電子源と、該電子源から放出された電子線を集束する集束レンズと、前記電子線を試料上で走査する偏向コイルと、前記電子線の照射によって前記試料から発生した2次電子を検出する検出器と、前記検出器の出力に基づいて前記試料表面のパターンの輪郭を演算する演算手段と、を備えた走査型電子顕微鏡であって、前記演算手段は、前記電子線照射によって変化した前記パターンの輪郭を前記パターン形状に応じて補正することを特徴とする走査型電子顕微鏡。請求項1に記載の走査型電子顕微鏡において、補正後の前記パターンの輪郭を表示する表示手段を有することを特徴とする走査型電子顕微鏡。請求項1に記載の走査型電子顕微鏡において、前記パターン形状は、前記試料に形成されたパターンの断面形状であることを特徴とする走査型電子顕微鏡。請求項1に記載の走査型電子顕微鏡において、前記パターン形状は、前記試料に形成されたパターン断面のテーパ角であることを特徴とする走査型電子顕微鏡。請求項1に記載の走査型電子顕微鏡において、前記パターンは、前記試料に形成されたレジストパターンであることを特徴とする走査型電子顕微鏡。請求項1に記載の走査型電子顕微鏡において、前記パターン形状が電子線の走査方向に対するパターンエッジの角度であり、前記電子線の走査方向に対する前記パターンエッジの角度と前記パターンの寸法変化量の対応表を記憶し格納する対応表記憶部を有することを特徴とする走査型電子顕微鏡。請求項1に記載の走査型電子顕微鏡において、2次元パターンの特定部分においてそれぞれ個別の形状変化量を算出し電子線照射前の前記パターンの輪郭を算出することを特徴とする走査型電子顕微鏡。請求項1に記載の走査型電子顕微鏡において、前記2次元パターンの特定部分が前記パターンの曲がり部分、先端部分、隣接パターン間隔の異なる部分であることを特徴とする走査型電子顕微鏡。請求項7に記載の走査型電子顕微鏡において、前記2次元パターンの特定部分の復元パラメータ量を寸法変化量とする場合、前記パターン断面のテーパ角と前記パターンの寸法変化量および前記電子線の走査方向に対するパターンエッジの角度と前記パターンの寸法変化量の対応表を記憶し格納する対応表記憶部を用いて、前記電子線照射による形状変化量を算出する復元演算部を有し、前記復元演算部で算出した形状変化量を元に前記電子線照射前の前記パターンの輪郭を算出することを特徴とする走査型電子顕微鏡。請求項7に記載の走査型電子顕微鏡において、前記パターンの前記特定部分どうしが影響を与える応力を算出する応力演算部を有し、該応力演算部を用いて電子線照射前の位置を演算することを特徴とする走査型電子顕微鏡。電子源と、該電子源から放出された電子線を集束する集束レンズと、前記電子線を試料上で走査する偏向コイルと、前記電子線の照射によって前記試料から発生した2次電子を検出する検出器と、前記検出器の出力に基づいて前記試料表面のパターンの輪郭を演算する演算手段と、を備えた走査型電子顕微鏡であって、あらかじめ観察する前記試料のパターンの形状パラメータを記憶し格納する形状記憶部と、前記形状パラメータと前記電子線照射によって寸法が変化することによる寸法変化量の対応を記憶する対応表記憶部と、前記形状記憶部と前記対応表記憶部から電子線照射による形状変化量を算出する復元演算部とを有し、前記演算手段は前記パターンの輪郭を、該復元演算部で算出した形状変化量に基づいて前記電子線照射前の前記パターンの輪郭を補正することを特徴とする走査型電子顕微鏡。請求項11に記載の走査型電子顕微鏡において、補正後の前記パターンの輪郭を表示する表示手段を有することを特徴とする走査型電子顕微鏡。請求項11に記載の走査型電子顕微鏡において、前記パターン形状は、前記試料に形成されたパターンの断面形状であることを特徴とする走査型電子顕微鏡。請求項11に記載の走査型電子顕微鏡において、前記パターン形状は、前記試料に形成されたパターン断面のテーパ角であることを特徴とする走査型電子顕微鏡。請求項11に記載の走査型電子顕微鏡において、前記パターンは、前記試料に形成されたレジストパターンであることを特徴とする走査型電子顕微鏡。請求項11に記載の走査型電子顕微鏡において、前記パターン形状が電子線の走査方向に対するパターンエッジの角度であり、前記電子線の走査方向に対する前記パターンエッジの角度と前記パターンの寸法変化量の対応表を記憶し格納する対応表記憶部を有することを特徴とする走査型電子顕微鏡。請求項11に記載の走査型電子顕微鏡において、2次元パターンの特定部分においてそれぞれ個別の形状変化量を算出し電子線照射前の前記パターンの輪郭を算出することを特徴とする走査型電子顕微鏡。請求項11に記載の走査型電子顕微鏡において、前記2次元パターンの特定部分が前記パターンの曲がり部分、先端部分、隣接パターン間隔の異なる部分であることを特徴とする走査型電子顕微鏡。請求項17に記載の走査型電子顕微鏡において、前記2次元パターンの特定部分の復元パラメータ量を寸法変化量とする場合、前記パターン断面のテーパ角と前記パターンの寸法変化量および前記電子線の走査方向に対するパターンエッジの角度と前記パターンの寸法変化量の対応表を記憶し格納する対応表記憶部を用いて、前記電子線照射による形状変化量を算出する復元演算部を有し、前記復元演算部で算出した形状変化量を元に前記電子線照射前の前記パターンの輪郭を算出することを特徴とする走査型電子顕微鏡。請求項17に記載の走査型電子顕微鏡において、前記パターンの前記特定部分どうしが影響を与える応力を算出する応力演算部を有し、該応力演算部を用いて電子線照射前の位置を演算することを特徴とする走査型電子顕微鏡。シュリンクによる物理的な寸法変化や帯電起因の入射電子の偏向による寸法誤差にバラツキがあると、そのSEM像から求めた寸法や形状の信頼性は低くなり、高精度計測の障害となる。このような影響を受けずに高精度計測を実現するためには、シュリンクや帯電によりSEM像が変化する前のパターン寸法またはパターン形状輪郭線を復元し、評価結果として用いる必要がある。また、計測すべき半導体回路は単純な線状のみならず図3に示すような屈曲部301などを含む複雑な2次元パターンを有している。このような2次元パターンでは、領域A302と領域B303でパターンのテーパ角が異なり、形状変化が一様でないことが分かった。そのため、特許文献1及び2に開示される方法で2次元パターンの電子線照射前の形状輪郭線を復元しても、テーパ角により寸法及び形状変化量が異なることを考慮するプロセスが含まれていないので、復元した形状輪郭線の誤差が大きくなると考えられる。また、フォトマスクの設計データに予め補正パターンを入れて、仕上がりの形状をコントロールするOPCOpticalProximityCorrection設計においても、電子線照射前の形状輪郭線を復元することは必要となってくる。OPCパターンの設計は、OPC処理を行ったフォトマスクパターンが、シリコンウェハ上にどのように転写されるかを予測する、リソシミュレータに基づいて行われる。ウェハ上に設計通りの回路パターンが形成されたかどうかを検証するためには、ウェハ上に転写されたレジストパターンを観察することが必要となってくる。OPC検証をより正確に行うためには、CD-SEMから得られたSEM像の形状輪郭線が、試料の実際のパターンエッジ端に即したものであることが重要である。特許文献3によれば、CD-SEMのパターンエッジの各点における投影波形を、試料の断面形状と電子線信号波形とを関連づけるライブラリにあてはめることによりパターンの断面形状を推定し、推定した断面形状における所望の定義のエッジ端例えば、ボトム端をエッジ点とし、その連なりをパターンの輪郭線とするので、試料の実際のパターンエッジ端に即した輪郭線が出力される。しかしながら、電子線照射により形状変化した後の形状輪郭線を用いてOPC補正を行っても、形状変化量の分だけ設計誤差が生じると考えられる。従って、OPC補正においても電子線を照射する前の形状輪郭線情報が必要となってくる。本発明は、2次元パターンの電子線照射前の形状輪郭線を高精度に復元することを目的とする。本発明は、電子源と、該電子源から放出された電子線を集束する集束レンズと、前記電子線を試料上で走査する偏向コイルと、前記電子線の照射によって前記試料から発生した2次電子を検出する検出器と、前記検出器の出力に基づいて前記試料表面のパターンの輪郭を演算する演算手段と、を備えた走査型電子顕微鏡であって、前記演算手段は、前記電子線照射によって変化した前記パターンの輪郭を前記パターン形状に応じて補正することを特徴とする走査型電子顕微鏡である。さらに、補正後の前記パターンの輪郭を表示する表示手段を有することを特徴とする走査型電子顕微鏡である。さらに、前記パターン形状は、前記試料に形成されたパターンの断面形状であることを特徴とする走査型電子顕微鏡である。さらに、前記パターン形状は、前記試料に形成されたパターン断面のテーパ角であることを特徴とする走査型電子顕微鏡である。さらに、前記パターンは、前記試料に形成されたレジストパターンであることを特徴とする走査型電子顕微鏡である。さらに、前記パターン形状が電子線の走査方向に対するパターンエッジの角度であり、前記電子線の走査方向に対する前記パターンエッジの角度と前記パターンの寸法変化量の対応表を記憶し格納する対応表記憶部を有することを特徴とする走査型電子顕微鏡である。さらに、2次元パターンの特定部分においてそれぞれ個別の形状変化量を算出し電子線照射前の前記パターンの輪郭を算出することを特徴とする走査型電子顕微鏡である。さらに、前記2次元パターンの特定部分が前記パターンの曲がり部分、先端部分、隣接パターン間隔の異なる部分であることを特徴とする走査型電子顕微鏡である。さらに、前記2次元パターンの特定部分の復元パラメータ量を寸法変化量とする場合、前記パターン断面のテーパ角と前記パターンの寸法変化量および前記電子線の走査方向に対するパターンエッジの角度と前記パターンの寸法変化量の対応表を記憶し格納する対応表記憶部を用いて、前記電子線照射による形状変化量を算出する復元演算部を有し、前記復元演算部で算出した形状変化量を元に前記電子線照射前の前記パターンの輪郭を算出することを特徴とする走査型電子顕微鏡である。さらに、前記パターンの前記特定部分どうしが影響を与える応力を算出する応力演算部を有し、該応力演算部を用いて電子線照射前の位置を演算することを特徴とする走査型電子顕微鏡である。また、電子源と、該電子源から放出された電子線を集束する集束レンズと、前記電子線を試料上で走査する偏向コイルと、前記電子線の照射によって前記試料から発生した2次電子を検出する検出器と、前記検出器の出力に基づいて前記試料表面のパターンの輪郭を演算する演算手段と、を備えた走査型電子顕微鏡であって、あらかじめ観察する前記試料のパターンの形状パラメータを記憶し格納する形状記憶部と、前記形状パラメータと前記電子線照射によって寸法が変化することによる寸法変化量の対応を記憶する対応表記憶部と、前記形状記憶部と前記対応表記憶部から電子線照射による形状変化量を算出する復元演算部とを有し、前記演算手段は前記パターンの輪郭を、該復元演算部で算出した形状変化量に基づいて前記電子線照射前の前記パターンの輪郭を補正することを特徴とする走査型電子顕微鏡である。パターンの各部所における電子線照射起因の形状変化量は、レジストパターンの断面形状に大きく依存しており、テーパ角が小さいほど電子線照射起因の形状変化量が大きいことが分かった。そこで、本発明では特許文献1及び2に示されているレジスト材料露光条件パターンのウェハ内の位置隣り合う別のパターンとの距離パターン寸法の他に、詳細なパターンの断面形状及び電子線の走査方向に対するパターンのエッジ方向といった情報などから得られるパターンのデータベースと連結し、SEM像を取得するパターン断面のテーパ角マップを作成及び記憶し、さらにテーパ角とシュリンクによる寸法変化量の対応表、及び電子線の走査方向に対するパターンエッジの角度とパターンの寸法変化量の対応表を作成及び記憶し、これらのデータベースを組み合わせることでパターンの各部所における電子線照射起因の形状変化量を算出し、その変化量を元に電子線照射前の形状輪郭線を復元する方法、及び装置を提案する。また、2次元パターンの電子線照射前の形状輪郭線を復元する場合、2次元パターンにおける特定部分曲がり線端隣接密度などを検出し、各部所の形状変化量だけでなく、パターンの各部所同士が影響を及ぼす応力による位置ずれも補正し、形状輪郭線を復元する方法、及び装置を提案する。2次元パターンの電子線照射前の形状輪郭線を高精度に復元することができる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、実施の形態を説明するための図面において、同一の機能を有する部分には、原則として同一の符号を付し、繰り返しの説明を省略する。CD-SEMの構成図4は本発明の一実施例である走査型電子顕微鏡の構成を示す図である。電子源である陰極401と第1陽極402の間には、制御演算装置403制御プロセッサで制御される高電圧制御電源404により電圧が印加され、所定のエミッション電流が陰極401から引き出される。陰極401と第2陽極405の間には、制御演算装置403で制御される高電圧制御電源406により加速電圧が印加されるため、陰極401から放出された入射電子線407は加速されて後段のレンズ系に進行する。入射電子線407は、集束レンズ制御電源408で制御された集束レンズ409で収束され、絞り板410で入射電子線407の不要な領域が除去される。その後、対物レンズ制御電源411で制御された対物レンズ412により試料413に微小スポットとして収束され、偏向コイル414で試料上を2次元的に走査される。偏向コイル414の走査信号は、観察倍率に応じて偏向コイル制御電源415により制御される。また、試料413は2次元的に移動可能な試料ステージ416上に固定されている。試料ステージ416はステージ制御部417により移動が制御される。入射電子線407の照射によって試料413から発生した2次電子418は2次電子検出器419により検出され、描画装置420は検出された2次電子信号を可視信号に変換して別の平面上に適宜配列するように制御を行うことで、試料像表示装置421に試料の表面形状に対応した画像を試料像として表示する。入力装置422はオペレータと制御演算装置403のインターフェースを行うもので、オペレータはこの入力装置422を介して上述の各ユニットの制御を行う他に、測長点の指定や寸法計測の指令を行う。なお、制御演算装置403には図示しない記憶装置が設けられており、得られた測長値や、後述する測長シーケンス等を記憶できるようになっている。2次電子検出器419で検出された信号は、信号アンプ423で増幅された後、描画装置420内の画像メモリに蓄積されるようになっている。なお、本実施例装置は2次電子検出器419を備えているが、これに限られることはなく、反射電子を検出する反射電子検出器や光、電磁波、X線を検出する検出器を2次電子検出器に替えて、或いは一緒に備えることも可能である。画像メモリのメモリ位置に対応したアドレス信号は、制御演算装置403内、或いは別に設置されたコンピュータ内で生成され、アナログ変換された後に、偏向コイル414に供給される。X方向のアドレス信号は、例えば画像メモリが512×512画素の場合、0から512を繰り返すデジタル信号であり、Y方向のアドレス信号は、X方向のアドレス信号が0から512に到達したときに、プラス1される0から512の繰り返しのデジタル信号である。これがアナログ信号に変換される。画像メモリのアドレスと電子線を走査するための偏向信号のアドレスが対応しているので、画像メモリには走査コイルによる電子線の偏向領域の2次元像が記録される。なお、画像メモリ内の信号は、読み出しクロックで同期された読み出しアドレス生成回路で時系列に順次読み出すことができる。アドレスに対応して読み出された信号はアナログ変換され、試料像表示装置421の輝度変調信号となる。画像メモリには、S/N比改善のため画像画像データを重ねて合成して記憶する機能が備えられている。例えば8回の2次元走査で得られた画像を重ねて記憶することで、1枚の完成した像を形成する。即ち1回もしくはそれ以上のX-Y走査単位で形成された画像を合成して最終的な画像を形成する。1枚の完成した像を形成するための画像数フレーム積算数は任意に設定可能であり、2次電子発生効率δ等の条件を鑑みて適正な値が設定される。また複数枚数積算して形成した画像を更に複数枚重ねることで、最終的に取得したい画像を形成することもできる。所望の画像数が記憶された時点、或いはその後に入射電子線のブランキングを実行し、画像メモリへの情報入力を中断するようにしても良い。本実施例の以下の説明では、1回の測長を行うために、所定枚数の画像例えば8枚の画像を積算して、そこから測長を行うための情報例えばラインプロファイルを抽出している。即ち、複数回の測長を行うために、8枚×測長回数の画像を取得する。なお、本実施例の説明では、画像形成に基づく測長を行う例について、説明するが、これに限られることはなく、例えば電子線を1次元的に走査し、当該走査個所から放出される2次電子等の検出に基づいてラインプロファイルを形成することも可能である。またフレーム積算数を8に設定した場合に、9枚目の画像が入力される場合には、1枚目の画像は消去され、結果として8枚の画像が残るようなシーケンスを設けても良いし、9枚目の画像が入力されるときに画像メモリに記憶された積算画像に7/8を掛け、これに9枚目の画像を加算するような重み加算平均を行うことも可能である。また本発明実施例装置は、検出された2次電子或いは反射電子等に基づいて、ラインプロファイルを形成する機能を備えている。ラインプロファイルは入射電子線を1次元、或いは2次元走査したときの電子検出量、或いは試料像の輝度情報等に基づいて形成されるものであり、得られたラインプロファイルは、例えば半導体ウェハ上に形成されたパターンの測長等に用いられる。パターンの測長は、試料像表示装置421に試料像とともに2本の垂直または水平カーソル線を表示させ、入力装置422を介してその2本のカーソルをパターンの2箇所のエッジへ設置し、試料像の像倍率と2本のカーソルの距離の情報をもとに制御演算装置403でパターンの寸法値として測長値を算出する。なお、図4の説明は制御プロセッサ部が走査型電子顕微鏡と一体、或いはそれに準ずるものとして説明したが、無論それに限られることはなく、走査型電子顕微鏡鏡体とは別に設けられた制御プロセッサで以下に説明するような処理を行っても良い。その際には2次電子検出器419で検出される検出信号を制御プロセッサに伝達したり、制御プロセッサから走査型電子顕微鏡のレンズや偏向器等に信号を伝達する伝達媒体と、当該伝達媒体経由で伝達される信号を入出力する入出力端子が必要となる。また、以下に説明する処理を行うプログラムを記憶媒体に登録しておき、画像メモリを有し走査型電子顕微鏡に必要な信号を供給する制御プロセッサで、当該プログラムを実行するようにしても良い。更に、本実施例装置は、例えば半導体ウェハ上の複数点を観察する際の条件計測個所、走査型電子顕微鏡の光学条件等を予めレシピとして記憶しておき、そのレシピの内容に従って、計測や観察を行う機能を備えている。また、以下に説明する処理を行うプログラムを記憶媒体に登録しておき、画像メモリを有し走査型電子顕微鏡に必要な信号を供給する制御プロセッサで、当該プログラムを実行するようにしても良い。即ち、以下に説明する本発明実施例は画像プロセッサを備えた走査型電子顕微鏡等の荷電粒子線装置に採用可能なプログラムの発明としても成立するものである。電子線照射前の形状輪郭線を復元する処理フロー本発明は、図4で説明したCD-SEMの制御演算装置403の機能に、電子線照射後のSEM像から電子線照射前の形状輪郭線を復元する演算部を付加しており、オペレータは入力装置422を介して、取得したSEM像に復元した形状輪郭線を重ね合わせて試料像表示装置421に表示する。具体的な処理手順について、図5及び図6を用いて説明する。まず、露光装置の露光条件601プロセス装置のプロセス条件602OCD装置のプロセス評価の結果603といったパターン情報のデータベース604と連結し、CD-SEMで取得するパターンの断面形状のテーパ角マップ605、及び電子線の走査方向に対するパターンエッジの角度マップ606をデータベースとして形状記憶部607に格納するS501。次に、テーパ角とシュリンクによる寸法変化量の対応表608、及び電子線の走査方向に対するパターンエッジの角度と寸法変化量の対応表609を別途作成し、データベースとして対応表記憶部610に格納するS502。各対応表の具体的な作成方法、及び各対応表を用いた場合の形状輪郭線復元手順については後述する。形状記憶部607と対応表記憶部610の各データベースを用いて、形状輪郭線復元演算部611でパターンの各部所における電子線照射起因の形状変化量を算出するS503。次に、CD-SEMでSEM像612を取得し、取得したSEM像612から電子線照射後の形状輪郭線613を抽出するS504。形状輪郭線復元演算部611で算出した電子線照射起因の形状変化量と電子線照射後の形状輪郭線613から、電子線照射前の形状輪郭線614を復元しS505、取得したSEM像612に重ね合わせて表示するS506。形状輪郭線に関しては、パターンエッジから輪郭線を抽出する技術を用いる。具体的には、取得したSEM像からパターンエッジを抽出し、当該エッジ部分と設計データの輪郭線でのパターンマッチングを行う。次に、SEMエッジについて輪郭線化を行う。輪郭線化に際しては、SEMエッジのホワイトバンドの輝度分布を波形として認識し、輝度の大きな箇所あるいは所定のしきい値の設定によって抽出される箇所を繋ぎ合わせるようにして、輪郭線を抽出する。対応表記憶部の各対応表を作成する方法及びその対応表を用いて形状輪郭線を復元具体的な処理手順について、図7及び図8を用いて説明する。まず、露光装置の露光条件801プロセス装置のプロセス条件802OCD装置のプロセス評価の結果803といったパターン情報のデータベース804と連結し、CD-SEMで取得するパターンの断面形状のテーパ角マップ805、及び電子線の走査方向に対するパターンエッジの角度マップ806をデータベースとして形状記憶部807に格納するS701。次に、テーパ角とシュリンクによる寸法変化量の対応表808、及び電子線の走査方向に対するパターンエッジの角度と寸法変化量の対応表809を別途作成し、データベースとして対応表記憶部810に格納するS702。テーパ角とシュリンクによる寸法変化量の対応表808を作成するためには、多様なテーパ角のレジストパターンに対し、電子線照射前の断面形状と電子線照射によりシュリンクした後の断面形状を計測し、数ナノレベルで変化する寸法変化量を特定する必要がある。断面形状毎の寸法変化量の特定には、断面SEMやSTEMを用いても良い。本実施例で使用したArFレジストにおいて、テーパ角とシュリンクによる寸法変化量の関係は708のような特性が得られた。テーパ角60°のときの寸法変化量が約6nmに対し、テーパ角80°のときの寸法変化量が約3nmと、テーパ角が小さくなるほどシュリンクによる寸法変化量は大きくなる。また、90°以降は飽和する。次に、電子線の走査方向に対するパターンエッジの角度と寸法変化量の対応表809を作成するためには、電子線の走査方向に対するパターンエッジの角度とその帯電により電子線が偏向される量を特定する必要がある。本実施例で使用したArFレジストにおいて、電子線の走査方向に対するパターンエッジの角度と寸法変化量の関係は809のような特性が得られた。電子線の走査方向に対するパターンエッジの角度が1°の場合、電子線は帯電の影響をあまり受けず、寸法誤差はゼロとなる。一方、電子線の走査方向に対するパターンエッジの角度が89°の場合、電子線は左右の帯電の影響を受けブロック矢印810に示す方向に偏向され、寸法誤差が1nmとなる。形状記憶部807と対応表記憶部811の各データベースを用いて、形状輪郭線復元演算部812でパターンの各部所における電子線照射起因の形状変化量を算出するS703。次に、CD-SEMでSEM像813を取得し、取得したSEM像813から電子線照射後の形状輪郭線814を抽出するS704。形状輪郭線復元演算部812で算出した電子線照射起因の形状変化量と電子線照射後の形状輪郭線814から、電子線照射前の形状輪郭線815を復元しS705、取得したSEM像813に重ね合わせて表示するS706。2次元パターンの位置補正1次元パターンと2次元パターンでは電子線を照射したときの形状変化の様子が異なる。図9-Aのような1次元パターン901では、パターン各部所における形状変化量902だけでなく、パターン各部所がお互いに引っ張り合う力以下、応力と呼ぶも同程度と考えられるので、電子線照射前の形状輪郭線903を推定する際、パターン位置の補正を行う必要がなく、単純に算出した形状変化量を加算すれば良い。一方、図9-Bのような2次元パターン904では、領域A905と領域B906では形状変化量が異なり、さらに、領域Bがシュリンクすることで領域Aに矢印で示すような応力907がかかる。従って、2次元パターン904の電子線照射前の形状輪郭線908を高精度に復元するためには、パターン各部所における形状変化量を算出することに加えて、パターン各部所同士の応力907を考慮した位置補正を行う必要がある。図10及び11を用いて、2次元パターンの具体的な位置補正方法について説明する。まず、図11-Aに示すように2次元パターンを同じ大きさのブロックで分割するS1001。なお、本実施例ではブロックA1101の位置補正方法に特化して説明する。ブロックA1101以外の周辺ブロックをブロックB1102とする。次に、図11-Bに示すよう、2次元パターンをブロックA1101を中心とする4つの象限に分けるS1002。第1象限1103は矢印1104、第2象限1105は矢印1106、第3象限1107は矢印1108、第4象限1109は矢印1110の方向に応力がかかると仮定する。次に、各象限に含まれるブロックB1102の個数を算出するS1003。算出したブロックB1102の個数で、各象限の応力に重みづけをしS1004、その重みづけを元に位置補正を行うS1005。図11のパターンの場合、図11-Cに示すよう、各象限に含まれるブロックB1102の個数は、第2象限1105が0個、第1象限1103及び第3象限1107が2個、第4象限1109が11個と、第4象限1109が最も多く、矢印1110の方向にかかる応力が最も大きい。また、矢印1104と矢印1108はお互い逆方向に応力が働くので、その力は相殺されると考えて良い。以上を踏まえて図に示すような2次元パターンの電子線照射前の形状輪郭線1111を復元すると図11-Dのようになり、図11-Eに示す従来法で復元した形状輪郭線1112とは大きく異なることがわかる。2次元パターンの特定部分における形状輪郭線の復元方法観察する2次元パターンでは、図12に示すような、曲がり部分1201ラインパターンの先端部分1202パターン密度の異なる部分1203を含むことが多い。曲がり部分1201は、前述の実施例で示したような方法を用いて電子線照射前の形状輪郭線を復元するため、ここではその復元方法について割愛する。ラインパターンの先端部分1202の電子線照射前の形状輪郭線復元方法について、図13を用いて説明する。ラインパターンの先端部分1202を含む領域A1301のテーパ角α1302は、領域B1303のテーパ角β1304よりも小さい。従って、電子線照射による寸法変化量は領域Aの方が領域Bよりもが大きくなる。その結果を踏まえると、電子線照射前の形状輪郭線1305は破線で示されるような形状になる。さらに、パターン密度の異なる部分1203の電子線照射前の形状輪郭線復元方法の具体的な処理手順について、図14及び図15を用いて説明する。まず、露光装置の露光条件1501プロセス装置のプロセス条件1502OCD装置のプロセス評価の結果1503といったパターン情報のデータベース1504と連結し、CD-SEMで取得するパターンのレイアウトマップ1505をデータベースとして形状記憶部1506に格納するS1401。次に、隣接するパターンの間隔とシュリンクによる寸法変化量の対応表1507を別途作成し、データベースとして対応表記憶部1508に格納するS1402。対応表1507を作成するためには、隣接するパターンの間隔が異なるレジストパターンに対し、電子線照射前の断面形状と電子線照射によりシュリンクした後の断面形状を計測し、数ナノレベルで変化する寸法変化量を特定する必要がある。寸法変化量の特定には、断面SEMやSTEMを用いても良い。形状記憶部1506と対応表記憶部1508のデータベースを用いて、形状輪郭線復元演算部1509で隣接するパターンの間隔毎の電子線照射起因の形状変化量を算出するS1403。次に、CD-SEMでSEM像1510を取得し、取得したSEM像1510から電子線照射後の形状輪郭線1511を抽出するS1404。形状輪郭線復元演算部1509で算出した電子線照射起因の形状変化量と電子線照射後の形状輪郭線1511から、電子線照射前の形状輪郭線1512を復元しS1405、取得したSEM像1510に重ね合わせて表示するS1406。