"Aa1少なくとも式:R1SiO3/2式中、R1はアルキル基またはアリール基を示す。で表される3官能型シロキサン単位を含む、ヒドロシリル化反応に関与しないオルガノシロキサン60~99重量部と、a2式:R22SiO22式中、R2はアルケニル基、アルキル基またはアリール基を示し、分子中少なくとも1つはアルケニル基である。で表される2官能型シロキサン単位および/または式:R23SiO12式中、R2は上記のとおりである。で表される1官能型シロキサン単位を含むオルガノシロキサン40~1重量部、を反応させて得られる、1分子中に平均1個以上のアルケニル基を有するポリオルガノシロキサン100重量部と、B1分子中にケイ素原子に結合した水素原子を2個以上有し、25°Cにおける粘度が1~1000mPasであるポリオルガノハイドロジェンシロキサンを、前記A成分のケイ素原子に結合したアルケニル基1モルに対して、ケイ素原子に結合した水素原子が0.5~3.0モルとなる量と、C白金系触媒の触媒量をそれぞれ含有し、硬化物の貯蔵弾性率が25°Cから50°Cで40以上低下することを特徴とする半導体封止用シリコーン組成物。当該半導体封止用シリコーン組成物の硬化物の貯蔵弾性率が、25°Cから50°Cで70以上低下することを特徴とする請求項1記載の半導体封止用シリコーン組成物。前記A成分の150°Cで1時間加熱後の不揮発分が97重量以上であることを特徴とする請求項1または2記載の半導体封止用シリコーン組成物。前記a1成分のケイ素原子に結合した全有機基の20~70モルがフェニル基であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の半導体封止用シリコーン組成物。前記A成分のポリオルガノシロキサンが、平均単位式:R1SiO3/2aR12SiO2/2bR1SiO3-n/2YncR12SiO2-m/2Ymdで表される第1のオルガノシロキサンと、式:R23SiO122R22SiO22eで表される第2のオルガノシロキサンと、式:R22SiO22fで表される第3のオルガノシロキサンを、g:h:iの重量比で反応させて得られるポリマーであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の半導体封止用シリコーン組成物。式中、R1はアルキル基またはアリール基を示し、R2はアルケニル基、アルキル基またはアリール基を示し、Yはアルコキシ基または水酸基を示す。nは1または2であり、mは1である。aは正数、bは正数、cは0または正数、dは0または正数であり、abcd=1.0、0.2<ac/abcd<0.8、0.2<bd/abcd<0.8、0≦c/abcd<0.15、0≦d/abcd<0.15となる数である。また、eは0または正数、fは正数であり、0≦e≦100、3≦f≦20となる数である。さらに、g、h、iはそれぞれ、60≦g≦99、0≦h≦20、0≦i≦20、ghi=100となる数である。前記A成分のポリオルガノシロキサンが、以下の工程1で得られたポリオルガノシロキサンIに、工程2で、アルケニル基を含有する直鎖状オルガノシロキサンIIおよび/またはアルケニル基を含有する環状オルガノシロキサンIIIを、ブロック重合またはグラフト重合平衡化反応させることにより得られたものであることを特徴とする請求項5記載の半導体封止用シリコーン組成物。工程1式:R1SiX3およびR12SiX2式中、R1はアルキル基またはアリール基を示し、Xはハロゲン基、アルコキシ基、または水酸基を示す。で表されるシラン化合物を酸性条件下加水分解または部分加水分解して得られるポリオルガノシロキサンを、塩基性触媒の存在下で重合させて、平均単位式:R1SiO3/2aR12SiO2/2bR1SiO3-n/2YncR12SiO2-m/2Ymd式中、Yはアルコキシ基または水酸基を示す。nは1または2であり、mは1である。aは正数、bは正数、cは0または正数、dは0または正数であり、abcd=1.0、0.2<ac/abcd<0.8、0.2<bd/abcd<0.8、0≦c/abcd<0.15、0≦d/abcd<0.15となる数である。で表されるポリオルガノシロキサンIを得る工程工程2前記ポリオルガノシロキサンIに、式:R23SiO122R22SiO22e式中、R2はアルケニル基、アルキル基またはアリール基を示す。eは0または正数であり、0≦e≦100となる数である。で表されるアルケニル基含有の直鎖状ポリオルガノシロキサンII、および/または式:R22SiOf式中、R2は上記のとおりである。fは正数であり、3≦f≦20となる数である。で表されるアルケニル基含有の環状ポリオルガノシロキサンを、塩基性触媒の存在化でブロック重合またはグラフト重合平衡化反応させる工程以下、本発明の半導体封止用シリコーン組成物について詳細に説明する。[A成分]A成分は、本発明の特徴である硬化物の貯蔵弾性率の加熱による大幅な低下25°Cから50°Cで40以上低下を付与するうえで、主要な成分である。A成分は、1分子中に平均1個以上のアルケニル基を有するポリオルガノシロキサンであり、a1ヒドロシリル化反応に関与しないオルガノシロキサン60~99重量部と、a2ヒドロシリル化反応に関与するアルケニル基を有する2官能型シロキサン単位および/またはアルケニル基を有する1官能型シロキサン単位を含むオルガノシロキサン40~1重量部を反応させて得られる。a2成分は、アルケニル基を有する2官能型シロキサン単位とアルケニル基を有する1官能型シロキサン単位のどちらか一方を含有していても、あるいは両方を含有していてもよい。また、アルケニル基を含有しない2官能型および/または1官能型のシロキサン単位を含んでいてもよい。a1ヒドロシリル化反応に関与しないオルガノシロキサンは、少なくとも式:R1SiO3/2で表される3官能型シロキサン単位を含む。また、a2アルケニル基を有する2官能型シロキサン単位は式:R22SiO22で表され、アルケニル基を有する1官能型シロキサン単位は式:R23SiO12で表される。これらの式中、R1はアルキル基またはアリール基を示し、R2はアルケニル基、アルキル基またはアリール基を示す。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基等を挙げることができ、メチル基がより好ましい。アリール基としては、フェニル基、トリル基等を挙げることができ、フェニル基がより好ましい。アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペテニル基、ヘキセニル基等を挙げることができ、ビニル基がより好ましい。a2を構成する2官能型シロキサン単位が有するR2のうちで、a2分子中少なくとも1個はアルケニル基であり、1官能型シロキサン単位の有するR2のうちで、a2分子中少なくとも1個はアルケニル基である。そして、A成分は1分子中に平均1個以上のアルケニル基を有している。また、硬化物の屈折率を高くする観点から、a1成分のケイ素原子に結合した全有機基のうちの20~70モルがフェニル基であることが好ましく、40~60モルがフェニル基であることがより好ましい。A成分のポリオルガノシロキサンは、例えば、平均単位式:R1SiO3/2aR12SiO2/2bR1SiO3-n/2YncR12SiO2-m/2Ymdで表される第1のオルガノシロキサンと、式:R23SiO122R22SiO22eで表される第2のオルガノシロキサンと、式:R22SiO22fで表される第3のオルガノシロキサンを、g:h:iの重量比で反応させて得られるポリマーである。なお、前記単位式中、R1はアルキル基またはアリール基を示し、R2はアルケニル基、アルキル基またはアリール基を示す。また、Yはアルコキシ基または水酸基を示す。アルキル基、アリール基、アルケニル基としては、前記と同様のものを例示することができ、それぞれメチル基、フェニル基、ビニル基とすることが好ましい。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができ、メトキシ基、エトキシ基がより好ましい。nは1または2であり、mは1である。すなわち、式:R1SiO3-n/2Ynで表されるシロキサン単位は2官能型シロキサン単位または1官能型シロキサン単位であり、式:R12SiO2-m/2Ymで表されるシロキサン単位は1官能型シロキサン単位である。さらに、aおよびbは正数であり、cおよびdは0または正数であり、abcd=1.0、0.2<ac/abcd<0.8、0.2<bd/abcd<0.8、0≦c/abcd<0.15、0≦d/abcd<0.15となる数である。また、eは0または正数、fは正数であり、0≦e≦100、3≦f≦20となる数である。さらに、g、hおよびiは、それぞれ第1のオルガノシロキサン、第2のオルガノシロキサンおよび第3のオルガノシロキサンの重量割合を表し、60≦g≦99、0≦h≦20、0≦i≦20となる数である。そして、hとiが同時に0になることはなく、ghi=100を満足させる数である。アルケニル基の結合位置は制限されない。R23SiO1/2単位のケイ素原子に結合していても、R22SiO22eにおけるR22SiO2/2単位のケイ素原子に結合していても、R22SiO22fにおけるR22SiO2/2単位のケイ素原子に結合していてもよく、前記単位式で表されるA成分のポリオルガノシロキサンが1分子中に平均で1個以上のアルケニル基を有していればよい。このようなA成分の150°Cで1時間加熱後の減量率加熱減量率は、3重量以下であることが好ましい。すなわち、150°Cで1時間加熱後の不揮発分が97重量以上であることが好ましい。A成分の加熱減量率が3重量を超える場合には、硬化時および硬化後のクラッキング発生の原因になり、好ましくない。A成分のポリオルガノシロキサンは、以下の工程1で得られたポリオルガノシロキサンIに、工程2でアルケニル基含有のオルガノシロキサンIIおよび/またはIIIをブロック重合またはグラフト重合平衡化反応させることにより製造することが好ましい。工程1は、式:R1SiX3およびR12SiX2で表されるシラン化合物を、酸性条件下で加水分解または部分加水分解して得られるポリオルガノシロキサンを、塩基性触媒の存在下で重合縮合させる工程である。前記式中、R1はアルキル基またはアリール基を示す。アルキル基およびアリール基としては、前記と同様のものを例示することができ、それぞれメチル基、フェニル基とすることが好ましい。Xはハロゲン基、アルコキシ基、または水酸基を示す。ハロゲン基としては、クロロ基、ブロモ基、フロロ基等を挙げることができ、クロロ基がより好ましい。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができ、メトキシ基、エトキシ基がより好ましい。塩基性触媒としては、水酸化セシウム等を使用することができる。また、重合縮合反応の加熱温度時間は80°C~150°Cで3時間以上とすることが好ましい。こうして、平均単位式:R1SiO3/2aR12SiO2/2bR1SiO3-n/2YncR12SiO2-m/2Ymdで表されるポリオルガノシロキサンIを得ることができる。なお、a、b、n、mは、いずれも前述の範囲にある正数であり、c、dは、いずれも前述の範囲にある0または正数である。工程2は、工程1で得られた前記平均単位式で表されるポリオルガノシロキサンIと、アルケニル基を含有する直鎖状ポリオルガノシロキサンIIおよび/またはアルケニル基を含有する環状ポリオルガノシロキサンIIIとを、塩基性触媒の存在化でブロック重合またはグラフト重合平衡化反応させる工程である。ここで、直鎖状ポリオルガノシロキサンIIは、式:R23SiO122R22SiO22eで表される。また、環状ポリオルガノシロキサンIIIは、式:R22SiO22fで表される。これらの式中、R2はアルケニル基、アルキル基またはアリール基を示す。アルキル基、アリール基、およびアルケニル基としては、前記と同様のものを例示することができ、それぞれメチル基、フェニル基、およびビニル基とすることが好ましい。アルケニル基の結合位置は制限されず、直鎖状ポリオルガノシロキサンIIと環状ポリオルガノシロキサンIIIの少なくとも一方がアルケニル基を有していればよい。塩基性触媒としては、水酸化セシウム等を使用することができる。また、ブロック重合またはグラフト重合平衡化反応の加熱温度時間等は、130°C~150°Cで3時間以上とすることが好ましい。[B成分]B成分は架橋剤であり、1分子中にケイ素原子に結合した水素原子Si-H基を2個以上、好ましくは3個以上含有するポリオルガノハイドロジェンシロキサンである。1分子中のケイ素原子数は、2~50であることが好ましく、4~20であることがさらに好ましい。B成分としては、平均組成式:R3xHySiO[4-xy]/2で示されるものが用いられる。式中、R3は、アルケニル基を除く置換または非置換の1価の炭化水素基である。R3としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基のようなアルキル基;フェニル基、トリル基のようなアリール基;ベンジル基、フェニルエチル基のようなアラルキル基;およびこれらの基の水素原子の一部または全部がフッ素、塩素、臭素などのハロゲン原子やシアノ基で置換されているもの、例えばクロロメチル基、ブロモエチル基、トリフルオロプロピル基、シアノエチル基等の炭素数1~12の炭化水素基が挙げられる。これらの中でも、合成のし易さ、コストの点から、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。x、yは、それぞれ正数である。0.8≦x≦2.2、0.002≦y≦1、0.8<xy<3を満足する正数であり、好ましくは、1≦x≦2.2、0.01≦y≦1、1.8≦xy≦2.5を満足する正数である。水素原子は、分子鎖末端のケイ素原子に結合していても、分子鎖途中のケイ素原子に結合していても、両者に結合していてもよい。B成分の分子構造としては、直鎖状、分岐鎖状、環状または三次元網目状のいずれでもよいが、R32HSiO1/2単位R3は前記のとおりとSiO4/2単位とを含有する三次元網目状であることが好ましい。B成分の25°Cにおける粘度は1000mPas以下であることが好ましく、1~500mPasの範囲がより好ましい。B成分の配合量は、A成分のケイ素原子に結合したアルケニル基a2のケイ素原子に結合したアルケニル基1モルに対して、ケイ素原子に結合した水素原子が0.5~3.0モルとなる量、好ましくは0.7~2.0モルとなる量である。0.5モル未満であると十分な架橋が得られない。一方、3.0モルを越えると、未反応のSi-H基が残存し、硬化後の物性の経時的変化が生じやすい。[C成分]C成分の白金系触媒は、A成分中のアルケニル基とB成分中のケイ素原子に結合した水素原子とのヒドロシリル化反応を促進し、組成物の硬化を進めるための触媒である。C成分としては、ヒドロシリル化反応に用いられる触媒として周知の白金系触媒を使用することができる。例えば白金黒、塩化第二白金、塩化白金酸、塩化白金酸と一価アルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類やビニルシロキサンとの錯体、白金ビスアセトアセテート等が挙げられる。C成分の配合量は、硬化に必要な量であればよく、所望の硬化速度などに応じて適宜調整することができる。通常、組成物の合計重量に対して、白金元素に換算して0.5~300ppm、好ましくは硬化物の透明性、コストの点から1~20ppmである。[その他の任意成分]本発明の半導体封止用シリコーン組成物には、D接着性付与剤を配合することができる。D接着性付与剤としては、オルガノシラン、またはケイ素原子数2~50個、好ましくは4~20個のオルガノシロキサンオリゴマーを用いることができる。例えば、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性基含有アルコキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシエトキシシラン等のアルケニル基含有アルコキシシラン、γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-βアミノエチル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-βアミノエチル-γ-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ基含有アルコキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のアクリル基又はメタクリル基含有アルコキシシラン、メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト基含有アルコキシシランなどのアルコキシシランが挙げられる。また、オルガノシロキサンオリゴマーとしては、で表されるSiH基含有シロキサンオリゴマーと、式:CH2=CCH3COOCH23SiOCH33で表されるγ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシランとの1:1付加反応生成物を挙げることができる。Dこれらの接着性付与剤の配合量は、A成分100重量部に対して10重量部以下とすることが好ましい。配合量が10重量部を越えると、コストの点で不経済である。さらに、本発明の半導体封止用シリコーン組成物には、必要に応じて、反応抑制剤、補強性あるいは非補強性の微粉末充填剤、染料、顔料、難燃性付与剤、耐熱性向上剤、耐酸化劣化剤、波長調整剤、溶剤等を、硬化後の透明性に影響を与えない範囲で、かつ本発明の目的を損なわない範囲で添加してもよい。本発明の半導体封止用シリコーン組成物の製造方法としては、各成分の添加順序は特に限定されるものではなく、A~Cの基本成分と上述した任意成分を周知の混練機で混練する方法などが挙げられる。また、2液に分けて保存し、使用時にこの2液を混合して用いてもよい。その場合、A成分とC成分を混合したものを第1の液とし、B成分およびその他任意成分例えば反応抑制剤などを混合したものを第2の液とし、使用時に両液を混合することができる。混練機としては、必要に応じて加熱手段および冷却手段を備えたプラネタリーミキサー、3本ロール、ニーダー、品川ミキサーなどが挙げられ、単独でまたはこれらを組み合わせて使用することができる。本発明の半導体封止用シリコーン組成物は液状であり、25°Cにおける粘度は0.5~50Pasであることが好ましい。粘度が50Pasを超えると、例えばLEDにポッティングする際の作業性が悪くなる。一方、0.5Pas未満であると、ポッティングする際に液ダレを起しやすい。半導体封止用シリコーン組成物の硬化方法は、特に限定されない。室温もしくは50~200°Cでの加熱により硬化が進行するが、迅速に硬化させるためには加熱することが好ましい。加熱する場合、加熱時間は、加熱温度に応じて適宜調整することができる。硬化物は硬質のゴム状もしくは可撓性を有するレジン状である。本発明の半導体封止用シリコーン組成物の硬化物の貯蔵弾性率は、25°Cから50°Cへの加熱により40以上低下する。70以上低下することが好ましい。すなわち、硬化物の50°Cにおける貯蔵弾性率は、25°Cにおける貯蔵弾性率に比べて40以上、より好ましくは70以上低くなっている。したがって、半導体素子の封止材として使用した場合に、半導体素子からの発熱等による熱膨張によって生じる応力を緩和することができ、クラックの発生や基材からの剥離を防止することができる。硬化物の貯蔵弾性率が加熱により低下しても貯蔵弾性率の低下率が40未満のもの、あるいは加熱により貯蔵弾性率が上昇するものでは、半導体素子の封止材として使用した場合に熱膨張によって生じる応力を十分に緩和することができず、クラックの発生や基材からの剥離を防止することができない。A成分におけるa1ヒドロシリル化反応に関与しないシロキサン単位の割合重量や、A~Cの各成分の組成を変えることで、硬化物の貯蔵弾性率を適宜調整することができる。例えば、25°Cにおける貯蔵弾性率を1×106~2×107Paとし、50°Cで40~98、より好ましくは70~80低下するように調整することができる。なお、貯蔵弾性率は、粘弾性測定装置により得ることができる。50°Cにおける貯蔵弾性率の低下の割合が、40未満になると、熱膨張によって生じる応力を十分に緩和することができないため、クラックの発生や基材からの剥離を十分に防止することができない。以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。以下の記載において、Meはメチル基を、Phはフェニル基を、Viはビニル基をそれぞれ示している。また、粘度は25°Cにおける値であり、重量平均分子量は、THFテトラヒドロフランを溶媒とし、ゲルパーミェーションクロマトグラフィーGPCにより測定した標準ポリスチレン換算の値である。実施例および比較例で得られたシリコーン組成物の特性の測定評価方法を以下に示す。[硬さ]23°Cにおいて、TypeA型硬度計により測定した。[貯蔵弾性率]シリコーン組成物をARES粘弾性測定装置ReometricScientific社製にセットし直径8mm、厚さ1mm、毎分50°Cで昇温後、150°C×1時間で硬化させた後、150°C~-50°Cまでの温度範囲で毎分5°Cの割合で冷却して、貯蔵弾性率をねじれ歪05、振動数1Hzの条件で測定した。[パッケージ試験]シリコーン組成物をシリンジに充填し、PPAポリフタルアミド樹脂製パッケージ5×5×1mmに充填した。100°C×3時間の加熱後、150°C×1時間加熱し、組成物を硬化させた。冷却後、マイクロスコープを用いてクラック、剥離の発生数を調べた。その後、85°C/85RHで3時間吸湿させて、リフローオーブンMax260°Cで加熱した。冷却後、マイクロスコープを用いてクラック、剥離の発生数を調べた。[中間生成物AAメトキシ基を有するシリコーンレジンの合成例]Aa1ジメチルジクロロシラン129g1モル、Aa2ジフェニルジクロロシラン255g1モル、Aa3フェニルトリクロロシラン212g1モルの混合物に、水38gとメタノール237gからなるメタノール水溶液を滴下し、共加水分解を行った。滴下終了後、60~70°Cの還流温度で30分間加熱し、共加水分解反応を完了させた。その後、反応混合物を冷却し、メタノール254gを加えて15分間撹拌した後、30分間静置して分液を行った。塩酸とメタノールの混合溶液が上層に、反応生成物が下層に分離した。次いで、下層の反応生成物にメタノール254gを加えて加熱蒸留して、反応生成物中の塩酸分をメタノールと共に留去した。こうして、平均単位式:Me2SiO2/20.30Me2SiO1/2OMe0.03Ph2SiO2/20.30Ph2SiO1/2OMe0.04PhSiO3/20.27{PhSiO1/2OMe2}0.03PhSiO2/2OMe0.03で示されるメトキシ基を有するシリコーンレジンAAを得た。シリコーンレジンAAを表す平均単位式において、aa1単位:Me2SiO2/20.30Me2SiO1/2OMe0.03は、出発物質Aa1から生成し、aa2単位:Ph2SiO2/20.30Ph2SiO1/2OMe0.04は、出発物質Aa2から生成し、aa3単位:PhSiO3/20.27{PhSiO1/2OMe2}0.03PhSiO2/2OMe0.03は、出発物質Aa3から生成したものである。各単位のモル比は、aa1:aa2:aa3=0.33:0.34:0.33≒1:1:1となっている。[中間生成物BBシラノール基を有するシリコーンレジンの合成例]フラスコに、キシレン400g、メチルトリクロロシラン214.2g1.4モル、ジメチルジクロロシラン34.1g0.26モル、ジフェニルジクロロシラン282.4g1.1モル、フェニルトリクロロシラン454.0g2.1モルを仕込み、混合してオルガノシランのキシレン溶液を調製した。また、別のフラスコに、イオン交換水1950g、アセトン850g、メタノール245gを仕込み、混合溶液を調製した。この混合溶液を撹拌しながら、先に調製したオルガノシランのキシレン溶液を30分間かけて滴下し、滴下終了後10分間撹拌を継続して加水分解を行った。その後、分液漏斗に移し、45分間静置して分液を行った。上層にシラノール基を有するシリコーンレジンのキシレン溶液が、下層に塩酸溶液が分離した。次いで、下層の塩酸溶液を除去し、上層のシラノール基含有レジンのキシレン溶液をフラスコに戻し、これにイオン交換水1200gを添加して加熱し、この混合物の還流温度70~80°Cで10分間加熱水洗操作を行った。その後、再び分液漏斗に移して45分間静置し、上層にシラノール基含有レジンのキシレン溶液を、下層に塩酸溶液を分離させた。同様の操作を繰り返し、シラノール基含有レジンのキシレン溶液中の塩酸分が0.1ppm以下になったことを確認した。こうして得られたシラノール基含有レジンのキシレン溶液を減圧条件下で加熱して溶剤を留去し、不揮発分105°Cで3時間加熱することにより不揮発分を測定。を65重量に濃縮した後、キシレンを加えて不揮発分を60重量に調整した。こうして、平均単位式:Me2SiO2/20.04Me2SiO1/2OH0.01MeSiO3/20.23MeSiO2/2OH0.03{MeSiO1/2OH2}0.03Ph2SiO2/20.20Ph2SiO1/2OH0.03PhSiO3/20.37PhSiO2/2OH0.03{PhSiO1/2OH20.03で示されるシラノール基を有するシリコーンレジンBBを得た。合成例1[シリコーンレジンA1の合成]第1の工程中間生成物AAメトキシ基を有するシリコーンレジン255gにキシレン700gを加えて希釈し、これに濃度50重量以下、単に50と示す。水酸化セシウム水溶液0.6gと水200gを加え、加熱して加水分解を行った。赤外吸収スペクトル測定において、波数2800cm-1のメトキシ基に由来する特性吸収が消失するまで反応を継続した。こうして、平均分子式単位式:Me2SiO2/20.33Ph2SiO2/20.34PhSiO3/20.33で示されるメトキシ基を有しないシリコーンレジン重合物のキシレン溶液を得た。第2の工程第1の工程で得られた反応生成物に、両末端にビニル基を有するポリフェニルシロキサンVi量0.43mmol/g15gと環状ポリメチルビニルシロキサンVi量11.6mmol/g30gを加え、キシレン還流温度で5時間反応させてグラフト重合と平衡化を行った。冷却後、トリメチルクロロシラン0.3gを加えて中和した後、キシレン溶液を水で洗浄し分液操作により水層を除く操作水洗操作を行った。水洗操作を繰り返し、水層が中性になった後、キシレン層に残存する水をキシレンと共沸することにより除いた。こうして脱水の完了したキシレン層をろ過した後、キシレンを減圧留去することにより、シリコーンレジンA1を得た。このシリコーンレジンA1は、仕込み量ベースに換算して、平均単位式:Me2SiO2/20.33Ph2SiO2/20.34PhSiO3/20.33で表されるオルガノシロキサンGと、式:Me2ViSiO122Ph2SiO2215Me2SiO2220で表されるオルガノシロキサンHと、式:MeViSiO224で表されるオルガノシロキサンIとを、G:H:I=85:5:10の重量比で反応させて得られたものである。第2の工程では、両末端ビニルポリフェニルシロキサンと環状メチルビニルシロキサンが割裂し、第1の工程で得られた反応生成物にグラフト重合することで、シリコーンレジンA1が得られている。得られたシリコーンレジンA1の粘度は120Pas、150°Cで1時間加熱することにより測定した不揮発分は99.0重量以下、単にと示す。加熱減量率1.0を意味する。、重量平均分子量は1056、分散度は1.35であった。分散度は、分子量分布を表す数値であり、重量平均分子量Mw/数平均分子量Mnで求められる。分散度が1に近づくほど、分子量分布が狭いことを意味する。なお、このシリコーンレジンA1の1分子中のビニル基の数は、平均1.2個となる。合成例2[シリコーンレジンA2の合成]第1の工程中間生成物AAメトキシ基を有するシリコーンレジン595gにキシレン300gを加えて希釈し、これに50水酸化セシウム水溶液0.7gと水200gを加え、加熱して加水分解を行った。赤外吸収スペクトル測定において、2800cm-1のメトキシ基に由来する特性吸収が消失するまで反応を継続した。第2の工程第1の工程で得られた反応生成物に、両末端にビニル基を有するポリフェニルシロキサンVi量0.43mmol/g70gと環状ポリメチルビニルシロキサンVi量11.6mmol/g35gを加え、キシレン還流温度で5時間反応させてグラフト重合と平衡化を行った。冷却後、トリメチルクロロシラン0.5gを加えて中和した後、キシレン溶液を水で洗浄し分液操作により水層を除く操作水洗操作を行った。水洗操作を繰り返し、水層が中性になった後、キシレン層に残存する水をキシレンと共沸することにより除いた。こうして脱水の完了したキシレン層をろ過した後、キシレンを減圧留去することにより、シリコーンレジンA2を得た。このシリコーンレジンA2は、仕込み量ベースに換算して、平均単位式:Me2SiO2/20.33Ph2SiO2/20.34PhSiO3/20.33で表されるオルガノシロキサンGと、式:Me2ViSiO122Ph2SiO2215Me2SiO2220で表されるオルガノシロキサンHと、式:MeViSiO224で表されるオルガノシロキサンIとを、G:H:I=85:10:5の重量比で反応させて得られたものである。第2の工程では、両末端ビニルポリフェニルシロキサンと環状メチルビニルシロキサンが割裂し、第1の工程で得られた反応生成物にグラフト重合することで、シリコーンレジンA2が得られている。得られたシリコーンレジンA2の粘度は7500Pas、150°Cで1時間加熱することにより測定した不揮発分は99.0、重量平均分子量は2950であり、分散度2.05であった。なお、このシリコーンレジンA2の1分子中のビニル基の数は、平均1.8個となる。合成例3[シリコーンレジンA3の合成]中間生成物AAメトキシ基を有するシリコーンレジン270gに環状ポリメチルビニルシロキサンVi量11.6mmol/g30gを加えた後、キシレン700gを加えて希釈した。これに50水酸化セシウム水溶液0.3gを加えて加熱し、キシレン還流温度で5時間反応させてブロック重合と平衡化を行った。冷却後、トリメチルクロロシラン0.3gを加えて中和した後、キシレン溶液を水で洗浄し分液操作により水層を除く操作水洗操作を行った。水洗操作を繰り返し、水層が中性になった後、キシレン層に残存する水をキシレンと共沸することにより除いた。こうして脱水の完了したキシレン層をろ過した後、キシレンを減圧留去することにより、シリコーンレジンA3を得た。このシリコーンレジンA3は、仕込み量ベースに換算して、平均単位式:Me2SiO2/20.30Me2SiO1/2OMe0.03Ph2SiO2/20.30Ph2SiO1/2OMe0.04PhSiO3/20.27{PhSiO1/2OMe2}0.03PhSiO2/2OMe0.03で表されるオルガノシロキサンGと、式:MeViSiO224で表されるオルガノシロキサンIとを、G:I=90:10の重量比で反応させて得られたものである。得られたシリコーンレジンA3の粘度は0.6Pas、150°Cで1時間加熱することにより測定した不揮発分は99.0、重量平均分子量は870であり、分散度1.24であった。なお、このシリコーンレジンA3の1分子中のビニル基の数は、平均1.0個となる。合成例4[シリコーンレジンA4の合成]中間生成物BBシラノール基を有するシリコーンレジン450g有効樹脂分270gに環状ポリメチルビニルシロキサンVi量11.6mmol/g30gを加えた後、キシレン230gを加えて希釈した。これに50水酸化セシウムカリウム水溶液0.3gを加えて加熱し、キシレン還流温度で5時間反応させてブロック重合と平衡化を行った。冷却後、トリメチルクロロシラン0.7gを加えて中和した後、キシレン溶液を水で洗浄し分液操作により水層を除く操作水洗操作を行った。水洗操作を繰り返し、水層が中性になった後、キシレン層に残存する水をキシレンと共沸することにより除いた。こうして脱水の完了したキシレン層をろ過した後、キシレンを減圧留去することにより、シリコーンレジンA4を得た。このシリコーンレジンA4は、仕込み量ベースに換算して、平均単位式:Me2SiO2/20.05MeSiO3/20.29Ph2SiO2/20.23PhSiO3/20.43で表されるオルガノシロキサンGと、式:MeViSiO224で表されるオルガノシロキサンIとを、G:I=90:10の重量比で反応させて得られたものである。得られたシリコーンレジンA4の150°Cで1時間加熱することにより測定した不揮発分は99.0、重量平均分子量は1550であり、分散度1.49であった。なお、このシリコーンレジンA4の1分子中のビニル基の数は、平均1.8個となる。合成例5[シリコーンレジンA5の合成]第1の工程中間生成物AAメトキシ基を有するシリコーンレジン490gにキシレン300gを加えて希釈し、これに50水酸化セシウムカリウム水溶液1.4gと水200gを加え、加熱して加水分解を行った。赤外吸収スペクトル測定において、2800cm-1のメトキシ基に由来する特性吸収が消失するまで加水分解反応を継続した。第2の工程第1の工程で得られた反応生成物に、両末端にビニル基を有するポリフェニルシロキサンVi量0.43mmol/g140gと環状ポリメチルビニルシロキサンVi量11.6mmol/g70gを加え、キシレン還流温度で5時間反応させてグラフト重合と平衡化を行った。冷却後、トリメチルクロロシラン1.3gを加えて中和した後、キシレン溶液を水で洗浄し分液操作により水層を除く操作水洗操作を行った。水洗操作を繰り返し、水層が中性になった後、キシレン層に残存する水をキシレンと共沸することにより除いた。こうして脱水の完了したキシレン層をろ過した後、キシレンを減圧留去することにより、シリコーンレジンA5を得た。このシリコーンレジンA5は、仕込み量ベースに換算して、平均単位式:Me2SiO2/20.33Ph2SiO2/20.34PhSiO3/20.33で表されるオルガノシロキサンGと、式:Me2ViSiO122Ph2SiO2215/Me2SiO2220で表されるオルガノシロキサンHと、式:MeViSiO224で表されるオルガノシロキサンIとを、G:H:I=70:20:10の重量比で反応させて得られたものである。第2の工程では、両末端ビニルポリフェニルシロキサンと環状メチルビニルシロキサンが割裂し、第1の工程で得られた反応生成物にグラフト重合することで、シリコーンレジンA5が得られている。得られたシリコーンレジンA5の粘度は100Pas、150°Cで1時間加熱することにより測定した不揮発分は98.0、重量平均分子量は3370であり、分散度2.40であった。なお、このシリコーンレジンA5の1分子中のビニル基の数は、平均4.2個となる。合成例6[シリコーンレジンA6の合成]フラスコにキシレン800gとイオン交換水2000gを仕込み、撹拌しながら80°Cになるまで加熱した後、これに、フェニルトリクロロシラン356.1g、ジフェニルジクロロシラン688.5g、ビニルメチルジクロロシラン86.4g、ジメチルジクロロシラン6.6gの混合液を3時間かけて滴下し、80°Cで加水分解を行った。その後、分液漏斗に移し、45分間静置して分液を行った。上層にシリコーンレジンのキシレン溶液が、下層に塩酸溶液が分離した。次いで、下層の塩酸溶液を除去し、上層のシリコーンレジンのキシレン溶液をフラスコに戻し、これにイオン交換水1000gを添加して加熱し、70~80°Cで10分間加熱しながら水洗操作を行った。次いで、分液漏斗に移し45分間静置して、上層にシリコーンレジンのキシレン溶液を、下層に塩酸溶液を分離する操作を繰り返し、シリコーンレジンのキシレン溶液中の塩酸分が0.1ppm以下になったことを確認した。その後、キシレン量を調整し、不揮発分を50に調整した。得られたシリコーンレジンのキシレン溶液1400g有効樹脂分700gをヘキサメチルジシラザン150gとトリメチルクロロシラン90gを混合し、80°Cで水酸基のシリル化を行った。赤外吸収スペクトル測定において、3600cm-1付近の水酸基に由来する特性吸収が消失するまで反応を継続した。その後この反応溶液に水500gを添加し、70~80°Cで10分間加熱しながら水洗操作を行った。次いで、分液漏斗に移し45分間静置して、上層にシリコーンレジンのキシレン溶液を、下層に塩基性溶液を分離する操作を繰り返した。水層が中性になった後、キシレン層に残存する水をキシレンと共沸することにより除いた。こうして脱水の完了したキシレン層をろ過した後、キシレンを減圧留去することにより、以下の平均単位式:Me2SiO2/20.01MeViSiO2/20.11Ph2SiO2/20.48PhSiO3/20.27Me3SiO1/20.13で表されるシリコーンレジンA6を得た。得られたシリコーンレジンA6の粘度は200Pas、150°Cで1時間加熱することにより測定した不揮発分は99.4、重量平均分子量は1905であり、分散度1.52であった。なお、このシリコーンレジンA6の1分子中のビニル基の数は、平均1.4個となる。実施例1合成例1で得られたシリコーンレジンA1を100重量部に、B粘度が20mPasであり、平均単位式:SiO2[HCH32SiO1/2]2で表されるポリオルガノハイドロジェンシロキサン9重量部と、Cビニルダイマー白金錯体を白金量として3ppm添加、混練して、半導体封止用シリコーン組成物を得た。この組成物の特性を測定し、結果を表1に示した。なお、表1において、H/Vi比は、A成分とB成分における、ケイ素原子に結合した水素原子とケイ素原子に結合したビニル基とのモル比を示す。また、表1ならびに後述する表2および表3において、MH2Qは、平均単位式:SiO2[HCH32SiO1/2]2で表わされるポリオルガノハイドロジェンシロキサンを示し、MH2DPh2は、式:[HCH32SiO1/2]2[C6H52SiO2/2]で表わされるポリオルガノハイドロジェンシロキサンを示している。また、MViDPh15D20MViは、後述する比較例1~4で使用する式:Me2ViSiO1/22Ph2SiO2/215Me2SiO2/220で表される直鎖状のポリオルガノシロキサンを示している。実施例2~5合成例2~5で得られたシリコーンレジンA2~A5と、B平均単位式:SiO2[HCH32SiO1/2]2で表されるポリオルガノハイドロジェンシロキサンおよびCビニルダイマー白金錯体を、それぞれ表1に示す組成で配合して混練し、半導体封止用シリコーン組成物を得た。これらの組成物の特性を測定し、結果を表1に示した。実施例6~10合成例1~5で得られたシリコーンレジンA1~A5と、B平均単位式:SiO2[HCH32SiO1/2]2で表されるポリオルガノハイドロジェンシロキサン、Cビニルダイマー白金錯体、および接着性付与剤D1、D2を、それぞれ表2に示す組成で配合して混練し、半導体封止用シリコーン組成物を得た。これらの組成物の特性を測定し、結果を表2に示した。なお、接着性付与剤D1としては、式:で表されるSiH基含有シロキサンオリゴマーと、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシランとの1:1付加反応生成物を使用し、接着性付与剤D2としては、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン商品名TSL8350、モメンティブ社製を使用した。そして、表2におけるH/Vi比は、接着性付与剤D1を除いたA成分とB成分における、ケイ素原子に結合した水素原子とケイ素原子に結合したビニル基とのモル比を示す。実施例11合成例1で得られたシリコーンレジンA1と、B平均単位式:SiO2[HCH32SiO1/2]2で表されるポリオルガノハイドロジェンシロキサン粘度20mPas、および式:[HCH32SiO1/2]2[C6H52SiO2/2]で表されるポリオルガノハイドロジェンシロキサン粘度10mPasと、Cビニルダイマー白金錯体を、それぞれ表1に示す組成で配合して混練し、半導体封止用シリコーン組成物を得た。この組成物の特性を測定し、結果を表1に示した。実施例12合成例1で得られたシリコーンレジンA1と、B平均単位式:SiO2[HCH32SiO1/2]2で表されるポリオルガノハイドロジェンシロキサン粘度20mPas、および式:[HCH32SiO1/2]2[C6H52SiO2/2]で表されるポリオルガノハイドロジェンシロキサン粘度10mPasと、Cビニルダイマー白金錯体と、接着性付与剤D1、D2を、それぞれ表2に示す組成で配合して混練し、半導体封止用シリコーン組成物を得た。この組成物の特性を測定し、結果を表2に示した。比較例1合成例6で得られたシリコーンレジンA6と、式:Me2ViSiO1/22Ph2SiO2/215Me2SiO2/220で表される直鎖状のポリオルガノシロキサンと、B平均単位式:SiO2[HCH32SiO1/2]2で表されるポリオルガノハイドロジェンシロキサンおよびCビニルダイマー白金錯体を、それぞれ表3に示す組成で配合して混練し、半導体封止用シリコーン組成物を得た。この組成物の特性を測定し、結果を表3に示した。比較例2式:Me2ViSiO1/22Ph2SiO2/215Me2SiO2/220で表される直鎖状のポリオルガノシロキサンと、B平均単位式:SiO2[HCH32SiO1/2]2で表されるポリオルガノハイドロジェンシロキサンおよびCビニルダイマー白金錯体を、それぞれ表3に示す組成で配合して混練し、半導体封止用シリコーン組成物を得た。この組成物の特性を測定し、結果を表3に示した。比較例3,4合成例6で得られたシリコーンレジンA6と、式:Me2ViSiO1/22Ph2SiO2/215Me2SiO2/220で表される直鎖状のポリオルガノシロキサンと、B平均単位式:SiO2[HCH32SiO1/2]2で表されるポリオルガノハイドロジェンシロキサンと、Cビニルダイマー白金錯体、および接着性付与剤D1、D2を、それぞれ表3に示す組成で配合して混練し、半導体封止用シリコーン組成物を得た。これらの組成物の特性を測定し、結果を表3に示した。なお、表3におけるH/Vi比は、接着性付与剤D1を除いたA成分とB成分における、ケイ素原子に結合した水素原子とケイ素原子に結合したビニル基とのモル比を示す。表1および表2から明らかなように、実施例1~12の組成物は高硬度の硬化物を与えることができ、その硬化物の貯蔵弾性率は加熱により容易かつ大幅に低下する。したがって、この組成物の使用により、加熱硬化時や吸湿リフロー時に発生する応力が緩和され、クラックの発生や基材との剥離を改善することができ、LED等の半導体装置の信頼性を大きく向上させることができることがわかる。"