"A下記一般式Iで表される1種以上のオレフィン由来の繰り返し単位と、B下記一般式IIIで表される環状非共役ジエン由来の繰り返し単位と、C下記一般式Vで表される1種以上の環状オレフィン由来の繰り返し単位と、を含んでなり、繰り返し単位の合計モル数を100モルとした場合に、環状非共役ジエン由来の繰り返し単位Bが19モル~36モル含まれる、架橋性基を有する環状オレフィン共重合体。上記一般式Iにおいて、R300は水素原子または炭素原子数1~29の直鎖状または分岐状の炭化水素基を示す。上記一般式III中、uは0または1であり、vは0または正の整数であり、wは0または1であり、R61~R76ならびにRa1およびRb1は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数1~20のハロゲン化アルキル基、炭素原子数3~15のシクロアルキル基または炭素原子数6~20の芳香族炭化水素基であり、R104は水素原子または炭素原子数1~10のアルキル基であり、tは0~10の正の整数であり、R75およびR76は、互いに結合して単環または多環を形成していてもよい。一般式V中、uは0または1であり、vは0または正の整数であり、wは0または1であり、R61~R78ならびにRa1およびRb1は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数1~20のハロゲン化アルキル基、炭素原子数3~15のシクロアルキル基または炭素原子数6~20の芳香族炭化水素基であり、R75~R78は互いに結合して単環または多環を形成していてもよい。ただし、uおよびvがともに0のときは、R67~R70、R75~R78のうち少なくとも1つが水素原子以外の置換基である。前記環状非共役ジエン由来の繰り返し単位Bを構成する環状非共役ジエンが、5-ビニル-2-ノルボルネンまたは8-ビニル-9-メチルテトラシクロ4.4.0.12,5.17,10-3-ドデセンであることを特徴とする請求項1に記載の環状オレフィン共重合体。前記環状非共役ジエン由来の繰り返し単位Bを構成する環状非共役ジエンが、5-ビニル-2-ノルボルネンであることを特徴とする請求項1に記載の環状オレフィン共重合体。前記環状オレフィン由来の繰り返し単位Cを構成する環状オレフィンが、ビシクロ[2.2.1]-2-ヘプテンまたはテトラシクロ4.4.0.12,5.17,10-3-ドデセンであることを特徴とする請求項1に記載の環状オレフィン共重合体。前記環状オレフィン由来の繰り返し単位Cを構成する環状オレフィンが、テトラシクロ4.4.0.12,5.17,10-3-ドデセンである請求項1に記載の環状オレフィン共重合体。前記環状非共役ジエン由来の繰り返し単位Bを構成する環状非共役ジエンが、5-ビニル-2-ノルボルネンであり、前記環状オレフィン由来の繰り返し単位Cを構成する環状オレフィンが、テトラシクロ4.4.0.12,5.17,10-3-ドデセンである請求項1に記載の環状オレフィン共重合体。下記一般式IXで表される遷移金属化合物Kと、有機金属化合物、有機アルミニウムオキシ化合物および遷移金属化合物Kと反応してイオン対を形成する化合物m-3よりなる群から選択される少なくとも1種の化合物とからなる触媒の存在下に、下記一般式Iaで表される1種以上のオレフィンと、下記一般式IIIaで表される環状非共役ジエンと、下記一般式Vaで表される環状オレフィンと、を含むモノマーを付加重合することを特徴とする環状オレフィン共重合体の製造方法。一般式IX中、Mは3族から11族の遷移金属を表す。mは、1~4の整数を示し、R1~R6は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、ヘテロ環式化合物残基、酸素含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、イオウ含有基、リン含有基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基、またはスズ含有基を示し、これらのうちの2個以上が互いに連結して環を形成していてもよい。また、mが2以上の場合には、一つの配位子に含まれるR1~R6のうちの1個の基と、他の配位子に含まれるR1~R6のうちの1個の基とが連結されていてもよく但し、R1同士が結合されることはない、R1同士、R2同士、R3同士、R4同士、R5同士、R6同士は互いに同一でも異なっていてもよく、nは、Mの価数を満たす数であり、Xは、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、酸素含有基、イオウ含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、アルミニウム含有基、リン含有基、ハロゲン含有基、ヘテロ環式化合物残基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基、またはスズ含有基を示し、nが2以上の場合は、Xで示される複数の基は互いに同一でも異なっていてもよく、またXで示される複数の基は互いに結合して環を形成してもよい。上記一般式Iaにおいて、R300は水素原子または炭素原子数1~29の直鎖状または分岐状の炭化水素基を示す。一般式IIIa中、uは0または1であり、vは0または正の整数であり、wは0または1であり、R61~R76ならびにRa1およびRb1は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数1~20のハロゲン化アルキル基、炭素原子数3~15のシクロアルキル基または炭素原子数6~20の芳香族炭化水素基であり、R104は水素原子または炭素原子数1~10のアルキル基であり、tは0~10の正の整数であり、R75およびR76は、互いに結合して単環または多環を形成していてもよい。一般式Va中、uは0または1であり、vは0または正の整数であり、wは0または1であり、R61~R78ならびにRa1およびRb1は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数1~20のハロゲン化アルキル基、炭素原子数3~15のシクロアルキル基または炭素原子数6~20の芳香族炭化水素基であり、R75~R78は互いに結合して単環または多環を形成していてもよい。前記一般式IIIaで表される環状非共役ジエンが、5-ビニル-2-ノルボルネンであり、前記一般式Vaで表される環状オレフィンが、テトラシクロ4.4.0.12,5.17,10-3-ドデセンである請求項7に記載の環状オレフィン共重合体の製造方法。請求項1乃至6のいずれか一項に記載の環状オレフィン共重合体および有機溶媒を含有するワニス。請求項1乃至6のいずれか一項に記載の環状オレフィン共重合体を架橋して得られる架橋体。請求項1乃至6のいずれか一項に記載の環状オレフィン共重合体をラジカル重合開始剤の存在下で加熱することにより製造されることを特徴とする架橋体。前記ラジカル重合開始剤がビベンジル化合物類である請求項11に記載の架橋体。周波数1Hz、引っ張りモードで測定された固体粘弾性測定において、30°C~300°Cの温度範囲における損失正接tanδの最大値が0.6以下である請求項10に記載の架橋体。周波数1Hz、温度260°C、引っ張りモードで測定された固体粘弾性測定において、貯蔵弾性率Eが0.1GPa以上である請求項10に記載の架橋体。周波数1Hz、引っ張りモードで測定された固体粘弾性測定における、温度260°Cでの貯蔵弾性率EをAとし、温度30°Cでの貯蔵弾性率EをBとした場合において、式:A/B≧0.05を満たす請求項10に記載の架橋体。請求項10に記載の架橋体を含む成形体。フィルムまたはシートであることを特徴とする請求項16に記載の成形体。高周波回路基板であることを特徴とする請求項16に記載の成形体。液晶ディスプレイ用基板であることを特徴とする請求項16に記載の成形体。以下、本発明について具体的に説明する。[環状オレフィン共重合体P]本発明の環状オレフィン共重合体Pは、A下記一般式Iで表される1種以上のオレフィン由来の繰り返し単位と、B下記一般式IIIで表される環状非共役ジエン由来の繰り返し単位と、C下記一般式Vで表される1種以上の環状オレフィン由来の繰り返し単位と、を含んでなる。上記一般式Iにおいて、R300は水素原子または炭素原子数1~29の直鎖状または分岐状の炭化水素基を示す。上記一般式III中、uは0または1であり、vは0または正の整数であり、wは0または1であり、R61~R76ならびにRa1およびRb1は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数1~20のハロゲン化アルキル基、炭素原子数3~15のシクロアルキル基または炭素原子数6~20の芳香族炭化水素基であり、R104は水素原子または炭素原子数1~10のアルキル基であり、tは0~10の正の整数であり、R75およびR76は、互いに結合して単環または多環を形成していてもよい。上記一般式V中、uは0または1であり、vは0または正の整数であり、wは0または1であり、R61~R78ならびにRa1およびRb1は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数1~20のハロゲン化アルキル基、炭素原子数3~15のシクロアルキル基または炭素原子数6~20の芳香族炭化水素基であり、R75~R78は互いに結合して単環または多環を形成していてもよい。ただし、uおよびvがともに0のときは、R67~R70、R75~R78のうち少なくとも1つが水素原子以外の置換基である。そして、繰り返し単位の合計モル数を100モルとした場合に、環状非共役ジエン由来の繰り返し単位Bは、19モル~36モル、好ましくは20モル~33モル、さらに好ましくは25モル~30モルとなる量で含むことができる。一般式IIIで表される環状非共役ジエン由来の繰り返し単位Bがこの範囲で含まれると、環状オレフィン共重合体から得られる架橋体は、誘電特性の経時的安定性が優れるとともに耐熱性にも優れる。さらに、機械特性、誘電特性、透明性およびガスバリア性にも優れた架橋体Qを得ることができる。言い換えればこれらの物性のバランスに優れた架橋体を得ることができる。環状非共役ジエン由来の構成単位Bがこの範囲を超える場合、環状オレフィン共重合体Pの成形性や溶解性が悪化し、架橋体の誘電特性が経時的に悪化する。この範囲を下回る場合には環状オレフィン共重合体Pを架橋することによって得られる架橋体Qの耐熱性、機械的特性が低下する。環状オレフィン共重合体Pの共重合原料の一つであるオレフィンモノマーは、付加共重合して前記式Iで表される骨格を与えるモノマーであり、下記式Iaで表されるオレフィンである。式Ia中、R300は水素原子または炭素原子数1~29の直鎖状または分岐状の炭化水素基を示す。具体的には、エチレン、プロピレン、1ブテン、1ペンテン、1ヘキセン、3メチル1ブテン、3メチル1ペンテン、3エチル1ペンテン、4メチル1ペンテン、4メチル1ヘキセン、44ジメチル1ヘキセン、44ジメチル1ペンテン、4エチル1ヘキセン、3エチル1ヘキセン、1オクテン、1デセン、1ドデセン、1テトラデセン、1ヘキサデセン、1オクタデセン、1エイコセンなどが挙げられる。優れた耐熱性、機械的特性、誘電特性、透明性およびガスバリア性を有する架橋体を得る観点から、これらのなかでも、エチレンとプロピレンが好ましく、エチレンが特に好ましい。上記式Iaで表されるオレフィンモノマーは二種類以上を用いてもよい。環状オレフィン共重合体の共重合原料である環状非共役ジエン単量体は付加共重合して上記式IIIで表される構成単位を形成するものである。具体的には、上記一般式IIIに対応する下記一般式IIIaで表される環状非共役ジエンが用いられる。上記一般式IIIa中、uは0または1であり、vは0または正の整数であり、wは0または1であり、R61~R76ならびにRa1およびRb1は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数1~20のハロゲン化アルキル基、炭素原子数3~15のシクロアルキル基または炭素原子数6~20の芳香族炭化水素基であり、R104は水素原子または炭素原子数1~10のアルキル基であり、tは0~10の正の整数であり、R75およびR76は、互いに結合して単環または多環を形成していてもよい。上記一般式IIIaで表される環状非共役ジエンとしては、特に限定されるものではないが、例えば、下記化学式で表される環状非共役ジエンを挙げることができる。これらのうち5-ビニル-2-ノルボルネン、8-ビニル-9-メチルテトラシクロ4.4.0.12,5.17,10-3-ドデセンが好ましく、5-ビニル-2-ノルボルネンが特に好ましい。本発明に係る環状オレフィン共重合体Pには、一般式IIIで表される環状非共役ジエン由来の構成単位が含まれることにより、側鎖部分、すなわち共重合の主鎖以外の部分に二重結合を有することが特徴である。環状オレフィン共重合体の共重合原料である環状オレフィンモノマーは付加共重合して上記式Vで表される構成単位を形成するものである。具体的には、上記一般式Vに対応する下記一般式Vaで表される環状オレフィンモノマーが用いられる。一般式Va中、uは0または1であり、vは0または正の整数であり、wは0または1であり、R61~R78ならびにRa1およびRb1は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数1~20のハロゲン化アルキル基、炭素原子数3~15のシクロアルキル基、または炭素原子数6~20の芳香族炭化水素基であり、R75~R78は、互いに結合して単環または多環を形成していてもよい。発明に係る環状オレフィン共重合体Pの環状オレフィン一般式Vに由来する構成単位の含有量は、前記一般式Iで表される1種以上のオレフィン由来の繰り返し単位、前記一般式IIIで表される環状非共役ジエン由来の繰り返し単位の合計モルに対して、通常0.1~100mol、好ましくは0.1~50molである。共重合成分として、前述した一般式Iで表されるオレフィンモノマー、一般式Va、で表される環状オレフィンを用いることにより、本発明の効果が得られるとともに、環状オレフィン共重合体の溶媒への溶解性がより向上するため成形性が良好となり、製品の歩留まりが向上する。一般式Vaで表される環状オレフィンとして、ビシクロ2212ヘプテンノルボルネン、テトラシクロ44012517103ドデセンテトラシクロドデセンを用いることが好ましい。これらの環状オレフィンは剛直な環構造を有するため共重合体および架橋体の弾性率が保持され易く、また異種二重結合構造を含まないため架橋の制御をし易くなる利点がある。本発明に係る環状オレフィン共重合体Pは、上述したオレフィンモノマー、環状非共役ジエンモノマー、上記式Vaで表される環状オレフィンモノマーに加えて、環状非共役ジエンおよび上記式Va以外の環状オレフィンモノマー、および/または鎖状ポリエンモノマーを共重合することができる。本発明の環状オレフィン共重合体Pは、Aオレフィン由来の繰り返し単位、B上記式IIIで表される環状非共役ジエン由来の繰り返し単位およびC上記式Vで表される1種以上の環状オレフィン由来の繰り返し単位に加えて、環状非共役ジエンおよび上記式V以外の環状オレフィン、および/または鎖状ポリエン由来の繰り返し単位とから構成されていてもよい。環状オレフィン共重合体Pの共重合原料としては、前述したオレフィン、環状非共役ジエン、上記式Vaで表される環状オレフィンモノマーに加えて、環状非共役ジエンおよび上記式Va以外の環状オレフィンおよび鎖状ポリエンを用いることができる。このような環状オレフィンおよび鎖状ポリエンとしては下記一般式VIa、VIIaで表される環状非共役ジエン以外の環状オレフィン、または下記一般式VIIIaで表される鎖状ポリエンである。これらの環状オレフィンや鎖状ポリエンは異なる二種以上を用いてもよい。一般式VIa中、xおよびdは0または1以上の整数であり、yおよびzは0、1または2であり、R81~R99は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1~20のアルキル基もしくは炭素原子数3~15のシクロアルキル基である脂肪族炭化水素基、炭素原子数6~20の芳香族炭化水素基またはアルコキシ基であり、R89およびR90が結合している炭素原子と、R93が結合している炭素原子またはR91が結合している炭素原子とは、直接あるいは炭素原子数1~3のアルキレン基を介して結合していてもよく、またy=z=0のとき、R95とR92またはR95とR99とは互いに結合して単環または多環の芳香族環を形成していてもよい。一般式VIIa中、R100、R101は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子または炭素原子数1~5の炭化水素基を示し、fは1≦f≦18である。一般式VIIIa中、R201からR206は互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、または炭素原子数1~20の炭化水素基であり、Pは炭素原子数1~20の直鎖または分岐状の炭化水素基で、二重結合およびまたは三重結合を含んでいてもよい。前記一般式Va、一般式VIaおよび一般式VIIaで表される環状オレフィンの具体例については国際公開第2006/118261号パンフレットに記載の化合物を用いることができる。具体的には、ビシクロ2ヘプテン誘導体ビシクロヘプト2エン誘導体、トリシクロ3デセン誘導体、トリシクロ3ウンデセン誘導体、テトラシクロ3ドデセン誘導体、ペンタシクロ4ペンタデセン誘導体、ペンタシクロペンタデカジエン誘導体、ペンタシクロ3ペンタデセン誘導体、ペンタシクロ4ヘキサデセン誘導体、ペンタシクロ3ヘキサデセン誘導体、ヘキサシクロ4ヘプタデセン誘導体、ヘプタシクロ5エイコセン誘導体、ヘプタシクロ4エイコセン誘導体、ヘプタシクロ5ヘンエイコセン誘導体、オクタシクロ5ドコセン誘導体、ノナシクロ5ペンタコセン誘導体、ノナシクロ6ヘキサコセン誘導体、シクロペンタジエンアセナフチレン付加物、14メタノ144a9aテトラヒドロフルオレン誘導体、14メタノ144a51010aヘキサヒドロアントラセン誘導体、炭素数3~20のシクロアルキレン誘導体などを用いることができる。一般式VIIIaで表される直鎖状ポリエンとして、具体的には、1,4-ヘキサジエン、3-メチル-1,4-ヘキサジエン、4-メチル-1,4-ヘキサジエン、5-メチル-1,4-ヘキサジエン、4,5-ジメチル-1,4-ヘキサジエン、7-メチル-1,6-オクタジエン、DMDT、1,3-ブタジエン,1,5-ヘキサジエンなどが挙げられる。また1,3-ブタジエン、1,5-ヘキサジエンなどのポリエンから環化した環化性のポリエンを用いても良い。発明に係る環状オレフィン共重合体Pが、前記一般式VIIIaで表される直鎖状ポリエン由来の構成単位、あるいは環状非共役ジエン以外の環状オレフィン一般式VIa、一般式VIIaに由来する構成単位を含む場合は、該構成単位の含有量は、前記一般式Iで表される1種以上のオレフィン由来の繰り返し単位、前記一般式IIIで表される環状非共役ジエン由来の繰り返し単位、前記一般式Vで表される1種以上の環状オレフィン由来の繰り返し単位の合計モルに対して、通常0.1~100mol、好ましくは0.1~50molである。共重合成分として、前述した一般式Iで表されるオレフィンモノマー、一般式VIa、VIIaで表される環状オレフィンおよび一般式VIIIaで表される直鎖状ポリエンを用いることにより、本発明の効果が得られるとともに、環状オレフィン共重合体の溶媒への溶解性がより向上するため成形性が良好となり、製品の歩留まりが向上する。これらのうちでも一般式VIa、VIIaで表される環状オレフィンが好ましい。これらの環状オレフィンは剛直な環構造を有するため共重合体および架橋体の弾性率が保持され易く、また異種二重結合構造を含まないため架橋の制御をし易くなる利点がある。本発明に係る環状オレフィン共重合体Pは目的とする用途に応じて、モノマーの仕込み比により、そのコモノマー含有量、およびガラス転位点Tgをコントロールできる。環状オレフィン共重合体PのTgは、通常300°C以下、好ましくは250°C以下、さらに好ましくは200°C以下、とりわけ好ましくは170°C以下である。Tgがこの範囲を超えると、環状オレフィン共重合体Pの溶融成形が困難となる。本発明に係る環状オレフィン共重合体Pの、135°C中デカリン中で測定した極限粘度ηは、通常0.2~15dlg、好ましくは0.5~5dlg、より好ましくは0.5~3dlgの範囲である。この範囲より極限粘度ηが高い場合、成形性が悪くなり、また、この範囲より極限粘度ηが低い場合、環状オレフィン共重合体Pを架橋することによって得られる架橋体Qの耐熱性や機械的特性が低下する。なお、環状オレフィン共重合体Pの極限粘度ηは、重合触媒、助触媒、H2添加量、重合温度などの重合条件により制御することが可能である。[環状オレフィン共重合体Pの製造方法]本発明の環状オレフィン共重合体Pを製造するためには、以下のような共重合触媒を用いることができる。共重合触媒本発明に係る環状オレフィン共重合体Pを製造する際に用いることのできる、好適な共重合触媒としては、K下記一般式IXで表される遷移金属化合物と、M有機金属化合物、m-2有機アルミニウムオキシ化合物、m-3遷移金属化合物Kと反応してイオン対を形成する化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物と、からなる触媒を挙げることができる。一般式IX中、Mは3族から11族の遷移金属を表す。mは、1~4の整数を示し、R1~R6は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、ヘテロ環式化合物残基、酸素含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、イオウ含有基、リン含有基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基、またはスズ含有基を示し、これらのうちの2個以上が互いに連結して環を形成していてもよい。また、mが2以上の場合には、一つの配位子に含まれるR1~R6のうちの1個の基と、他の配位子に含まれるR1~R6のうちの1個の基とが連結されていてもよく但し、R1同士が結合されることはない、R1同士、R2同士、R3同士、R4同士、R5同士、R6同士は互いに同一でも異なっていてもよく、nは、Mの価数を満たす数であり、Xは、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、酸素含有基、イオウ含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、アルミニウム含有基、リン含有基、ハロゲン含有基、ヘテロ環式化合物残基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基、またはスズ含有基を示し、nが2以上の場合は、Xで示される複数の基は互いに同一でも異なっていてもよく、またXで示される複数の基は互いに結合して環を形成してもよい。K遷移金属化合物本発明に係る共重合体を製造する際に好適に用いられる共重合触媒を構成するK遷移金属化合物は、上記式IXで表される化合物である。上記式IX中、Mは周期律表第3から11族の遷移金属原子3族にはランタノイドも含まれるを示し、好ましくは3から6族の金属原子であり、より好ましくは4族または5族の金属原子である。具体的には、スカンジウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、コバルト、鉄、ルテニウムなどが挙げられるが、好ましくはチタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウムであり、特に好ましくは、チタンである。mは1から4の整数を示すが、好ましくは1または2、さらに好ましくは2である。上記炭化水素基は、水素原子がハロゲンで置換されていてもよく、たとえば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロフェニル基、クロロフェニル基などの炭素原子数1~30、好ましくは1~20のハロゲン化炭化水素基が挙げられる。また、上記炭化水素基は、他の炭化水素基で置換されていてもよく、たとえば、ベンジル基、クミル基などのアリール基置換アルキル基などが挙げられる。さらにまた、上記炭化水素基は、ヘテロ環式化合物残基;アルコシキ基、アリーロキシ基、エステル基、エーテル基、アシル基、カルボキシル基、カルボナート基、ヒドロキシ基、ペルオキシ基、カルボン酸無水物基などの酸素含有基;アミノ基、イミノ基、アミド基、イミド基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、ニトロ基、ニトロソ基、シアノ基、イソシアノ基、シアン酸エステル基、アミジノ基、ジアゾ基、アミノ基がアンモニウム塩となったものなどの窒素含有基;ボランジイル基、ボラントリイル基、ジボラニル基などのホウ素含有基;メルカプト基、チオエステル基、ジチオエステル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、チオアシル基、チオエーテル基、チオシアン酸エステル基、イソチアン酸エステル基、スルホンエステル基、スルホンアミド基、チオカルボキシル基、ジチオカルボキシル基、スルホ基、スルホニル基、スルフィニル基、スルフェニル基などのイオウ含有基;ホスフィド基、ホスホリル基、チオホスホリル基、ホスファト基などのリン含有基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基、またはスズ含有基を有していてもよい。これらのうち、特に、メチル基、エチル基、nプロピル基、イソプロピル基、nブチル基、イソブチル基、secブチル基、tブチル基、ネオペンチル基、nヘキシル基などの炭素原子数1~30、好ましくは1~20の直鎖状または分岐状のアルキル基;フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フェナントリル基、アントラセニル基などの炭素原子数6~30、好ましくは6~20のアリール基;これらのアリール基にハロゲン原子、炭素原子数1~30、好ましくは1~20のアルキル基またはアルコキシ基、炭素原子数6~30、好ましくは6~20のアリール基またはアリーロキシ基などの置換基が1~5個置換した置換アリール基などが好ましい。酸素含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、イオウ含有基、リン含有基としては、上記例示したものと同様のものが挙げられる。ヘテロ環式化合物残基としては、ピロール、ピリジン、ピリミジン、キノリン、トリアジンなどの含窒素化合物、フラン、ピランなどの含酸素化合物、チオフェンなどの含硫黄化合物などの残基、およびこれらのヘテロ環式化合物残基に炭素原子数が1~30、好ましくは1~20のアルキル基、アルコキシ基などの置換基がさらに置換した基などが挙げられる。ケイ素含有基としては、シリル基、シロキシ基、炭化水素置換シリル基、炭化水素置換シロキシ基など、具体的には、メチルシリル基、ジメチルシリル基、トリメチルシリル基、エチルシリル基、ジエチルシリル基、トリエチルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、トリフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、ジメチルtブチルシリル基、ジメチルペンタフルオロフェニルシリル基などが挙げられる。これらの中では、メチルシリル基、ジメチルシリル基、トリメチルシリル基、エチルシリル基、ジエチルシリル基、トリエチルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、トリフェニルシリル基などが好ましい。特にトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基が好ましい。炭化水素置換シロキシ基として具体的には、トリメチルシロキシ基などが挙げられる。ゲルマニウム含有基およびスズ含有基としては、前記ケイ素含有基のケイ素をゲルマニウムおよびスズに置換したものが挙げられる。次に上記で説明したR1~R5の例について、より具体的に説明する。アルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、nプロポキシ基、イソプロポキシ基、nブトキシ基、イソブトキシ基、tブトキシ基などが挙げられる。アルキルチオ基として具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。アリーロキシ基として具体的には、フェノキシ基、26ジメチルフェノキシ基、246トリメチルフェノキシ基などが挙げられる。アリールチオ基として具体的には、フェニルチオ基、メチルフェニルチオ基、ナフチルチオ基などが挙げられる。アシル基として具体的には、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基、pクロロベンゾイル基、pメトキシベンゾイル基などが挙げられる。エステル基として具体的には、アセチルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、メトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、pクロロフェノキシカルボニル基などが挙げられる。チオエステル基として具体的には、アセチルチオ基、ベンゾイルチオ基、メチルチオカルボニル基、フェニルチオカルボニル基などが挙げられる。アミド基として具体的には、アセトアミド基、Nメチルアセトアミド基、Nメチルベンズアミド基などが挙げられる。イミド基として具体的には、アセトイミド基、ベンズイミド基などが挙げられる。アミノ基として具体的には、ジメチルアミノ基、エチルメチルアミノ基、ジフェニルアミノ基などが挙げられる。イミノ基として具体的には、メチルイミノ基、エチルイミノ基、プロピルイミノ基、ブチルイミノ基、フェニルイミノ基などが挙げられる。スルホンエステル基として具体的には、スルホン酸メチル基、スルホン酸エチル基、スルホン酸フェニル基などが挙げられる。スルホンアミド基として具体的には、フェニルスルホンアミド基、Nメチルスルホンアミド基、Nメチルpトルエンスルホンアミド基などが挙げられる。R1~R5は、これらのうちの2個以上の基、好ましくは隣接する基が互いに連結して脂肪環、芳香環または、窒素原子などの異原子を含む炭化水素環を形成していてもよく、これらの環はさらに置換基を有していてもよい。またR6はフェニル基に直接結合した炭素が1級2級および3級炭素である脂肪族炭化水素基、脂環族炭化水素基および芳香族基であり、R6として好ましい脂肪族炭化水素基としては、メチル、エチル、nプロピル、イソプロピル、nブチル、イソブチル、secブチル、ネオペンチル、nヘキシルなどの炭素原子数が1~30、好ましくは1~20の直鎖状または分岐状2級のアルキル基;脂環族炭化水素基としてはシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、2メチルシクロヘキシル、3メチルシクロヘキシル、4メチルシクロヘキシル、4tertブチルシクロヘキシル、26ジメチルシクロヘキシル、246トリメチルシクロヘキシル、35ジメチルシクロヘキシル、23456ペンタメチルシクロヘキシル、22ジメチルシクロヘキシル、2266テトラメチルシクロヘキシル、35ジtertブチルシクロヘキシル、シクロへプチル、シクロオクチル、シクロドデシルなどの炭素原子数が3~30、好ましくは3~20の環状飽和炭化水素基;芳香族基としてはフェニル、ベンジル、ナフチル、ビフェニリル、トリフェニリルなどの炭素原子数が6~30、好ましくは6~20のアリール基;および、これらの基に炭素原子数が1~30、好ましくは1~20のアルキル基または炭素原子数が6~30、好ましくは6~20のアリール基などの置換基がさらに置換した基などが好ましく挙げられる。本発明では、R6としては特に、メチル、エチル、イソプロピル、イソブチル、secブチル、ネオペンチルなどの炭素原子数が1~30、好ましくは1~20の直鎖状または分岐状2級のアルキル基、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへプチル、シクロオクチル、シクロドデシルなどの炭素原子数が3~30、好ましくは3~20の環状飽和炭化水素基から選ばれる基であることが好ましく、あるいはフェニル、ナフチル、フルオレニル、アントラニル、フェナントリルなどの炭素原子数6~30、好ましくは6~20のアリール基であることも好ましい。また、mが2以上の場合には、一つの配位子に含まれるR1~R6のうちの1個の基と、他の配位子に含まれるR1~R6のうちの1個の基とが連結されていてもよい但し、R1同士が結合されることはない。さらに、mが2以上の場合にはR1同士、R2同士、R3同士、R4同士、R5同士、R6同士は、互いに同一でも異なっていてもよい。nは、Mの価数を満たす数であり、具体的には0~5、好ましくは1~4、より好ましくは1~3の整数である。Xは、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、酸素含有基、イオウ含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、アルミニウム含有基、リン含有基、ハロゲン含有基、ヘテロ環式化合物残基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基、またはスズ含有基を示す。なお、nが2以上の場合には、互いに同一であっても、異なっていてもよい。ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。炭化水素基としては、前記R1~R5で例示したものと同様のものが挙げられる。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、ドデシル基、アイコシル基などのアルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基などの炭素原子数が3~30のシクロアルキル基;ビニル基、プロペニル基、シクロヘキセニル基などのアルケニル基;ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基などのアリールアルキル基;フェニル基、トリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、メチルナフチル基、アントリル基、フェナントリル基などのアリール基などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらの炭化水素基には、ハロゲン化炭化水素、具体的には炭素原子数1~20の炭化水素基の少なくとも一つの水素がハロゲンに置換した基も含まれる。これらのうちでは、炭素原子数が1~20のものが好ましい。ヘテロ環式化合物残基としては、前記R1~R5で例示したものと同様のものが挙げられる。酸素含有基としては、前記R1~R5で例示したものと同様のものが挙げられ、具体的には、ヒドロキシ基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコシキ基;フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、ナフトキシ基などのアリーロキシ基;フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基などのアリールアルコキシ基;アセトキシ基;カルボニル基などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。イオウ含有基としては、前記R1~R5で例示したものと同様のものが挙げられ、具体的には、メチルスルフォネート基、トリフルオロメタンスルフォネート基、フェニルスルフォネート基、ベンジルスルフォネート基、pトルエンスルフォネート基、トリメチルベンゼンスルフォネート基、トリイソブチルベンゼンスルフォネート基、pクロルベンゼンスルフォネート基、ペンタフルオロベンゼンスルフォネート基などのスルフォネート基;メチルスルフィネート基、フェニルスルフィネート基、ベンジルスルフィネート基、pトルエンスルフィネート基、トリメチルベンゼンスルフィネート基、ペンタフルオロベンゼンスルフィネート基などのスルフィネート基;アルキルチオ基;アリールチオ基などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。窒素含有基として具体的には、前記R1~R5で例示したものと同様のものが挙げられ、具体的には、アミノ基;メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基などのアルキルアミノ基;フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジナフチルアミノ基、メチルフェニルアミノ基などのアリールアミノ基またはアルキルアリールアミノ基などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。ホウ素含有基として具体的には、BR4Rは水素、アルキル基、置換基を有してもよいアリール基、ハロゲン原子などを示すが挙げられる。リン含有基として具体的には、トリメチルホスフィン基、トリブチルホスフィン基、トリシクロヘキシルホスフィン基などのトリアルキルホスフィン基;トリフェニルホスフィン基、トリトリルホスフィン基などのトリアリールホスフィン基;メチルホスファイト基、エチルホスファイト基、フェニルホスファイト基などのホスファイト基ホスフィド基;ホスホン酸基;ホスフィン酸基などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。ケイ素含有基として具体的には、前記R1~R6で例示したものと同様のものが挙げられ、具体的には、フェニルシリル基、ジフェニルシリル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリシクロヘキシルシリル基、トリフェニルシリル基、メチルジフェニルシリル基、トリトリルシリル基、トリナフチルシリル基などの炭化水素置換シリル基;トリメチルシリルエーテル基などの炭化水素置換シリルエーテル基;トリメチルシリルメチル基などのケイ素置換アルキル基;トリメチルシリルフェニル基などのケイ素置換アリール基などが挙げられる。ゲルマニウム含有基として具体的には、前記R1~R6で例示したものと同様のものが挙げられ、具体的には、前記ケイ素含有基のケイ素をゲルマニウムに置換した基が挙げられる。スズ含有基として具体的には、前記R1~R5で例示したものと同様のものが挙げられ、より具体的には、前記ケイ素含有基のケイ素をスズに置換した基が挙げられる。ハロゲン含有基として具体的には、PF6、BF4などのフッ素含有基、ClO4、SbCl6などの塩素含有基、IO4などのヨウ素含有基が挙げられるが、これらに限定されるものではない。アルミニウム含有基として具体的には、AlR4Rは水素、アルキル基、置換基を有してもよいアリール基、ハロゲン原子などを示すが挙げられるが、これらに限定されるものではない。なお、nが2以上の場合は、Xで示される複数の基は互いに同一でも異なっていてもよく、またXで示される複数の基は互いに結合して環を形成してもよい。本発明では、このようなK遷移金属化合物として、上記式IXで表される遷移金属化合物のうち、下記一般式Xで表される遷移金属化合物を用いると、さらに望ましい特性を有する共重合体を製造することが可能となるため好ましい。一般式X中、mは、1~4の整数を示し、R1~R5は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、ヘテロ環式化合物残基、酸素含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、イオウ含有基、リン含有基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基、またはスズ含有基を示し、R6は、フェニル基に結合した炭素が1級、2級、または3級炭素である脂肪族炭化水素基、フェニル基に結合した炭素が1級、2級、または3級炭素である脂環族炭化水素基および芳香族基から選ばれ、これらのうちの2個以上が互いに連結して環を形成していてもよい。また、mが2以上の場合には、一つの配位子に含まれるR1~R6のうちの1個の基と、他の配位子に含まれるR1~R6のうちの1個の基とが連結されていてもよく但し、R1同士が結合されることはない、R1同士、R2同士、R3同士、R4同士、R5同士、R6同士は互いに同一でも異なっていてもよく、nは、Tiの価数を満たす数であり、Xは、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、酸素含有基、イオウ含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、アルミニウム含有基、リン含有基、ハロゲン含有基、ヘテロ環式化合物残基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基、またはスズ含有基を示し、nが2以上の場合は、Xで示される複数の基は互いに同一でも異なっていてもよく、またXで示される複数の基は互いに結合して環を形成してもよい。以下に、本発明で共重合触媒の成分として好適に用いられるK遷移金属化合物の具体的な例を示すが、これらに限定されるものではない。なお、上記例示中、Meはメチル基を、Etはエチル基を、nPrはノルマルプロピル基を、iPrはイソプロピル基を、nBuはノルマルブチル基を、iBuはイソブチル基を、tBuはターシャリーブチル基を、Phはフェニル基を示す。このような遷移金属化合物Kの製造方法は、特に限定されることなく、たとえば以下のようにして製造することができる。まず、遷移金属化合物Kを構成する配位子は、サリチルアルデヒド類化合物を、式R1NH2第1級アミン類化合物R1は前記と同義である。、例えばアルキルアミン類化合物と反応させることにより得られる。具体的には、両方の出発化合物を溶媒に溶解する。溶媒としては、このような反応に一般的なものを使用できるが、なかでもメタノール、エタノールなどのアルコール溶媒、またはトルエンなどの炭化水素溶媒が好ましい。次いで、室温から還流条件で、約1~48時間攪拌すると、対応する配位子が良好な収率で得られる。配位子化合物を合成する際、触媒として、蟻酸、酢酸、パラトルエンスルホン酸などの酸触媒を用いてもよい。また、脱水剤として、モレキュラーシーブス、無水硫酸マグネシウムまたは無水硫酸ナトリウムを用いたり、ディーンスタークにより脱水しながら行うと、反応進行に効果的である。次に、こうして得られた配位子を遷移金属M含有化合物と反応させることで、対応する遷移金属化合物を合成することができる。具体的には、合成した配位子を溶媒に溶解し、必要に応じて塩基と接触させてフェノキサイド塩を調製した後、金属ハロゲン化物、金属アルキル化物などの金属化合物と低温で混合し、78°Cから室温、もしくは還流条件下で、約1~48時間攪拌する。溶媒としては、このような反応に一般的なものを使用できるが、なかでもエーテル、テトラヒドロフランTHFなどの極性溶媒、トルエンなどの炭化水素溶媒などが好ましく使用される。また、フェノキサイド塩を調製する際に使用する塩基としては、nブチルリチウムなどのリチウム塩、水素化ナトリウムなどのナトリウム塩などの金属塩や、トリエチルアミン、ピリジンなどを例示することができるが、この限りではない。また、化合物の性質によっては、フェノキサイド塩調製を経由せず、配位子と金属化合物とを直接反応させることで、対応する遷移金属化合物を合成することもできる。さらに、合成した遷移金属化合物中の金属Mを、常法により別の遷移金属と交換することも可能である。また、例えばR1~R6の一つ以上が水素である場合には、合成の任意の段階において、水素以外の置換基を導入することができる。また、遷移金属化合物を単離せず、配位子と金属化合物との反応溶液をそのまま重合に用いることもできる。触媒成分M上述したK遷移金属化合物とともに好適に用いられる触媒成分Mは、有機金属化合物、有機アルミニウムオキシ化合物、遷移金属化合物Kと反応してイオン対を形成する化合物よりなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物である。有機金属化合物本発明で好適に用いられる有機金属化合物としては、具体的には下記のような周期表第1、2族および第12、13族の有機金属化合物が用いられる。一般式RamAlnHpXq一般式中、RaおよびRbは、互いに同一でも異なっていてもよく、炭素原子数が1~15、好ましくは1~4の炭化水素基を示し、Xはハロゲン原子を示し、mは0<m≦3、nは0≦n<3、pは0≦p<3、qは0≦q<3の数であり、かつmnpq=3である。で表される有機アルミニウム化合物。一般式M2AlRa4一般式中、M2はLi、NaまたはKを示し、Raは炭素原子数が1~15、好ましくは1~4の炭化水素基を示す。で表される周期表第1族金属とアルミニウムとの錯アルキル化物。一般式RaRbM3一般式中、RaおよびRbは、互いに同一でも異なっていてもよく、炭素原子数が1~15、好ましくは1~4の炭化水素基を示し、M3はMg、ZnまたはCdである。で表される周期表第2族または第12族金属のジアルキル化合物。前記に属する有機アルミニウム化合物としては、次のような化合物などを例示できる。一般式RamAl3m一般式中、RaおよびRbは、互いに同一でも異なっていてもよく、炭素原子数が1~15、好ましくは1~4の炭化水素基を示し、mは好ましくは1.5≦m≦3の数である。で表される有機アルミニウム化合物、一般式RamAlX3m一般式中、Raは炭素原子数が1~15、好ましくは1~4の炭化水素基を示し、Xはハロゲン原子を示し、mは好ましくは0<m<3である。で表される有機アルミニウム化合物、一般式RamAlH3m一般式中、Raは炭素原子数が1~15、好ましくは1~4の炭化水素基を示し、mは好ましくは2≦m<3である。で表される有機アルミニウム化合物、一般式RamAlORbnXq一般式中、RaおよびRbは、互いに同一でも異なっていてもよく、炭素原子数が1~15、好ましくは1~4の炭化水素基を示し、Xはハロゲン原子を示し、mは0<m≦3、nは0≦n<3、qは0≦q<3の数であり、かつmnq=3である。で表される有機アルミニウム化合物。に属する有機アルミニウム化合物としてより具体的には、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリnブチルアルミニウム、トリプロピルアルミニウム、トリペンチルアルミニウム、トリヘキシルアルミニウム、トリオクチルアルミニウム、トリデシルアルミニウムなどのトリnアルキルアルミニウム;トリイソプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリsecブチルアルミニウム、トリtertブチルアルミニウム、トリ2メチルブチルアルミニウム、トリ3メチルブチルアルミニウム、トリ2メチルペンチルアルミニウム、トリ3メチルペンチルアルミニウム、トリ4メチルペンチルアルミニウム、トリ2メチルヘキシルアルミニウム、トリ3メチルヘキシルアルミニウム、トリ2エチルヘキシルアルミニウムなどのトリ分岐鎖アルキルアルミニウム;トリシクロヘキシルアルミニウム、トリシクロオクチルアルミニウムなどのトリシクロアルキルアルミニウム;トリフェニルアルミニウム、トリトリルアルミニウムなどのトリアリールアルミニウム;ジイソブチルアルミニウムハイドライドなどのジアルキルアルミニウムハイドライド;xAlyz式中、x、y、zは正の数であり、z≧2xである。などで表されるトリイソプレニルアルミニウムなどのトリアルケニルアルミニウム;イソブチルアルミニウムメトキシド、イソブチルアルミニウムエトキシド、イソブチルアルミニウムイソプロポキシドなどのアルキルアルミニウムアルコキシド;ジメチルアルミニウムメトキシド、ジエチルアルミニウムエトキシド、ジブチルアルミニウムブトキシドなどのジアルキルアルミニウムアルコキシド;エチルアルミニウムセスキエトキシド、ブチルアルミニウムセスキブトキシドなどのアルキルアルミニウムセスキアルコキシド;Ra25Al05などで表される平均組成を有する部分的にアルコキシ化されたアルキルアルミニウム;ジエチルアルミニウムフェノキシド、ジエチルアルミニウム26ジtブチル4メチルフェノキシド、エチルアルミニウムビス26ジtブチル4メチルフェノキシド、ジイソブチルアルミニウム26ジtブチル4メチルフェノキシド、イソブチルアルミニウムビス26ジtブチル4メチルフェノキシドなどのジアルキルアルミニウムアリーロキシド;ジメチルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウムクロリド、ジブチルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウムブロミド、ジイソブチルアルミニウムクロリドなどのジアルキルアルミニウムハライド;エチルアルミニウムセスキクロリド、ブチルアルミニウムセスキクロリド、エチルアルミニウムセスキブロミドなどのアルキルアルミニウムセスキハライド;エチルアルミニウムジクロリド、プロピルアルミニウムジクロリド、ブチルアルミニウムジブロミドなどのアルキルアルミニウムジハライドなどの部分的にハロゲン化されたアルキルアルミニウム;ジエチルアルミニウムヒドリド、ジブチルアルミニウムヒドリドなどのジアルキルアルミニウムヒドリド;エチルアルミニウムジヒドリド、プロピルアルミニウムジヒドリドなどのアルキルアルミニウムジヒドリドなどその他の部分的に水素化されたアルキルアルミニウム;エチルアルミニウムエトキシクロリド、ブチルアルミニウムブトキシクロリド、エチルアルミニウムエトキシブロミドなどの部分的にアルコキシ化およびハロゲン化されたアルキルアルミニウムなどを挙げることができる。またに類似する化合物も使用することができ、たとえば窒素原子を介して2以上のアルミニウム化合物が結合した有機アルミニウム化合物を挙げることができる。このような化合物として具体的には、2AlNAl2などを挙げることができる。前記に属する化合物としては、LiAl4、LiAl4などを挙げることができる。またその他にも、有機金属化合物としては、メチルリチウム、エチルリチウム、プロピルリチウム、ブチルリチウム、メチルマグネシウムブロミド、メチルマグネシウムクロリド、エチルマグネシウムブロミド、エチルマグネシウムクロリド、プロピルマグネシウムブロミド、プロピルマグネシウムクロリド、ブチルマグネシウムブロミド、ブチルマグネシウムクロリド、ジメチルマグネシウム、ジエチルマグネシウム、ジブチルマグネシウム、ブチルエチルマグネシウムなどを使用することもできる。また重合系内で上記有機アルミニウム化合物が形成されるような化合物、たとえばハロゲン化アルミニウムとアルキルリチウムとの組合せ、またはハロゲン化アルミニウムとアルキルマグネシウムとの組合せなどを使用することもできる。このような有機金属化合物のなかでは、有機アルミニウム化合物が好ましい。上記のような有機金属化合物は、1種単独でまたは2種以上組み合わせて用いられる。有機アルミニウムオキシ化合物本発明で用いられる有機アルミニウムオキシ化合物は、従来公知のアルミノキサンであってもよく、また特開平278687号公報に例示されているようなベンゼン不溶性の有機アルミニウムオキシ化合物であってもよい。従来公知のアルミノキサンは、たとえば下記1~3のような方法によって製造することができ、通常、炭化水素溶媒の溶液として得られる。1吸着水を含有する化合物または結晶水を含有する塩類、たとえば塩化マグネシウム水和物、硫酸銅水和物、硫酸アルミニウム水和物、硫酸ニッケル水和物、塩化第1セリウム水和物などの炭化水素媒体懸濁液に、トリアルキルアルミニウムなどの有機アルミニウム化合物を添加して、吸着水または結晶水と有機アルミニウム化合物とを反応させる方法。2ベンゼン、トルエン、エチルエーテル、テトラヒドロフランなどの媒体中で、トリアルキルアルミニウムなどの有機アルミニウム化合物に直接水、氷または水蒸気を作用させる方法。3デカン、ベンゼン、トルエンなどの媒体中でトリアルキルアルミニウムなどの有機アルミニウム化合物に、ジメチルスズオキシド、ジブチルスズオキシドなどの有機スズ酸化物を反応させる方法。なお該アルミノキサンは、少量の有機金属成分を含有してもよい。また回収された上記のアルミノキサンの溶液から溶媒または未反応有機アルミニウム化合物を蒸留して除去した後、溶媒に再溶解またはアルミノキサンの貧溶媒に懸濁させてもよい。アルミノキサンを調製する際に用いられる有機アルミニウム化合物として具体的には、前記m-1aに属する有機アルミニウム化合物として例示したものと同様の有機アルミニウム化合物を挙げることができる。これらのうち、トリアルキルアルミニウム、トリシクロアルキルアルミニウムが好ましく、トリメチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウムが特に好ましい。上記のような有機アルミニウム化合物は、1種単独でまたは2種以上組み合せて用いられる。アルミノキサンの調製に用いられる溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クメン、シメンなどの芳香族炭化水素、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、ヘキサデカン、オクタデカンなどの脂肪族炭化水素、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロオクタン、メチルシクロペンタンなどの脂環族炭化水素、ガソリン、灯油、軽油などの石油留分または上記芳香族炭化水素、脂肪族炭化水素、脂環族炭化水素のハロゲン化物、とりわけ、塩素化物、臭素化物などの炭化水素溶媒が挙げられる。さらにエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類を用いることもできる。これらの溶媒のうち特に芳香族炭化水素または脂肪族炭化水素が好ましい。また本発明で用いられるベンゼン不溶性の有機アルミニウムオキシ化合物は、60°Cのベンゼンに溶解するAl成分がAl原子換算で通常10以下、好ましくは5以下、特に好ましくは2以下であるもの、すなわち、ベンゼンに対して不溶性または難溶性であるものが好ましい。本発明で用いられる有機アルミニウムオキシ化合物としては、下記一般式で表されるボロンを含んだ有機アルミニウムオキシ化合物を挙げることもできる。上記式で表されるボロン化合物中、R7は炭素原子数が1~10の炭化水素基を示す。R8は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数が1~10の炭化水素基を示す。前記式で表されるボロンを含んだ有機アルミニウムオキシ化合物は、下記一般式で表されるアルキルボロン酸と、R7B2一般式中、R7は前記と同じ基を示す。有機アルミニウム化合物とを、不活性ガス雰囲気下に不活性溶媒中で、-80°C~室温の温度で1分~24時間反応させることにより製造できる。前記一般式で表されるアルキルボロン酸の具体的なものとしては、メチルボロン酸、エチルボロン酸、イソプロピルボロン酸、nプロピルボロン酸、nブチルボロン酸、イソブチルボロン酸、nヘキシルボロン酸、シクロヘキシルボロン酸、フェニルボロン酸、35ジフルオロボロン酸、ペンタフルオロフェニルボロン酸、35ビストリフルオロメチルフェニルボロン酸などが挙げられる。これらの中では、メチルボロン酸、nブチルボロン酸、イソブチルボロン酸、35ジフルオロフェニルボロン酸、ペンタフルオロフェニルボロン酸が好ましい。これらは1種単独でまたは2種以上組み合わせて用いられる。このようなアルキルボロン酸と反応させる有機アルミニウム化合物として具体的には、前記に属する有機アルミニウム化合物として例示したものと同様の有機アルミニウム化合物を挙げることができる。これらのうち、トリアルキルアルミニウム、トリシクロアルキルアルミニウムが好ましく、特にトリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウムが好ましい。これらは1種単独でまたは2種以上組み合わせて用いられる。上記のようなm-2有機アルミニウムオキシ化合物は、1種単独でまたは2種以上組み合わせて用いることができる。遷移金属化合物Kと反応してイオン対を形成する化合物本発明で用いられる遷移金属化合物Aと反応してイオン対を形成する化合物m-3以下、イオン化イオン性化合物という。としては、特開平1501950号公報、特開平1502036号公報、特開平3179005号公報、特開平3179006号公報、特開平3207703号公報、特開平3207704号公報、USP5321106号などに記載されたルイス酸、イオン性化合物、ボラン化合物およびカルボラン化合物などを挙げることができる。さらに、ヘテロポリ化合物およびイソポリ化合物も挙げることができる。具体的には、ルイス酸としては、BR3Rは、フッ素、メチル基、トリフルオロメチル基などの置換基を有していてもよいフェニル基またはフッ素である。で示される化合物が挙げられ、たとえばトリフルオロボロン、トリフェニルボロン、トリス4フルオロフェニルボロン、トリス35ジフルオロフェニルボロン、トリス4フルオロメチルフェニルボロン、トリスペンタフルオロフェニルボロン、トリスpトリルボロン、トリスoトリルボロン、トリス35ジメチルフェニルボロンなどが挙げられる。イオン性化合物としては、たとえば下記一般式XIで表される化合物が挙げられる。式XI中において、R9はHまたはカチオンであり、R10~R13は、互いに同一でも異なっていてもよく、有機基、好ましくはアリール基または置換アリール基である。カチオンとしては、カルボニウムカチオン、オキソニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、シクロヘプチルトリエニルカチオン、遷移金属を有するフェロセニウムカチオンなどが挙げられる。前記カルボニウムカチオンとして具体的には、トリフェニルカルボニウムカチオン、トリメチルフェニルカルボニウムカチオン、トリジメチルフェニルカルボニウムカチオンなどの三置換カルボニウムカチオンなどが挙げられる。前記アンモニウムカチオンとして具体的には、トリメチルアンモニウムカチオン、トリエチルアンモニウムカチオン、トリプロピルアンモニウムカチオン、トリブチルアンモニウムカチオン、トリnブチルアンモニウムカチオンなどのトリアルキルアンモニウムカチオン;NNジメチルアニリニウムカチオン、NNジエチルアニリニウムカチオン、NN246ペンタメチルアニリニウムカチオンなどのNNジアルキルアニリニウムカチオン;ジイソプロピルアンモニウムカチオン、ジシクロヘキシルアンモニウムカチオンなどのジアルキルアンモニウムカチオンなどが挙げられる。前記ホスホニウムカチオンとして具体的には、トリフェニルホスホニウムカチオン、トリメチルフェニルホスホニウムカチオン、トリジメチルフェニルホスホニウムカチオンなどのトリアリールホスホニウムカチオンなどが挙げられる。R9としては、カルボニウムカチオン、アンモニウムカチオンなどが好ましく、特にトリフェニルカルボニウムカチオン、NNジメチルアニリニウムカチオン、NNジエチルアニリニウムカチオンが好ましい。またイオン性化合物としては、トリアルキル置換アンモニウム塩、NNジアルキルアニリニウム塩、ジアルキルアンモニウム塩、トリアリールホスフォニウム塩などを挙げることもできる。トリアルキル置換アンモニウム塩として具体的には、たとえばトリエチルアンモニウムテトラフェニルホウ素、トリプロピルアンモニウムテトラフェニルホウ素、トリnブチルアンモニウムテトラフェニルホウ素、トリメチルアンモニウムテトラpトリルホウ素、トリメチルアンモニウムテトラoトリルホウ素、トリnブチルアンモニウムテトラペンタフルオロフェニルホウ素、トリプロピルアンモニウムテトラopジメチルフェニルホウ素、トリnブチルアンモニウムテトラmmジメチルフェニルホウ素、トリnブチルアンモニウムテトラpトリフルオロメチルフェニルホウ素、トリnブチルアンモニウムテトラ35ジトリフルオロメチルフェニルホウ素、トリnブチルアンモニウムテトラoトリルホウ素などが挙げられる。NNジアルキルアニリニウム塩として具体的には、たとえばNNジメチルアニリニウムテトラフェニルホウ素、NNジエチルアニリニウムテトラフェニルホウ素、NN246ペンタメチルアニリニウムテトラフェニルホウ素などが挙げられる。ジアルキルアンモニウム塩として具体的には、たとえばジ1プロピルアンモニウムテトラペンタフルオロフェニルホウ素、ジシクロヘキシルアンモニウムテトラフェニルホウ素などが挙げられる。さらにイオン性化合物として、トリフェニルカルベニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、NNジメチルアニリニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート、フェロセニウムテトラペンタフルオロフェニルボレート、トリフェニルカルベニウムペンタフェニルシクロペンタジエニル錯体、NNジエチルアニリニウムペンタフェニルシクロペンタジエニル錯体、下記式XIIまたはXIIIで表されるホウ素化合物などを挙げることもできる。一般式XII中、Etはエチル基を示す。一般式XIII中、Etはエチル基を示す。ボラン化合物として具体的には、たとえばデカボラン;ビストリnブチルアンモニウムノナボレート、ビストリnブチルアンモニウムデカボレート、ビストリnブチルアンモニウムウンデカボレート、ビストリnブチルアンモニウムドデカボレート、ビストリnブチルアンモニウムデカクロロデカボレート、ビストリnブチルアンモニウムドデカクロロドデカボレートなどのアニオンの塩;トリnブチルアンモニウムビスドデカハイドライドドデカボレートコバルト酸塩III、ビストリnブチルアンモニウムビスドデカハイドライドドデカボレートニッケル酸塩IIIなどの金属ボランアニオンの塩などが挙げられる。カルボラン化合物として具体的には、たとえば4カルバノナボラン、13ジカルバノナボラン、69ジカルバデカボラン、ドデカハイドライド1フェニル13ジカルバノナボラン、ドデカハイドライド1メチル13ジカルバノナボラン、ウンデカハイドライド13ジメチル13ジカルバノナボラン、78ジカルバウンデカボラン、27ジカルバウンデカボラン、ウンデカハイドライド78ジメチル78ジカルバウンデカボラン、ドデカハイドライド11メチル27ジカルバウンデカボラン、トリnブチルアンモニウム1カルバデカボレート、トリnブチルアンモニウム1カルバウンデカボレート、トリnブチルアンモニウム1カルバドデカボレート、トリnブチルアンモニウム1トリメチルシリル1カルバデカボレート、トリnブチルアンモニウムブロモ1カルバドデカボレート、トリnブチルアンモニウム6カルバデカボレート、トリnブチルアンモニウム6カルバデカボレート、トリnブチルアンモニウム7カルバウンデカボレート、トリnブチルアンモニウム78ジカルバウンデカボレート、トリnブチルアンモニウム29ジカルバウンデカボレート、トリnブチルアンモニウムドデカハイドライド8メチル79ジカルバウンデカボレート、トリnブチルアンモニウムウンデカハイドライド8エチル79ジカルバウンデカボレート、トリnブチルアンモニウムウンデカハイドライド8ブチル79ジカルバウンデカボレート、トリnブチルアンモニウムウンデカハイドライド8アリル79ジカルバウンデカボレート、トリnブチルアンモニウムウンデカハイドライド9トリメチルシリル78ジカルバウンデカボレート、トリnブチルアンモニウムウンデカハイドライド46ジブロモ7カルバウンデカボレートなどのアニオンの塩;トリnブチルアンモニウムビスノナハイドライド13ジカルバノナボレートコバルト酸塩III、トリnブチルアンモニウムビスウンデカハイドライド78ジカルバウンデカボレート鉄酸塩III、トリnブチルアンモニウムビスウンデカハイドライド78ジカルバウンデカボレートコバルト酸塩III、トリnブチルアンモニウムビスウンデカハイドライド78ジカルバウンデカボレートニッケル酸塩III、トリnブチルアンモニウムビスウンデカハイドライド78ジカルバウンデカボレート銅酸塩III、トリnブチルアンモニウムビスウンデカハイドライド78ジカルバウンデカボレート金酸塩III、トリnブチルアンモニウムビスノナハイドライド78ジメチル78ジカルバウンデカボレート鉄酸塩III、トリnブチルアンモニウムビスノナハイドライド78ジメチル78ジカルバウンデカボレートクロム酸塩III、トリnブチルアンモニウムビストリブロモオクタハイドライド78ジカルバウンデカボレートコバルト酸塩III、トリストリnブチルアンモニウムビスウンデカハイドライド7カルバウンデカボレートクロム酸塩III、ビストリnブチルアンモニウムビスウンデカハイドライド7カルバウンデカボレートマンガン酸塩IV、ビストリnブチルアンモニウムビスウンデカハイドライド7カルバウンデカボレートコバルト酸塩III、ビストリnブチルアンモニウムビスウンデカハイドライド7カルバウンデカボレートニッケル酸塩IVなどの金属カルボランアニオンの塩などが挙げられる。ヘテロポリ化合物は、ケイ素、リン、チタン、ゲルマニウム、ヒ素および錫から選ばれる原子と、バナジウム、ニオブ、モリブデンおよびタングステンから選ばれる1種または2種以上の原子からなっている。具体的には、リンバナジン酸、ゲルマノバナジン酸、ヒ素バナジン酸、リンニオブ酸、ゲルマノニオブ酸、シリコノモリブデン酸、リンモリブデン酸、チタンモリブデン酸、ゲルマノモリブデン酸、ヒ素モリブデン酸、錫モリブデン酸、リンタングステン酸、ゲルマノタングステン酸、錫タングステン酸、リンモリブドバナジン酸、リンタングストバナジンン酸、ゲルマノタングストバナジンン酸、リンモリブドタングストバナジン酸、ゲルマノモリブドタングストバナジン酸、リンモリブドタングステン酸、リンモリブドニオブ酸、およびこれらの酸の塩、例えば周期表第1族または2族の金属、具体的には、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウムなどとの塩、トリフェニルエチル塩などとの有機塩が使用できるが、この限りではない。上記のような遷移金属化合物Kと反応してイオン対を形成する化合物イオン化イオン性化合物は、1種単独でまたは2種以上組み合わせて用いられる。本発明では、遷移金属化合物Kを触媒成分とする場合、助触媒成分としてのメチルアルミノキサンなどの有機アルミニウムオキシ化合物とを併用すると、オレフィン化合物に対して非常に高い重合活性を示す。また、本発明に係るオレフィン重合用触媒は、上記遷移金属化合物Kと、有機金属化合物、有機アルミニウムオキシ化合物、および遷移金属化合物Kと反応してイオン対を形成する化合物イオン化イオン性化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物Mとともに、必要に応じて後述するような担体Nを用いることもできる。担体N本発明で用いることのできる担体Nは、無機または有機の化合物であって、顆粒状ないしは微粒子状の固体である。このうち無機化合物としては、多孔質酸化物、無機塩化物、粘土、粘土鉱物またはイオン交換性層状化合物が好ましい。多孔質酸化物として、具体的にはSiO2、Al2O3、MgO、ZrO、TiO2、B2O3、CaO、ZnO、BaO、ThO2など、またはこれらを含む複合物または混合物を使用、例えば天然または合成ゼオライト、SiO2MgO、SiO2Al2O3、SiO2TiO2、SiO2V2O5、SiO2Cr2O3、SiO2TiO2MgOなどを使用することができる。これらのうち、SiO2および/またはAl2O3を主成分とするものが好ましい。なお、上記無機酸化物は、少量のNa2CO3、K2CO3、CaCO3、MgCO3、Na2SO4、Al23、BaSO4、KNO3、Mg2、Al3、Na2O、K2O、Li2Oなどの炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩、酸化物成分を含有していても差し支えない。このような多孔質酸化物は、種類および製法によりその性状は異なるが、本発明に好ましく用いられる担体は、粒径が10~300μm、好ましくは20~200μmであって、比表面積が50~1000m2/g、好ましくは100~700m2/gの範囲にあり、細孔容積が0.3~3.0cm3/gの範囲にあることが望ましい。このような担体は、必要に応じて100~1000°C、好ましくは150~700°Cで焼成して使用される。無機塩化物としては、MgCl2、MgBr2、MnCl2、MnBr2などが用いられる。無機塩化物は、そのまま用いてもよいし、ボールミル、振動ミルにより粉砕した後に用いてもよい。また、アルコールなどの溶媒に無機塩化物を溶解させた後、析出剤によって微粒子状に析出させたものを用いることもできる。本発明で用いられる粘土は、通常粘土鉱物を主成分として構成される。また、本発明で用いられるイオン交換性層状化合物は、イオン結合などによって構成される面が互いに弱い結合力で平行に積み重なった結晶構造を有する化合物であり、含有するイオンが交換可能なものである。大部分の粘土鉱物はイオン交換性層状化合物である。また、これらの粘土、粘土鉱物、イオン交換性層状化合物としては、天然産のものに限らず、人工合成物を使用することもできる。また、粘土、粘土鉱物またはイオン交換性層状化合物として、粘土、粘土鉱物、また、六方細密パッキング型、アンチモン型、CdCl2型、CdI2型などの層状の結晶構造を有するイオン結晶性化合物などを例示することができる。このような粘土、粘土鉱物としては、カオリン、ベントナイト、木節粘土、ガイロメ粘土、アロフェン、ヒシンゲル石、パイロフィライト、ウンモ群、モンモリロナイト群、バーミキュライト、リョクデイ石群、パリゴルスカイト、カオリナイト、ナクライト、ディッカイト、ハロイサイトなどが挙げられ、イオン交換性層状化合物としては、αZr2H2O、αZr2、αZr23H2O、αTi2、αTi2H2O、αSn2H2O、γ―Zr2、γTi2、γTi2H2Oなどの多価金属の結晶性酸性塩などが挙げられる。このような粘土、粘土鉱物またはイオン交換性層状化合物は、水銀圧入法で測定した半径20Å以上の細孔容積が0.1cc/g以上のものが好ましく、0.3~5cc/gのものが特に好ましい。ここで、細孔容積は、水銀ポロシメーターを用いた水銀圧入法により、細孔半径20~30000Åの範囲について測定される。半径20Å以上の細孔容積が0.1cc/gより小さいものを担体として用いた場合には、高い重合活性が得られにくい傾向がある。本発明で用いられる粘土、粘土鉱物には、化学処理を施すことも好ましい。化学処理としては、表面に付着している不純物を除去する表面処理、粘土の結晶構造に影響を与える処理など、何れも使用できる。化学処理として具体的には、酸処理、アルカリ処理、塩類処理、有機物処理などが挙げられる。酸処理は、表面の不純物を取り除くほか、結晶構造中のAl、Fe、Mgなどの陽イオンを溶出させることによって表面積を増大させる。アルカリ処理では粘土の結晶構造が破壊され、粘土の構造の変化をもたらす。また、塩類処理、有機物処理では、イオン複合体、分子複合体、有機誘導体などを形成し、表面積や層間距離を変えることができる。本発明で用いられるイオン交換性層状化合物は、イオン交換性を利用し、層間の交換性イオンを別の大きな嵩高いイオンと交換することにより、層間が拡大した状態の層状化合物であってもよい。このような嵩高いイオンは、層状構造を支える支柱的な役割を担っており、通常、ピラーと呼ばれる。また、このように層状化合物の層間に別の物質を導入することをインターカレーションという。インターカレーションするゲスト化合物としては、TiCl4、ZrCl4などの陽イオン性無機化合物、Ti4、Zr4、PO3、B3などの金属アルコキシドRは炭化水素基など、Al13O4247、Zr4142、Fe3O6などの金属水酸化物イオンなどが挙げられる。これらの化合物は単独でまたは2種以上組み合わせて用いられる。また、これらの化合物をインターカレーションする際に、Si4、Al3、Ge4などの金属アルコキシドRは炭化水素基などなどを加水分解して得た重合物、SiO2などのコロイド状無機化合物などを共存させることもできる。また、ピラーとしては、上記金属水酸化物イオンを層間にインターカレーションした後に加熱脱水することにより生成する酸化物などが挙げられる。本発明で用いられる粘土、粘土鉱物、イオン交換性層状化合物は、そのまま用いてもよく、またボールミル、ふるい分けなどの処理を行った後に用いてもよい。また、新たに水を添加吸着させ、あるいは加熱脱水処理した後に用いてもよい。さらに、単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、好ましいものは粘土または粘土鉱物であり、特に好ましいものはモンモリロナイト、バーミキュライト、ペクトライト、テニオライトおよび合成雲母である。有機化合物としては、粒径が10~300μmの範囲にある顆粒状ないしは微粒子状固体を挙げることができる。具体的には、エチレン、プロピレン、1ブテン、4メチル1ペンテンなどの炭素原子数が2~14のオレフィンを主成分として生成される共重合体またはビニルシクロヘキサン、スチレンを主成分として生成される共重合体、およびそれらの変成体を例示することができる。重合の際における各触媒成分の使用法、添加順序は任意に選ばれるが、以下のような方法が例示される。1成分Kを単独で重合器に添加する方法。2成分Kおよび成分Mを任意の順序で重合器に添加する方法。3成分Kを担体Nに担持した触媒成分、成分Mを任意の順序で重合器に添加する方法。4成分Mを担体Nに担持した触媒成分、成分Kを任意の順序で重合器に添加する方法。5成分Kと成分Mとを担体Nに担持した触媒成分を重合器に添加する方法。上記2~5の各方法においては、各触媒成分の少なくとも2つ以上は予め接触されていてもよい。成分Mが担体Nに担持されている上記4、5の各方法においては、必要に応じて担持されていない成分Mを、任意の順序で添加してもよい。この場合成分Mは同一でも異なっていてもよい。また、上記の成分Nに成分Kが担持された固体触媒成分、成分Nに成分Kおよび成分Mが担持された固体触媒成分は、オレフィンが予備重合されていてもよく、予備重合された固体触媒成分上に、さらに触媒成分が担持されていてもよい。本発明に係る共重合体の製造方法では、上記のようなオレフィン重合用触媒の存在下に、上述した一般式Iaで表される1種以上のオレフィンと、上述した一般式IIIaで表される環状非共役ジエンと、上述した一般式Vaで表される環状オレフィンとを付加重合することにより、本発明の環状オレフィン共重合体Pを得ることができる。さらに、環状オレフィン共重合体Pの共重合原料として上記一般式VIa、VIIaで表される環状非共役ジエン以外の環状オレフィン、または上記一般式VIIIaで表される鎖状ポリエンを用いることもできる。本発明では、重合は溶解重合、懸濁重合などの液相重合法または気相重合法のいずれにおいても実施できる。液相重合法において用いられる不活性炭化水素媒体として具体的には、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、灯油などの脂肪族炭化水素;シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロペンタンなどの脂環族炭化水素;ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素;エチレンクロリド、クロルベンゼン、ジクロロメタンなどのハロゲン化炭化水素またはこれらの混合物などを挙げることができ、オレフィン自身を溶媒として用いることもできる。上記のようなオレフィン重合用触媒を用いて、オレフィンの重合を行うに際して、成分Kは、反応容積1リットル当り、通常1012~102モル、好ましくは1010~103モルになるような量で用いられる。成分は、成分と、成分K中の全遷移金属原子Metalとのモル比Metalが通常0.01~100000、好ましくは0.05~50000となるような量で用いられる。成分は、成分中のアルミニウム原子と、成分K中の全遷移金属Metalとのモル比Metalが、通常10~500000、好ましくは20~100000となるような量で用いられる。成分は、成分と、成分K中の遷移金属原子Metalとのモル比Metalが、通常1~10、好ましくは1~5となるような量で用いられる。また、このようなオレフィン重合触媒を用いたオレフィンの重合温度は、通常50~200°C、好ましくは0~170°Cの範囲である。重合圧力は、通常常圧~100kg/cm2、好ましくは常圧~50kg/cm2の条件下であり、重合反応は、回分式、半連続式、連続式のいずれの方法においても行うことができる。さらに重合を反応条件の異なる2段以上に分けて行うことも可能である。得られる共重合体の分子量は、重合系に水素を存在させるか、または重合温度を変化させることによっても調節することができる。さらに、使用する成分Mの量により調節することもできる。上記に記載の触媒系を用いて得られる共重合体中の環状非共役ジエンに由来する構造単位を、全構成単位中、19mol~36molとすることができる。上記に記載の触媒系を用いて得られる共重合体中の分子量に関しては、上記の触媒系の成分を選択、および重合条件を選択することにより任意に制御可能である。上記に記載の触媒系を用いて得られる共重合体の分子量分布に関しては、上記の触媒系の成分を選択および重合条件を選択することにより、Mw/Mnが3以下、好ましくは2.7以下、さらに好ましくは2.3以下の狭分子量分布ポリマーを合成することができる。上記に記載の触媒系を用いて得られる共重合体のガラス転移温度Tg関しては、上記の触媒系の成分を選択、および重合条件を選択することにより、Tgが70°C以上、好ましくは100°C以上、さらに好ましくは130°C以上の高Tgポリマーを合成することができる。本発明において得られた環状オレフィン共重合体Pは、有機溶剤に溶解されたワニスの状態で架橋体Qの製造に用いられる。なお、ワニスは、環状オレフィン共重合体Pが得られた際の反応溶液をそのまま用いることができ、また環状オレフィン共重合体Pを精製した後、別途有機溶剤を添加することにより調製することもできる。[架橋体Qの製造方法]本発明の架橋体変性環状オレフィン共重合体Qは、上述の環状オレフィン共重合体Pを架橋することにより得られる。環状オレフィン共重合体Pの架橋方法としては特に制限はないが、ラジカル重合開始剤や硫黄、電子線や他の放射線を用いて、任意の形に成形しながら、または成形後に架橋する方法などが挙げられる。ラジカル重合開始剤による架橋は、ポリオレフィンで適用されている通常のラジカル重合開始剤による架橋方法をそのまま適用できる。すなわち本発明に係る環状オレフィン共重合体Pにジクミルペルオキシドのようなラジカル重合開始剤を配合し、加熱、架橋する。ラジカル重合開始剤の配合割合は特に制限がないものの、環状オレフィン共重合体P100重量部あたり約0.02~20重量部、好ましくは0.05~10重量部であり、さらに好ましくは0.5~10重量部である。ラジカル重合開始剤の配合割合がこの範囲を超えると、架橋体Qの誘電特性が悪化し、この範囲を下回ると架橋体Qの耐熱性、機械的特性が低下するので好ましくない。本発明において、ラジカル重合開始剤としては、公知の熱ラジカル重合開始剤、光ラジカル重合開始剤およびこれらを併用することができる。これらのラジカル重合開始剤のうち、熱ラジカル開始剤を使用する場合は、保存安定性の観点から10時間半減期温度が通常80°C以上、好ましくは120°C以上のものである。このような開始剤として具体的には、例えば、ジクミルペルオキシド、t-ブチルクミルペルオキシド、2,5-ビスt-ブチルペルオキシ2,5-ジメチルヘキサン、2,5-ビスt-ブチルペルオキシ2,5-ジメチルヘキシン-3、ジ-t-ブチルペルオキシド、イソプロピルクミル-t-ブチルペルオキシド、ビスα-t-ブチルペルオキシイソプロピルベンゼンなどのジアルキルペルオキシド類あるいは1,1-ビスt-ブチルペルオキシシクロヘキサン、1,1-ビスt-ブチルペルオキシ3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、1,1-ビスt-ブチルペルオキシシクロドデカン、n-ブチル-4,4-ビスt-ブチルペルオキシバレレート、エチル-3,3-ビスt-ブチルペルオキシブチレート、3,3,6,6,9,9-ヘキサメチル-1,2,4,5,-テトラオキシシクロノナンなどのペルオキシケタール類;ビスt-ブチルペルオキシイソフタレート、t-ブチルペルオキシベンゾエート、t-ブチルペルオキシアセテートなどのペルオキシエステル類;t-ブチルハイドロペルオキシド、t-ヘキシルハイドロペルオキシド、クミンハイドロペエルオキシド、1,1,3,3-テトラメチルブチルハイドロペルオキシド、ジイソプロピルベンゼンハイドロペルオキシド、p-メンタンハイドロペルオキシドなどのハイドロペルオキシド類、2,3-ジメチル-2,3-ジフェニルブタンなどのビベンジル化合物類、3,3,5,7,7-ペンタメチル-1,2,4-トリオキセパンが挙げられる。ラジカル重合開始剤のうち、光ラジカル開始剤は具体的には、例えば、ベンゾインアルキルエーテル、ベンジルジメチルケタール、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニルプロパン-1-オン、ベンゾフェノン、メチルベンゾイルフォーメート、イソプロピルチオキサントンおよびこれらの2種以上の混合物などが挙げられる。また、これらの光ラジカル開始剤とともに増感剤を使用することもできる。増感剤の例としては、アントラキノン、1,2-ナフトキノン、1,4-ナフトキノン,ベンズアントロン、p,p-テトラメチルジアミノベンゾフェノン、クロラニルなどのカルボニル化合物、ニトロベンゼン、p-ジニトロベンゼン、2-ニトロフルオレンなどのニトロ化合物、アントラセン、クリセンなどの芳香族炭化水素、ジフェニルジスルフィドなどの硫黄化合物、ニトロアニリン、2-クロロ-4-ニトロアニリン、5-ニトロ-2-アミノトルエン、テトラシアノエチレンなどの窒素化合物などを挙げることができる。硫黄などにより架橋する場合には、環状オレフィン共重合体Pに硫黄系化合物、必要に応じて加硫促進剤、加硫促進助剤を配合して加熱し、架橋反応を行う。硫黄系化合物の配合量はとくに制限はないものの、架橋反応を効率よく進行させ、かつ得られる架橋物の物性改善を計ることおよび経済性の面などから環状オレフィン共重合体P100重量部に対して通常0.1~10重量部、好ましくは0.3~5重量部の範囲で使用され、加硫促進剤や加硫促進助剤を併用する場合には通常0.1~20重量部、好ましくは0.2~10重量部の範囲で使用される。架橋反応を起こすため使用される硫黄系化合物は公知の種々のものが使用でき、一例を挙げると硫黄、一塩化硫黄、二塩化硫黄、モルホリンジスルフィド、アルキルフェノールジスルフィド、テトラメチルチウラムジスルフィド、ジメチルジチオカルバミン酸セレンなどがある。また加硫促進剤も種々のものを使用でき、N-シクロヘキシル-2-ベンゾチアゾール-スルフェンアミド、N-オキシジエチレン-2-ベンゾチアゾール-スルフェンアミド、N,N-ジイソプロピル-2-ベンゾチアゾール-スルフェンアミド、2-メルカプトベンゾチアゾール、2-24-ジニトロフェニルメルカプトベンゾチアゾール、2-26-ジエチル-4-モルホリノチオベンゾチアゾール、ベンゾチアジル-ジスルフィドなどのチアゾール系;ジフェニルグアニジン、トリフェニルグアニジン、ジ-オルソ-トリルグアニジン、オルソートリルバイグアナイド、ジフェニルグアニジンフタレートなどのグアニジン系;アセトアルデヒド-アニリン反応物;ブチルアルデヒド-アニリン縮合物;ヘキサメチレンテトラミン、アセトアルデヒドアンモニアなどのアルデヒドアミン、またはアルデヒド-アンモニア系;2-メルカプトイミダゾリンなどのイミダゾリン系;チオカルバニリド、ジエチルチオユリアジブチルチオユリア、トリメチルチオユリア、ジオルソートリルチオユリアなどのチオユリア系;テトラメチルチウラムモノスルフィド、テトラメチルチウラムジスルフィド、テトラエチルチウラムジスルフィド、テトラブチルチウラムジスルフィド、ジペンタメチレンチウラムテトラスルフィドなどのチウラム系;ジメチルジチオカルバミン酸亜鉛、ジエチルチオカルバミン酸亜鉛、ジ-n-ブチルジチオカルバミン酸亜鉛、エチルフェニルジチオカルバミン酸亜鉛、ブチルフェニルジチオカルバミン酸亜鉛、ジメチルジチオカルバミン酸ナトリウム、ジメチルジチオカルバミン酸セレン、ジエチルジチオカルバミン酸テルルなどのジチオ酸塩系;ジブチルキサントゲン酸亜鉛などのザンテート系;などを挙げることができる。加硫促進剤としては、酸化亜鉛、活性亜鉛華、炭酸亜鉛、複合亜鉛華、酸化マグネシウム、リサージ、鉛丹、塩基性炭酸鉛などの金属酸化物系、ステアリン酸、オレイン酸、ラウリン酸、ステアリン酸鉛などの脂肪酸系、トリエタノールアミン、ジエチレングリコールなどの有機アミングリコール系などを挙げることができる。本発明における環状オレフィン共重合体Pをラジカル開始剤架橋、硫黄架橋共に、架橋する温度は通常100~300°C、好ましくは120~250°C、さらに好ましくは120~200°Cの温度で行い、温度を段階的に変化させて架橋を行っても良い。100°C未満では架橋が十分に進行しない場合があり、また300°Cを超えると得られる架橋体の着色が顕著になったり、要求される高温が既存プロセスで対応できないなどの不具合が発生する場合がある。なお、代表的な二重結合含有重合体であるポリブタジエンは、一般に上記のような条件では架橋できず、300°Cのような高温での架橋条件を必要とする。電子線や他の放射線を用いて架橋する方法は、成型時の温度、流動性の制限を伴わないという利点があり、放射線としては、電子線の他、γ線、UVなどを挙げることができる。ラジカル重合開始剤や硫黄などを用いる方法、放射線を用いて架橋する方法のいずれの場合も、架橋助剤の併用下に架橋することができる。架橋助剤としては、特に制限はないが、具体的には例えばp-キノンジオキシム、p,p-ジベンゾイルキノンジオキシムなどのオキシム類;エチレンジメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、アクリル酸/酸化亜鉛混合物、アリルメタクリレートなどのアクリレートもしくはメタクリレート類;ジビニルベンゼン、ビニルトルエン、ビニルピリジンなどのビニルモノマー類;ヘキサメチレンジアリルナジイミド、ジアリルイタコネート、ジアリルフタレート、ジアリルイソフタレート、ジアリルモノグリシジルイソシアヌレート、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレートなどのアリル化合物類;N,N-m-フェニレンビスマレイミド、N,N-4,4-メチレンジフェニレンジマレイミドなどのマレイミド化合物類など、ビニルノルボルネン、エチリデンノルボルネン、ジシクロペンタジエンなどの環状非共役ジエン類が挙げられる。これらの架橋助剤は単独で用いてもよいし、組み合わせて使用することもできる。本発明の架橋体Qには、必要に応じて、耐熱安定剤、耐候安定剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然油、合成油、ワックス、有機または無機の充填剤などを本発明の目的を損なわない程度に配合することができ、その配合割合は適宜量である。任意成分として配合される安定剤として、具体的には、テトラキスメチレン-335-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオネートメタン、β-35-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオン酸アルキルエステル、22′-オキザミドビスエチル-335-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオネートなどのフェノール系酸化防止剤;ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム、12-ヒドロキシステアリン酸カルシウムなどの脂肪酸金属塩;グリセリンモノステアレート、グリセリンモノラウレート、グリセリンジステアレート、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリスリトールジステアレート、ペンタエリスリトールトリステアレートなどの多価アルコール脂肪酸エステルなどをあげることができる。これらは単独で配合してもよいし、組合せて配合してもよく、たとえばテトラキスメチレン-335-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロピオネートメタンとステアリン酸亜鉛およびグリセリンモノステアレートとの組合せなどを例示できる。有機または無機の充填剤としては、シリカ、ケイ藻土、アルミナ、酸化チタン、酸化マグネシウム、軽石粉、軽石バルーン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、塩基性炭酸マグネシウム、ドロマイト、硫酸カルシウム、チタン酸カリウム、硫酸バリウム、亜硫酸カルシウム、タルク、クレー、マイカ、アスベスト、ガラス繊維、ガラスフレーク、ガラスビーズ、ケイ酸カルシウム、モンモリロナイト、ベントナイト、グラファイト、アルミニウム粉、硫化モリブデン、ボロン繊維、炭化ケイ素繊維、ポリエチレン繊維、ポリプロピレン繊維、ポリエステル繊維、ポリアミド繊維などを例示できる。架橋体Qと各種添加剤を混合するには、環状オレフィン共重合体Pと各種添加剤を押出機などで溶融ブレンドする方法、または環状オレフィン共重合体Pと各種添加剤を適当な溶媒、たとえばヘプタン、ヘキサン、デカン、シクロヘキサンのような飽和炭化水素;トルエン、ベンゼン、キシレンのような芳香族炭化水素などに溶解、分散させて行う溶液ブレンド法などを採用することができる。架橋反応は、環状オレフィン共重合体Pと、前記したラジカル重合開始剤の如き架橋に与る化合物の混合物を溶融状態として行うこともできるし、または該混合物を溶媒に溶解、または分散させた溶液状態で行うこともできるし、または溶媒に溶解した溶液状態から溶媒を揮発させフィルム、コーティングなど任意の形に成形した後にさらに架橋反応を進行させることもできる。溶融状態で反応を行う場合はミキシングロール、バンバリーミキサー、押出機、ニーダ、連続ミキサーなどの混練装置を用いて、原料の混合物を溶融混練して反応させる。また、任意の手法で成形した後に更に架橋反応を進行させることもできる。溶液状態で反応を行う場合に使用する溶媒としては前記溶液ブレンド法で用いた溶媒と同様の溶媒が使用できる。電子線またはその他の放射線、UVを用いて架橋反応を行う場合には、任意の方法で付形した後に、反応を行うことができる。[架橋体Q]上述の方法により得られる本発明の架橋体Qは、環状非共役ジエン由来の繰り返し単位Bを19モル~36モルの量で含む環状オレフィン共重合体を架橋してなるものであり、誘電特性および、その経時的安定性に極めて優れ、12GHzにおける初期の誘電正接tanδ0は0.0017以下であり、好ましくは0.0015以下であり、tanδ0と110°C、5時間の加速劣化試験後の誘電正接tanδt間の変化率が50以下であり、好ましくは20以下である。また、周波数1Hz、引っ張りモードで測定された固体粘弾性測定において、30°C~300°Cの温度範囲における損失正接tanδの最大値が0.6以下、好ましくは0.45以下である。このように、損失正接tanδの最大値が上記の範囲にあることから、架橋体Qの架橋密度は高く、熱膨張率CTEは低くなる。したがって、例えば、薄膜太陽電池を製造する際のプロセス温度シリコン成膜工程:200°C~250°C程度や高周波回路を製造する際のプロセス温度はんだ工程:260°C程度においても耐熱性を有し、基板やフィルムシートを含むとして形態安定性に優れる。また、同様の条件で測定された固体粘弾性測定において、貯蔵弾性率Eが0.1GPa以上、好ましくは0.2GPa以上、より好ましくは0.25GPa~1.0GPaの範囲にある。このような架橋体Qは、耐熱性に優れ、高い耐熱性を要求される電子部品などの分野に適している。さらに、周波数1Hz、引っ張りモードで測定された固体粘弾性測定において、温度260°Cでの貯蔵弾性率EをAとし、温度30°Cでの貯蔵弾性率EをBとした場合において、式:A/B≧0.05を満たす。本発明の架橋体Qは、DSC測定からは明確なガラス転移点は確認されないものの200°C~250°C程度においてガラス転移点は存在する。しかしながら、本発明の架橋体Qからなる成形体は、ガラス転移点を超えても貯蔵弾性率Eが低下しない。つまり、ガラス転移点を超えた高温領域においても高弾性率を維持することができ、耐熱性に優れ、高い耐熱性を要求される上記のような電子部品などの分野に好適に用いることができる。また、本発明の架橋体Qは、水蒸気バリア性に優れ、JISK7129に準拠し、40°C90RHにおいて測定された水蒸気透過係数が2ccmm/m2dayatm以下、好ましくは0.5ccmm/m2dayatm以下である。これにより、液晶材料や透明電極を挟んで設けられる液晶ディスプレイ用基板や、太陽電池用基板として好適に用いることができる。上記のように、本発明の環状オレフィン共重合体は、所定の環状非共役ジエン由来の繰り返し単位を所定のモル量で含むため、架橋体の誘電特性は経時的に安定する。さらに、環状オレフィン共重合体の溶媒への溶解性が向上するため成形性が良好となり、製品の歩留まりがさらに向上する。また、高密度に架橋することができ、優れた耐熱性、機械的特性、誘電特性、透明性およびガスバリア性を有する架橋体を提供することができる。[用途]本発明の架橋体Qは、耐溶剤性、耐熱性、機械的強度、透明性に優れるので、当該架橋体からなる成形体は、例えば光ファイバー、光導波路、光ディスク基盤、光フィルター、レンズ、光学用接着剤など、PDP用光学フィルター、有機EL用コーティング材料、航空宇宙分野における太陽電池のベースフィルム基材、ソーラーセルや熱制御システムのコーティング材、半導体素子、発光ダイオード、各種メモリー類などの電子素子や、ハイブリッドIC、MCM、高周波用電気回路基板あるいは表示部品などのオーバコート材料あるいは層間絶縁材料、といった用途で使用することができる。特に、誘電特性の経時安定性に優れ、耐熱性、透明性、機械的特性などにも優れるので、高周波回路基板などの高周波用途に好適に用いることができる。さらに、ガスバリア性にも優れるため、液晶ディスプレイや太陽電池の基板やフィルムまたはシートとして好適に用いることができる。以下、本発明を合成例、実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれにより何等制限されるものではない。なお、合成例、実施例、比較例で用いた環状オレフィン共重合体Pの組成、極限粘度[η]は、次に述べる方法で測定した。組成;1H-NMR測定を行い、二重結合炭素に直接結合している水素由来のピークとそれ以外の水素のピークの強度により環状非共役ジエン含量を算出した。極限粘度[η];135°Cデカリン中で測定した。動的粘弾性DMA;TAInstruments社製のRSA-IIIを用いて窒素下で測定した。ここで、貯蔵弾性率E損失弾性率は、粘弾性体に正弦的振動ひずみを与えたときの応力と、ひずみの関係を表わす複素弾性率を構成する項であり、TAInstruments社製のRSA-IIIによる引張粘弾性測定により3°C/minの昇温温度、周波数1Hz、ひずみ0.1にて測定される値である。ガラス転移温度は損失正接=E/Eのピークトップにより決定した。DSC;セイコーインスツル社製DSC6220を用いて、窒素気流下20°C~200°Cの温度範囲で10°Cminで昇温した後、200°C~20°Cの温度範囲で10°Cminで降温し、再び20°C~300°Cの温度範囲で10min°Cで昇温して測定を行った。誘電特性評価;円筒空洞共振器法により、12GHzにおける誘電率および誘電正接を測定した。実験には以下の原材料を用いた。遷移金属化合物1特開2004-331965号公報に記載の方法により合成。メチルアルミノキサンアルベマーレ社製:20MAOトルエン溶液シクロヘキサン和光純薬工業社製:和光特級トルエン和光純薬工業社製:和光特級キシレン和光純薬工業社製:和光特級ジシクロペンタジエン関東化学社製:鹿1級5-ビニル-2-ノルボルネン東京化成工業社製テトラシクロ44012517103ドデセン三井化学社製2,3-ジメチル-2,3-ジフェニルブタン関東化学社より購入合成例1十分に窒素置換した内容積2Lのガラス製オートクレーブにシクロヘキサン1500ml、5-ビニル-2-ノルボルネンVNB365g、テトラシクロ44012517103ドデセンTD163gを装入し、液相および気相を100NLhの流量のエチレンガスで飽和させた。その後、このオートクレーブにメチルアルミノキサンをアルミニウム原子換算で3mmol、引き続き、遷移金属化合物10010mmolをトルエン1mlに溶解させて加え、重合を開始した。上記のエチレンガス雰囲気下25°C常圧で25分間反応させた後、少量のイソブチルアルコールを添加することで重合を停止した。重合終了後、反応物を、20mLの濃塩酸を加えたアセトン5600mlとメタノール1900mlの混合溶媒に投入してポリマーを全量析出させ、撹拌後濾紙でろ過した。本操作を反応物がなくなるまで繰り返して得られた全ポリマーを80°C、10時間で減圧乾燥した後、エチレン/TD/VNB共重合体を46g得た。極限粘度ηは083、NMRにより決定したポリマー中のVNB由来構造の組成比は292mol、TD由来構造の組成比は62molであった。合成例2~9合成例1と同様の手順で表1に示す条件でそれぞれ重合を行い、ポリマーを得た。[実施例1]合成例1で得られたエチレン/TD/VNB共重合体42g、上記化学式で表される2,3-ジメチル-2,3-ジフェニルブタンDMDPB210mgをキシレン147mlに溶解させ、ワニスを得た。得られたワニスを、アプリケーターを用いて、ギャップ300μmでPETフィルム上に塗布した。その後、窒素気流下送風乾燥機中で40°Cで60分間、その後30分かけて140°Cに昇温してから1時間加熱してフィルムを得た。フィルムをPETから剥離し、6cm角のフィルムを切り出した。同様の作業を繰り返し行って得られた12枚のフィルムを重ね合わせて、ミニテストプレス東洋精機社製を用いて、140°C、圧力10MPaで2分間、220°C、圧力10MPaで2時間、更に240°C、圧力10MPaで2時間熱プレスすることにより、厚さ075mmのプレス成形板を作製した。このプレス成形板を用いて、12GHzの誘電率εr0および誘電正接tanδ0の測定を行った後、成形板を110°Cに加熱したオーブン中に5時間保管した後に、再度12GHzの誘電率εrtおよび誘電正接tanδtの測定を行った。結果を表2に示す。[実施例2、5~6]比較例1~2、5~7合成例2~9で得られた共重合体を実施例1と同様の手順で、表2に示す条件に従い、プレス成形板を作成した。このプレス成形板を用いて、12GHzの誘電率εr0および誘電正接tanδ0の測定を行った後、成形板を110°Cに加熱したオーブン中に5時間保管した後に、再度12GHzの誘電率εrtおよび誘電正接tanδtの測定を行った。結果を表2に示す。[実施例3]合成例1で得られたエチレン/TD/VNB共重合体05g、上記化学式で表される2,3-ジメチル-2,3-ジフェニルブタンDMDPB25mgをキシレン175mlに溶解させ、ワニスを得た。得られたワニスを、アプリケーターを用いて、ギャップ300μmでPETフィルム上に塗布した。その後、窒素気流下送風乾燥機中で40°Cで60分間、その後30分かけて140°Cに昇温してから1時間加熱してフィルムを得た。フィルムをPETから剥離し、3cm×6cmのフィルムを2枚切り出した。得られたフィルムを重ね合わせて、ミニテストプレス東洋精機社製を用いて、140°C、圧力10MPaで2分間、220°C、圧力10MPaで2時間、更に240°C、圧力10MPaで2時間熱プレスすることにより、厚さ009mmのプレスフィルムを作製した。このプレスフィルムを用いて、動的粘弾性測定、DSC測定を行った。結果を表3に示す。[実施例4、7~8]比較例3~4、8~10合成例2~9で得られたそれぞれの共重合体を実施例3と同様の手順で表3に示す条件で架橋させてフィルムを得た。得られたフィルムは動的粘弾性測定、DSC測定を行った。結果を表3に示す。実施例の結果から、本発明の環状オレフィン共重合体は、誘電特性の経時的安定性および耐熱性に優れ、さらに透明性、機械的特性および誘電特性に優れる架橋体を提供することができることが確認された。さらに、本発明の架橋体は、誘電特性の経時的安定性、耐熱性、透明性、機械的特性に優れるので、高周波回路基板などの高周波用途に好適に用いられることが推認された。本発明は以下の態様も取り得る。[a1]A一般式Iで表される1種以上のオレフィン由来の繰り返し単位と、B下記一般式IIIで表される環状非共役ジエン由来の繰り返し単位と、を含んでなり、繰り返し単位の合計モル数を100モルとした場合に、環状非共役ジエン由来の繰り返し単位Bが19モル~36モル含まれる、架橋性基を有する環状オレフィン共重合体。上記一般式Iにおいて、R300は水素原子または炭素原子数1~29の直鎖状または分岐状の炭化水素基を示す。一般式III中、uは0または1であり、vは0または正の整数であり、wは0または1であり、R61~R76ならびにRa1およびRb1は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数1~20のハロゲン化アルキル基、炭素原子数3~15のシクロアルキル基または炭素原子数6~20の芳香族炭化水素基であり、R104は水素原子または炭素原子数1~10のアルキル基であり、tは0~10の正の整数であり、R75およびR76は、互いに結合して単環または多環を形成していてもよい。[a2]前記環状非共役ジエン由来の繰り返し単位Bを構成する環状非共役ジエンが、5-ビニル-2-ノルボルネンまたは8-ビニル-9-メチルテトラシクロ4.4.0.12,5.17,10-3-ドデセンであることを特徴とする[a1]に記載の環状オレフィン共重合体。[a3]前記環状非共役ジエン由来の繰り返し単位Bを構成する環状非共役ジエンが、5-ビニル-2-ノルボルネンであることを特徴とする[a1]に記載の環状オレフィン共重合体。[a4]さらに、一般式Vで表される1種以上の環状オレフィン由来の繰り返し単位を含有することを特徴とする[a1]乃至[a3]のいずれかに記載の環状オレフィン共重合体。一般式V中、uは0または1であり、vは0または正の整数であり、wは0または1であり、R61~R78ならびにRa1およびRb1は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数1~20のハロゲン化アルキル基、炭素原子数3~15のシクロアルキル基または炭素原子数6~20の芳香族炭化水素基であり、R75~R78は互いに結合して単環または多環を形成していてもよい。ただし、uおよびvがともに0のときは、R67~R70、R75~R78のうち少なくとも1つが水素原子以外の置換基である。[a5]前記の環状オレフィン由来の繰り返し単位を構成する環状オレフィンが、テトラシクロ4.4.0.12,5.17,10-3-ドデセンである[a4]に記載の環状オレフィン共重合体。[a6]下記一般式IXで表される遷移金属化合物Kと、有機金属化合物、有機アルミニウムオキシ化合物および遷移金属化合物Kと反応してイオン対を形成する化合物m-3よりなる群から選択される少なくとも1種の化合物とからなる触媒の存在下に、下記一般式Iaで表される1種以上のオレフィンと、下記一般式IIIaで表される環状非共役ジエンと、を含むモノマーを付加重合することを特徴とする環状オレフィン共重合体の製造方法。一般式IX中、Mは3族から11族の遷移金属を表す。mは、1~4の整数を示し、R1~R6は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、ヘテロ環式化合物残基、酸素含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、イオウ含有基、リン含有基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基、またはスズ含有基を示し、これらのうちの2個以上が互いに連結して環を形成していてもよい。また、mが2以上の場合には、一つの配位子に含まれるR1~R6のうちの1個の基と、他の配位子に含まれるR1~R6のうちの1個の基とが連結されていてもよく但し、R1同士が結合されることはない、R1同士、R2同士、R3同士、R4同士、R5同士、R6同士は互いに同一でも異なっていてもよく、nは、Mの価数を満たす数であり、Xは、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、酸素含有基、イオウ含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、アルミニウム含有基、リン含有基、ハロゲン含有基、ヘテロ環式化合物残基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基、またはスズ含有基を示し、nが2以上の場合は、Xで示される複数の基は互いに同一でも異なっていてもよく、またXで示される複数の基は互いに結合して環を形成してもよい。上記一般式Iaにおいて、R300は水素原子または炭素原子数1~29の直鎖状または分岐状の炭化水素基を示す。一般式IIIa中、uは0または1であり、vは0または正の整数であり、wは0または1であり、R61~R76ならびにRa1およびRb1は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数1~20のハロゲン化アルキル基、炭素原子数3~15のシクロアルキル基または炭素原子数6~20の芳香族炭化水素基であり、R104は水素原子または炭素原子数1~10のアルキル基であり、tは0~10の正の整数であり、R75およびR76は、互いに結合して単環または多環を形成していてもよい。[a7]前記モノマーは一般式Vaで表される環状オレフィンを含み、前記オレフィンと前記環状非共役ジエンとともに、該環状オレフィンを付加重合することを特徴とする[a6]に記載の環状オレフィン共重合体Pの製造方法。一般式Va中、uは0または1であり、vは0または正の整数であり、wは0または1であり、R61~R78ならびにRa1およびRb1は、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数1~20のハロゲン化アルキル基、炭素原子数3~15のシクロアルキル基または炭素原子数6~20の芳香族炭化水素基であり、R75~R78は互いに結合して単環または多環を形成していてもよい。[a8][a1]乃至[a5]のいずれかに記載の環状オレフィン共重合体及び有機溶媒を含有するワニス。[a9][a1]乃至[a5]のいずれかに記載の環状オレフィン共重合体を架橋して得られる架橋体。[a10][a1]乃至[a5]のいずれかに記載の環状オレフィン共重合体をラジカル重合開始剤の存在下で加熱することにより製造されることを特徴とする[a9]に記載の架橋体。[a11]ラジカル重合開始剤がビベンジル化合物類である[a10]に記載の架橋体。[a12]周波数1Hz、引っ張りモードで測定された固体粘弾性測定において、30°C~300°Cの温度範囲における損失正接tanδの最大値が0.6以下である[a8]乃至[a11]のいずれかに記載の架橋体。[a13]周波数1Hz、温度260°C、引っ張りモードで測定された固体粘弾性測定において、貯蔵弾性率Eが0.1GPa以上である[a8]乃至[a12]のいずれかに記載の架橋体。[a14]周波数1Hz、引っ張りモードで測定された固体粘弾性測定における、温度260°Cでの貯蔵弾性率EをAとし、温度30°Cでの貯蔵弾性率EをBとした場合において、式:A/B≧0.05を満たす[a8]乃至[a13]のいずれかに記載の架橋体。[a15][a9]乃至[a14]のいずれかに記載の架橋体を含む成形体。[a16]フィルムまたはシートであることを特徴とする[a15]に記載の成形体。[a17]高周波回路基板であることを特徴とする[a14]に記載の成形体。[a18]液晶ディスプレイ用基板であることを特徴とする[a14]に記載の成形体。この出願は、2010年10月6日に出願された日本特許出願特願2010-226926を基礎とする優先権を主張し、その開示のすべてをここに取り込む。"