半導体基板上方に被加工膜を形成する工程と、前記被加工膜上にネガ型レジストを形成する工程と、前記ネガ型レジスト上に光硬化性レジストを形成する工程と、前記光硬化性レジストに、凸部の一部に遮光部が設けられた凹凸パターンを有するテンプレートの主面側を加圧する工程と、前記テンプレートの裏面から前記テンプレートに光を照射する工程と、光が照射されていない前記ネガ型レジスト及び前記光硬化性レジストを現像し、前記テンプレートの凹凸パターンを前記ネガ型レジスト及び前記光硬化性レジストに転写する工程と、前記ネガ型レジスト及び前記光硬化性レジストに転写された凹凸パターンをマスクとして、前記被加工膜をエッチングする工程と、を備えた半導体装置の製造方法。前記ネガ型レジストは、前記光硬化性レジストよりも粘度が大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記光硬化レジストは、前記ネガレジストよりも離型性が良いことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記ネガ型レジストは、ポリスチレン系樹脂であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。半導体基板上方に被加工膜を形成する工程と、前記被加工膜上にポジ型レジストを形成する工程と、前記ポジ型レジスト上に前記ポジ型レジストよりも粘度が小さい光硬化性レジストを形成する工程と、前記光硬化性レジストに、凸部の一部に遮光部が設けられた凹凸パターンを有するテンプレートの主面側を加圧する工程と、前記テンプレートの裏面から前記テンプレートに光を照射する工程と、光が照射された前記ポジ型レジストを現像することにより、前記光硬化性レジストをリフトオフし、かつ前記テンプレートの凹凸パターンを前記ポジ型レジスト及び前記光硬化性レジストに転写する工程と、前記ポジ型レジスト及び前記光硬化性レジストに転写された凹凸パターンをマスクとして、前記被加工膜をエッチングする工程と、を備えた半導体装置の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、被加工膜を制御性良くエッチングすることができる半導体装置の製造方法を提供することである。上記課題を解決するために、実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体基板上方に被加工膜を形成し、前記被加工膜上にネガ型レジストを形成する。前記ネガ型レジスト上に光硬化性レジストが形成され、前記光硬化性レジストに、凸部の一部に遮光部が設けられた凹凸パターンを有するテンプレートの主面側が加圧される。前記テンプレートの裏面から前記テンプレートに光が照射され、光が照射されていない前記ネガ型レジスト及び前記光硬化性レジストが現像され、前記テンプレートの凹凸パターンが前記ネガ型レジスト及び前記光硬化性レジストに転写される。前記ネガ型レジスト及び前記光硬化性レジストに転写された凹凸パターンをマスクとして、前記被加工膜がエッチングされる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。第1の実施形態第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法について以下説明する。図1は、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。図1aのように、半導体基板1上に被加工膜2を形成する。被加工膜2は、例えばCVD法により形成されるアモルファスシリコン膜である。次に、被加工膜2上に、ネガ型レジスト3をスピンコートにより塗布し、プリベークを行う。ネガ型レジスト3は、被加工膜2をエッチングする際のマスクのエッチング耐性を向上させるために形成されるものである。ネガ型レジスト3は、後述する光硬化性レジスト4に比べて、粘度が高いものが用いられ、ネガ型レジスト3の粘度は、例えば10~50mPasであり、膜厚は例えば100nm程度である。ネガ型レジスト3は、ベンゼン環を含む、例えばポリスチレン系の樹脂が用いられる。このようなベンゼン環を含むネガ型レジスト3は、後述する光硬化性レジスト4に用いられるアクリル系樹脂に比べて、エッチング耐性が高いNAbeetalJPhotopolymSciTechnol8pp637642。次に、ネガ型レジスト3上に、インクジェット方式により、光硬化性レジスト4を塗布する。光硬化性レジスト4には、ネガ型レジスト3に比べて低い粘度を有するレジストが用いられる。これにより、光硬化性レジスト4は、インクジェット方式によって精密に射出制御でき、後述するテンプレート5を光硬化性レジスト4に密着及び加圧する際に、パターン溝部へのレジストの充填性を良好にすることができる。光硬化性レジスト4は、アクリル系樹脂が用いられる。光硬化性レジスト4の粘度は、例えば8~10mPas、膜厚は60nm程度である。なお、光硬化性レジスト4は、光を照射することにより、硬化する性質を有するネガ型のレジストの1種である。次に、図1bのように、凹凸パターンが形成されたテンプレート5の主面側が光硬化性レジスト4と密着し、光硬化性レジスト4を加圧する。これにより、テンプレート5の凹凸パターンの凹部に、光硬化性レジスト4が毛細管現象により充填される。テンプレート5の凹凸パターンの一部には、光透過性を有しない遮光部6として例えばAl膜が設けられている。これにより、後述するように、ネガ型レジスト3及び光硬化性レジスト4に、選択的に光を照射することができる。遮光部6は、例えばテンプレート5の凹凸パターンの凸部全体に設けられる。他にも、遮光部6は、凸部の先端部のみに設けられ、他の凸部は、テンプレート5本体と一体となっていてもよい。遮光部6に用いられる材料は、AlNiCoCrTiTaWMoSnZn又は半金属であるSiのうち選択される元素を少なくとも1つ含む膜、例えば金属膜、半金属膜、金属酸化物膜、金属窒化物膜、合金膜等が用いられる。テンプレート5本体には、波長400nm以下の紫外線光を透過する材料が用いられ、例えば石英ガラス、耐熱ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、若しくはアクリルガラス、又はこれらの積層構造が用いられる。次に、テンプレート5の裏面からテンプレート5に光を照射する。テンプレート5の一部には、遮光部6が設けられているため、遮光部6がある部分において光は透過せず、遮光部6がない部分において光は透過する。したがって、遮光部6がない部分における光硬化性レジスト4及びネガ型レジスト3に光が照射される。照射する光には、テンプレート5本体において透過性の良い波長の光が用いられ、例えばi線の波長の紫外線が用いられる。次に、ネガ型レジスト3及び光硬化性レジスト4をポストベークした後、テンプレート5を光硬化性レジスト4から離型し、図1cのように、光硬化性レジスト4上部にテンプレート5の凹凸パターンを転写する。次に、光照射されていない光硬化性レジスト4及びネガ型レジスト3を溶解する。レジストの溶解は、例えば有機溶媒又はアルカリ系の溶媒によって行われる。これにより、光照射されたパターンが被加工膜2を加工するためのマスクパターンとして現像される。以上により、図1dのように、テンプレート5の凹凸パターンがネガ型レジスト3及び光硬化性レジスト4に転写され、下層がネガ型レジスト3であって、上層が光硬化性レジスト4である2層構造マスクが形成される。従来の1層の光硬化レジストを用いて選択的光照射及び現像を行った場合は、膜厚が厚くなると、アスペクト比が大きくなり、レジスト内の残留応力によってパターンが変形してしまう。本実施形態においては、光硬化性レジスト4の下層に、よりエッチング耐性の高いネガ型レジスト3を有する2層構造マスクを用いることにより、1層ごとの膜厚の大きさを減少し、2層全体としてアスペクト比の低減及びパターン変形の抑制しつつ、高いエッチング耐性を有するマスクを形成することが可能となる。このマスクを用いることにより、被加工膜2を制御良くエッチングすることができる。さらに、離型性の良い光硬化性レジスト4を上層に用いていることから、従来の方法と同程度のレジスト充填性やテンプレート5の離型性といったインプリント特性を実現できる。第2の実施形態第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法について以下説明する。図2は、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。第2の実施形態が、第1の実施形態と異なる点は、2層構造のマスクの下層にネガ型レジスト3を用いる代わりにポジ型レジスト7を用いている点である。第1の実施形態と同様に、図2aのように、半導体基板1上に被加工膜2を形成する。その後、被加工膜2上にスピンコートによりポジ型レジスト7を塗布し、プリベークを行う。ポジ型レジスト7は、被加工膜2をエッチングする際のマスクのエッチング耐性を向上させるために形成されるものである。ネガ型レジスト3は、後述する光硬化性レジスト4に比べて、粘度が高いものが用いられ、例えばネガ型レジスト3の粘度は、10~50mPasである。ポジ型レジスト7には、ベンゼン環を含む、例えばノボラック系樹脂等が用いられる。ノボラック系樹脂は、後述する光硬化性レジスト4に用いられるアクリル系樹脂に比べて、エッチング耐性が高いことが知られている。次に、ポジ型レジスト7上に、インクジェット方式により、光硬化性レジスト4を塗布する。上述したとおり、インクジェット性や充填性といったインプリント特性を良好にするため、光硬化性レジスト4の粘度は、ポジ型レジスト7に比べて低いものが用いられる。次に、図2bのように、凹凸パターンが形成されたテンプレート5の主面側が光硬化性レジスト4と密着し、光硬化性レジスト4を加圧する。テンプレート5の凹凸パターンの一部には、光透過性を有しない遮光部6が設けられている。次に、テンプレート5の裏面からテンプレート5に光を照射する。遮光部6がない部分において光は透過し、光が照射された、ポジ型レジスト7は溶媒に対する溶解性が大きくなる。次に、ネガ型レジスト3及び光硬化性レジスト4をポストベーク後、テンプレート5を光硬化性レジスト4から離型し、図2cのように、光硬化性レジスト4上部にテンプレート5の凹凸パターンを転写する。次に、光照射されたポジ型レジスト7を溶解し、これにより溶解したポジ型レジスト7の上層部分における光硬化性レジスト4をリフトオフし、除去する。レジストの溶解は、例えば有機溶媒又はアルカリ系の溶媒によって行われる。これにより、光照射していない部分におけるポジ型レジスト7が残り、光硬化性レジスト4よりもエッチング耐性が高いポジ型レジスト7のマスクパターンが形成される。次に、図2eのように、ポジ型レジスト7をマスクとして、被加工膜2をエッチングする。その後、ポジ型レジスト7を除去する。以上のように第2の実施形態においては、光硬化性レジスト4の下層に、よりエッチング耐性の高いポジ型レジスト7を有する2層構造マスクを用いている。これにより、1層ごとの膜厚の大きさを減少し、2層全体としてアスペクト比の低減及びパターン変形の抑制しつつ、高いエッチング耐性を有するマスクを形成することが可能となる。このマスクを用いることにより、被加工膜2を制御良くエッチングすることができる。さらに、離型性の良い光硬化性レジスト4を上層に用いていることから、従来の方法と同程度のレジスト充填性やテンプレート5の離型性といったインプリント特性を実現できる。なお、本発明は、上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの実施形態は、その他のさまざまな形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。