金属窒化物含有膜を形成する方法であって、前記方法は:aハロゲン化金属前駆体を少なくとも1枚の基板を収容したALDリアクタに導入する工程と;b過剰なハロゲン化金属前駆体を前記リアクタからパージする工程と;cアミノ金属前駆体を前記リアクタに導入する工程と;d過剰なアミノ金属前駆体を前記リアクタからパージする工程と;e任意に、反応剤を前記リアクタに導入する工程と;f任意に、過剰な反応剤を前記リアクタからパージする工程とを含み、前記ハロゲン化金属前駆体およびアミノ金属前駆体の金属は同じまたは異なる方法。前記反応剤はN2、NH3、N2H4、NMeH2、NEtH2、NMe2H、NEt2H、NMe3、NEt3、MeHNNH2、Me2NNH2、フェニルヒドラジン、およびこれらの混合物からなる群より選択され、好ましくはNH3である請求項1に記載の方法。方法の工程の順序を変えることにより、特定の化学量論比を有する金属窒化物含有膜を製造することができる請求項1または2に記載の方法。前記ハロゲン化前駆体は塩化金属前駆体である請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。前記金属窒化物含有膜は1種または2種の金属を含有する金属炭窒化物膜である請求項1~4のいずれか1項に記載の方法。前記金属は遷移金属元素、金属元素または非金属元素から選択される請求項1~5のいずれか1項に記載の方法。前記金属はホウ素またはリンである請求項1~6のいずれか1項に記載の方法。前記金属窒化物含有膜は窒化珪素含有膜であり、前記ハロゲン化金属前駆体はクロロシラン前駆体であり、前記アミノ金属前駆体はアミノシラン前駆体である請求項1~7のいずれか1項に記載の方法。前記窒化珪素含有膜は炭素ドープされたSiN膜である請求項8に記載の方法。前記クロロシラン前駆体は式SiaHbClcを有し、ここでbc=2a2である請求項8または9に記載の方法。前記クロロシラン前駆体を混合物として導入する請求項8~10のいずれか1項に記載の方法。前記アミノシラン前駆体は式H4xSiNRRxを有し、ここでx=1、2、3、または4であり、RおよびRはHまたはアルキル基から独立して選択され、RおよびRは結合して環状構造を形成してもよい請求項8~11のいずれか1項に記載の方法。前記アミノシラン前駆体はアミノクロロシランまたはアミノアルキルシランを含む請求項12に記載の方法。前記アミノクロロシラン前駆体は式Cl4xSiNRRxを有し、ここでx=2または3であり、RおよびRは上で定義したものである請求項13に記載の方法。前記アミノアルキルシラン前駆体は式R4xSiNRRxを有し、ここでx=1、2、または3であり、RおよびRは上で定義したものであり、R基は3個未満の炭素原子を有するアルキル基である請求項13に記載の方法。