"ダイヤフラムを有し、前記ダイヤフラムに印加される圧力を検出するセンサチップであって、前記センサチップの表面に形成され、磁化された磁性体を含む流体保持部と、前記流体保持部との間の磁力により、前記流体保持部に保持された磁性流体とを備えることを特徴とするセンサチップ。前記流体保持部は、前記センサチップの表面に、薄膜状に形成されること特徴とする請求項1に記載のセンサチップ。前記流体保持部は、表面に、前記磁性体を保護するパッシベーション膜を備えることを特徴とする請求項2に記載のセンサチップ。前記流体保持部は、前記センサチップの表面に、凸型形状に形成されること特徴とする請求項1に記載のセンサチップ。ハウジングと、前記ハウジングに圧力を導入する圧力導入管と、表面に形成され、磁化された磁性体を含む流体保持部、前記流体保持部との間の磁力により、前記流体保持部に保持された磁性流体を備え、前記ハウジングの、前記圧力導入管と通じる箇所に設置され、印加される圧力を検出するセンサチップとを備えることを特徴とする圧力センサ。しかしながら、特許文献1に記載の技術は、圧力センサのサイズ増大、部品数及び組み立て工程数の増加によるコストの増加が生じる虞がある。本発明は、上記問題点を鑑み、低コスト、低サイズで、隔離流体の漏出を低減するセンサチップ及び圧力センサを提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の第1の態様は、ダイヤフラムを有し、前記ダイヤフラムに印加される圧力を検出するセンサチップであって、前記センサチップの表面に形成され、磁化された磁性体を含む流体保持部と、前記流体保持部との間の磁力により、前記流体保持部に保持された磁性流体とを備えるセンサチップであることを要旨とする。また、本発明の第1の態様に係るセンサチップにおいては、前記流体保持部は、前記センサチップの表面に、薄膜状に形成されることができる。また、本発明の第1の態様に係るセンサチップにおいては、前記流体保持部は、表面に、前記磁性体を保護するパッシベーション膜を備えることができる。また、本発明の第1の態様に係るセンサチップにおいては、前記流体保持部は、前記センサチップの表面に、凸型形状に形成されることができる。本発明の第2の態様は、ハウジングと、前記ハウジングに圧力を導入する圧力導入管と、前記ハウジングの、表面に形成され、磁化された磁性体を含む流体保持部、前記流体保持部との間の磁力により、前記流体保持部に保持された磁性流体を備え、前記圧力導入管と通じる箇所に設置され、印加される圧力を検出するセンサチップとを備える圧力センサであることを要旨とする。本発明によれば、低コスト、低サイズで、隔離流体の漏出を低減するセンサチップ及び圧力センサを提供することができる。次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。但し、図面は模式的なものであり、各層の厚みの比率等は、現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。以下に示す実施の形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の実施の形態に係る圧力センサは、図1に示すように、センサチップ2と、センサチップ2を収容するハウジング1とを備える。センサチップ2は、ダイヤフラム21を有し、ダイヤフラム21に印加される圧力を検出する。センサチップ2は、半導体基板からなり、半導体基板が選択的にエッチングされることにより、薄膜部であるダイヤフラム21が形成される。ダイヤフラム21のエッチングされた側の面と反対側の面には、不純物拡散により4つのゲージ抵抗が形成される。4つのゲージ抵抗は、ホイートストンブリッジを構成し、ピエゾ効果による抵抗値の変化から、ダイヤフラム21に印加される圧力を検出できる。センサチップ2は、センサチップ2の表面に形成され、磁化された磁性体を含む流体保持部22と、流体保持部22との間の磁力により、流体保持部22の表面に保持された磁性流体4とを備える。磁性流体4は、センサチップ2と外部とを隔離する隔離流体であり、磁性を有する。磁性流体4は、圧力導入管11から導入された圧力Pをセンサチップ2のダイヤフラム21に伝達する媒体である。磁性流体4は、図2aに示すように、センサチップ2のエッチングされた表面に形成された流体保持部22に向けて注入される。注入された磁性流体4は、図2bに示すように、流体保持部22は、ダイヤフラム21のゲージ抵抗が形成されていない面、及びエッチングにより形成された側面に、磁力により薄膜状に形成される。流体保持部22は、磁化された磁性体なので、磁力により磁性流体4を保持し、磁性流体4の漏出を低減することができる。ハウジング1は、内部に圧力Pを導入する圧力導入管11を備える。圧力導入管11は、ハウジング1の外部から内部に通じる管である。センサチップ2は、ハウジング1の内部の、圧力導入管11と通じる箇所に、ダイヤフラム21が圧力導入管11を塞ぐように設置されている。センサチップ2は、半導体基板のエッチングされた側の面と、ハウジング1の内壁とがダイボンド材31により接合されることにより、ハウジング1の内部に設置されている。ハウジング1の内部に設置されたセンサチップ2は、ポッティング材32により、ポッティング加工を施されている。ポッティング材32は、センサチップ2を外部環境から保護する。センサチップ2は、入出力用のワイヤ33がポッティング材32を介して接続される。ワイヤ33の他端は、リードフレーム34を介して、外部回路に接続される。ハウジング1は、貫通孔を有するリッド35により蓋がされる。ハウジング1は、リッド35の貫通孔により、内部に、圧力導入管11に導入される圧力Pに対する参照圧PRが導入される。本発明の実施の形態に係る圧力センサによれば、センサチップ2の表面に形成された流体保持部22と磁性流体4との間の磁力により、磁性流体4を保持して、隔離流体の漏出を低減できるので、低コスト、低サイズで製造可能であり、信頼性を向上できる。また、本発明の実施の形態に係る圧力センサによれば、圧力導入管11まで隔離流体を充填される場合に比べて、隔離流体を保持する機構が小さく、隔離流体である磁性流体4の量が少量なので、製造コストを低減できる。上記のように、本発明を上記の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。既に述べた実施の形態においては、流体保持部22は、図3に示すように、磁化された磁性体を含む磁性薄膜22aの表面に形成され、磁性薄膜22aを保護するパッシベーション膜23を備える流体保持部22a,23としてもよい。また、流体保持部22は、図4aに示すように、ダイヤフラム21のエッチングされた表面に形成された凸型形状の流体保持部22bであってもよい。或いは、流体保持部は、図4aに示すように、エッチングにより形成された側面に形成された凸型形状の流体保持部22cであってもよい。また、流体保持部22は、センサチップ2の、エッチングされていない側の表面に形成されるようにしてもよい。また、流体保持部22は、磁化された磁性体を含む樹脂材料等を用いてもよい。本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。"