板状金属基板の上に堆積した圧電体薄膜と、前記圧電体薄膜の上に堆積した電極と、前記板状金属基板および電極に取り付けた導線とを備え、振動すると前記圧電体薄膜が歪み前記板状金属基板と電極の間に電圧を生じることを特徴とする圧電発電装置。圧電体薄膜の材料が窒化アルミニウムAlN及びその混合物MxAl1xNx05、Mは任意の元素または酸化亜鉛ZnOおよびその混合物MyZn1yOy05、Mは任意の元素であることを特徴とする請求項1記載の圧電発電装置。板状金属基板が鉄Fe合金または銅Cu合金またはチタンTiまたはチタン合金であることを特徴とする請求項1および2記載の圧電発電装置。複数の圧電発電装置が導線で直接または並列に接続された一群であることを特徴とする請求項1、2、および3記載の圧電発電装置。一般に圧電発電装置は小型化するにしたがってその共振周波数が上昇するため、ミリメートルスケール以下に小型化した場合には環境中に主に存在する振動数200Hz以下の振動を利用した発電の発電効率は著しく減少してしまう。そのため小型圧電発電装置の実用化には至っていない。本発明で対象とするのはミリメートルスケール以下に小型化しても200Hz以下の共振周波数を持つ圧電発電装置である。さらに低価格で作製でき、なおかつ自動車や飛行機などが発生する強い衝撃や大きな振動に耐え得る圧電発電装置である。本発明は、200Hz以下の共振周波数を持つミリメートルスケール以下の小型圧電発電装置を実現するために、厚み18211100μmの薄膜形状基板を加工して振動部を作製する。従来使用されているSi、SrTiO3、MgO基板は破壊靭性が低く前述の厚みでは使用できない。そこで本発明では前述の基板材料より破壊靭性の高い鉄Fe合金、銅Cu合金、チタンTiおよびチタン合金を基板材料とする。ただし懸念される金属基板と圧電薄膜間での拡散や化学反応を防ぐため、低温合成によって十分な圧電特性を示す圧電薄膜材料が求められる。そこで結晶化温度が500°C以下と比較的低い窒化アルミニウムAlNおよびその混合物MxAl1xNx05、Mは任意の元素や酸化亜鉛ZnOおよびその混合物MyZn1yOy05、Mは任意の元素を圧電薄膜として金属基板上に堆積することを特徴とする。一般に圧電発電装置は小型化するにしたがってその共振周波数が上昇するため、ミリメートルスケール以下に小型化した場合には環境中に主に存在する振動数200Hz以下の振動を利用した発電の発電効率は著しく減少してしまう。本発明は200Hz以下の共振周波数を持ち、環境振動に対して高効率な発電が可能なミリメートルスケール以下の小型圧電発電装置を提供する。この圧電発電装置はまた低価格で作製でき、なおかつ自動車や飛行機などが発生する強い衝撃や大きな振動に耐えうるものとする。本発明の典型的な例では、ミリメートルスケールの圧電発電装置はSUS304基板上に堆積したAlN薄膜を基に作製される。圧電体としてはAlNの代わりにMxAl1xN、ZnOおよびMyZn1yOを利用可能である。また基板材料としてFe合金、Cu合金、TiおよびTi合金が利用可能である。これらの材料により作製した圧電発電装置を直列もしくは並列に接続して発電装置の一群を形成することも可能である。以下、本発明の実施の形態を説明する。図1と図2において11はFe合金、Cu合金、TiまたはTi合金からなる板上の基板であって、その厚みは1100μmで、その表面は鏡面もしくは粗面である。図1から図6において14は、有機金属気相成長法または高周波マグネトロンスパッタまたは電子サイクロトロン共鳴スパッタにより金属基板上に堆積した、AlNまたはMxAl1xNまたはZnOまたはMyZn1yOから成る圧電薄膜である。図1において14は11の片面に、図2において14は11の両面に堆積している。図1から図6において15は、任意の堆積法により圧電薄膜上に堆積した集電電極である。図1において15は11の片面に、図2において15は11の両面に堆積している。圧電薄膜構造を任意の方法で切断して得られる小片を、任意の構造土台に接着等により固定することにより、任意形状の圧電発電装置を作製可能である。図3と図4においては圧電薄膜構造の小片を構造土台に固定した型持ち梁構造圧電発電装置を示す。図5と図6においては圧電薄膜構造の小片を構造土台に固定した両持ち梁構造圧電発電装置を示す。図3から図6において16は、圧電発電装置に取り付けられた錘であり、発電量を増加させ、なおかつ共振周波数を低下することができる。振動により圧電薄膜が歪むと、圧電発電装置に取り付けた2本の導線間には交流電圧の電位差が生じる。複数の圧電発電装置を直列もしくは並列に接続した発電装置群を形成すれば、振動の機械エネルギーを電気エネルギーに変換する効率を向上することができる。電子サイクロトロン共鳴スパッタによりAlN圧電薄膜を堆積する基板として、厚さ50μmの板状SUS304ステンレス鋼を使用する。実施の形態のAlN薄膜のX線回折像を図7に示す。AlN面からの回折ピークのみが観察されることから、AlN薄膜が高いc軸配向性を持つことが分かる。実施の形態のAlN薄膜の走査電子顕微鏡像を図8に示す。図8よりAlN薄膜は隙間なく高密度に堆積していることが分かる。また基板表面の垂直方向に柱状成長していることが分かる。実施の形態のAlN薄膜の片面には、厚み200μmのAl電極が高周波マグネトロンスパッタリングにより体積される。Al堆積中にAlN薄膜上に固定したマスクの開口部形状によりAl電極の形状を制御することができる。実施の形態の圧電発電装置は、SUS304基板、AlN圧電薄膜、およびAl電極よりなる構造体を切断加工機械で切り分けた長方形の小片の一端を構造土台に固定し、他端に銅製の錘を取り付けた片持ち梁構造体である。図9、はこの圧電発電装置の説明図および光学顕微鏡像である。図12は圧電発電装置の寸法を示す。続いて、実施の形態の振動に対する応答ついて説明する。応答を取り出すため、直径50μmのAl線をAl電極とSUS304基板に銀ペーストで取り付けた。圧電発電装置を加振機に固定し、任意の加速度と振動数を持つ振動を加えた。図10は圧電発電装置を加速度02gで振動させた場合に得られるピーク電圧の周波数応答図である。共振周波数741Hzでピーク電圧210Vが得られることが分かる。図11は実施の形態の圧電発電装置に07MΩの不可抵抗を接続し、加速度1gで振動させた場合に得られるピーク電圧の時間応答図である。ピーク電圧536Vが得られることから、このときの出力は513μWであることが分かる。