半導体装置の基板の加工時にサポート基板を貼着し、前記半導体装置の基板の加工後に前記サポート基板を剥離する半導体装置の製造方法であって、前記サポート基板としてガラス基板を用い、前記基板と前記サポート基板とをポリイミドを含む樹脂層を介して貼着し、前記サポート基板の剥離時に、前記サポート基板を通して前記樹脂層にレーザ光を照射して、前記樹脂層を分解する半導体装置の製造方法。前記レーザ光として、100~400nmの波長のレーザ光を用いる請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記樹脂層が、Si及びガラスの線膨張係数に近い線膨張係数を有する含フッ素ポリイミドを含む請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。従来、半導体装置の基板とサポート基板とを樹脂からなる接着層を介して貼着し、半導体装置の基板の裏面側の加工後に接着層を熱分解してサポート基板を剥離することがなされている。この方法では、接着層をなす一般的な樹脂の耐熱性が充分でなく、その耐熱温度によってサポート基板貼着後のプロセス温度が制限される。サポート基板を剥離せずにサポート基板全体を機械的に研磨除去する方法がある。この方法では、サポート基板の研磨除去に時間がかかり、均一な研磨が難しいため半導体装置の基板の表面平坦性が悪化する恐れがあり、半導体装置の基板にダメージを与える恐れがある。特許文献1には、半導体装置の基板25とサポート基板21とを接着層24及び酸またはアルカリ溶液に可溶な金属層22を介して貼着し、半導体装置の基板25の裏面側の加工後に酸またはアルカリ溶液により金属層22をエッチング除去して、サポート基板22を剥離する方法が開示されている請求項6、図1A~E。特許文献1に記載の方法では、酸またはアルカリ溶液にて金属層22をエッチングするため、エッチング溶液によって半導体装置の基板がダメージを受ける恐れがある。また、接着層24として一般的な接着剤が用いられており0029、接着層24の耐熱温度も充分ではない。特許文献2には、半導体層11を形成した基板10に加熱により剥離可能な接着層51aを有する高分子フィルム51を貼着し、基板10の加工後に基板10の裏面側からKrFエキシマレーザ光を照射して、基板10と半導体層11との間に熱分解層11aを形成し、その後加熱して接着層51aを剥離する方法が開示されている請求項1、図1a~d。接着剤層51aは例えば、170°C程度で加熱されると発泡してその接着面積が減少し、接着力がなくなるものである0051。特許文献2に記載の方法では、170°C程度の加熱により剥離可能な接着層51aが用いられており、接着層51aの耐熱温度が充分ではない。半導体層11がUV光に反応するということは、太陽光あるいは蛍光灯の光などにもわずかに含まれているUV光にも半導体層11が反応する可能性があるため、取扱いに充分な注意が必要である。特許文献3には、半導体装置の基板1に形成された第1の配線4上にポリイミド膜5を形成し、このポリイミド膜5を不図示のフォトレジスト膜をマスクにエッチングしてパッド2a、2bに接続された第1の配線4上に開口部を形成し、この上に、アセトンに溶ける有機膜からなる接着層7を介してサポート基板8を貼着し、基板1の加工後にアセトン溶液槽内に基板1を浸すことで、サポート基板8を剥離する方法が開示されている請求項3、図1~図8。また、サポート基板8として透明ガラスを用い、接着層7としてUVテープを用い、基板1の加工後にUV照射することも記載されている請求項5、0031。特許文献3に記載の方法では、UV光の照射により剥離するUVテープからなる接着層7が用いられている。特許文献3では、UVテープの具体的な組成については記載がない。通常、UVテープのベースフィルムには、塩化ビニルPVC、ポリエチレンPE等のポリオレフィン、あるいはポリエチレンテレフタレートPET等の樹脂が用いられ、ベースフィルム用の接着剤にはアクリル樹脂等の接着剤が使用されるのが一般的で、耐熱温度は100°C以下である。また、接着層7がUV光に反応するということは、太陽光あるいは蛍光灯の光などにもわずかに含まれているUV光にも接着層7が反応する可能性があるため、取扱いに充分な注意が必要である。なお、特許文献3には、接着層7として加熱により軟化する有機膜接着フィルムを用いてもよく、一例として400°C程度の加熱で溶融するポリイミド膜が挙げられている段落0032-0033。このポリイミド膜からなる接着層7は充分な耐熱性を有する。しかしながら、接着層7が耐熱性を有するがために、サポート基板8の剥離に高い温度を必要とする。特許文献4には、半導体装置の基板21にUV光の照射で接着剤が硬化することにより剥離可能な高剛性UVテープ型シート等の接着層31を介してUV光を透過する石英ガラスウエハ等のサポート基板32を貼着し、基板21の加工後にサポート基板32側からUV光を照射して、サポート基板32を剥離する方法が開示されている請求項2、図2a~d。特許文献4に記載の方法では、UV光の照射により剥離する接着層31が用いられている。接着層31の具体的な組成については記載がない。特許文献4で用いられているUVテープ型シートは上記のように、通常その耐熱温度は100°C以下である。また、接着層31がUV光に反応するということは、太陽光あるいは蛍光灯の光などにもわずかに含まれているUV光にも接着層31が反応する可能性があるため、取扱いに充分な注意が必要である。特許文献5には、以下の半導体装置の製造方法が開示されている請求項1、図1a~f。石英ガラス基板からなるサポート基板1上に、剥離層2とUV硬化型樹脂3とを形成する。剥離層2はUV硬化型樹脂を後の工程で石英ガラス基板1から剥離するため予め設けておくものであり、例えば、光熱変換樹脂などの液状の樹脂を塗布し、常温放置で硬化させたものである。UV硬化型樹脂3上に半導体ウェハ4を載置し、UV照射によりUV硬化型樹脂3を硬化して、半導体ウェハ4を固着させる。半導体ウェハ4の裏面加工後、石英ガラス基板1側から、波長1064nmのYAGレーザを照射して剥離層2を加熱し、石英ガラス基板1を剥離する。特許文献5に記載の方法では、レーザ光の照射により剥離する剥離層2が用いられている。剥離層2の具体的な組成については記載がなく、その耐熱温度向上について特に対策が講じられていない。特許文献6には、所定の回路素子が形成された基板Wとサポート基板11とを接着層12とアナターゼ型のTiO2膜等の光触媒層13とを介して貼着し、基板Wの加工後に、サポート基板11を介して光触媒層13にUV光を照射し、光触媒の励起によってO2-を発生させ、このO2-と接着剤との反応によりガスH2O、CO2などを発生させて、サポート基板11を剥離する方法が開示されている請求項1、図2~図3。特許文献6に記載の方法では、光触媒層13だけでは密着性に問題があるため、別途接着層12を設けている。接着層12の具体的な組成については記載がなく、その耐熱温度向上について特に対策が講じられていない。また、光触媒反応は反応停止制御が難しく、基板Wに形成された保護膜等の有機膜まで分解されないよう制御することが難しい。UV照射によって発生するガスによって基板Wが汚染される恐れもある。特許文献7には、基材フィルム100の一面に紫外線硬化型粘着層110、第1の接着層105、及び第2の接着層120を備えた複合機能テープ10、及びこれを用いた複合機能テープの接着/剥離方法が開示されている請求項1、図1、0044。紫外線硬化型粘着層110の材料としてはアクリル系材料が挙げられている0048。特許文献7に記載の方法では、UV光の照射により剥離す紫外線硬化型粘着層110が用いられている。特許文献7では、基材フィルム100と紫外線硬化型粘着層110として、アクリル系樹脂が用いられている。アクリル樹脂の分解温度は通常330°C程度であり、半導体装置のプロセス温度に対して、充分な耐熱温度を有していない。また、一般的なアクリル系樹脂の線熱膨張係数は60~90ppm°C程度であり、一般的な半導体装置の基板であるSiウエハの線膨張係数3~4ppm°C程度との差が大きく、半導体プロセス時に熱応力を受けやすい。粘着層110がUV光に反応するということは、太陽光あるいは蛍光灯の光などにもわずかに含まれているUV光にも粘着層110が反応する可能性があるため、取扱いに充分な注意が必要である。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、半導体装置の基板の加工時にサポート基板を貼着し、基板の加工後にサポート基板を剥離する半導体装置の製造方法であって、半導体装置の基板の取扱いに注意を要することなく、半導体装置の基板に悪影響を及ぼす恐れがなく、半導体装置の基板加工のプロセス温度の制限が少なく、サポート基板の剥離を簡易に短時間で低コストに実施できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とするものである。本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置の基板の加工時にサポート基板を貼着し、前記半導体装置の基板の加工後に前記サポート基板を剥離する半導体装置の製造方法であって、前記サポート基板としてガラス基板を用い、前記基板と前記サポート基板とをポリイミドを含む樹脂層を介して貼着し、前記サポート基板の剥離時に、前記サポート基板を通して前記樹脂層にレーザ光を照射して、前記樹脂層を分解するものである。レーザ光としては、100~400nmUV領域の波長のレーザ光エキシマレーザ光が好ましい。本発明によれば、半導体装置の基板の加工時にサポート基板を貼着し、基板の加工後にサポート基板を剥離する半導体装置の製造方法であって、半導体装置の基板の取扱いに注意を要することなく、半導体装置の基板に悪影響を及ぼす恐れがなく、半導体装置の基板加工のプロセス温度の制限が少なく、サポート基板の剥離を簡易に短時間で低コストに実施できる半導体装置の製造方法を提供することができる。図面を参照して、本発明に係る一実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。図1~図14は製造工程図であり、各図は要部模式断面図である。各図において、半導体装置の基板11の厚みについては、適宜アレンジしてある。図1に示す半導体装置の基板11において、図示上面が表面11A、図示下面が裏面11Bである。半導体装置の基板11の表面及び裏面は便宜上定義するものである。本明細書において、半導体装置の基板11は、Siウエハ及びそれに形成された種々の構成要素を含む全体の基板を指している。図2に示すように、半導体装置の基板11の表面11A側に、公知方法により半導体素子であるトランジスタ12を形成する。次に図3に示すように、半導体装置の基板11の表面11A側に、公知方法によりSi貫通電極throughsiliconvia:TSV13を形成する。この時点では、Si貫通電極TSV13は半導体装置の基板11を貫通していない。次に図4に示すように、半導体装置の基板11の表面11A側に、公知方法により、トランジスタ12及びSi貫通電極TSV13に電気的に接続された複数の配線層14を形成する。次に図5に示すように、半導体装置の基板11の最表面配線層14の最上層に、外部接続端子である半田バンプのベースとなるアンダーバンプメタルUnderbumpMetal:UBM15を形成する。次に図6に示すように、半導体装置の基板11の裏面11B側を加工するためのサポート基板16を用意する。サポート基板16は、後工程で用いるレーザ光Lを透過するガラス基板である。本実施形態では、後工程で、レーザ光Lとして、KrFレーザ光波長248nmあるいはXeFレーザ光波長351nmなどのエキシマレーザ光、YAGレーザ光基本波1064nm赤外光あるいは第2高調波532nm可視光、あるいは炭酸ガスレーザ光10640nm遠赤外光などを用いることができる。これらの中でも、KrFレーザ光波長248nmあるいはXeFレーザ光波長351nmなどのUV領域の波長100~400nmのエキシマレーザ光が好ましく用いられる。サポート基板16は上記レーザ光Lを透過するガラス基板であればよい。例えば石英ガラスであれば、KrFレーザ光波長248nm等に対して、厚みに関係なく、90以上の透過率を有する。一般的なパイレックス登録商標ガラスであれば、エキシマレーザ光、及びそれより長波長のYAGレーザ光等に対して、充分な透過率を有する。次に図7に示すように、サポート基板16の一方の面図示上面16Aに、ポリイミド又はその前駆体を含む樹脂層17を形成する。樹脂層17は例えば、サポート基板16上にポリイミドワニスを塗布することで、形成できる。ポリイミドワニスは、熱処理によりイミド化するポリイミド前駆体を含むものである。樹脂層17の厚みは特に制限なく、半導体装置の基板11とサポート基板16とを良好に接着できる厚みであればよい。樹脂層17の厚みは例えば10μm程度あれば足る。樹脂層17の線膨張係数は特に制限なく、半導体装置の基板11をなすSiウエハの線膨張係数3~4ppm°C程度と、サポート基板16をなすガラス基板の線膨張係数1~4ppm°C程度に近い材料を選択することが好ましい。かかる線膨張係数を有する樹脂層17は、後工程の熱処理時の熱膨張差に起因する応力を緩和する機能を有し、好ましい。本明細書において、Si及びガラスの線膨張係数に近い線膨張係数を有するポリイミドの線膨張係数は、10ppm°C以下と定義する。Si及びガラスの線膨張係数に近い線膨張係数を有するポリイミドワニスとしては例えば、背景技術の項で挙げた特許文献8に記載の含フッ素ポリイミド線膨張係数3~5ppm°C程度等が挙げられる。図中、サポート基板16において、樹脂層17を形成したのと反対側の面に符号16Bを付してある。次に図8に示すようにサポート基板16上に形成した樹脂層17の表面と、半導体装置11の表面11Aとを合わせて、半導体装置の基板11と樹脂層17を形成したサポート基板16とを積層する。樹脂層17としてポリイミドワニス等のポリイミド前駆体を含む材料を用いた場合、上記積層後に、熱処理により樹脂層17をなすポリイミド前駆体をイミド化して、ポリイミドとする。次に図9に示すように半導体装置の基板11の裏面11B側を、Si貫通電極13の銅等の金属メッキが露出するまでCMP研磨を行い、仕上げのポリッシングを行う。次に図10に示すように、半導体装置の基板11の裏面11B側にSI貫通電極13と電気的に接続されたアンダーバンプメタルUBM18を形成する。次に図11に示すように、必要に応じて、半導体装置の裏面11B側に、アンダーバンプメタルUBM18の保護のために保護テープ19を貼着する。保護テープ19としては特に制限なく、一般的な半導体装置用の保護テープが用いられる。次に図12に示すように、サポート基板16の樹脂層17を形成したのと反対側の面16B側よりサポート基板16を通して樹脂層17に、レーザ光L、好ましくは100~400nmの波長のレーザ光Lエキシマレーザ光を照射する。レーザ光Lの具体例については前述したので、ここでは説明を省略する。レーザ光Lの照射により、ポリイミドを含む樹脂層17が熱分解される。レーザ光Lのエネルギー密度は特に制限されない。例えば上記KrFレーザ光であれば、0.8mJcm2程度の照射エネルギーで充分である。図中、符号20はレーザヘッドである。図示するように、半導体装置の基板11の面積より小さいレーザヘッド20を半導体装置の基板11とサポート基板16との積層体に対して相対的に走査して、樹脂層17全体をレーザ光Lで処理することができる。用いるレーザ光発振装置によっては、半導体装置の基板11の全面に対して、レーザ光Lを一括照射することも可能である。この工程後に、サポート基板16が半導体装置の基板11から剥離して、図13に示す状態となる。上記工程後に、半導体装置の基板11の表面11A側に樹脂層17の残渣が残る場合がある。この場合、必要に応じて、半導体装置の基板11の表面11A側をプラズマ処理するなどして樹脂層17の残渣を完全に除去する。最後に、半導体装置の基板11を所定のサイズにダイシングし、サポートテープ19を除去して、半導体装置1が製造される。本実施形態の半導体装置1の製造方法では、サポート基板16としてガラス基板を用い、半導体装置の基板11とサポート基板16とをポリイミドを含む樹脂層17を介して貼着し、サポート基板16の剥離時に、サポート基板16を通して樹脂層17にレーザ光L、好ましくは100~400nmの波長のレーザ光Lエキシマレーザ光を照射して、樹脂層17を分解するようにしている。本実施形態の方法では、樹脂層17として、UV光に反応する材料を用いなくてもよいので、太陽光あるいは蛍光灯の光などにもわずかに含まれているUV光に樹脂層17が反応する恐れがなく、半導体装置の基板11の取扱いに注意を要することがない。本実施形態の方法では、サポート基板16としてガラス基板を用いているので、サポート基板16の耐熱温度が半導体装置1のプロセス温度に対して充分に高い。本実施形態の方法では、接着層としてポリイミドを含む樹脂層17を用いている。ポリイミドの分解温度は例えば500°C程度である。本実施形態における接着層の耐熱温度は、接着層に一般的な樹脂を用いるよりも高く、半導体装置1のプロセス温度に対して充分に高い。したがって、本実施形態の方法では、半導体装置1のプロセス温度がサポート基板16の貼着及び剥離によって制限されない。本実施形態の方法では、機械的研磨によるサポート基板の除去と異なり、サポート基板16の剥離に時間を要することなく、簡易に短時間でサポート基板16を剥離でき、しかも、半導体装置の基板11の表面平坦性が悪化する恐れがなく、半導体装置の基板11がダメージを受ける恐れがない。本実施形態の方法では、レーザ光Lを用いて樹脂層17を処理するので、半導体装置の基板11の不純物汚染も抑制される。本実施形態の方法では、酸またはアルカリ溶液を用いたエッチングによるサポート基板16の剥離と異なり、半導体装置の基板11がエッチング溶液によってダメージを受ける恐れがない。本実施形態によれば、半導体装置の基板11の取扱いに注意を要することなく、半導体装置の基板11に悪影響を及ぼす恐れがなく、半導体装置1の基板11加工のプロセス温度の制限が少なく、サポート基板16の剥離を簡易に短時間で実施できる半導体装置1の製造方法を提供することができる。設計変更本発明は上記実施形態に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において適宜設計変更が可能である。