"半導体チップを載置する載置面を有するダイパッドと、インナーリード及びアウターリードを有し、前記インナーリード及びアウターリードの長手方向に対して垂直方向に延在するタイバーにより連結された複数のリードと、前記ダイパッド及び前記複数のリードを保持する枠体と、前記ダイパッドから前記複数のリードの両端側にかけて延在し、前記ダイパッドを前記枠体に連結する吊りピンと、前記インナーリードの端部を前記載置面の上部に位置させる曲げ部が形成され、前記タイバーを前記枠体に連結する連結ピンとを有する連結部材と、を備え、前記ダイパッドは厚板からなり、前記複数のリード及び前記連結部材は薄板からなるリードフレーム。半導体チップを載置する載置面を有するダイパッドと、インナーリード及びアウターリードを有する複数のリードと、前記ダイパッドから前記複数のリードの両端側にかけて延在し、前記インナーリードの端部が前記載置面の上部に位置するように、前記ダイパッドと前記複数のリードとを連結する連結部材と、を備えるリードフレーム。前記連結部材には、前記インナーリードの端部を前記載置面の上部に位置させる曲げ部が形成されている請求項2に記載のリードフレーム。前記ダイパッド及び前記複数のリードを保持する枠体をさらに備え、前記連結部材は、前記ダイパッドを前記枠体に連結する吊りピンと、前記複数のリードを前記枠体に連結する連結ピンとを有する請求項2又は請求項3に記載のリードフレーム。前記複数のリードは、前記複数のリードの長手方向に対して垂直方向に延在するタイバーにより連結されている請求項2乃至請求項4のいずれか1項に記載のリードフレーム。前記連結ピンは、前記タイバーと前記枠体とを連結する請求項5に記載のリードフレーム。前記ダイパッドは厚板からなり、前記複数のリード及び前記連結部材は薄板からなる請求項2乃至請求項6のいずれか1項に記載のリードフレーム。リードフレームのダイパッド上に載置された半導体チップの電極と、前記リードフレームが備える複数のリードとをボンディングワイヤにより接続する半導体製造装置であって、請求項2乃至請求項7のいずれか1項に記載のリードフレームが備える前記ダイパッドの載置面上に載置された前記半導体チップの電極と、前記複数のリードが有するインナーリードとを、前記ボンディングワイヤで接続するキャピラリを備える半導体製造装置。リードフレームと、このリードフレームに実装された半導体チップとをモールド樹脂により封止する半導体製造装置であって、請求項2乃至請求項7のいずれか1項に記載のリードフレームの少なくとも一部と、前記リードフレームが備える前記ダイパッドの載置面上に載置された前記半導体チップとを樹脂によりモールド成型するモールド金型を備える半導体製造装置。請求項2乃至請求項7のいずれか1項に記載のリードフレームと、前記ダイパッドの載置面上に載置された半導体チップと、前記リードフレームの少なくとも一部と、前記載置面上に載置された前記半導体チップとを封止する封止樹脂と、を備える半導体装置。前記ダイパッドの裏面が、前記封止樹脂から露出している請求項10に記載の半導体装置。半導体チップを載置する載置面を有するダイパッドと、インナーリード及びアウターリードを有する複数のリードと、前記ダイパッドと前記複数のリードとを連結し、前記インナーリードの端部を前記載置面の上部に位置させるための連結部材と、を備えるリードフレーム。しかしながら、一方のフレームに設けられたピンを他方のフレームに設けられた貫通孔に挿入した後、ピンをかしめることでフレーム同士を連結する場合、貫通孔とピンとの間にクリアランスを設ける必要がある。このため、従来のリードフレームでは、クリアランス分だけ寸法精度が低くなるという問題がある。本発明の実施形態は、寸法精度を向上できるリードフレーム、該リードフレームを使用する半導体製造装置及び半導体装置を提供することを目的とする。本発明の実施形態に係るリードフレームは、半導体チップを載置する載置面を有するダイパッドと、インナーリード及びアウターリードを有する複数のリードと、ダイパッドから複数のリードの両端側にかけて延在し、インナーリードの端部が載置面の上部に位置するように、ダイパッドと複数のリードとを連結する連結部材と、を備える。実施形態図1は、実施形態に係るリードフレーム1の構成図俯瞰図である。図2aは、リードフレーム1の鎖線で囲んだ領域の平面図である。図2bは、図1の矢印αの方向に見たリードフレーム1の側面図である。なお、図2a及び図2bにおいて、鎖線は、モールド樹脂によるパッケージの境界線を示している。また、一点鎖線及び太い実線は、モールド樹脂によるパッケージ化後のリードフレーム1の切断位置を示している。以下、図1及び図2を参照して、実施形態に係るリードフレーム1について説明する。リードフレーム1は、厚板と薄板からなる異形材フレームにより一体形成されており、枠体40と、枠体40内に形成されたダイパッド10と、各ダイパッド10を挟んで互いに対向する配置された2つのリード群20と、ダイパッド10及びリード群20を枠体40に連結する連結部材30とを1単位として構成された素子部を複数備える図1及び図2では、横に繋がった2つの素子分を表示。なお、実際のリードフレームとしては、例えば、全体として10素子程度が横に繋がるのが適当である。ここでいう素子とは、半導体チップのことである。ダイパッド10は、矩形の厚板から形成され、半導体チップ図示せずを載置する載置面11を有する。なお、ダイパッド10は、放熱板を兼ねており、ダイパッド10の裏面12は、パッケージ表面から露出した状態でモールド樹脂により封止される。リード群20は、薄板から形成され、各ダイパッド10の端面側面10A側と、端面10Aに対向する端面側面10B側とにそれぞれ配置される。リード群20は、それぞれ複数のリード21と、複数のリード21の長手方向とは垂直な方向に延在し、これら複数本のリード21を連結及び保持するタイバー22とから構成される。各リード21は、半導体チップの電極とボンディングワイヤBにより接続されるインナーリード21aと、外部接続端子となるアウターリード21bとを有する。なお、タイバー22は、半導体チップがモールド樹脂により封止された後、切断される。連結部材30は、薄板から形成され、ダイパッド10からリード群20の両端側に延在し、ダイパッド10及びリード群20を枠体40に連結する。連結部材30は、ダイパッド10の4つの角10a~10dを枠体40に連結する吊りピン31と、一端側がリード群20のタイバー22と連結し、該リード群20を枠体40に連結する連結ピン32とを備える。連結ピン32は、リード群20の複数のリード21の長手方向と平行に延在し、その途中には、リード群20のインナーリード21aの端部Tをダイパッド10の載置面11の上部に位置させるための曲げ部32aを有する。ダイパッド10及びリード群20は、連結部材30により枠体40内の所定の位置に保持される。枠体40は、薄板から形成され、ダイパッド10及びリード群20を後述するダイボンディング装置、ボンディング装置、樹脂モールド装置等の半導体製造装置に対して、位置決めをするためのアライメント位置決め孔41が形成されている。枠体40の孔41を、これら半導体製造装置が備えるアライメント位置決めピンへ挿入することで、リードフレーム1のダイパッド10及びリード群20が、半導体製造装置に対して位置決めされる。次に、実施形態に係るリードフレーム1を使用して半導体パッケージを製造する半導体製造装置、具体的には、ダイボンディング装置、ワイヤボンディング装置及び樹脂モールド装置について説明する。ダイボンディング装置100図3は、ダイボンディング装置100の構成図である。ダイボンディング装置100は、固定治具110、突き上げ機構120、X-Yステージ130、シリンダ140、コレット150、駆動機構160、シリンダ170及び制御機構180を備え、実施形態に係るリードフレーム1図1,図2を参照のダイパッド10上に半導体チップCを載置する。なお、突き上げ機構120及びコレット150には、図示しない真空ポンプに接続されている。固定治具110は、ダイシング工程で切り出された多数の半導体チップCが粘着された粘着シートSの外周部を把持する金属枠Rを保持する。突き上げ機構120は、切り出された個々の半導体チップCを裏面側下側から突き上げる。X-Yステージ130は、突き上げ機構120を粘着シートS上の半導体チップCに対して水平方向に駆動し、水平方向の位置決め動作を行う。シリンダ140は、突き上げ機構120を粘着シートS上の半導体チップCに対して垂直方向に駆動する。コレット150は、突き上げ機構120により突き上げられた半導体チップCを吸着してピックアップする。駆動機構160は、コレット150を粘着シートS上の半導体チップCに対して水平方向に駆動し、水平方向の位置決め動作を行う。シリンダ170は、コレット150を、粘着シートS上の半導体チップCに対して垂直方向に駆動する。制御機構180は、ダイボンディング装置100全体を制御する。ワイヤボンディング装置200図4は、ワイヤボンディング装置200の構成図である。ワイヤボンディング装置200は、X-Yステージ201と、ボンディングヘッド202と、ボンディングアーム203と、キャピラリ204と、ボンディングステージ205と、スプール206と、超音波振動子207と、スパークロッド208と、ワイヤクランプ209と、撮像手段210と、制御機構211とを備える。X-Yステージ201の上にボンディングヘッド202が設置され、ボンディングヘッド202にはボンディングアーム203が取り付けられている。ボンディングアーム203はZ方向モータによって回転中心の回りに駆動されて、その先端がボンディング面である半導体チップCのパッド面に対して弧状に接離動作するように構成されている。ボンディングアーム203の先端には、キャピラリ204が取り付けられている。X-Yステージ201とボンディングヘッド202は移動機構を構成し、該移動機構により、ボンディングヘッド202は、ボンディング面に沿った面内で自由に移動することができる。そして、ボンディングアーム203をZ方向モータで駆動させることによって、ボンディングアーム203先端及びボンディングアーム203先端に取り付けられたキャピラリ204をXYZ方向に自在に移動させることができる。なお、X-Yステージ201のボンディングアーム203の先端側には、リードフレーム1を吸着固定するボンディングステージ205が設けられている。キャピラリ204は円錐形状の先端部を有する孔開き円柱であり、中心に設けられた孔にボンディングワイヤBを挿通させることができる。ボンディングワイヤBはボンディングヘッド202の上に取り付けられたスプール206から供給される。ボンディングアーム203は、超音波振動子207によって超音波エネルギをキャピラリ204に供給する。また、キャピラリ204の先端位置近傍には、キャピラリ204の先端から延出したボンディングワイヤを加熱してボール形状とするスパークロッド208が設けられている。ボンディングヘッド202にはキャピラリ204に挿通されるボンディングワイヤBを把持、開放するワイヤクランプ209が設けられている。ワイヤクランプ209には、開閉機構209aを備えている。ワイヤクランプ209は、開閉機構209aにより開閉駆動される。また、ボンディングヘッド202には、半導体チップC、リードフレーム1などの画像を取得する撮像手段210例えば、CMOSイメージセンサやCCDイメージセンサが取り付けられ、撮像手段210によって撮像した画像に基づいてキャピラリ204のXY方向の位置決めを行うよう構成されている。制御機構211は、ワイヤボンディング装置200全体を制御する。なお、上記では、直径が数十μmのボンディングワイヤを用いたボンディング装置を例に、ワイヤボンディング装置について説明したが、放熱を重視する半導体装置では、直径が数百μmのアルミニウムAl線をボンディングワイヤとして使用することもある。この場合には、図4を参照して説明したキャピラリではなく、ボンディングツールと呼ばれる器具を用いて、半導体チップCのパッドとリードフレーム1のインナーリード21aとを接合する構成としてもよい。また、銅などの金属板で、半導体チップCのパッドとリードフレーム1のインナーリード21aとを接合する構成としてもよい。樹脂モールド装置300図5は、樹脂モールド装置300の構成図である。樹脂モールド装置300は、半導体チップCが実装されたリードフレーム1を樹脂でモールドする成型機構310と、成型機構310の所定位置へ半導体チップCが実装されたリードフレーム1を搬送搬出する搬送機構320と、成型機構310を所定の温度例えば、160°C~180°Cに加熱する加熱機構330とを備える。加熱機構330は、例えば、電熱線抵抗ヒータである。成型機構310は、金型311と、駆動機構312と、溶融した樹脂を押し出すプランジャ313とを備える。金型311は、上金型311aと下金型311bとから構成される。上金型311a及び下金型311bには、それぞれ樹脂パッケージの形状に合わせたキャビティ空間Gが形成されている。駆動機構312は、上金型311aを上下に駆動する。プランジャ313は、溶融した樹脂タブレットを金型311のキャビティG内へ押し出す。半導体パッケージの製造次に、図1乃至図5を参照して、実施形態に係るリードフレーム1を使用した半導体パッケージの製造について説明する。ダイボンディング工程初めに、複数の半導体チップが形成されたウェハから所望の半導体チップCをコレット150でピックアップし、リードフレーム1のダイパッド10の載置面11上に載置する。ダイパッド10の載置面11上には、例えば、熱硬化性樹脂、又は、金属ペースト銀ペースト等が塗布されている。半導体チップCをダイパッド10の載置面11上に載置した後、加熱して半導体チップCをダイパッド10の載置面11上に固定する。なお、この実施形態では、半導体チップCは、ダイパッド10の載置面11上にフェースアップ実装される。ワイヤボンディング工程初めに、キャピラリ204に挿入されたボンディングワイヤBの先端がスパークロッド208によりスパークされ、ボンディングワイヤBの先端がボール形状に加工される。次に、キャピラリ204が半導体チップCの電極上に下降する。ボンディングワイヤBの先端に形成されたボールを半導体チップCの電極に押し当てた状態で、超音波振動子207により超音波が印可され、半導体チップCの電極上にボンディングワイヤBの先端が接合される。次に、キャピラリ204が適切な軌跡を描きながら、リードフレーム1のインナーリード21aに端部T上まで移動する。その後、キャピラリ204がインナーリード21aの端部Tに下降する。ボンディングワイヤBの先端をインナーリード21aの端部Tに押し当てた状態で、超音波振動子207により超音波が印可され、インナーリード21aの端部TにボンディングワイヤBの先端がウエッジ接合される。インナーリード21aの端部TへボンディングワイヤBを接合した後、ワイヤクランプ209がボンディングワイヤBを挟持して上へ引き上げることによりボンディングワイヤBが切断される。同様にして、残りのインナーリード21aと半導体チップCの電極とがボンディングワイヤBにより接合される。なお、上述のように、ボンディングツールと呼ばれる器具を用いて、直径が数百μmのアルミニウムAl線により半導体チップCのパッドとリードフレーム1のインナーリード21aとを接合してもよい。また、銅などの金属板で、半導体チップCのパッドとリードフレーム1のインナーリード21aとを接合してもよい。樹脂モールド工程加熱機構330は、成型機構310の金型311を予め所定の温度例えば、160°C~180°Cに加熱する。搬送機構320により、半導体チップCが実装されたリードフレーム1が成型機構310の所定位置にセットされると、成型機構310は、駆動機構312により、上金型311aを降下して、リードフレーム1を上金型311a及び下金型311bで挟持する。次に、図示しないタブレット供給機構から樹脂タブレット例えば、熱硬化性エポキシ樹脂が供給され、樹脂タブレットが溶融した後、プランジャ313により、溶融した樹脂が金型311のキャビティG内へ押し出される。そして樹脂が硬化した後、駆動機構312により、上金型311aが上昇し、搬送機構320により、樹脂でモールドされたリードフレーム1が搬出される。切り離し工程樹脂モールド後に、各リード21を連結するタイバー22を切断する。その後、リードの先端アウターリード21b側を所望の形状に折り曲げながら、図2aの一点鎖線の位置でリードフレーム1を切断する。次に、図2aの実線の位置、すなわち吊りピン31の位置でリードフレーム1を切断し、製造した半導体パッケージを枠体40から分離する。なお、樹脂モールド後には、半導体パッケージのバリを除去することが好ましい。また、半導体パッケージの樹脂から出ている部分、すなわちアウターリード21bには、めっきにより、ロウ材例えばハンダやスズ等の金属皮膜を形成することが好ましい。以上のように、実施形態に係るリードフレーム1は、厚板からなるダイパッド10と、薄板からなる枠体40と、ダイパッド10を挟んで互いに対向する配置されたリード群20と、ダイパッド10及びリード群20を枠体40に連結する連結部材30とが一体形成された異形材フレームから構成されている。このため、ダイパッドが形成された厚板のフレームと、リードが形成された薄板のフレームとをかしめて連結する必要がない。この結果、かしめのための孔とピンとの間にクリアランスを設ける必要がなく、リードフレーム1の寸法精度を向上することができる。また、実施形態に係るリードフレーム1は、ダイパッド10を枠体40へ連結する吊りピン31ではなく、リード群20を枠体40へ連結する連結ピン32に、リード群20のインナーリード21aの端部Tをダイパッド10の載置面11の上部に位置させるための曲げ部32aを有する。曲げ部32aをまげて、リード群20のインナーリード21aの端部Tをダイパッド10の載置面11の上部に位置させることで、ダイパッド10の載置面11とインナーリード21aの端部Tとの水平方向のデッドスペース隙間をなくすことができるので、半導体パッケージを小型化することができる。さらに、リードフレーム1は、リード群20のタイバー22を、曲げ部32aを有する連結ピン32と連結することにより、リード群20が枠体40に固定されている。このため、ダイパッド10を挟んで互いに対向する配置されたリード群20の位置を、ダイパッド10に対して独立して位置決めすることができる。なお、図1及び図2に示すリードフレーム1では、ダイパッド10を挟んで対抗する位置に配置されるリード群20のうち、一方のリード群20のリード21が有するインナーリードの端部Tが互いに接続された形状となっており、他方のリード群20のリード21の端部Tが独立した形状、すなわち互いに接続されていない形状となっている。しかしながら、図1及び図2に示したリード21の端部Tの形状は、一例であり、リード21の端部Tの形状は、ダイパッド10の載置面11上に載置する半導体チップの種別によって異なる。例えば、ダイパッド10を挟んで対抗する位置に配置される両方のリード群20のリード21の端部Tのすべてが独立した形状、すなわち互いに接続されていない形状であってもよいし、リード21の端部Tの一部だけが接続された形状例えば、隣り合う2本を接続した形状や両側の4本だけを接続した形状であってもよい。実施形態の変形例図6は、実施形態の変形例に係るリードフレーム2の構成図俯瞰図である。実施形態では、1つの枠体40内に、2素子分の構成が形成されたリードフレーム1図1及び図2を参照について説明した。しかしながら、1つの枠体40内に備える構成は、2素子分に限られない。例えば、図6に示すように、1つの枠体40内に、4素子分の構成を備えるようにしてもよい。1つの枠体40に備える構成を増やすことにより、一度に形成できる半導体パッケージ数を増やすことができる。結果、半導体パッケージの量産性が向上する。その他の効果は、実施形態に係るリードフレーム1と同じである。なお、実際のリードフレームとしては、例えば、全体として10素子程度が横に繋がるのが適当である。また、ここでいう素子とは、半導体チップのことである。その他の実施形態以上のように、本発明のいくつかの実施形態について説明したが、上記実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図するものではない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を変更しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態や変形が、発明の範囲や要旨に含まれるのと同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。例えば、図1,図2及び図6では、リードフレーム1,2の曲げ部32aを実際に曲げて、リード群20のインナーリード21aの端部Tをダイパッド10の載置面11の上部に位置させた状態で図示している。しかしながら、リードフレーム1,2の曲げ部32aを曲げていない状態、すなわち、曲げ部32aがまっすぐ伸びた状態のリードフレーム1,2も本発明の範囲に含まれる。リードフレーム1,2の曲げ部32aをまっすぐ伸びた状態としておくことで、リードフレーム1,2が平坦な形状となるので、リードフレーム1,2の搬送時例えば、納品等に、リードフレーム1,2が占有する空間を小さくできるので、同じ容積の容器でより多くのリードフレーム1,2を搬送することができる。また、リード部の変形も防止することができる。"