"第1の層間膜、前記第1の層間膜に形成されたコンタクトホール、前記第1の層間膜の表面に形成された第2の層間膜、および前記第2の層間膜をエッチングすることによって形成されて前記コンタクトホールに連通する配線溝を備える、半導体装置であって、前記第1の層間膜は前記エッチングにおける前記第2の層間膜のエッチングレートより小さいエッチングレートを有する、半導体装置。前記第1の層間膜は窒化膜である、請求項1記載の半導体装置。半導体基板上に第1の層間膜を積層し、前記第1の層間膜の表面に第2の層間膜を積層し、前記第1の層間膜をエッチングストッパとして利用して前記第2の層間膜をエッチングして配線溝を形成し、前記第1の層間膜をエッチングして前記配線溝に連通するコンタクトホールを形成する、半導体装置の製造方法。半導体基板上に第1の層間膜を積層し、前記第1の層間膜をエッチングしてコンタクトホールを形成し、前記第1の層間膜の表面に第2の層間膜を積層し、前記第1の層間膜をエッチングストッパとして利用して前記第2の層間膜をエッチングして前記コンタクトホールに連通する配線溝を形成する、半導体装置の製造方法。従来の半導体装置1では、エッチングストッパ膜3bを形成しているので、配線溝5bの深さを均一にできるものの、複雑な3層構造となるため、製造工程が煩雑であるという問題点があった。それゆえに、この発明の主たる目的は、構造を簡素化できる、半導体装置を提供することである。この発明の他の目的は、製造工程を簡素化できる、半導体装置の製造方法を提供することである。第1の発明は、第1の層間膜、第1の層間膜に形成されたコンタクトホール、第1の層間膜の表面に形成された第2の層間膜、および第2の層間膜をエッチングすることによって形成されてコンタクトホールに連通する配線溝を備える、半導体装置であって、第1の層間膜はエッチングにおける第2の層間膜のエッチングレートより小さいエッチングレートを有する、半導体装置である。第2の発明は、半導体基板上に第1の層間膜を積層し、第1の層間膜の表面に第2の層間膜を積層し、第1の層間膜をエッチングストッパとして利用して第2の層間膜をエッチングして配線溝を形成し、第1の層間膜をエッチングして配線溝に連通するコンタクトホールを形成する、半導体装置の製造方法である。第3の発明は、半導体基板上に第1の層間膜を積層し、第1の層間膜をエッチングしてコンタクトホールを形成し、第1の層間膜の表面に第2の層間膜を積層し、第1の層間膜をエッチングストッパとして利用して第2の層間膜をエッチングしてコンタクトホールに連通する配線溝を形成する、半導体装置の製造方法である。第1の発明において、第1の層間膜は第2の層間膜のエッチングレートより小さいエッチングレートを有するので、第1の層間膜が、第2の層間膜をエッチングする際のエッチングストッパとして機能する。したがって、第1の層間膜と第2の層間膜との間にエッチングストッパ膜を形成する必要はない。また、第1の層間膜を分子密度が緻密な窒化膜で構成すると、第1の層間膜を拡散阻止膜として利用することもできる。第2および第3の発明では、第1の層間膜をエッチングストッパとして利用して第2の層間膜をエッチングするようにしているので、エッチングストッパ膜を形成する工程を省くことができる。この発明によれば、構造を簡素化でき、また、製造工程を簡素化できる。この発明の上述の目的,その他の目的,特徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう。図1に示すこの実施例の半導体装置10は、シリコンSi等からなる半導体基板12を含む。半導体基板12上には、窒化シリコンSiN等からなる第1層間膜14および酸化シリコンSiO2等からなる第2層間膜16が積層され、第1層間膜14には、半導体基板12の上部に形成された導電部18に至るコンタクトホール20が形成され、コンタクトホール20の上方部を含む第2層間膜16には、配線溝22が形成される。そして、コンタクトホール20および配線溝22には、銅CuやアルミニウムAl等からなるメタル配線24が埋め込まれる。半導体装置10は、いわゆるデュアルダマシン法による以下のプロセスで製造される。すなわち、まず、図2Aに示すように、半導体基板12の上部に多結晶シリコン等をド-プして導電部18を形成するとともに、半導体基板12上に分子密度が緻密な窒化シリコンSiN等からなる第1層間膜14をスパッタリング等によって積層する。そして、図2Bに示すように、第1層間膜14をパターン形成したレジスト26aでマスクしてエッチングし、導電部18に至るコンタクトホール20を形成する。続いて、レジスト26aを除去した後、図2Cに示すように、コンタクトホール20を埋めるようにして酸化シリコンSiO2等からなる第2層間膜16をCVD等によって積層する。そして、図3Dに示すように、第2層間膜16をパターン形成したレジスト26bでマスクしてエッチングし、コンタクトホール20と連通する配線溝22を形成する。このエッチング工程では、第1層間膜14のエッチングレートが第2層間膜16のエッチングレートより小さくなるように、エッチングガスまたはエッチング液の種類を選択する。したがって、第1層間膜14がエッチングストッパとして機能する。そして、図3Eに示すように、コンタクトホール20および配線溝22を埋めるようにして銅CuやアルミニウムAl等からなるメタル配線24をスパッタリング等によって積層し、図3Fに示すように、不要なメタル配線24をCMP化学的機械研磨等によって除去する。この実施例によれば、第1層間膜14がエッチングストッパとして機能するので、従来のようなエッチングストッパ膜を別途形成する必要はない。したがって、構造を簡素化できるとともに製造工程を簡素化できる。また、第1層間膜14を分子密度が緻密な窒化シリコンSiN等で形成しているので、第1層間膜14をメタル配線24を構成する銅Cu等の拡散を阻止する拡散阻止膜としても利用できる。なお、半導体装置10は、図4および図5に示す他の製造方法によって製造されてもよい。すなわち、まず、図4Aに示すように、半導体基板12の上部に多結晶シリコン等をド-プして導電部18を形成し、半導体基板12上に分子密度が緻密な窒化シリコンSiN等からなる第1層間膜14をスパッタリング等によって積層するとともに、酸化シリコンSiO2等からなる第2層間膜16をCVD等によって積層する。そして、図4Bに示すように、第2層間膜16をパターン形成したレジスト26cでマスクしてエッチングし、配線溝22を形成する。このエッチング工程では、第1層間膜14のエッチングレートが第2層間膜16のエッチングレートより小さくなるように、エッチングガスまたはエッチング液の種類を選択する。したがって、第1層間膜14がエッチングストッパとして機能する。続いて、レジスト26cを除去した後、図4Cに示すように、第1層間膜14をパターン形成したレジスト26dでマスクしてエッチングし、配線溝22の底部から導電部18に至るコンタクトホール20を形成する。そして、図5Dに示すように、コンタクトホール20および配線溝22を埋めるようにして銅CuやアルミニウムAl等からなるメタル配線24をスパッタリング等によって積層し、図5Fに示すように、不要なメタル配線24をCMP化学的機械研磨等によって除去する。この実施例においても、第1層間膜14がエッチングストッパおよび拡散阻止膜として機能するので、構造および製造工程を簡素化できる。"