デバイス領域を備えた基板;およびデバイス領域中のOLEDスタックからなる有機LEDOLEDデバイスにおいて、このOLEDスタックが第1の電極として役立つ透明な導電性層、この場合この透明な導電性層は、少なくとも7×1020cm-3の高いキャリヤー濃度で達成された4×10-4Ωcm以下の固有抵抗を有し、第2の電極として役立つ導電性層および第1の電極と第2の電極を分離する少なくとも1つの有機官能層を備えており、透明な導電性層が透明な導電性材料を基板上にアルゴン水素処理ガス混合物中でスパッタリングすることによって得られたものであり、透明な導電性層の表面が2nm未満のRMS表面荒さを有することを特徴とする、有機LEDOLEDデバイス。透明な導電性層がインジウム-酸化錫を有する、請求項1記載のデバイス。透明な導電性層がインジウム-酸化錫、酸化亜鉛または酸化錫からなる群から選択された材料を有する、請求項1記載のデバイス。透明な導電性層が85を上廻る可視光線波長の範囲内の光の透過率を有する、請求項1から3までのいずれか1項に記載のデバイス。透明な導電性層が有機官能層のイオン化電位に密接に適合した仕事関数を有する、請求項1から3までのいずれか1項に記載のデバイス。透明な導電性層の表面が2nm未満のRMS表面荒さを有する、請求項1から4までのいずれか1項に記載のデバイス。透明な導電性層が85を上廻る可視光線波長の範囲内の光の透過率、有機官能層のイオン化電位に密接に適合した仕事関数、2nm未満のRMS表面荒さを有する、請求項1から3までのいずれか1項に記載のデバイス。キャリヤー濃度が7×1020cm-3~9×1020cm-3である、請求項1から3までのいずれか1項に記載のデバイス。透明な導電性層が85を上廻る可視光線波長の範囲内の光の透過率を有する、請求項8記載のデバイス。透明な導電性層が有機官能層のイオン化電位に密接に適合した仕事関数を有する、請求項8記載のデバイス。透明な導電性層が85を上廻る可視光線波長の範囲内の光の透過率、有機官能層のイオン化電位に密接に適合した仕事関数、2nm未満のRMS表面荒さを有する、請求項8記載のデバイス。透明な導電性層が40~400nm、有利に120~150nmの厚さを有する、請求項1から3までのいずれか1項に記載のデバイス。第1の電極が陽極である、請求項1から12までのいずれか1項に記載のデバイス。基板がガラスを有する、請求項1から13までのいずれか1項に記載のデバイス。デバイス領域を備えた基板;およびデバイス領域中のOLEDスタックからなる有機LEDOLEDデバイスにおいて、このOLEDスタックが第1の電極として役立つ透明な導電性層、この場合この透明な導電性層は、少なくとも7×1020cm-3の高いキャリヤー濃度で達成された4×10-4Ωcm以下の固有抵抗を有し、第2の電極として役立つ導電性層および第1の電極と第2の電極を分離する少なくとも1つの有機官能層を備えており、透明な導電性層が透明な導電性材料を基板上にアルゴン水素処理ガス混合物中でスパッタリングすることによって得られたものであり、透明な導電性層が4.8~5.2eVの仕事関数を有することを特徴とする、有機LEDOLEDデバイス。デバイス領域を備えた基板;およびデバイス領域中のOLEDスタックからなる有機LEDOLEDデバイスにおいて、このOLEDスタックが第1の電極として役立つ透明な導電性層、この場合この透明な導電性層は、少なくとも7×1020cm-3の高いキャリヤー濃度で達成された4×10-4Ωcm以下の固有抵抗を有し、第2の電極として役立つ導電性層および第1の電極と第2の電極を分離する少なくとも1つの有機官能層を備えており、透明な導電性層が透明な導電性材料を基板上にアルゴン水素処理ガス混合物中でスパッタリングすることによって得られたものであり、透明な導電性層の表面が2nm未満のRMS表面荒さを有し、透明な導電性層が4.8~5.2eVの仕事関数を有することを特徴とする、有機LEDOLEDデバイス。基板を準備し;透明な導電性層を基板上にアルゴン水素処理ガス混合物中でスパッタリングすることにより、有機LEDOLEDデバイスを製造する方法において、透明な導電性層が少なくとも7×1020cm-3の高いキャリヤー濃度で達成された4×10-4Ωcm以下の固有抵抗を有し;基板を加工処理し、OLEDデバイスを形成させ;透明な導電性層の表面が2nm未満のRMS表面荒さを有することを特徴とする、有機LEDOLEDデバイスを製造する方法。加工処理により第1の電極として役立たせるために透明な導電性層を付着してパターン化し;官能性有機層を第1の電極上に付着し;導電性層を有機官能層上に付着し;導電性層をパターン化し、第2の電極を形成し、その際パターン化された第1の電極と第2の電極との間の官能性有機層は、OLEDセルを形成し;キャップを基板上に取り付け、OLEDデバイスをカプセル封入する、請求項17記載の方法。透明な導電性層がインジウム-酸化錫を有する、請求項17または18記載の方法。透明な導電性層がインジウム-酸化錫、酸化亜鉛または酸化錫からなる群から選択された材料を有する、請求項17または18記載の方法。透明な導電性層が85を上廻る可視光線波長の範囲内の光の透過率を有する、請求項17記載の方法。透明な導電性層が有機官能層のイオン化電位に密接に適合した仕事関数を有する、請求項17記載の方法。透明な導電性層の表面が2nm未満のRMS表面荒さを有する、請求項17記載の方法。透明な導電性層が85を上廻る可視光線波長の範囲内の光の透過率、有機官能層のイオン化電位に密接に適合した仕事関数、2nm未満のRMS表面荒さを有する、請求項17記載の方法。キャリヤー濃度が7×1020cm-3~9×1020cm-3である、請求項17から20までのいずれか1項に記載の方法。透明な導電性層が40~400nm、有利に120~150nmの厚さを有する、請求項17から20までのいずれか1項に記載の方法。第1の電極が陽極である、請求項17から26までのいずれか1項に記載のデバイス。透明な導電性層が4.8~5.2eVの仕事関数を有する、請求項17から27までのいずれか1項に記載のデバイス。基板がガラスを有する、請求項17から28までのいずれか1項に記載のデバイス。透明な導電性層のスパッタリングが300~400°Cの温度で実施される、請求項17から28までのいずれか1項に記載の方法。基板を準備し;透明な導電性層を基板上にアルゴン水素処理ガス混合物中でスパッタリングすることにより、有機LEDOLEDデバイスを製造する方法において、透明な導電性層が少なくとも7×1020cm-3の高いキャリヤー濃度で達成された4×10-4Ωcm以下の固有抵抗を有し;基板を加工処理し、OLEDデバイスを形成させ;透明な導電性層が4.8~5.2eVの仕事関数を有することを特徴とする、有機LEDOLEDデバイスを製造する方法。基板を準備し;透明な導電性層を基板上にアルゴン水素処理ガス混合物中でスパッタリングすることにより、有機LEDOLEDデバイスを製造する方法において、透明な導電性層が少なくとも7×1020cm-3の高いキャリヤー濃度で達成された4×10-4Ωcm以下の固有抵抗を有し;基板を加工処理し、OLEDデバイスを形成させ;透明な導電性層の表面が2nm未満のRMS表面荒さを有し、透明な導電性層が4.8~5.2eVの仕事関数を有することを特徴とする、有機LEDOLEDデバイスを製造する方法。本発明には、上記に記載されたような課題が課された。本発明は、有機LEDOLEDデバイスに関する。OLEDデバイスは、基板のデバイス領域内にOLEDスタックを含む。OLEDスタックは、少なくとも1つの有機官能層によって分離された第1の導電性電極と第2の導電性電極を有する。両電極の一方は、透明な導電性材料から形成されている。本発明によれば、透明な導電性材料は、高いキャリヤー濃度で達成される望ましい固有抵抗を有する。高いキャリヤー濃度で達成される望ましい固有抵抗を有する透明な導電性材料を提供することにより、デバイスの性能が改善されることが見い出された。1つの実施態様において、透明な導電性層のキャリヤー濃度は、少なくとも7×1020cm-3である。本発明は、一般にOLEDデバイスに関する。殊に、本発明は、OLEDデバイスの性能を向上させる透明な導電性材料を提供する。1つの実施態様において、透明な導電性材料は、インジウム-酸化錫ITOを有する。透明な導電性材料の他の型、例えばインジウム-酸化亜鉛、酸化亜鉛、酸化錫は、有用である。所定の固有抵抗に関連して、透明な導電性材料中の電荷キャリヤーの濃度は、OLEDデバイスの性能に強い影響を与えうることが見い出された。透明な導電性材料中の電荷キャリヤーの濃度は、OLEDデバイスの性能に直接的な関連を有している。1つの実施態様において、透明な導電性材料は、高い電荷キャリヤー濃度を有し、OLEDデバイスの性能を改善する。好ましくは、透明な導電性材料は、できるだけ高い電荷キャリヤー濃度を有する。図1は、本発明の1つの実施態様によるOLEDデバイス100を示す。OLEDデバイスは、基板101上に形成された第1の電極105と第2の電極115との間に1つ以上の有機官能層110を備えている。1つの実施態様において、基板は、透明な材料である。両電極は、例えば複数のOLEDセルを形成させるためにパターン化され、ピクセル化されたOLEDデバイスを形成させることができる。第1の電極と第2の電極に結合されている結合パッド150は、OLEDセルへの電気接続を可能にするために備えられている。キャップ160は、デバイスをカプセル封入するために備えられている。両電極の中の一方は、透明な導電性材料を有する。典型的に、例えば透明な基板101上にある第1の電極は、透明である。1つの実施態様において、透明な導電性材料は、ITOを有する。ITO中の固有抵抗は、OLEDの用途のための要件を満足させるのに十分な低さである。1つの実施態様において、ITOの固有抵抗は、約4×10-4Ωcm以下である。固有抵抗は、材料のキャリヤー移動度およびキャリヤー濃度に関連している。本発明によれば、ITOの望ましい固有抵抗は、高いキャリヤー濃度で達成される。1つの実施態様において、ITOのキャリヤー濃度は、少なくとも約7×1020cm-3である。高いキャリヤー濃度は、OLEDデバイスにおける性能を改善することが見い出された。この結果、低い出力消費が生じ、携帯への適用のためにOLED用途をよりいっそう実行可能なものにする。図2~図6は、本発明の1つの実施態様によるOLEDデバイスの製造法を示す。図2に関連して、その上に単数または複数のセルが形成されている基板201が提供される。1つの実施態様において、透明な基板が提供される。基板は、通常、ソーダライムまたは硼珪酸塩ガラスを有する。基板として使用するために、ガラス材料の他の型が使用されてもよい。典型的に、基板は、約0.4~1.1mmの厚さである。また、よりいっそう薄手、例えば約20~300μmの基板の使用も可能である。透明な導電性層205は、基板表面上に付着されている。1つの実施態様において、透明な導電性材料は、ITOを有する。他の透明な導電性材料、例えばインジウム-酸化錫、酸化亜鉛、酸化錫も有用である。ITOの厚さは、典型的には約40~400nmである。加工処理の問題は、ITOが厚すぎる場合に起こりうる。1つの実施態様において、ITOは、150nm以下の厚さである。好ましくは、ITO層は、約120~150nmの厚さである。ITOの固有抵抗は、約4×10-4Ωcm以下である。1つの実施態様において、ITO層は、例えば高周波マグネトロンスパッタリング工具を用いて基板上にスパッタリングされる。付着パラメーター、例えば温度、圧力、プロセスガス混合物および付着速度は、付着されたITO層の固有抵抗が高いキャリヤー濃度で達成される程度に制御される。1つの実施態様において、ITOの電荷キャリヤー濃度は、少なくとも約7×1020cm-3である。好ましくは、ITOは、できるだけ高い電荷キャリヤー濃度を有する。高いキャリヤー濃度により正孔注入は改善され、エレクトロルミネセンス効率が増加する。ITOは、例えばIn2O3およびSnO2を有する酸化ターゲットを用いてスパッタリングされる。ターゲット中のIn2O3およびSnO2の質量比は、約9:1である。また、ターゲットの他の組成および型が使用されてもよい。スパッタリング法の付着パラメーターは、次の通りである:基板の温度:300~400°C加工処理圧:10-3~10-5トル加工処理ガス混合物:Ar、H2付着速度:1~10nm/分;好ましくは1~2nm/分選択的な付着技術、例えば化学蒸着CVD、プラズマ強化CVDまたはレーザー融蝕は、ITO層の付着に有用であることができる。付着されたITO層は、良好な光学的特性および適当な仕事関数を有し、OLEDの用途の要件を満足させる。1つの実施態様において、ITOは、85を上廻る可視光線波長の範囲内で光の透過率を有する。ITOの仕事関数は、その後に形成された有機官能層のイオン化電位に密接に適合している。1つの実施態様において、ITOは、約4.8~5.2eVの仕事関数を有する。好ましくは、ITOの表面は、比較的に平滑であり、短絡をまねきうる電界の存在を減少させる。1つの実施態様において、ITO表面の平方二乗平均RMS荒さは、約2nm未満であり、強力な電界によって引き起こされる短絡の可能性を減少させる。図3に関連して、導電性層205は、層の一部分を選択的に除去するのに望ましいようにパターン化され、基板の一部分356を露出させる。パターン化された導電性層は、例えばOLEDセルのための陽極として役立つ。1つの実施態様において、導電性層は、パターン化され、ピクセル化されたOLEDデバイスの陽極に役立つストリップを形成させる。また、パターン化法は、結合パッドのための接続を形成させてもよい。1つ以上の官能性有機層310は、基板上に付着され、露出された基板部分および導電性層を被覆する。官能性有機層は、例えば共役ポリマーまたはAlq3を有する。官能性有機層の他の型も有用である。有機相の厚さは、典型的に約2~200nmである。図4に関連して、有機層の一部分は、選択的に除去され、例えば結合パッドの接続のために、領域470で下層を露出させる。有機層の選択的な除去は、ポリッシング法によって達成されることができる。他の技術、例えばエッチング、引掻きまたはレーザー融蝕が使用されてもよく、有機層の一部分を選択的に除去することもできる。図5に関連して、第2の導電性層515は、基板上に付着される。この導電性層は、例えばCa、Mg、Ba、Ag、Alまたはその混合物もしくはその合金を有する。他の導電性材料、特に低い仕事関数を有する導電性材料は、第2の導電性層を形成させるために使用されてもよい。1つの実施態様において、第2の導電性層は、パターン化され、ピクセル化されたOLEDデバイスのための陰極として役立つ電極ストリップを形成する。また、結合パッドのための接続は、パターン化処理の間に形成されることができる。また、導電性層は、選択的に付着されることができ、陰極ストリップおよび結合パッドの接続を形成させる。導電性層の選択的な付着は、例えばマスク層を用いて達成されることができる。陰極ストリップは、典型的には陽極ストリップと交叉している。陽極ストリップに対して斜めとなっている陰極ストリップを形成させることも有用である。上面電極ストリップと底面電極ストリップとの交わりにより、有機LEDピクセルが形成される。図6に関連して、キャップ660は、基板上に取り付けられ、デバイスをカプセル封入する。キャップ層は、例えば金属またはガラスを有する。活性成分を環境から保護する他の型のキャップ、例えばセラミック箔または金属箔も有用である。キャップ層の取付けのために種々の技術を使用することができる。1つの実施態様において、接着剤は、キャップ層の取付けのために使用される。接着剤、例えば自硬化接着剤、UV硬化性接着剤もしくは熱硬化性接着剤またはホットメルト接着剤は、有用である。また、低温ロウ材料を使用する端縁シールの技術、超音波結合またはインダクタンスもしくはレーザー溶接を用いる溶接技術も有用である。キャップは、取り付けた場合には、キャップとOLEDセルとの分離を提供するキャビティー645を形成する。結合パッド650は、OLEDセルへの電気的アクセスを提供するために形成される。試験第1のOLEDデバイスを弗素を基礎とするポリマー有機官能性材料を用いて二次加工した。有機官能性材料を透明な導電性陽極と金属陰極との間に挟んだ。金属陰極は、200nmの厚さのAg層によって被覆された50nmの厚さのCa層から形成されていた。透明な導電性陽極は、2.7×10-4Ωcmの固有抵抗および9×1020cm-3の電荷キャリヤー濃度を有するITOから形成されていた。ITOをアルゴン水素混合物中での高周波マグネトロンスパッターを用いてガラス基板上に付着させた。9:1の質量比を有するIn2O3およびSnO2を用いて酸化されたターゲットを使用した。系のベース圧力は、約5.0×10-8トルであった。スパッタリングガス混合物の全圧力を、付着の間、3.0×10-3トルに調節した。水素分圧は、約7~9×10-5トルであった。ITOを約300~400°Cの温度で付着させた。第2のOLEDデバイスを二次加工した。第2のOLEDデバイスを第1のOLEDデバイスと同一であるが、しかし、ITOは、3.2×10-4Ωcmの固有抵抗および5×1020cm-3の電荷キャリヤー濃度を有していた。このITOフィルムをスパッタリング処理の間にアルゴンだけを用いて製造した。付着パラメーターの残りは、第1のOLEDデバイスの製造に使用されたパラメーターと同じものであった。2個のOLEDデバイスの効率を比較するために、1つの試験を行なった。OLED電流ならびに輝度を同時に監視しながら、線形バイアスランプをデバイスに印加した。デバイスの効率を輝度と電流密度を除することによって測定した。9×1020cm-3の高い電荷キャリヤー濃度を有する第1のデバイスは、4.14cd/Aの最大の効率を達成した。これは、5×1020cm-3の低い電荷キャリヤー濃度を有する第2のデバイスで達成される最大効率よりも1.5倍高かった。本発明は、種々の実施態様に関連して詳細に示されかつ記載されたが、しかし、当業者であれば、本発明の精神および範囲を逸脱することなく本発明の変更および変法を作成することができることが認められるであろう。それ故、本発明の範囲は、上記記載に関連して定められるのではなく、等価の全範囲に沿って係属された請求項の記載に関連して定められるべきである。