"被処理基板上に設けられた下地パターン上に膜材料をスピンコート法により塗布する膜材料塗布工程と、該膜材料塗布工程の途中および終了直後の少なくともいずれかに、該被処理基板を支持する回転部から該被処理基板に、該被処理基板の周辺部に比べてその中央部の超音波振動を強くするように該超音波振動を加える超音波振動工程とを有する半導体素子の製造方法。前記膜材料は透明感光性樹脂膜となる材料である請求項1に記載の半導体素子の製造方法。前記膜材料は、層間絶縁膜、平坦化膜、カラーフィルタおよびマイクロレンズのいずれかの材料である請求項1に記載の半導体素子の製造方法。前記膜材料は、SiN膜、SiON膜およびアクリル膜のいずれかの材料である請求項1に記載の半導体素子の製造方法。前記超音波振動の周波数および振幅の少なくともいずれかを、前記膜材料の粘度に応じて調整する請求項1に記載の半導体素子の製造方法。前記膜材料塗布工程は、前記回転部の回転速度を低速で短時間回転させて前記膜材料を塗布する第1膜材料塗布工程と、該回転部の回転速度を高速で長時間回転をさせて前記膜材料を塗布する第2膜材料塗布工程とを有し、該第1膜材料塗布工程および該第2膜材料塗布工程のうちの少なくともいずれかの工程に対して前記超音波振動工程を行う請求項1に記載の半導体素子の製造方法。前記超音波振動の振幅は、0.1~0.5μmである請求項1に記載の半導体素子の製造方法。前記超音波振動の周波数は、前記膜材料の粘度との関係で、該粘度が5mPa.s以上で50KHzを超え100KHz、該粘度が5mPa.s未満で50KHz以下である請求項1に記載の半導体素子の製造方法。請求項1から8のいずれかに記載の半導体素子の製造方法により製造された半導体素子。被処理基板上に設けられた下地パターン上に膜材料をスピンコート法により塗布する回転塗布装置において、該被処理基板を搭載する回転部が設けられ、該回転部の周辺部に比べてその中央部の超音波振動を強くするように、該回転部の周辺部に比べてその中央部の超音波振動素子の配置密度を高密度に構成している回転塗布装置。前記超音波振動の周波数および振幅の少なくともいずれかを前記膜材料の粘度に応じて調整可能とされている請求項10に記載の回転塗布装置。入射光を受光して撮像する複数の受光部が被処理基板の各撮像領域に設けられ、該複数の受光部から各電荷転送電極下を通して各撮像信号が読み出される固体撮像素子の製造方法において、該被処理基板上に設けられた下地パターン上に膜材料をスピンコート法により塗布する膜材料塗布工程と、該膜材料塗布工程の途中および終了直後の少なくともいずれかに、該被処理基板を支持する回転部から該被処理基板に、該被処理基板の周辺部に比べてその中央部の超音波振動を強くするように超音波振動を加える超音波振動工程とを有する固体撮像素子の製造方法。前記膜材料は透明感光性樹脂膜となる材料である請求項12に記載の固体撮像素子の製造方法。前記膜材料は、層間絶縁膜、平坦化膜、カラーフィルタおよびマイクロレンズのいずれかの材料である請求項12に記載の固体撮像素子の製造方法。前記膜材料は、SiN膜、SiON膜およびアクリル膜のいずれかの材料である請求項12に記載の固体撮像素子の製造方法。前記超音波振動の周波数および振幅の少なくともいずれかを、前記膜材料の粘度に応じて調整する請求項12に記載の固体撮像素子の製造方法。前記膜材料塗布工程は、前記回転部の回転速度を低速で短時間回転させて前記膜材料を塗布する第1膜材料塗布工程と、該回転部の回転速度を高速で長時間回転をさせて前記膜材料を塗布する第2膜材料塗布工程とを有し、該第1膜材料塗布工程および該第2膜材料塗布工程のうちの少なくともいずれかの工程に対して前記超音波振動工程を行う請求項12に記載の固体撮像素子の製造方法。前記超音波振動の振幅は、0.1~0.5μmである請求項12に記載の固体撮像素子の製造方法。前記超音波振動の周波数は、前記膜材料の粘度との関係で、該粘度が5mPa.s以上で50KHzを超え100KHz、該粘度が5mPa.s未満で50KHz以下である請求項12に記載の固体撮像素子の製造方法。請求項12~19のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法により製造された固体撮像素子。請求項12から19のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法により製造された固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた電子情報機器。特許文献1,2に開示されている上記従来の固体撮像素子のオンチップ工程などでは、材料の耐熱性および各素子へのプラズマダメージの低減から成膜は、主にスピンコート法を採用している。上記特許文献1、2に示す表面平坦化方法では、被処理基板の表面に形成された凹凸を平坦化する効果はあるものの、絶縁膜の成膜を、材料塗布後に回転させるスピンコート法を用いた場合に、絶縁膜の表面に、液流れによる筋状の膜ムラ膜厚の不均一なストリエーションSがウェハ中央部から外周方向に向けて放射線状に発生してしまう。また、上記特許文献1、2に示す表面平坦化方法では、前述の凹凸部内のレジストパターンを作成するのに専用マスクが必要となり、また、平坦化膜の成膜工程が2回行う必要があるために、その製造コストがたかくなりかつタクトタイムが長くなるという問題があった。さらに、回転した後に被処理基板上の平坦化膜に、等間隔の配置された複数の超音波振動子304によって超音波振動を印加する上記特許文献3に示す表面平坦化方法では、その平坦化膜への超音波振動子304の超音波振動によって、回転スピードの速い平面視で基板周辺部と、回転スピードが遅く膜が厚く残ってしまう平面視で基板中心部で異なる膜ムラを同じように改善することができず平坦化膜表面の平坦化が十分ではなかった。この表面平坦化方法では、被処理基板の平面視位置による拡散スピードが異なるために起こる異なる膜ムラを改善するには上記特許文献3の超音波振動では不足していた。本発明は、上記従来の問題を解決するもので、異なる種類の膜ムラであって筋状の膜ムラストリエーションSと開口周辺段差部の膜ムラ額縁を抑えることができる半導体素子およびその製造方法、筋状の膜ムラと開口周辺段差部の膜ムラの受光部への影響を低減させて画質の劣化を抑えることができる半導体素子としての固体撮像素子およびその製造方法、スピンコート法に用いるスピンコータである回転塗布装置、この固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばカメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器を提供することを目的とする。本発明の半導体素子の製造方法は、被処理基板上に設けられた下地パターン上に膜材料をスピンコート法により塗布する膜材料塗布工程と、該膜材料塗布工程の途中および終了直後の少なくともいずれかに、該被処理基板を支持する回転部から該被処理基板に、該被処理基板の周辺部に比べてその中央部の超音波振動を強くするように該超音波振動を加える超音波振動工程とを有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。また、好ましくは、本発明の半導体素子の製造方法における膜材料は透明感光性樹脂膜となる材料である。さらに、好ましくは、本発明の半導体素子の製造方法における膜材料は、層間絶縁膜、平坦化膜、カラーフィルタおよびマイクロレンズのいずれかの材料である。さらに、好ましくは、本発明の半導体素子の製造方法における膜材料は、SiN膜、SiON膜およびアクリル膜のいずれかの材料である。さらに、好ましくは、本発明の半導体素子の製造方法における超音波振動の周波数および振幅の少なくともいずれかを、前記膜材料の粘度に応じて調整する。さらに、好ましくは、本発明の半導体素子の製造方法における膜材料塗布工程は、前記回転部の回転速度を低速で短時間回転させて前記膜材料を塗布する第1膜材料塗布工程と、該回転部の回転速度を高速で長時間回転をさせて前記膜材料を塗布する第2膜材料塗布工程とを有し、該第1膜材料塗布工程および該第2膜材料塗布工程のうちの少なくともいずれかの工程に対して前記超音波振動工程を行う。さらに、好ましくは、本発明の半導体素子の製造方法における超音波振動の振幅は、0.1~0.5μmである。さらに、好ましくは、本発明の半導体素子の製造方法における超音波振動の周波数は、前記膜材料の粘度との関係で、該粘度が5mPa.s以上で50KHzを超え100KHz、該粘度が5mPa.s未満で50KHz以下である。本発明の半導体素子は、本発明の上記半導体素子の製造方法により製造されたものであり、そのことにより上記目的が達成される。本発明の回転塗付装置は、被処理基板上に設けられた下地パターン上に膜材料をスピンコート法により塗布する回転塗布装置において、該被処理基板を搭載する回転部が設けられ、該回転部の周辺部に比べてその中央部の超音波振動を強くするように、該回転部の周辺部に比べてその中央部の超音波振動素子の配置密度を高密度に構成しているものであり、そのことにより上記目的が達成される。また、好ましくは、本発明の回転塗付装置における超音波振動の周波数および振幅の少なくともいずれかを前記膜材料の粘度に応じて調整可能とされている。本発明の固体撮像素子の製造方法は、入射光を受光して撮像する複数の受光部が被処理基板の各撮像領域に設けられ、該複数の受光部から各電荷転送電極下を通して各撮像信号が読み出される固体撮像素子の製造方法において、該被処理基板上に設けられた下地パターン上に膜材料をスピンコート法により塗布する膜材料塗布工程と、該膜材料塗布工程の途中および終了直後の少なくともいずれかに、該被処理基板を支持する回転部から該被処理基板に、該被処理基板の周辺部に比べてその中央部の超音波振動を強くするように超音波振動を加える超音波振動工程とを有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。また、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法における膜材料は透明感光性樹脂膜となる材料である。さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法における膜材料は、層間絶縁膜、平坦化膜、カラーフィルタおよびマイクロレンズのいずれかの材料である。さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法における膜材料は、SiN膜、SiON膜およびアクリル膜のいずれかの材料である。さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法における超音波振動の周波数および振幅の少なくともいずれかを、前記膜材料の粘度に応じて調整する。さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法における膜材料塗布工程は、前記回転部の回転速度を低速で短時間回転させて前記膜材料を塗布する第1膜材料塗布工程と、該回転部の回転速度を高速で長時間回転をさせて前記膜材料を塗布する第2膜材料塗布工程とを有し、該第1膜材料塗布工程および該第2膜材料塗布工程のうちの少なくともいずれかの工程に対して前記超音波振動工程を行う。さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法における超音波振動の振幅は、0.1~0.5μmである。さらに、好ましくは、本発明の固体撮像素子の製造方法における超音波振動の周波数は、前記膜材料の粘度との関係で、該粘度が5mPa.s以上で50KHzを超え100KHz、該粘度が5mPa.s未満で50KHz以下である。本発明の固体撮像素子は、本発明の上記固体撮像素子の製造方法により製造されたものであり、そのことにより上記目的が達成される。本発明の電子情報機器は、本発明の上記固体撮像素子の製造方法により製造された固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いたものであり、そのことにより上記目的が達成される。上記構成により、以下、本発明の作用を説明する。本発明においては、被処理基板上に設けられた下地パターン上に膜材料をスピンコート法により塗布する膜材料塗布工程と、該膜材料塗布工程の途中および終了直後の少なくともいずれかに、該被処理基板を支持する回転部から該被処理基板に、該被処理基板の周辺部に比べてその中央部の超音波振動を強くするように該超音波振動を加える超音波振動工程とを有している。これによって、膜材料塗布工程の途中および終了直後の少なくともいずれかに、被処理基板を支持する回転部から該被処理基板に、被処理基板の周辺部に比べてその中央部の超音波振動を強くするように超音波振動を加えるので、異なる種類の膜ムラであって筋状の膜ムラストリエーションSと開口周辺段差部の膜ムラ額縁を抑えることが可能となる。また、筋状の膜ムラと開口周辺段差部の膜ムラの受光部への影響を低減させて画質の劣化を抑えることが可能となる。以上により、本発明によれば、膜材料塗布工程の途中および終了直後の少なくともいずれかに、被処理基板を支持する回転部から該被処理基板に、被処理基板の周辺部に比べてその中央部の超音波振動を強くするように超音波振動を加えるため、異なる種類の膜ムラであって筋状の膜ムラストリエーションSと開口周辺段差部の膜ムラ額縁を抑えることができる。また、筋状の膜ムラと開口周辺段差部の膜ムラの受光部への影響を低減させて画質の劣化を抑えることができる。以下に、本発明の実施形態1に係る半導体素子およびその製造方法、これを固体撮像素子に適用した本発明の実施形態2、3に係る固体撮像素子およびその製造方法、この固体撮像素子を画像入力デバイスとして撮像部に用いた例えばカメラ付き携帯電話装置などの電子情報機器の実施形態4について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図における構成部材のそれぞれの厚みや長さなどは図面作成上の観点から、図示する構成に限定されるものではない。実施形態1図1aは、本発明の実施形態1における被処理基板としての半導体ウエハの要部構成例を模式的に示す平面図、図1bは、平坦化膜成膜工程後の図1aの1チップ分のAA’線縦断面図、図1cは、超音波振動印加後の図1aの1チップ分のAA’線縦断面図である。なお、下地パターンの凸部の数は、実際には1行で数百個や数千個にも達するが、図1bおよび図1cでは半導体素子の基本単位を示している。半導体ウエハ1の被処理基板2には複数のチップである半導体素子1Aが多数個マトリクス状に配置されている。図1a~図1cにおいて、本実施形態1の半導体素子1Aは、被処理基板2および下地パターン3の凹凸部上に膜材料である塗布材料4が回転塗布により成膜されるが、その回転塗布シーケンスの途中および終了後の少なくともいずれかで超音波振動を、被処理基板2および下地パターン3の凹凸部上の塗布材料4に付与することによって、塗布材料4の膜厚を均一化する。これによって、半導体ウエハ1複数の半導体素子1Aの中央部分とその周辺部分で塗付材料4の溶液の拡散力が異なることに起因する膜ムラであって、筋状の膜ムラストリエーションSと開口周辺段差部の膜ムラ額縁を抑えることが可能となる。特に、超音波振動を与える、図2および図3で後述する複数の超音波振動素子15の配置を、被処理基板2の中央部に対応する位置に、被処理基板2の周辺部に対応する位置に比べて高密度に多く配置すると共に、中央部とその周辺部で均等に配置した図10の従来の複数の超音波振動子304に比べて高密度に多く配置している。これによって、被処理基板2の中央部の膜厚が不均一な筋状の膜ムラストリエーションSと開口周辺段差部の膜ムラ額縁をより抑えるかまたは無くすことが可能となる。上記構成の半導体ウエハ1被処理基板2の製造方法について説明する。図1a~図1cに示すように、半導体素子1Aにおいて、被処理基板2の表面に下地パターン3により凹凸が形成されている。被処理基板2および下地パターン3上に、この下地パターン3の凹部と略同じ深さの膜厚となるように有機材料膜や無機材料膜などの塗布材料4がスピンコート法にて成膜される。即ち、まず、被処理基板2の表面中央上に塗布材料4を滴下して被処理基板2を回転させて、その遠心力により塗布材料4を外側に拡散させる回転塗布シーケンスにおいて、塗布材料4の滴下後一度回転を与えた後に、被処理基板2に超音波振動を印加して被処理基板2上に塗布された塗布材料4の平坦化を行う。次に、処理基板全面に塗布材料4が塗布されるように再度回転を与え、その後、再度超音波振動を印加する。これにより、塗布された塗布材料4の膜材料を平坦化する。この超音波振動を与える超音波素子15の配置は被処理基板2の中央部に多く配置されているため、改善しにくい中央部の膜ムラの改善を行うことができる。なお、各半導体素子1Aは半導体ウエハ1から個片化されて得られる。図2は図1bの塗布材料4をスピンコート法により成膜するために、本実施形態1で用いる回転塗布装置としてのスピンコータに被処理基板2が搭載された状態を模式的に示す縦断面図である。図3は、図2のスピンコータの平面図である。図2および図3に示すように、スピンコータの回転チャック10の回転部としての回転軸11には吸着パッド12の基板搭載面側に連通して吸着パッド12の平面視表面外周側に所定間隔に開口部13が開口する真空経路14が設けられている。この吸着パッド12の表面側に複数の超音波振動子15が埋設されている。吸着パッド12の外周に複数の開口部13を介して真空吸着されている被処理基板2に対してその厚さ方向に超音波振動を与えることができるようになっている。図3では、超音波振動子15が8個円環状に等間隔に並んで配置され、その外側にも8個円環状に等間隔に並んで配置されている。少し距離を置いて、外側にも8個円環状に等間隔に並んで配置されている。これによって、中央部と中間部、周囲部の3段階に、中央部ほど超音波振動子15の配置密度が大きくなっている。中央部と中間部を総称して中央部とし、周囲部に比べて中央部で超音波振動子15の配置密度が大きくなっている。この場合、回転塗布装置としてのスピンコータは、超音波振動の周波数および振幅の少なくともいずれかを塗布材料4の粘度に応じて調整可能とされている。上記構成により、被処理基板2上に塗布材料4をスピンコートにより膜形成する場合について、更に詳細に説明する。まず、スピンコータの回転チャック10の開口部13により被処理基板2の裏面を真空吸着して固定し、その真空吸着後に塗布材料4の絶縁膜材料を被処理基板2の中央部に滴下し、スピンコータの回転チャック10を100~500rpmの低速回転で被処理基板2を短時間0.5~1秒程度回転させて、滴下された絶縁膜材料を全方向に拡散させる、その後、塗布材料4からの気泡の除去および被処理基板2の中央部での下地パターン3による塗布材料4の溜まりを改善するために複数の音波振動子15を駆動させて、特に、被処理基板2の中央部上の塗布材料4に強く超音波振動を与える。超音波振動子15は、振幅が0.1~0.5μmで50~100KHzの超音波振動を数秒間だけ被処理基板2側に印加する。続いて、1000~4000rpm、好ましくは2000~4000rpmの高速回転で被処理基板2を数秒間回転させて、被処理基板2全面に絶縁膜材料の拡散を行う。この拡散後、再度、複数の音波振動子15を駆動させて被処理基板2上の塗布材料4にその膜厚方向に超音波振動を与えて塗布材料4の絶縁膜の平坦化を向上させて塗布材料4の絶縁膜の形成を行う。超音波振動子15は、振幅が0.1~0.5μmで50~100KHzの超音波振動を数秒間だけ被処理基板2側に印加する。以後、塗布材料4の乾燥後リンスを行って、下地パターン3を含む凹凸上に塗布材料4が成膜された被処理基板2を回転チャック11から外す。要するに、半導体素子1の製造方法は、被処理基板2上に設けられた下地パターン3上に塗布材料4をスピンコート法により塗布する膜材料塗布工程と、膜材料塗布工程の途中および終了直後の少なくともいずれかに、被処理基板2を支持する回転部から被処理基板2側に、被処理基板2の周辺部に比べてその中央部の超音波振動を強くするように超音波振動を加える超音波振動工程とを有している。この膜材料塗布工程は、回転部の回転速度を低速で短時間回転させて塗布材料4を塗布する第1膜材料塗布工程と、回転部の回転速度を高速で長時間回転をさせて塗布材料4を塗布する第2膜材料塗布工程とを有し、第1膜材料塗布工程および第2膜材料塗布工程のうちの少なくともいずれかの工程に対して超音波振動工程を行うようになっている。ここでは、第1膜材料塗布工程および第2膜材料塗布工程に対してそれぞれ超音波振動工程を行っている。塗布材料は透明感光性樹脂膜となる材料である。また、塗布材料は、層間絶縁膜、平坦化膜、カラーフィルタおよびマイクロレンズのいずれかの材料である。さらに、塗布材料は、SiN膜、SiON膜およびアクリル膜のいずれかの材料である。超音波振動の周波数および振幅の少なくともいずれかを、膜材料の粘度に応じて調整する。少なくとも超音波振動の周波数は、塗布材料の粘度との関係で、粘度が5mPa.s以上で50KHzを超え100KHz、粘度が5mPa.s未満で50KHz以下である。以上によって、図1bのように平坦化膜成膜工程後の1チップ分のAA’線縦断面図の膜ムラストリエーションSの状態から、図1cのように、超音波振動印加後の1チップ分のAA’線縦断面図の膜ムラストリエーションSの状態に表面をなだらかにすることができる。以上により、本実施形態1によれば、被処理基板2上に設けられた下地パターン3上に塗布材料4をスピンコート法により塗布する膜材料塗布工程の途中および終了直後の少なくともいずれかに、被処理基板2を支持する回転部から被処理基板2に、半導体ウェハ1の周辺部に比べてその中央部の超音波振動を強くするように超音波振動を加える。このように、超音波振動を与える超音波振動素子15の配置を処理基板中央部に多く配置するため、半導体ウエハ1上の位置回転遠心力の小さい中央部と回転遠心力の大きいその周辺部で異なる筋状の膜ムラストリエーションSと開口周辺段差部の膜ムラ額縁の異なる種類の膜ムラを共に抑えることができる。実施形態2本実施形態2では、上記実施形態1の半導体素子1Aおよびその製造方法を固体撮像素子およびその製造方法に適用する場合であって、被処理基板および下地パターンのより多くの凹凸がある上に透明な層間絶縁膜を平坦化膜として形成する場合について説明する。図4aは、本発明の実施形態2における被処理基板としての半導体ウエハの要部構成例を模式的に示す平面図、図4bは、半導体ウエハの中央部における平坦化膜形成後の1チップ分のBB’線縦断面図、図4cは、半導体ウエハの周辺部における平坦化膜形成後の1チップ分のCC’線縦断面図である。なお、撮像領域の下地パターンの凸部の数は、実際には1行で数百個や数千個にも達するが、ここでは便宜上5個で表現して簡略化している。また、半導体ウエハ20には複数のチップである固体撮像素子20Aが複数個マトリクス状に配置されている。図4a~図4cにおいて、本実施形態2の半導体ウエハ20の固体撮像素子20Aは、被処理基板21の表面部に撮像領域が設けられ、撮像領域には、被写体からの画像光を受光して光電変換する複数の受光部22が2次元状でマトリクス状に配置されている。この撮像領域の周辺領域には下地パターン23aが設けられ、撮像領域の各受光部22間上には電荷転送電極ゲート電極などの複数の凸部を構成する下地パターン23bが設けられている。被処理基板21および下地パターン23b上に透明な層間絶縁膜24がスピンコート法により平坦化されて形成される。図4bに示すように、層間絶縁膜24の塗付材料は、半導体ウエハ20の中央部の被処理基板21では回転スピードが遅く膜が厚く残ってしまう膜ムラD1や膜が薄くなる膜ムラD2が生じる。また、図4cに示すように、層間絶縁膜24の塗付材料は、半導体ウエハ20の周辺部の被処理基板21では回転スピードが早く膜が膜の拡散によって筋状の膜ムラストリエーションSが生じる。層間絶縁膜24の平坦化膜形成工程後の半導体ウエハ20に対して超音波振動を付与して層間絶縁膜24の表面が平坦化した半導体ウエハ20複数の固体撮像素子20Aを得ることができる。即ち、その回転塗布シーケンスの途中および終了直後の少なくともいずれかで超音波振動を、被処理基板21および下地パターン23の凹凸部上の層間絶縁膜24の塗布材料の液体に付与することによって、その層間絶縁膜24の塗布材料の膜厚を均一化することができる。これによって、半導体ウエハ20複数の固体撮像素子20Aの中央部分とその周辺部分で塗付材料の溶液の拡散力が異なる膜ムラであって、筋状の膜ムラストリエーションSと開口周辺段差部の膜ムラD1,D2額縁を共に抑えることが可能となる。特に、超音波振動を与える、図5で後述する複数の超音波振動素子15の配置を、半導体ウエハ20複数の固体撮像素子20Aの中央部に対応する位置に、半導体ウエハ20複数の固体撮像素子20Aの周辺部に対応する位置に比べて高密度に多く配置すると共に、中央部とその周辺部で均等に配置した図10の従来の複数の超音波振動子304に比べて高密度に多く配置している。これによって、半導体ウエハ20複数の固体撮像素子20Aの中央部の膜厚が不均一な筋状の膜ムラストリエーションSと開口周辺段差部の膜ムラ額縁をより抑えるかまたは無くすことが可能となる。図5は回転塗布装置としてのスピンコータに半導体ウエハが搭載された状態を模式的に示す縦断面図である。図5に示すように、スピンコータの回転部としての回転チャック10Aの回転軸11には吸着パッド12の基板搭載面側に連通して吸着パッド12の平面視表面外周側に所定間隔に前述した開口部13と同様の開口部が開口する真空経路14が設けられている。この吸着パッド12の表面側に複数の超音波振動子15が埋設されている。吸着パッド12の外周に複数の開口部13を介して真空吸着されている半導体ウエハ20に対してその厚さ方向の超音波振動を与えることができるようになっている。図5のスピンコータの回転チャック10Aと、図2のスピンコータの回転チャック10との違いは、回転チャック10Aの回転中心部にも超音波振動子15が設けられて、半導体ウエハ20複数の固体撮像素子20Aの中央部に対応する位置に、回転チャック10に比べて更に高密度に多く配置している。以下に、被処理基板2上に層間絶縁膜24の塗布材料をスピンコートにより膜形成する場合について説明する。半導体ウエハ20の裏面をスピンコータの回転チャック10Aに真空吸着を行い、吸着後に半導体ウエハ20の中央位置に有機材料や無機材料などの層間絶縁膜24の塗布材料を滴下し、回転チャック10Aを半導体ウエハ20と共に100rpm~500rpmで短時間0.5~1秒程度だけ回転させて塗布材料の拡散を行うと、半導体ウエハ20の中央部においては拡散スピードが遅いため図4bに示すようにウェハ周辺部方向の下地パターン23に塗付材料が多く溜まり膜ムラD1を形成している。また、半導体ウエハ20の周辺部においては図4cに示すようにスピンコータの回転により発生する筋状の膜ムラストリエーションSが発生する。これに対して、中央部分に高密度に配置された超音波振動素子15を駆動させて半導体ウエハ20に超音波振動を付与する。これによって、塗付材料の気泡の除去および半導体ウエハ20の中央部での下地パターン23による膜材料の溜まりおよび膜材料不足膜ムラD1,D2を改善することができる。さらに、1000rpm~4000rpm、好ましくは、2000rpm~4000rpmの回転スピードで数秒間、半導体ウエハ20に回転を与えて、半導体ウエハ20全面に塗付材料の拡散を行う。その拡散後、再度、超音波振動を与えて塗付材料の平坦化を向上させて層間絶縁膜24の形成を行って半導体ウエハ20複数の固体撮像素子20Aを得る。要するに、入射光を受光して撮像する複数の受光部22が被処理基板21の各撮像領域に設けられ、複数の受光部22から、凸部を構成する下地パターン23b電荷転送電極下を通して各撮像信号が読み出される固体撮像素子20Aの製造方法において、被処理基板21上に設けられた下地パターン23b上に塗布材料としての層間絶縁膜24をスピンコート法により塗布する膜材料塗布工程と、膜材料塗布工程の途中および終了直後の少なくともいずれかに、被処理基板21を支持する回転部から被処理基板21に、被処理基板21の周辺部に比べてその中央部の超音波振動を強くするように超音波振動を加える超音波振動工程とを有している。この膜材料塗布工程は、回転部の回転速度を低速で短時間回転させて塗布材料としての層間絶縁膜24を塗布する第1膜材料塗布工程と、回転部の回転速度を高速で長時間回転をさせて塗布材料としての層間絶縁膜24を塗布する第2膜材料塗布工程とを有し、第1膜材料塗布工程および第2膜材料塗布工程のうちの少なくともいずれかの工程に対して超音波振動工程を行うようになっている。ここでは、第1膜材料塗布工程および第2膜材料塗布工程に対してそれぞれ超音波振動工程を行っている。層間絶縁膜24としては、SiN膜、SiON膜およびアクリル膜などがある。音波振動の振幅は、0.1~0.5μmである。音波振動の周波数は、塗付材料の粘度との関係で、粘度が5mPa.s以上で、50KHzを超え100KHz、粘度が5mPa.s未満で、50KHz以下である。以上により、本実施形態2によれば、超音波振動を与える超音波振動素子15をウエハ中央部に多く配置するため、半導体ウエハ上の位置で異なる筋状の膜ムラストリエーションSおよび開口周辺段差部の膜ムラ額縁を抑制して、受光部22への集光距離の影響を低減させて画質の劣化を抑えることができる。実施形態3上記実施形態1の半導体素子1Aおよびその製造方法を固体撮像素子およびその製造方法に適用する場合であって、上記実施形態2において、被処理基板21および下地パターン23のより多くの凹凸がある上に透明な層間絶縁膜24を平坦化膜として形成する場合について説明したが、これに加えて、本実施形態3では、インナーレンズ、その上の平坦化膜、その上のカラーフィルタ、その上の平坦化膜、さらにその上のマイクロレンズの各材料膜をスピンコート法により塗付する場合について説明する。図6は、本発明の実施形態3における固体撮像装置の要部構成例を示す縦断面図である。図6において、本実施形態3の固体撮像素子20Bは、被処理基板21の表面部に撮像領域が設けられ、撮像領域には、被写体からの画像光を受光して光電変換する複数の受光部22が2次元状でマトリクス状に配置されている。この撮像領域の周辺領域には下地パターン23aが設けられ、撮像領域の各受光部22間上には電荷転送電極などの複数の凸部を構成する下地パターン23bが設けられている。被処理基板21および下地パターン23b上に透明な層間絶縁膜24がスピンコート法により平坦化膜として形成される。さらに、層間絶縁膜24上には各受光部22毎にインナーレンズ25が設けられ、その上に平坦化膜26が設けられ、さらにその上方に各受光部22毎に所定色配列例えばRGBのベイヤー配列のカラーフィルタ27が設けられ、その上に平坦化膜28が設けられ、さらにその上に、各受光部22に対応するように各受光部22毎にマイクロレンズ29が設けられている。以上のインナーレンズ25、その上の平坦化膜26、その上のカラーフィルタ27、その上の平坦化膜28および、その上のマイクロレンズ29が塗付材料膜としてスピンコート法によりその表面を平坦化して形成される。その回転塗布シーケンスの途中および終了直後の少なくともいずれかで超音波振動を、被下地パターンの凹凸部上の塗付材料膜カラーフィルタ27やマイクロレンズ29などの膜材料溶液に付与することによって、その塗付材料膜の膜厚を均一化することができる。これによって、半導体ウエハ20複数の固体撮像素子20Bの中央部分とその周辺部分で塗付材料の溶液の拡散力が異なる膜ムラであって、筋状の膜ムラストリエーションSと開口周辺段差部の膜ムラ額縁を共に抑えることが可能となる。特に、超音波振動を与える、図7で後述する複数の超音波振動素子15の配置を、半導体ウエハ20複数の固体撮像素子20Bの中央部に対応する位置に、半導体ウエハ20複数の固体撮像素子20Bの周辺部に対応する位置に比べて高密度に多く配置すると共に、中央部とその周辺部で均等に配置した図10の従来の複数の超音波振動子304に比べて高密度に多く配置している。これによって、半導体ウエハ20複数の固体撮像素子20Bの中央部の膜厚が不均一な筋状の膜ムラストリエーションSと開口周辺段差部の膜ムラ額縁をより抑えるかまたは無くすことが可能となる。図7は本実施形態3で用いる回転塗布装置としてのスピンコータに半導体ウエハが搭載された状態を模式的に示す縦断面図である。図7に示すように、スピンコータの回転部としての回転チャック10Bの回転軸11には吸着パッド12の基板搭載面側に連通して吸着パッド12の平面視表面外周側に所定間隔に前述した開口部13と同様の開口部が開口する真空経路14が設けられている。この吸着パッド12の表面側に複数の超音波振動子15が埋設されている。吸着パッド12の外周に複数の開口部13を介して真空吸着されている半導体ウエハ20複数の固体撮像素子20Bに対してその厚さ方向の超音波振動を与えることができるようになっている。図7のスピンコータの回転チャック10Bと、図2のスピンコータの回転チャック10との違いは、回転チャック10Bの複数の超音波振動子154円環状が、回転チャック10の複数の超音波振動子153円環状に比べて更に高密度、図5の回転チャック10に比べても超音波振動子15の個数で更に高密度に配置している。以下に、被処理基板21上にカラーフィルタ27やマイクロレンズ29などの塗布材料膜をスピンコートにより膜形成する場合について説明する。半導体ウエハ20の裏面をスピンコータの回転チャック10Bに真空吸着を行い、吸着後に半導体ウエハ20の中央位置にカラーフィルタ27やマイクロレンズ29などの塗布材料膜の膜材料溶液を滴下し、回転チャック10Bを半導体ウエハ20と共に100rpm~500rpmで短時間0.5~1秒程度だけ回転させて塗布材料の拡散を行うときに、中央部分に高密度に配置された超音波振動素子15を全て駆動させて半導体ウエハ20に超音波振動を付与する。これによって、塗付材料の気泡の除去および半導体ウエハ20の中央部での下地パターンによる膜材料の溜まりおよび膜材料不足を改善する。さらに、1000rpm~4000rpm、好ましくは、2000rpm~4000rpmの回転スピードで数秒間、半導体ウエハに回転を与えて、半導体ウエハ全面に塗付材料の拡散を行う。その拡散時に、超音波振動を与えてカラーフィルタ27やマイクロレンズ29などの塗布材料膜の平坦化を向上させて膜形成を行って半導体ウエハ20複数の固体撮像素子20Bを得る。要するに、入射光を受光して撮像する複数の受光部22が被処理基板21の各撮像領域に設けられ、複数の受光部22から、凸部を構成する下地パターン23b電荷転送電極下を通して各撮像信号が読み出される固体撮像素子20Bの製造方法において、被処理基板21上に設けられた下地パターン上にカラーフィルタ27やマイクロレンズ29などの膜材料をスピンコート法により塗布する膜材料塗布工程と、膜材料塗布工程の途中および終了直後の少なくともいずれかに、被処理基板21を支持する回転部から被処理基板21に、被処理基板21の周辺部に比べてその中央部の超音波振動を強くするように超音波振動を加える超音波振動工程とを有している。この膜材料塗布工程は、回転部の回転速度を低速で短時間回転させて膜材料としてのカラーフィルタ27やマイクロレンズ29などのを塗布する第1膜材料塗布工程と、回転部の回転速度を高速で長時間回転をさせて塗布材料としてのカラーフィルタ27やマイクロレンズ29などを塗布する第2膜材料塗布工程とを有し、第1膜材料塗布工程および第2膜材料塗布工程のうちの少なくともいずれかの工程に対して上記超音波振動工程を行うようになっている。ここでは、第1膜材料塗布工程および第2膜材料塗布工程に対してそれぞれ上記超音波振動工程を行っている。カラーフィルタ27やマイクロレンズ29などの塗布材料膜としては、SiN膜、SiON膜およびアクリル膜などがある。このときの音波振動の振幅は、0.1~0.5μmである。音波振動の周波数は、塗付材料の粘度との関係で、粘度が5mPa.s以上で、50KHzを超え100KHz、粘度が5mPa.s未満で、50KHz以下である。以上により、本実施形態3によれば、超音波振動を与える複数の超音波振動素子15をウエハ中央部に多く配置するため、半導体ウエハ上の位置で異なる筋状の膜ムラストリエーションSおよび開口周辺段差部の膜ムラ額縁を抑制して、受光部22への集光距離の影響を低減させて画質の劣化を抑えることができる。実施形態4図8は、本発明の実施形態4として、本発明の実施形態2および3のいずれかの固体撮像素子を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。なお、固体撮像素子20Aまたは20Bは、半導体ウエハ20Aまたは20Bから切断されて個片化されたものを用いる。図8において、本実施形態3の電子情報機器90は、上記実施形態1、2のいずれかの固体撮像素子20Aまたは20Bからの撮像信号に対して所定の信号処理を行ってカラー画像信号を得る固体撮像装置91と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を記録用に所定の信号処理した後にデータ記録可能とする記録メディアなどのメモリ部92と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を表示用に所定の信号処理した後に液晶表示画面などの表示画面上に表示可能とする液晶表示装置などの表示部93と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を通信用に所定の信号処理をした後に通信処理可能とする送受信装置などの通信部94と、この固体撮像装置91からのカラー画像信号を印刷用に所定の印刷信号処理をした後に印刷処理可能とするプリンタなどの画像出力部95とを有している。なお、この電子情報機器90として、これに限らず、固体撮像装置91の他に、メモリ部92と、表示部93と、通信部94と、プリンタなどの画像出力部95とのうちの少なくともいずれかを有していてもよい。この電子情報機器90としては、前述したように例えばデジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、監視カメラ、ドアホンカメラ、車載用後方監視カメラなどの車載用カメラおよびテレビジョン電話用カメラなどの画像入力カメラ、スキャナ装置、ファクシミリ装置、カメラ付き携帯電話装置および携帯端末装置PDAなどの画像入力デバイスを有した電子機器が考えられる。したがって、本実施形態3によれば、この固体撮像装置91からのカラー画像信号に基づいて、これを表示画面上に良好に表示したり、これを紙面にて画像出力部95により良好にプリントアウト印刷したり、これを通信データとして有線または無線にて良好に通信したり、これをメモリ部92に所定のデータ圧縮処理を行って良好に記憶したり、各種データ処理を良好に行うことができる。以上のように、本発明の好ましい実施形態1~4を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態1~4に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態1~4の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。"