"接着剤層と、電磁波シールド層とを有する半導体装置用接着フィルムであって、前記半導体装置用接着フィルムを透過した電磁波の減衰量が、50MHz~20GHzの範囲の周波数領域の少なくとも一部において、3dB以上であることを特徴とする半導体装置用接着フィルム。被着体と半導体素子とを有する半導体装置であって、請求項1に記載の半導体装置用接着フィルムが、前記被着体と前記半導体素子との間に設けられていることを特徴とする半導体装置。2以上の半導体素子を有する半導体装置であって、請求項1に記載の半導体装置用接着フィルムが、1の半導体素子と他の半導体素子との間に設けられていることを特徴とする半導体装置。被着体上に半導体素子がフリップチップ接続された半導体装置であって、請求項1に記載の半導体装置用接着フィルムが、前記半導体素子上に設けられていることを特徴とする半導体装置。特許文献3の半導体素子接着用電磁波遮断シートは、電磁波を遮断するフェライト層の厚みを100nm~10μmとするものである。しかしながら、前期記載の厚みでは周波数が100kHz以上の電磁波に対しては、実質的な遮断効果がなく、電磁波シールド材としての充分な役割を果たしていない。また、特許文献4には、半導体装置の積層構造が開示されているのみであり、どの周波数領域の電磁波をどのような手段によって遮断しているかについて開示されていない。本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、半導体装置用接着フィルム及び当該半導体装置用接着フィルムを有する半導体装置について検討した。その結果、下記の構成を採用することにより、1の半導体チップから放出される電磁波が、同一パッケージ内にある他の半導体チップ、実装されている基板、隣接するデバイス、パッケージ等に影響を与えることを低減することが可能であることを見出して本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明に係る半導体装置用接着フィルムは、接着剤層と、電磁波シールド層とを有する半導体装置用接着フィルムであって、前記半導体装置用接着フィルムを透過した電磁波の減衰量が、50MHz~20GHzの範囲の周波数領域の少なくとも一部において、3dB以上であることを特徴とする。前記構成によれば、半導体装置用接着フィルムを透過した電磁波の減衰量が、50MHz~20GHzという比較的高い周波数領域の少なくとも一部において、3dB以上であり、電磁波が効率的に遮断される。従って、1の半導体素子から放出される電磁波が、他の半導体素子、基板、隣接するデバイス、パッケージ等に影響を与えることを低減することができる。また、携帯端末機例えば、携帯電話機や、電子料金収受ElectronicTollCollectionETCシステムにおいては、比較的高い周波数帯例えば、2GHz帯、58GHz帯が使用されていることから、通信時に発生するチップからのノイズも高い周波数帯となる。そこで、前記構成によれば、特に、このような高い周波数帯の電磁波を効率的に遮断することができる。また、本発明に係る半導体装置は、被着体と半導体素子とを有する半導体装置であって、前記の課題を解決する為に、前記に記載の半導体装置用接着フィルムが、前記被着体と前記半導体素子との間に設けられていることを特徴とする。また、本発明に係る他の半導体装置は、2以上の半導体素子を有する半導体装置であって、前記の課題を解決する為に、前記に記載の半導体装置用接着フィルムが、1の半導体素子と他の半導体素子との間に設けられていることを特徴とする。また、本発明に係る他の半導体装置は、被着体上に半導体素子がフリップチップ接続された半導体装置であって、前記の課題を解決する為に、前記に記載の半導体装置用接着フィルムが、前記半導体素子上に設けられていることを特徴とする。本発明の半導体装置用フィルムは、半導体装置に用いられるものであり、例えば、ダイボンドフィルム、フリップチップ型半導体裏面用フィルム、ウェハレベルパッケージの製造の際に半導体ウエハに貼り付けるフィルム等として用いることができる。以下では、まず、半導体装置用フィルムがダイボンドフィルムである場合について説明する。ダイボンドフィルム図1は、本発明の一実施形態に係るダイボンドフィルムを示す断面模式図であり、図2は、他の実施形態に係るダイボンドフィルムを示す断面模式図である。図1に示すように、ダイボンドフィルム40は、接着剤層30上に電磁波シールド層31が積層された構成を有する。また、本発明に係るダイボンドフィルムは、図2に示すダイボンドフィルム41のように、電磁波シールド層31上にさらに接着剤層32が積層された構成であってもよい。さらに、本発明に係るダイボンドフィルムは、接着剤層と電磁波シールド層とを有していれば、ダイボンドフィルム40、ダイボンドフィルム41に限定されず、例えば、接着剤層及び電磁波シールド層以外の他の層を有するものであってもよい。ダイボンドフィルム40、41は、ダイボンドフィルム40、41を透過した電磁波の減衰量が、50MHz~20GHzの範囲の周波数領域の少なくとも一部において、3dB以上である。前記周波数領域は、80MHz~19GHzの範囲であることが好ましく、100MHz~18GHzの範囲であることがより好ましい。また、前記減衰量は、4dB以上であることが好ましく、5dB以上であることがより好ましい。ダイボンドフィルム40、41を透過した電磁波の減衰量が、50MHz~20GHzという比較的高い周波数領域の少なくとも一部において3dB以上であるため、電磁波が効率的に遮断される。従って、1の半導体素子から放出される電磁波が、他の半導体素子、基板、隣接するデバイス、パッケージ等に影響を与えることをより低減することができる。電磁波シールド層31としては、導電層、誘電体層、磁性体層を挙げることができる。前記導電層としては、無機導電材料や有機導電材料を有する層を挙げることができる。前記無機導電材料としては、LiNaKRbCsCaSrBaRaBeMgZnCdHgAlGaInYLaCePrNdSmEuTiZrSnHfPbThFeCoNVNbTaCrMoWUMnReCuAgAuRuRhPdOsIrPtからなる群より選択される少なくとも1以上の金属元素、前記金属元素の酸化物、前記金属元素の合金等を挙げることができる。前記有機導電材料としては、ポリアセチレン、ポリパラフェニレン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリピロール等を挙げることができる。前記有機導電材料は、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。また、前記無機導電材料と前記有機導電材料とを併用して用いることができる。前記導電層は、金属箔や蒸着膜のように導電材料のみからなる層であってもよく、前記無機導電材料や有機導電材料が樹脂に配合された層であってもよい。前記導電層のなかでも、導電率が10×101~10×107Smの範囲にあるものが好ましく、5×102~5×107Smの範囲にあるものがより好ましく、10×102~1×107Smの範囲にあるものがさらに好ましい。前記導電層は、反射損失により電磁波を減衰させることができる。金属箔とは、前記無機導電材料からなるものをいい、例えば、前記無機導電材料を薄く例えば、01~100μm程度伸ばして製造されるものをいう。前記誘電体層に用いる材料としては、特に限定されないが、ポリエチレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフオン、ポリ塩化ビニル、エポキシ等の合成樹脂や、ポリイソプレンゴム、ポリスチレンブタジエンゴム、ポリブタジエンゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴムNBR、ブチルゴム、アクリルゴム、エチレンプロピレンゴム、シリコンゴム等の各種合成ゴム材料を挙げることができる。また、これらの樹脂に、カーボン、酸化チタン、アルミナ、チタン酸バリウム、ロッシェル塩等の無機材料を添加したものを挙げることができる。前記誘電体層のなかでも、比誘電率が1.0~4000の範囲にあるものが好ましく、1.0~1000の範囲にあるものがより好ましく、1.0~100の範囲にあるものがさらに好ましい。前記誘電体層は、誘電損失により電磁波を減衰させることができる。前記磁性体層に用いる磁性粒子としては、特に限定されないが、ヘマタイトFe2O3、マグネタイトFe3O4、さらに一般式:MFe2O4や、MOnFe2O3両式中、Mは2価の金属粒子であり、Mn,Co,Ni,Cu,Zn,Ba,Mg等があげられる。また、nは正数である。そして、Mは繰り返し時において同種であってもよく異種であってもよいで表される各種フェライト、ケイ素鋼粉、パーマロイFe-Ni合金、Co基アモルファス合金、センダストFe-Al-Si合金、アルパーム、スーパーマロイ、ミューメタル、パーメンター、パーミンバー等の各種金属粉やその合金粉、磁性粉等を用いることができる。また、日立金属株社製のfinemet登録商標を用いることができる。これらは単独でもしくは2種以上併せて用いられる。前記磁性体層は、前記磁性粒子が樹脂に配合された層とすることができる。前記磁性体層は、磁性損失により電磁波を減衰させることができる。また、電磁波シールド層31として、導電材料前記有機導電材料、前記無機導電材料と、前記磁性粒子とを配合した層とすることにより、より電磁波遮断効果を発揮させることができる。電磁波シールド層31の厚さは、特に限定されず、0.001~10000μmの範囲内から選択することができ、好ましくは0.005~900μm、より好ましくは0.01~800μmである。ただし、電磁波シールド層31の厚さは、誘電体層又は磁性体層により、電磁波シールド特性を持たせる場合には、シールドする電磁波の周波数に応じて厚さは異なる。一般的には、シールドする電磁波の波長λの1/4以上が好ましい。接着剤層30と電磁波シールド層31との180度ピール強度、及び、接着剤層32と電磁波シールド層31との180度ピール強度は、0.5N/10mm以上であることが好ましく、より好ましくは、0.8N/10mm以上であり、さらに好ましくは、1.0N/10mm以上である。前記180度ピール強度を0.5N/10mm以上とすることにより、層間剥離が起こりに難くなり、歩留りの向上を図ることができる。前記180度ピール強度は、以下のようにして測定することができる。まず、接着剤層を粘着テープ日東電工株製、BT315で裏打ちし、10×100mmに切り出す。次に、電磁波シールド層を粘着テープ日東電工株製、BT315で裏打ちし、10×100mmに切り出す。そして、切り出した接着剤層と電磁波シールド層とをラミネーターMCK製、MRK-600を用い、50°C、0.5MPa、10mm/秒の条件下にて貼り合せる。その後、常温25°C環境下で20分放置し、試験片を得る。次いで、接着剤層と電磁波シールドとの180度剥離力を、引張試験機島津製作所製、AGS-Jを用いて測定する。接着剤層30、32を構成する接着剤組成物としては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を併用したものが挙げられる。接着剤層30と接着剤層32とは、同一の組成であってもよく異なった組成であってもよい。前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールS型、臭素化ビスフェノールA型、水添ビスフェノールA型、ビスフェノールAF型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。また、前記エポキシ樹脂は、常温で固形のものと、常温で液体のものとの2種類を併用して用いることができる。常温で固形のエポキシ樹脂に対して、常温で液状のエポキシ樹脂を加えることにより、フィルムを形成した際の脆弱性を改善することができ、作業性を向上させることができる。更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert-ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基1当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が0.5~2.0当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、0.8~1.2当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-アクリル酸共重合体、エチレン-アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、6-ナイロンや6,6-ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、PETやPBT等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数30以下、特に炭素数4~18の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの1種又は2種以上を成分とする重合体アクリル共重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、メタアクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸2-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸4-ヒドロキシブチル、メタアクリル酸6-ヒドロキシヘキシル、メタアクリル酸8-ヒドロキシオクチル、メタアクリル酸10-ヒドロキシデシル、メタアクリル酸12-ヒドロキシラウリル若しくは4-ヒドロキシメチルシクロヘキシル-メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2-メタアクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、メタアクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピルメタアクリレート若しくはメタアクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は2-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。前記熱硬化性樹脂の配合割合としては、所定条件下で加熱した際に接着剤層30、32が熱硬化型としての機能を発揮する程度であれば特に限定されないが、5~60重量の範囲内であることが好ましく、10~50重量の範囲内であることがより好ましい。また、接着剤層30、32を構成する接着剤組成物としては、上述したように、ポリイミド樹脂を、熱硬化性ポリイミド樹脂、又は、熱可塑性ポリイミド樹脂として他の樹脂と共に用いる他、単体で用いることもできる。ポリイミド樹脂は、一般的にその前駆体であるポリアミド酸を脱水縮合イミド化して得られる耐熱性樹脂である。ポリアミド酸は、ジアミン成分と酸無水物成分とを実質的に等モル比にて適宜の有機溶媒中で反応させて得ることができる。上記ジアミンとしては、例えば、脂肪族ジアミンや芳香族ジアミンを挙げることができる。脂肪族ジアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、18ジアミノオクタン、110ジアミノデカン、112ジアミノドデカン、49ジオキサ112ジアミノドデカン、13ビス1133テトラメチルジシロキサンα、ωビスアミノプロピルテトラメチルジシロキサン等が挙げられる。脂肪族ジアミンの分子量は、通常50から1000000、好ましくは100から30000である。上記芳香族ジアミンとしては、例えば、44’ジアミノジフェニルエーテル、34’ジアミノジフェニルエーテル、33’ジアミノジフェニルエーテル、mフェニレンジアミン、pフェニレンジアミン、44’ジアミノジフェニルプロパン、33’ジアミノジフェニルメタン、44’ジアミノジフェニルスルフィド、33’ジアミノジフェニルスルフィド、44’ジアミノジフェニルスルホン、33’ジアミノジフェニルスルホン、14ビスベンゼン、13ビスベンゼン、13ビスベンゼン、13ビス22ジメチルプロパン、44’ジアミノベンゾフェノン等が挙げられる。上記酸無水物としては、種々のものを用いることができるが、例えば、テトラカルボン酸二無水物が挙げられる。上記テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、3,3,4,4ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2,3,3ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3,4,4ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2,3,3ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、4,4オキシジフタル酸二無水物、2,2ビス2,3ジカルボキシフェニルヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2ビス3,4ジカルボキシフェニルヘキサフルオロプロパン二無水物6FDA、ビス2,3ジカルボキシフェニルメタン二無水物、ビス3,4ジカルボキシフェニルメタン二無水物、ビス2,3ジカルボキシフェニルスルホン二無水物、ビス3,4ジカルボキシフェニルスルホン二無水物、ピロメリット酸二無水物、エチレングリコールビストリメリット酸二無水物等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。上記ジアミンと上記酸無水物とを反応させる溶剤としては、特に制限されないが、例えば、NNジメチルアセトアミド、Nメチル2ピロリドン、NNジメチルホルムアミド、シクロペンタノン等が挙げられる。これらは、原材料や樹脂の溶解性を調整するために、トルエンや、キシレンなどといった非極性の溶剤と適宜、混合して用いることができる。ポリアミド酸をイミド化する方法としては、例えば、加熱イミド化法、共沸脱水法、化学的イミド化法等が挙げられる。なかでも、加熱イミド化法が好ましく、加熱温度は150°C以上が好ましい。また、加熱イミド化法においては、樹脂の酸化劣化を防ぐため、窒素雰囲気下や真空中など不活性な雰囲気下で処理することが好ましい。これにより、樹脂中に残った揮発成分を完全に除去することができる。上記テトラカルボン酸二無水物と上記ジアミンとを反応させる場合において、特にブタジエンアクリロニトリル共重合体骨格含むジアミンを用いる場合には、100°C以上の温度で反応させることが好ましい。これにより、ゲル化を防止することができる。接着剤層30、32は、必要に応じて、接着剤層30、32の構成材料として熱硬化触媒を使用してもよい。その配合割合としては、有機成分100重量部に対し0.01~5重量部の範囲内が好ましく、0.05~3重量部の範囲内がより好ましく、0.1~1重量部の範囲内が特に好ましい。配合割合を0.01重量部以上にすることにより、熱硬化後の接着力を良好に発現させることができる。その一方、配合割合を5重量部以下にすることにより、保存性の低下を抑制することができる。前記熱硬化触媒としては特に限定されず、例えば、イミダゾール系化合物、トリフェニルフォスフィン系化合物、アミン系化合物、トリフェニルボラン系化合物、トリハロゲンボラン系化合物等が挙げられる。これらは単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。前記イミダゾール系化合物としては、2-メチルイミダゾール商品名;2MZ、2-ウンデシルイミダゾール商品名;C11Z、2-ヘプタデシルイミダゾール商品名;C17Z、1,2-ジメチルイミダゾール商品名;1.2DMZ、2-エチル-4-メチルイミダゾール商品名;2E4MZ、2-フェニルイミダゾール商品名;2PZ、2-フェニル-4-メチルイミダゾール商品名;2P4MZ、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール商品名;1B2MZ、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール商品名;1B2PZ、1-シアノエチル-2-メチルイミダゾール商品名;2MZ-CN、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾール商品名;C11Z-CN、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテイト商品名;2PZCNS-PW、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジン商品名;2MZ-A、2,4-ジアミノ-6-[2’-ウンデシルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジン商品名;C11Z-A、2,4-ジアミノ-6-[2’-エチル-4’-メチルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジン商品名;2E4MZ-A、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-1’]-エチル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加物商品名;2MA-OK、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール商品名;2PHZ-PW、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール商品名;2P4MHZ-PW等が挙げられるいずれも四国化成株製。前記トリフェニルフォスフィン系化合物としては特に限定されず、例えば、トリフェニルフォスフィン、トリブチルフォスフィン、トリp-メチルフェニルフォスフィン、トリノニルフェニルフォスフィン、ジフェニルトリルフォスフィン等のトリオルガノフォスフィン、テトラフェニルホスホニウムブロマイド商品名;TPP-PB、メチルトリフェニルホスホニウム商品名;TPP-MB、メチルトリフェニルホスホニウムクロライド商品名;TPP-MC、メトキシメチルトリフェニルホスホニウム商品名;TPP-MOC、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド商品名;TPP-ZC等が挙げられるいずれも北興化学社製。また、前記トリフェニルフォスフィン系化合物としては、エポキシ樹脂に対し実質的に非溶解性を示すものであることが好ましい。エポキシ樹脂に対し非溶解性であると、熱硬化が過度に進行するのを抑制することができる。トリフェニルフォスフィン構造を有し、かつエポキシ樹脂に対し実質的に非溶解性を示す熱硬化触媒としては、例えば、メチルトリフェニルホスホニウム商品名;TPP-MB等が例示できる。尚、前記非溶解性とは、トリフェニルフォスフィン系化合物からなる熱硬化触媒がエポキシ樹脂からなる溶媒に対し不溶性であることを意味し、より詳細には、温度10~40°Cの範囲において10重量以上溶解しないことを意味する。前記トリフェニルボラン系化合物としては特に限定されず、例えば、トリp-メチルフェニルフォスフィン等が挙げられる。また、トリフェニルボラン系化合物としては、更にトリフェニルフォスフィン構造を有するものも含まれる。当該トリフェニルフォスフィン構造及びトリフェニルボラン構造を有する化合物としては特に限定されず、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート商品名;TPP-K、テトラフェニルホスホニウムテトラ-p-トリボレート商品名;TPP-MK、ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート商品名;TPP-ZK、トリフェニルホスフィントリフェニルボラン商品名;TPP-S等が挙げられるいずれも北興化学社製。前記アミノ系化合物としては特に限定されず、例えば、モノエタノールアミントリフルオロボレートステラケミファ株製、ジシアンジアミドナカライテスク株製等が挙げられる。前記トリハロゲンボラン系化合物としては特に限定されず、例えば、トリクロロボラン等が挙げられる。接着剤層30、32を予めある程度架橋をさせておく場合には、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくことができる。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。前記架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、p-フェニレンジイソシアネート、1,5-ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体100重量部に対し、通常0.05~7重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が7重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、0.05重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。また、接着剤層30、32には、その用途に応じてフィラーを適宜配合することができる。フィラーの配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を可能とする。前記フィラーとしては、無機フィラー、及び、有機フィラーが挙げられるが、取り扱い性の向上、熱電導性の向上、溶融粘度の調整、チキソトロピック性付与等の特性の観点から、無機フィラーが好ましい。前記無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウィスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が挙げられる。これらは、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。熱電導性の向上の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカが好ましい。また、上記各特性のバランスがよいという観点からは、結晶質シリカ、又は、非晶質シリカが好ましい。また、導電性の付与、熱電導性の向上等の目的で、無機フィラーとして、導電性物質導電フィラーを用いることとしてもよい。導電フィラーとしては、銀、アルミニウム、金、胴、ニッケル、導電性合金等を球状、針状、フレーク状とした金属粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。前記フィラーの平均粒径は、0.005~10μmとすることができる。前記フィラーの平均粒径を0.005μm以上とすることにより、被着体への濡れ性、及び、接着性を良好とすることができる。また、10μm以下とすることにより、上記各特性の付与のために加えたフィラーの効果を十分なものとすることができるとともに、耐熱性を確保することができる。なお、フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計HORIBA製、装置名;LA-910により求めた値である。なお、接着剤層30、32には、前記フィラー以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β-3、4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は2種以上を併用して用いることができる。ダイボンドフィルム40、41の厚さ電磁波シールド層、及び、接着剤層を含む総厚は、特に限定されないが、例えば、1~10000μmの範囲から選択することができ、好ましくは2~900μm、より好ましくは3~800μmである。接着剤層30、32の厚さは特に限定されないが、ダイボンドフィルム40、41の厚さが上記範囲内となるように選択することができ、例えば、1~200μm、好ましくは2~150μm、より好ましくは3~100μmである。本実施形態に係るダイボンドフィルムは、ダイシングフィルム上に積層させることによりダイシングダイボンドフィルムとして使用することができる。前記ダイシングフィルムとしては特に限定されず、例えば、基材上に粘着剤層が積層されたものを採用することができる。以下、上述した実施形態に係るダイボンドフィルムを、ダイシングフィルム上に積層させたダイシングダイボンドフィルムについて説明する。ダイシングダイボンドフィルム図3は、図2に示したダイボンドフィルムが積層されたダイシングダイボンドフィルムの一例を示す断面模式図である。図4は、図2に示したダイボンドフィルムが積層された他のダイシングダイボンドフィルムの一例を示す断面模式図である。図3に示すように、ダイシングダイボンドフィルム10は、ダイシングフィルム11上にダイボンドフィルム41が積層された構成を有する。ダイシングフィルム11は基材1上に粘着剤層2を積層して構成されており、ダイボンドフィルム41はその粘着剤層2上に設けられている。また本発明は、図4に示すダイシングダイボンドフィルム12のように、ワーク貼り付け部分にのみダイボンドフィルム41’を形成した構成であってもよい。前記基材1は紫外線透過性を有するものを使用することができ、ダイシングダイボンドフィルム10、12の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン-酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン-メタアクリル酸共重合体、エチレン-メタアクリル酸エステルランダム、交互共重合体、エチレン-ブテン共重合体、エチレン-ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド紙、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属箔、紙等が挙げられる。また基材1の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材1を熱収縮させることにより粘着剤層2とダイボンドフィルム41、41’との接着面積を低下させて、半導体チップ半導体素子の回収の容易化を図ることができる。基材1の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤例えば、後述する粘着物質によるコーティング処理を施すことができる。前記基材1は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。基材1の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には5~200μm程度である。粘着剤層2の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤を用いることができる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウエハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、メタアクリル酸アルキルエステル例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、s-ブチルエステル、t-ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、2-エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数1~30、特に炭素数4~18の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等及びメタアクリル酸シクロアルキルエステル例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等の1種又は2種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、メタアクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び/又はメタクリル酸エステルをいい、本発明のメタとは全て同様の意味である。前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記メタアクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルメタアクリレート、カルボキシペンチルメタアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー;無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー;メタアクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸2-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸4-ヒドロキシブチル、メタアクリル酸6-ヒドロキシヘキシル、メタアクリル酸8-ヒドロキシオクチル、メタアクリル酸10-ヒドロキシデシル、メタアクリル酸12-ヒドロキシラウリル、4-ヒドロキシメチルシクロヘキシルメチルメタアクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー;スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2-メタアクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、メタアクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピルメタアクリレート、メタアクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー;2-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー;アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、1種又は2種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の40重量以下が好ましい。更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジメタアクリレート、ポリエチレングリコールジメタアクリレート、ポリプロピレングリコールジメタアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタアクリレート、ペンタエリスリトールジメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタアクリレート、エポキシメタアクリレート、ポリエステルメタアクリレート、ウレタンメタアクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも1種又は2種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の30重量以下が好ましい。前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は2種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは30万以上、更に好ましくは40万~300万程度である。また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー100重量部に対して、5重量部程度以下、更には0.1~5重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。粘着剤層2は放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、図4に示す粘着剤層2のワーク貼り付け部分に対応する部分2aのみを放射線照射することにより他の部分2bとの粘着力の差を設けることができる。また、図4に示すダイボンドフィルム41’に合わせて放射線硬化型の粘着剤層2を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分2aを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した前記部分2aにダイボンドフィルム41’が貼付けられる為、粘着剤層2の前記部分2aとダイボンドフィルム41’との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、放射線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、前記部分2bを形成する。前述の通り、図3に示すダイシングダイボンドフィルム10の粘着剤層2に於いて、未硬化の放射線硬化型粘着剤により形成されている前記部分2bはダイボンドフィルム41と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に放射線硬化型粘着剤は、チップ状ワーク半導体チップ等を基板等の被着体に固着する為のダイボンドフィルム41を、接着剥離のバランスよく支持することができる。図4に示すダイシングダイボンドフィルム11の粘着剤層2に於いては、前記部分2bがウエハリングを固定することができる。放射線硬化型粘着剤は、炭素-炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタンメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタアクリレート、テトラメチロールメタンテトラメタアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタアクリレート、ペンタエリストールテトラメタアクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタメタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタアクリレート、1,4-ブタンジオールジメタアクリレート等が挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が100~30000程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー100重量部に対して、例えば5~500重量部、好ましくは40~150重量部程度である。また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素-炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。前記炭素-炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素-炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。前記アクリル系ポリマーへの炭素-炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素-炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素-炭素二重結合を有する化合物を、炭素-炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素-炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素-炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、m-イソプロペニル-α,α-ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや2-ヒドロキシエチルビニルエーテル、4-ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素-炭素二重結合を有するベースポリマー特にアクリル系ポリマーを単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー100重量部に対して30重量部の範囲内であり、好ましくは0~10重量部の範囲である。前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、4-2-ヒドロキシエトキシフェニル2-ヒドロキシ-2-プロピルケトン、α-ヒドロキシ-α,α’-ジメチルアセトフェノン、2-メチル-2-ヒドロキシプロピオフェノン、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα-ケトール系化合物;メトキシアセトフェノン、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフエノン、2,2-ジエトキシアセトフェノン、2-メチル-1-[4-メチルチオ-フェニル]-2-モルホリノプロパン-1等のアセトフェノン系化合物;ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物;ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物;2-ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物;1-フェノン-1,1―プロパンジオン-2-o-エトキシカルボニルオキシム等の光活性オキシム系化合物;ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、3,3’-ジメチル-4-メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物;チオキサンソン、2-クロロチオキサンソン、2-メチルチオキサンソン、2,4-ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、2,4-ジクロロチオキサンソン、2,4-ジエチルチオキサンソン、2,4-ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物;カンファーキノン;ハロゲン化ケトン;アシルホスフィノキシド;アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー100重量部に対して、例えば0.05~20重量部程度である。また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭60-196956号公報に開示されている、不飽和結合を2個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。前記放射線硬化型の粘着剤層2中には、必要に応じて、放射線照射により着色する化合物を含有させることもできる。放射線照射により、着色する化合物を粘着剤層2に含ませることによって、放射線照射された部分のみを着色することができる。即ち、図3に示すワーク貼り付け部分3aに対応する部分2aを着色することができる。従って、粘着剤層2に放射線が照射されたか否かが目視により直ちに判明することができ、ワーク貼り付け部分3aを認識し易く、ワークの貼り合せが容易である。また光センサー等によって半導体素子を検出する際に、その検出精度が高まり、半導体素子のピックアップ時に誤動作が生ずることがない。放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物である。かかる化合物の好ましい具体例としてはロイコ染料が挙げられる。ロイコ染料としては、慣用のトリフェニルメタン系、フルオラン系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピロピラン系のものが好ましく用いられる。具体的には3-[N-p-トリルアミノ]-7-アニリノフルオラン、3-[N-p-トリル-N-メチルアミノ]-7-アニリノフルオラン、3-[N-p-トリル-N-エチルアミノ]-7-アニリノフルオラン、3-ジエチルアミノ-6-メチル-7-アニリノフルオラン、クリスタルバイオレットラクトン、4,4’,4-トリスジメチルアミノトリフエニルメタノール、4,4’,4-トリスジメチルアミノトリフェニルメタン等が挙げられる。これらロイコ染料とともに好ましく用いられる顕色剤としては、従来から用いられているフェノールホルマリン樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導体、活性白土等の電子受容体があげられ、更に、色調を変化させる場合は種々公知の発色剤を組合せて用いることもできる。この様な放射線照射によって着色する化合物は、一旦有機溶媒等に溶解された後に放射線硬化型接着剤中に含ませてもよく、また微粉末状にして当該粘着剤中に含ませてもよい。この化合物の使用割合は、粘着剤層2中に10重量以下、好ましくは0.01~10重量、更に好ましくは0.5~5重量であるのが望ましい。該化合物の割合が10重量を超えると、粘着剤層2に照射される放射線がこの化合物に吸収されすぎてしまう為、粘着剤層2の前記部分2aの硬化が不十分となり、十分に粘着力が低下しないことがある。一方、充分に着色させるには、該化合物の割合を0.01重量以上とするのが好ましい。粘着剤層2を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、粘着剤層2に於ける前記部分2aの粘着力<その他の部分2bの粘着力、となるように粘着剤層2の一部を放射線照射してもよい。前記粘着剤層2に前記部分2aを形成する方法としては、支持基材1に放射線硬化型の粘着剤層2を形成した後、前記部分2aに部分的に放射線を照射し硬化させる方法が挙げられる。部分的な放射線照射は、ワーク貼り付け部分3a以外の部分3b等に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に紫外線を照射し硬化させる方法等が挙げられる。放射線硬化型の粘着剤層2の形成は、セパレータ上に設けたものを支持基材1上に転写することにより行うことができる。部分的な放射線硬化はセパレータ上に設けた放射線硬化型の粘着剤層2に行うこともできる。また、粘着剤層2を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、支持基材1の少なくとも片面の、ワーク貼り付け部分3aに対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに放射線硬化型の粘着剤層2を形成した後に放射線照射して、ワーク貼り付け部分3aに対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた前記部分2aを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作成することができる。かかる製造方法によれば、効率よくダイシングダイボンドフィルム10を製造可能である。尚、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型の粘着剤層2の表面よりなんらかの方法で酸素空気を遮断するのが望ましい。例えば、前記粘着剤層2の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法等が挙げられる。粘着剤層2の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性等の点よりは、1~50μm程度であるのが好ましい。好ましくは2~30μm、更には5~25μmが好ましい。ダイシングダイボンドフィルム10、12のダイボンドフィルム41、41’は、セパレータにより保護されていることが好ましい図示せず。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルム41、41’を保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、粘着剤層2にダイボンドフィルム41、41’を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルム41、41’上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。ダイボンドフィルムの製造方法ダイボンドフィルム40、41の製造方法について、説明する。先ず、接着剤層30の形成材料である接着剤組成物溶液を作製する。当該接着剤組成物溶液には、前記接着剤組成物の他、必要に応じて、フィラーや各種の添加剤等が配合されていてもよい。次に、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ、接着剤層30を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度70~160°C、乾燥時間1~5分間の範囲内で行われる。次に、電磁波シールド層31を接着剤層30上に形成する。電磁波シールド層31は、前記の材料を用いて、スパッタ法や、CVD法、真空蒸着法等の蒸着法や、めっき法、浸漬法、塗工法等により形成することができる。また、電磁波シールド層31は、例えば、前記の材料を予めフィルム状にしたもの例えば、金属箔を接着剤層30に圧着することによっても、形成することができる。以上により、ダイボンドフィルム40を得ることができる。また、電磁波シールド層31上に、さらに接着剤層32を形成することにより、ダイボンドフィルム41を得ることができる。接着剤層32は、接着剤層32を形成する為の形成材料接着剤組成物を剥離紙上に所定厚みとなる様に塗布し、更に所定条件下で塗布層を形成する。この塗布層を電磁波シールド層31上に転写することにより、ダイボンドフィルム41を形成する。また、電磁波シールド層31上に形成材料を直接塗布した後、所定条件下で乾燥することによっても接着剤層32を形成することができる。ダイシングダイボンドフィルムの製造方法次に、ダイシングダイボンドフィルムの製造方法について、ダイシングダイボンドフィルム10を例にして説明する。先ず、基材1は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Tダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。次に、基材1上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ必要に応じて加熱架橋させて、粘着剤層2を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度80~150°C、乾燥時間0.5~5分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層2を形成してもよい。その後、基材1上に粘着剤層2をセパレータと共に貼り合わせる。これにより、ダイシングフィルム11が作製される。次に、予め製造したダイボンドフィルム41の接着剤層32と粘着剤層2とが貼り合わせ面となる様にして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば30~50°Cが好ましく、35~45°Cがより好ましい。また、線圧は特に限定されず、例えば0.1~20kgf/cmが好ましく、1~10kgf/cmがより好ましい。次に、接着剤層上の基材セパレータを剥離し、本実施の形態に係るダイシングダイボンドフィルム10が得られる。また、粘着剤層2上に接着剤層30、電磁波シールド層31、接着剤層32を順次に直接形成することによっても、ダイシングダイボンドフィルム10を得ることができる。この場合、接着剤層30、電磁波シールド層31、接着剤層32の形成方法は、前記のダイボンドフィルムの製造方法と同様とすればよい。半導体装置の製造方法本発明のダイシングダイボンドフィルム10、12は、ダイボンドフィルム41、41’上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、次の様に使用される。以下では、図5を参照しながらダイシングダイボンドフィルム10を用いた場合を例にして説明する。図5は、図3に示したダイシングダイボンドフィルムに於けるダイボンドフィルムを介して半導体チップを実装した例を示す断面模式図である。先ず、ダイシングダイボンドフィルム10に於けるダイボンドフィルム41の半導体ウエハ貼り付け部分3a上に半導体ウエハ4を圧着し、これを接着保持させて固定する貼り付け工程。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。マウントの際の貼り付け温度は特に限定されず、例えば20~80°Cの範囲内であることが好ましい。次に、半導体ウエハ4のダイシングを行う。これにより、半導体ウエハ4を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ5を製造する。ダイシングは、例えば半導体ウエハ4の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイシングダイボンドフィルム10まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウエハは、ダイシングダイボンドフィルム10により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウエハ4の破損も抑制できる。このとき、ダイボンドフィルム41を構成する電磁波シールド層31が蒸着法により形成された蒸着膜である場合には、ブレードダイシングの際に切削屑が出難く、半導体チップの汚染を防止することができる。また、ブレードの損傷を抑えることができる。次に、ダイシングダイボンドフィルム10に接着固定された半導体チップを剥離する為に、半導体チップ5のピックアップを行う。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ5をダイシングダイボンドフィルム10側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ5をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。ここでピックアップは、粘着剤層2が紫外線硬化型である場合、該粘着剤層2に紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層2のダイボンドフィルム41に対する粘着力が低下し、半導体チップ5の剥離が容易になる。その結果、半導体チップ5を損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、前述のものを使用することができる。ピックアップした半導体チップ5は、ダイボンドフィルム41を介して被着体6に接着固定するダイボンド。被着体6としては、リードフレーム、TABフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体6は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体半導体ウエハ等であってもよい。前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Cuリードフレーム、42Alloyリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、BTビスマレイミド-トリアジン、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。接着剤層30、32は熱硬化型であるので、加熱硬化により、半導体チップ5を被着体6に接着固定し、耐熱強度を向上させる。加熱温度は、80~200°C、好ましくは100~175°C、より好ましくは100~140°Cで行うことができる。また、加熱時間は、0.1~24時間、好ましくは0.1~3時間、より好ましくは0.2~1時間で行うことができる。尚、接着剤層30、32を介して半導体チップ5が基板等に接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。接着剤層30、32の熱硬化後における、半導体チップに対するせん断接着力は、175°Cの条件下において0.2MPa以上5MPa以下であることが好ましい。接着剤層30、32のせん断接着力が0.2MPa以上であると、ワイヤーボンディング工程の際に、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、接着剤層30、32と半導体チップ5又は被着体6との接着面でずり変形を生じることが少ない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことが少なく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。尚、本発明に係る半導体装置の製造方法は、接着剤層30、32の加熱処理による熱硬化工程を経ることなくワイヤーボンディングを行い、更に半導体チップ5を封止樹脂で封止して、当該封止樹脂をアフターキュアしてもよい。この場合、接着剤層30、32の仮固着時のせん断接着力は、被着体6に対して0.2MPa以上であることが好ましく、より好ましくは0.2~10MPaである。接着剤層30、32の仮固着時に於けるせん断接着力が少なくとも0.2MPa以上であると、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディング工程を行っても、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、接着剤層30、32と半導体チップ5又は被着体6との接着面でずり変形を生じることが少ない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことが少なく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。前記のワイヤーボンディングは、被着体6の端子部インナーリードの先端と半導体チップ5上の電極パッド図示しないとをボンディングワイヤー7で電気的に接続する工程である図5参照。前記ボンディングワイヤー7としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、80~250°C、好ましくは80~220°Cの範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒~数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。本工程は、接着剤層30、32の熱硬化を行うことなく実行してもよい。前記封止工程は、封止樹脂8により半導体チップ5を封止する工程である図5参照。本工程は、被着体6に搭載された半導体チップ5やボンディングワイヤー7を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂8としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常175°Cで60~90秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば165~185°Cで、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、ダイボンドフィルム41を介して半導体チップ5と被着体6とを固着させる。即ち、本発明に於いては、後述する後硬化工程が行われない場合に於いても、本工程に於いてダイボンドフィルム41による固着が可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。前記後硬化工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂8を完全に硬化させる。封止工程に於いて接着剤層30、32が完全に熱硬化していない場合でも、本工程に於いて封止樹脂8と共に接着剤層30、32の完全な熱硬化が可能となる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば165~185°Cの範囲内であり、加熱時間は0.5~8時間程度である。以上により、ダイボンドフィルム41半導体装置用接着フィルムが、被着体6と半導体チップ5との間に設けられた半導体装置が得られる。また、ダイボンドフィルム41は、図6に示すように、複数の半導体チップを積層して3次元実装をする場合にも好適に用いることができる。図6は、図3に示したダイシングダイボンドフィルムに於けるダイボンドフィルムを介して半導体チップを3次元実装した例を示す断面模式図である。図6に示す3次元実装の場合、先ず半導体チップと同サイズとなる様に切り出した1のダイボンドフィルム41を被着体6上にダイボンドした後、ダイボンドフィルム41を介して半導体チップ5を、そのワイヤーボンド面が上側となる様にしてダイボンドする。次に、他のダイボンドフィルム41を半導体チップ5の電極パッド部分を避けて貼り着ける。更に、他の半導体チップ15を他のダイボンドフィルム41上に、そのワイヤーボンド面が上側となる様にしてダイボンドする。次に、ダイボンドフィルム41の熱硬化を行い、その後、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チップ5及び他の半導体チップ15に於けるそれぞれの電極パッドと、被着体6とをボンディングワイヤー7で電気的に接続する。続いて、封止樹脂8により半導体チップ5等を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させる。尚、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。以上により、ダイボンドフィルム41半導体装置用接着フィルムが、半導体チップ5と他の半導体チップ15との間に設けられた半導体装置が得られる。半導体チップの3次元実装の場合、半導体チップ5、15と、被着体6とを接続するボンディングワイヤー7の数が多くなるため、ワイヤーボンディング工程に費やされる時間が長時間化する傾向にあり、高温に長時間晒されることになる。しかしながら、ダイボンドフィルム41によれば、高温に長時間晒された場合であっても、熱硬化反応の進行を抑えることが可能となる。ダイシングフィルム41と半導体ウエハ3半導体チップ5との180度ピール強度は、0.5N/10mm以上であることが好ましく、より好ましくは、1.0N/10mm以上であり、さらに好ましくは、1.5N/10mm以上である。前記180度ピール強度を0.5N/10mm以上とすることにより、層間剥離が起こりに難くなり、歩留りの向上を図ることができる。前記180度ピール強度は、JISZ0237に従い、以下のようにして測定することができる。まず、接着剤層を粘着テープ日東電工株製、BT315で裏打ちし、10×100mmに切り出す。次に、切り出した接着剤層を半導体ウエハに貼り付ける。貼付けは、50°Cのホットプレート上で、2kgのローラーを一往復させることにより行う。その後、常温25°C環境下で20分放置し、試験片を得る。次いで、接着剤層と半導体ウエハとの180度剥離力を、引張試験機島津製作所製、AGS-Jを用いて測定する。上述した実施形態では、本発明の半導体装置用接着フィルムが、ダイボンドフィルム40、41である場合について説明したが、本発明の半導体装置用接着フィルムは、フリップチップ型半導体裏面用フィルムであってもよい。以下、本発明の半導体装置用フィルムがフリップチップ型半導体裏面用フィルムである場合について説明する。図7は、フリップチップ型半導体裏面用フィルムを用いたフリップチップ型半導体装置の一例を示す断面模式図である。図7に示すように、フリップチップ型半導体装置50において、フリップチップ型半導体裏面用フィルム44は、半導体チップ5の裏面に形成されている。半導体チップの裏面とは、回路が形成された面とは反対側の面を意味する。フリップチップ型半導体裏面用フィルム44の組成や製造方法は、例えば、ダイボンドフィルム40と同様とすることができる。半導体チップ5は、図7に示されるように、被着体6に、フリップチップボンディング方式フリップチップ実装方式により固定されている。具体的には、半導体チップ5が、半導体チップ5の回路面表面、回路パターン形成面、電極形成面などとも称されるが被着体6と対向する形態で、被着体6に常法に従い固定されている。例えば、半導体チップ5の回路面側に形成されているバンプ51を、被着体6の接続パッドに被着された接合用の導電材半田など61に接触させて押圧しながら導電材を溶融させることにより、半導体チップ5が被着体6に固定されている。フリップチップ型半導体裏面用フィルム44の半導体チップ5の裏面への貼り付けは、半導体チップ5を被着体6上にフリップチップ接続した後であってもよく、半導体ウエハ4のダイシング後、半導体チップ5を被着体6上にフリップチップ接続する前であってもよい。フリップチップ型半導体装置50は、フリップチップ型半導体裏面用フィルム44半導体装置用接着フィルムが、半導体チップ5上に設けられている半導体装置である。フリップチップ型半導体裏面用フィルム44と半導体チップ5との180度ピール強度は、0.5N/10mm以上であることが好ましく、より好ましくは、1.0N/10mm以上であり、さらに好ましくは、1.5N/10mm以上である。前記180度ピール強度を0.5N/10mm以上とすることにより、層間剥離が起こりに難くなり、歩留りの向上を図ることができる。前記180度ピール強度は、JISZ0237に従い、以下のようにして測定することができる。まず、接着剤層を粘着テープ日東電工株製、BT315で裏打ちし、10×100mmに切り出す。次に、切り出した接着剤層を半導体ウエハに貼り付ける。貼付けは、50°Cのホットプレート上で、2kgのローラーを一往復させることにより行う。その後、常温25°C環境下で20分放置し、試験片を得る。次いで、接着剤層と半導体ウエハとの180度剥離力を、引張試験機島津製作所製、AGS-Jを用いて測定する。上述した実施形態では、電磁波シールド層31が1層である場合について説明した。しかしながら、本発明において、電磁波シールド層は、1層に限定されず2層以上であってもよい。電磁波シールド層が2層以上である場合、その層構成としては特に限定されない。例えば、複数の電磁波シールド層が他の層を介在させることなく積層されていてもよく、複数の電磁波シールド層が他の層例えば、接着剤層を介して積層されていてもよい。電磁波シールド層が2層以上であると、電磁波を、まず、1の電磁波シールド層により減衰させることができ、さらに、他の電磁波シールド層により減衰させることができる。以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の要旨をそれらのみに限定する趣旨のものではない。なお、以下において、部とあるのは重量部を意味する。実施例1<接着剤層Aの作製>下記a~fをメチルエチルケトンに溶解させ、濃度23.6重量の接着剤組成物溶液を得た。aアクリル酸エチル-メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー根上工業株製、パラクロンW-197CM100部bエポキシ樹脂1JER株製、エピコート1004242部cエポキシ樹脂2JER株製、エピコート827220部dフェノール樹脂三井化学株製、ミレックスXLC-4L489部e球状シリカアドマテックス株製、SO-25R660部f熱硬化触媒四国化成株製、C11-Z3部この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム剥離ライナー上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させた。これにより、厚さ60μmの接着剤層Aを作製した。<接着剤層Bの作製>下記a~dをメチルエチルケトンに溶解させ、濃度23.6重量の接着剤組成物溶液を得た。aアクリル酸エステル系ポリマーナガセケムテック社製、SG-80H100部bエポキシ樹脂DIC株製、HP-7200H10部cフェノール樹脂三井化学株製、ミレックスXLC-4L10部d球状シリカアドマテックス株製、SO-25R63部この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが50μmのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム剥離ライナー上に塗布した後、130°Cで2分間乾燥させた。これにより、厚さ10μmの接着剤層Bを作製した。<半導体装置用接着フィルムの作製>接着剤層Aと接着剤層Bとの間に、厚さが20μmのアルミ箔東洋アルミ株社製を、80°C、貼り付け圧力0.3MPa、貼り付け速度10mm/秒の条件にて貼り合わせ、厚さ90μmの半導体装置用接着フィルムを作製した。なお、アルミ箔は、電磁波シールド層として機能を有する。実施例2<半導体装置用接着フィルムの作製>接着剤層Aと接着剤層Bとの間に、厚さが38μmのSUS304ステンレス鋼箔を、80°C、貼り付け圧力0.3MPa、貼り付け速度10mm/秒の条件にて貼り合わせ、厚さ108μmの半導体装置用接着フィルムを作製した。なお、SUS304箔は、電磁波シールド層として機能を有する。実施例3<半導体装置用接着フィルムの作製>スパッタ装置ULVAC社製、SH550を用い、接着剤層A上に、厚さ500nmのアルミニウム層をスパッタ法により形成した。スパッタ条件は、以下のようにした。スパッタ条件ターゲット:アルミニウム放電出力:DC600W系内圧力:056PaAr流量:40sccm基板温度:非加熱成膜速度:20nmmin次に、アルミニウム層上に、接着剤層Bを、80°C、貼り付け圧力0.3MPa、貼り付け速度10mm/秒の条件にて貼り合わせ、厚さ70.5μmの半導体装置用接着フィルムを作製した。なお、アルミニウム層は、電磁波シールド層として機能を有する。実施例4<半導体装置用接着フィルムの作製>接着剤層Aと接着剤層Bとの間に、厚さが20μmのニッケル箔を、80°C、貼り付け圧力0.3MPa、貼り付け速度10mm/秒の条件にて貼り合わせ、厚さ90μmの半導体装置用接着フィルムを作製した。なお、ニッケル箔は、電磁波シールド層として機能を有する。実施例5<半導体装置用接着フィルムの作製>接着剤層Aと接着剤層Bとの間に、厚さが12μmの銅箔を、80°C、貼り付け圧力0.3MPa、貼り付け速度10mm/秒の条件にて貼り合わせ、厚さ82μmの半導体装置用接着フィルムを作製した。なお、銅箔は、電磁波シールド層として機能を有する。実施例6<半導体装置用接着フィルムの作製>厚さ50μmのPETポリエチレンテレフタレートフィルムを両側に有する、厚さ18μmのfinemet層が形成されたフィルム日立金属株社製、FPFT5M以下、finemetフィルムともいうを準備した。なお、finemet層は、Feを主成分にして、これにSiシリコンとBボロンおよび微量のCu銅とNbニオブを添加した組成の高温融液を約100万°C秒で急冷固化したアモルファス非晶質薄帯である。次に、接着剤層Aと接着剤層Bとの間に、前記finemetフィルムを、80°C、貼り付け圧力0.3MPa、貼り付け速度10mm/秒の条件にて貼り合わせ、厚さ188μmの半導体装置用接着フィルムを作製した。この際、接着剤層AとPETフィルムとが対向し、接着剤層Bとfinemet層とが対向するように貼り合わせた。なお、finemet層は、電磁波シールド層として機能を有する。比較例1アルミ箔を用いなかったこと以外は、実施例1と同様にして接着剤層Aと接着剤層Bとを貼り合わせて、本比較例に係る半導体装置用接着フィルムを作製した。比較例2<半導体装置用接着フィルムの作製>厚さ38μmのPETフィルム上に、厚さ3μmのフェライト層が形成されたフィルムを準備した。比較例2に係るフェライト層は、フェライトめっき法で作成したNiZnフェライトからなる層である。次に、接着剤層Aと接着剤層Bとの間に、前記フェライトフィルムを、80°C、貼り付け圧力0.3MPa、貼り付け速度10mm/秒の条件にて貼り合わせ、厚さ111μmの半導体装置用接着フィルムを作製した。この際、接着剤層AとPETフィルムとが対向し、接着剤層Bとフェライト層とが対向するように貼り合わせた。<電磁波減衰量dBの測定>実施例及び比較例に係る半導体装置用接着フィルムの電磁波減衰量dBを磁界プローブ法にて行った。具体的には、まず、スペクトラムアナライザーAdvantest製、R3172を用いて、周波数13MHz~3GHzのデジタル信号を特性インピーダンス50ΩのMSL線路に入力し、線路上1mmに発生する磁界強度dBを磁界プローブNECエンジニアリング製、CP2Sを用いて測定した。次に、実施例及び比較例に係る半導体装置用接着フィルムをMSL線路上に置き、磁界強度dBを測定した。そして、MSL線路上に何も無い状態の測定値と、半導体装置用接着フィルムをMSL線路上に置いた状態の測定値とを比較し、その差を13MHz~3GHzの範囲における電磁波減衰量dBとした。測定結果を表1に示す。また、表1に示した測定結果をグラフ化したものを図8~図15に示す。図8~図13は、それぞれ実施例1~実施例6の測定結果を示すグラフであり、図14、図15は、それぞれ比較例1、比較例2の測定結果を示すグラフである。"