"基材の上に熱分解性の樹脂層を形成する工程と、前記熱分解性の樹脂層上に、主面に複数の埋込導電部が設けられた基板と、前記基板上の前記埋込導電部に電気的に接続する第1の半導体素子と、を含む構造体を複数配置し、前記熱分解性の樹脂層を介して前記基材と前記構造体とを固定する工程と、半導体封止用樹脂組成物を用いて、前記熱分解性の樹脂層上の複数の前記構造体を封止する封止材層を形成する工程と、加熱処理により前記熱分解性の樹脂層を分解して、前記封止材層から前記基材を分離することにより、前記構造体の前記基板の裏面を露出させる工程と、前記基板の前記裏面を研削して、前記裏面に埋込導電部を露出させて、貫通プラグとする工程と、を含む、半導体装置の製造方法。前記封止材層を形成する前記工程において、前記半導体封止用樹脂組成物を加熱する温度が、前記熱分解性の樹脂層が熱分解する温度よりも低い、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記加熱処理は、200°C以上400°C以下の温度範囲で行う、請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。前記熱分解性の樹脂層の5重量減少温度が400°C以下である、請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記熱分解性の樹脂層が、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリウレタン系樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む、請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記熱分解性の樹脂層が、光酸発生剤を含む、請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記ポリカーボネート系樹脂が、プロピレンカーボネート、シクロヘキシレンカーボネート、ブチレンカーボネート、ノルボルネンカーボネートからなる群より選ばれる少なくとも1種以上の構造単位を含む、請求項5に記載の半導体装置の製造方法。前記基材と前記構造体とを固定する前記工程において、前記第1の半導体素子の一面に複数の第1の埋込導電部が設けられており、前記第1の半導体素子の前記第1の埋込導電部と前記シリコンウエハの前記埋込導電部とが電気的に接続しており、前記封止材層を形成する前記工程後、前記封止材層の上面とともに前記第1の半導体素子の他面を研削して、前記第1の半導体素子の前記他面に前記第1の埋込導電部を露出させて、第1の貫通プラグとする工程と、前記第1の半導体素子の前記他面上に、前記第1の貫通電極と電気的に接続する第2の半導体素子を設ける工程と、前記半導体封止用樹脂組成物を用いて、前記第1の半導体素子の前記他面に設けられた前記第2の半導体素子を封止する封止材層を形成する工程と、をさらに含む、請求項1から7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記基材と前記構造体とを固定する前記工程において、前記基板上に、前記埋込導電部と電気的に接続するように前記第1の半導体素子を設ける工程と、前記基板および前記第1の半導体素子を含む前記構造体を、前記熱分解性の樹脂層上に、複数配置する工程と、を含む、請求項1から8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。複数の前記構造体が埋め込まれており、前記貫通プラグが露出している前記封止材層の一面上に絶縁樹脂層を形成する工程と、前記絶縁樹脂層上に配線回路を形成する工程と、を含む、請求項1から9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。請求項1から10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法で得られた、半導体装置。本発明者が検討した結果、上記技術においては、シリコン基板上にチップが実装されているので、チップ当たりのシリコン基板の面積は限定されている。このため、チップとシリコン基板との面積比を自由に設計することが困難であることが判明した。本発明は以下のものを含む。[1]基材の上に熱分解性の樹脂層を形成する工程と、前記熱分解性の樹脂層上に、主面に複数の埋込導電部が設けられた基板と、前記基板上の前記埋込導電部に電気的に接続する第1の半導体素子と、を含む構造体を複数配置し、前記熱分解性の樹脂層を介して前記基材と前記構造体とを固定する工程と、半導体封止用樹脂組成物を用いて、前記熱分解性の樹脂層上の複数の前記構造体を封止する封止材層を形成する工程と、加熱処理により前記熱分解性の樹脂層を分解して、前記封止材層から前記基材を分離することにより、前記構造体の前記基板の裏面を露出させる工程と、前記基板の前記裏面を研削して、前記裏面に埋込導電部を露出させて、貫通プラグとする工程と、を含む、半導体装置の製造方法。[2]前記封止材層を形成する前記工程において、前記半導体封止用樹脂組成物を加熱する温度が、前記熱分解性の樹脂層が熱分解する温度よりも低い、[1]に記載の半導体装置の製造方法。[3]前記加熱処理は、200°C以上400°C以下の温度範囲で行う、[1]または[2]に記載の半導体装置の製造方法。[4]前記熱分解性の樹脂層の5重量減少温度が400°C以下である、[1]から[3]のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。[5]前記熱分解性の樹脂層が、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリウレタン系樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む、[1]から[4]のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。[6]前記熱分解性の樹脂層が、光酸発生剤を含む、[1]から[5]のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。[7]前記ポリカーボネート系樹脂が、プロピレンカーボネート、シクロヘキシレンカーボネート、ブチレンカーボネート、ノルボルネンカーボネートからなる群より選ばれる少なくとも1種以上の構造単位を含む、[5]に記載の半導体装置の製造方法。[8]前記基材と前記構造体とを固定する前記工程において、前記第1の半導体素子の一面に複数の第1の埋込導電部が設けられており、前記第1の半導体素子の前記第1の埋込導電部と前記シリコンウエハの前記埋込導電部とが電気的に接続しており、前記封止材層を形成する前記工程後、前記封止材層の上面とともに前記第1の半導体素子の他面を研削して、前記第1の半導体素子の前記他面に前記第1の埋込導電部を露出させて、第1の貫通プラグとする工程と、前記第1の半導体素子の前記他面上に、前記第1の貫通電極と電気的に接続する第2の半導体素子を設ける工程と、前記半導体封止用樹脂組成物を用いて、前記第1の半導体素子の前記他面に設けられた前記第2の半導体素子を封止する封止材層を形成する工程と、をさらに含む、[1]から[7]のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。[9]前記基材と前記構造体とを固定する前記工程において、前記基板上に、前記埋込導電部と電気的に接続するように前記第1の半導体素子を設ける工程と、前記基板および前記第1の半導体素子を含む前記構造体を、前記熱分解性の樹脂層上に、複数配置する工程と、を含む、[1]から[8]のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。[10]複数の前記構造体が埋め込まれており、前記貫通プラグが露出している前記封止材層の一面上に絶縁樹脂層を形成する工程と、前記絶縁樹脂層上に配線回路を形成する工程と、を含む、[1]から[9]のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。[11][1]から[10]のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法で得られた、半導体装置。本発明によれば、設計の自由度に優れた半導体装置およびその製造方法が提供される。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。本実施の形態の半導体装置について説明する。図1は、本実施の形態のウエハレベルパッケージ130の一例を模式的に示す断面図および上面図である。図1aは、図1bのAA断面図である。また、図2は、本実施の形態の積層パッケージ100の一例を模式的に示す断面図である。図1aに示すように、本実施の形態のウエハレベルパッケージ130は、疑似ウエハ111と疑似ウエハ111上に設けられた配線層129とを備える。疑似ウエハ111は、薄層シリコン基板101、貫通プラグ105、半導体チップ108、封止材層110を含む。薄層シリコン基板101には、その主面から裏面まで貫通する貫通プラグ105が複数設けられている。半導体チップ108は、薄層シリコン基板101の主面の面内方向に、少なくとも1個以上設けられており、貫通プラグ105と電気的に接続されている。この半導体チップ108およびシリコン基板102は、その側壁および上面を含む周囲が封止材層110により封止されている。疑似ウエハ111においては、一面側には、面内方向において、複数の貫通プラグ105を有する薄層シリコン基板101が複数形成されている。配線層129は、第1の絶縁層112、導電層118、導電体122、第2の絶縁層124、バンプ128を含む。バンプ128は、導電体122および導電層118を介して、貫通プラグ105と電気的に接続する。導電層118は、第1の絶縁層112の凹部に設けられている。導電体122は、その周囲を第1の絶縁層112および第2の絶縁層124で覆われている。図1bに示すように、封止材層110の一面には、その面内方向において、薄層シリコン基板101が埋め込まれている。各薄層シリコン基板101には、半導体チップ108が1以上配置されている。封止材層110の形状は、特に限定されないが、平面視において、円形、矩形、正方形などが好ましい。また、薄層シリコン基板101の形状は、特に限定されないが、平面視において、矩形や正方形であることが好ましく、一部が円弧状であってもよい。半導体チップ108を実装した薄層シリコン基板101は、特に限定されないが、平面視において、縦横方向における配置数が同一でも異なってもよく、密度の向上や単位半導体チップ当たりの端子面積を確保する等の各種の観点から、点対称や格子状等に配置されてもよい。また、複数の薄層シリコン基板101および半導体チップ108は、同一材料の封止材層110により一括して覆われている。また、封止材層110の面内方向において、縦方向の間隔L1および縦方向に直交する横方向の間隔L2で、薄層シリコン基板101が配置されている。このため、封止材層110の一面において、薄層シリコン基板101の配置数を自由に設計できる。言い換えると、封止材層110の一面において、薄層シリコン基板101の実装面積を、実装面積が制限されているシリコンウエハの上に実装する場合と比較して、自由に増減することが可能となる。したがって、本実施の形態では、半導体チップ108の面積に対して、薄層シリコン基板101の実装面積を自由に設計できるので、パッケージの自由度が優れた半導体装置が得られる。また、その効果の一つとして、L1およびL2の間隔を増大させることで、配線層129を形成する面積を増大させることができる。これにより、薄層シリコン基板101あたりの端子エリアを所望の面積とすることができる。図2に示すように、積層パッケージ100は、インターポーザ132と、インターポーザ132上に配線回路134を介して実装された電子装置140とを含む。この電子装置140は、ウエハレベルパッケージ130を個片化して得られる。この電子装置140は、バンプ128および配線回路134を介してインターポーザ132と電気的に接続されている。インターポーザ132は、電子装置140を支持する基板である。インターポーザ132の平面視の形状は、特に限定されないが、正方形、長方形等の四角形状が好ましい。インターポーザ132の上面一方の面には、例えば、銅等の導電性金属材料で構成される配線回路134が、所定形状で設けられている。また、図2に示すように、薄層シリコン基板101と半導体チップ108とは接続部220図1では不図示を介して電気的に接続されており、接着層210により固定されていることが好ましい。接続部220の周囲は、接着層210に覆われている。接着層210は、例えば、半導体チップ108の直下のみに設けられている。次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法について説明する。図3~図6は、半導体装置の製造手順の一例を示す工程断面図である。本実施の形態の半導体装置の製造方法は、次の工程を含むことが好ましい。まず疑似ウエハ111を形成する。次いで、疑似ウエハ111上に配線層を形成して、ウエハレベルパッケージ130を得る。このウエハレベルパッケージ130を個片化して、電子装置140を得る。この電子装置140を実装基板上に実装することにより、積層パッケージ100を得る。以下、各工程について詳述する。[疑似ウエハ111の形成工程]疑似ウエハ111を形成する工程は、以下の工程を含む。まず、基材10の上に熱分解性の樹脂層20を形成する。続いて、熱分解性の樹脂層20上に、主面に複数の埋込導電部106が設けられた基板シリコン基板102と、シリコン基板102上の埋込導電部106に電気的に接続する第1の半導体素子半導体チップ108と、を含む構造体を複数配置し、熱分解性の樹脂層20を介して基材10と構造体とを固定する。続いて、半導体封止用樹脂組成物を用いて、熱分解性の樹脂層20上の複数の構造体を封止する封止材層110を形成する。続いて、加熱処理により熱分解性の樹脂層20を分解して、封止材層110から基材10を分離することにより、構造体のシリコン基板102の裏面を露出させる。この後、シリコン基板102の裏面を研削して、裏面に埋込導電部106を露出させて、貫通プラグ105とする。以下、疑似ウエハ111形成工程の詳細を説明する。構造体の固定工程まず、図3aに示すように、板状のシリコンウエハ30を用意する。続いて、このシリコンウエハ30の主面に、複数の非貫通孔104を形成する。非貫通孔104の間隔は、特に限定されないが、シリコンウエハ30上に実装されるチップの配置間隔やチップサイズ、単位面積当たりのチップの実装用IO入出力バンプ数に応じて適切に設定する。非貫通孔104の直径は、基板の厚さや所望の用途に応じて適切に設定され、所望の配線に応じて決めることができるが、例えば、10μm~50μm程度とすることができる。また、深さ方向の断面視における非貫通孔104の形状は、特に限定されないが、楕円形、円形、三角形、矩形、多角形、順テーパ形状、逆テーパ形状等が好ましい。この非貫通孔104の形成には、化学的除去方法や物理的な除去方法等の各種の除去方法が用いられる。除去方法としては、例えば、Deep-ReactiveIonEtchingDRIE法等のドライエッチング法、水酸化カリウムKOH水溶液などの薬液を用いたウェットエッチング法、レーザーエッチング法、マイクロドリル等を用いた機械加工法、光励起電解研磨法等が挙げられる。また、シリコンウエハ30に非貫通孔104を形成する前に、シリコンウエハ30上を保護層で覆ってもよい。次いで、図3bに示すように、非貫通孔104の内部に導電性材料を充填して、埋込導電部106を形成する。これにより、シリコンウエハ30の主面に複数の埋込導電部106を形成する。埋込導電部106を構成する導電性材料としては、特に限定されないが、例えば、銅Cu、銀Ag、ニッケルNi、錫Sn、インジウムIn、ポリシリコン等の金属材料、また金錫合金、錫鉛Sn-Pb合金、錫Sn、鉛Pb、金Au、インジウムIn、アルミニウムAlなどの合金はんだを使用することができる。これらの合金の組成は適切に設定できる。また、導電性材料の非貫通孔104への充填方法については、例えば、溶融金属吸引法、めっき法、または印刷法等を用いることができる。また、シリコンウエハ30の表面上並びに非貫通孔104の側壁上および底部上に、絶縁層を形成し、この絶縁層上に埋込導電部106を形成してもよい。この絶縁層としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコンや絶縁樹脂など、他の絶縁材料等を用いることができる。絶縁層の形成方法としては、特に限定されないが、熱酸化法やプラズマCVD法などを用いることができる。これにより、十分な絶縁耐圧が得られる。図3Cに示すように、シリコンウエハ30上に半導体素子半導体チップ108を実装する。この半導体チップ108と埋込導電部106とを電気的に接続する。半導体チップ108としては、ロジックやDRAM等の各種半導体チップを用いることができる。半導体チップ108の他に、シリコン基板102の主面に配置する半導体素子として抵抗素子やコンデンサ等を用いてもよい。この後、シリコンウエハ30を、単独の半導体チップ108毎に分割してもよいし、複数の半導体チップ108単位で分割してもよい。これにより、シリコン基板102の実装面積と半導体チップ108の面積を所定比に設計された構造体が複数得られる。また、シリコンウエハ30を複数に分割した後、シリコン基板102上に1以上の半導体チップ108を実装してもよい。ここで、シリコン基板102の主面に半導体チップ108が実装した構造体を得る工程について、図7を用いて詳述する。図7は、図3aに示す半導体装置の製造手順を示す工程断面図の一部の拡大図である。半導体チップ108を実装する工程では、例えば、第一準備工程、第二準備工程、接着層形成工程、位置合わせ工程、および接合工程を含む。第1の準備工程は、電極パッド208が先端に搭載された貫通プラグ105を主面に備えるシリコンウエハ30を用意する。第2の準備工程は、先端にバンプ206が設けられた電極パッド204を有する、半導体チップ108を用意する。接着層形成工程は、フラックス活性化合物を含有する接着層210を、シリコンウエハ30の主面または半導体チップ108の表面の少なくとも一方に配置して、電極パッド208または半田バンプ206を覆う図7a。位置合わせする工程は、電極パッド208と半田バンプ206とを対向させた状態で、シリコンウエハ30と半導体チップ108とを加熱状態で圧接して、シリコンウエハ30と半導体チップ108とを接着層210で接合するともに、電極パッド208と半田バンプ206とを位置合わせする図7b。接合工程は、半田バンプ206を加熱溶融して半田バンプ206と電極パッド208とを金属接合する図7c。以下、各実装工程を詳述する。第1の準備工程において、例えば、シリコンウエハ30の貫通プラグ105上に電極パッド208を形成することが好ましい。この電極パッド208は、2層以上の多層構造を有することが好ましい。これにより、貫通プラグ105の金属の拡散を防止できる。例えば、電極パッド208は、Au/Ni/Crの3層からなる金属薄膜であって、Cr層が埋込導電部106に接触する多層膜を用いることができる。また、電極パッド208としては、他の材料からなる金属薄膜や、ペーストの塗布などにより形成された導体層などを用いることができる。次いで、第2の準備工程において、例えば、電極パッド204の先端には、その一部または全部を覆うように半田バンプ206が設けられていることが好ましい。この半田バンプ206は、電極パッド208と一対一の関係で電気的に接続される。電極パッド204は、金属材で構成されており、例えば、電極パッド208と同様の金属で構成されていることが好ましい。ここで、本実施の形態においては、電極パッド204上に半田バンプ206が設けられているが、電極パッド208上に半田バンプ206が設けられていてもよく、両側のパッド上に半田バンプ206が設けられていてもよい。半田バンプ206を構成する材料は、後述のバンプ128と同様である。また、電極パッド204または電極パッド208の形状は、特に限定されないが、円柱形の他に、円錐、多角柱、多角錐、鋲形状等とすることができる。次いで、接着層形成工程は、フラックス活性化合物を含有するペースト状の接着層用組成物をシリコンウエハ30の主面または半導体チップ108の表面に塗布するか、またはフィルム状に成形された接着層210をシリコンウエハ30の主面または半導体チップ108の表面に貼付しておこなうことが好ましい図7a。ペースト状の接着層用組成物を塗布する手段としては、特に限定されないが、たとえばディスペンサーを用いることができる。塗布量は、特に限定されないが、例えば、シリコンウエハ30の主面または半導体チップ108の表面全体を覆うような量とする。一方、接着層210は、半田バンプ206を完全に覆うよう、半導体チップ108の表面の実質的に全面に被着されていてもよい。このようなフィルム状に成形された接着層210を得るには、例えばペースト状の接着層用組成物を塗布、乾燥して得る方法、フィルム状の接着層用組成物をラミネートする方法等が挙げられる。本実施の形態に係る接着層用組成物は、例えば、熱硬化性樹脂、及びフラックス活性を有する化合物を含む。熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、メタアクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂等が用いられる。中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるエポキシ樹脂が好適に用いられる。エポキシ樹脂は、室温で固形のエポキシ樹脂と、室温で液状のエポキシ樹脂のいずれを用いてもよい。また、室温で固形のエポキシ樹脂と、室温で液状のエポキシ樹脂とを併用しても良い。これにより、樹脂の溶融挙動の設計自由度をさらに高めることができる。室温で固形のエポキシ樹脂としては、特に限定されるものではなく、例えばビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、3官能エポキシ樹脂、4官能エポキシ樹脂等が挙げられる。さらに具体的には、固形3官能エポキシ樹脂とクレゾールノボラック型エポキシ樹脂とを含んでもよい。また、室温で液状のエポキシ樹脂は、ビスフェノールA型エポキシ樹脂またはビスフェノールF型エポキシ樹脂とすることができる。また、これらを組み合わせて用いてもよい。熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、接着層用組成物全体の25~75重量が好ましく、特に45~70重量が好ましい。含有量が前記範囲内であると、良好な硬化性が得られると共に、良好な溶融挙動の設計が可能となる。フラックス活性を有する化合物は、接続を阻害する半田バンプなどの電極端子表面の酸化膜を還元し、酸化膜を取り除く還元力を有する機能を有するものである。フラックス活性を有する化合物としては、例えば分子中にカルボキシル基および/またはフェノール性水酸基が少なくとも1つ以上存在する化合物をいい、液状であっても固体であってもよい。カルボキシル基を含有するフラックス活性化合物としては、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。フェノール性水酸基を有するフラックス活性化合物としては、フェノール類が挙げられる。脂肪族酸無水物としては、例えば無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。脂環式酸無水物としては、例えばメチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。芳香族酸無水物としては、例えば無水フタル酸無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート等が挙げられる。脂肪族カルボン酸としては、下記式25で示される化合物が挙げられる。また、フラックス活性、接着時のアウトガス及び接着剤の硬化後の弾性率やガラス転移温度のバランスから、上記式25中のnは、3以上10以下が好ましい。nを3以上とすることにより、接着剤の硬化後の弾性率の増加を抑制し、被接着物との接着性を向上させることができる。また、nを10以下とすることにより、弾性率の低下を抑制し、接続信頼性をさらに向上させることができる。上記式25で示される化合物として、例えばn=3のグルタル酸HOOC-CH23-COOH、n=4のアジピン酸HOOC-CH24-COOH、n=5のピメリン酸HOOC-CH25-COOH、n=8のセバシン酸HOOC-CH28-COOHおよびn=10のHOOC-CH210-COOH-が挙げられる。他の脂肪族カルボン酸としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸等が挙げられる。芳香族カルボン酸としては、例えば安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレートニ酸、ピロメリット酸、メリット酸、トリイル酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、サリチル酸、2,3-ジヒドロキシ安息香酸、2,4-ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸2,5-ジヒドロキシ安息香酸、2,6-ジヒドロキシ安息香酸、3,5-ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸3,4,5-トリヒドロキシ安息香酸、1,4-ジヒドロキシ-2-ナフトエ酸、3,5-ジヒドロキシ-2-ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体;フェノールフタリン;ジフェノール酸等が挙げられる。フェノール性水酸基を有するフラックス活性化合物としては、例えばフェノール、o-クレゾール、2,6-キシレノール、p-クレゾール、m-クレゾール、o-エチルフェノール、2,4-キシレノール、2,5キシレノール、m-エチルフェノール、2,3-キシレノール、メジトール、3,5-キシレノール、p-ターシャリブチルフェノール、カテコール、p-ターシャリアミルフェノール、レゾルシノール、p-オクチルフェノール、p-フェニルフェノール、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールAF、ビフェノール、ジアリルビスフェノールF、ジアリルビスフェノールA、トリスフェノール、テトラキスフェノール等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類、フェノールノボラック樹脂、o-クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールFノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂等が挙げられる。フラックス活性化合物は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂との反応で三次元的に取り込まれるため、1分子中にエポキシ樹脂に付加することができる少なくとも2個のフェノール性水酸基と、金属酸化膜にフラックス作用を示す芳香族に直接結合したカルボキシル基を一分子中に少なくとも1個有する化合物が好ましい。このような化合物としては、例えば2,3-ジヒドロキシ安息香酸、2,4-ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸2,5-ジヒドロキシ安息香酸、2,6-ジヒドロキシ安息香酸、3,4-ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸3,4,5-トリヒドロキシ安息香酸等の安息香酸誘導体;1,4-ジヒドロキシ-2-ナフトエ酸、3,5-ジヒドロキシ-2-ナフトエ酸、3,7-ジヒドロキシ-2-ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体;フェノールフタリン;およびジフェノール酸等が挙げられる。これらのフラックス活性化合物は、単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。フラックス活性を有する化合物の含有量は、特に限定されないが、フラックス活性を向上させる観点では、接着層用組成物全体の1重量以上とすることが好ましく、特に5重量以上とすることが好ましい。熱硬化樹脂と未反応のフラックス活性化合物が残留していると、マイグレーションの原因となる。したがって、熱硬化性樹脂と反応しないフラックス活性化合物が残らないようにするためには、フラックス活性化合物の含有量は、特に限定されないが、接着層用組成物全体の30重量以下とすることが好ましく、特に25重量以下とすることが好ましい。上記範囲内であると、銅箔表面の酸化膜を還元し強度の大きい良好な接合が得られる。接着層用組成物は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂の硬化剤を含むことが好ましい。硬化剤としては、例えばフェノール類、アミン類、チオール類が挙げられる。熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂が用いられる場合、このエポキシ樹脂との良好な反応性、硬化時の低寸法変化および硬化後の適切な物性例えば、耐熱性、耐湿性等が得られるという点で、フェノール類が好適に用いられる。フェノール類としては、特に限定されるものではないが、接着剤の硬化後の物性を考えた場合、2官能以上が好ましい。例えばビスフェノールA、テトラメチルビスフェノールA、ジアリルビスフェノールA、ビフェノール、ビスフェノールF、ジアリルビスフェノールF、トリスフェノール、テトラキスフェノール、フェノールノボラック類、クレゾールノボラック類等が挙げられるが、溶融粘度、エポキシ樹脂との反応性および硬化後の物性を考えた場合、フェノールノボラック類およびクレゾールノボラック類を好適に用いることができる。硬化剤としてフェノールノボラック類が用いられる場合、その含有量は特に限定されないが、樹脂を確実に硬化させる観点では、接着層用組成物全体の5重量以上とすることが好ましく、特に10重量以上とすることが好ましい。エポキシ樹脂と未反応のフェノールノボラック類が残留していると、マイグレーションの原因となる。したがって、残渣として残らないようにするためには、接着層用組成物全体の30重量以下とすることが好ましく、特に25重量以下とすることが好ましい。熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である場合、フェノールノボラック樹脂の含有量は、エポキシ樹脂に対する当量比で規定してもよい。具体的には、エポキシ樹脂に対するフェノールノボラック類の当量比は、特に限定されないが、0.5以上、1.2以下が好ましく、特に0.6以上、1.1以下が好ましく、最も0.7以上、0.98以下が好ましい。エポキシ樹脂に対するフェノールノボラック樹脂の当量比を上記下限値以上とすることで、硬化後の耐熱性、耐湿性を確保することができ、この当量比を上記上限値以下とすることで、硬化後のエポキシ樹脂と未反応の残留フェノールノボラック樹脂の量を低減することができ、耐マイグレーション性が良好となる。他の硬化剤としては、例えば融点が150°C以上のイミダゾール化合物を使用することができる。イミダゾール化合物の融点が低すぎると、半田粉が電極表面へ移動する前に接着剤の樹脂が硬化してしまい接続が不安定になったり、接着剤の保存性が低下したりする場合がある。そのため、イミダゾールの融点は150°C以上が好ましい。融点が150°C以上のイミダゾール化合物として、例えば2-フェニルヒドロキシイミダゾール、2-フェニル-4-メチルヒドロキシイミダゾール等が挙げられる。なお、イミダゾール化合物の融点の上限に特に制限はなく、接着剤の接着温度に応じて適宜設定することができる。硬化剤としてイミダゾール化合物が使用される場合、その含有量は特に限定されないが、接着層用組成物全体の0.005重量以上、10重量以下とすることが好ましく、特に0.01重量以上、5重量以下とすることが好ましい。イミダゾール化合物の含有量を前記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂の硬化触媒としての機能をさらに効果的に発揮させて、接着剤の硬化性を向上させることができる。また、イミダゾール化合物の含有量を上記上限値以下とすることにより、半田が溶融する温度において樹脂の溶融粘度が高すぎず、良好な半田接合構造が得られる。また、接着剤の保存性をさらに向上させることができる。これらの硬化剤は、単独で用いてもよいし、2種類以上を組み合わせて用いても良い。接着層用組成物は、特に限定されないが、製膜性樹脂を含むことが好ましい。これにより、フィルムへの製膜性を向上することができる。製膜性樹脂としては、例えばフェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン、ポリプロピレン、スチレン-ブタジエン-スチレン共重合体、スチレン-エチレン-ブチレン-スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル-ブタジエン共重合体、アクリロニトリル-ブタジエン-アクリル酸共重合体、アクリロニトリル-ブタジエン-スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン、アクリルゴム等を用いることができる。これらは、単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。製膜性樹脂として、フェノキシ樹脂が用いられる場合、その数平均分子量は、特に限定されないが、5,000~15,000であるフェノキシ樹脂が好ましい。このようなフェノキシ樹脂を用いることにより、硬化前の接着剤の流動性を抑制し、層間厚みを均一にすることができる。フェノキシ樹脂の骨格は、ビスフェノールAタイプ、ビスフェノールFタイプ、ビフェニル骨格タイプなどが挙げられるが、これらに限定されない。好ましくは、飽和吸水率が1以下であるフェノキシ樹脂が、接合時や半田実装時の高温下においても発泡や剥離などの発生を抑えることができるため、好ましい。また、製膜性樹脂として、接着性や他の樹脂との相溶性を向上させる目的で、ニトリル基、エポキシ基、水酸基、カルボキシル基等の官能基を有するものを用いてもよく、このような樹脂として、例えば官能基を有するアクリルゴムを用いることができる。製膜性樹脂として、官能基を有するアクリルゴムが用いられる場合、フィルム状の接着剤を作製する際の成膜安定性を向上させることができる。また、接着剤の弾性率を低下させ、被接着物と接着剤間の残留応力を低減することができるため、被接着物に対する密着性を向上させることができる。製膜性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の5重量以上、45重量以下とすることが好ましい。製膜性樹脂が前記範囲内で配合される場合、成膜性の低下が抑制されるとともに、接着剤の硬化後の弾性率の増加が抑制されるため、被接着物との密着性をさらに向上させることができる。また、上記範囲内とすることにより、接着剤の溶融粘度の増加が抑制される。また、接着層用組成物は、特に限定されないが、シランカップリング剤を含むことが好ましい。これにより、接着剤の被接着物への密着性をさらに高めることができる。シランカップリング剤としては、例えばエポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が挙げられる。これらは単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。シランカップリング剤の含有量は、特に限定されないが、接着層用組成物全体の0.01~5重量が好ましく、特に0.1~1重量が好ましい。含有量が前記範囲内であると、密着性を向上する効果に特に優れる。接着層用組成物は、上記以外の成分を含んでいてもよい。たとえば、樹脂の相溶性、安定性、作業性等の各種特性向上のため、各種添加剤を適宜添加してもよい。このような接着層用組成物をトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系有機溶剤、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系有機溶剤に溶解し、得られたワニスをポリエステルシートに塗布し、上記溶剤が揮発する温度で乾燥させて、接着剤シートを作製することで、ポリエステルシートに形成された接着層210を得る。次いで、半導体チップ108の半田バンプ206と、シリコンウエハ30の電極パッド208とが当接するように位置合わせしながら搭載する図7b、c。この搭載は、半導体チップ108とシリコンウエハ30とをリフロー温度で加熱し、互いに圧接して行うことが好ましい。この際、半田バンプ206の周囲が接着層210で覆われているため、半田バンプ206の表面の酸化膜を除去しながら、半田バンプ206と電極パッド204とを半田接続することが可能となる。これにより、半導体チップ108とシリコンウエハ30とは、接続部220を介して電気的に接続される。接合する条件は、特に限定されないが、リフロー温度を半田材料の融点の10°C~100°Cに設定し、1~30秒加熱することが好ましい。このとき、半導体チップ108側からのみの加熱であればより好ましい。これにより、シリコンウエハ30への熱ストレスを低減でき、チップとの線膨張係数差によって発生する反りを低減し、さらには揮発性ボイドも抑制することができるからである。次いで、接着層210を、加熱して硬化させる。これにより、電極パッド204、半田バンプ206及び電極パッド208から構成される接続部220の周囲を封止できるので、接続信頼性を向上させることができる。硬化条件は、使用する接着層用組成物に応じて適切に選択でき、特に限定されないが、例えば、100~200°Cで30~180分間が好ましく、特に120~170°Cで60~150分間が好ましい。たとえば、硬化温度としては、接着層用組成物の硬化物のガラス転移温度以上とする。接着層用組成物の硬化物のガラス転移温度は、特に限定されないが、例えば、20°C~300°Cであることが好ましく、50°C~150°Cであることが特に好ましい。以上、図7に示す実装工程により、一括して、シリコンウエハ30と半導体チップ108とを接続部220で電気的に接続しつつ、接着固定することができる。ダイシング位置やシリコンウエハ30当たりの半導体チップ108の個数や面積を調整することにより、一括して、シリコン基板102の実装面積と半導体チップ108の面積との面積比が異なる構造体が複数得られる。また、かかる面積比が同一の構造体のみを複数得てもよい。次いで、基材10を用意する。基材10は、封止材層110におけるシリコン基板102の埋め込み数や面積に応じて、各種の面積および形状を用いることが好ましく平坦性、剛直性および耐熱性を有している犠牲材が好ましい。基材10としては、特に限定されるものはなく、シリコンウエハ、透明基材、セラミック板、ステンレス板、銅板、等の金属板等のダミー基材が挙げられる。これらの中でも、後述する、封止材層形成工程や配線層形成工程での作業性および現状の設備が利用できる利便性に優れるシリコンウエハが好ましい。また、詳しくは後述するが、熱分解性の樹脂層20に対し、活性エネルギー線を照射する必要がある場合には、基材10は、活性エネルギー線を透過する透明基材であることが好ましい。次に、基材10上に熱分解性の樹脂層20を形成する。熱分解性の樹脂層20を形成する方法としては、特に限定されるわけではないが、液状の熱分解性の樹脂組成物ワニスをスピンコート法、印刷法、ディスペンス法で形成する方法、フィルム状の熱分解性の樹脂組成物をラミネートする方法等が挙げられる。これらの中で、スピンコート方法およびラミネート方法が好ましい。これにより、熱分解性の樹脂層20の膜厚を均一にすることができる。液状の熱分解性の樹脂組成物をスピンコート法、印刷法、ディスペンス法で形成する方法としては、特に限定されるわけではなく、室温で液状の熱分解性の樹脂組成物または室温で固形の熱分解性の樹脂組成物を溶剤や希釈剤に溶解させたワニス状の熱分解性の樹脂組成物を、公知のスピンコーター、印刷機、ディスペンサーを用い形成することができる。また、フィルム状の熱分解性の樹脂組成物をラミネートする方法としては、特に限定されるわけではないが、ワニス状の熱分解性の樹脂組成物をポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の基材フィルムに塗布および乾燥することによりフィルム状の熱分解性の樹脂組成物を作製し、次いで、公知のラミネータ等を用いることによりフィルム状の熱分解性の樹脂組成物を形成することができる。熱分解性の樹脂層20は、熱分解性の樹脂組成物で構成される。ここで、熱分解性の樹脂層20を構成する熱分解性の樹脂組成物に含まれる熱分解性の樹脂成分の5重量減少温度が400°C以下、特に、350°C以下であることが好ましい。5重量減少温度を上記範囲とすることで、熱分解性の樹脂層20を熱分解する際に、半導体チップ108や封止材層110への熱の影響を少なくすることができる。例えば、5重量減少温度を上記範囲とし、加熱時間を調整することで、400°Cを超える加熱を行わずに、熱分解性の樹脂層20を熱分解することができる。なお、熱分解性の樹脂成分の5重量減少温度を上記温度範囲とするためには、たとえば、脂環族や芳香族の骨格を有さない直鎖または分岐状の熱分解性樹脂成分を選択すればよい。また、熱分解性の樹脂層20を構成する熱分解性の樹脂組成物に含まれる熱分解性の樹脂成分の熱分解させる温度における重量減少は1以上、特に、5以上が好ましい。これにより、半導体チップ108に付着する熱分解性の樹脂層20の残渣を低減することができる。すなわち、熱分解させる温度における重量減少を上記範囲とすることで、加熱時間を調整することにより熱分解性の樹脂層20を熱分解させることができる。ここで、熱分解性の樹脂成分の熱分解させる温度における重量減少は、TG/DTA熱重量/示差熱分析、雰囲気:窒素、昇温速度:5°C/分で測定される値である。また、熱分解性の樹脂層20を構成する熱分解性の樹脂組成物に含まれる熱分解性樹脂成分は、5重量減少温度が50°C以上、特に、100°C以上である熱分解性樹脂成分であることが好ましい。これにより、封止材層110を形成し、さらに、封止材層110を硬化させるプロセス中に熱分解性の樹脂層20が不要に熱分解してしまうことを抑制できる。なお、5重量減少温度を50°C以上とするためには、たとえば、熱分解性樹脂成分の分子量を調整すればよい。ここで、5重量減少温度とは、それぞれTG/DTA熱重量/示差熱分析で測定した時の5の重量が失われる温度を意味する。TG/DTA測定は、熱分解性の樹脂成分を約10mg精秤し、TG/DTA装置セイコーインスツルメンツ社製により測定雰囲気:窒素、昇温速度:5°C/分することができる。さらに、熱分解性の樹脂成分は、上述のように、加熱することにより熱分解し、揮発するタイプの熱分解性の樹脂成分以外に、熱分解性の樹脂成分を加熱することにより低分子化が進行し、熱分解性樹脂成分の溶融粘度および軟化温度が低下するタイプの熱分解性の樹脂成分も使用することができる。熱分解性の樹脂層20を構成する熱分解性の樹脂組成物の熱分解性の樹脂成分としては、例えば、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリウレタン系樹脂等が挙げられる。これらの樹脂成分の中でも、熱分解性の樹脂層20の熱分解時間を効果的に短縮することができる、ポリカーボネート系樹脂が好ましい。なお、熱分解性の樹脂層20を構成する熱分解性の樹脂組成物は1種類の樹脂のみから構成されていてもよく、また、2種以上の樹脂を含んでいてもよい。また、熱分解性の樹脂層20は、光酸発生剤を含有してもよい。ここで、ポリカーボネート系樹脂とは、少なくとも主鎖にカーボネート基-O-C=O-O-を構造単位として有する樹脂であり、他の構造単位を有していてもよい。また、ポリエステル系樹脂とは、少なくとも主鎖にエステル基-C=O-O-を構造単位として有する樹脂であり、他の構造単位を有していてもよい。また、ポリアミド系樹脂とは、少なくとも主鎖にアミド結合-NH-C=O-を構造単位として有する樹脂であり、他の構造単位を有していてもよい。また、ポリイミド系樹脂とは、少なくとも主鎖にイミド結合-C=O-NR-C=O-を構造単位として有する樹脂であり、他の構造単位を有していてもよい。ここで、Rは有機基を示す。また、ポリエーテル系樹脂とは、少なくとも主鎖にエーテル基-O-を構造単位として有する樹脂であり、他の構造単位を有していてもよい。また、ポリウレタン系樹脂とは、少なくとも主鎖にウレタン結合-O-C=O-NH-を構造単位として有する樹脂であり、他の構造単位を有していてもよい。また、熱分解性の樹脂層20としては、活性エネルギー線を照射することで、熱分解温度が低下するような樹脂層が好ましい。熱分解性の樹脂層20は、たとえば、光酸発生剤と、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、メタアクリレート系樹脂からなる群から選ばれる1種以上の熱分解性の樹脂成分を含む熱分解性の樹脂組成物から構成されることが好ましい。これらの熱分解性の樹脂組成物に、光酸発生剤の存在下、活性エネルギー線を照射することで、熱分解温度が低下する熱分解性の樹脂層20を形成することが可能となる。ここで、活性エネルギー線とは、g線436nm、h線405nm、i線365nm、X線、可視光線等を含む電磁波、若しくは電子線の総称であり、なかでもi線が好ましい。ポリカーボネート系樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ポリプロピレンカーボネート、ポリエチレンカーボネート、1,2-ポリブチレンカーボネート、1,3-ポリブチレンカーボネート、1,4-ポリブチレンカーボネート、cis-2,3-ポリブチレンカーボネート、trans-2,3-ポリブチレンカーボネート、α,β-ポリイソブチレンカーボネート、α,γ-ポリイソブチレンカーボネート、cis-1,2-ポリシクロブチレンカーボネート、trans-1,2-ポリシクロブチレンカーボネート、cis-1,3-ポリシクロブチレンカーボネート、trans-1,3-ポリシクロブチレンカーボネート、ポリネオペンチルカーボネート、ポリヘキセンカーボネート、ポリシクロプロペンカーボネート、ポリシクロヘキシレンカーボネート、ポリメチルシクロヘキセンカーボネート、ポリビニルシクロヘキセンカーボネート、ポリジヒドロナフタレンカーボネート、ポリヘキサヒドロスチレンカーボネート、ポリシクロヘキサンプロピレンカーボネート、ポリスチレンカーボネート、ポリ3-フェニルプロピレンカーボネート、ポリ3-トリメチルシリロキシプロピレンカーボネート、ポリ3-メタクリロイロキシプロピレンカーボネート、ポリパーフルオロプロピレンカーボネート、ポリノルボルネンカーボネートから選ばれる1種または2種以上の組み合わせを挙げることができる。これらの中でも、特に、光酸発生剤存在下で、より効果的に熱分解温度を下げることができるという理由から、ポリプロピレンカーボネート、ポリシクロヘキシレンカーボネート、ポリブチレンカーボネート、ポリノルボルネンカーボネート、及びポリネオペンチルカーボネートが好ましい。ポリエステル系樹脂としては、特に制限されないが、例えば、テレフタル酸又はテレフタル酸ジメチルを主たる酸成分とし、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリメチレングリコール、ブチレングリコールより選ばれる少なくとも1種のアルキレングリコールを主たるグリコール成分とするポリエステル樹脂が挙げられる。上記テレフタル酸成分の一部を芳香族、脂環族又は脂肪族の二官能性カルボン酸成分で置き換えても良い。また、例えば、分子内にカルボン酸成分とアルコール基成分を併せ持つヒドロキシ酸である乳酸を重縮合したポリ乳酸も挙げることができる。これらの中でも、特に、活性エネルギー線の照射により効果的に熱分解温度を低下させることができ、また、作業性に優れるという理由から、ポリブチレンテレフタレート、ポリ乳酸が好ましい。ポリアミド系樹脂としては、特に制限されないが、例えば、アジピン酸、ヘプタンジカルボン酸、オクタンジカルボン酸、ノナンジカルボン酸、ウンデカンジカルボン酸、ドデカンジカルボン酸より選ばれる少なくとも1種のジカルボン酸成分とテトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、ウンデカメチレンジアミン、ドデカメチレンジアミンより選ばれる少なくとも1種のジアミン成分と重縮合反応することによって得られたポリアミド樹脂が挙げられる。また、例えば、ラクタムであるα-ピロリドン、ε-カプロラクタム、ω-ラウロラクタム、ε-エナントラクタムを開環重合させたポリアミド樹脂も挙げることができる。これらの中でも、特に、活性エネルギー線の照射により効果的に熱分解温度を低下させることができ、また、作業性に優れるという理由から、6,6-ナイロンが好ましい。ポリイミド系樹脂としては、特に制限されないが、例えば、o-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、4,4-ジアミノジフェニルエーテル、1,4-ビスアミノメチルシクロヘキサン、1,3-ビスアミノメチルシクロヘキサン、1,3-プロパンジアミン、1,4-ブタンジアミン、1,5-ペンタンジアミン、1,6-ヘキサンジアミンより選ばれる少なくとも1種のジアミン酸成分と4,4-ヘキサフルオロプロピリデンビスフタル酸二無水物、4,4-ビフタル酸無水物、ジフェニル-2,3,3,4-テトラカルボン酸二無水物、ジフェニル-2,2,3,3-テトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物より選ばれる少なくとも1種のテトラカルボン酸二無水物と重付加反応することによって得られたポリイミド樹脂が挙げられる。これらの中でも、特に、活性エネルギー線の照射により効果的に熱分解温度を低下させることができ、また、作業性に優れるという理由から、ポリ4,4-オキシジフェニレンピロメリットイミドが好ましい。ポリウレタン系樹脂としては、特に制限されないが、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、グリセリン、1,1,1-トリメチロールプロパン、1,2,5-ヘキサントリオール、1,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、4,4-ジヒドロキシフェニルプロパン、4,4-ジヒドロキシフェニルメタン、ペンタエリスリトール等の多価アルコールより選ばれた少なくとも1種のポリオールと2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジイソシアネート、4,4-ジフェニルメタンジイソシアネート、2,4-ジフェニルメタンジイソシアネート、p-フェニレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートより選ばれる少なくとも1種のイソシアネートと重付加反応することによって得られたポリウレタン樹脂が挙げられる。これらの中でも、特に、活性エネルギー線の照射により効果的に熱分解温度を低下させることができ、また、作業性に優れるという理由から、ポリエチレングリコール-alt-4,4-フェニレンイソシアネートが好ましい。メタアクリル系樹脂としては、特に制限されないが、例えば、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸n-プロピル、メタアクリル酸n-ブチル、メタアクリル酸、2-ヒドロキシエチルメタアクリレート等から選ばれるメタアクリル系モノマーの共重合体等を挙げることができる。これらの中でも、特に、活性エネルギー線の照射により効果的に熱分解温度を低下させることができ、また、作業性に優れるという理由から、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチルが好ましい。熱分解性の樹脂成分の重量平均分子量Mwは、1,000~1,000,000であることが好ましく、5,000~800,000であることが特に好ましい。重量平均分子量を上記下限値以上とすることにより、基材10に対する濡れ性が向上する効果、さらに、成膜性を向上するという効果を得ることができる。また、上記上限値以下とすることで、各種成分との相溶性や各種溶剤に対する溶解性、さらには、熱分解性を向上するという効果を得ることができる。熱分解性の樹脂成分は、熱分解性の樹脂組成物の全量溶媒、希釈剤を除くの10重量~99重量の割合で配合することが好ましい。さらに好ましくは、20重量以上で配合することが好ましい。熱分解性の樹脂成分の含有量を上記下限値以上とすることで、熱分解性の樹脂層20が基材10に残留することを防止できるとともに、基材10上に厚膜を形成できる。光酸発生剤としては、特に限定されないが、テトラキスペンタフルオロフェニルボレート-4-メチルフェニル[4-1-メチルエチルフェニル]ヨードニウムDPI-TPFPB、トリス4-t-ブチルフェニルスルホニウムテトラキス-ペンタフルオロフェニルボレートTTBPS-TPFPB、トリス4-t-ブチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートTTBPS-HFP、トリフェニルスルホニウムトリフレートTPS-Tf、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムトリフレートDTBPI-Tf、トリアジンTAZ-101、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートTPS-103、トリフェニルスルホニウムビスパーフルオロメタンスルホニルイミドTPS-N1、ジ-p-t-ブチルフェニルヨードニウム、ビスパーフルオロメタンスルホニルイミドDTBPI-N1、トリフェニルスルホニウム、トリスパーフルオロメタンスルホニルメチドTPS-C1、ジ-p-t-ブチルフェニルヨードニウムトリスパーフルオロメタンスルホニルメチドDTBPI-C1、及びこれらの2種以上の組合せを挙げることができる。これらの中でも特に、熱分解性の樹脂成分の熱分解温度を効率的に下げることができるという理由から、テトラキスペンタフルオロフェニルボレート-4-メチルフェニル[4-1-メチルエチルフェニル]ヨードニウムDPI-TPFPBが好ましい。光酸発生剤は、熱分解性の樹脂組成物の全量溶媒、希釈剤を除くの0.01重量~50重量の割合で配合することが好ましい。さらに好ましくは、0.1重量~30重量の割合で配合することが好ましい。上記下限値以上とすることで、熱分解性の樹脂成分の熱分解温度を安定的に下げることが可能となり、上記上限値以下とすることで熱分解性の樹脂層20が残渣として残留することを効果的に防止することが可能となる。熱分解性の樹脂層20を構成する材料の組み合わせとして、特に好ましいものとしては、ポリプロピレンカーボネート、1,4-ポリブチレンカーボネート、又はポリネオペンチルカーボネートのいずれか1種以上と、テトラキスペンタフルオロフェニルボレート-4-メチルフェニル[4-1-メチルエチルフェニル]ヨードニウムDPI-TPFPBとの組み合わせである。ポリカーボネート系樹脂は、光酸発生剤の存在下で、ポリカーボネート系樹脂の主鎖の熱切断が容易となる構造を形成するため、又は、ポリカーボネート系樹脂自身が容易に熱分解する熱閉環構造を形成する熱閉環反応ため、熱分解温度を下げることができると考えられる。下記の反応式Iは、ポリプロピレンカーボネート樹脂の主鎖の熱切断及び熱閉環構造の形成のメカニズムを示す。先ず、光酸発生剤由来のHが、ポリプロピレンカーボネート樹脂のカルボニル酸素をプロトン化し、さらに極性遷移状態を転移させ不安定な互変異性中間体[A]及び[B]を生じる。次に、主鎖の熱切断の場合には、中間体[A]は、アセトン及びCO2として断片化する。熱閉環構造の形成a又はbの場合には、中間体[B]は炭酸プロピレンを生成し、炭酸プロピレンはCO2及びプロピレンオキシドとして断片化される。また、熱分解性の樹脂組成物は、酸化防止剤を含んでいてもよい。酸化防止剤は、望ましくない酸の発生や、熱分解性の樹脂組成物の自然酸化を防止する機能を有している。酸化防止剤としては、特に限定されるわけではないが、例えば、ニューヨーク州タリータウンのCibaFineChemicals社から入手可能なCibaIRGANOX登録商標1076およびCibaIRGAFOS登録商標168が好適に用いられる。また、他の酸化防止剤としては、例えば、CibaIrganox129、CibaIrganox1330、CibaIrganox1010、CibaCyanox登録商標1790、CibaIrganox3114、CibaIrganox3125等を用いることもできる。酸化防止剤の含有量は、熱分解性の樹脂成分100重量部に対して、0.1~10重量部であるのが好ましく、0.5~5重量部であるのがより好ましい。また、熱分解性の樹脂組成物は、必要により酸捕捉剤、アクリル系、シリコーン系、フッ素系、ビニル系等のレベリング剤、シランカップリング剤、希釈剤等の添加剤等を含んでも良い。シランカップリング剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、p-スチリルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、N-2-アミノエチル-3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-2-アミノエチル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-2-アミノエチル-3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビストリエトキシプロピルテトラスルフィド、3-イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等が挙げられ、単独でも2種以上混合して用いてもよい。熱分解性の樹脂層20がシランカップリング剤を含むことにより、シリコン基板102または基材10との密着性を向上することが可能となる。なお、熱分解性の樹脂組成物として、活性エネルギー線を照射しても、熱分解温度が低下しないようなものを使用してもよく、たとえば、ノルボルネン系樹脂を含有するものとしてもよい。ノルボルネン系樹脂としては、特に限定されないが、例えば、下記一般式21で示される構造単位を含むものを挙げることができる。式21において、R1~R4は、それぞれ、水素、直鎖状または分岐状の炭素数1~20のアルキル基、芳香族基、脂環族基、グリシジルエーテル基、下記置換基22のいずれかである。また、mは0~4の整数である。式22において、R5は、水素、メチル基またはエチル基のいずれかであり、R6、R7およびR8は、直鎖状または分岐状の炭素数1~20のアルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数1~20のアルコキシ基、直鎖状または分岐状の炭素数1~20のアルキルカルボニルオキシ基、直鎖状または分岐状の炭素数1~20のアルキルペルオキシ基、置換もしくは未置換の炭素数6~20のアリールオキシ基のいずれかである。また、nは0~5の整数である。直鎖状または分岐状の炭素数1~20のアルキル基としては、特に限定されるものではないが、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。これらの中でも、熱分解性の樹脂層20を構成する各種成分との相溶性や各種溶剤に対する溶解性、さらに、シリコン基板102と基材10とを固定した際の機械物性に優れるブチル基、デシル基が好ましい。芳香族基としては、特に限定されるものではないが、フェニル基、フェネチル基、ナフチル基等が挙げられるが、これらの中でも、シリコン基板102と基材10を固定した際の機械物性に優れるフェネチル基、ナフチル基が好ましい。脂環族基としては、特に限定されるものではないが、シクロヘキシル基、ノルボルネニル基、ジヒドロジシクロペンタジエチル基、テトラシクロドデシル基、メチルテトラシクロドデシル基、テトラシクロドデカジエチル基、ジメチルテトラシクロドデシル基、エチルテトラシクロドデシル基、エチリデニルテトラシクロドデシル基、フエニルテトラシクロドデシル基、シクロペンタジエチル基の三量体等の脂環族基等が挙げられる。これらの中でも、シリコン基板102と基材10を仮固定した際の機械物性、さらには、加熱工程における熱分解性に優れるシクロヘキシル基、ノルボルネニル基が好ましい。置換基22中のR5は、水素、又はメチル基またはエチル基であれば、特に限定されるものではないが、加熱工程における熱分解性に優れる水素原子が好ましい。置換基22中のR6、R7およびR8は、それぞれ、直鎖状または分岐状の炭素数1~20のアルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数1~20のアルコキシ基、直鎖状または分岐状の炭素数1~20のアルキルカルボニルオキシ基、直鎖状または分岐状の炭素数1~20のアルキルペルオキシ基、置換もしくは未置換の炭素数6~20のアリールオキシ基のいずれかであれば、特に限定されるわけではない。そのような置換基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチロキシ基、アセトキシ基、プロピオキシ基、ブチロキシ基、メチルペルオキシ基、イソプロピルペルオキシ基、t-ブチルペルオキシ基、フェノキシ基、ヒドロキシフェノキシ基、ナフチロキシ基等が挙げられ、これらの中でも、基材10に対する密着性、半導体ウェハ加工時の機械特性に優れるメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基が好ましい。一般式21中のmは、0~4の整数であり、特に限定されるわけではないが、0または1が好ましい。mが0または1である場合、一般式21で示される構造単位は、下記一般式23または24で示すことができる。上記一般式23及び24において、R1~R4は、それぞれ、水素、直鎖状または分岐状の炭素数1~20のアルキル基、芳香族基、脂環族基、グリシジルエーテル基、上記置換基22のいずれかである。上記一般式23及び24において、置換基22中のnは、0~5の整数であり、特に限定されるわけではないが、nは0であることが好ましい。nが0である時、シリル基はケイ素-炭素結合を介して多環式環に直接結合しており、熱分解性の樹脂層20の熱分解性およびシリコンウエハの加工時の機械特性を両立することができる。上記一般式21で示される構造単位は、特に限定されるわけではないが、ノルボルネン、5-メチルノルボルネン、5-エチルノルボルネン、5-プロピルノルボルネン、5-ブチルノルボルネン、5-ペンチルノルボルネン、5-ヘキシルノルボルネン、5-へプチルノルボルネン、5-オクチルノルボルネン、5-ノニルノルボルネン、5-デシルノルボルネン、5-フェネチルノルボルネン、5-トリエトキシシリルノルボルネン、5-トリメチルシリルノルボルネン、5-トリメトキシシリルノルボルネン、5-メチルジメトキシシシリルノルボルネン、5-ジメチルメトキシノルボルネン、5-グリシジルオキシメチルノルボルネン等のノルボルネン系モノマーを重合することにより得ることができる。ノルボルネン系モノマーを重合する際は、単一のノルボルネン系モノマーで重合しても、複数のノルボルネン系モノマーを共重合しても良い。これらノルボルネン系モノマーの中でも、シリコン基板102と基材10とを固定した際の機械物性に優れるような、5-ブチルノルボルネン、5-デシルノルボルネン、5-フェネチルノルボルネン、5-トリエトキシシリルノルボルネン、5-グリシジルオキシメチルノルボルネンが好ましい。ノルボルネン系樹脂は、特に限定されるわけではなく、一般式21で示される単一の構造単位で形成されていてもよく、また、複数の構造単位で形成されていても良い。ノルボルネン系樹脂は、より具体的には、ポリノルボルネン、ポリメチルノルボルネン、ポリエチルノルボルネン、ポリプロピルノルボルネン、ポリブチルノルボルネン、ポリペンチルノルボルネン、ポリヘキシルノルボルネン、ポリへプチルノルボルネン、ポリオクチルノルボルネン、ポリノニルノルボルネン、ポリデシルノルボルネン、ポリフェネチルノルボルネン、ポリトリエトキシシリルノルボルネン、ポリトリメチルシリルノルボルネン、ポリトリメトキシシリルノルボルネン、ポリメチルジメトキシシシリルノルボルネン、ポリジメチルメトキシノルボルネン、ポリグリシジルオキシメチルノルボルネン等の単一重合体、ノルボルネン-トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、ノルボルネン-グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体、ブチルノルボルネン-トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン-トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、ブチルノルボルネン-グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン-グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン-ブチルノルボルネン-フェネチルノルボルネン-グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体等の共重合体、ポリグリシジルオキシメチルノルボルネン-ブチルノルボルネン-トリエトキシシリルノルボルネン共重合体が挙げられる。これらの中でも、シリコン基板102と基材10とを固定した際の機械物性に優れるポリブチルノルボルネン、ポリデシルノルボルネン、ポリトリエトキシシリルノルボルネン、ポリグリシジルオキシメチルノルボルネン-ブチルノルボルネン-トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン-トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、ブチルノルボルネン-グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン-グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン-ブチルノルボルネン-フェネチルノルボルネン-グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体が好ましい。ノルボルネン系樹脂の重量平均分子量は、10,000~1,000,000であることが好ましく、30,000~800,000であることが特に好ましい。重量平均分子量を上記範囲とすることで、熱分解性の樹脂層20の熱分解性およびシリコンウエハ加工時の熱分解性の樹脂層20の耐熱性を両立することができる。ここで、重量平均分子量は、THFを溶媒としてGPCゲル浸透クロマトグラムにより、ポリスチレン換算値として算出することができる。一般式21で示される構造単位を有するノルボルネン系樹脂の合成方法としては、例えば、パラジウムイオン源を含有する触媒、ニッケル源を含有する触媒、白金を含有する触媒、ラジカル開始剤等を用いることにより合成することができるが、付加重合する際の反応性に優れるニッケル源を含有する触媒が好ましい。ノルボルネン系樹脂の合成は、ノルボルネン系モノマーを溶解することができる有機溶媒中で実施することができる。前記有機溶媒としては、特に限定されるわけではないが、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素;シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂環族炭化水素;ベンゼン、クロロベンゼン、ニトロベンゼン、トルエンおよびキシレン等の芳香族炭化水素;メチレンクロライド、クロロホルム、四塩化炭素、エチルクロライド、1,1-ジクロロエタン、1,2-ジクロロエタン、1,2-ジクロロエチレン、1-クロロプロパン、2-クロロプロパン、1-クロロブタン、2-クロロブタン、1-クロロ-2-メチルプロパン、1-クロロペンタンの如きハロゲン化極性炭化水素を挙げることができる。ノルボルネン系モノマー対するパラジウムを含有する触媒のモル比は、20:1~100,000:1が好ましく、200:1~20,000:1が特に好ましく、1,000:1~10,000:1がさらに好ましい。ノルボルネン系モノマーをニッケル触媒で重合する場合、その重合温度は、-100°C~120°Cが好ましく、-60°C~90°Cが特に好ましく、-10°C~80°Cであることがさらに好ましい。ノルボルネン系樹脂は、熱分解性の樹脂組成物の全量溶媒、希釈剤を除くの10重量~100重量の割合で配合することが好ましい。さらに好ましくは、20重量以上で配合することが好ましい。また、上記ワニスは、上述した各成分に加え、溶媒や、希釈剤を含有していてもよい。溶媒としては、特に限定されるものではないが、メシチレン、デカリン、ミネラルスピリット類等の炭化水素類、アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジグライム等のアルコール/エーテル類、炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸N-ブチル、乳酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ-ブチロラクトン等のエステル/ラクトン類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン等のケトン類、N-メチル-2-ピロリジノン等のアミド/ラクタム類が挙げられる。ワニスが溶媒を含有することにより、ワニスの粘度を調整することが容易となり、熱分解性の樹脂層20の薄膜を形成するのが容易となる。溶媒の含有量は、特に限定されるものではないが、熱分解性の樹脂組成物の全量の5~98重量であることが好ましく、10~95重量であることが特に好ましい。また、希釈剤としては、特に限定されるわけではないが、例えば、シクロヘキセンオキサイドやα-ピネンオキサイド等のシクロエーテル化合物、[メチレンビス4,1-フェニレンオキシメチレン]ビスオキシランなどの芳香族シクロエーテル、1,4-シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルなどのシクロアリファティックビニルエーテル化合物等を挙げることができる。ワニスが希釈剤を含むことにより、ワニスの流動性を向上することができる。これにより、熱分解性の樹脂層20の基材10に対する濡れ性を向上することが可能となる。ここで、図3dに戻り、熱分解性の樹脂層20は粘着性を有しており、この熱分解性の樹脂層20上に、主面に複数の埋込導電部106が設けられたシリコン基板102を固定させる。言い換えると、基材10の表面とシリコン基板102の裏面の間に熱分解性の樹脂層20を配置して、基材10とシリコン基板102とを固定する。このとき、シリコン基板102の主面上に、埋込導電部106と電気的に接続させるように半導体チップ108を実装し、これらのシリコン基板102および半導体チップ108を含む構造体を、熱分解性の樹脂層20上に配置してもよい。また、シリコン基板102を熱分解性の樹脂層20上に配置した後、このシリコン基板102上に半導体チップ108を実装してもよい。シリコン基板102を熱分解性の樹脂層20上に配置する前に、シリコン基板102上に半導体チップ108を実装するとき、熱分解性の樹脂層20として、低温分解性の熱分解性の樹脂組成物を用いてもよい。この低温分解性の熱分解性の樹脂組成物の分解温度は、例えば、封止材層110の硬化温度より低く設定することができる。また、熱分解性の樹脂層20の面積は、シリコン基板102の単位数当たりの面積に応じて、適切に設定できる。このため、上記図1bにおいて、封止材層110の面内方向において、薄層シリコン基板101の間隔L1および間隔L2を自由に設定できるとともに、配線層129を形成するための封止材層110の面積を適切に設定できる。また、図4aに示すように、半導体封止用樹脂組成物を用いて、熱分解性の樹脂層20の表面上の複数の構造体シリコン基板102および半導体チップ108から構成されるを封止する封止材層110を形成する。封止層110を形成する温度は、熱分解性の樹脂層20が分解される温度よりも低いことが好ましい。本実施の形態では、封止層110を形成する温度は、半導体封止用樹脂組成物を加熱する温度により特定される。これにより、封止材層110を形成する前に、熱分解性の樹脂層20から構造体が分離して、歩留まりが低下することを抑制することができる。封止材層110を、半導体封止用樹脂組成物で形成する方法は、特に限定されるわけではなく、トランスファー成形法、圧縮成形法、インジェクション成形法等が挙げられるが、固定された構造体の位置ずれが発生し難い圧縮成形法が好ましい。上記半導体封止用樹脂組成物としては、液状の樹脂組成物および固形の樹脂組成物を用いることができる。半導体封止用樹脂組成物が固形の樹脂組成物の場合には、封止材層110を形成する工程としては、例えば、顆粒状の樹脂組成物を用いて圧縮成形により行う。まず、圧縮成形金型の上型と下型の間に、顆粒状の樹脂組成物が入れられた樹脂材料供給容器を設置する。次いで、熱分解性の樹脂層20を介して複数の構造体シリコン基板102および半導体チップ108から構成されるを有する基材10を、クランプ、吸着のような固定手段により圧縮成型金型の上型に、構造体が下側になるようにして固定する図示せず。。次に、樹脂材料供給容器の底面を構成するシャッター等の樹脂材料供給機構により、秤量された顆粒状の樹脂組成物を下型が備える下型キャビティ内へ供給する。これにより、顆粒状の樹脂組成物は、下型キャビティ内で所定温度に加熱され、その結果、溶融される。そして、複数の構造体を封止する封止材層110が形成される。圧縮成形における成形温度は、特に限定されるわけではないが、50~200°Cが好ましく、80~180°Cが特に好ましい。また、成形圧力は、特に限定されるわけではないが、0.5~12MPaであることが好ましく、1~10MPaが特に好ましい。さらに、成形時間は30秒~15分であることが好ましく、1~10分が特に好ましい。成形温度、圧力、時間を上記範囲とすることで、封止材の未充填部分が発生することと構造体が位置ずれしてしまうことの両方を防止することができる。また、顆粒状の樹脂組成物を得る方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、複数の小孔を有する円筒状外周部と円盤状の底面から構成される回転子の内側に、溶融混練された樹脂組成物を供給し、その樹脂組成物を、回転子を回転させて得られる遠心力によって小孔を通過させて得る方法以下、遠心製粉法とも言う。;各原料成分をミキサーで予備混合後、ロール、ニーダー又は押出機等の混練機により加熱混練後、冷却、粉砕工程を経て粉砕物としたものを、篩を用いて粗粒と微紛の除去を行って得る方法以下、粉砕篩分法とも言う。;各原料成分をミキサーで予備混合後、スクリュー先端部に小径を複数配置したダイを設置した押出機を用いて、加熱混練を行うとともに、ダイに配置された小孔からストランド状に押し出されてくる溶融樹脂をダイ面に略平行に摺動回転するカッターで切断して得る方法以下、ホットカット法とも言う。等が挙げられる。いずれの方法でも混練条件、遠心条件、篩分条件、切断条件等を選ぶことにより、所望の粒度分布や顆粒密度を得ることができる。特に好ましい製法としては、遠心製粉法であり、これにより得られる顆粒状の樹脂組成物は、所望の粒度分布や顆粒密度を安定して発現させることができるため、搬送路上での搬送性や固着防止に対して好ましい。また、遠心製粉法では、粒子表面をある程度滑らかにすることができるため、粒子同士が引っかかったり、搬送路面との摩擦抵抗が大きくなったりすることもなく、搬送路への供給口でのブリッジ詰まりの防止、搬送路上での滞留の防止に対しても好ましい。また、遠心製粉法では、溶融した状態から遠心力を用いて形成させるため、粒子内に空隙がある程度含まれた状態となり、顆粒密度をある程度低くできるため、圧縮成形における搬送性に関して有利である。一方、粉砕篩分法は、篩分により発生する多量の微粉及び粗粒の処理方法を検討する必要はあるものの、篩分装置等は半導体封止用樹脂組成物の既存製造ラインで使用されているものであるため、従来の製造ラインをそのまま使用できる点で好ましい。また、粉砕篩分法は、粉砕前に溶融樹脂をシート化する際のシート厚の選択、粉砕時の粉砕条件やスクリーンの選択、篩分時の篩の選択等、本発明の粒度分布を発現させるための独立して制御可能な因子が多いため、所望の粒度分布に調整するための手段の選択肢が多い点で好ましい。また、ホットカット法も、例えば、押出機の先端にホットカット機構を付加する程度で、従来の製造ラインをそのまま利用できる点で好ましい。また、半導体封止用樹脂組成物が液状の樹脂組成物の場合には、封止材層110を形成する工程としては、塗布工程、及び成形工程を含むことが好ましい。塗布工程では、まず、構造体付き基材10を成形金型に配置する。次いで、熱分解性の樹脂層20の配置面上主面上に、半導体封止用樹脂組成物として液状樹脂組成物をディスペンサーなどで塗布する。このとき、液状樹脂組成物は、構造体の上面上および側壁上の全面におよび、構造体同士の間隙部を埋めるように塗布される。この後、成形工程では、所望の硬化条件で、液状樹脂組成物を硬化することが好ましい。ここでは、圧縮成形を行うことが好ましい。この硬化条件としては、例えば、成形圧力は、好ましくは1以上10MPa以下であり、より好ましくは2以上8MPa以下、硬化温度は、好ましくは110°C以上130°C以下であり、より好ましくは120°C以上125°C以下であり、硬化時間は、好ましくは1分以上1時間以下であり、より好ましくは10分以上30分以下である。このような工程により、図4aに示すように、封止材層110で、複数の構造体の周囲が封止される。この封止材層110は、熱分解性の樹脂層20の全面に形成されている。続いて、図4bに示すように、封止材層110から基材10を分離する。この分離は、大気中で行ってもよいが、以下に示すように減圧下で行うことが好ましい。熱分解性の樹脂層20として、活性エネルギー線を照射することで、熱分解温度が低下する樹脂層を使用している場合には、熱分解性の樹脂層20に活性エネルギー線を照射して、熱分解温度を低下させる。具体的には、基材10の裏面から光を照射し、基材10を介して、熱分解性の樹脂層20に光を照射する。熱分解性の樹脂層20は、活性エネルギー線照射前に比べ、分解温度が低下することとなる。活性エネルギー線を照射した後、熱分解性の樹脂層20の熱分解温度は、たとえば200°C以下となる。ここで、熱分解温度とは、熱分解性の樹脂層20を熱重量測定装置を用いて空気気流中で25°Cから10°C/分で昇温したとき50重量が減少した温度をいう。次いで、基材10、熱分解性の樹脂層20、シリコン基板102、半導体チップ108、及び封止材層110から構成される積層体を不図示の容器内に設置する。ポンプ圧力調整手段Pにより、容器内の気体を吸引して、大気圧よりも気圧が低い減圧下におく。より好ましくは、100Pa以下、さらに好ましくは真空下5Pa以下の雰囲気とする。なお、容器内の気圧の下限値は、特に限定されないが、装置の性能との関係上、たとえば、0.01Paとなる。この減圧下で、積層体を熱分解性の樹脂層20の熱分解温度以上に加熱し、熱分解性の樹脂層20を熱分解する。熱分解性の樹脂層20は熱分解し、ガス化することとなる。図5cに示すように、熱分解性の樹脂層20が熱分解することで、シリコン基板102が埋め込まれた封止材層110の一面から基材10を分離することができる。本実施の形態では、熱分解性の樹脂層20の加熱温度は、例えば、200°C以上400°C以下の温度範囲で行うことが好ましい。これにより、熱分解性の樹脂層20の分解による分離しやすさと熱履歴による半導体素子の歩留まりの低下の抑制のバランスが良好となる。封止材層110と基材10とを分離する際には、封止材層110の周縁部の一部が基材10の表面に対し垂直方向に離れるように、封止材層110を基材10から引き剥がす方法がある。また、シリコン基板102および半導体チップ108に対するストレスをより低減するために、基材10を封止材層110の表面方向に沿うようにスライドさせて、基材10を封止材層110から引き剥がしてもよい。本実施の形態では、熱分解性の樹脂層20の残渣が非常に少ない、あるいは全くないため、いずれの方法で、封止材層110と基材10とを分離しても、シリコン基板102にクラックが生じてしまうことが抑制される。その後、必要に応じて、封止材層110およびシリコン基板102に付着した熱分解性の樹脂層20の残渣を除去するために、シリコン基板102が埋め込まれた封止材層110の一面のクリーニングを行ってもよい。続いて、図4cに示すように、シリコン基板102の裏面を研削する。すなわち、シリコン基板102が埋め込まれた封止材層110の一面を研削する。シリコン基板102の膜厚が薄くすると、その裏面に埋込導電部106が露出する。そして、この埋込導電部106は、薄層シリコン基板101の主面から裏面までを貫通する貫通プラグ105となる。薄層シリコン基板101研削後のシリコン基板102の厚みとしては、特に限定されないが、好ましくは5μm以上100μm以下であり、より好ましくは10μm以上50μm以下である。薄層シリコン基板101の厚みは、パッケージ全体の厚みや強度、半導体チップ108からの放熱性などに基づいて適切に選択できる。また、シリコン基板102の裏面を研削する方法としては、研磨装置を用いたバックグラインド法等が好ましい。なお、このシリコン基板102の裏面の加工工程において、積層体は、たとえば、300°C程度に加熱されるが、この熱により熱分解性の樹脂層20が熱分解し難く、シリコン基板102が基材10から剥離することがない。以上により、4cに示すような、複数の半導体チップ108が封止材層110に封止されている、板状の疑似ウエハ111が得られる。言い換えると、封止材層110の一面においては、複数の薄層シリコン基板101が埋め込まれている。また、封止材層110中においては、この薄層シリコン基板101に電気的に接続する半導体チップ108が1個以上設けられている。この疑似ウエハ111においては、薄層シリコン基板101が貫通プラグ105を備えている。このため、本実施の形態に係る疑似ウエハ111は、貫通プラグ105を介して、他の実装基板と接続できる。ここで、本発明に係る半導体封止用樹脂組成物について詳述する。以下、本発明に係る半導体封止用樹脂組成物が、固形の樹脂組成物について詳細に説明するが、これに限定されるものではない。例えば、固形の樹脂組成物が顆粒状の樹脂組成物である例について説明する。ここで、顆粒状の樹脂組成物は、その構成材料として、エポキシ樹脂を含有するものである。エポキシ樹脂としては、例えば、1分子内にエポキシ基を2個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量および分子構造を特に限定するものではない。具体的には、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂;クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;フェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格含有ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂;トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の3官能型エポキシ樹脂;ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、テルペン変性フェノール型エポキシ樹脂等の変性フェノール型エポキシ樹脂;トリアジン核含有エポキシ樹脂等の複素環含有エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうち1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。また、顆粒状の樹脂組成物は、その構成材料として、硬化剤を含有しているのが好ましい。硬化剤としては、エポキシ樹脂と反応して硬化させるものであればよく、特に限定されるものではないが、例えば、エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等の炭素数2~20の直鎖脂肪族ジアミン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、パラキシレンジアミン、4,4-ジアミノジフェニルメタン、4,4-ジアミノジフェニルプロパン、4,4-ジアミノジフェニルエーテル、4,4-ジアミノジフェニルスルホン、4,4-ジアミノジシクロヘキサン、ビス4-アミノフェニルフェニルメタン、1,5-ジアミノナフタレン、メタキシレンジアミン、パラキシレンジアミン、1,1-ビス4-アミノフェニルシクロヘキサン、ジシアノジアミド等のアミノ類;アニリン変性レゾール樹脂やジメチルエーテルレゾール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂;フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert-ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂;フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル樹脂;ナフタレン骨格やアントラセン骨格のような縮合多環構造を有するフェノール樹脂;ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン;ヘキサヒドロ無水フタル酸HHPA、メチルテトラヒドロ無水フタル酸MTHPA等の脂環族酸無水物、無水トリメリット酸TMA、無水ピロメリット酸PMDA、ベンゾフェノンテトラカルボン酸BTDA等の芳香族酸無水物等を含む酸無水物等;ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテル等のポリメルカプタン化合物;イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネート等のイソシアネート化合物;カルボン酸含有ポリエステル樹脂等の有機酸類が挙げられ、これらのうち1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。また、これらの中でも、耐湿性、信頼性等の観点から、1分子内に少なくとも2個のフェノール性水酸基を有する化合物が好ましく用いられる。かかる硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert-ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂;レゾール型フェノール樹脂;ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン;フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。また、顆粒状の樹脂組成物は、その構成材料として、無機充填材を含有しているものを用いることができる。無機充填材としては、特に限定されず、例えば、溶融破砕シリカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、2次凝集シリカ等のシリカ;アルミナ;チタンホワイト;水酸化アルミニウム;タルク;クレー;マイカ;ガラス繊維等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、特に溶融球状シリカが好ましい。また、粒子形状は限りなく真球状であることが好ましい。さらに、粒子の大きさの異なるものを混合することにより無機充填量を多くすることができるが、その粒径としては、下型キャビティ内での半導体素子の周辺への充填性を考慮すると0.01μm以上、150μm以下であることが好ましい。また、顆粒状の樹脂組成物は、その構成材料として、硬化促進剤を含有しているのが好ましい。硬化促進剤としては、特に限定されず、例えば、1,8-ジアザビシクロ5,4,0ウンデセン-7等のジアザビシクロアルケン及びその誘導体;トリブチルアミン、ベンジルジメチルアミン等のアミン系化合物;2-メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物;トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類;テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ安息香酸ボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラナフトイックアシッドボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラナフトイルオキシボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラナフチルオキシボレート等のテトラ置換ホスホニウムテトラ置換ボレート;ベンゾキノンをアダクトしたトリフェニルホスフィン等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。さらに、顆粒状の樹脂組成物は、上記の構成材料の他に、必要に応じて、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のカップリング剤;カーボンブラック等の着色剤;天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸もしくはその金属塩類、パラフィン、酸化ポリエチレン等の離型剤;シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力剤;ハイドロタルサイト等のイオン捕捉剤;水酸化アルミニウム等の難燃剤;酸化防止剤等の各種添加剤を含有していてもよい。また、顆粒状の樹脂組成物は、JIS標準篩を用いて篩分により測定した粒度分布における、2mm以上の粗粒の割合が全樹脂組成物に対して3質量以下であることが好ましく、1質量以下であることがより好ましい。これは、粒子サイズが大きくなるほどその質量、体積とも大きくなることから、サイズの大きな粒子の割合が多いほど、秤量時の秤量精度が低下し、圧縮成形後の封止部の品質低下の一因となったり、振動フィーダー501や樹脂材料供給容器等の供給口での詰まり等の問題が生じたりする。これに対して、上述した上限値以下の範囲とすると、良好な秤量精度が得られることで半導体装置における品質の低下を引き起こす恐れが低くなり、さらに、前記供給口での詰まり等の問題を生じる恐れも低くなるためである。また、2mm以上の粗粒の割合の下限値については、特に限定するものではなく、0質量であってもよい。また、顆粒状の樹脂組成物は、安定した秤量精度を得るため、JIS標準篩を用いて篩分により測定した粒度分布における、106μm未満の微粉の割合が全樹脂組成物に対して5質量以下であることが好ましく、3質量以下であることがより好ましい。このことは、106μm未満の微粉が、顆粒状の樹脂組成物の保管中における固着、顆粒状の樹脂組成物の搬送経路上での粒子同士の固着や搬送装置への付着を生じ、搬送不良の原因となり、連続生産性や生産のタクトタイムに支障をきたしたりする。これに対して、上述した上限値以下の範囲とすると、粒子同士の固着や搬送装置への付着がほとんどなく、良好な連続生産性や安定した生産性が得られる。また、粒径が106μm未満の微粉の割合の下限値については、特に限定されるものではなく、0質量であってもよい。なお、顆粒状の樹脂組成物の粒度分布を測定する方法としては、例えば、ロータップ型篩振動機に備え付けた目開き2.00mmおよび106μmのJIS標準篩を用い、これらの篩を20分間に亘って振動ハンマー打数:120回/分させながら40gの試料を篩に通して分級し、分級前の試料質量に対する2.00mmの篩に残る粗粒の質量、106μmの篩を通過する微粉の質量を求める方法が、実際の圧縮成形に必要な特性を体現できるので好ましい。なお、この方法の場合、アスペクト比の高い粒子短径は篩の目開きより小さく、長径は大きいものは、それぞれの篩を通過する可能性があるが、便宜上、一定の方法により分級した成分の質量により、顆粒状の樹脂組成物の粒度分布と定義する。また、顆粒状の樹脂組成物は、顆粒密度D1と硬化後の硬化物比重D2の比D1/D2が0.88~0.95程度であることが好ましく、0.90~0.94程度であることがより好ましい。このような下限値以上とすると、粒子内部の空隙率が高くなり過ぎることがなく、圧縮成形時における封止材層110内でのボイドの発生等の問題が生じるおそれが低い。また、上述した上限値以下とすると、顆粒密度が高くなり過ぎることがなく、振動フィーダー501等の搬送手段による搬送時に顆粒の移動速度が遅くなる問題もない。移動速度が遅くなると停滞する恐れがあり、それによる固着、つまり等の問題が生じる。さらに、顆粒状の樹脂組成物の顆粒密度D1としては、1.95以下であることが好ましく、1.90以下であることがより好ましい。このような上限値以下とすると、良好な搬送性が得られる。また、顆粒状の樹脂組成物の顆粒密度D1の下限値としては、特に限定されるものではないが、粒子内部の空隙率が高くなり過ぎない範囲となる1.75以上とすることが好ましい。顆粒密度D1の測定方法としては、取扱し易いように顆粒状の樹脂組成物を32メッシュ目開き500μmのJIS標準篩にて篩分後、篩上の顆粒状の樹脂組成物約5gを0.1mgまで秤量したものを試料とする。ピクノメータ容量50ccを蒸留水で満たし、さらに界面活性剤を数滴添加した後、蒸留水と界面活性剤の入ったピクノメータの質量を測定する。次いで、ピクノメータに試料をいれ、蒸留水と界面活性剤と試料の入ったピクノメータ全体の質量を測定し、以下の式1にしたがって算出する。顆粒密度g/ml=Mp×ρw/MwMp-Mt1ρw:測定時の温度における蒸留水の密度g/mlMw:蒸留水を満たし、さらに界面活性剤を数滴添加したピクノメータの質量gMp:試料の質量gMt:蒸留水と界面活性剤と試料をいれたピクノメータの質量gなお、界面活性剤は蒸留水と試料の濡れを高め、気泡の巻き込みを極小にするために用いる。使用可能な界面活性剤は特に制限がなく、気泡の巻き込みがなくなるような材料を選択すればよい。また、硬化物比重D2の測定方法としては、より簡便な方法であるトランスファー成形による硬化物比重の測定方法を用いる。具体的には、顆粒状の樹脂組成物を一旦所定の寸法のタブレットに打錠し、トランスファー成形機を用い、金型温度175±5°C、注入圧力7MPa、硬化時間120秒で、直径50mm×厚さ3mmの円盤を成形し、質量、体積を求め成形材料の硬化物比重を算出する方法が挙げられる。また、本発明に係る半導体封止用樹脂組成物は、Aエポキシ樹脂、B酸無水物、C無機充填材、D硬化促進剤、およびE低応力材を含有する液状樹脂組成物であって、固形成分が全液状樹脂組成物に対して80重量以上95重量以下含有することが好ましい。また、本発明に係る半導体封止用樹脂組成物は、下記の条件下で硬化させた硬化物が下記式を満たすような材料で構成されていることが好ましい。Tg-25°C×α1-α2×E≦20MPaTg:半導体封止用樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度°CE:半導体封止用樹脂組成物の硬化物の弾性率Paα1:半導体封止用樹脂組成物の硬化物の線膨張係数ppm/°Cα2:シリコンウエハの線膨張係数ppm/°C硬化条件:半導体封止用樹脂組成物を125°C10分、150°C1時間の硬化条件で硬化する。本発明に係る半導体封止用樹脂組成物としては、低弾性のものを用いることが好ましい。これにより、この半導体封止用樹脂組成物を硬化させて得られた封止材層110とシリコンウエハとの内部応力が小さくなる。上記式Tg-25°C×α1-α2×E≦20MPaは、封止材層110とシリコンウエハとの内部応力が小さいことを意味する。ここで、封止材層110と薄層シリコン基板101との内部応力差ΔσをTg-25°C×α1-α2×Eとする。このΔσは、好ましくは20MPa以下であり、より好ましくは15MPa以下であり、さらに好ましくは10MPa以下である。本発明に係る半導体封止用樹脂組成物の材料等、Tgと無機充填材の充填量を適切に選択することにより、内部応力差Δσを上記範囲内とすることができる。これにより、封止材層110と薄層シリコン基板101との内部応力差を小さくすることができる。このため、薄層シリコン基板101上に封止材層110が積層した構造体において例えば、図4cに示す構造体参照、薄層シリコン基板101の反りを抑制することができる。これにより、ウエハレベルパッケージ130において、薄層シリコン基板101に反りが生じることを抑制できる。したがって、本実施の形態によれば、接続信頼性等の信頼性に優れた半導体装置が得られる。また、寸法安定性に優れたウエハレベルパッケージ130が得られるため、本実施の形態の半導体装置の生産性を向上させることができる。本発明に係る半導体封止用樹脂組成物のガラス転移温度は、特に限定されないが、50°C以上300°C以下が好ましく、より好ましくは80°C以上200°C以下である。本実施の形態においては、架橋密度を調整することにより、上記ガラス転移温度を適切に調整することができる。ガラス転移温度を測定する方法としては、熱機械分析装置TMA/SS6100,SII社製を用いて、四角柱状に硬化した液状樹脂組成物を圧縮法にて-100°Cから300°Cまで5°C/minで昇温測定し、ガラス転移温度を測定する方法が好ましい。本発明に係る半導体封止用樹脂組成物の弾性率は、特に限定されないが、5GPa以上30GPa以下が好ましく、より好ましくは10GPa以上25GPa以下である。本実施の形態においては、架橋密度及び無機充填材の充填量を調整することにより、上記弾性率を適切に調整することができる。上記弾性率を測定する方法としては、粘弾性測定装置DMA-7e,PERKINELMER社製を用いて、板状に硬化した液状樹脂組成物を3点曲げ法にて0°Cから300°Cまで5°C/minで昇温測定し、25°Cでの弾性率を測定することが好ましい。本発明に係る半導体封止用樹脂組成物の25°C以上ガラス転移温度Tg以下の領域における、線膨張係数は、特に限定されないが、1ppm/°C以上20ppm/°C以下が好ましく、より好ましくは5ppm/°C以上15ppm/°C以下である。本実施の形態においては、無機充填材の充填量を調整することにより、上記線膨張係数を適切に調整することができる。上記線膨張係数を測定する方法としては、熱機械分析装置TMA/SS6100,SII社製を用いて、四角柱状に硬化した液状樹脂組成物を圧縮法にて-100°Cから300°Cまで5°C/minで昇温測定し、ガラス状態領域での線膨張係数を測定する方法が好ましい。本発明に係るシリコンウエハ薄層シリコン基板101の25°C以上ガラス転移温度Tg以下の領域における、線膨張係数は、特に限定されないが、1ppm/°C以上10ppm/°C以下が好ましく、より好ましくは2ppm/°C以上5ppm/°C以下である。以下、本発明に係る液状樹脂組成物の各成分を詳述するAエポキシ樹脂としては、一分子中にエポキシ基を2個以上有するもので、かつ常温において液状であれば、特に分子量や構造は限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、N,N-ジグリシジルアニリン、N,N-ジグリシジルトルイジン、ジアミノジフェニルメタン型グリシジルアミン、アミノフェノール型グリシジルアミンのような芳香族グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリフェノールプロパン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェニレンおよび/またはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレンおよび/またはビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂、ビニルシクロヘキセンジオキシド、ジシクロペンタジエンオキシド、アリサイクリックジエポキシ-アジペイドなどの脂環式エポキシなどの脂肪族エポキシ樹脂が挙げられる。これらは単独でも2種以上混合して使用しても良い。Aエポキシ樹脂としては、芳香族環にグリシジルエーテル構造またはグリシジルアミン構造が結合した構造を含むものが耐熱性、機械特性、耐湿性という観点から好ましい。Aエポキシ樹脂として脂肪族または脂環式エポキシ樹脂を用いる場合は、信頼性、特に接着性という観点から使用する量を限定するほうが好ましい。Aエポキシ樹脂としては、最終的に常温25°Cで液状であることが好ましいが、常温で固体のエポキシ樹脂であっても常温で液状のエポキシ樹脂に溶解させ、結果的に液状の状態であればよいB酸無水物は硬化剤として用いられる。B酸無水物の例示としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、3-メチル-ヘキサヒドロ無水フタル酸、4-メチル-ヘキサヒドロ無水フタル酸、3-メチル-ヘキサヒドロ無水フタル酸と4-メチル-ヘキサヒドロ無水フタル酸との混合物、テトラヒドロ無水フタル酸、無水ナジック酸、または無水メチルナジック酸などが挙げられる。これらは、低温での硬化が早いことと、硬化物のガラス転移温度が高くなることから好ましい。また、常温で液状であり、且つ粘度も低いことから、テトラヒドロ無水フタル酸を硬化剤として用いることがより好ましい。特にこれらは、単独で用いても2種以上用いても差し支えない。上記のB酸無水物以外の他の硬化剤としては、1分子内にエポキシと反応する官能基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であればこれを併用できる。官能基としては、例えばフェノール基が好ましい。また、他の硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、フェノールアラルキル樹脂フェニレン骨格、ジフェニレン骨格などを有するなどのフェノール類が挙げられる。無機充填材Cとしては、一般に封止材料に使用されているものを使用することができる。例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、タルク、アルミナ、窒化珪素などが挙げられ、これらは単独でも2種類以上併用して用いても差し支えない。これらの中でも液状樹脂組成物の耐熱性、耐湿性、強度などを向上できることから溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ粉末が好ましい。C無機充填材の形状は、特に限定されないが、粘度特性や流動特性の観点から形状は球状であることが好ましい。C無機充填材が溶融シリカの場合、溶融シリカの含有量としては、成形性と耐半田クラック性のバランスから、全液状樹脂組成物中に60重量以上95重量以下使用することが好ましく、更に好ましくは80重量以上95重量以下である。下限値未満の場合には、吸水率の上昇に伴う耐半田クラック性が低下することがあり、上限値を越えると液状封止用樹脂組成物のディスペンス性能に問題が生じる可能性がある。C無機充填材が溶融シリカ以外の場合は、C無機充填材の含有量は、体積換算で上記含有量の範囲内となるようにする。硬化促進剤Dとしては、エポキシ基と酸無水物との反応を促進させるものであればよく、一般に封止用材料に用いられるものを広く使用できる。例えば、ホスホニウム塩、トリフェニルホスフィン、イミダゾール化合物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの硬化促進剤は単独でも混合して用いても差し支えない。好ましくは一般式2または一般式3の構造を有するホスホニウム塩、式4の構造を有するトリフェニルホスフィン、式5または式6の構造を有するイミダゾール化合物が低粘度化の観点から有効である。更に好ましくは一般式2の構造を有する硬化促進剤、または式6の構造を有するイミダゾール化合物が更なる低粘度化の観点から有効である。前記一般式2の硬化促進剤としては、例えば、下記式7、式8、および式9などが挙げられる。ただし、式2で、R1、R2、R3、及びR4は、芳香族もしくは複素環を有する、1価の有機基または1価の脂肪族基であって、それらの内の少なくとも1つは、分子外に放出しうるプロトンを少なくとも1個有するプロトン供与体がプロトンを1個放出してなる基であり、これらは互いに同一であっても異なっていても良い。ただし、式3で、Arは置換または無置換の芳香族基を表し、同一分子内の二つの酸素原子は、芳香族炭素位の隣接に位置する。nは2~12の整数である。また一般式3の硬化促進剤としては、下記式10、式11、および式12などが挙げられる。D硬化促進剤の配合量は、全液状封止用樹脂組成物100重量部に対して、0.1重量部以上1.0重量部以下であることが好ましく、更に好ましくは0.3重量部以上0.8重量部以下である。下限値未満の場合には硬化が遅く生産性が低下し、上限値を越える場合には保存性が悪化する恐れがあるためである。B酸無水物とD硬化促進剤の配合比[B/D]は、3以上35以下が好ましく、5以上30以下であることがさらに好ましく、10以上20以下が特に好ましい。配合比[B/D]が、下限値未満の場合には保存性が悪化し、上限値を越える場合には硬化が遅く生産性が悪くなる恐れがあるためである。また、B酸無水物の配合量は、液状樹脂組成物の合計100重量部に対して、2重量部以上10重量部以下が好ましく、更に好ましくは5重量部以上7重量部以下である。B酸無水物の配合量が、下限値未満の場合には硬化性が悪くなり、生産性が低下する。そして、上限値を越える場合には、耐湿信頼性が低下する恐れがある。E低応力材としては、液状樹脂組成物を低弾性化させるものであればよく、一般に封止用材料に用いられるものを広く使用できる。例えば、エチレンエチルアクリレート共重合樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合樹脂、ブタジエン-ニトリルゴム、ポリウレタン、アクリルゴム、アクリロニトリル-ブタジエンゴム、シリコーンゴム、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブタジエン、オレフィン系共重合体、ニトリルゴム、ポリブタジエンゴムやその変性物などが挙げられる。この内、E低応力材が液状ゴムの場合、添加によるTgの低下が大きくなるため固形ゴムが好ましい。固形ゴムの中でもコアシェルゴム粒子を用いると、線膨張係数の増加が抑えられる為更に好ましい。より好ましくはコアシェルシリコーンゴム粒子である。また、E低応力材の添加量は、全液状樹脂組成物中に3~30重量であることが好ましく、5~20重量がより好ましい。下限値未満の場合には低弾性の効果が得られず、上限値を超える場合には粘度上昇が高く生産性が悪くなる恐れがあるためである。E低応力材がコアシェル粒子の場合、コア部のガラス転移温度は、シェル部のガラス転移温度に比べ、低く、室温よりも低いことが好ましい。その際にコア部とシェル部が同一種のゴムである必要は無く、コア部がシリコーンゴムでシェル部がアクリルゴムや、コア部がブタジエンゴムでシェル部にアクリルゴムなどを組み合わせても可能である。E低応力材がコアシェル粒子の場合、凝集しにくいという点で球状または略球状であることが好ましい。またCコアシェル粒子の粒子径は、好ましくは、0.01μm以上30μm以下であり、より好ましくは、0.1μm以上10μm以下である。粒子径が下限値未満では凝集力が強くなり、粘度が上昇し流動性が維持できない。また上限値を超えると狭ギャップに対して、樹脂詰まりを起こしてしまう可能性がある。本発明に係る液状樹脂組成物において、固形成分が全液状樹脂組成物に対して80重量以上95重量以下含まれる。固形成分は25°Cにおいて固形の成分であり、無機充填剤と固形の低応力材とを併せた含有量を示す。上記以外に用いることができる成分としては、消泡剤としてのシリコーン化合物やワックスなどの離型剤や難燃剤等が挙げられ、求める特性に応じて添加する事ができる。本発明に係る液状封止樹脂組成物の製造方法としては、例えば各成分、添加剤などをプラネタリーミキサー、三本ロール、二本熱ロール、ライカイ機などの装置を用いて分散混練したのち、真空下で脱泡処理して製造する。また、本発明に係る液状の半導体封止用樹脂組成物の粘度は、粘度測定計を用いて25°Cの温度条件下で測定したとき、好ましくは50Pas以上2000Pas以下であり、より好ましくは100Pas以上500Pas以下である。本実施の形態においては、原料粘度、無機充填材の充填量を調整することにより、上記粘度を適切に調整することができる。上記線膨張係数を測定する方法としては、上記粘度の測定方法としては、E型粘度計に3°R7.7型コーンを装着し25°Cで5rpmの条件で測定を実施する方法が好ましい。本発明に係る液状の半導体封止用樹脂組成物の粘度を上記範囲内とすることにより、塗りむらが低減し、ウエハレベルパッケージ130の生産性が向上させることができる。本発明に係る液状の半導体封止用樹脂組成物において、下記式で表されるTI値が0.5以上2以下であることが好ましい。TI値=η2.5rpm/η0.5rpmη2.5rpmは、粘度計を用い、25°C、回転数2.5rpmで測定した粘度であり、η0.5rpmは、粘度計を用い、25°C、回転数0.5rpmで測定した粘度であることが好ましい。本実施の形態においては、フィラー充填量、フィラー粒度分布を調整することにより、上記TI値を適切に調整することができる。本発明に係る液状の半導体封止用樹脂組成物のTI値を上記範囲内とすることにより、塗布時には所定の粘度を有しているので、樹脂が飛び散ることによる汚染を抑制でき、かつ、引き延ばす際には粘度が小さくなるので、塗りむらを低減することができる。これにより、ウエハレベルパッケージ130の生産性を向上させることができる。本実施の形態に係る封止材層110の厚み層厚方向の厚みとしては、特に限定されないが、例えば、好ましくは100μm以上1000μm以下であり、より好ましくは50μm以上500μm以下である。また、半導体チップ108の上面から封止材層110の表面までの距離としては、特に限定されないが、好ましくは5μm以上100μm以下であり、より好ましくは10μm以上50μm以下である。これにより、封止材層110に起因する、薄層シリコン基板101との内部応力差が小さくなり、信頼性に優れた半導体装置が得られる。本発明に係る液状樹脂組成物の硬化物封止材層110の25°Cでの弾性率をE1、ガラス転移温度以下での線膨張係数をα1、前記液状樹脂組成物のE低応力材成分をC無機充填材成分に置換した液状樹脂組成物の硬化物の25°Cでの弾性率をE2、ガラス転移温度以下での線膨張係数をα2とした時、E1α1-E2α2/E2α2<-0.05であることが好ましい。すなわち、本発明に係る液状樹脂組成物の封止材層110において、その線膨張係数×室温弾性率を所定値より小さくすることが好ましい。これにより、寸法安定性が優れるため、半導体パッケージにおける不良の発生を抑制することができる。本発明に係る液状樹脂組成物の硬化物封止材層110のガラス転移温度をTg1、前記液状樹脂組成物のE低応力材成分をC無機充填材成分に置換した液状樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度をTg2とした時、-0.05<Tg1-Tg2/Tg2であることが好ましい。これより、耐熱性が向上するため、半導体パッケージに不良が発生することを抑制できる。[配線層129の形成工程]図5a~図6dは、本実施の形態に係る配線層129形成工程の手順を示す工程断面図である。この配線層129を形成する工程としては、疑似ウエハ111の一面上に絶縁樹脂層第1の絶縁層112を形成する工程と、絶縁樹脂層第1の絶縁層112上に、配線回路導電体122を形成する工程と、を含む。以下、配線層129を形成する工程について詳述する。まず、図5aに示すように、貫通プラグ105が設けられている疑似ウエハ111の主面に、第1の絶縁層112を形成する。言い換えると、貫通プラグ105が露出して設けられている薄層シリコン基板101および封止材層110の一面の全面上に、第1の絶縁層112を形成する。第1の絶縁層112を構成する材料としては、特に限定されないが、有機樹脂組成物が好ましく、例えば、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂等のポリアミド樹脂、ポリベンゾシクロブテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂等を主成分とする感光性樹脂組成物を挙げることができる。これらの中でも、露光、現像する際の感度、解像度、また、ガラス転移温度、弾性率等の機械特性、さらには、薄層シリコン基板101に対する密着性に優れるポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂等のポリアミド樹脂を主成分とするポジ型感光性樹脂組成物が好ましい。第1の絶縁層112を疑似ウエハ111の主面に形成する方法としては、特に限定されないが、スピンナーを用いた回転塗布法、スプレーコーターを用いた噴霧塗布法、浸漬法、印刷法、ロールコーティング法等を用いることができる。これにより、感光性樹脂組成物を塗布し、続いて、この感光性樹脂組成物に含まれる溶剤をプリベークし揮散させることにより、第1の絶縁層112を形成することができる。この時、感光性樹脂組成物は、形成方法に応じて適宜溶剤等で希釈することにより、粘度を調整することができる。感光性樹脂組成物の塗布量は、特に限定されないが、第1の絶縁層112の最終膜厚が0.1~30μmになるよう塗布することが好ましい。最終膜厚が下限値未満であると、封止材層110の絶縁膜としての機能を十分に発揮することが困難となることがある。また、最終膜厚が上限値を越えると、微細な加工パターンを得ることが困難となるばかりでなく、加工に時間がかかりスループットが低下することがある。また、プリベーク温度は、特に限定されないが、50~150°Cが好ましく、60~130°Cが好ましい。次いで、図5bに示すように、貫通プラグ105の位置に対応する第1の絶縁層112に、露光および現像処理を行う。これにより、第1の絶縁層112に凹部開口部114を形成する。この開口部114では、その底面に貫通プラグ105の表面が露出している。ここで、開口部114を形成するメカニズムについて説明する。疑似ウエハ111の主面上に形成された感光性樹脂組成物の塗膜第1の絶縁層112に、ステッパー等の露光装置でマスクの上から化学線を照射露光する。これにより、第1の絶縁層112には、露光された部分以下露光部というと露光されていない部分以下、未露光部というが形成される。この未露光部中のジアゾキノン化合物は現像液に不溶であり、またポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂等のポリアミド樹脂がジアゾキノン化合物と相互作用することで、さらに、未露光部は、現像液に対し耐性を持つようになる。一方、露光部においては、ジアゾキノン化合物が化学線の作用によって化学変化を起こし、現像液に可溶となる。このため、露光部の樹脂の溶解が促進される。この露光部と未露光部との溶解性の差を利用し、露光部を溶解除去することにより未露光部のみが残存する。このようにして、第1の絶縁層112に開口部114が形成される。露光する方法としては、特に限定されないが、貫通プラグ105に対応する位置に開口を有する露光パターンをマスクとして、第1の絶縁層112にX線、電子線、紫外線、可視光線等の化学線を照射することにより行うことが好ましい。化学線の波長としては、200~500nmであることが好ましい。また、化学線としては、i線またはg線が好ましい。また、露光部を現像液で溶解除去することにより、開口部114が形成される。この現像液としては、特に限定されないが、溶剤、アルカリ水溶液を挙げることができ、環境に対する負荷の少ないアルカリ水溶液が好ましい。アルカリ水溶液としては、特に限定されないが、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n-プロピルアミン等の第1アミン類、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン等の第2アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第3アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第4級アンモニウム塩等を含むアルカリ類、等の水溶液および、これにメタノール、エタノール等のアルコール類を含む水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液を好適に使用することができる。また、現像方法としては、例えば、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方式が好適である。次いで、図5cに示すように、第1の絶縁層112の表面上に導電層118を形成する。このとき、導電層118は、少なくとも開口部114内の壁面上および貫通プラグ105上に形成されていることが好ましい。導電層118を形成する方法としては、特に限定されないが、金属をスパッタリングする方法等が好適である。金属としては、特に限定されないが、Cr、Ti、Cu等が好ましい。また、低抵抗の観点からCuが好ましく、貫通プラグ105または後述の導電体122のCuの拡散を防止する観点からTiが好ましい。次いで、図5dに示すように、導電層118上にレジストパターン120を形成する。このレジストパターン120には、貫通プラグ105上に相当する位置に開口部116凹部が形成されている。すなわち、後の工程で開口部116に埋め込まれる導電体122が、貫通プラグ105と接続するビアおよび配線となるように、開口部116をレジストパターン120に形成する。レジストパターン120を構成するレジストとしては、特に限定されないが、液状またはフィルム状の感光性レジストが挙げられる。液状の感光性レジストを用いる場合のレジストパターン120の形成方法としては、例えば、導電層118の全面を覆うように、スクリーン印刷等の手法により液状の感光性レジストを形成し、次いで、開口を有するマスク図示せずを介して露光し、次いで、現像液により現像する。一方、フィルム状の感光性レジストを用いてレジストパターン120を形成する方法としては、例えば、導電層118の全面を覆うように、ラミネート等の手法によりフィルム状の感光性レジストを形成し、その後は、液状のレジストの場合と同様にする。図5eに示すように、次いで、レジストパターン120の開口部116内に、導電体122を埋め込む。導電体122は、めっき法で形成されることが好ましい。この導電体122は、電気的に貫通プラグ105と接続する。導電体122を構成する金属としては、特に限定されないが、電気抵抗が小さく信号の高速化に対応することができるCuが好ましい。この導電体122は、貫通プラグ105と電気的に接続する、ビアおよび配線となる。次いで、図6aに示すように、レジストパターン120を除去する。その後、レジストパターン120の直下導電体122が形成されていない領域の導電層118を除去する。これにより、導電体122の直下のみに、導電層118を残す。導電層118を除去する方法としては、特に限定されないが、導電層118の残渣が残り難い、反応性イオンエッチングRIE等の手法が好適である。反応性イオンエッチング等の手法により除去する際に、導電体122も若干膜減りを起こすが、導電層118よりも導電体122の厚みの方が十分に厚く形成されているため、導電体122が全て除去されてしまうことはない。次いで、図6bに示すように、第1の絶縁層112および導電体122を覆うように第2の絶縁層124を形成する。第2の絶縁層124を構成する材料は、第1の絶縁層112を構成する材料と同様のものから選択できる。第2の絶縁層124と第1の絶縁層112の材料は同種でもよく異種でもよい。また、第2の絶縁層110の形成方法は、第1の絶縁層112の形成方法と同様とする。次いで、図6cに示すように、第2の絶縁層124に開口部126を形成する。この開口部126は、導電体122上に相当する位置に形成される。第2の絶縁層110に開口部126を形成する方法としては、特に限定されないが、第1の絶縁層112を形成する方法と同様である。次いで、図6dに示すように、第2の絶縁層124の開口部126にバンプ128を形成する。この開口部126は、導電体122および導電層118を介して、貫通プラグ105と電気的に接続する。バンプ128を構成する材料としては、特に限定されないが、錫Sn、鉛Pb、銀Ag、ビスマスBi、インジウムIn、亜鉛Zn、ニッケルNi、アンチモンSb、鉄Fe、アルミニウムAl、金Au、ゲルマニウムGeおよび銅Cuからなる群から選択される少なくとも2種以上の金属の合金、または錫単体からなることが好ましい。これらのうち、溶融温度および機械的物性を考慮すると、Sn-Pbの合金、鉛フリー半田であるSn-Biの合金、Sn-Ag-Cuの合金、Sn-Inの合金、Sn-Agの合金などのSnを含む合金がより好ましい。バンプ128の形状は、特に限定されないが、球状が好ましい。バンプ128を形成する方法としては、特に限定されないが、例えばSnを含む合金とフラックスを主成分とするペーストを、第2の絶縁層124の開口部126にスクリーン印刷等の手法により塗布、次いで、半田リフローを行うことにより形成する方法、また、第2の絶縁層124の開口部126に、例えばSnを含む合金からなる半田ボールを載置し、次いで、半田ボールにフラックスを塗布し、次いで、半田リフローを行うことにより形成する方法等が挙げられる。半田リフローを行うには、例えば半田リフロー装置を用いる。以上のようにして、疑似ウエハ111の主面に再配線工程を行い、配線層129を形成する。これにより、ウエハレベルパッケージ130を得る。[個片化実装工程]次いで、ウエハレベルパッケージ130を分割する。ウエハレベルパッケージ130を分割することにより、本実施の形態の電子装置140を複数得る図2。ウエハレベルパッケージ130の分割は、単独の半導体チップ108毎に分割してもよいし、複数の半導体チップ108単位で分割してもよい。複数の半導体チップ108単位で分割することにより、一つの電子装置140に複数の機能を有する半導体チップ108を配置することができる。このため、電子装置140の高機能化を実現することができる。ウエハレベルパッケージ130を分割する方法としては、特に限定されないが、レーザーやダイシングソー等の手法により分割することができる。これらの中でも、簡便に分割することができるダイシングソーによる方法が好ましい。このようにして得られた電子装置140は、半導体チップ108の外縁の外側に配線を引きまわし、入出力の配線数を増大させることができるため、電子装置140の高機能化を実現することができる。次いで、図2に示すように、分割された電子装置140を基板インターポーザ132に実装する。実装をするには、電子装置140のバンプ128とインターポーザ132の上に形成された配線回路134とを接続する。これらを接続するには、まず、バンプ128の少なくとも表面に半田層を有する場合、バンプ128にフラックスを塗布する。次いで、バンプ128と配線回路134とが対応する位置に調整して、電子装置140をインターポーザ132に載置する。次いで、半田リフロー装置を用いて半田接続を行うことにより、バンプ128と配線回路134とを接続する。この時、電子装置140とインターポーザ132はバンプ128と配線回路134が金属結合することにより、電気的に接続されている。これにより、図2に示す積層パッケージ100が得られる。インターポーザ132である回路基板は、絶縁性の基材を主体として構成されていることが好ましい。基材を構成する材料としては、繊維基材または樹脂フィルムなどが挙げられる。繊維基材としては、例えばガラス繊布、ガラス不繊布等のガラス繊維基材、またはガラス以外の無機化合物を成分とする繊布もしくは不繊布等の無機繊維基材、芳香族ポリアミド樹脂、ポリアミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂等の有機繊維で構成される有機繊維基材が挙げられる。また、樹脂フィルム基材としては、例えばポリイミド樹脂フィルム、ポリエーテルイミド樹脂フィルム、ポリアミドイミド樹脂フィルム等のポリイミド樹脂系樹脂フィルム、ポリアミド樹脂フィルム等のポリアミド樹脂系フィルム、ポリエステル樹脂フィルム等のポリエステル樹脂系フィルムが挙げられる。これらの中でも主としてポリイミド樹脂系フィルムが好ましい。これにより、弾性率と耐熱性を特に向上し、良好な微細レーザー加工性を得ることができる。なお、基材には、微細粒径の無機フィラーナノフィラーを含有してもよい。また、基材の厚さは特に限定されず、例えば5~125μmとすることができる。特に、12.5~100μmとすることにより、基材の面直方向の屈曲性と、面内方向の伸縮性が良好に得られる。次に、本実施の形態の作用効果について説明する。また、封止材層110の面内方向において、間隔L1およびL2を適切に設定することにより、薄層シリコン基板101の実装面積を自由に増加することが可能となる。これにより、封止材層110中において、半導体チップ108の単位面積に対して、薄層シリコン基板101の実装面積を自由に設計できる。したがって、本実施の形態によれば、パッケージの自由度に優れた半導体装置が得られる。また、その効果の一つとして、L1およびL2の間隔を増大させることで、配線層129を形成する面積を増大させることができる。これにより、薄層シリコン基板101あたりの端子エリア、すなわち、半導体チップ108あたりの端子エリアを所望の面積とすることができる。また、減圧下で熱分解性の樹脂層20の熱分解を行っている。このため、熱分解性の樹脂層20がガス化したものが、排出される結果、ガス化が促進される。これにより、シリコン基板102に、熱分解性の樹脂層20が残存する量を低減できる。これにより、信頼性に優れた半導体装置が得られる。加えて、熱分解性の樹脂層20の残渣量が少ないので、シリコン基板102の洗浄工程を簡略化したり、省略したりすることができる。これにより、本実施の形態の半導体装置の製造方法の簡略化を図ることができる。また、5Pa以下の雰囲気下で加熱して、熱分解性の樹脂層20を熱分解することで、よりいっそう確実に熱分解性の樹脂層20の残渣量を低減させることができる。また、基材10においても、熱分解性の樹脂層20の残渣が低減できるので、基材10を再利用することができる。本実施の形態においては、シリコン基板102およびその上に実装している半導体チップ108を封止する半導体封止用樹脂組成物として、低弾性のものを用いている。これにより、半導体封止用樹脂組成物の硬化物で構成される封止材層110とシリコン基板102との内部応力差が小さくなる。このため、シリコン基板102においては、反りが発生することが抑制されているので、寸法安定性に優れている。このようなシリコン基板102上に配線層129を形成できるので、信頼性の高いウエハレベルパッケージ130が得られる。このようなウエハレベルパッケージ130を個片化して得られる電子装置140や、当該電子装置140をインターポーザ132に実装して形成された積層パッケージ100においても、ウエハレベルパッケージ130と同様の効果が得られる。本実施の形態の半導体装置としては、形態が特に限定されず、ウエハレベルパッケージ130、電子装置140、積層パッケージ100のいずれでもよい。また、シリコン基板102上に半導体チップ108が実装された構造体を、熱分解性の樹脂層20上に、一括して配置した後、封止工程を行うことができる。このため、本実施の形態の半導体装置の製造方法は、生産性に優れている。また、疑似ウエハ111上に配線層129を形成しているので、所望の配線パターンを形成できる。このため、生産性に優れたウエハレベルパッケージ130が形成される。次に、本実施の形態の半導体装置の変形例について説明する。図10aは、本変形例のウエハレベルパッケージの一例の断面図を示す。本変形例のウエハレベルパッケージ301の一例においては、半導体チップ304が貫通プラグ303を有しており、この貫通プラグ303を介して、半導体チップ312が電気的に接続するように半導体チップ304上に形成されている。このように、本変形例は、半導体チップを積層する点以外は、基本的に本実施の形態と同様である。以下、本変形例について、上記の実施の形態と相違する点について、詳述する。本変形例のウエハレベルパッケージ301においては、薄層シリコン基板101上に、半導体チップ304および半導体チップ312が積層している。この半導体チップ312は、半導体チップ304の貫通プラグ303を介して、貫通プラグ105、導電層118、導電体122およびバンプ128と電気的に接続している。このように、半導体チップ312は、バンプ128を経由して外部回路と電気的に接続できる。また、半導体チップ304において、貫通プラグ303は、例えば、トランジスタ回路に電気的に接続したものと、該トランジスタ回路に電気的に接続しないで回路内の素子および配線等とは絶縁されているものとを有してもよい。この貫通プラグ303は、少なくとも、接続が必要な半導体チップ312の電極に対抗する位置に設けられていればよい。また、貫通プラグ303を有する半導体チップ304の高さは、特に限定されず、各種の設計に応じて、適切に選択することができる。また、半導体チップ304および半導体チップ312としては、DRAM、ロジック等の各種の半導体素子を用いることができる。また、DRAM同士を積層してもよいし、DRAMとロジックとの異種の半導体素子を積層してもよい。本変形例では、2層の半導体素子の積層構造であるが、積層数としては、とくに限定されず、積層方向に対して、3層以上の積層構造については後述する。また、1つの半導体チップ304の面内方向においては、複数の半導体チップ312が設けられていてもよい。これらの半導体チップ304および半導体チップ312はそれぞれ、封止材層110および封止材層310に封止されている。次に、本変形例の半導体装置の製造方法について説明する。図8は、本実施の形態の変形例における半導体装置の製造手順を示す工程断面図である。本変形例の半導体装置の製造方法は、次の工程を含む。まず、基材10とシリコン基板102及び半導体チップ108を含む構造体とを固定する工程において、第1の半導体素子半導体チップ304の一面に第1の埋込導電部プラグ302が設けられており、この半導体チップ304のプラグ302とシリコン基板102の埋込導電部106とを電気的に接続する。次いで、封止材層110を形成する工程後、封止材層110の上面とともに半導体チップ304の他面を研削して、半導体チップ304の他面にプラグ302を露出させて、第1の貫通プラグ貫通プラグ303とする。次いで、半導体チップ304の他面上に、貫通プラグ303と電気的に接続する第2の半導体素子半導体チップ312を設ける。次いで、前述の半導体封止用樹脂組成物を用いて、半導体チップ304の他面に設けられた半導体チップ312を封止する封止材層310を形成する。以下、各工程について詳述する。まず、図8aに示すように、図3aから図4aと同様の工程を行う。ただし、半導体チップ108に代えて、一面に埋め込まれたプラグ302を複数有する半導体チップ304を用いる。これにより、シリコン基板102と半導体チップ304とが、貫通プラグ105、接続部220及びプラグ302により電気的に接続された構造体を得る。また、封止材層110により、かかる構造体上面上および側壁上は覆われており、かつ、構造体同士の間は埋め込まれている。続いて、図8bに示すように、封止材層110の上面上および半導体チップ304の上面上を研削する。この研削方法としては、前述の方法と同様である。これにより、半導体チップ304の他面上に、プラグ302を露出させて貫通プラグ303とする。続いて、図8cに示すように、半導体チップ304の上に半導体チップ312を実装する。実装方法としては、シリコン基板102上に半導体チップ304を実装する方法と同様の手法を用いることができる。これにより、貫通プラグ303を介して、半導体チップ304と半導体チップ312とを電気的に接続する。続いて、図8dに示すように、封止材層110の形成と同様にして、半導体チップ312を封止する封止材層310を形成する。この封止材層310は、封止材層110と同様の前記半導体封止用樹脂組成物を用いる。また、封止材層310により、半導体チップ312の上面上および側壁上は覆われており、半導体チップ312同士の間は埋め込まれている。この後、前述と同様にして、シリコン基板102から基材10を分離する。以上の工程の後、図4b~図6dと同様の工程を行う。すなわち、シリコン基板102から基材10を分離して、疑似ウエハを得る。この疑似ウエハ上に配線層129を形成する。このようにして、図10aに示すような、ウエハレベルパッケージ301が得られる。このウエハレベルパッケージ301は、個片化して電子装置を得てもよく、この電子装置をさらにインターポーザ等の実装基板に実装して、積層パッケージを得てもよい。本変形例は、本実施の形態と同等の効果が得られる。また、積層方向かつ面内方向に複数の半導体チップを積層できるので、面積の増大を抑制しつつ、チップの数を増大させることができる。このような三次元的な積層により、単位面積あたりの機能に優れた半導体装置が得られる。また、半導体チップ312は、半導体チップ304が積層される。また、積層される半導体チップ312の接続距離も短くなり、高密度かつ高速な半導体装置が得られる。また、実装工程において、熱分解性の樹脂層20上にシリコン基板102を予め配置した場合、半導体チップの品質や種類を選択し、この半導体チップを個別に搭載した後、一括接合することができる。このように種類等が異なる半導体チップを一括で実装できるため、作業性に優れた半導体装置の製造方法が得られる。次に、本実施の形態の半導体装置の他の変形例について説明する。図10bは、本変形例のウエハレベルパッケージの他の一例の断面図を示す。他の変形例のウエハレベルパッケージ300の一例においては、3層以上の半導体チップが積層している点が上記変形例と相違する以外は、基本的に上記変形例と同様である。以下、他の変形例について、上記の変形例と相違する点について、詳述する。ウエハレベルパッケージ300においては、複数かつ多機能の半導体チップが三次元的に積層されている。また、バンプ128が形成されている側を下層側としたとき、最上層の封止材層310には、半導体チップ312および抵抗素子316が設けられている。そして、最下層の封止材層110から中層の封止材層310においては、貫通プラグ303を有する半導体チップ304が設けられている。他の変形例においては、最下層および中層の封止材層310においては、全ての半導体チップが貫通ビアを有してもよいが、一部の半導体チップのみが貫通プラグ303を有してもよい。また、最上層以外の封止材層310においても、抵抗素子等の、半導体チップ以外の各種の半導体素子が設けられていてもよい。また、他の変形例においては、4層の積層構造としているが、積層数は特に限定されず、10層以上の積層構造としてもよい。また、半導体チップ304は、複数の貫通プラグ303を有してもよい。これにより、半導体チップ304の面内方向においては、複数の半導体素子例えば、貫通プラグ303を有する半導体チップ304半導体チップ312、抵抗素子316等を実装することができる。実装方法としては、前述と同様である、フラックス活性を有する接着層210を用いたハンダ接合方法などの方法で形成された配線層314を用いた接合方法等があげられる。複数の半導体チップ304に亘って配線層314を形成できる。このため、配線層314上に形成する半導体チップの配置の自由度がさらに向上する。また、各封止材層310の層厚は、特に限定されないが、好ましくは100μm以上1000μm以下であり、より好ましくは50μm以上500μm以下である。また、最上層において、半導体チップ312の上面から封止材層310の表層までの距離は、特に限定されないが、好ましくは5μm以上100μm以下であり、より好ましくは10μm以上50μm以下である。次に、他の変形例の半導体装置の製造方法について説明する。図9aおよびbは、図8aおよびbに示す工程と同様にする。続いて、図9cに示すように、半導体チップ304の上に半導体チップ306を実装する。この半導体チップ306はプラグ308を有する。このため、半導体チップ304の貫通プラグ303と半導体チップ306のプラグ308とが電気的に接続する。実装方法としては、シリコン基板102上に半導体チップ304を実装する方法と同様の手法を用いることができる。続いて、図9dに示すように、封止材層110の形成と同様にして、半導体チップ306を封止する封止材層310を形成する。この封止材層310は、封止材層110と同様の前記半導体封止用樹脂組成物を用いる。この後、図9b~図9dから構成される一連の工程を複数繰り返して、半導体チップを積層する。その後、上記変形例と同様にして、図4b~図6dと同様の工程を行う。すなわち、シリコン基板102から基材10を分離して、疑似ウエハを得る。この疑似ウエハ上に配線層129を形成する。このようにして、図10bに示すような、ウエハレベルパッケージ300が得られる。他の変形例においては、本実施の形態および上記変形例と同様の効果が得られる。また、高密度に三次元実装することができるので、より小型、高速、及び高機能または多機能の半導体装置が得られる。なお、当然ながら、上述した実施の形態および複数の変形例は、その内容が相反しない範囲で組み合わせることができる。また、上述した実施の形態および変形例では、各部の構造などを具体的に説明したが、その構造などは本願発明を満足する範囲で各種に変更することができる。"