波長1000nm以上1100nm以下の光の反射率が80以上であるセラミック基板の表面に、連続発振のレーザ光を照射して前記セラミック基板を切断加工する、レーザ光によるセラミック基板の加工方法であって、前記セラミック基板の加工点における前記レーザ光のパワー密度が、1.0×107W/cm2以上である加工方法。波長1000nm以上1100nm以下の光の反射率が80以上であるセラミック基板の表面に、連続発振のレーザ光を照射して前記セラミック基板に貫通孔を形成する、レーザ光によるセラミックス基板の加工方法であって、前記セラミック基板の加工点における前記レーザ光のパワー密度が、1.0×107W/cm2以上である加工方法。前記レーザ光の波長が1000nm以上1100nm以下、前記レーザ光のエムスクエア値M2が1.0~2.0の範囲であり、前記加工点における前記レーザ光のスポット径が10~100μmである請求項1または2に記載の加工方法。前記レーザ光の前記セラミック基板への入射角度が、前記セラミック基板の表面に対して85°超90°以下の範囲である請求項1または2に記載の加工方法。さらに、前記セラミック基板からの前記レーザ光の反射光によって前記レーザ発振装置が損傷するのを防ぐための機構が備えられている請求項1または2に記載の加工方法。前記セラミック基板に、前記レーザ光の吸収率を向上させる処理が施されていない請求項1または2に記載の加工方法。前記セラミック基板の切断加工における前記レーザ光の照射面側の切断幅が10~100μm、切断面の表面粗さがRa1.0μm以下、前記セラミック基板の前記照射面側から20~80の深さにおける切断幅の差が20μm以下である請求項1に記載の加工方法。前記セラミック基板の貫通孔形成における貫通孔径が10~100μm、前記セラミック基板の前記照射面側から20~80の深さにおける貫通孔径の差が20μm以下である請求項2に記載の加工方法。前記レーザ光が照射される前記セラミック基板の加工点に対して、前記レーザ光と同軸方向から、噴射口における圧力が0.6~1.5MPaのガスを噴射する請求項1または2に記載の加工方法。前記セラミック基板の25°Cにおける熱伝導率が、20~250W/mKである請求項1に記載の加工方法。上記事情に鑑み、本発明は、1工程で切断加工や貫通孔形成加工ができ、切断速度や貫通孔形成速度が速く、切断幅や貫通孔径の狭いセラミック基板の加工方法を提供することを目的とする。本発明の態様は、波長1000nm以上1100nm以下の光の反射率が80以上であるセラミック基板の表面に、連続発振のレーザ光を照射して前記セラミック基板を切断加工する、レーザ光によるセラミック基板の加工方法であって、前記セラミック基板の加工点における前記レーザ光のパワー密度が、1.0×107W/cm2以上である加工方法である。この態様では、連続発振のレーザ光をセラミック基板に照射することでセラミック基板を完全に切断するので、ブレードによる割断工程または荷重や熱応力を利用した割断工程は必要ない。なお、明細書中、波長1000nm以上1100nm以下の光の反射率が80以上とは、半球反射率測定器にて測定した波長1000nm以上1100nm以下の光の半球反射率が80以上であることを意味する。本発明の態様は、波長1000nm以上1100nm以下の光の反射率が80以上であるセラミック基板の表面に、連続発振のレーザ光を照射して前記セラミック基板に貫通孔を形成する、レーザ光によるセラミックス基板の加工方法であって、前記セラミック基板の加工点における前記レーザ光のパワー密度が、1.0×107W/cm2以上である加工方法である。本発明の態様は、前記レーザ光の波長が1000nm以上1100nm以下、前記レーザ光のエムスクエア値M2が1.0~2.0の範囲であり、前記加工点における前記レーザ光のスポット径が10~100μmである加工方法である。エムスクエア値M2は、レーザ光の集束性を表す値であり、ISO11146規格に従って規定される、レーザ光の品質を示す指標である。本発明の態様は、前記レーザ光の前記セラミック基板への入射角度が、前記セラミック基板の表面に対して85°超90°以下の範囲である加工方法である。この態様では、被加工体であるセラミック基板の表面に対して鉛直方向または略鉛直方向から、すなわち該鉛直方向に対して0°以上5°未満の角度から、レーザ光が照射される。本発明の態様は、さらに、前記セラミック基板からの前記レーザ光の反射光によって前記レーザ発振装置が損傷するのを防ぐための機構が備えられている加工方法である。本発明の態様は、前記セラミック基板に、前記レーザ光の吸収率を向上させる処理が施されていない加工方法である。レーザ光の吸収率を向上させる処理とは、セラミック基板のレーザ光の吸収能を向上させて、レーザ光による加工効率を上げる処理を意味し、例えば、セラミック基板の表面にレーザ光を吸収する材料を塗布したり、該表面に粗面処理を施すことなどがある。本発明の態様は、前記セラミック基板の切断加工における前記レーザ光の照射面側の切断幅が10~100μm、切断面の表面粗さがRa1.0μm以下、前記セラミック基板の前記照射面側から20~80の深さにおける切断幅の差が20μm以下である加工方法である。この態様では、切断加工により、セラミック基板のレーザ光の照射面側表面における切断幅は10~100μm、セラミック基板の厚み方向に対して照射面側から20~80の厚さに対応する部分における切断幅の差が20μm以下、レーザ顕微鏡にて測定した切断面の表面粗さがRa1.0μm以下である加工品質が得られる。本発明の態様は、前記セラミック基板の貫通孔形成における貫通孔径が10~100μm、前記セラミック基板の前記照射面側から20~80の深さにおける貫通孔径の差が20μm以下である加工方法である。この態様では、貫通孔形成加工により、セラミック基板の貫通孔径は10~100μmであり、セラミック基板の厚さ方向に対して、照射面側から20~80の厚さに対応する部分における貫通孔径の差が20μm以下である加工品質が得られる。本発明の態様は、前記レーザ光が照射される前記セラミック基板の加工点に対して、前記レーザ光と同軸方向から、噴射口における圧力が0.6~1.5MPaのガスを噴射する加工方法である。本発明の態様は、前記セラミック基板の25°Cにおける熱伝導率が、20~250W/mKである加工方法である。明細書中の熱伝導率は、レーザフラッシュ法により測定した熱伝導率を意味する。本発明の態様では、パワー密度が1.0×107W/cm2以上である連続発振のレーザ光をセラミック基板の表面に照射する工程で、セラミック基板を完全に切断するので、その後の割断工程は必要ない。すなわち、1工程でセラミック基板を切断できるので、切断工程が簡略化できる。従来はパワー密度を稼ぐためにパワーの尖頭値の高いパルス発振のレーザが多用されていたが、加工速度がパルスの重畳に縛られてしまっていた。本発明では連続発振のレーザ光を使用するので、高速加工が可能であり、また、加工部におけるドロス溶融凝固物の形成と切断面のテーパの発生を抑制できる。このように、切断工程の簡略化と高速化により生産効率が向上する。また、連続発振のレーザ光による加工では、加工点の溶融が一度起こると当該部のセラミック材料の反射率が急激に低下するので安定な加工が実現される。同様に、本発明の態様では、セラミック基板に貫通孔を簡略かつ高速にて形成でき、また加工部におけるドロスの形成と切断面のテーパの発生を抑制できる。本発明の態様では、レーザ光のエムスクエア値M2が1.0~2.0に抑えられる。従って、エムスクエア値M2に比例して大きくなる集光直径を小さくでき、加工点におけるレーザ光のスポット径を10~100μmまで小さくできるので、レーザ光のパワー密度が高まって切断加工や貫通孔形成加工を容易化確実化し、さらに切断幅や貫通孔径を小さくできる。このように、切断幅を小さくできるので、セラミック基板を個片化する際の製造ロスを抑えることができる。本発明の態様では、レーザ光のセラミック基板への入射角度が、セラミック基板の表面に対して85°超90°以下と、レーザ発振装置への反射戻り光防止のために上記角度を75°程度傾けた従来技術よりもセラミック基板表面に対して鉛直方向により近い入射角度でレーザ光を加工点に照射するので、レーザ光の照射面積が従来よりも減少してレーザ光のパワー密度がより高まる。よって、切断加工や貫通孔形成加工を容易化確実化できる。また、加工に要する深さを低減できるので、加工速度が向上する。さらに、レーザ光の加工点におけるスポット形状が従来よりも円形に近くなるので、切断加工時に切断方向を変更しても変更後の切断面が斜めになるのを抑えることができる。次に、図面を用いながら、本発明の実施形態例のセラミック基板の加工方法について説明する。ここでは、セラミック基板を切断加工する方法を例にとって説明する。図1に示すように、本発明の実施形態例のセラミック基板の加工方法は、シングルモード光ファイバ2を介してレーザ発振装置1と接続された加工ヘッド3から、レーザ光Lが出射され、この加工ヘッド3から出射されたレーザ光Lが被加工体であるセラミック基板Wと相対的に移動して所定の加工部位に照射されることで、セラミック基板Wが完全に切断される。本発明の実施形態例で使用するレーザ発振装置1は、波長1000nm以上1100nm以下のレーザ光Lを射出する光ファイバレーザFLである。レーザ発振装置1は連続発振にてレーザ光Lを射出する。レーザ発振装置1から出射されるレーザ光Lは、エムスクエア値M2が1.0~2.0、好ましくは1.0~1.3である。レーザ発振装置1の平均出力は加工条件に応じて適宜選択可能であり、ここで使用する光ファイバレーザFLでは、例えば100~500Wである。図1に示すように、レーザ発振装置1である光ファイバレーザFLは、励起光の光源である複数の半導体レーザ素子11と、半導体レーザ素子11が出力する励起光を導波するマルチモード光ファイバ12と、マルチモード光ファイバ12が導波した励起光を結合してダブルクラッド光ファイバ14から励起光を出力させるTFB13と、励起光を出力するダブルクラッド光ファイバ14と接続するダブルクラッド型の光ファイバグレーティング15と、ダブルクラッド型の光ファイバグレーティング15と接続するダブルクラッド型の希土類元素添加光ファイバ17と、ダブルクラッド型の希土類元素添加光ファイバ17と接続し、出力用シングルモード光ファイバ18から増幅光を出力させるダブルクラッド型の光ファイバグレーティング16とを備えている。ダブルクラッド型の希土類元素添加光ファイバ17は、コア部に増幅物質としてイッテルビウムYbがドープされた増幅光ファイバである。レーザ発振装置1から出射されるレーザ光Lは、一方の端部にてレーザ発振装置1の出力用シングルモード光ファイバ18と接続するシングルモード光ファイバ2にて導光され、シングルモード光ファイバ2にて導光されるレーザ光Lは、該シングルモード光ファイバ2の他方の端部と接続する加工ヘッド3へ入射する。従って、シングルモード光ファイバ2はレーザ光Lの導光手段であり、レーザ光Lは、シングルモード光ファイバ2を介してレーザ発振装置1から加工ヘッド3へ供給される。加工ヘッド3は、レーザ光照射手段であり、シングルモード光ファイバ2から入射した発散光であるレーザ光Lを反射する凹面のミラー31と、レーザ光Lを集光するための焦点レンズ32とを備えている。ミラー31は、加工ヘッド3内部へ入射したレーザ光Lを焦点レンズ32に向けて反射するように配置されている。図1では、ミラー31は、レーザ光Lが入射方向に対して鉛直方向に反射されるように配置されている。ミラー31によって反射されたレーザ光Lは、焦点レンズ32にて集光され、所定の焦点距離にて、レーザ光Lが最も集光された集光点焦点が形成される。焦点レンズ32は、集光されたレーザ光Lが加工ヘッド3のレーザ光射出口34を介してセラミック基板Wへ向けて出射するように、配置されている。加工ヘッド3から出射したレーザ光Lは、ステージ図示せずに載置された被加工体のセラミック基板W上に照射される。ステージはスライド可能なテーブルであり、セラミック基板Wの平面方向に沿ってスライドさせる構成となっている。従って、ステージは、加工ヘッド3から出射したレーザ光Lに対して相対移動できるように設置されている。ステージの相対移動の速度と方向を調整することで切断速度と切断方向を設定する。セラミック基板Wの表面に対するレーザ光射出口34の高さは、レーザ光Lの集光点がセラミック基板Wの表面付近に位置するよう、すなわち、集光点の位置焦点位置は、レーザLによってセラミック基板Wの加工部分が溶融するように調整する。例えば、集光点の位置は、ドロスの形成を抑える点からセラミック基板Wの加工点より上方、すなわち加工点より加工ヘッド3側が好ましく、ドロスの形成を確実に抑える点から加工点より20~400μm上方がより好ましく、50~350μm上方が特に好ましい。被加工体であるセラミック基板Wは、波長1000nm以上1100nm以下の光の反射率が80以上のセラミック材である。また、被加工体であるセラミック基板Wには、波長1000nm以上1100nm以下の光の反射率が98以下のセラミック材が好ましい。上記反射率のセラミック材を被加工体とすることで、被加工体を過剰に溶かすことなく、平坦かつ粗さの低減された切断面を得ることができる。さらには、被加工体を25°Cにおける熱伝導率が20~250W/mKのセラミック材にすることで、加工性がより向上する。上記反射率を有するセラミック材には、図3に示すように、アルミナを挙げることができ、その他には、例えば、窒化アルミニウム等を挙げることができる。なお、図3のグラフは、実用レーザ加工応用ハンドブックオプトロニクス社に掲載されているものである。また、後述するように、本発明の実施形態例で使用する光ファイバレーザFLは、加工点でのレーザ光Lのパワー密度を他のレーザ発振装置よりも高めることができるので、セラミック基板Wには、表面にレーザ光Lを吸収する材料を塗布したり、表面を粗面化するなどの、レーザ光Lの吸収率を向上させる処理を施さなくてよい。セラミック基板Wの厚さは、特に限定されないが、加工速度の点から5mm以下が好ましく、1mm以下が特に好ましい。セラミック基板Wの加工点に照射されるレーザ光Lのパワー密度の下限値は、セラミック基板Wを十分溶融させてレーザ光Lの1回照射によってセラミック基板Wを完全に切断する点から1.0×107W/cm2であり、加工速度をより上げる点から1.0×108W/cm2が好ましい。セラミック基板Wの加工点に照射されるレーザ光Lのパワー密度の上限値は、セラミック基板Wの材質や加工条件から設定し、例えば、セラミック基板Wの過度なエネルギー投入を避ける点から2.0×109W/cm2が好ましい。上記の通り、本発明の実施形態例で使用する光ファイバレーザFLは、波長λが1000nm以上1100nm以下、エムスクエア値M2が1.0~2.0のレーザ光Lを射出するのに対して、他の高出力レーザ発振装置、例えば、YAGレーザではλが1064nm、エムスクエア値M2が3~70、CO2レーザではλが10600nm、エムスクエア値M2が1.0~2.0のレーザ光を、それぞれ射出する。集光点の集光直径wは、焦点レンズ32の焦点距離f、レーザ光Lの波長λ、レーザ光Lのエムスクエア値M2、焦点レンズ32に入射する前のレーザ光Lの直径Dから、w=4×f×λ×M2/π×Dの式で算出できる。この算出式から、本発明の実施形態例で使用する光ファイバレーザFLは、YAGレーザやCO2レーザと比較して集光点の集光直径を小さくできるので、加工点におけるレーザ光Lのスポット径も小さくできる。このように、実施形態例で使用する光ファイバレーザFLは、焦点レンズ32の焦点距離f、レーザ光Lの波長λ、レーザ光Lのエムスクエア値M2、焦点レンズ32に入射する前のレーザ光Lの直径D及び集光点と加工点との距離をそれぞれ調整することで、レーザ光Lの加工点におけるスポット径を、他のレーザ発振装置よりも小さく設定できる。従って、実施形態例で使用する光ファイバレーザFLは、加工点におけるレーザ光Lのパワー密度を他のレーザ発振装置よりも高めることができ、結果、波長1000nm以上1100nm以下の光の反射率が80以上と高反射率のセラミック基板であっても加工閾値を超えて切断加工できる。また、加工点のスポット径を小さくすることで、溶融部の幅を狭くする、すなわち、切断幅を狭くすることができる。例えば、加工点のスポット径を10~100μmの範囲に調整することで、切断加工時の切断幅を10~100μmに抑えることができる。さらに、加工点のスポット径を小さくすることで、セラミック基板の厚さに対して、照射面側から20~80の厚さに対応する部分における切断幅の差を20μm以下に抑えることができる。そして、照射面から裏面まで一括で溶融除去する加工なので、表面粗さRa1.0μm以下と、従来よりも平滑な切断面が得られる。加工点のスポット径の下限値は、ドロスの形成を防止する点から10μmが好ましく、ドロスの形成を確実に防止する点から20μmが特に好ましい。加工点のスポット径の上限値は、切断幅を小さくする点から100μmが好ましく、50μmが特に好ましい。光ファイバレーザFLの出力と加工点のスポット径を調整することで、セラミック基板Wの加工点に照射されるレーザ光Lのパワー密度を上記の1.0×107W/cm2以上に設定する。レーザ光Lのセラミック基板Wへの入射方向は、セラミック基板Wの表面に対して鉛直方向、略鉛直方向または鉛直方向近傍に設定される。この実施形態例では、レーザ光Lの入射角度はセラミック基板Wの表面に対して85°超~90°の範囲、すなわち、レーザ光Lは鉛直方向または略鉛直方向からセラミック基板Wへ照射されるのが好ましい。このように、セラミック基板Wの表面に対して従来セラミック基板の表面に対して75°程度よりも鉛直方向に近い方向からレーザ光Lを加工点に照射することで、レーザ光Lの加工点における照射面積が従来よりも減少してレーザ光Lの加工点でのパワー密度を確実に高めることができる。また、より鉛直方向に近い方向からレーザ光Lを照射するので、切断加工の深さを低減でき、切断速度が向上する。さらに、入射角度を傾ける場合、その方向を切断方向とセラミック基板W表面に対して鉛直方向とを含む平面内で傾けることで切断溝が斜めに形成されることを防ぐことができるが、レーザ光Lがセラミック基板W表面に対して鉛直方向または略鉛直方向から照射されていれば、切断加工時に切断方向を変更しても変更後の切断面が斜めになるのを抑えることができる。さらに、レーザ光Lは鉛直方向または略鉛直方向からセラミック基板Wへ照射されるので、切断先端部は斜めにならず、よって、加工時に、後述する高圧ガスの抜けがよくなり、切断部はドロスフリーとなる。通常、光ファイバレーザFLは反射戻り光を常時モニタリングし、反射戻り光が所定値を超えた場合に、光ファイバレーザFLのレーザ発振を停止させる装置破損防止機構が備えられているが、本発明の実施形態例では、反射戻り光のレベルがレーザ発振装置1である光ファイバレーザFLに対して問題ない程度であることを確認した上で、上記装置破損防止装置は停止させている。一方で、本発明の実施形態例では、シングルモード光ファイバ2を介してレーザ発振装置1と加工ヘッド3が接続されている。そこで、被加工体であるセラミック基板Wは波長1000nm以上1100nm以下の光の反射率が80以上であることから、レーザ発振装置1の安全性をより高めるために、念のために、セラミック基板Wにて反射するレーザ光Lからレーザ発振装置1をまもる機構、例えば、アイソレータを設けてもよい。アイソレータを設けることで、セラミック基板Wから加工ヘッド3を介して戻ってくるレーザ光Lの反射光をレーザ発振装置1の外部に逃がすことができる。アイソレータを設ける位置は適宜選択可能であり、例えば、加工ヘッド3とレーザ発振装置1との間に配置する。本発明の実施形態例では、図1に示すように、必要に応じて、さらに、セラミック基板Wの加工点、すなわち、レーザ光Lが照射される部分に対して高圧ガスGを噴射してもよい。加工点に高圧ガスGを噴射することで、切断加工部にドロスが形成されるのを防止でき、また切断部を速やかに冷却できる。高圧ガスGは、ガス充填容器図示せずからガス輸送用の管状部材35を介して加工ヘッド3に設けられたガス噴射用ノズル33へ供給され、ガス噴射用ノズル33から加工点へ噴射される。高圧ガスGが加工点に噴射されるよう、ガス噴射用ノズル33の噴射口はレーザ光射出口34と同軸に配置するのが好ましい。高圧ガス種は、窒素、酸素、ヘリウム、アルゴン、空気等であり、ガス噴射用ノズル33の噴射口での圧力は0.6~1.5MPaが好ましい。このように、波長1000nm以上1100nm以下の光の反射率が80以上であるセラミック基板Wの表面に、加工点におけるパワー密度が、1.0×107W/cm2以上である連続発振のレーザ光Lを照射して前記セラミック基板Wを切断することで、個片化されたセラミック基板を製造できる。次に、本発明の他の実施形態例について、図2を用いて説明する。なお、図1と同じ構成要素については同じ符号を付して説明する。図2の他の実施形態例に示すように、コリメートレンズ36にてシングルモード光ファイバ2から入射したレーザ光Lを平行光にし、凹面のミラー31に代えて平板ミラー37を用いて、上記平行光を焦点レンズ32に向けて反射させてもよい。この他の実施形態例では、コリメートレンズ36はシングルモード光ファイバ2から出射した拡散光を平行にするよう配置されている。この態様では、焦点レンズ32の光軸上の位置を定めることで、焦点位置を容易に制御、調整できる。次に、セラミック基板Wに貫通孔を形成する方法について説明する。貫通孔の形成加工も、上記した切断加工と同様の手段にて実施できる。つまり、シングルモード光ファイバ2を介してレーザ発振装置1である光ファイバレーザFLと接続された加工ヘッド3から、レーザ光Lが出射され、加工ヘッド3から出射されたレーザ光Lが被加工体であるセラミック基板Wの所定の加工部位に照射されることで、セラミック基板Wに貫通孔を形成する。なお、貫通孔を形成する場合には、加工ヘッド3から出射したレーザ光Lに対して、被加工体であるセラミック基板Wを載置したステージを相対移動させずに、レーザ光Lを照射する。貫通孔の形成加工でも、切断加工と同様に、加工点のスポット径を小さく、例えば上記のように10~100μmに調整することで、貫通孔径を10~100μmに抑えることができる。また、加工点のスポット径を小さくすることで、セラミック基板の厚さに対して、照射面側から20~80の厚さに対応する部分における貫通孔径の差が20μm以下に抑えることができる。このように、波長1000nm以上1100nm以下の光の反射率が90以上であるセラミック基板Wの表面に、加工点におけるパワー密度が、1.0×107W/cm2以上である連続発振のレーザ光Lを照射することで、貫通孔の形成されたセラミック基板を製造できる。次に、本発明の実施例について説明する。ここでは、セラミック基板を切断加工する実施例について説明する。被加工体厚さ0.53mmのセラミック基板96質量のAl2O3、4質量は不可避不純物、波長1000nm以上1100nm以下の光の反射率半球反射率は89。加工装置レーザ発振装置には、出力400Wであり、エムスクエア値M2が1.07、波長1083nmのレーザ光を連続発振にて射出する光ファイバレーザを使用した。加工ヘッドの焦点レンズはf100mmを使用した。また、ガス出射用ノズルのノズル径が1mmである高圧ガス噴射機構を設置し、レーザ光に対して相対移動できるステージに被加工体を載置した。切断加工条件セラミック基板表面とレーザ光射出口との距離を500μm、集光点の位置はセラミック基板表面よりもレーザ光射出口側とし、セラミック基板表面と集光点との距離を50μmとした。これにより、加工点におけるレーザ光のスポット径が23μm、加工点におけるパワー密度は9.5×107W/cm2となった。レーザ光の入射角度は、切断方向とセラミック基板表面に対して鉛直方向とを含む平面内でセラミック基板の表面に対して86°セラミック基板表面の鉛直方向に対して4°に設定した。高圧ガス種は窒素とし、ガス出射用ノズルノズル径1.0mmの噴射口における圧力を1.0MPaとした。切断速度が200mm/s、切断方向が直線状となるよう、ステージの移動速度と移動方向を設定した。なお、実施例では、同一使用条件における反射戻り光のレベルが光ファイバレーザに対して問題ない程度であることを確認した上で、装置破損防止装置は停止させた。評価方法切断面の粗さ:レーザ顕微鏡キーエンス社製、VK‐9510にて測定した。ドロスの高さ:レーザ顕微鏡キーエンス社製、VK‐9510にて測定した。結果切断速度200mm/sにて、上記セラミック基板を完全に切断して、セラミック基板を個片化できた。従って、従来技術である、厚さ0.5mmのセラミック基板の場合における数mm/sの切断速度よりも、切断速度が著しく向上して、個片化の加工効率が向上した。図4の切断面の写真に示すように、切断面のレーザ顕微鏡写真から照射面側表面の切断幅は82μmと、100μm以下に低減でき、従来よりも優れた切断幅が得られた。よって、セラミック基板の切断にともなう製造ロスを低減できた。また、図4に示すように、レーザ光の照射面側表面から厚み方向に20の深さの部分における切断幅は66μm、レーザ光の照射面側表面から厚み方向に80の深さの部分における切断幅は61μmと、20~80の深さ領域における切断幅の差は5μmとなり、20μm以下に低減できた。よって、切断加工の寸法精度が良好であり、平坦かつセラミック基板表面に対して略垂直な切断面が得られた。また、切断面には段差部及び凹部は生じず、全面に渡って平坦な切断面が得られた。切断面の表面粗さRaは0.81μmであり、切断面表面の品質も良好であった。また、照射面側にはドロスが形成せず、裏面側のドロスの高さは1.7μm~5.3μmと、目標とする10μm以下に抑えることができた。照射面側と裏面側ともにデブリは生じていなかった。一方で、実施例と同じセラミック基板に、パルス状のレーザ光を照射してスクライブ線分割溝を形成後、厚み方向に荷重を加えることでセラミック基板をスクライブ線で割断した比較例では、図5に示すように、切断面にパルス状のレーザ光に基づく凹部が所定間隔で形成された。図6に示すように、上記凹部の深さは35μm程度であった。また、切断面の表面粗さRaは2.6μmであり、切断面表面の品質に劣っていた。さらに、比較例では、レーザ光により形成したスクライブ線の幅は平均77μmであるのに対して、割断による切断幅はほぼ0であることから、切断面に38μm程度の段差部が生じて平坦な切断面が得られなかった点でも切断面表面の品質に劣っていた。