"固定部材に対して移動可能な光学部材と、前記光学部材を前記固定部材に対して移動させる駆動手段と、前記光学部材に設けられた第1の磁気検出素子及び第2の磁気検出素子を有する位置検出手段と、前記固定部材に固定されるスケール部材と、を有し、前記第1の磁気検出素子は前記スケール部材の第1の面側に配置され、前記第2の磁気検出素子は前記スケール部材の前記第1の面とは反対の第2の面側に配置され、前記スケール部材は、前記光学部材の移動方向に対して傾斜する傾斜部を有し、前記第1の磁気検出素子及び前記第2の磁気検出素子は、前記光学部材の移動範囲の少なくとも一部において、前記第1の面又は前記第2の面と直交する方向において前記傾斜部と重なるように配置され、前記位置検出手段は、前記第1の磁気検出素子及び前記第2の磁気検出素子の出力に基づいて、前記光学部材の前記移動方向の変位を検出することを特徴とする光学装置。固定部材に対して移動可能な光学部材と、前記光学部材を前記固定部材に対して移動させる駆動手段と、前記光学部材に設けられた第1の磁気検出素子及び第2の磁気検出素子を有する位置検出手段と、前記固定部材に固定される軟磁性材料からなるスケール部材と、を有し、前記第1の磁気検出素子は前記スケール部材の第1の面側に配置され、前記第2の磁気検出素子は前記スケール部材の前記第1の面とは反対の第2の面側に配置され、前記スケール部材は、前記光学部材の移動方向に対して透磁率が変化する変化部を有し、前記第1の磁気検出素子及び前記第2の磁気検出素子は、前記光学部材の移動範囲の少なくとも一部において、前記第1の面又は前記第2の面と直交する方向において前記変化部と重なるように配置され、前記位置検出手段は、前記第1の磁気検出素子及び前記第2の磁気検出素子の出力に基づいて、前記光学部材の前記移動方向の変位を検出することを特徴とする光学装置。前記第1の磁気検出素子及び前記第2の磁気検出素子は、それぞれ磁性体と軟磁性体とで形成される閉磁気回路の内部に配置されることを特徴とする請求項1又は2に記載の光学装置。前記スケール部材は、軟磁性材料から構成されることを特徴とする請求項1に記載の光学装置。請求項1~4のいずれか一項に記載の光学装置と、前記光学装置が装着される撮像装置と、を有して構成されることを特徴とするカメラシステム。しかしながら、上記の特許文献1に記載された位置検出方法は、次のような課題があった。つまり、開示されているホール素子による位置検出は、磁石の移動に伴う磁界の変化を検出する方法であるが、磁石とホール素子の間隔が変化した場合にも同様の磁界の変化が発生し、磁石の移動と誤った検出を行う。磁石とホール素子の間隔は、移動時のガタや製造誤差、経時変化などにより変化し得るため、上述したような高精度なレンズ位置検出の方法としては問題となる可能性があった。そこで、本発明の目的は、レンズ位置検出素子の位置検出誤差を低減し、高精度な位置検出を行うことである。本発明の一側面としての光学装置は、固定部材に対して移動可能な光学部材と、前記光学部材を前記固定部材に対して移動させる駆動手段と、前記光学部材に設けられた第1の磁気検出素子及び第2の磁気検出素子を有する位置検出手段と、前記固定部材に固定されるスケール部材とを有し、前記第1の磁気検出素子は前記スケール部材の第1の面側に配置され、前記第2の磁気検出素子は前記スケール部材の前記第1の面とは反対の第2の面側に配置され、前記スケール部材は、前記光学部材の移動方向に対して傾斜する傾斜部を有し、前記第1の磁気検出素子及び前記第2の磁気検出素子は、前記光学部材の移動範囲の少なくとも一部において、前記第1の面又は前記第2の面と直交する方向において前記傾斜部と重なるように配置され、前記位置検出手段は、前記第1の磁気検出素子及び前記第2の磁気検出素子の出力に基づいて、前記光学部材の前記移動方向の変位を検出することを特徴とする。本発明の光学装置の構成によれば、レンズ位置検出素子の位置検出誤差を低減することができ、高精度な位置検出を行うことができる。以下に、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。図1は、本発明の第1実施例であるカメラシステムの断面図である。図1において、Oは光軸、11はカメラ本体撮像装置、12は交換レンズ光学装置、13は交換レンズに設けられた撮影光学系、13aは撮影光学系13のなかで合焦動作を行うAFレンズ、14は絞りである。ここで、撮影光学系内のAFレンズ光学部材13aは、不図示の鏡筒固定部材に対して光軸O方向に移動可能に構成されている。また、15は撮影光学系13の像を撮像素子撮像手段16およびプリズム17に分岐する半透過のクイックリターンミラーである。クイックリターンミラー15は、動画撮影時および被写体確認時はミラーをダウン図1の状態にさせて交換レンズ12より射出する被写体光束をプリズム17および撮像素子16に分岐させる。また、静止画撮影時はミラーをアップさせて交換レンズ12より射出する光束を直接撮像素子16に導く。18はプリズム17に入射した光束を接眼面に導く観察光学系、19は撮像素子16への入射を制御するシャッタ、110は撮影光学系13により撮像素子16上に結像された画像を再生する背面液晶モニターである。撮影光学系13の焦点調節は、AFレンズ13aを矢印A方向光軸方向に駆動する事で行う。焦点状態の検出は、撮像素子16の画像のコントラストを検出し評価値とする。即ち、AFレンズ13aを所定量ずつ移動させながら撮像素子16で得られる画像の評価値を求め、最も評価値の高い結果が得られるAFレンズ13aの位置を合焦位置としている。この様な合焦調節処理は、コントラストAF、山登りAF、或いはTV-AFなどと称されている。図2はAFレンズ13a周辺の概略断面図及びブロック図であり、AFレンズ13aはレンズ枠13bに取り付けられている。レンズ枠13bはガイドバー13cにより光軸O方向に沿って摺動可能にガイドされている。レンズ枠13bのガイドバー13c周りの回転は振れ止めバー13dとレンズ枠13bの嵌合状態により規制される。レンズ枠13bにはコイル13hが設けられ、それと対向して不図示の鏡筒には永久磁石13fが固定されている。その為コイル13hに通電する事で永久磁石13fとの関連でAFレンズ13aは光軸方向に駆動される。換言すれば、コイル13hおよび永久磁石13fはAFレンズ13aを駆動する駆動手段として構成される。レンズ枠13bに取り付けられたホール素子などの磁気検出素子13g1,13g2は互いに対向して配され、その間に、不図示の鏡筒固定部材によって固定されたインデックススケール13eスケール部材が配置されている。磁気検出素子13g1,13g2は、インデックススケール13eとの関連でAFレンズ13aが駆動された時の鏡筒内のレンズ位置をリニアに検出している。このように、磁気検出素子13g1第1の磁気検出素子及び磁気検出素子13g2第2の磁気検出素子は、AFレンズ13aの位置を検出する位置検出手段の一部として構成される。一般的には、AFレンズ13aの駆動に従ってインデックススケールに刻まれているパルスを位置検出手段でカウントし、積算する事でレンズ位置を検出する手法が使用される。しかしながら、本発明において、位置検出手段は、AFレンズ13aの位置に従ってリニアに変化するアナログ出力これをリニア出力と称するを利用してAFレンズ13aの位置を検出している。磁気検出素子13g1,13g2を有する位置検出手段の詳細は後述する。位置検出手段とコイル13hの間には公知のフィードバック制御が行われている。次に、図2におけるブロック図の説明を行う。このブロック図においては、評価値算出手段24を除いてすべて交換レンズ12内に設けられている。磁気検出素子13g1,13g2の信号は増幅手段21a第1の信号処理手段および差動増幅手段21b第2の信号処理手段に入力される。増幅手段21aの出力は粗スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22a第1の磁気検出素子信号ノイズ除去フィルタに入力される。また、差動増幅手段21bの出力は密スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22b第2の磁気検出素子信号ノイズ除去フィルタに入力される。これらノイズカットフィルタの役割は後述する。粗スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22aの信号は撮像素子16の画像に対して評価値算出手段24を用いて求めたコントラスト評価値と対にしてレンズマイコンCPU25に出力される。密スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22bの信号も撮像素子16の画像に対して評価値算出手段24を用いて求めたコントラスト評価値と対にしてレンズマイコンCPUに出力される。ここで評価値算出手段24はカメラ本体11に設けられており、その出力は交換レンズに対してレンズマウントを介して伝えられる。このように、本発明の位置検出手段は、レンズマイコンCPU25を有し、磁気検出素子13g1,13g2からの信号が入力されることでAFレンズ13aの位置検出を行う。図3はAFレンズ13aのレンズ駆動制御を説明する図であり、横軸はAFレンズ13aを光軸に沿ってスキャン走査している時間、縦軸は評価値算出手段24のコントラスト評価値および増幅手段21aおよび差動増幅手段21bの出力電圧である。ここでAFレンズ13aは光軸に沿って例えば不図示の鏡筒内の第1の位置から第2の位置に向けて走査第1の走査モードで第1の走査範囲を駆動するを行う粗スキャン31。例えば被写体が無限位置にあるときに撮像素子16の撮像面に焦点が合う第1の位置から被写体が至近位置にあるときに撮像素子16の撮像面に焦点が合う第2の位置に向けて走査を行う。そして、その結果に基づいて再度確認走査第2の走査モードで第2の走査範囲を駆動するを行う密スキャン32。その後AFレンズ13aを合焦動作調整駆動モードで駆動させる。先ず、粗スキャン31の範囲において走査中に所定のピッチでAF評価値を求める。この所定のピッチはAFレンズ13a走査中に磁気検出素子13g1,13g2の粗スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22aの出力により定められる。AFレンズ13aは磁気検出素子13g1,13g2の増幅手段利得21aの出力で負帰還駆動制御されている。また、その時に粗スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22aの信号がポイント33a、33b、33c、33d、33e、33fになるたびにAF評価値31a、31b、31c、31d、31e、31fを取得する。そして、粗スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22aの各信号33a~fとAF評価値31a~fを粗スキャンペアリング手段23aで関連付けてレンズCPU25に記憶する。粗スキャンの走査はAF評価値が山ここでは31eを越え、再度値が小さくなるここでは31fまで行われる。その後、AFレンズ13aは、磁気検出素子13g1,13g2の増幅手段利得21aの出力で、所定の範囲粗スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22aの出力33dから33f迄の範囲において負帰還駆動制御される。ここでは、粗スキャンより細かいピッチで密スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22bの信号がポイント34g、34h、34i、34j、34k、34lになるたびにAF評価値31g、31h、31i、31j、31k、31lを取得する。そして密スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22bの各信号34g~lとAF評価値31g~lを密スキャンペアリング手段23bで関連付けてレンズCPU25に記憶する。この様に密スキャンを行うときには磁気検出素子13g1,13g2の増幅利得を大きくし、その結果をAF評価値に関連づけている。換言すれば、第2の信号処理手段の増幅利得は第1の信号処理手段の増幅利得よりも大きくする。この様に増幅率を大きくした分ノイズなどの外乱に対して安定した信号をAF評価値と関連付けすることが出来る。この増幅率を大きくした信号を粗スキャン上に破線35で併記するとAFレンズ13aの走査量が増えると共にその出力が大きくなり出力飽和レベル37を超えてしまう。その為、粗スキャンの全走査範囲でこの増幅率を用いる事は出来ない。しかしながら、密スキャン時の走査範囲は狭いので、この範囲で出力飽和を発生させない調整はできる。ここでは粗スキャン終了時に密スキャンを行うレンズ走査位置が決まると、その間の出力が飽和しない様に調整オフセット発生手段26により全体出力にオフセットをかける。より具体的には、密スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22bの出力34dがゼロ、34fが出力飽和を起こさせないレベルになる様に差動増幅手段利得21bのオフセットや利得例えばここでは5倍に調整する。密スキャンを行った時にAF評価値が最大となるレンズ位置が目標とするレンズ停止位置となるのでAFレンズ13aはその位置に向けて合焦動作36を行う。合焦動作の時にはAFレンズ13aが磁気検出素子13g1,13g2の差動増幅手段利得21bの出力で負帰還駆動制御される。そして、所定の位置ここでは密スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22bの出力34iまでレンズ駆動されてAFレンズ13aは停止される。この様に、粗スキャン31の範囲ではAFレンズ13aは磁気検出素子13g1,13g2の増幅手段利得21aの出力で負帰還駆動制御される。そして、その時の粗スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22aの出力とAF評価値が関連づけられる。また、密スキャン32の範囲ではAFレンズ13aは磁気検出素子13g1,13g2の増幅手段利得21aの出力で負帰還駆動制御される。但しその時の密スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22bの出力とAF評価値が関連づけられる。また、合焦動作36ではAFレンズは磁気検出素子13g1,13g2の差動増幅手段利得21bの出力で負帰還駆動制御される。そして、密スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22bの出力を合焦目標値とする。前述した様にノイズカットフィルタは粗スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22aと密スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22bの2つを有している。この理由について、以下で説明する。ノイズカットを行うのは公知のローパスフィルタであり、その時定数が大きいほどノイズカットの効果は高い。図4では2種類のローパスフィルタ41a、41bのボード線図を示しており横軸は周波数、縦軸は利得を表している。ここでローパスフィルタ41aはカットオフ周波数41bが例えば100Hz、利得確保範囲が41cでありローパスフィルタ42aはカットオフ周波数42bが例えば500Hz、利得確保範囲が42cである。この時ローパスフィルタ41aはローパスフィルタ41bより時定数が大きいと云う。ノイズを減衰させる能力としては利得確保範囲41cが狭いローパスフィルタ41aの方が優れている事になる。しかしながら、位置検出出力の変化が速い時にはこのローパスフィルタ41aではそれに応答する事が出来ない。反対に時定数の小さいローパスフィルタ42aは位置検出出力の速い変化にも応答できる能力があるがノイズカットの効果は少ない。今回のレンズ制御においては粗スキャン時には大きな範囲をレンズが速く動くので位置検出出力の変化も大きくなる。その為、時定数の小さいローパスフィルタ42aを粗スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22aとする。それに対して、密スキャン時は最終合焦の為の位置信号が必要な為にノイズカットを十分行う必要がある。また走査範囲が狭い為にレンズの動く速度は遅い。そこで応答性は犠牲にしてノイズカット効果の高い時定数の大きなローパスフィルタ41aを密スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22bとしている。この様にレンズの動く速度に合わせてノイズカットフィルタを設定しているので精度の高い合焦動作が可能になっている。図5は本発明の合焦動作時のポイントだけを抜き出したフローチャートであり、このフローは例えばレリーズボタンの半押しなど合焦動作を進めるトリガーでスタートする。ステップ1001図中では、ステップをSで表す。では、増幅手段21aの出力に基づいてAFレンズ13aを負帰還以下フィードバック:FB駆動制御を行いながら粗スキャンを予め定めた走査範囲で始める。ステップ1002では、その時の各ポイントでの粗スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22a出力とその時のAF評価値を関連付けてCPUに格納する。ステップ1003では、AF評価値が最大値を超えたか否かを判定しており、越えていない場合にはステップ1002に戻り粗スキャン動作を継続し、越えた場合にはステップ1004に進む。ステップ1004では、レンズ駆動を停止する。また、この時密スキャンを行う走査範囲を算出する。この算出はAF評価値の山前後の評価値と関連付けられて記憶された位置検出手段出力粗スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22a信号となる。ステップ1005では、差動増幅手段21bの出力が密スキャンを行う走査範囲内で出力飽和範囲内に収まるように調整オフセット発生手段26のオフセットを調整する。ステップ1006では、増幅手段21aの出力に基づいてAFレンズ13aをFB駆動制御を行いながら密スキャンをステップ1004で求めた走査範囲内で始める。ステップ1007では、密スキャン時の各ポイントでの密スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22b出力とその時のAF評価値を関連付けてCPUに格納する。ステップ1008では、ステップ1004で求めた範囲の走査が終了したか否かを判定しており、終了していない場合はステップ1007に戻り走査を継続し、終了した場合はステップ1009に進む。ステップ1009では、レンズ駆動を停止する。ステップ1010では、密スキャンで求められたAF評価値の最大値と、その時に関連付けられて記憶された位置検出手段信号密スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22bの信号をレンズ駆動目標値とする。ステップ1011では、差動増幅手段21bの出力に基づいてAFレンズ13aをFB駆動制御を行いながら合焦動作を行う。ステップ1012では、目標値に達したか否かを判定しており、達していない場合にはステップ1012に戻りレンズ駆動を継続し、達した場合にはこのフローを終了する。これまで説明した中で、AFレンズ13aのFB駆動は、増幅手段21a或いは差動増幅手段21bに基づいて制御されている。つまり、粗スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22a或いは密スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22bの出力でFB駆動制御されているわけではない。これは、粗スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22a或いは密スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22bの信号は遅れが大きい為にレンズのFB駆動制御が不安定になる為である。その事を図2のブロック図に加えると図6となる。図6において増幅手段21aおよび差動増幅手段21bの信号は制御切り替え手段29に入力している。制御切り替え手段29はCPU25の指示により増幅手段21aの信号或いは差動増幅手段21bの信号を偏差出力手段28に出力する。具体的には粗スキャン時および密スキャン時には増幅手段21aの信号を偏差出力手段28に入力し、合焦動作時には差動増幅手段21bの信号を偏差出力手段28に入力する。偏差出力手段28は、増幅手段21a或いは差動増幅手段21bの信号と目標値を比較し、その偏差を増幅して駆動手段27に出力する。偏差出力手段28に入力されるCPU25からの目標値は、粗スキャン時には予め設定されている値が入力される。また、密スキャン時には、粗スキャン時に求めた密スキャンを行う走査範囲に対応する粗スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22aが出力した値となる。また、合焦動作時には、密スキャン時に求めたAF評価最大値に対応する密スキャン速度対応ノイズカットフィルタ22bが出力した値となる。そして、その時の各目標値と現在のレンズ位置の偏差に基づいてAFレンズ13aをFB制御する。尚、増幅手段21aと差動増幅手段21bは位置検出増幅率が異なる為FBのループゲインが変化してシステムが不安定になる場合がある。その様な時には、偏差出力手段28の増幅利得を調整する事でシステムの安定性を保つことができる。具体的には、増幅手段21aが偏差出力手段28に入力する時よりも差動増幅手段21bが偏差出力手段28に入力する時の方が偏差出力手段28の増幅率を下げる事でシステムの安定性を保つ。図7a~eは、本発明の位置検出手段の構成を説明する図である。図7b,図7cにおいて、磁気検出素子13g1,13g2のインデックススケール13eとは反対側背面には磁気検出素子13g1,13g2を貫く方向に磁束を揃えたバイアス磁石磁性体71a,71bが設けられている。磁気検出素子13g1と磁気検出素子13g2の間には、インデックススケール13eの第1の面13e1及び第2の面13e2が磁気検出素子13g1,13g2と対向するように、インデックススケール13eが配置されている。換言すれば、磁気検出素子13g1はインデックススケール13eの第1の面側に配置され、磁気検出素子13g2はインデックススケール13eの第1の面とは反対の第2の面側に配置される。インデックススケール13eは軟磁性材料であり、図7aの様に三角形状を有し、AFレンズ13aの移動方向Aに対して傾斜する傾斜部13e3を有する。また、磁気検出素子13g1,13g2は、インデックススケール13eの第1の面13e1又は第2の面13e2と直交する方向においてインデックススケール13eの傾斜部13e3と重なるように配置されている。ここで、磁気検出素子13g1,13g2とインデックススケール13eの傾斜部13e3は、AFレンズ13aの移動範囲内すべてにおいて重なっている必要はなく、AFレンズ13aの移動範囲の少なくとも一部において重なればよい。例えば、AFレンズ13aの初期位置が、磁気検出素子13g1,13g2とインデックススケール13eの傾斜部13e3が全く重ならない状態から始まってもよい。本実施例では、インデックススケール13eとして、図7aの三角形状の軟磁性体からなるインデックススケール13eを使用する例を挙げたが、インデックススケール13eの形状はこれに限定されない。例えば、形状が矩形状を有するインデックススケール13e’であって、図7dにあるように、三角形状の開口13e4を有する形状であってもよい。また、形状が図7aと同じ三角形状を有するインデックススケール13e’’であって、図7eにあるように、三角形状の開口13e5を有する形状であってもよい。いずれのインデックススケールにおいても、軟磁性材料から構成され、AFレンズ13aの移動方向Aに対して傾斜する傾斜部を有している。そして、磁気検出素子13g1,13g2は、AFレンズ13aの移動範囲の少なくとも一部においてインデックススケールの傾斜部と重なるように配置されている。また、上述した傾斜部に代えて、例えば、インデックススケール13eがAFレンズ13aの移動方向において透磁率が変化する変化部を有する構成であってもよい。例えば、本発明のインデックススケール13eは、AFレンズ13aの移動方向Aの一方向において、インデックススケール13eの透磁率が徐々に高くなるような変化部を有する。インデックススケール13eが変化部を有する場合、上記の傾斜部は必要なく、透磁率の変化に応じて、磁気検出素子13g1,13g2の出力からAFレンズ13aの移動方向の変位を検出することができる。図7bは図7aの磁気検出素子13g1,13g2が位置PにあるときのA-A断面図である。図7bにおいて、インデックススケール13eの磁気検出素子13g1とは反対側第2の面13e2側には軟磁性体のヨーク72aが設けられ、且つ磁気検出素子13g1及び磁気検出素子13g2を囲むようにヨーク73が設けられている。同様にインデックススケール13eの磁気検出素子13g2とは反対側第1の面13e1側には軟磁性体のヨーク72bが設けられ、且つ磁気検出素子13g2及び磁気検出素子13g1を囲むようにヨーク73が設けられている。その為矢印74a、74bに示すように磁束が流れる閉磁気回路になっている。換言すれば、磁気検出素子13g1,13g2は、それぞれ磁性体と軟磁性体とで形成される閉磁気回路の内部に配置される。磁気検出素子は、素子上の磁気が当たった位置を電圧に変換して出力するため、図7bの磁束の矢印74a,74bが素子に当たる位置に応じて電圧が出力され、そのときの出力からAFレンズ13aの位置を検出することができる。図7cは図7aの磁気検出素子13g1,13g2が位置P’にあるときのB-B断面図である。図7cの磁束の矢印74a,74bが素子に当たる位置に応じて電圧が出力され、そのときの出力からAFレンズ13aの位置を検出することができる。ここで、磁気検出素子13g1,13g2がP’の位置に来た時、図7b,cに示すように磁束の矢印74a,74bが素子に当たる位置が変化するので、そのときの出力からAFレンズ13aの移動方向の変位を検出することができる。この時に磁気検出素子13g1、13g2の出力は、加算手段1201で加算させられて図2の増幅手段21aおよび差動増幅手段21bに出力される。その為に磁気検出素子13g1、13g2とインデックススケール13eの間隔変化の影響が少ない安定した位置検出が行える。磁気検出素子13g1、13g2の出力の加算手段1201による加算については、後に説明する。このように磁気検出素子13g1,13g2の一方の側にバイアス磁石71a,71bを設け、他方の側に軟磁性材料からなるインデックススケール13eを設ける事で外部に対して磁気外乱の発生を避ける事が出来る。また、インデックススケール13eを磁性体で構成するよりも安価に構成できる。また、AFレンズ13aのスキャン方向Aに対してインデックススケール13eに角度を持たせ、その傾斜変化を位置検出出力とする事でAFレンズ13aのスキャンストロークが大きい場合でもそれをインデックススケール13eの角度で調整できる。また、磁気検出素子13g1,13g2は閉磁気回路内に収められているので磁気などの外乱ノイズに対して安定な位置検出出力を得る事が出来る。図8を用いて、図7の磁気検出素子13g1,13g2の出力の加算手段1201による加算について説明する。図8aは、インデックススケール13eが、磁気検出素子13g1,13g2の間に、各磁気検出素子13g1,13g2から均等な間隔で配置されている場合の、磁気検出素子13g1,13g2から得られる出力を示している。インデックススケール13eに対する磁気検出素子13g1、13g2の移動に伴って、磁気検出素子13g1から出力2001a、磁気検出素子13g2から出力2002aの出力が電位差として得られる。図8a~cにおいては、磁気検出素子13g1と13g2の個体差の補正がなされていることを前提とする。その場合、磁石とホール素子の間の磁束密度が等しいため、図8aでは、インデックススケール13eに対する磁気検出素子13g1、13g2の移動に伴って、絶対値は等しく、正負の符号が反転した信号出力2001a、2002aが得られる。しかしながら、実際に、本構成で位置検出を行う際には、インデックススケール13eと磁気検出素子13g1、13g2の間隔を等しく保つことは困難である。たとえば、インデックススケール13eが、歪みを持っていたり、磁気検出素子13g1、13g2の駆動の軌跡が、インデックススケール13eと平行にならなかったりすることが考えられる。そこで、本発明では、上述した、インデックススケール13eと磁気検出素子13g1、13g2の間隔の変化により出力が変化しないよう磁気検出素子13g1、13g2の出力の絶対値の和2000aを算出している。図8bは、インデックススケール13eが、磁気検出素子13g1、13g2に対して、均等な間隔からずれた位置に設けられた場合の、磁気検出素子13g1,13g2から得られる出力を示している。図8bでは、磁気検出素子13g1の方が、磁気検出素子13g2よりも、インデックススケール13eに近づいた場合の磁気検出素子13g1,13g2から得られる出力を示している。図8aと同様に、磁気検出素子13g1から出力2001b、磁気検出素子13g2から出力2002bの出力が電位差として得られる。磁気検出素子13g1の方が、インデックススケール13eに近いため、図8aの状態よりも磁束密度が大きい。その結果、磁気検出素子13g1の出力2001bは、2001aと比べて、大きな出力幅が得られる。一方で、磁気検出素子13g2の方が、インデックススケール13eに遠いため、図8aの状態よりも磁束密度が小さい。その結果、磁気検出素子13g2の出力2002bは、2002aと比べて、小さな出力幅が得られる。しかしながら、磁気検出素子13g1、13g2の出力変化は、その絶対値の和2000bとして検出すると、それほど大きな変化は発生しない。これは、磁気検出素子13g1とインデックススケール13eのギャップが狭くなるときは磁気検出素子13g2とインデックススケール13eのギャップは広がる為に平均するとギャップの変動は相殺できるためである。本発明では、磁気検出素子13g1、13g2の出力の絶対値の和から位置を算出するため、対向した磁気検出素子13g1、13g2とインデックススケール13eの位置関係によらず、安定した出力が得られる。したがって、本発明は、磁気検出素子13g1,13g2の出力に基づいて、AFレンズ13aの位置を安定して検出することができる。インデックススケール13eと磁気検出素子13g1、13g2の間隔の変化は、磁気検出素子の移動の一部の範囲のみの場合もあるが、同様に2つの磁気検出素子の出力から、位置を検出することにより、安定した位置検出を行うことができる。例えば、図8aにおいて、インデックススケール13eの一部が歪みを持っており、磁気検出素子13g1,13g2とインデックススケール13eの位置関係が一時的にくずれる場合の磁気検出素子から得られる出力を図8cに示す。図8cでは、インデックススケール13eが図中のTの位置において磁気検出素子13g1から離れる方向の歪みを持っているため、磁気検出素子13g1の出力2001a’が出力2001aと比べて、一時的に小さな出力幅が得られる。また、インデックススケール13eが図中のTの位置において磁気検出素子13g2に近づく方向の歪みを持っているため、磁気検出素子13g2の出力2002a’が出力2002aと比べて、一時的に大きな出力幅が得られる。しかしながら、磁気検出素子13g1、13g2の出力変化は、その絶対値の和2000a’として検出すると、出力2000aとほぼ同じ出力が得られる。これは、磁気検出素子13g1とインデックススケール13eのギャップが広がるときは磁気検出素子13g2とインデックススケール13eのギャップは狭くなる為に平均するとギャップの変動は相殺できるためである。したがって、本発明では、インデックススケール13eが歪みを持っていたり、磁気検出素子13g1、13g2の駆動の軌跡がインデックススケール13eと平行にならなかったりする場合でも、安定した位置検出を行うことができる。位置検出に関しては磁気検出素子13g1、13g2の取り付け向きやバイアス磁石の着磁方向を調整する事でAFレンズ13aの移動に伴い磁気検出素子13g1、13g2の出力が共に同じ方向に変化する様にしてもよい。この場合にもギャップ変動は相殺され、位置検出出力は倍にできる。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、上記実施例では、交換レンズと該交換レンズが装着される撮像装置を有するカメラシステムに適用される例について説明したが、本発明は画像を被投射面上に投影する投影レンズ投影光学系を有するプロジェクター光学機器に適用されてもよい。"