"酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分A、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分Bを含有するレジスト組成物であって、前記基材成分Aは、下記一般式a5-0で表される構成単位a5を有する高分子化合物A1を含むことを特徴とするレジスト組成物。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。R1は硫黄原子又は酸素原子である。R2は単結合又は2価の連結基である。Yは芳香族炭化水素基、又は多環式基を有する脂肪族炭化水素基該芳香族炭化水素基又は該脂肪族炭化水素基は、その炭素原子又は水素原子が置換基で置換されていてもよいである。]前記構成単位a5の割合が、前記高分子化合物A1を構成する全構成単位に対して5~70モルである、請求項1記載のレジスト組成物。前記高分子化合物A1が、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位a1を有する、請求項1又は2記載のレジスト組成物。支持体上に、請求項1~3のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。下記一般式1で表される化合物。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。R1は硫黄原子又は酸素原子である。R2は単結合又は2価の連結基である。Yは芳香族炭化水素基、又は多環式基を有する脂肪族炭化水素基該芳香族炭化水素基又は該脂肪族炭化水素基は、その炭素原子又は水素原子が置換基で置換されていてもよいである。]下記一般式a5-0で表される構成単位a5を有する高分子化合物。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。R1は硫黄原子又は酸素原子である。R2は単結合又は2価の連結基である。Yは芳香族炭化水素基、又は多環式基を有する脂肪族炭化水素基該芳香族炭化水素基又は該脂肪族炭化水素基は、その炭素原子又は水素原子が置換基で置換されていてもよいである。]前記構成単位a5の割合が、該高分子化合物を構成する全構成単位に対して5~70モルである、請求項6記載の高分子化合物。酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位a1を有する、請求項6又は7記載の高分子化合物。今後、リソグラフィー技術のさらなる進歩、応用分野の拡大等が進むなか、リソグラフィー用途に使用できる新規な材料に対する要求がある。たとえばパターンの微細化が進むにつれ、レジスト材料にも、高感度化に加えて、解像性や、ラフネスラインパターンであればLWRラインワイズラフネス:ライン幅の不均一性等、ホールパターンであれば真円性等、露光余裕度等の種々のリソグラフィー特性のいっそうの向上が求められる。加えて、リソグラフィー技術の進歩微細化に伴い、レジスト膜の薄膜化が進んでいるため、パターン部をマスクとしてエッチングを行う際のエッチング耐性の向上も必要となる。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、感度、解像性、リソグラフィー特性及びエッチング耐性に優れるレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な化合物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供することを課題とする。上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。すなわち、本発明の第一の態様は、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分A、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分Bを含有するレジスト組成物であって、前記基材成分Aは、下記一般式a5-0で表される構成単位a5を有する高分子化合物A1を含むことを特徴とするレジスト組成物である。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。R1は硫黄原子又は酸素原子である。R2は単結合又は2価の連結基である。Yは芳香族炭化水素基、又は多環式基を有する脂肪族炭化水素基該芳香族炭化水素基又は該脂肪族炭化水素基は、その炭素原子又は水素原子が置換基で置換されていてもよいである。]本発明の第二の態様は、支持体上に、前記第一の態様のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法である。本発明の第三の態様は、下記一般式1で表される化合物である。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。R1は硫黄原子又は酸素原子である。R2は単結合又は2価の連結基である。Yは芳香族炭化水素基、又は多環式基を有する脂肪族炭化水素基該芳香族炭化水素基又は該脂肪族炭化水素基は、その炭素原子又は水素原子が置換基で置換されていてもよいである。]本発明の第四の態様は、下記一般式a5-0で表される構成単位a5を有する高分子化合物である。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。R1は硫黄原子又は酸素原子である。R2は単結合又は2価の連結基である。Yは芳香族炭化水素基、又は多環式基を有する脂肪族炭化水素基該芳香族炭化水素基又は該脂肪族炭化水素基は、その炭素原子又は水素原子が置換基で置換されていてもよいである。]本明細書及び本特許請求の範囲において、脂肪族とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。アルキル基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。アルキレン基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。ハロゲン化アルキル基は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、ハロゲン化アルキレン基は、アルキレン基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。フッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基である。フッ素化アルキレン基は、アルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基である。ヒドロキシアルキル基は、アルキル基の水素原子の一部又は全部が水酸基で置換された基である。構成単位とは、高分子化合物樹脂、重合体、共重合体を構成するモノマー単位単量体単位を意味する。露光は、放射線の照射全般を含む概念とする。本発明によれば、感度、解像性、リソグラフィー特性及びエッチング耐性に優れるレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な化合物、該化合物から誘導される構成単位を有する高分子化合物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供できる。≪レジスト組成物≫本発明のレジスト組成物は、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分A以下A成分という。、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分B以下B成分という。を含有する。かかるレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対して選択的露光を行うと、露光部ではB成分から酸が発生し、該酸の作用によりA成分の現像液に対する溶解性が変化する一方で、未露光部ではA成分の現像液に対する溶解性が変化しないため、露光部と未露光部との間で現像液に対する溶解性の差が生じる。そのため該レジスト膜を現像すると、当該レジスト組成物がポジ型の場合は露光部が溶解除去されてポジ型のレジストパターンが形成され、当該レジスト組成物がネガ型の場合は未露光部が溶解除去されてネガ型のレジストパターンが形成される。本明細書においては、露光部が溶解除去されてポジ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をポジ型レジスト組成物といい、未露光部が溶解除去されてネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をネガ型レジスト組成物という。本発明のレジスト組成物は、ポジ型レジスト組成物であってもよく、ネガ型レジスト組成物であってもよい。また、本発明のレジスト組成物は、レジストパターン形成時の現像処理にアルカリ現像液を用いるアルカリ現像プロセス用であってもよく、該現像処理に有機溶剤を含む現像液有機系現像液を用いる溶剤現像プロセス用であってもよい。<A成分>本発明のレジスト組成物に用いられるA成分は、前記一般式a5-0で表される構成単位a5を有する高分子化合物A1以下A1成分ともいう。を含む。ここで基材成分とは、膜形成能を有する有機化合物であり、好ましくは分子量が500以上の有機化合物が用いられる。該有機化合物の分子量が500以上であることにより、膜形成能が向上し、また、ナノレベルのレジストパターンを形成しやすい。基材成分として用いられる有機化合物は、非重合体と重合体とに大別される。非重合体としては、通常、分子量が500以上4000未満のものが用いられる。以下、低分子化合物という場合は、分子量が500以上4000未満の非重合体を示す。重合体としては、通常、分子量が1000以上のものが用いられる。以下、高分子化合物又は樹脂という場合は、分子量が1000以上の重合体を示す。重合体の分子量としては、GPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算の質量平均分子量を用いるものとする。[A1成分]A1成分は、酸の作用により現像液に対する溶解性が増大するものであってもよく、酸の作用により現像液に対する溶解性が減少するものであってもよい。本発明のレジスト組成物が、アルカリ現像プロセスにおいてネガ型レジストパターンを形成するまたは溶剤現像プロセスにおいてポジ型レジストパターンを形成するレジスト組成物である場合、A1成分としては、好ましくは、アルカリ現像液に可溶性を示す高分子化合物以下この高分子化合物をA1-2成分ともいう。が用いられ、さらに、架橋剤成分が配合される。A1-2成分は、通常、水酸基、カルボキシ基、アミノ基等のアルカリ可溶性基を有しており、架橋剤成分としては、メチロール基、アルコキシメチル基等の、酸の作用により該アルカリ可溶性基と反応し得る反応性基を有するものが用いられる。そのため、かかるレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対して選択的露光を行うと、露光部にてB成分から酸が発生し、該酸の作用によりA1-2成分と架橋剤成分との間で架橋が起こり、A1-2成分のアルカリ可溶性基の減少およびそれに伴う極性の低下、分子量の増大等が生じ、その結果、アルカリ現像液に対する溶解性が減少有機系現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜を選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性有機系現像液に対して可溶性へ転じる一方で、未露光部はアルカリ現像液に対して可溶性有機系現像液に対して難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像液で現像することによりネガ型レジストパターンが形成できる。また、このとき現像液として有機系現像液を用いると、ポジ型のレジストパターンが形成できる。架橋剤成分としては、例えば、通常は、メチロール基またはアルコキシメチル基を有するグリコールウリルなどのアミノ系架橋剤、メラミン系架橋剤などを用いると、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。架橋剤成分の配合量は、アルカリ可溶性樹脂100質量部に対し、1~50質量部であることが好ましい。なお、A1-2成分が自己架橋性を有する場合たとえばA1-2成分が、酸の作用によりアルカリ可溶性基と反応し得る基を有する場合は、必ずしも架橋剤成分は配合しなくてもよい。本発明のレジスト組成物が、アルカリ現像プロセスにおいてポジ型レジストパターンを形成するまたは溶剤現像プロセスにおいてネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物である場合、A1成分としては、好ましくは、酸の作用により極性が増大する高分子化合物以下この高分子化合物をA1-1成分ともいう。が用いられる。A1-1成分は露光前後で極性が変化するため、A1-1成分を用いることにより、アルカリ現像プロセスだけでなく、溶剤現像プロセスにおいても良好な現像コントラストを得ることができる。つまり、アルカリ現像プロセスを適用する場合、A1-1成分は、露光前はアルカリ現像液に対して難溶性であり、露光によりB成分から酸が発生すると、該酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性から可溶性に変化する一方で、未露光部はアルカリ難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像することにより、露光部と未露光部との間でコントラストをつけることができ、ポジ型レジストパターンが形成できる。一方、溶剤現像プロセスを適用する場合、A1-1成分は、露光前は有機系現像液に対して溶解性が高く、露光によりB成分から酸が発生すると、該酸の作用により極性が高くなって有機系現像液に対する溶解性が減少する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部は有機系現像液に対して可溶性から難溶性に変化する一方で、未露光部は可溶性のまま変化しないため、有機系現像液で現像することにより、露光部と未露光部との間でコントラストをつけることができ、ネガ型レジストパターンが形成できる。なかでも、A1成分は、A1-1成分であることが好ましい。すなわち、本発明のレジスト組成物は、アルカリ現像プロセスにおいてポジ型となり、溶剤現像プロセスにおいてネガ型となる化学増幅型レジスト組成物であることが好ましい。A1-1成分としては、特に、構成単位a5に加えて、さらに、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位a1を有するものが好ましい。該構成単位a1としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であることが好ましい。A1-1成分は、構成単位a5及び構成単位a1に加えて、さらに、-SO2-含有環式基又はラクトン含有環式基を含む構成単位a2を有するものが好ましい。また、A1-1成分は、構成単位a5及び構成単位a1に加えて、又は、構成単位a5と構成単位a1と構成単位a2とに加えて、極性基を含む構成単位a3を有するものも好ましい。構成単位a5について構成単位a5は、下記一般式a5-0で表される構成単位である。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。R1は硫黄原子又は酸素原子である。R2は単結合又は2価の連結基である。Yは芳香族炭化水素基、又は多環式基を有する脂肪族炭化水素基該芳香族炭化水素基又は該脂肪族炭化水素基は、その炭素原子又は水素原子が置換基で置換されていてもよいである。]前記式a5-0中、Rは、水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。Rの炭素数1~5のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などの直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。Rの炭素数1~5のハロゲン化アルキル基としては、上記の炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。Rとしては、水素原子、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のフッ素化アルキル基が好ましく、水素原子、炭素数1~5のアルキル基がより好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。前記式a5-0中、R1は、硫黄原子又は酸素原子であり、酸素原子が好ましい。前記式a5-0中、R2は、単結合又は2価の連結基である。R2の2価の連結基としては、特に限定されないが、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基等が好適なものとして挙げられる。置換基を有していてもよい2価の炭化水素基炭化水素基が置換基を有するとは、該炭化水素基における水素原子の一部または全部が置換基水素原子以外の基または原子で置換されていることを意味する。該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。前記R2における2価の炭化水素基としての脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。該脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1~10であることが好ましく、1~6がより好ましく、1~4がさらに好ましく、1~3が最も好ましい。直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[-CH2-]、エチレン基[-CH22-]、トリメチレン基[-CH23-]、テトラメチレン基[-CH24-]、ペンタメチレン基[-CH25-]等が挙げられる。分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、-CHCH3-、-CHCH2CH3-、-CCH32-、-CCH3CH2CH3-、-CCH3CH2CH2CH3-、-CCH2CH32-等のアルキルメチレン基;-CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CHCH2CH3CH2-、-CCH2CH32-CH2-等のアルキルエチレン基;-CHCH3CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2-等のアルキルトリメチレン基;-CHCH3CH2CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2CH2-等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましい。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、酸素原子=O等が挙げられる。前記構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。前記脂環式炭化水素基は、炭素数が3~20であることが好ましく、3~12であることがより好ましい。前記脂環式炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。前記脂環式炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、酸素原子=O等が挙げられる。前記R2における2価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基は、炭素数が3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~10が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香族炭化水素基が有する芳香環として具体的には、ベンゼン、ビフェニル、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;該芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。該芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。該芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環から水素原子を2つ除いた基アリーレン基;前記芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いた基アリール基の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに1つ除いた基等が挙げられる。前記アルキレン基アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。前記芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香族炭化水素環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O等が挙げられる。前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。ヘテロ原子を含む2価の連結基前記R2のヘテロ原子を含む2価の連結基におけるヘテロ原子とは、炭素原子および水素原子以外の原子であり、たとえば酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子等が挙げられる。ヘテロ原子を含む2価の連結基としては、-O-、-C=O-O-、-C=O-、-O-C=O-O-、-C=O-NH-、-NH-Hはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-、-NH-C=O-、=N-、一般式-Y21-O-Y22-、-[Y21-C=O-O]m’-Y22-、-C=O-O-Y22-または-Y21-O-C=O-Y22-で表される基[式中、Y21およびY22はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい2価の炭化水素基であり、Oは酸素原子であり、m’は0~3の整数である。]等が挙げられる。R2が-NH-の場合、そのHはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。該置換基アルキル基、アシル基等は、炭素数が1~10であることが好ましく、1~8であることがさらに好ましく、1~5であることが特に好ましい。前記Y21及びY22は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。該2価の炭化水素基としては、前記でR2における置換基を有していてもよい2価の炭化水素基として挙げたものと同様のものが挙げられる。Y21としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数1~5の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。Y22としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数1~3の直鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。式-[Y21-C=O-O]m’-Y22-で表される基において、m’は0~3の整数であり、0~2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、1が特に好ましい。つまり、式-[Y21-C=O-O]m’-Y22-で表される基としては、式-Y21-C=O-O-Y22-で表される基が特に好ましい。なかでも、式-CH2a’-C=O-O-CH2b’-で表される基が好ましい。該式中、a’は、1~10の整数であり、1~8の整数が好ましく、1~5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。b’は、1~10の整数であり、1~8の整数が好ましく、1~5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。ヘテロ原子を含む2価の連結基としては、ヘテロ原子として酸素原子を有する直鎖状の基、例えばエーテル結合またはエステル結合を含む基、が好ましく、前記式-Y21-O-Y22-、-[Y21-C=O-O]m’-Y22-、-C=O-O-Y22-または-Y21-O-C=O-Y22-で表される基がより好ましい。上記のなかでも、R2としては、単結合、またはヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましく、単結合、前記式-Y21-O-Y22-で表される基、前記式-[Y21-C=O-O]m’-Y22-で表される基、前記式-C=O-O-Y22-で表される基または前記式-Y21-O-C=O-Y22-で表される基がより好ましく、単結合、前記式-C=O-O-Y22-で表される基が特に好ましい。前記式a5-0中、Yは、芳香族炭化水素基、又は多環式基を有する脂肪族炭化水素基該芳香族炭化水素基又は該脂肪族炭化水素基は、その炭素原子又は水素原子が置換基で置換されていてもよいである。前記Yにおける芳香族炭化水素基は、前記R2についての説明の中で例示した芳香環芳香族炭化水素環から水素原子1つを除いた基;該芳香環の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基等が挙げられる。前記アルキレン基アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。なかでも、Yにおける芳香族炭化水素基としては、芳香環芳香族炭化水素環から水素原子1つを除いた基が好ましく、フェニル基、ナフチル基が特に好ましい。前記Yにおける芳香族炭化水素基は、その炭素原子又は水素原子が置換基で置換されていてもよい。この置換基は、原子又は原子団を包含する。該芳香族炭化水素基の炭素原子が置換基で置換されたものとしては、芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。該芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。該芳香族炭化水素基の水素原子が置換基で置換される場合、この置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O;-NH2、-SO2-NH2等のアミノ基含有基などが挙げられる。この置換基としてのアルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることがより好ましく、メチル基が特に好ましい。この置換基としてのアルコキシ基は、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。この置換基としてのハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子、臭素原子が好ましい。この置換基としてのハロゲン化アルキル基は、前記この置換基としてのアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。前記Yにおける多環式基を有する脂肪族炭化水素基は、前記R2についての説明の中で例示した構造中に環を含む脂肪族炭化水素基のうち多環式基を有する1価の基が挙げられる。具体的には、前記R2についての説明の中で例示された、脂環式炭化水素基脂肪族炭化水素環から水素原子1つを除いた基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などの1価の基が挙げられる。なかでも、Yにおける多環式基を有する脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基脂肪族炭化水素環から水素原子1つを除いた基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基が好ましい。かかる場合の脂環式炭化水素基は、ポリシクロアルカンから水素原子1つを除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数が3~20のものが好ましく、炭素数7~12のものがより好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。前記Yにおける、多環式基を有する脂肪族炭化水素基は、その炭素原子又は水素原子が置換基で置換されていてもよい。この置換基は、原子又は原子団を包含する。該脂肪族炭化水素基の炭素原子が置換基で置換されたものとしては、多環式基を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された複素環等が挙げられる。該複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。該脂肪族炭化水素基の水素原子が置換基で置換される場合、この置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、酸素原子=O等が挙げられる。構成単位a5としては、特に感度、解像性、リソグラフィー特性がより良好となることから、下記一般式a5-1またはa5-2で表される構成単位が好ましい。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。R1は硫黄原子又は酸素原子である。Yaは芳香族炭化水素基該芳香族炭化水素基は、その炭素原子又は水素原子が置換基で置換されていてもよいである。Ybは多環式基を有する脂肪族炭化水素基該脂肪族炭化水素基は、その炭素原子又は水素原子が置換基で置換されていてもよいである。d1及びd2はそれぞれ0又は1である。e1及びe2はそれぞれ1~5の整数である。]前記式a5-1及びa5-2中、Rは、前記式a5-0中のRと同様である。R1は、硫黄原子又は酸素原子であり、酸素原子が好ましい。前記式a5-1中、Yaは、前記式a5-0中のYにおける芳香族炭化水素基と同様である。Yaとしては、芳香環芳香族炭化水素環から水素原子1つを除いた基が好ましく、フェニル基、ナフチル基が特に好ましい。Yaにおける芳香族炭化水素基は、その水素原子が置換基で置換されていることが好ましく、その水素原子がハロゲン原子で置換されていることがより好ましい。このハロゲン原子は、フッ素原子、臭素原子であることが好ましい。前記式a5-2中、Ybは、前記式a5-0中のYにおける多環式基を有する脂肪族炭化水素基と同様である。Ybとしては、脂環式炭化水素基脂肪族炭化水素環から水素原子1つを除いた基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基が好ましい。以下に、上記一般式a5-1、a5-2でそれぞれ表される構成単位の具体例を示す。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。構成単位a5としては、一般式a5-1で表される構成単位、及び一般式a5-2で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも一種が好ましい。なかでも、前記の式a5-1-1~a5-1-5でそれぞれ表される構成単位、及び式a5-2-1~a5-2-4でそれぞれ表される構成単位からなる群から選択される少なくとも一種がより好ましい。A1-1成分は、構成単位a5を1種のみ有していてもよく、2種以上組み合わせて有していてもよい。A1-1成分中、構成単位a5の割合は、該A1-1成分を構成する全構成単位に対して5~95モルであることが好ましく、5~80モルがより好ましく、10~70モルがさらに好ましく、10~65モルが特に好ましい。構成単位a5の割合が下限値以上であることにより、感度、解像性、リソグラフィー特性の向上効果がより得られやすくなる。一方、上限値以下であることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。構成単位a1について本発明において、構成単位a1は、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位である。構成単位a1における酸分解性基は、酸の作用により、当該基の構造中の少なくとも一部の結合が開裂し得る酸分解性を有する基である。酸の作用により極性が増大する酸分解性基としては、たとえば、酸の作用により分解して極性基を生じる基が挙げられる。極性基としては、たとえばカルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルホ基-SO3H等が挙げられる。これらのなかでも、構造中に-OHを含有する極性基以下OH含有極性基ということがある。が好ましく、カルボキシ基または水酸基が好ましく、カルボキシ基が特に好ましい。酸分解性基としてより具体的には、前記極性基を酸解離性基で保護した基たとえばOH含有極性基の水素原子を酸解離性基で保護した基などが挙げられる。酸解離性基は、酸の作用により、少なくとも、該酸解離性基と該酸解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る酸解離性を有する基である。酸分解性基を構成する酸解離性基は、該酸解離性基の解離により生成する極性基よりも極性の低い基であることが必要で、これにより、酸の作用により該酸解離性基が解離した際に、該酸解離性基よりも極性の高い極性基が生じて極性が増大する。その結果、A1-1成分全体の極性が増大する。極性が増大することにより、相対的に、現像液に対する溶解性が変化し、現像液がアルカリ現像液の場合には溶解性が増大し、他方、現像液が有機溶剤を含む現像液有機系現像液の場合には溶解性が減少する。酸解離性基としては、特に限定されず、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性基として提案されているものを使用することができる。一般的には、メタアクリル酸等におけるカルボキシ基と環状又は鎖状の第3級アルキルエステルを形成する基;アルコキシアルキル基等のアセタール型酸解離性基などが広く知られている。ここで、第3級アルキルエステルとは、カルボキシ基の水素原子が、鎖状又は環状のアルキル基で置換されることによりエステルを形成しており、そのカルボニルオキシ基-C=O-O-の末端の酸素原子に、前記鎖状又は環状のアルキル基の第3級炭素原子が結合している構造を示す。この第3級アルキルエステルにおいては、酸が作用すると、酸素原子と第3級炭素原子との間で結合が切断され、カルボキシ基が形成される。前記鎖状又は環状のアルキル基は、置換基を有していてもよい。以下、カルボキシ基と第3級アルキルエステルを構成することにより、酸解離性となっている基を、便宜上、第3級アルキルエステル型酸解離性基という。第3級アルキルエステル型酸解離性基としては、脂肪族分岐鎖状酸解離性基、脂肪族環式基を含有する酸解離性基が挙げられる。ここで、脂肪族分岐鎖状とは、芳香族性を持たない分岐鎖状の構造を有することを示す。脂肪族分岐鎖状酸解離性基の構造は、炭素および水素からなる基炭化水素基であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、炭化水素基は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。脂肪族分岐鎖状酸解離性基としては、たとえば、-CR71R72R73で表される基が挙げられる。式中、R71~R73は、それぞれ独立に、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基である。-CR71R72R73で表される基は、炭素数が4~8であることが好ましく、具体的にはtert-ブチル基、2-メチル-2-ブチル基、2-メチル-2-ペンチル基、3-メチル-3-ペンチル基などが挙げられる。特にtert-ブチル基が好ましい。脂肪族環式基は、芳香族性を持たない単環式基又は多環式基であることを示す。脂肪族環式基を含有する酸解離性基における脂肪族環式基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルコキシ基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、酸素原子=O等が挙げられる。該脂肪族環式基の置換基を除いた基本の環の構造は、炭素および水素からなる基炭化水素基であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、該炭化水素基は、飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。脂肪族環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。脂肪族環式基としては、例えば、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などの脂環式炭化水素基が挙げられる。また、これらの脂環式炭化水素基の環を構成する炭素原子の一部がエーテル基に対して、0.5~100質量部であることが好ましく、0.5~20質量部であることがより好ましい。溶媒は、1種を単独で用いても良く、2種以上を併用してもよい。上記反応における化合物i-2の使用量は、通常、化合物i-11モルに対して0.5~5モル程度が好ましく、0.8~4モル程度がより好ましい。上記反応における反応時間は、化合物i-1と化合物i-2との反応性や、反応温度等によっても異なるが、通常、1~80時間が好ましく、3~60時間がより好ましい。上記反応における反応温度は、20°C~200°Cが好ましく、20°C~150°C程度がより好ましい。次いで、得られた化合物i-3と、化合物i-4とを反応させ、化合物d1-3を得る。式i-4中、Mは前記同様であり、Z-は対アニオンである。化合物i-3と化合物i-4とを反応させ、化合物d1-3を得る方法としては、特に限定されないが、たとえば、適当なアルカリ金属水酸化物の存在下で、化合物i-3を適当な有機溶媒及び水に溶解し、化合物i-4を添加して攪拌により反応させることにより実施できる。上記反応におけるアルカリ金属水酸化物は、特に限定されるものではなく、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられ、その使用量は化合物i-31モルに対して0.3~3モル程度が好ましい。上記反応における有機溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホルム、酢酸エチル等の溶媒が挙げられ、その使用量は、化合物i-3に対して、0.5~100質量部であることが好ましく、0.5~20質量部であることがより好ましい。溶媒は、1種を単独で用いても良く、2種以上を併用してもよい。上記反応における化合物i-4の使用量は、通常、化合物i-31モルに対して0.5~5モル程度が好ましく、0.8~4モル程度がより好ましい。上記反応における反応時間は、化合物i-3と化合物i-4との反応性や、反応温度等によっても異なるが、通常、1~80時間が好ましく、3~60時間がより好ましい。上記反応における反応温度は、20°C~200°Cが好ましく、20°C~150°C程度がより好ましい。反応終了後、反応液中の化合物d1-3を単離、精製してもよい。単離、精製には、従来公知の方法が利用でき、たとえば濃縮、溶媒抽出、蒸留、結晶化、再結晶、クロマトグラフィー等をいずれか単独で、またはこれらの2種以上を組み合わせて用いることができる。上記のようにして得られる化合物d1-3の構造は、1H-核磁気共鳴NMRスペクトル法、13C-NMRスペクトル法、19F-NMRスペクトル法、赤外線吸収IRスペクトル法、質量分析MS法、元素分析法、X線結晶回折法等の一般的な有機分析法により確認できる。D2成分についてD2成分としては、前記A成分又はB成分に対して相対的に塩基性となる化合物であり、酸拡散制御剤、すなわち露光により前記B成分から発生する酸をトラップするクエンチャーとして作用するものであり、且つ、D1成分に該当しないものであれば特に限定されず、公知のものから任意に用いればよい。たとえば脂肪族アミン、芳香族アミン等のアミンが挙げられ、なかでも脂肪族アミン、特に第2級脂肪族アミンや第3級脂肪族アミンが好ましい。脂肪族アミンとは、1つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、該脂肪族基は炭素数が1~12であることが好ましい。脂肪族アミンとしては、たとえば、アンモニアNH3の水素原子の少なくとも1つを、炭素数20以下のアルキル基又はヒドロキシアルキル基で置換したアミンアルキルアミンまたはアルキルアルコールアミン、環式アミン、その他の脂肪族アミン等が挙げられる。前記アルキルアミンが有するアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。該アルキル基が直鎖状または分岐鎖状である場合、その炭素数は2~20であることがより好ましく、2~8であることがさらに好ましい。該アルキル基が環状である場合シクロアルキル基である場合、その炭素数は、3~30であることが好ましく、3~20がより好ましく、3~15がさらに好ましく、炭素数4~12であることが特に好ましく、炭素数5~10が最も好ましい。該アルキル基は単環式であってもよく、多環式であってもよい。具体的には、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等を例示できる。前記モノシクロアルカンとして、具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。また、前記ポリシクロアルカンとして、具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。前記アルキルアルコールアミンが有するヒドロキシアルキル基におけるアルキル基としては、前記アルキルアミンが有するアルキル基として挙げたものと同様のものが挙げられる。前記アルキルアミンの具体例としては、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デカニルアミン、トリ-n-ドデシルアミン等のトリアルキルアミンが挙げられる。前記アルキルアルコールアミンの具体例としては、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ-n-オクタノールアミン、トリ-n-オクタノールアミン、ステアリルジエタノールアミン、ラウリルジエタノールアミン等が挙げられる。これらの中でも、炭素数5~10のトリアルキルアミンがさらに好ましく、トリ-n-ペンチルアミン又はトリ-n-オクチルアミンが特に好ましい。環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの脂肪族単環式アミンであっても多環式のもの脂肪族多環式アミンであってもよい。脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が6~10のものが好ましく、具体的には、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。その他の脂肪族アミンとしては、トリス2-メトキシメトキシエチルアミン、トリス{2-2-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-2-メトキシエトキシメトキシエチル}アミン、トリス{2-1-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシプロポキシエチル}アミン、トリス[2-{2-2-ヒドロキシエトキシエトキシ}エチル]アミン、トリエタノールアミントリアセテート等が挙げられる。芳香族アミンとしては、アニリン、ピリジン、4-ジメチルアミノピリジン、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾールまたはこれらの誘導体、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、2,6-ジイソプロピルアニリン、N-tert-ブトキシカルボニルピロリジン等が挙げられる。D2成分はいずれか1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。D2成分は、A成分100質量部に対して、通常0.01~5質量部の範囲で用いられる。上記範囲とすることにより、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等が向上する。D成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。本態様のレジスト組成物がD成分を含有する場合、D成分の含有量D1成分とD2成分との総量は、A成分100質量部に対して、0.1~15質量部であることが好ましく、0.3~12質量部であることがより好ましく、0.5~12質量部であることがさらに好ましい。上記範囲の下限値以上であると、ラフネス等のリソグラフィー特性がより向上する。また、より良好なレジストパターン形状が得られる。前記範囲の上限値以下であると、感度を良好に維持でき、スループットにも優れる。[E成分]本発明のレジスト組成物には、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、任意の成分として、有機カルボン酸、ならびにリンのオキソ酸およびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種の化合物E以下E成分という。を含有させることができる。有機カルボン酸としては、例えば、酢酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。リンのオキソ酸としては、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等が挙げられ、これらの中でもホスホン酸が特に好ましい。リンのオキソ酸の誘導体としては、たとえば、上記オキソ酸の水素原子を炭化水素基で置換したエステル等が挙げられ、前記炭化水素基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数6~15のアリール基等が挙げられる。リン酸の誘導体としては、リン酸ジ-n-ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸エステルなどが挙げられる。ホスホン酸の誘導体としては、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸-ジ-n-ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸エステルなどが挙げられる。ホスフィン酸の誘導体としては、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸エステルなどが挙げられる。E成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。本態様のレジスト組成物がE成分を含有する場合、E成分は、通常、A成分100質量部に対して、0.01~5質量部の範囲で用いられる。本発明のレジスト組成物には、さらに所望により、混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。[S成分]本発明のレジスト組成物は、レジスト材料を有機溶剤以下S成分ということがあるに溶解させて製造することができる。S成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができる。例えば、γ-ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンCH、メチル-n-ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2-ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体[これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEが好ましい];ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチルEL、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などを挙げることができる。これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。中でも、γ-ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、シクロヘキサノンCH、乳酸エチルELが好ましい。また、PGMEAと極性溶剤とを混合した混合溶媒も好ましい。その配合比質量比は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2の範囲内とすることが好ましい。たとえば極性溶剤としてELを配合する場合は、PGMEA:ELの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2である。また、極性溶剤としてPGMEを配合する場合は、PGMEA:PGMEの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2、さらに好ましくは3:7~7:3である。また、極性溶剤としてPGMEおよびシクロヘキサノンを配合する場合は、PGMEA:PGMEシクロヘキサノンの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2、さらに好ましくは3:7~7:3である。また、S成分として、その他には、PGMEA、EL、または前記PGMEAと極性溶剤との混合溶媒と、γ-ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは70:30~95:5とされる。S成分の使用量は特に限定しないが、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものであるが、一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が1~20質量、好ましくは2~15質量の範囲内となる様に用いられる。本発明のレジスト組成物は、感度、解像性、リソグラフィー特性及びエッチング耐性がいずれも優れる。このような効果が得られる理由は明らかではないが次のように推測される。本発明のレジスト組成物においては、一般式a5-0で表される構成単位a5を有する高分子化合物A1が用いられる。該構成単位a5には、イミノ基-NH-、及びその両隣の一方にカルボニル基-C=O-と、他方にカルボニル基又はチオケトン-C=S-とが存在する。かかる構造を有していることで、イミノ基における窒素原子上の酸性プロトンがプロトンソースとして機能して特に高感度化が図られる。加えて、イミノ基における窒素原子の存在によって、露光によりB成分から発生する酸の拡散が抑制されて、特に解像性、リソグラフィー特性が向上する。また、該イミノ基は高分子化合物中に存在することから、該窒素原子がレジスト膜内で均一に分布し、前記の酸の拡散抑制の効果がレジスト膜内全体で一様に得られやすい。さらに、該構成単位a5中のYに芳香環又は多環式基が存在していることで、特にレジストパターンのエッチング耐性の向上に寄与する。加えて、芳香環又は多環式基を導入することでレジスト膜の耐熱性が改善することにより、パターンラフネス等のリソグラフィー特性も向上する。以上の作用効果によって本発明の効果が得られると考えられる。≪レジストパターン形成方法≫本発明のレジストパターン形成方法は、支持体上に、前述した本発明のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含む。本発明のレジストパターン形成方法は、例えば以下のようにして行うことができる。すなわち、まず支持体上に前述した本発明のレジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、ベークポストアプライベークPAB処理を、たとえば80~150°Cの温度条件にて40~120秒間、好ましくは60~90秒間施してレジスト膜を形成する。次に、該レジスト膜に対し、例えばArF露光装置、電子線描画装置、EUV露光装置等の露光装置を用いて、所定のパターンが形成されたマスクマスクパターンを介した露光、またはマスクパターンを介さない電子線の直接照射による描画等による選択的露光を行った後、ベークポストエクスポージャーベークPEB処理を、たとえば80~150°Cの温度条件にて40~120秒間、好ましくは60~90秒間施す。次に、前記レジスト膜を現像処理する。現像処理は、アルカリ現像プロセスの場合はアルカリ現像液を用い、溶剤現像プロセスの場合は有機溶剤を含有する現像液有機系現像液用いて行う。現像処理後、好ましくはリンス処理を行う。リンス処理は、アルカリ現像プロセスの場合は、純水を用いた水リンスが好ましく、溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。溶剤現像プロセスの場合、前記現像処理またはリンス処理の後に、パターン上に付着している現像液またはリンス液を超臨界流体により除去する処理を行ってもよい。現像処理後またはリンス処理後、乾燥を行う。また、場合によっては、上記現像処理後にベーク処理ポストベークを行ってもよい。このようにして、レジストパターンを得ることができる。支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。また、支持体としては、上述のような基板上に、無機系および/または有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜無機BARCが挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜有機BARCや多層レジスト法における下層有機膜等の有機膜が挙げられる。ここで、多層レジスト法とは、基板上に、少なくとも一層の有機膜下層有機膜と、少なくとも一層のレジスト膜上層レジスト膜とを設け、上層レジスト膜に形成したレジストパターンをマスクとして下層有機膜のパターニングを行う方法であり、高アスペクト比のパターンを形成できるとされている。すなわち、多層レジスト法によれば、下層有機膜により所要の厚みを確保できるため、レジスト膜を薄膜化でき、高アスペクト比の微細パターン形成が可能となる。多層レジスト法には、基本的に、上層レジスト膜と、下層有機膜との二層構造とする方法2層レジスト法と、上層レジスト膜と下層有機膜との間に一層以上の中間層金属薄膜等を設けた三層以上の多層構造とする方法3層レジスト法とに分けられる。露光に用いる波長は、特に限定されず、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV極紫外線、VUV真空紫外線、EB電子線、X線、軟X線等の放射線を用いて行うことができる。前記レジスト組成物は、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EBまたはEUV用としての有用性が高い。レジスト膜の露光方法は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光ドライ露光であってもよく、液浸露光LiquidImmersionLithographyであってもよい。液浸露光は、予めレジスト膜と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒液浸媒体で満たし、その状態で露光浸漬露光を行う露光方法である。液浸媒体としては、空気の屈折率よりも大きく、かつ露光されるレジスト膜の有する屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒が好ましい。かかる溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。空気の屈折率よりも大きく、かつ前記レジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、フッ素系不活性液体、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。フッ素系不活性液体の具体例としては、C3HCl2F5、C4F9OCH3、C4F9OC2H5、C5H3F7等のフッ素系化合物を主成分とする液体等が挙げられ、沸点が70~180°Cのものが好ましく、80~160°Cのものがより好ましい。フッ素系不活性液体が上記範囲の沸点を有するものであると、露光終了後に、液浸に用いた媒体の除去を、簡便な方法で行えることから好ましい。フッ素系不活性液体としては、特に、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されたパーフロオロアルキル化合物が好ましい。パーフロオロアルキル化合物としては、具体的には、パーフルオロアルキルエーテル化合物やパーフルオロアルキルアミン化合物を挙げることができる。さらに、具体的には、前記パーフルオロアルキルエーテル化合物としては、パーフルオロ2-ブチル-テトラヒドロフラン沸点102°Cを挙げることができ、前記パーフルオロアルキルアミン化合物としては、パーフルオロトリブチルアミン沸点174°Cを挙げることができる。液浸媒体としては、コスト、安全性、環境問題、汎用性等の観点から、水が好ましく用いられる。アルカリ現像プロセスで現像処理に用いるアルカリ現像液としては、例えば0.1~10質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液が挙げられる。溶剤現像プロセスで現像処理に用いる有機系現像液が含有する有機溶剤としては、A成分露光前のA成分を溶解し得るものであればよく、公知の有機溶剤のなかから適宜選択できる。具体的には、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤及び炭化水素系溶剤を用いることができる。有機系現像液には、必要に応じて公知の添加剤を配合できる。該添加剤としてはたとえば界面活性剤が挙げられる。界面活性剤としては、特に限定されないが、たとえばイオン性や非イオン性のフッ素系及び/又はシリコーン系界面活性剤等を用いることができる。界面活性剤を配合する場合、その配合量は、有機系現像液の全量に対して、通常0.001~5質量であり、0.005~2質量が好ましく、0.01~0.5質量がより好ましい。現像処理は、公知の現像方法におり実施でき、該方法としてはたとえば現像液中に支持体を一定時間浸漬する方法ディップ法、支持体表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止する方法パドル法、支持体表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している支持体上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。溶剤現像プロセスで現像処理後のリンス処理に用いるリンス液が含有する有機溶剤としては、たとえば前記有機系現像液が含有する有機溶剤として挙げた有機溶剤のうち、レジストパターンを溶解しにくいものを適宜選択して使用できる。通常、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤およびエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の溶剤を使用する。これらのなかでも、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤及びアミド系溶剤から選択される少なくとも1種類が好ましく、アルコール系溶剤およびエステル系溶剤から選択される少なくとも1種類がより好ましく、アルコール系溶剤が特に好ましい。リンス液を用いたリンス処理洗浄処理は、公知のリンス方法により実施できる。該方法としては、たとえば一定速度で回転している支持体上にリンス液を塗出し続ける方法回転塗布法、リンス液中に支持体を一定時間浸漬する方法ディップ法、支持体表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法等が挙げられる。≪化合物≫本発明の化合物は、下記一般式1で表されるもの以下これを化合物1というである。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。R1は硫黄原子又は酸素原子である。R2は単結合又は2価の連結基である。Yは芳香族炭化水素基、又は多環式基を有する脂肪族炭化水素基該芳香族炭化水素基又は該脂肪族炭化水素基は、その炭素原子又は水素原子が置換基で置換されていてもよいである。]前記式1中、R、R1、R2、Yは、それぞれ、前記式5-0中のR、R1、R2、Yと同じである。化合物1は、前記A1成分の製造に用いられるモノマーとして有用である。化合物1の製造方法本発明の化合物1の製造方法は、特に制限されず、たとえば、下記式1-1で表される化合物1-1と、下記式1-2で表される化合物1-2とを反応させることにより、化合物1を製造することができる。[式中、R、R1、R2、Yは、それぞれ、前記式5-0中のR、R1、R2、Yと同じである。Xhはハロゲン原子である。]前記式1-2中、Xhはハロゲン原子であり、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、塩素原子であることが好ましい。化合物1-1と化合物1-2とを反応させる方法としては、たとえば、化合物1-1を適当な有機溶媒に溶解し、それを、適当な塩基の存在下で攪拌する。その後、そこに化合物1-2を添加して攪拌した後、反応混合物を洗浄、回収することにより実施できる。化合物1-1、化合物1-2は、それぞれ、市販のものを用いてもよく、合成したものを用いてもよい。上記反応において、有機溶媒としては、テトラヒドロフラン、tert-ブチルメチルエーテル、ジクロロメタン、アセトニトリル、クロロホルム、塩化メチレン等が好ましく、該有機溶媒の使用量は、化合物1-1に対して0.5~100質量部であることが好ましく、0.5~20質量部であることがより好ましい。溶媒は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。塩基としては、水素化ナトリウム、K2CO3、Cs2CO3、リチウムジイソプロピルアミドLiDA、トリエチルアミン、4-ジメチルアミノピリジン等が挙げられ、これらは、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。塩基の使用量は、触媒量であってもよく、通常、化合物1-11モルに対して0.01~10モル程度である。上記反応の反応時間は、化合物1-1と化合物1-2との反応性や、反応温度等によっても異なるが、通常、0.1~100時間が好ましく、0.5~50時間がより好ましい。上記反応の反応温度は、0~50°Cが好ましく、0~30°C程度がより好ましい。上記反応における化合物1-2の使用量は、通常、化合物1-11モルに対して0.5~10モル程度が好ましく、0.5~5モル程度がより好ましい。反応終了後、反応液中の化合物1を単離、精製してもよい。単離、精製には、従来公知の方法が利用でき、たとえば濃縮、溶媒抽出、蒸留、結晶化、再結晶、クロマトグラフィー等をいずれか単独で、又はこれらの2種以上を組み合わせて用いることができる。上記のようにして得られる化合物1の構造は、1H-核磁気共鳴NMRスペクトル法、13C-NMRスペクトル法、19F-NMRスペクトル法、赤外線吸収IRスペクトル法、質量分析MS法、元素分析法、X線結晶回折法等の一般的な有機分析法により確認できる。≪高分子化合物≫本発明の高分子化合物は、下記一般式a5-0で表される構成単位a5を有するものである。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。R1は硫黄原子又は酸素原子である。R2は単結合又は2価の連結基である。Yは芳香族炭化水素基、又は多環式基を有する脂肪族炭化水素基該芳香族炭化水素基又は該脂肪族炭化水素基は、その炭素原子又は水素原子が置換基で置換されていてもよいである。]本発明の高分子化合物においては、前記構成単位a5の割合が、該高分子化合物を構成する全構成単位に対して5~70モルであることが好ましい。また、本発明の高分子化合物においては、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位a1を有することが好ましい。本発明の高分子化合物についての詳細は、前述した本発明のレジスト組成物におけるA1成分についての説明と同じである。本発明の高分子化合物は、レジスト組成物用のベース樹脂として好適なものである。以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。本実施例では、化学式1で表される化合物を化合物1と記載し、他の化学式で表される化合物についても同様に記載する。<モノマー合成例:実施例1~5>実施例190.0gのメタクリルアミドを、1350gのテトラヒドロフランTHFに溶解し、そこに、5°Cにて944mLのリチウムジイソプロピルアミドLiDA1.12mol/L溶液を滴下して10分間攪拌した。次いで、そこに、900gのTHFに溶解させた231.1gの1-アダマンタンカルボニルクロリドを加え、5°Cにて18時間攪拌した。反応終了後、THFとt-ブチルメチルエーテルTBMEを加え、1質量塩酸水溶液と純水で洗浄してから減圧濃縮した。得られた溶液にn-ヘキサンを加えて、5°Cにて晶析してからろ過し、得られた固体を減圧乾燥して1-アダマンタンカルボン酸メタクリルアミド化合物51194.4gを得た。得られた化合物51について、プロトン核磁気共鳴スペクトル1H-NMRを測定した結果を下記に示す。1H-NMRDMSO-d6、内部標準:テトラメチルシラン:δ=9.85ppmbrs、1H、5.57ppms、1H、5.51ppms、1H、1.98ppmm、3H、1.86ppmm、9H、1.61ppmm、6H実施例2実施例1と同様の操作を行い、化合物52を得た。得られた化合物52について、プロトン核磁気共鳴スペクトル1H-NMRを測定した結果を下記に示す。1H-NMRDMSO-d6、内部標準:テトラメチルシラン:δ=9.08ppmbrs、1H、6.21ppms、1H、5.62ppms、1H、4.95ppms、2H、2.10ppmm、3H、1.95ppms、3H、1.71ppmm、6H、1.56ppmm、6H実施例3実施例1と同様の操作を行い、化合物53を得た。得られた化合物53について、プロトン核磁気共鳴スペクトル1H-NMRを測定した結果を下記に示す。1H-NMRDMSO-d6、内部標準:テトラメチルシラン:δ=9.76ppmbrs、1H、5.58ppms、1H、5.46ppms、1H、2.53ppms、2H、1.92ppmm、6H、1.57ppmm、6H、1.50ppmm、6H実施例4実施例1と同様の操作を行い、化合物54を得た。得られた化合物54について、プロトン核磁気共鳴スペクトル1H-NMRを測定した結果を下記に示す。1H-NMRDMSO-d6、内部標準:テトラメチルシラン:δ=10.08ppmbrs、1H、5.85ppms、1H、5.37ppms、1H、2.48-1.70ppmm、7H、1.13ppms、3H、1.06ppms、3H、0.97ppms、3H実施例5実施例1と同様の操作を行い、化合物55を得た。得られた化合物55について、プロトン核磁気共鳴スペクトル1H-NMRを測定した結果を下記に示す。1H-NMRDMSO-d6、内部標準:テトラメチルシラン:δ=10.10ppmbrs、1H、8.50-7.47ppmm、7H、5.58ppms、1H、5.51ppms、1H、1.93ppms、3H実施例6実施例1と同様の操作を行い、化合物56を得た。得られた化合物56について、プロトン核磁気共鳴スペクトル1H-NMRを測定した結果を下記に示す。1H-NMRDMSO-d6、内部標準:テトラメチルシラン:δ=10.01ppmbrs、1H、7.98-7.45ppms、5H、5.60ppms、1H、5.55ppms、1H、1.85ppms、3H実施例7実施例1と同様の操作を行い、化合物57を得た。得られた化合物57について、プロトン核磁気共鳴スペクトル1H-NMRを測定した結果を下記に示す。1H-NMRDMSO-d6、内部標準:テトラメチルシラン:δ=10.12ppmbrs、1H、5.63ppms、1H、5.56ppms、1H、2.26ppms、6H、2.19ppms、3H、2.04ppms、6H、1.87ppms、3H実施例8実施例1と同様の操作を行い、化合物58を得た。得られた化合物58について、プロトン核磁気共鳴スペクトル1H-NMRを測定した結果を下記に示す。1H-NMRDMSO-d6、内部標準:テトラメチルシラン:δ=11.01ppmbrs、1H、5.82ppms、1H、5.66ppms、1H実施例9実施例1と同様の操作を行い、化合物59を得た。得られた化合物59について、プロトン核磁気共鳴スペクトル1H-NMRを測定した結果を下記に示す。1H-NMRDMSO-d6、内部標準:テトラメチルシラン:δ=11.84ppmbrs、1H、6.04ppms、1H、5.85ppms、1H以下に、得られた化合物52~化合物59の構造を示す。<ポリマー合成例:実施例10~26、比較例1、2>実施例10温度計、還流管及び窒素導入管を繋いだセパラブルフラスコ内で、25.4g96.82mmolの化合物11を、18.79gのメチルエチルケトンMEKと18.79gのシクロヘキサノンCHとの混合溶剤に溶解させて80°Cに加熱した。この溶液に、10.00g58.77mmolの化合物21と、6.35g24.20mmolの化合物11と、10.48g42.38mmolの化合物51と、重合開始剤としてアゾビスイソ酪酸ジメチルV-60124.44mmolとを、44.88gのMEKと44.88gのCHとの混合溶剤に溶解させた溶液を、窒素雰囲気下、4時間かけて滴下した。滴下終了後、反応液を1時間加熱攪拌し、その後、反応液を室温まで冷却した。得られた反応重合液を大量のn-ヘプタンに滴下し、重合体を析出させる操作を行い、沈殿した白色粉体をろ別し、メタノールにて洗浄、乾燥して、目的物である高分子化合物131.2gを得た。この高分子化合物1について、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量Mwは6800、分子量分散度Mw/Mnは1.72であった。また、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求められた共重合組成比構造式中の各構成単位の割合モル比は、l/m/n=41.7/39.9/18.4であった。実施例11~26、比較例1、2高分子化合物2~19は、各高分子化合物を構成する構成単位を誘導する前記化合物51~59及び下記の化合物10~15、21、22、31、32を、所定のモル比で用いた以外は、上記実施例10と同様の方法により合成した。各高分子化合物について、各構成単位を誘導する化合物、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求めた共重合組成比、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量Mw及び分子量分散度Mw/Mnを表1に示す。<レジスト組成物の調製>[実施例27~47、比較例3~5]表2~4に示す各成分を混合して溶解することによりレジスト組成物を調製した。表2~4中、[]内の数値は配合量質量部であり、各略号はそれぞれ以下のものを示す。A-1~A-19:前記の高分子化合物1~高分子化合物19。B-1:下記化学式B-1で表される化合物からなる酸発生剤。D-1:トリ-n-オクチルアミン。D-2:下記化学式D-2で表される化合物。D-3:下記化学式D-3で表される化合物。E-1:サリチル酸。F-1:下記化学式F-1で表される含フッ素共重合体ホモポリマー。Mw20600,Mw/Mn1.67。該化学式F-1中、構成単位の右下の符号はその構成単位の割合モルを示す。S-1:γ-ブチロラクトン。S-2:PGMEA/PGME/CH=2250/1500/1250質量比の混合溶剤。S-3:PGMEA/PGME/CH=1410/940/780質量比の混合溶剤。PGMEAはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、PGMEはプロピレングリコールモノメチルエーテル、CHはシクロヘキサノンを示す。<レジストパターンの形成1>90°Cで36秒間のヘキサメチルジシラザンHMDS処理を施した8インチシリコン基板上に、表2と表4に示すレジスト組成物を、スピンナーを用いて均一にそれぞれ塗布し、ベーク温度100°Cで60秒間のベーク処理PABを行ってレジスト膜膜厚60nmを成膜した。該レジスト膜に対し、電子線描画機HL800DVSBHitachi社製を用い、加速電圧70kVにて描画露光を行い、ベーク温度90°Cで60秒間のベーク処理PEB:露光後加熱を行い、さらに23°CにてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAHの2.38質量水溶液商品名:NMD-3、東京応化工業株製を用いて60秒間のアルカリ現像を行った。その結果、いずれの例においても、ライン幅100nm、ピッチ200nmの1:1ラインアンドスペースパターンLSパターンが形成された。該LSパターンが形成される最適露光量EopμC/cm2;感度を求めた。その結果を表5に示す。[解像性の評価]上記<レジストパターンの形成1>と同様にしてレジストパターンを形成し、前記最適露光量Eopにおける限界解像度nmを、走査型電子顕微鏡S-9380日立ハイテクノロジー社製を用いて求めた。その結果を解像性nmとして表5に示す。[露光余裕度ELマージンの評価]前記最適露光量EopでLSパターンのラインがターゲット寸法ライン幅100nmの±1090nm~110nmの範囲内で形成される際の露光量を求め、次式によりELマージン単位:を求めた。その結果をELマージンとして表5に示す。ELマージン=|E1-E2|/Eop×100E1:ライン幅90nmのLSパターンが形成された際の露光量μC/cm2E2:ライン幅110nmのLSパターンを形成された際の露光量μC/cm2なお、ELマージンは、その値が大きいほど、露光量の変動に伴うパターンサイズの変化量が小さいことを示す。[ラインエッジラフネスLERの評価]上記<レジストパターンの形成1>で形成したライン幅100nm、ピッチ200nmのLSパターンについて、LERを示す尺度である3σを求めた。その結果をLERnmとして表5に示す。3σは、走査型電子顕微鏡加速電圧800V、商品名:S-9380、日立ハイテクノロジーズ社製により、ライン幅を、ラインの長手方向に400箇所測定し、その測定結果から求めた標準偏差σの3倍値3s単位:nmを示す。該3sの値が小さいほど、ライン側壁のラフネスが小さく、より均一幅のLSパターンが得られたことを意味する。[エッチング耐性の評価]上記<レジストパターンの形成1>で形成された、描画露光前のレジスト膜に対して、以下に示す条件で、酸素ガスから得られるプラズマによるドライエッチングO2プラズマエッチングを行い、レジスト膜のエッチング速度を測定し、エッチング前後におけるレジスト膜の膜厚の差から、エッチングレート単位時間当たりにエッチングされた膜の厚さを求めた。そして、下記の評価基準に基づいてエッチング耐性の評価を行った。その結果を表5に示す。O2プラズマエッチング条件装置:高真空RIE装置東京応化工業社製;製品名TCA-2400。ガス:酸素ガス60容積、窒素ガス40容積の混合ガス。ガス流量:30sccmsccmは1atm大気圧1013hPa、23°Cにおける測定値を示す。チャンバ内の温度:60°C。チャンバ内の圧力:300mmTorr。プラズマを発生させるために印加する出力パワーRF:200W。処理時間:60秒。評価基準○:エッチングレートが600nm/分以下。×:エッチングレートが600nm/分超。表5に示す結果から、本発明を適用した実施例のレジスト組成物は、比較例のレジスト組成物に比べて、感度、解像性、リソグラフィー特性及びエッチング耐性のいずれも優れていることが分かる。<レジストパターンの形成2>12インチのシリコンウェーハ上に、有機系反射防止膜組成物ARC29A商品名、ブリュワーサイエンス社製を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で205°C、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚89nmの有機系反射防止膜を形成した。次いで、該有機系反射防止膜上に、各例のレジスト組成物をそれぞれ、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上でベーク温度110°C、60秒間の条件でプレベークPAB処理を行い、乾燥することにより、膜厚90nmのレジスト膜を形成した。次に、該レジスト膜に対し、ArF露光装置NSR-S609Bニコン社製;NA開口数=1.08;Crosspoleにより、マスクを介して、ArFエキシマレーザー193nmを選択的に照射した。そして、ベーク温度90°Cで60秒間の露光後加熱PEB処理を行い、さらに23°Cにて2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液で10秒間アルカリ現像し、純水を用いて15秒間水リンスし、振り切り乾燥を行った。その結果、いずれの例においても、ライン幅49nm、ピッチ98nmの1:1ラインアンドスペースパターンLSパターンが形成された。該LSパターンが形成される最適露光量EopmJ/cm2;感度を求めた。その結果を表6に示す。[解像性の評価]上記<レジストパターンの形成2>と同様にしてレジストパターンを形成し、前記最適露光量Eopにおける限界解像度nmを、走査型電子顕微鏡S-9380日立ハイテクノロジー社製を用いて求めた。その結果を解像性nmとして表6に示す。[露光余裕度ELマージンの評価]前記最適露光量EopでLSパターンのラインがターゲット寸法ライン幅49nmの±546.55nm~5145nmの範囲内で形成される際の露光量を求め、次式によりELマージン単位:を求めた。その結果を表6に示す。ELマージン=|E1-E2|/Eop×100E1:ライン幅46.55nmのLSパターンが形成された際の露光量mJ/cm2E2:ライン幅5145nmのLSパターンを形成された際の露光量mJ/cm2[ラインワイズラフネスLWRの評価]前記最適露光量Eopにおいて形成されたライン幅49nm、ピッチ98nmのLSパターンにおいて、測長SEM走査型電子顕微鏡、加速電圧300V、商品名:S-9380、日立ハイテクノロジーズ社製により、スペース幅を、スペースの長手方向に400箇所測定し、その結果から標準偏差sの3倍値3sを求め、400箇所の3sについて平均化した値を、LWRを示す尺度として算出した。その結果を表6に示す。この3sの値が小さいほど、その線幅のラフネスが小さく、より均一幅のLSパターンが得られたことを意味する。表6に示す結果から、本発明を適用した実施例のレジスト組成物は、比較例のレジスト組成物に比べて、感度、解像性及びリソグラフィー特性のいずれも優れていることが分かる。"