基板の表面に保護膜を形成する第1の工程と、規則的に配置された開口を有する着脱可能なブラストマスクを前記保護膜に対して被着する第2の工程と、前記ブラストマスクを通してブラスト加工処理を施すことにより前記保護膜の前記ブラストマスクの被着しない領域に開口を形成する第3の工程と、前記ブラストマスクを取り外す第4の工程と、前記開口が形成された前記保護膜をエッチングマスクとして、前記基板における前記保護膜が形成された面に対して、前記保護膜が耐性を有する条件でエッチングを施す第5の工程と、前記保護膜を除去する第6の工程と、を含むことを特徴とする基板の粗面化方法。前記ブラストマスクは、互いに対して間隔をあけ、互いに平行となるよう配置された複数の第1の部材と、前記第1の部材と交差し、互いに対して間隔をあけ、互いに平行となるよう配置された複数の第2の部材と、を備えることを特徴とする請求項1に記載の基板の粗面化方法。前記ブラストマスクは、前記第1の部材と前記第2の部材が直交するよう構成される、ことを特徴とする請求項2に記載の基板の粗面化方法。前記ブラストマスクは、前記第1の部材と前記第2の部材とのなす角が45度となるよう構成される、ことを特徴とする請求項2に記載の基板の粗面化方法。前記ブラストマスクは、隣接する前記第1の部材間の間隔が、隣接する前記第2の部材間より大きい、ことを特徴とする請求項4に記載の基板の粗面化方法。前記エッチングが、異方性アルカリエッチングである、ことを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の基板の粗面化方法。前記第2の工程では、前記基板の結晶方位に基づいて前記第1の部材または前記第2の部材の前記基板に対する配置を決定し、決定した配置となるよう前記ブラストマスクを前記保護膜に対して被着する、ことを特徴とする請求項6に記載の基板の粗面化方法。前記エッチングが、等方性エッチングである、ことを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の基板の粗面化方法。前記基板が、単結晶シリコン基板である、ことを特徴とする請求項1~8のいずれか1つに記載の基板の粗面化方法。前記ブラストマスクの材質が、ステンレスである、ことを特徴とする請求項1~9のいずれか1つに記載の基板の粗面化方法。前記第2の工程では、前記保護膜に対して開口の無い無開口マスクを被着し、前記保護膜の前記無開口マスクが被着されない領域に対して前記ブラストマスクを被着する、ことを特徴とする請求項1~10のいずれか1つに記載の基板の粗面化方法。前記基板を、前記第1導電型の半導体基板でありかつ表面に第2導電型の不純物元素を拡散して拡散層を形成された半導体基板とし、前記無開口マスクの被着する領域を電極が形成される領域とする、ことを特徴とする請求項11に記載の基板の粗面化方法。請求項1~12のいずれか1つに記載の基板の粗面化方法により第1導電型の半導体基板の一面側を粗面化する粗面化工程と、前記半導体基板の一面側に、第2導電型の不純物元素を拡散して不純物拡散層を形成する不純物拡散層形成工程と、前記半導体基板の一面側における電極形成領域および前記半導体基板の他面側に電極を形成する電極形成工程と、を含むことを特徴とする光起電力装置の製造方法。前記ブラストマスクは、互いに対して間隔をあけ、互いに平行となるよう配置された複数の第1の部材と、前記第1の部材と交差し、互いに対して間隔をあけ、互いに平行となるよう配置された複数の第2の部材と、を備える第1のマスク部と、前記第1のマスク部の開口のうちの一部を塞ぐよう前記第1のマスク部と一体化して形成れる第2のマスク部と、を備えることを特徴とする請求項1に記載の基板の粗面化方法。しかしながら、上記従来の写真製版法により形成したエッチングマスクを用いるテクスチャ形成方法では、プロセスコストが高く、また大型の基板には適用しにくい、という問題がある。また、上記特許文献1に記載のテクスチャ形成方法では、エアーブラスト加工は保護マスクの開口部を通してのみ施される。このため、保護マスクの被着している領域は当初の基板表面形状、すなわち平坦な形状を維持したままである。この場合には、この平坦面へ入射した光に対しては光閉じ込め効果は発揮できず、良好な光反射抑制効果が得られない、という問題がある。また、上記特許文献1に記載のテクスチャ形成方法では、保護マスクとして樹脂膜を印刷等によって形成する。このため、10μm程度の微細なパターンを基板表面に形成することができない、という問題を有する。また、保護マスクに微細なパターンを形成できたとしても、基板のテクスチャ形成時に、直径10μm前後の砥粒を用いたブラスト加工を行っている。このため、10μm程度の微細な凹凸パターンを基板表面に形成することはできない、という問題がある。さらに、上記特許文献1に記載のテクスチャ形成方法では、基板のテクスチャ形成にブラスト加工を使用しているため、砥粒が衝突して生じたマイクロクラック等の損傷が基板表面に生じる、という問題がある。さらに、上記特許文献1に記載のテクスチャ形成方法では、保護マスクの印刷の工程とブラスト加工後に保護マスクを除去する工程とが必要になり、工程が複雑になる、という問題がある。また、上記特許文献2に記載の技術によれば、エッチングマスク膜に開口部を形成するためにブラスト加工を用いているため、エッチングマスク膜の開口部の位置、形状、大きさ等がランダムとなり、均一で良好なテクスチャ形成ができない、という問題がある。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、マイクロクラック等の損傷が基板表面に生じることなく良好なテクスチャが形成でき、さらに容易な工程により基板表面の微細な粗面化を均一に行うことができる基板の粗面化方法および光起電力装置の製造方法を得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、基板の表面に保護膜を形成する第1の工程と、規則的に配置された開口を有する着脱可能なブラストマスクを前記保護膜に対して被着する第2の工程と、前記ブラストマスクを通してブラスト加工処理を施すことにより前記保護膜の前記ブラストマスクの被着しない領域に開口を形成する第3の工程と、前記ブラストマスクを取り外す第4の工程と、前記開口が形成された前記保護膜をエッチングマスクとして、前記基板における前記保護膜が形成された面に対して、前記保護膜が耐性を有する条件でエッチングを施す第5の工程と、前記保護膜を除去する第6の工程と、を含むことを特徴とする。本発明によれば、マイクロクラック等の損傷が基板表面に生じることなく良好なテクスチャが形成でき、さらに容易な工程により基板表面の微細な粗面化を均一に行うことができる、という効果を奏する。以下に、本発明にかかる基板の粗面化方法および光起電力装置の製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、本発明において基板の材質、および粗面化された基板の用途は特に限定しないが、以下の説明では一例として単結晶シリコン基板の粗面化について説明する。また基板の用途として、単結晶シリコン太陽電池を製造するために用いるものとして説明する。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため各部材の縮尺が実際と異なる場合があり、各図面間においても同様である。実施の形態1.図1は、本発明にかかる実施の形態1の基板の粗面化方法により表面の粗面化が施された基板1の一例を示す断面図である。図1に示した基板1は、光起電力装置である太陽電池用の基板であるp型単結晶シリコン基板である。この基板1には、穴間平均ピッチが略10μm程度の逆ピラミッド状を呈するテクスチャ窪み5が基板表面に略均一に形成されている。つぎに、このような基板1を形成するための本実施の形態の基板の粗面化方法について説明する。図2-1~図2-6は、本実施の形態の基板の粗面化方法の工程を説明するための断面図である。本実施の形態の基板の粗面化方法は、第1の工程~第6の工程を含み、図2-1は第1の工程を、図2-2は第2の工程を、図2-3は第3の工程を、図2-4は第4の工程を、図2-5は第5の工程を、図2-6は第6の工程を、それぞれ説明するための図である。以下、これらの図面を参照して本実施の形態の基板の粗面化方法を説明する。第1の工程では、図2-1に示すように粗面化を行う対象であるp型単結晶シリコン基板1a以下、基板1aと称するの一面側の表面に、保護膜として、後述の第5の工程で実施するエッチングに対してエッチング耐性を有する膜以下、耐エッチング性膜と称する2を形成する。本実施の形態の基板1aは、民生用太陽電池向けとして多く使用されている単結晶シリコン基板であり、例えば、単結晶シリコンインゴットからマルチワイヤーソーでスライスした後に、酸またはアルカリ溶液を用いたウェットエッチングでスライス時のダメージを除去したものである。一例として、ここでは、ダメージ除去後の基板1aの厚みは200μm、寸法は15cm角とする。なお、基板1aの厚みおよび寸法はこれに限定されるものではなく、適宜変更可能である。また、耐エッチング性膜2は、熱酸化法により成膜された膜厚100nmの酸化シリコン膜SiO2、SiOである。なお、ここでは、耐エッチング性膜2として酸化シリコン膜を用いたが、耐エッチング性膜2として窒化シリコン膜SiN、酸化窒化シリコン膜SiON、アモルファスシリコン膜а-Si、ダイアモンドライクカーボン膜等、他の材質を用いても良い。また、耐エッチング性膜2の膜厚は、10nm~500nmとすることが好ましい。耐エッチング性膜2の膜厚が10nm以上であれば、後述の第5の工程において基板1aの耐エッチング性膜2が形成された側の一面に対してエッチングを施す際に、耐エッチング性膜が多少削られたとしても確実に耐エッチング性膜として機能する。また、耐エッチング性膜2の膜厚が500nm以下であれば、後述の第3の工程で耐エッチング性膜2に対して確実に微細穴加工を施すことができる。なお、耐エッチング性膜2の膜厚は、これに限定されず、後述の第5の工程において確実に耐エッチング性膜として機能し、後述の第3の工程で確実に微細穴加工を施すことができるような厚さにあればよい。第2の工程では、図2-2に示すように耐エッチング性膜2に対して開口部を有する着脱可能なブラストマスク3を被着する。ブラストマスク3としては、例えば、ステンレスのメッシュが使用可能である。メッシュ数が500番であれば、50μmピッチで20~40μm程度の開口部を形成することができる。なお、ブラストマスク3は開口部を有するメッシュ状であればよく、ブラストマスク3の材質およびメッシュの形状およびサイズはこれに限定されない。第3の工程では、図2-3に示すように耐エッチング性膜2に対してブラストマスク3の開口部に相当する位置ブラストマスク3に覆われていない部分に微細穴加工を施す。すなわち、ブラスト加工処理により耐エッチング性膜2に複数の微細開口4を開ける。このときブラスト加工処理に用いる砥粒としては、例えばアルミナ砥粒を使用する。本発明者らは、基板1にクラックを発生させることなく耐エッチング性膜2であるSiO2膜に開口を形成するために最も適した砥粒を求め、研究を重ねた結果、アルミナ砥粒が最も適しているとの知見に至った。しかしながら、ブラスト加工処理の砥粒はこれに限定されるものではなく、耐エッチング性膜2に微細開口4を開けることができれば、アルミナ砥粒以外の他の砥粒を用いてもかまわない。図3は、本実施の形態の基板の粗面化方法において、耐エッチング性膜2に複数の微細開口4を形成する際に使用する装置以下、ブラスト加工装置と称すの構成例を示す模式図である。図3に示すブラスト加工装置は、砥粒噴射ノズル11と、砥粒タンク12と、圧縮空気ボンベ13と、を備える。このブラスト加工装置では、砥粒タンク12から供給されるブラスト砥粒14を、圧縮空気ボンベ13から供給される圧縮空気により砥粒噴射ノズル11から噴出し、噴出したブラスト砥粒14を加工対象物表面ここでは、基板1aに形成された耐エッチング性膜2へ衝突させることで表面を切削加工する。本実施の形態では、ブラストマスク3を耐エッチング性膜2の上に被着しており、耐エッチング性膜2は、ブラストマスク3の有る部分は切削加工されず、ブラストマスク3の無い部分ブラストマスク3の開口部に対応する部分のみが切削加工される。また、図3では図示しないが、ブラスト砥粒14を砥粒噴射ノズル11から噴出させた状態で基板1aを該基板1aの面内方向に平行移動させることで、ブラスト砥粒14を基板面内全面に作用させることができる。これにより、基板面内全面に対して均一に切削加工して、耐エッチング性膜2に微細開口4を開けることができる。図4-1は、本実施の形態のブラストマスク3の一例を示す図である。図4-1では、ブラストマスク3を正方格子の開口部を有する直交織りメッシュとした場合の模式図を示している。メッシュの織り目を結晶方位の100方向に合わせることで、基板1aに対して、逆ピラミッド型のテクスチャ窪み5を正方格子状の配列で形成することができる。また、図4-2は、ブラストマスク3の別の一例を示す図である。図4-2に示したブラストマスク3は、三角格子の開口部を有する45度の斜め織りメッシュであり、片方の織りの間隔が他方に比べ狭く、筋状の開口部を有するメッシュである。このメッシュを用い、メッシュの開口部の長手方向を結晶方位の110方向逆ピラミッドの対角線方向に合わせて、耐エッチング性膜2に筋状の微細開口4を形成する。このようにして、基板1aに対して、逆ピラミッド型のテクスチャ窪み5を正方格子状の配列で形成することができる。図4-2に示したブラストマスク3の形状および配置を用いると、少ない開口面積であっても、逆ピラミッド型のテクスチャ窪み5を形成することが可能である。なお、ここでは、メッシュ状の例としては、互いに対して間隔をあけ、かつ互いに平行となるよう配置された複数の第1の部材と、前記第1の部材と交差し、互いに対して間隔をあけ、かつ互いに平行となるよう配置された複数の第2の部材と、で構成される2方向の部材で構成されるブラストマスク3を示したが、ブラストマスク3は、これに限らず、一定間隔ごとに一定の形状および大きさの開口を有すれば、たとえば、板状の部材に開口部をあけて形成されたシート等を用いてもよい。なお、一般には微細な開口を形成するには、2方向の部材で構成されるメッシュの方が開口を設けた板状のメッシュを形成するより加工が容易である。第4の工程では、図2-4に示すようにブラストマスク3を取り外す。なお、ブラストマスク3の取り外し方は特に限定しないが、ブラストマスク3としてステンレスのメッシュ等を用いることにより、樹脂膜等をブラストマスクとして用いる場合に比べ容易に取り外すことができる。第5の工程では、微細穴加工が施された耐エッチング性膜2をマスクとして、基板1aの耐エッチング性膜2が形成された側の一面に対してエッチングを施し、図2-5に示すようにテクスチャ窪み5を形成する。第5の工程で施すエッチングとしては、例えばNaOHやKOH等のアルカリ性水溶液を用いた湿式エッチングを実施する。この場合、テクスチャ窪み5の形状は結晶面方位により異なる。なお、エッチングの方法としては、アルカリ性水溶液を用いた湿式エッチングに限らず、フッ酸硝酸混合物を用いた湿式エッチングを用いてもよいし、乾式エッチングを用いてもよい。図5-1~図5-3は、形成方法の違いによるテクスチャ窪み5の形状の差異を説明するための図である。図5-1は、アルカリ性水溶液を用いてエッチングを行い、100面が表出した基板1aの表面に対してテクスチャ窪み5aを形成した例を示している。図5-1は、従来行なわれてように、印刷等により開口部を形成した樹脂膜をエッチングマスクとして用いた場合に対応する例である。従来の方法では、エッチングが進行して111面が露出した時点でエッチングの進行は極めて遅くなり、耐エッチング性膜2の下側におけるサイドエッチングは十分には進行せず、基板1aの表面に平坦部6が残存し、後に反射率抑制を阻害する要因となる。図5-2は、窪み7をブラスト加工により形成した例である。図5-2に示すように、ブラスト加工により形成した窪み7はブラスト加工時の保護マスクの開口部のほぼ直下のみに形成される。したがって、ブラスト加工により形成した窪み7をテクスチャ窪みとして用いる場合、保護マスクを被着している領域は当初の基板表面形状のままであり、反射率抑制を阻害する要因となる。一方、本実施の形態では、耐エッチング性膜2に開口を形成する際に、ブラスト加工を用いているため、図5-2に示したブラスト砥粒14による窪み7がシリコン基板内部まで形成される。すなわち、第4の工程の後に、図5-2の例の窪み7と同様の窪みが生じることになる。したがって、第5の工程で、図5-1に示した例と同様に、100面が表出した基板1aの表面に対してアルカリ性水溶液を用いてエッチングを行う場合にも、この窪み7により横方向へのエッチング広がりが促進され、111面が露出した時点から再度エッチングがある程度進行し、平坦部6の残存が低減される。図5-3は、アルカリ性水溶液を用いてエッチングを行い、111面が表出した基板1aの表面に対してテクスチャ窪み5aを形成した例を示している。111面が表出した基板1aの表面に対しては、図5-3に示すようにほとんどエッチングが進行せず、テクスチャ窪み5が形成されない。ここで、第2の工程におけるブラスト加工処理の条件決定方法について説明する。ブラスト加工では、ブラスト加工条件として、エアー圧力、エアー流量、ノズル-基板間距離、掃引速度を調整する必要がある。本実施の形態では、耐エッチング性膜2に開口される穴微細開口4の直径の大きさや形状、すなわちブラストマスク3の開口部の大きさや形状、また耐エッチング性膜2の厚さなどに応じてこれらの条件を調整する。また、ブラストマスク3の開口部の下部の耐エッチング性膜2に対して、ブラスト砥粒14が複数回衝突することで、ブラストマスク3の開口部の下部となる耐エッチング性膜2に開口されたことと等価となる。従って、耐エッチング性膜2に所望の開口状態が得られる様に、ブラスト加工処理条件と加工時間を調整する必要がある。なお、耐エッチング性膜2の開口径はブラストマスク3の開口径で規定され、開口径が大きいと逆ピラミッドの深さも大きくなる。したがって基板1aの厚さにより、ブラストマスク3の開口径が制限される。第6の工程では、図2-6に示すように、耐エッチング性膜2を除去することで、テクスチャ窪み5を表出させる。耐エッチング性膜2の除去には、例えばフッ酸水溶液を使用することができる。なお、これに限らずどのような方法で耐エッチング性膜2の除去を行なってもよい。以上の工程により、図2-6に示すように、例えば20μm程度のパターンを有する逆ピラミッドテクスチャ構造を基板1の表面に形成することができる。図6-1および図6-2は、上述した基板1を用いて製造した光起電力装置の構成例を示す図であり、図6-1は光起電力装置の断面図、図6-2は光起電力装置の上面図である。図6-1および図6-2に示す光起電力装置は、基板表層に第2導電型の不純物を拡散したn層21aを有する第1導電型の半導体基板21と、半導体基板21の受光面側の面表面に形成された反射防止膜22と、半導体基板21の受光面側の面表面に形成された受光面側電極23と、半導体基板21の受光面と反対側の面裏面に形成された裏面電極24と、を備える。また、受光面側電極23としては、光起電力装置のグリッド電極23aおよびバス電極23bを含む。図6-1ではグリッド電極23aの長手方向に垂直な断面における断面図を示している。そして、半導体基板21半導体基板21のn層21aを除いた部分には、上述した基板の粗面化方法を用いて基板表面にテクスチャ構造を形成した基板1を使用して、15cm角の光起電力装置を構成している。つぎに、上述した基板1を用いて図6-1および図6-2に示す光起電力装置を製造するための工程を説明する。なお、ここで説明する工程は、一般的な単結晶シリコン基板を用いた光起電力装置の製造工程と同様であるため、特に図示しない。また、ここで説明する工程は一例であり、基板1の製造工程以外の、光起電力装置を製造するための工程はこれらに限らずどのような工程を用いてもよい。上記の第6の工程の処理が完了した基板1を熱酸化炉へ投入し、オキシ塩化リンPOCl3蒸気の存在下で加熱して基板1の表面にリンガラスを形成することで基板1中にリンを拡散させ、基板1の表層にn層21aを形成する。拡散温度は、例えば840°Cとされる。つぎに、フッ酸溶液中で基板1のリンガラス層を除去した後、反射防止膜22としてプラズマCVDChemicalVaporDeposition法によりSiN膜をn層21a上に受光面側電極23の形成領域を除いて形成する。反射防止膜22の膜厚および屈折率は、光反射を最も抑制する値に設定する。なお、屈折率の異なる2層以上の膜を積層してもよい。また、反射防止膜22は、スパッタリング法など、上記と異なる成膜方法により形成しても良い。つぎに、基板1の受光面に銀の混入したペーストを櫛形にスクリーン印刷にて印刷し、基板1の裏面にアルミニウムの混入したペーストを全面にスクリーン印刷にて印刷した後、焼成処理を実施して受光面側電極23と裏面電極24とを形成する。焼成は大気雰囲気中において例えば760°Cで実施する。以上のようにして、図6-1および図6-2に示す光起電力装置が作製される。上記の工程により製造された光起電力装置の性能評価した結果に関して説明する。なお、光起電力装置の際に、基板1の粗面化を実施した時点第6の工程の後で基板1の光反射特性を、分光光度計で評価した。この評価の結果、波長628nmにおける反射率は10程度であった。一方、比較例として、基板表面にテクスチャを形成しない基板の反射率を評価した結果、波長628nmにおける30程度であった。したがって、本実施の形態の基板の粗面化方法により粗面化を施した基板1は、良好な反射率抑制効果を発揮していることがわかった。次に、作製した光起電力装置を実際に作動させ、発電特性を測定して評価した。図7は、本実施の形態の光起電力装置の発電特性の評価結果の一例を示す図である。図7では、この結果として得られた開放電圧VocmV、短絡電流密度JscmA/cm2、曲線因子FFおよび光電変換効率Effを示している。また比較例として、上記の比較例の基板を使用して15cm角の光起電力装置を作製した。そして、この比較例の光起電力装置を実際に作動させ、発電特性を測定して評価した。その結果として開放電圧VocmV、短絡電流密度JscmA/cm2、曲線因子FFおよび光電変換効率Effを図7に併せて示す。図7からわかるように、本実施の形態の光起電力装置では、比較例の光起電力装置と比較して短絡電流密度が大幅に増大し比較例35.6[mA/cm2]に対して、37.1[mA/cm2]、光電変換効率が向上している比較例17.37に対して18.02。これにより、本実施の形態の基板の粗面化方法により粗面化を施した基板1を使用して光起電力装置を構成することにより、基板1の表面反射損失の抑制が奏功して、短絡電流密度が大幅に増大し、光電変換効率の向上に寄与することがわかった。上述したように、本実施の形態の基板の粗面化方法によれば、耐エッチング性膜2の微細穴加工にブラスト加工を用いるため、リソグラフィのような高価な装置および冗長な製造工程を必要とせずに耐エッチング性膜2の微細穴加工を実現することができ、基板1aの表面に対して簡便に微細な粗面化を均一に実施することができる。また、本実施の形態の基板の粗面化方法によれば、耐エッチング性膜2のパターニングに樹脂印刷のような工程を用いないため、簡略な工程で基板1aの表面に対して微細な粗面化を均一に実施することができる。また、本実施の形態の基板の粗面化方法によれば、基板1aの粗面化に湿式または乾式エッチングを用いるため、砥粒径にとらわれることなく微細な凹凸加工が実施できる。また、耐エッチング性膜2の下側へも等方的にエッチングが進行し、いわゆるサイドエッチング加工を施すことができるため、耐エッチング性膜2の下部に不要な平坦部が残存しないため、これにより、基板1aの表面に対して簡便に粗面化を均一に実施することができる。また、基板1aの粗面化にブラスト加工ではなく、湿式または乾式のエッチングを用いるため、ブラスト加工に起因したマイクロクラック等の基板損傷を防止することができる。これにより、粗面化に起因した基板表面の品質を低下させることなく、基板1aの表面に対して微細な粗面化を実施することができる。また、本実施の形態では、開口部を有するメッシュ状のブラストマスク3を用いてブラスト加工によって耐エッチング性膜2に微細開口4を設けるようにした。そのため、ブラストマスク3を用いてブラスト加工によって耐エッチング性膜2に微細開口4を設ける場合に比べ、エッチングマスク膜の開口部の位置、形状、大きさ等を均一にすることができる。したがって、基板1aの表面に対して均一に粗面化を実施することができる。したがって、本実施の形態の基板の粗面化方法によれば、基板表面の品質を保持しながら基板表面の微細な粗面化を均一に行うことが可能であり、優れた反射抑制効果を発揮する基板の粗面化が可能である。また、本実施の形態の光起電力装置の製造方法によれば、上記の本実施の形態の基板の粗面化方法を用いて基板表面の粗面化を施した基板1を用いて光起電力装置を製造するため、光入射側の基板表面における表面光反射損失が大幅に低減され、光電変換効率の向上が図られた、良好な光電変換効率を有する光起電力装置を製造することができる。これにより、従来と同等の光電変換効率を有する光起電力装置を製造する際には、基板の面積を小さくし、基板の原材料の減量化を図るとともに、光起電力装置の小型化、軽量化、減容化を図ることが可能である。実施の形態2.つぎに、本発明にかかる実施の形態2の基板の粗面化方法について説明する。本実施の形態では、基板1aとして予め拡散済みの基板を用い、またブラストマスク3に電極領域部分をマスクする部分を追加する。これにより、太陽電池の高効率化が可能となる選択エミッタ構造を形成することができる。選択エミッタ構造とは、電極部分のみを2回拡散することで、電極部分を受光面部分より低抵抗化した構造である。基板1aとして予め拡散済みの基板を用い、またブラスト加工時に用いるマスクとして実施の形態1のブラストマスク3に電極マスク25を追加したマスクを使用する点を除いた本実施の形態の基板の粗面化方法は実施の形態1の基板の粗面化方法と同様である。以下、実施の形態1と異なる部分について説明する。本実施の形態では、基板1aとして、例えばp型単結晶シリコン基板に対してオキシ塩化リン蒸気の存在下で加熱することによりn層拡散層が形成されている拡散済みの基板を用いる。そして、この基板1aを用いて、実施の形態1と同様に第1の工程を実施する。つぎに、実施の形態1と同様に第2の工程を実施するが、その際に耐エッチング性膜2に対して被着するブラスト加工用のマスクとして電極マスク25を追加したマスク以下、選択エミッタ構造形成用ブラストマスクと称するを用いる。第3の工程では、この選択エミッタ構造形成用ブラストマスクを用いてブラスト加工を実施する。図8は、選択エミッタ構造形成用ブラストマスクの構成の一例を示す上面図である。図8に示すように、選択エミッタ構造形成用ブラストマスクは、テクスチャを形成するための開口部を有する実施の形態1と同様のブラストマスク3と、電極部分を形成するための開口部のない電極マスク25と、で構成されている。第3の工程で、この選択エミッタ構造形成用ブラストマスクを用いてブラスト加工を行なうことにより、電極部分はブラスト加工されずテクスチャは形成されない。なお、電極マスク25は、開口を有しない無開口マスクであり、バス電極23bに相当する1~2mm程度の幅広の部分とグリッド電極23aに相当する100~500μm程度の狭幅の部分で構成される。電極マスク25は、上記の形状に限定されず、形成される電極の領域に応じて形状を決定すればよい。以下、実施の形態1と同様に第4の工程~第6の工程を実施する。図9-1は、予め拡散処理を行った基板1aに対して本実施の形態の選択エミッタ構造形成用ブラストマスクを用いてエッチング処理までを行った状態の構成例を示す図である。図9-1は、予め拡散処理を行った基板1aに対して、本実施の形態の選択エミッタ構造形成用ブラストマスクを用いて実施の形態1と同様の第1の工程~第5の工程を実施した後の、基板1aの断面図を示している。電極領域26は、耐エッチング性膜2のうち電極マスク25の領域に対応する部分であり、電極マスク25に覆われていることによりブラスト加工時に開口されずに残った部分である。また、第5の工程のエッチング処理により、基板1aの表面のうち、電極領域26が被着していない部分は拡散層が除去されるが、電極領域26が被着している電極下拡散層27には、拡散層が残る。図9-2は、第6の工程により耐エッチング性膜2を除去した状態の基板1aの構成例を示す図である。図9-2は、図9-1で示した基板1aに対して耐エッチング性膜2を除去した状態を示している。耐エッチング性膜2を除去することにより、電極下拡散層27が表出した基板1が生成される。その後、この基板1を用いて、実施の形態1で述べた光起電力装置の製造方法と同様の製造方法により、光起電力装置を作製する。図9-3は、基板1に対して再度拡散処理を行った状態の構成例を示す図である。図9-3は、本実施の形態の第1の工程~第6の工程により生成された基板1を用いて、実施の形態1で述べた光起電力装置の製造する過程で、拡散処理を行った後の状態を示している。本実施の形態では、基板1aとして拡散処理済みの基板を用いているため、この拡散処理は2回目の拡散処理となる。この2回目の拡散処理の結果、電極下再拡散層28は1回目の拡散処理により形成された拡散層が残った状態で2回の拡散処理が実施されるため、抵抗値が低い。これに対して、上述のエッチング処理時に電極領域26が被着していなかった領域であるテクスチャ領域29では、エッチング処理時に1回目の拡散処理により形成された拡散層は除去されているため、1回の拡散処理に対応する拡散層が形成され、電極下拡散層28に比べて抵抗値が高くなる。このような選択エミッタ構造を形成することにより、受光面では拡散濃度が低く光照射により発生した電子の再結合が押さえられ、一方電極領域は拡散濃度が高く抵抗が低いので発生した電子の集電が容易となる。これにより、変換効率の向上が可能となる。つぎに、本実施の形態の製造工程により作製した光起電力装置を実際に作動させ、発電特性を測定して評価した。図10は、本実施の形態の光起電力装置の発電特性の評価結果の一例を示す図である。図10では、評価結果として得られた開放電圧VocmV、短絡電流密度JscmA/cm2、曲線因子FFおよび光電変換効率Effを示している。図10では、実施の形態1の光起電力装置の評価結果も併せて示す。図10からわかるように、本実施の形態の光起電力装置では、実施の形態1の光起電力装置と比較して開放電圧実施の形態1では630[mV]に対し本実施の形態では635[mV]と短絡電流密度実施の形態1では37.1[mA/cm2]に対し本実施の形態では38.1[mA/cm2]が増大し、光電変換効率が向上している。これにより、本実施の形態にかかる基板の粗面化方法により粗面化を施した基板1を使用して光起電力装置を構成することにより、光電変換効率の向上に寄与することがわかった。このように、本実施の形態では、基板1aとして拡散済みの基板を用い、ブラスト加工時に実施の形態1のブラストマスク3に電極マスク25を追加した選択エミッタ構造形成用ブラストマスクを用いるようにした。そのため、実施の形態1と同様の効果が得られるとともに、さらに選択エミッタ構造を形成することができ、実施の形態1に比べ光電変換効率を向上させることができる。実施の形態3.つぎに、本発明にかかる実施の形態3の基板の粗面化方法について説明する。図11は、本実施の形態の選択エミッタ構造形成用ブラストマスクの構成の一例を示す斜視図である。本実施の形態では、選択エミッタ構造形成用ブラストマスクとして図11に示すようにメッシュ部第1のマスク部30にエマルジョン部第2のマスク部31が貼りついて一体化されたマスクを使用する。エマルジョン部31の厚みは例えば20~100ミクロンなどである。例えば、エマルジョン部31としてスクリーン印刷で用いられるマスクを用いてもよい。エマルジョン部31は、写真製版などでパターン加工することができる。エマルジョン部31はメッシュ部30の複数のメッシュにまたがってメッシュの開口を塞ぎ、ブラスト砥粒の通過を防ぐ。これにより選択エミッタが形成される。エマルジョン部31のパターニングは写真製版等により実施される。ブラスト砥粒によりエマルジョン部31は徐々に削れるが、例えばゴム系の材料を使用することでエマルジョン部31の削れを抑制することが可能である。またメッシュ部30とエマルジョン部31は一体化されているため、両者の位置合わせの必要がない。本実施の形態の選択エミッタ構造形成用ブラストマスクを使用した基板の粗面化方法は実施の形態2の基板の粗面化方法と同じであるため説明を省略する。