"担持金属触媒を製造する方法であって、以下の段階:a触媒支持体を提供する段階;b少なくとも1種類の還元剤を含んでいる第1の液体媒体を段階aで提供された触媒支持体に塗布する段階であり、段階aで提供された触媒支持体の総細孔容積の10から90、好ましくは、10から70が、第1の液体媒体で満たされる段階;c段階bで得られた触媒支持体に少なくとも1種類の遷移金属を含んでいる第2の液体媒体を含浸させて、含浸前駆物質を得る段階であり、段階aで提供された触媒支持体の総細孔容積の少なくとも91が、第1の液体媒体及び第2の液体媒体で満たされる段階;d段階cで得られた含浸前駆物質を80°Cから350°Cの温度で乾燥させて、乾燥された含浸前駆物質を得る段階;及び、e段階dで得られた乾燥された含浸前駆物質を350°Cから700°Cの温度で処理して、担持金属触媒を得る段階;を含んでいる、前記方法。段階bにおける還元剤が、ヒドラジン、ギ酸及びホルムアルデヒドからなる群から選択される、請求項1に記載の方法。段階cにおいて、少なくとも2種類の遷移金属が使用される、請求項1に記載の方法。少なくとも1種類の遷移金属が、Pd、Pt、Cu、Ni、Au及びAgからなる群から選択される、請求項1に記載の方法。請求項1から4のいずれかに記載の方法のうちのいずれか1つで得られる触媒。少なくとも1種類の遷移金属及び支持体を含んでいる請求項5に記載の触媒であって、400μmの最大侵入深さを有する外殻領域及び中心部分を含んでおり、該少なくとも1種類の遷移金属の総量の少なくとも90が、該外殻領域内に分配されている、前記触媒。段階cにおいて2種類の遷移金属が使用されており、及び、調製された触媒がPd-Ag-触媒である、請求項5又は6に記載の触媒。触媒に含まれている金属微結晶の総量の少なくとも90が該少なくとも2種類の遷移金属を含んでいる、請求項5から7のいずれか1項に記載の触媒。少なくとも2種類の遷移金属及び支持体を含んでいる二金属触媒又は多金属触媒であって、400μmの最大深さを有する外殻領域及び中心部分を含んでおり、該少なくとも2種類の遷移金属の総量の少なくとも90触媒全体の重量に基づいて計算が、該外殻領域内に分配されており、及び、該触媒に含まれている金属微結晶の総量の少なくとも90が、該少なくとも2種類の遷移金属を含んでいる、前記二金属触媒又は多金属触媒。銀、パラジウム及び支持体を含んでいるPd-Ag-触媒、特に、請求項7、8又は9に記載のPd-Ag-触媒であって、400μmの最大深さを有する外殻領域及び中心部分を含んでおり、該銀及びパラジウムの総量の少なくとも90触媒全体の重量に基づいて計算が、該外殻領域内に分配されており、及び、該触媒に含まれている金属微結晶の総量の少なくとも90が、銀及びパラジウムを含んでいる、前記Pd-Ag-触媒。Pdの濃度が、0.02から0.05重量触媒の総重量を基準である、請求項10に記載のPd-Ag-触媒。パラジウムと銀の重量比が1.7から3.0である、請求項10又は11に記載のPd-Ag-触媒。炭化水素フィード、好ましくは、不飽和炭化水素の第1の群及び第2の群を含んでいる炭化水素フィードを水素化、好ましくは、選択的に水素化する方法であって、該炭化水素フィードを適切な水素化条件の下で請求項5から12のいずれか1項に記載の触媒と接触させ、該炭化水素フィード中の不飽和炭化水素、好ましくは、第1の群の不飽和炭化水素を水素化する、前記方法。炭化水素フィードが、その不飽和炭化水素の第1の群の中に、アセチレンを含んでいる、請求項13に記載の水素化方法。炭化水素フィードを10から250°Cの温度で触媒と接触させる、請求項13から14のいずれかに記載の水素化方法。炭化水素フィードを0.5から90バールの圧力で触媒と接触させる、請求項13から15のいずれかに記載の水素化方法。炭化水素フィードを1000から15000v/vhのGHSV気体時間当たり空間速度で触媒と接触させる、請求項13から16のいずれかに記載の水素化方法。炭化水素フィード水素流と接触させる、請求項13から17のいずれかに記載の水素化方法。最新技術によれば、特に、水素化プロセスにおいて使用される場合、特に、アセチレン、プロピン、プロパジエン、ブタジエン類、ビニルアセチレン、ブチン類、フェニルアセチレン及びスチレンを気相中で水素化するための選択的水素化プロセスにおいて使用される場合、触媒は、不充分な耐久性及び選択性を示す。従って、本発明の基礎をなす技術的な問題は、上記で認定された不利点を克服すること、特に、炭化水素フィードを水素化するための触媒を製造する方法及びそれによって得られる触媒を提供することである。好ましくは、該触媒は、不飽和炭化水素特に、アセチレン、プロピン、プロパジエン、ブタジエン類、ビニルアセチレン、ブチン類、フェニルアセチレン及びスチレンを含んでいる炭化水素フィード特に、気相炭化水素フィードの中の不飽和炭化水素を選択的に水素化するのに適しており、高い特に、改善された耐久性又は選択性又は耐久性と選択性の両方を示す。さらに、本発明の基礎をなす技術的な問題は、上記で認定された不利点を克服し且つ特に高い特に、改善された耐久性又は選択性又は耐久性と選択性の両方を特徴とする炭化水素フィードを水素化するためのプロセス、特に、不飽和炭化水素特に、アセチレン、プロピン、プロパジエン、ブタジエン類、ビニルアセチレン、ブチン類、フェニルアセチレン及びスチレンを含んでいる炭化水素フィード特に、気相炭化水素フィードの中の不飽和炭化水素を選択的に水素化するためのプロセスを提供することである。本発明の上記技術的な問題は、添付されている特許請求の範囲の教示によって解決される。特に、本発明は、その技術的な問題を、以下の段階:a触媒支持体を提供する段階;b少なくとも1種類好ましくは、1種類の還元剤を含んでいる第1の液体媒体を段階aで提供された触媒支持体に塗布する段階段階aで提供された触媒支持体の総細孔容積の10から90好ましくは、10から70が、第1の液体媒体で満たされる;c段階bで得られた触媒支持体に少なくとも1種類の遷移金属を含んでいる第2の液体媒体を含浸させて、含浸前駆物質を得る段階段階aで提供された触媒支持体の総細孔容積の少なくとも91が、第1の液体媒体及び第2の液体媒体で満たされる;d段階cで得られた含浸前駆物質を80から350°Cの温度で乾燥させて、乾燥された含浸前駆物質を得る段階;及び、e段階dで得られた乾燥された含浸前駆物質を350から700°Cの温度で処理して、担持金属触媒を得る段階;を含んでいる、担持金属触媒の製造方法によって解決する。本発明に関連して、液体媒体は、好ましくは、溶液である。本発明に関連して、液体媒体は、懸濁液であってもよい。本発明の好ましい実施形態では、該溶液又は懸濁液は、水溶液又は水性懸濁液である。本発明に関連して、用語均一に満たされているは、前記塗布及び/又は含浸の後で、触媒支持体の単独の全ての細孔の中に本質的に同一の又は同一量の液体媒体が存在していることを意味する。該触媒支持体の細孔を均一に満たすことで、本質的に同一の又は同一モル含有量の還元剤及び/又は遷移金属が単独の全ての細孔の中に存在する。かくして、該触媒支持体の単独の全ての細孔の中で、本質的に同一の還元剤及び遷移金属又は還元剤と遷移金属の本質的に同一の比率が達成され得る。かくして、好ましくは、細孔系の少なくとも1の好ましくは、全ての種類例えば、ミクロ細孔又はマクロ細孔の全ての利用可能な表面領域及び容積領域volumetricregionが、均一に湿らされるか又は覆われる。本発明に関連して、表現還元剤は、還元-酸化反応において電子を別の化学種に供与する化合物を意味し、この意味は、普通の一般的な知識である。即ち、本発明に関連して、還元剤は、本発明の触媒製造方法の段階cにおいて使用される第2の液体媒体の遷移金属を還元することが可能な化合物である。例えば、遷移金属がパラジウムである場合、該液体媒体のPd2は該還元剤によってPd0Pd金属に還元され得る2個の電子を供与。本発明に関連して、2つの要素の間で使用される表現及び/又はは、当該用語で連結されている両方の要素について追加的に又は代替的に言及されていることを意味することが意図されている。かくして、表現A及び/又はBは、意味A又はB及び意味A及びBを包含し、これは、A又はB又はAとBの両方のいずれか1つを意味する。本明細書の教示において与えられている重量値は、特に別途示されていない限り、乾燥触媒全体の重量を示している。本発明に関連して、該触媒の成分は、総量が100重量となるように、最も好ましくは、100重量を超えないように、選択されるべきである。本発明に関連して、用語外殻領域は、触媒の周辺領域であり、これは、段階cにおいて含浸された少なくとも1種類の遷移金属好ましくは、銀又はパラジウム又は銀とパラジウムの両方の総量の好ましくは少なくとも90の存在触媒の総重量に基づいて計算によってその範囲が定められ、及び、これは、該触媒の外側周辺領域、好ましくは、400μm、350μm、300μm、250μm、好ましくは220μm、好ましくは200μm及び最も好ましくは150μmの触媒内部に向かって含浸する金属の拡散方向における軸に沿って計算された最大深さ特に、触媒の表面の所与の点における接線に対して垂直に触媒の内部に向かって引かれた軸に沿って計算された最大深さを有する該触媒の中心部分と該触媒の表面の間の領域である。かくして、該触媒の周辺領域は、該触媒全体に含まれている少なくとも1種類の遷移金属好ましくは、銀又はパラジウム又は銀とパラジウムの両方の総量の好ましくは少なくとも90が存在しており、且つ、該触媒の表面から該触媒の幾何学的表面の下方に400μm以下、350μm以下、300μm以下、250μm以下、好ましくは220μm以下、好ましくは200μm以下及び最も好ましくは150μm以下にまで達する、領域である。かくして、該外殻領域の深さは、該外殻領域の断面的な深さであり、従って、該触媒の幾何学的な表面と触媒中心部分の境界線の間の距離に等しい。本発明に関連して、触媒の中心部分は、触媒の残りの部分、即ち、触媒の内部領域である。本発明の好ましい実施形態では、触媒の中心部分の直径は、外殻領域の深さよりも、少なくとも、2倍、3倍、4倍、5倍、6倍、7倍、8倍、9倍、10倍、11倍、12倍、13倍、14倍、15倍又は20倍大きい。本発明の好ましい実施形態では、該触媒の中心部分の半径は、外殻領域の深さよりも、少なくとも、2倍、3倍、4倍、5倍、6倍、7倍、8倍、9倍、10倍、11倍、12倍、13倍、14倍、15倍又は20倍大きい。本発明に関連して、用語触媒支持体catalystsupportは、触媒活性を示す金属を含んでいない純粋な担体であると理解されるか、又は、触媒活性を示す少なくとも1種類の金属好ましくは、遷移金属、例えば、パラジウムを含んでいる担体であると理解される。該触媒支持体の中に好ましくは既に存在している触媒活性を示す該金属は、該触媒支持体全体にわたって均一に分配されているか又は不均一に分配されている。かくして、本発明の方法は、段階aにおいて、触媒支持体として、触媒活性を示す金属を含んでいない担体を使用するか、又は、別の実施形態では、触媒活性を示す少なくとも1種類の金属好ましくは、遷移金属を既に含んでいて、プロセス段階bの後で、次のプロセス段階cにおいて少なくとも1種類のさらなる金属特に、少なくとも1種類の遷移金属が含浸される担体を使用する。本発明に関連して、用語炭化水素は、C原子とH原子のみからなる炭化水素、並びに、付加的に少なくとも1の官能基及び/又は少なくとも1のヘテロ原子を含んでいる炭化水素例えば、芳香族ニトロ化合物の両方を意味する。従って、特に好ましい実施形態では、用語炭化水素は、C原子とH原子のみからなる炭化水素を意味する。好ましい別の実施形態では、用語炭化水素は、付加的に少なくとも1の官能基及び/又は少なくとも1のヘテロ原子を含んでいる炭化水素例えば、芳香族ニトロ化合物を意味する。本発明に関連して、用語不均一なは、金属が触媒全体に非一様に分配されていることを意味する。不均一な分配は、好ましくは、支持体に触媒活性を示す金属特に、Ag又はPdを含浸させることによって達成される。不均一な分配を得るための別の方法を使用することができ、そのような方法は当技術分野では公知である。従って、支持体材料、使用する金属及び/又は金属前駆物質並びにプロセス条件特に、pH、温度及び圧力を適切に選択することにより、たとえ液体媒体が触媒全体に均一に分配されていたとしても、不均一な分配を達成し得る。かくして、一実施形態では、金属の不均一な分配は、本発明において使用される液体媒体を均一に分配させることによっても達成され得る。所望される不均一な分配を達成するために、さらに別の方法、例えば、沈澱法又は滴下法などを使用することができる。別の実施形態では、金属の均一な分配は、適切なプロセス条件を適用することにより、含浸、沈澱又は別の方法によって達成し得る。本発明に関連して、用語炭化水素フィードの選択的水素化は、それに従って不飽和炭化水素の2つの群を含んでいる炭化水素フィードを水素化に付すプロセスここで、特定の不飽和炭化水素からなる第1の群特に、高不飽和炭化水素、例えば、アルキン類及びジ不飽和炭化水素又はオリゴ不飽和炭化水素、例えば、アルカジエン類、アルカトリエン類又はアルカポリエン類、特に、アセチレン、ブタジエン、プロピン及びプロパジエンは水素化され、且つ、別の低不飽和炭化水素からなる第2の群特に、モノ不飽和炭化水素、即ち、アルケン類、例えば、エチレンは実質的に不飽和形態のままでいるを意味することが意図されている。かくして、本発明による選択的水素化は、好ましくは、特定の不飽和炭化水素からなる第1の群、特に、アセチレンを含んでいる第1の群は水素化されて、好ましくはエチレンとなり、且つ、別の特定の不飽和炭化水素からなる第2の群、特に、エチレンを含んでいる第2の群は、水素化されずにモノ不飽和のままであるような水素化である。本発明に関連して、CO-化学吸着は、0°Cの化学吸着温度でAutoChem2920会社:Micromeriticsを使用するインパルス化学吸着法によって測定する。分析のために、触媒を200°Cで活性化するP.A.Webb,C.Orr,AnalyticalMethodsinFineParticleTechnology,MicromeriticsInstrumentCorporation,1997。本発明に関連して、金属微結晶の組成は、下記方法によって確認する:100μmの深さ表面から計算されたものにある触媒の外殻領域を摩耗させ、ミクロトームを用いて単離した。得られた材料をエタノールに添加し、超音波を用いて霧状にした。次に、霧状にされた材料を担体フィルムの上に噴霧した。エネルギー分散微量分析を行うために、走査透過型電子顕微鏡JEM2000exJeol,日本、EDXspectrometerGenesisEDAX,米国及びデジタル画像処理システムDISS5PointElectronic,独国を使用した。励起電圧200kVで選択的分析を実施した。測定の間中、電子ビームを微結晶に沿って幾何学的に移動させた。得られたスペクトルの定量分析を行うために、Kα線例えば、Pd及び/又はAgのKα線を使用して、少なくとも2の塊の量的関係を求めた。細孔容積、特に、総細孔容積及び部分細孔容積は、水銀ポロシメトリーによって測定するAutoPorIV;company:Micromeritics;P.A.Webb,C.Orr,AnalyticalMethodsinFineParticleTechnology,MicromeriticsInstrumentCorporation,1997。かくして、本発明の基礎をなす技術的な問題は、第1段階で触媒支持体を提供する担持金属触媒の製造によって解決される。第2段階において、第1の液体媒体好ましくは、第1の溶液又は懸濁液を該触媒支持体に塗布する。第1の液体媒体は、少なくとも1種類好ましくは、1種類の還元剤を含んでいる。第2段階において、該触媒支持体の総細孔容積の10から90好ましくは、10から70が、少なくとも1種類の還元剤を含んでいる第1の液体媒体で、特に均一に、満たされる。第3段階において、少なくとも1種類の還元剤を含んでいる第1の液体媒体で満たされた該触媒支持体に少なくとも1種類の遷移金属を含んでいる第2の液体媒体好ましくは、第2の溶液又は懸濁液を含浸させる。第2の液体媒体を含浸させた後、該触媒支持体の総細孔容積の少なくとも91は、好ましくは、均一に、満たされており、例えば、該総細孔容積の少なくとも91は第1及び第2の液体媒体で満たされている、好ましくは、第1及び第2の溶液又は懸濁液で満たされている。第4段階において、第1及び第2の液体媒体が含浸された前駆物質を80から350°Cの温度で乾燥させる。第5段階において、乾燥された含浸前駆物質を350から700°Cの温度で処理特に、か焼して、所望の担持金属触媒を得る。本発明による方法のいずれかによって、1種類の金属好ましくは、パラジウムと第2の金属特に、Agの間の極めて強力な相互作用、及び、場合により、さらに、第3の金属に対する極めて強力な相互作用を得ることができるということが示され得る。そのような強力な相互作用は、合金の形成を可能とし、そして、該金属の電子挙動に影響を及ぼす。本発明の好ましい実施形態では、段階bの少なくとも1種類の還元剤は、ヒドラジン、ギ酸及びホルムアルデヒドからなる群から選択される。本発明の好ましい実施形態では、該少なくとも1種類の還元剤は、ヒドラジンである。本発明の好ましい実施形態では、触媒の総細孔容積の20から80、特に、30から70、及び、特に、35から70は、第1の液体媒体で満たされている。本発明の好ましい実施形態では、触媒の総細孔容積の20から80、特に、30から70、及び、特に、30から65は、第2の液体媒体で満たされている。本発明の好ましい実施形態では、第1及び第2の液体媒体は、その総量が総細孔容積の少なくとも91になるまで、好ましくは、少なくとも92になるまで、93になるまで、94になるまで、95になるまで、96になるまで、97になるまで、98になるまで、99になるまで、及び、特に、100になるまで、触媒の細孔の中に入れられる。本発明の好ましい実施形態では、総細孔容積の少なくとも91、好ましくは、少なくとも92、93、94、95、96、97、98、99、及び、特に、100が、第1及び第2の液体媒体で満たされている。本発明の好ましい別の実施形態では、第1及び第2の液体媒体は、総量で総細孔容積の100を超えるまで、好ましくは、最大で120まで、好ましくは、最大で110まで、及び、特に、最大で105まで、触媒の細孔に塗布される。本発明の好ましい実施形態では、触媒支持体の細孔は、例えば、少なくとも1種類の遷移金属の濃度の最大値が外殻領域内に位置するように、即ち、触媒の表面から触媒の中心部分に向かって計算して50から200μm、好ましくは、50から150μm、好ましくは、70から130μm、好ましくは、90から110μmの深さの範囲内にある外殻領域の小領域内に位置するように、第1及び第2の液体媒体で満たされている。かくして、本発明は、好ましい実施形態において、上記で定義されている外殻領域の範囲内に、即ち、少なくとも1種類の遷移金属の総量の好ましくは少なくとも90が位置していて且つ幾何学的表面の下方即ち、触媒の表面から計算して400μmの最大深さによって範囲が定められる触媒の周辺領域の範囲内に、小領域ここで、その小領域の中に、該少なくとも1種類の遷移金属の濃度の最大値が存在しており、及び、該小領域は、該触媒の表面から計算して50μmの深さから該触媒の表面から計算して200μmの深さまでの領域内に位置しているが存在しているということを想定する。かくして、該少なくとも1種類の遷移金属の濃度の最大値は、好ましくは、外殻領域の特定の領域内の層に含まれている。本発明の好ましい実施形態では、第2の液体媒体は、少なくとも2種類の遷移金属を含んでいる。本発明の好ましい実施形態では、第2の液体媒体は、少なくとも2種類、少なくとも3種類、少なくとも4種類、少なくとも5種類又は少なくとも6種類の遷移金属を含んでいる。本発明の好ましい実施形態では、少なくとも1種類の好ましくは、2種類の遷移金属は、Pd、Pt、Cu、Ni、Au及びAgからなる群から選択される。本発明の好ましい実施形態では、該遷移金属のうちの1種類はPdであり、且つ、少なくとも1種類の別の遷移金属は、Pt、Cu、Ni、Au及びAgからなる群から選択される。本発明の好ましい実施形態では、1種類の遷移金属はPtであり、且つ、少なくとも1種類の別の遷移金属は、Pd、Cu、Ni、Au及びAgからなる群から選択される。本発明の好ましい実施形態では、第2の液体媒体は、遷移金属として、Pd及びAgのみを含んでいる。本発明の好ましい実施形態では、少なくとも1種類の遷移金属に対する該還元剤の化学量論的過剰は、2から50、好ましくは、5から10、好ましくは、6から9、及び、特に、7から8である。本発明の好ましい実施形態では、液体媒体は、段階bにおいて、液体媒体を触媒の表面上に噴霧することによって塗布される。本発明の好ましい実施形態では、段階cにおいて、該液体媒体を該触媒の表面上に噴霧することによって含浸される。好ましくは、段階b及び段階cは、両方とも、該液体媒体を噴霧する形態で実施される。該液体媒体を該触媒支持体の表面上に噴霧することによって、特に均一な分配が達成される。本発明の好ましい実施形態では、該液体媒体の該触媒の表面上への噴霧は、溶液又は懸濁液などの液体を微細に分散させることが可能なノズルを用いて実施される。本発明の好ましい実施形態では、第1の液体媒体は、触媒支持体の細孔の中に均一に分配される。本発明の好ましい実施形態では、第2の液体媒体は、該触媒支持体の細孔の中に均一に分配される。本発明の好ましい実施形態では、第1及び第2の液体媒体は、該触媒支持体の細孔の中に均一に分配される。本発明の好ましい実施形態では、段階cは、段階bの直後に実施される。本発明の好ましい実施形態では、段階dの乾燥温度は、80から350°C、好ましくは、90から300°C、好ましくは、100から250°C、好ましくは、110から200°C、及び、特に、120から150°Cである。本発明の好ましい実施形態では、段階dにおける含浸前駆物質の乾燥は、乾燥残渣が99になるまで、好ましくは、99.5になるまで、好ましくは、99.9になるまで、及び、特に、100になるまで、実施される。本発明の好ましい実施形態では、該乾燥は、静的条件又は動的条件の下で、例えば、固定床又は移動床の中で実施することができる。本発明の好ましい実施形態では、本発明による触媒は、好ましくは、乾燥後、及び、好ましくは、処理好ましくは、か焼の前、好ましくは、300から350°Cの温度で、好ましくは、350°Cの温度で、不活性化されるinerted。本発明の好ましい実施形態では、該不活性化inertingは、乾燥温度と同じ温度で実施される。本発明の好ましい実施形態では、好ましくは、段階eにおける処理特に、か焼の前に、さらなる段階d’において、段階dで得られた乾燥された含浸前駆物質に水素をフラッシングするflushed。本発明の好ましい実施形態では、段階d’で実施される水素によるフラッシングflushingは、2から20分間、好ましくは、2から5分間行われる。好ましい実施形態では、本発明は、不活性化段階とフラッシング段階の両方を含んでいる。好ましい実施形態は、乾燥段階dの後で、含浸され乾燥された触媒は、段階eにおいて、不活性化され、次いで、水素でフラッシングされ、次いで、処理好ましくは、か焼されることを、想定する。本発明の好ましい実施形態では、段階eにおける処理特に、か焼は、400から700°Cの温度で、好ましくは、500から700°Cの温度で、及び、特に、600から700°Cの温度で、実施される。本発明の好ましい実施形態では、該プロセスは、温度を処理好ましくは、か焼の温度まで上昇させる間、触媒を窒素流に晒すことを想定する。本発明の好ましい実施形態では、段階eにおける処理は、窒素含有ガス好ましくは、空気、又は、好ましくは、窒素を用いて実施される。本発明の好ましい実施形態では、該処理好ましくは、か焼は、固定床反応器又は移動床反応器の中で実施される。本発明の好ましい実施形態では、触媒の選択性及び/又は耐久性は、さらに、段階eにおける処理の前及び/又は処理中に窒素含有ガス好ましくは、窒素に添加することによって増大される。従って、水素、空気、酸素、水蒸気及びNOxからなる群から好ましくは選択されるガスを、0から500ppmv体積百万分率、好ましくは、10から400ppmv、好ましくは、20から300ppmv、好ましくは、30から200ppmv、及び、特に、50から100ppmvの含有量で、使用する。本発明の好ましい実施形態では、乾燥された含浸前駆物質は、段階eにおいて、1から20時間、好ましくは、2から18時間、好ましくは、3から15時間、好ましくは、5から10時間、及び、特に、5から8時間、処理好ましくは、か焼される。本発明の好ましい実施形態では、乾燥された含浸前駆物質は、段階eにおいて、10から5000v/vh、好ましくは、1000から4500v/vh、及び、特に、3000から4000v/vhのGHSV気体時間当たり空間速度gashourlyspacevelocityで、処理好ましくは、か焼される。本発明の好ましい実施形態では、触媒は、段階eにおいて、処理好ましくは、か焼の後で、窒素含有ガスの中で、例えば、窒素保護雰囲気下で、好ましくは、50°C未満の温度まで、冷却される。本発明の基礎をなす技術的な問題は、さらにまた、本発明の触媒によって、好ましくは、本発明による方法のうちのいずれか1つの方法によって得られる本発明の触媒によって、解決される。好ましい実施形態では、少なくとも1種類の遷移金属及び支持体を含んでいる触媒該触媒は、400μm、350μm、300μm、250μm、220μm、200μm又は150μmの最大深さを有する外殻領域及び中心部分を含んでおり、ここで、好ましくは、該少なくとも1種類の遷移金属の総量の少なくとも90は、該外殻領域内に分配されている、好ましくは、該方法のうちのいずれか1つの方法によって得られる触媒が提供される。本発明は、本発明の基礎をなす技術的な問題を、上記で識別された方法特に、本発明による担持金属触媒を製造するための方法で得られる金属触媒を提供することによっても解決する。好ましい実施形態では、本発明の触媒は、少なくとも2種類の金属を含んでいる触媒、即ち、少なくとも2種類の遷移金属好ましくは、銀及びパラジウムと支持体を含んでいる二金属触媒又は多金属触媒であり、ここで、該触媒は、400μm、350μm、300μm、250μm、220μm、200μm又は150μmの最大深さを有する外殻領域及び中心部分を含んでおり、ここで、好ましくは、該少なくとも2種類の遷移金属特に、銀及びパラジウムの総量の少なくとも90触媒全体の重量に基づいて計算は、該外殻領域内に分配されており、及び、ここで、該触媒に含まれている金属微結晶の総量の少なくとも70、好ましくは、少なくとも80、特に、少なくとも90は、該少なくとも2種類の遷移金属特に、銀及びパラジウムを含んでいる。特に好ましい実施形態では、上記触媒が提供され、ここで、該少なくとも2種類の遷移金属好ましくは、銀及びパラジウムの濃度の最大値は、外殻領域内の小領域これは、該触媒の50から200μmの深さにある層の中に位置しているの中に位置している。本発明によって調製された触媒は、驚くべきことに、極めて長い触媒寿命即ち、耐久性及び除去すべき不飽和炭化水素に対する特に高い選択性を示す。本発明の好ましい実施形態では、少なくとも1種類の遷移金属好ましくは、パラジウム及び/又は銀は、触媒全体に不均一に分配され、好ましくは、外殻領域内に位置しており、特に、該外殻領域内のみに位置している。好ましい実施形態では、本発明は、パラジウム及び銀並びに支持体を含んでいるPd-Ag-触媒を提供し、ここで、該触媒は、好ましくは400μm、350μm、300μm、250μm、220μm、200μm又は150μmの最大深さを有する外殻領域及び中心部分を含んでおり、ここで、該銀及びパラジウムの総量の少なくとも90触媒全体の重量に基づいて計算は、該外殻領域内に分配されており、及び、ここで、該触媒に含まれている金属微結晶の総量の少なくとも70、好ましくは、少なくとも80、特に、少なくとも90は、銀及びパラジウムを含んでいる。本発明の好ましい実施形態では、該少なくとも1種類好ましくは、少なくとも2種類の遷移金属の総量の少なくとも90、好ましくは、少なくとも91、92、93、94、95、96、97、98、99、及び、最も好ましくは、100触媒全体に基づいて計算は、外殻領域内に分配されている。本発明の好ましい実施形態では、銀の総量の少なくとも90、好ましくは、少なくとも91、92、93、94、95、96、97、98、99、及び、特に、100触媒全体に基づいて計算は、外殻領域内に分配されている。本発明の好ましい実施形態では、パラジウムの総量の少なくとも90、好ましくは、少なくとも91、92、93、94、95、96、97、98、99、及び、特に、100触媒全体に基づいて計算は、外殻領域内に分配されている。本発明の好ましい実施形態では、パラジウム及び銀の総量の少なくとも90、好ましくは、少なくとも91、92、93、94、95、96、97、98、99、及び、特に、100触媒全体に基づいて計算は、外殻領域内に分配されている。本発明の好ましい実施形態では、触媒に含まれている金属微結晶の総量の少なくとも70、好ましくは、少なくとも80、好ましくは、少なくとも90、好ましくは、少なくとも91、92、93、94、95、96、97、98、99、及び、特に、100は、少なくとも2種類の遷移金属を含んでいる。本発明の好ましい実施形態では、触媒に含まれている金属微結晶の総量の少なくとも70、好ましくは、少なくとも80、好ましくは、少なくとも90、好ましくは、少なくとも91、92、93、94、95、96、97、98、99、及び、特に、100は、両方の金属銀及びパラジウムを含んでいる。本発明の好ましい実施形態では、触媒に含まれている金属微結晶は、銀とパラジウムからなる。本発明の好ましいさらなる実施形態では、銀とパラジウムは、触媒全体における唯一の金属、特に、触媒活性を示す唯一の金属である。本発明の好ましい実施形態では、パラジウムの濃度は、0.01から2.50、好ましくは、0.1から2.0、好ましくは、0.5から1.5、及び、特に、0.8から1.2触媒の総重量を基準である。本発明の好ましい実施形態では、パラジウムの濃度は、0.02から0.05重量、好ましくは、0.03から0.04重量、及び、特に、0.035重量触媒の総重量を基準である。本発明の好ましい実施形態では、白金の濃度は、0.01から2.50、好ましくは、0.1から2.0、好ましくは、0.5から1.5、及び、特に、0.8から1.2触媒の総重量を基準である。本発明の好ましい実施形態では、金の濃度は、0.01から2.50、好ましくは、0.1から2.0、好ましくは、0.5から1.5、及び、特に、0.8から1.2触媒の総重量を基準である。本発明の好ましい実施形態では、銀の濃度は、0.01から2.50、好ましくは、0.1から2.0、好ましくは、0.5から1.5、及び、特に、0.8から1.2触媒の総重量を基準である。本発明の好ましい実施形態では、銀の濃度は、0.0068から0.03重量、好ましくは、0.01から0.03重量、及び、特に、0.01から0.025重量触媒の総重量を基準である。本発明の好ましい実施形態では、銅の濃度は、0.01から5.00、好ましくは、0.1から4.0、好ましくは、0.5から3.0、及び、特に、1.0から2.0触媒の総重量を基準である。本発明の好ましい実施形態では、ニッケルの濃度は、0.01から5.00、好ましくは、0.1から4.0、好ましくは、0.5から3.0、及び、特に、1.0から2.0触媒の総重量を基準である。本発明の好ましい実施形態では、パラジウムの濃度は、0.02から0.05重量、好ましくは、0.03から0.04重量、及び、特に、0.035重量触媒の総重量を基準であり、並びに、銀の濃度は、0.0068から0.03重量、好ましくは、0.01から0.03重量、及び、特に、0.01から0.025重量触媒の総重量を基準である。本発明の好ましい実施形態では、パラジウムと銀の重量比は、1.7から3.0、好ましくは、2.0から3.0、及び、特に、2.5である。好ましい実施形態では、本発明は、該少なくとも1種類の遷移金属好ましくは、銀及びパラジウムの濃度の最大値が、外殻領域内に即ち、触媒の表面から触媒の中心部分に向かって計算して50から200μm、好ましくは、50から150μm、好ましくは、70から130μm、好ましくは、90から110μmの深さの範囲内にある外殻領域の小領域内に位置している触媒を提供する。かくして、本発明は、好ましい実施形態において、上記で定義されている外殻領域の範囲内に、即ち、銀及びパラジウムの総量の好ましくは少なくとも90が位置していて且つ幾何学的表面の下方即ち、触媒の表面から計算して400μm好ましくは、250μmの最大深さによって範囲が定められる触媒の周辺領域の範囲内に、小領域ここで、その小領域の中に、該銀及びパラジウムの濃度の最大値が存在しており、及び、該小領域は、該触媒の表面から計算して50μmの深さから該触媒の表面から計算して200μmの深さまでの領域内に位置しているが存在していることを想定する。かくして、該銀及びパラジウムの濃度の最大値は、好ましくは、外殻領域の特定の領域内の層に含まれている。本発明の好ましい実施形態では、一酸化炭素の化学吸着は、Pd-Ag-触媒の1g当たり0.10から0.70μmolのCO、好ましくは、Pd-Ag-触媒の1g当たり0.20から0.50μmolのCO、好ましくは、Pd-Ag-触媒の1g当たり0.15から0.40μmolのCO、特に、Pd-Ag-触媒の1g当たり0.25から0.40μmolのCOである。本発明の好ましい実施形態では、BET表面積は、Pd-Ag-触媒の1g当たり5から18m2、好ましくは、Pd-Ag-触媒の1g当たり7から15m2、特に、Pd-Ag-触媒の1g当たり9から13m2である。本発明の好ましい実施形態では、支持体は、C、TiO2、Al2O3、ZrO2及びSiO2からなる群から選択される。触媒支持体として、C、TiO2、Al2O3、ZrO2及びSiO2の変形を使用することも可能である。好ましくは、C、TiO2、Al2O3、ZrO2及びSiO2からなる群から選択される触媒支持体の組合せを使用することが可能である。本発明の好ましい実施形態では、触媒支持体は、Al2O3又はその変形である。本発明の好ましい実施形態では、触媒は、中空円筒、タブレット、球体又は押出物の形態にあり得る。本発明の好ましい実施形態では、触媒は、1.5から8.0mm、好ましくは、3.7から8.0mm、好ましくは、3.2から5.8mm、好ましくは、3.3から5.7mm、好ましくは、3.4から5.5mmの直径を有している。本発明の好ましい実施形態では、触媒の中心部分は、1.0から7.7mm、好ましくは、2.2から7.2mm、好ましくは、3.0から4.4mm、好ましくは、3.7から4.3mm、好ましくは、3.9から4.1mm、特に、4.0mmの直径を有している。本発明の好ましい実施形態では、中心部分の半径と、触媒の幾何学的表面と触媒中心部分の境界の間の距離の比率は、15から2、好ましくは、12から4、好ましくは、10から6、特に、9から7、及び、最も好ましくは、8である。本発明の好ましい実施形態では、好ましくは、球形の触媒は、1.5から3.0mmの直径を有し、ここで、該触媒は、250μm、220μm、200μm又は150μmの最大深さを有する外殻領域及び中心部分を含んでおり、ここで、少なくとも2種類の遷移金属特に、銀及びパラジウムの総量の好ましくは少なくとも90触媒全体の重量に基づいて計算は、該外殻領域内に分配されている。好ましい触媒の中心部分は、1.0から2.7mmの直径を有しており、及び、中心部分の半径と、触媒の幾何学的表面と触媒中心部分の境界の間の距離の比率は、2から15である。本発明の好ましい実施形態では、触媒は、3.0から8.0mmの直径を有している。好ましい触媒の中心部分は、2.2から7.7mmの直径を有しており、及び、中心部分の半径と、触媒の幾何学的表面と触媒中心部分の境界の間の距離の比率は、2から15である。本発明による触媒は、有意に延長されたサイクル時間を可能とする特に長い触媒寿命で、好ましくは、水素化プロセスにおいて、特に、不飽和炭化水素を含んでいる水素フィードの選択的水素化において、使用することができる。該触媒の特に優れた耐久性に基づいて、水素化プロセスは、好ましくはバッチ式で行う場合、該触媒を再生させなければならなくなる前に、より多く繰り返すことが可能である。有利には、本発明の触媒は、緑油の形成を低減させる。本発明の技術的な問題は、さらにまた、炭化水素フィードを水素化する方法、好ましくは、気相中で炭化水素フィードを水素化する方法、特に、不飽和炭化水素特に、望ましくない不飽和炭化水素即ち、高不飽和炭化水素からなる第1の群特に、芳香族化合物、アルキン類及び/又はジ不飽和炭化水素、トリ不飽和炭化水素若しくはポリ不飽和炭化水素、特に、アルカジエン類、アルカトリエン類若しくはアルカポリエン類、例えば、アセチレン、プロピン、プロパジエン、ブタジエン類、ビニルアセチレン、ブチン類、フェニルアセチレン及び/又はスチレン、及び、望ましい不飽和炭化水素即ち、低不飽和炭化水素からなる第2の群特に、モノ不飽和炭化水素、即ち、アルケン類、特に、エチレンを含んでいる炭化水素フィードを選択的に水素化する方法によっても解決され、ここで、該方法においては、不飽和炭化水素の望ましくない第1の群を除去し、特に、それらを水素化し、好ましくは、それらを水素化して望ましい低不飽和炭化水素とし、それによって、不飽和炭化水素の第2の群をそれらのモノ不飽和形態で残しておくために、該炭化水素フィードを適切な水素化条件下で本発明による触媒と接触させる。かくして、本発明は、低不飽和炭化水素の存在下で高不飽和炭化水素を選択的に水素化する方法を提供し、ここで、該方法は、本発明による触媒を使用することを特徴とする。本発明による触媒は、水素化プロセスにおいて、特に、不飽和炭化水素を含んでいる水素フィードの選択的水素化において、有意に延長されたサイクル時間を可能とする特に長い触媒寿命で使用することができる。該触媒の特に優れた耐久性に基づいて、該触媒を再生させなければならなくなる前に水素化プロセスをより多く繰り返すことが可能であり、あるいは連続固定床においては寿命を延ばし及び/若しくは転化率を増大させる。有利には、本発明の触媒は、高級炭化水素の形成を低減させる。かくして、本発明の好ましい実施形態では、該水素化は、気相中で実施する。好ましいさらなる実施形態では、本発明の水素化プロセスは、好ましくはC2からC3炭化水素を水素化するために、フロントエンド水素化プロセス又はテールエンド水素化プロセスの条件に従って実施する。本発明の好ましい実施形態では、炭化水素フィードは、特に低不飽和炭化水素の存在下において、その不飽和炭化水素の第1の群の中にアセチレンを含んでいる。好ましい実施形態では、本発明のプロセスは、特に低不飽和炭化水素好ましくは、エチレンの存在下において、好ましくはアセチレンをエチレンに還元することを想定する。好ましい実施形態では、アセチレンをエチレンに選択的に水素化する。本発明の好ましい実施形態では、炭化水素フィードを、10から250°C、好ましくは、30から200°C、好ましくは、50から180°C、及び、特に、60から120°Cの温度で、水素化プロセスにおいて触媒と接触させる。本発明の好ましい実施形態では、炭化水素フィードを、0.5から90バール、好ましくは、0.5から60バール、好ましくは、5から20バール、及び、特に、10から20バールの圧力で、水素化プロセスにおいて触媒と接触させる。本発明の好ましい実施形態では、炭化水素フィードを、1000から15000v/vh、3000から12000v/vh、好ましくは、3000から7000v/vh、及び、特に、3000から4000v/vhのGHSV気体時間当たり空間速度で、水素化プロセスにおいて触媒と接触させる。本発明の好ましい実施形態では、モデレーターとしての一酸化炭素を使用せずに、炭化水素フィードを水素化プロセスにおいて触媒と接触させる。さらに、該水素化は、一酸化炭素なしで実施することが可能である、即ち、モノカルボキシドフリーmonocarboxide-freeプロセスである。本発明の好ましい実施形態では、水素とアセチレンのモル比は、0.8から1.8、好ましくは、1.0から1.5、及び、特に、1.0から1.3であり、特に、1.2である。本発明の好ましい実施形態では、水素とアセチレンのモル比は、1.8から100、好ましくは、1.8から70、好ましくは、1.8から30、及び、特に、1.8から10である。本発明の好ましい実施形態では、水銀及びヒ素などの毒性金属は、好ましくは保護床を使用して、水素化プロセスの前に除去する。水素化プロセスに関する好ましい実施形態では、該炭化水素フィードを水素と接触させて、水素化生成物を得る。好ましいさらなる実施形態は、従属請求項の対象である。本発明のさらなる有利点については、下記実施例によって例証する。実施例実施例1本発明による実施例400gのα-酸化アルミニウム支持体タブレット4×4mmにヒドラジン水溶液ヒドラジンの含有量2を含浸させた。該溶液の体積は、該支持体の総細孔容積の35に等しい。次に、該支持体に硝酸銀と硝酸パラジウムの水溶液を含浸させた。該溶液中の該貴金属の濃度は、その溶液が完全に吸収されたときに該触媒中におけるパラジウムの含有量が0.035重量であり且つ銀の含有量が0.025重量となるように選択した。該貴金属を含んでいる溶液の体積は、該支持体の総細孔容積の65に等しい。その含浸された触媒前駆体を移動床の中で完全に乾燥させ、次に、窒素雰囲気下に630°Cの温度で5時間か焼した。実施例2本発明による実施例400gのα-酸化アルミニウム支持体タブレット4×4mmにヒドラジン水溶液ヒドラジンの含有量1を含浸させた。該溶液の体積は、該支持体の総細孔容積の70に等しい。次に、該支持体に硝酸銀と硝酸パラジウムの水溶液を含浸させた。該溶液中の該貴金属の濃度は、その溶液が完全に吸収されたときに該触媒中におけるパラジウムの含有量が0.035重量であり且つ銀の含有量が0.022重量となるように選択した。該貴金属を含んでいる溶液の体積は、該支持体の総細孔容積の30に等しい。その含浸された触媒前駆体を移動床の中で完全に乾燥させ、350°Cの温度で不活性化し、次に、2分間水素でフラッシングし、及び、次に、窒素雰囲気下に630°Cの温度で5時間か焼した。実施例3DE69514283による実施例400gのα-酸化アルミニウム支持体球体2から4mmにクエン酸と硝酸パラジウムと硝酸銀からなる溶液240mLを含浸させた。次に、その含浸された材料を120°Cの温度で乾燥させ、及び、空気下に750°Cの温度でか焼した。得られた触媒は、0.05重量のパラジウム及び0.005重量の銀を含んでいる。該触媒を、触媒作用について測定する前に、120°Cの温度で還元した。分析CO-化学吸着は、0°Cの化学吸着温度でAutoChem2920会社:Micromeriticsを使用して、インパルス化学吸着法によって測定した。分析するために、該触媒を200°Cで活性化したP.A.Webb,C.Orr,AnalyticalMethodsinFineParticleTechnology,MicromeriticsInstrumentCorporation,1997。金属微結晶の組成は、下記方法によって確認した:100μmの深さ表面から計算されたものにある触媒の外殻領域を摩耗させ、ミクロトームを用いて単離した。得られた材料をエタノールに添加し、超音波を用いて霧状にした。次に、霧状にされた材料を担体フィルムの上に噴霧した。エネルギー分散微量分析を行うために、走査透過型電子顕微鏡JEM2000exJeol,日本、EDXspctrometerGenesisEDAX,米国及びデジタル画像処理システムDISS5PointElectronic,独国を使用した。励起電圧200kVで選択的分析を実施した。測定の間中、電子ビームを微結晶に沿って幾何学的に移動させた。得られたスペクトルの定量分析を行うために、Kα線例えば、Pd及び/又はAgのKα線を使用して、少なくとも2の塊の量的関係を求めた。細孔容積、特に、総細孔容積及び部分細孔容積は、Hgポロシメトリーによって測定したAutoPorIV;会社:Micromeritics;P.A.Webb,C.Orr,AnalyticalMethodsinFineParticleTechnology,MicromeriticsInstrumentCorporation,1997。触媒の触媒特性触媒の触媒性能は、以下の試験によって特徴付けた。工業用テールエンド反応器technicaltailendreactorの第1反応器の実験条件に非常に類似した実験条件を選択した:5層中に15mLの触媒;85mL希釈α-Αl2O3;GHSV4,000v/vh;フィードの組成Mol-:1.0C2H21.0H230C2H41.0C3H8残余Ar圧力:10バール;作動モード:反応器排出口において、アセチレ3,000ppm;基準:選択性、及び、製造中の平均反応器温度対時間。アセチレンの転化は、以下のように計算した:[アセチレン注入口濃度-アセチレン排出口濃度/アセチレン注入口濃度]×100。エチレンに対する選択性は、以下のように計算した:[エチレン排出口濃度-エチレン注入口濃度/アセチレン注入口濃度-アセチレン排出口濃度]×100。下記表1から、本発明による触媒が優れた耐久性を示すことは明らかである。触媒の特性"