"第1の電極と、開口領域を有し、導電性材料を含有するメッシュ電極と、メッシュ電極の開口領域に配置されている半導体材料と、第1の電極とメッシュ電極との間に位置し、かつ電子受容性材料および電子供与性材料を含有する活性層と、第1の電極と活性層との間のホールブロック層と、メッシュ電極と活性層との間のホールキャリア層とを備える光電セル。本発明は、メッシュ電極を備える光電セルと、関連するシステム、方法、および構成部品とに関する。メッシュ電極は良好な導電性を与える材料典型的には導電性材料であるが半導体材料を用いてもよいから形成され、光電セルが比較的効率的に光を電気エネルギーへ変換するのに充分なだけの光を透過させるために、充分に大きな開口面積を有する。一態様では、本発明は、2つの電極と、電極の間の活性層とを備える光電セルを特徴とする。電極のうちの少なくとも一方はメッシュの形状である。活性層には、電子受容性材料と電子供与性材料とが含まれる。別の態様では、本発明は、複数の光電セルを備えるシステムを特徴とし、各々の光電セルは、2つの電極と、電極の間の活性層とを備える。電極のうちの少なくとも一方はメッシュ形状である。活性層には、電子受容性材料と電子供与性材料とが含まれる。幾つかの実施態様では、2つ以上の光電セルが電気的に並列に接続されている。一定の実施態様では、2つ以上の光電セルが電気的に直列に接続されている。一定の実施態様では、2つ以上の光電セルが電気的に並列に接続され、別の2つ以上の光電セルは電気的に直列に接続されている。さらなる一態様では、本発明は、第1の電極と、第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間の活性層と、第1の電極と活性層との間のホールブロック層と、メッシュ電極と活性層との間のホールキャリア層とを備える光電セルを特徴とする。電極のうちの少なくとも一方はメッシュ形状である。活性層には、電子受容性材料と電子供与性材料とが含まれる。別の態様では、本発明は、複数の光電セルを備えるシステムを特徴とし、各々の光電セルは、第1の電極と、第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間の活性層と、第1の電極と活性層との間のホールブロック層と、第2の電極と活性層との間のホールキャリア層とを備える。電極のうちの少なくとも一方はメッシュ形状である。活性層には、電子受容性材料と電子供与性材料とが含まれる。幾つかの実施態様では、2つ以上の光電セルが電気的に並列に接続されている。一定の実施態様では、2つ以上の光電セルが電気的に直列に接続されている。一定の実施態様では、2つ以上の光電セルが電気的に並列に接続され、別の2つ以上の光電セルは電気的に直列に接続されている。実施態様には、以下の態様のうちの1つ以上が含まれ得る。メッシュ電極はカソードまたはアノードであり得る。幾つかの実施態様では、光電セルは、メッシュカソードおよびメッシュアノードを有する。メッシュ電極は線材から形成され得る。線材は、導電性の金属、導電性の合金、または導電性のポリマーなど、導電性材料から形成され得る。線材は導電性材料導電性の金属、導電性の合金、または導電性のポリマーから成るコーティングを含み得る。メッシュ電極は、例えば、エキスパンドメッシュexpandedmesh、またはメッシュ織物wovenmeshであり得る。メッシュは、導電性材料導電性の金属、導電性の合金、または導電性のポリマーから形成され得る。メッシュは、導電性材料導電性の金属、導電性の合金、または導電性のポリマーから成るコーティングを含み得る。電子受容性材料は、例えば、フラーレン、無機ナノ粒子、ディスコティック液晶、カーボンナノロッド、無機ナノロッド、オキサジアゾール、または電子を受容可能な部位moietyもしくは安定なアニオンを形成可能な部位を含むポリマー例えば、CN基含有ポリマー、CF3基含有ポリマーから形成され得る。電子供与性材料は、ディスコティック液晶、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニルビニレン、ポリシラン、ポリチエニルビニレン、ポリイソチアナフタレン、またはそれらのうちの1つ以上から形成され得る。幾つかの実施態様では、電子供与性材料はポリ3-ヘキシルチオフェンである。光電セルにはさらに、活性層とアノード例えば、メッシュアノードまたは非メッシュアノードとの間のホールブロック層が含まれ得る。ホールブロック層は、例えば、LiFまたは金属酸化物から形成され得る。光電セルには、活性層とカソード例えば、メッシュカソードまたは非メッシュカソードとの間のホールキャリア層も含まれ得る。ホールキャリア層は、例えば、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリビニルカルバゾール、もしくはそれらのうちの1つ以上、またはそれらのポリマーのうちの1つ以上のポリイオンから形成され得る。幾つかの実施態様では、ホールキャリア層は、カソードを支持する基板と接触している。一定の実施態様では、光電セルにはさらに、カソードを支持する基板とホールキャリア層との間の接着材料が含まれる。一般に接着材料は、光電セルの標準的な動作条件において、接着材料と接触している材料層を接着することが可能である。幾つかの実施態様では、接着材料には、1つ以上の熱可塑性、熱硬化性、または圧力感応性の接着剤が含まれる。幾つかの実施態様では、光電セルまたは光電システムは、外部の負荷loadに電気的に接続されている。実施態様では、以下の利点のうちの少なくとも1つが提供され得る。幾つかの実施態様では、メッシュ電極は、半導体材料ではなく導電性材料から形成されているため良好な導電性を与えることが可能であるのと同時に、光電セルがより効率的に光を電気エネルギーへ変換するのに充分な量の光の透過が可能な構造例えば、メッシュ構造を有する。一定の実施態様では、連続的なロールツーロールroll-to-roll製造プロセスを用いて光電セルにメッシュ電極を組込むことによって比較的高い処理量で光電セルの製造を可能とするのに充分な可撓性を、メッシュ電極が有することが可能である。1つ以上のメッシュ電極を用いることによって、光電セルの製造に伴うコスト、複雑さ、またはその両方を低減することが可能である。1つ以上のメッシュ電極を備える光電セルによって、一定の半導体電極に比較して、より効率的な方式で、光の形態のエネルギーを電気の形態のエネルギーに変換することが可能である。他の特徴および利点は、明細書、図面、および特許請求の範囲から明らかであろう。図1には、光電セル100の断面図を示す。光電セル100は、透明基板110、メッシュカソード120、ホールキャリア層130、光活性層電子受容性材料および電子供与性材料を含有する140、ホールブロック層150、アノード160、および基板170を備える。一般に、使用中、光は基板110の表面に衝突し、基板110、カソード120の開口部、およびホールキャリア層130を通過する。続いて、光は光活性層140と相互作用し、光活性層140の電子供与性材料から光活性層140の電子受容性材料へと輸送される電子を生じさせる。続いて、電子受容性材料によって、電子はホールブロック層150を通じてアノード160へと伝達され、電子供与性材料によって、ホールはホールキャリア層130を通じてメッシュカソード120へと輸送される。アノード160およびメッシュカソード120は、アノード160から負荷を通じてカソード120へと電子が流れるように、外部の負荷を介して電気的に接続されている。図2,3に示したように、メッシュカソード120には、中実の領域122と、開口領域124とが含まれる。一般に、メッシュカソード120において、開口領域124を介して光がメッシュカソード120を通過し、かつ中実領域122を介して電子が伝導されるように、中実領域122は導電性材料から形成される。メッシュカソード120において開口領域124が占める領域メッシュカソード120の開口面積は、所望の通りに選択可能である。一般に、メッシュカソード120の開口面積は、メッシュカソード120の全面積のうちの、約10以上例えば、約20以上、約30以上、約40以上、約50以上、約60以上、約70以上、約80以上、約99以下例えば、約95以下、約90以下、約85以下、またはその両方である。メッシュカソード120は、様々な方法で調製可能である。幾つかの実施態様では、メッシュカソード120は、中実領域122を形成する材料の線材を織ることにより形成される、メッシュ織物である。例えば、平織り、畳織りDutchweave、綾織りtwillweave、綾畳織り、またはそれらの組合せを用いて、線材を織ることが可能である。一定の実施態様では、メッシュカソード120は、溶接された線材のメッシュから形成される。幾つかの実施態様では、メッシュカソード120は、形成されたエキスパンドメッシュである。エキスパンドメタルメッシュは、例えば、材料例えば、金属などの導電性材料のシートから開口領域124を取除き例えば、レーザ除去を介して、化学的エッチングを介して、穴開けpuncturingを介して、続いてシートを伸展する例えば、シートを2次元に伸展するなどことによって、調製可能である。一定の実施態様では、メッシュカソード120は、開口領域124を取除く例えば、レーザ除去を介して、化学的エッチングを介して、穴開けを介してことによって形成される金属シートであり、続いてシートを伸展することはしない。一定の実施態様では、中実領域122は、完全に導電性材料から形成される例えば、中実領域122は導電性の実質的に均一な材料から形成される。中実領域122に用いることが可能な導電性材料の例には、導電性の金属、導電性の合金、および導電性のポリマーが含まれる。例示的な導電性の金属には、金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、白金、およびチタンが含まれる。例示的な導電性の合金には、ステンレス鋼例えば、332ステンレス鋼、316ステンレス鋼、金の合金、銀の合金、銅の合金、ニッケル合金、パラジウム合金、白金の合金、およびチタン合金が含まれる。例示的な導電性のポリマーには、ポリチオフェン例えば、ポリ3,4-エテリンジオキシチオフェン34ethelynedioxythiophenePEDOT、ポリアニリン例えば、ドープしたポリアニリン、ポリピロール例えば、ドープしたポリピロールが含まれる。幾つかの実施態様では、導電性材料の組合せが用いられる。図4に示したように、幾つかの実施態様では、中実領域122は、異なる材料304でコーティングされた例えば、メタライゼーションを用いて、蒸着を用いて材料302から形成される。一般に、材料302は任意の所望の材料例えば、電気絶縁材料、導電性材料、または半導体材料から形成されることが可能であり、材料304は導電性材料である。材料302が形成され得る電気絶縁材料の例には、織布、光学繊維材料、ポリマー性材料例えば、ナイロン、および天然材料例えば、亜麻、木綿、羊毛、絹が含まれる。材料302が形成され得る導電性材料の例には、上述の導電性材料が含まれる。材料302が形成され得る半導体材料の例には、インジウムスズ酸化物、フッ素化スズ酸化物、スズ酸化物、および亜鉛酸化物が含まれる。幾つかの実施態様では、材料302は繊維の形状であり、材料304は材料302へコーティングされた導電性材料である。一定の実施態様では、材料302はメッシュの形状上述を参照であり、メッシュに形成された後に、材料304でコーティングされる。一例として、材料302はエクスパンドメタルメッシュであり、材料304はエクスパンドメタルメッシュへコーティングされたPEDOTである。一般に、メッシュカソード120の最大厚さすなわち、基板110がメッシュカソード120と接触している表面に対して実質的に垂直な方向への、メッシュカソード120の最大厚さは、ホールキャリア層130の全厚さ未満である必要がある。典型的には、メッシュカソード120の最大厚さは、0.1μm以上例えば、約0.2μm以上、約0.3μm以上、約0.4μm以上、約0.5μm以上、約0.6μm以上、約0.7μm以上、約0.8μm以上、約0.9μm以上、約1μm以上、約10μm以下約9μm以下、約8μm以下、約7μm以下、約6μm以下、約5μm以下、約4μm以下、約3μm以下、約2μm以下、またはその両方である。図2では長方形の形状を有するように示したが、一般に、開口領域124は任意の所望の形状を有することが可能である例えば、正方形、円形、半円形、三角形、菱形、楕円形、台形、不定形。幾つかの実施態様では、メッシュカソード120において、異なる開口領域124は異なる形状を有し得る。図3では正方形の断面形状を有するように示したが、一般に、中実領域122は任意の所望の形状を有することが可能である例えば、長方形、円形、半円形、三角形、菱形、楕円形、台形、不定形など。幾つかの実施態様では、メッシュカソード120において、異なる中実領域122は異なる形状を有し得る。幾つかの実施態様では、メッシュカソード120は可撓性例えば、連続的なロールツーロール製造プロセスを用いて光電セル100に組込まれるのに充分に可撓性である。一定の実施態様では、メッシュカソード120は、半剛性または不撓性である。幾つかの実施態様では、メッシュカソード120において、異なる領域が可撓性、半剛性、または不撓性であることが可能である例えば、可撓性の1つ以上の領域および半剛性の異なる1つ以上の領域、可撓性の1つ以上の領域および不撓性の異なる1つ以上の領域。基板110は、一般に透明材料から形成される。本明細書では、光電セル100に用いる厚さにて、光電セルの動作中に用いられる一定の波長または一定範囲の波長の入射光の約60以上例えば、約70以上、約75以上、約80以上、約85以上を透過させる材料を、透明材料と称する。基板110が形成され得る例示的な材料には、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリマー性炭化水素、セルロースポリマー、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリエーテル、およびポリエーテルケトンが含まれる。一定の実施態様では、ポリマーはフッ素化ポリマーであり得る。幾つかの実施態様では、ポリマー性材料の組合せが用いられる。一定の実施態様では、基板110において、異なる領域は異なる材料から形成され得る。一般に、基板110は、可撓性、半剛性、または剛性であることが可能である例えば、ガラスなど。幾つかの実施態様では、基板110は約5,000MPaメガパスカル未満の曲げ弾性率を有する。一定の実施態様では、基板110において、異なる領域が可撓性、半剛性、または不撓性であることが可能である例えば、可撓性の1つ以上の領域および半剛性の異なる1つ以上の領域、可撓性の1つ以上の領域および不撓性の異なる1つ以上の領域など。典型的には、基板110の厚さは、約1μm以上例えば、約5μm以上、約10μm以上、約1,000μm以下例えば、約500μm以下、約300μm以下、約200μm以下、約100μm以下、約50μm以下、またはその両方である。一般に、基板110は有色または無色であり得る。幾つかの実施態様では、基板110のうちの1つ以上の部分は有色であり、基板110のうちの異なる1つ以上の部分は無色である。基板110は、1つの平面的な表面例えば、光が衝突する表面を有すること、2つの平面的な表面例えば、光が衝突する表面および反対の表面を有すること、または平面的な表面を有しないことが可能である。基板110の非平面的な表面は、例えば、湾曲していること、または段を有することが可能である。幾つかの実施態様では、基板110の非平面的な表面にはパターンが形成されている例えば、パターンの形成された段を有し、フレネルレンズFresnellens、レンチキュラーレンズlenticularlens、またはレンチキュラープリズムを形成する。ホールキャリア層130は、一般に、光電セル100に用いる厚さにて、メッシュカソード120へとホールを輸送し、かつメッシュカソード120への電子の輸送を実質的にブロックする材料から形成される。ホールキャリア層130が形成され得る材料の例には、ポリチオフェン例えば、PEDOT、ポリアニリン、ポリビニルカルバゾール、ポリフェニレン、ポリフェニルビニレン、ポリシラン、ポリチエニレンビニレン、ポリイソチアナフタネンpolyisothianaphthanenesが含まれる。幾つかの実施態様では、ホールキャリア層130には、ホールキャリア材料の組合せが含まれ得る。一般に、ホールキャリア層130の上表面すなわち、ホールキャリア層130が活性層140と接触している表面と、基板110の上表面すなわち、基板110がメッシュ電極120と接触している表面との間の距離は、所望の通りに変更可能である。典型的には、ホールキャリア層130の上表面と、メッシュカソード120の上表面との間の距離は、0.01μm以上例えば、約0.05μm以上、約0.1μm以上、約0.2μm以上、約0.3μm以上、約0.5μm以上、約5μm以下例えば、約3μm以下、約2μm以下、約1μm以下、またはその両方である。幾つかの実施態様では、ホールキャリア層130の上表面と、メッシュカソード120の上表面との間の距離は、約0.01μm~約0.5μmである。活性層140は、一般に電子受容性材料と電子供与性材料とを含有する。電子受容性材料の例には、フラーレン、オキサジアゾール、カーボンナノロッド、ディスコティック液晶、無機ナノ粒子例えば、亜鉛酸化物、タングステン酸化物、インジウム燐化物、セレン化カドミウム、硫化鉛、またはそれらのうちの1つ以上から形成されるナノ粒子、無機ナノロッド例えば、亜鉛酸化物、タングステン酸化物、インジウム燐化物、セレン化カドミウム、硫化鉛、またはそれらのうちの1つ以上から形成されるナノロッド、または電子を受容可能な部位もしくは安定なアニオンを形成可能な部位を含むポリマー例えば、CN基含有ポリマー、CF3基含有ポリマーなどから形成される材料が含まれる。幾つかの実施態様では、電子受容性材料は置換フラーレン例えば、PCBMなどである。幾つかの実施態様では、活性層140は電子受容性材料の組合せを含み得る。電子供与性材料の例には、ディスコティック液晶、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニルビニレン、ポリシラン、ポリチエニルビニレン、およびポリイソチアナフタレンが含まれる。幾つかの実施態様では、電子供与性材料はポリ3-ヘキシルチオフェンである。一定の実施態様では、活性層140は電子供与性材料の組合せを含み得る。一般に活性層140は、衝突する光子を吸収して対応する電子およびホールを形成する場合に比較的効率的であるために充分に厚く、かつホールおよび電子をそれぞれ層130,150へ輸送する場合に比較的効率的であるために充分に薄い。一定の実施態様では、層140の厚さは、0.05μm以上例えば、約0.1μm以上、約0.2μm以上、約0.3μm以上、約1μm以下例えば、約0.5μm以下、約0.4μm以下、またはその両方である。幾つかの実施態様では、層140の厚さは、約0.1μm~約0.2μmである。ホールブロック層150は、一般に、光電セル100に用いる厚さにて、アノード160へ電子を輸送し、かつアノード160へのホールの輸送を実質的にブロックする材料から形成される。ホールブロック層150が形成され得る材料の例には、LiFおよび金属酸化物例えば、亜鉛酸化物、チタン酸化物が含まれる。典型的には、ホールブロック層150の厚さは、0.02μm以上例えば、約0.03μm以上、約0.04μm以上、約0.05μm以上、約0.5μm以下例えば、約0.4μm以下、約0.3μm以下、約0.2μm以下、約0.1μm以下、またはその両方である。アノード160は、一般に、上述の導電性材料のうちの1つ以上など、導電性材料から形成される。幾つかの実施態様では、アノード160は導電性材料の組合せから形成される。基板170は、透明材料または不透明材料から形成され得る。例えば、使用中にアノード160を通過する光を光電セルが用いる実施態様では、基板170は透明材料から形成されることが望ましい。基板170が形成され得る例示的な材料には、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリマー性炭化水素、セルロースポリマー、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリエーテル、およびポリエーテルケトンが含まれる。一定の実施態様では、ポリマーはフッ素化ポリマーであり得る。幾つかの実施態様では、ポリマー性材料の組合せが用いられる。一定の実施態様では、基板110において、異なる領域は異なる材料から形成され得る。一般に、基板170は、可撓性、半剛性、または剛性であることが可能である。幾つかの実施態様では、基板170は約5,000MPa未満の曲げ弾性率を有する。一定の実施態様では、基板170において、異なる領域が可撓性、半剛性、または不撓性であることが可能である例えば、可撓性の1つ以上の領域および半剛性の異なる1つ以上の領域、可撓性の1つ以上の領域および不撓性の異なる1つ以上の領域。一般に、基板170は実質的に非散乱性である。典型的には、基板170の厚さは、約1μm以上例えば、約5μm以上、約10μm以上、約200μm以下例えば、約100μm以下、約50μm以下、またはその両方である。一般に、基板170は有色または無色であり得る。幾つかの実施態様では、基板170のうちの1つ以上の部分は有色であり、基板170のうちの異なる1つ以上の部分は無色である。基板170は、1つの平面的な表面例えば、使用中にアノード160を通過する光を光電セル100が用いる実施態様で、基板170において光が衝突する表面を有すること、2つの平面的な表面例えば、使用中にアノード160を通過する光を光電セル100が用いる実施態様で、基板170において光が衝突する表面および基板170の反対の表面を有すること、または平面的な表面を有しないことが可能である。基板170の非平面的な表面は、例えば、湾曲していること、または段を有することが可能である。幾つかの実施態様では、基板170の非平面的な表面にはパターンが形成されている例えば、パターンの形成された段を有し、フレネルレンズ、レンチキュラーレンズ、またはレンチキュラープリズムを形成する。図5には、光電セル400の断面図を示す。光電セル400には、基板110とホールキャリア層130との間の接着層410が含まれる。一般に、接着層410には、メッシュカソード130を定位置に保持することが可能な任意の材料が用いられ得る。一般に、接着層410は、光電セル400に用いる厚さにて透明な材料から形成される。接着剤の例には、エポキシおよびウレタンが含まれる。接着層410に用いられ得る市販の材料の例には、デュポンDuPont社のBynel商標接着剤およびスリーエム3M社の615接着剤が含まれる。幾つかの実施態様では、接着層410にはフッ素化接着剤が含まれ得る。一定の実施態様では、接着層410は導電性接着剤を含有する。導電性接着剤は、例えば、上述の導電性ポリマー例えば、PEDOTなど、本質的に導電性のポリマーから形成され得る。導電性接着剤は、1つ以上の導電性材料例えば、導電性粒子を含むポリマー例えば、本質的に導電性でないポリマーからも形成され得る。幾つかの実施態様では、接着層410は、1つ以上の導電性材料を含む、本質的に導電性のポリマーを含有する。幾つかの実施態様では、接着層410の厚さすなわち、基板110が接着層410と接触している表面に対して実質的に垂直な方向への、接着層410の厚さは、メッシュカソード120の最大厚さ未満である。幾つかの実施態様では、接着層410の厚さは、メッシュカソード120の最大厚さの約90以下例えば、約80以下、約70以下、約60以下、約50以下、約40以下、約30以下、約20以下である。しかしながら、一定の実施態様では、接着層410の厚さは、メッシュカソード130の最大厚さとほぼ同じか、またはメッシュカソード130の最大厚さより大きい。一般に、メッシュカソードを有する光電セルを、所望の通りに製造することが可能である。幾つかの実施態様では、光電セルは以下のように調製され得る。従来技術を用いて電極160を基板170上に形成し、ホールブロック層150を電極160上に形成する例えば、真空蒸着vacuumdepositionプロセスまたは溶液コーティングプロセスを用いて。活性層140をホールブロック層150上に形成する例えば、スロットコーティング、スピンコーティング、またはグラビアコーティングなど、溶液コーティングプロセスを用いて。ホールキャリア層130を活性層140上に形成する例えば、スロットコーティング、スピンコーティング、またはグラビアコーティングなど、溶液コーティングプロセスを用いて。メッシュカソード120をホールキャリア層130に部分的に配置する例えば、ホールキャリア層130の表面にメッシュカソード120を配置し、メッシュカソード120をプレス加工することによって。続いて、従来の方法を用いて、基板110をメッシュカソード120およびホールキャリア層130上に形成する。一定の実施態様では、光電セルは以下のように調製され得る。従来技術を用いて電極160を基板170上に形成し、ホールブロック層150を電極160上に形成する例えば、真空蒸着プロセスまたは溶液コーティングプロセスを用いて。活性層140をホールブロック層150上に形成する例えば、スロットコーティング、スピンコーティング、またはグラビアコーティングなど、溶液コーティングプロセスを用いて。ホールキャリア層130を活性層140上に形成する例えば、スロットコーティング、スピンコーティング、またはグラビアコーティングなど、溶液コーティングプロセスを用いて。従来技術を用いて接着層410をホールキャリア層130上に配置する。メッシュカソード120を接着層410およびホールキャリア層130に部分的に配置する例えば、接着層410の表面にメッシュカソード120を配置し、メッシュカソード120をプレス加工することによって。続いて、従来の方法を用いて、基板110をメッシュカソード120および接着層410上に形成する。先述のプロセスには、メッシュカソード120をホールキャリア層130に部分的に配置する工程が含まれるが、幾つかの実施態様では、図に示した開口構造を有する電極を与えるように、キャリア層130または接着層410の表面にカソード材料を印刷することによって、メッシュカソード120を形成する。例えば、メッシュカソード120は、インクジェット印刷機、スクリーン印刷機、またはグラビア印刷機を用いて印刷可能である。加熱または放射例えば、紫外線放射、可視光放射、赤外線放射、電子ビーム放射などにより固化するペーストに、カソード材料を配置することも可能である。カソード材料は、例えば、スクリーンを通してメッシュのパターンに真空蒸着することも可能であり、蒸着後にフォトリソグラフィーによってパターンを形成されてもよい。複数の光電セルを電気的に接続し、光電システムを形成することが可能である。一例として、図6には、光電セル520を含むモジュール510を有する光電システム500の概略図を示す。光電セル520は電気的に直列に接続されており、システム500は負荷に電気的に接続されている。図7には、光電セル620を含むモジュール610を有する光電システム600の概略図を示す。光電セル620は電気的に並列に接続されており、システム600は負荷に電気的に接続されている。幾つかの実施態様では、光電システムにおける一部例えば、全ての光電セルは、1つ以上の共通の基板を有することが可能である。一定の実施態様では、光電システムにおける一部の光電セルは電気的に直列に接続されており、その光電システムにおける光電セルのうちの一部は電気的に並列に接続されている。一定の実施態様を開示したが、他の実施態様もまた可能である。メッシュから形成されるカソードを開示したが、別の例として、幾つかの実施態様ではメッシュアノードを用いることが可能である。これは例えば、アノードが伝達した光を用いる場合に所望され得る。一定の実施態様では、メッシュカソードおよびメッシュアノードの両方が用いられる。これは例えば、カソードおよびアノードの両方が伝達した光を用いる場合に所望され得る。一般にセルのカソード側を介して透過する光を用いる実施態様を説明したが、一例として、一定の実施態様ではセルのアノード側が伝達した光を用いる例えば、メッシュアノードを用いる場合。幾つかの実施態様では、セルのカソード側およびアノード側の両方が伝達した光を用いるメッシュカソードおよびメッシュアノードを用いる場合。電極例えば、メッシュ電極、非メッシュ電極を導電性材料から形成されるものとして説明したが、さらなる一例として、幾つかの実施態様では半導体材料から形成される1つ以上の電極例えば、1つ以上のメッシュ電極、1つ以上の非メッシュ電極を光電セルが備えてもよい。半導体材料の例には、インジウムスズ酸化物、フッ素化スズ酸化物、スズ酸化物、および亜鉛酸化物が含まれる。さらなる一例として、幾つかの実施態様では1つ以上の半導体材料がメッシュ電極の開口領域に配置され得る例えば、メッシュカソードの開口領域、メッシュアノードの開口領域、メッシュカソードの開口領域およびメッシュアノードの開口領域。半導体材料の例には、スズ酸化物、フッ素化スズ酸化物、スズ酸化物、および亜鉛酸化物が含まれる。典型的には、メッシュ電極の開口領域に配置される半導体材料は、光電セルに用いる厚さにて透明である。別の例として、一定の実施態様では一方または両方の基板に保護層が適用され得る。保護層は、例えば、汚染物質例えば、塵埃dirt、水分、酸素、化学物質を光電セルの中に入れないため、セルの耐久性を高めるため、またはその両方のために用いられ得る。一定の実施態様では、保護層はポリマー例えば、フッ素化ポリマーから形成され得る。1つ以上のメッシュ電極を備える一定の種類の光電セルを説明したが、さらなる一例として、他の種類の光電セルにも1つ以上のメッシュ電極メッシュカソード、メッシュアノード、メッシュカソードおよびメッシュアノードを用いることが可能である。そのような光電セルの例には、アモルファスシリコン、セレン化カドミウム、テルル化カドミウム、銅インジウム硫化物、および銅インジウムガリウム砒化物から形成される活性材料を含む光電セルが含まれる。材料302,304が異なる材料から形成されるものとして説明したが、さらなる一例として、幾つかの実施態様では材料302,304は同じ材料から形成される。図4では中実領域122が別の材料へコーティングされた1つの材料から形成されるように示したが、別の例として、幾つかの実施態様では中実領域122は2つ以上のコーティングされた材料例えば、3つのコーティングされた材料、4つのコーティングされた材料、5つのコーティングされた材料、6つのコーティングされた材料から形成され得る。他の実施態様は特許請求の範囲にある。"