"基板上にn型クラッド層、活性層及びp型クラッド層を少なくとも有し、ストライプ状の導波路が設けられた窒化物系半導体レーザ素子であって、前記n型クラッド層の少なくとも一部に、n型ドーパントとp型ドーパントが共ドープされていることを特徴とする窒化物系半導体レーザ素子。前記p型ドーパントはMgであることを特徴とする請求項1に記載の窒化物系半導体レーザ素子。前記n型クラッド層は、n型ドーパントとしてSiがドーピングされていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の窒化物系半導体レーザ素子。前記p型ドーパントの濃度は、前記n型ドーパントの濃度以下であることを特徴とする請求項1~請求項3のいずれかに記載の窒化物系半導体レーザ素子。前記p型ドーパントの濃度は、2×1018cm-3以下であることを特徴とする請求項1~請求項4のいずれかに記載の窒化物系半導体レーザ素子。前記p型ドーパントの濃度は、1×1018cm-3以下であることを特徴とする請求項1~請求項5のいずれかに記載の窒化物系半導体レーザ素子。基板上にn型バッファ層、n型クラッド層、活性層及びp型クラッド層を少なくとも有し、ストライプ状の導波路が設けられた窒化物系半導体レーザ素子であって、前記n型バッファ層の少なくとも一部に、n型ドーパントとp型ドーパントが共ドープされていることを特徴とする窒化物系半導体レーザ素子。前記n型バッファ層は、前記n型クラッド層よりもAl組成を小さくしていることを特徴とする請求項7に記載の窒化物系半導体レーザ素子。しかしながら、上記特許文献1の従来の窒化物系半導体レーザ素子では、Tbといった希土類元素をドーピングした光吸収層を用いて光を吸収している。希土類元素による光吸収は、希土類の外殻電子による光吸収キャリアの遷移による光吸収であり、吸収したエネルギーは材料に固有の蛍光として外部に放出される。そのため、吸収係数の小さい光吸収層を作製しようとすれば、極めて少量のドーピングを行う必要があり、制御が非常に難しい。一方で、吸収係数を大きくすると、導波光の吸収によるロスが増大するため、外部量子効率の低下や発振閾値の増大を招いてしまうという問題があった。上記問題点に鑑み、本発明は、吸収係数の小さい光吸収部を制御性良く作製することができ、垂直放射角を精度良く制御できる素子を安定的に作製可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供することを目的とする。上記目的を達成するために本発明は、基板上にn型クラッド層、活性層及びp型クラッド層を少なくとも有し、ストライプ状の導波路が設けられた窒化物系半導体レーザ素子であって、前記n型クラッド層の少なくとも一部に、n型ドーパントとp型ドーパントが共ドープされている構成とする。このような構成によれば、n型クラッド層に共ドープされたp型ドーパントは振動によって光を吸収すると考えられるので、比較的ドーピングを多くしても吸収係数を比較的小さくすることができ、吸収係数の小さい光吸収部を制御性良く作製できる。従って、垂直放射角を精度良く制御できる素子を安定的に作製可能となる。また、上記構成において、前記p型ドーパントはMgであるようにしてもよい。Mgをドープした窒化物系半導体についてはエピ成長法が確立されており、既存の設備を用いることができるため、コストメリットが生じる。また、上記いずれかの構成において、前記n型クラッド層は、n型ドーパントとしてSiがドーピングされているようにしてもよい。また、上記いずれかの構成において、前記p型ドーパントの濃度は、前記n型ドーパントの濃度以下であることが好ましい。アクセプタであるp型ドーパントがドナーを補償して抵抗率が上昇してしまうことを抑制するためである。また、上記いずれかの構成において、前記p型ドーパントの濃度は、2×1018cm-3以下であることが好ましい。ドナー元素であるSi等をドープした場合において、2×1018cm-3程度の量が窒化物系半導体の結晶性を崩すなどの弊害なしにドープすることのできる上限のためである。さらに、前記p型ドーパントの濃度は、1×1018cm-3以下であることが抵抗率の上昇を考慮すると、より好ましい。また、上記目的を達成するために本発明は、基板上にn型バッファ層、n型クラッド層、活性層及びp型クラッド層を少なくとも有し、ストライプ状の導波路が設けられた窒化物系半導体レーザ素子であって、前記n型バッファ層の少なくとも一部に、n型ドーパントとp型ドーパントが共ドープされている構成とする。また、上記構成において、前記n型バッファ層は、前記n型クラッド層よりもAl組成を小さくしていることが好ましい。n型バッファ層による基板の微小な凹凸を埋め込む機能を高めるためである。本発明の窒化物系半導体レーザ素子によると、吸収係数の小さい光吸収部を制御性良く作製することができ、垂直放射角を精度良く制御できる素子を安定的に作製可能となる。以下に本発明の実施形態を図面を参照して説明する。本発明の一実施形態に係る窒化物系半導体レーザ素子の斜視図を図1に示す。図1に示す窒化物系半導体レーザ素子10においては、基板101の第一主面上に、Siがドープされたn型バッファ層調整層102、SiおよびMgがドープされたn型クラッド層103、Siがドープされたn型ガイド層104、多重量子井戸層構造を有する活性層105、ノンドープ中間層106、蒸発防止層107、Mgがドープされたp型クラッド層108、Mgがドープされたp型コンタクト層109が順にエピ成長により形成される。ここで、p型コンタクト層109と、p型クラッド層108の凸部とを含むストライプ状細長状のリッジ部110が形成され、リッジ部110の側面は埋め込み層111により埋め込まれている。このような構成により、水平および垂直横モードの光閉じ込めを行うことができる。リッジ部110の上では、p型コンタクト層109に接した第一のp側電極112aが光出射端面にまで伸長しており、光出射端面から離れた位置に、第一のp側電極112aへ電力を供給するための大面積である第二のp側電極p側パッド電極112bが形成されている。基板101の裏面には、n側電極113が形成され、レーザ素子に電力供給を行えるようになっている。リッジ部110の下方に位置するストライプ状の活性層105の部分が導波路となる。基板101については、導電性のあるn-GaN基板や、サファイア等の絶縁性基板等を使用することができる。基板101の上にエピ成長される窒化物系半導体の各層については、その厚みや組成等について所望の特性に合うものを適宜組み合わせることができる。これらの層のうち、n型バッファ層102は、n型クラッド層103よりもAl組成が小さい方が好ましい。これは、基板101に微小な凹凸があった場合に、それを埋め込む平坦化する機能はAl組成の小さい方が高いためである。なお、n型バッファ層102はAlを含んでいなくてもよい。n型クラッド層103は光吸収層を有しており、詳細については後述する。埋め込み層111は、絶縁性を有するものであればその材質に制限は無く、SiO2やSiN、Al2O3やZrO2などを使用することができる。第一のp側電極112aには、p-GaNに対してオーム性電極となる材料として、仕事関数の大きなNiやPd,Pt,Auといった金属を使用すればよい。第二のp側電極112bは、外部から第一のp側電極112aへの電流供給を行うためのものであり、Ti/AuやMo/Auなど、ワイヤボンド性等も考慮して適宜材料を組み合わせて構成すればよい。第二のp側電極112bまで完成したウェハは、研削/研磨等により厚みを調整し、裏面にn側電極113を形成した後、切りだしを行って完成したチップとする。次に、n型クラッド層103について説明する。n型クラッド層103は、MOCVD法などによるエピ成長により、例えば図2に示すように、n型ドーパントであるSiのみがドープされた層103Aと、Siに加えてp型ドーパントであるMgが共ドープされた層103Bとが層厚方向に形成されることで構成される。共ドープされた層103Bが光吸収層として機能する。なお、n型クラッド層全体に対してSiとMgを共ドープすることも可能である。Mgついては、405nm帯である青紫色のレーザ光を発する窒化物系半導体素子のp型半導体層において、光吸収を起こすことが一般に知られている。そこで、発明者がp型半導体層のMg量を調整した素子を作製したところ、外部量子効率に違いがあることが見出された。ここから導き出されたMgドープGaNの吸収係数は、1×1018cm-3のMgが存在する場合に7~13cm-1であった。この数値は、Mg濃度に比例すると考えられる。先例のような希土類やIn等を使用した場合と比べて吸収係数は小さくなり、これは、GaNと結合したMgの振動が光を吸収しているためと考えられ、吸収したエネルギーは熱として外部に放出される。これにより、比較的小さな吸収係数を持った光吸収層を作成する場合でも、比較的多くのドーピングを行うことができ、制御性良く作成することが可能となる。従って、垂直放射角の制御を精度良く行うことができる素子を安定的に作製することが可能となり、歩留が安定してコストを低下させることができる。また、光吸収層を設けることで導波路中の光の分布が狭くなるので、素子から放射される光の垂直放射角を大きくすることができ、また、ガウシアン形状に近いビーム形状に整形を行うことができる。また、ドーピングにより光吸収を制御することができるので、光吸収層を設ける位置を自由に規定でき、その厚みも容易に変更することができる。ドーピング以外の方法で光吸収を制御しようとすれば、吸収材料をエピ成長後に設けるか、エピ成長前に設けるか、またはインプラント等の注入方法を用いることになるが、いずれも光吸収層を設ける位置には制約がある。例えば、リッジ部の真下に光吸収層を設けることは事実上不可能である。また、厚みについても、吸収材料を設ける場合はCVD以上の層厚制御能力を有する方法が現状存在せず、インプラントも層厚制御能力は低い。さらに、窒化物系の半導体は格子整合する他の材料系が存在しないので、異種材料を挟んだ場合はエピ成長が非常に難しくなる。一方、ドーピングであれば、同種材料を使用できるため、製造が容易に行える。また、Mgドープを利用して光吸収層を作製する利点については、MgドープGaNは既にMOCVD法などのエピ成長法が確立しており、既存の設備を用いて作製することができるためコストメリットが生じる。一方、希土類元素をドープした高品位の窒化物系半導体層をMOCVD法などで形成することは現状難しい。また、希土類元素をドープするMOCVD装置については、既存のガス系に対して、さらなるガス系を設ける必要があり、装置が複雑化してコスト上昇を招く。さらに、層厚が薄く、また、抵抗率が高い、作製条件が複雑などといった制約のあるp型半導体側に光吸収層を設けるよりも、本実施形態のように、一般に作製が行い易く厚みの厚いn型半導体側に光吸収層を設けるほうが設計の自由度が高くなる。レーザの導波光について、各層の成長方向に光強度分布を取ると、活性層付近で強度が最大となり、そこから遠ざかるに従って減衰してゆく。p型半導体側には電極という強力な光吸収をもたらす層があるため、そこで光強度がゼロになる。つまり、p型半導体側は減衰の度合いが激しくなる。一方、光吸収量は、光強度×吸収率の形になるので、トータルの光吸収量は、光吸収層における平均の光強度×吸収率×層厚という関係になる。従って、光強度の減衰度合いが激しいp型半導体側に光吸収層を設けると、製造上のバラツキを考慮すると光吸収量の調整が正確に行いにくい。特に、電極の影響が非常に大きく、その影響を見積もることが容易ではないので、光吸収の設計が容易でない。これに対し、本実施形態のように、電極が遠くに位置するため光強度の減衰度合いが小さいn型半導体側に光吸収層を設ければ、製造上のバラツキを考慮しても光吸収量の正確な調整が行える。なお、n型半導体側に吸収層を設ける場合においても、導波光の吸収は外部量子効率の低下や発振閾値の上昇をもたらしかねない。導波光のロスは、吸収係数×当該光吸収層の閉じ込め係数で計算される。このため、光吸収を制御する方法は二通りあり、ひとつはMg濃度を減らして吸収係数を小さくすること、もうひとつは光吸収層を活性層から離れた位置に配置し、閉じ込め係数を減ずることである。これらの数値は設計により自由に変更できる数値であるが、Mgによる吸収係数の制御には制約がある。n型半導体側にMgをドープすれば、アクセプタであるMgがドナーを補償してしまうため、抵抗率が上がってしまう。Mg濃度としては、p型半導体の実績から、5×1019cm-3程度まで高めることが可能であるが、n型半導体側では、ドナー元素であるSi等をドープする場合において、2×1018cm-3程度の量がGaNの結晶性を崩すなどの弊害なしにドープすることのできる上限である。n側半導体にSiとMgの双方をドーピングすることを考えると、Mg濃度は必ずこの量以下でなければならない。以上から、Mg濃度は2×1018cm-3が上限であり、また、抵抗率の上昇を考えるとその半量である1×1018cm-3以下に制御することが望ましい。なお、MgとSiを共ドープする層は、n型クラッド層以外に、n型バッファ層に形成するようにしてもよい。このようにすれば、基板側への漏れ光の対策となる。また、MgとSiを共ドープする層は、リッジ部の下方のみに設けてもよい。また、n型半導体層にドープするp型ドーパントとしてはMg以外に、例えばZn亜鉛を使用することもできる。また、本発明は、上記実施形態のようなリッジ部を有した素子に限らず、例えばインナーストライプ構造を有した窒化物系半導体レーザ素子にも適用可能である。また、レーザの使用目的についても、ストレージ用のみならず、励起光源向けのワイドストライプレーザや、近接場光利用デバイス熱アシスト磁気記録などに利用することもできる。特に、パワーを必要としないがビーム整形の必要がある近接場光利用デバイスなどに適用すれば、設計の自由度が大きく、好ましい。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の趣旨の範囲内であれば、実施形態は種々変形が可能である。"