基板上に順次形成されたカソード電極膜、第1絶縁膜、第1ゲート電極、第2絶縁膜、第2ゲート電極、第3絶縁膜及び集束電極と、前記集束電極の表面から前記カソード電極膜に至る開口部と、該開口部によって露出されたカソード電極膜上に形成され電子を放出する電子放出部と、を備え、前記第3絶縁膜に形成された開口部は、前記第2ゲート電極に形成された開口部よりも大きく、前記集束電極に形成された開口部は、前記第3絶縁膜に形成された開口部の面積と同じか小さい、ことを特徴とする電子源アレイ。前記電子放出部先端を基準として、前記第3絶縁膜の開口部側上端の開口角と前記第2ゲート電極の開口角の比が、0.9以上1.6以下であることを特徴とする請求項1に記載の電子源アレイ。前記第2絶縁膜に形成された開口部は、前記第2ゲート電極に形成された開口部の面積よりも大きいことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電子源アレイ。請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載の電子源アレイと、透光性を有する基板と、該基板の一方の面上に順次形成された透明電極及び光電変換膜と、を備え、前記電子源アレイが前記光電変換膜に対向配置されたことを特徴とする撮像装置。請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載の電子源アレイと、透光性を有する基板と、該基板の一方の面上に順次形成された透明電極及び蛍光体と、を備え、前記電子源アレイが前記蛍光体に対向配置されたことを特徴とする表示装置。しかしながら、特許文献2記載の電子源アレイでは、エミッタ電極から放射された電子のうち、静電レンズを通過しない電子が、第1ゲート電極、第2ゲート電極及び集束電極の相互間に形成された絶縁膜に照射され、照射された電子が当該絶縁膜の表面近傍に滞留したり、当該絶縁膜が2次電子を放出したりすることにより、当該絶縁膜が帯電する場合があった。その結果、特許文献2記載の電子源アレイでは、第1ゲート電極、第2ゲート電極及び集束電極の相互間でリーク電流が発生する可能性があり、そしてそのような現象は発生させないことが望ましい。本発明は、前述のような事情に鑑みてなされたものであり、第1ゲート電極、第2ゲート電極及び集束電極の相互間におけるリーク電流の発生を抑えつつ、電子ビームの集束効果の向上及び電子ビーム量の増加を図ることができる電子源アレイ並びにそれを備えた撮像装置及び表示装置を提供することを目的とする。本発明の電子源アレイは、基板上に順次形成されたカソード電極膜、第1絶縁膜、第1ゲート電極、第2絶縁膜、第2ゲート電極、第3絶縁膜及び集束電極と、前記集束電極の表面から前記カソード電極膜に至る開口部と、該開口部によって露出されたカソード電極膜上に形成され電子を放出する電子放出部と、を備え、前記第3絶縁膜に形成された開口部は、前記第2ゲート電極に形成された開口部よりも大きく、前記集束電極に形成された開口部は、前記第3絶縁膜に形成された開口部の面積と同じか小さい構成を有している。この構成により、本発明の電子源アレイは、電子放出部が放出した電子の第3絶縁膜への照射量が低減され、第3絶縁膜の帯電を抑制することができる。また、この構成により、本発明の電子源アレイは、第1ゲート電極と集束電極との間に形成された第2ゲート電極に第1ゲート電極よりも高い電圧を印加することにより、電子ビームを集束させる静電レンズを第2ゲート電極と集束電極との間の電位差で形成し、第1ゲート電極が電子レンズの形成に寄与しないこととなるので、集束電極に印加した電圧によるゲート電極側への等電位面の張り出しの影響を低減することができる。その結果、本発明の電子源アレイは、電子ビームの集束効果の向上及び電子ビーム量の増加を図ることができる。したがって、本発明の電子源アレイは、第1ゲート電極、第2ゲート電極及び集束電極の相互間におけるリーク電流の発生を抑えつつ、電子ビームの集束効果の向上及び電子ビーム量の増加を図ることができる。また、本発明の電子源アレイは、前記電子放出部先端を基準として、前記第3絶縁膜の開口部側上端の開口角と前記第2ゲート電極の開口角の比が、0.9以上1.6以下であることが望ましい。また、本発明の電子源アレイは、前記第2絶縁膜に形成された開口部は、前記第2ゲート電極に形成された開口部の面積よりも大きいことが望ましい。本発明の撮像装置は、電子源アレイと、透光性を有する基板と、該基板の一方の面上に順次形成された透明電極及び光電変換膜と、を備え、前記電子源アレイが前記光電変換膜に対向配置された構成を有している。この構成により、本発明の撮像装置は、第1ゲート電極、第2ゲート電極及び集束電極の相互間におけるリーク電流の発生を抑えることができる電子源アレイを備えるので、リーク電流の発生による特性の劣化を防止することができる。また、この構成により、本発明の撮像装置は、電子ビームの集束効果の向上及び電子ビーム量の増加を図ることができる電子源アレイを備えるので、隣接する画素間における電子ビームの干渉を防止でき、高画質化及び広ダイナミックレンジ化を図ることができる。本発明の表示装置は、電子源アレイと、透光性を有する基板と、該基板の一方の面上に順次形成された透明電極及び蛍光体と、を備え、前記電子源アレイが前記蛍光体に対向配置された構成を有している。この構成により、本発明の表示装置は、第1ゲート電極、第2ゲート電極及び集束電極の相互間におけるリーク電流の発生を抑えることができる電子源アレイを備えるので、リーク電流の発生による特性の劣化を防止することができる。また、この構成により、本発明の表示装置は、電子ビームの集束効果の向上及び電子ビーム量の増加を図ることができる電子源アレイを備えるので、隣接する画素間における電子ビームの干渉を防止でき、高画質化及び高輝度化を図ることができる。本発明は、第1ゲート電極、第2ゲート電極及び集束電極の相互間に形成された絶縁膜に照射される電子ビーム量を抑えつつ、電子ビームの集束効果の向上及び電子ビーム量の増加を図ることができるという効果を有する電子源アレイ並びにそれを備えた撮像装置及び表示装置を提供することができるものである。以下、本発明の一実施形態について図面を用いて説明する。まず、本実施形態における電子源の構成について図1を用いて説明する。図1は、1つの電子源の断面図を模式的に示している。この電子源が複数形成されて本発明に係る電子源アレイが構成される。図1に示すように、本実施形態における電子源10は、エミッタ電極11、第1絶縁膜12、第1ゲート電極13、第2絶縁膜14、第2ゲート電極15、第3絶縁膜16、集束電極17を備える。第1絶縁膜12、第2絶縁膜14及び第3絶縁膜16には、それぞれ、円形状の開口部12a、14a及び16aが形成されている。また、第1ゲート電極13、第2ゲート電極15及び集束電極17には、それぞれ、円形状の開口部13a、15a及び17aが形成されている。本実施形態では、開口部12a及び13aの開口径はφ1、開口部15aの開口径はφ2、開口部14a、16a及び17aの開口径はφ3で示しており、φ1=φ2、φ1<φ3である。なお、各開口部の形状は、円形状に限定されるものではなく、楕円や多角形の形状としてもよい。エミッタ電極11は、開口部12a内に形成されている。このエミッタ電極11は、例えば、円錐状の形状を有するスピントSpindt型の冷陰極で構成され、先端に高電界を生じさせて電子ビームを放射するようになっている。ここで、エミッタ電極11は、本発明に係る電子放射部を構成する。このエミッタ電極11は、例えばガラス基板やシリコン基板上に形成されたカソード電極膜に接続されて形成される。具体的には、エミッタ電極11は、例えば、TFTThinFilmTransistorやCMOS回路が形成された基板上の電極に設けられ、画素ごとに駆動されるようになっている。なお、帯状のカソード電極膜上にエミッタ電極11を設け、パッシブマトリクス型の構成としてもよい。第1絶縁膜12、第2絶縁膜14及び第3絶縁膜16は、例えば二酸化シリコンで構成される。また、第1ゲート電極13、第2ゲート電極15及び集束電極17は、例えばクロムで構成され、各電極はそれぞれ図示しない電源に接続されている。ここで、前述のエミッタ電極11がTFTやCMOS回路が形成された基板上に設けられた構成では、第1ゲート電極13、第2ゲート電極15及び集束電極17は、例えば、板状の電極ベタ電極として形成される。エミッタ電極11と第1ゲート電極13との間には第1ゲート電圧Vg1が印加され、エミッタ電極11と第2ゲート電極15との間には第2ゲート電圧Vg2が印加されるようになっている。また、エミッタ電極11と集束電極17との間には集束電圧Vfが印加されるようになっている。これらの電圧の関係は、第2ゲート電圧Vg2>第1ゲート電圧Vg1である。また、集束電圧Vfについては電子ビームの集束のため第1ゲート電圧Vg1よりも小さい値となる。この構成により、本実施形態における電子源10は、第2ゲート電極15と集束電極17との間で静電レンズを形成するとともに、一番高い電圧が印加される第2ゲート電極15の電界によって、第1ゲート電極13と集束電極17との間が遮蔽されることとなるので、集束効果を高めるために集束電圧Vfを低下させても、集束電圧Vfによるゲート電極側への等電位面の張り出しが抑えられ、エミッタ電極11と第1ゲート電極13との間の電界集中が弱まることを防止することができる。したがって、本実施形態における電子源10は、電子ビームの集束効果の向上及び電子ビーム量の増加を図ることができる。次に、本実施形態における電子源10が奏する効果について確認したシミュレーション結果について、図1を適宜参照しつつ、図2~図8に基づき説明する。シミュレーションは、第2ゲート電極15の開口を一定にして第1ゲート電極13の開口も同じ、集束電極17の開口を大きくしていったときの、集束電極17の開口と同じ開口にした第3絶縁膜16への電子照射量と1画素のビーム量の関係がどう変化するか計算したものである第2絶縁膜14、第3絶縁膜16の厚さと開口を変えて2つの場合で計算。以下に説明するシミュレーションモデルは電子源10を撮像装置に適用したものであって、図2及び図6に示す2つを例に挙げる。まず、図2に示したシミュレーションモデルは、電子源10に対向させて光電変換膜21を設け、電子源10と光電変換膜21との間にメッシュ電極22が配置されている。エミッタ電極11の高さ、第1絶縁膜12、第2絶縁膜14及び第3絶縁膜16の厚さは、それぞれ、0.7μmである。第1ゲート電極13、第2ゲート電極15及び集束電極17の厚さは、それぞれ、0.1μmである。開口部13a及び15aの開口径はφ1=φ2=0.9μmである。集束電極17の開口径φ3については、シミュレーションにおいてφ3=0.9μm=φ1=φ2、1.5μm、2.0μm、3.0μmと変化させる。集束電極17とメッシュ電極22との間は350μm、メッシュ電極22と光電変換膜21との間は350μmである。第1ゲート電極13には第1ゲート電圧Vg1として60V、第2ゲート電極15には第2ゲート電圧Vg2として80Vを印加する。メッシュ電極22には500Vを印加する。集束電極17の印加電圧Vfは、開口径φ3の値ごとに、光電変換膜21において最小の電子ビーム径が得られる電圧とした。具体的には、集束電極17の印加電圧Vfは、開口径φ3=0.9μmでは19V、開口径φ3=1.5μmでは13V、開口径φ3=2.0μmでは10V、開口径φ3=3.0μmでは6Vである。また、エミッタ電極11の先端を基準として、第2ゲート電極15の開口部15aの開口角をA、集束電極17の開口部17aの開口角をBで表す。上記の条件でシミュレーションを行った結果を図3~図5に示す。まず、集束電極17の開口部17aの開口径φ3を変化させたときの電子源10の諸特性を図3に示す。集束電極17の開口径φ3を0.9μm、1.5μm、2.0μm、3.0μmと変化させたとき、開口角Aに対する開口角Bの比=B/Aは、それぞれ、0.6、0.9、1.1、1.6となる。このとき、第3絶縁膜16への電子照射量は、開口径φ3=0.9μmの場合を1とすると、開口径φ3=1.5μmでは0.4、開口径φ3=2μmでは0.0006、開口径φ3=3μmでは0.0となった。また、電子ビームの半値幅は、開口径φ3の大きさにかかわらず1画素の大きさの20μm以下であった。ここで、電子ビームの半値幅とは、光電変換膜21での電流密度分布においてピーク値の半分の電流密度が得られる電子ビームの幅をいう。また、1画素20μm×20μmの放射電子量は、開口径φ3=0.9μmの場合を1とすると、開口径φ3=1.5μmでは1.3、開口径φ3=2.0μmでは1.3となった。開口径φ3=3.0μmでは0.7となったが、実用上問題のないレベルである。前述の1画素の放射電子量が得られた条件として、1つのエミッタ電極11からの放射電子量は、開口径φ3=0.9μmの場合を1とすると、開口径φ3=1.5μmでは2.0、開口径φ3=2.0μmでは3.3、開口径φ3=3.0μmでは3.4であった。また、1画素当たりのエミッタ電極11の個数は、開口径φ3=0.9μmでは121個、開口径φ3=1.5μmでは81個、開口径φ3=2.0μmでは49個、開口径φ3=3.0μmでは25個であった。以上の結果より、集束電極17の開口径φ3=0.9μmのとき、すなわち開口径φ1=φ2=φ3=0.9μmのときに対して、開口径φ3=1.5μm以上の範囲では第3絶縁膜16への電子照射量を0.4以下に抑えることができ、リーク電流が発生しにくい実用的なレベルが得られることがわかった。すなわち、リーク電流が発生しにくく放射電子量も得られる範囲は、開口角A及びBを用いて表すと、0.9A≦B≦1.6Aとなる。図4は、エミッタ電極11の中心軸からの距離に対する第3絶縁膜16への電子照射量を示すシミュレーション結果である。このグラフでは、エミッタ電極11の中心軸からの距離が0.45μm、すなわち開口径φ1=φ2=φ3=0.9μm、かつ、第3絶縁膜16の開口径が集束電極17の開口径と同じ場合の第3絶縁膜16への電子照射量を1とし、集束電極17の開口径をそれぞれ0.9μm、1.5μm、2.0μm、3.0μmで固定し、第3絶縁膜16の開口径を集束電極17の開口径よりも拡大していった場合の第3絶縁膜16への電子照射量を計算している。図4に示すように、エミッタ電極11の中心軸からの距離が0.75μm開口径φ3=1.5μm以上の領域では、第3絶縁膜16への電子照射量が約0.4となっている。図5は、エミッタ電極11から放射された電子の軌道を、従来の形状のもの図5aと、本実施形態における形状のもの図5bとについて模式的に示した図である。なお、図5において、各絶縁体の内部に描いた軌道は、各絶縁体が存在しない場合の軌道を模式的に示している。図5aに示すように、従来のものは、第1絶縁膜12、第1ゲート電極13、第2絶縁膜4、第2ゲート電極15、第3絶縁膜6及び集束電極7にそれぞれ形成された開口部の開口径はφ0.9μmである。この場合、図示のように、エミッタ電極11から放射された電子が、第2絶縁膜4及び第3絶縁膜6に照射されることがわかる。その結果、従来のものでは、第2絶縁膜4及び第3絶縁膜6に照射された電子が第2絶縁膜4及び第3絶縁膜6の表面近傍に滞留したり、第2絶縁膜4及び第3絶縁膜6が2次電子を放出したりすることにより、第2絶縁膜4及び第3絶縁膜6が帯電することとなる。これに対し、本実施形態における形状のものは、図5bに示すように、第1ゲート電極13及び第2ゲート電極15の開口部の開口径をφ0.9μm、第2絶縁膜14、第3絶縁膜16及び集束電極17の各開口部の開口径をφ1.5μmとすることにより、第2絶縁膜14には電子が照射されず、かつ、第3絶縁膜16に照射される電子の量を激減させることができる。その結果、本実施形態における形状のものは、第2絶縁膜14及び第3絶縁膜16の帯電を抑制することができる。次に、図6に示したシミュレーションモデルに関するシミュレーション結果について説明する。なお、このシミュレーションモデルは、図2に示したシミュレーションモデルの一部を変更したものなので、重複する説明は省略する。図6において、エミッタ電極11の高さ、第1絶縁膜12、第2絶縁膜14及び第3絶縁膜16の厚さは、それぞれ、0.4μmである。開口部13a及び15aの開口径はφ1=φ2=0.45μmである。開口径φ3については、シミュレーションにおいてφ3=0.45μm=φ1=φ2、0.9μm、1.4μmと変化させる。第1ゲート電極13には第1ゲート電圧Vg1として50V、第2ゲート電極15には第2ゲート電圧Vg2として60Vを印加する。上記の条件でシミュレーションを行った結果を図7及び図8に示す。まず、集束電極17の開口径φ3を変化させたときの電子源10の諸特性を図7に示す。集束電極17の開口径φ3=0.45μm、0.9μm、1.4μmと変化させたとき、開口角Aに対する開口角Bの比=B/Aは、それぞれ、0.6、1.1、1.6となる。このとき、第3絶縁膜16への電子照射量は、開口径φ3=0.45μmの場合を1とすると、開口径φ3=0.9μmでは0.08、開口径φ3=1.4μmでは0.0となった。また、1画素の放射電子量は、開口径φ3=0.45μmの場合を1とすると、開口径φ3=0.9μmでは1.75、開口径φ3=1.4μmでは1.48であった。このとき、1つのエミッタ電極11からの放射電子量は、開口径φ3=0.45μmの場合を1とすると、開口径φ3=0.9μmでは4.2、開口径φ3=1.4μmでは5.3であった。また、1画素当たりのエミッタ電極11の個数は、開口径φ3=0.45μmでは289個、開口径φ3=0.9μmでは121個、開口径φ3=1.4μmでは81個であった。図8は、エミッタ電極11の中心軸からの距離に対する第3絶縁膜16への電子照射量を示すシミュレーション結果である。このグラフでは、エミッタ電極11の中心軸からの距離が0.225μm、すなわち開口径φ1=φ2=φ3=0.45μmのときの第3絶縁膜16への電子照射量を1としている。図8に示すように、エミッタ電極11の中心軸からの距離が0.45μmでは約0.4であり、図7に示したように集束電極17の開口径を0.9μmにしたときの第3絶縁膜16への電子照射量の値が0.08であるので、第3絶縁膜16の開口径だけを大きくするだけでも第3絶縁膜16への電子照射量を効果的に低減できるが、集束電極17の開口径も同じだけ大きくすると第3絶縁膜16への電子照射量をさらに劇的に低減できると言える。次に、電子源10の製造方法について説明する。電子源10は公知の製造方法を用いて製造することができるので、以下、図1を参照しながら簡単に説明する。まず、ガラス基板等の上面にカソード電極膜を形成する図1には示さず。このカソード電極膜の上面に順次、第1絶縁膜12、第1ゲート電極13、第2絶縁膜14、第2ゲート電極15、第3絶縁膜16、集束電極17を、例えば図1に示した厚さで形成する。これらの形成には、例えばスパッタリング法、蒸着法、CVD法等を用いることができる。続いて、例えばドライエッチングにより、集束電極17の表面からカソード電極膜を露出させる開口部以下当初開口部という。を形成する。この当初開口部の開口径は、例えばφ0.9μmとする。さらに、集束電極17の上面にレジストを用いてパターニングを行い、集束電極17のみをドライエッチング加工して集束電極17に所望の開口径例えばφ2μmの開口部17aを形成する。次いで、例えば、ウエットエッチングにより、第2絶縁膜14及び第3絶縁膜16のそれぞれに所望の開口径例えばφ2μmの開口部14a及び16aを形成する。なお、この工程において、第1絶縁膜12も同時にエッチング加工し、開口部12aの開口径を当初開口部の開口径より大きくしてもよいし、当初開口部の開口部12aに例えばレジストを充填して開口部12aをエッチング加工しないこととしてもよい。最後に、例えば真空蒸着法により、エミッタ電極11を第1絶縁膜12の開口部12a内のカソード電極膜上に形成する。なお、当初開口部の形成後にエミッタ電極11を設ける工程としてもよい。以上の結果、本実施形態における電子源10によれば、第3絶縁膜16に形成された開口部の面積が第2ゲート電極15の開口面積=第1ゲート電極13の開口面積より大きければ、第3絶縁膜16の開口部が第2ゲート電極15の開口部と同じ面積と仮定したときの第3絶縁膜16への電子放射量よりも低減することができ、これがある大きさ第3絶縁膜16の開口部側上端の開口角/第2ゲート電極15の開口角=0.9以上になればその値を0.4以下にできる。さらに、これらの状態において集束電極17の開口面積を第2ゲート電極15の開口面積より大きくすれば一層第3絶縁膜16への電子放射量を減らすことができる。なお、これら開口面積を変えた場合でも、集束電極電圧、エミッタ数を適切に設定して1画素の放射電子量を実用的な範囲内に留めている。なお、製造上の要請から第1ゲート電極13の開口径は第2ゲート電極15の開口径と同じにしているが、若干差が生じてもよい。また、構造上、第2絶縁膜14への電子放射量は第3絶縁膜16より少ないので図5参照特に考慮していないが、第1ゲート電極13の開口径は第2ゲート電極15の開口径より大きいことが望ましい。また、本実施形態における電子源10によれば、エミッタ電極11から電子ビームを引き出す第1ゲート電極13と、引き出した電子ビームを集束する集束電極17との間に第2ゲート電極15を設け、第2ゲート電圧Vg2>第1ゲート電圧Vg1>集束電圧Vfとなる電圧を印加する構成としたので、電子ビームを集束させる電子レンズ19を第2ゲート電極15と集束電極17との間の電位差で形成し、第1ゲート電極13が電子レンズ19の形成に寄与しないこととなり、集束電極17に印加した電圧によるゲート電極側への等電位面の張り出しの影響を低減することができる。その結果、本発明の電子源10は、電子ビームの集束効果の向上及び電子ビーム量の増加を図ることができる。したがって、本実施形態における電子源10は、第1ゲート電極13、第2ゲート電極15及び集束電極17の相互間におけるリーク電流の発生を抑えつつ、電子ビームの集束効果の向上及び電子ビーム量の増加を図ることができる。よって、電子源10を複数有する電子源アレイも前述の効果を奏する。なお、前述の実施形態において、スピント型の冷陰極でエミッタ電極11を構成する例を挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、電界により電子を放出する冷陰極であれば同様の効果が得られる。また、前述の実施形態において、第3絶縁膜16の開口部16aと集束電極17の開口部17aとを同じ開口径としたが、本発明はこれに限定されるものではなく、開口部16aの開口径が集束電極17の開口部17aの開口径より小さくてもよい。また、前述の実施形態において、第2絶縁膜14の開口部14aと第3絶縁膜16の開口部16aとを同じ開口径としたが、本発明はこれに限定されるものではなく、開口部14aの開口径が開口部16aの開口径と異なってもよい。次に、本実施形態における電子源10を複数有する電子源アレイの適用例について説明する。本実施形態における電子源アレイは、シミュレーションで示した撮像装置の他、FEDやSEDSurfaceconductionElectronemitterDisplayのような表示装置の電子源アレイとして好適に適用することができる。まず、本実施形態における電子源アレイを撮像装置に適用する場合は、電子源アレイを形成した基板と、透明電極及び光電変換膜を順次形成した透明基板とを、電子源アレイが光電変換膜に対向するよう配置して両基板間をスペーサで保持し、内部を真空封止することにより撮像装置を構成することができる。この構成による撮像装置は、透明基板側から入射する入射光の入射光量に応じて、光電変換膜が生成し蓄積した正孔と、電子源アレイから光電変換膜に向けて放出された電子ビームの一部が再結合することにより流れる電流を映像信号の出力として得る。前述のように、本実施形態における電子源アレイは、第1ゲート電極13、第2ゲート電極15及び集束電極17の相互間におけるリーク電流の発生を抑えることができるので、撮像装置において、リーク電流の発生による特性の劣化を防止することができる。また、前述のように、本実施形態における電子源アレイは、電子ビームの集束効果の向上及び電子ビーム量の増加を図ることができるので、撮像装置において、隣接する画素間で電子ビームの干渉を防止でき、高画質化及び広ダイナミックレンジ化を図ることができる。また、本実施形態における電子源アレイは、電子ビームの集束効果の向上が図れるため、撮像装置において、画素間のピッチを従来のものよりも細かくすることができるので、従来のものよりも高精細化された画像を取得することができる。他方、本実施形態における電子源アレイを表示装置に適用する場合は、電子源アレイを形成した基板と、透明電極及び蛍光体を順次形成した透明基板とを、電子源アレイが蛍光体に対向するよう配置して両基板間をスペーサで保持し、内部を真空封止することにより表示装置を構成することができる。この構成による表示装置は、電子源アレイからの電子ビームが蛍光体を通過する際に蛍光体が発光することにより画像を透明基板上に表示する。前述のように、本実施形態における電子源アレイは、第1ゲート電極13、第2ゲート電極15及び集束電極17の相互間におけるリーク電流の発生を抑えることができるので、表示装置において、リーク電流の発生による特性の劣化を防止することができる。また、前述のように、本実施形態における電子源アレイは、電子ビームの集束効果の向上及び電子ビーム量の増加を図ることができるので、表示装置において、隣接する画素間で電子ビームの干渉を防止でき、高画質化及び高輝度化を図ることができる。また、本実施形態における電子源アレイは、電子ビームの集束効果の向上が図れるため、表示装置において、画素間のピッチを従来のものよりも細かくすることができるので、従来のものよりも高精細化された画像を表示することができる。