"圧縮応力を持たせた強化層を表面に有する強化ガラス基板を、互いに交差する第1方向及び第2方向に沿って分断するガラス基板の分断方法であって、前記ガラス基板の表面において前記第1方向に延びる第1分断予定ラインの端部に、亀裂進展を規制するための処理を施す第1工程と、前記ガラス基板に対して、前記第1分断予定ラインに沿って、レーザ照射による加熱及び冷媒による冷却を行い、前記第1分断予定ラインに沿って亀裂を進展させてスクライブ溝を形成する第2工程と、前記ガラス基板に対して、前記第2方向に延びる第2分断予定ラインに沿って前記ガラス基板の一端縁から他端縁まで、レーザ照射による加熱及び冷媒による冷却を行い、前記第2分断予定ラインに沿って前記ガラス基板を分断する第3工程と、前記第3工程によって分断されたガラス基板を前記第1分断予定ラインに沿って分断する第4工程と、を含むガラス基板の分断方法。前記ガラス基板の表面において、前記第1分断予定ライン及び前記第2分断予定ラインの加熱及び冷却処理の開始端部近傍に、初期亀裂を形成する初期亀裂形成工程をさらに含む、請求項1に記載のガラス基板の分断方法。前記第1工程では、前記第1分断予定ラインの終端部に前記第1分断予定ラインと交差する方向に所定の幅を有する第1亀裂進展規制用溝を形成する、請求項2に記載のガラス基板の分断方法。前記第1工程において、前記第1亀裂進展規制用溝は前記第1分断予定ラインに対して垂直な方向に延びるように形成される、請求項3に記載のガラス基板のスクライブ方法。前記第1工程において、前記第1亀裂進展規制用溝は前記第2工程で形成されるスクライブ溝の深さより浅く形成される、請求項4に記載のガラス基板のスクライブ方法。前記第1工程では、前記第2工程における亀裂進展方向と逆方向に初期亀裂が進展するのを防止するために、初期亀裂形成工程の前処理又は後処理として、前記ガラス基板の表面において初期亀裂と前記ガラス基板の端縁との間に、前記第1分断予定ラインが延びる方向と交差する方向に所定の幅を有する第2亀裂進展規制用溝を形成する、請求項2から4のいずれかに記載のガラス基板の分断方法。前記第1工程において、前記第2亀裂進展規制用溝は前記第2分断予定ラインに対して垂直な方向に延びるように形成される、請求項6に記載のガラス基板のスクライブ方法。前記第1工程において、前記第2亀裂進展規制用溝は前記第2工程で形成されるスクライブ溝の深さより浅く形成される、請求項7に記載のガラス基板のスクライブ方法。前記第1工程では、前記ガラス基板の表面において、前記第1分断予定ラインの走査開始側及び走査終了側の少なくとも一方の端部領域にはレーザ光を反射する反射膜が形成されている、請求項1又は2に記載のガラス基板のスクライブ方法。特許文献3に示される方法では、ガラス基板を分断するための工程数が少なくなる。しかし、基板に対する第1方向の加工ではハーフカットとし、第2方向の加工ではフルカットするためには、レーザ照射条件等を各方向で変更する必要があり、加工制御が煩雑になる。本発明の課題は、簡単な方法で、クロススクライブによる分断の工程数を少なくできるようにすることにある。ところで、最近のFPDフラットパネルディスプレイ業界では、基板端面の強度が重要視されるために、ガラス基板として、表面に強化層が形成された化学強化ガラスが主に用いられている。この化学強化ガラスは、イオン交換処理によって表面に圧縮応力を持たせた層強化層を有し、内部には引張応力が存在している。このような化学強化ガラスは、最近では、特に端面強度が要求されるタッチパネル等のカバーガラスに用いられている。本件発明者は、このような強化ガラスのなかで、最近開発された、特に表面が高強度の強化ガラスにレーザスクライブ方法によってスクライブ溝を形成した場合、スクライブ溝の終端部や初期亀裂が形成された部分からスクライブ溝に沿って深い亀裂が進展し、自然分断されることを実験により見出した。ここで、自然分断とは、スクライブ溝を形成した後に、分断工程を実施することなくスクライブ溝に沿ってガラス基板が分断される現象である。自然分断は、ガラス基板の端縁部においてスクライブ溝の亀裂が深くなることに起因していると考えられ、この深い亀裂がスクライブ溝に沿って進展し、生じると考えられる。そして、ガラス基板の端縁部においてスクライブ溝の亀裂が深くなるのは、以下の理由が考えられる。スクライブ溝が形成されたガラス基板の端縁部では、端面が拘束されないので、スクライブ溝の両側が開きやすくなる。スクライブ溝が形成されたガラス基板の端縁部では、そこから先に熱の逃げる場所がなく、端縁部に熱がこもる。そこで、本件発明者は、これらの現象を利用してハーフカットと自然分断とを使い分け、強化ガラスに対して少ない工程でクロススクラブによる分断を可能とする方法を見出した。第1発明に係るガラス基板の分断方法は、圧縮応力を持たせた強化層を表面に有する強化ガラス基板を、互いに交差する第1方向及び第2方向に沿って分断する方法であって、以下の工程を含んでいる。第1工程:ガラス基板の表面において第1方向に延びる第1分断予定ラインの端部に、亀裂進展を規制するための処理を施す。第2工程:ガラス基板に対して、第1分断予定ラインに沿って、レーザ照射による加熱及び冷媒による冷却を行い、第1分断予定ラインに沿って亀裂を進展させてスクライブ溝を形成する。第3工程:ガラス基板に対して、第2方向に延びる第2分断予定ラインに沿ってガラス基板の一端縁から他端縁まで、レーザ照射による加熱及び冷媒による冷却を行い、第2分断予定ラインに沿って強化ガラスを分断する。第4工程:第3工程によって分断されたガラス基板を第1分断予定ラインに沿って分断する。ここでは、第1工程において、第1分断予定ラインの端部に、亀裂進展を規制するための処理が施される。その後、第2工程において、ガラス基板の表面にレーザ光が照射されて加熱され、さらに加熱された領域が冷却される。この加熱及び冷却処理によって、第1分断予定ラインに沿って亀裂が進展し、スクライブ溝が形成される。亀裂の進展は、第1工程における亀裂進展規制のための処理によって、第1分断予定ラインの端部において規制される。このため、第1分断予定ラインの端部において深い亀裂が形成されることが防止され、ガラス基板は第1分断予定ラインに沿ってハーフカットされる。次に、第3工程において、第2工程と同様のレーザ照射による加熱及び冷媒による冷却が実行される。この第3工程では、ガラス基板の一端縁から他端縁まで全長にわたって加熱及び冷却が行われる。したがって、ガラス基板の端縁において深い亀裂が生じ、この亀裂から第2分断予定ラインに沿って亀裂が進展する。このため、ガラス基板は第2分断予定ラインに沿って自然分断される。この方法によれば、第2分断予定ラインに沿った分断工程が不要になる。また、レーザ照射条件を各分断工程によって変更する必要はなく、同じ条件で加工を行うことができる。第2発明に係るガラス基板の分断方法は、第1発明の分断方法において、ガラス基板の表面において、第1分断予定ライン及び第2分断予定ラインの加熱及び冷却処理の開始端部近傍に、初期亀裂を形成する初期亀裂形成工程をさらに含む。ここでは、カッタホイール等によって、ガラス基板の強化層の一部が除去され、初期亀裂が形成される。その後、初期亀裂にレーザ光が照射されて加熱され、さらに加熱された領域が冷却される。これにより初期亀裂がスクライブ予定ラインに沿って進展する。このため、所望のスクライブ溝を安定して形成することができる。第3発明に係るガラス基板の分断方法は、第2発明の分断方法において、第1工程では、第1分断予定ラインの終端部に第1分断予定ラインと交差する方向に所定の幅を有する第1亀裂進展規制用溝を形成する。ここでは、第1分断予定ラインの終端部に第1亀裂進展規制用溝が形成される。第2工程の処理により第1分断予定ラインに沿って進展した亀裂は、第1亀裂進展規制用溝によってその進展が止められる。この方法によれば、第1分断予定ラインの終端部において深い亀裂が形成されるのを防止でき、第1分断予定ラインに沿ってハーフカットされる。すなわち、第1分断予定ラインに沿って自然分断されるのを避けることができる。第4発明に係るガラス基板の分断方法は、第3発明の分断方法において、第1工程において、第1亀裂進展規制用溝は第1分断予定ラインに対して垂直な方向に延びるように形成される。ここでは、第1亀裂進展規制用溝が第1分断予定ラインに対して垂直な方向に形成されるので、亀裂の進展をより確実に止めることができる。第5発明に係るガラス基板のスクライブ方法は、第4発明の分断方法において、第1工程において、第1亀裂進展規制用溝は第2工程で形成されるスクライブ溝の深さより浅く形成される。ここで、第1亀裂進展規制用溝を深くした場合、ガラス基板の内部の引張り応力により第1亀裂進展規制用溝を起点として自然に亀裂が進展し、この亀裂によって基板が分離してしまう場合がある。そこで、この第5発明では、第1亀裂進展規制用溝をスクライブ溝の深さよりも浅くし、ガラス基板の自然分断を避けるようにしている。第6発明に係るガラス基板のスクライブ方法は、第2から第4発明のいずれかの分断方法において、第1工程では、第2工程における亀裂進展方向と逆方向に初期亀裂が進展するのを防止するために、初期亀裂形成工程の前処理又は後処理として、ガラス基板の表面において初期亀裂とガラス基板の端縁との間に、第1分断予定ラインが延びる方向と交差する方向に所定の幅を有する第2亀裂進展規制用溝を形成する。ここでは、第1分断予定ラインの開始端部の近辺に初期亀裂が形成される。また、初期亀裂とガラス基板の端縁との間に、第1分断予定ラインが延びる方向と交差する方向に亀裂が逆方向に進展するのを規制するための溝が形成される。その後、ガラス基板の表面にレーザ光が照射されて加熱され、さらに加熱された領域が冷却される。この加熱及び冷却処理によって、第1分断予定ラインに沿って亀裂が進展し、スクライブ溝が形成される。このとき、亀裂は第1分断予定ラインの終端部に向かって進展するが、逆方向にも進展する場合がある。しかし、この逆方向に進展する亀裂は、初期亀裂とガラス基板の端縁との間に形成された第2亀裂進展規制用溝によって規制される。このため、初期亀裂が逆方向に進展してガラス基板端縁部分に深い亀裂が形成されるのを避けることができる。したがって、第1分断予定ラインに沿ってスクライブ溝を形成した後に、自然分断するのを避けることができる。また、初期亀裂から基板端縁に向かう亀裂の形成を規制できるので、初期亀裂と基板端縁との間の製品として確保できない部分を少なくでき、製品の歩留まりを向上させることができる。第7発明に係るガラス基板の分断方法は、第6発明の分断方法において、第1工程において、第2亀裂進展規制用溝は前記第2分断予定ラインに対して垂直な方向に延びるように形成される。ここでは、第4発明同様に、亀裂の進展をより確実に止めることができる。第8発明に係るガラス基板のスクライブ方法は、第7発明の分断方法において、第1工程において、第2亀裂進展規制用溝は第2工程で形成されるスクライブ溝の深さより浅く形成される。ここでは、第5発明同様にガラス基板のフルカットによる自然分断をより確実に避けることができる。第9発明に係るガラス基板のスクライブ方法は、第1又は第2発明の分断方法において、第1工程では、ガラス基板の表面において、第1分断予定ラインの走査開始側及び走査終了側の少なくとも一方の端部領域にはレーザ光を反射する反射膜が形成されている。ここで、ガラス基板の端縁に深い亀裂を形成しないためには、基板端部にレーザ光を照射しないようにすることが考えられる。この場合、レーザ発振のオン、オフ制御を光学系等の移動に同期させる必要がある。しかし、このような制御は煩雑である。そこで、第9発明では、ガラス基板の端部にレーザ光を反射する反射膜を形成し、基板端部にレーザ光が照射されないようにしている。このため、レーザ光が照射されない領域を容易に形成することができる。そして、ガラス基板端部に深い亀裂が形成されるのを防止でき、第1分断予定ラインに沿って自然分断するのを避けることができる。なお、反射膜としては、レーザ光を反射する金属パターン膜、ITO膜等が考えられる。以上のように、本発明では、強化ガラスのクロススクラブにおいて、亀裂の進展の度合いによるハーフカットと自然分断とを利用することによって、簡単な構成で分断のための工程を少なくすることができる。-第1実施形態-[装置構成]図1は、本発明の一実施形態による方法を実施するためのスクライブ装置の概略構成を示す図である。スクライブ装置1は、例えば、マザーガラス基板を、FPDフラットパネルディスプレイに使用される複数の単位基板に分断するための装置である。ここでのガラス基板は、表面に強化層が形成された化学強化ガラスが主に用いられている。前述のように、この化学強化ガラスは、イオン交換処理によって表面に圧縮応力を持たせた強化層を有している。<スクライブ装置>スクライブ装置1は、レーザビームLBをガラス基板Gに向けて照射する照射部2と、冷却部3と、図示しない移動部と、を備えている。冷却部3は冷却スポットCPを形成する。冷却スポットCPは、図示しない冷媒源から供給される冷媒を、ノズル4を介して噴射することによって形成される。移動部は、照射部2及び冷却部3のノズル4を、ガラス基板Gに設定された互いに直交するXY方向の第1分断予定ラインSL1及び第2分断予定ラインSL2に沿って、ガラス基板Gとの間で相対移動させる。照射部2は、レーザビームLBを照射するレーザ発振器例えば、CO2レーザを有し、このレーザビームLBを、光学系を介してガラス基板G上にビームスポットLSとして照射する。なお、ここでは図示していないが、ガラス基板Gの端部にスクライブの起点となる初期亀裂TRを形成するための初期亀裂形成手段が設けられている。初期亀裂形成手段としては、カッタホイール等の機械的ツールが用いられるが、レーザビームの照射によって初期亀裂TRを形成することも可能である。[スクライブ方法]<初期亀裂の形成>まず、図1に示すように、カッタホイール等の初期亀裂形成手段を用いてガラス基板Gの端部にスクライブの起点となる初期亀裂TRを形成する。このとき、初期亀裂TRの深さは、ガラス基板強化ガラスの表面に形成された強化層が剥離される程度の深さにする。具体的には、初期亀裂TRの深さを、強化層の厚みの1.0倍以上2.0倍以下にする。<亀裂進展規制用溝の形成>以上の初期亀裂の前工程あるいは後工程として、図1に示すX方向に延びる第1分断予定ラインSL1の終端部に、第1分断予定ラインSL1に沿って進展する亀裂を止めるための複数の亀裂進展規制用溝Sを形成する。複数の亀裂進展規制用溝Sのそれぞれは、第1分断予定ラインSL1と直交する方向に所定の幅で形成される。また、亀裂進展規制用溝Sの深さは、後工程で形成されるスクライブ溝の深さより浅く形成するのが好ましい。その理由は、亀裂進展規制用溝Sが深すぎると、ガラス基板の内部の引張り応力により亀裂進展規制用溝Sを起点として自然に亀裂が進展し、この亀裂によって基板が分離してしまうからである。また、亀裂進展規制用溝Sの深さは、強化層の厚みより深くするのが望ましい。なお、亀裂進展規制用溝Sは、すべての第1分断予定ラインSL1に直交する1本の溝でもよい。しかし、この溝形成時に発生する粉塵等の異物を少なくするためには、局所的に複数の溝を形成する方が好ましい。<第1分断予定ラインに沿ったスクライブ処理>次に、ガラス基板Gに対して、照射部2からレーザビームLBが照射される。このレーザビームLBはビームスポットLSとしてガラス基板G上に照射される。そして、照射部2から出射されるレーザビームLBが、第1分断予定ラインSL1に沿ってガラス基板Gと相対的に移動させられる。ガラス基板GはビームスポットLSによってガラス基板Gの軟化点よりも低い温度に加熱される。また、冷却スポットCPをビームスポットLSの移動方向後方において追従させる。以上のようにして、レーザビームLBの照射によって加熱されたビームスポットLSの近傍には圧縮応力が生じるが、その直後に冷媒の噴射によって冷却スポットCPが形成されるので、垂直クラックの形成に有効な引張応力が生じる。この引張応力により、ガラス基板Gの端部に形成された初期亀裂TRを起点として第1分断予定ラインSL1に沿った垂直クラックが形成され、所望のスクライブ溝が形成される。ここで、第1分断予定ラインSL1の終端部には亀裂進展規制用の溝Sが形成されているので、第1分断予定ラインSL1に沿って進展する亀裂は、この溝Sによって停止する。このため、亀裂がガラス基板Gの全深さに進展することはなく、ガラス基板Gは、自然分断することなく、第1分断予定ラインSL1に沿ってハーフカットされる。<第2分断予定ラインに沿ったスクライブ及び分断処理>次に、第1分断予定ラインSL1にスクライブ溝を形成した条件と同様の条件で、照射部2からレーザビームLBが照射され、Y方向の第2分断予定ラインSL2に沿ってガラス基板Gと相対的に移動させられる。また、冷却スポットCPをビームスポットLSの移動方向後方において追従させる。なお、初期亀裂は第1分断予定ラインSL1の場合と同様に形成するが、この第2分断予定ラインSL2に沿ってスクライブ処理を行う場合は、亀裂進展規制用溝は形成しない。この第2分断予定ラインSL2に沿ったスクライブ処理では、レーザビームLB及び冷却スポットCPはガラス基板Gの端縁を通過するように走査する。このとき、第2分断予定ラインSL2に沿ってスクライブ溝亀裂が形成されるが、先の処理とは異なり、第2分断予定ラインSL2の終端部分に亀裂進展規制用溝が形成されていないので、終端部分には深い亀裂が形成される。そして、この亀裂は、第2分断予定ラインSL2の全長にわたって進展し、結果的にガラス基板Gは第2分断予定ラインSL2に沿って自然に分断される。<第1分断予定ラインに沿った分断処理>以上のようにして、第2分断予定ラインSL2に沿って分断された複数のガラス基板に対して、第1分断予定ラインSL1の両側を押圧し、この第1分断予定ラインSL1に沿ってさらに分断する。なお、この第1分断予定ラインSL1に沿った分断処理は、レーザビームを照射して分断を行うようにしてもよい。[特徴]第1分断予定ラインSL1の終端部に亀裂進展規制用溝Sを形成しているので、基板端部で深い亀裂が形成されるのが防止できる。このため、深い亀裂に起因する基板の自然分断を避けることができる。一方で、第2分断予定ラインSL2に沿ったスクライブ処理では、自然分断によって別の分断工程が不要になる。したがって、従来の分断方法に比較して、全体としての工数が減る。しかも、レーザの照射条件を、基板の端部で変える必要がない。また、レーザ照射条件を、第1分断予定ラインSL1でのスクライブ処理と第2分断予定ラインSL2でのスクライブ処理とで変える必要がない。したがって、スクライブ処理が容易になる。-第2実施形態-図2に、亀裂進展規制用溝の第2実施形態を示す。この第2実施形態では、第1分断予定ラインSL1に沿ったスクライブ処理において、初期亀裂TRから、亀裂が進展する方向レーザビームLBの走査方向と逆方向に亀裂が進展するのを防止するために、亀裂進展規制用溝Sを形成する。この溝Sは、ガラス基板Gの表面において初期亀裂TRとガラス基板Gの端縁Geとの間に形成される。また、溝Sは、スクライブ予定ラインSLが延びる方向と直交する方向に所定の幅で形成される。さらに、亀裂進展規制用溝Sの深さは、第1実施形態と同様に、後工程で形成されるスクライブ溝の深さより浅く形成するのが好ましい。なお、他の工程は第1実施形態と同様である。この第2実施形態においては、第1分断予定ラインSL1に沿ったスクライブ溝の形成工程において、初期亀裂TRから、レーザビームLBの走査方向とは逆方向に亀裂が進展したとしても、初期亀裂TRとガラス基板Gの端縁Geとの間に亀裂進展規制用溝Sが形成されているので、亀裂は亀裂進展規制用溝Sで停止する。このため、第1分断予定ラインSL1に沿ってスクライブ処理を実行した際に、初期亀裂TRからガラス基板Gの端縁Geにまで亀裂が進展し、ガラス基板Gの端縁部で深い亀裂が形成されるのを避けることができる。これにより、ガラス基板Gが自然に分断されるのを防止することができる。-第3実施形態-図3に、亀裂進展規制のための処理に関する第3実施形態を示す。この第3実施形態では、まず、ガラス基板GのX方向の2辺端部領域に、レーザ光を反射する反射膜RC1,RC2を形成する。反射膜RC1,RC2は、第1分断予定ラインSL1に沿ってスクライブ溝を形成する処理を実行する際に、レーザ光の照射の走査開始側及び走査終了側の端部領域に形成されている。なお、走査開始側の端部領域に形成される反射膜RC1は、3mm~5mmの幅が好ましい。また、走査終了側の端部領域に形成される反射膜RC2は、8mm~20mmの幅が好ましい。なお、他の工程は第1実施形態と同様である。この第3実施形態においては、走査開始側及び走査終了側の端部領域に反射膜RC1RC2が形成されているので、これらの端部領域ではレーザビームLBは反射されてガラス基板Gには照射されない。したがって、これらの反射膜RC1RC2が形成された領域では、ガラス基板Gは加熱されない。このため、ガラス基板GのX方向の全長にわたって同条件でレーザビームLB及び冷却スポットCPを走査しても、ガラス基板Gの端部領域で深い亀裂が形成されるのが防止され、ガラス基板Gが自然に分断されるのを防止することができる。[他の実施形態]本発明は以上のような実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変形又は修正が可能である。1亀裂進展規制用溝を、第1実施形態では走査終端部に形成し、第2実施形態では走査開始端部に形成したが、走査終端部と走査開始端部の両方に形成するようにしてもよい。2亀裂規制のための溝は、スクライブ予定ラインに対して直交するように形成するのが好ましいが、スクライブ予定ラインに交差するように形成されていれば直交していなくてもよい。また、基板端部での亀裂進展を規制するための手段は、前記各実施形態に限定されない。3基板端部での亀裂進展を規制するための手段として、走査開始側及び走査終了側の端部領域でレーザ発振を停止するようにレーザ発振の制御を設定しておくことにより、基板端部を加熱しないこととしてもよい。"