プラズマ化学気相成長方式の成膜装置であって、成膜処理対象の複数の基板が配列して搭載される矩形の搭載面を有するカートを備え、前記搭載面の四隅の各頂点からそれぞれ一定の範囲の表面が、前記搭載面の他の範囲の表面よりも表面粗さが大きい粗面であることを特徴とする成膜装置。前記粗面の算術平均粗さが、15μm以上且つ20μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。前記搭載面の形状が行方向の長さL、列方向の長さWの矩形であるとき、前記粗面の形状が前記頂点の角が直角の直角三角形であって、前記粗面の行方向に沿った辺の長さが前記長さLの10以上且つ25以下であり、前記粗面の列方向に沿った辺の長さが前記長さWの10以上且つ25以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の成膜装置。しかしながら、上記1の方法では、生産量向上に伴い、成膜装置のフットプリント設置面積が大きくなる。したがって、成膜装置の設置面積の制限により、並行平板電極のサイズを無限に大きくすることはできず、電極の最外周に配置された基板の面内膜厚分布が悪化する傾向がある。例えば、搭載面が矩形のカート上に基板が配置された場合に、搭載面の四隅に配置された基板の面内膜厚分布が一様でなくなる。具体的には、カート外周部においてチャンバー内壁との熱交換によりガス温度の低下を招いたり、高周波電圧印加によってエッジ部分に電界が集中することにより、外周部に近づくほど成膜レートが高くなる。その結果、カートに搭載された基板全体の膜厚分布のばらつきが大きくなると共に、カートの四隅に配置された基板の面内膜厚分布のばらつきが大きくなる。太陽電池モジュールの製造で一例を挙げると、例えば88枚8枚×11の基板をカード上に搭載した場合に、カートの四隅に配置された4枚の面内膜厚分布が5程度に劣化し、目視により判別できる色むらが発生する。更には、適正膜厚からのずれによって製品の特性が劣化し、製造歩留まりが低下するという問題が生じる。上記問題点に鑑み、カート上に配置された基板の面内膜厚分布のばらつきを低減できる成膜装置を提供することを目的とする。本発明の一態様によれば、プラズマ化学気相成長方式の成膜装置であって、成膜処理対象の複数の基板が配列して搭載される矩形の搭載面を有するカートを備え、搭載面の四隅の各頂点からそれぞれ一定の範囲の表面が、搭載面の他の範囲の表面よりも表面粗さが大きい粗面である成膜装置が提供される。本発明によれば、カート上に配置された基板の面内膜厚分布のバラツキを低減できる成膜装置を提供できる。図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであることに留意すべきである。又、以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施形態は、構成部品の構造、配置などを下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。本発明の実施形態に係る成膜装置はプラズマ化学気相成長P-CVD方式の成膜装置であって、成膜処理対象の複数の基板が配列して搭載される矩形の搭載面を有するカート10を備え、図1に示すように、搭載面100の四隅の各頂点からそれぞれ一定の範囲の表面が、搭載面の他の範囲の表面よりも表面粗さが大きい粗面101である。図1において、ハッチングを施した領域が粗面101である。搭載面100の粗面101以外の領域は、以下において通常面102という。なお、搭載面100の行方向の長さをL、列方向の長さをWとし、粗面101の行方向に沿った辺の長さをL1、列方向に沿った長さをW1とする。搭載面100に破線で示した複数の矩形の領域は、それぞれ基板が搭載される領域である。図1では、行方向に11個、列方向に8個の基板が配置される例を示したが、カート10の搭載面100に配列して配置される基板の数が11×8個に限られないのはもちろんである。図2に、カート10を高周波プラズマCVD方式の成膜装置1の基板ホルダとして使用した例を示す。図2に示した成膜装置1においては、チャンバー31内のカート10の搭載面100上に処理対象の複数の基板20を配列して搭載する。チャンバー31の下部に配置された排気装置32によりチャンバー31内を減圧して所定のガス圧にした後、導入口33から原料ガスをチャンバー31内に導入する。挿入口33は電極34の内部に通じており、原料ガスは電極34の内部を通過し、電極34の表面に設けられた開口部からチャンバー31内に導入される。即ち、図2の成膜装置1は、電極34がシャワープレート型電極である例を示している。接地されたカート10と電極34間に高周波電源35から高周波電力を供給することにより、チャンバー31内の原料ガスがプラズマ化される。形成されたプラズマに基板20を曝すことにより、基板20の露出した表面に膜が形成される。カート10には、例えば熱伝導性がよく、軽い材料であるカーボンが好適に使用される。生産性を向上させるためにカート10の搭載面100を大きくした場合、搭載面100の特に四隅とチャンバー31との距離が狭くなる。その結果、カート10とチャンバー31の側壁との間で熱交換が起こり、搭載面100の四隅で温度が低くなる。状態方程式PV=nRT、P:圧力、V:体積、n:物質量、R:気体定数、T:絶対温度に示されるように、同一の圧力であっても温度が低下すると物質量が増大する。したがって、温度の低い搭載面100の四隅にガスが集まりやすく、他の領域に比べて四隅の成膜レートが大きくなる。更に、カート10と電極34間に高周波電力を供給したときに、エッジ効果によって搭載面100の四隅に電子が局在化し、他の領域よりも四隅が高電圧になる。その結果、他の領域に比べて四隅の成膜レートが大きくなる。上記のように、搭載面100の四隅において成膜レートが他の領域に比べて大きくなるが、図1に示したように、搭載面100の四隅に粗面101を形成することにより、四隅での成膜レートを低下させることができる。つまり、四隅において表面粗さを大きくすることにより、実効的な表面積が増大する。このため、粗面101におけるラジカルガスやイオンガスなどの単位面積あたりの吸着確率が減少する。その結果、搭載面100の四隅での成膜レートが低下するのである。本発明者らが多数の実験と鋭意研究を行った結果、粗面101での表面粗さは、算術平均粗さRa=15μm~20μmが好適であることを見出した。算術平均粗さRaが15μmよりも小さい場合は成膜レートを低下させる効果が見られない。一方、算術平均粗さRaが20μmよりも大きい場合は吸着確率が小さくなりすぎてしまう。そのため、成膜レートが低くなりすぎて、四隅で形成された膜厚が通常面102で形成された膜厚よりも薄くなる。粗面101は、例えば80番の粒径のアルミナAl2O3粒子を用いたブラスト処理などにより形成される。なお、表面積の適度な増大を実現するために、削り量は0.1mm以下であることが好ましい。削り量が大きすぎると、ガスの吸着確率が減少しすぎるためである。図1には、粗面101の形状が搭載面100の四隅の各頂点の角が直角の直角三角形である例を示した。これは、粗面101を形成しない場合には、四隅において膜厚が増大し、搭載面100の中心から各頂点に向かうグラデーションが観察されるためである。図3に、図1に示したカート10を用いて成膜処理を行った結果を示す。カート10の粗面101の算術平均粗さRaは15μm~20μmである。一方、通常面102の算術平均粗さRaは、1μm~3μmである。図3は、搭載面100内の135の地点で基板に薄膜を形成し、その膜厚を測定した結果である。このとき、成膜時間は200秒である。最大膜厚-最小膜厚/最大膜厚最小膜厚で算出される膜厚のばらつきは、±5.1である。図4に、図3に示した膜厚分布のうち、中央部及び両端部の行方向に沿った膜厚分布を示す。図3、図4に示すように、搭載面100の粗面101で形成される膜の厚さと通常面102で形成される膜の厚さに差はみられない。一方、搭載面100の全面にブラスト処理を行った図5に示すカート10Aを用いて成膜処理を行った結果を図6に示す。図6は、搭載面100内の135の地点で基板に薄膜を形成し、その膜厚を測定した結果である。最大膜厚-最小膜厚/最大膜厚最小膜厚で算出される膜厚のばらつきは、±9.7である。つまり、粗面101を形成することにより、膜厚のばらつきを半分程度にすることができる。図7に、図6に示した膜厚分布の中央部及び両端部の行方向に沿った膜厚分布を示す。図6及び図7に示すように、カート10Aを用いた場合には、搭載面100の四隅において形成される膜の厚さは、他の領域において形成される膜よりも5~10厚い。図3~図4及び図6~図7の結果などに基づき、発明者らは粗面101の各辺の長さL1、W1は、搭載面の各辺の長さL、Wに対して、一定の比率であれば、搭載面100内の膜厚分布を小さくすることを見出した。具体的には、搭載面100の形状が行方向の長さL、列方向の長さWの矩形であるとき、粗面101の形状が四隅の頂点の角が直角の直角三角形であって、粗面101の行方向に沿った辺の長さL1が長さLの10以上且つ25以下であり、粗面101の列方向に沿った辺の長さW1が長さWの10以上且つ25以下である場合に、搭載面100に搭載された基板の膜厚分布を小さくすることができる。これに対し、粗面101の領域が広すぎると、通常面102との境界で粗面101での成長レートが低くなりすぎ、他の領域に比べて膜厚が薄くなる。また、粗面101の領域が狭すぎると、通常面102との境界で粗面101での成長レートの低下が不十分になり、他の領域に比べて膜厚が厚くなる。例えば、搭載面100の行方向の長さLが2000mm、列方向の長さWが1500mmの場合に、粗面101の行方向に沿った辺の長さL1を306.25mmとし、粗面101の列方向に沿った辺の長さW1を323.25mmとする。このとき、長さL1は長さLの15.3であり、長さW1は長さWの21.5である。また、例えば図1に示すように、四隅の各頂点の斜辺である粗面101の辺が四隅に配置される基板の中心を通るように、粗面101が形成される。つまり、粗面101の領域は、搭載面100の四隅に配置された基板の半分が粗面101上にあるように設定される。なお、図3~図4及び図6~図7に示した測定結果は、上記サイズのカート10、10Aを用いて得られたものである。以上に説明したように、本発明の実施形態に係るカート10では、搭載面100の四隅に粗面101が形成される。これにより、四隅での成膜レートが低減される。その結果、搭載面100の四隅と他の領域との間で成膜レートが同等になり、カート10内全基板の膜厚ばらつきを低減することができる。したがって、カート10上に配置された基板の面内膜厚分布のばらつきを低減できる成膜装置を実現することができる。これにより、搭載面100の四隅に配置された基板の不良率を大きく改善することができる。特に、太陽電池では目視で判別できる色むらがある基板は製品として使用することはできず、粗面101を形成しない場合には、搭載面100の四隅に配置された基板が太陽電池モジュールとして実用に耐えないことがある。しかし、搭載面100の四隅に粗面101を形成することによって、カート10内全基板の膜厚ばらつきを低減して色むらの発生が抑制され、製品歩留まりが向上する。更に、適正膜厚からのずれによる飽和電流Ish低下の抑制、及びIshの低下に伴うエネルギー変換効率Eff.ロスが改善されるため、太陽電池に関して製品歩留まりが向上する。上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。