シリコン単結晶からなるボンドウェーハの表面から水素又は希ガスのうち少なくとも1種類のガスイオンをイオン注入して前記ボンドウェーハ内にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせ、前記イオン注入層でボンドウェーハを剥離することによって薄膜SOI層を形成した後、該薄膜SOI層の表面に、エピタキシャル層を堆積する貼り合わせSOIウェーハの製造方法において、表面から少なくとも前記イオン注入層を形成する深さまでの領域がボロンをドーパントとする抵抗率が0.1Ωcm以下であるシリコン単結晶ウェーハを前記ボンドウェーハとして用いることによって前記薄膜SOI層をp型薄膜SOI層とし、該p型薄膜SOI層の表面に堆積する前記エピタキシャル層の抵抗率を0.1Ωcmより高い抵抗率とした場合に発生する反りを抑制するため、前記エピタキシャル層形成前の前記p型薄膜SOI層を有するSOIウェーハの形状を調整することを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの製造方法。前記エピタキシャル層形成前の前記p型薄膜SOI層を有するSOIウェーハの形状を、平坦又は凹形状に調整することを特徴とする請求項1に記載の貼り合わせSOIウェーハの製造方法。前記ベースウェーハとして、貼り合わせ面側が凹形状を有するシリコン単結晶ウェーハを用いることによって、前記エピタキシャル層形成前の前記p型薄膜SOI層を有するSOIウェーハの形状を調整することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の貼り合わせSOIウェーハの製造方法。前記ベースウェーハの裏面にシリコン酸化膜を形成することによって、前記エピタキシャル層形成前の前記p型薄膜SOI層を有するSOIウェーハの形状を調整することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の貼り合わせSOIウェーハの製造方法。前記p型薄膜SOI層の抵抗率を0.01Ωcm以下とし、前記エピタキシャル層の抵抗率を1Ωcm以上とすることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の貼り合わせSOIウェーハの製造方法。イオン注入剥離法で貼り合わせSOIウェーハを作製する場合においても、その断面構造に起因してSOI層側が凸形状に反るが、イオン注入剥離法でSOI層を形成する場合、形成されるSOI層は1μm以下多くの場合、数100nm以下の薄膜であるので、特許文献4に記載されている様に、ベースウェーハの上下面貼り合わせ面側と裏面側に同等の酸化膜を形成することによって反りを十分に低減することができる。しかしながら、イオン注入剥離法で作製された貼り合わせSOIウェーハのSOI層の表面にエピタキシャル層を数μm程度形成すると、SOIウェーハが大きく反ってしまうという問題点があることが判明した。本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであって、イオン注入剥離法を用いた貼り合わせSOIウェーハの製造方法において、剥離後の薄膜SOI層の表面にエピタキシャル層を形成した場合に発生する反りを抑制する方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明では、シリコン単結晶からなるボンドウェーハの表面から水素又は希ガスのうち少なくとも1種類のガスイオンをイオン注入して前記ボンドウェーハ内にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせ、前記イオン注入層でボンドウェーハを剥離することによって薄膜SOI層を形成した後、該薄膜SOI層の表面に、エピタキシャル層を堆積する貼り合わせSOIウェーハの製造方法において、表面から少なくとも前記イオン注入層を形成する深さまでの領域がボロンをドーパントとする抵抗率が0.1Ωcm以下であるシリコン単結晶ウェーハを前記ボンドウェーハとして用いることによって前記薄膜SOI層をp型薄膜SOI層とし、該p型薄膜SOI層の表面に堆積する前記エピタキシャル層の抵抗率を0.1Ωcmより高い抵抗率とした場合に発生する反りを抑制するため、前記エピタキシャル層形成前の前記p型薄膜SOI層を有するSOIウェーハの形状を調整することを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの製造方法を提供する。上述したように、デバイス構造上の要求から、イオン注入剥離法により形成された低抵抗率のSOI層をシード層としてその上に通常抵抗率1~20Ωcm程度のエピタキシャル層を形成したSOIウェーハが必要とされる場合がある。しかし、イオン注入剥離法により形成された、抵抗率が0.1Ωcm以下である低抵抗率のp型薄膜SOI層の表面に、これより高い抵抗率を有するエピタキシャル層を形成する場合に、反りが発生する場合がある。本発明の貼り合わせSOIウェーハの製造方法であれば、エピタキシャル層形成前のp型薄膜SOI層を有するSOIウェーハの形状を調整することによって、イオン注入剥離法により形成された薄膜SOI層の表面にエピタキシャル層を形成した場合に発生する反りを抑制することができる。またこのとき、前記エピタキシャル層形成前の前記p型薄膜SOI層を有するSOIウェーハの形状を、平坦又は凹形状に調整することが好ましい。抵抗率が0.1Ωcm以下である低抵抗率のp型薄膜SOI層の表面に、これより高い抵抗率を有するエピタキシャル層を形成する場合に発生する反りは、SOI層側が凸形状となるため、エピタキシャル層形成前のp型薄膜SOI層を有するSOIウェーハの形状を、平坦又は凹形状にすることで、凸形状の反りを確実に抑制することができるため好ましい。またこのとき、前記ベースウェーハとして、貼り合わせ面側が凹形状を有するシリコン単結晶ウェーハを用いることによって、前記エピタキシャル層形成前の前記p型薄膜SOI層を有するSOIウェーハの形状を調整することが好ましい。また、前記ベースウェーハの裏面にシリコン酸化膜を形成することによって、前記エピタキシャル層形成前の前記p型薄膜SOI層を有するSOIウェーハの形状を調整することが好ましい。このように、エピタキシャル層形成前のp型薄膜SOI層を有するSOIウェーハの形状を調整する方法として、ベースウェーハとして貼り合わせ面側が凹形状を有するウェーハを使用する方法、及び、ベースウェーハの裏面にシリコン酸化膜を形成する方法が挙げられる。またこのとき、前記p型薄膜SOI層の抵抗率を0.01Ωcm以下とし、前記エピタキシャル層の抵抗率を1Ωcm以上とすることが好ましい。このように、p型薄膜SOI層の抵抗率が0.01Ωcm以下の場合に、抵抗率が1Ωcm以上のエピタキシャル層を形成すると、反りが著しく大きくなるため、本発明の貼り合わせSOIウェーハの製造方法を好適に利用することができる。以上説明したように、本発明の貼り合わせSOIウェーハの製造方法によれば、イオン注入剥離法を用いた貼り合わせSOIウェーハの製造方法において、剥離後の薄膜SOI層の表面にエピタキシャル層を堆積した場合に発生する反りを抑制することができる。以下、本発明について、より詳細に説明する。本発明者らは、イオン注入剥離法により抵抗率の異なるSOI層を有するSOIウェーハを製造し、抵抗率の異なるSOI層をシード層としてそれぞれエピタキシャル層を堆積した場合、エピタキシャル層を形成する前のSOIウェーハの反りはほぼ同等であるにも関わらず、エピタキシャル層形成後は抵抗率が低いSOI層をシード層としたSOIウェーハの方が反りが大きくなることを発見した。そして、発明者らが更に詳細に調査した結果、エピタキシャル層を形成した場合にSOIウェーハが大きく反るという問題は、SOI層がボロンをドーパントとするp型抵抗率0.1Ωcm以下、特には0.01Ωcm以下SOI層であり、かつ、エピタキシャル層の抵抗率がシード層であるSOI層よりも高い抵抗率0.1Ωcmより高い抵抗率、特には1Ωcm以上の場合にSOI層側が凸形状となるように反ることを見出した。一般的に、SOIウェーハではない通常のシリコン単結晶ウェーハにエピタキシャル層を形成する場合、エピタキシャル成長用シリコンウェーハにおける抵抗値とエピタキシャル層における抵抗値とが異なると、反りが発生することについては従来から知られていた現象である特許文献3等。しかしながら、イオン注入剥離法で作製された貼り合わせSOIウェーハの場合、p型のSOI層は数100nm程度の薄膜であり、その下部には同程度の厚さのシリコン酸化膜等の絶縁膜を介して、SOI層の1000倍以上の厚さを有するベースウェーハ通常抵抗率が存在するにもかかわらず、SOI層上に数μmのエピタキシャル層を形成しただけでSOI層側が凸形状となる方向に大きく反ってしまうことは、当業者と言えど予測していなかった現象であった。イオン注入剥離法で作製したSOIウェーハのp型薄膜SOI層の表面に、エピタキシャル成長を行うことにより反りが大きくなってしまう現象は、格子定数の小さいp型薄膜SOI層シード層の上に、それよりも格子定数の大きいエピタキシャル層を成長させることに起因するものである。イオン注入剥離法で作製されたp型薄膜SOI層は100nm程度と薄いものの、p型薄膜SOI層/絶縁膜層/ベースウェーハの各界面は強く結合しているために、あたかもウェーハ全体がp型のシリコン単結晶ウェーハp型ウェーハと同等とみなせるようになり、SOI構造でない通常のシリコン単結晶ウェーハにエピタキシャル層を形成する場合と同様に、p型薄膜SOI層とエピタキシャル層の抵抗率とが異なると、反りが発生するものと考えられる。本発明は、このような、イオン注入剥離法で形成されたp型薄膜SOI層をシード層としてエピタキシャル層を堆積した後のSOIウェーハの反りを抑制するために、エピタキシャル層形成前のp型薄膜SOI層を有するSOIウェーハの形状を調整することを特徴とする。以下、本発明について更に詳述する。図1、図2に本発明の貼り合わせSOIウェーハの製造方法の一例を示した工程フロー図を示す。本発明は、シリコン単結晶からなるボンドウェーハ1の表面から水素又は希ガスのうち少なくとも1種類のガスイオンをイオン注入して前記ボンドウェーハ1内にイオン注入層2を形成し図1a、b、前記ボンドウェーハ1のイオン注入した表面とベースウェーハ3の表面とを絶縁膜4を介して貼り合わせ図1c、前記イオン注入層2でボンドウェーハ1を剥離することによって薄膜SOI層5を形成した後図1d、該薄膜SOI層5の表面に、エピタキシャル層6を堆積する図1e貼り合わせSOIウェーハの製造方法において、表面から少なくとも前記イオン注入層を形成する深さまでの領域がボロンをドーパントとする抵抗率が0.1Ωcm以下であるシリコン単結晶ウェーハを前記ボンドウェーハ1として用いることによって前記薄膜SOI層5をp型薄膜SOI層5とし、該p型薄膜SOI層5の表面に堆積する前記エピタキシャル層6の抵抗率を0.1Ωcmより高い抵抗率とした場合に発生する反りを抑制するため、前記エピタキシャル層形成前の前記p型薄膜SOI層5を有するSOIウェーハ10の形状を調整することを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの製造方法である。まず、図1aでは、シリコン単結晶からなるボンドウェーハ1及びベースウェーハ3を準備する。ここで、本発明の貼り合わせSOIウェーハの製造方法では、後工程図1bでボンドウェーハ1の内部にイオン注入層2を形成するが、この際に、表面から少なくとも前記イオン注入層2を形成する深さまでの領域がボロンをドーパントとする抵抗率が0.1Ωcm以下であるシリコン単結晶ウェーハをボンドウェーハ1として用いる。抵抗率が0.1Ωcm以下であるシリコン単結晶ウェーハをボンドウェーハ1として用い、後工程図1dでボンドウェーハ1をイオン注入層2で剥離することによって、p型薄膜SOI層5を有するSOIウェーハ10が製造される。このようなボンドウェーハ1としては、ウェーハ全体にボロンがドープされ抵抗率が0.1Ωcm以下とされた、CZシリコン単結晶ウェーハを用いることができるが、表面に所望厚さで0.1Ωcm以下でボロンドープされたエピタキシャル層を有するシリコンエピタキシャルウェーハを用いることもできる。抵抗率の下限値は特に限定されないが、結晶性を考慮すると、0.005Ωcm以上とすることができる。本発明は、このようなp型薄膜SOI層5の表面に、0.1Ωcmより高い抵抗率を有するエピタキシャル層6を堆積する場合に発生する反りを抑制するため、エピタキシャル層形成前のp型薄膜SOI層5を有するSOIウェーハ10の形状を調整することを特徴とする。エピタキシャル層6の抵抗率の上限値は特に限定されないが、例えば、100Ωcm以下とすることができる。このp型薄膜SOI層5を有するSOIウェーハ10の形状を調整する方法としては、図1aのように、ベースウェーハ3として、貼り合わせ面側が凹形状を有するシリコン単結晶ウェーハを用いる方法が挙げられる。また、図2aのように、ベースウェーハ3’の裏面にシリコン酸化膜7を形成することによって、エピタキシャル層形成前のp型薄膜SOI層5を有するSOIウェーハ10の形状を調整することもできる。尚、シリコン酸化膜7は、CVD法等によってベースウェーハ3’の裏面に形成することができる。次いで、図1b、図2bのように、ボンドウェーハ1及びベースウェーハ33’のうちの少なくとも一方のウェーハ、ここではボンドウェーハ1に絶縁膜4を形成する。絶縁膜4の厚さ等は仕様により決定されるべきもので特に限定されるものではないが、例えば、熱酸化により約0.01~2.0μm程度の厚さの絶縁膜4酸化膜を形成させることができる。次に、ボンドウェーハ1の表面から水素または希ガスのうち少なくとも1種類のガスイオンをイオン注入してボンドウェーハ1内にイオン注入層2を形成する。図1b、図2bのように、絶縁膜4を通してイオン注入を行えば、注入イオンのチャネリングを抑制する効果が得られる。次に、図1c、図2cでは、ボンドウェーハ1のイオン注入した表面とベースウェーハ33’の表面とを絶縁膜4を介して貼り合わせる。通常は、常温の清浄な雰囲気下でボンドウェーハ1とベースウェーハ33’の表面同士を接触させることにより、接着剤等を用いることなくウェーハ同士が接着する。次に、図1d、図2dでは、イオン注入層2でボンドウェーハ1を剥離することによって薄膜SOI層5を形成する。本発明においては、表面から少なくともイオン注入層2を形成する深さまでの領域がボロンをドーパントとする抵抗率が0.1Ωcm以下であるシリコン単結晶ウェーハをボンドウェーハ1として用いることで、p型薄膜SOI層5を有するSOIウェーハ10となる。この剥離方法としては特に限定されないが、貼り合わせられたウェーハに対して、例えば不活性ガス雰囲気で500~600°C程度の熱処理を行うことでボンドウェーハ1の剥離を行うことができる。また、剥離面に平坦化処理を施し、p型薄膜SOI層5を有するSOIウェーハ10とすることもできる。平坦化処理としては、CMPChemicalMechanicalPolishingによる平坦化、還元性ガスや不活性ガス雰囲気中での高温熱処理による平坦化あるいは塩化水素ガスを含む雰囲気中での平坦化熱処理が一般的に知られている。本発明では、前述の図1aや図2aのようにベースウェーハとして貼り合わせ面側が凹形状を有するシリコン単結晶ウェーハを用いる、あるいはベースウェーハの裏面にシリコン酸化膜7を形成する等の方法によって、このp型薄膜SOI層5を有するSOIウェーハ10の形状を調整するため、次工程で0.1Ωcmより高い抵抗率を有するエピタキシャル層6を堆積しても、反りを抑制することが可能である。尚、p型薄膜SOI層5を有するSOIウェーハ10の形状は、平坦又は凹形状に調整することが好ましい。その後、上記のように得られたp型薄膜SOI層5の表面に、抵抗率を0.1Ωcmより高い抵抗率としたエピタキシャル層6を堆積する図1e、図2e。本発明においては、エピタキシャル層形成前のp型薄膜SOI層5を有するSOIウェーハ10の形状を調整しているため、堆積後のSOIウェーハの反りを抑制することができる。以下に実験例、本発明の実施例及び比較例を挙げて、本発明をより詳細に説明するが、これらは本発明を限定するものではない。実験例イオン注入剥離法によりSOIウェーハを作製するためのボンドウェーハとして、直径300mm、導電型p型ボロンドープの抵抗率が異なるpウェーハを用い、p型SOI層シード層の抵抗率が異なるSOIウェーハBOX層厚150nm、SOI層厚150nm、ベースウェーハ厚775μm、ベースウェーハの裏面酸化膜なしを数種類作製し、そのSOI層の表面に抵抗率10Ωcmのエピタキシャル層を1080°Cで3.5μm形成した後、KLA-Tencor社製AFS3220を用いてSOIウェーハの反りを測定した。シード層が低抵抗率0.1Ωcm以下であり、かつ、エピタキシャル層の抵抗率がSOI層よりも高い抵抗率0.1Ωcmより高い抵抗率の場合に、SOI層側が凸形状に反った。また、図3により、シード層の抵抗率が低い特に0.01Ωcm以下ほどエピタキシャル成長後の反りが大きくなることがわかる。尚、いずれのSOIウェーハもSOI層側が凸形状を有していた。実施例1ベースウェーハに貼り合わせ面側が凹形状を有するシリコン単結晶ウェーハを使用した場合イオン注入剥離法によりSOIウェーハを作製するためのボンドウェーハとして、直径300mm、結晶方位<100>、導電型p型ボロンドープ、抵抗率8.5mΩcmの鏡面研磨されたシリコン単結晶ウェーハを用意し、熱酸化により150nmの酸化膜を形成した後、酸化膜表面から水素イオンを5×1016/cm2のドーズ量でボンドウェーハの表層部に注入した。一方、ベースウェーハとして、直径300mm、結晶方位<100>、導電型p型ボロンドープ、抵抗率10Ωcmの鏡面研磨されたシリコン単結晶ウェーハを用意した。このベースウェーハは、貼り合わせ面側が凹形状を有するものであり、シリコン単結晶棒からウェーハをスライスする際に意図的に50μmの反りを有する様に作製したものである。ボンドウェーハのイオン注入を行った表面と、ベースウェーハの凹側の表面とを酸化膜を介して貼り合わせた後、非酸化性雰囲気で熱処理することによりイオン注入層で剥離し、剥離面の平坦化処理を行い、150nmの薄膜SOI層を有するSOIウェーハを作製した。作製されたSOIウェーハは、SOI層側が凹で反りの大きさは10μmであった。このSOI層の表面に、1080°Cで35μmのエピタキシャル層抵抗率10Ωcmを形成し、反りを測定した結果、SOI層側が凸形状で反りの大きさは10μmと極めて小さい値となった。実施例2ベースウェーハの裏面にCVD酸化膜を形成した場合イオン注入剥離法によりSOIウェーハを作製するためのボンドウェーハとして、直径300mm、結晶方位<100>、導電型p型ボロンドープ、抵抗率8.5mΩcmの鏡面研磨されたシリコン単結晶ウェーハを用意し、熱酸化により150nmの酸化膜を形成した後、酸化膜表面から水素イオンを5×1016/cm2のドーズ量でボンドウェーハの表層部に注入した。一方、ベースウェーハとして、直径300mm、導電型p型ボロンドープ、結晶方位<100>、抵抗率10Ωcmの鏡面研磨されたシリコン単結晶ウェーハを用意し、裏面に1μmのCVD酸化膜を形成しておいた。ボンドウェーハのイオン注入を行った表面と、ベースウェーハの表面CVD酸化膜のない面とを酸化膜を介して貼り合わせた後、非酸化性雰囲気で熱処理することによりイオン注入層で剥離し、剥離面の平坦化処理を行い、150nmのSOI層を有するSOIウェーハを作製した。作製されたSOIウェーハは、SOI層側が凹形状で反りの大きさは12μmであった。このSOI層の表面に、1080°Cで35μmのエピタキシャル層抵抗率10Ωcmを形成し、反りを測定した結果、SOI層側が凸形状で反りの大きさは11μmと極めて小さい値となった。比較例1ベースウェーハとして通常の鏡面ウェーハを使用した場合イオン注入剥離法によりSOIウェーハを作製するためのボンドウェーハとして、直径300mm、結晶方位<100>、導電型p型ボロンドープ、抵抗率8.5mΩcmの鏡面研磨されたシリコン単結晶ウェーハを用意し、熱酸化により150nmの酸化膜を形成した後、酸化膜表面から水素イオンを5×1016/cm2のドーズ量でボンドウェーハの表層部に注入した。一方、ベースウェーハとして、直径300mm、導電型p型ボロンドープ、結晶方位<100>、抵抗率10Ωcmの鏡面研磨されたシリコン単結晶ウェーハを用意した。ボンドウェーハのイオン注入を行った表面と、ベースウェーハの表面とを酸化膜を介して貼り合わせた後、非酸化性雰囲気で熱処理することによりイオン注入層で剥離し、剥離面の平坦化処理を行い、150nmの薄膜SOI層を有するSOIウェーハを作製した。作製されたSOIウェーハは、SOI層側が凸形状で反りの大きさは40μmであった。このSOI層の表面に、1080°Cで35μmのエピタキシャル層抵抗率10Ωcmを形成し、反りを測定した結果、SOI層側が凸形状で反りの大きさは63μmと反り量が大幅に悪化した。このように、実施例1のように、ベースウェーハとして、貼り合わせ面側が凹形状を有するシリコン単結晶ウェーハを用いたり、実施例2のように、ベースウェーハの裏面にシリコン酸化膜を形成する等して、エピタキシャル層形成前のp型薄膜SOI層を有するSOIウェーハの形状を調整することによって、イオン注入剥離法を用いて形成した薄膜SOI層の表面にエピタキシャル層を形成した場合に発生する反りを抑制することができる。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。