"窒素ドープシリコン単結晶をスライスしたウェーハにエピタキシャル層を成膜したシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、CZ法にて窒素ドープしたシリコン単結晶を引き上げる際に、引上速度V[mm/min]と、融点~1350°Cまでの結晶成長軸方向の平均温度勾配G[°C/mm]との比をV/G[mm2/°Cmin]≧0.25に設定し、かつ、800~750°Cの温度領域の冷却速度Cv≧1.7°C/minとすることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。請求項1記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、窒素濃度が単結晶のトップにおいて1×1013atoms/cm3以上4×1015atoms/cm3以下とされてなることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。請求項1または2記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記V/Gおよび前記冷却速度Cvを単結晶直胴部の全長に亘って維持することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。請求項1から3のいずれか記載の製造方法により製造されたことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。結晶トップの窒素濃度を特許文献1にあるように1.0×1013atoms/cm3とした場合、固化率およそ90以上の領域では、偏析現象により、1.0×1014atoms/cm3を超える窒素濃度となるため、エピ欠陥SFの発生増大の可能性があり、収率低下の原因となる。ここで、特許文献2あるいは3に記載されている手法を適用することにより、SF発生の改善が図られるが、固化率90以上の領域は、テイル部縮径部に近いもしくは接する領域となる場合が多く、テイル部形成による熱的な変化後述をうまく解消できず、効果不十分となることがあり、対策を求められていた。また、エピ欠陥発生を防止しようとして窒素濃度をあらかじめ低く設定することも考えられるが、この場合には低窒素濃度として析出が低下した部分で所望のゲッタリング能に達しない可能性があり好ましくない。本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、エピ欠陥がテイル部付近の直胴部で発生することを防止できる窒素ドープエピウェーハの製造方法を提供可能とし、窒素ドープエピウェーハの収率の改善を図るという目的を達成しようとするものである。本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、窒素ドープシリコン単結晶をスライしたウェーハにエピタキシャル層を成膜したシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、CZ法にて窒素ドープしたシリコン単結晶を引き上げる際に、引上速度V[mm/min]と、融点~1350°Cまでの結晶成長軸方向の平均温度勾配G[°C/mm]との比をV/G[mm2/°Cmin]≧0.25に設定し、かつ、800~750°Cの温度領域の冷却速度Cv≧1.7°C/minとすることにより上記課題を解決した。本発明の製造方法において、窒素濃度が単結晶トップにおいて1×1013atoms/cm3以上4×1015atoms/cm3以下とされてなることがより好ましい。また、本発明において、前記V/Gおよび前記冷却速度Cvを単結晶直胴部の全長に亘って維持する手段を採用することもできる。また、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハは、上記のいずれか記載の製造方法により製造されることができる。これまで、エピ欠陥とくにSFはCOP起因で生じるといわれており、800~750°Cの温度領域はCOPの生成、成長が起こる領域ではなく、エピ欠陥低減の観点からは重要視されていなかったが、発明者らは鋭意研究の結果、この温度領域がエピ欠陥密度に大きくかかわっているという知見を得た。そこで、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、窒素ドープシリコン単結晶をスライスしたウェーハにエピタキシャル層を成膜したシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、CZ法にて窒素ドープしたシリコン単結晶を引き上げる際に、引上速度V[mm/min]と、融点~1350°Cまでの結晶成長軸方向の平均温度勾配G[°C/mm]との比をV/G[mm2/°Cmin]≧0.25に設定し、かつ、800~750°Cの温度領域の冷却速度Cv≧1.7°C/minとすることにより、エピタキシャル欠陥、特にスタッキングフォールトSFの発生を防止できるシリコンエピタキシャルウェーハを製造することが可能になる。なお、これら引き上げ速度と温度勾配の比V/Gおよび冷却速度Cvとを上記の範囲に設定することにより、好ましい窒素濃度範囲においてもエピ欠陥増加の防止を実現することが可能となる。この際、以下に挙げる他の条件を関連して調整することなく、独立に比V/Gおよび冷却速度Cvを調整するだけで所定の効果が得られる。ここで、他の条件とは、窒素を除くインゴットにドープするドーパント種類およびその濃度、ウェーハとした際の抵抗値、引き上げ時のルツボ及び結晶回転数や雰囲気ガス種及びその分圧や流量流速、引き上げ炉内の温度分布、および、上記の範囲以外の温度領域における結晶冷却速度などの引き上げ条件、および、引き上げ後の熱処理における処理温度、処理時間、昇降温速度や処理雰囲気ガス、研削研磨などの表面処理等とされる引き上げ後の加工条件を意味する。本発明の製造方法において、窒素濃度が単結晶トップにおいて1×1013atoms/cm3以上4×1015atoms/cm3以下とされてなることにより、ゲッタリング能など所定の特性を有するウェーハを製造することができる。なお、本発明で窒素濃度は、二次イオン質量分析装置SIMSで測定したものとする。なおトップ側の窒素濃度であってSIMSの測定限界1×1014atoms/cm3より下の濃度は、SIMSの測定限界以上で測定されたある固化率での窒素濃度から、偏析係数k=7×10-4として、一般的な偏析の式CTOP=CX1-X1-kここでCTOPはトップ側の窒素濃度、CXは固化率XでSIMSにより測定された窒素濃度によって計算される値、もしくは、CTOP=kC0C0は原料溶解時に窒化膜付けウェーハなどで投入した窒素量によって計算される値を使用することができる。また、本発明において、単結晶トップとは、ウェーハをスライスする直胴部の引き上げ始めを意味するものとされる。CZ引き上げにおいては、所定の長さの直胴部形成終了後に、結晶直径を徐々に絞り縮径し、最終的にほぼ直径0の状態にする、縮径部テイル部形成を経て、融液からの結晶切り離しを行う。縮径が十分なされない状態での切り離しは、結晶を有転位化させる可能性が高く、歩留まりの低下の原因となるため、縮径不十分な状態での、意図しない、偶発的な、結晶と融液の離間千切れは、避けなければならない。縮径は通常、引上げ速度上昇増加や、加熱手段ヒーターからの供給熱量を増加させることによるシリコン融液の液温上昇によってなされる。これらの手段は単独もしくは組み合わせで講じられるが、意図せず急激な縮径が生じて千切れの可能性が高くなった場合、引上げ速度による制御速度低下で対応することが多い。加熱量制御は反応が遅く、とっさの縮径修正には向かない。しかしながら、このような速度低下は、結晶の冷却速度の低下を意味し結晶徐冷化、結晶冷却温度履歴の変化を招くこととなる。このテイル形成速度の低下による徐冷効果が及ぶ直上の直胴領域ではV/Gおよび前記冷却速度Cvが上記の規定値以下になる場合があり、この部分からスライスしたウェーハではエピ欠陥がこれ以外の直胴部に比べて増加してしまう現象が発生していた。これはテイル部がウェーハとなる直胴部とは異なり製品とはならないためテイル形成速度に対しては特に下限値を設けておらず、テイル形成時にテイル形成速度を結晶千切れ防止用に任意に変更できる変数としていたことによる。これに対し、本発明において、前記V/Gおよび前記冷却速度Cvを単結晶直胴部の全長に亘って維持することで、直胴部の最終部分、つまり縮径部テイル部手前の直胴部分においてもSF欠陥発生の増加防止が可能なウェーハをスライスすることができるシリコン単結晶を引き上げることができるため、シリコンウェーハ製造における収率を向上して、これらの製造コストを低減することが可能となる。つまり、直胴の引上げ条件設定のみならず、それに引き続くテイル工程の引上げ条件にも一定の配慮が必要であるため、直胴部形成が終了しテイル部形成時、つまり、ほぼ一定とされていた引き上げ条件を変化させた後にも、これまで配慮が払われていなかった引き上げ条件としての引き上げ速度と温度勾配の比V/Gおよび冷却速度Cvとの変動を上記の範囲内となるように設定することで、エピ欠陥増加を招く結晶特性となってしまうことが防止できるものである。また、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハは、上記のいずれか記載の製造方法により製造されることができる。さらに、軸方向に結晶特性が変化する単結晶を引き上げる場合など、引き上げ条件を変化させる際、および、この条件変化後における引き上げ条件として、引き上げ速度と温度勾配の比V/Gおよび冷却速度Cvとの変動を上記の範囲内となるように設定することで、必要な結晶長範囲において、エピ欠陥増加を招く結晶特性となってしまうことが防止できるものである。本発明によれば、SF欠陥発生の増加防止が可能なシリコンエピタキシャルウェーハおよびシリコンエピタキシャルウェーハをスライスすることができるシリコン単結晶を製造することが可能となるという効果を奏することができる。以下、本発明に係るシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法の一実施形態を、図面に基づいて説明する。図1は、本実施形態におけるシリコンエピタキシャルウェーハの一部を示す断面図であり、図において、符号Wは、シリコンエピタキシャルウェーハである。本実施形態にかかるシリコンエピタキシャルウェーハWは、例えばMOS,メモリ、などの半導体素子に適応されるものであり、図1に示すように、CZ法により引き上げたシリコン単結晶からスライスされたウェーハW0上にエピタキシャル層W1が成膜されて、エピタキシャル層W1表面のエピ欠陥が0.005個/cm2以下とされている。このシリコンウェーハの製造方法としては、まず、シリコン単結晶引き上げ工程として、石英ルツボ内にシリコン結晶の原料であるポリシリコンを積層配置する。次いで、Ar雰囲気または水素等の所定ガスを含有した所定雰囲気としてCZ結晶を引き上げる。なお、CZ結晶とは、磁場印加CZ結晶も含めたチョクラルスキー法CZ法で製造された結晶の呼称である。この際、窒素添加シリコン単結晶として、所定量の窒素濃度となるように原料段階で窒素を含む化合物を添加したり、窒素が存在する雰囲気中でシリコン単結晶を引き上げる。同時に、p-タイプであればドーパントとしてBボロンのように、設定される基板のタイプに従って所定量のドーパントを原料に投入する。また、引き上げ時に、雰囲気ガス種、流量、圧力、および、ルツボと単結晶回転速度などを設定して単結晶の酸素濃度Oiを制御する。以下、窒素添加CZシリコン単結晶の引き上げについて説明する。直径300mmのウェーハについて説明するが、該発明はこれに限定されるものではない。図2は、本実施形態におけるシリコン単結晶の製造を説明するのに適したCZ炉の縦断面図である。CZ炉は、チャンバー内の中心部に配置されたルツボ石英ルツボ101と、ルツボ101の外側に配置されたヒータ102とを備えている。ルツボ101は、内側に原料融液103を収容する石英ルツボ101を外側の黒鉛ルツボ101aで保持する二重構造であり、ペディスタルと呼ばれる支持軸101bにより回転および昇降駆動される。ルツボ101の上方には、円筒形状の熱遮蔽体107が設けられている。熱遮蔽体107は、黒鉛で外殻を作り、内部に黒鉛フェルトを充填するとともに図示しない水冷管などとされる冷却手段やヒータ等の加熱手段からなる温度制御手段を有する構造である。熱遮蔽体107の内面は、上端部から下端部にかけて内径が漸減するテーパー面になっている。熱遮蔽体107の上部外面は内面に対応するテーパー面であり、下部外面は、熱遮蔽体107の厚みを下方に向かって漸増させるようにほぼストレート鉛直面に形成されている。このCZ炉は、例えば、目標直径が310mm、ボディ長が例えば1200mmの300mmの単結晶育成が可能なものとされる。熱遮蔽体107の仕様例を挙げると次のとおりである。ルツボに入る部分の外径は例えば570mm、最下端における最小内径Sは例えば370mm、半径方向の幅厚みWは例えば100mmとする。また、ルツボ101の外径は例えば650mmであり、熱遮蔽体107の下端の融液面からの高さHは例えば60mmである。次に、窒素添加CZシリコン単結晶を育成するための操業条件の設定方法について説明する。まず、ルツボ内に高純度シリコンの多結晶を装入し、例えば、結晶中の抵抗率がp-タイプとなるように、ドーパントボロンBを添加する。本発明において、ボロンB濃度pタイプまたはp-タイプとは抵抗率1~100Ωcmに相当する濃度であり、pタイプとは抵抗率0.1Ωcm~1Ωcmに相当する濃度である。または、リンP濃度がnタイプもしくはn-タイプとは抵抗率1~100Ωcmに相当する濃度であり、nタイプとは抵抗率0.1Ωcm~1Ωcmに相当する濃度である。また、p/p-タイプとは、p-タイプ基板ウェーハの上にp-タイプのエピタキシャル層を積層したウェーハを意味し、p/n-タイプとは、n-タイプ基板の上にp-タイプのエピタキシャル層を積層したウェーハを意味する。図3は、本実施形態におけるシリコン単結晶を示す模式正面図である。本実施形態においては、図2に示すCZ炉において、窒素濃度が単結晶トップにおいて、1×1013atoms/cm3以上4×1015atoms/cm3以下の範囲となるようにシリコン溶融液にドーパントを添加したり、窒素を含む雰囲気中で引き上げをする。ここで、結晶トップで1×1013atoms/cm3以上にするのは十分な析出を得るためであり、4×1015atoms/cm3以下にするのはそれを越えると有転位化により単結晶が得られないおそれがあるためである。なお、テイル前の濃度に対応するトップ濃度と、結晶トップのドーパント濃度との関係を図9に示す。また、初期酸素濃度が1.1×1018~1.4×1018atoms/cm3ASTMF123-1979となるように、結晶回転速度、ルツボ回転速度、加熱条件、印加磁場条件、引き上げ速度等を制御する。次いで、ヒータ102により加熱してシリコンを溶融させ融液103とする。次に、シードチャック105に取り付けた種結晶Ssを融液103に浸漬し、ルツボ1および引き上げ軸4を回転させつつ結晶引き上げを行う。結晶方位は{100}、{111}または{110}のいずれかとし、結晶無転位化のためのシード絞りネッキングによりネック部Snを形成した後、ショルダー部Sを形成することで拡径して例えば310mmの目標ボディ径とする。その後は一定の引き上げ速度で例えば1200mmまでボディ部Sbを育成し、所定の条件で縮径してテイル部Stを形成してテイル絞りを行った後、結晶成長を終了する。ここで、引き上げ速度Vは、抵抗率、シリコン単結晶径サイズ、使用する単結晶引き上げ装置のホットゾーン構造熱環境などに応じて適宜選定される。本実施形態においては、テイル部Stの引き上げ工程において、このテイル部Stの直前、つまり、ボディ部直胴部Sbの最終部分となる領域で、引上速度V[mm/min]と、融点~1350°Cまでの結晶成長軸方向の平均温度勾配G[°C/mm]との比をV/G[mm2/°Cmin]≧0.25に設定し、かつ、800~750°Cの温度領域の冷却速度Cv≧1.7°C/minとする。つまり、テイル絞り開始後の引き上げ条件を制御することで、テイル部Stより前のボディ部Sbの最終部分の温度勾配Gを含む結晶成長条件を制御して、エピ欠陥密度に関与する結晶特性を制御するものである。具体的には、熱遮蔽体107における冷却手段や加熱手段からなる温度制御手段によって、単結晶の温度状態を制御するとともに、引き上げ速度を制御することで、上記の条件を実現する。本実施形態においては、上述したように窒素添加をおこなうとともに直胴部からテイル部の引き上げにおける引き上げ条件を制御することで、これらの相乗効果により、このウェーハ上にエピタキシャル層を成長させた際、その表面に発生するエピ欠陥が、それぞれのウェーハ切り出し位置として直胴部の全長に亘って増加しないようにすることができ、このような所望の品質を有するシリコン単結晶の引き上げをおこなうことができ、作業効率を向上して、シリコン単結晶、あるいはこのシリコン単結晶から製造するシリコンエピタキシャルウェーハの製造コストを大幅に削減することが可能となる。このシリコン単結晶引き上げ工程の次に、ウェーハ加工工程として、この窒素添加CZシリコン単結晶から加工して、図1に示すように、窒素を含むシリコンウェーハW0を得る。ウェーハ加工工程におけるシリコンウェーハW0の加工方法は通常に従い、IDソーまたはワイヤソー等の切断装置によってスライスした後面取り加工等を施し、得られたシリコンウェーハをアニールした後、表面に研磨洗浄等の表面処理工程をおこなう。例えば、このウェーハ加工工程としては、窒素添加CZ結晶である上記シリコン基板W0の表面を鏡面加工してから、例えばSC1およびSC2を組み合わせたRCA洗浄を行う。なお、これらの工程の他にもラッピング、洗浄、研削等種々の工程があり、工程順の変更、省略等目的に応じ適宜工程は変更使用される。このようにして得られたシリコンウェーハW0は、ドーパント濃度がp-タイプとされ、窒素濃度が1×1013atoms/cm3以上4×1015atoms/cm3以下、および酸素濃度が1.1×1018~1.4×1018atoms/cm3ASTMF123-1979とされる。窒素は固溶形態でシリコンに含有されるので、シリコン格子中に窒素をシリコンと置換する形で導入される。すなわち、窒素の原子半径はシリコン原子と比較して小さいため置換位置に窒素を配位した場合、結晶の応力場は圧縮応力場となり格子間の酸素および不純物が圧縮応力場に捕獲されやすくなる。この置換位置窒素を起点に、高温で安定な酸素析出物がアズグローンas-grownで高密度に発現し、シリコン基板W0に高いゲッタリング効果を付与しやすくなる。このような窒素の添加濃度は、上述の範囲に規制する必要がある。なぜなら、窒素濃度が上記の範囲未満では、窒素酸素系析出物の形成促進が活発にならないので、上記した高密度な窒素酸素系析出物の形成を実現できないからである。一方、上記の範囲を超えると、有転位化により単結晶が得られない恐れがある。さらに、シリコン基板W0中の酸素濃度Oiを、1.1×1018~1.4×1018atoms/cm3の範囲にすることができる。酸素濃度が上記の範囲未満では、窒素酸素系析出物の形成が促進されず高密度な析出物が得られないため、必要なゲッタリング能を得ることができない。一方、上記の範囲を超えると、酸素析出物のサイズが減少し母体シリコン原子と析出物界面における歪みの効果が緩和され歪みによるゲッタリング効果が低下することが懸念され、さらに、析出過多となり後工程であるデバイス製造工程におけるパターンずれが発生する可能性があるからである。その後、エピタキシャル層成膜工程として、エピタキシャル層を成長するためにエピタキシャル成長炉に装入し、各種CVD法化学気相成長法を用いて、図1に示すように、例えば、ドーパント濃度がpタイプとされるエピタキシャル層W1を成長させる。エピタキシャル工程としては、成膜ガスとしてのシラン、ジシランなどや、ドーパントガス、および、キャリヤガスとしてのAr等による雰囲気で、1300°C程度の温度条件で、1~10μm、好ましくは3~5μm程度の膜厚としてエピタキシャル層W1が成膜されるとともに、その前後で、HClガス等を含む雰囲気として表面処理をおこなうこともある。本実施形態によれば、テイル部形成開始時にテイル形成における縮径のためにテイル形成速度引き上げ速度を低下した際、このテイル形成速度の低下による徐冷効果が及ぶ直上の直胴領域ではV/Gおよび前記冷却速度Cvが上記の規定値以下になることがないので、この部分からスライスしたウェーハではエピ欠陥がこれ以外の直胴部に比べて増加することを防止し、直胴部の全体において、スライスしたウェーハW0のエピタキシャル層W1表面のエピ欠陥が0.005個/cm2以下とすることができる。なお、本実施形態では、窒素ドープウェーハとしたが、少なくとも窒素がドープされていればよく、窒素炭素ドープウェーハなど、他のドーパントをドープしたウェーハとすることができる。以下本発明の実施例を説明する。引き上げ条件として、φ320mm、長さ1800mmのボロンドープp-シリコン単結晶を、結晶トップでの窒素濃度2×1013atoms/cm3として引き上げた。ここで、テイル部付近における冷却状態を、1200°C-1000°C、1000°C-800°C、800°C-750°C、800°C-600°Cの各温度領域で、その温度領域にかかった冷却時間PTを単結晶の軸方向で測定した。その結果を図4から図7に示す。なお、図において、結晶位置とは図3に示す単結晶の軸方向における位置を意味し、Tは直胴部とテイル部との境界位置であり、縦軸と横軸の交点であるグラフのTよりも右側がテイル部Stであり、Tよりも左側のグラフ外側が直胴部Sbとなる。また、この単結晶からスライスしたウェーハ表面を鏡面研磨し、1350°C、30secの条件で、トリクロロシランガス含有雰囲気でエピタキシャル成長させて膜厚3μmにpタイプのエピタキシャル層を成膜した。このエピタキシャル層表面で発生したSF密度を軸方向距離に対して測定した。SFの測定は、レーザ光散乱式パーティクルカウンターSP1surfscanSP1:KLA-Tencor社製を用いて、0.1μmサイズ以上の欠陥の密度を検出した。その結果を図4から図7に結晶位置を対応させて示す。各温度範囲における冷却時間の変化と、SF密度とをそれぞれ比較すると、グラフの一致性から図6に示した800°C-750°Cの範囲の経過時間がSF欠陥の密度上昇に寄与していることが判明する。次いで、この800°C-750°Cの温度範囲における冷却速度とSF密度とを図8に示す。同様にSF欠陥の密度を示す。図に示すように、冷却速度が大きくなり始めた1°C/minではSF密度は低いが、1.4°C/min程度でいきなりSF密度が高くなりこれが1.7程度まで急激に低下する、その後、1.7°C/minから冷却速度が増加して行くにつれてSF密度は緩やかに低下していく。つまり、この800°C-750°Cの温度範囲では、冷却速度が1.7°C/minより小さいと、SF密度が高くなる。これをさけるために、SF密度が急激に低下する領域と、緩やかに低下する領域においてそれぞれ図8でL1,L2で示すように密度低下の傾向を示す直線を引き、冷却状態の変化点Ipとした。この交点Ipに対応する冷却速度は1.7°C/minであった。つまり、1.7°C/minよりも冷却速度を大きくすることで、SF密度の増加を回避できることがわかる。同様に、熱遮蔽体107の温度制御手段や、ギャップ制御やガス流量制御によって、V/Gおよび800~750°Cの温度領域における冷却速度を変化させた他は上記の条件で単結晶を引き上げ、同様にスライスしてエピタキシャル層を成膜したウェーハ表面のエピ欠陥密度を測定した。その結果を表1に示す。この結果から、冷却速度が1.7°C/min以下である実験例3,4は、エピ欠陥密度が上昇していることがわかる。つまり、1.7°C/minよりも冷却速度を大きくすることで、SF密度の増加を回避できることがわかる。"