"基材上に形成された3次元構造体であって、積層された複数の2次元構造体を含み、前記2次元構造体は、ポルフィリン、第1の金属イオン、および特定の有機分子のそれぞれを複数個ずつ含み、前記ポルフィリンは2つ以上の官能基を含み、前記第1の金属イオンは、異なる前記ポルフィリンの前記官能基同士を結合させる金属イオンであり、前記特定の有機分子は、前記2次元構造体に含まれる金属イオンに配位結合する有機分子であって、且つ、前記金属イオンに配位する部分を1つのみ含む有機分子である、3次元構造体。前記ポルフィリンは、4つのカルボキシル基を含みポルフィン環に配位した中心金属イオンを含まないポルフィリン、または、4つのカルボキシル基とポルフィン環に配位した中心金属イオンとを含むポルフィリン金属錯体である、請求項1に記載の3次元構造体。前記第1の金属イオンが2価の銅イオンまたは2価のニッケルイオンであり、前記特定の有機分子が含窒素芳香環を含む分子である、請求項2に記載の3次元構造体。前記特定の有機分子がピリジンである、請求項3に記載の3次元構造体。前記ポルフィリンは、4つのカルボキシル基とポルフィン環に配位したコバルトイオンとを含むポルフィリン金属錯体である、請求項1に記載の3次元構造体。3次元構造体の製造方法であって、i2次元構造体を液体の表面に形成する工程と、ii前記2次元構造体を基材上に堆積させる工程と、iii前記iの工程と前記iiの工程とを含むサイクルを1回以上繰り返す工程とを含み、前記2次元構造体は、ポルフィリン、第1の金属イオン、および特定の有機分子のそれぞれを複数個ずつ含み、前記ポルフィリンは2つ以上の官能基を含み、前記第1の金属イオンは、異なる前記ポルフィリンの前記官能基同士を結合させる金属イオンであり、前記特定の有機分子は、前記2次元構造体に含まれる金属イオンに配位結合する有機分子であって、且つ、前記金属イオンに配位する部分を1つのみ含む有機分子である、製造方法。前記iiの工程の後に、x前記2次元構造体が堆積した前記基材を溶媒中に浸漬する工程を含み、前記iiiの工程は、前記iの工程と前記iiの工程と前記xの工程とを含むサイクルを1回以上繰り返す工程である、請求項6に記載の製造方法。前記ポルフィリンは、4つのカルボキシル基を含みポルフィン環に配位した中心金属イオンを含まないポルフィリン、または、4つのカルボキシル基とポルフィン環に配位した中心金属イオンとを含むポルフィリン金属錯体である、請求項6または7に記載の製造方法。前記第1の金属イオンが2価の銅イオンまたは2価のニッケルイオンであり、前記特定の有機分子が含窒素芳香環を含む分子である、請求項8に記載の製造方法。前記特定の有機分子がピリジンである、請求項9に記載の製造方法。前記ポルフィリンは、4つのカルボキシル基とポルフィン環に配位したコバルトイオンとを含むポルフィリン金属錯体である、請求項6または7に記載の製造方法。前記iの工程は、前記第1の金属イオンを含む第1の溶液に、前記ポルフィリンと前記特定の有機分子とを含む第2の溶液を添加することによって、前記液体の表面に前記2次元構造体を形成する工程である、請求項6に記載の製造方法。前記iiの工程は、前記基材の表面が前記液体の表面に対して平行となっている状態で、前記基材を前記2次元構造体に接近させ、これによって、前記2次元構造体を前記基材上に堆積させる工程である、請求項12に記載の製造方法。しかし、上記の従来技術では、構造体を構成する材料を溶液中で混合することによって構造体が形成されるため、そのサイズや位置を制御することは難しかった。また、これらの構造体をデバイスに応用する場合には構造体を基板上に形成することが重要となるが、上記従来の方法では、構造体が基板上に形成されることはなかった。このような状況において、本発明は、サイズや形状が制御され基材上に形成された3次元構造体およびその製造方法を提供することを目的の1つとする。上記目的を達成するため、本発明は、基材上に形成された3次元構造体を提供する。この3次元構造体は、積層された複数の2次元構造体を含み、前記2次元構造体は、ポルフィリン、第1の金属イオン、および特定の有機分子のそれぞれを複数個ずつ含み、前記ポルフィリンは2つ以上の官能基を含み、前記第1の金属イオンは、異なる前記ポルフィリンの前記官能基同士を結合させる金属イオンであり、前記特定の有機分子は、前記2次元構造体に含まれる金属イオンに配位結合する有機分子であって、且つ、前記金属イオンに配位する部分を1つのみ含む有機分子である。また、本発明は、3次元構造体の製造方法を提供する。この製造方法は、i2次元構造体を液体の表面に形成する工程と、ii前記2次元構造体を基材上に堆積させる工程と、iii前記iの工程と前記iiの工程とを含むサイクルを1回以上繰り返す工程とを含み、前記2次元構造体は、ポルフィリン、第1の金属イオン、および特定の有機分子のそれぞれを複数個ずつ含み、前記ポルフィリンは2つ以上の官能基を含み、前記第1の金属イオンは、異なる前記ポルフィリンの前記官能基同士を結合させる金属イオンであり、前記特定の有機分子は、前記2次元構造体に含まれる金属イオンに配位結合する有機分子であって、且つ、前記金属イオンに配位する部分を1つのみ含む有機分子である。本発明によれば、サイズや形状が制御された状態で基材上に形成された3次元構造体が得られる。また、適切な材料を選択することによって、結晶性を有する3次元構造体が得られる。以下、本発明の実施形態について例を挙げて説明する。なお、本発明は、以下の実施形態および実施例に限定されない。以下の説明では、特定の数値や特定の材料を例示する場合があるが、本発明の効果が得られる限り、他の数値や他の材料を適用してもよい。なお、以下の図面では、金属イオンを原子として示す場合がある。3次元構造体の製造方法本発明の方法は、3次元構造体の製造方法である。この製造方法によれば、基材上に形成された3次元構造体が得られる。この製造方法は、以下の工程i、iiおよびiiiを含む。工程iでは、2次元構造体を液体の表面に形成する。その2次元構造体は、ポルフィリン、第1の金属イオン、および特定の有機分子のそれぞれを複数個ずつ含む。以下では、2次元構造体を構成するポルフィリンを構成要素Aという場合があり、当該特定の有機分子をピラー分子という場合がある。構成要素Aは2つ以上たとえば3つや4つの官能基を含む。第1の金属イオンは、異なる構成要素Aの官能基同士を結合させる金属イオンである。具体的には、第1の金属イオンは、隣接する構成要素Aの官能基同士を、第1の金属イオンを介して結合させる。ピラー分子は、2次元構造体に含まれる金属イオンに配位結合する有機分子であって、且つ、当該金属イオンに配位する部分を1つのみ含む有機分子である。2次元構造体の典型的な一例は、複数の有機金属錯体と、複数の第1の金属イオンと、複数のピラー分子とによって構成される。この明細書において、ポルフィリンには、金属錯体ではないポルフィリン分子、および、ポルフィリン金属錯体が含まれる。ポルフィリン構成要素Aがポルフィリン金属錯体である場合、ポルフィン環ポルフィリン環に配位する中心金属イオンの例には、遷移金属イオンたとえばコバルトイオンやパラジウムイオンが含まれる。構成要素A中の官能基の例には、カルボキシル基、ジチオカルボキシル基、およびチオアミド基が含まれる。第1の金属イオンの例には多価金属イオンたとえば2価の金属イオンが含まれる。また、第1の金属イオンの例には遷移金属イオンが含まれ、たとえば銅イオンが含まれる。第1の金属イオンは2価の銅イオンまたは2価のニッケルイオンであってもよい。構成要素Aの官能基とその官能基を結合架橋させる第1の金属イオンとの組み合わせの例には、カルボキシル基/銅イオン、カルボキシル基/コバルトイオン、ジチオカルボキシル基/ニッケルイオン、ジチオカルボキシル基/白金イオン、チオアミド基/銅イオン、チオアミド基/鉄イオン、カルボキシル基/ニッケルイオンといった組み合わせが含まれる。構成要素Aが金属イオンを含まない場合、ピラー分子は第1の金属イオンに配位結合する分子である。構成要素Aが金属イオンを含む場合、ピラー分子は、構成要素A中の金属イオン、および第1の金属イオンから選ばれる少なくとも1つの金属イオンに配置結合する分子である。たとえば、構成要素Aがポルフィリン金属錯体である場合、ピラー分子は、ポルフィリン金属錯体の中心金属イオン第2の金属イオン、および第1の金属イオンから選ばれる少なくとも1つの金属イオンに配位結合する分子である。一例では、ピラー分子は、ポルフィリン金属錯体の中心金属イオンに配位する。また、他の一例では、ピラー分子は、後述する二核パドルホイール構造を構成する第1の金属イオンに配位する。ピラー分子の例には、ピリジン、メチルピリジン、イソキノリン、およびフェニルピリジンが含まれる。ピラー分子と、そのピラー分子が配位する金属イオンとの組み合わせの例には、ピリジン/コバルトイオン、ピリジン/銅イオン、フェニルピリジン/コバルトイオン、フェニルピリジン/銅イオンといった組み合わせが含まれる。ピラー分子に含まれる、金属イオンに配位する部分は1つであることが好ましい。ピラー分子は、2次元構造体が広がる方向以下、面内方向という場合があるに対して、垂直またはそれに近い方向に配向する分子であることが好ましい。ピラー分子には、金属イオンに配位する部分を2つ以上含むピラジンや4,4’-ビピリジンなどは含まれない。ただし、金属イオンに配位する可能な原子団を2つ以上含んでいる分子であっても、構造的に2次元構造体の金属イオンに配位可能な部分が1つのみである分子はピラー分子に含まれる。工程iiでは、工程iで形成された2次元構造体を基材上に堆積させる。工程iiによって、基材上に、2次元構造体が配置される。液体の表面に2次元構造体を形成し、それを基材上に堆積させる方法の例には、ラングミュアブロジェット法LB法が含まれる。すなわち、工程iおよびiiは、ラングミュアブロジェット法で行われてもよい。LB法は、液体の表面に単分子膜を形成する方法としてよく知られている。基材には、2次元構造体が堆積するものである限り、特に限定はない。基材の例には、半導体基板たとえばシリコン基板、石英基板、ガラス基板、および金属基板たとえば金基板といった無機材料からなる基板、グラファイト基板、ならびに樹脂基板が含まれる。工程iiiでは、工程iと工程iiとを含むサイクル以下では堆積サイクルという場合があるを1回以上繰り返す。工程iiiによって、基材上に、複数の2次元構造体が積層される。堆積サイクルの回数については特に限定はなく、目的に応じて回数を設定できる。堆積サイクルの回数によって、3次元構造体の厚さを制御できる。工程iiiで行われる堆積サイクルの回数は、1~100の範囲たとえば5~20の範囲としてもよい。なお、工程iiiを行わずに工程iおよび工程iiを1回だけ行った場合には、基材上に形成された2次元構造体が得られる。本発明の製造方法は、工程iiの後に、2次元構造体が堆積した基材を溶媒中に浸漬する工程xを含んでもよい。この場合、工程iiiは、工程iと工程iiと工程xとを含むサイクル堆積サイクルを1回以上繰り返す工程である。工程xで用いられる溶媒は、第1の金属イオンを溶解する溶媒であって、構成要素Aと第1の金属イオンとの結合、ピラー分子と第1の金属イオンとの配位結合、ピラー分子と構成要素A中の金属イオンとの配位結合のいずれをも解離させない溶媒であることが望まれる。溶媒の例には、純水やエタノールが含まれる。本発明の製造方法の一例では、ポルフィリン構成要素Aは、4つのカルボキシル基を含んでもよい。具体的には、ポルフィリンは、4つのカルボキシル基を含みポルフィン環に配位した中心金属イオンを含まないポルフィリン、または、4つのカルボキシル基とポルフィン環に配位した中心金属イオンとを含むポルフィリン金属錯体であってもよい。一例では、構成要素Aは、4つのカルボキシル基を含むポルフィリン分子金属錯体ではないポルフィリンであり、第1の金属イオンが遷移金属イオンである。また、他の一例では、構成要素Aは、4つのカルボキシル基とポルフィン環に配位した中心金属イオンとを含むポルフィリン金属錯体であり、第1の金属イオンが遷移金属イオンである。ポルフィリン金属錯体の中心金属イオンは遷移金属イオンであってもよく、たとえばコバルトイオンであってもよい。4つのカルボキシル基とコバルトイオンとを含むポルフィリン金属錯体を図1Aに示す。以下では、図1Aの5,10,15,20-テトラキス4-カルボキシフェニルポルフィリナト-コバルトII5101520tetrakisporphyrinatocobaltを、CoTCPPと表記する場合がある。含窒素芳香環を含むピラー分子の例には、ピリジン図1B参照が含まれる。以下では、ピリジンをpyと表記する場合がある。本発明の製造方法では、第1の金属イオンが2価の銅イオンまたは2価のニッケルイオンであり、ピラー分子が含窒素芳香環を含む分子であってもよい。たとえば、第1の金属イオンが2価の銅イオンであり、ピラー分子が含窒素芳香環を含む分子であってもよい。本発明の製造方法では、ピラー分子がピリジンであってもよい。工程iは、第1の金属イオンを含む第1の溶液に、構成要素Aとピラー分子とを含む第2の溶液を添加することによって、液体の表面に2次元構造体を形成する工程であってもよい。一例では、第1の溶液が水溶液であり、第2の溶液の溶媒が有機溶媒である。第1の溶液中の第1の金属イオンの濃度は、1mmol/L~100mmol/Lの範囲にあってもよく、1mmol/L~5mmol/Lの範囲にあってもよい。工程iiは、基材の表面が液体の表面に対して平行となっている状態で、基材を2次元構造体に接近接触させ、これによって、2次元構造体を基材上に堆積させる工程であってもよい。このような方法は、水平浸漬法と呼ばれる場合がある。ピラー分子は、窒素を含んでいてもよい。また、ピラー分子は、π電子を有していてもよい。一例では、隣接する2次元構造体は、面内方向に対して垂直またはそれに近い方向に配位したピラー分子間の相互作用たとえばπ-π相互作用によって固定される。その場合、2次元構造体は、面内方向にスライドするように移動することが可能になることがある。そのようなスライドを利用することによって、3次元構造体に様々な機能を持たせることが期待される。たとえば、そのようなスライドによって、3次元構造体内の細孔のサイズを変化させることも可能である。より具体的には、3次元構造体にガス分子が吸着することによって、3次元構造体内の細孔のサイズが変化することが期待される。そのような変化は、分子の選択的な吸着や、選択的な反応制御を可能にする。なお、このような2次元構造体のスライドは、単座配位のピラー分子を用いることによって初めてもたらされた効果である。溶液中で3次元構造体を構築する従来の方法では、溶液中において2次元構造体同士を結合させることによって3次元構造体を構築していた。そのため、従来の方法では、単座配位のピラー分子を用いることができなかった。一方、本願発明者らは、特定の材料と特定の方法とを組み合わせることによって、単座配位のピラー分子を用いて3次元構造体を構築できることを見出した。本発明の方法では、液体の表面に形成された2次元構造体を基材上に積層させることによって3次元構造体を形成する。そのため、従来の方法とは異なり、本発明の方法では、単座配位のピラー分子を用いて3次元構造体を形成することが可能である。本発明の方法では、工程iおよび工程iiを含むサイクルを行う回数によって2次元構造体の積層数を調節できる。すなわち、本発明の方法によれば、3次元構造体の厚さを簡単に制御できる。本発明の方法で作製される3次元構造体の厚さは、10nm~100nmの範囲にあってもよい。3次元構造体本発明の3次元構造体は、上記本発明の製造方法で製造できる。本発明の製造方法について説明した事項は、本発明の3次元構造体に適用できるため、重複する説明を省略する場合がある。また、本発明の3次元構造体について説明した事項は、本発明の製造方法に適用できる。本発明の3次元構造体は、基材上に形成されている。その3次元構造体は、積層された複数の2次元構造体を含む。その2次元構造体は、ポルフィリン構成要素A、第1の金属イオン、および特定の有機分子ピラー分子のそれぞれを複数個ずつ含む。ポルフィリンは2つ以上の官能基を含む。第1の金属イオンは、異なるポルフィリンの官能基同士を結合させる金属イオンである。ピラー分子は、2次元構造体に含まれる金属イオンに配位結合する有機分子であって、当該金属イオンに配位する部分を1つのみ含む有機分子である。ポルフィリン構成要素A、第1の金属イオンおよびピラー分子については上述したため、重複する説明を省略する場合がある。上述したように、ポルフィリン構成要素Aは、4つのカルボキシル基を含んでもよい。具体的には、ポルフィリンは、4つのカルボキシル基を含みポルフィン環に配位した中心金属イオンを含まないポルフィリン、または、4つのカルボキシル基とポルフィン環に配位した中心金属イオンとを含むポルフィリン金属錯体であってもよい。この場合の一例では、隣接するポルフィリン構成要素Aのカルボキシル基が第1の金属イオンたとえば遷移金属イオンで架橋される。このような架橋構造は、二核パドルホイール構造dinuclearpaddlewheelstructureと呼ばれる場合がある。本発明の3次元構造体を製造した一例について、以下に説明する。実施例1実施例1では、構成要素Aとして、CoTCPPPorphyrinSystems製を用いた。第1の金属イオンを含む化合物として、塩化第二銅2水和物CuCl22H2Oを用いた。ピラー分子としてピリジンを用いた。X線回折測定XRDおよび原子間力顕微鏡AFMの測定では、シリコン単結晶基板100表面を基板として用いた。紫外-可視吸収スペクトル測定では、石英基板を基板として用いた。これらの基板は、2次元構造体を積層する前に、クロロホルム、アセトン、およびエタノールのそれぞれの中で、30分間ずつ超音波洗浄した。まず、8.5mgのCoTCPPと20μLのピリジンとを、50mLのクロロホルム/メタノール混合溶媒に溶解させた。クロロホルム:メタノールの体積比は、3:1とした。PTFE製のトラフtrough、サイズ:375×75×5mm、容積:0.16Lを、塩化第二銅2水和物の水溶液濃度:0.1Mで満たした。このトラフ槽を含む膜形成装置は、対向する2つの棒状のバリアを備える。そのトラフ中の水溶液の表面を、吸引によって清浄化した。次に、96μLのCoTCPP/ピリジン溶液を、マイクロシリンジによって塩化第二銅水溶液の表面であって2つのバリア棒の間に展開した。次に、膜圧surfacepressureを測定しながら、2つのバリアを10mm/分の速度で近づけた。このようにして、水溶液の表面に、膜2次元構造体を形成した工程i。そして、膜圧が5mNm1のときの膜を、基板に移しとった工程ii。このとき、基板の表面が水溶液の表面膜表面に対して平行になるように基板を膜に接触させることによって、膜を基板に移しとった。次に、基板に対して、蒸留水による3分間の洗浄、蒸留水への3分間の浸漬、窒素ガスを吹き付けることによる乾燥を行った。このようにして、CoTCPP、銅イオン、およびピリジンからなる膜2次元構造体を基板上に形成した。次に、上記の工程i、工程ii、洗浄、浸漬、および乾燥を1つのサイクルとする工程を、繰り返し行った。これによって、積層された複数の2次元構造体を含む3次元構造体を、基板上に形成した。これらの工程を、図2に模式的に示す。比較例1比較例1では、塩化第二銅2水和物の水溶液の代わりに純水を用いることを除いて、実施例1と同様の操作を行った。具体的には、トラフに純水を入れ、その純水の表面に、160μLのCoTCPP/ピリジン溶液を展開した。その他の操作は、実施例1と同様に行った。塩化第二銅2水和物の水溶液を用いた場合と、純水を用いた場合のそれぞれについて、1つのポルフィリン金属錯体が占める面積と膜圧との関係を図3に示す。膜圧が同じ場合には、塩化第二銅水溶液を用いた実施例1の方が、1分子が占める面積が大きかった。これは、塩化第二銅水溶液を用いることによって、CoTCPP同士が銅イオンによって架橋されていること、および2次元構造体が液体の表面に形成されていることを示唆している。紫外-可視吸収スペクトル測定2次元構造体の積層数と、吸収スペクトルの変化を図4Aに示す。また、440nm近傍の吸収ピークソーレー帯:Soretbandの高さの変化を、図4Bに示す。なお、これらの図において、サイクル数が11サイクルとは、基材上に2次元構造体が1層だけ形成されていることを示す。図4Bに示す単層の計算値は、ポルフィリンの吸収係数と分子の配向とを考慮して得られた値である。この値は、1サイクルの実測値、すなわち、2次元構造体が1層だけ基板上に形成されている実測値とよく一致している。このことは、基板の表面が充分にCoTCPP-py-Cu単層で覆われていることを示唆している。また、図4Bに示すように、吸収ピークの高さは、サイクル数に比例している。このことは、1サイクルごとに2次元構造体が1層ずつ増えていることを示唆している。参考のために、溶液中における吸収スペクトルを図5のaおよびbに示す。図5のaは、CoTCPP-ピリジンpyの溶液について、CuCl2が存在する場合と存在しない場合の吸収スペクトルを示している。溶媒は、クロロホルム/メタノール混合溶媒である。図5のbは、図5のaの一部選択図である。CuCl2が存在する場合には、440nm近傍のソーレー帯が短波長側にシフトしている。このシフトは、CoTCPPのカルボキシル基とCu2イオンとの間の配位を示している。図5のcは、0.1Mmol/LのCuCl2水溶液または純水の表面に形成されたCoTCPPおよびピリジンpyを含む膜の吸収スペクトルである。なお、水溶液の表面に形成された膜は、石英基板上に移してから吸収スペクトルを測定した。図5のdは、図5のcの一部選択図である。図5のdに示すように、LB膜においても、CuCl2が存在する場合には図5のbと同様にソーレー帯のシフトが生じている。このことは、CoTCPPとピリジンpyからなる構成単位がCu2と反応して、CoTCPP、ピリジンpyおよびCu2からなる2次元構造体を形成することを示唆している。シンクロトロンX線回折の測定シンクロトロンX線回折のデータは、スプリングエイトSpring8において、ビーム線BL13XU波長1.554オングストロームを用いて室温で取得された。測定の間、測定セルにヘリウムガスを供給した。シリコン基板上に形成された3次元構造体について、X線回折測定を行った結果を、図6のa~c、図7のa、図7のb、および図8に示す。3次元構造体は、上述したサイクルを20回繰り返すことによって形成した。図6のa~cは、面外X線回折outofplaneXRDの結果である。図中の黒丸は測定値を示し、黒丸に沿った実線はフィッティングカーブを示す。フィッティングカーブの下の実線は、測定値とフィッティングカーブとの差を示す。2θが9.50°のときの001ブラッグ反射から、隣接する2次元構造体の間隔を算出したところ、0.938nmであった。また、ピークの半値全幅FWHMから3次元構造体のトータルの厚さを算出したところ、20nmであった。この値は、2次元構造体が20層積層されたときの値0.938nm×20≒19nmとよい一致を示している。図7のaは、面内inplaneシンクロトロンX線回折の結果を示している。図7のbは、図7のaの一部選択図である。図7のaには、π-πスタッキングがあると仮定した場合の計算値、および、π-πスタッキングがないと仮定した場合の計算値も示している。図8のa~fは、面内inplane方向における高統計高精細斜め入射X線回折highstatisticsfinescansofinplaneGIXRDの結果を示している。図8のa~fにおいて、黒丸は実測値を示し、黒丸に沿った実線はフィッティングカーブを示す。フィッティングカーブの下の実線は、測定値とフィッティングカーブとの差を示す。面内X線回折では、hk0のピークのみが観察された。一方、面外X線回折では、hkll≠0のピークのみが観察された。X線回折の結果から、結晶の平均ドメインサイズは約18nmであると算出された。一方、原子間力顕微鏡の像は、ドメインサイズが20nm前後であることを示しており、X線回折の結果と原子間力顕微鏡による観察結果とは、よい一致を示した。3次元構造体の構造について予測されるモデルの一例を、図7のc、図7のd、図7のeおよび図9に示す。図7のcは、a-b軸方向に平行な方向における構造を示す。図7のdは、b-c軸方向に平行な方向における構造を示す。図7のeは、a-c軸方向に平行な方向における構造を示す。図9は斜視図を示す。なお、図7のaおよびbに示したπ-πスタッキング有りの場合の計算値は、このモデルについての計算値である。図示したモデルでは、CoTCPPユニットが、2核性のCu2COO4パドルホイールpaddlewheelによってリンクされている。このモデルでは、ピリジン単座配位子が、CoTCPPのコバルトイオンの両側に1つずつ配位している。また、ピリジンは、銅二核ブロックの両側にも1つずつ配位している。ピリジンの複素環は、2次元構造体が広がる方向に対してほぼ垂直な方向に配向している。図示したモデルでは、二核パドルホイールに配位しているピリジン同士のπ-π相互作用によって、2次元構造体同士が結合されている図7のc~e。図7のaに示すように、このモデルについての計算値π-πスタッキング有りの場合の計算値は、hk0ピークのみを含んでおり、測定値とよく一致している。また、このモデルは、2次元構造体の間隔の測定値0.938nmとよい一致を示した。ピリジン同士のπ-π相互作用が生じる過程について、詳細は不明である。1つの仮定として、基材上に移された直後の2次元構造体ではπ-π相互作用が生じておらず、その後に溶媒に浸漬する工程工程xにおいてπ-π相互作用が生じている可能性がある。工程iについての検討工程iにおいて用いられる、金属塩を溶解させた第1の溶液について検討した。具体的には、第1の溶液に溶解させる金属塩の種類および濃度を変えて、2次元構造体を形成した。第1の溶液中に金属塩を溶解させることによって、第1の金属イオンが供給される。金属塩には、塩化第二銅2水和物CuCl22H2O、塩化ニッケルII6水和物NiCl26H2O、または硝酸ニッケルII6水和物NiNO326H2Oを用いた。すなわち、第1の金属イオンは、2価の銅イオンまたは2価のニッケルイオンとした。第1の溶液に展開する第2の溶液展開液には、実施例1と同様に、ポルフィリン金属錯体とピリジンとを含む溶液を用いた。ポルフィリン金属錯体には、CoTCPP、または、CoTCPPの中心金属イオンをパラジウムイオンとしたPdTCPPを用いた。実施例1と同様の方法で、第1の溶液の上に第2の溶液を展開した。次に、実施例1と同様に2つのバリアを移動させて、第1の溶液の表面に膜2次元構造体を形成した。そして、膜圧が5mN/mのときの膜の面積を測定し、その測定値および第2の溶液中のポルフィリン金属錯体の量から、ポルフィリン金属錯体1分子が占める面積を算出した。次に、第1の溶液の表面に形成された膜を、実施例1と同様の方法によって基板に移しとった。そして、基板に移しとった膜に、第1の金属イオンが第2の溶液と反応しない初期の金属塩の状態で堆積しているかどうかをX線回折法によって検証した。ただし、この検証は、一部の膜についてのみ行った。実験条件および測定結果を表1に示す。表1において、金属塩の堆積がなしとは、第1の金属イオン溶液の原料に用いた金属塩に由来するX線回折ピークが観測されなかったことを意味し、ありとは、そのX線回折ピークが観測されたことを意味する。実験1~9では、膜圧が5mN/mのときのポルフィリン金属錯体1分子の占有面積が、1.2~1.4nm2の範囲に収まっていた。一方、第1の溶液中の金属塩の濃度が0.1mmol/L以下の場合には、ポルフィリン金属錯体の占有面積が大きく減少した。これは、2次元構造体が適切に形成されていない部分があることを示唆していると考えられる。また、金属塩の濃度が1mmol/L~5mmol/Lの範囲において、金属塩の堆積が見られなかった。原料の金属塩が堆積することにより、目的の3次元構造体の基板上の表面被覆率が低下し、特性の低下を引き起こす可能性がある。これらの結果は、第1の溶液中の金属イオンの濃度は、1mmol/L~100mmol/Lにあることが好ましく、1mmol/L~5mmol/Lにあることが特に好ましいことを示唆した。"