第1導電型の半導体層、第2導電型の半導体層、及び前記第1導電型の半導体層と前記第2導電型の半導体層の間に位置する活性層を含む発光構造物と、複数の偏光器と、を含み、第1の方向による前記偏光器の間の距離と第2の方向による前記偏光器の間の距離とが互いに異なる発光素子。前記第2導電型の半導体層の下に反射層をさらに含み、前記複数の偏光器が反射層上に位置する請求項1に記載の発光素子。前記偏光器は、円形または実質的に円形である請求項1に記載の発光素子。前記偏光器は、前記第1の方向の第1の長さと前記第2の方向の第2の長さとが互いに異なる請求項1に記載の発光素子。前記偏光器は、前記反射層内に突出する請求項2に記載の発光素子。前記反射層上に前記第2導電型の半導体層とのオーミック接触を形成するオーム層をさらに含む請求項2に記載の発光素子。前記偏光器がオーム層と一体に形成される請求項6に記載の発光素子。前記オーム層は、Ni、Pt、Cr、Ti、ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、IrOxまたはRuOxのうち少なくとも一つを含む請求項7に記載の発光素子。前記オーム層が金属材質で形成され、前記オーム層の厚さは1nm~30nmである請求項6に記載の発光素子。前記オーム層が非金属材質で形成され、前記オーム層の厚さは10nm~300nmである請求項6に記載の発光素子。前記反射層及び前記第2導電型の半導体層の間に電流遮断層をさらに含む請求項2に記載の発光素子。前記第1導電型の半導体層上にアンドープ半導体層をさらに含み、前記アンドープ半導体層に光結晶構造が形成された請求項1に記載の発光素子。前記反射層は、銀Ag、アルミニウムAl、パラジウムPd、白金Ptのうち少なくとも一つを含む金属または合金を含む請求項2に記載の発光素子。前記偏光器は、前記反射層と相違する屈折率を有する請求項2に記載の発光素子。前記偏光器は、酸化物、窒化物及びフッ化物からなる群から選択される物質を少なくとも一つ含む請求項1に記載の発光素子。前記偏光器は、ITO、IZO、AZO、MZO、GZO、RuOx、IrOx、ZnO、SiO2、MgF2、SOG、TiO2、Al2O3またはSi3N4からなる郡から選択される物質を少なくとも一つ含む請求項15に記載の発光素子。前記偏光器は、反射層と相違する金属材質で形成された請求項2に記載の発光素子。前記偏光器は、Ti、Ni、Pt、Ir及びRhからなる群から選択される物質を少なくとも一つ含む請求項17に記載の発光素子。第2導電型の半導体層、活性層及び第1導電型の半導体層を形成する段階と、前記第2導電型の半導体層上にオーム層を形成する段階と、前記オーム層上に複数の偏光器を形成する段階と、前記偏光器上に反射層を形成する段階と、前記反射層上に第2の電極を形成する段階と、前記第1導電型の半導体層に第1の電極を形成する段階と、を含み、第1の方向による前記偏光器の間の距離と第2の方向による前記偏光器の間の距離とが互いに異なる発光素子の製造方法。発光素子と、前記発光素子が搭載されるパッケージ本体と、前記発光素子と電気的に接続される電極層と、を含み、前記発光素子は、第1導電型の半導体層、第2導電型の半導体層、及び前記第1導電型の半導体層と前記第2導電型の半導体層の間に位置する活性層を含む発光構造物と、複数の偏光器と、を含み、第1の方向による前記偏光器の間の距離と第2の方向による前記偏光器の間の距離とが互いに異なる、発光素子パッケージ。基板と、前記基板上に配置される発光素子と、を含む発光モジュールを含み、前記発光素子は、第1導電型の半導体層、第2導電型の半導体層、及び前記第1導電型の半導体層と前記第2導電型の半導体層の間に位置する活性層を含む発光構造物と、複数の偏光器と、含み、第1の方向による前記偏光器の間の距離と第2の方向による前記偏光器の間の距離とが互いに異なる、照明システム。本発明の実施形態は、新規な構造を有する発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システムを提供する。本発明の実施形態は、特定方向の偏光成分が多量放出される発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システムを提供する。本発明の実施形態は、発光効率が向上した発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システムを提供する。本発明の実施形態による発光素子は、発光構造物と複数の偏光器とを含み、発光構造物は、第1導電型の半導体層と、第2導電型の半導体層と、前記第1導電型の半導体層と前記第2導電型の半導体層の間に位置する活性層とを含む。このとき、第1の方向による前記偏光器間の距離と第2の方向による前記偏光器間の距離とが互いに異なる。本発明の実施形態による発光素子の製造方法は、第2導電型の半導体層、活性層及び第1導電型の半導体層を形成する段階と、第2導電型の半導体層上にオーム層を形成する段階と、オーム層上に複数の偏光器を形成する段階と、偏光器上に反射層を形成する段階と、反射層上に第2の電極を形成する段階と、第1導電型の半導体層に第1の電極を形成する段階とを含む。このとき、第1の方向による偏光器間の距離と第2の方向による偏光器間の距離とが互いに異なる。本発明の実施形態による発光素子パッケージは、発光素子と、発光素子が搭載されるパッケージ本体と、発光素子と電気的に接続される電極層とを含む。発光素子は、発光構造物と複数の偏光器とを含み、発光構造物は、第1導電型の半導体層、第2導電型の半導体層、及び第1導電型の半導体層と第2導電型の半導体層の間に位置する活性層を含む。このとき、第1の方向による偏光器間の距離と第2の方向による偏光器間の距離とが互いに異なる。本発明の実施形態による照明システムは、基板と、基板上に配置される発光素子とを含む発光モジュールを含む。発光素子は、発光構造物と複数の偏光器とを含み、発光構造物は、第1導電型の半導体層、第2導電型の半導体層、及び第1導電型の半導体層と第2導電型の半導体層の間に位置する活性層を含む。このとき、第1の方向による偏光器間の距離と第2の方向による偏光器間の距離とが互いに異なる。本発明の照明システムによると、発光モジュールから放出される光の進行経路上に光ガイド部材、拡散シート、集光シート、輝度上昇シート及び蛍光シートのうち少なくとも何れか一つが配置され、所望の光学的効果を得ることができる。また、本発明の照明システムは、特定方向の偏光成分が優勢な光を高い効率で放出できる発光素子または発光素子パッケージを含むことで、優れた特性を有することができる。実施形態の説明において、各層膜、領域、パターンまたは構造物が基板、各層膜、領域、パッドまたはパターンの上onにまたは下underに形成されると記載される場合、上onと下underは直接directlyまたは他の層を介在させてindirectly形成されることの両方を含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準に説明する。図面において各層の厚さや大きさは、説明の便宜及び明確性のために誇張または省略されたりまたは概略的に示されている。また、各構成要素の大きさは実際の大きさを全面的に反映するものではない。以下、添付の図面を参照しながら実施形態による発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システムについて詳細に説明する。実施形態では、順に積層される第2導電型の半導体層、活性層及び第1導電型の半導体層を含む発光半導体層と、発光半導体層の上側すなわち、第1導電型の半導体層の上に配置された第1の電極と、発光半導体層の下側すなわち、第2導電型の半導体層の下に配置された第2の電極とを含む垂直型発光素子が例示される。ここで、第2の電極は、発光半導体層の下側に一つの層として形成されてもよい。垂直型発光素子において、第2導電型の半導体層と第2の電極の間に反射率の高い反射層を形成して、発光効率を高めることができる。また、反射層が形成された垂直型発光素子では、活性層と反射層の間の距離が非常に近いため、活性層から放出される光の波長よりも活性層と反射層の間の距離が短い。よって、活性層と反射層の間の距離を変化させることによって量子干渉効果が発生して、発光素子の光学的特性を変化させることができる。例えば、活性層と反射層の間の距離の変化によって、発光素子から放出される光において双極子源Dipolesourceの減衰率Dampingrateが変化する。図1及び図2は、活性層と反射層の間の距離の変化によって、発光素子から放出される光の双極子源の振動方向による減衰率が変化する特性を説明する図である。ここで、減衰率は、発光素子で電子がエネルギーを受ける時から光の形でエネルギーを放出する時までの時間の逆数を意味する。減衰率が増加すると、双極子源が光を放出する過程に進行する確率が増加して、内部量子効率を向上させることができる。図1及び図2を参照すると、発光素子から放出される光の減衰率は、活性層と反射層の間の距離GapDistance、Dと発光素子を構成する物質の屈折率及び発光素子から放出される波長によって変化する。図1及び図2で、Y軸は減衰率を示し、下端のX軸は活性層と反射層の間の距離Dを示し、上端のX軸は活性層と反射層の間の距離Dをλ/nで割った相対的な値を示す。ここで、λは発光素子から放出される光のピーク波長であり、nは発光素子を構成する物質の屈折率である。すなわち、発光素子を構成する物質の屈折率nと発光素子から放出される光のピーク波長λが一定であると仮定すると、活性層と反射層の間の距離Dが変化することによって、発光素子から放出される光の双極子源の振動方向による減衰率が変化する。図1及び図2では、450nmのピーク波長λを有する青色光を放出し、屈折率nが2.46であるGaN基盤の発光素子が例示されており、上端のX軸で1.0の値は下端のX軸の188.3nm=450nm/2.46に対応する。図1に示すように、xy平面に垂直すなわち、活性層及び反射層に垂直に振動する双極子源の場合、活性層と反射層の間の距離が短いほど、減衰率が増加する。図2に示すように、xy平面に平行すなわち、活性層及び反射層に平行に振動する双極子源の場合、特定距離例えば、50nmで減衰率が最大値を示す。このように、垂直型発光素子では、活性層と反射層の間の距離が発光素子から放出される光の波長より短いため、活性層と反射層の間の距離変化によって光学的特性が変化することができる。図1及び2を参照して、活性層と反射層の間の距離Dを変化させることでxy平面に垂直に振動する双極子源とxy平面に平行に振動する双極子源の減衰率を変化させることができることを説明した。これから説明される実施形態では、第2導電型の半導体層と反射層の間に偏光誘導パターンを形成することで、活性層から放出される光のx方向に振動する双極子源とy方向に振動する双極子源の減衰率を変化させて、特定方向の偏光成分が優勢な光が放出されることを説明する。図3は、第1の実施形態による発光素子の側断面図である。図3を参照すると、第1の実施形態による発光素子は、第2の電極10と、第2の電極10上に形成された反射層20と、反射層20上に形成された偏光誘導パターン80などの偏光器polarizerと、反射層20及び偏光誘導パターン80上に形成されたオーム層25と、オーム層25上に形成された第2導電型の半導体層30と、第2導電型の半導体層30上に形成された活性層40と、活性層40上に形成された第1導電型の半導体層50と、第1導電型の半導体層50上に形成された第1の電極70とを含む。また、第1導電型の半導体層50上には、第1の電極70と離隔したアンドープundoped半導体層60が形成されてもよい。詳しく説明すると、第2の電極10は、銅Cu、チタンTi、クロムCr、ニッケルNi、アルミニウムAl、白金Pt、モリブデンMo、金Au、タングステンWまたは不純物が注入された半導体基板例:Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、SiGe、GaNなどで形成されてもよい。第2の電極10は、第1の電極70と共に、活性層40に電源を提供する。反射層20は、第2の電極10上に形成される。反射層20は、部分的にオーム層25と接触してもよく、反射率の高い銀Ag、アルミニウムAl、パラジウムPd、白金Ptのうち少なくとも一つを含む金属または合金で形成されてもよい。そして、第2の電極10と反射層20の間には、両層の間の界面接合力を強化させるために、接合金属層図示せずが形成されてもよい。このような接合金属層は、ニッケルNi、チタンTiなどを含んでもよい。偏光誘導パターン80は、反射層20の上且つびオーム層25の下に形成される。偏光誘導パターン80の側面は、少なくとも一部分が反射層20に取り囲まれるように形成されてもよい。偏光誘導パターン80は、反射層20と相違する屈折率を有する非金属材質または金属材質で形成されてもよい。具体的に説明すると、偏光誘導パターン80は、酸化物Oxide、窒化物Nitrideまたはフッ化物Flourideのうち何れか一つの非金属材質で形成されてもよいが、例えば、ITOIndiumTinOxide、IZOIndiumZincOxide、AZOAluminumZincOxide、MZOMagnesiumZincOxide、GZOGalliumZincOxide、RuOx、IrOx、ZnO、SiO2、MgF2、SOG、TiO2、Al2O3またはSi3N4のうち少なくとも一つで形成されてもよい。または、偏光誘導パターン80は、反射層20と相違する金属材質、例えば、Ti、Ni、Pt、Ir、Rhのうち少なくとも一つで形成されてもよい。図3を参照すると、本実施形態における偏光誘導パターン80は、反射層20に垂直な方向図面の負のz軸方向に反射層20内に突出形成され、且つ互いに離隔した複数の突出パターンを含んでもよい。しかし、実施形態がこれに限定されるものではない。例えば、偏光誘導パターン80が電気伝導性を有する材質で形成されて偏光誘導パターン80を介して電流が流れる場合には、図4に示すように、反射層20の全面に偏光誘導パターン82が形成されることもできる。すなわち、偏光誘導パターン82が、一体に連結されて反射層20の全面に対応して形成される平面部分82aと、この平面部分82aから反射層20内に突出する複数の突出パターン82bとを含んでもよい。反射層20と偏光誘導パターン80により、活性層40から放出される光の偏光が調節される。すなわち、発光素子から放出される光が特定方向の偏光成分を多量有するようにする。すなわち、実施形態による発光素子は、放出される光の波長より短い距離に偏光誘導パターン80を配置することで、自発放出spontaneousemission過程によって特定方向の偏光成分が優勢な光が放出されるようにする。偏光器を用いてランダムな偏光を有する光から特定方向の偏光成分を選択する方法には、光効率が減少する問題がある。一方、本実施形態では、光自体において特定方向の偏光成分が優勢であるようにして、上述した光効率の減少を防止することができる。すなわち、本実施形態によると、特定方向の偏光成分が優勢な光を効率良く放出することができる。反射層20上にオーム層25が形成される。このようなオーム層25は、図3に示すように、反射層20及び偏光誘導パターン80上に形成されてもよい。オーム層25は、第2の電極10と第2導電型の半導体層30の間にオーミック接触を形成して、両層の間に電流が円滑に流れるようにすることで、発光素子の発光効率を高めることができる。オーム層25は、例えば、Ni、Pt、Cr、Ti、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、IrOxまたはRuOxのうち少なくとも一つを含んでもよい。一方、オーム層25が金属材質で形成される場合、オーム層25は1nm~30nmの厚さで形成されてもよい。金属材質は、薄い薄膜である場合に透光性を有するため、光がオーム層25に吸収されて損失されるのを最小限に抑えることができるからである。オーム層25が透光性を有する非金属材質で形成される場合、オーム層25の厚さは10nm~300nmであってもよい。オーム層25上には、第2導電型の半導体層30が形成される。第2導電型の半導体層30は、例えば、p型半導体層として具現されてもよいが、p型半導体層はInxAlyGa1xyN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、InNなどから選択されてもよく、Mg、Zn、Ca、Sr、Baなどのp型ドーパントがドーピングされてもよい。第2導電型の半導体層30上には、活性層40が形成される。活性層40は、例えば、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料を含んで形成してもよく、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造MultiQuantumWell、MQW、量子点構造または量子線構造のうち何れか一つで形成されてもよい。活性層40は、第1導電型の半導体層50及び第2導電型の半導体層30から提供される電子及び正孔の再結合recombination過程で発生するエネルギーによって光を生成することができる。活性層40上には、第1導電型の半導体層50が形成される。第1導電型の半導体層50は、例えば、n型半導体層を含んでもよいが、n型半導体層はInxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばInAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、InNなどから選択されてもよく、Si、Ge、Snなどのn型ドーパントがドーピングされてもよい。一方、第2導電型の半導体層30の下に、n型またはp型半導体層がさらに形成されてもよい。また、第1導電型の半導体層50がp型半導体層で、第2導電型の半導体層30がn型半導体層で具現されてもよい。これによって、発光素子はnp接合、pn接合、npn接合及びpnp接合構造のうち少なくとも一つを含んでもよいが、これに限定されるものではない。第1導電型の半導体層50上には、アンドープUndoped半導体層60が形成される。アンドープ半導体層60は、第1導電型の半導体層50及び第2導電型の半導体層30に比べて、電気伝導性の低い半導体層を意味する。例えば、アンドープ半導体層60は、アンドープGaN層であってもよい。第1の電極70は、例えば、アルミニウムAl、チタンTi、クロムCr、ニッケルNi、銅Cu、金Auのうち少なくとも一つを含んで単層または多層構造で形成されてもよく、ワイヤなどによって外部電源から伝達された電源を発光素子に提供することができる。図5は、第2の実施形態による発光素子を示す図である。ただし、第2の実施形態の説明において第1の実施形態と重複する説明は省略する。図5を参照すると、第2の実施形態による発光素子は、第2の電極10と、第2の電極10上に形成された反射層20と、反射層20上に突出パターン84が形成されたオーム層25と、オーム層25上に形成された第2導電型の半導体層30と、第2導電型の半導体層30上に形成された活性層40と、活性層40上に形成された第1導電型の半導体層50と、第1導電型の半導体層50上に形成された第1の電極70とを含む。また、第1導電型の半導体層50上には、アンドープ半導体層60が形成されてもよい。第2の実施形態による発光素子において、オーム層25と一体に形成された突出パターン84が偏光誘導パターンを形成する。すなわち、本実施形態では、オーム層25に突出パターン84が一体に形成され、オーム層25がオーミック接合のための層として機能すると共に偏光誘導パターンとして機能する。突出パターン84は、反射層20の方に突出し、所定間隔を置いて形成されてもよい。すなわち、突出パターン84は、下面及び側面が反射層20の内部に向かって突出するように形成される。突出パターン84は、例えば、オーム層25を形成した後、選択的にエッチングして形成してもよいが、これに限定されるものではない。図6は、第3の実施形態による発光素子を示す図である。ただし、第3の実施形態の説明において第1の実施形態と重複する説明は省略する。図6を参照すると、第3の実施形態による発光素子は、第2の電極10と、第2の電極10上に形成された反射層20と、反射層20上に形成された偏光誘導パターン80と、反射層20及び偏光誘導パターン80上に形成されたオーム層25と、オーム層25上に形成された第2導電型の半導体層30と、第2導電型の半導体層30上に形成された活性層40と、活性層40上に形成された第1導電型の半導体層50と、第1導電型の半導体層50上に形成された第1の電極70と、第1導電型の半導体層50上に形成されたアンドープ半導体層60とを含む。本実施形態で、アンドープ半導体層60には柱または孔形状の光結晶photoniccrystal構造63が形成されてもよい。本実施形態では、孔61が形成された例が示されている。柱または孔61は、50nm~3000nmの間隔をおいて配置され、所定の波長帯を有する光を選択的に透過または反射させることで、発光素子から放出される光の抽出効率を高める。または、アンドープ半導体層60には、ランダムなラフネスroughness;凹凸形状が例えばウェットエッチングにより形成されてもよく、これに限定されるものではない。一方、図面には図3の偏光誘導パターン80が具備された発光素子の例が示されているが、図4及び図5の発光素子のアンドープ半導体層60上に光結晶構造63が形成されてもよい。また、アンドープ半導体層60を取り除き、第1導電型の半導体層50上に光結晶構造63を形成することも可能である。図7は、第4の実施形態による発光素子を示す図である。ただし、第4の実施形態の説明において第1の実施形態と重複する説明は省略する。図7を参照すると、第4の実施形態による発光素子は、第2の電極10と、第2の電極10上に形成された反射層20と、反射層20上に形成された偏光誘導パターン80と、反射層20及び偏光誘導パターン80上に形成されたオーム層25と、オーム層25上に形成された電流遮断層CurrentBlockingLayer、CBL28と、オーム層25及び電流遮断層28上に形成された第2導電型の半導体層30と、第2導電型の半導体層30上に形成された活性層40と、活性層40上に形成された第1導電型の半導体層50と、第1導電型の半導体層50上に形成された第1の電極70と、第1導電型の半導体層50上に形成されたアンドープ半導体層60とを含む。電流遮断層28は、第1の電極70と垂直方向に少なくとも一部が重畳するように、オーム層25及び第2導電型の半導体層30の間に形成されてもよい。これによって、電流遮断層28は、第2の電極10と第1の電極70の間の最短経路に電流が集中される現象を防止して、発光素子の全領域内に電流が均一に広がるようにすることで、発光効率の向上に寄与することができる。電流遮断層28は、第2導電型の半導体層30とショットキー接触を形成する材質、電気絶縁性を有する材質またはオーム層25に比べて低い電気伝導性を有する材質で形成されてもよい。例えば、電流遮断層28は、ZnO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiOx、Ti、Al、Crのうち少なくとも一つを含んでもよいが、これに限定されるものではない。図8~図10は、実施形態による発光素子における偏光誘導パターンを例示した断面図である。図8~図10に示す偏光誘導パターン80、86、88は、xy平面上での形状を示したものであって、上側方向からの図である。ただし、図8~図10に示す偏光誘導パターン80、86、88は例示的なものであって、実施形態が限定されるものではない。また、図8~図10では、図3の第1の実施形態で説明したように、反射層20上に互いに離隔した偏光誘導パターン80、86、88が形成された例が示されている。しかし、図4の突出パターン82aまたは図5の突出パターン84が図8~図10に示したような形状を有してもよい。また、図8~図10で偏光誘導パターン80、86、88と反射層20のパターンが互いに逆になった場合も実施形態に含まれることができる。図8を参照すると、反射層20上に偏光誘導パターン80がラインline状に形成される。偏光誘導パターン80は、第1の方向に形成されたライン状に一定間隔離隔して複数個が形成される。偏光誘導パターン80は第1の方向に沿って延長されて、第1の方向と垂直である第2の方向に沿って一定間隔離隔して配置される。例えば、偏光誘導パターン80は、y方向に延長されたライン状に、x方向に沿って離隔して複数個が配置されてもよい。これにより、偏光誘導パターン80がストライプ形状を有することができる。図9を参照すると、反射層20上に、第1の方向の長さと第1の方向に垂直な第2の方向の長さとが異なる偏光誘導パターン80が形成される。例えば、偏光誘導パターン86は、y方向の長さryがx方向の長さrxより大きく形成される。図示のように、偏光誘導パターン86はy方向の長さが長い楕円形状に形成されてもよいが、これに限定されるものではない。図10を参照すると、反射層20上に、第1の方向と、第1の方向に垂直な第2の方向とにそれぞれ相違する間隔で偏光誘導パターン88が配置される。例えば、偏光誘導パターン88は円形に形成され、x方向の間隔axがy方向の間隔ayより小さく形成されてもよい。偏光誘導パターン88は、三角形、四角形などの多角形に形成されてもよい。すなわち、図8~図10に示したような偏光誘導パターン80、86、88は、第1の方向及び第2の方向に一定の規則性を有して形成されるが、第1の方向の規則性と第2の方向の規則性は互いに相違するように形成されてもよい。以下では、第1の実施形態による発光素子の製造方法について詳しく説明する。図11~図16は、第1の実施形態による発光素子の製造方法を説明する図である。図11を参照すると、成長基板15上にアンドープ半導体層60、第1導電型の半導体層50、活性層40及び第2導電型の半導体層30を順次に成長させて形成する。成長基板15は、例えば、サファイアAl2O3、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Geのうち少なくとも一つで形成されてもよいが、これに限定されるものではない。このような層は、例えば、成長基板15上に有機金属化学気相成長法MetalOrganicChemicalVaporDeposition、MOCVD、化学気相成長法ChemicalVaporDeposition、CVD、プラズマ気相成長法Plasma‐EnhancedChemicalVaporDeposition、PECVD、分子線エピタキシーMolecularBeamEpitaxy、MBE、水素化物気相エピタキシーHydrideVaporPhaseEpitaxy、HVPEなどの方法を利用して形成されてもよいが、これに限定されるものではない。一方、第1導電型の半導体層50と成長基板15の間には、格子定数差の緩和のために、バッファ層BufferLayer、図示せずがさらに形成されてもよい。図12を参照すると、第2導電型の半導体層30上に、オーム層25を形成する。オーム層25は、例えば、PECVD、電子ビームE‐beam蒸着、スパッタリングなどの蒸着方式で形成してもよい。図13を参照すると、オーム層25上に偏光誘導パターン80を形成する。偏光誘導パターン80は、フォトリソグラフィ工程または蒸着方法を利用して形成してもよい。偏光誘導パターン80をフォトリソグラフィ工程により形成する場合、先に金属層または非金属層を形成し、この金属層または非金属層をエッチング工程などで選択的に取り除くことで、偏光誘導パターン80を形成してもよい。また、偏光誘導パターン80を蒸着方法により形成する場合、先に偏光誘導パターン80に対応するパターンマスクを形成し、このパターンマスクをオーム層25上に配置した後、蒸着を実施することで偏光誘導パターン80を形成してもよい。また、金属層または非金属層を形成した後、ウェットエッチングによりラフネス形状凹凸形状に偏光誘導パターン80を形成してもよい。図14を参照すると、オーム層25及び偏光誘導パターン80上に反射層20を形成し、反射層20上に第2の電極10を形成する。反射層20は、メッキまたは蒸着により形成されてもよい。第2の電極10は、メッキまたは蒸着により形成されてもよく、予めシートsheetの形で用意された後、反射層20上にボンディングされてもよい。一方、第2の電極10と反射層20の間には、界面接合力の向上のために接合金属層図示せずがさらに形成されてもよい。図14及び図15を参照すると、成長基板15を取り除く。成長基板15は、例えば、レーザリフトオフLaserLiftOff、LLO工程により除去されたり、エッチング工程により除去されてもよい。このとき、成長基板15を取り除く工程及びその後続工程は図14の発光素子の下面に行われるため、図15及び図16では、図14の発光素子を180度覆した状態で説明する。図15及び図16を参照すると、第1導電型の半導体層50の上面が少なくとも一部露出されるようにエッチング工程を行った後、露出された第1導電型の半導体層50上に第1の電極70を形成することで、第1の実施形態による発光素子を提供することができる。図17は、本発明の実施形態による発光素子を含む発光素子パッケージの断面図である。図17を参照すると、実施形態による発光素子パッケージは、本体120と、本体120に設けられた第1の電極層131及び第2の電極層132と、本体120に設けられて第1の電極層131及び第2の電極層132と電気的に接続される、実施形態による発光素子100と、発光素子100を囲むモールディング部材140とを含む。本体120は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成されてもよく、発光素子100の周囲に傾斜面が形成されてもよい。第1の電極層131及び第2の電極層132は互いに電気的に分離され、発光素子100に電源を提供する。また、第1の電極層131及び第2の電極層132は、発光素子100で発生した光を反射して光効率を増加させることができ、発光素子100で発生した熱を外部に排出することもできる。発光素子100は、本体120上に設けられたり、第1の電極層131または第2の電極層132上に設けられてもよい。発光素子100は、第1の電極層131及び第2の電極層132と、ワイヤ方式、フリップチップ方式またはダイボンディング方式のうち何れか一つにより電気的に接続されることもできる。モールディング部材140は、発光素子100を囲んで保護することができる。また、モールディング部材140には蛍光体が含まれ、発光素子100から放出された光の波長を変化させることができる。発光素子パッケージは、このように開示された実施例の発光素子のうち少なくとも一つを、一つまたは複数個搭載してもよいが、これに限定されるものではない。実施形態による発光素子パッケージは、複数個が基板上に配列され、発光素子パッケージから放出される光の経路上に、光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シート、蛍光シートなどが配置されてもよい。このような発光素子パッケージ、基板、光学部材はバックライトユニットとして機能したり照明システムとして機能することができ、例えば、照明システムは、バックライトユニット、照明ユニット、指示装置、ランプ、街路灯などを含むことができる。図18は、本発明の実施形態による発光素子または発光素子パッケージを含むバックライトユニットを示す図である。ただし、図18のバックライトユニット1100は照明システムの一例であり、これに限定されるものではない。図18を参照すると、バックライトユニット1100は、下部カバー1140と、下部カバー1140内に配置された光ガイド部材1120と、光ガイド部材1120の少なくとも一側面または下面に配置された発光モジュール1110とを含む。また、光ガイド部材1120の下には、反射シート1130が配置されてもよい。下部カバー1140は、光ガイド部材1120、発光モジュール1110及び反射シート1130を収納できるように、上面が開口された箱box形状に形成されてもよく、金属材質または樹脂材質で形成されてもよいが、これに限定されるものではない。発光モジュール1110は、基板700と、基板700に搭載された複数の発光素子パッケージ600を含む。複数の発光素子パッケージ600は、光ガイド部材1120に光を提供することができる。実施形態で、発光モジュール1110は、基板700上に発光素子パッケージ600が設けられた例が示されているが、実施形態による発光素子が直接設けられることも可能である。図示のように、発光モジュール1110は、下部カバー1140の内側面のうち少なくとも何れか一つに配置されてもよく、これにより光ガイド部材1120の少なくとも一つの側面に向かって光を提供することができる。ただし、発光モジュール1110は、下部カバー1140内で光ガイド部材1120の下に配置されて、光ガイド部材1120の底面に向かって光を提供することもでき、これはバックライトユニット1100の設計によって様々に変形可能であり、これに限定されるものではない。光ガイド部材1120は下部カバー1140内に配置されてもよい。光ガイド部材1120は、発光モジュール1110から提供された光を面光源にして、表示パネル図示せずに案内することができる。光ガイド部材1120は、例えば、導光板LightGuidePanel、LGPであってもよい。導光板は、例えばPMMApolymethylmethacrylateのようなアクリル樹脂系列、PETpolyethyleneterephthlate、PCpolycarbonate、COC及びPENpolyethylenenaphthalate樹脂のうち一つで形成されてもよい。光ガイド部材1120の上側には光学シート1150が配置されてもよい。光学シート1150は、例えば拡散シート、集光シート、輝度上昇シート及び蛍光シートのうち少なくとも一つを含んでもよい。例えば、光学シート1150は、拡散シート、集光シート、輝度上昇シート及び蛍光シートが積層されて形成されてもよい。この場合、拡散シートは、発光モジュール1110から出射された光を均一に拡散させ、拡散した光は集光シートにより表示パネル図示せずに集光されることができる。このとき、集光シートから出射される光はランダムに偏光された光であるが、輝度上昇シートは、集光シートから出射された光の偏光度を増加させることができる。集光シートは、例えば、水平または/及び垂直プリズムシートであってもよい。また、輝度上昇シートは、例えば、照度強化フィルムDualBrightnessEnhancementfilmであってもよい。また、蛍光シートは、蛍光体が含まれた透光性プレートまたはフィルムであってもよい。光ガイド部材1120の下には反射シート1130が配置されてもよい。反射シート1130は、光ガイド部材1120の下面を通して放出される光を光ガイド部材1120の出射面に向かって反射することができる。反射シート1130は、反射率の良好な樹脂材質、例えば、PET、PC、PVCレジンなどで形成されてもよいが、これに限定されるものではない。図19は、本発明の実施形態による発光素子または発光素子パッケージを含む照明ユニットを示す図である。ただし、図19の照明ユニット1200は照明システムの一例であり、これに限定されるものではない。図19を参照すると、照明システム1200は、ケース本体1210と、ケース本体1210に設けられた発光モジュール1230と、ケース本体1210に設けられて外部電源から電源の提供を受ける連結端子1220とを含む。ケース本体1210は、放熱特性が良好な材質で形成されることが好ましく、例えば金属材質または樹脂材質で形成されてもよい。発光モジュール1230は、基板700と、基板700に搭載される少なくとも一つの発光素子パッケージ600とを含む。実施形態で、発光モジュール1110としては、基板700上に発光素子パッケージ600が設けられた例が示されているが、実施形態による発光素子100が直接設けられることも可能である。基板700は、絶縁体に回路パターンが印刷されたものであってもよく、例えば、一般のプリント回路基板PrintedCircuitBoard、メタルコアMetalCorePCB、軟性FlexiblePCB、セラミックPCBなどを含むこともできる。また、基板700は、光を効率的に反射する材質で形成されたり、表面が光を効率的に反射する色、例えば白色、銀色などで形成されてもよい。基板700上には、少なくとも一つの発光素子パッケージ600が搭載される。発光素子パッケージ600は、それぞれ少なくとも一つの発光ダイオードLightEmittingDiode、LEDを含んでもよい。発光ダイオードは、赤色、緑色、青色または白色の有色光をそれぞれ発光する有色発光ダイオード及び紫外線UltraViolet、UVを発光するUV発光ダイオードを含んでもよい。発光モジュール1230は、色感及び輝度を得るために、様々な発光ダイオードの組合せを有するように配置されてもよい。例えば、高演色性CRIを確保するために白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード及び緑色発光ダイオードを組み合わせて配置してもよい。また、発光モジュール1230から放出される光の進行経路上には、蛍光シートがさらに配置されてもよく、蛍光シートは発光モジュール1230から放出される光の波長を変化させる。例えば、発光モジュール1230から放出される光が青色波長帯を有する場合、蛍光シートには黄色蛍光体が含まれてもよく、発光モジュール1230から放出された光は蛍光シートを通過して、最終的に白色光に見える。接続端子1220は、発光モジュール1230と電気的に接続され、電源を供給することができる。図19に示すように、接続端子1220はソケット方式で外部電源に回して嵌合されるが、これに限されるものではない。例えば、接続端子1220はピンpin形状に形成されて外部電源に挿入されることや、配線によって外部電源に接続されることも可能である。本発明の照明システムによると、発光モジュールから放出される光の進行経路上に光ガイド部材、拡散シート、集光シート、輝度上昇シート及び蛍光シートのうち少なくとも何れか一つが配置され、所望の光学的効果を得ることができる。以上で説明したように、本実施形態の照明システムは、特定方向の偏光成分が優勢な光を高い効率で放出できる発光素子または発光素子パッケージを含むことで、優れた特性を有することができる。また、反射層を中心に様々な実施形態を説明したが、偏光誘導パターンは、活性層との距離が活性層から放出される光の波長より短いように活性層の周囲に位置した層に形成されることができる。以上の実施形態で説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも一つの実施形態に含まれ、必ず一つの実施形態だけに限定されるものではない。さらに、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態の属する分野における通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に係る内容は本発明の範囲に含まれると解釈されるべきである。また、以上で実施形態を中心に説明したが、これはただの例示であって、本発明を限定するものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば本実施形態の本質的な特性を逸脱しない範囲内で以上に例示されない様々な変形と応用が可能であることを理解できるはずである。例えば、実施形態に具体的に示された各構成要素は変形して実施できるものである。そして、このような変形と応用に係る差異は添付の特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれると解釈されるべきである。