基板と、前記基板の少なくとも一部上の複数の可動素子と、前記可動素子を動作可能に支持し、前記基板と前記可動素子の間に1つまたは複数のキャビティを形成するように構成されている、前記基板上の1つまたは複数の屈曲コントローラとを備えた電気機械装置であって、前記屈曲コントローラが、前記可動素子に接触するウィング部を備え、前記屈曲コントローラが緩和位置にある際に、少なくとも一つのキャビティが、前記屈曲コントローラが解放されていない位置において前記基板に略平行である際の前記基板と垂直に測定されたキャビティの深度よりも略30パーセント以上大きな第一の深度を有するように、前記複数の屈曲コントローラが前記可動素子の変位を引き起こし、前記複数の屈曲コントローラのうち少なくとも2つの屈曲コントローラのウィング部が、異なる長さのウィング部を有する、電気機械装置。前記1つまたは複数の屈曲コントローラがポスト構造とリベット構造とから選択されている、請求項1に記載の電気機械装置。各可動素子と接触する1つまたは複数のポスト構造と1つまたは複数のリベット構造とのウィング部が、1μmから6μmの間の距離で前記可動素子と重なる、請求項2に記載の電気機械装置。前記複数の屈曲コントローラが、500Åから5500Åの間の量で前記可動素子を変位させる、請求項1から3のいずれか一項に記載の電気機械装置。前記1つまたは複数の屈曲コントローラは引張または圧縮応力で形成され、前記屈曲コントローラの組合せ応力は、前記可動素子の偏向を生じさせることによって、前記屈曲コントローラが解放されていない位置にある際のキャビティの深度よりも略30パーセント以上大きい深度を有するキャビティを形成する、請求項1から4のいずれか一項に記載の電気機械装置。基板と、前記基板の少なくとも一部上の複数の可動素子と、薄膜層を動作可能に支持し、前記可動素子を前記基板から分離し、前記可動素子に接触するウィングを備えた、前記基板上の1つまたは複数の屈曲コントローラと、前記基板と前記薄膜層との間に形成された1つまたは複数のキャビティとを備えた電気機械装置であって、前記屈曲コントローラが緩和位置にある際に、少なくとも一つのキャビティが、前記屈曲コントローラが解放されていない位置において前記基板に略平行である際のキャビティの深度よりも略30パーセント以上大きな第一の深度を有するように、前記複数の屈曲コントローラが前記可動素子の変位を引き起こし、前記複数の屈曲コントローラのうち少なくとも2つの屈曲コントローラの少なくとも一部が、異なる長さを有する、電気機械装置。前記1つまたは複数の屈曲コントローラが、ポスト構造とリベット構造とから選択されている、請求項6に記載の電気機械装置。前記複数の屈曲コントローラの厚さが、1000μmから2000μmの間で選択されている、請求項6または7に記載の電気機械装置。前記複数の屈曲コントローラのうち少なくとも2つの屈曲コントローラが、異なる材料を備える、請求項6から8のいずれか一項に記載の電気機械装置。基板と、前記基板の少なくとも一部上の複数の可動素子であって、各可動素子がキャビティによって前記基板から分離されている、複数の可動素子と、前記可動素子を動作可能に支持するように構成されている、前記基板上の複数の屈曲コントローラとを備えた電気機械装置であって、前記屈曲コントローラがウィング部を備え、各ウィング部が、該ウィング部が支持する可動素子の一部に接続されていて、前記複数の屈曲コントローラが、異なる長さのウィング部を有する少なくとも二つの屈曲コントローラを備える、電気機械装置。前記複数の屈曲コントローラが、窒化ケイ素SiN及び二酸化ケイ素SiO2のうち一種以上で形成されている、請求項10に記載の電気機械装置。前記複数の可動素子の少なくとも一部が反射面を備える、請求項10または11に記載の電気機械装置。各可動素子と接触する前記複数の屈曲コントローラのウィング部が、1μmから6μmの間の距離で前記可動素子と重なる、請求項10から12のいずれか一項に記載の電気機械装置。1つ又は複数の屈曲コントローラが、ポスト構造とリベット構造とから選択されている、請求項10から13のいずれか一項に記載の電気機械装置。基板と、前記基板上の複数の可動素子であって、各可動素子がキャビティによって前記基板から分離されている、複数の可動素子と、前記可動素子を動作可能に支持するように構成されている、前記基板上の複数の屈曲コントローラとを備えた電気機械装置であって、前記屈曲コントローラがウィング部を備え、各ウィング部が、該ウィング部が支持する可動素子の一部に接続されていて、前記複数の屈曲コントローラのうち少なくとも2つの屈曲コントローラの少なくとも一部が、異なる厚さのウィング部を備える、電気機械装置。一つまたは複数の屈曲コントローラが、ポスト構造とリベット構造とから選択されている、請求項15に記載の電気機械装置。前記複数の屈曲コントローラの厚さが、1000μmから2000μmの間で選択されている、請求項15または16に記載の電気機械装置。前記複数の屈曲コントローラのうち少なくとも2つの屈曲コントローラが、異なる材料を備える、請求項15から17のいずれか一項に記載の電気機械装置。基板と、前記基板上の複数の可動素子であって、各可動素子がキャビティによって前記基板から分離されている、複数の可動素子と、前記可動素子を動作可能に支持するように構成されている、前記基板上の複数の屈曲コントローラとを備えた電気機械装置であって、前記屈曲コントローラがウィング部を備え、各ウィング部が、該ウィング部が支持する可動素子の一部に接続されていて、前記屈曲コントローラが、前記ウィング部に接続されたテーパ状の縁部と、基部とを更に備え、前記基部が、前記縁部を動作可能に支持して、選択された距離によって前記縁部を分離する、電気機械装置。前記基板の少なくとも一部上の導電層を更に備えた請求項19に記載の電気機械装置。前記複数の可動素子の少なくとも一部が導電性である、請求項19または20に記載の電気機械装置。前記複数の可動素子の少なくとも一部が反射面を備える、請求項19から21のいずれか一項に記載の電気機械デバイス。一実施形態は、少なくとも2つのタイプのマイクロ電気機械システムMEMS装置を作る方法を提供し、少なくとも2つのタイプのMEMS装置は犠牲材料の除去後の異なる解放状態を有し、この方法は基板を提供するステップと、基板の少なくとも一部の上に第1の導電層を形成するステップと、第1の導電層の少なくとも一部の上に第1の犠牲層を形成するステップと、第1の犠牲層の上に複数の導電性可動素子を形成するステップと、犠牲層が除去された場合に導電性可動素子を動作可能に支持するように構成された、基板上の複数の屈曲コントローラを形成するステップとを含んでおり、第1の犠牲層は除去可能であり、それによってMEMS装置を解放し、第1の導電層と可動素子の間に少なくとも2つの間隙寸法を有するキャビティを形成する。別の実施形態は、少なくとも2つのタイプの干渉変調器を作る方法を提供し、少なくとも2つのタイプの干渉変調器は、犠牲材料の除去後に異なるキャビティ深度を有し、この方法は基板を提供するステップと、基板の少なくとも一部の上に光学スタックを形成するステップと、光学スタックの少なくとも一部の上に第1の犠牲材料を形成するステップであって、犠牲材料が除去可能であり、それによってキャビティを形成するステップと、第1の犠牲材料の部分の上に第2の導電層を形成するステップと、基板上に少なくとも2つのタイプの屈曲コントローラを形成するステップであって、屈曲コントローラは第2の導電層を動作可能に支持するように構成され、少なくとも2つのタイプの屈曲コントローラが異なる寸法の構成部品を備えており、異なる寸法の構成部品は第1の犠牲層の除去後に第2の導電層の部分の下に異なる深度のキャビティを形成するように構成されているステップとを含んでいる。別の実施形態は、基板と、それぞれキャビティによって基板から分離された、基板上の複数の可動素子と、可動素子を動作可能に支持するように構成された基板上の複数の屈曲コントローラとを備えたマイクロ電気機械システムMEMS装置を提供し、複数の屈曲コントローラは選択した屈曲を制御するように異なる寸法の部分を備えている。選択した屈曲は、基板と複数の可動素子の間に少なくとも2つの間隙寸法を有するキャビティを形成するように働く。別の実施形態は、1つまたは複数の薄膜層を備えた装置の2つの層の間のキャビティの深度を制御する方法を提供し、この方法は基板を提供するステップと、基板の少なくとも一部の上に犠牲層を形成するステップと、犠牲層の少なくとも一部の上に第1の層を形成するステップと、基板の上に1つまたは複数の屈曲コントローラを形成するステップであって、屈曲コントローラは、第1の層を動作可能に支持し、犠牲層の深度より略30以上大きいキャビティを犠牲層の除去の際に形成するように構成され、深度は基板と垂直に測定されるステップとを含んでいる。別の実施形態は、基板と、基板の少なくとも一部の上の犠牲層と、犠牲層の上の可動素子と、可動素子を動作可能に支持し、基板と垂直に測定された犠牲層の深度より略30パーセント以上大きい深度のキャビティを基板と可動素子の間に犠牲層の除去の際に形成するように構成された、基板上の1つまたは複数の屈曲コントローラとを備えた未解放のマイクロ電気機械システムMEMS装置であって、犠牲層はエッチングによって除去可能である装置を提供する。別の実施形態は、1つまたは複数の薄膜層を備えた装置の2層の間のキャビティの深度を制御する方法を提供し、この方法は基板を提供するステップと、基板の少なくとも一部の上に犠牲層を形成するステップであって、犠牲層はエッチングによって除去可能であるステップと、犠牲層の少なくとも一部の上に第1の薄膜層を形成するステップと、基板の上に1つまたは複数の屈曲コントローラを形成するステップであって、屈曲コントローラは第1の薄膜層を動作可能に支持し、犠牲層の除去の際に、基板に向かって薄膜層を変位させるように構成されたステップとを含んでいる。別の実施形態は、基板と、基板の少なくとも一部の上の犠牲層と、犠牲層の上の可動素子と、可動素子を動作可能に支持し、犠牲層の除去の際に基板に向かって可動素子を変位させるように構成された、基板の上の1つまたは複数の屈曲コントローラであって、犠牲層はエッチングによって除去可能であるコントローラとを備えた未解放のマイクロ電気機械システムMEMS装置を提供する。以下の詳細な説明は、発明の特定の実施形態を対象としている。しかし、本発明は多数の異なる方法で実施することができる。この明細書では、同様の部品は全体を通して同様の番号で示した図面に言及する。以下の説明から明らかなように、実施形態は、移動例えば、映像または固定例えば、静止画であるかに関わらず、テキストまたは画像であるかに関わらず、画像を表示するように構成されたあらゆる装置で実施することができる。特に、実施形態はこれに限らないが、携帯電話、無線装置、携帯情報端末PDA、手持ち式または持ち運び可能コンピュータ、GPS受信機/ナビゲータ、カメラ、MP3プレーヤ、ビデオカメラ、ゲームコンソール、腕時計、置時計、計算機、テレビモニタ、平面パネルディスプレイ、コンピュータモニタ、自動ディスプレイ例えば、走行距離計ディスプレイなど、コックピットコントロールおよび/またはディスプレイ、カメラビューのディスプレイ例えば、車両の後方視野カメラのディスプレイ、電子写真、電光掲示板またはサイン、投影機、アーキテクチャ構造物、パッケージ、および審美構造物例えば、1片の宝石上の画像のディスプレイなどの様々な電子装置内で実施することができる、またはこれに関連させることができると考えられる。本明細書で記載したのと同様の構造のMEMS装置はまた、電子切換装置などの非ディスプレイ応用例で使用することもできる。一実施形態は、基板上の複数の屈曲コントローラを備えたMEMS装置を作る方法を提供する。屈曲コントローラは、導電性可動素子を動作可能に支持し、犠牲層が除去された場合に複数の選択した屈曲を与えるように構成されている。犠牲層は除去可能であり、それによってMEMS装置を解放し、少なくとも2つの間隙寸法を有するキャビティを形成する。屈曲コントローラは、間隙寸法の増加と、間隙寸法の減少を生じさせることができる。その結果、多数の蒸着、マスキングおよびエッチングステップは、より少ない蒸着、マスキングおよびエッチングステップで置き換えることができ、それによってMEMS装置の製造の時間および資金を節約することができる。干渉MEMSディスプレイ素子を備えた1つの干渉変調器ディスプレイの実施形態が、図1に示されている。これらの装置では、ピクセルは明るいまたは暗い状態のいずれかである。明るいオンまたは開状態では、ディスプレイ素子は入射する可視光の大部分をユーザに反射させる。暗いオフまたは閉状態では、ディスプレイ素子は入射する可視光をユーザにほとんど反射させない。実施形態によって、オンおよびオフ状態の光反射性状を逆転させることができる。MEMSピクセルは、選択した色で優先的に反射するように構成することができ、白黒に加えてカラー表示を可能にする。図1は、画像ディスプレイの一連のピクセルの2つの隣接するピクセルを示す等角図であり、各ピクセルはMEMS干渉変調器を含んでいる。いくつかの実施形態では、干渉変調器ディスプレイは、行/列アレイのこれらの干渉変調器を備えている。各干渉変調器は、少なくとも1つの可変寸法の共鳴光キャビティを形成するように、互いに可変および制御可能距離に位置決めされた1対の反射層を備えている。一実施形態では、反射層の一方は2つの位置の間で移動させることができる。本明細書では緩和位置と呼ばれる第1の位置では、可動反射層は、固定部分反射層から比較的大きな距離に位置決めされている。本明細書では作動位置と呼ばれる第2の位置では、可動反射層は部分反射層により密接して位置決めされている。2層から反射する入射光は、可動反射層の位置によって強めあうように、または弱めあうように干渉して、各ピクセルに対して全反射または非反射状態のいずれかを作り出す。図1に示したピクセルアレイの部分は、2つの隣接する干渉変調器12aおよび12bを備えている。左側の干渉変調器12aでは、可動反射層14aは図では、部分反射層を含む光学スタック16aから所定の距離の緩和位置にある。右側の干渉変調器12bでは、可動反射層14bは図では光学スタック16bに隣接した作動位置にある。本明細書で言及するような、光学スタック16aおよび16b集合的に、光学スタック16と呼ぶは典型的には、インジウム錫酸化物ITOなどの電極層、クロムなどの部分反射層、および透明誘電体を含むことができるいくつかの溶融層からなっている。光学スタック16はしたがって、導電性であり、部分的に透明であり、部分的に反射性であり、例えば透明基板20の上に上記層の1つまたは複数を蒸着させることによって製造することができる。部分反射層は、様々な金属、半導体、および誘電体などの、部分的に反射性のある様々な材料から形成することができる。部分反射層は、1層または複数層の材料で形成することができ、各層は単一の材料または材料の組み合わせで形成することができる。いくつかの実施形態では、光学スタックの層は平行ストリップにパターン化され、以下にさらに説明するようなディスプレイ装置内に行電極を形成することができる。可動反射層14a、14bは、ポスト18の上部に蒸着された1つまたは複数の蒸着金属層16a、16bの行電極と垂直であるおよびポスト18の間に蒸着された介在犠牲材料の一連の平行ストリップとして形成することができる。犠牲材料がエッチングされると、可動反射層14a、14bは規定の間隙19によって光学スタック16a、16bから離される。アルミニウムなどの高い導電性および反射性材料は、反射層14に使用することができ、これらのストリップはディスプレイ装置内に列電極を形成することができる。電圧が加えられない状態では、キャビティ19は可動反射層14aと光学スタック16aの間にあるままであり、可動反射層14aは図1のピクセル12aで示すように、機械的に緩和状態にある。しかし、電位差が選択した行列に加えられると、対応するピクセルでの行および列電極の交点に形成されたコンデンサは充電され、静電力が電極を互いに引っ張る。電圧が十分高い場合、可動反射層14は変形され、光学スタック16に対して押される。光学スタック16内の誘電層この図には図示せずは、図1の右側のピクセル12bで示すように、短絡を防ぎ、層14と16の間の分離距離を制御することができる。挙動は、加えられた電位差の極性に関わらず同じである。このように、反射性対非反射性ピクセル状態を制御することができる行/列作動は、従来のLCDおよび他の表示技術で使用されるものと多くの方法で同様である。図2から5Bは、ディスプレイ応用例での一列の干渉変調器を使用する1つの例示的な過程およびシステムを示している。図2は、本発明の態様を組み込むことができる電子装置の一実施形態を示すシステムブロック図である。例示的な実施形態では、電子装置は、ARM、Pentium登録商標、Pentium登録商標II、Pentium登録商標III、Pentium登録商標IV、Pentium登録商標Pro、8051、MIPS登録商標、PowerPC登録商標、ALPHA登録商標などのあらゆる汎用単一または多チップマイクロプロセッサ、またはデジタル信号プロセッサ、マイクロコントローラ、またはプログラム可能ゲートアレイなどのあらゆる専用マイクロプロセッサであってもよいプロセッサ21を含んでいる。当技術分野では、従来にあるように、プロセッサ21は1つまたは複数のソフトウェアモジュールを実行するように構成することができる。オペレーティングシステムを実行するのに加えて、プロセッサは、ウェブブラウザ、電話アプリケーション、eメールプログラム、またはあらゆる他のソフトウェアアプリケーションを含む1つまたは複数のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成することができる。一実施形態では、プロセッサ21はまた、アレイドライバ22と通信するように構成することができる。一実施形態では、アレイドライバ22は、ディスプレイアレイまたはパネル30に信号を提供する、行ドライバ回路24および列ドライバ回路26を備えている。図1に示すアレイの断面は、図2の線1-1で示されている。MEMS干渉変調器では、行/列作動プロトコルは、図3に示すこれらの装置のヒステリシス特性を利用することができる。例えば、可動層を緩和状態から作動状態に変形させるには、10ボルトの電位差が必要である可能性がある。しかし、電圧がその値から小さくなると、可動層は電圧が10ボルトより下に低下したときにその状態を維持する。図3の例示的な実施形態では、可動層は電圧が2ボルトより下に低下するまで完全には緩和しない。したがって、図3に示す例では略3から7Vまでの電圧範囲があり、装置が緩和または作動状態のいずれかにある印加電圧のウィンドウが存在する。これは本明細書では、ヒステリシスウィンドウまたは安定性ウィンドウと呼ばれる。図3のヒステリシス特徴を有するディスプレイアレイでは、行/列作動プロトコルは、行ストロボ撮影中に、作動されるストロボ撮影行内のピクセルは略10ボルトの電圧差に曝され、緩和されるピクセルはゼロボルトに近い電圧差に曝される。ストロボの後に、ピクセルは行ストロボが置かれるどんな状態にも留まるように、略5ボルトの定常電圧差に曝される。書き込まれた後に、各ピクセルはこの例では3~7ボルトの安定性ウィンドウ内の電位差を経験する。この特性は、図1に示すピクセル設計を作動または緩和された既存の状態のいずれかで同じ印加電圧状態で安定させる。干渉変調器の各ピクセルは作動または緩和状態であるかどうかに関わらず、基本的に固定および移動反射層によって形成されたコンデンサであるので、この安定状態はほぼ電力損失がない状態でヒステリシスウィンドウ内にある電圧で保持することができる。基本的に、印加電位が固定されている場合、電流はピクセル内に流れない。典型的な応用例では、ディスプレイフレームは、第1の行内の所望のセットの作動ピクセルにより列電極のセットをアサートassertすることによって作り出すことができる。行パルスはその後、行1電極に加えられて、アサートされた列ラインに対応するピクセルを作動させる。アサートされたセットの列電極は、第2の行内の所望のセットの作動ピクセルに対応するように変更される。パルスはその後、行2電極に加えられて、アサートされた列電極内の行2内の適当なピクセルを作動させる。行1ピクセルは、行2パルスによって影響を受けず、行1パルス中に設定された状態に留まる。これは、フレームを作り出すように連続した方法で一連の行全体で繰り返すことができる。普通、フレームは、この過程をいくつかの所望の数のフレーム毎秒で断続的に繰り返すことによって、新しい表示データでリフレッシュかつ/または更新される。表示フレームを作り出すようにピクセルアレイの行および列電極を駆動する幅広いプロトコルがまた、よく知られており、本発明と合わせて使用することができる。図4、5Aおよび5Bは、図2の3×3アレイ上に表示フレームを作り出す1つの可能な作動プロトコルを示している。図4は、図3のヒステリシス曲線を示すピクセルに使用することができる可能なセットの列および行電圧レベルを示している。図4の実施形態では、ピクセルを作動させることは、それぞれ-5ボルトおよび5ボルトに対応する可能性がある、-Vbiasに対する適当な列およびΔVに対する適当な行を設定することが必要である。ピクセルを緩和することは、Vbiasに対する適当な列および同じΔVに対する適当な行を設定することによって達成され、ピクセルにわたってゼロボルトの電位差を作り出す。行電圧がゼロボルトに保持されたこれらの行では、ピクセルは列がVbiasまたは-Vbiasであるかどうかに関わらず、元にあったあらゆる状態で安定している。また、図4に示すように、上記以外の反対の極性の電圧を使用することができる、例えばピクセルを作動させることは、Vbiasに対する適当な列および-ΔVに対する適当な行を設定することが必要である可能性がある。この実施形態では、ピクセルを解放することは、-Vbiasに対する適当な列および同じ-ΔVに対する適当な行を設定することによって達成され、ピクセルにわたってゼロボルトの電位差を作り出す。図5Bは、作動ピクセルが非反射性である、図5Aに示すディスプレイ配置につながる、図2の3×3アレイに加えられた一連の行および列信号を示すタイミング図である。図5Aに示すフレームに書き込む前に、ピクセルをあらゆる状態にすることができ、この例では、行は全て0ボルトであり、列は全て5ボルトである。これらの印加電圧では、全てのピクセルはその既存の作動または緩和状態で安定している。図5Aのフレームでは、ピクセル1、1、1、2、2、2、3、2および3、3が作動される。これを達成するために、行1に対するライン時間中に、列1および2は-5ボルトに設定され、列3は5ボルトに設定される。これは、いかなるピクセルの状態も変更しない。というのは、ピクセルは全て3~7ボルト安定性ウィンドウ内に留まっているからである。行1はその後、0から、最大5ボルトに達し、ゼロに戻るパルスでストロボ撮影される。これは、1、1および1、2ピクセルを作動させ、1、3ピクセルを緩和する。アレイ内の他のピクセルは影響を受けない。行2を所望の通り設定するためには、列2は-5ボルトに設定され、列1および3は5ボルトに設定される。行2に加えられた同じストロボがその後、ピクセル2、2を作動させ、ピクセル2、1および2、3を緩和する。また、アレイの他のピクセルは影響を受けない。行3も同様に列2および3を-5ボルト、列1を5ボルトに設定することにより設定される。行3ストロボは、図5Aに示すように行3ピクセルを設定する。フレームに書き込んだ後に、行電位はゼロであり、列電位は5または-5ボルトのいずれかに留まることができ、ディスプレイはその後、図5Aの配置で安定している。同じ手順を、数十または数百の行および列のアレイに利用できることが分かるだろう。また、行および列作動を行うのに使用されるタイミング、シーケンス、および電圧のレベルは、上に概略を説明した原則内で幅広く変えることができ、上の例は単に例示的なものであり、あらゆる作動電圧方法は本明細書に記載したシステムおよび方法で使用できることが分かるだろう。図6Aおよび6Bは、ディスプレイ装置40の一実施形態を示すシステムブロック図である。ディスプレイ装置40は例えば、携帯電話であってもよい。しかし、ディスプレイ装置40の同じ構成部品、またはその僅かな変更はまた、テレビおよび携帯メディアプレーヤなどの様々なタイプのディスプレイ装置を示すものである。ディスプレイ装置40は、ハウジング41、ディスプレイ30、アンテナ43、スピーカ45、入力装置48、およびマイク46を備えている。ハウジング41は普通、射出成形、および真空成形を含む、当業者によく知られている様々な製造過程のいずれかで形成されている。加えて、ハウジング41はこれに限らないが、プラスチック、金属、ガラス、ゴムおよびセラミックを含む様々な材料のいずれか、またはその組み合わせで作ることができる。一実施形態では、ハウジング41は、異なる色の、または異なるロゴ、図柄、または記号を含む他の除去可能部分と交換することができる除去可能部分図示せずを含んでいる。例示的なディスプレイ装置40のディスプレイ30は、本明細書に記載するように、双安定ディスプレイを含む、様々なディスプレイのいずれかであってもよい。他の実施形態では、ディスプレイ30は、上に記載するようなプラズマ、EL、OLED、STNLCD、またはTFTLCDなどの平面パネルディスプレイ、または当業者によく知られているようなCRTまたは他の管装置などの非平面パネルディスプレイを備えている。しかし、本実施形態を説明する目的で、ディスプレイ30は本明細書に記載するように、干渉変調器ディスプレイを備えている。例示的なディスプレイ装置40の一実施形態の構成部品が、図6Bに略図的に示されている。図示した例示的なディスプレイ装置40は、ハウジング41を備えており、少なくとも部分的に中に囲まれた追加の構成部品を備えることができる。例えば、一実施形態では、例示的なディスプレイ装置40は、トランシーバ47に結合されたアンテナ43を備えたネットワークインターフェイス27を備えている。トランシーバ47は、調整ハードウェア52に接続された、プロセッサ21に接続されている。調整ハードウェア52は、信号を調整する例えば、信号をフィルタリングするように構成することができる。調整ハードウェア52は、スピーカ45およびマイク46に接続されている。プロセッサ21はまた、入力装置48およびドライバコントローラ29に接続されている。ドライバコントローラ29は、フレームバッファ28、およびその後ディスプレイアレイ30に結合されるアレイドライバ22に結合されている。電力供給装置50は、特定の例示的なディスプレイ装置40の設計が必要とするような構成部品全てに電力を与える。ネットワークインターフェイス27は、アンテナ43およびトランシーバ47を備えており、それによって例示的なディスプレイ装置40はネットワーク上の1つまたは複数の装置と通信することができる。一実施形態では、ネットワークインターフェイス27はまた、プロセッサ21の要件を緩和するいくつかの処理能力を有することができる。アンテナ43は、信号を送受信するための、当業者に知られているあらゆるアンテナである。一実施形態では、アンテナは、IEEE802.11a、bまたはgを含む、IEEE802.11標準によりRF信号を送受信する。別の実施形態では、アンテナは、BLUETOOTH標準によりRF信号を送受信する。携帯電話の場合、アンテナは、無線携帯電話ネットワーク内で通信するのに使用される、CDMA、GSM、AMPSまたは他の知られている信号を受信するように設計されている。トランシーバ47は、アンテナ43から受信した信号を予め処理し、それによってプロセッサ21によって受信することができ、さらに操作することができる。トランシーバ47はまた、プロセッサ21から受信された信号を処理し、それによってアンテナ43を介して例示的なディスプレイ装置40から伝達することができる。代替実施形態では、トランシーバ47は受信機に置き換えることができる。さらに別の代替実施形態では、ネットワークインターフェイス27は、プロセッサ21に送信する画像データを記憶または生成することができる、画像源に置き換えることができる。例えば、画像源は、画像データを含むデジタルビデオディスクDVDまたはハードディスクドライブなどのメモリ装置、または画像データを生成するソフトウェアモジュールであってもよい。プロセッサ21は普通、例示的なディスプレイ装置40の全体動作を制御する。プロセッサ21は、ネットワークインターフェイス27または画像源から圧縮画像データなどのデータを受信し、データを生画像データ、または生画像データに簡単に処理されるフォーマットに処理する。プロセッサ21はその後、ドライバコントローラ29、または記憶のためにフレームバッファ28に処理データを送信する。生データは普通、画像内の各位置で画像特徴を特定する情報のことを言う。例えば、このような画像特徴は、色、彩度、およびグレースケールレベルを含むことができる。一実施形態では、プロセッサ21は、例示的なディスプレイ装置40の動作を制御するマイクロコントローラ、CPU、または論理ユニットを備えている。調整ハードウェア52は普通、信号をスピーカ45に伝達し、信号をマイク46から受信する増幅器およびフィルタを備えている。調整ハードウェア52は、例示的なディスプレイ装置40内の別個の構成部品であってもよい、またはプロセッサ21または他の構成部品内に組み込むことができる。ドライバコントローラ29は、プロセッサ21またはフレームバッファ28のいずれかから直接プロセッサ21によって生成された生画像データを取り、アレイドライバ22への高速伝達のために適当に生画像データを再フォーマット化する。特に、ドライバコントローラ29は、ディスプレイアレイ30にわたる走査に適切な時間順序を有するように、生画像データをラスター状フォーマットを有するデータフローに再フォーマット化する。その後、ドライバコントローラ29はフォーマット化した情報をアレイドライバ22に送信する。LCDコントローラなどのドライバコントローラ29はしばしば、独立型集積回路ICとしてシステムプロセッサ21に結合されるが、このようなコントローラは多くの方法で実施することができる。これらは、ハードウェアとしてプロセッサ21内に埋め込むことができる、ソフトウェアとしてプロセッサ21に埋め込むことができる、またはアレイドライバ22とハードウェア内で完全に一体化させることができる。普通、アレイドライバ22はドライバコントローラ29からフォーマット化した情報を受信し、ディスプレイのx-y行列のピクセルから来る数百および時に数千のリードに多数回毎秒加えられる並列セットの波形に映像データを再フォーマット化する。一実施形態では、ドライバコントローラ29、アレイドライバ22、およびディスプレイアレイ30は、本明細書で記載するディスプレイのタイプのいずれかに適当である。例えば、一実施形態では、ドライバコントローラ29は、従来のディスプレイコントローラまたは双安定ディスプレイコントローラ例えば、干渉変調器コントローラである。別の実施形態では、アレイドライバ22は、従来のドライバまたは双安定ディスプレイドライバ例えば、干渉変調器ディスプレイである。一実施形態では、ドライバコントローラ29はアレイドライバ22と一体化される。このような実施形態は、携帯電話、腕時計、および他の小面積ディスプレイなどの高集積システムで一般的である。さらに別の実施形態では、ディスプレイアレイ30は、典型的なディスプレイアレイまたは双安定ディスプレイアレイ例えば、干渉変調器のアレイを含むディスプレイである。入力装置48は、ユーザが例示的なディスプレイ装置40の動作を制御することを可能にする。一実施形態では、入力装置48は、QWERTYキーボードまたは電話機キーパッドなどのキーパッド、ボタン、スイッチ、タッチセンサ画面、感圧または感熱膜を備えている。一実施形態では、マイク46は例示的なディスプレイ装置40用の入力装置である。マイク46を装置にデータを入力するのに使用する場合、例示的なディスプレイ装置40の動作を制御するために、音声コマンドをユーザによって与えることができる。電力供給装置50は、当技術分野でよく知られているように、様々なエネルギー貯蔵装置を備えることができる。例えば、一実施形態では電力供給装置50は、ニッケルカドミウム電池またはリチウムイオン電池などの充電式電池である。別の実施形態では、電力供給装置50は、再生可能エネルギー源、コンデンサ、またはプラスチック太陽電池および太陽電池ペイントを含む太陽電池である。別の実施形態では、電力供給装置50は壁コンセントから電力を受けるように構成されている。いくつかの実施では、制御プログラムの可能性が、上に記載するように、電子ディスプレイシステム内のいくつかの位置に配置することができるドライバコントローラ内にある。いくつかの場合では、制御プログラムの可能性が、アレイドライバ22内にある。当業者は、上記最適化をあらゆる数のハードウェアおよび/またはソフトウェア構成部品内、および様々な構成内で実施することができることが分かるだろう。上に記載した原理により動作する干渉変調器の構造の詳細は、幅広く変更することができる。例えば、図7A~7Eは、可動反射層14およびその支持構造の5つの異なる実施形態を示している。図7Aは、図1の実施形態の断面図であり、金属材料14のストリップが垂直に延びる支持体18上に蒸着されている。図7Bでは、可動反射層14は、テザー32上で隅部だけの支持体に取り付けられている。図7Cでは、可動反射層14は、可撓性金属を含むことができる変形可能層34から懸架されている。変形可能層34は、変形可能層34の周面周りで基板20に直接または間接的に連結している。これらの連結部は、本明細書では支持ポストと呼ぶ。図7Dに示す実施形態は、変形可能層34が上に載る支持ポストプラグ42を有する。可動反射層14は、図7A~7Cと同様に、キャビティの上に懸架されたままであるが、変形可能層34は変形可能層34と光学スタック16の間の孔を充填することによって支持ポストを形成しない。むしろ、支持ポストは、支持ポストプラグ42を形成するのに使用される、平坦化材料でできている。図7Eに示す実施形態は、図7Dに示す実施形態に基づいているが、図7A~7Cに図示する実施形態のいずれかと、図示しない追加の実施形態と協働するようにすることもできる。図7Eに示す実施形態では、金属または他の導電性材料の余分な層が、バス構造44を形成するのに使用されていた。これにより、干渉変調器の背面に沿った信号ルーティングを可能にして、別の方式では基板20上に形成しなければならなかったような、いくつかの電極を取り除くことができる。図7に示すものなどの実施形態では、干渉変調器は直視型装置として機能し、画像は変調器が上に配置されるのと反対側の透明基板20の正面側から見られる。これらの実施形態では、反射層14は、変形可能層34を含む、基板20と反対側の反射層の側で干渉変調器の部分を光学的に遮蔽する。これにより、画質に悪影響を与えることなく、遮蔽領域を構成および作動させることが可能になる。このような遮蔽により、アドレス指定およびそのアドレス指定により生じる動作などの変調器の電気機械性から変調器の光学性状を分離させることを可能にする、図7Eのバス構造44が可能になる。このような分離可能な変調器アーキテクチャは、変調器の電気機械態様および光学態様に使用される構造設計および材料を互いに独立して選択し、機能することが可能になる。さらに、図7C~7Eに示す実施形態は、変形可能層34によって行われる、反射層14の光学性状のその機械性状との分離に由来する追加の利点を有する。これにより、反射層14に使用される構造的設計および材料を光学性状に関して最適化することが可能になり、変形可能層34で使用される構造的設計および材料を所望の機械的性状に関して最適化することが可能になる。図8は、干渉変調器の製造過程800の一実施形態の特定のステップを示すフロー図である。このようなステップは、図8に示さない他のステップと共に、例えば図1および7に示す普通のタイプの干渉変調器を製造する過程に存在する可能性がある。図1、7および8を参照すると、過程800は基板20の上に光学スタック16を形成するステップ805で始まる。基板20は、ガラスまたはプラスチックなどの透明な基板であってもよく、光学スタック16の効率的な形成を容易にするように、1つまたは複数の前の準備ステップ、例えば洗浄が行われた。上に論じるように、光学スタック16は導電性であり、部分的に透明であり、部分的に反射性があり、例えば、透明な基板20の上に層の1つまたは複数を蒸着させることによって製造することができる。いくつかの実施形態では、層は平行ストリップにパターン化され、ディスプレイ装置内に行電極を形成することができる。いくつかの実施形態では、光学スタック16は、1つまたは複数の金属層例えば、反射および/または導電層の上に蒸着された絶縁または誘電層を含んでいる。図8に示す過程800は、光学スタック16の上に犠牲層を形成するステップ810に進む。犠牲層はその後、以下に論じるようにキャビティ19を形成するように除去され例えば、ステップ825で、したがって、犠牲層は図1および7に示す得られる干渉変調器12には示されていない。光学スタック16の上の犠牲層の形成は、その後の除去の後に、所望の寸法を有するキャビティ19を提供するために選択された厚さでのモリブデンまたはアモルファスシリコンなどのXeF2-エッチング可能材料の蒸着を含むことができる。犠牲材料の蒸着は、物理的気相成長法PVD、例えばスパッタリング、プラズマ化学気相成長法PECVD、熱化学気相成長法熱CVD、またはスピンコーティングなどの蒸着技術を使用して行うことができる。図8に示す過程800は、支持構造物、例えば図1および7に示すようなポスト18、または以下に論じるようなリベットを形成するステップ815に進む。ポスト18の形成は、支持構造物開口を形成するように犠牲層をパターン化するステップと、その後、PECVD、熱CVDまたはスピンコーティングなどの蒸着方法を使用して、材料例えば、ポリマーまたは二酸化ケイ素を開口内に形成してポスト18を形成するステップとを含むことができる。いくつかの実施形態では、犠牲層内に形成された支持構造物は、犠牲層および光学スタック16の両方を通って下にある基板20まで延びており、それによってポスト18の下端部が図7Aに示すように基板20に接触する。他の実施形態では、犠牲層内に形成された開口は、光学スタック16ではなく犠牲層を通して延びている。例えば、図7Cは光学スタック16と接触している支持ポストプラグ42の下端部を示している。ポストおよびリベットの形成を行う他の実施形態のより詳細な説明が、以下に提示されている。図8に示す過程800は、図1および7に示す可動反射層14などの可動反射層を形成するステップ820に進む。可動反射層14は、1つまたは複数のパターン化、マスキング、および/またはエッチングステップとともに、1つまたは複数の蒸着ステップ、例えば反射層例えば、アルミニウム、アルミニウム合金蒸着を利用することによって形成することができる。上に論じたように、可動反射層14は典型的には導電性であり、本明細書では導電層と呼ぶことができる。犠牲層が過程800のステップ820で形成された部分的に製造された干渉変調器内に存在するので、可動反射層14は普通はこの段階では移動可能ではない。犠牲層を含む部分的に製造された干渉変調器は本明細書では、未解放の干渉変調器と呼ぶことができる。図8に示す過程800は、図1および7に示すように、キャビティ、例えばキャビティ19を形成するステップ825に進む。キャビティ19は、犠牲材料ステップ810で蒸着されたをエッチャントに曝すことによって形成することができる。例えば、モリブデンまたはアモルファスシリコンなどのエッチング可能な犠牲材料は、ドライ化学エッチングによって、例えば典型的には選択的にキャビティ19を囲む構造に対して、所望の量の材料を除去するのに効果的な期間だけ、固体二フッ化キセノンXeF2から生じる蒸気などの気体または蒸気エッチャントに犠牲層を曝すことによって除去することができる。他のエッチング方法、例えばウェットエッチングおよび/またはプラズマエッチングを使用することもできる。犠牲層は過程800のステップ825中で除去されるので、可動反射層14は典型的にはこの段階の後に移動可能である。犠牲材料の除去後に、得られる完全にまたは部分的に製造された干渉変調器は、本明細書では解放干渉変調器と呼ぶことができる。一実施形態では、支持構造は可動層の下にあるポスト構造例えば、図1および7に示すポスト18の形をとることができる。支持ポストを備えた干渉変調器を製造する例示的な過程を、図9A~9Gを参照して論じる。様々な実施形態では、干渉変調器を製造するステップは、光透過基板であってもよく、別の実施形態では透明な基板である、基板上に光学スタックを形成するステップを含んでいる。光学スタックは、基板上にまたはこれに隣接して電極層を形成する導電層と、一部の光が干渉変調器素子の他の構成部品に到達することを可能にしながら、一部の入射光を反射させる部分反射層と、干渉変調器の他の構成部品から下にある電極層を絶縁する誘電層とを備えることができる。図9Aでは、透明な基板100が設けられ、導電層102および部分反射層104が基板100の上に蒸着されていることが分かる。誘電層106がその後、部分反射層104の上に蒸着される。いくつかの実施形態では、導電層102は透明であり、ITOを含んでおり、部分反射層104はクロムCrなどの金属の半反射厚さを含み、誘電層106は酸化ケイ素SiO2を含んでいる。誘電層はまた、SiO2およびAl2O3を含むスタックであってもよい。この過程中のいくつかの点では、少なくとも導電層102はパターン化されて図示せず、干渉変調器の行にアドレス指定するのに使用される行電極を形成する。一実施形態では、このパターン化は、導電層102および部分反射層104の蒸着後であるが、誘電層106の蒸着の前に起こる。層102、104および106の組み合わせは、光学スタック110と呼ばれ、便宜上後の図では単一層によって示すことができる。光学スタック110の構成は、層の数およびこれらの層の構成部品の両方を変更することができ、上に論じる層は単に例示的なものであることが分かるだろう。様々な方法を使用して、本明細書に開示する様々な実施形態に関して論じたパターン化およびエッチング過程を行なうことができる。使用するエッチは、ドライエッチまたはウェットエッチのいずれかであり、等方性または異方性であってよい。適切なドライエッチングとしては、これに限らないが、SF6/O2、CHF3/O2、SF2/O2、CF4/O2、およびNF3/O2が挙げられる。普通、これらのエッチは、SiOx、SiNx、SiOxNy、スピンオンガラス、NissanHardコート、およびTaOxの1つまたは複数をエッチングするのに適しているが、この過程によって他の材料をエッチングすることもできる。これらのエッチの1つまたは複数に耐性があり、したがってエッチバリア層として使用することができる材料としては、これに限らないが、Al、Cr、NiおよびAl2O3が挙げられる。加えて、これに限らないがPADエッチ、BHF、KOH、およびリン酸を含むウェットエッチは、本明細書に記載した過程で利用することができる。普通、これらのエッチは等方性であるが、エッチ化学物質をイオン化し、基板上にイオンを発射することによって、反応性イオンエッチRIEの使用により異方性とすることができる。パターン化としては、その後にマスクを形成するのに使用される、フォトレジストPR層ポジ型またはネガ型フォトレジストの蒸着が挙げられる。別の方法では、ハードマスクを利用することができる。いくつかの実施形態では、ハードマスクは金属またはSiNxを含むことができるが、ハードマスクの構成はエッチングされる下にある材料および使用されるエッチの選択性によることが分かるだろう。ハードマスクは普通、その後に除去されるPR層を使用してパターン化され、ハードマスクは下にある層をエッチングするためにマスクとして使用される。ハードマスクの使用は、ウェットエッチが使用されている場合に、またはPRマスクを処理することができない状態での高温時、または酸素系エッチを使用している場合などマスクによる処理の時に特に有利である可能性がある。アッシングエッチまたはリフトオフ過程などの、層を除去する代替方法も利用することができる。図9Bでは、犠牲材料の層112が光学スタック110の上に蒸着されていることが分かる。一実施形態では、この犠牲層112はモリブデンMoを含んでいるが、他の実施形態では、犠牲層112は例えば、アモルファスシリコンa-Siなどの他の材料を含むことができる。図9Cでは、犠牲層112は、ポストまたは支持領域の位置に対応する、テーパ状開口114を形成するようにパターン化およびエッチングされている。これらの開口114は有利には、上にある層の連続的および等角蒸着を容易にするために、テーパ状になっている。図9Dでは、ポスト材料の層118がパターン化された犠牲層114の上に蒸着されており、それによってポスト層118はまたテーパ状開口114の側壁および基部を被覆している。特定の実施形態では、ポスト層118は窒化ケイ素SiNxまたはSiO2を含むことができるが、幅広い他の材料を使用することもできる。図9Eでは、ポスト層118はポスト120を形成するようにパターン化およびエッチングされる。図9Eでは、ポスト120の縁部はテーパ状になっていることが好ましく、それにより開口114のテーパ状のまたは傾斜した側壁が、上にある層の連続したおよび等角蒸着を容易にすることが分かる。図9Fでは、高反射層122が、ポスト120および犠牲層112の露出部分に蒸着されている。機械層124はその後、高反射層122の上に蒸着される。便宜上、高反射層122および機械層124は、後の図では、機械層124が高反射層122の上に直接蒸着されている場合には、変形可能な反射層130図9G参照と呼び、示すことができる。代替実施形態では、変形可能な反射層130は、所望の光学および機械性状を有する単一層を含むことができる。例えば、機械スイッチ用の機械または移動層は、反射層を含んでいる必要はない。犠牲層112はまだ過程200のこの段階で存在しているので、機械層または変形可能な反射層130は普通、まだ移動可能ではない。部分的に製造されたMEMS装置135、例えば犠牲層この実施形態では層112を含む部分的に製造された干渉変調器は、本明細書では未解放のMEMS装置と呼ぶことができる。図9Gでは、犠牲層112を除去するために解放エッチングが行なわれて、解放された干渉変調器素子140によって反射される色を変えるために、これにより変形可能な反射層130を移動させることができる干渉キャビティ19を有する干渉変調器素子140が形成される。解放エッチングの前に、変形可能な反射層130は列図示せずを形成するためにパターン化されることが好ましく、有利には、解放エッチによる犠牲層へのアクセスを容易にするエッチ孔図示せずを形成するためにさらにパターン化することができる。別の実施形態では、支持構造は、機械的または変形可能な反射層130の上にあるリベット構造の形をとることができる。上にあるリベット構造を形成する過程を、図10A~10Dを参照して論じて、示す。一実施形態では、この過程は図9A~9Cのステップを含んでいる。図10Aでは、機械層または変形可能な反射層130はパターン化された犠牲層112の上に蒸着され、それによって変形可能な反射層130がテーパ状開口114の側壁および基部を被覆することが分かる。図10Bでは、リベット層142は変形可能な反射層130の上に蒸着されている。リベット層142は、例えば、SiO2、SiNx、またはNiを含むことができるが、幅広い代替材料をリベット層142に利用することができる。次に、図10Cでは、リベット層はリベット構造150を形成するようにパターン化およびエッチングされる。犠牲層112は過程200のこの段階でまだ存在しているので、機械層または変形可能な反射層130は普通はまだ移動可能ではない。部分的に製造されたMEMS装置135、例えば犠牲層この実施形態では層112を含む部分的に製造された干渉変調器は、本明細書では未解放のMEMS装置と呼ぶことができる。図10Dでは、犠牲層112は解放エッチングにより除去されて、変形可能な反射層130を解放された干渉変調器140の干渉キャビティ19を通して移動することを可能にすることが分かる。追加の支持を、ポスト120図9Gおよびリベット150図10Dの組み合わせにより行うことができることが分かるだろう。例えば、リベット150を干渉変調器内のいくつかの位置に形成することができ、ポスト120を他の位置に形成することができる、またはリベット150をポスト120の上に形成することができる。図9A~9Gに関して記載した過程では、犠牲層112には、無機ポスト120図9E参照をパターン化するエッチング過程が行なわれ、支持ポスト120には同様に犠牲層112図9G参照を除去する解放エッチングが行なわれることが分かる。過程フローに変更が加えられない限り、支持ポスト材料118は犠牲材料に対して選択的にエッチング可能であり、また逆も同様であるべきである。加えて、一方をもう一方に対して選択的にエッチングするエッチが存在する場合でも、選択的でない代替エッチが他の理由で好ましい可能性がある。支持構造および機械層の屈曲は、支持構造および機械層内の不均衡な応力の結果生じる可能性がある。いくつかの状況では、これらの不均衡な応力は、これらの層を含む材料の作用である、支持構造および機械層を形成する材料内の固有応力の結果である。不均衡応力の追加の原因は、2つの異なる材料の熱膨張係数の不一致、MEMS装置の作動温度、材料の弾性係数、および材料蒸着条件の作用であり、層の熱膨張である。隣接する層が異なる熱膨張係数を有する場合、隣接する層の寸法の相対変化によって偏向は生じないが、作動温度により全偏向が変化する可能性がある。このような偏向により干渉キャビティの高さが変化し、それによって干渉変調器素子によって反射される色に影響を与えるので、異なるキャビティ高さを有する干渉変調器素子を製造する際にこの屈曲を考慮することが望ましい。一実施形態では、多数のキャビティ高さに対応する犠牲材料の多数の蒸着ではなく、単一厚さ犠牲層が塗布され、異なる屈曲を示すポストおよび/またはリベットは、干渉変調器の解放の際に多数のキャビティ高さを作り出す。図11は、キャビティを有するMEMS装置などの装置を作る方法の一実施形態における特定のステップを示すフロー図である。このようなステップは、図11に示さない他のステップと共に、例えば図1および7に示す普通のタイプの干渉変調器を製造する過程に存在する可能性がある。図11の過程のステップの多くは、図9および10に略図的に示したステップと同様である。図11の過程を使用して、図12Aから12Kに示す様々な未解放および解放干渉変調器などのMEMS装置を製造することができる。図12で示す装置は、より少ない蒸着、マスキングおよびエッチングステップを必要としながら、多数の干渉キャビティ高さを作り出す屈曲コントローラを備えている。図9、10、11および12を参照すると、過程200は、基板100が与えられるステップ205で始まる。一実施形態では、基板100はガラスまたはプラスチックなどのあらゆる透明材料を含むことができる。過程200は、図9Aに示すように、基板100の上に第1の導電層102を形成するステップ210に進む。第1の導電層102は、上に記載したように、単一層構造または多数のサブ層構造であってもよい。過程200は、図9Aに示すように、導電層105の少なくとも一部の上に1つまたは複数の他の層、例えば部分反射層104および誘電層106を形成するステップ215に進む。層102、104および106の組み合わせは、図9Bおよび図12に示すように、光学スタック110と呼ばれる。過程200は、図9Bに示すように、犠牲層112を形成するステップ220に進む。図9、10、および12Aから12Hでは、単一の犠牲層が変形可能な反射層130例えば、高反射層122および機械層124の両方を含むと光学スタック110の間に形成されている。図12I、12Jおよび12Kに示す干渉変調器では、第1の犠牲層112Aが、ステップ225で可動反射層14高反射層122を含むの形成の前に光学スタック110の上に形成される。図12I、12J、および12Kに示す実施形態では、可動反射層14は機械層34によって基板の上に懸架される可動素子と考えることができる。一般性を喪失することなく、可動素子という用語は本明細書では、MEMS装置内のあらゆる可動素子、例えば図9および10に示すような可動または変形可能な反射層130、図1および7に示すような可動反射層14、14aまたは14bのいずれか、または図12I、12Jおよび12Kに示すような可動素子14を記載するために使用される。可動素子14はパターン化およびエッチングを行った後に蒸着によって形成することができる。可動素子14を形成した後に、第2の犠牲層112Bが可動素子14の上に蒸着される。図9Cおよび10Aに示すような支持構造開口114と、図12に示すような可動素子14に機械層34を取り付けるための開口を形成するために、第2の犠牲層112Bまたは、単一犠牲層112のその後のパターン化およびエッチングを行なうことができる。好ましい一実施形態では、可動反射層14図12に示すまたは変形可能な反射層130図9および10に示すと基板の間に犠牲層112または112Aを形成する際に、一回の蒸着のみが行なわれる。干渉変調器の一実施形態では、その後の除去の際に、図1、7および12の可動層14または変形可能な反射層130と光学スタック16の間に、略1000オングストロームから略5000オングストロームの範囲の厚さの干渉キャビティを形成するように、犠牲層が蒸着される。図12I、12Jおよび12Kに示す二重犠牲層実施形態では、過程200は、犠牲層112Bの少なくとも一部および可動素子14の少なくとも一部の上に機械層34を形成するステップ230に進む。図9および10の単一犠牲層実施形態では、機械層34は、高反射層122の上に形成された機械層124に代えられる。機械層34および124は、同じまたは異なる材料でなっていてもよい。過程は、屈曲コントローラが形成されるステップ235に進む。図11に示す例示的な過程200では、犠牲層の除去後に、多数のキャビティ寸法を提供するために、異なる寸法を有する複数の屈曲コントローラが形成される。別の実施形態では、犠牲層の除去の前に、キャビティより小さいかまたは大きいかのいずれかである所望のキャビティ寸法を与えるように、屈曲コントローラが形成される。屈曲コントローラ、例えばポスト構造および/またはリベット構造は、1つまたは複数の犠牲層112の除去の後に、屈曲コントローラが取り付けられる膜例えば、変形可能な反射層130の変位を引き起こす。いくつかの例示的な屈曲コントローラの詳細を以下に論じる。過程200は、図10Gに示すように、犠牲層112が例えば、エッチングによって除去されてキャビティ19を形成するステップ240に進む。犠牲層の除去は、例えばXeF2、F2またはHFなどのエッチャントへの単独のまたは組み合わせての露出によって達成することができる。好ましい一実施形態では、犠牲層112のほとんど全てがエッチング過程で除去される。一実施形態では、キャビティ19は光学スタック110と変形可能な反射層130の間の干渉キャビティである。キャビティ19の形成後、得られたMEMS装置、例えば干渉変調器は解放状態にある。次に、過程200のステップ235で形成することができる屈曲コントローラのいくつかの例を論じる。例えば、図12Aは、基板100および変形可能な反射層130とほぼ平行な寸法122のウィング部を有するポスト120を備えた未解放の装置、例えば干渉変調器を示している。犠牲層112は、基板100および光学スタック110と垂直に測定した厚さ126を有する。図12Bは、キャビティ19を形成する犠牲層112の除去後の装置を示している。図12Bの解放された装置は、基板100および光学スタック110と垂直に測定した128Aのキャビティ深度を有する。解放された変形可能層130と光学スタック110との間のキャビティの深度参照番号128Aで示すは、この例では、図12Aに示す126の未解放のキャビティ深度よりある程度大きい。キャビティ深度の差は、ポスト120および変形可能な反射層130の組合せ応力によって制御された屈曲によるものである。図12Cは、基板100および変形可能な反射層130とほぼ平行な寸法124のウィング部を有するポスト120を備えた、未解放の装置、例えば干渉変調器の第2の例を示している。この例では、犠牲層112は、図12Aに示す装置と同様に、基板100および光学スタック110と垂直に測定したほぼ同じ厚さ126を有する。しかし、図12Cの重なり部分124は、図12Aの重なり部分122より大きい。ポスト120の重なり部分122および124は、上に論じ、図9Eに示すようなパターン化およびエッチングステップの結果である。図12Dは、キャビティ19を形成する犠牲層112の除去後の、図12Cの装置を示している。図12Dの解放装置は、基板100および光学スタック110と垂直に測定した128Bのキャビティ深度を有する。解放された変形可能層130と光学スタック110の間のキャビティの深度参照番号128Bで示すは、この例では、図12Aおよび12Cに示す126の未解放のキャビティ深度よりある程度大きく、図12Bに示す解放キャビティ深度128Aより大きい。キャビティ深度の差は、ポスト120図12Aの重なり部分122に比べると、重なり部分124を有するおよび変形可能な反射層130の組合せ応力によって制御された屈曲によるものである。図12Eおよび12Gは、屈曲コントローラが変形可能な反射層130の上に重なるリベット150上で論じ、図10に示したを備えている装置の例を示している。図12Eのリベット150は、図12Gのリベット150より小さい重なり部分または、ウィングを有する寸法123および125を参照。この例では、犠牲層112の深度127は両方の装置に対してほぼ同じである。しかし、装置の解放後、対応するキャビティ深度は、図12Fの深度129Aおよび図12Hの深度129Bによって示されるようにかなり変わる可能性がある。図12I、12Jおよび12Kは、様々な屈曲制御ポスト構造120およびリベット構造150を備えた未解放の干渉変調器の例を示している。図12Iは、機械層34の上に重なるリベット構造150、および機械層34の下にあるポスト構造を有し、リベット150およびポスト120は同様の重なり部分を有する。図12Jのリベット構造150は、はるかに少ない重なりを示し、ポスト構造120はより多い重なりを示す。図12Kは、リベット構造がポスト構造120より明らかに多い重なり部分を有する装置を示している。干渉変調器の製造中、装置の解放の際に図12Bおよび12Dに示す、略500オングストローム以下の可動反射層の上向き屈曲が観察された。しかし、装置の解放の際に図12Fおよび12Iに示す、可動反射層の下向き屈曲は普通は起こらない。屈曲コントローラ、例えばポストおよび/またはリベットの寸法および/または材料を変えることによって、膜の大きな上向き屈曲および/または下向き屈曲を得ることができる。例えば、より薄いポストおよび/またはリベット層を蒸着させることにより、より小さな上向き屈曲または大きな下向き屈曲につながる可能性がある。より剛性のある材料で屈曲コントローラを形成することにより、より小さな屈曲につながる可能性がある。上にある屈曲コントローラ、例えばリベットの引張応力を減少させることにより、上向き屈曲が小さくなる可能性がある。下にある屈曲コントローラ、例えばポストの引張応力を減少させることにより、上向き屈曲が小さくなる可能性がある。引張応力は、含まれる装置の一部を収縮させる傾向がある。これに対して、圧縮応力は含まれる装置の一部を膨張させる傾向がある。当業者は、ポスト120および/またはリベット150の相対寸法を変えることによって、またポスト120および/またはリベット150の材料を変えることによって、明らかに異なる解放キャビティ深度を得ることができることが分かるだろう。略50から100、略100から150、略150から200、略200から250、略250から300、略300から350、略350から400、略400から450、略450から500、略500から550、略550から600、略600から650、略650から700、略700から750、略750から800、略800から850、略850から900、略900から950、略950から1000、略1000から1050、略1050から1100、略1100から1150、略1150から1200オングストローム以上を含む、屈曲、上向きまたは下向きの範囲は、上に論じたように屈曲コントローラの寸法および/または材料性状を変えることによって得ることができる。加えて、略5、10、15、20および25オングストロームのこれらの範囲へのインクリメントまたはデクリメントが可能である。本明細書に記載したMEMS装置のキャビティ深度を制御する方法は、キャビティを備えたMEMS装置、例えば干渉変調器を含む様々な装置の製造にプラスの効果を与える可能性がある。例えば、表1は、様々なポスト構造重なり部が同様の未解放の犠牲層深度を有する干渉変調器内で製造された、一式の実験の結果を要約したものである。それぞれ図12Aおよび12Cに示した重なり部122および124と同様のポスト構造重なり部は、222ミクロン×222ミクロンである干渉変調器ピクセルに対して1ミクロンから3ミクロンまで変化させた。これらの実験の犠牲層の厚さは、略1150オングストロームであった。干渉変調器を解放した後、可動素子と光学スタックの間の基板と垂直に測定した未駆動キャビティ深度は、かなり変化した。ポスト重なり部の比較的小さい変化は、表1に示す最も浅い場合から最も深い場合までの未駆動キャビティ深度の50より大きい変化となった。上に論じるようにポストおよび/またはリベットの寸法および/または材料を変えることによって、さらに大きい変更を示すことができる。検査で使用されたポスト構造により、ポスト構造内の引張応力による間隙寸法の増加につながった図12Bおよび12D参照。しかし、ポストおよびリベット構造のリベット構造および/または組合せを利用することによって、変形可能な反射層の減少またはたるみ図12Fおよび12Hに示すを実現することもできる。上に論じるように、略1000オームストロングから略5000オームストロングのキャビティ深度が、干渉変調器には望ましい。略2000オームストロングから略4000オームストロングまでのキャビティ寸法の範囲が、可視光を変調するのに好ましく、より小さいかつ/またはより大きいキャビティ寸法をハイパースペクトル光、紫外線光および/または赤外線光を変調するのに使用することができる。略30から40、略40から50、略50から60、略60から70、略70から80、略80から90、略90から100以上のキャビティ深度の増加を達成することができる。加えて、略1、2、3、4および5のこれらの範囲に対するインクリメントまたはデクリメントを得ることができる。屈曲コントローラの様々な構造がキャビティ深度に与える影響を示した、上に論じた実験に加えて、実験をシミュレーションし、キャビティ深度を制御する追加の能力を与えることもできることを示す分析研究も行なわれた。図13A~13Fは、屈曲コントローラ構造の特徴を変更することが装置の解放の際に支持された層の偏向に与える影響を示すように設計された分析研究の結果を示している。研究で使用された分析方程式は、支持している層に含まれた応力と組み合わせた場合に、様々なリベットおよび/またはポスト構造内に含まれた、引張応力および圧縮応力両方の影響をモデル化している。支持構造および支持された層に含まれたモデル化応力は、異なる層が形成される条件によって生じる可能性がある応力を示している。研究では負の応力レベルで示された圧縮応力は、含まれる装置の一部を膨張させる傾向がある。研究では正の応力レベルで示された引張応力は、含まれる装置の一部を収縮させる傾向がある。研究は、ポストおよび/またはリベット構造の様々な組合せを調査した。研究はまた、屈曲コントローラ構造の異なる部分の特定の寸法および/または特徴の範囲が得られる偏向に与える影響をモデル化した。分析された屈曲コントローラ構造の寸法および特徴としては、層厚さ、重なり部長さ、装置の様々な部分の応力レベルが挙げられる。分析は、屈曲コントローラポストおよび/またはリベットと、片持ち梁としての支持された層をモデル化した。分析で使用された構造は、これに限らないが、MEMS装置、光変調装置、および薄膜層の1枚と基板の間、および/または薄膜層の2枚の間にキャビティを有する1枚または複数の薄膜層を備えたあらゆる装置を含むいくつかのタイプの装置のいずれかを代表するものである。図13A~13Fに示された結果は、図12に示す干渉変調器実施形態に関連して論じる。干渉変調器は、ここで示した分析方法を使用してモデル化することができる装置の一例であり、上に記載した様々な方法を使用して他の装置を分析および製造することもできることに留意すべきである。第1の例で分析した装置の構成は、Niからなる1000オングストローム厚さ基板100と垂直に測定の変形可能な反射層130を含んでいる。Ni層は、典型的な蒸着条件で見られる応力レベルのタイプを代表する400MPa引張応力でモデル化されている。装置はまた、2000オングストローム厚さ基板と垂直に測定の酸化物ポスト構造120を含んでいる。分析でモデル化された酸化物ポスト構造は、SiO2からなっている。ポスト構造は、変形可能な反射層130の上に3μmだけ重なり、重なり部は図12Aおよび12Cに示す寸法122および124によって示すように測定される。ポスト構造は、-400MPaの圧縮応力でモデル化されている。装置はまた、酸化物リベット構造150を含んでおり、リベット構造の厚さ基板と垂直に測定は、図13Aでは1000オングストロームであり、図13Bでは水平軸上で可変である。リベット構造は、変形可能な反射層130に3μmだけ重なり、重なり部は図12Eおよび12Gに示す寸法123および125に示すように測定される。リベット構造の応力は、図13Bに示す分析結果では水平軸上で可変であり、図13Bに示す分析結果では-400MPaである。図13Aおよび13Bは、キャビティ19につながる犠牲層112の解放の際の、変形可能な反射層130の得られる偏向を示している。正の偏向値は、図12Bおよび12Dに示すように、基板100から離れる偏向を示している。負の偏向値は、図12Fおよび12Hに示すように、基板100に向かう偏向を示している。図13Aの結果は、大きな圧縮応力より負の値では、偏向がより小さいことを示しており、-500MPa酸化物リベット応力ではちょうど300オングストロームを超える推定偏向を示している。圧縮応力がゼロまで小さくなると、偏向は大きくなり、ゼロMPa応力レベルでは800オングストロームより大きい推定偏向を示す。引張応力レベル負の応力のリベット構造を形成することによって、さらに大きい値の偏向を得ることができる。全ての偏向が図13Aの例では正である基板から離れる理由は、-400MPaの組合せ酸化物ポスト応力、および400MPaの変形可能な反射層応力は両方とも、分析した酸化物リベット応力レベルが克服しない正の偏向の一因となることである。負の偏向値を含む、より小さい偏向値は、より負の圧縮リベット応力レベルを加えるステップ、圧縮した酸化物ポストの厚さを小さくするステップ、酸化物ポストの圧縮応力を小さくするステップ、圧縮した酸化物ポストの厚さを大きくするステップ、圧縮した酸化物リベットの厚さを大きくするステップ、圧縮した酸化物ポストの重なり長さを小さくするステップ、圧縮したリベットの重なり長さを大きくするステップ、および当業者に知られている他の方法を含むいくつかの方法によって得ることができる。これらの方法は全て、上向き偏向の一因である装置の部分例えば、圧縮したポスト120および伸ばした変形可能な反射層130のエネルギーレベルを小さくする、かつ/または下向き偏向の一因である装置の部分例えば、圧縮したリベット150のエネルギーレベルを大きくするように働く。図13Bの結果は、圧縮した酸化物リベット150の厚さが大きくなる下向き偏向の一因であるエネルギーが大きくなると、犠牲層112の解放の際に偏向が小さくなり、さらに略2000オームストロングより大きいリベット厚さでは負の値になることを示している。次の例は、-400MPaの圧縮応力を有する2000オームストロング厚さの酸化物ポスト120と、-400MPaの圧縮応力を有する1000オームストロング厚さの酸化物リベット150と、400MPaの引張応力を有する1000オームストロング厚さの変形可能な反射Ni層130とを含んでいる。ポスト120図12Aおよび12Cの寸法122および124を参照およびリベット150図12Eおよび12Gの寸法123および125を参照の重なり長さは等しく、略2μmから略6μmまで変化する。図13Cは、犠牲層112の解放の際の変形可能な反射層130の推定偏向を示している。ポスト120およびリベット150の両方の重なり長さを大きくすることにより、基板100から離れる偏向が大きくなる。上記の場合と同様に、圧縮されたポスト120および伸ばされた変形可能な反射層130は両方とも上向き偏向の一因となり、圧縮されたリベット150は下向き偏向の一因となる。この場合、層130およびポスト120の組合せエネルギーはリベット150のエネルギーより大きく、偏向は全て正である。酸化物ポスト120および酸化物リベット150の重なり長さを略2μmから略6μmまで変えることによって、層130の偏向を略200オームストロングから略1700オームストロングまで変えることができる。図13Dは、酸化リベットがないことを除いて、図13Cと同様の場合に対する、犠牲層112の解放の際の変形可能な反射層130の偏向を示している。この例では、変形可能な反射層130の正の偏向はリベットのないものよりはるかに大きい。というのは、圧縮されたリベットはポスト120および偏向可能な反射層130によって生じる上向き偏向に対して作用していないからである。酸化物ポスト120の重なり長さを略2μmから略6μmまで変えることによって、層130の偏向を略500オームストロングから略5500オームストロングまで変えることができる。図13Eは、3μmの固定酸化物ポスト120図12Aおよび12Cの寸法122および124を参照および様々な酸化物ポスト応力レベルを備えた、図13D酸化物リベットを備えていないものと同様の場合に対する、犠牲層112の解放の際の変形可能な反射層130の偏向を示している。この例では、変形可能な反射層130の正の偏向は、酸化物ポスト応力のより負の値より低い圧縮応力レベルに対して減少する。500MPaの圧縮酸化物ポスト応力レベルでは、犠牲層112の解放の際の変形可能な反射層130の上向き偏向は略1600オームストロングであり、ゼロ応力レベルでは略350オームストロングである。最後の例は、-400MPaの圧縮応力を有する2000オームストロング厚さの酸化物ポスト120と、-200MPaの圧縮応力を有する1000オームストロング厚さの酸化物リベット150と、400MPaの引張応力を有する1000オームストロング厚さの変形可能な反射Ni層130とを含んでいる。ポスト120図12Aおよび12Cの寸法122および124を参照およびリベット150図12Eおよび12Gの寸法123および125を参照の重なり長さは等しく、略2μmから略6μmまで変化する。図13Fは、犠牲層112の解放の際の変形可能な反射層130の推定偏向を示している。ポスト120およびリベット150の両方の重なり長さを大きくすることにより、基板100から離れる偏向が大きくなる。上記の場合と同様に、圧縮されたポスト120および伸ばされた変形可能な反射層130は両方とも上向き偏向の一因となり、圧縮されたリベット150は下向き偏向の一因となる。この場合、層130およびポスト120の組合せ応力レベルはリベット150の応力レベルより大きく、偏向は全て正である。酸化物ポスト120および酸化物リベット150の重なり長さを略2μmから略6μmまで変えることによって、層130の偏向を略250オームストロングから略2500オームストロングまで変えることができる。上に論じた例の分析研究は、屈曲コントローラ構造および/または他の層を作り出す様々な部分の寸法および/または特徴の変更が、装置の解放の際の支持された層の偏向に影響を与える可能性があることを示している。当業者は、解放された装置のキャビティ深度を変更するために、同様のタイプの装置の部分を変更する他の方法を認識することができるだろう。未解放の干渉変調器の一実施形態は、光を反射させる第1の手段と、光を反射させる第2の手段と、エッチングによって除去可能である、第2の反射手段を支持する第1の手段と、第2の反射手段を支持し、第1の支持手段の除去の際に第1の反射手段と第2の反射手段の間に第1の支持手段の深度より略30パーセント以上大きい深度のキャビティを形成する第2の手段とを含んでおり、深度は第1の反射手段と垂直に測定される。図9および12を参照すると、この実施形態の態様は、第1の反射手段が部分反射層104である場合、第2の反射手段が可動反射層14である場合、第1の支持手段が犠牲層112である場合、および第2の支持手段がポスト構造120およびリベット構造150の少なくとも一方である場合を含んでいる。未解放の干渉変調器の別の実施形態は、光を反射させる第1の手段と、光を反射させる第2の手段と、第2の反射手段を支持する第1の手段と、第2の反射手段を支持し、第1の支持手段の除去の際に第1の反射手段に向かう第2の反射手段の変位に影響を与える第2の手段とを含んでおり、第1の支持手段がエッチングによって除去可能である。図9および12を参照すると、この実施形態の態様は、第1の反射手段が部分反射層104である場合、第2の反射手段が可動反射層14である場合、第1の支持手段が犠牲層112である場合、および第2の支持手段がポスト構造120およびリベット構造150の少なくとも一方である場合を含んでいる。上記の詳細な説明は、様々な実施形態に適用したように本発明の新規の特性を示し、記載し、指摘しているが、例示した装置または過程の形および詳細の様々な省略、置換および変更を、当業者が本発明の精神から逸脱することなく加えることができることが分かるだろう。分かるように、本発明は、いくつかの特性を互いに別個に使用または実施することができるので、本明細書に記載した特性および利点の全てを提供しない形で実施することもできる。