それぞれが半導体チップを搭載する2つのダイパッドが略矩形体形状のモールド層中に封止され、当該モールド層における対向する2つの側面からそれぞれ複数のリードが突出した形態を具備し、前記2つのダイパッドにおける前記半導体チップを搭載する側の表面は第1の平面を構成し、かつ前記複数のリードの表面は前記第1の平面よりも前記半導体チップが搭載される側に位置する第2の平面を構成するように設定され、前記半導体チップの表面と前記リードの表面とがボンディングワイヤによって接続された構成を具備する半導体モジュールであって、一端が前記2つの側面のうちの一方の側面における複数のリードのうちの一つとされ、かつ他端が前記2つの側面における複数のリードのうちの一つとされるように一体化されて前記2つのダイパッドの間に配置され、かつ塑性変形が局所的に容易となる易変形部が前記2つのダイパッドに挟まれた領域に設けられた連結リードを具備し、前記連結リードにおける前記2つのダイパッドの間の領域の表面が、前記2つのダイパッドの表面と共に前記第1の平面を構成するように、前記連結リードに対して曲げ加工が施されたことを特徴とする半導体モジュール。前記易変形部は、前記連結リードの幅が局所的に広くされた領域に開口部が形成されて構成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。請求項1又は2に記載の半導体モジュールの製造方法であって、前記2つのダイパッド、前記連結リード、前記複数のリードが外枠部と一体化され、前記2つのダイパッドはそれぞれ連結部を介して、前記連結リードはその両端部が延伸して、前記外枠部に接続された構成を具備するリードフレームが用いられ、前記リードフレームにおいて、前記連結リードにおける前記2つのダイパッドに挟まれた領域の表面及び前記2つのダイパッドの表面が前記第1の平面を構成するように、前記連結リード及び前記連結部に対して曲げ加工を行う曲げ加工工程と、前記2つのダイパッド上に半導体チップを搭載し、当該半導体チップの表面と前記リードの表面とをボンディングワイヤで接続するチップ搭載工程と、前記外枠部の内側において、前記2つのダイパッド、前記半導体チップ、前記ボンディングワイヤ、及び前記連結リードにおける前記2つのダイパッドに挟まれた領域、を封止するように前記モールド層を形成するモールド工程と、前記モールド層の外側において、突出した前記連結リードと前記連結部とを切断する切断工程と、を具備することを特徴とする半導体モジュールの製造方法。前記連結部においても、塑性変形が局所的に容易となる易変形部を設けることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。前記連結部における前記易変形部は、前記連結部の幅が局所的に広くされた領域に開口部が形成されて構成されたことを特徴とする請求項4に記載の半導体モジュールの製造方法。前記の通り、DIP型の半導体モジュールにおいては、リードが2つの側面にそれぞれ設けられている。この構成においては、一方の側面のリードと、他方の側面のリードとを電気的に接続することが必要な場合もある。こうした場合に、特許文献1、2に記載の構造においては、これらのリード間を接続するためには、ダイパッドと別体の配線を設ける必要がある。こうした構成においては、この際にダイパッドと別体の配線と各リードとの間にはボンディングワイヤを用いた接続が必要となる。一般にボンディングワイヤを用いた接続の信頼性は高くないため、ボンディングワイヤを用いた接続箇所は極力少なくすることが、半導体モジュールの信頼性を高める上では好ましい。更に、このボンディングワイヤによる接続の信頼性を高めるためにも、この接続が行われる箇所の高さをそろえることが必要となる。この形状を実現するためのリードフレームに対する曲げ加工は複雑になる。すなわち、一方の側面のリードと他方の側面のリードとが接続されたDIP型の半導体モジュールの信頼性を高くすることは困難であった。本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決する発明を提供することを目的とする。本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。本発明の半導体モジュールは、それぞれが半導体チップを搭載する2つのダイパッドが略矩形体形状のモールド層中に封止され、当該モールド層における対向する2つの側面からそれぞれ複数のリードが突出した形態を具備し、前記2つのダイパッドにおける前記半導体チップを搭載する側の表面は第1の平面を構成し、かつ前記複数のリードの表面は前記第1の平面よりも前記半導体チップが搭載される側に位置する第2の平面を構成するように設定され、前記半導体チップの表面と前記リードの表面とがボンディングワイヤによって接続された構成を具備する半導体モジュールであって、一端が前記2つの側面のうちの一方の側面における複数のリードのうちの一つとされ、かつ他端が前記2つの側面における複数のリードのうちの一つとされるように一体化されて前記2つのダイパッドの間に配置され、かつ塑性変形が局所的に容易となる易変形部が前記2つのダイパッドに挟まれた領域に設けられた連結リードを具備し、前記連結リードにおける前記2つのダイパッドの間の領域の表面が、前記2つのダイパッドの表面と共に前記第1の平面を構成するように、前記連結リードに対して曲げ加工が施されたことを特徴とする。本発明の半導体モジュールにおいて、前記易変形部は、前記連結リードの幅が局所的に広くされた領域に開口部が形成されて構成されたことを特徴とする。本発明の半導体モジュールの製造方法は、前記半導体モジュールの製造方法であって、前記2つのダイパッド、前記連結リード、前記複数のリードが外枠部と一体化され、前記2つのダイパッドはそれぞれ連結部を介して、前記連結リードはその両端部が延伸して、前記外枠部に接続された構成を具備するリードフレームが用いられ、前記リードフレームにおいて、前記連結リードにおける前記2つのダイパッドに挟まれた領域の表面及び前記2つのダイパッドの表面が前記第1の平面を構成するように、前記連結リード及び前記連結部に対して曲げ加工を行う曲げ加工工程と、前記2つのダイパッド上に半導体チップを搭載し、当該半導体チップの表面と前記リードの表面とをボンディングワイヤで接続するチップ搭載工程と、前記外枠部の内側において、前記2つのダイパッド、前記半導体チップ、前記ボンディングワイヤ、及び前記連結リードにおける前記2つのダイパッドに挟まれた領域、を封止するように前記モールド層を形成するモールド工程と、前記モールド層の外側において、突出した前記連結リードと前記連結部とを切断する切断工程と、を具備することを特徴とする。本発明の半導体モジュールの製造方法は、前記連結部においても、塑性変形が局所的に容易となる易変形部を設けることを特徴とする。本発明の半導体モジュールの製造方法において、前記連結部における前記易変形部は、前記連結部の幅が局所的に広くされた領域に開口部が形成されて構成されたことを特徴とする。本発明は以上のように構成されているので、一方の側面のリードと他方の側面のリードとが接続されたDIP型の半導体モジュールの信頼性を高くすることができる。以下、本発明の実施の形態となる半導体モジュール、及びその製造方法について説明する。この半導体モジュールはDIP型の半導体モジュールであり、略矩形体のモールド層中に、ダイパッド、及びダイパッド上に搭載された半導体チップ等が封止されている。略矩形体のモールド層における対向する2つの側面からそれぞれ複数のリードが配列して突出している。この際、対向する2つの側面の一方の側面におけるリードのうちの一つと、他方の側面におけるリードのうちの一つは電気的に接続されている。また、この半導体モジュールは、ダイパッドや複数のリード等が一体化されたリードフレームを用いて製造される。この際、ダイパッド上の半導体チップとリードとの接続は、ボンディングワイヤを用いて行われる。この接続の信頼性を高めるために、半導体チップの上面とリード上面の高さが同等となるように設定される。このため、上記のリードフレームに対して、ダイパッドとリードとの高さを異ならせるための曲げ加工が施される。図1は、このリードフレーム100の構成を示す平面図である。このリードフレーム100においては、2つのダイパッド101、102が図中左右にそれぞれ設けられている。また、図中上側にリード111~115、下側にリード116~120が設けられている。リード111~115、リード116~120におけるダイパッド101、102と隣接する側の端部は、ワイヤボンディングが容易なように、幅広形状とされている。また、ダイパッド101と102の間に挟まれた形態で、クランク形状の連結リード130が設けられている。ダイパッド101の右側面、ダイパッド102の左側面は、連結リード130の形状に対応した形態とされ、ダイパッド101、102と連結リード130の間隔は略一定となり、直接接触しないように設定される。連結リード130の図1における上部は、リード112とリード113の間で図中上側に向かってリード111~115と同様に突出した形態とされる。連結リード130の図1における下部は、リード118とリード119の間で図中下側に向かってリード116~120と同様に突出した形態とされる。ダイパッド101、102、リード111~120、連結リード130は、これらの外側において矩形環状の外枠部190と連結されて一体化されている。この際、ダイパッド101はその左側において連結部140によって、ダイパッド102はその右側において連結部150によって、それぞれ外枠部190と接続されている。また、リード111~115はその上端部側で外枠部190と接続されている。また、リード111~115は、その幅広形状とされた部分よりも外側上側において、これらと交差するリード連結部161によって接続され、このリード連結部161の両端部も外枠部190に連結されている。同様に、リード116~120はその下端部側で外枠部190と接続されている。また、リード116~120は、その幅広形状とされた部分よりも外側下側において、これらと交差するリード連結部162によって接続され、このリード連結部162の両端部も外枠部190に連結されている。また、連結リード130の上下端部は延伸してそれぞれ外枠部190と接続されている。また、連結リード130は、上側でリード111~115と共にリード連結部161に接続され、下側でリード116~120と共にリード連結部162に接続される。連結部140における外枠部190との接続領域左側の領域は、幅が広げられると共に開口部が設けられて構成された環状部141となっている。同様に、連結部150における外枠部190との接続領域右側の領域は、環状部141と同様の形態の環状部151となっている。環状部141、151においては連結部140、150を構成する金属板が実質的に細くなっているために、環状部141、151は、局所的に塑性変形がしやすくなった易変形部となっている。また、連結リード130においてダイパッド101、102に挟まれた箇所においても、局所的に幅広形状とされた中に開口部が設けられた環状部131、132が設けられている。環状部131、132も、環状部141、151と同様に、局所的に塑性変形がしやすい易変形部となっている。なお、ダイパッド101、102の連結リード130と隣接する側面の形状は、図1に示されるように、この環状部131、132に対応した形状とされる。この側面の形状は、曲げ加工時に環状部131、132が変形した際にも、ダイパッド101、102と連結リード130特に環状部131、132が接触しないように設定される。なお、このリードフレーム100を用いて半導体モジュールが製造される際に、図1中の破線で囲まれた領域にモールド層が形成される。また、その後、図1中の1点鎖線で示された範囲でリードフレーム100に対して切断が行われる。このため、切断後のリード111~120の先端部はモールド層から突出する。また、同様に切断後の連結リード130の上端部もモールド層から図1中の上側に突出してリード121となり、切断後の連結リード130の下端部もモールド層から図1中の下側に突出してリード122となる。図1の構成のリードフレーム100は、平板が図1の形態とされて構成される。このため、例えば銅、銅合金で構成された平板を用いてリードフレーム100を製造することができる。この場合、これらの材料で構成された金属板平板に対して板金加工を行うことにより、図1の形態とすることができる。この点については、従来より知られるリードフレームと同様である。環状部141、151、131、132も、この際に同時に形成することが可能である。半導体モジュールを製造するに際しては、このリードフレーム100ダイパッド101、102に半導体チップを搭載し、ボンディングワイヤを用いて半導体チップとリード等とを電気的に接続することが必要になる。この際、ボンディングワイヤが直接接続される面は、半導体チップの上面とリード111~120の幅広部の上面である。図1の状態においては、ダイパッド101、102の上面とリード111~120の幅広部の上面とが同一平面上に形成されているため、半導体チップをダイパッド101、102に搭載した場合、半導体チップの厚さの分だけ、半導体チップの上面はリード111~120の幅広部の上面よりも高くなる。このため、このリードフレーム100に半導体チップを搭載するに際しては、特許文献1、2に記載の技術と同様に、リード111~120よりも下側にダイパッド101、102が吊り下げられるように、曲げ加工が施される。この曲げ加工が施される箇所は、図1における点線で囲まれたA~Dの4箇所である。すなわち、連結部140における環状部141よりも内側右側の箇所A、連結部150における環状部151よりも内側左側の箇所B、連結リード130におけるダイパッド101、102よりも外側上側、下側の2箇所C:上側、D:下側、の計4箇所において曲げ加工が施される。以下に、この曲げ加工を施して半導体モジュールを製造する製造方法について、図2、3を元に説明する。図2aは、このリードフレーム100におけるこの曲げ加工の前の状態を示す斜視図であり、図2bは曲げ加工曲げ加工工程が行われた後の形態を示す斜視図である。この曲げ加工は、ダイパッド101、102の表面、及び連結リードにおけるダイパッド101、102の間の領域の表面が同一平面第1の平面を構成するようになされる。この際、リード111~120に対しては曲げ加工が施されないために、リード111~120の表面は、外枠部190の表面と共に同一平面第2の平面を形成している。この第1の平面は、搭載する半導体チップの高さの分だけ第2の平面よりも下側半導体チップが搭載される側と反対側に位置するように設定される。すなわち、この曲げ加工により、ダイパッド101、102と、連結リード130のダイパッド101、102に挟まれた部分とは、図2aの状態から平行に下側に移動する。これにより、ダイパッド101、102、連結リード130は、外枠部190から吊り下げられた形態となる。この曲げ加工の際には、連結部140、150、連結リード130には歪みが生じ、特にこれらは長手方向において長くなるように変形する。連結部140においては環状部141、連結部150においては環状部151、連結リード130においては環状部131、132において、特にこの変形が行われる。この作用は、特許文献1におけるソリ吸収部と同様である。すなわち、環状部141、151、131、132を設けることによって、図2bに示す形態の曲げ加工が特に容易に行われる。また、曲げ加工を施す箇所はA~Dの4箇所のみである。この際、ダイパッド101、102に接続された連結部140、150だけでなく、連結リード130においても環状部131、132が設けられている。このため、連結リード130においてもこの曲げ加工は特に容易に行われる。その後、ダイパッド101、102上に半導体チップを搭載し、この半導体チップの表面とリードとをボンディングワイヤで接続するチップ搭載工程このため、まず、図3cに示されるように、ダイパッド101上に半導体チップ21を、ダイパッド102上に半導体チップ22を搭載する。この際には、接着剤やはんだを用いた接合が用いられる。はんだを用いた場合には、半導体チップ21、22の裏面に電極を形成することにより、この電極とダイパッド101、102とを電気的に接続することもできる。その後、図3dに示されるように、半導体チップ21、22の表面に形成された電極とリード111~120、半導体チップ21の表面に形成された電極とDよりも外側の連結リード130の表面とを、ボンディングワイヤ30を用いて接続する。この際、前記の曲げ加工が施されているために、ボンディングワイヤ30が接続される一端半導体チップ21、22の上面と、他端リード111~120、連結リード130の表面の高さを略同一とすることができる。このため、ボンディングワイヤ30による接続の信頼性を高めることができる。その後、図3eに示されるように、外枠部190の内側において、ダイパッド101、102、半導体チップ21、22、ボンディングワイヤ30等を封止するようにモールド層40を形成するモールド工程。モールド層40としては熱硬化製樹脂等が用いられ、所望の形状に成形して形成することができる。モールド層40を形成する領域の上面図は図1における破線で示された領域となる。この際、連結リード130におけるダイパッド101、102に挟まれた領域と、曲げ加工が行われた領域C、Dもこのモールド層40中に封止される。外枠部190、リード連結部161、リード連結部162はモールド層40の外部に設けられ、リード111~120と連結リード130、連結部140、150が部分的にモールド層40から突出する形態とされる。この半導体モジュール10におけるリード111~115、116~120がそれぞれ設けられた2つの側面間の幅図1中の上下方向の幅は、リードが存在するために、これと直交する側面間の幅図1中の左右方向の幅よりも狭い。このため、曲げ加工が行われた領域C、Dをモールド層40中に設けることが特に好ましい。一方、曲げ加工が行われた領域A、Bはモールド層40の外部とすることも可能である。その後、図1における一点鎖線の領域でリードフレーム100リード111~120、連結リード130、連結部140、150を切断することにより、DIP型の半導体モジュール10が得られる切断工程。図4は、この半導体モジュール10の構成を示す透視斜視図である。なお、リード111~122がモールド層40から突出する長さは任意である。この長さは、この半導体モジュール10への電気的接続や固定の態様に応じて適宜設定できる。すなわち、リードフレーム100やモールド層40の形態を適宜設定することにより、この長さは調整が可能である。これにより、この半導体モジュール10の実装の形態に応じた所望の形状にリードフォーミング加工を施すことも可能である。この半導体モジュール10においては、DIP型の一方の側面におけるリード121と他方の側面におけるリード122とが連結リード130として一体化されることにより、電気的に接続されている。これらの間の接続にはボンディングワイヤは用いられておらず、一体化された連結リード130が用いられている。このため、リード121とリード122との間の接続の信頼性は高くなる。連結リード130においては易変形部となる環状部131、132が設けられているが、環状部131、132においては変形後においても導電性が保たれるため、リード121、122は他のリードと同様に用いることができる。更に、この形態の連結リード130を、ダイパッド101、102、リード111~120と共に一体化してリードフレーム100を構成することも容易である。また、曲げ加工を施す必要があるのはA~Dの4箇所のみであり、連結部140、150、連結リード130に易変形部環状部を形成することも容易であるため、図2bの形態を実現することが特に容易である。また、図2bの構成においては、ダイパッド101、102の下面と、ダイパッド101、102に挟まれた領域における連結リード130の下面とは同一平面第1の平面を構成する。このため、この下面側に放熱板等を接続してこの半導体モジュール10の放熱特性を向上させることも容易である。また、上記の例では、半導体チップ21の表面に形成された電極と、曲げ加工が行われた領域であるDよりも外側の連結リード130の表面とを、ボンディングワイヤ30を用いて接続したが、連結リード130に対する電気的接続の方法は任意である。連結リード130と接続する対象に応じて、連結リード130に対してボンディングワイヤを接続する箇所は適宜設定することが可能であり、例えば連結リード130におけるダイパッド101、102に挟まれた領域にボンディングワイヤを接続することもできる。この場合、曲げ加工が行われた領域であるDをモールド層40の外部とすることもできる。なお、上記の例においては、易変形部となる環状部141、151、131、132の形状を、幅広部分に開口部を設けた形状としたが、局所的に塑性変形が容易となる形状であれば、この形状は任意である。例えば、開口部の形状は円形、楕円形、半円形、矩形等、任意である。また、特に連結リード130においては易変形部を2箇所環状部131、132設けたが、図2bの形状を容易かつ高い信頼性で得ることができる限りにおいて、易変形部は1箇所のみ、あるいは3箇所以上設けてもよい。また、上記の例においては、連結リード130をクランク形状としたが、両側面のリードの一部として使用できる限りにおいて、この形状は任意である。ダイパッド101、102の形状は、こうした連結リードの形状や搭載する半導体チップの構成に応じて設定することができる。また、リードフレームの形態についても、上記の構成でダイパッド、連結リード、各リードを一体化して構成でき、曲げ加工が行える限りにおいて任意である。例えば、リード連結部を設けない、あるいはより多くのリード連結部を設けてもよく、連結部の構成についても任意である。また、上記の例では、ダイパッド101、102の表面、及び連結リードにおけるダイパッド101、102の間の領域の表面が構成する第1の平面が、リード111~120の表面が構成する第2の平面よりも、半導体チップの高さの分だけ下側半導体チップが搭載される側と反対側に位置するように曲げ加工がなされた。しかしながら、これらの平面の高さの差分を厳密に半導体チップの高さと等しくする必要はない。第2の平面が第1の平面よりも半導体チップが搭載される側に位置していれば、ボンディングワイヤによる接続の信頼性が高まるために、有効である。また、上記の例では2つの側面にリードが設けられたDIP型の半導体モジュールについて記載したが、4つの側面にリードが設けられたQFPQuadFlatPackage型の半導体モジュールにおいても、同様の構成を用いることができる。この場合には、4つのダイパッドを用い、この4つのダイパッドの中央で交差する形態の連結リードを用いることができる。