"集電体表面にフッ素樹脂膜を形成し、前記フッ素樹脂膜表面にアルカリ金属を接触させた後、前記フッ素樹脂膜表面を酸で洗浄して炭素を含む膜を形成することを特徴とする電極の作製方法。集電体表面にフッ素樹脂膜を形成し、前記フッ素樹脂膜を、アルカリ金属が溶解した溶液に浸漬させた後、前記フッ素樹脂膜表面を酸で洗浄して炭素を含む膜を形成することを特徴とする電極の作製方法。集電体表面にフッ素樹脂膜を形成し、前記フッ素樹脂膜表面にアルカリ金属を接触させ、前記表面にアルカリ金属を接触させたフッ素樹脂膜を、アルカリ金属塩が溶解した電解液に浸漬させた後、前記フッ素樹脂膜表面を酸で洗浄して炭素を含む膜を形成することを特徴とする電極の作製方法。前記フッ素樹脂膜は、ポリテトラフルオロエチレン膜である、請求項1から3のいずれかに記載の電極の作製方法。高周波放電によるスパッタリングで前記フッ素樹脂膜を成膜し、前記スパッタリングは、RF出力400[kW]以上,ガス圧0.5[Pa]以上で、かつ、アルゴンArガスを用いる、請求項1から4のいずれかに記載の電極の作製方法。請求項1から5のいずれかに記載の電極の作製方法を用いて作製された電極を用いた蓄電装置。炭素膜の一例として上述した活性炭の作製工程は、工程数が多く、生産性が悪い。また、活性化賦活工程には、1000°C程度の高温プロセスが必要である。電極の塗布工程では、活性炭とバインダーとの混合を必要とするため、単位体積あたりの放電容量が低下する。そこで、高温プロセスを必要とせず、工程数を減らして生産性を向上させた炭素膜の作製方法の提供を課題とする。また、バインダーを必要としない電極の作製方法の提供を課題とする。本発明の一態様は、フッ素樹脂とアルカリ金属とを反応させ、フッ化物金属を生成することによりフッ素樹脂からフッ素を脱離させることで炭素を含む膜炭素膜ともいうを生成し、これを蓄電装置の正極や負極等の電極として用いるものである。フッ素樹脂の膜を集電体表面に形成しておくことで、該集電体表面でかかる脱フッ素化を行うことができ、バインダー等を用いなくても集電体上に炭素膜を形成することができる。本発明の一態様は、集電体表面にフッ素樹脂膜を成膜し、フッ素樹脂膜表面にアルカリ金属を接触させた後、フッ素樹脂膜表面を酸で洗浄する炭素膜を有する電極の作製方法である。例えば、フッ素樹脂膜表面に形成されたフッ化リチウムを希塩酸と反応させて炭素膜を得る。本発明の一態様は、集電体表面にフッ素樹脂膜を成膜し、フッ素樹脂膜を、アルカリ金属塩が溶解した電解液に浸漬させて脱フッ素化した後、フッ素樹脂膜表面を酸で洗浄する炭素膜を有する電極の作製方法である。炭素膜と、電極を、少ない工程数で同時に作製することできるため、生産性が向上する。実施の形態1フッ素樹脂膜の脱フッ素化による炭素膜を有する電極の作製方法を説明する。図1は、フッ素樹脂膜の脱フッ素化の概念を示す図である。第1工程として、スパッタリング法などにより、フッ素樹脂膜を集電体表面に成膜する。図1に、このときのフッ素樹脂膜の構造10を示す。なお、集電体は、銅Cu,チタンTi,アルミAlなどの金属を使用する。このフッ素樹脂膜の成膜は、高周波放電によるスパッタリングで行い、RF出力400[kW]以上,ガス圧0.5[Pa]以上で、かつ、アルゴンArガスを用いることが適している。このような条件で成膜することにより、成膜時にフッ素樹脂膜にダメージが加えられ、以下の工程での脱フッ素化が容易になるためである。また、スパッタリングの際に、バイアス電圧を加えてもよい。ここで、第1工程で得られた構造10は、炭素Cにフッ素Fが結合している状態である。構造10において、フッ素Fの除去脱フッ素化を行うことで、炭素膜が得られ、蓄電装置の電極として機能させることができる。脱フッ素化について、以下に説明する。第2工程として、フッ素樹脂膜の脱フッ素化のため、フッ素樹脂膜にリチウム等のアルカリ金属を接触させる。アルカリ金属として、ナトリウムやカリウム等を用いても良い。すると、リチウムLiがフッ素樹脂膜を還元して、フッ素Fをフッ素樹脂膜中から脱離させ、脱フッ素化膜が得られる。図1に、このときの脱フッ素化膜の構造11の概念図を示す。第2工程で得られた構造11は、フッ素樹脂膜がリチウムLiにより還元され炭素C-炭素Cの炭素間の結合からなる物質、及び副生成物としてフッ化リチウムLiFが共存している状態である。次に第3工程として、脱フッ素化膜中に含まれるフッ化リチウムLiFを、希塩酸などの酸で洗浄する。酸として、濃塩酸、フッ酸等を用いても良い。すると、脱フッ素化膜中からフッ化リチウムが除去され、炭素C-炭素Cの炭素間の結合を有する炭素膜が得られる。図1に、このときの炭素膜の構造12の概念図を示す。構造12における炭素間の結合の一部として、単結合、二重結合、三重結合、又はそれらが混在した構造を有していてもよい。具体例としては、構造13、構造14、又はそれらが混在した構造が挙げられる。次いで第4工程として、集電体及び炭素膜を加熱により乾燥させる。なおここでの加熱は、行わなくても良い。また得られる炭素膜としては、活性炭、グラフェン等が挙げられる。以上の工程により、集電体と、該集電体上の炭素膜とを有する電極を作製できる。この電極は、蓄電装置の電極に適用することができる。なお、脱フッ素化に使用したリチウムは、混練することにより再利用できる。以上のように、炭素膜を有する電極を、少ない工程数で、且つ、高温プロセスを用いることなく作製することができるため、生産性が向上する。また、バインダーを設けないため容量の増加が可能である。実施の形態2実施の形態1で示した方法とは異なる、フッ素樹脂膜の脱フッ素化による炭素膜を有する電極の作製方法を説明する。第2工程において、フッ素樹脂膜の脱フッ素化のため、フッ素樹脂膜をリチウム等のアルカリ金属が溶解した溶液に6時間以上浸漬する。アルカリ金属として、ナトリウムやカリウム等を用いても良い。すると、リチウムLiが、フッ素樹脂膜中のフッ素Fと化学反応し、フッ化リチウムLiFが生成される。この工程により、リチウムLiがフッ素樹脂膜を還元して、フッ素Fをフッ素樹脂膜中から脱離させ、図1の構造11で示した脱フッ素化膜が得られる。その他の工程は、実施の形態1と同様に行えばよい。なお、溶液の溶媒として、例えば、プロピレンカーボネート以下PC、ブチレンカーボネート以下BC、又はビニレンカーボネート以下VCなどの環状カーボネート類、ジメチルカーボネート以下DMC、エチルメチルカーボネート以下EMC、メチルプロピルカーボネート以下MPC、メチルイソブチルカーボネート以下MIBC、又はジプロピルカーボネート以下DPCなどの非環状カーボネート類、ギ酸メチル、酢酸メチル、プロピオン酸メチル、又はプロピオン酸エチルなどの脂肪族カルボン酸エステル類、γ-ブチロラクトン等のγ-ラクトン類、1,2-ジメトキシエタン以下DME、1,2-ジエトキシエタン以下DEE、又はエトキシメトキシエタン以下EME等の非環状エーテル類、テトラヒドロフラン、2-メチルテトラヒドロフラン等の環状エーテル類、ジメチルスルホキシド、1,3-ジオキソラン等やリン酸トリメチル、リン酸トリエチル、又はリン酸トリオクチルなどのアルキルリン酸エステルやそのフッ化物を挙げることができ、これらの一種または二種以上を混合して使用することができる。更に、上記の溶媒にナフタレンを含むことで、フッ素樹脂膜からの脱フッ素化を促進することができる。実施の形態3実施の形態1または2で示した方法とは異なる、フッ素樹脂膜の脱フッ素化による炭素膜を有する電極の作製方法を説明する。第2工程において、フッ素樹脂膜の脱フッ素化のため、フッ素樹脂膜にリチウム等のアルカリ金属を接触させた状態で、アルカリ金属塩が溶解した電解液に6時間以上浸漬する。アルカリ金属として、ナトリウムやカリウム等を用いても良い。すると、リチウムLiが、フッ素樹脂膜中のフッ素Fと化学反応し、フッ化リチウムLiFが生成される。この工程により、リチウムLiがフッ素樹脂膜を還元して、フッ素Fをフッ素樹脂膜中から脱離させ、図1の構造11で示した脱フッ素化膜が得られる。なお、電解液のアルカリ金属塩として、例えば、塩化リチウムLiCl、フッ化リチウムLiF、過塩素酸リチウムLiClO4、硼弗化リチウムLiBF4、リチウムビストリフルオロメタンスルホニルイミドLiNSO2CF32、リチウムビスペンタフルオロエタンスルホニルイミドLiNSO2C2F52、トリフルオロメタンスルホン酸リチウムLiCF3SO3などのリチウム塩を用いることができる。同様にカリウム塩やナトリウム塩等をアルカリ金属塩として用いてもよい。また、電解液の溶媒として、PC、BC、又はVCなどの環状カーボネート類、DMC、EMC、MPC、MIBC、又はDPCなどの非環状カーボネート類、ギ酸メチル、酢酸メチル、プロピオン酸メチル、又はプロピオン酸エチルなどの脂肪族カルボン酸エステル類、γ-ブチロラクトン等のγ-ラクトン類、DME、DEE、又はEME等の非環状エーテル類、テトラヒドロフラン、2-メチルテトラヒドロフラン等の環状エーテル類、ジメチルスルホキシド、1,3-ジオキソラン等やリン酸トリメチル、リン酸トリエチル、又はリン酸トリオクチルなどのアルキルリン酸エステルやそのフッ化物を挙げることができ、これらの一種または二種以上を混合して使用することができる。アルミAlからなる集電体表面に、スパッタリング法により、ポリテトラフルオロエチレンPTFE膜を成膜した。このPTFE膜の成膜条件は、アルゴンArガス流量50[sccm],ガス圧0.5[Pa],RF出力400[kW],室温で成膜レート9.3[nm/min],膜厚700[nm]である。成膜したPTFE膜は、80°Cで6時間乾燥させた。図2は、このPTFE膜表面のEDXEnergyDispersiveX-ray分析によって、得られたスペクトルを示す。続いて、アルゴンAr雰囲気のグローブボックス内で、PTFE膜に金属リチウム箔を接触させ、膜全体に均等に圧力を加えて押しつけた。その後、PTFE膜から金属リチウム箔を剥離した。図3は、金属リチウム箔を接触させた後のPTFE膜表面120nm深さのEDX分析によって、得られたスペクトルを示す。図2に示すスペクトルと比較して、膜中のフッ素F量が少なく、脱フッ素化されていることがわかる。図4は、金属リチウム箔を接触させた後のPTFE膜表面500nm深さのEDX分析によって、得られたスペクトルを示す。図2に示すスペクトルと比較して、膜中のフッ素F量が多いことが分かる。また、電子線回折像図示せずより、フッ化リチウムLiFが形成されていることが推測される。"