"高周波回路が裏面表層に設けられ、該裏面表層に前記高周波回路を囲むように第1の接地導体が形成される、樹脂基板としての第1の誘電体基板と、前記高周波回路を挟むように前記第1の誘電体基板を搭載し、前記高周波回路に対向する部位に第2の接地導体が形成される、樹脂基板としての第2の誘電体基板と、を備え、前記第1の誘電体基板の第1の接地導体上に前記高周波回路を囲むように複数の第1のランドを形成し、前記第2の誘電体基板の表層の前記複数の第1のランドに対向する位置に前記第2の接地導体に電気的に接続される複数の第2のランドを設け、第1のランドおよび第2のランド間を接続する複数の導電性接続部材を備えることを特徴とする高周波回路パッケージ。前記第1の誘電体基板の裏面表層には、複数の前記高周波回路が形成、配設され、前記複数の第1のランドおよび複数の導電性接続部材は、複数の高周波回路をそれぞれ別個に囲むように配設され、複数の高周波回路を各々、別個に区画された擬似遮蔽キャビティに収納したことを特徴とする、請求項1に記載の高周波回路パッケージ。裏面表層に複数の高周波回路を形成、配設し、前記複数の記高周波回路を囲むように第1の接地導体を形成した第1の誘電体基板と、前記複数の高周波回路を挟むように前記第1の誘電体基板を搭載し、前記複数の高周波回路にそれぞれ対向する部位に第2の接地導体を形成した第2の誘電体基板と、前記第1および第2の接地導体に形成した第1および第2のランドの相互に対向する位置で、かつ前記複数の高周波回路を囲むように複数の導体ランドとを接続する導電性接続部材と、を備え、複数の導電性接続部材は、前記第1のランドと第2のランド間を接続するよう配される高周波回路パッケージであって、前記第1の誘電体基板は、前記複数の高周波回路にそれぞれ接続され、裏面表層に形成された複数のマイクロストリップ線路と、前記複数のマイクロストリップ線路の1つが中に形成された前記第1の接地導体を取り囲む複数の導波管開口と、を備え、前記第2の誘電体基板は、前記複数の導波管開口部にそれぞれ対向する位置に基板積層方向に形成された複数の導波管、を備え、前記第1および第2の接地導体に、各々互いに対向する位置に、前記各導波管開口および前記各導波管をそれぞれ囲むように、複数の導波管用導体ランドを、導電性接続部材によって相互に接続することを特徴とする高周波回路パッケージ。前記複数の導体ランドおよび複数の導電性接続部材は、前記複数の高周波回路を別個に囲むように配設され、各高周波回路は、各々、別個に区画された擬似遮蔽キャビティに収納されたことを特徴とする、請求項3に記載の高周波回路パッケージ。前記高周波回路は、前記第1の誘電体基板と前記第2の誘電体基板の間で非気密に収容されたことを特徴とする請求項1~4のいずれか一つに記載の高周波回路パッケージ。請求項1~5の何れか一つに記載の高周波回路パッケージと、前記第2の誘電体基板の前記第1の誘電体基板の搭載面と反対側に配置され、前記導波管に接続されたアンテナを備えたことを特徴とするセンサモジュール。しかしながら、この従来のパッケージ構造では、蓋体およびシールリングとしての外周器によって高周波回路の遮蔽を行っているので、シールリング,蓋等の部材点数の増加や、パッケージへの半田接合、蓋の溶接等の製造工程が複雑化するなど、コスト、量産性に関する問題が多い。このように、マイクロ波帯、ミリ波帯などの高周波帯でも、電磁シールド、アイソレーションが確保可能な安価で、単純な構造のパッケージ構造、モジュール構成が望まれていた。また、近年は、半導体チップ、高周波回路の耐候性向上の開発が進み、半導体回路に保護膜等を形成することにより、システムで要求される信頼性が確保されつつあるため、樹脂基板上に直接回路を実装したモジュール等のパッケージの非気密化が進んでいる。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ふた体を用いない安価かつ簡単な構成によって、高周波回路のシールドまたは複数の高周波回路間のアイソレーションを確保できる高周波回路パッケージおよびセンサモジュールを得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、高周波回路が裏面表層に設けられ、該裏面表層に前記高周波回路を囲むように第1の接地導体が形成される、樹脂基板としての第1の誘電体基板と、前記高周波回路を挟むように前記第1の誘電体基板を搭載し、前記高周波回路に対向する部位に第2の接地導体が形成される、樹脂基板としての第2の誘電体基板と、を備え、前記第1の誘電体基板の第1の接地導体上に前記高周波回路を囲むように複数の第1のランドを形成し、前記第2の誘電体基板の表層の前記複数の第1のランドに対向する位置に前記第2の接地導体に電気的に接続される複数の第2のランドを設け、第1のランドおよび第2のランド間を接続する複数の導電性接続部材を備えることを特徴とする。この発明によれば、ふた体を用いない安価かつ簡単な構成によって高周波回路をシールドすることが可能となる。以下に、本発明にかかる高周波回路パッケージおよびセンサモジュールの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。図1は、本発明にかかるセンサモジュールの実施の形態の構成を示す図である。このセンサモジュールは、ミリ波帯の電波を送受信するミリ波レーダに適用されるものであり、高周波回路の電源、制御回路などを混載した制御アンテナ基板1上に、高周波回路パッケージとして、送信回路パッケージTXおよび受信回路パッケージRXが搭載されている。送信回路パッケージTXおよび受信回路パッケージRXには、マイクロ波帯、ミリ波帯などの高周波帯で動作する複数の高周波回路が搭載されている。送信回路パッケージTXおよび受信回路パッケージRXは、実装される高周波回路が適度な耐湿性を有して非気密に収容されており、パッケージ内外での水分子の流通は阻害されない。なお、ミリ波レーダは、FM-CWレーダや、パルスレーダ、多周波CWレーダ等によって構成されるが、そのレーダ方式は問わない。また、センサモジュールを通信用機器や、マイクロ波レーダ等に適用しても良い。制御アンテナ基板1は、アンテナパターンアンテナ素子が配列される樹脂アンテナ基板2と、送信導波管4、受信導波管51~複数、トリプレート線路6などが形成された樹脂製のマザー制御基板3との一体型として構成されている。制御アンテナ基板1は、高周波伝送特性の良い樹脂基板やセラミックなどの誘電体基板を貼り合わせて構成している。制御アンテナ基板1の上面には、送信回路パッケージTXおよび受信回路パッケージRXの他に、図示しない制御回路ICやマイコンやコンデンサなどの各種電子回路が実装される。トリプレート線路6は、内層線路、シールドグランド、シールドスルーホールで構成されている。受信導波管5は複数設けられて複数チャンネルを構成するが、1つ設けられた1チャンネル構成であっても良い。送信回路パッケージTXは、高周波回路搭載基板90を備え、この高周波回路搭載基板90は高周波伝送特性の良い樹脂またはセラミックなどの誘電体基板によって構成されており、高周波樹脂基板90の裏面表層制御アンテナ基板1と対向する側の表層に、送信用の高周波回路91が形成されるとともに、送信用の高周波半導体チップ92等が実装されている。送信系の高周波回路9192としては、例えば、周波数f0の高周波信号を発生する発振回路、この発振回路の出力を増幅する増幅回路、この増幅回路の出力を逓倍増幅回路およびトリプレート線路6に出力する方向性結合器、前記増幅回路の出力をN逓倍しN≧2、周波数Nf0の逓倍信号を増幅して出力する逓倍増幅回路などが備えられている。送信系の高周波回路9192は、制御アンテナ基板1上に搭載される前記制御回路によって動作制御され、マイクロストリップ線路-導波管変換器、制御アンテナ基板1に形成された送信導波管4およびアンテナを介して送信波を送信する。送信導波管4は複数設けられて複数チャンネルを構成するが、1つ設けられた1チャンネル構成であっても良い。制御アンテナ基板1と、送信回路パッケージTXの多層誘電体基板7との間は、BGAボール半田ボール10によって接続されており、BGAボール10を用いてDCバイアスおよび信号接続がなされている。この場合、送信回路パッケージTXの送信系の高周波回路9192で使用されている周波数f0の局部発信波信号LOCAL信号が方向性結合器を経て、BGAボール10、制御アンテナ基板1のトリプレート線路6、BGAボール30を介して受信回路パッケージRXに入力されている。受信回路パッケージRXは、高周波回路搭載基板20を備え、この高周波回路搭載基板20以下高周波樹脂基板というは高周波伝送特性の良い樹脂またはセラミックなどの誘電体基板によって構成されており、高周波樹脂基板20の裏面表層制御アンテナ基板1と対向する側の表層に、受信用の高周波回路21が形成されるとともに、高周波半導体チップ22等が実装されている。高周波樹脂基板20の裏面表層に形成される受信用の高周波回路21としては、例えば、ミキサ回路の一部を構成する入出力パターン配線、電力分配器、導波管変換器などのRF回路がある。高周波半導体チップ22としては、ミキサの一部を構成するダイオードとしてのAPDPアンチパラレルダイオードペア、電力分配器で使用するチップ抵抗器などがある。高周波半導体チップ22、92は、Auバンプ100により高周波樹脂基板20にフリップチップ実装される。高周波樹脂基板20は、マザー制御基板3と対向する裏面表層に導電性接続部材としてのBGAボール30が設けられ、これらのBGAボール30は次の機能を有する。1高周波半導体チップ22と制御アンテナ基板1に搭載された制御回路とのDCバイアス、信号接続のためのインタフェース2制御アンテナ基板1に形成されたトリプレート線路6との高周波信号LOCAL信号の接続3個別回路ミキサ、電力分配器などの動作安定のためのキャビティ形成4複数のチャネル間の空間アイソレーションの確保5受信回路全体の電磁シールド蓋体の代わり6不要波の漏洩防止つぎに、図2~図5を用いて、受信回路パッケージRXの詳細について説明する。なお、送信回路パッケージTX用の高周波樹脂基板90については、受信回路パッケージRX用の高周波樹脂基板20と同様のパッケージ構成を有するので、以下では図2~図5を用いた詳細説明を省く。図2は、高周波樹脂基板20およびマザー制御基板3の断面図、図3は高周波樹脂基板20の裏面表層に形成された受信用の高周波回路21、高周波半導体チップ22とBGAボール30の配置例を示す平面図、図4は高周波樹脂基板20に形成された導波管-マイクロストリップ変換器部分の構成を示す断面図、図5は高周波樹脂基板20に形成された導波管-マイクロストリップ変換器部分の構成を示す斜視図である。この実施の形態では、受信チャネルは4チャネルあるものを例として示しているが、図2では、1チャネルのみを示し、図3では、2チャネルのみを示している。図3では、ほぼ半分の2チャネル分の高周波回路21、BGAボール30などの配置例が示されている。なお、高周波樹脂基板20に形成される全チャンネル数については、4チャンネルに限ることはなく、2、3チャンネルでも、5チャンネル以上の複数チャンネルでも良い。図2において、マザー制御基板3の表層、内層には、高周波的に接地された接地導体パターンGPグランドプレーンが形成され、この接地導体パターンGPは、黒塗りで示した接地導体ビアGBグランドビアに接続されている。接地導体ビアGBは、マザー制御基板3の基板積層方向に形成されている。マザー制御基板3には、図4、図5にも示すように、所定の間隔高周波信号の誘電体基板内実効波長λの1/4以下の間隔で配置された接地導体ビアGBおよびマザー制御基板3を構成する誘電体によって導波管5が形成されている。この導波管5としては、図5に示すような中空の導波管を採用するようにしてもよい。マザー制御基板3には、送信回路パッケージTXの送信系の高周波回路9192で使用されているLOCAL信号を高周波樹脂基板20に伝送するためのトリプレート線路6と、このトリプレート線路6に接続される信号ビア40と、この信号ビア40に接続される表層の導体パッド41とが形成されている。さらに、マザー制御基板3には、高周波樹脂基板20からの出力信号例えば、ミキサの出力信号である中間周波数信号IF信号をマザー制御基板3上に搭載される制御回路に伝送するために、信号線路42、信号ビア43が形成されている。また、後で詳述するが、高周波樹脂基板20の裏面表層に形成された受信用の高周波回路21高周波半導体チップ22を含むに対向するマザー制御基板3上の部位には、高周波回路21の動作を安定させるために接地導体パターンGPが形成されている。この高周波回路21に対向する部位に形成される接地導体パターンGPは、マザー制御基板3の表層に形成してもよいし、アイソレーションを得るために、高周波回路21からの距離を確保するべくマザー制御基板3の内層に形成してもよい。この高周波回路21に対向する部位に形成される接地導体パターンGPは、高周波回路21の周囲に配設される遮蔽用BGAボール、高周波樹脂基板20の内層の高周波回路21に対向する部位に形成される接地導体パターンGP、高周波樹脂基板20の裏面表層に配置される高周波回路21の周囲高周波樹脂基板20の裏面表層上に形成される接地導体パターンGPとともに高周波回路21を電気的に遮蔽する擬似キャビティを構成する。図2において、マザー制御基板3と高周波樹脂基板20との間には、BGAボール30が配置されるが、接地導体に接続されるBGAボール30Gはハッチング付きで示し、信号接続に用いられるBGAボール30S30S130S2は白抜きで示した。また、接地導体に接続されるBGAボール30Gとしては、後述のBGA導波管51を形成するためのものと、個別回路の動作安定のためのシールド形成やアイソレーションを確保するためのものとがあり、前者を符号30G1、後者を符号30G2として示した。また、信号接続に用いられるBGAボール30Sの周囲に配されて同軸インタフェースを構成するBGAボール30Gは、符号30G3として示した。図2、図3において、高周波樹脂基板20には、マザー制御基板3に形成された導波管5と対向する位置に、導波管-マイクロストリップ変換器以下WG-MIC変換器という50が形成されている。WG-MIC変換器50は、図4、図5にその詳細が示されているが、BGA導波管51、導波管開口部52、バックショート53およびマイクロストリップ線路で構成される先端開放プローブ54によって構成されている。導波管開口部52は、マザー制御基板3に形成された導波管5と対向する位置に形成され、高周波樹脂基板20の裏面表層に形成された接地導体パターンGPの抜きであって誘電体60が露出されたものである。導波管開口部52は、マイクロストリップ線路の先端開放プローブ54の周囲を取り囲むように形成されている。BGA導波管51は、高周波信号の自由空間伝搬波長の1/4以下の間隔で配列されたBGAボール30G1によって構成され、この部分での信号伝送媒体は空気である。具体的には、高周波樹脂基板20の裏面表層において、導波管開口部52の周囲に形成された接地導体パターンGPには、導波管開口部52を囲むように高周波信号の自由空間伝搬波長の1/4以下の間隔で導体ランド導体が露出している部分65が形成されており、これらのランド65上にBGAボール30G1が配置される導体ランドはBGAボールのコンタクト領域として機能する。なお、表層の接地導体パターンGP上においては、ランド65以外の部分には絶縁材料はんだレジストが塗布されている。バックショート53は、導波管開口部52から高周波樹脂基板20の積層方向にλ/4の長さを有する先端短絡の誘電体導波管であり、基板内実効波長のλ/8未満の間隔で配置された接地導体ビアGB、誘電体および先端に配置された接地導体パターンGP200によって構成されている。接地導体パターンGP200は、高周波樹脂基板20の上部表層または内層に構成されており、誘電体導波管の短絡板として機能する。また接地導体パターンGP200は導波管開口部52の周囲に形成された接地導体パターンGPおよび接地導体ビアGBに接続されている。バックショート53は、信号周波数帯において、導波管5とマイクロストリップとの結合状態を良好となるよう機能する。先端開放プローブ54は、導波管開口部52内に突出するよう高周波樹脂基板20の裏面表層に形成された先端開放のマイクロストリップ線路であり、バックショート53により、誘電体導波管内の定在波分布が最大となる位置に配置されており、効率よく導波管-マイクロストリップ変換を行う。以上のように、この実施の形態1によれば、高周波回路からの信号を、導波管を用いて外部に入出力することが可能なため、60GHz帯以上のミリ波帯では低損失で小型の高周波信号入出力インタフェースが可能となる。つぎに、高周波樹脂基板20の裏面表層に形成される受信用の高周波回路21および高周波半導体チップ22などについて説明する。マザー制御基板3のトリプレート線路6、信号ビア40を介して入力されるLOCAL信号は、BGAボール30S1図3の右下を介して高周波樹脂基板20に伝送される。LOCAL信号が伝送されるBGAボール30S1の周囲には、高周波樹脂基板20の裏面表層に形成される接地導体パターンGPに接続されるBGAボール30G3が複数個この場合4個設けられており、これにより同軸回路インタフェースが構成されている。正確には、LOCAL信号が伝送されるBGAボール30S1の周囲には、接地導体パターンが露出された4個のランド65が形成されており、これら4個のランド上にBGAボール30G3が接続されている。BGAボール30G3は、高周波信号の自由空間伝搬波長の1/4以下の間隔で配列されている。LOCAL信号が伝送されるBGAボール30S1には、高周波樹脂基板20の裏面表層に形成された導体ランド66,マイクロストリップ線路70が接続されている。マイクロストリップ線路70には、電力分配器75が接続され、電力分配器75にはミキサ80が接続されている。この場合、受信チャネルは4チャネルであるため、電力分配器75はマイクロストリップ線路70に入力されるLOCAL信号を4分配する。電力分配器75は、例えば、分岐回路、インピーダンス変換器、λg2位相線路、高周波半導体チップ22としてのチップ抵抗器76などで構成されている。この場合、受信チャネルは4チャネルであるため、4個のミキサ80が形成されている。ミキサ80は、高周波半導体チップ22としてのAPDPアンチパラレルダイオードペア81、高周波樹脂基板20の裏面表層に形成された信号線路、分波回路などで構成されており、電力分配器75を介して入力されるLOCAL信号と、先端開放プローブ54を介して入力されるRF信号とがミキシングされて両者の周波数和または周波数差の成分を表すビート信号IF信号を生成する。各ミキサ80から出力されるIF信号は、高周波樹脂基板20の裏面表層あるいは内層に形成された逆位相吸収回路、反射回路等のIF信号出力回路図示せずを経てIF信号用の導体ランド66に入力される。IF信号出力回路は、図2では、高周波樹脂基板20の裏面表層にあるものとして示し、図3では、内層に形成されているものとして図示を省略した。各IF信号用のランド66にはBGAボール30S2が夫々接続され、これらBGAボール30S2を介してIF信号がマザー制御基板3に伝送される。IF信号が伝送されるBGAボール30S2の周囲にも、接地導体パターンGPに接続されるBGAボール30G3が複数個この場合6個設けられており、この部分も同軸回路インタフェースを構成している例を示しているが、同軸回路インタフェースを構成していなくても良く、例えば、IF周波数が低ければ、BGAボール30G3を1個のみとして、平行二線として信号を受け渡しても良い。BGAボール30G3は、高周波信号の自由空間伝搬波長の1/4以下の間隔で配列されている例を示しているが、同様にIF周波数帯に応じて、干渉、放射性を考慮して、その間隔は広げても良い。マザー制御基板3では、IF信号を、表層の信号線路42、信号ビア43、内層の信号線路42を介してマザー制御基板3上に搭載される制御回路に伝送する。前述したように、高周波樹脂基板20の裏面表層に形成されたミキサ80、電力分配器75、IF信号出力回路などの高周波回路21高周波半導体チップ22を含むに対向するマザー制御基板3上の部位には、高周波回路21の動作を安定させるために接地導体パターンGPが形成されているが、同様に、高周波基板20の内層裏面表層から1層目にも、ミキサ80、電力分配器75、IF信号出力回路などの高周波回路21に対向する部位には、接地導体パターンGPが形成されている。この高周波基板20の内層裏面表層から1層目に形成される接地導体パターンGPは、高周波回路21の接地導体であり、高周波回路21をシールドする遮蔽導体として機能すると共に、高周波樹脂基板20の裏面表層に形成された高周波回路21の表層線路マイクロストリップ線路のRTNリターン導体として機能する。高周波基板20の内層裏面表層から1層目に形成される接地導体パターンGPと高周波回路21の周囲に形成される接地導体パターンGPとは接地導体ビアGBによって接続されており、これらは同電位となっている。つぎに、図3を用いてBGAボールの配置について説明する。図3において、高周波樹脂基板20の裏面表層に形成された接地導体パターンGP上には、接地導体パターンが露出されたすなわち絶縁材料の抜きとしての接地導体用のランド65が配列されており、これらランド65の配設間隔は、基本的には、高周波信号の自由空間伝搬波長の1/4以下である。また、高周波樹脂基板20の裏面表層に形成された接地導体用のランド65の配設位置に対向するマザー制御基板3の表層位置には、同様の接地導体用のランドが形成されている。BGAボール30Gは、高周波樹脂基板20およびマザー制御基板3に夫々形成された接地導体用のランド間を接続する。同様に、DCバイアス、制御信号、LOCAL信号などの信号接続に用いられるBGAボール30Sを挟むことができるように、高周波樹脂基板20およびマザー制御基板3の各表層位置には、そのためのランドが形成されている。なお、図3では、DCバイアス、制御信号を接続するためのBGAボールは、図示を省略した。図3において、接地導体パターンGPは、ミキサ80が配置される誘電体60が露出された部分55の周囲にも形成されている。このミキサ80の周囲の接地導体パターンGP上には、遮蔽用あるいはアイソレーション用のBGAボール30G2が接続されるランド65がミキサ80を囲むように高周波信号の自由空間伝搬波長の1/4以下の間隔で配列されており、これらのランド65にBGAボール30G2が接続される。これら遮蔽用あるいはアイソレーション確保用のBGAボール30G2によって囲まれた領域の縦横寸法L2、L3は、高周波信号の自由空間伝搬波長の1/2未満であるか、あるいは1/2となる長さを避けるようにする。これは、これらの縦横寸法L2、L3が、高周波回路の動作周波数に対応する波長の略1/2カットオフ寸法に一致すると、キャビティ内で共振が発生し、高周波回路の誤動作不要発振、周波数変動を引き起こすためである。また、同様に寸法L1は高周波信号の自由空間伝搬波長の1/2未満となるように、BGAボール30G2を配列する。これは、上記の各回路が収納されるキャビティ間を空間的に信号が伝搬してしまい、帰還結合により高周波回路の誤動作不要発振、周波数変動を引き起こすためである。ここで、前述したように、ミキサ80などの高周波回路の搭載部位に対向するマザー制御基板3上の部位表層または内層には、接地導体パターンGPが形成されており、この接地導体パターンと、ミキサ80の周りに配設された遮蔽用あるいはアイソレーション確保用のBGAボール30G2と、高周波樹脂基板20の内層裏面表層から1層目の高周波回路の搭載部位に対向する箇所に形成された接地導体パターンGPと、高周波樹脂基板20の裏面表層または内層であってかつ高周波回路の搭載部位の周囲に形成された接地導体パターンGPによって遮蔽空間としての擬似遮蔽キャビティが構成されている。このようにBGAボール30G2および高周波回路に対向する接地導体パターンGPによって構成される擬似遮蔽キャビティによって高周波回路を個別にさらにはチャネル別に区画することによって、高周波回路の遮蔽あるいはチャネル間のアイソレーション確保を、蓋体を用いない簡単かつ安価な構成によってなし得る。図3においては、接地導体パターンGPは、電力分配器75の周囲にも形成されており、電力分配器75の周囲に形成された接地導体パターンGP上にも、電力分配器75を囲むようにランド65およびBGAボール30G2が高周波信号の自由空間伝搬波長の1/4以下の間隔で配列され、また電力分配器75の搭載部位に対向するマザー制御基板3上の箇所にも接地導体パターンGPが形成され、さらに電力分配器75の搭載部位に対向する高周波樹脂基板の内層裏面表層から1層目にも接地導体パターンGPが形成されており、これらによって同様の遮蔽空間としての擬似遮蔽キャビティが構成されている。さらに、図3においては、受信チャネル間のアイソレーションを確保するために、各受信チャネルの高周波回路間、すなわちミキサ80間にもBGAボール30G2が配設されている。また、回路全体を電磁シールドするために、回路全体の周囲にも、BGAボール30G2が配設されている。なお、送信回路パッケージTXは、図1に示す構成の他、例えば、特開2002-185203号公報や特開2004-254068号公報などに記載されるように、セラミックで構成される多層誘電体基板と、多層誘電体基板上に搭載される送信系の高周波回路と、高周波回路をシールドする蓋体とで構成しても良い。この場合、送信系の高周波回路は、制御アンテナ基板1上に搭載される前記制御回路によって動作制御され、マイクロストリップ線路-導波管変換器を介し、制御アンテナ基板1に形成された送信導波管4およびアンテナを介して送信波を送信する。また、受信回路パッケージTXまたは送信回路パッケージRXにおいて、マザー基板との接合部での母材の割れや剥がれが生じない程度の大きさであれば、高周波樹脂基板20の素材として、多層の樹脂基板の代わりに多層セラミック基板を用いても良い。また、BGAボール10は、製造上、コスト上の制約が緩ければ、半田ボールの代わりに金バンプを用いて圧着によって接合しても良い。また、製造上、コスト上、信頼性上の制約が緩ければ、BGAボール10の代わりに、導電性ブロックや導電性フィラを用いて接続しても良い。図6は、導波管開口部52とミキサ80が配置される誘電体60が露出された部分55との周囲に配置されるBGAボールの他の配置例を示すものである。図6では、導波管開口部52と露出部分55との間の間隔を図3よりも離間させ、導波管開口部52と露出部分55との間に2列以上のBGAボールを配置している図6では2列。各BGAボールは、図3の場合と同様、高周波信号の自由空間伝搬波長の1/4以下の間隔で配列されている。このように、導波管開口部52と露出部分55との間に2列以上のBGAボールを配置したほうが、WG-MIC変換器50とミキサ80の間のシールドが向上し、各回路の動作が安定する。このように本実施の形態によれば、高周波樹脂基板20の裏面表層に形成された高周波回路を、この高周波回路の周りに形成された接地されたBGAボールおよび高周波回路と対向する部位に設けられた接地導体、高周波回路の周囲に形成された接地導体によって囲まれた擬似遮蔽キャビティ内に収納するようにしているので、ふた体を用いない安価かつ簡単な構成によって高周波回路を電磁シールドすることが可能となる。この際、高周波回路は、第1の誘電体基板である高周波樹脂基板20と第2の誘電体基板であるマザー制御基板3との間で非気密に収容されている。また、高周波樹脂基板20の裏面表層に形成された複数のチャネル分の高周波回路の各々を、チャネル毎に区画された擬似遮蔽キャビティによって遮蔽するようにしたので、各チャネル間のアイソレーションをシールリングなどの区画手段を用いない安価かつ簡単な構成によって確保することが可能となる。また、本実施の形態によれば、BGA接続構造によって、導波管インタフェースBGA導波管51、同軸インタフェースBGAボール30S1、30S2およびシールド/アイソレーション構造擬似遮蔽キャビティを有する高周波収納ケースを提供することができ、これにより、量産性に優れ、安価なセンサモジュールを提供することが可能となる。"