露光後合せずれ測定パタンと、本体集積回路内のパタンとを含む第1のパタンを有する第1のマスクを作製し、前記第1のパタンにおける、前記露光後合せずれ測定パタンの位置ずれと、前記本体集積回路内のパタンの位置ずれをそれぞれ測定した後、これらの位置ずれの差分である第1の差分を算出し、前記第1の差分を、前記第1のマスクを用いてウエハを露光処理する際の、合せパラメータに反映させる、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記第1のパタンに合せて形成される露光後合せずれ測定パタンと、本体集積回路内のパタンとを含む第2のパタンを形成するための第2のマスクを作製し、前記第2のパタンにおける、前記露光後合せずれ測定パタンの位置ずれと、前記本体集積回路内のパタンの位置ずれをそれぞれ測定した後、これらの位置ずれの差分である第2の差分を算出し、前記第1の差分と、前記第2の差分との差分である第3の差分を算出し、前記第3の差分を、前記第2のマスクを用いてウエハを露光処理する際の、合せパラメータに反映させる、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。第1のパタンを形成するための第1のマスクを作製し、前記第1のパタンに合せて形成される第2のパタンを形成するための第2のマスクを作製し、前記第1のマスクのマスクパタンを基準とした、前記第2のマスクのマスクパタンの位置ずれ量を算出し、前記位置ずれ量に基づき、前記第2のマスクの出荷判定を行う、ことを特徴とする露光マスクの出荷判定方法。前記第1のパタン又は前記第2のパタンは、本体集積回路内のパタン、露光後合せずれ測定パタン、及び出荷判定用の位置ずれ測定パタンの少なくともいずれかであることを特徴とする請求項3に記載の露光マスクの出荷判定方法。第1のパタンを形成するための第1のマスクを作製し、前記第1のマスクのパタン位置ずれを測定し、前記位置ずれに基づき、前記第1のパタンに合せて形成される第2のパタンを形成するための第2のマスクを作製する描画条件を算出する、ことを特徴とする露光マスクの作製方法。本発明が解決しようとする課題は、露光マスクを用いて形成されるパタンと、合せ先の工程において形成されたパタンとの合せずれを低減し、歩留りの低下を抑えることが可能な半導体装置の製造方法、露光マスクの出荷判定方法及び作製方法を提供することである。本発明の実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。この半導体装置の製造方法においては、露光後合せずれ測定パタンと、本体集積回路内のパタンとを含む第1のパタンを有する第1のマスクを作製し、第1のパタンにおける、露光後合せずれ測定パタンの位置ずれと、本体集積回路内のパタンの位置ずれをそれぞれ測定した後、これらの位置ずれの差分である第1の差分を算出し、第1の差分を、前記第1のマスクを用いてウエハを露光処理する際の、合せパラメータに反映させる、ことを特徴とする。本発明の実施形態によれば、露光マスクの出荷判定方法が提供される。この露光マスクの出荷判定方法においては、第1のパタンを形成するための第1のマスクを作製し、第1のパタンに合せて形成される第2のパタンを形成するための第2のマスクを作製し、第1のマスクのマスクパタンを基準とした、第2のマスクのマスクパタンの位置ずれ量を算出し、位置ずれ量に基づき、前記第2のマスクの出荷判定を行う、ことを特徴とする。本発明の実施形態によれば、露光マスクの作製方法が提供される。この露光マスクの作製方法においては、第1のパタンを形成するための第1のマスクを作製し、第1のマスクのパタン位置ずれを測定し、位置ずれに基づき、第1のパタンに合せて形成される第2のパタンを形成するための第2のマスクを作製する描画条件を算出する、ことを特徴とする。以下、実施形態について、図面を参照して説明する。実施形態1図1に、本実施形態の露光マスクの作製及び露光処理システムのブロック図を示す。露光マスクを描画プロセスにより作製する描画装置11と、作製された露光マスクにおけるマスクパタンの位置及び基準位置との位置ずれを測定する位置測定装置12と、測定された位置ずれの差分及び描画プロセス条件を算出する計算装置13が設けられ、露光マスクの作製システムを構成している。さらに、得られた位置ずれの差分に基づいて露光条件を算出制御する制御装置14と、作製された露光マスクを用いて、得られた露光条件でウエハを露光処理する露光装置15が設けられ、露光処理システムを構成している。このような露光システムを用いて、以下のように露光マスクが作製され、ウエハが所定のパタンで露光される。図2に、露光マスクの作製及び露光工程のフローチャートを示す。先ず、例えば図3に示すように、描画装置11において作製された先の工程で形成されたパタンの形成に用いられた露光マスクA以下合せ先の露光マスクAと記すについて、位置測定装置12において、基準位置と、各マスクパタンとの位置ずれを測定するAct1-1。そして、この位置ずれに基づき、計算装置13において、新たに形成される露光マスクBの描画プロセス条件を算出するAct1-2。次いで、算出された描画プロセス条件により、描画装置11において新たに露光マスクBを作製するAct1-3。そして、位置測定装置12において、例えば図4に示すように、同様に、基準位置と、各マスクパタンとの位置ずれを測定するAct1-4。図5に露光マスクA、Bにおいて算出されたマスクパタンの位置ずれの一例を示す。露光マスクAのマスクパタンの位置ずれベクトルaは左下方向であるのに対し、露光マスクBのマスクパタンの位置ずれベクトルbは右上方向となっている。通常、マスク出荷判定においては、基準となる位置からのずれ量|ベクトルb|が基準値を超えなければ良品と判断されて出荷される。しかしながら、実際に形成されるウエハ上に形成されるパタンは、露光マスクAのマスクパタンを基準とした露光マスクBのマスクパタンの位置ずれベクトルb-a分、ずれが生じることになり、これが、歩留り低下の要因となる。そこで、計算装置13において、露光マスクAのマスクパタンを基準とした露光マスクBのマスクパタンの位置ずれ、すなわち露光マスクAのマスクパタンの位置ずれと、露光マスクBのマスクパタンの位置ずれの差分ベクトルb-aを算出しAct1-5、この位置ずれ量を基準値と比較して、基準値以内のときは出荷OKとし、これを超えるときは出荷NGと判定するAct1-6。そして、出荷OKと判断された露光マスクBについて、制御装置14において、得られた位置ずれの差分に基づいて露光条件を算出しAct1-7、露光装置15において、露光マスクBを用いて、合せ先の露光マスクAによりパタンが形成されたウエハを露光処理するAct1-8。露光マスクBが出荷NGと判断された場合は、Act1-2のステップに戻り、得られた位置ずれの差分に基づいて、露光マスクBの描画プロセス条件を算出し、再度露光マスクBの作成を行う。具体的には、露光マスクAのマスクパタン位置ずれに基づき、同じ位置ずれ分ずれるように露光マスクBの描画プロセス条件を算出し、マスク作成実施するも、露光マスクBのマスクパタン位置ずれがずれてしまった場合、得られた位置ずれの差分量を描画プロセス条件に適用し、再度露光マスクBの作成を行う。このように、本実施形態によれば、合せ先の露光マスクのマスクパタンの位置ずれに基づき、新たに形成される露光マスクの描画プロセス条件を算出することにより、先の工程で形成されたパタンとの合せずれを低減することができる。そして、露光マスクの出荷判定において、合せ先の露光マスクのマスクパタンを基準とした位置ずれ量により判断することにより、先の工程で形成されたパタンとの合せずれによる歩留りの低下を抑制することが可能となる。実施形態2本実施形態においては、実施形態1と同様のシステム構成であるが、図6に示すように、描画装置21において作製された露光マスクC内の露光後合せずれ測定パタンと、本体集積回路内のパタンの位置ずれを位置測定装置22において測定し、計算装置23において、これらの位置ずれの差分を算出し、制御装置24において、得られた位置ずれの差分を合せパラメータに反映させ、さらにウエハ位置測定装置26が設けられている点で異なっている。図7に、本実施形態の露光マスクの作製及び露光工程のフローチャートを示す。先ず、例えば図8に示すように、描画装置21において、上下端に2カ所ずつの露光後合せずれ測定パタンと、マスク位置ずれ量測定パタンに囲まれた本体集積回路内のパタンとを含む露光マスクCを描画プロセスにより作製するAct2-1。次いで、作製された露光マスクについて、位置測定装置22において、露光後合せずれ測定パタン及び本体集積回路内のパタンの位置ずれをそれぞれ測定するAct2-2。図9に、露光後合せずれ測定パタンの位置ずれと、本体集積回路内のパタンの位置ずれの一例を示す。露光後合せずれ測定パタンの位置ずれベクトルc1は左下方向であるのに対し、本体集積回路内のパタンの位置ずれベクトルc2は右下方向と、異なる方向となっている。このように、露光後合せずれ測定パタンと本体集積回路内のパタンの位置ずれが異なっていると、露光後に合せずれを測定した結果が本体集積回路内のパタンのずれを反映しないことになる。そこで、計算装置23において、図9に併せて示すように、これら露光後合せずれ測定パタンの位置ずれと、本体集積回路内のパタンの位置ずれの差分ベクトルc2-c1を算出するAct2-3。そして、制御装置24において、得られた差分のデータを合せパラメータに反映させAct2-4、露光装置25において、ウエハを露光処理するAct2-5。そして、ウエハ位置測定装置26において、露光後合せずれ測定パタンにより、ウエハの合せずれを測定し、基準値以内のときは出荷OKと判定して流品し、これを超えるときは出荷NGと判定してAct2-6、再度露光処理が行われる。このとき、再度露光処理を行うときは、露光後合わせずれ測定パタンにより測定したウエハの合わせずれ量から、基準値内に収まるよう、露光する際のX/Y方向それぞれのシフト量を露光装置に適用し、露光処理を行う。このように、本実施形態によれば、露光後合せずれ測定パタンの位置ずれと、本体集積回路内のパタンの位置ずれの差分を合せパラメータに反映させてウエハを露光処理することにより、本体集積回路内のパタンのずれを露光後に合せずれを測定した結果により正確に反映させることができ、高精度にウエハの合せずれを判断することができる。そして、合せずれによる歩留りの低下を抑制することが可能となる。実施形態3本実施形態においては、実施形態2と同様のシステム構成が用いられるが、実施形態1と同様に合せ先のマスクのマスクパタンの位置ずれを併せて測定している点で、実施形態2と異なっている。図10に、本実施形態の露光マスクの作製及び露光工程のフローチャートを示す。先ず、例えば図11に示すように、実施形態2と同様に、描画装置21において、露光後合せずれ測定パタンと、本体集積回路内のパタンとを含む、合せ先の露光マスクDを描画プロセスにより作製するAct3-1-1。次いで、得られた合せ先の露光マスクDについて、位置測定装置22において、露光後合せずれ測定パタン及び本体集積回路内のパタンの位置ずれをそれぞれ測定するAct3-2-1。そして、実施形態2と同様に、計算装置23において、これら露光後合せずれ測定パタンの位置ずれと、本体集積回路内のパタンの位置ずれの差分を算出するAct3-3-1。図12に、合せ先の露光マスクDにおける露光後合せずれ測定パタンの位置ずれベクトルd1と、本体集積回路内のパタンの位置ずれベクトルd2、及びこれらの差分ベクトルd2-d1の一例を示す。同様に、描画装置21において、露光後合せずれ測定パタンと、本体集積回路内のパタンとを含む、新たな露光マスクEを描画プロセスにより作製するAct3-1-2。このとき、先に得られた合せ先の露光マスクDにおける位置ずれの差分に基づき、露光マスクEの描画プロセス条件を算出してもよい。次いで、得られた露光マスクEについて、位置測定装置22において、露光後合せずれ測定パタン及び本体集積回路内のパタンの位置ずれをそれぞれ測定するAct3-2-2。そして、実施形態2と同様に、計算装置23において、これら露光後合せずれ測定パタンの位置ずれと、本体集積回路内のパタンの位置ずれの差分を算出するAct3-3-2。図12に、露光マスクEにおける露光後合せずれ測定パタンの位置ずれベクトルe1と、本体集積回路内のパタンの位置ずれベクトルe2、及びこれらの差分ベクトルe2-e1の一例を併せて示す。そして、図12に一例を併せて示すように、計算装置23において、合せ先の露光マスクDにおける露光後合せずれ測定パタンの位置ずれベクトルd1と本体集積回路内のパタンの位置ずれベクトルd2の差分ベクトルd2-d1と、露光マスクEにおける露光後合せずれ測定パタンの位置ずれベクトルe1と本体集積回路内のパタンの位置ずれベクトルe2の差分ベクトルe2-e1との差分を算出するAct3-4。そして、制御装置24において、得られた差分のデータを合せパラメータに反映させAct3-5、露光装置25において、露光マスクEを用いて、合せ先の露光マスクDによりパタンが形成されたウエハを露光処理するAct3-6。そして、ウエハ位置測定装置26において、露光後合せずれ測定パタンにより、ウエハの合せずれを測定し、基準値以内のときは出荷OKと判定して流品し、これを超えるときは出荷NGと判定してAct3-7、再度露光処理が行われる。このとき、再度露光処理を行うときは、露光後合わせずれ測定パタンにより測定したウエハの合わせずれ量から、基準値内に収まるよう、露光する際のX/Y方向それぞれのシフト量を露光装置に適用し、露光処理を行う。このように、本実施形態によれば、合せ先の露光マスクのマスクパタンの位置ずれに基づき、新たに形成される露光マスクの描画プロセス条件を算出することにより、先の工程で形成されたパタンとの合せずれを低減することができる。また、露光後合せずれ測定パタンの位置ずれと、本体集積回路内のパタンの位置ずれの差分を合せパラメータに反映させてウエハを露光処理することにより、本体集積回路内のパタンのずれを露光後に合せずれを測定した結果により正確に反映させることができ、高精度にウエハの合せずれを判断することができる。そして、合せずれによる歩留りの低下を抑制することが可能となる。以上述べた少なくとも一つの実施形態の露光マスクの出荷判定方法及び作製方法、及び半導体装置の製造方法によれば、露光マスクを用いて形成されるパタンと、合せ先の工程において形成されたパタンとの合せずれを低減し、歩留りの低下を抑えることが可能となる。なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。