"性状が異なる少なくとも2種類のn型金属酸化物半導体の結晶粒子が互いに接触することにより、結晶粒子間の接触部に接触電位が発生しており、かつ結晶粒子の表面電子濃度の変化と接触電位とが、周囲のガスにより変化する金属酸化物半導体ガスセンサ。結晶粒子径の大きな結晶粒子と小さな結晶粒子とが互いに接触していることを特徴とする、請求項1の金属酸化物半導体ガスセンサ。結晶粒子径の大きな結晶粒子の表面を結晶粒子径が小さな結晶粒子が被覆していることを特徴とする、請求項2の金属酸化物半導体ガスセンサ。結晶粒子径の大きな結晶粒子の層と結晶粒子径が小さな結晶粒子の層とが積層されていることを特徴とする、請求項2の金属酸化物半導体ガスセンサ。結晶粒子径の大きな結晶粒子と結晶粒子径が小さな結晶粒子は、同種のn型金属酸化物半導体であることを特徴とする、請求項2~4のいずれかの金属酸化物半導体ガスセンサ。原子価制御を受けた結晶粒子と受けていない結晶粒子とが互いに接触している、請求項1の金属酸化物半導体ガスセンサ。原子価制御を受けた結晶粒子が低抵抗でかつ大径であり、原子価制御を受けていない結晶粒子が高抵抗でかつ小径であり、原子価制御を受けた結晶粒子の表面を原子価制御を受けていない結晶粒子が被覆していることを特徴とする、請求項6の金属酸化物半導体ガスセンサ。原子価制御を受けた結晶粒子の層と、原子価制御を受けていない結晶粒子の層とが積層されていることを特徴とする、請求項6の金属酸化物半導体ガスセンサ。性状が異なる少なくとも2種類のn型金属酸化物半導体の結晶粒子は、金属酸化物半導体中の金属成分が異なることを特徴とする、請求項1の金属酸化物半導体ガスセンサ。金属とn型金属酸化物半導体の結晶粒子とが互いに接触することにより、金属と金属酸化物半導体の結晶粒子との接触部に接触電位が発生しており、かつ金属酸化物半導体の結晶粒子の表面電子濃度の変化と接触電位とが、周囲のガスにより変化する金属酸化物半導体ガスセンサ。粒子径が大きな金属水酸化物を析出させた第1の逆ミセル溶液と、粒子径が小さな金属水酸化物を析出させた第2の逆ミセル溶液、原子価制御不純物を加え金属水酸化物を析出させた第1の逆ミセル溶液と、原子価制御不純物を加えていない金属水酸化物を析出させた第2の逆ミセル溶液、あるいは第1の金属の水酸化物を析出させた第1の逆ミセル溶液と、第2の金属の水酸化物を析出させた第2の逆ミセル溶液の、、、の3種類の何れかを調製するステップと、調製した第1の逆ミセル溶液と第2の逆ミセル溶液とを混合するステップと、混合した逆ミセル溶液から溶媒を除去すると共に、金属水酸化物をn型金属酸化物半導体に変化させるステップと、金属水酸化物から変化させたn型金属酸化物半導体を一対の電極間を接続するように成膜しガスセンサとするステップ、とを実行する金属酸化物半導体ガスセンサの製造方法。結晶粒子径が大きなn型金属酸化物半導体の第1の1次粒子が凝集せずに分散しているものと、結晶粒子径が小さなn型金属酸化物半導体の第2の1次粒子が凝集せずに分散しているもの、原子価制御不純物を含むn型金属酸化物半導体の第1の1次粒子が凝集せずに分散しているものと、原子価制御不純物を含まないn型金属酸化物半導体の第2の1次粒子が凝集せずに分散しているもの、あるいは第1のn型金属酸化物半導体から成る第1の1次粒子が凝集せずに分散しているものと、第2のn型金属酸化物半導体から成る第2の1次粒子が凝集せずに分散しているものの、、、の3種類の何れかを調製するステップと、第1の1次粒子と第2の1次粒子を混合し混合物とするステップと、前記混合物を一対の電極間を接続するように成膜しガスセンサとするステップ、とを実行する金属酸化物半導体ガスセンサの製造方法。この発明の課題は、高感度な金属酸化物半導体ガスセンサを提供することにある。この発明は、性状が異なる少なくとも2種類のn型金属酸化物半導体の結晶粒子が互いに接触することにより、結晶粒子間の接触部に接触電位が発生しており、かつ結晶粒子の表面電子濃度の変化と接触電位とが、周囲のガスにより変化する金属酸化物半導体ガスセンサにある。好ましくは、性状が異なる少なくとも2種類のn型金属酸化物半導体の結晶粒子は結晶粒子径の大きな結晶粒子と小さな結晶粒子とで、これらが互いに接触している。例えば、結晶粒子径の大きな結晶粒子の表面を結晶粒子径が小さな結晶粒子が被覆している。また例えば、結晶粒子径の大きな結晶粒子の層と結晶粒子径が小さな結晶粒子の層とが積層されている。なお好ましくは、結晶粒子径の大きな結晶粒子と結晶粒子径が小さな結晶粒子は、同種のn型金属酸化物半導体である。好ましくは、性状が異なる少なくとも2種類のn型金属酸化物半導体の結晶粒子は、原子価制御を受けた結晶粒子と受けていない結晶粒子で、これらが互いに接触している。例えば、原子価制御を受けた結晶粒子が低抵抗でかつ大径であり、原子価制御を受けていない結晶粒子が高抵抗でかつ小径であり、原子価制御を受けた結晶粒子の表面を原子価制御を受けていない結晶粒子が被覆している。また例えば、原子価制御を受けた結晶粒子の層と、原子価制御を受けていない結晶粒子の層とが積層されている。また好ましくは、性状が異なる少なくとも2種類のn型金属酸化物半導体の結晶粒子は、金属酸化物半導体中の金属成分が異なり、金属成分の相違により、結晶粒子間の接触部に接触電位が発生している。またこの発明は、金属とn型金属酸化物半導体の結晶粒子とが互いに接触することにより、金属と金属酸化物半導体の結晶粒子との接触部に接触電位が発生しており、かつ金属酸化物半導体の結晶粒子の表面電子濃度の変化と接触電位とが、周囲のガスにより変化する金属酸化物半導体ガスセンサにある。この発明の金属酸化物半導体ガスセンサの製造方法の1つでは、粒子径が大きな金属水酸化物を析出させた第1の逆ミセル溶液と、粒子径が小さな金属水酸化物を析出させた第2の逆ミセル溶液、原子価制御不純物を加え金属水酸化物を析出させた第1の逆ミセル溶液と、原子価制御不純物を加えていない金属水酸化物を析出させた第2の逆ミセル溶液、あるいは第1の金属の水酸化物を析出させた第1の逆ミセル溶液と、第2の金属の水酸化物を析出させた第2の逆ミセル溶液の、、、の3種類の何れかを調製するステップと、調製した第1の逆ミセル溶液と第2の逆ミセル溶液とを混合するステップと、混合した逆ミセル溶液から溶媒を除去すると共に、金属水酸化物をn型金属酸化物半導体に変化させるステップと、金属水酸化物から変化させたn型金属酸化物半導体を一対の電極間を接続するように成膜しガスセンサとするステップ、とを実行する。この発明の金属酸化物半導体ガスセンサの他の製造方法では、結晶粒子径が大きなn型金属酸化物半導体の第1の1次粒子が凝集せずに分散しているものと、結晶粒子径が小さなn型金属酸化物半導体の第2の1次粒子が凝集せずに分散しているもの、原子価制御不純物を含むn型金属酸化物半導体の第1の1次粒子が凝集せずに分散しているものと、原子価制御不純物を含まないn型金属酸化物半導体の第2の1次粒子が凝集せずに分散しているもの、あるいは第1のn型金属酸化物半導体から成る第1の1次粒子が凝集せずに分散しているものと、第2のn型金属酸化物半導体から成る第2の1次粒子が凝集せずに分散しているものの、、、の3種類の何れかを調製するステップと、第1の1次粒子と第2の1次粒子を混合し混合物とするステップと、前記混合物を一対の電極間を接続するように成膜しガスセンサとするステップ、とを実行する。本発明のガスセンサの実施例を示す。実施例1図7の充填構造では、SnO2等のn型金属酸化物半導体の大きな結晶の周囲に、例えば同じ金属酸化物半導体の小さな結晶が固着した複合粒子が基板上に堆積されている。電極ELは例えば一対有り、その間に粒子,の接触界面を通じた導電パスが多数形成されている。大きな結晶の周囲に小さな結晶が分散しており、界面AB間を経由して電子が移動する。図9に、このような複合粒子からなるガスセンサの製造工程を示す。スズ無機塩水溶液の逆ミセルとアルカリ水溶液の逆ミセルを混合するとスズ水酸化物を内包する逆ミセルが得られる。水と有機溶媒との割合RW比を変えると、スズの水酸化物の粒径を変えることができるので、これを利用してスズ水酸化物の粒子径が異なる2種類の逆ミセル溶液を作製する。しかる後両溶液を混合、ミセルを破壊、有機溶媒を水で洗浄、乾燥、仮焼すれば、大きな粒子の周りに小さな粒子が固着した所望の複合粒子系が得られる。また必要に応じて逆ミセルあるいはその破壊後の段階でPt,Pd,Au等の貴金属触媒を担持することができる。複合粒子系をグリセリン等でペースト化し、例えば一対の電極を設けた基板上に塗布して焼成すると、図7のような充填構造のガスセンサが得られる。図10に示すように、Sb等のドーパントを含まないスズの水酸化物と、Sbを含むスズの水酸化物を各々逆ミセル法で調製し、混合してSbを含むスズの水酸化物粒子の周囲にSbを含まないスズの水酸化物粒子を分散させても良い。以下は図9と同様にすると、原子価制御の有無を利用してガス感度を増したガスセンサが得られる。図11は、SnO2結晶粒子とIn2O3結晶粒子との組み合わせによるガスセンサの製造方法を示す。逆ミセル法によりスズの水酸化物とインジウムの水酸化物とを調製し、水を加えて混合することにより、インジウムの水酸化物粒子の周囲にスズの水酸化物粒子を析出させる。以下は図9と同様にして、ガスセンサとする。1次粒子が凝集していない金属酸化物分散系は、有機金属化合物を有機溶媒中で熱分解しても調製できる。Snの有機金属化合物を有機溶媒中で熱分解すると、原料濃度や熱分解温度等により、異なった粒子径のSnO2分散系が得られる。このSnO2は、表面が有機物で被覆されているため、1次粒子が凝集していない。このようにして得た金属酸化物分散系を出発原料として、図7に用いる複合粒子系を作製してもよい。実施例2図8の充填構造では、絶縁体粒子の表面に高導電性の金属酸化物半導体結晶粒子あるいは金属粒子の堆積は、金属酸化物半導体結晶の分散系の固着を確かなものにしたのち、粒子の分散系に浸漬してこれを担持する。この複合粒子系を用いて成膜すれば、所望の充填構造が得られる。この充填構造では、複合粒子系内では、粒子の層が導電を担い、複合粒子間では界面BAが導電を担う。したがって、界面BAの接触電位δpによる増感が極めて有効に発現する。"