"1以上の処理用流体を超小型電子加工品に対して、それぞれ別々に向けられるように構成される第1の吐出ノズルおよび第2の吐出ノズルを含む処理容器の中に該超小型電子加工品を配置する工程と、上記第1の吐出ノズルを用いて第1の処理用流体を上記処理容器の中に吐出する工程と、上記第1の吐出ノズルを用いた上記処理容器への上記第1の処理用流体の吐出を終了する工程と、上記第1の吐出ノズルに対して吸引を行なう工程と、上記第1の吐出ノズルの吸引後に、上記第2の吐出ノズルを用いて第2の処理用流体を上記処理容器の中に吐出する工程と、を含むことを特徴とする超小型電子加工品の処理方法。上記超小型電子加工品は、アスペクト比が少なくとも5:1である部品を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。上記第1の吐出ノズルは、複数のオリフィスを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。上記第1の処理用流体を上記超小型電子加工品の中心領域に吐出する工程をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。上記第1の吐出ノズルは、上記超小型電子加工品の上方に配置され、該超小型電子加工品のコードの少なくとも一部にまで伸長することを特徴とする請求項3に記載の方法。上記第2の吐出ノズルを用いて上記第2の処理用流体を吐出させる期間の、少なくとも一部の期間において、上記第1の吐出ノズルに対する吸引を継続する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。少なくとも、上記第2の吐出ノズルを用いて該第2の処理用流体を吐出させる処理が終了するまで、上記第1の吐出ノズルに対する吸引を継続する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。上記第1の吐出ノズルに対する吸引を行なった後、第3の吐出ノズルを用いて、第3の処理用流体を吐出する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。上記第3の処理用流体は水を含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。上記第1の処理用流体および上記第2の処理用流体は発熱を伴って混合することを特徴とする請求項1に記載の方法。上記第1の処理用流体は酸を含み、上記第2の処理用流体は発熱を伴って該酸と混合する流体を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。上記第2の処理用流体は水を含み、上記第1の処理用流体は発熱を伴って該水と混合する流体を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。上記第1の処理用流体は酸を含み、上記第2の処理用流体は水を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。上記酸は、水溶性の酸を含むことを特徴とする請求項13に記載の方法。上記第1の処理用流体および上記第2の処理用流体のいずれか、もしくは両方ともが、濃縮または希釈された1以上の酸を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。上記酸は、硫酸、リン酸、塩酸、およびこれらの組み合わせのうち、いずれかを含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。上記酸は硫酸を含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。上記第1の処理用流体および第2の処理用流体のいずれか、もしくは両方ともが、濃縮または希釈された1以上の酸化剤を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。上記酸化剤は、過酸化物、オゾン、および、これらの組み合わせのうち、いずれかを含むことを特徴とする請求項18に記載の方法。上記第1の処理用流体および第2の処理用流体のいずれか、もしくは両方ともが、濃縮または希釈された1以上のアルカリ剤を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。上記アルカリ剤は、水酸化物、アンモニア、アミン、および、これらの組み合わせのうち、いずれかを含む材料に由来する薬剤を含むことを特徴とする請求項20に記載の方法。上記第1の処理用流体および第2の処理用流体のいずれか、もしくは両方ともが、アンモニウムおよびハロゲン化物を含む材料に由来する、濃縮または希釈された1以上の薬剤を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。上記ハロゲン化物は、フッ化物を含むことを特徴とする請求項22に記載の方法。上記第1の吐出ノズルを用いて、吐出時の温度が約30°C以上である、硫酸と、任意で過酸化水素とを含む流体を吐出し、上記第1の吐出ノズルを用いて、吐出時の温度が約30°C以上である硫酸を吐出した後、上記第1の吐出ノズルを用いた、吐出時の温度が約30°C以上である硫酸の吐出を終了してから、該第1の吐出ノズルに対して吸引を行ない、その後、上記第2の吐出ノズルを用いて、約30°Cより低い温度の水を吐出することを特徴とする請求項1に記載の方法。1以上の処理用流体を超小型電子加工品に対して、それぞれ別々に向けられるように構成される第1の吐出オリフィスおよび第2の吐出オリフィスを含む処理容器の中に該超小型電子加工品を配置する工程と、上記第1の吐出オリフィスを用いて第1の処理用流体を上記処理容器の中に吐出する工程と、上記第1の吐出オリフィスに対して吸引を行なう工程と、上記第1の吐出オリフィスの吸引後に、上記第2の吐出オリフィスを用いて第2の処理用流体を上記処理容器の中に吐出する工程と、を含むことを特徴とする超小型電子加工品の処理方法。第1の処理用流体を処理容器の中に吐出することができる少なくとも1つのオリフィスを含む第1のノズルと、該第1のノズルとは異なり、第2の処理用流体を該処理容器の中に吐出することができる少なくとも1つのオリフィスを含む第2のノズルとを含む該処理容器の中に超小型電子加工品を配置する工程と、上記第1のノズルおよび第2のノズルのいずれか、もしくは両方に対して吸引を行なうことで、それぞれの処理用流体を上記第1のノズルおよび第2のノズルのいずれか、もしくは両方から上流へ抜き出す工程と、を含むことを特徴とする超小型電子加工品の処理方法。1以上の処理用流体を超小型電子加工品に対して、それぞれ別々に向けられるように構成される第1の吐出ノズルおよび第2の吐出ノズルを含む処理容器の中に該超小型電子加工品を配置する工程と、上記第1の吐出ノズルを用いて第1の処理用流体を上記処理容器の中に吐出する工程と、上記第2の吐出ノズルを用いて第2の処理用流体を上記処理容器の中に吐出する工程と、第2のノズルから吐出された第2の流体のフィルムの表面上に、第1のノズルから吐出されたある流体の雫が落下するのを防ぐために、第1の化学物質の吐出と第2の化学物質の吐出との移行を制御する工程と、上記超小型電子加工品の上において、上記第2の処理用流体のフィルムの表面上に、上記第1のノズルから吐出された上記第1の処理用流体が滴り落ちるのを防ぐために、上記第1の処理用流体の吐出と上記第2の処理用流体の吐出との移行を制御する工程と、を含むことを特徴とする超小型電子装置の処理方法。発明を実施するための形態本明細書に記載される本発明の例示的な実施形態は、網羅的でもなければ、本発明を下記の詳述な記載に開示された厳密な態様に限定する意図もない。むしろ、本明細書に記載される例示的な実施形態は、当業者が本発明の原理および実施を認識、且つ理解できるように、選んだ上で記載されている。代表的な実施形態において、処理中の超小型電子加工品が自身の中心軸を中心に回転しているタイプの好ましいマルチノズルツールに対して、本発明を実施する事が望ましい。好ましい例示的なマルチノズルツールは、複数のオリフィスを含むスプレーバーの形をした第1のノズルを含み、該複数のオリフィスから、第1の処理用流体が、下に位置する回転中の超小型電子加工品のコードにまで吐出される。多くの場合、このコードは上記超小型電子加工品の直径、あるいは直径の一部分に対応する。また、上記マルチノズルツールは第2のノズルを含み、下に位置する回転中の上記超小型電子加工品の概ね中心に、当該第2のノズルから第2の処理用流体が吐出される。第1の処理用流体および/または第2の処理用流体は、それぞれ別々に、連続的な方法、または断続的な方法、もしくはその両方を組み合わせた方法で細流として吐出されてもよい。また、各流体は、それぞれ別々に、ミスト状もしくはスプレー状に吐出されるように噴霧することができる。ノズルの設計、2以上の細流による衝突等によって、噴霧が可能である。多くの場合、超小型電子加工品はこのような処理の1以上の工程中に軸を中心に回転している。単一の超小型電子加工品システムにおいて、超小型電子加工品は、自身の中心軸を中心に回転することが多い。この種類の例示的なツールは、ミネソタ州、チャスカにあるFSIInternational,Inc.からORION登録商標という商品名で市販されている。複数の超小型電子加工品を同時に処理するツールにおいて、超小型電子加工品が回転ターンテーブルプラテンとも称されるの上に支持されるホルダーカセットとも称される内に格納されることも多い。ターンテーブルは、自身の中心軸を中心に回転し、概略的には、上記ホルダーは該ターンテーブルの中心軸の周りを軌道を描いて遊星状に回転する。この種類の例示的なツールは、ミネソタ州、チャスカにあるFSIInternational,Inc.からMERCURY登録商標およびZETA登録商標という商品名で市販されている。理論で結びつけることを望まないため、本発明がもたらした、損傷を減らすための大幅な改善策を説明するために、基本原理を提示することができる。特定の処理用流体の組み合わせによっては、共に混合した時に、発熱を伴うとともに、エネルギーを発して反応することが知られている。超小型電子装置を製造する状況において、酸成分および洗浄水は、このような組み合わせの一例である。具体的な例では、過酸化水素、オゾンなどの酸化剤を任意に含む硫酸水溶液が、かなりのエネルギーを発して水と混合する。超小型電子加工品の表面上にて確認できる特徴として、マイクロバーストと称される爆発性の破裂とともにエネルギーが放出される。装置の部品の近傍でマイクロバーストが起きると、この破裂により部品を損傷させる可能性がある。このような酸成分等の第1の化学物質から、水等の第2の化学物質へ移行する際、および/あるいは、一方の化学物質の雫が別の化学物質のフィルムに落下する場合に、マイクロバーストの危険性が比較的高くなる。マルチノズルシステムにおいて、高温のピラニア溶液硫酸および過酸化水素の水性混合物から水への移行という具体的なケースでは、一方のノズルから水が注入されている状況で、別のノズルから吐出された高温の残留酸の雫が回転している超小型電子加工品の表面上にあるシート状の水フィルムの上に滴り落ちる可能性がある。上記超小型電子加工品の表面に滴り落ちる高温の酸の雫は、局所的で非常に活発な反応を引き起こし、これらの混合が生じる箇所の近傍にある装置部品を損傷させる可能性がある。残留酸が超小型電子加工品の湿った表面に継続的に滴り落ちる場合、上記の危険性は、洗浄への移行時だけではなく、洗浄過程の間も続く。水の雫が超小型電子加工品の表面で酸を多く含む相と混合した時にも、場合によってはマイクロバーストによる損傷が起きる可能性がある。図1ないし図3に、マイクロバーストがどのように装置部品を損傷するのかについての概念を概略的に示す。まず図1を参照すると、超小型電子加工品102は、概略的にサポート104を含有し、該サポート104は、半導体超小型電子ウエハを含むことが多い。必要に応じて、酸化被膜または同様の膜等の層図示されないが、従来の方法に従って上記サポート104に更に組み込まれてもよい。ポリシリコンゲートの実例的な形状をした線部品106が、上記サポート104の表面上に形成される。上記線部品106の例示的な実施形態には、概略的に、ゲート酸化膜108、ポリシリコン電極110、および誘電体層112が含まれる。図示されるように、水フィルム114が上記超小型電子加工品の表面上を覆う。高温の酸の雫116が上記超小型電子加工品102に向かって落下する様子を概略的に示す。図2に、高温の酸の雫116が上記水フィルム114に落ちた場合に起こるマイクロバースト115を概略的に示す。上記線部品106に衝突した上記マイクロバースト115によって生じた爆破区域117が図示される。図3は、マイクロバーストが鎮まった後の爆破区域117を示す。損傷した線部品119が上記爆破区域117内に図示されている。図1に示す超小型電子加工品から得られるデータによって、マイクロバーストの理論が裏付けられる。ある実験では、ポリシリコンゲートの形状をした線部品が組み込まれた超小型電子加工品を調査した。図5ないし図12を参照して以下に記載する従来の手順によって、上記超小型電子加工品の処理が行なわれた。さらに、図5ないし図12に示す手順の後、上記超小型電子加工品は、SC1工程を経て、その後、洗浄および遠心脱水処理された。上記SC1工程には、水酸化アンモニウム、過酸化水素、および水溶液を用いる処理が含まれた。本発明の移行制御をせず、上記従来の手順を実施した後、ポリシリコンゲートの損傷の有無を確認するために、超小型電子加工品の表面を調べた。これらの超小型電子加工品からは、約10~20の損傷箇所が検出された。ほとんどの損傷箇所が、多くの線に及んでいた。この調査では、線部品のアスペクト比は5:1であった。また、高さは約150nmで、幅は約30nmであった。一方、図13ないし図20に示すように、別の同一の超小型電子加工品に対して移行制御による改善処理を実施した場合、損傷エリアは検出されなかった。本発明を実施する際、上記第1の処理用流体あるいは上記第2の処理用流体のいずれかとして、幅広い処理用流体が使用されてもよい。これらの処理用流体には、酸化流体、腐食流体、洗浄流体、艶出し流体、およびこれらの流体の組み合わせ等を含む。例示的な流体として、水と、イソプロピルアルコール等の水性アルコールと、オゾン、過酸化物、またはこれらの組み合わせ等を含む水等の、1以上の酸化体を含む液体と、HF、リン酸、硫酸、硝酸、塩酸、グリコール酸、乳酸、酢酸、およびこれらの組み合わせ等を含む水等の酸性液体と、溶存水酸化アンモニウム、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム、コリン、およびこれらの組み合わせ等を含む水等のアルカリ溶液と、フッ化アンモニウム等の緩衝液とが挙げられる。これらの成分は濃縮されてもよいし、または希釈されてもよい。これらの成分は、幅広い温度で提供されてもよく、これらの成分を含む溶液が冷却されたり、室温で供給されたり、あるいは加熱された状態の温度が含まれる。上記超小型電子加工品の表面の近傍で異なる化学物質をエネルギー発生させながら混合させることが、本発明によって大幅に減少する部品損傷を引き起こす原因の少なくとも一部になるというマイクロバースト理論を本明細書において提示した。このマイクロバースト理論を考慮すると、本発明は、上記第1の処理用流体と第2の処理用流体とを発熱を伴いながら混合させるような状況において有利に実施される。一般的に、発熱を伴う混合は、例えば、酸性成分と、比較的弱酸性の成分または異なる種類の酸を含む酸性成分が含まれる他の水溶液とを混合した場合に起こる。このように、例えば、公知のピラニア溶液は、一般的に、硫酸と水に溶解させた過酸化水素とを含有する。上記ピラニア溶液は、超小型電子加工品の表面からフォトレジスト残渣等の有機残渣を取り除くために、一つの適用例として使用される。上記混合液は強い酸化剤であるため、上記混合液によってほとんどの有機物が除去される。また、上記ピラニア溶液には、表面の大部分を水酸基化する例えば、OH基を加える傾向があり、これにより該表面が親水性水に対する親和性を有するようになる。また、ピラニア溶液の成分は、コバルト、ニッケル、チタニウム、タングステン、タンタルおよび白金等の物質をエッチングするために使用することがある。ピラニア溶液中における硫酸および/または過酸化水素の濃度は、それぞれ、比較的高い濃度の範囲、例えば30重量パーセントを超える広い範囲に及ぶ。また、これらを中程度に希釈した溶液を使用してもよく、例えば、0.1以上30重量パーセント以下の特定成分を含む溶液が使用される。また、高度に希釈した溶液を使用してもよく、例えば、0.001以上0.1重量パーセント以下の特定成分を含む溶液が使用される。また、超希釈溶液を使用してもよく、例えば、10億分の1以上0.001重量パーセント以下の当該成分あたり、約1重量部程度含む溶液が使用される。なお、本明細書において、成分中の物質の重量パーセントは、溶液の全重量に基づいて使用される。硫酸成分過酸化水素は含まないおよびピラニア溶液成分硫酸および過酸化水素を含むには、水と混合する際、かなりのエネルギーを発生させ、熱を発する傾向がある。硫酸の相対濃度が高くなるにつれて、混合時に放出したエネルギーが大きくなる傾向がある。従って、本発明は、硫酸/ピラニア溶液処理および洗浄処理間の移行が必要となるマルチノズルツールにおいて有利に利用される。多くの場合、洗浄処理は酸処理の前後、またはいずれかのタイミングで行なわれる。図4に、本発明を実施するために特に好適で例示的な装置10を示す。説明のため、図4は、概略的には、ORION登録商標ミネソタ州、チャスカにあるFSIInternational,Inc.の単一超小型電子加工品処理ツールに相当する。上記装置10は、通常、処理容器14を規定する筐体を有する。超小型電子加工品16は、回転チャック18の上において支持される。複数の工程を含む処理の少なくとも一部の期間において、超小型電子加工品は軸17を中心に回転する。上記装置10は、複数の異なる吐出ノズル22、24、26を含み、上記超小型電子加工品16の上に流体を吐出するために、それぞれ別々に使用される。図示されるように、ノズル22は、スプレーバーを備えるとともに、通常、下に位置する超小型電子加工品16のコードの少なくとも一部にまで伸長する。上記装置10は、上記コードが超小型電子加工品16の半径に実質的に相当するように構成されている。スプレーバー22は複数のオリフィス28を含み、該スプレーバーから吐出される流体は、通常当該オリフィス28を通って上記超小型電子加工品16に向けて吐出される。ノズル24および26は、通常上記超小型電子加工品16の中心領域に流体を吐出するために、それぞれ別々に使用される。流体の吐出中に上記超小型電子加工品16が回転している限り、通常流体は上記超小型電子加工品の表面上において外方に向かって放射状に広がる。そして、上記流体は、上記超小型電子加工品の周辺に放たれ、回収された後、処分、再利用、あるいはその他の使用に供される。例示的な流体の供給源31ないし39は、配管ライン41ないし53を介して上記ノズル22、24、および/または26と結合されている。バルブ61ないし73は、上記ノズル22、24、および26に向かって流れるように該流体を制御するために使用される。説明のため、上記流体の供給源31ないし39には、低温または室温の水、湯、アンモニア水、過酸化水素、低温の硫酸、および高温の硫酸が含まれる。低温または室温の水、湯、過酸化水素、および高温の硫酸といった複数の供給源は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。これらの供給源は、理解しやすいように、別々の供給源として図示されている。マスフロー制御装置91ないし96は、供給源31ないし35、および供給源39からの流体の流れを制御しやすくするために使用される。オリフィス75は、供給源38から、高温且つ、濃縮された例えば、96重量パーセント硫酸の流れを制御しやすくするために使用される。本発明の実施形態を実施するための変形例として、上記装置10は、吸引ライン74をさらに含む。上記吸引ライン74は、上記ノズル22および/またはノズル24から化学物質を吸引しやすくするために使用される。吸引は様々な方法図示しないによって行うことができるが、簡便かつ確実な方法として、アスピレーションによる吸引が行われる。他の吸引方法としては、真空ポンプ等を用いる方法が含まれる。また、別の吸引ライン27を、ツール10の全体または一部から化学物質を吸引しやすくする効果のある位置に設けてもよい。有利な点としては、上記ノズル24および26から化学物質を吐出する間にも、上記吸引ライン74によって上記ノズル24に対する吸引を行うことが可能となることである。バルブ29および69によって、上記吸引ライン27および74を通る流体の流れが制御しやすくなる。図5ないし図12は、図4に示す装置10を用いて従来の処理方法を実施するための一連の手順を示す。あらゆる観点から、まず初めに、硫酸と過酸化水素とを用いて超小型電子加工品16からフォトレジスト残渣を取り除く。上記酸処理の後、洗浄工程が続く。有利な点としては、このプロセスが、上記超小型電子加工品16の熱による衝撃を最小限にすることを目的としていることである。しかし、上記手順は、本発明に係る超小型電子加工品の表面における混合制御をせずに、実施されている。混合制御が行われなければ、上記プロセスにおいて、超小型電子加工品の表面上の微細な部品が損傷を受ける可能性がある。図13ないし図20は、多くの有利な原理を組み込む本発明の実施態様の実例を実現するための、図4に示す装置10の使用方法を示す。微細な部品の損傷は劇的に減る。なお、上記2つの異なる手順に対応するこれらの図面全てにおいて、特定の工程で使用されている配管ラインおよび流体は図示されるが、使用されていない他の配管ラインおよび流体の供給源は、理解しやすいように省略されている。図5ないし図12に示す従来の方法を説明する。使用される硫酸は、約96重量パーセントバランス水に濃縮され、過酸化水素は、30重量パーセントの水溶液である。図5において、超小型電子加工品16が回転チャック18の上に設置されている。濃縮された室温の硫酸例えば、約20°Cが、中央に位置する上記吐出ノズル24によって超小型電子加工品16の上に注入される。本工程は、約10秒等の好適な長さの時間で行なわれる。図6において、上記低温の硫酸の吐出は停止されている。ここで、濃縮された高温の硫酸が、上記ノズル22を通過して、回転している上記超小型電子加工品16の上に吐出される。低温の酸は、上記ノズル24から上記超小型電子加工品の表面に滴り落ちる傾向がある。この滴り落ちる可能性を概略的に示すために、ノズル24は破線によって図示され、斜交平行線のハッチが付される。傾向として、上記冷たい酸が、ただ単に熱い酸と混合する限り、これらの滴が原因による、どんなマイクロバーストの問題も引き起こさない。上記熱い酸は、温められて、150°Cのような適した温度にする。オリフィス75から超小型電子加工品16の流れの中において、上記熱い酸に対して、ある程度の冷却が行なわれ、その結果、上記の超小型電子加工品の表面の温度は約130°Cになる。本工程は、約5秒等の好適な長さの時間で行なわれる。図7において、高温の硫酸がノズル22から吐出され続けられるが、ここでは、過酸化水素と組み合わせて吐出される。高温の硫酸と過酸化水素は、エネルギーを発しながら混合する可能性がある。しかし、この混合が上記ノズル22から上流に向かう配管の内側で起こる限り、マイクロバースト理論における装置の損傷に対して、懸念すべき問題ではない。これは、この混合液が吐出され、上記超小型電子加工品16に到達するかなり前である。混合によって熱が生じるため、本工程中に、例えば200°Cまで温度が上昇する場合がある。通常の処理において、濃縮された硫酸過酸化水素水溶液の体積比は4:1である。本工程は、約80秒間といった適切な長さの時間で行なわれる。図7には図示されないが、本工程の少なくとも一部の期間において上記ノズル24から低温の残留酸が滴り落ちる可能性もあるし、全く滴り落ちない可能性もある。図8において、上記高温の硫酸は、上記ノズル22から吐出され続けるが、過酸化水素とは全く混合していない。上記の吐出温度は、例えば約130°Cまで下がる。本工程は、約5秒等の好適な長さの時間で行なわれる。図9において、高温の硫酸溶液から室温の硫酸溶液への移行を示す。上記ノズル22を通る高温の硫酸の流れを止めて、室温の硫酸が中央に位置する上記ノズル24を通って吐出される。上記ノズル22には、破線および斜めの網掛けによって示されるような高温の硫酸が多少残留しており、高温の硫酸溶液が全てノズル22から排出されるわけではない。上記の高温の硫酸残留溶液の一部が、上記の超小型電子加工品の表面に滴り落ちる可能性もあるが、これはマイクロバースト理論において問題にはならない。なぜならば、上記高温の硫酸は、ただ室温であるだけで同様の硫酸と上記超小型電子加工品の表面の近傍で、単に混合しているためである。室温の硫酸へ移行することによって、上記の超小型電子加工品の表面温度は低下し、例えば、約20°Cといった温度まで低下する。本工程は、約15秒間等の好適な長さの時間で行なわれる。図10に、酸吐出から洗浄水吐出への処理の移行を示す。この段階において、マイクロバーストによる損傷のリスクは高まる。水好ましくは、約20°Cが、上記中央吐出ノズル24を通って、上記超小型電子加工品16の中心上に吐出される。上記超小型電子加工品の表面の上記酸性溶液は洗い流され、放射状に広がる水のフィルムに置き換えられる。この時、この洗浄工程は、約7秒間といった適切な長さの時間継続される。上記の水の温度は約20°Cが好ましい。一方、残留する、高温の硫酸溶液が上記のノズル22にまだ残っている可能性がある。この残留する硫酸溶液は、上記超小型電子加工品の表面の近傍において、上記のフィルムに滴り落ちる可能性がある。この滴りが起きる箇所では、潜在するマイクロバーストおよびこれに伴う部品の損傷が起こり得る。マイクロバーストによる損傷のリスクは図11においても示される。ノズル24を通る水の吐出は停止している。その代わりに、水はノズル22を洗い流すために使用される。これにより、少なくとも2つの過程において、マイクロバーストによる損傷のリスクが起きる。第1の過程として、ノズル22を洗い流すことによって、まず酸が多く含まれる溶液が、上記ノズル22から超小型電子加工品16の水が多く含まれる表面上に押し出される。これにより、上記超小型電子加工品の表面では、洗い流された酸と水との混合が起こる。第2の過程としては、ノズル22の洗い流しの初期段階中に、上記の超小型電子加工品の表面が一時的に酸が多く含まれるようになるので、ノズル24からの残留水が、上記の酸が多く含まれる表面に滴り落ちる可能性があり、上記の酸と水とが混合することによって、マイクロバースト、およびそれに伴う損傷が結果として起こりうる。つまり、上記ノズル22中の残留酸は、上記超小型電子加工品の表面において、マイクロバーストによる損傷を引き起こす潜在的要素である。本工程の水の吐出は、約21秒間等の好適な長さの時間で行なわれる。本工程の終了時には、上記の超小型電子加工品の表面は、概ね一面に広がった水によって覆われており、酸は残留しない。工程12では、ノズル22とノズル24の両方を通って水が流される。この段階で、上記の超小型電子加工品の表面は水によって概ね覆われているので、吐出された水は、上記の表面の水とのみ混合する。実質的には、この段階において、マイクロバーストによる損傷のリスクはない。上記の一連の工程を実施した後、上記の超小型電子加工品16はさらに処理を施され、あるいは別の方法で所望のように取り扱われる。例えば、一つの選択肢として、上記超小型電子加工品には、いわゆる、SC1処理含水水酸化アンモニウム、過酸化水素水溶液および水の混合を含む処理が施され、その後、洗浄処理および乾燥処理が行なわれる。図13ないし図20は、本発明の原理を用いてマイクロバーストによる損傷のリスクを大幅に減らすために、図5ないし図12に示す上記装置10およびその処理をどのように変更できるかを示す。装置の変更例として、装置10には、吸引ライン74が取り付けられ、これにより、配管ラインならびに、上記吸込ライン74に流動的に結合されたノズル22および24に対して、吸引が行なわれる。図13ないし図16は、図5ないし図8にそれぞれ示す工程と同様の方法で実施される処理工程を概略的に示す。図17に示す処理工程からは、ノズル22に残っている高温の残留硫酸が、超小型電子加工品16の上に滴り落ちて、マイクロバーストによる損傷が生じる可能性が認められる。従って、本工程において、ノズル22から高温の硫酸溶液の吐出は停止され、残留した硫酸溶液を吸引ライン74を通して除去するために、ノズル22に対して吸引が行なわれる。これにより、上記ノズル22は、概ねほぼ完全に乾燥し、酸の滴りのリスクは最小限になる。本工程中には、水はまだ、いずれかのノズルを通って上記の超小型電子加工品の上に吐出されないので、酸の雫が落下して上記の超小型電子加工品の表面近傍の水と混合するリスクが最小限になる。前工程で吐出されたフィルム状の酸性溶液が、上記超小型電子加工品の表面上に残留する事は、本工程の初期段階ではあり得る事である。従って、この残留フィルムを薄くすると同時に、あるいは上記表面から希望通りに酸を除去するために、上記の超小型電子加工品が回転し続けることが望ましい。本工程は、約5秒間等の好適な長さの時間で行なわれる。本工程中、上記の超小型電子加工品の表面の温度は約130°Cを維持している。もしくは、上記の超小型電子加工品が回転する時、上記表面温度は多少低下する可能性がある。図18に、必要に応じて図17に示す処理工程の後に実施される任意の処理工程を示す。この任意の工程には、低温の硫酸および/または過酸化水素水溶液等の、比較的冷温の化学物質を吐出する工程が含まれる。上記吐出される物質は、約60°Cより低い温度であることが望まれ、好ましくは約50°Cより低い温度、さらに好ましくは約30°Cより低い温度である。図示されるように、中央ノズル24を通って室温の硫酸の吐出が始まり、ライン74において、残留する酸性溶液を取り除くために、ノズル22に対する吸引処理が継続される。上記ノズル22には、破線および薄い斜めの網掛けによって示されるような、高温の残留硫酸が多少含まれる。室温の硫酸への移行によって、上記超小型電子加工品の表面温度が、約20°Cといった温度まで低下する。本工程は、約15秒間等の好適な長さの時間で行なわれる。図19に示す次の工程において、酸の雫によるリスクの最小化を継続的に行なうために、ノズル22に対する吸引が継続されることが望ましい。実際の可能性として、特に明記がない限り、図19に示す工程の期間中、または、終了時に停止されるまで、この吸引工程が概ね継続的に維持される。この段階では、水は安全にノズル24を通って、概ね上記超小型電子加工品16の中心領域に吐出される。上記の中心に吐出された水は、上記超小型電子加工品の表面上において、外方へ放射状に流れ落ちる流体の波を形成するかのように見える。酸と水との混合による熱が存在する場合、この混合により生じた熱は、比較的大きな量を伴って広がる。上記超小型電子加工品16の表面にいくらかの酸が残留したままである限り、水の上記中心領域への吐出がマイクロバーストによる損傷のリスクを最小限にするのに役立つと考えられる。本工程は、約20秒間等の好適な長さの時間で行なわれる。上記の水の吐出により、上記超小型電子加工品16の温度が約20°Cまで低下する。図20に示す任意の工程では、図19に示す上記工程で行なわれる吐出および吸引を継続すると同時に、さらに、ノズル26を通って冷水またはお湯を吐出する工程が含まれる。この工程は必須ではないが、必要に応じて実施され、本明細書には記載されていない前の工程からノズル26に存在するかもしれない化学物質を洗い流すために行なわれる。吸引は、本工程中、または、本工程の終了時に停止される。本工程は、約3秒間等の好適な長さの時間で行なわれる。上記超小型電子加工品の温度は、吐出される水の温度に一致しており、約20°Cである。図21に、超小型電子加工品16および/または他の超小型電子加工品のさらなる処理に備えて、水を用いて上記ノズル22を洗浄する工程を示す。任意ではあるが、ノズル24または26についても、必要に応じて継続して洗浄してもよい。図示のように、ノズル26は、継続して水で洗浄されている。上記ノズル22の中、または上記上流にある配管の中には、微量の酸が残留している可能性があるが、マイクロバーストによる損傷のリスクは非常に低い。一般的には、たとえ残っているとしても、残留している酸はほんのわずかな量なので、このような酸は、上記超小型電子加工品の表面に達する前に、上記の水と容易に混合する。図13ないし図21に示す一連の工程を実施した後に、上記超小型電子加工品16には、さらに処理を施され、あるいは別の方法で所望のように取り扱われる。例えば、一つの選択肢によれば、上記の超小型電子加工品には、いわゆるSC1処理を含む処理が施されてもよく、その後洗浄処理および乾燥処理が行なわれる。また、出願人Christenson氏らによる、出願番号11/603,634を有する米国特許7,592、264、並びに、2008年5月15日にDeKraker氏らにより出願された、同時係属中の米国特許出願12/152,641に記載されるように、硫酸と過酸化水素の混合液を吐出する間に、上記処理容器への水蒸気または霧の吐出と同時に、図13ないし図21に示す一連の工程を行なうことも可能である。また、濃縮された硫酸と図7に示す工程中に吐出される過酸化水素水溶液との体積比は、上記の工程が望ましい結果となるためには、2:1~10:1になるように調整が可能であり、水蒸気または霧の吐出を含む工程においては、10:1の体積比が最も望ましく、水蒸気または霧の吐出を含まない工程においては、4:1の体積比が最も望ましい。また、白金のような金属をエッチング処理を目的とする工程においては、濃縮された硫酸と過酸化水素水溶液の体積比は、2:1または、4:3が最も望ましい。以下の特許文献の全てが、本書に参考用として、あらゆる目的のために明細書中において参考として援用される。米国特許第7、556、697号出願人:ArneC.Bensonetal.、発行日:2009年7月7日、名称:SYSTEMANDMETHODFORCARRYINGOUTLIQUIDANDSUBSEQUENTDRYINGTREATMENTSONONEORMOREWAFERS米国公開番号2007/0022948出願人:AlanD.Roseetal.、公開日:2007年2月1日、名称:COMPACTDUCTSYSTEMINCORPORATINGMOVEABLEANDNESTABLEBAFFLESFORUSEINTOOLSUSEDTOPROCESSMICROELECTRONICWORKPIECESWITHONEORMORETREATMENTFLUIDS米国公開番号2007/0245954出願人:JimmyD.Collinsetal.、公開日:2007年10月25日、名称:BARRIERSTRUCTUREANDNOZZLEDEVICEFORUSEINTOOLSUSEDTOPROCESSMICROELECTRONICWORKPIECESWITHONEORMORETREATMENTFLUIDS米国公開番号2008/0008834出願人:JimmyD.Collinsetal.、公開日:2008年1月10日、名称:BARRIERSTRUCTUREANDNOZZLEDEVICEFORUSEINTOOLSUSEDTOPROCESSMICROELECTRONICWORKPIECESWITHONEORMORETREATMENTFLUIDS米国公開番号2008/0283090出願人:DavidDeKrakeretal.、公開日:2008年11月20日、名称:PROCESSFORTREATMENTOFSUBSTRATESWITHWATERVAPORORSTEAM米国公開番号2009/0038647出願人:DavidDeKrakeretal.、公開日:2009年2月12日、名称:RINSINGMETHODOLOGIESFORBARRIERPLATEANDVENTURICONTAINMENTSYSTEMSINTOOLSUSEDTOPROCESSMICROELECTRONICWORKPIECESWITHONEORMORETREATMENTFLUIDS米国公開番号2009/0280235出願人:JeffreyM.Lauerhaasetal.、公開日:2009年11月12日、名称:TOOLSANDMETHODSFORPROCESSINGMICROELECTRONICWORKLPIECESUSINGPROCESSCHAMBERDESIGNSTHATEASILYTRANSITIONBETWEENOPENANDCLOSEDMODESOFOPERATION米国特許第7、592、264号出願人:KurtKarlChristenson、発行日:2009年9月22日、名称:PROCESSFORREMOVINGMATERIALFROMSUBSTRATES本明細書において、本発明はその複数の例示的な実施形態を参照して記載されている。本明細書において特定される特許または特許出願の全開示内容は、あらゆる目的のために明細書中において参考として援用される。真空蒸着の技術における当業者が明確に理解できるように、上記開示内容が提供される。上記開示内容から不必要な限定を取り込むべきではない。本発明の範囲から逸脱せずに、本明細書に記載の上記例示的な実施形態において変更がなされることは、当業者にとって明白である。このように、本発明の範囲は、本明細書に記載の上記に例示した構造および方法に限定されないが、請求の範囲に記載される構成と方法、ならびに、その構成と方法に同等なものによってのみ限定される。本発明に係り検討されたマイクロバーストの概念を概略的に説明する図である。本発明に係り検討されたマイクロバーストの概念を概略的に説明する図である。本発明に係り検討されたマイクロバーストの概念を概略的に説明する図である。本発明に係り使用できる模範的装置を概略的に示す図である。図4に示す上記模範的装置により実行できる従来技術の一連の処理工程を概略的に示す図である。図4に示す上記模範的装置により実行できる従来技術の一連の処理工程を概略的に示す図である。図4に示す上記模範的装置により実行できる従来技術の一連の処理工程を概略的に示す図である。図4に示す上記模範的装置により実行できる従来技術の一連の処理工程を概略的に示す図である。図4に示す上記模範的装置により実行できる従来技術の一連の処理工程を概略的に示す図である。図4に示す上記模範的装置により実行できる従来技術の一連の処理工程を概略的に示す図である。図4に示す上記模範的装置により実行できる従来技術の一連の処理工程を概略的に示す図である。図4に示す上記模範的装置により実行できる従来技術の一連の処理工程を概略的に示す図である。本発明に係る混合制御処理を組み込んだ一連の工程を実施するための、図4の装置の使用方法を示す図である。本発明に係る混合制御処理を組み込んだ一連の工程を実施するための、図4の装置の使用方法を示す図である。本発明に係る混合制御処理を組み込んだ一連の工程を実施するための、図4の装置の使用方法を示す図である。本発明に係る混合制御処理を組み込んだ一連の工程を実施するための、図4の装置の使用方法を示す図である。本発明に係る混合制御処理を組み込んだ一連の工程を実施するための、図4の装置の使用方法を示す図である。本発明に係る混合制御処理を組み込んだ一連の工程を実施するための、図4の装置の使用方法を示す図である。本発明に係る混合制御処理を組み込んだ一連の工程を実施するための、図4の装置の使用方法を示す図である。本発明に係る混合制御処理を組み込んだ一連の工程を実施するための、図4の装置の使用方法を示す図である。本発明に係る混合制御処理を組み込んだ一連の工程を実施するための、図4の装置の使用方法を示す図である。"