"ノズル開口に連通する圧力発生室と、白金からなる第1電極、前記第1電極上に設けられ少なくともビスマスを含むペロブスカイト型構造の複合酸化物からなる圧電体層、及び前記圧電体層上に設けられる第2電極を備えた圧電素子と、を具備し、前記圧電体層の前記第1電極側界面には、ビスマス及び白金を含む酸化物が設けられていることを特徴とする液体噴射ヘッド。請求項1に記載の液体噴射ヘッドにおいて、前記圧電体層は、さらに鉄を含むことを特徴とする液体噴射ヘッド。請求項2に記載の液体噴射ヘッドにおいて、前記圧電体層は、さらに、マンガン及びチタンを含むことを特徴とする液体噴射ヘッド。請求項1~3のいずれか一項に記載の液体噴射ヘッドにおいて、前記ビスマス及び白金を含む酸化物がパイロクロア型構造の白金酸ビスマスからなることを特徴とする液体噴射ヘッド。請求項1~4のいずれか一項に記載の液体噴射ヘッドにおいて、前記ビスマス及び白金を含む酸化物が島状に設けられていることを特徴とする液体噴射ヘッド。請求項1~5のいずれか一項に記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。白金からなる第1電極、前記第1電極上に設けられ少なくともビスマスを含むペロブスカイト型構造の複合酸化物からなる圧電体層、及び前記圧電体層上に設けられる第2電極を備え、前記圧電体層の前記第1電極側界面には、ビスマス及び白金を含む酸化物が設けられていることを特徴とする圧電素子。しかしながら、鉄酸ビスマス系の圧電材料は、製造時及び製造から所定時間経過後にクラックが発生しやすいという問題があった。なお、このような問題は、インクジェット式記録ヘッドだけではなく、勿論、インク以外の液滴を吐出する他の液体噴射ヘッドにおいても同様に存在し、また、液体噴射ヘッド以外に用いられる圧電素子においても同様に存在する。本発明はこのような事情に鑑み、環境負荷が小さく且つクラックの発生が抑制された液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びにこれを供する圧電素子を提供することを目的とする。上記課題を解決する本発明の態様は、ノズル開口に連通する圧力発生室と、白金からなる第1電極、前記第1電極上に設けられ少なくともビスマスを含むペロブスカイト型構造の複合酸化物からなる圧電体層、及び前記圧電体層上に設けられる第2電極を備えた圧電素子と、を具備し、前記圧電体層の前記第1電極側界面には、ビスマス及び白金を含む酸化物が設けられていることを特徴とする液体噴射ヘッドにある。かかる態様では、圧電体層の第1電極側界面には、ビスマス及び白金を含む酸化物からなる酸化物部が設けられていることにより、ビスマス系の圧電材料からなる圧電体層のクラックの発生を抑制した液体噴射ヘッドとすることができる。さらに、鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減することができる。本発明の好適な実施態様としては、前記圧電体層がさらに鉄を含むものが挙げられる。より好適な実施態様としては、前記圧電体層は、さらに、マンガン及びチタンを含むものが挙げられる。また、前記ビスマス及び白金を含む酸化物がパイロクロア型構造の白金酸ビスマスからなるのが好ましい。これによれば、確実にビスマス系の圧電材料からなる圧電体層のクラックの発生を抑制することができる。前記ビスマス及び白金を含む酸化物が島状に設けられているのが好ましい。これによれば、酸化物部と圧電体層との密着性がより向上する。本発明の他の態様は、上記液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。かかる態様では、環境への負荷を低減し且つクラックの発生が抑制された圧電素子を具備するため、信頼性に優れた液体噴射装置を実現することができる。本発明の他の態様は、白金からなる第1電極、前記第1電極上に設けられ少なくともビスマスを含むペロブスカイト型構造の複合酸化物からなる圧電体層、及び前記圧電体層上に設けられる第2電極を備え、前記圧電体層の前記第1電極側界面には、ビスマス及び白金を含む酸化物が設けられていることを特徴とする圧電素子にある。かかる態様では、ビスマス系の圧電材料からなる圧電体層のクラックの発生を抑制した圧電素子とすることができる。さらに、鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減することができる。実施形態1図1は、本発明の実施形態1に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図であり、図2は、図1の平面図であり、図3aは、図2のA-A′線断面図、図3bは、図3aの要部拡大断面図、図3cは、第2電極側の面から圧電体層及び酸化物部を見た要部拡大平面図である。図示するように、流路形成基板10は、本実施形態では面方位110のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には、振動板を構成する二酸化シリコンからなる厚さ0.5~2μmの弾性膜50が形成されている。流路形成基板10には、一方の面とは反対側の面となる他方面側から異方性エッチングすることにより、圧力発生室12が形成されている。そして、複数の隔壁11によって区画された圧力発生室12が同じ色のインクを吐出する複数のノズル開口21が並設される方向に沿って並設されている。以降、この方向を圧力発生室12の並設方向、又は第1方向と称し、これと直交する方向を第2方向と称する。また、流路形成基板10の圧力発生室12の第2方向の一端部側には、インク供給路14と連通路15とが隔壁11によって区画されている。また、連通路15の一端には、各圧力発生室12の共通のインク室液体室となるマニホールド100の一部を構成する連通部13が形成されている。すなわち、流路形成基板10には、圧力発生室12、インク供給路14、連通路15及び連通部13からなる液体流路が設けられている。インク供給路14は、圧力発生室12の第2方向一端部側に連通し且つ圧力発生室12より小さい断面積を有する。例えば、本実施形態では、インク供給路14は、マニホールド100と各圧力発生室12との間の圧力発生室12側の流路を幅方向に絞ることで、圧力発生室12の幅より小さい幅で形成されている。なお、このように、本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路14を形成したが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路を形成してもよい。さらに、各連通路15は、インク供給路14の圧力発生室12とは反対側に連通し、インク供給路14の幅方向第1方向より大きい断面積を有する。本実施形態では、連通路15を圧力発生室12と同じ断面積で形成した。また、流路形成基板10の開口面側には、各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート20は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等からなる。一方、図3aに示すように、このような流路形成基板10の開口面とは反対側には、上述したように弾性膜50が形成され、この弾性膜50上には、例えば厚さ30~50nm程度の酸化チタン等からなり、弾性膜50等の第1電極60の下地との密着性を向上させるための密着層56が設けられている。なお、弾性膜50上に、必要に応じて酸化ジルコニウム等からなる絶縁体膜が設けられていてもよい。さらに密着層56上には、白金からなる第1電極60と、第1電極60の上方に設けられて厚さが3μm以下、好ましくは0.3~1.5μmの薄膜である圧電体層70と、圧電体層70の上方に設けられた第2電極80とが、積層形成されて、圧電素子300を構成している。なお、ここでいう上方とは、直上も、間に他の部材が介在した状態も含むものである。ここで、圧電素子300は、第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を含む部分をいう。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層70を各圧力発生室12毎にパターニングして構成する。本実施形態では、第1電極60を圧電素子300の共通電極とし、第2電極80を圧電素子300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。また、ここでは、変位可能に設けられた圧電素子300をアクチュエーター装置と称する。なお、上述した例では、弾性膜50、密着層56及び第1電極60が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜50及び密着層56を設けずに、第1電極60のみが振動板として作用するようにしてもよい。また、圧電素子300自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。そして、圧電体層70を構成する圧電材料は、ビスマスBiを含むペロブスカイト型構造を有する複合酸化物であり、具体的には、例えば、鉄酸ビスマス系、チタン酸ビスマス系のペロブスカイト型構造の複合酸化物が挙げられる。鉄酸ビスマス系としては、鉄酸ビスマスBiFeO3、鉄酸アルミニウム酸ビスマスBiFe,AlO3、鉄酸マンガン酸ビスマスBiFe,MnO3、鉄酸マンガン酸ビスマスランタンBi,LaFe,MnO3、鉄酸マンガン酸チタン酸ビスマスバリウムBi,BaFe,Mn,TiO3、鉄酸コバルト酸ビスマスBiFe,CoO3、鉄酸ビスマスセリウムBi,CeFeO3、鉄酸マンガン酸ビスマスセリウムBi,CeFe,MnO3、鉄酸ビスマスランタンセリウムBi,La,CeFeO3、鉄酸マンガン酸ビスマスランタンセリウムBi,La,CeFe,MnO3、鉄酸ビスマスサマリウムBi,SmFeO3、鉄酸マンガン酸チタン酸ビスマスバリウムBi,BaFe,Mn,TiO3、鉄酸クロム酸ビスマスBiCr,FeO3、鉄酸マンガン酸チタン酸ビスマスカリウムBi,KFe,Mn,TiO3、鉄酸マンガン酸亜鉛酸チタン酸ビスマスバリウムBi,BaFe,Mn,Zn,TiO3等が挙げられる。また、チタン酸ビスマス系としては、チタン酸ビスマスナトリウムカリウムBi,Na,KTiO3、チタン酸亜鉛酸ビスマスバリウムナトリウムBi,Na,BaZn,TiO3、チタン酸銅酸ビスマスバリウムナトリウムBi,Na,BaCu,TiO3が挙げられる。また、他のセラミックス膜としては、チタン酸ビスマスカリウムBi,KTiO3、クロム酸ビスマスBiCrO3等が挙げられる。また、上述した複合酸化物に、例えば、BiZn1/2Ti1/2O3、Bi1/2K1/2TiO3、Bi1/2Na1/2TiO3、Li,Na,KTa,NbO3を添加したものであってもよい。本実施形態では、圧電体層70は、鉄酸マンガン酸チタン酸ビスマスバリウムBi,BaFe,Mn,TiO3、言い換えれば、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムとの混晶として表されるペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなるものとした。この複合酸化物は、鉄酸ビスマスと、チタン酸バリウムとが均一に固溶して単一結晶混晶となっている。なお、ペロブスカイト構造、すなわち、ABO3型構造のAサイトは酸素が12配位しており、また、Bサイトは酸素が6配位して8面体オクタヘドロンをつくっている。このAサイトにBi及びBaが、BサイトにFe、Mn及びTiが位置している。このようなビスマス、バリウム、鉄、マンガン及びチタンを含むペロブスカイト型構造を有する複合酸化物は、例えば下記一般式1で表される組成比であることが好ましい。ただし、一般式1の記述は化学量論に基づく組成表記であり、元素拡散、格子不整合、酸素欠損等による不可避な組成ずれは許容される。[1-x{BiFe1-a,MnaO3}-x{BaTiO3}]10.1≦x≦0.4、0.01≦a≦0.1そして、図3bに示すように、本発明においては、圧電体層70の第1電極60側の界面には、ビスマス及び白金を含む酸化物が設けられている。すなわち、圧電体層70と第1電極60との間に、ビスマス及び白金を含む酸化物からなる酸化物部65が設けられている。以下、ビスマス及び白金を含む酸化物を酸化物部65という。本実施形態にかかる酸化物部65は、ビスマス及び白金を含む酸化物からなり、例えば、パイロクロア型構造を有する白金酸ビスマスが挙げられる。白金酸ビスマスとしては、例えば、Bi2Pt2O7が挙げられるが、各元素の価数がずれてBi2Pt2O7とは分子式が異なっていてもよい。また、ビスマス及び白金を含む酸化物は、例えば、パイロクロア型構造を有し且つビスマスや白金の一部が他の元素により置換されたものであってもよい。このように、圧電体層70がビスマス系のペロブスカイト型構造を有する複合酸化物で、第1電極60が白金であり、圧電体層70の第1電極60側の界面に、ビスマス及び白金を含む酸化物からなる酸化物部65を設けることにより、圧電体層70のクラックの発生を抑制することができる。詳しくは後述するが、ビスマス系の圧電材料からなる圧電体層70は、製造時及び製造から所定時間経過後にクラックが発生しやすいという問題があるが、酸化物部65を設けることにより、製造時及び製造から所定時間経過後のクラックの発生が抑制されたものとなる。また、ビスマス及び白金を含む酸化物からなる酸化物部65は、導電体であり、電極として機能することができる。したがって、酸化物部65による圧電体層70に印加される電圧の低下がなく、圧電体層70に印加される電圧は、酸化物部65を設けていない構造と同様とすることができる。また、圧電体層70を構成する圧電材料と酸化物部65を構成するビスマス及び白金を含む酸化物は、いずれも酸化物で且つビスマスを含むため、圧電体層70と酸化物部65は密着性が良好であり、また、第1電極60を構成する白金と酸化物部65を構成するビスマス及び白金を含む酸化物は、白金が共通するため、第1電極60と酸化物部65は密着性が良好となる。酸化物部65をどのように設けるかは特に限定されず、圧電体層70の第1電極60側の界面全体に設けてもよいが、図3bに示すように、島状に設けるのが好ましい。島状とは、酸化物部65が圧電体層70と第1電極60との界面全面にならないように隙間をあけて設けられた状態であり、複数の酸化物部65を互いに間隔を空けて設けることが好ましい。このように、酸化物部65を島状に設けることにより、酸化物部65と圧電体層70との界面が凹凸になるため、酸化物部65と圧電体層70との密着性がより向上する。また、酸化物部65の形状は特に限定されず、図3cに示すように、第2電極80が設けられた側の面から酸化物部65を見た平面視形状は、円形や楕円形でもよい。このような圧電素子300の個別電極である各第2電極80には、インク供給路14側の端部近傍から引き出され、弾性膜50上や必要に応じて設ける絶縁体膜上にまで延設される、例えば、金Au等からなるリード電極90が接続されている。このような圧電素子300が形成された流路形成基板10上、すなわち、第1電極60、弾性膜50や必要に応じて設ける絶縁体膜及びリード電極90上には、マニホールド100の少なくとも一部を構成するマニホールド部31を有する保護基板30が接着剤35を介して接合されている。このマニホールド部31は、本実施形態では、保護基板30を厚さ方向に貫通して圧力発生室12の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板10の連通部13と連通されて各圧力発生室12の共通のインク室となるマニホールド100を構成している。また、流路形成基板10の連通部13を圧力発生室12毎に複数に分割して、マニホールド部31のみをマニホールドとしてもよい。さらに、例えば、流路形成基板10に圧力発生室12のみを設け、流路形成基板10と保護基板30との間に介在する部材例えば、弾性膜50、必要に応じて設ける絶縁体膜等にマニホールド100と各圧力発生室12とを連通するインク供給路14を設けるようにしてもよい。また、保護基板30の圧電素子300に対向する領域には、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部32が設けられている。圧電素子保持部32は、圧電素子300の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。このような保護基板30としては、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。また、保護基板30には、保護基板30を厚さ方向に貫通する貫通孔33が設けられている。そして、各圧電素子300から引き出されたリード電極90の端部近傍は、貫通孔33内に露出するように設けられている。また、保護基板30上には、並設された圧電素子300を駆動するための駆動回路120が固定されている。この駆動回路120としては、例えば、回路基板や半導体集積回路IC等を用いることができる。そして、駆動回路120とリード電極90とは、ボンディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線121を介して電気的に接続されている。また、このような保護基板30上には、封止膜41及び固定板42とからなるコンプライアンス基板40が接合されている。ここで、封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する材料からなり、この封止膜41によってマニホールド部31の一方面が封止されている。また、固定板42は、比較的硬質の材料で形成されている。この固定板42のマニホールド100に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、マニホールド100の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIでは、図示しない外部のインク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、マニホールド100からノズル開口21に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路120からの記録信号に従い、圧力発生室12に対応するそれぞれの第1電極60と第2電極80との間に電圧を印加し、弾性膜50、第1電極60及び圧電体層70をたわみ変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力が高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。次に、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドの製造方法の一例について、図4~図8を参照して説明する。なお、図4~図8は、圧力発生室の長手方向の断面図である。まず、図4aに示すように、シリコンウェハーである流路形成基板用ウェハー110の表面に弾性膜50を構成する二酸化シリコンSiO2等からなる二酸化シリコン膜を熱酸化等で形成する。次いで、図4bに示すように、弾性膜50二酸化シリコン膜上に、酸化チタン等からなる密着層56を、スパッタリング法や熱酸化法等を用いて形成する。次に、図5aに示すように、密着層56上の全面に亘って第1電極60を形成する。具体的には、密着層56上に、スパッタリング法や蒸着法により白金からなる第1電極60を形成する。次に、図5bに示すように、第1電極60上に所定形状のレジスト図示無しをマスクとして、密着層56及び第1電極60の側面が傾斜するように同時にパターニングする。次いで、レジストを剥離した後、第1電極60上及び密着層56に、酸化物部65及び圧電体層70を積層する。圧電体層70の製造方法は特に限定されないが、例えば、Bi,Fe,Mn,Ti,Baを含む金属錯体を溶媒に溶解分散した溶液を塗布乾燥し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層圧電体膜を得るMODMetal-OrganicDecomposition法やゾル-ゲル法等の化学溶液法を用いて圧電体層70を製造できる。その他、スパッタリング法、パルスレーザーデポジション法PLD法、CVD法、エアロゾルデポジション法など、液相法でも固相法でも気相法でも圧電体層70を製造することもできる。酸化物部65の製造方法も特に限定されないが、例えば、スパッタリング法、パルスレーザーデポジション法PLD法により形成することができる。また、上記MOD法やゾル-ゲル法等の化学溶液法を用いて、酸化物部65及び圧電体層70の両方を、一連の操作で製造することもできる。酸化物部65及び圧電体層70を一連の操作で製造する具体的な形成手順例としては、まず、図5cに示すように、第1電極60上に、金属錯体、具体的には、Bi,Fe,Mn,Ti,Ba等を含有する金属錯体を、所定の割合で含むゾルやMOD溶液前駆体溶液をスピンコート法などを用いて、塗布して圧電体前駆体膜71を形成する塗布工程。塗布する前駆体溶液は、焼成によりBi、Fe、Mn、Ba、及びTiを含む複合酸化物を形成しうる金属錯体混合物を、有機溶媒に溶解または分散させたものである。かかる金属錯体混合物は、複合酸化物を構成する金属のうち一以上の金属を含む金属錯体の混合物であり、Fe,Mn,Ti,Baの各金属が所望のモル比となるように且つBiが所望のモル比よりも10モル以上過剰となるように金属錯体が混合されている。すなわち、Bi、Fe、Mn、Ba、Tiをそれぞれ含む金属錯体の混合割合は、Fe,Mn,Ti,Baの各金属が所望の鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムの混晶として表される複合酸化物となるような割合であり、Biが所望の鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムとの混晶として表される複合酸化物となるような割合よりも10モル以上過剰、好ましくは10モル以上30モル以下となるようにする。Bi、Fe、Mn、Ba、Tiをそれぞれ含む金属錯体としては、例えば、アルコキシド、有機酸塩、βジケトン錯体などを用いることができる。Biを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸ビスマス、酢酸ビスマスなどが挙げられる。Feを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸鉄、酢酸鉄などが挙げられる。Mnを含む金属錯体としては、例えば2-エチルヘキサン酸マンガン、酢酸マンガンなどが挙げられる。Baを含む金属錯体としては、例えばバリウムイソプロポキシド、2-エチルヘキサン酸バリウム、バリウムアセチルアセトナートなどが挙げられる。Tiを含有する金属錯体としては、例えばチタニウムイソプロポキシド、2-エチルヘキサン酸チタン、チタンジ-i-プロポキシドビスアセチルアセトナートなどが挙げられる。勿論、Bi、Fe、Mn、Ba、Tiを二種以上含む金属錯体を用いてもよい。また、溶媒は、金属錯体混合物を溶解又は分散させるものであればよく、特に限定されないが、例えば、トルエン、キシレン、オクタン、エチレングリコール、2-メトキシエタノール、ブタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸、水、等の様々な溶媒が挙げられる。勿論、これらを2種以上用いてもよい。次いで、この圧電体前駆体膜71を所定温度例えば130~200°Cに加熱して一定時間乾燥させる乾燥工程。次に、乾燥した圧電体前駆体膜71を所定温度例えば350~450°Cに加熱して一定時間保持することによって脱脂する脱脂工程。ここで言う脱脂とは、圧電体前駆体膜71に含まれる有機成分を、例えば、NO2、CO2、H2O等として離脱させることである。乾燥工程や脱脂工程の雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。なお、塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を複数回行ってもよい。次に、図6aに示すように、圧電体前駆体膜71を所定温度、例えば600~850°C程度に加熱して、一定時間、例えば、1~10分間保持することによって結晶化させ、鉄酸マンガン酸ビスマスとチタン酸バリウムと亜鉛酸チタン酸ビスマスとの混晶として表される複合酸化物を含む圧電材料からなる圧電体膜72を形成する焼成工程。この焼成工程においても、雰囲気は限定されず、大気中、酸素雰囲気中や、不活性ガス中でもよい。乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程で用いられる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照射により加熱するRTARapidThermalAnnealing装置やホットプレート等が挙げられる。次いで、レジストを剥離した後、上述した塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程や、塗布工程、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程を所望の膜厚等に応じて複数回繰り返して複数の圧電体膜72を形成する。これにより、図6bに示すように複数層の圧電体膜72からなる所定厚さの圧電体層70が形成され、また、図6bの要部拡大図である図6cに示すように、圧電体層70の第1電極60側の界面に酸化物部65が形成される。なお、複数の圧電体膜72を形成する際には、塗布工程、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程を順に行って積層していってもよいが、塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程を繰り返し行った後、複数層をまとめて焼成するようにしてもよい。また、本実施形態では、圧電体膜72を積層して設けたが、1層のみでもよい。このように圧電体層70を形成した後は、図7aに示すように、圧電体層70上に白金等からなる第2電極80をスパッタリング法等で形成し、各圧力発生室12に対向する領域に圧電体層70及び第2電極80を同時にパターニングして、第1電極60と圧電体層70と第2電極80からなる圧電素子300を形成する。なお、圧電体層70と第2電極80とのパターニングでは、所定形状に形成したレジスト図示なしを介してドライエッチングすることにより一括して行うことができる。その後、必要に応じて、600°C~800°Cの温度域でポストアニールを行ってもよい。これにより、圧電体層70と第1電極60や第2電極80との良好な界面を形成することができ、かつ、圧電体層70の結晶性を改善することができる。次に、図7bに示すように、流路形成基板用ウェハー110の全面に亘って、例えば、金Au等からなるリード電極90を形成後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン図示なしを介して各圧電素子300毎にパターニングする。次に、図7cに示すように、流路形成基板用ウェハー110の圧電素子300側に、シリコンウェハーであり複数の保護基板30となる保護基板用ウェハー130を接着剤35を介して接合した後に、流路形成基板用ウェハー110を所定の厚さに薄くする。次に、図8aに示すように、流路形成基板用ウェハー110上に、マスク膜52を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、図8bに示すように、流路形成基板用ウェハー110をマスク膜52を介してKOH等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチングウェットエッチングすることにより、圧電素子300に対応する圧力発生室12、連通部13、インク供給路14及び連通路15等を形成する。その後は、流路形成基板用ウェハー110及び保護基板用ウェハー130の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハー110の保護基板用ウェハー130とは反対側の面のマスク膜52を除去した後にノズル開口21が穿設されたノズルプレート20を接合すると共に、保護基板用ウェハー130にコンプライアンス基板40を接合し、流路形成基板用ウェハー110等を図1に示すような一つのチップサイズの流路形成基板10等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドIとする。以下、実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。実施例1~4及び比較例1~2まず、100に配向した単結晶シリコン基板の表面に熱酸化により膜厚1200nmの二酸化シリコン膜を形成した。次に、二酸化シリコン膜上にRFマグネトロンスパッタ法により膜厚40nmのチタン膜を形成し、熱酸化することで酸化チタン膜を形成した。次に、酸化チタン膜上にRFマグネトロンスパッタ法により膜厚100nmの白金膜を形成し、111に配向した第1電極60とした。また、2-エチルヘキサン酸ビスマス、鉄アセチルアセトナート、酢酸バリウム、チタンイソプロポキシド、マンガンアセチルアセトナートのn-ブタノール溶液を、各金属が表1に示す割合となるように混合し、前駆体溶液を調製した。次いで、この前駆体溶液を酸化チタン膜及び第1電極60が形成された上記基板上に滴下し、3000rpmで基板を回転させてスピンコート法により圧電体前駆体膜を形成した塗布工程。次に、ホットプレート上に基板を載せ、180°Cで2分間乾燥した乾燥工程。次いで、ホットプレート上に基板を載せ、450°Cで2分間脱脂を行った脱脂工程。この塗布工程乾燥及び脱脂工程からなる工程を2回繰り返した後に、酸素雰囲気中で、RTARapidThermalAnnealing装置で750°C、5分間焼成を行った焼成工程。次いで、上記塗布工程乾燥及び脱脂工程からなる工程を4回繰り返した後に一括して焼成する焼成工程を行う工程を2回繰り返し、計10回の塗布により全体で厚さ660nmの圧電体層70を形成した。その後、圧電体層70上に、第2電極80としてDCスパッタ法により直径500μmで膜厚100nmの白金膜を形成した後、RTA装置を用いて750°Cで5分間焼成を行うことで、圧電素子を形成した。試験例1実施例1の圧電素子について、厚さ方向の断面を、EFTEMenergyfilteringtransmissionelectronmicroscope、エネルギーフィルタリング透過型電子顕微鏡を用いて観察した。得られたEFTEM-BFBrightField像を図9に示す。また、図9の一部の拡大写真を図10に示す。この結果、図9及び図10に示すように、圧電体層70と第1電極60との間に、厚さ60nm程度の酸化物部65が形成されていた図10中矢印部参照。この酸化物部65は、第1電極60上に島状に形成されていた。なお、酸化物部65は、圧電体層70の第1電極60側の界面に形成されており、圧電体層70の厚さ方向の中央部付近や第2電極80側には形成されていなかった。試験例2実施例1の圧電素子について、厚さ方向の断面を、STEM-HAADFHighAngleAnnularDarkField及びBi,Pt,Fe,Mn,Ba,Ti,Oの各元素について、STEM-EDSScanningTransmissionElectronMicroscope走査透過電子顕微鏡-EnergyDispersiveSpectroscopyで測定した。なお、Bi,Pt,BaについてはL殻を、Fe,Mn,Ti,OについてはK殻を測定した。結果を図11a~hに示す。図11に示すように、酸化物部65は、Pt、Bi、及びOを含有していた。また、圧電体層70は、Bi,Fe,Mn,Ba,Ti及びOを含有していた。試験例3実施例1~4及び比較例1~2の圧電素子について、BrukerAXS社製のD8Discoverを用い、X線源にCuKα線を使用し、室温で、圧電体層の粉末X線回折パターンを求めた。結果を図12に示す。この結果、実施例1~4及び比較例1~2の全てにおいて、ペロブスカイト型構造に起因するピークと、基板由来のピークが観測された。具体的には、ペロブスカイト型構造単相からなる圧電体層に起因する100のピークが23°付近に、シリコン基板に起因する110のピークが32°付近に、白金に起因する111のピークが40°付近に確認された。そして、実施例1~4については、パイロクロア型構造に起因するピークが30°付近に確認された。これに対し、比較例1~2については、パイロクロア型構造に起因するピークは確認されなかった。試験例1~3の結果から、Biを所望のモル比よりも10モル以上過剰とした実施例1~4については、圧電体層70の第1電極60側の界面にパイロクロア型構造の白金酸ビスマスからなる酸化物部65が形成されていることがわかった。試験例4実施例1~4及び比較例1~2について、第2電極80を形成していない状態の圧電体層70について、圧電体層70の形成後7日経過までのクラックの発生の有無を確認した。なお、クラックの発生がない場合を○、クラックが発生した場合を×とした。結果を表2に示す。また、実施例1及び比較例1については、圧電体層70の形成後1日経過後の圧電体層70の表面を、金属顕微鏡を用いて倍率1000倍に設定し暗視野で観察した結果を示す。実施例1の結果を図13に、比較例1の結果を図14に示す。圧電体層70の第1電極60側の界面にパイロクロア型構造の白金酸ビスマスからなる酸化物部65が形成されている実施例1~4では、クラックが確認されなかった。これに対し、圧電体層70の第1電極60側の界面にパイロクロア型構造の白金酸ビスマスからなる酸化物部65が形成されていない比較例1及び2では、24時間経過後にクラックの発生が確認された。他の実施形態以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明の基本的構成は上述したものに限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、流路形成基板10として、シリコン単結晶基板を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、SOI基板、ガラス等の材料を用いるようにしてもよい。さらに、上述した実施形態では、基板流路形成基板10上に第1電極60、圧電体層70及び第2電極80を順次積層した圧電素子300を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、圧電材料と電極形成材料とを交互に積層させて軸方向に伸縮させる縦振動型の圧電素子にも本発明を適用することができる。また、これら実施形態のインクジェット式記録ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載される。図15は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。図15に示すインクジェット式記録装置IIにおいて、インクジェット式記録ヘッドIを有する記録ヘッドユニット1A及び1Bは、インク供給手段を構成するカートリッジ2A及び2Bが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3は、装置本体4に取り付けられたキャリッジ軸5に軸方向移動自在に設けられている。この記録ヘッドユニット1A及び1Bは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。そして、駆動モーター6の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト7を介してキャリッジ3に伝達されることで、記録ヘッドユニット1A及び1Bを搭載したキャリッジ3はキャリッジ軸5に沿って移動される。一方、装置本体4にはキャリッジ軸5に沿ってプラテン8が設けられており、図示しない給紙ローラーなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートSがプラテン8に巻き掛けられて搬送されるようになっている。なお、上述した実施形態では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレイ、FED電界放出ディスプレイ等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。また、本発明は、インクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドに搭載される圧電素子に限られず、超音波発信機等の超音波デバイス、超音波モーター、赤外センサー、超音波センサー、感熱センサー、圧力センサー、焦電センサー、加速度センサー、ジャイロセンサー等の各種センサー等の圧電素子にも適用することができる。また、本発明は強誘電体メモリー等の強誘電体素子や、マイクロ液体ポンプ、薄膜セラミックスコンデンサー、ゲート絶縁膜等にも同様に適応することができる。"