"絶縁材料からなる熱交換部材と、表面を官能基で修飾した無機微粒子、及び樹脂材料を含む接合材によって、前記熱交換部材に接合された配線層と、前記配線層に実装され、前記熱交換部材と熱的に結合される電子部品と、を備えた電子機器。前記接合材は、シート状に形成された接着シートである請求項1に記載の電子機器。前記電子部品は前記配線層にはんだ付けにより実装され、前記接合材を構成する樹脂材料の熱分解温度は、前記はんだの融点よりも高い温度である請求項1又は請求項2に記載の電子機器。前記熱交換部材は、第1の熱交換部材、及び第2の熱交換部材を含み、前記配線層は、前記第1の熱交換部材に接合される第1の配線層、及び前記第2の熱交換部材に接合される第2の配線層を含み、前記電子部品は、前記第1の配線層、及び前記第2の配線層に実装された請求項1~請求項3のうち何れか一項に記載の電子機器。前記電子部品は、n型半導体素子、及びp型半導体素子を含み、前記第1の配線層、及び前記第2の配線層には、前記n型半導体素子、及び前記p型半導体素子が直列となるように実装された請求項4に記載の電子機器。ところで、特許文献1のパワーモジュールは、例えば、以下に説明するように製造される。すなわち、特許文献1のパワーモジュールは、まず、絶縁基板の両面にアルミニウムクラッド材料製の薄板を積層して加熱し、配線層、絶縁基板、及び放熱層が接合された積層体を得る。次に、この積層体の放熱層に対してコルゲートフィンをアルミロウ付けするとともに、配線層の表面にパワー素子をはんだ付けなどにより実装する。しかしながら、上記積層体を得る工程や、真空ロウ付け工程では、高温例えば580°Cで加熱処理する必要があり、各部材を構成する材料の熱膨張係数線膨張係数の違いに起因して各部材に反りや歪が生じ、電子部品のはんだ付けが困難になる虞がある。また、上記加熱処理は、一般に特殊な環境下真空中や還元雰囲気下で行う必要があり、熱交換性能が低下することを抑制しつつも、部材点数の削減と併せてより簡便に製造できる電子機器の提供が期待されていた。本発明は、上記従来技術に存在する問題点に着目してなされたものであり、その目的は、熱交換性能が低下することを抑制しつつ、簡便に製造できる電子機器を提供することにある。上記課題を解決するために、請求項1に記載の発明は、絶縁材料からなる熱交換部材と、表面を官能基で修飾した無機微粒子、及び樹脂材料を含む接合材によって、前記熱交換部材に接合された配線層と、前記配線層に実装され、前記熱交換部材と熱的に結合される電子部品と、を備えたことを要旨とする。なお、熱交換部材と熱的に結合される電子部品とは、発熱または吸熱のように熱交換部材との間で熱の授受が可能な電子部品を指す。これによれば、熱交換部材を絶縁材料で形成することにより、熱交換用の部材と絶縁用の部材とを兼用し、部材点数を削減できる。また、電子部品が実装される配線層は、熱交換部材に対し樹脂材料を含む接合材により接合される。一般に、樹脂材料を含む接合材は、ロウ付けといった接合方法に比べて低温で接合することができる。このため、ロウ付けといった高温での加熱処理が必要な接合方法と比較して、低い温度により熱交換部材に配線層を付与できるため、反りや歪によって電子部品の実装が困難となることを抑制できる。また、接合材は、表面を官能基で修飾した無機微粒子、及び樹脂材料を含んでおり、接合材内における無機微粒子の凝集が抑制されることにより、表面を官能基で修飾した無機微粒子を含まない接合材と比較して高い熱伝導性を有する。すなわち、配線層と熱交換部材との間における熱交換が妨げられることを抑制できる。したがって、請求項1に記載の発明によれば、熱交換性能が低下することを抑制しつつ、簡便に製造できる。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の電子機器において、前記接合材は、シート状に形成された接着シートであることを要旨とする。これによれば、接合材がシート状に形成されているため、接合剤を用いた熱交換部材と配線層との接合を容易にできる。請求項3に記載の発明は、請求項1又は請求項2に記載の電子機器において、前記電子部品は前記配線層にはんだ付けにより実装され、前記接合材を構成する樹脂材料の熱分解温度は、前記はんだの融点よりも高い温度であることを要旨とする。これによれば、はんだ付けの際に、はんだの融点まで接合材を加熱したとしても、接合材が熱分解しないため、接合材による接合が剥離することを抑制できる。したがって、熱交換部材と配線層を接合した後に電子部品をはんだ付けすることが可能となる。したがって、電子部品のはんだ付け工程は、熱交換部材と配線層との接合工程の前後の何れに設定することも可能となり、製造工程における自由度を高めることができる。請求項4に記載の発明は、請求項1~請求項3のうち何れか一項に記載の電子機器において、前記熱交換部材は、第1の熱交換部材、及び第2の熱交換部材を含み、前記配線層は、前記第1の熱交換部材に接合される第1の配線層、及び前記第2の熱交換部材に接合される第2の配線層を含み、前記電子部品は、前記第1の配線層、及び前記第2の配線層に実装されたことを要旨とする。これによれば、第1の熱交換部材、及び第2の熱交換部材から熱交換を行うことができる。そして、このような複数の熱交換部材を含む電子機器であっても、熱交換性能が低下することを抑制しつつ、簡便に製造できる。請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の電子機器において、前記電子部品は、n型半導体素子、及びp型半導体素子を含み、前記第1の配線層、及び前記第2の配線層には、前記n型半導体素子、及び前記p型半導体素子が直列となるように実装されたことを要旨とする。これによれば、各半導体素子に通電することによりペルチェ効果による加熱及び冷却をすることができる。本発明によれば、熱交換性能が低下することを抑制しつつ、簡便に製造できる。第1の実施形態以下、本発明を電子機器としてのパワーモジュールに具体化した第1の実施形態を図1にしたがって説明する。図1に示すように、パワーモジュール11は、セラミックスなどの絶縁材料非導電性材料からなる熱交換部材12を備える。本実施形態の熱交換部材12は、熱膨張係数線膨張係数が4ppm/Kである窒化アルミニウムから形成されている。また、熱交換部材12は、矩形平板状をなす基部12aの一面に対して、複数の突条12bを一定の間隔をおいて並設して形成されている。そして、熱交換部材12には、各突条12bを覆うようにケース13が組み付けられているとともに、各突条12bの間には、熱交換媒体例えば水や空気を流すための媒体流路13aが形成されている。また、熱交換部材12において、突条12bの形成面の反対側面は、平滑平らに形成されており、配線層14を接着接合するための接着面12cとされている。熱交換部材12の接着面12cには、接合材接着材としての接着シート15によって配線層14が接着接合されている。この接着シート15は、熱交換部材12における接着面12cの形状に対応させて薄い矩形のシート状とされている。接着シート15の厚みt1は、100μm以下であり、より好ましくは5~40μmである。この接着シート15の組成及び物性については、後に詳細に説明する。本実施形態の配線層14は、厚さ0.4mmのアルミニウムからなる薄膜平板により構成されている。なお、アルミニウムの熱膨張係数線膨張係数は、24ppm/Kである。配線層14において、接着シート15による接着面の反対側面には、電子部品としてのパワー素子16がはんだ17によりはんだ付け実装されている。パワー素子16には、例えば、IGBT、MOSFETなどが用いられる。パワー素子16は、駆動通電によって発熱放熱する発熱体発熱素子として把握できる。次に、接着シート15の組成、及び物性について詳しく説明する。本実施形態の接着シート15は、無機微粒子としての金属ナノフィラー、及び樹脂材料としてのエポキシ樹脂から構成されている。エポキシ樹脂の熱分解温度は、300°C以上であり、はんだスズSn-銀Ag-銅Cuの融点溶融温度である220°Cよりも高い温度である。本実施形態の金属ナノフィラーは、ニッケルNiからなる金属微粒子を用いている。金属ナノフィラーの粒子径は、500nm以下であり、好ましくは100nm以下である。なお、本実施形態に示す粒子径は、走査型電子顕微鏡SEMにて観察された平均粒子径である。金属ナノフィラーの熱伝導率は、熱伝導率が50W/mK以上であり、好ましくは70W/mK以上である。また、本実施形態の金属ナノフィラーは、その表面全体に、所定の官能基を有する有機分子が化学結合されていることにより、表面全体が官能基によって修飾されている。本実施形態では、官能基としてカルボキシル基を有し、カルボン酸の一種であるデカン酸が上記有機分子として用いられている。なお、本実施形態において、金属ナノフィラー表面への官能基の修飾デカン酸の化学結合は、公知である超臨界水熱合成反応を用いて行われる。一般に、粒子径が500nm以下の金属ナノフィラーは、非常に活性が高く、エポキシ樹脂に単に分散させただけでは容易に凝集し、接着シート15内における金属ナノフィラー密度が不均一になる。同様の理由で、金属ナノフィラー表面の一部を官能基で修飾した場合には、未修飾部位の存在によって凝集を十分に抑制することができない。これに対し、本実施形態の金属ナノフィラーは、その表面全体がカルボキシル基によって修飾されており、エポキシ樹脂接着シート15内における金属ナノフィラーの凝集を抑制し、エポキシ樹脂中における分散性を好適に向上させることができる。すなわち、金属ナノフィラー表面の有機分子層は、凝集抑制層として機能する。このため、本実施形態の接着シート15では、表面を官能基で修飾していない金属ナノフィラーを用いた場合と比較して、金属ナノフィラーの体積分率を向上させることができる。本実施形態の接着シート15において、金属ナノフィラーの体積分率は、70以上であり、好ましくは80~95である。このため、本実施形態の接着シート15によれば、表面を官能基で修飾していない金属ナノフィラーを用いた場合と比較して熱伝導性を向上させることができる。次に、パワーモジュール11の製造方法について説明する。最初に、熱交換部材12を射出成型するとともに、成型した熱交換部材12を焼成して熱交換部材12を得る熱交換部材形成工程。次に、熱交換部材12の接着面12cに接着シート15を積層するとともに、積層した接着シート15にさらに配線層14を積層する積層工程。その後、熱交換部材12、接着シート15、及び配線層14の積層体を200°Cで加熱しつつ冶具で加圧し、熱交換部材12と配線層14を接着シート15により熱圧着接着する熱圧着工程。なお、この熱圧着工程は、大気雰囲気常圧、且つ空気中で行う。続けて、熱交換部材12に接着された配線層14に対し、リフロー方式によりパワー素子16をはんだ17ではんだ付けするはんだ付け工程。このはんだ付け工程は、たとえば、還元雰囲気のもと、30分間、本実施の形態においてはエポキシ樹脂の熱分解温度よりも低い250°Cに加熱して行われる。次に、パワーモジュール11の作用について説明する。パワーモジュール11のパワー素子16は、通電による駆動によって発熱する。このパワー素子16の熱は、はんだ17、配線層14、及び接着シート15の順に伝達され、さらに熱交換部材12に伝達される。熱交換部材12に伝達された熱は、媒体流路13aを流れる熱交換媒体との間における熱交換により放熱される。このように、本実施形態において、パワー素子16は、熱交換部材12と熱的に結合される。上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。1本実施形態では、熱交換部材12を絶縁材料のセラミックスから形成することにより、熱交換用の部材と絶縁用の部材とを兼用し、部材点数を削減できる。また、パワー素子16がはんだ付けされる配線層14は、熱交換部材12に対し接着シート15により接着される。このため、本実施形態では、真空中でたとえば580°Cの加熱処理が必要な真空ロウ付け法や、還元雰囲気又は真空中で1300°C以上の加熱処理が必要なメタライズ法といった接合方法と比較して、低い温度により熱交換部材12に配線層14を付与できる。このため、各部材を構成する材料の熱膨張係数線膨張係数の違いに起因して反りや歪が生じることを抑制し、はんだ付け工程におけるパワー素子16のはんだ付け実装が困難となることを抑制できる。また、接着シート15は、表面にカルボキシル基を修飾した金属ナノフィラー、及びエポキシ樹脂を含んでおり、接着シート15内における金属ナノフィラーの凝集が抑制されることにより、表面を官能基で修飾した金属ナノフィラーを含まない接着シート15と比較して、高い熱伝導性を有する。すなわち、配線層14と熱交換部材12との間における熱交換が妨げられることを抑制できる。したがって、本実施形態では、熱交換性能が低下することを抑制しつつ、簡便に製造できる。2また、本実施形態では、従来のパワーモジュールと比較して、熱交換用及び絶縁用の部材を熱交換部材12で兼用して部材点数を削減するとともに、絶縁基板に熱交換部材12を接合する工程を省略できる。したがって、製造コストを削減できる。3シート状に形成した接着シート15を用いて配線層14と熱交換部材12を接着している。したがって、熱交換部材12と配線層14の接着を簡便にできる。4接着シート15を構成するエポキシ樹脂の熱分解温度300°Cは、配線層14にパワー素子16を実装する際に用いるはんだ17の融点220°Cよりも高い温度である。このため、熱交換部材12と配線層14を接着した後にパワー素子16をはんだ付けできる。したがって、パワー素子16のはんだ付け工程は、熱交換部材12と配線層14の熱圧着工程の前後の何れに設定することも可能となり、製造工程における自由度を高めることができる。5金属ナノフィラーは熱伝導率が50W/mK以上であるので、接着シート15の熱伝導率を高くしやすい。6接着シート15の厚みt1を100μm以下とした。このため、金属ナノフィラー及びエポキシ樹脂の使用量を削減できるとともに、熱伝導性を向上できる。7金属ナノフィラーの粒子径を500nm以下とした。このため、厚みが100μm以下である接着シート15に金属ナノフィラーを高い体積分率で配合するのに好適である。8金属ナノフィラーの表面の全体をカルボキシル基で修飾した。このため、エポキシ樹脂中接着シート15における金属ナノフィラーの凝集を抑制するとともに分散性を向上できる。そして、表面を官能基で修飾していない金属ナノフィラーを用いる場合と比較して、接着シート15の熱伝導性を向上させることができる。第2の実施形態次に、本発明を電子機器としてのペルチェモジュールに具体化した第2の実施形態を図2にしたがって説明する。なお、以下の説明では、既に説明した実施形態と同一構成について同一の符号を付すなどし、その重複する説明を省略又は簡略化する。図2に示すように、ペルチェモジュール21は、第1の実施形態と同一構成の熱交換部材12を備えている。熱交換部材12の接着面12cには、金属本実施形態ではアルミニウムからなり、平板状に伸びる複数の配線板14aが接着シート15により接着されている。本実施形態では、この複数の配線板14aにより、第1の配線層としての配線層14が形成されている。各配線板14aには、電子部品としてのn型半導体素子22n及びp型半導体素子22pからなる一対の半導体素子対22がそれぞれはんだ付け実装されている。各半導体素子対22の半導体素子22n,22pにおいて、配線板14aがはんだ付けされた端部とは反対側の各端部には、アルミニウムから形成された平板状に延びる配線板24aがそれぞれはんだ付けされている。そして、本実施形態において、各配線板24aは、1つの半導体素子対22のうちn型半導体素子22nと、他の半導体素子対22のうちp型半導体素子22pとを電気的に接続するようにはんだ付け実装されている。すなわち、本実施形態のペルチェモジュール21では、n型→p型→n型というように、複数のn型半導体素子22n、及び複数のp型半導体素子22pが直列に、且つ交互に接続されている。本実施形態では、複数の配線板24aによって第2の配線層としての配線層24が形成されている。本実施形態では、配線層14、及び半導体素子対22半導体素子22n,22pによって、1つの熱電変換素子ペルチェ素子が形成され、さらに配線板24a配線層24によって複数の熱電変換素子が直列に接続された熱電変換素子群が形成されていると把握することもできる。配線層24は、接着シート15と同一構成とされた接着シート26によって、熱交換部材25の接着面25cに接着されている。なお、熱交換部材25は、熱交換部材12と同一材料及び構成とされており、熱交換部材12と同様に基部25aに複数の突条25bを並設した構成とされている。本実施形態では、熱交換部材12が、第1の熱交換部材となり、熱交換部材25が第2の熱交換部材となる。次に、ペルチェモジュール21の製造方法について説明する。最初に、熱交換部材12,25を射出成型するとともに、成型した熱交換部材12,25を焼成して熱交換部材12,25を得る熱交換部材形成工程。次に、熱交換部材12の接着面12cに接着シート15を積層するとともに、積層した接着シート15にさらに配線層14各配線板14aを積層する第1積層工程。その後、熱交換部材12、接着シート15、及び配線層14の積層体を200°Cで加熱しつつ冶具で加圧し、熱交換部材12と配線層14を接着シート15により熱圧着接着する第1熱圧着工程。同様に、熱交換部材25の接着面25cに接着シート26を積層するとともに、積層した接着シート26にさらに配線層24各配線板24aを積層する第2積層工程。その後、熱交換部材25、接着シート26、及び配線層24の積層体を200°Cで加熱しつつ冶具で加圧し、熱交換部材25と配線層24を接着シート26により熱圧着接着する第2熱圧着工程。なお、第1,第2熱圧着工程は、大気雰囲気常圧、且つ空気中で行う。続けて、熱交換部材12に接着された配線層14、及び熱交換部材25に接着された配線層24とで、各半導体素子22n,22pを挟持するように積層するとともに、リフロー方式により各半導体素子22n,22pをはんだ付けするはんだ付け工程。このはんだ付け工程は、還元雰囲気のもと、30分間、たとえば、250°Cに加熱して行われる。次に、ペルチェモジュール21の作用について説明する。ペルチェモジュール21では、各半導体素子22n,22pに通電することで生じるペルチェ効果により、配線層14及び配線層24のうち、何れか一方の配線層を発熱加熱側配線層とする一方で、他方の配線層を吸熱冷却側配線層とすることができる。すなわち、本実施形態のペルチェモジュール21は、熱交換部材12,25のうち、一方の熱交換部材によって熱交換媒体を加熱する一方で、他方の熱交換部材によって熱交換媒体を冷却することができる。このように、本実施形態において、各半導体素子対22半導体素子22n,22pは、熱交換部材12,25と熱的に結合される。したがって、第2の実施形態によれば、第1の実施形態における1~8の効果に加えて、以下のような効果を得ることができる。9本実施形態では、熱交換部材12、及び熱交換部材25の複数2つの熱交換部材から熱交換を行うことが可能となる。そして、それぞれ配線層が付与された複数の熱交換部材12,25を含むペルチェモジュール21であっても、熱交換性能が低下することを抑制しつつ、簡便に製造できる。10各半導体素子対22では、半導体素子22n,22pが直列となるように配線層14,24にはんだ付けされている。したがって、各半導体素子22n,22pに通電することにより、ペルチェ効果による加熱及び冷却をすることができる。11特に、本実施形態では、接着シート15,26を用い、熱交換部材12,25に対して直接、且つ簡便に配線層を付与することが出来るため、ペルチェモジュール21を構成する部材点数を削減し、製造コストを削減できる。なお、上記各実施形態には、以下のように変更してもよい。○上記第1の実施形態において、ケース13を省略した状態のパワーモジュール11を熱交換部材12が相互に対向するように配置するとともに、各熱交換部材12の側方を覆うようにケースを組み付けてもよい。このように構成することで、両面にパワー素子16を実装したパワーモジュールを形成できる。○上記第1の実施形態において、熱交換部材12の接着面12c上に複数の配線層14を接着してもよい。また、熱交換部材12上に接着した1又は複数の配線層14に、それぞれ1又は複数のパワー素子16をはんだ付けしてもよい。○上記第1の実施形態において、ケース13を省略してもよく、第2の実施形態において、各熱交換部材12,25の少なくとも何れか一方にケースを配設してもよい。○上記第2の実施形態において、熱交換部材12,25のうち、何れか一方を省略した構成としてもよい。○上記各実施形態において、熱交換部材12、及び熱交換部材25は、材料を変更してもよい。例えば、熱膨張係数が7ppm/Kの酸化アルミニウムアルミナや、熱膨張係数が3ppm/Kの窒化ケイ素などにより形成してもよい。○上記各実施形態において、異なる融点のはんだを用いてもよい。例えば、スズSn-亜鉛Zn-ビスマスBiからなる融点が183°Cのはんだを用いてもよい。すなわち、接着シート15,26を構成する樹脂材料の熱分解温度より低い融点のはんだを用いればよい。○上記各実施形態において、接着シート15,26の厚さt1を変更してもよい。○上記各実施形態において、接着シートに用いる樹脂材料は、エポキシ樹脂に代えて異なる熱硬化性樹脂である樹脂材料を用いてもよい。○上記各実施形態において、接着シート15,26に代えて、金属ナノフィラーを分散させたペースト状、あるいは液状の接合材としての接着剤を用いてもよい。○上記各実施形態において、金属ナノフィラーの表面にカルボン酸の一種であるデカン酸を化学結合させたが、デカン酸に代えて、例えば、2-エチルヘキサン酸、n-オクタン酸、ドデカン酸、トリデカン酸、テトラデカン酸、ヘキサデカン酸、オクタデカン酸、オレイン酸、リノール酸、又はリノレン酸を化学結合させてもよい。○上記各実施形態において、金属ナノフィラーの表面に化学結合させる有機分子は、カルボキシル基とは異なる官能基を有する有機分子に適宜変更してもよい。官能基としては他にたとえばフェノール基などがある。なお、カルボキシル基を有するカルボン酸は、エポキシ樹脂との相性がよく、接着シート15,26接合材を構成する樹脂材料に適した種類の官能基を有する有機分子を適宜用いればよい。○上記各実施形態において、接着シート15,26接合材には、金属ナノフィラーの表面を修飾する官能基を異ならせた複数種類の金属ナノフィラーを配合してもよい。○上記各実施形態において、接着シート15,26接合材に配合する金属ナノフィラーとして、クロムCr、鉄Fe、コバルトCo、銅Cu、亜鉛Zn、銀Ag、スズSn、白金Pt、又は金Auを用いてもよい。また、接着シート15,26接合材は、異なる金属からなる複数種類の金属ナノフィラーを配合してもよい。○上記各実施形態において、接着シート15,26接合材は、表面を官能基で修飾した金属ナノフィラーが含まれておればよく、表面が修飾されていない金属ナノフィラーを含んで構成されていてもよい。○上記各実施形態において、金属ナノフィラーの表面全体が官能基で修飾されていなくてもよい。○上記各実施形態において、はんだ付けにより配線層にパワー素子16や半導体素子22n,22pを実装したが、異なる方法で実装してもよい。たとえば、導電性接着材や、導電性ペースト、金属ナノ粒子ペーストなどを用いてもよい。"