電極と、前記電極上に形成され、前記電極を露出させる開口を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の上に形成され、前記開口を介して前記電極と接続しているアンダーバンプメタルと、前記アンダーバンプメタル上に形成されたはんだボールと、を有し、前記アンダーバンプメタルにおいて、前記開口内の前記電極上に位置する第1部分の膜厚をA、前記開口の周囲の前記絶縁膜上に位置する第2部分の膜厚をBとすると、A/B≧1.5であり、前記開口と前記はんだボールとが1対1で対応していることを特徴とする半導体装置。前記第1部分の膜厚が2μm以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第2部分の膜厚が1μm以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。前記第2部分の膜厚が2μm以下であることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の半導体装置。前記アンダーバンプメタルはニッケル層により構成されていることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の半導体装置。前記第1部分の上面と前記第2部分の上面とが同一面を形成していることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の半導体装置。前記はんだボールは鉛フリーはんだであることを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の半導体装置。前記アンダーバンプメタルの厚み方向における複数部分がそれぞれ別工程で形成されていることを特徴とする請求項1乃至7の何れか一項に記載の半導体装置。電極上に、該電極を露出させる開口を有する絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上に、前記開口を介して前記電極と接続するようにアンダーバンプメタルを形成する工程と、前記アンダーバンプメタル上に、前記開口とはんだボールとが1対1で対応するように前記はんだボールを形成する工程と、を有し、前記アンダーバンプメタルを形成する工程では、前記アンダーバンプメタルにおいて、前記開口内の前記電極上に位置する第1部分の膜厚をA、前記開口の周囲の前記絶縁膜上に位置する第2部分の膜厚をBとすると、A/B≧1.5となるように、前記アンダーバンプメタルを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記アンダーバンプメタルを形成する工程では、めっき法により前記アンダーバンプメタルを形成することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記アンダーバンプメタルを形成する工程では、前記アンダーバンプメタルの厚み方向における複数部分をそれぞれ別工程で形成することを特徴とする請求項9又は10に記載の半導体装置の製造方法。前記アンダーバンプメタルを形成する工程では、前記開口内に前記アンダーバンプメタルの一部分を形成する工程と、前記一部分の上、及び、前記開口の周囲の前記絶縁膜上に前記アンダーバンプメタルの残りの部分を形成する工程と、をこの順に行うことを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造方法。前記アンダーバンプメタルの前記一部分を形成する工程では、前記一部分の形成範囲と対応する第1開口部を有する第1マスクを形成する工程と、前記第1開口部内にめっき法により前記一部分を形成する工程と、前記第1マスクを除去する工程と、前記アンダーバンプメタルの平面視における外形形状と対応する第2開口部を有する第2マスクを形成する工程と、前記第2開口部内にめっき法により前記アンダーバンプメタルの前記残りの部分を形成する工程と、前記第2マスクを除去する工程と、をこの順に行うことを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。前記第1マスクを除去する工程では、剥離液を用いて前記第1マスクを剥離する工程と、前記アンダーバンプメタルの前記一部分に対してアッシング処理を行う工程と、前記アッシング処理により前記アンダーバンプメタルの前記一部分の表面に形成された酸化層を除去する工程と、をこの順に行うことを特徴とする請求項13に記載の半導体装置の製造方法。前記酸化層を除去する工程は、前記酸化層を還元により除去する工程を含むことを特徴とする請求項14に記載の半導体装置の製造方法。前記酸化層を還元により除去する工程は、還元雰囲気中でのプラズマ処理を含むことを特徴とする請求項15に記載の半導体装置の製造方法。前記酸化層を除去する工程は、前記酸化層を研磨により除去する工程を含むことを特徴とする請求項14乃至16の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記はんだボールは1つの前記開口の上に形成される、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の半導体装置。電極と、前記電極上に形成され、前記電極を露出させる開口を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の上に形成され、前記開口を介して前記電極と接続しているアンダーバンプメタルと、前記アンダーバンプメタル上に形成された導電性柱状部と、を有し、前記アンダーバンプメタルにおいて、前記開口内の前記電極上に位置する第1部分の膜厚をA、前記開口の周囲の前記絶縁膜上に位置する第2部分の膜厚をBとすると、A/B≧1.5であり、前記開口と前記導電性柱状部とが1対1で対応していることを特徴とする半導体装置。ところで、はんだボールの材料として近年需要が拡大している鉛フリーはんだは、鉛を含有するはんだと比べて展性が低い。このため、鉛フリーはんだによりはんだボールを構成した場合、鉛を含有するはんだを用いる場合と比べて、半導体装置の実装時の応力によるストレスがより深刻となる。特許文献1、2の構造では、はんだボールを鉛フリーはんだにより構成した場合に、絶縁膜の破壊例えば、ポリイミドクラックの進行を緩和できるという効果が得られるが、その発生を抑制するという点では改善の余地があった。このように、半導体装置の実装時の応力に起因する絶縁膜の破壊の発生を抑制する点において改善の余地があった。本発明は、電極と、前記電極上に形成され、前記電極を露出させる開口を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の上に形成され、前記開口を介して前記電極と接続しているアンダーバンプメタルと、前記アンダーバンプメタル上に形成されたはんだボールと、を有し、前記アンダーバンプメタルにおいて、前記開口内の前記電極上に位置する第1部分の膜厚をA、前記開口の周囲の前記絶縁膜上に位置する第2部分の膜厚をBとすると、A/B≧1.5であり、前記開口と前記はんだボールとが1対1で対応していることを特徴とする半導体装置を提供する。この半導体装置によれば、アンダーバンプメタルにおいて、開口内の電極上に位置する第1部分の膜厚が相対的に厚くなるため、電極とはんだボールとの間の金属の拡散例えばEMElectromigrationに対する信頼性を確保しやすい。具体的には、アンダーバンプメタルにおいて、開口内の電極上に位置する第1部分の膜厚Aが、開口の周囲の絶縁膜上に位置する第2部分の膜厚Bの1.5倍以上であることにより、高い信頼性を確保できる。また、アンダーバンプメタルにおいて、開口の周囲の絶縁膜上に位置する開口の外側に位置する第2部分の膜厚Bが相対的に薄くなるため、この第2部分が第1部分よりも容易に変形できる。具体的には、膜厚Bが膜厚Aの2/3以下であることにより、第2部分が容易に変形できる。よって、第2部分により、その下の絶縁膜へ伝播する応力の吸収緩和分散が可能となる。これにより、はんだボールを鉛フリーはんだにより構成した場合であっても、半導体装置の実装時の応力に起因する絶縁膜の破壊の発生を抑制することができる。また、開口とはんだボールとが1対1で対応しているすなわち各開口に対応して1つずつのはんだボールが形成されているので、電極からのアンダーバンプメタルの剥離を抑制できる。なぜなら、電極とアンダーバンプメタルとの接合部における周縁部には、電極とアンダーバンプメタルとの界面に絶縁膜の材料が入り込み、その部位で電極とアンダーバンプメタルとの接合強度が弱くなる場合がある。この接合部の周縁部に絶縁膜材料が入り込む距離は、接合部の面積によらずほぼ同じ量となる。このため、接合部のトータル面積が同じ場合、接合部が複数に分割されて接合部の数が増えるほど、接合強度が弱まり、電極からのアンダーバンプメタルの剥離が生じやすくなってしまう。よって、各開口に対応して1つずつのはんだボールが形成されている構成を採用することにより、電極とアンダーバンプメタルとの接合強度を最大限確保し、それらの剥離を抑制することができる。そして、その結果として、半導体装置の実装時の応力に起因する絶縁膜の破壊の発生を一層抑制することができる。要するに、この半導体装置によれば、はんだボールを鉛フリーはんだにより構成した場合であっても、半導体装置の実装時の応力に起因する絶縁膜の破壊の発生を抑制し、且つ、電極とはんだボールとの間での金属の拡散に対する信頼性も容易に確保することができる。また、本発明は、電極上に、該電極を露出させる開口を有する絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上に、前記開口を介して前記電極と接続するようにアンダーバンプメタルを形成する工程と、前記アンダーバンプメタル上に、前記開口とはんだボールとが1対1で対応するように前記はんだボールを形成する工程と、を有し、前記アンダーバンプメタルを形成する工程では、前記アンダーバンプメタルにおいて、前記開口内の前記電極上に位置する第1部分の膜厚をA、前記開口の周囲の前記絶縁膜上に位置する第2部分の膜厚をBとすると、A/B≧1.5となるように、前記アンダーバンプメタルを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。また、本発明は、電極と、前記電極上に形成され、前記電極を露出させる開口を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の上に形成され、前記開口を介して前記電極と接続しているアンダーバンプメタルと、前記アンダーバンプメタル上に形成された導電性柱状部と、を有し、前記アンダーバンプメタルにおいて、前記開口内の前記電極上に位置する第1部分の膜厚をA、前記開口の周囲の前記絶縁膜上に位置する第2部分の膜厚をBとすると、A/B≧1.5であり、前記開口と前記導電性柱状部とが1対1で対応していることを特徴とする半導体装置を提供する。本発明によれば、半導体装置の実装時の応力に起因する絶縁膜の破壊の発生を抑制することができる。以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜に説明を省略する。図1及び図2は実施形態に係る半導体装置の断面図、図3及び図4は実施形態に係る半導体装置の平面図である。図2においては、図1に示されている構成よりも下側の構成についても示されている。図4においては、図3よりも広い範囲を示している。本実施形態に係る半導体装置は、電極電極パッド7と、電極上に形成され、電極を露出させる開口5aを有する絶縁膜例えば、保護樹脂膜5と、絶縁膜の上に形成され、開口5aを介して電極と接続しているアンダーバンプメタルUBM層3と、アンダーバンプメタル上に形成されたはんだボール1と、を有し、アンダーバンプメタルにおいて、開口5a内の電極上に位置する第1部分31の膜厚をA、開口5aの周囲の絶縁膜上に位置する第2部分32の膜厚をBとすると、A/B≧1.5であり、開口5aとはんだボール1とが1対1で対応している。はんだボール1は1つの開口5aの上に形成されている。以下、詳細に説明する。図1に示すように、半導体装置の最上層配線は、電極パッド7を含んでいる。この最上層配線は、半導体装置が有する多層配線層16図2:後述の最上層の層間絶縁膜9上に形成されている。電極パッド7を含む最上層配線上には、カバー窒化膜6が形成され、このカバー窒化膜6には、電極パッド7を露出させる開口6aが形成されている。カバー窒化膜6上及び開口6a内の電極パッド7上には、保護樹脂膜5が形成され、この保護樹脂膜5には、電極パッド7を露出させる開口5aが形成されている。保護樹脂膜5上及び開口5a内の電極パッド7上には、バリアメタルとしてのTi膜4が形成されている。Ti膜4上にはCu膜10が形成されている。このCu膜10上にはUBM層3が形成されている。UBM層3は、例えば、Ni層である。UBM層3は、開口5a内の電極パッド7上に位置する部分である第1部分31と、開口5aの周囲の保護樹脂膜5上に位置する部分である第2部分32と、を有する。第1部分31の膜厚をA、第2部分32の膜厚をBとすると、A/B≧1.5という条件を満たしている。ここで、開口5aは、例えば、上に向かうほど拡径するテーパー形状に形成されている。また、Ti膜4及びCu膜10は、開口5aの形状を反映した形状となっており、開口5aと対応する凹部を有している。これら凹部は、上に向かうほど拡径するテーパー形状となっている。第1部分31は、UBM層3において、平面視において開口5aの内側例えば開口5aの上端部の内側に位置する部分である。そして、膜厚Aは、第1部分31において、開口5a内のCu膜10の凹部10bの底部10aに接している部分の膜厚である。第2部分32は、UBM層3において、平面視にて開口5aの周囲例えば開口5aの上端部の外側に位置する部分である。A/B≧1.5という条件を満たすことにより、第1部分31によって、はんだボールと電極パッド7との間での金属の拡散例えば、電極パッド7からはんだボール1へのEMElectromigrationを好適に抑制することができ、且つ、第2部分32によって、その下の絶縁膜保護樹脂膜5、ひいては、更にその下の絶縁膜へ伝播する応力の吸収緩和分散が可能となる。この結果、ホワイトバンプなどと呼ばれる欠陥の発生を抑制できる。より具体的には、第1部分31の膜厚Aは、2μm以上であることが好ましい。このようにすることにより、はんだボール1と電極パッド7との間での金属の拡散をより確実に抑制できる。また、第2部分32の膜厚Bは、1μm以上であることが好ましい。このようにすることにより、第2部分32の成膜を安定的に実施することができる。換言すれば、現状のプロセスでは、アンダーバンプメタルを1μm未満に薄く形成することが困難であることから、膜厚Bは1μm以上が好ましい。更に、膜厚Bは、2μm以下であることが好ましい。より好ましくは、膜厚Bは、2μm未満である。このようにすることにより、第2部分32による応力の吸収緩和分散をより確実に行うことができる。なお、UBM層3は、例えば、その厚み方向における複数部分がそれぞれ別工程で形成されている。具体的には、例えば、UBM層3は、その下部3aと上部3bとが互いに別工程で形成されている。UBM層3の厚み方向における複数部分がそれぞれ別工程で形成されたものであるかどうかは、厚み方向における部分どうしの界面3cを観察することにより、判別することができる。なぜなら、UBM層3の厚み方向における複数部分をそれぞれ別工程で形成する場合、下側の部分の形成に用いたレジストを剥離した後で、上側の部分を形成するため、レジスト剥離の際に、下側の部分の表面が荒れる凹凸が形成されるからである詳細後述。そして、この荒れた表面凹凸表面が、厚み方向における部分どうしの界面3cに残留している場合に、半導体装置の製造後であっても、UBM層3の厚み方向における複数部分がそれぞれ別工程で形成されたことを知ることができる。A/B≧1.5とする根拠は、例えば、以下のように説明することができる。先ず、UBM層3の成膜を安定的に実施するには、その最小膜厚を1μm以上にすることが望まれる。つまり、1μm≦Bが望まれる。また、第2部分32による応力の吸収緩和分散を十分に行うには、膜厚Bが2μm以下であることが望まれる。つまり、1μm≦B≦2μmが望まれる。また、UBM層3の形成は、例えば、先ず、開口5a内に第1部分31の下部3aUBM層3の下部3aを形成し、次に、UBM層3の上部3b第1部分31の上部と第2部分32を形成することによって行われる。このため、下部3aの成膜を安定的に実施するには、その膜厚dを1μm以上にすることが望まれる。つまり、1μm≦dが望まれる。上記の1μm≦B≦2μmという条件より、d/Bは、d/2≦d/B≦dとなる。更に、上記の1μm≦dという条件より、0.5≦d/Bとなる。一方、A=Bdであるため、A/B=1d/Bとなる。以上から、A/B=1d/B≧10.5=1.5すなわち、A/B≧1.5が良いということになる。はんだボール1は、鉛はんだにより構成されていても良いし、鉛フリーはんだにより構成されていても良い。鉛フリーはんだとしては、例えば、Sn-Agはんだ、或いは、Sn-Ag-Cuはんだが挙げられる。開口5aとはんだボール1とは1対1で対応している。すなわち、各開口5aに対応して1つずつのはんだボール1が形成されている。また、はんだボール1の代わりに、導電性柱状部を用いて、ピラーバンプとしてもよい。導電性柱状部は銅で形成されていてもよい。銅ピラーバンプの場合、鉛含有はんだボールよりも延性が低いため、鉛フリーはんだのはんだボールと同様に、半導体装置の実装時における応力歪が大きくなり、絶縁膜の破壊が発生する。本実施形態では、バンプにおける応力歪を抑制できるため、ピラーバンプにおいても効果的に半導体装置の破壊の発生を抑制することができる。次に、図2を参照して、最上層配線よりも下側の構成について説明する。シリコン基板などの基板11上にトランジスタ12が形成され、基板11上にはトランジスタ12を覆うように最下層の層間絶縁膜13が形成されている。この層間絶縁膜13は、例えば、SiO2により構成されている。この層間絶縁膜13には、コンタクト14が埋め込まれている。層間絶縁膜13上には、配線層絶縁膜15が形成され、この配線層絶縁膜15には、多層配線層16の最下層の配線17が埋め込み形成されている。なお、トランジスタ12は、コンタクト14を介して多層配線層16の最下層の配線17と電気的に接続されている。配線層絶縁膜15上には、層間絶縁膜18が形成され、この層間絶縁膜18には、ビア19が埋め込み形成されている。層間絶縁膜18上には、配線層絶縁膜20が形成され、この配線層絶縁膜20には、配線21が埋め込み形成されている。配線層絶縁膜20上には、層間絶縁膜22が形成され、この層間絶縁膜22には、ビア23が埋め込み形成されている。層間絶縁膜22上には、配線層絶縁膜24が形成され、この配線層絶縁膜24には、配線25が埋め込み形成されている。配線層絶縁膜24上には、層間絶縁膜26が形成され、この層間絶縁膜26には、ビア27が埋め込み形成されている。層間絶縁膜26上には、配線層絶縁膜28が形成され、この配線層絶縁膜28には、配線29が埋め込み形成されている。配線層絶縁膜28上には、層間絶縁膜9が形成され、この層間絶縁膜9には、ビア33が埋め込み形成されている。そして、層間絶縁膜9上に、電極パッド7を含む最上層配線が形成されている。なお、最上層配線電極パッド7を含む及び最上層のビア33は、例えば、Alにより構成され、それ以外の配線及びビア配線29、25、21、17、ビア27、23、19は、例えば、Cuにより構成されている。なお、最上層配線電極パッド7を含む及び最上層のビア33は、Cuにより構成しても良い。また、層間絶縁膜18、22、配線層絶縁膜15、20、24は、Low-k膜低誘電率絶縁膜により構成されていることが好ましい。Low-k膜は、半導体素子を接続する多層配線間の容量を低減するために使用されるものであり、シリコン酸化膜比誘電率3.9~4.5よりも比誘電率が低い材料例えば、比誘電率が3以下を指す。Low-k膜は、例えば、多孔質絶縁膜とすることができる。多孔質絶縁膜としては、例えば、シリコン酸化膜を多孔質化して比誘電率を小さくした材料や、HSQハイドロゲンシルセスキオキサンHydrogenSilsesquioxane膜、有機シリカ膜、SiOC例えば、BlackDiamondTM、CORALTM、AuroraTMなどを多孔質化して比誘電率を小さくした材料などがある。また、層間絶縁膜26、9及び配線層絶縁膜28は、例えば、SiO2により構成されている。また、カバー窒化膜6は、例えば、SiONにより構成されている。また、保護樹脂膜5は、例えば、ポリイミド膜である。なお、例えば、図3に示すように、UBM層3、Cu膜10、Ti膜4及び電極パッド7の外形形状、並びに、開口5a及び開口6aの内周形状は、それぞれ、八角形具体的には正八角形となっている。これらは、互いに中心が一致し、且つ、互いに対応する辺どうしが平行となるように配置されている。また、例えば、図4a又は図4bに示すように、半導体装置には、複数のバンプが形成されている。バンプは、はんだボール1及びその下側のUBM層3、Cu膜10、Ti膜4、電極パッド7、開口5a及び開口6aにより構成される。これらバンプは、半導体装置の全面に均等に配置されている。この配置は、図4aのように千鳥格子状であっても良いし、図4bのように正格子状であっても良い。次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。図5乃至図11はこの製造方法を説明するための一連の工程を示す断面図である。本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、電極電極パッド7上に、該電極を露出させる開口5aを有する絶縁膜例えば、保護樹脂膜5を形成する工程と、絶縁膜の上に、開口5aを介して電極と接続するようにアンダーバンプメタルUBM層3を形成する工程と、アンダーバンプメタル上に、開口5aとはんだボール1とが1対1で対応するようにはんだボール1を形成する工程と、を有し、アンダーバンプメタルを形成する工程では、アンダーバンプメタルにおいて、5a開口内の電極上に位置する第1部分31の膜厚をA、開口5aの周囲の絶縁膜上に位置する第2部分32の膜厚をBとすると、A/B≧1.5となるように、アンダーバンプメタルを形成する。以下、詳細に説明する。先ず、一般的な半導体製造プロセスにより、基板11上にトランジスタ12を形成し、更に、トランジスタ12上に、上述した構成の多層配線層16を形成する。この多層配線層16の最上層の配線は、電極パッド7を含む。この電極パッド7上にカバー窒化膜6を形成し、このカバー窒化膜6には電極パッド7を露出させる開口6aを形成する。更に、電極パッド7上及びカバー窒化膜6上に保護樹脂膜5を形成し、この保護樹脂膜5にも電極パッド7を露出させる開口5aを形成する図5a。次に、電極パッド7上及び保護樹脂膜5上に、バリア膜としてのTi膜4をスパッタ等により成膜する。更に、Ti膜4上に、Cu膜10をスパッタ等により成膜する図5b。なお、UBM層3をめっきにより形成する場合、Cu膜10はめっきのシードとなる。次に、Cu膜10上にUBM層3を形成する。このためには、先ず、Cu膜10上にレジストマスク第1マスク41を形成する。このレジストマスク41は、UBM層3の下部3aの形成範囲と対応する開口第1開口部41aを有する。次に、開口41a内に、めっき電解めっきなどの手法によって、UBM層3の下部3aを形成する図6a。ここで、下部3aは、開口5a内のCu膜10の凹部10bの底部10aの全域を覆うように形成する。このためには、開口41aの寸法を底部10aの寸法よりも大口径にし、開口41a内に底部10aの全域が収まるように開口41aの位置を設定する。また、下部3aは、例えば、平面視において開口5aの内側に収まるように形成する。より具体的には、下部3aは、Cu膜10の凹部10b内に収まるように形成する。このためには、平面視において、開口41aの端部が、Cu膜10の凹部10b内に収まるように、開口41aの寸法と位置とを設定する。UBM層3の下部3aの形成後、レジストマスク41を除去する図6b。ここで、レジストマスク41を除去するには、例えば、剥離液例えば、現像液を用いる。続いて、例えば、アッシング処理42図7aを行う。このアッシング処理42により、剥離液を用いた剥離後も僅かに残存するレジストマスク41を除去する。ここで、アッシング処理42を行うことにより、UBM層3の下部3aの表面には酸化層が形成される場合がある。更に、アッシング処理42により、下部3aの表面は荒れて、凹凸表面となる場合がある。アッシング処理42により下部3aの表面に形成される酸化層が十分に薄ければ、引き続き、下部3aの上にUBM層3の上部3bを形成することも可能である。ただし、この酸化層が厚い場合、アッシング処理42に続いて、この酸化層を除去するための処理を行う。この処理は、例えば、酸化層を還元処理43図7bにより除去する処理である。この還元処理43は、例えば、還元雰囲気中でのプラズマ処理例えば、水素プラズマ処理である。なお、酸化層を除去するための処理としては、研磨処理を採用することもできる。また、必要に応じて、還元処理43と研磨処理とを併用何れかの順序で順次に実行しても良い。次に、UBM層3の上部3bを形成する。このためには、先ず、図8に示すように、Cu膜10上にレジストマスク第2マスク44を形成する。このレジストマスク44は、平面視におけるUBM層3の外形形状と対応する形状の開口第2開口部44aを有する。次に、開口44a内に、めっき電解めっきなどの手法によって、UBM層3の上部3bを形成する。すなわち、下部3aの上、及び、下部3aの周囲のCu膜10の上に、上部3bを形成する。ここで、下部3aの上面の酸化層を除去する工程の後で上部3bを形成するので、その除去前には下部3aの上面に厚い酸化膜が形成されていた場合であっても、下部3aの上に上部3bを好適に形成することができ、上部3bと下部3aとの接合強度を十分に確保することができる。次に、図9に示すようにUBM層3上にはんだ層34をめっき電解めっきにより形成する。すなわち、レジストマスク44の開口44a内にはんだ層34をめっき電解めっきにより形成する。その後、図10に示すように、レジストマスク44を除去する。次に、図11に示すように、全面ウェットエッチングを行うことによって、はんだ層34から露出しているUBM層3から露出しているCu膜10及びTi膜4を除去する。次に、はんだ層34を加熱しリフローさせることによって、はんだボール1を形成する図1。こうして、本実施形態に係る半導体装置が得られる。半導体装置は、はんだボール1を介して、実装基板に実装される。ここで、実装基板は、例えば、ビルドアップBuildUp基板であり、中央に位置する平板なコア材と、このコア材の表裏の面にそれぞれ複数層ずつ例えば互いに同じ層数ずつ積層されたCu配線層と、を有する。コア材の材料の物性値は、一例として、弾性率/4.54GPa、線膨張係数/55ppm/°C、ポアソン比/0.36である。ここで、比較例に係る半導体装置を説明する。図14は比較例1に係る半導体装置の断面図である。図14に示すように、比較例1に係る半導体装置は、UBM層3が全面に亘って実質的に均一な膜厚で形成されている点で、上記の実施形態に係る半導体装置と相違する。ここで、UBM層3の中央部の膜厚は、金属の拡散を抑制する要求から、最低膜厚が定まる。UBM層3の周縁部、すなわち、開口5aの外側で保護樹脂膜5上に位置する部分の膜厚は、中央部と同じ膜厚である。なお、比較例1の場合、UBM層3は、上記の実施形態とは異なり、一工程で形成されている。比較例1に係る半導体装置は、その他の点では実施形態に係る半導体装置と同様に構成されている。比較例1に係る半導体装置の場合、はんだボール1をリフローさせて半導体装置を実装基板に実装した後の冷却の過程で、半導体装置と実装基板との線膨張係数差に起因する応力がUBM層3の周縁部に集中する。なぜなら、UBM層3が全面に亘って均一な膜厚であり、UBM層3の周縁部の膜厚も、中央部と同じであるため、UBM層3の周縁部による応力の吸収緩和分散を十分に行うことが困難だからである。このため、図14に示すように、例えば、保護樹脂膜5においてUBM層3の周縁部の直下に位置する部分に破断35が生じたり、はんだボール1においてUBM層3の周縁部の上に位置する部分に破断36が生じたりする。更に、保護樹脂膜5に発生した破断35を起点として、下層のLow-k膜層間絶縁膜18、22、配線層絶縁膜15、20、24:図2参照にも破断が生じることがある。下層配線の破断は、SAT観察ScanningAcousticTomographにより観察することができ、ホワイトバンプWhiteBump或いはホワイトスポットWhiteSpotなどと称される。図12は、UBM層3の膜厚とホワイトバンプの発生頻度との関係を示す図である。図12の結果は、図14に示すようにUBM層3の全体の膜厚が均一な半導体装置を実装基板に実装したときのホワイトバンプの発生状況を調べることによって得られたものである。実装基板としては、コア材を中心にCu配線層を上下に同じ層数積層してなるビルドアップBuildUp基板を用いた。コア材の材料の物性値は、弾性率/4.54GPa、線膨張係数/55ppm/°C、ポアソン比/0.36であった。また、半導体装置のチップとしては、1辺が14mmの矩形状のものを用いた。各膜厚の評価に使用したサンプル数はそれぞれ20チップである。図12から分かるように、UBM層3の膜厚が厚くなるほど、ホワイトバンプが発生しやすくなる。この結果は、UBM層3において、開口5aの周囲の保護樹脂膜5上に位置する部分の膜厚が厚くなるほど、ホワイトバンプが発生しやすくなることをも意味する。近年、欧州連合でなまり、水銀、カドミウム等を電子機器に使用することが原則禁止となり、はんだボール1は鉛はんだから鉛フリーはんだへの移行が望まれている。鉛はんだは展性が高いため、応力を吸収する性能が高いが、鉛フリーはんだは鉛はんだよりも展性が低いため、応力を吸収する性能が低い。このため、上述のような膜破断やはんだボール1の破断がなおさら生じやすい。また、層間絶縁膜の破壊は、特に、層間絶縁膜がLow-k膜である場合に顕著に生じる。図15aは比較例2に係る半導体装置の開口5aの配置を示す平面図、図15bは比較例2に係る半導体装置の断面図である。図15に示すように、比較例2に係る半導体装置は、保護樹脂膜5には、1つのはんだボール1に対応して、4つの開口5aが形成されている。UBM層3は、4つの開口5aを介して電極パッド7に接続され、このUBM層3上にはんだボール1が形成されている。比較例2の場合、電極パッド7からのUBM層3の剥離が発生しやすい。なぜなら、電極パッド7とUBM層3との接合部における周縁部51図15bには、電極パッド7とUBM層3との界面に保護樹脂膜5を構成する材料例えばポリイミドの材料が入り込み、その部位で電極パッド7とUBM層3との接合強度が弱くなる場合がある。この接合部の周縁部51に絶縁膜材料が入り込む距離は、接合部の面積によらずほぼ同じ量となる。このため、接合部のトータル面積が同じ場合、接合部が複数に分割されて接合部の数が増えるほど、接合強度が弱まり、電極パッド7からのUBM層3の剥離が生じやすくなってしまう。つまり、図15のように1つのはんだボール1に対応して、複数例えば4つの開口5aが形成されている構造の場合、本実施形態と比べて、電極パッド7とUBM層3との接合強度が弱まり、それらの剥離が生じやすい。これらに対し、本実施形態によれば、以下のような効果が得られる。UBM層3において、開口5a内の電極パッド7上に位置する第1部分31の膜厚Aが相対的に厚くなるため、電極パッド7とはんだボール1との間の金属の拡散例えばEMElectromigrationに対する信頼性を確保しやすい。具体的には、第1部分31の膜厚Aが、開口5aの周囲の保護樹脂膜5上に位置する第2部分32の膜厚Bの1.5倍以上であることにより、高い信頼性を確保できる。例えば、hp45nm相当のプロセスにおける1バンプ当りのEM基準値は平均で50mA程度であり、本実施形態に係る半導体装置では、この程度の電流が各バンプに流れても、EMに対する高い信頼性を確保することができる。また、UBM層3において、開口5aの周囲の保護樹脂膜5上に位置する開口5aの外側に位置する第2部分32の膜厚Bが相対的に薄くなるため、この第2部分32が第1部分31よりも容易に変形できる。具体的には、膜厚Bが膜厚Aの2/3以下であることにより、第2部分32が容易に変形できる。よって、第2部分32により、その下の絶縁膜へ伝播する応力の吸収緩和分散が可能となる。つまり、はんだボール1の周縁部から保護樹脂膜5へ伝達される応力がUBM層3により緩和される。その結果、保護樹脂膜5における破断の発生を抑制できる。よって、保護樹脂膜5の破断を起点とする下層のLow-k膜層間絶縁膜18、22、配線層絶縁膜15、20、24:図2の破断も抑制できる。また、はんだボール1においてUBM層3の周縁部の上に位置する部分の破断も抑制できる。これにより、はんだボール1を鉛フリーはんだにより構成した場合も同様の効果が得られる。また、開口5aとはんだボールとが1対1で対応しているすなわち各開口5aに対応して1つずつのはんだボール1が形成されているので、電極パッド7からのUBM層3の剥離を抑制できる。なぜなら、各開口5aに対応して1つずつのはんだボール1が形成されている構成を採用することにより、電極パッド7とUBM層3との接合強度を最大限確保できるからである。そして、その結果として、半導体装置の実装時の応力に起因する絶縁膜の破壊の発生を一層確実に抑制することができる。要するに、この半導体装置によれば、はんだボール1を鉛フリーはんだにより構成した場合であっても、半導体装置の実装時の応力に起因する絶縁膜の破壊の発生を抑制し、且つ、電極パッド7とはんだボール1との間での金属の拡散に対する信頼性も容易に確保することができる。なお、特許文献1の構造では、応力緩和のために、はんだバンプと電極との間に樹脂層を挿入する必要があることから、半導体装置の厚みが増大してしまうので、パッケージへ実装することが難しくなる。これに対し、本実施形態では、応力緩和用の層構造を追加することなく、半導体装置の実装時の応力を緩和することができるため、半導体装置の厚みを抑制することができる。上記の実施形態では、UBM層3の第1部分31の中央部の上面と第2部分32の上面とが高さ違いとなっている例を説明したが、図13に示すように、UBM層3の第1部分31の上面と第2部分32の上面とが互いに面一であり、これら上面が同一面を形成していても良いUBM層3の上面が平坦でも良い。この場合、UBM層3の上面が平坦になっているため、より一層応力を緩和することができる。また、上記の実施形態では、UBM層3上にはんだボール1が直接形成されているUBM層3上にはんだボール1が接している例を説明したが、UBM層3上には、はんだはんだボール1に対する濡れ性がUBM層3よりも良い材料例えば、Cuにより構成される金属膜図示略が形成され、この金属膜上にはんだボール1が形成されていても良い。また、上記の実施形態では、UBM層3をめっき成長する例を説明したが、UBM層3はスパッタにより成長しても良い。また、上記の実施形態では、はんだ層34をめっき法により形成する例を説明したが、はんだ層34は、印刷により形成しても良い。この場合、図8の工程の後でレジストマスク44を除去した後、UBM層3上に印刷版を配置し、この印刷版を介してスキージによってはんだ層34の材料をはんだ層34の形成領域に埋め込むことによって、図10に示すようにはんだ層34を形成する。