厚さが20nm~1μmの単結晶シリコン薄膜及び該薄膜を強化する補助構造からなるペリクル膜であって、前記単結晶シリコン薄膜と補助構造とが、酸化ケイ素層によって強固に結合されていることを特徴とするペリクル膜。前記酸化ケイ素層の厚さが20nm~1μmである、請求項1に記載されたペリクル膜。請求項1又は2に記載されたペリクル膜を有することを特徴とする、EUV用ペリクル。単結晶シリコン層、酸化ケイ素層及びシリコンハンドリング基板からなり、前記単結晶層及び酸化ケイ素層の厚さがそれぞれ20nm~1μm、前記シリコンハンドリング基板の厚さが30μm~300μmであるSOI基板の前記シリコンハンドリング基板表面に補助構造用パターンを設けた後、酸化ケイ素膜が露出するまでドライエッチングをし、次いで露出した酸化ケイ素層を除去する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載されたペリクル膜の製造方法。前記酸化ケイ素層を除去する工程がHFを用いた処理工程である、請求項4に記載されたペリクル膜の製造方法。したがって本発明の第1の目的は、膜厚が均一な単結晶シリコン膜と補助構造とが有機物等を介さずに強固に結合されてなる、EUV用ペリクル膜を提供することにある。本発明の第2の目的は、膜厚が均一な単結晶シリコン膜をペリクル膜として有する、EUV用ペリクルを提供することにある。更に本発明の第3の目的は、膜厚が均一な単結晶シリコン膜と補助構造とが有機物等を介さずに強固に結合されてなる、ペリクル用透過膜の製造方法を提供することにある。本発明者等は、上記の諸目的を達成するために、1単結晶シリコンでペリクル膜厚を均一にすること、及び、2脆弱な極薄であるペリクル膜を機械的に補強することについて鋭意研究した結果、単結晶シリコンSOI基板を出発原料とし、SOI層単結晶シリコン層を光透過膜とすると共に、SOI基板が元々有するハンドル基板を補助構造に作り込むことによって目的を達成することができることを見出し、本発明に到達した。即ち本発明は、厚さが20nm~1μmの単結晶シリコン薄膜及び該薄膜を強化する補助構造からなるペリクル膜であって、前記単結晶シリコン薄膜と補助構造とが、酸化ケイ素層によって強固に結合されていることを特徴とするペリクル膜、該ペリクル膜を用いたEUV用ペリクル、及び、該ペリクル膜の製造方法である。本発明においては、酸化ケイ素層の厚さが20nm~1μmであることが好ましく、その製造に際しては、BOX層と呼ばれる酸化ケイ素膜層の厚みが20nm~1μmである単結晶シリコンウェーハを使用することが好ましい。本発明のEUV用ペリクルは、均一な厚みを有する単結晶シリコン層をペリクル膜とするのでEUV領域の波長透過性に優れるだけでなく、補助構造を有するので実用に耐える強度を有する。また、単結晶シリコンウェーハを原料とするので歩留まりが良く、製造適正に優れている。本発明のペリクル膜は、補助構造を有する単結晶シリコン層であって、該補助構造と単結晶シリコン層との間に酸化ケイ素層が介在されているから、補助構造例えばハニカム構造が存在する部分では、単結晶シリコン層、酸化ケイ素層及び補助構造の3層構造となっており、補助構造の無い部分は単結晶シリコン層の単層となっている図1参照。上記した単結晶シリコン層の厚みは、ペリクルとして用いるための光透過率及び機械的強度等の観点から20nm~1μmであることが必要である。酸化ケイ素層の厚さは後述するようにペリクル膜製造時の歩留まりと関係し、やはり20nm~1μmであることが好ましい。また、上記3層の隣り合う層同士は、それぞれ強固に結合していることが必要である。これらの観点から、本発明においては、BOX層と呼ばれる酸化ケイ素層を単結晶シリコン層直下に有するシリコンウェーハを、支持基板ハンドル基板上に配した単結晶シリコン基板以下SOI基板とするを原料として使用することが好ましい。即ち、適切に選ばれた、シリコンウェーハがハンドル基板に貼り付けられたSOI基板を出発原料とすることにより、均一な単結晶シリコン膜と補助構造例えばハニカムとを強固に結合することができる。SOIウェーハはBOX層と呼ばれる酸化膜層を単結晶シリコン層直下に配することが特徴であるが、EUVペリクル用として使用するためには、BOX層の厚みが前記したように適切な厚みであることが必要である。またSOI基板を原料として使用した場合には、シリコンウェーハが有する支持基板ハンドル基板を補助構造とすることができる。即ち、例えばエッチングによって、ハンドル基板を、例えばハニカム状に作り込めば良い。この場合、前記BOX層がエッチングストップ層として働くので、完成したペリクルは、使用した単結晶シリコン層の膜厚均一性を実質的にそのまま有することとなる。また、残存したBOX層は不要であるので、フッ化水素などで除去すれば良い図1参照。得られたペリクル膜は、元々単結晶シリコン層、酸化ケイ素層及び支持基板の3層が一体となった単体のSOI基板であったため、シリコン膜と補助構造例えばハニカム構造とが酸化ケイ素層を介して強固に結合した、一体構造を実現することが出来る。このようにして得られた本発明のペリクル膜は、単結晶シリコン薄膜と補助構造との間に酸化ケイ素層を有し、光が透過する部分には酸化膜が存在しないことが特徴である。完成したペリクル膜の光学顕微鏡写真を図2に示す。このペリクル膜を用いて公知の方法にしたがって作製したペリクルは、本発明のEUV用ペリクルである。次ぎに、本発明のペリクル膜の製造方法ついて説明する。本発明においては、出発基板としてSOI基板を用いる。この基板は、典型的には直径200mmのSOI基板であり、厚みが実質的に補助構造ハニカムの高さとなるので、予め基板の厚さを薄くしたSOI基板を用いることが好ましい。ハンドル基板を貼り合せた後に、エッチング等の既存の方法を用いて薄くしても良いことは当然である。上記のような薄い基板に、ハニカム構造をドライエッチング法によって作り込む。この時、ハンドル基板がハニカム構造となる。次いで、残存するBOX膜をHFで除去し、透過膜を露出させて本発明のペリクル膜を作製する。したがって、ハニカム構造と単結晶シリコン薄膜の間の酸化ケイ素膜が残存する図1参照。このペリクル膜作製工程で問題となるのは、前記BOX膜の厚さである。あまりBOX膜が厚いとHFによる除去に時間が掛かるだけでなく、その間に単結晶シリコン薄膜とハニカムの間のBOXにHFが浸透して、単結晶シリコン薄膜とハニカムとが分離することがある。一方、BOX膜があまり薄いとドライエッチングのエッチングストップ層として機能しないことが問題となる。この点について実験を重ねた結果、BOX厚の適切な範囲は20nm1μmであることが確認された。以下、本発明を実施例によって更に詳述するが、本発明はこれによって限定されるものではない。尚、各層の厚みは、光学干渉型の膜厚測定装置によって測定した。直径200mm、厚み725μmのシリコン基板であるハンドル基板上に、実質的に、COPの薄膜が、100nmの厚みで150nmの熱酸化膜SiO2を介して貼り付けられているSOI基板を原料基板として用いた。先ず、上記SOI基板のハンドル基板を300μmまで薄膜化した後、ハンドル基板側に、リソグラフィーによってメッシュ構造をパターニングし、メッシュ構造をドライエッチングによって作り込んだ。次いでHFを用いて処理し、Box酸化膜を除去し、ペリクル膜を完成させた図1参照。直径200mm、厚み725μmのシリコン基板であるハンドル基板上に、実質的にCOP等の結晶欠陥が少ないシリコン単結晶薄膜が100nmの厚みで、10nmの熱酸化膜SiO2を介して貼り付けられているSOI基板を原料基板として用いた。上記SOI基板のハンドル基板を30μmまで薄膜化した。ハンドル基板側に、リソグラフィーによってメッシュ構造をパターニングし、ドライエッチングによってメッシュ構造を作り込んだ。次いでHFを用いて処理し、Box酸化膜を除去し、ペリクル膜を完成させた。直径200mm、厚み725μmのシリコン基板であるハンドル基板上に、実質的にCOP等の結晶欠陥が少ないシリコン単結晶薄膜が100nmの厚みで、1μmの熱酸化膜SiO2を介して貼り付けられているSOI基板を原料基板として用いた。ハンドル基板側に、リソグラフィーによってメッシュ構造をパターニングし、ドライエッチングによってメッシュ構造を作り込んだ。次いでHFを用いて処理し、Box酸化膜を除去し、ペリクル膜を完成させた。比較例1直径200mm、厚み725μmのシリコン基板であるハンドル基板上に、実質的にCOP等の結晶欠陥が少ないシリコン単結晶薄膜が100nmの厚みで、10nmの熱酸化膜SiO2を介して貼り付けられているSOI基板を原料基板として用いた。上記SOI基板のハンドル基板を20μmまで薄膜化した。ハンドル基板側に、リソグラフィーによってメッシュ構造をパターニングし、メッシュ構造をドライエッチングによって作り込んだが、一部分でBOX膜が完全にエッチングされ、その部分では単結晶シリコン膜もエッチングにより消失していた。比較例2直径200mm、厚み725μmのシリコン基板であるハンドル基板上に、実質的にCOP等の結晶欠陥が少ないシリコン単結晶薄膜が100nmの厚みで、12μmの熱酸化膜SiO2を介して貼り付けられているSOI基板を原料基板として用いた。ハンドル基板側に、リソグラフィーによってメッシュ構造をパターニングし、メッシュ構造をドライエッチングによって作り込み、エッチングの後にHF処理でBox酸化膜を除去したが、単結晶シリコン膜とハニカム間のBOXがエッチングされ、双方が分離している箇所が散見された。