"Aベース樹脂100質量部、B光酸発生剤0.05~20質量部、C熱架橋剤0.1~50質量部、D有機溶剤50~5,000質量部を含有し、Aベース樹脂が、下記一般式1で示される繰り返し単位を有する、重量平均分子量1,000~500,000の高分子化合物であることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。式中、R1は独立に水素原子、ヒドロキシ基、直鎖状もしくは分岐状アルキル基、又はトリフルオロメチル基を表し、R2は水素原子、ヒドロキシ基、又はトリフルオロメチル基を表し、R3は炭素数4~20の3級アルキル基を示し、R4は酸不安定基但し、3級アルキル基を除くを表す。nは0又は1~4の整数であり、mは0又は1~5の整数である。また、p、q、rは0又は正数であるが、0<pqr≦1である。C熱架橋剤が、ビスフェノールA型、クレゾールノボラック型、又はフェニル基に一価炭化水素基を有する多官能型のエポキシ樹脂又はオキセタン樹脂である請求項1に記載の化学増幅ポジ型レジスト材料。更に、E塩基性化合物をA成分100質量部に対して0.01~2質量部含有してなる請求項1又は2に記載の化学増幅ポジ型レジスト材料。基板に請求項1~3のいずれか1項に記載の化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布してレジスト層を形成し、その所要部分を露光した後、現像することを特徴とするパターン形成方法。上記現像後、得られたレジストパターン層を100~250°Cに加熱して硬化レジストパターン層を得る請求項4に記載のパターン形成方法。請求項5に記載のパターン形成方法によって得られた硬化レジストパターン膜。本発明は上記事情に鑑みなされたもので、感度及び解像度が高く、アルカリ水溶液現像で厚膜を形成することができ、更に現像後の熱処理で良好な耐熱性を有する硬化皮膜を形成することが可能な化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法、更にこのパターン形成方法によって得られた硬化レジストパターン膜を提供することを目的とする。本発明者らは、上記目的を達成するため、鋭意検討した結果、ベース樹脂として下記一般式1で示される繰り返し単位を有する高分子化合物を使用すると共に、ビスフェノールA型、クレゾールノボラック型、多官能型等のエポキシ樹脂、オキセタン樹脂等の熱架橋剤を配合した化学増幅ポジ型レジスト材料を用いてパターン形成することが有効であることを知見し、本発明をなすに至った。従って、本発明は、下記化学増幅ポジ型レジスト材料、パターン形成方法及び硬化レジストパターン膜を提供する。1Aベース樹脂100質量部、B光酸発生剤0.05~20質量部、C熱架橋剤0.1~50質量部、D有機溶剤50~5,000質量部を含有し、Aベース樹脂が、下記一般式1で示される繰り返し単位を有する、重量平均分子量1,000~500,000の高分子化合物であることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。式中、R1は独立に水素原子、ヒドロキシ基、直鎖状もしくは分岐状アルキル基、又はトリフルオロメチル基を表し、R2は水素原子、ヒドロキシ基、又はトリフルオロメチル基を表し、R3は炭素数4~20の3級アルキル基を示し、R4は酸不安定基但し、3級アルキル基を除くを表す。nは0又は1~4の正の整数であり、mは0又は1~5の正の整数である。また、p、q、rは0又は正数であるが、0<pqr≦1である。2C熱架橋剤が、ビスフェノールA型、クレゾールノボラック型、又はフェニル基に一価炭化水素基を有する多官能型のエポキシ樹脂又はオキセタン樹脂である1に記載の化学増幅ポジ型レジスト材料。3更に、E塩基性化合物をA成分100質量部に対して0.01~2質量部含有してなる1又は2に記載の化学増幅ポジ型レジスト材料。4基板に1~3のいずれかに記載の化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布してレジスト層を形成し、その所要部分を露光した後、現像することを特徴とするパターン形成方法。5上記現像後、得られたレジストパターン層を100~250°Cに加熱して硬化レジストパターン層を得る4に記載のパターン形成方法。65に記載のパターン形成方法によって得られた硬化レジストパターン膜。本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料は、良好な感度、解像度、現像性、パターン形状を与え、現像後の熱処理で良好な硬化レジストパターン膜を与える。以下、本発明につき更に詳しく説明すると、本発明の第1成分であるベース樹脂は、下記一般式1で示される繰り返し単位を有する、重量平均分子量1,000~500,000の高分子化合物である。式中、R1は独立に水素原子、ヒドロキシ基、直鎖状もしくは分岐状アルキル基、又はトリフルオロメチル基を表し、R2は水素原子、ヒドロキシ基、又はトリフルオロメチル基を表し、R3は炭素数4~20の3級アルキル基を示し、R4は酸不安定基但し、3級アルキル基を除くを表す。nは0又は1~4の正の整数であり、mは0又は1~5の正の整数である。また、p、q、rは0又は正数であるが、0<pqr≦1である。R1の直鎖状、分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、tert-ブチル基等を例示できる。また、R3の3級アルキル基としては、分岐状、環状のいずれでもよく、炭素数4~20、好ましくは4~12のものである。具体的には、tert-ブチル基、tert-アミル基、1,1-ジエチルプロピル基、2-シクロペンチルプロパン-2-イル基、2-シクロヘキシルプロパン-2-イル基、2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルプロパン-2-イル基、2-アダマンタン-1-イルプロパン-2-イル基、1-エチルシクロペンチル基、1-ブチルシクロペンチル基、1-エチルシクロヘキシル基、1-ブチルシクロヘキシル基、1-エチル-2-シクロペンテニル基、1-エチル-2-シクロヘキセニル基、2-メチル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基等が例示できる。上記R4は酸不安定基である。この場合、OR4は特に下記一般式2、3で示される基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシロキシ基、炭素数4~20のオキソアルコキシ基、テトラヒドロピラニルオキシ基、テトラヒドロフラニルオキシ基又はトリアルキルシロキシ基であることが好ましい。式中、R5、R6、R7、R8、R9は各々独立して水素原子又は炭素数1~8の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示し、R10は炭素数1~18の酸素原子を介在してもよい一価炭化水素基、R5とR6、R5とR7、R6とR7とは環を形成してもよく、環を形成する場合は環の形成に関与するR5、R6、R7はそれぞれ炭素数1~18の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R10は炭素数4~40の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。また、aは0又は1~4の整数である。ここで、上記式2で示される基として具体的には、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、n-プロポキシエトキシ基、iso-プロポキシエトキシ基、n-ブトキシエトキシ基、iso-ブトキシエトキシ基、tert-ブトキシエトキシ基、シクロヘキシロキシエトキシ基、メトキシプロポキシ基、エトキシプロポキシ基、1-メトキシ-1-メチル-エトキシ基、1-エトキシ-1-メチル-エトキシ基等が挙げられる。一方、上記式3の基として、例えばtert-ブトキシカルボニルオキシ基、tert-ブトキシカルボニルメチルオキシ基、エチルシクロペンチルカルボニルオキシ基、エチルシクロヘキシルカルボニルオキシ基、メチルシクロペンチルカルボニルオキシ基等が挙げられる。また、上記トリアルキルシロキシ基としては、トリメチルシロキシ基等の各アルキル基の炭素数が1~6のものが挙げられる。また、更にレジスト材料の特性を考慮すると、上記式1において、p、q、rは0又は正数で、下記式を満足する数である。0≦p/pqr≦0.8、更に好ましくは0.2≦p/pqr≦0.8である。0≦q/pqr≦0.5、更に好ましくは0≦q/pqr≦0.3である。0≦r/pqr≦0.5、更に好ましくは0≦r/pqr≦0.35である。pの割合が多すぎると、未露光部のアルカリ溶解速度が大きくなりすぎる。また、p、q、rはその値を上記範囲内で適宜選定することによりパターンの寸法制御、パターンの形状コントロールを任意に行うことができるが、0<pqr≦1、特にはpqr=1である。即ち、上記高分子化合物は、pの単位、qの単位、rの単位から選ばれる1種以上、より好ましくはpの単位とqの単位及び/又はrの単位とからなるものが好ましい。本発明の高分子化合物は、それぞれゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量が1,000~500,000、好ましくは2,000~30,000である必要がある。重量平均分子量が小さすぎるとレジスト材料が耐熱性に劣るものとなり、大きすぎるとアルカリ溶解性が低下し、パターン形成後に裾引き現象が生じ易くなってしまう。これら、高分子化合物を合成するには、1つの方法としてはアセトキシスチレンモノマーとアミロキシスチレンモノマーを、有機溶剤中ラジカル開始剤を加えて加熱重合を行い、得られた高分子化合物に対して有機溶剤中アルカリ加水分解を行い、アセトキシ基を脱保護し、ヒドロキシスチレンとアミロキシスチレンの共重合体の高分子化合物を得ることができる。重合時に使用する有機溶剤としてはトルエン、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオキサン等が例示できる。重合開始剤としては、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2-アゾビス2-メチルプロピオネート、ベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド等が例示でき、好ましくは50~80°Cに加熱して重合できる。反応時間としては2~100時間、好ましくは5~20時間である。アルカリ加水分解時の塩基としては、アンモニア水、トリエチルアミン等が使用できる。また反応温度としては-20~100°C、好ましくは0~60°Cであり、反応時間としては0.2~100時間、好ましくは0.5~20時間である。更に、このようにして得られた高分子化合物を単離後、フェノール性水酸基部分に対して、一般式2、一般式3で示される酸不安定基を導入することも可能である。例えば、高分子化合物のフェノール性水酸基に対してハロゲン化アルキルエーテル化合物を用いて、塩基の存在下、高分子化合物と反応させることにより、部分的にフェノール性水酸基がアルコキシアルキル基で保護された高分子化合物を得ることも可能である。この時、反応溶剤としては、アセトニトリル、アセトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶剤が好ましく、単独でも2種以上混合して使用してもかまわない。塩基としては、トリエチルアミン、ピリジン、ジイソプロピルアミン、炭酸カリウム等が好ましく、その使用量は反応する高分子化合物のフェノール性水酸基の水素原子をその全水酸基の1モルに対して10モル以上であることが好ましい。反応温度としては-50~100°C、好ましくは0~60°Cであり、反応時間としては0.5~100時間、好ましくは1~20時間である。更に、上記式3の酸不安定基の導入は、二炭酸ジアルキル化合物又はアルコキシカルボニルアルキルハライドと高分子化合物を溶剤中において塩基の存在下反応を行うことで可能である。反応溶剤としては、アセトニトリル、アセトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶剤が好ましく、単独でも2種以上混合して使用してもかまわない。塩基としては、トリエチルアミン、ピリジン、イミダゾール、ジイソプロピルアミン、炭酸カリウム等が好ましく、その使用量は元の高分子化合物のフェノール性水酸基の水素原子をその全水酸基の1モルに対して10モル以上であることが好ましい。また、反応温度としては0~100°C、好ましくは0~60°Cである。反応時間としては0.2~100時間、好ましくは1~10時間である。二炭酸ジアルキル化合物としては二炭酸ジ-tert-ブチル、二炭酸ジ-tert-アミル等が挙げられ、アルコキシカルボニルアルキルハライドとしてはtert-ブトキシカルボニルメチルクロライド、tert-アミロキシカルボニルメチルクロライド、tert-ブトキシカルボニルメチルブロマイド、tert-ブトキシカルボニルエチルクロライド等が挙げられる。但し、これら合成手法に限定されるものではない。次に、B成分の光酸発生剤について説明する。B成分の光酸発生剤としては、高エネルギー線照射により酸を発生する化合物であればいずれでもかまわない。好適な光酸発生剤としてはスルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメタン、N-スルホニルオキシイミド型酸発生剤等がある。以下に詳述するが、これらは単独或いは2種以上混合して用いることができる。スルホニウム塩はスルホニウムカチオンとスルホネートの塩であり、スルホニウムカチオンとしてトリフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス4-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、3-tert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス3-tert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス3-tert-ブトキシフェニルスルホニウム、3,4-ジtert-ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、ビス3,4-ジtert-ブトキシフェニルフェニルスルホニウム、トリス3,4-ジtert-ブトキシフェニルスルホニウム、ジフェニル4-チオフェノキシフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルジフェニルスルホニウム、トリス4-tert-ブトキシカルボニルメチルオキシフェニルスルホニウム、4-tert-ブトキシフェニルビス4-ジメチルアミノフェニルスルホニウム、トリス4-ジメチルアミノフェニルスルホニウム、2-ナフチルジフェニルスルホニウム、ジメチル2-ナフチルスルホニウム、4-ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム、4-メトキシフェニルジメチルスルホニウム、トリメチルスルホニウム、2-オキソシクロヘキシルシクロヘキシルメチルスルホニウム、トリナフチルスルホニウム、トリベンジルスルホニウム等が挙げられ、スルホネートとしては、トリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、4-4-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート等が挙げられ、これらの組み合わせのスルホニウム塩が挙げられる。ヨードニウム塩はヨードニウムカチオンとスルホネートの塩であり、ヨードニウムカチオンとしてジフェニルヨードニウム、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウム、4-tert-ブトキシフェニルフェニルヨードニウム、4-メトキシフェニルフェニルヨードニウム等のアリールヨードニウムカチオンと、スルホネートとしてトリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、4-4-トルエンスルホニルオキシベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート等が挙げられ、これらの組み合わせのヨードニウム塩が挙げられる。スルホニルジアゾメタンとしては、ビスエチルスルホニルジアゾメタン、ビス1-メチルプロピルスルホニルジアゾメタン、ビス2-メチルプロピルスルホニルジアゾメタン、ビス1,1-ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビスパーフルオロイソプロピルスルホニルジアゾメタン、ビスフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス4-メチルフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2,4-ジメチルフェニルスルホニルジアゾメタン、ビス2-ナフチルスルホニルジアゾメタン、4-メチルフェニルスルホニルベンゾイルジアゾメタン、tert-ブチルカルボニル-4-メチルフェニルスルホニルジアゾメタン、2-ナフチルスルホニルベンゾイルジアゾメタン、4-メチルフェニルスルホニル-2-ナフトイルジアゾメタン、メチルスルホニルベンゾイルジアゾメタン、tert-ブトキシカルボニル-4-メチルフェニルスルホニルジアゾメタン等のビススルホニルジアゾメタンとスルホニルカルボニルジアゾメタンが挙げられる。N-スルホニルオキシイミド型光酸発生剤としては、コハク酸イミド、ナフタレンジカルボン酸イミド、フタル酸イミド、シクロヘキシルジカルボン酸イミド、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸イミド、7-オキサビシクロ[2.2.1]-5-ヘプテン-2,3-ジカルボン酸イミド等のイミド骨格とトリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフオロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート等の組み合わせの化合物が挙げられる。ベンゾインスルホネート型光酸発生剤としては、ベンゾイントシレート、ベンゾインメシレート、ベンゾインブタンスルホネート等が挙げられる。ピロガロールトリスルホネート型光酸発生剤としては、ピロガロール、フロログリシン、カテコール、レゾルシノール、ヒドロキノンのヒドロキシ基の全てをトリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート等で置換した化合物が挙げられる。ニトロベンジルスルホネート型光酸発生剤としては2,4-ジニトロベンジルスルホネート、2-ニトロベンジルスルホネート、2,6-ジニトロベンジルスルホネートが挙げられ、スルホネートとしては、具体的にトリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2-トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-フルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート等が挙げられる。またベンジル側のニトロ基をトリフルオロメチル基で置き換えた化合物も同様に用いることができる。スルホン型光酸発生剤の例としては、ビスフェニルスルホニルメタン、ビス4-メチルフェニルスルホニルメタン、ビス2-ナフチルスルホニルメタン、2,2-ビスフェニルスルホニルプロパン、2,2-ビス4-メチルフェニルスルホニルプロパン、2,2-ビス2-ナフチルスルホニルプロパン、2-メチル-2-p-トルエンスルホニルプロピオフェノン、2-シクロヘキシルカルボニル-2-p-トルエンスルホニルプロパン、2,4-ジメチル-2-p-トルエンスルホニルペンタン-3-オン等が挙げられる。グリオキシム誘導体型の光酸発生剤の例としては、ビス-o-p-トルエンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-o-p-トルエンスルホル-α-ジフェニルグリオキシム、ビス-o-p-トルエンスルホニル-α-ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス-o-p-トルエンスルホニル-2,3-ペンタンジオングリオキシム、ビス-o-p-トルエンスルホニル-2-メチル-3,4-ペンタンジオングリオキシム、ビス-o-n-ブタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-o-n-ブタンスルホニル-α-ジフェニルグリオキシム、ビス-o-n-ブタンスルホニル-α-ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス-o-n-ブタンスルホニル-2,3-ペンタンジオングリオキシム、ビス-o-n-ブタンスルホニル-2-メチル-3,4-ペンタンジオングリオキシム、ビス-o-メタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-o-トリフルオロメタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-o-1,1,1-トリフルオロエタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-o-tert-ブタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-o-パーフルオロオクタンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-o-シクロヘキシルスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-o-ベンゼンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-o-p-フルオロベンゼンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-o-p-tert-ブチルベンゼンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-o-キシレンスルホニル-α-ジメチルグリオキシム、ビス-o-カンファースルホニル-α-ジメチルグリオキシム等が挙げられる。中でも好ましく用いられる光酸発生剤としては、ビススルホニルジアゾメタン、N-スルホニルオキシイミドである。本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料における光酸発生剤の配合量は、A成分100質量部に対して0.05~20質量部、特に1~10質量部が好ましい。配合量が0.05質量部に満たないと十分なコントラスト露光部と未露光部の現像液に対する溶解速度差が得られない場合があり、20質量部を超えると酸発生剤自身の光吸収により解像性が悪化する場合がある。次に、C成分の熱架橋剤について説明する。熱架橋剤は、本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料中のフェノール性水酸基、又は熱架橋剤同士で縮合又は付加反応による架橋によって硬化するものであり、特に硬化膜の密着性、耐熱性、電気絶縁性、機械特性において1分子中に少なくとも2個のエポキシ基又はオキセタン基を有する樹脂が最適である。エポキシ系化合物としては、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジグリシジルビスフェノールA等のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ジグリシジルビスフェノールF等のビスフェノールF型エポキシ樹脂、トリフェニロールプロパントリグリシジルエーテル等のトリフェニルメタン型エポキシ樹脂、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート等の環状脂肪族エポキシ樹脂、ジグリシジルフタレート、ジグリシジルヘキサヒドロフタレート、ジメチルグリシジルフタレート等のグリシジルエステル系樹脂、テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、トリグリシジル-p-アミノフェノール、ジグリシジルアニリン、ジグリシジルトルイジン、テトラグリシジルビスアミノメチルシクロヘキサン等のグリシジルアミン系樹脂等が挙げられ、オキセタン樹脂では上記エポキシ樹脂と同様なフェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、ジグリシジルビスフェノール型などが挙げられる。上記熱架橋剤は、1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。熱架橋剤の配合量は、A成分100質量部に対して0.1~50質量部、特に2~30質量部が好ましい。配合量が0.1質量部に満たないと十分な架橋密度が得られない場合があり、50質量部を超えると熱架橋剤自身の光吸収により透明性が悪化したり貯蔵安定性が低下する場合がある。本発明のレジスト材料の使用にあたっては、該材料をD有機溶剤に溶かして使用するが、かかる有機溶剤としては、該材料に対して十分な溶解度をもち、良好な塗膜性を与える溶剤であれば特に制限なく使用することができる。例えば、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ系溶剤、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のプロピレングリコール系溶剤、酢酸ブチル、酢酸アミル、乳酸メチル、乳酸エチル、3-メトキシプロピオン酸、3-エトキシプロピオン酸エチル等のエステル系溶剤、ヘキサノール、ジアセトンアルコール等のアルコール系溶剤、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン等のケトン系溶剤、メチルフェニルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶剤、N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチルピロリドン等の高極性溶剤あるいはこれらの混合溶剤等が挙げられる。溶剤の使用量は、A成分のベース樹脂に対して50~5,000質量部、特に好ましくは100~2,000質量部である。50質量部より少ないとウエハーへの塗布が困難となり、また5,000質量部より多いと十分な膜厚が得られないおそれがある。E成分の塩基性化合物は、光酸発生剤より発生する酸がレジスト膜中に拡散する際の拡散速度を抑制することができる化合物が適しており、このような塩基性化合物の配合により、レジスト膜中での酸の拡散速度が抑制されて解像度が向上し、露光後の感度変化を抑制したり、基板や環境依存性を少なくし、露光余裕度やパターンプロファイル等を向上することができる。このようなE成分の塩基性化合物としては、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体等が挙げられる。具体的には、第一級の脂肪族アミン類として、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、n-プロピルアミン、イソプロピルアミン、n-ブチルアミン、イソブチルアミン、sec-ブチルアミン、tert-ブチルアミン、ペンチルアミン、tert-アミルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラエチレンペンタミン等が例示され、第二級の脂肪族アミン類として、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ-n-ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ-sec-ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、N,N-ジメチルメチレンジアミン、N,N-ジメチルエチレンジアミン、N,N-ジメチルテトラエチレンペンタミン等が例示され、第三級の脂肪族アミン類として、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ-sec-ブチルアミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリセチルアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルメチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルテトラエチレンペンタミン等が例示される。また、混成アミン類としては、例えば、ジメチルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベンジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミン等が例示される。芳香族アミン類及び複素環アミン類の具体例としては、アニリン誘導体例えば、アニリン、N-メチルアニリン、N-エチルアニリン、N-プロピルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メルアニリン、4-メチルアニリン、エチルアニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリン、2-ニトロアニリン、3-ニトロアニリン、4-ニトロアニリン、2,4-ジニトロアニリン、2,6-ジニトロアニリン、3,5-ジニトロアニリン、N,N-ジメチルトルイジン等、ジフェニルp-トリルアミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタレン、ピロール誘導体例えば、ピロール、2H-ピロール、1-メチルピロール、2,4-ジメチルピロール、2,5-ジメチルピロール、N-メチルピロール等、オキサゾール誘導体例えば、オキサゾール、イソオキサゾール等、チアゾール誘導体例えば、チアゾール、イソチアゾール等、イミダゾール誘導体例えば、イミダゾール、4-メチルイミダゾール、4-メチル-2-フェニルイミダゾール等、ピラゾール誘導体、フラザン誘導体、ピロリン誘導体例えば、ピロリン、2-メチル-1-ピロリン等、ピロリジン誘導体例えば、ピロリジン、N-メチルピロリジン、ピロリジノン、N-メチルピロリドン等、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン誘導体例えば、ピリジン、メチルピリジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、4-1-ブチルペンチルピリジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、フェニルピリジン、3-メチル-2-フェニルピリジン、4-tert-ブチルピリジン、ジフェニルピリジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピリジン、ジメトキシピリジン、1-メチル-2-ピリジン、4-ピロリジノピリジン、1-メチル-4-フェニルピリジン、2-1-エチルプロピルピリジン、アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等、ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール誘導体、イソインドール誘導体、1H-インダゾール誘導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体例えば、キノリン、3-キノリンカルボニトリル等、イソキノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、1,10-フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体等が例示される。更に、カルボキシ基を有する含窒素化合物としては、例えば、アミノ安息香酸、インドールカルボン酸、アミノ酸誘導体例えば、ニコチン酸、アラニン、アルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジン、3-アミノピラジン-2-カルボン酸、メトキシアラニン等などが例示され、スルホニル基を有する含窒素化合物として、3-ピリジンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸ピリジニウム等が例示され、ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物としては、2-ヒドロキシピリジン、アミノクレゾール、2,4-キノリンジオール、3-インドールメタノールヒドレート、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N-エチルジエタノールアミン、N,N-ジエチルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、2,2’-イミノジエタノール、2-アミノエタノール、3-アミノ-1-プロパノール、4-アミノ-1-ブタノール、4-2-ヒドロキシエチルモルホリン、2-2-ヒドロキシエチルピリジン、1-2-ヒドロキシエチルピペラジン、1-[2-2-ヒドロキシエトキシエチル]ピペラジン、ピペリジンエタノール、1-2-ヒドロキシエチルピロリジン、1-2-ヒドロキシエチル-2-ピロリジノン、3-ピペリジノ-1,2-プロパンジオール、3-ピロリジノ-1,2-プロパンジオール、8-ヒドロキシユロリジン、3-クイヌクリジノール、3-トロパノール、1-メチル-2-ピロリジンエタノール、1-アジリジンエタノール、N-2-ヒドロキシエチルフタルイミド、N-2-ヒドロキシエチルイソニコチンアミド等が例示される。アミド誘導体としては、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド等が例示される。イミド誘導体としては、フタルイミド、サクシンイミド、マレイミド等が例示される。なお、塩基性化合物は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができ、その配合量は、A成分のベース樹脂100質量部に対して0~2質量部、配合する場合0.01~20質量部、特に0.01~1質量部を混合したものが好適である。配合量が2質量部を超えると感度が低下しすぎる場合がある。更に、本発明のレジスト材料には、必要に応じて添加物としてレベリング剤、染料、顔料、各種界面活性剤等を添加してもよい。界面活性剤の例としては、特に限定されるものではないが、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレインエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルのノニオン系界面活性剤、エフトップEF301,EF303,EF352トーケムプロダクツ、メガファックF171,F172,F173大日本インキ化学工業、フロラードFC430,FC431住友スリーエム、アサヒガードAG710,サーフロンS-381,S-382,SC101,SC102,SC103,SC104,SC105,SC106、サーフィノールE1004,KH-10,KH-20,KH-30,KH-40旭硝子等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーKP341,X-70-092,X-70-093信越化学工業、アクリル酸系又はメタクリル酸系ポリフローNo.75,No.95共栄社油脂化学工業が挙げられる。これらは単独あるいは2種以上の組み合わせで用いることができる。本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料中の界面活性剤の添加量としては、A成分100質量部に対して2質量部以下、好ましくは1質量部以下である。次に、本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料を用いたパターン形成方法について説明する。本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料をディップ法、スピンコート法、ロールコート法等の公知の手法により基板に塗布し、レジスト層を形成し、必要によりホットプレート、オーブン等の加熱装置でレジスト層をプリベーク処理する。上記基板としては、例えばシリコンウエハー、プラスチックやセラミック製回路基板等が挙げられる。また、上記レジスト層の厚さは0.1~50μm、特に1~30μmとすることができ、本発明によれば、特に1~10μmの厚膜に形成し得る。次いで、ステッパー、マスクアライナー等の露光装置を用い、種々の波長の光、例えば、g線、i線等の紫外線光等の光でフォトマスクを介して所要部分を露光する。また本発明のレジスト材料は露光後加熱処理を行うと最終的に所望するパターンが得られないため、この工程を省くことが望ましい。上記露光後、現像液にて現像する。現像液としては、水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液等に代表される公知のアルカリ現像液溶剤を使用する。現像は、通常の方法、例えばパターン形成物を浸漬すること等により行うことができる。その後、必要に応じ洗浄、リンス、乾燥等を行い、所望のパターンが得られる。ここで、本発明に係る化学増幅ポジ型レジスト材料は、フェノール性水酸基の一部が酸不安定性基で保護されていることにより、アルカリ現像液に難溶もしくは不溶であるが、上記露光により光酸発生剤から発生した酸の作用で上記露光部分の酸不安定性基がフェノール性水酸基から脱保護され、これによって露光部分がアルカリ現像液により溶解されて、所要のポジ型パターンが形成されるものである。その後、得られたパターンを更にオーブンやホットプレートを用いて100~250°Cにおいて10分~10時間程度加熱することにより、架橋密度を上げ、残存する揮発成分を除去して、耐熱性、透明性、低誘電率特性及び耐溶剤性に優れた硬化膜を形成することができる。このようにして、上記化学増幅ポジ型レジスト材料から得られる硬化皮膜は、基材との密着性、耐熱性、電気絶縁性、機械特性に優れ、電気電子部品、半導体素子等の保護膜として好適に用いられる。以下、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。[実施例1~8]下記に示す繰り返し単位を有するベース樹脂Polymer-1,2、下記式PAG-1,2で示される光酸発生剤、熱架橋剤として下記式Linker-1,2、塩基性化合物として下記式Amine-1、界面活性剤としてX-70-093信越化学工業株製を下記表1に示した配合量で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAに溶解し、レジスト溶液を調製した後、1.0μmのメンブランフィルターで濾過した。得られたレジスト溶液を6インチシリコンウエハー上にスパッタにて銅を蒸着した基板上にスピンコートし、ホットプレート上において、表2に示した条件でソフトベークを行い、厚さ5.0μmのレジスト膜を形成した。[比較例1,2]比較例1,2について、下記に示す繰り返し単位を有するベース樹脂Polymer-3を上記実施例のベース樹脂と代えて、上記実施例と同様に下記表1に示す配合量でレジスト溶液を調製した。その後、同じように得られたレジスト溶液を6インチシリコンウエハー上にスパッタにて銅を蒸着した基板上にスピンコートし、ホットプレート上において、表2に示した条件でソフトベークを行い、厚さ5.0μmのレジスト膜を形成した。レジスト材料のパターニング及び評価次に、形成されたレジスト膜へレチクルを介してi線用ステッパーニコン社、NSR-1755i7A、NA=0.50を用いて露光し、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像を行った。現像時間の条件として、現像液を10秒間、基板を回転しながら吐出した後、40秒間現像液をレジスト膜上へ盛った状態で基板を静置した。この現像液の塗出、静置を1回とし、後述する1:1の5μmラインアンドスペースにおけるスペース部にスカム、異物、残渣が観察されない最適な現像回数を評価した。その最適な現像回数を表2に記載した。次いで純水リンス、乾燥を行い、得られたパターンを更にオーブンを用いて200°Cにおいて1時間加熱し、所望のパターンを得た。ハードベーク後、得られたパターンに関して、走査型電子顕微鏡SEMを用いて観察を行った。レジストパターンにおいて、1:1の5μmラインアンドスペースのスペース部が5μmに解像する露光量をそのレジスト材料の感度として求めた。その結果を表2に示す。また、そのときの1:1の5μmラインアンドスペースの形状も表2に示した。[実施例9]実施例1で用いたサンプルを使用して、耐溶剤性の評価を行った。実施例1と同様な手法を用いて6インチシリコンウエハー上にスピンナーでレジスト膜を形成し、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で100秒間パドル現像し、純水リンスした後、200°Cのオーブンで1時間加熱して、膜厚5μmの皮膜を得た。この硬化皮膜が形成されたウエハーを、N-メチル-2-ピロリドンNMPに室温で30分間浸漬し、純水リンスを行った後膜厚を測定し、浸漬前の膜厚と比較し残膜率を測定し、耐溶剤性を評価した。結果を表3に示す。[実施例10]実施例6で用いたサンプルを使用して実施例9と同様の試験を行った。結果を表3に示す。上記表2に示されるように、実施例1~8は良好な感度、解像性、現像性、パターン形状を示し、感光性材料として十分な特性を示した。また比較例1,2では現像回数を増やしても樹脂の分子量が高いため解像しなかった。また、上記表3の実施例9,10の結果から良好な耐溶剤性を示すことが明らかとなった。よって、上記の成分を含む化学増幅ポジ型レジスト材料であれば、要求特性が満たせることが示された。"