"セラミック誘電体層と内部電極層とが交互に積層され、前記内部電極層が交互に異なる端面に露出するように形成されたセラミック積層体と、前記セラミック積層体の内部電極層が露出している端面に形成された少なくとも一対の外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサにおいて、前記外部電極は、金属及びセラミック誘電体材料を少なくとも含み前記セラミック積層体と同時焼成して形成される下地金属層と、該下地金属層を被覆するメッキ層とを含み、前記下地金属層は、前記セラミック積層体の内部電極層が露出している端面及び該端面に直交する面上の該端面に隣接した部分を覆うように形成されており、前記下地金属層の厚さ方向の断面であって、該断面を厚さ方向に2分割したとき、メッキ層側の断面の方が、セラミック積層体側の断面よりも金属占有面積が大きいことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。前記下地金属層は、厚さ方向の断面であって該断面を厚さ方向に2分割したとき、前記メッキ層側の断面の方が、前記セラミック積層体側の断面よりも金属占有面積が5~28大きい、請求項1に記載の積層セラミックコンデンサ。前記セラミック積層体の内部電極層が露出している一方の端面から、該端面に直交する面上の該端面に隣接した部分を覆うように形成された前記下地金属層の端縁までの距離E1と、前記セラミック積層体の内部電極層が露出している他方の端面から、該端面に直交する面上の該端面に隣接した部分を覆うように形成された前記下地金属層の端縁までの距離E2と、前記セラミック積層体の内部電極層が露出している一方の端面から、他方の端面までの距離Lとが、下記式1の関係にある、請求項1又は2に記載の積層セラミックコンデンサ。0.3L<E1E2<0.7L1前記メッキ層は、湿式メッキにより形成したものである、請求項1~3のいずれか1項に記載の積層セラミックコンデンサ。前記セラミック誘電体層に含まれるセラミック誘電体材料のセラミック組成と、前記下地電極に含まれるセラミック誘電体材料のセラミック組成とが同じである、請求項1~4のいずれか1項に記載の積層セラミックコンデンサ。前記セラミック誘電体層に含まれるセラミック誘電体材料のセラミック組成と、前記下地電極中に含まれるセラミック誘電体材料のセラミック組成が異なる、請求項1~4のいずれか1項に記載の積層セラミックコンデンサ。前記下地金属層の金属が、Niである、請求項1~6のいずれか1項に記載の積層セラミックコンデンサ。セラミック誘電体層と内部電極層とが交互に積層され、前記内部電極層が交互に異なる端面に露出するように形成されたセラミック積層体と、前記セラミック積層体の内部電極層が露出している端面に形成された外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサの製造方法であって、セラミック誘電体材料を少なくとも含有するセラミックスラリーを塗布してグリーンシートを形成する工程と、前記グリーンシートの表面に内部電極層形成用導体ペーストを印刷して未焼成内部電極層を形成する工程と、未焼成内部電極層が形成されたグリーンシートを積層し、圧着して未焼成セラミック積層体を製造する工程と、前記未焼成セラミック積層体をカットする工程と、カットした未焼成セラミック積層体の前記未焼成内部電極層が露出した端面及び該端面に直交する面上の該端面に隣接した部分を覆うように、セラミック誘電体材料と金属粉末とを少なくとも含有する第1の下地金属層形成用導体ペーストを塗布し、更にその上に、セラミック誘電体材料と金属粉末とを少なくとも含有し、金属粉末の含有量が前記第1の下地金属層形成用導体ペーストよりも高い第2の下地金属層形成用導体ペーストを塗布して、未焼成下地金属層を形成する工程と、前記未焼成セラミック積層体と前記未焼成下地金属層とを同時焼成する工程と、前記未焼成下地金属層を焼成して得られた下地金属層の表面をメッキする工程と、を含むことを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。前記下地金属層を湿式メッキによりメッキする、請求項8に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。前記下地金属層形成用導体ペーストとして、前記セラミックスラリーのセラミック誘電体材料と同じセラミック組成のセラミック誘電体材料を含むものを用いる、請求項8又は9に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。前記下地金属層形成用導体ペーストとして、前記セラミックスラリーのセラミック誘電体材料と異なるセラミック組成のセラミック誘電体材料を含むものを用いる、請求項8又は9に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。前記金属粉末として、Niを用いる、請求項8~11のいずれか1項に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。積層セラミックコンデンサを小型化にするためには、外部電極についても小型にすることが求められる。従来は、外部電極ペーストの塗布厚みを薄くすることで、下地電極とセラミック積層体で発生する応力を小さくしようとしてきた。しかしながら、外部電極ペーストの塗布の制御ペーストの粘性の制御、余剰の塗布されたペーストを除去のみでは限界がでてきた。また、積層セラミックコンデンサの外部電極と、基板との接続性を高めるため、外部電極ペースト量を多くすると下地電極の厚みを厚く、下地電極と、セラミック積層体の境界面内電が露出する端面に隣接する表面にてクラックが発生する場合があった。特許文献1に係る発明は、Ag銀の外部端子電極層の後焼き付け方式でセラミック積層体に外部電極を形成するに際し、内部電極層と外部電極との電気的導通を確保しつつ、セラミック積層体と外部電極との密着を改善するものであり、セラミック積層体の端面に同時焼成のNiを形成し、端面および端面以外の面にAg層を焼き付け、その後メッキしている。焼き付けAg層があるため、小型化には不利である。また、特許文献1では、同時焼成方式同時焼成した下地電極に、メッキ処理を施して外部電極を形成するものを、以下、同時焼成方式と記す。で、セラミック積層体に外部電極を形成するに際における、クラックの発生に関する上記問題については何ら検討されていない。よって、本発明の目的は、クラックがなく、電気特性に優れた積層セラミックコンデンサを、同時焼成方式で歩留まり良く製造可能な積層セラミックコンデンサ及びその製造方法を提供することにある。本発明の積層セラミックコンデンサは、セラミック誘電体層と内部電極層とが交互に積層され、前記内部電極層が交互に異なる端面に露出するように形成されたセラミック積層体と、前記セラミック積層体の内部電極層が露出している端面に形成された少なくとも一対の外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサにおいて、前記外部電極は、金属及びセラミック誘電体材料を少なくとも含み前記セラミック積層体と同時焼成して形成される下地金属層と、該下地金属層を被覆するメッキ層とを含み、前記下地金属層は、前記セラミック積層体の内部電極層が露出している端面及び該端面に直交する面上の該端面に隣接した部分を覆うように形成されており、前記下地金属層の厚さ方向の断面であって、該断面を厚さ方向に2分割したとき、メッキ層側の断面の方が、セラミック積層体側の断面よりも金属占有面積が大きいことを特徴とする。本発明の積層セラミックコンデンサは、前記下地金属層は、厚さ方向の断面であって該断面を厚さ方向に2分割したとき、前記メッキ層側の断面の方が、前記セラミック積層体側の断面よりも金属占有面積が5~28大きいことが好ましい。本発明の積層セラミックコンデンサは、前記セラミック積層体の内部電極層が露出している一方の端面から、該端面に直交する面上の該端面に隣接した部分を覆うように形成された前記下地金属層の端縁までの距離E1と、前記セラミック積層体の内部電極層が露出している他方の端面から、該端面に直交する面上の該端面に隣接した部分を覆うように形成された前記下地金属層の端縁までの距離E2と、前記セラミック積層体の内部電極層が露出している一方の端面から、他方の端面までの距離Lとが、下記式1の関係にあることが好ましい。0.3L<E1E2<0.7L1本発明の積層セラミックコンデンサの前記メッキ層は、湿式メッキにより形成したものであることが好ましい。本発明の積層セラミックコンデンサは、前記セラミック誘電体層に含まれるセラミック誘電体材料のセラミック組成と、前記下地電極に含まれるセラミック誘電体材料のセラミック組成とが同じであるか、あるいは、前記セラミック誘電体層に含まれるセラミック誘電体材料のセラミック組成と、前記下地電極中に含まれるセラミック誘電体材料のセラミック組成が異なることが好ましい。本発明の積層セラミックコンデンサは、前記下地金属層の金属が、Niであることが好ましい。また、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、セラミック誘電体層と内部電極層とが交互に積層され、前記内部電極層が交互に異なる端面に露出するように形成されたセラミック積層体と、前記セラミック積層体の内部電極層が露出している端面に形成された外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサの製造方法であって、セラミック誘電体材料を少なくとも含有するセラミックスラリーを塗布してグリーンシートを形成する工程と、前記グリーンシートの表面に内部電極層形成用導体ペーストを印刷して未焼成内部電極層を形成する工程と、未焼成内部電極層が形成されたグリーンシートを積層し、圧着して未焼成セラミック積層体を製造する工程と、前記未焼成セラミック積層体をカットする工程と、カットした未焼成セラミック積層体の前記未焼成内部電極層が露出した端面及び該端面に直交する面上の該端面に隣接した部分を覆うように、セラミック誘電体材料と金属粉末とを少なくとも含有する第1の下地金属層形成用導体ペーストを塗布し、更にその上に、セラミック誘電体材料と金属粉末とを少なくとも含有し、金属粉末の含有量が前記第1の下地金属層形成用導体ペーストよりも高い第2の下地金属層形成用導体ペーストを塗布して、未焼成下地金属層を形成する工程と、前記未焼成セラミック積層体と前記未焼成下地金属層とを同時焼成する工程と、前記未焼成下地金属層を焼成して得られた下地金属層の表面をメッキする工程と、を含むことを特徴とする。本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、前記下地金属層を湿式メッキによりメッキすることが好ましい。本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、前記下地金属層形成用導体ペーストとして、前記セラミックスラリーのセラミック誘電体材料と同じセラミック組成のセラミック誘電体材料を含むものを用いるか、あるいは、前記セラミックスラリーのセラミック誘電体材料と異なるセラミック組成のセラミック誘電体材料を含むものを用いることが好ましい。本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、前記金属粉末として、Niを用いることが好ましい。本発明の積層セラミックコンデンサは、外部電極の下地金属層が、セラミック誘電体材料を含有し、かつ、厚さ方向の断面であって該断面を厚さ方向に2分割したとき、メッキ層側の断面の方が、セラミック積層体側の断面よりも金属占有面積が大きくされているので、同時焼成後の降温時における、セラミック誘電体層と下地金属層との収縮差を小さくでき、クラックの発生を抑えることができる。また、下地金属層は、メッキ層側の断面の方が、セラミック積層体側の断面よりも金属占有面積が大きくされているので、下地金属層のメッキ層側は、より緻密に焼結されており、耐熱性に優れ、更には、メッキ液が下地金属層に侵食し難いので、実装時にめっきはぜ等が生じ難く、電気特性に優れている。そして、積層セラミックコンデンサの外部電極厚みを厚くした場合にもクラックの発生を抑えることができるので、このため、小型化しても、積層セラミックコンデンサの外部電極と、基板との接続性を高めることができる。更には、外部電極を形成する際におけるペーストの塗布の制御が簡便になるので、低コストにて、積層セラミックコンデンサを生産できる。また、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、カットした未焼成セラミック積層体の未焼成内部電極層が露出した端面に、セラミック誘電体材料と金属粉末とを少なくとも含有する第1の下地金属層形成用導体ペーストを塗布し、更にその上に、金属粉末の含有量が第1の下地金属層形成用導体ペーストよりも高い第2の下地金属層形成用導体ペーストを塗布して、未焼成下地金属層を形成した後、未焼成セラミック積層体と未焼成下地金属層とを同時焼成することで、同時焼成後の降温時における、セラミック誘電体層と下地金属層との収縮差を小さくでき、クラックの発生を抑えることができる。このため、電気特性に優れた積層セラミックコンデンサを歩留まり良く製造できる。本発明の積層セラミックコンデンサについて、図1、2を用いて説明する。なお、図1,2に示す積層セラミックコンデンサは一実施形態であって、図1,2に示す形状以外のものにも適用できる。また、アレイに用いることもできる。図1は、本発明の積層セラミックコンデンサの斜視図であり、図2は、図1のA-A線に沿った断面図である。本発明の積層セラミックコンデンサ10は、セラミック誘電体層1と内部電極層2とが交互に積層され、内部電極層2が交互に異なる端面に露出するように形成されたセラミック積層体3と、セラミック積層体の両端に形成された一対の外部電極4,4とを備えている。この外部電極4は、セラミック積層体3の内部電極層3が露出している端面3a3b及び該端面に直交する面3c上の該端面に隣接した部分を覆うように形成されている。セラミック誘電体層1は、セラミックペーストをグリーンシート化して焼成したセラミック焼結体から構成される。セラミックペーストとしては、BaTiO3チタン酸バリウム、CaTiO3チタン酸カルシウム、SrTiO3チタン酸ストロンチウム、CaZrO3ジルコン酸カルシウム、ペロブスカイト構造を形成するBa1x-yCaXSryTi1-ZZrzO3等のセラミック誘電体材料を主原料とし、これに、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Y等の希土類金属酸化物、V、Cr及びMn等の遷移金属酸化物、SiO2等のガラス成分、MgO、MgCO3等のMg化合物を添加物として混合したセラミック組成物に、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂等のバインダーと、トルエン等の溶剤と、その他助剤を添加してペースト化したもの等が挙げられる。セラミック誘電体材料は、BaTiO3チタン酸バリウムを主成分としたものが好ましく用いられる。内部電極層2は、内部電極層形成用導体ペーストの薄膜を焼結した金属薄膜からなる。内部電極層形成用導体ペーストは、導電材料となる金属粉末と、バインダーと、溶剤と、必要に応じてその他助剤とを含んでいる。金属粉末としては、Ni、Ag、Pd等が挙げられ、後述する下地金属5との同時焼成が容易であるという理由からNiが好ましい。バインダー、溶剤は、上記したセラミックペーストと同様のものを使用できる。外部電極4は、下地金属層5と、該下地金属層5の表面を被覆するメッキ層6とで構成される。下地金属層5は、セラミック誘電体材料と金属粉末とを含む下地金属形成用導体ペーストの薄膜を焼成した金属薄膜からなる。すなわち、本発明における下地金属層5は、セラミック焼結体7を含有する金属薄膜からなる。そして、厚さ方向の断面であって該断面厚さW3を、厚さ方向に均等に2分割したとき、メッキ層側の断面5b厚さW2の方が、セラミック積層体側の断面5a厚さW1よりも金属占有面積が大きくされており、5~28大きくされていることが好ましく、5~20がより好ましい。メッキ層側の断面5bの方が、セラミック積層体側の断面5aよりも金属占有面積が大きくされることにより、同時焼成後の降温時における、セラミック誘電体層1と下地金属層5との収縮差を小さくでき、クラックの発生を抑えることができる。また、下地金属層5は、メッキ層側の断面5bの方が、セラミック積層体側の断面5aよりも金属占有面積が大きくされているので、下地金属層のメッキ層側は、より緻密に焼結されており、耐熱性に優れる。特に、メッキ層側の断面5bの方が、セラミック積層体側の断面5aよりも金属占有面積が5~28大きくされていると、クラックの発生をより効率よく抑えることができ、歩留まりがよい。下地金属層のセラミック積層体側の断面5aの金属占有面積は、50~95が好ましく、60~75がより好ましい。金属占有面積が50未満であると、緻密に焼成できず、空隙の多いものになり易く、メッキ液が残留して実装時にメッキはぜ加熱することで水が液体から気体になることで、外部電極をはがす、孔をあける現象が生じ易くなる。95を超えると、下地金属層とセラミック積層体との接着強度が不十分であったり、焼成時における両者の収縮差から、セラミック積層体にクラックが発生し易くなる。下地金属層のメッキ層側の断面5bの金属占有面積は、セラミック積層体側の断面5aよりも大きく、かつ、50~95であることが好ましく、65~90がより好ましい。金属占有面積が50未満であると、緻密に焼成できず、空隙の多いものになり易く、メッキ液が残留して実装時にメッキはぜが生じ易くなる。95を超えると、焼成時における下地金属層とセラミック積層体との収縮差が大きくなり、セラミック積層体にクラックが発生し易くなる。なお、下地金属層の金属占有面積は、下地金属層の厚さ方向の断面を研磨し、断面を電子顕微鏡で観察して、画像処理により2値化することにより測定できる。下地金属層5は、セラミック積層体の内部電極層が露出している端面3a3b及び該端面に直交する面3c上の該端面に隣接した部分を覆うように形成されている。セラミック積層体3の内部電極層が露出した端面3a3b上の下地金属層5の平均厚みS1は、5~50μmが好ましく、10~40μmがより好ましい。5μm未満であると、静電容量が設計より低くなり外部電極としての機能が得られないことがある。50μmを超えると焼結時の収縮の結果、セラミック積層体と下地電極層との密度差の影響を受けて下地電極層が局所的に疎な構造となり、後工程のめっき過程でめっき液が残存することがある。セラミック積層体の内部電極層が露出している端面3a3bに直交する面3c上の下地金属層5は、セラミック積層体3の内部電極層が露出している端面3a3bから、面3c上の下地金属層の端縁5152に至るまでの中間部分の厚みS2が、5~25μmであることが好ましく、10~15μmがより好ましい。5μm未満であると、積層セラミックコンデンサの外部電極と、基板との接続性が悪くなる恐れがある。25μmを越えると寸法規格から外れる。また、セラミック積層体3の内部電極層が露出している一方の端面3aから、該端面に直交する面3c上の該端面に隣接した部分を覆うように形成された下地金属層の端縁51までの距離E1と、セラミック積層体の内部電極層が露出している他方の端面3bから、該端面に直交する面3c上の該端面に隣接した部分を覆うように形成された下地金属層の端縁52までの距離E2と、セラミック積層体の内部電極層が露出している一方の端面3aから、他方の端面3bまでの距離Lとが、下記式1の関係にあることが好ましい。0.3L<E1E2<0.7L1距離E1と距離E2との合計が、0.3Lよりも小さいと、積層セラミックコンデンサの外部電極4と、基板との接続性が悪くなる傾向にある。また、0.7Lよりも大きいと、積層セラミックコンデンサの外部電極4,4間での短絡のおそれがでて、絶縁抵抗が低下するおそれがある。メッキ層6は、Ni及びCuの少なくとも一つから選ばれる第1メッキ層6aと、該第1メッキ層6a上に形成された、Sn又はSn合金からなる第2メッキ層6bとで構成されることが好ましい。第1メッキ層6aによって、下地金属5と第2メッキ層6bとの接着性が向上し、第2メッキ層6bによって、半田濡れ性が向上する。次に、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法の一例について以下説明する。まず、従来公知の方法で形成されたBaTiO3粉末等のセラミック誘電体材料と、必要に応じてその他の添加物粉末を適宜の量加え、バインダー及び溶剤を加えて、ボールミルなどで混合攪拌してセラミックスラリーを調製する。次に、ドクターブレード法等の従来公知の方法により、セラミックスラリーをPETフィルム等の長尺のベースフィルムに流し、その厚みをドクターブレードとの隙間で調整し、乾燥して、所定厚みのグリーンシートを作製する。次に、グリーンシート上に、スクリーン印刷法等の従来公知の方法により、内部電極形成用導体ペーストを塗布し、未焼成内部電極層を所定パターンで形成する。次に、未焼成内部電極層を形成したグリーンシートを所定の単位寸法でカットしてベースフィルムから取り出し、取り出されたグリーンシートを必要枚数積層し、静水圧プレス機等により圧着成型して未焼成セラミック積層体を作製する。次に、圧着後の未焼成セラミック積層体を、回転ブレードや昇降ブレード等のブレードでカットして、個々のチップ状未焼成セラミック積層体とする。このチップ状未焼成セラミック積層体の相対する面には未焼成内部電極層の端縁が交互に露出している。次に、チップ状未焼成セラミック積層体の未焼成内部電極層が露出した端面に、第1の下地金属形成用導体ペーストを塗布して、第1の未焼成下地金属層を形成し、その上に、第2の下地金属形成用導体ペーストを塗布して、第2の未焼成下地金属層を形成する。第1の未焼成下地金属層は、焼成後の膜厚が2.5~25μmとなるように形成することが好ましく。10~20μmがより好ましい。また、第2の未焼成下地金属層は、焼成後の膜厚が2.5~25μmとなるように形成することが好ましく。10~20μmがより好ましい。未焼成下地金属層の膜厚は、未焼成セラミック積層体への導体ペーストの塗布量を調整したり、未焼成セラミック積層体に塗布された導体ペーストが多い場合には基材に導体ペーストを押しつけることで過剰の導体ペーストを除去することで調整できる。以下、下地金属形成用導体ペーストについて説明する。本発明で用いる第1の下地金属形成用導体ペースト及び第2の下地金属形成用導体ペーストは、それぞれ、セラミック誘電体材料と金属粉末とを少なくとも含有するものであり、第2の下地金属形成用導体ペーストの方が、第1の下地金属形成用導体ペーストよりも金属粉末の含有量が高い。下地金属形成用導体ペーストに用いる金属粉末は、セラミック積層体3と同時焼成して形成される金属であり、例えば、Niが挙げられる。金属粉末は、平均粒径D50が0.3~3μmで、粒度分布の10累積粒径D10が0.02μm以上であることが好ましい。平均粒径D50は0.4~2.5μmがより好ましく、0.5~2μmが特に好ましい。また、粒度分布の10累積粒径D10は0.025μm以上が好ましく、0.03μm以上が特に好ましい。金属粉末の平均粒径D50が2μmを超えると、表面状態が粗くなり、下地金属形成用導体ペーストの塗布ムラが生じたり、均一な厚みの下地金属層が得られ難くなる。また、平均粒径D50が0.3μm未満であると、焼結が進みやすく積層セラミックコンデンサの特性に影響をあたえることがある。また、金属粉末の粒度分布の10累積粒径D10が0.02μm未満であると、結着に必要なバインダーが不足し、塗布膜の強度が低下することがある。なお、本発明において、金属粉末の粒度分布は、レーザー回折散乱法で測定し、平均粒径は、前記レーザー回折散乱法における累積体積頻度50の値である。下地金属形成用導体ペーストに用いるセラミック誘電体材料は、セラミックペーストで挙げたものと同様のものを用いることができ、セラミックペーストで使用したものと同一のセラミック誘電体材料であってもよく、異なるものであってもよい。例えば、セラミックペーストにおいて、セラミック誘電体材料としてBaTiO3チタン酸バリウムを使用した場合には、下地金属形成用導体ペーストとして、BaTiO3チタン酸バリウムを使用してもよいし、BaTiO3チタン酸バリウム以外のセラミック誘電体材料例えば、CaTiO3チタン酸カルシウム、SrTiO3チタン酸ストロンチウム、CaZrO3ジルコン酸カルシウム等を使用してもよい。また、第1の下地金属形成用導体ペーストに用いるセラミック誘電体材料と、第2の下地金属形成用導体ペーストに用いるセラミック誘電体材料は、同じものであってもよく、異なるものであってもよい。同一のセラミック誘電体材料を用いる場合は、原料を共通化できるので、生産コストを低くすることができる。また、異なるセラミック誘電体材料を用いる場合は、セラミック積層体と下地金属形成用導体ペーストとの反応性の違いにより、第1の下地金属形成用導体ペースト及び第2の下地金属形成用導体ペーストの組成の違いが少なくても、Niの偏在量を大きくすることができる。セラミック誘電体材料の比表面積は2~20m2/gが好ましく、5~15m2/gがより好ましい。比表面積が20m2/gを超えると、ペーストの流動性が低下する。また、表面積が小さくなると、粒子がNi粉よりも大きいため、局所的に焼結が進まない場所が出来、後工程のめっき工程でめっき液が残留する可能性がある。なお、本発明において、セラミック誘電体材料の比表面積はBET法で測定した値である。第1の下地金属形成用導体ペーストは、金属粉末100体積部に対し、セラミック誘電体材料を18~60体積部含有することが好ましく、25~50体積部がより好ましい。18体積部未満であると、セラミック積層体と下地金属層との接着力が低下したり、金属含有率が増すため焼結後降温時に収縮差からセラミック積層体に応力を与えクラックを発生させることがある。60体積部よりも多いと、焼結が進まず空隙が多くなることがある。第2の下地金属形成用導体ペーストは、金属粉末100体積部に対し、セラミック誘電体材料を5~50体積部含有する。そして。第1の下地金属形成用導体ペーストよりも、5~50体積部少ないことが好ましい。第2の下地金属形成用導体ペーストがセラミック誘電体材料を上記割合で含有することで、焼結後降温時におけるセラミック積層体と下地金属層との収縮差を小さくでき、セラミック積層体にかかる応力を低減して、クラックの発生を抑えることができる。各下地金属形成用導体ペーストは、セラミック誘電体材料と、金属粉末と、バインダーと、溶剤と、必要に応じてその他助剤とを混練し、ペースト状に調整して得られる。バインダーは、次工程で熱分解されやすい高分子化合物が好ましい。セルロース誘導体、ポリアクリル酸誘導体等が好ましく用いられる。バインダーは、セラミック誘電体材料と、金属粉末との合計100質量部に対し、5~12質量部が好ましく、6~11質量部がより好ましい。5質量部未満であると、金属粉末の結着性が低下し、下地金属層形成後の取り扱いが低下する。12質量部を超えると、焼成時に有機物が急激に分解する現象が起こり穴状の欠陥ができる可能性や分解に必要な酸素が不十分となり、炭素が分解残留物としてコンデンサの絶縁性が低下する恐れがある。溶剤は、沸点が100~300°Cの混合溶剤が好ましく、120~300°Cのものがより好ましい。沸点が100°C以下の溶剤は引火点が低く、製造上の危険性が高くなるとともに揮発に伴うペースト物性の変化が問題となる。また、沸点と蒸気圧は近い関係にあり、連続使用をすることにより揮発が進み短時間で粘度が上昇する問題が挙げられる。一方、沸点が300°C以上の溶剤は、乾燥器としての電力が多く必要となり、さらに、製造上のばらつきを考慮した場合十分な工程能力を維持するために乾燥に長時間を必要とする。また、単一の溶剤を用いた場合、昇温により段階的な乾燥をする方法によってもある温度で急激に乾燥が開始されることがある。急激な乾燥は表面にヒビ状の欠陥を発生させることや、バインダーの偏析を発生させ、焼成工程での不具合となる可能性がある。その他の助剤としては、ガラス、アルミニウム、マグネシウム、マンガン、ジルコニウム等の金属酸化物等の焼結助剤が挙げられる。上記下地金属形成用導体ペーストを用いて、チップ状未焼成セラミック積層体の未焼成内部電極層が露出した端面に、第1の未焼成下地金属層と、第2の未焼成下地金属層とからなる未焼成下地金属層を形成したのち、脱バインダー炉に投入し、好ましくはN2雰囲気で脱バインダー処理する。その後、焼成炉に投入して、所定の温度及び時間等の条件下で焼成して、チップ状未焼成セラミック積層体と未焼成下地金属層とを同時焼成する。焼成温度は、1150~1400°Cが好ましい。焼成時の酸素分圧O2濃度は6.2×10-4Pa以下が好ましい。O2濃度が6.2×10-4Paよりも大きい場合には、下地金属の酸化が全体的に進んでしまい、次の工程のメッキ付き性が悪くなる。次に、未焼成下地金属層を焼成して得られた下地金属層5の表面を、Ni、Cu及びこれらの合金でメッキして第1メッキ層6aを形成して、第2メッキ層6aのメッキ付け性を向上させる。その後、第1メッキ層6a上に、Sn又はSn合金でメッキして第2メッキ層6bを形成する。メッキ方法としては特に限定はなく、バレルメッキなど従来公知の方法が挙げられる。このようにして、図1、2に示す本発明の積層セラミックコンデンサ10が得られる。この積層セラミックコンデンサは、図2に示すように、厚さ方向の断面であって該断面厚さW3を、厚さ方向に均等に2分割したとき、メッキ層側の断面5b厚さW2の方が、セラミック積層体側の断面5a厚さW1よりも金属占有面積が大きくされているので、同時焼成後の降温時における、セラミック誘電体層1と下地金属層5との収縮差を小さくでき、クラックの発生を抑えることができる。また、下地金属層5は、メッキ層側の断面5bの方が、セラミック積層体側の断面5aよりも金属占有面積が大きくされているので、下地金属層のメッキ層側は、より緻密に焼結されており、耐熱性に優れる。[使用材料]セラミックスラリーBaCO3と、TiO2とを固相法により反応させて得られた、比表面積5m2/gのBaTiO3粉末を用い、BaTiO3100molに対し、Ho2O31.0mol、MgO0.4mol、MnO0.1mol、SiO21.5molの割合にて、湿式混合乾燥仮焼きをおこない原料粉とした。原料粉をトルエン中で混合し、ブチラール樹脂を添加してセラミックスラリーを作製した。下地金属層形成用導体ペースト1Ni粉末平均粒径0.5μmで、かつ、粗粉粒径が2μm以上のものを除去したもの100体積部に、BaTiO3粉末平均粒径0.15μm、比表面積5m2/gを10体積部加え、Ni粉末とBaTiO3粉末との合計100質量部に対し、エチルセルロースを8質量部、ターピネオールを25質量部、石油系溶剤C9~C13の混合系飽和炭化水素を35質量部加えて混合し、下地金属層形成用導体ペースト1を作製した。下地金属層形成用導体ペースト2下地金属層形成用導体ペースト1において、BaTiO3粉末を、Ni粉末100体積部に対し20体積部を加え混合物とし、前記混合物100質量部に対し、エチルセルロースを8質量部、ターピネオールを30質量部、石油系溶剤を35質量部加えて混合し、下地金属層形成用導体ペースト2を作製した。下地金属層形成用導体ペースト3下地金属層形成用導体ペースト1において、BaTiO3粉末を、Ni粉末100体積部に対し30体積部加え混合物とし、前記混合物100質量部に対し、エチルセルロースを8質量部、ターピネオールを35質量部、石油系溶剤を40質量部加えて混合し、下地金属層形成用導体ペースト3を作製した。下地金属層形成用導体ペースト4下地金属層形成用導体ペースト1において、BaTiO3粉末を、Ni粉末100体積部に対し60体積部加え混合物とし、前記混合物100質量部に対し、エチルセルロースを8質量部、ターピネオールを50質量部、石油系溶剤を45質量部加えて混合し、下地金属層形成用導体ペースト4を作製した。下地金属層形成用導体ペースト5Ni粉末平均粒径0.5μmで、かつ、粗粉粒径が2μm以上のものを除去したもの100体積部に、CaTiO3粉末平均粒径0.15μm、比表面積3m2/gを30体積部加え、Ni粉末とCaTiO3粉末との合計100質量部に対し、エチルセルロースを8質量部、ターピネオールを30質量部、石油系溶剤を40質量部加えて混合し、下地金属層形成用導体ペースト5を作製した。下地金属層形成用導体ペースト6下地金属層形成用導体ペースト5において、CaTiO3粉末を、Ni粉末100体積部に対し25体積部加えて混合物とし、前記混合物100質量部に対し、エチルセルロースを8質量部、ターピネオールを25質量部、石油系溶剤を45質量部加えて混合し、下地金属層形成用導体ペースト6を作製した。[評価方法]下地金属層のNi偏在率積層セラミックコンデンサを研磨し、端面に形成された下地金属層部分を画像処理により2値化をおこなった。下地金属層の厚さ方向の断面を、厚さ方向に2分割し、セラミック誘電体層側の下地金属層と、表層側の下地金属層とを、それぞれ画像処理により2値化し、下地金属層のNi偏在率を下式1から求めた。Ni偏在率=表層側のNi占有面積-セラミック誘電体層側のNi占有面積1焼成後のクラック評価積層セラミックコンデンサ20個から下地金属層を研磨除去した時点から0.1mmの研磨範囲でクラックの有無を目視判断し、クラックが発生したものを不合格とした。半田耐熱性400°Cの無鉛半田に積層セラミックコンデンサ20個を3秒間浸漬し、自然冷却後洗浄し、外観上のクラックを目視判断し、クラックが発生したものを不合格とした。空隙率積層セラミックコンデンサを研磨し、下地金属層の厚さ方向の断面を画像処理により2値化処理し、空隙率を求めた。試験例1セラミックスラリーを、PETフィルム上にドクターブレード法により塗布して、厚さ2μmのグリーンシートを形成した。グリーンシートに内部導体ペーストを塗布し、グリーンシートを積層した。圧着後に1mm×0.5mm×0.5mm大きさになるよう切断し、未焼成の積層体を得た。そして、角部のわれと、角部での外部電極の厚みが薄くなることを防止するために、前記未焼成の積層体を湿式研磨して、角部を半径R=0.15mmとなるようにした。以下試験例も同様そして、焼成前の積層体の未焼成内部電極層が露出している端面と、該端面に隣接した積層体の周面の一部とを覆うように、乾燥後膜厚が0.04mmとなるように、下地金属層形成用導体ペースト3に浸漬し、130°Cで5分乾燥して、第1の未焼成下地金属層を形成した。次に、第1の未焼成下地金属層上に、乾燥後膜厚が0.04mmとなるように、下地金属層形成用導体ペースト1に浸漬し、130°Cで5分乾燥して、第2の未焼成下地金属層を形成した。その後、脱バインダー炉に投入し、N2雰囲気で250°C、2時間加熱して脱バインダー処理した後、焼成炉に投入して、焼成雰囲気中の酸素分圧O2濃度を6.2×10-4Paの条件にて、1300°Cで20分保持して焼成を行い、試験例1の積層セラミックコンデンサを得た。この積層セラミックコンデンサは、下地金属層のNi偏在率が7で、空隙率は1未満であった。また、積層セラミックコンデンサ20個のうち、クラックが発生したものは0個であった。また、半田耐熱性を評価した後の積層セラミックコンデンサ20個のうち、クラックが発生したものは0個であった。試験例2未焼成の積層体を湿式研磨するまでは、試験例1と同様におこなった。焼成前の積層体の未焼成内部電極層が露出している端面と、該端面に隣接した積層体の周面の一部とを覆うように、乾燥後膜厚が0.04mmとなるように、下地金属層形成用導体ペースト4に浸漬し、130°Cで5分乾燥して、第1の未焼成下地金属層を形成し、第1の未焼成下地金属層上に、乾燥後膜厚が0.04mmとなるように、下地金属層形成用導体ペースト1に浸漬し、130°Cで5分乾燥して、第2の未焼成下地金属層を形成した以外は、試験例1と同様にして試験例2の積層セラミックコンデンサを得た。この積層セラミックコンデンサは、下地金属層のNi偏在率が28で、空隙率は3であった。また、焼結後の積層セラミックコンデンサ20個のうち、クラックが発生したものは0個であった。また、半田耐熱性を評価した後の積層セラミックコンデンサ20個のうち、クラックが発生したものは0個であった。試験例3未焼成の積層体を湿式研磨するまでは、試験例1と同様におこなった。焼成前の積層体の未焼成内部電極層が露出している端面と、該端面に隣接した積層体の周面の一部とを覆うように、乾燥後膜厚が0.04mmとなるように、下地金属層形成用導体ペースト2に浸漬し、130°Cで5分乾燥して、第1の未焼成下地金属層を形成し、第1の未焼成下地金属層上に、乾燥後膜厚が0.04mmとなるように、下地金属層形成用導体ペースト1に浸漬し、130°Cで5分乾燥して、第2の未焼成下地金属層を形成した以外は、試験例1と同様にして試験例3の積層セラミックコンデンサを得た。この積層セラミックコンデンサは、下地金属層のNi偏在率が2で、空隙率は1未満であった。また、焼結後の積層セラミックコンデンサ20個のうち、クラックが発生したものは2個であった。また、半田耐熱性を評価した後の積層セラミックコンデンサ20個のうち、クラックが発生したものは0個であった。試験例4未焼成の積層体を湿式研磨するまでは、試験例1と同様におこなった。焼成前の積層体の未焼成内部電極層が露出している端面と、該端面に隣接した積層体の周面の一部とを覆うように、乾燥後膜厚が0.04mmとなるように、下地金属層形成用導体ペースト5に浸漬し、130°Cで5分乾燥して、第1の未焼成下地金属層を形成し、第1の未焼成下地金属層上に、乾燥後膜厚が0.04mmとなるように、下地金属層形成用導体ペースト6に浸漬し、130°Cで5分乾燥して、第2の未焼成下地金属層を形成した以外は、試験例1と同様にして試験例4の積層セラミックコンデンサを得た。この積層セラミックコンデンサは、下地金属層のNi偏在率が5で、空隙率は2であった。また、焼結後の積層セラミックコンデンサ20個のうち、クラックが発生したものは0個であった。また、半田耐熱性を評価した後の積層セラミックコンデンサ20個のうち、クラックが発生したものは0個であった。試験例5未焼成の積層体を湿式研磨するまでは、試験例1と同様におこなった。焼成前の積層体の未焼成内部電極層が露出している端面と、該端面に隣接した積層体の周面の一部とを覆うように、乾燥後膜厚が0.04mmとなるように、下地金属層形成用導体ペースト1に浸漬し、130°Cで5分乾燥して、第1の未焼成下地金属層を形成し、第1の未焼成下地金属層上に、乾燥後膜厚が0.04mmとなるように、下地金属層形成用導体ペースト1に浸漬し、130°Cで5分乾燥して、第2の未焼成下地金属層を形成した以外は、試験例1と同様にして試験例5の積層セラミックコンデンサを得た。この積層セラミックコンデンサは、下地金属層のNi偏在率が0で、空隙率は1未満であった。また、焼結後の積層セラミックコンデンサ20個のうち、クラックが発生したものは16個であった。また、半田耐熱性を評価した後の積層セラミックコンデンサ20個のうち、クラックが発生したものは16個であった。試験例6未焼成の積層体を湿式研磨するまでは、試験例1と同様におこなった。焼成前の積層体の未焼成内部電極層が露出している端面と、該端面に隣接した積層体の周面の一部とを覆うように、乾燥後膜厚が0.04mmとなるように、下地金属層形成用導体ペースト1に浸漬し、130°Cで5分乾燥して、第1の未焼成下地金属層を形成し、第1の未焼成下地金属層上に、乾燥後膜厚が0.04mmとなるように、下地金属層形成用導体ペースト2に浸漬し、130°Cで5分乾燥して、第2の未焼成下地金属層を形成した以外は、試験例1と同様にして試験例6の積層セラミックコンデンサを得た。この積層セラミックコンデンサは、下地金属層のNi偏在率が-2で、空隙率は1未満であった。また、焼結後の積層セラミックコンデンサ20個のうち、クラックが発生したものは19個であった。また、半田耐熱性を評価した後の積層セラミックコンデンサ20個のうち、クラックが発生したものは2個であった。試験例7未焼成の積層体を湿式研磨するまでは、試験例1と同様におこなった。焼成前の積層体の未焼成内部電極層が露出している端面と、該端面に隣接した積層体の周面の一部とを覆うように、乾燥後膜厚が0.04mmとなるように、下地金属層形成用導体ペースト1に浸漬し、130°Cで5分乾燥して、第1の未焼成下地金属層を形成し、第1の未焼成下地金属層上に、乾燥後膜厚が0.04mmとなるように、下地金属層形成用導体ペースト3に浸漬し、130°Cで5分乾燥して、第2の未焼成下地金属層を形成した以外は、試験例1と同様にして試験例7の積層セラミックコンデンサを得た。この積層セラミックコンデンサは、下地金属層のNi偏在率が-7で、空隙率は1未満であった。また、焼結後の積層セラミックコンデンサ20個のうち、クラックが発生したものは20個であった。また、半田耐熱性を評価した後の積層セラミックコンデンサ20個のうち、クラックが発生したものは4個であった。試験例8未焼成の積層体を湿式研磨するまでは、試験例1と同様におこなった。焼成前の積層体の未焼成内部電極層が露出している端面と、該端面に隣接した積層体の周面の一部とを覆うように、乾燥後膜厚が0.04mmとなるように、下地金属層形成用導体ペースト4に浸漬し、130°Cで5分乾燥して、第1の未焼成下地金属層を形成し、第1の未焼成下地金属層面に、乾燥後膜厚が0.04mmとなるように、下地金属層形成用導体ペースト4に浸漬し、130°Cで5分乾燥して、第2の未焼成下地金属層を形成した以外は、試験例1と同様にして試験例8の積層セラミックコンデンサを得た。この積層セラミックコンデンサは、下地金属層のNi偏在率が0で、空隙率は12であった。また、焼結後の積層セラミックコンデンサ20個のうち、クラックが発生したものは4個であった。また、半田耐熱性を評価した後の積層セラミックコンデンサ20個のうち、クラックが発生したものは0個であった。上記結果を表2にまとめて記す。:試験体20個中の不合格数の数である。表2に示すように、下地金属層のNi偏在率が0を超えるすなわち、下地金属層の厚さ方向の断面であって、厚さ方向に2分割したとき、表層側のNi占有面積の方が、セラミック誘電体層側のNi占有面積よりも大きい試験例1~4の積層セラミックコンデンサは、下地金属層が緻密で、セラミック誘電体層にクラックが発生し難く、半田耐熱性に優れるものであった。特に、下地金属層のNi偏在率が5を超える試験例1、2、4の積層セラミックコンデンサは、クラックが発生しておらず、半田耐熱性に特に優れるものであった。"