第1の共通のノードと、第1の導線及び第2の導線を有する第1の抵抗器であって、前記第1の導線は前記第1の共通のノードに結合される、第1の抵抗器と、第1の導線及び第2の導線を有する第2の抵抗器であって、前記第1の導線は前記第1の共通のノードに結合される、第2の抵抗器と、第2の共通のノードと、第1の導線及び第2の導線を有する第3の抵抗器であって、前記第1の導線は前記第2の共通のノードに結合される、第3の抵抗器と、第1の導線及び第2の導線を有する第4の抵抗器であって、前記第1の導線は前記第2の共通のノードに結合される、第4の抵抗器と、第1の導体、第2の導体、第3の導体、第4の導体、第1のキー、第2のキー、第3のキー及び第4のキーを有するキーマトリクスであって、前記第1の導体は前記第1の抵抗器の前記第2の導線に結合され、前記第2の導体は前記第2の抵抗器の前記第2の導線に結合され、前記第3の導体は前記第3の抵抗器の前記第2の導線に結合され、前記第4の導体は前記第4の抵抗器の前記第2の導線に結合され、前記第1のキーの押下は前記第1の導体を前記第3の導体に結合させ、前記第2のキーの押下は前記第1の導体を前記第4の導体に結合させ、前記第3のキーの押下は前記第2の導体を前記第3の導体に結合させ、前記第4のキーの押下は前記第2の導体を前記第4の導体に結合させる、キーマトリクスと、第1の導線及び第2の導線を有する第1のダイオードであって、前記第1の導線は前記第1の抵抗器の前記第1の導線に結合され、前記第2の導線は前記第1の抵抗器の前記第2の導線に結合される、第1のダイオードと、第1の導線及び第2の導線を有する第2のダイオードであって、前記第1の導線は前記第2の抵抗器の前記第1の導線に結合され、前記第2の導線は前記第2の抵抗器の前記第2の導線に結合される、第2のダイオードとを備える、回路。第1の導線及び第2の導線を有する第3のダイオードであって、前記第1の導線は前記第3の抵抗器の前記第1の導線に結合され、前記第2の導線は前記第3の抵抗器の前記第2の導線に結合される、第3のダイオードと、第1の導線及び第2の導線を有する第4のダイオードであって、前記第1の導線は前記第4の抵抗器の前記第1の導線に結合され、前記第2の導線は前記第4の抵抗器の前記第2の導線に結合される、第4のダイオードとを更に備える、請求項1記載の回路。前記第1の抵抗器は抵抗値R1を有し、前記第2の抵抗器は抵抗値R2を有し、前記第3の抵抗器は抵抗値R3を有し、前記第4の抵抗器は抵抗値R4を有し、R3とR4は実質的に異なる抵抗値であり、R1はR3よりも大きく、R1はR4よりも大きく、R2からR1を引いたものはR3よりも大きく、R2からR1を引いたものはR4よりも大きい、請求項1記載の回路。前記第1の抵抗器は抵抗値R1を有し、前記第2の抵抗器は抵抗値R2を有し、前記第3の抵抗器は抵抗値R3を有し、前記第4の抵抗器は抵抗値R4を有し、R2はR1よりも大きく、R2はR3よりも大きく、R4はR1よりも大きく、R4はR3よりも大きい、請求項2記載の回路。前記第1の共通のノードから前記第2の共通のノードまで第1の電流を駆動し、また、前記第2の共通のノードから前記第1の共通のノードまで第2の電流を駆動する集積回路を更に備える、請求項1記載の回路。前記キーマトリクスは、30個よりも多いキーを備え、前記第1の共通のノードが前記第2の共通のノードに対して第1の電圧極性を有する場合、前記30個のキーのうちの任意の単独のキーの押下は、前記第1の共通のノードから前記第2の共通のノードまで前記キーマトリクスを介した電流路を存在させる、請求項1記載の回路。前記キーマトリクスは、30個よりも多いキーを備え、前記第1の共通のノードが前記第2の共通のノードに対して第1の電圧極性を有する場合、前記30個のキーのうちのキーの押下は、前記第1の共通のノードから前記第2の共通のノードまで前記キーマトリクスを介した第1の電流路を存在させ、前記第1の電流路は第1の抵抗値を有し、前記第1の共通のノードが前記第2の共通のノードに対して第2の電圧極性を有する場合、前記キーの前記押下はまた、前記第2の共通のノードから前記第1の共通のノードまで前記キーマトリクスを介して第2の電流路を存在させ、前記第2の電流路は前記第1の抵抗値とは異なる第2の抵抗値を有する、請求項1記載の回路。前記キーマトリクスは30個よりも多いキーを備え、前記回路は、単独のキーが押下された場合、前記キーマトリクスのどのキーが押下されたかを判定する手段を更に備え、前記手段は、前記第1の共通のノードから前記第2の共通のノードまで第1の電流を駆動し、また、前記第2の共通のノードから前記第1の共通のノードまで第2の電流を駆動する、請求項1記載の回路。前記手段はまた、前記キーのうちの2個が押下される状態を、単独のキーが押下される状態と区別する、請求項8記載の回路。前記キーマトリクスは30個よりも多い数のキーを備え、前記回路は、単独のキーが押下された場合、前記キーマトリクスのうちのどのキーが押下されたのかを判定する手段を更に備え、前記手段は、前記第1の共通のノードから前記第2の共通のノードへ第1の電流を駆動し、また、前記第2の共通のノードから前記第1の共通のノードへ第2の電流を駆動する、請求項2記載の回路。前記手段はまた、前記キーのうちの2個が押下される状態を、単独のキーが押下される状態と区別する、請求項10記載の回路。第1の導線及び第2の導線を有する第5の抵抗器であって、前記第1の導線は前記第1の共通のノードに結合され、第2の抵抗器は前記第2の共通のノードに結合される、第5の抵抗器を更に備える、請求項1記載の回路。前記キーマトリクスは30個よりも多いキーを備え、前記第1の抵抗器、前記第2の抵抗器、前記第3の抵抗器、前記第4の抵抗器、前記第1のダイオード及び前記第2のダイオードは、単独の集積回路上に集積される、請求項1記載の回路。前記キーマトリクスは30個よりも多いキーを備え、前記第1の抵抗器、前記第2の抵抗器、前記第3の抵抗器、前記第4の抵抗器、前記第1のダイオード、前記第2のダイオード、前記第3のダイオード及び前記第4のダイオードは、単独の集積回路上に集積される、請求項2記載の回路。a第1の電流を、第1の共通のノードから、キーマトリクスを介して、第2の共通のノードまでの第1の電流路を介して駆動し、前記第1の電流は、前記キーマトリクスの複数のキーのうちの1つが押下されたときに前記第1の電流路を介して流れ、baの前記第1の電流の前記流れの期間に、電気的特性の第1の測定を行い、c第2の電流を、前記第2の共通のノードから、前記キーマトリクスを介して、前記第1の共通のノードまでの第2の電流路を介して駆動し、前記第2の電流は、前記1つのキーが押下されたときに前記第2の電流路を流れ、dcの前記第2の電流の前記流れの期間に、電気的特性の第2の測定を行い、e前記第1及び第2の測定を用いて前記1つのキーを識別する方法。前記第1の電流路は、前記第1の共通のノードと前記第2の共通のノードとの間に第1の抵抗値を有し、第2の電流路は、前記第1の共通のノードと前記第2の共通のノードとの間に第2の抵抗値を有し、前記第1の抵抗値は前記第2の抵抗値とは実質的に異なる、請求項15記載の方法。前記第1の電流はダイオードを介してではなく、主に抵抗器を介して流れ、前記抵抗器の第1の導線は前記ダイオードの第1の導線に結合され、前記抵抗器の第2の導線は前記ダイオードの第2の導線に結合され、前記第2の電流は前記抵抗器を介してではなく、主に前記ダイオードを介して流れる、請求項15記載の方法。前記キーマトリクスは30個よりも多いキーを備える、請求項15記載の方法。前記電気的特性は、前記第1の共通のノードと前記第2の共通のノードとの間の抵抗値、前記第1の共通のノードと前記第2の共通のノードとの間の電圧、及び前記第1の共通のノードと前記第2の共通のノードとの間を流れる電流から成る組のうちから選択される、請求項15記載の方法。集積回路は、aで前記第1の電流を駆動し、cで前記第2の電流を駆動し、eで前記単独のキーを識別する、請求項15記載の方法。前記第1の電流は、トランジスタを介してではなく、主に抵抗器を介して流れ、前記抵抗器の第1の導線は前記トランジスタの第1の導線に結合され、前記抵抗器の第2の導線は前記トランジスタの第2の導線に結合され、前記第2の電流は、前記抵抗器を介してではなく、主に前記トランジスタを介して流れ、前記トランジスタは前記第1の電流がaで流れるときに実質的に非導通になるように制御され、前記トランジスタは前記第2の電流がcで流れるとき実質的に導通するように制御される、請求項15記載の方法。f前記第1の共通のノードから、前記キーマトリクスを介して、前記第2の共通のノードまで、第3の電流を駆動し、前記第3の電流の前記流れの期間に、電気的特性の第3の測定を行い、前記第3の測定を用いて前記キーマトリクスの2個以上のキーが同時に押下されたことを判定する、ことを更に備える、請求項15記載の方法。第1の共通のノードと、第1の導線及び第2の導線を有する第1の抵抗器であって、前記第1の導線は前記第1の共通のノードに結合される、第1の抵抗器と、第1の導線及び第2の導線を有する第2の抵抗器であって、前記第1の導線は前記第1の共通のノードに結合される、第2の抵抗器と、第2の共通のノードと、第1の導線及び第2の導線を有する第3の抵抗器であって、前記第1の導線は前記第2の共通のノードに結合される、第3の抵抗器と、第1の導線及び第2の導線を有する第4の抵抗器であって、前記第1の導線は前記第2の共通のノードに結合される、第4の抵抗器と、第1の導体、第2の導体、第3の導体、第4の導体、第1のキー、第2のキー、第3のキー及び第4のキーを有するキーマトリクスであって、前記第1の導体は前記第1の抵抗器の前記第2の導線に結合され、前記第2の導体は前記第2の抵抗器の前記第2の導線に結合され、前記第3の導体は前記第3の抵抗器の前記第2の導線に結合され、前記第4の導体は前記第4の抵抗器の前記第2の導線に結合され、前記第1のキーの押下は前記第1の導体を前記第3の導体に結合させ、前記第2のキーの押下は前記第1の導体を前記第4の導体に結合させ、前記第3のキーの押下は前記第2の導体を前記第3の導体に結合させ、前記第4のキーの押下は前記第2の導体を前記第4の導体に結合させる、キーマトリクスと、第1の導線及び第2の導線を有する第1のトランジスタであって、前記第1の導線は前記第1の抵抗器の前記第1の導線に結合され、前記第2の導線は前記第1の抵抗器の前記第2の導線に結合される、第1のトランジスタと、第1の導線及び第2の導線を有する第2のトランジスタであって、前記第1の導線は前記第2の抵抗器の前記第1の導線に結合され、前記第2の導線は前記第2の抵抗器の前記第2の導線に結合される、第2のトランジスタとを備える、回路。第1の導線及び第2の導線を有する第3のトランジスタであって、前記第1の導線は前記第3の抵抗器の前記第1の導線に結合され、前記第2の導線は前記第3の抵抗器の前記第2の導線に結合される、第3のトランジスタと、第1の導線及び第2の導線を有する第4のトランジスタであって、前記第1の導線は前記第4の抵抗器の前記第1の導線に結合され、前記第2の導線は前記第4の抵抗器の前記第2の導線に結合される、第4のトランジスタとを更に備える、請求項23記載の回路。前記第1のトランジスタは制御入力線を有し、前記第2のトランジスタは制御入力線を有し、前記第1及び第2のトランジスタの前記制御入力線は互いに結合され、また、第2の共通のノードに結合される、請求項23記載の回路。前記第1のトランジスタは制御入力線を有し、前記第2のトランジスタは制御入力線を有し、前記第1及び第2のトランジスタの前記制御入力線は互いに結合され、また、前記第2の共通のノードに結合され、前記第3のトランジスタは制御入力線を有し、前記第4のトランジスタは制御入力線を有し、前記第3及び第4のトランジスタの前記制御入力線は互いに結合され、また、前記第1の共通のノードに結合される、請求項24記載の回路。前記第1の抵抗器は抵抗値R1を有し、前記第2の抵抗器は抵抗値R2を有し、前記第3の抵抗器は抵抗値R3を有し、前記第4の抵抗器は抵抗値R4を有し、R3とR4は実質的に異なる抵抗値であり、R1はR3とR4の双方よりも大きく、R2からR1を引いたものはR3よりも大きく、R2からR1を引いたものはR4よりも大きい、請求項23記載の回路。前記第1の抵抗器は抵抗値R1を有し、前記第2の抵抗器は抵抗値R2を有し、前記第3の抵抗器は抵抗値R3を有し、前記第4の抵抗器は抵抗値R4を有し、R2はR1よりも大きく、R2はR3よりも大きく、R4はR1よりも大きく、R4はR3よりも大きい、請求項24記載の回路。前記キーマトリクスは30個よりも多いキーを供え、前記30個のキーのうちの任意の単独のキーが押下されたとき、前記第1の共通のノードと前記第2の共通のノードとの間で異なる時間に第1の電流路と第2の電流路との双方が前記キーマトリクスを介して延長させられる、請求項23記載の回路。第1の電流を前記第1の電流路に流させ、第2の電流を前記第2の電流路に流させる、前記第1及び第2のトランジスタを制御する集積回路を更に備える、請求項29記載の回路。単独のキーが押下された場合、押下されたキーのアイデンティティを判定し、2個のキーが押下された状態を単独のキーが押下された状態と区別することができる回路を更に備える、請求項23記載の回路。非線形抵抗回路が第1の抵抗値を有するとき、キー押下イベントの期間にキーマトリクスの前記非線形抵抗回路を介して第1の電流を駆動するように適合された2線キーマトリクスインタフェースを備え、前記2線キーマトリクスインタフェースはまた、前記非線形抵抗回路が第2の抵抗値を有するとき、前記キー押下イベントの期間に前記キーマトリクスの前記非線形抵抗回路を介して第2の電流を駆動するように適合される、集積回路。前記2線キーマトリクスインタフェースは、第1のターミナルと第2のターミナルとを備え、前記2線キーマトリクスインタフェースは前記第1の電流を前記第1のターミナルから駆動し、前記第1の電流を前記第2のターミナルで受け取るように適合され、前記2線キーマトリクスインタフェースは、前記第2の電流を前記第2のターミナルから駆動し、前記第2の電流を前記第1のターミナルで受け取るように適合される、請求項32記載の集積回路。前記2線キーマトリクスインタフェースは、第1のターミナルと第2のターミナルとを備え、前記2線キーマトリクスインタフェースは前記第1の電流を前記第1のターミナルから駆動し、前記第1の電流を前記第2のターミナルで受け取るように適合され、前記2線キーマトリクスインタフェースは、前記第2の電流を前記第1のターミナルから駆動し、前記第2の電流を前記第2のターミナルで受け取るように適合される、請求項32記載の集積回路。前記第1の電流は第1の周波数を有し、前記第2の電流は第2の周波数を有する、請求項32記載の集積回路。前記集積回路は、前記キーマトリクスの複数のキーのうちのいずれが押下されたかを前記キー押下イベントの期間に判定する、請求項32記載の集積回路。前記非線形抵抗回路は、第1の導線及び第2の導線を有する抵抗器と、第1の導線及び第2の導線を有するダイオードであって、前記ダイオードの前記第1の導線は前記抵抗器の前記第1の導線に結合され、前記ダイオードの前記第2の導線は前記抵抗器の前記第2の導線と結合される、請求項36記載の集積回路。前記非線形抵抗回路は、第1の導線及び第2の導線を有する抵抗器と、ソース及びドレインを有するトランジスタであって、前記トランジスタの前記ソースは前記抵抗器の前記第1の導線に結合され、前記トランジスタの前記ドレインは前記抵抗器の前記第2の導線と結合される、請求項36記載の集積回路。図5は、移動体通信装置100の図である。この場合の移動体通信装置100は、セルラー電話である。移動体通信装置100は、キーマトリクス101を備える。図示の例では、キーマトリクス101は、英数字のキーボード部分だけでなく、他のキーも備える。英数字のキーボード部分は、QWERTYキーボードレイアウトを有する。QWERTYという文字は、英数字のキーボード部分の左上部から始まり、キーの上方の行に沿って左から右へ進むキーの文字を表す。合計で、キーマトリクス101は、英数字のキーと他のキーとで40個を超えるキーを備える。図6は、第1の新規な面に係る移動体通信装置100内のキースキャニングシステムの第1の例の簡略図である。キースキャニングシステム102は、ベースバンドプロセッサ集積回路103、第1の共通のノード104、第2の共通のノード105、8個の抵抗器106-113、4個のダイオード114-117、及びキーマトリクス101を備える。ダイオードと並列して接続される抵抗器は、本明細書で非線形抵抗回路と称されるものの一例である。参照符号128-131は、そのような4個の非線形抵抗回路を識別する。ベースバンドプロセッサ集積回路103は、例えば、カリフォルニア州サンディエゴのQualcomm社から入手可能なMSM7600ベースバンドプロセッサのアーキテクチャを有してもよい。ベースバンドプロセッサ集積回路103は、キーマトリクス101に対して、本明細書で2線キーマトリクスインタフェースtwowirekeymatrixinterfaceと称されるものによって結合される。キーマトリクス101は、4本の水平に伸びる行導体118-121、4本の垂直に延びる列導体122-125、及び16個のキーを備える。行、水平に伸びる、列、及び水平に伸びるという用語は、本明細書において回路の説明を簡単にするために概念的な目的で用いられる。しかしながら、実際の行導体及び列導体は、図6の電気的な接続が維持される限り、蛇行したり、任意の方向に向かったりし得ることが理解されるべきである。16個のキーは、図中で0乃至15と表される。各キーは、当該キーが押下された場合、行導体が列導体に結合されるように、行導体と列導体の対応する交点上に配置される。例えば、キー5が押下された場合、行導体119が列導体123に結合される。図では、図のスペースの制限上、キーマトリクス101の多数のキーのうちの16個のキーのみが示されている。しかしながら、キーマトリクス101は、40個を超えるキーを有し、通常は4本よりも多い行導体を備え、また通常は4本よりも多い列導体を備えることが理解されるべきである。動作時には、ベースバンドプロセッサ集積回路103内の低消費電力の検知回路は、第2の共通のノード105に対して第1の共通のノード104に正の電圧をかける。例えば、低消費電力の検知回路は、センス1ターミナルに電圧を駆動できる電流供給回路と、センス2ターミナルで受け取られる突入電流の電流路にある抵抗の両端の変化を検出できるアナログ比較器を含み得る。低消費電力の検知回路を実現する適当な方法は多数存在する。移動体通信装置100が作動中の大部分の時間、どのキーも押下されていない。従って、第1の共通のノード104から第2の共通のノード105へは実質的に電流フローが無い。しかしながら、キーが押下された場合、低消費電力の検知回路は、電流フロー状態を検出し、ベースバンドプロセッサ集積回路103内の、より精密な検知回路を起動する。より精密な検知回路は、例えば、デジタルロジック、センス2ターミナル又はセンス1ターミナルのいずれかから電流を供給することができる電流供給回路、抵抗器の両端で受け取った電流を反映する電流ミラー、抵抗器の両端で低下した電圧を測定するアナログデジタル変換器を含み得る。より精密な検知回路を実現する適当な方法は多数存在する。より精密な検知回路は最初に、第1の電流を、センス1ターミナル126から、第1の共通のノード104を介して、キーマトリクス101を介して、第2の共通のノード105を介して、ベースバンドプロセッサ集積回路103のセンス2ターミナル127へ駆動する。移動体通信装置100のユーザがキー5を押下した状態を考慮する。ベースバンドプロセッサ集積回路103内の、より精密な検知回路は、第1の電流を、センス1ターミナル126から、第1の共通のノード104を介して、ダイオード115を介して、行導体119へ、キー5によって作られた閉スイッチ接続を超えて、列導体123へ、抵抗器111を介して、第2の共通のノード105を介して、センス2ターミナル127までの第1の電流路を介して駆動する。簡易化する目的のため、ダイオード115は、順方向バイアス電圧降下がなく、そのアノードがそのカソードに対して正のときには順方向バイアスがかかる理想的なダイオードとして機能すると仮定すると、ダイオード115は順方向バイアスがかかり、抵抗器107には電流が流れない。従って、この第1の電流路の全抵抗値は1R’である。1R’は、列抵抗器111の抵抗である。ベースバンドプロセッサ103内の、より精密な検知回路は、この第1の電流路の電気的特性を測定する。一例において、電気的特性は抵抗値であり、検知回路は抵抗値が1R’であることを判定する。抵抗値は、既知の電圧例えば、2.0ボルトをセンス1ターミナルとセンス2ターミナルとの間に印加し、この2つのターミナルの間に流れる電流フローを測定することによって測定される。第1の電流路の電気的特性を測定した後、より精密な検知回路は、第2の電流を、センス2ターミナル127から、第2の共通のノード105を介して、抵抗器111を介して、列導体123へ、キー5によって作られた閉スイッチ接続を超えて、行導体119へ、抵抗器107を介して、第1の共通のノード104を介して、センス1ターミナル126への第2の電流路を介して駆動する。再度、ダイオード115は理想的なダイオードだと仮定すると、ダイオード115は逆バイアスがかかり、ダイオード115には電流が流れない。従って、この第2の電流路の抵抗値は、1R’プラス1R’’である。1R’’は、抵抗器107の抵抗値である。ベースバンドプロセッサ103内の、より精密な検知回路は、この第2の電流路の電気的特性を測定する。一例において、電気的特性は抵抗値であり、検知回路は、抵抗値が1R’プラス1R’’であることを判定する。抵抗値は、センス2ターミナルとセンス1ターミナルとの間に既知の電圧例えば、2.0ボルトを印加して、この2つのターミナルの間に流れる電流フローを測定することによって測定される。抵抗値106-113は、第1及び第2の電流路の抵抗値の各組が固有になるように選択される。検知回路は、測定値の組を用いて、キーのうちのいずれが押下されたキーであるかを識別する。ダイオード114-117は、列抵抗器110-113の抵抗値が、行抵抗器106-109の影響無しに測定されることを可能にする。列抵抗器110-113は、第2の電流が第2の共通のノード105から第1の共通のノード104に流れているときに、第2の電流路の抵抗値がどの特定の行抵抗器が第2の電流を導いているのかを識別する範囲の抵抗値になるように、行抵抗器106-109の抵抗値よりも実質的に小さな抵抗値を有している。第2の電流路の抵抗値は、どの列抵抗器が第2の電流を導いているかに関わらず、この抵抗値の範囲にあるであろう。図7は、図6のキーマトリクス101で押下することができる各キーについて、第1及び第2の電流路の対応する抵抗値を示す表である。例えば、図7は、5のキーが押下された場合、第1の電流路は1R’の抵抗値を有し、第2の電流路は1R’プラス1R’’の抵抗値を有することを示すことに留意されたい。表中、R->Cは、行導体から列導体への電流フローを表し、C->Rは、列導体から行導体への電流フローを表す。表7は、R’が1Kオームであり、R’’が10Kオームである一例における電流路の抵抗値を示す。第1の電流路の抵抗値は、0Kオーム、1Kオーム、2Kオーム及び3Kオームであることに留意されたい。電流検知回路は、列抵抗のいずれが第1の電流路に含まれるのかを判定するために、4つの異なる抵抗値を区別できる必要がある。第2の電流路の抵抗値は、4つのグループに分類されることに留意されたい。第1のグループ0Kオーム、1Kオーム、2Kオーム及び3Kオームは、第2のグループ10Kオーム、11Kオーム、12Kオーム及び13Kオームとは7Kオームだけ離れている。同様に、第2のグループは、第3のグループ20Kオーム、21Kオーム、22Kオーム及び23Kオームと7Kオームだけ離れている。同様に、第3のグループは、第4のグループ30Kオーム、31Kオーム、32Kオーム及び33Kオームと7Kオームだけ離れている。従って、電流検知回路は、4個の行抵抗器のうちのいずれが第2の電流路に含まれているのかを判定するために、4つの異なる抵抗値の範囲を区別できる必要がある。R’’をR’よりもかなり大きくすることで、4つの抵抗値の範囲の間の隔たりをより大きくして、これにより1つの抵抗値の範囲を別の範囲と区別することを容易にすることができる。図3の従来の回路では、2つの隣接する列の間の抵抗値の差異がより大きな行抵抗の許容差の範囲内にあり得るため、どの列が選択されたかを判定するのは困難であり得る。しかしながら、図6の回路では、ダイオード114-117によって、列抵抗器の抵抗値は行抵抗器の抵抗値とは独立して測定される。ベースバンドプロセッサ集積回路103内のデジタルプロセッサは、第1の電流路の抵抗値の測定値と、第2の電流路の抵抗値の測定値を用いて、キーマトリクス101のどのキーが押下されたのかを判定する。図8は、第2の新規な面に係る移動体通信装置100内のキースキャニングシステムの第2の例の簡略図である。キースキャニングシステム200は、図8のシステム200が4つの付加的なダイオード201-204を備える以外は、図6のシステム102と同じ概略的な構造を有する。動作時には、ベースバンドプロセッサ集積回路103内の低消費電力の検知回路は、図6の実施形態のように、第2の共通のノード105に対して第1の共通のノード104に正の電圧を印加する。キーが押下された場合、低消費電力の検知回路は、電流フローの状態を検出し、ベースバンドプロセッサ103内の、より精密な検知回路を起動する。より精密な検知回路は最初に、第1の電流を、センス1ターミナル126から、第1の共通のノード104を介して、キーマトリクス101を介して、第2の共通のノード105を介して、ベースバンドプロセッサ集積回路103のセンス2ターミナル127へ駆動する。移動体通信装置100のユーザが、キー5を押下する状況を考慮する。ベースバンドプロセッサ集積回路103内の、より精密な検知回路は、第1の電流を、センス1ターミナル126から、第1の共通のノード104を介して、ダイオード115を介して、行導体119へ、キー5によって作られる閉スイッチ接続を超えて、列導体123へ、抵抗器111を介して、第2の共通のノード105を介してセンス2ターミナル127までの第1の電流路を介して駆動する。単純化の目的のため、ダイオード115及び202は理想的なダイオードであると仮定すると、ダイオード115は順方向バイアスがかかり、抵抗器107には電流が流れない。ダイオード202は、逆バイアスがかかり、ダイオード202には電流が流れない。従って、この第1の電流路の全抵抗値は1R’である。1R’は、抵抗器111の抵抗値である。ベースバンドプロセッサ103内の、より精密な検知回路は、この第1の電流路の電気的特性を測定する。一例では、電気的特性は抵抗値であり、検知回路は抵抗値が1R’であることを判定する。第1の電流路の電気的特性を測定した後、より精密な検知回路は、第2の電流を、センス2ターミナル127から、第2の共通のノード105を介して、ダイオード202を介して、列導体123へ、キー5によって作られる閉スイッチ接続を超えて、行導体119へ、抵抗器107を介して、第1の共通のノード104を介して、センス1ターミナル126までの第2の電流路に駆動する。再び、ダイオード202及び115は理想的なダイオードであると仮定すると、ダイオード202は順方向バイアスがかかり、抵抗器111には電流が流れない。ダイオード115は逆バイアスがかかるため、ダイオード115には電流が流れない。従って、この第2の電流路の抵抗値は1R’である。1R’は抵抗器107の抵抗値である。ベースバンドプロセッサ103内の、より精密な検知回路は、この第2の電流路の電気的特性を測定する。一例では、電気的特性は抵抗値であり、検知回路は抵抗値が1R’であることを判定する。ダイオード114-117及び201-204の動作に起因して、行導体106-109の抵抗値は、列導体110-113の抵抗値とは独立して測定され、列抵抗器110-113の抵抗値は、行抵抗器106-109の抵抗値とは独立して測定される。キー5が押下される例では、列抵抗器111の抵抗値が抵抗器107の抵抗値とは独立して測定されるように、ダイオード115が第1の電流を抵抗器107から分流する。検知回路は、列抵抗器の値0R’、1R’、2R’及び3R’のうちの1つを他の値から区別して、どの列抵抗器が第1の電流路に含まれるのかを判定することができなければならない。同様に、ダイオード202は、行抵抗器107の抵抗値が、抵抗器111の抵抗値とは独立して測定されるように、第2の電流を抵抗器111から分流する。検知回路は、行抵抗器の値0R’、1R’、2R’及び3R’のうちの1つを他の値とは区別して、どの行抵抗器が第2の電流路に含まれるのかを判定することができなければならない。図9は、図8のキーマトリクス101で押下することができる各キーについて、第1及び第2の電流路の対応する抵抗値を示す表である。例えば、図9は、5のキーが押下された場合、第1の電流路は1R’の抵抗値を有し、第2の電流路は1R’の抵抗値を有することを示すことに留意されたい。表中、R->Cは、行導体から列導体への電流フローを表し、C->Rは、列導体から行導体への電流フローを表す。図6及び図7の実施形態において、より精密な検知回路は約0オームから約33Kオームまでに渡る抵抗値を検知することができなければならなかったが、図8及び図9の実施形態における、より精密な検知回路は、R’が1Kオームである例において約0オームから約3Kオームまでに渡る抵抗値を検知することができさえすればよい。この0Kから3Kオームの範囲内で、4つの抵抗値の範囲のうちのどの1つに検知された抵抗値が該当するかを判定することができる必要があるだけである。このことは、図6及び図7の実施形態における精密な検知回路に対する、より厳しい設計上の要求に比較して、精密な検知回路に対する設計上の要求を軽減する。図6及び図8の例は、ゼロ抵抗値を採用していることに留意されたい。しかしながら、他の例では、ゼロ抵抗値は存在しない。例えば、図8では、列抵抗器の値は1Kオーム、2Kオーム、3Kオーム、及び4Kオームであってよく、行抵抗器の値は1Kオーム、2Kオーム、3Kオーム、及び4Kオームであってよい。図6及び図8の回路におけるダイオードは、回路動作の説明を単純化するために理想的なダイオードであるとして上述したが、ダイオードは理想的ではなく、むしろ現実のダイオードであることが理解される。ダイオードは、シリコンダイオード、ゲルマニウムダイオード、ショットキーダイオード、又は別のタイプのダイオード若しくは整流要素であってよい。現実のダイオードは、順方向の電圧降下をもたらし、非線形の電流電圧IV特性を有する。キースキャニング回路における消費電力を低減するには、第1及び第2の電流を小さな電流値に保つことが望ましいであろう。しかしながら、低い電流では、順方向バイアスがかかったダイオードの抵抗値は、回路の行抵抗器及び列抵抗器の抵抗値の測定に干渉するのに充分なほど大きくなり得る。図10は、第3の新規な面に係る移動体通信装置100内のキースキャニングシステムの第3の例の簡略図である。キースキャニングシステム300は、図10のシステム300が、図8の8個のダイオード114-117及び201-204ではなく、8個のNチャネル電界効果トランジスタ301-308を備えることを除いて、図8のシステム200と同じ概略的な構造を有する。トランジスタ301-304のゲートは、互いに結合され、また第2の共通のノード105に結合される。トランジスタ305-308のゲートは、互いに結合され、また第1の共通のノード104に結合される。図10の実施形態は、ベースバンドプロセッサ103内のより精密な検知回路が、キー押下イベントの期間に、センス2ターミナル127に対してセンス1ターミナル126に正の電圧を印加したとき、第1の共通のノード104の正の電圧が導体309によってトランジスタ305-308のゲートに結合されることを除いて、図8の実施形態と同様の方法で動作する。一実施形態において、2.0ボルトが第1の共通のノード104にかかり、グラウンド電位が第2の共通のノード105に印加される。従って、トランジスタ305-308は、オンにされ、導通される。他方、トランジスタ301-304のゲートは、それらが導体310によって第2の共通のノード105に結合されていることに起因して、グラウンド電位に保持される。それ故に、トランジスタ301-304は、オフにされ、非導通になる。従って、この状態の期間にキー5が押下された状態にある場合、第1の電流は、センス1ターミナル126から、第1の共通のノード104を介して、抵抗器107を介して、行導体119を介して、キー5によって作られた閉スイッチ接続を超えて、列導体123へ、導通したトランジスタ306を介して、第2の共通のノード105を介して、センス2ターミナル127へ流れる。導通したトランジスタ306は、第1の電流を抵抗器111から分流する。この第1の電流路の全抵抗値は抵抗器107の抵抗値R’である。ベースバンドプロセッサ103内の精密な検知回路は、この第1の電流路の電気的特性例えば、抵抗値を測定する。次に、ベースバンドプロセッサ103内の精密な検知回路は、キー押下イベントの期間に、センス1ターミナル126に対してセンス2ターミナル127に正の電圧を印加する。第2の共通のノード105への正の電圧は、導体310によってトランジスタ301-304のゲートに結合される。2.0ボルトが第2の共通のノード105にかかり、グラウンド電位が第1の共通のノード104に印加される。それ故に、トランジスタ301-304は、オンにされ、導通される。他方、トランジスタ305-308のゲートは、それらが導体309によって第1の共通のノード104に結合されていることに起因して、グラウンド電位に保持される。従って、トランジスタ305-308は、オフにされ、非導通になる。キー5が押下された状態にある、上述した状態において、第2の電流が、センス2ターミナル127から、第2の共通のノード105を介して、抵抗器111を介して、列導体123を介して、キー5によって作られた閉スイッチ接続を超えて、行導体119へ、導通したトランジスタ302を介して、第1の共通のノード104を介して、センス1ターミナル126へ流れる。導通したトランジスタ302は、電流を抵抗器107から分流する。この第2の電流路の全抵抗値は、抵抗器111の抵抗値R’である。ベースバンドプロセッサ103内の精密な検知回路は、この第2の電流路の電気的特性例えば、抵抗値を測定する。ベースバンドプロセッサ103内の検知回路は次いで、第1及び第2の電流路の測定値を用いて、キーマトリクス101のキーのいずれが押下されたのかを判定する。図11は、図10のキーマトリクス101で押下することができる各キーについて、第1及び第2の電流路の対応する抵抗値を示す表である。図11は、図9と同一である。図8のダイオード114-117及び201-204は、低電流条件下では、第1及び第2の電流路の測定値に干渉するのに充分な大きさの順方向バイアス抵抗を有し得るが、図10のトランジスタ106-109及び305-308は、実質的に導通、又は実質的に非導通になるように制御される。トランジスタ106-109及び305-308は、それらのドレインソースオン抵抗Rdsonが抵抗値R’と比較して非常に低くなるような大きさにされるsized。それ故に、図10の実施形態は、図8の実施形態でできるよりも低い第1及び第2の電流を用いて動作させることができる。図6、図8及び図10の実施形態において、抵抗器とダイオードとトランジスタは、移動体通信装置100のフレキシブルプリント基板FPCに、又はプリント基板PCBに配置される別個のコンポーネントであってよい。抵抗器とダイオードとトランジスタは、キーマトリクス101の一部であるコンポーネントであってもよい。しかしながら、図6、図8及び図10の実施形態のうちのいずれの抵抗器、ダイオード及びトランジスタも、他の実施形態では集積回路上に一体化され得る。図12は、第4の新規な面に係る移動体通信装置100内のキースキャニングシステムの第4の例の図である。ベースバンドプロセッサ集積回路103とキーマトリクス101に加えて、キースキャニングシステム400は新規な集積回路401を備える。図13は、新規な集積回路401の内容を示す図である。新規な集積回路401は、標準的なCMOS半導体プロセスを用いて製造され、キーマトリクス101の行導体118-121の各々について1つのターミナルを有する。図12中の参照符号402-405は、これらのターミナルを示す。集積回路401はまた、キーマトリクス101の列導体122-125の各々について1つのターミナルを有する。図12の参照符号406-409は、これらのターミナルを示す。集積回路401はまた、ベースバンドプロセッサ集積回路103のセンス1ターミナル126と第1の共通のノード104に結合するためのターミナル410を有する。集積回路401はまた、ベースバンドプロセッサ集積回路103のセンス2ターミナル127と第2の共通のノード105に結合するためのターミナル411を有する。図13に示されるように、集積回路401の回路構成は、付加的な参照抵抗器412が設けられている以外は、図10の実施形態の抵抗器及びトランジスタ回路の集積である。抵抗器412の第1の導線は第1の共通のノード104に結合され、抵抗器412の第2の導線は第2の共通のノード105に結合される。抵抗器が集積抵抗器例えば、ポリシリコン抵抗器である、図12及び図13の実施形態では、種々の抵抗器R1-R9の相対抵抗値は、互いに追跡するtrack傾向があるが、抵抗器の絶対抵抗値は処理、電圧及び気温によって変化し得る。ベースバンドプロセッサ集積回路によって測定されるものは、第1の及び第2の電流路の実際の抵抗値である。それ故に、ベースバンドプロセッサ103内の検知回路は、どのキーも押下されていない期間に、参照抵抗器412の抵抗値を測定する。従って、種々のトランジスタ301-308がオンにされ、導通し得たとしても、キーマトリクス101に電流が流れることはできない。測定された抵抗値は次いで、キー検出動作の期間の第1及び第2の電流の測定値を較正するのに用いられる。参照抵抗値412の周期的な測定及び関連付けられた較正以外は、ベースバンドプロセッサ集積回路103内の検知回路の動作は、図10の実施形態と大部分は同じである。図12及び図13の特定の実施形態における参照抵抗器412の抵抗値は、各キーの押下状態について第1の電流路と第2の電流路との双方の抵抗値と並行する。それ故に、参照抵抗器412の抵抗値は、測定された抵抗値の大きさに影響を及ぼすが、第1及び第2の電流路の異なる抵抗値が測定されることと、互いに適当に区別されることを阻まない。集積回路401を移動体通信装置100に設けることは、別の集積回路を必要とし、従って望ましくないコストを移動体通信装置100に追加するが、集積回路401の製造コストは、図2のキースキャンコントローラ集積回路12といった専用のキースキャンコントローラ集積回路を設けるコストよりも有意に低価になり得る。新規な集積回路401は、極めて単純であるのに対して、キースキャンコントローラ集積回路12は通常、かなりの量のデジタルロジックを必要とする。例えば、市販のofftheshelfキースキャンコントローラは、プロセッサとメモリと他のインタフェース回路を伴うマイクロコントローラであり得る。あるいは、市販のキースキャンコントローラは、インタフェース回路とデジタルロジックの専用の状態機械を伴い得る。そのような市販のキースキャンコントローラはより複雑であるため、図13に図示される単純な回路よりも製造するのに費用がかかる。また、そのような市販のキースキャンコントローラの供給業者は、一般に彼らのキースキャンコントローラの販売から利益を上げる。この利益は移動体通信装置100の製造業者にとって高い製造コストに換算される。新規な集積回路401を共通のキースキャンコントローラの代替物として用いることで、移動体通信装置100の製造業者は、キースキャンコントローラの供給業者に支払われるべき利益の額だけ移動体通信装置のコストを削減することができる。図6、図8及び図10の回路についての上記の記載では、抵抗器が図で示される正確な抵抗値を有するように作られていると仮定した。しかしながら、実際の回路が製造されると、実際の抵抗器はある範囲に収まる異なる抵抗値を有する。この抵抗値は許容差tolerance内にあると言われる。例えば、10Kオームの名目抵抗値を有するべき所与の抵抗器は、実際には最大で10まで変化する抵抗値を有し得る。種々の許容差でその抵抗値が変化する抵抗器を入手することができる。例えば、その抵抗値が10未満で変化する抵抗器、5未満で変化する抵抗器、1未満で変化する抵抗器を用いることができる。図6の実施形態では、抵抗器は、実際の抵抗器の値のあらゆる条件及び置換において、ベースバンドプロセッサ集積回路103内の検知回路が、どの列抵抗器を介して第1の電流が流れるのか適当に判定でき、またどの行抵抗器を介して第2の電流が流れるのかを適当に判定できるような値と許容差を有するように選択される。抵抗器110-113の実際の抵抗値は重複しない。図7の第2の電流路の抵抗値の4つのグループの間で重複はない。同様に、図8の実施形態において、抵抗器の値及び許容差は、行抵抗器106-109の実際の抵抗値の間で重複せず、列抵抗器110-113の実際の抵抗値の間で重複しないように選択される。同様に、図10の実施形態において、抵抗器の値及び許容差は、行抵抗器106-109の実際の抵抗値の間で重複せず、列抵抗器110-113の実際の抵抗値の間で重複しないように選択される。図14は、図12及び図13の実施形態における各単独のキー押下条件について第1の電流路及び第2の電流路の抵抗値の範囲を示す表である。抵抗値の範囲は、5の抵抗器である抵抗器R1-R9に起因する。図14から分かるように、単独のキーが押下されたとき、電流路第1の電流路又は第2の電流路のいずれかの抵抗値は、4つの重複しない範囲のうちの1つにある。第1の範囲は864から955オームである。第2の範囲は1713-1893オームである。第3の範囲は2357-2605オームである。第4の範囲は3037-3357オームである。これら4つの範囲は互いに重複しないため、ベースバンドプロセッサ集積回路103内の検知回路は、ある範囲内の検知された抵抗値を別の範囲内の検知された抵抗値と適当に区別することができる。第1及び第2の電流路の測定値が属する範囲を判定することで、検知回路は表中の行を識別し、押下された特定のキーを行から識別する。しかしながら、図14はまた、検知回路が2つのキーが同時に押下されたときを判定することができるという図12及び図13の実施形態の別の新規な面を示す。表の最後の12行は、押下できる2つのキーの異なる順列permutationsを示す。例えば、押下されたキー列の列1及び列2という項目を有する行は、第1のキーの列のキーが第2のキーの列のキーが押下されるのと同時に押下された場合、第1の電流路の抵抗値がどの抵抗値の範囲にあるかを示す。抵抗値の範囲611-675オームは、如何なる単独のキーが押下されている条件の間も第1の電流の抵抗値の範囲と重複しないことに留意されたい。同様に、図14の次の行は、2つの異なるキーの列のどのキーが押下されるかに関わらず、第1の電流路の抵抗値は、如何なる単独のキー押下の条件の間も抵抗値の範囲と重複しないことに留意されたい。従って、検知回路が第1の電流路の抵抗値の測定を行い、単独のキー押下又はキー非押下条件に対応する抵抗値の範囲のいずれにも収まらない抵抗値を検出した場合、検知回路は、2つのキーが押下されたと判定する。同様に、図14の最後の6行は、任意の2つの行の2つのキーが同時に押下されたときの第2の電流路の抵抗値の範囲を示す。繰り返しになるが、表の最後の6行に示される第2の電流路の抵抗値の範囲は、任意の単独のキーが押下されるときの第2の電流路の如何なる抵抗値の範囲とも重複しない。従って、検知回路が第2の電流路の抵抗値の測定を行い、単独のキー押下又はキー非押下条件の抵抗値の範囲のいずれにも収まらない抵抗値を検出した場合、検知回路は2つのキーが押下されたと判定する。図15は、一つの新規な面に係る方法の単純化したフローチャートである。キー押下状態の期間、第1の電流が、第1の共通のノードから、キーマトリクスを介して、第2の共通ノードまでの第1の電流路を介して駆動されるステップ500。この第1の電流が流れている期間、電気的特性の第1の測定がなされるステップ501。一例において、該電気的特性は第1の電流路の抵抗値である。次に、同じキー押下状態の期間、第2の電流が、第2の共通のノードから、キーマトリクスを介して、第1の共通のノードまで第2の電流路を介して駆動されるステップ502。第2の電流が流れている期間、電気的特性の第2の測定がなされるステップ503。次いで、第1及び第2の測定の結果を用いて、キーマトリクスのどのキーが押下されたかを識別するステップ504。図15の方法の一部の例では、2つの測定を行っている期間に2つのキーが同時に押下された場合、第1及び第2の測定を用いて、2つ以上のキーが同時に押下されたことが判定される。図15の方法の一つの例では、ベースバンドプロセッサ集積回路内の2線キーマトリクスインタフェースが第1及び第2の電流をキーマトリクスに2線接続を介して駆動するが、キーマトリクスは30個よりも多いキーを備える。しかしながら、2線キーマトリクスインタフェースと、関連する双方向のキースキャニング回路は、ベースバンドプロセッサ集積回路で用いられる必要はなく、むしろ広い適応性を有し、多くの異なるタイプの集積回路の一部として組み込まれることができる。2線キーマトリクスインタフェースと、関連する双方向のキースキャニング回路は、専用のキースキャンコントローラ集積回路の形で実現することができる。一部の特定の実施形態は、説明の目的で上述されたが、本特許文献の教示は一般的な適応性を有し、上述された特定の実施形態に限定されるものではない。非線形の複雑でない抵抗回路を伴う上述された方法及び回路に加えて、図6、図8、図10及び図13の実施形態において、単純な非線形の抵抗に代えて複雑な非線形抵抗回路と共に他の同様の双方向の検知技術を用いることもできる。例えば、周波数制限回路のコンポーネントfrequencybandlimitingcircuitcomponentsは、行インピーダンスと列インピーダンスが異なる周波数で独立して測定することができるように、図3の実施形態に組み込むことができる。キャパシタンス及び/又はインダクタンスを用いて、行導体の終端の第1の電気的成分のインピーダンスを、列導体の終端の第2の電気的成分のインピーダンスと実質的に独立して測定されることを可能にすることができ、逆もまた同様である。第1及び第2の電気的成分は、異なる周波数依存のインピーダンスを有することができる。第1及び第2の電流は、非線形抵抗回路が周波数依存の抵抗値を有する同一の方向にキーマトリクスを介して流れることができる。例えば、第1の周波数で、第1の周波数依存のインピーダンスは、第2の抵抗器の抵抗値が第1の抵抗器の抵抗値とは独立して測定できるように、電流を第1の抵抗器から分流する。第2の周波数で、第2の周波数依存のインピーダンスは、第1の抵抗器の抵抗値が第2の抵抗器とは独立して測定できるように第2の抵抗器から電流を分流する。双方の周波数で、電流フローの方向は同一である。別個の抵抗器が上述されているが、抵抗器はこれらを別個のコンポーネントではなくむしろ移動体通信装置のプリント基板PCB又はフレキシブルプリント回路FPC又はキーマトリクス又は別の部分の一体的な部分であるように設けてもよい。キー押下検出動作の期間に第1及び第2の電流を流させる順番は重要ではない。第1の電流をキーマトリクスに最初に駆動することもできるし、第2の電流をキーマトリクスに最初に駆動することもできる。従って、記載された特定の実施形態の種々の特徴の種々の変形、適合、及び組み合わせは、以下に示される特許請求の範囲から逸脱することなく実施することができる。