"厚み方向一方側面に電極部が接続された光半導体層と、前記光半導体層の厚み方向他方側面に積層された蛍光体層とを備える発光素子シートを用意する工程、前記発光素子シートを複数に分割し、前記電極部、前記光半導体層および前記蛍光体層を備える発光素子を、複数形成する工程、複数の前記発光素子を、基材上に、前記蛍光体層が前記基材と対向するように、互いに間隔を隔てて配置する工程、前記基材上において、光反射成分を含有する反射樹脂層を、前記発光素子を被覆するように形成する工程、および、前記反射樹脂層から前記電極部の厚み方向一方側面が露出するように、前記反射樹脂層を一部除去する工程を含むことを特徴とする、発光素子転写シートの製造方法。請求項1に記載の発光素子転写シートの製造方法によって、発光素子転写シートを製造する工程、前記発光素子転写シートを、少なくとも1つの前記発光素子を備える個片に、複数に分割する工程、前記個片と、端子が設けられたベース基板とを、厚み方向に対向配置させ、前記電極部と前記端子とを電気的に接続して、前記発光素子を前記ベース基板にフリップチップ実装する工程を備えることを特徴とする、発光装置の製造方法。基材と、光半導体層、前記光半導体層の厚み方向一方側面に接続された電極部、および、前記光半導体層の厚み方向他方側面に積層された蛍光体層を備え、前記基材上に、前記蛍光体層が前記基材と対向するように、互いに間隔を隔てて配置される、複数の発光素子と、光反射成分を含有し、前記基材上において、前記発光素子を被覆するとともに、前記電極部の厚み方向一方側面を露出させる反射樹脂層とを備えることを特徴とする、発光素子転写シート。請求項3に記載の発光素子転写シートが複数に分割されて得られる、少なくとも1つの前記発光素子を備える個片と、端子が設けられたベース基板とが、厚み方向に対向配置され、前記電極部と前記端子とが電気的に接続されて、前記発光素子が前記ベース基板にフリップチップ実装されていることを特徴とする、発光装置。しかし、特許文献1の製造方法により得られる白色発光装置では、光半導体発光素子と反射枠部とが間隔を隔てて配置されているため、光半導体発光素子から側方に向かって発光される光の一部は、反射枠部で反射される前に、封止部に吸収される。その結果、光の取出効率が低下するという不具合がある。本発明の目的は、発光装置の光の取出効率を向上させることができる発光素子転写シートおよびその製造方法、および、その発光素子転写シートを用いて得られる発光装置およびその製造方法を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明の発光素子転写シートの製造方法は、厚み方向一方側面に電極部が接続された光半導体層と、前記光半導体層の厚み方向他方側面に積層された蛍光体層とを備える発光素子シートを用意する工程、前記発光素子シートを複数に分割し、前記電極部、前記光半導体層および前記蛍光体層を備える発光素子を、複数形成する工程、複数の前記発光素子を、基材上に、前記蛍光体層が前記基材と対向するように、互いに間隔を隔てて配置する工程、前記基材上において、光反射成分を含有する反射樹脂層を、前記発光素子を被覆するように形成する工程、および、前記反射樹脂層から前記電極部の厚み方向一方側面が露出するように、前記反射樹脂層を一部除去する工程を含むことを特徴としている。また、本発明の発光装置の製造方法は、上記の発光素子転写シートの製造方法によって、発光素子転写シートを製造する工程、前記発光素子転写シートを、少なくとも1つの前記発光素子を備える個片に、複数に分割する工程、前記個片と、端子が設けられたベース基板とを、厚み方向に対向配置させ、前記電極部と前記端子とを電気的に接続して、前記発光素子を前記ベース基板にフリップチップ実装する工程を備えることを特徴としている。また、本発明の発光素子転写シートは、基材と、光半導体層、前記光半導体層の厚み方向一方側面に接続された電極部、および、前記光半導体層の厚み方向他方側面に積層された蛍光体層を備え、前記基材上に、前記蛍光体層が前記基材と対向するように、互いに間隔を隔てて配置される、複数の発光素子と、光反射成分を含有し、前記基材上において、前記発光素子を被覆するとともに、前記電極部の厚み方向一方側面を露出させる反射樹脂層とを備えることを特徴としている。また、本発明の発光装置は、上記の発光素子転写シートが複数に分割されて得られる、少なくとも1つの前記発光素子を備える個片と、端子が設けられたベース基板とが、厚み方向に対向配置され、前記電極部と前記端子とが電気的に接続されて、前記発光素子が前記ベース基板にフリップチップ実装されていることを特徴としている。本発明の発光素子転写シートの製造方法およびそれにより得られる本発明の発光素子転写シートでは、光反射成分を含有する反射樹脂層を、発光素子を被覆するように形成する。そのため、このような発光素子転写シートを用いる発光装置の製造方法およびそれにより得られる発光装置では、光半導体層から発光される光は、他の部材によって吸収される前に、反射樹脂層の光反射成分によって反射される。その結果、光の取出効率を向上させることができる。図1は、本発明の発光装置の一実施形態の断面図、図2は、本発明の発光素子転写シートの一実施形態を示す断面図であって、aは、分割前における発光素子転写シートを示し、bは、分割時における発光素子転写シートを示す。図1において、この発光装置としての発光ダイオード装置1は、ベース基板としてのダイオード基板2と、後述する発光素子3を備える個片9とを備えている。ダイオード基板2は、略平板状をなし、具体的には、絶縁基板の上に、導体層が回路パターンとして積層された積層板から形成されている。絶縁基板は、例えば、シリコン基板、セラミックス基板、ポリイミド樹脂基板などからなり、好ましくは、セラミックス基板、具体的には、サファイアAl2O3基板からなる。導体層は、例えば、金、銅、銀、ニッケルなどの導体から形成されている。これら導体は、単独使用または併用することができる。また、導体層は、端子6を含んでいる。端子6は、絶縁基板の上面において、面方向に間隔を隔てて形成されており、後述する電極部8に対応するパターンに形成されている。なお、端子6は、図示しないが、導体層を介して電力供給部と電気的に接続されている。個片9は、ダイオード基板2にフリップチップ実装される少なくとも1つ図1では1つの発光素子3と、その発光素子3の側方に設けられる反射樹脂層4とを備えている。発光素子3は、光半導体層7と、光半導体層7の厚み方向一方側面裏面図1における下面に接続された電極部8と、光半導体層7の厚み方向他方側面表面図1における上面に積層された蛍光体層5とを備えている。光半導体層7は、図示しないが、例えば、厚み方向に順次積層される緩衝層、N形半導体層、発光層およびP形半導体層を備えている。光半導体層7は、公知の半導体材料から形成されており、エピタキシャル成長法などの公知の成長法によって形成される。光半導体層7の厚みは、例えば、0.1~500μm、好ましくは、0.2~200μmである。電極部8は、光半導体層7と電気的に接続されており、厚み方向に投影したときに、光半導体層7に含まれるように形成されている。また、電極部8は、例えば、P形半導体層に接続されるアノード電極と、N形半導体層に形成されるカソード電極とを備えている。電極部8は、公知の導体材料から形成されており、その厚みは、例えば、10~1000nmである。蛍光体層5は、光半導体層7の厚み方向他方側面表面図1における上面全面に形成されており、厚み方向に投影したときに、光半導体層7の外形形状と同一パターンの平面視略矩形状に形成されている。蛍光体層5は、例えば、蛍光体を含有する蛍光体組成物から形成されている。蛍光体組成物は、好ましくは、蛍光体および樹脂を含有している。蛍光体としては、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体が挙げられる。そのような蛍光体としては、例えば、複合金属酸化物や金属硫化物などに、例えば、セリウムCeやユウロピウムEuなどの金属原子がドープされた蛍光体が挙げられる。具体的には、蛍光体としては、例えば、Y3Al5O12:CeYAGイットリウムアルミニウムガーネット:Ce、Y,Gd3Al5O12:Ce、Tb3Al3O12:Ce、Ca3Sc2Si3O12:Ce、Lu2CaMg2Si,Ge3O12:Ceなどのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Sr,Ba2SiO4:Eu、Ca3SiO4Cl2:Eu、Sr3SiO5:Eu、Li2SrSiO4:Eu、Ca3Si2O7:Euなどのシリケート蛍光体、例えば、CaAl12O19:Mn、SrAl2O4:Euなどのアルミネート蛍光体、例えば、ZnS:Cu,Al、CaS:Eu、CaGa2S4:Eu、SrGa2S4:Euなどの硫化物蛍光体、例えば、CaSi2O2N2:Eu、SrSi2O2N2:Eu、BaSi2O2N2:Eu、Ca-α-SiAlONなどの酸窒化物蛍光体、例えば、CaAlSiN3:Eu、CaSi5N8:Euなどの窒化物蛍光体、例えば、K2SiF6:Mn、K2TiF6:Mnなどのフッ化物系蛍光体などが挙げられる。好ましくは、ガーネット型蛍光体、さらに好ましくは、Y3Al5O12:CeYAGが挙げられる。蛍光体は、単独使用または2種以上併用することができる。蛍光体の配合割合は、例えば、蛍光体組成物に対して、例えば、1~50重量、好ましくは、5~30重量である。また、樹脂100質量部に対する蛍光体の配合割合は、例えば、1~100質量部、好ましくは、5~40質量部である。樹脂は、蛍光体を分散させるマトリックスであって、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの透明樹脂などが挙げられる。好ましくは、耐久性の観点から、シリコーン樹脂が挙げられる。シリコーン樹脂は、主として、シロキサン結合-Si-O-Si-からなる主鎖と、主鎖の硅素原子Siに結合する、アルキル基例えば、メチル基などまたはアルコキシル基例えば、メトキシ基などの有機基からなる側鎖とを分子内に有している。具体的には、シリコーン樹脂としては、例えば、脱水縮合型シリコーンレジン、付加反応型シリコーンレジン、過酸化物硬化型シリコーンレジン、湿気硬化型シリコーンレジン、硬化型シリコーンレジンなどが挙げられる。好ましくは、付加反応型シリコーンレジンなどが挙げられる。シリコーン樹脂の25°Cにおける動粘度は、例えば、10~30mm2/sである。樹脂は、単独使用または2種以上併用することができる。樹脂の配合割合は、蛍光体組成物に対して、例えば、50~99質量、好ましくは、57~95質量である。蛍光体組成物は、蛍光体および樹脂を上記した配合割合で配合し、攪拌混合することにより調製される。蛍光体層5の厚みは、例えば、0.1~1000μm、好ましくは、0.2~800μmである。また、発光素子3の厚み蛍光体層5、光半導体層7および電極部8の総厚みは、例えば、20~500μm、好ましくは、50~300μmである。反射樹脂層4は、ダイオード基板2の上面において、平面視で、発光素子3が形成される領域以外の領域、具体的には、発光素子3の左右方向両外側および前後方向両側に設けられ、発光素子3の左面、右面、前面および後面の各面に密着している。これによって、反射樹脂層4は、発光素子3の上面を露出している。このような反射樹脂層4は、例えば、光反射成分を含有しており、具体的には、反射樹脂層4は、樹脂と、光反射成分とを含有する反射樹脂組成物から形成されている。樹脂としては、例えば、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられ、好ましくは、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられる。光反射成分は、例えば、白色の化合物であって、そのような白色の化合物としては、具体的には、白色顔料が挙げられる。白色顔料としては、例えば、白色無機顔料が挙げられ、そのような白色無機顔料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウムなどの酸化物、例えば、鉛白炭酸亜鉛、炭酸カルシウムなどの炭酸塩、例えば、カオリンカオリナイトなどの粘土鉱物などが挙げられる。白色無機顔料として、好ましくは、酸化物、さらに好ましくは、酸化チタンが挙げられる。酸化チタンであれば、高い白色度、高い光反射性、優れた隠蔽性隠蔽力、優れた着色性着色力、高い分散性、優れた耐候性、高い化学的安定性などの特性を得ることができる。そのような酸化チタンは、具体的には、TiO2、酸化チタンIV、二酸化チタンである。酸化チタンの結晶構造は、特に限定されず、例えば、ルチル、ブルッカイト板チタン石、アナターゼ鋭錐石などであり、好ましくは、ルチルである。また、酸化チタンの結晶系は、特に限定されず、例えば、正方晶系、斜方晶系などであり、好ましくは、正方晶系である。酸化チタンの結晶構造および結晶系が、ルチルおよび正方晶系であれば、反射樹脂層4が長期間高温に曝される場合でも、光具体的には、可視光、とりわけ、波長450nm付近の光に対する反射率が低下することを有効に防止することができる。光反射成分は、粒子状であり、その形状は限定されず、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。光反射成分の最大長さの平均値球状である場合には、その平均粒子径は、例えば、1~1000nmである。最大長さの平均値は、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定される。光反射成分の配合割合は、樹脂100質量部に対して、例えば、0.5~90質量部、好ましくは、着色性および光反射性の観点から、1.5~70質量部である。また、光反射成分の配合割合は、反射樹脂組成物100質量部に対して、例えば、0.5~90質量部、光反射率およびハンドリング性の観点から、好ましくは、1.5~70質量部である。上記した光反射成分は、樹脂中に均一に分散混合される。また、反射樹脂組成物には、さらに、充填剤を添加することもできる。つまり、充填剤を、光反射成分具体的には、白色顔料と併用することができる。充填剤は、上記した白色顔料を除く、公知の充填剤が挙げられ、具体的には、無機質充填剤が挙げられ、そのような無機質充填剤としては、例えば、シリカ粉末、タルク粉末、アルミナ粉末、窒化アルミニウム粉末、窒化ケイ素粉末などが挙げられる。充填剤として、好ましくは、反射樹脂層4の線膨張率を低減する観点から、シリカ粉末が挙げられる。シリカ粉末としては、例えば、溶融シリカ粉末、結晶シリカ粉末などが挙げられ、好ましくは、溶融シリカ粉末すなわち、石英ガラス粉末が挙げられる。充填剤の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、優れた充填性および流動性の観点から、球状が挙げられる。従って、シリカ粉末として、好ましくは、球状溶融シリカ粉末が挙げられる。充填剤の最大長さの平均値球状である場合には、平均粒子径は、例えば、5~60μm、好ましくは、15~45μmである。最大長さの平均値は、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定される。充填剤の添加割合は、充填剤および光反射成分の総量が、例えば、樹脂100質量部に対して、10~80質量部となるように、調整され、線膨張率の低減および流動性の確保の観点から、樹脂100質量部に対して、好ましくは、25~75質量部、さらに好ましくは、40~60質量部となるように、調整される。また、充填剤の添加割合は、充填剤および光反射成分の総量が、光反射率およびハンドリング性の観点から、反射樹脂組成物100質量部に対して、好ましくは、1.5~70質量部である。反射樹脂組成物は、上記した樹脂と、光反射成分と、必要により添加される充填剤とを配合して、均一混合することにより調製される。また、反射樹脂組成物は、Bステージ状態として調製される。このような反射樹脂組成物は、例えば、液状または半固形状に形成されており、その動粘度は、例えば、10~30mm2/sである。このようにして、発光素子3の外側面は、反射樹脂層4によって封止されている。なお、光半導体層7の下側には、図1において仮想線で示すように、電極部8の厚みに対応する下部隙間12が形成されている。この下部隙間12にも、反射樹脂層4が充填され、また、このような下部隙間12において、反射樹脂層4は、電極部8から露出する光半導体層7の下面および電極部8の側面にも密着する。反射樹脂層4の厚みは、上記した発光素子3の厚み蛍光体層5、光半導体層7および電極部8の総厚みと同様であって、具体的には、例えば、20~500μm、好ましくは、50~300μmである。上記した個片9は、図2aおよびbに示すように、発光素子転写シート10を、複数に分割することにより、得ることができる。発光素子転写シート10は、発光素子3および反射樹脂層4を、ダイオード基板2図1参照に転写するための転写シートであって、後述するように分割されることにより、複数例えば、3つの個片9を形成する。発光素子転写シート10は、基材としての離型基材14と、離型基材14に支持された複数例えば、3つの発光素子3と、発光素子3の側面を被覆する反射樹脂層4とを備えている。具体的には、発光素子転写シート10では、複数例えば、3つの発光素子3が、離型基材14上において、蛍光体層5と離型基材14とが対向するように、互いに間隔を隔てて配置されている。また、反射樹脂層4は、上記したように、離型基材14上において、電極部8の厚み方向一方側面裏面図2aにおける上面が露出するように、発光素子3を被覆している。これら発光素子3および反射樹脂層4を支持する離型基材14は、例えば、略矩形状の離型シート離型フィルムであって、上面および下面が平坦状に形成されている。離型基材14は、加熱により容易に剥離できる熱剥離シートから、形成される。熱剥離シートは、支持層15と、支持層15の上面に積層される粘着層16とを備えている。支持層15は、例えば、ポリエステルなどの耐熱性樹脂から形成されている。粘着層16は、例えば、常温25°Cにおいて、粘着性を有し、加熱時に、粘着性が低減するあるいは、粘着性を失う熱膨張性粘着剤などから形成されている。上記した熱剥離シートは、市販品を用いることができ、具体的には、リバアルファシリーズ登録商標、日東電工社製などを用いることができる。熱剥離シートは、支持層15によって、個片9発光素子3および反射樹脂層4を、粘着層16を介して確実に支持しながら、後述するように、加熱による粘着層16の粘着性の低下に基づいて、個片9発光素子3および反射樹脂層4から剥離される。また、離型基材14を、例えば、ポリオレフィン具体的には、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン酢酸ビニル共重合体EVAなどのビニル重合体、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネートなどのポリエステル、例えば、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂などの樹脂材料などから形成されている。また、離型基材14は、例えば、鉄、アルミニウム、ステンレスなどの金属材料などから形成することもできる。離型基材14の厚みは、例えば、10~1000μmである。図3は、図2に示される発光素子転写シート10の製造方法を示す工程図である。次に、上記した発光素子転写シート10を製造する方法について、図3を参照して説明する。この方法では、まず、図3aに示すように、発光素子シート11を用意する。発光素子シート11は、複数例えば、8つの発光素子3を一体的に備える発光素子3の集合体シートであって、後述するように、分割されることによって複数例えば、8つの発光素子3を形成する。具体的には、発光素子シート11は、面方向に長いシート状の光半導体層7光半導体シートと、その光半導体層7の厚み方向一方側面裏面図3aにおける下面に、各発光素子3に対応するように接続された複数の電極部8と、光半導体層7の厚み方向他方側面表面図3aにおける上面に積層された面方向に長いシート状の蛍光体層5とを備えている。このような発光素子シート11は、例えば、まず、上記した蛍光体組成物を、面方向に長いシート状に成形し、例えば、50~150°Cに、加熱して乾燥することにより、蛍光体層5を形成し、次いで、蛍光体層5の厚み方向一方側面裏面図3aにおける下面に、公知の方法により、面方向に長いシート状の光半導体層7を積層し、その後、光半導体層7の厚み方向一方側面裏面図3aにおける下面に、電極部8を接続することにより、得ることができる。次いで、この方法では、図3aにおいて一点鎖線で示すように、発光素子シート11を複数に分割し、発光素子3、詳しくは、電極部8、光半導体層7および蛍光体層5を備える発光素子3を、複数例えば、8つ形成する。発光素子シート11を分割する方法としては、特に制限されず、公知の方法を採用することができる。なお、上記の分割によって得られた複数例えば、8つの発光素子3を、次の工程図3b~図3dにおいて、上下方向を反転させる。次いで、この方法では、図3bに示すように、複数例えば、3つの発光素子3を、離型基材14上に、発光素子3の蛍光体層5が離型基材14と対向するように、互いに間隔を隔てて配置する。なお、各発光素子3の間隔は、特に制限されず、目的および用途に応じて適宜設定される。次いで、この方法では、図3cに示すように、離型基材14上において、反射樹脂層4を、発光素子3を被覆するように、形成する。反射樹脂層4を形成する方法としては、特に制限されないが、例えば、上記した反射樹脂組成物を、例えば、印刷、ディスペンサなどの塗布方法により、離型基材14の上に、発光素子3を被覆するように、塗布する。次いで、この方法では、図3dに示すように、反射樹脂層4から電極部8の厚み方向一方側面裏面図3dにおける上面が露出するように、公知のエッチング法などによって、反射樹脂層4を一部除去する。詳しくは、電極部8の厚み方向一方側面裏面図3dにおける上面と、反射樹脂層4の厚み方向一方側面裏面図3dにおける上面とが面一となるように、反射樹脂層4を一部除去する。これにより、離型基材14の上において、発光素子3を被覆するとともに、電極部8の厚み方向一方側面裏面図3dにおける上面を露出させるように、反射樹脂層4を形成し、発光素子転写シート10を製造することができる。このような発光素子転写シート10の製造方法およびそれにより得られる発光素子転写シート10では、光反射成分を含有する反射樹脂層4を、発光素子3を被覆するように形成する。そのため、後述するように、このような発光素子転写シート10を用いる発光ダイオード装置1の製造方法およびそれにより得られる発光ダイオード装置1では、光半導体層7から発光される光は、他の部材によって吸収される前に、反射樹脂層4の光反射成分によって反射される。その結果、光の取出効率を向上させることができる。また、このような発光素子転写シート10を用いる発光ダイオード装置1の製造方法およびそれにより得られる発光ダイオード装置1では、シート状に形成された蛍光体層を予め用意するので、蛍光体層を、薄く、短時間、かつ、簡便に形成することができる。そのため、製造コストの上昇を抑制することができる。また、このような発光素子転写シート10を用いる発光ダイオード装置1の製造方法およびそれにより得られる発光ダイオード装置1では、反射樹脂層4によって、光半導体層7の下側の下部隙間12に、反射樹脂層4を良好に充填することができる。また、このような発光素子転写シート10を用いる発光ダイオード装置1の製造方法およびそれにより得られる発光ダイオード装置1では、反射樹脂層4によって、発光素子3を封止することができるので、別途、封止樹脂などを用いて発光素子を封止する必要がなく、そのため、コストおよび工数の削減を図ることができる。図4は、図1に示される発光ダイオード装置1の製造方法を示す製造工程図である。次に、上記した発光素子転写シート10を用いて、発光ダイオード装置1を製造する方法について、図4を参照して説明する。この方法では、まず、図4aに示すように、上記の方法上記の図3a~dに示す方法によって製造された発光素子転写シート10を用意する。次いで、この方法では、図4bに示すように、発光素子転写シート10を、少なくとも1つの発光素子3図4aでは1つを備える個片9に、複数例えば、3つに分割する。この工程において、個片9は、上記したように、発光素子3と、発光素子3を封止する反射樹脂層4を備えており、離型基材14に支持されている。次いで、この方法では、図4cに示すように、端子6が設けられたダイオード基板2を用意し、個片9と、ダイオード基板2とを、厚み方向に対向配置させる。そして、発光素子3の電極部8と、ダイオード基板2の端子6とを電気的に接続して、発光素子3を、ダイオード基板2にフリップチップ実装する実線矢印参照。また、この工程において、反射樹脂層4の樹脂が熱硬化性樹脂からなる場合には、Bステージ状態であるため、個片9とダイオード基板2とを厚み方向に圧着させ、これにより、光半導体層7の下側の下部隙間12仮想線参照に、反射樹脂層4を充填する。その後、例えば、加熱することにより、離型基材14における粘着層16の粘着性を低下させ、個片9から、離型基材14を剥離させることにより、発光素子3および反射樹脂層4を、ダイオード基板2に転写する破線矢印参照。また、必要により、Bステージ状態の反射樹脂層4を加熱して、硬化させる。これにより、図4dに示すように、発光ダイオード装置1を得ることができる。このような発光ダイオード装置1およびその製造方法では、上記の発光素子転写シート10が用いられているため、光半導体層7から発光される光は、他の部材によって吸収される前に、反射樹脂層4の光反射成分によって反射される。その結果、光の取出効率を向上させることができる。また、このような発光ダイオード装置1およびその製造方法では、シート状に形成された蛍光体層を予め用意するので、蛍光体層を、薄く、短時間、かつ、簡便に形成することができる。そのため、製造コストの上昇を抑制することができる。また、このような発光ダイオード装置1およびその製造方法では、反射樹脂層4によって、光半導体層7の下側の下部隙間12に、反射樹脂層4を良好に充填することができる。また、このような発光ダイオード装置1およびその製造方法では、反射樹脂層4によって、発光素子3を封止することができるので、別途、封止樹脂などを用いて発光素子を封止する必要がなく、そのため、コストおよび工数の削減を図ることができる。実施例1発光素子転写シートの製造緩衝層GaN、N形半導体層n-GaN、発光層InGaNおよびP形半導体層p-GaN:Mgを含む光半導体層と、アノード電極およびカソード電極を含む電極部とを備える、厚み0.2mm、最大長さ100mmのシート状に広がる光半導体層光半導体シートを用意した。次いで、光半導体層光半導体シートの表面に、蛍光体層を、積層した。詳しくは、Y3Al5O12:Ceからなる蛍光体粒子球形状、平均粒子径8μm26質量部、および、シリコーン樹脂付加反応型シリコーンレジン、動粘度25°C20mm2/s、旭化成ワッカーシリコーン社製74質量部を配合して、均一攪拌することにより、蛍光体組成物を調製した。次いで、調製した蛍光体組成物を、光半導体層の表面に印刷により塗布して蛍光体皮膜を形成した後、蛍光体皮膜を、100°Cで乾燥させて、蛍光体層を形成した。これにより発光素子シートを得た図3a参照。次いで、発光素子シートを複数に分割ダイシングし、電極部、光半導体層および蛍光体層を備える発光素子を、複数形成した図3a一点鎖線参照。次いで、複数の発光素子を、上面および下面が平坦状に形成され、フッ素樹脂からなる厚み50μmの離型基材上に、蛍光体層が離型基材と対向するように、互いに間隔を隔てて配置した図3b参照。次いで、反射樹脂組成物を調製し、かかる反射樹脂組成物を、離型基材上に印刷し、発光素子を被覆するBステージ状態の反射樹脂層を形成した図3c参照。反射樹脂組成物は、熱硬化性シリコーン樹脂100質量部、および、球状で、平均粒子径300nmの酸化チタンTiO2、:ルチルの正方晶系粒子20質量部を均一に混合することにより、調製した。次いで、反射樹脂層から電極部の厚み方向一方側面が露出するように、反射樹脂層を、エッチングによって一部除去した図3d参照。その後、反射樹脂層を加熱により硬化させることにより、発光素子転写シートを得た。実施例2実施例1により得られた発光素子転写シート図4a参照を、少なくとも1つの発光素子を備える個片、および、その個片を支持する離型基材に、複数に分割した図4b参照。次いで、得られた個片と、厚み1mmのダイオード基板とを厚み方向に対向配置させ、発光素子をダイオード基板の上面にフリップ実装した図4c参照。なお、ダイオード基板は、サファイアからなる絶縁基板と、その上面に、銅、ニッケルおよび金からなる端子を含む導体層とを備えていた。これにより、発光ダイオード装置を得た図4d参照。"