"第1基板と、透光性の第2基板と、前記第1基板と前記第2基板とにより挟持された液晶層と、前記第1基板と前記液晶層との間に設けられた光反射性の画素電極と、前記第2基板と前記液晶層との間に設けられた透光性の平坦化層と、前記平坦化層と前記液晶層との間に設けられ、前記平坦化層よりも屈折率が大きい第1透光性膜と、前記第1透光性膜と前記液晶層との間に設けられ、前記第1透光性膜よりも屈折率が小さい第2透光性膜と、前記第2透光性膜と前記液晶層との間に設けられ、前記第2透光性膜よりも屈折率が大きい導電性の第3透光性膜と、を含むことを特徴とする液晶装置。透光性の第1基板と、透光性の第2基板と、前記第1基板と前記第2基板とにより挟持された液晶層と、前記第1基板と前記液晶層との間に設けられた透光性の画素電極と、前記第2基板と前記液晶層との間に設けられた透光性の平坦化層と、前記平坦化層と前記液晶層との間に設けられ、前記平坦化層よりも屈折率が大きい第1透光性膜と、前記第1透光性膜と前記液晶層との間に設けられ、前記第1透光性膜よりも屈折率が小さい第2透光性膜と、前記第2透光性膜と前記液晶層との間に設けられ、前記第2透光性膜よりも屈折率が大きい導電性の第3透光性膜と、を含むことを特徴とする液晶装置。前記平坦化層は、前記第2基板とほぼ同等な屈折率を有し、BボロンおよびPリンのうち少なくとも一方を含むシリコン酸化物からなることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶装置。前記第1透光性膜は導電性を有し、前記第2透光性膜が絶縁性を有し、前記第3透光性膜が共通電極として機能し、前記第2透光性膜には前記第1透光性膜と前記第3透光性膜とを電気的に接続させるコンタクト部が形成されていないことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の液晶装置。前記第1基板の端部と前記画素電極が配列した画素領域との間に設けられた駆動回路と、前記駆動回路と平面視で重なる位置において前記第2基板と前記平坦化層との間に設けられた遮光部と、を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の液晶装置。請求項1乃至5のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。上記特許文献1の反射型液晶表示素子では、上記反射防止膜を構成する第1および第3の透明膜をITO膜を用いて形成し、第2の透明膜を酸化シリコンを用いて形成する場合、光の中心波長を500nmとすると、ITO膜の膜厚を約17nmとし、酸化シリコンの膜厚を約48nmとすることが示されている。いずれも一般的な電極膜や絶縁膜として取り扱う際の膜厚である100nmよりも小さい値となっている。したがって、これらの透明膜を基板上に形成する際に、基板表面に凹凸があると、凹凸部分で上記透明膜の積層構造すなわち光反射防止構造が損なわれたり変形したりして、ねらいとする光の反射防止機能が得られないおそれがある。基板表面に生ずる凹凸としては、例えば金属やその合金などを成膜してパターニングすることにより形成される位置合わせのためのマーク類や、画素を区画する遮光部ブラックマトリックス;BMなどを挙げることができる。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例に係る液晶装置は、第1基板と、透光性の第2基板と、前記第1基板と前記第2基板とにより挟持された液晶層と、前記第1基板と前記液晶層との間に設けられた光反射性の画素電極と、前記第2基板と前記液晶層との間に設けられた透光性の平坦化層と、前記平坦化層と前記液晶層との間に設けられ、前記平坦化層よりも屈折率が大きい第1透光性膜と、前記第1透光性膜と前記液晶層との間に設けられ、前記第1透光性膜よりも屈折率が小さい第2透光性膜と、前記第2透光性膜と前記液晶層との間に設けられ、前記第2透光性膜よりも屈折率が大きい導電性の第3透光性膜と、を含むことを特徴とする。この構成によれば、第2基板から入射した光は液晶層を透過した後に画素電極によって反射され、再び液晶層を透過して第2基板側から射出される。第2基板に光反射防止構造が形成されているので、第2基板を入射光や反射光が透過する際にその強度が減衰せずに済む。また、第2基板の平坦化層上に光反射防止構造が形成されているので、第2基板の液晶層側の表面における凹凸の影響を受けない光反射防止構造が得られる。すなわち、明るい表示が可能な反射型の液晶装置を提供できる。[適用例2]本適用例に係る他の液晶装置は、透光性の第1基板と、透光性の第2基板と、前記第1基板と前記第2基板とにより挟持された液晶層と、前記第1基板と前記液晶層との間に設けられた透光性の画素電極と、前記第2基板と前記液晶層との間に設けられた透光性の平坦化層と、前記平坦化層と前記液晶層との間に設けられ、前記平坦化層よりも屈折率が大きい第1透光性膜と、前記第1透光性膜と前記液晶層との間に設けられ、前記第1透光性膜よりも屈折率が小さい第2透光性膜と、前記第2透光性膜と前記液晶層との間に設けられ、前記第2透光性膜よりも屈折率が大きい導電性の第3透光性膜と、を含むことを特徴とする。この構成によれば、例えば第2基板から入射した光は液晶層と画素電極とを透過した後に第1基板側から射出される。第2基板に光反射防止構造が形成されているので、第2基板を入射光が透過する際にその強度が減衰せずに済む。また、第2基板の平坦化層上に光反射防止構造が形成されているので、第2基板の液晶層側の表面における凹凸の影響を受けない光反射防止構造が得られる。すなわち、明るい表示が可能な透過型の液晶装置を提供できる。[適用例3]上記適用例に記載の液晶装置において、前記平坦化層は、前記第2基板とほぼ同等な屈折率を有し、BボロンおよびPリンのうち少なくとも一方を含むシリコン酸化物からなることを特徴とする。この構成によれば、吸湿性を有する平坦化層を構築できることから、明るい表示が可能であると共に耐湿性において高い信頼性を有する液晶装置を提供できる。[適用例4]上記適用例に記載の液晶装置において、前記第1透光性膜は導電性を有し、前記第2透光性膜が絶縁性を有し、前記第3透光性膜が共通電極として機能し、前記第2透光性膜には前記第1透光性膜と前記第3透光性膜とを電気的に接続させるコンタクト部が形成されていないことが好ましい。この構成によれば、光反射防止構造にコンタクト部が形成されていないので、コンタクト部から表示に影響を与える水分やガスが浸入して平坦化層に吸蔵されることを防ぎ、より高い信頼性を実現できる。[適用例5]上記適用例に記載の液晶装置において、前記第1基板の端部と前記画素電極が配列した画素領域との間に設けられた駆動回路と、前記駆動回路と平面視で重なる位置において前記第2基板と前記平坦化層との間に設けられた遮光部と、を有することを特徴とする。この構成によれば、明るい表示が可能であると共に第2基板側から入射した光によって駆動回路が誤動作することを防ぐことが可能な液晶装置を提供できる。[適用例6]本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、明るい表示が可能な液晶装置を備えているので、見栄えのよい電子機器を提供することができる。以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。第1実施形態本実施形態では、薄膜トランジスターを画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置液晶プロジェクターの光変調素子液晶ライトバルブとして好適に用いることができるものである。<液晶装置>まず、本実施形態の液晶装置について図1~図3を参照して説明する。図1aは液晶装置の構成を示す概略平面図、図1bは図1aのH-H’線で切った液晶装置の構造を示す概略断面図、図2は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図、図3は液晶装置における画素の構造を示す概略断面図である。図1aおよびbに示すように、本実施形態の液晶装置100は、対向配置された第1基板としての素子基板10および第2基板としての対向基板20と、これら一対の基板によって挟持された液晶層50とを有する。素子基板10は、例えば透明な石英基板やガラス基板あるいは不透明なシリコン基板などを用いることができ、対向基板20よりも大きい。また、素子基板10は、対向基板20の外周に沿って切れ目なく配置されたシール材40を介して対向基板20と接合されている。シール材40によって囲まれた領域に負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層50を構成している。本実施形態における一対の基板間への液晶の封入充填は、一対の基板のうちの一方の基板の外周に沿ってシール材40を配置し、配置されたシール材40を土手として、その内側に所定量の液晶を滴下する。そして、減圧下で一方の基板と他方の基板と貼り合わせるODFOneDropFill方式が採用されている。シール材40は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材40には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー図示省略が混入されている。シール材40の内側には、画素領域Eを取り囲むように配置された遮光部としての見切り部21が設けられている。画素領域Eには、マトリックス状に画素Pが複数配置されている。画素領域Eは、表示に寄与する有効な複数の画素Pを囲むように配置された複数のダミー画素を含んでいるとしてもよい。なお、図1では図示省略したが、画素領域Eにおいても複数の画素Pを平面的に区分する遮光部ブラックマトリックス;BMが対向基板20において見切り部21と同層に設けられている。素子基板10の1辺部に沿ったシール材40と該1辺部との間にデータ線駆動回路101が設けられている。また、該1辺部に対向する他の1辺部に沿ったシール材40の内側に検査回路103が設けられている。さらに、該1辺部と直交し互いに対向する他の2辺部に沿ったシール材40の内側に走査線駆動回路102が設けられている。該1辺部と対向する他の1辺部に沿ったシール材40の内側には、2つの走査線駆動回路102を繋ぐ複数の配線105が設けられている。これらデータ線駆動回路101、走査線駆動回路102に繋がる配線は、該1辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子104に接続されている。以降、該1辺部に沿った方向をX方向とし、該1辺部と直交し互いに対向する他の2辺部に沿った方向をY方向として説明する。図1bに示すように、素子基板10の液晶層50側の表面には、画素Pごとに設けられた画素電極15およびスイッチング素子としての薄膜トランジスターThinFilmTransistor;以降、TFTと呼称する30と、信号配線と、複数の画素電極15を覆う絶縁膜図示省略と、配向膜18とが形成されている。画素電極15は、光反射性の例えばAlアルミニウムやAg銀またはこれらの金属の合金や酸化物などの化合物を用いて形成することができる。また、TFT30における半導体層に光が入射して光リーク電流が流れ、不適切なスイッチング動作となることを防ぐ遮光構造が採用されている。対向基板20は、透明な例えば石英基板やガラス基板などが用いられており、液晶層50側の表面には、見切り部21と、見切り部21を覆う平坦化層22と、少なくとも画素領域Eに亘って平坦化層22を覆うように設けられた共通電極層23と、共通電極層23を覆う絶縁膜図示省略と、配向膜25とが形成されている。見切り部21は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、図1aに示すように平面的に走査線駆動回路102、検査回路103と重なる位置に設けられている。これにより対向基板20側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Eに入射しないように遮蔽して、画素領域Eの表示における高いコントラストを確保している。平坦化層22は、例えば、透光性の無機絶縁材料である酸化シリコンを常圧または減圧CVD法などを用いて形成することができる。対向基板20上に見切り部21が形成されることで生ずる表面の凹凸を緩和可能な程度の膜厚を有している。共通電極層23は、可視光波長範囲に亘って高い透過率言い換えれば、低い反射率で光が対向基板20を透過できるように、屈折率が異なる透光性膜が積層された光反射防止構造が採用されており、詳しくは後述する。共通電極層23は、図1aに示すように対向基板20の四隅に設けられた上下導通部106により素子基板10側の配線に電気的に接続している。素子基板10側の配向膜18および対向基板20側の配向膜25は、液晶装置100の光学設計に基づいて設定されており、本実施形態では、SiOx酸化シリコンなどの無機材料を気相成長法斜め蒸着法や斜めスパッタ法を用いて成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子が配向膜面に対して所定の方向にプレチルトを有して略垂直配向する無機配向膜が採用されている。対向基板20は、シール材40と平面的に重なる部分が一定の深さで形成された凹部20aを有している。凹部20aは対向基板20の見切り部21の外側から基板外周に至って形成されている。平坦化層22、共通電極層23、絶縁膜図示省略、配向膜25は、それぞれ凹部20aにも形成されている。素子基板10と対向基板20とを液晶層50を挟んで対向配置したときの液晶層50の厚みをdとすると、シール材40には、凹部20aの深さを考慮して、液晶層50の厚みdよりも大きな径を有するスペーサー図示省略が含まれている。このような対向基板20の断面構造によれば、液晶層50の厚みdよりも大きな径を有するスペーサーが含まれたシール材40を用いて素子基板10と対向基板20とを対向配置して接着することができるので、液晶層50の厚みばらつきを抑えることができる。図2に示すように、液晶装置100は、少なくとも画素領域Eにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線3aおよび複数のデータ線6aと、走査線3aに対して平行する容量線3bとを有する。なお、容量線3bの配置はこれに限定されず、データ線6aに対して平行するように配置してもよい。走査線3aとデータ線6aとにより区分された領域に、画素電極15と、TFT30と、蓄積容量16とが設けられ、これらが画素Pの画素回路を構成している。走査線3aはTFT30のゲートに電気的に接続され、データ線6aはTFT30のソースに電気的に接続されている。画素電極15はTFT30のドレインに電気的に接続されている。データ線6aはデータ線駆動回路101図1参照に接続されており、データ線駆動回路101から供給される画像信号D1,D2,...,Dnを画素Pに供給する。走査線3aは走査線駆動回路102図1参照に接続されており、走査線駆動回路102から供給される走査信号SC1,SC2,...,SCmを各画素Pに供給する。データ線駆動回路101からデータ線6aに供給される画像信号D1~Dnは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線6a同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路102は、走査線3aに対して、走査信号SC1~SCmを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。液晶装置100は、スイッチング素子であるTFT30が走査信号SC1~SCmの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線6aから供給される画像信号D1~Dnが所定のタイミングで画素電極15に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極15を介して液晶層50に書き込まれた所定レベルの画像信号D1~Dnは、画素電極15と液晶層50を介して対向配置された共通電極層23との間で一定期間保持される。保持された画像信号D1~Dnがリークするのを防止するため、画素電極15と共通電極層23との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量16が接続されている。蓄積容量16は、TFT30のドレインと容量線3bとの間に設けられている。なお、図1aに示した検査回路103には、データ線6aが接続されており、液晶装置100の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置100の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図2の等価回路では省略している。また、検査回路103は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線6aに供給するサンプリング回路、データ線6aに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。このような液晶装置100は反射型であって、画素Pが非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードや、非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側射出側に偏光素子が配置されて用いられる。図3に示すように、素子基板10上には、走査線3aと、走査線3aを覆う第1層間絶縁膜11と、TFT30と、TFT30を覆う第2層間絶縁膜12と、画素電極15と、画素電極15を覆う絶縁膜17と、配向膜18とが順に形成されている。走査線3aは、TFT30の半導体層30aを遮光する遮光膜を兼ねており、例えばAl、Ti、Cr、W、Ta、Moなどの金属のうちの少なくとも1つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができる。TFT30の半導体層30aは、例えばポリシリコンにリンなどの不純物が導入されて形成されたLDDLightDopedDrain構造を有しており、第1層間絶縁膜11上に形成されている。半導体層30aを覆うゲート絶縁膜図示省略を挟んだチャネル領域に対向する位置にゲート電極30gが形成されている。ゲート電極30gと走査線3aとは第1層間絶縁膜11を貫通するコンタクトホール図示省略を介して電気的に接続されている。半導体層30aとゲート電極30gとに少なくとも一部が重なるように例えばAlアルミニウムやその合金などからなるデータ線6aが形成されている。半導体層30aの第1ソースドレイン領域とデータ線6aとが第2層間絶縁膜12に形成されたコンタクトホールCNT1を介して電気的に接続されている。コンタクトホールCNT1を埋めた導電層がソース電極31として機能している。半導体層30aの第2ソースドレイン領域と画素電極15とが第2層間絶縁膜12に形成されたコンタクトホールCNT2を介して電気的に接続されている。コンタクトホールCNT2を埋めた導電層がドレイン電極32として機能している。画素電極15は、前述したように、例えばAlアルミニウムやAg銀またはこれらの金属の合金や酸化物などの化合物を用いて形成され光反射性を有している。画素電極15の膜厚は50nm~100nmである。画素電極15を覆う絶縁膜17は、例えば酸化シリコンからなりスパッタ法やプラズマCVD法などにより形成することができる。絶縁膜17の膜厚はおよそ100nmである。配向膜18は、気相成長法を用いてSiOx酸化シリコンなどの無機材料を成膜することにより形成することができる。配向膜18の膜厚はおよそ75nmである。素子基板10に対向配置された対向基板20の液晶層50側には、ブラックマトリックスBMを覆う透光性の平坦化層22と、平坦化層22よりも屈折率が大きい導電性の第1透光性膜23aと、第1透光性膜23aよりも屈折率が小さい絶縁性の第2透光性膜23bと、第2透光性膜23bよりも屈折率が大きい導電性の第3透光性膜23cと、絶縁膜24と、配向膜25とが順に形成されている。積層形成された第1透光性膜23aと第2透光性膜23bと第3透光性膜23cとによって、光反射防止構造が採用された共通電極層23が構成されている。ブラックマトリックスBMは、画素Pを区画するように対向基板20において平面視でX方向とY方向とに延在する格子状に形成されており、見切り部21と同層に形成される。したがって、以降、見切り部21と同じ符号を付して説明する。BM21は、遮光性の例えばAlアルミニウムなどの金属やその合金の単層、あるいはAlアルミニウムやその合金と、Tiチタンやその合金とを積層して形成することができる。本実施形態では、スパッタ法により成膜されたAlアルミニウムを格子状にパターニングすることによりBM21が形成されている。その膜厚はおよそ75nmである。この他にも素子基板10と対向基板20とを貼り合わせる際に用いる合わせマークが成膜されたAlアルミニウムをパターニングして対向基板20に形成されている。対向基板20の表面には、BM21や上記合わせマークに起因する凹凸が生ずる。膜厚が該凹凸の凸部上面と凹部底面の差よりも小さい透光性膜を積層してなる光反射防止構造を形成するにあたり該凹凸によって光反射防止構造が損なわれたり変形しないように対向基板20の表面を覆う平坦化層22を形成する。平坦化層22は、前述したように無機絶縁材料を用いて形成することができる。本実施形態では、シリコン酸化物にBボロンやPリンがドープされたBPSGBoronPhosphorusSiliconGlass膜を常圧または減圧CVDにより形成して、平坦化層22としている。その膜厚はおよそ300nmである。なお、500nm~1000nmで成膜してから膜厚が300nm程度になるまでCMPChemicalMechanicalPolishingなどの平坦化処理を施してもよい。これによれば、より平坦な形成面が得られる。また、BPSG膜は吸湿性に優れており、不要な水分やそのガスが液晶層50中に拡散することを防ぎ、液晶装置100の耐湿性を向上させることができる。なお、上記凹凸を被覆して平坦化可能な平坦化層22は、シリコン酸化物にBボロンおよびPリンの両方がドープされたものに限定されず、BボロンおよびPリンのいずれか一方がドープされたものでもよい。平坦化層22上に第1透光性膜23a、第2透光性膜23b、第3透光性膜23cが順に形成される。第1透光性膜23aおよび第3透光性膜23cは、例えばITOなどの透明導電膜を用いて形成することができる。第2透光性膜23bは、例えば酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用いて形成することができる。第2透光性膜23bには第2透光性膜23bを貫通して第1透光性膜23aと第3透光性膜23cとを電気的に接続させるコンタクト部は形成されておらず、導電性の第1透光性膜23aは電気的にフローティング状態となっている。第1透光性膜23aがフローティング状態であっても、液晶層50に近い第3透光性膜23cが所謂共通電極として機能し、前述した上下導通部106に電気的に接続されているので、液晶層50の電気的な駆動には何ら影響を及ぼさない。第3透光性膜23cを覆う絶縁膜24は、素子基板10側の絶縁膜17と同様に例えば酸化シリコンからなりスパッタ法やプラズマCVD法などにより形成することができる。絶縁膜24の膜厚もおよそ100nmである。なお、絶縁膜24は、前述した上下導通部106を覆わないようにパターニングされている。配向膜25は、素子基板10側の配向膜18と同様に気相成長法を用いてSiOx酸化シリコンなどの無機材料を成膜することにより形成することができる。配向膜25の膜厚もおよそ75nmである。このような反射型の液晶装置100において、例えば対向基板20側から入射した光は、液晶層50を透過して画素電極15によって反射される。そして、入射経路を遡り再び液晶層50を透過して対向基板20側から射出されて反射光L1となる。光は屈折率が異なる透光性膜の界面においてその一部が反射する。対向基板20側では、例えば平坦化層22と第1透光性膜23aとの界面や第2透光性膜23bと第3透光性膜23cとの界面で反射した光を含む反射光L2となる。また、例えば第1透光性膜23aと第2透光性膜23bとの界面や第3透光性膜23cと絶縁膜24との界面で反射した光を含む反射光L3となる。反射光L2,L3はそれぞれ異なった光路を経て反射していることから、それぞれの光路長に応じた光の位相を有している。なお、本実施形態では、対向基板20として石英基板を用いているので、BPSG膜からなる平坦化層22と屈折率がほぼ同一およそ1.5であり、対向基板20と平坦化層22との界面での光の反射はほとんど発生しない。同様に、互いに酸化シリコンを用いて形成された絶縁膜24と配向膜25との界面でも光の反射はほとんど発生しない。対向基板20から射出される反射光L1は変調されて表示光となることから、不要な反射光L2,L3によってコントラストの低下を招かないようにする必要がある。本実施形態では、共通電極層23における異なる屈折率の透光性膜の界面で反射した光の位相が互いに打消し合う状態として反射光L2,L3の強度を小さくし、反射光L1と反射光L2,L3との干渉による減衰や干渉縞が生じないようにしている。対向基板20に光反射防止構造を取り入れて高い透過率を実現することで、液晶装置100において反射光L1の可視光波長領域に亘る高い反射率を実現している。つまり、明るい表示を可能としている。共通電極層23に導入された光反射防止構造は、異なる屈折率を有する透光性膜の界面で反射した光の位相が互いに打ち消し合うように光路長を設定することで、反射光L2,L3の強度を最も小さくすることができる。光路長は、透光性膜の屈折率と膜厚の積で与えられる。したがって、以下の数式1および2を満たすように各透光性膜の屈折率と膜厚とを設定することが望ましい。n1×d1n2×d2=λ/41n2×d2n3×d3=λ/42n1は第1透光性膜23aの屈折率、d1は第1透光性膜23aの膜厚、n2は第2透光性膜23bの屈折率、d2は第2透光性膜23bの膜厚、n3は第3透光性膜23cの屈折率、d3は第3透光性膜23cの膜厚である。λは光の波長である。各透光性膜の屈折率n1,n2,n3は、光の波長λに依存する。例えば、光の波長λを550nmとすると、ITOを用いて第1透光性膜23aと第3透光性膜23cを形成すれば、屈折率n1および屈折率n3はおよそ2.0となる。同様に、酸化シリコンを用いて第2透光性膜23bを形成すれば、屈折率n2はおよそ1.5となる。ゆえに、上記数式1および2を満たすには、例えば第1透光性膜23aと第3透光性膜23cの膜厚をおよそ30nmとすると、第2透光性膜23bの膜厚はおよそ50nmとなる。なお、必ずしも数式1および2を満たさなくても、満たす条件に近づくように各透光性膜の屈折率と膜厚とを設定すれば、従来よりも対向基板20の透過率を改善できる。特に、可視光波長領域光の波長が400nm~700nmにおいて万遍なく高い透過率を確保するには、短波長域での光の干渉による透過率の低下を考慮して、導電性の第1透光性膜23aと第3透光性膜23cの膜厚を30nmよりも薄くすることが望ましく、本実施形態では20nm±6nm30の範囲とし、第2透光性膜23bの膜厚を60nm±9nm15の範囲としている。このような共通電極層23を備えた対向基板20は、可視光波長領域400nm~700nmに亘って99以上の光の透過率を確保することができる。上記第1実施形態によれば、以下の効果が得られる。1反射型の液晶装置100において、光が入射する対向基板20側に光反射防止構造が取り入れられた共通電極層23を有している。また、共通電極層23は平坦化層22上に形成されている。したがって、BM21などに起因する対向基板20の表面の凹凸の影響を受けず、画素Pにおいて均一な光反射防止機能が得られるので、明るい表示が可能な反射型の液晶装置100を実現できる。2平坦化層22は、吸湿性に優れたBPSG膜によって構成されているので、液晶層50中に水分やそのガスが拡散することを低減できる。また、第2透光性膜23bにはこれを貫通するコンタクト部などが形成されていないので、該コンタクト部から水分やそのガスが拡散しない。ゆえに、明るい表示が可能であると共に、耐湿性において高い信頼性が得られる液晶装置100を実現できる。第2実施形態<電子機器>次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図4を参照して説明する。図4は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す模式図である。図4に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置1000は、システム光軸Lに沿って配置された偏光照明装置1100と、3つのダイクロイックミラー1111,1112,1115と、2つの反射ミラー1113,1114と、3つの光変調素子としての反射型の液晶ライトバルブ1250,1260,1270と、クロスダイクロイックプリズム1206と、投射レンズ1207とを備えている。偏光照明装置1100は、ハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット1101と、インテグレーターレンズ1102と、偏光変換素子1103とから概略構成されている。偏光照明装置1100から射出された偏光光束は、互いに直交して配置されたダイクロイックミラー1111とダイクロイックミラー1112とに入射する。光分離素子としてのダイクロイックミラー1111は、入射した偏光光束のうち赤色光Rを反射する。もう一方の光分離素子としてのダイクロイックミラー1112は、入射した偏光光束のうち緑色光Gと青色光Bとを反射する。反射した赤色光Rは反射ミラー1113により再び反射され、液晶ライトバルブ1250に入射する。一方、反射した緑色光Gと青色光Bとは反射ミラー1114により再び反射して光分離素子としてのダイクロイックミラー1115に入射する。ダイクロイックミラー1115は緑色光Gを反射し、青色光Bを透過する。反射した緑色光Gは液晶ライトバルブ1260に入射する。透過した青色光Bは液晶ライトバルブ1270に入射する。液晶ライトバルブ1250は、反射型の液晶パネル1251と、反射型偏光素子としてのワイヤーグリッド偏光板1253とを備えている。液晶ライトバルブ1250は、ワイヤーグリッド偏光板1253によって反射した赤色光Rがクロスダイクロイックプリズム1206の入射面に垂直に入射するように配置されている。また、ワイヤーグリッド偏光板1253の偏光度を補う補助偏光板1254が液晶ライトバルブ1250における赤色光Rの入射側に配置され、もう1つの補助偏光板1255が赤色光Rの射出側においてクロスダイクロイックプリズム1206の入射面に沿って配置されている。なお、反射型偏光素子として偏光ビームスプリッターを用いた場合には、一対の補助偏光板1254,1255を省略することも可能である。このような反射型の液晶ライトバルブ1250の構成と各構成の配置は、他の反射型の液晶ライトバルブ1260,1270においても同じである。液晶ライトバルブ1250,1260,1270に入射した各色光は、画像情報に基づいて変調され、再びワイヤーグリッド偏光板1253,1263,1273を経由してクロスダイクロイックプリズム1206に入射する。クロスダイクロイックプリズム1206では、各色光が合成され、合成された光は投射レンズ1207によってスクリーン1300上に投射され、画像が拡大されて表示される。本実施形態では、液晶ライトバルブ1250,1260,1270における反射型の液晶パネル1251,1261,1271として上記第1実施形態における反射型の液晶装置100が適用されている。このような投射型表示装置1000によれば、反射型の液晶装置100を液晶ライトバルブ1250,1260,1270に用いているので、明るい画像を投射可能な反射型の投射型表示装置1000を提供できる。また、耐湿性において高い信頼性を有する投射型表示装置1000を提供できる。本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置100および該液晶装置100を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。変形例1本発明の光反射防止構造が取り入れられた対向基板20を用いる構成は、反射型の液晶装置100に限定されない。図5は変形例の液晶装置の画素の構造を示す概略断面図である。なお、変形例において上記実施形態の液晶装置100と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略するものとする。図5に示すように、変形例の液晶装置150は、互いに透光性の例えば石英基板が用いられた素子基板10と対向基板20との間に負の誘電異方性の液晶層50が挟持された透過型である。素子基板10は、透光性の例えばITOやIZOなどの透明導電膜からなる画素電極15tと画素電極15tをスイッチング制御するTFT30とを有している。対向基板20は、ブラックマトリックスBM21を覆う平坦化層22と、共通電極層23と、配向膜25とを有している。画素電極15tを覆う配向膜18および共通電極層23を覆う配向膜25は、例えば酸化シリコンなどの無機材料を斜め蒸着して成膜された無機配向膜であり、液晶層50において負の誘電異方性を有する液晶分子を略垂直配向させている。なお、液晶層50の厚みdは画素Pの明るさを確保する観点から反射型の上記液晶装置100に比べてやや大きく設定されている。例えば、対向基板20側から入射した光L4は、平坦化層22、共通電極層23、液晶層50、画素電極15tを透過して素子基板10側から射出される。対向基板20に光反射防止構造が取り入れられた共通電極層23が形成されているので、屈折率が異なる平坦化層22と第1透光性膜23aとの界面で反射した光や、同じく屈折率が異なる第2透光性膜23bと第3透光性膜23cの界面で反射した光を含む反射光L5は、それぞれの反射光の位相が互いに打消し合うように光路長が設定されているので、その強度が非常に小さくなっている。屈折率が異なる第1透光性膜23aと第2透光性膜23bとの界面で反射した光や、同じく屈折率が異なる第3透光性膜23cと配向膜25との界面で反射した光を含む反射光L6も同様に、それぞれの反射光の位相が互いに打消し合うように光路長が設定されているので、その強度が非常に小さくなっている。したがって、共通電極層23を例えばITO膜の単一構造とした場合に比べて、対向基板20の可視光波長領域400nm~700nmに亘る透過率が高くなっているので、明るい表示が可能な透過型の液晶装置150を提供できる。また、光反射防止構造が平坦化層22上に形成されているため、対向基板20におけるBM21などに起因する凹凸の影響を受けない。ゆえに、画素Pにおいて均一な光反射防止機能が得られる。なお、画素Pにおける高い透過率を確保する観点で画素電極15tの厚みはおよそ200nmに設定されている。変形例2本発明が適用される液晶装置の液晶層50における液晶分子の配向制御は略垂直配向VA;VerticalAlignmentに限定されない。TNTwistedNematicやOCBOpticallyCompensatedBendなどにも適用可能である。変形例3上記実施形態の液晶装置100を適用可能な電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置1000に限定されない。例えば、投射型のHUDヘッドアップディスプレイや直視型のHMDヘッドマウントディスプレイ、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、POSなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。"