"信号光源から出力された信号光の偏光方向を調整する信号光源側偏光方向調整部と、前記信号光源側偏光方向調整部からの信号光に対して電気光学効果による変調を与える変調部と、偏光方向が同方向とされた前記変調部からの信号光と参照光とを干渉させ強度変調した光を検出する受光部と、を備えたことを特徴とする電気光学変調器。前記変調部が、シリコン結晶に歪みが導入されたシリコン導波路を含み、前記シリコン導波路の長手方向に直交する方向に電界を印加する電極を有する、請求項1記載の電気光学変調器。参照光源と、前記参照光源から出力された参照光の偏光方向を、前記信号光源側偏光方向調整部での信号光の偏光方向と同方向に調整する参照光源側偏光方向調整部と、を備え、前記受光部では、前記変調部からの信号光と前記参照光源側偏光方向調整部からの参照光とを干渉させ強度変調した光を検出する、ことを特徴とする請求項1又は2記載の電気光学変調器。前記信号光源から出力された信号光を2つに分岐させ、前記分岐した一方を、信号光として前記信号光源側偏光方向調整部を介して前記変調部に入力し、前記分岐した他方を参照光とし、前記変調部で変調された信号光の偏光方向を、前記分岐した参照光と同方向に調整する変調信号側偏光方向調整部を備え、前記受光部は、前記分岐した参照光と前記変調信号側偏光方向調整部からの信号光とを干渉させ強度変調した光を検出する、請求項1又は2記載の電気光学変調器。前記信号光源側偏光方向調整部から出力された信号光を2つに分岐させ、前記分岐した一方を信号光として前記変調器に入力し、前記分岐した他方を参照光とし、前記受光部は、前記分岐した参照光と前記変調器からの信号光とを干渉させ強度変調した光を検出する、請求項1又は2記載の電気光学変調器。前記信号光源側偏光方向調整部が、前記信号光源から出力される信号光を受け偏光分離する偏光ビームスプリッタを備え、前記偏光ビームスプリッタで前記信号光を偏光分離した2つの光が互いに逆方向に回る閉路導波路を備え、前記変調器は、前記閉路導波路上を逆方向に回る前記2つの光に対して電気光学効果による変調を与え、前記閉路導波路上を前記逆方向に回る前記偏光分離された2つの光は、前記偏光ビームスプリッタに戻り、出力変調光として取り出され、前記2つの光の前記出力変調光に対して偏光を回転させ、偏光方向を同方向とした前記信号光と前記参照光として干渉させ強度変調に変換する出力変調光偏光方向調整部を備え、前記受光部は、前記出力変調光偏光方向調整部から出力される強度変調した光を検出する、請求項1又は2記載の電気光学変調器。信号光源から出力される信号光を受ける偏光ビームスプリッタと、前記偏光ビームスプリッタで偏光分離された2つの光が互いに逆方向に回る閉路の導波路を備え、前記導波路上を逆方向に回る前記偏光分離された2つの光に対して電気光学効果による変調を与える変調部とを備え前記導波路上を前記逆方向に回る前記偏光分離された2つの光は、前記偏光ビームスプリッタに戻り出力変調光として取り出され、前記偏光ビームスプリッタからの出力変調光に対して偏光を回転させ、前記信号光と参照光を干渉させ強度変調に変換する出力変調光偏光方向調整部と、前記強度変調に変換された光を検出する受光部と、を備えた電気光学変調器。前記変調部は、前記導波路に縦方向からの電界を印加する請求項6又は7記載の電気光学変調器。前記信号光源側偏光方向調整部から出力された信号光を2つに分岐させ、前記分岐した一方を信号光として入力する前記変調部と、前記分岐した他方を参照光として、前記変調部から出力光と前記参照光を干渉させ強度変調した光を検出する前記受光部と、の組を、複数組備えた請求項1又は2記載の電気光学変調器。上記した関連技術特許文献1乃至4および非特許文献1の電気光学変調器や光伝送方式には、いくつかの問題がある。第1の問題点は、消費電力が大きい、ということである。その理由は、キャリアプラズマ効果に起因する。特許文献1に記載のキャリアプラズマ効果を用いた電気光学変調器では、キャリアプラズマの効果の大きさが消費電力の限界を決めていた。このキャリアプラズマ効果に代えて、非特許文献1に記載されている入力される電気信号に応じて材料の光学定数を変化することができるEO効果を用いた場合も、充分な位相変調を与えるためには高い入力電圧を必要としていた。第2の問題点は、電気光学変調器のサイズに制約がある、ということである。特許文献2に記載のMZ型電気光学変調器は、EO効果を用いた場合には、キャリアプラズマ効果に起因するサイズの制約を受けない。しかしながら、光導波路を分割していることにより、素子サイズが大きくなる,という問題を回避することはできない。素子サイズが大きい場合、シリコンプラットフォーム上での温度分布の影響を受け易くなり、熱光学効果に起因するシリコン層の屈折率変化により、本来のEO効果を打ち消すことになるという問題も想定される。第3の問題点は、光導波路のアーム間での作製プロセスのばらつきによる意図しない特性変化が生じる、ということである。この特性変化の原因は、導波路の経路に起因する。導波路の経路としては、キャリアプラズマ効果を用いた構造、歪みによるEO効果を用いた構造ともに、高速性と高い消光比の実現のため、特許文献2に記載のマッハツェンダ干渉計を組み込んだ変調器構造が注目されている。しかしマッハツェンダ型では、光路のアーム間でのプロセスばらつきや温度不均一によって、アームを伝播する光に位相差が生じる、という課題がある。リング共振器型においても、該共振器の構造に起因した、狭い動作波長幅という問題があった。第4の問題点は、通信システムが複雑化する、ということである。特許文献3や特許文献4に記載の通信方式は、光の強度以外の情報を用いているため、通信の自由度が高い。一方で、多数のロジック回路を必要としており、高い変調周波数での伝送を実現するためには、複雑な回路構成が必要とされる。また、例えば、CDR回路はその用途が特殊であるために、大量生産されていず、高価である。したがって、本発明の目的は、消費電力の増大、サイズの大型化、プロセスばらつきによる特性変動、およびシステムの複雑化の少なくとも1つ又は全てを解消可能とする電気光学変調器を提供することにある。本発明によれば、信号光源から出力された信号光の偏光方向を調整する信号光源側偏光方向調整部と、前記信号光源側偏光方向調整部からの信号光に対して電気光学効果による変調を与える変調部と、偏光方向が同方向とされた、前記変調部からの信号光と、前記参照光とを干渉させ強度変調した光を検出する受光部と、を備えた電気光学変調器が提供される。本発明によれば、消費電力の増大、サイズの大型化、プロセスばらつきによる特性変動、およびシステムの複雑化の少なくとも1つ又は全てを解消することができる。本発明の態様の一つにおいて、電気光学変調器は、信号光源1011から出力された信号光の偏光方向を調整する信号光源側偏光方向調整部1021と、前記信号光源側偏光方向調整部からの信号光に対して電気光学効果による変調を与える変調部1031と、を備え、偏光方向が同方向とされた、前記変調部からの信号光と、参照光とを干渉させ強度変調した光を検出する受光部1051と、を備えている。信号光源1011から出力された信号光は、信号光源側偏光方向調整部1021にて偏光方向の調整が行われる。この時、信号光源側偏光方向調整部1021では、変調部1031での電気光学効果EO効果が最大になるように信号光の偏光方向を調整する。変調部1031では、EO効果による屈折率変化を用いて信号光に位相変調を与える。すなわち、EO効果が最大になるのは、物質の結晶等の方位においてEO効果が最大になる方向図5の変調部1031の上下矢印EOの方向と、電場の方向を一致させた場合であり、偏光方向を、結晶の方向に合致させるべく、電場の方向を回すために、偏光方向を調整する。なお、上記及び以下の態様において、括弧内の参照番号は本発明の理解を容易化するために参考として付加したものであり、本発明を限定するためのものと解釈すべきでないことは勿論である。本発明の態様の一つにおいて、変調部1031は、シリコン結晶に歪みが導入されたシリコン導波路を含み、前記シリコン導波路に電界を印加する電極を有する、本発明の態様の一つにおいては、参照光源図5の1041と、参照光源1041からの参照光を受け、信号光と同方向に偏光を調整する参照光源側偏光方向調整部図5の1022と、を備え、受光部図5の1051は、変調部1031からの信号光と参照光源側偏光方向調整部1022からの参照光とを干渉させた干渉光を入力する。すなわち、信号の取り出しには、参照光源1041から出力された参照光を、参照光源側偏光方向調整部1022で受け、参照光を、信号光信号光源側偏光方向調整部1021で偏光の向きが調整された信号光と偏光方向を同一とし、変調された信号光と干渉させることで、強度変調信号に変換する。この時、参照光源1041は、信号光源1011と同期をとる必要がある。強度変調に変換された光偏光方向が同一の信号光と参照光とを干渉させた光は受光部1051で検出される。I本発明の態様の一つによれば、変調器におけるEO効果を最大にするように、偏光を調整することで、変調部1031における入力電圧シリコン導波路コアへの印加電圧を低減することができる。すなわち、本発明の態様の一つによれば、変調部1031の導波路コア不図示を構成するシリコンに、意図的に結晶歪を導入することで、結晶対称性を崩し、これにより生じるEO効果を利用している上に、変調部1031におけるEO効果が最大となるように、信号光源側偏光方向調整部1021で信号光の偏光方向を調整している。このため、低い入力電圧変調部1031の電極に印加される入力信号電圧が低い場合においても、充分な位相変調を与えることができる。II本発明の態様の一つによれば、変調部1031が干渉計構造をとっていないことから、変調部1031の小型化を実現した電気光学変調器を提供することができる。すなわち、本実施形態においては、光導波路を分割した構成例えば図2のMZ変調器の構成をとらないため、素子サイズは、図2の構成のように大きくはならない。そして、素子サイズが小さいため、シリコンプラットフォーム上での温度分布の影響を受けにくく、熱光学効果に起因するシリコン層の屈折率変化によりEO効果が打ち消されるという問題も回避することができる。参照光源1041は、信号光を位相変調から強度変調へ変換する目的であるため、波長単位で同期信号光源1011との同期をとればよく、例えば光路長で調整可能である。そのため、参照光源1041と信号光源1011の同期に、大がかりな光導波路は必要とせず、この部品数は大きな問題とはならない。本発明の態様の一つによれば、変調部1031は、干渉計構造図2参照をとっていないことから、光導波路のアーム間図2のアーム間での作製プロセスのばらつきによる意図しない特性変化を回避することができる。IV本発明の態様の一つによれば、EO効果が最大になるように、偏光を調整した信号光を用いて位相変調を与えているため、複雑な通信システムを必要としない。すなわち、EO効果によって位相変調が与えられた信号光を、参照光源1041を用いて強度変調光に変換しているため、必要な回路構成は、信号光源1011と参照光源1041の同期をとるだけでよい例えば光路長で調整される。また、変調部1031が干渉計構造をとっていないことから、変調部1031の配置の自由度が向上するため、集積化時のレイアウトが容易になる。本発明の別の態様において、参照光源図5の1041と、参照光源側偏光方向調整部図5の1022とが除かれており、信号光源図7の1011から出力の光を参照光に用いた構成としてもよい。すなわち、本発明の態様の別の一つにおいては、前記信号光源から出力された信号光を2つに分岐させ、前記分岐した一方を、信号光として前記信号光源側偏光方向調整部図7の1021を介して前記変調部図7の1031に入力し、前記分岐した他方を参照光とし、前記変調部1031で変調された信号光の偏光方向を、前記分岐した参照光と同方向に調整する変調信号側偏光方向調整部図7の1023を備え、前記受光部1051は、前記分岐した参照光と、前記変調信号側偏光方向調整部1023からの信号光と、を干渉させた光を検出する構成としてもよい。本発明の別の態様において、前記変調信号側偏光方向調整部図7の1023が除かれており、前記信号光源側偏光方向調整部1021から出力された光を分岐して参照光に用いた構成としてもよい。すなわち、前記信号光源側偏光方向調整部図8の1021から出力された信号光を2つに分岐させ、前記分岐した一方を信号光として前記変調部図8の1031に入力し、前記分岐した他方を参照光とし、前記受光部図8の1051は、前記分岐した参照光と、前記変調部図8の1031からの信号光とを干渉させ強度変調した光を検出する。本発明の別の態様において、前記信号光源図9の1011から出力される信号光を受け偏光分離する偏光ビームスプリッタ図9の1111を備え、さらに、前記偏光ビームスプリッタ1111で前記信号光を偏光分離した2つの光が互いに逆方向に回る閉路導波路1121を備え、前記変調部図9の1031は、前記閉路導波路上を逆方向に回る前記2つの光に対して電気光学効果による変調を与え、前記閉路導波路図9の1121上を前記逆方向に回る前記偏光分離された2つの光は、前記偏光ビームスプリッタ図9の1111に戻り、出力変調光として取り出され、前記2つの光の前記出力変調光に対して偏光を回転させ、偏光方向を同方向とした前記信号光と前記参照光として干渉させて強度変調に変換する出力変調光偏光方向調整部図9の1024を備え、前記受光部図9の1051は、前記出力変調光偏光方向調整部から出力される前記信号光と前記参照光干渉させ強度変調した光を検出する構成としてもよい。本発明の別の態様において、信号光源側偏光方向調整部1021からの信号光を分岐して参照光に用い、信号光源側偏光方向調整部1021からの信号光を入力する前記変調部1031と、前記変調部1031から出力光と前記分岐した参照光を干渉させ強度変調した光を検出する前記受光部1051の組を、複数組備えた構成としてもよい。次に、本発明のいくつかの実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。<第1の実施の形態>図5は、本発明の第1の実施の形態の電気光学変調器の構成を示す図である。本発明の第1の実施の形態の電気光学変調器は、信号光源1011から出力された信号光を信号光源側偏光方向調整部1021にて偏光方向を調整する。この時、変調部1031でのEO効果が最大になるように調整する。EO効果を発生させるために、導波路コアを構成するシリコンに、意図的に結晶歪を導入することで結晶対称性を崩す。これにより生じるEO効果を最大限利用するために、信号光源側偏光方向調整部1021で偏光方向を調整している。EO効果が最大となるのは、物質の結晶等の方位においてその電気光学効果EO効果が最大になる方向と、電場の方向を一致させた場合である。結晶の方向に合致させるために、電場の方向を回すために、信号光源側偏光方向調整部1021において光の偏光方向電場の振動方向を調整している。変調部1031では、EO効果による屈折率変化を用いて、信号光に位相変調を与える。信号の取り出しには、参照光源1041から出力された参照光の偏光方向を、参照光源側偏光方向調整部1022で信号光と偏光方向を同一とし、変調された信号光と干渉させることで、強度変調光に変換する。この時、参照光源1041は信号光源1011と同期をとる必要がある。図5では、変調部1031からの信号光と参照光源側偏光方向調整部1022からの信号光をカプラSi導波路又は光ファイバカプラ等で合波して強度変調された干渉光を得る。強度変調に変換された干渉光を受光部1051ヘテロダイン/コヒーレント方式にて検出する。信号光と参照光の電場電界をEs、Erとし、周波数をfs、fr、位相をφs、φrとすると、で与えられる。二つの電場Es、Erを重ね合わせた場合に、検出される光の強度Iは、で与えられる。ただし、<>は時間平均を表す。上式第1、第2項のA2sA2r/2は直流成分であり、第3項2AsArcos{2πfs-frφs-φr}は交流成分である。特に制限されるものではないが、受光部105は、例えば上式の第3項の交流成分から、振幅=2AsAr、周波数=fs-fr、位相差=φs-φrを検出し、信号光の振幅As、周波数fs又は位相φsに含まれる情報を検出する。本実施の形態においては、信号光の偏光を調整することでEO効果を最大限に利用した強度変調型の電気光学変調器が実現できる。また、キャリアプラズマ効果を用いていないため、消費電力を低減できる。さらに、変調部1031におけるEO効果を有効に利用するように入力信号の偏光を調整しているため、変調部1031に印加される電圧が低い電圧の場合にも、信号光に充分な位相変調を与えることができる。従って、変調部1031において、位相変調に必要とされる入力電圧導波路コアへの印加電圧を低減することができる。このように、本実施の形態においては、偏光制御により、消費電力が格段に低減できていることが分かる。しかも、本実施の形態では、変調部1031が干渉計構造をとっていないので、電気光学変調器の小型化という効果も得られる。これは、光導波路を分割していないため、素子サイズが大きくならないことによる。素子サイズが小さいため、シリコンプラットフォーム上での温度分布の影響を受け難く、熱光学効果に起因するシリコン層の屈折率変化によるEO効果を打ち消しの問題も回避できる。さらに、本実施の形態では、変調部1031が干渉計構造をとらないことにより、光導波路のアーム間での作製プロセスのばらつきによる意図しない特性変化を回避できる。加えて、本実施の形態では、変調部1031でのEO効果が最大になるように偏光を調整した信号光を用いて位相変調を与えているため、複雑な通信システムを必要としない電気光学変調器を提供することができる。EO効果によって位相変調が与えられた信号光を、参照光源1041を用いて強度変調に変換しているため、必要な回路構成は、信号光源1011と参照光源1041の同期を取るだけでよい。前述したように、参照光源1041は、信号光を位相変調から強度変調へ変換する目的であるため、波長単位で同期をとればよい。初期状態で強度を強めあうように調整しておくには、参照光と信号光の波長の山が合うように光路長が設定されるコヒーレンシィが保たれる領域内に設定される。このため、大がかりな光導波路等は必要とせず、この部品数は大きな問題とはならない。次に、第1の実施の形態の電気光学変調器の製造を説明する。特に制限されないが、製造の手順は、例えば以下の通りである。始めに、信号光源1011は、例えば化合物のレーザを配置する。これは、一般的な家庭用光ファイバおよびローカルエリアネットワークなどの様々なシステム用の1300nmおよび1550nmの光ファイバ通信波長帯のものや、短距離通信に広く用いられている850nm帯や1000nm帯などが用いられる。ただし、波長帯は特に限定されない。信号光源1011は、シリコン光エミッタであってもよいことは勿論である。信号光源1011からのレーザ光は、信号光源側偏光方向調整部1021で偏光方向を調整した後に、変調部1031へつながる光導波路に入力する。次に図6を参照して、変調部1031の製造手順を説明する。まず、電気光学変調器を形成するために用いるSOISiliconOnInsulator基板1061を準備する。SOI基板1061は、支持基板の上面に形成された埋め込み酸化層1071SiO2上面に、さらに膜厚300~1000nm程度のSi層1081が形成されている。光損失を低減するために、埋め込み酸化層1071の膜厚は好ましくは1000nm以上とされる。埋め込み酸化層上のSi層1081は、所望の導電型を呈するように、予めドーピング処理された基板を用いるか、あるいは、イオン注入などにより、PあるいはBを表面層にドープ処理した後、熱処理しても良い。続いて、Si層1081の上に、SiN層窒化珪素膜1091を堆積することで歪みを生じさせ、その結果、シリコン結晶構造の対称性が破られ、EO効果を誘起する。歪みが生じたSi層1081内を光が伝搬する。Si層1081とSiN層1091の積層膜の側壁に横方向に、電極となる金属1101を蒸着する。続いて、金属1101を、蒸着工程、スパッタ工程やメッキ工程などにより、図6のように、電極を形成する。この金属形成も、上記工程を複数行うことや、上記以外の金属形成方法やアニール処理を加えることを行ってよいことは勿論である。Si層1081に歪みを生じさせ、その歪みを最大限利用するために、横方向から電圧を有効的に印加するために、電極1101を横方向側面に配置する。この結果、Si層1081内を伝搬する光に対して、屈折率変化を与えることができ、位相変化を与えることができる。以上で、変調部1031の製造手順の説明を終える。前述したように、変調部1031から出力された信号光は、参照光源1041から出力され参照光源側偏光方向調整部1022で信号光と同方向に偏光を調整した参照光を信号光と同期、干渉した後に、受光部1051に入力する。参照光源1041は、信号光源1011と同様の構造とされ、波長は特に限定されない。同様に、受光部1051も、シリコンベース、化合物等の制約は特にない。<第2の実施の形態>本発明の第2の実施の形態を説明する。上記第1の実施の形態において、参照光源1041と参照光源側偏光方向調整部1022を用いず、信号光源1011から出力された光を、信号光と参照光に二分した構成にすることができる。図7は、本発明の第2の実施の形態の構成を示す図である。本発明の第2の実施の形態は、図5の構成から、参照光源1041と参照光源側偏光方向調整部1022が省かれている。このため、システム全体の消費電力を低減することができる。図7を参照すると、信号光源1011から出力された光を信号光と参照光とに分岐させ、信号光を信号光源側偏光方向調整部1021で偏光方向を調整した後に、変調部1031で、EO効果により位相変調を与える。その後、変調信号側偏光方向調整部1023で、偏光方向を調整する。分岐した参照光は、光導波路1131を伝搬させた後に、変調信号側偏光方向調整部1023から出力される位相変調された信号光と干渉させることで、強度変調に変換し、受光部1051で検出する。本実施の形態では、変調信号側偏光方向調整部1023を外し、参照光側に配置し、分岐した参照光の偏光を変調信号側偏光方向調整部1023で信号光側の偏光に合わせてもよい。<第3の実施の形態>次に、本発明の第3の実施の形態を説明する。図8は、本発明の第3の実施の形態の構成を示す図である。本実施形態は、前記第2の実施の形態において、参照光源側偏光方向調整部1022を用いず、信号光と参照光に二分した光の干渉を用いる構成としている。本実施の形態では、参照光源側偏光方向調整部1022を必要としないため、システム全体を簡素化することができる。図8を参照すると、信号光源側偏光方向調整部1021から出力された光偏光は縦方向を信号光と参照光に二分し、信号光を変調部1031でEO効果により位相変調を与える。一方の参照光は、光導波路1131を伝搬させた後に、変調部1031から出力される位相変調された信号光と干渉させることで、強度変調に変換し、受光部1051で検出する。<第4の実施の形態>次に、本発明の第4の実施の形態を説明する。図9は、本発明の第4の実施の形態の構成を示す図である。本実施の形態においては、信号光を二分岐し一方を信号光、他方を参照光とする前記第2の実施形態における、信号光と参照光の分岐を、偏光による分割で構成している。本実施の形態では、参照光の伝搬経路を信号光と同一とすることができるため、電気光学変調器を小型化することができる。さらに、信号光と参照光の伝搬経路を同一とすることで、光導波路のアーム間での作製プロセスのばらつきによる意図しない特性変化を回避できる。図9を参照すると、本実施形態においては、信号光源1011から出力された光を、偏光ビームスプリッタ1111により、偏光分離された2つの光が同一光路上を、逆方向に回るシリコン導波路閉路光導波路1121を備えている。シリコン導波路1121上において、シリコン結晶に、EO効果を誘起するための歪みを発生させるSiN層図6の1091を堆積する。これにより、偏光方向が互いに直交する2つの光に対するシリコン導波路1121中での屈折率は、印加された電界により、差異が生じ、位相を変調させる変調部1031を構成する。この結果、2つの光の間に位相差を設けつつ、光路を共通化することができるため、電気光学変調器全体の小型化や光路間でのプロセスばらつきや温度不均一の解消が実現できる。本実施の形態では、偏光を用いて、2つの光路間で位相差を設け、その2つの光を合波して強度変調へと変換する。2つの光路間での位相差を作るために、信号光を偏光ビームスプリッタ1111で偏光分離し、偏光分離された2つの光を、シリコン導波路1121上で、逆回りに伝搬させる。図9において、同一光路では、シリコン導波路1121上に、図6のSiN層1091図9では不図示を堆積することで、シリコン導波路1121のシリコン結晶に歪みを生じさせ、その結果、シリコン結晶構造の対称性が破られることでEO効果を誘起する。歪みが生じたシリコン導波路1121内を横方向の偏光の光と、縦方向振動方向が紙面に垂直の偏光の光が伝搬し、電極図6の1101から電界を印加することで、2つの光に対する屈折率に差異が現れる。位相差を設けた2つの光は、最終的に偏光ビームスプリッタ1111に戻り、出力変調光として取り出される。すなわち、偏光ビームスプリッタ1111を透過してシリコン導波路1121を反時計回りCCW:CounterClockWiseに伝播する横方向の偏光の光と、偏光ビームスプリッタ1111で反射されてシリコン導波路1121を時計回りCW:ClockWiseに伝播する縦方向電場は紙面垂直方向に振動の偏光の光はそれぞれ変調部1031で位相変調され偏光ビームスプリッタ1111に戻る。シリコン導波路1121内を反時計回りに伝播した横方向の偏光の光は、偏光ビームスプリッタ1111に図の上方から入射して透過し、出力変調光図の実線矢印となり、シリコン導波路1121内を時計回りに伝播した縦方向の偏光の光は偏光ビームスプリッタ1111に図の右側から入射して反射され、出力変調光図の破線矢印となる。偏光ビームスプリッタ1111で偏光分離されシリコン導波路1121内を逆方向に伝播する2つの光の一方を信号光、他方を参照光とする。偏光ビームスプリッタ1111からの出力変調光を出力変調光偏光方向調整部1024に入力し、偏光を回転させることで、信号光と参照光を干渉させ、強度変調に変換する。強度変調に変換された光を受光部1051で検出する。特に制限されるものでないが、例えば偏光ビームスプリッタ1111で反射されシリコン導波路1121を時計回りCWに伝播する縦方向の偏光の光を参照光とした場合、出力変調光偏光方向調整部1024では、偏光ビームスプリッタ1111からの出力変調光から参照光縦方向の偏光の光を取り出して回転させ、信号光の偏光方向と同一とした上で、該出力変調光の信号光と合波して干渉させる。シリコン導波路1121中には、変調部1031が設けられている。変調部1031は、図9における横方向の偏光のみが支配的に屈折率変化を与えられるように、図6の構造とする。シリコン導波路1121のコア上にSiN層1091図6などの異種材料の半導体を形成することで、シリコン導波路1121内に結晶歪を導入している。また、電界を効率よく印加するために、シリコン導波路1121の側面方向横方向から電気的接続をとっている図6の電極1101参照。本実施形態の作用効果は以下の通りである。光路を1つにするシリコン導波路1121を閉路とすることで、シリコン光変調器全体を小型化することができる。変調部1031を、シリコン導波路1121の四辺のどの辺にも配置できるため、集積化時のレイアウトの自由度を向上することができる。光路を共通化することで、プロセスばらつきによる意図しない位相差を、打ち消しあうこと、および、光路を共通化することで、光路間での温度不均一を解消することができる。特に、プロセスのばらつきの回避は、高い変調周波数を実現するためには必須となってくる。<第4の実施の形態の変形例>図9の前記第4の実施形態では、シリコン導波路1121上の変調部1031において、EO効果を用いて横方向の電場に支配的に屈折率変化を与えている。この変形例では、図10に示すように、シリコン導波路1121上の変調部1031において、縦方向紙面垂直方向の電場電界に支配的に屈折率変化を与えている。この場合も、図9の前記第4の実施形態と同じ原理で変調器を構成できる。<第5の実施の形態>本発明の第5の実施の形態を説明する。図11は、本発明の第5の実施の形態の構成を示す図である。本実施の形態は、図8の前記第3の実施の形態において、変調部1031を複数個並列配置したものである。本発明の第5の実施の形態では、各変調部1031において干渉計構造をとらないため、システム全体を小型化することができる。参照光は、信号光源側偏光方向調整部1021からの光を分岐して用いているため、光源の消費電力を抑えることができる。信号光源側偏光方向調整部1021から出力された信号光を二分岐させ、一方を信号光、他方を参照光とし、分岐された信号光は、複数の変調部1031に入力され、EO効果により位相変調される。参照光は、光導波路1131を伝搬させた後に、複数の変調部1031から出力される各々の位相変調された信号光と干渉させることで、強度変調に変換し、受光部1051で検出する。変調部1031と受光部1051の組を複数備えた構成は、前記第1の実施の形態、前記第2の実施の形態の構成に組み込んでもよいことは勿論である。なお、上記の特許文献、非特許文献の各開示を、本書に引用をもって繰り込むものとする。本発明の全開示請求の範囲を含むの枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素の多様な組み合わせないし選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。"