絶縁基板と、前記絶縁基板の上に形成されているゲート線と、前記ゲート線と平行に形成されている第1共通電極線と、前記第1共通電極線と連結されている保持容量電極と、前記ゲート線第1共通電極線及び保持容量電極の上に形成されているゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されているデータ線と、前記データ線の上に形成されている保護膜と、前記保護膜の上に形成されており第1開口パターンを有する画素電極とを含む液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板において、前記薄膜トランジスタ基板を上側から見る時、前記画素電極が前記保持容量電極を部分的に覆っており、前記第1開口パターンは、画素電極を上部と下部とに両分する位置に形成されており、前記画素電極の対向する2辺のうち一方から他方に向かって前記ゲート線に沿う方向に形成されており、前記画素電極の横方向の幅の半分より長い横開口部と、前記上部と下部にそれぞれ形成され、互いに直角をなす斜線開口部とを含むことを特徴とする、液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。前記保持容量電極は、前記画素電極の両端部付近にそれぞれ一つづつ配置することを特徴とする、請求項1に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。前記第1共通電極線は二つの独立した線を含むことを特徴とする、請求項1または2に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。しかし、このような液晶表示装置においては画素領域内で意図しなかった液晶分子の配列反転が発生し、これは画面上にテクスチャーで表示されて、すなわち、細かい模様になって画質を低下させる。本発明が達成しようとする技術的課題は液晶表示装置の画質を改善することである。絶縁基板と、前記絶縁基板の上に形成されているゲート線と、前記ゲート線と平行に形成されている第1共通電極線と、前記第1共通電極線と連結されている保持容量電極と、前記ゲート線第1共通電極線及び保持容量電極の上に形成されているゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されているデータ線と、前記データ線の上に形成されている保護膜と、前記保護膜の上に形成されており第1開口パターンを有する画素電極とを含む液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板において、前記薄膜トランジスタ基板を上側から見る時、前記画素電極が前記保持容量電極を部分的に覆っており、前記第1開口パターンは、画素電極を上部と下部とに両分する位置に形成されており、前記画素電極の対向する2辺のうち一方から他方に向かって前記ゲート線に沿う方向に形成されており、前記画素電極の横方向の幅の半分より長い横開口部と、前記上部と下部にそれぞれ形成され、互いに直角をなす斜線開口部とを含むことを特徴とする、液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を提供する。このような構成によれば、テクスチャーの発生を防止でき、液晶表示装置の画質を向上させることができる。以下、図面に基づいて本発明の一実施形態による液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の構造について説明する。図2は本発明の一実施形態による電極に開口パターンを形成した垂直配向型液晶表示装置の配置図であり、図3は図2のIII-III ́線による断面図である。下部の絶縁基板10上に横方向にゲート線20が形成されている。ゲート線20にはゲート電極21が突起形態のパターンとして形成されている。絶縁基板10上にはゲート線20と平行な2つの共通電極線22、23が形成されている。2つの共通電極線22、23は縦方向に形成されている2つの保持容量電極24、25によって互いに連結されている。この時、共通電極線22、23の数は3つ以上であることもでき、または単一線で形成することもできる。ゲート線20、ゲート電極21、共通電極線22、23及び保持容量電極24、25はアルミニウムまたはクロムなどの金属で形成する。この時、これらは単一層で形成することもでき、クロム層とアルミニウム層を連続積層して形成された二重層で形成することもできる。その外にも多様な金属を使用してゲート配線と共通配線を形成することができる。ゲート線20と共通電極線22、23及び保持容量電極24、25の上には窒化ケイ素SiNxなどからなるゲート絶縁膜31が形成されている。ゲート絶縁膜31の上には縦方向にデータ線40が形成されている。データ線40には分枝としてソース電極41が形成されており、ソース電極41に隣接してチャネル部により隔てられたドレイン電極42が形成されている。データ線40、ソース電極41及びドレイン電極42もゲート配線と同様にクロムとアルミニウムなどの物質で形成する。また、単一層または多重層で形成することができる。ソース電極41とドレイン電極42の下部には薄膜トランジスタのチャンネル部として使用される半導体層図示しないと、ソース及びドレイン電極41、42と半導体層との間の接触抵抗を減少させるための接触層図示しないが形成されているが、図面には示されていない。半導体層は通常非晶質シリコンを使用して形成し、接触層はn型不純物が高濃度でドーピングされた非晶質シリコンを使用して形成する。データ線40などの上には窒化ケイ素などの無機絶縁物または樹脂などの有機絶縁物からなる保護膜32が形成されている。保護膜32にはドレイン電極42を露出させる接触孔図示しないが形成されている。保護膜32上には開口パターン51を有する画素電極50が形成されている。画素電極50はITOindiumtinoxideまたはIZOindiumzincoxideなどのような透明導電体またはアルミニウムAlのような光反射特性が優れた不透明導電体を使用して形成する。画素電極50に形成されている開口パターン51は、画素電極50を上下に二分する位置に横方向に形成されている横開口部と、二分された画素電極50の縦方向の上下部分にそれぞれ斜方向に形成されている斜線開口部とを含む。この時、上下の斜線開口部は互いに垂直をなしている。これはフリンジフィールドの方向を4方向に均等に分散させるためである。この時、保持容量電極24、25は、液晶表示装置を上側から見る時にA、B、C及びD部分で画素電極50によって完全に覆われるように形成されている。上部の絶縁基板60には光が漏れることを防止するためのブラックマトリックス70が形成されている。ブラックマトリックス70の下には開口パターン81を有する共通電極80が形成されている。共通電極80はITOまたはIZOなどの透明な導電体で形成する。上部基板60には通常カラーフィルターも形成するが、図面の単純化のために図示しなかった。なお、ブラックマトリックス70とカラーフィルターは下部基板10に形成することもできる。共通電極80の開口パターン81は画素電極50の斜線開口部を中間に挟んでおり、これと平行な斜線部と画素電極50の辺と重なっている屈折部とを含んでいる。この時、屈折部は縦方向屈折部と横方向屈折部とに分類される。このうちの縦方向屈折部と重なる画素電極50の部分A、B、C、Dでは画素電極50がその下部の保持容量電極24、25を完全に覆っている。以下、図1及び図3を参照してテクスチャーの発生原因と本発明による液晶表示装置でテクスチャーの発生が防止される理由を説明する。まず、図1を参照して従来の技術による液晶表示装置でテクスチャーが発生する原因を説明する。図1には共通電極800と画素電極500との間に電界が印加された時の電気力線の模様とこれによって配列された液晶分子が示されている。図1に示されているように、保持容量電極230、240と画素電極の外郭との間に強い電界が形成される。このような電界は画素領域周辺部の電界に影響を及ぼす。このような影響は、共通電極800が除去され開口パターン810が形成されている部分A、B、C、Dで特に大きく現れる。このため、画素領域周辺部に画素領域の中央部とは反対方向に傾いたフリンジフィールドが形成される。従って、画素領域の周辺部と中央部との間の部分Tで液晶分子の配列方向が反転される。この部分Tが画面にテクスチャーとして表示される。以下、図3を参照して本発明による液晶表示装置でテクスチャーの発生が防止される理由を説明する。図3では画素電極50が保持容量電極24、25を完全に覆っている。従って、画素電極50と保持容量電極24、25との間に形成される電気力線は大部分画素電極50の下側表面と連結される。その結果、保持容量電極24、25との間で形成される電界は液晶分子には影響を及ぼさない。保持容量電極24、25の影響を受けないフリンジフィールドは画素領域内では一定の方向性を維持し、画素領域を外れた地点ブラックマトリックスで覆われた部分で傾き方向が変化する。結局、液晶分子の配列方向が反転される部分Tも画素領域を外れた部分で現れる。この部分はブラックマトリックスによって覆われるので画面上にはテクスチャーが表示されない。