"3相の交流出力または入力を行なう電力変換回路が、1相当り奇数台を基本として並列接続される電力用半導体素子モジュールから構成され、これらの電力用半導体素子モジュールを冷却するための放熱器を備えた電力変換装置のスタック構造において、前記電力用半導体素子モジュールは、前記放熱器冷却のための空気の通風方向に対し、各相当りの並列数を第1相と第3相では奇数台、第2相では偶数台として前記放熱器上にそれぞれ2列となるように配置することを特徴とする電力変換装置のスタック構造。3相の交流出力または入力を行なう電力変換回路が、1相当り奇数台を基本として並列接続される電力用半導体素子モジュールから構成され、これらの電力用半導体素子モジュールを冷却するための放熱器を備えた電力変換装置のスタック構造において、前記電力用半導体素子モジュールは、前記放熱器冷却のための空気の通風方向に対し、各相当りの並列数を第1相と第3相では5並列、第2相では6並列にするとともに、前記放熱器を2台使用し、一方の放熱器には第1相の5台と第2相の3台、他方の放熱器には第2相の3台と第3相の5台を前記放熱器上にそれぞれ2列となるように配置することを特徴とする電力変換装置のスタック構造。前記偶数台設置される相は、前記放熱器の中央部に配置することを特徴とする請求項1または2に記載の電力変換装置のスタック構造。前記2列の電力用半導体素子モジュールを、通風方向に2分割し1列ずつにして放熱器上に配置することを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の電力変換装置のスタック構造。上述のように、IGBTモジュールを並列接続する装置では、IGBTモジュールどうしの電流バランスを考慮し、並列接続されるIGBTモジュールは図109台のモジュール全てを1台の放熱器上に設置する場合または図11各相毎に3台ずつ放熱器上に設置する場合のように、受熱部に近接して配置する必要がある。ところが、図12のように並列数5並列が多くなると、3相分では図13のようにX横方向に長くなり、装置全体のコンパクト化の妨げとなるおそれがある。これに対し、図14のようにIGBTモジュールが3並列で、3相分を1台の放熱器上に設置する図14aの場合、各相毎に1台の放熱器上に設置する図14bの場合、同様にIGBTモジュールが5並列で、3相分を1台の放熱器上に設置する図15aの場合、各相毎に1台の放熱器上に設置する図15bの場合のように、風の通流方向に対して2列で配置することにより、X横方向の伸びを抑えることができる。しかし、その場合にモジュールの並列数が偶数台ならば問題ないが、奇数台の場合は放熱器に対して、図14,15に点線21で示す一部のみ示し、他の部分も同様ようなデッドスペースが生じるため、放熱器の有効利用が図られているとは言い難い。また、図16IGBTモジュールが3並列の場合のように風上側に5台、風下側に4台配置することにすると、図14,15の場合に比べてデッドスペースを減らすことが可能になるが、V相のIGBTモジュール2台が風下側に配置されるため、他相のIGBTモジュールに比べて上記2台の熱的負担が大きくなり、結果的にV相基準で熱設計する必要が生じる。図17に、IGBTモジュールを5並列とし放熱器を2台設置する例を示す。この場合、放熱器1Aと1Bとでは設置されるIGBTモジュール数が異なるため、IGBTモジュール数が多い方の放熱器1A基準で熱設計を行なう必要があり、結果的に放熱能力の大きい放熱器やファンが必要になる、という問題がある。したがって、この発明の課題は、放熱器の有効利用を図ることで放熱器の小型化,低コスト化及びファン能力の低減化を図ることにある。このような課題を解決するため、請求項1の発明では、3相の交流出力または入力を行なう電力変換回路が、1相当り奇数台を基本として並列接続される電力用半導体素子モジュールから構成され、これらの電力用半導体素子モジュールを冷却するための放熱器を備えた電力変換装置のスタック構造において、前記電力用半導体素子モジュールは、前記放熱器冷却のための空気の通風方向に対し、各相当りの並列数を第1相と第3相では奇数台、第2相では偶数台として前記放熱器上にそれぞれ2列となるように配置することを特徴とする。請求項2の発明では、3相の交流出力または入力を行なう電力変換回路が、1相当り奇数台を基本として並列接続される電力用半導体素子モジュールから構成され、これらの電力用半導体素子モジュールを冷却するための放熱器を備えた電力変換装置のスタック構造において、前記電力用半導体素子モジュールは、前記放熱器冷却のための空気の通風方向に対し、各相当りの並列数を第1相と第3相では5並列、第2相では6並列にするとともに、前記放熱器を2台使用し、一方の放熱器には第1相の5台と第2相の3台、他方の放熱器には第2相の3台と第3相の5台を前記放熱器上にそれぞれ2列となるように配置することを特徴とする。上記請求項1または2の発明においては、前記偶数台設置される相は、前記放熱器の中央部に配置することができる請求項3の発明。また、上記請求項1~3の発明においては、前記2列の電力用半導体素子モジュールを、通風方向に2分割し1列ずつにして放熱器上に配置することができる請求項4の発明。この発明によれば、放熱器の有効利用を図ることで放熱器の小型化,低コスト化及びファン能力を低減化することができ、その結果電力変換装置のスタックや装置全体の小型化,低コスト化が可能となる。図1はこの発明の実施の形態を示す構成図である。これは、U相とW相のIGBTモジュールMを5並列とし、V相のIGBTモジュールMを6並列とする例である。こうすることで、放熱器1の受熱部のデッドスペースが無くなって放熱器1の有効利用が可能になるとともに、熱的負担が大きくなるV相については他相よりも1台多くすることで、図17の場合よりも熱的負担を小さくできるようにしている。図2はU相とW相のIGBTモジュールMを3並列とし、V相のIGBTモジュールMを4並列とする場合、つまり並列数が異なる以外は図1と全く同様なので、説明を省略する。図3にこの発明の別の実施の形態を示す。これは、図1と同様にU相とW相のIGBTモジュールMを5並列とし、V相のIGBTモジュールMを6並列とするが、放熱器を1A,1Bと2台設ける例である。こうすることで、放熱器1Aと放熱器1Bの熱的負担IGBTモジュールの総発生損失が等しくなるとともに、図17と比べてV相モジュール1台当りの発生損失が5/6に低減するため、放熱器全体の熱的負担IGBTモジュールの総発生損失が軽減され、放熱器の小型化やファン能力の軽減が可能となる。図4に図1または図2の変形例を示す。これは、2列の放熱器1を上下2つに分割し、1列目のモジュールMを放熱器1Aに、また2列目のモジュールMを放熱器1Bに配置したもので、こうすることで、放熱器1Aと放熱器1Bの熱的負担を等しくするものである。図5は図3の変形例を示し、図3の1列目のモジュールMを放熱器1A,1Bに、また2列目のモジュールMを放熱器1C,1Dにそれぞれ配置したもので、こうすることにより、放熱器1A~1Dの熱的負担を等しくするものである。以上ではIGBTモジュールを3並列,5並列の場合を説明したが、7並列このときのV相は8並列,9並列このときのV相は10並列の場合など、並列数の基本数が奇数個の場合一般に適用することができる。また、素子としてはIGBTに限らずMOSFETやダイオードなどの電力用半導体モジュール、さらには変換装置としてはコンバータなどの交流入力を行なう電力変換装置についても、同様に適用することができる。"