"中心部に配置された微粒子状のIII族金属のセレン化物と、前記III族金属のセレン化物の表面を覆って形成されたI族金属のセレン化物とを有し、加熱によってカルコパイライト結晶構造を発現できることを特徴とする化合物半導体太陽電池材料。請求項1記載の化合物半導体太陽電池材料において、微粒子状の前記III族金属のセレン化物の半径をr1、前記I族金属のセレン化物で覆われた微粒子全体の半径をr2とした場合、r1/r2の比は、0.6以上1.0未満であることを特徴とする化合物半導体太陽電池材料。請求項1記載の化合物半導体太陽電池材料において、前記加熱の温度は、400°C以上700°C未満であることを特徴とする化合物半導体太陽電池材料。請求項3記載の化合物半導体太陽電池材料において、前記温度での加熱により、カルコパイライト結晶構造とIII族金属のセレン化物結晶を含有することを特徴とする化合物半導体太陽電池材料。基体と、請求項1記載の化合物半導体太陽電池材料を含むインクが前記基体上で加熱されることにより形成されたカルコパイライト結晶構造を有する化合物半導体層と、を有することを特徴とする太陽電池。請求項5記載の太陽電池において、微粒子状の前記III族金属のセレン化物の半径をr1、前記I族金属のセレン化物で覆われた微粒子全体の半径をr2とした場合、r1/r2の比は、0.6以上1.0未満であることを特徴とする太陽電池。請求項1記載の太陽電池において、前記加熱の温度は、400°C以上700°C未満であることを特徴とする太陽電池。請求項7記載の太陽電池において、前記温度での加熱により、カルコパイライト結晶構造とIII族金属のセレン化物結晶を含有することを特徴とする太陽電池。基板と、前記基板上部に設けられた第1電極と、前記第1電極上部に設けられ、カルコパイライト結晶構造を有するI族金属とIII族金属とセレンとを含む化合物と、前記I族金属とIII族金属とセレンとを含む化合物に覆われたIII族金属のセレン化物とを有する化合物半導体層と、前記化合物半導体層上部に設けられた第2電極と、を有することを特徴とする太陽電池。請求項9記載の太陽電池において、前記化合物半導体層は、銅を含むことを特徴とする太陽電池。請求項9記載の太陽電池において、前記化合物半導体層は、インジウムを含むことを特徴とする太陽電池。請求項11記載の太陽電池において、前記化合物半導体層は、ガリウムを更に含むことを特徴とする太陽電池。以上のように、印刷工程を用いて形成するカルコパイライト構造を有する化合物半導体は元素の拡散係数の不一致およびセレン化の熱化学反応の問題から組成偏析のない均一な薄膜形成が困難であった。本発明の目的は、I族金属Cu等のセレン化物とIII族金属In等のセレン化物とを用いた場合であっても、低抵抗なI族金属のセレン化物の組成偏析がない、均一な薄膜形成が可能な化合物半導体太陽電池用材料およびそれを用いた高効率太陽電池を提供することにある。上記目的を達成するための一実施形態として、中心部に配置された微粒子状のIII族金属のセレン化物と、前記III族金属のセレン化物の表面を覆って形成されたI族金属のセレン化物とを有し、加熱によってカルコパイライト結晶構造を発現できることを特徴とする化合物半導体太陽電池材料とする。また、基体と、上記化合物半導体太陽電池材料を含むインクが前記基体上で加熱されることにより形成されたカルコパイライト結晶構造を有する化合物半導体層と、を有することを特徴とする太陽電池とする。また、基板と、前記基板上部に設けられた第1電極と、前記第1電極上部に設けられ、カルコパイライト結晶構造を有するI族金属とIII族金属とセレンとを含む化合物及び前記I族金属とIII族金属とセレンとを含む化合物に覆われたIII族金属のセレン化物とを有する化合物半導体層と、前記化合物半導体層上部に設けられた第2電極と、を有することを特徴とする太陽電池とする。中心部に配置された微粒子状のIII族金属のセレン化物と、前記III族金属のセレン化物の表面を覆って形成されたI族金属のセレン化物とを有するコアシェル構造ことにより、低抵抗なI族金属Cu等のセレン化物の組成偏析がない、均一な薄膜形成が可能な化合物半導体太陽電池用材料およびそれを用いた高効率太陽電池を提供することができる。上記課題を解決するための検討を行なった結果、本発明はカルコパイライト結晶構造を有する薄膜を得るためにセレン化インジウムをはじめとするIII族金属のセレン化物を中心部に持ち、その外周をセレン化銅で被覆したコアシェル構造で一体化した微粒子でインクを作製することによって反応の均一性を得ることができることを見出した。本発明によれば、カルコパイライト結晶構造を有する薄膜が4元素系、たとえば銅インジウムガリウムセレンCuInGaSe2で構成される場合、インジウムガリウムの合金セレン化物を中心部に持ち、その外周をセレン化銅で被覆したインクを作製して太陽電池を得ることができる。本発明によれば、カルコパイライト構造中にIII族金属のセレン化物の結晶が混在する構造を有する。この構造によって、短絡原因となるセレン化銅を効率よくカルコパイライト構造へ反応することが可能となる。本発明はカルコパイライト結晶構造を有する化合物半導体からなる薄膜太陽電池を印刷工程で作製するために必要な原料を規定するものであり、高性能な半導体物性を有する化合物半導体を作製できる効果を有する。また、作製工程の簡略化、印刷による原料の有効利用など製造面の優位性を得ることができる。本発明によって作製された太陽電池は従来品と比較して、短絡原因となるセレン化銅の含有率を減少させることが可能であり、高効率な太陽電池を得ることができる効果を有する。以下、本発明を実施するための形態を実施例に沿って説明する。なお、以下の実施例は本発明を実施するための一例であって、実施例で述べている詳細な材料構成、寸法、実施条件等によって、本発明の効果が何ら制限されることは無い。本実施例では、カルコパイライト結晶構造を有する化合物半導体を作製することができるコアシェル構造の微粒子の規定とそのインク作製方法の一例について示す。図1は、本実施例に係るコアシェル構造を持つ化合物半導体太陽電池材料の微粒子断面図の一例である。微粒子全体の半径をr2、コア部101の半径をr1として現している。コア部101はIII族金属のセレン化物であり、たとえばIn2Se3をはじめとするセレン化インジウムなどが挙げられる。セレン化インジウムはIn2Se3以外にもInSe,In3Se7などの組成比を形成するが、特定の組成比に限定されない。本実施例で用いたIII族金属のセレン化物の場合、III族金属元素の組成比によってエネルギーレベルが制御できるため、たとえばInGaSe3などインジウム以外にガリウムを任意の割合で添加したセレン化物を用いると、より高性能な太陽電池を作製できる。シェル部102はセレン化銅をはじめとするI族金属を含有するセレン化物を用いることができる。I族金属としては銅のほか、銀および銅と銀の合金なども用いることができ、I族金属であれば特に制限は無い。コア部分の半径r1と微粒子全体の半径r2コア部分の半径r1、シェルの肉厚d2の総和は用いる物質の密度とI族金属とIII族金属のモル比で規定される。本実施例で用いたコアシェル構造の微粒子中心部に配置された微粒子状のIII族金属のセレン化物と、III族金属のセレン化物の表面を覆って形成されたI族金属のセレン化物を用いて太陽電池セルを作製する場合には、カルコパイライト結晶構造を有する化合物半導体層はp型半導体を形成することが望ましい。カルコパイライト結晶構造を有する化合物半導体は銅とIII族金属のモル比Cu/III族金属比が0.6以上1.0未満で、さらに望ましくは0.7以上0.9以下あれば良好なp型半導体を示す。なお、銅とIII族金属のモル比Cu/III族金属比が0.6未満であったとしても、太陽電池の機能を満たす。したがって、このモル比が実現できるようにr1/r2を規定すればよい。言い換えると、シェルの肉厚d2は、例えば、インジウムセレン化物であるコアの平均粒径を用い、シェルを構成する銅セレン化物が組成偏析せず完全にCISとなるように設計すればよい。これにより、従来短絡の原因となっていた低抵抗なI族金属Cu等のセレン化物の組成偏析は生じることがない。また、インジウムセレン化物はCISに取り囲まれており、CISのみが電極に接触するため、抵抗を低減できる。なお、インジウムセレン化物はCISに取り囲まれ、電極と接触することがないため未反応で残っても組成偏析してもよい。例えば、I族金属のセレン化物としてCu2Se,III族金属のセレン化物としてIn2Se3を用いた場合、r1/r2の最適値は0.843と規定される。また、I族金属のセレン化物にCuSe,III族金属のセレン化物にIn2Se3を用いた場合はr1/r2の最適値は0.786と規定される。種々のI族金属、III族金属の密度と組成比を考慮すると、最適なr1/r2の比は0.7以上1.0未満である。0.7未満の場合はシェル部分の肉厚が厚過ぎて、シェル部分のI族金属のセレン化物が残留するため、太陽電池を作製した際に低抵抗成分となり、太陽電池セルが短絡する。一方、r1/r2=1.0はすべてコア部分であることd2=0と同値を意味するので、太陽電池として機能しない。実施するに当たって、微粒子全体の半径に相当するr2は100nm以下であることが望ましく、さらに50nm以下であれば最適である。本実施例で形成される薄膜太陽電池の光吸収層の膜厚が5μm以下であり、微粒子の充填構造や微粒子同士の融着を考慮すると、微粒子半径r2は薄膜膜厚の1/25以下が望ましく、さらに充填率を高めるために1/100以下がより望ましい。微粒子の合成方法にもよるが、微粒子の大きさにはばらつきが生じる。微粒子全体の半径r2の系内でのばらつきは微粒子の充填構造に影響を及ぼすため、ばらつきが小さい方がより良質な薄膜が形成できる。この要求に基づき、微粒子半径のばらつきが少なくなる種々の合成が提案されており、本実施例で用いる微粒子はそれら合成法を踏襲すればよく、原料合成に関して何ら制限は無い。微粒子の直径ばらつきによって、形成されるシェルの肉厚にもばらつきが生じると予想できるが、シェル形成は微粒子の表面積に対応するため、仮に系内の微粒子半径にばらつきがあったとしても、表面積に対応して均一な肉厚でシェル物質を被覆することが可能である。図1に示すコアシェル構造を有する微粒子の合成方法は種々挙げられるため、特に制限は無い。一例としてセレン化ナトリウムと金属塩との反応で形成する方法について説明する。コア部分の微粒子合成はたとえばヨウ化インジウムIIIとセレン化ナトリウムをメタノール中で混合することによって、式1に示す反応でコア微粒子が形成できる。2InI33Na2Se→In2Se36NaI式1コア微粒子が分散している状態でinsituでよう化銅CuIを添加すると、セレン化インジウム微粒子を被覆する形でセレン化銅が形成される。セレン化銅で被覆された微粒子はメタノールなどのアルコールで洗浄、遠心分離による微粒子沈殿を繰り返すことによって、コアシェル構造を有する微粒子を得ることができる。他に、ジチオカルバメート誘導体の熱分解を利用した形成方法やソルボサーマル法を利用した形成法などが挙げられるが、いずれの方法でも本実施例に係る微粒子を合成することが可能である。本実施例に係る合成した微粒子を種々の溶媒に分散してインクを作製する。合成した微粒子を分散しやすい溶媒に分散処理することによってインクを作製することができ、溶媒としてはエタノール、2-プロパノール、1-ブタノールなどのアルコール系、トルエン、p-キシレンなどの芳香族系など溶媒の粘度や沸点、揮発性、微粒子界面との濡れ性などを考慮に入れて選定される。これら条件を満たした溶媒であれば特に制限は無く、説明した溶媒以外でも適用することができる。以上の構成によって、コアシェル構造の微粒子とそれを用いたインクを作製することが可能である。以上示したように、本実施例によれば、III族金属のセレン化物をコアとし、I族金属のセレン化物をシェルとする微粒子とすることにより、低抵抗なI族金属Cu等のセレン化物の組成偏析がない、均一な薄膜形成が可能な化合物半導体太陽電池用材料を提供することができる。第2の実施例について図2、図3を用いて説明する。実施例2では実施例1で説明したコアシェル構造を持つ化合物半導体太陽電池材料の微粒子を用いた太陽電池セルの作製方法とその特長について説明する。なお、実施例1に記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。図2に本実施例に係る太陽電池の断面模式図を示す。以下、図2を作製するための構成、条件等について記述する。なお、図2に示した模式図は実施例の一例であって、図2の構成で何ら制限されるものではない。図2において、符号201は基板、符号202は金属電極、符号203はカルコパイライト結晶構造を有する化合物半導体層、符号204はバッファ層、符号205はノンドープ酸化亜鉛層、符号206は透明電極を示す。図2を形成するための作製フロー図を模式的に示したものが図3である。以下、図3のフロー図に従って、作製方法を説明する。太陽電池の裏面電極は基板201および金属電極202から構成される。基板201はカルコパイライト結晶構造を有する化合物半導体層にナトリウム元素をドーピングするのが効果的であるため、ソーダライムガラスやケイ酸ソーダなどをコーティングしたステンレス基板やポリイミド基板などが用いられる。本実施例ではソーダライムガラスをコーティングしたステンレス基板を用いた。カルコパイライト結晶構造を有する化合物半導体層を形成する際に焼結工程を伴うため、耐熱性の高い材質が望ましい。金属電極202は基板201に接して設置される。カルコパイライト結晶構造を有する化合物半導体層203との密着性を確保し、金属電極表面がセレン化されても耐久性などに優れている材質が望ましく、たとえばモリブデンなどが挙げられる。本実施例においてもモリブデンを用いた。金属電極202に接する形でカルコパイライト結晶構造を有するp形の化合物半導体層203が形成される。本実施例では化合物半導体層203の膜厚は1μmとしたが、1~3μmとすることができる。化合物半導体層203はまず前駆体となる実施例1で示したインクを種々の方法で印刷する。印刷方法はスクリーン、ブレードコート、グラビア、インクジェット、スリットコートなどが挙げられるが、特に制限は無い。本実施例ではスクリーン印刷法で形成した。印刷したインクは溶媒が揮発するまで乾燥し、その後焼結する。焼結方法は赤外線ランプ加熱、電熱線加熱などが挙げられるが、特に制限は無い。本実施例では赤外線ランプを用いた。焼結温度は400°Cから700°Cの間で、インク材料の金属セレン化物によって調整される。次いで、化合物半導体層203との間の接合構造pn接合やpin接合を規定するバッファ層204を形成する。バッファ層204は溶液成長法ChemicalBathDeposition,CBDなどの既存の方法によって形成することができる。材質は硫化カドミウムCdS、硫化インジウムInS、硫化亜鉛/水酸化亜鉛混合体ZnSZnOH2などが化合物半導体層203のエネルギーレベルとの整合性を考慮して選択でき、厚さは50nm程度が望ましい。本実施例では硫化カドミウムを用いて形成した。バッファ層に接して、ノンドープ酸化亜鉛層205をスパッタリングや溶液成長法などの既存の方法で設置する。透明電極206との短絡防止のために設置するものであって、厚さは100nm以下であれば特に制限は無い。透明電極206はITOなどの既存の材料をスパッタリングなどの方法で作製することができる。透明電極の厚さは電極として十分に低い電気抵抗が実現できれば特に制限は無いが、一般的に300nmから500nmの間である。以上の作製方法でコアシェル構造を持つ微粒子を含むインクを用いて作製した太陽電池セルが完成する。その結果、短絡することなく高効率の太陽電池を得ることができた。この太陽電池のX線回折分析を行うと、カルコパイライト構造のほかに、III族金属のセレン化物の存在を示すピークが得られる。本実施例によると、焼結の熱化学反応後、コア部分のセレン化インジウムが生成したカルコパイライト結晶の薄膜中に分散して存在する。このコア部分が残留するために、低抵抗のセレン化銅を完全に消費し、セルの短絡を防止した太陽電池を作製することが可能となる。これにより、太陽電池の製造歩留まりを大幅に向上することができる。また、本太陽電池は低コストで製造ができるため、民生用にも適用することができる。以上示したように、本実施例によれば、III族金属のセレン化物をコアとし、I族金属のセレン化物をシェルとする化合物半導体太陽電池用材料の微粒子を用いることにより、高効率太陽電池を提供することができる。なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることも可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加削除置換をすることが可能である。"