高周波トランジスタ及び前記高周波トランジスタにバイアス電力を供給するバイアス端子を実装する高周波基板と、前記高周波トランジスタが増幅する高周波の波長の1/2以下の間隔のビス穴を有し、金属によって形成されるケースの側壁と、第1の面に設置され、バイアス電力を供給するバイアス線、前記第1の面に設置されるグランドパターン、前記グランドパターンに接続し、前記高周波トランジスタが増幅する高周波の波長の1/2以下の間隔のスルーホールを有し、前記側壁と接する第2の面にグランド層、及び前記バイアス線を挿通する挿通孔を備え、ビスにより前記側壁に係止される電源基板と、を備える高周波増幅器。前記電源基板は、前記バイアス線と前記グランドパターンとを接続するコンデンサをさらに備える請求項1記載の高周波増幅器。前記電源基板は、前記グランド層を第2の面の全面に有する請求項2記載の高周波増幅器。前記電源基板と前記側壁との間に金属によって形成され、前記高周波トランジスタを覆うカバーをさらに備える請求項3記載の高周波増幅器。前記電源基板は、前記グランド層を第2の面の前記側壁と接触する部分のみに有する請求項2記載の高周波増幅器。従って、バイアス線からの高周波の漏れをより効率的に抑えることが可能な高周波増幅器が求められている。上記の課題を解決するために、本発明の一実施形態は、高周波トランジスタ及び高周波トランジスタにバイアス電力を供給するバイアス端子を実装する高周波基板と、高周波トランジスタが増幅する高周波の波長の1/2以下の間隔のビス穴を有し、金属によって形成されるケースの側壁と、電源基板の第1の面に設置され、バイアス電力を供給するバイアス線、電源基板の第1の面に設置されるグランドパターン、グランドパターンに接続し、高周波トランジスタが増幅する高周波の波長の1/2以下の間隔のスルーホールを有し、側壁と接する第2の面にグランド層、及びバイアス線を挿通する挿通孔を備え、ビスにより側壁に係止される電源基板と、を備える高周波増幅器を提供する。以下、高周波増幅器の一実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。本実施形態の高周波増幅器は、高周波トランジスタ及び高周波トランジスタにバイアス電力を供給するバイアス端子を実装する高周波基板と、高周波トランジスタが増幅する高周波の波長の1/2以下の間隔のビス穴を有し、金属によって形成されるケースの側壁と、電源基板の第1の面に設置され、バイアス電力を供給するバイアス線、電源基板の第1の面に設置されるグランドパターン、グランドパターンに接続し、高周波トランジスタが増幅する高周波の波長の1/2以下の間隔のスルーホールを有し、側壁と接する第2の面にグランド層、及びバイアス線を挿通する挿通孔を備え、ビスにより側壁に係止される電源基板と、を備える。図1は、本実施形態の高周波増幅器の構成を示す図である。図1に示すように、高周波増幅器は、高周波トランジスタ12及び高周波トランジスタ12にバイアス電力を供給するバイアス端子13を実装する高周波基板11と、高周波トランジスタ12が増幅する高周波の波長の1/2以下の間隔のビス穴14Aを有し、金属によって形成される側壁14と、第1の面に設置され、バイアス電力を供給するバイアス線17、電源基板15の第1の面に設置されるグランドパターン19、グランドパターン19に接続し、高周波トランジスタ12が増幅する高周波の波長の1/2以下の間隔のスルーホール20Aを有し、側壁14と接する第2の面にグランド層16、及びバイアス線を挿通する挿通孔22を備え、ビス21により側壁14に係止される電源基板15と、を備える。電源基板15は、さらに高周波トランジスタ12が増幅する高周波の波長の1/2以下の間隔のビス穴20を有していてもよい。スルーホール20Aは、内部にメッキ層を有し、このメッキ層はグランドパターン19と、グランド層16と、を接続する。全てのスルーホール20A及びビス穴20の直近のスルーホール20A又はビス穴20との間隔W1は高周波トランジスタ12が増幅する高周波の波長の1/2以下の距離を有する。従って、スルーホール20A及びビス穴20を備えるグランド層16はシールドとして動作し、高周波の漏れ出しを抑えることが可能となる。グランド層16は、金属メッキにより少なくとも側壁と接する範囲に形成される。グランド層16は側壁と面接触する。従って、ビス21によるインダクタンスの発生を抑えて接地することが可能となる。高周波増幅器は、さらに電源基板15の第1の面にバイアス線17とグランドパターン19とを接続するコンデンサ18を設けることができる。コンデンサ18は挿通孔22の近傍に設けられる。コンデンサ18と挿通孔22との距離は短いほどよい。このコンデンサ18はデカップリングコンデンサとして動作する。バイアス端子13から漏れ出した高周波に対してグランドパターン19に接続するコンデンサ18は短絡となり、高周波は反射して漏れを抑制することが可能となる。図2は、応用例に係る高周波増幅器を示す図である。図2に示すように、高周波増幅器は上述の構成に加えてカバー30を設けることができる。カバー30は、金属によって形成され、高周波トランジスタ12が増幅する高周波の波長の1/2以下の間隔のビス穴とバイアス線17を挿通する挿通孔22Aとを備え、高周波トランジスタ12が設置される高周波基板11を覆う。カバー30は側壁14と電源基板15との間に設置され、ビス21により側壁14に電源基板15とともに係止される。グランドパターン19は、スルーホール20A、カバー30及び側壁14により接地される。従って、高周波の漏れをさらに効率よく遮蔽することが可能となる。図3は、高周波増幅器の側面断面図である。図3においては、高周波トランジスタ12、バイアス線17等の実装部品は省略してある。図3に示すように、グランドパターン19はスルーホール20Aのメッキ層15Aとグランド層16により側壁14に接続され、接地される。グランド層16は、電源基板15の第2の面の全面に設けられる。図4は、応用例に係る高周波増幅器の側面断面図である。図4においては、高周波トランジスタ12、バイアス線17等の実装部品は省略してある。図4に示すように、電源基板15は、側壁14と接触する部分のみにグランド層16Aを設けてもよい。この場合も、グランドパターン19はスルーホール20Aのメッキ層15Aとグランド層16Aにより側壁14に接続され、接地される。図5は、他の応用例に係る高周波増幅器の側面断面図である。図5においては、高周波トランジスタ12、バイアス線17等の実装部品は省略してある。図5に示すように、高周波増幅器がカバー30を備える場合には、グランド層16は電源基板15の第2の面全面に設けられる。この場合、グランドパターン19はスルーホール20Aのメッキ層15Aとグランド層16と、カバー30により側壁14に接続され、接地される。以上述べたように、本実施形態の高周波増幅器は、高周波トランジスタ12及び高周波トランジスタ12にバイアス電力を供給するバイアス端子13を実装する高周波基板11と、高周波トランジスタ12が増幅する高周波の波長の1/2以下の間隔のビス穴14Aを有し、金属によって形成される側壁14と、第1の面に設置され、バイアス電力を供給するバイアス線17、電源基板15の第1の面に設置されるグランドパターン19、グランドパターン19に接続し、高周波トランジスタ12が増幅する高周波の波長の1/2以下の間隔のスルーホール20Aを有し、側壁14と接する第2の面にグランド層16、バイアス線17とグランドパターン19とを接続するコンデンサ18、及びバイアス線を挿通する挿通孔22を備え、ビス21により側壁14に係止される電源基板15と、を備える。従って、高周波トランジスタ12が増幅する高周波の波長の1/2以下の間隔のビス穴14A及びスルーホール20Aを有するグランド層16により高周波の漏れを効率よく遮断できるという効果がある。いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。