"プロセス変数を計測するプロセストランスミッタであって、センサモジュールと前記センサモジュールに接続された第1静圧結合装置とを備え、前記センサモジュールは、工業プロセスのプロセス変数を計測し、センサ信号を発生するセンサを有し、前記センサがセンサモジュール内に液圧流体注入口を含み、前記第1静圧結合装置は、前記センサモジュールに挿入され、前記液圧流体注入口に接続される第1アイソレータ取付部、前記第1アイソレータ取付部に接合される第1プロセス流体結合部、および前記センサモジュール外において前記第1アイソレータ取付部と前記第1プロセス流体結合部との間に配置される第1隔離ダイアフラムを有するプロセストランスミッタ。前記第1アイソレータ取付部、前記第1プロセス流体結合部、および前記第1隔離ダイアフラムが、1つの溶接部において互いに接合される、請求項1に記載のプロセストランスミッタ。前記センサモジュールが、前記センサを含む内部を有するハウジングと、前記センサ内に配置され、その位置は前記センサ信号の大きさに対応している可撓性センサ素子と、前記ハウジングに接続され、モジュールベース内を延びて前記ハウジングの内部に接続される第1受け孔を有するモジュールベースと、前記液圧流体注入口を前記第1アイソレータ取付部に接続する隔離管と、前記隔離管と前記第1アイソレータ取付部との内部に充填され、前記第1隔離ダイアフラムの位置に基づいて前記可撓性センサ素子の位置に影響を及ぼす充填流体とを備える、請求項2に記載のプロセストランスミッタ。前記センサモジュールに取り付けられる電子モジュールであって、前記センサに接続されるトランスミッタ回路を有するトランスミッタ電子モジュールをさらに備える、請求項3に記載のプロセストランスミッタ。前記第1アイソレータ取付部が、前記センサモジュールベースに近接配置される第1端、波形圧力チャンバ面を有する第2端、前記波形圧力チャンバ面を囲むフランジ、および前記第1端と前記第2端とを接続する側部を含む延出体と、前記第1端から前記第1受け孔内を延びる長尺ネックと、前記長尺ネックと前記延出体との内部を延び、前記波形圧力チャンバ面と交差する貫通穴とを備える、請求項3に記載のプロセストランスミッタ。前記第1プロセス流体結合部が、前記フランジと嵌合する第1面、プロセス注入ポートを有する第2面、前記プロセス注入ポートから前記第1面に延び、前記波形圧力チャンバ面と対面する貫通孔、および前記第1面と前記第2面とを接続する側部を含むカプラ体を備え、前記第1隔離ダイアフラムが、前記カプラ体の第1面と前記第1アイソレータ取付部のフランジとの間に配置される、請求項5に記載のプロセストランスミッタ。前記長尺ネックと前記第1受け孔とが、消炎通路に沿って係合する、請求項6に記載のプロセストランスミッタ。前記長尺ネックが、前記受け孔のねじと係合するねじを含む、請求項7に記載のプロセストランスミッタ。前記長尺ネックが、前記受け孔に圧力嵌めされ、ろう付けされる、請求項7に記載のプロセストランスミッタ。前記第1プロセス流体結合部が、前記第1アイソレータ取付部とねじ係合される、請求項6に記載のプロセストランスミッタ。前記ハウジングの内部に配置される静圧センサであって、前記静圧センサから前記アイソレータ取付部まで延びる隔離管を有する静圧センサをさらに備える、請求項3に記載のプロセストランスミッタ。第2アイソレータ取付部、第2プロセス流体結合部、および前記第2アイソレータ取付部と第2プロセス流体結合部との間に接続された第2隔離ダイアフラムを有する第2静圧結合装置をさらに備え、前記センサが、前記内部に配置された第2液圧流体注入口を有する差圧センサを備え、前記ベースが、前記第1受け孔と平行な第2受け孔を含み、前記第2アイソレータ取付部が、前記第1隔離ダイアフラムと前記第2隔離ダイアフラムとが整列面上に配置されるように、前記第2受け孔内を延び、前記第2液圧流体注入口と接続される、請求項3に記載のプロセストランスミッタ。前記モジュールベースと前記第1プロセス流体結合部とが、前記ハウジングで密封される、請求項3に記載のプロセストランスミッタ。工業プロセス制御システムにおいて用いられる圧力トランスミッタであって、プロセス流体の差圧を検知する差圧センサ、前記差圧センサが配置されるハウジング、第1、第2受け孔を有する同一平面ベース、および前記差圧センサから前記第1、第2受け孔にそれぞれ延びる第1、第2隔離管を備えるセンサモジュールと、それぞれ前記第1、第2受け孔を通って前記センサモジュールに挿入される第1、第2アイソレータ取付部、前記第1、第2アイソレータ取付部にそれぞれ接合される第1、第2プロセス流体結合部、および前記第1、第2アイソレータ取付部と前記第1、第2プロセス流体結合部との間にそれぞれ配置される第1、第2隔離ダイアフラムを備えるプロセス流体接続と、前記センサモジュールに接続され、前記圧力センサの出力を処理するトランスミッタ回路を含むトランスミッタモジュールとを備える圧力トランスミッタ。前記第1アイソレータ取付部、前記第1プロセス流体結合部、および前記第1隔離ダイアフラムを互いに接合する第1溶接部と、前記第2アイソレータ取付部、前記第2プロセス流体結合部、および前記第2隔離ダイアフラムを互いに接合する第2溶接部とをさらに備える、請求項14に記載の圧力トランスミッタ。前記各第1、第2アイソレータ取付部が、前記同一平面ベースに近接配置される第1側、波形圧力チャンバ面を有する第2側、前記波形圧力チャンバ面を囲むフランジ、および前記第1側と前記第2側とを接続する側部を含む延出体と、前記第1側から前記受け孔のうちの1つの内部を延びる長尺ネックと、前記長尺ネックと、前記延出体との内部を延び、前記波形圧力チャンバ面と係合する貫通穴とを備える、請求項15に記載の圧力トランスミッタ。前記各第1、第2プロセス流体結合部が、アイソレータ取付部のフランジと嵌合するように構成される第1面、プロセス注入ポートを有する第2面、波形圧力チャンバ面と対面するために前記プロセス注入ポートから前記第1面に延びる貫通孔、および前記第1面と前記第2面とを接続する側部を含むカプラ体を備え、隔離ダイアフラムが、前記第1面と前記フランジとの間に配置される、請求項16に記載の圧力トランスミッタ。前記第1、第2アイソレータ取付部の長尺ネックが、前記第1、第2受け孔のねじと係合するねじをそれぞれ含む、請求項17に記載の圧力トランスミッタ。前記ハウジング内に配置される静圧センサであって、前記静圧センサから前記第1アイソレータ取付部まで延びる隔離管を有する静圧センサをさらに備える、請求項14に記載の圧力トランスミッタ。プロセストランスミッタをプロセス流体に接続する結合装置であって、波形圧力チャンバ面、前記波形圧力チャンバ面を囲むアイソレータフランジ、アイソレータ取付体から延びる長尺ネック、および前記長尺ネックと前記アイソレータ取付体との内部を延び、前記波形圧力チャンバ面と交差する貫通穴を備えるアイソレータ取付体と、前記アイソレータ取付体のアイソレータフランジと結合される第1面、プロセス注入ポートを有する第2面、および前記プロセス入注入ポートから前記第1面に延び、前記波形圧力チャンバ面と対面する貫通孔を備えるプロセス流体結合体と、前記プロセス流体結合体の第1面と前記アイソレータ取付体のアイソレータフランジとの間に配置される隔離ダイアフラムとを備える結合装置。前記アイソレータ取付体、前記プロセス流体結合体、および前記隔離ダイアフラムを囲む溶接継手をさらに備える、請求項20に記載の結合装置。前記長尺ネックに沿ったねじをさらに備える、請求項20に記載の結合装置。前記プロセス流体結合体の第1面を囲むように前記アイソレータ取付体から延びる結合フランジと、前記プロセス流体結合体と前記アイソレータ取付体の結合フランジとの間のねじ係合とをさらに備える、請求項20に記載の結合装置。トランスミッタは、極めて高い静圧を有するプロセスへの接続を望まれることが多い。例えば、地中深くの油田では、石油を地表面まで輸送するために、高いライン圧力が必要となる。特に、海底油田では、毎平方インチ当たり約15,000ポンドpsi約103.4メガパスカルMPa~約20,000psi約137.9MPaの高いライン圧力が必要となる。フランジとトランスミッタベースとのボルト接続では、それらの間に用いるボルトと変形しやすいシールとの応力制約上、上記のように高い圧力下で密封することは通常不可能である。シールが破損すると、プロセストランスミッタの結合部からプロセス流体の望ましくない漏出が生じる。差圧トランスミッタでは、トランスミッタのベース内で複数の隔離ダイアフラムが整列面上または同一平面上に構成されるため、上記シールを改善することは難しい。このように、プロセストランスミッタを安全に接続することができるプロセスは、その圧力により限定されるため、プロセストランスミッタの適用性は限られている。高い静圧を有するプロセス流体のプロセス変数を計測するプロセストランスミッタは、センサモジュールと、静圧結合装置とを備える。前記センサモジュールは、工業プロセスのプロセス変数を計測し、センサ信号を発生するセンサを備える。前記センサは、前記モジュール内に液圧流体注入口を含む。前記静圧結合装置は、前記センサモジュールに接続され、アイソレータ取付部と、プロセス流体結合部と、隔離ダイアフラムとを備える。前記アイソレータ取付部は、前記センサモジュールに挿入され、前記液圧流体注入口に接続される。前記プロセス流体結合部は、前記アイソレータ取付部に接合される。前記隔離ダイアフラムは、前記センサモジュール外で、前記アイソレータ取付部と前記プロセス流体結合部との間に配置される。図1は、高圧流体Fに接続する高静圧隔離ダイアフラムサブアセンブリを用いるプロセストランスミッタ12を有する、本発明のプロセス制御システム10を示す。プロセス制御システム10は、プロセストランスミッタ12、計器ディスプレイ14、配管16、および制御室18を具備している。制御室18は、ワークステーション22を含み、制御ループ20によりトランスミッタ12に接続されている。ワークステーション22は、トランスミッタ12と双方向通信を行うするため、電源、通信インターフェース等の種々の部品を含む。プロセストランスミッタ12は、配管16等のプロセスソースに接続され、種々のプロセス変数センサを用いて、差圧ΔP、静圧P、および温度T等のプロセス流体Fのプロセス変数に関する信号を発生する。サブアセンブリ24A、24Bは、インパルス配管26を介して配管16に接続されている。サブアセンブリ24A、24Bは、流体Fの静圧レベルが上昇すると、トランスミッタ12を配管16に接続する。プロセストランスミッタ12は、センサモジュール28と、トランスミッタ電子モジュール30とを含む。本実施形態ではオリフィス板32を含むものとして示される一次要素により、差圧ΔPはプロセス流体Fの流れの中で発生する。オリフィス板32は、流れを規制するため、配管16の径より小さい径を有する孔を含む。オリフィス板32両側の比較的高い圧力および比較的低い圧力を、インパルス配管26、およびサブアセンブリ24A、24Bを介してセンサモジュール28に伝える。センサモジュール28は、差圧ΔPを検知する差圧センサを含む。また、センサモジュール28は、温度Tを検知する温度センサと、圧力Pを検知する静圧センサとを含む。差圧ΔPが、通常、最高でも5psi約34.5kPa程度の極めて低い値であるのに対して、静圧Pは、これより数千倍高い値に達する可能性がある。例えば、サブアセンブリ24A、24Bは、海底用途で使用される油田でしばしば遭遇する20,000psi約137.9MPaを超える静圧Pに耐えることが可能である。センサモジュール28は、センサからの出力に基づき電気信号を発生し、その信号をトランスミッタ電子モジュール30に送信する。差圧ΔP、静圧P、および温度Tに関する情報は、ディスプレイ14を用いて、トランスミッタ12からローカルで取得できる。また、この情報は、制御室18において、トランスミッタ12から遠隔的に取得できる。トランスミッタ12は、デジタル、アナログ両制御システムを介して通信することでデータを制御室18に送信可能としてもよい。無線または有線ネットワークを介して、電子モジュール30と制御室18との間のデジタル通信を可能とする一体型電子部品が、トランスミッタ12に設けられている。種々の実施形態において、プロセストランスミッタ12は、HART登録商標、WirelessHART登録商標、またはFOUNDATION商標フィールドバスネットワークプロトコルを介して通信可能である。このようなデジタル通信プロトコルにより、複数のプロセス変数のデータをトランスミッタ12から制御室18に送信することが可能となる。また、ワークステーション22は、アナログ制御ループ20を利用して、制御室18が、プロセストランスミッタ12からデータを受信およびプロセストランスミッタ12にデータを送信することを可能とする。一実施形態において、プロセストランスミッタ12は、4mA~20mAのループで動作する2線式トランスミッタである。ワークステーション22は、トランスミッタ12を動作させたり、ΔP、P、Tに関する制御ループ信号を操作するためのデジタルプロセッサ、ビデオディスプレイ、およびキーボード等の部品を含む。トランスミッタ12から受信したデータに基づき、制御室18は、制御ループ20またはその他の制御ループを介して、プロセスパラメータを調整可能である。例えば、制御室18は、配管16に接続され、能動的に適切に制御されたバルブを調整することで、プロセス流体Fの流れを制御することができる。図示の実施形態において、圧力トランスミッタ12は、CОPLANAR商標差圧トランスミッタを備え、そのセンサモジュール28は、サブアセンブリ24A、24Bにおける整列面または同一平面上の隔離ダイアフラムと接続する埋め込み型ベースを含む。このようなトランスミッタベースの構成は、正確な差圧測定値を得るのに重要である。サブアセンブリ24A、24Bは、同一平面構成の完全性を維持したまま、高静圧によって圧力トランスミッタ12との間を、漏出なしに流体で連通させることができる。図2は、圧力トランスミッタ12、サブアセンブリ24A、24B、センサモジュール28、およびトランスミッタ電子モジュール30の一実施形態を概略的に示す。センサモジュール28は、ベース36、センサ基板38、差圧センサ40、および隔離管42A、42Bが接続されるハウジング34を含む。トランスミッタ電子モジュール30は、ハウジング44、カバー46、ディスプレイカバー48、出力インターフェース50、およびトランスミッタ回路52を含む。サブアセンブリ24Aは、アイソレータ取付部54Aと、プロセス流体結合部56Aと、隔離ダイアフラム58Aとを含む。サブアセンブリ24Bは、サブアセンブリ24Aの部品の参照文字をBに変えた類似の部品を含む。圧力P1、P2は、配管16における一次要素32の両側において生成される図1。センサ基板38とセンサ40とは、センサモジュール28のハウジング34内に取り付けられている。センサモジュール28のハウジング34は、例えばねじ接続により、電子モジュール30のハウジング44に接続されている。同様に、カバー46、48は、ハウジング44内部からの炎の漏れを防ぐために、当該技術分野で公知である消炎シールを形成するねじ接続により、ハウジング44に接続されている。出力インターフェース50とトランスミッタ回路52とは、トランスミッタ電子モジュール30内のハウジング44に取り付けられている。差圧センサ40は、可撓性センサ素子59を含み、センサ基板38と電子的に接続されている。センサ基板38は、センサケーブル60を介して、トランスミッタ回路52と電子的に接続されている。センサケーブル60は、難燃性を有するようにハウジング34内部を密封するハウジング34のネック内で、取付部とフィードスルー内を延びる。このような接続は、当該技術分野で公知であり、この取付部とフィードスルーによる接続の例は、例えば、ローズマウントインコーポレイテッドRosemountIncに譲渡され、これを参照することにより援用されている米国特許第6,457,367号明細書において開示されている。トランスミッタ回路52は、電子ケーブル62を介して、出力インターフェース50と電子的に接続されている。出力インターフェース50は、トランスミッタ12を、制御ループ20の配線に接続する。ローズマウントインコーポレイテッド、エデンプレイリーEdenPrairie、ミネソタ州MNに譲渡され、これを参照することにより援用されている、ブローデンBrodenらによる米国特許第5,495,769号明細書において開示されているように、一実施形態においてトランスミッタモジュール30、センサ基板38、およびセンサ40は、多変数トランスミッタとして構成されている。センサモジュール28のベース36は、配管16図1に接続されるサブアセンブリ24A、24Bのアイソレータ取付部54A、54Bにそれぞれ接続されている。取付部54A、54Bは、ベース36内を延び、ハウジング34の内部に至る開口に挿入されている。種々の実施形態において、取付部54A、54Bは、ベース36の受け孔63A、63Bに螺入、または圧力嵌めされている。また、取付部54A、54Bは、ベース36にろう付けまたは溶接されてもよい。各実施形態において、取付部54A、54Bは、それぞれ、孔63A、63Bと消炎または難燃性継手を形成している。プロセス流体結合部56A、56Bは、溶接継手で取付部54A、54Bに接合されている。一実施形態において、結合部56A、56Bは、溶接前に、取付部54A、54Bと螺合される。隔離ダイアフラム58A、58Bは、それぞれ、取付部54A、54Bと、結合部56A、56Bとの間に配置されている。図示の実施形態において、センサ40は、可撓性センサ素子59が一対の電極板間に配置されるダイアフラムを備えた静電容量型差圧セルを備えている。一実施形態において、センサ40は、ローズマウントインコーポレイテッド、エデンプレイリー、ミネソタ州に譲渡された、フリックFrickらによる米国特許第6,295,875号明細書において開示されている金属ダイアフラム型センサを備えている。センサ40は、ある量の充填液圧流体で満たされた隔離管42A、42Bにより、取付部54A、54Bにそれぞれ接続されている。充填流体は、実質的に非圧縮性で、圧力P1、P2をセンサ40に伝え、通常、ダウコーニングコーポレーションDowCorningCorporation、ミッドランドMidland、ミシガン州MI、アメリカ合衆国USAから市販されているDC200登録商標、DC704登録商標、またはSylthermXLT登録商標シリコーンオイル等の、シリコーンオイル液圧流体を含む。隔離ダイアフラム58A、58Bは、隔離管42A、42B内の充填流体を、プロセス流体Fの圧力P1、P2から隔離する。プロセス流体Fの圧力P1、P2における物理的変化は、隔離ダイアフラム58A、58Bと、アイソレータ取付部54A、54Bおよび隔離管42A、42B内の充填液圧流体とを介して、センサ40により差圧ΔPとして検知される。サブアセンブリ24A、24Bは、ダイアフラム58A、58Bの組み立てを容易にするため、センサモジュール28の外部に延びている。具体的には、サブアセンブリ24A、24Bがモジュール28のベース36に設置される前に、ダイアフラム58A、58Bを、アイソレータ取付部54A、54Bと、プロセス結合部56A、56Bとにそれぞれ組み付ける。同一平面トランスミッタにおいては、ダイアフラム58A、58Bを通常設置する場所である、ベース36内の凹部の外で、ダイアフラム58A、58Bを移動するので、ダイアフラム58A、58Bにアクセスしやすくなる。このため、取付部54A、54Bを、それぞれ、結合部56A、56Bに、より堅固に取り付けることが可能となり、これにより、ダイアフラム58A、58Bも固定できる。サブアセンブリ24A、24Bは、組み付け時に、ベース36の受け孔63A、63B内に挿入される。図3は、アイソレータ取付部54Aと、プロセス結合部56Aと、隔離ダイアフラム58Aとを含む隔離ダイアフラムサブアセンブリ24Aの一実施形態の分解図を示す。図4A~4Cは、それぞれ、プロセス結合部56Aの上面図、底面図、側面図を示す。図5A~5Cは、それぞれ、アイソレータ取付部54Aの上面図、底面図、側面図を示す。図3~5Cについて、同時に説明する。プロセス結合部56Aは、第1面66、第2面68、側面70、プロセスカプラ72、および貫通孔74を含むカプラ体64を具備している。カプラ体64は、第1面66と第2面68とにおいて円形端面を有する円筒または円板形状体を含むことが好ましい。側面70は、第1面66と第2面68とを接続する環状壁を備えている。なお、他の実施形態において、カプラ体64は、八角形体等異なる形状を有していてもよい。貫通孔74は、第1面66まで延びる小径穴を含む。プロセスカプラ72は、ねじ付きプロセスカプラの径と一致する径を有するねじ付き孔を含む。プロセスカプラ72は、トランスミッタ12が接続される配管16等図1のプロセス接続の種類に基づいて選択される。一実施形態において、プロセスカプラ72は、0.5インチ約1.27cmのアメリカ管用ねじNPTや管用雌ねじFPTを含む。別の実施形態においては、カプラ72は、当該技術分野で公知の遠隔シールアセンブリに接続するように構成されている。また、その他の実施形態においては、プロセスカプラ72は、配管が嵌め込まれて溶接される第2面68から延出する溶接スタブを備えていてもよい。アイソレータ取付部54Aは、延出体76、第1端78、第2端80、側部82、アイソレータフランジ84、波形圧力チャンバ面86、長尺ネック88、および貫通穴90を含む。延出体76は、第1端78と第2端80とにおいて円形端面を有する円筒または円板形状体を含む。側部82は、第1端78と第2端80とを接続する環状壁を備えている。なお、他の実施形態において、延出体76は、八角形等異なる形状を有していてもよい。各実施形態において、延出体76とカプラ体64とは、隔離ダイアフラム58Aが、アイソレータ取付部54Aとプロセス結合部56Aとの間に固定されるように、同一または類似の形状を有している。延出体76の第2端80は、プロセス結合部56Aのカプラ体64の第1面66と嵌合するように構成されている。延出体76は、第2端80において圧力チャンバを形成するフランジ84を含む。フランジ84は、波形圧力チャンバ面86と貫通穴90とを囲むことが好ましい。フランジ84は、隔離ダイアフラム58Aを取付け可能な面を形成する。隔離ダイアフラム58Aは、アイソレータ取付部54Aとプロセス流体結合部56Aとの間に閉じ込められる薄い金属円板を具備する。図6、7を参照して説明するように、隔離ダイアフラム58Aは、まず、溶接継手を介してサブアセンブリ24Aに接合され、その後、圧力をかけて波形に形成されることが好ましい。長尺ネック88は、第1端78から同心円状に延出する。貫通穴90は、長尺ネック88と延出体76との両方の内部を延び、波形圧力チャンバ面86と交差する。長尺ネック88は、図6に示すように、センサモジュール28のベース36における嵌合ねじと接続するねじ92を有する円筒体を含む。図6は、プロセストランスミッタセンサモジュール28のベース36に設置された図3の隔離ダイアフラムサブアセンブリ24A、24Bの断面図を示す。センサモジュール28は、ハウジング34、ベース36、センサ基板38、およびセンサ40を含む。ハウジング34は内部94を形成し、この内部94は、サブアセンブリ24A、24Bが組み付けられるとセンサモジュール28の部品を密封するスペースを含む。センサ基板38は、ハウジング34の内部94に配置され、センサケーブル96を介してセンサ40に接続されている。センサ40は、センサ40をサブアセンブリ24A、24Bに接続する隔離管内の液圧流体における圧力が変化すると撓むダイアフラム59を含む。隔離管98Bは、センサ40の液圧流体注入口107Bから、サブアセンブリ24Bの長尺ネック88まで延びている。また、充填管100Bも長尺ネック88内まで延び、充填液圧流体を隔離管98Bに注入するポートを備えている。同様に、サブアセンブリ24Aは、アイソレータ取付部54Aのネックにおいて、充填管100Aと接続する隔離管を介して、センサ40の注入口に接続されている。サブアセンブリ24A、24Bは、センサモジュール28に組み付けられる前に予備製作される。図7に示すように、サブアセンブリ24A、24Bは、延出体76、カプラ体64、および隔離ダイアフラム58Aの接点に、溶接部102を形成することで製作される。隔離ダイアフラム58Aは、カプラ体64の第1面66と延出体76の第2端80とに近接して配置される。延出体76、カプラ体64、および隔離ダイアフラム58Aは、同軸上に整列して積層されるように、同一外径、または、場合によっては同一外周を有する。溶接部102は、カプラ体64の側面70全周囲と、延出体76の側部82の全周囲とに沿って配置される。図8は、延出体76がカプラ体64と螺合して溶接部102を補強するサブアセンブリ24Aの別の実施形態を示す。延出体76は、第1面66を囲む環状結合フランジ103を含む。フランジ103は、ねじ係合104を形成するため、延出体76の側部82の雄ねじと嵌合する雌ねじを含む。その後、フランジ103のねじ係合104を貫通するように溶接部102を配置することで、さらに破裂強度を与える。溶接部102は、延出体76とカプラ体64とを強く結合するために、側面70、側部82、およびダイアフラム58Aを貫通することで、均一な性質をもつ溶接部を深部まで形成する。しかしながら、溶接部102は、ダイアフラム58Aを損傷または脆弱化しないように、フランジ84を貫通して波形圧力チャンバ面86の近傍のダイアフラム58Aの一部に到達することはない。一実施形態において、カプラ体64、延出体76、および隔離ダイアフラム58Aは、ステンレス鋼で構成される。なお、ダイアフラム58Aは、ヘインズインターナショナルインコーポレイテッドHaynesInternationalIncの登録商標であるHastelloy登録商標、インコアロイスインターナショナルインコーポレーテッドIncoAlloysInternationalIncの登録商標であるMonel登録商標もしくはInconel登録商標、タンタル、または当該技術分野で公知の他の材料から構成されていてもよい。溶接部102は、電子ビーム溶接、TIG溶接、レーザ溶接等の種々の溶接技術を用いて生成することができる。ダイアフラム58Aは、初期には、波形105を有さない平らな円板を含む。波形105は、プロセス流体または製造中に用いられる流体からの圧力により加圧形成される。加圧力により、ダイアフラム58Aは圧力チャンバ面86の波形106に押し付けられる。ダイアフラム58Aを上記のように成形することで、波形処理前のダイアフラムを、貫通孔74と貫通穴90とに位置合わせする必要がなくなる。図6に戻って、ねじ92を、ベース36の受け孔63A、63Bにおける嵌合ねじ108に螺入することで、組み立て済みサブアセンブリ24A、24Bを、ベース36に接続する。ネック88は、ネック88の一部がハウジング34の内部94まで延びるように、ベース36より高いことが好ましい。このため、ネック88は、注入口107B等のセンサ40の注入口の近くまで延びる。ネック88のねじ92は、内部94に延びるネック88の部分に沿っては延びていない。隔離管98Bは、注入口107Bを、ネック88の貫通穴90に接続する。また、充填管100Bも、ネック88の貫通穴90内部まで延びる。充填管100Bと隔離管98Bとをネック88に接合するために、ネック88の先端において、貫通穴90は、ろう付けまたは溶接により密封されている。隔離管98B、充填管100B、貫通穴90、および、圧力チャンバ面86と隔離ダイアフラム58Bとの間の圧力チャンバの一部を完全に充填液圧流体で充填するために、充填管100Bを介して、充填液圧流体を貫通穴90に注入する。充填管100Bは、その後、充填流体の漏出を防ぐために、蓋、溶接、ろう付け、またはそれらの組み合わせにより密封される。このように、プロセス流体から隔離ダイアフラム58A、58Bにかかる圧力を、充填流体を介してセンサ40に伝える。溶接部102図7は、ベース36とプロセス流体ソースとの間の密封接続の完全性が損なわれることによる高静圧化を防ぐ。図9は、隔離ダイアフラムサブアセンブリ24Aに接続される静圧センサ110を有するセンサモジュール28の一実施形態の斜視図を示す。静圧センサ110は、センサ配線112と隔離管114とを含む。センサモジュール28は、図6に示すように、ハウジング34に接続されるベース36を含む。ベース36は、サブアセンブリ24A、24Bと接合されたときに密封内部94図6を形成するために、通常、ハウジング34に溶接付けされている。差圧センサ40と静圧センサ110とは、ベース36に取り付けられ、アイソレータ取付部54A、54B内の液圧流体と、一括して流体で連通する。差圧センサ40は、隔離管98Aを介してアイソレータ取付部54Aのネック88に接続されている。同様に、センサ40は、差圧が検知されるようにアイソレータ取付部54Bのネック88図6に接続されている。一方、静圧センサ110は、静圧が検知されるように1つのアイソレータ取付部にのみ接続されている。図示の実施形態において、静圧センサ110は、センサ管114を介してアイソレータ取付部54Aのネック88に接続されている。静圧センサ110は、当該技術分野で公知の適切なセンサであればいかなるセンサでもよい。例えば、センサ110は、歪みゲージセンサや、容量センサでもよい。サブアセンブリ24Aのネック88は、隔離ダイアフラム58A図3を、センサ40およびセンサ110と流体で接続する充填液圧流体システムへのアクセスポイントを実現する。隔離管114と隔離管98Aとの両方は、ネック88を介して液圧システムにアクセスする。このため、プロセス流体圧力のセンサ110と接続するために、ベース36に孔を追設する必要はない。よって、ベース36内へのアクセスポイントの数が少ないため、内部94をより簡単に密封することが可能となる。センサ40、110は、隔離管114、98Aがネック88にアクセスしやすいようにベース36上に配置される。同様に、センサ40の配線96と、センサ110の配線112とは、上記のようにベース36上に配置された場合に、ハウジング34図2内のセンサ基板38に簡単に接続することができる。本発明のサブアセンブリ24A、24Bは、インパルス配管26等の高静圧ライン圧力に耐え得るモジュラーコネクタを提供する。プロセス結合部56A、56Bは、それぞれ、隔離ダイアフラム58A、58Bを同時に閉じ込めるようにアイソレータ取付部54A、54Bに溶接付けされる。サブアセンブリ24A、24Bをベース36に組み付ける前に、溶接部102により形成されたシール密封の検査を実施することができる。例えば、溶接部102を検査するために、ヘリウム漏れ試験をサブアセンブリ24A、24Bに実施することができる。この試験では、0.120インチ約3.0mmの深さを有する溶接部が、最高約80,000psi約551.6MPaの破裂圧に耐えることが示された。0.080インチ約2.0mmの深さを有する溶接部は、15,000psi約103.4MPaで50,000回の試験に耐えることが示された。サブアセンブリ24A、24Bは、さらに、フランジ84に組み付けた後に隔離ダイアフラム58A、58Bを損傷から守る。センサ40が劣化して充填流体が失われた場合には、プロセス流体の圧力により、ダイアフラム58Aは波形圧力チャンバ面86に押し付けられる。貫通穴90の径が小さいため、ダイアフラム58Aは、破れたり等さらに破損することはなく、これにより流体が大量に漏れることが防止される。さらに、サブアセンブリ24A、24Bは、ねじまたはろう付け接続により実現される難燃性通路を用いてベース36に組み付けられることで、内部94の密封、トランスミッタ12の安全性の改善にも役立つ。例示的な1つまたは複数の実施形態を参照して本発明について説明したが、本発明の範囲を逸脱することなく、様々な変更を加えることができること、および様々な要素の代わりにそれらの等価物を使用することができることは、当業者にとっては明らかである。また、特定の状況または材料に適合するように、本発明の基本的な範囲を逸脱することなく本発明の教示に多くの修正を加えることもできる。したがって、本発明は、開示した特定の1つまたは複数の実施形態に限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲に含まれる全ての実施形態を含むものとする。"