金属板の表面に絶縁層が形成された基板;前記基板上に配線パターンと電極パターンとで形成された回路層;前記配線パターン上に搭載されるデバイス;前記配線パターンと前記デバイスとの間に金属ペーストを塗布し、前記配線パターンと前記デバイスが接合されるように焼成して形成された焼成接合層;及び、前記デバイスと前記電極パターンを電気的に連結するリードフレームを含む焼成接合を用いたパワーモジュール。前記基板は、AMSAnodizedMetalSubstrateであることを特徴とする請求項1に記載の焼成接合を用いたパワーモジュール。前記金属板は、アルミニウムAl、アルミニウム合金Alalloy又は銅Cuのうち何れか一つであることを特徴とする請求項1に記載の焼成接合を用いたパワーモジュール。前記絶縁層は、酸化アルミニウムAl2O3であることを特徴とする請求項1に記載の焼成接合を用いたパワーモジュール。前記デバイスは、ウェハ前処理されたデバイスであることを特徴とする請求項1に記載の焼成接合を用いたパワーモジュール。前記金属ペーストは、マイクロサイズの金属粉末と、ナノサイズの金属粉末との割合が7:3であることを特徴とする請求項1に記載の焼成接合を用いたパワーモジュール。前記金属粉末は、チタンTi、銅Cu、ニッケルNi、及び金Auのうち一つ以上であることを特徴とする請求項6に記載の焼成接合を用いたパワーモジュール。前記デバイスと前記リードフレームとの一端及び前記電極パターンと前記リードフレームとの他端を接合する半田接合層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の焼成接合を用いたパワーモジュール。前記デバイスは、ウェハ前処理され、下部に金属ペーストが5μm~15μmの厚さで塗布されていることを特徴とする請求項1に記載の焼成接合を用いたパワーモジュール。A金属板の表面を酸化させ、前記表面全体に絶縁層が形成された基板を準備する段階;B前記基板上に配線パターンと電極パターンとを含む回路層を形成する段階;C前記配線パターン上にデバイスを搭載した後、前記配線パターンと前記デバイスとが接合されるように、前記配線パターン上に金属ペーストを塗布した後、焼成sinteringする段階;及び、D前記デバイスと前記電極パターンとを電気的に連結するために、前記デバイスとリードフレームとの一端及び前記電極パターンと前記リードフレームとの他端が接合されるように半田付けsolderingする段階を含む焼成接合を用いたパワーモジュールの製造方法。E前記デバイスを搭載する前に、前記デバイスにウェハ前処理を行う段階をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の焼成接合を用いたパワーモジュールの製造方法。前記Eの段階における前記ウェハ前処理段階は、多数のデバイスが実装されたウェハ基板を準備する段階;前記ウェハ基板の下部に5μm~15μmの厚さで金属ペーストを塗布した後乾燥する段階;及び、前記ウェハ基板に実装された多数のデバイスを個別デバイスにそれぞれソーイングsawingする段階を含むことを特徴とする請求項11に記載の焼成接合を用いたパワーモジュールの製造方法。前記Aの段階は、A-1金属板を準備する段階;及び、A-2前記金属板の表面を酸化させ、前記表面全体に絶縁層が形成される段階を含むことを特徴とする請求項10に記載の焼成接合を用いたパワーモジュールの製造方法。前記Bの段階で、前記配線パターンと電極パターンは、めっき、スパッタリングsputtering又は蒸着depositionのうち何れか一つの技法で形成されることを特徴とする請求項10に記載の焼成接合を用いたパワーモジュールの製造方法。前記Cの段階で、前記配線パターン上に金属ペーストを塗布する時、シルクスクリーンsilkscreen、メタルスクリーンmetalscreen、スタンピングstamping又はディスペンシングdispensingのうち何れか一つの技法で塗布されることを特徴とする請求項10に記載の焼成接合を用いたパワーモジュールの製造方法。前記Cの段階で、前記金属ペーストの焼成温度は、250°C乃至300°Cの間であることを特徴とする請求項10に記載の焼成接合を用いたパワーモジュールの製造方法。本発明は、前記のような問題点を解決するために案出されたものであって、電気的効率が高く、放熱特性に優れている焼成接合を用いたパワーモジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。前記のような目的を達成するために、本発明の一実施例による焼成接合を用いたパワーモジュールは、金属板の表面に絶縁層が形成された基板;前記基板上に配線パターンと電極パターンとで形成された回路層;前記配線パターン上に搭載されるデバイス;前記配線パターンと前記デバイスとの間に金属ペーストを塗布し、前記配線パターンと前記デバイスが接合されるように焼成して形成された焼成接合層;及び、前記デバイスと前記電極パターンとを電気的に連結するリードフレームを含んで構成される。また、前記基板は、AMSAnodizedMetalSubstrateであることを特徴とする。また、前記金属板は、アルミニウムAl、アルミニウム合金Alalloy又は銅Cuのうち何れか一つであることを特徴とする。また、前記絶縁層は、酸化アルミニウムAl2O3であることを特徴とする。また、前記デバイスは、ウェハ前処理されたデバイスであることを特徴とする。また、前記金属ペーストは、マイクロサイズの金属粉末とナノサイズの金属粉末との割合が7:3であることを特徴とする。また、前記金属粉末は、チタンTi、銅Cu、ニッケルNi及び金Auのうち一つ以上であることを特徴とする。また、前記パワーモジュールは、前記デバイスと前記リードフレームとの一端及び前記電極パターンと前記リードフレームとの他端を接合する半田接合層をさらに含むことを特徴とする。また、前記デバイスは、ウェハ前処理され、下部に金属ペーストが5μm~15μmの厚さで塗布されていることを特徴とする。一方、本発明の一実施例による焼成接合を用いたパワーモジュールの製造方法は、A金属板の表面を酸化させ、前記表面全体に絶縁層が形成された基板を準備する段階;B前記基板上に配線パターンと電極パターンとを含む回路層を形成する段階;C前記配線パターン上にデバイスを搭載した後、前記配線パターンと前記デバイスが接合されるように、前記配線パターン上に金属ペーストを塗布した後、焼成sinteringする段階;及びD前記デバイスと前記電極パターンとを電気的に連結するために、前記デバイスとリードフレームとの一端及び前記電極パターンと前記リードフレームとの他端が接合されるように半田付けsolderingする段階を含む。また、本発明の一実施例による焼成接合を用いたパワーモジュールの製造方法は、E前記デバイスを搭載する前に、前記デバイスにウェハ前処理を行う段階をさらに含むことを特徴とする。また、Eの段階における前記ウェハ前処理段階は、多数のデバイスが実装されたウェハ基板を準備する段階;前記ウェハ基板の下部に5μm~10μmの厚さで金属ペーストを塗布した後乾燥する段階;及び、前記ウェハ基板に実装された多数のデバイスを個別デバイスにそれぞれソーイングsawingする段階を含むことを特徴とする。また、前記Aの段階は、A-1金属板を準備する段階;及び、A-2前記金属板の表面を酸化させ、前記表面全体に絶縁層が形成される段階を含むことを特徴とする。また、前記Bの段階で、前記配線パターンと電極パターンは、めっき、スパッタリングsputtering又は蒸着depositionのうち何れか一つの技法で形成されることを特徴とする。また、前記Cの段階で、前記配線パターン上に金属ペーストを塗布する時、シルクスクリーンsilkscreen、メタルスクリーンmetalscreen、スタンピングstamping又はディスペンシングdispensingのうち何れか一つの技法で塗布されることを特徴とする。また、前記Cの段階で、前記金属ペーストの焼成温度は、259°C乃至300°Cの間であることを特徴とする。本発明の特徴及び利点は、添付図面に基づいた以下の詳細な説明からより明らかになるであろう。これに先立ち、本明細書及び請求範囲に用いられた用語や単語は、通常的かつ辞書的な意味に解釈されてはいけなく、発明者がその自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されなければならない。本発明によれば、焼成接合を用いたパターモジュール及びその製造方法は、基板に金属ペーストを塗布し、その上に薄いデバイスを搭載した後、前記金属ペーストを焼成して接合するので、接合工程が容易かつ簡単なだけでなく、既存の半田付けの接合時に発生する圧力による破損を防止する効果がある。また、本発明によれば、前記デバイスの下部が、金属ペーストによって基板と接合されているため、パワーモジュールの動作時に発生する熱を前記デバイスの下部を通じて放出するのが容易であるので、放熱特性が向上されるだけでなく、これにより電気的効率が高くなる効果がある。本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は、添付図面に関する以下の詳細な説明および好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同じ構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、本発明の説明において、係わる公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要にぼかす可能性があると判断される場合は、その詳細な説明を省略する。以下、添付の図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。図1は、本発明の一実施例による焼成接合の構造を有するモジュールの断面図である。図1を参照すると、本発明の一実施例による焼成接合を用いたパワーモジュール100は、金属板11の表面に絶縁層13が形成された基板10、前記基板10上に配線パターン21と電極パターン23とで形成された回路層20、前記回路層20の配線パターン21上の搭載されるデバイス40、前記配線パターン21と前記デバイス40との間に金属ペーストを塗布し、前記配線パターン21と前記デバイス40が接合されるように焼成して形成された焼成接合層30、前記デバイス40と前記電極パターン23を電気的に連結するリードフレーム60、及び前記デバイス40と前記リードフレーム60との一端及び前記電極パターン23と前記リードフレーム60との他端を接合する半田接合層50を含んで構成される。本実施例において、前記基板10に半導体チップchipのようなデバイス40を搭載する時、焼成技法によって接合される焼成工程を行うためには、高い基板扁平度例、10μm以内と、優れた基板剛性即ち、圧力及び温度による変形を最小化を有し、前記基板10の上下部が同一でなければならない。しかし、従来主に使用されたDBCDirectBondedCopper基板やリードフレームLeadFrame基板は、それぞれ次のような短所がある。先ず、DBC基板の場合、優れた剛性及び扁平度を有するが、熱伝導性の向上のために、DBC基板の下部に半田solderを用いて放熱板を再度貼り付けなければならないという不便があり、デバイスの下部の半田層の存在によって熱伝導度が低下し、信頼性が低くなる。その反面、リードフレーム基板の場合、複雑な回路の具現が難しく、放熱特性がよくないので、高電圧、高電流のハイパワーhighpowerモジュールには適用が難しい。本発明の一実施例では、前記DBC基板とリードフレーム基板の短所を補完することができるAMSAnodizedMetalSubstrate10が使用される。前記AMS10は、厚い金属板11の表面を酸化させ、その表面に絶縁層13が形成された基板である。前記絶縁層13は、前記金属板11の表面全体を陽極酸化法等によって酸化させ、例えば、酸化アルミ二ウムAl2O3のような酸化被膜で形成される。また、前記絶縁層13は、前記金属板11の表面全体に、セラミック層ceramiclayer又はエポキシ層epoxylayerを接着して形成されることもできる。前記金属板11は、例えば、アルミニウムAl、アルミニウム合金Alalloy又は銅Cu等が使用されることができる。このように形成されたAMS10は、優れた剛性と扁平度を有するだけでなく、金属板11からなっているので、放熱特性にもまた優れている。前記AMS10上に半導体チップのようなデバイス40が搭載される配線パターン21、及び前記デバイス40と電気的に連結され、外部から前記デバイス40に電源を供給するための電極パターン23を含む回路層20が所定の厚さとパターンで形成される。このような前記回路層20は、前記AMS10上に、例えば、チタンTi、銅Cu、ニッケルNi、及び金Au等をめっき、スパッタリングsputtering及び蒸着deposition等によって所定の形に約1μmの厚さで形成される。この時、前記回路層20の最外角の表面は、銀Agで仕上げ処理されるのが好ましい。これは、前記配線パターン21上に前記デバイス40を搭載するために塗布された金属ペーストが主に銀Agペーストで形成されるため、前記焼成接合時に接合をより容易にするためである。上述した通り、前記配線パターン21と前記デバイス40との間に金属ペーストを塗布し、前記配線パターン21と前記デバイス40が接合されるように焼成して焼成接合層30を形成し、この時の焼成温度は、約250°C乃至300°Cの間である。このような前記焼成接合層30により前記配線パターン21上に前記デバイス40を搭載させたパワーモジュール100は、既存に使用された半田solder接合層によって前記配線パターン21上に前記デバイス40を搭載させたパワーモジュールより放熱特性が優れている。具体的に、既存に使用された半田接合層の場合、約60W/mkの低い熱伝導度を有する反面、本発明の焼成接合層30の場合には、約250W/mkの高い熱伝導度を有するので、前記焼成接合層30によって接合されたパワーモジュール100の放熱特性もまた向上するのである。また、既存に使用された半田接合層による接合時には、約40Mpaの高い圧力を必要とするので、前記絶縁層13が壊れたり、前記回路層20が分離されるという問題が発生し得る。しかし、本発明に基づく前記焼成接合層30による接合時には、高い圧力で加圧する必要なく、前記焼成接合層30上に前記デバイス40を搭載して焼成するため、約10乃至20MPa程の圧力だけでも安全的な焼成結合を得ることができ、かかる問題を防止することができるようになる。さらに、前記焼成接合層30は、焼成して接合された後には、純銀Agと類似した約900°Cの融点を有するようになる。このような前記焼成接合層30を通じて、前記配線パターン21と前記デバイス40が接合されると、その後、前記デバイス40と前記リードフレーム60の接合時にも焼成接合層30は融点が高いため、再溶融が発生しない。従って、前記焼成接合層30にボイドvoidが形成されるのを防止することができ、前記ボイドによる信頼性の低下やチップティルティングtiltingの問題等を解決すことができる。このように本発明による前記焼成接合層30を形成する金属ペーストは、マイクロサイズの金属粉末とナノサイズの金属粉末等が、所定の割合で混合されている。前記金属ペーストは、マイクロサイズの金属粉末とナノサイズの金属粉末以外に溶媒solvent、分散剤dispersingagent、希釈剤thinner及び結合剤binder等が混合された組成物である。この時、前記マイクロサイズの金属粉末とナノサイズの金属粉末は、同種又は異種の金属粉末であり得る。前記金属粉末としては、例えば、金Au、銀Ag、錫Sn、インジウムIn及び銅Cu等が使用される。本発明のように、焼成接合層30として、マイクロサイズの金属粉末とナノサイズの金属粉末とが所定の割合で混合された金属ペーストを使用すると、同じサイズの金属粉末のみを使用した金属ペーストを使用した時より焼成特性が向上する。具体的に、本発明のように、マイクロサイズとナノサイズとが混合された金属ペーストで形成された焼成接合層30は、既存にマイクロサイズの金属粉末のみでなる金属ペーストを使用した場合より表面積が増加し、それによる焼成駆動力drivingforceの増加により焼成温度を低めることができる。その反面、本発明の焼成接合層30は、既存にナノサイズの金属粉末のみでなる金属ペーストを使用した場合より金属粉末対分散剤、希釈剤、及び結合剤等を含む溶媒の含量が相対的に低くなる。これによって、焼成時に前記溶媒の揮発が容易になり、完全燃焼が可能になるので、焼成接合層30の内部や前記デバイス40の下部にボイドvoidが形成されることを防止することができる。この時、本発明による焼成接合層30に使用された金属ペーストは、前記マイクロサイズの金属粉末の大きさが約35μm~75μmであり、好ましくは、約5μm以下である。また、前記ナノサイズの金属粉末の大きさは、10nm~50nmであり、好ましくは、約30nm以下である。一方、前記マイクロサイズの金属粉末対ナノサイズの金属粉末の割合は、7:3又は8:2の間であるのが好ましい。特に、前記マイクロサイズの金属粉末が、錫Sn及びインジウムInを含む時には、前記錫Snの含量割合を25以下にするのが好ましい。かかる金属粉末のサイズと組成比を有する金属ペーストを使用した焼成接合層30の焼成温度は、外部の圧力に助けられて約250°C~300°Cになる。この時、前記金属ペーストに使用された溶媒は、約250°Cで全て揮発される特性を有する有機物を使用するのが好ましい。これは、前記焼成接合層30を形成する金属ペーストが、焼成温度約250°C~300°Cに到達するまでの金属粉末間の接合が発生しないようにして、相互拡散diffusionの発生を防止するだけでなく、実際の焼成温度で前記配線パターン21上に前記デバイス40を接合するようにするためである。前記半田接合層50は、前記デバイス40と前記リードフレーム60との一端及び前記電極パターン23と前記リードフレーム60との他端を半田付けして接合するための接合層である。前記リードフレーム60の両端は、それぞれ前記デバイス40と前記電極パターン23に接合され、前記デバイス40を電気的に連結する。通常のモジュールにおいて、前記デバイス40の電気的配線のために、ワイヤボンディングをするのが一般的であるが、本発明では、リードフレーム60を使用することで、より堅固で信頼性のあるパワーモジュール100を完成することができる。図2乃至8は、本発明の一実施例による焼成接合を用いたパワーモジュールの製造方法を説明するための工程断面図である。まず、図2に図示された通り、金属板11を準備する。その後、図3に図示された通り、前記金属板11の表面全体に絶縁層13を形成する。この時、前記絶縁層13は、陽極酸化法等を使用し、前記金属板11の表面を酸化させ、前記表面全体に酸化アルミニウムAl2O3のような酸化被膜を形成することができる。前記金属板11にその表面を酸化させ、前記絶縁層13が形成された基板をAMSAnodizedMetalSubstrate10と称する。また、前記絶縁層13は、前記金属板11の表面に、セラミック層ceramiclayer又はエポキシ層epoxylayerを接着して形成することもできる。その後、前記AMS10上に、図4に図示されたように、所定の厚さで配線パターン21及び電極パターン23を含む回路層20を形成する。この時、前記回路層20は、前記AMS10上にチタンTi、銅Cu、ニッケルNi及び金Au等の金属をめっき、スパッタリングsputtering又は蒸着deposition等の方法により約1μmの厚さで形成する。その後、前記配線パターン21上にデバイス40を搭載させるために、図5に図示されたように、前記配線パターン21上に金属ペーストを塗布する。前記配線パターン21上に前記金属ペーストを塗布する時、シルクスクリーンsilkscreen、メタルスクリーンmetalscreen、スタンピングstamping又はディスペンシングdispensing技法等が使用される。その後、前記金属ペースト上にデバイス40を搭載し、約250°C乃至300°Cの間の温度で焼成して接合させる。このように前記金属ペーストを焼成すると、前記配線パターン21と前記デバイス40との間に、前記配線パターン21と前記デバイス40を接合する焼成接合層30が形成される。ここで、前記デバイス40は、ウェハ前処理されたデバイスが使用される。前記ウェハ前処理されたデバイスとは、多数のデバイスが実装されたウェハ基板をソーイングsawingする前に、前記ウェハ基板の下部に所定の割合で混合された金属ペーストを約5μm~15μmの厚さで、好ましくは、約10μm以下の厚さで薄く塗布して乾燥させた後、個別デバイスにそれぞれソーイングsawingする段階を経た各デバイスをいう。即ち、前記ウェハ前処理されたデバイスの下部には、本発明に従って所定の割合で混合された金属ペーストが薄く塗布されている。このように前記デバイス40の下部に薄く塗布された金属ペーストは、前記配線パターン21上に約40μm~60μmの厚さで、好ましくは、約50μmの厚さで厚く塗布された金属ペースト上に、前記デバイス40を搭載して焼成時の接合をより容易にし、その接着力を強化する。前記AMS10の配線パターン21上に前記デバイス40を搭載させた後には、前記デバイス40を前記電極パターン23と電気的に連結するための半田付けの工程が進められる。図7に図示された通り、前記デバイス40と前記電極パターン23とを連結するためのリードフレーム60を接合するために、前記デバイス40と前記電極パターン23上に半田接合層50を形成する。その後、図8に図示された通り、前記リードフレーム60の一端と前記デバイス40及び前記リードフレーム60の他端と前記電極パターン23が、前記半田接合層50によって接合されるように、所定の圧力を加える。最後に、前記デバイス40と回路層20を保護するために、合成樹脂80等を塗布して密封し、前記電極パターン23と接合され、外部に連結されたバスbus70等を備えると、図1に図示されたようなパワーモジュール100が完成される。ここまで上述した通り、本発明による焼成接合を用いたパワーモジュール100及びその製造方法によれば、薄いチップを焼成技法で接合することができるので、電気的効率が高くなり、放熱特性が向上する。また、本発明によれば、焼成技法を用いるので、高い圧力を印加する必要がなく、基板や薄いチップの破損を防止することができるだけでなく、接合工程が簡単かつ容易になる。さらに、デバイス40との電気的連結のための配線が、通常のワイヤではないリードフレーム60を使用するので、より堅固で信頼性のあるパワーモジュール100を完成することができる。以上、本発明の好ましい実施例を参照して説明したが、該当技術分野で通常の知識を有する者であれば、添付の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲内で、本発明を多様に修正及び変更させることができると理解できるであろう。