光ファイバ母材を加熱、溶融して線引し、その線引きした光ファイバをアニール炉に導入してアニール処理を行う光ファイバの製造方法において、前記アニール処理後の光ファイバの表面を長手方向に連続して加熱して、前記アニール処理後の光ファイバに火炎研磨処理を行うようにしたことを特徴とする光ファイバの製造方法。前記アニール処理後の光ファイバの表面の温度が2000°C以上となるように、前記火炎研磨処理を行う請求項1記載の光ファイバの製造方法。前記光ファイバ母材の表面に、不純物が添加され軟化温度が低く制御された低温軟化層を形成しておき、前記アニール処理後の光ファイバの表面の温度が前記低温軟化層の軟化温度以上となるように、前記火炎研磨処理を行う請求項1記載の光ファイバの製造方法。前記アニール処理後の光ファイバに不活性ガスをパージしつつ、前記火炎研磨処理を行う請求項1~3いずれかに記載の光ファイバの製造方法。前記アニール炉に導入する直前の光ファイバの表面を長手方向に連続して加熱して、前記アニール処理前の光ファイバにも火炎研磨処理を行うようにした請求項1~4いずれかに記載の光ファイバの製造方法。光ファイバ母材を加熱、溶融して線引する線引炉と、該線引炉で線引きした光ファイバにアニール処理を行うアニール炉と、を備えた光ファイバの製造装置において、前記アニール処理後の光ファイバの表面を長手方向に連続して加熱して、前記アニール処理後の光ファイバに火炎研磨処理を行う第1ファイバ表面加熱装置を備えたことを特徴とする光ファイバの製造装置。前記アニール炉に導入する直前の光ファイバの表面を長手方向に連続して加熱して、前記アニール処理前の光ファイバに火炎研磨処理を行う第2ファイバ表面加熱装置をさらに備えた請求項6記載の光ファイバの製造装置。しかしながら、特許文献2の方法では、光ファイバ表面のマイクロクラックを修復することはできず、また、真空容器内で付着する不純物を避けることができない。よって、真空容器内で付着した不純物が核となって結晶化が進んでしまったり、光ファイバ表面のマイクロクラックを拡大させてしまったりして、十分に低損失で、かつ高強度な光ファイバを製造することができないという問題があった。また、特許文献2の方法では、例えば長さ17mといった巨大な真空容器が必要であり、装置が非常に大掛かりとなってしまう問題もあった。そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、低損失かつ高強度な光ファイバを製造可能な光ファイバの製造方法及び装置を提供することにある。本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、光ファイバ母材を加熱、溶融して線引し、その線引きした光ファイバをアニール炉に導入してアニール処理を行う光ファイバの製造方法において、前記アニール処理後の光ファイバの表面を長手方向に連続して加熱して、前記アニール処理後の光ファイバに火炎研磨処理を行うようにした光ファイバの製造方法である。前記アニール処理後の光ファイバの表面の温度が2000°C以上となるように、前記火炎研磨処理を行ってもよい。前記光ファイバ母材の表面に、不純物が添加され軟化温度が低く制御された低温軟化層を形成しておき、前記アニール処理後の光ファイバの表面の温度が前記低温軟化層の軟化温度以上となるように、前記火炎研磨処理を行ってもよい。前記アニール処理後の光ファイバに不活性ガスをパージしつつ、前記火炎研磨処理を行ってもよい。前記アニール炉に導入する直前の光ファイバの表面を長手方向に連続して加熱して、前記アニール処理前の光ファイバにも火炎研磨処理を行うようにしてもよい。また、本発明は、光ファイバ母材を加熱、溶融して線引する線引炉と、該線引炉で線引きした光ファイバにアニール処理を行うアニール炉と、を備えた光ファイバの製造装置において、前記アニール処理後の光ファイバの表面を長手方向に連続して加熱して、前記アニール処理後の光ファイバに火炎研磨処理を行う第1ファイバ表面加熱装置を備えた光ファイバの製造装置である。前記アニール炉に導入する直前の光ファイバの表面を長手方向に連続して加熱して、前記アニール処理前の光ファイバに火炎研磨処理を行う第2ファイバ表面加熱装置をさらに備えてもよい。本発明によれば、低損失かつ高強度な光ファイバを製造可能な光ファイバの製造方法及び装置を提供できる。以下、本発明の実施の形態を添付図面にしたがって説明する。図1は、本実施の形態に係る光ファイバの製造方法に用いる光ファイバの製造装置の概略構成図である。図1に示すように、光ファイバの製造装置1は、光ファイバ母材2を加熱、溶融して線引する線引炉3と、線引炉3で線引きした光ファイバ4にアニール処理を行うアニール炉5と、光ファイバ4の表面に樹脂をコーティングするコーティング器6と、を備えている。光ファイバ母材2のコアは、例えば濃度10以下のGe添加純粋シリカガラスからなり、光ファイバ母材2のクラッドは、例えば純粋シリカガラスからなる。アニール炉5は、線引炉3で線引した光ファイバ4を所定のアニール温度に保持することで、光ファイバ4の仮想温度を低下させ、光ファイバ4の損失要因であるレーリー散乱損失を低減させるものである。なお、仮想温度とは、ガラス構造が、熱平衡状態にある過冷却液体の何度と状態と同じであるかを示す温度で、ガラス中に凍結されている構造の良い指標となるものであるつまり、固化したガラスはその構造によって仮想温度が異なる。さて、本実施の形態に係る光ファイバの製造装置1は、アニール炉5の下流側アニール炉5とコーティング器6との間に、アニール処理後の光ファイバ4の表面を長手方向に連続して加熱して、アニール処理後の光ファイバ4に火炎研磨処理FP;FirePolishingFlamePolishingを行う第1ファイバ表面加熱装置7を備えている。第1ファイバ表面加熱装置7は、光ファイバ4の表面を長手方向全長にわたって連続的に加熱し、光ファイバ4の表面を溶融軟化させて、アニール処理時に光ファイバ4の表面に生じた欠陥、すなわち不純物を核として結晶化が進んだ部分やマイクロクラック等を修復するものである。したがって、第1ファイバ表面加熱装置7は、光ファイバ4の表面の温度が、光ファイバ4の表面が溶融軟化する温度、すなわち純粋シリカガラスが溶融軟化する2000°C以上の温度となるように、火炎研磨処理を行うよう構成される。第1ファイバ表面加熱装置7は、光ファイバ4の表面のみを加熱するように構成され、光ファイバ4の芯の部分コア及びコア周辺のクラッドを加熱しないように構成される。これは、光ファイバ4の芯の部分を加熱すると、アニール処理の効果が低減されてレーリー損失が増大し、光ファイバ4の伝送損失が増大してしまうためである。第1ファイバ表面加熱装置7としては、例えば、CO2レーザ装置や低温アーク放電装置等を用いることができる。CO2レーザはガラスへの吸収が高いので、CO2レーザを短時間照射すれば、光ファイバ4の表面のみを加熱できる。また、低温アーク放電を短時間行っても、光ファイバ4の表面のみを加熱できる。なお、ここでいう短時間とは、線引中の光ファイバ4のある一点に対しての加熱時間をいい、第1ファイバ表面加熱装置7は、実際には連続して加熱を行うよう構成される。光ファイバ4の表面の温度の制御は、第1ファイバ表面加熱装置7の出力例えば、CO2レーザの出力を調整することで行われるようになっている。また、第1ファイバ表面加熱装置7は、図示していないが、光ファイバ4にN2やHeなどの不活性ガスをパージする不活性ガスパージ装置を備えており、光ファイバ4に不活性ガスをパージしつつ火炎研磨処理を行うようになっている。これは、火炎研磨処理により高温となり活性化した光ファイバ4の表面に、不純物が付着してしまうことを抑制するためである。さらに、図示していないが、第1ファイバ表面加熱装置7に、火炎研磨処理直後の光ファイバ4の表面の温度を検出する温度測定器と、その温度測定器で検出した光ファイバ4の表面の温度が所望の値予め設定した設定温度となるように第1ファイバ表面加熱装置7の出力例えば、CO2レーザの出力をフィードバック制御する制御装置と、をさらに備えるようにしてもよい。第1ファイバ表面加熱装置7は、アニール炉5の下流側でコーティング器6の上流側であれば、どこに設けてもよいが、第1ファイバ表面加熱装置7とコーティング器6との間で不純物が付着してしまうことを避けるため、コーティング器6の直前に設けることが望ましい。ところで、アニール処理時に欠陥不純物を核として結晶化した部分やマイクロクラック等が大きくなりすぎると、第1ファイバ表面加熱装置7による火炎研磨処理だけでは十分に欠陥を修復できない場合も考えられる。そこで、本実施の形態では、アニール炉5に導入する直前の光ファイバ4の表面を長手方向に連続して加熱して、アニール処理前の光ファイバ4に火炎研磨処理を行う第2ファイバ表面加熱装置8をさらに備え、第2ファイバ表面加熱装置8にて、線引炉3内、あるいは線引炉3とアニール炉5の間の空間で光ファイバ4に付着した不純物を除去するように構成した。第2ファイバ表面加熱装置8は、第2ファイバ表面加熱装置8とアニール炉5との間で不純物が付着してしまうことを避けるため、アニール炉5の直前に設けられる。第2ファイバ表面加熱装置8は、不純物の除去を目的としたものであるから、第1ファイバ表面加熱装置7のように、光ファイバ4の表面を溶融軟化させるほど、光ファイバ4の表面の温度を上昇させる必要はない。つまり、第2ファイバ表面加熱装置8による火炎研磨処理においては、光ファイバ4の表面の温度が2000°C未満であってもよく、不純物を除去できる程度の出力に適宜調整すればよい。第2ファイバ表面加熱装置8としては、第1ファイバ表面加熱装置7と同様に、例えばCO2レーザ装置や低温アーク放電装置等を用いることができる。また、第1ファイバ表面加熱装置7と同様に、第2ファイバ表面加熱装置8は、光ファイバ4に不活性ガスをパージする不活性ガスパージ装置図示せずを備えており、さらに、光ファイバ4の表面の温度を検出する温度測定器図示せずや温度測定器の検出値に応じて第2ファイバ表面加熱装置8の出力をフィードバック制御する制御装置図示せずを備えていてもよい。次に、本実施の形態に係る光ファイバの製造方法を説明する。本実施の形態に係る光ファイバの製造方法では、まず、線引炉3にて光ファイバ母材2を加熱、溶融して線引し、その線引きした光ファイバ4の表面を第2ファイバ表面加熱装置8で連続的に加熱して火炎研磨処理を行い、光ファイバ4に付着した不純物を除去した後、光ファイバ4をアニール炉5に導入してアニール処理を行う。このとき、第2ファイバ表面加熱装置8では、光ファイバ4に不活性ガスをパージしつつ火炎研磨処理を行うことで、火炎研磨処理により高温となり活性化した光ファイバ4の表面に不純物が付着してしまうことを抑制する。アニール炉5に導入する直前で第2ファイバ表面加熱装置8で不純物の除去を行うことにより、不純物を除去した状態の光ファイバ4をアニール炉5に導入することができ、アニール処理による欠陥不純物を核として結晶化した部分やマイクロクラック等の発生あるいは欠陥の拡大、進展を最小限に留めることができる。その後、第1ファイバ表面加熱装置7でアニール処理後の光ファイバ4の表面を連続的に加熱して火炎研磨処理を行う。このとき、光ファイバ4の表面の温度が2000°C以上となるように火炎研磨処理を行い、光ファイバ4の表面を溶融軟化させて、アニール処理により光ファイバ4の表面に生じた欠陥不純物を核として結晶化した部分やマイクロクラック等を修復する。また、光ファイバ4に不活性ガスをパージしつつ火炎研磨処理を行うことで、火炎研磨処理により高温となり活性化した光ファイバ4の表面に不純物が付着してしまうことを抑制する。その後、光ファイバ4をコーティング器6に通し、光ファイバ4の表面に樹脂をコーティングすると、製品が得られる。以上説明したように、本実施の形態に係る光ファイバの製造方法では、アニール処理後の光ファイバ4の表面を長手方向に連続して加熱して火炎研磨処理を行うようにしている。これにより、光ファイバ4の表面を加熱し溶融軟化させて、アニール処理により光ファイバ4の表面に生じた欠陥、すなわち不純物を核として結晶化が進んだ部分やマイクロクラック等を修復することが可能となり、低損失かつ高強度な光ファイバ4を製造することが可能となる。また、本実施の形態では、光ファイバ4に不活性ガスをパージしつつ火炎研磨処理を行っているため、火炎研磨処理時に光ファイバ4の表面に不純物が付着してしまうことを抑制できる。さらに、本実施の形態では、アニール炉5に導入する直前の光ファイバ4の表面を加熱して、アニール処理前の光ファイバ4にも火炎研磨処理を行うようにしているため、不純物を除去した状態で光ファイバ4をアニール炉5に導入することができ、アニール処理時の欠陥の発生あるいは欠陥の拡大、進展を最小限に留めることができる。よって、アニール炉5の下流側に設置した第1ファイバ表面加熱装置7にて、確実に欠陥を修復することが可能になり、信頼性を向上できる。また、本実施の形態に係る光ファイバの製造装置1は、既存の光ファイバの製造装置に、第1ファイバ表面加熱装置7と第2ファイバ表面加熱装置8を追加するのみで実現でき、特許文献2のような巨大な真空容器を設けることなく低コストに、低損失かつ高強度な光ファイバ4の製造を実現できる。本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記実施の形態では、第1ファイバ表面加熱装置7にて、純粋シリカガラスからなる光ファイバ4の表面を溶融軟化させるべく、光ファイバ4の表面の温度が2000°C以上となるように火炎研磨処理を行ったが、これに限らず、予め光ファイバ母材2の表面に、フッ素などの不純物が添加され軟化温度軟化点が低く制御された低温軟化層を形成しておき、第1ファイバ表面加熱装置7にて、光ファイバ4の表面の温度が低温軟化層の軟化温度以上となるように火炎研磨処理を行うようにしてもよい。このように構成することにより、第1ファイバ表面加熱装置7による火炎研磨処理時の光ファイバ4の表面の温度を低くしても、光ファイバ4の表面を溶融軟化させて十分に欠陥を修復することが可能となり、光ファイバ4の芯の部分の温度上昇をより抑制することが可能となる。低温軟化層の厚さは、例えば、線引後に10μm程度の厚さとなるように適宜調整すればよい。一例として、添加する不純物としてフッ素を用いる場合、純粋シリカガラスに0.3程度のフッ素を添加することで、純粋シリカガラスと比較して軟化温度を100°C程度下げることができる。なお、低温軟化層は、気相軸付け法やロッドインチューブ法など公知の方法を用いて形成することができる。また、添加する不純物はフッ素に限らず、例えばOH基などでもよい。