"両面研削装置の回転する上下両定盤の研削面間にキャリアで保持された矩形状の基板を挟持し、前記基板の両主表面を研削する研削工程を備えるマスクブランク用基板の製造方法であって、前記キャリアは、1枚の基板を保持する基板保持部を備える内側キャリアと、前記内側キャリアを回動自在に保持するキャリア保持部を複数有する外側キャリアとからなり、前記研削工程は、前記外側キャリアを前記定盤の回転軸を中心に公転かつ自転させ、前記基板の両主表面の一部領域が前記定盤の外周端部よりも外周側を通過させて前記基板の両主表面を研削するものであることを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。前記一部領域は、少なくとも前記基板の端面に内接する円の内側の主表面の領域を含むが、当該基板の回転中心近傍の主表面の領域を含まないことを特徴とする請求項1記載のマスクブランク用基板の製造方法。前記キャリア保持部は真円状の開口であることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。前記複数のキャリア保持部は、前記外側キャリアの自転軸からの距離が等しい位置にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。前記外側キャリアは外周に歯車が設けられており、前記両面研削装置は、前記定盤の中心部に、当該定盤の回転軸と同心の回転軸で回転する太陽歯車を備えられ、前記定盤の外周に、リング状で内側に歯車を有し、当該定盤の回転軸と同心の回転軸で回転する内歯歯車を備えられており、前記太陽歯車と前記内歯歯車が前記外側キャリアの歯車と噛み合うことによって当該外側キャリアを公転および自転させることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。前記上下両定盤の研削面は、砥粒が固定された固定砥粒部を備えることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。前記研削工程後に、前記基板の主表面の研磨を行う研磨工程を有することを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。請求項7に記載のマスクブランク用基板の製造方法で製造したマスクブランク用基板の主表面上に、転写パターン形成用の薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。請求項8に記載のマスクブランクの製造方法で製造したマスクブランクにおける前記薄膜をパターニングして転写パターンを形成することを特徴とする転写用マスクの製造方法。請求項7に記載のマスクブランク用基板の製造方法で製造したマスクブランク用基板の主表面上に、多層反射膜と吸収体膜をこの順に形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。請求項10に記載の反射型マスクブランクの製造方法で製造した反射型マスクブランクにおける前記吸収体膜をパターニングして吸収体パターンを形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。上記の特許文献1に開示された遊星歯車機構を利用した研削工程では、単体構成のキャリアいわゆるシングルキャリアにガラス基板が直接固定される。さらに詳しくは、シングルキャリアの回転軸を中心にして複数の透孔部基板保持部が配置されており、その透孔部に円板状のガラス基板が保持される。このとき、ガラス基板は、ディスク状記録媒体用基板として用いられる円板状のものなので、シングルキャリアに保持された状態であっても透孔部内で自転し得る。しかしながら、例えばマスクブランク用基板として用いられるガラス基板については、平面形状が矩形状であり角部を有するので、シングルキャリアに保持された状態では透孔部内で自転することはできない。そのため、ガラス基板の主表面の一部を定盤の外周縁よりも外側にオーバーハングさせた場合には、キャリア外周側に位置するガラス基板の主表面部分だけがオーバーハングすることになる。つまり、オーバーハングするガラス基板の部分が固定的になってしまう。オーバーハング部分が固定的になってしまうと、そのオーバーハング部分はガラス基板の他部分に比べて研削量が少なくなるため、ガラス基板の外周端側における研削量が全周にわたって均一とはならずに、偏った主表面形状になり易いという問題が生じる。マスクブランク用基板として用いられるガラス基板は、その主表面の平坦度の高さ分布が、中心部近傍を頂点とし、外周端側に向かって全周で同程度に低くなっていく対称性の高い凸形状であることが望ましい。ところが、定盤の平坦度低下を回避するためにガラス基板をオーバーハングさせて研削すると、上述した理由により、主表面の中心部近傍を基準とした対称性の高い凸形状、すなわち良好な主表面形状が得られないおそれがある。そこで、本発明は、研削対象となる基板を保持するキャリアをいわゆるダブルキャリアとし、平面形状が矩形状の基板であっても研削工程の実行中に当該基板が自転可能となるようにし、これにより、研削後の基板の主表面形状を良好にし、かつ、当該研削を行う定盤の平坦度低下を抑制できる、マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、反射型マスクブランクの製造方法および反射型マスクの製造方法を提供することを、主たる目的とする。本発明は、上記目的を達成するために案出されたものである。本発明の第1の態様は、両面研削装置の回転する上下両定盤の研削面間にキャリアで保持された矩形状の基板を挟持し、前記基板の両主表面を研削する研削工程を備えるマスクブランク用基板の製造方法であって、前記キャリアは、1枚の基板を保持する基板保持部を備える内側キャリアと、前記内側キャリアを回動自在に保持するキャリア保持部を複数有する外側キャリアとからなり、前記研削工程は、前記外側キャリアを前記定盤の回転軸を中心に公転かつ自転させ、前記基板の両主表面の一部領域が前記定盤の外周端部よりも外周側を通過させて前記基板の両主表面を研削するものであることを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法である。本発明の第2の態様は、第1の態様に記載の発明において、前記一部領域は、少なくとも前記基板の端面に内接する円の内側の主表面の領域を含むが、当該基板の回転中心近傍の主表面の領域を含まないことを特徴とする。本発明の第3の態様は、第1または第2の態様のいずれかに記載の発明において、前記キャリア保持部は真円状の開口であることを特徴とする。本発明の第4の態様は、第1から第3の態様のいずれかに記載の発明において、前記複数のキャリア保持部は、前記外側キャリアの自転軸からの距離が等しい位置にそれぞれ設けられていることを特徴とする。本発明の第5の態様は、第1から第4の態様のいずれかに記載の発明において、前記外側キャリアは外周に歯車が設けられており、前記両面研削装置は、前記定盤の中心部に、当該定盤の回転軸と同心の回転軸で回転する太陽歯車を備えられ、前記定盤の外周に、リング状で内側に歯車を有し、当該定盤の回転軸と同心の回転軸で回転する内歯歯車を備えられており、前記太陽歯車と前記内歯歯車が前記外側キャリアの歯車と噛み合うことによって当該外側キャリアを公転および自転させることを特徴とする。本発明の第6の態様は、第1から第5の態様のいずれかに記載の発明において、前記上下両定盤の研削面は、砥粒が固定された固定砥粒部を備えることを特徴とする。本発明の第7の態様は、第1から第6の態様のいずれかに記載の発明において、前記研削工程後に、前記基板の主表面の研磨を行う研磨工程を有することを特徴とする。本発明の第8の態様は、第7の態様に記載のマスクブランク用基板の製造方法で製造したマスクブランク用基板の主表面上に、転写パターン形成用の薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法である。本発明の第9の態様は、第8の態様に記載のマスクブランクの製造方法で製造したマスクブランクにおける前記薄膜をパターニングして転写パターンを形成することを特徴とする転写用マスクの製造方法である。本発明の第10の態様は、第7の態様に記載のマスクブランク用基板の製造方法で製造したマスクブランク用基板の主表面上に、多層反射膜と吸収体膜をこの順に形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法である。本発明の第11の態様は、第10の態様に記載の反射型マスクブランクの製造方法で製造した反射型マスクブランクにおける前記吸収体膜をパターニングして吸収体パターンを形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法である。本発明によれば、外側キャリアが有するキャリア保持部に内側キャリアが回動自在に保持されるので、矩形状の基板の両主表面の一部領域が定盤の外周端部よりも外周側を通過するようにオーバーハングさせる場合であっても、オーバーハングさせる一部領域が固定的になってしまうのを回避することができ、これにより研削後の基板の主表面形状を良好にし、かつ、当該研削を行う定盤の平坦度低下を抑制することができる。以下、図面に基づき本発明に係るマスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、反射型マスクブランクの製造方法および反射型マスクの製造方法について説明する。<マスクブランク用基板、マスクブランクおよび転写用マスクの構成>先ず、マスクブランク用基板、マスクブランクおよび転写用マスクの基本的な構成について、簡単に説明する。マスクブランク用基板の構成マスクブランク用基板は、マスクブランクの基材となるもので、例えば合成石英ガラスによって透光性を有する板状に形成されたものである。ただし、合成石英ガラスに限定されることはなく、例えば、石英ガラス、CaF2、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、アルミノシリケートガラス、SiO2-TiO2等に代表される低熱膨張ガラスなどを用いて形成することも考えられる。また、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスも適用可能である。また、マスクブランク用基板は、平面形状が矩形状に形成されている。ここで矩形状とは、四つの角が全て等しい四角形状のことをいい、正方形状のみならず長方形状も含まれるものとする。マスクブランクの構成マスクブランクは、マスクブランク用基板の主表面上に薄膜が形成されてなるものである。薄膜としては、所定の光学濃度を有する遮光膜、ハーフトーン型位相シフト膜、所定の透過率だけ露光光を透過する半透過膜などがある。また、これらの薄膜には、Crクロム系材料、MSi遷移金属シリサイドM:遷移金属系材料、Taタンタル系材料等を母材とした単層膜または多層膜が用いられる。前記Crクロム系材料としては、Crのほか、CrN、CrO、CrCN、CrC、CrOC、CrCN、CrOCNなどが挙げられる。遷移金属シリサイド系材料M:遷移金属としては、MSiのほか、MSiN、MSiO、MSiCN、MSiC、MSiOC、MSiCN、MSiOCNなどが挙げられる。この遷移金属Mとしては、モリブデンMo、タンタルTa、クロムCr、タングステンW、チタンTi、ジルコニウムZr、ハフニウムHf、バナジウムV、ニオブNb、ニッケルNi、パラジウムPb、鉄Fe、ルテニウムRu、ロジウムRh、イリジウムIr、プラチナPt、亜鉛Zn、金Au、銀Agの何れか一つ又は二つ以上の合金等が挙げられる。また、タンタル系材料としては、Taのほか、TaN、TaO、TaON、TaBN、TaBO、TaBON、TaC、TaCN、TaCO、TaCONなどが挙げられる。なお、マスクブランクは、薄膜上にレジスト膜を塗布してなるものであってもよい。転写用マスクの構成転写用マスクは、例えば半導体装置の製造工程におけるリソグラフィ工程にて微細パターンを形成するための原版として用いられるもので、マスクブランクにおける薄膜を例えばエッチング加工によりパターニングして形成されたものである。<マスクブランク用基板、マスクブランクおよび転写用マスクの製造方法の概要>続いて、上述した構成のマスクブランク用基板、マスクブランクおよび転写用マスクの製造方法について、その概要を説明する。図1は、本発明の一実施形態におけるマスクブランク用基板、マスクブランクおよび転写用マスクの製造方法の概要を示すフロー図である。マスクブランク用基板の製造方法マスクブランク用基板の製造方法は、少なくとも、形状加工工程ステップ101、以下ステップをSと略す。と、研削工程S102と、研磨工程S103と、洗浄工程S104と、を備えて構成される。すなわち、これらの各工程S101~S104を経ることで、マスクブランク用基板が製造されることになる。マスクブランクの製造方法マスクブランクの製造方法は、上述したマスクブランク用基板の製造方法を構成する各工程S101~S104に加えて、少なくとも成膜工程S105を備えて構成される。すなわち、各工程S101~S104を経て得られるマスクブランク用基板に対して、成膜工程S105を行うことで、マスクブランクが製造されることになる。転写用マスクの製造方法転写用マスクの製造方法は、上述したマスクブランクの製造方法を構成する各工程S101~S105に加えて、少なくともパターニング工程S106を備えて構成される。すなわち、各工程S101~S105を経て得られるマスクブランクに対して、パターニング工程S106を行うことで、転写用マスクが製造されることになる。各工程の説明以下、上述した製造方法を構成する各工程S101~S106について、順に簡単に説明する。形状加工工程S101では、マスクブランク用基板の基になる矩形状の基板以下矩形状基板という。を形成する。矩形状基板の形成は、例えば形成材料が合成石英ガラスの場合であれば、VAD法や直接法で製造した合成石英ガラスインゴットから基板の形状に切り出すといったように、公知の手法を用いて行えばよい。このときの、基板の形状としては、例えば、約152mm×約152mm×約6.5mmである。研削工程S102では、形状加工工程S101で形成した矩形状基板について、その外形形状を整えるとともに、両主表面に対する研削ラッピング加工を行う。両主表面の研削加工は、詳細を後述する両面研削装置を用いて行う。この研削工程S102を経ることで、矩形状基板は、その形状特に板厚について所定寸法精度を得つつ、両主表面が平坦面に仕上げられる。この研削工程は、1段階あるいは複数段階行われる。この研削工程後の基板の形状としては、たとえば、約152mm×約152mm×約6.40mmである。研磨工程S103では、研削工程S102を経た後の矩形状基板について、両主表面に対する研磨ポリッシュ加工を行う。この研磨工程S103を経ることで、矩形状基板は、両主表面が平滑面例えば鏡面のように微視的にみても平らな面に仕上げられる。この研磨工程後の基板の形状としては、たとえば、約152mm×約152mm×約6.35mmである。なお、このときの主表面の平坦度は、主表面の中心を基準とした132mm角内の領域で0.3μm以下であることが望ましい。また、主表面の表面粗さは、二乗平均平方根粗さRqで0.25nm以下であることが望ましい。洗浄工程S104においては、研磨工程S103を経た後の矩形状基板を洗浄し、当該矩形状基板に付着する汚れや異物等を除去する。矩形状基板に対する洗浄は、例えば、フッ酸や珪フッ酸に浸漬させて固着した研磨剤を除去した後、純水等の所定洗浄液に浸漬するといったように、公知の手法を用いて行えばよい。成膜工程S105では、形状加工工程から洗浄工程までの各工程S101~S104を経た後の矩形状基板、すなわちマスクブランク用基板に対して、その主表面上への薄膜の形成を行う。薄膜の形成は、例えばスパッタリング法を用いて成膜するといったように、公知の手法を用いて行えばよい。また、成膜工程S105では、薄膜の形成に加え、当該薄膜上にレジスト膜を塗布することも考えられる。レジスト膜の塗布についても、公知の手法を用いて行えばよい。パターニング工程S106では、成膜工程S105を経た後のマスクブランク用基板、すなわちマスクブランクそのものに対して、当該マスクブランクにおける薄膜をパターニングして、微細パターンの原版となる転写パターンを形成する。薄膜のパターニングは、例えば薄膜上に塗布されたレジスト膜を利用してエッチング加工を行うといったように、公知の手法を用いて行えばよい。<研削工程S102>次に、本実施形態における特徴的な工程である研削工程S102について、具体例を挙げて詳細に説明する。研削工程S102では、矩形状基板の両主表面に対する研削加工を、両面研削装置を用いて行う。両面研削装置の構成ここで、両面研削装置の構成例について説明する。図2は、本発明の一実施形態にて用いる両面研削装置の構成例を示す斜視図である。図3は、図2に示した両面研削装置の要部の構成例を示す平面図である。両面研削装置は、遊星歯車機構を利用して、矩形状基板の両主表面に対して、上下から同時に研削を行うように構成されている。上下からの同時研削を行うために、両面研削装置は、図2に示すように、上下一対の定盤3,4を備えている。これら定盤3,4は、それぞれの互いに対向する平面が研削機能を有して構成されている。研削機能を有した平面以下研削面という。は、砥粒が固定された固定砥粒部を備えることによって実現すればよい。具体的には、例えば、研削面の形成材料として、球状黒鉛を含有する材料やダイヤモンド砥粒を含有する材料等を用いることによって、固定砥粒部としての機能すなわち研削機能を実現することが考えられる。ただし、必ずしも固定砥粒部による研削機能の実現に限定されることはなく、例えば、定盤3,4の平面に複数の溝9を格子状に形成してこれを研削面とし、その溝9にアルミナ砥粒等を含有する研削液を供給することによって、流動的に研削機能を実現することも考えられる。固定砥粒部としては、多数の砥粒を適当な結合剤ボンドでペレット状あるいはシート状に固定したものが好ましい。固定砥粒部に固定される砥粒粒子としては、ダイヤモンド、CBN立方晶窒化ホウ素、炭化ケイ素、アルミナなどがあげられる。特にダイヤモンドが好適である。ダイヤモンド粒子を含む固定砥粒部としては、ダイヤモンドペレットやダイヤモンドシートなどが適用できる。ダイヤモンドペレットは、ダイヤモンド砥粒粒子を、樹脂レジンボンド、金属メタルボンド、粘土質結合剤ビトリファイドボンドで固結したものであり、薄い円盤状の固結体である。このダイヤモンドペレットは、定盤3、4の平面に接着剤等で貼り付けられ、固定砥粒部を形成する。一方、ダイヤモンドシートは、ダイヤモンド砥粒粒子を樹脂レジンボンドで固めてシート状にしたものである。ダイヤモンドペレットやダイヤモンドシートの場合、ダイヤモンド砥粒粒子の粒度は、1000~4000程度が好ましく、3000程度例えば、2900~3100がより好ましい。特にレジンボンドで砥粒粒子を固定した固定砥粒部を適用する場合においては、遊離砥粒を含む研削液を定盤の表面に供給することが望ましい。遊離砥粒が供給されない状態で、ガラス基板の主表面を研削し続けた場合、固定砥粒部の研削面にレジンボンドが固着して砥粒粒子が露出しなくなる目つぶれの現象を引き起こすことがあるためである。遊離砥粒としては、アルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素などの砥粒があげられる。特に、アルミナが好ましい。これら定盤3,4の間には、これらの中心軸以下回転軸ともいう。と同心となる位置に回転可能に配された太陽歯車11と、太陽歯車11の外周側にて当該太陽歯車11と同心で回転可能に配された内歯歯車12とが設けられている。さらに、太陽歯車11の外周側で、かつ、内歯歯車12の内周側となる位置には、外側キャリア13が設けられている。この外側キャリア13は、その外周部に、太陽歯車11および内歯歯車12に噛合する歯車部14を有している。したがって、太陽歯車11および内歯歯車12の両方、または、いずれか一方を回転駆動すると、外側キャリア13は、定盤3,4の回転軸を中心にして、公転かつ自転することになる。また、外側キャリア13には、図3に示すように、真円状の開口であるキャリア保持部15が複数設けられている。これら複数のキャリア保持部15は、外側キャリア13の自転軸からの距離が等しい位置に、それぞれが設けられている。なお、図例では、三つのキャリア保持部15が存在している場合を示しているが、その数については特に限定されるものではない。外側キャリア13における各キャリア保持部15内には、それぞれに内側キャリア16が保持されている。内側キャリア16は、その外形がキャリア保持部15と同様に真円状に設けられている。また、内側キャリア16は、回動自在に保持される程度にキャリア保持部15の内径よりも小さな外径を有している。キャリア保持部15と内側キャリア16との間の隙間は、大きくなり過ぎると内側キャリア16がキャリア保持部で揺動してしまう。揺動すると、オーバーハングしたときの矩形状基板20の主表面形状に悪影響を与える恐れがあるので、キャリア保持部15の内径は、内側キャリア16が揺動しない程度で、かつ回動自在に保持される程度となるように設定することが望ましい。また、各内側キャリア16には、矩形状の開口である基板保持部17が一つ設けられている。この基板保持部17内には、研削工程の処理対象となる矩形状基板20が保持されることになる。矩形状基板20が保持される基板保持部17の中心位置は、内側キャリア16の回動中心と一致させることが考えられる。ただし、一致させることは必須ではなく、オフセット配置させても構わない。内側キャリア16は、矩形状基板20よりもやや薄い円板状に形成されている。さらには、外側キャリア13についても、同様の厚さで形成されている。したがって、上下一対の定盤3,4が矩形状基板20を挟持すると、当該矩形状基板20は、両主表面が各定盤3,4によって保持されるとともに、周縁部が内側キャリア16における基板保持部17の内縁部に保持された状態となる。そして、その状態において、外側キャリア13および内側キャリア16が、上下一対の定盤3,4の各研削面に接触してしまうことはない。以上のように、本実施形態において用いる両面研削装置は、矩形状基板20を保持するためのキャリアが、外側キャリア13と内側キャリア16とから構成されている。つまり、単体構成のシングルキャリアではなく、外側キャリア13と内側キャリア16とからなるダブルキャリア構造によって、矩形状基板20を保持するようになっている。そして、これら太陽歯車11、内歯歯車12、および、外側キャリア13と内側キャリア16のダブルキャリア構造によって、両面研削装置における遊星歯車機構が構成されている。両面研削装置における処理動作続いて、以上のように構成された両面研削装置における処理動作、すなわち当該両面研削装置を用いて行う研削工程の詳細について説明する。図4は、図2に示した両面研削装置におけるオーバーハング回転の具体例を示す側断面図である。両面研削装置は、上下両定盤3,4の間に矩形状基板20が挟持された状態で、これらの相対位置を移動させる。相対位置の移動は、太陽歯車11および内歯歯車12の両方、または、いずれか一方を回転駆動して、外側キャリア13を公転かつ自転させることで行う。このとき、太陽歯車11、内歯歯車12等の回転駆動に合わせて、定盤3,4の両方、または、いずれか一方についても、回転駆動することが好ましい。このようにして定盤3,4に対する矩形状基板20の相対位置を移動させることで、矩形状基板20の両主表面に対して上下から同時に研削を行う。ところで、矩形状基板20に対する研削にあたっては、既に説明したように、各定盤3,4の研削面における平坦度低下を抑制する必要がある。このことから、本実施形態における両面研削装置においても、図4に示すように、定盤3,4に対する矩形状基板20の相対移動の過程にて、当該矩形状基板20の一部領域が上下両定盤3,4の外縁部よりも外周側を通過するオーバーハング回転を行うようにする図中におけるA部参照。その一方で、本実施形態で用いる両面研削装置は、上述したように、外側キャリア13と内側キャリア16とからなるダブルキャリア構造を有している。すなわち、矩形状基板20を保持するためのキャリアが、1枚の矩形状基板20を保持し外周に歯車を有さない円形状の内側キャリア16と、その内側キャリア16を回動自在に保持し太陽歯車11と内歯歯車12とのそれぞれに噛み合う歯車部14を外周に有する外側キャリア13と、に分割されている。このような構成とすることにより、矩形状基板20は、研削工程中に自転可能となる。詳しくは、矩形状基板20の主表面と定盤3,4の摺動面との間には摩擦力が働いていること、および、外側キャリア13が自転および公転する際に矩形状基板20の端面を押す力が働くことから、当該矩形状基板20には回転力が生じる。したがって、矩形状基板20を保持する内側キャリア16が外側キャリア13に対して回動自在に保持されていると、当該矩形状基板20に生じる回転力によって、内側キャリア16すなわち矩形状基板20が外側キャリア13のキャリア保持部15内で自転するのである。そのため、ダブルキャリア構造を採用すれば、定盤3,4に対する矩形状基板20の相対移動の過程でオーバーハング回転を行う場合であっても、研削開始前の時点で外側キャリア13の外周側にある矩形状基板20の主表面が、研削開始後も常に外側キャリア13の外周側に位置したままとなることはない。つまり、ダブルキャリア構造により矩形状基板20を自転可能にすることで、当該矩形状基板20におけるオーバーハング部分が固定的になってしまうことがない。以上のようなダブルキャリア構造によるオーバーハング回転を行えば、上下両定盤3,4の研削面における平坦度低下を抑制することができる。しかも、その場合であっても、矩形状基板20のオーバーハング部分が固定的にはならないので、オーバーハング部分が固定的である従来構成の場合に比べて、当該矩形状基板20における主表面上の総研削量のばらつきを抑制することができる。これにより、偏った主表面形状の矩形状基板20の発生率を低減することができ、例えば主表面の中心部近傍を基準とした対称性の高い主表面形状が得られるようになる。つまり、定盤3,4の平坦度低下を抑制し、かつ、研削後の矩形状基板20の主表面形状を良好にすることができる。オーバーハング回転を行う場合の基板突出量オーバーハング回転を行う場合における定盤3,4の外縁部からの矩形状基板20の突出量以下、オーバーハング量という。は、外側キャリア13および内側キャリア16の回転軸と定盤3,4との位置関係によって定まる。つまり、これらの位置関係を適宜設定することで、所望のオーバーハング量が得られるようになる。ただし、矩形状基板20については、オーバーハング量を定めるのにあたり、以下に述べる点を考慮する必要がある。矩形状基板20は、平面形状が矩形状のため、それよりも多角形五角形以上の場合、特に円形に比べると、オーバーハングさせたときに主表面の平坦度が悪化し易い。平面形状が矩形状の場合、多角形五角形以上の場合に比べて、基板中心から近い端面辺と基板中心から遠い角部頂点との距離差が大きく、研削レートの差が生じ易いからである。また、平面形状が矩形状の場合は、オーバーハング量についても、多角形の場合よりも多くなる。オーバーハング量が少なすぎると、角部のみがオーバーハングするようになってしまい、角部が盛り上がってしまうおそれが生じる。さらに、角部のみのオーバーハングでは、定盤3,4の外周縁に接触する矩形状基板20の主表面の面積が小さく、当該定盤3,4の平坦度低下の抑制効果が得られ難くなる。これらのことを考慮して、本実施形態における研削工程では、オーバーハング量を、以下に述べるように設定する。図5は、図2に示した両面研削装置でのオーバーハング量に関する具体例を示す平面図である。具体的には、図5に示すように、矩形状基板20の端面に内接する円21の内側の領域までオーバーハングさせることにしている。他方、矩形状基板20を自転させる際の回転中心当該矩形状基板20の重心に相当22までオーバーハングさせてしまうと、当該矩形状基板20を挟持する安定性が低下し、オーバーハング軌道時に当該矩形状基板20がガタ付き易く、当該矩形状基板20の主表面が定盤3,4の外周端部で傷つけられるおそれが生じる。また、矩形状基板20の回転軸が浮いてしまうと、オーバーハング時に当該矩形状基板20が自転しなくなるおそれもある。そこで、定盤3,4の外周端部よりも外周側を通過させる矩形状基板20の両主表面の一部領域については、少なくとも当該矩形状基板20の端面に内接する円21の内側の主表面上の領域を含むが、当該矩形状基板20の回転中心22近傍の主表面上の領域23を含まないようにする。ここで、回転中心22の近傍領域23の大きさは、矩形状基板20のガタ付き等が発生しない領域範囲の大きさに相当し、当該矩形状基板20の外形寸法、重心位置に対する重量バランス、オーバーハング実験を通じて得られる経験則等に基づいて設定されるものとする。152mm角の矩形状基板20の両主表面を研削する場合においては、例えば、矩形状基板20の縁部から少なくとも2mmの領域はオーバーハングするようにすることが好ましく、5mm以上の領域をオーバーハングするようにするとより望ましい。また、矩形状基板20の回転中心22から少なくとも25mm以内の近傍領域23は、オーバーハングさせないようにすることが好ましく、30mm以内の近傍領域23をオーバーハングさせないようにするとより望ましい。<研磨工程S103>次に、研削工程S102の後に行う研磨工程S103について説明する。研磨工程S103では、微粒子研磨剤例えば粒径が数μm~数百nm程度を使用して、矩形状基板20の両主表面に対する研磨加工を行う。この点で、比較的粗い砥粒例えば粒径10μm以上を使用する研削工程S102とは異なる。通常、研磨工程は、研磨剤の粒径を段階的に小さくしていく複数段階の研磨工程で行われことが多い。マスクブランク用基板を製造する場合の研磨工程では、例えば、粗研磨工程、精密研磨工程、超精密研磨工程の3段階の研磨工程の組み合わせが挙げられる。粗研磨工程は、平均粒径2~3μmの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用い、定盤にウレタンタイプの研磨パッドを貼り付けた研磨面で矩形状基板20の両主表面を研磨を行うものである。精密研磨工程は、平均粒径1μmの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用い、定盤にスウェードタイプの研磨パッドを貼り付けた研磨面で矩形状基板20の両主表面を研磨を行うものである。超精密研磨工程は、平均粒径100nmのコロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用い、定盤にスウェードタイプの研磨パッドを貼り付けた研磨面で矩形状基板20の両主表面を研磨を行うものである。研磨工程S103においても、研削工程S102の場合と同様に、遊星歯車機構を利用しつつ、矩形状基板20の両主表面に対して、上下から同時に研磨を行うようにする。ただし、遊星歯車機構を利用する場合であっても、研削工程S102の場合とは異なり、以下に述べる理由により、オーバーハング回転は行わない。研磨工程S103では、研磨パッドを介して研磨加工を行うことが一般的であるため、研削工程S102における定盤3,4の平坦度低下のような問題は生じない。研磨パッドの平坦度が低下しても容易に交換し得るからである。また、研磨工程S103では、矩形状基板20の主表面に求められる平坦度のレベルが、研削工程S102の場合に比べて非常に高くなる。そのため、オーバーハング回転を行うと、研磨工程S103のレベルでは許容されない基板主表面の平坦度低下が生じるおそれがある。つまり、研磨工程S103でオーバーハング回転させることは、プラスに作用することは少なく、マイナスに作用することが多い。したがって、研磨工程S103では、研削工程S102の場合とは異なりオーバーハング回転を行わないのである。なお、研磨工程S103においても、遊星歯車機構を利用する場合には、研削工程S102の場合と同様に、ダブルキャリア構造を採用することが考えられる。ダブルキャリア構造を採用すれば、矩形状基板20の主表面自体の平坦度の向上が図れる。しかしながら、ダブルキャリア構造を採用した場合であっても、これとオーバーハング回転を組み合わせることはしない。上述したようなマイナスに作用する阻害要因が存在するからであり、また研磨工程S103では定盤3,4の平坦度低下を抑制する必要も生じないからである。<本実施形態における効果>本実施形態で説明したように、研削工程S102における定盤3,4と矩形状基板20との相対位置移動の過程にて、当該矩形状基板20の一部領域が上下両定盤3,4の外縁部よりも外周側を通過するオーバーハング回転を行えば、上下両定盤3,4の研削面における平坦度低下を抑制することができる。しかも、その場合であっても、遊星歯車機構がダブルキャリア構造を採用していれば、矩形状基板20のオーバーハング部分が固定的にはならないので、研削後の矩形状基板20における主表面形状を良好にすることができる。また、本実施形態で説明したように、矩形状基板20をオーバーハング回転させる際のオーバーハング量を、少なくとも当該矩形状基板20の端面に内接する円21の内側の主表面上の領域を含むが、当該矩形状基板20の回転中心22近傍の主表面上の領域23を含まないように設定すれば、当該矩形状基板20の主表面の平坦度が悪化するのを抑制でき、定盤3,4の平坦度低下の抑制効果が得られ難くなることもない。さらには、オーバーハング回転時に矩形状基板20がガタ付いたり自転しなくなったりすることも未然に回避できる。また、本実施形態で説明したように、外側キャリア13におけるキャリア保持部15が真円状の開口であれば、内側キャリア16を当該キャリア保持部15内で容易かつ確実に回動させることができるので、矩形状基板20のオーバーハング部分が固定的になるのを確実に回避することができる。また、本実施形態で説明したように、外側キャリア13における各キャリア保持部15が、当該外側キャリア13の自転軸からの距離が等しい位置にそれぞれ設けられていれば、当該外側キャリア13上の全ての矩形状基板20が同様にオーバーハング回転することになり、それぞれにおけるオーバーハング量も均等になる。したがって、複数の矩形状基板20の同時処理による効率向上を図りつつ、研削後の各矩形状基板20における主表面形状の良好化および当該研削を行う定盤3,4の平坦度低下抑制が確実に図れるようになる。また、本実施形態で説明したように、太陽歯車11と内歯歯車12が外側キャリア13の歯車部14とが噛み合うことによって当該外側キャリア13を公転および自転させる構成の遊星歯車機構について、当該外側キャリア13に加えて内側キャリア16を備えるダブルキャリア構造を採用すれば、当該外側キャリア13が複雑な軌跡を描く場合であっても、内側キャリア16の自転によって、当該内側キャリア16に保持される矩形状基板20における主表面上の総研削量のばらつきを抑制することができる。つまり、外側キャリア13が公転しながら自転する遊星歯車機構にダブルキャリア構造を適用すれば、平坦度の低い矩形状基板20の発生率を低減する上で非常に有効なものとなる。また、本実施形態で説明したように、上下両定盤3,4の研削面が固定砥粒部を備えている場合、定盤3,4の平坦度低下は研削面における研削機能が部分的に損なわれることに繋がるため、大きな問題となり得る。その場合であっても、ダブルキャリア構造とオーバーハング回転を組み合わせて採用すれば、定盤3,4の研削面における研削機能が部分的に損なわれるのを抑制し得るため、平坦度の低い矩形状基板20の発生率を低減する上で非常に有効である。<他の実施形態>本実施形態では、透光性を有するマスクブランク用基板上に、遮光性を有する薄膜が形成されてマスクブランクが構成されており、さらにそのマスクブランクにおける薄膜がパターニングされて転写用マスクが構成されている場合を例に挙げたが、本発明はこれらに限定されるものではなく、矩形状の基板の両主表面を研削する研削工程を経て製造されるものであれば適用可能である。具体的には、例えば、EUVExtremeUltraViolet光を用いたリソグラフィ工程を用いられる反射型マスク、当該反射型マスクを構成するマスクブランク、当該マスクブランクの基材となるマスクブランク用基板等に、本発明を適用することが考えられる。さらには、例えば、薄膜に加えて基板自体にもパターニングがされた位相シフトマスクについても、全く同様に本発明を適用することが考えられる。本発明のマスクブランク用基板の製造方法で製造したマスクブランク用基板を用いて、前記の反射型マスクブランクを製造する場合、基板上に多層反射膜と吸収体膜をこの順に積層する成膜工程を行う。多層反射膜は、EUV光等の露光光を高反射率で反射する特性を有する膜であり、低屈折率材料からなる低屈折率層と高屈折率材料からなる高屈折率層を1周期とし、これを複数周期積層した多層膜である。露光光の波長によって、最適な材料や膜厚は変わるが、波長13~14nmのEUV光の場合では、低屈折率層にはSiが最適であり、高屈折率層にはMoが最適である。また、多層反射膜の周期数としては、20~60周期が好適である。吸収体膜は、露光光を高い吸収率で吸収する機能を有する材料からなるものであり、前記のタンタル系材料が好ましく使用されている。なお、反射型マスクブランクには、これらの膜のほかに、多層反射膜と吸収体膜の間に、ルテニウム金属やルテニウム合金RuNb、RuZr、RuMo、RuY、RuB、RuLa等のルテニウム系材料からなる保護層や、前記のクロム系材料からなるバッファ層を設ける場合がある。一方、多層反射膜等が形成されている側とは反対側の基板主表面に、導電性を有する材料からなる導電膜を形成する場合もある。反射型マスクブランクに用いるマスクブランク用基板の材料としては、低熱膨張ガラスや結晶化ガラスが特に好ましい。前記の反射型マスクブランクを用いて、反射型マスクを作製することができる。反射型マスクブランクの吸収体膜上に、転写パターンを有するレジストパターンを形成し、これをマスクとして、吸収体膜をドライエッチングでパターニングして、吸収体パターンを形成することによって、反射型マスクが得られる。なお、反射型マスクブランクに、クロム系材料のバッファ層が設けられている場合においては、吸収体膜をパターニング後、バッファ層もドライエッチングでパターニングする必要がある。ルテニウム系材料の保護層は、EUV露光光に対する透過率が高いため、パターニングする必要は特にない。以上のように、本発明は、上述した実施形態の内容に限定されることはなく、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。"