"圧電基板と、前記圧電基板の上に形成されたIDT電極と、前記圧電基板の上に形成されており、酸化ケイ素からなる第1の誘電体層と、前記第1の誘電体層の上に形成されており、前記第1の誘電体層よりも速い音速を有する第2の誘電体層と、を備える、弾性表面波装置であって、前記第1の誘電体層と前記圧電基板との間に形成されており、前記圧電基板の表面並びに前記IDT電極の上面及び側面を覆う第3の誘電体層をさらに備える弾性表面波装置。前記第3の誘電体層の厚みは、前記IDT電極の電極指間ピッチにより決まる波長の1.5以上である、請求項1に記載の弾性表面波装置。前記第3の誘電体層の厚みは、前記第1の誘電体層の厚み以下である、請求項1に記載の弾性表面波装置。前記第3の誘電体層は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ダイヤモンド、アルミナまたは窒化アルミニウムからなる、請求項1~3のいずれか一項に記載の弾性表面波装置。前記第2の誘電体層は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ダイヤモンド、アルミナまたは窒化アルミニウムからなる、請求項1~4のいずれか一項に記載の弾性表面波装置。前記圧電基板は、LiNbO3またはLiTaO3からなる、請求項1~5のいずれか一項に記載の弾性表面波装置。前記圧電基板は、120°~130°YカットX伝搬のLiNbO3基板からなる、請求項6に記載の弾性表面波装置。前記圧電基板は、-10°~10°YカットX伝搬のLiNbO3基板からなる、請求項6に記載の弾性表面波装置。しかしながら、特許文献1に記載の弾性表面波装置では、不要波に起因して、例えば、共振周波数と反共振周波数との間にスプリアスが生じたり、通過帯域内にスプリアスが生じたりするという問題がある。本発明は、係る点に鑑みてなされたものであり、その目的は、不要波に起因する周波数特性の低下が抑制された弾性表面波装置を提供することにある。本発明に係る弾性表面波装置は、圧電基板と、IDT電極と、第1の誘電体層と、第2の誘電体層とを備えている。IDT電極は、圧電基板の上に形成されている。第1の誘電体層は、圧電基板の上に形成されている。第1の誘電体層は、酸化ケイ素からなる。第2の誘電体層は、第1の誘電体層の上に形成されている。第2の誘電体層は、第1の誘電体層よりも速い音速を有する。本発明に係る弾性表面波装置は、第3の誘電体層をさらに備えている。第3の誘電体層は、第1の誘電体層と圧電基板との間に形成されている。第3の誘電体層は、圧電基板の表面並びにIDT電極の上面及び側面を覆っている。本発明に係る弾性表面波装置のある特定の局面では、第3の誘電体層の厚みは、IDT電極の電極指間ピッチにより決まる波長の1.5以上である。この構成では、不要波に起因する周波数特性の低下をより効果的に抑制することができる。本発明に係る弾性表面波装置の他の特定の局面では、第3の誘電体層の厚みは、第1の誘電体層の厚み以下である。本発明に係る弾性表面波装置の別の特定の局面では、第3の誘電体層は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ダイヤモンド、アルミナまたは窒化アルミニウムからなる。本発明に係る弾性表面波装置のさらに他の特定の局面では、第2の誘電体層は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ダイヤモンド、アルミナまたは窒化アルミニウムからなる。本発明に係る弾性表面波装置のさらに別の特定の局面では、圧電基板は、LiNbO3またはLiTaO3からなる。本発明に係る弾性表面波装置のまたさらに他の特定の局面では、圧電基板は、120°~130°YカットX伝搬のLiNbO3基板からなる。この構成では、レイリー波をメインモードとして利用し、SH波を不要波としたときに、不要波であるSH波に起因する周波数特性の低下をより効果的に抑制することができる。本発明に係る弾性表面波装置のまたさらに別の特定の局面では、圧電基板は、-10°~10°YカットX伝搬のLiNbO3基板からなる。この構成では、SH波をメインモードとして利用し、レイリー波を不要波としたときに、不要波であるレイリー波に起因する周波数特性の低下をより効果的に抑制することができる。本発明に係る弾性表面波装置では、第1の誘電体層と圧電基板との間に形成されており、圧電基板の表面並びにIDT電極の上面及び側面を覆う第3の誘電体層が設けられている。このため、不要波に起因する周波数特性の低下が抑制されている。以下、本発明を実施した好ましい形態について、図1に示すラダー型の弾性表面波フィルタ装置1を例に挙げて説明する。但し、弾性表面波フィルタ装置1は、単なる例示である。本発明は、弾性表面波フィルタ装置1に何ら限定されない。本発明に係る弾性表面波装置は、例えば、弾性表面波分波器であってもよいし、弾性表面波共振子であってもよい。また、本発明に係る弾性表面波装置は、例えば縦結合共振子型弾性表面波フィルタ装置であってもよい。図1に示すように、弾性表面波フィルタ装置1は、第1及び第2の信号端子11,12を有する。第1及び第2の信号端子11,12は、直列腕13によって接続されている。直列腕13において、複数の直列腕共振子S1~S4が直列に接続されている。直列腕共振子S2には、キャパシタC1が並列に接続されている。直列腕13とグラウンド電位とは、並列腕14~16により接続されている。並列腕14~16のそれぞれには、並列腕共振子P1~P3が設けられている。並列腕共振子P1とグラウンド電位との間には、インダクタL1が接続されている。並列腕共振子P2とグラウンド電位との間には、インダクタL2が接続されている。インダクタL1.L2とグラウンド電位との間には、インダクタL4が接続されている。並列腕共振子P3とグラウンド電位との間には、インダクタL3が接続されている。直列腕共振子S1~S4及び並列腕共振子P1~P3のそれぞれは、1または複数の弾性表面波共振子により構成されている。その弾性表面波共振子20の略図的平面図を図2に示し、図3に一部分を拡大した略図的断面図を示す。弾性表面波共振子20は、圧電基板21を有する。圧電基板21は、例えば、LiNbO3やLiTaO3により形成することができる。圧電基板21は、例えば、120°~130°YカットX伝搬のLiNbO3基板や-10°~10°YカットX伝搬のLiNbO3基板により構成することができる。圧電基板21の主面21aの上には、IDT電極22が形成されている。IDT電極22は、互いに間挿し合っている一対のくし歯状電極により形成されている。IDT電極22は、適宜の導電材料により形成することができる。IDT電極22は、例えば、Al,Pt,Au,Ag,Cu,Ni,Ti,Cr及びPdからなる群から選ばれた金属、もしくは、Al,Pt,Au,Ag,Cu,Ni,Ti,Cr及びPdからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金により形成することができる。また、IDT電極22は、上記金属や合金からなる複数の導電層の積層体により構成することもできる。主面21aの上には、第1の誘電体層23が形成されている。第1の誘電体層23は、酸化ケイ素からなる。このため、第1の誘電体層23は、圧電基板21とは正負が異なる周波数温度係数TCF:TemperatureCoefficientofFrequencyを有する。よって、第1の誘電体層23を設けることにより、弾性表面波共振子20の周波数温度特性を改善できる。その結果、弾性表面波フィルタ装置1の周波数温度特性を改善することができる。第1の誘電体層23の厚みは、IDT電極22において励振される弾性波が弾性表面波となる程度であれば特に限定されない。第1の誘電体層23の厚みは、例えば、電極厚み~0.5λ程度とすることができる。第1の誘電体層23の上には、第2の誘電体層24が形成されている。第1の誘電体層23は、この第2の誘電体層24により覆われている。第2の誘電体層24は、第1の誘電体層23よりも速い音速を有する。第2の誘電体層24は、例えば、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ダイヤモンド、アルミナまたは窒化アルミニウムにより形成することができる。この第2の誘電体層24の厚みを調整することにより、弾性表面波共振子20の周波数特性を調整できる。その結果、弾性表面波フィルタ装置1の周波数特性を調整することができる。従って、第2の誘電体層24を設けることにより、弾性表面波フィルタ装置1を高い周波数精度で製造することができる。また、製造後において、フィルタ特性などの周波数特性を容易に調整することができる。なお、第2の誘電体層24の厚みは、IDT電極22において励振される弾性波が弾性表面波となる程度であれば特に限定されない。第2の誘電体層24の厚みは、例えば、0.002λ~0.05λ程度とすることができる。さらに、本実施形態では、第1の誘電体層23と圧電基板21との間に、第3の誘電体層25が形成されている。この第3の誘電体層25によって、圧電基板21の主面21a及びIDT電極22の上面22a及び側面22b、22cが直接覆われている。第3の誘電体層25は、圧電基板21の主面21a及びIDT電極22の上面22a及び側面22b、22cと接触している。第3の誘電体層25は、第1の誘電体層23とは異なる誘電体からなる。第3の誘電体層25は、例えば、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ダイヤモンド、アルミナまたは窒化アルミニウムにより形成することができる。なお、第3の誘電体層25は、第1の誘電体層23よりも速い音速を有していてもよいし、遅い音速を有していてもよい。第3の誘電体層25の厚みは、第1の誘電体層23の厚み以下であって、IDT電極22の電極指間ピッチにより決まる波長の1.5以上であることが好ましい。なお、第1~第3の誘電体層23~25の形成方法は、特に限定されない。第1~第3の誘電体層23~25は、例えば、スパッタリング法やCVD法などにより形成することができる。以上説明したように、本実施形態では、第1の誘電体層23と圧電基板21との間に、圧電基板21の主面21a及びIDT電極22の上面22a及び側面22b、22cを覆う第3の誘電体層25が形成されている。このため、この第3の誘電体層25の厚みを変化させることによって、IDT電極22によって励振される複数種類の弾性表面波の音速関係をずらすことができる。従って、不要な弾性表面波に起因するスプリアスの周波数を、特性発現に利用するメインモードの共振周波数や反共振周波数から遠ざけることができる。例えば、120°~130°YカットX伝搬のLiNbO3基板により圧電基板21を構成し、レイリー波をメインモード、SH波を不要波としたときに、不要波であるSH波に起因するスプリアスの周波数位置を、メインモードであるレイリー波の共振周波数と反共振周波数の間の周波数帯域の外側や、レイリー波によって形成される通過帯域の外に配置することが可能となる。その結果、高い周波数特性を実現することができる。また、例えば、-10°~10°YカットX伝搬のLiNbO3基板により圧電基板21を構成し、SH波をメインモード、レイリー波を不要波としたときに、不要波であるレイリー波に起因するスプリアスの周波数位置を、メインモードであるSH波の共振周波数と反共振周波数の間の周波数帯域の外側や、SH波によって形成される通過帯域の外に配置することが可能となる。その結果、高い周波数特性を実現することができる。以下、この効果について、具体例を参照しながら詳細に説明する。まず、以下の設計パラメータで、上記説明の弾性表面波共振子20と実質的に同様の構成を有する弾性表面波共振子を、第3の誘電体層の厚みを種々変化させて複数作製し、メインモードであるレイリー波の共振周波数及び反共振周波数並びに不要波であるSH波に起因するスプリアスの周波数位置とを測定した。また、レイリー波の反共振周波数に対するSH波に起因するスプリアスの周波数の比FSH/Faを算出した。結果を図4及び図5に示す。なお、図4及び図5において、横軸は、第3の誘電体層の波長λで規格化した厚みである。また、図6において、第3の誘電体層の波長規格化厚みが2.5であるときの位相特性を実線で示し、第3の誘電体層の波長規格化厚みが0であるときの位相特性を破線で示す。弾性表面波共振子の設計パラメータ圧電基板:129°YカットX伝搬のLiNbO3基板IDT電極の構成:Ti膜厚み:10nm/AlCu膜厚み:130nm、Cu含有率:10質量/Ti膜厚み:10nm/Pt膜厚み:80nm/NiCr膜厚み:10nm/圧電基板IDT電極の波長λ:4.0μmIDT電極のDuty:0.48第1の誘電体層:厚み1100nmのSiO2膜第2の誘電体層:厚み40nmのSi3N4膜第3の誘電体層:厚みが0nm、50nm、100nmまたは150nmのSi3N4膜図4及び図5に示す結果から、第3の誘電体層の波長規格化厚みが大きくなるに従って、レイリー波の共振周波数及び反共振周波数並びにSH波に起因するスプリアスの周波数は、いずれも高周波数側にシフトすることが分かる。しかしながら、第3の誘電体層の波長規格化厚みの変化量に対する、レイリー波の共振周波数及び反共振周波数の変化量は相対的に小さく、第3の誘電体層の波長規格化厚みの変化量に対する、SH波に起因するスプリアスの周波数の変化量は相対的に大きい。このため、第3の誘電体層が形成されていない場合第3の誘電体層の波長規格化厚み=0である場合は、SH波に起因するスプリアスの周波数が、レイリー波の共振周波数と反共振周波数との間の周波数帯に位置しているが、第3の誘電体層の波長規格化厚みが大きくなると、SH波に起因するスプリアスの周波数が、レイリー波の共振周波数と反共振周波数との間の周波数帯よりも高域側に位置することとなる。具体的には、図4に示すグラフからも分かるように、第3の誘電体層の波長規格化厚みを1.5以上とすることによって、SH波に起因するスプリアスの周波数を、レイリー波の共振周波数と反共振周波数との間の周波数帯よりも高域側に位置させることができる。このため、不要波であるSH波に起因するスプリアスによる周波数特性の劣化を効果的に抑制することができる。また、上述のように、レイリー波の周波数特性とSH波の周波数特性とは、第3の誘電体層の波長規格化厚みに対する変化態様が異なるものであるため、SH波をメインモードとして利用し、レイリー波を不要波とするときにおいても同様に、第3の誘電体層を設けることによって、不要波に起因するスプリアスによる周波数特性の劣化を効果的に抑制できる。次に、実施例として、下記の設計パラメータで上記弾性表面波フィルタ装置1と同様の構成を有する弾性表面波フィルタ装置を作成し、挿入損失を測定した。結果を、図7に破線で示す。また、比較例として、第3の誘電体層を設けなかったこと以外は、上記実施例に係る弾性表面波フィルタ装置と同様の構成を有する弾性表面波フィルタ装置を作成し、挿入損失を測定した。結果を、図7に実線で示す。実施例における設計パラメータ圧電基板:129°YカットX伝搬のLiNbO3基板IDT電極の構成:Ti膜厚み:10nm/AlCu膜厚み:130nm、Cu含有率:10質量/Ti膜厚み:10nm/Pt膜厚み:80nm/NiCr膜厚み:10nm/圧電基板第1の誘電体層:厚み1000nmのSiO2膜第2の誘電体層:厚み40nmのSi3N4膜第3の誘電体層:厚み100nmのSi3N4膜図7に示すように、比較例図7における実線では、不要波であるSH波に起因するスプリアスが通過帯域内の高域側部分に生じており、通過帯域内の高域側部分における挿入損失が大きくなっている。それに対して、実施例図7における破線では、スプリアスが通過帯域よりも高域側、すなわち通過帯域外に位置しており、通過帯域における高域側部分の挿入損失の増大が抑制され、結果として、通過帯域の挿入損失が改善されている。このことから、第3の誘電体層を設けることにより、通過帯域における挿入損失の増大を抑制することができる。また、第1の誘電体層と圧電基板との間に形成されており、圧電基板の表面並びにIDT電極の上面及び側面を覆う第3の誘電体層が形成されている構成のものであれば、第2の誘電体層は省略されていてもよい。この場合でも、メインモードの周波数特性と不要波となるスプリアスの周波数特性が、第3の誘電体層の厚みに対して異なる挙動を示すことが確かめられており、したがって、本願の効果が得られることがわかる。"