第1のプロセスチャンバ内に設けられた第1の基板支持体を有する第1のプロセスチャンバであって、前記第1の基板支持体は、前記第1の基板支持体の温度を制御するために熱伝導流体を循環させる1つ以上のチャネルを有する第1のプロセスチャンバと、第2のプロセスチャンバ内に設けられた第2の基板支持体を有する第2のプロセスチャンバであって、前記第2の基板支持体は、前記第2の基板支持体の温度を制御するために熱伝導流体を循環させる1つ以上のチャネルを有する第2のプロセスチャンバと、前記第1の基板支持体及び前記第2の基板支持体の1つ以上のチャネルのそれぞれに前記熱伝導流体を供給する出口と、前記第1の基板支持体及び前記第2の基板支持体からの前記熱伝導流体を受ける入口とを有する共通の熱伝導流体供給源とを含む基板処理システム。基板を前記第1の基板支持体に静電的に結合するための前記第1のプロセスチャンバの前記第1の基板支持体内に設けられた第1のチャック電極と、基板を前記第2の基板支持体に静電的に結合するための前記第2のプロセスチャンバの前記第2の基板支持体上に設けられた第2のチャック電極とをさらに含む請求項1記載の基板処理システム。前記第1の基板支持体内に設けられ、RF電源からのRF電力を受けるよう構成された第1のRF電極と、前記第2の基板支持体内に設けられ、RF電源からのRF電力を受けるよう構成された第2のRF電極とをさらに含む請求項1記載の基板処理システム。前記第1及び第2のプロセスチャンバにプロセスガスを供給する共通のガスパネルをさらに含む請求項1記載の基板処理システム。中央真空搬送チャンバをさらに含み、前記第1及び第2のプロセスチャンバは前記中央の真空搬送チャンバに結合されている請求項1記載の基板処理システム。前記第1の基板支持体はさらに第1のヒータ及び第1の冷却プレートを含み、前記熱伝導流体を循環させる前記1つ以上のチャネルは前記第1の冷却プレート内に設けられており、前記第2の基板支持体はさらに第2のヒータ及び第2の冷却プレートを含み、前記熱伝導流体を循環させる前記1つ以上のチャネルは前記第2の冷却プレート内に設けられている請求項1~5のいずれか1項記載の基板処理システム。前記共通の熱伝導流体供給源の共通の入り口と前記第1の冷却プレートの第1の入口との間に結合された第1の入口導管と、前記共通の熱伝導流体供給源の前記共通の出口と前記第1の冷却プレートの前記第1の出口との間に結合された第1の出口導管と、前記共通の熱伝導流体の前記共通の入口と前記第2の冷却プレートの前記第2の入口との間に結合された第2の入口導管と、前記共通の熱伝導流体供給源の前記共通化の出口と前記第2の冷却プレートの前記第2の出口との間に結合された第2の出口導管とをさらに含む請求項6記載の基板処理システム。前記第1及び第2の入口導管及び前記第1及び第2の出口導管は実質的に等しい流体コンダクタンスを有する請求項7記載の基板処理システム。第1の基板支持体内に設けられた第1のヒータを用いて、ツインチャンバの処理システムの第1のプロセスチャンバ内の第1の基板支持体上に置かれた第1の基板を第1の温度に加熱し、前記第1の基板支持体内に設けられた第1の冷却プレートに熱伝導流体を流すことにより前記第1の基板の前記第1の温度を維持することと、第2の基板支持体内に設けられた第2のヒータを用いて、前記ツインチャンバの処理システムの第2のプロセスチャンバ内の第2の基板支持体上に置かれた第2の基板を前記第1の温度まで加熱し、前記第2の基板支持体内に設けられた第2の冷却プレートに熱伝導流体を流すことにより前記第2の基板の前記第1の温度を維持し、前記熱伝導流体は共通の熱伝導流体供給源により前記第1及び第2の冷却プレートに供給され、前記第1の温度が前記第1のプロセスチャンバ及び前記第2のプロセスチャンバのそれぞれにおけるそれぞれの基板について到達されたときに、前記第1及び第2の基板上で第1のプロセスを実行することを含む共通の処理リソースを有するツインチャンバの処理システム内で基板を処理する方法。プロセスのエンドポイントが、前記第1又は第2のプロセスチャンバのうちの少なくとも1つにおいて到達されたとき、前記共通の熱伝導流体供給源により前記第1及び第2の冷却プレートの各々に供給される熱伝導流体の流量を変化させることにより、前記第1及び第2の基板の温度を第2の温度に調整し、前記第2の温度で前記第1及び第2の基板上で第2のプロセスを実行することをさらに含む請求項9記載の方法。前記第1のプロセスのためのエンドポイントがいずれかの空間において到達されたかどうかを決定するために、第1のエンドポイント検出システムにより前記第1のプロセスチャンバの第1の処理空間を監視し、第2のエンドポイントが検出システムにより前記第2のプロセスチャンバの第2のプロセス空間を監視することをさらに含む請求項9記載の方法。第1のエンドポイントが前記第1の処理空間において到達されたとき、前記第1及び第2のプロセスチャンバにおける前記第1のプロセスを終了することをさらに含む請求項11記載の方法。前記第1のエンドポイントが到達された後に、前記第1及び第2の冷却プレートへの前記熱伝導流の流量を調整することにより、前記第1及び第2の基板の温度を第2の温度に調整することをさらに含む請求項12記載の方法。前記第2のプロセスチャンバにおいてエンドポイントに到達するまで、前記第2のプロセスチャンバにおいて前記第1のプロセスを継続するとともに、前記第1のプロセスチャンバにおいてエンドポイントに到達するとき、前記第1のプロセスチャンバにおいて前記第1のプロセスを終了し、前記第1及び第2のプロセスチャンバの両方において前記第1のプロセスのエンドポイントに到達した後に、前記第1及び第2の冷却プレートへの前記熱伝導流体の流量を調整することにより、前記第1及び第2の基板の温度を前記第2の温度に調整することをさらに含む請求項9記載の方法。前記熱伝導流体は前記共通の熱伝導流体供給源の共通の出口から前記第1の冷却プレートの第1の入口及び前記第2の冷却プレートの第2の入口に供給され、前記熱伝導流体は前記第1の冷却プレートの第1の出口及び前記第2の冷却プレートの第2の出口から前記共通の熱伝導流体供給源の共通の入口へ戻され、前記熱伝導流体は実質的に同程度の流量により、前記共通の出口から前記第1及び第2の冷却プレートのそれぞれへ流される請求項9記載の方法。