高周波数において動作するように構成されたRF回路と、試験モードの間に動作するように構成された周波数生成回路を備えるオンチップ試験回路とを含む、無線周波数集積回路RFICを試験する方法であって、上記オンチップ試験回路を用いて高周波試験信号を生成するステップと、オンチップ電力検出器を用いて信号レベルを測定するステップと、上記オンチップ試験回路を、低周波数信号を用いて制御および監視するステップとを含む方法。上記高周波数は、10GHzよりも高い高周波数を含み、上記低周波数信号は、1MHzよりも低い周波数を含む、請求項1に記載の方法。高周波数において動作するように構成されたRF回路と、試験モードの間だけ動作するように構成された周波数生成回路を備えるオンチップ試験回路とを含む、無線周波数集積回路RFICを試験する方法であって、上記オンチップ試験回路を用いて、全ての高周波試験信号を生成するステップと、オンチップ電力検出器を用いて信号レベルを測定するステップと、上記オンチップ試験回路を、低周波数信号を用いて制御および監視するステップとを含む、方法。上記高周波数は10GHzよりも高い高周波数を含み、上記低周波数信号は、1MHzよりも低い周波数を含む、請求項3に記載の方法。上記RF回路の高周波信号経路を、低周波数試験装置だけを用いて試験するステップをさらに含む、請求項3に記載の方法。上記低周波数試験装置のアナログインターフェースは、1MHzよりも低い周波数だけを用いて、上記RFICと通信する、請求項5に記載の方法。無線周波数回路RF回路と試験回路とを備える集積回路であって、上記無線周波数回路は、上記集積回路の出力パッドと結合され、第1の周波数帯において動作するように構成された、外部高周波インターフェース、および、上記第1の周波数帯において動作するように構成された第1の切換可能な内部高周波インターフェースを備え、上記試験回路は、上記第1の切換可能な内部高周波インターフェースに結合されたスイッチに、結合された可変周波数発振器、および、上記第1の周波数帯よりも低い周波数を含む第2の周波数帯において動作するように構成された、外部低周波数インターフェースを備えている、集積回路。上記外部低周波数インターフェースは、低周波数テスタに結合されるように構成されている、請求項7に記載の集積回路。上記第1の周波数帯は、10GHzよりも高い周波数を含む周波数帯を有し、上記第2の周波数帯は、1MHzよりも低い周波数を含む、請求項7に記載の集積回路。上記試験回路は、上記可変周波数発振器に結合された入力部と、上記スイッチに結合された出力部とを有する可変利得増幅器VGA、上記VGAの出力部に結合された入力部と、上記外部低周波数インターフェースに結合された出力部とを有する第1の電力センサ、上記可変周波数発振器に結合された第1の入力部と、上記RF回路の第2の高周波インターフェースに結合された出力部とを有するミキサ、および、上記ミキサの出力部に結合された入力部と、上記外部低周波数インターフェースに結合された出力部とを有する第2の電力センサをさらに備える、請求項7に記載の集積回路。上記試験回路は、上記外部低周波数インターフェースに結合された温度センサをさらに備える、請求項10に記載の集積回路。上記ミキサは、上記外部低周波数インターフェースに結合された第2の入力部をさらに有する、請求項10に記載の集積回路。上記第1の電力センサおよび上記第2の電力センサは、アナログマルチプレクサを介して、上記外部低周波数インターフェースに結合されている、請求項10に記載の集積回路。上記RF回路は、上記切換可能な内部高周波インターフェースに結合された局部発振器LO入力部を有する、請求項10に記載の集積回路。上記RF回路は、上記ミキサの出力部に方向性結合器を介して結合されたレシーバを備える、請求項10に記載の集積回路。上記試験回路は、上記可変周波数発振器の周波数制御入力部に結合されたデジタル‐アナログ変換器DACと、上記可変周波数発振器と上記外部低周波数入力部との間に結合された周波数分割器とをさらに備える、請求項7に記載の集積回路。RF回路と試験回路とを備える半導体回路であって、上記RF回路は、局部発振器LOの入力部を有するレシーバ、および、上記半導体回路の外部ピンに結合されたRF入力部を備え、上記試験回路は、発振器、上記発振器の出力部に結合された可変利得増幅器VGA、上記VGAの出力部と上記レシーバの上記局部発振器の入力部との間に結合されたスイッチであって、試験モードの間は、上記VGAの出力部が上記レシーバに結合され、通常動作モードの間は、システムLOが上記レシーバに結合される、スイッチ、上記VGAの出力部に結合された入力部と、上記試験回路の外部低周波数インターフェースに結合された出力部とを有する第1の電力センサ、上記発振器に結合された第1の入力部と、上記外部低周波数インターフェースに結合された第2の入力部と、上記レシーバの入力部に結合器を介して結合された出力部とを有するミキサ、および、上記ミキサの出力部に結合された入力部と、上記外部低周波数インターフェースに結合された出力部とを有する第2の電力センサを備える、半導体回路。上記試験回路は、上記発振器の出力部に結合された入力部と上記外部低周波数インターフェースに結合された出力部とを有する分割器、および、温度センサに結合された第1の入力部と、上記第1の電力センサの出力部に結合された第2の入力部と、上記第2の電力センサに結合された第3の入力部と、上記外部低周波数インターフェースに結合された出力部とを有するアナログマルチプレクサをさらに備える、請求項17に記載の半導体回路。上記レシーバは、複数のレシーバを含み、上記結合器は、上記ミキサの出力部と各上記レシーバのRF入力部との間に結合された複数の結合器を含み、上記スイッチと上記複数のレシーバのLO入力部との間に結合された第1の電力分割器と、上記ミキサの出力部と上記複数の結合器との間に結合された第2の電力分割器とを備える、請求項18に記載の半導体回路。上記RF回路は、10GHzよりも高い周波数において動作し、上記外部低周波数インターフェースは、1MHzよりも低い周波数において動作する、請求項18に記載の半導体回路。RFレシーバとビルトイン試験回路とを備える無線周波数集積回路RFICを試験する方法であって、上記RFICを試験モードにおいて動作させるステップを含み、上記RFICを試験モードの間に動作させる上記ステップは、上記RFレシーバのLO入力部を、上記ビルトイン試験回路の試験発振器の出力部に結合するステップと、上記RFレシーバのRF入力部を、上記ビルトイン試験回路のミキサの出力部に結合するステップであって、上記ビルトイン試験回路のミキサは、上記試験発振器の出力部に結合された第1の入力部を有する、ステップと、上記ビルトイン試験回路の外部低周波数インターフェースから、上記ビルトイン試験回路のミキサの第2の入力部に試験周波数を印加するステップとを含む、方法。上記RFICの動作のモードを、上記試験モードから通常モードに変更するステップをさらに含み、上記RFICの動作のモードを変更する上記ステップは、上記試験発振器の電源を切るステップと、上記ビルトイン試験回路の試験発振器の出力部を、上記RFレシーバのLO入力部から切断するステップとを含む、請求項21に記載の方法。LO信号電力を設定する、LO電力を設定するステップをさらに含み、上記LO信号電力を設定するステップは、上記試験発振器と上記LO入力部との間に結合された試験VGAの出力レベルを、上記ビルトイン試験回路の外部低周波数インターフェースに結合された出力部を有する第1の電力検出器を介して測定するステップと、上記測定するステップにおいて得られた測定値に基づいて、試験VGAの利得を調整して、目標LO信号レベルを提供するステップとを含む、請求項21に記載の方法。変換利得を決定するステップをさらに含み、上記変換利得を決定する上記ステップは、上記ミキサの出力部における第1の信号レベルを、上記ビルトイン試験回路の低周波数インターフェースに結合された出力部を有する第2の電力検出器を介して測定するステップと、上記レシーバの出力部における第2の信号レベルを測定するステップと、上記第1の信号レベルを測定するステップおよび上記第2の信号レベルを測定するステップに基づいて、変換利得を決定するステップとを含む、請求項21に記載の方法。上記試験発振器の周波数を設定するステップをさらに含み、上記試験発振器の周波数を設定する上記ステップは、上記発振器の出力周波数を分割するステップと、分割された発振器周波数を、上記外部低周波数インターフェースに供給するステップと、分割された上記発振器周波数を測定するステップと、上記測定するステップに基づいて、上記試験発振器に対する周波数設定を調整するステップとを含む、請求項21に記載の方法。上記周波数を調整するステップは、上記試験発振器の周波数制御入力部に結合された出力部を有するデジタル-アナログDAC変換器に、値を書き込むステップを含む、請求項25に記載の方法。