素材にタングステンを用い巻き数が10~30ターン、線径が055~08mmおよび巻き外径が3~5mmであって-05~-3kVの電圧が印加される、電流が流れて加熱することにより熱電子を放出するフィラメント10と、前記フィラメントより放出された前記熱電子を集束して電子線束を生成するための、前記電子線束の射出側の開口がテーパ状に形成され内部に前記フィラメントが配設される孔部21を有するウェーネルト20と、前記ウェーネルトにより生成された前記電子線束を加速するための、前記ウェーネルトと対向して配設されグランド電位に保たれるアノード120とを具備した蒸着用電子銃。例えば、蒸着材料として、直径が30mmで厚さが12mmの石英ペレットを使用する場合は、加速電圧が-6kVでエミッション電流が200mA程度であれば、所定のレートすなわち被蒸着物における成膜速度蒸着材料の蒸発速度に比例する。が得られる。したがって、このような蒸着材料を使用する場合にあっては、加速電圧が-4kVで600mAのエミッション電流を出力する図6の従来例によっても対処することができる。しかし、蒸着材料として、よりサイズが大きい石英ペレット等を使用したり、あるいは、より高融点のジルコニア、チタニア、五酸化タンタルなどを使用する場合は、加速電圧が-4kVでは電力密度が足りず、それ以上の電源出力が、図6の従来例では必要であった。すなわち、加速電圧×エミッション電流が投入電力となるが、図6に示した従来例では、出力可能なエミッション電流が少ないことから、必要な電力を得るためには加速電圧を上げる必要があり、その結果、トランス等の部品コストがかさむという解決すべき課題が、図6の従来例にはあった。他方、前述の直径が30mmで厚さが12mmの石英ペレットのように、加速電圧が-6kVでエミッション電流が200mA程度であれば、所定のレートが得られる蒸着材料について、これよりも低い加速電圧で行うとすると、加速電圧が-4kVでエミッション電流が600mA程度が限界である。これよりもさらに加速電圧を低くすると、蒸着材料に対する電子ビームEBの照射スポットのフォーカスが悪くなり、照射面積が広がってしまう。そのため、同一の電力を投入しても、電力密度の低下により同一のレートが得られないという問題点が、図6に示した従来例にはあった。さらに、図6の従来例のように-4~-10kVという高電圧を用いると、これにより発生するX線が、半導体デバイスなどの被蒸着物にダメージを与えるとともに、電子ビームEBの照射を受けた蒸着材料の表面部から発散する反射電子が、被蒸着物に衝突してこれに用いられている化合物等を変質させ、その品質特性を損なってしまうという未解決の課題が、図6に示した従来例にはあった。また、被蒸着物に金属膜を形成する場合は、-4~-10kVという高電圧の下では、真空チャンバー内の真空度の悪さや真空チャンバー内の汚れによって、ウェーネルト110とアノード120との間で放電が起こりやすいという解決すべき課題もあった。そこで、上記課題を解決するために、本発明はなされたものである。そのために、本発明では、つぎのような手段を用いるようにした。すなわち、電流が流れて加熱することにより熱電子を放出するフィラメントとして、素材がタングステンであって、線径が055~08mm、巻き外径3~5mm、巻き数が10~30ターンであるものを用いる。フィラメントより放出された熱電子を集束して電子線束を生成するウェーネルトとして、電子線束の射出側の開口がテーパ状に形成された孔部を有するものを用いる。ウェーネルトにより生成された電子線束を加速する、グランド電位に保たれるアノードを用いる。以上のように手段を、蒸着用電子銃における電子ビームを生成する電子ビーム生成部として用いるようにした。本発明によるならば、より低い加速電圧で高いエミッション電流を出力することができ、蒸着材料の蒸発に必要な電力量を得ることが可能となる。例えば、従来ならば加速電圧が-4kV時に600mA程度のエミッション電流を必要とするようなサイズおよび材質の材料については、本発明によれば-28kV程度の加速電圧で被蒸着物に成膜することができる。また、低い加速電圧を用いることにより、発生するX線を極めて低いレベルに押さえることができることから、半導体デバイスなどの被蒸着物に与える影響を低減することができ、不良な被蒸着物の発生を極力抑えることができる。さらに、低い加速電圧を用いれば、電子ビームの照射を受けた蒸着材料の表面部から発散する反射電子が低減されるので、反射電子の衝突による被蒸着物の品質等の低下を回避することが可能となる。そのうえ、被蒸着物に金属膜を形成する場合にあっては、加速電圧が低ければ、真空チャンバー内の真空度の悪さや真空チャンバー内の汚れによる、ウェーネルト110とアノード120との間での放電の発生を低減することができる結果、蒸着用電子銃の使用条件の許容範囲を広げることができることになる。したがって、本発明によりもたらされる効果は、実用上極めて大きい。本発明による蒸着用電子銃では、電子ビームを生成する電子ビーム生成部として、素材がタングステンであって、線径が055~08mm、巻き外径が3~5mm、巻き数が10~30ターンであるフィラメントと、電子線束の射出側の開口がテーパ状に形成された孔部を有する、フィラメントより放出された熱電子を集束して電子線束を生成するウェーネルトと、ウェーネルトにより生成された電子線束を加速するアノードを用いる。以下、実施例により詳しく説明する。本発明の一実施例の構成を、図1に示し説明する。ここで、図1は、本実施例における蒸着用電子銃の電子ビーム生成部の構成を示しており、図6における構成要素と同一の構成要素について同じ符号を付している。図1a断面図において、本実施例における蒸着用電子銃の電子ビーム生成部の構成が、図6に示した従来例の構成と異なるところを説明する。本発明による蒸着用電子銃の電子ビーム生成部では、用いるフィラメント10の素材は、図6に示した従来例におけるフィラメント100と同じくタングステンであるが、その巻き数は、図1b正面図に示すように、20ターンである。線径は08mmであり、巻き外径は34mmである。このようなフィラメント10は、図6に示した従来例と同じく、ウェーネルト20に設けられた孔部21内に配設されるが、ここにおける孔部21は、図1aに示すように、電子線束の射出側の開口がテーパ状に形成されている。孔部21の開口をテーパ状に形成しているのは、テーパ状に形成すると、加熱されたフィラメント10から放出される熱電子の集束性が高められるとの実験結果に基づくものである。テーパ角は、本実施例では45°である。テーパ角を45°とすると、図6の従来例について使用されている、電子銃の電子ビームEBの軌道を調整するための磁気回路の構成をそのまま用いることができる。ここで、本発明において用いるフィラメント10は、その巻き数が、図6に示した従来例におけるフィラメント100よりは多く、広幅となっており変形を生じやすい。そこで、本発明におけるフィラメント10についての事前のアニール処理は、次のようにして行う。すなわち、図2に示すように、フィラメント10に流す電流を、10秒毎に15Aずつ増加させて、徐々にフィラメント10の温度を上昇させ、約5分後に約42Aとなったならば、その状態を約25分維持した後、フィラメント10への電流を遮断して、フィラメント10を冷やす。あるいは、フィラメント10に流す電流として、42A、幅が1sec秒のパルス電流を用い、図3に示すように、最初のパルス間隔を例えば少なくとも20secとし、その後、パルス間隔を定量的に逓減させることにより、フィラメント10の温度を徐々に上昇させて、約5分後にパルス間隔が1secとなったならば、42Aの電流を25分間供給し続けた後、フィラメント10への電流を遮断して、フィラメント10を冷やすようにする。このように、本発明におけるフィラメント10のアニール処理は、図6に示した従来例におけるフィラメント100の場合よりも増加する電流を小さくするなどして、フィラメント10の温度上昇が緩やかになるようにしている。以上のように構成された電子ビーム生成部から電子ビームを射出する場合は、フィラメント10に例えば-1kVを印加する。これにより得られるエミッション電流値は、本願発明者が行った実験によれば、200mAである。これは、図6に示した従来例においてフィラメント100に-17kVを印加した場合に得られるエミッション電流値と同じである。フィラメント10に電圧が印加されフィラメント10にフィラメント電流が流れると、フィラメント10は加熱されて熱電子を放出する。放出された熱電子は、ウェーネルト20により集束され、アノード120により加速されて、電子ビームEBとして射出されることになる。図4は、本実施例における蒸着用電子銃の電子ビーム生成部のフィラメント10巻き数は20ターンと、図6の従来例における巻き数が9ターンのフィラメント100のそれぞれへの加速電圧と得られる最大エミッション電流値とを比較して示すものである。図4において、垂直軸は最大エミッション電流値mAを表し、水平軸は加速電圧kVを表している。また、図中の実線Aは、本実施例におけるフィラメント10による場合を示し、破線Bは、巻き数が9ターンのフィラメント100による場合を示している。図示するように、本発明によるフィラメント10によった場合は、加速電圧が-1~-6kVで最大エミッション電流値は約200~2600mAである。これに対して、巻き数が9ターンのフィラメント100によった場合は、加速電圧が-6kVでも最大エミッション電流値は約1000mAである。ここから明らかなように、本発明によるならば、低い加速電圧により所望のエミッション電流が得られることになる。図5は、本実施例における蒸着用電子銃の電子ビーム生成部のフィラメント10と、図6の従来例における巻き数が9ターンのフィラメント100のそれぞれへの加速電圧と得られる電力量とを比較して示すものである。図5において、垂直軸は電力量kWを表し、水平軸は加速電圧kVを表している。また、図中の実線Aは、本実施例におけるフィラメント10による場合を示し、破線Bは、巻き数が9ターンのフィラメント100による場合を示している。図示するように、本発明によるフィラメント10によった場合は、巻き数が9ターンのフィラメント100によった場合の2倍以上の電力量が、同一の加速電圧で得られる。すなわち、より低い加速電圧で蒸着材料の蒸発に必要な電力量が確保されることになる。以上においては、フィラメント10の巻き数が20ターン、線径が08mm、巻き外径が34mmである場合を例に挙げて説明した。しかし、本発明は、これに限定されるものではない。巻き数が10~30ターン、線径が055~08mm、巻き外径が3~5mmである場合について、本発明は適用され得るものである。また、フィラメント10に-1kVを加速電圧として印加する場合について説明したが、本発明は、これに限られるものではない。図6に示した従来例のように加速電圧が-4~-10kVである場合についても、本発明は適用し得るものであるが、とくに、加速電圧が-05~-3kVの範囲において、本発明の有用性が発揮されるものである。さらに、フィラメント10に対するパルス電流を用いてのアニール処理について、図3では、フィラメント10へのパルス電流の供給を開始してから約5分経過してパルス間隔が1secとなった後は、42Aの電流を25分間供給し続ける場合を示した。しかし、パルス間隔が1secとなった後において、その状態を維持してすなわちパルス間隔を1secとして、幅が1secである42Aのパルス電流を、25分間繰り返して供給するようにしてもよい。