基板と、前記基板上に形成された誘電体膜と、前記基板と前記誘電体膜との間に設けられ、それぞれ電極指を含み対向する櫛型電極と、を備え、前記基板および誘電体膜の少なくとも一方は圧電体であり、前記対向する櫛型電極のうち一方の電極指の先端と、前記対向する櫛型電極のうち他方の櫛型電極の間のギャップの上方の前記誘電体膜の上面は、前記電極指の延伸方向に、前記基板の上面に対し傾斜しており、前記基板の上面に対する前記誘電体膜の上面の傾斜角度は30°以上かつ50°以下であることを特徴とする弾性波デバイス。前記誘電体膜の上面は、前記ギャップの上方全体にわたり傾斜していることを特徴とする請求項1記載の弾性波デバイス。前記対向する櫛型電極は、それぞれ前記電極指とバスバーとを含み、前記電極指上の前記誘電体膜の膜厚と、前記バスバー上の前記誘電体膜の膜厚とは異なることを特徴とする請求項1および2記載の弾性波デバイス。前記誘電体膜の上面の傾斜により生じる前記誘電体膜の膜厚差は、前記対向する櫛型電極の膜厚より大きいことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の弾性波デバイス。前記対向する櫛型電極を含むIDTを複数有し、前記複数のIDTは前記傾斜角度が異なることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の弾性波デバイス。前記複数のIDTは、ラダー型フィルタの直列共振器に含まれる第1IDTと並列共振器の含まれる第2IDTとを含み、前記第1IDTと前記第2IDTとで、前記傾斜角度が異なることを特徴とする請求項5記載の弾性波デバイス。前記請求項1から6のいずれか一項記載の弾性波デバイスを含むことを特徴とするモジュール。誘電体膜を基板上に形成した弾性波デバイスでは、励振される弾性波は誘電体膜まで分布している。このため、特許文献1の方法では、基板と誘電膜との界面の横モードの弾性波の一部を散乱させる。しかし、誘電体膜内の弾性波を散乱させることは難しい。よって、スプリアスの抑制は十分ではない。また、特許文献2の方法を用いると、バスバー等の表面が誘電体膜から露出する。これにより、信頼性が低下する可能性がある。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、スプリアスの抑制を目的とする。本発明は、基板と、前記基板上に形成された誘電体膜と、前記基板と前記誘電体膜との間に設けられ、それぞれ電極指を含み対向する櫛型電極と、を備え、前記基板および誘電体膜の少なくとも一方は圧電体であり、前記対向する櫛型電極のうち一方の電極指の先端と、前記対向する櫛型電極のうち他方の櫛型電極の間のギャップの上方の前記誘電体膜の上面は、前記電極指の延伸方向に、前記基板の上面に対し傾斜しており、前記基板の上面に対する前記誘電体膜の上面の傾斜角度は30°以上かつ50°以下であることを特徴とする弾性波デバイスである。本発明によれば、スプリアスを抑制することができる。上記構成において、前記誘電体膜の上面は、前記ギャップの上方全体にわたり傾斜している構成とすることができる。上記構成において、前記対向する櫛型電極は、それぞれ前記電極指とバスバーとを含み、前記電極指上の前記誘電体膜の膜厚と、前記バスバー上の前記誘電体膜の膜厚とは異なる構成とすることができる。上記構成において、前記誘電体膜の上面の傾斜により生じる前記誘電体膜の膜厚差は、前記対向する櫛型電極の膜厚より大きい構成とすることができる。上記構成において、前記対向する櫛型電極を含むIDTを複数有し、前記複数のIDTは前記傾斜角度が異なる構成とすることができる。上記構成において、前記複数のIDTは、ラダー型フィルタの直列共振器に含まれる第1IDTと並列共振器の含まれる第2IDTとを含み、前記第1IDTと前記第2IDTとで、前記傾斜角度が異なる構成とすることができる。本発明は、上記弾性波デバイスを含むことを特徴とするモジュールである。本発明によれば、スプリアスを抑制することができる。以下、図面を参照し、本発明の実施例について説明する。実施例1は、弾性波デバイスとして共振器の例である。図1aは、実施例1に係る共振器100の断面図、図1bは、共振器100の一部の平面図である。図1aは、図1bのA-A断面図に対応する。図1aおよび図1bのように、例えばリチウム酸ニオブまたはリチウム酸タンタル等の圧電性の基板10上に酸化シリコン膜等の誘電体膜14が形成されている。基板10と誘電体膜14との間にCu等の金属膜からなる櫛型電極12aおよび12bが形成されている。櫛型電極12aおよび12bは対向して形成され、IDT12を形成している。櫛型電極12aおよび12bはそれぞれ、電極指13aおよび13bとバスバー11aおよび11bを有している。電極指13aおよび13bは同じ方向に延伸しており、電極指13aと13bとが交互に設けられている。電極指13aと13bとが交差する領域が交差領域52であり、バスバー11aおよび11bの領域がバスバー領域54である。対向する櫛型電極12aおよび12bのうち一方の電極指13aまたは13bの先端と、対向する櫛型電極12aおよび12bのうち他方の櫛型電極12bと間に電極のギャップ15が存在する。このギャップ15の領域がギャップ領域50である。ギャップ15の上方の誘電体膜14の上面は、電極指13aおよび13bの延伸方向に、基板10の上面に対し傾斜している。誘電体膜14の上面が傾斜している領域が傾斜領域20である。傾斜領域20における、基板10の上面に対する誘電体膜14の上面の傾斜角度θは30°以上かつ50°以下である。なお、傾斜領域20の傾斜角度は一定でなくともよく、例えば、傾斜領域20の周辺付近では、傾斜角度が小さく、中心付近では、傾斜角度が大きくてもよい。この場合、傾斜角度θは、傾斜領域20において最も傾斜している角度である。図2aおよび図2bは実施例1に係る共振器100の平面図である。図2aは、誘電体膜14を透視した図である。図2aのように、IDT12に対し、IDT12の電極指の延伸方向に交差する方向の両側に反射器16が設けられている。図2bは、誘電体膜14および傾斜領域20を図示した図である、図2bにおいて、IDT12および反射器16は破線で図示している。図2bのように、IDT12のギャップ15上に傾斜領域20が形成されている。傾斜領域20は、IDT12から反射器16に連続して形成されている。傾斜領域20は、IDT12の電極指および反射器の電極指を囲むように形成されている。特定の周波数を有する高周波信号がIDT12に印加されることにより、IDT12の電極指13aおよび13bにより基板10および誘電体膜14内に弾性波が励振される。励振された弾性波は、電極指13aおよび13bに直交する方向に伝搬する。弾性波は反射器16により反射される。これにより、共振器100は特定の共振周波数において共振する共振器として機能する。電極指13aおよび13bに交差する方向に伝搬する弾性波は、共振器として機能するための主モードの弾性波である。横モードスプリアスは、電極指13aおよび13bの延伸方向に伝搬する弾性波に起因する。そこで、ギャップ15上の誘電体膜14の上面を斜めとする。これにより、電極指13aおよび13bの延伸方向に伝搬する弾性波が分散する。よって、横モードスプリアスを抑制できる。さらに、バスバー11aおよび11bを誘電体膜14で覆うことができる。このため、特許文献2のように、バスバー等が誘電体膜14から露出することがない。よって、信頼性の劣化を抑制することができる。次に、誘電体膜14の傾斜領域20の形成方法について説明する。図3aから図4cは、傾斜領域20の作製方法を示す断面図である。図3aのように、基板10上に櫛型電極12aおよび12bを形成する。櫛型電極12aおよび12bを覆うように基板10上に誘電体膜14を形成する。図3bのように、誘電体膜14上にフォトレジスト30を塗布する。図3cのように、フォトレジスト30に露光マスク32を用い、バスバー11b上のフォトレジスト30に紫外線UVを照射する。図3dのように、現像することにより、紫外線が照射されたバスバー11b上のフォトレジスト30が除去される。図4aのように、ポストベークすることにより、フォトレジスト30の端面35の傾斜が大きくなる。図4bのように、フォトレジスト30と誘電体膜14との選択比の小さいエッチングガスを用い、フォトレジスト30と誘電体膜14とをドライエッチングする。これにより、誘電体膜14にフォトレジスト30の端面35の傾斜が転写され、ギャップ15上に傾斜領域20が形成される。図4cのように、フォトレジスト30を除去する。以上により、誘電体膜14の傾斜領域20を形成することができる。次に、比較例1に係る共振器と実施例1に係る共振器の櫛型電極12aおよび12b間の高周波数信号におけるコンダクタンスを測定し、比較した。測定した実施例1に係る共振器100は、図1aから図2bに概略を示した共振器である。基板10はリチウム酸ニオブを主に含む。櫛型電極13aおよび13bはCuを主に含む。誘電体膜14は酸化シリコンを主に含む。弾性波デバイスとして機能するための弾性波の波長をλとしたとき、電極指13aおよび13bの長さはそれぞれ約30λである。ギャップ15の長さは約0.25λである。電極指13aおよび13b上の誘電体膜14の膜厚は約0.3λである。バスバー11aおよび11b上の誘電体膜14の膜厚は約0.1λである。傾斜角度θは約35°である。傾斜領域20の底辺の長さは約0.35λである。図5aは、比較例1に係る共振器120の断面図、図5bは、共振器120の一部の平面図である。図5aおよび図5bを参照し、実施例1の図1aおよび図1bと比較し、比較例1に係る共振器120は、ギャップ15上の誘電体膜14の上面が平坦である。その他の構成は実施例1に係る共振器100と同じであり説明を省略する。図6aおよび図6bは、それぞれ実施例1および比較例1に係る共振器の周波数に対するコンダクタンスを示す図である。周波数は、共振器の反共振周波数付近である。図6aのように、実施例1に係る共振器100においては、周波数に対しコンダクタンスは比較的なだらかである。一方、図6bのように、比較例1に係る共振器120においては、コンダクタンスが極大となる周波数がある。これは、横モードのスプリアスに起因する。次に、電極指の延伸方向の弾性波の分布を測定した。図7aおよび図7bは、それぞれ実施例1および比較例1に係る共振器の弾性波の強度を示す図である。図7aおよび図7bは、IDT12に1910MHzの駆動信号を印加した場合の、電極指13aおよび13bの延伸方向の弾性波の強度を示している。横軸は、電極指13aおよび13bの延伸方向の位置Yを示し、縦軸は、弾性波の変位量Iを示している。図7bのように、比較例1では、バスバー領域54間の交差領域52において、横モードの3次モードの弾性波が励振されている。一方、図7aのように、実施例1では、多数の高次モードの弾性波が励振されている。この結果、図7bのように、特定の強い高次モードの弾性波は励振されていない。次に、実施例1において、傾斜角度θが80°、70°、45°、35°および33°の共振器100を作製し、傾斜角度θに対する横モードスプリアス量を測定した。図8は、実施例1における傾斜角度θに対する横モードスプリアス量を示す図である。横モードスプリアス量は、例えば、図6aおよび図6bのような周波数に対するコンダクタンスの図中、最も大きいスプリアスのスプリアス量である。図8のように、横モードスプリアス量は、傾斜角度θが大きいと大きくなる。傾斜角度θが小さくなるにしたがい、横モードスプリアス量は小さくなる。特に、傾斜角度θが45°以下になると、横モードスプリアスはほとんど観測されない。これは、傾斜角度θが大きくなると、傾斜領域20の幅が狭くなり、ギャップ領域50に占める傾斜領域20の幅が小さくなるためである。図9aは、比較例2に係る共振器122の断面図、図9bは、共振器122の一部の平面図である。実施例1の図1aおよび図1bと比較し、図9aおよび図9bのように、比較例2に係る共振器122は、傾斜領域20がバスバー領域54に位置し、ギャップ15上の誘電体膜14の上面は平坦である。その他の構成は実施例1に係る共振器100と同じであり説明を省略する。図10は、比較例2に係る共振器の周波数に対するコンダクタンスを示す図である。図10のように、比較例1に比べスプリアスは小さいものの、実施例1に比べると大きな横モードスプリアスが観測される。以上のように、ギャップ15上に傾斜領域20を形成すことにより、横モードスプリアスを抑制できる。図11は、周波数に対するコンダクタンスの特性の例を示す図である。図11は、周波数とコンダクタンスとの関係を示す一例であり、図6aおよび図6bに示した比較例1および実施例1と共振周波数等は一致していない。図11の例では、共振周波数frは1750MHz付近であり、反共振周波数は1810MHz付近である。ここで、横モードスプリアスを、共振周波数と反共振周波数との間の周波数範囲40の横モードスプリアスと、反共振周波数付近の周波数範囲42の横モードスプリアスに分類した。周波数範囲42に加え、周波数範囲40においても、傾斜角度θに対する横モードスプリアス量を測定した。図12は、異なる周波数範囲の傾斜角度に対する横モードスプリアス量を示す図である。図12において、黒丸は、周波数範囲42の測定結果であり、実線は、黒丸の近似曲線である。白丸は、周波数範囲40の測定結果であり、破線は、白丸の近似曲線である。周波数範囲42の測定点は図8と同じである。周波数範囲42の横モードスプリアス量は、傾斜角度θが約24°、28°、38°および55°について測定した。傾斜角度θが38°のとき、横モードスプリアスが最も小さくなっている。近似曲線では、傾斜角度θが40°~45°付近において横モードスプリアス量は極小値となる。以上のように、周波数範囲42付近の横モードスプリアスを問題にする場合、図8のように、傾斜角度θが45°以下であることが好ましい。一方、周波数範囲40付近の横モードスプリアスを問題にする場合は、最適な傾斜角度θが周波数範囲42とは異なる。図12より、周波数範囲40付近において、横モードスプリアス量を0.0025S以下とするためには、傾斜角度θは30°以上かつ50°以下が好ましい。さらに、32°以上かつ48°以下がより好ましく、35°以上かつ45°以下がより好ましい。なお、弾性波の特性は弾性波の波長λで規格化することにより、一般化することが可能である。このため、傾斜角度θは、λに対し依存しない。よって、図12については、異なる共振周波数を有する共振器についても一般化することができる。実施例1によれば、ギャップ15の上方の誘電体膜14の上面は、電極指13aおよび13bの延伸方向に、基板10の上面に対し傾斜しており、基板10の上面に対する誘電体膜14の上面の傾斜角度は30°以上かつ50°以下である。これにより、特に、共振周波数と反共振周波数との間の周波数範囲40の横モードスプリアスを抑制することができる。さらに、バスバー11aおよび11bを誘電体膜14で覆うことができるため、信頼性の劣化を抑制できる。実施例1のように、交差領域が主な弾性波の伝搬方向に一定である共振器は正規型電極とよばれる。横モードスプリアスを抑制するため、交差領域に重み付けするアボダイズ重み付けすることも考えられる。実施例1においては、横モードスプリアスを抑制できるため、アボダイズ重み付けしなくてもよい。また、さらに横モードスプリアスを抑制するため、アボダイズ重み付けした共振器に実施例1のように、ギャップ領域50に傾斜領域20を設けることもできる。傾斜領域20はギャップ領域50の少なくとも一部を含めばよいが、実施例1の図1aおよび図1bのように、誘電体膜14の上面は、ギャップ15の上方全体にわたり傾斜していることが好ましい。これにより、より横モードスプリアスを抑制することができる。また、傾斜領域20は、交差領域52およびバスバー領域54の一部を含んでもよい。さらに、電極指13aおよび13b上の誘電体膜14の膜厚と、バスバー11aおよび11b上の誘電体膜14の膜厚とは異なる。これにより、バスバー11の表面を誘電体膜14から露出させることなく、ギャップ15上に誘電体膜14の傾斜を設けることができる。さらに、誘電体膜14の上面の傾斜により生じる誘電体膜14の膜厚差は、対向する櫛型電極12aおよび12bの膜厚より大きい。これにより、傾斜領域20において、横モードの弾性波をより反射することができる。よって、横モードスプリアスをより抑制することができる。次に、実施例1の変形例1について説明する。図13aは、実施例1の変形例1に係る共振器102の断面図、図13bは、共振器102の一部の平面図である。図13aおよび図13bのように、実施例1の図1aおよび図1bと比較し、実施例1の変形例1に係る共振器102は、バスバー領域54の誘電体膜14が交差領域52の誘電体膜14より厚い。その他の構成は実施例1に係る共振器100と同じであり説明を省略する。実施例1のように、バスバー領域54の誘電体膜14が交差領域52の誘電体膜14より薄くてもよいが、実施例1の変形例1のように、逆でもよい。次に、実施例1の変形例2について説明する。図14aは、実施例1の変形例2に係る共振器104の断面図、図14bは、共振器104の一部の平面図である。図14aおよび図14bのように、実施例1の図1aおよび図1bと比較し、実施例1の変形例2に係る共振器104は、電極指13aおよび13bの先端の延伸方向に、それぞれ対向する櫛型電極12bおよび12aのダミー電極指17bおよび17aが設けられている。ダミー電極指17aおよび17bは、それぞれバスバー11aおよび11bに接続されている。ダミー電極指17aおよび17bの領域がダミー領域56である。傾斜領域20は、ギャップ領域50に形成されている。その他の構成は、実施例1の図1aおよび図1bと同じであり説明を省略する。実施例1の変形例2のように、共振器104にダミー電極指17aおよび17bが設けられていてもよい。なお、傾斜領域20は、交差領域52、バスバー領域54およびダミー領域56の一部を含んでもよい。なお、実施例1の変形例1、3、4または5にダミー電極を設けてもよい。次に、実施例1の変形例3について説明する。図15aは、実施例1の変形例3に係る共振器106の断面図、図15bは、共振器106の一部の平面図である。図15aおよび図15bのように、実施例1の図1aおよび図1bと比較し、実施例1の変形例3に係る共振器106は、傾斜領域20が、第1傾斜領域20aと第2傾斜領域20bを含む。第1傾斜領域20aは、交差領域52側からバスバー領域54側に誘電体膜14の上面が低くなるように傾斜する。第2傾斜領域20bは、交差領域52側からバスバー領域54側に誘電体膜14の上面が高くなるように傾斜する。第1傾斜領域20aがギャップ領域50の交差領域52側に設けられ、第2傾斜領域20bがギャップ領域50のバスバー領域54側に設けられている。さらに、傾斜領域20のバスバー領域54側には傾斜領域20が設けられていない。その他の構成は、実施例1の図1aおよび図1bと同じであり説明を省略する。実施例1の変形例3のように、傾斜領域20は、第1傾斜領域20aと第2傾斜領域20bを含んでもよい。また、傾斜領域20は、ギャップ領域50の一部に形成されていてもよい。さらに、第1傾斜領域20aの傾斜角度θaと第2傾斜領域20bの傾斜角度θbは、同じでもよいが、異なっていてもよい。傾斜角度θaおよびθbの少なくとも一方は、30°以上かつ50°以下が好ましい。傾斜角度θaおよびθbの両方が30°以上かつ50°以下であることがより好ましい。さらに、電極指13aおよび13bの延伸方向に伝搬する弾性波を散乱させるためには、傾斜角度θaが30°以上かつ50°以下であることが好ましい。次に、実施例1の変形例4について説明する。図16aは、実施例1の変形例4に係る共振器108の断面図、図16bは、共振器108の一部の平面図である。変形例4は、図16aおよび図16bのように、実施例1の変形例3の図15aおよび図15bと比較して、共振器108の第2傾斜領域20bおよびバスバー領域54の誘電体膜14上に、別の誘電体膜14aが形成されている。誘電体膜14aは、例えば酸化シリコン膜である。その他の構成は、実施例1の変形例3の図15aおよび図15bと同じであり説明を省略する。実施例1の変形例4のように、ギャップ領域50の一部は誘電体膜14の膜厚が厚くなっていてもよい。次に、実施例1の変形例5について説明する。図17は、実施例1の変形例5に係る共振器110の平面図である。図17のように、傾斜領域20が、IDT12のギャップ領域50と、IDT12と反射器16との間に設けられている。その他の構成は実施例1に係る共振器100と同じであり説明を省略する。実施例1の変形例5のように、傾斜領域20は、IDT12aおよび12bのギャップ領域50に設けられていればよい。例えば、傾斜領域20は、IDT12のギャップ領域50のみに設けられていればよい。なお、実施例1およびその変形例において、基板10が圧電体である例を説明したが、基板10および誘電体膜14の少なくとも一方が圧電体であればよい。実施例2は、弾性波デバイスがフィルタの例である。図18は、実施例2に係るラダー型フィルタ115の回路図である。図18のように、入力端子Tinと出力端子Toutとの間に直列共振器S1からS3が直列に接続されている。入力端子Tinと出力端子Toutとの間に並列共振器P1およびP2が並列に接続されている。並列共振器P1およびP2それぞれの一端はグランドGndに接続されている。図19は、実施例2に係るラダー型フィルタ115の平面図である。圧電性の基板10に直列共振器S1からS3並びに並列共振器P1およびP2が形成されている。直列共振器S1からS3並びに並列共振器P1およびP2は、実施例1またはその変形例に係る共振器である。各共振器間は配線22により電気的に接続されている。各共振器は、IDT12とIDT12を挟む反射器16とを有している。図20は、実施例2に係るラダー型フィルタ115の通過特性の測定結果を示す図である。実施例2のラダー型フィルタ115の各共振器は、図6aを測定した実施例1の共振器100と同じ構造であり、傾斜角度θは、35°である。比較例3のラダー型フィルタの各共振器は、図6bを測定した比較例1の共振器120と同じ構造である。図20のように、実施例2においては、比較例3に対し、通過帯域内の横モードスプリアスに起因したリップルが小さくなっている。実施例2のように、実施例1およびその変形例を用いフィルタを形成することができる。実施例2は、ラダー型フィルタの例であったが、多重モードフィルタに実施例1またはその変形例を用いることもできる。これにより、通過帯域内のリップルを抑制することができる。また、ラダー型フィルタにおいては、直列共振器S1~S3の共振周波数付近が通過帯域となる。一方、並列共振器P1およびP2の反共振周波数付近が通過帯域となる。よって、直列共振器S1~S3の傾斜角度θを30°~50°の範囲例えば45°とする。これにより、図12のように、共振周波数と反共振周波数の間の横モードスプリアスを抑制できる。一方、並列共振器P1およびP2の傾斜角度θは45°より小さくする。これにより、並列共振器P1およびP2の反共振周波数付近の横モードスプリアスを抑制できる。例えば、並列共振器P1およびP2の傾斜角度θを30°とすることにより、角度のばらつきによらず余裕を持って、並列共振器P1およびP2の反共振周波数付近の横モードスプリアスを抑制できる。よって、通過帯域のリップルをより抑制することができる。以上のように、IDT12を複数有する弾性波デバイスにおいて、複数のIDT12の傾斜角度θが異ならせることができる。例えば、共振周波数と反共振周波数の間の横モードスプリアスを抑制したい共振器は、傾斜角度θを30°~50°とする。好ましくは、35°~45°とする。反共振周波数付近の横モードスプリアスを抑制したい共振器は、傾斜角度θを45°以下とする。好ましくは35°以下、さらに好ましくは30°以下とする。これにより、より横モードスプリアスを抑制することができる。このように、直列共振器S1~S3に含まれる第1IDTと並列共振器P1およびP2の含まれる第2IDTとで、傾斜角度θが異ならせることができる。実施例2には、実施例1に係る共振器以外にも実施例1の各変形例に係る共振器を用いることもできる。実施例3は、RFRadioFrequencyモジュールの例である。図21は、実施例3に係るモジュール70のブロック図である。図21のように、モジュール70は、主にデュプレクサ73、パワーアンプ74、送信用フィルタ75、ローノイズアンプ76および受信フィルタ77を備えている。デュプレクサ73は、フィルタ71と72とを備えている。送信端子Ttxには、送信信号が入力する。送信用フィルタ75は、送信信号をフィルタリングする。パワーアンプ74は、送信信号を増幅する。デュプレクサ73のフィルタ71は、送信信号をフィルタリングし、送信信号をアンテナ端子Tantに出力する。デュプレクサ73のフィルタ72は、送信信号がローノイズアンプ76側に漏洩することを抑制する。アンテナ端子Tantには、受信信号が入力する。デュプレクサ73のフィルタ72は、受信信号をローノイズアンプ76に出力する。デュプレクサ73のフィルタ71は、受信信号がパワーアンプ74側に漏洩することを抑制する。ローノイズアンプ76は、受信信号を増幅する。受信用フィルタ77は、受信信号をフィルタリングし受信端子Trxに出力する。実施例3に係るモジュール70のうち、フィルタ71、72、75および77の少なくとも一つを実施例2のフィルタとすることができる。実施例3に係るモジュール70は、例えば、携帯電話等の移動体通信用のRFモジュールとして用いることができる。実施例3以外にも、モジュールに実施例1またはその変形例の共振器を用いることができる。以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。