"積層された複数のセラミックグリーンシートを備え、互いに対向する第1の主面および第2の主面を有し、内部に未焼成の内部電極パターンが配置された、セラミックグリーンブロックを準備する工程と、前記第2の主面側から前記セラミックグリーンブロックに可透過光線を照射し、前記第1の主面側に配置された撮像装置により前記可透過光線を画像処理し、前記内部電極パターンの画像データを作成する工程と、前記画像データに基づいて、前記セラミックグリーンブロックの前記第1または第2の主面上に形成すべき基準マークの位置となる基準マーク形成予定位置を算出する工程と、前記セラミックグリーンブロックの前記第1または第2の主面上において、前記基準マーク形成予定位置に前記基準マークを形成する工程と、前記基準マークに基づいて、前記セラミックグリーンブロックに対して所定の加工を行なう工程と、を備えることを特徴とする、積層セラミック電子部品の製造方法。前記基準マークを形成する工程において、前記基準マークがレーザ光照射により形成されることを特徴とする、請求項1に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。前記所定の加工は、前記セラミックグリーンブロックを前記セラミックグリーンシートの積層方向に沿って所定の寸法に切断することである、請求項1または2に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。母体内部に配置されたワークの座標を測定する位置測定装置であって、前記母体を載置するためのステージと、電子を発生させる陰極と、前記陰極から発生した電子がぶつかることによりX線を発生させるターゲットと、を含み、X線を前記ステージに向けて照射するX線照射装置と、前記X線照射装置から照射されて前記ステージ上にある前記母体を透過したX線を検出し、前記母体内部の前記ワークのX線画像データを作成する撮像装置と、前記撮像装置から送られてきた前記X線画像データを処理することによって、前記母体内部における前記ワークの座標を算出する演算装置と、を備え、前記演算装置には、前記X線照射装置が始動してからの経過時間と、前記ターゲットの変形によって生じる、前記撮像装置により得られるX線画像のずれ量と、の関係をプロットした曲線状の検量線が記憶されており、前記演算装置は、前記ワークの撮像時点での前記ターゲットの変形によって生じた、前記撮像装置により得られるX線画像のずれ量を、前記検量線に基づいて求め、当該ずれ量を補正した上で、前記母体内部における前記ワークの座標を算出するように構成され、前記ステージにはキャリブレーションマークが形成されており、以下のように動作することを特徴とする、位置測定装置。1前記X線照射装置が始動してから不特定の時間が経過した第1時点T1において、前記撮像装置により前記キャリブレーションマークを撮像し、前記演算装置において、得られたX線画像データから前記キャリブレーションマークの第1時点T1の座標C1を求める。2前記第1時点T1から特定の時間が経過した第2時点T2において、前記撮像装置により前記キャリブレーションマークを再び撮像し、前記演算装置において、得られたX線画像データから前記キャリブレーションマークの第2時点T2の座標C2を求める。3前記演算装置において、前記第1時点T1の座標C1と、前記第2時点T2の座標C2と、の傾きと同じ傾きを有する前記検量線上の位置を求め、前記検量線上の位置に該当する、前記検量線における基準時間を求め、次いで、前記検量線における前記基準時間から実際の基準時間T3を求める。4前記撮像装置により前記母体内部の前記ワークを撮像し、前記ワークのX線画像データの撮像時点Txと前記実際の基準時間T3との差を、前記検量線における前記基準時間t3に加え、前記検量線における撮像時点txを求め、次いで、前記検量線における撮像時点txにおけるずれ量から、前記検量線における前記基準時間t3におけるずれ量を引く。5前記ずれ量を補正した上で、前記母体内部における前記ワークの座標を算出する。母体内部に配置されたワークの座標を測定する位置測定方法であって、ステージ上に前記母体を載置する工程と、X線照射装置により前記母体にX線を照射する工程と、撮像装置により前記母体を透過したX線を検出し、前記母体内部の前記ワークのX線画像データを作成する工程と、前記X線画像データを処理することによって、前記母体内部における前記ワークの座標を算出する工程と、を備え、前記X線照射装置は、電子を発生させる陰極と、前記陰極から発生した電子がぶつかることによりX線を発生させるターゲットと、を含み、X線照射装置が始動してからの経過時間と、前記ターゲットの変形によって生じる、前記撮像装置により得られるX線画像のずれ量と、の関係をプロットした曲線状の検量線を作成しておく工程をさらに備え、前記ワークの座標を算出する工程は、前記ワークの撮像時点での前記ターゲットの変形によって生じた、前記撮像装置により得られるX線画像のずれ量を、前記検量線に基づいて求め、当該ずれ量を補正した上で、前記母体内部における前記ワークの座標を算出する工程を含み、前記ステージにはキャリブレーションマークが形成されており、前記ワークの座標を算出する工程は、以下の工程を含むことを特徴とする、位置測定方法。1前記X線照射装置が始動してから不特定の時間が経過した第1時点T1において、前記撮像装置により前記キャリブレーションマークを撮像し、前記演算装置において、得られたX線画像データから前記キャリブレーションマークの第1時点T1の座標C1を求める工程。2前記第1時点T1から特定の時間が経過した第2時点T2において、前記撮像装置により前記キャリブレーションマークを再び撮像し、前記演算装置において、得られたX線画像データから前記キャリブレーションマークの第2時点T2の座標C2を求める工程。3前記演算装置において、前記第1時点T1の座標C1と、前記第2時点T2の座標C2と、の傾きと同じ傾きを有する前記検量線上の位置を求め、前記検量線上の位置に該当する、前記検量線における基準時間を求め、次いで、前記検量線における前記基準時間から実際の基準時間T3を求める工程。4前記撮像装置により前記母体内部の前記ワークを撮像し、前記ワークのX線画像データの撮像時点Txと前記実際の基準時間T3との差を、前記検量線における前記基準時間t3に加え、前記検量線における撮像時点txを求め、次いで、前記検量線における撮像時点txにおけるずれ量から、前記検量線における前記基準時間t3におけるずれ量を引く工程。5前記ずれ量を補正した上で、前記母体内部における前記ワークの座標を算出する工程。母体内部に配置されたワークの座標に関連する位置に基準マークを形成するためのマーク形成装置であって、前記母体を載置するためのステージと、電子を発生させる陰極と、前記陰極から発生した電子がぶつかることによりX線を発生させるターゲットと、を含み、X線を前記ステージに向けて照射するX線照射装置と、前記X線照射装置から照射されて前記ステージ上にある前記母体を透過したX線を検出し、前記母体内部の前記ワークのX線画像データを作成する撮像装置と、前記撮像装置から送られてきた前記X線画像データを処理することによって、前記母体内部における前記ワークの座標を算出するとともに、前記ワークの座標に基づいて前記基準マークの位置となる基準マーク形成予定位置を算出する演算装置と、前記母体における前記演算装置により算出された前記基準マーク形成予定位置に、前記基準マークを形成する基準マーク形成機構と、を備え、前記演算装置には、前記X線照射装置が始動してからの経過時間と、前記ターゲットの変形によって生じる、前記撮像装置により得られるX線画像のずれ量と、の関係をプロットした曲線状の検量線が記憶されており、前記演算装置は、前記ワークの撮像時点での前記ターゲットの変形によって生じた、前記撮像装置により得られるX線画像のずれ量を、前記検量線に基づいて求め、当該ずれ量を補正した上で、前記母体内部における前記ワークの座標を算出するように構成され、前記ステージにはキャリブレーションマークが形成されており、前記ワークの座標を算出するため、以下のように動作することを特徴とする、マーク形成装置。1前記X線照射装置が始動してから不特定の時間が経過した第1時点T1において、前記撮像装置により前記キャリブレーションマークを撮像し、前記演算装置において、得られたX線画像データから前記キャリブレーションマークの第1時点T1の座標C1を求める。2前記第1時点T1から特定の時間が経過した第2時点T2において、前記撮像装置により前記キャリブレーションマークを再び撮像し、前記演算装置において、得られたX線画像データから前記キャリブレーションマークの第2時点T2の座標C2を求める。3前記演算装置において、前記第1時点T1の座標C1と、前記第2時点T2の座標C2と、の傾きと同じ傾きを有する前記検量線上の位置を求め、前記検量線上の位置に該当する、前記検量線における基準時間を求め、次いで、前記検量線における前記基準時間から実際の基準時間T3を求める。4前記撮像装置により前記母体内部の前記ワークを撮像し、前記ワークのX線画像データの撮像時点Txと前記実際の基準時間T3との差を、前記検量線における前記基準時間t3に加え、前記検量線における撮像時点txを求め、次いで、前記検量線における撮像時点txにおけるずれ量から、前記検量線における前記基準時間t3におけるずれ量を引く。5前記ずれ量を補正した上で、前記母体内部における前記ワークの座標を算出する。前記母体は、積層された複数のセラミックグリーンシートからなり、内部に未焼成の内部電極パターンが配置された、セラミックグリーンブロックであり、前記ワークは、前記内部電極パターンである、請求項6に記載のマーク形成装置。前記ステージは、前記撮像装置と前記基準マーク形成機構との間を移動できるように構成される、請求項6または7に記載のマーク形成装置。前記ステージ、前記X線照射装置、前記撮像装置、および前記基準マーク形成機構が1つの筐体に収納される、請求項6ないし9のいずれかに記載のマーク形成装置。母体内部に配置されたワークの座標に関連する位置に基準マークを形成するためのマーク形成方法であって、ステージ上に前記母体を載置する工程と、X線照射装置により前記母体にX線を照射する工程と、撮像装置により前記母体を透過したX線を検出し、前記母体内部の前記ワークのX線画像データを作成する工程と、前記X線画像データを処理することによって、前記母体内部における前記ワークの座標を算出するとともに、前記ワークの座標に基づいて前記基準マークの位置となる基準マーク形成予定位置を算出する工程と、前記母体における前記基準マーク形成予定位置に前記基準マークを形成する工程と、前記基準マークに基づいて、前記母体に対して所定の加工を行なう工程と、を備え、前記X線照射装置は、電子を発生させる陰極と、前記陰極から発生した電子がぶつかることによりX線を発生させるターゲットと、を含み、X線照射装置が始動してからの経過時間と、前記ターゲットの変形によって生じる、前記撮像装置により得られるX線画像のずれ量と、の関係をプロットした曲線状の検量線を作成しておく工程をさらに備え、前記ワークの座標を算出する工程は、前記ワークの撮像時点での前記ターゲットの変形によって生じた、前記撮像装置により得られるX線画像のずれ量を、前記検量線に基づいて求め、当該ずれ量を補正した上で、前記母体内部における前記ワークの座標を算出する工程を含み、前記ステージにはキャリブレーションマークが形成されており、前記ワークの座標を算出する工程は、以下の工程を含むことを特徴とする、マーク形成方法。1前記X線照射装置が始動してから不特定の時間が経過した第1時点T1において、前記撮像装置により前記キャリブレーションマークを撮像し、前記演算装置において、得られたX線画像データから前記キャリブレーションマークの第1時点T1の座標C1を求める工程。2前記第1時点T1から特定の時間が経過した第2時点T2において、前記撮像装置により前記キャリブレーションマークを再び撮像し、前記演算装置において、得られたX線画像データから前記キャリブレーションマークの第2時点T2の座標C2を求める工程。3前記演算装置において、前記第1時点T1の座標C1と、前記第2時点T2の座標C2と、の傾きと同じ傾きを有する前記検量線上の位置を求め、前記検量線上の位置に該当する、前記検量線における基準時間を求め、次いで、前記検量線における前記基準時間から実際の基準時間T3を求める工程。4前記撮像装置により前記母体内部の前記ワークを撮像し、前記ワークのX線画像データの撮像時点Txと前記実際の基準時間T3との差を、前記検量線における前記基準時間t3に加え、前記検量線における撮像時点txを求め、次いで、前記検量線における撮像時点txにおけるずれ量から、前記検量線における前記基準時間t3におけるずれ量を引く工程。5前記ずれ量を補正した上で、前記母体内部における前記ワークの座標を算出する工程。前記所定の加工は、前記母体を前記ワークの位置に関連する位置で切断することである、請求項10に記載のマーク形成方法。そこで、この発明の目的は、上述したような問題を解決し得る、セラミック電子部品の製造方法を提供しようとすることである。この発明の他の目的は、上述したセラミック電子部品の製造方法において有利に適用される位置測定装置および位置測定方法を提供しようとすることである。この発明のさらに他の目的は、上述した位置測定装置および位置測定方法を適用するもので、たとえば積層セラミック電子部品の製造において有利に用いられるマーク形成装置およびマーク形成方法を提供しようとすることである。この発明は、まず、積層セラミック電子部品の製造方法に向けられる。この発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、積層された複数のセラミックグリーンシートを備え、互いに対向する第1の主面および第2の主面を有し、内部に未焼成の内部電極パターンが配置された、セラミックグリーンブロックを準備する工程と、第2の主面側からセラミックグリーンブロックにX線または赤外線のような可透過光線を照射し、第1の主面側に配置された撮像装置により可透過光線を画像処理し、内部電極パターンの画像データを作成する工程と、画像データに基づいて、セラミックグリーンブロックの第1または第2の主面上に形成すべき基準マークの位置となる基準マーク形成予定位置を算出する工程と、セラミックグリーンブロックの第1または第2の主面上において、上記基準マーク形成予定位置に基準マークを形成する工程と、基準マークに基づいて、セラミックグリーンブロックに対して所定の加工を行なう工程と、を備えることを特徴としている。上述した基準マークを形成する工程において、基準マークがレーザ光照射により形成されることが好ましい。また、上述した所定の加工は、たとえば、セラミックグリーンブロックをセラミックグリーンシートの積層方向に沿って所定の寸法に切断することである。この発明は、また、母体内部に配置されたワークの座標を測定する位置測定装置にも向けられる。この発明に係る位置測定装置は、母体を載置するためのステージと、電子を発生させる陰極と、陰極から発生した電子がぶつかることによりX線を発生させるターゲットと、を含み、X線をステージに向けて照射するX線照射装置と、X線照射装置から照射されてステージ上にある母体を透過したX線を検出し、母体内部のワークのX線画像データを作成する撮像装置と、撮像装置から送られてきたX線画像データを処理することによって、母体内部におけるワークの座標を算出する演算装置と、を備えている。そして、前述した技術的課題を解決するため、演算装置には、X線照射装置が始動してからの経過時間と、ターゲットの変形によって生じる、撮像装置により得られるX線画像のずれ量と、の関係をプロットした曲線状の検量線が記憶されており、演算装置は、ワークの撮像時点でのターゲットの変形によって生じた、撮像装置により得られるX線画像のずれ量を、検量線に基づいて求め、当該ずれ量を補正した上で、母体内部におけるワークの座標を算出するように構成したことを第1の特徴としている。なお、X線照射装置が始動してからの経過時間と、ターゲットの変形によって生じる、撮像装置により得られるX線画像のずれ量と、の関係をプロットして得られる上述の検量線の作成を、異なる日にわたって数回繰返して実施したところ、検量線は、良好な再現性を有していることがわかった。この発明に係る位置測定装置は、上記ステージにキャリブレーションマークが形成されていて、以下のように動作することを第2の特徴としている。1X線照射装置が始動してから不特定の時間が経過した第1時点T1において、撮像装置によりキャリブレーションマークを撮像し、演算装置において、得られたX線画像データからキャリブレーションマークの第1時点T1の座標C1を求める。2第1時点T1から特定の時間が経過した第2時点T2において、撮像装置によりキャリブレーションマークを再び撮像し、演算装置において、得られたX線画像データからキャリブレーションマークの第2時点T2の座標C2を求める。3演算装置において、第1時点T1の座標C1と、第2時点T2の座標C2と、の傾きと同じ傾きを有する検量線上の位置を求め、検量線上の位置に該当する、検量線における基準時間t3を求め、次いで、検量線における基準時間t3から実際の基準時間T3を求める。4撮像装置により母体内部のワークを撮像し、ワークのX線画像データの撮像時点Txと実際の基準時間T3との差を、検量線における基準時間t3に加え、検量線における撮像時点txを求め、次いで、検量線における撮像時点txにおけるずれ量から、検量線における基準時間t3におけるずれ量を引く。5ずれ量を補正した上で、母体内部におけるワークの座標を算出する。この発明は、また、母体内部に配置されたワークの座標を測定する位置測定方法にも向けられる。この発明に係る位置測定方法は、ステージ上に、母体を載置する工程と、X線照射装置により母体にX線を照射する工程と、撮像装置により母体を透過したX線を検出し、母体内部のワークのX線画像データを作成する工程と、X線画像データを処理することによって、母体内部におけるワークの座標を算出する工程と、を備えている。上述したX線照射装置は、電子を発生させる陰極と、前記陰極から発生した電子がぶつかることによりX線を発生させるターゲットと、を含んでいる。そして、この発明に係る位置測定方法は、前述した技術的課題を解決するため、X線照射装置が始動してからの経過時間と、ターゲットの変形によって生じる、撮像装置により得られるX線画像のずれ量と、の関係をプロットした曲線状の検量線を作成しておく工程をさらに備え、ワークの座標を算出する工程は、ワークの撮像時点でのターゲットの変形によって生じた、撮像装置により得られるX線画像のずれ量を、検量線に基づいて求め、当該ずれ量を補正した上で、母体内部におけるワークの座標を算出する工程を含むことを第1の特徴としている。この発明に係る位置測定方法は、上記ステージにキャリブレーションマークが形成されており、ワークの座標を算出する工程は、以下の工程を含むことを第2の特徴としている。1X線照射装置が始動してから不特定の時間が経過した第1時点T1において、撮像装置によりキャリブレーションマークを撮像し、演算装置において、得られたX線画像データからキャリブレーションマークの第1時点T1の座標C1を求める工程。2第1時点T1から特定の時間が経過した第2時点T2において、撮像装置によりキャリブレーションマークを再び撮像し、演算装置において、得られたX線画像データからキャリブレーションマークの第2時点T2の座標C2を求める工程。3演算装置において、第1時点T1の座標C1と、第2時点T2の座標C2と、の傾きと同じ傾きを有する検量線上の位置を求め、検量線上の位置に該当する、検量線における基準時間t3を求め、次いで、検量線における基準時間t3から実際の基準時間T3を求める工程。4撮像装置により母体内部のワークを撮像し、ワークのX線画像データの撮像時点Txと実際の基準時間T3との差を、検量線における基準時間t3に加え、検量線における撮像時点txを求め、次いで、検量線における撮像時点txにおけるずれ量から、検量線における基準時間t3におけるずれ量を引く工程。5ずれ量を補正した上で、母体内部におけるワークの座標を算出する工程。この発明は、また、母体内部に配置されたワークの座標に関連する位置に基準マークを形成するためのマーク形成装置にも向けられる。この発明に係るマーク形成装置は、母体を載置するためのステージと、電子を発生させる陰極と、陰極から発生した電子がぶつかることによりX線を発生させるターゲットと、を含み、X線をステージに向けて照射するX線照射装置と、X線照射装置から照射されてステージ上にある母体を透過したX線を検出し、母体内部のワークのX線画像データを作成する撮像装置と、撮像装置から送られてきたX線画像データを処理することによって、母体内部におけるワークの座標を算出するとともに、ワークの座標に基づいて基準マークの位置となる基準マーク形成予定位置を算出する演算装置と、母体における演算装置により算出された基準マーク形成予定位置に、基準マークを形成する基準マーク形成機構と、を備えている。そして、この発明に係るマーク形成装置において、演算装置には、X線照射装置が始動してからの経過時間と、ターゲットの変形によって生じる、撮像装置により得られるX線画像のずれ量と、の関係をプロットした曲線状の検量線が記憶されており、演算装置は、ワークの撮像時点でのターゲットの変形によって生じた、撮像装置により得られるX線画像のずれ量を、検量線に基づいて求め、当該ずれ量を補正した上で、母体内部におけるワークの座標を算出するように構成したことを第1の特徴としている。この発明に係るマーク形成装置は、ステージにキャリブレーションマークが形成されており、ワークの座標を算出するため、以下のように動作することを第2の特徴としている。1X線照射装置が始動してから不特定の時間が経過した第1時点T1において、撮像装置によりキャリブレーションマークを撮像し、演算装置において、得られたX線画像データからキャリブレーションマークの第1時点T1の座標C1を求める。2第1時点T1から特定の時間が経過した第2時点T2において、撮像装置によりキャリブレーションマークを再び撮像し、演算装置において、得られたX線画像データからキャリブレーションマークの第2時点T2の座標C2を求める。3演算装置において、第1時点T1の座標C1と、第2時点T2の座標C2と、の傾きと同じ傾きを有する検量線上の位置を求め、検量線上の位置に該当する、検量線における基準時間t3を求め、次いで、検量線における基準時間t3から実際の基準時間T3を求める。4撮像装置により母体内部のワークを撮像し、ワークのX線画像データの撮像時点Txと実際の基準時間T3との差を、検量線における基準時間t3に加え、検量線における撮像時点txを求め、次いで、検量線における撮像時点txにおけるずれ量から、検量線における基準時間t3におけるずれ量を引く。5ずれ量を補正した上で、母体内部におけるワークの座標を算出する。この発明に係るマーク形成装置が有利に適用されるのは、たとえば、前述した母体が、積層された複数のセラミックグリーンシートからなり、内部に未焼成の内部電極パターンが配置された、セラミックグリーンブロックであり、前述したワークが、内部電極パターンである場合である。この発明に係るマーク形成装置において、ステージは、撮像装置と基準マーク形成機構との間を移動できるように構成されることが好ましい。また、この発明に係るマーク形成装置において、ステージ、X線照射装置、撮像装置、および基準マーク形成機構が1つの筐体に収納されることが好ましい。この発明は、さらに、母体内部に配置されたワークの座標に関連する位置に基準マークを形成するためのマーク形成方法にも向けられる。この発明に係るマーク形成方法は、ステージ上に母体を載置する工程と、X線照射装置により母体にX線を照射する工程と、撮像装置により母体を透過したX線を検出し、母体内部のワークのX線画像データを作成する工程と、X線画像データを処理することによって、母体内部におけるワークの座標を算出するとともに、ワークの座標に基づいて基準マークの位置となる基準マーク形成予定位置を算出する工程と、母体における基準マーク形成予定位置に基準マークを形成する工程と、基準マークに基づいて、母体に対して所定の加工を行なう工程と、を備えている。上述したX線照射装置は、電子を発生させる陰極と、陰極から発生した電子がぶつかることによりX線を発生させるターゲットと、を含む。そして、この発明に係るマーク形成方法は、X線照射装置が始動してからの経過時間と、ターゲットの変形によって生じる、撮像装置により得られるX線画像のずれ量と、の関係をプロットした曲線状の検量線を作成しておく工程をさらに備え、ワークの座標を算出する工程は、ワークの撮像時点でのターゲットの変形によって生じた、撮像装置により得られるX線画像のずれ量を、検量線に基づいて求め、当該ずれ量を補正した上で、母体内部におけるワークの座標を算出する工程を含むことを第1の特徴としている。この発明に係るマーク形成方法において、上述したステージにキャリブレーションマークが形成されており、ワークの座標を算出する工程は、以下の工程を含むことを第2の特徴としている。1X線照射装置が始動してから不特定の時間が経過した第1時点T1において、撮像装置によりキャリブレーションマークを撮像し、演算装置において、得られたX線画像データからキャリブレーションマークの第1時点T1の座標C1を求める工程。2第1時点T1から特定の時間が経過した第2時点T2において、撮像装置によりキャリブレーションマークを再び撮像し、演算装置において、得られたX線画像データからキャリブレーションマークの第2時点T2の座標C2を求める工程。3演算装置において、第1時点T1の座標C1と、第2時点T2の座標C2と、の傾きと同じ傾きを有する検量線上の位置を求め、検量線上の位置に該当する、検量線における基準時間t3を求め、次いで、検量線における基準時間t3から実際の基準時間T3を求める工程。4撮像装置により母体内部のワークを撮像し、ワークのX線画像データの撮像時点Txと実際の基準時間T3との差を、検量線における基準時間t3に加え、検量線における撮像時点txを求め、次いで、検量線における撮像時点txにおけるずれ量から、検量線における基準時間t3におけるずれ量を引く工程。5ずれ量を補正した上で、母体内部におけるワークの座標を算出する工程。この発明に係るマーク形成方法において、好ましくは、上述の所定の加工は、母体をワークの位置に関連する位置で切断することである。この発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法によれば、セラミックグリーンブロックに可透過光線を照射して得た内部電極パターンの画像データに基づいて、基準マーク形成予定位置を求め、この基準マーク形成予定位置に基準マークを形成した後、この基準マークに基づいて、セラミックグリーンブロックに対して切断等の所定の加工を行なうようにしている。したがって、所定の加工についての位置精度を向上させることができる。また、この発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法によれば、所定の加工を行なうべき位置の指標となる基準マークをセラミックグリーンブロックに形成してしまうので、所定の加工の都度、加工位置データを読み出して位置合わせを行なう必要がなくなる。したがって、加工に要する時間を短縮することができる。この発明に係る位置測定装置および方法、ならびにマーク形成装置および方法によれば、予め作成しておいた検量線に基づき、ターゲットの経時的な変形を予測して、X線画像のずれ量を求め、このずれ量を補正した上で、ワークの座標を算出しているので、精度の高い位置測定を行なうことができ、よって、位置精度の高いマーク形成を行なうことができる。さらに、この発明に係る位置測定装置および方法、ならびにマーク形成装置および方法によれば、ステージにキャリブレーションマークが形成されているので、位置測定またはマーク形成にあたって、キャリブレーションマークの認識は、測定開始時点と特定時間経過後の最低2回だけでよい。したがって、キャリブレーションマークの認識には最小限の時間を費やすだけで済み、測定効率を向上させることができる。以下に、この発明が適用される積層セラミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサについて説明する。図1ないし図3に示すように、積層セラミックコンデンサ1は、部品本体2を備えている。部品本体2は、互いに対向する1対の主面3および4と、互いに対向する1対の側面5および6と、互いに対向する1対の端面7および8とを有する、ほぼ直方体状をなしている。部品本体2は、図2に示すように、主面3および4の方向に延びかつ主面3および4に直交する方向に積層された複数のセラミック層9と、セラミック層9間の界面に沿って形成された複数対の第1および第2の内部電極10および11とをもって構成された積層構造を有している。図3によく示されているように、第1の内部電極10は、セラミック層9を介して第2の内部電極11と対向する、対向部12と、対向部12から第1の端面7に引き出され、その端部に露出端13を形成する、引出し部14とを有している。また、第1の内部電極10の平面形状に関して、側面5および6間を結ぶ幅方向で見て、引出し部14の幅は、対向部12の幅より徐々に狭くされている。図3において破線で示した第2の内部電極11についても、同様に、セラミック層9を介して第1の内部電極10と対向する、対向部15と、対向部15から第2の端面8に引き出され、その端部に露出端16を形成する、引出し部17とを有している。第2の内部電極11は、上述した第1の内部電極10と対称の平面形状を有している。上述したように、第1の内部電極10の対向部12と第2の内部電極11の対向部15とがセラミック層9を介して互いに対向していることによって、これら対向部12および15間に電気的特性が発現する。すなわち、この積層セラミックコンデンサ1の場合には、静電容量が形成される。積層セラミックコンデンサ1は、さらに、内部電極10および11の各々の露出端13および16にそれぞれ電気的に接続されるように、部品本体2の少なくとも1対の端面7および8上にそれぞれ形成された、外部電極18および19を備えている。この実施形態では、外部電極18および19は、主面3および4ならびに側面5および6の各一部にまで回り込んだ部分を有している。内部電極10および11のための導電材料としては、たとえば、Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Auなどを用いることができる。内部電極10および11の各厚みは、0.3~2.0μmであることが好ましい。セラミック層9を構成するセラミック材料としては、たとえば、BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3、CaZrO3などを主成分とする誘電体セラミックを用いることができる。誘電体セラミックには、必要に応じて、Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Co化合物、Ni化合物、希土類元素化合物などの副成分が添加される。なお、この発明が適用されるのは、積層セラミック電子部品には限らないが、積層セラミック電子部品に適用される場合には、積層セラミックコンデンサ以外の積層セラミック電子部品にも適用されることができる。セラミック層9を構成するセラミック材料としては、積層セラミック電子部品が、たとえば、圧電部品の場合には、PZT系セラミックなどの圧電体セラミック、サーミスタの場合には、スピネル系セラミックなどの半導体セラミックが用いられる。外部電極17および18は、図示しないが、下地層と下地層上に形成されるめっき層とで構成されることが好ましい。下地層のための導電材料としては、たとえば、Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Auなどを用いることができる。下地層は、導電性ペーストを未焼成の部品本体2上に塗布して部品本体2と同時焼成するコファイア法を適用することによって形成されても、導電性ペーストを焼成後の部品本体2上に塗布して焼き付けるポストファイア法を適用することによって形成されてもよい。あるいは、下地層は、直接めっきにより形成されてもよく、熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂を硬化させることにより形成されてもよい。下地層の厚みは、最も厚い部分で、10~50μmであることが好ましい。下地層上に形成されるめっき層を構成する金属としては、たとえば、Cu、Ni、Sn、Pb、Au、Ag、Pd、BiおよびZnからなる群から選ばれる1種の金属または当該金属を含む合金を用いることができる。めっき層は複数層から構成されていてもよい。このようにめっき層が複数層から構成される場合、好ましくは、Niめっきおよびその上のSnめっきの2層構造とされる。また、めっき膜の厚みは、1層あたり、1~15μmであることが好ましい。下地層とめっき層との間に、応力緩和用の導電性樹脂層が形成されていてもよい。次に、上述した積層セラミックコンデンサ1の製造方法について説明する。まず、セラミック層9となるべきセラミックグリーンシート、内部電極10および11のための導電性ペースト、ならびに、外部電極18および19のための導電性ペーストがそれぞれ準備される。これらセラミックグリーンシートおよび導電性ペーストには、バインダおよび溶剤が含まれるが、これらバインダおよび溶剤としては、それぞれ、公知の有機バインダおよび有機溶剤を用いることができる。次に、図4に示すように、セラミックグリーンシート21上に、たとえばスクリーン印刷法などにより所定のパターンをもって導電性ペーストが印刷される。これによって、内部電極10および11の各々となるべき複数の内部電極パターン22が形成されたセラミックグリーンシート21が得られる。図4において、内部電極パターン22の長手方向図4による左右方向に延びる予定切断線23およびこれに対して直交する幅方向図4による上下方向に延びる予定切断線24が図示されている。セラミックグリーンシート21は、後述する積層工程の後、上述した予定切断線23および24に沿って切断して分割することにより、複数の積層セラミックコンデンサ1のための部品本体2を取り出すことができる寸法を有している。図4に示した予定切断線23および24は、積層工程前の設計段階で決められるもので、後述するセラミックグリーンブロック27を得るための積層および圧着工程を実施した後では、セラミックグリーンブロック27は、予定切断線23および24とは異なる切断線に沿って切断されることもある。この実際の切断のための仮想切断線の決定方法については後述する。なお、作図上の問題から、図4に示したセラミックグリーンシート21上に形成される内部電極パターン22の数は実際の場合より少なくなっている。セラミックグリーンシート21の相対向する辺の各中央部近傍には、補正用マーク25aおよび25bがそれぞれ形成される。補正用マーク25aおよび25bは、上述した内部電極パターン22を形成する導電性ペーストと同じ導電性ペーストによって、内部電極パターン22の印刷と同時に形成される。したがって、内部電極パターン22と補正用マーク25aおよび25bとの位置関係は一定である。補正用マーク25aおよび25bは、最終的には製品としての積層セラミックコンデンサ1には残らない。なお、図4において、AとBとにセラミックグリーンシート21を示したのは後述する積層工程の説明の便宜のためであり、Aに示したセラミックグリーンシート21とBに示したセラミックグリーンシート21とは図示した向きが異なるだけで互いに同じである。図4に示した補正用マーク25aおよび25bは、図5に示した補正用マーク26に置き換えられてもよい。図5に示した補正用マーク26は、両端の列にある内部電極パターン22の一部を白抜きにすることによって与えられている。なお、図5に示した内部電極パターン22は、図4に示した内部電極パターン22とは形状が異なっているが、このことは本質的な特徴ではない。図5に示した内部電極パターン22は、形状が簡略化されて図示されていると理解すればよい。次に、内部電極パターンが印刷されていない外層用セラミックグリーンシートを所定枚数積層し、その上に図4に示した内部電極パターン22が印刷されたセラミックグリーンシート21を順次積層し、その上に外層用セラミックグリーンシートを所定枚数積層し、セラミックグリーンブロック27図10等参照を作製する。内部電極パターン22が印刷されたセラミックグリーンシート21を積層するにあたっては、図4Aに示す向きのセラミックグリーンシート21と図4Bに示す向きのセラミックグリーンシート21とが交互に積層される。上述した積層工程後のハンドリング性を良くするため、セラミックグリーンブロック27の下面には、発泡剥離シートなどの粘着シートを貼りつけておくことが好ましい。次に、セラミックグリーンブロック27を静水圧プレスなどの手段により、積層方向にプレスする。以上の工程を経て得られたセラミックグリーンブロック27は、図6に示したマーク形成装置31によって処理される。この発明において測定対象とされる母体は、セラミックグリーンブロック27であり、その内部に配置された内部電極パターン22が母体内部に配置されたワークとなる。マーク形成装置31は、ステージ32と、X線照射装置33と、撮像装置34と、画像処理演算装置35と、マーク形成機構36とを有する。マーク形成装置31には、予め機械的な絶対座標が設定されている。マーク形成装置31においては、少なくとも、ステージ32、X線照射装置33、撮像装置34、およびマーク形成機構36が1つの筺体に収納されていることが好ましい。また、図6において、3個のステージ32が図示されているが、これは3個のステージ32が存在するのではなく、1個のステージ32が移動して取り得る3つの位置を示している。なお、マーク形成装置31に隣接して切断装置37が図示されているが、切断装置37の詳細については後述する。ステージ32は、行および列方向XおよびY方向に可動であるとともに、水平面上で90°回転することもできる。ステージ32には、図10に示すように、キャリブレーションマーク29が形成されている。キャリブレーションマーク29は、たとえば、アルミナ片を十字形状に彫り込んだ構造によって与えられる。X線照射装置33は、初期位置にあるステージ32の下方に配置されている。X線照射装置33は、図17を参照して前述したようなX線発生機構51を備えている。図17に示すように、X線発生機構51は、電子53を発生させる陰極52と、陰極52から高速に発射された電子53をぶつけるターゲット55とを含む。陰極52から発生した電子53がターゲット55に高速でぶつかることにより、その運動エネルギーの一部がX線38としてステージ32の方向に照射される。なお、X線38の照射方向は、図示の方向とは逆の上から下に向く方向であってもよい。撮像装置34は、初期位置にあるステージ32の上方に配置されていて、セラミックグリーンブロック27を透過したX線38を検出する。撮像装置34としては、エリアセンサ型カメラを用いることができる。画像処理演算装置35は撮像装置34に接続されている。画像処理演算装置35は、たとえば、CPUおよびメモリにより構成され、画像処理機能と演算機能とを有している。画像処理演算装置35は、まず、その画像処理機能に基づき、撮像装置34で検出されたX線38を画像処理する。この画像処理にあたっては、たとえば、二値化やエッジ検出などにより、図7に示すように、黒色パターン網掛け部分と白色パターンとを含む画像データが作成される。より詳細には、セラミックグリーンブロック27を透過したX線38によって得られる像は、図8に示すように、内部電極パターン22における内部電極10および11の対向部12および15となるべき部分が重なる領域では最も濃く、引出し部14および17となるべき部分が重なる領域では中間の濃さとなり、内部電極パターン22が位置しない領域では最も薄くなる。上述した画像処理では、最も濃くなる内部電極10および11の対向部12および15となるべき部分が重なる領域を黒色パターンとし、それ以外の領域を白色パターンとするように、画像データが作成される。また、図4に示した補正用マーク25aおよび25bについては、内部電極パターン22における対向部12および15となるべき部分と同様の重なり度合いとなるので、黒色パターンとして認識される。図5に示した補正用マーク26が適用される場合には、白色パターンとして認識される。なお、図7等に図示した内部電極パターン22ならびに補正用マーク25aおよび25bは、それぞれ、内部電極パターン22ならびに補正用マーク25aおよび25bによって得られる像であり、内部電極パターン22ならびに補正用マーク25aおよび25bそのものではない。しかし、説明の便宜のため、内部電極パターンの像についても22]の参照符号を用い、また、補正用マーク25aおよび25bの各々の像についても、25aおよび25bの参照符号を用いることにする。また、画像処理演算装置35に備えるメモリには、X線照射装置33が始動してからの経過時間と、ターゲット55の変形によって生じる、撮像装置34により得られるX線画像のずれ量と、の関係をプロットした曲線状の検量線が記憶されている。図14には、検量線の一例が示されている。なお、検量線は、XおよびY方向のいずれか一方の方向に対応すれば十分であるが、両方向に対応するように2つの検量線を準備してもよい。画像処理演算装置35は、内部電極パターン22の実際の撮像時点でのX線画像のずれ量を、上述した検量線に基づいて求め、当該ずれ量を補正した上で、内部電極パターン22の座標を算出するように構成されている。画像処理演算装置35は、次に、その演算機能に基づき、上述の画像データを演算処理し、画像データから得られた位置情報、すなわち、セラミックグリーンブロック27に対して実施される切断の位置を示す基準マーク39図12および図13参照の位置となる基準マーク形成予定位置に関する情報をマーク形成機構36に送る。マーク形成機構36は、画像処理演算装置35に接続されており、画像処理演算装置35から送られてきた位置情報、すなわち基準マーク形成予定位置に関する情報に基づいて、セラミックグリーンブロック27の上方主面上に基準マーク39を形成する。基準マーク39の形成には、レーザ光を照射して基準マーク39となる細い溝からなる削り痕を付ける方法、打撃を与えて基準マーク39となる打痕を形成する方法、あるいは印刷インクを用いて基準マーク39を印刷する方法などを適用することができる。特に、レーザ光照射を適用した場合、印刷法に比べて、基準マーク39の形成に必要な面積が小さくて済む。このため、内部電極パターン22の形成可能な面積を広げることが可能となり、1つのセラミックグリーンブロックあたりの取り個数を増やすことができる。なお、図12および図13に示した基準マーク39は、十字形状であり、レーザ光照射によって形成されたものを意図している。以下、図15を参照しながら、マーク形成装置31の動作、すなわち、マーク形成装置31による位置測定方法およびマーク形成方法について説明する。1準備段階として、セラミックグリーンブロック27を、マーク形成装置31に備えるステージ32上に載置する。2ステージ32の下方に位置するX線照射装置33を始動させる図15...ステップS1。これにより、X線照射装置33から、セラミックグリーンブロック27にX線38を照射し、セラミックグリーンブロック27を透過したX線38を、ステージ32の上方に配置された撮像装置34により検出し得る状態となる。3X線照射装置33が始動してから不特定の時間が経過した第1時点T1において、撮像装置34によりキャリブレーションマーク29を撮像し、得られたX線画像データから、画像処理演算装置35において、キャリブレーションマーク29の第1時点T1の座標C1を求める図15...ステップS2。この座標C1は絶対座標である。4第1時点T1から特定の時間が経過した第2時点T2において、撮像装置34によりキャリブレーションマーク29を再び撮像し、得られたX線画像データから、画像演算装置35において、キャリブレーションマーク29の第2時点T2の座標C2を求める図15...ステップS3。この座標C2は絶対座標である。上記特定の時間は、たとえば、10~40秒とされる。5画像処理演算装置35において、図16に示すように、第1時点T1の座標C1と、第2時点T2の座標C2と、の傾きを求める。図16において、第1時点T1と第2時点T2との差がΔTで示され、座標C1と座標C2との差がΔCで示されている。6画像処理演算装置35において、図14に示すように、第1時点T1の座標C1と第2時点T2の座標C2との傾きと同じ傾きを有する直線と曲線状の検量線とが接する点C3を求める。すなわち、座標C1と座標C2との傾きと同じ傾きを有する検量線上の位置C3を求める。そして、この検量線上の位置C3に該当する、検量線における基準時間t3を求める。次いで、検量線における基準時間t3から実際の基準時間T3を求める。これにより、今、検量線のどの時間帯で処理が行なわれているか知ることができる。ここで重要なのは、基準となる第1時点T1をX線照射装置33の始動時間とせず、座標の傾きを求めていることである。第1時点T1を始動時間としてそこからの経過時間に基づいてずれ量を求める場合、X線照射装置33をオフにして完全に冷却しないと補正を行なうことができないため、測定効率が低下してしまう。たとえば、30分程度待機しなければならない。一方、本実施形態によれば、X線照射装置33を長時間オフにする必要がなく、比較的短い間隔でオン/オフを繰り返している状態でも補正を行なうことができるため、測定効率が高い。なお、近似的には、第1時点T1と第2時点T2との間の時間間隔が微小であるので、T1=T3とみなして、実際の基準時間T3の代わりに第1時点T1が特定されてもよい。7撮像装置34により補正用マーク25aおよび25bを検出する図15...ステップ4。画像処理演算装置35による画像処理において、図10に示すように、一方の補正用マーク25aを相対座標の原点とし、この補正用マーク25aから他方の補正用マーク25bを結ぶ方向をX軸とする相対座標X,Yを定める。これにより、補正用マーク25aを原点として、各内部電極パターン22の相対座標X,Yを定義することができる。また、図11に示すように、上述の相対座標X,Yが回転方向にずれた場合、機械的な絶対座標の座標軸に対して、相対座標X,Yの座標軸がどれだけ回転してずれているかを知ることができる。8撮像装置34により内部電極パターン22を検出し、画像処理演算装置35において、内部電極パターン22の画像データを作成する図15...ステップS5。上記の画像処理にあたっては、内部電極パターン22を全数認識する必要はない。行および列をなすようにマトリクス状に配列された内部電極パターン22のうち、周縁部および中央部に位置する内部電極パターン22のみを見れば十分である。たとえば、図9に示すように、内部電極パターン22が配列された領域の周縁の4辺に沿う部分に位置している内部電極パターン22と、各辺の垂直二等分線上に位置している内部電極パターン22との合計33個の内部電極パターン22について、画像認識すれば十分である。次に、画像処理演算装置35において、内部電極パターン22のX線画像データを取得した時点におけるX線画像のずれ量を検量線から算出し、ずれ量を補正した上で、セラミックグリーンブロック27内部における各内部電極パターン22の座標を算出する。このように、内部電極パターン22を撮像した時点がわかっていれば、検量線をもとにして、ずれ量を予測することが可能である。このため、精度の高い位置測定が可能となる。より詳細には、撮像装置34により内部電極パターン22を撮像し、内部電極パターン22の撮像時点Txと実際の基準時間T3との差を、検量線における基準時間t3に加え、検量線における撮像時点txを求め、次いで、検量線における撮像時点txにおけるずれ量から、検量線における基準時間t3におけるずれ量を引く。そして、このずれ量を補正した上で、セラミックグリーンブロック27内部における各内部電極パターン22の座標を算出する。このようにして、まず、各内部電極パターン22の相対座標が求められ、これらについて、キャリブレーションマーク29をもとにしたX線画像のずれ量の補正が加わり、さらに、前述した補正用マーク25aおよび25bをもとにした回転ずれ量の補正が加わり、最終的に、各内部電極パターン22の絶対座標が求められる。上述した図15のステップS1~S5を、表1を参照しながら、具体例に基づき説明すると、まず、マーク検出1に示すように、X線照射装置33を始動してから10秒後の第1時点T1において、キャリブレーションマーク29を検出して求められた座標C1が0.010mmであった。次に、マーク検出2に示すように、X線照射装置33を始動してから20秒後の第1時点T2において、キャリブレーションマーク29を検出して求められた座標C2が0.020mmであった。これらの測定結果を、t3=α/{C2-C1/T2-T1}...[式1]に代入すると、第1時点T1の座標C1と第2時点T2の座標C2との傾きと同じ傾きを有する直線と曲線状の検量線とが接する点C3に該当する、検量線における基準時間t3が求まる。この具体例では、検量線における基準時間t3は22秒であった。なお、αは、検量線を、An=α[log{t3Tx-T1}-logt3]...[式2]といった対数曲線で表わしたときの傾き係数であり、図14に示した検量線の場合には、検量線における傾き係数αは0.022であった。次に、内部電極パターン22の測定を、始動からの撮像時点Txに示すように310秒後に行なうとすれば、Tx=310を上記式2に代入することによって、補正値Anとして0.059mmが求まる。そして、対象座標測定値Xnが1.000mmであれば、これに補正値Anの0.059mmを加えることによって、真の対象座標として1.059mmが求まる。9上述のように、各内部電極パターン22の絶対座標が求められた後、X線照射装置33がオフされる図15...ステップS6。10画像処理演算装置35において、内部電極パターン22の相対座標X,Yから、図12に示すような仮想切断線40の位置が算出される。このとき、図13に示すように、内部電極パターン22に歪みが生じている場合、この歪み量を計算し、内部電極パターン22との間で最大間隔を確保できる仮想切断線40の位置を算出する。上述した仮想切断線40の両端が基準マーク形成予定位置となる。基準マーク形成予定位置の相対座標から、基準マーク形成予定位置の機械的な絶対座標が算出される。このとき、回転ずれ量の補正も行なわれる。また、ステージ32の移動距離も反映される。11ステージ32を動かして、図6に示したマーク形成機構36までセラミックグリーンブロック27を移動させ、図12および図13に示すように、基準マーク形成予定位置に基準マーク39を形成する図15...ステップS7。基準マーク39は、セラミックグリーンブロック27の上方主面上の外周縁に形成される。この実施形態においては、前述したように、基準マーク39は十字形状であり、レーザ照射によって形成される。なお、基準マーク39は、もともと指定した座標どおりに形成されないことがある。これは、マーク形成装置31内部において、X線照射装置33がある部位が熱膨張した場合、撮像装置34とマーク形成機構36との間の距離がわずかに変化するためである。この熱膨張によるずれを補正するためには、たとえば、マーク形成機構36において、まず基準マーク39を1つだけ形成する。しかも、その1つの基準マーク39は、本来の基準マーク39の形成予定位置とは離れた場所に形成しておく。次に、再びステージ32を撮像装置34に戻し、撮像装置34により基準マーク39を撮像して熱膨張によるずれ量を求める。次に、再びステージ32をマーク形成機構36に戻し、上記ずれ量を補正した座標に、基準マーク39を形成する。このような補正を行なうにあたって、基準マーク39は撮像装置34で撮像できる形状、すなわちX線で検出できる形状であることが好ましい。なぜなら、撮像装置34を共用することにより、マーク形成装置31の小型化およびコストダウンを図ることができるためである。たとえば、基準マーク39を彫る深さを制御することにより、X線で検出可能なレベルに調整することができる。図15に示したフロー図の変形例として、内部電極パターン測定ステップS5の一部、たとえば、33個の内部電極パターン22のうち、いくつかの内部電極パターン22についての測定ステップを、キャリブレーションマーク検出1ステップS2とキャリブレーションマーク検出2ステップS3との間の待ち時間を利用して実施するようにしてもよい。また、補正用マーク検出ステップS4についても、キャリブレーションマーク検出1ステップS2とキャリブレーションマーク検出2ステップS3との間の待ち時間を利用して実施するようにしてもよく、あるいは、キャリブレーションマーク検出1ステップS2の前に実施してもよい。以上のようにマーク形成装置31によって基準マーク39が形成された後、セラミックグリーンブロック27に対して、所定の加工、より具体的には、図6に示した切断装置37によって、切断加工が施される。すなわち、ステージ32とともに、セラミックグリーンブロック27を切断装置37に移送し、切断刃41によってセラミックグリーンブロック27を切断し、積層セラミックコンデンサ1の部品本体2となる多数のセラミックグリーンチップを得る。切断装置37では、切断用撮像装置42により基準マーク39を撮像し、その画像データを切断用画像処理演算装置43に送り、仮想切断線40の位置を算出する。ここで、解析すべき画像データの量が少ないため、処理速度が速い。その後、セラミックグリーンチップは焼成され、焼結した部品本体2が得られる。次いで、部品本体2の両端面に導電性ペーストを塗布し、焼き付けることによって、外部電極18および19が形成され、積層セラミックコンデンサ1が得られる。なお、上述した実施形態では、基準マーク形成後の加工として切断加工を例に挙げたが、位置合わせ、ビアホール形成、その他加工を行なうことも可能である。"