"酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分A、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分Bを含有するレジスト組成物であって、前記酸発生剤成分Bは、下記一般式b1で表される化合物B1と、下記一般式b2で表される化合物B2とを含有することを特徴とするレジスト組成物。[式中、Q1は酸素原子を含む2価の連結基であり、Y1は置換基を有してもよい炭素数1~4のアルキレン基又は置換基を有してもよい炭素数1~4のフッ素化アルキレン基であり、Xは置換基を有してもよい炭素数3~30の脂環式炭化水素基であり、Aは有機カチオンである。][式中、R1は任意の位置にヘテロ原子を含む1価の鎖状の脂肪族炭化水素基であり、Y5は置換基を有してもよい炭素数1~4のアルキレン基又は置換基を有してもよい炭素数1~4のフッ素化アルキレン基であり、Aは有機カチオンである。]前記一般式b2におけるR1の脂肪族炭化水素基は、炭素数が3~20である、請求項1記載のレジスト組成物。前記化合物B2の含有量が、前記化合物B1と前記化合物B2との総和に対して50モル以下の範囲内である、請求項1又は2記載のレジスト組成物。前記の一般式b1及び/又は一般式b2におけるAが、下記一般式b-c1で表される有機カチオンである、請求項1~3のいずれか一項に記載のレジスト組成物。[式中、R1~R3はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基又はアルケニル基を表す。R1~R3のうち、いずれか二つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。]前記基材成分Aは、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位a1を有する高分子化合物A1を含有する、請求項1~4のいずれか一項に記載のレジスト組成物。前記高分子化合物A1が、さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって-SO2-含有環式基を含む構成単位a0、及びα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であってラクトン含有環式基を含む構成単位a2からなる群から選択される少なくとも一種の構成単位を有する、請求項5記載のレジスト組成物。前記高分子化合物A1が、さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位a3を有する、請求項5又は6記載のレジスト組成物。含窒素有機化合物成分Dをさらに含有する、請求項1~7のいずれか一項に記載のレジスト組成物。支持体上に、請求項1~8のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。今後、リソグラフィー技術のさらなる進歩、応用分野の拡大等が予想されるなか、リソグラフィー用途に使用できる新規な材料に対する要求がある。たとえばパターンの微細化が進むにつれ、レジスト材料にも、解像性は勿論のこと、マスク再現性の向上、ラフネスの低減等、種々のリソグラフィー特性の向上が求められる。ラフネスは、レジストパターンの表面荒れを意味し、レジストパターンの形状不良の原因となる。レジストパターンの形状不良は、微細な半導体素子の形成等に悪影響を与えるおそれがあり、パターンが微細化するほどその改善が重要となる。しかしながら、従来のレジスト組成物においては、現像により、レジスト膜が支持体との界面付近まで充分に解像されず、裾引き形状台形状となりやすく、レジストパターン形状の垂直性に劣る、という問題がある。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、矩形性の高い良好な形状のレジストパターンを形成できるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供することを課題とする。上記課題を解決する本発明の第一の態様は、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分A、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分Bを含有するレジスト組成物であって、前記酸発生剤成分Bは、下記一般式b1で表される化合物B1と、下記一般式b2で表される化合物B2とを含有することを特徴とするレジスト組成物である。[式中、Q1は酸素原子を含む2価の連結基であり、Y1は置換基を有してもよい炭素数1~4のアルキレン基又は置換基を有してもよい炭素数1~4のフッ素化アルキレン基であり、Xは置換基を有してもよい炭素数3~30の脂環式炭化水素基であり、Aは有機カチオンである。][式中、R1は任意の位置にヘテロ原子を含む1価の鎖状の脂肪族炭化水素基であり、Y5は置換基を有してもよい炭素数1~4のアルキレン基又は置換基を有してもよい炭素数1~4のフッ素化アルキレン基であり、Aは有機カチオンである。]本発明の第二の態様は、支持体上に、前記第一の態様のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法である。本明細書及び特許請求の範囲において、露光は、放射線の照射全般を含む概念とする。構成単位とは、高分子化合物樹脂、重合体、共重合体を構成するモノマー単位単量体単位を意味する。脂肪族とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。アルキル基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルキレン基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。ハロゲン化アルキル基はアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、ハロゲン化アルキレン基はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。フッ素化アルキル基はアルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基であり、フッ素化アルキレン基はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基である。本発明によれば、矩形性の高い良好な形状のレジストパターンを形成できるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供できる。≪レジスト組成物≫本発明のレジスト組成物は、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分A以下A成分という。、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分B以下B成分という。を含有する。かかるレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対して選択的露光を行うと、露光部にてB成分から酸が発生し、該酸の作用によりA成分の現像液に対する溶解性が変化する一方で、未露光部ではA成分の現像液に対する溶解性が変化しないため、露光部と未露光部との間で現像液に対する溶解性の差が生じる。そのため該レジスト膜を現像すると、当該レジスト組成物がポジ型の場合は露光部が溶解除去されてポジ型のレジストパターンが形成され、当該レジスト組成物がネガ型の場合は未露光部が溶解除去されてネガ型のレジストパターンが形成される。本明細書においては、露光部が溶解除去されてポジ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をポジ型レジスト組成物といい、未露光部が溶解除去されるネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をネガ型レジスト組成物という。本発明のレジスト組成物は、ポジ型レジスト組成物であってもよく、ネガ型レジスト組成物であってもよい。また、本発明のレジスト組成物は、レジストパターン形成時の現像処理にアルカリ現像液を用いるアルカリ現像プロセス用であってもよく、該現像処理に有機溶剤を含む現像液有機系現像液を用いる溶剤現像プロセス用であってもよい。<A成分>A成分としては、通常、化学増幅型レジスト用の基材成分として用いられている有機化合物を1種単独で、又は2種以上を混合して使用することができる。ここで、基材成分とは、膜形成能を有する有機化合物であり、好ましくは分子量が500以上の有機化合物が用いられる。該有機化合物の分子量が500以上であることにより、膜形成能が向上し、また、ナノレベルのレジストパターンを形成しやすい。基材成分として用いられる有機化合物は、非重合体と重合体とに大別される。非重合体としては、通常、分子量が500以上4000未満のものが用いられる。以下、低分子化合物という場合は、分子量が500以上4000未満の非重合体を示す。重合体としては、通常、分子量が1000以上のものが用いられる。本明細書および特許請求の範囲において樹脂という場合、分子量が1000以上の重合体を示す。重合体の分子量としては、GPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算の質量平均分子量を用いるものとする。A成分は、酸の作用により現像液に対する溶解性が増大するものであってもよく、酸の作用により現像液に対する溶解性が減少するものであってもよい。本発明のレジスト組成物が、アルカリ現像プロセスにおいてネガ型レジストパターンを形成するまたは溶剤現像プロセスにおいてポジ型レジストパターンを形成するレジスト組成物である場合、A成分としては、好ましくは、アルカリ現像液に可溶性の基材成分以下、アルカリ可溶性基材成分という。が用いられ、さらに、架橋剤成分が配合される。アルカリ可溶性基材成分としては、通常、樹脂アルカリ可溶性樹脂が用いられる。アルカリ可溶性基材成分は、通常、水酸基、カルボキシ基、アミノ基等のアルカリ可溶性基を有しており、架橋剤成分としては、メチロール基、アルコキシメチル基等の、酸の作用により該アルカリ可溶性基と反応し得る反応性基を有するものが用いられる。そのため、かかるレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対して選択的露光を行うと、露光部にてB成分から酸が発生し、該酸の作用によりアルカリ可溶性基材成分と架橋剤成分との間で架橋が起こり、アルカリ可溶性基材成分のアルカリ可溶性基の減少およびそれに伴う極性の低下、分子量の増大等が生じ、その結果、アルカリ現像液に対する溶解性が減少有機系現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜を選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性有機系現像液に対して可溶性へ転じる一方で、未露光部はアルカリ現像液に対して可溶性有機系現像液に対して難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像液で現像することによりネガ型レジストパターンが形成できる。また、このとき現像液として有機系現像液を用いると、ポジ型のレジストパターンが形成できる。架橋剤成分としては、例えば、通常は、メチロール基またはアルコキシメチル基を有するグリコールウリルなどのアミノ系架橋剤、メラミン系架橋剤などを用いると、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。架橋剤成分の配合量は、アルカリ可溶性樹脂100質量部に対し、1~50質量部であることが好ましい。なお、アルカリ可溶性基材成分が自己架橋性を有する場合たとえばアルカリ可溶性基材成分が、酸の作用によりアルカリ可溶性基と反応し得る基を有する場合は、必ずしも架橋剤成分は配合しなくてもよい。本発明のレジスト組成物が、アルカリ現像プロセスにおいてポジ型レジストパターンを形成し、溶剤現像プロセスにおいてネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物である場合、A成分としては、好ましくは、酸の作用により極性が増大する基材成分以下、A0成分ともいう。が用いられる。A0成分は露光前後で極性が変化するため、A0成分を用いることにより、アルカリ現像プロセスだけでなく、溶剤現像プロセスにおいても良好な現像コントラストを得ることができる。つまり、アルカリ現像プロセスを適用する場合、A0成分は、露光前はアルカリ現像液に対して難溶性であり、露光によりB成分から酸が発生すると、該酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性から可溶性に変化する一方で、未露光部はアルカリ難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像することによりポジ型レジストパターンが形成できる。一方、溶剤現像プロセスを適用する場合、A0成分は、露光前は有機系現像液に対して溶解性が高く、露光によりB成分から酸が発生すると、該酸の作用により極性が高くなって有機系現像液に対する溶解性が減少する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部は有機系現像液に対して可溶性から難溶性に変化する一方で、未露光部は可溶性のまま変化しないため、有機系現像液で現像することにより、露光部と未露光部との間でコントラストをつけることができ、ネガ型レジストパターンが形成できる。本発明において、A成分は、A0成分であることが好ましい。すなわち、本発明のレジスト組成物は、アルカリ現像プロセスにおいてポジ型となり、溶剤現像プロセスにおいてネガ型となる化学増幅型レジスト組成物であることが好ましい。該A0成分は、酸の作用により極性が増大する樹脂成分であってもよく、酸の作用により極性が増大する低分子化合物成分であってもよく、又はこれらの混合物であってもよい。A0成分としては、酸の作用により極性が増大する樹脂成分であることが好ましく、特に、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位a1を有する高分子化合物A1以下A1成分という。を含有するものが好ましい。A1成分は、前記構成単位a1に加えて、さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって-SO2-含有環式基を含む構成単位a0、及びα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であってラクトン含有環式基を含む構成単位a2からなる群から選択される少なくとも一種の構成単位を有するものが好ましい。また、A1成分は、前記構成単位a1に加えて、又は、構成単位a0及び構成単位a2の少なくとも一方と前記構成単位a1とに加えて、さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位a3を有するものが好ましい。ここで、本明細書および特許請求の範囲において、アクリル酸エステルから誘導される構成単位とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。アクリル酸エステルは、アクリル酸CH2=CH-COOHのカルボキシ基末端の水素原子が有機基で置換された化合物である。アクリル酸エステルは、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該α位の炭素原子に結合した水素原子を置換する置換基は、水素原子以外の原子又は基であり、たとえば炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基等が挙げられる。なお、アクリル酸エステルのα位の炭素原子とは、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことである。以下、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されたアクリル酸エステルをα置換アクリル酸エステルということがある。また、アクリル酸エステルとα置換アクリル酸エステルとを包括してα置換アクリル酸エステルということがある。α置換アクリル酸エステルにおいて、α位の置換基としてのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。また、α位の置換基としてのハロゲン化アルキル基は、具体的には、上記α位の置換基としてのアルキル基の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。α置換アクリル酸エステルのα位に結合しているのは、水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基が好ましく、水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のフッ素化アルキル基がより好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子またはメチル基が最も好ましい。[構成単位a1]構成単位a1は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位である。酸分解性基は、露光によりB成分から発生する酸の作用により、当該酸分解性基の構造中の少なくとも一部の結合が開裂し得る酸分解性を有する基である。酸の作用により極性が増大する酸分解性基としては、たとえば、酸の作用により分解して極性基を生じる基が挙げられる。極性基としては、たとえばカルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルホ基-SO3H等が挙げられる。これらのなかでも、構造中に-OHを含有する極性基以下OH含有極性基ということがある。が好ましく、カルボキシ基または水酸基が好ましく、カルボキシ基が特に好ましい。酸分解性基としてより具体的には、前記極性基を酸解離性基で保護した基たとえばOH含有極性基の水素原子を酸解離性基で保護した基が挙げられる。酸解離性基は、露光によりB成分から発生する酸の作用により、少なくとも、当該酸解離性基と該酸解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る酸解離性を有する基である。酸分解性基を構成する酸解離性基は、当該酸解離性基の解離により生成する極性基よりも極性の低い基であることが必要で、これにより、酸の作用により該酸解離性基が解離した際に、該酸解離性基よりも極性の高い極性基が生じて極性が増大する。その結果、A1成分全体の極性が増大する。極性が増大することにより、相対的に、現像液に対する溶解性が変化し、現像液がアルカリ現像液の場合には溶解性が増大し、他方、現像液が有機溶剤を含む現像液有機系現像液の場合には溶解性が減少する。酸解離性基としては、特に限定されず、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性基として提案されているものを使用することができる。一般的には、メタアクリル酸等におけるカルボキシ基と環状又は鎖状の第3級アルキルエステルを形成する基;アルコキシアルキル基等のアセタール型酸解離性基などが広く知られている。ここで、第3級アルキルエステルとは、カルボキシ基の水素原子が、鎖状又は環状のアルキル基で置換されることによりエステルを形成しており、そのカルボニルオキシ基-C=O-O-の末端の酸素原子に、前記鎖状又は環状のアルキル基の第3級炭素原子が結合している構造を示す。この第3級アルキルエステルにおいては、酸が作用すると、酸素原子と第3級炭素原子との間で結合が切断され、カルボキシ基が形成される。前記鎖状又は環状のアルキル基は、置換基を有していてもよい。以下、カルボキシ基と第3級アルキルエステルを構成することにより、酸解離性となっている基を、便宜上、第3級アルキルエステル型酸解離性基という。第3級アルキルエステル型酸解離性基としては、脂肪族分岐鎖状酸解離性基、脂肪族環式基を含有する酸解離性基が挙げられる。ここで、脂肪族分岐鎖状とは、芳香族性を持たない分岐鎖状の構造を有することを示す。脂肪族分岐鎖状酸解離性基の構造は、炭素および水素からなる基炭化水素基であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、炭化水素基は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。脂肪族分岐鎖状酸解離性基としては、たとえば、-CR71R72R73で表される基が挙げられる。式中、R71~R73は、それぞれ独立に、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基である。-CR71R72R73で表される基は、炭素数が4~8であることが好ましく、具体的にはtert-ブチル基、2-メチル-2-ブチル基、2-メチル-2-ペンチル基、3-メチル-3-ペンチル基などが挙げられる。特にtert-ブチル基が好ましい。脂肪族環式基は、芳香族性を持たない単環式基又は多環式基であることを示す。脂肪族環式基を含有する酸解離性基における脂肪族環式基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルコキシ基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、酸素原子=O等が挙げられる。該脂肪族環式基の置換基を除いた基本の環の構造は、炭素および水素からなる基炭化水素基であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、該炭化水素基は、飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。脂肪族環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。脂肪族環式基としては、例えば、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などの脂環式炭化水素基が挙げられる。また、これらの脂環式炭化水素基の環を構成する炭素原子の一部がエーテル基に対して、0.5~100質量部であることが好ましく、0.5~20質量部であることがより好ましい。溶媒は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。上記反応における化合物i-2の使用量は、通常、化合物i-11モルに対して0.5~5モル程度が好ましく、0.8~4モル程度がより好ましい。上記反応における反応時間は、化合物i-1と化合物i-2との反応性や、反応温度等によって適宜決定され、通常、1~80時間が好ましく、3~60時間がより好ましい。上記反応における反応温度は、20~200°Cが好ましく、20~150°C程度がより好ましい。次いで、得られた化合物i-3と、化合物i-4とを反応させ、式d1で表される化合物を得る。式i-4中、Mは前記と同様であり、Z-は対アニオンである。化合物i-3と化合物i-4とを反応させ、式d1で表される化合物を得る方法としては、特に限定されず、たとえば、適当なアルカリ金属水酸化物の存在下で、化合物i-3を適当な有機溶媒及び水に溶解し、化合物i-4を添加して攪拌により反応させることにより得られる。上記反応におけるアルカリ金属水酸化物は、特に限定されるものではなく、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられ、その使用量は、化合物i-31モルに対して0.3~3モル程度が好ましい。上記反応における有機溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホルム、酢酸エチル等の溶媒が挙げられ、その使用量は、化合物i-3に対して、0.5~100質量部であることが好ましく、0.5~20質量部であることがより好ましい。溶媒は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。上記反応における化合物i-4の使用量は、通常、化合物i-31モルに対して0.5~5モル程度が好ましく、0.8~4モル程度がより好ましい。上記反応における反応時間は、化合物i-3と化合物i-4との反応性や、反応温度等によって適宜決定され、通常、1~80時間が好ましく、3~60時間がより好ましい。上記反応における反応温度は、20~200°Cが好ましく、20~150°C程度がより好ましい。反応終了後、反応液中の式d1で表される化合物を単離、精製してもよい。単離、精製には、従来公知の方法が利用でき、たとえば濃縮、溶媒抽出、蒸留、結晶化、再結晶、クロマトグラフィー等をいずれか単独で、またはこれらの2種以上を組み合わせて用いることができる。上記のようにして得られる式d1で表される化合物の構造は、1H-核磁気共鳴NMRスペクトル法、13C-NMRスペクトル法、19F-NMRスペクトル法、赤外線吸収IRスペクトル法、質量分析MS法、元素分析法、X線結晶回折法等の一般的な有機分析法により確認できる。D成分はいずれか1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。レジスト組成物中、D成分の含有量は、通常、A成分100質量部に対して、0.01~10質量部の範囲内である。上記範囲とすることにより、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等が向上する。本発明のレジスト組成物には、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、任意の成分として、有機カルボン酸、ならびにリンのオキソ酸およびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種の化合物E以下E成分という。を含有させることができる。有機カルボン酸としては、例えば、酢酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。リンのオキソ酸としては、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等が挙げられ、これらの中でも特にホスホン酸が好ましい。リンのオキソ酸の誘導体としては、たとえば、上記オキソ酸の水素原子を炭化水素基で置換したエステル等が挙げられ、前記炭化水素基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数6~15のアリール基等が挙げられる。リン酸の誘導体としては、リン酸ジ-n-ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸エステルなどが挙げられる。ホスホン酸の誘導体としては、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸-ジ-n-ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸エステルなどが挙げられる。ホスフィン酸の誘導体としては、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸エステルなどが挙げられる。E成分としては、サリチル酸が特に好ましい。E成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。レジスト組成物中、E成分の含有量は、通常、A成分100質量部に対して、0.01~10質量部の範囲内である。<F成分>本発明のレジスト組成物には、レジスト膜に撥水性を付与するために、フッ素添加剤以下F成分という。を含有させることができる。F成分としては、例えば、特開2010-002870号公報に記載の含フッ素高分子化合物などを用いることができる。F成分として具体的には、下記一般式f1で表される構成単位を有する共重合体が好適に挙げられる。より具体的には、下記式f1で表される構成単位のみからなる重合体ホモポリマー、下記式f1で表される構成単位と前記構成単位a1との共重合体、下記式f1で表される構成単位と、アクリル酸又はメタクリル酸から誘導される構成単位と、前記構成単位a1との共重合体が好ましい。当該構成単位a1のなかでも、前記式a1-1-32で表される構成単位が特に好ましい。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり、a1は1~5の整数であり、R2はフッ素原子を含む有機基である。]前記式f1中、R2はフッ素原子を含む有機基であり、フッ素原子を含む炭化水素基であることが好ましい。フッ素原子を含む炭化水素基としては、前記式c3中のRfと同様のものが挙げられる。なかでも、R2としては、-CH2o-CF3で表される基が好ましい式中、oはCH2の繰返し数を示し、1~3の整数である。式f1中、a1は1~5の整数であり、1~3の整数が好ましく、1又は2であることがより好ましい。式f1中、Rは前記と同様である。Rとしては、水素原子またはメチル基が好ましい。F成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。レジスト組成物中のF成分の含有量は、A成分100質量部あたり1~10質量部の割合で用いることが好ましい。本発明のレジスト組成物には、さらに所望により、混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。本発明のレジスト組成物は、材料を有機溶剤以下S成分ともいうに溶解させて製造することができる。S成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができる。例えば、γ-ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル-n-ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2-ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体[これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEが好ましい];ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチルEL、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などを挙げることができる。これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、ELが好ましい。また、PGMEAと極性溶剤とを混合した混合溶媒も好ましい。その配合比質量比は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2の範囲内とすることが好ましい。たとえば極性溶剤としてELを配合する場合は、PGMEA:ELの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2である。また、極性溶剤としてPGMEを配合する場合は、PGMEA:PGMEの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2、さらに好ましくは3:7~7:3である。また、極性溶剤としてPGMEおよびシクロヘキサノンを配合する場合は、PGMEA:PGMEシクロヘキサノンの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2、さらに好ましくは3:7~7:3である。また、S成分として、その他には、PGMEA、EL、または前記PGMEAと極性溶剤との混合溶媒と、γ-ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは70:30~95:5とされる。S成分の使用量は特に限定しないが、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものであるが、一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が1~20質量、好ましくは2~15質量の範囲内となる様に用いられる。上記本発明のレジスト組成物は、矩形性の高い良好な形状のレジストパターンを形成できる。かかる効果が得られる理由は定かではないが以下のように推測される。パターンの微細化が進むのに伴い、レジストパターン形成における露光の際、特に支持体付近にまで光が届きにくくなってきている。脂環式炭化水素基含有の酸を発生する酸発生剤B1は、短拡散性を示すと考えられる。このため、B1成分を含有するレジスト組成物は、解像性の向上に有利であると考えられるが、光学的条件により基板界面付近の脱保護反応が充分に起こらず、形成されるレジストパターンは裾引き形状台形状となりやすい。ここで、従来一般的に用いられているC4F9SO3-などのフッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニオン部に有する酸発生剤は、長拡散性を示すものの、疎水性が比較的に高く、レジスト膜表面近傍に偏在しやすい。このため、たとえばアルカリ現像プロセスでポジ型レジストパターンを形成する場合、当該フッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニオン部に有する酸発生剤と前記酸発生剤B1とを組み合わせたとしても、これらの酸発生剤を含有するレジスト組成物においては、露光により当該フッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニオン部に有する酸発生剤から発生する酸が支持体付近にまで拡散できず、レジスト膜の支持体近傍の樹脂成分の脱保護等が起こりにくい。このため、アルカリ現像によりレジスト膜が支持体との界面付近まで充分に解像されず、形成されるレジストパターンは裾引き形状台形状となりやすい。本発明を適用するレジスト組成物この場合ポジ型には、脂環式炭化水素基含有の酸を発生する短拡散性を示す酸発生剤B1と、鎖状の脂肪族炭化水素基含有の酸を発生する長拡散性を示す酸発生剤B2とが含まれる。これらの酸発生剤は、酸素原子等を有し、当該酸素原子等と基材成分Aとの相互作用により、レジスト膜中に均一に分布しやすいと考えられる。また、拡散性の異なるB1成分とB2成分とを組み合わせて用いることにより、主にB2成分の作用により光が届きにくい支持体付近にまで酸を充分に拡散させることができると共に、露光によりエネルギーが高くなっているレジスト膜の特に中央付近では、B2成分から発生する酸の拡散がB1成分により適度に制御される。そのため、支持体付近の樹脂成分の脱保護等が促進され、レジスト膜の特に中央付近ではアルカリ現像液への溶解が抑制され、露光部全体がアルカリ現像液に対して均一に溶解しやすくなっている。したがって、本発明のレジスト組成物によれば、解像性を劣化させることなく、矩形性の高い良好な形状のレジストパターンを形成できると推測される。なお、B1成分のカチオン部としてb-c1-13~b-c1-21、b-c1-25~b-c1-29、b-c12-4~b-c12-6のような置換基を導入したカチオンを選択することで、B1成分をレジスト膜の上層側に分布させやすくなると考えられる。これにより、B2成分から発生する酸の拡散がB1成分によって適度に制御される効果が向上し、上記リソグラフィー特性もより改善すると考えられる。≪レジストパターン形成方法≫本発明のレジストパターン形成方法は、支持体上に、前記本発明のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含む。本発明のレジストパターン形成方法は、例えば以下の様にして行うことができる。すなわち、まず支持体上に前記本発明のレジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、ベークポストアプライベークPAB処理を、たとえば80~150°Cの温度条件にて40~120秒間、好ましくは60~90秒間施してレジスト膜を形成する。次に、該レジスト膜に対し、例えばArF露光装置、電子線描画装置、EUV露光装置等の露光装置を用いて、所定のパターンが形成されたマスクマスクパターンを介した露光、またはマスクパターンを介さない電子線の直接照射による描画等による選択的露光を行った後、ベークポストエクスポージャーベークPEB処理を、たとえば80~150°Cの温度条件にて40~120秒間、好ましくは60~90秒間施す。次に、前記レジスト膜を現像処理する。現像処理は、アルカリ現像プロセスの場合は、アルカリ現像液を用い、溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を含有する現像液有機系現像液用いて行う。現像処理後、好ましくはリンス処理を行う。リンス処理は、アルカリ現像プロセスの場合は、純水を用いた水リンスが好ましく、溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。溶剤現像プロセスの場合、前記現像処理またはリンス処理の後に、パターン上に付着している現像液またはリンス液を超臨界流体により除去する処理を行ってもよい。現像処理後またはリンス処理後、乾燥を行う。また、場合によっては、上記現像処理後にベーク処理ポストベークを行ってもよい。このようにして、レジストパターンを得ることができる。支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。また、支持体としては、上述のような基板上に、無機系および/または有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜無機BARCが挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜有機BARCや多層レジスト法における下層有機膜等の有機膜が挙げられる。ここで、多層レジスト法とは、基板上に、少なくとも一層の有機膜下層有機膜と、少なくとも一層のレジスト膜上層レジスト膜とを設け、上層レジスト膜に形成したレジストパターンをマスクとして下層有機膜のパターニングを行う方法であり、高アスペクト比のパターンを形成できるとされている。すなわち、多層レジスト法によれば、下層有機膜により所要の厚みを確保できるため、レジスト膜を薄膜化でき、高アスペクト比の微細パターン形成が可能となる。多層レジスト法には、基本的に、上層レジスト膜と、下層有機膜との二層構造とする方法2層レジスト法と、上層レジスト膜と下層有機膜との間に一層以上の中間層金属薄膜等を設けた三層以上の多層構造とする方法3層レジスト法とに分けられる。露光に用いる波長は、特に限定されず、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV極紫外線、VUV真空紫外線、EB電子線、X線、軟X線等の放射線を用いて行うことができる。前記レジスト組成物は、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EBまたはEUV用としての有用性が高い。レジスト膜の露光方法は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光ドライ露光であってもよく、液浸露光LiquidImmersionLithographyであってもよい。液浸露光は、予めレジスト膜と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒液浸媒体で満たし、その状態で露光浸漬露光を行う露光方法である。液浸媒体としては、空気の屈折率よりも大きく、かつ露光されるレジスト膜の有する屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒が好ましい。かかる溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。空気の屈折率よりも大きく、かつ前記レジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、フッ素系不活性液体、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。フッ素系不活性液体の具体例としては、C3HCl2F5、C4F9OCH3、C4F9OC2H5、C5H3F7等のフッ素系化合物を主成分とする液体等が挙げられ、沸点が70~180°Cのものが好ましく、80~160°Cのものがより好ましい。フッ素系不活性液体が上記範囲の沸点を有するものであると、露光終了後に、液浸に用いた媒体の除去を、簡便な方法で行えることから好ましい。フッ素系不活性液体としては、特に、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されたパーフロオロアルキル化合物が好ましい。パーフロオロアルキル化合物としては、具体的には、パーフルオロアルキルエーテル化合物やパーフルオロアルキルアミン化合物を挙げることができる。さらに、具体的には、前記パーフルオロアルキルエーテル化合物としては、パーフルオロ2-ブチル-テトラヒドロフラン沸点102°Cを挙げることができ、前記パーフルオロアルキルアミン化合物としては、パーフルオロトリブチルアミン沸点174°Cを挙げることができる。液浸媒体としては、コスト、安全性、環境問題、汎用性等の観点から、水が好ましく用いられる。アルカリ現像プロセスで現像処理に用いるアルカリ現像液としては、例えば0.1~10質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液が挙げられる。溶剤現像プロセスで現像処理に用いる有機系現像液が含有する有機溶剤としては、A成分露光前のA成分を溶解し得るものであればよく、公知の有機溶剤のなかから適宜選択できる。具体的には、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤及び炭化水素系溶剤を用いることができる。有機系現像液には、必要に応じて公知の添加剤を配合できる。該添加剤としてはたとえば界面活性剤が挙げられる。界面活性剤としては、特に限定されないが、たとえばイオン性や非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。界面活性剤を配合する場合、その配合量は、有機系現像液の全量に対して、通常0.001~5質量であり、0.005~2質量が好ましく、0.01~0.5質量がより好ましい。現像処理は、公知の現像方法におり実施でき、該方法としてはたとえば現像液中に支持体を一定時間浸漬する方法ディップ法、支持体表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止する方法パドル法、支持体表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している支持体上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。溶剤現像プロセスで現像処理後のリンス処理に用いるリンス液が含有する有機溶剤としては、たとえば前記有機系現像液が含有する有機溶剤として挙げた有機溶剤のうち、レジストパターンを溶解しにくいものを適宜選択して使用できる。通常、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤およびエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の溶剤を使用する。これらのなかでも、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤及びアミド系溶剤から選択される少なくとも1種類が好ましく、アルコール系溶剤およびエステル系溶剤から選択される少なくとも1種類がより好ましく、アルコール系溶剤が特に好ましい。リンス液を用いたリンス処理洗浄処理は、公知のリンス方法により実施でき、該方法としてはたとえば一定速度で回転している支持体上にリンス液を塗出し続ける方法回転塗布法、リンス液中に支持体を一定時間浸漬する方法ディップ法、支持体表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法等が挙げられる。次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。[実施例1~12、比較例1~4]表1、2に示す各成分を混合して溶解することによりレジスト組成物を調製した。なお、表中、B2/B1B2モル比は、そのレジスト組成物中のB1成分とB2成分との合計のモル数に対する、B2成分のモル数の比率モル比を示す。表1、2中、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。[]内の数値は配合量質量部である。A-1:下記化学式A1-1で表される高分子化合物。[l/m/n/o/p=35/24/16/13/12モル比、Mw=6900、Mw/Mn=1.61]A-2:下記化学式A1-2で表される高分子化合物。[m/n/o/p=35/40/15/10モル比、Mw=7000、Mw/Mn=1.5]B1-1~B1-5:それぞれ下記化学式B1-1~B1-5で表される化合物。B2-1:下記化学式B2-1で表される化合物。B2-2:下記化学式B2-2で表される化合物。B3-1:トリフェニルスルホニウムd-カンファー-10-スルホネート。B3-2:トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート。B3-3:トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート。B3-4:下記化学式B3-4で表される化合物。D-1:トリ-n-ペンチルアミン。D-2:下記化学式D-2で表される化合物。E-1:サリチル酸。F-1:下記化学式F-1で表される高分子化合物。[m/n=80/20モル比、Mw=13800、Mw/Mn=1.5]S-1:γ-ブチロラクトン。S-2:PGMEA/PGME/シクロヘキサノン=30/45/25質量比の混合溶剤。得られたレジスト組成物を用いて以下の評価を行った。[レジストパターンの形成1]8インチのシリコンウェーハ上に、有機系反射防止膜組成物ARC29商品名、ブリュワーサイエンス社製を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で205°C、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚77nmの有機系反射防止膜を形成した。そして、該有機系反射防止膜上に、上記で得られたレジスト組成物を、スピンナーを用いてそれぞれ塗布し、ホットプレート上で、表3に示す温度条件、60秒間でベーク処理PABを行い、乾燥することにより、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。次いで、当該レジスト膜に対し、ArF露光装置NSR-S302Aニコン社製;NA開口数=0.60,2/3輪帯照明により、ArFエキシマレーザー193nmを、マスクパターン6ハーフトーンマスクを介して選択的に照射した。そして、表3に示す温度条件、60秒間でベーク処理PEBを行い、さらに、23°Cにて2.38質量のTMAH水溶液商品名:NMD-3、東京応化工業株製で30秒間の条件でアルカリ現像した。その後、純水を用いて30秒間水リンスし、さらに100°C、60秒間の条件でベーク処理ポストベークを行った。その結果、いずれの例においても、前記レジスト膜に、ライン幅130nm、ピッチ260nmの1:1ラインアンドスペースLSパターンが形成された。また、このときの最適露光量EopmJ/cm2を求めた。その結果を表3に示す。[LWRラインワイズラフネスの評価]上記Eopにて形成されたライン幅130nm、ピッチ260nmのLSパターンにおいて、走査型電子顕微鏡加速電圧800V、商品名S-9380、日立ハイテクノロジーズ社製により、ライン幅を、ラインの長手方向に400箇所測定し、その測定結果から求めた標準偏差σの3倍値3s単位:nmを算出した。得られた結果を表3に示す。この3sの値が小さいほど、線幅のラフネスが小さく、より均一幅のLSパターンが得られたことを意味する。[レジストパターン形状の評価1]前記Eopにて形成されたライン幅130nm、ピッチ260nmのLSパターンについて、走査型電子顕微鏡SEM製品名SU8000、日立ハイテクノロジーズ社製を用いて観察し、当該LSパターンの断面形状を評価した。その結果を表3に示す。表3に示すとおり、B1成分とB2成分とを組み合わせた実施例1~7のレジスト組成物を用いて形成されたレジストパターンの断面形状は、矩形性の高い良好な形状であることが確認できた。また、B2成分の含有量が、B1成分とB2成分との総和に対して50モル以下である実施例1~4、6、7のレジスト組成物は、50モルを超える実施例5のレジスト組成物に比べて、矩形性のより高いレジストパターンを形成できることが分かる。一方、B2成分以外の酸発生剤とB1成分とを組み合わせた比較例1~3のレジスト組成物を用いて形成されたレジストパターンの断面形状は、裾引き形状台形状で垂直性が低いものであった。さらに、実施例1~7のレジスト組成物を用いて形成されたレジストパターンは、比較例1~3のレジスト組成物を用いて形成されたレジストパターンに比べて、ラフネスが低減されて良好な形状であることも分かる。[レジストパターンの形成2]12インチのシリコンウェーハ上に、有機系反射防止膜組成物ARC29A商品名、ブリュワーサイエンス社製を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で205°C、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚89nmの有機系反射防止膜を形成した。そして、該有機系反射防止膜上に、上記で得られたレジスト組成物をそれぞれ、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で、表4に示す温度条件、60秒間でベーク処理PABを行い、乾燥することにより、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。次いで、当該レジスト膜に対し、ArF液浸露光装置NSR-S609Bニコン社製;NA開口数=1.07,AnnularOut-0.97/In-0.78w/XY-POLANO;液浸媒体:水により、マスクパターンBinaryを介して、前記レジスト膜に対して、ArFエキシマレーザー193nmを選択的に照射した。そして、表4に示す温度条件、60秒間でベーク処理PEBを行い、さらに23°Cにて2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液で30秒間、アルカリ現像処理を行った。その後、さらに100°C、45秒間の条件でベーク処理ポストベークを行った。その結果、いずれの例においても、ホール直径65nmのホールが等間隔ピッチ114nmに配置されたコンタクトホールCHパターンが得られた。ターゲットのCHパターンが形成される最適露光量EopmJ/cm2を求めた。その結果を表4に示す。[真円性Circularityの評価]上記Eopにて形成されたCHパターンを上空から観察し、測長SEM日立ハイテクノロジーズ社製,製品名:S-9380により、各CHパターン中の25個のホールについて、該ホールの中心から外縁までの24方向の距離を測定し、その結果から算出した標準偏差σの3倍値3σを求めた。その結果を表4に示す。このようにして求められる3σは、その値が小さいほど、当該ホールの真円性が高いことを意味する。[レジストパターン形状の評価2]前記Eopにて形成されたホール直径65nm、ピッチ114nmのCHパターンについて、走査型電子顕微鏡SEM製品名SU8000、日立ハイテクノロジーズ社製を用いて観察し、当該CHパターンの断面形状を評価した。その結果を表4に示す。表4に示すとおり、B1成分とB2成分とを組み合わせた実施例8~12のレジスト組成物を用いて形成されたレジストパターンの断面形状は、矩形性の高い良好な形状であることが確認できた。また、実施例8~12のレジスト組成物を用いて形成されたレジストパターンは、ホールの真円性も良好であることが分かる。"