ナノインプリントモールドの製造方法において、半導体基板上にナノ構造体をコーティングするステップ;前記ナノ構造体をマスクとして用いた乾式エッチングを通じて、前記半導体基板に半球状のナノパターンを形成するステップ;前記半導体基板に形成されている半球状のナノパターンを、ナノインプリンティング方式でナノインプリントモールドに転写するステップ;及び、前記半球状のナノパターンが転写されているナノインプリントモールドを前記半導体基板から分離するステップを含む、ナノインプリントモールドの製造方法。前記半導体基板上にコーティングされるナノ構造体の大きさと前記乾式エッチング時間のうちの少なくとも1つを調節して、前記半球状のナノパターンの大きさを調節することを特徴とする、請求項1に記載のナノインプリントモールドの製造方法。前記半導体基板上にコーティングされるナノ構造体の大きさは、100nm以上2000nm以下であることを特徴とする、請求項2に記載のナノインプリントモールドの製造方法。前記半導体基板上にコーティングされるナノ構造体の大きさは、互いに異なることを特徴とする、請求項2に記載のナノインプリントモールドの製造方法。発光ダイオードの製造方法において、仮基板上に、n型窒化物半導体層、発光層、及びp型窒化物半導体層を形成するステップ;前記p型窒化物半導体層上にp型電極を形成するステップ;前記p型電極上に導電性基板を形成するステップ;前記仮基板を除去して、前記n型窒化物半導体層を露出させるステップ;前記n型窒化物半導体層上にナノインプリントレジスト層を形成するステップ;請求項1の方法により製造されたナノインプリントモールドを前記ナノインプリントレジスト層に加圧し、前記ナノインプリントモールドに形成されている半球状のナノパターンを前記ナノインプリントレジスト層に転写するステップ;前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層から前記ナノインプリントモールドを分離するステップ;及び、前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部をエッチングし、n型電極を形成するステップを含む、発光ダイオードの製造方法。さらに、前記n型窒化物半導体層と前記ナノインプリントレジスト層との間に、前記n型窒化物半導体層の屈折率よりも小さく、且つ前記ナノインプリントレジスト層の屈折率よりも大きい屈折率を有する屈折率調節層を形成するステップを含むことを特徴とする、請求項5に記載の発光ダイオードの製造方法。前記屈折率調節層は、前記発光層からの光を互いに異なる屈折率で屈折させる、第1の屈折率調節層と第2の屈折率調節層とを順次に積層して形成することを特徴とする、請求項6に記載の発光ダイオードの製造方法。前記第1の屈折率調節層は、前記n型窒化物半導体層上に形成され、前記第1の屈折率調節層の屈折率は、前記n型窒化物半導体層の屈折率よりも小さく、前記第2の屈折率調節層は、前記第1の屈折率調節層上に形成され、前記第2の屈折率調節層の屈折率は、前記第1の屈折率調節層の屈折率よりも小さく、且つ前記ナノインプリントレジスト層の屈折率よりも大きいことを特徴とする、請求項7に記載の発光ダイオードの製造方法。前記第1の屈折率調節層は、ZnO、Al-dopedZnO、In-dopedZnO、Ga-dopedZnO、ZrO2、TiO2、SiO2、SiO、Al2O3、CuOX及びITOからなる群より選択された1種以上を含むことを特徴とする、請求項7に記載の発光ダイオードの製造方法。前記第2の屈折率調節層は、MgO系酸化物であることを特徴とする、請求項7に記載の発光ダイオードの製造方法。前記第2の屈折率調節層を構成するMgO系酸化物は、MgOに他の元素を添加して形成された多元化合物であることを特徴とする、請求項10に記載の発光ダイオードの製造方法。前記n型電極は、前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部を、前記n型窒化物半導体層が露出されるようにエッチングした後、前記エッチングされた領域に導電性物質を蒸着して形成することを特徴とする、請求項5に記載の発光ダイオードの製造方法。請求項5乃至12のいずれか一項に記載の発光ダイオードの製造方法により製造されたことを特徴とする、発光ダイオード。発光ダイオードの製造方法において、入射する光を散乱して反射させるためのパターンが形成されている基板上に、n型窒化物半導体層、発光層、及びp型窒化物半導体層を形成するステップ;前記p型窒化物半導体層、前記発光層、及び前記n型窒化物半導体層の一部をメサエッチングし、前記n型窒化物半導体層の一部を露出させるステップ;前記p型窒化物半導体層上に透明電極を形成するステップ;前記透明電極上にナノインプリントレジスト層を形成するステップ;請求項1の方法により製造されたナノインプリントモールドを前記ナノインプリントレジスト層に加圧し、前記ナノインプリントモールドに形成されている半球状のナノパターンを前記ナノインプリントレジスト層に転写するステップ;前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層から前記ナノインプリントモールドを分離するステップ;及び、前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部をエッチングしてp型電極を形成し、前記n型窒化物半導体層上にn型電極を形成するステップを含む、発光ダイオードの製造方法。前記透明電極が、ITOであることを特徴とする、請求項14に記載の発光ダイオードの製造方法。前記p型電極は、前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部を、前記透明電極が露出されるようにエッチングした後、前記エッチングされた領域に導電性物質を蒸着して形成されることを特徴とする、請求項14に記載の発光ダイオードの製造方法。請求項14乃至16のいずれか一項に記載の発光ダイオードの製造方法により製造されたことを特徴とする、発光ダイオード。本発明は、発光ダイオードの光取り出し効率を向上させるためのナノパターンを、効率的且つ経済的に形成することができるナノインプリントモールドの製造方法、このナノインプリントモールドを用いた発光ダイオードの製造方法、及び発光ダイオードを提供することを技術的課題とする。また、本発明は、別途の湿式エッチング、乾式エッチングを用いることなくても、光取り出し効率の向上のためのナノパターンを効率的且つ精巧に形成することができる発光ダイオードの製造方法、及びその方法により製造された発光ダイオードを提供することを技術的課題とする。さらに、本発明は、単純化した工程を通じて、少ない費用で、大面積でナノパターンを形成し、高い光取り出し効率を有する発光ダイオード及びその製造方法を提供することを技術的課題とする。このような課題を解決すべく、本発明によるナノインプリントモールドの製造方法は、半導体基板上にナノ構造体をコーティングするステップと、前記ナノ構造体をマスクとして用いた乾式エッチングを通じて、前記半導体基板に半球状のナノパターンを形成するステップと、前記半導体基板に形成されている半球状のナノパターンを、ナノインプリンティング方式でナノインプリントモールドに転写するステップと、前記半球状のナノパターンが転写されているナノインプリントモールドを前記半導体基板から分離するステップと、を含んで構成される。本発明によるナノインプリントモールドの製造方法において、前記半導体基板上にコーティングされるナノ構造体の大きさと前記乾式エッチング時間のうちの少なくとも1つを調節して、前記半球状のナノパターンの大きさを調節することを特徴とする。本発明によるナノインプリントモールドの製造方法において、前記半導体基板上にコーティングされるナノ構造体の大きさは、100nm以上2000nm以下であることを特徴とする。本発明によるナノインプリントモールドの製造方法において、前記半導体基板上にコーティングされるナノ構造体の大きさは、互いに異なることを特徴とする。本発明の一側面による発光ダイオードの製造方法は、仮基板上に、n型窒化物半導体層、発光層、及びp型窒化物半導体層を形成するステップと、前記p型窒化物半導体層上にp型電極を形成するステップと、前記p型電極上に導電性基板を形成するステップと、前記仮基板を除去して、前記n型窒化物半導体層を露出させるステップと、前記n型窒化物半導体層上にナノインプリントレジスト層を形成するステップと、本発明によるナノインプリントモールドの製造方法により製造されたナノインプリントモールドを前記ナノインプリントレジスト層に加圧し、前記ナノインプリントモールドに形成されている半球状のナノパターンを前記ナノインプリントレジスト層に転写するステップと、前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層から前記ナノインプリントモールドを分離するステップと、前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部をエッチングし、n型電極を形成するステップと、を含んで構成される。本発明の一側面による発光ダイオードの製造方法において、さらに、前記n型窒化物半導体層と前記ナノインプリントレジスト層との間に、前記n型窒化物半導体層の屈折率よりも小さく、且つ前記ナノインプリントレジスト層の屈折率よりも大きい屈折率を有する屈折率調節層を形成するステップを含むことを特徴とする。本発明の一側面による発光ダイオードの製造方法において、前記屈折率調節層は、前記発光層からの光を互いに異なる屈折率で屈折させる、第1の屈折率調節層と第2の屈折率調節層とを順次に積層して形成することを特徴とする。本発明の一側面による発光ダイオードの製造方法において、前記第1の屈折率調節層は、前記n型窒化物半導体層上に形成され、前記第1の屈折率調節層の屈折率は、前記n型窒化物半導体層の屈折率よりも小さく、前記第2の屈折率調節層は、前記第1の屈折率調節層上に形成され、前記第2の屈折率調節層の屈折率は、前記第1の屈折率調節層の屈折率よりも小さく、且つ前記ナノインプリントレジスト層の屈折率よりも大きいことを特徴とする。本発明の一側面による発光ダイオードの製造方法において、前記第1の屈折率調節層は、ZnO、Al-dopedZnO、In-dopedZnO、Ga-dopedZnO、ZrO2、TiO2、SiO2、SiO、Al2O3、CuOX及びITOからなる群より選択された1種以上を含むことを特徴とする。本発明の一側面による発光ダイオードの製造方法において、前記第2の屈折率調節層は、MgO系酸化物であることを特徴とする。本発明の一側面による発光ダイオードの製造方法において、前記第2の屈折率調節層を構成するMgO系酸化物は、MgOに他の元素を添加して形成された多元化合物であることを特徴とする。本発明の一側面による発光ダイオードの製造方法において、前記n型電極は、前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部を、前記n型窒化物半導体層が露出されるようにエッチングした後、前記エッチングされた領域に導電性物質を蒸着して形成することを特徴とする。本発明の一側面による発光ダイオードは、本発明の一側面による発光ダイオードの製造方法により製造されたものであることを特徴とする。本発明の他の側面による発光ダイオードの製造方法は、入射する光を散乱して反射させるためのパターンが形成されている基板上に、n型窒化物半導体層、発光層、及びp型窒化物半導体層を形成するステップと、前記p型窒化物半導体層、前記発光層、及び前記n型窒化物半導体層の一部をメサエッチングし、前記n型窒化物半導体層の一部を露出させるステップと、前記p型窒化物半導体層上に透明電極を形成するステップと、前記透明電極上にナノインプリントレジスト層を形成するステップと、本発明によるナノインプリントモールドの製造方法により製造されたナノインプリントモールドを前記ナノインプリントレジスト層に加圧し、前記ナノインプリントモールドに形成されている半球状のナノパターンを前記ナノインプリントレジスト層に転写するステップと、前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層から前記ナノインプリントモールドを分離するステップと、前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部をエッチングしてp型電極を形成し、前記n型窒化物半導体層上にn型電極を形成するステップと、を含んで構成される。本発明の他の側面による発光ダイオードの製造方法において、前記透明電極がITOであることを特徴とする。本発明の他の側面による発光ダイオードの製造方法において、前記p型電極は、前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部を、前記透明電極が露出されるようにエッチングした後、前記エッチングされた領域に導電性物質を蒸着して形成されることを特徴とする。本発明の他の側面による発光ダイオードは、本発明の他の側面による発光ダイオードの製造方法により製造されたものであることを特徴とする。本発明によれば、発光ダイオードの光取り出し効率を向上させるためのナノパターンを、効率的且つ経済的に形成することができるナノインプリントモールドの製造方法、このナノインプリントモールドを用いた発光ダイオードの製造方法、及び発光ダイオードが提供される効果がある。また、別途の湿式エッチング、乾式エッチングを用いることなくても、光取り出し効率の向上のためのナノパターンを効率的且つ精巧に形成することができる発光ダイオードの製造方法、及びその方法により製造された発光ダイオードが提供される効果がある。さらに、単純化した工程を通じて、少ない費用で、大面積でナノパターンを形成し、高い光取り出し効率を有する発光ダイオード及びその製造方法が提供される効果がある。先ず、図1と図2を参照し、本発明による光取り出し効率の向上効果を、従来の場合と対比して説明する。図1は、従来の発光ダイオードにおいて、窒化物半導体層と大気との屈折率差のために、界面で発生する内部全反射によって光取り出し効率が低下する現象を説明するための図である。図1を参照すると、従来の場合のように滑らかな表面の半導体基板である場合、窒化ガリウム半導体基板の屈折率が約25であり、大気の屈折率が1であるため、両層の間の屈折率差が大きく、境界面での全反射に対する臨界角が235度に過ぎない。したがって、半導体内部で発生した光が外部に抜け出ることができずに、内部で消滅してしまい、光取り出し効率が低くなる問題点がある。図2は、本発明において、光の進行経路上に半球状のナノパターンを形成することにより、発光ダイオードの光取り出し効率を向上させる原理を説明するための図である。図2を参照すると、半導体層表面に半球状のナノ構造物を形成する場合、光のいずれの放出方向に対しても臨界角が存在しないため、内部で発生した光が大気中に放出される確率が急激に増加し、発光ダイオードの光取り出し効率を画期的に向上させることができる。以下においては、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施例を詳しく説明する。図3乃至図8は、本発明の一実施例によるナノインプリントモールドの製造方法を示した図である。図3乃至図8を参照すると、本発明の一実施例によるナノインプリントモールドの製造方法は、半導体基板40上にナノ構造体50をコーティングするステップと、このナノ構造体50をマスクとして用いた乾式エッチングを通じて、半導体基板40に半球状のナノパターンを形成するステップと、半導体基板40に形成されている半球状のナノパターンを、ナノインプリンティング方式でナノインプリントモールド60に転写するステップと、半球状のナノパターンが転写されているナノインプリントモールド60を半導体基板40から分離するステップと、を含んで構成される。先ず、図3を参照すると、半導体基板40上にナノ構造体50をコーティングする。半導体基板40は、Si、Ge、SiC、SiXGe1-X、窒化ガリウム系半導体からなる群より選択された1種以上を含んでいてもよく、ナノ構造体50は、SiO2またはポリスチレンpolystyrene粉末であってもよい。次いで、図4乃至図6を参照すると、半導体基板40上にコーティングされているナノ構造体50をマスクとして用いた乾式エッチングを通じて、半導体基板40に半球状のナノパターンを形成する。図6は、露光及び現像工程を経った後、半導体基板40に半球状のナノパターンが形成された状態を示している。後述するが、このように半球状のナノパターンが形成された半導体基板40をマスターテンプレートとして用い、ナノインプリンティングのための高分子モールド、すなわち、ナノインプリントモールド60を作製する。次いで、図7を参照すると、半導体基板40に形成されている半球状のナノパターンを、ナノインプリンティング方式でナノインプリントモールド60に転写する。次いで、図8を参照すると、半球状のナノパターンが転写されているナノインプリントモールド60を半導体基板40から分離する。このような過程を通じて、最終的に、半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントモールド60が製造され、このナノインプリントモールド60は、後述する発光ダイオードの製造過程において、ナノパターンを形成するためのマスターテンプレートとして用いられる。一方、半導体基板40上にコーティングされるナノ構造体50の大きさと乾式エッチング時間のうちの少なくとも1つを調節することにより、半球状のナノパターンの大きさを調節することが可能である。図9は、半導体基板40上にコーティングされているナノ構造体50を電子顕微鏡で撮影した写真である。図9のaは、ナノ構造体の大きさが250nmの場合であり、bは、ナノ構造体の大きさが500nmの場合であり、cは、ナノ構造体の大きさが1000nmの場合である。このように、半導体基板にコーティングされるナノ構造体の大きさを調節することにより、ナノインプリントモールドに転写される半球状のナノパターンの大きさを容易に且つ効率的に調節することが可能である。また、ナノ構造体50が乾式エッチング過程におけるマスクとして用いられるため、ナノ構造体50の大きさが半球状のナノパターンの大きさに影響を与える点を考慮して、半導体基板40上にコーティングされるナノ構造体50の大きさは、100nm以上2000nm以下であることが好ましい。また、半導体基板40上にコーティングされるナノ構造体50の大きさを互いに異なるものとすることにより、半球状のナノパターンの大きさを不規則的にしていてもよい。図10乃至図18は、本発明の第1実施例による発光ダイオードの製造方法を示した図である。図10乃至図18を参照すると、本発明の第1実施例による発光ダイオードの製造方法は、仮基板100上に、n型窒化物半導体層110、発光層120、及びp型窒化物半導体層130を形成するステップと、p型窒化物半導体層130上にp型電極140を形成するステップと、p型電極140上に導電性基板150を形成するステップと、仮基板100を除去して、n型窒化物半導体層110を露出させるステップと、n型窒化物半導体層110上にナノインプリントレジスト層160を形成するステップと、本発明によるナノインプリントモールドの製造方法により製造されたナノインプリントモールド60をナノインプリントレジスト層160に加圧し、半球状のナノパターンをナノインプリントレジスト層160に転写するステップと、半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層160からナノインプリントモールド60を分離するステップと、半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層160の一部をエッチングし、n型電極170を形成するステップと、を含んで構成される。まず、図10を参照すると、仮基板100上に、n型窒化物半導体層110、発光層120、及びp型窒化物半導体層130を順次に形成する。次いで、図11を参照すると、p型窒化物半導体層130上にp型電極140を形成し、このp型電極140上に導電性基板150を形成する。p型電極140は、発光層120からの光を反射させる機能を併せて遂行する。次いで、図12を参照すると、仮基板100を除去し、n型窒化物半導体層110を外部に露出させる。次いで、図13を参照すると、n型窒化物半導体層110上にナノインプリントレジスト層160を、例えば、スピンコーティングspincoating方式で形成する。次いで、図14及び図15を参照すると、先に詳述した本発明の一実施例によるナノインプリントモールドの製造方法により製造されたナノインプリントモールド60をナノインプリントレジスト層160に加圧して、ナノパターンをナノインプリントレジスト層160に転写し、UV及び熱を加えて半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層160を硬化させる。次いで、図16を参照すると、半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層160からナノインプリントモールド60を分離する。次いで、図17を参照すると、半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層160の一部を、n型窒化物半導体層110が露出されるようにエッチングした後、n型電極170を形成する。例えば、このn型電極170は、半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層160の一部をn型窒化物半導体層110が露出されるようにエッチングした後、エッチングされた領域に導電性物質を蒸着して形成することができる。一方、本発明の第1実施例は、光取り出し効率をより一層上げるために、さらに屈折率調節層180を形成するステップを含むことができる。すなわち、図18を参照すると、ナノインプリントレジスト層160を形成する前に、n型窒化物半導体層110とナノインプリントレジスト層160との間に、n型窒化物半導体層110の屈折率よりも小さく、且つナノインプリントレジスト層160の屈折率よりも大きい屈折率を有する屈折率調節層180を形成する。この屈折率調節層180は、発光層120からの光を互いに異なる屈折率で屈折させる、第1の屈折率調節層181と第2の屈折率調節層182とを順次に積層して形成することができる。第1の屈折率調節層181は、n型窒化物半導体層110上に形成され、第1の屈折率調節層181の屈折率は、n型窒化物半導体層110の屈折率よりも小さく、第2の屈折率調節層182は、第1の屈折率調節層181上に形成され、第2の屈折率調節層182の屈折率は、第1の屈折率調節層181の屈折率よりも小さく、且つナノインプリントレジスト層160の屈折率よりも大きい。このように、n型窒化物半導体層110とナノインプリントレジスト層160との間に、これらの層の屈折率の中間値に当たる屈折率を有する、第1の屈折率調節層181と第2の屈折率調節層182を介在させてバッファ層の機能を行わせることにより、光取り出し効率をより一層上げることができる。例えば、第1の屈折率調節層181は、ZnO、Al-dopedZnO、In-dopedZnO、Ga-dopedZnO、ZrO2、TiO2、SiO2、SiO、Al2O3、CuOX及びITOからなる群より選択された1種以上を含んでいてもよく、第2の屈折率調節層182は、MgO系酸化物であってもよい。第2の屈折率調節層182を構成するMgO系酸化物は、MgOに他の元素を添加して形成された多元化合物であってもよい。第1の屈折率調節層181および第2の屈折率調節層182として選択されるこれらの物質の屈折率は、共通的に、n型窒化物半導体層110の屈折率とナノインプリントレジスト層160の屈折率の中間値を有する。以上で詳しく説明したように、本発明によれば、発光ダイオードの光取り出し効率を向上させるためのナノパターンを、効率的且つ経済的に形成することができるナノインプリントモールドの製造方法、このナノインプリントモールドを用いた発光ダイオードの製造方法、及び発光ダイオードが提供される効果がある。また、別途の湿式エッチング、乾式エッチングを用いることなくても、光取り出し効率の向上のためのナノパターンを効率的且つ精巧に形成することができる発光ダイオードの製造方法、及びその方法により製造された発光ダイオードが提供される効果がある。さらに、単純化した工程を通じて、少ない費用で、大面積でナノパターンを形成し、高い光取り出し効率を有する発光ダイオード及びその製造方法が提供される効果がある。より具体的に、本発明の技術は、大面積工程が可能であるナノインプリント方法を用いて半球状のナノ構造物を形成する技術であって、発光ダイオードの製造工程に直ちに適用可能である。また、垂直構造だけではなく、水平構造の発光ダイオードにも適用することが可能であり、製造工程が簡単で、発光ダイオードの光出力を画期的に向上させ、白色光源窒化ガリウム系発光ダイオードを用いた固体照明時代の到来をさらに繰り上げることができる、省エネルギーで且つ環境にやさしい技術である。図19乃至図25は、本発明の第2実施例による発光ダイオードの製造方法を示した図である。図19乃至図25を参照すると、本発明の第2実施例による発光ダイオードの製造方法は、入射する光を散乱して反射させるためのパターンが形成されている基板200上に、n型窒化物半導体層210、発光層220、及びp型窒化物半導体層230を形成するステップと、p型窒化物半導体層230、発光層220及びn型窒化物半導体層210の一部をメサエッチングし、n型窒化物半導体層210の一部を露出させるステップと、p型窒化物半導体層230上に透明電極240を形成するステップと、透明電極240上にナノインプリントレジスト層250を形成するステップと、本発明によるナノインプリントモールドの製造方法により製造されたナノインプリントモールド60をナノインプリントレジスト層250に加圧し、半球状のナノパターンをナノインプリントレジスト層250に転写するステップと、半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層250からナノインプリントモールド60を分離するステップと、半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層250の一部をエッチングしてp型電極260を形成し、n型窒化物半導体層210上にn型電極270を形成するステップと、を含んで構成される。まず、図19を参照すると、入射する光を散乱して反射させるためのパターンが形成されている基板200上に、n型窒化物半導体層210、発光層220、及びp型窒化物半導体層230を順次に形成する。基板200は、サファイアAl2O3基板であってもよく、この基板200に形成されたパターンは、発光層220からの光を散乱して反射させるための機能を遂行する。次いで、図20を参照すると、p型窒化物半導体層230、発光層220、及びn型窒化物半導体層210の一部をメサエッチングし、n型窒化物半導体層210の一部を外部に露出させる。次いで、図21を参照すると、メサエッチングされたp型窒化物半導体層230上に透明電極240を形成し、この透明電極240上にナノインプリントレジスト層250を、例えば、スピンコーティング方式で形成する。透明電極240は、ITOIndiumTinOxideであってもよい。次いで、図22及び図23を参照すると、先に詳述した本発明の一実施例によるナノインプリントモールドの製造方法により製造されたナノインプリントモールド60をナノインプリントレジスト層250に加圧して、ナノパターンをナノインプリントレジスト層250に転写し、UV及び熱を加えて半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層250を硬化させる。次いで、図24を参照すると、半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層250からナノインプリントモールド60を分離する。次いで、図25を参照すると、半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層250の一部を、透明電極240が露出されるようにエッチングした後、p型電極260を形成し、n型窒化物半導体層210上にn型電極270を形成する。例えば、このp型電極260は、半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層250の一部を、透明電極240が露出されるようにエッチングした後、エッチングされた領域に導電性物質を蒸着して形成することができ、n型電極270は、メサエッチングの後に残っているn型窒化物半導体層210上に形成することができる。以上で本発明に関する技術思想を、添付の図面とともに詳述したが、これは、本発明の好ましい実施例を例示的に説明したものであって、本発明を限定するものではない。また、この技術分野における通常の知識を有する者であれば、誰でも、本発明の技術思想の範疇を離脱しない範囲内で多様な変形及び模倣が可能であることは言うまでもない。