"検出コイル及び前記検出コイルと並列に接続されるコンデンサから成る共振回路と、前記検出コイルの近傍に配置されるとともに対象物の変位と連動して前記検出コイルに対して所定の軌道上を変位する検出体と、前記共振回路に帰還電流を供給して前記共振回路の発振を持続させるとともに、前記検出体の変位に応じて変化する前記検出コイルのインダクタンスに対応した周波数の発振信号を出力する発振回路と、前記発振回路から出力された発振信号に基づいて前記対象物の変位を検出する信号処理回路とを備え、前記発振回路は、前記共振回路から出力される発振信号の振幅を検出する振幅検出回路と、前記発振回路の負性コンダクタンスを制御する負性コンダクタンス制御回路とを備え、前記共振回路から出力される発振信号の振幅が一定となるように前記負性コンダクタンス制御回路を制御する負帰還ループを形成したことを特徴とするポジションセンサ。前記発振回路は、前記発振回路から出力される発振信号の全サイクルに亘って線形動作するように構成されたことを特徴とする請求項1記載のポジションセンサ。前記発振回路は、前記負帰還ループ内の何れかに少なくとも発振信号の周波数よりも高い周波数の信号を遮断するローパスフィルタが設けられたことを特徴とする請求項1又は2記載のポジションセンサ。前記信号処理回路は、前記発振回路から出力される発振信号の周期の二乗値を演算して出力する二乗回路を備え、前記二乗回路の出力信号に基づいて前記対象物の変位を検出することを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載のポジションセンサ。以下、本発明の実施形態が本明細書をなす添付図面を参照してより詳細に説明する。図面全体で同一又は類似した部分には同一の符号を付け、それに対する重複説明を省略する。本実施形態に係るポジションセンサは、図1に示すように、共振回路1と、検出体2と、振幅検出回路30及び積分回路31及び負性コンダクタンス制御回路32、並びにオペアンプ差動増幅器OP1を備えた発振回路3と、信号処理回路4とから構成される。尚、発振回路3及び信号処理回路4は、例えばモノリシックIC等の集積回路で一体化されている。また、振幅検出回路30と、積分回路31と、負性コンダクタンス制御回路32と、オペアンプOP1とは、負帰還ループを形成している。共振回路1は、図1に示すように、非磁性体から成る筒状のコア10aに巻き回された検出コイルL1及びコンデンサC1の並列回路から成る。この共振回路1の発振信号の発振周波数は、検出コイルL1のインダクタンス及びコンデンサC1の静電容量により決定される。検出体2は、検出コイルL1の内側又は外側近傍に配置されて検出コイルL1の軸方向に変位可能な筒状の導電体から成る。尚、検出体2は当該構成に限定される必要は無く、検出コイルL1の近傍に配置されるとともに対象物図示せずの変位と連動して検出コイルL1に対して所定の軌道上を変位するものであればよい。発振回路3は、図2に示すように、内部電源であり正電圧を供給する正電源Vaより共振回路1に一定のバイアス電流を供給する第1の定電流源Iaと、後述するトランジスタTr1のコレクタに一定のバイアス電流を供給する第2の定電流源Ibとを有する。共振回路1の発振電圧コンデンサC1の両端間電圧VLCは、オペアンプOP1の非反転入力端子に入力される。このオペアンプOP1は、反転入力端子に入力される後述する負性コンダクタンス制御回路32の印加電圧VRと共振回路1の発振電圧VLCとが一致するように出力電圧を調整する。オペアンプOP1の出力端子は、npn型のトランジスタTr1のエミッタに接続される。このトランジスタTr1は、共振回路1の発振電圧をレベルシフトするものであり、ベース-エミッタ間電圧の分だけ発振電圧をレベルシフトする。尚、トランジスタTr1のベースはコレクタと接続されている。トランジスタTr1のベースは、npn型のトランジスタTr2のベースに接続されている。このトランジスタTr2は、共振回路1の発振電圧に応じた電流増幅電流を出力するためのものであり、そのベースにはトランジスタTr1でレベルシフトされた発振電圧が入力される。また、トランジスタTr2は、トランジスタTr1のベース-エミッタ間電圧の分だけレベルシフトされた電圧が入力されるため、トランジスタTr2のエミッタとグラウンドとの間には、発振信号の正のサイクルのみ、共振回路1の発振電圧に等しい電圧が印加される。尚、トランジスタTr2のエミッタは、後述する負性コンダクタンス制御回路32を介してグラウンドに接続されており、エミッタフォロワを構成している。トランジスタTr2のコレクタには、pnp型のトランジスタTr3のコレクタが接続されている。このトランジスタTr3のベースには、同じくpnp型のトランジスタTr4のベースが接続されており、各トランジスタTr3、Tr4のエミッタは正電源Vaに接続され、トランジスタTr4のコレクタは共振回路1の出力端と接続されている。これら2つのトランジスタTr3,Tr4によりカレントミラー回路が構成されている。而して、カレントミラー回路の作用により、トランジスタTr2が出力する電流の大きさに応じた帰還電流IfIfpを共振回路1に供給する、即ち、共振回路1の発振を維持するために共振回路1に帰還電流Ifを正帰還させるようになっている。振幅検出回路30は、共振回路1の発振電圧の振幅を検出するためのものであり、npn型のトランジスタTr5と、抵抗R1と、コンデンサC2とで構成されている。トランジスタTr5は、コレクタが正電源Vaに、ベースがトランジスタTr1のベース及びコレクタに、エミッタが抵抗R1及びコンデンサC2の並列回路に各々接続されている。そして、トランジスタTr5のコレクタ-エミッタ間には、ベースに入力された電圧トランジスタTr1によってレベルシフトした共振回路1の発振電圧に応じた電流が流れ、この電流によってコンデンサC2が充電される。而して、このコンデンサC2の両端間電圧を検出することで共振回路1の発振電圧の振幅を検出し、検出した振幅に応じた信号が後段の積分回路31に出力される。積分回路31は、振幅検出回路30からの出力電圧を積分するためのものであり、オペアンプOP2と、基準電圧源Vrefと、抵抗R2と、コンデンサC3とで構成されている。オペアンプOP2の反転入力端子には、振幅検出回路30の出力端が接続され、非反転入力端子には所定の基準電圧を出力する基準電圧源Vrefが接続されている。また、オペアンプOP2の反転入力端子と出力端子との間には、抵抗R2及びコンデンサC3の直列回路が挿入されている。而して、オペアンプOP2からは、所定の基準電圧と入力電圧との差分に応じた信号が後段の負性コンダクタンス制御回路32に出力される。負性コンダクタンス制御回路32は、トランジスタTr2が出力する電流の大きさを制御、即ち、帰還電流Ifを制御することで負性コンダクタンスGoscを制御するものである。負性コンダクタンス制御回路32は、帰還抵抗Rfと、nチャネル型のFETから成るスイッチング素子Q1とで構成される。帰還抵抗Rfは、トランジスタTr2のエミッタとグラウンドとの間に挿入され、スイッチング素子Q1もトランジスタTr2のエミッタとグラウンドとの間に挿入されている。スイッチング素子Q1は、積分回路31から出力される電圧がゲート端子に入力されることでオン/オフを切り替えるようになっており、ゲート端子に入力される電圧に応じてオン抵抗Ronが変化するようになっている。このオン抵抗Ronが変化することで、帰還抵抗Rf及びオン抵抗Ronの合成抵抗R’が変化し、帰還電流Ifが制御される。ここで、発振回路3の負性コンダクタンスGoscの絶対値は、共振回路1の発振電圧VLCに対する帰還電流Ifの比として定義される|Gosc|=If/VLC。また、帰還電流Ifは、負性コンダクタンス制御回路32に流れ込む電流と等しいことから、負性コンダクタンス制御回路32の印加電圧をVRとすると、If=VR/R’で表される。この負性コンダクタンス制御回路32の印加電圧VRは、オペアンプOP1により共振回路1の発振電圧VLCとなるように調整される。而して、VLC=VRであるので、上記の2式より、発振回路3の負性コンダクタンスGoscの絶対値は、|Gosc|=1/R’で表される。したがって、発振回路3の負性コンダクタンスGoscは負性コンダクタンス制御回路32の合成抵抗R’に応じて変化する。ここで、合成抵抗R’はスイッチング素子Q1のゲート端子に入力される電圧に応じて変化することから、スイッチング素子Q1のゲート端子に入力される電圧に応じて負性コンダクタンスGoscを変化させることができるようになっている。信号処理回路4は、例えばマイクロコンピュータ等から構成され、発振回路3からの発振信号に基づいて検出体2と連動する対象物の変位を検出する。尚、信号処理回路4は特許文献1に記載されているように従来周知であるので、ここでは詳細な説明を省略する。また、図2に示すように、発振回路3から出力される発振信号は、コンパレータCOM1によって矩形波信号に変換した後に信号処理回路4に入力される。このため、本実施形態の信号処理回路4では、入力された矩形波信号の周期又は周波数に基づいて、検出体2と連動する対象物の変位を検出する。ここで、従来例では、例えば共振回路100からの発振信号の振幅値が所定値よりも大きくなった場合に、振幅制限回路104が動作して帰還抵抗Rfに電流を流すことで帰還電流Ifを制御している。しかしながら、この時に帰還抵抗Rfの印加電圧が上昇することでトランジスタ101cに逆バイアスが掛かり、帰還電流Ifが一時的に遮断されるために、発振回路101全体として非線形動作をしてしまう。この非線形動作により、共振回路100の共振周波数に対する発振回路101の発振周波数の誤差が生じるものと考えられる。そして、発振回路101の負性コンダクタンスGoscが大きい程、また、当該負性コンダクタンスGoscと検出コイルL100のコンダクタンスGcoilとの差が大きい程、この誤差が大きくなるものと考えられる。一方、本実施形態では、例えば共振回路1からの発振信号の振幅値が所定値よりも大きくなった場合、発振信号の振幅値を所定値に一致させるように負性コンダクタンス制御回路32のスイッチング素子Q1のゲート電圧を制御する。すると、スイッチング素子Q1のオン抵抗Ronが変化するために合成抵抗R’が変化し、結果として発振回路3の負性コンダクタンスGoscが変化する。ここで、共振回路1からの発振信号の振幅値が所定値よりも大きくなるのは、検出コイルL1のコンダクタンスGcoilが変動し、発振回路3の負性コンダクタンスGoscの絶対値に対して小さくなる場合である。このとき、発振信号の振幅値が所定値となるように制御することで、発振回路3の負性コンダクタンスGoscの絶対値が検出コイルL1のコンダクタンスGcoilに近付くように制御される。また、共振回路1からの発振信号の振幅値が所定値よりも小さくなるのは、検出コイルL1のコンダクタンスGcoilが発振回路3の負性コンダクタンスGoscの絶対値に対して大きくなる場合である。この場合でも、発振信号の振幅値が所定値となるように制御することで、発振回路3の負性コンダクタンスGoscの絶対値が検出コイルL1のコンダクタンスGcoilに近付くように制御される。このように発振回路3の負性コンダクタンスGoscを制御する場合には、従来例のトランジスタ101cに対応するトランジスタTr2に逆バイアスが掛かることがないので、帰還電流Ifを連続的に制御することができる。而して、本実施形態では、共振回路1からの発振信号の振幅が一定となるように制御することで、発振回路3の負性コンダクタンスGoscを対象物の変位に応じて変動する検出コイルL1のコンダクタンスGcoilに近付けるように制御することができる。このため、帰還電流Ifを連続的に制御することができ、発振回路3全体として線形動作を行いつつ発振信号の振幅を一定に保つことができるので、共振回路1の共振周波数に対する発振回路3の発振周波数の誤差及びその変動を小さくすることができる。ところで、従来例では、発振信号の正のサイクルでのみ発振回路101のトランジスタ101cが動作するため、発振信号の負のサイクルでは当該トランジスタ101cが動作しておらず、この点が非線形動作の一因となっていた。そこで、本実施形態では、図2に示すように、発振回路3の内部電源として正電源Vaの他に負電圧を供給する負電源部Vbを正電源Vaと直列に接続している。また、トランジスタTr1,Tr2に各々対応するpnp型のトランジスタTr6,Tr7と、トランジスタTr3,Tr4に各々対応するnpn型のトランジスタTr8,Tr9とを設けている。即ち、発振回路3は、共振回路1の発振信号の正電圧のサイクルのみで動作する複数のトランジスタTr1~Tr4と、共振回路1の発振信号の負電圧のサイクルのみで動作する複数のトランジスタTr6~Tr9とから成るプッシュプル増幅回路から構成されている。尚、トランジスタTr6は、トランジスタTr1と同様に共振回路1の発振電圧をレベルシフトする役割を果たし、トランジスタTr7は、トランジスタTr2と同様に共振回路1の発振電圧に応じた電流増幅電流を出力する役割を果たす。また、トランジスタTr8,Tr9は、トランジスタTr3,Tr4と同様に、カレントミラー回路の作用によってトランジスタTr7が出力する電流の大きさに応じた帰還電流IfIfnを共振回路1に供給する役割を果たす。而して、本実施形態では、発振信号の正電圧のサイクルではトランジスタTr1~Tr4が、負電圧のサイクルではトランジスタTr6~Tr9が動作することで帰還電流Ifを共振回路1に正帰還させることができる。したがって、発振信号の1サイクル全体即ち、全期間に亘って発振電圧の振幅に比例した帰還電流Ifを共振回路1に帰還させる、即ち、線形動作をさせることができる。このため、従来例と比較して共振回路1の共振周波数に対する発振回路3の発振周波数の誤差及びその変動を更に小さくすることができる。具体的には、検出体2が0~60mmの範囲で変位した場合において、その変位の全域に亘って誤差を0.1以下にすることができる。また、発振回路3の周囲温度が25°C,125°Cの何れの場合においても、誤差を0.1以下にすることができる。尚、本実施形態では、上述のように発振回路3をプッシュプル増幅回路で構成することで、発振信号の全期間に亘って線形動作するように構成しているが、上記の構成に限定される必要は無い。即ち、発振信号の全期間に亘って線形動作するように発振回路3を構成すればよく、上記プッシュプル増幅回路以外の構成で実現しても構わない。また、図3に示すように、発振回路3における振幅検出回路30の前段に少なくとも発振信号の周波数よりも高い周波数の信号を遮断するローパスフィルタLPを設けてもよい。このように構成することで、外部からの輻射ノイズによって発振回路3の発振周波数が変化するのを防ぐことができる。尚、ローパスフィルタLPを設ける位置は振幅検出回路30の前段に限定されるものではなく、振幅検出回路30、積分回路31、負性コンダクタンス制御回路32、オペアンプOP1から成る負帰還ループ内の何れかに設ければよい。更に、図3に示すように、信号処理回路4を発振周期計測回路40と、二乗回路41と、温度補償回路42と、出力調整回路43とから構成してもよい。発振周期計測回路40は、発振回路3から出力された発振信号の発振周期を計測し、計測された周期に対応する信号を出力するものである。二乗回路41は、発振周期計測回路40からの出力信号の二乗値を演算して出力するものである。温度補償回路42は、二乗回路41からの出力信号の温度変動を補償するものである。出力調整回路43は、温度補償回路42から出力される信号値に所定の加算値を加算するオフセット処理、又は所定の乗算値を乗算するゲイン処理の少なくとも何れか一方の処理を行うことで、出力を調整するものである。尚、発振周期計測回路40、二乗回路41、温度補償回路42の各回路の構成及び動作は、特許文献1に記載されているように従来周知であるので、ここでは詳細な説明を省略する。ここで、発振回路3からの発振信号の発振周期にはインダクタンス成分と容量成分との平方根成分が含まれるが、二乗回路41において発振信号の発振周期の二乗値を演算出力することで、インダクタンス成分と容量成分との平方根成分を除くことができる。而して、二乗回路41からの出力信号は、対象物の変位に対して直線的な関係で変位する信号となるため、出力信号の信号処理を容易に行うことができる。ところで、上記の説明では、検出コイルL1及び検出体2の構成は特許文献1に記載の従来例と同様の構成であり、検出体2が直線軌道上を変位する直動型のポジションセンサである。但し、この検出コイルL1及び検出体2の構成は、上記の構成に限定される必要は無く、発振周波数の変動を利用する構成であれば他の構成でも構わない。また、図1及び図3は、図示を簡略にするべく、共振回路1と信号処理回路4との間のコンパレータCOM1の図示を省略する。以下、他の構成について図面を用いて説明する。先ず、他の直動型のポジションセンサの実施形態について説明する。この実施形態は、図4に示すように、筒状のボビン1aに巻き回された検出コイルL1と、ボビン1aの内側をその軸方向に変位自在な棒状の検出体2と、検出体2と対象物とを連結する棒状のガイド部A1とを備える。また、この実施形態は、検出体2が検出コイルL1の内面に接触せずに軸方向に移動するようにガイド部A1を軸方向に移動自在に保持する保持部A2と、検出コイルL1の外周面を覆う磁気シールド用のシールド部材A3とを備える。更に、この実施形態は、ガイド部A1が検出コイルL1内に入らないようにガイド部A1の移動を規制するとともに、検出体2が保持部A2に接触しないように検出体2の移動を規制するストッパ部A4を備える。そして、検出コイルL1、検出体2、ガイド部A1、保持部A2、シールド部材A3,ストッパ部A4は、ケースA5に収納される。この実施形態においても、対象物と連動する検出体2の変位を検出コイルL1のインダクタンス変化として検出することで、対象物の変位を検出することができるようになっている。次に、回動型のポジションセンサの実施形態について説明する。この実施形態は、図5に示すように、一面に1対の検出コイルL1が印刷形成された第1の絶縁基板B1と、一面に1対の検出コイル図示せずが印刷形成された第2の絶縁基板B2とを備える。また、この実施形態は、非磁性材料から扇形に形成された1対の検出体2と、各検出体2を保持する保持体B3とを有するロータブロックB4を備える。これら第1及び第2の絶縁基板B1,B2とロータブロックB4とは、一面を開口した箱体のボディB5の開口面をカバーB6で閉塞して成るケースB7の内部に収納される。以下、上記ポジションセンサの動作について簡単に説明する。対象物の変位に伴って、対象物と連動するロータブロックB4の保持体B3が回動すると、保持体B3と連動して各検出体2が互いに180度ずれて円周軌道上を変位する。そして、各検出体2と2組の検出コイルとの相対位置に応じて変化する各検出コイルのインダクタンスに対応した周波数の発振信号を発振部3図1参照から出力する。この発振信号に基づいて各検出体2の変位を検出することで、各検出体2と検出コイルとの相対位置情報、即ち、ロータブロックB4と連動する対象物の回転量を検出することができる。以上、本発明の望ましい実施形態が説明されたが、本発明はこれらの特定の実施形態に限定されず、後続する請求範囲の範疇から外れることなく、多様な変更及び変形がなされ得、それも本発明の範疇内に属するものと言える。"