第1面と該第1面とは反対側の第2面を有するコア基板と、前記第1面から前記第2面方向に前記コア基板を貫通する貫通孔と、前記貫通孔に収容される放熱部材と、前記コア基板に樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層された配線積層部とを備えるプリント配線板であって:前記放熱部材は、プリント配線板の搭載されるチップの直下の領域に配置され、前記放熱部材の表裏両面にビア導体が接続されている。請求項1のプリント配線板であって:前記放熱部材は、矩形形状の銅ブロックである。請求項1のプリント配線板であって:前記放熱部材の体積は、0.2mm3以上0.4mm3以下である。請求項1のプリント配線板であって:前記放熱部材に接続されるビア導体は、グランド線を構成する。請求項1のプリント配線板であって:前記放熱部材に接続されるビア導体の数は、チップ側の面が、外部接続基板側の面よりも多い。請求項1のプリント配線板であって:前記放熱部材が収容される前記貫通孔に隣接する貫通孔に放熱ブロックを収容する。請求項6のプリント配線板であって:前記放熱部材と隣接配置された前記放熱ブロックとを、前記放熱部材に接続されるビア導体と、前記放熱ブロックに接続されたビア導体とを介して、チップ側の面の前記導体層と外部接続基板側の面の前記導体層とにより表裏で接続する。請求項1のプリント配線板であって:前記放熱部材が、プリント配線板の水平投影面の四隅に配置される。しかしながら、特許文献1は、金属板から成るコア基板により水平方向への放熱性を向上させることができるが、搭載したチップ側から実装される外部接続基板側への垂直方向の放熱性を改善する効果は薄いと考えられる。また、金属板から成るコア基板により、基板全体の銅占有率が高く、樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層すると、プリント配線板に反りが生じやすいと推測される。本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、垂直方向への放熱性の高いプリント配線板を提供することにある。請求項1に記載の発明は、第1面と該第1面とは反対側の第2面を有するコア基板と、前記第1面から前記第2面方向に前記コア基板を貫通する貫通孔と、前記貫通孔に収容される放熱部材と、前記コア基板に樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層された配線積層部とを備えるプリント配線板であって:前記放熱部材は、プリント配線板の搭載されるチップの直下の領域に配置され、前記放熱部材の表裏両面にビア導体が接続されていることを技術的特徴とする。本願発明のプリント配線板は、コア基板の貫通孔に放熱部材を備えるため、垂直方向の放熱性が高く、実装したチップの熱を、実装される外部接続基板側へ効率的に逃がすことができる。貫通孔内のみに放熱部材を収容するため、プリント配線板全体の銅占有率が低く、樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層された配線積層部に反りが生じ難い。第1実施形態本発明の第1実施形態に係る半田バンプを有するプリント配線板100の断面が図6に示される。そのプリント配線板100では、銅製の放熱ブロック80がコア基板30に内蔵され、該コア基板30の第1面と第2面に1層のビルドアップ層が形成されている。コア基板30は第1の放熱ブロック80を収容するための貫通孔開口20を有する絶縁性基材30Mと絶縁性基材の主面Fに形成されている第1の導体層34Aと絶縁性基材の副面Sに形成されている第2の導体層34Bを有する。主面と副面は対向する面である。貫通孔開口20は絶縁性基材を貫通している。さらに、コア基板は、第1の導体層と第2の導体層とを接続しているスルーホール導体36を有している。コア基板の第1面FFは第1導体層の上面でありコア基板の第2面SSは第2導体層の上面である。コア基板に形成されている貫通孔20に放熱ブロック80が収容されている。放熱ブロックは主面と主面と反対側の副面を有している。放熱ブロックの主面上にビア導体60Mが接続され、副面上にビア導体60Dが接続されている。該貫通孔20には充填樹脂50αが充填されている。スルーホール導体36は、絶縁性基材に形成されているスルーホール導体用の貫通孔31を銅めっきで充填することにより形成される。スルーホール導体用の貫通孔31は、絶縁性基材の主面側に形成されている第1開口部31aと、絶縁性基材の副面側に形成されている第2開口部31bで形成されている。第1開口部31aは主面から副面に向かってテーパしている。第2開口部28aは副面から主面に向かってテーパしている。該第1開口部31aと該第2開口部31bはコア基板内部で繋がっている。絶縁性基材30Mの主面Fと第1の導体層と放熱ブロックの主面上に上側のビルドアップ層が形成されている。上側のビルドアップ層は1層であって、絶縁層50Aと絶縁層上の導体層58Aと異なる導体層を接続し絶縁層50Aを貫通するビア導体60A、60Mで形成されている。図6では、ビア導体60Aはコア基板の導体層34Aと絶縁層上の導体層58Aやスルーホール導体と絶縁層上に形成されている導体層58Aを接続している。また、ビア導体上側の接続ビア導体60Mは放熱ブロック放熱ブロックの主面と導体層58Aを接続している。絶縁性基材30Mの副面Sと第2の導体層と放熱ブロックの副面上に下側のビルドアップ層が形成されている。下側のビルドアップ層は1層であって、絶縁層50Bと絶縁層上の導体層58Bと異なる導体層を接続し絶縁層50Bを貫通するビア導体60B、60Dで形成されている。図6では、ビア導体60Bはコア基板の導体層34Bと絶縁層上の導体層58Bやスルーホール導体と絶縁層上に形成されている導体層58Bを接続している。また、ビア導体下側の接続ビア導体60Dは放熱ブロック放熱ブロックの副面と導体層58Bを接続している。上側と下側のビルドアップ層上に導体層58A、58Bやビア導体、接続ビア導体を露出する開口71を有するソルダーレジスト層70が形成されている。開口71から露出する導体パッド上に半田バンプ76U、76Dが形成されている。上側のビルドアップ層上のソルダーレジスト層はICチップを搭載するための領域を有している。図7に示すように上側のビルドアップ層上に形成されている半田バンプ76Uを介してICチップ90のパッド92に接続され、プリント配線板にICチップ90が実装される。下側のビルドアップ層上に形成されている半田バンプ76Dを介してマザーボードのパッド96に接続され、プリント配線板100がマザーボード98に搭載される。第1実施形態のプリント配線板は、コア基板30の貫通孔20に放熱ブロック80を備えるため、垂直方向の放熱性が高く、実装したICチップ90の熱を、実装されるマザーボード98側へ効率的に逃がすことができる。貫通孔20内のみに銅製の放熱ブロックを収容するため、プリント配線板全体の銅占有率が低く、樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層されたビルドアップ層に反りが生じ難い。ここで、コア基板の厚みは70~250μmである。放熱ブロックの厚みはコア基板以下であって、体積は0.2mm3以上0.4mm3以下であることが望ましい。体積が0.2mm3未満では、放熱性が低下する。一方、0.4mm3を越えると、コア基板との熱膨張係数の違いから反りの原因と成る可能性がでる。放熱ブロックに接続される主面側のビア導体60M、副面側のビア導体60Dは、グランド線を構成している。これにより、放熱性と共に、グランドラインの容量を増大させ、ICチップへの電力供給を安定させている。主面側のビア導体60Mの数は、副面側のビア導体60Dの数よりも多い。熱源であるICチップ側のビア導体60Mの数を増やすことで、放熱性を高めている。第1実施形態のプリント配線板100の製造方法が図1~図5に示される。1エポキシ樹脂またはBTビスマレイミドトリアジン樹脂とガラスクロスなどの補強材からなる絶縁性基材30Mの両面に15μmの銅箔32がラミネートされている銅張積層板20Mが出発材料である。絶縁性基材30Mは主面と主面と反対側の副面とを有し、その厚さは、70~250μmである。70μmより薄いと絶縁性基材の強度が低すぎる。厚みが250μmを越えると、放熱ブロックをビア導体で挟むことが難しくなる。また、レーザによるテーパ形状のスルーホール導体用の貫通孔の形成が困難である。まず、銅箔32の表面に黒化処理が施される図1A。2絶縁性基材30Mの主面F側からCO2レーザが照射され、主面F側に主面から副面Sに向けて細くなっている第1開口部31aが形成される図1B。第1開口部31aは、主面Fから副面Sに向かってテーパしている。3絶縁性基材30Mの副面S側からCO2レーザが照射され、副面S側に副面から主面Fに向けて細くなっている第2開口部31bが形成される。第1開口部と第2開口部でスルーホール導体用の貫通孔31が形成される図1C。第2開口部31bは、副面Sから主面Fに向かってテーパしている。4無電解めっき処理により貫通孔の内壁と銅箔32上に無電解めっき膜33が形成される図1D。更に、電解めっき処理により無電解めっき膜33上に電解めっき膜37が形成され、貫通孔内にスルーホール導体36が形成される。貫通孔31が電解めっき膜で充填されている。貫通孔を充填しているめっき膜からなるスルーホール導体36が形成される図1E。5絶縁性基材30M上の電解めっき膜37上に所定パターンのエッチングレジスト35が形成される図1F。6エッチングレジストから露出する電解めっき膜37、無電解めっき膜33、銅箔32が除去される。その後、エッチングレジストが除去され導体層34A、34B及びスルーホール導体36が形成される図2A。導体層34A、34Bは導体回路やスルーホール導体のランドを含む。7絶縁性基材30Mの中央部にコンデンサなどの放熱ブロックを収容するための貫通孔開口20がレーザにより形成される。コア基板30が完成する図2B。8貫通孔20が塞がれるように、PETフィルムからなるテープ94がコア基板の第1面FFに貼り付けられる図2C。9コア基板の第2面側からマウンターで放熱ブロック80が搭載される図2D。ここで、貫通孔20により露出するテープ94上に樹脂膜が形成され、放熱ブロックを樹脂膜上に固定させることも可能である。10貫通孔20が塞がれるように、コア基板30の第2面SS上にB-ステージのプリプレグなどの樹脂フィルム50b及び銅箔49が積層される図2E。加熱プレスにより、樹脂フィルム50bから樹脂と無機粒子が貫通孔20内にしみ出て、貫通孔20内が樹脂50αで充填される。樹脂フィルム50bは樹脂とシリカなどの無機粒子を含む。樹脂フィルムは無機粒子以外にガラスクロスなどの補強材を含んでも良いし含まなくてもよい。樹脂フィルムが補強材を含む場合、絶縁層の熱膨張係数と放熱ブロックの熱膨張係数が近くなる。樹脂フィルムが補強材を含まない場合、加熱プレスによる放熱ブロックのダメージを小さくすることができる。貫通孔を充填している樹脂と樹脂フィルムの樹脂を硬化させることで、貫通孔20内に第1の充填樹脂50αが形成され、絶縁性基材の副面と第2の導体層と放熱ブロック上に絶縁層50Bが形成される。絶縁層50Bは下側のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層である。11テープ除去後図3A、コア基板30の第1面FF上にB-ステージのプリプレグなどの樹脂フィルム、銅箔49が積層される。樹脂フィルムの樹脂を硬化させることで、樹脂フィルムから絶縁性基材の主面と第1の導体層、放熱ブロック上に絶縁層50Aが形成される図3B。絶縁層50Aは上側のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層である。12絶縁層50Aに放熱ブロックの主面に至る開口51Aが形成される。それ以外、導体層やスルーホール導体に至る開口51が形成される。絶縁層50Bに放熱ブロック副面に至る開口51Bが形成される。それ以外、導体層やスルーホール導体に至る開口51が形成される図3C参照。過マンガン酸塩などの酸化剤で開口51、51A、51Bの内部が洗浄される。また、絶縁層50A、50Bの表面に粗面が設けられる図示せず。13絶縁層50A、50Bの表面と開口51、51A、51Bの内壁に無電解めっき膜52が形成される図3D。14無電解めっき膜52上にめっきレジスト54が形成される図4A。15次に、電解めっき処理により、めっきレジスト54から露出する無電解めっき膜上に電解めっき膜56が形成される図4B参照。16その後、めっきレジスト54が5NaOHで除去される。電解めっき膜間の無電解めっき膜が除去され、無電解めっき膜52と電解めっき膜56からなる導体層5858A、58B及びビア導体60A、60B、上側のビア導体60M、下側のビア導体60Dが形成される図4C。導体層58は導体回路やビア導体のランドを含んでいる。絶縁層と絶縁層上の導体層58と絶縁層を貫通し異なる導体層を接続するビア導体で形成される上側のビルドアップ層と下側のビルドアップ層が形成される。上側のビルドアップ層は絶縁性基材の主面上に形成されていて、下側のビルドアップ層は絶縁性基材の副面上に形成されている。17上側と下側のビルドアップ層上に開口71を有するソルダーレジスト層70が形成される。プリント配線板100が完成する図5A。開口71から露出する導体層またはビア導体がパッドとして機能する。上側のビルドアップ層上のソルダーレジストが上側のソルダーレジスト層であり、下側のビルドアップ層上のソルダーレジストが下側のソルダーレジスト層である。18パッド上にニッケル層72、金層74の順で金属膜が形成される図5B。その他の金属膜として、スズやNi/Pd/Auが挙げられる。19この後、上側のソルダーレジスト層の開口71から露出するパッドに半田バンプ76Uが形成される。下側のソルダーレジスト層の開口71から露出するパッドに半田バンプ76Dが形成される。半田バンプを有するプリント配線板100が完成する図6。上側のビルドアップ層上に半田バンプ76Uを介してICチップ90がプリント配線板100へ実装される。そして、プリント配線板100がマザーボードに実装される図7。第2実施形態図8は、第2実施形態のプリント配線板の断面を示す。第2実施形態のプリント配線板では、放熱ブロック80Aを収容するための貫通孔20Aと、チップコンデンサ等の電子部品80Bとを収容する貫通孔20Bとを備える。第2実施形態では、電子部品とICチップとの距離を縮めながら、放熱性を高めることができる。第2実施形態の第1改変例図9は、第2実施形態の第1改変例に係るプリント配線板の断面を示す。第2実施形態の第1改変例に係るプリント配線板では、放熱ブロック80Aを収容するための貫通孔20Aと、チップコンデンサ80Bとを収容する貫通孔20Bとを備える。チップコンデンサのマイナス端子80BTと、放熱ブロック80Aとは、絶縁層50A上のグランドライン58ALを介して、同時に、絶縁層50B上のグランドライン58BLを介して接続されている。第2実施形態の第1改変例では、チップコンデンサと共に、ICチップへのグランドラインを強化することができる。第2実施形態の第2改変例図10は、第2実施形態の第2改変例に係るプリント配線板の平面を示す。第2実施形態の第2改変例に係るプリント配線板では、チップコンデンサ等の電子部品80Bとを収容する貫通孔20Bが中央に配置され、放熱ブロック80Aを収容するための貫通孔20Aが四隅に配置される。第2実施形態の第2改変例では、ICチップからの熱を均等に外部接続基板側に伝導させることができる。