金属酸化物膜を形成するための前駆体溶液に、金属酸化物膜が成膜される基板を浸す工程と、前記基板と前記前駆体溶液との界面に光を集光した状態で、前記光を走査しながら照射する工程と、を有し、前記前駆体溶液は前記光を透過するものであって、前記基板上に前記金属酸化物膜を形成することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法。金属酸化物膜を形成するための前駆体溶液を金属酸化物膜が成膜される基板の表面に塗布し前駆体膜を形成する工程と、前記基板と前記前駆体膜との界面に光を集光した状態で、前記光を走査しながら照射する工程と、を有し、前記前駆体溶液は常温以上の温度の融点を有する溶媒が含まれており、前記前駆体溶液は前記光を透過するものであって、前記基板上に前記金属酸化物膜を形成することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法。前記金属酸化物膜は、強誘電体膜であることを特徴とする請求項1または2に記載の金属酸化物膜の製造方法。前記基板は前記光を透過する基板であって、前記光が照射される側の面とは反対側の面に集光されるものであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の金属酸化物膜の製造方法。前記光を走査しながら照射する工程の後、前記前駆体溶液または前記前駆体膜を除去するための洗浄を行なう工程を有することを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の金属酸化物膜の製造方法。前記基板はガラス基板または樹脂基板であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の金属酸化物膜の製造方法。前記光はレーザ光であることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の金属酸化物膜の製造方法。前記前駆体溶液の透過率は、前記光の波長において、90以上であることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の金属酸化物膜の製造方法。溶液ホルダーに入れられた前駆体溶液と、前記前駆体溶液に浸された基板と、前記前駆体溶液を透過する波長の光を出射する光源と、前記溶液ホルダーの位置を移動させるステージと、を有し、前記光は前記前駆体溶液と前記基板との界面に集光されるものであって、前記光が集光された状態で、前記ステージにより前記界面において集光される光の位置を相対的に移動させることを特徴とする金属酸化物膜の製造装置。本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、低温で結晶化された金属酸化物膜を所望の形状で形成することを目的とするものであり、更には、結晶化された金属酸化物膜を低コストで形成することを目的とするものである。本発明は、金属酸化物膜を形成するための前駆体溶液に、金属酸化物膜が成膜される基板を浸す工程と、前記基板と前記前駆体溶液との界面に光を集光した状態で、前記光を走査しながら照射する工程と、を有し、前記前駆体溶液は前記光を透過するものであって、前記基板上に前記金属酸化物膜を形成することを特徴とする。また、本発明は、金属酸化物膜を形成するための前駆体溶液を金属酸化物膜が成膜される基板の表面に塗布し前駆体膜を形成する工程と、前記基板と前記前駆体膜との界面に光を集光した状態で、前記光を走査しながら照射する工程と、を有し、前記前駆体溶液は常温以上の温度の融点を有する溶媒が含まれており、前記前駆体溶液は前記光を透過するものであって、前記基板上に前記金属酸化物膜を形成することを特徴とする。また、本発明は、前記金属酸化物膜は、強誘電体膜であることを特徴とする。また、本発明は、前記基板は前記光を透過する基板であって、前記光が照射される側の面とは反対側の面に集光されるものであることを特徴とする。また、本発明は、前記光を走査しながら照射する工程の後、前記前駆体溶液または前記前駆体膜を除去するための洗浄を行なう工程を有することを特徴とする。また、本発明は、前記基板はガラス基板または樹脂基板であることを特徴とする。また、本発明は、前記光はレーザ光であることを特徴とする。また、本発明は、前記前駆体溶液の透過率は、前記光の波長において、90以上であることを特徴とする。また、本発明は、溶液ホルダーに入れられた前駆体溶液と、前記前駆体溶液に浸された基板と、前記前駆体溶液を透過する波長の光を出射する光源と、前記溶液ホルダーの位置を移動させるステージと、を有し、前記光は前記前駆体溶液と前記基板との界面に集光されるものであって、前記光が集光された状態で、前記ステージにより前記界面において集光される光の位置を相対的に移動させることを特徴とする。本発明によれば、低温で結晶化された金属酸化物膜を所望の形状で形成することができ、更には、結晶化された金属酸化物膜を低コストで形成することができる。本発明を実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。第1の実施の形態第1の実施の形態における金属酸化物膜の製造方法及び製造装置について説明する。金属酸化物膜の製造装置最初に、本実施の形態における金属酸化物膜の製造装置について説明する。本実施の形態における金属酸化物膜の製造装置は、光源10、光学系11、対物レンズ12、溶液ホルダー13、スペーサ14、ガラス基板15、XYZステージ16、CCDChargeCoupledDeviceカメラ17、電磁シャッタ18、電磁シャッタコントローラ21、XYZステージコントローラ22、コンピュータ23を有している。金属酸化物膜を形成するための前駆体溶液30は溶液ホルダー13の内部に入れられており、金属酸化物膜が成膜される基板40は、溶液ホルダー13の内部において、前駆体溶液30に全体が浸かるように設置されている。光源10は、レーザ光を出射するレーザ光源が用いられており、形成される金属酸化物膜や基板40や前駆体溶液30の種類により適宜選択して用いられる。具体的には、光源10としては、連続発振CWダイオード励起固体DPSS;DiodePumpedSolidStateレーザであって発振波長が457、473、488、532、561、660または1064nmのもの、パルス発振レーザであって発振波長が266、355、532または1064nmのもの、325及び442nmの発振波長を有するHe-Cdレーザ、488及び514.5nmの発振波長を有するArイオンレーザ、800nmの発振波長を有するチタンサファイアレーザ、405、408、442、473、638、658、780または830nmの発振波長を有する半導体レーザ、193、248、308または353nmに発振波長を有するエキシマレーザ、紫外域から赤外域に発振波長を有するファイバーレーザ等が挙げられる。尚、光源10に用いられるレーザ等は上記に限定されるものではない。本実施の形態では、連続発振ダイオード励起固体レーザが用いられており、例えば、LaserQuantum社、Ventus532532nm、500mW、CNI社、MGL-H-532-1W532nm、118W、TEM00モード及び金門光波バイオレッットDPSSレーザ、405nm、100mWが搭載されている。光学系11は、光学顕微鏡が用いられており、本実施の形態では、BX51オリンパス製が用いられている。光源10からの光を集光等するためのものである。対物レンズ12は、光学系11と接続されており、本実施の形態では、SLMPlan20XN.A.0.35、SLMPlan50XN.A.0.45、SLMPlan100XN.A.0.8が用いられている。溶液ホルダー13は前駆体溶液30を溜めることができるような構造により形成されており、光を入射するための開口部13aが設けられている。スペーサ14は、溶液ホルダー13において後述するガラス基板15を所定の位置に設置するためのものである。ガラス基板15は、光源10の波長の光を透過する材料により形成されており、前駆体溶液30の上面と接し、溶液ホルダー13の開口部13aを塞ぐように設置されている。XYZステージ16は、溶液ホルダーをX、Y、Z軸方向に移動させることができるものであり、これにより溶液ホルダー13の内部に設置されている基板40の所定の位置に、光源10からの光を照射させることができる。本実施の形態では、TSDM60-20、SPSD60-10ZFシグマ光機社が用いられている。CCDカメラ17は、基板40の表面に形成された金属酸化物膜を観察するためのものであり、本実施の形態では、Watec社、WAT231S2が用いられている。電磁シャッタ18は、光源10と光学系11との間に設けられており、光源10からの光を光学系11に入射させるか否かの開閉動作を行なうものである。本実施の形態では、シグマ光機社、SSH-Rが用いられている。電磁シャッタコントローラ21は、電磁シャッタ18の開閉を制御するためのものであり、後述するコンピュータ23に接続されている。本実施の形態では、シグマ光機社、SSH-CB4が用いられている。XYZステージコントローラ22は、XYZステージ16の駆動動作の制御を行なうためのものであり、後述するコンピュータ23に接続されている。本実施の形態では、シグマ光機社、SHOT-204MSが用いられている。前駆体溶液30は、金属酸化物膜を形成する材料となる有機金属化合物を溶媒に溶解させたものであり、加水分解と縮合反応により金属元素と酸素とのネットワーク構造が形成された均一な溶液である。基板40は、金属酸化物膜を形成するための基板であり、ガラス基板やシリコン基板を用いることができる。本実施の形態では、シリコン基板が用いられている。金属酸化物膜の製造方法次に、本実施の形態における金属酸化物膜の製造装置を用いた本実施の形態における金属酸化物膜の製造方法について図2に基づき説明する。最初に、ステップ102S102において、前駆体溶液30に基板40を浸漬させる。具体的には、本実施の形態における金属酸化物膜の製造装置において、図3aに示すように、前駆体溶液30が入れられている溶液ホルダー13内の所望の位置に基板40を浸漬させ設置する。次に、ステップ104S104において、光源10からのレーザ光を基板40が前駆体溶液30と接している面に集光させる。具体的には、光源10からのレーザ光を光学系11に入射させ、対物レンズ12により、基板40が前駆体溶液30と接している面に集光させ、この状態において、コンピュータ23による制御によりXYZステージコントローラ22を介しXYZステージ16を駆動する。具体的には、図3bに示すように、基板40の表面の所望の領域にレーザ光10aを集光させた状態で、基板40を移動させることにより金属酸化物膜41を形成する。即ち、本実施の形態における金属酸化物膜の形成方法では、基板40の表面のレーザ光10aが集光されている領域にのみ加熱等により前駆体溶液を硬化させて金属酸化物膜41を形成することができ、同時に形成された金属酸化物膜41を結晶化させることができる。また、形成された金属酸化物膜41の界面は、前駆体溶液30と接しているため、結晶化等によりクラッキングか発生することはない。また、基板40の表面においてレーザ光の照射された領域のみ金属酸化物膜41を形成することができるため、フォトレジストの形成及びRIE等によるエッチングを行なうことなく、低コストで結晶化している金属酸化物膜41を所望の形状で形成することができる。次に、ステップ106S106において、金属酸化物膜41の形成されている基板40を溶液ホルダー13より取り出し、前駆体溶液を除去するための洗浄を行なう。これにより、図3cに示すように、基板40の表面にはPZT等の結晶化した金属酸化物膜41を形成することができる。本実施の形態では、金属酸化物膜41として結晶化させたPZTやSBTを形成する場合について説明したが、他の強誘電体材料や他の金属酸化物膜を作製する場合についても同様に適用することができる。第2の実施の形態次に、第2の実施の形態について説明する。図4に基づき本実施の形態における金属酸化物膜の製造方法について説明する。最初に、ステップ202S202において、基板40の表面に前駆体溶液からなる膜前駆体膜141を形成する。具体的には、基板表面に前駆体溶液をスピンコート等により塗布し、ポストベーク等することにより、図5aに示す基板40の表面に前駆体膜141を形成する。尚、本実施の形態において用いられる前駆体溶液は、常温以上の温度において、融点を有する溶媒が含まれているものである。次に、ステップ204S204において、前駆体膜141の形成された基板40を本実施の形態における金属酸化物膜の製造装置の所定の位置に設置し、レーザ光を照射することにより所望の領域に金属酸化物膜を形成する。具体的には、本実施の形態において用いられる金属酸化物膜の製造装置は、図6に示すように、第1の実施の形態における金属酸化物膜の製造装置において、溶液ホルダー13、スペーサ14、ガラス基板15を有していない構造のものである。即ち、本実施の形態における金属酸化物膜の製造装置は、光源10、光学系11、対物レンズ12、XYZステージ16、CCDカメラ17、電磁シャッタ18、電磁シャッタコントローラ21、XYZステージコントローラ22、コンピュータ23を有している。この金属酸化物膜の製造装置を用いて、基板40の前駆体膜141が形成されている面の所望の領域にレーザ光を集光させる。具体的には、光源10からのレーザ光を光学系11に入射させ、対物レンズ12により、前駆体膜141が形成されている基板40の表面に集光させる。この状態において、コンピュータ23による制御によりXYZステージコントローラ22を介しXYZステージ16を駆動する。これにより、図5bに示すように、基板40の表面の所望の領域にレーザ光10aを集光させた状態で、基板40を移動させることにより、前駆体膜141より結晶化した金属酸化物膜41を形成することができる。次に、ステップ206S206において、金属酸化物膜41の形成されている基板40より付着している前駆体膜141を除去するための洗浄を行なう。これにより、図5cに示すように、基板40の表面にはPZT等の結晶化した金属酸化物膜41を形成することができる。尚、上記以外の内容については、第1の実施の形態と同様である。次に、実施例について説明する。尚、実施例において用いた共焦点レーザ顕微鏡は、3次元3D共焦点レーザ顕微鏡であり、キーエンス社、カラー3Dレーザ顕微鏡VK-9700である。また、顕微ラマン分光装置は、レーザ光源が連続発振CWダイオード励起固体DPSSレーザLaserQuantum社、Ventus532532nm、500mW、分光器がORIEL社、77385、冷却型CCDカメラ:Apogee社、AP260EPである。実施例1実施例1について説明する。実施例1は前駆体溶液及び前駆体溶液の製造方法である。具体的には、酢酸鉛三水和物、チタンイソプロポキシド、ジルコニウムノルマルプロポキシドを出発材料とし、メトキシエタノール2-メトキシエタノールエチレングリコールモノメチルエーテルを共通溶媒として、PZTの前駆体溶液をゾルゲル法によって調整した。酢酸鉛三水和物をメトキシエタノールに溶解し脱水後、所定量のTi、Zr出発材料を加え、アルコール交換反応、エステル化反応を経てゾルゲル液濃度:0.5mol/lを得た。このゾルゲル液は、PZTからなる金属酸化物膜を製造するための前駆体溶液となるものである。このようにして得られた前駆体溶液の光透過率を図7及び図8に示す。尚、図8は、図7の一部を拡大した図である。第1及び第2の実施の形態では、実施例2から4において後述するように、光源10から出射される波長、即ち、金属酸化物膜を形成する際に用いられる波長532nm、405nmにおいて、90以上の高い透過率を有している。このように、前駆体溶液が高い透過率を有しているため、前駆体溶液に光が吸収されることがなく、膜厚方向にムラ等のない金属酸化物膜を形成することができる。実施例2実施例2は、実施例1における前駆体溶液を用いた金属酸化物膜の製造方法であり、第1の実施の形態における金属酸化物膜の製造方法である。具体的には、実施例1における前駆体溶液を用いて、図1に示す金属酸化物膜の製造装置により金属酸化物膜を形成した。基板40は、シリコン基板の表面に、SiO2層、酸化ニッケルランタンLaNiO3層が、この順で積層形成されたものである。光源10は、波長が532nmのレーザ光源を用い、前駆体溶液30と接する基板40の表面にレーザ光が集光するように設置した。光源10の照射条件は、20X20倍、N.A.0.32の対物レンズ12を用い、入射レーザ光パワーが100mW、レーザ光の走査条件は、走査線間隔が10μm、走査速度が100μm/sであった。尚、この際の温度は22°Cである。レーザ光を照射した後、メタノール溶媒を用いて基板40の洗浄を行なうことにより不浄な前駆体溶液30を除去した。図9に、本実施例において形成された金属酸化物膜41を示す。図9a及びbは、共焦点レーザ顕微鏡による写真及び表面における3次元イメージである。図9に示されるように、厚さが約150nm、線幅が約5μmの金属酸化物膜41からなるパターンを形成することができた。図10に、本実施例において形成された金属酸化物膜41の顕微ラマンスペクトルを示す。本実施例において形成された金属酸化物膜41にみられる600cm-1のシャープなバンドは、c軸が選択配向したPZT結晶膜に特徴的なものである。これは、シリコン基板上に形成した、LaNiO3層が、擬立方晶のペロブスカイト構造を有しているため、ペロブスカイト型の強誘電体薄膜と相性が良いことから、c軸選択配向を誘起したためと考えられる。実施例3実施例3は、実施例1における前駆体溶液を用いた金属酸化物膜の製造方法であり、第1の実施の形態における金属酸化物膜の製造方法である。具体的には、実施例1における前駆体溶液を用いて、図1に示す金属酸化物膜の製造装置により金属酸化物膜を形成した。金属酸化物膜41の形成される基板40はガラス基板であり、光源10は、波長が405nmのレーザ光源を用いている。基板40となるガラス基板はガラス基板の裏面、即ち、ガラス基板を透過した光が、ガラス基板と前駆体溶液30と接する面に集光するように設置した。具体的には、溶液ホルダー13内部に基板40を設置した場合、溶液ホルダー13と基板40との間に僅かな隙間ができ、この隙間に入り込んだ前駆体溶液に光を照射することにより金属酸化物膜41を形成する。基板40はガラス基板等の光を透過する基板であればよく、前駆体溶液30中に浸されていれば、同様に光が照射される側とは反対側の裏面に金属酸化物膜41を形成することができる。このように、基板40として光を透過するガラス基板を用いることにより、光が照射される側とは反対側の面に金属酸化物膜を形成することが可能である。光源10の照射条件は、50X50倍、N.A.0.45の対物レンズ12を用い、入射レーザ光パワーが100mW、レーザ光の走査条件は、走査線間隔が1μm、走査速度が500μm/sであった。尚、この際の温度は22°Cである。レーザ光を照射した後、メタノール溶媒を用いて基板40の洗浄を行なうことにより不要な前駆体溶液30を除去した。図11に、本実施例において形成された金属酸化物膜を示す。図11a及びbは、共焦点レーザ顕微鏡による写真及び表面における3次元イメージである。図11に示されるように、厚さが約10μmの金属酸化物膜41からなるパターンを形成することができた。図12に、本実施例において形成された金属酸化物膜41の顕微ラマンスペクトルを示す。本実施例において形成された金属酸化物膜においては、550cm-1付近にブロードなラマンバンドが観測され、ぺロブスカイト型の結晶構造を有するPZT膜であることが示された。実施例2における図10に示すラマンスペクトルと異なっているのは、基板に形成されたLaNiO3層の有無によるものと考えられる。実施例4実施例4は、第2の実施の形態における金属酸化物膜の製造方法である。本実施例において用いた前駆体溶液は、実施例1における前駆体溶液に、融点が43~47°CのポリエチレングリコールPEG1540、和光純薬、沸点は、250°C以上を10wt添加することにより、レーザ光照射前は固体膜となり、レーザ光照射により液化する膜となるように前駆体溶液を調整した。この前駆体溶液をスピンコートにより、基板10となるシリコン基板上に塗布し、150°C、20秒間のポストベークを行なうことにより前駆体膜141を形成した。尚、スピンコートにおける回転数は1000rpmである。また、溶媒として用いた2-メトキシエタノールの沸点は124°Cである。よって、このポストベークでは、2-メトキシエタノールが気化するため、ポストベーク後はポリエチレングリコールが凝固するため前駆体膜141は固体状態となる。この後、図6に示す金属酸化物膜の製造装置により、光源10よりレーザ光を照射した。本実施例において用いた光源10は、波長が405nmのレーザ光源であり、前駆体溶液30と接するガラス基板の表面に集光するように設置した。光源10の照射条件は、100X100倍、N.A.0.80の対物レンズ12を用い、入射レーザ光パワーが100mW、レーザ光の走査条件は、走査線間隔が1μm、走査速度が500μm/sであった。尚、この際の温度は22°Cである。レーザ光を照射した後、メタノール溶媒を用いて基板40の洗浄を行なうことにより不要な前駆体溶液30を除去した。図13に、本実施例において形成された金属酸化物膜を示す。図13a及びbは、共焦点レーザ顕微鏡による写真及び表面における3次元イメージである。図13に示されるように、厚さが約1μmの金属酸化物膜41からなるパターンを形成することができた。以上、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではない。