"アノードと半導体性正孔輸送層の間に遷移金属酸化物がドープされた界面を含むデバイスを調製する方法であって、a前記アノードの上に金属酸化物層の前駆体を含む溶液を堆積させる工程と、b堆積した溶液を乾燥させ、場合によりアニーリングし、固体層前駆体を作成する工程と、c前記固体層の上に、半導体性正孔輸送層材料の溶液を堆積させる工程と、d場合により、工程cの生成物を熱によってアニーリングし、アノードと半導体性正孔輸送層の間の界面に、遷移金属酸化物を含む所望のデバイスを与える工程とを含む、方法。前記遷移金属酸化物が、モリブデン、タングステンまたはバナジウムの酸化物である、請求項1に記載の方法。前記遷移金属酸化物が、三酸化モリブデン、三酸化タングステン、五酸化バナジウムからなる群から選択される、請求項2に記載の方法。三酸化モリブデンの前駆体が、水中の三酸化モリブデン、モリブデン酸、モリブデン酸アンモニウム、またはリンモリブデン酸の分散物または溶液である、請求項3に記載の方法。三酸化モリブデンの前駆体が、極性有機溶媒中のリンモリブデン酸の分散物または溶液である、請求項3に記載の方法。三酸化タングステンの前駆体が、水中の三酸化タングステン、タングステン酸、タングステン酸アンモニウムまたはリンタングステン酸の分散物または溶液である、請求項3に記載の方法。三酸化タングステンの前駆体が、極性有機溶媒中のリンタングステン酸の分散物または溶液である、請求項3に記載の方法。五酸化バナジウムの前駆体が、水中の酸化バナジウムV、メタバナジン酸アンモニウム、バナジウムVオキシトリエトキシド、バナジウムVオキシトリイソプロポキシド、またはバナジウムVオキシトリプロポキシドの分散物または溶液である、請求項3に記載の方法。五酸化バナジウムの前駆体が、極性有機溶媒中のバナジウムVオキシトリエトキシド、バナジウムVオキシトリイソプロポキシド、またはバナジウムVオキシトリプロポキシドの分散物または溶液である、請求項3に記載の方法。工程aの前駆体配合物が、スピンコーティング、浸漬コーティングまたはドクターブレーディングによって堆積する、請求項1~9のいずれか一項に記載の方法。前記アノードが、インジウムスズオキシドを含む、請求項1~10のいずれか一項に記載の方法。前記アノード表面を、UV-オゾン処理または酸素プラズマ処理によって濃過酸化水素および濃水酸化アンモニウムの熱い混合物で前処理した後、金属酸化物の前駆体を含む溶液を堆積させる、請求項1~11のいずれかに記載の方法。工程cで堆積した半導体性正孔輸送層材料に熱による架橋剤が含まれ、工程cの生成物を工程dで熱によってアニーリングする、有機発光デバイスを製造するための請求項1~12のいずれか一項に記載の方法。半導体性発光ポリマー材料の溶液を、アニーリングした半導体性正孔輸送層の上に堆積させ、次いで、堆積した溶液を乾燥させ、固体の半導体性発光ポリマー層を作成する、請求項13に記載の方法。アニーリング工程dを200~300°Cの範囲の温度で行う、請求項1~14のいずれか一項に記載の方法。工程dの後、第1の半導体性正孔輸送層材料と同じであってもよく、異なっていてもよい半導体性正孔輸送層材料の第2の溶液を、アニーリングした半導体性正孔輸送層の上に堆積させ、堆積した溶液を乾燥させ、半導体性正孔輸送層材料のアニーリングしていない第2の層を作成する、請求項1~15のいずれか一項に記載の方法。アノードと半導体性正孔輸送層の間に遷移金属酸化物がドープされた界面を含み、請求項1~16のいずれか一項に記載の方法にしたがって製造されるデバイス。前記デバイスが、有機発光デバイス、有機太陽電池および有機薄膜トランジスタから選択される、請求項17に記載のデバイス。本発明は、デバイス中のアノードの上に遷移金属酸化物を堆積させるための溶液系プロセスによって、アノードと半導体性正孔輸送層の間に正孔注入層として作用する遷移金属酸化物がドープされた界面を含むデバイス例えば、OLED、OTFTまたはOPVを調製するための改良された方法を提供する。したがって、本発明の第1の態様では、以下の本発明が提供される。1アノードと半導体性正孔輸送層の間に遷移金属酸化物がドープされた界面を含むデバイスを調製する方法であって、a前記アノードの上に金属酸化物層の前駆体を含む溶液を堆積させる工程と、b堆積した溶液を乾燥させ、場合によりアニーリングし、固体層前駆体を作成する工程と、c前記固体層の上に、半導体性正孔輸送層材料の溶液を堆積させる工程と、d場合により、工程cの生成物を熱によってアニーリングし、アノードと半導体性正孔輸送層の間の界面に、遷移金属酸化物を含む所望のデバイスを与える工程とを含む、方法。本願発明者らは、本発明の方法において、遷移金属酸化物例えば、三酸化モリブデンを溶液系処理すると、スピンコーティング、浸漬コーティングまたはドクターブレーディングのような単純で費用対効果が高い溶液堆積技術を使用することができることを発見した。熱による蒸発とは対照的に、溶液系堆積技術は減圧状態を必要とせず、したがって、基材の大きさおよび/またはリールごとの製造方法を簡単にスケールアップすることができる。本発明の第1の態様の好ましい実施形態としては、以下のものが挙げられる。2遷移金属酸化物が、モリブデン、タングステンまたはバナジウムの酸化物である、1の方法。3遷移金属酸化物が、三酸化モリブデン、三酸化タングステン、五酸化バナジウムからなる群から選択される、2の方法。4三酸化モリブデンの前駆体が、水中の三酸化モリブデン、モリブデン酸、モリブデン酸アンモニウム、またはリンモリブデン酸の分散物または溶液である、3の方法。5三酸化モリブデンの前駆体が、極性有機溶媒中のリンモリブデン酸の分散物または溶液である、3の方法。6三酸化タングステンの前駆体が、水中の三酸化タングステン、タングステン酸、タングステン酸アンモニウムまたはリンタングステン酸の分散物または溶液である、3の方法。7三酸化タングステンの前駆体が、極性有機溶媒中のリンタングステン酸の分散物または溶液である、3の方法。8五酸化バナジウムの前駆体が、水中の酸化バナジウムV、メタバナジン酸アンモニウム、バナジウムVオキシトリエトキシド、バナジウムVオキシトリイソプロポキシド、またはバナジウムVオキシトリプロポキシドの分散物または溶液である、3の方法。9五酸化バナジウムの前駆体が、極性有機溶媒中のバナジウムVオキシトリエトキシド、バナジウムVオキシトリイソプロポキシド、またはバナジウムVオキシトリプロポキシドの分散物または溶液である、3の方法。10工程aの前駆体配合物が、スピンコーティング、浸漬コーティングまたはドクターブレーディングによって堆積する、1~9のいずれかの方法。11アノードが、インジウムスズオキシドを含む、1~10のいずれかの方法。12アノード表面を、UV-オゾン処理または酸素プラズマ処理によって濃過酸化水素および濃水酸化アンモニウムの熱い混合物で前処理した後、金属酸化物の前駆体を含む溶液を堆積させる、1~11のいずれかの方法。13工程cで堆積した半導体性正孔輸送層材料に熱による架橋剤が含まれ、工程cの生成物を工程dで熱によってアニーリングする、有機発光デバイスを製造するための1~12のいずれかの方法。14半導体性発光ポリマー材料の溶液を、アニーリングした半導体性正孔輸送層の上に堆積させ、次いで、堆積した溶液を乾燥させ、固体の半導体性発光ポリマー層を作成する、13の方法。15アニーリング工程dを200~300°Cの範囲の温度で行う、1~14のいずれかの方法。16工程dの後、第1の半導体性正孔輸送層材料と同じであってもよく、異なっていてもよい半導体性正孔輸送層材料の第2の溶液を、アニーリングした半導体性正孔輸送層の上に堆積させ、堆積した溶液を乾燥させ、半導体性正孔輸送層材料のアニーリングしていない第2の層を作成する、1~15のいずれかの方法。本発明の第2の態様では、本発明の方法によって得られる、アノードと半導体性正孔輸送層の間に遷移金属酸化物がドープされた界面を含むデバイスが提供される。したがって、第2の態様では、以下のものが提供される。17アノードと半導体性正孔輸送層の間に遷移金属酸化物がドープされた界面を含み、1~16のいずれかの方法にしたがって製造されるデバイス。18デバイスが、有機発光デバイス、有機太陽電池および有機薄膜トランジスタから選択される、17のデバイス。本発明の方法にしたがって遷移金属酸化物例えば、三酸化モリブデンを溶液系で処理することによって、スピンコーティング、浸漬コーティングまたはドクターブレーディングのような単純で費用対効果が高い溶液堆積技術を使用することができる。熱による蒸発とは対照的に、溶液系堆積技術は減圧状態を必要とせず、したがって、大きな基材および/またはリールごとの製造方法へと簡単にスケールアップすることができる。このことは、製造スケールの処理溶液によって、アノードと半導体性正孔輸送層との間に遷移金属酸化物がドープされた界面を含む望ましいデバイス構造を達成することができるため、かなりの利点であり、このことは、以前は容易に達成可能ではなかった。さらに、本発明にしたがって溶液処理された遷移金属酸化物例えば、三酸化モリブデンのさらなる利点は、横方向の漏れ電流がないことである。最も広い形態では、本発明は、デバイス例えば、OLEDにおいて、インジウムスズオキシドITOアノードと正孔輸送層HTLとの間にpドープされた界面を実現するために、以下の処理工程を含む。i遷移金属酸化物の前駆体の溶液の配合水系または有機溶媒系。iiアノード表面に、遷移金属酸化物の前駆体の溶液を堆積。iii正孔輸送層材料例えば、層間ポリマー、ペンダントポリマー、共役ホスト材料または有機半導体材料の溶液を、遷移金属酸化物の前駆体を堆積させることによって改質されたアノード接点の上にスピンコーティングする。iviiiの生成物を熱によってアニーリングし、正孔輸送層材料とアノード接点との間の界面をpドーピングし、アノードから正孔輸送層材料へと正孔を効果的に注入することができる。上述のように、好ましくは、遷移金属酸化物は、モリブデン、タングステンまたはバナジウムの酸化物であり、さらに好ましくは、モリブデンの酸化物である。好ましい遷移金属酸化物は、三酸化モリブデン、三酸化タングステン、五酸化バナジウムからなる群から選択され、最も好ましくは、三酸化モリブデンである。三酸化モリブデンの前駆体溶液は、水系であってもよく、有機溶媒系であってもよい。三酸化モリブデン前駆体の水系配合物は、水中の水溶性前駆体材料例えば、三酸化モリブデン、モリブデン酸またはリンモリブデン酸の分散物および/または溶液を含む。有機溶媒系溶液の例は、ピリジン、アセトニトリル、テトラヒドロフランまたは他の極性有機溶媒に溶解したリンモリブデン酸である。本発明で使用するための遷移金属酸化物の例としてモリブデンを用いると、三酸化モリブデン前駆体の溶液に共通する特徴は、モリブデンVI化合物と溶媒分子の非共有電子対との間の強酸であるルイス酸-ルイス塩基の相互作用の存在である。水中の三酸化モリブデン分散物の場合、前駆体材料と水分子との間に複雑な多くの化学相互作用が生じる。酸化モリブデンVIは、水にわずかに可溶性であり、反応してモリブデン酸を生成する。MoO3H2O→H2MoO4pH値の関数として、モリブデン酸は、重縮合し、広範囲のポリアニオン種を生成する。例えば、7MoO42-8H→Mo7O246-4H2OまたはMo8O264-、Mo36O112H2O168-これらの化学相互作用の結果として、得られた溶液のpHは、溶解した三酸化モリブデンモリブデン酸の飽和濃度および得られた重縮合したモリブデン酸種の構造特性の両方を決定づける。溶液処理された三酸化モリブデンは、有機発光ダイオードOLED、有機薄膜トランジスタOTFTおよび有機太陽電池OPVを含む有機電子機器の範囲において、接触抵抗を減らす潜在的な用途を有する。遷移金属酸化物に基づく正孔注入層HILを用いてOLEDを製造するために、遷移金属酸化物前駆体の配合物を、OLED基材の上にあるITOアノードパターンの上にスピンコーティングすることができる。代替的な堆積技術としては、浸漬コーティングおよびドクターブレーディングが挙げられるが、任意の適切溶液堆積技術を使用することができる。堆積プロセスは、一例として三酸化モリブデンを含み、以下に詳細に記載するようないくつかの工程を含む。水系三酸化モリブデン前駆体溶液の場合、完全な濡れ性を確保するために、ITO表面が非常に親水性であることが重要である。このことは、水系三酸化モリブデン前駆体溶液を堆積させる前に、表面を酸化前処理することによって達成することができる。このような酸化表面処理の例としては、濃過酸化水素と濃水酸化アンモニウムの熱い混合物Piranha溶液に浸すUV-オゾン処理酸素プラズマ処置が挙げられる。表面の酸化前処理の後、基材を脱イオン水ですすぎ、水溶性汚染物質を除去する。次いで、三酸化モリブデン前駆体溶液を、例えば、スピンコーティングによってOLED基材に塗布する。三酸化モリブデン前駆体をスピンコーティングした後、OLED基材を乾燥させ、次いでアニーリングする中間層の前焼成。空気中、不活性気体下すなわち、グローブボックス中または窒素下での乾燥を含め、種々の乾燥手順を使用してもよい。乾燥温度は、典型的には、100°C~150°Cであり、乾燥時間は、典型的には、数分~数時間の範囲である。アニーリング温度は、典型的には、180°C~300°Cの範囲であり、乾燥時間は、典型的には、数分~数時間の範囲である。得られた改質ITO表面の条件は、三酸化モリブデン前駆体溶液、その堆積、乾燥およびアニーリングのパラメーターに依存して変わる。遷移金属酸化物前駆体溶液および本発明の堆積パラメーターを用い、ITO上に得られた遷移金属酸化物の堆積物の厚みは、典型的には、1nm未満であるAFM表面荒さデータ。ITOに加え、他の透明導電性酸化物TCOや、金属を、溶液処理された遷移金属酸化物例えば、三酸化モリブデンでコーティングし、低接触抵抗の接点を作成することができる。本願発明者らは、ITO表面に堆積した遷移金属化合物の正確な構成は、多くの因子、主に前駆体溶液の属性、アニーリングを行う温度によって変わることに留意すべきである。例えば、モリブデン酸の水溶液を堆積させた後、アニーリングすると、本質的に純粋な三酸化モリブデンを与え、リンモリブデン酸のアニーリングは、少量の五酸化リンを含む三酸化モリブデンの形態が生じると考えられる。前駆体から酸化物への遷移中に生成した少量の他の金属を含む遷移金属酸化物は、本発明の方法で使用するのに一般的に適しており、遷移金属酸化物の定義の範囲内に包含される。有機薄膜トランジスタの金のソース接点およびドレイン接点の場合、金表面を、好ましくは、アンモニウムチオ-遷移金属錯体例えば、テトラチオモリブデン酸アンモニウムで前処理し、遷移金属酸化物と金との間の良好な接着性を可能にする。この方法は、典型的には、a金属表面をアンモニウムチオ-遷移金属錯体で前処理することと、b例えば、スピンコーティング、浸漬コーティングまたはインクジェット印刷によって遷移金属酸化物前駆体を含む溶液を前処理した表面の上に堆積させることと、c堆積させた溶液をアニーリングし、遷移金属酸化物の層を作成することとを含む。中間層の前焼成工程の後、遷移金属酸化物によって改質されたITO接点に、正孔輸送層HTLをスピンコーティングする。可能なHTL材料としては、中間層例えば、中間層1、2、3、以下を参照、ペンダントポリマー例えば、以下の記載を参照および発光ポリマー例えば、LEP1。以下を参照が挙げられる。OLED用途のために、重要なあらかじめ必要なことは、第1のHTL層に熱による架橋剤を与えることである。これによって、第1のHTL層は、HTL層の上部に第2の発光ポリマー層をスピンコーティングする前に、第1のHTL層が熱によるアニーリングによって不溶性となり、第1のHTL層は再び溶解することはない。例えば、中間層3は、7.5の架橋剤BCBを含む。LEP1ジブロミド-44のモノマー1、6のモノマー2ジエステル-36のモノマー3、14のF8中間層1ジブロミド-40のモノマー1、5のBCBF、5のモノマー4ジエステル-35のモノマー5、14のF8中間層2ジブロミド-30のモノマー6、12.5のF8、7.5のBCBFジエステル-50のモノマー7中間層3ジブロミド-30のモノマー8、12.5のF8、7.5のBCBFジエステル-50のモノマー7F8ジブロミド-合成については、米国特許第6,593,450号明細書を参照モノマー7ジエステル-合成については、国際公開第2006/109083号パンフレット、国際公開第2009/066061号パンフレットを参照BCBFジブロミド-合成については、国際公開第2008/038747号パンフレットを参照モノマー5ジエステル-合成については国際公開第2002/092723号パンフレットを参照モノマー3ジエステル-合成については国際公開第2009/066061号パンフレットを参照モノマー1ジブロミド-合成については国際公開第2009/066061号パンフレットを参照モノマー2-合成については、国際公開第2008/016090号パンフレット、国際公開第2008/111658号パンフレット、国際公開第2009/110642号パンフレット、国際公開第2010/013724号パンフレットを参照モノマー6ジブロミド-合成については、国際公開第2006/096399号パンフレット、国際公開第2010/013723号パンフレットを参照モノマー8-合成については、国際公開第2005/074329号パンフレット、国際公開第2006/123741号パンフレットを参照モノマー4-合成については、国際公開第2010/013723号パンフレット、国際公開第2010/013724号パンフレットを参照。本発明で使用するのに適したペンダントポリマーについて考えると、カルバゾールペンダントを有するPPV誘導体は、J.Mater.Chem.、2001、11、3023-3030に記載されており、ここには、単一層のデバイスが記載されているITO/有機/Al。Jen教授は、Adv.Mater.2009、21、1972-1975およびJ.Mat.Chem.、200818p.4459において、ITO//PEDOTの上部に架橋したポリスチレン系正孔輸送ペンダントポリマーについての文献を発表している。光架橋可能な正孔導電ポリマーは、Macromolecules2005、38、1640-1647に記載されている。ポリフルオレン系ペンダントポリマーは、Macromolecules、2009、42、4053-4062に発表されている。有機電子機器にペンダントポリマーを使用することが文献で知られている。例えば、Thomsonによる数件の特許は、OLEDデバイスにおける活性層としてのペンダントポリマーの使用を記載している。欧州特許出願公開第0712171A1号明細書、欧州特許出願公開第0850960A1号明細書、欧州特許出願公開第0851017A1号明細書、仏国特許出願公開第2736061A1号明細書、仏国特許出願公開第2785615A1号明細書、国際公開第0002936A1号パンフレット、国際公開第9965961A1号パンフレット。これらの特許において、種々の正孔輸送単位および電子輸送単位を活性ペンダント基として使用する例えば、ナフチルイミド、カルバゾール、ピラゾリン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、アントラセン、フェナントレン。骨格は、典型的には、ポリアクリレート、ポリスチレンまたはポリエチレンである。また、架橋単位が材料に組み込まれ、その後に層を堆積させる。架橋プロセスは熱または光によって開始させることができる。ペンダント活性単位を有するポリマーの調製および使用を記載するさらなる文献を以下に与える。これらの場合に、架橋基単位は使用されていない。-J.Mat.Chem.、2007、17、4122-4135、TTF誘導体は、電子供与性ポリマーのためのペンダント基として使用される。-J.Mat.Chem、1993、31、113-114:新規分類のエレクトロクロミック材料としてペンダントオリゴチオフェンを含むポリマー。-Macromolecules、1995、28、723-729。-AppliedPhysicsLetters、2006、88、093505:リン光発光ポリマーLEDのためのカルバゾールおよびトリフェニルアミン誘導体。-Proc.OfSPIE、vol633363330G-1:OLEDの正孔を輸送し、放出するペンダントポリマー。-SyntheticMetals、2008、158、670-675:ペンダントカルバゾール部分を有する新規正孔輸送分子状ガラスの合成。J.Mat.Chem.、2008、18、4495-4509:この論文では、著者は、種々の架橋可能な単位を組み込んだペンダントポリマーの簡単な概説を与えている。重要なことに、HTL材料を不溶性にすることに加え、熱による架橋工程によって、遷移金属酸化物例えば、三酸化モリブデンの溶液が堆積した層がHTL層へと拡散し、ドープされたITO-HTL界面が生成する。本発明の目的のために、このドープされたITO-HTL界面は、低い接触抵抗を確保することによって正孔注入層HILとして作用する。第2のポリマー層の溶液の堆積を必要としない有機太陽電池OPVまたは有機薄膜トランジスタOTFTのような他の用途の場合、HTL層は、熱によって架橋可能である必要はない。しかし、架橋剤が存在しなくても、遷移金属酸化物の溶液が堆積した層との相互作用によってHTL層のpドーピングを熱によって活性化するために、アニーリング工程は、通常は常にではないが必要である。しかし、半導体性正孔輸送層材料のHOMOが浅い場合、アニーリング工程200~300°Cよりかなり低い温度100~150°Cでの乾燥工程の結果、ドーピングが簡単に起こり得る可能性がある。HTL層の架橋が熱によって誘発され、pドープされたITO-HTL界面が生成した後、OLEDピクセルは、発光ポリマーLEP層のスピンコーティング、次いで、カソードの蒸発、デバイスの封入によって完成する。一実施形態では、本願発明者らは、アニーリング工程dの後に、同じ半導体性正孔輸送層材料の第2の溶液を、アニーリングした半導体性正孔輸送層の上に堆積させることが好ましいことを発見した。次いで、堆積した溶液を乾燥させ、同じ半導体性正孔輸送層材料のアニーリングされていない第2の層が生成する。本願発明者らは、この二重に積み重ねた幾何形状例えば、30nmのアニーリングした層と、30nmのアニーリングされていない層を有するデバイスが、中程度から高い順電圧の状態で高い電流レベルを有することを発見し、このことは、効果的な正孔注入を示す。第1の層でアニーリングし、第2の層ではアニーリングしないことは、遷移金属酸化物-半導体性正孔輸送層界面でpドーピングが存在することを意味し、アニーリングした単一の層と比較して、整流挙動が向上していると考えられる。本発明は、以下の図面を参照しつつ、以下の実施例を考えることによって、さらに理解されるだろう。実施例1水系三酸化モリブデン前駆体配合物の調製三酸化モリブデン粉末SigmaAldrichから得たを脱イオン水に分散した0.2w/w。分散物を1時間超音波処理し、次いで、80°Cで2時間加熱した。次いで、得られた混合物を室温まで冷却し、ローラー上で一晩保存した。次いで、混合物をPVDFシリンジディスクフィルター孔径0.1ミクロンで濾過し、望ましい水系三酸化モリブデン前駆体配合物モリブデン酸を得た。実施例2水系三酸化モリブデン前駆体配合物をITOの上に堆積ガラス上にITO接触パターンを含むOLED基材を、有機溶媒および脱イオン水ですすぐことによってあらかじめ洗浄しておいた。次いで、短波UV-オゾン処理120秒を行い、基材を親水性にした。UV-オゾン処理の後、基材を脱イオン水ですすぎ、窒素ガスで風乾させた。新しく濾過した三酸化モリブデン前駆体の脱イオン水溶液上の実施例1に記載したように調製を、あらかじめ洗浄しておいたOLED基材にスピンコーティングした1200rpm、60秒。三酸化モリブデン前駆体を基材へとスピンコーティングした後、基材を空気中で乾燥し120°Cで10分、次いで、窒素下、前駆体をアニーリングしグローブボックス中、200°Cで30分、望ましい酸化モリブデンによって改質されたITO基材を得た。実施例1の三酸化モリブデン前駆体溶液を用い、実施例2の堆積パラメーターを用いると、ITO上に得られた三酸化モリブデン堆積物の厚みは、典型的には、1nm未満であったAFM表面荒さデータ。元々のITOの仕事関数約5.0eVは、処理条件に依存して変わるが、三酸化モリブデン前駆体を用いて処理した後、5.3~5.6eVまで増加することがわかった。実施例3異なるHILで製造したOLEDピクセルの比較中間層の前焼成を実施例2で準備した後、正孔輸送層は、三酸化モリブデンで改質されたITO接点の上にスピンコーティングされなければならない。可能なHTL材料は、中間層ILと、ペンダントポリマーと、発光ポリマーと、共役ホスト材料とを含む。OLED用途の場合、重要な必要要件は、第1のHTL層に熱による架橋剤を与えることである。これにより、HTL層の上部に第2のLEP層をスピンコーティングする前に、第1のHTL層が熱によるアニーリングによって不溶性となり、第1のHTL層は再び溶解することはない。重要なことに、HTL材料を不溶性にすることに加え、熱による架橋工程によって、遷移金属酸化物例えば、三酸化モリブデンの溶液が堆積した層がHTL層へと拡散し、ドープされたITO-HTL界面が生成する。本発明の目的のために、このドープされたITO-HTL界面は、低い接触抵抗を確保することによって正孔注入層HILとして作用する。すでに示したように、第2のポリマー層の溶液の堆積を必要としない有機太陽電池OPVまたは有機薄膜トランジスタOTFTのような他の用途の場合、HTL層は、熱によって架橋可能である必要はない。しかし、架橋剤が存在しなくても、低温での乾燥工程が、HTL層の望ましいpドーピングを作り出すのに十分であると思われるほどHTL材料のHOMOが浅くない限り、遷移金属酸化物の溶液が堆積した層との相互作用によってHTL層のpドーピングを熱によって活性化するために、アニーリング工程は、通常は常にではないが必要である。HTL層の架橋が熱によって誘発され、pドープされたITO-HTL界面が生成した後、OLEDピクセルは、発光ポリマーLEP層のスピンコーティング、次いで、カソードの蒸発、デバイスの封入によって完成する。中間層/HTLのスピンコーティング中間層3上を参照をオルト-キシレン0.6wtに溶解する。グローブボックス中、1500rpm/6秒でスピンコーティングアニーリング温度/時間:グローブボックス中、200°C/15分LEPのスピンコーティングLEP1上を参照をオルト-キシレン0.8wtに溶解する。グローブボックス中、1000rpm/6秒でスピンコーティンググローブボックス中、乾燥時間100°C/10分カソードの蒸発2nmNaF200nmAl100nmAgの熱による蒸発異なる正孔注入層HILを含む3つの作動するOLEDピクセルのI-V特徴を以下のように比較した。デバイスの幾何形状:[ITO/HIL/22nm中間層3/70nmLEP1/2nmNaF200nmAl100nmAg]:HIL1:35nmのポリマーHIL:PEDOT:PSS。HIL2:5nmの熱によって蒸発させた三酸化モリブデン。HIL3:溶液が堆積した三酸化モリブデン上の実施例1および2による。結果:すべてのHILは、同様のエレクトロルミネッセンススペクトルを有する作動デバイスを生じたここには示さない。しかし、異なるHILは、順方向および逆方向のバイアス電圧が小さいときに、I-V特徴は明らかに異なっていた図1を参照。従来技術のポリマーHILは、順方向および逆方向のバイアス電圧が小さいときに、電流密度レベルが高く、これは、高い導電性および得られた横方向の漏れ電流に起因するものである。従来技術にしたがって蒸発させた三酸化モリブデンは、中間的な電流密度レベルを生じ、これは、酸素不足の結果、nドーピングに起因する横方向の漏れ電圧を示す。溶液が堆積した三酸化モリブデンは、順方向および逆方向のバイアス電圧が小さいときに、電流密度レベルがきわめて低く、理想的なダイオード特徴を生じた。この例は、横方向の漏れ電流がないことは、蒸発させた三酸化モリブデンと比較して、本発明にしたがって溶液処理された遷移金属酸化物例えば、三酸化モリブデンの利点である。3種類すべてのHILは、高い順方向の電圧で非常によく似た電流レベルを生じている。正孔輸送層材料の塊に拡散する三酸化モリブデンの量、得られたpドーピング度は、温度の関数として、一般的に、ポリマーマトリックス中の三酸化モリブデンの溶解度および化学的な相互作用、ポリマーのHOMOレベルすなわち、イオン化ポテンシャル、ポリマーのガラス転移温度などの因子に依存して変わる。実施例4中間層1への正孔注入IP5.8eVこの実施例では、本願発明者らは、HOMOが深い正孔輸送層の中間層1を含む、正孔のみを流すことができるデバイスHODで示されるように、溶液処理された三酸化モリブデンを含むHOMOが深いHTL材料への正孔注入を示した。デバイスの幾何形状:[ITO/溶液処理された三酸化モリブデン/60nm中間層1/200nmAl100nmAg]HOD結果:ITO表面に溶液処理された三酸化モリブデンをスピンコーティングすると、仕事関数が約5.4eVになった[中間層1のIPは、約5.8eVである]。2つの別個のデバイスを調製した。第1の場合、中間層1の1個の60nm層を堆積させ、次いで、乾燥させ、アニーリングした。第2の場合、中間層1の第1の30nm層を堆積させ、乾燥させ、アニーリングした後、中間層1の第2の層を堆積させ、乾燥させるがアニーリングせず、中間層1の二重の積み重ね30nmのアニーリングした中間層130nmのアニーリングしていない中間層1を得た。アニーリングした中間層1の単一層60nmおよび中間層1の二重層の積み重ね30nmのアニーリングした中間層130nmのアニーリングしていない中間層1は、両方とも中程度から高い順電圧の状態で高い電流レベルを生じた。このことは、効果的な正孔注入を示す。しかし、この二重層の積み重ねは、低い順方向および逆方向の電圧、非常に低い電流レベルで、アニーリングした単一層と比較して改良された整流挙動を与え、したがって、効率が高い。"