"少なくとも1つの放射素子により、エネルギ印加区域内の対象物に電磁エネルギを加えるための装置において、前記エネルギ印加区域内の前記対象物に複数の電磁場パターンで電磁エネルギを加えさせ、前記複数のフィールドパターンのそれぞれについて、前記エネルギ印加区域内で散逸される出力量を求め、前記複数のフィールドパターンを前記エネルギ印加区域に適用する場合に散逸される前記出力量に基づいて、前記エネルギ印加区域の少なくとも一部にわたるエネルギ吸収特性の空間的分布を求めるように構成される少なくとも1個のプロセッサを含むことを特徴とする装置。請求項1に記載の装置において、前記プロセッサが、前記対象物の少なくとも一部にわたるエネルギ吸収特性の空間的分布を求めるようにさらに構成されることを特徴とする装置。請求項1または請求項2に記載の装置において、前記電磁エネルギが無線周波数RF範囲内にあることを特徴とする装置。請求項1乃至3の何れか1項に記載の装置において、前記少なくとも1個のプロセッサが、前記複数のフィールドパターンのそれぞれに関連する電磁場強度、および前記複数のフィールドパターンのそれぞれにおいて前記エネルギ印加区域内で散逸される出力に基づき、前記エネルギ吸収特性の空間的分布を計算するように構成されることを特徴とする装置。請求項1乃至4の何れか1項に記載の装置において、前記少なくとも1個のプロセッサが、前記エネルギ吸収特性の空間的分布に基づいて前記対象物の位置を求めるように構成されることを特徴とする装置。請求項1乃至5の何れか1項に記載の装置において、前記少なくとも1個のプロセッサが、前記複数のフィールドパターンのそれぞれを励起することに由来する、既知の高強度フィールドエリアの位置に基づいて前記対象物の位置を求めるように構成されることを特徴とする装置。請求項1乃至6の何れか1項に記載の装置において、前記少なくとも1個のプロセッサが、前記エネルギ吸収特性の空間的分布を繰り返し求めるように構成されることを特徴とする装置。請求項7に記載の装置において、エネルギ吸収特性の空間的分布を2回求める間の時間差が、エネルギ吸収特性の空間的分布の他の2回の特定間の差の大きさの関数であることを特徴とする装置。請求項8に記載の装置において、エネルギ吸収特性の空間的分布を2回求める間の時間差が、前記対象物の特徴の関数であることを特徴とする装置。請求項1乃至9の何れか1項に記載の装置において、前記複数のフィールドパターンのそれぞれについて、前記プロセッサが、前記対象物内で散逸される出力と他の場所で散逸される出力とを区別するように構成されることを特徴とする装置。請求項10に記載の装置において、前記プロセッサが、エネルギ印加区域の構造に関連する損失値を使用して区別を行うように構成されることを特徴とする装置。請求項1乃至11の何れか1項に記載の装置において、前記少なくとも1個のプロセッサが、前記エネルギ吸収特性の空間的分布に基づいて、前記エネルギ印加区域の異なる部分に異なるエネルギ量を加えさせるようにさらに構成されることを特徴とする装置。請求項1乃至12の何れか1項に記載の装置において、同様のエネルギ吸収特性の領域に同様のエネルギ量が加えられ、異なるエネルギ吸収特性の領域に異なるエネルギ量が加えられるよう、前記少なくとも1個のプロセッサが、前記エネルギ印加区域の異なる部分に異なるエネルギ量を加えさせるようにさらに構成されることを特徴とする装置。請求項1乃至13の何れか1項に記載の装置において、異なるエネルギ吸収特性の領域により同様のエネルギ量が吸収されるよう、前記少なくとも1個のプロセッサが、前記エネルギ印加区域の異なる部分に異なるエネルギ量を加えさせるようにさらに構成されることを特徴とする装置。請求項1乃至14の何れか1項に記載の装置において、前記エネルギ印加区域内でエネルギ吸収の所定の空間的分布が得られるよう、前記少なくとも1個のプロセッサが、前記エネルギ印加区域の異なる部分に異なるエネルギ量を加えさせるようにさらに構成されることを特徴とする装置。請求項1乃至15の何れか1項に記載の装置において、前記少なくとも1個のプロセッサが、前記対象物内の異なる領域において、制御されたエネルギ量を吸収させるようにさらに構成されることを特徴とする装置。請求項1乃至16の何れか1項に記載の装置において、前記プロセッサが、前記エネルギ印加区域の所定の部分内で散逸される出力量だけを求めるように構成されることを特徴とする装置。請求項17に記載の装置において、前記所定の部分には、前記エネルギ印加区域内の前記対象物の1つまたは複数の部分が含まれることを特徴とする装置。請求項1乃至18の何れか1項に記載の装置において、前記少なくとも1個のプロセッサが、前記エネルギ吸収特性の空間的分布をルックアップテーブルとして記憶させるようにさらに構成されることを特徴とする装置。請求項19に記載の装置において、前記ルックアップテーブルが、前記エネルギ印加区域の領域とその対応する吸収率との間の関係を表すことを特徴とする装置。請求項1乃至20の何れか1項に記載の装置において、前記少なくとも1個のプロセッサが、前記エネルギ印加区域の少なくとも一部における前記エネルギ吸収特性の空間的分布の表示を、イメージとしてもたらすようにさらに構成されることを特徴とする装置。請求項1乃至21の何れか1項に記載の装置において、電磁エネルギ源をさらに含み、前記供給源が、位相変調器、周波数変調器、および振幅変調器のうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする装置。請求項1乃至22の何れか1項に記載の装置において、前記エネルギ印加区域に電磁エネルギを加えるように構成される、少なくとも1つの放射素子をさらに含むことを特徴とする装置。請求項1乃至23の何れか1項に記載の装置において、電磁エネルギ源をさらに含み、前記供給源が、前記エネルギ印加区域に電磁エネルギを加えるように構成される少なくとも1つの放射素子を含むことを特徴とする装置。請求項1乃至24の何れか1項に記載の装置において、前記エネルギ印加区域が共振空洞であることを特徴とする装置。請求項1乃至25の何れか1項に記載の装置において、前記エネルギ印加区域がモーダル空洞であることを特徴とする装置。対象物に電磁エネルギを加えるための装置において、電磁エネルギ源と、エネルギ印加区域と、前記エネルギ印加区域内の前記対象物に複数の電磁場パターンで電磁エネルギを加えさせ、前記複数のフィールドパターンのそれぞれについて、前記エネルギ印加区域内で散逸される出力量を求め、前記複数のフィールドパターンを前記エネルギ印加区域に適用する場合に散逸される前記出力量に基づいて、前記対象物の少なくとも一部にわたるエネルギ吸収特性の空間的分布を求めるように構成される少なくとも1個のプロセッサと、を含むことを特徴とする装置。対象物に電磁エネルギを加えるための方法において、エネルギ印加区域内の前記対象物に対して、複数の電磁場パターンを電磁エネルギ源に加えさせるステップと、前記複数のフィールドパターンのそれぞれについて、前記エネルギ印加区域内で散逸される出力量を求めるステップと、前記複数のフィールドパターンにおいて散逸される前記出力量に基づいて、前記対象物の少なくとも一部にわたるエネルギ吸収特性の空間的分布を求めるステップと、を含むことを特徴とする方法。請求項28に記載の方法において、前記エネルギ吸収特性の空間的分布が、前記複数のフィールドパターンのそれぞれに関連する電磁場強度分布、および前記複数のフィールドパターンのそれぞれにおいて前記エネルギ印加区域内で散逸される出力に基づいて求められることを特徴とする方法。請求項28または29に記載の方法において、前記エネルギ吸収特性の空間的分布に基づいて前記対象物の位置を求めるステップをさらに含むことを特徴とする方法。請求項28乃至30の何れか1項に記載の方法において、前記エネルギ吸収特性の空間的分布を繰り返し求めるステップをさらに含むことを特徴とする方法。請求項31に記載の方法において、エネルギ吸収特性の繰り返し空間的分布を2回求める間の時間差が、2回求めたエネルギ吸収特性の空間的分布間の差の大きさの関数であることを特徴とする方法。請求項31に記載の方法において、エネルギ吸収特性の空間的分布を2回求める間の時間差が、前記対象物の特徴の関数であることを特徴とする方法。請求項28乃至33の何れか1項に記載の方法において、前記エネルギ吸収特性の空間的分布に基づいて、前記エネルギ印加区域の異なる部分に異なるエネルギ量を加えさせるステップをさらに含むことを特徴とする方法。請求項28乃至34の何れか1項に記載の方法において、前記対象物内の異なる領域において、制御されたエネルギ量を吸収させるステップをさらに含むことを特徴とする方法。請求項28乃至35の何れか1項に記載の方法において、前記エネルギ吸収特性の空間的分布をルックアップテーブルとして記憶するステップをさらに含むことを特徴とする方法。請求項28乃至36の何れか1項に記載の方法において、前記エネルギ印加区域の少なくとも一部における前記エネルギ吸収特性の空間的分布を、イメージとして表示するステップをさらに含むことを特徴とする方法。請求項1乃至27の何れか1項に記載の装置において、前記プロセッサが、前記供給源を調整して、0.5秒から5秒の間の間隔で前記エネルギ印加区域にエネルギを繰り返し加えるようにさらに構成されることを特徴とする装置。少なくとも1つの放射素子により、エネルギ印加区域に、無線周波数範囲内の電磁エネルギRFエネルギを加えるための装置において、互いに異なる少なくとも2つの電磁場パターンが前記エネルギ印加区域に加えられるよう、RFエネルギの分布を制御し、前記電磁場パターンのそれぞれについて、前記エネルギ印加区域内で散逸される出力量を求め、前記フィールドパターンのそれぞれについて求めた前記出力量に基づいて、前記エネルギ印加区域の少なくとも一部にわたるエネルギ吸収特性の空間的分布を求めるように構成される少なくとも1個のプロセッサを含むことを特徴とする装置。本開示の一部の例示的態様は、エネルギ印加区域内の対象物に電磁エネルギを加えるための装置および方法を対象とすることができる。この装置は、エネルギ印加区域内の対象物に複数の電磁場パターンで電磁エネルギを加えさせるように構成される、少なくとも1個のプロセッサを含むことができる。プロセッサは、複数のフィールドパターンのそれぞれについて、エネルギ印加区域内で散逸される出力量を求めるようにさらに構成することができる。プロセッサは、エネルギ印加区域に複数のフィールドパターンを加える場合に散逸される出力量に基づいて、エネルギ印加区域の少なくとも一部にわたるエネルギ吸収特性の空間的分布を求めるようにも構成することができる。プロセッサは、複数のフィールドパターンのそれぞれに関連する電磁場強度、および複数のフィールドパターンのそれぞれにおいてエネルギ印加区域内で散逸される出力の少なくとも1つに基づき、エネルギ吸収特性の分布を計算するようにさらに構成することができる。本明細書で使用するとき、少なくとも一部の実施形態において、オブジェクト例えばプロセッサが動作中にタスクを実行する例えば分布を計算する場合、そのオブジェクトは、そのタスクを実行するように構成されると記載する。同様に、タスク例えば電磁エネルギの分布を制御することが、目標とする結果を確立するためのものである例えば対象物に複数の電磁場パターンを適用するためのものであると記載される場合、これは、少なくとも一部の実施形態において、その目標とする結果を達成するようにタスクが実行されることを意味する。一部の実施形態では、プロセッサは、エネルギ吸収特性の分布を繰り返し求めるように構成することができる。エネルギ吸収特性の分布を2回求める間の時間差、例えば連続して2回特定する間の時間差は、前の2回の特定で測定した分布間の差の大きさの関数とすることができる。例えば、2回目と3回目の特定間の時間差は、1回目と2回目の特定で測定した分布間の差の大きさの関数とすることができる。一部の実施形態では、2つの分布間の差の大きさは、2つの分布の関数として求めることができる。そのような関数の例には、2つの分布内の所与の位置に加えられるエネルギ量の差、およびある領域にわたるそれらの分布間のエネルギ差の平均が含まれ得る。あるいは、または加えて、エネルギ吸収特性の分布を連続して2回特定する間の時間差は、対象物の特性の関数とすることができる。さらに、プロセッサは、エネルギ吸収特性の分布に基づいて、エネルギ印加区域の異なる部分に異なるエネルギ量を加えさせるように構成することができる。プロセッサは、対象物内の異なる位置において、制御されたエネルギ量を吸収させるようにも構成することができる。本開示の一部の例示的態様は、対象物に電磁エネルギを加えるための装置および方法を対象とすることができる。この装置は、電磁エネルギ源を含むことができる。加えて、この装置は、エネルギ印加区域を含むことができる。さらに、この装置は、少なくとも1個のプロセッサを含むことができる。プロセッサは、エネルギ印加区域内の対象物に複数の電磁場パターンで電磁エネルギを加えさせるように構成することができる。プロセッサは、複数のフィールドパターンのそれぞれについて、エネルギ印加区域内で散逸される出力量を求めるように構成することもできる。加えて、エネルギ印加区域に複数のフィールドパターンが加えられる場合、プロセッサは、散逸される出力量に基づいて、対象物の少なくとも一部にわたるエネルギ吸収特性の空間的分布を求めるようにも構成することができる。本開示の一部の例示的態様は、少なくとも1つの放射素子により、無線周波数範囲内の電磁エネルギRFエネルギをエネルギ印加区域に加えるための装置および方法を対象とすることができる。装置は、少なくとも1つのプロセッサを備えてもよい。プロセッサは、互いに異なる少なくとも2つの電磁場パターンがエネルギ印加区域に加えられるよう、RFエネルギの分布を制御するように構成することができる。加えて、プロセッサは、電磁場パターンのそれぞれについて、エネルギ印加区域内で散逸される出力量を求めるように構成することができる。さらに、プロセッサは、フィールドパターンのそれぞれについて求めた出力量に基づいて、エネルギ印加区域の少なくとも一部にわたるエネルギ吸収特性の空間的分布を求めるように構成することができる。先の概要は、読者に本発明のいくつかの態様についての非常に簡潔な概要を提供することを単に意図するもので、決して特許請求の範囲に記載の本発明の範囲を制限するためのものではない。加えて、上記の全体的な説明および以下の詳細な説明はいずれも専ら例示的かつ説明的であり、特許請求の範囲に記載の本発明を制限しないことを理解すべきである。本明細書では、例示的という用語は、例、事例、または例証としての役割を果たす意味で用いることを指摘しておく。本明細書に組み込まれ、その一部を構成する添付図面は、本開示の様々な実施形態および例示的態様を示し、解説とともに本発明の諸原理を説明する。一部の実施形態の例示的側面は、エネルギ印加区域の損失プロファイルを求めることを含む。損失プロファイルは、エネルギ印加区域内の場所によって誘電特性が変わる様式についての任意の表現とすることができる。エネルギ印加区域は、電磁エネルギを加えることができる任意の空間体積とすることができる。エネルギ印加区域は、空でも、対象物または対象物の一部を含んでもよい。エネルギ印加区域内の対象物は、区域を全てまたは部分的に占有することができる。損失プロファイルの例は、例えば所与の点からの距離の関数として、エネルギ印加区域内の所与の位置に関連する誘電率または他の任意の吸収特性および/もしくは関連パラメータを示す、グラフまたはテーブルであり得る。損失プロファイルの別の例は、三次元マップであり、このマップ内では、異なるエネルギ吸収特性を有するエネルギ印加区域の体積部分が異なる色で現れる。損失プロファイルとして、エネルギ印加区域内の位置に応じた、これらのまたは他の誘電特性/吸収特性の1つまたは複数についての他のどんな表現を用いてもよい。加えて、損失プロファイルという用語は、1つまたは複数の誘電特性の空間的分布の概算を指すことができる。例えば、損失プロファイルを得るために、ときには極めて低い場合がある、いくらか限られた精度で実際の空間的分布を計算し、シミュレートし、または測定することができる。一部の実施形態では、損失プロファイルを、電子デジタルプロセッサによって求めることができる。プロセッサは、エネルギ印加区域の内部に、周辺に、および/または外部に配置することができる検出器が集めたデータまたはデータを示す信号に対して、一定の規則例えば計算を適用することにより損失プロファイルを求めることができる。損失プロファイルは、そのようなデータを入力として使用し、損失プロファイルを出力として与えるコンピュータプログラムを実行することで求めることができる。このデータは、所与の位置における電磁エネルギの吸収を示す任意の値を含むことができる。一部の実施形態では、エネルギ印加区域内で様々な電磁場パターンを励起することにより、電磁エネルギをその区域に供給することができ、データは、様々なフィールドパターンが励起されるときに検出されるエネルギ吸収性の様々な値を含むことができる。エネルギ印加区域内でフィールドパターンを励起することは、フィールドパターンに対応する特定の周波数、位相、および/または他の特性を有する電磁波をエネルギ印加区域に加えることによって達成することができる。本明細書で使用するとき、励起するという用語は、発生させる、作り出す、および加えると置き替えることができる。例えば、エネルギ印加区域が、エネルギを吸収する領域と、エネルギをほぼ吸収しない領域との2つの領域からなる場合、第1の領域だけに一致するフィールドパターンは吸収されるのに対し、第2の領域だけに一致するフィールドパターンは吸収されない。したがって、どのフィールドパターンがエネルギの吸収をもたらし、どのフィールドパターンがエネルギの吸収をもたらさないのかについての知識から、2つの領域の位置を推論することができる。より複雑な事例では、例えば以下で論じる方程式1を解くことにより、同様の考察を当てはめることができる。次に、その例を添付図面に示す、本発明の例示的実施形態を詳しく参照する。適切な場合、図面の全体を通して同じ参照番号を使用して同じまたは同様の部分を指す。図1、図5A、図5B、図6、図7Aおよび図7Bに示すように、本発明の諸実施形態は、例えば電源12および/または発振器22、26などの構造体を含む電磁エネルギ源を含むことができる。エネルギ印加区域にエネルギを加えることができるよう、この供給源はプロセッサ30によって調整することができる。電源12や発振器22、26などの構造体を使用して、1つまたは複数の放射素子18により、図中では空洞20として示すエネルギ印加区域内に位置する対象物50などの装填物に電磁エネルギを加えることができる。プロセッサ30は、電磁エネルギの分布を制御するように構成することができる。例えばプロセッサは、供給源を直接制御することができる。あるいは、または加えて、プロセッサ30は、供給源または供給源の下流から生じる信号を制御することができる。プロセッサ30は、エネルギ印加区域内の対象物に複数の電磁場パターンを加えるよう、電磁エネルギの空間的分布を制御するように構成することができる。後でより詳しく解説するように、エネルギ印加区域内のフィールドパターンに影響を及ぼすことができる1つまたは複数の変数パラメータ例えば本明細書では変調空間要素MSEと呼ぶ、周波数、振幅などを変えることにより、エネルギ印加区域、例えば空洞20内のフィールドパターンを変えることができる。したがって、そのような変数を逐次的に調節することで、エネルギ印加区域20に加えるフィールドパターンにおいて関連する連続変化をもたらすことができる。例えば、異なるフィールドパターンは対象物の中で異なるように吸収され得るので、そのようなフィールドパターンの変化は、対象物による吸収にしばしば影響を及ぼす。例えば、対象物に一致するエリアにおいて高いエネルギ強度を有するフィールドパターンを、対象物に一致するエリアにおいてより低いエネルギ強度を有するパターンに変えることは、対象物によって吸収されるエネルギ量を減らす可能性がある。それぞれが異なるフィールドパターンを概念的に示す、図3Aおよび図3Bは例示的である。図3Aでは、フィールドパターンの高強度エリア62別称ホットスポットが、対象物66に一致している。対照的に、図3Bのフィールドパターンでは、対象物66とのそのような一致はない。したがって、対象物66は、図3Bのフィールドパターンを適用する場合よりも、図3Aのフィールドパターンを適用する場合により多くのエネルギを吸収する可能性が高い。後でより詳しく解説するように、吸収されないエネルギは、放射素子18に反射されまたはさもなければ伝達され、検出器40を使って検出され得る。検出器40から信号を受け取ることにより、プロセッサは、適用する各フィールドパターンについて、エネルギ印加区域20内で散逸される出力量を計算できることがある。様々なフィールドパターンにおいてエネルギ印加区域によって散逸される出力量を集約することにより、プロセッサ30は、対象物の少なくとも一部にわたるエネルギ吸収特性の空間的分布を求めることができる。求めたエネルギ吸収特性の空間的分布求めた損失プロファイルと呼ぶこともできるは、エネルギの印加が続くとき、対象物がどのようにエネルギを吸収し得るのかについてのインジケータとして働くことができる。したがって、エネルギ吸収特性プロファイルが分かり、または推定されると、プロセッサは、対象物内の所望のエネルギ吸収プロファイルを達成するようにエネルギの印加を制御でき得る。対象物50によるエネルギ吸収に関するフィードバック情報が、フィードバックをもたらす複数の既知のフィールドパターンに関する情報と組み合わせられると、プロセッサ30は、エネルギ印加区域20内の対象物50の位置を推定できる場合がある。したがって、反復的に加えられる一連のフィールドパターンにわたり、プロセッサ30は、装填物があるエリアと装填物がないエリアとを識別できる場合がある。この情報を集約することにより、装填物の大まかな位置を突き止めることができる。適用するフィールドパターンおよび関連するフィードバックの量が増えるにつれ、分解能が高まり得る。一部の実施形態では、装填物例えばその等高線を含むの物理的プロファイルを構築できるところまで分解能を高めることができる。ある点では、本発明は、エネルギ印加区域内の対象物に電磁エネルギを加えるための装置および方法を用いることができる。本明細書で使用するとき、装置という用語は、本明細書に記載の任意のコンポーネントまたはコンポーネント群をその最も広い意味で含むことができる。例えば本明細書で広く使用するとき、装置は、例えば図1、ならびに図5A、図5B、図6、図7Aおよび図7Bに示すプロセッサ30などのプロセッサだけを指すことができる。あるいは、または加えて、装置は、プロセッサと1つまたは複数の放射素子との組合せ、空洞および1つまたは複数の放射素子、電磁エネルギ源、プロセッサ、空洞、1つまたは複数の放射素子および電磁エネルギ源、または本明細書に記載のコンポーネントの他の任意の組合せを含むことができる。本明細書で使用するとき、電磁エネルギという用語は、これだけに限定されないが無線周波RF、赤外線IR、近赤外線、可視光、紫外線などが含まれる電磁スペクトルの任意のまたは全ての部分を含む。場合によっては、加えられる電磁エネルギには、それぞれ3KHzから300GHzの周波数である、100kmから1mmの波長を有するRFエネルギが含まれ得る。場合によっては、より狭い周波数範囲、例えば1MHz-100GHz内のRFエネルギを加えることができる。例えば、マイクロ波および極超短波UHFエネルギは、いずれもRF範囲内にある。本明細書では本発明の例をRFエネルギを加えることに関連して説明するが、これらの説明は本発明のいくつかの例示的原理を示すために行うもので、本発明を電磁スペクトルのどの特定の部分にも限定するつもりはない。ただし、記載する方法および装置は、加えられる電磁エネルギの波長よりも小さい対象物を扱うのにとりわけ有用であり得る。さらに、記載する方法および装置は、エネルギ印加区域が、以下に定義するモーダル空洞を含む場合にとりわけ有用であり得る。同様に、本開示は加熱に使用される電磁エネルギのいくつかの例を含む。この場合もやはり、これらの説明は本発明の例示的原理を示すために行う。説明し、特許請求の範囲に記載する本発明は、エネルギを加えることが温度上昇を招くかどうかに関係なく、エネルギを加えることを伴う様々な製品、ならびに工業プロセス、商業プロセス、および消費者プロセスに利益をもたらすことができる。例えば、電磁エネルギは、加熱、燃焼、解凍、除霜、調理、乾燥、反応の加速、膨張、蒸発、融合、生物学的プロセスの誘発もしくは変更、治療、凍結もしくは冷却防止、対象物を所望の温度範囲内に保つこと、またはエネルギを加えることが望ましい他の任意の用途のために対象物に加えることができる。さらに、電磁エネルギが加えられる対象物装填物としても知られるへの言及は、特定の形態に限定されない。対象物には、本発明を利用する特定のプロセスにもよるが、液体、固体、またはガスが含まれてもよく、1つまたは複数の異なる段階において、物質の合成物または混合物が含まれてもよい。さらに、対象物という用語は単数形で示すが、複数のアイテムまたは分離したパーツもしくはコンポーネントを指す場合もある。したがって、非限定的な例として、対象物という用語は、解凍もしくは調理しようとする食料、乾燥させようとする衣類もしくは他の物質、解凍しようとする凍結物質例えば臓器、反応させようとする化学物質、燃焼させようとする燃料もしくは他の可燃性物質、脱水しようとする水和物、膨張させようとするガス、解凍、加熱、沸騰、もしくは蒸発させようとする液体、解凍および/もしくは温めようとする血液もしくは血液成分例えば血漿や赤血球、製造しようとする物質、連結しようとする成分、または電磁エネルギをたとえ僅かでも加えることが望まれる他の任意の物質などの物質を包含することができる。本発明の一部の実施形態によれば、装置または方法は、エネルギ印加区域を使用するものであり得る。エネルギ印加区域は、電磁エネルギを加えることができる任意の空所、位置、領域、またはエリアとすることができる。エネルギ印加区域は、ホローを含むことができ、かつ/または液体、固体、ガス、もしくはそれらの組合せで満たす、または部分的に満たすことができる。専ら例として、エネルギ印加区域には、電磁波の存在、伝搬および/または共振を可能にする、エンクロージャの内部、部分的エンクロージャ例えばベルトコンベヤオーブンの内部、コンジットの内部、オープン空間、固体または部分的固体が含まれ得る。この区域は永続的なものとすることができ、またはエネルギを加えるために一時的に構成してもよい。解説を簡単にするために、そのような全ての代替的エネルギ印加区域を代わりに空洞と呼ぶことができ、空洞という用語は、電磁エネルギを加えることができるエリア以外の特定の物理的構造は含意しないと理解される。エネルギ印加区域は、オーブン、チャンバ、槽、乾燥機、解凍装置、脱水機、反応器、炉、キャビネット、エンジン、化学処理装置や生物学的処理装置、焼却炉、物質造形装置や物質成形装置、コンベヤ、燃焼域、またはエネルギを加えることが望ましい場合がある任意のエリア内に位置することができる。したがって、一部の実施形態に合致して、電磁エネルギ印加区域は空洞共振器、共振空洞、または単純に空洞としても知られる電磁共振器とすることができる。対象物またはその一部がエネルギ印加区域内に位置する場合、電磁エネルギをその対象物に送出することができる。エネルギ印加区域は、所定の形状、またはその空間形態もしくは輪郭の物理的側面がエネルギ印加時に分かっている限り、さもなければ決定可能な形状を有することができる。エネルギ印加区域は、エネルギ印加区域内での電磁波の伝搬を可能にするいかなる形状を呈してもよい。例えば、エネルギ印加区域の全てまたは一部は、球形、半球形、矩形、ドーナツ形、円形、三角形、長円形、五角形、六角形、八角形、楕円形、または他の任意の形状もしくは形状の組合せである断面を有することができる。エネルギ印加区域は、閉ざされている、例えば導体材料によって完全に密閉されている、少なくとも部分的に閉ざされている、または開いている、例えば閉ざされていない開口部を有し得ることも考えられる。本発明の一般手法は、エネルギ印加区域のある特定の空洞形状、構成、または閉鎖度に限定されないが、一部の応用例では高度の閉鎖または特定の形状が好ましい場合もある。例として、空洞20などのエネルギ印加区域を図1に概略的に示し、図1では対象物50が空洞20の中に位置する。対象物50は、エネルギ印加区域の中に完全に位置しなくてもよいことを理解すべきである。つまり、対象物50の少なくとも一部がエネルギ印加区域の中に位置する場合、対象物50はエネルギ印加区域の中にあるとみなすことができる。現在開示している諸実施形態の一部に合致して、少なくとも1つの波長の電磁波が、エネルギ印加区域内で共振することができる。すなわち、エネルギ印加区域は少なくとも1つの共振波長をサポートすることができる。例えば、空洞20は、所定の周波数範囲例えばUHFまたはマイクロ波の周波数範囲、例えば300MHzから3GHz、または400MHzから1GHZ内で空洞20を共振可能にする寸法を用いて設計することができる。対象とする用途に応じて、空洞20の寸法は、電磁スペクトル内の他の周波数範囲内の共振を可能にするように設計することもできる。共振するまたは共振という用語は、電磁波がエネルギ印加区域内で、ある周波数共振周波数として知られるにおいて他の周波数よりも大きい振幅で振動する傾向を指す。特定の共振周波数において共振する電磁波は、共振周波数に反比例する、λ=c/fによって求められる対応する共振波長を有することができ、ただしλは共振波長であり、fは共振周波数であり、cはエネルギ印加区域内での電磁波の伝搬速度である。伝搬速度は、波が伝搬する媒体に応じて変わり得る。したがって、エネルギ印加区域が複数の物質例えば装填物と空所を含む場合、cを一意に定めることはできない。それでもなお、共振波長は、例えば主成分のcに基づく推定、種々の成分のcの平均に基づく推定を使用することや、当技術分野で知られている他の任意の技法を使用することが含まれる、僅かに異なる関係を使用して一意に求めることができる。エネルギ印加区域がサポートする共振波長の中に、最大共振波長があり得る。最大共振波長は、区域の形状寸法により一意に求めることができる。一部の実施形態では、所与の任意のエネルギ印加区域の最大共振波長を、当技術分野で知られているように、例えば実験的に、数学的に、および/またはシミュレーションにより求め、もしくは推定することができる。一部の実施形態では、最大共振波長が前もって分かっている例えばメモリから取得され、またはプロセッサ内にプログラムされている場合がある。例として図2は、長さa、幅b、および高さcの寸法を有する矩形空洞20を示す。空洞20は複数の共振波長をサポートすることができ、そのうちの最大共振波長はλ0である。a>b>cが成立する場合、最大共振波長λ0は、によって与えられる。別の例として、エネルギ印加区域がa×a×aの寸法を有する立方体の場合、最大共振波長は、√2aによって与えられる。さらに別の例では、エネルギ印加区域が例えば図2に示すように半径a、長さdの円筒の場合、最大共振波長は、2a>dが成立する場合によって与えられ、2a<dが成立する場合はによって与えられる。別の例では、エネルギ印加区域が半径aの球体の場合、最大共振波長は、によって与えられる。上記の例は、形状にかかわらず、各エネルギ印加区域が少なくとも1つの共振寸法を有し得ることを単に例示することを意図する。現在開示している諸実施形態に合致して、装置または方法は、エネルギ印加区域に電磁エネルギを送出するように構成される供給源を使用するものであり得る。供給源には、電磁エネルギを発生させ、供給するのに適した1つまたは複数の任意のコンポーネントが含まれ得る。現在開示している諸実施形態に合致して、電磁エネルギは、所定の波長または周波数における伝搬電磁波電磁放射としても知られるの形でエネルギ印加区域に供給することができる。本明細書で使用するとき、伝搬電磁波には、共振波、定在波、エバネセント波、および他の任意の方法で媒体中を伝わる波が含まれ得る。電磁放射は、相互作用の対象となる物体に伝えられまたはそうした物体内に散逸され得るエネルギを運ぶ。例として、および図1に示すように、供給源は、電磁エネルギを運ぶ電磁波を発生させるように構成される、電源12の1つまたは複数を含むことができる。例えば、電源12は、少なくとも1つの所定の波長または周波数でマイクロウェーブ波を発生させるように構成される磁電管とすることができる。一部の実施形態では、磁電管は、高出力マイクロ波を発生させるように構成することができる。あるいは、または加えて、電源12は、制御可能な周波数を有する交流波形例えば交流電圧または交流電流を発生させるように構成される、電圧制御発振器などの半導体発振器を含むことができる。交流波形には、正弦波、矩形波、パルス波、三角波、および/または交番極性を有する他の種類の波形が含まれ得る。加えて、またはあるいは、電磁エネルギ源は、電磁場発生器、電磁束発生器、電子を振動させるための任意の機構など、他の任意の電源を含むことができる。一部の実施形態では、この装置は、電源12によってもたらされる電磁波の1つまたは複数の特性パラメータを制御された方法で修正するように構成される、少なくとも1つの変調器14を含むことができる。この変調器は、供給源の一部でも一部でなくてもよい。例えば、変調器14は、振幅例えば異なる放射素子間の振幅差、位相、および周波数を含む、周期波形の1つまたは複数のパラメータを修正するように構成することができる。一部の実施形態では、変調器14が、交流波形の位相、周波数、および振幅を修正するようにそれぞれ構成される、位相変調器、周波数変調器、および振幅変調器のうちの少なくとも1つを含むことができる。これらの変調器については、図5A、図5B、図6、および図7Bに関して後でより詳しく解説する。一部の実施形態では、電源12によってもたらされる交流波形が、時間とともに変化する周波数、変化する位相、および変化する振幅のうちの少なくとも1つを有し得るように、変調器14を電源12または供給源の一部として統合することができる。この装置は、例えば変調器14が交流波形を修正する前後に、その交流波形を増幅するための増幅器16も含むことができる。この増幅器は、供給源の一部でも一部でなくてもよい。増幅器16は、例えば1つまたは複数のパワートランジスタを含む出力増幅器とすることができる。別の例として、増幅器16は、一次巻線よりも二次巻線において多くの巻数を有する昇圧変圧器とすることができる。他の実施形態では、増幅器16は、交流/直流/交流変換器などのパワーエレクトロニクス装置とすることもできる。あるいは、または加えて、増幅器16は、入力信号を所望の水準まで増大するように構成される他の任意の装置または回路を含むことができる。この装置は、対象物50に電磁エネルギを伝達するように構成される少なくとも1つの放射素子18も含むことができる。放射素子18は、対象物50に電磁エネルギを供給するための、1つもしくは複数の導波管および/または1つもしくは複数のアンテナパワーフィードとしても知られるを含むことができる。例えば、放射素子18はスロットアンテナを含むことができる。加えて、またはあるいは、放射素子18は、他の任意の種類または形態の導波管もしくはアンテナ、または電磁エネルギを発することができる他の任意の適切な構造を含むことができる。電源12、変調器14、増幅器16、および放射素子18またはそれらの一部は別個のコンポーネントとすることができ、またはそれらの任意の組合せを単一のコンポーネントとして統合することができる。電源12、変調器14、増幅器16、および放射素子18またはそれらの一部は供給源の一部とすることができる。例えば、電磁エネルギを発生させるために磁電管を電源12として使用することができ、対象物50にエネルギを伝達するために、その磁電管に導波管を物理的に取り付けることができる。あるいは、または加えて、この放射素子は磁電管から独立していてもよい。同様に、放射素子が例えば発生器から物理的に離れており、または発生器の一部であり、もしくは他の方法で発生器に接続され得る、他の種類の電磁発生器を使用してもよい。一部の実施形態では、複数の放射素子を設けることができる。それらの放射素子は、エネルギ印加区域を画定する1つまたは複数の表面上に配置することができる。あるいは、放射素子は、エネルギ印加区域の内部および/または外部に配置することができる。放射素子を区域の外部に配置する場合、放射エネルギがエネルギ印加区域に到達することを可能にする要素に放射素子を結合することができる。放射エネルギがエネルギ印加区域に到達することを可能にする要素には、例えば導波管および/またはアンテナが含まれ得る。各放射素子の向きおよび構成は、狙いとする目標、例えばエネルギ印加区域内での所望のエネルギ分布の印加を得るのに必要であり得るように、異なっても同じでもよい。さらに、各放射素子の位置、向き、および/または構成は、対象物50にエネルギを加える前にあらかじめ決定することができ、またはエネルギの印加中にプロセッサを使用して動的に調節することができる。本発明は、特定の構造を有する放射素子にも、必ず特定のエリアまたは領域に位置する放射素子にも限定されない。一部の実施形態では、放射素子を特定の場所に配置することができ、または異なる放射素子から発せられる波の振幅を放射素子の位置、向き、および/または構成に応じて選択することができる。電磁エネルギを放射することに加え、放射素子18の1つまたは複数を、任意選択的に電磁エネルギを受け取るように構成することができる。すなわち、本明細書で使用するとき、放射素子という用語は、任意の構造であって、その構造がエネルギを放射しまたは受け取る目的で初めから設計されたかどうかに関係なく、その構造が何らかの追加機能を果たすかどうかにも関係なく、電磁エネルギを放射することができかつ/または電磁エネルギを受け取ることができる、任意の構造を広く指す。したがって、現在開示している諸実施形態に合致する装置または方法は、1つまたは複数の放射素子が受ける電磁波に関連する信号を検出するように構成される、1つまたは複数の検出器を使用するものであり得る。例えば図1に示すように、検出器40は、受信機として機能している場合に空洞20から電磁波を受ける放射素子18に結合することができる。本明細書で使用するとき、検出器という用語は、電磁波に関連する1つまたは複数のパラメータを測定する電気回路を含むことができる。例えば、そのような検出器には、入射電磁波、反射電磁波、および/または伝達電磁波入射出力、反射出力、および伝達出力としてもそれぞれ知られるに関連する出力レベルを検出するように構成される出力計、波の振幅を検出するように構成される振幅検出器、定義済みの基準点、2つの放射素子によって同時に発せられる波間の位相差、もしくは他の位相差に関して波の位相を検出するように構成される位相検出器、波の周波数を検出するように構成される周波数検出器、および/または電磁波の特性を検出するのに適した他の任意の回路が含まれ得る。入射出力は、供給源から、エネルギ印加区域20内に出力を発するための放射素子に供給することができる。入射出力の一部は、対象物によって散逸され得る本明細書では散逸出力と呼ぶ。別の部分は、放射素子に反射し得る本明細書では反射出力と呼ぶ。反射出力には、例えば対象物および/またはエネルギ印加区域により放射素子に跳ね返される出力が含まれ得る。反射出力には、放射素子のポートによって保たれる出力例えばアンテナによって発せられるが、区域に流れ込まない出力も含まれ得る。反射出力および散逸出力以外の残りの入射出力は、受信機として機能している1つまたは複数の放射素子に伝達され得る本明細書では伝達出力と呼ぶ。エネルギは、空洞壁の中、ドアを通ってなど、他の場所にも漏れることがある。簡単にするために、エネルギのこれらの部分については本明細書では論じない。一部の実施形態では、エネルギのこれらの部分はかなり小さく、無視できる場合があると推定され得る。一部の実施形態では、検出器は、放射素子が送信機として機能する場合例えば放射素子がエネルギを放射する場合に信号が増幅器から放射素子に流れることを可能にし、放射素子が受信機として機能する場合例えば放射素子がエネルギを受け取る場合に信号が放射素子から増幅器に流れることを可能にするように構成される、方向性結合器とすることができる。加えて、またはあるいは、この方向性結合器は、流れる信号の出力を測定するようにさらに構成することができる。一部の実施形態では、検出器は、ポートにおいて電圧および/または電流を測定する他の種類の回路も含むことができる。現在開示している一部の実施形態に合致して、供給源は、λ1で示す所定の波長で電磁エネルギをエネルギ印加区域内の対象物に送るように構成することができ、所定の波長は、エネルギ印加区域がサポートするλ0で示す最大共振波長の約4分の1よりも大きい。λ1≧λ0/4として表す、この最大共振波長と送られる電磁エネルギの波長との間の関係をモーダル条件と呼ぶことができる。他の実施形態では、モーダル条件を満たすために、供給源によって供給される印加電磁エネルギの波長と、エネルギ印加区域がサポートする最大共振波長との間の異なる関係を適用することができる。一部の実施形態では、低次モードが励起されるときモーダル条件が満たされ、例えばmnは30、40、または50未満であるmおよびnは、異なる軸、例えばxやyにおけるモード数を表す整数である。供給源は、単一の所定の波長で電磁エネルギを供給する構成に必ずしも限定されない。任意選択的に、供給源は、電磁エネルギを1組の波長で空洞20に供給するように構成することができ、それらの波長は、エネルギの印加を始める前に決めておくことができる。供給源が様々な周波数でエネルギを空洞に供給するとき、それらの様々な周波数のうちの最大波長をλ1で示すことができ、モーダル条件は、λ1≧λ0/4と特徴付けることができる。一部の実施形態では、λ1が上限を有することもでき、例えばλ1はλ0以下とすることができる。あるいは、モーダル条件を周波数の観点から表すことができる。波長λ1およびλ0と、それらの対応する周波数f1およびf0との間には、f1=c/λ1およびf0=c/λ0が成立する関係があるので、モーダル条件λ1≧λ0/4は、f1≦4f0として表すことができ、つまりモーダル条件の範囲内で動作するために、エネルギ印加区域内の最低共振周波数の約4倍よりも低い周波数で電磁エネルギを加えることができる。さらに、最大共振波長λ0はエネルギ印加区域の寸法と固有の関係を有するので、モーダル条件は、エネルギ印加区域の寸法と加えられる波長λ1との間の関係として表すこともできる。例えば、長さa、幅b、および高さcのそれぞれを有し、a>b>cが成立する矩形空洞20では、モーダル条件は、として表すことができる。別の例として、a×a×aの寸法を有する立方体空洞では、モーダル条件は、として表すことができる。別の例として、半径aの球体空洞では、モーダル条件は、として表すことができる。本明細書では、空洞に供給される電磁エネルギに関して、その寸法がモーダル条件を満たす空洞をモーダル空洞と呼ぶ。その性質上、電磁場は、エネルギ印加区域内で不均等なフィールドパターンで分布する傾向がある。つまり、エネルギ印加区域内の電場強度の空間的分布は不均等であり得る。フィールドパターンは、経時的に空間内でほぼ安定していても、時とともに空間的に変化してもよい。フィールドパターンが経時的に変化する方法は、分かっている場合もある。フィールドパターンは、本明細書ではホットスポットと呼ぶ、フィールドの振幅における最大または最小に対応する比較的高振幅の電場強度を有するエリアをもたらすことができる。ホットスポットの例を図3A-図3Dの斜線部分によって示す。フィールドパターンは、本明細書ではコールドスポットと呼ぶ、比較的低振幅の電場強度例えばゼロ、またはほぼゼロのフィールド値を有するエリアももたらすことができる。コールドスポットの例を図3A-図3Dの非斜線部分によって示す。図面では、はっきりした明確な境界を有するものとしてホットスポットを図式的に示すが、実際には強度はホットスポットとコールドスポットとの間でより段階的な方法で変わることを指摘しておく。事実、対象物へのエネルギ伝達は、ゼロでないフィールド強度を有するフィールドパターンの領域に一致する対象物の全域において生じることができ、必ずしもホットスポットに一致するエリアに限定されない。対象物を加熱する程度は、とりわけその対象物が暴露されるフィールドの強度および暴露時間に依存し得る。フィールドパターン自体は、後で論じるようにエネルギ印加区域の物理的特性および寸法を含む多くの要素の関数であり得る。ホットスポット内の比較的高振幅の電場強度は、第1の閾値よりも高いものとすることができ、コールドスポット内の比較的低振幅の電場強度は、第2の閾値よりも低いものとすることができる。第1の閾値は、第2の閾値と同じでも異なってもよい。図3A-図3Bでは、第1の閾値と第2の閾値が同じである。一部の実施形態では、閾値のうちの1つよりも低いフィールド強度がエネルギを対象物に事実上加えることができないように、閾値をあらかじめ設定することができる。例えば、第2の閾値は、フィールド強度の最小値に近いように選択することができる。本明細書で使用するとき、振幅という用語は、大きさと置き替えることができる。エネルギ印加区域内では、特定の領域が、何らかのフィールドパターンの比較的高振幅の電場強度ホットスポット、および他の何らかのフィールドパターンの比較的低振幅の電場強度コールドスポットによって覆われ得る。フィールドパターンは、エネルギ印加区域の被選択領域にエネルギの送出を向けるために選択的に選ぶことができる。例えば、エネルギをエネルギ印加区域内の第1の領域に印加しなければならないが、第2の領域には印加しない場合、ホットスポットが第1の領域にほぼ一致し、コールドスポットが第2の領域にほぼ一致する1つまたは複数のフィールドパターンを選択することができる。したがって、現在開示している一部の実施形態に合致して、供給源は、エネルギ印加区域の所定エリア内にホットスポットおよびコールドスポットを有する1つまたは複数のフィールドパターンにおいて、電磁エネルギを送出するように構成することができる。一部の実施形態では、そのようなフィールドパターンを使用してエネルギを加えてターゲットエネルギ分布を達成するために、コントローラが供給源を調整することができる。図3Aおよび図3Bに示すモーダル空洞60では、それぞれが複数の高振幅の強度を有するエリアホットスポット62および64斜線部分、ならびに低振幅の強度を有するエリアコールドスポット、非斜線部分を有するようにフィールドパターンを励起することができる。エネルギ印加区域内で励起可能なフィールドパターンの一部をモードと名付ける。モードは、互いに一次独立であり、互いに直交する1組の専用のフィールドパターンを形成する。本明細書で述べるとき、エネルギ印加区域上の2つのモードに関連する2つのフィールドの内積の積分がゼロの場合、2つのフィールドパターンは互いに直交する。モードまたはモードの組合せ例えば一般的なフィールドパターンは、伝搬、エバネセント、および共振が含まれる任意の知られている種類のものとすることができる。一部の実施形態では、励起されるフィールドパターンがモードの組合せを含む。図3Aおよび図3Bでは、対象物66および68がエネルギ印加区域60の中に位置する。エネルギを対象物66だけに印加し、対象物68へのエネルギ印加は避けたい場合、図3Aのフィールドパターンを選択することができる。あるいは、エネルギを対象物68に印加し、対象物66へのエネルギ印加は避けたい場合、図3Bのフィールドパターンを選択することができる。エネルギ印加区域内で励起することができ、モードの一次結合として数学的に表すことができる任意のフィールドパターン。そのモードは、無限数のエバネセントモードと、有限数の伝搬モードその一部は共振モードとすることができるとを含むことができる。概して、モーダル空洞では非モーダル空洞よりも少ない伝搬モードが励起され得る。すなわち、モーダル空洞は概して非モーダル空洞よりも少ない伝搬モードをサポートすることができる。この場合もやはり、サポートされる伝搬モードの一部は共振モードであり得る。本質的に、エバネセントモードは、フィールドパターンを励起するのに使用される総出力またはエネルギのうちのごく小さな割合の出力またはエネルギしか有さず、総出力およびエネルギの大部分は伝搬モードによって運ばれる。以下でより詳しく説明するように、一部の実施形態では、一部の不所望のモードを排除できるように1つまたは複数の放射素子を配置することができる。例えば、2つ以上の伝搬モードを単一の周波数によりエネルギ印加区域内で効果的に励起することができる。その周波数で電磁波を発する放射素子を、モードのうちの1つのヌルにすなわちモードのうちの1つがゼロのフィールドを有する位置に配置する場合、そのモードは除去するすなわち排除することができる。モーダル条件および対応するモーダル空洞すなわちモーダル条件を満たす空洞は、エネルギ印加区域内のフィールドパターン、より具体的にはモードを制御する際に利点を示し得る。上記で論じたように、モーダル空洞内では、伝搬モードの数は非モーダル空洞内での数よりも少ない場合がある。したがって、モーダル条件が満たされる場合、不所望のモードを除去するのに使用するアンテナの数および密度が少ないことがあるので、これらの伝搬モードを制御することは比較的容易であり得る。さらに、制御面での軽微な不正確さは、ホットスポットの選択について、ある伝搬モードを励起し他の伝搬モードを励起しない条件を達成するために比較的多数のモードがより優れた制御を必要とし得る非モーダル空洞内よりも、モーダル空洞内で全体的に顕著でない影響を有し得る。ある点では、本発明の一態様は、エネルギ印加区域内の指定エリア内でコールドスポット例えば比較的低振幅の電場強度を有するエリアを意図的に達成するために、エネルギ印加区域内で励起されるフィールドパターンに影響を及ぼし得る本明細書ではMSEと呼ぶ一定の変数パラメータの組合せを用いるものであり得る。これらのエリアは制御されたエネルギ印加を可能にし、それは、対象物の一部へのエネルギ印加を避けたい場合、その部分をコールドスポットと位置合わせすることができるからである。あるいは、この装置は、エネルギを加えたい対象物の一部にホットスポット例えば比較的高振幅の電場強度が位置合わせされた電磁場を励起するように動作させることができる。例えば、図3Aに示すフィールドパターンを励起すると決めることにより、対象物66を加熱して対象物68の加熱を避けることができるのに対し、図3Bに示すフィールドパターンを励起すると決めることにより、対象物68を加熱し、対象物66の加熱を避けることができる。したがって、エネルギ印加区域内の対象物の一部にエネルギを加えたい場合、フィールドパターンのより高強度のエリアを対象物のその部分に位置合わせすることができる。モーダル条件をMSEの制御と組み合わせて使用することができるが、モーダル条件は、たとえMSEの制御とともに使用しなくても利益をもたらすことができ、逆に、たとえモーダル条件が満たされていなくてもMSEの制御は適用することができる。利用者が対象物66に対象物68の2倍の量のエネルギを加えたい場合、図3Aのフィールドパターンを、同じ出力レベルで2倍の時間にわたり適用し、同じ時間にわたり2倍の出力レベルで適用し、または図3Bのフィールドパターンを介してよりも、図3Aのフィールドパターンを介して2倍のエネルギを供給することに符合する他の任意の時間/出力の対にわたり適用した状態で、図3Aおよび図3Bの両方のフィールドパターンを使用することができる斜線部分において場が同様の強度を有すると仮定する。フィールド強度が斜線部分内で異なる場合、エネルギ印加区域または対象物内の所望のエネルギ印加プロファイル、例えばエネルギ印加区域または対象物内の所望のエネルギ吸収分布を達成するために、その差を考慮に入れてもよい。2つのフィールドパターンを逐次的に励起する場合、エネルギ印加区域内で形成されるフィールドパターンの時間平均は、励起される2つのフィールドパターンの和として表すことができる。それらのフィールドパターンを同時に励起する場合、干渉が発生することがあり、時間平均はその和とは異なる可能性がある。ただし、2つのフィールドパターンが互いに直交する場合例えばモード、逐次的な印加および同時の印加はそれぞれ同じ結果を有し得る。2つの異なる領域に加えるエネルギ量を制御するために、2つの領域のエネルギ吸収特性を最初に求めることが望ましい場合がある。エネルギ印加区域内の異なる領域は、異なるエネルギ吸収特性を有し得る。例えば、パンと野菜をRFエネルギで加熱する場合、主にパンからなる領域は、主に野菜からなる別の領域よりも吸収性が低い可能性がある。別の例では、第1の周波数によって特徴付けられるフィールドパターンにしか一致しないパンの部分は、第1の周波数とは異なる、第2の周波数によって特徴付けられるフィールドパターンにしか一致しない第2のパンの部分とは異なるエネルギ吸収特性を有し得る。一部の実施形態では、本発明の装置または方法は、エネルギ印加区域内に少なくとも部分的に配置される所与の任意の対象物のエネルギ吸収特性を求めるように構成される、1個または複数個のプロセッサを含むことができる。エネルギ吸収特性を求めることは、フィードバックによって例えば後でより詳しく解説するように、反射によって達成することができる。あるいは、エネルギ印加区域内の1つまたは複数の対象物の吸収特性が既に分かっている状況では、現在開示している諸実施形態に合致する装置はエネルギ吸収特性を求める必要がない。それどころか、関連情報を、例えば機械可読タグを使ってプロセッサにあらかじめプログラムし、または他の方法で与えることができる。本明細書で使用するとき、プロセッサという用語は、1つまたは複数の命令を実行する電気回路を含むことができる。例えば、そのようなプロセッサには、1つもしくは複数の集積回路、マイクロチップ、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、中央処理装置CPU、グラフィック処理装置GPU、デジタル信号プロセッサDSP、書替え可能ゲートアレイFPGAの全てもしくは一部、または命令を実行し、もしくは論理演算を行うのに適した他の回路が含まれ得る。プロセッサが実行する命令は、例えばプロセッサ内にあらかじめロードすることができ、またはRAM、ROM、ハードディスク、光ディスク、磁気媒体、フラッシュメモリ、他の永久、固定、もしくは揮発性メモリ、プロセッサに命令を提供できる他の任意の機構など、別個のメモリユニット内に記憶してもよい。プロセッサは、特定用途向けにカスタマイズすることができ、または一般用途向けに構成し、様々なソフトウェアを実行することにより、様々な機能を実行することができる。複数のプロセッサを使用する場合、その全てを同様の構造のものとすることができ、またはそれらのプロセッサは、互いに電気的に接続されもしくは分離された異なる構造のものとすることができる。それらのプロセッサは、別個の回路でも、単一の回路に組み込んでもよい。複数のプロセッサを使用する場合、それらのプロセッサは、独立にまたは共同して動作するように構成することができる。それらのプロセッサは、電気的に、磁気的に、光学的に、音響的に、機械的に、またはそれらのプロセッサが相互作用できるようにする他の手段によって結合することができる。エネルギ印加区域にわたるエネルギ吸収特性の分布を求めることを唯一の目的として、単一のまたは複数のプロセッサを設けることができる。あるいは、単一のまたは複数のプロセッサは、他の機能を提供することに加えてエネルギ吸収特性を求める機能を備えることができる。例えば、同じプロセッサを、供給源を調整するために使用しても、または供給源以外のコンポーネントに追加の制御機能を与える制御回路に組み込んでもよい。現在開示している諸実施形態に合致して、少なくとも1個のプロセッサは、エネルギ印加区域内の対象物に複数の電磁場パターンを適用するように構成することができる。フィールドパターンという用語は、エネルギ印加区域内の電場強度の空間的分布を指すことができる。フィールドパターンは、経時的に空間内でほぼ安定していても、時とともに空間的に変化してもよい。フィールドパターンが経時的に変化する方法は、分かっている場合もある。エネルギが分布するパターンは、エネルギ印加区域の物理的特性、エネルギ源の制御可能な側面、放射素子の種類、構成、向き、および/または配置、フィールド変更構造例えばフィールド調節要素および/または誘電体レンズの存在、およびフィールドパターンに影響を及ぼすことができる他の任意の変数の関数であり得る。フィールド調節要素は、エネルギ印加区域内で励起されるフィールドに影響を及ぼすように例えば放射素子の1つまたは複数から対象物内に電磁エネルギを選択的に方向付けるように制御できる任意の要素とすることができる。周波数、位相、相対振幅、アンテナの選択、および/またはアンテナの向きのうちの1つまたは複数が含まれる、供給源に関連する変数を調整することにより、プロセッサは、エネルギ印加区域および/または区域内の対象物に複数の異なるフィールドパターンを加えさせることができる場合がある。同様に、プロセッサは、FAEフィールド調節要素を調節すること、誘電体レンズを調節すること、または他の手段によってなど、他の変数により複数の異なるフィールドパターンをもたらすことができる場合がある。エネルギ印加区域内で1組の所定のフィールドパターンを達成することができる、そのようなあらゆる制御可能な変数/パラメータ/方法、および/またはそれらの組合せを本明細書では変調空間またはMSと呼ぶ。変調空間またはMSという用語は、エネルギ印加区域内のフィールドパターンに影響を及ぼす可能性があるあらゆるパラメータ、およびその全ての組合せを集合的に指すために使用する。一部の実施形態では、MSは、使用できる可能な全てのコンポーネントおよび他のコンポーネントに対して絶対的または相対的なそれらのあり得る設定、ならびにそれらのコンポーネントに関連する調節可能なパラメータを含むことができる。例えば、MSには、複数の変数パラメータ、アンテナの数、アンテナの配置および/または向き修正可能な場合、使用可能な帯域幅、1組の使用可能な全ての周波数およびその任意の組合せ、出力設定、位相等が含まれ得る。MSは、たった1つのパラメータ例えば周波数だけもしくは位相だけ、または他の単一パラメータに限定される一次元MSから2つ以上の次元例えばともに同じMS内の変動周波数および振幅またはさらに多くに及ぶ、任意の数の可能な変数パラメータを有することができる。変調空間に影響を及ぼす可能性がある、エネルギ印加区域に関連する要素の例には、エネルギ印加区域の寸法および形状、ならびにエネルギ印加区域を構成する物質が含まれる。変調空間に影響を及ぼす可能性がある、エネルギ源に関連する要素の例には、エネルギを送出する振幅、周波数、および位相が含まれる。変調空間に影響を及ぼす可能性がある、放射素子に関連する要素の例には、放射素子の種類、数、大きさ、形状、構成、向き、および配置が含まれる。MSに関連する各変数パラメータは、MSの次元として考えることができる。例として、図4は、周波数F、位相φ、および振幅Aとして示す3つの次元を有する三次元変調空間400を示す。つまり、MS400内では、エネルギ印加中に電磁波の周波数、位相、および振幅を変調することができる一方で、エネルギ印加中、他の全てのパラメータはあらかじめ定め、固定しておくことができる。MSは、エネルギ印加中に1つのパラメータだけが変更される一次元とすることもでき、または変更される多くの次元を含んでもよい。図4では、専ら解説を簡単にするために変調空間を三次元で示す。MSは、さらに多くの次元を有してもよい。変調空間要素またはMSEという用語は、MSにおける変数パラメータの1組の特定の値を指すことができる。例えば、図4は、三次元MS400内のMSE401を示す。MSE401は、特定の周波数Fi、特定の位相φi、および特定の振幅Aiを有する。これらのMSE変数の1つが変わるなら、その新たな組が別のMSEを定める。例えば、3GHz、30°、12Vおよび3GHz、60°、12Vとは、位相成分が変化しているので2つの異なるMSEを表す。したがって、MSEを変調空間内の点として視覚化できる場合、全MSEの集合が変調空間を画定する。これらのMS要素の異なる組合せは、エネルギ印加区域にわたる異なるフィールドパターン、および対象物内の異なるエネルギ分布パターンをもたらすことができる。例えば、複数の放射素子に供給されるエネルギの相対振幅の点で2つのMSEが互いに異なる場合があり、これらの差は、異なるフィールドパターンをもたらし得る。エネルギ印加区域内で特定のフィールドパターンを励起するために、複数のMSEを逐次的に、または同時に実行することができる。MSEの逐次的なおよび/または同時の選択を、エネルギ送出方式と呼ぶことができる。例えば、エネルギ送出方式は、3つのMSEF1、φ1、A1、F2、φ2、A2、F3、φ3、A3からなる場合がある。実質的に無数のMSEがあるので、実質的に無数の異なるエネルギ送出方式があり、結果として実質的に無数の異なるフィールドパターンが任意の所与のエネルギ印加区域内でもたらされるとはいえ、異なるMSEは時として極めて類似の、それどころか同一のフィールドパターンをもたらすことがある。当然ながら、異なるエネルギ送出方式の数は、部分的に、利用可能なMSEの数の関数であり得る。本発明は、いかなる特定の数のMSEまたはMSEの組合せにも限定されない。むしろ、使用できる選択肢の数は、意図する用途、所望の制御レベル、ハードウェアまたはソフトウェアの分解能やコストなどの要因に応じて、僅か2つ、または設計者が望むだけの数とすることができる。例えば、エネルギ印加区域内のフィールドパターンのより繊細な設計を可能にし得る、より多数の異なるフィールドパターンを励起することは、より多数のMSEを必要とする場合がある。そのような場合、少なくとも3つのMSE、例えば3つ、4つ、または5つのMSEが必要であり得る。一部の実施形態では、MSEの数が非常に多いが、励起するためにそれらのうちのごく少数しか使用しない。例えば、400個の異なる周波数を利用できる場合があり、所与のエネルギ印加サイクルではそのうちの5つしか使用できない。これらの5つの周波数は、例えばエネルギ印加区域内で異なる共振モードの励起をもたらすMSEであり得る。可能なMSEの選択により、プロセッサは、特定の応用例に応じて1組の適切なMSEを決定することができる。例えば、特定の領域をあるフィールドパターンの高フィールド強度エリアが、別のフィールドパターンの低フィールド強度エリアなしに覆うことができるように、1組の所定のフィールドパターンを選択的に選び、被選択MSEを使ってエネルギ印加区域に加えることができる。例えば、対象物66は、図3Aのフィールドパターンの高フィールド強度エリアによって覆われるが、図3Bのフィールドパターンの低フィールド強度エリアによっては覆われない。したがって、図3Aのフィールドパターンに関して吸収されるエネルギを測定する場合、その測定は、対象物66のエネルギ吸収特性を示し得る。同様に、図3Bのフィールドパターンに関して吸収されるエネルギの測定は、対象物68のエネルギ吸収特性を示し得る。図1の装置は、供給源を調整して、1組の異なるMSEを形成し、その対応するフィールドパターンをエネルギ印加区域に加えるように構成することができる。一部の実施形態に合致して、そのような調整はMSEを選択し、制御することによって行うことができる。特定のフィールドパターンは、1つまたは複数の制御可能な変数例えばMSEに対応するので、プロセッサは、エネルギ印加区域内で異なるフィールドパターンを達成するためにMSEを変えるように構成することができる。例えば、図1に示すように、例示的プロセッサ30は、電源12、変調器14、増幅器16、放射素子18など、供給源の様々なコンポーネントに電気的に結合することができる。プロセッサ30は、これらのコンポーネントの1つまたは複数を調整する命令を実行するように構成することができる。例えば、プロセッサ30は、電源12が供給する出力レベルを調整することができる。あるいは、または加えて、プロセッサ30は、増幅器の中のトランジスタを切り替えることにより、増幅器16の増幅度を調整することができる。あるいは、または加えて、プロセッサ30は、増幅器が所望の波形を出力するように、増幅器16のパルス幅変調制御を行うことができる。プロセッサ30は、変調器14によって実行される変調を調整することができる。別の例では、プロセッサ30は、各放射素子18の位置、向き、および構成の少なくとも1つを電気機械装置などにより代わりに、または追加で調整することができる。そのような電気機械装置は、1つまたは複数の放射素子18の向きまたは位置を回転させ、旋回させ、移動し、スライドし、もしくは他の方法で変えるための、モーターまたは他の可動構造を含むことができる。プロセッサ30は、エネルギ印加区域内のフィールドパターンを変えるために、区域内に位置する任意のフィールド調節要素を調整するようにさらに構成することができる。例えば、フィールド調節要素は、放射素子からの電磁エネルギを選択的に方向付けるように構成することができ、または送信機として働く放射素子を、受信機として働く他の放射素子に、結合を減らすために同時に適合させるように構成することができる。あるいは、または加えて、プロセッサ30は、放射素子の間でエネルギを選択的に分散させることができ、かつ/または利用可能な放射素子のサブセットだけを選択的に使用してもよい。プロセッサは、所定の方式に従い、供給源の1つまたは複数のコンポーネントおよびコンポーネントに関連するパラメータを調整することができる。例えば、位相変調器を使用する場合、一連の期間のそれぞれについて交流波形の位相が数度例えば10度増加するように、放射素子が発する交流波形に対して所定の時間遅延シーケンスを実行するよう位相変調器を制御することができる。あるいは、または加えて、プロセッサは、エネルギ印加区域からのフィードバックに基づいて、変調を動的におよび/または適応的に調整することができる。例えば、プロセッサ30は、空洞20から受けた電磁エネルギ量を示すアナログまたはデジタルフィードバック信号を検出器40から受け取るように構成することができ、プロセッサ30は、受け取ったフィードバック信号に基づいて次の期間のための位相変調器における時間遅延を動的に決定することができる。プロセッサは、エネルギ印加区域に供給される少なくとも1つの電磁波の周波数を変えるために、周波数変調器を調整するように構成することもできる。そのような周波数変調器は、交流波形の周波数を調節するように構成することができる。例として、この周波数変調器は、図5Aに概略的に示す発振器22などの半導体発振器とすることができ、所定の周波数で振動する交流波形を発生させるように構成することができる。所定の周波数は、入力される電圧、電流、または他のアナログもしくはデジタル信号に関連することができる。例えば、電圧制御発振器は、入力電圧に比例する周波数で波形を発生させるように構成することができる。一部の実施形態に合致して、プロセッサ30は、経時変化する周波数の交流波形を発生させるために、発振器22を調整するように構成することができる。交流信号は増幅器24によって増幅することができ、アンテナ32および34に空洞20内で周波数変調電磁波を励起させることができる。プロセッサ30は、所定の周波数帯域内の様々な周波数で振動する交流波形を逐次的に発生させるために、発振器22を調整するように構成することができる。この逐次プロセスは、周波数掃引と呼ぶことができる。より一般的には、プロセッサ30は、様々なMSEで、例えば様々な周波数、位相、振幅、および/または放射素子の選択で波形を逐次的に発生させるために、供給源を調整するように構成することができる。そのような逐次プロセスはMSE掃引と呼ぶことができる。逐次的に掃引されるMSEは、必ずしも互いに関係しなくてもよい。むしろ、それらのMSE変数はMSEごとに著しく異なることができるまたは論理的に関連していてもよい。一部の実施形態では、MSE変数が、ことによるとそれらの間に論理関係がほとんどまたは全くない状態で、MSEごとに著しく異なり得るが、全体として、作業MSEのグループは所望のエネルギ印加目標を達成することができる。周波数掃引では、各周波数が供給方式例えば諸要素およびそれらの設定の特定の組合せである、特定のMSEに関連し得る。一部の実施形態では、プロセッサ30は、検出器40によって与えられるフィードバック信号に基づいて、周波数帯域から1つまたは複数の周波数を選択し、選択したそれらの周波数において交流波形を逐次的に発生させるように発振器22を調整するよう構成することができる。あるいは、または加えて、プロセッサ30は、アンテナ32および34によって送出されるエネルギ量をフィードバック信号に基づいて調節するために、増幅器24を調整するように構成することができる。一部の実施形態に合致して、検出器40は、特定の周波数でエネルギ印加区域から反射されるエネルギ量を検出することができ、反射されるエネルギが大きい場合、その周波数において加えるエネルギ量を大きくするようにプロセッサ30を構成することができる。つまり、プロセッサ30は、反射されるエネルギが特定の周波数で大きい場合、その周波数のエネルギをより長期にわたり1つまたは複数のアンテナに印加させるように構成することができる。あるいは、プロセッサ30は、反射されるエネルギが特定の周波数で小さい場合、その周波数のエネルギをより長期にわたり1つまたは複数のアンテナに印加させるように構成することができる。例えば、比較的低い吸収特性を有する対象物例えば氷があることを、測定した反射エネルギが示す場合、その周波数でより多くのエネルギを加えることが望ましい場合がある。反射エネルギ量と印加エネルギ量との間の他の関係も使用することができる。図5Bに示すように、本発明の一部の実施形態は、異なる周波数の交流波形を発生させるために、発振器22や26など、複数の発振器を含むことができる。別々にもたらされるこれらの交流波形は、増幅器24および28のそれぞれによって増幅することができる。その結果、空洞20に2つの異なる周波数の電磁波をいつでもアンテナ32および34に同時に加えさせることができる。これらの2つの周波数のそれぞれは経時変化してもよい。図5Bには専ら例示目的で2つの発振器を示すが、3つ以上の発振器および/または3つ以上の増幅器、および/または3つ以上のアンテナを使用できると考えられる。プロセッサは、エネルギ印加区域に供給される2つの電磁波間の位相差を変えるために、位相変調器を調整するように構成することができる。例として、位相変調器は、図6に示す移相器54などの移相器を含むことができる。移相器54は、空洞20内で交流波形の時間遅延を制御可能な方法で引き起こし、交流波形の位相を0-360度の間で遅らせるように構成することができる。移相器54は、連続可変の移相または時間遅延をもたらすように構成されるアナログ移相器を含むことができ、または1組の離散的な移相もしくは時間遅延をもたらすように構成されるデジタル移相器を含むことができる。図6に示すような一部の実施形態に合致して、発振器22が発生させた交流信号を2つの交流信号例えば分割信号に分けるために、分配器52を設けることができる。プロセッサ30は、2つの分割信号間の位相差が時間とともに変化し得るよう、様々な時間遅延を逐次的に引き起こすために、移相器54を調整するように構成することができる。この逐次プロセスは、位相掃引と呼ぶことができる。プロセッサは、エネルギ印加区域に供給される少なくとも1つの電磁波の振幅を変えるために、振幅変調器を調整するように構成することができる。例として、振幅変調器は、別の変調信号を使って搬送波の振幅を調整するように構成される、図7Aに示すミキサ42などのミキサ回路を含むことができる。変調信号例えばミキサ42の出力は、増幅器44によって増幅することができる。一部の実施形態に合致して、振幅変調器は、図7Bに示す移相器54および56など、1つまたは複数の移相器を含むことができる。振幅変調は、2つ以上の移相電磁波を組み合わせることによって実施することができる。例えば、分配器52は、発振器22が発生させた交流信号を、正弦波cos[φt]などの2つの交流信号に分けることができる。それらの信号は単一の信号から分割されるので、分割された2つの交流信号は、ほぼ同じ周波数を共有することができる。分割された一方の交流信号は、移相器54により位相αにわたってシフトすることができ、これによりこの交流信号はcos[φtα]となる。分割された他方の交流信号は、移相器56により位相-αすなわち360°-αにわたってシフトすることができ、これによりこの交流信号はcos[φt-α]となる。図7Bに示すように、移相交流信号は増幅器24および28のそれぞれによって増幅することができ、このようにして、共有の交流波形を有する電磁波をアンテナ32および34に励起させることができる。アンテナによって励起される2つの電磁波を組み合わせて、三角関数の公式cos[φt-α]cos[φtα]=2cosαcosφtによる振幅変調波を形成するように、アンテナ32および34を所定の位置に配置することができる。解説を簡単にするために、図5A-図5B、図6、および図7A-図7Bは、周波数変調、位相変調、および振幅変調を変えるための回路を個別に示すが、複数の組合せを使用可能にすることにより、より大きい変調空間を提供するために、これらの回路のコンポーネントを組み合わせてもよいと考えられる。さらに、多くの放射素子を使用することができ、放射素子を選択的に使用することにより、異なる波形を達成することができる。専ら例として、3つの放射素子A、B、およびCを有する装置では、振幅変調を放射素子AおよびBを使って行うことができ、位相変調を放射素子BおよびCを使って行うことができ、周波数変調を放射素子AおよびCを使って行うことができる。任意選択的に、どんな変調も例えばそれぞれが異なる位相、および/または異なる振幅、および/または異なる周波数を有する放射素子の任意の組合せを使って行うことができる。あるいは、振幅を一定に保つことができ、放射素子を切り替えることによって場の変化を引き起こすことができる。さらに、放射素子32および34は、これらの放射素子の位置または向きを変えさせ、それによりフィールドパターンの変化をもたらす装置を含むことができる。組合せは事実上無限にあり、本発明は、ある特定の組合せに限定されず、むしろ変調空間MS内のパラメータの1つまたは複数を変えることによりMSEを変えることで、フィールドパターンを変えることができるという考えを反映する。先に論じたように、プロセッサは、MSEを変え、したがって加えられるフィールドパターンを変える変数を調整することにより、対象物に加える複数の電磁場パターンをもたらす役割を果たすことができる。例えば、フィールドパターンは、選択されたMSEに基づいて予測することができる。この予測は、試験、シミュレーション、および/または解析計算の結果として可能であり得る。結果として生じる予測可能性は、所望のエネルギ印加プロファイルを達成するために1組のMSEを選択できるようにする。試験による手法を使用し、センサ例えば小さなアンテナをエネルギ印加区域内に配置して、所与のMSEに由来するフィールド分布を測定することができる。次いで、その分布を、例えばルックアップテーブル内に記憶することができる。シミュレート手法では、MSEを仮想的な方法で検査できるように、仮想モデルを構築することができる。例えば、エネルギ印加区域のシミュレーションモデルは、コンピュータに入力される1組のMSEに基づいてコンピュータ内で実行することができる。エネルギ印加区域内のフィールド分布を数値的に計算するために、CSTやHFSSなどのシミュレーションエンジンを使用することができる。このようにして、MSEと結果として生じるフィールドパターンとの間の相関関係を確立することができる。このシミュレート手法は、前もって十分に行い、分かった組合せをルックアップテーブル内に記憶することができ、またはこのシミュレーションは、エネルギ印加操作中にまたはエネルギ印加操作に関連して必要に応じて行うことができる。同様に、試験およびシミュレーションの代替策として、選択されたMSEの組合せに基づくフィールドパターンを予測するために、解析モデルに基づいて計算を行ってもよい。例えば、既知の寸法を有するエネルギ印加区域の形状を所与として、所与のMSEに対応する何らかの基本フィールドパターンを解析的方程式から計算するように、少なくとも1個のプロセッサを構成することができる。次いで、これらの基本フィールドパターン例えばモードまたはモードの組合せを使用して、先に定義したエネルギ送出方式を構築することができる。シミュレート手法と同様に、この解析的手法は、前もって十分に行い、分かった組合せをルックアップテーブル内に記憶することができ、またはエネルギ印加操作中に、もしくはその直前に必要に応じて行うことができる。一部の実施形態に合致して、フィールドパターンの計算は、対象物の存在を考慮することなしに行うことができる。これは、エネルギ印加区域内の対象物の存在が区域内のフィールドパターンの強度分布を実質的に変えないという想定に基づき得るボルン近似として知られる。ボルン近似は、エネルギを加える前に対象物の位置、大きさ、および電磁特性が未知の場合にとりわけ有用であり得る。対象物の特性があらかじめ分かっている場合、対象物を考慮してフィールドパターンの計算を行ってもよい。装填物が全エネルギ印加区域を満たし、誘電的に均質である場合、フィールドの計算またはシミュレーションは比較的簡単であり得る。装填物がエネルギ印加区域の少なくとも90を満たす場合、装填物がほぼ全エネルギ印加区域を満たしているとみなすことができる。一部の実施形態では、いくらかの除外空間を除き、例えば放射素子例えばRF供給部、検出器、温度計、または装置の動作に有用であり得る他の機器を含む空間を除き、装填物が全区域を満たすことができる。ほぼ満たされたエネルギ印加区域内には、例えば空洞の角において、対象物で満たされていない多少の周縁部の空間があってもよい。均質の装填物の一例は、誘電体境界がないものである。誘電体境界とは、それぞれが著しく異なる誘電率εrを有する2つの領域を分ける線または面である。それらの領域それぞれの特有の大きさは、真空内の少なくとも約一波長程度であり得る。損失係数の差は、例えば差が約10のものである場合に有意とみなすことができる。均質の装填物の一例は水塊である。水塊の異なる部分が、例えば不均一の加熱が原因で異なる温度にある場合、それらの異なる部分の誘電率は異なり得ることを指摘しておく。ただし、この差が10を超える場合、その水塊は不均質とみなすことができる。水中油のまたは他の任意の2つの物質の懸濁液は、油滴または他の懸濁媒体の粒子が、真空内の適用MSEの波長より小さいことを条件に均質とみなすことができる。これは、油と水の誘電率における大きな差にもかかわらず当てはまり得る。モードの計算またはシミュレーションが簡単であり得る別の事例は、可分装填物の場合である。可分装填物とは、均質物質の少なくとも1つの完全な層を含む装填物である。均質性およびほぼ満たすことの概念は、上記で説明したように理解することができる。各層は、空洞壁および可分空洞内の2つの平行な断面によって境界をつけることができる。可分空洞とは、その中で励起される電場Ex,y,zを、x、y平面におけるフィールドとz方向におけるフィールドとの積、すなわちEx,y,z=Ex,yEzとして表すことができる空洞である。可分空洞には、例えば長方形の箱、円筒、直角三角形の底を有する角柱、または分割された円筒の形を有する空洞が含まれる。可分装填物の一例は、例えば層状のケーキとすることができ、各層は均質であり、ケーキの周縁部において空洞壁に接触する。それらのパターンをもたらすMSEに対応するフィールドパターンを記録することに加え、プロセッサは、エネルギ印加区域内の空間的位置に対応する、各フィールドパターンのフィールド分布を記録するようにさらに構成することができる。フィールドパターンは、イメージング技法を使用して視覚化しても、デジタルデータとしてコンピュータ内に記憶してもよい。これらの記録は、プロセッサが損失プロファイルを求める基盤としての入力として有用であり得る。以下で論じるように、損失プロファイルの決定は、ときには離散化によって容易にされる場合がある。特定のアドレスにフィールドパターンを空間的にマップ可能にする一意のアドレスを、離散化される各小領域に関連付けるようにエネルギ印加区域は離散化することができる。図8A-図8Cおよび図9は、離散化されたエネルギ印加区域の例を示す。離散化という用語は、例えば分割、分離、または区分化と呼ぶこともできる。エネルギ印加区域の小領域への離散化は、あらかじめ定めることができる。ある事例では、プロセッサは、例えばルックアップテーブル、メモリ内に記憶された情報、またはプロセッサ内で符号化された情報により、所定の離散化情報を取得することができる。あるいは離散化は、例えば図1に示す少なくとも1個のプロセッサ30を使用して動的に行うことができる。例えば、区域の既知の寸法をプロセッサに与えると、プロセッサは、規則的または不ぞろいの分割パターンを体積上にオーバーレイし、区域を小領域に分割し、アドレスを各小領域に割り当てることができる。離散化方式は、これだけに限定されないが、所望の分解能、損失プロファイルの特性、および使用可能なフィールドパターンが含まれる多くの要素によって決まり得る。各領域は、規則的な形または不ぞろいの形のものとすることができる。例えば3Dの場合、領域は、図8Aに示すように規則的な立方体または長方形であり得る。この事例では、区域の大きさ例えば体積がSLであり、所望の分解能が、少なくとも100個の領域を対象物が含むことを要求し得る場合、各領域の平均的大きさは、例えばSL/100とすることができる。あるいはこの領域は、特定のニーズに応じてどんな不ぞろいの形でもよい。例えば、図8Bに示すように、エネルギ印加区域をある程度無作為な領域に分割することができる。一部の実施形態では、この分割は、区域内の対象物の位置および/または区域に加える特定のフィールドパターンの特性を考慮に入れることで行ってもよい。対象物またはエネルギ印加区域の特定の位置では、分割領域の大きさが他の位置よりも小さい場合がある。すなわち、領域の密度は、対象物またはエネルギ印加区域の全体にわたって異なることができる。例えば、分割方式は、エネルギを印加する対象である、エネルギ印加区域内の対象物の一部に領域が一致するかどうかに応じて、その領域が、対象物のどの部分も位置しない区域の領域に一致するかどうか、またはエネルギを印加する対象ではない対象物の一部を含む領域に一致するかどうかに応じて変わり得る後者の2つの領域のそれぞれは空所区域と名付けることができる。場合によっては、対象物のターゲット部分は、対象物全体を含み得る。場合によっては、区域の非占有部分を空所区域の一部として扱うことができる。例示的方式によれば、空所区域全体を単一の領域として扱うことができる。別の例示的方式では、空所区域を、対象物内部のターゲット部分と同様の方法で複数の領域に分割することができる。この場合、対象物の空間占有または対象物のターゲット部分の空間的位置にかかわらず、分割はエネルギ印加区域全体の中で行うことができる。あるいは、対象物のターゲット部分が占有する区域および空所区域について分割を別々に行ってもよい。さらに別の例では、空所区域を対象物のターゲット部分と異なる方法で複数の領域に分割することができる。例えば、図8Cに示すように、空所区域内の領域の平均的大きさは、対象物のターゲット部分内の領域の平均的大きさよりも大きい場合がある。すなわち、空所区域内の領域の密度は、対象物例えば対象物50のターゲット部分内の領域の密度よりも低い場合がある。図8A-図8Cの図は、専ら例示的である。本発明の範囲内で無数の離散化方式が考えられる。離散化は、対象物が占有するエリア内だけで行うことができ、またはエネルギ印加区域全体を離散化してもよい。離散化されたエネルギ印加区域810の一例について、図9に関して以下で解説する。図9では、エネルギ印加区域810は、それぞれがほぼ同じ真四角の形を有する複数の領域に分割することができる。ただし、以下に記載する方法は、区域810を不ぞろいの形および/または不ぞろいの大きさの領域に分割する離散化に応用してもよいと考えられる。これらの領域は、左上角から右下角に1,2,3,...,Ndとラベル付けすることができる。対象物830は、複数の領域、例えば領域RaおよびRbを含むことができる。この例では、1組の被選択MSEを[θ1,θ2,...θNm]で表せると仮定することができる。先に論じたように、各MSEは、エネルギ印加区域例えば区域810内の既知のフィールドパターンに対応することができる。エネルギ印加区域はNd個の領域に離散化されているので、各MSEθjについて、対応する既知のフィールドパターンを、一連の局所的電場強度[I1j,I2j,I3j,...,INdj]によって表すことができる。区域の特定の領域における電場強度は、その領域における電場振幅の2乗に比例する。適用する全てのMSEについて、フィールドパターンを以下のように行列形式で集合的に書くことができる。[I11,I21,I31,...,INd1;I12,I22,I32,...,INd2;...I1Nm,I2Nm,I3Nm,...,INdNm]I行列と呼ぶこの行列は、MSEおよび離散化を決定した後で求めてもよい。一部の実施形態では、例えば異なるエネルギ量を加える様々な領域の分解能、および/または区域を離散化する分解能例えば区域を複数の領域に分割することによるは、加えるEMエネルギの波長のほんの一部、例えばλ/10、λ/5、λ/2程度であり得る。例えば、900MHzでは、空中ε=1の対応する波長λは33.3cmであり、分解能は3cm程度、例えば3cm3または1mm3の分解能であり得る。例えば水中では、波長は同じ周波数900MHzにおいて約9分の1の長さであり、したがって分解能は0.33cm程度、例えば0.33cm3であり得る。例えば肉では、900MHzの周波数に対応する波長は、空中の約7分の1であり、分解能は0.4cm程度、例えば0.4cm3であり得る。より高い周波数を使用することで、より高い分解能を可能にすることができる。例えば他の周波数では、分解能は、0.1cm、0.05cm、0.01cm、5mm、1mm、0.5mm、0.1mm、0.05mm程度またはそれ未満であり得る。複数のフィールドパターンのそれぞれについて、プロセッサは、エネルギ印加区域内で散逸される出力量を求めるように構成することができる。エネルギ印加区域内で散逸される出力量は、区域内の任意のエネルギ吸収媒体によって吸収される出力量とすることができ、直接または間接的に測定することができる。直接測定の一例として、区域内の様々な位置に温度センサを配置することができ、温度上昇に基づいて出力量を推定することができる。間接的測定の一例として、エネルギ印加区域内で散逸される出力量は、放射素子例えば放射素子18からの入射出力を考慮に入れ、放射素子の少なくとも1つの中に跳ね返される出力および/または伝達される出力を求めることによって測定することができる。この反射/伝達出力は、受信機として機能する放射素子18が受け取り、検出器40が検出することができる例えば図1、図5A、図5B、図6、図7Aおよび図7Bを参照されたい。散逸される出力量は、入射出力と反射出力および任意選択的にで伝達出力との差として求めることができる。エネルギ印加区域内で散逸される求めた出力量は、エネルギ印加区域内で散逸される総出力であり得る。例えば、この出力量は、区域内の対象物、区域の壁、および/または区域内の他の任意のエネルギ吸収媒体によって吸収される総出力を含み得る。この出力量は、例えばPDl-PRfとして求めることができ、ただしPDlは、エネルギ印加区域内に加えられる総出力入射出力であり、PRfは、エネルギ印加区域から反射される総出力および/または放射していない放射素子内に伝達される総出力である。一部の実施形態では、プロセッサは、エネルギ印加区域の所定の部分内で散逸される出力量だけを求めるように構成することができる。例えば、プロセッサは、エネルギ印加区域の所定の部分だけを覆う、高強度フィールドエリアホットスポットを有する選択フィールドパターンを適用する場合がある。その場合、エネルギ印加区域の他の部分は低強度フィールドエリアコールドスポットで覆われ、ほんの僅かな出力量しか吸収できないので、エネルギ印加区域内で散逸される求めた出力は概ね所定の部分内で散逸され得る。所定の部分は、エネルギ印加区域内の対象物の1つまたは複数の部分を含むことができる。一部の実施形態では、対象物の位置が分かっている場合、プロセッサは、エネルギを加えることが望まれる対象物または対象物の一部の位置と位置合わせされた高強度フィールドエリアを有するフィールドパターンを選択するように構成することができる。その結果、求めた出力量は概ね対象物の所望のエリア内で散逸され得る。一部の実施形態では、プロセッサは、対象物内で散逸される出力と他の場所で散逸される出力とを区別し、その情報を複数のフィールドパターンのそれぞれに関連させるように構成することができる。一部の事例では、プロセッサは、先に記載したように区域内で散逸される総出力を最初に求め、その求めた量を、対象物内で散逸される出力量と他の場所で散逸される出力量とに区別することができる。プロセッサは、エネルギ印加区域の構造例えば空洞壁に関連する損失値を使用して区別を行うことができる。一部の実施形態では、プロセッサは、フィールドパターンの強度分布および壁に関連する損失値に基づき、区域の壁の中で散逸される出力量を計算することができる。この計算は、ボルン近似に基づくことができる。他の一部の実施形態では、プロセッサは、他の場所で散逸される出力量を測定することにより区別を行ってもよい。この場合もやはり、この手法もボルン近似を使用するものであり得る。一部の実施形態では、印加したフィールドパターンの全体について求めた出力量を、ベクトルとして記憶することができる。例えば、適用する1組のMSEを[θ1,θ2,...θNm]で表すことができ、適用する各MSEθjについて散逸される出力量をPjで表すことができると仮定し、1組のMSEについて散逸される出力量は、ベクトル[P1,P2,...PNm]を形成することができる。一部の実施形態に合致して、散逸出力のベクトルは、あらかじめ求め、エネルギを加える前に少なくとも1個のプロセッサのメモリ内にプログラムすることができる。散逸出力のベクトルは、例えば同様の対象物例えば同様の大きさ、形、および組成のピザをオーブン内で何度も繰り返し加熱する場合、あらかじめ求めることができる。一部の実施形態では、散逸出力のベクトルがあらかじめ求められている場合、その所定のベクトルに基づいて損失プロファイルを計算し、エネルギを加える前に少なくとも1個のプロセッサのメモリ内にプログラムすることができる。あるいは、散逸出力のベクトルは、エネルギ印加中に動的に求め、記憶することができる。一部の実施形態では、散逸出力のベクトルをデフォルト値としてあらかじめプログラムすることができ、そのベクトルをエネルギ印加中に、例えば利用者の要求に応じて動的に更新することができる。一部の実施形態では、プロセッサは、複数のフィールドパターンをエネルギ印加区域に適用する場合に散逸される出力量に基づき、対象物の少なくとも一部にわたるエネルギ吸収特性の空間的分布を求めるように構成することができる。例えば、少なくとも1個のプロセッサは、対象物内の吸収性absorbable電磁エネルギのインジケータの分布を計算することにより、エネルギ吸収特性の分布を求めるように構成することができる。対象物の体積全体にわたるエネルギ吸収能力を、損失プロファイルとして表すことができる。損失という用語には、電磁エネルギを発した放射素子に跳ね返されない、または別の放射素子に伝達されない任意の電磁エネルギが含まれ得る。損失という用語は、対象物の中で熱に変換される電気エネルギを指すことができる、誘電損失も指すことができる。後でより詳しく解説するように、パターン、イメージ、分布等と呼ぶこともできるプロファイルという用語には、例えばエネルギ印加区域内の損失の任意の空間的分布が含まれ得る。吸収性電磁エネルギのインジケータは、吸収率、損失値、またはエネルギ吸収特性と呼ぶこともでき、対象物内で吸収できるエネルギを示すどんな値例えば加える電磁エネルギに対する、エネルギ印加区域内の媒体の誘電反応を示す任意の値を含んでもよい。吸収率の例には、εσ’’と称することができるイオン伝導による電磁損失、εd’’と称することができる双極子回転による電磁損失、および/またはこれらのもしくは他の損失成分の組合せが含まれる。一部の実施形態では、吸収率は例えばε’’=εd’’εσ’’=εd’’σ’/ωε0によって特徴付けることができる総損失ε’’の場合があり、ただしσ’は導電率であり、ωは印加EM波の角周波数であり、ε0は自由空間または真空の誘電率である。以下、総損失ε’’本明細書では損失パラメータとも呼ぶをσによって示す場合がある。ただし本明細書で使用するとき、損失という用語は、あらゆる種類の吸収率を包含するよう広く使用する。例として、電磁エネルギを吸収する対象物がエネルギ印加区域内に位置する場合、損失は、その対象物の電磁エネルギ吸収能力に相当することができる。一部の実施形態では、吸収率は、電場に対する損失のある反応と損失のない反応との比率として、tanδ=ε’’/ε’=[εd’’σ’/ωε0]/ε’のように定めることができる損失係数とすることができ、ただしεは誘電率である。損失が小さい誘電体では、tanδ<<1であり、よってtanδをδで近似することができる。これにより、1つまたは複数の方程式を解くのを容易にすることができる。先に簡潔に述べたように、損失は、そのプロファイル例えば損失プロファイルの観点から特徴付けることができる。損失プロファイルは、空間内の位置に応じた任意の吸収率の表現とすることができる。例えば、損失プロファイルは、異なるtanδまたはε’’、もしくは他の任意の吸収率のエリアを異なる色で示すマップとすることができる。別の例では、損失プロファイルは行列とすることができ、各セルはエネルギ印加区域内のボクセルvolumecellを表し、行列セル内の値は、ボクセル内における媒体を特徴付ける吸収率の値である。損失プロファイルは、エネルギ印加区域内のエネルギ損失の分布に関する情報を伝えるために様々な方法で表すことができる。損失プロファイルは、イメージング、解析学、値計算法、タブラチュア、またはエネルギ損失の分布もしくは部分的分布を反映可能な他の任意のメカニズムを使って表すことができる。一部の実施形態では、部分的分布は、必ずしも区域全体ではないが、エネルギ印加区域または対象物の1つまたは複数の部分領域についてのみ提示される損失プロファイルを指すことができる。解析的に表される場合、損失プロファイルは、例えば1つまたは複数の方程式によって書くことができる。例えば、そのような方程式は、時間、空間、出力、位相、周波数、またはMSの任意の変数が含まれるエネルギ損失と相関があり得る他の任意の変数のうちの1つまたは複数の関数として書くことができる。数値的に表される場合、損失プロファイルは、数または一連の数として表すことができる。表現方法にかかわらず、損失プロファイルは、デジタル形式および/またはアナログ形式で表すことができる。例えば損失プロファイルは、メモリ内に記憶され、プロセッサ内にロード可能なデジタルファイルとすることができる。少なくとも1個のプロセッサは、複数のフィールドパターンのそれぞれに関連する電磁場強度、および複数のフィールドパターンのそれぞれにおいてエネルギ印加区域内で散逸される出力に基づき、エネルギ吸収特性の分布を計算するように構成することができる。エネルギ吸収特性の分布の提示は、エネルギ印加区域に対して用いる離散化に依存し得る。エネルギ印加区域を離散化できるように、損失プロファイルも同様の方法で離散化し、離散化済みのエネルギ印加区域の小領域にマップすることができる。例えば、エネルギ印加区域810を、1,2,3,...,Ndとラベル付けする複数の領域に分割する図9では、対象物830が、異なる損失パラメータσaおよびσbを有する、領域RaおよびRb内に2種類の物質を含み得る。対象物の外側だがエネルギ印加区域810の内側にある空所領域例えば領域RCは損失パラメータσCを有し得る。一部の実施形態では、損失プロファイル820がプロセッサによって作成され得る。損失プロファイル820は、エネルギ印加区域810内の様々な領域を特徴付ける損失値を列挙することができる。例えば、領域RaおよびRbは、σaおよびσbによって特徴付けられる実損失プロファイルに近い、吸収率σ’aおよびσ’bのそれぞれによって特徴付けられる。この損失プロファイルを作成するために、プロセッサは、各領域1からNdに未知の損失パラメータσii=1,2,3,...,Ndを割り当てることができる。そのような離散化された損失プロファイル820は、分解能がNdによって特徴付けられる、実損失プロファイルの数値表現であり得る。例えば、Ndがある所与の値よりも大きい場合、それに応じてエネルギ印加区域内には多数の領域がある可能性があり、各領域の大きさは、Ndが前述の所与の値に等しい場合よりも小さい可能性がある。各MSEθjについて、出力損失Pj時間単位当たりのエネルギ損失として定義することができるは、1/2σ1I1jσ2I2j...σNdINdj=Pjのように局所的なフィールドパターンの強度Iijに関係することができる。したがって、一部の実施形態では、少なくとも1個のプロセッサは、全てのMSEについて以下の方程式1/2σI=P方程式1を構築するように構成することができ、ただしPは散逸される出力量のベクトルであり、Iはフィールドパターン強度の行列であり、σは、未知の損失値のベクトルとして表す損失プロファイルである。一部の実施形態に合致して、少なくとも1個のプロセッサは、σを数学的に解くことができるよう、未知の損失プロファイルを解くようにさらに構成することができる。例えばσは、以下のように行列Iを反転させ、ベクトルPを掛けることによって解くことができる。σ=2PI-1Iを反転させることは、方程式を解くための効率的な方法を構成し得るが、本発明に合致して他の数学的方法を使用してもよい。これらの他の方法には、例えば、ヤコビ法、ガウスザイデル法、逐次過緩和法などの様々な定常反復法や、共役勾配法CG、一般化最小残差法GMRES、双対共役勾配法BiCGなどの様々なクリロフ部分空間法が含まれ得る。あるいは、例えば線形計画法や二次計画法を使い、例えば残差|1/2σI-P|を最小化する最適化法を用いて方程式を解いてもよい。反復法および最適化法は、直接Iを反転させることが困難な場合、またはIを反転させることが解の大きな不正確さをもたらす可能性がある場合例えば方程式系が数学的に不良条件、不良設定、および/または特異な場合にとりわけ有用であり得る。先に記載したように、損失は、σ以外の吸収率によって表すこともできる。一部の実施形態では、これらの吸収率をσ’に基づいて計算することができる。例えば、損失係数をtanδ=σ’/ωε’として求めることができる。一部の実施形態では、少なくとも1個のプロセッサは、エネルギ吸収特性の分布をルックアップテーブルとして記憶させるようにさらに構成することができる。タブラチュアで表される場合、損失プロファイルは、物理的空間とその空間内の特定の位置で吸収されるエネルギとの間の相関関係を含むテーブルの形態を呈することができる。例えば、ルックアップテーブルは、エネルギ印加区域の複数の領域とその対応する吸収率との間の関係を指示することができる。図10Aおよび図10Bに、記憶された吸収率σおよびtanδの例示的ルックアップテーブルを示す。各ルックアップテーブルの左欄に、エネルギ印加区域の離散化に応じた、区域内の領域例えば体積のラベルを列挙する。右欄には、各領域の対応するσまたはtanδを列挙する。一部の実施形態では、少なくとも1個のプロセッサは、エネルギ印加区域の少なくとも一部におけるエネルギ吸収特性の分布の表示を、例えばイメージとしてもたらすようにさらに構成することができる。専ら例として、図9の右側に示すように、損失プロファイルを2D画像として表示することができる。任意のイメージング技法を使用することでイメージとして表す場合、損失プロファイルは、白黒画像、グレースケール画像、カラー画像、表面状態画像、体積画像、または他の任意のグラフィカル表現の形態を呈することができる。図9に示す2D画像は、解説を簡単にするために簡略化した例であることを理解すべきである。グラフィックの観点から言えば、損失プロファイルは、例えば一次元、二次元、三次元、および/または四次元のイメージとして表すことができ、4番目の次元は時間を指すことができる例えば経時的な3D空間の損失プロファイルを表示することができる。一部の実施形態では、少なくとも1個のプロセッサは、エネルギ吸収特性の分布に基づいて対象物の位置を求めるように構成することができる。例えば、求めた損失プロファイルσをエネルギ印加区域にマップすることができる。図9では、損失プロファイル820をエネルギ印加区域810にマップする。損失プロファイル820は、エネルギ印加区域810内の損失σの空間的分布を反映することができる。例えば、損失プロファイルは、エネルギ印加区域810内に位置する対象物830のエネルギ吸収特性を反映することができる。対象物の領域は、通常、空所領域のエネルギ吸収特性とは異なるエネルギ吸収特性に関連するので、プロセッサは、損失プロファイル820に基づいて対象物830の位置を求めることができる。例えば、プロセッサは、エネルギ印加区域810に対する対象物830の座標を求めることができる。一部の実施形態では、少なくとも1個のプロセッサは、複数のフィールドパターンのそれぞれに由来する、既知の高強度フィールドホットスポットの位置に基づいて対象物の位置を求めるように構成することができる。先に記載したように、フィールドパターンは、試験、シミュレーション、または解析計算により、適用するMSEに基づいて求め、または予測することができる。予測は、例えばエネルギ印加中にオンラインで行うことができ、または例えばエネルギ印加サイクルが始まる前に事前に行うことができる。予測は、例えばルックアップテーブル内に保存し、本発明の諸実施形態による運転中にプロセッサがそれらの予測を使用できるようにすることができる。フィールドパターンは、エネルギ印加区域内に1つまたは複数の高強度フィールドエリアをもたらすことができ、それらのエリアではフィールド強度および/または損失が高い。本明細書で使用するとき、高強度フィールドエリアおよびホットスポットという用語は、電磁場強度が周囲の領域よりも大幅に高い領域を指す。すなわちこれらの用語は、電磁出力が集中し、その結果、電磁波から対象物への電磁エネルギ伝達が、同様の吸収率の周囲のエリアよりも効果的である領域を指す。同様に、コールドスポットまたは低強度フィールドエリアは、電磁場強度が周囲の領域よりも大幅に低い領域を指す。したがって、吸収率が同様であることを条件に、電磁エネルギ伝達は、高強度フィールドエリアよりも低強度フィールドエリアにおいて有効性が低い。一部の実施形態に合致して、プロセッサは、各フィールドパターン内の各ホットスポットの座標を知ることができ、またはそうした座標であらかじめプログラムすることができる。これは、先に論じたように、MSEが予測可能な高強度フィールドエリアを有する予測可能なパターンをもたらすので達成可能である。ホットスポットの座標は、ホットスポットの位置および大きさを示すことができる。先に記載したように、プロセッサは、特定のフィールドパターンにおけるエネルギ吸収に関連するフィードバックを検出器が受け取ったという指示を受け取るように構成することができる。プロセッサは、対象物がその特定のフィールドパターンに対応する高強度フィールドエリアのうちの1つの中に位置していることを突き止めるようにさらに構成することができる。エネルギ印加区域に適用するフィールドパターンが多ければ多いほど、プロセッサは、エネルギ印加区域内の対象物の位置および吸収特性に関するますます多くの情報を得ることができる。様々なMSEを使った一連のそのような測定にわたり、プロセッサは、空間内の対象物の位置および/またはエネルギ印加区域内の吸収特性の空間的分布を絞り込むことができる。一例として、図3Cは、エネルギ印加区域20内に2つの高強度フィールドエリア84を有するフィールドパターンを示す。エネルギ印加区域20内の高強度フィールドエリア84以外のエリアは、低強度フィールドエリアまたはコールドスポットと呼ぶことができる。図3Cに示すフィールドパターンはあらかじめ決めることができ、その結果、2つのホットスポット84の位置を事前に知ることができる。対象物82は、エネルギ印加区域20内に位置することができ、電磁エネルギを吸収する能力があり得る。先に記載したように、プロセッサは、エネルギ印加区域20内で散逸される出力量など、エネルギ吸収を示すフィードバック情報を検出器から受け取るように構成することができる。少なくとも1つのホットスポットが対象物の位置に一致する場合、エネルギ印加区域内で吸収されるエネルギ量は、ホットスポットが対象物の位置に一致しない場合よりもかなり大きい可能性がある。したがって、プロセッサは、対象物82がホットスポット84の少なくとも1つに一致し、そのためホットスポットの少なくとも1つのエリア内に位置していることを突き止めることができる。図3Dは、2つのホットスポット86を有するフィールドパターンを示し、そのうちの1つは、対象物82が位置するエネルギ印加区域20内のエリアに一致する。したがって、プロセッサは、図3Dのフィールドパターンに関連するエネルギ吸収を示すフィードバック情報を受け取り、対象物82の位置が、2つの水平な高強度フィールドエリア86によって覆われるエリアの少なくとも1つの内側にあると判定するように構成することができる。したがって、図3Cおよび図3Dの両方に関連して得た位置情報を使用して、プロセッサは、対象物が図3Dに示す高強度フィールドエリア84および86の交差部分によって覆われるエリアとともにあることを求めることができ、図3Dでは破線が図3Cのフィールドパターン内の高強度フィールドエリア84に対応する。さらなるフィールドパターンからフィードバックを同様の方法で受け取ることにより、プロセッサは、対象物82の位置をより正確に絞り込むことができる。さらに多くのフィールドパターンを適用することにより、プロセッサは、対象物82の大まかな形または正確な形でさえ求めることができる場合がある。とりわけ対象物の損失プロファイルが分かっている場合、フィードバック情報は対象物の識別情報のインジケータも提供することができ、プロセッサは、エネルギ印加区域から受け取ったフィードバック情報に基づいて対象物の位置および向きを識別するだけでよい。一部の実施形態では、プロセッサは、エネルギ吸収特性の分布に基づき、エネルギ印加区域の異なる部分に異なるエネルギ量を加えさせるようにさらに構成することができる。例えば、異なるエネルギ量は、図9に示す対象物830内の領域RaおよびRbに送出することができる。一部の実施形態では、エネルギ印加区域内のエネルギ吸収特性の分布に基づいて、異なるエネルギ量を決定することができる。つまり、対象物の体積全体にわたるエネルギ吸収能力が求められると、所望の目標を達成するために、エネルギを制御された方法でその対象物に加えることができる。例えば、目標が対象物の体積にわたりエネルギを均一に加えることである場合、プロセッサは、均一のエネルギ印加をもたらすMSEの組合せを選ぶことができる。例えば、2つの領域によって吸収されるエネルギ量がほぼ同じであるように、より高い吸収率に関連する対象物の一部により少ないエネルギ量を加えることができ、より低い吸収率に関連する対象物の別の部分により多いエネルギ量を加えることができる。その一方で、不均一のエネルギ印加が望まれる場合、プロセッサは、フィールドパターンのそれぞれを使い、全体的なエネルギ吸収が、エネルギ吸収の所望の不均一性に対応するが達成されるようにエネルギ量を加えることができる。例えば、対象物の中の他の成分を加熱することなしに対象物の中の水を取り除くように、水からなる領域により多くのエネルギ量を加えることができる。より広くは、特定の物質を他の物質よりも強く処理するために、特定の物質からなる領域により多くのエネルギ量を加えることができる。プロセッサは、エネルギ印加区域に異なる所定量のエネルギを送出するために、供給源を調整するように構成することができる。例えば、先に論じたように、エネルギを分布させる方法は、制御可能な変数の数およびそれらの可能な設定例えばMSEの量の関数なので、プロセッサは、エネルギ印加区域内で異なるエネルギ分布を達成するためにMSEを変えるように構成することができる。MSEを変え、所望のフィールドパターンを適用するために、図1、図5A、図5B、図6、図7Aおよび図7Bに示す例示的装置を利用することができる。一部の実施形態では、エネルギ印加区域内の放射素子の配置に従って特定のモードを励起するために、放射素子を選択することができる。放射素子の位置は、所望のモードを効果的に励起するように、および/または不所望のモードを排除するように選択することができる。一部の実施形態のこの特徴および他の任意選択的な特徴を、図12A、図12B、図12C、図13Aおよび図13Bに関して以下に説明する。モードを排除する概念を図12Aおよび図12Bによって示すことができ、これらの図面は、空洞1800内で励起可能な2つのモード1802および1806のX-Y断面を示す。モード1802は、TM11モードであり、モード1806は、TM21モードである。モードTM11は、より低い遮断周波数f11以上のあらゆる周波数において励起可能とすることができ、TM21は、より高い遮断周波数f21以上のあらゆる周波数において励起可能とすることができる。したがって、f11とf21との間の中間周波数において、TM21を励起することなしにTM11を励起することができるが、TM21を励起できてTM11は励起できない周波数はない。したがって、TM21を励起することなしにf21よりも高い周波数でTM11を励起したい場合、TM21を排除しなければならない可能性がある。本解説では、モードを排除することを、モードの励起を阻止する、または実質上減少させると言うことができる。一部の実施形態では、不所望のモードのヌルにまたはその近くに位置し、所望のモードの最大にまたはその近くに位置する放射素子を励起用に選択することにより、所望のモードを励起することができ、不所望のモードを同時に排除することができる。モードのヌルとは、モードのフィールド強度が永続的にまたはあらゆる位相においてゼロであるエネルギ印加区域内の任意の位置であり、モードの最大とは、モードのフィールド強度があらゆる位相においてまたはあらゆる時点において全体的な最大値に達する任意の位置である。あるモードのヌルに配置される放射素子は適用される周波数にかかわらずそのモードを励起せず、ヌルの近くに配置される放射素子はそのモードを僅かにしか励起できない。例えば図12Bでは、平面1803は、モードTM21のヌルポイントの集まりであり、したがって、この線に沿ったいかなる箇所に配置される放射素子も、f21よりも高い周波数においてでさえ、モードTM21を励起することはできない。ただし、平面1803に沿う線1809はモードTM111802のヌルではないので、モード1802は線1809に位置する放射素子によって励起することができる。実際、放射素子は、モード1806を励起することなしに、平面1803上のどこにでも位置することができる。しかし、一部の実施形態では、放射素子をXY平面内の位置において空洞の上底および/または下底に配置することができる。モードを排除するための別の方法は、排除しようとするモードの電場の振幅が逆符号のものである2つ以上の位置に配置される、2つ以上の放射素子を使用することを含むことができる。例えば、図13Aは、線1805に沿ったモード1806の電場の正規化した振幅を示す。図示のように、平面1803上の点であるx=0.5のとき、フィールドはゼロであり、x=0.25のときフィールドは1であり、x=0.75のときフィールドは-1である。したがって一部の実施形態では、一方がx=0.25にあり、他方がx=0.75またはフィールドが逆符号および等しい振幅を有する他の任意の2点にある2つの放射素子を選択して、互いを打ち消し合うために同じ振幅および位相でRF波を放射させ、それにより不所望のモードを排除することができる。2つの放射素子の位置におけるフィールドが逆符号および異なる絶対値を有する場合、例えば各放射素子の位置におけるフィールドと振幅との積の和がゼロであるようにそれらのフィールドの振幅が調整される場合、不所望のモードを排除するためにそれらは依然として使用することができる。上記の解説は、X軸に沿った様々な点に焦点を当てたが、様々なy値および/またはz値を有する点についても同様の考察が当てはまり得ることを指摘しておく。一部の実施形態では、2つのアンテナを介してエネルギを発することによって所望のモードを励起することができ、それらのアンテナは、互いに逆平行に方向付けられ、または互いに平行に方向付けられるが互いに180°位相がずれた波を発し、フィールドパターンが逆符号を有する箇所に位置する。同様に、一部の実施形態では、2つのアンテナを介してエネルギを発することによってモードを排除することができ、それらのアンテナは、互いに逆平行に方向付けられ、または互いに平行に方向付けられるが互いに180°位相がずれた波を発し、フィールドパターンが同じ符号を有する箇所に位置する。図13Bは、線1805に沿ったモード1802の電場の正規化した振幅を示す。図示のように、x=0.5のときこのフィールドは最大であり、x=0.25のときのフィールドは、x=0.75のときのフィールドに振幅および符号のいずれにおいても等しい。したがって、同じ振幅および位相において発する、一方がx=0.25にあり、他方がx=0.75にある2つのアンテナがモード1802を励起する傾向にあり得る。しかし、互いに逆平行に方向付けられ、または互いに平行に方向付けられるが互いに180°位相がずれている2つのアンテナは、モード1802を排除することができる。その結果、アンテナおよび位相の後者の組合せは、モードTM21を励起することができ、モードTM11を排除する。一部の実施形態では、所望のおよび/または不所望のモードが共振モードである。共振モードは、電磁波の周波数fが、エネルギ印加区域の寸法に当技術分野で知られている方法で一致する場合に励起することができる。例えば、矩形空洞であるエネルギ印加区域では、本明細書ではhzと呼ぶ、電磁波が伝搬する寸法が、Nλ/2に等しい場合に共振モードを励起することができ、Nは整数例えば0、1、2、3であり、λは、方程式λ=c/fによって与えられる波長であり、cは空洞内の光速度である。共振モードは、通常3つの指数で印付けされ、3番目の指数はNである。単一共振モードが所与の周波数で励起される場合、励起によって運ばれる出力の大部分は共振モードによって運ばれる可能性があり、伝搬またはエバネセントとすることができる他のモードは、無視してもよい場合がある出力のほんの一部を運び得る。したがって、単一共振モードが励起される場合、非共振モードを排除する必要はほとんど、または全くない可能性がある。例えば、hz=c/f21が成立する場合すなわちN=2である場合、アンテナおよび周波数はモードTM21を励起するように選択することができ、モードTM11は印加周波数において励起可能であり得るが、共振モードTE212によって運ばれる出力量に比べてモードTM11は僅かな出力量しか運べないので、例えばモードTM11を排除する必要はほとんどない可能性がある。したがって一部の実施形態では、ターゲットフィールド強度分布を達成するために共振モードを使用することができる。これにより、十分な帯域幅および周波数制御を条件として、励起されるモードの制御が容易になり得る。一部の実施形態では、縮退空洞を使用することにより、モードの励起を例えば帯域幅および周波数制御の要件を緩和することでさらに容易にすることができる。縮退空洞とは、少なくとも1つの遮断周波数が、同じ一群の2つ以上のモード例えば2つのTEモードの遮断周波数である空洞である。同様に、各共振周波数最も低いものを除くこともあるは、同じ一群の2つ以上の共振モードを励起することができる。縮退空洞の一部の形状には、例えば円筒や球体が含まれ得る。一部の実施形態では、1つの所望の共振モードおよび1つまたは複数の不所望の共振モードが同じ周波数で励起される場合があり、不所望のモードは上述のように排除することができる。例えば、図12B内の1806としてその断面を示すモードTM212を励起するのと同じ周波数が、図12C内の1808としてその断面を示すモードTM212も励起することができる。しかし、この励起が、モード1806のヌルではない、モード1808のヌルに位置する放射素子による場合、モード1808しか励起することができない。例えば、放射素子が図12Bおよび図12Cに示す線1809において、周波数f12=f21で放射する場合、モード1808しか励起することができない。したがって、本発明の一部の実施形態によれば、エネルギ印加区域に複数の所定のモードを加える場合に散逸される出力量に基づいて、エネルギ印加区域の少なくとも一部にわたるエネルギ吸収特性の空間的分布を求めるための装置が提供される。所定のモード以外のモードを、例えば上述のように排除してもよい。一部の実施形態では、エネルギ吸収特性プロファイルエネルギ吸収特性の空間的分布とも呼ぶを得るために使用するのと同じフィールドパターンを使用して、対象物に異なるエネルギ量を加えることができる。例えば、エネルギ吸収特性の分布を測定するために、ならびに区域内の対象物にエネルギを送出するために、図1、図5A、図5B、図6、図7Aまたは図7Bの装置を利用して区域に周波数変調電磁波を加えることができる。一部の実施形態では、対象物に異なるエネルギ量を送出するために適用するフィールドパターンが、エネルギ吸収特性プロファイルを得るために選択されるフィールドパターンと異なる場合がある。例えば、エネルギ吸収特性の分布を測定するために例えば図5Aの装置で得られる周波数変調を利用することができ、区域内の対象物にエネルギを送出するために例えば図6の装置による位相変調を利用することができる。加えて、どんな組合せを使用してもよい。例えば、エネルギ吸収特性の分布を測定するために例えば図6の装置を用いた位相変調を利用することができ、区域内の対象物にエネルギを送出するために位相変調と周波数変調との組合せを利用することができる。一部の実施形態では、少なくとも1個のプロセッサは、エネルギ吸収特性の分布を繰り返し例えばエネルギ印加プロセス、例えば加熱プロセス中に数回求めるようにさらに構成することができる。エネルギ吸収特性の分布を繰り返し求めることは、例えば物質の温度が上昇するとき、位相変化が生じる例えば氷が溶けて水になるとき、水分が蒸発するとき、または対象物の他の特性が変化するときに起こり得る、例えばエネルギ吸収特性の分布が経時変化する場合に望ましいことがある。これらの例および他の例では、プロセッサを使用して、エネルギ印加プロセス中にエネルギ吸収特性の分布を繰り返し求めることができる。繰り返し求められる2つのエネルギ吸収特性の分布間の時間差は、あらかじめ定めることができる。専ら例として、プロセッサは、分布を5秒おきに、1秒おきに、コンマ1秒おきに、またはそれよりも多少短いもしくは長い間隔で求めるようにあらかじめプログラムすることができる。あるいは、または加えて、繰り返し求められる2つのエネルギ吸収特性の分布間の時間差は、エネルギ印加プロセスの特定の特性に基づいて動的に変えることができる。繰り返し求められる2つのエネルギ吸収特性の分布間の時間差は、前に求めた2つ以上のエネルギ吸収特性の分布間の差の大きさの関数であり得る。例えば、第2の損失プロファイルの割出しから第3の損失プロファイルの割出しまでの時間差についての決定は、割り出した第1のプロファイルの結果と第2のプロファイルの結果との差によって決まり得る。一部の実施形態では、この差は数値測度、例えば区域の全領域における吸収率の差の和であり得る。一部の実施形態では、この差はグラフィカルな測度、例えばイメージとして表示される2つの分布間の距離であり得る。差の大きさは、エネルギ吸収特性の変化が区域内でどの程度劇的か示唆することができる。したがってこの分布は、より劇的に変化する場合、より速いペースで更新することができる。一部の実施形態では、時間差は、差の大きさに反比例する場合がある。例えば、差が1x10-6の場合、時間差は1秒とすることができ、差が2x10-6の場合、時間差は0.5秒とすることができる。時間差は、他の数学的関係を用いて差と反比例して関連してもよく、上記の内容は例に過ぎないことを理解すべきである。一部の実施形態では、繰り返し求められる2つのエネルギ吸収特性の分布間の時間差は、対象物の物理的特性の関数であり得る。例えば、時間差は、対象物がかなりの量のタンパク質と脂肪を含む場合例えば肉はより長くし、対象物が主に水または氷を含む場合はより短くすることができ、逆の場合も同様である。図14は、一部の実施形態による、エネルギ印加区域、例えば図1の空洞20の少なくとも一部の損失プロファイルを構築するように構成される、プロセッサ630の簡略化したブロック図である。プロセッサ630は、プロセッサ30と同じとすることができ、プロセッサ30を含むことができ、またはプロセッサ30の一部とすることができる。さらに、またはあるいは、プロセッサ630は、プロセッサ30に追加することができる。プロセッサ630は、データを記憶するための記憶域632メモリと呼ぶこともできる、およびデータ、例えば記憶域632内に記憶されたデータを処理するためのいくつかの処理モジュールを含むように図示する。記憶空間632は、連続的でもセグメント化されていてもよく、またはデータを電子的に記憶する技術分野で知られている他の任意の構成を有してもよい。これらのモジュールは、ハードウェアおよび/またはソフトウェアを使用して実装することができ、例えばソフトウェアルーチンを含むことができる。一部の実施形態では、図14に示すモジュールの2つ以上を、2つのモジュールのタスクを実行する単一モジュールに一体化することができ、またはいくつかのモジュール間に分散させることができる。プロセッサ630は、インターフェイスを介してデータを受け取るために、インターフェイス610に接続することができる。例えば、異なるMSEによって得ることができるフィールドパターンをインターフェイスから受け取り、記憶域632内に、例えば専用記憶空間634内に記憶することができる。記憶空間634はMSEも記憶することができ、それにより、エネルギ印加区域にそのMSEでエネルギを加えるときに区域内で励起されることが予測される記憶済みフィールドパターンに、記憶した各MSEを関連させることができる。MSEに関連するフィールドパターンは、エネルギ印加区域が空の状態で得ることができ、かつ/またはエネルギ印加区域の中に標準的な装填物が入った状態で得ることができる。この標準的な装填物は、エネルギ印加区域内で用いられることを目的とする典型的な装填物と同様のもの例えばオーブンの中で通常調理され、またはオーブンがよく調理すると予期される1つまたは複数の食料であるように選ぶことができる。一部の実施形態では、記憶域632は、エネルギ印加区域またはエネルギ印加区域の一部の損失プロファイルを記憶するための、記憶空間636も有することができる。例えば、記憶空間636は、前の損失プロファイル再構築サイクルで得たエネルギ印加区域の損失プロファイルを記憶することができる。加えて、またはあるいは、記憶空間636は、予測損失プロファイルを記憶することができる。予測は、エネルギ印加区域内の対象物についての知識、その組成、位置、向き、温度、および/または損失プロファイルに影響を及ぼす可能性がある他の任意のパラメータに基づいて得ることができる。記憶される損失プロファイルは、例えばインターフェイス610から、別のインターフェイス図示せずから、または以下に記載する方程式求解モジュール648から、記憶空間636に送ることができる。例えば、記憶される損失プロファイルは、別の装置によりおよび/または以前の日にちに、計算しもしくは他の方法で予測し、インターフェイス610を介して記憶空間636に送ることができる。記憶域632は、エネルギの印加中にエネルギ印加区域内で得た、エネルギ分布および/またはフィールド強度分布を記憶するための記憶空間638も有することができる。プロセッサ630は、MSE決定モジュール642を含むことができる。このモジュールは、例えば適当なソフトウェアを実行することにより任意の動作段階、例えばエネルギ印加プロセス中に、利用可能なMSEのどれを使用すべきか決定するように構成することができる。一部の実施形態では、利用可能なMSEの全てをデフォルトで使用することができ、MSE決定モジュール642を省略することができる。他の実施形態では、モジュール642は、例えば予測損失プロファイルに基づいて、使用するMSEを決定することができる。モジュール642は、記憶空間636上に記憶された予測損失プロファイルデータを取り出すことができる。あるいは、または加えて、モジュール642は、励起および/または制御が比較的容易なMSEを選択することができ、例えば容易に励起されるMSEが満足のいく結果をもたらさない場合にのみ、他のMSEを選択することができる。モジュール642は制御モジュール660に接続することができ、制御モジュール660は、電磁エネルギ源650を制御して選択されたMSEを励起することができる。供給源650は、電源、変調器、増幅器、および/もしくは放射素子またはそれらの一部例えば図1に示す電源12、変調器14、増幅器16、および放射素子18を含むことができる。一部の実施形態では、励起の結果としてエネルギ印加区域内で得られるエネルギ分布を測定することができる。測定は、集合的に640として示す、1つまたは複数の検出器によって行うことができる。検出器640の1つまたは複数は、供給源650の一部とすることができ、もしあれば残りの検出器は、供給源650から切り離し、かつ/または供給源650から独立していてもよい。供給源650および検出器640は、実際は同じパーツ内に具体化することができ、例えば必ずしも同時でなくてもエネルギ印加区域にエネルギを供給し、励起されたフィールドパターンを測定するために、同じアンテナを使用できることを指摘しておく。測定結果は、記憶空間638上に記憶することができる。プロセッサ630は、エネルギ印加区域を、例えば図8A、図8B、または図8Cに示すような領域に分割するように構成される離散化モジュール644も含むことができる。離散化モジュール644は、記憶空間636内に記憶された損失プロファイルに従ってエネルギ印加区域を分割することができる。例えば、モジュール644は、予測損失プロファイル内のより急な損失の変化がある場所で、より密に区域を分割することができる。一部の実施形態では、予測損失プロファイルは、所与の離散化に従って、例えばそれぞれがエネルギ印加区域の一部に関連する値の行列として提供することができる。次いでモジュール644は、予測プロファイルが提供される離散化に従ってエネルギ印加区域を離散化することができる。モジュール644は、予測プロファイルを保存する記憶空間636からデータを取得することができる。例えば、モジュール644は、同様の損失によって特徴付けられる体積が単一領域内に含まれるようにエネルギ印加区域を分割することができる。離散化モジュール644は、所定の離散化方式、例えばデフォルトの離散化方式に従ってエネルギ印加区域を分割することもできる。図8Aに、あり得る1つのデフォルトの離散化方式を示す。プロセッサ630は、例えば損失プロファイルを得るために解かれる以下の方程式2に応じて方程式を構築するように構成される、方程式構築モジュール646も含むことができる。モジュール646は、モジュール644がエネルギ印加区域を分割した各領域内で、モジュール642によって選択され得るMSEそれぞれのフィールド強度を定めることができ、記憶空間638に記憶された測定結果を考慮に入れることができる。モジュール646が方程式を構築すると、方程式求解モジュール648は、例えば線形計画法または一次方程式を解くための当技術分野で知られている他の任意の手段により、その方程式を解くことができる。方程式求解モジュール648が、方程式を解くことができないと判定し、または解が満足のいくものでない、例えば十分に安定していないと判定する場合、モジュール648は、モジュール642および/またはモジュール644をトリガして、選択されたMSEおよび/または離散化を修正することができる。方程式が解かれる場合、得た損失プロファイルを、例えばさらに使用するために記憶域636に保存することができる。さらなる用途の1つは、例えば対象物の温度が変化した後の、将来の損失プロファイルについての予測としてであり得る。別の将来の用途は、エネルギ印加をエネルギ印加区域に導くためであり得る。本発明は、対象物に電磁エネルギを加えるための方法を含むことができる。そのようなエネルギの印加は、例えば図11のフローチャートに示すプロセス1000に記載するような一連のステップを実施する、少なくとも1個のプロセッサ例えばプロセッサ30または630によって達成することができる。プロセス1000は、対象物、例えば対象物830図9を含む場合がある所与のエネルギ印加区域について、損失プロファイル820を動的に求めるために使用することができる。プロセス1000は、対象物を含む場合があるエネルギ印加区域に対して複数の電磁場パターンを、電磁エネルギ源に加えさせるステップを含むことができる。図11に示すように、ステップ1010で、プロセッサは、使用する1組のMSEを決定することができる。先に論じたように、MSEは既知のフィールドパターンに相関することができる。したがって、1組のMSEを決定することにより、プロセッサはエネルギ印加区域への電磁エネルギの印加を制御し、1組の既知のフィールドパターンを区域内で発生させることができる。一部の実施形態では、利用できる全てのMSEが使用されることがあり、ステップ1010を省くことができる。1組の所定のフィールドパターンから、制御されたEMフィールドパターンをエネルギ印加区域内に構築する方法をEM空間フィルタリングと呼ぶことができる。フィルタリングという用語は、空間的位置およびそのフィールド強度を、1組の既知のEMフィールドパターンの観点から区別する能力を指す。そして、1組の所定のフィールドパターンのそれぞれは、1つまたは複数の制御可能なMSEに相関することができるので、1つまたは複数のMSEにより、制御されたEMフィールドパターンを表すことができる。所与のフィールドパターンを達成するために、複数のMSEまたはMSEの組合せを使用できる場合があることを理解すべきである。特定のフィールドパターンを達成するためのMSEの選択は、応用例、例えばEMエネルギを加えたい位置によって決めることができる。ステップ1010で、プロセスに適した1組のMSEを決定することができる。例えば、プロセッサは、エネルギ源を制御して、複数の周波数でEMエネルギを供給することができる。この場合、複数の周波数が、このプロセスにおける制御可能なMSE変数の役割を果たすことができる。あるいは、または加えて、プロセッサはエネルギ源を制御して、複数の振幅でEMエネルギを供給することができる。この場合は振幅が、このプロセスにおける制御可能なMSE変数の役割を果たすことができる。先に説明したように、被選択MSEは、MSE行列として記憶することができる。プロセッサは、選択したMSEを実行するステップ1030:MSEを適用することにより、エネルギ印加区域例えば図8の810に対して所望のフィールドパターンを供給源に加えさせることができる。一部の実施形態に合致して、フィールドパターンを適用するために、図1、図5A、図5B、図6、図7Aおよび/または図7Bに示す例示的装置を使用することができる。ステップ1020で、離散化方式を適用して、エネルギ印加区域例えば図9の810を複数の領域に分割することができる。一部の実施形態では、このプロセスは以下の論理を使って空間を離散化することができる。最初に、デフォルトの離散化方式例えば手法を適用することができる。例えば、エネルギ印加区域は、等しい大きさおよび形を有する所定数の領域に分割することができる。そうした各領域の典型的な大きさは、エネルギ印加中に適用されることが予期されるMSE例えば周波数に従って決定することができる。例えば、領域は矩形とすることができ、それぞれの縁はエネルギ印加中に加えられることが予期される最も長い波長の半分、4分の1、または他の一部の大きさを有する。最初の領域の大きさを設定するのに使用する波長は、例えばエネルギ印加区域内の光速度が分かっていない場合、空中の波長とすることができる。次いで、エネルギ印加区域から得たフィードバックを使用して、領域それぞれの吸収率特性を求めることができる。その後、他の領域よりも優れてエネルギを吸収すると識別した領域をより小さな領域に離散化して、分解能を改善することができる。非常に低いエネルギ吸収度を示す領域は併合することができる。このプロセスは、所要の分解能が得られるまで、最も小さい領域がある所定の大きさになるまで、または他の任意の停止基準が満たされるときまで続けることができる。一部の実施形態では、他の離散化方式を使用することができる。例えば、対象物の位置および向きに関する何らかの最初の情報を、例えば利用者および/または例えば可視光を使ってエネルギ印加区域を撮像するカメラから得ることができ、次いで、対象物によって占有されるエリアが他のエリアよりも小さい領域に離散化されるように離散化が行われる。一部の実施形態では、損失プロファイルの割出しを繰り返す場合、その後の損失プロファイルの割出しにおける離散化を決定するための入力として、前の割出しで得た損失プロファイルを使用することができる。上記は一部の離散化方式に過ぎず、本発明はある特定の離散化方式に限定されない。むしろ、ここに開示する諸実施形態による離散化方式には、エネルギ印加区域またはその中の対象物を複数の領域としてプロセッサに表現させるためのどんな適切な方法も含まれ得る。図9は、対象物830が複数の領域を占有する、離散化されたエネルギ印加区域810の一例に過ぎない。離散化を所与として、エネルギ印加区域の対象物の位置および/または損失プロファイルを、以下のように求めることができる。最初に、プロセッサは、各MSEに対応する各フィールドパターン内の各ホットスポットの座標を知ることができ、またはそうした座標であらかじめプログラムすることができる。これは、先に論じたように、MSEが予測可能なホットスポットを有する予測可能なパターンをもたらすので達成可能である。したがって、特定のMSE条件の間の吸収を示すフィードバックを検出器が受け取ったという指示をプロセッサが受け取ると、プロセッサは、そのMSE条件に対応するホットスポットの1つに対象物の一部が一致している可能性があると判断することができる。フィードバックを得るために検査するMSEが多ければ多いほど、プロセッサは、エネルギ印加区域内の対象物の位置および吸収特性に関するますます多くの情報を知る。様々なMSEを使った一連のそのような測定にわたり、プロセッサは、空間内の対象物の位置および/または各離散的領域内の吸収特性を絞り込むことができる。ステップ1030で、プロセッサはMSEを適用するように構成され、エネルギ印加区域内に供給されるEMエネルギを制御する。適用するMSEごとに、エネルギ印加区域内のエネルギ損失を測定することができる。例えば、そのようなエネルギ損失は、エネルギ印加区域に加える入射エネルギ量を、エネルギ印加区域から出たと検出されるエネルギ量と比較することで測定することができ、エネルギ印加区域から出たと検出されるエネルギには、入射エネルギを発したのと同じ放射素子によって検出される反射エネルギ、および他の検出器によって検出される伝達エネルギが含まれ得る。入射エネルギと、反射エネルギおよび/または伝達エネルギの和との差が、エネルギ印加区域内のエネルギ損失に一致し得る。一部の実施形態では、エネルギ損失を、印加の持続時間および出力損失Pによって表すことができる。出力損失は、入射出力、反射出力、および伝達出力から求めることができる。各MSEθjについて、出力損失Pjは、1/2σ1I1jσ2I2j...σNdINdj=Pjのように局所的強度Iijに関係することができるので、測定される出力損失P、行列I、および未知の損失プロファイルσは、測定される出力損失Pおよび既知の強度Iijから構築される、以下の方程式を満たすことができる。1/2σI=P方程式2ステップ1040で、プロセッサは、方程式を構築するように構成され、例えばプロセッサは、方程式2に応じて未知の損失プロファイルσを解くための方程式を構築することができる。未知の損失プロファイルσは、上記の方程式により数学的に解くことができるが、方程式は、解けることが保証されてはおらず、例えばI行列は特異な場合がある。他の一部の事例では、例えばI行列が数学的に不良条件および/または不良設定な場合があるので、方程式が解けても解が正確でないことがある。したがって、ステップ1050で、方程式を所望の精度で解ける本明細書では可解と呼ぶかどうかを判定するための検査を実行することができる。例えば、プロセッサはI行列の行列式を計算し、その行列が特異かどうか判定することができる。別の例として、プロセッサはI行列の条件数を計算して、その行列が不良条件かどうか判定することができる。上記の方程式が解ける場合ステップ1050:はい、ステップ1070で、先に論じたように、直接反転や様々な反復法などの方法を使い、その方程式により損失プロファイルσを解くことができる。方程式が解けない場合ステップ1050:いいえ、MSEおよび/または離散化方式を修正するステップ1060を実行することができ、プロセス1000はステップ1030に戻る。例えば、1組の新たなMSEを選択して区域に適用することができ、区域内で散逸される出力を新たなMSEごとにしかるべく測定することができる。上記に記載したプロセスは、取得した損失プロファイルに従ってエネルギを加えるエネルギ印加プロセスの基礎とすることもできる。そのようなエネルギ印加プロセスは、例えば任意選択的なステップ1080および1090を含むことができる。ステップ1080で、損失プロファイルに基づいてエネルギ印加区域に電磁エネルギを加えることができる。一部の実施形態では、エネルギ印加区域の異なる領域に、複数の異なる電磁エネルギ量を選択的に加えることができる。例えば、プロセッサは、適用する複数のMSEを最初に選択することができ、その複数のMSEのそれぞれはエネルギ印加区域内で異なるフィールドパターンを発生させることができる。次いでプロセッサは、各領域に加えようとする所望の電磁エネルギ量およびステップ1070で作成した損失プロファイルに基づいて、各MSEを適用するために使用すべき出力量および/または各MSEについて出力を供給する時間を決定することができる。ステップ1090で、新たな損失プロファイルが必要かどうかについての判定を行うことができる。一部の実施形態では、5秒おきや他の間隔など、所定の時間間隔で新たな損失プロファイルが必要な場合がある。他の一部の実施形態では、この判定は、繰り返し求められる2つの損失プロファイル間の差の大きさに基づくことができる。さらに他の一部の実施形態では、この判定は、対象物の大きさ、位置、形、および/または対象物の中に含まれる物質など、対象物の特徴に基づくことができる。一部の実施形態では、この判定は損失プロファイルの品質に基づくことができ、例えば損失プロファイルの分解能が十分でない場合、任意選択的に、既に手元にある低分解能の損失プロファイルに基づいてMSEを決定するステップ1010から開始して、プロセス1000を繰り返すことができる。一部の実施形態では、新たな損失プロファイルが必要な場合ステップ1090:はい、新たな損失プロファイルを求めるために、プロセス1000はステップ1030に戻ることができる。新たな損失プロファイルが不要な場合ステップ1090:いいえ、プロセス1000を終えることができる。一部の例示的実施形態では、プロセッサは、エネルギ印加区域にエネルギを繰返し加えるように供給源を調整することができる。例えば、プロセッサは、あるMSEを適用し、その対応するフィールドパターンを所定の期間にわたりエネルギ印加区域内で引き起こし、次いで別のMSEを適用し、別のフィールドパターンを別の所定の期間にわたりエネルギ印加区域内で引き起こすことができる。そうしたエネルギを印加する持続時間および/またはエネルギを印加するペースは異なり得る。例えば一部の実施形態では、エネルギを1秒当たり120回エネルギ印加区域に加えることができる。より速いペース例えば200/秒、300/秒またはより遅いペース例えば100/秒、20/秒、2/秒、1/秒、30/分、ならびに一様でないエネルギ印加ペースを使用してもよい。一部の実施形態では、ある期間の間、1組のMSEを逐次的に適用することができる本明細書ではMSEスキャニングと呼ぶ。本明細書で使用するとき、MSEスキャニングは、MSE掃引と置き替えることができる。スキャニングおよび掃引はどちらも、一次元または多次元においてMSEを変えることを含み得る。例えば、一次元スキャニングは、周波数、位相、または振幅だけを変えることによりMSEを変えることを指すことができる。多次元スキャニングは、周波数、位相、および振幅、またはMSEに含まれ得る他の任意の変数のうちの2つ以上を変えることにより、MSEを変えることを指すことができる。MSEスキャニングは、所定のペースで、または所定間隔の後で繰り返してもよい。ときには、一連の1回または複数回のスキャンを、例えば0.5秒おきもしくは5秒おきに、または他の任意のペースで実行することができる。異なるスキャンにおけるMSEの選択は、同じでも同じでなくてもよい。所与のエネルギ量例えば所定のジュール数またはキロジュール数、例えば10kJ以下や1kJ以下、または数百ジュールさらには100J以下が、装填物内にまたは例えば100gなどの重量や、装填物の50などのパーセンテージにより装填物の所与の部分内に伝達され、もしくは散逸された後、新たなスキャンを実行することができる。本発明の一部の例示的実施形態では、エネルギを印加するペースまたはスキャンのペース例えば各MSEにおいてスキャン内でエネルギを印加する持続時間、各スキャンの全持続時間、スキャン間のエネルギ印加介入等は、エネルギ印加区域からのフィードバックがスキャン間で変化する率に依存し得る。例えば、エネルギの印加を試行スキャンレートで始めることができ、連続したスキャン間のフィードバックの差が所定の上限閾値を超える場合、スキャンのペースを速めることができる。変化が下限閾値上限閾値と同じでも、上限閾値より低くてもよいを下回る場合、スキャンのペースを遅くすることができる。例えば、散逸の変化の閾値例えば和積分sumintegralにおける10の変化を規定することができ、または例えばテーブルを使用して、様々な変化率を様々なエネルギ印加/スキャンのペースに関連付けることができる。別の例では、決定されるのは、エネルギ印加/スキャン間の変化率である例えばエネルギ印加/スキャン間の平均変化が最後の2回のエネルギ印加/スキャン間の変化よりも小さいかどうか。そのような変化を使用して、エネルギ印加/スキャン間の期間をエネルギ印加プロセス中に1回または複数回調節することができる。任意選択的に、またはあるいは、システムの変化例えば対象物または対象物を保持するための構造の移動がエネルギ印加/スキャンのペースに影響を及ぼす場合がある典型的には大きな変化はペースを速め、小さな変化または変化がない場合ペースは落ちる。上記の例示的実施形態の説明では、本開示を簡素化するために様々な特徴を単一の実施形態にまとめた。この開示方法は、特許請求の範囲に記載の本発明が、各請求項の中で明確に列挙するよりも多くの特徴を必要とするという意図を反映するものと解釈すべきでない。むしろ、添付の特許請求の範囲が反映するように、本発明の諸態様は上記に開示した単一の実施形態の全ての特徴よりも少ない特徴にある。このため、各請求項が本発明の別個の実施形態として独立した状態で、添付の特許請求の範囲をこの例示的実施形態の説明に組み込む。さらに、本明細書を検討し、本開示を実践することにより、特許請求の範囲に記載の本発明の範囲から逸脱することなく、開示したシステムおよび方法に様々な修正および変更を加えられることが当業者に明らかになる。したがって、本明細書および各例は専ら例示的とみなされることを意図し、本開示の真の範囲は添付の特許請求の範囲およびその均等物によって示す。"