"半導体モジュールと、上面に前記半導体モジュールが接合され側面に冷媒流通用のパイプが固定された冷却器と、前記半導体モジュールと前記冷却器の外周を覆う樹脂モールド層と、を備え、前記冷却器側面に、当該側面から突出し前記パイプを囲む凸部を設けたことを特徴とする半導体装置。請求項1に記載の半導体装置において、前記凸部の外周縁付近に溝を形成して当該溝の外側を凸条としたことを特徴とする半導体装置。請求項1または請求項2に記載の半導体装置において、前記凸部の外形を、前記冷却器の上面側から底面側へ向かって徐々に幅が狭くなるまたは広くなる形状に設定したことを特徴とする半導体装置。半導体モジュールと、上面に前記半導体モジュールが接合され側面に冷媒流通用のパイプが固定された冷却器とを樹脂モールドした半導体装置の製造方法であって、前記冷却器側面に、当該側面から突出し前記パイプを囲む凸部を設け、前記凸部の形状に沿う型割面を有する金型により前記半導体モジュールと前記冷却器とをクランプし、樹脂モールド成形を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項4に記載の半導体装置の製造方法において、前記凸部を、当該凸部と対応する前記金型の型割面の形状よりも大きく設定したことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項4または5請求項に記載の半導体の製造方法において、前記凸部の外周縁付近に溝を形成して当該溝の外側を凸条とし、前記溝の底面を、前記金型の内壁面と同一位置または当該内壁面よりも冷却器内方の位置に設定したことを特徴とする半導体装置の製造方法。上記従来技術において、半導体モジュールと冷却器とを樹脂モールド成形する際、金型の型割面はパイプの外形に沿って形成する必要がある。このため、樹脂モールド成形時に半導体モジュールと冷却器を金型でクランプ型締めしたとき、パイプにクランプ力が作用してパイプが変形するおそれがある。パイプの変形は、流路抵抗の増大による冷却効率の低下を招く。本発明の目的は、樹脂モールド成形時におけるパイプの変形を抑制できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。上記目的を達成するため、本発明では、冷却器側面に当該側面から突出しパイプを囲む凸部を設けたことを特徴とする。よって、本発明にあっては、樹脂モールド成形時、凸部の側面に沿う型割面を有する金型により半導体モジュールと冷却器とをクランプして両者を樹脂モールドできるため、パイプに作用するクランプ力を低減でき、パイプの変形を抑制できる。以下、本発明の半導体装置および半導体装置の製造方法を実施するための形態を、図面に示す実施例に基づいて説明する。実施例1まず、構成を説明する。[半導体装置の構成]図1は実施例1の半導体装置を示す斜視図、図2は図1のS2S2断面図、図3は図1のS3S3断面図、図4は実施例1の冷却器の正面図、図5は実施例1の半導体装置の製造方法を示す斜視図である。半導体装置1は、パワー半導体モジュール以下、半導体モジュール2と冷却器3と樹脂モールド層4とを備える。半導体モジュール2は、車両走行用の三相交流モータをPWM駆動制御するインバータの各相U相、V相およびW相に対応する上アームまたは下アームを構成する。一対の半導体モジュール2によりインバータ回路の上下アーム直列回路を形成でき、一対の半導体モジュール2を3つ組み合わせることで、三相インバータ回路を形成できる。半導体モジュール2は、図5に示すように、金属パターンを有する基板5と、パワー半導体デバイスであるIGBTチップ6と、ダイオードチップ7と、ゲート端子8と、2つのリード端子910とを主要な構成とする。IGBTチップ6およびダイオードチップ7は、基板5上に接合されている。ゲート端子8は、IGBTチップ6にゲート電圧を供給する端子であり、IGBTチップ6と図外のボンディングワイヤにより接合されている。リード端子910は、基板5上に接合されている。なお、ゲート端子8、2つのリード端子910は、樹脂モールド層4よりも外側に突出している。冷却器3は、発熱する導体モジュール2から熱を吸収して冷却するためのもので、ヒートシンク12と、ジャケット13とパイプ1415とを備える。ヒートシンク12は、放熱性の高い素材、例えばアルミニウム合金で形成され、ベース部16と放熱フィン17とを有する。ベース部16は、長方形の板状に形成され、下面側に放熱フィン17が突設されている。ベース部16の上面は平坦であり、半導体モジュール2と直接接合される。ジャケット13は、放熱性の高い素材、例えばアルミニウム合金で形成され、上方が開口した矩形の箱状に形成されている。ジャケット13の内部には、ヒートシンク12の放熱フィン17を収容する収容部18が形成されている。収容部18の上端には、収容部18に放熱フィン17を収容したときベース部16の外周縁が着座する段部19が設けられている。パイプ1415は、ヒートシンク12の収容部18に冷媒を流通させて放熱フィン17を冷却するためのもので、ジャケット13の4つの側面20212223のうち、短辺側の側面2022に形成された開口部20a22aに圧入固定または、ろう付け等の溶接により接合されている。開口部20a22aは、収容部18と連通している。パイプ1415は、例えば、アルミニウム、ステンレス合金等で形成されている。ジャケット13の側面2022には、冷却器3の外方に突出しパイプ1415の外周を覆う凸部2526が設けられている。凸部26は、図4に示すように、上面29が下面30よりも長い等脚台形状に形成されている。上面29および下面30は、冷却器3の上面27および底面28と平行に配置されている。凸部26の2つの側面3132は、冷却器3の上面27側から底面28側に向かって徐々に幅が狭くなるように設定されている。なお、凸部25の形状は凸部26と同様である。樹脂モールド層4は、PPSポリフェニレンサルファイド、エポキシ樹脂等からなり、半導体モジュール2と冷却器3を覆う箱状に形成されている。なお、半導体モジュール2の基板5の外周縁部および各端子8910と、冷却器3のパイプ1415および凸部2526は樹脂モールド層4から露出している。[半導体装置の製造方法]次に、図5を用いて実施例1の半導体装置1の製造方法を説明する。まず、冷却器3のジャケット13にヒートシンク12を収容してろう付け等の溶接あるいは、摩擦撹拌接合等により固定し、パイプ1415を開口部20a22aに圧入固定または、ろう付け等の接合法により固定する図5。続いて、ヒートシンク12のベース部16に半導体モジュール2を高温はんだで接合する図5。次に、半導体モジュール2と冷却器3を上下金型3334でクランプ型締めし、両金型3334のキャビティ内部空間内にゲート33a34aからPPSポリフェニレンサルファイド、エポキシ樹脂等の樹脂を注入して硬化させることで、樹脂モールド層4を形成する図5。最後に、上下金型3334を取り外すことで、実施例1の半導体装置1が得られる。なお、上下金型3334から取り出された半導体装置1は、基板5の外周枠部からゲート端子8、リード端子910がそれぞれ個別に独立するようにトリミングされる図示せず。ここで、図5に示すように、上金型33の型割面35は、半導体モジュール2の上面形状に沿って略平坦に形成されている。一方、下金型34の型割面36は、ジャケット13の側面2123に対応する部分では、半導体モジュール2の下面形状に沿って略平坦に形成され、ジャケット13の側面2022に対応する部分では、半導体モジュール2の下面形状と、側面2022の凸部2526の形状に沿って形成されている。すなわち、下金型34の型割面36には、凸部2526の両側面3132と下面30に沿った凹部3738が設けられている。凹部3738の形状は、凸部2526よりも若干小さく設定されている。言い換えると、凸部2526は、凹部3738よりも僅かに大きく形成されている。次に、作用を説明する。[パイプの変形抑制]従来の半導体装置において、冷却器の側面に冷媒流通用のパイプを設けた場合、半導体モジュールと冷却器とを樹脂モールド成形する際、金型の型割面はパイプの外形に沿って形成される。このため、上下金型によるクランプ力がパイプに直接作用してパイプが変形するおそれがある。パイプの変形は、流路抵抗の増大による冷却性能の低下につながるため好ましくない。一方、パイプが変形しない程度までクランプ力を小さくした場合、シール性が低下して樹脂漏れや樹脂の回り込みが生じ、成形性が悪化する。これに対し、実施例1では、冷却器3のジャケット13の側面2022に凸部2526を設け、下金型34の凹部3738に凸部2526を嵌めて樹脂モールド成形を行う。すなわち、上下金型3334によるクランプ力を凸部2526に作用させることで、パイプ1415に上下金型3334から直接クランプ力が作用するのを防ぐことができ、パイプ1415の変形を抑制できる。[シール性向上]実施例1では、凸部2526の外形を下金型34の凹部3738の形状よりも大きくしているため、上下金型3334で半導体モジュール2と冷却器3とをクランプしたとき、型割面36の凹部3738が凸部2526の下面30および両側面3132と密着し、樹脂漏れや樹脂の回り込みを抑制できる。また、凸部2526の2つの側面3132を、冷却器3の上面27側から底面28側に向かって徐々に幅が狭くなるように設定したため、上下金型3334のクランプ力の一部を分力して左右方向に作用させることでき、凹部3738と凸部2526の両側面3132との密着性をより高めることができる。[レイアウト自由度向上]従来の半導体装置では、金型の型割面にパイプおよび半導体モジュールの各端子を配置する必要があった。つまり、上下金型の型割面の高さにパイプと各端子の位置を合わせる必要があるため、レイアウト上の制約が多かった。これに対し、実施例1では、冷却器3のジャケット13の側面2022に凸部2526を設けたことで、パイプ1415を各端子8910の位置に対してオフセット配置できるため、パイプ1415および各端子8910のレイアウト自由度を高めることができる。次に、効果を説明する。実施例1の半導体装置1および半導体装置1の製造方法にあっては、以下に列挙する効果を奏する。半導体モジュール2と、上面に半導体モジュール2が接合され側面2022に冷媒流通用のパイプ1415が固定された冷却器3と、半導体モジュール2と冷却器3の外周を覆う樹脂モールド層4と、を備え、冷却器3の側面2022に、側面2022から突出しパイプ1415を囲む凸部2526を設けた。これにより、樹脂モールド成形時におけるパイプ1415の変形を抑制できる。また、パイプ1415および各端子8910のレイアウト自由度を高めることができる。凸部2526の外形を、冷却器3の上面27側から底面28側へ向かって徐々に幅が狭くなる形状に設定した。これにより、凹部3738と凸部2526の両側面3132との密着性をより高めてシール性の向上を図ることができる。半導体モジュール2と、上面に半導体モジュール2が接合され側面2022に冷媒流通用のパイプ1415が固定された冷却器3とを樹脂モールドした半導体装置1の製造方法であって、冷却器3の側面2022に、側面2022から突出しパイプ1415を囲む凸部2526を設け、凸部2526の形状に沿う型割面36を有する下金型34と上金型33とにより半導体モジュール2と冷却器3とをクランプし、樹脂モールド成形を行う。これにより、樹脂モールド成形時におけるパイプ1415の変形を抑制できる。また、パイプ1415および各端子8910のレイアウト自由度の高い半導体装置1を製造できる。凸部2526を、凸部2526と対応する下金型34の型割面36の形状よりも大きく設定した。これにより、型割面36の凹部3738を凸部2526の下面30および両側面3132と密着させることができ、樹脂漏れや樹脂の回り込みを抑制できる。実施例2次に、実施例2を図6,7に基づいて説明する。図6は実施例2の冷却器の正面図、図7は図6のS7S7断面図である。なお、実施例1と共通する部位については、同一呼称、同一の符号で表す。凸部26は、上面29がジャケット13の上面27と同じ位置に設けられ、下面30がジャケット13の底面28と同じ位置に設けられている。実施例2では、凸部26の外周縁付近にパイプ15を囲む溝41を形成し、溝41の外側を弾性リブ凸条42としている。弾性リブ42を含む凸部26の外形は、下金型34の凹部3738の形状よりも大きく設定されている。溝41の底面41aは、上下金型3334の内壁面33b34bよりも冷却器内方の位置に設定されている。なお、凸部25の形状は凸部26と同様である。実施例2では、パワー半導体モジュール2の基板5の面積を、ベース部16の面積とほぼ同一に設定しているため、基板5は樹脂モールド層4から露出していない。その他の部分は、実施例1と同様である。次に、作用を説明する。[シール性向上]実施例2では、下金型3334で半導体モジュール2と冷却器3とをクランプしたとき、弾性リブ42が弾性域内で弾性変形することで、上下金型3334の型割面3536に密着する。つまり、弾性リブ42の弾性力によって弾性リブ42と型割面3536とがより確実に面当たり面接触するため、樹脂漏れや樹脂の回り込みをより確実に抑制できる。また、溝41の底面41aを、上下金型3334の内壁面33b34bよりも冷却器内方の位置に設定したため、弾性リブ42を全長にわたって弾性変形させることができ、上下金型3334の型割面3536により密着させることができる。[寸法公差の緩和]一般的に、樹脂モールド成形は、金型と製品間で樹脂漏れの原因となる隙間が発生しないよう、高い寸法精度が要求されるため、金型との合わせ面の寸法公差の管理を厳密に行う必要があり、製造コストがかさむという問題があった。これに対し、実施例2の半導体装置1では、上下金型3334によるクランプ時に弾性リブ42が弾性変形し、上下金型3334と半導体モジュール2および冷却器3との合わせ面の隙間ガタを吸収するため、上下金型3334との合わせ面の寸法公差の緩和を許容できる。よって、製造コストの抑制を図ることができる。次に、効果を説明する。実施例2の半導体装置1および半導体装置1の製造方法にあっては、実施例1の効果~に加え、以下に列挙する効果を奏する。凸部2526の外周縁付近に溝41を形成して溝41の外側を弾性リブ42とした。このため、樹脂漏れや樹脂の回り込みを抑制でき、シール性を高めることができる。溝41の底面41aを、上下金型3334の内壁面33b34bよりも冷却器内方の位置に設定した。このため、弾性リブ42を全長にわたって弾性変形させることができ、型割面3536との密着性をより高めることができる。他の実施例以上、本発明の半導体装置および半導体装置の製造方法を実施例に基づいて説明したが、具体的な構成については、実施例に限られるものではなく、特許請求の範囲に記載の各請求項に係る発明の要旨を逸脱しない限り、設計の変更や追加は許容される。例えば、凸部の形状は、冷却器の外方に突出しパイプの外周を覆う形状であればよい。例えば、図8に示すように、パイプ14を囲む弾性リブ凸条43のみとしてもよい。実施例2では、溝の底面を、金型の内壁面よりも冷却器内方の位置に設定した例を示したが、内壁面と一致させてもよい。実施例2では、凸部の全周にわたって溝および弾性リブ凸条を設けた例を示したが、凸部の左右または上下にのみ溝および弾性リブを設けてもよい。図9は、凸部25の側面3132にのみ溝4445および弾性リブ4647を設けた例である。"