"第1ロットのウェーハのうちの1つのウェーハ上で、前記第1ウェーハの各々の視域の各々の計測箇所で1つ以上のパラメータ値を計測することを含む全知型サンプリングプロセスを介して第1計測を実行することと、前記全知型サンプリングプロセスを介して実行された計測の1つ以上の結果を利用して、第1ロットのウェーハのうちの前記ウェーハの各々の視域に対して各々が算出される、第1組のプロセスツール補正能を算出することと、前記第1組のプロセスツール補正能にウェーブレット分析を適用することにより、前記第1ロットのウェーハのうちの前記ウェーハの全面にわたってプロセスツール補正能の特性を分析することと、前記分析されたプロセスツール補正能の特性を利用して、前記ウェーハの一組の視域箇所と前記ウェーハの各々の視域内の一組の計測箇所とを含むサブサンプリング方式を定めることとを含む、プロセスツール補正能を与える方法。後続ロットのウェーハのうちの少なくとも1つのウェーハ上の、前記サブサンプリング方式の各々の計測箇所で後続の計測を実行することと、前記サブサンプリング方式を利用して実行される前記計測の1つ以上の結果を利用して、前記サブサンプリング方式の各々の視域に対して各々が算出される、第2組のプロセスツール補正能を算出することと、1つ以上のウェーブレット機能を利用して、前記後続ロットの前記少なくとも1つのウェーハの前記サブサンプリング方式中に含まれない一組の視域の各々に対してプロセスツール補正能を近似することとを更に含む、請求項1に記載の方法。前記サブサンプリング方式が、1ロットのウェーハのうちの1つの半導体ウェーハの副次組の利用可能な視域を含む、請求項1に記載の方法。前記サブサンプリング方式が、1ロットのウェーハのうちの1つの半導体ウェーハの各々の視域内の利用可能な計測箇所のうちの副次組の計測箇所を含む、請求項1に記載の方法。前記サブサンプリング方式が、最適なサンプリング方式、向上されたサンプリング方式、又は低減されたサンプリング方式のうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。前記サブサンプリング方式が、前記第1組の補正能と、前記サブサンプリング方式を利用して算出された前記第2組の補正能との間の差を最小限にするように設定される、請求項1に記載の方法。前記サブサンプリング方式が、前記第1組の補正能と、前記サブサンプリング方式を利用して算出された前記第2組の補正能との間の差を、選択されたレベル以下にするように設定される、請求項1に記載の方法。前記全知型サンプリングプロセスを介して第1ロットのウェーハを計測することが、全知型サンプリングプロセスを介して第1ロットのウェーハ上で計量測定を実行することを含む、請求項1に記載の方法。前記パラメータ値が、重ね値、限界寸法CD値、集束値、又は線量値のうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。前記各々の視域に対する算出された補正能が、重ね補正能、線量補正能、又は集束補正能のうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。前記プロセスツール補正能の特性が、前記第1ロットのウェーハのうちの前記ウェーハの各々の視域に対して算出された前記プロセスツール補正能を組み合わせることにより作り出された波束段階の不均一空間パターンを含む、請求項1に記載の方法。前記第1ロットの前記ウェーハ上での前記計測の結果が、前記計測の変化を指し示す情報を含む、請求項1に記載の方法。第1ロットのウェーハうちの1つのウェーハ上で、前記ウェーハの各々の視域の各々の計測箇所で1つ以上のパラメータ値を計測することを含む全知型サンプリングプロセスを介して、第1計測を実行することと、全知型サンプリングプロセスを介して実行された計測の1つ以上の結果を利用して、前記第1ロットのウェーハの前記ウェーハの各々の視域に対して各々が算出される、第1組のプロセスツール補正能を算出することと、サンプリングされるべき視域の数が事前に選択される、前記第1ロットのウェーハのうちの前記ウェーハの一組の視域サンプリング箇所を無作為に選択することと、前記無作為に選択された組の視域サンプリング箇所に補間プロセスを適用することにより、第2組のプロセスツール補正能を算出することと、前記補間プロセスは、前記無作為に選択された組の視域サンプリング箇所に対する前記第1組のプロセスツール補正能からの値を利用して、前記無作為に選択された視域の組の中に含まれない前記第1ロットの前記ウェーハのうちの前記ウェーハの視域に対するプロセスツール補正能を算出し、前記第1組のプロセスツール補正能を前記第2組のプロセスツール補正能と比較することにより、前記ウェーハの一組の視域箇所と前記ウェーハの各々の視域内の一組の計測箇所とを含むサブサンプリング方式を定めることとを含む、補正能を与える方法。後続ロットのウェーハのうちの少なくとも1つのウェーハ上の、前記サブサンプリング方式の各々の計測箇所で後続の計測を実行することと、前記サブサンプリング方式を利用して実行される前記計測の1つ以上の結果を利用して、前記サブサンプリング方式の各々の視域に対して各々が算出される、第3組のプロセスツール補正能を算出することと、1つ以上の補間プロセスを利用して、前記後続ロットの前記少なくとも1つのウェーハの前記サブサンプリング方式中に含まれない一組の視域の各々に対してプロセスツール補正能を近似することとを含む、請求項13に記載される方法。前記第1組のプロセスツール補正能を前記第2組のプロセスツール補正能と比較することにより前記サブサンプリング方式を定めることが、前記第1組のプロセスツール補正能と前記第2組のプロセスツール補正能との間の差を算出することにより、前記第1組のプロセスツール補正能と前記第2組のプロセスツール補正能との間の差を最小限にするように設定されるサブサンプリング方式を定めることを含む、請求項13に記載の方法。前記第1組のプロセスツール補正能を前記第2組のプロセスツール補正能と比較することにより前記サブサンプリング方式を定めることが、前記第1組のプロセスツール補正能と前記第2組のプロセスツール補正能との間の差を算出することにより、前記第1組のプロセスツール補正能と前記第2組のプロセスツール補正能との間の差を、事前に選択されたレベル以下にするように設定されるサブサンプリング方式を定めることを含む、請求項13に記載の方法。前記補間プロセスが、スプライン補間プロセス、多項補間プロセス、又はニューロン網補間プロセスのうちの少なくとも1つを含む、請求項13に記載の方法。前記第1ロットのウェーハのうちの前記ウェーハの一組の視域サンプリング箇所を無作為に選択することが、モンテカルロ分析プロセスを含む、請求項13に記載の方法。前記第1ロットのウェーハのうちの前記ウェーハの一組の視域サンプリング箇所を無作為に選択することが、サブサンプリング方式が定められるまで繰り返され得る、請求項13に記載の方法。半導体ウェーハ上で1つ以上の計測を実行するように設定された計測システムと、第1ロットのウェーハのうちの1つのウェーハ上での全知型サンプリングプロセスの1つ以上の結果を利用して、第1組のプロセスツール補正能を算出し、サンプリングされるべき視域の数が事前に選択される、前記第1ロットのウェーハのうちの前記ウェーハの一組の視域サンプリング箇所を無作為に選択し、前記無作為に選択された組の視域サンプリング箇所に補間プロセスを適用することにより、第2組のプロセスツール補正能を算出し、前記補間プロセスは、前記無作為に選択された組の視域サンプリング箇所に対する前記第1組のプロセスツール補正能からの値を利用して、前記無作為に選択された視域の組の中に含まれない前記第1ロットのウェーハのうちの前記ウェーハの視域に対するプロセスツール補正能を算出し、前記第1組のプロセスツール補正能を前記第2組のプロセスツール補正能と比較することにより、前記ウェーハの一組の視域箇所と前記ウェーハの各々の視域内の一組の計測箇所とを含むサブサンプリング方式を定めるように設定された1つ以上のコンピュータシステムとを含む、プロセスツール補正能を与えるシステム。前記計測システムが、計量システムを含む、請求項20に記載の方法。前記計量システムが、限界寸法計量又は重ね誤差計量のうちの少なくとも1つを実行するように設定される、請求項21に記載の方法。前記計測システムが、前記定められたサブサンプリング方式を利用するように設定される、請求項20に記載の方法。前記1つ以上のコンピュータシステムが、前記サブサンプリング方式を利用して実行される後続の計測の1つ以上の結果を利用して、前記サブサンプリング方式の各々の視域に対して各々が算出される、第3組のプロセスツール補正能を算出し、1つ以上の補間プロセスを利用して、前記後続ロットの前記少なくとも1つのウェーハの前記サブサンプリング方式中に含まれない一組の視域の各々に対してプロセスツール補正能を近似するように更に設定される、請求項20に記載の方法。従って、選択されたウェーハの計測をより少なくすることを可能にし、他方では、近似法を利用することにより計測情報の損失を軽減して、計測されていないサンプリング箇所に適切な補正可能な情報を与えるような、より効率的なサンプリング方式を与える方法及び/又はシステムを提供することが望ましい場合がある。高性能な補間と共にサブサンプリング方式を利用してプロセスツール補正能コレクタブルズ:correctablesを与える方法が開示される。一態様では、方法は、第1ロットのウェーハのうちの1つのウェーハ上で、前記第1ウェーハの各々のフィールド視域:区域の各々の計測箇所で1つ以上のパラメータ値を計測することを含む全知型omniscientサンプリングプロセスを介して第1計測を実行することと、全知型サンプリングプロセスを介して実行された計測の1つ以上の結果を利用して、第1ロットのウェーハのうちの前記ウェーハの各々の視域に対して各々が算出される、第1組のプロセスツール補正能を算出することと、第1組のプロセスツール補正能にウェーブレット分析を適用することにより、第1ロットのウェーハのうちの前記ウェーハの全面にわたってプロセスツール補正能の特性signatureを分析することと、分析されたプロセスツール補正能の特性を利用して、ウェーハの一組の視域箇所とウェーハの各々の視域内の一組の計測箇所とを含むサブサンプリング方式を定めることとを含むが、これらに限定されない。別の態様では、方法は、第1ロットのウェーハうちの1つのウェーハ上で、全知型サンプリングプロセスを介して第1計測を実行することと、全知型サンプリングプロセスを介して実行された計測の1つ以上の結果を利用して、第1組のプロセスツール補正能を算出することと、第1ロットのウェーハのうちの前記ウェーハの一組の視域サンプリング箇所を無作為に選択することと、前記無作為に選択された組の視域サンプリング箇所に補間プロセスを適用することにより、第2組のプロセスツール補正能を算出することと、前記補間プロセスは、前記無作為に選択された組の視域サンプリング箇所に対する第1組のプロセスツール補正能からの値を利用して、前記無作為に選択された視域の組の中に含まれない第1ロットのウェーハのうちの前記ウェーハの視域に対するプロセスツール補正能を算出し、第1組のプロセスツール補正能を第2組のプロセスツール補正能と比較することにより、ウェーハの一組の視域箇所とウェーハの各々の視域内の一組の計測箇所とを含むサブサンプリング方式を定めることとを含み得るが、これらに限定されない。高性能の補間と共にサブサンプリング方式を利用してプロセスツール補正能を与えるシステムが開示される。一態様では、システムは、半導体ウェーハ上で1つ以上の計測を実行するように設定された計測システムと、第1ロットのウェーハのうちの1つのウェーハ上での全知型サンプリングプロセスを介して、計測システムにより実行された計測の1つ以上の結果を利用して、第1組のプロセスツール補正能を算出し、第1ロットのウェーハのうちの前記ウェーハの一組の視域サンプリング箇所を無作為に選択し、無作為に選択された組の視域サンプリング箇所に補間プロセスを適用することにより、第2組のプロセスツール補正能を算出し、第1組のプロセスツール補正能を第2組のプロセスツール補正能と比較することにより、ウェーハの一組の視域箇所とウェーハの各々の視域内の一組の計測箇所とを含むサブサンプリング方式を定めるように設定された1つ以上のコンピュータシステムとを含み得るが、これらに限定されない。上記の一般的記述と以下の詳細な記述の両方は、単に、例示的及び説明上のものであり、請求される本発明を必ずしも制限するものではないと理解されるべきである。明細書の一部に組み込まれ、その一部を構成する付属の図面は、本発明の実施形態を示し、一般的記述と合わせて、本発明の原理を説明するのに用いられる。本開示の数多くの利点は、付属の図面を参照して、当業者により、より良く理解され得る。ここで、付属の図面で示される開示される内容を詳しく参照する。一般に図1A~図5を参照して、高性能の補間と共にサブサンプリング方式を利用してプロセスツール補正能を与える方法及びシステムが、本開示に従って記載される。補間プロセスと組み合わせた最適化された計量サンプリング方式を用いて、半導体ウェーハ用のプロセスツールの補正が改善され得る。従来では、重ね計量又は限界寸法CD:クリティカルディメンジョン計量等の計量プロセスが、半導体ウェーハの固定された箇所で実行される。次に、これらの計量測定を利用して、半導体ウェーハ上の所与のプロセスを実行するのに利用される関連プロセスツールを補正するのに利用される、補正能として知られている補正を算出し得る。これらの補正能として、重ね補正能、線量補正能、及び集束補正能が挙げられる。本発明は、補間プロセス例えば、ウェーブレット分析、スプライン補間、多項補間、又はニューロンネット網補間と協調させて利用されるサブサンプリング方式例えば、最適化、向上、又は低減された計量サンプリング方式を介して作り出された、近似された組のプロセスツール補正能を与える方法及びシステムを目指す。補間プロセスにより、検査される半導体ウェーハの計測されていない視域での、プロセスツール補正能を近似することができる。幾つかの計測箇所を組み合わせることにより、補間プロセスと併せたサブサンプリング方式で、利用者は、許容可能に正確なプロセスツール補正能の情報をより効率的に収集することができるので、半導体製造プロセスの処理能力が増す。用語ウェーハは、本開示を通じて用いられる場合、一般に、半導体材料又は半導体ではない材料で形成される基板を指す。例えば、半導体材料又は半導体ではない材料として、単結晶シリコン、ガリウム砒素、及びインジウム燐が挙げられるが、これらに限定されない。ウェーハは、1つ以上の層を含み得る。例えば、そのような層として、樹脂、絶縁材料、導電性材料、及び半導電性材料が挙げられ得るが、これらに限定されない。そのような多くの異なる種類の層は、当該分野で周知のものであり、用語ウェーハは、本明細書で用いられる場合、そのような全ての種類の層が上部に形成され得るウェーハを包含することを意図している。通常の半導体プロセスは、ロットでのウェーハ処理を含む。ロットは、本明細書で用いられる場合、共に処理されるウェーハ群例えば、25枚のウェーハの群である。そのロット内の各々のウェーハは、リソグラフィー処理器具例えば、ステッパ、スキャナ等からの多くの露光フィールド視域で構成される。各々の視域内には、複数のダイが存在し得る。ダイは、最終的に単一チップになる機能性ユニットである。製品ウェーハ上には、重ね計量マーク標識が、通常、罫描き線スクライブライン:scribeline領域内に例えば、視域の4隅に置かれている。これは、通常、露光視域の周囲のダイの外側の、回路外の領域である。幾つかの事例では、重ね標的オーバーレイターゲットは、視域の周囲ではなく、ダイ間の領域である径路内に置かれる。重ね標的が主要ダイ領域内の製品ウェーハ上に置かれることは、この領域が必須な状態で回路に必要とされるので、かなり稀なことである。しかしながら、設計ウェーハ及び評価ウェーハ製造ウェーハではないでは、通常、多くの重ね標的が、そのような制限の影響のない視域の中心にも設けられる。罫描き線計量標識と主要ダイ回路との間を空間的に分離するので、計測されるものと製品ウェーハ上で最適化される必要があるものとの間に不一致が起こる。罫描き線計量標識とそれらの解釈の両方を進展させることが必要である。ウェーハ上に形成される1つ以上の層は、パターン化されても、パターン化されなくてもよい。例えば、ウェーハは、各々が繰り返しパターンの特徴を有する複数のダイを含んでもよい。そのような材料層の形成及び処理により、完全なデバイスが最終的に生じ得る。ウェーハ上には、多くの異なる種類のデバイスが形成され得る。用語ウェーハは、本明細書で用いられる場合、当該分野で周知の任意の種類のデバイスが上部に作製されているウェーハを包含することを意図している。図2は、高性能な補間と共にサブサンプリング方式を利用してプロセスツール補正能を与えるシステム200を示す。一実施形態では、システム200は、半導体ウェーハ204の特定された箇所で重ね計量又はCD計量を実行するように設定された計量システム204等の計測システム204を含み得る。計量システム204は、限界寸法CDの計量に適した計量システム等の、しかしそれに限定されない、当該分野で周知のいずれかの適切な計量システムを含み得る。別の実施形態では、計量システム204は、指定された計量計画を実行するために、システム200の別の副次サブシステムから命令を受け入れるように設定され得る。例えば、計量システム204は、システム200の1つ以上のコンピュータシステム208から命令を受け入れ得る。コンピュータシステム208から命令を受け入れた後、計量システム204は、与えられた命令で特定される半導体ウェーハ206の箇所で、重ね計量又はCD計測を実行し得る。後に考察されるように、コンピュータシステム208により与えられる命令は、半導体ウェーハ206上の選択された副次組サブセットの利用可能な計測箇所を計測するために計量器具204内に入力され得る、サブサンプリング計画を含み得る。一態様では、システム200の1つ以上のコンピュータシステム208は、第1ロットの検査ウェーハの全知型サンプリングの分析に基づいて、サブサンプリング方式を生成するように設定され得る。一態様では、1つ以上のコンピュータシステム208は、検査ロットの1つ以上のウェーハの全知型サンプリングプロセスで計測システム202計量システム204により実行される一組の計測を受信するように設定され得る。1つ以上のコンピュータシステム208は、全知型サンプリングプロセスから受信された計測を利用して、一組のプロセスツール補正能を算出するように更に設定され得る。更に、1つ以上のコンピュータシステム208は、次に、これらの計算結果を利用して、ウェーハの全面にわたるプロセスツール補正能の特性を分析し得る。次に、1つ以上のコンピュータシステム208は、分析された補正能特性を利用して、サブサンプリング方式を定め得る。サブサンプリング方式は、全サンプリングプロセスでの補正値と、サブサンプリングとモデルプロセスを組み合わせての補正値との間の差を最小限にするように設定される。代わりの実施形態では、1つ以上のコンピュータシステム208は、検査ロットのウェーハの1つのウェーハの視域箇所を無作為に選択するように設定され得る。これらの無作為に選択された箇所を利用して、次に、コンピュータシステム208は、全知型サンプリングプロセスから誘導された算出補正値を、無作為に選択された箇所に対する補間アルゴリスム内に入力することにより、設計された組のプロセスツール補正能を算出し得る。次に、補間アルゴリスムは、無作為に選択された組の視域サンプリング箇所内に含まれないウェーハの視域に対して、プロセスツール補正能を近似し得る。次に、その設計された組のプロセスツール補正能即ち、補間された補正値と、無作為箇所選択から取得された補正値は、コンピュータシステム208により利用されて、全知型サンプリングプロセスで取得されたプロセスツール補正能と比較され得る。別の実施形態では、コンピュータシステム208は、次に、無作為に生成された箇所のどの組が、設計された補正値と全知型サンプリングを介して得られた算出補正値との間の差を最も良く最小化するのかを判定することにより、サブサンプリング方式を定め得る。別の実施形態では、コンピュータシステム208は、無作為に生成された箇所のどの組が、設計された補正値と全知型サンプリングを介して得られた算出補正値との間の差を、選択された閾レベル以下に低減するのかを判定することにより、サブサンプリング方式を定め得る。上記の工程は、単一のコンピュータシステム208、又は代わりに、多重コンピュータシステム208により実行され得ると認識されなければならない。更に、計量システム204等のシステム200の異なる副次システムは、上記の工程の少なくとも一部分を実行するのに適したコンピュータシステムを含み得る。従って、上の記述は、本発明を限定するものとしてではなく、単なる説明として解釈されるべきである。別の実施形態では、次に、1つ以上のコンピュータシステム208は、生成されたサブサンプリング方式を指し示す命令を、計測システム202例えば、計量システム204に伝送し得る。更に、コンピュータシステム208は、本明細書に記載されるいずれかの実施形態に従って、そのサンプリング方式を生成するように設定され得る。別の実施形態では、1つ以上のコンピュータシステム208は、設計された組のプロセスツール補正能を指し示す命令を、1つ以上のプロセスツールに伝送し得る。更に、伝送された命令は、重ね補正能、集束補正能、及び線量ドーズ:dose補正能を指し示す情報を含み得る。更に1つ以上のコンピュータシステム208は、本明細書に記載されるいずれかの方法実施形態のいずれかの他の工程複数可を実行するように設定され得る。別の実施形態では、コンピュータシステム208は、当該分野で周知のいずれかの方法で、計測システム202又は別のプロセスツールに通信可能に結合され得る。例えば、1つ以上のコンピュータシステム208は、計測システム202のコンピュータシステム例えば、計量システム204のコンピュータシステムに、又は、プロセスツールのコンピュータシステムに結合され得る。別の実例では、計測システム202及び別のプロセスツールは、単一コンピュータシステムにより制御され得る。この方法では、システム200のコンピュータシステム208は、単一の計量プロセスツールコンピュータシステムに結合され得る。更に、システム200のコンピュータシステム208は、有線及び/又は無線部分を含み得る伝送媒体により、他のシステムからのデータ又は情報例えば、検査システムから検査結果、計量システムからの計量結果、又は、KLAテンコール社のKT分析装置等のシステムから算出された補正値を受信及び/又は取得するように設定され得る。この方法では、伝送媒体は、コンピュータシステム208とシステム200の他の副次システムとの間のデータリンクとして用いられ得る。更に、コンピュータシステム208は、伝送媒体を介してデータを外部システムに送信し得る。例えば、コンピュータシステム208は、生成されたサブサンプリング方式又は補正能を、記載されるシステム200と独立して存在する分離した計量システムへ送信し得る。コンピュータシステムに関連する、重ね計測を利用して最適化されたサンプリング方式を生成し、提供する方法及びシステムは、一般に、2008年4月22日に出願された米国特許出願第12/107,346号に記載され、本明細書に参照として組み込まれている。コンピュータシステム208は、個人用コンピュータシステム、メインフレームコンピュータシステム、ワークステーション、画像用コンピュータ、並列処理プロセッサ、又は当該分野で周知のいずれかの他の装置を含み得るが、これらに限定されない。一般に、用語コンピュータシステムは、1つ以上のプロセッサを有し、メモリ媒体からの命令を実行する任意の装置を包含するように幅広く定義され得る。本明細書に記載される方法等の方法を実装するプログラム命令212は、搬送媒体210上で伝送され得る、又は、その搬送媒体上に保存され得る。搬送媒体は、有線式、ケーブル式、又は無線式伝送リンク等の伝送媒体であってもよい。搬送媒体は、読出専用メモリ、ランダムアクセスメモリ、磁気ディスク又は光学ディスク、又は磁気テープ等の保存媒体を含み得る。図2に示されるシステム200の実施形態は、本明細書に記載されるように更に設定され得る。加えて、システム200は、本明細書に記載されるいずれかの方法実施形態複数可のいずれかの他の工程複数可を実行するように設定され得る。図3は、高性能な補間と共にサブサンプリング方式を利用してプロセスツール補正能を与える方法で実行される工程を示す流れ図である。第1工程302では、第1計測は、全知型サンプリングプロセス利用して、第1ロットのウェーハのうちの少なくとも1つのウェーハ上で実行され得る。全知型サンプリングプロセスは、第1ロットのウェーハのうちの第1ウェーハの各々の視域の各々の計測箇所で、1つ以上のパラメータ値を計測することを含み得る。一実施形態では、第1計測は、計量プロセスを含み得る。計量プロセスは、重ね計測、CD計測、線量計測、又は集束計測を含むが、これらに限定されない、本明細書に記載されるいずれかの計測プロセスを含み得る。一実施形態では、計測されたパラメータは、計量測定プロセスを利用して計測され得る、いずれかの量を含み得る。例えば、計測されるパラメータ値は、重ね誤差、CD値例えば、CD線幅、形状、断面情報等、線量、又は集束を含み得るが、これらに限定されない。一実施形態では、方法は、少なくとも1つのロットのウェーハ中の1つ以上のウェーハ上で、1つ以上のウェーハ上の計測点で計測を実行することを含む。この工程は、本明細書では、全知型サンプリングと呼ばれる。一実施形態では、全ての計測点は、1つ以上のウェーハ102上の全ての視域104を含む。例えば、図1に示されるように、ウェーハ102は、その上に視域104が形成される。図1には、ウェーハ102上の特定の数及び配置の視域104が示されるが、ウェーハ上のその数及び配置の視域は、例えば、ウェーハ上に形成されているデバイスに依存し得る。計測は、ウェーハ102上で形成される全ての視域104で、及び、少なくとも1つのロット中の他のウェーハ上の全ての視域で実行され得る。例えば、計測は、少なくとも1つのロット中の全てのウェーハ上で形成される1視域当たり少なくとも1度、実行され得る。計測は、視域中に形成されるデバイス構造及び/又は視域中に形成される検査構造上で実行され得る。加えて、各々の視域中で実行される計測は、計量プロセス中に実行される全ての計測例えば、1つ以上の異なる計測を含み得る。別の実施形態では、全知型サンプリングプロセス中に計測される全ての計量点は、少なくとも1つのロット中のウェーハ上の全ての標的を含み得る。例えば、図1Aに示されるように、ウェーハ102上で形成される視域104は、標的106を含み得る。図1Bには、視域104中の特定の数及び配置の標的106が示されているが、視域104中のその数及び配置の標的106は、例えば、ウェーハ102上に形成されているデバイスに応じて変化し得る。標的106は、デバイス構造及び/又は検査構造を含み得る。従って、この実施形態では、計測は、各々の視域104中で形成される全ての標的106上で実行され得る。加えて、計測は、視域104中に形成される1標的当たり少なくとも1度、実行され得る。計測は、計量プロセス中に実行される全ての計測例えば、1つ以上の異なる計測も含み得る。別の実施形態では、全ての計測点は、少なくとも1つのロット中のウェーハ上の全ての視域と全ての標的とを含む。例えば、図1Aのウェーハ102上に示され、形成される各々の視域104は、図1Bに示される標的106等の1つ以上の標的を含み得る。従って、計測は、少なくとも1つのロット中の各々のウェーハ102上に形成される各々の視域104中の各々の標的106上で実行され得る。別の実施形態では、全知型サンプリング工程中で実行される計測の結果は、計測プロセスの変化についての情報を含む。計測の変化は、当該分野で周知のいずれかの様式例えば、標準偏差、変化量等で測定され得る。計測の変化は、一般に、プロセス又はプロセス可動域の変化を示すことになるので、全知型サンプリング工程中で計測されるロットウェーハの数は、プロセス又はプロセス可動域に応じて変化し得る。そのように、少なくとも1つのロットが、全知型サンプリング工程中に計測されるが、計測されるロット数は、各々のサンプリングされたロットに対する計測の結果に応じて、3ロット、4ロット、5ロット等であってもよい。このように、本方法は、ウェーハ上の全てのウェーハ及び全ての視域及び/又は全ての標的が計測される、複数のロットの全知型サンプリングで開始され、変化源は、学習される。この工程で識別又は判定される変化源は、重ね変化、限界寸法CD変化、ウェーハの他の特性の変化、ロット別の変化、ウェーハ別の変化、視域別の変化、側面別の変化、統計源の変化等、又はそれらのいずれかの組み合わせを含むが、これらに限定されない、いずれかの変化源を含み得る。本発明の実装に適した計測プロセス及びシステムは、一般に、2008年4月22日に出願され、上に参照として組み込まれている、米国特許出願第12/107,346号に記載されている。第2工程304では、第1組のプロセスツール補正能は、工程302の計測結果を利用して算出され得る。個別の補正値は、N数の視域104を有する各々のウェーハに対して方法工程304が、N群のプロセスツール補正能を算出することになるように、ウェーハの各々の視域104に対して算出され得る。より具体的には、第1組のプロセスツール補正能は、N群の補正能を含み、各々の群の補正能は、ウェーハ102の各々の個別の視域に対して算出される。一実施形態では、重ね又はCD計量データを利用して、計測されたウェーハ102の各々の視域104に対する重ね補正能、線量補正能、又は集束補正能を算出し得る。次に、これらの補正値は、リソグラフィー器具に送信され、リソグラフィー器具の性能を向上させ得る。一般的な意味では、補正可能データを利用し、リソグラフィー器具例えば、ステッパ又は走査器具の整列を補正して、重ね性能に対する後続のリソグラフィーパターンの制御が向上し得る。本発明では、補正能の視域別分析が適用され、視域内補正値の表が、計測されたウェーハ102の各々の視域104に対して算出され得ることは、留意するべき重要なことである。慣例では、ウェーハの視域から取得される重ね誤差を利用して、線形重ね機能を定め得る。次に、その線形重ね機能は、走査器具又はステッパ器具等の関連するプロセスツールに対する補正能として利用され得る。線形重ね機能に加えて、高次の線形重ね機能が、所与のプロセスツールに対応する補正能を算出するための重ね機能として実装され得る。例えば、分析装置例えば、KLAテンコール社のKT分析装置は、高次のモデルを実装するように設定され得る。次に、その高次のモデルを利用して、重ねデータとCD計量データを入力し、ウェーハの全面にわたる視域別の補正能が算出され得る。視域内補正能は、重ね補正能、集束補正能、及び線量補正能を含み得るが、これらに限定されない。計測されるウェーハの各々の視域に対する作り出された視域内補正能の関連表は、当該分野で周知のいずれかの補正値を含み得る。プロセスツール補正能を算出するのに利用される重ね機能は、2011年1月25日に交付され、本明細書に参照として組み込まれている、米国特許第7,876,438号に記載されている。第3工程306では、プロセスツール補正能の特性は、ウェーブレット分析介して分析され得る。補正能特性は、本明細書で用いられる場合、ウェーハの全面にわたり特徴のある不均一空間パターンである。本事例では、補正能の特性は、ウェーハの各々の個別の視域に対して算出された個別の視域内補正値により形成される。各々の視域の視域内補正値は、ウェーハの表面全体にわたる2次元の補正能特性を作り出すのに用いられる。更には、各々の視域内の重ね値を設計するのに利用される高次の重ねモデルからの視域内残留物を利用しても、補正能特性が構成され得ることが考えられる。本発明の態様は、ウェーブレット分析ルーチンを利用して補正能特性を分析することを含む。ウェーブレット分析ルーチンを、ウェーハの個別の視域の個別の視域内補正値に適用することにより、連続的な補正能特性モデルが開発され得る。ウェーブレット分析等の位相検索アルゴリスムは、一般に、当該分野で周知のものである。ウェーブレット分析は、一般に、2006年8月24日に出願された米国特許出願第11/510,147号、2009年7月31日に出願された米国特許出願第12/533,295号に記載されており、それらの両方とも、本明細書に参照として組み込まれている。第4工程308では、サブサンプリング方式は、工程306の分析された補正能特性を利用することにより定められる。一実施形態では、サブサンプリング方式は、ウェーハの全数視域の副集合を含み得る。例えば、図4に示されるように、サブサンプリング方式402は、ウェーハ400の全数視域406の副集合の視域404を含み得る。図4に対して、影付き領域404は、サブサンプリング方式中に含まれる視域を表すのに対し、影なし領域406は、後続のロットでサンプリングされるべきではない視域を表す。そのように、サブサンプリング方式は、所与のウェーハの全数視域よりも少ない、サンプリングされるべき視域を含み得る。別の実施形態では、サブサンプリング方式は、ウェーハの第1視域と共に、全数計測点例えば、重ね標的の副集合を含み得る。一態様では、適切なサブサンプリング方式を選択することは、工程306の分析された補正能特性を利用して、計測される必要のあるウェーハの副集合の視域及び計測箇所を定め、工程302の全知型サンプリングプロセス中で取得されたデータ値を、選択された精度レベル内に整合させることを含み得る。一実施形態では、サブサンプリング方式は、最適なサンプリング方式を含み得る。例えば、工程306の補正能特性を比較、分析した後に、1ロットのウェーハのうちの少なくとも1つのウェーハ上に最適数の計測箇所とそのウェーハ上のそれらの計測の箇所とを定めることにより、最適なサンプリングが定められ得る。そのように、サブサンプリング方式は、定数の計測箇所とその定数の計測箇所の場所とを含み得る。一般的な意味での最適なサンプリング方式は、計測されるウェーハの全面にわたる補正能特性を最も良く最小化する、一組の副集合サンプリング条件例えば、計測箇所の場所及び数である。副集合サンプリングの最適化が、D最適法、フェデロフ交換アルゴリスムを含むが、これらに限定されない、周知の技術を利用して実行され得ることは、当業者により認識されるべきである。別の実施形態では、サブサンプリング方式は、向上されたサンプリング方式を含み得る。一般的な意味で、向上されたサンプリング方式により、サンプリング率は、最適化されたサンプリング方式よりも高くなり得る。別の実施形態では、サブサンプリング方式は、低減されたサンプリング方式を含み得る。一般的な意味で、低減されたサンプリング方式により、サンプリング率は、最適化されたサンプリング方式よりも低くなる。最適化され、向上され、低減されたサブサンプリング方式は、一般に、2008年4月22日に出願され、上に参照として組み込まれている、米国特許出願第12/107,346号に記載されている。所定の最適なサブサンプリング方式は、本発明が必要とするものではないと認識されるべきである。むしろ、適切なサブサンプリング方式は、本発明の実装のためにのみ定められる必要がある。例えば、本発明の一前後関係では、精度の設定レベルが必要とされ得る。従って、本方法は、全知型サンプリングの補正能と設計された補正能との間の差をこの選択されたレベル以下の値に低減する、サブサンプリング方式を与えることのみを必要とする。更には、サブサンプリング計画が、いずれかの適切な形式で生成され得ることが認識されるべきである。例えば、ファイル形式は、いずれかの計測システム又は当該分野で周知のプロセスツールにより利用され得るように設定され得る。別の工程310では、1つ以上の後続の計測が、後続ロットのウェーハのうちの1つのウェーハ上の、工程308で生成されたサブサンプリング方式で与えられた視域及び計測箇所で実行され得る。後続ロットの1つ以上のウェーハ上で実行される計測は、工程302で実行された計測と同様の計測を含み得る。この様式では、工程302で概説されたような様々な計測及び計測方法が、サブサンプリング方式を介して計測システムに供給される計測箇所例えば、各々の視域内の選択された恣意域及び計測箇所に適用され得る。別の工程312では、追加の組のプロセスツール補正能が、サブサンプリング方式に従って、1つ以上の後続ロット上で計測される視域に対して算出され得る。その追加の組のプロセスツール補正能は、サブサンプリング方式の各々の計測された視域に対する個別の視域内補正能を含む。一般的な意味で、追加の組のプロセスツール補正能は、プロセス300の工程304でのその概説と同様に算出され得る。従って、工程304で概説される計算方法は、サブサンプリング方式で与えられる計測箇所から収集された計測値に適用され得る。別の工程314では、後続ロットのウェーハの計測されない視域に対するプロセスツール補正能は、1つ以上のウェーブレット機能を利用して近似され得る。サブサンプリング方式中に含まれない計測箇所に対するプロセスツール補正能は、ウェーブレット機能等の周知の補間手続を利用して近似され得る。計測されたデータを利用してデータ補間するウェーブレット機能の一般的な利用は、2002年9月26日に出願され、本明細書に参照として組み込まれている、米国特許出願第10/260,374号に記載されている。図5は、高性能な補間と共にサブサンプリング方式を利用してプロセスツール補正能を与える代わりの方法で実行される工程を示す流れ図である。第1工程502では、プロセス300と同様に、第1計測が、全知型サンプリングプロセスを利用して、第1ロットのウェーハのうちの少なくとも1つの第1ウェーハ上で実行され得る。全知型サンプリングプロセスは、第1ロットのウェーハのうちの第1ウェーハの各々の視域の各々の計測箇所で、1つ以上のパラメータ値を計測することを含み得る。上記のように、第1ロットのウェーハのうちの1つ以上のウェーハ上で実行される計測は、プロセス300の工程302及び310で実行される計測と同様の計測プロセスを含み得る。この様式では、工程302及び310で概説されるような様々な計測及び計測方法が、プロセス500の全知型サンプリングプロセスに適用され得る。第2工程504では、プロセス300と同様に、第1組のプロセスツール補正能が、工程502の計測結果を利用して算出され得る。工程502で見出された計測結果を利用してプロセスツール補正能を算出するために、プロセス300の工程304に記載される手続及び方法が、同様に実装され得る。第3工程506では、一組の視域サンプリング箇所は、無作為に生成され得る。一実施形態では、視域サンプリング箇所は、モンテカルロ模擬実験プロセスで無作為に選択され得る。一態様では、サンプリング点の数は、事前に選択され得るのに対し、これらのサンプリング点の箇所は、無作為に生成される。サンプリングされるべきサンプリング点の数は、サブサンプリング点の範囲内に留まるように、事前に選択され得る。例えば、利用者は、サンプリングされるべき最小数又は最大数のサンプリング点を選択してもよい。次に、サンプリング点の数又はサンプリング点の範囲を選択した後に、関連するコンピュータシステムは、これらのサブサンプリング点の位置を無作為に選択し得る。より具体的には、コンピュータシステムは、後続のプロセス工程で分析されるべき選択視域内の複数の視域及び計測点を無作為に選択し得る。別の実施形態では、利用者は、追加の制約を選択してもよい。例えば、180°又は90°回転対称等の選択された空間的対称性を有するようなサンプリング点の場所により形成されるパターンが必要とされ得る。無作為選択プロセスを介して生成された視域に関連する補正値を特徴付けるのに利用される計測プロセスが、502の全知型サンプリングプロセスに見出されることに留意するべきである。第4工程508では、工程506の無作為に選択された視域サンプリング箇所に適用される補間プロセスを介して、第2組のプロセスツール補正能が算出され得る。例えば、補間プロセスを利用し、工程506無作為に選択された視域箇所から取得された計測結果を利用して算出された補正値を利用して、サンプリングされない箇所即ち、工程506の無作為選択により選択されない箇所での補正値が算出され得る。一実施形態では、補間プロセスとして、スプライン補間プロセス、多項補間プロセス、又はニューロン網補間プロセスが挙げられ得るが、これらに限定されない。一般的な意味で、本発明では、一組の出力値を算出又は設計するのに一組の入力値に適用される、いずれかの補間アルゴリスムが実装され得る。半導体計量システムに関連して利用される設計の実例は、一般に、米国特許第6,704,661号、米国特許第6,768,967号、米国特許第6,867,866号、米国特許第6,898,596号、米国特許第6,919,964号、米国特許第7,069,153号、米国特許第7,145,664号、米国特許第7,873,585号、及び米国特許出願第12/486,830号に記載されており、それらは、本明細書に参照として組み込まれている。第5工程510では、全知型サンプリングを利用して工程504で算出された第1組のプロセスツール補正能を、サブサンプリングと補間の組み合わせを利用して工程508で見出された第2組のプロセスツール補正能と比較することにより、サブサンプリング方式が定められ得る。一実施形態では、第1組の補正能と第2組の補正能との間の比較は、第1組の補正能と第2組の補正能との間の差を事前に選択されたレベル以下にするように設定されるサブサンプリング方式を選択することを含み得る。別の実施形態では、第1組の補正能と第2組の補正能との間の比較は、第1組の補正能と第2組の補正能との間の差を最小限にするサブサンプリング方式を選択することを含み得る。この様式では、第1組の補正能と第2組の補正能との間の差を最も良く最小化するサンプリング方式が、最適なサンプリング方式である。プロセス300と同様に、最適なサンプリング方式は、D最適法とフェデロフ交換アルゴリスムを含むが、これらに限定されない、周知の技術を利用して選択され得る。その上、プロセス300に関連して考察されたように、サブサンプリング方式は、向上されたサンプリング方式又は低減されたサンプリング方式を含み得る。別の工程512では、1つ以上の後続の計測が、後続ロットのウェーハのうちの1つのウェーハ上の、工程510で生成されたサブサンプリング方式で与えられる視域及び計測箇所で実行され得る。後続ロットの1つ以上のウェーハ上で実行される計測は、プロセス300の工程302及び310並びにプロセス500の工程502で実行される計測と同様の計測を含み得る。この様式では、302、310、及び502で概説されたような様々な計測及び計測方法が、サブサンプリング方式を介して計測システムに供給される計測箇所例えば、選択された視域及び各々の視域内の計測箇所に適用され得る。別の工程514では、第3組のプロセスツール補正能が、サブサンプリング方式に従って実行される計測の1つ以上の結果を利用して算出され得る。第3組のプロセスツール補正能は、工程510で生成されるサブサンプリング方式に従って、1つ以上の後続ロットで計測される視域に対して算出され得る。第3組のプロセスツール補正能は、サブサンプリング方式の各々の計測される視域に対する個別の視域内の補正能を含む。一般的な意味で、第3組のプロセスツール補正能は、プロセス300の工程304及び312並びにプロセス500の508でのその概説と同様に算出され得る。従って、工程304、312、及び508で概説される補正能算出法は、サブサンプリング方式で与えられる計測箇所から収集される計測値に適用され得る。別の工程516では、補間プロセスを利用して、サブサンプリング方式中に含まれない一組の視域の各々に対するプロセスツール補正能が近似され得る。一態様では、補間プロセスは、サブサンプリング方式の視域の各々に対して算出された第3組のプロセスツール補正能を、入力として利用し得る。サブサンプリング方式中に含まれない視域の補正能を近似するのに利用される補間プロセスは、工程508で概説された補間プロセスと同様である。更には、サブサンプリング方式内の箇所の計測プロセスを利用して算出された補正能を含む、工程514で算出された補正能と、サブサンプリング方式中に含まれない計測箇所にわたる補間によりサンプリングされた箇所を入力として利用することにより近似された補正能を含む、工程516で近似される補正能が、1つの表に組み合わせられ得ることが考えられる。単一の補正能の表は、いずれかの便利なコンピュータファイル形式で収集され得る。更には、上記の単一の補正能の表を、次に、1つ以上の計測器具又はプロセスツールに伝送して、これらのシステムに補正を与え得ることが考えられる。本明細書に記載される全ての方法は、本方法実施形態の1つ以上の工程の結果を保存媒体中に保存することを含み得る。それらの結果は、本明細書に記載されるいずれかの結果を含み、当該分野で周知のいずれかの方法で保存され得る。それらの結果は、保存後に、保存媒体中に入れることができ、本明細書に記載され、利用者への表示用に形式化され、別のソフトウェアモジュール、方法、又はシステム等により利用される、いずれかの方法又はシステム実施形態により利用することができる。例えば、本方法は、サブサンプリング計画を生成した後に、そのサブサンプリング計測を保存媒体内の計量手段中に保存することを含み得る。加えて、本明細書に記載される実施形態の結果又は出力は、出力ファイルが計量システムにより把握され得ることを仮定して、計量システムが計量用のサブサンプリング計画を利用することができるように、CDSEM等の計量システムにより保存され、アクセスされ得る。更に、それらの結果は、永久に、半永久に、一時的に、又はある時間期間にわたり保存され得る。例えば、保存媒体は、ランダムアクセスメモリRAMであり得、それらの結果は、必ずしも、保存媒体中で無期限に持続しなくてもよい。上記の本方法の各々の実施形態は、本明細書に記載されるいずれかの他の方法複数可のいずれかの他の工程複数可を含んでもよいことが更に考えられる。加えて、上記の本方法の各々の実施形態は、本明細書に記載されるいずれかのシステムにより実行されてもよい。当業者は、システムの態様のハードウェア実装とソフトウェア実装との間であまり区別されない点まで、従来技術が進歩することを認識するであろう。ハードウェア又はソフトウェアの利用は、一般にしかし、ハードウェアとソフトウェアとの間の選択が、ある前後関係で重大になり得る点で必ずしもそうではない、費用対効率の代償関係を表す設計上の選択である。当業者は、本明細書に記載されるプロセス及び/又はシステム及び/又は他の技術が遂行され得る例えば、ハードウェア、ソフトウェア、及び/又はファームウェア様々な媒体があり、プロセス及び/又はシステム及び/又は他の技術が配備される前後関係で、好ましい媒体が変化することになると理解するであろう。例えば、実装者は、速度及び精度が重要であると定める場合、主要なハードウェア及び/又はファームウェア媒体を選択し得る。代わりに、柔軟性が重要である場合、実装者は、ハードウェア、ソフトウェア、及び/又はファームウェアのある組み合わせを選択し得る。故に、本明細書に記載されるプロセス及び/又はシステム及び/又は他の技術が遂行され得る幾つかの可能な媒体があり、利用されるべきいずれかの媒体が、その媒体が配備される前後関係に依存する選択肢である点で、これら媒体のうちのどれも、本質的に、他を上回るものではなく、実装者の特定の関心事例えば、速度、柔軟性、又は予測可能性のいずれかは、変化し得る。当業者は、実装の光学的態様が、通常、光学機器向けのハードウェア、ソフトウェア、及び/又はファームウェアを用いることになると認識することになる。当業者は、当該技術分野内では、装置及び/又はプロセスを本明細書に説明された様式で記述し、その後に、技術的手法を用いて、そのように記載される装置及び/又はプロセスをデータ処理システム内に組み込むことが普通であると認識することになる。当業者は、通常のデータ処理システムが、一般に、システムユニット筐体、動画表示装置、揮発性メモリ及び不揮発性メモリ等のメモリ、マイクロプロセッサ及びデジタル信号プロセッサ等のプロセッサ、操作システム、ドライバ、グラフィックス利用者インターフェース、及び応用プログラム等コンピュータ全体、接触式パッド又はスクリーン等の1つ以上の相互作用装置、及び/又は、帰還ループと制御モータとを含む制御システム例えば、位置及び/又は速度を検知するための帰還、部品及び/又は数量を移動させる及び/又は調節するための制御モータのうちの1つ以上を含むことを認識することになる。通常のデータ処理システムは、データ計算/通信及び/又はネットウェーク計算/通信システム内に見出される部品等の、いずれかの適切な市販の部品を利用することにより、実装され得る。本明細書に記載される内容は、時には、異なる他の部品内に含まれる、又は、それらの部品と接続される、異なる部品を示す。そのように示される構造は、単に例示のものであり、実際には、同じ機能を遂行する多くの他の構造を実装することができると理解されるべきである。概念上の意味で、同じ機能を遂行するためのあらゆる部品配置は、所望の機能が遂行されるように有効に関連付けられている。故に、特定の機能を遂行するように本明細書で組み合わされたあらゆる2つの部品は、構造又は中間媒体部品に関係なく、所望の機能が遂行されるように、相互に関連付けられているものとして理解され得る。その上、そのように関連するいずれかの2つの部品は、所望の機能を遂行するために、相互に動作可能に接続されている又は動作可能に結合されているものとも見なされ得る。そのように関連付けることが可能である、いずれかの2つの部品は、所望の機能を遂行するために、相互に動作可能に結合可能なものであるとも見なされ得る。動作可能に結合可能なものの特定の実例として、物理的に組み合わせ可能な及び/又は物理的に相互作用する部品、及び/又は、無線で相互作用可能な及び/又は無線で相互作用する部品、及び/又は、論理的に相互作用する及び/又は論理的に相互作用可能な部品が挙げられるが、これらに限定されない。本明細書に記載される本内容の特定の態様は、示され、記載されているが、本明細書の教示内容に基づいて、本明細書に記載される内容及びそのより広い態様から逸脱せずに変更及び修正され得ることが当業者に明らかになる。従って、付属の請求項は、それらの範囲内に包含されるべきであり、そのような全ての変更及び修正は、本明細書に記載される内容の真の趣旨及び範囲内にある。更に、本発明は、付属の請求項により定義されると理解されるべきである。一般にはは、本明細書で、特に、付属の請求項例えば、付属の請求項の本体で用いられる場合、一般に、開かれた用語として意図されていると当業者により理解されることになる例えば、用語含んでいるは、含んでいるが、これに限定されないとして解釈されるべきであり、用語有するは、少なくとも有するとして解釈されるべきであり、用語含むは、含むが、これに限定されないとして解釈されるべきである等。特定数の挿入された請求項詳述が意図されている場合は、そのような意図が、請求項中に明らかに詳述されることになり、そのような詳述がない場合は、そのような意図が存在しないと当業者により理解されることになる。例えば、理解しやすくするために、以下の付属の請求項は、請求項挿入句少なくとも1つの及び1つ以上のを、請求項詳述に挿入するように利用することを含み得る。しかしながら、そのような句の利用は、同じ請求項が、挿入句1つ以上の又は少なくとも1つのとa又はan等の無冠詞とを含む場合でも、無冠詞a又はanによる請求項詳述の挿入が、単に1つのそのような詳述を含む本発明に対してそのような挿入された請求項詳述を含むいずれかの特定の請求項を制限することを暗に含むと解釈されるべきではない例えば、a及び/又はanは、通常、少なくとも1つ又は1つ以上を意味する解釈されるべきである。請求項詳述に挿入するように定冠詞を利用することに対して、同じことが真である。加えて、特性数の挿入される請求項詳述が、明らかに詳述される場合でも、当業者は、そのような詳述が、通常、少なくとも詳述された数を意味するように解釈されるべきであることを認識することになる例えば、2つの詳述のありのままの詳述は、他の変更をせずに、通常、少なくとも2つの詳述、又は、2つ以上の詳述を意味する。更に、A、B及びCのうちの少なくとも1つに類似する方法が利用される、それらの事例では、一般に、そのような構成は、当業者がその方法を理解することなる意味に意図されている例えば、A、B、及びCのうちの少なくとも1つを有するシステムは、Aのみ、Bのみ、Cのみ、共にA及びB、共にA及びC、共にB及びC、及び/又は、共にA、B、及びC等を有するシステムを含むことになるが、これらに限定されない。A、B、又はC等のうちの少なくとも1つに類似する方法が利用される、それらの事例では、一般に、そのような構成は、当業者がその方法を理解することになる意味に意図されている例えば、A、B、又はCのうちの少なくとも1つを有するシステムは、Aのみ、Bのみ、Cのみ、共にA及びB、共にA及びC、共にB及びC、及び/又は、共にA、B、及びC等を有するシステムを含むことになるが、これらに限定されない。実質的に、2つ以上の代わりの用語を示すいずれかの離接的語及び/又は句は、明細書、請求項、又は図面中でも、用語のうちの1つ、用語のうちのどちらか、又は用語の両方を含む可能性を考慮するように理解されるべきであると当業者により更に理解されることになる。例えば、句A又はBは、A又はB又はA及びBの可能性を含むように理解されることになる。本発明の特定の実施形態が示されているが、本発明の様々な修正及び実施形態が、上記の開示の範囲及び趣旨を逸脱せずに、当業者により行われることは明らかである。従って、本発明の範囲は、本発明に付属の請求項よってのみ限定されるべきである。本開示及び多くのその付帯の利点が、上記の記載により理解されることになると考えられ、様々な変更が、開示された内容から逸脱せずに、又は、その物質的な利点の全てを犠牲にせずに、部品の形式、構成及び配置で行われ得ることが明らかになる。"