物理量に応じて変位する構造体を有し、前記構造体の変位に応じて静電容量が変化する物理量検出素子と、前記物理量検出素子に一定量の電荷を供給する電荷供給回路と、前記電荷供給回路により前記一定量の電荷が供給された後で、前記物理量検出素子の静電容量に応じた信号を出力する出力回路とを有する物理量検出装置。前記電荷供給回路は、2つの入力端子および出力端子を有する演算増幅器と、一定電圧の供給に用いられる電源線と、前記電源線に接続された第1端子および前記演算増幅器の前記2つの入力端子のうち一方の入力端子に接続された第2端子を有し、前記物理量検出素子に供給される電荷を蓄積する第1容量素子とを有し、前記物理量検出素子は、前記演算増幅器に対して帰還回路を形成する位置に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の物理量検出装置。前記電荷供給回路は、前記電源線と前記第1容量素子の前記第1端子との間に接続された第1スイッチと、前記第1容量素子の前記第1端子と接地電位線との間に接続された第2スイッチと、前記物理量検出素子に対して並列に接続された第3スイッチとを有し、前記演算増幅器の他方の入力端子は前記接地電位線に接続されており、前記第1スイッチおよび前記第2スイッチは排他的に閉じられ、前記第2スイッチおよび前記第3スイッチは排他的に閉じられることを特徴とする請求項2に記載の物理量検出装置。前記出力回路は、前記演算増幅器の出力端子から出力される電圧により示される値の逆数を演算する逆数演算回路を有することを特徴とする請求項3に記載の物理量検出装置。前記電荷供給回路は、2つの入力端子および出力端子を有する演算増幅器と、一定の実効電圧を有する交流電圧を出力する交流電圧源と、前記交流電圧源に接続された第1端子および前記演算増幅器の前記2つの入力端子のうち一方の入力端子に接続された第2端子を有し、前記物理量検出素子に供給される電荷を蓄積する第1容量素子と、前記物理量検出素子に対して並列に接続された抵抗素子とを有し、前記物理量検出素子は、前記演算増幅器に対して帰還回路を形成する位置に接続され、前記演算増幅器の他方の入力端子は接地電位線に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の物理量検出装置。前記物理量検出素子は、物理量の変化に対してある向きに静電容量が変化する第1容量と、前記物理量の変化に対して前記第1容量と逆向きに静電容量が変化する第2容量とを有し、前記電荷供給回路は、2つの入力端子および2つの出力端子を有する全差動演算増幅器と、一定電圧の供給に用いられる電源線と、接地電位の供給に用いられる接地電位線と、前記電源線および前記接地電位線のうち一方に排他的に接続するスイッチ回路と、前記スイッチ回路に接続された第1端子および前記全差動演算増幅器の前記2つの入力端子のうち一方の入力端子に接続された第2端子を有し、前記物理量検出素子に供給される電荷を蓄積する第1容量素子と、前記スイッチ回路に接続された第1端子および前記全差動演算増幅器の前記2つの入力端子のうち他方の入力端子に接続された第2端子を有し、前記物理量検出素子に供給される電荷を蓄積する第2容量素子と、前記第1容量に対して並列に接続された第1スイッチと、前記第2容量に対して並列に接続された第2スイッチと、前記全差動演算増幅器の前記2つの入力端子のコモンモード電圧を接地電位にする入力コモンフィードバック回路とを有し、前記第1容量および前記第2容量は、前記全差動演算増幅器に対してそれぞれ異なる帰還回路を形成する位置に接続され、前記第1スイッチおよび前記第2スイッチは、前記スイッチ回路と関連して制御されることを特徴とする請求項1に記載の物理量検出装置。前記電荷供給回路は、定電流供給回路と、前記物理量検出素子に並列に接続された第1スイッチと、一端が前記物理量検出素子に接続され、他端が定電流供給回路に接続された第2スイッチと、前記第1スイッチの開閉を制御する第1タイミング信号および前記第2スイッチの開閉を制御する第2タイミング信号を出力するタイミング発生回路とを有し、前記第1タイミング信号は、第1時間、前記第1スイッチを閉じさせる信号であり、前記第2タイミング信号は、前記第1スイッチが開いた後で、第2時間、前記第2スイッチを閉じさせる信号であることを特徴とする請求項1に記載の物理量検出装置。前記電荷供給回路は、第1電流端子および第2電流端子を有するカレントミラー回路と、前記物理量検出素子に並列に接続された第1スイッチと、一端が前記物理量検出素子に接続され、他端が前記第1電流端子に接続された第2スイッチと、一端が前記第2電流端子に接続された容量素子と、前記容量素子に並列に接続された第3スイッチと、一定電圧が入力される第1入力端子、前記容量素子の一端の電圧が入力される第2入力端子、および前記第2入力端子から入力される電圧が前記第1入力端子から入力される電圧より低いときは第1レベルの信号を出力し、前記第2入力端子から入力される電圧が前記第1入力端子から入力される電圧に達したときは第2レベルの信号を出力する出力端子を有する比較器とを有し、前記第1スイッチおよび前記第3スイッチは、第1タイミング信号により開閉を制御され、前記第2スイッチは、第2タイミング信号により開閉を制御され、前記比較器から出力される信号が前記第2タイミング信号として用いられ、前記第1信号は、一定時間前記第1スイッチを閉じさせる信号であることを特徴とする請求項1に記載の物理量検出装置。請求項1ないし8のいずれか一項に記載の物理量検出装置を有する電子機器。特許文献1および2においては、容量素子に一定の電圧を印加することにより溜まった電荷が計測された。しかし、これらの技術によっては、物理量の入力に対し構造体の変位が線形にならないという問題があった。特許文献3においては、構造体の変位が常にゼロになるように制御が行われるが、この制御を行うには複雑な回路が必要であるという問題があった。また、特許文献3においては、フィードバックの最大値を超える加速度入力が与えられるとフィードバックループの安定性が失われる可能性があるという問題があった。これに対し本発明は、物理量の入力に対して、高い線形性をもって容量素子の構造体が変位する物理量検出装置を提供する。本発明は、物理量に応じて変位する構造体を有し、前記構造体の変位に応じて静電容量が変化する物理量検出素子と、前記物理量検出素子に一定量の電荷を供給する電荷供給回路と、前記電荷供給回路により前記一定量の電荷が供給された後で、前記物理量検出素子の静電容量に応じた信号を出力する出力回路とを有する物理量検出装置を提供する。この物理量検出装置によれば、物理量検出素子に一定電圧を印加して静電容量を検出する構成と比較して、より高い線形性をもって、物理量の入力に対して構造体を変位させることができる。好ましい態様において、前記電荷供給回路は、2つの入力端子および出力端子を有する演算増幅器と、一定電圧の供給に用いられる電源線と、前記電源線に接続された第1端子および前記演算増幅器の前記2つの入力端子のうち一方の入力端子に接続された第2端子を有し、前記物理量検出素子に供給される電荷を蓄積する第1容量素子とを有し、前記物理量検出素子は、前記演算増幅器に対して帰還回路を形成する位置に接続されていてもよい。この物理量検出装置によれば、演算増幅器を用いた回路において、物理量検出素子に一定電圧を印加して静電容量を検出する構成と比較して、より高い線形性をもって、物理量の入力に対して構造体を変位させることができる。別の好ましい態様において、前記電荷供給回路は、前記電源線と前記第1容量素子の前記第1端子との間に接続された第1スイッチと、前記第1容量素子の前記第1端子と接地電位線との間に接続された第2スイッチと、前記物理量検出素子に対して並列に接続された第3スイッチとを有し、前記演算増幅器の他方の入力端子は前記接地電位線に接続されており、前記第1スイッチおよび前記第2スイッチは排他的に閉じられ、前記第2スイッチおよび前記第3スイッチは排他的に閉じられてもよい。この物理量検出装置によれば、スイッチで切り替える容量素子と演算増幅器を用いた回路において、物理量検出素子に一定電圧を印加して静電容量を検出する構成と比較して、より高い線形性をもって、物理量の入力に対して構造体を変位させることができる。さらに別の好ましい態様において、前記出力回路は、前記演算増幅器の出力端子から出力される電圧により示される値の逆数を演算する逆数演算回路を有してもよい。この物理量検出装置によれば、容量変化に対して線形な出力を得ることができる。さらに別の好ましい態様において、前記電荷供給回路は、2つの入力端子および出力端子を有する演算増幅器と、一定の実効電圧を有する交流電圧を出力する交流電圧源と、前記交流電圧源に接続された第1端子および前記演算増幅器の前記2つの入力端子のうち一方の入力端子に接続された第2端子を有し、前記物理量検出素子に供給される電荷を蓄積する第1容量素子と、前記物理量検出素子に対して並列に接続された抵抗素子とを有し、前記物理量検出素子は、前記演算増幅器に対して帰還回路を形成する位置に接続され、前記演算増幅器の他方の入力端子は接地電位線に接続されていてもよい。この物理量検出装置によれば、交流電圧源を用いた回路において、物理量検出素子に一定電圧を印加して静電容量を検出する構成と比較して、より高い線形性をもって、物理量の入力に対して構造体を変位させることができる。さらに別の好ましい態様において、前記物理量検出素子は、物理量の変化に対してある向きに静電容量が変化する第1容量と、前記物理量の変化に対して前記第1容量と逆向きに静電容量が変化する第2容量とを有し、前記電荷供給回路は、2つの入力端子および2つの出力端子を有する全差動演算増幅器と、一定電圧の供給に用いられる電源線と、接地電位の供給に用いられる接地電位線と、前記電源線および前記接地電位線のうち一方に排他的に接続するスイッチ回路と、前記スイッチ回路に接続された第1端子および前記全差動演算増幅器の前記2つの入力端子のうち一方の入力端子に接続された第2端子を有し、前記物理量検出素子に供給される電荷を蓄積する第1容量素子と、前記スイッチ回路に接続された第1端子および前記全差動演算増幅器の前記2つの入力端子のうち他方の入力端子に接続された第2端子を有し、前記物理量検出素子に供給される電荷を蓄積する第2容量素子と、前記第1容量に対して並列に接続された第1スイッチと、前記第2容量に対して並列に接続された第2スイッチと、前記全差動演算増幅器の前記2つの入力端子のコモンモード電圧を接地電位にする入力コモンフィードバック回路とを有し、前記第1容量および前記第2容量は、前記全差動演算増幅器に対してそれぞれ異なる帰還回路を形成する位置に接続され、前記第1スイッチおよび前記第2スイッチは、前記スイッチ回路と関連して制御されてもよい。この物理量検出装置によれば、全差動演算増幅器を用いた回路において、物理量検出素子に一定電圧を印加して静電容量を検出する構成と比較して、より高い線形性をもって、物理量の入力に対して構造体を変位させることができる。さらに別の好ましい態様において、前記電荷供給回路は、定電流供給回路と、前記物理量検出素子に並列に接続された第1スイッチと、一端が前記物理量検出素子に接続され、他端が前記定電流供給回路に接続された第2スイッチと、前記第1スイッチの開閉を制御する第1タイミング信号および前記第2スイッチの開閉を制御する第2タイミング信号を出力するタイミング発生回路とを有し、前記第1タイミング信号は、第1時間、前記第1スイッチを閉じさせる信号であり、前記第2タイミング信号は、前記第1スイッチが開いた後で、第2時間、前記第2スイッチを閉じさせる信号であってもよい。この物理量検出装置によれば、定電流供給回路を用いた回路において、物理量検出素子に一定電圧を印加して静電容量を検出する構成と比較して、より高い線形性をもって、物理量の入力に対して構造体を変位させることができる。さらに別の好ましい態様において、前記電荷供給回路は、第1電流端子および第2電流端子を有するカレントミラー回路と、前記物理量検出素子に並列に接続された第1スイッチと、一端が前記物理量検出素子に接続され、他端が前記第1電流端子に接続された第2スイッチと、一端が前記第2電流端子に接続された容量素子と、前記容量素子に並列に接続された第3スイッチと、一定電圧が入力される第1入力端子、前記容量素子の一端の電圧が入力される第2入力端子、および前記第2入力端子から入力される電圧が前記第1入力端子から入力される電圧より低いときは第1レベルの信号を出力し、前記第2入力端子から入力される電圧が前記第1入力端子から入力される電圧に達したときは第2レベルの信号を出力する出力端子を有する比較器とを有し、前記第1スイッチおよび前記第3スイッチは、第1タイミング信号により開閉を制御され、前記第2スイッチは、第2タイミング信号により開閉を制御され、前記比較器から出力される信号が前記第2タイミング信号として用いられ、前記第1信号は、一定時間前記第1スイッチを閉じさせる信号であってもよい。この物理量検出装置によれば、カレントミラー回路を用いた回路において、物理量検出素子に一定電圧を印加して静電容量を検出する構成と比較して、より高い線形性をもって、物理量の入力に対して構造体を変位させることができる。さらに別の好ましい態様において、前記物理量は、加速度であってもよい。この物理量検出装置によれば、物理量検出素子に一定電圧を印加して静電容量を検出する構成と比較して、より高い線形性をもって、加速度の入力に対して構造体を変位させることができる。さらに別の好ましい態様において、前記物理量は、圧力であってもよい。この物理量検出装置によれば、物理量検出素子に一定電圧を印加して静電容量を検出する構成と比較して、より高い線形性をもって、圧力の入力に対して構造体を変位させることができる。さらに別の好ましい態様において、前記物理量は、力であってもよい。この物理量検出装置によれば、物理量検出素子に一定電圧を印加して静電容量を検出する構成と比較して、より高い線形性をもって、力の入力に対して構造体を変位させることができる。さらに別の好ましい態様において、前記物理量は、角速度であってもよい。この物理量検出装置によれば、物理量検出素子に一定電圧を印加して静電容量を検出する構成と比較して、より高い線形性をもって、角速度の入力に対して構造体を変位させることができる。また、本発明は、上記いずれかの物理量検出装置を有する電子機器を提供する。この電子機器によれば、物理量検出素子に一定電圧を印加して静電容量を検出する構成と比較して、より高い線形性をもって、物理量の入力に対して構造体を変位させることができる。0.静電容量型物理量検出装置の概要図1は、加速度検出素子11の構造を例示する図である。加速度検出素子11は、静電容量型の物理量検出素子の一例である。加速度検出素子11は、物理量として加速度を検出する。換言すると、加速度検出素子11は、外力この例では特に、加速度に起因する慣性力を受けて変位する構造体を有し、この構造体の変位に応じて静電容量が変化する素子である。図1Aは、加速度がゼロの状態を、図1Bは、図中右向きy軸方向に加速度a>0が加えられた状態を示している。加速度検出素子11は、固定部111と、可動部112とを有する。固定部111は、加速度検出素子11に加えられる加速度によらずに基板図示略に対して固定されている部材である。可動部112は、加速度に応じて変位する構造体の一例であり、錘部1121と、ばね部1122とを有する。ばね部1122の一端は基板に固定されており、他端は錘部1121に接続されている。錘部1121は、ばね部1122により支持されている。錘部1121は、質量mを有する。加速度検出素子11に加速度aが加えられると、錘部1121には、F=maの力が働く。この力により、ばね部1122は変形し、錘部1121は固定部111に対して相対的に変位する。錘部1121は、可動電極1123および可動電極1124を有する。固定部111は、より詳細には、固定電極1111、固定電極1112、固定電極1113、および固定電極1114を有する。固定電極1111および固定電極1112は対向しており、両者に対向する位置に可動電極1123が設けられている。同様に、固定電極1113および固定電極1114は対向しており、両者に対向する位置に可動電極1124が設けられている。加速度検出素子11は、例えば、Siシリコン等の半導体材料と、半導体加工技術を用いて形成される。図2は、加速度検出素子11の等価回路を示す図である。加速度検出素子11は、直列に接続された2つの容量、容量113および容量114を有する。容量113の一端には入力端子115が接続されている。容量114の一端には入力端子116が接続されている。容量113および容量114の他端同士は接続されており、入力端子117が接続されている。容量113は、可動電極1123および固定電極1111、並びに可動電極1124および固定電極1113による容量である。容量114は、可動電極1123および固定電極1112、並びに可動電極1124および固定電極1114による容量である。図1Bに例示したように、図中右向きの加速度aが加えられると、可動電極1123と固定電極1112および可動電極1124と固定電極1114との距離は短くなり、可動電極1123と固定電極1111および可動電極1124と固定電極1113との距離は長くなる。すなわち、容量113および容量114は、入力された加速度に応じて互いに逆向きの容量変化を起こす、いわゆる差動型の構成を有している。静電容量の変化を検出することにより、錘部1121に加えられている加速度を検出することができる。なお、図2では差動型の検出素子の例を示したが、シングルエンド型の検出素子が用いられてもよい。図3は、従来技術に係る静電容量検出回路を例示する図である。容量113および容量114における静電容量の変化を検出するには、これらの容量に電圧を印加する必要がある。この静電容量検出回路は、オペアンプ演算増幅器12と、容量素子93と、抵抗素子94とを有する。オペアンプ12は、非反転入力端子プラス入力端子121、反転入力端子マイナス入力端子122、および出力端子123を有する。反転入力端子122は、入力端子117に接続されている。非反転入力端子121には、電圧VDD/2が印加される。オペアンプ12のバーチャルショートにより、反転入力端子122は非反転入力端子121と同電位となるので、入力端子117には電圧VDD/2が印加される。入力端子115には、電圧VDDから接地電位GNDに周期的に変化する電圧信号が入力される。入力端子116には、電圧VDDから接地電位GNDに周期的に変化し、入力端子115に入力される信号とは逆の位相の電圧信号が入力される。すなわち、容量113および容量114には、周期的に極性が反転し、絶対値がVDD/2の電圧が印加される。出力端子123から出力される電圧Voは、次式で表される。Vo=Cs1-Cs2Vcs/Cf...1ここで、Cs1およびCs2は、容量113および容量114の容量を示す。Vcsは、入力端子115と入力端子116との間の電圧を示す。Cfは、容量素子93の静電容量を示す。すなわち、図3の静電容量検出回路は、加速度検出素子11のセンシング容量Cs容量113および容量114に一定の電圧Vref上記の例ではVref=VDD/2を加え、センシング容量に溜まった電荷Q=CsVrefを計測する構成となっている。図4は、容量113の力学的構成を示す模式図である。ここでは説明を簡単にするため、固定電極1111および可動電極1123により形成される容量だけを考える。両電極間に電圧を印加すると、電極間には静電力Fesが働く。静電力Fesは、次式で表される。ここで、Aは固定電極1111および可動電極1123の面積を、ε0は真空の誘電率を、εrは電極間にある媒質の比誘電率を、Vは電極間の電圧を、xは、電極間の初期間隔x0を基準とした電極の変位を、それぞれ表す。式2によれば、静電力Fesは、電極の変位xに単純に比例する形では変化しないことがわかる。式2が加速度検出素子11に及ぼす影響について考える。加速度aが加えられると、錘部1121は変位する。加速度aによる効果だけを考えると、この変位は加速度aに対して線形である。錘部1121が変位すると、式2により、電極間に働く静電力が非線形に変化する。この静電力は、可動電極1123すなわち錘部1121の変位を引き起こすので、全体として、錘部1121の変位は加速度aに対して線形になっていない。加速度aに対する錘部1121の変位の線形性すなわち、容量変化の線形性は検出素子センサーの重要な性能指標の一つであり、より線形性を向上させることが求められている。図3の静電容量検出回路における測定原理は、センシング容量Csに一定の電圧を加えて静電容量を検出するものであった。しかし、この測定原理によると、式2からわかるように、錘部1121の変位が加速度aに対して線形にならないという問題がある。そこで、本実施形態においては、センシング容量Csに一定の電荷Qを蓄えることにより静電容量が検出される。センシング容量Csに蓄えられる電荷Qが一定の場合、電極間に働く静電力Fesは、次式で表される。式3から明らかなように、電荷Qを一定とした場合、電極間に働く静電力は変位xによらずに一定である。式3が加速度検出素子11に及ぼす影響について考える。式3によれば、錘部1121の変位に一定の静電力による効果、すなわち一定のオフセットが与えられることになるが、加速度aに対する変位の線形性には影響がない。したがって、センシング容量Csに一定の電荷を与えてセンシング容量Csの静電容量を検出することにより、センシング容量Csに一定の電圧を加える場合と比較して、より線形性を向上させることができる。図5は、本発明に係る物理量検出装置10の構成を示す図である。物理量検出装置10は、電荷供給回路100と、出力回路200とを有する。電荷供給回路は、センシング容量Csに一定量の電荷を供給するための回路である。ここで、一定量の電荷とは、ある決まった量になるように制御された電荷をいい、必ずしも完全に正確に同一量である電荷を意味するものではない。また、本稿における一定量の電荷とは、直流の場合における時間的に変動しないある決まった量の電荷に加え、交流の場合における実効値が一定の電荷を含む概念である。出力回路200は、電荷供給回路100によりセンシング容量Csに一定量の電荷が供給された後で、センシング容量Csの静電容量に応じた信号例えば、センシング容量Csの端子電圧を取り出すための回路である。本稿における一定量の電荷が供給された後とは、直流の場合におけるある決まった量の電荷がセンシング容量Csに蓄積されている状態に加え、交流の場合における実効値が一定の電荷がセンシング容量Csに供給されている状態を含む概念である。以下、これらの回路の具体例をいくつか説明する。以下、回路の説明においては、加速度検出素子11の代わりに、センシング容量Csを用いる。また、説明を簡単にするため、特段の説明のない限り、センシング容量Csはシングルエンド構造を有する。1.第1実施形態図6は、第1実施形態に係る静電容量検出回路1の構成を示す図である。静電容量検出回路1は、スイッチトキャパシターを用いたシングルエンド構成を有した、物理量検出装置10の一例である。電荷供給回路100は、スイッチ15と、スイッチ16と、スイッチ17と、オペアンプ12と、容量素子13とを有する。出力回路200は、スイッチ18と、容量素子14とを有する。センシング容量Csは、オペアンプ12に対して帰還回路を形成する位置に接続されている。オペアンプ12の非反転入力端子121は接地電位線に接続されている以下単に接地されているという。なお、接地の電位は回路の構成に応じて任意に設定してよい。この実施例では、接地電位GNDを0Vとして説明を進める。反転入力端子122には、容量素子13が接続されている。容量素子13は、センシング容量Csに供給するための一定量の電荷を蓄積する素子である。容量素子13は、入力端子131および出力端子132を有する。出力端子132は、反転入力端子122に接続されている。入力端子131は、スイッチ15の一端およびスイッチ16の一端に接続されている。スイッチ15の他端は、電源線に接続されている。この電源線には、一定の電圧Vrefが印加されている。スイッチ16の他端は接地されている。スイッチ17は、センシング容量Csに並列に接続されている。スイッチ17は、センシング容量Csに溜まった電荷を放電するためのスイッチである。オペアンプ12の出力端子123は、スイッチ18の一端に接続されている。スイッチ18は、容量素子14に電圧をサンプリングするためのスイッチである。スイッチ18の他端は、容量素子14に接続されている。容量素子14は負荷容量である。スイッチ18と容量素子14は、オペアンプ12の出力をサンプリングする機能を提供しているが、出力回路200としてサンプリング機能が必要なければ、これらの素子は必須では無い。この場合、オペアンプ12が出力回路も兼ねていることになる。以下で説明するように、スイッチ15およびスイッチ16、並びにスイッチ16およびスイッチ17は、それぞれ排他的に閉じられる。図7は、クロック信号Φ1およびΦ2を例示する図である。クロック信号Φ1はスイッチ15およびスイッチ17の開閉を制御する信号であり、クロック信号Φ2はスイッチ16およびスイッチ18の開閉を制御する信号である。スイッチ15~18は例えばnチャネルのMOSMetalOxideSemiconductorトランジスターであり、ゲートにHHighレベルの信号電圧が入力されるとソースとドレインが導通しスイッチが閉じ、ゲートにLLowレベルの信号が入力されるとソースとドレインが絶縁するスイッチが開く。この例で、クロック信号Φ1およびΦ2は、同時にHレベルになることがない、ノンオーバーラッピングクロックである。すなわち、スイッチ15およびスイッチ16は、容量素子13の入力端子131の電位を、VrefまたはGNDに排他的に切り替えるスイッチ回路を構成しているといえる。まず、クロック信号Φ1がHレベルであり、クロック信号Φ2がLレベルである場合を考える。容量素子13の出力端子132の電位は、オペアンプ12のバーチャルショートにより、接地電位GNDである。容量素子13の入力端子131には、一定の電圧Vrefが印加される。したがって、容量素子13には、出力端子132をプラス側として、次式で表される電荷Qが蓄積される。Q=-CcVref...4ここで、Ccは容量素子13の静電容量である。また、このときスイッチ17が閉じているので、センシング容量Csに溜まった電荷は放電され、ゼロになる。次に、クロック信号Φ1がLレベルであり、クロック信号Φ2がHレベルである場合を考える。容量素子13の入力端子131の電位は、接地電位GNDになる。オペアンプ12のバーチャルショートにより、容量素子13の出力端子132の電位も接地電位GNDである。したがって、クロック信号Φ1がHレベルの期間に容量素子13に蓄積された電荷Qは、すべてセンシング容量Csに流れ込む。すなわち、クロック信号Φ2がHレベルの期間において、センシング容量Csには一定の電荷Q=-CcVrefが与えられる。このとき、オペアンプ12の出力電圧Voは、次式で表される。Vo=Q/Cs=-Cc/CsVref...5出力電圧Voは、スイッチ18を介して容量素子14に保持サンプリングされる。センシング容量Csの初期値加速度がゼロのときの容量をCs0、加速度a>0が入力されたときの変化分をΔCsとすると、センシング容量Csは次式で表される。Cs=Cs0ΔCs...6式6を式5に代入すると、オペアンプ12の出力電圧Voは、次式で表される。Vo=-CcVref/Cs0ΔCs...7出力電圧Voの逆数をとれば、容量変化ΔCsを得ることができる。すなわち、加速度aの入力に対し線形な出力ΔCsを得ることができる。図8は、逆数演算回路の構成を例示する図である。静電容量検出回路1において、出力回路200は、この逆数演算回路を有する。この回路により、容量素子14に保持された出力電圧Voから容量変化ΔCsを得ることができる。この回路は、ADCAnalogtoDigitalConverter、アナログ/デジタル変換器21と、逆数演算回路82とを有する。ADC81は、アナログ入力端子811と、基準電圧入力端子812と、デジタル出力端子813とを有する。ADC81は、アナログ入力端子811から入力されたアナログ電圧を、基準電圧入力端子812から入力された電圧を基準として量子化し、nビットのデジタル信号デジタルコードとして出力する。逆数演算回路82は、入力端子821および出力端子822を有する。逆数演算回路82は、入力端子821から入力されたデジタル信号により示される値の逆数を演算して出力端子822から出力する回路である。この例では、容量素子14に保持されている電圧Voの極性が反転されてアナログ入力端子811に入力されている。これは、信号の極性を整合させるためであるが、回路の接地電位GNDの選び方によっては反転させなくてもよい。また、図8の例では基準電圧として2Vrefが用いられたが、基準電圧はこれに限定されない。以上で説明したように、静電容量検出回路1によれば、センシング容量Csに一定の電圧を加える場合と比較して、錘部1121の変位すなわち検出される容量変化の加速度aに対する線形性を向上させることができる。2.第2実施形態図9は、第2実施形態に係る静電容量検出回路2の構成を示す図である。静電容量検出回路1はスイッチを使った離散時間回路を用いた例であった。静電容量検出回路2は時連続回路を用いた、物理量検出装置10の一例である。静電容量検出回路2において、電荷供給回路100は、オペアンプ12と、容量素子13と、交流電圧源21と、抵抗素子22とを有する。センシング容量Csは、オペアンプ12に対して帰還回路を形成する位置に接続されている。オペアンプ12の非反転入力端子121は接地されている。反転入力端子122には、容量素子13が接続されている。出力端子132は、反転入力端子122に接続されている。入力端子131は、交流電圧源21に接続されている。交流電圧源21は、実効値が一定の交流電圧Viを出力する。すなわち、入力端子131には、交流電圧Viが印加される。抵抗素子22は、センシング容量Csに並列に接続されている。抵抗素子22は帰還抵抗である。静電容量検出回路2の伝達関数Hjωは、次式で表される。ここで、は並列インピーダンスを表している。1/Rf≪ωCsの場合すなわち、ω≪1/RfCsの場合、伝達関数Hjωは、次式のように近似される。式7の伝達関数によれば、入力電圧Viに対する出力電圧Voは、次式で表される。式10からわかるように、出力電圧Voから、センシング容量Csの容量変化ΔCsを得ることができる。なお、出力回路200についての図示および説明は省略したが、静電容量検出回路1と同様である以下、他の実施形態についても同様。静電容量検出回路2において、オペアンプ12の反転入力端子122は、バーチャルショートにより、入力電圧Viによらず仮想接地状態となっている。容量素子13には、接地電位GNDと入力電圧Viとの差に応じた電圧が印加される。すなわち、容量素子13には、次式で表される電荷Qtが蓄積される。Qt=CcVit...11ここでは、電荷Qが交流電荷であり入力電圧Viが交流電圧であることを強調するため、QtおよびVitと表している。容量素子13には、最大でQmax=CcVimaxの電荷が蓄積されるVimaxは入力電圧Vitの最大値。例えば入力電圧Vitが接地電位GNDと等しい場合、容量素子13に蓄積される電荷はゼロになる。それ以前に容量素子13に溜められていた電荷は、センシング容量Csにすべて転送される。すなわち、センシング容量Csには、式11で表されるQtが蓄積される実際には容量素子に蓄積される電荷とセンシング容量の蓄積される電荷とは位相が反転している。入力電圧Vitは振幅一定の交流電流であるので、センシング容量Csに蓄積される電荷も、振幅一定の交流電荷、すなわち、実効値が一定の交流電荷である。このとき電極間には式3で表される静電力Fesが働く。電荷Qtの実効値は一定であるので、静電力Fesの実効値は一定となる。すなわち、加速度aの入力に対し線形な出力ΔCsを得ることができる。3.第3実施形態図10は、第3実施形態に係る静電容量検出回路3の構成を示す図である。静電容量検出回路1はシングルエンド型回路の例であったが、静電容量検出回路3は差動型回路の、物理量検出装置10の一例である。すなわち、静電容量検出回路3において、センシング容量Csは差動型の構成を有する。センシング容量Csは、センシング容量Cs1113およびセンシング容量Cs2114を有する。センシング容量Cs1およびセンシング容量Cs2は、入力される加速度の変化に対してそれぞれ逆向きに静電容量が変化する。例えば、センシング容量Cs1の静電容量が増加すると、センシング容量Cs2の静電容量は減少する。静電容量検出回路3において、電荷供給回路100は、全差動オペアンプ32と、容量素子331と、容量素子332と、容量素子341と、容量素子342と、ICMFBInputCommonModeFeedBack、入力コモンフィードバック回路35と、スイッチ35と、スイッチ36と、スイッチ371と、スイッチ372とを有する。全差動オペアンプ32は、非反転入力端子321と、反転入力端子322と、反転出力端子323と、非反転出力端子324とを有する。静電容量検出回路3においては、センシング容量Csは、センシング容量Cs1とセンシング容量Cs2とが区別して示されている。センシング容量Cs1およびセンシング容量Cs2は、それぞれ、全差動オペアンプ32に対して異なる帰還回路を形成する位置に接続されている。非反転入力端子321および反転入力端子322には、電圧Viおよび電圧Viが入力される。反転出力端子323および非反転出力端子324からは、電圧Voおよび電圧Voが出力される。全差動オペアンプ32の入力コモンモード電圧Vicm=ViVi/2は、ICMFB38により、Vicm=GNDとなるように制御されている。また、全差動オペアンプ32の出力コモンモード電圧Vocm=VoVo/2は、出力コモンフィードバック回路図示略により、Vocm=GNDとなるように制御されている。さらに、全差動オペアンプ32のバーチャルショートにより、Vi=Viであるから、非反転入力端子321および反転入力端子322は仮想接地状態である。スイッチ35、スイッチ36、スイッチ371、およびスイッチ372は、例えばnチャネルのMOSトランジスターである。スイッチ35、スイッチ371、およびスイッチ372は、クロック信号Φ1図7により駆動される。スイッチ36は、クロック信号Φ2により駆動される。すなわち、スイッチ35およびスイッチ36は、電源線Vrefまたは接地電位線GNDに排他的に接続するスイッチ回路を構成している。静電容量検出回路3は、基本的には静電容量検出回路1と同様に動作する。クロック信号Φ1がHレベルの期間において、容量素子331および容量素子332には、一定の電荷Qが蓄積される。クロック信号Φ2がHレベルの期間において、電荷Qはセンシング容量Cs1およびセンシング容量Cs2に転送される。センシング容量Cs1およびセンシング容量Cs2に蓄積される電荷Qが一定であるので、電極間に働く静電力が一定となる。したがって、加速度aの入力に対し線形な出力ΔCsを得ることができる。なお、スイッチ35とスイッチ36に与えるクロック信号Φ1、Φ2を入れ替えてもよい。この場合、センシング容量Cs1、Cs2の電荷がリセットされる期間において、同様に容量素子331、332の電荷もゼロとなる。スイッチ371、372が開放され、スイッチ35がオンになると、容量素子331、332には一定の電荷が流れ込み、その電流は全てセンシング容量Cs1、Cs2に流れ込む。このようにして、センシング容量Cs1、Cs2には一定の電荷が供給される。4.第4実施形態図11は、第4実施形態に係る静電容量検出回路4の構成を示す図である。第1~第3実施形態においては、電圧源と容量素子とを用いて一定の電荷をセンシング容量Csに転送する回路の例を説明した。静電容量検出回路4は、定電流供給回路を用いた、物理量検出装置10の一例である。静電容量検出回路4において、電荷供給回路100は、定電流源41ならびにカレントミラー回路42からなる定電流供給回路と、タイミング発生回路43と、スイッチ44と、スイッチ45とを有する。カレントミラー回路42は、第1電流端子421および第2電流端子422を有する。カレントミラー回路42は、第1電流端子421から出力される電流I1と同じ電流I2を第2電流端子422から出力する回路であるI1=I2。第1電流端子421には、定電流源41が接続されている。第2電流端子422には、スイッチ45を介してセンシング容量Csが接続されている。スイッチ44は、センシング容量Csに並列に接続されている。タイミング発生回路43は、スイッチ44およびスイッチ45の開閉のタイミングを制御する信号を出力する回路である。タイミング発生回路43は、信号出力端子431および信号出力端子432を有する。信号出力端子431は、スイッチ44を制御するためのタイミング信号Φ3を出力する端子である。信号出力端子432は、スイッチ45を制御するためのタイミング信号Φ4を出力する端子である。スイッチ44およびスイッチ45は、例えばnチャネルのMOSトランジスターである。スイッチ45のドレインおよびソースは、第2電流端子422およびセンシング容量Csの一端に接続されている。スイッチ44のドレインおよびソースは、センシング容量Csの一端および他端に接続されている。スイッチ44およびスイッチ45のゲートは、信号出力端子431および信号出力端子432に接続されている。センシング容量Csの一端には、電圧出力端子Voが設けられている。図12は、タイミング信号Φ3およびΦ4を例示する図である。タイミング信号Φ3がHレベルである期間T1このとき、タイミング信号Φ4はLレベルであるにおいて、センシング容量Csの両電極はショートされ、それまで溜められていた電荷は放電される。すなわち、センシング容量Csはリセットされる。タイミング信号Φ4がHレベルである期間T2このとき、タイミング信号Φ3はLレベルであるにおいて、センシング容量Csは定電流Iにより充電される。タイミング信号Φ4は、一定の期間Tintegが経過するとLレベルになる。期間Tintegの間にセンシング容量Csに蓄積された電荷Qは、次式で表される。Q=ITinteg...12図12には、電荷Qの経時変化もあわせて図示されている。期間T2が終了した後において、センシング容量Csの静電容量は次式により計算される。Cs=Cs0ΔCs=Q/Vo...135.他の実施形態本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形実施が可能である。以下、変形例をいくつか説明する。以下の変形例のうち、2つ以上のものが組み合わせて用いられてもよい。5-1.変形例1図13は、変形例1に係る静電容量検出回路5の構成を示す図である。静電容量検出回路5は、静電容量検出回路1図6の変形例である。静電容量検出回路5は、静電容量検出回路1の構成に加え、スイッチ51およびスイッチ52を有している。スイッチ51は、一端が出力端子132に接続され、他端が接地されている。スイッチ52は、一端が出力端子132に接続され、他端が反転入力端子122に接続されている。スイッチ51はクロック信号Φ1により駆動され、スイッチ52はクロック信号Φ2により駆動される。静電容量検出回路5によれば、容量素子13を充電する際、出力端子132の電位として、オペアンプ12のバーチャルショートによる仮想接地電位ではなく、スイッチ51を介した接地電位を与えることができる。なお、スイッチの構成は、図6および図13で例示したものに限定されない。センシング容量Csに一定の電荷を供給できるものであれば、どのような構成のスイッチが用いられてもよい。また、スイッチの構成は、所望される出力信号の極性、または出力信号のタイミングに応じて設計されてもよい。5-2.変形例2図14は、変形例2に係る静電容量検出回路6の構成を示す図である。静電容量検出回路6は、静電容量検出回路4図11の変形例である。静電容量検出回路4においては、定電流源41から出力される定電流Iを用いてセンシング容量Csを一定時間Tintegの間充電することにより、センシング容量Csに一定電荷を蓄積させた。静電容量検出回路6においては、センシング容量Csに蓄積された電荷が計測される。センシング容量Csに蓄積された電荷が一定値に達した場合、センシング容量Csへの電流の供給が停止される。静電容量検出回路6は、カレントミラー回路42と、スイッチ44と、スイッチ45と、容量素子61と、スイッチ62と、コンパレーター63と、抵抗素子64とを有する。カレントミラー回路42の第1電流端子421には、抵抗素子64およびスイッチ45を介して、センシング容量Csが接続されている。スイッチ44は、センシング容量Csに並列に接続されている。抵抗素子64は負荷抵抗である。カレントミラー回路42の第2電流端子422には、容量素子61が接続されている。容量素子61は、センシング容量Csに蓄積された電荷を計測するための容量である。容量素子61の他端は接地されている。スイッチ62は、容量素子61に並列に接続されている。スイッチ62は、容量素子61に蓄積された電荷を放電させるためのスイッチである。コンパレーター63は、第1入力端子631と、第2入力端子632と、出力端子633とを有する。コンパレーター63は、第2入力端子632から入力された電圧が、第1入力端子631から入力された電圧を下回っているときはHレベルの電圧を出力し、第2入力端子632から入力された電圧が、第1入力端子631から入力された電圧に達したときはLレベルの電圧を出力する。第1入力端子631には、所定の電圧Vrefが入力される。第2入力端子632は容量素子61の一端に接続されており、容量素子61に蓄積されている電荷に応じた電圧Vintが第2入力端子632に入力される。すなわち、コンパレーター63は、電圧Vintが所定の電圧Vrefに達するとLレベルの電圧を出力する。コンパレーター63の出力信号は、スイッチ45の開閉を制御するタイミング信号Φ3として用いられる。図15は、変形例2に係るタイミング信号Φ3およびΦ4を例示するタイミングチャートである。タイミング信号Φ3がHレベルになると、スイッチ44およびスイッチ62が閉じ、センシング容量Csおよび容量素子61に蓄積されていた電荷が放電されるセンシング容量Csおよび容量素子61がリセットされる。容量素子61に蓄積されていた電荷が放電されると、Vint<Vrefとなるので、タイミング信号Φ4はHレベルとなる。タイミング信号Φ4がHレベルになると、スイッチ45が閉じ、センシング容量Csに電流Iが供給される。このとき、カレントミラー回路42により、容量素子61にも電流Iが供給される。ただしこの間、スイッチ44およびスイッチ62によりセンシング容量Csおよび容量素子61の両電極はそれぞれショートしているので、これらの容量に電荷は蓄積されない。図15には、容量素子61の端子電圧Vintおよび出力電圧Voもあわせて図示されている。出力電圧Voの破線は、センシング容量の変化に応じた電圧変化を示している。一定時間T1が経過すると、タイミング信号Φ3はLレベルになる。タイミング信号Φ3がLレベルになると、スイッチ44およびスイッチ62が開き、センシング容量Csおよび容量素子61に電荷が蓄積されはじめる。カレントミラー回路42により同じ量の電流Iが供給されているので、容量素子61には、センシング容量Csに蓄積されている電荷に応じた量の電荷が蓄積される。すなわち、容量素子61に蓄積されている電荷を観測することは、センシング容量Csに蓄積されている電荷を観測することと同等である。容量素子61に蓄積されている電荷の変化は、電圧Vintに表れる。電圧Vintが所定の電圧Vrefに達したということは、センシング容量Csに蓄積されている電荷が所定の量に達したということと同等である。電圧Vintが所定の電圧Vrefに達すると、タイミング信号Φ4はLレベルになる。センシング容量Csには一定の電荷が保持される。この状態で、センシング容量Csの静電容量は、次式により得られる。Cs=Cs0ΔCs=Q/Vo...14ここで、Q=CintVref...15である。Cintは容量素子61の静電容量である。5-3.変形例3図16は、変形例3に係る逆数演算回路の構成を示す図である。出力電圧Voから容量変化を演算する回路の構成は、図8で例示したものに限定されない。変形例3の回路は、ADC81を有する。アナログ入力端子811には、基準電圧Vref/2が入力される。基準電圧入力端子812には、極性反転された出力電圧-Voが入力される。出力端子822から出力されるデジタルコードは、Vref/2/-Voに対応するものである。出力電圧Voは、Vo=-CcVref/Cs0ΔCs...16であるから、出力されるデジタルコードは、Vref/2/-Vo=Cs0ΔCs/2Cc...17に対応するものである。ADC81から出力されるデジタルコードにおいて、容量変化ΔCsが分母に含まれている。すなわち、ADC81から出力されるデジタルコードは、容量変化ΔCsに対して線形に変化する。5-4.変形例4図17は、変形例4に係る力検出素子71の構成を示す図である。物理量検出素子は、加速度検出素子11に限定されない。また、物理量検出素子により検出される物理量は、加速度に限定されない。力検出素子71は物理量検出素子の一例であり、物理量として力を検出する。力検出素子71は、固定部711と、可動部712とを有する。固定部711は、力検出素子71に加えられる力によらずに基板図示略に対してほぼ固定されている部材である。可動部712は、錘部7121と、ばね部7122と、力検出部7125とを有する。ばね部7122の一端は基板に固定されており、他端は錘部7121に接続されている。錘部7121は、ばね部7122により支持されている。力検出部7125に力Fが加えられると、ばね部7122は変形し、錘部7121は固定部711に対して相対的に変位する。錘部7121は、可動電極7123および可動電極7124を有する。固定部711は、より詳細には、固定電極7111および固定電極7112を有する。固定電極7111および固定電極7112は、それぞれ、可動電極7123および可動電極7124に対向しており、センシング容量Csを形成している。なお図17の力検出素子71はシングルエンドの構成を有しているが、図1の加速度検出素子11と同様に差動型の構成を有していてもよい。5-5.変形例5図18は、変形例5に係る圧力検出素子72の構成を示す図である。図18Aは圧力検出素子72の上面図を、図18Bは圧力検出素子72のA-A断面図を示している。圧力検出素子72は物理量検出素子の一例であり、物理量として圧力を検出する。圧力検出素子72は、ダイアフラム721と、基部722とを有する。ダイアフラム721および基部722により、密閉された空間723が形成されている。ダイアフラム721は、外部の圧力に応じて変形する。空間723において、ダイアフラム721には可動電極724が、基部722のうちダイアフラム721と対向する面底面には固定電極725が、それぞれ設けられている。可動電極724および固定電極725は、センシング容量Csを形成している。外部の圧力変化によりダイアフラム721が変形すると、可動電極724が固定電極725に対して相対的に変位し、静電容量が変化する。5-6.変形例6物理量検出素子が検出する物理量は、角速度であってもよい。すなわち、物理量検出素子はジャイロセンサーであってもよい。ジャイロセンサーの構造は、例えば図1に例示した加速度センサーの構造と同様である。ジャイロセンサーの場合、固定部111および可動部112は、x軸方向に振動させられる。振動した状態で、ジャイロセンサーがz軸の回りで回転すると、y軸方向にコリオリ力が働く。コリオリ力により錘部1121が変位し、センシング容量Csの静電容量が変化する。5-7.他の変形例図19は、上記の物理量検出装置10を用いた電子機器1000の構成を示す図である。電子機器1000は、例えば、携帯電話機、ゲーム機、デジタルカメラ、カーナビゲーション装置、自動車、またはロボットである。電子機器1000は、物理量検出装置10と、制御装置1010とを有する。制御装置1010は、CPUCentralProcessingUnitおよびメモリーを有するコンピューターである。制御装置1010は、物理量検出装置10から出力される信号を用いて、他の構成要素を制御する。