"半導体チップを評価するための評価システムであって、半導体基板の一方の面に、複数領域からなる抵抗測温体としての第1の配線、1つ又は複数領域からなるヒータとしての第2の配線、の少なくとも何れかと、前記第1の配線及び第2の配線を電気的に接続するための電極と、を有する半導体チップと、当該半導体チップを実装する実装基板と、前記半導体基板の他方の面側に、前記実装基板に固定された放熱材料と、を備え、前記第1の配線は、電流計及び電圧計に電気的に接続されて、領域ごとに測温可能であり、前記第2の配線は、電源に電気的に接続されて、領域ごとに加熱可能であること、を特徴とする評価システム。請求項1に記載の評価システムであって、前記第1の配線と、前記第2の配線と、が前記半導体基板上の同一面内に形成されていることを特徴とする評価システム。請求項1に記載の評価システムであって、前記第1の配線と前記第2の配線とは、絶縁層を挟んで積層していることを特徴とする評価システム。請求項1から3のいずれか一項に記載の評価システムにおいて、前記第1の配線が、白金配線であることを特徴とする評価システム。請求項1から4の何れか一項に記載の評価システムにおいて、前記第2の配線が、ニッケル配線であることを特徴とする評価システム。請求項1から5の何れか一項に記載の評価システムにおいて、前記第2の配線を、さらに電流計及び電圧計に電気的に接続することで、ヒータ兼抵抗測温体として機能させることを特徴とする評価システム。請求項1から6の何れか一項に記載の評価システムであって、前記放熱材料の温度を測定するための温度測定手段を、さらに備えていることを特徴とする評価システム。請求項1から7の何れか一項に記載の評価システムであって、前記放熱材料は、前記実装基板に固定されていることを特徴とする評価システム。半導体基板を備え、前記半導体基板の面上に、絶縁層と、複数領域からなる抵抗測温体としての複数の第1の配線と、1つ又は複数領域からなるヒータとしての1つ又は複数の第2の配線と、前記第1の配線に電気的に接続された第1の電極と、第2の配線に電気的に接続された第2の電極と、を備えた評価用半導体チップ。請求項9記載の評価用半導体チップにおいて、前記第1の配線と前記第2の配線とは、前記絶縁層を挟んで、積層していることを特徴とする評価用半導体チップ。請求項10記載の評価用半導体チップにおいて、前記第1の配線は、前記第2の配線よりも前記半導体基板側に設けられていることを特徴とする評価用半導体チップ。請求項10記載の評価用半導体チップにおいて、前記第2の配線層は、前記第1の配線層よりも前記半導体基板側に設けられていることを特徴とする評価用半導体チップ。請求項10から12のいずれか一項に記載の評価用半導体チップにおいて、前記第1の配線の領域の数は、前記第2の配線の領域の数よりも多いことを特徴とする評価用半導体チップ。請求項10から13のいずれか一項に記載の評価用半導体チップにおいて、一つあたりの前記第2の配線を設けられた領域は、一つあたりの前記第1の配線を設けられた領域よりも広いことを特徴とする評価用半導体チップ。請求項9記載の評価用半導体チップにおいて、前記第1の配線と前記第2の配線とは、同一の面内に配置されていることを特徴とする評価用半導体チップ。請求項9から15のいずれか一項に記載の評価用半導体チップにおいて、前記第1の配線が、白金配線であることを特徴とする評価用半導体チップ。請求項9から16の何れか一項に記載の評価用半導体チップにおいて、前記第2の配線が、ニッケル配線であることを特徴とする評価用半導体チップ。請求項9から17の何れか一項に記載の評価用半導体チップにおいて、前記第1の配線は、領域ごとに、対になった前記第1の電極を有し、前記第2の配線は、領域ごとに、対になった前記第2の電極を有していることを特徴とする評価用半導体チップ。請求項18記載の評価用半導体チップにおいて、1つの前記第1の配線の領域につき4つの前記第1の電極を有することを特徴とする評価用半導体チップ。請求項1から8のいずれかに記載の評価システムをリペアするリペア方法であって、前記第1または第2の配線を加熱して前記実装基板への固着材料を溶融させるステップと、前記実装基板から前記デバイスチップを除去するステップと、除去した前記デバイスステップをリペアするステップと、前記デバイスチップを、実装基板へ再び実装するステップと、を実行することを特徴とする評価システムのリペア方法。しかしながら、熱電対を温度センサとして実装する方法では、実際に評価対象発熱源である接続部に熱電対を設けるのは困難であるため、接続部から離れた半導体チップや半導体パッケージの裏面、またはその周囲の基板上に熱電対を設置して温度測定を行っていた。これでは、発熱源である半導体チップの正確な温度を把握したり、評価試験時に加熱したりすることができない。本発明は、上記課題を解決すべくなされたものであり、半導体チップを評価する技術を提供することを目的とする。上記課題を解決すべく、本発明の評価システムは、例えば特許請求の範囲に記載の構成を採用する。本願は上記課題を解決する手段を複数含んでいるが、その一例を挙げるならば、半導体チップを評価するための評価システムであって、シリコン基板の一方の面に、複数領域からなる抵抗測温体としての第1の配線、1つ又は複数領域からなるヒータとしての第2の配線、の少なくとも何れかと、前記第1の配線及び第2の配線を電気的に接続するための電極と、が積層された半導体チップと、当該半導体チップを実装する実装基板と、前記シリコン基板の他方の面側に、前記実装基板に固定された放熱材料と、を備え、前記第1の配線は、電流計及び電圧計に電気的に接続され、前記第2の配線は、電源に電気的に接続されていること、を特徴とする。本発明によれば、半導体装置を評価する技術が提供される。以下、本発明の第1の実施形態について図面を参照しながら説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。<第1の実施形態>半導体チップ図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体チップ1の断面図である。半導体チップ1は、シリコン基板100の一方の面に、測温抵抗体としての金属配線膜101と、絶縁層としてのポリイミド膜104aと、ヒータとしての金属配線膜102と、絶縁層としてのポリイミド膜104bと、金属配線膜101及び金属配線膜102を実装基板に電気的に接続するための電極103と、保護層としてのポリイミド膜104cと、が順次積層されてなる。金属配線膜101は、測温抵抗体として利用可能な金属の配線パターンが形成されたものである。図2に、金属配線膜101の配線パターンの一例を示す。図2に示すように、金属配線膜101は、方形に蛇行する独立した白金配線が、3×3のマトリクス状に分画された領域にそれぞれ形成されている。分画する領域数はいくつでもよく、その配置の仕方は、図2に示すように各領域が隣接していてもよいし、離れていてもよい。ここでは、各白金配線はそれぞれ配線の両端に2つずつ、計4つの端子1011を有しており、端子1011は電極103に接続される。このように、各配線の電気抵抗はいわゆる4端子法により測定できる。即ち、白金の抵抗温度係数3.9×10-3/Kから白金配線の各領域における温度を測定することが可能である。詳細については後述する。なお、ここでは各領域で独立した白金配線を設けた構成としているが、金属配線膜101が一つの連続した配線からなる構成としてもよいし、連続した配線を途中から分岐させ、端子を設けてもよい。また、金属配線膜101に使用する金属材料としては、温度と電気抵抗の線形成に優れていることから特に白金を利用することが望ましいが、これに限らず、例えばニッケル、銅などを利用してもよい。金属配線膜102は、ヒータとして利用可能な金属の配線パターンが形成されたものである。図3に、金属配線膜102の配線パターンの一例を示す。図3に示すように、金属配線膜102は、Ni配線が2×2のマトリクス上に分画された4領域に蛇行する一連の配線パターンである。Ni配線は、両端、及び途中に3つの端子1021を有しており、後述する電極103にそれぞれ接続される。加熱領域は分画する場合、その領域数はいくつでもよく、その配置の仕方は、図3に示すように各領域が隣接していてもよいし、離れていてもよい。このような構成により、Ni配線の加熱領域を選択することが可能である。なお、ここでは途中に端子を設ける構成としているが、もちろん、両端のみに端子を設けてもよいし、金属配線膜101のように、分画した各領域に独立した配線をそれぞれに設けてもよい。また、金属配線膜102に使用する金属材料は上記に限らず、高い電気抵抗、パターニング性、高温耐久性を有する金属、例えば、ニッケルクロム系合金、ニッケルクロムアルミニウム系合金、銅、銅マンガン、銅ニッケル、鉄クロム系合金、タングステンなどを利用してもよい。図4に、電極103の一例を示す。電極103は、金属配線膜101及び金属配線膜102と電気的に接続される、外部接続用の電極である。ここでは、外部接続用電極1031が金属配線膜101の端子1011と、外部接続用電極1032が金属配線膜102の有する端子1021と接続される。電極103上には、ポリイミド膜104cが保護層として形成されており、ポリイミド膜104cには、後述する基板111や他の半導体チップと電極103金属配線膜101を接続するための開口21、及び基板111と電極103金属配線膜102を接続するための開口22が設けられている。さらに、絶縁層として、金属配線膜101と金属配線膜102の間にポリイミド膜104aが、金属配線膜102と電極103の間にポリイミド膜104bが設けられている。ポリイミド膜104a及び104bには、共に金属配線膜101と電極103とを接続するための開口11が、ポリイミド膜104bには、さらに金属配線膜102と電極103とを接続するための開口12が形成されている。このような半導体チップ1を実装基板に実装することで、さまざまな温度プロセスを評価することが可能である。半導体チップの製造方法次に、半導体チップ1の製造方法について、図5a~図5dを用いて説明する。図5a~図5dは、本発明の第1の実施形態にかかる半導体チップ1の製造方法の過程を示す遷移図である。aまず、シリコン基板100の一方の面に、図示しないシリコン酸化膜を成長させる。シリコン酸化膜は、900°C程度のスチーム雰囲気下でシリコンと酸素を反応させるような、一般的な方法で形成すればよい。そして、シリコン酸化膜上に、白金配線パターンを有する金属配線膜101をリフトオフ法により形成する。具体的には、まずシリコン酸化膜上にパターニングされたレジストを形成し、PtO膜101a、Pt膜101b、TiO膜101cを順次蒸着する。そして、レジストを除去して図2に示す配線パターンを完成させる。なお、PtO膜101aはシリコン酸化膜と、TiO膜101cはポリイミド膜104aとの密着性を向上させるために、それぞれPt膜101bに対して1/100程度の膜圧で設けた。b次に、絶縁層として、金属配線膜101の両端を覆い、端子1011部分を開口させた膜厚約5μmのポリイミド膜104aを形成する。そして、ポリイミド膜104a上に、ニッケル配線パターンを有する金属配線膜102を形成する。例えば、Cr膜及びCu膜の積層膜をシード膜として、レジストのフォトリソグラフィ及びNi電気めっきを併用するセミアディティブ法を用いることにより、図3に記載の配線パターンを有する金属配線膜102を形成することができる。cさらに、金属配線膜102の両端を覆い、端子1011及び端子1021部分を開口させたポリイミド膜104bを形成し、ポリイミド膜104b上に、セミアディティブ法により図4に記載の外部接続用の電極103を形成する。dそして最後に、後述する実装基板等と電極103を接続するための開口を有する保護層としてのポリイミド膜104cを形成することで、図1に記載の半導体チップ1を得ることができる。なお、本発明は、上記第1の実施形態にかかる半導体チップに制限されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で様々な変形が可能である。例えば、測温抵抗体、及びヒータは、どのような位置関係で配置されていてもよい。また、測温抵抗体、ヒータ、及び電極は、シリコン基板の同一面内同一層に形成してもよい。さらに、配線の温度と電気抵抗の関係を明らかにしておくことで、ヒータと測温抵抗体を一つの配線で兼ねることもできる。すなわち、配線に接続した電源から電力を供給すると同時に電気抵抗を測定すれば、別途配線を設けずとも発熱する配線自身の温度を測定することが可能となる。これにより、本発明の半導体チップの構造を大幅に簡素化することができる。なお、抵抗測温体としての金属配線膜101のみを備え、ヒータ機能を持たない構成としてもよい。例えば、外部から熱を加えるプロセスの温度プロファイルを行う場合には、必ずしもヒータが必須ではないため、より簡素な構成とすることができる。もちろん、ヒータとしての金属配線膜102のみを備え、熱電対等により温度を計測してもよい。以下に、本発明の半導体チップの変形例を具体的に示す。変形例1図6に、本発明の変形例1にかかる半導体チップ2の断面図を示す。半導体チップ2は、測温抵抗体としての金属配線膜201と、ヒータとしての金属配線膜202とが、半導体チップ1の測温抵抗体金属配線膜101、及びヒータ金属配線膜102と逆の位置に配置されている。このような構成の半導体チップ2によれば、測温抵抗体としての金属配線膜201の測定エリアより電極103が外部接続される開口21及び22の近傍となっている。そのため、より発熱源に近い位置例えば、アンダーフィル材の温度を正確に測定することが可能である。変形例2図7に、本発明の変形例2にかかる半導体チップ3の断面図を示す。半導体チップ3は、測温抵抗体としての金属配線膜301とヒータとしての金属配線膜302とが、同じ面内の酸化膜上に形成され、金属配線膜301及び金属配線膜302の両端を覆うように、金属配線膜301と電極103とを接続するための開口31及び金属配線膜302と電極103とを接続するための開口32を有するポリイミド膜304が設けられている。このような構成によれば、絶縁層としての2つのポリイミド膜ポリイミド膜104a及びポリイミド膜104bを1つのポリイミド膜304で実現できるため、半導体チップ1に比べて層数を減少させ、より低コストに、簡便な方法で半導体チップを製造することが可能である。変形例3図8に、本発明の変形例3にかかる半導体チップ4の断面図を示す。半導体チップ4は、測温抵抗体とヒータの機能を兼ねる金属配線膜402のみが形成され、金属配線膜402の両端を覆うように、金属配線膜402と電極103とを接続するための開口41及び42を有するポリイミド膜404が設けられている。なお、金属配線膜402には、例えば、図2に示すようなNi配線を利用することができる。このような半導体チップ4を後述する基板111に実装し、両端の端子に電源と電圧計を接続することで、Ni配線に流れる電流を制御するとともに、ニッケルの抵抗温度係数6.3K×10-3/KからNi配線の各領域における温度を測定することが可能である。もちろん、Ni配線に替えて、例えばCu配線を利用してもよい。その場合には、銅の抵抗温度係数4.3×10-3/Kを利用すればよい。このような構成の半導体チップ4によれば、半導体チップ1に比べてポリイミド膜及び金属配線膜をそれぞれ1つずつ省略できるため、製造プロセスの簡素化と、製造コストの大幅な低減が可能である。変形例4図9に、本発明の変形例4にかかる半導体チップ5の断面図を示す。半導体チップ5は、半導体チップ1を複数積み上げた3次元積層チップである。なお、半導体チップ5は、例えば、半導体チップ1のパッド領域にスルーホール501を形成して導通をとり、高温プレス加熱加圧装置901によって圧着することで製造することが可能である。このような構成の半導体チップ5によれば、3次元積層構造の半導体チップの温度プロセスを評価することが可能である。<第2の実施形態>評価システム次に、本発明の第2の実施形態に係る評価システム110について説明する。図10は、半導体チップ1を基板111に実装した評価システム110の断面図である。評価システム110は、はんだボール114によって、シリコンチップ112からなるプリント基板やセラミック基板等の基板111に半導体チップ1を実装したものである。基板111には、測温抵抗体である金属配線膜101に接続される基板配線113aと、ヒータである金属配線膜102に接続される基板配線113bが設けられている。なお、配線群900は、基板配線113aを介して抵抗測温体である金属配線膜101と図示しない電流計及び電圧計を結線し、また、基板配線113bを介してヒータである金属配線膜102と図示しない外部電源とを結線している。これにより、金属配線膜102の加熱と、金属配線膜101の各領域における電気抵抗を4端子法により測定することが可能である。この測定結果と白金の抵抗温度係数3.9×10-3/Kから、白金配線の各領域の温度を測定することが可能である。なお、評価システムに用いられる半導体チップの形状は上記に限定されず、例えば、図9に示すような半導体チップ5を基板111に実装し、図13に示すような評価システム120を形成することもできる。上記のような評価システムを利用した実装プロセスの評価について、以下説明する。実装プロセスの評価1図11は、リフロー炉を使用した評価システム110の実装プロセスの温度プロファイル測定を説明するための説明図である。半導体チップの実装は、リフロー炉を使用したはんだ付けプロセスを経て行われるが、リフロー炉内の設定温度や半導体チップ及び基板の表面、そしてはんだボールには、大きな温度差が存在する。そこで、図11に示すように、評価システム110をはんだ付けプロセスに付せば、半導体チップ内部の温度変化を評価することができる。具体的には、半導体チップ1をリフロー炉902内の移動ステージ903に戴置して加熱する。これにより、金属配線膜101の各領域の電気抵抗の変化をモニタすることで、はんだボール114やアンダーフィル材115近傍の温度プロファイルを得ることが可能である。実装プロセスの評価2図12は、リフロー炉を使用しない評価システム110の実装プロセスの温度プロファイル測定を説明するための説明図である。本実施例では、実施例1で得たはんだ付けプロセスの温度プロファイルに従って金属配線膜102へ供給される電力を制御してヒータの温度を経時変化させ、リフロー炉内における状態を再現することで、リフロー炉を使用せずともプロセス中の温度プロファイルを得ることを可能としたものである。このようにヒータの温度を制御することによっても、半導体チップ1とアンダーフィル材115の熱硬化を再現したり、途中で加熱を停止させてアンダーフィル材の硬化時の経時変化を観察したりすることが可能である。よって、各材料の開発においても、有用なデータが取得できる。実装プロセスの評価3図13は、3次元積層プロセスにおける評価システム120の温度プロファイル測定を説明するための説明図である。上記変形例4で説明したように、3次元積層された半導体チップ5は、複数の半導体チップ1を積み上げて高温プレス加熱加圧装置901で加圧及び加熱することで製造される。ここで、半導体チップ5を基板111に実装した評価システム120を3次元積層プロセスに付すことで、該プロセス中における温度プロファイルを測定することができる。なお、配線群900は、半導体チップ5を形成する各半導体チップ1の各金属配線膜101をそれぞれ図示しない電流計及び電圧計と結線しているため、積層されたどの半導体チップのどの領域にどのような温度変化が見られるのかを、それぞれ観察することが可能である。もちろん、配線群900に、各半導体チップのヒータである金属配線膜102と外部電源とを結線させ、上記で得た3次元積層プロセスの温度プロファイルに従ってヒータの温度を変化させることで、高温プレス加熱加圧装置を使用せずに3次元積層プロセスを再現することも可能である。<第3の実施形態>評価システム次に、本願の第3の実施形態に係る評価システムによる放熱特性の評価について説明する。本実施形態に係る評価システムは、第2の実施形態に係る評価システムをより実際に近い形式で搭載し、半導体チップ及びその周辺材料の熱情報を得ることを可能とするものである。図14は、本発明の評価システム140の概略図である。具体的に、評価システム140は、評価システム110とアルミ材等からなる放熱板148とを、放熱シート145a、ヒートスプレッダ144、放熱シート145bをこの順で挟んで樹脂ねじ142で固定したものである。ヒートスプレッダ144は、シール材149により基板配線113と接続されている。また、ヒートスプレッダ144には、半導体チップ1の下側に位置する部分に熱電対146が設けられている。なお、基板111の配線は、コネクタ142を介してハーネス143として外部に引き出されている。このような評価システム140によれば、半導体チップ1の備える抵抗測温体の温度変化と、熱電対146の温度変化と、を得ることで、より実装時に近い放熱特性を評価することが可能である。さらに、両者の温度差を算出することで、放熱シート145aの放熱特性電気抵抗を知ることもできるため、放熱シート等の放熱材料の開発においても有用なデータを取得することができる。なお、このような評価システム140は、例えば、図15に示すような部材によって構成することができる。また、評価システムに搭載された半導体チップには、例えば次のようなものが用いられる。図16は、2種類の半導体チップ1a及び1bに形成されている測温抵抗体としての金属配線膜と、ヒータとしての金属配線膜と、電極と、の組み合わせを示す上面図である。半導体チップ1aは、外形サイズが8mm×8mmであり、3×3のマトリクス状に分画された領域が隣接して配置されている金属配線膜101aと、2×2のマトリクス状に分画された領域が隣接して配置されている金属配線膜102aと、外形サイズの面積全面を覆う電極103aとが積層されたものである。半導体チップ1bは、外形サイズが9mm×13mmであり、3×3のマトリクス状に分画された領域が離れて配置されている金属配線膜101bと、2×2のマトリクス状に分画された領域が隣接し配置されている金属配線膜102bと、外形サイズの面積全面を覆う電極103bとが積層されたものである。なお、金属配線膜101bの領域の面積は、金属配線膜102bと同じ面積である。以下、本発明の第3の実施形態に係る評価システムによる放熱特性評価の実施例を示し、本発明をより具体的に説明する。ただし、本発明は、これらの実施例によって限定されるものではない。実施例1温度測定評価図17に、本発明の実施例1に係る評価システム140aの断面図を示す。評価システム140aは、評価システム140と比較して、放熱シート145a,145b及び、熱電対146を設けない構成である点が異なる。なお、各部材には、図15に記載のものを使用し、評価システム110に搭載されている半導体チップには、上述の半導体チップ1bを用いた。本実施例では、半導体チップ1bへ電力を印加して金属配線膜102bを加熱すると共に、金属配線膜101bと別途用意した放射温度計テストー製testo830T3によって半導体チップ1bの温度を測定することで、評価システム140aの測温能力を評価した。図18に、その結果を示す。図18は、半導体チップ1bへの印加電力に対する、金属配線膜101bによる温度測定値□と、放射温度計を用いて測定した温度測定値○と、を示すグラフである。なお、金属配線膜101bによる温度測定値□は、測定領域1図16参照の温度である。また、放射温度計による温度測定値○は、半導体チップ1bの測定領域1図16参照の温度を測定した値である。図18からわかるように、金属配線膜101bによる温度測定値□と放射温度計を用いて測定した温度測定値○との間には殆ど差は見られず、両者はよく一致した。この結果から、本発明の評価システムによれば、金属配線膜102bの発熱による温度の変化を、熱電対を用いることなく金属配線膜101bによって正確に測定することが可能であることがわかった。実施例2領域別の温度測定評価図19に、本発明の実施例2に係る評価システム140bの断面図を示す。評価システム140bは、評価システム140aと比較して、ヒートスプレッダ144を用いていない点で異なる構造である。なお、各部材には、図15に記載のものを使用し、評価システム110に搭載されている半導体チップには、上述の半導体チップ1bを用いた。本実施例では、半導体チップ1bへ電力を印加して金属配線膜102bを加熱すると共に、金属配線膜101bによる白金配線層の全測定領域1~9図16参照の温度を測定した。図20に、その結果を示す。図20は、半導体チップ1bへの印加電力が1.3W◇、5.5W□、13.0W△、20.0W○である際の、各測定領域1~9における温度測定値を示すグラフである。図20からわかるように、半導体チップ1bへの印加電力が上昇するに従って、各測定領域における温度も上昇した。また、測定領域別にみれば、半導体チップ中央の測定領域5の温度が全体で最も高く、逆に半導体チップ端の測定領域1,3,7,9の温度は、比較的抑えられていた。また、この傾向は、印加電力が大きくなるにつれて顕著になる。これらは、半導体チップ中央は熱が籠り易く、端側は熱が逃げ易いことを示している。この結果から、本発明は、金属配線膜102bの発熱による温度の変化を、金属配線膜101bの各領域ごとに正確に測定することが可能であることがわかった。このように、本発明の評価システムによれば、実パッケージの発熱構造を再現可能であると共に、その発熱挙動放熱特性の正確な温度プロファイルを各領域ごとに得ることができる。実施例3放熱シートの有無による温度測定評価図21に、本発明の実施例3に係る評価システム140cの断面図を示す。評価システム140cは、評価システム140aとは、ヒートスプレッダ144を使用していない点で異なる。また、ヒートスプレッダ144に代えて、放熱材料として放熱シート145を使用する場合についても測温を行った。なお、各部材には、図15に記載のものを使用し、評価システム110に搭載されている半導体チップには、上述の半導体チップ1aを用いた。本実施例では、評価システム140cに放熱シート145を使用した場合と、使用していない場合とで、金属配線膜101aによる白金配線層の全測定領域1~9図16参照の温度を測定した。なお、半導体チップ1aへの印加電力は一定とした。図22は、半導体チップ1aへの印加電力が15Wの際の、放熱シート145を使用した場合の各測定領域1~9における温度測定結果□と、放熱シート145を使用しなかった場合の各測定領域1~9における温度測定結果○と、を示すグラフである。図22からもわかるように、放熱シートを半導体チップと放熱板との間に設けた温度測定結果□は、放熱材料を用いない温度測定結果○と比較して、全領域に渡って低いことがわかった。これは、高熱伝導性の放熱材料を用いることにより、半導体チップで発生した熱が放熱板へと効率よく伝導したことを示している。また、放熱シートにより、各測定領域間の温度分布が低減されていることもわかった。これは、半導体チップ1aと放熱板の密着性が向上したことで、接触抵抗が低減され、半導体チップ1aで発生した熱が面内に効率よく分散して伝導したことを示している。このように、本発明の評価システムによれば、放熱材料等の部材ごとの放熱特性や、その効果を評価できる。実施例4温度サイクル試験による温度測定評価本実施例では、評価システム140dを、以下に記載するような温度サイクル試験の前後で、一定の印加電力の下、全測定領域1~9図16参照の温度を測定することで行った。なお、評価システム140dは単に、評価システム140cの半導体チップ1aの代わりに、半導体チップ1bを用いたものであるため、図は省略する。温度サイクル試験は、-40°Cで15分間保持した後、1分で125°Cまでテストエリア内の温度を上昇させて同温度を15分間保持した後、再び1分で-40°Cまで下降させて同温度を15分間保持するサイクルを、180回繰り返すことで行った。なお、温度サイクル試験装置には、ETAC製のNT1530Wを用いた。図23は、半導体チップ1bへの印加電圧が20Wの際の、各測定領域1~9における温度サイクル試験前の温度測定結果○と、温度サイクル試験後の温度測定結果□を示すグラフである。図23に示すように、測定領域2~5では、温度サイクル試験前と試験後で、その温度測定結果には殆ど差が見られなかった。一方、測定領域1及び6~9においては、温度サイクル試験後の方が、温度サイクル試験前よりも高温となっていることが確認できた。これは、温度サイクル試験の負荷により、基板や半導体チップに反りが発生したり、放熱シートとの密着性が低下したりしたことによって、測定領域1及び6~9における熱伝導効率が低下したことが原因であると考えられる。このように、本発明の評価システムによれば、温度サイクル試験のような信頼性試験時における、パッケージに実装した放熱材料の放熱挙動を可視化すると共に、実使用環境下での放熱材料の放熱特性を評価できる。以上、本発明の半導体チップとその評価システムについて説明した。本発明によれば、ヒータが半導体チップの発熱源である半導体素子を模しているため、抵抗測温体は、発熱源から数μm~数十μmの位置における温度を測定することができる。また、発熱源である半導体チップと基板の接合部の温度プロファイルを正確に測定することで、接合プロセスの最適化を図れるだけでなく、接合部材の開発にも極めて重要なデータを得ることができる。また、例えば高温高湿試験等では、試験槽内で高温に晒すことで構成部材の耐久性を評価するものであるため実際に内部から発熱する半導体チップの実装時の状況を再現することは困難であったが、本発明によれば、ヒータで半導体チップを直接加熱することが可能であるため、従来の試験槽内を加熱する方法に比べて正確な温度プロファイルが可能である。加えて、熱容量が圧倒的に小さくなり、短時間で半導体チップの温度を制御することができるため、特に温度サイクル試験において加熱、冷却に要する時間を大幅に短縮することが可能である。例えば、加熱と冷却にそれぞれ30分かかれば、1000サイクルに到達するまでには42日間が必要となる。しかしながら、本発明によれば、加熱、冷却がそれぞれ5分程度で可能となるため、大幅に開発時間を短縮させられると共に、要するエネルギーも抑えることができる。さらに、リフロー炉や高圧プレス加熱加圧装置等の大規模施設を実際に使用せずに、ヒータによって同様の熱履歴を再現することができる。<第4の実施形態>デバイスチップ図15は、本発明の第4の実施形態に係るデバイスチップ6の断面図である。デバイスチップ6は、半導体素子600及びその接続のための開口60を有している点で、半導体チップ1とは異なる。具体的に、デバイスチップ6は、シリコン基板100の一方の面に設けられた半導体素子600と、当該半導体素子600とは接触しないように設けられた測温抵抗体としての金属配線膜101と、絶縁層としてのポリイミド膜604a、ヒータとしての金属配線膜102と、絶縁層としてのポリイミド膜604bと、半導体素子600及び金属配線膜101及び金属配線膜102と電気的に接続される電極103と、保護層としてのポリイミド膜604cと、が順次積層されてなる。なお、基板との接続には、Auバンプ614が利用されるものとする。また、ここでは半導体素子600と金属配線膜101は電気的に接続されていない構成としているが、金属配線膜101及び金属配線膜102の何れかと半導体素子600とが接続されていてもよい。さらに、デバイスチップ6は上記構成に限定されず、前述の変形例2~4と同様の変形が可能である。また、デバイスチップ6を基板へ実装して評価システムを作成すれば、上記と同じように様々な温度プロファイルを得ることも可能である。デバイスチップのリペア方法複数のデバイスチップを高密度に実装する際、ある特定のデバイスチップに接続不良が生じる場合がある。このとき、特定のデバイスチップのみをリペアできれば、製品の歩留まりを向上させることが可能である。リペア装置には、ホットエアやレーザ等を利用したものが存在するが、ホットエアではその指向性に限界があり、周辺チップも同時に加熱されてしまうため、特定の半導体チップのみをリペアするには不向きである。また、レーザでは多数のバンプを均一に加熱することが難しく、また、光源とチップの間に遮蔽物がある場合にはリペアが非常に困難となる。本発明の第4の実施形態にかかるデバイスチップ6では、特定の半導体チップを取り外してリペアすることを可能にする。図16は、基板611へ実装したデバイスチップ6のリペアについて説明するための説明図である。本発明のデバイスチップ6は、固着材料、すなわち、Auバンプ614及び非導電性フィルム615によって基板611に固着され、実装されている。なお、電極103は、基板611の基板配線と電気的に接続され、各配線は、配線群601としてまとめて引き出されている。配線群601により、抵抗測温体である金属配線膜101は図示しない電流計及び電圧計と結線され、ヒータである金属配線膜102は図示しない外部電源と結線されている。このようなデバイスチップ6のリペアは、抵抗測温体で温度をモニタしながらヒータを非導電性フィルムのガラス転移点を超える温度まで加熱し、デバイスチップ6のみを基板611から取り外すことで実行できる。その後、デバイスチップ6をリペアして再び基板611に実装すれば、他のデバイスチップの接続信頼性を低下させることなく、特定のデバイスチップのみを選択的にリペア可能であるため、歩留まりを向上することができる。なお、デバイスチップ6が、Auバンプ614の代わりにはんだボールによって基板に実装されている場合には、はんだボールの融点まで加熱することで、同様の効果を得る事ができる。<第5の実施形態>充電池図17は、本発明の第5の実施形態に係る、デバイスチップ6を内部に設けた充電池700の概略図である。充電池700は、電極701と、筐体であるパッケージ702と、金属板703と、金属板703に貼り付けたデバイスチップ6と、デバイスチップ6のヒータ配線と充電池700を接続する配線705と、からなる。なお、デバイスチップ6の抵抗測温体である金属配線膜101は、図示しない電流計及び電圧計と接続されているものとする。このような構成の充電池700において、デバイスチップ6は、抵抗測温体によって充電池700の環境温度をモニタする。そして、もし環境温度が所定の値よりも低下すれば、充電池のセル電圧が低下するのを避けるため、充電池を外部電源としてデバイスチップ6のヒータに電力が供給される。これにより、環境温度の低下によるセル電圧の低下を抑制することが可能である。なお、上記の実施形態は、本発明の要旨を例示することを意図し、本発明を限定するものではない。多くの代替物、修正、変形例は当業者にとって明らかである。"