ガラス基材の少なくとも片面に樹脂層を形成する工程、樹脂層を露光し現像する工程、サンドブラスト処理することでガラスに穴を形成する工程、樹脂層を加熱する工程、エッチング処理する工程をこの順に含むことを特徴とするガラス基板の製造方法。本発明の課題は、サンドブラスト法とエッチング法を用いたガラス基材の穴形成工程を含むガラス基板の製造方法において、穴の内壁に微細なクラックの無いガラス基板を生産性良く製造することを可能とするガラス基板の製造方法を提供することにある。上記課題を解決するために鋭意検討した結果、ガラス基材の少なくとも片面に樹脂層を形成する工程、樹脂層を露光し現像する工程、サンドブラスト処理することでガラスに穴を形成する工程、樹脂層を加熱する工程、エッチング処理する工程をこの順に含むことを特徴とするガラス基板の製造方法によって、上記課題を解決できることを見出した。本発明のガラス基板の製造方法により、サンドブラスト法とエッチング法を用いたガラス基材の穴形成工程を含むガラス基板の製造方法において、穴の内壁に微細なクラックの無いガラス基材を生産性良く製造することが可能となるガラス基板の製造方法を提供することができる。以下、本発明のガラス基材の作製方法について詳細に説明する。アルカリ脱脂や有機溶剤による洗浄等の前処理を施したガラス基材の少なくとも片面に樹脂層を形成する。樹脂層の形成には、例えば、100°C以上に加熱したゴムロールを加圧して押し当てる熱圧着方式のラミネータ装置を用いることができる。樹脂層を形成した後、樹脂層のキャリアフィルムを剥がし、露光、現像を行って樹脂層のパターニング形成を行い、続いて、サンドブラスト処理を行うことで樹脂層に被覆されていないガラス基材部分が除去されることでガラス基材に穴を形成する。その後、樹脂層を加熱し、続いて、エッチング処理によりガラス基材にあけた穴の内部をエッチングすることで穴の内壁を平滑化し、微細クラックが極めて少ないガラス基材を製造する。本発明に係わるガラス基材はガラス組成に関わらず適用可能であるが、例えばシリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス等を用いることができる。本発明に係わる樹脂層としては、光照射部が架橋して現像液に不溶化し、サンドブラスト処理に耐性があり、サンドブラスト処理後の樹脂層を加熱処理することでエッチング処理に耐性を持つようになる特性を持つネガ型のドライフィルムレジストが挙げられる。サンドブラスト処理に耐性を持たせる方法としては、光架橋後の樹脂層にゴム弾性を付与することが有効であることが知られており、ドライフィルムレジストの成分としてウレタンメタアクリレートオリゴマーを加えることが一般的である。また、樹脂層にエッチング耐性を持たせる方法としては、樹脂層の架橋を進行させることで耐水性を向上させ、エッチング液の浸透を妨げる方法が挙げられる。一般的なネガ型のドライフィルムレジストの場合、パターニングを目的とした光照射だけでは樹脂層内に未反応の架橋性成分が残っているため、パターニング後に追加の露光や加熱を行うことにより架橋を進行させることができる。さらに、加熱処理では樹脂層とガラス基材の密着性が向上させることができるので、これによりさらなるエッチング耐性を付与することができる。ドライフィルムレジストは、例えば、カルボキシル基を含むバインダーポリマー、ウレタンメタアクリレートオリゴマー、分子内に少なくとも1個の重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物、光重合開始剤、溶剤、その他添加剤からなる樹脂層をポリエステル等のキャリアフィルム上に塗設し、場合によってはポリエチレン等の保護フィルムで被覆した構成となっている。それらの配合比率は、感度、解像度、架橋度、テンティング性等の要求される性質のバランスによって決定される。ドライフィルムレジストの配合例はフォトポリマーハンドブックフォトポリマー懇話会編、1989年刊行、株工業調査会刊やフォトポリマーテクノロジー山本亜夫、永松元太郎編、1988年刊行、日刊工業新聞社刊等に記載されており、所望の配合を使用することができる。ドライフィルムレジストの厚みは、20~100μmであることが好ましく、50~100μmであることがより好ましい。この厚みが20μm未満では、エッチング工程においてエッチング液が樹脂層を浸透しながら通過することにより、本来エッチング処理の必要がない部分まで処理が及んでしまう場合がある。また、100μmを超えると、サンドブラストとエッチングの処理に要する時間が長くなり、生産性が悪化する場合がある。本発明に係わる樹脂層の露光方法としては、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、UV蛍光灯を光源とした反射画像露光、フォトツールを用いた片面、両面密着露光や、プロキシミティ方式、プロジェクション方式やレーザー走査露光が挙げられる。走査露光を行う場合には、He-Neレーザー、He-Cdレーザー、アルゴンレーザー、クリプトンイオンレーザー、ルビーレーザー、YAGレーザー、窒素レーザー、色素レーザー、エキシマレーザー等のレーザー光源を発光波長に応じてSHG波長変換して走査露光する、あるいは液晶シャッター、マイクロミラーアレイシャッターを利用した走査露光によって露光することができる。本発明に係わる現像方法としては、使用する光架橋性樹脂層に見合った現像液を用い、ガラス基材のうち樹脂層を形成した面に向かってスプレーして、レジストパターンとして不要な部分を除去し、サンドブラスト処理に対するレジスト層を形成する。一般的には、1質量の炭酸ナトリウム水溶液が使用される。本発明に係わるサンドブラスト処理方法としては、コンプレッサー等による圧縮空気に使用するガラス基材に見合った研磨材を混ぜ、それをガラス基材のうち樹脂層を形成した面に向かって吹き付けることで、樹脂層に覆われていないガラス部分に穴開け加工を行う。研磨材の材質としてはアルミナ、SiC、ガーネット、ジルコン、ガラス、鉄、ステンレスを使用することができる。また、サンドブラスト法で使用する研磨材は、最大粒子径が20~150μmであることが好ましく、20~100μmであるとさらに好ましい。研磨材の最大粒子径が20μmより小さいと、ガラス基板に穴を形成するための時間が長くなり、生産性が悪化する場合がある。一方、研磨材の最大粒子径が150μmより大きいと、サンドブラスト処理した面の表面粗さが大きくなり、エッチング処理に要する時間が長くなり、生産性が悪化する場合がある。また、サンドブラスト処理の途中で最大粒子径の異なる研磨材に変更することも可能である。本発明における樹脂層の加熱方法としては、送風乾燥機等の加熱装置にサンドブラスト処理後のガラス基材を投入し、約100~180°C、約15~60分間の加熱を行う。加熱温度が100°Cを下回ると、加熱に必要な時間が長くなり生産性が悪化する場合がある。また、加熱温度が180°Cを超える場合には、樹脂層の構成によっては樹脂層が変形する場合があり、この変形によりエッチング処理が必要な部分を樹脂層が覆ってしまい、エッチング不良の原因となる場合がある。本発明に係わるエッチング方法としては、使用するガラス基材に見合ったエッチング液を用い、ガラス基材のうち樹脂層を形成した面に向かってスプレーすることで、ガラス基材にあけた穴の内壁を溶解することで平滑化し、微細クラックが極めて少ない状態にする。エッチング液はガラスを溶解除去できるものであればよく、具体例としては、フッ化水素酸、ケイフッ化水素酸などのフッ酸系水溶液やこれらの水溶液に硫酸や硝酸、塩酸とを混合した水溶液を処理液として使用することができる。エッチング液中のフッ酸含有量は1~20であることが好ましい。フッ酸含有量が1未満であると、エッチングに長時間を要することになり、生産性が悪化する場合がある。フッ酸含有量が20より大きいと、エッチング速度が速くなり過ぎてしまい、均一なエッチング処理を行うことが困難である場合があることに加えて、フッ酸含有量が高いため取扱上の安全性の点が問題とされる場合がある。エッチング処理条件は、ガラス基材に形成した穴の深さや径にもよるが、例えば、5~50°Cのエッチング処理液を、0.5~5分間スプレーすることにより行うことができる。以下、実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。実施例面積100×100mm、厚み1.1mm、ノンアルカリアルミノホウケイ酸ガラスのガラス基材をアセトンで洗浄し、ドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト三菱製紙株製、商品名:MS7100、厚み:100μmを熱圧着し、樹脂層を形成した。次に、直径300μmの円形画像を有する露光原稿用フォトマスクを用いて密着露光を行った。続いて、1質量の炭酸ナトリウム水溶液液温度30°C、スプレー圧0.15MPaを用いて現像処理を行い、レジスト層を形成した。次に、レジスト層を形成した基板をSiC研磨材ナニワ研磨工業株製、商品名:GC微粉320、最大粒子径:98μmを使用して5分間サンドブラスト処理スプレー圧:0.2MPaを実施し、ガラス基材への穴形成を行った。次に、穴形成したガラス基材を送付乾燥機にて150°C、10分の条件で加熱処理を実施し、樹脂層を加熱した。次に、ガラス基材をエッチング処理液フッ酸濃度7質量と硫酸濃度15質量の水溶液、液温度:40°C、スプレー圧0.15MPaを用いて2分間エッチング処理を行った。得られたガラス基板の穴内部を走査型電子顕微鏡で観察した結果、ガラス基材には深さ平均300μmの穴が形成されていることが確認され、穴の内壁には微細クラックはほとんど存在していないことを確認した。比較例1エッチング処理を行わないこと以外は、実施例と同様の方法でガラス基板を作製し、得られたガラス基板の穴内部を走査型電子顕微鏡で観察した。その結果、無数の微細な傷とクラックが存在していることを確認した。このような状態では、ガラス基板の強度が著しく低下してしまう。比較例2サンドブラスト処理を行わないこと、およびエッチング時間を100分にすること以外は実施例と同様の方法でガラス基板を作製し、得られたガラス基板の穴内部を走査型電子顕微鏡で観察した結果、ガラス基材には深さ平均300μmの穴が形成されていることが確認され、穴の内壁には微細クラックはほとんど存在していないことを確認した。しかしながら、比較例2の方法では、実施例と比較して穴開け工程の処理時間に4倍以上の時間がかかっているため、このような方法では生産性が悪くなってしまう。