第1のモニター素子と、第2のモニター素子と、前記第1のモニター素子及び前記第2のモニター素子と電気的に接続されたモニター線と、前記モニター線から前記第1のモニター素子への電流の供給を制御するための第1のトランジスタと、前記モニター線から前記第2のモニター素子への電流の供給を制御するための第2のトランジスタと、前記第1のモニター素子の電極の電位が変化した際に、前記第1のトランジスタをオフとする第1のスイッチング回路と、前記第1のスイッチング回路と電気的に接続された第2のスイッチング回路と、を有することを特徴とする発光装置。第1のモニター素子と、第2のモニター素子と、前記第1のモニター素子及び前記第2のモニター素子と電気的に接続されたモニター線と、前記モニター線から前記第1のモニター素子への電流供給を制御するための第1のトランジスタと、前記モニター線から前記第2のモニター素子への電流供給を制御するための第2のトランジスタと、前記第1のモニター素子の電極の電位が変化した際に、前記第1のトランジスタをオフとする第1のスイッチング回路と、前記第1のモニター素子の電極の電位が変化した際に、前記第2のトランジスタをオンとする第2のスイッチング回路と、を有することを特徴とする発光装置。第1のモニター素子と、第2のモニター素子と、前記第1のモニター素子及び前記第2のモニター素子と電気的に接続されたモニター線と、前記モニター線から前記第1のモニター素子への電流の供給を制御するための第1のトランジスタと、前記モニター線から前記第2のモニター素子への電流の供給を制御するための第2のトランジスタと、前記第1のモニター素子の電極の電位及び前記第1のトランジスタの電極の電位が入力され、前記第1のトランジスタのゲートに電位を出力する第1のスイッチング回路と、前記第2のモニター素子の電極の電位及び前記第2のトランジスタの電極の電位が入力され、前記第2のトランジスタのゲートに電位を出力する第2のスイッチング回路と、を有し、前記第1のスイッチング回路が有する第1のインバーターの入力端子は、前記第2のスイッチング回路が有する前記第2のインバーターの負電源と電気的に接続され、前記第1のモニター素子の電極の電位が変化した際に、前記第1のスイッチング回路は、前記第1のトランジスタをオフとし、且つ、前記第2のスイッチング回路は、前記第2のトランジスタをオンとすることを特徴とする発光装置。第1のモニター素子と、第2のモニター素子と、前記第1のモニター素子及び前記第2のモニター素子と電気的に接続されたモニター線と、前記モニター線から前記第1のモニター素子への電流供給を制御するための第1のトランジスタと、前記モニター線から前記第2のモニター素子への電流供給を制御するための第2のトランジスタと、前記第1のモニター素子の電極の電位及び前記第1のトランジスタの電極の電位が入力され、前記第1のトランジスタのゲートに電位を出力する第1のスイッチング回路と、前記第2のモニター素子の電極の電位及び前記第2のトランジスタの電極の電位が入力され、前記第2のトランジスタのゲートに電位を出力する第2のスイッチング回路と、発光素子、及び前記及び前記発光素子への電流の供給を制御する機能を有するトランジスタを有する画素部と、第1の端子が前記モニター線と電気的に接続され、第2の端子が前記発光素子への電流の供給を制御する機能を有するトランジスタと電気的に接続されたバッファアンプ回路と、を有し、前記第1のモニター素子の電極の電位が変化した際に、前記第1のスイッチング回路は、前記第1のトランジスタをオフとし、且つ、前記第2のスイッチング回路は、前記第2のトランジスタをオンとし、前記第1のモニター素子又は前記第2のモニター素子の電極の電位の変化に伴い、前記発光素子に印加する電圧を変化させることを特徴とする発光装置。請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記第1のスイッチング回路が前記第1のトランジスタをオフとすることによって、前記第1のモニター素子へ供給される電流が電気的に遮断されることを特徴とする発光装置。請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記モニター線へ一定電流を供給する手段を有することを特徴とする発光装置。しかしながら、上記特許文献1の技術を用いると、モニター素子による歩留まり低下が懸念された。例えば、表示に関与しないモニター素子がショートすることによっても、量産性は低下してしまう。またモニター素子に不良が生じることにより、正確なモニタリングをすることができなくなってしまう。そこで本発明は、モニター素子を有する発光装置であって、モニター素子による歩留まり低下を生じさせない発光装置を提供することを課題とする。本発明では、モニター素子により、経時劣化や温度変化などに伴うモニター素子の電極間にかかる電位変化をモニターすることができ、表示用画素部の発光素子に供給する電圧、または電流を補正する。また本発明ではモニター素子に接続された制御用トランジスタを有する。さらに加えて、モニター素子の電極間がショートした際に制御用トランジスタをオフする制御手段を有することを特徴とする。該制御用トランジスタをオフする制御手段としてスイッチング回路を有する。モニター素子は、画素部の発光素子と同一の作製条件により、同一の工程で、モニター用領域において作製された発光素子である。そのため、電気特性は画素部の発光素子と同等である。すなわち、画素部の発光素子とモニター素子は、温度変化と経時劣化に対して同じ特性、又はほぼ同じ特性を有する。すなわち本発明の一形態は、モニター素子と、モニター素子に接続されたモニター線と、モニター素子の陽極電位が低下した際、該モニター素子へ供給される電流を電気的に遮断する手段と、を有する発光装置である。本発明の一形態は、モニター素子と、モニター素子に接続されたモニター線と、モニター線へ一定電流を供給する手段と、モニター素子へ、モニター線からの電流供給を制御するための制御用トランジスタと、モニター素子の一方の電極及び制御用トランジスタの一方の電極の電位が入力され、制御用トランジスタのゲート電極に出力するスイッチング回路を有する発光装置である。スイッチング回路の入力端子は制御用トランジスタの第二の電極と接続されており、出力端子は制御用トランジスタのゲートに接続されている。例えば、制御用トランジスタがp型であり、モニター素子の電極間がショートすることでスイッチング回路にLowLレベルが入力され、スイッチング回路からHighHレベルが出力されたとする。この場合、制御用トランジスタをオフすることができる。本発明において、モニター素子は対をなしてもよい。対をなしたモニター素子の一方を主モニター素子第1のモニター素子、他方を副モニター素子第2のモニター素子と記す。本発明の発光装置は、対をなしたモニター素子の電極間の電位変化をモニターするモニター線を有する。なお、対をなしたモニター素子は、共通のモニター線に電気的に接続することができる。対をなしたモニター素子を有する場合、第一の電極がモニター線に接続され、且つ第二の電極が第1のモニター素子に接続された第1の制御用トランジスタ、及び第1の制御用トランジスタのゲートに入力を与える主スイッチング回路第1のスイッチング回路とも記すを有する。またさらに、第一の電極がモニター線に接続され、且つ第二の電極が第2のモニター素子に接続された第2の制御用トランジスタ、及び第2の制御用トランジスタのゲートに入力を与える副スイッチング回路第2のスイッチング回路とも記すを有する。すなわち本発明の一形態は、第1のモニター素子と、第1のモニター素子と対をなした第2のモニター素子と、第1のモニター素子及び第2のモニター素子に接続されたモニター線と、第1のモニター素子の陽極電位が低下した際、該第1のモニター素子へ供給される電流を電気的に遮断し、且つ電流が遮断された第1のモニター素子と対をなす第2のモニター素子をオンとする手段と、を有する発光装置である。このような本発明の形態において、例えば、第1の制御用トランジスタがp型であり、第1のモニター素子の電極間がショートすることで第1のスイッチング回路にLowLレベルが入力され、第1のスイッチング回路からHighHレベルが出力されたとする。この場合、第1の制御用トランジスタをオフすることができる。また例えば、第2の制御用トランジスタがp型であり、第2のモニター素子の電極間がショートすることで第2のスイッチング回路にLowLレベルが入力され、第2のスイッチング回路からHighHレベルが出力されたとする。この場合、第2の制御用トランジスタをオフすることができる。このとき、第2のスイッチング回路の負電源は第1のスイッチング回路の入力端子と接続されている。このような本発明の構成により、第1のモニター素子が電極間ショートを起こしたとしても、第2のモニター素子がオンすることができ、実効モニター素子数が変化しない。上記のように制御用トランジスタをオフさせるための機能を有するスイッチング回路としてインバーターを用いることができるが、入力に応じてHレベル、Lレベルを出力可能な回路であればインバーターに限定されるものではない。本発明において、モニター素子は複数設けられていることを特徴とする。また第1のモニター素子と第2のモニター素子の対も複数設けられることを特徴とする。また本発明の別形態は、対をなす第1及び第2のモニター素子において、第1のモニター素子がショートした場合に第1のモニター素子をオフさせ、第2のモニター素子をオンさせる駆動方法である。本発明により、経時劣化や温度変化による発光素子の輝度変化を抑え、R赤、G緑、B青色ごとに輝度ずれがない鮮明なカラー表示を行うことが可能な発光装置を提供することができる。以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。本明細書において、トランジスタのソース電極及びドレイン電極は、トランジスタの構成上、ゲート電極以外の電極を便宜上区別するために採用されている名称であるため本発明において、トランジスタの極性が限定されない場合、ソース電極又はドレイン電極を、第一の電極及び第二の電極のいずれかとして記載する。なお本明細書において、各素子間の接続は電気的に接続されていることを示す。そのため、接続関係を有する素子間に、さらに別の素子抵抗、コンデンサー、半導体素子、スイッチング素子等を介して接続することもありうる。実施の形態1本実施の形態では、モニター素子を有する発光装置の構成について説明する。図1には、絶縁基板100上に、画素部101、モニター用領域103、信号線駆動回路105、走査線駆動回路106が設けられた発光装置を示す。画素部101には、複数の画素102が設けられ、各画素には、発光素子107と、発光素子107に接続し、電流の供給を制御する機能を有するトランジスタ以下、駆動用トランジスタと表記する116が設けられている。発光素子107は、電源117に接続されている。このような発光素子は、電極から発光層に正負の電荷を注入し、それを再結合させて励起状態を作り出す。励起子はエネルギーを光に変えて基底状態に戻る。この発光を蛍光、燐光と呼ぶ。蛍光は一重項励起状態からの基底状態に戻る際の発光であり、燐光は三重項励起状態からの基底状態に戻る際の発光のことである。発光素子からの発光は、透光性基板側から取り出すことができ、片面側または両面側から発光する発光装置を提供することができる。モニター回路104には、モニター素子108、モニター素子108に接続されたモニター素子制御用トランジスタ制御用トランジスタとも記す115、制御用トランジスタのゲート電極に出力端子が接続され、かつ制御用トランジスタ115の第二の電極及びモニター素子に入力端子が接続されたスイッチング回路113を有している。制御用トランジスタ115には、モニター線109を介して、定電流源111が接続されている。制御用トランジスタ115は、複数のモニター素子のそれぞれへ、モニター線からの電流供給を制御するための機能を有する。モニター線は、モニター素子の電極電位の変化をモニターする機能を有することができる。また、定電流源はモニター線へ一定電流を供給する機能を有すればよい。そして本発明は、モニター素子108に接続された制御用トランジスタ115及びスイッチング回路113を有する。これにより、モニター素子108の不良初期不良や経時不良を含むにより生じる、モニター回路104の動作不良を防止することができる。例えば、制御用トランジスタ115がスイッチング回路113に接続されていない場合、複数のモニター素子のうち、あるモニター素子108が、作製工程中の不良等により、モニター素子が有する陽極と陰極とがショート短絡してしまう場合がありうる。すると、定電流源111からの電流は、モニター線109を介して、ショートしたモニター素子108へ多く供給されてしまう。一般的に、有機層は低分子系も高分子系も絶縁物に近い物質である。よって、発光素子は高い抵抗を有している。しかし、発光素子の電極間がショートした際にはその抵抗値が0に近づくため、ショートしたモニター素子に多くの電流が供給される。また、完全なショートではない場合でも抵抗がある程度まで少なくなると過剰な電流がそのモニター素子に流れ始める。複数のモニター素子は、それぞれ並列に接続されているためショートしたモニター素子108へ多くの電流が供給されると、その他のモニター素子には、所定の一定電流が供給されなくなる。その結果、適切なモニター素子108の電位を、発光素子107へ供給することができなくなってしまう。しかしながら本発明は、定電流源111と制御用トランジスタ115との間にスイッチング回路113を設けたことにより、上記問題が防止される。そこで本発明は、制御用トランジスタ115及びスイッチング回路113を有している。制御用トランジスタ115は上記のようなモニター素子108のショート等による過剰な電流の供給を防止するために、ショートしたモニター素子108への電流供給を止める機能を有する。つまり本発明は、ショートしたモニター素子と、モニター線とを電気的に遮断する機能を有するトランジスタが設けられている。スイッチング回路113は、複数のモニター素子108のいずれかがショートすると、制御用トランジスタ115をオフとする機能を有する。具体的には、スイッチング回路113は制御用トランジスタ115をオフとする電位を出力する機能を有する。加えてスイッチング回路113は、モニター素子108がショートしていないときには、制御用トランジスタ115をオンとする機能を有する。具体的には、制御用トランジスタ115がオンとなる電位を出力する機能を有する。図2A、Bを用いて、モニター回路104の詳しい動作を説明する。図2Aに示すように、モニター素子108が有する電極において、陽極をアノード電極108a、陰極をカソード電極108cとすると、アノード電極108aはスイッチング回路113の入力端子に接続され、カソード電極108cは電源117に接続される。電源117に接続されたカソード電極108cは、固定電位となる。そのため、モニター素子108が有する陽極と陰極とがショートすると、アノード電極108aの電位が、カソード電極108cの電位に近づく。その結果、スイッチング回路113には、カソード電極108cの電位に近い低電位が供給されるため、スイッチング回路113が電位Vhの高電位側の電位VDDを出力する。その結果、制御用トランジスタ115のゲート電位となる。すなわち、制御用トランジスタ115のゲートに入力される電位はVDDとなり、制御用トランジスタ115はオフとなる。ここで、電位VDDは制御用トランジスタ115を十分にオフすることが可能な電位である。なお、高電位側VhとなるVDD電位は、アノード電位と同じか、アノード電位より高く設定する。また、スイッチング回路113から出力される低電位側、電源117の電位、モニター線109の低電位側は全て等しくすることができる。一般的には、低電位側は、接地電位とすることができる。だたしこれに限定されることはなく、低電位側は、高電位側と、所定の電位差を有するように決定すればよい。所定の電位差は、発光材料となる有機層の電流、電圧、輝度特性、または装置の仕様により決定することができる。ここで、モニター素子108に一定電流を流す順序に注意する。制御用トランジスタ115がオンの状態で、モニター線109に一定電流を流し始める必要がある。本実施の形態では、図2Bに示すようにVhをLレベルにしたまま、モニター線109に電流を流し始めている。そしてVhは、モニター線109の電位が飽和状態となった後、VDD電位となるようにする。その結果、制御用トランジスタ115がオンの状態であっても、モニター線109を充電することができる。一方、モニター素子108がショートしていない場合、アノード電極108aの電位がスイッチング回路113に供給されるため、低電位側の電位がスイッチング回路113より出力され、制御用トランジスタ115はオンとなる。このようにして、ショートしたモニター素子108へは、定電流源111からの電流が、供給されないようにすることができる。従って、モニター素子が複数ある場合、モニター素子がショートしたとき、ショートしたモニター素子への電流供給を遮断することでモニター線109の電位の変化を最小限に抑えることができる。その結果、適切なモニター素子108の電位を、発光素子107へ供給することができる。なお、本明細書においては、表示用画素部にある発光素子を単に発光素子、モニター用領域にある発光素子をモニター素子と区別して呼ぶ。しかしながら、モニター素子108は、発光素子107と同一の作製条件により、同一の工程で作製されたものであり、同一の構成を有する。そのため、電気特性は画素部の発光素子と同等である。すなわち、発光素子とモニター素子は、温度変化と経時劣化に対して同じ特性、又はほぼ同じ特性を有する。このようなモニター素子108は、電源117に接続されている。ここで、発光素子107と接続される電源と、該モニター素子108に接続される電源とは、同一電位のため、同一の符号を用いて、電源117と記載する。なお本実施の形態では、制御用トランジスタ115の極性をpチャネル型として説明したが、これに限定されるものではなく、nチャネル型を用いてもよい。その場合、適宜周囲の回路構成を変更すればよい。このようなモニター回路104を設ける位置は限定されず、画素部101内や、信号線駆動回路105または走査線駆動回路106と画素部101との間に設けてもよい。モニター回路104と、画素部101との間には、バッファアンプ回路112が設けられている。バッファアンプ回路とは、入力と出力とが同じ電位であって、入力インピーダンスが高く、出力電流容量が高いという特性をもつ回路である。このような特性をもつ回路であれば、回路構成は適宜決定することができる。このような構成において、バッファアンプ回路は、モニター素子108の一方の電極の電位の変化に伴い、画素部101が有する発光素子107に印加する電圧を変化させる機能を有する。このような構成において、定電流源111及びバッファアンプ回路112は同一な絶縁基板100上に設けても、別の基板上に設けてもよい。以上のような構成において、モニター素子108には定電流源111から一定の電流が供給される。この状態で、温度変化や、経時劣化が生じると、モニター素子108の抵抗値が変化する。例えば、経時劣化が生じると、モニター素子108の抵抗値が増加する。すると、モニター素子108へ供給される電流値は一定であるため、モニター素子108の両端の電位差が変化する。具体的には、モニター素子108が有する両電極間の電位差が変化する。このとき、電源117に接続された電極の電位は一定であるため、定電流源111に接続されている電極の電位が変化する。この電極の電位の変化は、モニター線109を介してバッファアンプ回路112に供給される。すなわち、バッファアンプ回路112の入力端子には、上記電極の電位の変化が入力される。また、バッファアンプ回路112の出力端子から出力される電位は、駆動用トランジスタ116を介して、発光素子107に供給される。具体的には、出力された電位は、発光素子107が有する電極の一方の電位として与えられる。このようにして、温度変化や経時劣化の変化に応じたモニター素子108の電極電位変化を、発光素子107にフィードバックする。その結果、温度変化や経時劣化による発光素子の輝度変化を抑え、R赤、G緑、B青色ごとに輝度ずれがない鮮明なカラー表示を行うことが可能な発光装置を提供することができる。さらに、複数のモニター素子108を設けているため、これらの電位の変化を平均化して、発光素子107へ供給することができる。すなわち本発明において、モニター素子108を複数設けることにより電位の変化を平均化することができる。なお本実施の形態において、定電流源111は、一定の電流を供給することができる回路であればよく、例えば基板100上にトランジスタを用いて作製することができる。また本実施の形態では、モニター回路104に複数のモニター素子108、制御用トランジスタ115、及びスイッチング回路113を有するように説明したが、これに限定されない。例えばスイッチング回路113は、モニター素子がショートすると、それを検知して、モニター線109を介して、ショートしたモニター素子へ供給される電流を遮断する機能を有していれば、どのような回路を用いてもよい。具体的には、ショートしたモニター素子へ、供給される電流を遮断するため、制御用トランジスタ115をオフとする機能を有していればよい。また本実施の形態では、複数のモニター素子108を用いることにより、それらのいずれかが不良となっても、モニター動作を行うことができる。本実施の形態において、バッファアンプ回路112は電位の変動を防止するために設けられている。従って、バッファアンプ回路112のように、電位の変動を防止することが可能な回路ならば、当該バッファアンプ回路112ではなく、別の回路を用いてもよい。すなわち、モニター素子108の一方の電極の電位を発光素子107に伝達する際、モニター素子108と発光素子107の間に、電位の変動を防止するための回路を設けるとき、そのような回路として、上記のバッファアンプ回路112に制約されず、どのような構成の回路を用いてもよい。実施の形態2本実施の形態では、上記のモニター回路構成において具体的なスイッチング回路としてインバーターを例にして説明する。図3にスイッチング回路113としてインバーターを用いたモニター回路構成を示す。モニター回路104には、モニター素子108、モニター素子108に接続された制御用トランジスタ115、制御用トランジスタ115のゲート電極に出力端子が接続され、かつ制御用トランジスタの第二の電極及びモニター素子108に入力端子が接続されたスイッチング回路113を有している。制御用トランジスタ115には、モニター線109を介して、定電流源111が接続されている。スイッチング回路113は、複数のモニター素子のいずれかがショートすると、制御用トランジスタをオフとする電位を出力する機能を有する。加えてスイッチング回路113は、複数のモニター素子のいずれもショートしていないときには、制御用トランジスタをオンとする電位を出力する機能を有する。複数のモニター素子のいずれかがショートするとスイッチング回路113には、カソード電極108cの電位に近い低電位が入力されるため、スイッチング回路113が有するpチャネル型のトランジスタ301がオンとなる。すると、スイッチング回路113より電位Vhの高電位側の電位VDDが出力され、制御用トランジスタ115のゲートに電位VDDが入力される。すなわち、制御用トランジスタ115はオフとなる。タイミングは実施の形態1で図2Bを用いて説明した通りである。モニター素子108のショート等による多量な電流の供給を防止するため、制御用トランジスタ115をオフすることで、ショートしたモニター素子108への電流の供給を止める。つまりショートしたモニター素子と、モニター線とを電気的に遮断することが可能となる。一方、モニター素子108がショートしていない場合、アノード電極108aの電位がスイッチング回路113に供給されるため、nチャネル型のトランジスタ302がオンとなる。すると、低電位側の電位がスイッチング回路113より出力され、制御用トランジスタ115はオンとなる。実施の形態3本実施の形態では、上記のモニター回路とは異なり、モニター素子がそれぞれ対をなした回路構成について、図4を用いて説明する。対をなしたモニター素子のうちの一方を主モニター素子第1のモニター素子とも記す108m、他方を副モニター素子第2のモニター素子とも記す108sと記す。対をなした第1のモニター素子108mと、第2のモニター素子108sとに共通してモニター線109が接続されている。モニター線109は、第1のモニター素子108m、第2のモニター素子108sそれぞれの電極間の電位変化をモニターすることができる。さらに、主モニター素子制御用トランジスタ第1の制御用トランジスタとも記す115mを有し、該トランジスタ第一の電極はモニター線109に接続され、且つ該トランジスタの第二の電極は第1のモニター素子108mに接続されている。第1の制御用トランジスタ115mのゲートに入力を与える第1のスイッチング回路113mを有する。本実施の形態では、スイッチング回路としてインバーターを用いるため、第1のスイッチング回路を主インバーターや第1のインバーターとも記す。さらに副モニター素子制御用トランジスタ第2の制御用トランジスタとも記す115sを有し、該トランジスタの第一の電極はモニター線109に接続され、且つ該トランジスタの第二の電極は第2のモニター素子108sに接続されている。第2の制御用トランジスタ115sのゲートに入力を与える第2のスイッチング回路113sを有する。本実施の形態では、スイッチング回路としてインバーターを用いるため、第2のスイッチング回路を副インバーターや第2のインバーターとも記す。第1の制御用トランジスタ115mと第2の制御用トランジスタ115sには、モニター線109を介して、定電流源111が接続されている。定電流源111はモニター線109へ一定電流を供給する機能を有すればよい。第1の制御用トランジスタ115mは、対をなした第1のモニター素子108mへ、モニター線109からの電流供給を制御するための機能を有する。また第2の制御用トランジスタ115sは、対をなした第2のモニター素子108sへ、モニター線109からの電流供給を制御するための機能を有する。このようなモニター線は、モニター素子の電極電位の変化をモニターする機能を有する。インバーターの接続について説明する。第1のインバーター113mの入力端子は第1の制御用トランジスタ115mの第二の電極と接続されており、出力端子は第1の制御用トランジスタ115mのゲートに接続されている。このような接続により、第1のモニター素子108mの電極間がショートしたとき、第1のインバーター113mにLレベルが入力されるため第1のインバーター113mの出力はHレベルとなる。よって、第1の制御用トランジスタ115mをオフとすることができる。第2のインバーター113sの入力端子は第2の制御用トランジスタ115sの第二の電極と接続されており、出力端子は第2の制御用トランジスタ115sのゲートに接続されている。このような接続により、第1のモニター素子108mの電極間がショートした際には第1のモニター素子のアノード電極108aの電位がLレベルに低下する。第2のインバーター113sの負電源は第1のインバーターの入力端子と接続されているため、第2のインバーター113sはLレベルを出力する。よって、第2の制御用トランジスタ115sをオンとすることができる。なお、本実施の形態では、制御用トランジスタ115m、115sの極性をpチャネル型として説明したが、これに限定されるものではなく、nチャネル型を用いてもよい。その場合、適宜周囲の回路構成を変更すればよい。さらに本発明において、第2のインバーター113sの負電源は、第1のインバーター113mの入力端子と接続されているとよい。この構成をとることで第1のモニター素子108mが電極間ショートを起こしても、第2のモニター素子108sがオンするので所望する実際にオンしているモニター素子数が低減することがない。なお、実際にオンしているモニター素子数を実効モニター素子数とも記す。モニター素子数は設計者が発光素子の電流、電圧、輝度特性に応じて適宜決定することができる。例えば、フルカラー化表示装置においては、R赤、G緑、B青を呈する発光素子ごとに、モニター素子数を同数としても、異ならせてもよい。実施の形態1や実施の形態2で説明したモニター回路構成では不良モニター素子が存在すると実効モニター素子数が所望するモニター素子数に比べて少なくなってしまう。また、複数のモニター素子はそれぞれモニター線に並列接続されているため、実効モニター素子数が変化すると1個当たりのモニター素子に流れる電流量が多くなってしまう。その結果、モニター素子の電位変化を発光素子へフィードバックした場合に、所望している輝度よりも高くなってしまう可能性がある。そこで本実施の形態で示したように、対をなすモニター素子を設けることにより、一方のモニター素子がショートしていない限り、実効モニター素子数は変化しない。よって、1個当たりのモニター素子に流れる電流量が変化しない。その結果、モニター素子の電位変化を発光素子へフィードバックした場合、所望する発光素子の輝度を一定に保つことが可能である。実施の形態4本実施の形態では、モニター素子がショートしたときに制御用トランジスタをオフとする回路構成及びその動作について説明する。図6Aに示すスイッチング回路113mは、pチャネル型の第1のトランジスタ601、第1のトランジスタ601にゲート電極が共通し、直列に接続されているnチャネル型の第2のトランジスタ602を有する。モニター素子108mは、第1及び第2のトランジスタ601、602のゲート電極に接続されている。制御用トランジスタ115mのゲート電極は、第1のトランジスタ601のドレイン電極及び第2のトランジスタ602のドレイン電極に接続されている。また、スイッチング回路113sはpチャネル型の第1のトランジスタ603、第1のトランジスタ603にゲート電極が共通し、直列に接続されているnチャネル型の第2のトランジスタ604を有する。モニター素子108sは、第1及び第2のトランジスタ603、604のゲート電極に接続されている。制御用トランジスタ115sのゲート電極は、第1のトランジスタ603のドレイン電極及び第2のトランジスタ604のドレイン電極に接続されている。また、第1のpチャネル型のトランジスタ601、603のソース電極の電位をVhとし、第2のnチャネル型のトランジスタ602のソース電極の電位をVlとする。第2のトランジスタ604のソース電極はモニター素子108mのアノード電極108aに接続されている。そして、モニター線109の電位、電位Vhを図6Bに示すように駆動させる。まず、モニター線109の電位を飽和状態にさせ、その後、VhをHレベルVDDとする。モニター素子108がショートしている場合、モニター素子108のアノード電極108aの電位、つまりA点の電位は、モニター素子108mのカソード電極108cと、同程度にまで下がる。すると、第1及び第2のトランジスタ601、602のゲート電極には、低い電位、つまりLレベルが入力され、nチャネル型である第2のトランジスタ602がオフとなり、pチャネル型である第1のトランジスタ601がオンとなる。そして、第1のトランジスタ601により電位Vhの高電位側の電位VDDが制御用トランジスタ115mのゲート電極へ入力され、制御用トランジスタ115mはオフとなる。その結果、ショートしたモニター素子108mに、モニター線109からの電流は供給されない。A点の電位は、モニター素子108mのカソード電極108cと、同程度にまで下がるため、第2のトランジスタ604のソース電極にはLレベルが入力される。第1のトランジスタ604のソース電位A点とほぼ同電位が制御用トランジスタ115sのゲート電極へ入力され、制御用トランジスタ115sはオンとなる。その結果、第1のモニター素子108mがショートしても、第2のモニター素子108sがオンするため実効モニター素子数が変化せず、正常な発光素子の補正を行うことができる。なお、第1のモニター素子108mが正常である場合には制御用トランジスタ115mがオンとなるように制御される。すなわち、アノード電極108aの電位はモニター線109の電位Vhの高電位側の電位VDDとほぼ同じとなるため、第2のトランジスタ602がオンとなる。その結果、低電位Vlが制御用トランジスタ115mのゲート電極に印加されるためオンとなる。また、第2のトランジスタ602のソース電極の電位は電位Vhの高電位側の電位VDDであるため、制御用トランジスタ115sのゲート電極にはHレベルVDDが入力される。よって第2のモニター素子108sはオフとなる。図5に、あるインバーターの入力電位と出力電位の関係を示す。これより入力電位が何Vのときにnチャネル型のトランジスタがオフし、pチャネル型のトランジスタがオンするのかを把握することができる。本実施の形態において、モニター素子がショートした際の陽極電位をインバーターへの入力電位Vとした場合、出力電位VにVhからHレベルVDDが出力するように決定する。その結果、制御用トランジスタをオフすることが可能である。インバーターの入出力電位の関係はトランジスタサイズやpチャネル型のトランジスタとnチャネル型のトランジスタのサイズとなるW/L比以下pn比と呼ぶ。によって決まる。よって、設計者はトランジスタサイズやpn比を目的にあうように設計することでインバーターを構成するpチャネル型のトランジスタ及びnチャネル型のトランジスタをオンまたはオフしやすくすることが可能である。つまり、第1のモニター素子と第2のモニター素子が同時にオンしないようにするため、pチャネル型のトランジスタ601とトランジスタ603、nチャネル型のトランジスタ602とトランジスタ604のサイズを変えることができる。例えば、A点がLレベルに落ちたとき、pチャネル型のトランジスタ601が先にオンするようにトランジスタのサイズを設計すればよい。実施の形態5本実施の形態では、モニター素子がショートしたときに制御用トランジスタをオフとする上記とは別の回路構成及びその動作について説明する。実施の形態4で説明した動作と同じ動きをするものに関しては同符号を用いて説明は省略する。図7に第1のスイッチング回路113mの構成を示す。第1のスイッチング回路113mはpチャネル型の第1のトランジスタ701、第1のトランジスタにゲート電極が共通し、直列に接続されているnチャネル型の第2のトランジスタ702、第2のトランジスタに直列に接続されているnチャネル型の第3のトランジスタ703を有する。第3のトランジスタ703はゲートとドレインが同電位であることを特徴とする。第1の制御用トランジスタ115mのゲート電極は、第1のトランジスタ701のドレイン電極及び第2のトランジスタ702のドレイン電極に接続されている。モニター素子108mがショートしている場合、モニター素子108mのアノード電極108aの電位、つまりA点の電位は、モニター素子108mのカソード電極108cと同程度にまで下がる。すると、第1のトランジスタ701のゲート電極及び第2のトランジスタ702のゲート電極には、低い電位、つまりLレベルが入力される。すると、nチャネル型である第2のトランジスタ702がオフとなり、pチャネル型である第1のトランジスタ701がオンとなる。そして、第1のトランジスタ701の電位Vhの高電位側の電位VDDが制御用トランジスタ115mのゲート電極へ入力され、制御用トランジスタ115mはオフとなる。その結果、ショートしたモニター素子108mに、モニター線109からの電流は供給されない。A点の電位は、モニター素子108mのカソード電極108cと、同程度にまで下がるため、第2のトランジスタ604のソース電極にはLレベルが入力される。第2のトランジスタ604のソース電位A点とほぼ同電位が第2の制御用トランジスタ115sのゲート電極へ入力され、第2の制御用トランジスタ115sはオンとなる。その結果、第1のモニター素子108mがショートしても、第2のモニター素子108sのため実効モニター素子数が変化せず、正常な発光素子の補正を行うことができる。第1のスイッチング回路113mは、第1のスイッチング回路113mの出力がnチャネル型の第3のトランジスタ703により、Lレベルから第3のトランジスタ703のしきい値Vth分を持ち上がり、第1の制御用トランジスタ115mのゲートには、VlVthの値が入力される。このとき、第1の制御用トランジスタ115mは、オンできるように、第1のスイッチング回路内のトランジスタを設計する必要がある。また、第1のスイッチング回路113mと第2のスイッチング回路113sが異なる回路構成でもよい。この場合は、A点の電圧が降下した際に、先に第1のスイッチング回路113mをオフすることができる構成とする。なお、第1のモニター素子及び第2のモニター素子がどちらもショートせず、正常である場合には、第1のスイッチング回路により、第1の制御用トランジスタ115mがオンとなるように制御される。また、第2のスイッチング回路により、第2の制御用トランジスタはオフするように制御される。このとき、第1のモニター素子108mの陽極電位はモニター線109の高電位とほぼ同じとなるため、第2のトランジスタ702がオンとなる。その結果、Lレベルが第1の制御用トランジスタ115mのゲート電極に印加されるため、第1の制御用トランジスタ115mはオンとなる。一方、第2の制御用トランジスタ115mのゲート電極にはHレベルが入力されているため、第2の制御用トランジスタ115mはオフとなる。実施の形態6本実施の形態では、画素回路及び構成の一例について説明する。図8Aには、本発明の画素部に用いることのできる画素回路を示す。画素部101は、信号線Sx、走査線Gy、電源線Vxがマトリックス状に設けられており、それらの交点には画素102が設けられている。画素102は、スイッチング用トランジスタ802、駆動用トランジスタ116、容量素子801、発光素子107を有する。当該画素における接続関係を説明する。スイッチング用トランジスタ802は、信号線Sxと、走査線Gyとの交点に設けられ、スイッチング用トランジスタ802の一方の電極は信号線Sxと、スイッチング用トランジスタ802のゲート電極は走査線Gyと接続されている。駆動用トランジスタ116は、一方の電極が電源線Vxに接続され、ゲート電極はスイッチング用トランジスタ802の他方の電極と接続されている。容量素子801は、駆動用トランジスタ116のゲートソース電極間電圧を保持するように設けられている。本実施の形態では、容量素子801は、その一方の電極はVxに、他方の電極は駆動用トランジスタ116のゲート電極に接続されている。なお、容量素子801は、駆動用トランジスタ116のゲート容量が大きく、リーク電流が少ない場合等は設ける必要がない。発光素子107は、駆動用トランジスタ116の他方の電極に接続されている。このような画素の駆動方法について説明する。まず、スイッチング用トランジスタ802がオンとなると、信号線Sxからビデオ信号が入力される。ビデオ信号に基づき、容量素子801に電荷が蓄積される。容量素子801に蓄積された電荷が、駆動用トランジスタ116のゲートソース電極間電圧Vgsを越えると、駆動用トランジスタ116がオンとなる。すると、発光素子107に電流が供給され、点灯する。このとき、駆動用トランジスタ116は、線形領域又は飽和領域で動作させることができる。飽和領域で動作させると、一定の電流を供給することができる。また線形領域で動作させると、低電圧で動作させることができ、低消費電力化を図ることができる。以下に、タイミングチャートを用いて、画素の駆動方法について説明する。図8Bには、1秒間に60フレームの画像の書き換えが行われる場合の1フレーム期間のタイミングチャートを示す。該タイミングチャートにおいて、縦軸は走査線G1行目から最終行目、横軸は時間を示している。1フレーム期間はmmは2以上の自然数個のサブフレーム期間SF1、SF2、...、SFmを有し、m個のサブフレーム期間SF1、SF2、...SFmは、それぞれ書き込み動作期間Ta1、Ta2、...、Tamと表示期間点灯期間Ts1、Ts2、...、Tsmと、逆方向電圧印加期間とを有する。本実施の形態では、図8Bに示すように、1フレーム期間は、サブフレーム期間SF1、SF2、及びSF3と、逆方向電圧印加期間FRBとが設けられている。そして、各サブフレーム期間は、書き込み動作期間Ta1~Ta3が順に行われ、それぞれ表示期間Ts1~Ts3となる。図8Cに記載のタイミングチャートには、ある行i行目に着目したときの、書き込み動作期間、表示期間、及び逆方向電圧印加期間について示す。書き込み動作期間、表示期間が交互に現れた後、逆方向電圧印加期間が現れる。この書き込み動作期間、及び表示期間を有する期間が、順方向電圧印加期間となる。書き込み動作期間Taは複数の動作期間に分けることができる。本実施の形態では、二つの動作期間に分け、一方で消去動作を行い、他方で書き込み動作を行う。このように消去動作と、書き込み動作を設けるため、WEWriteErase信号が入力される。その他の消去動作及び書き込み動作や信号の詳細は、以下の実施の形態で説明する。このように、オン期間、オフ期間、消去期間を設けるための制御は、走査線駆動回路や信号線駆動回路等の駆動回路によって行われる。図9には、図8Aに示した画素回路のレイアウト例を示す。また図15には、図9に示したA-B、B-Cの断面図例を示す。スイッチング用トランジスタ802、駆動用トランジスタ116を構成する半導体膜を形成する。その後、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜を介して、第1の導電膜を形成する。該導電膜は、スイッチング用トランジスタ802、駆動用トランジスタ116のゲート電極として用い、また走査線Gyとして用いることができる。このとき、スイッチング用トランジスタ802は、ダブルゲート構造とするとよい。その後、層間絶縁膜として機能する絶縁膜を介して、第2の導電膜を形成する。該導電膜は、スイッチング用トランジスタ802、駆動用トランジスタ116のドレイン電極配線、及びソース電極配線として用い、また信号線Sx、電源線Vxとしてもちいることができる。このとき、容量素子801は、第1の導電膜、層間絶縁膜として機能する絶縁膜、第2の導電膜の積層構造により形成することができる。駆動用トランジスタ116のゲート電極と、スイッチング用トランジスタの他方の電極とは、コンタクトホールを介して接続される。そして、画素に設けられた開口部には、画素電極19を形成する。該画素電極は、駆動用トランジスタ116の他方の電極に接続されている。このとき、第2の導電膜と画素電極との間に絶縁膜等が設けられている場合、コンタクトホールを介して接続する必要がある。絶縁膜等が設けられていない場合、駆動用トランジスタ116の他方の電極に、画素電極が直接接続することができる。図9に示すようなレイアウトにおいて、高開口率を確保するため、領域430のように、第1の導電膜と、画素電極とが重なってしまうことがある。そのような領域430には、結合容量が生じてしまうことがある。この結合容量は不要な容量である。このような不要な容量は、本発明の駆動方法によって、除去することができる。絶縁基板100上には、下地膜を介して、所定の形状に加工された半導体膜が設けられている。絶縁基板100には、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、ステンレス基板等を用いることができる。また、PETポリエチレンテレフタレート、PENポリエチレンナフタレート、PESポリエーテルサルフォンに代表されるプラスチックや、アクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板は、一般的に他の基板と比較して耐熱温度が低い傾向にあるが、作製工程における処理温度に耐え得るのであれば用いることが可能である。下地膜には、酸化珪素や、窒化珪素、窒化酸化珪素などの絶縁膜を用いることができる。下地膜上に非晶質半導体膜を形成する。非晶質半導体膜の膜厚は25~100nm好ましくは30~60nmとする。また非晶質半導体は珪素だけではなくシリコンゲルマニウムも用いることができる。次に、必要に応じて非晶質半導体膜を結晶化し、結晶性半導体膜を形成する。結晶化する方法は、加熱炉、レーザ照射、若しくはランプから発する光の照射以下、ランプアニールと表記する、又はそれらを組み合わせて用いることができる。例えば、非晶質半導体膜に金属元素を添加し、加熱炉を用いた熱処理を行うことによって結晶性半導体膜を形成する。このように、金属元素を添加することにより、低温で結晶化できるため好ましい。このように形成された結晶性半導体膜を、所定の形状に加工パターニングする。所定の形状とは、図15で示したように、スイッチング用トランジスタ802、駆動用トランジスタ116となる形状である。次いで、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜を形成する。該絶縁膜は、半導体膜を覆うように、厚さを10~150nm、好ましくは20~40nmとして形成される。例えば、酸化窒化珪素膜、酸化珪素膜等を用いることができ、単層構造または積層構造としてもよい。そしてゲート絶縁膜を介して、ゲート電極として機能する第1の導電膜を形成する。ゲート電極は、単層であっても積層であってもよいが、本実施の形態では導電膜22a、22bの積層構造をもちいる。各導電膜22a、22bは、Ta、W、Ti、Mo、Al、Cuから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成すればよい。本実施の形態では、導電膜22aとして膜厚10~50nm、例えば30nmの窒化タンタル膜を形成し、導電膜22bとして膜厚200~400nm、例えば370nmのタングステン膜を順次形成する。ゲート電極をマスクとして不純物元素を添加する。このとき、高濃度不純物領域に加えて、低濃度不純物領域を形成してもよい。これをLDDLightlyDopedDrain構造という。特に低濃度不純物領域がゲート電極と重なった構造をGOLDGate-drainOverlappedLDD構造という。特に、nチャネル型トランジスタは、低濃度不純物領域を有する構成とするとよい。この低濃度不純物領域に起因して、不要な容量が形成されてしまうこともある。そのため、LDD構造やGOLD構造を有するTFTを用いて画素を形成する場合、本発明の駆動方法を用いると好適である。その後、層間絶縁膜30として機能する絶縁膜28、29を形成する。絶縁膜28は、窒素を有する絶縁膜であればよく、本実施の形態では、プラズマCVD法により100nmの窒化珪素膜を用いて形成する。また絶縁膜29は、有機材料又は無機材料を用いて形成することができる。有機材料としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン、シロキサン、ポリシラザンを用いることができる。シロキサンとは、珪素Siと酸素Oとの結合で骨格構造が構造され、置換基に少なくとも水素を含む、又は置換基にフッ素、アルキル基、又は芳香族炭化水素のうち少なくとも1種を有するポリマー材料、を出発原料として形成される。またポリシラザンとは、珪素Siと窒素Nの結合を有するポリマー材料、いわゆるポリシラザンを含む液体材料を出発原料として形成される。無機材料としては、酸化珪素SiOx、窒化珪素SiNx、酸化窒化珪素SiOxNyx>y、窒化酸化珪素SiNxOyx>yx、y=1、2、...等の酸素、又は窒素を有する絶縁膜を用いることができる。また、絶縁膜29として、これら絶縁膜の積層構造を用いてもよい。特に、有機材料を用いて絶縁膜29を形成すると、平坦性は高まる一方で、有機材料によって水分や酸素が吸収されてしまう。これを防止するため、有機材料上に、無機材料を有する絶縁膜を形成するとよい。無機材料に、窒素を有する絶縁膜を用いると、Na等のアルカリイオンの侵入を防ぐことができ、好ましい。層間絶縁膜30にコンタクトホールを形成する。そして、スイッチング用トランジスタ802、駆動用トランジスタ116のソース電極配線及びドレイン電極配線24、信号線Sx、電源線Vxとして機能する第2の導電膜を形成する。第2の導電膜は、アルミニウムAl、チタンTi、モリブデンMo、タングステンWもしくはシリコンSiの元素からなる膜又はこれらの元素を用いた合金膜を用いることができる。本実施の形態では、チタン膜と、窒化チタン膜と、チタンーアルミニウム合金膜と、チタン膜が、それぞれの膜厚を60nm、40nm、300nm、100nmとして順に積層して、第2の導電膜を形成する。その後、第2の導電膜を覆うように絶縁膜31を形成する。絶縁膜31は、層間絶縁膜30で示した材料を用いることができる。このように絶縁膜31を設けることにより、開口率を高めることができる。そして、絶縁膜31に設けられた開口部に画素電極第1の電極ともいう19を形成する。該開口部において、画素電極の段差被覆性を高めるため、開口部端面に、複数の曲率半径を有するように丸みを帯びさせるとよい。画素電極19には、透光性を有する材料として、インジウム錫酸化物ITO、indiumuTinOxide、酸化インジウムに2~20の酸化亜鉛ZnOを混合したIZOindiumzincoxide、酸化インジウムに2~20の酸化珪素SiO2を混合したITO-SiOxITSOとも記す、有機インジウム、有機スズ等を用いることもできる。また非透光性を有する材料として、銀Ag以外にタンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム、銅から選ばれた元素、又は前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を用いることができる。このとき、有機材料を用いて絶縁膜31を形成し、平坦性を高めると、画素電極形成面の平坦性が向上するため、均一な電圧を印加でき、さらには短絡を防止することができる。第1の導電膜と、画素電極とが重なってしまう領域430には、結合容量が生じてしまうことがある。この結合容量は不要な容量である。このような不要な容量は、本発明の駆動方法によって、除去することができる。その後、蒸着法、またはインクジェット法により電界発光層33を形成する。電界発光層33は、有機材料、又は無機材料を有し、電子注入層EIL、電子輸送層ETL、発光層EML、正孔輸送層HTL、正孔注入層HIL等を適宜組み合わせて構成される。なお各層の境目は必ずしも明確である必要はなく、互いの層を構成している材料が一部混合し、界面が不明瞭になっている場合もある。また、電界発光層は上記積層構造に限定されない。そして、スパッタリング法、又は蒸着法により第2の電極35を形成する。電界発光層発光素子の第1の電極画素電極19、及び第2の電極35は、画素構成により陽極又は陰極となる。陽極材料としては、仕事関数の大きい仕事関数4.0eV以上金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。陽極材料の具体例としては、ITO、酸化インジウムに2~20の酸化亜鉛ZnOを混合したIZOの他、金Au、白金Pt、ニッケルNi、タングステンW、クロムCr、モリブデンMo、鉄Fe、コバルトCo、銅Cu、パラジウムPd、または金属材料の窒化物TiN等を用いることができる。一方、陰極材料としては、仕事関数の小さい仕事関数3.8eV以下金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。陰極材料の具体例としては、元素周期表の1族または2族に属する元素、すなわちLiやCs等のアルカリ金属、およびMg、Ca、Sr等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金Mg:Ag、Al:Liや化合物LiF、CsF、CaF2の他、希土類金属を含む遷移金属を用いて形成することができる。但し、陰極は透光性を有する必要があるため、これら金属、又はこれら金属を含む合金を非常に薄く形成し、ITO等の金属合金を含むとの積層により形成する。その後、第2の電極35を覆って、保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化珪素膜やDLC膜を用いることができる。このようにして、発光装置の画素を形成することができる。実施の形態7本実施の形態では、上記実施の形態で示した画素回路を有するパネル全体の構成について説明する。図12に示すように、本発明の発光装置は、上述した画素102がマトリクス状に複数配置された画素部101と、第1の走査線駆動回路41と、第2の走査線駆動回路42と、信号線駆動回路43とを有する。第1の走査線駆動回路41と第2の走査線駆動回路42は、画素部101を挟んで対向するように配置するか、画素部101の上下左右の四方のうち一方に配置するとよい。信号線駆動回路43は、パルス出力回路44、ラッチ45及び選択回路46を有する。ラッチ45は第1のラッチ47と第2のラッチ48を有する。選択回路46は、スイッチング手段としてトランジスタ49以下TFT49と表記と、アナログスイッチ50とを有する。TFT49とアナログスイッチ50は、信号線に対応して、各列に設けられている。加えて、本実施の形態では、WE信号の反転信号を生成するために、スイッチング回路51が各列に設けられている。なおスイッチング回路51は、外部からWE信号の反転信号を供給する場合には設けなくてもよい。TFT49のゲート電極は選択信号線52に接続し、一方の電極は信号線Sxに接続し、他方の電極は電源53に接続する。アナログスイッチ50は、第2のラッチ48と各信号線の間に設けられる。すなわち、アナログスイッチ50の入力端子は第2のラッチ48に接続し、出力端子は信号線に接続する。アナログスイッチ50の2つの制御端子は、一方は選択信号線52に接続し、他方はスイッチング回路51を介して選択信号線52に接続する。電源53の電位は、画素が有する駆動用トランジスタ116をオフにする電位であり、駆動用トランジスタ116の極性がnチャネル型の場合は電源53の電位をLレベルとし、駆動用トランジスタ116の極性がpチャネル型の場合は電源53の電位をHレベルとする。第1の走査線駆動回路41はパルス出力回路54と選択回路55を有する。第2の走査線駆動回路42はパルス出力回路56と選択回路57を有する。パルス出力回路54、56には、それぞれスタートパルスG1SP、G2SPが入力される。またパルス出力回路54、56にはそれぞれクロックパルスG1CK、G2CKと、それの反転クロックパルスG1CKB、G2CKBが入力される。選択回路55、57は、選択信号線52に接続する。但し、第2の走査線駆動回路42が含む選択回路57は、スイッチング回路58を介して選択信号線52に接続する。つまり、選択信号線52を介して、選択回路55、57に入力されるWE信号は、互いに反転した関係にある。選択回路55、57の各々はトライステートバッファを有する。トライステートバッファは、選択信号線52から伝達される信号がHレベルのときに動作状態となり、Lレベルのときにハイインピーダンス状態となる。信号線駆動回路43が含むパルス出力回路44、第1の走査線駆動回路41が含むパルス出力回路54、第2の走査線駆動回路42が含むパルス出力回路56は、複数のフリップフロップ回路からなるシフトレジスタやデコーダ回路を有する。パルス出力回路44、54、56として、デコーダ回路を適用すれば、信号線又は走査線をランダムに選択することができる。信号線又は走査線をランダムに選択することができると、時間階調方式を適用した場合に生じる疑似輪郭の発生を抑制することができる。なお信号線駆動回路43の構成は上記の記載に制約されず、レベルシフタやバッファを設けてもよい。また、第1の走査線駆動回路41と第2の走査線駆動回路42の構成も上記の記載に制約されず、レベルシフタやバッファを設けてもよい。また、信号線駆動回路43、第1の走査線駆動回路41、又は第2の走査線駆動回路42は、それぞれ保護回路を有してもよい。また本発明において、保護回路を設けてもよい。保護回路は、複数の抵抗素子を有するように形成することができる。例えば複数の抵抗素子として、pチャネル型のトランジスタを用いることができる。保護回路は、信号線駆動回路43、第1の走査線駆動回路41、又は第2の走査線駆動回路42にそれぞれ設けることができ、好ましくは、信号線駆動回路43、第1の走査線駆動回路41、又は第2の走査線駆動回路42と画素部101との間に設けるとよい。このような保護回路により、静電気に起因した素子の経時劣化や破壊を抑制することができる。また本実施の形態において、発光装置は電源制御回路63を有する。電源制御回路63は、発光素子107に電源を供給する電源回路61とコントローラ62を有する。電源回路61は、第1の電源17を有し、第1の電源17は駆動用トランジスタ116と電源線Vxを介して発光素子107の画素電極に接続する。また、電源回路61は、第2の電源117を有し、第2の電源117は対向電極に接続される電源線を介して、発光素子107に接続する。このような電源回路61は、発光素子107に順方向電圧を印加して、発光素子107に電流を流して発光させるときは、第1の電源17の電位が、第2の電源117の電位よりも高くなるように設定する。一方、発光素子107に逆方向電圧を印加するときは、第1の電源17の電位が、第2の電源117の電位よりも低くなるように設定する。このような電源の設定は、コントローラ62から電源回路61に所定の信号を供給することにより、行うことができる。また本実施の形態において、発光装置は、モニター回路104と制御回路65を有することを特徴とする。制御回路65は定電流源111とバッファアンプ回路112を有する。また、モニター回路104は、モニター素子108、制御用トランジスタ115、スイッチング回路113を有する。制御回路65は、モニター回路104の出力に基づき、電源電位を補正する信号を、電源制御回路63に供給する。電源制御回路63は、制御回路65から供給される信号に基づき、画素部101に供給する電源電位を補正する。上記構成を有する本発明の発光装置は、温度変化や経時劣化に起因した電流値の変動を抑制して、信頼性を向上させることができる。さらに制御用トランジスタ115及びスイッチング回路113により、ショートしたモニター素子108に、定電流源111からの電流が流れることを防止でき、正確な電流値の変動を発光素子107へ供給することができる。実施の形態8本実施の形態では、上記構成を有する本発明の発光装置の動作について図面を参照して説明する。まず、信号線駆動回路43の動作について図13Aを用いて説明する。パルス出力回路44には、クロック信号以下SCKと表記、クロック反転信号以下SCKBと表記及びスタートパルス以下SSPと表記が入力され、これらの信号のタイミングに従って、第1のラッチ47にサンプリングパルスを出力する。データが入力される第1のラッチ47は、サンプリングパルスが入力されるタイミングに従って、1列目から最終列目までビデオ信号を保持する。第2のラッチ48は、ラッチパルスが入力されると、第1のラッチ47に保持されていたビデオ信号を、一斉に第2のラッチ48に転送する。ここで、選択信号線52から伝達されるWE信号がLレベルのときを期間T1とし、WE信号がHレベルのときを期間T2として、各期間における選択回路46の動作について説明する。期間T1、T2は水平走査期間の半分の期間に相当し、期間T1を第1のサブゲート選択期間、期間T2を第2のサブゲート選択期間とよぶ。期間T1第1のサブゲート選択期間において、選択信号線52から伝達されるWE信号はLレベルであり、トランジスタ49はオン状態、アナログスイッチ50は非導通状態となる。そうすると、複数の信号線S1~Snは、各列に配置されたトランジスタ49を介して、電源53と電気的に接続する。つまり、複数の信号線Sxは、電源53と同電位になる。このとき、選択された画素102が有するスイッチング用トランジスタ802は、オンとなっており、当該スイッチング用トランジスタ802を介して、電源53の電位が駆動用トランジスタ116のゲート電極に伝達される。そうすると、駆動用トランジスタ116はオフ状態となり、発光素子107が有する両電極間には電流が流れず非発光となる。このように、信号線Sxに入力されるビデオ信号の状態に関係なく、電源53の電位が駆動用トランジスタ116のゲート電極に伝達されて、当該スイッチング用トランジスタ802がオフ状態になり、発光素子107が強制的に非発光となる動作が消去動作である。期間T2第2のサブゲート選択期間において、選択信号線52から伝達されるWE信号はHレベルであり、トランジスタ49はオフ状態、アナログスイッチ50は導通状態となる。そうすると、第2のラッチ48に保持されたビデオ信号は、1行分が同時に各信号線Sxに伝達される。このとき、画素102が含むスイッチング用トランジスタ802はオンとなり、当該スイッチング用トランジスタ802を介して、ビデオ信号が駆動用トランジスタ116のゲート電極に伝達される。そうすると、入力されたビデオ信号に従って、駆動用トランジスタ116はオン又はオフとなり、発光素子107が有する第1及び第2の電極は、互いに異なる電位又は同電位となる。より詳しくは、駆動用トランジスタ116がオンとなると、発光素子107が有する第1及び第2の電極は互いに異なる電位となり、発光素子107に電流が流れる。すると、発光素子107は点灯する。なお発光素子107に流れる電流は、駆動用トランジスタ116のソース電極とドレイン電極間に流れる電流と同じである。一方、駆動用トランジスタ116がオフとなると、発光素子107が有する第1及び第2の電極は同電位となり、発光素子107に電流は流れない。すなわち、発光素子107は非発光となる。このように、ビデオ信号に従って、駆動用トランジスタ116がオン状態又はオフ状態になり、発光素子107が有する第1及び第2の電極の電位が互いに異なる電位又は同電位となる動作が書き込み動作である。次に、第1の走査線駆動回路41、第2の走査線駆動回路42の動作について説明する。パルス出力回路54には、G1CK、G1CKB、G1SPが入力され、これらの信号のタイミングに従って、選択回路55に順次パルスを出力する。パルス出力回路56には、G2CK、G2CKB、G2SPが入力され、これらの信号のタイミングに従って、選択回路57に順次パルスを出力する。図13Bには、i行目、j行目、k行目、p行目i、j、k、pは自然数、1≦i、j、k、p≦nの各列の選択回路55、57に供給されるパルスの電位を示す。ここで、信号線駆動回路43の動作の説明と同様に、選択信号線52から伝達されるWE信号がLレベルのときを期間T1とし、WE信号がHレベルのときを期間T2として、各期間における第1の走査線駆動回路41が含む選択回路55と、第2の走査線駆動回路42が含む選択回路57の動作について説明する。なお、図13Bのタイミングチャートでは、第1の走査線駆動回路41から信号が伝達されたゲート線Gyyは自然数、1≦y≦nの電位をVGy41と表記し、第2の走査線駆動回路42から信号が伝達されたゲート線の電位をVGy42と表記する。そして、VGy41とVGy42は、同じ走査線Gyにより供給することができる。期間T1第1のサブゲート選択期間において、選択信号線52から伝達されるWE信号はLレベルである。そうすると、第1の走査線駆動回路41が含む選択回路55には、LレベルのWE信号が入力され、選択回路55は不定状態となる。一方、第2の走査線駆動回路42が含む選択回路57には、WE信号が反転したHレベルの信号が入力され、選択回路57は動作状態となる。つまり、選択回路57はHレベルの信号行選択信号をi行目のゲート線Giに伝達し、ゲート線GiはHレベルの信号と同電位となる。すなわち、第2の走査線駆動回路42によりi行目のゲート線Giが選択される。その結果、画素102が含むスイッチング用トランジスタ802はオン状態となる。そして、信号線駆動回路43が含む電源53の電位が駆動用トランジスタ116のゲート電極に伝達され、駆動用トランジスタ116はオフ状態となり、発光素子107の両電極の電位は同電位となる。すなわち、この期間では、発光素子107が非発光となる消去動作が行われる。期間T2第2のサブゲート選択期間において、選択信号線52から伝達されるWE信号はHレベルである。そうすると、第1の走査線駆動回路41が含む選択回路55には、HレベルのWE信号が入力され、選択回路55は動作状態となる。つまり、選択回路55はHレベルの信号をi行目のゲート線Giに伝達し、ゲート線GiはHレベルの信号と同電位となる。つまり、第1の走査線駆動回路41により、i行目のゲート線Giが選択される。その結果、画素102が含むスイッチング用トランジスタ802はオン状態となる。そして、信号線駆動回路43が含む第2のラッチ48からビデオ信号が駆動用トランジスタ116のゲート電極に伝達され、駆動用トランジスタ116はオン状態又はオフ状態となり、発光素子107が含む2つの電極の電位は、互いに異なる電位又は同電位となる。つまり、この期間では、発光素子107は発光又は非発光となる書き込み動作が行われる。一方、第2の走査線駆動回路42が含む選択回路57には、Lレベルの信号が入力され、不定状態となる。このように、ゲート線Gyは、期間T1第1のサブゲート選択期間において第2の走査線駆動回路42により選択され、期間T2第2のサブゲート選択期間において第2の走査線駆動回路42により選択される。すなわち、ゲート線は、第1の走査線駆動回路41と第2の走査線駆動回路42により、相補的に制御される。そして、第1及び第2のサブゲート選択期間において、一方で消去動作を行って、他方で書き込み動作を行う。なお第1の走査線駆動回路41がi行目のゲート線Giを選択する期間では、第2の走査線駆動回路42は動作していない状態選択回路57が不定状態、又はi行目を除く他の行のゲート線に行選択信号を伝達する。同様に、第2の走査線駆動回路42がi行目のゲート線Giに行選択信号を伝達する期間は、第1の走査線駆動回路41は不定状態、又はi行目を除く他の行のゲート線に行選択信号を伝達する。また上記のような動作を行う本発明は、発光素子107を強制的にオフにすることができるために、デューティ比の向上を実現する。さらに、発光素子107を強制的にオフにすることができるにも関わらず、容量素子801の電荷を放電するTFTを設ける必要がないために、高開口率を実現する。高開口率を実現すると、光を発する面積の増加に伴って、発光素子の輝度を下げることができる。つまり、駆動電圧を下げることができるため、消費電力を削減することができる。なお、本発明は、ゲート選択期間を2分割する上記の形態に制約されない。ゲート選択期間を3つ以上に分割してもよい。実施の形態9本実施の形態では、本発明の駆動方法を適用できる画素構成を例示する。なお、図8Aで示した構成と重複する説明は省略する。図10Aには、図8Aに示した画素構成に加え、容量素子801の両端に第3のトランジスタ25が設けられていることを特徴とした画素構成を示す。第3のトランジスタ25は、所定の期間で、容量素子801に蓄積された電荷を放電する機能を有する。この第3のトランジスタ25を消去用トランジスタとも表記する。所定の期間は、第3のトランジスタ25のゲート電極が接続されている消去用走査線Ryによって制御される。例えば、複数のサブフレーム期間を設ける場合、短いサブフレーム期間において、第3のトランジスタ25により容量素子801の電荷を放電する。その結果、デューティ比を向上させることができる。図10Bには、図8に示した画素構成に加え、駆動用トランジスタ116と発光素子107との間に、第4のトランジスタ36が設けられていることを特徴とした画素構成を示す。第4のトランジスタ36のゲート電極には、固定電位となっている第2の電源線Vaxが接続されている。そのため、発光素子107へ供給される電流は、駆動用トランジスタ116や第4のトランジスタ36のゲートソース電極間電圧によらず、一定とすることができる。この第4のトランジスタ36を、電流制御用トランジスタとも表記する。図10Cには、図10Bと異なり、固定電位となっている第2の電源線Vaxが、走査線Gyと並行に設けられていることを特徴とした画素構成を示す。また図10Dには、図10BCと異なり、固定電位となっている、第4のトランジスタ36のゲート電極が、駆動用トランジスタ116のゲート電極に接続されていることを特徴とした画素構成である。図10Dのように、新たに電源線を設けることがない画素構成では、開口率を維持することができる。図11には、図10Bに示した画素構成に加え、消去用トランジスタ25を設けたことを特徴とした画素構成を示す。消去用トランジスタ25により、容量素子801の電荷を放電することができる。勿論、図10C又は図10Dに示した画素構成に加えて、消去用トランジスタを設けることも可能である。すなわち、本発明は、画素構成に限定されることなく適用することが可能である。実施の形態10本発明は、定電流駆動を行う発光装置にも適用することができる。本実施の形態では、モニター素子108を用いて経時変化の度合いを検出する場合であって、この検出結果を基に、ビデオ信号又は電源電位を補正することで、発光素子の経時変化を補償する場合について説明する。本実施の形態は、第1及び第2のモニター素子を設ける。第1のモニター素子には第1の定電流源から一定の電流が供給され、第2のモニター素子には第2の定電流源から一定の電流が供給される。第1の定電流源から供給される電流値と、第2の定電流源から供給される電流値を変えることで、第1及び第2のモニター素子に流れる総電流量は異なる。そうすると、第1及び第2のモニター素子の間には経時変化の違いが生じる。第1及び第2のモニター素子は演算回路に接続しており、当該演算回路では、第1のモニター素子と、第2のモニター素子との電位の差を算出する。演算回路で算出された電圧値は、ビデオ信号発生回路に供給される。ビデオ信号発生回路では、演算回路から供給される電圧値を基に、各画素に供給するビデオ信号を補正する。上記構成により、発光素子の経時変化を補償することができる。なお、各モニター素子と、発光素子の間には、バッファアンプ回路などの電位の変動を防止する回路を設けるとよい。なお本実施の形態において、定電流駆動を行う構成を有する画素としては、例えば、カレントミラー回路を用いた画素等がある。実施の形態11本発明は、パッシブマトリクス型の発光装置に適用することができる。パッシブマトリクス型の発光装置は、基板上に形成された画素部、該画素部の周辺に配置されたカラム信号線駆動回路、ロウ信号線駆動回路、上記の駆動回路を制御するコントローラを有する。画素部は、列方向に配置された各カラム信号線、行方向に配置されたロウ信号線、及びマトリクス状に配置された複数の発光素子を有する。この画素部が形成された基板上には、モニター回路104を設けることができる。本実施の形態の発光装置では、モニター回路104を用いて、カラム信号線駆動回路に入力される画像データ、又は定電圧源から発生される電圧を、温度変化及び経時変化に応じて補正することができ、温度変化及び経時変化の両者に起因する影響が低減された発光装置を提供することができる。実施の形態12発光素子を含む画素部を備えた電子機器として、テレビジョン装置単にテレビ、又はテレビジョン受信機ともよぶ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラなどのカメラ、携帯電話装置単に携帯電話機、携帯電話ともよぶ、PDA等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、コンピュータ用のモニター、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。その具体例について、図14を参照して説明する。図14Aに示す携帯情報端末機器は、本体9201、表示部9202等を含んでいる。表示部9202は、本発明の発光装置を適用することができる。すなわち、モニター素子を用いて発光素子に与える電源電位を補正する本発明により、温度変化と経時変化に起因した、発光素子の電流値の変動による影響を抑制した携帯情報端末機器を提供することができる。図14Bに示すデジタルビデオカメラは、表示部9701、表示部9702等を含んでいる。表示部9701は本発明の発光装置を適用することができる。モニター素子を用いて発光素子に与える電源電位を補正する本発明により、温度変化と経時変化に起因した、発光素子の電流値の変動による影響を抑制したデジタルビデオカメラを提供することができる。図14Cに示す携帯電話機は、本体9101、表示部9102等を含んでいる。表示部9102は、本発明の発光装置を適用することができる。モニター素子を用いて発光素子に与える電源電位を補正する本発明により、温度変化と経時変化に起因した、発光素子の電流値の変動による影響を抑制した携帯電話機を提供することができる。図14Dに示す携帯型のテレビジョン装置は、本体9301、表示部9302等を含んでいる。表示部9302は、本発明の発光装置を適用することができる。モニター素子を用いて発光素子に与える電源電位を補正する本発明により、温度変化と経時変化に起因した、発光素子の電流値の変動による影響を抑制した携帯型のテレビジョン装置を提供することができる。またテレビジョン装置としては、携帯電話機などの携帯端末に搭載する小型のものから、持ち運びをすることができる中型のもの、また、大型のもの例えば40インチ以上まで、幅広いものに、本発明の発光装置を適用することができる。図14Eに示す携帯型のコンピュータは、本体9401、表示部9402等を含んでいる。表示部9402は、本発明の発光装置を適用することができる。モニター素子を用いて発光素子に与える電源電位を補正する本発明により、温度変化と経時変化に起因した、発光素子の電流値の変動による影響を抑制した携帯型のコンピュータを提供することができる。図14Fに示すテレビジョン装置は、本体9501、表示部9502等を含んでいる。表示部9502は、本発明の発光装置を適用することができる。モニター素子を用いて発光素子に与える電源電位を補正する本発明により、温度変化と経時変化に起因した、発光素子の電流値の変動による影響を抑制したテレビジョン装置を提供することができる。