"第1半導体層と、前記第1半導体層の上面に形成され、バンドギャップが前記第1半導体層より大きく当該第1半導体層とヘテロ接合する第2半導体層と、前記第2半導体層の上面に形成され、バンドギャップが前記第2半導体層より小さい第3半導体層と、少なくとも一部が前記第1半導体層の上面に形成される第1電極と、少なくとも一部が前記第1半導体層の上面に形成される第2電極と、少なくとも一部が前記第2半導体層の上面に形成され、前記第1電極及び前記第2電極の間に配置される制御電極と、を備え、前記制御電極の電位に応じて、前記第1半導体層の前記第2半導体層と接合する界面に生じる二次元キャリアガスにより、前記第1電極及び前記第2電極間が電気的に接続されるオン状態と、少なくとも前記制御電極の直下で、前記界面に二次元キャリアガスが生じないことにより、前記第1電極及び前記第2電極間が電気的に接続されないオフ状態と、が切り替えられ、前記オフ状態であるとき、前記第3半導体層で電子及び正孔が再結合することを特徴とするスイッチング素子。前記第3半導体層が、前記制御電極及び前記第1電極の間と、前記制御電極及び前記第2電極の間と、の少なくともいずれか一方に形成されることを特徴とする請求項1に記載のスイッチング素子。前記オフ状態のとき、前記第3半導体層で、電子及び正孔が輻射再結合することを特徴とする請求項1または2に記載のスイッチング素子。前記第1半導体層、前記第2半導体層及び前記第3半導体層のそれぞれが、窒化物半導体から成り、前記二次元キャリアガスが二次元電子ガスであり、前記第3半導体層が、インジウムを含むことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載のスイッチング素子。前記第3半導体層が、InxAlyGa1-x-yN0<x≦1、0≦y≦1から成ることを特徴とする請求項4に記載のスイッチング素子。前記第3半導体層が、インジウムの組成が異なる少なくとも二つの窒化物半導体層を周期的に積層して成る多重量子井戸構造を備えることを特徴とする請求項4または5に記載のスイッチング素子。前記第3半導体層が、前記第2半導体層の上面に所定の窒化物半導体から成る層を形成した後、インジウムをイオン注入することで形成されたものであることを特徴とする請求項4~6のいずれか1項に記載のスイッチング素子。前記第3半導体層の上面に形成され、バンドギャップが前記第3半導体層より大きい第4半導体層を、さらに備えることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載のスイッチング素子。前記第4半導体層が、AlzGa1-zN0≦z<1から成ることを特徴とする請求項8に記載のスイッチング素子。前記第4半導体層の上面に形成され、バンドギャップが前記第4半導体層より大きい絶縁層を、さらに備えることを特徴とする請求項8または9に記載のスイッチング素子。前記絶縁層が、AlNまたはSiNから成ることを特徴とする請求項10に記載のスイッチング素子。前記制御電極、前記第1電極及び前記第2電極のそれぞれと、前記第3半導体層及び前記第4半導体層とが離間し、その間に前記絶縁層が形成されることを特徴とする請求項10または11に記載のスイッチング素子。しかしながら、パッシベーション層211を採用したとしても、補償される窒素欠陥の数は1桁に留まる。また、パワーデバイス用のスイッチング素子のように、数100V程度もの高い電圧が印加される場合、フィールドプレート構造のゲート電極207を採用するだけでは、衝突電離を十分に抑制することが困難である。したがって、図9に示すスイッチング素子200では、コラプス現象を十分に抑制することができないため、問題となる。具体的に例えば、スイッチング素子200がオフ状態からオン状態に移行したとき、移行直後から数μ秒までの時間におけるオン抵抗が初期状態の数倍になり、十分な改善が得られないため、問題となる。本発明は、上記の問題点に鑑み、コラプス現象を効果的に抑制することを可能にしたスイッチング素子を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明は、第1半導体層と、前記第1半導体層の上面に形成され、バンドギャップが前記第1半導体層より大きく当該第1半導体層とヘテロ接合する第2半導体層と、前記第2半導体層の上面に形成され、バンドギャップが前記第2半導体層より小さい第3半導体層と、少なくとも一部が前記第1半導体層の上面に形成される第1電極と、少なくとも一部が前記第1半導体層の上面に形成される第2電極と、少なくとも一部が前記第2半導体層の上面に形成され、前記第1電極及び前記第2電極の間に配置される制御電極と、を備え、前記制御電極の電位に応じて、前記第1半導体層の前記第2半導体層と接合する界面に生じる二次元キャリアガスにより、前記第1電極及び前記第2電極間が電気的に接続されるオン状態と、少なくとも前記制御電極の直下で、前記界面に二次元キャリアガスが生じないことにより、前記第1電極及び前記第2電極間が電気的に接続されないオフ状態と、が切り替えられ、前記オフ状態であるとき、前記第3半導体層で電子及び正孔が再結合することを特徴とするスイッチング素子を提供する。さらに、上記特徴のスイッチング素子は、前記第3半導体層が、前記制御電極及び前記第1電極の間と、前記制御電極及び前記第2電極の間と、の少なくともいずれか一方に形成されると、好ましい。さらに、上記特徴のスイッチング素子は、前記オフ状態のとき、前記第3半導体層で、電子及び正孔が輻射再結合すると、好ましい。さらに、上記特徴のスイッチング素子は、前記第1半導体層、前記第2半導体層及び前記第3半導体層のそれぞれが、窒化物半導体から成り、前記二次元キャリアガスが二次元電子ガスであり、前記第3半導体層が、インジウムを含むと、好ましい。さらに、上記特徴のスイッチング素子は、前記第3半導体層が、InxAlyGa1-x-yN0<x≦1、0≦y≦1から成ると、好ましい。さらに、上記特徴のスイッチング素子は、前記第3半導体層が、インジウムの組成が異なる少なくとも二つの窒化物半導体層を周期的に積層して成る多重量子井戸構造を備えると、好ましい。さらに、上記特徴のスイッチング素子は、前記第3半導体層が、前記第2半導体層の上面に所定の窒化物半導体から成る層を形成した後、インジウムをイオン注入することで形成されたものであると、好ましい。さらに、上記特徴のスイッチング素子は、前記第3半導体層の上面に形成され、バンドギャップが前記第3半導体層より大きい第4半導体層を、さらに備えると、好ましい。さらに、上記特徴のスイッチング素子は、前記第4半導体層が、AlzGa1-zN0≦z<1から成ると、好ましい。さらに、上記特徴のスイッチング素子は、前記第4半導体層の上面に形成され、バンドギャップが前記第4半導体層より大きい絶縁層を、さらに備えると、好ましい。さらに、上記特徴のスイッチング素子は、前記絶縁層が、AlNまたはSiNから成ると、好ましい。さらに、上記特徴のスイッチング素子は、前記制御電極、前記第1電極及び前記第2電極のそれぞれと、前記第3半導体層及び前記第4半導体層とが離間し、その間に前記絶縁層が形成されると、好ましい。上記特徴のスイッチング素子によれば、第3半導体層を設けることで、衝突電離によって生じた電荷特に、キャリアが第2半導体層の表面上面にトラップされることを、抑制することが可能になる。即ち、コラプス現象を効果的に抑制することが可能になる。以下、本発明の第1~第3実施形態に係るスイッチング素子について、図面を参照して説明する。なお、以下説明する第1~第3実施形態に係るスイッチング素子のそれぞれは、本発明の一つの実施形態に過ぎないものであり、本発明はこれらに限定されるものではない。また、第1~第3実施形態に係るスイッチング素子は、その一部または全部を、矛盾無き限り組み合わせて実施することが可能である。<第1実施形態>最初に、本発明の第1実施形態に係るスイッチング素子の構造例について、図1を参照して説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係るスイッチング素子の構造例を示す断面図である。図1に示すように、スイッチング素子1aは、基板10と、基板10の上面に形成されるバッファ層11と、バッファ層11の上面に形成される電子走行層第1半導体層12と、電子走行層12の上面に形成される電子供給層第2半導体層13と、少なくとも一部が電子走行層12の上面に形成されるソース電極第1電極または第2電極14と、少なくとも一部が電子走行層12の上面に形成されるドレイン電極第1電極または第2電極15と、少なくとも一部が電子供給層13の上面に形成されるとともにソース電極14及びドレイン電極15の間に配置されるゲート電極制御電極16と、電子供給層13の上面でありゲート電極16及びソース電極14間とゲート電極16及びドレイン電極15間とに形成される再結合層第3半導体層17と、再結合層の上面に形成されるクラッド層第4半導体層18と、クラッド層18の上面に形成されるパッシベーション層絶縁層19と、を備える。なお、当該スイッチング素子は、ノーマリーオン型である。基板10は、例えば、シリコンや炭化珪素SiC、サファイアなどから成る。バッファ層11は、例えば、AlaGa1-aN0≦a≦1。即ち、a=1の場合のAlNや、a=0の場合のGaNを含み得るの単層または積層構造各層のaの値は異なり得るから成る。基板10及びバッファ層11は、後述するスイッチング素子1aが好適に動作する限り、どのようなものを適用しても良い。電子走行層12は、例えば、厚さが1μm以上5μm以下のアンドープのGaNから成る。電子供給層13は、例えば、厚さが10nm以上100nm以下のAlbGa1-bN0<b<1から成る。また、電子供給層13のバンドギャップは、電子走行層12のバンドギャップよりも大きく、電子走行層12及び電子供給層13はヘテロ接合する。これにより、電子走行層12の電子供給層13と接続する界面に、二次元電子ガス20が発生し得る。本実施形態のスイッチング素子1aにおいては、この二次元電子ガス20がチャネルになる。ソース電極14、ドレイン電極15及びゲート電極16のそれぞれは、Ti、Al、Cu、Au、Pt、W、Ta、Ru、Ir、Pdなどの金属元素や、これらの金属元素の少なくとも2つから成る合金、またはこれらの金属元素の少なくとも1つを含む窒化物などから成る。ただし、ソース電極14及びドレイン電極15は、電子走行層12に対してオーミック接合し、ゲート電極16は、電子供給層13に対してショットキー接合する。なお、ソース電極14、ドレイン電極15及びゲート電極16のそれぞれは、単層から成るものであっても良いし、積層構造各層の組成は異なり得るから成るものであっても良い。また、ソース電極14、ドレイン電極15及びゲート電極16のそれぞれは、一部がパッシベーション層19上に張り出すフィールドプレート構造になっている。ソース電極14は、ゲート電極15側とその反対側とにそれぞれ張り出し、ドレイン電極15は、ゲート電極15側とその反対側とにそれぞれ張り出し、ゲート電極16は、ソース電極14側とドレイン電極15側とにそれぞれ張り出している。再結合層17は、例えば、厚さが1nm以上20nm以下のIncAldGa1-c-dN0<c≦1、0≦d≦1。即ち、c=1,d=0の場合のInNや、c≠1,d=0の場合のIncGa1-cNも含み得るから成る。また、再結合層17のバンドギャップは、電子供給層13のバンドギャップより小さい。クラッド層18は、例えば、厚さが5nm以上30nm以下のAleGa1-eN0≦e<1。即ち、e=0の場合のGaNを含み得るから成る。また、クラッド層18のバンドギャップは、再結合層17のバンドギャップよりも大きい。さらに、電子供給層13、再結合層17及びクラッド層18は、発光ダイオードと同様のダブルヘテロ構造を成す。パッシベーション層19は、例えば、厚さが50nm以上250nm以下のAlNやSiNから成る。パッシベーション層19のバンドギャップは、クラッド層18のバンドギャップよりも大きい。なお、パッシベーション層19には、酸化物や酸窒化物なども適用可能であるが、上述したAlNやSiNなどの窒化物を適用する方が好ましい。これは、スイッチング素子1aをパワーデバイスに用いる場合に、上述のように数100Vもの電位差が生じることで、電子走行層12が電気化学的に酸化されること例えば、ApplPhysLett96233509を参照を、抑制するためである。スイッチング素子1aは、ゲート電極16の電位に応じて、オン状態及びオフ状態が切り替えられる。以下、図2及び図3を参照して、スイッチング素子1aのオン状態及びオフ状態についてそれぞれ説明する。図2は、図1に示すスイッチング素子がオン状態であるときの、ゲート電極近傍におけるエネルギーバンド図である。図3は、図1に示すスイッチング素子がオフ状態であるときの、ゲート電極近傍におけるエネルギーバンド図である。なお、図2及び図3の左側が図1の上側に相当し、図2及び図3の右側が図1の下側に相当する。また、図2及び図3は、ゲート電極16の近傍におけるエネルギーバンド図を示したものである。図2は、ゲート電極16の電位が、ソース電極14の電位0Vとすると等しくなることで、スイッチング素子1aがオン状態になる場合を例示したものである。図2に示すように、スイッチング素子1aがオン状態になると、ゲート電極16の直下における、電子走行層12の電子供給層13と接合する界面の、伝導帯の底のエネルギー準位Ecが、フェルミ準位Efよりも低くなる。そのため、当該界面に生じる二次元電子ガス20によって、ソース電極14及びドレイン電極15間が、電気的に接続される。一方、図3は、ゲート電極16の電位が、ソース電極14の電位0Vとするよりも所定値以上低い負電位である-10Vとすることで、スイッチング素子1aがオフ状態になる場合を例示したものである。図3に示すように、スイッチング素子1aがオフ状態になると、ゲート電極16の直下における、電子走行層12の電子供給層13と接合する界面の、伝導帯の底のエネルギー準位Ecが、フェルミ準位Efよりも高くなる。そのため、少なくともゲート電極16の直下の当該界面には、二次元電子ガス20が生じない。したがって、ソース電極14及びドレイン電極15間が、電気的に接続されなくなる。スイッチング素子1aがオフ状態になると、ドレイン電極15及びソース電極14間に高い電位差例えば、数100V程度が生じる。すると、ゲート電極16近傍のドレイン電極15側に高い電界が生じ、衝突電離によって電子21及び正孔22が発生し得る。上述のように、パッシベーション層19を設けたり、ゲート電極16などをフィールドプレート構造にしたりしても、衝突電離による電子21及び正孔22の発生を十分に抑制することは困難である。しかしながら、本実施形態のスイッチング素子1aでは、衝突電離によって発生した電子及び正孔が、再結合層17に集められる。そのため、電子供給層13の表面上面における窒素欠陥に起因する準位Dなどに、衝突電離によって発生した電子がトラップされる可能性が、大幅に下がる。また、再結合層17に集められた電子21及び正孔22は、再結合により消費される。そのため、再結合層17には、効率良くかつ継続的に電子21及び正孔22が集められる。以上のように、本実施形態のスイッチング素子1aでは、再結合層17を設けたことで、衝突電離によって生じた電荷特にキャリア、本例では電子が、電子供給層13の表面上面にトラップされることを、抑制することが可能になる。したがって、コラプス現象を効果的に抑制することが可能になる。再結合層17は、集まった電子21及び正孔22を輻射再結合し得るものであると、好ましい。電子21及び正孔22が輻射再結合する場合、再結合により生じるエネルギーが光などになって外部に輻射されるため、非輻射再結合により熱などになる場合と比べて、スイッチング素子1aの特性が劣化することを抑制することが可能になる。また、インジウムを含む窒化物は、In-N結合付近に正孔を集める性質があり、電子及び正孔を効率よく輻射再結合させ得る。そのため、再結合層17を、インジウムを含む窒化物半導体により構成することで、スイッチング素子1aの特性が劣化することを、効果的に抑制することが可能になる。なお、バッファ層11、電子走行層12、電子供給層13、再結合層17、クラッド層18は、例えばMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDepositionやMBEMolecularBeamEpitaxyなどの各種方法を適用することで、形成することができる。<第2実施形態>次に、本発明の第2実施形態に係るスイッチング素子の構造例について、図4を参照して説明する。図4は、本発明の第2実施形態に係るスイッチング素子の構造例を示す断面図である。なお、図4において、図1に示した第1実施形態に係るスイッチング素子1aと同様となる部分には、同じ符号を付している。さらに、以下では、第2実施形態に係るスイッチング素子1bについて、第1実施形態に係るスイッチング素子1aと異なる部分を中心に説明し、同様となる部分については、第1実施形態に係るスイッチング素子1aの説明を適宜参酌するものとして説明を省略する。図4に示すように、スイッチング素子1bは、基板10と、バッファ層11と、電子走行層12と、電子供給層13と、ソース電極14と、ドレイン電極15と、ゲート電極16と、再結合層17bと、クラッド層18bと、パッシベーション層19bと、を備える。ただし、本実施形態のスイッチング素子1bでは、再結合層17b及びクラッド層18bが、ソース電極14、ドレイン電極15及びゲート電極16のそれぞれから離間し、その間にパッシベーション層19bが形成される。なお、この点を除き、本実施形態のスイッチング素子1bは、図1に示した第1実施形態のスイッチング素子1aと同様である。以上のように、本実施形態のスイッチング素子1bでは、バンドギャップが比較的小さく絶縁性が弱い再結合層17bと、ソース電極14、ドレイン電極15及びゲート電極16との間に、絶縁体から成るパッシベーション層19bが形成される。そのため、再結合層17bを介して、ソース電極14、ドレイン電極15及びゲート電極16のそれぞれの間で電流がリークすることを、抑制することが可能になる。<第3実施形態>次に、本発明の第3実施形態に係るスイッチング素子の構造例について、図5を参照して説明する。図5は、本発明の第3実施形態に係るスイッチング素子の構造例を示す断面図である。なお、図5において、図1に示した第1実施形態に係るスイッチング素子1aと同様となる部分には、同じ符号を付している。さらに、以下では、第3実施形態に係るスイッチング素子1cについて、第1実施形態に係るスイッチング素子1aと異なる部分を中心に説明し、同様となる部分については、第1実施形態に係るスイッチング素子1aの説明を適宜参酌するものとして説明を省略する。図5に示すように、スイッチング素子1cは、基板10と、バッファ層11と、電子走行層12と、電子供給層13と、ソース電極14と、ドレイン電極15と、ゲート電極16と、再結合層17cと、クラッド層18cと、パッシベーション層19cと、を備える。なお、第3実施形態のスイッチング素子1cにおいて、再結合層17c及びクラッド層18cが、ソース電極14、ドレイン電極15及びゲート電極16のそれぞれから離間し、その間にパッシベーション層19cが形成される構造については、第2実施形態に係るスイッチング素子1bと同様である。そのため、当該構造については、第2実施形態に係るスイッチング素子1bの説明を参酌するものとして、説明を省略する。本実施形態のスイッチング素子1cでは、再結合層17cが、多重量子井戸構造を備える。当該多重量子井戸構造は、インジウムの組成が比較的小さくバンドギャップが比較的大きい障壁層と、インジウムの組成が比較的大きくバンドギャップが比較的小さい井戸層と、を周期的交互に積層した構造である。多重量子井戸構造では、電子及び正孔が井戸層内で二次元的に閉じ込められ、電子及び正孔が取り得るエネルギーが離散的になるサブバンドが形成されることで、効率よく電子及び正孔の再結合が行われる。また、電子及び正孔が輻射再結合する際に、輻射される光などの波長が揃う。以上のように、本実施形態のスイッチング素子1cでは、再結合層17cが多重量子井戸構造を備える。そのため、電子及び正孔を効率よく再結合させて、さらに効果的に再結合層17cへ電子及び正孔を集めることが可能になる。したがって、コラプス現象を、さらに効果的に抑制することが可能になる。なお、再結合層17cにおいて、井戸層の厚さを1nm以上5nm以下、障壁層の厚さを3nm以上30nm以下にすると、電子及び正孔の再結合の効率を効果的に高くすることができるため、好ましい。また、再結合層17c及びクラッド層18cが、ソース電極14、ドレイン電極15及びゲート電極16のそれぞれから離間し、その間にパッシベーション層19cが形成される構造即ち、第2実施形態に係るスイッチング素子1bの構造のスイッチング素子1cについて例示したが、当該スイッチング素子1cは、再結合層17c及びクラッド層18cが、ソース電極14、ドレイン電極15及びゲート電極16のそれぞれに接触する構造即ち、第1実施形態に係るスイッチング素子1aの構造であっても良い。なお、第1~第3実施形態に係るスイッチング素子1a~1cにおいて、クラッド層18,18b,18cを成す窒化物半導体を電子供給層13の上面に形成した後、当該窒化物半導体にインジウムをイオン注入する方法によって、再結合層17,17b,17c特に、17,17bを形成しても良い。この方法であれば、再結合層17,17b,17cを、容易に形成することができる。また、再結合層17,17b,17cは、電子供給層13の上面に形成される限り、上述した図1や図4、図5に示す場所に限られず、どのような場所に形成しても良い。ただし、コラプス現象を効果的に抑制する観点から、電流が流れる経路上に形成すると、好ましい。即ち、ゲート電極16及びソース電極14の間と、ゲート電極16及びドレイン電極15の間と、の少なくともいずれか一方特に後者に、再結合層17を形成すると、好ましい。また、本発明の実施形態として、ノーマリーオン型のスイッチング素子1a~1cを例示したが、本発明は、ノーマリーオフ型のスイッチング素子にも適用可能である。また、本発明の実施形態として、キャリア二次元キャリアガスが電子二次元電子ガスであるスイッチング素子1a~1cを例示したが、本発明は、キャリア二次元キャリアガスが正孔二次元正孔ガス、2DHGであるスイッチング素子にも適用可能である。"