半導体装置において、ダイパッドと、ダイパッドに連結された連結部とを有するリードフレームと、リードフレームのダイパッド上に載置されたLED素子と、リードフレームを覆って設けられた外側樹脂部とを備え、リードフレームは、銅または銅合金からなるとともに、連結部は、外側樹脂部の側面外方へ露出し、連結部が露出する外側樹脂部の側面における連結部の断面厚みは、リードフレームの他の部分の断面厚みより薄くなっていることを特徴とする半導体装置。連結部は、裏面側から薄肉化されることにより、その断面厚みがリードフレームの他の部分の断面厚みより薄くなっていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。連結部は、表面側から薄肉化されることにより、その断面厚みがリードフレームの他の部分の断面厚みより薄くなっていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。ダイパッド表面に、その断面厚みがリードフレームの他の部分の断面厚みより薄い素子載置用薄肉部が形成され、LED素子は、この素子載置用薄肉部に配置されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項記載の半導体装置。外側樹脂部は、LED素子を取り囲む樹脂凹部を有し、外側樹脂部の樹脂凹部内に、透光性の封止樹脂部が充填されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項記載の半導体装置。半導体装置の製造方法において、銅または銅合金からなる金属基板を準備する工程と、金属基板にエッチングを施すことにより、複数のダイパッドと、各ダイパッドに連結された連結部とを有するリードフレームを作製する工程と、リードフレームを覆って外側樹脂部を設ける工程と、リードフレームの各ダイパッドに、それぞれLED素子を載置する工程と、各半導体装置毎に外側樹脂部および連結部を切断する工程とを備え、外側樹脂部および連結部を切断することにより、連結部は、外側樹脂部の側面外方へ露出し、連結部が露出する外側樹脂部の側面における連結部の断面厚みは、リードフレームの他の部分の断面厚みより薄くなっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。照明装置において、基板と、基板上に配置された半導体装置と、基板上に設けられ、半導体装置を覆うカバーとを備え、半導体装置は、ダイパッドと、ダイパッドに連結された連結部とを有するリードフレームと、リードフレームのダイパッド上に載置されたLED素子と、リードフレームを覆って設けられた外側樹脂部とを有し、リードフレームは、銅または銅合金からなるとともに、連結部は、外側樹脂部の側面外方へ露出し、連結部が露出する外側樹脂部の側面における連結部の断面厚みは、リードフレームの他の部分の断面厚みより薄くなっていることを特徴とする照明装置。下面実装型のLEDパッケージにおいては、1つのリードフレームに対して多くのLED素子を搭載し、その後、各LED素子毎にダイシングまたはプレスして個片化することにより、製造コストを低減するとともに、組立効率を高めている。しかしながら、リードフレーム本体部の厚みは、放熱性や強度を確保するため、ある程度の厚さが必要であるが、従来のLEDパッケージにおいては、個片化作業をダイシングまたはプレスで行うため、LEDパッケージの側面には必然的にリードフレームの素材が露出してしまう。リードフレームの素材としては、銅または銅合金が用いられる場合が多いが、銅または銅合金は、LED素子からの光のうち短波長領域の光を多く吸収する性質がある。とりわけ、白色のLED素子を用いる場合、銅または銅合金が青色の光を吸収してしまう。このため、LEDパッケージを照明装置に組み込んだ場合、LEDパッケージの側面に露出する銅または銅合金によって、照明装置の光取り出し効率が低下するという問題がある。本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、半導体装置の側面における光の反射率を向上させ、照明装置における光の取り出し効率を高めることが可能な、半導体装置およびその製造方法ならびに照明装置を提供することを目的とする。本発明は、半導体装置において、ダイパッドと、ダイパッドに連結された連結部とを有するリードフレームと、リードフレームのダイパッド上に載置されたLED素子と、リードフレームを覆って設けられた外側樹脂部とを備え、リードフレームは、銅または銅合金からなるとともに、連結部は、外側樹脂部の側面外方へ露出し、連結部が露出する外側樹脂部の側面における連結部の断面厚みは、リードフレームの他の部分の断面厚みより薄くなっていることを特徴とする半導体装置である。本発明は、連結部は、裏面側から薄肉化されることにより、その断面厚みがリードフレームの他の部分の断面厚みより薄くなっていることを特徴とする半導体装置である。本発明は、連結部は、表面側から薄肉化されることにより、その断面厚みがリードフレームの他の部分の断面厚みより薄くなっていることを特徴とする半導体装置である。本発明は、ダイパッド表面に、その断面厚みがリードフレームの他の部分の断面厚みより薄い素子載置用薄肉部が形成され、LED素子は、この素子載置用薄肉部に配置されていることを特徴とする半導体装置である。本発明は、外側樹脂部は、LED素子を取り囲む樹脂凹部を有し、外側樹脂部の樹脂凹部内に、透光性の封止樹脂部が充填されていることを特徴とする半導体装置である。本発明は、半導体装置の製造方法において、銅または銅合金からなる金属基板を準備する工程と、金属基板にエッチングを施すことにより、複数のダイパッドと、各ダイパッドに連結された連結部とを有するリードフレームを作製する工程と、リードフレームを覆って外側樹脂部を設ける工程と、リードフレームの各ダイパッドに、それぞれLED素子を載置する工程と、各半導体装置毎に外側樹脂部および連結部を切断する工程とを備え、外側樹脂部および連結部を切断することにより、連結部は、外側樹脂部の側面外方へ露出し、連結部が露出する外側樹脂部の側面における連結部の断面厚みは、リードフレームの他の部分の断面厚みより薄くなっていることを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明は、照明装置において、基板と、基板上に配置された半導体装置と、基板上に設けられ、半導体装置を覆うカバーとを備え、半導体装置は、ダイパッドと、ダイパッドに連結された連結部とを有するリードフレームと、リードフレームのダイパッド上に載置されたLED素子と、リードフレームを覆って設けられた外側樹脂部とを有し、リードフレームは、銅または銅合金からなるとともに、連結部は、外側樹脂部の側面外方へ露出し、連結部が露出する外側樹脂部の側面における連結部の断面厚みは、リードフレームの他の部分の断面厚みより薄くなっていることを特徴とする照明装置である。本発明によれば、連結部が露出する外側樹脂部の側面における連結部の断面厚みは、リードフレームの他の部分の断面厚みより薄くなっているので、半導体装置の外側樹脂部の側面における光の反射率を向上させることができ、この結果、照明装置における光の取り出し効率を高めることができる。以下、本発明の一実施の形態について、図1乃至図10を参照して説明する。半導体装置の構成まず、図1乃至図5により、本発明による半導体装置の一実施の形態について説明する。図1乃至図5は、本発明の一実施の形態による半導体装置を示す図である。図1乃至図5に示すように、半導体装置20は、ダイパッド25とリード部26とを有するリードフレーム10と、リードフレーム10のダイパッド25上に載置されたLED素子21と、リードフレーム10とLED素子21とを電気的に接続するボンディングワイヤ導電部22とを備えている。また、LED素子21を取り囲むように、樹脂凹部23aを有する外側樹脂部23が設けられている。この外側樹脂部23は、リードフレーム10と一体化されている。さらに、リードフレーム10、LED素子21、およびボンディングワイヤ22は、透光性の封止樹脂部24によって封止されている。この封止樹脂部24は、外側樹脂部23の樹脂凹部23a内に充填されている。以下、このような半導体装置20を構成する各構成部材について、順次説明する。LED素子21としては、従来一般に用いられている各種LED素子を使用することが可能である。LED素子21は、発光層として例えばGaP、GaAs、GaAlAs、GaAsP、AlInGaP、またはInGaN等の化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。LED素子21は、端子部21aを有している。また、LED素子21は、はんだまたはダイボンディングペーストにより、外側樹脂部23の樹脂凹部23a内においてダイパッド25上に固定されている。ボンディングワイヤ22は、例えば金または銅等の導電性の良い材料からなり、その一端がLED素子21の端子部21aに接続されるとともに、その他端がリードフレーム10のリード部26に接続されている。外側樹脂部23は、例えばリードフレーム10上に熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を例えば射出成形またはトランスファ成形することにより形成されたものである。外側樹脂部23の形状は、射出成形またはトランスファ成形に使用する金型の設計により、様々に実現することが可能である。本実施の形態において、外側樹脂部23の全体形状は直方体からなっており、4つの側面23b1~23b4を有している。側面23b1~23b4は、それぞれ正面側側面23b1、図1の手前側、左側面側側面23b2、図1の左側、背面側側面23b3、図1の奥側、および右側面側側面23b4、図1の右側に位置している。なお、外側樹脂部23の全体形状を、多角柱または錐形等の多面体形状とすることも可能である。また樹脂凹部23aの底面は、矩形、円形、楕円形または多角形等とすることができる。樹脂凹部23aの側壁の断面形状は、図3のように直線から構成されていても良いし、あるいは曲線から構成されていてもよい。外側樹脂部23に使用される熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂については、特に耐熱性、耐候性および機械的強度の優れたものを選ぶことが望ましい。熱可塑性樹脂の種類としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルイミド等、熱硬化性樹脂の種類としてはシリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、およびポリウレタン等、を使用することができる。さらにまた、これらの樹脂中に光反射剤として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、樹脂凹部23aの底面及び側面において、LED素子21からの光の反射率を増大させ、半導体装置20全体の光取り出し効率を増大させることが可能となる。封止樹脂部24としては、光の取り出し効率を向上させるために、LED素子21の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。したがって耐熱性、耐候性、及び機械的強度が高い特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することが可能である。特に、LED素子21として高輝度LEDを用いる場合、封止樹脂部24が強い光にさらされるため、封止樹脂部24は高い耐候性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。一方、図3に示すように、リードフレーム10は、本体部11と、本体部11の周囲に形成されためっき層12とを有している。このうち本体部11は銅または銅合金からなっている。この本体部11の厚みは、半導体装置の構成にもよるが、0.05mm~0.5mmとすることができる。なお、本体部11の厚みは、例えば0.05mmを下回ると、リードフレーム10自体の強度が充分ではなくなってしまう。またLED素子21から発生する熱をリードフレーム10の平面方向に充分に逃がすことが出来なくなってしまう。他方、本体部11の厚みが0.5mmを上回ると、エッチングやプレス加工の設計自由度が低下してしまう。また、半導体装置20が厚くかつ重くなってしまう。めっき層12は、本体部11の表面および裏面を覆うように形成されており、本体部11の表面側においては、LED素子21からの光を反射する反射層として機能する。このめっき層12は、反射機能のほかに、ダイボンディング性、ワイヤボンディング性を有することが望ましい。めっき層12の材料としては、例えば銀めっき層を挙げることができる。また、めっき層12のめっき厚は、1μm~10μmとされることが望ましい。また、図1乃至図5に示すように、リードフレーム10は、LED素子21を載置するダイパッド25と、ダイパッド25から離間したリード部26とを有している。これらダイパッド25とリード部26との間には、外側樹脂部23が充填されており、ダイパッド25とリード部26とは互いに電気的に絶縁されている。ダイパッド25およびリード部26には、それぞれ複数の連結部27が連結されている。具体的には、ダイパッド25には、正面側図1の手前側、背面側図1の奥側および右側面側図1の右側にそれぞれ1つずつ、合計3つの連結部27が連結されている。同様に、リード部26には、正面側図1の手前側、背面側図1の奥側および左側面側図1の左側にそれぞれ1つずつ、合計3つの連結部27が連結されている。また、図1、図4および図5に示すように、各連結部27は、外側樹脂部23の各側面23b1~23b4からそれぞれ外方へ露出している。すなわち、外側樹脂部23の正面側の側面23b1および背面側の側面23b3からは、それぞれ2つの連結部27が露出している。また、外側樹脂部23の正面右側の側面23b2および正面左側の側面23b4からは、それぞれ1つの連結部27が露出している。また、各連結部27は、ダイパッド25およびリード部26と同様、銅または銅合金からなる本体部11と、本体部11の周囲に形成された例えば銀めっき層からなるめっき層12とを有している。したがって、各側面23b1~23b4において、それぞれ連結部27を構成する本体部11およびめっき層12が外方へ露出している。すなわち、連結部27の露出面は、中心に位置する矩形状の本体部11と、本体部11の周囲に形成されたロ字状のめっき層12とからなっている。本実施の形態において、各連結部27が露出する外側樹脂部23の側面23b1~23b4における、連結部27の断面厚みt1図3は、リードフレーム10の他の部分の断面厚みt2図3より薄くなっている。ここで、リードフレーム10の他の部分の断面厚みt2とは、リードフレーム10の最大厚みであり、この場合、ダイパッド25およびリード部26の厚みに対応する。図3に示すように、各連結部27は、裏面側からエッチングされて薄肉化されることにより、その断面厚みt1が薄くされている。これにより、連結部27の下方に外側樹脂部23が回り込み、リードフレーム10と外側樹脂部23とが剥離することを防止することができる。他方、各連結部27の表面上面は、ダイパッド25およびリード部26の表面上面と同一平面上に位置している。なお、連結部27の断面厚みt1は、例えば0.05mm~0.3mmとすることが好ましい。連結部27の断面厚みt1が0.05mmを下回ると、連結部27の強度が弱くなってしまう。他方、連結部27の断面厚みt1が0.3mmを上回ると、外側樹脂部23の側面23b1~23b4における光の反射率を十分に向上させることができない。また、連結部27の幅は、例えば0.05mm~0.3mmとすることができる。連結部27の幅が0.05mmを下回ると、連結部27の強度が弱くなってしまう。他方、連結部27の幅が0.3mmを上回ると、外側樹脂部23の側面23b1~23b4における光の反射率を十分に向上させることができない。リードフレームの製造方法次に、図1乃至図5に示す半導体装置20を製造する際に用いられるリードフレーム10多面付リードフレームの製造方法について、図6a-fを用いて説明する。まず図6aに示すように、平板状の金属基板31加工前の本体部11を準備する。この金属基板31は、銅または銅合金からなっている。なお金属基板31は、その両面に対して脱脂等を行い洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。次に、金属基板31の表裏にそれぞれ感光性レジスト32a、33aを塗布し、乾燥させる図6b。なお感光性レジスト32a、33aとしては、従来公知のものを使用することができる。次いで、感光性レジスト32a、33aを所望のフォトマスクを介して露光した後、現像することにより、所望の開口部32b、33bを有するエッチング用レジスト層32、33を形成する図6c。具体的には、金属基板31の表面側において、貫通エッチングを行う部分に開口部32bを形成する。他方、金属基板31の裏面側において、貫通エッチングを行う部分に加え、ハーフエッチングを行う部分連結部27に対応する部分に開口部33bを形成する。次に、エッチング用レジスト層32、33を耐腐蝕膜として金属基板31に腐蝕液でエッチングを施す図6d。腐蝕液としては、例えば塩化第二鉄水溶液を使用することができ、金属基板31の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。次いで、エッチング用レジスト層32、33を剥離して除去する図6e。このように、金属基板31にエッチングを施すことにより、複数のダイパッド25と、ダイパッド25の周囲に設けられた複数のリード部26と、ダイパッド25およびリード部26にそれぞれ連結された複数の連結部27とが形成される。またこのとき、連結部27には、ハーフエッチングにより、ダイパッド25およびリード部26より薄肉となる薄肉断面が形成される。その後、本体部11の周囲に電解めっきを施す。これにより本体部11上に金属例えば銀を析出させて、本体部11上にめっき層12を形成する図6f。めっき層12が銀めっきからなる場合、電解めっき用めっき液としては、シアン化銀およびシアン化カリウムを主成分とした銀めっき液を用いることができる。このようにして、リードフレーム10多面付リードフレームが得られる。図7および図8は、このようにして得られたリードフレーム10の一実施の形態を示す図である。図7および図8に示すように、リードフレーム10は、矩形状の外形を有する枠体領域13と、枠体領域13内に多列および多段にマトリックス状に配置された、多数のパッケージ領域14とを備えている。各パッケージ領域14は、それぞれ個々の半導体装置20に対応する領域である。図8に示すように、各パッケージ領域14は、ダイパッド25と、ダイパッド25に隣接するリード部26とを含んでいる。なお、図8において、二点鎖線で囲まれた領域がそれぞれパッケージ領域14に対応する。また、各パッケージ領域14内のダイパッド25は、隣接する他のパッケージ領域14内のダイパッド25およびリード部26と、それぞれ連結部27によって連結されている。同様に、各パッケージ領域14内のリード部26は、隣接する他のパッケージ領域14内のダイパッド25およびリード部26と、それぞれ連結部27によって連結されている。半導体装置の製造方法次に、図1乃至図5に示す半導体装置20の製造方法について、図9a-fにより説明する。まず、上述した工程により図6a-f、複数のダイパッド25と複数のリード部26とを有するリードフレーム10多面付リードフレーム図7および図8参照を作製する。次に、このリードフレーム10に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、リードフレーム10を覆うように外側樹脂部23を形成する図9a。これにより、外側樹脂部23とリードフレーム10とが一体に形成される。またこのとき、射出成形またはトランスファ成形に使用する金型を適宜設計することにより、外側樹脂部23に樹脂凹部23aを形成するとともに、この樹脂凹部23a内においてめっき層12が外方上方に露出するようにする。次に、リードフレーム10のダイパッド25上めっき層12上に、LED素子21を搭載する。この場合、はんだまたはダイボンディングペーストを用いて、LED素子21をダイパッド25上に載置して固定するダイアタッチ工程図9b。次に、LED素子21の端子部21aと、リードフレーム10のリード部26とを、ボンディングワイヤ22によって互いに電気的に接続するワイヤボンディング工程図9c。その後、外側樹脂部23の樹脂凹部23a内に封止樹脂部24を充填し、封止樹脂部24によりリードフレーム10、LED素子21、およびボンディングワイヤ22を封止する図9d。次に、各LED素子21間の外側樹脂部23および連結部27をダイシングすることにより、リードフレーム10を各半導体装置20毎に分離する図9e。この際、まずリードフレーム10をダイシングテープ37上に載置して固定し、その後、例えばダイヤモンド砥石からなるブレード38を回転させながら、図9eの紙面に対して垂直な方向に移動させることにより、各LED素子21間の外側樹脂部23および連結部27を切断する。なお図9eにおいて、ダイシングに限らず、プレスにより各半導体装置20を個片化しても良い。この際、連結部27は、外側樹脂部23の側面23b1~23b4から外方へ露出する。この場合、連結部27が露出する側面23b1~23b4における連結部27の断面厚みは、リードフレーム10の他の部分の断面厚みより薄くなっている。このようにして、図1乃至図5に示す半導体装置20が得られる図9f。本実施の形態の作用効果次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について、図10を用いて説明する。図10は、本実施の形態による照明装置を示す概略図である。図10に示すように、本実施の形態による半導体装置20は、LED電球等からなる照明装置80に組み込まれて使用される。図10において、符号81、82は、それぞれ照明装置80の基板およびカバーを示している。照明装置80の基板81上には、本実施の形態による半導体装置20が複数個図10では3個取り付けられている。また、カバー82は、基板81上においてこれら半導体装置20を覆うように設けられている。照明装置80を点灯した場合、各半導体装置20のLED素子21が発光し、LED素子21からの光は、カバー82を通過して外方に照射される。このとき、LED素子21からの光は、主としてLED素子21から何にも反射することなく直接カバー82を通過して外方に照射される符号L1。他方、LED素子21からの光の一部は、カバー82内部で反射した後、基板81で反射したり符号L2、半導体装置20の外側樹脂部23の側面23b1~23b4で反射したりする符号L3。一方、LED素子21からの光が、外側樹脂部23の側面23b1~23b4に露出している連結部27に到達した場合、連結部27を構成する銅または銅合金本体部11により短波長領域の光が吸収されてしまう。とりわけ、白色のLED素子21を用いる場合、連結部27を構成する銅または銅合金が、青色の光を吸収してしまう。このため、照明装置80の光の取り出し効率が低下するおそれがある。これに対して本実施の形態によれば、外側樹脂部23の側面23b1~23b4における連結部27の断面厚みを、リードフレーム10の他の部分の断面厚みより薄くしたことにより、側面23b1~23b4に露出する連結部27の面積を小さくしている。このことにより、外側樹脂部23の側面23b1~23b4に占める樹脂熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂の割合を大きくし、外側樹脂部23の側面23b1~23b4における光の反射率を向上させることができる。とりわけ、銅に対する色吸収が大きく、かつエネルギーが大きい波長領域である青色領域の光の反射率を向上させることができる。このことにより、照明装置80における光の取り出し効率を高めることができる。加えて、本実施の形態によれば、各半導体装置20毎に外側樹脂部23および連結部27を切断する工程において、ダイシングまたはプレス加工を行なう部位のリードフレーム10が、半導体装置20の側面側から見たときに樹脂に囲まれている。このため、加工時のストレスにより樹脂部分外側樹脂部23と金属部分リードフレーム10の連結部27とが剥離することを防止でき、加工速度を向上することが可能である。加えて、本実施の形態によれば、半導体装置20の側面から見たときに、金属部分リードフレーム10の連結部27が樹脂部分外側樹脂部23によって囲まれている。このことにより、樹脂部分から金属部分が脱落することを防止することができ、また、使用環境においてストレスが加わった際の耐破壊性を向上することができる。さらに、水分やガスが半導体装置20の内部に侵入することにより、半導体装置20の輝度が低下したり信頼性が低下したりすることを防止することが可能である。変形例以下、本実施の形態による半導体装置の各種変形例変形例1~変形例3について、図11乃至図13を参照して説明する。図11乃至図13は、それぞれ半導体装置の変形例を示す断面図図3に対応する図である。図11乃至図13において、図1乃至図10に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。変形例1図11は、本実施の形態の一変形例変形例1による半導体装置20Aを示している。図11に示す半導体装置20Aにおいて、図1乃至図9に示す実施の形態と異なり、連結部27は、裏面側からではなく表面側から薄肉化されている。すなわち、各連結部27は、表面側からエッチングされて薄肉化されることにより、その断面厚みがリードフレーム10の他の部分の断面厚みより薄くなっている。この場合、各連結部27の裏面下面は、ダイパッド25およびリード部26の裏面下面と同一平面上に位置している。このほかの構成は、図1乃至図9に示す実施の形態と略同一である。この変形例によれば、各連結部27の端面が半導体装置20Aの下面に配置されるため、半導体装置20Aを基板等にはんだで実装した場合図示せずに、基板側面からはんだの濡れを容易に確認できることから、検査を行いやすく、また、充分にはんだで濡れていない場合に、リペアを行いやすいという効果を得られる。変形例2図12は、本実施の形態の一変形例変形例2による半導体装置20Bを示している。図12に示す半導体装置20Bは、図11に示す変形例1において、ダイパッド25の表面に、さらに凹形状からなる素子載置用薄肉部47を形成したものである。すなわち図12において、ダイパッド25の表面に、ハーフエッチングにより素子載置用薄肉部47が形成されており、素子載置用薄肉部47の断面厚みは、リードフレーム10の他の部分の断面厚みより薄くなっている。また、LED素子21は、素子載置用薄肉部47内に配置されている。また、各連結部27は、表面側からエッチングされて薄肉化されることにより、その断面厚みがリードフレーム10の他の部分の断面厚みより薄くなっている。このように、LED素子21を素子載置用薄肉部47内に配置したことにより、半導体装置20Bの厚みを薄くすることができる。また、薄肉部47周囲に形成された傾斜部分47aにより、LED素子21から発光された光を効率よく半導体装置20Bの外側に反射させることが可能である。変形例3図13は、本実施の形態の一変形例変形例3による半導体装置20Cを示している。図13において、ダイパッド25の表面に、ハーフエッチングにより素子載置用薄肉部47が形成されており、LED素子21は、この素子載置用薄肉部47内に配置されている。また、リード部26の表面には、ハーフエッチングによりボンディング用薄肉部48が形成されており、ボンディングワイヤ22は、リード部26のボンディング用薄肉部48に接続されている。この場合、素子載置用薄肉部47の表面上面と、ボンディング用薄肉部48の表面上面と、ダイパッド25とリード部26との間に充填された外側樹脂部23の表面上面とは、互いに同一平面上に位置している。また、各連結部27は、表面側からエッチングされて薄肉化されることにより、その断面厚みがリードフレーム10の他の部分の断面厚みより薄くなっている。このように、LED素子21を素子載置用薄肉部47内に配置し、ボンディングワイヤ22をボンディング用薄肉部48に接続することにより、半導体装置20Cの厚みを更に薄くすることができる。また、薄肉部47周囲に形成された傾斜部分47aにより、LED素子21から発光された光を効率よく半導体装置20Cの外側に反射させることが可能である。次に、本実施の形態における具体的実施例について説明する。実施例1~4本実施の形態による実施例として、それぞれ図1乃至図5に示す構成からなる、4種類の半導体装置20実施例1~4を作製した。これら4種類の半導体装置20実施例1~4は、そのパッケージサイズのみが互いに異なっており表1参照、それ以外の構成は互いに同一である。この場合、リードフレーム10の板厚は全て0.25mmとした。また、本体部11、めっき層12および外側樹脂部23の材質として、それぞれ銅、銀および白色のエポキシ系樹脂を採用した。比較例1~4比較例として、図14に示す構成からなる、4種類の半導体装置100比較例1~4を作製した。図14に示す半導体装置100は、連結部27の断面厚みがリードフレーム10の他の部分の断面厚みと同一になっているものであり、その他の構成は図1乃至図5に示す半導体装置20と略同一である。なお、比較例1~4に係る半導体装置100のパッケージサイズは、それぞれ実施例1~4に係る半導体装置20のパッケージサイズと同一とした。これら半導体装置20実施例1~4および半導体装置100比較例1~4について、それぞれ450nm青色および660nm赤色の波長の光を照射した場合における反射率を測定した表1。本実施例に係る半導体装置20実施例1~4と比較例に係る半導体装置100比較例1~4とを比較した場合、パッケージサイズが小さいものほど、本実施例に係る半導体装置20の方が光の反射率が高くなっていた例えば実施例4、比較例4。とりわけ、銅に対する色吸収が大きく、かつエネルギーが大きい波長領域である青色領域450nmにおいて、本実施例に係る半導体装置20の方が光の反射率が高められており、光の反射率を向上させる効果が大きいことが分かった。他方、赤色領域660nmにおいては、本実施例に係る半導体装置20と比較例に係る半導体装置100との間で、反射率は略同等であった。