"原料から反応用ガスを用いて反応生成物を生成するための攪拌反応槽であって、反応用ガス吹き込み口が設けられたノズル先端部の槽内における位置を調節自在とした反応用ガス吹き込みノズルを備える反応用ガス供給手段を備え、上記反応用ガス供給手段により上記反応用吹き込みノズルを介して上記反応用吹き込み口から槽内に反応用ガスが供給されることを特徴とする攪拌反応槽。上記原料は非鉄金属の硫化物を含む非鉄金属原料であって、上記反応用ガス供給手段により上記反応用ガス吹き込みノズルを介して上記反応用ガス吹き込み口から槽内に塩素ガスが供給され、上記非鉄金属原料から塩素ガスを用いて上記非鉄金属を浸出することを特徴とする請求項1記載の攪拌反応槽。槽上部と槽下部を含む複数の位置において酸化還元電位を測定する酸化還元電位測定手段を備えることを特徴とする請求項2記載の攪拌反応槽。上記反応用ガス供給手段は、上記反応用ガス吹き込みノズルのノズル先端部に電動制御により突出量が調整される内筒を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の攪拌反応槽。塩素吹き込み口が設けられたノズル先端部の槽内における位置を槽外より調節自在とした塩素吹き込みノズルを備える塩素ガス供給手段と、槽上部と槽下部を含む複数の位置において酸化還元電位を測定する酸化還元電位測定手段を備え、上記塩素ガス供給手段により上記塩素吹き込みノズルを介して上記塩素吹き込み口から槽内に塩素ガスが供給され、非鉄金属の硫化物を含む非鉄金属原料から塩素ガスを用いて上記非鉄金属を浸出するための攪拌反応槽と、上記酸化還元電位測定手段により得られる上記複数の位置における酸化還元電位測定値の差分が規定値以内にあるか否かを判定し、上記差分が規定値以内にない場合には、上記差分が規定値以内になるまで、上記差分が小さくなる方向に上記攪拌反応槽内における塩素吹き込みノズルの先端位置を移動させる制御を行う制御手段とを備え、上記制御手段は、上記槽下部における塩素濃度の平均からのずれと塩素吹き込み位置の関係を流体シミュレーションによって求めて、上記塩素吹き込みノズルの上記ノズル先端部の上記攪拌反応槽内における位置の粗調整位置情報を蓄積したデータベースを備え、上記データベースに蓄積されている上記粗調整位置情報に基づいて、上記ノズル先端部の位置の粗調整を行い、上記酸化還元電位測定手段により得られる上記複数の位置における酸化還元電位測定値の差分が差分規定値以内にあるか否かを判定し、上記差分が差分規定値以内にない場合には、上記差分が差分規定値以内になるまで、上記差分が小さくなる方向に上記攪拌反応槽内における上記ノズル先端部を移動させる制御を行い、上記差分が差分規定値以内にある状態において、上記槽上部における酸化還元電位測定値が規定値になるように上記塩素ガス供給手段による塩素ガス供給量を制御することを特徴とする攪拌反応装置。上記塩素ガス供給手段は、上記塩素吹き込みノズルのノズル先端部に電動制御により突出量が調整される内筒を備えることを特徴とする請求項5に記載の攪拌反応装置。塩素吹き込み口が設けられたノズル先端部の槽内における位置を槽外より調節自在とした塩素吹き込みノズルを備える塩素ガス供給手段と、槽上部と槽下部を含む複数の位置において酸化還元電位を測定する酸化還元電位測定手段を備え、上記塩素ガス供給手段により上記塩素吹き込みノズルを介して上記塩素吹き込み口から槽内に塩素ガスが供給される攪拌反応槽により、非鉄金属の硫化物を含む非鉄金属原料から塩素ガスを用いて上記非鉄金属を浸出する浸出処理における塩素浸出反応酸化還元電位の制御方法であって、上記槽下部における塩素濃度の平均からのずれと塩素吹き込み位置の関係を流体シミュレーションによって求めて、上記塩素吹き込みノズルの上記ノズル先端部の上記攪拌反応槽内における位置の粗調整位置情報を蓄積したデータベースに蓄積されている上記粗調整位置情報に基づいて、上記ノズル先端部の位置の粗調整を行い、上記酸化還元電位測定手段により得られる上記複数の位置における酸化還元電位測定値の差分が差分規定値以内にあるか否かを判定し、上記差分が差分規定値以内にない場合には、上記差分が差分規定値以内になるまで、上記差分が小さくなる方向に上記攪拌反応槽内における上記ノズル先端部を移動させる制御を行い、上記差分が差分規定値以内にある状態において、上記槽上部における酸化還元電位測定値が規定値になるように上記塩素ガス供給手段による塩素ガス供給量を制御することを特徴とする塩素浸出反応酸化還元電位の制御方法。しかしながら、高い浸出率を安定的に維持するためには、塩素浸出槽内の酸化還元電位の変動幅を小さく抑えることが必要である。そこで、攪拌槽内部の複数個所で塩素濃度を調査したところ、操業条件によっては、塩素吹き込みノズル付近で濃度が高く、ノズルから遠ざかるにしたがって低く不均一であり、このことが原因で局所的に塩素濃度または、酸化還元電位が高いと、硫黄酸化率上昇などの不具合が生じることが明らかとなった。また、真または、平均の酸化還元電位が設定値に対して低すぎるときは十分な浸出率が得られないが、逆に酸化還元電位が設定値に対して高くなると気相への塩素ガスのリークが心配され、塩素の利用率が低下するため設定値を低くせざるを得なくなり、高い浸出率の確保が難しいという問題があった。そこで、本発明の目的は、上述の如き従来の問題点に鑑み、塩素浸出反応における酸化還元電位の攪拌槽内での空間的な偏りを従来よりも小さくし、塩素ガスの利用率の低下や硫黄酸化率の上昇を招くことなく、金属元素の高い浸出率を得ることができる攪拌反応槽、攪拌反応装置及び塩素浸出反応酸化還元電位の制御方法塩素ガスの供給制御方法を提供することにある。本発明の他の目的、本発明によって得られる具体的な利点は、以下に説明される実施の形態の説明から一層明らかにされる。本発明者らは、上記目的を達成するために、塩素浸出電解採取法により非鉄金属原料からニッケル等を回収するための攪拌反応装置における塩素の供給制御方法について、鋭意研究を重ねた結果、攪拌槽内の槽下部を含む複数の位置における酸化還元電位測定値を用いて、塩素吹き込みノズルの先端位置を調節することにより、塩素浸出反応における酸化還元電位の攪拌槽内での空間的な偏りを従来よりも小さくし、塩素ガスの利用率の低下や硫黄酸化率の上昇を招くことなく、金属元素の高い浸出率を得ることができることを見出し、本発明を完成した。すなわち、本発明は、原料から反応用ガスを用いて反応生成物を生成するための攪拌反応槽であって、反応用ガス吹き込み口が設けられたノズル先端部の槽内における位置を調節自在とした反応用ガス吹き込みノズルを備える反応用ガス供給手段を備え、上記反応用ガス供給手段により上記反応用吹き込みノズルを介して上記反応用吹き込み口から槽内に反応用ガスが供給されることを特徴とする。本発明に係る攪拌反応槽は、上記原料は非鉄金属の硫化物を含む非鉄金属原料であって、上記反応用ガス供給手段により上記反応用ガス吹き込みノズルを介して上記反応用ガス吹き込み口から槽内に塩素ガスが供給され、上記非鉄金属原料から塩素ガスを用いて上記非鉄金属を浸出するものとすることができる。上記攪拌反応槽は、槽上部と槽下部を含む複数の位置において酸化還元電位を測定する酸化還元電位測定手段を備えるものとすることができる。また、本発明に係る攪拌反応槽において、上記反応用ガス供給手段は、上記反応用ガス吹き込みノズルのノズル先端部に電動制御により突出量が調整される内筒を備えるものとすることができる。また、本発明は、攪拌反応装置であって、塩素吹き込み口が設けられたノズル先端部の槽内における位置を槽外より調節自在とした塩素吹き込みノズルを備える塩素ガス供給手段と、槽上部と槽下部を含む複数の位置において酸化還元電位を測定する酸化還元電位測定手段を備え、上記塩素ガス供給手段により上記塩素吹き込みノズルを介して上記塩素吹き込み口から槽内に塩素ガスが供給され、非鉄金属の硫化物を含む非鉄金属原料から塩素ガスを用いて上記非鉄金属を浸出するための攪拌反応槽と、上記酸化還元電位測定手段により得られる上記複数の位置における酸化還元電位測定値の差分が規定値以内にあるか否かを判定し、上記差分が規定値以内にない場合には、上記差分が規定値以内になるまで、上記差分が小さくなる方向に上記攪拌反応槽内における塩素吹き込みノズルの先端位置を移動させる制御を行う制御手段とを備え、上記制御手段は、上記槽下部における塩素濃度の平均からのずれと塩素吹き込み位置の関係を流体シミュレーションによって求めて、上記塩素吹き込みノズルの上記ノズル先端部の上記攪拌反応槽内における位置の粗調整位置情報を蓄積したデータベースを備え、上記データベースに蓄積されている上記粗調整位置情報に基づいて、上記ノズル先端部の位置の粗調整を行い、上記酸化還元電位測定手段により得られる上記複数の位置における酸化還元電位測定値の差分が差分規定値以内にあるか否かを判定し、上記差分が差分規定値以内にない場合には、上記差分が差分規定値以内になるまで、上記差分が小さくなる方向に上記攪拌反応槽内における上記ノズル先端部を移動させる制御を行い、上記差分が差分規定値以内にある状態において、上記槽上部における酸化還元電位測定値が規定値になるように上記塩素ガス供給手段による塩素ガス供給量を制御することを特徴とする。本発明に係る攪拌反応装置において、上記塩素ガス供給手段は、上記塩素吹き込みノズルのノズル先端部に電動制御により突出量が調整される内筒を備えるものとすることができる。さらに、本発明は、塩素吹き込み口が設けられたノズル先端部の槽内における位置を槽外より調節自在とした塩素吹き込みノズルを備える塩素ガス供給手段と、槽上部と槽下部を含む複数の位置において酸化還元電位を測定する酸化還元電位測定手段を備え、上記塩素ガス供給手段により上記塩素吹き込みノズルを介して上記塩素吹き込み口から槽内に塩素ガスが供給される攪拌反応槽により、非鉄金属の硫化物を含む非鉄金属原料から塩素ガスを用いて上記非鉄金属を浸出する浸出処理における塩素浸出反応酸化還元電位の制御方法であって、上記槽下部における塩素濃度の平均からのずれと塩素吹き込み位置の関係を流体シミュレーションによって求めて、上記塩素吹き込みノズルの上記ノズル先端部の上記攪拌反応槽内における位置の粗調整位置情報を蓄積したデータベースに蓄積されている上記粗調整位置情報に基づいて、上記ノズル先端部の位置の粗調整を行い、上記酸化還元電位測定手段により得られる上記複数の位置における酸化還元電位測定値の差分が差分規定値以内にあるか否かを判定し、上記差分が差分規定値以内にない場合には、上記差分が差分規定値以内になるまで、上記差分が小さくなる方向に上記攪拌反応槽内における上記ノズル先端部を移動させる制御を行い、上記差分が差分規定値以内にある状態において、上記槽上部における酸化還元電位測定値が規定値になるように上記塩素ガス供給手段による塩素ガス供給量を制御することを特徴とする。本発明では、槽内に反応用ガスを供給する反応用ガス供給手段は、反応用ガス吹き込み口が設けられたノズル先端部の槽内における位置を調節自在とした反応用ガス吹き込みノズルを備えるので、上記槽内における上記反応用ガス吹き込み口の位置を反応効率の良い最適位置に調整することができ、原料から反応用ガスを用いて反応生成物を効率よく生成することができる。例えば、非鉄金属の硫化物を含む非鉄金属原料から塩素ガスを用いて上記非鉄金属を浸出するための攪拌反応槽に、塩素吹き込み口が設けられたノズル先端部の槽内における位置を槽外より調節自在とした塩素吹き込みノズルを備える塩素ガス供給手段を備えることにより、ガス吹き込み量や攪拌翼の回転速度の変更、攪拌翼の磨耗、反応物の堆積などよって、最適な吹き込みノズル位置が変化した場合でも、塩素吹き込みノズルの位置を流速が速いなどの適切な位置に調整することが可能となり、塩素浸出反応における酸化還元電位の攪拌槽内での空間的な偏りを小さくし、局所反応による塩素ガスの利用率の低下や硫黄酸化率の上昇などを抑えて、金属元素の高い浸出率を得ることができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。本発明は、例えば図1に示すような構成の攪拌反応装置100に適用される。この攪拌反応装置100は、非鉄金属の硫化物を含む非鉄金属原料から塩素ガスを用いて上記非鉄金属を浸出するための攪拌反応槽50と、この攪拌反応槽50を運転するための制御部60を備える。上記攪拌反応槽50は、非鉄金属の硫化物を含む非鉄金属原料スラリーが装入される反応槽本体10と、上記反応槽本体10内に収納された非鉄金属原料スラリーを攪拌する攪拌機20と、上記反応槽本体10内に塩素ガスを供給する塩素ガス供給部30を備える。上記攪拌機20は、上記反応槽本体10の上部中央に設置された攪拌モータ21と、上記反応槽本体10内に垂下装入された上記攪拌モータ21の回転軸22と、上記回転軸22に取り付けられた攪拌翼23からなる。上記塩素ガス供給部30は、塩素吹き込み口31が設けられたノズル先端部32Aの上記反応槽本体10内における位置を槽外より調節自在とした塩素吹き込みノズル32を備える塩素ガス供給手段である。図2に上記塩素ガス供給部30の拡大図に示すように、この攪拌反応槽50において、上記塩素ガス供給部30の塩素吹き込みノズル32は、塩素ガスが供給される固定筒33と、内筒位置調整モータ34によりヘリコイド機構35を介して直線移動される可動内筒36からなる。上記ヘリコイド機構35は、上記可動内筒36の外周面に形成された雄ねじ35Aと螺合する図示しない雌ねじが内周面に形成された回転部37を備え、上記回転部37の回転を上記可動内筒36直線移動に変換する機構である。上記回転部37の外周面には、上記内筒位置調整モータ34の回転軸34Aに形成されたギヤと噛合するギヤが形成されている。そして、上記可動内筒36は、その外周面に回転防止用溝36Aが形成されており、上記固定筒33の先端部に形成された図示しない凸部を上記回転防止用溝36Aで係止することにより、回転することなく、上記内筒位置調整モータ34により上記ヘリコイド機構35を介して直線移動される。すなわち、上記塩素吹き込みノズル32は、そのノズル先端部に電動制御により突出量が調整される可動内筒36を備える。なお、上記内筒位置調整モータ34及び上記ヘリコイド機構35は、上記固定筒33の外周を囲む筐体38内に設けられている。上記内筒位置調整モータ34は、その動作が制御部60により制御される。上記制御部60は、上記反応槽本体10の外部に設けられている。そして、この攪拌反応槽50では、上記塩素ガス供給部30により上記塩素吹き込みノズル32を介して上記塩素吹き込み口31から槽内に塩素ガスが供給される。すなわち、この攪拌反応槽50において、槽内に塩素ガスを吹き込む上記塩素ガス供給部30の塩素吹き込みノズル32は、上記内筒位置調整モータ34によりヘリコイド機構35を介して直線移動される可動内筒36の先端部、すなわち、塩素吹き込み口31が設けられたノズル先端部32Aの上記反応槽本体10内における位置を槽外より調節自在としてある。この攪拌反応槽50では、例えば、ニッケル、コバルトなどを含有する非鉄金属の硫化物を含む非鉄金属原料スラリーを上記反応槽本体10に装入し、上記反応槽本体10内に上記塩素ガス供給部30により塩素ガスを吹込みながら、上記反応槽本体10内に収納された非鉄金属原料スラリーを攪拌機20により攪拌することにより、上記非鉄金属の浸出が行われる。そして、この攪拌反応槽50では、上記塩素吹き込み口31が設けられたノズル先端部32Aの上記反応槽本体10内における位置を槽外より調節自在としてあるので、上記非鉄金属の浸出を行う際に、最適な吹き込みノズル位置に調整することができる。このような構成の攪拌反応槽50では、非鉄金属の硫化物を含む非鉄金属原料から上記非鉄金属を浸出するための反応槽本体10に塩素ガスを供給する塩素ガス供給部30は、塩素吹き込み口31が設けられたノズル先端部32Aの槽内における位置を槽外より調節自在とした塩素吹き込みノズル32を備えるので、ガス吹き込み量や攪拌翼23の回転速度の変更、攪拌翼23の磨耗、反応物の堆積などによって、最適な吹き込みノズル位置が変化した場合でも、塩素吹き込みノズル32の位置を流速が速いなどの適切な位置に調整することが可能できる。したがって、塩素浸出反応における酸化還元電位の攪拌槽内での空間的な偏りを小さくし、局所反応による塩素ガスの利用率の低下や硫黄酸化率の上昇などを抑えて、金属元素の高い浸出率を得ることができる。なお、上記攪拌反応槽50に備えられる攪拌機20においては、スラリー攪拌と塩素ガス浸出反応の両方の性能が高い攪拌翼23、例えば、傾斜型ディスクタービン翼を用いることが望ましい。ここで、この攪拌反応槽50では、上記反応槽本体10の外部に設けられた上記制御部60を作業者が手動で操作して、上記内筒位置調整モータ34の動作を制御することにより、上記塩素吹き込みノズル32の位置を調整することができるが、後述する如く、上記反応槽本体10内に収納された非鉄金属原料スラリーの酸化還元電位の測定結果に応じて上記制御部60により上記内筒位置調整モータ34の動作を自動制御して、上記塩素吹き込みノズル32の位置を調整するようにしてもよい。上記攪拌反応槽50は、槽上部と槽下部を含む複数の位置において酸化還元電位を測定する酸化還元電位測定手段として例えば2つの酸化還元電位測定用センサ40A,40Bを備えるものとすることができる。この攪拌反応槽50では、上記反応槽本体10内の液相部、すなわち、上記反応槽本体10内に収納された非鉄金属原料スラリーの酸化還元電位を測定する2つの酸化還元電位センサ40A,40Bを備え、酸化還元電位センサ40Aにより槽上部の位置における酸化還元電位を測定するとともに、酸化還元電位センサ40Bにより槽下部の位置における酸化還元電位を測定するようになっている。そして、この攪拌反応槽50では、上記反応槽本体10の外部に設けられた上記制御部60を作業者が手動で操作して、上記内筒位置調整モータ34の動作を制御することにより、上記塩素吹き込みノズル32の位置を調整することができるが、この攪拌反応槽50を備える攪拌反応装置100では、上記2つの酸化還元電位センサ40A,40Bによる検出出力が上記制御部60に供給されており、上記制御部60により上記内筒位置調整モータ34の動作を自動制御して、上記塩素吹き込みノズル32の位置が調整される。なお、この攪拌反応装置100では、上記塩素ガス供給部30を介して上記反応槽本体10内に供給する塩素ガスの流量が流量制御弁45により制御できるようになっている。この攪拌反応装置100は、上記制御部60により、図3にフローチャートに示す手順に従って運転される。この攪拌反応装置100において、上記制御部60は、上記酸化還元電位センサ40A,40Bすなわち酸化還元電位測定手段により得られる酸化還元電位測定値の差分が規定値以内にあるか否かを判定し、上記差分が規定値以内にない場合には、上記差分が規定値以内になるまで、上記差分が小さくなる方向に上記攪拌反応槽50内における塩素吹き込みノズル32の先端位置を移動させる制御を行う制御手段として機能する。すなわち、この攪拌反応装置100では、流体シミュレーションによって操業条件や堆積物の状況などによって異なる塩素濃度分布、および、流速が大きく最適な塩素吹き込み位置を求めてデータベースを予め作成しておき、上記制御部60は、上記データベースを参照しステップS1、上記2つの酸化還元電位センサ40A,40Bによる検出出力と上記データベースに基づいて、図4に示すように運転条件に応じたガス供給位置を決定しステップS2、上記内筒位置調整モータ34の動作を制御して上記塩素吹き込みノズル32の上記可動内筒36の位置の粗調整を行うステップS3。上記データベースは、槽下部における塩素濃度の平均からのずれと塩素吹き込み位置の関係を流体シミュレーションによって求めて、上記塩素吹き込みノズル32の上記ノズル先端部32の上記攪拌反応槽50内における位置の粗調整位置情報を蓄積することにより作成される。そして、上記制御部60は、上記ステップS3において、上記データベースに蓄積されている上記粗調整位置情報に基づいて、上記ノズル先端部32Aの位置の粗調整を行う。次に、上記制御部60は、上記2つの酸化還元電位センサ40A,40Bによる検出出力に基づいて、ガス流量一定で槽上部と下部の酸化還元電位の差分が規定値以下であるか否かを判定しステップS4、その判定結果がNO、すなわち、差分が規定値以下でない場合には、上記規定値以下となるように、上記内筒位置調整モータ34の動作を制御して上記差分が小さくなる方向に上記可動内筒36の位置の微調整を行うステップS5。次に、上記制御部60は、上記ステップS4における判定結果がYES、すなわち、上記ガス流量一定で槽上部と下部の酸化還元電位の差が規定値以下となったら、上記塩素ガス供給部30を介して上記反応槽本体10内に供給する塩素ガスの流量を制御する流量制御弁45を制御して、上記差分が差分規定値以内にある状態において、槽上部の酸化還元電位が設定値になるようにガス流量を調節するステップS6。そして、上記制御部60は、この運転状態を5~10分保持しステップS7、さらに、運転条件や槽内状況を確認してステップS8、上記ステップ1に戻って、上記ステップ1~ステップS8を繰り返すことで、操業条件や堆積物の状況などによって異なる塩素濃度分布、および、流速が大きく最適な塩素吹き込み位置に、上記塩素吹き込みノズル32の上記可動内筒36を位置させる。このように、この攪拌反応装置100では、槽下部における塩素濃度の平均からのずれと塩素吹き込み位置の関係を流体シミュレーションによって求めて、上記塩素吹き込みノズル32の上記ノズル先端部32Aの上記攪拌反応槽50内における位置の粗調整位置情報を蓄積したデータベースに蓄積されている上記粗調整位置情報に基づいて、上記ノズル先端部32Aの位置の粗調整を行い、上記2つの酸化還元電位センサ40A,40Bにより得られる酸化還元電位測定値の差分が差分規定値以内にあるか否かを判定し、上記差分が差分規定値以内にない場合には、上記差分が差分規定値以内になるまで、上記差分が小さくなる方向に上記攪拌反応槽内における上記ノズル先端部を移動させる制御を行い、上記差分が差分規定値以内にある状態において、上記槽上部における酸化還元電位測定値が規定値になるように上記塩素ガス供給部30による塩素ガス供給量を制御することにより、塩素浸出反応における酸化還元電位の攪拌槽内での空間的な偏りを小さくし、局所反応による塩素ガスの利用率の低下や硫黄酸化率の上昇などを抑えて、金属元素の高い浸出率を得ることができる。この攪拌反応装置100を用いた非鉄金属硫化物の塩素浸出工程において、ORPの設定値を550mVとし、操業条件の変動した場合でも槽上部と下部の測定値の差を10mV以内に制御することが可能であった。比較例1実施例1と同様の塩素浸出工程において、ORPの設定値を550mVとして、塩素吹き込みノズルの先端位置を固定した従来の方法では、操業条件の変動に伴う、槽上部と下部の測定値の差は、50mVから100mVであった。なお、以上説明した実施の形態では、非鉄金属の硫化物を含む非鉄金属原料から塩素ガスを用いて上記非鉄金属を浸出するための攪拌反応槽50を備える攪拌反応装置100に本発明を適用したが、上記実施の形態のみに限定されるものでなく、本発明は、例えば、原料から反応用ガスを用いて反応生成物を生成するための攪拌反応槽に適用することもでき、槽内に反応用ガスを供給する反応用ガス供給手段は、反応用ガス吹き込み口が設けられたノズル先端部の槽内における位置を調節自在とした反応用ガス吹き込みノズルを備えることにより、上記槽内における上記反応用ガス吹き込み口の位置を反応効率の良い最適位置に調整して、原料から反応用ガスを用いて反応生成物を効率よく生成することができる。"