インライン基板処理装置であって、基板を予熱する第1チャンバと、前記第1チャンバで予熱された前記基板を受けて加熱しながらプラズマ処理する第2チャンバと、前記第2チャンバでプラズマ処理された前記基板を受けて冷却しながらプラズマ処理する第3チャンバとを含み、前記第1チャンバ、前記第2チャンバ及び前記第3チャンバが、順に一列に接続されて配置されていることを特徴とするインライン基板処理装置。前記第1チャンバには、前記基板を予熱する第1ヒータと、前記基板を支持した状態で、前記第1チャンバへの前記基板の搬入及び前記第1チャンバで予熱が完了した前記基板の前記第1チャンバからの搬出を行う第1移送部とが設けられ、前記第2チャンバには、プラズマを発生させる第1プラズマ電極と、前記基板を加熱する第2ヒータと、前記基板を支持した状態で、前記第2チャンバへの前記基板の搬入及び前記第2チャンバでプラズマ処理が完了した前記基板の前記第2チャンバからの搬出を行う第2移送部とが設けられ、前記第3チャンバには、プラズマを発生させる第2プラズマ電極と、前記基板を支持した状態で、前記第3チャンバへの前記基板の搬入及び前記第3チャンバで冷却された前記基板の前記第3チャンバからの搬出を行う第3移送部とが設けられていることを特徴とする請求項1に記載のインライン基板処理装置。前記第1移送部が、前記基板の移動方向に沿って設けられ、前記第1チャンバに前記基板を搬入しかつ該第1チャンバから前記基板を搬出する複数の第1駆動ローラユニットを含み、前記第2移送部が、前記基板の移動方向に沿って設けられ、前記第2チャンバに前記基板を搬入しかつ該第2チャンバから前記基板を搬出する複数の第2駆動ローラユニットを含み、前記第3移送部が、前記基板の移動方向に沿って設けられ、前記第3チャンバに前記基板を搬入しかつ該第3チャンバから前記基板を搬出する複数の第3駆動ローラユニットを含むことを特徴とする請求項2に記載のインライン基板処理装置。前記複数の第1駆動ローラユニットが互いに連動し、前記複数の第2駆動ローラユニットが互いに連動し、前記複数の第3駆動ローラユニットが互いに連動することを特徴とする請求項3に記載のインライン基板処理装置。前記第1ヒータが複数の第1単位ヒータを含み、前記第2ヒータが複数の第2単位ヒータを含むことを特徴とする請求項2に記載のインライン基板処理装置。前記複数の第1単位ヒータ及び前記複数の第2単位ヒータが、前記基板の長辺方向と平行に一定間隔をおいて配置されていることを特徴とする請求項5に記載のインライン基板処理装置。前記第1プラズマ電極が前記第2チャンバに複数個配置され、前記第2プラズマ電極が前記第3チャンバに複数個配置され、前記第1プラズマ電極が、1つ以上の折り曲げ点を有する折り曲げ部と、前記基板の上部に位置する第1上部電極部と、前記基板の下部に位置する第1下部電極部とを含み、前記第2プラズマ電極が、1つ以上の折り曲げ点を有する折り曲げ部と、前記基板の上部に位置する第2上部電極部と、前記基板の下部に位置する第2下部電極部とを含むことを特徴とする請求項2に記載のインライン基板処理装置。前記第1及び第2上部電極部の末端が、プラズマ生成のための電磁場を発生させるRFRadioFrequency信号を印加するRFアンテナに接続され、前記第1及び第2下部電極部の末端が、グラウンドに接続されることを特徴とする請求項7に記載のインライン基板処理装置。前記第1プラズマ電極及び前記第2プラズマ電極が、コの字または逆コの字から選択されたいずれか1つの形状を有することを特徴とする請求項7に記載のインライン基板処理装置。前記第1チャンバに搬入される前記基板を一時的に保管する第1ロードロックチャンバと、前記第3チャンバから搬出された前記基板を一時的に保管する第2ロードロックチャンバとをさらに含み、前記第1ロードロックチャンバ、前記第1チャンバ、前記第2チャンバ、前記第3チャンバ及び前記第2ロードロックチャンバが、順に一列に配置されることを特徴とする請求項2に記載のインライン基板処理装置。前記第1ロードロックチャンバが、前記基板を支持した状態で、前記第1ロードロックチャンバから前記基板を搬出する第4移送部を含み、前記第2ロードロックチャンバが、前記基板を支持した状態で、前記第2ロードロックチャンバに前記基板を搬入する第5移送部を含むことを特徴とする請求項10に記載のインライン基板処理装置。前記第4移送部が、前記基板の移動方向に沿って設けられ、前記第1ロードロックチャンバから前記基板を搬出する複数の第4駆動ローラユニットを含み、前記第5移送部が、前記基板の移動方向に沿って設けられ、前記第2ロードロックチャンバに前記基板を搬入する複数の第5駆動ローラユニットを含むことを特徴とする請求項11に記載のインライン基板処理装置。前記第1チャンバが、相互に独立して上下に配置された第1上部チャンバ及び第1下部チャンバを備える第1単位チャンバユニットを含み、前記第2チャンバが、相互に独立して上下に配置された第2上部チャンバ及び第2下部チャンバを備える第2単位チャンバユニットを含み、前記第3チャンバが、相互に独立して上下に配置された第3上部チャンバ及び第3下部チャンバを備える第3単位チャンバユニットを含むことを特徴とする請求項2に記載のインライン基板処理装置。前記第1単位チャンバユニット、前記第2単位チャンバユニット及び前記第3単位チャンバユニットが、順に一列に接続されて配置されていることを特徴とする請求項13に記載のインライン基板処理装置。前記第1上部チャンバには前記第1ヒータの第1上部ヒータが設けられ、前記第1下部チャンバには前記第1ヒータの第1下部ヒータが設けられ、前記第2上部チャンバには前記第2ヒータの第2上部ヒータが設けられ、前記第2下部チャンバには前記第2ヒータの第2下部ヒータが設けられ、前記第1上部ヒータが複数の第1上部単位ヒータを含み、前記第1下部ヒータが複数の第1下部単位ヒータを含み、前記第2上部ヒータが複数の第2上部単位ヒータを含み、前記第2下部ヒータが複数の第2下部単位ヒータを含むことを特徴とする請求項13に記載のインライン基板処理装置。前記第1プラズマ電極が前記第2単位チャンバユニットに複数個配置され、前記第2プラズマ電極が前記第3単位チャンバユニットに複数個配置され、前記第1プラズマ電極が、1つ以上の折り曲げ点を有する折り曲げ部と、前記第2上部チャンバに配置される第1上部電極部と、前記第2下部チャンバに配置される第1下部電極部とを有し、前記第1上部電極部が前記第2上部チャンバの内部にプラズマを発生させ、前記第1下部電極部が前記第2下部チャンバの内部にプラズマを発生させ、前記第2プラズマ電極が、1つ以上の折り曲げ点を有する折り曲げ部と、前記第3上部チャンバに配置される第2上部電極部と、前記第3下部チャンバに配置される第2下部電極部とを有し、前記第2上部電極部が前記第3上部チャンバの内部にプラズマを発生させ、前記第2下部電極部が前記第3下部チャンバの内部にプラズマを発生させるようにしたことを特徴とする請求項13に記載のインライン基板処理装置。前記第1及び第2上部電極部の末端が、プラズマ生成のための電磁場を発生させるRFRadioFrequency信号を印加するRFアンテナにそれぞれ接続され、前記第1及び第2下部電極部の末端が、グラウンドにそれぞれ接続されていることを特徴とする請求項16に記載のインライン基板処理装置。前記第1プラズマ電極及び前記第2プラズマ電極が、コの字または逆コの字から選択されたいずれか1つの形状を有することを特徴とする請求項16に記載のインライン基板処理装置。前記第1チャンバが、垂直一列に配置された複数の前記第1単位チャンバユニットを含み、前記第2チャンバが、垂直一列に配置された複数の前記第2単位チャンバユニットを含み、前記第3チャンバが、垂直一列に配置された複数の前記第3単位チャンバユニットを含むことを特徴とする請求項13に記載のインライン基板処理装置。前記複数の第2単位チャンバユニットの各々が、前記複数の第1プラズマ電極を含み、前記複数の第3単位チャンバユニットの各々が、前記複数の第2プラズマ電極を含むことを特徴とする請求項19に記載のインライン基板処理装置。前記第1チャンバにおいて前記基板が第1温度から第2温度に上昇し、前記第2チャンバにおいて前記基板が前記第2温度に維持され、前記第2チャンバにおいて前記基板が前記第2温度に維持されている間に、前記第1プラズマ電極が駆動され、前記第3チャンバにおいて前記基板が前記第2温度から第3温度に冷却され、前記第3チャンバにおいて前記基板が前記第3温度に冷却されている間に、前記第2プラズマ電極が駆動されるようにしたことを特徴とする請求項2に記載のインライン基板処理装置。そこで、本発明は、上記の従来技術の諸問題を解決するためになされたものであって、基板に対するプラズマ処理工程の生産性を向上させることができるインライン基板処理装置を提供することを目的とする。また、本発明は、複数の基板を均一にプラズマ処理することができるインライン基板処理装置を提供することを目的とする。さらに、本発明は、複数のプラズマ電極間の相互作用によって発生する電磁場の相殺を最小化することができるインライン基板処理装置を提供することを目的とする。なお、本発明は、シリコン層の水素のアウトディフュージョンoutdiffusionを効果的に防止することができるインライン基板処理装置を提供することを目的とする。上記の目的を達成するために、本発明にかかるインライン基板処理装置は、基板を予熱する第1チャンバと、第1チャンバで予熱された基板を受けて加熱しながらプラズマ処理する第2チャンバと、第2チャンバでプラズマ処理された基板を受けて冷却しながらプラズマ処理する第3チャンバとを含み、第1チャンバ、第2チャンバ及び第3チャンバは、順に一列に接続されて配置されていることを特徴とする。本発明によれば、チャンバが順に一列に配置されるため、クラスター方式を利用しながらも、基板の移送にかかる時間が最小化される。したがって、基板に対するプラズマ処理工程の生産性を向上させることができる。また、本発明によれば、同一の工程を行うチャンバを垂直一列に配置することにより、複数の基板を均一にプラズマ処理することができる。さらに、本発明によれば、プラズマ電極を折り曲げられた形状に構成することにより、複数のプラズマ電極間の相互作用によって発生する電磁場の相殺を最小化することができる。なお、本発明によれば、シリコン層の水素のアウトディフュージョンを効果的に防止することができる。後述する本発明に関する詳細な説明は、本発明が実施可能な特定の実施形態を例示として示す添付図面を参照する。これらの実施形態は、当業者が本発明を実施できるように十分に詳細に説明する。本発明の多様な実施形態は、互いに異なるが、相互排他的である必要はないことが理解されなければならない。例えば、ここに記載されている特定の形状、特定の構造、及び特性は一実施形態に関連し、本発明の精神及び範囲を逸脱しない範囲内で他の実施形態で実現可能である。また、各々の開示された実施形態における個別構成要素の位置または配置は、本発明の精神及び範囲を逸脱しない範囲内で変更可能であることが理解されなければならない。したがって、後述する詳細な説明は、限定的な意味として受け取るものではなく、本発明の範囲は、適切に説明された場合、その請求項が主張するのと均等なすべての範囲とともに添付した請求項によってのみ限定される。図面において、類似の参照符号は、様々な側面にわたって同一または類似の機能を指し示し、長さ、面積、厚さ、及び形態は、便宜上、誇張して表現されることもある。以下では、当業者が本発明を容易に実施できるようにするために、本発明の好ましい実施形態について、添付した図面を参照して詳細に説明する。まず、本発明のインライン基板処理装置で基板をプラズマ処理するとは、半導体素子用基板、液晶表示装置用基板、太陽電池用基板などの分野において一般的にいう基板、例えば、シリコンウエハ基板、ガラス基板などをプラズマ処理することに限らず、基板上に形成された所定の膜またはパターンをプラズマ処理することを含む意味と解釈できる。したがって、本発明のインライン基板処理装置を用いて基板を処理するとは、基板上に形成されたシリコン層をプラズマ処理することを含む意味と解釈できることを明らかにする。図2は、本発明の一実施形態にかかるインライン基板処理装置の構成を示す図である。図2を参照すると、本発明の一実施形態にかかるインライン基板処理装置1は、基本的に、3つのチャンバ100、200、300を含んで構成される。より具体的には、基板10を予熱する第1チャンバ100と、第1チャンバ100で予熱された基板10をプラズマ処理する第2チャンバ200と、第2チャンバ200でプラズマ処理された基板10を冷却する第3チャンバ300とを含んで構成される。以下では、各チャンバ別の構成及び機能について説明する。まず、第1チャンバ100について説明する。図2をさらに参照すると、第1チャンバ100は、実質的に内部空間が密閉されるように構成され、基板10を予熱するための空間を提供する機能を果たすことができる。第1チャンバ100の形状は、特に限定されないが、直方体であることが好ましい。第1チャンバ100の材質は、ステンレス鋼、アルミニウムまたは石英などであり得るが、必ずしもこれらに限定されない。図2をさらに参照すると、上記3つのチャンバのうち、第1チャンバ100が左側に位置していることを確認することができる。ここで、第1チャンバ100が左側に位置するのは、基板10の移動方向に関連している。つまり、第1チャンバ100で予熱された基板10が右方向に移動して、第1チャンバ100の右側に位置する第2チャンバ200に移動するため、第1チャンバ100が左側に位置するものとして示したのである。もちろん、基板10が右方向に移動するのは、説明の便宜上、任意に設定したものであり、基板10の進行方向が右か左かは、本発明では重要でない。ただし、以下では、基板10の進行方向を右方向と想定して説明する。図2をさらに参照すると、第1チャンバ100は、第1ヒータ110を含んで構成することができる。第1ヒータ110は、複数の基板10に熱を加えて基板10を予熱させる機能を果たすことができる。例えば、プラズマを用いて基板10に水素パッシベーション工程を行う場合、第1ヒータ110によって基板10の温度を約500°C~700°Cの範囲まで予熱させることができる。このとき、第1ヒータ110は、複数の第1単位ヒータユニットヒータ112で構成することができる。ここで、第1単位ヒータ112は、通常の長い棒状のヒータであって、石英管の内部に発熱体が挿入されており、両端に設けられた端子を介して外部の電源を受けて熱を発生させる。複数の第1単位ヒータ112によって基板10が予熱されることにより、基板10の全面積にわたって均一な熱処理が行われるようになる。複数の第1単位ヒータ112は、基板10の長辺方向と平行に一定間隔を有して配置されることが好ましいが、これに限定されるものではなく、基板10の短辺方向と平行に一定間隔を有して配置されてもよい。また、第1チャンバ100に配置される第1単位ヒータ112の個数は、特に限定されず、本発明の利用目的に応じて多様に変更可能である。図2には、基板10が単独で第1チャンバ100に搬入されて予熱されるものとして示されているが、好ましくは、基板10が基板ホルダ図示せずに載置された状態で第1チャンバ100に搬入されて予熱されることができる。基板10が基板ホルダに載置されて処理できるのは、第2チャンバ200及び第3チャンバ300においても同様である。基板ホルダについては、以下の第2チャンバ200及び第3チャンバ300の説明においては省略する。次に、第1チャンバ100は、第1チャンバ100への基板10の搬入及び第1チャンバ100からの予熱が完了した基板10の搬出を行う第1移送部を含んで構成することができる。このとき、第1移送部は、所定の長さを有し、基板10の移動方向である右方向に沿って設けられる複数の第1駆動ローラユニット120を含んで構成することができる。複数の第1駆動ローラユニット120は、基板10を支持しながら、基板10をインライン方式で移動させる機能を果たすことができる。より具体的には、複数の第1駆動ローラユニット120は、基板10の下面と接触しながら、基板10の移動方向に回転して第1チャンバ100の内部に基板10を搬入させ、基板10が搬入されると、基板10に対するプラズマ処理が行われている間に基板10を支持し、基板10に対するプラズマ処理が完了すると、基板10の下面と接触しながら、基板10の移動方向に回転して第1チャンバ100から基板10を搬出する機能を果たすことができる。このような機能を円滑に行うために、図2に示すように、複数の第1駆動ローラユニット120は、第1チャンバ100の内部に同一の高さに設けられることが好ましい。また、複数の第1駆動ローラユニット120は相互に連動することが好ましい。一方、複数の第1駆動ローラユニット120は、設置位置によって互いに異なる幅で形成できるが、直径はすべて同一に形成されることが好ましい。次に、図2をさらに参照すると、第1チャンバ100の左側面、より具体的には、後述する第1ロードロックチャンバ400と接触する面には、所定の幅と高さを有する第1搬入部130が形成可能である。第1搬入部130は開口して、基板10が搬入される通路としての役割を果たすことができる。基板10の予熱工程が行われている間には、第1チャンバ100を密閉するために第1搬入部130が遮断される必要があることから、第1搬入部130には、上下方向に運動しながら、第1チャンバ100を開閉するドア図示せずが設置可能である。次に、図2をさらに参照すると、第1チャンバ100の右側面、より具体的には、第1搬入部130が配置された面に対向し、第2チャンバ200と接触する第1チャンバ100の面には、所定の幅と高さを有する第1搬出部140が形成可能である。第1搬出部140は開口して、基板10が搬出される通路としての役割を果たすことができる。第1搬入部130と同様に、熱処理工程が行われている間には、第1チャンバ100を密閉するために第1搬出部140が遮断される必要があることから、第1搬出部140には、上下方向に運動しながら、第1チャンバ100を開閉する他のドア図示せずが設置可能である。一方、第1チャンバ100は、上下に独立して配置された第1上部チャンバ104図5を参照と第1下部チャンバ106図5を参照とを基本的に備える第1単位チャンバユニット102図5参照を含んで構成することができる。これについては後述する。次に、第2チャンバ200について説明する。図2をさらに参照すると、第2チャンバ200は、実質的に内部空間が密閉されるように構成され、基板10をプラズマ処理するための空間を提供する機能を果たすことができる。第1チャンバ100と同様に、第2チャンバ200の形状は直方体であることが好ましい。一方、第2チャンバ200の材質は、ステンレス鋼、アルミニウムまたは石英などであり得るが、必ずしもこれらに限定されない。図2をさらに参照すると、第2チャンバ200は、第1チャンバ100と第3チャンバ300との間に位置することを確認することができる。これは、前述したように、基板10の移動方向に関連している。図2をさらに参照すると、第2チャンバ200は、第2ヒータ210を含んで構成することができる。基板10のプラズマ処理のためには、基板10が所定の温度以上に加熱及び維持される必要があるが、このような意味で、第2ヒータ210は、基板10に熱を加える機能を果たすことができる。例えば、プラズマを用いて基板10に水素パッシベーション工程を行う場合、第2ヒータ210は、基板10の温度を約400°C~1000°Cの範囲に維持させることができる。このとき、図2に示すように、第2ヒータ210は、複数の第2単位ヒータ212で構成することができる。第2単位ヒータ212は、第1単位ヒータ112と実質的に同一の構成及び機能を有し、かつ同一に配置されるため、第2単位ヒータ212に関する詳細な説明は省略する。次に、図2をさらに参照すると、第2チャンバ200は、複数の第1プラズマ電極250を含んで構成することができる。第1プラズマ電極250は、誘導結合プラズマInductivelyCoupledPlasma:ICPの発生方法によってプラズマを生成する機能を果たす。すなわち、高周波電圧を供給するRF電源を受けて電磁場が生成されるようにすることにより、プラズマを生成及び維持する機能を果たすことができる。図3は、本発明の一実施形態にかかる、第1プラズマ電極が配置された第2チャンバの構成を示す図である。図3を参照すると、第1プラズマ電極250は、第1上部電極部254と、折り曲げ部252と、第1下部電極部256とを含んで構成され、基板10を挟んで折り曲げられた形状を有することができる。より具体的には、第1プラズマ電極250は、折り曲げ部252を基準として、基板10の上部に存在する第1上部電極部254と、基板10の下部に存在する第1下部電極部256とを含んで構成することができる。ここで、折り曲げ部252は、1つ以上の折り曲げ点を有していてもよく、好ましくは、図3に示すように、2つの折り曲げ点を有していてもよい。これにより、第1プラズマ電極250は、コの字または逆コの字形状を有することができる。このとき、基板10は、コの字または逆コの字形状の間に配置可能である。図3をさらに参照すると、第1上部電極部254の末端には、RFアンテナ260が接続され、第1下部電極部256の末端には、グラウンドGROUND270が接続されることを確認することができる。ここで、RFアンテナ260は、RF信号を第1プラズマ電極250に印加する機能を果たすことができ、グラウンド270は、印加されたRF信号が第1プラズマ電極250を介して流れるようにする機能を果たすことができる。図4は、本発明の一実施形態にかかる、第1プラズマ電極でRF信号が流れる様子を概略的に示す図である。図4を参照すると、基板10の上部に位置する第1プラズマ電極250の第1上部電極部254にRF信号が印加され、基板10の下部に位置する第1プラズマ電極250の第1下部電極部256にRF信号が流れ出ることができる。すなわち、RFアンテナ260から印加されるRF信号は、基板10の上部で印加された後、第1プラズマ電極250に沿って移動して、基板10の下部でグラウンド270を介して流れ出ることができ、この過程によってプラズマが発生及び維持可能である。このような構成により、第1上部電極部254と第1下部電極部256とで流れるRFアンテナ260からの信号の方向は逆であるため、ある特定の領域でRF信号が弱くなってプラズマ密度が減少する現象が消えるようになる。すなわち、基板10が配置される位置からグラウンド270に近い領域では電磁場の強度が小さくなることがあるが、当該領域はRFアンテナ260にも近い領域であるため、電磁場の強度が補償される。そして、折り曲げ部252に近い領域では、第1上部電極部254による電磁場と第1下部電極部256による電磁場とが相互補償効果を起こし、結果的に、基板10の全面にわたって均一なプラズマ密度を得ることができる。次に、図2をさらに参照すると、第2チャンバ200は、第2チャンバ200への基板10の搬入及び第2チャンバ200からのプラズマ処理が完了した基板10の搬出を行う第2移送部を含んで構成することができる。第1移送部と同様に、第2移送部は、所定の長さを有し、基板10の移動方向に沿って設けられる複数の第2駆動ローラユニット220を含んで構成することができる。第2チャンバ200に基板10を搬入し、第2チャンバ200からプラズマ処理が完了した基板10を搬出することを除けば、複数の第2駆動ローラユニット220と第1チャンバ100の複数の第1駆動ローラユニット120は、実質的に同一の構成及び機能を有し、かつ同一に配置されるため、第2駆動ローラユニット220に関する詳細な説明は省略する。次に、図2をさらに参照すると、第2チャンバ200の左側面、より具体的には、第1チャンバ100と接触する面には、所定の幅と高さを有する第2搬入部230が形成可能である。また、第2チャンバ200の右側面、より具体的には、第2搬入部230が配置された面に対向し、第3チャンバ300と接触する第2チャンバ200の面には、所定の幅と高さを有する第2搬出部240が形成可能である。このような第2搬入部230及び第2搬出部240は、上述した第1搬入部130及び第1搬出部140と同一の構成及び機能を有するため、詳細な説明は省略する。一方、第2チャンバ200は、上下に独立して配置された第2上部チャンバ204図5を参照と第2下部チャンバ206図5を参照とを基本的に備える第2単位チャンバユニット202を含んで構成することができる。これについては後述する。次に、第3チャンバ300について説明する。図2をさらに参照すると、第3チャンバ300は、実質的に内部空間が密閉されるように構成され、基板10を冷却するための空間を提供する機能を果たすことができる。冷却方式は、水冷方式または空冷方式を利用することができ、場合によっては、自然冷却方式を利用することもできる。第2チャンバ200と同様に、第3チャンバ300の形状は直方体であることが好ましく、第3チャンバ300の材質は、ステンレス鋼、アルミニウム、または石英などであり得るが、必ずしもこれらに限定されない。図2をさらに参照すると、第3チャンバ300は、第2チャンバ200の右側に位置することを確認することができる。これは、前述したように、基板10の移動方向に関連している。次に、図2をさらに参照すると、第3チャンバ300は、プラズマが生成及び維持されるようにする複数の第2プラズマ電極350を含んで構成することができる。第2プラズマ電極350は、折り曲げ部図示せずを基準として、基板10の上部に存在する第2上部電極部図示せずと、基板10の下部に存在する第2下部電極部図示せずとを含んで構成することができる。第2プラズマ電極350は、第1プラズマ電極250と実質的に同一の構成及び機能を有し、かつ同一に配置されるため、詳細な説明は省略する。次に、図2をさらに参照すると、第3チャンバ300は、第3チャンバ300への基板10の搬入及び第3チャンバ300からの冷却が完了した基板10の搬出を行う第3移送部を含んで構成することができる。第3移送部は、第1移送部と同様に、所定の長さを有し、基板10の移動方向に沿って設けられる複数の第3駆動ローラユニット320を含んで構成することができる。第3チャンバ300に基板10を搬入し、第3チャンバ300から冷却が完了した基板10を搬出することを除けば、複数の第1駆動ローラユニット120と複数の第3駆動ローラユニット320は、実質的に同一の構成及び機能を有し、かつ同一に配置されるため、第3駆動ローラユニット320に関する詳細な説明は省略する。次に、図2をさらに参照すると、第3チャンバ300の左側面、より具体的には、第2チャンバ200と接触する第2チャンバ200の面には、所定の幅と高さを有する第3搬入部330が形成可能である。また、第3チャンバ300の右側面、より具体的には、第3搬入部330が配置された面に対向し、後述する第2ロードロックチャンバ500と接触する第3チャンバ300の面には、所定の幅と高さを有する第3搬出部340が形成可能である。第3搬入部330及び第3搬出部340は、上述した第1搬入部130及び第1搬出部140と同一の構成及び機能を有するため、詳細な説明は省略する。以上では、インライン基板処理装置1の基本的な構成要素である第1チャンバ100、第2チャンバ200、第3チャンバ300について説明した。以下では、インライン基板処理装置1の他の構成要素について説明する。図2をさらに参照すると、本発明の一実施形態にかかるインライン基板処理装置1は、第1ロードロックチャンバ400を含んで構成することができる。第1ロードロックチャンバ400は、第1チャンバ100に搬入される基板10を臨時に保管する機能を果たすことができる。また、第1ロードロックチャンバ400は、大気圧下で基板10を搬入するものの、第1ゲートバルブ410が閉じられた状態で基板10を搬入し、第1チャンバ100が非真空状態にさらされないようにする機能を果たすことができる。図2には、第1ロードロックチャンバ400に1枚の基板10が搬入されて保管されるものとして示されているが、場合によっては、第1ロードロックチャンバ400に複数の基板10が搬入されて保管されてもよい。図2をさらに参照すると、第1ロードロックチャンバ400は、第1ロードロックチャンバ400から基板10を搬出する第4移送部を含んで構成することができる。第4移送部は、第1移送部と同様に、所定の長さを有し、基板10の移動方向に沿って設けられる複数の第4駆動ローラユニット420を含んで構成することができる。複数の第1駆動ローラユニット120と複数の第4駆動ローラユニット420は、実質的に同一の構成及び機能を有するため、詳細な説明は省略する。次に、図2をさらに参照すると、本発明の一実施形態にかかるインライン基板処理装置1は、第2ロードロックチャンバ500を含んで構成することができる。第2ロードロックチャンバ500は、冷却が完了した基板10を臨時に保管する機能を果たすことができる。また、第2ロードロックチャンバ500は、大気圧下で基板10を搬出するものの、第2ゲートバルブ510が閉じられた状態で基板10を搬出し、第3チャンバ300が非真空状態にさらされないようにする機能を果たすことができる。図2をさらに参照すると、第2ロードロックチャンバ500は、第2ロードロックチャンバ500に基板10を搬入する第5移送部を含んで構成することができる。第5移送部は、第1移送部と同様に、所定の長さを有し、基板10の移動方向に沿って設けられる複数の第5駆動ローラユニット520を含んで構成することができる。複数の第1駆動ローラユニット120と複数の第5駆動ローラユニット520は、実質的に同一の構成及び機能を有するため、詳細な説明は省略する。図2をさらに参照すると、第1ロードロックチャンバ400、第1チャンバ100、第2チャンバ200、第3チャンバ300、第2ロードロックチャンバ500の順に一列に配置されていることを確認することができる。各チャンバ100、200、300、400、500の機能を考慮すると、基板10は、第1ロードロックチャンバ400、第1チャンバ100、第2チャンバ200、第3チャンバ300、第2ロードロックチャンバ500の順に移動して処理できる。このような基板10の移動を行う構成要素は、各チャンバ100、200、300、400、500に配置された第1移送部、第2移送部、第3移送部、第4移送部、第5移送部である。次に、図2をさらに参照すると、本発明の一実施形態にかかるインライン基板処理装置1は、第1ロードロックチャンバ400に基板10を搬入する第1ロボットアーム600と、第2ロードロックチャンバ500から基板10を搬出する第2ロボットアーム700とを含んで構成することができる。第1ロボットアーム600は、第1ロードロックチャンバ400の外側に配置され、基板10を第1ロードロックチャンバ400に搬入する。例えば、第1ロボットアーム600は、第1ロードロックチャンバ400の左側に配置され、複数の基板10が保管されているカセット図示せずから基板10を取り出して、第1ロードロックチャンバ400に基板10を搬入する機能を果たすことができる。第1ロボットアーム600と同様に、第2ロボットアーム700は、第2ロードロックチャンバ500の右側に配置され、第2ロードロックチャンバ500から基板10を搬出して外部に伝達する機能を果たすことができる。図2には、第1ロボットアーム600及び第2ロボットアーム700のアーム610、710がそれぞれ1個として示されているが、これに限定されるものではなく、多様な数のアーム610、710が第1ロボットアーム600及び第2ロボットアーム700にそれぞれ採用可能である。第1ロボットアーム600及び第2ロボットアーム700の構成及び機能は公知技術に該当するため、これ以上の詳細な説明は省略する。このように構成された本実施形態にかかるインライン基板処理装置1では、多様なプラズマ処理工程、例えば、プラズマを用いたシリコン層の水素パッシベーション工程などが実施可能である。本実施形態にかかるインライン基板処理装置1は、クラスター方式を利用しながらも、基板10を移送する第1移送部~第5移送部が基板10を移送するのにかかる時間を最小化できるため、全体的なプラズマ工程時間を短縮することができる。結果的に、プラズマ工程の生産性を向上させることができる。図5は、本発明の他の実施形態にかかるインライン基板処理装置の構成を示す図である。図5を参照すると、本発明の他の実施形態にかかるインライン基板処理装置2によれば、各チャンバ100、200、300は、相互に独立して配置された上部チャンバ及び下部チャンバを有するチャンバユニットを含んで構成される。より具体的に説明すると、第1チャンバ100は、相互に独立して上下に配置された第1上部チャンバ104及び第1下部チャンバ106を備える第1単位チャンバユニット102を含んで構成され、第2チャンバ200は、相互に独立して上下に配置された第2上部チャンバ204及び第2下部チャンバ206を備える第2単位チャンバユニット202を含んで構成され、第3チャンバ300は、相互に独立して上下に配置された第3上部チャンバ304及び第3下部チャンバ306を備える第3単位チャンバユニット302を含んで構成される。このとき、図5に示すように、第1単位チャンバユニット102、第2単位チャンバユニット202、第3単位チャンバユニット302は、一列に接続されて配置可能である。より具体的には、第1単位チャンバユニット102の第1上部チャンバ104、第2単位チャンバユニット202の第2上部チャンバ204及び第3単位チャンバユニット302の第3上部チャンバ304は、一列に接続されて配置され、第1単位チャンバユニット102の第1下部チャンバ106、第2単位チャンバユニット202の第2下部チャンバ206及び第3単位チャンバユニット302の第3下部チャンバ306は、一列に接続されて配置可能である。各チャンバ100、200、300を複数層の形態で構成する場合、一度により多数の基板10を処理することができるため、プラズマ工程の生産性をさらに向上させることができるという利点がある。一方、各チャンバ100、200、300が相互に独立して配置された上部チャンバ104、204、304及び下部チャンバ106、206、306を備えるチャンバユニット102、202、302を含んで構成される場合、第2チャンバ200及び第3チャンバ300に配置される第1プラズマ電極280及び第2プラズマ電極380は、図3に示された第1プラズマ電極250とは異なる構成を有することができる。第1ロードロックチャンバ400及び第2ロードロックチャンバ500も、第1チャンバ~第3チャンバ100、200、300に対応して、相互上下に独立した上部チャンバ及び下部チャンバで構成することができる。図6は、本発明の他の実施形態にかかる、第1プラズマ電極が配置された第2単位チャンバユニットの構成を示す図である。図6を参照すると、図3の第1プラズマ電極250が1つの空間で形成された第2チャンバ200に配置されるのとは異なり、図6の第1プラズマ電極280は、第2上部チャンバ204及び第2下部チャンバ206の両方に配置されることを確認することができる。このため、図6の第1プラズマ電極280は、図3の第1プラズマ電極250と同様に、折り曲げ部282、第1上部電極部284、第1下部電極部286で構成されるが、第1上部電極部284が第2上部チャンバ204に配置され、第1下部電極部286が第2下部チャンバ206に配置されるように構成することができる。このため、図6の第1プラズマ電極280の折り曲げ部282は、図3の第1プラズマ電極250の折り曲げ部252より長く形成されることが好ましい。図6をさらに参照すると、第1上部電極部284の末端には、RFアンテナ260が接続され、第1下部電極部286の末端には、グラウンド270が接続されることを確認することができる。このような構成は、図3に示された構成と類似しているが、図3では、RFアンテナ260とグラウンド270が1つの空間で形成された第2チャンバ200の側面に配置され、図6では、RFアンテナ260とグラウンド270が互いに独立した第2上部チャンバ204及び第2下部チャンバ206の側面にそれぞれ配置されるという構成上の違いがある。図7は、本発明の他の実施形態にかかる、第1プラズマ電極でRF信号が流れる様子を概略的に示す図である。図7を参照すると、第2上部チャンバ204に配置される第1上部電極部284にRF信号が印加され、第2下部チャンバ206に配置される第1下部電極部286にRF信号が流れ出ることができる。このようなRF信号の流れにより、第2上部チャンバ204では、第1上部電極部284によってプラズマが発生及び維持可能であり、第2下部チャンバ206では、第1下部電極部286によってプラズマが発生及び維持可能である。一方、図6の第3チャンバ300に配置される第2プラズマ電極380は、第1プラズマ電極280と実質的に同一の構成を有するため、第2プラズマ電極380に関する詳細な説明は省略する。また、図5のインライン基板処理装置2の構成のうち、各チャンバ100、200、300が相互に独立して上下に配置された上部チャンバ104、204、304及び下部チャンバ106、206、306を備えるチャンバユニット102、202、302を含む構成であることと、第1プラズマ電極280及び第2プラズマ電極380の構成を除けば、図2の基板処理装置1と同一の構成であるため、他の構成要素に関する詳細な説明は省略する。図8は、本発明のさらに他の実施形態にかかるインライン基板処理装置の構成を示す図である。図8を参照すると、本発明のさらに他の実施形態にかかるインライン基板処理装置3では、各チャンバ100、200、300が垂直一列に配置される複数のチャンバユニットを含んで構成することができる。より具体的には、第1チャンバ100は、垂直一列に配置される複数の第1単位チャンバユニット102を含んで構成され、第2チャンバ200は、垂直一列に配置される複数の第2単位チャンバユニット202を含んで構成され、第3チャンバ300は、垂直一列に配置される複数の第3単位チャンバユニット302を含んで構成することができる。このように構成する場合、一度により多数の基板10をプラズマ処理することができるため、工程の生産性を極大化することができる。図8には、第1チャンバ100、第2チャンバ200、第3チャンバ300がそれぞれ第1単位チャンバユニット102、第2単位チャンバユニット202、第3単位チャンバユニット302を2個ずつ含むものとして示されているが、必ずしもこれに限定されるものではなく、各チャンバは、多様な数のチャンバユニットを含んで構成することができる。第1ロードロックチャンバ400及び第2ロードロックチャンバ500も、第1チャンバ~第3チャンバ100、200、300の構成に対応して構成されることは当然である。図8のインライン基板処理装置3は、上部チャンバと下部チャンバが垂直一列に配置される複数のチャンバユニットを含む構成であることを除けば、図5の基板処理装置2と同一に構成されるため、他の構成要素に関する詳細な説明は省略する。以下では、本発明の一実施形態にかかるインライン基板処理装置1を用いてシリコン層をプラズマ処理する工程について、図2を参照して説明する。まず、シリコン層は、第1ロボットアーム600によって第1ロードロックチャンバ400に移送される。移送されたシリコン層は、第1ロードロックチャンバ400に臨時に保管されてから、複数の第4駆動ローラユニット420によって第1ロードロックチャンバ400から搬出されて第1チャンバ100に搬入可能である。次に、第1チャンバ100に搬入されたシリコン層は予熱できる。より具体的には、第1チャンバ100に搬入されたシリコン層は、第1ヒータ110によって予熱され、第1温度から第2温度に上昇可能である。ここで、第1温度は、300°C~600°Cの範囲であり得、第2温度は、400°C~1000°Cの範囲であり得る。予熱されたシリコン層は、複数の第1駆動ローラユニット120によって第1チャンバ100から搬出されて第2チャンバ200に搬入可能である。次に、第2チャンバ200に搬入されたシリコン層は、第2温度に維持されながら、第1プラズマ電極250によってプラズマ処理できる。このとき、シリコン層を第2温度に維持するために第2ヒータ210が駆動され、シリコン層をプラズマ処理するために第1プラズマ電極250が駆動可能である。これにより、シリコン層は、第2チャンバ200での水素パッシベーションが可能である。すなわち、シリコン層に水素が拡散し、拡散した水素がシリコン層に存在するダングリングボンドdanglingbondと結合してシリコン層が安定化することができる。一方、第2チャンバ200に発生するプラズマは、好ましくは、水素またはアンモニアを含むプラズマであり得る。プラズマ処理されたシリコン層は、複数の第2駆動ローラユニット220によって第2チャンバ200から搬出されて第3チャンバ300に搬入可能である。次に、第3チャンバ300に搬入されたシリコン層は、第2温度から第3温度に冷却できる。このとき、第3チャンバ300に備えられた第2プラズマ電極350が駆動可能である。すなわち、第3チャンバ300でシリコン層を冷却させている間にも、第2プラズマ電極350によってシリコン層のプラズマ処理が継続できる。第3チャンバ300で行われるプラズマ処理は、シリコン層が常温に達するまで継続するのではなく、シリコン層が第3温度に達した時に中断可能である。ここで、第3温度は、300°C~700°Cの範囲であり得る。シリコン層の冷却が行われている間にも、第2プラズマ電極350を継続して駆動させることにより、第2チャンバ200での水素プラズマ処理によってシリコン層に混入された水素のアウトディフュージョン現象を効率的に防止することができる。冷却処理が完了したシリコン層は、複数の第3駆動ローラユニット320によって第3チャンバ300から搬出されて第2ロードロックチャンバ500に搬入可能である。第2ロードロックチャンバ500に搬入されたシリコン層は、臨時に保管されてから、第2ロボットアーム700によって外部に移送できる。以上の詳細な説明において、本発明は、具体的な構成要素などのような特定の事項と限定された実施形態及び図面によって説明されたが、これは、本発明のより全般的な理解を助けるために提供されたものであって、本発明が上記の実施形態に限定されるものではなく、当業者であれば、このような記載から多様な修正及び変形を図ることができる。したがって、本発明の思想は、上述した実施形態に限定されて定められるのではなく、後述する特許請求の範囲だけでなく、この特許請求の範囲と均等にまたは等価的に変形されたすべてのものは本発明の思想の範疇に属する。