成長用基板上に半導体結晶を成長させて半導体層を形成する工程と、支持基板の表面に熱硬化性樹脂からなる樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層を間に挟んで前記半導体層と前記支持基板とを密着させた状態で前記樹脂層を熱硬化させて前記支持基板と前記半導体層とを接合する工程と、前記樹脂層の熱硬化後に前記成長用基板を除去する工程と、を含む半導体発光装置の製造方法であって、前記支持基板と前記半導体層とを接合する工程の前に、前記樹脂層の前記半導体層と接する部分の周辺領域の表層部に前記樹脂層の流動性を低減または喪失させる流動抑制部を形成する工程を含むことを特徴とする製造方法。前記流動抑制部は、固体状態またゲル状態を呈していることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。前記流動抑制部を形成する工程は、前記樹脂層の前記半導体層と接する部分の周辺領域の表層部を熱硬化させる処理を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の製造方法。前記流動抑制部を形成する工程において、前記樹脂層はレーザ照射によって部分的に熱硬化されることを特徴とする請求項3に記載の製造方法。前記流動抑制部を形成する工程は、前記樹脂層の前記半導体層と接する部分の周辺領域の表面に前記樹脂層の硬化温度において固体状態を維持する固体材料層を形成する処理を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の製造方法。前記固体材料層はメタル層であることを特徴とする請求項5に記載の製造方法。前記流動抑制部を形成する工程は、前記樹脂層の前記半導体層と接する部分の周辺領域の表面に光硬化性樹脂を供給し、前記光硬化性樹脂を硬化させる処理を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の製造方法。前記支持基板と前記半導体層とを接合する工程において、前記流動抑制部は前記半導体層の外縁部と接することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1つに記載の製造方法。前記半導体層は、III族窒化物系半導体結晶を含み、前記成長用基板はレーザリフトオフ法により除去されることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1つに記載の製造方法。図1は、従来の半導体発光装置の製造方法を示す断面図である。半導体層20がサファイア基板10上に形成された後、p電極およびn電極の形成が行われ、チップ状に個片化される。その後、表面にp電極およびn電極に対応する電極が形成された支持基板30と半導体層20とが共晶接合などの方法で接合される。次に、半導体層20と支持基板30との間の空間を充填するように液状の熱硬化性樹脂40が充填される。その後、熱処理によって熱硬化性樹脂40が熱硬化される。次に、レーザリフトオフ法によりサファイア基板10が除去される。このような製造方法によれば、液状の熱硬化性樹脂40を充填したときに熱硬化性樹脂40が半導体層20の側面およびサファイア基板10の側面に這い上がり、サファイア基板10の剥離が困難となる場合がある。かかる状態においてサファイア基板10を剥離しようとすると半導体層20にストレスが加わりクラックが生じる場合もある。熱硬化性樹脂40は、支持基板30と半導体層20の接合前に支持基板30上に供給される場合もあるが、この場合においても半導体層20と支持基板30とを貼り合わせる際の押圧印加によって熱硬化性樹脂40が半導体膜20の側面およびサファイア基板10の側面に這い上がるおそれがある。本発明は、上記した点に鑑みてなされたものであり、半導体層と支持基板との間に介在する熱硬化性樹脂の半導体層および成長用基板の側面への這い上がりを防止することができる半導体発光装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明の半導体発光装置の製造方法は、成長用基板上に半導体結晶を成長させて半導体層を形成する工程と、支持基板の表面に熱硬化性樹脂からなる樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層を間に挟んで前記半導体層と前記支持基板とを密着させた状態で前記樹脂層を熱硬化させて前記支持基板と前記半導体層とを接合する工程と、前記樹脂層の熱硬化後に前記成長用基板を除去する工程と、を含む半導体発光装置の製造方法であって、前記支持基板と前記半導体層とを接合する工程の前に、前記樹脂層の前記半導体層と接する部分の周辺領域の表層部に前記樹脂層の流動性を低減または喪失させる流動抑制部を形成する工程を含むことを特徴としている。本発明に係る半導体発光装置の製造方法によれば、支持基板と半導体層とを接合する工程の前に、樹脂層の半導体層と接する部分の周辺領域の表層部に樹脂層の流動性を低減または喪失させる流動抑制部が形成されるので、樹脂層を間に挟んで半導体層と支持基板とを接合したときに半導体層側面および成長用基板側面への樹脂材料の這い上がりを防止することができる。これにより、半導体膜にダメージを与えることなく支持基板を除去することが可能となる。以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ説明する。尚、以下に示す図において、実質的に同一又は等価な構成要素、部分には同一の参照符を付している。図2乃至図4は、本発明の実施例1に係る半導体発光装置の製造方法を示す断面図である。半導体層の形成半導体結晶の成長を行うための成長用基板としてサファイア基板10を用意する。サファイア基板10を水素雰囲気中で1000°C、10分間加熱してサファイア基板10のサーマルクリーニングを行う。次にMOCVD法有機金属気相成長法によりサファイア基板10上に低温バッファ層21、下地GaN層22、n型GaN層23、活性層24、p型AlGaNクラッド層25、p型GaN層26からなる半導体層20を形成する。具体的には、基板温度を500°Cとし、TMGトリメチルガリウム流量104μmolminおよびNH3流量33LMを約3分間供給してGaNからなる低温バッファ層21をサファイア基板10上に形成する。その後、基板温度を1000°Cまで昇温し、約30秒間保持することで低温バッファ層21を結晶化させる。続いて、基板温度を1000°Cに保持したままTMG流量45μmolminおよびNH3流量44LMを約20分間供給し、厚さ約1μmの下地GaN層22を形成する。次に、基板温度1000°CにてTMG流量45μmolmin、NH3流量44LMおよびドーパントガスとしてSiH4流量27×109molminを約100分間供給し、厚さ約5μmのn型GaN層23を形成する。続いて、n型GaN層23の上に活性層24を形成する。本実施例では、活性層24としてInGaNGaNからなる多重量子井戸構造を適用した。すなわち、InGaNGaNを1周期として5周期の成長を行う。具体的には、基板温度を700°Cとし、TMG流量36μmolmin、TMIトリメチルインジウム流量10μmolmin、NH3流量44LMを約33秒間供給し、厚さ約2.2nmのInGaN井戸層を形成し、続いてTMG流量36μmolmin、NH3流量44LMを約320秒間供給して厚さ約15nmのGaN障壁層を形成する。かかる処理を5周期分繰り返すことにより活性層24が形成される。次に、基板温度を870°Cまで昇温し、TMG流量81μmolmin、TMAトリメチルアルミニウム流量75μmolmin、NH3流量44LMおよびドーパントとしてCp2MgbiscyclopentadienylMg流量29×107μmolminを約5分間供給し、厚さ約40nmのp型AlGaNクラッド層25を形成する。続いて、基板温度を保持したまま、TMG流量18μmolmin、NH3流量44LMおよびドーパントとしてCp2Mg流量29×107μmolminを約7分間供給し、厚さ約150nmのp型GaN層26を形成する。サファイア基板10上には、これらの各層によって構成される半導体層20が形成される図2a。n型半導体層の露出半導体層20をp型GaN層26の表面から部分的エッチングして凹部20aを形成し、凹部20aの底面においてn型GaN層23を露出させる。具体的には、フォトリソグラフィ技術によってn型GaN層23を露出させる領域に開口部を有するレジストマスク図示せずをp型GaN層26の表面に形成した後、ウエハを反応性イオンエッチングRIE装置に投入する。上記レジストマスクを介して半導体層20をp型GaN層26の表面からエッチングして、凹部20aを形成して凹部20aの底面においてn型GaN層23を露出させる。その後、レジストマスクを除去する図2b。保護膜の形成凹部20aを形成することにより露出した半導体層20の側面等を覆う保護膜50を形成する。具体的には、スパッタ法などにより、ウエハ上に厚さ約300nmのSiO2膜を形成する。次に、フォトリソグラフィ技術によりSiO2膜にパターニングを施して保護膜50を形成する。n型GaN層23およびp型GaN層26の表面には、それぞれn電極およびp電極を形成するための開口部50aおよび50bが形成される。尚、保護膜50はSiO2限らずSi3N4やTaN等の他の絶縁膜により構成されていてもよい。また、保護膜50を構成する絶縁体を電子ビーム蒸着法やCVD法にて成膜することも可能である図2c。n電極およびp電極の形成保護膜50の開口部50aにおいて露出しているn型GaN層23の表面にTiおよびAlを順次蒸着してn電極61を形成する。その後、保護膜50の開口部50bにおいて露出しているp型GaN層26の表面にPt、Ag、Ti、Pt、Auを順次蒸着してp電極62を形成する。その後、n電極61およびp電極62上にTi、Pt、Auを順次蒸着して接合層図示せずを形成する図2d。半導体層の分割半導体層20に半導体発光装置の1区画を画定する素子分割溝を形成する。具体的には、半導体層20の表面にレジスト材を塗布した後、露光現像処理を経て素子分割溝に対応した格子状パターンのレジストマスク図示せずを形成する。次に、ウエハをRIE反応性イオンエッチング装置に投入し、Cl2プラズマによるドライエッチングによりレジストマスクの開口部において露出した半導体層20をエッチングしてサファイア基板10に達する格子状の素子分割溝を形成する。続いて、素子分割溝に沿って、サファイア基板10をダイシングしてサファイア基板10および半導体層20からなる積層体をチップ状に個片化する図3a。支持基板の準備半導体層20を支持するための支持基板30を用意する。支持基板30は、例えば熱伝導率がサファイア基板10よりも高く、半導体層20を支持するのに十分な機械的強度を有する部材が好ましい。支持基板30として、例えばシリコン基板、セラミック基板、ガラスエポキシ基板、表面に絶縁層が形成された金属基板などを用いることが可能である。支持基板30の表面には、n電極61およびp電極62に対応したSnAgなどからなる共晶メタル31がパターニングされている。尚、支持基板30上に配線を設けることとしてもよい図3b。熱硬化性樹脂層の形成支持基板30の表面に熱硬化性樹脂を供給して樹脂層40を形成する。樹脂層40は、例えばポリイミドフィルム東レ製NCF:nonconductivefilmを用いて形成することができる。ポリイミドフィルムは、熱硬化性のポリイミド接着剤がカバーフィルムPETで挟まれたフィルム状の接着材である。ポリイミド接着剤はカバーフィルムを剥がした後、支持基板30の表面に貼り付けることにより支持基板30上に供給することができる。ポリイミド接着剤は硬化温度よりも低い所定範囲内の温度で加熱することによって軟化し粘度が低くなり、凹凸を有する基板上に気泡を生じることなくラミネートすることが可能である。ポリイミド接着剤は、例えば約80°C程度で加熱した支持基板30上に貼り付けられる。尚、ディスペンス法、スピンコート法などの手法によって、支持基板30の表面に液状の熱硬化性樹脂を供給することとしてもよい図3c。流動抑制部の形成支持基板30上に形成された樹脂層40の半導体層20が接する部分の周辺領域を熱硬化して、樹脂層40の表層部に熱硬化層41を形成する。樹脂層40は熱硬化層41において流動性が低減または喪失する。すなわち、熱硬化層41は樹脂層40の流動性を低減または喪失させる流動抑制部として機能する。具体的には、樹脂層40の半導体層20が接する部分の周辺領域に例えば波長248nm、エネルギー密度300mJ/cm2のエキシマレーザを照射して樹脂層40の部分的な熱硬化を行って熱硬化層41を形成する。エキシマレーザのエネルギー密度を適切に設定することにより樹脂層40の表層部のみを熱硬化させることが可能である。熱硬化層41のパターニングは例えばレーザ走査による直接描画によって行うことが可能である。尚、かかる熱硬化処理において、樹脂層40の表層部を完全に硬化させることを要しない。すなわち、熱硬化層41は樹脂層40の流動性を低減または喪失させる機能を有する限りゲル状態であってもよい図3d。図5は、表面に樹脂層40が形成された支持基板30の上面図である。図5において、後の工程において当接される半導体層20の外縁に対応する部分が破線で示され、熱硬化層41がハッチングで示されている。すなわち、図5において破線の内側が半導体層20の接する部分である。熱硬化層41は、樹脂層40の半導体層20と接する部分の周辺領域に形成され且つ半導体層20の外縁部と接触する重なる位置に設けられる。熱硬化層41は、例えば矩形環状パターンを有するように形成される。また、熱硬化層41は、n電極61、p電極62およびこれらの電極に対応する共晶メタル31の形成領域の外側に形成される。支持基板の分割支持基板30をダイシングなどの方法によってチップ状に個片化する。支持基板30の1つの個片は、例えば先の工程において個片化されたサファイア基板10および半導体層20からなる積層体のサイズよりも一回り大きいサイズを有する。図5において支持基板30の分割ラインが一点鎖線で示されている。尚、樹脂層40を構成するポリイミドフィルムは、熱硬化前のシート状態において支持基板30とともにダイシングすることが可能である図4a。半導体層と支持基板の接合個片化された支持基板30を80°C程度で加熱することにより樹脂層40を軟化または液状化させ、樹脂層40に流動性を持たせる。このとき不可逆性の熱硬化によって形成された熱硬化層41は、固体状態を維持する。樹脂層40の粘度が低い状態において、半導体層20の個片と支持基板30の個片とを密着させ、押圧を印加する。半導体層20上に形成されたn電極61およびp電極62と支持基板30上に形成された共晶メタル31とが接触するように位置合せがなされる。半導体層20の内側部分は、樹脂層40の粘度の低い部分と接する。一方、半導体層20の外縁部は先の熱硬化処理によって形成された熱硬化層41と接する。さらに、半導体層20の外縁部よりも外側には半導体層20を囲むように熱硬化層41が延在している。このように、樹脂層40の半導体層20との接触部の周辺領域には流動性を有しない熱硬化層41が形成されている故、軟化または液状化した樹脂層40に半導体層20の個片を押し付けたとしても、半導体層20の側面およびサファイア基板10の側面に樹脂材料が這い上がることはない。半導体層20と支持基板30とを密着加圧した状態において、周囲温度を約250°Cまで上昇させる。これにより、半導体層20上に形成されたn電極61およびp電極62と支持基板30上に形成された共晶メタル31とが共晶接合を形成するとともに樹脂層40が硬化する。すなわち、半導体層20および成長用基板10からなる積層体は支持基板30の表面に強固に固定される図4b。尚、半導体層20と支持基板30との接合は共晶接合に限らず、Au-Au接合などのメタル接合であってもよい。成長用基板の除去サファイア基板10を半導体層20から剥離する。サファイア基板10の剥離には、レーザリフトオフ法を用いることができる。具体的には、サファイア基板10の裏面側半導体層20の形成面とは反対側から波長248nm、エネルギー密度850mJ/cm2のエキシマレーザを照射する。これによりサファイア基板10との界面近傍におけるGaN結晶がGaとN2ガスに分解し、サファイア基板10が半導体層20から剥離する。半導体層20は、支持基板30上に樹脂層40を介して強固に固定されているためN2ガスの発生に伴う衝撃が緩和され、半導体層20におけるクラックの発生が防止される。また、流動抑制部41によって半導体層20の側面およびサファイア基板10の側面への樹脂材料の這い上がりが生じなくなったので、レーザ照射後、半導体層20にダメージを与えることなくサファイア基板10を容易に除去すること可能となる図4c。尚、レーザリフトオフに使用されるレーザはエキシマレーザに限らずYAGレーザなどの他のレーザであってもよい。以上の各工程を経ることにより、半導体発光装置が完成する。以下に、本発明の実施例2に係る半導体発光装置の製造方法について説明する。実施例2に係る製造方法は、樹脂層40の表面に流動抑制部を形成する工程が上記した実施例1の場合と異なる。それ以外の工程は上記した実施例1に係るものと同様であるのでその説明については省略する。図6a~dは、本発明の第2実施例に係る半導体発光装置の製造方法における流動抑制部の形成工程を示す断面図である。支持基板30上には樹脂層40が形成されている。樹脂層40の半導体層20が接する部分の周辺領域流動抑制部を形成する領域に開口部を有する保護テープ70を樹脂層40表面に貼り付ける図6a。次に、蒸着法、スパッタ法などによりAlやCuなどの金属からなるメタル層41aを保護テープ70が貼り付けられた樹脂層40上に形成する。メタル層41aは、保護テープ70の表面および保護テープ70の開口部において露出している樹脂層40の表面に形成される図6b。次に、保護テープ70上に堆積しているメタル層41aを保護テープ70とともに除去する図6c。その後、ダイシングなどの方法により支持基板30をチップ状に個片化する図6d。樹脂層40の表面に形成されたメタル層41aは、実施例1における熱硬化層41と同様、樹脂層40の表層部の流動性を低減または喪失させる流動抑制部として機能することができる。メタル層41aは、実施例1に係る熱硬化層41と同様、樹脂層40の半導体層20が接する部分の周辺領域に形成され、例えば矩形状パターンを有する図5参照。尚、上記の説明では、メタル層で流動抑制部を形成する場合を例示したが、流動抑制部を金属以外の他の固体材料により構成することも可能である。すなわち、流動抑制部は、蒸着法、スパッタ法、CVD法などの既存の方法で成膜することができ、樹脂層40の硬化温度において固体状態を維持する材料により構成することができる。流動抑制部を構成する他の候補材料としては、例えばSiO2などが挙げられる。このように、樹脂層40上にメタル層41aなどにより構成される流動抑制部を形成することにより上記した実施例1の場合と同様、半導体層側面およびサファイア基板側面への樹脂材料の這い上がりを防止することができ、レーザリフトオフ法などによって半導体層にダメージを与えることなくサファイア基板を容易に除去することが可能となる。以下に、本発明の実施例3に係る半導体発光装置の製造方法について説明する。実施例3に係る製造方法は、樹脂層40の表面に流動抑制部を形成する工程が上記した実施例1の場合と異なる。それ以外の工程は、上記した実施例1に係るものと同様であるので、その説明については省略する。図7a~dは、本発明の第3実施例に係る半導体発光装置の製造方法における流動抑制部の形成工程を示す断面図である。支持基板30上には樹脂層40が形成されている。樹脂層40の半導体層20が接する部分の周辺領域流動抑制部を形成する領域に開口部を有する保護テープ70を樹脂層40表面に貼り付ける図7a。次に、スピンコート法などにより保護テープ70が貼り付けられた樹脂層40上にUV硬化性樹脂を塗布してUV硬化性樹脂層41bを形成する。UV硬化性樹脂層41bは、保護テープ70の表面および保護テープ70の開口部において露出している熱硬化性樹脂からなる樹脂層40の表面に形成される。続いて、支持基板30の表面にUV光を照射してUV硬化性樹脂層41bを硬化させる。UV硬化性樹脂層41bは、樹脂層40とは硬化方式が異なる故、UV硬化性樹脂層41bのみを硬化させることが可能である図7b。次に、保護テープ70上に堆積しているUV硬化樹脂層41bを保護テープ70とともに除去する図7c。その後、ダイシングなどの方法により支持基板30をチップ状に個片化する図7d。樹脂層40の表面に形成されたUV硬化性樹脂層41bは、実施例1における熱硬化層41と同様、樹脂層40の表層部の流動性を低減または喪失させる流動抑制部として機能することができる。UV硬化性樹脂層41bは、実施例1に係る熱硬化層41と同様、樹脂層40の半導体層20が接する部分の周辺領域に形成され、例えば矩形状パターンを有する図5参照。このように、樹脂層40上にUV硬化性樹脂層41bにより構成される流動抑制部を形成することにより上記した実施例1の場合と同様、半導体層側面およびサファイア基板側面への樹脂材料の這い上がりを防止することができ、レーザリフトオフ法などによって半導体層にダメージを与えることなくサファイア基板を容易に除去することが可能となる。以上の説明から明らかなように、本発明の各実施例に係る半導体発光装置の製造方法によれば、半導体層20と支持基板30との間に熱硬化性樹脂からなる樹脂層40が介在しているので、半導体層20は支持基板30上に強固に固定される。これによりレーザリフトオフ法によって成長用基板を除去する際の半導体層20へのダメージを緩和することができる。ところで、半導体層と支持基板との間の隙間が小さい場合には、事後的に樹脂材料材を隙間に充填することは一般的に容易ではない。しかしながら、上記した各実施例に示されるように、半導体層20と支持基板30の接合の前に支持基板30上に樹脂層40を形成しておくことにより、半導体層20と支持基板30との間の隙間が比較的小さい場合でも、これらの隙間に樹脂層40を介在させることが可能となる。すなわち、本発明の各実施例に係る製造方法によれば、半導体層と支持基板との接合部材としてバンプなどの比較的高さのある構造物を有しない場合にも半導体層と支持基板との間に樹脂層を介在させることが可能となる。また、本発明の各実施例に係る半導体発光装置の製造方法によれば、樹脂層40の半導体層20と接する部分の周辺領域に樹脂層40の流動性を低減または喪失させる流動抑制部が形成されるので、半導体層20と支持基板30とを密着させて押圧を印加しても半導体層20側面およびサファイア基板10側面への樹脂材料の這い上がりを防止することができる。従って、半導体層20にストレスを与えることなくサファイア基板10を除去することが可能となる。また、流動抑制部を半導体層20の外縁部と接する重なる位置に設けることにより、樹脂材料の這い上がりを確実に防止することができる。尚、上記各実施例においては、半導体層20および支持基板30を個片化した後にこれらを接合することとしたが、半導体層と支持基板とをウエハレベルで接合して、その後チップ状に個片化することとしてもよい。この場合、流動抑制部をウエハ状の支持基板の外縁部に沿って形成することにより、半導体ウエハの側面への樹脂材料の這い上がりを防止することができる。また、この場合、ウエハ状の支持基板の表面に貼り付けられるポリイミドテープは、ウエハ形状に対応したシート状であってもよいし、チップ状に分割されていてもよい。また、樹脂層40の材料として異方性導電接着剤を用いることができる。異方性導電接着剤は、熱硬化性樹脂に導電性を有する微細な金属粒子を混ぜ合わせたものであり、熱および圧力を印加することにより、特定の方向のみに導電経路を形成する樹脂材料である。異方性導電接着剤を用いる場合、半導体層20と支持基板30とを電気的に接続するための共晶接合層が不要となり半導体層20および支持基板30上には電極パッドのみを設ければよい。