半導体レーザと、当該半導体レーザを収容する筺体とを備え、前記半導体レーザに導通されたリードが前記筺体の内部から外部に引き出されたレーザパッケージと、前記レーザパッケージに取り付けられ、前記レーザパッケージの接続側と反対側に、光ファイバが内蔵された光コネクタが嵌合されるレセプタクルとを備えたレーザモジュールと、前記レーザモジュールに実装され、前記リードに接続された信号配線を備えたフレキシブル配線基板と、前記フレキシブル配線基板に接続され、前記半導体レーザの駆動を制御する電気回路を備えた回路基板とを備え、高周波信号を伝送する光伝送モジュールであって、前記レーザモジュールの前記筺体及び前記レセプタクルが、前記光コネクタを介して電子機器の筺体グランドFGに電気的に接続されるものであり、前記フレキシブル配線基板が、前記電子機器の前記筺体グランドFGに電気的に接続されるFG接続導電部と、前記回路基板の信号グランドSGに電気的に接続されるSG接続導電部とを備え、前記FG接続導電部と前記SG接続導電部とが前記フレキシブル配線基板上に搭載されたチップコンデンサを介して接続された光伝送モジュール。前記レーザパッケージから引き出された2本の前記リードに、前記フレキシブル配線基板に形成された2本の前記信号配線が接続され、かつ、前記レーザパッケージ及び前記フレキシブル配線基板における信号伝送路が差動線路とされており、前記フレキシブル配線基板に、2本の前記信号配線に対応して2個の前記チップコンデンサが搭載された請求項1に記載の光伝送モジュール。前記電子機器の筺体グランドFGと前記チップコンデンサと前記回路基板の信号グランドSGとの接続構造によって、高周波信号の帰還路が形成された請求項1又は2に記載の光伝送モジュール。特許文献1、4に記載の構造では、回路基板に容量を作りこむことでFG-SG分離を図る構造であるため、回路基板に多層の特殊構造を形成する必要があり、コスト増となる。特許文献3に記載の構造では、レーザパッケージの筺体でFG-SG分離を図る構造であるため、レーザパッケージの設計が特殊となり、コスト増となる。ところで、特に高周波のRF信号の高速伝送において適切な伝送が行われるには、AC的に接続され、DC的に絶縁されたFG-SGラインのインピーダンスをなるべく小さくして、このFG-SGラインによって、RF信号がFGから帰還する帰還路リターンパスが形成される必要がある。インピーダンスが小さく、帰還路をなすFG-SGラインは、マイクロストリップラインと呼ばれる。コンデンサを含むFG-SGラインのインピーダンスは、下記式で表される。Z=1/jωC式中、Zはインピーダンス、jは虚数単位、ωは周波数、Cはコンデンサの容量である。上記式で示されるように、コンデンサを含むFG-SGラインのインピーダンスは、FG-SGライン中のコンデンサの容量に反比例し、コンデンサの容量がある程度大きくないと、特に高周波のRF信号の高速伝送においてインピーダンスがRF信号の帰還路として適切なものとならない。通常、高周波のRF信号を良好に伝送するには、FG-SGラインのコンデンサの容量は100nF程度以上が必要とされている。RF信号伝送における帰還路については、非特許文献1のp.126-129、2.13信号のリターン経路の直列インピーダンス、及び非特許文献2のp.7、左欄、第3パラグラフ等を参照されたい。回路基板あるいはレーザパッケージの筺体に容量を作り込む特許文献1、3、4の構造では、FG-SGラインのコンデンサの容量を大きくでき、容易にRF信号の帰還路として適切なインピーダンスとすることができる。一方、特許文献2では、文献中の図1に示されるように、フレキシブル回路基板FPCをコンデンサとしてFG-SG分離を図る構造である。FPCでは、その物性値および寸法制約から、得られる容量は数~数十pF程度と小さい。この場合、FG-SGラインのインピーダンスをRF信号の帰還路として適切なレベルに充分に低下させることができない。特許文献5には、FPC上にチップコンデンサを搭載した構造が記載され、FPC上で信号伝送線路とチップコンデンサとグランドとが直列接続された構造が記載されている。上記のように、特許文献5に記載の構造では、コンデンサに接続されたグランドは、回路基板に設けられたSGではなく、FG-SG分離構造とはなっていない。また、信号伝送路とチップコンデンサとが直列接続されているため、RF帰還路が形成されない。本発明の光伝送モジュールは、半導体レーザと、当該半導体レーザを収容する筺体とを備え、前記半導体レーザに導通されたリードが前記筺体の内部から外部に引き出されたレーザパッケージと、前記レーザパッケージに取り付けられ、前記レーザパッケージの接続側と反対側に、光ファイバが内蔵された光コネクタが嵌合されるレセプタクルとを備えたレーザモジュールと、前記レーザモジュールに実装され、前記リードに接続された信号配線を備えたフレキシブル配線基板FPCと、前記フレキシブル配線基板に接続され、前記半導体レーザの駆動を制御する電気回路を備えた回路基板とを備え、高周波信号を伝送する光伝送モジュールであって、前記レーザモジュールの前記筺体及び前記レセプタクルが、前記光コネクタを介して電子機器の筺体グランドFGに電気的に接続されるものであり、前記フレキシブル配線基板が、前記電子機器の前記筺体グランドFGに電気的に接続されるFG接続導電部と、前記回路基板の信号グランドSGに電気的に接続されるSG接続導電部とを備え、前記FG接続導電部と前記SG接続導電部とが、前記フレキシブル配線基板上に搭載され、かつ前記信号配線と電気的に接続されないチップコンデンサを介して接続されたものである。本発明の光伝送モジュールにおいては、FPCにFG接続導電部とSG接続導電部とを設け、FG接続導電部とSG接続導電部とをFPC上に搭載され、かつFPCの信号配線と電気的に接続されないチップコンデンサを介して接続する構成を採用している。かかる構成では、安価なFPCとチップコンデンサを用い、低コストにFG-SG分離を図ることができる。また、FG-SGラインのインピーダンスを、高周波を含む広範囲の周波数のRF信号の伝送の帰還路として適切なものとすることが可能である。本発明によれば、低コストにFG-SG分離を図ることができ、FG-SGラインのインピーダンスを、高周波を含む広範囲の周波数のRF信号の伝送の帰還路として適切なものとすることが可能な光伝送モジュールを提供することができる。一実施形態図面を参照して、本発明に係る一実施形態の光伝送モジュールの構成について説明する。図1は、本実施形態の光伝送モジュールに備えられたレーザモジュール及びFPCの横断面図である。図2は、本実施形態の光伝送モジュールに備えられたレーザモジュール及びFPCの縦断面図である。図3は、本実施形態の光伝送モジュールに備えられたレーザモジュール及びFPCをFPCのコンデンサ実装面信号線面側から見た平面図である。図4は、本実施形態の光伝送モジュールに備えられたFPCとPCBの断面図であり、図3のIVIV断面に対応した図である。図5は、本実施形態の光伝送モジュールにおける光伝送回路図である。図面上は視認しやすくするため、適宜実際のものとは異ならせて、簡略化してある。本実施形態の光伝送モジュール1は、高周波RF信号を伝送するものである。図1~図5に示すように、光伝送モジュール1は、半導体レーザ10が内蔵されたレーザモジュールであるTOSATransmitterOpticalSubAssembly5と、TOSA5に実装されたフレキシブル配線基板FPC6と、FPC6に接続され、半導体レーザ10の駆動を制御する電気回路を備えた回路基板PCB7とを備えている。TOSA5は、レーザパッケージ2と、レーザパッケージ2に取り付けられ、レーザパッケージ2の接続側と反対側に、光ファイバ31が内蔵された光コネクタ図示せずが嵌合されるレセプタクル3とから構成されている。レーザパッケージ2は、半導体レーザ10と、半導体レーザ10を収容する筺体20とを備えている。本実施形態において、筺体20は、ステム21とキャップレンズホルダ22とから構成されている。ステム21の内面に台座11が突設され、この台座11上にヒートシンク12が設けられ、その上に半導体レーザ10が形成されている。複数のリード24が、ステム21を通って、レーザパッケージ2の筺体20の内部から外部に引き出されている。複数のリード24はそれぞれ、半導体レーザ10とボンディングワイヤ13を介して導通されている。複数のリード24のステム21から外部に引き出された部分は、リード端子24Tとなっている。図1中、符号25はグランドリードグランド端子である。キャップ22には、光路上に集光レンズ23が嵌め込まれている。レセプタクル3は、光ファイバ31、フェルール32、及びスリーブ33からなる光ファイバモジュールが、光コネクタ接続側に開口部34Hを有するシェル34に収容され、シェル34にレーザモジュール5との接続用のスライドホルダ35が取り付けられたものである。図5に示すように、本実施形態において、TOSA5をなすレーザパッケージ2の筺体20及びレセプタクル3が、光コネクタ図示せずを介して電子機器8の筺体グランドFGに電気的に接続される。図1及び図2に示すように、FPC6は、基材である誘電体層61と、誘電体層61の裏面に形成されたグランド配線層62と、誘電体層61の表面に形成された信号配線層63との積層構造を有している。FPC6の最表面には、信号配線層63を保護するカバーレイ図示略が貼着されている。図3に示すように、FPC6は平面視、一端部に形成され、TOSA5に接続されるTOSA接続部6Tと、他端部に形成され、PCB7に接続されるPCB接続部6Pとを有している。FPC6の表面側の信号配線層63には、2本の信号配線63Aと1本のモニタ電流線63Dとが形成されている。FPC6のTOSA接続部6Tの裏面側に形成されたグランド配線層62がレーザパッケージ2のグランドリード25に接続され、2本の信号配線63Aとレーザパッケージ2の2個のリード端子24Tとが接続され、モニタ電流線63Dとレーザパッケージ2の他の1個のリード端子24Tとが接続されている。FPC6のTOSA接続部6Tの裏面側のグランド配線層62は、TOSA5をなすレーザパッケージ2の筺体20及びレセプタクル3、及び光コネクタ図示せずを介して電子機器8のFGに電気的に接続される。2本の信号配線63Aと1本のモニタ電流線63Dは、TOSA接続部6TからPCB接続部6Pまで延びて形成されている。これら2本の信号配線63Aは平面視、線対称に配置されている。これら2本の信号配線63Aによる信号伝送路は、正相と逆相のRF信号が供給される差動線路とされている。FPC6上において2本の信号配線63Aを線対称に配置し、2本の信号配線63Aによる信号伝送路を差動線路とすることで、高品質な信号伝送を実施することができる。図4に示すように、FPC6のPCB接続部6Pの裏面側にPCB7が取り付けられる。PCB7には、信号グランドSGが設けられる。図4に示すように、FPC6の表面側に形成された信号配線層63には、スルーホール64を介して裏面側のグランド配線層62に導通され、グランド配線層62、TOSA5をなすレーザパッケージ2の筺体20及びレセプタクル3、及び光コネクタ図示せずを介して電子機器8のFGに電気的に接続されるFG接続導電部63Bが設けられている。FPC6の表面側に形成された信号配線層63にはまた、スルーホール66を介してPCB7のSGに電気的に接続されるSG接続導電部63Cが設けられている。本実施形態において、FG接続導電部63BとSG接続導電部63Cとが、FPC6上に搭載され、かつ信号配線63Aと電気的に接続されないチップコンデンサ65を介して接続されている。チップコンデンサ65は、FPC6の搭載面に対して立設した一対の外部電極65X、65Yを有している。FG接続導電部63Bとチップコンデンサ65の一方の外部電極65Xとが当接され、SG接続導電部63Cとチップコンデンサ65の他方の外部電極65Yとが当接されている。図3に示すように、本実施形態において、FPC6には、2本の信号配線63Aに対応して2個のチップコンデンサ65が搭載されている。2個のチップコンデンサ65についても、2本の信号配線63Aと同様、平面視、線対称に配置されている。本実施形態の光伝送モジュール1においては、TOSA5とPCB7との間にFPC6を介在させ、FPC6にFG接続導電部63BとSG接続導電部63Cとを設け、FG接続導電部63BとSG接続導電部63Cとを、FPC6上に搭載され、かつFPC6の信号配線63Aと電気的に接続されないチップコンデンサ65を介して接続する構成を採用している。本実施形態の構成では、電子機器8のFGとPCB7のSGとが、FPC6上のチップコンデンサ65を介して、交流AC的には接続され、直流DC的には絶縁され、FG-SG分離が実現されている。図5に、本実施形態の光伝送モジュール1における回路図を示す。図中、破線円で囲むループ記号PT及びそれに繋がる実線は、誘電体層61と誘電体層61を挟持する一対の配線層62、63とを備えたFPC6におけるRF信号の光伝送路を模式的に示している。図中、LDは半導体レーザ、S1、S2は2本の信号配線63Aによる信号伝送路、Cはチップコンデンサ65、ECはPCB7の電気回路を示している。図5においては簡略化のため、2個のコンデンサ65を1個として図示している。図5では、2本の信号伝送路S1、S2は同一のコンデンサ65を介して、FGとSGに接続されているが、実際には、2本の信号伝送路S1、S2は異なるコンデンサ65を介してFGとSGに接続されており、2本の光伝送路S1、S2に対応した2本のFG-SGラインが形成されている。図5には、電子機器8のFGとPCB7のSGとが、FPC6上のチップコンデンサ65を介して、AC的には接続され、DC的には絶縁され、FG-SG分離が実現されている様子が示されている。本実施形態の構成では、安価なFPC6とチップコンデンサ65を用い、低コストにFG-SG分離を図ることができる。チップコンデンサ65としては、100nF程度、及びそれ以上の容量のものが市販されている。FPCそのものをコンデンサとして使用する場合、数~数十pF程度の小さい容量しか得られない。本実施形態では、FG-SGラインにチップコンデンサ65を用いることで、FPCそのものをコンデンサとするよりもFG-SGラインの容量を大きく、100nF程度、あるいはそれ以上とすることができる。その結果、FG-SGラインのインピーダンスを、高周波のRF信号の高速伝送においても、RF信号の帰還路として適切なレベルに充分に低下させることができる。換言すれば、本実施形態では、電子機器8のFGとチップコンデンサ65とPCB7のSGとの接続構造によって、RF信号の帰還路が良好に形成されている。RF信号の帰還路が良好に形成なければ、RF信号が適切に伝送されない。本実施形態では、RF信号の帰還路が良好に形成されるので、高周波のRF信号の高速伝送においても、RF信号が良好に伝送される。本実施形態では、FPC6上において、2本の信号配線63Aによる信号伝送路S1、S2と、これら2本の信号伝送路S1、S2に対応した2本のFG-SGラインを線対称に配置し、2本の信号伝送路S1、S2を差動線路としているので、高品質な信号伝送を実施することができる。以上説明したように、本実施形態によれば、低コストにFG-SG分離を図ることができ、FG-SGラインのインピーダンスを、高周波を含む広範囲の周波数のRF信号の伝送の帰還路として適切なものとすることが可能な光伝送モジュール1を提供することができる。設計変更本発明は上記実施形態に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において適宜設計変更可能である。