平面視において略方形形状を呈する複数のチップ領域がダイシングラインを介して形成された半導体ウェーハの前記ダイシングライン上に切れ目を有する樹脂層を形成し、前記半導体ウェーハを前記ダイシングラインに沿って切断して前記チップ領域を個片化する半導体チップの製造方法。前記ダイシングラインの交点に前記樹脂層が形成されている請求項1に記載の半導体チップの製造方法。前記ダイシングラインは、開口が形成されたパッシベーション膜で覆われており、前記開口は、前記樹脂層で覆われている請求項1または2に記載の半導体チップの製造方法。前記樹脂層は、前記ダイシングラインから前記チップ領域にはみ出して形成される請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体チップの製造方法。請求項1~4のいずれか1項に記載の製造方法によって製造された半導体チップが配置された基板と、前記半導体チップに形成された電極パッドと前記基板に形成された接続パッドとを電気的に接続したワイヤと、前記ワイヤは、前記樹脂層を跨ぐように設けられる半導体装置。半導体ウェーハを切断する際に、半導体チップにチッピングなどの欠けが生じるのを抑えることが望まれている。本発明の実施の形態は、上記に鑑みてなされたものであって、半導体ウェーハを切断する際に、半導体チップにチッピングなどの欠けが生じるのを抑えることができる半導体チップの製造方法を提供することを目的とする。実施の形態の半導体チップの製造方法は、平面視において略方形形状を呈する複数のチップ領域がダイシングラインを介して形成された半導体ウェーハのダイシングライン上に切れ目を有する樹脂層を形成する。そして、半導体ウェーハをダイシングラインに沿って切断してチップ領域を個片化する。以下に添付図面を参照して、実施の形態にかかる半導体チップの製造方法および半導体装置の製造方法を詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。ここで、半導体ウェーハ表面とは、金属パッドや回路素子が配置された面を意味し、半導体ウェーハ裏面とは、半導体ウェーハ表面と反対側の面を意味する。第1の実施の形態図2は、半導体ウェーハを表面側から見た図である。図3は、半導体ウェーハの表面を拡大した部分拡大図である。図4は、図3に示すB-B線に沿った矢視断面図である。図3に示すように、半導体ウェーハ1の表面に金属パッドPAが配置されている。半導体ウェーハ1には、チップ領域を有する複数の半導体チップ2が、ダイシングライン3を介して形成されている。このダイシングライン3に沿って半導体ウェーハ1を切断することによって、チップ領域の個片化、すなわちチップ領域を有する半導体チップ2の個片化を行うことができる。図3、図4に示すように、ダイシングライン3にはテスト用電極パッド14が配置されている。また、半導体ウェーハ1の表面1a及びダイシングライン3は、パッシベーション膜15に覆われている。このパッシベーション膜15に開口13が形成されている。この開口13は、テスト用電極パッド14の位置に対応して形成される。したがって、半導体ウェーハ1の層間に設けられたテスト用電極パッド14が開口13を通して表面1bに露出する。テスト用電極パッド14は、例えば、TEGTestElementGroupの電極パッドであり、半導体ウェーハ1の特性不純物が正しく注入されているかなどを調べるテストに用いられる。ここで、半導体チップ2を個片化する際に、ダイシングライン3に沿って半導体ウェーハ1を切断する後に説明するステップS2ことで、ダイシングライン3はそのほとんどの部分が消失する。したがって、半導体チップ2が個片化される際に、開口13やテスト用電極パッド14も消失する。次に、第1の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を説明する。図1は、第1の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。まず、必要に応じて半導体ウェーハ1の裏面1bを研磨する。次に、図5~7に示すように半導体ウェーハ表面1aのダイシングライン3上に樹脂層12を形成するステップS1。図5は、半導体ウェーハの裏面を拡大した部分拡大図であって、樹脂層が形成された状態を示す図である。図6は、図5に示すC-C線に沿った矢視断面図である。図7は、図5に示すD-D線に沿った矢視断面図である。図8は、図5に示すC-C線に沿った矢視断面図であって、半導体ウェーハをブレードで切断中の状態を示す図である。樹脂層12の形成に用いられる樹脂は、硬化することで少なくとも半導体ウェーハ1のヤング率とほぼ同等のヤング率となる樹脂であることが好ましく、硬化時のヤング率は大きければ大きいほどさらに好ましい。なお、樹脂層12は、後に詳説する塗布装置による樹脂の塗布によって形成されることが好ましい。樹脂層12は、ダイシングライン3上に形成され、その一部に切れ目12aを有する。切れ目12aは、パッシベーション膜15に形成された開口13を避けて設けられる。また、切れ目12aは、ダイシングライン3の交点から所定の範囲を避けて設けられる。すなわち、少なくとも半導体チップ2の角部から辺に沿って延びる所定の領域と隣接するダイシングライン3上には、樹脂層12が形成されることとなる。半導体チップ2の角部以外のダイシングライン3においては、開口13を覆うように樹脂層12が形成され、隣接する開口13間には樹脂層12が形成されていない。この樹脂層12が形成されない部分が切れ目12aに相当する。なお、隣接する開口13間が狭い場合など、隣接する開口13間で樹脂層12が繋がっている場合もある。少なくとも、半導体チップ2の1辺のうちいずれかの部分に切れ目12aが存在すればよい。また、樹脂層12の幅は、ダイシングライン3の幅以下となるように形成される。本実施の形態では、ダイシングライン3の幅よりも小さい幅で樹脂層12が形成されている。このように樹脂層12を形成することで、ブレードによる半導体ウェーハ1の切断時に、ダイシングライン3とともに樹脂層12は消失する。そのため、半導体チップ2上に樹脂層12はほとんど残存しない。次に、図8に示すように、ダイシングライン3の幅に応じた刃厚を有するブレード5を用いて半導体ウェーハ1を切断するステップS2。この際、半導体ウェーハ1の裏面1bにダイシングテープ11が貼り付けられる。これにより、半導体ウェーハ1から半導体チップ2が個片化される。なお、ブレード5は、自身の厚さよりも大きな幅で半導体ウェーハ1を切断するため、ブレード5の刃厚はダイシングライン3の幅よりも小さくなっている。なお、ブレード5だけでなく、レーザや水を用いてダイシングライン3を切断しても良い。なお、ステップS2では、半導体ウェーハ1と接着層10を切断するが、ダイシングテープ11は上部の一部は削られる場合があるが、完全には切断しない。これにより、個片化された半導体チップ2がばらけずに、ダイシングテープ11上で全体としてウェーハ形状が維持される。次に、個片化された半導体チップ2を個々にダイシングテープ11から剥離してピックアップするステップS3。図9は、第1の実施の形態にかかる半導体装置の概略構成を示す断面図である。半導体ウェーハ1からピックアップされた半導体チップ2を、回路パターンが形成された基板51上に接着しステップS4、半導体チップ2に設けられた電極パッドPAと基板51に設けられた接続パッドとを金属ワイヤ41でワイヤボンディングするステップS5。そして、基板51の表面を樹脂モールドすることでステップS6、半導体装置50が製造される。次に、樹脂層12を形成するために半導体ウェーハ1に樹脂を塗布する塗布装置について説明する。図10は、半導体製造装置としての塗布装置の側面図である。図11は、図10に示すE-E線に沿った矢視図である。塗布装置30には、基台31、移動部32、載置部33、支持部34、吐出部35などが設けられている。基台31は、略直方体形状を呈し、その底面には脚部31aが設けられている。また、底面に対向する側の面にはベース板31bが設けられている。移動部32には、軌道レール32a、移動ブロック32b、取付部32c、駆動部32dなどが設けられている。軌道レール32aは、略矩形の断面形状を呈し、ベース板31bの上面に設けられている。また、軌道レール32aは、図10に示すようにベース板31bの長手方向に延在しており、図11に示すように基台31の両端側にそれぞれ設けられている。移動ブロック32bは、略逆U字状の断面形状を呈し、図示しない複数のボールを介して軌道レール32aに取り付けられている。そして、移動ブロック32bが軌道レール32aを跨るようにして軌道レール32a上を往復自在に移動できるようになっている。取付部32cは、平板状を呈し、移動ブロック32bの上面に設けられている。駆動部32dには、ボールネジ部32e、ナット部32f、駆動モータ32gなどが設けられている。ボールネジ部32eは、図10に示すようにベース板31bの長手方向に延在して設けられ、その両端部が基台31に回転自在に取り付けられている。ナット部32fは、図11に示すように取付部32cの下面に設けられ、ボールネジ部32eと螺合するようになっている。ボールネジ部32eの一端には、サーボモータなどの駆動モータ32gが接続されている。そのため、駆動モータ32gによりボールネジ部32eが回転駆動されれば、取付部32cが図10に示す矢印Xの方向に往復駆動されるようになっている。載置部33には図示しない静電チャックや真空チャックなどが内蔵され、その載置面に半導体ウェーハ1を載置、保持することができるようになっている。また、載置部33にはヒータなどの加熱部33aが内蔵されている。なお、載置部33と離隔させて加熱部33aを設けるようにすることもできる。例えば、載置部33に保持された半導体ウェーハ1を照射可能な位置に赤外線ヒータなどを設けるようにすることもできる。支持部34は、略逆U字状を呈し、一対の軌道レール32aを跨ぐようにしてベース板31b上から立設されている。また、支持部34の架設部34aからは取付部34bが突出するようにして設けられている。この取付部34bには吐出部35が取り付けられる。吐出部35は、液状の樹脂を半導体ウェーハ1に向けて吐出させる。吐出部35は、インクジェット法により樹脂を半導体ウェーハ1に向けて吐出させるものである。インクジェット法には、加熱により気泡を発生させ膜沸騰現象を利用して液体を吐出させるサーマル式と、圧電素子の屈曲変位を利用して液体を吐出させる圧電式などがあるが、どちらの方式を採用してもよい。なお、吐出部35としては、インクジェット法により液体を吐出させる既知のインクジェットヘッドを採用することができる。そのため、その詳細な構成については説明を省略する。吐出部35には、配管35bを介して収納部35aが接続されている。収納部35aには、液状の樹脂が収納され、吐出部35に対して供給可能となっている。収納部35aから吐出部35への樹脂の供給は、位置水頭などを利用したものであってもよいし、ポンプなどの送液手段を用いたものであってもよい。また、吐出部35からの吐出タイミングや吐出量などを制御する制御部38が設けられている。例えば、圧電式の吐出部35の場合には、圧電素子に印加する電圧を変えて圧電素子の作動量を制御することで、各圧電素子が対向する吐出ノズルから吐出される樹脂の液滴の大きさ、つまり吐出量を制御するようになっている。また、制御部38は、駆動モータ32gの駆動や吐出部35からの樹脂の吐出タイミングを制御する。したがって、インクジェット方式を用いる塗布装置30によれば、半導体ウェーハ1上の所望の領域に樹脂を塗布するとともに、所望の形状の樹脂層を形成することができる。制御部38は、記憶部39に格納されたプログラムにしたがって、上述した樹脂の塗布を塗布装置30に実行させる。例えば、記憶部39に格納されたプログラムには、樹脂層12が形成される領域を示す情報や、樹脂層12の厚さを示す情報が記述されていてもよい。または、樹脂層12が形成される領域を示す情報や、樹脂層12の厚さを示す情報が記憶部39に格納され、プログラムの記述にしたがって制御部38が記憶部39から必要な情報を読み出して、駆動モータ32gや吐出部35を制御してもよい。以上説明したように、半導体ウェーハ1のヤング率と同等かそれ以上のヤング率となる樹脂層12を半導体ウェーハ1上に形成することで、樹脂層12が形成された部分で、半導体ウェーハ1の厚さを実質的に増すことができる。近年、半導体装置50に対する高集積化の要望によって、半導体チップ2も一層の薄型化が図られている。そのため、半導体ウェーハ1も薄型化し、半導体チップ2を個片化するための切断時に、チッピングなどの欠けが生じやすかった。しかしながら、本実施の形態では、樹脂層12によって、ブレード5によって切断されるダイシングライン3での、半導体ウェーハ1の厚さを実質的に増しているので、欠けの発生を抑えることができる。また、半導体チップ2の角部では、欠けが発生しやすい場合があるが、本実施の形態では半導体チップ2の角部から辺に沿って延びる所定の領域と隣接するダイシングライン3上に樹脂層12が形成されるので、角部での欠けの発生を抑えることができる。また、半導体チップ2を避けるようにダイシングライン3上に樹脂層12が形成されているので、樹脂層12の形成領域を小さく抑えることができ、樹脂の使用量を抑えることができる。また、必要な部分にのみ樹脂層12を形成する切れ目12aが存在することにより樹脂の使用量を抑えることができる。その結果、資源を有効に利用することができる。このような樹脂層12を正確に形成するのにはインクジェット法が好適である。また、切れ目12aを有することにより樹脂層12の長さダイシングライン3に沿った方向の長さを短くすることができる。その結果、樹脂層12がブレード5に巻き込まれる可能性を低くすることができる。よって、ブレード5に巻き込まれた樹脂層12が、ダイシングライン3に近接する半導体チップ2の金属パッドPAを覆うことにより発生するボンディング不良を低減することができる。図12は、第1の実施の形態の変形例1にかかる半導体ウェーハの部分拡大断面図であって、樹脂層の形成領域を説明するための図である。本変形例では、図12に示すように、ダイシングライン3よりも大きな幅で樹脂層12が形成され、半導体チップ2チップ領域上に樹脂層12がはみ出している。したがって、半導体チップ2を個片化した後も、一部の樹脂層12が半導体チップ2上の縁部に残存する。なお、本変形例でいう半導体チップ2の縁部とは、ダイサー5によって削除されずに残ったダイシングライン3も含まれる。図13は、第1の実施の形態の変形例1にかかる半導体装置の概略構成を示す断面図である。図14は、図13に示すG部分の部分拡大断面図である。なお、図14において樹脂モールドは省略している。図13及び14に示すように、基板51上に接着層10を介して半導体チップ2が配置されている。半導体チップ2は金属パッドPAが基板51の上面と同じ方向を向くように配置される。半導体チップ2に形成された電極パッドPAと基板51に形成された接続パッドPSとはワイヤにより電気的に接続されている。ここで、樹脂層12が半導体チップ2上の縁部に残存するので、樹脂層12を跨ぐように金属ワイヤ41が設けられているので、金属ワイヤ41と半導体チップ2とが接触してしまうのを抑えることができる。例えば、基板51の表面を樹脂モールドする際に、樹脂の注入圧などにより金属ワイヤ41が変形した場合であっても、金属ワイヤ41と半導体チップ2との間に樹脂層12があるので、金属ワイヤ41と半導体チップ2とが接触してしまうのを抑えることができる。特に、テスト用電極パッド14をブレード5によって切断する際ステップS2にテスト用電極パッド14の表面がパッシベーション膜15から露出している場合、テスト用電極パッド14がめくれ上がる可能性がある。このめくれ上がったテスト用電極パッド14が金属ワイヤ41と誤接触すると、半導体装置が動作しなくなってしまう可能性がある。ここで、第1の実施の形態の変形例1にかかる半導体装置では、樹脂層12が半導体チップ2上の縁部に残存するので、ステップS2の際にテスト用電極パッド14がめくれ上がる可能性を小さくすることができる。また、樹脂層12により半導体チップ2と金属ワイヤ41が直接接触することが無いので、金属ワイヤ41を半導体チップ2に近づける事ができる。その結果、金属ワイヤ41の長を短くすることができ、金属ワイヤ41の高さばらつきを押さえることができる。特に、半導体チップ2を複数層積層した半導体装置において、金属ワイヤ41の高さばらつきを押さえることは、半導体装置の高さを低くすることができるので有効である。図15は、第1の実施の形態の変形例2にかかる半導体ウェーハを裏面から見た図であって、樹脂層の形成領域を説明するための図である。図15に示すように、切れ目を設けずにダイシングライン3の全体に樹脂層12を形成しても構わない。ダイシングライン3の全体に樹脂層12を形成することで、半導体ウェーハ1のより一層の強度の向上を図り、半導体チップ2でより一層欠けが生じにくくすることができる。なお、変形例2のようにダイシングライン3の全体に樹脂層12を形成する場合にも、樹脂層12を半導体チップ2上にはみ出すように形成してもよい。この場合、個片化された半導体チップ2の縁部の全周にわたって樹脂層12が残存し、どの部分でも金属ワイヤ41が樹脂層12を跨ぐようになり、より確実に金属ワイヤ41と半導体チップ2とが接触してしまうのを抑えることができる。なお、上記実施形態は例示であり、発明の範囲はそれらに限定されない。特に、本実施形態では、テスト用パッド14を例に挙げて説明したが、ダイシングライン3において金属が露出する部分を樹脂層12で覆えば本発明の効果を有する。例えば、リソグラフィなどの合わせに用いられるアライメントマークなども含まれる。