"実パターンを形成したレジストに現像液を塗布して現像処理するマスク基板の現像方法において、前記マスク基板の前記実パターンと、補正用マスク基板のレジストに形成した補正用パターンとを、共通の現像液にそれぞれ接触させ、前記現像液が現像処理するパターンの密度分布を前記実パターン及び前記補正用パターンにより均一化させた状態で、それら実パターン及び補正用パターンを同時に現像処理するようにした、ことを特徴とする現像方法。請求項1に記載の現像方法において、前記マスク基板に前記補正用マスク基板を対向させて両者間に配置した前記現像液に前記実パターン及び前記補正用パターンを接触させることにより、前記現像液が現像処理するパターンの密度分布を、前記マスク基板及び前記補正用マスク基板のレジスト面延在方向において均一化させるようにしたことを特徴とする現像方法。請求項2に記載の現像方法において、前記補正用パターンを、前記実パターンの反転パターン又は前記実パターンのパターン密度分布を反転させた簡素化反転パターンにより構成したことを特徴とする現像方法。請求項1乃至3のいずれかに記載の現像方法であって、前記補正用マスク基板のレジストに前記マスク基板のレジストと同一の材料を用いるようにしたことを特徴とする現像方法。請求項1乃至4のいずれかに記載の現像方法を用いて現像処理するマスク基板の現像装置であって、前記補正用マスク基板の前記補正用パターンに前記マスク基板を上方から接近させて、該マスク基板のレジストと共通の現像液を前記補正用パターンに接触させる昇降ユニットを備えることを特徴とする現像装置。しかしながら、現像ローディング成分を抽出する方法で成分抽出を行い、現像方法の最適化を行っても、レジスト種によって特性が異なることなどにより、現像ローディング成分を無くすことは難しい。また、現像時の現像阻害成分を取り除く現像方式においては、現像液をマスク面に滞留させないようにするため、マスク面上に現像液に浸されていない部分が発生してしまうため、欠陥面でのマスク品質の低下を招いてしまう可能性が高いと考えられる。そこで、本発明は現像ローディング成分の抽出および現像阻害成分を取り除く現像方式を必要とせず、マスク面上にある現像液濃度を均一に保つことで、面内寸法誤差を低減する現像方法および現像装置を提供することを目的とする。請求項1に記載の本発明は、実パターンを形成したレジストに現像液を塗布して現像処理するマスク基板の現像方法において、前記マスク基板の前記実パターンと、補正用マスク基板のレジストに形成した補正用パターンとを、共通の現像液にそれぞれ接触させ、前記現像液が現像処理するパターンの密度分布を前記実パターン及び前記補正用パターンにより均一化させた状態で、それら実パターン及び補正用パターンを同時に現像処理するようにしたことを特徴とする現像方法である。請求項2に記載の本発明は、請求項1に記載の現像方法において、前記マスク基板に前記補正用マスク基板を対向させて両者間に配置した前記現像液に前記実パターン及び前記補正用パターンを接触させることにより、前記現像液が現像処理するパターンの密度分布を、前記マスク基板及び前記補正用マスク基板のレジスト面延在方向において均一化させるようにしたことを特徴とする現像方法である。請求項3に記載の本発明は、請求項2に記載の現像方法において、前記補正用パターンを、前記実パターンの反転パターン又は前記実パターンのパターン密度分布を反転させた簡素化反転パターンにより構成したことを特徴とする現像方法である。請求項4に記載の本発明は、請求項1乃至3のいずれかに記載の現像方法であって、前記補正用マスク基板のレジストに前記マスク基板のレジストと同一の材料を用いるようにしたことを特徴とする。請求項5に記載の本発明は、請求項1乃至4のいずれかに記載の現像方法を用いて現像処理するマスク基板の現像装置であって、前記補正用マスク基板の前記補正用パターンに前記マスク基板を上方から接近させて、該マスク基板のレジストと共通の現像液を前記補正用パターンに接触させる昇降ユニットを備えることを特徴とする現像装置である。本発明の現像装置および現像方法は、前記の現像液濃度補正基板を有し、前記の現像方法により、現像液によって現像処理するパターンの密度分布を実パターン及び補正用パターンにより均一化させた状態で、それら実パターン及び補正用パターンを同時に共通の現像液で現像処理することで、マスク面内の寸法誤差すなわち現像ローディング成分を低減できるという効果を有する。また、通常の現像工程に対して大幅な変更が必要ないことから、マスクの欠陥品質を低下させることなく、現像ローディング成分を低減することができる。以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照しながら説明する。まず、従来の現像方法について説明する。図1a~bは、従来の現像方法であるパドル現像方法を示している。図1aに示すように、現像ノズル51は、現像液濃度補正基板用チャック52上の、ガラス基板11をレジスト31で覆ったマスク基板101上の端に位置しており、図1bに示すように端からマスク基板を横切るように移動することで、マスク基板101のレジスト31上に現像液61を盛ることで現像を行う方法である。次いで、本発明の現像液濃度補正基板について説明する。まず、図2a~cに示すように、現像液濃度補正基板100請求項中の補正用マスク基板とするマスク基板の準備を行う。図2aに示すように通常用いるガラス基板11を準備し、図2bに示すように、通常と同様の処理で遮光膜21を形成した上からレジスト31を塗布する。そして、図2cに示すように、電子線による描画装置を用いて、計算された実際に形成するパターン密度に対して反転したパターン密度の、単に密度を合わせただけの簡単なテストパターンをレジスト31に描画する。これにより現像液濃度補正基板100とするマスク基板を形成する。この際に用いるマスク基板については、遮光膜21の膜種など特に問わない。但し、現像液濃度補正基板100に用いるレジスト31については、後述する現像液61に溶け出すレジスト溶解物の濃度をマスク基板101のレジスト31と同じにする観点から、テスト専用の物でなく実際に用いる素材によるレジストが望ましい。現像液濃度補正基板100に用いるパターンについて説明する。図3a~bに示すように、マスク基板101請求項中のマスク基板に形成する実パターン105のパターン密度に応じた反転パターン密度の描画データを、反転パターン106として準備する。本実施形態では、1000nmのラインアンドスペースパターンにより、0のパターン密度と50のパターン密度とを、互いに位置が反転するように形成した。この反転パターン106は簡素化してもよい請求項中の簡素化反転パターン。その際は、実パターン105のパターン密度分布を反転させることで簡素化後の反転パターン106とすることができる。その場合は、現像ローディングの影響距離を考慮して簡素化後の反転パターン106の寸法を計算する必要がある。現像ローディングの影響距離については、あらかじめ基礎データとして図4に示すような、パターン密度の疎密分布と現像ローディングによる影響距離との相関に関するデータを取得しておき、この影響距離80より小さい範囲内で反転パターンを簡素化してよい。次に、本発明の一実施形態に係る現像装置の構成について説明する。図5a~dは、本発明の一実施形態に係る現像装置構成の断面イメージを示している。図5a~bに示すように、従来の現像方法と同様に、現像ノズル51により現像液濃度補正基板100に現像液61を盛り現像処理を行う。その後、すぐに図5c~dに示すように、実際にパターンを形成するマスク基板101を実パターンマスク基板用チャック53でチャックし、チャックしたマスク基板101を昇降ユニット54により降下させて、マスク基板101のパターン面を現像液濃度補正基板100の現像液61に合わせるようにして接近させる。これにより、表面張力を利用して現像液濃度補正基板100と実際にパターンを形成する実パターンのマスク基板101が現像液61を通して近接現像する構成となっている。この際、実パターンのマスク基板101の表面レジストパターン面は下を向いているため、近接現像時に発生したレジスト溶解物が、実パターンのマスク基板101の表面にあるパターンへの再付着を同時に防ぐ。なお、実パターンマスク基板用チャック53でチャックしたマスク基板101を昇降ユニット54により昇降させる代わりに、現像液濃度補正基板用チャック52上のマスク基板101を、昇降ユニット54に代わる昇降ユニットによって昇降させるようにしてもよい。次に、レジストパターンの疎密による現像液濃度の変化について説明する。前記現像液濃度補正基板100用に準備したマスク基板110に対して、図6a~bに示すように、通常の現像処理と同様の現像液61の液盛り処理を行う。処理された現像液濃度補正基板100の現像液61は、図6a~bに示すように現像液61に溶け出したレジスト溶解物33により、濃度が低下する。その現像液61の濃度の低下度合は、パターンの面積密度の疎密に依存する。密部には図6aに示すようにレジスト溶解物33が相対的に多く発生し、疎部には図6bに示すようにレジスト溶解物33が相対的に少なく発生する。したがって、パターンの面積密度の密部は疎部よりも現像液61の濃度の低下度合は大きくなる。その現像液濃度補正基板100に、実際にパターン形成するマスク基板101を図7a~bに示すように接近させて、近接現像処理を行うことで、現像液61に溶け込むレジスト溶解物33の量を均一にすることで、現像液61の濃度の低下についても均一化することができる。以上より、図8a~bに示すように、マスク基板101に形成される実レジストパターン70において、密部と疎部のパターン間隔h1,h2の出来上がり寸法誤差を低減することができる。且つ、現像液61に溶けたレジスト溶解物33によって引き起こされる、現像液61の濃度の低下に伴うパターンの欠陥が低減できる。このように、本実施形態では、実パターン105を形成したレジスト31に現像液61を塗布して現像処理するマスク基板101の現像方法において、マスク基板101の実パターン105と現像液濃度補正基板100補正用マスク基板のレジスト31に形成した反転パターン106補正用パターンとを、共通の現像液61にそれぞれ接触させ、現像液61が現像処理するパターン105,106の密度分布を実パターン105及び反転パターン106により均一化させた状態で、それら実パターン105及び反転パターン106を同時に現像処理するようにした。また、本実施形態では、マスク基板101に現像液濃度補正基板100を対向させて両者間に配置した現像液61に実パターン105及び反転パターン106を接触させることにより、現像液61が現像処理するパターンの密度分布を、マスク基板101及び現像液濃度補正基板100のレジスト面延在方向において均一化させるようにした。さらに、本実施形態では、反転パターン106を、実パターン105を反転させたパターン又は実パターン105のパターン密度分布を反転させた簡略化反転パターンにより構成した。また、本実施形態では、現像液濃度補正基板100のレジスト31にマスク基板101のレジスト31と同一の材料を用いることが好ましい。さらに、本実施形態では、上述した現像方法を用いて現像処理するマスク基板101の現像装置として、現像液濃度補正基板100の反転パターン106にマスク基板101を上方から接近させて、マスク基板101のレジスト31と共通の現像液61を現像液濃度補正基板100の反転パターン106に接触させる昇降ユニット54を備える現像装置を用いた。以下、本発明の現像装置および現像方法の実施例を説明する。現像液濃度補正基板として、Cr遮光膜付き6インチQz石英ガラス基板を準備し、この基板に化学増幅型ポジレジストを150nm厚コ-トした。本実施例においては、実パターンマスクについても同一の基板、レジストにて基板を準備した。次に、電子線描画機にて図9aに示すパターンを実パターンマスクに描画した。パターンAには線幅1000nmのラインアンドスペースパターンを用いた。パターン密度は、0と50になるように1000nmのラインアンドスペースパターンを用いた。次いで、現像液濃度補正基板については、図9bに示す、実パターンに対して反転させたパターン密度を描画した。パターン密度計算は基礎データから求めた現像ローディング影響距離を用いて行っており、本実施例においては、50のパターン密度は1000nmのラインアンドスペースを用いた。また、現像液濃度補正基板の描画については、描画時間短縮のため電子線描画装置ではなく、レーザー描画装置を用いた。描画した現像液濃度補正基板を現像処理し、実パターンを描画したマスク基板を近接現像処理した。その後、近接処理した実パターンマスクの1000nmのパターンAを走査型電子顕微鏡にて5000倍の倍率で1mm間隔で測定した。図9aに示すパターンAを形成した実パターンマスクのパターンAの測定結果より、パターン密度の疎密分布が変化しても現像ローディングによる影響距離の大きな変化が見られず、現像ローディングが低減できていることを確認した図10。"