X線を検出する半導体X線検出素子と、前記半導体X線検出素子と直結され、前記半導体X線検出素子の出力信号を受信する初段FET回路と、前記半導体X線検出素子と前記初段FET回路を囲むようにして支持する、アルミニウムからなる基体の表面にアルミニウムよりも軽い元素を材料とする皮膜が形成された構造のコールドフィンガーとを備えることを特徴とする半導体X線検出装置。前記皮膜が、少なくとも前記コールドフィンガーの前記半導体X線検出素子に向いている面に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体X線検出装置。前記コールドフィンガーが内側表面に前記皮膜が形成された筒形状であり、前記コールドフィンガーの内部に前記半導体X線検出素子と前記初段FET回路が配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体X線検出装置。前記皮膜が炭素からなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体X線検出装置。しかしながら、半導体X線検出素子と初段FET回路の間に遮蔽板を配置した場合には、遮蔽板を通過して半導体X線検出素子の出力信号を初段FET回路に伝搬させるために、半導体X線検出素子と初段FET回路との間に接続電極を配置することが必要である。この接続電極の容量が初段FET回路の入力端子に付加されるため、半導体X線検出装置の分解能が低下するという問題があった。上記問題点に鑑み、本発明は、コールドフィンガーからの不純線による測定精度の低下が防止され、且つ分解能の低下が抑制された半導体X線検出装置を提供することを目的とする。本発明の一態様によれば、イX線を検出する半導体X線検出素子と、ロ半導体X線検出素子と直結され、半導体X線検出素子の出力信号を受信する初段FET回路と、ハ半導体X線検出素子と初段FET回路を囲むようにして支持する、アルミニウムからなる基体の表面にアルミニウムよりも軽い元素を材料とする皮膜が形成された構造のコールドフィンガーとを備える半導体X線検出装置が提供される。本発明によれば、コールドフィンガーからの不純線による測定精度の低下が防止され、且つ分解能の低下が抑制された半導体X線検出装置を提供できる。図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置などを下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。本発明の実施形態に係る半導体X線検出装置1は、図1に示すように、X線を検出する半導体X線検出素子10と、半導体X線検出素子10と直結され、半導体X線検出素子10の出力信号を受信する初段FET回路20と、半導体X線検出素子10と初段FET回路20を囲むようにして支持する、アルミニウムAlからなる基体31の表面にアルミニウムよりも軽い元素を材料とする皮膜32が形成された構造のコールドフィンガー30とを備える。図1は、半導体X線検出装置1に入射するX線の進行方向に沿った断面図である。コールドフィンガー30は例えば筒形状であり、半導体X線検出素子10及び初段FET回路20はコールドフィンガー30の内部に格納される。皮膜32は、コールドフィンガー30の少なくとも半導体X線検出素子10に向いている面に形成される。図1は、コールドフィンガー30の内側表面に皮膜32を形成した例である。コールドフィンガー30の内側表面にのみ皮膜32を形成したのは、コールドフィンガー30の外側で発生する不純線は半導体X線検出素子10に後方から入射しないためである。半導体X線検出素子10、初段FET回路20及びコールドフィンガー30は、容器50の内部に配置されている。X線検出時に、容器50の内部は真空状態に維持される。図示を省略する測定対象物から放出されたX線以下において入射X線という。XINは、容器50に配置された入射窓60を透過して、半導体X線検出素子10に入射する。入射窓60は、例えばベリリウムBeからなる。半導体X線検出素子10は、例えばシリコンSi単結晶にリチウムLiを拡散させて形成したP-I-N接合を有する半導体素子である。入射X線XINが半導体X線検出素子10に入射すると、I層に入射した入射X線XINにより半導体X線検出素子10内に電子と正孔が生じ、外部に電流パルスとして検出される。半導体X線検出素子10から出力される電気的な出力信号は、初段FET回路20に受信される。具体的には、入射X線XINの入射によって半導体X線検出素子10に生成された検出電流が、初段FET回路20の電界効果トランジスタFETのゲート電極に入力される。そして、初段FET回路20によって、半導体X線検出素子10の検出電流は入射X線XINのエネルギーに比例した電圧に変換増幅され、検出信号STとして出力される。初段FET回路20から出力された検出信号STを解析することにより、測定対象物に含まれる元素を特定可能である。図2に、半導体X線検出素子10及び初段FET回路20の電気的な構成を表す回路図を示す。半導体X線検出素子10で生成された検出電流Iが、初段FET回路20によって電圧に変換増幅され、検出信号STが出力される。コールドフィンガー30は、半導体X線検出素子10及び初段FET回路20を支持すると共に、半導体X線検出素子10及び初段FET回路20を冷却する。このため、例えば図1に示すように、冷却装置40によってコールドフィンガー30が冷却される。冷却装置40は例えば液体窒素デュアであり、冷却装置40に接続された冷却媒体45が液体窒素によって冷却される。冷却媒体45はコールドフィンガー30に熱的に接続されている。このため、熱伝導率の良い銅Cuなどからなる冷却媒体45を介して、コールドフィンガー30が冷却される。そして、冷却されたコールドフィンガー30に接触する半導体X線検出素子10及び初段FET回路20が冷却される。コールドフィンガー30の素材を熱伝導率が銅に近いアルミニウムにすることによっても、半導体X線検出素子10及び初段FET回路20を効率的に冷却することができる。また、コールドフィンガー30の素材にアルミニウムを採用することにより、例えばコールドフィンガー30の素材が銅である場合に比べて、半導体X線検出装置1を軽量化することができる。このため、例えば、測定対象物から放出されたX線を半導体X線検出素子10に入射させるために半導体X線検出装置1を鉛直方向から傾けて設置したい場合に、半導体X線検出装置1を支持する部材の負荷を軽減できる。以下に、第1の実施形態に係る半導体X線検出装置1と、半導体X線検出素子10と初段FET回路20とが直結されていない比較例の半導体X線検出装置との比較について説明する。図3に示した比較例の半導体X線検出装置10Aでは、半導体X線検出素子10と初段FET回路20との間に遮蔽板110が配置されている。この遮蔽板110は、表面に皮膜32が形成されていないコールドフィンガー30Aで発生した蛍光X線が、半導体X線検出素子10に後方から入射するのを防止するために配置されている。遮蔽板110の材料には、窒化ボロンBNやフッ素樹脂などを採用可能である。更に、半導体X線検出装置10Aは、遮蔽板110を通して半導体X線検出素子10から初段FET回路20に信号を伝搬させるために、接続電極120を有する。つまり、半導体X線検出素子10と初段FET回路20とは、遮蔽板110を貫通する接続電極120を介して電気的に接続されている。図3に示すように、半導体X線検出素子10、遮蔽板110、接続電極120、初段FET回路20及びコールドフィンガー30Aは、入射X線XINが透過する入射窓60を有する容器50の内部に配置されている。また、コールドフィンガー30Aは、冷却媒体45を介して冷却装置40によって冷却される。つまり、遮蔽板110と接続電極120を有し、コールドフィンガー30Aに皮膜32が形成されていない点を除いて、半導体X線検出装置10Aは半導体X線検出装置1と同様の構造である。図1に示した半導体X線検出装置1及び図3に示した半導体X線検出装置10Aそれぞれについて、分解能とシェイピング時間波形整形時間:shapingtimeの関係を調査した結果を示すグラフを図4に示す。図4において、実線で示した特性Aが図1に示した半導体X線検出装置1の特性である。また、破線で示した特性Bが図3に示した半導体X線検出装置10Aの特性である。遮蔽板110を含まない半導体X線検出装置1では、半導体X線検出素子10と初段FET回路20とが接続電極120を介さず直接に結合されている。このため、図3に示した比較例の半導体X線検出装置10Aに比べて、初段FET回路20の入力端子に付加される浮遊容量が低減される。その結果、図4に示すように、半導体X線検出装置10Aに比べて、半導体X線検出装置1では短シェイピング時間での分解能が向上する。例えば、半導体X線検出装置1では、シェイピング時間が2μsの場合の分解能は155eV以下である。一方、半導体X線検出装置10Aでは、シェイピング時間が5μsの場合に分解能が145eV程度、シェイピング時間が2μsの場合に分解能が160eV程度である。つまり、図1に示した半導体X線検出装置1によれば、より短い測定時間で半導体X線検出装置10Aと同様の測定精度を得ることができる。ところで、半導体X線検出素子10を突き抜けたX線がコールドフィンガー30の素材であるアルミニウムに吸収されることにより、コールドフィンガー30で蛍光X線が発生する場合がある。この蛍光X線が半導体X線検出素子10に後方から入射すると、不純線の入射となって半導体X線検出装置1の測定精度が低下する。しかし、半導体X線検出装置1のコールドフィンガー30の表面には、アルミニウムよりも軽い元素を材料とする皮膜32が形成されている。このため、アルミニウムであるコールドフィンガー30の基体31にX線が吸収されることにより発生するアルミニウム不純線は、皮膜32によって吸収される。これにより、不純線が半導体X線検出素子10に後方から入射するのを防止することができる。その結果、半導体X線検出装置1の測定精度の低下が抑制される。図5は、半導体X線検出装置1によって検出された電荷の個数をエネルギーの大きさ毎に集計した結果を示すグラフである。縦軸が集計されたカウント数、横軸がエネルギーのチャンネルである。つまり、図5は、入射X線XINによって半導体X線検出素子10でキャリアが発生することにより検出された電荷の個数をエネルギーの大きさ毎にカウントした結果を示す。なお、測定時間は1500秒である。図5において、アルミニウムからなるコールドフィンガー30の表面に皮膜32を形成した場合の特性Aを実線で示している。なお、皮膜32は、コロイド状グラファイト塗布膜であり、膜厚は200μmである。一方、図5に示した破線は、アルミニウムからなるコールドフィンガー30の表面に皮膜32を形成していない場合の特性Bである。図5に示すように、特性Bではアルミニウムに相当するチャンネルNAlのカウント数が大きいのに対し、特性Aでは、チャンネルNAlと他のチャンネルとでカウント数は同程度である。つまり、コールドフィンガー30の表面に皮膜32を形成することによって、コールドフィンガー30から外部に出力されるアルミニウム不純線を低減することができる。アルミニウムより軽い元素からなる皮膜32には、例えば炭素C膜、ホウ素B膜、ベリリウムBe膜などを採用可能である。図6は、炭素膜、ホウ素膜、ベリリウム膜の膜厚とアルミニウムKa線の透過率との関係を示すグラフである。図6において、特性A1がベリリウム膜、特性A2がホウ素膜、特性A3が炭素膜に対するアルミニウムKa線の透過率である。図6から、アルミニウム不純線の吸収に必要な膜厚は、炭素膜では200μm程度、ホウ素膜では100μm程度、ベリリウム膜では50μm程度であることがわかる。したがって、コールドフィンガー30の表面に形成する皮膜32には、炭素膜が好適である。なお、水に分散したコロイド状グラファイトを皮膜32として塗布する場合には、密度が低い炭素膜であるため、皮膜32の膜厚は200μm程度が必要である。また、コールドフィンガー30の素材である基体31をアルミニウムにすることによって、例えばコールドフィンガー30の基体31が銅である場合に比べて、コールドフィンガー30の基体31で発生する不純線のエネルギーを小さくできる。このため、皮膜32に軽い元素の膜、例えば炭素膜を採用可能である。炭素膜からも不純線は発生するが、炭素不純線のエネルギーは小さいために、皮膜32からの不純線は半導体X線検出装置1の測定精度に影響しない。これに対し、コールドフィンガー30の基体31が銅である場合には、銅不純線を吸収するために必要な皮膜32の素材から発生する不純線のエネルギーは大きく、半導体X線検出装置1の測定精度が低下する。したがって、皮膜32から発生する不純線による測定精度への影響の点からも、コールドフィンガー30の素材である基体31はアルミニウムであることが好ましい。図1に示した半導体X線検出装置1は、例えば図7に示すようにX線分析装置200に適用することができる。図7に示したX線分析装置200は、X線管3から出力したX線X1を測定対象物300に照射し、測定対象物300から放出された蛍光X線X2を検出、分析するエネルギー分散型蛍光X線分析装置である。蛍光X線X2が入射X線XINとして半導体X線検出装置1に入射すると、既に説明したように、蛍光X線X2が半導体X線検出素子10によって検出され、初段FET回路20から蛍光X線X2のエネルギーに比例した大きさを示す検出信号STが出力される。蛍光X線X2は、測定対象物300に含まれる元素固有のエネルギーを有する。このため、検出信号STを信号分析装置2によって分析することによって、測定対象物300に含まれる元素が特定される。既に述べたように、接続電極120と遮蔽板110を含まず、初段FET回路20に付加される浮遊容量が低減された半導体X線検出装置1では、短シェイピング時間での分解能が向上する。その結果、半導体X線検出装置1を使用することにより、X線分析装置200による測定時間が短縮される。更に、コールドフィンガー30からのアルミニウム不純線を吸収する皮膜32をコールドフィンガー30の表面に形成することにより、X線分析装置200のアルミニウム測定精度が向上する。以上に説明したように、本発明の実施形態に係る半導体X線検出装置1によれば、アルミニウム材を用いたコールドフィンガー30からの不純線による測定精度の低下が抑制される。更に、初段FET回路20に付加される浮遊容量が低減されることにより、分解能が向上された半導体X線検出装置1を提供することができる。また、半導体X線検出装置1をX線分析装置に適用することによって、測定精度を低下させることなく測定時間を短縮することができる。その他の実施形態上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。既に述べた実施形態の説明においては、半導体X線検出装置1をエネルギー分散型蛍光X線分析装置EDXRFに適用する例を示したが、半導体X線検出装置1をエネルギー分散型X線分析装置EDSに適用することもできる。半導体X線検出装置1をエネルギー分散型X線分析装置に適用する場合には、電子線が照射された測定対象物から放出された特性X線が半導体X線検出装置1によって検出される。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。