"一次コイルと二次コイルが電磁結合されてなる点火コイルと、一次コイルを介在して直流電源の直流電圧を受け、一次コイルの電流をON/OFF制御するスイッチング素子と、スイッチング素子のOFF動作時に二次コイルに誘起される高電圧に基づいて放電する点火プラグと、直流電源の直流電圧を降下させて生成された第一直流レベルの出力電圧を出力する第一回路と、第一回路の出力電圧をエミッタ端子に受けて動作し、コレクタ端子に接続された負荷抵抗からコレクタ電流に対応する検出電圧を出力する電流増幅素子と、電流増幅素子のベース端子と点火プラグとの間に配置されるバイアス抵抗と、を有して構成され、点火プラグに流れるイオン電流を、電流増幅素子のベース端子に出力される第二直流レベルの電圧に基づいて検出可能に構成されたことを特徴とするイオン電流検出装置。二次コイルは、その一方側端子がバイアス抵抗に接続され、他方側端子が点火プラグに接続されている請求項1に記載のイオン電流検出装置。一次コイル及び二次コイルは、これらの一方側端子に、直流電源からの直流電流が流入可能に配置され、一次コイル及び二次コイルの一方側端子の間に、2つの端子間の電流を一方向に規制する電流規制素子が接続され、点火プラグは、グランドから直流電源に向かう方向に点火放電するよう構成されている請求項2に記載のイオン電流検出装置。流入端子と流出端子を有して電流方向を一方向に規制する電流規制素子と、二次コイルと、点火プラグとで、一方向の点火放電経路が構成され、電流規制素子の流出端子は、二次コイルの一方側端子に接続されている請求項2に記載のイオン電流検出装置。流入端子と流出端子を有して電流方向を一方向に規制する第一電流規制素子が、バイアス抵抗に直列接続されている請求項1に記載のイオン電流検出装置。流入端子と流出端子を有して電流方向を一方向に規制する第二電流規制素子を更に配置し、その流入端子が二次コイルの一方側端子に接続され、その流出端子が一次コイルの一方側端子に接続され、経由二次コイルの他方側端子が点火プラグに接続され、一次コイルの他方側端子がスイッチング素子に接続されている請求項5に記載のイオン電流検出装置。流入端子と流出端子を有して電流方向を一方向に規制する第二電流規制素子と、二次コイルと、点火プラグとで、一方向の点火放電経路が構成され、第二電流規制素子は、流入端子に二次コイルから受ける放電電流を、流出端子から点火プラグに供給している請求項5に記載のイオン電流検出装置。第一回路は、ツェナーダイオードの降伏電圧を基準電圧として、第一直流レベルの出力電圧を生成している請求項1~7の何れかに記載のイオン電流検出装置。しかしながら、図5や図6のような回路構成では、イオン電流を検出するためのバイアス回路として、コンデンサC11とツェナーダイオードZD11が必要となり、回路構成がやや複雑な上に、これらの部品コストが高いという問題があった。すなわち、これらの部品は、高温例えば160°C且つ高圧例えば250V~350V下において所望の動作が保証される必要があり、低コスト化が困難である。本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであって、より低コスト化を実現できるイオン電流検出装置を提供することを課題とする。上記の課題を解決するため、本発明に係るイオン電流検出装置は、一次コイルと二次コイルが電磁結合されてなる点火コイルと、一次コイルを介在して直流電源の直流電圧を受け、一次コイルの電流をON/OFF制御するスイッチング素子と、スイッチング素子のOFF動作時に二次コイルに誘起される高電圧に基づいて放電する点火プラグと、直流電源の直流電圧を降下させて生成された第一直流レベルの出力電圧を出力する第一回路と、第一回路の出力電圧をエミッタ端子に受けて動作し、コレクタ端子に接続された負荷抵抗からコレクタ電流に対応する検出電圧を出力する電流増幅素子と、電流増幅素子のベース端子と点火プラグとの間に配置されるバイアス抵抗と、を有して構成され、点火プラグに流れるイオン電流を、電流増幅素子のベース端子に出力される第二直流レベルの電圧に基づいて検出可能に構成されている。本発明では、電流増幅素子のベース端子に出力される第二直流レベルに基づいてイオン電流を検出するので、高温且つ高圧下において所望の動作が要求される回路素子が不要となり、低コスト化を実現することができる。なお、一次コイルを介在して直流電圧を受けるとは、実施例のように、スイッチング素子のコレクタ端子に一次コイルが接続されている態様に限定されず、例えば、そのエミッタ端子に一次コイルが接続されるような態様も含む概念である。また、本発明では、便宜上、ベース端子、コレクタ端子、エミッタ端子なる用語を使用するが、バイポーラ型トランジスタにおけるベース端子、コレクタ端子、エミッタ端子を限定的に意味するものではない。すなわち、電流増幅素子における信号入力端子を、便宜上、ベース端子と称し、電流増幅素子における信号出力端子を、便宜上、コレクタ端子やエミッタ端子と称しているに過ぎない。したがって、信号入力端子や信号出力端子の個数や、電流の流通方向も特に限定されない。本発明の二次コイルは、例えば、その一方側端子がバイアス抵抗に接続され、他方側端子が点火プラグに接続されているのが好ましい。この構成は、例えば、第1実施例や第3実施例に対応する。ここで、一次コイル及び二次コイルは、これらの一方側端子に、直流電源からの直流電流が流入可能に配置され、一次コイル及び二次コイルの一方側端子の間に、2つの端子間の電流を一方向に規制する電流規制素子が接続され、点火プラグは、グランドから直流電源に向かう方向に点火放電する構成が好適であり、この構成は、例えば、第1実施例に対応する。また、流入端子と流出端子を有して電流方向を一方向に規制する電流規制素子と、二次コイルと、点火プラグとで、一方向の点火放電経路が構成され、電流規制素子の流出端子は、二次コイルの一方側端子に接続されるのも好適であり、この構成は、例えば、第3実施例に対応する。一方、本発明は、流入端子と流出端子を有して電流方向を一方向に規制する第一電流規制素子が、バイアス抵抗に直列接続されているのも好適である。この構成は、例えば、第2実施例や第4実施例に対応する。ここで、流入端子と流出端子を有して電流方向を一方向に規制する第二電流規制素子を更に配置し、その流入端子が二次コイルの一方側端子に接続され、その流出端子が一次コイルの一方側端子に接続され、二次コイルの他方側端子が点火プラグに接続され、一次コイルの他方側端子がスイッチング素子に接続されるのが好適であり、この構成は、例えば、第2実施例に対応する。また、流入端子と流出端子を有して電流方向を一方向に規制する第二電流規制素子と、二次コイルと、点火プラグとで、一方向の点火放電経路が構成され、第二電流規制素子は、流入端子に二次コイルから受ける放電電流を、流出端子から点火プラグに供給しているのも好適であり、この構成は、例えば、第4実施例に対応する。上記何れの構成においても、第一回路は、ツェナーダイオードの降伏電圧を基準電圧として、第一直流レベルの出力電圧を生成するのが好適である。なお、ツェナーダイオードの名称は、同等の機能を発揮する電子素子の総称として使用しており、現実に流通している具体的な電子素子そのものを意味しない。この点は、実施例で使用するダイオードについても同様であり、カソード端子は、一般的に、電流の流出端子を意味し、アノード端子についても、一般的に電流の流入端子を意味するに過ぎない。上記した本発明のイオン電流検出装置によれば、高圧下で所望の動作が保証される抗耐熱性の回路部品を必要としないので、回路構成が簡素な上に、低コスト化を実現することができる。以下、図1aの回路図を参照しつつ、第一実施例に係るイオン電流検出装置について説明する。図示の通り、このイオン電流検出装置は、一次コイルL1と二次コイルL2が電磁結合された点火コイル1と、一次コイルL1の電流をON/OFF制御するスイッチング素子2と、2つのトランジスタQ1,Q2で構成された電流検出部3と、二次コイルL2に直列接続された点火プラグPGと、一次コイルL1や電流検出部3に直流電圧を供給するバッテリ電源VBと、を中心に構成されている。スイッチング素子2は、具体的には、例えばIGBT絶縁ゲートバイポーラトランジスタInsulatedGateBipolarTransistorで構成されている。そして、IGBTのゲート端子には、点火パルスSGが供給され、コレクタ端子は一次コイルL1を経由してバッテリ電源VBに接続され、エミッタ端子はグランドに接続されている。また、IGBTのコレクタ端子とエミッタ端子には、不図示のツェナーダイオードのカソード端子とアノード端子が接続されている。点火コイル1を構成する一次コイルL1と二次コイルL2は、コイル巻線が逆相に巻かれ、スイッチング素子2がOFF遷移して一次コイルL1の電流が遮断されると、二次コイルL2に、図示の向きの高電圧が発生するよう構成されている。その結果、点火プラグPGは、グランドからバッテリ電源VBに向けて点火放電するマイナス放電が実現される図1b参照。そして、一次コイルL1と二次コイルL2のバッテリ側の端子には、マイナス放電の電流経路を実現する向きにダイオードD1が接続されている。電流検出部3は、PNP型トランジスタQ1とNPN型トランジスタQ2とを有して構成され、各トランジスタQ1,Q2に共通のエミッタ電流が流れるよう、互いのエミッタ端子が接続されている。そして、トランジスタQ2のコレクタ端子には、バッテリ電源VBが接続され、コレクタ端子とベース端子にはバイアス抵抗R3が接続されている。また、ベース端子とグランド間には、ツェナーダイオードZDが接続されている。ここで、ツェナーダイオードZDの降伏電圧Vzは、バッテリ電源VBの直流電圧Vbより低いがVz<Vb、これに近い値に設定されているVz≒Vb。そのため、ツェナーダイオードZDは、常に降伏状態であって、トランジスタQ2のベース電位を一定値Vzに維持し、また、トランジスタQ2のエミッタ電位を、ほぼ一定値のVz-Vbeに維持している。なお、Vbeは、トランジスタQ2のベースエミッタ間の電圧降下である。トランジスタQ1のエミッタ端子は、トランジスタQ2のエミッタ端子に接続され、トランジスタQ1のコレクタ端子は、コレクタ抵抗負荷抵抗R2を経由してグランドに接続されている。また、トランジスタQ1のベース端子は、ベース抵抗R1を経由して、二次コイルL2のバッテリ側の端子に接続されている。そのため、トランジスタQ1のベース電流ibは、ベース抵抗R1→二次コイルL2→点火プラグPGの経路で流れ、検出すべきイオン電流ioに一致する図1b参照。なお、バッテリ電源VB→ダイオードD1の経路で流れるダイオードD1の漏洩電流は、ベース電流ibに比較して無視できるレベルとなっている。上記の回路構成において、トランジスタQ1のベース電位Vsは、トランジスタQ1のエミッタ電位よりVbeだけ降下して、ほぼ一定値のVz-2×Vbeとなる。なお、ベースエミッタ間の電圧降下Vbeは、トランジスタQ1、トランジスタQ2において同一であるとした。先に説明した通り、イオン電流ioは、トランジスタQ1のベース電流ibに一致し、これが電流増幅率β倍に増幅されて、トランジスタQ1のコレクタ電流icとなるic=β×io。そのため、コレクタ抵抗負荷抵抗R2の両端電圧Voは、Vo=R2×ic=R2×β×ioとして、イオン電流ioに比例したイオン検出電圧Voとなる。以上の説明から明らかな通り、本実施例では、点火パルスSGの立下り時t1に、点火プラグPGが点火放電し、その放電電流は、二次コイルL2→ダイオードD1→バッテリ電源の経路で流れる図1b破線矢印参照。なお、この時、二次コイルL2のバッテリ側の端子の電位は、VBVfであるので、OFF状態のトランジスタQ1,Q2が絶縁破壊されるおそれはない。なお、Vfは、ダイオードD1の順方向電圧降下である。上記の点火放電動作において、その後、放電エネルギーが収束すると、ON状態のダイオードD1がOFF状態に遷移する。すると、その後は、トランジスタQ1のベース電位Vs=Vz-2×Vbeをバイアス電圧として、ベース抵抗R1→二次コイルL2→点火プラグPGの経路でイオン電流ioが流れ、上記した通り、イオン検出電圧Vo=R2×β×ioが得られる図1b実線矢印参照。以上の通り、本実施例によれば、専用のバイアス回路を必要とせず、バッテリ電源VBを降下させたバイアス電圧Vzを使用するので、回路構成の簡素化と、装置全体の低コスト化を実現することができる。すなわち、図5や図6に示すような、高価なツェナーダイオードZD11やコンデンサC11を使用することなく所望の動作を実現することができる。以上、第一実施例について説明したが、回路構成は適宜に変更可能である。例えば、図2は、第二実施例に係るイオン電流検出装置の回路構成を例示したものである。第二実施例では、トランジスタQ1のベース端子は、ベース抵抗R1及びダイオードD2を経由して二次コイルL2のプラグ側の端子に接続されており、その他は、第一実施例の回路構成と同じである。ここで、ダイオードD2は、点火プラグPGの点火放電時に、トランジスタQ1,Q3の絶縁破壊を防止する保護素子であり、適宜な耐圧特性を有している。第二実施例は、図2に示す回路構成を有しているので、点火プラグPGの放電電流は、ダイオードD2に阻止されて、二次コイルL2→ダイオードD1→バッテリ電源VBの経路で流れる図2b破線矢印参照。その後、放電エネルギーが収束すると、ON状態のダイオードD1がOFF状態に遷移する。すると、その後は、トランジスタQ1のベース電位Vs=Vz-2×Vbeをバイアス電圧として、ベース抵抗R1→ダイオードD2→点火プラグPGの経路でイオン電流ioが流れ、イオン検出電圧Vo=R2×β×ioが得られる図2b実線矢印参照。図3は、第三実施例に係るイオン電流検出装置の回路構成を例示したものである。この第三実施例では、点火プラグPGと二次コイルL2とダイオードD1とで点火放電時の閉回路が構成され、ダイオードD1のアノード端子がグランドに接続されている。また、一次コイルL1と二次コイルL2は、コイル巻線が同相に巻かれ、スイッチング素子2がOFF遷移して一次コイルL1の電流が遮断されると、二次コイルL2に、図示の向きの高電圧が発生するよう構成されている。そのため、点火プラグPGには、二次コイルL2→点火プラグPG→ダイオードD1の経路で放電電流が流れる図3の破線矢印参照。また、第三実施例では、ダイオードD1のカソード端子と、二次コイルL2の接続点は、ベース抵抗R1を経由して、トランジスタQ1のベース端子に接続されている。なお、一次コイルL1と二次コイルL2とは電磁的に結合するだけで、直接的には接続されていない。そのため、点火プラグPGの放電エネルギーが収束した後は、トランジスタQ1のベース電位Vs=Vz-2×Vbeをバイアス電圧として、ベース抵抗R1→二次コイルL2→点火プラグPGの経路でイオン電流ioが流れ、イオン検出電圧Vo=R2×β×ioが得られる図3実線矢印参照。図4は、第四実施例に係るイオン電流検出装置の回路構成を例示したものである。第四実施例では、二次コイルL2と点火プラグPGとダイオードD1とで点火放電の閉回路が構成され、二次コイルL2の一方端子がグランドに接続されている。そして、二次コイルL2の他方端子が、ダイオードD1のアノード端子に接続され、ダイオードD1のカソード端子が点火プラグPGに接続されている。なお、一次コイルL1と二次コイルL2とは電磁的に結合するだけで、直接的には接続されていない。一次コイルL1と二次コイルL2は、コイル巻線が同相に巻かれ、スイッチング素子2がOFF遷移して一次コイルL1の電流が遮断されると、二次コイルL2に、図示の向きの高電圧が発生するよう構成されている。また、第四実施例では、ダイオードD1のカソード端子と、点火プラグPGの接続点は、ダイオードD2とベース抵抗R1を経由して、トランジスタQ1のベース端子に接続されている。第二実施例と同様、ダイオードD2は、点火プラグPGの点火放電時に、トランジスタQ1,Q3の絶縁破壊を防止するための保護素子であり、適宜な耐圧特性を有している。そのため、点火プラグPGは、点火放電時には、二次コイルL2→ダイオードD1→点火プラグPGの閉回路に放電電流が流れる図4の破線矢印参照。その後、放電エネルギーが収束すると、トランジスタQ1のベース電位Vs=Vz-2×Vbeをバイアス電圧として、ベース抵抗R1→ダイオードD2→点火プラグPGの経路でイオン電流ioが流れ、イオン検出電圧Vo=R2×β×ioが得られる図4実線矢印参照。以上の通り、第二実施例~第四実施例においても、高価なツェナーダイオードやコンデンサを使用することなく所望の動作を実現することができる。以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、具体的な回路構成は、何ら本発明を限定するものではない。例えば、実施例では、トランジスタQ1,Q2としてバイポーラ型のトランジスタを例示したが、これと同等に機能する回路素子でも良いのは勿論である。"