"1対の電極、および1対の電極間に、少なくとも、下記式1または下記式2式中、R1はそれぞれ独立して水素原子または炭素数1~50の有機基であり、R2は水素原子または炭素数1~20の有機基であり、Mは金属原子であり、LはMの配位子であり、nはLの数である。で表される電子受容体のフラーレン誘導体と、電子供与体の化合物とが設けられた、光電変換素子。1対の電極、および1対の電極間に設けられた、下記式1または下記式2式中、R1はそれぞれ独立して水素原子または炭素数1~50の有機基であり、R2は水素原子または炭素数1~20の有機基であり、Mは金属原子であり、LはMの配位子であり、nはLの数である。で表される電子受容体のフラーレン誘導体と、電子供与体の化合物とを含む混合物からなる混合物層を含む、光電変換素子。式1または式2中、R1はそれぞれ独立して水素原子、置換基を有してもよいC1~C20炭化水素基、置換基を有してもよいC1~C20アルコキシ基、置換基を有してもよいC6~C20アリールオキシ基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいシリル基、置換基を有してもよいアルキルチオ基-SY1、式中、Y1は置換基を有してもよいC1~C20アルキル基を示す。、置換基を有してもよいアリールチオ基-SY2、式中、Y2は置換基を有してもよいC6~C18アリール基を示す。、置換基を有してもよいアルキルスルホニル基-SO2Y3、式中、Y3は置換基を有してもよいC1~C20アルキル基を示す。、置換基を有してもよいアリールスルホニル基-SO2Y4、式中、Y4は置換基を有してもよいC6~C18アリール基を示す。を示し;R2は水素原子またはC1~C20炭化水素基を示す、請求項1または2に記載の光電変換素子。式2中、Mが遷移金属である、請求項1~3のいずれかに記載の光電変換素子。式2中、Mが8~10族の遷移金属である、請求項1~3のいずれかに記載の光電変換素子。式2中、MがFeまたはRuであり、nが0~5の整数であり、Lが水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基、アルキン基、アルケン基、アリール基、アルキリデン基、ビニリデン基、アレニリデン基、チオラート基、アミド基、ホスフィン基、カルボニル基、ニトリル基、イソニトリル基、イミノ基、アミノ基、ケトン基またはシクロペンタジエニル基である、請求項1~3のいずれかに記載の光電変換素子。電子供与体の化合物が高分子化合物である、請求項1~6のいずれかに記載の光電変換素子。電子供与体の化合物が複素環高分子化合物である、請求項1~6のいずれかに記載の光電変換素子。電子供与体の化合物がポルフィリン化合物またはフタロシアニン化合物である、請求項1~6のいずれかに記載の光電変換素子。電子供与体の化合物がポリチオフェンまたは銅フタロシアニン錯体である、請求項1~6のいずれかに記載の光電変換素子。電子受容体のフラーレン誘導体と電子供与体の化合物とを含む混合物が溶解した溶液を塗布することによって混合物層が形成される、請求項2~10のいずれかに記載の光電変換素子。電子受容体のフラーレン誘導体と電子供与体の化合物とを蒸着させることによって混合物層が形成される、請求項2~10のいずれかに記載の光電変換素子。請求項1~12のいずれかに記載の光電変換素子を含む太陽電池。上記の状況の下、例えば、有機材料を用いるが、開放電圧が高い光電変換素子が求められている。本発明者等は、下記式1または下記式2で表されるフラーレン誘導体と、電子供与体の化合物とを含む混合物からなる混合物層を含む光電変換素子と、その素子を用いた太陽電池を見出し、この知見に基づいて本発明を完成した。本発明は以下のような光電変換素子および太陽電池を提供する。[1]1対の電極、および1対の電極間に、少なくとも、下記式1または下記式2式中、R1はそれぞれ独立して水素原子または炭素数1~50の有機基であり、R2は水素原子または炭素数1~20の有機基であり、Mは金属原子であり、LはMの配位子であり、nはLの数である。で表される電子受容体のフラーレン誘導体と、電子供与体の化合物とが設けられた、光電変換素子。[2]1対の電極、および1対の電極間に設けられた、下記式1または下記式2式中、R1はそれぞれ独立して水素原子または炭素数1~50の有機基であり、R2は水素原子または炭素数1~20の有機基であり、Mは金属原子であり、LはMの配位子であり、nはLの数である。で表される電子受容体のフラーレン誘導体と、電子供与体の化合物とを含む混合物からなる混合物層を含む、光電変換素子。[3]式1または式2中、R1はそれぞれ独立して水素原子、置換基を有してもよいC1~C20炭化水素基、置換基を有してもよいC1~C20アルコキシ基、置換基を有してもよいC6~C20アリールオキシ基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいシリル基、置換基を有してもよいアルキルチオ基-SY1、式中、Y1は置換基を有してもよいC1~C20アルキル基を示す。、置換基を有してもよいアリールチオ基-SY2、式中、Y2は置換基を有してもよいC6~C18アリール基を示す。、置換基を有してもよいアルキルスルホニル基-SO2Y3、式中、Y3は置換基を有してもよいC1~C20アルキル基を示す。、置換基を有してもよいアリールスルホニル基-SO2Y4、式中、Y4は置換基を有してもよいC6~C18アリール基を示す。を示し;R2は水素原子またはC1~C20炭化水素基を示す、[1]または[2]に記載の光電変換素子。[4]式1または式2中、R1はそれぞれ独立して炭素数1~20のアルキル基、炭素数2~20のアルケニル基または炭素数1~20のアルキニル基または下記式3式中、R3は炭素数1~15のアルキル、炭素数2~15のアルケニルまたは炭素数1~15のアルキニルである。で表される基である、[1]または[2]に記載の光電変換素子。[5]式2中、Mが遷移金属である、[1]~[4]のいずれかに記載の光電変換素子。[6]式2中、Mが8~10族の遷移金属である、[1]~[4]のいずれかに記載の光電変換素子。[7]式2中、MがFeまたはRuであり、nが0~5の整数であり、Lが水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基、アルキン基、アルケン基、アリール基、アルキリデン基、ビニリデン基、アレニリデン基、チオラート基、アミド基、ホスフィン基、カルボニル基、ニトリル基、イソニトリル基、イミノ基、アミノ基、ケトン基またはシクロペンタジエニル基である、[1]~[4]のいずれかに記載の光電変換素子。[8]電子供与体の化合物が高分子化合物である、[1]~[7]のいずれかに記載の光電変換素子。[9]電子供与体の化合物が複素環高分子化合物である、[1]~[7]のいずれかに記載の光電変換素子。[10]電子供与体の化合物がポルフィリン化合物またはフタロシアニン化合物である、[1]~[7]のいずれかに記載の光電変換素子。[11]電子供与体の化合物がポリチオフェンまたは銅フタロシアニン錯体である、[1]~[7]のいずれかに記載の光電変換素子。[12]電子受容体のフラーレン誘導体と電子供与体の化合物とを含む混合物が溶解した溶液を塗布することによって混合物層が形成される、[2]~[11]のいずれかに記載の光電変換素子。[13]式1または式2中、R1はそれぞれ独立して下記式3式中、R3は炭素数1~10のアルキル、炭素数2~10のアルケニルまたは炭素数2~10のアルキニルである。で表される基であり、式2中、MがFeまたはRuであり、nが0~5の整数であり、Lが水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基、アルキン基、アルケン基、アリール基、アルキリデン基、ビニリデン基、アレニリデン基、チオラート基、アミド基、ホスフィン基、カルボニル基、ニトリル基、イソニトリル基、イミノ基、アミノ基、ケトン基またはシクロペンタジエニル基である、[12]に記載の光電変換素子。[14]電子受容体のフラーレン誘導体と電子供与体の化合物とを蒸着させることによって混合物層が形成される、[2]~[11]のいずれかに記載の光電変換素子。[15]式1または式2中、R1はそれぞれ独立して炭素数1~10のアルキル基、炭素数2~10のアルケニル基、炭素数2~10のアルキニル基または下記式3式中、R3は炭素数1~5のアルキル、炭素数2~5のアルケニルまたは炭素数1~5のアルキニルである。で表される基であり、式2中、MがFeまたはRuであり、nが0~5の整数であり、Lが水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキル基、アルキン基、アルケン基、アリール基、アルキリデン基、ビニリデン基、アレニリデン基、チオラート基、アミド基、ホスフィン基、カルボニル基、ニトリル基、イソニトリル基、イミノ基、アミノ基、ケトン基またはシクロペンタジエニル基である、[14]に記載の光電変換素子。[16][1]~[15]のいずれかに記載の光電変換素子を含む太陽電池。本発明の好ましい態様によれば、有機材料を用いながら、開放電圧が高い光電変換素子を提供できる。本発明の好ましい態様によれば、簡単で安価に製造できる光電変換素子を提供できる。1本発明の光電変換素子に含まれる電子供与体と電子受容体本発明の光電変換素子を構成する1対の電極の間には、電子供与体と電子受容体が設けられる。本発明の光電変換素子は、たとえば、電子供与体と電子受容体のそれぞれを層状にして重ね合わした積層構造を有してもよいし、両者を含む混合物からなる混合物層を有してもよい。1.1光電変換素子に用いられる電子受容体本発明の光電変換素子に電子受容体として用いられる化合物は、上記式1または2で表されるフラーレン誘導体である。なお、フラーレン誘導体は一種のフラーレン誘導体でも複数種のフラーレン誘導体の混合物でもよい。1.1.1式1で表されるフラーレン誘導体式1中、R1はそれぞれ独立して水素原子または炭素数1~50の有機基であり、R2は水素原子または炭素数1~20の有機基である。また、式1中、R1はそれぞれ独立して水素原子、置換基を有してもよいC1~C20炭化水素基、置換基を有してもよいC1~C20アルコキシ基、置換基を有してもよいC6~C20アリールオキシ基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいシリル基、置換基を有してもよいアルキルチオ基-SY1、式中、Y1は置換基を有してもよいC1~C20アルキル基を示す。、置換基を有してもよいアリールチオ基-SY2、式中、Y2は置換基を有してもよいC6~C18アリール基を示す。、置換基を有してもよいアルキルスルホニル基-SO2Y3、式中、Y3は置換基を有してもよいC1~C20アルキル基を示す。、置換基を有してもよいアリールスルホニル基-SO2Y4、式中、Y4は置換基を有してもよいC6~C18アリール基を示す。を示すことが好ましく、R2は水素原子またはC1~C20炭化水素基を示すことが好ましい。本明細書において、C1~C20炭化水素基の炭化水素基は、飽和若しくは不飽和の非環式であってもよいし、飽和若しくは不飽和の環式であってもよい。C1~C20炭化水素基が非環式の場合には、線状でもよいし、枝分かれでもよい。C1~C20炭化水素基には、C1~C20アルキル基、C2~C20アルケニル基、C2~C20アルキニル基、C4~C20アルキルジエニル基、C6~C18アリール基、C7~C20アルキルアリール基、C7~C20アリールアルキル基、C4~C20シクロアルキル基、C4~C20シクロアルケニル基、C3~C10シクロアルキルC1~C10アルキル基などが含まれる。本明細書において、C1~C20アルキル基は、C1~C10アルキル基であることが好ましく、C1~C6アルキル基であることが更に好ましい。アルキル基の例としては、制限するわけではないが、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n-ブチル、sec-ブチル、tert-ブチル、ペンチル、ヘキシル、ドデカニル等を挙げることができる。本明細書において、C2~C20アルケニル基は、C2~C10アルケニル基であることが好ましく、C2~C6アルケニル基であることが更に好ましい。アルケニル基の例としては、制限するわけではないが、ビニル、アリル、プロペニル、イソプロペニル、2-メチル-1-プロペニル、2-メチルアリル、2-ブテニル等を挙げることができる。本明細書において、C2~C20アルキニル基は、C2~C10アルキニル基であることが好ましく、C2~C6アルキニル基であることが更に好ましい。アルキニル基の例としては、制限するわけではないが、エチニル、プロピニル、ブチニル等を挙げることができる。本明細書において、C4~C20アルキルジエニル基は、C4~C10アルキルジエニル基であることが好ましく、C4~C6アルキルジエニル基であることが更に好ましい。アルキルジエニル基の例としては、制限するわけではないが、1,3-ブタジエニル等を挙げることができる。本明細書において、C6~C18アリール基は、C6~C10アリール基であることが好ましい。アリール基の例としては、制限するわけではないが、フェニル、1-ナフチル、2-ナフチル、インデニル、ビフェニル、アントリル、フェナントリル等を挙げることができる。本明細書において、C7~C20アルキルアリール基は、C7~C12アルキルアリール基であることが好ましい。アルキルアリール基の例としては、制限するわけではないが、o-トリル、m-トリル、p-トリル、2,3-キシリル、2,4-キシリル、2,5-キシリル、o-クメニル、m-クメニル、p-クメニル、メシチル等を挙げることができる。本明細書において、C7~C20アリールアルキル基は、C7~C12アリールアルキル基であることが好ましい。アリールアルキル基の例としては、制限するわけではないが、ベンジル、フェネチル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、1-ナフチルメチル、2-ナフチルメチル、2,2-ジフェニルエチル、3-フェニルプロピル、4-フェニルブチル、5-フェニルペンチル等を挙げることができる。本明細書において、C4~C20シクロアルキル基は、C4~C10シクロアルキル基であることが好ましい。シクロアルキル基の例としては、制限するわけではないが、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル等を挙げることができる。本明細書において、C4~C20シクロアルケニル基は、C4~C10シクロアルケニル基であることが好ましい。シクロアルケニル基の例としては、制限するわけではないが、シクロプロペニル、シクロブテニル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル等を挙げることができる。本明細書において、C1~C20アルコキシ基は、C1~C10アルコキシ基であることが好ましく、C1~C6アルコキシ基であることが更に好ましい。アルコキシ基の例としては、制限するわけではないが、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ等がある。本明細書において、C6~C20アリールオキシ基は、C6~C10アリールオキシ基であることが好ましい。アリールオキシ基の例としては、制限するわけではないが、フェニルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニルオキシ等を挙げることができる。本明細書において、アルキルチオ基-SY1、式中、Y1は置換基を有してもよいC1~C20アルキル基を示す。及びアルキルスルホニル基-SO2Y3、式中、Y3は置換基を有してもよいC1~C20アルキル基を示す。において、Y1及びY3は、C1~C10アルキル基であることが好ましく、C1~C6アルキル基であることが更に好ましい。アルキル基の例としては、制限するわけではないが、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n-ブチル、sec-ブチル、tert-ブチル、ペンチル、ヘキシル、ドデカニル等を挙げることができる。本明細書において、アリールチオ基-SY2、式中、Y2は置換基を有してもよいC6~C18アリール基を示す。及びアリールスルホニル基-SO2Y4、式中、Y4は置換基を有してもよいC6~C18アリール基を示す。において、Y2及びY4は、C6~C10アリール基であることが好ましい。アリール基の例としては、制限するわけではないが、フェニル、1-ナフチル、2-ナフチル、インデニル、ビフェニリル、アントリル、フェナントリル等を挙げることができる。C1~C20炭化水素基、C1~C20アルコキシ基、C6~C20アリールオキシ基、アミノ基、シリル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基には、置換基が導入されていてもよい。この置換基としては、例えば、エステル基、カルボキシル基、アミド基、アルキン基、トリメチルシリル基、アミノ基、ホスホニル基、チオ基、カルボニル基、ニトロ基、スルホ基、イミノ基、ハロゲノ基、アルコキシ基などを挙げることができる。この場合、置換基は、置換可能な位置に1個以上、置換可能な最大数まで導入されていてもよく、好ましくは1個~4個導入されていてもよい。置換基数が2個以上である場合、各置換基は同一であっても異なっていてもよい。本明細書において、置換基を有してもよいアミノ基の例としては、制限するわけではないが、アミノ、ジメチルアミノ、メチルアミノ、メチルフェニルアミノ、フェニルアミノ等がある。本明細書において、置換基を有していてもよいシリル基の例としては、制限するわけではないが、ジメチルシリル、ジエチルシリル、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリメトキシシリル、トリエトキシシリル、ジフェニルメチルシリル、トリフェニルシリル、トリフェノキシシリル、ジメチルメトキシシリル、ジメチルフェノキシシリル、メチルメトキシフェニル等がある。本明細書において、芳香族基の例としては、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等がある。本明細書において、複素環基の例としては、チエニル基、ピロリル基、ピリジル基、ビピリジル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ターチエニル基等がある。本明細書において、縮合多環芳香族基の例としては、フルオレニル基、ナフチル基、フルオランテニル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ピレニル基、テトラセニル基、ペンタセニル基、トリフェニレニル基、ペリレニル基等がある。本明細書において、縮合多環複素環基の例としては、カルバゾリル基、アクリジニル基、フェナントロリル基等がある。また、これらの、芳香族基、複素環基、縮合多環芳香族基および縮合多環複素環基が有してもよい置換基の例としては、制限するわけではないが、C1~C10炭化水素基例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、フェニル、ナフチル、インデニル、トリル、キシリル、ベンジル等、C1~C10アルコキシ基例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等、C6~C10アリールオキシ基例えば、フェニルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニルオキシ等、アミノ基、水酸基、ハロゲン原子例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素又はシリル基などを挙げることができる。この場合、置換基は、置換可能な位置に1個以上導入されていてもよく、好ましくは1個~4個導入されていてもよい。置換基数が2個以上である場合、各置換基は同一であっても異なっていてもよい。1.1.2式2で表されるフラーレン誘導体式2中のR1は、式1中のR1と同様である。また、式2中のMは金属原子であり、LはMの配位子であり、nはLの数である。MがFeまたはRuであり、nが0~5の整数であり、Lが、水素原子、アルコキシ基、アルキル基、アルキン基、アルケン基、アリール基、アルキリデン基、ビニリデン基、アレニリデン基、チオラート基、アミド基、ホスフィン基、カルボニル基、ニトリル基、イソニトリル基、イミノ基、アミノ基、ケトン基またはシクロペンタジエニル基Cpであることが好ましい。1.2光電変換素子に用いられる電子供与体の化合物本発明の光電変換素子に用いられる電子供与体の化合物は、電子供与体として機能すれば特に限定されない。なお、光電変換素子に用いられる電子供与体の化合物は一種の化合物でも複数種の化合物の混合物でもよい。本発明で用いられる好ましい電子供与体の化合物は、高分子化合物、ポルフィリン化合物またはフタロシアニン化合物である。電子供与体として用いられる高分子化合物としては、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフラン、ポリピリジン、ポリカルバゾールなどの複素環高分子を用いることができる。これらの中でも、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフランは、種々の置換基が結合しているものが存在し、種々の構造が存在するために、多種多様なポリマーを合成できることで好ましい。電子供与体として用いられるポルフィリン化合物としては、例えば、5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィン、5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィンコバルトII、5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィン銅II、5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィン亜鉛II、5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィンバナジウムIVオキシド、5,10,15,20-テトラ4-ピリジル-21H,23H-ポルフィンが挙げられる。また、電子供与体として用いられるフタロシアニン化合物としては、例えば、29H,31H-フタロシアニン、銅フタロシアニン錯体、亜鉛フタロシアニン錯体、チタンフタロシアニンオキシド錯体、マグネシウムフタロシアニン錯体、鉛フタロシアニン錯体、銅4,4’,4’’,4’’’-テトラアザ-29H,31H-フタロシアニン錯体が挙げられる。これらの中でも、銅フタロシアニン錯体が好ましい。1.3混合物層の製造方法混合物層の製造方法は特に限定されないが、例えば、フラーレン誘導体と電子供与体の化合物とを共に溶解した溶液を、基板や基板上に設けられた層にスピンコート等を用いて塗布することによって製造できる塗布型の混合物層。また、フラーレン誘導体と電子供与体の化合物とを、基板や基板上に設けられた層に蒸着させることによっても製造できる蒸着型の混合物層。塗布型の混合物層で用いられる上記式1または式2で表されるフラーレン誘導体は上述のとおりであるが、式1または式2中、R1はそれぞれ独立して下記式3式中、R3は炭素数1~10のアルキル、炭素数2~10のアルケニルまたは炭素数2~10のアルキニルである。で表される基であれば、塗布するときの溶媒に対する溶解性が向上し、さらに得られる光電変換素子の開放電圧も向上するため好ましい。塗布型の混合物層で用いられる電子供与体の化合物は上述のとおりであるが、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフラン、ポリピリジン、ポリカルバゾールを用いると、塗布するときの溶媒に対する溶解性が向上し、さらに得られる光電変換素子の開放電圧も向上するため好ましい。蒸着型の混合物層で用いられる上記式1または式2で表されるフラーレン誘導体は上述のとおりであるが、式1または式2中、R1はそれぞれ独立して炭素数1~10のアルキル、炭素数2~10のアルケニル、炭素数2~10のアルキニルまたは下記式3式中、R3は炭素数1~5のアルキル、炭素数2~5のアルケニルまたは炭素数1~5のアルキニルである。で表される基であれば、フラーレン誘導体を蒸着させやすく、さらに得られる光電変換素子の開放電圧も向上するため好ましい。蒸着型の混合物層で用いられる電子供与体の化合物は上述のとおりであるが、ポルフィリン化合物およびフタロシアニン化合物を用いると、フラーレン誘導体との均一な層を設けることが容易にでき、さらに得られる光電変換素子の開放電圧も向上するため好ましい。なお、混合物層は、フラーレン誘導体と電子供与体の化合物とを含めば特に限定されず、他の化合物等を含んでもよい。2本発明の光電変換素子および太陽電池本発明の光電変換素子は、1対の電極と、1対の電極間に配設された電子受容体のフラーレン誘導体と、電子供与体の化合物とを有する。本発明の光電変換素子において、電極に用いられる材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、ITO、酸化スズ、酸化亜鉛、Au、Co、Ni、Ptなどの仕事関数が高い材料と、Al、Ag,Li、In、Ca、Mg、LiFなどを組み合わせて用いることが好ましい。なかでも、光が透過する位置にある電極は、ITO、酸化スズ、酸化亜鉛などの透明電極を用いることが好ましい。これら電極の製造方法及び膜厚などは適宜選択することができる。本発明の光電変換素子において、電子受容体のフラーレン誘導体と、電子供与体の化合物との混合物層が設けられている場合、その混合物層の厚さは特に限定されないが、0.1nm未満では均一性が十分ではなく、短絡を起こしやすいという問題が生じる。他方、混合物層の厚さが5000nmを超えると内部抵抗が大きくなり、また素子1個当たりの固体層の占める体積割合が高くなるため、容量が低下し好ましくない。また、電極間の距離が離れるので、電荷の拡散が悪くなる問題が生じる。そこで、混合物層の厚さは0.1~5000nmが好ましく、1~1000nmがさらに好ましい。より好ましくは20~500nmがさらに好ましい。本発明の光電変換素子は、1対の電極、およびその間に配置された電子受容体のフラーレン誘導体と電子供与体の化合物の他に、さらに正孔取り出し層と電子取り出し層とからなる群から選ばれる1以上を有することができる。正孔取り出し層の材料は、電子受容体と電子供与体を含む層から電極へ正孔の取り出し効率を向上させることが可能な材料であれば特に限定されない。具体的には、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアセチレン、トリフェニレンジアミンなどの導電性有機化合物などが挙げられる。また、Au、In、Ag、Pdなどの金属などの薄膜も使用することができる。さらに、金属などの薄膜は、単独で形成してもよく、上記の有機材料と組み合わせて用いることもできる。電子取り出し層の材料は、電子受容体と電子供与体を含む層から電極へ電子の取り出し効率を向上させることが可能な材料であれば特に限定されない。具体的には、バソキュプロインBCPまたは、バソフェナントレンBphen、及びこれらにアルカリ金属あるいはアルカリ金属土類をドープした層が挙げられる。また、電子取り出し層の材料にフラーレン類やシロール類などを用いることも可能であり、たとえば、上記のバソキュプロインBCP、バソフェナントレンBphen、または、バソキュプロインBCPとバソフェナントレンBphenにアルカリ金属もしくはアルカリ金属土類をドープした層を組み合わせたものも用いることができる。正孔取り出し層と電子取り出し層は1対の電極間に、電子受容体と電子供与体たとえば、混合物層を挟むように配置される。すなわち、本発明の光電変換素子が正孔取り出し層と電子取り出し層の両者を含む場合、電極、正孔取り出し層、電子受容体と電子供与体たとえば、混合物層、電子取り出し層、電極の順に配置される構成を有する。また、本発明の光電変換素子が正孔取り出し層を含み電子取り出し層を含まない場合、電極、正孔取り出し層、電子受容体と電子供与体たとえば、混合物層、電極の順に配置される構成を有する。本発明の光電変換素子が電子取り出し層を含み正孔取り出し層を含まない場合、電極、電子受容体と電子供与体たとえば、混合物層、電子取り出し層、電極の順に配置される構成を有する。フラーレン誘導体は電子受容体として、電子供与体の化合物は電子供与体として機能する。具体的には、電子供与体と電子受容体を含む層たとえば、混合物層に光が照射されると、照射による励起によって発生した電子は当該層中のフラーレン誘導体を通って対極に移動する。また、フラーレン誘導体に電子が移動すると電子供与体の化合物は酸化された状態になり、正孔が作用電極に移動する。このようにして、電流が流れることになる。本発明の光電変換素子は、太陽電池に限らず、光スイッチング装置、センサなどの各種の光電変換装置に好適に使用することができる。以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。[合成例1]C60nBuC6H45Hの合成窒素雰囲気下室温にてフラーレンC60を12ジクロロベンゼンに溶かし、1時間脱気を行った。窒素雰囲気下0°Cにて、CuBrSMe2をテトラヒドロフランに懸濁させ、nBuC6H4MgBrのテトラヒドロフラン溶液をゆっくりと滴下し、室温にてしばらく攪拌した後、C60の12ジクロロベンゼン溶液を移送して反応を開始し、2時間後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加え反応を停止させた。なお、本明細書中、Meはメチルを表す。減圧下でテトラヒドロフランを留去し、展開溶媒をトルエンとしたシリカゲルショートパスカラムに得られた混合物を通して、副生する銅等を除去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製した。C60nBuC6H45Hフラーレン誘導体1のフラクションを集めて濃縮した後、エタノールを加えて目的物を析出させ、濾過、乾燥によりフラーレン誘導体1を得た。[合成例2]C60nBuC6H45Meの合成次に、スキーム2に示すように、窒素雰囲気下室温で製造されたフラーレン誘導体1をテトラヒドロフランに溶解し、カリウムtertブトキシドのテトラヒドロフラン溶液を滴下し、15分攪拌した。得られた黒色の溶液にヨウ化メチルを加え、1時間攪拌した。減圧下で溶媒を留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製した。C60nBuC6H45Meフラーレン誘導体2のフラクションを集めて濃縮した後エタノールを加えて目的物を析出させ、濾過、乾燥によりフラーレン誘導体2を得た。[合成例3]FeC60nBuC6H45Cpの合成次にスキーム3に示すように、窒素雰囲気下室温にて製造されたフラーレン誘導体1をベンゾニトリルに溶かし、FeCp22を加え180°Cに加熱し、8時間攪拌した。減圧下で溶媒を留去し、展開溶媒をトルエンとしたシリカゲルショートパスカラムに得られた混合物を通して、不溶分を除去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製した。FeC60nBuC6H45Cpフラーレン誘導体3のフラクションを集めて濃縮した後、エタノールを加えて目的物を析出させ、濾過、乾燥によりフラーレン誘導体3を得た。なお、本明細書中、Phはフェニルを表す。[合成例4]RuC60nBuC6H45Cpの合成次にスキーム4に示すように、窒素雰囲気下室温にて製造されたフラーレン誘導体1をテトラヒドロフランに溶かし、カリウムtertブトキシドのテトラヒドロフラン溶液を滴下し、15分攪拌した。得られた黒色の溶液に、RuCp3PF6を加え、15分攪拌した。減圧下で溶媒を留去した後、展開溶媒をトルエンとしたシリカゲルショートパスカラムに得られた混合物を濾通して、不溶分を除去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製した。RuC60nBuC6H45Cpフラーレン誘導体4のフラクションを集めて濃縮した後、エタノールを加えて目的物を析出させ、濾過、乾燥によりフラーレン誘導体4を得た。[合成例5]C60Me5Hの合成窒素雰囲気下室温にてC60を12ジクロロベンゼンに溶かし、1時間脱気を行った。窒素雰囲気下0°CにてCuBrSMe2をテトラヒドロフランに懸濁させ、MeMgBrのテトラヒドロフラン溶液をゆっくりと滴下し、室温まで昇温して13ジメチル2イミダゾリジノンを加えた。35°Cに昇温した後、C60の12ジクロロベンゼン溶液を移送して反応を開始し、1時間後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加え反応を停止させた。減圧下でテトラヒドロフランを留去し、窒素で復圧した後、展開溶媒を脱気したトルエンとしたシリカゲルショートパスカラムに得られた混合物を通して、副生する銅等を除去した。トルエンを留去し、窒素で復圧した後、脱気したメタノールを加えて目的物を析出させ、濾過、乾燥によりC60Me5Hフラーレン誘導体5を得た。[合成例6]FeC60Me5Cpの合成次にスキーム6に示すように、窒素雰囲気下室温にて製造されたフラーレン誘導体5をベンゾニトリルに溶かし、FeCp22を加え180°Cに加熱し、8時間攪拌した。減圧下で溶媒を留去し、展開溶媒をトルエンとしたシリカゲルショートパスカラムに得られた混合物を通して、不溶分を除去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製した。FeC60Me5Cpフラーレン誘導体6のフラクションを集めて濃縮した後、エタノールを加えて目的物を析出させ、濾過、乾燥によりフラーレン誘導体6を得た。[合成例7]RuC60Me5Cpの合成次にスキーム7に示すように、窒素雰囲気下室温にて製造されたフラーレン誘導体5をテトラヒドロフランに懸濁させ、カリウムtertブトキシドのテトラヒドロフラン溶液を滴下し、15分攪拌した。得られた黒色の溶液に、RuCp3PF6を加え、15分攪拌した。減圧下で溶媒を留去した後、展開溶媒をトルエンとしたシリカゲルショートパスカラムに得られた混合物を濾通して、不溶分を除去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製した。RuC60Me5Cpフラーレン誘導体7のフラクションを集めて濃縮した後、エタノールを加えて目的物を析出させ、濾過、乾燥によりフラーレン誘導体7を得た。[合成例8]C60Ph5Hの合成窒素雰囲気下室温にてC60を12ジクロロベンゼンに溶かし、1時間脱気を行った。窒素雰囲気下0°CにてCuBrSMe2をテトラヒドロフランに懸濁させ、PhMgBrのテトラヒドロフラン溶液をゆっくりと滴下し、室温にてしばらく攪拌した後、C60の12ジクロロベンゼン溶液を移送して反応を開始し、2時間後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加え反応を停止させた。減圧下でテトラヒドロフランを留去し、展開溶媒をトルエンとしたシリカゲルショートパスカラムに得られた混合物を通して、副生する銅等を除去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製した。C60Ph5Hフラーレン誘導体8のフラクションを集めて濃縮した後、エタノールを加えて目的物を析出させ、濾過、乾燥によりフラーレン誘導体8を得た。[合成例9]FeC60Ph5Cpの合成次にスキーム9に示すように、窒素雰囲気下室温にて製造されたフラーレン誘導体8をベンゾニトリルに溶かし、FeCp22を加え180°Cに加熱し、20時間攪拌した。減圧下で溶媒を留去し、展開溶媒をトルエンとしたシリカゲルショートパスカラムに得られた混合物を通して、不溶分を除去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製した。FeC60Ph5Cpフラーレン誘導体9のフラクションを集めて濃縮した後、エタノールを加えて目的物を析出させ、濾過、乾燥によりフラーレン誘導体9を得た。[実施例1]塗布によって形成された混合物層を有する太陽電池実施例1の太陽電池の模式図である図1に基づいて、実施例1の太陽電池の構成を示す。ポリアルドリッチ社製商品名レジオレギュラー以下、P3HTというとフラーレン誘導体2とのモル比が1015の比率となり、かつ、固形分濃度が16wtになるようにモノクロロベンゼンに溶解させることにより、P3HTとフラーレン誘導体2とが溶解したモノクロロベンゼン溶液を調整した。ガラス基板1上にITO2が設けられたITOガラス基板上に、正孔取り出し層3としてポリ3,4エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォネート水分散液をスピンコートにより塗布した後、ホットプレート上でその基板に加熱処理を施した。その膜厚は28nmであった。加熱処理を施した基板上に、前記モノクロロベンゼン溶液をスピンコートにより塗布することにより、膜厚75nmの混合物層4を得た。この混合物層4上に真空蒸着により厚さが80nmのアルミニウム膜を電極5として設け、窒素雰囲気下でITOガラス基板に透明ガラス基板非図示を封止剤によって貼り付けてシールした。このシールされた素子をホットプレート上で150°C、10分間加熱処理を施すことにより、図1に示すようなバルクヘテロ接合の太陽電池を作成した。作成した太陽電池にITOガラス基板側からソーラシミュレーターAM1.5Gで100mWcm2の強度の光を照射し、ソースメーターケイスレー社製,2400型にて、ITO2と電極5と間における電流-電圧特性を測定し、開放電圧および光電変換効率を算出した。結果は、表1のとおりであった。[実施例2]塗布型の混合物層を有する太陽電池フラーレン誘導体2の代わりにフラーレン誘導体3を用いた以外は、実施例1と同様の条件で太陽電池を作成した。作成した電池について、実施例1と同様に電流-電圧特性を測定し、開放電圧および光電変換効率を算出した。結果は、表1のとおりであった。[実施例3]塗布型の混合物層を有する太陽電池フラーレン誘導体2の代わりにフラーレン誘導体4を用いた以外は、実施例1と同様の条件で太陽電池を作成した。作成した電池について、実施例1と同様に電流-電圧特性を測定し、開放電圧および光電変換効率を算出した。結果は、表1のとおりであった。[比較例1]塗布型の混合物層を有する太陽電池フラーレン誘導体2の代わりに下記式4で表されるフラーレン誘導体6,6フェニルC61ブチリックアシッドメチルエステルを用いた以外は、実施例1と同様の条件で太陽電池を作成した。作成した電池について、実施例1と同様に電流-電圧特性を測定し、開放電圧および光電変換効率を算出した。結果は、表1のとおりであった。[実施例4]蒸着型の混合物層を有する太陽電池実施例4の太陽電池の模式図である図2に基づいて、実施例4の太陽電池の構成を示す。ガラス基板1上にITO2が設けられたITOガラス基板上に、正孔取り出し層3としてポリ3,4エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォネート水分散液をスピンコートによって塗布した後、ホットプレート上でその基板に加熱処理を施した。その膜厚は40nmであった。次に真空蒸着機の中において、この基板上に電子受容体としてのフラーレン誘導体6と、電子供与体としての銅フタロシアニンとが同じ蒸着速度になるように調整し、両者の混合物層4である共蒸着膜を成膜した。当該膜の上に、フラーレンC60を、蒸着によって厚さが30nmとなるように成膜しC60蒸着膜、さらにバソキュプロインを蒸着によって厚さが6nmとなるように成膜し、電子取り出し層6を設けた。その後、厚さが80nmとなるように銀を蒸着させて成膜し、電極5を設けた。このようにして成膜された基板を真空蒸着機から取り出し、窒素雰囲気下でITOガラス基板に透明ガラス基板を封止剤によって貼り付けてシールすることにより、図2に示すようなバルクヘテロ接合の太陽電池を作成した。作成した太陽電池にITOガラス基板側からソーラシミュレーターAM1.5Gで100mWcm2の強度の光を照射し、ソースメーターケイスレー社製,2400型にて、ITO2と電極5と間における電流-電圧特性を測定し、開放電圧および光電変換効率を算出した。結果は、表2のとおりであった。[実施例5]蒸着によって形成された混合物層を有する太陽電池フラーレン誘導体6の代わりにフラーレン誘導体7を用いた以外は、実施例4と同様の条件で太陽電池を作成した。作成した電池について、実施例4と同様に電流-電圧特性を測定し、開放電圧および光電変換効率を算出した。結果は、表2のとおりであった。[実施例6]蒸着型の混合物層を有する太陽電池フラーレン誘導体6の代わりにフラーレン誘導体9を用いた以外は、実施例4と同様の条件で太陽電池を作成した。作成した電池について、実施例4と同様に電流-電圧特性を測定し、開放電圧および光電変換効率を算出した。結果は、表2のとおりであった。[比較例2]蒸着型の混合物層を有する太陽電池フラーレン誘導体6の代わりにフラーレンC60を用いた以外は、実施例4と同様の条件で太陽電池を作成した。作成した電池について、実施例4と同様に電流-電圧特性を測定し、開放電圧および光電変換効率を算出した。結果は、表2のとおりであった。"