"表面に配置されたレジスト膜によりマスクパターンが形成されたサファイア基板をチャンバ内に配置して、BCl3が主体のガスに、CF4、SF6およびNF3のいずれかのガスを混合した混合ガスをチャンバ内に供給して、サファイア基板に対してプラズマ処理を行い、サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する、第1プラズマ処理工程と、チャンバ内へ処理ガスを供給してプラズマ処理を実施し、第1プラズマ処理工程の実施によりチャンバ内に付着した副生成物を除去する第2プラズマ処理工程と、を含む、基板のプラズマ処理方法。第1プラズマ処理工程にて、BCl3が主体のガスに混合されたCF4、SF6およびNF3のいずれかのガスと同じ種類のガスを含む処理ガスを用いて、第2プラズマ処理工程を行う、請求項1に記載の基板のプラズマ処理方法。サファイア基板が収容される複数の基板収容孔が設けられ、この基板収容孔の内壁から突出する基板支持部を有するトレイを用いて、基板支持部にその縁部が支持されて基板収容孔に収容された状態の複数のサファイア基板をチャンバ内に搬入する基板搬入工程と、チャンバ内において、トレイ支持部とこのトレイ支持部から上向きに突出する複数の基板保持部とを有する基板ステージに対して、トレイ支持部上にトレイを載置するとともにそれぞれの基板保持部上にサファイア基板を載置することで、基板保持部の端縁よりはみ出したサファイア基板の縁部と基板支持部とを離間させた状態とする基板載置工程と、第2プラズマ処理工程の終了後、基板支持部によりサファイア基板の縁部を支持した状態にて、トレイとともにそれぞれのサファイア基板をチャンバ内より搬出する基板搬出工程と、をさらに備え、第1プラズマ処理工程において、基板載置工程にて縁部と基板支持部とが離間した状態とされたそれぞれのサファイア基板に対してプラズマ処理を行い、第2プラズマ処理工程において、第1プラズマ処理工程の実施により、チャンバ内部に付着した副生成物とともにサファイア基板の縁部とトレイ支持部とに付着した副生成物を除去する、請求項1または2に記載の基板のプラズマ処理方法。第1プラズマ処理工程において、BCl3が主体のガスにCF4ガスを混合した混合ガスをチャンバ内に供給して、サファイア基板に対するプラズマ処理を行う、請求項1から3のいずれか1つに記載の基板のプラズマ処理方法。しかしながら、サファイアは酸化アルミニウムAl2O3の単結晶であるため、BCl3が主体のガス系でエッチング処理を行うと、サファイア基板から発生するAlと、レジスト膜から発生するCとにより大量の副生成物デポデポジションが発生して、チャンバ内部に付着する。このようなデポがチャンバ内部に付着した状態でエッチング処理が行われると、デポからガスが再び放散されてチャンバ内雰囲気が安定せず、プロセス条件が影響を受ける。そのため、サファイア基板に対するエッチング処理が行われた後、あるいは複数回のエッチング処理が行われた後、チャンバ内にてプラズマを発生させて付着したデポを除去するドライクリーニング処理が行われている。このようなドライクリーニング処理を確実に行えば、チャンバ内部に付着したデポを除去することができるが、このようなドライクリーニング処理のための処理時間がサファイア基板に対するPSS加工処理のスループットの短縮化を阻害する1つの要因となる。従って、本発明の目的は、上記課題を解決することにあって、マスクパターンが配置されたサファイア基板に対して、プラズマ処理を行い、サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する基板のプラズマ処理において、凹凸構造を形成するための第1プラズマ処理により生じる副生成物を除去するための第2プラズマ処理の時間を短縮化できる基板のプラズマ処理方法を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。本発明の第1態様によれば、表面に配置されたレジスト膜によりマスクパターンが形成されたサファイア基板をチャンバ内に配置して、BCl3が主体のガスに、CF4、SF6およびNF3のいずれかのガスを混合した混合ガスをチャンバ内に供給して、サファイア基板に対してプラズマ処理を行い、サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する、第1プラズマ処理工程と、チャンバ内へ処理ガスを供給してプラズマ処理を実施し、第1プラズマ処理工程の実施によりチャンバ内に付着した副生成物を除去する第2プラズマ処理工程と、を含む、基板のプラズマ処理方法を提供する。本発明の第2態様によれば、第1プラズマ処理工程にて、BCl3が主体のガスに混合されたCF4、SF6およびNF3のいずれかのガスと同じ種類のガスを含む処理ガスを用いて、第2プラズマ処理工程を行う、第1態様に記載の基板のプラズマ処理方法を提供する。本発明の第3態様によれば、サファイア基板が収容される複数の基板収容孔が設けられ、この基板収容孔の内壁から突出する基板支持部を有するトレイを用いて、基板支持部にその縁部が支持されて基板収容孔に収容された状態の複数のサファイア基板をチャンバ内に搬入する基板搬入工程と、チャンバ内において、トレイ支持部とこのトレイ支持部から上向きに突出する複数の基板保持部とを有する基板ステージに対して、トレイ支持部上にトレイを載置するとともにそれぞれの基板保持部上にサファイア基板を載置することで、基板保持部の端縁よりはみ出したサファイア基板の縁部と基板支持部とを離間させた状態とする基板載置工程と、第2プラズマ処理工程の終了後、基板支持部によりサファイア基板の縁部を支持した状態にて、トレイとともにそれぞれのサファイア基板をチャンバ内より搬出する基板搬出工程と、をさらに備え、第1プラズマ処理工程において、基板載置工程にて縁部と基板支持部とが離間した状態とされたそれぞれのサファイア基板に対してプラズマ処理を行い、第2プラズマ処理工程において、第1プラズマ処理工程の実施により、チャンバ内部に付着した副生成物とともにサファイア基板の縁部とトレイ支持部とに付着した副生成物を除去する、第1態様または第2態様に記載の基板のプラズマ処理方法を提供する。本発明の第4態様によれば、第1プラズマ処理工程において、BCl3が主体のガスにCF4ガスを混合した混合ガスをチャンバ内に供給して、サファイア基板に対するプラズマ処理を行う、第1態様から第3態様のいずれか1つに記載の基板のプラズマ処理方法を提供する。本発明では、サファイア基板の表面に凹凸構造を形成するための第1プラズマ処理工程において、BCl3が主体のガスに、CF4、SF6およびNF3のいずれかのガスを混合した混合ガスを用いてプラズマ処理を行い、その後、第1プラズマ処理工程の実施によりチャンバ内に付着した副生成物を除去するための第2プラズマ処理工程を実施している。これにより、第2プラズマ処理工程にて副生成物の除去に要する時間を短縮化でき、基板のプラズマ処理のスループットを短縮化できる。以下に、本発明にかかる実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。実施の形態本発明の一の実施の形態に係るプラズマ処理装置の一例としてICP誘導結合プラズマ型のドライエッチング装置1の構成図を図1に示す。ドライエッチング装置1は、その内部が基板2にプラズマ処理を行う処理室を構成するチャンバ真空容器3を備える。チャンバ3の上端開口は石英等の誘電体により形成された天板4により密閉状態で閉鎖されている。天板4の下面側は誘電体により形成された天板カバー部6により覆われている。天板4上にはICPコイル5が配置されており、ICPコイル5はコイルカバー部10により覆われている。ICPコイル5にはマッチング回路を含む第1の高周波電源部7が電気的に接続されている。天板4と対向するチャンバ3内の底部側には、バイアス電圧が印加される下部電極としての機能及び基板2の保持台としての機能を有する基板ステージ9が配置されている。チャンバ3には、例えばロードドック室図示せずと連通する開閉可能な搬入出用のゲートバルブ3aが設けられており、図示しない搬送機構が備えるハンド部により基板2を収納したトレイ15が保持されて、開放状態のゲートバルブ3aを通して基板2の搬入搬出動作が行われる。また、チャンバ3に設けられたエッチング用のガス導入口3bには、ガス供給部12が接続されている。ガス供給部12には、複数種類のガスの供給ラインが備えられており、それぞれのガス種のライン毎に設けられた開閉バルブ12a、12b、および流量調整部12cの開閉動作および開度が選択的に制御されることにより、ガス導入口3bから所望の流量および仕様の処理ガスを供給できる。本実施の形態では、ガス供給部12には、複数種類のガスとして、例えば、BCl3、Cl2、Ar、O2、CF4のガス供給ラインが備えられている。また、チャンバ3に設けられた排気口3cには、真空ポンプや圧力制御弁等から構成される圧力制御部13が接続されている。次に、本実施の形態のドライエッチング装置1にて取り扱われる基板2を保持するトレイ15について、図2および図3の模式斜視図を用いて説明する。トレイ15は薄板円板状のトレイ本体15aを備える。トレイ15の材質としては、例えばアルミナAl2O3、窒化アルミニウムAlN、ジルコニアZrO、イットリアY2O3、窒化シリコンSiN、炭化シリコンSiC等のセラミクス材や、アルマイトで被覆したアルミニウム、表面にセラミクスを溶射したアルミニウム、樹脂材料で被覆したアルミニウム等の金属がある。Cl系プロセスの場合にはアルミナ、イットリア、炭化シリコン、窒化アルミニウム等、F系プロセスの場合には石英、水晶、イットリア、炭化シリコン、アルマイトを容射したアルミニウム等を採用することが考えられる。なお、本実施の形態では、炭化シリコンを主材料として形成されたトレイ15が用いられる。トレイ本体15aには、上面15bから下面15cまで厚み方向に貫通する4個の基板収容孔19が設けられている。基板収容孔19は、上面15b及び下面15cから見てトレイ本体15aの中心に対して等角度間隔で配置されている。図4A及びBに詳細に示すように、それぞれの基板収容孔19の内壁15dには、孔中心に向けて突出する基板支持部21が設けられている。本実施の形態では、基板支持部21は内壁15dの全周に設けられており、平面視で円環状である。それぞれの基板収容孔19にはそれぞれ1枚の基板2が収容される。基板収容孔19に収容された基板2は、その外周縁部2aの下面部分が基板支持部21の上面21aに支持される。また、基板収容孔19はトレイ本体15aを厚み方向に貫通するように形成されているので、トレイ本体15aの下面側から見ると、基板収容孔19により基板2の下面が露出した状態とされている。トレイ本体15aには、外周縁を部分的に切り欠いたノッチ15eが形成されており、搬送時などでトレイ15を取り扱う際に、センサ等を用いてトレイ15の向きを容易に確認できる。次に、図1~図3、図4を参照して、基板ステージ9について説明する。図1に示すように、基板ステージ9は、セラミクス等の誘電体部材により形成されたステージ上部23と、表面にアルマイト被覆を形成したアルミニウム等により形成され、バイアス電圧が印加される下部電極として機能する金属ブロック24と、絶縁体25と、金属製のシールド27とを備える。基板ステージ9の最上部に配置されるステージ上部23は、金属ブロック24の上面に固定されており、ステージ上部23および金属ブロック24の外周が絶縁体25により覆われて、さらに絶縁体25の外周が金属により形成されたシールド27により覆われている。図2に示すように、ステージ上部23は円板状に形成されており、ステージ上部23の上端面は、トレイ15の下面15cを支持するトレイ支持部28となっている。また、トレイ15のそれぞれの基板収容孔19と対応する短円柱状の4個の基板保持部29がトレイ支持部28から上向きに突出している。さらにステージ上部23上には、トレイ支持部28を囲むように配置され、ステージ上部23から上向きに突出して形成された環状のガイドリング30が配置されている。このガイドリング30は、ステージ上部23において、トレイ15の配置位置を案内する役目を担っている。ここで、トレイ15、基板2、および基板保持部29等の関係について、図4A,Bを参照して説明する。基板保持部29の外径R1は、基板支持部21の先端面内周端面21bの内径R2よりも小さく設定されている。したがって、トレイ15がトレイ支持部28上に配置された状態において、基板収容孔19に形成された基板支持部21と、基板保持部29との間には、互いに接触しないような隙間が確保される。また、トレイ本体15aの下面15cから基板支持部21の上面21aまでの高さH1は、トレイ支持部28から基板保持部29における保持面31までの高さH2よりも低く設定されている。したがって、トレイ15の下面15cがトレイ支持部28上に配置された状態では、基板保持部29の保持面31により基板2が押し上げられ、トレイ15の基板支持部21から基板2が浮き上がった状態となる。言い換えれば、基板収容孔19に基板2を収容しているトレイ15をステージ上部23上に配置すると、基板収容孔19に収容された基板2は基板支持部21の上面21aから浮き上がり、基板2の縁部2aと基板支持部21の上面21aとが互いに離間した状態にて、基板2の下面が基板保持部29の保持面31上に配置される。なお、図3および図4Bに示すように、それぞれの基板2が基板保持部29上に配置されて、トレイ15から離間した状態では、基板2の上面とトレイ15の上面15bとはほぼ同じ高さに位置された状態となる。また、基板保持部29の外径R1は、基板2の外径R3よりも小さく設定されている。したがって、基板2が基板保持部29上に配置されて、トレイ15から離間した状態では、図4Bに示すように、基板2の縁部2aが基板保持部29の外周端部より径方向外向きに突出してはみ出した状態とされる。また、図1に示すように、ステージ上部23に設けられた個々の基板保持部29の保持面31付近にはESC電極静電吸着用電極40が内蔵されている。これらのESC電極40は電気的に互いに絶縁されており、直流電源を内蔵するESC駆動電源部41から静電吸着用の直流電圧が印加される。図1に示すように、それぞれの基板保持部29の保持面31には冷却ガス供給口44が設けられており、それぞれの冷却ガス供給口44は冷却ガス供給路47を通じて共通の冷却ガス供給部45に接続されている。なお、本実施の形態では、冷却ガスとしてヘリウムHeが用いられ、プラズマ処理中において、基板保持部29の保持面31と基板2との間に冷却ガスが供給されることで基板2の冷却が行われる。金属ブロック24には、バイアス電圧としての高周波を印加する第2の高周波電源部56が電気的に接続されている。第2の高周波電源部56はマッチング回路を備えている。また、金属ブロック24内には、金属ブロック24を冷却するための冷媒流路60が形成されており、冷却ユニット59より温度調節された冷媒が冷媒流路60に供給されることで、金属ブロック24が冷却される。図1に示すように、基板ステージ9には、トレイ支持部28上に配置された状態のトレイ15をその下面側から押し上げて突き上げてトレイ15とともにそれぞれの基板2を上昇させる複数本のトレイ押上ロッド18が備えられている。それぞれのトレイ押上ロッド18は、トレイ支持部28の上面より突出した押上位置と、トレイ支持部28内に格納された格納位置との間で駆動機構17により昇降駆動される。次に、ドライエッチング装置1が備える制御部70の構成について、図5に示すブロック図を用いて説明する。図5に示すように、ドライエッチング装置1が備えるそれぞれの構成部である、第1の高周波電源部7、第2の高周波電源部56、ESC駆動電源部41、ゲートバルブ3a、搬送機構、駆動機構17、ガス供給部12、冷却ユニット59、および圧力制御部13の動作が他の構成部の動作と関連付けられながら統括的に制御部70により制御される。また、制御部70には、オペレータによる操作や入力を行うための操作入力部71と、ドライエッチング装置1における運転情報などを表示する表示部72とが備えられている。また、本実施の形態のドライエッチング装置1では、基板2としてサファイア基板が取り扱われ、エッチング処理プラズマ処理として、サファイア基板2の表面に微小な凹凸構造を形成する加工PSS:PatternedSapphireSubstrateが行われる。なお、このように基板2の表面に微小な凹凸構造を形成する加工を基板表面の粗面化加工または表面テキスチャ加工と言うこともできる。ドライエッチング装置1では、このようなエッチング処理を行うために、トレイ15に保持された複数の基板2をチャンバ3内に搬入して、基板ステージ9上に載置するトレイ搬入処理基板搬入工程および基板載置工程と、搬入された基板2に対してエッチング処理によりPSS加工を行うエッチング処理第1プラズマ処理工程と、エッチング処理の実施によりチャンバ3内、基板2およびトレイ15に付着した副生成物をプラズマ処理により除去するクリーニング処理第2プラズマ処理工程と、除電プラズマを発生させて基板2と基板保持部29との間の残留静電吸着力を低減させる除電処理除電工程と、それぞれの基板2をトレイ15に保持させた状態にてチャンバ3内より搬出するトレイ搬出処理基板搬出工程とが予め設定されたプログラムを実行することにより連続的に実施される。そのため、制御部70には、これらのプログラムおよびプログラムを実行する演算部により構成され、各種処理を実行する処理部として、搬送処理部73、エッチング処理部74、クリーニング処理部75、および除電処理部76が備えられている。また、エッチング処理、クリーニング処理、および除電処理を実施するための各種運転条件を記憶する運転条件記憶部77が制御部70には備えられている。次に、上述したような構成を有するドライエッチング装置1を用いて、複数の基板2に対してエッチング処理を行う方法について、図6に示すフローチャートを用いて説明する。なお、以降に説明するそれぞれの処理は、ドライエッチング装置1が備える制御部70によりそれぞれの構成部が予め設定されたプログラムおよび運転条件に基づいて制御されることにより実施される。トレイ搬入処理まず、図6のフローチャートにおけるトレイ搬入処理ステップS1を実施する。具体的には、ドライエッチング装置1において、ゲートバルブ3aを開放状態とさせる。その後、4個の基板収容孔19にそれぞれ基板2が収容された状態のトレイ15を、搬送機構のハンド部により保持して、例えばロードロック室からゲートバルブ3aを通ってチャンバ3内に搬入する。チャンバ3内では、駆動機構17によって駆動されたトレイ押上ロッド18が上昇し、ハンド部からトレイ押上ロッド18の上端にトレイ15が移載される。トレイ15の移載後、ハンド部はロードロック室に待避し、ゲートバルブ3aが閉鎖される。上端にトレイ15を支持したトレイ押上ロッド18は、その押上位置から基板ステージ9内に格納される格納位置に向けて降下する。トレイ15は下面15cが基板ステージ9のステージ上部23のトレイ支持部28まで降下し、トレイ15はステージ上部23のトレイ支持部28によって支持される。トレイ15がトレイ支持部28に向けて降下する際に、ステージ上部23の基板保持部29がトレイ15の対応する基板収容孔19内にトレイ15の下面15c側から進入する。トレイ15の下面15cがトレイ支持部28に当接する前に、基板保持部29の上端面である保持面31が、基板2の下面に当接する。さらにトレイ15を下降させてトレイ15の下面15cをトレイ支持部28上に載置すると、それぞれの基板2の縁部2aが基板支持部21の上面21aから持ち上げられて、トレイ15と基板2とが互いに離間した状態となる。なお、トレイ15は、ガイドリング30によりその配置位置が位置決めされるため、それぞれの基板2は基板保持部29に対して高い位置決め精度で配置される。その後、それぞれの基板保持部29に内蔵されたESC電極40に対してESC駆動電源部41から直流電圧を印加する。エッチング処理次に、エッチング処理ステップS2を実施する。具体的には、エッチング処理用のガスとしては、BCl3が主体のガスにCF4ガスを所定の混合比率にて混合した混合ガスが用いられ、ガス供給部12からガス導入口3bを通じて混合ガスがチャンバ3内に供給される。それとともに、圧力制御部13によりチャンバ3内は所定圧力に調整される。続いて、第1の高周波電源部7からICPコイル5に高周波電圧を印加する。これによりチャンバ3内にプラズマが発生する。また、チャンバ3内にプラズマが発生することにより基板2と基板保持部29の間に静電吸着力が発生し、それぞれの基板保持部29の保持面31に基板2が静電吸着される。基板2の下面はトレイ15を介することなく保持面31上に直接配置されている。したがって、基板2は保持面31に対して高い密着度で保持される。その後、それぞれの基板保持部29の保持面31と基板2の下面との間に存在する空間内に、冷却ガス供給口44を通して冷却ガス供給部45から冷却ガスが供給され、この空間に冷却ガスが充填される。冷却ガスが十分に充填された状態所定の圧力に保たれた状態にて、第2の高周波電源部56により基板ステージ9の金属ブロック24にバイアス電圧を印加し、チャンバ3内で発生したプラズマを基板ステージ9側へ引き寄せる。これにより、基板2に対するエッチング処理が行われて、基板2の表面に対するPSS加工が実施される。1枚のトレイ15で4枚の基板2を基板ステージ9上に載置できるので、バッチ処理が可能である。ここで、サファイア基板2の表面に対するエッチング処理を行うことにより実施されるPSS加工についてその概略を、図9A~Eの説明図を用いて説明する。まず、図9Aに示すように、サファイア基板2の表面には突起状の複数のレジスト51レジスト膜が配置されている。これらのレジスト51は、サファイア基板2の表面に形成される凹凸構造に応じたマスクパターンを形成する。次に、サファイア基板2に対するエッチング処理が開始されると、レジスト51により覆われていない基板2の表面がプラズマに曝されてエッチングされる。具体的には、サファイア基板2の表面に対しては、イオンエッチングと、活性種ラジカルとの化学反応によるエッチングが行われる。一方、レジスト51自体もプラズマに曝されるため、基板2に対するエッチングの進行とともに、エッチングされることになる。具体的には、レジスト51に対しては、イオンエッチングが行われるとともに、サファイア基板2に対するエッチングにより発生したOやClによるエッチングが併せて行われる。さらに、エッチングの進行に伴い、アルミニウムやレジスト由来のカーボン系の副生成物デポデポジションが発生する。このデポ52はサファイア基板2の表面やレジスト51に付着する。サファイア基板2の表面やレジスト51の頂部では、デポ52の付着量よりもイオンエッチングによる除去量が勝っているため、デポ52の膜は形成されない。一方、レジスト51の側面ではイオンエッチングの作用が弱いため、付着したデポ52が残存して膜を形成する図9B参照。このデポ52の膜は、エッチングの進行に伴って成長し、その一部はサファイア基板2の表面を徐々に覆いながら広がっていく。このように、マスクとして機能するデポ52がサファイア基板2のエッチングの進行に伴って広がることで、サファイア基板2の表面において、レジスト51およびデポ52にて覆われた部分に、テーパ面を有する円錐台状の突起53が形成される図9C参照。エッチングの進行に伴い、レジスト51が後退するすなわち、容積が減少すると、レジスト51の側面や突起53のテーパ面におけるイオンエッチング効果が次第に強くなり、デポ52も消失する図9D参照。この段階でサファイア基板2に対するエッチングを停止すれば、その頂部にレジスト51が配置された複数の円錐台状の突起53から成る凹凸構造を備えたPSSが得られる。その後、さらにエッチングを継続すると、レジスト51が完全に消滅して、図9Eに示すように、複数の円錐状の突起53から成る凹凸構造を備えたPSSが得られる。円錐状の突起53は高さHおよび幅Wを有し、高さH/幅Wがアスペクト比となっており、エッチング処理におけるPR選択比が高くなる程、突起53の幅Wに対する高さHの比率が大きくなり、高アスペクト比の突起53を形成することができる。本実施の形態のエッチング処理では、エッチング処理用のガスとして、BCl3が主体のガス例えばBCl3>80/Cl2<10/Ar<10にCF4ガスを所定の混合比率にて混合した混合ガスが用いられる。なお、CF4ガスを混合させて用いることによる効果については後述する。エッチング処理中は、冷却ガスによる冷却に加えて、冷却ユニット59によって冷媒流路60中で冷媒を循環させて金属ブロック24を冷却し、それによってステージ上部23及び保持面31に保持された基板2が冷却される。したがって、エッチング処理において、基板2の温度が確実に制御される。所定の処理時間経過すると、第2の高周波電源部56による基板ステージ9の金属ブロック24へのバイアス電圧の印加を停止するとともに、エッチング処理用のガスの供給を停止して、基板2に対するエッチング処理が完了する。クリーニング処理ここで、このようなエッチング処理が行われた直後の基板2およびトレイ15の状態を図7Aおよび図7Bの説明図に示す。図7Aに示すように、トレイ支持部28上にトレイ15が載置され、それぞれの基板保持部29上に基板2が保持されている状態では、トレイ15の基板支持部21の上面21aと基板2の縁部2aの下面との間には、互いに接触しないような隙間が設けられている。このような状態にてエッチング処理が行われると、基板2の縁部2aの下面やその近傍部分A、基板2の縁部2aにて隠れてしまっているトレイ15の基板支持部21の上面21aおよびその近傍部分部分Bでは、エッチング処理の際に生じる副生成物であるデポデポジション堆積物が付着し易い。なお、図中参照符号91は生成されたプラズマ、92はシース、93は付着したデポを模式的に示したものである。特に、トレイ15を用いて複数の基板2を支持しながら搬送を行うという形態では、基板2の縁部2aをトレイ15の基板支持部21に支持させる必要があるため、基板2を基板保持部29上に配置した状態にて、基板保持部29の外周端部よりも基板2の縁部2aがはみ出すような状態となる。さらに、基板2の縁部2aとトレイ15の基板支持部21とは互いに離間した状態にてエッチング処理が行われることになる。そのため、エッチング処理の際に、生成されたプラズマが比較的侵入し難い部位である基板2の縁部2aの下面やトレイ15の基板支持部21等にエッチング処理の副生成物であるデポ93が付着して残り易くなる。また、基板2とトレイ15との間の他、チャンバ3の内壁にもこのようなデポが付着する。特に、本実施の形態のエッチング処理では、基板2としてサファイア基板が用いられ、サファイア基板に対するPSS加工が行われる。サファイアは酸化アルミニウムAl2O3の単結晶であるため、BCl3が主体のガス系でエッチング処理を行うと、サファイア基板から発生するAlと、レジスト膜から発生するCとにより大量の副生成物デポデポジションが発生する傾向にある。このように、チャンバ3の内壁に付着したデポ、さらに基板2とトレイ15との間に付着したデポ93を除去する処理が次のクリーニング処理である。エッチング処理が完了し、バイアス電圧の印加およびエッチング処理用のガスの供給が停止された後、クリーニング処理を実施するステップS3。具体的には、ガス供給部12からチャンバ3内にクリーニング処理用のガスが供給されるとともに、圧力制御部13によりチャンバ3内を所定圧力に調整する。続いて、第1の高周波電源部7からICPコイル5に高周波電圧を印加してチャンバ3内にプラズマを発生させる。この際、第2の高周波電源部56によるバイアス電圧は印加しない。このプラズマにより基板2の縁部2aおよびトレイ15の基板支持部21ならびにその近傍に付着しているデポが除去される。クリーニング処理用のガスとしては、フッ素系のガスが用いられ、例えば、CF4とO2との混合ガスが用いられる。このクリーニング処理では、チャンバ3内の圧力は、エッチング処理における圧力よりも高い圧力に調整される。このようにクリーニング処理において、チャンバ3内の空間を高い圧力とすることにより、生成されるプラズマの等方性的な特性を強めることができ、基板2の縁部2aとトレイ15の基板支持部21との間の隙間にプラズマをより侵入させ易くすることができ、付着しているデポを効果的に除去できる。また、生成されるプラズマを上記隙間へ侵入させやすくするために、第2の高周波電源部56により金属ブロック24にバイアス電圧を印加してもよい。この場合、クリーニング処理中に印加するバイアス電圧はエッチング処理中におけるバイアス電圧よりも低くすることが望ましい。また、このクリーニング処理により、チャンバ3の内壁もプラズマに曝されるため、内壁に付着したデポが除去される。また、クリーニング処理では、ESC駆動電源部41からESC電極40に対して印加される直流電圧を、エッチング処理中に印加される直流電圧よりも低くすることが望ましい。上述したようにクリーニング処理では、チャンバ3内の圧力を高めることなどによりプラズマの等方性的な特性を強めるようにしている。そのため、基板2の縁部2aとトレイ15の基板支持部21との間の隙間にプラズマが侵入することにより、基板保持部29の近傍に電子が多く存在することになる。一方、基板保持部29を含むステージ上部23を構成する誘電体部材には、基板保持部29の保持面31における静電吸着力を確保するために低抵抗型のセラミックス体積抵抗率25°Cが1010~1011Ωcmが使用されている。このため、基板保持部29の近傍に電子が多く存在する状態でエッチング処理の場合と同等の電圧をESC電極40に印加すると絶縁破壊を生じるおそれがある。そこで、クリーニング処理を行う際には、基板保持部29に内蔵されるESC電極40に印加される直流電圧をエッチング処理の場合に印加する電圧よりも低くするかゼロとすることにより、ESC電極40の周囲に絶縁破壊が生じることを防止している。また、クリーニング処理においては、このようにESC電極40への印加電圧が下げられているため、基板2に対する静電吸着力も下がることになる。そのため、冷却ガス供給部45から供給されて、基板2と基板保持部29との間に充填される冷却ガスの圧力についても、静電吸着力の大きさに応じて低く設定するか、静電吸着力の大きさに関係なくゼロに設定、すなわち冷却ガスの供給を遮断する。その後、所定時間が経過すると、第2の高周波電源部56による基板ステージ9の金属ブロック24へのバイアス電圧の印加を停止するとともに、クリーニング処理用のガスの供給を停止して、基板2およびトレイ15に対するクリーニング処理が完了する。なお、クリーニング処理におけるバイアス電圧と冷却ガスの圧力の設定条件としては、両者ともゼロとする条件が最も好ましい。除電処理続いて、残留静電吸着力を低減させるための除電処理を実施するステップS4。具体的には、ガス供給部12からチャンバ3内にクリーニング処理用のガスとは異なる種類の除電処理用のガスArやHe等の不活性ガスやエッチングに寄与しにくいO2等のガス等。が供給されるとともに、圧力制御部13によりチャンバ3内を所定圧力に調整する。また、ESC駆動電源部41によるESC電極40への直流電圧の印加を停止する。続いて、第1の高周波電源部7からICPコイル5に高周波電圧を印加する。このとき、印加される高周波電圧は、クリーニング処理の際に印加される電圧よりも低く設定される。この状態において、チャンバ3内に生成されたプラズマにより、基板2と基板保持部29との間に残留している静電吸着力を低減させる。なお、前述のクリーニング処理において冷却ガスを供給している場合は、除電処理に先立ち、冷却ガス供給部45からの冷却ガスの供給を停止して、基板2と基板保持部29との間に充填されている冷却ガスを抜いておく。その後、所定時間経過すると、第1の高周波電源部7によるICPコイル5への高周波電圧の印加を停止する。トレイ搬出処理続いて、チャンバ3内からそれぞれの基板2をトレイ15とともに搬出するトレイ搬出処理を実施するステップS5。具体的には、図8A,Bに示すように、駆動機構17によりそれぞれのトレイ押上ロッド18を上昇させる。トレイ押上ロッド18が上昇すると、その上端でトレイ15の下面15cが押し上げられ、ステージ上部23のトレイ支持部28からトレイ15が浮き上がる。トレイ押上ロッド18とともにトレイ15がさらに上昇すると、図8Bに示すように、トレイ15の基板支持部21と基板2の縁部2aの下面とが接触して、それぞれの基板2がトレイ15により支持された状態にて押し上げられ、基板保持部29の保持面31から浮き上がる。その後、ゲートバルブ3aが開放されて、搬送機構のハンド部81がチャンバ3内に挿入される。その後、図8C,Dに示すように、4個の基板収容孔19にそれぞれ基板2が収容された状態のトレイ15が、トレイ押上ロッド18からハンド部81に受け渡されて、ゲートバルブ3aを通して、トレイ15に支持された状態の基板2が搬出される。なお、それぞれのトレイ押上ロッド18を用いてトレイ15を押し上げる動作は、除電用のプラズマを用いて除電処理が行われている間に、並行して実施してもよい。本実施の形態のサファイア基板2に対するエッチング処理では、BCl3が主体のガスにCF4ガスが混合された混合ガスが用いられている。このようにサファイア基板に対するエッチング処理においてCF4ガスを添加して用いることにより、エッチング処理中においてもチャンバ3内に付着したデポを除去する効果を得ることができる。したがって、エッチング処理の後に行われるクリーニング処理に要する時間を短縮することができる。よって、サファイア基板に対するプラズマ処理のスループットを短縮化できる。また、エッチング処理中において、チャンバ3内の雰囲気を安定化することができ、プロセス条件を安定化できる。よって、サファイア基板の表面に形成される凹凸構造の品質を高めることができる。また、クリーニング処理において、エッチング処理にて添加されたCF4ガスと同じ種類のガスを用いることにより、クリーニング処理に要する時間を効果的に短縮できる。また、基板2の縁部2aがトレイ15の基板支持部21により支持された状態でトレイ15による複数の基板2の搬送が行われ、基板2の縁部2aとトレイ15の基板支持部21とが互いに接触しない程度に離間した状態にて基板2に対するエッチング処理が行われる形態において、基板2のエッチング処理の際に基板2の縁部2aとトレイ15の基板支持部21とに付着した副生成物であるデポを、このクリーニング処理を実施することにより、生成されたプラズマを用いて効果的に除去することができる。よって、その後、トレイ15の基板支持部21に基板2の縁部2aを再び支持させて、トレイ15に収容させた状態にて複数の基板2をチャンバ3から搬出する際に、トレイ15と基板2との接触によりデポが落下することを防止することができる。したがって、このようなデポが基板保持部29上等に落下して、次の処理を行う際にコンタミネーションが生じることなどのトラブルの発生を回避することができ、基板のエッチング処理方法における製品の品質を向上させることができる。特に、このようなトレイ15を用いて基板2が取り扱われる形態では、エッチング処理が行われる際に、基板2の縁部2aとトレイ15の基板支持部21との間は、生成されたプラズマが侵入し難いように設定することが好ましい。一方、この隙間に侵入して基板2の縁部2aおよびトレイ15の基板支持部21の表面に付着したデポを、クリーニング処理の実施により除去するためには、生成されたプラズマをこの隙間に効果的に侵入させる必要がある。本実施の形態では、クリーニング処理にて生成されるプラズマの等方性的な特性を高めることにより、この隙間にプラズマを効果的に侵入させて付着したデポの除去を行うことができる。なお、エッチング処理中にプラズマが基板2の下面側に侵入するのを防止するためには、基板2の縁部2aとトレイ15の基板収容孔19の内壁15dとの間の隙間が0.1~0.2mm程度、基板2の縁部2aの下面とトレイ15の基板支持部21の上面21aとの間の隙間が0.2~0.3mm程度、基板保持部29の側壁と基板支持部21の先端内壁端との隙間が0.5mm程度であることが好ましい。実施例次に、上述した実施の形態のプラズマ処理装置を用いて、サファイア基板に対するエッチング処理を行った実施例および比較例について説明する。BCl3が主体のガスのみを用いてエッチング処理を行い、その後、CF4とO2との混合ガスを用いてクリーニング処理を行ったものとを比較例1とした。BCl3が主体のガスにCF4ガスを混合した混合ガスを用いてエッチング処理を行い、その後、CF4とO2との混合ガスを用いてクリーニング処理を行ったものとを実施例1とした。また、実施例1および比較例1ともに、トレイに支持された複数のサファイア基板を処理対象とした。この実施例1と比較例1とについて、クリーニング処理にてチャンバ内等に付着したデポが除去される時間を計測した。クリーニング処理においてデポの除去が完了した時点については次のいずれかの手法により判断できる。1ICPコイル5へのマッチング回路第1の高周波電源部7内でのインピーダンスの変化点整合位置の変化点2チャンバ3内のプラズマ発光の変化3デポが除去された状態の目視による確認実施例1および比較例1のテストでは、上記3目視による確認によりデポ除去の時点を判断した。以下に比較例1および実施例1における主要なプロセス条件を示す。比較例1エッチング処理用ガスBCl3:190sccmクリーニング処理用ガスCF4:200sccmO2:200sccm実施例1エッチング処理用ガスBCl3:180sccmCF4:10sccmクリーニング処理用ガスCF4:200sccmO2:200sccm実施例1および比較例1ともに共通するプロセス条件は次の通りである。エッチング処理チャンバ内圧力:0.6PaICPコイルへの印加パワー:1400Wバイアス:1050WHe圧力:2000PaHe流量:30sccmクリーニング処理チャンバ内圧力:8.0PaICPコイルへの印加パワー:1800Wバイアス:0WHe圧力:1000PaHe流量:15sccmこれらのプロセス条件に基づいて、エッチング処理およびクリーニング処理を行った結果、次の結果が得られた。比較例1エッチング処理時間:940secクリーニング処理時間:210sec実施例1エッチング処理時間:940secクリーニング処理時間:60sec比較例1と実施例1とを比較すると、チャンバ内にて付着したデポを除去するために必要なクリーニング処理の時間は、エッチング処理時にCF4を添加することで、210secから60secにまで大幅に短縮できることが判った。次に、エッチング処理時に添加されるCF4の添加量混合比率を変えて、サファイア基板の表面に形成される突起53の高さHを測定した。上述の比較例1および実施例1に実施例2、3を追加して測定を行った。エッチング処理用ガスの仕様は次の通りである。なお、エッチング処理用ガスの混合比率以外のプロセス条件は、上述した実施例1および比較例1にて用いた条件と同じである。比較例1:BCl3:190sccm、CF4:0sccm実施例1:BCl3:180sccm、CF4:10sccm実施例2:BCl3:170sccm、CF4:20sccm実施例3:BCl3:150sccm、CF4:40sccm比較例1および実施例1~3の測定結果に基づいて、サファイア基板の表面に形成された突起53の高さHPSS高さ:μmとCF4の添加量流量:sccmとの関係を図10のグラフに示す。図10に示すように、エッチング処理用ガスにCF4を添加した場合であっても、突起の高さHに大きな変化は確認されなかった。したがって、エッチング処理用ガスCF4を添加するような場合であっても、少なくとも実施例1~3にて確認された範囲の添加量であれば、形成される突起高さに影響は生じることはない。なお、デポを除去するために必要なクリーニング処理の時間は、実施例1~3ともに60sec程度であり、いずれの場合も処理時間を大幅に短縮できることが判った。なお、サファイア基板を支持するトレイとして、炭化シリコンSiCを主材料としてものを用いるような場合には、CF4とSiCとが反応してしまうため、CF4の混合比率を増加し過ぎることは好ましくない。例えば、実施例3のようにBCl3:150sccmに対して、CF4:40sccmを混合させるような混合比率を上限とすることが好ましい。本実施の形態では、BCl3が主体のガスにCF4ガスを混合させた混合ガスを用いて、サファイア基板に対するエッチング処理を行うような場合について説明したが、混合するガスの種類はCF4ガスのみに限られない。その他のフッ素系ガスを混合しても良く、例えば、SF6やNF3をBCl3が主体のガスに混合して用いても良い。なお、本発明は上述の構成に限定されるものではなく、その他種々の態様で実施できる。例えば、円盤状の基板に代えて、四角形状の基板に対しても本実施の形態のエッチング処理方法を適用できる。また、上述の構成では、トレイ15の基板収容孔19の内壁の全周囲に渡って形成された基板支持部21により、基板2の縁部2aの全周囲が支持されるような例について説明したが、基板支持部21が基板収容孔19の内壁の一部について形成されて、基板2の縁部2aがその外周の一部において支持されるような構成を採用しても良い。また、基板2と基板保持部29との間に残留する静電吸着力の大きさが低い場合等には、除電処理を実施しないようにすることもできる。また、本実施の形態のエッチング処理方法を複数枚のトレイ15に対して連続的に実施した後、チャンバ3内にトレイ15を載置しない状態、もしくはダミーウェハをトレイ15に載置した状態にてクリーニング処理を実施して、チャンバ3内に付着しているデポを除去するようにしても良い。なお、上記様々な実施の形態のうちの任意の実施の形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。"