a液体と接触する太陽光吸収化合物材料のバルクのターゲットを用意するステップと、b前記ターゲットをパルスレーザビームで照射して、前記ターゲットを溶発することにより、前記ターゲットのナノ粒子を生成するステップと、c前記ターゲットの化学量論的組成と結晶構造とを維持している前記ナノ粒子を集めるステップ、を含むことを特徴とする、化合物ターゲットから太陽光吸収化合物材料のナノ粒子を製造する方法。ステップaが、前記ターゲットとして、周期律表のIIB族とVIA族から選択された元素からなる2元化合物材料を用意することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。ステップaが、前記ターゲットとして、周期律表のIB族、IIIA族及びVIA族から選択された元素からなる3元化合物材料を用意することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。ステップaが、前記ターゲットとして、周期律表のIB族、IIB族、IIIA族、IVA族及びVIA族とから選択された元素からなる4元化合物材料を用意することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。ステップaが、CdTe、CdSe、CuInSe2、CuInS2、CuInGaSe2、CuInGaS2、Cu2ZnSnS4、又はCu2ZnSnSe4のなかの一つを、前記ターゲットとして用意することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。ステップaが、銅、インジウム、ガリウム、亜鉛、又はスズの2元、3元又は4元合金を、前記ターゲットとして用意することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。ステップbが、約10フェムト秒~10ナノ秒の範囲のパルス幅の前記パルスレーザビームで前記ターゲットを照射することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。ステップbが、約10フェムト秒~200ピコ秒の範囲のパルス幅の前記パルスレーザビームで、前記ターゲットを照射することを含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。ステップbが、約100nJ~10mJの範囲のパルスエネルギの前記パルスレーザビームで、前記ターゲットを照射することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。ステップbが、約1μJ~10μJのパルスエネルギの前記パルスレーザビームで、前記ターゲットを照射することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。ステップbが、約100MHz未満のパルス繰返周波数の前記パルスレーザビームで、前記ターゲットを照射することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。ステップbが、約100kHz~1MHzの範囲のパルス繰返周波数の前記パルスレーザビームで、前記ターゲットを照射することを含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。ステップbが、UV、可視光線、又は近赤外線の領域の波長の前記パルスレーザビームで、前記ターゲットを照射することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。ステップbが、振動ミラーを用いて、前記ターゲット上の前記パルスレーザビームを移動することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記振動ミラーが10Hz以上の周波数と0.1mrad以上の角度振幅とを有し、前記パルスレーザビームの焦点が、前記ターゲットの表面上を0.01m/秒以上の速度で移動することを特徴とする請求項14に記載の方法。ステップbが、約20~40μmの範囲の焦点径を有する前記パルスレーザビームを用意することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。ステップbが、約2nm~200nmの粒径分布を有する前記ナノ粒子をつくることを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。ステップaが前記液体中に浸された前記ターゲットを用意することを含み、ステップbが前記パルスレーザビームで前記液体中の前記ターゲットを照射することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。ステップaが、前記液体として、脱イオン水、有機溶媒、又は液体窒素を用意することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。ステップaで、前記液体が界面活性剤を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。ステップaが、1.0mL/秒以上の流速で前記ターゲットに対して前記液体を循環させることを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。d集められた前記ナノ粒子を基板に塗布して、太陽光吸収薄膜を前記基板上に形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。ステップdが、溶液に集められた前記ナノ粒子を前記基板に、滴下塗布、スピンコーティング、ブレード塗布、スクリーン印刷、又はインクジェット印刷により塗布することを更に含むことを特徴とする請求項22に記載の方法。ステップdが、集められた前記ナノ粒子を、半導体、ガラス、ポリマー膜、金属、金属被膜ガラス、又は金属薄膜を含む前記基板に塗布することを含み、モリブデン、銅、チタン、又はこれらの混合物のなかの一つを、金属として用いることを更に含むことを特徴とする請求項22に記載の方法。請求項22に記載の方法で製造した太陽光吸収層を含むことを特徴とする太陽光電池ラマン分光増強装置。図1は、本発明に係る、液体中に複合化合物のナノ粒子をつくるレーザ準拠システムを概略的に示す。ある実施例においては、レーザビーム1は、図示を省略したパルスレーザ発振器から受光し、レンズ2で集光される。レーザビーム1の光源は、次に述べるような任意のパルス持続期間と繰返周波数と電力レベルとを有するという想定のもとで、シードレーザ又は従来技術で周知の任意の他のレーザ発振器でよい。集光されたレーザビーム1は、レンズ2から、レーザビーム1の動きを制御するガイド機構3に進む。ガイド機構3は、例えば圧電ミラー、音響光学的偏向器、回転ポリゴン、振動ミラー、プリズムを含めて、従来技術で周知のものでよい。ガイド機構3には、レーザビーム1に関して制御された迅速な動きを可能にする振動ミラー3を用いるのが好ましい。ガイド機構3はレーザビーム1をターゲット4に向ける。ターゲット4は、次に述べるように、要望された太陽光吸収化合物材料からつくられる。例えば、ある実施例においては、それは要望された化学量論組成を有するCIGSのディスクである。それは、任意の他の適切な太陽光吸収化合物材料でよい。ターゲット4は、液体5の表面の下方に、数mmから好都合に1cm未満の距離で浸されている。レーザビーム1がターゲットターゲットと液体との界面で溶発できるように、ターゲット4の一部が液体5と接触している限り、ターゲット4が液体5に完璧に浸漬することは要求されない。容器7の最上部に除去自在のガラス窓6を有する容器7は、ターゲット4に適した位置を提供する。Oリングタイプのシール8は、液体5が容器7から漏出することを防ぐために、ガラス窓6と容器7の最上部との間に設けられている。容器7は、導入パイプ12と排出パイプ14とを備えており、液体5がターゲット4上を通過できるので、再循環が可能になる。容器7は、容器7の並進運動と液体5の動きとを可能にする、可動ステージ9上にオプションで設置できる。液体5の流れを用いて、ターゲット4の生成したナノ粒子10を容器7から移行し、どこにでも集められるようにする。ターゲット4上の液体5の流れは、レーザの集光部分の容積も冷却する。液体5の流速と容量は、ターゲット4とガラス窓6との間のギャップを十分に満たすべきである。更に、それは、レーザ溶発中に生じた任意の気泡が、ガラス窓6に滞ることを十分に妨げるものでなければならない。液体5は、レーザビーム1の波長に対して十分に透明で、ターゲット材料4に対して好都合に貧溶媒となる、任意の液体でよい。ある実施例においては、液体5は、0.05MΩ.cmより大きい抵抗率、好ましくは1MΩ.cmより大きい抵抗率を有する、脱イオン水である。他の実施例では、それはエタノール又は別のアルコールのような揮発性液体である、又は、それは液体窒素又はこれらの混合物である。液体5として揮発性液体を用いることは、集められたナノ粒子10を集めて集結する時に、又はそれらを基板に添加して薄膜太陽電池を形成する時に有益である。他の機能的な化学薬剤も溶発中に液体5に添加できる。例えば、ドデシル硫酸ナトリウムSDSのような界面活性剤を、液体5における粒子凝集を妨げるために添加できる。代表的なSDSモル濃度は、10-3~10-1モル/LMである。界面活性剤は、レーザパルス幅が200ピコ秒~100ナノ秒の範囲である時に、凝集せずに、分散した粒子の溶液をつくるうえで特に有用になる。少なくとも一つの実施例で、レーザ波長は、最小限の吸収度で水中を通過する1000nmである。レーザパルス繰返周波数は、好ましくは100kHz以上である。パルスエネルギは、好ましくは1μJ以上である。イムラアメリカインコーポレイテッドは、本発明の出願人であるが、幾つかのファイバを基礎としてチャープパルス増幅システムを開示しており、それは、10フェムト秒~200ピコ秒の超短パルス幅と、1~100μJの範囲の単独パルスエネルギと、10ワットW以上の高い平均電力とを提供する。本発明に係る製造方法において、用いるレーザビームのパルス幅は、10フェムト秒~100ナノ秒、より好ましくは10フェムト秒~200ピコ秒である。パルスエネルギは100nJ~1mJが好ましく、より好ましくは1μJ~10μJである。パルス繰返周波数は、1Hz~100MHz、好ましくは100MHz未満、より好ましくは100kHz~1MHzである。様々な実施例では、本発明に係る製造方法において、溶発で用いるレーザは、一般的に発振器とパルスストレッチャーと前置増幅器とを含んでいる30~100MHzの高繰返周波数をもつシードレーザと、シードレーザからのパルスを選択する光学的ゲートと、選択されたパルスを増幅する最終電力増幅器とを、順に配列して備えている。これらのレーザシステムは本発明の応用に特に適している。これらのシステムの波長は一般的に1030nmである。本発明は、そのレーザビームの波長に限定されない。むしろ、第2の高調波発生を用いて、可視性のUV領域で波長をつくることができる。全体的に、近赤外線NIR、可視光線、又はUVの領域の波長は、すべて本発明で使用できる。ある実施例においては、ガイド機構3は、ターゲット4の表面にレーザビーム1の高速ラスタリング又は他の動きを行うように構成された振動ミラー3が用いられる。ミラー3の振動周波数は、好ましくは10Hz以上であり、好ましくは0.1mrad以上、より好ましくは1.0mrad以上の角度振幅を有しているので、ターゲット4の表面のラスタリング速度は、0.01m/秒以上であり、最も好ましくは0.1m/秒以上である。このようなミラー3は、圧電駆動ミラー、検流計ミラー、又はレーザビーム1を動かす他の適切な装置でよい。ターゲット4は、2元、3元、4元化合物材料を含んでいる適切な太陽光吸収化合物材料である。適切な2元化合物材料は、CdTeやCdSeのように周期律表のIIB族とVIA族から選択できる。適切な3元化合物材料は、CuInSe2やCuInS2のように、周期律表のIB族、IIIA族、VIA族から選択できる。適切な4元化合物材料は、CuInGaSe2やCuInGaS2のように、IB族、IIIA族、VIA族とから選択できる。他の適切な4元化合物材料は、Cu2ZnSnS4やCu2ZnSnSe4のように、IB族、IIB族、IVA族、VIA族とから選択できる。ある実施例においては、容器7を経由する液体5の流れは、循環システムで行われ、流速は、好ましくは1.0mL/秒以上、より好ましくは10.0mL/秒以上である。液体5の流れは、生成したナノ粒子10を液体5に均一に分布させて、それらを容器7から除去するために必要である。十分な容量の液体5を維持して、ターゲット4上方の液体5の厚みに任意の変動を生じないようにすることが必要である。液体5の厚みが変動すると、レーザビーム1の光学的通路の特性も変わるので、生成したナノ粒子10の粒径分布も非常に広いものになる。流れている液体5上方の光学窓6は、ターゲット4上方における液体5の厚みを一定に維持するように機能する。循環システムを使用できない時に、横方向の振動を、例えば、レーザビーム1に対して垂直に、図1に示すように、可動ステージ9に対して与えると、液体5が、溶発スポットを局部的に横断して流れることになる。可動ステージ9は、数Hzの振動周波数と数mmの振幅とを有するのが好ましい。撹拌器は液体5を循環させるために使用可能であり、撹拌器の循環運動は容器7の液体5にも循環運動を行わせるので、ナノ粒子10は液体5の内部に均一に分布することができる。液体5を循環させる、これらの二つの方法のなかの何れかを用いると、ガラス窓6は不要になる。しかし、何れかを使用すると、ターゲット4上方の液体5の厚みが不均一になるので、ナノ粒子10が幅広いサイズで分布することになる。ある事例で、ターゲットは多結晶のCIGSの薄いディスクである。ターゲットの構成元素Cu:In:Ga:Se間の公称の原子比は、ターゲットの製造会社、コンジュドーケミカルラボラトリ社KonjudoChemicalLaboratoryCoLtdによれば、25:20:5:50である。4元の化合物材料CIGSは、1.0~1.2eVのバンドギャップを有する。1000nmの波長を有するレーザビームを用いると、対応する光子エネルギは、CIGS材料のバンドギャップを上回る、1.2eVになる。レーザビームは、従って、このターゲット材料で強く吸収される。光学的な吸収深度は小さく~1μmである。この結果、低い溶発閾値となり、約0.1J/cm2と予測される。本発明に係る方法を行う際に、一般的なレーザ焦点サイズは、20~40μmの直径であり、より好ましくは約30μmの直径である。30μmの直径の焦点サイズを用いると、CIGSの溶発に要求される最小限度のパルスエネルギは、約0.7μJになる。本発明を実施する際に、ターゲット材料は容器に置かれ、溶発されたナノ粒子は、それらを生成した時の液体から集められる。ナノ粒子は、好都合に2~200nmのサイズを有する。必要に応じて、ナノ粒子は、従来技術で周知の濾過又は遠心分離方式で集結することができる。これは、基板に対するナノ粒子の後の塗布のために、必要に応じて、液体を変えるためにも実施できる。図2は、本方法でつくったナノ粒子から薄膜太陽電池を製造する二つの後に続くステップを示す。ナノ粒子懸濁液20は、基板22に拡散している。乾燥後、ナノ粒子懸濁液20の沈殿物が、緊密に包まれた薄膜24を形成する。これらの二つのステップは、太陽電池を形成する、大半の溶液ベースの方法において共通している。適切な結合剤を用いて厚いペーストを形成し、プロセスを高速化することも、従来技術で周知の技術である。形成した膜24をセレン蒸気で熱処理して、膜の構造的な品質を高めることも周知の技術である。このようなステップが本発明で実施できる。様々な基板22として、半導体やガラスや金属被膜ガラスや金属板や金属薄膜を含めて使用することができる。一般的な金属基板として、モリブデン、銅、チタン、鋼があるが、それらに限定されるわけでない。図3は、本発明に係る製造方法により作成したCIGS膜の断面の電子顕微鏡写真を示す。前述のCIGSディスクは、次のように溶発した。ターゲットディスクを、水面の下方の3mmの脱イオン水に入れた。パルスレーザを、500kHzの繰返周波数、10μJのパルスエネルギ、700フェムト秒のパルス幅、1000nmの波長に設定した。170mmのレンズをターゲットディスクにセットして、レーザビームを集光した。ビームは、溶発中に2m/秒以上の直線速度でラスターした。総溶発時間は約30分だった。ナノ粒子溶液を、次にシリコン基板に滴下した。溶液の滴下物を、雰囲気の室温で乾燥して、薄膜を得た。ブレード塗布、スピンコーティング、スクリーン印刷、インクジェット印刷のような他の方法も、本発明で使用できる。図4は、図3で既に述べたように、本方法により作成したCIGS薄膜のエネルギ分散X線スペクトルを示す。特性X線の放出が、Cu、In、Ga、Seの四つの構成元素のすべてで確認されている。放出強度の定量化により、Cu:In:Ga:Seの膜の原子比として、21.3:19.3:4.7:54.6を得た。これは、前述の初期ターゲットの公称値に非常に近い。このことから、本方法は、それらから生成した薄膜とナノ粒子とにおけるターゲット材料の組成を維持していることが確認される。図5は、図3で既に述べたように、本発明の方法により作成したCIGS薄膜のX線回析パターンを示す。主な回析ピークである112と204と116から、膜はCIGSの要望された黄銅鉱の結晶相を有していることが確認される。従って、本発明によれば、ターゲット材料から、ターゲット材料と同じ結晶構造を有する薄膜とナノ粒子を生成できることが分かる。発明者は、要望された適正な黄銅鉱の結晶相が、室温でCIGS膜の乾燥後に得られること分かった。これは、低い処理温度を使用できるという、本発明に係る方法の別の長所も立証している。セレン雰囲気で更に熱処理すると、生成した膜の構造的な品質が更に改善できることに疑問がないが、室温での多結晶CIGSの優れた製造方式が後の熱処理ステップのエネルギコストを大きく低減することになる。特定の理論に拘束された説明を望むものではないが、発明者は、本発明に係るパルスレーザの溶発中に特定のレーザ誘導の相転移が、化学量論的組成と結晶構造に関して要望された保持状態を導くことを理論化している。非常に短いレーザパルスのために、熱と圧力は、共に照射されたボリュームで迅速に蓄積する。過渡的な温度は5000°Cの高さに到達できて、過渡的な圧力はGPa領域に到達できる。これらの極限状態の到達時間は一般的に2~30ピコ秒の単位なので、特に低いキャリア密度の誘電体の場合、熱と容量の緩和は無視できる。このような極限状態のもとで、材料が、爆発的に急激に除去され、その時間的な尺度はナノ秒の単位になる。この時間的な尺度は、一般的にマイクロ秒又はそれ以上である、組成変化及び結晶構造変化に要求される時間より、遙かに短い。従って、溶発作業が終了し、組成と結晶構造の変動前にナノ粒子を生成できる。前述した発明の説明は、関連する法的な基準に準じて述べてきたので、その記載事項は、限定的に理解すべきではなく、例示的なものである。開示した実施例に対する当業者には自明な変形や修正は、当然に、本発明の技術的範囲に属する。従って、本発明が主張する法的保護の範囲は、次に示す特許請求の範囲の記載を精査理解することで決定できる。