ベース基板と、該ベース基板の少なくとも一面に実装した複数の電子部品と、前記ベース基板の一面に実装した複数の前記電子部品を封止する封止樹脂と、該封止樹脂の天面及び側面を導電材料で被覆するシールド層とを備え、前記封止樹脂の側面を被覆する前記シールド層は、前記封止樹脂の天面を被覆する前記シールド層以上の厚みで形成してあり、前記封止樹脂の側面のうち少なくとも一面を被覆する前記シールド層は、前記封止樹脂の天面を被覆する前記シールド層より厚く形成してあることを特徴とするモジュール基板。前記封止樹脂の側面を被覆する前記シールド層は、全ての側面において、前記封止樹脂の天面を被覆する前記シールド層よりも厚くなるように形成してあることを特徴とする請求項1記載のモジュール基板。前記封止樹脂を被覆する前記シールド層は、前記封止樹脂を平面視した場合の周縁部が他の部分より高くなるよう形成してあることを特徴とする請求項1又は2記載のモジュール基板。前記封止樹脂の天面と側面との境界部分が面取りされていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のモジュール基板。前記ベース基板の一面に実装した複数の前記電子部品のうち、素子の集積率の高い前記電子部品の近傍にある前記封止樹脂の側面を被覆する前記シールド層は、他の前記封止樹脂の側面を被覆する前記シールド層に比べて厚くなるように形成してあることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のモジュール基板。前記ベース基板の一面に実装した複数の前記電子部品には、コイル及びフィルタのうち少なくとも一つが含まれていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載のモジュール基板。特許文献1に開示してある回路モジュールでは、接地用電極に接続されたシールド層の側面を除いて、絶縁層の天面を被覆するシールド層の厚みが、絶縁層の側面を被覆するシールド層の厚みに比べて厚い。そのため、回路モジュールを低背化するために電子部品を被覆する絶縁層を薄くすると、基板の一面に実装する電子部品とシールド層との距離が短くなり、実装する電子部品の種類によっては、電子部品とシールド層との間で容量を形成したり、シールド層が電子部品のアンテナとして機能したりして正常に動作しないおそれがあるという問題があった。また、絶縁層を被覆するシールド層の厚みを一律に薄くすると、絶縁層の側面を被覆するシールド層の厚みも薄くなり、絶縁層の側面において、実装した電子部品に対するシールド層のシールド性が確保できず、複数の回路モジュールを隣接して他の基板に実装した場合、隣接する回路モジュールからの電磁波の影響を有効に防ぐことができないという問題があった。本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、実装した電子部品に対するシールド層のシールド性を確保しつつ、低背化しても実装した電子部品が正常に動作することが可能なモジュール基板を提供することを目的とする。上記目的を達成するために第1発明に係るモジュール基板は、ベース基板と、該ベース基板の少なくとも一面に実装した複数の電子部品と、前記ベース基板の一面に実装した複数の前記電子部品を封止する封止樹脂と、該封止樹脂の天面及び側面を導電材料で被覆するシールド層とを備え、前記封止樹脂の側面を被覆する前記シールド層は、前記封止樹脂の天面を被覆する前記シールド層以上の厚みで形成してあり、前記封止樹脂の側面のうち少なくとも一面を被覆する前記シールド層は、前記封止樹脂の天面を被覆する前記シールド層より厚く形成してあることを特徴とする。第1発明では、封止樹脂の側面を被覆するシールド層は、封止樹脂の天面を被覆するシールド層以上の厚みで形成してあり、封止樹脂の側面のうち少なくとも一面を被覆する前記シールド層は、前記封止樹脂の天面を被覆する前記シールド層より厚く形成してあるので、封止樹脂の側面において、実装した電子部品に対するシールド層のシールド性を確保でき、複数のモジュール基板を隣接して他の基板に実装した場合でも、隣接するモジュール基板からの電磁波の影響を有効に防ぐことができる。さらに、モジュール基板を低背化するために、電子部品を封止する封止樹脂を薄くしても、封止樹脂の天面を被覆するシールド層の厚みを薄くすることで、実装した電子部品が正常に動作することが可能なモジュール基板を提供することができる。また、第2発明に係るモジュール基板は、第1発明において、前記封止樹脂の側面を被覆する前記シールド層は、全ての側面において、前記封止樹脂の天面を被覆する前記シールド層よりも厚くなるように形成してあることを特徴とする。第2発明では、封止樹脂の側面を被覆するシールド層は、全ての側面において、封止樹脂の天面を被覆するシールド層よりも厚くなるように形成してあるので、封止樹脂の側面において、実装した電子部品に対するシールド層のシールド性を確保でき、複数のモジュール基板を隣接して他の基板に実装した場合でも、隣接するモジュール基板からの電磁波の影響を有効に防ぐことができる。さらに、モジュール基板を低背化するために、電子部品を封止する封止樹脂を薄くしても、封止樹脂の天面を被覆するシールド層の厚みを薄くすることで、実装した電子部品が正常に動作することが可能なモジュール基板を提供することができる。また、第3発明に係るモジュール基板は、第1又は第2発明において、前記封止樹脂を被覆する前記シールド層は、前記封止樹脂を平面視した場合の周縁部が他の部分より高くなるよう形成してあることを特徴とする。第3発明では、封止樹脂を被覆するシールド層は、封止樹脂を平面視した場合の周縁部が他の部分より高くなるよう形成してあるので、封止樹脂の天面を被覆するシールド層の厚みを薄くした場合であっても、封止樹脂の天面と側面との境界部分が露出するおそれが少なく、シールド層の天面と側面との間の抵抗値を低く抑えることができ、シールド特性の向上を図ることが可能となる。また、第4発明に係るモジュール基板は、第1乃至第3発明のいずれか1つにおいて、前記封止樹脂の天面と側面との境界部分が面取りされていることを特徴とする。第4発明では、封止樹脂の天面と側面との境界部分が面取りされているので、封止樹脂の天面を被覆するシールド層の厚みを薄くした場合であっても、より封止樹脂の天面と側面との境界部分が露出するおそれが少なく、シールド層の天面と側面との間の抵抗値を低く抑えることができるので、シールド特性の向上を図ることが可能となる。また、第5発明に係るモジュール基板は、第1乃至第4発明のいずれか1つにおいて、前記ベース基板の一面に実装した複数の前記電子部品のうち、素子の集積率の高い前記電子部品の近傍にある前記封止樹脂の側面を被覆する前記シールド層は、他の前記封止樹脂の側面を被覆する前記シールド層に比べて厚くなるように形成してあることを特徴とする。第5発明では、ベース基板の一面に実装した複数の電子部品のうち、素子の集積率の高い電子部品の近傍にある封止樹脂の側面を被覆するシールド層は、他の封止樹脂の側面を被覆するシールド層に比べて厚くなるように形成してあるので、外部からの電磁波による影響を受けやすい素子の集積率の高い電子部品に対して、電磁波の影響を有効に防ぐことができる。また、第6発明に係るモジュール基板は、第1乃至第5発明のいずれか1つにおいて、前記ベース基板の一面に実装した複数の前記電子部品には、コイル及びフィルタのうち少なくとも一つが含まれていることを特徴とする。第6発明では、ベース基板の一面に実装した複数の電子部品には、コイル及びフィルタのうち少なくとも一つが含まれているが、封止樹脂の天面を被覆するシールド層の厚みを薄くすることで、電子部品とシールド層との間で容量を形成したり、シールド層が電子部品のアンテナとして機能したりすることを防ぐことができる。上記構成によれば、封止樹脂の側面を被覆するシールド層は、封止樹脂の天面を被覆するシールド層以上の厚みで形成してあり、封止樹脂の側面のうち少なくとも一面を被覆するシールド層は、封止樹脂の天面を被覆するシールド層より厚く形成してあるので、封止樹脂の側面において、実装した電子部品に対するシールド層のシールド性を確保でき、複数のモジュール基板を隣接して他の基板に実装した場合でも、隣接するモジュール基板からの電磁波の影響を有効に防ぐことができる。さらに、モジュール基板を低背化するために、電子部品を封止する封止樹脂を薄くしても、封止樹脂の天面を被覆するシールド層の厚みを薄くすることで、実装した電子部品が正常に動作することが可能なモジュール基板を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。実施の形態1図1は、本発明の実施の形態1に係るモジュール基板の構成を示す概略図である。図1に示すように、モジュール基板10は、ベース基板1、ベース基板1の一面に実装した複数の電子部品2、3、実装した複数の電子部品2、3を封止する封止樹脂4、封止樹脂4の天面及び側面を導電材料で被覆するシールド層5、複数の電子部品2、3を実装したベース基板1の一面の反対側の面に形成してある端子電極6を備えている。ベース基板1としては、LTCC低温焼成セラミックス:LowTemperatureCo-firedCeramics基板、有機基板等、特に限定されるものではない。ベース基板1の複数の電子部品2、3を実装する面には、表面電極図示せずが形成されている。電子部品2は、ベース基板1の一面に実装することが可能な集積回路ICである。集積回路ICは、外部からの電磁波の影響により特性が変化する電子部品である。また、電子部品3は、ベース基板1の一面に表面実装することが可能な表面実装型電子部品SurfaceMountDeviceである。封止樹脂4は、エポキシ樹脂等からなる絶縁材料であるため、ベース基板1の一面に実装した複数の電子部品2、3の間の絶縁性が向上する。封止樹脂4は、SiO2のフィラを含有している。シールド層5は、例えば、Agフィラ、Cuフィラ、Niフィラ、及びこれらの混合フィラを含有するエポキシ樹脂又はフェノール樹脂からなる導電材料である。端子電極6は、他の基板にモジュール基板10を接続するための電極である。図2は、本発明の実施の形態1に係るモジュール基板10の製造工程を示す概略図である。まず、図2aに示すように、集合基板100の一面において、ハンダが印刷されている表面電極図示せず上に複数の電子部品2、3を実装する。複数の電子部品2、3を実装した集合基板100の一面の反対側の面に、導電ペーストを塗布して、複数の端子電極6を形成する。なお、同じ製造工程で、集合基板100に複数の電子部品2、3を実装し、複数の端子電極6を形成しても良いし、集合基板100に複数の電子部品2、3を実装し、別の製造工程で複数の端子電極6を形成しても良い。次に、図2bに示すように、集合基板100の一面に実装した複数の電子部品2、3を封止する封止樹脂4を形成する。具体的に、封止樹脂4は、複数の電子部品2、3を実装した集合基板100に、液状の樹脂を塗布し、塗布した樹脂を脱泡後に硬化させることで形成することができる。なお、液状の樹脂に代えて、固形の樹脂、顆粒の樹脂又はシート状の樹脂を、複数の電子部品2、3を実装した集合基板100に載置して、加熱しても良い。次に、図2cに示すように、ダイサー等を用いて、封止樹脂4の天面から集合基板100の一部に至る溝9を形成する。溝9を形成した場合であっても、隣接する2つのベース基板1集合基板100の一部が繋がっている。なお、溝9の幅は、例えば300μmである。次に、図2dに示すように、複数の電子部品2、3を封止した封止樹脂4の天面、及び溝9を被覆するように、ディスペンサー、ジェットディスペンサー、真空印刷装置等を用いて導電材料を塗布して硬化させることにより、シールド層5を形成する。図示していないが、集合基板100から露出している接地用電極と、シールド層5とが電気的に接続されることにより、実装した複数の電子部品2、3に対するシールド層5のシールド性を確保することができる。導電材料は、例えば、Agフィラ80重量、エポキシ樹脂10重量、希釈剤5重量、その他5重量を含む組成や、Agフィラ50重量、Niフィラ36重量、エポキシ樹脂8重量、希釈剤4重量、その他2重量を含む組成である。また、メッシュスクリーンを用いて導電材料を塗布する場合、メッシュスクリーンの厚みが例えば20μmであれば、封止樹脂4の天面に厚み20μmのシールド層5を形成することができる。メッシュスクリーンの仕様として、例えば、平織メッシュスクリーン、エマルジョンの厚みが26μm、オープニングの長さが82μm、線径が20μm、メッシュ数が250個とする。複数の電子部品2、3を封止した封止樹脂4の天面、及び溝9を被覆するように、導電材料を塗布する方法は、真空印刷等の印刷に限定されるものではなく、スピンコートやディッピングであっても良い。次に、図2eに示すように、ダイサー等を用いて、溝9に形成したシールド層5を、封止樹脂4の天面側から集合基板100の全部を切断する位置まで切断して、複数のモジュール基板10に個片化する。溝9に形成した幅300μmのシールド層5を幅100μmのダイサー等を用いて切断すると、個片化したモジュール基板10の封止樹脂4の側面に形成されるシールド層5の厚みは100μmとなる。封止樹脂4の天面に形成されるシールド層5の厚みが20μmとすると、封止樹脂4の側面に形成されるシールド層5の厚みは、封止樹脂4の天面に形成されるシールド層5の厚みの約5倍である。なお、封止樹脂4の天面に形成されるシールド層5の厚みは、5μm~50μm、封止樹脂4の側面に形成されるシールド層5の厚みは、50μm~150μmであることが好ましい。また、モジュール基板10が矩形状である場合、封止樹脂4の全ての側面に形成されるシールド層5の厚みが、封止樹脂4の天面に形成されるシールド層5の厚みに比べて厚い場合に限定されるものではなく、封止樹脂4の四つの側面のうち少なくとも一つの側面に形成されるシールド層5の厚みが、封止樹脂4の天面に形成されるシールド層5の厚みに比べて厚ければ良い。なお、封止樹脂4の他の側面に形成されるシールド層5の厚みは、封止樹脂4の天面に形成されるシールド層5の厚みと同じである。以上のように、本発明の実施の形態1に係るモジュール基板10は、封止樹脂4の側面を被覆するシールド層5が、封止樹脂4の天面を被覆するシールド層5以上の厚みで形成してあり、封止樹脂4の側面のうち少なくとも一面を被覆するシールド層5が、封止樹脂4の天面を被覆するシールド層5より厚く形成してあるので、封止樹脂4の側面において、実装した電子部品2、3に対するシールド層5のシールド性を確保でき、複数のモジュール基板10を隣接して他の基板に実装した場合でも、隣接するモジュール基板10からの電磁波の影響を有効に防ぐことができる。さらに、モジュール基板10を低背化するために、電子部品2、3を封止する封止樹脂4を薄くしても、封止樹脂4の天面を被覆するシールド層5の厚みを薄くすることで、実装した電子部品2、3が正常に動作することが可能なモジュール基板10を提供することができる。また、複数の電子部品2、3のうち、表面実装型電子部品である電子部品3に、コイル及びフィルタのうち少なくとも一つが含まれている場合であっても、封止樹脂4の天面を被覆するシールド層5の厚みを薄くすることで、電子部品3とシールド層5との間で容量を形成したり、シールド層5が電子部品3のアンテナとして機能したりすることを防ぐことができる。実施の形態2図3は、本発明の実施の形態2に係るモジュール基板の構成を示す概略図である。図3に示すように、モジュール基板10は、ベース基板1、ベース基板1の一面に実装した複数の電子部品2、3、実装した複数の電子部品2、3を封止する封止樹脂4、封止樹脂4の天面及び側面を導電材料で被覆するシールド層5、複数の電子部品2、3を実装したベース基板1の一面の反対側の面に形成してある端子電極6を備えている。モジュール基板10は、シールド層5の構成が異なる以外、図1に示したモジュール基板10の構成と同じであるため、同じ構成要素については同じ符号を付して詳細な説明は省略する。シールド層5は、図1に示すシールド層5と同様、封止樹脂4の側面を被覆するシールド層5の厚みは、封止樹脂4の天面を被覆するシールド層5以上の厚みであり、封止樹脂4の側面のうち少なくとも一面を被覆するシールド層5の厚みは、封止樹脂4の天面を被覆するシールド層5の厚みに比べて厚い。さらに、電子部品2の近傍にある封止樹脂4の側面を被覆するシールド層51の厚みは、電子部品3の近傍にある封止樹脂4の側面を被覆するシールド層52の厚みに比べて厚い。電子部品2は、素子の集積率の高い集積回路ICであり、外部からの電磁波による影響を受けやすい。そのため、電子部品2の近傍にある封止樹脂4の側面を被覆するシールド層51の厚みを、素子の集積率の低い電子部品3の近傍にある封止樹脂4の側面を被覆するシールド層52の厚みに比べて厚く形成してあるので、電子部品2に対して、電磁波の影響を有効に防ぐことができる。本発明の実施の形態2に係るモジュール基板10の製造方法は、図2に示した本発明の実施の形態1に係るモジュール基板10の製造方法と同じであるため、詳細な説明は省略する。ただし、本発明の実施の形態2に係るモジュール基板10の製造方法では、図2に示すようにダイサー等を用いて、溝9に形成したシールド層5を、封止樹脂4の天面側から集合基板100の全部を切断する位置まで切断するときに、図3に示すように電子部品2の近傍にある封止樹脂4の側面を被覆するシールド層51の厚みが、電子部品3の近傍にある封止樹脂4の側面を被覆するシールド層52の厚みに比べて厚くなるように、ダイサー等の位置を調整する必要がある。以上のように、本発明の実施の形態2に係るモジュール基板10は、素子の集積率の高い電子部品2の近傍にある封止樹脂4の側面を被覆するシールド層51は、他の封止樹脂4の側面を被覆するシールド層52に比べて厚く形成してあるので、外部からの電磁波による影響を受けやすい素子の集積率の高い電子部品2に対して、電磁波の影響を有効に防ぐことができる。実施の形態3本発明の実施の形態3に係るモジュール基板の構成は、実施の形態1及び2と同様であることから、同一の符号を付することで詳細な説明は省略する。実施の形態3では、封止樹脂4を被覆するシールド層5が、封止樹脂4を平面視した場合の周縁部が他の部分より高くなるよう形成してある点で実施の形態1及び2と相違する。図4は、本発明の実施の形態3に係るモジュール基板10の製造工程を示す概略図である。まず、図4aに示すように、集合基板100の一面において、ハンダが印刷されている表面電極図示せず上に複数の電子部品2、3を実装する。複数の電子部品2、3を実装した集合基板100の一面の反対側の面に、導電ペーストを塗布して、複数の端子電極6を形成する。なお、同じ製造工程で、集合基板100に複数の電子部品2、3を実装し、複数の端子電極6を形成しても良いし、集合基板100に複数の電子部品2、3を実装し、別の製造工程で複数の端子電極6を形成しても良い。次に、図4bに示すように、集合基板100の一面に実装した複数の電子部品2、3を封止する封止樹脂4を形成する。具体的に、封止樹脂4は、複数の電子部品2、3を実装した集合基板100に、液状の樹脂を塗布し、塗布した樹脂を脱泡後に硬化させることで形成することができる。なお、液状の樹脂に代えて、固形の樹脂、顆粒の樹脂又はシート状の樹脂を、複数の電子部品2、3を実装した集合基板100に載置して、加熱しても良い。次に、図4cに示すように、ダイサー等を用いて、封止樹脂4の天面から集合基板100の一部に至る溝9を形成する。溝9を形成した場合であっても、隣接する2つのベース基板1集合基板100の一部が繋がっている。なお、溝9の幅は、例えば300μmである。そして、図4dに示すように、図示しない凹面状をした支持基板上に集合基板100を載置することにより、天面側が内側となるように湾曲させ、溝9を形成する側壁を、天面側において互いに対向する側へと傾斜させる。図5は、本発明の実施の形態3に係るモジュール基板10の、凹面状をした支持基板上に集合基板100を載置した状態を示す模式断面図である。図5に示すように、凹面状をした支持基板60上に集合基板100を載置することにより、支持基板60に沿って集合基板100が湾曲し、溝9を形成する側壁は、天面側において互いに対向する側へと傾斜する。したがって、溝9の容積が減少するとともに開口部が狭くなるので、導電材料を塗布した場合に溝9の開口部近傍において盛り上がり部が形成される。図4に戻って、図4eに示すように、複数の電子部品2、3を封止した封止樹脂4の天面、及び溝9を被覆するように、ディスペンサー、ジェットディスペンサー、真空印刷装置等を用いて導電材料を塗布して硬化させることにより、シールド層5を形成する。図示していないが、集合基板100から露出している接地用電極と、シールド層5とが電気的に接続されることにより、実装した複数の電子部品2、3に対するシールド層5のシールド性を確保することができる。溝9を形成する側壁が、天面側において互いに対向する側へと傾斜しているので、塗布した導電材料は、溝9の開口部近傍において盛り上がり部を形成し、溝9に沿って高さが高くなっているシールド層5が形成される。次に、図4fに示すように、ダイサー等を用いて、溝9に形成したシールド層5を、封止樹脂4の天面側から集合基板100の全部を切断する位置まで切断して、複数のモジュール基板10に個片化する。溝9の開口部近傍において盛り上がり部が形成されるので、シールド層5は、封止樹脂4を平面視した場合の周縁部が他の部分より高くなるよう形成される。封止樹脂4を被覆するシールド層5が、封止樹脂4を平面視した場合の周縁部が他の部分より高くなるよう形成してあるので、封止樹脂4の天面を被覆するシールド層5の厚みを薄くした場合であっても、封止樹脂4の天面と側面との境界部分が露出するおそれが少なく、シールド層5の天面と側面との間の抵抗値を低く抑えることができ、シールド特性の向上を図ることが可能となる。例えば、従来の製造工程で製造したモジュール基板では、封止樹脂の天面の周縁部に形成されるシールド層の厚みは1μm程度であり、うっすらと下方の封止樹脂を目視することができるのに対し、本実施の形態3に係る製造工程で製造したモジュール基板10の、封止樹脂4の天面の周縁部に形成されるシールド層5の厚みは20μm程度と十分に厚く、封止樹脂4を目視することはできない。また、シールド層5の天面と側面との間の抵抗値をテスターで測定したところ、従来の製造工程で製造したモジュール基板では、抵抗値は2Ω前後であったのに対し、本実施の形態3に係る製造工程で製造したモジュール基板10では、抵抗値が0.1Ω前後と大きく低下していた。抵抗値が低いほどシールド特性が高いことは周知であり、本実施の形態3に係る製造工程で製造したモジュール基板10のシールド特性が向上していることを確認することができた。なお、封止樹脂4の天面と側面との境界部分を面取りしてあることが好ましい。封止樹脂4の天面と側面との境界部分が露出するおそれがより少ないからである。図6は、本発明の実施の形態3に係るモジュール基板10の封止樹脂4の面取り状態を模式的に示す部分断面図である。図6aに示すように、封止樹脂4の天面と側面との境界部分を平面状に面取りすることで、封止樹脂4の天面を被覆するシールド層5の厚みを薄くした場合であっても、より封止樹脂4の天面と側面との境界部分が露出するおそれが少ない。もちろん、平面状に面取りすることに限定されるものではなく、例えば図6bに示すように段差状に面取りしても良いし、図6c及びdに示すように、Rの付いた曲面状に面取りしても良い。以上のように、本発明の実施の形態3に係るモジュール基板10は、封止樹脂4を被覆するシールド層5が、封止樹脂4を平面視した場合の周縁部が他の部分より高くなるよう形成してあるので、封止樹脂4の天面を被覆するシールド層5の厚みを薄くした場合であっても、封止樹脂4の天面と側面との境界部分が露出するおそれが少なく、シールド層5の天面と側面との間の抵抗値を低く抑えることができ、シールド特性の向上を図ることが可能となる。なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲内であれば多種の変形、置換等が可能であることは言うまでもない。