラズマ化学気相堆積HDP-CVD技法は、間隙充填を強化し、ならびに低い基板温度での堆積を可能にするために使用することができる。ポリシリコンの共形の堆積は、HDP-CVDを使用するとより低い温度たとえば、350°C未満で発生することが分かった。本発明の実施形態では、低い堆積速度たとえば、500Å/分未満および/または高い圧力たとえば、10~30ミリトルでも、互いの約50以内の側壁水平方向および上部垂直方向の成長速度を有する共形のポリシリコン膜を生じさせることが分かった。HDP-CVDはまた、パターン付き基板上の間隙およびトレンチを充填するのに有用なボトムアップ式のポリシリコン堆積を可能にすることができる。露出されたパターン付き基板の水素による前処理は、柱状の構造および/または粒状の構造の両方を有する高密度のポリシリコン膜を生じさせるのに役立つことが分かった。これは、露出された基板を洗浄し、かつ/または露出された表面を水素で化学的に停止させることから行うことができる。本明細書では、高密度プラズマ処理とは、約1011イオン/cm3以上のイオン密度を有するプラズマを用いるプラズマCVD処理である。高密度プラズマはまた、約10-4以上のイオン化留分イオン/中性の比を有することができる。通常、HDP-CVD処理は、同時堆積およびスパッタリング構成要素を含む。本発明で実施されるいくつかのHDP-CVD処理は、一般的に間隙充填のために最適化される従来のHDP-CVD処理とは異なる。いくつかのステップおよび実施形態では、共形の多結晶シリコン膜は、実質上低減された総プラズマ出力の10未満基板バイアス電力で実現され、したがって、かなりのバイアス電力を用いるHDP-CVD処理よりスパッタリングが少なくなる。従来のHDP処理パラメータからのこの逸脱にもかかわらず、スパッタリングおよび堆積速度を伴うスカラ式の特性付けは有用であり、以下に定義する。高密度プラズマの堆積特性とスパッタリング特性を組み合わせた相対レベルは、ガス状混合物を提供するために使用されるガス流量、プラズマを維持するために印加されるソース電力レベル、基板に印加されるバイアス電力などの要因に依存することができる。これらの要因の組合せは、次のように定義される堆積対スパッタ比によってうまく特性付けることができる。堆積対スパッタ比は、堆積の増大とともに増大し、スパッタリングの増大とともに低減する。堆積対スパッタ比の定義では、正味堆積速度とは、堆積およびスパッタリングが同時に行われているときに測定される堆積速度を指す。包括的スパッタ速度とは、処理レシピが堆積ガスなしでたとえば、窒素および流動物を残す実行されるときに測定されるスパッタ速度である。残りのガスの流量は、通常の処理中に処理チャンバ内に存在する圧力を達成するように、ガス間の固定の比を維持したまま増大される。当業者には知られているように、他の機能上同等の尺度を使用して、HDP処理の相対的な堆積およびスパッタリングの寄与を定量化することもできる。一般的な代替の比は、エッチング対堆積比である。エッチング対堆積比は、スパッタリングの増大とともに増大し、堆積の増大とともに低減する。エッチング対堆積比の定義では、正味堆積速度とはこの場合も、堆積およびスパッタリングが同時に行われているときに測定される堆積速度を指す。しかし、ソースのみ堆積速度とは、処理レシピがスパッタリングなしで実行されるときに測定される堆積速度を指す。本明細書では、本発明の実施形態について、堆積対スパッタ比の点から説明する。堆積対スパッタ比とエッチング対堆積比は、厳密には逆数ではないが、反比例の関係であり、これらの比の変換は、当業者には理解されるであろう。典型的なHDP-CVD処理は、トレンチの形状寸法の間隙充填を目的とする。間隙充填処理では、基板バイアスRF電力を使用してイオンを基板の方へ加速させ、それによって接近軌道の範囲を狭くする。こうして狭くすることとスパッタリング作用を組み合わせることで、成長しているビアの上隅部が集まってボイドを形成および維持する前に、間隙を充填することができる。そのような間隙充填適用分野における堆積対スパッタ比D:Sは、たとえば約3:1~約10:1の範囲とすることができ、いくつかの一般的でない適用分野では、たとえば約25:1の堆積対スパッタ比を有することができる。本発明の実施形態によって成長させた酸化ケイ素膜は、基板バイアス電力をほとんどまたはまったく使用することなく、HDP-CVD処理で生じさせることができる。これらの条件下の包括的スパッタリング速度は遅くすることができ、異なる実施形態では、堆積対スパッタ比は通常、約50:1~約100:1を上回ると予期することができる。本発明をよりよく理解および評価するために、図1を次に参照されたい。図1は、本発明の実施形態による間隙充填ポリシリコン膜を成長させる選択されたステップを示す流れ図である。間隙充填ポリシリコン形成処理は、トレンチを有するパターン付き基板を基板処理領域内へ移動させたときに始まる動作101。基板処理領域内へ水素H2を導入して高密度プラズマを形成し動作102、ポリシリコンを堆積させる前にパターン付き基板の表面を前処理する。次に、基板処理領域へシランを流し入れて高密度プラズマを形成し動作106、パターン付き基板上にポリシリコンを堆積させる。動作108で、高密度プラズマと基板との間にプラズマバイアスを印加して、イオンを基板の方へ加速させる。その結果、間隙充填ポリシリコンがトレンチ内にボトムアップ形式で形成される。基板バイアス電力は、ポリシリコン間隙充填層の成長中に堆積対スパッタ比を制御するように調整することができる。例示的な堆積対スパッタ比は、堆積中に約2:1~約6:1の範囲とすることができる。堆積中にかなりのスパッタリングを発生させることで、堆積させたバルク間隙充填層内にかなりのボイドが形成される可能性を低減させる。図2は、本発明の実施形態による共形のポリシリコン膜を成長させる選択されたステップを示す流れ図である。共形のポリシリコン形成処理は、基板パターン付きまたはパターンなしを基板処理領域内へ移動させたときに始まる動作202。基板処理領域内へ水素H2を導入して高密度プラズマを形成し動作204、ポリシリコンを堆積させる前にパターン付き基板の表面を前処理する。次に、基板処理領域へシランを流し入れて、バイアスなしのまたは低濃度にバイアスされた高密度プラズマを形成し動作206、パターン付き基板上にポリシリコンを堆積させる。高密度プラズマと基板との間には、イオンを基板の方へ加速させるためのプラズマバイアスをほとんどまたはまったく印加しない。その結果、共形のポリシリコンが基板上に形成される。本明細書の方法によって間隙充填または共形のポリシリコンを形成することで、処理を比較的低い基板温度で行うことができる。典型的な熱的ポリシリコン堆積処理は、650°C以上の基板温度で実施することができるが、本発明の実施形態では、HDPポリシリコンの形成中に使用される基板温度は、約500°C以下、約450°C以下、または約400°C以下とすることができる。基板の温度は、様々な方法で制御することができる。図1~2では、水素プラズマを使用して、基板を堆積温度まで加熱することができる。プラズマがこれらの範囲を超えて基板温度を上昇させる状況では、裏側を流れるヘリウムによって基板の裏面を冷却することができる。ポリシリコンを約300°C未満で成長させることで、ポリシリコンとアモルファスシリコンとの混合物を成長させることが分かった。高密度プラズマを使用して形成されるポリシリコン層は、圧縮応力を保持することができる。下にある二酸化ケイ素材料実施形態では、下にある基板の一部分上に存在するは、間隙充填ポリシリコン層に関連する応力の一部を吸収することができる。シランは、ポリシリコンを形成するのに有用な唯一のケイ素源ではない。ジシランおよびより高次のシランもまた、隣接するケイ素原子間に1つまたは複数の2重結合を有するシランの場合と同様に、これらの膜を形成することができるはずである。本発明の実施形態では、形成している膜内にハロゲンが組み込まれるのを回避するために、ポリシリコンを形成するために使用されるシランはハロゲンを含まない。通常、これらのケイ素源は、単独で使用することができ、または互いに任意の組合せで組み合わせることができ、これを集合的に堆積プロセスガスと呼ぶ。一部またはすべての水素H2に対する代替物も利用可能である。アンモニアNH3は、堆積前の処理動作に対する有用な水素源Hであることが分かった。ヒドラジンN2H4ならびに他の窒素および水素含有化合物もまた、前処理プラズマへの投入として働くことが予期される。通常、これらの水素源は、単独で使用することができ、または互いに任意の組合せで組み合わせることができ、これを集合的に前処理プロセスガスと呼ぶ。本明細書に参照するプロセスガスはいずれも、高密度プラズマの安定化または基板全体におけるポリシリコン堆積の均一性の改善を助けることができる不活性ガスと組み合わせることができる。本発明の実施形態では、これらのプロセスガスにアルゴン、ネオン、および/またはヘリウムが加えられ、流動ガスと呼ばれる。流動ガスは、プラズマ密度を変更するたとえば、増大させるために、1つまたは複数のステップ中に導入することができる。プラズマ密度を増大させることで、プラズマ内でのイオン化および解離の確率を増大させるのに役立つことができる。本発明の実施形態では、いくつかのポリシリコン膜内にドーパントを組み込むために、堆積プロセスガス内にドーパント源を含むこともできる。高密度プラズマの性質により、ドーパントは、ポリシリコン膜内でよりしっかりと結合することができ、それにより、実施形態では別個の熱的ドーパント活性化ステップの必要がなくなる。形成しているポリシリコン層内に活性化されたホウ素Bのドーピング中心を作るために、堆積プロセスガスにホウ素含有前駆体を加えることができるたとえば、TEB、TMB、BH3、B2H6、より高次のボラン。別法として、実施形態では、堆積プロセスガスにリン含有前駆体たとえば、PH3を加えることによって、ポリシリコン層内に活性化されたリンPのドーピング中心を含むこともできる。本発明の実施形態では、ドーパント源はまた、第1の原子構成要素ケイ素と等電子の原子価である炭素などのドーパントを導入することができる。炭素は、ドーパント源内に炭化水素を含むことによって導入することができる。適した炭化水素には、CH4、C2H6、C2H4、C2H2、C3H8、C3H6などが含まれる。本発明の実施形態では、炭素がドープされたポリシリコン膜内の炭素の濃度は、10または20を超えて高くすることができる。例示的な基板処理システム本発明者らは、カリフォルニア州サンタクララのAPPLIEDMATERIALS,INC.によって製造されたULTIMA商標というシステムを用いて、本発明の実施形態を実施した。これに関する概略的な説明は、本発明の譲受人に譲渡された、1996年7月15日出願のFredC.Redeker、FarhadMoghadam、HirogiHanawa、TetsuyaIshikawa、DanMaydan、ShijianLi、BrianLue、RobertSteger、YaxinWang、ManusWong、およびAshokSinhaによる米国特許第6,170,428号、SYMMETRICTUNABLEINDUCTIVELYCOUPLEDHDP-CVDREACTORに提供されている。同特許の開示全体は、参照により本明細書に組み込まれている。このシステムの概要を、以下の図3Aおよび図3Bに関連して提供する。図3Aは、一実施形態におけるそのようなHDP-CVDシステム310の構造を概略的に示す。システム310は、チャンバ313、真空システム370、ソースプラズマシステム380A、基板バイアスプラズマシステム380B、ガス供給システム333、および遠隔プラズマ洗浄システム350を含む。チャンバ313の上部部分は、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムなどのセラミック誘電体材料から作られたドーム314を含む。ドーム314は、プラズマ処理領域316の上部境界を画定する。プラズマ処理領域316は、底部で基板317の上面および基板支持部材318によって結合される。ドーム314には加熱板323および冷却板324が載っており、熱的に結合されている。加熱板323および冷却板324により、ドーム温度を約100°C~200°Cの範囲にわたって約10°Cの範囲内で制御することができる。これにより、様々な処理に対してドーム温度を最適化することができる。たとえば、洗浄またはエッチング処理の場合は、堆積処理の場合より高い温度でドームを維持することが望ましいであろう。また、ドーム温度の正確な制御により、チャンバ内の剥片または粒子数を低減させ、堆積された層と基板との間の接着を改善する。チャンバ313の下部部分は、チャンバと真空システムをつなぎ合わせる本体部材322を含む。本体部材322上には基板支持部材318の基礎部分321が取り付けられ、本体部材322とともに連続する内面を形成する。基板は、チャンバ313の側面内の挿入/除去開口図示せずを通じて、ロボットブレード図示せずによって、チャンバ313内へ、またチャンバ313外へ移動される。リフトピン図示せずをモータ同じく図示せずの制御下で持ち上げて下ろし、基板を上部ローディング位置357のロボットブレードから下部処理位置356へ動かす。基板は、基板支持部材318の基板受容部分319内に配置される。基板受容部分319は、基板処理中に基板を基板支持部材318に固定する静電チャック320を含む。好ましい実施形態では、基板支持部材318は、酸化アルミニウムまたはアルミニウムのセラミック材料から作られる。真空システム370はスロットル本体325を含み、スロットル本体325は、2枚刃のスロットルバルブ326を収納し、ゲートバルブ327およびターボ分子ポンプ328に取り付けられる。スロットル本体325は、ガス流に対して最小の障害しか与えず、対称形のポンピングを可能にすることに留意されたい。ゲートバルブ327は、ポンプ328をスロットル本体325から分離することができ、スロットルバルブ326が完全に開いているときには、排気流の容量を制限することによって、チャンバ圧力を制御することもできる。スロットルバルブ、ゲートバルブ、およびターボ分子ポンプの構成により、チャンバ圧力を最高約1ミリトル~約2トルで正確に安定して制御することができる。ソースプラズマシステム380Aは、ドーム314上に取り付けられた上部コイル329および側面コイル330を含む。対称形の接地シールド図示せずにより、コイル間の電気的結合を低減させる。上部コイル329は、上部ソースRFSRFジェネレータ331Aによって電力供給され、側面コイル330は、側面SRFジェネレータ331Bによって電力供給され、各コイルに対して独立した電力レベルおよび動作周波数を可能にする。このデュアルコイルシステムにより、チャンバ313内で径方向のイオン密度を制御することができ、それによってプラズマの均一性を改善することができる。側面コイル330および上部コイル329は通常、誘導によって駆動され、補完的な電極を必要としない。特有の実施形態では、上部ソースRFジェネレータ331Aは、公称では2MHzで最高5,000ワットのRF電力を提供し、側面ソースRFジェネレータ331Bは、公称では2MHzで最高7,500ワットのRF電力を提供する。上部および側面RFジェネレータの動作周波数は、プラズマ生成効率を改善するために、公称動作周波数からたとえば、それぞれ1.7~1.9MHzおよび1.9~2.1MHzにずらすことができる。基板バイアスプラズマシステム380Bは、バイアスRFBRFジェネレータ331Cおよびバイアス整合ネットワーク332Cを含む。バイアスプラズマシステム380Bは、基板部分317と本体部材322を容量結合させ、これらは補完的な電極として作用する。バイアスプラズマシステム380Bは、ソースプラズマシステム380Aによって作られるプラズマ種たとえば、イオンを基板の表面へ輸送するのを促進する働きをする。特有の実施形態では、基板バイアスRFジェネレータは、約13.56MHzの周波数で最高10,000ワットのRF電力を提供する。RFジェネレータ331Aおよび331Bは、デジタル制御式の合成器を含む。当業者には理解されるように、各ジェネレータはRF制御回路図示せずを含み、RF制御回路は、チャンバおよびコイルからジェネレータへ後方反射される電力を測定し、最低の反射電力を得るように動作周波数を調整する。RFジェネレータは通常、50オームの特性インピーダンスを有する負荷になるように設計される。ジェネレータとは異なる特性インピーダンスを有する負荷から、RF電力を反射させることができる。これにより、負荷へ伝達される電力を低減させることができる。さらに、負荷からジェネレータへ後方反射される電力は、ジェネレータに負荷をかけ過ぎて損傷することがある。他の要因の中でも、プラズマのインピーダンスは、プラズマイオン密度に応じて、5オーム未満から900オームを超える範囲とすることができ、反射電力は周波数に応じるため、反射電力に従ってジェネレータ周波数を調整することで、RFジェネレータからプラズマへ伝達される電力を増大させ、ジェネレータを保護する。反射電力を低減させて効率を改善する別の方法は、整合ネットワークを用いる。整合ネットワーク332Aおよび332Bは、ジェネレータ331Aおよび331Bの出力インピーダンスとそれぞれのコイル329および330を整合させる。RF制御回路は、整合ネットワーク内でキャパシタの値を変化させ、負荷が変化するにつれてジェネレータと負荷を整合させることによって、両方の整合ネットワークを同調させることができる。RF制御回路は、負荷からジェネレータへ後方反射される電力が特定の限界を超過したとき、整合ネットワークを同調させることができる。一定の整合を提供し、RF制御回路が整合ネットワークを同調させることを実質上無効にする1つの方法は、予期の反射電力値を上回るように反射電力の限界を設定することである。これにより、最近の条件で整合ネットワークを一定に保持することによって、いくつかの条件下でプラズマを安定させるのに役立つことができる。他の方策も、プラズマを安定させるのに役立つことができる。たとえば、RF制御回路を使用して、負荷プラズマへ供給される電力を判定することができ、供給される電力を層の堆積中に実質上一定に保つように、ジェネレータ出力電力を増大または低減させることができる。ガス供給システム333は、ガス供給ライン338一部のみを示すを用いて、いくつかのガス源334A~334Eから、基板を処理するチャンバへガスを提供する。当業者には理解されるように、ガス源334A~334Eに使用される実際のガス源およびチャンバ313への供給ライン338の実際の接続は、チャンバ313内で実行される堆積および洗浄処理に応じて変動する。ガスは、ガスリング337および/または上部ノズル345を通じてチャンバ313内へ導入される。図3Bは、ガスリング337のさらなる詳細を示す、チャンバ313の簡略化された部分横断面図である。一実施形態では、第1のガス源334Aおよび第2のガス源334B、ならびに第1のガス流コントローラ335A’および第2のガス流コントローラ335B’が、ガス供給ライン338一部のみを示すを用いて、ガスリング337内のリングプレナム336へガスを提供する。ガスリング337は、基板全体に均一のガス流を提供する複数のソースガスノズル339例示の目的で1つのみを示すを有する。ノズルの長さおよびノズルの角度は、個々のチャンバ内の特定の処理に対する均一性プロファイルおよびガス利用効率の調節を可能にするように変化させることができる。好ましい実施形態では、ガスリング337は、酸化アルミニウムセラミックから作られた12個のソースガスノズルを有する。ガスリング337はまた、複数の酸化剤ガスノズル3401つのみを示すを有し、酸化剤ガスノズル340は、一実施形態ではソースガスノズル339と共平面であり、ソースガスノズル339より短く、一実施形態では本体プレナム341からガスを受け取る。いくつかの実施形態では、ガスをチャンバ313内へ噴射する前にソースガスと酸化剤ガスを混合しないことが望ましい。他の実施形態では、本体プレナム341とガスリングプレナム336との間に開孔図示せずを提供することによって、ガスをチャンバ313内へ噴射する前に、酸化剤ガスとソースガスを混合することができる。一実施形態では、第3のガス源334C、第4のガス源334D、および第5のガス源334D’、ならびに第3のガス流コントローラ335Cおよび第4のガス流コントローラ335D’が、ガス供給ライン338を用いて、本体プレナムへガスを提供する。343Bなどの追加のバルブ他のバルブは図示せずで、流れコントローラからチャンバへのガスを遮断することができる。本発明の特定の実施形態を実施する際には、ガス源334AはシランSiH4源を含み、ガス源334Bは分子状窒素N2源を含み、ガス源334CはTSA源を含み、ガス源334DはアルゴンAr源を含み、ガス源334D’はジシランSi2H6源を含む。可燃性、毒性、または腐食性のガスが使用される実施形態では、堆積後にガス供給ライン内に残ったガスを取り除くことが望ましいであろう。これはたとえば、バルブ343Bなどの3方向バルブを使用して、チャンバ313を供給ライン338Aから分離し、供給ライン338Aを真空フォアラインforeline344へ通気することによって、実現することができる。図3Aに示すように、他のガス供給ライン上に、343Aおよび343Cなどの他の類似のバルブを組み込むこともできる。そのような3方向バルブは、通気されないガス供給ラインの体積3方向バルブとチャンバとの間を最小にするように、チャンバ313にできるだけ近接して配置することができる。さらに、流体質量コントローラMFCとチャンバとの間またはガス源とMFCとの間に、2方向開閉バルブ図示せずを配置することもできる。図3Aを再び参照すると、チャンバ313はまた、上部ノズル345および上部通気口346を有する。上部ノズル345および上部通気口346により、上部および側面のガス流を独立して制御することができ、それにより膜の均一性を改善し、膜の堆積およびドーピングパラメータの微調整を可能にする。上部通気口346は、上部ノズル345の周りの環状の開口である。一実施形態では、第1のガス源334Aが、ソースガスノズル339および上部ノズル345に供給する。ソースノズルMFC335A’が、ソースガスノズル339へ供給されるガスの量を制御し、上部ノズルMFC335Aが、上部ガスノズル345へ供給されるガスの量を制御する。同様に、2つのMFC335Bおよび335B’を使用して、ガス源334Bなどの単一の酸素源から上部通気口346および酸化剤ガスノズル340の両方への酸素の流れを制御することができる。いくつかの実施形態では、酸素は、いかなる側面ノズルからもチャンバへ供給されない。上部ノズル345および上部通気口346へ供給されるガスは、ガスをチャンバ313内へ流すまで、別個のまま保つことができ、またはチャンバ313内へ流れる前に、上部プレナム348内でこれらのガスを混合することができる。同じガスの別個のガス源を使用して、チャンバの様々な部分に供給することができる。チャンバ構成要素から堆積残留物を周期的に洗浄するように、遠隔マイクロ波生成式プラズマ洗浄システム350が設けられる。この洗浄システムは、リアクタ空胴353内の洗浄ガス源334Eたとえば、分子状フッ素、三フッ化窒素、他の過フッ化炭化水素、または均等物からプラズマを生じさせる遠隔マイクロ波ジェネレータ351を含む。このプラズマに起因する反応性種は、アプリケータチューブ355を用いて、洗浄ガス送出ポート354を通じてチャンバ313へ運ばれる。洗浄プラズマを収容するために使用される材料たとえば、空胴353およびアプリケータチューブ355は、プラズマによる侵食に対して耐性をもっていなければならない。望ましいプラズマ種の濃度は、リアクタ空胴353からの距離とともに減るため、リアクタ空胴353と送出ポート354との間の距離はできるだけ短く保たれるべきである。遠隔空胴内に洗浄プラズマを生成することで、効率的なマイクロ波ジェネレータを使用することができ、その場で形成されるプラズマ内に存在しうるグロー放電の温度、放射、または衝撃にチャンバ構成要素をさらさない。したがって、インシトゥプラズマ洗浄処理で必要とされるように、静電チャック320などの比較的損傷を受けやすい構成要素を擬似ウエハで覆う必要はなく、または他の方法で保護する必要もない。図3Aでは、プラズマ洗浄システム350がチャンバ313より上に配置されているところを示すが、別法として他の位置を使用することもできる。上部ノズル近傍にバッフル361を設けて、上部ノズルを通じて供給されるソースガスの流れをチャンバ内へ誘導し、遠隔で生成されるプラズマの流れを誘導することができる。上部ノズル345を通じて提供されるソースガスは、中心の通路362を通ってチャンバ内へ誘導されるが、遠隔で生成され、洗浄ガス送出ポート354を通じて提供されるプラズマ種は、バッフル361によってチャンバの側壁の方へ誘導される。基板処理領域の内部をシーズニングすることで、多くの高密度プラズマ堆積処理が改善されることが分かった。ポリシリコンの形成も例外ではない。シーズニングは、基板処理領域内へ堆積基板が導入される前にチャンバ内部上に酸化ケイ素を堆積させることを伴う。実施形態では、基板処理領域の内部をシーズニングすることは、酸素源およびケイ素源を含むシーズニングプロセスガスから基板処理領域内で高密度プラズマを形成することを含む。酸素源は2原子酸素O2とすることができ、ケイ素源はシランSiH4とすることができるが、他の前駆体でも十分である。二酸化ケイ素ライナ層を含む場合と含まない場合に、間隙内に堆積される多結晶シリコン膜内の応力の量を測定するために、比較試験が行われる。カリフォルニア州サンタクララのAppliedMaterials,Inc.製のUltimaというHDP処理チャンバ内に配置された直径300mmの基板ウエハ上に形成される間隙内に、バルク間隙充填ポリシリコン層が堆積される。基板は、HDP-CVD堆積中に350°Cで維持され、印加される総ソースプラズマRF電力は、バイアス電力を除いて10.6ワット/cm27500ワットとすることができる。ライニング層は、約5.0ワット/cm23500ワットの基板バイアス電力で成長される。バルク間隙充填層の多結晶シリコンの成長中、3.5~10.0ワット/cm2直径300mmのウエハ上で2500~7000ワットの範囲内のバイアス電力が基板に印加された。ライニング層の厚さは、それぞれ約200Åおよび500Åとすることができる。バルク間隙充填層の厚さは、約2.0μmとすることができる。本発明の精神から逸脱することなく、異なる処理チャンバおよび異なる処理条件に対して処理パラメータが変動しうること、ならびに異なる前駆体を使用できることが、当業者には理解されるであろう。適当なケイ素含有前駆体は、シランに加えて、トリシリルアミンTSA、SiH33NおよびジシランSi2H6を含むことができる。他の変形形態も、当業者には明らかであろう。これらの均等物および代替物も、本発明の範囲内に含まれるものとする。したがって、本発明の範囲は、記載の実施形態に限定されるものではなく、以下の特許請求の範囲によって定義されるものである。トレンチという用語を本明細書全体にわたって使用したが、エッチングされた幾何形状が大きな水平のアスペクト比を有することを示唆するものではない。紙面の上から見ると、トレンチは、円形、楕円形、多角形、方形、または様々な他の形状に見えることがある。ビアという用語は、低アスペクト比のトレンチを指すために使用され、垂直方向の電気的接続を形成するために金属で充填されていても、されていなくてもよい。本明細書では、共形の層とは、表面と同じ形状で表面上に位置する概ね均一の材料層を指し、すなわち、層の表面と層に覆われる表面は、概ね平行である。堆積された材料は100共形でない可能性が高く、したがって概ねという用語は許容できる公差を考慮に入れていることが、当業者には理解されるであろう。いくつかの実施形態について説明したが、本発明の精神から逸脱することなく、様々な修正形態、代替構造、および均等物を使用できることが、当業者には理解されるであろう。さらに、本発明を不要に曖昧にするのを避けるため、複数のよく知られている処理および要素については説明しなかった。したがって、上記の説明は、本発明の範囲を限定すると見なされるべきではない。値の範囲が提供される場合、その範囲の上限と下限の間に介在するそれぞれの値は、文脈上別途明示しない限り下限の単位の10分の1まで、明確に開示されることが理解される。記載の範囲内の任意の記載の値または介在する値と、その記載の範囲内の任意の他の記載の値または介在する値との間のより小さいそれぞれの範囲が包含される。これらのより小さい範囲の上限および下限は、独立して範囲内に含まれても、除外されてもよく、また、より小さい範囲内に限度のいずれかを含む範囲、どちらも含まない範囲、またはどちらも含む範囲はそれぞれ、記載の範囲内の任意の明確に除外された限界に応じて、本発明の範囲内に包含される。記載の範囲が限界の一方または両方を含む場合、これらの含まれる限度のいずれかまたは両方を除外する範囲も含まれる。本明細書および添付の特許請求の範囲では、単数形のa、an、およびtheは、文脈上別途明示しない限り、複数の指示対象を含む。したがって、たとえばプロセスaprocessへの言及は、複数のそのようなプロセスを含み、前駆体theprecursorへの言及は、当業者には知られている1つまたは複数の前駆体およびその均等物への言及を含み、以下同様である。また、本明細書および以下の特許請求の範囲で使用する含むcomprise、含むcomprising、含むinclude、含むincluding、および含むincludesは、記載の特徴、全体、構成要素、またはステップの存在を指定するものであるが、1つまたは複数の他の特徴、全体、構成要素、ステップ、動作、または群の存在または追加を排除しない。"