"励起光を発する励起光源と、該励起光源に対向して配置され、前記励起光によって励起されて蛍光を発する蛍光体層が形成された基板と、前記励起光源と前記基板との積層方向に沿った前記蛍光体層の側面を囲む障壁と、を備えた発光デバイスであって、前記障壁の少なくとも前記蛍光体層と対向する部分が光散乱性を有するとともに、前記蛍光体層と前記基板との間に、前記基板よりも屈折率が小さい低屈折率層が形成されたことを特徴とする発光デバイス。前記蛍光体層における、前記励起光を入射させる入射面側に、第二基板が設けられたことを特徴とする請求項1に記載の発光デバイス。前記蛍光体層における、前記励起光を入射させる入射面側に、前記低屈折率層がさらに形成されたことを特徴とする請求項1または2に記載の発光デバイス。前記蛍光体層における、前記励起光を入射させる入射面側に、前記励起光のピーク波長にあたる光を少なくとも透過し、前記蛍光体層の発光ピーク波長にあたる光を少なくとも反射させる特性を有する波長選択透過反射層が形成されたことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の発光デバイス。前記蛍光体層と前記波長選択透過反射層との間に、前記低屈折率層が形成されたことを特徴とする請求項3に記載の発光デバイス。前記蛍光体層は所定の領域毎に複数に分割されてなり、前記低屈折率層は前記分割された複数の蛍光体層と前記基板との間に広がるように形成されていることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の発光デバイス。前記分割された複数の蛍光体層における、隣り合う2つの蛍光体層の間に、光吸収層が形成されたことを特徴とする請求項6に記載の発光デバイス。前記光吸収層は、前記障壁の上面または下面の少なくとも一方に形成されたことを特徴とする請求項7に記載の発光デバイス。前記光吸収層は、前記低屈折率層と、前記基板との間に形成されたことを特徴とする請求項7に記載の発光デバイス。前記光吸収層は、前記蛍光体層に対向する面が前記低屈折率層に覆われるように形成されたことを特徴とする請求項9に記載の発光デバイス。前記低屈折率層の屈折率は、前記低屈折率層から前記基板に向けて入射する入射光の出射角が、少なくとも前記基板から外部に出射可能な入射光の臨界角よりも小さくなるような値であることを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載の発光デバイス。前記低屈折率層が気体からなることを特徴とする請求項1~11のいずれか1項に記載の発光デバイス。前記障壁における少なくとも前記蛍光体層と対向する部分が、樹脂と光散乱性粒子とを含む材料で形成されたことを特徴とする請求項1~12のいずれか1項に記載の発光デバイス。前記障壁における少なくとも前記蛍光体層と対向する部分が白色であることを特徴とする請求項1~13のいずれか1項に記載の発光デバイス。前記障壁における少なくとも前記蛍光体層と対向する部分が凹凸形状をなしていることを特徴とする請求項1~14のいずれか1項に記載の発光デバイス。請求項1~15のいずれか1項に記載の発光デバイスを備えたことを特徴とする表示装置。前記励起光源は、紫外線波長域の励起光を出射し、前記蛍光体層は、前記励起光によって赤色光を発する赤色画素を構成する赤色蛍光体層と、前記励起光によって緑色光を発する緑色画素を構成する緑色蛍光体層と、前記励起光によって青色光を発する青色画素を構成する青色蛍光体層と、を備えたことを特徴とする請求項16に記載の表示装置。前記励起光源は、青色の励起光を出射し、前記蛍光体層は、前記励起光によって赤色光を発する赤色画素を構成する赤色蛍光体層と、前記励起光によって緑色光を発する緑色画素を構成する緑色蛍光体層と、前記励起光を散乱させる青色画素を構成する散乱層と、を備えたことを特徴とする請求項17に記載の表示装置。前記励起光源に対応するアクティブマトリックス駆動素子が設けられたことを特徴とする請求項16~18いずれか1項記載の表示装置。前記基板から前記蛍光を外部に出射させることを特徴とする請求項19に記載の表示装置。前記励起光源は、発光ダイオード、有機エレクトロルミネセンス素子または無機エレクトロルミネセンス素子のいずれかであることを特徴とする請求項16~20のいずれか1項に記載の表示装置。前記励起光源は面状光源であり、前記励起光源と前記基板との間に、前記励起光の透過率を制御可能な液晶素子が設けられたことを特徴とする請求項16~21のいずれか1項に記載の表示装置。前記励起光源は、指向性を有することを特徴とする請求項16~22のいずれか1項に記載の表示装置。前記励起光源と前記基板との間に、波長435nm以上、480nm以下における消光比が10000以上の偏光板が設けられたことを特徴とする請求項16~23のいずれか1項に記載の表示装置。前記蛍光体層と前記低屈折率層との間、または、前記低屈折率層と前記基板との間の少なくとも一方に、カラーフィルターが設けられたことを特徴とする請求項16~24のいずれか1項に記載の表示装置。請求項1~15のいずれか1項に記載の発光デバイスを備えたことを特徴とする照明装置。請求項1~15のいずれか1項に記載の発光デバイスと、太陽電池素子とを備え、前記発光デバイスにおける励起光源が太陽光であることを特徴とする発電装置。しかしながら、特許文献1に記載されたカラー表示装置では、蛍光体層から発せられる光は等方的に拡がるため、光の一部が基板と外部との界面で反射され、外部に取り出されず、反射された光が少なくとも隣接画素部に進入し、表示にじみやぼやけを発生させ、表示品位が低下するという課題があった。また、蛍光体層から光を外部に取り出す際、例えば、異なる画素に対応した蛍光体層とカラーフィルターとの間に設けられたブラックマトリクスに光が吸収され、光の損失が大きく、光利用効率が低いという課題もあった。特許文献2に記載された有機EL素子では、蛍光体層から外部と接する基板に入射する光の入射角を制御する構成となっていないため、蛍光体層から基板に入射した光のうち、基板と外部との界面で反射する光成分が存在し、表示品位を十分に向上させることができなかった。また、蛍光体層から発せられる光のうち、蛍光体層の側面方向に向かう成分は、蛍光体層の側面に設けられた反射体によって一部は再利用されるが、光源側に向けて発光する光を効率よく取り出すことができず、光利用効率を十分に向上させることができないという課題があった。また、特許文献3に記載された発光素子構造においては、基板と蛍光体層の間に低屈折率層が設けられているため、蛍光体層から外部と接する基板に入射する光の入射角の制限を図った構成となっており、表示にじみやぼやけ防止に対する手立ては施されているが、基板と蛍光体層の界面で反射され、蛍光体層内に戻された光を再利用する手立てが施されていないため、光利用効率を十分に向上させることができないという課題があった。本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、蛍光体層から発した蛍光を外部に向けて効率よく出射させ、高輝度に発光可能であり、かつ、表示にじみやぼやけの発生を抑制した発光デバイス、表示装置および照明装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明のいくつかの態様は、次のような発光デバイス、表示装置、照明装置および発電装置を提供する。すなわち、本発明の発光デバイスは、励起光を発する励起光源と、該励起光源に対向して配置され、前記励起光によって励起されて蛍光を発する蛍光体層が形成された基板と、前記励起光源と前記基板との積層方向に沿った前記蛍光体層の側面を囲む障壁と、を備えた発光デバイスであって、前記障壁の少なくとも前記蛍光体層と対向する部分が光散乱性を有するとともに、前記蛍光体層と前記基板との間に、前記基板よりも屈折率が小さい低屈折率層が形成されたことを特徴とする。本発明の発光デバイスにおいて、前記蛍光体層における、前記励起光を入射させる入射面側に、第二基板が設けられていてもよい。本発明の発光デバイスにおいて、前記蛍光体層における、前記励起光を入射させる入射面側に、前記低屈折率層がさらに形成されていてもよい。本発明の発光デバイスにおいて、前記蛍光体層における、前記励起光を入射させる入射面側に、前記励起光のピーク波長にあたる光を少なくとも透過し、前記蛍光体層の発光ピーク波長にあたる光を少なくとも反射させる特性を有する波長選択透過反射層が形成されていてもよい。本発明の発光デバイスにおいて、前記蛍光体層と前記波長選択透過反射層との間に、前記低屈折率層が形成されていてもよい。本発明の発光デバイスにおいて、前記蛍光体層は所定の領域毎に複数に分割されてなり、前記低屈折率層は前記分割された複数の蛍光体層と前記基板との間に広がるように形成されていてもよい。本発明の発光デバイスにおいて、前記分割された複数の蛍光体層における、隣り合う2つの蛍光体層の間に、光吸収層が形成されていてもよい。本発明の発光デバイスにおいて、前記光吸収層は、前記障壁の上面または下面の少なくとも一方に形成されていてもよい。本発明の発光デバイスにおいて、前記光吸収層は、前記低屈折率層と、前記基板との間に形成されていてもよい。本発明の発光デバイスにおいて、前記光吸収層は、前記蛍光体層に対向する面が前記低屈折率層に覆われるように形成されていてもよい。本発明の発光デバイスにおいて、前記低屈折率層の屈折率は、前記低屈折率層から前記基板に向けて入射する入射光の出射角が、少なくとも前記基板から外部に出射可能な入射光の臨界角よりも小さくなるような値であってもよい。本発明の発光デバイスにおいて、前記低屈折率層が気体からなっていてもよい。本発明の発光デバイスにおいて、前記障壁における少なくとも前記蛍光体層と対向する部分が、樹脂と光散乱性粒子とを含む材料で形成されていてもよい。本発明の発光デバイスにおいて、前記障壁における少なくとも前記蛍光体層と対向する部分が白色であってもよい。本発明の発光デバイスにおいて、前記障壁における少なくとも前記蛍光体層と対向する部分が凹凸形状をなしていてもよい。本発明の表示装置は、本発明の発光デバイスを備えたことを特徴とする。本発明の表示装置において、前記励起光源は、紫外線波長域の励起光を出射し、前記蛍光体層は、前記励起光によって赤色光を発する赤色画素を構成する赤色蛍光体層と、前記励起光によって緑色光を発する緑色画素を構成する緑色蛍光体層と、前記励起光によって青色光を発する青色画素を構成する青色蛍光体層と、を備えていてもよい。本発明の表示装置において、前記励起光源は、青色の励起光を出射し、前記蛍光体層は、前記励起光によって赤色光を発する赤色画素を構成する赤色蛍光体層と、前記励起光によって緑色光を発する緑色画素を構成する緑色蛍光体層と、前記励起光を散乱させる青色画素を構成する散乱層と、を備えていてもよい。本発明の表示装置において、前記励起光源に対応するアクティブマトリックス駆動素子が設けられていてもよい。本発明の表示装置において、前記基板から前記蛍光を外部に出射させてもよい。本発明の表示装置において、前記励起光源は、発光ダイオード、有機エレクトロルミネセンス素子または無機エレクトロルミネセンス素子のいずれかであってもよい。本発明の表示装置において、前記励起光源は面状光源であり、前記励起光源と前記基板との間に、前記励起光の透過率を制御可能な液晶素子が設けられていてもよい。本発明の表示装置において、前記励起光源は、指向性を有していてもよい。本発明の表示装置において、前記励起光源と前記基板との間に、波長435nm以上、480nm以下における消光比が10000以上の偏光板が設けられていてもよい。本発明の表示装置において、前記蛍光体層と前記低屈折率層との間、または、前記低屈折率層と前記基板との間の少なくとも一方に、カラーフィルターが設けられていてもよい。本発明の照明装置は、本発明の発光デバイスを備えたことを特徴とする。本発明の発電装置は、本発明の発光デバイスと、太陽電池素子とを備え、前記発光デバイスにおける励起光源が太陽光であることを特徴とする。本発明によれば、蛍光体層から発した蛍光を外部に向けて効率よく出射させ、高輝度に発光可能であり、さらに、表示にじみやぼやけの発生を抑制した発光デバイス、表示装置、照明装置、及び発電装置を提供することができる。以下、図面を参照して、本発明に係る発光デバイス、表示装置、照明装置および発電装置の実施形態について説明する。なお、以下に示す実施形態は、発明の趣旨をよりよく理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴を分かりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。発光デバイス1第一実施形態図1は、本発明に係る発光デバイスの第一実施形態を示す概略断面図である。発光デバイス10は、励起光を発する励起光源11と、平坦化膜12を介して励起光源11に対向して配置され、励起光によって励起されて蛍光を発する蛍光体層13が形成された基板14と、励起光源11と基板14との積層方向に沿った蛍光体層13の側面13aを囲む障壁15と、蛍光体層13と基板14との間に形成され、基板14よりも屈折率が小さい低屈折率層16とから概略構成されている。障壁15は、少なくとも蛍光体層13と対向する部分障壁15の側面15aが光散乱性を有している。障壁15が光散乱性を有する構成としては、障壁15自体が樹脂と光散乱性粒子を含む材料から形成された構成、または、障壁15の側面15aに、樹脂と光散乱性粒子を含む材料からなる光散乱層光散乱膜が設けられた構成が挙げられる。蛍光体層13は、基板14の一方の面14a上において、所定の領域に分割されて複数形成されている。これらの分割された複数の蛍光体層13において、隣り合う2つの蛍光体層13の間には、光吸収層17が形成されている。さらに、光吸収層17は、低屈折率層16と障壁15との間、すなわち、障壁15の下面低屈折率層16側の面15b側に形成されている。ここで、従来の発光デバイスにおける発光について説明する。図2は、従来の発光デバイスの第一例を示す概略断面図である。発光デバイス1000は、励起光を発する励起光源1001と、平坦化膜1002を介して励起光源1001に対向して配置され、励起光によって励起されて蛍光を発する蛍光体層1003が形成された基板1004とから概略構成されている。また、蛍光体層1003は、基板1004の一方の面1004a上において、所定の間隔を置いて分割されて複数形成されている。これらの分割された複数の蛍光体層1003において、隣り合う2つの蛍光体層1003の間には、光吸収層1005が形成されている。発光デバイス1000において、励起光源1001から蛍光体層1003に励起光1011を入射すると、蛍光体からの蛍光は、各蛍光体層1003から等方的に発光する。そして、蛍光体層1003から発光した蛍光のうち、光取り出し側正面方向、基板1004側に発光する蛍光成分の一部1012図2において実線で示す。は、有効に発光として外部に取り出すことができる。一方、蛍光体層1003から発光した蛍光のうち、基板1004の法線方向に対して大きい角度で、基板1004に入射した蛍光成分1013図2において破線で示す。が、外部との界面で反射され、隣り合う蛍光体層1003に進入して、表示にじみやぼやけが発生するという問題が生じる。また、蛍光体層1003の側面1003a方向および光取り出し側と反対側背面側に発光する蛍光成分1014図2において一点鎖線で示す。は、有効に発光として外部に取り出すことが不可能であり、発光の損失となる。このように、励起光源1001から蛍光体層1003に励起光1011を入射した場合、蛍光体からの蛍光は、各蛍光体層1003から等方的に発光するので、実際に、光取り出し側に取り出すことが可能な発光は、蛍光体層1003からの発光全体の10程度である。図3は、従来の発光デバイスの第二例を示す概略断面図である。図3において、図2に示した発光デバイス1000と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。発光デバイス1100が、上述の発光デバイス1000と異なる点は、蛍光体層1003の側面1003aに、金属等からなる光学反射層1101が設けられている点である。発光デバイス1100において、励起光源1001から蛍光体層1003に励起光1111を入射すると、蛍光体からの蛍光は、各蛍光体層1003から等方的に発光する。そして、蛍光体層1003から発光した蛍光のうち、光取り出し側正面方向、基板1004側に発光する蛍光成分の一部1112図3において実線で示す。は、有効に発光として外部に取り出すことができる。また、蛍光体層1003から発光した蛍光のうち、蛍光体層1003の側面1003a方向に発光する蛍光成分1113図3において破線で示す。は、光学反射層1101で反射して、その一部は有効に発光として外部に取り出すことができる。一方、蛍光体層1003から発光した蛍光のうち、励起光源1001側背面側に発光する蛍光成分1114図3において一点鎖線で示す。は、有効に発光として外部に取り出すことが不可能であり、発光の損失となり、効率よく光を取り出すことができない。また、蛍光体層1003から発光した蛍光のうち、基板1004の法線方向に対して大きい角度で基板1004に入射した蛍光成分1115図3において二点鎖線で示す。が、外部との界面で反射され、隣り合う蛍光体層1003に進入して、表示にじみやぼやけが発生するという問題がある。図4は、従来の発光デバイスの第三例を示す概略断面図である。図4において、図2に示した発光デバイス1000と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。発光デバイス1200が、上述の発光デバイス1000と異なる点は、蛍光体層1003と基板1004との間で、かつ、光吸収層1005と基板1004との間に、低屈折率層1201が設けられている点である。発光デバイス1200において、励起光源1001から蛍光体層1003に励起光1211を入射すると、蛍光体からの蛍光は、各蛍光体層1003から等方的に発光する。そして、蛍光体層1003から発光した蛍光のうち、光取り出し側正面方向、基板1004側に発光する成分1212の一部図4において実線で示す。は、有効に発光として外部に取り出すことができる。また、蛍光体層1003から発光した蛍光のうち、基板1004の法線方向に対する角度が大きい蛍光成分1213図4において破線で示す。が、蛍光体層1003と低屈折率層1201との界面で反射され、基板1004には入射しないため、基板1004に入射した蛍光成分が、基板1004と外部との界面で反射されることを低減でき、表示にじみやぼやけが発生するという問題を抑えることができる。一方、蛍光体層1003から発光した蛍光のうち、上記の蛍光成分1213および光取り出し側と反対側背面側に発光する蛍光成分1214図4において一点鎖線で示す。は、これらの蛍光成分1213,1214を反射して有効に利用する手段が設けられていないため、発光の損失が大きく、効率よく光を取り出すことができない。また、蛍光体層1003から発光した蛍光のうち、蛍光体層1003の側面1003a方向に発光する成分1215図4において二点鎖線で示す。は、反射して有効に利用する手段が設けられていないため、有効に発光として外部に取り出すことが不可能であり、発光の損失となる。図5は、従来の発光デバイスの第四例を示す概略断面図である。図5において、図2に示した発光デバイス1000、図3に示した発光デバイス1100および図4に示した発光デバイス1200と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。発光デバイス1300が、上述の発光デバイス1000と異なる点は、蛍光体層1003の側面1003aに、金属等からなる光学反射層1101が設けられ、蛍光体層1003と基板1004との間で、かつ、光吸収層1005と基板1004との間に、低屈折率層1201が設けられている点である。発光デバイス1300において、励起光源1001から蛍光体層1002に励起光1301を入射すると、蛍光体からの蛍光は、各蛍光体層1003から等方的に発光する。そして、蛍光体層1002から発光した蛍光のうち、光取り出し側正面方向、基板1003側に発光する蛍光成分の一部1302図5において実線で示す。は、有効に発光として外部に取り出すことができる。また、蛍光体層1003から発光した蛍光のうち、蛍光体層1003の側面1003a方向に発光する蛍光成分1303図5において破線で示す。の一部は、光学反射層1101で反射して、有効に発光として外部に取り出すことができる。一方、蛍光体層1003から発光した蛍光のうち、蛍光体層1003の側面1003a方向に発光する蛍光成分1303図5において破線で示す。の残部は、光学反射層1101で正反射入射角と同じ角度で反射し、その反射光が再び蛍光体層1003の界面に入射する際に入射角を変えることができず、蛍光体層1003内から取り出すことができない。つまり、蛍光体層1003内を無限に導光する成分が発生し、有効に発光として外部に取り出すことが不可能であり、発光の損失となり、効率よく光を取り出すことができない。また、蛍光体層1003から発光した蛍光のうち、励起光源1001側背面側に発光する蛍光成分1304図5において一点鎖線で示す。は、有効に発光として外部に取り出すことが不可能で、発光の損失となり、効率よく光を取り出すことができない。以下、発光デバイス10を構成する各構成部材およびその形成方法について具体的に説明するが、本実施形態はこれら構成部材および形成方法に限定されるものではない。蛍光体を励起する励起光源11としては、紫外光、青色光を発光する光源が用いられる。このような光源としては、例えば、紫外発光ダイード以下、紫外LEDと略すこともある。、青色発光ダイード以下、青色LEDと略すこともある。、紫外発光無機エレクトロルミネッセンス素子以下、紫外発光無機EL素子と略すこともある。、青色発光無機エレクトロルミネッセンス素子以下、青色発光無機EL素子と略すこともある。、紫外発光有機エレクトロルミネッセンス素子以下、紫外発光有機EL素子と略すこともある。、青色発光有機エレクトロルミネッセンス素子以下、青色発光有機EL素子と略すこともある。等の発光素子が挙げられる。励起光源11としては、上記のようなものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、励起光源11を直接スイッチングすることにより、画像を表示するための、発光のON/OFFを制御することが可能であるが、励起光源11と蛍光体層13との間に、液晶のようなシャッター機能を有する層を配置し、それを、制御することによって、発光のON/OFFを制御することも可能である。また、液晶のようなシャッター機能を有する層と励起光源11の両方について、ON/OFFを制御することも可能である。平坦化膜12は、蛍光体層13の上面励起光源11と対向する面13cに設けられて、蛍光体層13の上面13cが平坦化されている。これにより、励起光源11と蛍光体層13との間に空隙が生じることを防止でき、かつ、励起光源11と蛍光体層13との密着性を向上することができる。蛍光体層13は、紫外LED、青色LED、紫外発光無機EL素子、青色発光無機EL素子、紫外発光有機EL素子、青色発光有機EL素子等の発光素子からの励起光を吸収し、赤色、緑色、青色に発光する赤色蛍光体層、緑色蛍光体層、青色蛍光体層から構成されている。赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色蛍光体層は、例えば、平面視矩形状の薄膜からなる。また、必要に応じて、シアン、イエローに発光する蛍光体を、蛍光体層13を構成する各画素に加えることが好ましい。ここで、シアン、イエローに発光する画素のそれぞれの色純度を、色度図上での赤色、緑色、青色に発光する画素の色純度の点で結ばれる三角形より外側にすることで、赤色、緑色、青色の3原色を発光する画素を使用する表示装置より色再現範囲をさらに拡げることが可能となる。蛍光体層13は、以下に例示する蛍光体材料のみから構成されていてもよく、任意に添加剤等を含んでいてもよく、これらの材料が高分子材料結着用樹脂または無機材料中に分散された構成であってもよい。蛍光体層13を構成する蛍光体材料としては、公知の蛍光体材料を用いることができる。このような蛍光体材料は、有機系蛍光体材料と無機系蛍光体材料に分類される。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。有機系蛍光体材料としては、紫外の励起光を青色発光に変換する青色蛍光色素として、スチルベンゼン系色素:1,4-ビス2-メチルスチリルベンゼン、トランス-4,4’-ジフェニルスチルベンゼン、クマリン系色素:7-ヒドロキシ-4-メチルクマリン等が挙げられる。有機系蛍光体材料としては、紫外および青色の励起光を緑色発光に変換する緑色蛍光色素として、クマリン系色素:2,3,5,6-1H、4H-テトラヒドロ-8-トリフロメチルキノリジン9,9a、1-ghクマリンクマリン153、3-2’-ベンゾチアゾリル-7-ジエチルアミノクマリンクマリン6、3-2’-ベンゾイミダゾリル-7-N,N-ジエチルアミノクマリンクマリン7、ナフタルイミド系色素:ベーシックイエロー51、ソルベントイエロー11、ソルベントイエロー116等が挙げられる。有機系蛍光体材料としては、紫外および青色の励起光を赤色発光に変換する赤色蛍光色素として、シアニン系色素:4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-p-ジメチルアミノスチルリル-4H-ピラン、ピリジン系色素:1-エチル-2-[4-p-ジメチルアミノフェニル-1,3-ブタジエニル]-ピリジニウム-パークロレート、ローダミン系色素:ローダミンB、ローダミン6G、ローダミン3B、ローダミン101、ローダミン110、ベーシックバイオレット11、スルホローダミン101等が挙げられる。無機系蛍光体材料としては、紫外の励起光を青色の発光に変換する青色蛍光体として、Sr2P2O7:Sn4、Sr4Al14O25:Eu2、BaMgAl10O17:Eu2、SrGa2S4:Ce3、CaGa2S4:Ce3、Ba、SrMg、MnAl10O17:Eu2、Sr、Ca、Ba2、0Mg10PO46Cl2:Eu2、BaAl2SiO8:Eu2、Sr2P2O7:Eu2、Sr5PO43Cl:Eu2、Sr,Ca,Ba5PO43Cl:Eu2、BaMg2Al16O27:Eu2、Ba,Ca5PO43Cl:Eu2、Ba3MgSi2O8:Eu2、Sr3MgSi2O8:Eu2等が挙げられる。無機系蛍光体材料としては、紫外および青色の励起光を緑色の発光に変換する緑色蛍光体として、BaMgAl16O27:Eu2,Mn2、Sr4Al14O25:Eu2、SrBaAl12Si2O8:Eu2、BaMg2SiO4:Eu2、Y2SiO5:Ce3,Tb3、Sr2P2O7-Sr2B2O5:Eu2、BaCaMg5PO43Cl:Eu2、Sr2Si3O8-2SrCl2:Eu2、Zr2SiO4、MgAl11O19:Ce3,Tb3、Ba2SiO4:Eu2、Sr2SiO4:Eu2、BaSrSiO4:Eu2等が挙げられる。無機系蛍光体材料としては、紫外および青色の励起光を赤色の発光に変換する赤色蛍光体として、Y2O2S:Eu3、YAlO3:Eu3、Ca2Y2SiO46:Eu3、LiY9SiO46O2:Eu3、YVO4:Eu3、CaS:Eu3、Gd2O3:Eu3、Gd2O2S:Eu3、YP,VO4:Eu3、Mg4GeO5.5F:Mn4、Mg4GeO6:Mn4、K5Eu2.5WO46.25、Na5Eu2.5WO46.25、K5Eu2.5MoO46.25、Na5Eu2.5MoO46.25等が挙げられる。また、上記無機系蛍光体材料は、必要に応じて表面改質処理が施されていてもよい。表面改質処理の方法としては、シランカップリング剤等の化学的処理によるものや、サブミクロンオーダーの微粒子等の添加による物理的処理によるもの、これらの併用によるもの等が挙げられる。また、励起光による劣化、発光による劣化等の安定性を考慮すると、無機系蛍光体材料を使用する方が好ましい。無機系蛍光体材料を用いる場合には、平均粒径d50が、0.5~50μmであることが好ましい。無機系蛍光体材料の平均粒径が0.5μm未満であると、蛍光体の発光効率が急激に低下する。また、無機系蛍光体材料の平均粒径が50μmを超えると、平坦化膜を形成することが非常に困難となり、蛍光体層13と励起光源11との間に空隙ができてしまい励起光源11と蛍光体層13屈折率:約2.3との間の空隙屈折率:1.0、励起光源11からの光が効率よく蛍光体層13に届かず、蛍光体層13の発光効率が低下するという問題が生じる。さらに、蛍光体層13の平坦化が困難で、液晶層を形成することが不可能となる液晶層を挟む電極間の距離がバラバラとなり、均一に電界が掛からないため、液晶層が均一に動作しないため等という問題が生じる。また、蛍光体層13は、上記の蛍光体材料と樹脂材料を溶剤に溶解、分散させた蛍光体層形成用塗液を用いて、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウエットプロセス、上記の材料を抵抗加熱蒸着法、電子線EB蒸着法、分子線エピタキシーMBE法、スパッタリング法、有機気相蒸着OVPD法等の公知のドライプロセス、または、レーザー転写法等の形成方法により形成することができる。また、蛍光体層13は、高分子樹脂として、感光性の樹脂を用いることで、フォトリソグラフィー法により、パターニングが可能となる。ここで、感光性樹脂としては、アクリル酸系樹脂、メタクリル酸系樹脂、ポリ桂皮酸ビニル系樹脂、硬ゴム系樹脂等の反応性ビニル基を有する感光性樹脂光硬化型レジスト材料の一種類または複数種類の混合物を用いることが可能である。また、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、ディスペンサー法等のウエットプロセス、シャドーマスクを用いた抵抗加熱蒸着法、電子線EB蒸着法、分子線エピタキシーMBE法、スパッタリング法、有機気相蒸着OVPD法等の公知のドライプロセス、または、レーザー転写法等により蛍光体材料をダイレクトにパターニングすることも可能である。蛍光体層13の膜厚は、通常100nm~100μm程度であるが、1μm~100μmが好ましい。膜厚が100nm未満であると、励起光源11からの発光を十分吸収することが不可能であるため、発光効率が低下したり、必要とされる色に青色の透過光が混じることにより色純度が劣化したりするといった問題が生じる。さらに、励起光源11からの発光の吸収を高め、色純度に悪影響を及ぼさない程度に青色の透過光を低減するためには、膜厚として、1μm以上とすることが好ましい。また、膜厚が100μmを超えると励起光源11からの青色発光を既に十分吸収することから、効率の上昇には繋がらず、材料を消費するだけに留まり、材料コストの増加に繋がる。基板14としては、蛍光体層13からの発光を外部に取り出す必要があることから、蛍光体の発光領域で、発光を透過する必要があり、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスチック基板等が挙げられるが、本実施形態は、これらの基板に限定されるものではない。ストレスなく湾曲部、折り曲げ部を形成することが可能であるという観点から、プラスチック基板を用いることが好ましい。また、ガスバリア性を向上させることができるという観点から、プラスチック基板に無機材料をコートした基板がさらに好ましい。これにより、プラスチック基板を有機EL素子の基板として用いた場合の最大の問題となる水分の透過による有機EL素子の劣化有機EL素子は、特に低量の水分に対しても劣化することが知られている。を解消することが可能となる。障壁15自体を形成する材料以下、障壁材料と言う。、あるいは、障壁15の側面15aに設けられた光散乱層光散乱膜を形成する材料以下、光散乱膜材料と言う。としては、樹脂と光散乱性粒子を含む材料が用いられる。樹脂としては、例えば、アクリル樹脂屈折率:1.49、メラミン樹脂屈折率:1.57、ナイロン屈折率:1.53、ポリスチレン屈折率:1.60、メラミンビーズ屈折率:1.57、ポリカーボネート屈折率:1.57、ポリ塩化ビニル屈折率:1.60、ポリ塩化ビニリデン屈折率:1.61、ポリ酢酸ビニル屈折率:1.46、ポリエチレン屈折率:1.53、ポリメタクリル酸メチル屈折率:1.49、ポリMBS屈折率:1.54、中密度ポリエチレン屈折率:1.53、高密度ポリエチレン屈折率:1.54、テトラフルオロエチレン屈折率:1.35、ポリ三フッ化塩化エチレン屈折率:1.42、ポリテトラフルオロエチレン屈折率:1.35等が挙げられるが、本実施形態は、これらの樹脂に限定されるものではない。光散乱性粒子は、無機材料または有機材料のいずれであってもよい。光散乱性粒子として、無機材料を用いる場合には、例えば、ケイ素、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、インジウム、亜鉛、錫およびアンチモンからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属の酸化物を主成分とした粒子微粒子等が挙げられるが、本実施形態は、これらの無機材料に限定されるものではない。また、光散乱性粒子として、無機材料により構成された粒子無機微粒子を用いる場合には、例えば、シリカビーズ屈折率:1.44、アルミナビーズ屈折率:1.63、酸化チタンビーズアナタース型の屈折率:2.50、ルチル型の屈折率:2.70、酸化ジルコニアビーズ屈折率:2.05、酸化亜鉛ビーズ屈折率:2.00、チタン酸バリウムBaTiO3屈折率:24等が挙げられるが、本実施形態は、これらの無機微粒子に限定されるものではない。光散乱性粒子として、有機材料により構成された粒子有機微粒子を用いる場合には、例えば、ポリメチルメタクリレートビーズ屈折率:1.49、アクリルビーズ屈折率:1.50、アクリル-スチレン共重合体ビーズ屈折率:1.54、メラミンビーズ屈折率:1.57、高屈折率メラミンビーズ屈折率:1.65、ポリカーボネートビーズ屈折率:1.57、スチレンビーズ屈折率:1.60、架橋ポリスチレンビーズ屈折率:1.61、ポリ塩化ビニルビーズ屈折率:1.60、ベンゾグアナミン-メラミンホルムアルデヒドビーズ屈折率:1.68、シリコーンビーズ屈折率:1.50等が挙げられるが、本実施形態は、これらの有機微粒子に限定されるものではない。障壁15によって、効果的に青色光を散乱させるためには、光散乱性粒子の粒径がミー散乱の領域にあることが必要であるので、光散乱性粒子の粒径は100nm~500nm程度であることが好ましい。また、障壁材料および光散乱膜材料は、光重合開始剤、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、1-2-メトキシ-2-メチルエトキシ-2-プロパノール等の消泡剤レベリング剤を含んでいてもよい。さらに、障壁15は、白色であってもよい。具体的には、障壁材料および光散乱膜材料が、白色レジストを含んでいてもよい。白色レジストとしては、例えば、芳香環を有しないカルボキシル基含有樹脂、光重合開始剤、水添エポキシ化合物、ルチル型酸化チタンおよび希釈剤を含む材料等が挙げられる。障壁材料を構成する樹脂としてアルカリ可溶性樹脂を選択し、光重合性モノマー、光重合開始剤、溶剤等を添加することによって、障壁材料および光散乱膜材料をフォトレジスト化することができ、障壁15または障壁15の側面15aに設けられた光散乱層を、フォトリソグラフィー法によってパターニングすることが可能となる。低屈折率層16は、蛍光体層13と基板14の間に設けられ、蛍光体層13から等方向的に発光した蛍光のうち、基板14に入射する蛍光の入射角を小さくする性質を有する層である。低屈折率層16の材料としては、例えば、屈折率1.35~1.4程度のフッ素樹脂、屈折率1.4~1.5程度のシリコーン樹脂、屈折率1.003~1.3程度のシリカエアロゲル、屈折率1.2~1.3程度の多孔質シリカ等の透明材料が挙げられるが、本実施形態は、これらの材料に限定されるものではない。低屈折率層16の屈折率は、低屈折率層16から基板14に入射する入射光の出射角屈折角が、少なくとも基板14から外部に出射可能な入射光の臨界角よりも小さくなるような値であることが好ましい。蛍光体層13から等方的に発光する蛍光を、低屈折率層16を透過させることによって、低屈折率層16を透過し、基板14に入射した光を外部に確実に取り出すことが可能となり、非常に効率よく蛍光を外部に取り出すことが可能となる。低屈折率層16は、基板14の一方の面14aに透明材料を一様に形成してなるものである。低屈折率層16の屈折率は、1.0~1.4の範囲であることが好ましい。低屈折率層16の屈折率が1.4よりも大きくなると、基板14と低屈折率層16との屈折率差が小さくなり、低屈折率層16から基板14に入射した光の大半が、基板14と外部との界面で反射されてしまい、外部に取り出すことができなくなる。例えば、発光デバイス10が、所定の領域に分割された複数の蛍光体層13を有する場合、基板14と外部との界面で反射された光が、少なくとも隣り合う2つの蛍光体層13に進入し、表示にじみやぼやけが発生する懸念がある。低屈折率層16の屈折率は低いほど望ましく、屈折率を低下させるために、低屈折率層16中に空孔や空隙を存在させるために、低屈折率層16は、シリカエアロゲルや多孔質シリカ等によって形成されたものがより好ましい。シリカエアロゲルは屈折率が非常に低いので特に好ましい。シリカエアロゲルは、米国特許第4402827号公報、特許第4279971号、特開2001-202827等に開示されているように、アルコキシランの加水分解、重合反応によって得られたシリカ骨格からなる湿潤状態のゲル状化合物を、アルコールあるいは二酸化炭素等の溶媒の存在下、この溶媒の臨界点以上の超臨界状態で乾燥することによって製造される。低屈折率層16の膜厚は、100nm~50μmの範囲であることが好ましい。低屈折率層の膜厚が50μmよりも厚くなると、特に、蛍光体層13から斜め方向に低屈折率層16に入射した光が、低屈折率層16と基板14の界面に達するまでに、基板14に対して水平方向基板14の厚さ方向と垂直な方向への進行距離が長くなる。これにより、基板14から外部に取り出される蛍光の発光領域が、蛍光体層13自体の発光領域に対して拡大されるため、特に高精細を目的とする表示装置等に対しては好ましくない。また、製造プロセスに与える影響も懸念されることから、低屈折率層16は、薄膜であることがより好ましい。また、低屈折率層16は、気体からなることが好ましい。上述したように、低屈折率層16の屈折率は低いほど望ましいが、固体、液体、ゲル等の材料により低屈折率層16を形成した場合、米国特許第4402827号公報、特許第4279971号、特開2001-202827等に記載されているように、その屈折率の下限値は1.003程度が限界である。これに対して、低屈折率層16を、例えば、酸素や窒素等の気体からなる気体層とすれば、屈折率を1.0とすることが可能となり、蛍光体層13から等方的に発光する蛍光が、その気体層低屈折率層16を透過して、基板14に入射した光を外部に確実に取り出すことが可能となり、非常に効率よく蛍光を外部に取り出すことが可能となる。光吸収層17は、光吸収性を有する材料から構成され、隣り合う画素間の領域に対応して形成されている。この光吸収層17により、表示のコントラストを向上させることができる。光吸収層17の膜厚は、通常100nm~100μm程度であるが、100nm~10μmが好ましい。また、蛍光体層13の側面への発光を効率よく外部に取り出すために、光吸収層17の膜厚は、蛍光体層13の膜厚より薄い方が好ましい。図1を参照して、発光デバイス10における発光について説明する。発光デバイス10において、励起光源11から蛍光体層13に励起光21を入射すると、蛍光体からの蛍光は、各蛍光体層13から等方的に発光する。そして、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、光取り出し側正面方向、基板14側に発光する蛍光成分の一部22図1において実線で示す。は、有効に発光として外部に取り出すことができる。また、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、蛍光体層13の側面13a方向に発光する蛍光成分23図1において破線で示す。は、光散乱性を有する障壁15の側面15aで散乱し、その散乱光の一部は、有効に発光として外部に取り出すことができる。一方、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、基板14の法線方向に対して大きい角度で出射し、蛍光体層13と低屈折率層16との界面で反射した蛍光成分24図1において一点鎖線で示す。や、蛍光体層13の光取り出し側と反対側に発光する蛍光成分25図1において二点鎖線で示す。は、光散乱性を有する障壁15の側面15aで散乱し、再び基板14側に取り出し可能な成分にリサイクルされる。発光デバイス10において、低屈折率層16がない構造の場合、蛍光体層13から側面方向に向かう蛍光成分は、光散乱性を有する障壁15によってリサイクルされ、基板14内に効率よく導くことが可能となるが、基板14に入射する蛍光成分の入射角を制御する構造となっていないため、基板14に入射した蛍光成分の内、外部に取り出せない蛍光成分が多大となり、結果として、発光の損失が多大となる。一方、発光デバイス10において、光散乱性を有する障壁15がない構造の場合、蛍光体層13から正面方向基板14の方向に向かう蛍光成分の内、基板14の法線方向に対して角度が大きい蛍光成分は、低屈折率層16によって反射され、基板14への入射を防ぎ、基板14内で損失する成分を抑えることが可能となるが、低屈折率層16で反射された蛍光成分をリサイクルする構造となっていないため、結果として、発光の損失が多大となる。つまり、低屈折率層16と光散乱性を有する障壁15を組み合わせた発光デバイス10の構造とすることで、蛍光体層13から発光した蛍光成分を非常に効率よく外部に取り出すことが可能となる。このように、発光デバイス10によれば、障壁15は、少なくとも蛍光体層13と対向する部分が光散乱性を有するとともに、蛍光体層13と基板14との間に、基板14よりも屈折率が小さい低屈折率層16が形成されているので、蛍光体層13から基板14側に入射可能な光の入射角を制御することができ、基板14側に入射した光が、基板14と外部との界面で反射することなく、光取り出し側正面方向、基板14側に、確実に外部に取り出すことが可能となる。その結果、光利用効率を向上することができるとともに、表示にじみやぼやけの発生を防止することができる。また、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、蛍光体層13と低屈折率層16との界面で反射した蛍光成分24や、蛍光体層13の光取り出し側と反対側背面側に発光する蛍光成分25は、光散乱性を有する障壁15の側面15aで散乱し、再び基板14側に取り出し可能な成分にリサイクルされるので、より光利用効率を高くすることができる。2第二実施形態図6は、本発明に係る発光デバイスの第二実施形態を示す概略断面図である。図6において、図1に示した発光デバイス10と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。発光デバイス30は、励起光を発する励起光源11と、平坦化膜12を介して励起光源11に対向して配置され、励起光によって励起されて蛍光を発する蛍光体層13が形成された基板14と、励起光源11と基板14との積層方向に沿った蛍光体層13の側面13aを囲む障壁15と、蛍光体層13と基板14との間に形成され、基板14よりも屈折率が小さい低屈折率層16と、低屈折率層16と障壁15との間に形成された光吸収層17と、蛍光体層13における、励起光を入射させる入射面13b側に形成された波長選択透過反射層31とから概略構成されている。すなわち、波長選択透過反射層31は、蛍光体層13の励起光の入射面13b上および障壁15の上面低屈折率層16とは反対側の面15c上に設けられ、励起光源11からの励起光のピーク波長にあたる光を少なくとも透過し、蛍光体層13の発光ピーク波長にあたる光を少なくとも反射させる特性を有する層である。蛍光体層13から全方向に等方的に発光する蛍光のうち、発光デバイス30の背面側へ向かう蛍光成分を、蛍光体層13の入射面13bに設けられた波長選択透過反射層31により、効率的に正面方向基板14側に反射させることが可能となり、発光効率を向上正面方向への輝度を向上させることが可能となる。波長選択透過反射層31としては、例えば、誘電体多層膜、金属薄膜ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスチック基板等が挙げられるが、本実施形態は、これらの基板に限定されるものではない。図6を参照して、発光デバイス30における発光について説明する。発光デバイス30において、励起光源11から蛍光体層13に励起光41を入射すると、蛍光体からの蛍光は、各蛍光体層13から等方的に発光する。そして、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、光取り出し側正面方向、基板14側に発光する蛍光成分の一部42図6において実線で示す。は、有効に発光として外部に取り出すことができる。また、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、蛍光体層13の側面13a方向に発光する蛍光成分43図6において破線で示す。は、光散乱性を有する障壁15の側面15aで散乱し、その散乱光の一部は、有効に発光として外部に取り出すことができる。一方、蛍光体層13の光取り出し側と反対側背面側に発光する蛍光成分44図6において一点鎖線で示す。は、蛍光体層13と波長選択透過反射層31の界面で反射し、光取り出し側正面方向、基板14側に、有効に発光として外部に取り出すことができる。このように、発光デバイス30によれば、障壁15は、少なくとも蛍光体層13と対向する部分が光散乱性を有するとともに、蛍光体層13と基板14との間に、基板14よりも屈折率が小さい低屈折率層16が形成されているので、蛍光体層13から基板14側に入射可能な光の入射角を制御することができ、基板14側に入射した光が、基板14と外部との界面で反射することなく、確実に外部に取り出すことが可能となる。また、蛍光体層13の入射面13b側に波長選択透過反射層31が形成されているので、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、背面側に発光する成分44を、蛍光体層13と波長選択透過反射層31の界面で反射させ、光取り出し側正面方向、基板14側に、確実に外部に取り出すことが可能となる。その結果、光利用効率を向上することができるとともに、表示にじみやぼやけの発生を防止することができる。3第三実施形態図7は、本発明に係る発光デバイスの第三実施形態を示す概略断面図である。図7において、図1に示した発光デバイス10および図6に示した発光デバイス30と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。発光デバイス50は、励起光を発する励起光源11と、平坦化膜12を介して励起光源11に対向して配置され、励起光によって励起されて蛍光を発する蛍光体層13が形成された基板14と、励起光源11と基板14との積層方向に沿った蛍光体層13の側面13aを囲む障壁15と、蛍光体層13と基板14との間に形成され、基板14よりも屈折率が小さい低屈折率層16と、低屈折率層16と障壁15との間に形成された光吸収層17と、蛍光体層13における、励起光を入射させる入射面13b側に形成された波長選択透過反射層31と、波長選択透過反射層31と障壁15との間に形成された第二の光吸収層51とから概略構成されている。第二の光吸収層51の材料としては、上述の光吸収層17と同様のものが用いられる。図7を参照して、発光デバイス50における発光について説明する。発光デバイス50において、励起光源11から蛍光体層13に励起光61を入射すると、蛍光体からの蛍光は、各蛍光体層13から等方的に発光する。そして、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、光取り出し側正面方向、基板14側に発光する蛍光成分の一部62図7において実線で示す。は、有効に発光として外部に取り出すことができる。また、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、蛍光体層13の側面13a方向に発光する蛍光成分63図7において破線で示す。は、光散乱性を有する障壁15の側面15aで散乱し、その散乱光の一部は、有効に発光として外部に取り出すことができる。一方、蛍光体層13の光取り出し側と反対側背面側に発光する蛍光成分64図7において一点鎖線で示す。は、蛍光体層13と波長選択透過反射層31の界面で反射し、光取り出し側正面方向、基板14側に、有効に発光として外部に取り出すことができる。このように、発光デバイス50によれば、障壁15は、少なくとも蛍光体層13と対向する部分が光散乱性を有するとともに、蛍光体層13と基板14との間に、基板14よりも屈折率が小さい低屈折率層16が形成されているので、蛍光体層13から基板14側に入射可能な光の入射角を制御することができ、基板14側に入射した光が、基板14と外部との界面で反射することなく、確実に外部に取り出すことが可能となる。また、蛍光体層13の入射面13b側に波長選択透過反射層31が形成されているので、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、背面側に発光する成分64を、蛍光体層13と波長選択透過反射層31の界面で反射させ、光取り出し側正面方向、基板14側に、確実に外部に取り出すことが可能となる。その結果、光利用効率を向上することができるとともに、表示にじみやぼやけの発生を防止することができる。また、波長選択透過反射層31と障壁15との間に、第二の光吸収層51が形成されているので、表示のコントラストをより向上させることができる。4第四実施形態図8は、本発明に係る発光デバイスの第四実施形態を示す概略断面図である。図8において、図1に示した発光デバイス10および図6に示した発光デバイス30と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。発光デバイス70は、励起光を発する励起光源11と、平坦化膜12を介して励起光源11に対向して配置され、励起光によって励起されて蛍光を発する蛍光体層13が形成された基板14と、励起光源11と基板14との積層方向に沿った蛍光体層13の側面13aを囲む障壁71と、蛍光体層13と基板14との間に形成され、基板14よりも屈折率が小さい低屈折率層16と、低屈折率層16と障壁15との間に形成された光吸収層17と、蛍光体層13における、励起光を入射させる入射面13b側に形成された波長選択透過反射層31とから概略構成されている。障壁71は、少なくとも蛍光体層13と対向する部分障壁71の側面71aが光散乱性を有している。障壁71が光散乱性を有する構成としては、障壁71自体が樹脂と光散乱性粒子を含む材料から形成された構成、または、障壁71の側面71aに、樹脂と光散乱性粒子を含む材料からなる光散乱層光散乱膜が設けられた構成が挙げられる。さらに、障壁71は、少なくとも蛍光体層13と対向する部分障壁71の側面71aが、凹凸形状をなしている。具体的には、障壁71の側面71aは、断面がV字形状をなす溝が連接するように形成されて凹凸形状をなしているが、本実施形態は、この凹凸形状に限定されるものではない。蛍光体層13から発光した蛍光を、効率的に反射することが可能な形状であれば、障壁71の側面71aの凹凸形状はいかなる形状であってもよい。障壁71自体を形成する障壁材料、あるいは、障壁71の側面71aに設けられた光散乱層光散乱膜を形成する光散乱膜材料としては、上述の障壁15と同様のものが用いられる。図8を参照して、発光デバイス70における発光について説明する。発光デバイス70において、励起光源11から蛍光体層13に励起光81を入射すると、蛍光体からの蛍光は、各蛍光体層13から等方的に発光する。そして、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、光取り出し側正面方向、基板14側に発光する蛍光成分の一部82図8において実線で示す。は、有効に発光として外部に取り出すことができる。また、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、蛍光体層13の側面13a方向に発光する蛍光成分83図8において破線で示す。は、光散乱性を有する障壁71の側面71aで散乱し、その散乱光の一部は、有効に発光として外部に取り出すことができる。一方、蛍光体層13の光取り出し側と反対側背面側に発光する蛍光成分84図8において一点鎖線で示す。は、蛍光体層13と波長選択透過反射層31の界面で反射し、光取り出し側正面方向、基板14側に、有効に発光として外部に取り出すことができる。このように、発光デバイス70によれば、障壁71は、少なくとも蛍光体層13と対向する部分が光散乱性を有し、かつ、少なくとも蛍光体層13と対向する部分が凹凸形状をなしているとともに、蛍光体層13と基板14との間に、基板14よりも屈折率が小さい低屈折率層16が形成されているので、蛍光体層13から基板14側に入射可能な光の入射角を制御することができ、基板14側に入射した光が、基板14と外部との界面で反射することなく、確実に外部に取り出すことが可能となる。また、蛍光体層13の入射面13b側に波長選択透過反射層31が形成されているので、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、背面側に発光する蛍光成分84を、蛍光体層13と波長選択透過反射層31の界面で反射させ、光取り出し側正面方向、基板14側に、確実に外部に取り出すことが可能となる。その結果、光利用効率を向上することができるとともに、表示にじみやぼやけの発生を防止することができる。5第五実施形態図9は、本発明に係る発光デバイスの第五実施形態を示す概略断面図である。図9において、図1に示した発光デバイス10および図6に示した発光デバイス30と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。発光デバイス90は、励起光を発する励起光源11と、平坦化膜12を介して励起光源11に対向して配置され、励起光によって励起されて蛍光を発する蛍光体層13が形成された基板14と、励起光源11と基板14との積層方向に沿った蛍光体層13の側面13aを囲む障壁91と、蛍光体層13と基板14との間に形成され、基板14よりも屈折率が小さい低屈折率層16と、低屈折率層16と障壁15との間に形成された光吸収層17と、蛍光体層13における、励起光を入射させる入射面13b側に形成された波長選択透過反射層31とから概略構成されている。障壁91は、少なくとも蛍光体層13と対向する部分障壁91の側面91aが光散乱性を有している。障壁91が光散乱性を有する構成としては、障壁91自体が樹脂と光散乱性粒子を含む材料から形成された構成、または、障壁91の側面91aに、樹脂と光散乱性粒子を含む材料からなる光散乱層光散乱膜が設けられた構成が挙げられる。また、障壁91は、少なくとも蛍光体層13と対向する部分障壁91の側面91aが、凹凸形状をなしている。具体的には、障壁91の側面91aは、断面がV字形状をなす溝が連接するように形成されて凹凸形状をなしているが、本実施形態は、この凹凸形状に限定されるものではない。蛍光体層13から発光した蛍光を、効率的に反射することが可能な形状であれば、障壁91の側面91aの凹凸形状はいかなる形状であってもよい。障壁91自体を形成する障壁材料、あるいは、障壁91の側面91aに設けられた光散乱層光散乱膜を形成する光散乱膜材料としては、上述の障壁15と同様のものが用いられる。また、障壁91には、その中央部において、厚さ方向に貫通する空隙91bが形成されている。図9を参照して、発光デバイス90における発光について説明する。発光デバイス90において、励起光源11から蛍光体層13に励起光101を入射すると、蛍光体からの蛍光は、各蛍光体層13から等方的に発光する。そして、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、光取り出し側正面方向、基板14側に発光する蛍光成分の一部102図9において実線で示す。は、有効に発光として外部に取り出すことができる。また、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、蛍光体層13の側面13a方向に発光する蛍光成分103図9において破線で示す。は、光散乱性を有する障壁91の側面91aで散乱し、その散乱光の一部は、有効に発光として外部に取り出すことができる。一方、蛍光体層13の光取り出し側と反対側背面側に発光する蛍光成分104図9において一点鎖線で示す。は、蛍光体層13と波長選択透過反射層31の界面で反射し、光取り出し側正面方向、基板14側に、有効に発光として外部に取り出すことができる。このように、発光デバイス90によれば、障壁91は、少なくとも蛍光体層13と対向する部分が光散乱性を有し、かつ、少なくとも蛍光体層13と対向する部分が凹凸形状をなしているとともに、蛍光体層13と基板14との間に、基板14よりも屈折率が小さい低屈折率層16が形成されているので、蛍光体層13から基板14側に入射可能な光の入射角を制御することができ、基板14側に入射した光が、基板14と外部との界面で反射することなく、確実に外部に取り出すことが可能となる。また、蛍光体層13の入射面13b側に波長選択透過反射層31が形成されているので、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、背面側に発光する蛍光成分104を、蛍光体層13と波長選択透過反射層31の界面で反射させ、光取り出し側正面方向、基板14側に、確実に外部に取り出すことが可能となる。その結果、光利用効率を向上することができるとともに、表示にじみやぼやけの発生を防止することができる。また、障壁91には空隙91bが形成されているので、発光デバイス90を軽量化することができる。また、障壁91の使用量を少なくすることができる。6第六実施形態図10は、本発明に係る発光デバイスの第六実施形態を示す概略断面図である。図10において、図1に示した発光デバイス10および図6に示した発光デバイス30と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。発光デバイス110は、励起光を発する励起光源11と、平坦化膜12を介して励起光源11に対向して配置され、励起光によって励起されて蛍光を発する蛍光体層13が形成された基板14と、励起光源11と基板14との積層方向に沿った蛍光体層13の側面13aを囲む障壁15と、蛍光体層13と基板14との間に、所定の領域に分割されて複数形成され、基板14よりも屈折率が小さい低屈折率層111と、基板14と障壁15との間に形成された光吸収層112と、蛍光体層13における、励起光を入射させる入射面13b側に形成された波長選択透過反射層31とから概略構成されている。すなわち、基板14の一方の面14aにおいて、低屈折率層111が所定の領域に分割されて複数形成されており、これらの分割された複数の低屈折率層111において、隣り合う2つの低屈折率層111の間に、光吸収層112が形成されている。低屈折率層111の材料としては、上述の低屈折率層16と同様のものが用いられる。光吸収層112の材料としては、上述の光吸収層17と同様のものが用いられる。図10を参照して、発光デバイス110における発光について説明する。発光デバイス110において、励起光源11から蛍光体層13に励起光121を入射すると、蛍光体からの蛍光は、各蛍光体層13から等方的に発光する。そして、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、光取り出し側正面方向、基板14側に発光する蛍光成分の一部122図10において実線で示す。は、有効に発光として外部に取り出すことができる。また、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、蛍光体層13の側面13a方向に発光する蛍光成分123図10において破線で示す。は、光散乱性を有する障壁15の側面15aで散乱し、その散乱光の一部は、有効に発光として外部に取り出すことができる。一方、蛍光体層13の光取り出し側と反対側背面側に発光する蛍光成分124図10において一点鎖線で示す。は、蛍光体層13と波長選択透過反射層31の界面で反射し、光取り出し側正面方向、基板14側に、有効に発光として外部に取り出すことができる。このように、発光デバイス110によれば、障壁15は、少なくとも蛍光体層13と対向する部分が光散乱性を有するとともに、蛍光体層13と基板14との間に、基板14よりも屈折率が小さい低屈折率層111が形成されているので、蛍光体層13から基板14側に入射可能な光の入射角を制御することができ、基板14側に入射した光が、基板14と外部との界面で反射することなく、確実に外部に取り出すことが可能となる。また、蛍光体層13の入射面13b側に波長選択透過反射層31が形成されているので、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、背面側に発光する蛍光成分124を、蛍光体層13と波長選択透過反射層31の界面で反射させ、正面方向、基板14側確実に外部に取り出すことが可能となる。その結果、光利用効率を向上することができるとともに、表示にじみやぼやけの発生を防止することができる。また、基板14における同一面一方の面14a上に、低屈折率層111と光吸収層112が形成されているので、発光デバイス110の総厚みを薄くすることができる。7第七実施形態図11は、本発明に係る発光デバイスの第七実施形態を示す概略断面図である。図11において、図1に示した発光デバイス10および図6に示した発光デバイス30と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。発光デバイス130は、励起光を発する励起光源11と、平坦化膜12を介して励起光源11に対向して配置され、励起光によって励起されて蛍光を発する蛍光体層13が形成された基板14と、励起光源11と基板14との積層方向に沿った蛍光体層13の側面12aを囲む障壁15と、蛍光体層13と基板14との間に形成され、基板14よりも屈折率が小さい低屈折率層131と、基板14と障壁15との間において、蛍光体層13に対向する面上面132aが低屈折率層131に覆われるように形成された光吸収層132と、蛍光体層13における、励起光を入射させる入射面12b側に形成された波長選択透過反射層31とから概略構成されている。すなわち、基板14の一方の面14aにおいて、基板14と障壁15との間に挟まれた領域に光吸収層132が形成され、その光吸収層132の蛍光体層13に対向する面上面132aが低屈折率層131に覆われている。すなわち、基板14の一方の面14aに形成された光吸収層132と、障壁15との間に、低屈折率層131が介在している。低屈折率層131の材料としては、上述の低屈折率層16と同様のものが用いられる。光吸収層132の材料としては、上述の光吸収層17と同様のものが用いられる。図11を参照して、発光デバイス130における発光について説明する。発光デバイス130において、励起光源11から蛍光体層13に励起光141を入射すると、蛍光体からの蛍光は、各蛍光体層13から等方的に発光する。そして、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、光取り出し側正面方向、基板14側に発光する蛍光成分の一部142図11において実線で示す。は、有効に発光として外部に取り出すことができる。また、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、蛍光体層13の側面13a方向に発光する蛍光成分143図11において破線で示す。は、光散乱性を有する障壁15の側面15aで散乱し、その散乱光の一部は、有効に発光として外部に取り出すことができる。一方、蛍光体層13の光取り出し側と反対側背面側に発光する蛍光成分144図11において一点鎖線で示す。は、蛍光体層13と波長選択透過反射層31の界面で反射し、光取り出し側正面方向、基板14側に、有効に発光として外部に取り出すことができる。このように、発光デバイス130によれば、障壁15は、少なくとも蛍光体層13と対向する部分が光散乱性を有するとともに、蛍光体層13と基板14との間に、基板14よりも屈折率が小さい低屈折率層131が形成されているので、蛍光体層13から基板14側に入射可能な光の入射角を制御することができ、基板14側に入射した光が、基板14と外部との界面で反射することなく、確実に外部に取り出すことが可能となる。また、蛍光体層13の入射面13b側に波長選択透過反射層31が形成されているので、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、背面側に発光する蛍光成分144を、蛍光体層13と波長選択透過反射層31の界面で反射させ、光取り出し側正面方向、基板14側に、確実に外部に取り出すことが可能となる。その結果、光利用効率を向上することができるとともに、表示にじみやぼやけの発生を防止することができる。また、基板14の一方の面14aにおいて、基板14と障壁15との間に挟まれた領域に光吸収層132が形成され、その光吸収層132の蛍光体層13に対向する面132aが低屈折率層131に覆われているので、平坦な低屈折率層131上に、蛍光体層13が均一に形成されているため、低屈折率層131と蛍光体層13の密着度が増し、低屈折率層131と蛍光体層13の界面における光の損失を最小限に抑え、非常に効率よく蛍光を外部に取り出すことができる。8第八実施形態図12は、本発明に係る発光デバイスの第八実施形態を示す概略断面図である。図12において、図1に示した発光デバイス10と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。発光デバイス150は、励起光を発する励起光源11と、平坦化膜12を介して励起光源11に対向して配置され、励起光によって励起されて蛍光を発する蛍光体層13が形成された基板14と、励起光源11と基板14との積層方向に沿った蛍光体層13の側面13aを囲む障壁15と、蛍光体層13と基板14との間に形成され、基板14よりも屈折率が小さい低屈折率層16と、低屈折率層16と障壁15との間に形成された光吸収層17と、蛍光体層13における、励起光を入射させる入射面13b側に設けられた第二基板151とから概略構成されている。すなわち、第二基板151は、励起光源11に対向するとともに、蛍光体層13の励起光の入射面13b上および障壁15の上面低屈折率層16とは反対側の面15c上に設けられている。第二基板151としては、上述の基板14と同様のものが用いられる。図12を参照して、発光デバイス150における発光について説明する。発光デバイス150において、励起光源11から蛍光体層13に励起光161を入射すると、蛍光体からの蛍光は、各蛍光体層13から等方的に発光する。そして、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、光取り出し側正面方向、基板14側に発光する蛍光成分の一部162図12において実線で示す。は、有効に発光として外部に取り出すことができる。また、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、蛍光体層13の側面13a方向に発光する蛍光成分163図12において破線で示す。は、光散乱性を有する障壁15の側面15aで散乱し、その散乱光の一部は、有効に発光として外部に取り出すことができる。一方、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、基板14の法線方向に対して大きい角度で出射し、蛍光体層13と基板14との界面で反射した蛍光成分164図12において一点鎖線で示す。や、蛍光体層13の光取り出し側と反対側に発光する蛍光成分165図12において二点鎖線で示す。は、光散乱性を有する障壁15の側面15aで散乱し、再び基板14側に取り出し可能な成分にリサイクルされる。このように、発光デバイス150によれば、障壁15は、少なくとも蛍光体層13と対向する部分が光散乱性を有するとともに、蛍光体層13と基板14との間に、基板14よりも屈折率が小さい低屈折率層16が形成されているので、蛍光体層13から基板14側に入射可能な光の入射角を制御することができ、基板14側に入射した光が、基板14と外部との界面で反射することなく、確実に外部に取り出すことが可能となる。その結果、光利用効率を向上することができるとともに、表示にじみやぼやけの発生を防止することができる。また、第二基板151により、発光デバイス150は、二枚の基板基板14と第二基板151に囲まれた構造となるため、デバイスの強度が向上できる。さらには、第二基板151を有する構造とすることで、第二基板151側から障壁15と蛍光体層13を形成することができ、基板14と蛍光体層13の間に、理想的な低屈折率層である気体層を非常に容易に形成するプロセスが可能となる実施例3参照。9第九実施形態図13は、本発明に係る発光デバイスの第九実施形態を示す概略断面図である。図13において、図1に示した発光デバイス10、図6に示した発光デバイス30および図10に示した発光デバイス110と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。発光デバイス170は、励起光を発する励起光源11と、平坦化膜12を介して励起光源11に対向して配置され、励起光によって励起されて蛍光を発する蛍光体層13が形成された基板14と、励起光源11と基板14との積層方向に沿った蛍光体層13の側面13aを囲む障壁15と、蛍光体層13と基板14との間に、所定の領域に分割されて複数形成され、基板14よりも屈折率が小さい低屈折率層111と、基板14と障壁15との間に形成された光吸収層112と、蛍光体層13における、励起光を入射させる入射面13b側に形成された波長選択透過反射層31と、波長選択透過反射層31と、蛍光体層13および障壁15との間に形成され、基板14よりも屈折率が小さい第二の低屈折率層171とから概略構成されている。すなわち、第二の低屈折率層171は、波長選択透過反射層31に対向するとともに、蛍光体層13の励起光の入射面13b上および障壁15の上面低屈折率層16とは反対側の面14c上に設けられている。第二の低屈折率層171の材料としては、上述の低屈折率層16と同様のものが用いられる。図13を参照して、発光デバイス170における発光について説明する。発光デバイス170において、励起光源11から蛍光体層13に励起光181を入射すると、蛍光体からの蛍光は、各蛍光体層13から等方的に発光する。そして、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、光取り出し側正面方向、基板14側に発光する蛍光成分の一部182図13において実線で示す。は、有効に発光として外部に取り出すことができる。また、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、蛍光体層13の側面13a方向に発光する蛍光成分183図13において破線で示す。は、光散乱性を有する障壁15の側面15aで散乱し、その散乱光の一部は、有効に発光として外部に取り出すことができる。一方、蛍光体層13の光取り出し側と反対側背面側に発光する蛍光成分184図13において一点鎖線で示す。は、蛍光体層13と第二低屈折率層171の界面で反射し、光取り出し側正面方向、基板14側に、有効に発光として外部に取り出すことができる。このように、発光デバイス170によれば、障壁15は、少なくとも蛍光体層13と対向する部分が光散乱性を有するとともに、蛍光体層13と基板14との間に、基板14よりも屈折率が小さい低屈折率層111が形成されているので、蛍光体層13から基板14側に入射可能な光の入射角を制御することができ、基板14側に入射した光が、基板14と外部との界面で反射することなく、確実に外部に取り出すことが可能となる。また、蛍光体層13の入射面13b側に第二低屈折率層171が形成されているので、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、背面側に発光する成分184のうち、蛍光体層13と第二低屈折率層171の界面の臨界角よりも大きい角度の蛍光成分を、蛍光体層13と第二低屈折率層171の界面で反射させ、光取り出し側正面方向、基板14側に、確実に外部に取り出すことが可能となる。その結果、光利用効率を向上正面方向への輝度を向上することができるとともに、表示にじみやぼやけの発生を防止することができる。また、基板14における同一面一方の面14a上に、低屈折率層111と光吸収層112が形成されているので、発光デバイス170の総厚みを薄くすることができる。10第十実施形態図14は、本発明に係る発光デバイスの第十実施形態を示す概略断面図である。図14において、図1に示した発光デバイス10、図6に示した発光デバイス30および図10に示した発光デバイス110と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。発光デバイス190は、励起光を発する励起光源11と、平坦化膜12を介して励起光源11に対向して配置され、励起光によって励起されて蛍光を発する蛍光体層13が形成された基板14と、励起光源11と基板14との積層方向に沿った蛍光体層13の側面13aを囲む障壁15と、蛍光体層13と基板14との間に、所定の領域に分割されて複数形成され、基板14よりも屈折率が小さい低屈折率層111と、基板14と障壁15との間に形成された光吸収層112と、蛍光体層13における、励起光を入射させる入射面13b側に形成された波長選択透過反射層31と、波長選択透過反射層31と、蛍光体層13との間に形成され、基板14よりも屈折率が小さい第二の低屈折率層191とから概略構成されている。すなわち、第二の低屈折率層191は、波長選択透過反射層31に対向するとともに、蛍光体層13の励起光の入射面13b上に設けられている。また、第二の低屈折率層191は、障壁15によって分割された領域内において、波長選択透過反射層31と対向するように設けられている。第二の低屈折率層191の材料としては、上述の低屈折率層16と同様のものが用いられる。図14を参照して、発光デバイス190における発光について説明する。発光デバイス190において、励起光源11から蛍光体層13に励起光201を入射すると、蛍光体からの蛍光は、各蛍光体層13から等方的に発光する。そして、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、光取り出し側正面方向、基板14側に発光する蛍光成分の一部202図14において実線で示す。は、有効に発光として外部に取り出すことができる。また、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、蛍光体層13の側面13a方向に発光する蛍光成分203図14において破線で示す。は、光散乱性を有する障壁15の側面15aで散乱し、その散乱光の一部は、有効に発光として外部に取り出すことができる。一方、蛍光体層13の光取り出し側と反対側背面側に発光する蛍光成分204図14において一点鎖線で示す。は、蛍光体層13と第二低屈折率層191の界面で反射し、光取り出し側正面方向、基板14側に、有効に発光として外部に取り出すことができる。このように、発光デバイス190によれば、障壁15は、少なくとも蛍光体層13と対向する部分が光散乱性を有するとともに、蛍光体層13と基板14との間に、基板14よりも屈折率が小さい低屈折率層111が形成されているので、蛍光体層13から基板14側に入射可能な光の入射角を制御することができ、基板14側に入射した光が、基板14と外部との界面で反射することなく、確実に外部に取り出すことが可能となる。また、蛍光体層13の入射面13b側に第二の低屈折率層191が形成されているので、蛍光体層13から発光した蛍光のうち、背面側に発光する成分204のうち、蛍光体層13と第二の低屈折率層191の界面の臨界角よりも大きい角度の蛍光成分を、蛍光体層13と第二の低屈折率層191の界面で反射させ、光取り出し側正面方向、基板14側に、確実に外部に取り出すことが可能となる。その結果、光利用効率を向上正面方向への輝度を向上することができるとともに、表示にじみやぼやけの発生を防止することができる。また、基板14における同一面一方の面14a上に、低屈折率層111と光吸収層112が形成されているので、発光デバイス190の総厚みを薄くすることができる。表示装置次に、蛍光体基板と光源から構成される表示装置の実施形態の詳細を説明する。本実施形態の表示装置において、蛍光体基板とは、上述の発光デバイスの第一~第十実施形態における、蛍光体層13、障壁15、低屈折率層16および光吸収層17等が形成された基板14のことである。また、本実施形態の表示装置において、光源とは、上述の発光デバイスの第一~第十実施形態における、励起光源11が形成された基板発光素子基板のことである。本実施形態の表示装置において、光源としては、公知の紫外LED、青色LED、紫外発光無機EL素子、青色発光無機EL素子、紫外発光有機EL素子、青色発光有機EL素子等がもちいられるが、本実施形態はこれらの光源に限定されるものではなく、公知の材料、公知の製造方法で作製した光源を用いることができる。ここで、紫外光としては、主発光ピークが360~410nmの発光が好ましく、青色光としては、主発光ピークが410~470nmの発光が好ましい。1第一実施形態図15は、本発明に係る表示装置の第一実施形態を構成する有機EL素子基板を示す概略断面図である。本実施形態の表示装置は、上述の発光デバイスの第一~第十実施形態における、蛍光体層13、障壁15、低屈折率層16および光吸収層17等が形成された基板14からなる蛍光体基板と、その蛍光体基板上に、上述の発光デバイスの第一~第十実施形態における平坦化膜12等を介して貼り合わされた有機EL素子基板光源210とから概略構成されている。有機EL素子基板210は、基板211と、基板211の一方の面211a上に設けられた有機EL素子212とから概略構成されている。有機EL素子212は、基板211の一方の面211a上に順に設けられた、第一電極213と、有機EL層214と、第二電極215とから概略構成されている。すなわち、有機EL素子212は、基板211の一方の面211a上に、第一電極213および第二電極215からなる一対の電極と、これら一対の電極間に挟持された有機EL層214と、を備えている。第一電極213および第二電極215は、有機EL素子212の陽極または陰極として対で機能する。第一電極213と第二電極215との間の光学距離は、微小共振器構造マイクロキャビティ構造を構成するように調整されている。有機EL層214は、第一電極213側から第二電極215側に向かって順に積層された、正孔注入層216、正孔輸送層217、発光層218、正孔防止層219、電子輸送層220および電子注入層221から構成されている。正孔注入層216、正孔輸送層217、発光層218、正孔防止層219、電子輸送層220および電子注入層221は、それぞれ単層構造または多層構造のいずれであってもよい。また、正孔注入層216、正孔輸送層217、発光層218、正孔防止層219、電子輸送層220および電子注入層221は、それぞれ有機薄膜または無機薄膜のいずれであってもよい。正孔注入層216は、第一電極213からの正孔の注入を効率よく行うものである。正孔輸送層217は、発光層218への正孔の輸送を効率よく行うものである。電子輸送層220は、発光層218への電子の輸送を効率よく行うものである。電子注入層221は、第二電極215からの電子の注入を効率よく行うものである。正孔注入層216、正孔輸送層217、電子輸送層220および電子注入層221は、キャリア注入輸送層に該当する。なお、有機EL素子212は上記の構成に限定されるものではなく、有機EL層214が、発光層の単層構造であっても、発光層とキャリア注入輸送層の多層構造であってもよい。有機EL素子212の構成としては、具体的には、下記のものが挙げられる。1第一電極213と第二電極215の間に、発光層のみが設けられた構成2第一電極213側から第二電極215側に向かって、正孔輸送層および発光層がこの順に積層された構成3第一電極213側から第二電極215側に向かって、発光層および電子輸送層がこの順に積層された構成4第一電極213側から第二電極215側に向かって、正孔輸送層、発光層および電子輸送層がこの順に積層された構成5第一電極213側から第二電極215側に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子輸送層がこの順に積層された構成6第一電極213側から第二電極215側に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層がこの順に積層された構成7第一電極213側から第二電極215側に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔防止層および電子輸送層がこの順に積層された構成8第一電極213側から第二電極215側に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔防止層、電子輸送層および電子注入層がこの順に積層された構成9第一電極213側から第二電極215側に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、電子防止層、発光層、正孔防止層、電子輸送層および電子注入層がこの順に積層された構成これら発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔防止層、電子防止層、電子輸送層および電子注入層の各層は、単層構造または多層構造のいずれであってもよい。また、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔防止層、電子防止層、電子輸送層および電子注入層の各層は、それぞれ有機薄膜または無機薄膜のいずれであってもよい。また、第一電極213の端面を覆うようにエッジカバー222が形成されている。すなわち、エッジカバー222は、第一電極213と第二電極215の間でリークを起こすことを防止するために、第一電極213と第二電極215の間において、基板211の一方の面211aに形成された第一電極213のエッジ部を覆うように設けられている。以下、有機EL素子基板210を構成する各構成部材およびその形成方法について具体的に説明するが、本実施形態はこれら構成部材および形成方法に限定されるものではない。基板211としては、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスチック基板、アルミナ等からなるセラミックス基板等の絶縁性基板、または、アルミニウムAl、鉄Fe等からなる金属基板、または、これらの基板上に酸化シリコンSiO2、有機絶縁材料等からなる絶縁物を表面にコーティングした基板、アルミニウム等からなる金属基板の表面を陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板等が挙げられるが、本実施形態はこれらの基板に限定されるものではない。これらの基板の中でも、ストレスなく湾曲部、折り曲げ部を形成することが可能となることから、プラスチック基板または金属基板を用いることが好ましい。さらに、プラスチック基板に無機材料をコーティングした基板、金属基板に無機絶縁材料をコーティングした基板が好ましい。このような無機材料をコーティングした基板を用いることにより、プラスチック基板を有機EL素子基板の基板として用いた場合に最大の問題となる水分の透過による有機ELの劣化有機ELは、特に低量の水分に対しても劣化が起こることが知られている。を解消することが可能となる。また、金属基板を有機EL素子基板の基板として用いた場合の最大の問題となる金属基板の突起によるリークショート有機EL層の膜厚は、100~200nm程度と非常に薄いため、突起による画素部での電流にリークショートが、顕著に起こることが知られている。を解消することが可能となる。また、TFTを形成する場合には、基板211としては、500°C以下の温度で融解せず、歪みも生じない基板を用いることが好ましい。また、一般的な金属基板は、ガラスと熱膨張率が異なるため、従来の生産装置で金属基板上にTFTを形成することは困難であるが、線膨張係数が1×10-5/°C以下の鉄-ニッケル系合金である金属基板を用いて、線膨張係数をガラスに合わせ込むことにより、金属基板上にTFTを従来の生産装置を用いて安価に形成することが可能となる。また、プラスチック基板の場合には、耐熱温度が非常に低いため、ガラス基板上にTFTを形成した後、プラスチック基板にガラス基板上のTFTを転写することにより、プラスチック基板上にTFTを転写形成することができる。さらに、有機EL層214からの発光を基板211とは反対側から取り出す場合には、基板としての制約はないが、有機EL層214からの発光を基板211側から取り出す場合には、有機EL層214からの発光を外部に取り出すために、透明または半透明の基板を用いる必要がある。基板211に形成されるTFTは、有機EL素子212を形成する前に、予め基板211の一方の面211aに形成され、画素スイッチング用素子および有機EL素子駆動用素子として機能する。本実施形態におけるTFTとしては、公知のTFTが挙げられる。また、TFTの代わりに、金属-絶縁体-金属MIMダイオードを用いることもできる。アクティブ駆動型有機EL表示装置、有機EL表示装置に用いることが可能なTFTは、公知の材料、構造および形成方法を用いて形成することができる。TFTを構成する活性層の材料としては、例えば、非晶質シリコンアモルファスシリコン、多結晶シリコンポリシリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料、酸化亜鉛、酸化インジウム-酸化ガリウム-酸化亜鉛等の酸化物半導体材料、または、ポリチオフェン誘導体、チオフェンオリゴマー、ポリp-フェリレンビニレン誘導体、ナフタセン、ペンタセン等の有機半導体材料が挙げられる。また、TFTの構造としては、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。TFTを構成する活性層の形成方法としては、1プラズマ誘起化学気相成長PECVD法により成膜したアモルファスシリコンに不純物をイオンドーピングする方法、2シランSiH4ガスを用いた減圧化学気相成長LPCVD法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、3Si2H6ガスを用いたLPCVD法またはSiH4ガスを用いたPECVD法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピングを行う方法低温プロセス、4LPCVD法またはPECVD法によりポリシリコン層を形成し、1000°C以上で熱酸化することによりゲート絶縁膜を形成し、その上に、nポリシリコンのゲート電極を形成し、その後、イオンドーピングを行う方法高温プロセス、5有機半導体材料をインクジェット法等により形成する方法、6有機半導体材料の単結晶膜を得る方法等が挙げられる。本実施形態におけるTFTを構成するゲート絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができる。ゲート絶縁膜としては、例えば、PECVD法、LPCVD法等により形成されたSiO2またはポリシリコン膜を熱酸化して得られるSiO2等からなる絶縁膜が挙げられる。また、本実施形態におけるTFTの信号電極線、走査電極線、共通電極線、第一駆動電極および第二駆動電極は、公知の材料を用いて形成することができる。これら信号電極線、走査電極線、共通電極線、第一駆動電極および第二駆動電極の材料としては、例えば、タンタルTa、アルミニウムAl、銅Cu等が挙げられる。有機EL素子基板210のTFTは、上記のような構成とすることができるが、本実施形態は、これらの材料、構造および形成方法に限定されるものではない。アクティブ駆動型有機EL表示装置、有機EL表示装置に用いることが可能な層間絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができる。層間絶縁膜の材料としては、例えば、酸化シリコンSiO2、窒化シリコンSiNまたはSi2N4、酸化タンタルTaOまたはTa2O5等の無機材料、または、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。また、層間絶縁膜の形成方法としては、化学気相成長CVD法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。また、必要に応じて、フォトリソグラフィー法等により、層間絶縁膜をパターニングすることもできる。有機EL素子212からの発光を基板211とは反対側第二電極215側から取り出す場合には、外光が基板211の一方の面211aに形成されたTFTに入射して、TFTの特性に変化が生じることを防ぐ目的で、遮光性を兼ね備えた遮光性絶縁膜を形成することが好ましい。また、上記の層間絶縁膜と遮光性絶縁膜を組み合わせて用いることもできる。遮光性絶縁膜の材料としては、例えば、フタロシアニン、キナクロドン等の顔料または染料をポリイミド等の高分子樹脂に分散したもの、カラーレジスト、ブラックマトリクス材料、NixZnyFe2O4等の無機絶縁材料等が挙げられるが、本実施形態はこれらの材料および形成方法に限定されるものではない。アクティブ駆動型有機EL表示装置において、基板211の一方の面211aにTFT等を形成した場合には、その表面に凸凹が形成され、この凸凹によって有機EL素子212の欠陥例えば、画素電極の欠損、有機EL層の欠損、第二電極の断線、第一電極と第二電極の短絡、耐圧の低下等等が発生するおそれがある。これらの欠陥を防止するために、層間絶縁膜上に平坦化膜を設けてもよい。このような平坦化膜は、公知の材料を用いて形成することができる。平坦化膜の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル等の無機材料、ポリイミド、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。平坦化膜の形成方法としては、例えば、CVD法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセス等が挙げられるが、本実施形態はこれらの材料および形成方法に限定されるものではない。また、平坦化膜は、単層構造または多層構造のいずれであってもよい。第一電極213および第二電極215は、有機EL素子212の陽極または陰極として対で機能する。つまり、第一電極213を陽極とした場合、第二電極215は陰極となり、第一電極213を陰極とした場合、第二電極215は陽極となる。第一電極213および第二電極215を形成する電極材料としては、公知の電極材料を用いることができる。陽極を形成する電極材料としては、有機EL層214への正孔の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が4.5eV以上の金Au、白金Pt、ニッケルNi等の金属、および、インジウムInと錫Snからなる酸化物ITO、錫Snの酸化物SnO2、インジウムInと亜鉛Znからなる酸化物IZO等の透明電極材料等が挙げられる。また、陰極を形成する電極材料としては、有機EL層214への電子の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が4.5eV以下のリチウムLi、カルシウムCa、セリウムCe、バリウムBa、アルミニウムAl等の金属、または、これらの金属を含有するMg:Ag合金、Li:Al合金等の合金が挙げられる。第一電極213および第二電極215は、上記の材料を用いて、EB蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができるが、本実施形態はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、必要に応じて、フォトリソグラフフィー法、レーザー剥離法により形成した電極をパターニングすることもでき、シャドーマスクと組み合わせることで直接パターニングした電極を形成することもできる。第一電極213および第二電極215の膜厚は、50nm以上であることが好ましい。膜厚が50nm未満の場合には、配線抵抗が高くなり、駆動電圧が上昇するおそれがある。表示装置の色純度の向上、発光効率の向上、正面輝度の向上等の目的でマイクロキャビティ効果を用いる場合、有機EL層214からの発光を第一電極213または第二電極215側から取り出す場合には、第一電極213または第二電極215として半透明電極を用いることが好ましい。半透明電極の材料としては、金属の半透明電極単体、もしくは、金属の半透明電極と透明電極材料を組み合わせたものを用いることができる。特に、半透明電極の材料としては、反射率と透過率の観点から、銀が好ましい。半透明電極の膜厚は、5~30nmが好ましい。半透明電極の膜厚が5nm未満の場合には、光の反射が十分行えず、干渉の効果を十分得るとこができない。また、半透明電極の膜厚が30nmを超える場合には、光の透過率が急激に低下することから、表示装置の輝度および発光効率が低下するおそれがある。また、第一電極213または第二電極215としては、光を反射する反射率の高い電極を用いることが好ましい。反射率の高い電極としては、例えば、アルミニウム、銀、金、アルミニウム-リチウム合金、アルミニウム-ネオジウム合金、アルミニウム-シリコン合金等からなる反射性金属電極反射電極、この反射性金属電極と透明電極を組み合わせた電極等が挙げられる。電荷注入輸送層は、電荷正孔、電子の電極からの注入と発光層への輸送注入をより効率よく行う目的で、電荷注入層正孔注入層216、電子注入層221と電荷輸送層正孔輸送層217、電子輸送層220に分類され、以下に例示する電荷注入輸送材料のみから構成されていてもよく、任意に添加剤ドナー、アクセプター等を含んでいてもよく、これらの材料が高分子材料結着用樹脂または無機材料中に分散された構成であってもよい。電荷注入輸送材料としては、有機EL素子用、有機光導電体用の公知の電荷注入輸送材料を用いることができる。このような電荷注入輸送材料は、正孔注入輸送材料および電子注入輸送材料に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。正孔注入層216および正孔輸送層217の材料としては、公知のものが用いられ、例えば、酸化バナジウムV2O5、酸化モリブデンMoO2等の酸化物や無機p型半導体材料;ポルフィリン化合物、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ビスフェニル-ベンジジンTPD、N,N’-ジナフタレン-1-イル-N,N’-ジフェニル-ベンジジンα-NPD、4,4’,4-トリスカルバゾール-9-イルトリフェニルアミンTCTA、N,N-ジカルバゾリル-3,5-ベンゼンm-CP、4,4’-シクロヘキサン-1,1-ジイルビスN,N-ジ-p-トリルアニリンTAPC、2,2’-ビスN,N-ジフェニルアミン-9,9’-スピロビフルオレンDPAS、N1,N1’-ビフェニル-4,4’-ジイルビスN1-フェニル-N4,N4-ジ-m-トリルベンゼン-1,4-ジアミンDNTPD、N3,N3,N3’,N3’-テトラ-p-トリル-[1,1’:2’,1:2,1’-クォーターフェニル]-3,3’-ジアミンBTPD、4,4’-ジフェニルシランジイルビスN,N-ジ-p-トリルアニリンDTASi、2,2-ビス4-カルバゾール-9-イルフェニルアダマンティンAd-Cz等の芳香族第三級アミン化合物;ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物等の低分子含窒素化合物;ポリアニリンPANI、ポリアニリン-樟脳スルホン酸PANI-CSA、3,4-ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンサルフォネイトPEDOT/PSS、ポリトリフェニルアミン誘導体Poly-TPD、ポリビニルカルバゾールPVCz、ポリp-フェニレンビニレンPPV、ポリp-ナフタレンビニレンPNV等の高分子化合物;2-メチル-9,10-ビスナフタレン-2-イルアントラセンMADN等の芳香族炭化水素化合物等が挙げられる。正孔注入層216の材料としては、陽極からの正孔の注入および輸送をより効率よく行う観点から、正孔輸送層217の材料よりも、最高被占分子軌道HOMOのエネルギー準位が低い材料を用いることが好ましい。また、正孔輸送層217の材料としては、正孔注入層216の材料よりも、正孔の移動度が高い材料を用いることが好ましい。正孔注入層216および正孔輸送層217は、任意に添加剤ドナー、アクセプター等を含んでいてもよい。そして、正孔の注入性および輸送性をより向上させるためには、正孔注入層216および正孔輸送層217は、アクセプターを含むことが好ましい。アクセプターとしては、有機EL素子向けの公知のアクセプター材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。アクセプターは、無機材料または有機材料のいずれであってもよい。無機材料としては、金Au、白金Pt、タングステンW、イリジウムIr、オキシ塩化リンPOCl3、六フッ化ヒ酸イオンAsF6-、塩素Cl、臭素Br、ヨウ素I、酸化バナジウムV2O5、酸化モリブデンMoO2等が挙げられる。有機材料としては、7,7,8,8,-テトラシアノキノジメタンTCNQ、テトラフルオロテトラシアノキノジメタンTCNQF4、テトラシアノエチレンTCNE、ヘキサシアノブタジエンHCNB、ジシクロジシアノベンゾキノンDDQ等のシアノ基を有する化合物;トリニトロフルオレノンTNF、ジニトロフルオレノンDNF等のニトロ基を有する化合物;フルオラニル;クロラニル;ブロマニル等が挙げられる。これらの中でも、正孔濃度を増加させる効果がより高いことから、TCNQ、TCNQF4、TCNE、HCNB、DDQ等のシアノ基を有する化合物が好ましい。正孔防止層219、電子輸送層220および電子注入層221の材料としては、公知のものが用いられ、低分子材料であれば、n型半導体である無機材料;1,3-ビス[2-2,2’-ビピリジン-6-イル-1,3,4-オキサジアゾ-5-イル]ベンゼンBpy-OXD、1,3-ビス5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾールー2-イルベンゼンOXD7等のオキサジアゾール誘導体;3-4-ビフェニル-4-フェニル-5-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾールTAZ等のトリアゾール誘導体;チオピラジンジオキシド誘導体;ベンゾキノン誘導体;ナフトキノン誘導体;アントラキノン誘導体;ジフェノキノン誘導体;フルオレノン誘導体;ベンゾジフラン誘導体;8-ヒドロキシキノリノラート-リチウムLiq等のキノリン誘導体;2,7-ビス[2-2,2’-ビピリジン-6-イル-1,3,4-オキサジアゾ-5-イル]-9,9-ジメチルフルオレンBpy-FOXD等のフルオレン誘導体;1,3,5-トリ[3-ピリジル-フェン-3-イル]ベンゼンTmPyPB、1,3,5-トリ[3-ピリジル-フェン-3-イル]ベンゼンTpPyPB等のベンゼン誘導体;2,2’,2-1,3,5-ベンジントリイル-トリス1-フェニル-1-H-ベンゾイミダゾールTPBI等のベンゾイミダゾール誘導体;3,5-ジピレン-1-イルピリジンPY1等のピリジン誘導体;3,3’,5,5’-テトラ[m-ピリジル-フェン-3-イル]ビフェニルBP4mPy等のビフェニル誘導体;4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBPhen、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBCP等のフェナントロリン誘導体;トリス2,4,6-トリメチル-3-ピリジン-3-イルフェニルボラン3TPYMB等のトリフェニルボラン誘導体;ジフェニルビス4-ピリジン-3-イルフェニルシランDPPS等のテトラフェニルシラン誘導体;ポリオキサジアゾールPoly-OXZ、ポリスチレン誘導体PSS等が挙げられる。特に、電子注入層221の材料としては、フッ化リチウムLiF、フッ化バリウムBaF2等のフッ化物;酸化リチウムLi2O等の酸化物等が挙げられる。電子注入層221の材料としては、陰極からの電子の注入および輸送をより効率よく行う観点から、電子輸送層220の材料よりも最低空分子軌道LUMOのエネルギー準位が高い材料を用いることが好ましい。また、電子輸送層220の材料としては、電子注入層221の材料よりも、電子の移動度が高い材料を用いることが好ましい。電子輸送層220および電子注入層221は、任意に添加剤ドナー、アクセプター等を含んでいてもよい。そして、電子の輸送性および注入性をより向上させるためには、電子輸送層220および電子注入層221は、ドナーを含むことが好ましい。ドナーとしては、有機EL素子用の公知のドナー材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。ドナーは、無機材料または有機材料のいずれであってもよい。無機材料としては、リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属;マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属;希土類元素;アルミニウムAl;銀Ag;銅Cu;インジウムIn等が挙げられる。有機材料としては、芳香族3級アミン骨格を有する化合物、フェナントレン、ピレン、ペリレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン等の置換基を有していてもよい縮合多環化合物、テトラチアフルバレンTTF類、ジベンゾフラン、フェノチアジン、カルバゾール等が挙げられる。芳香族3級アミン骨格を有する化合物としては、アニリン類;フェニレンジアミン類;N,N,N’,N’-テトラフェニルベンジジン、N,N’-ビス-3-メチルフェニル-N,N’-ビス-フェニル-ベンジジン、N,N’-ジナフタレン-1-イル-N,N’-ジフェニル-ベンジジン等のベンジジン類;トリフェニルアミン、4,4’4-トリスN,N-ジフェニル-アミノ-トリフェニルアミン、4,4’4-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ-トリフェニルアミン、4,4’4-トリスN-1-ナフチル-N-フェニル-アミノ-トリフェニルアミン等のトリフェニルアミン類;N,N’-ジ-4-メチル-フェニル-N,N’-ジフェニル-1,4-フェニレンジアミン等のトリフェニルジアミン類等が挙げられる。上記の縮合多環化合物が置換基を有するとは、縮合多環化合物中の1つ以上の水素原子が、水素原子以外の基置換基で置換されていることを指し、置換基の数は特に限定されず、全ての水素原子が置換基で置換されていてもよい。そして、置換基の位置も特に限定されない。置換基としては、炭素数1~10のアルキル基、炭素数1~10のアルコキシ基、炭素数2~10のアルケニル基、炭素数2~10のアルケニルオキシ基、炭素数6~15のアリール基、炭素数6~15のアリールオキシ基、水酸基、ハロゲン原子等が挙げられる。アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状または環状のいずれであってもよい。直鎖状または分枝鎖状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert-ペンチル基、1-メチルブチル基、n-ヘキシル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、2,2-ジメチルブチル基、2,3-ジメチルブチル基、n-ヘプチル基、2-メチルヘキシル基、3-メチルヘキシル基、2,2-ジメチルペンチル基、2,3-ジメチルペンチル基、2,4-ジメチルペンチル基、3,3-ジメチルペンチル基、3-エチルペンチル基、2,2,3-トリメチルブチル基、n-オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。環状のアルキル基は、単環状または多環状のいずれであってもよく、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、1-アダマンチル基、2-アダマンチル基、トリシクロデシル基等が挙げられる。アルコキシ基としては、アルキル基が酸素原子に結合した一価の基が挙げられる。アルケニル基としては、炭素数が2~10のアルキル基において、炭素原子間の1つの単結合C-Cが二重結合C=Cに置換されたものが挙げられる。アルケニルオキシ基としては、アルケニル基が酸素原子に結合した一価の基が挙げられる。アリール基は、単環状または多環状のいずれであってもよく、環員数は特に限定されず、好ましいものとしては、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基等が挙げられる。アリールオキシ基としては、アリール基が酸素原子に結合した一価の基が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。これらの中でも、ドナーとしては、電子濃度を増加させる効果がより高いことから、芳香族3級アミン骨格を有する化合物、置換基を有していてもよい縮合多環化合物、アルカリ金属が好ましい。発光層218は、以下に例示する有機発光材料のみから構成されていてもよく、発光性のドーパントとホスト材料の組み合わせから構成されていてもよく、任意に正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤ドナー、アクセプター等等を含んでいてもよい。また、これらの各材料が高分子材料結着用樹脂または無機材料中に分散された構成であってもよい。発光効率および耐久性の観点からは、発光層218の材質は、ホスト材料中に発光性のドーパントが分散されたものが好ましい。有機発光材料としては、有機EL素子向けの公知の発光材料を用いることができる。このような発光材料は、低分子発光材料、高分子発光材料等に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。発光層218に用いられる低分子発光材料ホスト材料を含むとしては、4,4’-ビス2,2’-ジフェニルビニル-ビフェニルDPVBi等の芳香族ジメチリデン化合物;5-メチル-2-[2-[4-5-メチル-2-ベンゾオキサゾリルフェニル]ビニル]ベンゾオキサゾール等のオキサジアゾール化合物;3-4-ビフェニル-4-フェニル-5-t-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾールTAZ等のトリアゾール誘導体;1,4-ビス2-メチルスチリルベンゼン等のスチリルベンゼン化合物;チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料;アゾメチン亜鉛錯体、8-ヒドロキシキノリナトアルミニウム錯体Alq3等の蛍光発光有機金属錯体;BeBqビスベンゾキノリノラトベリリウム錯体;4,4’-ビス-2,2-ジ-p-トリル-ビニル-ビフェニルDTVBi;トリス1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオノモノフェナントロリンEuIIIEuDBM3Phen;ジフェニルエチレン誘導体;トリス[4-9-フェニルフルオレン-9-イルフェニル]アミンTFTPA等のトリフェニルアミン誘導体;ジアミノカルバゾール誘導体;ビススチリル誘導体;芳香族ジアミン誘導体;キナクリドン系化合物;ペリレン系化合物;クマリン系化合物;ジスチリルアリーレン誘導体DPVBi;オリゴチオフェン誘導体BMA-3T;4,4’-ジトリフェニルシリル-ビフェニルBSB、ジフェニル-ジo-トリルシランUGH1、1,4-ビストリフェニルシリルベンゼンUGH2、1,3-ビストリフェニルシリルベンゼンUGH3、トリフェニル-4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニルシランTPSi-F等のシラン誘導体;9,9-ジ4-ジカルバゾール-ベンジルフルオレンCPF、3,6-ビストリフェニルシリルカルバゾールmCP、4,4’-ビスカルバゾール-9-イルビフェニルCBP、4,4’-ビスカルバゾール-9-イル-2,2’-ジメチルビフェニルCDBP、N,N-ジカルバゾリル-3,5-ベンゼンm-CP、3-ジフェニルホスホリル-9-フェニル-9H-カルバゾールPPO1、3,6-ジ9-カルバゾリル-9-2-エチルヘキシルカルバゾールTCz1、9,9’-5-トリフェニルシリル-1,3-フェニレンビス9H-カルバゾールSimCP、ビス3,5-ジ9H-カルバゾール-9-イルフェニルジフェニルシランSimCP2、3-ジフェニルホスホリル-9-4-ジフェニルホスホリルフェニル-9H-カルバゾールPPO21、2,2-ビス4-カルバゾリルフェニル-1,1-ビフェニル4CzPBP、3,6-ビスジフェニルホスホリル-9-フェニル-9H-カルバゾールPPO2、9-4-tert-ブチルフェニル-3,6-ビストリフェニルシリル-9H-カルバゾールCzSi、3,6-ビス[3,5-ジフェニルフェニル]-9-フェニル-カルバゾールCzTP、9-4-tert-ブチルフェニル-3,6-ジトリチル-9H-カルバゾールCzC、9-4-tert-ブチルフェニル-3,6-ビス9-4-メトキシフェニル-9H-フルオレン-9-イル-9H-カルバゾールDFC、2,2’-ビス4-カルバゾール-9-イルフェニル-ビフェニルBCBP、9,9’-2,6-ジフェニルベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ジフラン-3,7-ジイルビス4,1-フェニレンビス9H-カルバゾールCZBDF等のカルバゾール誘導体;4-ジフェニルフォスフォイル-N,N-ジフェニルアニリンHM-A1等のアニリン誘導体;1,3-ビス9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルベンゼンmDPFB、1,4-ビス9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルベンゼンpDPFB、2,7-ビスカルバゾール-9-イル-9,9-ジメチルフルオレンDMFL-CBP、2-[9,9-ジ4-メチルフェニル-フルオレン-2-イル]-9,9-ジ4-メチルフェニルフルオレンBDAF、2-9,9-スピロビフルオレン-2-イル-9,9-スピロビフルオレンBSBF、9,9-ビス[4-ピレニルフェニル]-9H-フルオレンBPPF、2,2’-ジピレニル-9,9-スピロビフルオレンSpiro-Pye、2,7-ジピレニル-9,9-スピロビフルオレン2,2’-Spiro-Pye、2,7-ビス[9,9-ジ4-メチルフェニル-フルオレン-2-イル]-9,9-ジ4-メチルフェニルフルオレンTDAF、2,7-ビス9,9-スピロビフルオレン-2-イル-9,9-スピロビフルオレンTSBF、9,9-スピロビフルオレン-2-イル-ジフェニル-フォスフィンオキサイドSPPO1等のフルオレン誘導体;1,3-ジピレン-1-イルベンゼンm-Bpye等のピレン誘導体;プロパン-2,2’-ジイルビス4,1-フェニレンジベンゾエートMMA1等のベンゾエート誘導体;4,4’-ビスジフェニルフォスフィンオキサイドビフェニルPO1、2,8-ビスジフェニルフォスフォリルジベンゾ[b,d]チオフェンPPT等のフォスフィンオキサイド誘導体;4,4-ジトリフェニルシリル-p-ターフェニルBST等のターフェニル誘導体;2,4-ビスフェノキシ-6-3-メチルジフェニルアミノ-1,3,5-トリアジンBPMT等トリアジン誘導体等が挙げられる。発光層218に用いられる高分子発光材料としては、ポリ2-デシルオキシ-1,4-フェニレンDO-PPP、ポリ[2,5-ビス-[2-N,N,N-トリエチルアンモニウムエトキシ]-1,4-フェニル-アルト-1,4-フェニルレン]ジブロマイドPPP-NEt3、ポリ[2-2’-エチルヘキシルオキシ-5-メトキシ-1,4-フェニレンビニレン]MEH-PPV、ポリ[5-メトキシ-2-プロパノキシサルフォニド-1,4-フェニレンビニレン]MPS-PPV、ポリ[2,5-ビス-ヘキシルオキシ-1,4-フェニレン-1-シアノビニレン]CN-PPV等のポリフェニレンビニレン誘導体;ポリ9,9-ジオクチルフルオレンPDAF等のポリスピロ誘導体;ポリN-ビニルカルバゾールPVK等のカルバゾール誘導体等が挙げられる。有機発光材料は、低分子発光材料が好ましく、低消費電力化の観点から、発光効率の高い燐光材料を用いることが好ましい。発光層218に用いられる発光性のドーパントとしては、有機EL素子用の公知のドーパントを用いることができる。このようドーパントとしては、紫外発光材料であれば、p-クォーターフェニル、3,5,3,5-テトラ-tert-ブチルセクシフェニル、3,5,3,5-テトラ-tert-ブチル-p-クィンクフェニル等の蛍光発光材料等が挙げられる。また、青色発光材料であれば、スチリル誘導体等の蛍光発光材料;ビス[4,6-ジフルオロフェニル-ピリジナト-N,C2’]ピコリネートイリジウムIIIFIrpic、ビス4’,6’-ジフルオロフェニルポリジナトテトラキス1-ピラゾイルボレートイリジウムIIIFIr6等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。また、緑色発光材料であれば、トリス2-フェニルピリジナートイリジウムIrppy3等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。なお、有機EL層214を構成する各層の材料について説明したが、例えば、ホスト材料は正孔輸送材料または電子輸送材料としても使用でき、正孔輸送材料および電子輸送材料もホスト材料として使用できる。正孔注入層216、正孔輸送層217、発光層218、正孔防止層219、電子輸送層220および電子注入層221の各層の形成方法としては、公知のウエットプロセス、ドライプロセス、レーザー転写法等が用いられる。ウエットプロセスとしては、上記の各層を構成する材料を溶媒に溶解または分散させた液体を用いる、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法;インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等が挙げられる。上記の塗布法や印刷法に用いられる液体は、レベリング剤、粘度調整剤等、液体の物性を調整するための添加剤を含んでいてもよい。ドライプロセスとしては、上記の各層を構成する材料を用いる、抵抗加熱蒸着法、電子線EB蒸着法、分子線エピタキシーMBE法、スパッタリング法、有機気相蒸着OVPD法等が用いられる。正孔注入層216、正孔輸送層217、発光層218、正孔防止層219、電子輸送層220および電子注入層221の各層の膜厚は、通常1~1000nm程度であるが、10~200nmが好ましい。膜厚が10nm未満であると、本来必要とされる物性電荷の注入特性、輸送特性、閉じ込め特性が得なれない。また、ゴミ等の異物による画素欠陥が生じるおそれがある。一方、膜厚が200nmを超えると、有機EL層214の抵抗成分によって駆動電圧が上昇し、結果として、消費電力が上昇する。エッジカバー222は、絶縁材料を用いてEB蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができ、公知のドライ法またはウエット法のフォトリソグラフィー法によりパターニングすることができるが、本実施形態はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、エッジカバー222を構成する絶縁材料としては、公知の材料が用いられるが、本実施形態では、絶縁材料が特に限定されるものではない。エッジカバー222は光を透過する必要があるので、エッジカバー222を構成する絶縁材料としては、例えば、SiO、SiON、SiN、SiOC、SiC、HfSiON、ZrO、HfO、LaO等が挙げられる。エッジカバー222の膜厚は、100~2000nmが好ましい。膜厚が100nm未満であると、絶縁性が十分ではなく、第一電極213と第二電極215の間でリークが起こり、消費電力の上昇、非発光の原因となる。一方、膜厚が2000nmを超えると、成膜プロセスに時間が掛り、生産効率の低下、エッジカバー222による第二電極215の断線の原因となる。ここで、有機EL素子212は、第一電極213と第二電極215との干渉効果によるマイクロキャビティ構造光微小共振器構造、または、誘電体多層膜によるマイクロキャビティ構造光微小共振器構造を有することが好ましい。第一電極213と第二電極215により微小共振器構造が構成されると、第一電極213と第二電極215との干渉効果により、有機EL層214の発光を正面方向光取り出し方向に集光することができる。その際、有機EL層214の発光に指向性を持たせることができるため、周囲に逃げる発光損失を低減することができ、その発光効率を高めることができる。これにより、有機EL層214で生じる発光エネルギーをより効率よく、蛍光体層へ伝搬することが可能となり、表示装置の正面輝度を高めることができる。また、第一電極213と第二電極215との干渉効果により、有機EL層214の発光スペクトルを調整することも可能となり、所望の発光ピーク波長および半値幅に調整することができる。これにより、赤色蛍光体および緑色蛍光体をより効果的に励起することが可能なスペクトルに制御することが可能となり、青色画素の色純度を向上させることができる。また、本実施形態の表示装置は、外部駆動回路走査線電極回路、データ信号電極回路、電源回路に電気的に接続される。ここで、有機EL素子基板210を構成する基板211としては、ガラス基板上に絶縁材料をコートした基板、より好ましくは金属基板上またはプラスチック基板上に絶縁材料をコートした基板、さらに好ましくは金属基板上またはプラスチック基板上に絶縁材料をコートした基板が用いられる。また、本実施形態の表示装置は、有機EL素子基板210を直接外部回路に接続して駆動してもよいし、TFT等のスイッチング回路を画素内に配置し、TFT等が接続される配線に、有機EL素子基板210を駆動するための外部駆動回路走査線電極回路ソースドライバ、データ信号電極回路ゲートドライバ、電源回路が電気的に接続されていてもよい。本実施形態では、蛍光体基板と有機EL素子基板210との間にカラーフィルターを設けることが好ましい。カラーフィルターとしては、従来のカラーフィルターを用いることができる。このように、カラーフィルターを設けることによって、赤色画素、緑色画素、青色画素の色純度を高めることができ、表示装置の色再現範囲を拡大することができる。また、青色蛍光体層上に形成された青色カラーフィルター、緑色蛍光体層上に形成された緑色カラーフィルター、赤色蛍光体層上に形成された赤色カラーフィルターが、外光中に含まれる励起光成分を吸収するため、外光による蛍光体層の発光を低減または防止することが可能となり、コントラストの低下を低減または防止することができる。さらに、青色蛍光体層上に形成された青色カラーフィルター、緑色蛍光体層上に形成された緑色カラーフィルター、赤色蛍光体層上に形成された赤色カラーフィルターにより、蛍光体層に吸収されず、透過しようとする励起光が外部に漏れ出すのを防止できるため、蛍光体層からの発光と励起光による混色によって表示の色純度が低下するのを防止することができる。本実施形態の表示装置によれば、光の取り出し効率を向上させて変換効率を大幅に向上させ、視野角特性に優れ、かつ、低消費電力化が可能な優れた表示装置を実現できる。2第二実施形態図16は、本発明に係る表示装置の第二実施形態を構成する有機EL素子基板を示す概略断面図である。本実施形態の表示装置は、上述の発光デバイスの第一~第十実施形態における、蛍光体層13、障壁15、低屈折率層16および光吸収層17等が形成された基板14からなる蛍光体基板と、蛍光体基板上に、上述の発光デバイスの第一~第十実施形態における平坦化膜12等を介して貼り合わされたLED基板光源230とから概略構成されている。LED基板230は、基板231と、基板211の一方の面211a上に順に積層された第一のバッファ層232、n型コンタクト層233、第二のn型クラッド層234、第一のn型クラッド層235、活性層236、第一のp型クラッド層237、第二のp型クラッド層238および第二のバッファ層239と、n型コンタクト層233上に形成された陰極240と、第二のバッファ層239上に形成された陽極241とから概略構成されている。なお、LEDとしては、他の公知のLED、例えば、紫外発光無機LED、青色発光無機LED等を用いることができるが、具体的な構成は上記のものに限定されるものではない。以下、LED基板230の各構成要素について詳細に説明する。活性層236は、電子と正孔の再結合により発光を行う層であり、活性層材料としては、LED用の公知の活性層材料を用いることができる。このような活性層材料としては、例えば、紫外活性層材料として、AlGaN、InAlN、InaAlbGa1-a-bN0≦a、0≦b、ab≦1、青色活性層材料としては、InzGa1-zN0<z<1等が挙げられるが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。また、活性層236としては、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造のものが用いられる。量子井戸構造の活性層はn型、p型のいずれでもよいが、特にノンドープ不純物無添加の活性層とすると、バンド間発光により発光波長の半値幅が狭くなり、色純度のよい発光が得られるため好ましい。また、活性層236にドナー不純物またはアクセプター不純物の少なくとも一方をドープしてもよい。不純物をドープした活性層の結晶性がノンドープのものと同じであれば、ドナー不純物をドープすることにより、ノンドープのものに比べてバンド間発光強度をさらに強くすることができる。アクセプター不純物をドープすると、バンド間発光のピーク波長よりも約0.5eVだけ低エネルギー側にピーク波長をシフトさせることができるが、半値幅は広くなる。アクセプター不純物とドナー不純物との両者をドープすると、アクセプター不純物のみをドープした活性層の発光強度に比べて、その発光強度をさらに大きくすることができる。特に、アクセプター不純物をドープした活性層を形成する場合、活性層の導電型はSi等のドナー不純物をもドープしてn型とすることが好ましい。第二のn型クラッド層234および第一のn型クラッド層235としては、LED用の公知のn型クラッド層材料を用いることができ、単層でも多層構成でもよい。活性層236よりもバンドギャップエネルギーが大きいn型半導体で、第二のn型クラッド層234および第一のn型クラッド層235を構成した場合、第二のn型クラッド層234および第一のn型クラッド層235と、活性層236との間には、正孔に対する電位障壁ができ、正孔を活性層236に閉じ込めることが可能となる。例えば、n型InxGa1-xN0≦x<1により、第二のn型クラッド層234および第一のn型クラッド層235を形成することが可能であるが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。第一のp型クラッド層237および第二のp型クラッド層238としては、LED用の公知のp型クラッド層材料を用いることができ、単層でも多層構成でもよい。活性層236よりもバンドギャップエネルギーが大きいp型半導体で、第一のp型クラッド層237および第二のp型クラッド層238を構成した場合、第一のp型クラッド層237および第二のp型クラッド層238と、活性層236との間には、電子に対する電位障壁ができ、電子を活性層236に閉じ込めることが可能となる。例えば、AlyGa1-yN0≦y≦1により、第一のp型クラッド層237および第二のp型クラッド層238を形成することが可能であるが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。n型コンタクト層233としては、LED用の公知のコンタクト層材料を用いることができ、例えば、第二のn型クラッド層234および第一のn型クラッド層235に接して電極を形成する層としてn型GaNからなるn型コンタクト層233を形成することが可能である。また、第一のp型クラッド層237および第二のp型クラッド層238に接して電極を形成する層として、p型GaNからなるp型コンタクト層を形成することも可能である。ただし、このp型コンタクト層は、第二のn型クラッド層234、第二のp型クラッド層238がGaNで形成されていれば、特に形成する必要はなく、第二のクラッド層第二のn型クラッド層234、第二のp型クラッド層238をコンタクト層とすることも可能である。本実施形態で用いられる上記の各層の形成方法としては、LED用の公知の成膜プロセスを用いることが可能であるが、本実施形態は特にこれらに限定されるものではない。例えば、MOVPE有機金属気相成長法、MBE分子線気相成長法、HDVPEハイドライド気相成長法等の気相成長法を用いて、例えば、サファイアC面、A面、R面を含む、SiC6H-SiC、4H-SiCも含む、スピネルMgAl2O4、特にその111面、ZnO、Si、GaAs、あるいは、他の酸化物単結晶基板NGO等等の基板上に形成することが可能である。本実施形態の表示装置によれば、光の取り出し効率を向上させて変換効率を大幅に向上させ、視野角特性に優れ、かつ、低消費電力化が可能な優れた表示装置を実現できる。3第三実施形態図17は、本発明に係る表示装置の第三実施形態を構成する無機EL素子基板を示す概略断面図である。本実施形態の表示装置は、上述の発光デバイスの第一~第十実施形態における、蛍光体層13、障壁15、低屈折率層16および光吸収層17等が形成された基板14からなる蛍光体基板と、蛍光体基板上に、上述の発光デバイスの第一~第十実施形態における平坦化膜12等を介して貼り合わされた無機EL素子基板光源250とから概略構成されている。無機EL素子基板250は、基板251と、基板251の一方の面251a上に設けられた無機EL素子252とから概略構成されている。無機EL素子252は、基板251の一方の面251aに順に積層された、第一電極253、第一誘電体層254、発光層255、第二誘電体層256および第二電極257から構成されている。第一電極253および第二電極257は、無機EL素子252の陽極または陰極として対で機能する。なお、無機EL素子252としては、公知の無機EL素子、例えば、紫外発光無機EL素子、青色発光無機EL素子等を用いることができるが、具体的な構成は前記のものに限定されるものではない。以下、無機EL素子基板250を構成する各構成部材およびその形成方法について具体的に説明するが、本実施形態はこれら構成部材および形成方法に限定されるものではない。基板251としては、上述の有機EL素子基板210を構成する基板211と同様のものが用いられる。第一電極253および第二電極257は、無機EL素子252の陽極または陰極として対で機能する。つまり、第一電極253を陽極とした場合、第二電極257は陰極となり、第一電極253を陰極とした場合、第二電極257は陽極となる。第一電極253および第二電極257としては、アルミニウムAl、金Au、白金Pt、ニッケルNi等の金属、および、インジウムInと錫Snからなる酸化物ITO、錫Snの酸化物SnO2、インジウムInと亜鉛Znからなる酸化物IZO等が透明電極材料として挙げられるが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。光を取り出す側の電極には、ITO等の透明電極がよく、光を取り出す方向と反対側の電極には、アルミニウム等からなる反射電極を用いることが好ましい。第一電極253および第二電極257は、上記の材料を用いて、EB蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができるが、本実施形態はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、必要に応じて、フォトリソグラフフィー法、レーザー剥離法により形成した電極をパターニングすることもでき、シャドーマスクと組み合わせることでパターニングした電極を形成することもできる。第一電極253および第二電極257の膜厚は、50nm以上であることが好ましい。膜厚が50nm未満の場合には、配線抵抗が高くなり、駆動電圧が上昇するおそれがある。第一誘電体層254および第二誘電体層256としては、無機EL素子用の公知の誘電体材料を用いることができる。このような誘電体材料としては、例えば、五酸化タンタルTa2O5、酸化珪素SiO2、窒化珪素Si3N4、酸化アルミニウムAl2O3、チタン酸アルミニウムAlTiO3、チタン酸バリウムBaTiO3およびチタン酸ストロンチウムSrTiO3等が挙げられるが、本実施形態はこれらの誘電体材料に限定されるものではない。また、第一誘電体層254および第二誘電体層256は、上記の誘電体材料から選択された1種類からなる単層構造であってもよく、2種類以上を積層した多層構造であってもよい。また、第一誘電体層254および第二誘電体層256の膜厚は、200~500nm程度が好ましい。発光層255としては、無機EL素子用の公知の発光材料を用いることができる。このような発光材料としては、例えば、紫外発光材料として、ZnF2:Gd、青色発光材料として、BaAl2S4:Eu、CaAl2S4:Eu、ZnAl2S4:Eu、Ba2SiS4:Ce、ZnS:Tm、SrS:Ce、SrS:Cu、CaS:Pb、Ba,MgAl2S4:Eu等が挙げられるが、本実施形態はこれらの発光材料に限定されるものではない。また、発光層255の膜厚は、300~1000nm程度が好ましい。本実施形態の表示装置によれば、光の取り出し効率を向上させて変換効率を大幅に向上させ、視野角特性に優れ、かつ、低消費電力化が可能な優れた表示装置を実現できる。なお、光源の構成として、上述の第一実施形態では有機EL素子基板、第二実施形態ではLED基板、第三実施形態では無機EL素子基板を例示した。これらの構成例において、有機EL素子、LED、無機EL素子等の発光素子を封止する封止膜または封止基板を設けることが好ましい。封止膜および封止基板は、公知の封止材料および封止方法により形成することができる。具体的には、光源を構成する基板と反対側の表面上にスピンコート法、ODF、ラミレート法等を用いて樹脂を塗布することによって封止膜を形成することもできる。あるいは、プラズマCVD法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、スパッタ法等により、SiO、SiON、SiN等の無機膜を形成した後、さらに、スピンコート法、ODF、ラミレート法等を用いて樹脂を塗布することによって封止膜を形成するか、または、封止基板を貼り合わせることもできる。このような封止膜や封止基板により、外部からの発光素子内への酸素や水分の混入を防止することができ、光源の寿命が向上する。また、光源と蛍光体基板とを接合するときは、一般の紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等で接着させることもできる。また、蛍光体基板上に光源を直接形成した場合には、例えば、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスをガラス板、金属板等で封止する方法が挙げられる。さらに、封入した不活性ガス中に酸化バリウム等の吸湿剤等を混入すると、水分による有機EL素子の劣化をより効果的に低減できるため好ましい。ただし、本実施形態は、これらの部材や形成方法に限定されるものではない。また、基板と反対側から光を取り出す場合、封止膜、封止基板ともに光透過性の材料を使用する必要がある。4第四実施形態図18は、本発明に係る表示装置の第四実施形態を示す概略断面図である。図19は、本発明に係る表示装置の第四実施形態を示す概略平面図である。図18において、図1に示した発光デバイス10および図15に示した有機EL素子基板210と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。本実施形態の表示装置260は、上述の発光デバイスの第一~第十実施形態における、蛍光体層13、障壁15、低屈折率層16および光吸収層17等が形成された基板14と同様の構成の蛍光体基板261と、蛍光体基板261上に、上述の発光デバイスの第一~第十実施形態における平坦化膜12を介して貼り合わされたアクティブマトリクス駆動型の有機EL素子基板光源262とから概略構成されている。有機EL素子基板262では、赤色画素PR、緑色画素PG、青色画素PBの各々に光を照射するか否かを切り換える手段として、TFTを用いたアクティブマトリクス駆動方式が用いられている。有機EL素子基板262が青色光を発光する場合には、青色画素PBは青色光を散乱させる光散乱層263を有するものとする。アクティブマトリクス駆動型有機EL素子基板以下、アクティブマトリクス駆動型の有機EL素子基板262について詳細に説明する。有機EL素子基板262は、基板211の一方の面211aにTFT264が形成されている。すなわち、基板211の一方の面211aに、ゲート電極265およびゲート線266が形成され、これらゲート電極265およびゲート線266を覆うように、基板211の一方の面211a上にゲート絶縁膜267が形成されている。ゲート絶縁膜267上には活性層図示略が形成され、活性層上にソース電極268、ドレイン電極269およびデータ線270が形成され、これらソース電極268、ドレイン電極269およびデータ線270を覆うように、平坦化膜271が形成されている。なお、平坦化膜271は単層構造でなくてもよく、他の層間絶縁膜と平坦化膜を組み合わせた構成としてもよい。また、平坦化膜271もしくは層間絶縁膜を貫通してドレイン電極269に達するコンタクトホール272が形成され、平坦化膜271上にコンタクトホール272を介してドレイン電極269と電気的に接続された有機EL素子212の第一電極213が形成されている。有機EL素子212の構成は、上述の第一実施形態と同様である。TFT264は、有機EL素子212を形成する前に、予め基板211の一方の面211aに形成され、画素スイッチング用素子および有機EL素子駆動用素子として機能する。TFT264としては、公知のTFTが挙げられ、公知の材料、構造および形成方法を用いて形成することができる。また、本実施形態では、TFT264の代わりに、金属-絶縁体-金属MIMダイオードを用いることもできる。TFT264を構成する活性層の材料としては、上述の第一実施形態と同様のものが用いられる。TFT264を構成する活性層の形成方法としては、上述の第一実施形態と同様の方法が用いられる。TFT264を構成するゲート絶縁膜267は、公知の材料を用いて形成することができる。ゲート絶縁膜267としては、例えば、PECVD法、LPCVD法等により形成されたSiO2またはポリシリコン膜を熱酸化して得られるSiO2等が挙げられる。また、TFT264を構成するデータ線270、ゲート線266、ソース電極268およびドレイン電極269は、公知の導電性材料を用いて形成することができる。これらデータ線270、ゲート線266、ソース電極268およびドレイン電極269の材料としては、例えば、タンタルTa、アルミニウムAl、銅Cu等が挙げられる。TFT264は、上記のような構成とすることができるが、本実施形態は、これらの材料、構造および形成方法に限定されるものではない。本実施形態に用いられる層間絶縁膜は、上述の第一実施形態と同様のものが挙げられる。また、層間絶縁膜の形成方法としては、上述の第一実施形態と同様の方法が挙げられる。有機EL素子212からの発光を基板211とは反対側第二電極215側から取り出す場合には、外光が基板211の一方の面211aに形成されたTFT264に入射して、TFT264の電気的特性に変化が生じることを防ぐ目的で、遮光性を兼ね備えた遮光性絶縁膜を用いることが好ましい。また、上記の層間絶縁膜と遮光性絶縁膜を組み合わせて用いることもできる。遮光性絶縁膜の材料としては、上述の第一実施形態と同様のものが挙げられる。表示装置260において、基板211の一方の面211a上に形成したTFT264や各種配線、電極等により、その表面に凸凹が形成され、この凸凹によって有機EL素子212の欠陥例えば、第一電極213や第二電極215の欠損や断線、有機EL層214の欠損、第一電極213と第二電極215との短絡、耐圧の低下等が発生するおそれがある。これらの欠陥を防止するために、層間絶縁膜上に平坦化膜271を設けることが望ましい。平坦化膜271は、公知の材料を用いて形成することができる。平坦化膜271の材料としては、上述の第一実施形態と同様のものが挙げられる。また、平坦化膜271は、単層構造または多層構造のいずれであってもよい。また、有機EL素子212の表面蛍光体基板261と対向する面には、有機EL素子212を封止する封止膜273が設けられている。また、表示装置260は、図19に示すように、有機EL素子基板262上に形成された画素部273、ゲート信号側駆動回路274、データ信号側駆動回路275、信号配線276および電流供給線277と、有機EL素子基板262に接続されたフレキシブルプリント配線板以下、FPC略すこともある。278および外部駆動回路290とを備えている。有機EL素子基板262は、有機EL素子212を駆動するために走査線電極回路、データ信号電極回路、電源回路等を含む外部駆動回路290に、FPC279を介して電気的に接続されている。本実施形態では、TFT264等のスイッチング回路が画素部274内に配置され、TFT264等が接続されるデータ線270、ゲート線266等の配線に有機EL素子212を駆動するためのデータ信号側駆動回路276、ゲート信号側駆動回路275がそれぞれ接続され、これら駆動回路に信号配線267を介して外部駆動回路290が接続されている。画素部274内には、複数のゲート線266および複数のデータ線270が配置され、ゲート線266とデータ線270との交差部にTFT264が配置されている。有機EL素子212は、電圧駆動デジタル階調方式によって駆動が行われ、画素毎にスイッチング用TFTおよび駆動用TFTの2つのTFTが配置され、駆動用TFTと有機EL素子212の第一電極213とが平坦化膜271に形成されるコンタクトホール272を介して電気的に接続されている。また、1つの画素内には駆動用TFTのゲート電位を定電位にするためのコンデンサー図示略が、駆動用TFTのゲート電極に接続されるように配置されている。しかし、本実施形態では、特にこれらに限定されるものではなく、駆動方式は、上述した電圧駆動デジタル階調方式でもよく、電流駆動アナログ階調方式でもよい。また、TFTの数も特に限定されるものではなく、上述した2つのTFTにより有機EL素子212を駆動してもよいし、TFT264の特性移動度、閾値電圧のバラツキを防止する目的で、画素内に補償回路を内蔵した2個以上のTFTを用いて有機EL素子212を駆動してもよい。表示装置260によれば、光の取り出し効率を向上させて変換効率を大幅に向上させ、視野角特性に優れ、かつ、低消費電力化が可能な優れた表示装置を実現できる。特に本実施形態では、アクティブマトリクス駆動型の有機EL素子基板262を採用しているため、表示品位に優れた表示装置を実現することができる。また、パッシブ駆動に比べて有機EL素子212の発光時間を長くすることができ、所望の輝度を得るための駆動電流を低減することができるため、低消費電力化を図ることができる。さらに、有機EL素子基板262とは反対側蛍光体基板261側から光を取り出す構成であるから、TFTや各種配線等の形成領域に関係なく発光領域を広げることができ、画素の開口率を高めることができる。5第五実施形態図20は、本発明に係る表示装置の第五実施形態を示す概略断面図である。図20において、図1に示した発光デバイス10、図15に示した有機EL素子基板210および図18に示した表示装置260と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。本実施形態の表示装置300は、上述の発光デバイスの第一~第十実施形態における、蛍光体層13、障壁15、低屈折率層16および光吸収層17等が形成された基板14と同様の構成の蛍光体基板301と、有機EL素子基板光源302と、液晶素子303とから概略構成されている。有機EL素子基板302を構成する有機EL素子212は、画素毎に分割されておらず、全ての画素に共通の面状光源として機能する。また、液晶素子303は、一対の電極を用いて液晶層に印加する電圧を画素毎に制御可能な構成とされ、有機EL素子212の全面から射出された光の透過率を画素毎に制御する。すなわち、液晶素子303は、有機EL素子基板302からの光を画素毎に選択的に透過させる光シャッターとしての機能を有するようになっている。液晶素子303としては、公知の液晶素子を用いることができる。液晶素子303は、例えば、一対の偏光板311,312と、透明電極313,314と、配向膜315,316と、基板317と、を備え、配向膜315,316間に液晶318が挟持された構造をなしている。さらに、液晶セルと、偏光板311,312のいずれか一方との間に、光学異方性層が設けられるか、または、液晶セルと、偏光板311,312の両方との間に、光学異方性層が設けられていてもよい。表示装置300では、光取り出し側に偏光板を設けることが好ましい。偏光板311,312としては、従来の直線偏光板とλ/4板とを組み合わせたものを用いることが可能である。偏光板311,312を設けることにより、表示装置300の電極からの外光反射、基板もしくは封止基板の表面での外光反射を防止することができ、表示装置300のコントラストを向上させることができる。また、偏光板311,312としては、波長435nm以上、480nm以下における消光比が10000以上のものが好適に用いられる。液晶セルの種類としては、特に限定されるものではなく、目的に応じて適宜選択することができる。液晶セルとしては、例えば、TNモード、VAモード、OCBモード、IPSモード、ECBモード等が挙げられる。また、液晶素子303は、パッシブ駆動でもよいし、TFT等のスイッチング素子を用いたアクティブ駆動でもよい。表示装置300によれば、光の取り出し効率を向上させて変換効率を大幅に向上させ、視野角特性に優れ、かつ、低消費電力化が可能な優れた表示装置を実現できる。また、本実施形態では、液晶素子303による画素のスイッチングと面状光源として機能する有機EL素子基板302とを組み合わせることで、消費電力をより低減することができる。携帯電話上述の第一~第五実施形態の表示装置は、例えば、図21に示す携帯電話に適用できる。携帯電話310は、本体311、表示部312、音声入力部313、音声出力部314、アンテナ315、操作スイッチ316等を備えている。そして、表示部312として、上述の第一~第五実施形態の表示装置を好適に適用できる。上述の第一~第五実施形態の表示装置を携帯電話310の表示部312に適用することによって、少ない消費電力で、高輝度の映像を表示することができる。薄型テレビ上述の第一~第五実施形態の表示装置は、例えば、図22に示す薄型テレビに適用できる。薄型テレビ320は、本体キャビネット321、表示部322、スピーカー323、スタンド324等を備えている。そして、表示部322として、上述の第一~第五実施形態の表示装置を好適に適用できる。上述の第一~第五実施形態の表示装置を薄型テレビ320の表示部322に適用することによって、少ない消費電力で、高輝度の映像を表示することができる。照明装置1第一実施形態図23は、本発明に係る照明装置の第一実施形態を示す概略断面図である。本実施形態の照明装置330は、光学フィルム331と、蛍光体基板332と、有機EL素子333と、熱拡散シート334と、封止基板335と、封止樹脂336と、放熱材337と、駆動用回路338と、配線339と、引掛けシーリング340とから概略構成されている。有機EL素子333は、陽極341と、有機EL層342と、陰極343とから概略構成されている。照明装置330においては、蛍光体基板332として、上述の発光デバイスの第一~第十実施形態における、蛍光体層13、障壁15、低屈折率層16および光吸収層17等が形成された基板14と同様の構成の蛍光体基板が用いられているので、明るく、低消費電力の照明装置を実現することができる。2第二実施形態図24は、本発明に係る照明装置の第二実施形態を示す概略断面図である。照明装置350は、励起光を発する励起光源351と、蛍光体基板352とから概略構成される発光デバイス353を備えてなるものである。蛍光体基板352は、基板354と、基板354の一方の面354a上に形成されて、励起光源351に対向して配置され、励起光によって励起されて蛍光を発する蛍光体層355と、励起光源351と基板354の積層方向に沿った蛍光体層355の側面355aを囲む障壁356と、蛍光体層355と基板354の間に形成され、基板354よりも屈折率が小さい低屈折率層357とから概略構成されている。障壁356は、少なくとも蛍光体層355と対向する部分障壁356の側面356aが光散乱性を有している。障壁356が光散乱性を有する構成としては、障壁356自体が樹脂と光散乱性粒子を含む材料から形成された構成、または、障壁356の側面356aに、樹脂と光散乱性粒子を含む材料からなる光散乱層光散乱膜が設けられた構成が挙げられる。励起光源351としては、上述の発光デバイスの第一~第十実施形態における励起光源11と同様のものが挙げられる。基板354としては、上述の発光デバイスの第一~第十実施形態における基板14と同様のものが挙げられる。蛍光体層355としては、上述の発光デバイスの第一~第十実施形態における蛍光体層13と同様のものが挙げられる。障壁356としては、上述の発光デバイスの第一~第十実施形態における障壁15と同様のものが挙げられる。低屈折率層357としては、上述の発光デバイスの第一~第十実施形態における低屈折率層16と同様のものが挙げられる。図24を参照して、照明装置350における発光について説明する。照明装置350において、励起光源351から蛍光体層355に励起光361を入射すると、蛍光体からの蛍光は、蛍光体層355から等方的に発光する。そして、蛍光体層355から発光した蛍光のうち、光取り出し側正面方向、基板354側に発光する蛍光成分の一部362図24において実線で示す。は、有効に発光として外部に取り出すことができる。また、蛍光体層355から発光した蛍光のうち、蛍光体層355の側面355a方向に発光する蛍光成分363図24において破線で示す。は、光散乱性を有する障壁356の側面356aで散乱し、その散乱光の一部は、有効に発光として外部に取り出すことができる。また、蛍光体層355から発光した蛍光のうち、基板354の法線方向に対して大きい角度で出射し、蛍光体層355と基板354との界面で反射した蛍光成分や、蛍光体層355の光取り出し側と反対側背面側に発光する蛍光成分は、光散乱性を有する障壁356の側面356aで散乱し、再び基板354側に取り出し可能な成分にリサイクルされる。このように、照明装置350によれば、障壁356は、少なくとも蛍光体層355と対向する部分側面356aが光散乱性を有するとともに、蛍光体層355と基板354との間に、基板354よりも屈折率が小さい低屈折率層357が形成されているので、蛍光体層355から基板354側に入射可能な光の入射角を制御することができ、基板354側に入射した光が、基板354と外部との界面で反射することなく、確実に外部に取り出すことが可能となる。その結果、光利用効率を向上することができる。また、蛍光体層355から発光した蛍光のうち、蛍光体層355と基板354との界面で反射した蛍光成分や、蛍光体層355の光取り出し側と反対側に発光する蛍光成分は、光散乱性を有する障壁356の側面356aで散乱し、再び基板354側に取り出し可能な成分にリサイクルされるので、より光利用効率を高くすることができる。したがって、照明装置350は、明るく、低消費電力の照明装置となる。なお、図24aでは、蛍光体基板352を構成する各層が水平面状をなしている場合を例示したが、本実施形態はこれに限定されるものではない。蛍光体基板352を構成する各層は、図24bに示すように、光取り出し側正面方向、基板354側に凸の曲面状をなしていてもよい。発電装置図25は、本発明に係る発電装置の一実施形態を示す概略断面図である。発電装置370は、励起光源を太陽光371とし、蛍光体基板372を備えた発光デバイス373と、発光デバイス373に対向して配置された太陽電池素子374とから概略構成されている。蛍光体基板372は、第一基板375と、第一基板375の一方の面375a上に形成されて、太陽光371に対向して配置され、励起光によって励起されて蛍光を発する蛍光体層376と、蛍光体基板372の積層方向に沿った蛍光体層376の側面376aを囲む障壁377と、第一基板375の一方の面375a上において、障壁377によって分割された領域に形成された第一の低屈折率層378と、蛍光体層376における、励起光を入射させる入射面376b側に形成された波長選択透過反射層379と、波長選択透過反射層379における蛍光体層376と対向する面379a上において、障壁377によって分割された領域に形成された第二の低屈折率層380と、蛍光体層376の入射面376b側において、波長選択透過反射層379上に設けられた第二基板381とから概略構成されている。障壁377は、少なくとも蛍光体層376と対向する部分障壁377の側面377aが光散乱性を有している。障壁377が光散乱性を有する構成としては、障壁377自体が樹脂と光散乱性粒子を含む材料から形成された構成、または、障壁377の側面377aに、樹脂と光散乱性粒子を含む材料からなる光散乱層光散乱膜が設けられた構成が挙げられる。第一基板375および第二基板381としては、上述の発光デバイスの第一~第十実施形態における基板14と同様のものが挙げられる。蛍光体層376としては、上述の発光デバイスの第一~第十実施形態における蛍光体層13と同様のものが挙げられる。障壁377としては、上述の発光デバイスの第一~第十実施形態における障壁15と同様のものが挙げられる。第一低屈折率層378および第二低屈折率層380としては、上述の発光デバイスの第一~第十実施形態における低屈折率層16と同様のものが挙げられる。波長選択透過反射層379としては、上述の発光デバイスの第二~第十実施形態における波長選択透過反射層31と同様のものが挙げられる。太陽電池素子374としては、公知のものが用いられ、例えば、アモルファスシリコン太陽電池素子、多結晶シリコン太陽電池素子、単結晶シリコン太陽電池素子等、種々の太陽電池素子が用いられる。これらの太陽電池素子の中でも、特に、InGaP、GaAs、InGaAs、AlGaAs、CuIn,GaSe2、CuIn,GaSe,S2、CuInS2、CdTe、CdS等の化合物系太陽電池素子、もしくはSi、InGaAs等の量子ドット太陽電池素子を用いることが望ましい。図25を参照して、発電装置370における発光について説明する。発電装置370において、太陽光371から蛍光体層376に励起光391が入射すると、蛍光体からの蛍光は、蛍光体層376から等方的に発光する。そして、蛍光体層376から発光した蛍光のうち、光取り出し側正面方向、第一基板375側に発光する蛍光成分の一部392図25において実線で示す。は、有効に発光として外部に取り出すことができる。また、蛍光体層376から発光した蛍光のうち、蛍光体層376の側面376a方向に発光する蛍光成分393図25において破線で示す。は、光散乱性を有する障壁377の側面377aで散乱し、その散乱光の一部は、有効に発光として外部に取り出すことができる。また、蛍光体層376から発光した蛍光のうち、蛍光体層376の光取り出し側と反対側背面側に発光する蛍光成分394は、蛍光体層376と第二低屈折率層380の界面で反射し、確実に外部に取り出すことが可能となる。そして、光取り出し側正面方向、第一基板375側に取り出された光は、太陽電池素子374に入射し、太陽電池素子374では光電変換が生じて発電する。このように、発電装置370によれば、障壁377は、少なくとも蛍光体層376と対向する部分が光散乱性を有するとともに、蛍光体層376と第一基板375の間に、第一基板375よりも屈折率が小さい第一低屈折率層378が形成されているので、蛍光体層376から第一基板375側に入射可能な光の入射角を制御することができ、第一基板375側に入射した光が、第一基板375と外部との界面で反射することなく、確実に外部に取り出すことが可能となる。また、蛍光体層376の入射面376b側に波長選択透過反射層379が形成され、波長選択透過反射層379における蛍光体層376と対向する面379aに第二低屈折率層380が形成されているので、蛍光体層376から発光した蛍光のうち、背面側に発光する成分394を、蛍光体層376と第二低屈折率層380の界面で反射させ、確実に外部に取り出すことが可能となる。これにより、蛍光体基板372から太陽電池素子374に対して、効率的に太陽光を入射することができるので、太陽電池素子374の発電効率を向上することができる。なお、本発明の技術範囲は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上述の実施形態で説明した表示装置には、光取り出し側に偏光板を設けることが好ましい。偏光板としては、従来の直線偏光板とλ/4板とを組み合わせたものを用いることができる。このような偏光板を設けることによって、表示装置の電極からの外光反射、もしくは基板や封止基板の表面での外光反射を防止することができ、表示装置のコントラストを向上させることができる。その他、蛍光体基板、表示装置の各構成要素の形状、数、配置、材料、形成方法等に関する具体的な記載は、上述の実施形態に限ることなく、適宜変更が可能である。以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。比較例1厚さ0.7mmのガラス基板を水洗後、純水超音波洗浄10分、アセトン超音波洗浄10分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄5分を行い、100°Cにて1時間乾燥させた。次いで、ガラス基板の一面に、膜厚100μmの緑色蛍光体層を形成した。ここで、緑色蛍光体層を形成するには、まず、平均粒径5nmのエアロジル0.16gに、エタノール15gおよびγ-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン0.22gを加えて、開放系室温下1時間攪拌した。この混合物と、20gの緑色蛍光体Ca0.97Mg0.03:ZrO3:Hoとを乳鉢に移し、よくすり混ぜた後、70°Cのオーブンで2時間、さらに、120°Cのオーブンで2時間加熱し、表面改質したBa2SiO4:Eu2を得た。次いで、10gの表面改質したCa0.97Mg0.03:ZrO3:Hoに、水/ジメチルスルホキシド=1/1の混合溶液300gで溶解されたポリビニルアルコール30gを加え、分散機により攪拌して、緑色蛍光体形成用塗液を調製した。次いで、ガラス基板の一面に対して、スクリーン印刷法により、緑色蛍光体形成用塗液を3mm幅で所望の位置に塗布した。次いで、真空オーブン200°C、10mmHgの条件で4時間加熱乾燥し、緑色蛍光体層を形成し、ガラス基板と、その一面に形成された緑色蛍光体層とからなる比較例1の蛍光体基板を得た。その後、緑色蛍光体層の側面を遮光膜で覆った状態で、青色LEDを励起光として450nmの光を、比較例1の蛍光体基板の背面から入射させた際、その蛍光体基板の側面から蛍光が出射しており、その蛍光体基板を正面視した際、蛍光体基板の周囲がぼやけていることを確認した。また、市販の輝度計BM-7:株式会社トップコンテクノハウス社製を用いて、青色LEDを励起光として450nmの光を、比較例1の蛍光体基板の背面から入射させた際、その蛍光体基板の正面から取出される蛍光の25°Cにおける輝度変換効率を測定した。その結果、励起光としての青色LEDの輝度が1000cd/m2であったのに対して、緑色蛍光体層を通した後は、547nmに発光のピークを持つ緑色の発光で、輝度は1023cd/m2であった。すなわち、比較例1の蛍光体基板は、輝度変換効率が100であった。比較例2比較例1と同様のガラス基板の一面に、スパッタリング法により、膜厚50μmの低屈折率層を形成した。低屈折率層の材料としては、屈折率が1.35~1.4程度のフッ素樹脂を用いた。次いで、比較例1と同様にして、低屈折率層上に緑色蛍光体層を形成し、ガラス基板と、その一面上に形成された低屈折率層および緑色蛍光体層とからなる比較例2の蛍光体基板を得た。その後、緑色蛍光体層の側面を遮光膜で覆った状態で、青色LEDを励起光として450nmの光を、比較例2の蛍光体基板の背面から入射させた際、その蛍光体基板の側面から蛍光が出射しておらず、その蛍光体基板を正面視した際、蛍光体基板の周囲がぼやけていないことを確認した。また、比較例1と同様にして、青色LEDを励起光として450nmの光を、比較例2の蛍光体基板の背面から入射させた際、その蛍光体基板の正面から取出される蛍光の25°Cにおける輝度変換効率を測定した。その結果、励起光としての青色LEDの輝度が1000cd/m2であったのに対して、緑色蛍光体層を通した後は、547nmに発光のピークを持つ緑色の発光で、輝度は816cd/m2であった。すなわち、比較例1の蛍光体基板は、輝度変換効率が80であった。比較例3比較例2と同様にして、ガラス基板の一面に、スパッタリング法により、膜厚50μmの低屈折率層を形成した。低屈折率層の材料としては、屈折率が1.35~1.4程度のフッ素樹脂を用いた。次いで、比較例1と同様にして、低屈折率層上に緑色蛍光体層を形成した。次いで、緑色蛍光体層の側面に、スパッタリング法により、膜厚50μmのアルミ全反射膜を均一に形成し、ガラス基板と、その一面上に形成された低屈折率層および緑色蛍光体層と、緑色蛍光体層の側面に形成されたアルミ全反射膜とからなる比較例3の蛍光体基板を得た。その後、青色LEDを励起光として450nmの光を、比較例3の蛍光体基板の背面から入射させた際、その蛍光体基板の側面から蛍光が出射しておらず、その蛍光体基板を正面視した際、比較例2と同等に、蛍光体基板の周囲がぼやけていないことを確認した。また、比較例1と同様にして、青色LEDを励起光として450nmの光を、比較例3の蛍光体基板の背面から入射させた際、その蛍光体基板の正面から取出される蛍光の25°Cにおける輝度変換効率を測定した。その結果、励起光としての青色LEDの輝度が1000cd/m2であったのに対して、緑色蛍光体層を通した後は、547nmに発光のピークを持つ緑色の発光で、輝度は2692cd/m2であった。すなわち、比較例3の蛍光体基板は、輝度変換効率が260であり、比較例1の蛍光体基板に対して、2.6倍の輝度の向上が観測された。実施例1比較例2と同様にして、ガラス基板の一面に、スパッタリング法により、膜厚50μmの低屈折率層を形成した。低屈折率層の材料としては、屈折率が1.35~1.4程度のフッ素樹脂を用いた。次に、低屈折率材層上に障壁光散乱膜を形成した。以下、障壁の形成方法を詳細に説明する。まず、エポキシ系樹脂屈折率:1.59、アクリル系樹脂屈折率:1.49、ルチル型酸化チタン屈折率:2.71、粒径250nm、光重合開始剤および芳香族系溶剤からなる白色感光性組成物を攪拌混合して、ネガ型レジストを調製した。次いで、ガラス基板の一面に形成された低屈折率材層上に、スピンコーター法により、ネガ型レジストを塗布した。その後、80°Cにて10分間プリベークして、膜厚50μmの塗膜を形成した。この塗膜に所望の画像パターンが形成できるようなマスクを被せた後、塗膜にi線300mJ/cm2を照射し、露光した。次いで、アルカリ現像液を用いて現像して、障壁が形成された画素パターン状の構造物を得た。次いで、熱風循環式乾燥炉を用い、140°Cにて60分間ポストベークして、画素を仕切る障壁を形成した。次に、障壁で囲まれた開口部内に、緑色蛍光体層を形成した。ここで、比較例1と同様の緑色蛍光体形成用塗液を用いて、ディスペンサー法により、開口部内に、膜厚50μmの緑色蛍光体層を形成し、ガラス基板と、その一面上に形成された低屈折率層、緑色蛍光体層および障壁とからなる実施例1の蛍光体基板を得た。その後、青色LEDを励起光として450nmの光を、実施例1の蛍光体基板の背面から入射させた際、その蛍光体基板の側面から蛍光が出射しておらず、その蛍光体基板を正面視した際、比較例2および3と同等に、蛍光体基板の周囲がぼやけていないことを確認した。また、比較例1と同様にして、青色LEDを励起光として450nmの光を、実施例1の蛍光体基板の背面から入射させた際、その蛍光体基板の正面から取出される蛍光の25°Cにおける輝度変換効率を測定した。その結果、励起光としての青色LEDの輝度が1000cd/m2であったのに対して、緑色蛍光体層を通した後は、547nmに発光のピークを持つ緑色の発光で、輝度は2901cd/m2であった。すなわち、実施例1の蛍光体基板は、輝度変換効率290であり、比較例1の蛍光体基板に対して、2.9倍の輝度の向上が観測された。実施例2比較例2と同様にして、ガラス基板の一面に、スパッタリング法により、膜厚50μmの低屈折率層を形成した。低屈折率層の材料としては、屈折率が1.35~1.4程度のフッ素樹脂を用いた。次に、実施例1と同様にして、低屈折率材層上に障壁を形成した後、障壁で囲まれた開口部内に緑色蛍光体層を形成した。次に、緑色蛍光体層の上における、励起光を入射させる側の面に、波長選択透過反射層として、酸化チタンTiO2:屈折率=2.30と酸化シリコンSiO2:屈折率=1.47をEB蒸着法により交互に6層成膜して作製した誘電体多層膜を、スパッタリング法により、100nmの膜厚で形成し、ガラス基板と、ガラス基板の一面上に形成された低屈折率層、緑色蛍光体層、障壁および波長選択透過反射層とからなる実施例2の蛍光体基板を得た。その後、青色LEDを励起光として450nmの光を、実施例2の蛍光体基板の背面から入射させた際、その蛍光体基板の側面から蛍光が出射しておらず、その蛍光体基板を正面視した際、実施例1と同等に、蛍光体基板の周囲がぼやけていないことを確認した。また、比較例1と同様にして、青色LEDを励起光として450nmの光を、実施例2の蛍光体基板の背面から入射させた際、その蛍光体基板の正面から取出される蛍光の25°Cにおける輝度変換効率を測定した。その結果、励起光としての青色LEDの輝度が1000cd/m2であったのに対して、緑色蛍光体層を通した後は、547nmに発光のピークを持つ緑色の発光で、輝度は3835cd/m2であった。すなわち、実施例2の蛍光体基板は、輝度変換効率380であり、比較例1の蛍光体基板に対して、3.8倍の輝度の向上が観測された。実施例3比較例1と同様のガラス基板一面に、波長選択透過反射層として、酸化チタンTiO2:屈折率=2.30と酸化シリコンSiO2:屈折率=1.47をEB蒸着法により交互に6層成膜して作製した誘電体多層膜を、スパッタリング法により、100nmの膜厚で形成した。次に、波長選択透過反射層面上に、実施例1と同様な形成方法で、膜厚50μmの障壁光散乱膜を形成し、その後、実施例1と同様のディスペンサー法により、障壁で囲まれた開口部内のガラス基板上に、膜厚20μmの緑色蛍光体層を形成した。次に、障壁のガラス基板と対向する表面一面に、ディスペンサー法により、フェノール樹脂からなる透明の熱硬化性接着層を形成し、この障壁の表面に、比較例1と同様のもう一枚のガラス基板を貼り合わせ、25度環境で3時間放置し、その後、180度環境下のオーブンに約40分間置くことで、接着層を熱硬化させ、ガラス基板と、その一面に形成された波長選択透過反射層と、その一面に形成された障壁と、障壁で囲まれた開口部内のガラス基板上に形成された蛍光体層と、蛍光体層と空気層を介して、障壁の表面に接着層を介して形成されたもう一枚のガラス基板とからなる実施例3の蛍光体基板を得た。その後、青色LEDを励起光として450nmの光を、実施例3の蛍光体基板の背面から入射させた際、その蛍光体基板の側面から蛍光が出射しておらず、その蛍光体基板を正面視した際、実施例1と同等に、蛍光体基板の周囲がぼやけていないことを確認した。また、比較例1と同様にして、青色LEDを励起光として450nmの光を、実施例3の蛍光体基板の背面から入射させた際、その蛍光体基板の正面から取出される蛍光の25°Cにおける輝度変換効率を測定した。その結果、励起光としての青色LEDの輝度が1000cd/m2であったのに対して、緑色蛍光体層を通した後は、547nmに発光のピークを持つ緑色の発光で、輝度は4522cd/m2であった。すなわち、実施例3の蛍光体基板は、輝度変換効率450であり、比較例1の蛍光体基板に対して、4.5倍の輝度の向上が観測された。比較例1~3および実施例1~3の蛍光体基板における輝度、輝度変換効率、各例と比較例1との比較、並びに、蛍光体基板周囲のぼやけに関する結果を表1に示す。実施例4[青色有機EL蛍光体方式]比較例2と同様にして、ガラス基板の一面に、スパッタリング法により、膜厚50μmの低屈折率層を形成した。低屈折率層の材料としては、屈折率が1.35~1.4程度のフッ素樹脂を用いた。次に、低屈折率材層上に障壁光散乱膜を形成した。以下、障壁の形成方法を詳細に説明する。まず、エポキシ系樹脂屈折率:1.59、アクリル系樹脂屈折率:1.49、ルチル型酸化チタン屈折率:2.71、粒径250nm、光重合開始剤および芳香族系溶剤からなる白色感光性組成物を攪拌混合して、ネガ型レジストを調製した。次いで、ガラス基板の一面に形成された低屈折率材層上に、スピンコーター法により、ネガ型レジストを塗布した。その後、80°Cにて10分間プリベークして、膜厚50μmの塗膜を形成した。この塗膜に所望の画像パターンが形成できるようなマスクを被せた後、塗膜にi線300mJ/cm2を照射し、露光した。次いで、アルカリ現像液を用いて現像して、障壁が形成された画素パターン状の構造物を得た。次いで、熱風循環式乾燥炉を用い、140°Cにて60分間ポストベークして、画素を仕切る障壁を形成した。次に、障壁で囲まれた開口部内に、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色散乱体層を形成した。以下、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色散乱体層の形成方法を詳細に説明する。赤色蛍光体層を形成するには、まず、平均粒径5nmのエアロジル0.16gに、エタノール15gおよびγ-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン0.22gを加えて、開放系室温下1時間攪拌した。この混合物と、20gの赤色蛍光体K5Eu2.5WO46.25とを乳鉢に移し、よくすり混ぜた後、70°Cのオーブンで2時間、さらに、120°Cのオーブンで2時間加熱し、表面改質したK5Eu2.5WO46.25を得た。次いで、10gの表面改質したK5Eu2.5WO46.25に、水/ジメチルスルホキシド=1/1の混合溶液300gで溶解されたポリビニルアルコール30gを加え、分散機により攪拌して、赤色蛍光体形成用塗液を調製した。次いで、障壁における所定の開口部内に、ディスペンサー法により、赤色蛍光体形成用塗液を塗布した。次いで、真空オーブン200°C、10mmHgの条件で4時間加熱乾燥し、膜厚50μmの赤色蛍光体層を形成した。緑色蛍光体層を形成するには、まず、平均粒径5nmのエアロジル0.16gに、エタノール15gおよびγ-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン0.22gを加えて、開放系室温下1時間攪拌した。この混合物と、20gの緑色蛍光体Ba2SiO4:Eu2とを乳鉢に移し、よくすり混ぜた後、70°Cのオーブンで2時間、さらに、120°Cのオーブンで2時間加熱し、表面改質したBa2SiO4:Eu2を得た。次いで、10gの表面改質したBa2SiO4:Eu2に、水/ジメチルスルホキシド=1/1の混合溶液300gで溶解されたポリビニルアルコール30gを加え、分散機により攪拌して、緑色蛍光体形成用塗液を調製した。次いで、障壁における所定の開口部内に、ディスペンサー法により、緑色蛍光体形成用塗液を塗布した。次いで、真空オーブン200°C、10mmHgの条件で4時間加熱乾燥し、膜厚50μmの緑色蛍光体層を形成した。青色散乱体層を形成するには、20gの平均粒径1.5μmのシリカ粒子屈折率:1.65に、水/ジメチルスルホキシド=1/1の混合溶液300gで溶解されたポリビニルアルコール30gを加え、分散機により攪拌して、青色散乱体層形成用塗液を調製した。次いで、障壁における所定の開口部内に、ディスペンサー法により、青色散乱体層形成用塗液を塗布した。次いで、真空オーブン200°C、10mmHgの条件で4時間加熱乾燥し、膜厚50μmの青色散乱体層を形成した。次に、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色散乱体層の上における、励起光を入射させる側の面に、波長選択透過反射層として、酸化チタンTiO2:屈折率=2.30と酸化シリコンSiO2:屈折率=1.47をEB蒸着法で交互に6層成膜して作製した誘電体多層膜を、スパッタリング法により、100nmの膜厚で形成し、ガラス基板と、ガラス基板の一面上に形成された低屈折率層、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層、青色散乱体層、障壁および波長選択透過反射層とからなる蛍光体基板を得た。一方、厚さ0.7mmのガラス基板上に、スパッタリング法により、銀からなる膜厚100nmの反射電極を成膜し、その反射電極上に、スパッタリング法により、膜厚20nmの透インジウム-スズ酸化物ITOを成膜することによって、第一電極陽極を形成した。その後、従来のフォトリソグラフィー法により、第一電極の幅が160μm、200μmピッチで90本のストライプにパターニングした。次に、第一電極上に、スパッタリング法により、SiO2を200nm積層し、従来のフォトリソグラフィー法により、第一電極のエッジ部のみを覆うようにパターン化した。ここでは、第一電極の端から10μm分だけ短辺をSiO2で覆う構造とした。これを、水洗後、純水超音波洗浄10分、アセトン超音波洗浄10分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄5分を行い、120°Cにて1時間乾燥させた。次に、第一電極を形成した基板を、インライン型抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに固定し、1×10-4Pa以下の真空まで減圧し、有機発光層を含む有機EL層を構成する各層を形成した。以下、有機EL層を構成する各層の形成方法を詳細に説明する。まず、正孔注入材料として、1,1-ビス-ジ-4-トリルアミノ-フェニル-シクロヘキサンTAPCを用い、抵抗加熱蒸着法により膜厚100nmの正孔注入層を形成した。次いで、正孔輸送材料として、N,N’-di-l-ナフチル-N,N’-ジフェニル-1,1’-ビフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンNPDを用い、抵抗加熱蒸着法により膜厚40nmの正孔輸送層を形成した。次に、正孔輸送層上の所望の画素位置に、青色の有機発光層厚さ:30nmを形成した。この青色の有機発光層は、1,4-ビス-トリフェニルシリル-ベンゼンUGH-2ホスト材料と、ビス[4,6-ジフルオロフェニル-ピリジナト-N,C2’]ピコリネートイリジウムIIIFIrpic青色燐光発光ドーパントとを、それぞれ蒸着速度1.5Å/sec、0.2Å/secで共蒸着することによって形成した。次に、有機発光層の上に、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBCPを用いて、正孔防止層厚さ:10nmを形成した。次に、正孔防止層上に、トリス8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3を用いて電子輸送層厚さ:30nmを形成した。次に、電子輸送層上に、フッ化リチウムLiFを用いて電子注入層厚さ:0.5nmを形成した。以上の処理によって、有機EL層を構成する各層を形成した。この後、第二電極として半透明電極を形成した。まず、基板を金属蒸着用チャンバーに固定し、半透明電極形成用のシャドーマスクと基板をアライメントした。なお、シャドーマスクとしては、第一電極のストライプと対向する向きに、500μm幅、600μmピッチのストライプ状に第二電極を形成できるように開口部が設けられたマスクを用いた。次いで、電子注入層の表面に、真空蒸着法により、マグネシウムと銀とを、それぞれ蒸着速度0.1Å/sec、0.9Å/secで共蒸着することによって、マグネシウム銀を所望のパターンで形成厚さ:1nmした。さらに、その上に、干渉効果を強調する目的、および、第二電極での配線抵抗による電圧降下を防止する目的で、銀を1Å/secの蒸着速度で所望のパターンで形成厚さ:19nmした。以上の処理によって、半透明電極を形成した。ここで、第一電極と第二電極の間では、マイクロキャビティ効果干渉効果が発現し、正面輝度を高めることが可能となる。これにより、有機EL層からの発光エネルギーを効率よく光取出部側に伝搬させることができる。また、同様にマイクロキャビティ効果により、発光ピークを460nm、半値幅を50nmに調整した。次に、プラズマCVD法により、シャドーマスクを用いて表示部の端から上下左右2mmの封止エリアまで、厚さ3μmのSiO2からなる無機保護層をパターニング形成した。以上の処理によって、有機EL素子が形成された有機EL素子基板を得た。次に、以上のようにして作製した有機EL素子基板と蛍光体基板とを、画素配置位置の外側に形成されている位置合わせマーカーにより位置合わせを行った。なお、予め蛍光体基板には、熱硬化樹脂を塗布した。有機EL素子基板と蛍光体基板を位置合わせした後、熱硬化樹脂を介して両基板を密着し、80°C、2時間加熱することにより、熱硬化樹脂を硬化し、有機EL素子基板と蛍光体基板を貼り合せた。なお、両基板を貼り合わせる工程は、有機層が水分により劣化することを防止するために、ドライエアー環境下水分量:-80°Cで行った。最後に、周辺に形成されている端子を外部電源に接続することにより、実施例3の有機EL表示装置を完成した。ここで、外部電源により所望の電流を所望のストライプ状電極に印加することによって、青色発光有機EL素子を任意にスイッチング可能な励起光源とし、赤色蛍光体層にて青色光を赤色光に変換し、緑色蛍光体層にて青色光を緑色光に変換することにより、赤色、緑色の等方発光が得られるとともに、青色散乱体層を介することにより、等方的な青色発光が得られた。これにより、フルカラー表示が可能で、良好な画像、視野角特性のよい画像を得ることができた。実施例5[アクティブ駆動型青色有機EL蛍光体方式]実施例4と同様にして、蛍光体基板を作製した。100×100mm角のガラス基板上に、PECVD法を用いて、アモルファスシリコン半導体膜を形成した。次いで、結晶化処理を施すことにより、多結晶シリコン半導体膜を形成した。次いで、フォトリソグラフィー法を用いて多結晶シリコン半導体膜を複数の島状にパターンニングした。次いで、パターニングした多結晶シリコン半導体層の上に、ゲート絶縁膜およびゲート電極層をこの順番で形成し、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングを行った。その後、パターニングした多結晶シリコン半導体膜にリン等の不純物元素をドーピングすることによりソースおよびドレイン領域を形成し、TFT素子を作製した。その後、平坦化膜を形成した。平坦化膜としては、PECVD法により形成した窒化シリコン膜と、スピンコーター法により形成したアクリル系樹脂層とを、この順で積層し形成した。以下、平坦化膜の形成方法を詳細に説明する。まず、窒化シリコン膜を形成した後、窒化シリコン膜とゲート絶縁膜とを一括してエッチングすることによりソースおよび/またはドレイン領域に通ずるコンタクトホールを形成し、続いて、ソース配線を形成した。その後、アクリル系樹脂層を形成し、ゲート絶縁膜および窒化シリコン膜に穿孔したドレイン領域のコンタクトホールと同じ位置に、ドレイン領域に通ずるコンタクトホールを形成することにより、アクティブマトリクス基板を完成させた。平坦化膜としての機能は、アクリル系樹脂層で実現される。なお、TFTのゲート電位を定電位にするためのコンデンサーは、スイッチング用TFTのドレインと駆動用TFTのソースとの間に層間絶縁膜等の絶縁膜を介することで形成される。アクティブマトリクス基板上に、平坦化層を貫通して駆動用TFTと、赤色発光有機EL素子の第一電極と、緑色発光有機EL素子の第一電極と、青色発光有機EL素子の第一電極とをそれぞれ電気的に接続するコンタクトホールを形成した。次に、各発光画素を駆動するためのTFTと接続した平坦化層を貫通して設けられたコンタクトホールに電気的に接続するように、スパッタリング法により、各画素の第一電極陽極を形成した。第一電極は、膜厚150nmのAlアルミニウム膜と、膜厚20nmのIZO酸化インジウム-酸化亜鉛とを積層して形成した。次に、従来のフォトリソグラフィー法により、各画素に対応した形状に、第一電極をパターン化した。ここでは、第一電極の面積としては、300μm×160μmとした。また、100×100角の基板に形成した。表示部は80mm×80mmであり、表示部の上下左右に2mm幅の封止エリアを設け、表示部の短辺側には、さらに封止エリアの外にそれぞれ2mmの端子取出し部を設けた。表示部の長辺側には、折り曲げを行う方に、2mm端子取出し部を設けた。次に、第一電極上に、スパッタリング法により、SiO2を200nm積層し、従来のフォトリソグラフィー法により、第一電極のエッジ部のみを覆うようにパターン化した。ここでは、第一電極の端から10μm分だけ4辺をSiO2で覆う構造とし、エッジカバーとした。次に、第一電極を形成したアクティブマトリクス基板を洗浄した。アクティブマトリクス基板の洗浄方法としては、例えば、アセトン、イソプロピルアルコールを用いて、超音波洗浄を10分間行い、続いて、UV-オゾン洗浄を30分間行った。次に、第一電極を形成したアクティブマトリクス基板を、インライン型抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに固定し、1×10-4Pa以下の真空まで減圧し、有機発光層を含む有機EL層を構成する各層を形成した。以下、有機EL層を構成する各層の形成方法を詳細に説明する。まず、正孔注入材料として、1,1-ビス-ジ-4-トリルアミノ-フェニル-シクロヘキサンTAPCを用い、抵抗加熱蒸着法により膜厚100nmの正孔注入層を形成した。次に、正孔輸送材料として、N,N’-di-l-ナフチル-N,N’-ジフェニル-1,1’-ビフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンNPDを用い、抵抗加熱蒸着法により膜厚40nmの正孔輸送層を形成した。次に、正孔輸送層上の所望の画素位置に、青色の有機発光層厚さ:30nmを形成した。この青色の有機発光層は、1,4-ビス-トリフェニルシリル-ベンゼンUGH-2ホスト材料と、ビス[4,6-ジフルオロフェニル-ピリジナト-N,C2’]ピコリネートイリジウムIIIFIrpic青色燐光発光ドーパントとを、それぞれ蒸着速度1.5Å/sec、0.2Å/secで共蒸着することによって形成した。次に、有機発光層の上に、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBCPを用いて、正孔防止層厚さ:10nmを形成した。次に、正孔防止層上に、トリス8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3を用いて電子輸送層厚さ:30nmを形成した。次に、電子輸送層上に、フッ化リチウムLiFを用いて電子注入層厚さ:0.5nmを形成した。以上の処理によって、有機EL層を構成する各層を形成した。この後、第二電極として半透明電極を形成した。まず、有機EL層を形成したアクティブマトリクス基板を金属蒸着用チャンバーに固定し、半透明電極形成用のシャドーマスクとアクティブマトリクス基板をアライメントした。なお、シャドーマスクとしては、第一電極のストライプと対向する向きに、2mm幅のストライプ状に第二電極を形成できるように開口部が設けられたマスクを用いた。次いで、電子注入層の表面に、真空蒸着法により、マグネシウムと銀とを、それぞれ蒸着速度0.1Å/sec、0.9Å/secで共蒸着することによって、マグネシウム銀を所望のパターンで形成厚さ:1nmした。さらに、その上に、干渉効果を強調する目的、および、第二電極での配線抵抗による電圧降下を防止する目的で、銀を1Å/secの蒸着速度で所望のパターンで形成厚さ:19nmした。以上の処理によって、半透明電極を形成した。ここで、第一電極と第二電極の間では、マイクロキャビティ効果干渉効果が発現し、正面輝度を高めることが可能となる。これにより、有機EL層からの発光エネルギーを効率よく光取出部側に伝搬させることができる。また、同様にマイクロキャビティ効果により、発光ピークを460nm、半値幅を50nmに調整した。次に、プラズマCVD法により、シャドーマスクを用いて表示部の端から上下左右2mmの封止エリアまで、厚さ3μmのSiO2からなる無機保護層をパターニング形成した。以上の処理によって、有機EL素子が形成されたアクティブ駆動型有機EL素子基板を得た。次に、以上のようにして作製したアクティブ駆動型有機EL素子基板と蛍光体基板とを、画素配置位置の外側に形成されている位置合わせマーカーにより位置合わせを行った。なお、予め蛍光体基板には、熱硬化樹脂を塗布した。アクティブ駆動型有機EL素子基板と蛍光体基板を位置合わせした後、熱硬化樹脂を介して両基板を密着し、90°C、2時間加熱することにより、熱硬化樹脂を硬化し、有機EL素子基板と蛍光体基板を貼り合せた。なお、両基板を貼り合わせる工程は、有機層が水分により劣化することを防止するために、ドライエアー環境下水分量:-80°Cで行った。次に、光取り出し方向の基板に、偏光板を貼り合わせ、アクティブ駆動型有機EL素子を得た。最後に、短辺側に形成された端子を、ソースドライバを介して電源回路に接続するとともに、長辺側に形成された端子を、ゲートドライバを介して外部電源に接続することにより、80×80mmの表示部を持つアクティブ駆動型有機EL表示装置を完成した。ここで、外部電源により所望の電流を所望のストライプ状電極に印加することによって、青色発光有機EL素子を任意にスイッチング可能な励起光源とし、赤色蛍光体層にて青色光を赤色光に変換し、緑色蛍光体層にて青色光を緑色光に変換することにより、赤色、緑色の等方発光が得られるとともに、青色散乱体層を介することにより、等方的な青色発光が得られた。これにより、フルカラー表示が可能で、良好な画像、視野角特性のよい画像を得ることができた。実施例6[青色LED蛍光体方式]実施例4と同様にして、蛍光体基板を作製した。TMGトリメチルガリウムとNH3とを用い、反応容器にセットしたサファイア基板のC面に550°CでGaNよりなるバッファ層を60nmの膜厚で成長させた。次に、温度を1050°Cまで上げ、TMG、NH3に加えSiH4ガスを用い、Siドープn型GaNからなるn型コンタクト層を5μmの膜厚で成長させた。次に、原料ガスにTMAトリメチルアルミニウムを加え、同じく1050°CでSiドープn型Al0.3Ga0.7N層よりなる第2のクラッド層を0.2μmの膜厚で成長させた。次に、温度を850°Cに下げ、TMG、TMIトリメチルインジウム、NH3およびSiH4を用い、Siドープn型In0.01Ga0.99Nよりなる第1のn型クラッド層を60nmの膜厚で成長させた。次に、TMG、TMIおよびNH3を用い、850°CでノンドープIn0.05Ga0.95Nからなる活性層を5nmの膜厚で成長させた。さらに、TMG、TMI、NH3に加えて、新たにCPMgシクロペンタジエニルマグネシウムを用い、850°CでMgドープp型In0.01Ga0.99Nよりなる第1のp型クラッド層を60nmの膜厚で成長させた。次に、温度を1100°Cに上げ、TMG、TMA、NH3、CPMgを用い、Mgドープp型Al0.3Ga0.7Nからなる第2のp型クラッド層を150nmの膜厚で成長させた。次に、1100°CにてTMG、NH3およびCPMgを用い、Mgドープp型GaNからなるp型コンタクト層を600nmの膜厚で成長させた。以上の操作終了後、温度を室温まで下げてウェーハを反応容器から取り出し、720°Cにてウェーハのアニーリングを行い、p型層を低抵抗化した。次に、最上層のp型コンタクト層の表面に所定の形状のマスクを形成し、n型コンタクト層の表面が露出するまでエッチングした。エッチング後、n型コンタクト層の表面にチタンTiとアルミニウムAlからなる負電極、p型コンタクト層の表面に、ニッケルNiと金Auからなる正電極を形成した。正電極形成後、ウェーハを350μm角のチップに分離した後、別に用意してある外部回路に接続するための配線が形成された基板上に、LEDチップをUV硬化樹脂で固定し、LEDチップと基板上の配線を電気的に接続し、青色LEDからなる光源基板を得た。次に、以上のようにして作製した光源基板と蛍光体基板とを、画素配置位置の外側に形成されている位置合わせマーカーにより位置合わせを行った。なお、予め蛍光体基板には、熱硬化樹脂を塗布した。光源基板と蛍光体基板とを位置合わせした後、熱硬化樹脂を介して両基板を密着し、80°C、2時間加熱することにより、熱硬化樹脂を硬化し、有機EL素子基板と蛍光体基板を貼り合せた。なお、両基板を貼り合わせる工程は、有機層が水分により劣化することを防止するために、ドライエアー環境下水分量:-80°Cで行った。最後に、周辺に形成されている端子を外部電源に接続することにより、実施例5のLED表示装置を完成した。ここで、外部電源により所望の電流を所望のストライプ状電極に印加することによって、青色発光有機EL素子を任意にスイッチング可能な励起光源とし、赤色蛍光体層にて青色光を赤色光に変換し、緑色蛍光体層にて青色光を緑色光に変換することにより、赤色、緑色の等方発光が得られるとともに、青色散乱体層を介することにより、等方的な青色発光が得られた。これにより、フルカラー表示が可能で、良好な画像、視野角特性のよい画像を得ることができた。実施例7[青色有機EL液晶蛍光体方式]厚さ0.7mmのガラス基板の一面に、スパッタリング法により、膜厚50μmの低屈折率層を形成した。低屈折率層の材料としては、屈折率が1.35~1.4程度のフッ素樹脂を用いた。次に、低屈折率材層上に、障壁光散乱膜を形成した。以下、障壁の形成方法を詳細に説明する。まず、エポキシ系樹脂屈折率:1.59、アクリル系樹脂屈折率:1.49、ルチル型酸化チタン屈折率:2.71、粒径250nm、光重合開始剤および芳香族系溶剤からなる白色感光性組成物を攪拌混合して、ネガ型レジストを調製した。次いで、ガラス基板の一面に形成された低屈折率材層上に、スピンコーター法により、ネガ型レジストを塗布した。その後、80°Cにて10分間プリベークして、膜厚50μmの塗膜を形成した。この塗膜に所望の画像パターンが形成できるようなマスクを被せた後、塗膜にi線300mJ/cm2を照射し、露光した。次いで、アルカリ現像液を用いて現像して、障壁が形成された画素パターン状の構造物を得た。次いで、熱風循環式乾燥炉を用い、140°Cにて60分間ポストベークして、画素を仕切る障壁を形成した。次に、障壁で囲まれた開口部内に、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色散乱体層を形成した。以下、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色散乱体層の形成方法を詳細に説明する。赤色蛍光体層を形成するには、まず、[2-[2-[4-ジメチルアミノフェニル]エテニル]-6-メチル-4H-ピラン-4-イリデン]-プロパンジニトリルDCM0.02mol/kg固形分比を、エポキシ系熱硬化樹脂に混合し、攪拌機により攪拌して、赤色蛍光体形成用塗液を調製した。次いで、障壁における所定の開口部内に、ディスペンサー法により、赤色蛍光体形成用塗液を塗布した。次いで、真空オーブン150°Cの条件で1時間加熱乾燥し、膜厚2μmの赤色蛍光体層を形成した。ここで、赤色蛍光体層の断面形状は、低反射層の撥水処理による効果により、蒲鉾状の形状であった。緑色蛍光体層を形成するには、まず、2,3,6,7-テトラヒドロ-11-オクソ-1H,5H,11H-[1]ベンゾピラノ[6,7,8-ij]キノリジン-10-カルボン酸クマリン5190.02mol/kg固形分比を、エポキシ系熱硬化樹脂に混合し、攪拌機により攪拌して、緑色蛍光体形成用塗液を調製した。次いで、障壁における所定の開口部内に、ディスペンサー法により、緑色蛍光体形成用塗液を塗布した。次いで、真空オーブン150°Cの条件で1時間加熱乾燥し、膜厚2μmの緑色蛍光体層を形成した。ここで、緑色蛍光体層の断面形状は、低反射層の撥水処理による効果により、蒲鉾状の形状であった。青色蛍光体層を形成するには、まず、7-ヒドロキシ-4-メチルクマリンクマリン40.02mol/kg固形分比を、エポキシ系熱硬化樹脂に混合し、攪拌機により攪拌して、青色蛍光体形成用塗液を調製した。次いで、障壁における所定の開口部内に、ディスペンサー法により、青色蛍光体形成用塗液を塗布した。次いで、真空オーブン150°Cの条件で1時間加熱乾燥し、膜厚2μmの青色蛍光体層を形成した。ここで、青色蛍光体層の断面形状は、低反射層の撥水処理による効果により、蒲鉾状の形状であった。次に、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色蛍光体層の上における、励起光を入射させる側の面に、波長選択透過反射層として、酸化チタンTiO2:屈折率=2.30と酸化シリコンSiO2:屈折率=1.47をEB蒸着法で交互に6層成膜して作製した誘電体多層膜を、スパッタリング法により、100nmの膜厚で形成した。次に、波長選択透過反射層上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂を用いて平坦化膜を形成し、その平坦化膜上に、従来の方法により、偏光フィルム、透明電極および配光膜を形成し、ガラス基板と、ガラス基板の一面上に形成された低屈折率層、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層、青色散乱体層、障壁、波長選択透過反射層等とからなる蛍光体基板を得た。次に、ガラス基板上に、従来の方法により、TFTからなるスイッチング素子を形成した。次に、上記のTFTとコンタクトホールを介して、電気的に接触するように、膜厚100nmのITO透明電極を形成した。次に、予め作製してある有機EL部の画素と同一のピッチになるように、通常のフォトリソグラフィー法により、透明電極をパターニングした。次に、配向膜を印刷法によって形成した。次に、TFTが形成された基板と蛍光体基板とを、厚さ10μmのスペーサーを介して、接着し、両基板間に、TNモードの液晶材料を注入し、液晶蛍光体部を完成した。一方、厚さ0.7mmのガラス基板上に、スパッタリング法により、銀からなる膜厚100nmの反射電極を成膜し、その反射電極上に、スパッタリング法により、膜厚20nmの透インジウム-スズ酸化物ITOを成膜することによって、第一電極陽極を形成した。その後、従来のフォトリソグラフィー法により、第一電極の幅が所望の大きさとなるようにパターニングした。次に、第一電極上に、スパッタリング法により、SiO2を200nm積層し、従来のフォトリソグラフィー法により、第一電極のエッジ部のみを覆うようにパターン化した。ここでは、第一電極の端から10μm分だけ短辺をSiO2で覆う構造とした。これを、水洗後、純水超音波洗浄10分、アセトン超音波洗浄10分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄5分を行い、120°Cにて1時間乾燥させた。次に、第一電極を形成した基板を、インライン型抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに固定し、1×10-4Pa以下の真空まで減圧し、有機発光層を含む有機EL層を構成する各層を形成した。以下、有機EL層を構成する各層の形成方法を詳細に説明する。まず、正孔注入材料として、1,1-ビス-ジ-4-トリルアミノ-フェニル-シクロヘキサンTAPCを用い、抵抗加熱蒸着法により膜厚100nmの正孔注入層を形成した。次に、正孔輸送材料として、カルバゾールビフェニルCBPを用い、抵抗加熱蒸着法により膜厚10nmの正孔輸送層を形成した。次に、正孔輸送層上の所望の画素位置に、近紫外有機発光層厚さ:30nmを形成した。この近紫外有機発光層は、3,5-ビス4-t-ブチル-フェニル-4-フェニル-[1,2,4]トリアゾールTAZ近紫外燐光発光材料を、蒸着速度1.5Å/secで蒸着することによって形成した。次に、有機発光層の上に、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリンBCPを用いて、正孔防止層厚さ:20nmを形成した。次に、正孔防止層上に、トリス8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3を用いて電子輸送層厚さ:30nmを形成した。次に、電子輸送層上に、フッ化リチウムLiFを用いて電子注入層厚さ:0.5nmを形成した。以上の処理によって、有機EL層を構成する各層を形成した。この後、第二電極として半透明電極を形成した。まず、基板を金属蒸着用チャンバーに固定、半透明電極形成用のシャドーマスクと基板をアライメントした。なお、シャドーマスクとしては、第一電極のストライプと対向する向きに、500μm幅、600μmピッチのストライプ状に第二電極を形成できるように開口部が設けられたマスクを用いた。次いで、電子注入層の表面に、真空蒸着法により、マグネシウムと銀とを、それぞれ蒸着速度0.1Å/sec、0.9Å/secで共蒸着することによって、マグネシウム銀を所望のパターンで形成厚さ:1nmした。さらに、その上に、干渉効果を強調する目的、および、第二電極での配線抵抗による電圧降下を防止する目的で、銀を1Å/secの蒸着速度で所望のパターンで形成厚さ:19nmした。以上の処理によって、半透明電極を形成した。第一電極と第二電極の間では、マイクロキャビティ効果干渉効果が発現し、正面輝度を高めることが可能となる。これにより、有機EL層からの発光エネルギーを効率よく光取出部側に伝搬させることができる。また、同様にマイクロキャビティ効果により、発光ピークを370nm、半値幅を30nmに調整した。次に、プラズマCVD法により、シャドーマスクを用いて表示部の端から上下左右2mmの封止エリアまで、厚さ3μmのSiO2からなる無機保護層をパターニング形成した。以上の処理によって、有機EL素子が形成された有機EL素子基板を得た。以上のようにして作製した有機EL素子基板と蛍光体基板とを、画素配置位置の外側に形成されている位置合わせマーカーにより位置合わせを行った。なお、予め蛍光体基板には、熱硬化樹脂を塗布した。有機EL素子基板と蛍光体基板を位置合わせした後、熱硬化樹脂を介して両基板を密着し、80°C、2時間加熱することにより、熱硬化樹脂を硬化し、有機EL素子基板と蛍光体基板を貼り合せた。なお、両基板を貼り合わせる工程は、有機層が水分により劣化することを防止するために、ドライエアー環境下水分量:-80°Cで行った。最後に、周辺に形成されている端子を外部電源に接続することにより、実施例6の有機EL表示装置を完成した。ここで、外部電源により所望の電流を所望のストライプ状電極に印加することによって、青色発光有機EL素子を任意にスイッチング可能な励起光源とし、赤色蛍光体層にて青色光を赤色光に変換し、緑色蛍光体層にて青色光を緑色光に変換することにより、赤色、緑色の等方発光が得られることにより、等方的な青色発光が得られた。これにより、フルカラー表示が可能で、良好な画像、視野角特性のよい画像を得ることができた。"