集電体と、集電体の表面に、当該表面に直交する方向に配向させて成長させたカーボンナノチューブと、を備え、隣接するカーボンナノチューブ相互間に所定の間隙が存するように、カーボンナノチューブの各々の少なくとも表面を硫黄で覆ってなることを特徴とするリチウム硫黄二次電池用の正極。前記カーボンナノチューブの各々の内部に硫黄が充填されていることを特徴とする請求項1記載のリチウム硫黄二次電池用の正極。集電体の表面に、当該表面に直交する方向に配向させてカーボンナノチューブを直接成長させ、又は、触媒層の表面に同一方向に配向させてカーボンナノチューブを成長させた後、これらのカーボンナノチューブを集電体の表面に、当該表面に直交する方向に配向するように転写する工程と、カーボンナノチューブが成長した又は転写された領域の全体に亘って、カーボンナノチューブの単位面積当たりの密度に応じた量で固体の硫黄を配置する工程と、前記硫黄を溶解させて、隣接するカーボンナノチューブ相互間に間隙が存するように、カーボンナノチューブの各々の表面を硫黄で覆う工程と、を含むことを特徴とするリチウム硫黄二次電池用の正極の形成方法。前記カーボンナノチューブを1×1010~1×1012本/cm2の密度で成長させ、成長させたカーボンナノチューブの重量の0.7~3倍の重量の前記固体の硫黄を配置することを特徴とする請求項3記載のリチウム硫黄二次電池用の正極の形成方法。前記硫黄を配置する前に、カーボンナノチューブの各々の先端に開口部を形成する工程を更に含み、前記硫黄を溶解させたときに、前記開口部を通してカーボンナノチューブの各々の内部に硫黄が充填されるようにしたことを特徴とする請求項3記載のリチウム硫黄二次電池用の正極の形成方法。カーボンナノチューブの各々の表面を硫黄で覆った後、アニールを行う工程を更に含み、このアニールにより、カーボンナノチューブの各々の表面を覆う硫黄をカーボンナノチューブ内部に浸透させ、カーボンナノチューブの各々の内部に硫黄が充填されるようにしたことを特徴とする請求項3記載のリチウム硫黄二次電池用の正極の形成方法。本発明は、以上の点に鑑み、リチウム硫黄二次電池に適用したときに、比容量やサイクル特性といった電池特性を維持したまま、特に高いレート特性が得られるリチウム硫黄二次電池用の正極及びその形成方法を提供することをその課題とするものである。上記課題を解決するために、本発明のリチウム硫黄二次電池用の正極は、集電体と、集電体の表面に、当該表面に直交する方向に配向させて成長させたカーボンナノチューブと、を備え、隣接するカーボンナノチューブ相互間に所定の間隙が存するように、カーボンナノチューブの各々の少なくとも表面を硫黄で覆ってなることを特徴とする。ここで、本発明において、集電体には、表面に触媒層が形成されたものや、表面にバリア層と触媒層が形成されたものを含むこととする。本発明によれば、集電体の表面に成長させたカーボンナノチューブの各々の少なくとも表面が硫黄で覆われて、硫黄とカーボンナノチューブとが広範囲で接触しているため、硫黄への電子供与が充分に行なわれる。このとき、隣接するカーボンナノチューブ相互間に間隙が存するため、本発明の正極をリチウム硫黄二次電池に適用した場合、上記間隙に電解液が供給されると、当該電解液が広範囲で硫黄に接触することで、硫黄の利用効率が向上し、硫黄への充分な電子供与ができることと相俟って、特に高いレート特性を得ることができ、比容量も一層向上させることができる。従って、比容量やサイクル特性といった電池特性を維持したまま、高いレート特性をも得ることができる。本発明において、カーボンナノチューブの各々の内部にも硫黄を充填しておけば、正極における硫黄の量が更に増加することで、より一層比容量を増加させることができる。また、上記課題を解決するために、本発明のリチウム硫黄二次電池用の正極の形成方法は、集電体の表面に、当該表面に直交する方向に配向させてカーボンナノチューブを直接成長させ、又は、触媒層の表面に同一方向に配向させてカーボンナノチューブを成長させた後、これらのカーボンナノチューブを集電体の表面に、当該表面に直交する方向に配向するように転写する工程と、カーボンナノチューブが成長した又は転写された領域の全体に亘って、カーボンナノチューブの単位面積当たりの密度に応じた量で固体の硫黄を配置する工程と、前記硫黄を溶解させて、隣接するカーボンナノチューブ相互間に間隙が存するように、カーボンナノチューブの各々の表面を硫黄で覆う工程と、を含むことを特徴とする。ここで、本発明において、固体の硫黄には、粉末状、顆粒状やタブレット状の硫黄が含まれるものとし、このような硫黄を配置する量は、全てが溶解したときに、カーボンナノチューブの各々の表面を硫黄で覆い、かつ、隣接するカーボンナノチューブ相互間に間隙が生じる範囲内で適宜設定される。また、硫黄の配置には、成長させたカーボンナノチューブの上面を覆うように固体の硫黄を設置したり、粉末状の硫黄を成長させたカーボンナノチューブの上方から撒布して設置したりする場合が含まれるものとする。本発明によれば、カーボンナノチューブの単位面積当たりの密度に応じた量の固体の硫黄を配置して溶解させるだけであるため、簡単な工程で、隣接するカーボンナノチューブ相互間に間隙が存するようにしてカーボンナノチューブの各々の表面を覆うことが実現できる。上記の場合、例えば、前記カーボンナノチューブを1×1010~1×1012本/cm2の密度で成長させ、成長させたカーボンナノチューブの重量の0.7~3倍の重量の前記固体の硫黄を配置すればよい。また、本発明において、前記硫黄を配置する前に、カーボンナノチューブの各々の先端に開口部を形成する工程を更に含み、前記硫黄を溶解させたときに、前記開口部を通してカーボンナノチューブの各々の内部に硫黄が充填されるようにすることが望ましい。これによれば、より一層比容量を増加させるためにカーボンナノチューブ内に硫黄を充填する場合に、当該充填を、カーボンナノチューブの各々の表面を硫黄で覆うことと同時に行うことができ、生産性が良い。更に、本発明において、カーボンナノチューブの各々の表面を硫黄で覆った後、アニールを行う工程を更に含み、このアニールにより、カーボンナノチューブの各々の表面を覆う硫黄をカーボンナノチューブ内部に浸透させ、カーボンナノチューブの各々の内部に硫黄が充填されるようにしてもよい。図1に示すように、リチウム硫黄二次電池Bは、主として、正極Pと、負極Nと、これら正極Pと負極Nの間に配置されたセパレータSとを備える。セパレータSは、図示しない電解液を含み、この電解液を介して正極Pと負極Nとの間でリチウムイオンLiを伝導できるようになっている。ここで、負極Nとしては、例えば、Li、LiとAlもしくはIn等との合金、またはリチウムイオンをドープしたハードカーボンを用いることができる。また、電解液としては、例えば、テトラヒドロフラン、グライム、ジグライム、テトラグライムなどのエーテル系電解液、ジエチルカーボネート、プロピレンカーボネートなどのエステル系電解液のうちから選択された少なくとも1種、または、これらのうちから選択された少なくとも1種例えばグライム、ジグライムもしくはテトラグライムに粘度調整のためのジオキソランを混合したものを用いることができる。正極Pを除く他の構成要素は公知のものを利用できるため、ここでは、詳細な説明を省略する。以下、図2を参照して、本実施形態のリチウム硫黄二次電池用の正極P及びその形成方法を説明する。正極Pは、正極集電体P1と、正極集電体P1の表面に形成された正極活物質層P2とを備える。正極集電体P1は、例えば、基体1と、基体1の表面に5~50nmの膜厚で形成された下地膜バリア膜ともいう2と、下地膜2の上に0.1~5nmの膜厚で形成された触媒層3とを有する。基体1としては、例えば、Cu、Ni、Ptからなる箔を用いることができる。また、下地膜2は、例えば、Al膜又はAlN膜から構成でき、触媒層3は、例えば、Fe膜、Co膜又はNi膜から構成できる。なお、基体1、下地層2及び触媒層3については、上記に限定されるものではなく、また、公知の方法を利用して形成できる。正極活物質層P2は、正極集電体P1の表面に、当該表面に直交する方向に配向させて成長させたカーボンナノチューブ4と、カーボンナノチューブ4相互間に間隙を存するようにカーボンナノチューブ4の各々の表面全体を覆う硫黄5とから構成され、当該間隙には上記電解液が流入させるようになっている。ここで、カーボンナノチューブ4を成長させる場合、電池特性を考慮して、例えば、カーボンナノチューブの各々の長さが100~500μmの範囲内で、これらの直径が5~50nmの範囲内である高アスペクト比のものが有利であり、また、単位面積当たりの密度が、1×1010~1×1012本/cm2の範囲内となるように成長させることが好ましい。そして、上記の如く成長させた各カーボンナノチューブ4表面全体を覆う硫黄5の厚さは、例えば、1~3nmの範囲とすることが好ましい。このように本実施形態では、正極集電体P1の表面に成長させたカーボンナノチューブ4の各々の表面が硫黄5で覆われているため、硫黄5とカーボンナノチューブ4とが広範囲で接触する。ここで、カーボンナノチューブ4は、上記従来例で用いられたアセチレンブラック粒子のように粒子同士の接触により導電性を有するものではなく、単体で導電性を有するものであるため、硫黄5への電子供与を充分に行うことができる。このとき、隣接するカーボンナノチューブ4相互間に間隙が存するため、この間隙に電解液が供給されると、硫黄5と電解液とも広範囲で接触する、即ち、正極集電体P1との接合部分近傍の硫黄5まで電解液リチウムイオンが供給されることで、硫黄の利用効率が向上し、硫黄への充分な電子供与ができることと相俟って、特に高いレート特性を得ることができる。その上、比容量も一層向上させることができる。また、放電時に硫黄5から生じる多硫化アニオンがカーボンナノチューブ4によって吸着されるため、電解液への多硫化アニオンの拡散を抑制でき、サイクル特性もよい。結果として、本実施形態のリチウム硫黄二次電池Bの正極は、比容量やサイクル特性といった電池特性を維持したまま、特に高いレート特性を有する。次に、図3を更に参照して、上記正極Pの形成方法を説明する。先ず、基体1たるNi箔の表面に、下地膜2としてのAl膜と触媒層3としてのFe膜を順次形成することにより、正極集電体P1を形成する。ここで、下地膜2と触媒層3の形成方法としては、例えば、公知の電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、触媒金属を含む化合物の溶液を用いたディッピングを用いることができる。この正極集電体P1を公知のCVD装置の処理室内に設置し、処理室内に原料ガス及び希釈ガスを含む混合ガスを100Pa~大気圧の作動圧力下で供給し、600~800°Cの温度に正極集電体P1を加熱することにより、集電体P1の表面に、当該表面に直交する配向させてカーボンナノチューブ4を成長させる。ここで、カーボンナノチューブ4を成長させるためのCVD法としては、熱CVD法、プラズマCVD法、ホットフィラメント法を用いることができる。原料ガスとしては、例えば、メタン、エチレン、アセチレン等の炭化水素や、メタノール、エタノール等のアルコールを用いることができ、また、希釈ガスとしては、窒素、アルゴン又は水素を用いることができる。また、原料ガス及び希釈ガスの流量は、処理室の容積に応じて適宜設定でき、例えば、原料ガスの流量は10~500sccmの範囲内で設定でき、希釈ガスの流量は100~5000sccmの範囲内で設定できる。次いで、カーボンナノチューブ4が成長した領域の全体に亘って、その上方から、1~100μmの範囲の粒径を有する顆粒状の硫黄50を撒布する図3参照。そして、正極集電体P1を管状炉内に設置し、硫黄の融点113°C以上の120~180°Cの温度に加熱する。これにより、溶解した硫黄が隣接するカーボンナノチューブ4の間に流れ込み、隣接するカーボンナノチューブ4相互間に間隙が存するように、カーボンナノチューブ4の各々の表面全体が硫黄5で覆われる図2参照。このとき、隣接するカーボンナノチューブ4相互間に確実に間隙が存するようにするために、カーボンナノチューブ4の密度本/cm2に応じて、上記配置する硫黄50の重量を設定する。例えば、カーボンナノチューブ4の成長密度が1×1010~1×1012本である場合、硫黄50の重量をカーボンナノチューブ4の重量の0.2倍~10倍に設定することが好ましい。0.2倍よりも少ないと、カーボンナノチューブ4の夫々の表面が硫黄により均一に覆われなくなり、10倍よりも多いと、隣接するカーボンナノチューブ4相互間の間隙まで硫黄が充填されてしまう。より具体的には、カーボンナノチューブ4の表面を1~3nmの厚さの硫黄5で覆うには、硫黄50の重量をカーボンナノチューブ4の重量の0.7倍~3倍に設定することが好ましい。また、空気中で加熱すると、溶解した硫黄が空気中の水分と反応して硫酸が生成するため、ArやHe等の不活性ガス雰囲気中、または真空中で加熱することが好ましい。本実施形態の正極の形成方法によれば、カーボンナノチューブ4の単位面積当たりの密度に応じた量の固体の硫黄50を配置して溶解させるだけであるため、簡単な工程で、隣接するカーボンナノチューブ4相互間に間隙が存するようにしてカーボンナノチューブ4の各々の表面を覆うことが実現できる。尚、上記実施形態では、カーボンナノチューブ4の各々の表面のみを硫黄5で覆っているが、図4に示すように、カーボンナノチューブ4の各々の内部にも硫黄5を充填すれば、正極Pにおける硫黄の量が更に増加することで、より一層比容量を増加させることができる。カーボンナノチューブ4内部に硫黄5を充填するためには、硫黄50を配置する前に、例えば、大気中、500~600°Cの温度で熱処理を行うことでカーボンナノチューブ4の各々の先端に開口部を形成する。次いで、上記実施形態と同様の方法により、カーボンナノチューブ4が成長した領域全体に亘って硫黄50を配置し、この硫黄50を溶解させる。これにより、カーボンナノチューブ4の各々の表面が硫黄で覆われると同時に、この開口部を通してカーボンナノチューブ4の各々の内部にも硫黄5が充填される。この場合、隣接するカーボンナノチューブ相互間に確実に間隙が存するようにするために、硫黄50の重量をカーボンナノチューブ4の重量の5倍~20倍に設定することが好ましい。また、別の方法としては、管状炉にて硫黄50を溶解させて、カーボンナノチューブ4の各々の表面を硫黄5で覆った後、同一の管状炉を用いて集電体金属と硫黄が反応しない200~250°Cの範囲内の温度でアニールを更に行う。このアニールにより、カーボンナノチューブ4表面から内部に硫黄を浸透させて、カーボンナノチューブ4の各々の内部に硫黄5が充填される。実施例1では、正極集電体として、Ni箔の表面に15nmの膜厚でAl膜下地膜を電子ビーム蒸着法により形成し、Al膜の上に5nmの膜厚でFe膜を電子ビーム蒸着法により形成したものを準備した。この正極集電体を熱CVD装置の処理室内に載置し、処理室内にアセチレン200sccmと窒素1000sccmを供給し、作動圧力:1気圧、温度:750°C、成長時間:5分の条件で、正極集電体表面に垂直配向させてカーボンナノチューブを直接成長させた図5a参照。このときのカーボンナノチューブの密度は、1×1010本/cm2であった。正極集電体を熱CVD装置から取り出し、成長したカーボンナノチューブの重量を測定したところ0.50mgであった。次いで、カーボンナノチューブの重量の10倍5mgの顆粒状の硫黄S8を、カーボンナノチューブが成長した領域全体に亘って配置したものを、管状炉内に配置し、Ar雰囲気下で120°C、5分加熱した。加熱後のカーボンナノチューブの断面SEM写真を図5bに示す。これによれば、隣接するカーボンナノチューブ相互間に間隙が存するように、カーボンナノチューブの各々の表面が5nmの厚さの硫黄で覆われていることが確認された。実施例2では、上記実施例1と同様の方法により、正極集電体の表面にカーボンナノチューブを成長させた。次いで、上記実施例1と同様の方法により、カーボンナノチューブの重量0.50mgの5倍2.5mgの顆粒状の硫黄を配置したものを管状炉内に配置し、Ar雰囲気下で120°C、5分加熱した。加熱後のものでは、カーボンナノチューブの各々の表面が5nmの厚さの硫黄で覆われていることを確認した。その後、同一の管状炉にて、Ar雰囲気下で230°C、30分アニールを行った。このアニールにより、カーボンナノチューブ表面の硫黄がカーボンナノチューブ内部に浸透し、カーボンナノチューブの内部にも硫黄が充填されたことを確認した。尚、アニール時に661.55gの硫黄が蒸発したため、実施例2で最終的に得られた正極において、カーボンナノチューブと硫黄の重量比は1:1.9であった。次に、本実施例2で作製した直径14mmφの正極を用い、負極は直径14mmφ、厚さ1mmの金属リチウムとし、これら正極及び負極をセパレーター例えば、Celgard社製の商品名2400を介して対向させ、電解液として1MリチウムビストリフルオロメチルスルホネートイミドLiTFSI、グライムDME及びジオキソランDOLの混合溶液DME:DOL=9:1を用いて、リチウム硫黄二次電池のコインセルを作製し発明品、1g当たりの放電容量比容量を測定した。図6は、実施例2で得た正極を用いたリチウム硫黄二次電池発明品の充放電特性を示すグラフである。この場合、放電時のカットオフ電圧を1.5Vとし、充電時のカットオフ電圧を2.8Vとし、充放電レートを0.1Cと1Cにして測定を行った。0.1Cでの1回目の放電では、2.5~1.5Vの電位で1120mAh/gと高い放電容量が得られた。また、1Cでの1回目の充放電でも、0.1Cでの放電容量の約80に相当する870mAh/gと高い放電容量が得られた。このように、本実施例2では、硫黄への電子及びリチウムイオン電解液の供与を充分に行うことができ、硫黄の利用効率がほぼ100に高められるため、上記比容量やサイクル特性といった電気特性を維持したまま、特に高いレート特性が得られることが判る。また、1Cでの分極充電時と放電時の電位差が0~0.5Vと小さいことから、電極を低抵抗化できることが判る。尚、比較実験1として、上記実施例1と同様の方法により、正極集電体の表面にカーボンナノチューブを成長させた。次いで、上記実施例1と同様の方法により、カーボンナノチューブの重量0.50mgの40倍20mgの顆粒状の硫黄を配置したものを管状炉内に配置し、Ar雰囲気下で120°C、5分加熱した。このものでは、隣接するカーボンナノチューブ相互間が硫黄で埋められていた。その後、上記実施例2と同様の方法により、同一の管状炉にて、Ar雰囲気下で230°C、30分アニールを行った。このアニールにより、カーボンナノチューブの内部にも硫黄が充填されたが、隣接するカーボンナノチューブ相互間は依然として硫黄で埋められていることを確認した。尚、アニール時に27.55.5mgの硫黄が蒸発したため、比較実験1で最終的に得られた正極において、カーボンナノチューブと硫黄の重量比は1:29であった。そして、このものを正極として用い、上記実施例2と同様に、リチウム硫黄二次電池のコインセルを作製し比較品1、1g当たりの放電容量を測定した。図7は、比較品1の充放電特性を示すグラフである。放電容量の測定条件は、上記実施例2と同じとした。0.1Cでの充放電では50mAh/gと小さな放電容量しか得られず、1Cでの充放電では0.1での充電容量の約20に相当する11mAh/gと極めて小さな放電容量しか得られなかった。比較品1の放電容量が発明品に比べて小さいのは、カーボンナノチューブの相互間が硫黄で埋められていることで、電解液がカーボンナノチューブ先端近傍の僅かな硫黄にしか接触できず、硫黄の利用効率が低いためと考えられる。他の比較実験2として、従来方法により正極を作製した。即ち、硫黄とアセチレンブラックを1:1の重量比でそれぞれ秤量し、ボールミルで混合したものに結着剤として機能するポリフッ化ビニリデンPVdFを加える。このポリフッ化ビニリデンを加えたものをNメチル2ピロリドンNMPに溶かして高粘度のスラリー溶液とし、このスラリーを正極集電体例えばNi箔の表面にアプリケータを用いて均一な厚さ例えば50μmで塗布した。この場合、硫黄:アセチレンブラック:ポリフッ化ビニリデンの重量比を45:45:10とした。次いで、溶液が塗布された正極集電体を大気中で80°C、60分乾燥し、14mmφの大きさに打ち抜く。尚、比較実験2で最終的に得られた正極において、硫黄の重量は1.90mgであった。そして、このものを正極として用い、上記実施例2と同様に、リチウム硫黄二次電池のコインセルを作製し比較品2、1g当たりの放電容量を測定した。図8は、比較品2の充放電特性を示すグラフである。放電容量の測定条件は、上記実施例2と同じとした。0.1Cでの1回目の放電では、2.5~1.5Vの電位で610mAh/gとの放電容量が得られた。また、1Cでの充放電でも、0.1Cでの放電容量の約50に相当する320mAh/gであった。比較品2の放電容量が発明品に比べて小さいのは、アセチレンブラックの粒子間に生じる大きな抵抗により、硫黄への電子供与が不充分となり、その結果、硫黄の利用効率が低いためである。以上、本発明の実施形態及び実施例について説明したが、本発明は上記のものに限定されない。本発明では、集電体即ち、触媒層の表面に直接カーボンナノチューブを成長させる場合を例に説明したが、別の触媒層の表面にカーボンナノチューブを配向させて成長させ、このカーボンナノチューブを集電体の表面に転写してもよい。