Ag、Au、PdおよびPtからなる群から選択される金属、望ましくはAg、のナノ粒子から形成された導電性構造を含むメソ構造の被覆物の製造方法であって、当該方法は、以下の工程からなり:aゾル-ゲル法により、基板上に、シリカ材料および光触媒材料を主成分とし、構造化剤によってメソ構造化された第1の層を被覆する;bゾル-ゲル法により、工程aで被覆した上記第1の層上に、光触媒材料を含んでおらず、構造化剤によってメソ構造化された、シリカ材料を主成分とする第2の層を被覆する;c上記第1の層および第2の層を、共に、50~250°Cまでの温度による熟成処理に10分~200時間供し、上記第1の層および第2の層を固化する;d工程cで得た固化した被覆物と、銀、金、パラジウムおよび白金のイオンからなる群から選択される金属イオン、望ましくは銀のイオン、を含む溶液とを接触させ、上記光触媒材料を活性化する放射光を、浸透の閾値に達するのに十分な時間照射し、その上に、光触媒作用による上記金属イオンの還元により得られた金属ナノ粒子による導電性構造を形成する、当該方法は、250°Cを超える温度における熱処理を一切含まないことを特徴とする。上記光触媒材料は、金属酸化物であり、望ましくは、チタン酸化物、酸化亜鉛、酸化ビスマス、酸化バナジウムまたはそれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。上記構造化剤は、非イオンの界面活性剤から選択されており、望ましくは、ブロック共重合体、特にエチレンオキシドおよび酸化プロピレンを主成分とするブロック共重合体から選択されていることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。上記光触媒材料は、チタン酸化物であり、上記第一の層のメソ構造におけるTi/Siの原子比率は0.05~2であり、望ましくは0.5~1.5であり、より望ましくは0.8~1.2であることを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。上記基板は、バルク材、フィルム、または糸状の形態である有機物のポリマーであり、望ましくは、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリサルフォン、ポリメタクリル酸メチル、エチレンテレフタレートとカーボネートの共重合体、ポリオレフィン、特にポリノルボルネン、ジエチレングリコールビスアリルカーボネートの単一化合物の重合体および共重合体、メタクリル酸アクリル酸の単一化合物の重合体および共重合体、特にビスフェノールAに由来するメタクリル酸アクリル酸の単一化合物の重合体および共重合体、チオメタクリル酸チオアクリル酸の単一化合物の重合体および共重合体、ウレタンおよびチオウレタンの単一化合物の重合体および共重合体、エポキシドの単一化合物の重合体および共重合体、エピスルフィドの単一化合物の重合体および共重合体、ならびに綿、からなる群から選択される有機物のポリマーであることを特徴とする、請求項1~4のいずれか1項に記載の方法。工程dの照射は、マスク、望ましくはフォトリソグラフィ用マスクを通して行われることを特徴とする、請求項1~5のいずれか1項に記載の方法。請求項1~6のいずれか1項に記載の方法によって得られる、金属のナノ粒子で形成された導電性構造を含むメソ構造の被覆物。上記導電性構造は、20S/cm、望ましくは70S/cm、より望ましくは90S/cmを超える導電率を有しており、上記導電率は、ファンデルポー法によって測定されたものであることを特徴とする、請求項7に記載のメソ構造の被覆物。メソ構造の材料の上記第1の層は、200~2000nm、望ましくは400~800nmの厚さを有していることを特徴とする、請求項7または8に記載のメソ構造の被覆物。メソ構造の材料の上記第2の層は、50~1000nm、望ましくは100~300nmの厚さを有していることを特徴とする、請求項7~9のいずれか1項に記載のメソ構造の被覆物。請求項7~10のいずれか1項に記載のメソ構造の被覆物の電極としての使用。請求項7~10のいずれか1項に記載のメソ構造の被覆物の制電性の被覆物としての使用。請求項7~10のいずれか1項に記載のメソ構造の被覆物の断熱性の被覆物としての使用。Martinezらによって提案されたこの方法の主な欠点は、高温で焼成するこの工程により、このような温度に耐性がある基板上にしか使用できないことである。特に、有機ポリマー基板上でこのような工程を行うことは不可能である。本発明は、Martinezらによって使用された被覆物の焼成工程が不必要であり、そして高温での熱処理工程を一切欠いている同様の方法によって生成された構造の導電率が、有機物成分の焼成を構想した方法にて得られたものと同等か、またはそれらよりさらに高い結果となる、という極めて驚くべき発見に基づいている。具体的には、当該被覆物の固化には、ゾル-ゲル法を用いた被覆の後、メソ構造の被覆物を、中程度に高い温度250°C以下の熟成工程に供することで十分であることを出願人が発見した。焼成工程を省略することによって、ポリマー基板具体的には、透明なポリマーの基板および/または屈曲性ポリマーの基板の表面上に、例えば構造化された電極として使用することができるような、非常に小型の導電性構造を作ることが可能になる。本発明は、Ag、Au、PdおよびPtからなる群から選択される金属、望ましくはAg、のナノ粒子から形成された導電性構造を含むメソ構造の被覆物の製造方法に関し、当該方法は、以下の工程からなる。aゾル-ゲル法により、基板上に、シリカ材料および光触媒材料を主成分とし、構造化剤によってメソ構造化された第1の層を被覆する;bゾル-ゲル法により、工程aで被覆した上記第1の層上に、光触媒材料を含んでおらず、構造化剤によってメソ構造化された、シリカ材料を主成分とする第2の層を被覆する;c上記第1の層および第2の層を、共に、50~250°Cまでの温度による熟成処理に10分~200時間供し、上記第1の層および第2の層を固化する;d工程cで得た固化した被覆物と、銀、金、パラジウムおよび白金のイオンからなる群から選択される金属イオン、望ましくは銀のイオン、を含む溶液とを接触させ、上記光触媒材料を活性化する放射光を、浸透の閾値に達するのに十分な時間照射し、その上に、光触媒作用による上記金属イオンの還元により得られた金属ナノ粒子による導電性構造を形成する。当該方法は、250°Cを超える温度における熱処理を一切含まないことを特徴とする。また、本発明は当該方法によって得られる、金属のナノ粒子から形成された導電性構造を含むメソ構造の被覆物に関する。また、最後に、本発明は、このメソ構造の被覆物の、電極として、制電性の被覆物として、あるいはその反射特性から断熱性の被覆物としての使用に関する。以上より、本発明は、金属のナノ粒子から形成された導電性構造を含むメソ構造の被覆物の製造方法に関する。金属は、Ag、Au、PdおよびPtからなる群から選択される。当該金属のナノ粒子は、望ましくは銀のナノ粒子である。本発明に係る方法は、ゾル-ゲル法を用いて、基板上に、構造化剤によってメソ構造化された材料の第1の層を形成することからなる工程aを含む。この材料は、シリカ材料および光触媒材料を主成分としており、換言すると、上記材料において、シリカ材料および光触媒材料は、合わせて少なくとも30重量、望ましくは50重量に相当しており、残りは構造化剤およびゾル-ゲル処理で取り込まれた任意の不純物によって形成されている。ゾル-ゲル工程は、当業者に周知の工程であり、加水分解および溶液中における前駆体の濃縮によって、三次元網目構造のアモルファス固体を形成するための工程である。工程aで形成された、メソ構造化された材料の第1の層は、シリカ材料、光触媒材料および有機の構造化剤を含む。シリカ材料は、メソ構造化された材料の5~45重量に相当することが望ましい。構造化剤は、メソ構造化された材料の5~60重量に相当することが望ましい。メソ構造化された材料または中間細孔を有する材料を形成するために、このような構造化剤を使用することは知られている。これらの構造化剤には、この材料に中間細孔を形成する役割がある。用語中間細孔は、2~50nmナノメートルの直径の孔を意味する。中間細孔を有する材料は、例えば、焼成により、構造化剤を除くことで得られる。構造化剤が除かれるときまで、構造化剤は中間細孔を占有しており、材料はメソ構造のと呼ばれ、これは、構造化剤で満たされた中間細孔を有しているためである。構造化剤は、ポリマーまたは界面活性剤であってもよい。構造化剤は、非イオンの界面活性剤から選択されることが望ましい。ブロック共重合体を用いることが有利であり、ブロック共重合体は、エチレンオキシドおよび酸化プロピレンを主成分とすることが望ましい。本発明で望ましい非イオンの構造化剤の例としては、プロキサマーが挙げられ、これはプルロニック登録商標という商品名で販売されている。また、陽イオン界面活性剤例えば、第四アンモニウム基を有している界面活性剤を使用することも可能である。光触媒材料は、金属酸化物であることが望ましく、チタン酸化物、酸化亜鉛、酸化ビスマス、酸化バナジウムまたはそれらの混合物からなる群から選択されることが望ましい。光触媒材料は、チタン酸化物TiO2であることが特に望ましい。第一の層における、シリカに対する光触媒材料の重量比は、0.05~2.7であることが望ましい。光触媒材料がチタン酸化物の場合、Ti/Siの原子比率は、0.05~2であることが望ましく、特に0.5~1.5、さらに0.8~1.2であることが望ましい。本発明に係る光触媒材料は、光触媒の特性を有効に有するために必要な物理的形状となっている。例えば、TiO2は、少なくとも部分的に結晶構造であり、望ましくはアナターゼ型である必要がある。本発明の一実施形態によれば、光触媒材料は、シリカマトリクス内の粒子の形態で第一の層に存在しており、例えば、0.5~300nm、特に1~80nmの直径を有するナノ粒子である。これらのナノ粒子は、それら自身がより小さい粒子で構成されていてもよいし、基本の結晶子から構成されていてもよい。また、これらの粒子は、互いに凝集または集まっていてもよい。本発明に係る方法の工程aは、次の下位の工程を含んでいてもよい。1少なくとも1つのシリカの前駆体望ましくは、含水有機溶媒に溶解した、酸または塩基性の加水分解触媒および構造化剤を含む、テトラエトキシシランのようなテトラアルコキシシランを含むゾルを調製する。2このゾルへ光触媒材料望ましくはナノ粒子状のを添加する。3得られた懸濁液を基板上に塗布する。典型的に、含水有機溶媒は、アルコール/水の混合物であり、当該アルコールは典型的にメタノールまたはエタノールである。ゾルは、当業者によって知られている技術例えば、スピンコーティング、浸漬コーティング、またはロールコーティングによって基板上に塗布してもよい。本発明によれば、基板は、任意の適合する固形物で構成することができる。形成された導電性構造が電極として使用される場合、基板は、非導電性基板であることが望ましい。このような基板には、例えば、ガラス、パイレックス登録商標、およびシリカ等の従来からの基板が含まれる。ただし、基板は、有機物のポリマーであることが望ましい。適合する有機物ポリマーの例を挙げるとすれば、バルク材、フィルム、または糸状の形態である、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリサルフォン、ポリメタクリル酸メチル、エチレンテレフタレートとカーボネートとの共重合体、ポリオレフィン、特にポリノルボルネン、ジエチレングリコールビスアリルカーボネートの単一化合物の重合体および共重合体、メタクリル酸アクリル酸の単一化合物の重合体および共重合体、特にビスフェノールAに由来するメタクリル酸アクリル酸の単一化合物の重合体および共重合体、チオメタクリル酸チオアクリル酸の単一化合物の重合体および共重合体、ウレタンおよびチオウレタンの単一化合物の重合体および共重合体、エポキシドの単一化合物の重合体および共重合体、エピスルフィドの単一化合物の重合体および共重合体、ならびに綿が挙げられる。実際に、本発明に係る方法は、250°Cを超える温度で加熱する処理を一切含まないという利点を有している。従って、この方法は、250°Cを超えて長期にさらされることに耐え得ないポリマーの基板に対して使用することが特に推奨される。もし対象とする用途が光学の領域である場合か、または窓である場合、特に透明なポリマーの基板が使用されるであろう。本発明に係る方法の工程bは、ゾル-ゲル法により、工程aで被覆した第1の層上に、光触媒材料を含んでおらず、構造化剤によってメソ構造化された、シリカ材料を主成分とする第2の層を被覆することからなる。第1の被覆物には、工程aとbとの間において、加熱を全く行わないことが有利である。実際に、比較例を用いて下記に実証するが、出願人は、形成された金属の構造の導電率は、第2の層の被覆前に第1の層に熱処理がなされたときに、著しく低下することを発見した。しかしながら、第1の被覆物は、第2の層の被覆前に熟成処理に供してもよく、これには利点がある。当該熟成処理は、第1の層を、高湿度の雰囲気下で、室温で、15分~2時間保持することからなる。当該雰囲気の相対湿度は、望ましくは60~80である。一実施形態によれば、第2の層は第1の層と同じ方法で被覆されており、唯一の違いは、光触媒材料を欠くことである。具体的には、シリカの前駆体テトラアルコキシシラン、触媒、溶媒および構造化剤は、第1の層で使用されたものと同じであってもよい。また、ゾル-ゲル法についても、同様に使用することができる。しかしながら、これは必須ではない。本発明に係る方法の工程bは、下記の下位の工程を含んでいてもよい:1少なくとも1つのシリカの前駆体望ましくは、含水有機溶媒に溶解した、酸または塩基性の加水分解触媒および構造化剤を含む、テトラエトキシシランのようなテトラアルコキシシランを含むゾルを調製する。2このゾルを工程aで形成された第1の層上へ塗布する。本発明に係る方法の工程cは、第1の層および第2の層を共に熟成処理に供することによる、第1の層および第2の層の固化からなる。この熟成処理は、基板および2つの層を、50~250°Cの温度で10分~200時間さらすことからなる。この処理は、70~140°Cの温度で行うことが望ましく、80~125°Cで行うことがより望ましく、100~120°Cで行うことがさらに望ましい。この処理の継続期間は、10分~200時間であり、2~36時間であることが望ましく、8~24時間であることがより望ましく、10~16時間であることがさらに望ましい。熱処理の温度が上がるにつれて、この熟成工程の継続期間は短くなる利点がある。特に、以下の条件:100~120°Cの温度で11~13時間の適用が望ましい。工程cでの固化の処理は、当業者によって知られた好適な技術例えば、加熱炉での、戸外等でのによって行うことができる。当該工程cで行われたこの処理の温度が250°C以下のときは、被覆した材料の孔に存在しているメソ構造化剤は、取り除かれない。最後に、本発明に係る方法の工程dは、工程cで得た固化された被覆物と、金属イオン金属は、Ag、Au、PdおよびPtからなる群から選択されたものであり、Agであることが望ましいを含む溶液とを接触させることと、これに対して光触媒材料を活性化させることのできる放射光を、浸透の閾値に達する十分な時間照射し、その上に、上記金属イオンを光触媒作用により還元することとで得られた金属ナノ粒子による導電性構造を形成する。金属イオンを含む溶液は、塩溶液例えば、硝酸塩、塩化物、酢酸塩またはテトラフルオロボラートを主成分とするから選択することができる。それは:‐Agの場合硝酸銀の溶液、‐Auの場合塩化金HAuCl4の溶液、‐Pdの場合塩化パラジウムPdCl2の溶液、または‐Ptの場合四塩化白金H2PtCl6の溶液であることが望ましい。溶媒は、水/イソプロパノール混合物であってもよい。本発明の好適な実施形態によれば、工程cで得られた被覆物は、金属イオンを含む溶液に浸漬される。しかしながら、被覆物と溶液との接触は、噴霧、スピンコーティングで行ってもよく、これはインクジェット式に材料を噴出させる噴霧を伴う。また、被覆加工を行ってもよい。光触媒材料の活性化のための光照射は、望ましくはUV光照射であり、より望ましくは近UV光照射である。一般的に、UV光照射は、その波長が10~400nmである光照射を意味しており、近UV光照射は、その波長が200~400nmである光照射を意味している。具体的には、光触媒材料がTiO2のときは、放射は、一般的に、市販のUVランプを用いて行うことができる。本発明の方法の第1の実施形態によれば、共に固化された第1の層および第2の層の重ね合わせによって形成される被覆物を、光照射が行われている間に金属イオンの溶液と接触させる具体的には浸漬することによって。これにより、金属イオンの恒常的な供給を保証する。本発明の第2の実施形態によれば、まず被覆物を金属イオンの溶液に浸漬し、次に洗浄および/または乾燥させ、そして光照射を行う。換言すると、被覆物は、光照射中に金属イオンの溶液と接触しない。この実施形態は、光照射が、被覆物との接触と、時間的および空間的に切り離して行われるので、行い易いという利点を提供する。ただし、浸透の閾値に到達するように、光照射の工程より前に十分な金属イオンを被覆物に取り込ませる必要がある。工程dで行われる光照射は、問題になっている波長域具体的にはUVで放射する線源を用いて行われることが望ましい。例として、水銀灯、レーザー光線またはダイオードが挙げられる。基板上に導電パターンを刻み込むために、マスク、望ましくはフォトリソグラフィ用マスクを通して光照射を行ってもよい。序文にて説明した通り、本発明に係る方法は、250°C、望ましくは200°C、より望ましくは140°Cを超える温度における熱処理を一切含まないことを特徴とする。従来技術に記載されている方法は、被覆物が高温すなわち250°C以上での熱処理を受ける工程を必ず含んでおり、当該熱処理は、例えば、用語アニーリング、焼成または加熱処理によって示されている。出願人は、250°Cを超える処理工程が、金属の粒子から形成された導電性構造を有するメソ構造の被覆物を製造するために必要ないことを相当な驚きをもって発見した。下記の比較例に明示されているように、高温でのアニーリングまたは焼成工程の省略は、形成された導電性構造の導電率における、重要かつ全く予想し得ない向上さえ引き起こしている。このように、本発明に係る方法によれば、20S/cmを超える導電率の導電性構造を有するメソ構造の被覆物を製造することが可能である。これらの向上した導電率は、Martinezらによって中間細孔を有する材料上、つまり構造化剤が焼成によって取り除かれた材料上にすでに得られていたが、有機構造化剤をまだ含むメソ構造の材料上には得られなかった。本発明に係る方法によれば、Ag、Au、PdおよびPtからなる群から選択される金属、望ましくはAg、のナノ粒子から形成された導電性構造を含む被覆物を製造することが可能である。導電性は、半導体または絶縁体と対照的に、電流を伝導する材料を意味する。本発明に係る被覆物に含まれている導電性構造は、20S/cm、望ましくは70S/cm、より望ましくは90S/cmを超える導電率を有しており、当該導電率は、ファンデルポー法によって測定される。実際には、導電率は、2つの異なる方法によって測定することができる。第1の方法は、短時間の測定が可能であり、これにより照射時間に応じた導電率のモニタリング、および同一の膜上に形成された金属のナノ粒子、特に銀の量のモニタリングが可能になる。この測定は、Microworld社製の表面抵抗率を測定するための機器を用いて、四端子法またはファンデルポー法により行われる。被覆物の表面は、4端子ヘッドに手動で接触される。4端子は、それぞれ1mm離れている。得られた値は、被覆物上の10箇所の異なる場所で行われた10回の測定の平均値である。この測定は、絶縁性の第1の層を通して行われる。httpwwwmicroworldgroupcomproductsproductInfofraspxproduit329。第2の方法は、被覆物上の銀塗装に2つのスタッド1cm離すを位置決めすること、およびこれら2つの地点の間の電気抵抗計を使用して被覆物の抵抗率を測定することからなる。得られた値は、1回の測定によるものである。銀塗装は、多孔性の被覆物に浸透しており、導電性の層と接触することになる。この測定は、照射終了後にのみ行うことができるので、リアルタイムのモニタリングを行うことはできない。本発明に係る被覆物を構成する種々の層の厚さは、本発明に係る方法の工程aおよび工程bにおけるこれらの層の被覆のパラメーター、および本発明に係る方法の工程cの固化処理しだいである。本発明に係る被覆物において、メソ構造の材料からなる第1の層は、固化後の厚さが200~2000nmであることが望ましく、400~800nmであることがより望ましい。本発明に係る被覆物において、メソ構造の材料からなる第2の層は、固化後の厚さが、50~1000nmであることが望ましく、100~300nmであることがより望ましい。したがって、本発明に係るメソ構造の被覆物の全体の厚さは、固化後において、250~3000nmであることが望ましく、500~1100nmであることがより望ましい。この被覆物は、現実のニーズを満たす。実際に、フォトリソグラフィ用マスクを使用することによって、それらが含む導電性構造は極めて精巧なものとなり、また非常に正確に位置決めすることができる。実際に、本発明に係る方法は、250°Cを超える温度で加熱する処理を一切含まないという利点を有している。従って、この方法は、種々の特性を有するポリマー基板、特に透明なポリマー基板および/または屈曲性ポリマー基板への使用が特に推奨される。これが、本発明に係る被覆物が、特に電極としての使用に適している理由である。1本発明に係る被覆物の調製被覆物A:‐下記を60°Cで1時間還流しながら加熱して溶液1を調製する。‐11mLのTEOSテトラエトキシシラン‐11mLのエタノール‐4.5mLのHClpH=1.25‐湯浴で撹拌しながら20mLのエタノールに1.47gのプルロニック登録商標PE6800構造化剤を溶解させる。その後、10mLの溶液1を加える。ナイロンフィルタ450nmを使用してこの溶液2をろ過する。‐溶液2を4mL取り、そこへ0.857mLのTiO2MillenniumS5-300ACm=231g/Lを添加する。撹拌後に、その全量をガラス基板1分間に2000rev/min上にスピンコーティングにて被覆する。このようにして、第1の層が被覆される。‐上記の膜を30分間、高湿度の雰囲気下酢酸マグネシウムの飽和溶液にて相対湿度=65とするで保持する。‐上記と同じ条件でスピンコーティングすることによって、溶液2を第1の層上にのみ再度積層する。この膜を30分間、高湿度の雰囲気下相対湿度=65で再度保持する。‐その後、上記膜は110°Cで12時間の熱処理を受ける。2比較例:比較の3つの被覆物B、CおよびDは、以下の点を除き、被覆物Aに関して記載された手順に従って調製された。‐被覆物Bは、110°Cで2回のアニーリング工程に供した。第1の層の被覆後、第2の層を受け入れる前に、まず110°Cで12時間の熱処理を行った。その後、2つの層は、共に110°Cで12時間のアニーリングに供される。この場合、2つの層はメソ構造であり、換言すると、それらは構造化剤をまだ含んでいる。‐被覆物Cは、450°Cで1回のアニーリング工程に供した。2つの層を順次被覆し、これらの層を共に450°Cで焼成した。この場合、これらの2つの層は、中間細孔を有する。換言すると、構造化剤が焼成によって取り除かれ、構造の孔は空である。‐被覆物Dは、450°Cで2回のアニーリング工程に供した。第1の層の被覆後、第2の層を受け入れる前に450°Cで焼成した。その後、2つの層は、共に450°Cで焼成に供される。この場合、焼成は構造化剤の分解をもたらすため、2つの層は、被覆物Cと同様に、中間細孔を有する。3結果:結果は、図1に示されている。グラフA、B、CおよびDは、水とイソプロパノールが50対50の混合物の、0.05MのAgNO3の存在下における、照射時間312nmのUVランプに応じた、被覆物A、B、CおよびDの導電率四端子法によって測定されたのそれぞれの変化を表している。最高の導電率が、約20~30分の照射時間で得られていることがわかる。これは、浸透の閾値に達するためにかかる時間である。以下の表は、それぞれの被覆物に関して得られた導電率の最大値を表している。被覆物AとBの比較において、第1の層の被覆と第2の層の被覆との間にアニーリングを行わないことによって、さらに高い導電率の被覆物が得られることがわかる。加えて、被覆物AとCの比較において、極めて驚くべきことに、アニーリングがわずか110°Cで行われるときに、450°Cでアニーリングした後に得られる中間細孔を有する被覆物と同等か、またはそれ以上の導電率を有するメソ構造の被覆物を得ることが可能であることがわかる。