基板上に、内部端の第1の組を有する分離された要素を含むパターンで導電性材料の層を提供する段階、基板上に、それらの間に1つ以上のキャビティを形成するための、一連の壁構造体を提供する段階であって、前記壁構造体は内部端の前記第1の組と協働する内部端の第2の組を有し、内部端の第2の組は、所定の距離だけ第1内部端と第2内部端による形成されるキャビティの中心に関して内部端の第1の組の外側に配置される段階、前記キャビティ内に液体材料を堆積する段階、を含む、半導体装置を製造する方法。前記所定の距離が1から20マイクロメートルの範囲内である請求項1に記載の方法。分離された要素が第1のピッチで配置され、壁構造体が第2のピッチで配置され、第1のピッチが第2のピッチと等しくない、請求項1に記載の方法。水または溶媒に関する前記表面の濡れ性を変更するために、壁構造体の表面の表面特性を変更する段階をさらに含む、請求項1に記載の方法。表面が、キャビティに対向する表面および/または壁構造体の上表面を含む、請求項4に記載の方法。壁構造体が実質的に垂直な、角度を有する、または湾曲した壁を備える、請求項1に記載の方法。液体材料が少なくとも溶媒、および半導体材料または半導体材料の前駆体を含む、請求項1に記載の方法。液体材料が少なくとも分散媒体、および半導体材料の分散粒子、または半導体材料の前駆体を含む、請求項1に記載の方法。半導体材料として有機半導体材料が選択される、請求項7に記載の方法。半導体材料として無機半導体材料が選択される、請求項7に記載の方法。バック-リソグラフィーによって壁構造体がパターニングされ、分離された要素がマスクとして使用され、バック-リソグラフィーに使用される放射波長に対して基板が実質的に透明である、請求項1に記載の方法。壁構造体を形成する層の余分な領域を除去するために、前面リソグラフィーの段階をさらに含む、請求項11に記載の方法。内部端の第1の組を有する一組の分離された要素を含む導電性材料の層、および内部端の第1の組と協働する内部端の第2の組を有し、内部端の第2の組は、所定の距離だけ第1内部端と第2内部端による形成されるキャビティに関して内部端の第1の組の外側に配置される壁構造体、を含む基板を含む半導体装置。前記所定の距離が1から20マイクロメートルの範囲内である請求項13に記載の半導体装置。内部端の第1の組を有する一組の分離された要素を含む導電性材料の層、および内部端の第1の組と協働する内部端の第2の組を有し、内部端の第2の組は、所定の距離で第1内部端と第2内部端による形成されるキャビティに関して内部端の第1の組の外側に配置される壁構造体、を含む基板を含む半導体装置を含むディスプレイ。基板が柔軟である請求項15に記載のディスプレイ。折り畳み式である請求項16に記載のディスプレイ。半導体装置を含むディスプレイを含む電子装置であって、前記半導体装置が、内部端の第1の組を有する一組の分離された要素を含む導電性材料の層、および内部端の第1の組と協働する内部端の第2の組を有し、内部端の第2の組は、所定の距離で第1内部端と第2内部端による形成されるキャビティに関して内部端の第1の組の外側に配置される壁構造体、を含む基板を含む、電子装置。既知の方法の不利な点は、表面不均一性、または基板上の適切な溶液からの沈殿物もしくは分散系によって、乾燥する液滴の液体固体接触線が基板のある場所で動かなくなる、すなわち固定される現象が起こり得ることである。この場合、比較的迅速な蒸発が、液滴周囲への材料の移動をもたらす可能性がある。これによって、溶液または分散系が完全に乾燥した後、溶質の環状の堆積が現れる可能性がある。この効果は、予めパターニングされた表面上での溶液堆積例えばウェル状の表面フィーチャ内部への半導体溶液のインクジェット印刷によって半導体領域が画定されるとき、特に顕著であり得る。上記内容を考慮して、ここに半導体装置の製造に関して方法が記載される。この方法は、基板上に、内部端の第1の組を有する分離された要素を含むパターンで導電性材料の層を提供する段階を含む。この方法は、基板上に、それらの間に1つ以上のキャビティを形成するための、一連の壁構造体を提供する段階をさらに含む。壁構造体は内部端の第1の組と協働する内部端の第2の組を有する。さらに、内部端の第2の組は、所定の距離によって第1内部端と第2内部端による形成されるキャビティの中心に関して内部端の第1の組の外側に配置される。本明細書において開示される方法は、キャビティ内に液体材料を堆積するさらなる段階を含む。分離された要素の各々の端部のような、分離された要素のフィーチャに関して、壁構造体のフィーチャを横方向に変位することによって、液体材料の乾燥に関する有利な形状を提供する。壁構造体の各々の端部が、分離された材料の端部によって画定されたであろうものと比較して若干幅広いキャビティを画定するとき、実質的に均一な半導体層が提供されることが見出された。したがって、特定の実施形態において、壁構造体の各々の端部は、1から20マイクロメータの距離、より詳細には1から10マイクロメータの距離、さらに詳細には1から5マイクロメータの距離、およびさらに詳細には1から3マイクロメータの距離、分離された要素の端部の外側に配置される。記載外側に配置が、キャビティの中心から外側の方向を規定することは理解されるだろう。この特徴は、図1a-1dを参照してさらに詳細に議論される。半導体装置はまた、装置が内部端の第1の組を有する分離された要素の組を含む導電性材料の層を有する基板を含むと記載される。分離された要素は、内部端の第1の組と協働する内部端の第2の組を有する壁構造体も含む。内部端の第2の組は、所定の距離によって第1の内部端および第2の内部端により形成されるキャビティに関連して内部端の第1の組の外側に配置される。本発明は、上述の半導体装置を含むディスプレイおよび電子装置にさらに関する。本発明のこれらの局面および他の局面は図面に関連してさらに議論され、図面において同じ参照番号は同じ要素を表す。図面は説明の目的でのみ提供され、添付されるクレームの範囲を制限しないことは理解されるだろう。クレームが本発明の特徴を詳細に説明する一方で、添付される図面と併せて以下の詳細な説明から、本発明は、その物および利点と共に、最もよく理解されるだろう。図1a-1dは半導体装置の各々の例示的実施形態の概略図を提供し、壁構造体の端部と分離された要素の端部との間の横方向の変位を表す。図1aに概略的に示される実施形態は、例示的実施形態による半導体構造体10aの上面図上方および線A-A’に沿った断面図下方を表す。半導体構造体10aは、その上部に金属層が配置されてよく、これはその後適切な複数の横方向に分離した要素2a、2bにパターン形成される、基板1を含む。簡単のために、ただ2つの分離された要素のみが示される。さらに、基板1の上に、一組の壁構造体3a、3bが配置され、それらの間にキャビティが形成されるようにする。例示的な実施形態によれば、壁構造体の内部端は、それによって所定の距離x1、x2でそれらが協働する、分離された要素の内部端に関連して、横方向Lに外側にずらされる。所定の距離は、1から20マイクロメータの範囲、より詳細には1から10マイクロメータの範囲、さらに詳細には1から5マイクロメータの範囲、およびさらに詳細には1から3マイクロメータの範囲で選択される。距離x1が距離x2と同じであってよく、または同じでなくてもよいことは理解されるだろう。壁構造体が適切に形成されてよいとき、例えば適切なレジストを上部から適切なフォトマスクを通じて露出することによるリソグラフィー法による。そのように形成された壁構造体の間に得られるキャビティは、適切な液体材料4で充填される。半導体材料、または前駆体材料のどちらかが液体材料として選択される。壁構造体3a、3bは半導体装置10aの周縁において各々の領域3d、3eにより互いに接続され、その結果閉じた構造を形成する。図1aに示される実施形態は、単チャネル半導体装置、例えばTFTが提供される構成に関する。図1bは例示的実施形態による半導体装置10bの実施形態の概略図を示し、複数の相互接続キャビティが提供される。同様に、上方の図は半導体装置10bの上面図に関し、一方で下方の図は線B-B’に沿った断面に関する。基板1は、横方向Lにおいて分離された、一組の要素2a、2b、2c、2d、および2e、および一組の要素2a、2b、2c、2d、および2eと協働する一組の壁構造体3a、3b、3c、3d、および3eを含み、壁構造体3a、3b、3c、3d、および3eの内部端が要素2a、2b、2c、2d、および2eの内部端に関して横方向に外側にずれるようにする。一体化されたキャビティに蛇型の形状を与えるために上面図に示す、個々のキャビティ4a、4b、4c、および4dが上面図に示される領域4e、4f、および4gによって相互接続されることは理解されるだろう。図1cは、例示的実施形態による半導体装置10cのさらなる実施形態を示し、分離された要素のピッチは壁構造体のピッチと等しくない。同様に図1cにおいて、上方の図は半導体装置10cの上面図に関し、下方の図は線C-C’に沿った断面に関する。基板1は一組の分離された要素2a、2b、2cを備え、キャビティが壁構造体3a、3bによって画定され、前記キャビティは長く、例えば隣接する要素2a、2bの間の距離の約2倍長い。壁構造体のピッチP2は、要素2a、2b、2cのピッチP1と相違する。例示的な実施形態によれば、要素2a、2cの内部端と協働する壁構造体3a、3bの各内部端は、要素2a、2cの内部端から横方向Lに外側にずらされる。キャビティはその後半導体材料4a、4bによって充填される。同様に、この実施形態において、半導体の領域4a、4bが、上方の図に示されるように、ブリッジ4cによって互いに接続される。半導体装置10dのさらなる実施形態が図1dに概略的に示される。上方の図は、半導体構造体の上面図に関し、一方で下方の図は線D-D’に沿った断面に関する。図1bおよび1cに示される実施形態のような、この例示的な実施形態は、マルチチャネル半導体構造体、例えばTFTに関する。チャネル4aおよび4bは、ブリッジ4cによって相互接続される。この特定の実施形態において、横方向Lにおける要素2bの寸法は異なり、例えば要素2aおよび2cの各々の寸法と比較して大きい。構造体10dの他の特徴は、図1bに関して議論されたものと実質的に同じである。図2は、例示的実施形態による方法の実施形態を概略的に示す。方法20によれば、適切な金属層が最初に基板上に堆積される。その後、ステップ21において、一組の分離された要素を得るために金属層がパターニングされる。分離された要素という用語が、図1a-1dに概略的に示されるように、個々の要素が基板上の横方向に沿って識別され得る構成に関することは理解される。要素は、横方向のブリッジによって周縁領域において相互接続され、その結果少なくとも部分的に各キャビティを限定する。ステップ22において、壁構造体は金属層の横方向に分離された要素に隣接してパターニングされる。金属層は、例えば半導体装置の、特にTFT装置のソースドレイン層に関する。壁構造体は、分離された要素の端部の第1の組と協働する端部の第2の組を含み、端部の第2の組は端部の第1の組に関して横方向に外側にずらされる。したがって、パターン形成されて基板上に備えられ、かつ内部端の第1の組を有する分離された要素を含む導電材料の層が形成され、これはその間に1つ以上のキャビティを形成するために配置された一連の壁構造体と協働するよう配置される。壁構造体は内部端の第1の組と協働する内部端の第2の組を有し、内部端の第2の組は所定の距離で第1内部端と第2内部端によって形成されるキャビティの中心に関して内部端の第1の組の外側に配置される。したがって、第1内部端はキャビティの境界に関して第2内部端の前に存在する。基板上に壁構造体を提供するために、複数の適切な堆積法および/またはパターニング法を使用することが可能である。例えば、スピンコーティングの後フォトリソグラフィーおよび/またはエッチングが用いられてよい。壁構造体は、直線状のまたは湾曲した側壁を備える。これらの実施形態は、図3を参照してさらに詳細に議論される。ステップ23において、壁構造体の表面および/またはこのように形成されたキャビティを少なくとも部分的に充填する液体材料と接触するようになると考えられる下部層の表面は、そのような表面の濡れ性を変更するために処理される。特に、水または溶媒に関する濡れ性が変更される。好ましくは、キャビティおよび/または上部表面に向く表面のような、壁構造体の表面は、疎水性および/または疎溶媒性である。ステップ24において、キャビティは半導体または前駆体材料に関する適切な液体材料で充填される。任意に、この段階の後に、1つまたは複数の誘電層、半導体層、または金属層の堆積が実施される。半導体層は、可溶性のまたは分散性の有機または無機材料を含む。任意に、例えばバインダーおよび/または界面活性剤などの様々な添加剤が与えられる。図3は、壁構造体の例示的な実施形態30を概略的に示す。簡単のために、図1a-1dに示される金属層の別個の要素は記載されていない。第1の例示的実施形態において、基板31がキャビティ中央に向かって傾く側壁を有する壁構造体30a、30bを備える。一定の接触角θに関して、傾き角αがキャビティ内に堆積される液体材料34のメニスカスの高さに影響し得ることがわかる。角αは、壁構造体近傍の液体の高さh1h2と、キャビティ中央の液体の高さh2との間の相対的関係に正の影響を有する場合がある。高さh1は最小化されることが好ましい。角αを増加することによって、キャビティ内の液体材料34の高さのプロファイルの均一性は、h2が増加してh1がゼロになる傾向を有するとき、改善される。h1が、キャビティの端部および中央における液体の高さの間の差を概略的に示すことに留意されたい。例えば、壁構造体の実質的に垂直に配置された側壁30c、30dに関して、h2の値は側壁30a、30bのh2の値に関して増加することがわかる。基板に関して側壁の傾斜をさらに増加することによって、外側に傾いた側壁30e、30fが得られ、h2の値はさらに増加し、h1はゼロに向かう。結果的に、キャビティ内の半導体材料の実質的に均一な高さのプロファイルが確実になる。図4は、湾曲する壁構造体の製造方法の実施形態を概略的に示す。方法40aにおいて、実質的に長方形の側壁43例えば基板41上に配置される熱可塑性またはワックス材料を含むは加熱され、凸面の壁側面を有する構造43aを形成してよい。その代わりに、方法40bにおいて、基板41上に提供されるバルク壁構造体は、等方的にエッチングされ、凹面の壁側面を有する2つの壁構造体43b、43b’を形成してよい。その後エッチングプロセスに使用されたマスクは剥がされ、基板41上に凹状の壁構造体43b、43b’を残す。簡単のために図1a-1dに関連して議論された分離された要素が図示されないことは理解されるだろう。図5はフォトリソグラフィーを用いる壁構造体のパターニング方法の実施形態を概略的に示す。この実施形態において、表示50aはリソグラフィー装置図示されないの適切な照射源55から生じる放射ビーム55aを用いて後方表面Rからリソグラフィーで加工された基板51を示す。この配置において、金属層の分離された要素52a、52bが、分離された要素52a、52bの上にバルク層として配置される、感光性材料56内の適切な壁構造体をパターニングするためのマスクフィーチャとして使用される。壁構造体56の材料に関する露出および現像条件を変えることによって、所望する壁側面が得られる露出後の条件を示す表示50bを参照されたい。例えば、ポジティブ型フォトレジスト材料を過剰に露出および/または過剰に現像することによって、導電パターンの端部から距離x1およびx2だけ後退した端部を有する壁構造体を形成することが可能である。同様に、リソグラフィーおよび/または材料のパラメータを調整することによって、傾斜したまたは湾曲した側壁を有する壁構造体を形成することが可能である。図6はここに概略が記載される方法のさらなる実施形態を示す図5に示される実施形態の上面図を概略的に示す。表示60aにおいて、基板61図5に示される基板51に対応するが示され、ここでキャビティ66が壁構造体63、63’と協働する分離された要素62a、62bを含む層によって形成される。好ましくは、キャビティの領域66a、66bは、そこからの液体の漏れを回避するために最小に保たれる。そこから壁構造体が形成される層は、余分な領域63a、63bを含んでよい。これらの領域を除去するため、適切なリソグラフィー段階の間、層は前面向きで露出される。表示60bは壁層を覆うフォトマスクパターン64を示し、余分な領域63a、63bは覆われないままである。表示60aは、フォトマスクパターン64を介する前面リソグラフィー段階の結果を示し、電極領域64a、64bが示されている。本発明の特定の例示的実施形態が上述されたが、本発明は記載された以外の他の方法で実施され得る。図は説明の目的で提供され、添付される請求項に説明されるような本発明の範囲を制限するために用いられるものではない。さらに、異なる図面に関連して議論される別個の特徴が組み合わされてよい。