"LEDチップと、上記LEDチップが搭載された搭載面を有するチップ支持体と、を備え、上記チップ支持体は、上記搭載面から遠ざかるように突出し、かつ上記LEDチップを囲む突出部を有する、LEDモジュール。上記突出部における上記LEDチップ側の内側面は、上記搭載面の法線方向において上記搭載面から遠ざかるほど、上記法線方向に対して直角である方向において上記LEDチップから遠ざかるように傾斜する、請求項1に記載のLEDモジュール。上記突出部における上記LEDチップ側の内側面は、Siよりも反射率が高い材質によって形成される、請求項1または2に記載のLEDモジュール。上記チップ支持体は、金属材料からなる、請求項3に記載のLEDモジュール。上記チップ支持体は、アルミニウムを含む、請求項4に記載のLEDモジュール。上記チップ支持体は、金属板にプレス加工を施すことにより形成される、請求項4または5に記載のLEDモジュール。上記突出部における上記LEDチップとは反対側の外側面の少なくとも一部を覆い、上記LEDチップからの光を透過しない不透明樹脂をさらに備える、請求項1ないし6のいずれかに記載のLEDモジュール。上記不透明樹脂は、上記突出部の上記外側面のすべてを覆っている、請求項7に記載のLEDモジュール。上記不透明樹脂は、白色である、請求項7または8に記載のLEDモジュール。上記チップ支持体が実装される基板をさらに備える、請求項7ないし9のいずれかに記載のLEDモジュール。上記基板に取り付けられており、かつ上記チップ支持体を囲む反射面を有するリフレクタと、上記チップ支持体を覆い、かつ上記LEDチップからの光を透過させる封止樹脂と、をさらに備える、請求項10に記載のLEDモジュール。上記チップ支持体と上記封止樹脂との間に介在し、上記LEDチップを覆う透光樹脂をさらに備える、請求項11に記載のLEDモジュール。上記封止樹脂と上記透光樹脂の少なくともいずれか一方は、上記LEDチップからの光によって励起されて上記LEDチップからの光とは異なる色の光を発する蛍光体材料を含んでいる、請求項12に記載のLEDモジュール。上記透光樹脂は、上記蛍光体材料を含み、上記封止樹脂は、上記蛍光体材料を含まない透明な樹脂からなる、請求項13に記載のLEDモジュール。上記封止樹脂および上記透光樹脂は、互いの屈折率が異なる樹脂材料によって形成される、請求項14に記載のLEDモジュール。上記透光樹脂の屈折率は、上記LEDチップを構成する材料の屈折率よりも小であり、上記封止樹脂の屈折率は、上記透光樹脂の屈折率よりも小である、請求項15に記載のLEDモジュール。上記不透明樹脂は、上記基板と上記封止樹脂との間に介在し、上記チップ支持体から上記反射面にいたる領域のすべてを覆っている、請求項11ないし16のいずれかに記載のLEDモジュール。上記不透明樹脂における上記封止樹脂との境界面は、上記チップ支持体の上記搭載面よりも上記基板から離間する位置にある、請求項17に記載のLEDモジュール。一端が上記LEDチップに接合され、かつ他端が上記突出部の外側に位置する配線パターンに接合されており、上記突出部を跨ぐように設けられたワイヤをさらに備える、請求項1ないし18のいずれかに記載のLEDモジュール。複数のLEDチップと、各々が上記LEDチップが搭載された搭載面を有する複数のチップ支持体と、上記複数のチップ支持体が実装された基板と、上記基板に取り付けられ、上記チップ支持体を囲む反射面を有するリフレクタと、不透明樹脂と、を備え、上記チップ支持体は、上記搭載面から遠ざかるように突出し、かつ上記LEDチップを囲む突出部を有し、上記突出部における上記LEDチップとは反対側の外側面の少なくとも一部は、上記不透明樹脂に覆われている、LEDモジュール。上記不透明樹脂は、上記チップ支持体から上記反射面にいたる領域のすべてを覆っている、請求項20に記載のLEDモジュール。本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、高輝度化を図ることが可能なLEDモジュールを提供することをその課題とする。本発明の第1の側面によって提供されるLEDモジュールは、LEDチップと、上記LEDチップが搭載された搭載面を有するチップ支持体と、を備え、上記チップ支持体は、上記搭載面から遠ざかるように突出し、かつ上記LEDチップを囲む突出部を有する。本発明の好ましい実施の形態においては、上記突出部における上記LEDチップ側の内側面は、上記搭載面の法線方向において上記搭載面から遠ざかるほど、上記法線方向に対して直角である方向において上記LEDチップから遠ざかるように傾斜する。本発明の好ましい実施の形態においては、上記突出部における上記LEDチップ側の内側面は、Siよりも反射率が高い材質によって形成される。本発明の好ましい実施の形態においては、上記チップ支持体は、金属材料からなる。本発明の好ましい実施の形態においては、上記チップ支持体は、アルミニウムを含む。本発明の好ましい実施の形態においては、上記チップ支持体は、金属板にプレス加工を施すことにより形成される。本発明の好ましい実施の形態においては、上記突出部における上記LEDチップとは反対側の外側面の少なくとも一部を覆い、上記LEDチップからの光を透過しない不透明樹脂をさらに備える。本発明の好ましい実施の形態においては、上記不透明樹脂は、上記突出部の上記外側面のすべてを覆っている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記不透明樹脂は、白色である。本発明の好ましい実施の形態においては、上記チップ支持体が実装される基板をさらに備える。本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板に取り付けられており、かつ上記チップ支持体を囲む反射面を有するリフレクタと、上記チップ支持体を覆い、かつ上記LEDチップからの光を透過させる封止樹脂と、をさらに備える。本発明の好ましい実施の形態においては、上記チップ支持体と上記封止樹脂との間に介在し、上記LEDチップを覆う透光樹脂をさらに備える。本発明の好ましい実施の形態においては、上記封止樹脂と上記透光樹脂の少なくともいずれか一方は、上記LEDチップからの光によって励起されて上記LEDチップからの光とは異なる色の光を発する蛍光体材料を含んでいる。本発明の好ましい実施の形態においては、上記透光樹脂は、上記蛍光体材料を含み、上記封止樹脂は、上記蛍光体材料を含まない透明な樹脂からなる。本発明の好ましい実施の形態においては、上記封止樹脂および上記透光樹脂は、互いの屈折率が異なる樹脂材料によって形成される。本発明の好ましい実施の形態においては、上記透光樹脂の屈折率は、上記LEDチップを構成する材料の屈折率よりも小であり、上記封止樹脂の屈折率は、上記透光樹脂の屈折率よりも小である。本発明の好ましい実施の形態においては、上記不透明樹脂は、上記基板と上記封止樹脂との間に介在し、上記チップ支持体から上記反射面にいたる領域のすべてを覆っている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記不透明樹脂における上記封止樹脂との境界面は、上記チップ支持体の上記搭載面よりも上記基板から離間する位置にある。本発明の好ましい実施の形態においては、一端が上記LEDチップに接合され、かつ他端が上記突出部の外側に位置する配線パターンに接合されており、上記突出部を跨ぐように設けられたワイヤをさらに備える。本発明の第2の側面によって提供されるLEDモジュールは、複数のLEDチップと、各々が上記LEDチップが搭載された搭載面を有する複数のチップ支持体と、上記複数のチップ支持体が実装された基板と、上記基板に取り付けられ、上記チップ支持体を囲む反射面を有するリフレクタと、不透明樹脂と、を備え、上記チップ支持体は、上記搭載面から遠ざかるように突出し、かつ上記LEDチップを囲む突出部を有し、上記突出部における上記LEDチップとは反対側の外側面の少なくとも一部は、上記不透明樹脂に覆われている。本発明の好ましい実施の形態においては、上記不透明樹脂は、上記チップ支持体から上記反射面にいたる領域のすべてを覆っている。本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。図1~図5は、本発明の第1実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール101は、基板300、LEDチップ210、LEDチップ210が搭載されたチップ支持体220、2つのワイヤ400、透光樹脂500、リフレクタ600、白色樹脂700、および封止樹脂800を備えている。なお、理解の便宜上、図1および図2においては、透光樹脂500および封止樹脂800を省略している。基板300は、基材310および基材310に形成された配線パターン320からなる。基材310は、矩形状であり、たとえばガラスエポキシ樹脂からなる。配線パターン320は、たとえばCuまたはAgなどの金属からなり、ボンディング部321,322、迂回部323,324、および実装端子325,326を有する。ボンディング部321,322は、基材310の上面に形成されている。迂回部323,324は、ボンディング部321,322につながっており、基材310の両側面に形成されている。実装端子325,326は、基材310の下面に形成されており、迂回部323,324につながっている。実装端子325,326は、LEDモジュール101をたとえば回路基板に実装するために用いられる。LEDチップ210は、たとえばGaNからなるn型半導体層、活性層およびp型半導体層が積層された半導体層を有する構造とされており、たとえば青色光を発する。チップ支持体220は、LEDチップ210が搭載される部材であり、たとえばアルミニウムを含む金属材料によって構成される。チップ支持体220は、平板部221と、平板部221の周縁に形成された突出部222とを有し、図3~図5における平板部221の上面が、LEDチップ210が搭載される搭載面221aとされている。突出部222は、搭載面221aから遠ざかるように突出しており、LEDチップ210を囲っている。図5に示すように、突出部222におけるLEDチップ210側の内側面222aは、搭載面221aの法線方向において搭載面221aから遠ざかるほど、上記法線方向に対して直角である方向においてLEDチップ210から遠ざかるように傾斜している。突出部222におけるLEDチップ210とは反対側の外側面222bは、搭載面221aの法線方向に沿って延びている。図2に示すように、突出部222の外側面222bは、平面視搭載面221aの法線方向視において矩形状とされている。チップ支持体220は、たとえばアルミニウムあるいはアルミニウム合金からなる金属板にプレス加工を施すことによって形成される。図5に示すように、LEDチップ210は、チップ支持体220の搭載面221aに対して、たとえばシリコーン樹脂などの透明樹脂240を介して接合されている。チップ支持体220は、絶縁性ペースト250によって基板300上に実装されている。LEDチップ210には、2つの電極図示略が形成されている。これらの電極には、2つのワイヤ400それぞれの一端がボンディングされており、LEDチップ210は、いわゆる2ワイヤタイプとして構成されている。一方のワイヤ400の他端は、ボンディング部321にボンディングされており、他方のワイヤ400の他端は、ボンディング部322にボンディングされている。これにより、各ワイヤ400は、突出部222を跨ぐように設けられている。LEDチップ210およびチップ支持体220の寸法の一例を挙げると、チップ支持体220は、平面視において一辺が1mm程度の正方形状であり、平板部221の厚さが50~300μm程度である。突出部222が搭載面221aから上記法線方向に突出する長さは、300μm程度とされる。LEDチップ210は、平面視において一辺が610μm程度の正方形状であり、厚さが150μm程度である。なお、LEDチップ210を構成するGaNの屈折率は、2.4程度である。透光樹脂500は、チップ支持体220と封止樹脂800との間に介在している。透光樹脂500は、LEDチップ210を覆っており、チップ支持体220突出部222の内側面222aによって囲まれた空間を埋めている。透光樹脂500は、たとえば透明なフェニルシリコーン樹脂に蛍光体材料が混入された材質からなる。この蛍光体材料は、たとえばLEDチップ210から発せられる青色光によって励起されることにより黄色光を発する。これらの青色光と黄色光とを混色することにより、LEDモジュール101は、白色光を発する。なお、上記蛍光体材料としては、青色光によって励起されることにより赤色光を発するものと、緑色光を発するものを用いてもよい。なお、透光樹脂500の屈折率は、1.5~1.6程度である。リフレクタ600は、LEDチップ210からの光をより多く上記法線方向に進行させるためのものであり、たとえばポリブチレンテレフタレートなどの白色樹脂からなる。リフレクタ600は、チップ支持体220を囲む枠状であり、このリフレクタ600には反射面610が形成されている。反射面610は、チップ支持体220LEDチップ210を囲んでおり、チップ支持体220の4つの外側面222bにそれぞれ対応する4つの平面からなる。本実施形態においては、反射面610は、基板300の厚さ方向において基板300から離間するほど、基板300の厚さ方向に対して直角である方向においてチップ支持体220LEDチップ210から遠ざかるように傾斜している。リフレクタ600の寸法の一例を挙げると、平面視において反射面610によって囲まれた開口が1.9mm×3.9mm程度の長矩形状とされており、高さ方向基板300の厚さ方向と同じ方向の寸法が1mm程度である。白色樹脂700は、LEDチップ210からの光を透過しない、白色を呈する樹脂材料からなり、本発明で言う不透明樹脂の一例に相当する。白色樹脂700は、たとえばシリコーン樹脂に酸化チタン粒子が混入されたものである。白色樹脂700は、突出部222チップ支持体220の外側面222bのすべてを覆っている。本実施形態ではまた、白色樹脂700は、チップ支持体220からリフレクタ600の反射面610にいたる領域のすべてを覆っている。図3~図5に示すように、白色樹脂700の表面封止樹脂800との境界面701は、中間部が凹んだ形状である。境界面701は、チップ支持体220の搭載面221aよりも基板300から離間する位置にある。封止樹脂800は、チップ支持体220を覆っており、反射面610によって囲まれた空間を埋めている。封止樹脂800は、たとえば透明なエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂からなる。封止樹脂800には上記した蛍光体材料が混入されていない。なお、封止樹脂800の屈折率は、1.4程度である。LEDモジュール101の製造方法の一例を挙げる。まず、チップ支持体220にLEDチップ210を接合する。次に、基板300にチップ支持体220を搭載する。次いで、LEDチップ210にワイヤ400をボンディングする。次いで、基板300にリフレクタ600を形成する。次いで、透光樹脂500を形成する。次に、白色樹脂700を形成する。白色樹脂700の形成は、チップ支持体220の外側面222bとリフレクタ600の反射面610との間に白色の液体樹脂材料を注入し、硬化させることにより行う。液体樹脂材料は、注入時には流動性に富み、表面張力によって上記法線方向に露出する表面の中間部が凹んだ形状となる。このようにして形成された白色樹脂700は、突出部222との接触部分については突出部222の上端に到達しており、外側面222bのすべてを覆っている。一方、白色樹脂700と反射面610との接触部分については反射面610の上端まで到達しておらず、白色樹脂700は、反射面610を部分的に覆っている。そして、封止樹脂800を形成することにより、LEDモジュール101が完成する。次に、LEDモジュール101の作用について説明する。本実施形態によれば、LEDチップ210からの光のうち、LEDチップ210の側方に向けて発せられた光は、このLEDチップ210を囲む突出部222によって遮蔽される。突出部222は、アルミニウムを含む金属材料からなり、本実施形態では使用しないサブマウント基板の材質であるSiに比べて反射率が高い。このため、LEDチップ210からの光は、突出部222の内側面222aによって好適に反射される。したがって、LEDチップ210から発せられた光のうち封止樹脂800から出射される割合を高めることが可能であり、LEDモジュール101の高輝度化を図ることができる。LEDチップ210は、チップ支持体220の搭載面221aに搭載されており、このチップ支持体220は、LEDチップ210を囲む突出部222を有する。このような構成によれば、突出部222をLEDチップ210に近付けることが可能であり、LEDチップ210からの光を、突出部222の内側面222aによってより多く反射することができる。このことは、LEDモジュール101の高輝度化を図るうえで好ましい。さらに、図5に示すように、突出部222の内側面222aは、上方に向けて開くように傾斜している。このため、内側面222aによって反射された光は、LEDモジュール101外へと出射されやすい。したがって、LEDモジュール101の高輝度化をより促進することができる。突出部222を有するチップ支持体220は、アルミニウムを含んだ金属板にプレス加工を施すことにより、容易に形成することができる。また、LEDチップ210が熱伝導率に優れる金属製のチップ支持体220に搭載され、このチップ支持体220が基板300に実装されている。これにより、LEDチップ210から基板300側への放熱を高める効果が期待できる。チップ支持体220と封止樹脂800との間に介在する透光樹脂500は、蛍光体材料を含んでおり、LEDチップ210を覆っている。一方、封止樹脂800は、蛍光体材料を含まない透明な樹脂からなる。このように蛍光体材料を含まない封止樹脂800を備えた構成によれば、蛍光体材料の使用量を削減することができる。このことは、LEDモジュール101の低コスト化に有利である。LEDチップ210から発せられて進行する光は、蛍光体材料によって拡散される。蛍光体材料を含まない封止樹脂800によれば、LEDチップ210からの光が拡散するのを抑制することができる。このことは、LEDモジュール101の高輝度化を図るうえで好ましい。LEDチップ210を覆う透光樹脂500の屈折率1.5~1.6程度とLEDチップ210を構成するGaNの屈折率2.4程度との差は、封止樹脂800の屈折率1.4程度とGaNの屈折率との差よりも小さい。したがって、本実施形態のLEDモジュール101によれば、LEDチップが封止樹脂によって直接覆われている場合に比べて、LEDチップ210の表面で反射されてLEDチップ210内部に留まる光の割合が低下し、LEDチップ210から出射される光の割合が増大する。このことは、LEDモジュール101の高輝度化を図るうえで好ましい。白色樹脂700は、チップ支持体220からリフレクタ600の反射面610にいたる領域のすべてを覆っている。このため、LEDチップ210からの光が基板300などによって吸収されてしまうことを回避することが可能である。このことは、LEDモジュール101の高輝度化を図るうえで好ましい。白色樹脂700における封止樹脂800との境界面701は、チップ支持体220の搭載面221aよりも基板300から離間する位置にある。このような構成によれば、チップ支持体220からリフレクタ600の反射面610にいたる領域のすべてを白色樹脂700によって適切に覆うことができる。図6~図16は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。図6~図8は、本発明の第2実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール102は、LEDチップ210、透光樹脂500、および封止樹脂800の構成が上述したLEDモジュール101と異なっている。本実施形態においては、LEDチップ210には1つのワイヤ400のみがボンディングされており、LEDチップ210は、いわゆる1ワイヤタイプとして構成されている。LEDチップ210の2つの電極図示略のうち、一方の電極は、チップ支持体220に搭載される面に設けられており、チップ支持体220の搭載面221aに対して導電性ペースト241を介して接合されている。他方の電極は、チップ支持体220に搭載される面とは反対側の面に設けられている。上記他方の電極には、ワイヤ400の一端がボンディングされている。ワイヤ400の他端は、ボンディング部322にボンディングされている。チップ支持体220は、導電性ペースト251を介して基板300上に実装されている。本実施形態では、透光樹脂500は蛍光体材料を含んでおらず、封止樹脂800は蛍光体材料を含んでいる。このような実施形態によっても、LEDモジュール102の高輝度化を図ることができる。図9~図11は、本発明の第3実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール103は、チップ支持体220の構成が上述したLEDモジュール101と異なっている。本実施形態においては、チップ支持体220は、Siからなり、エッチングなどにより中央部分を所定の深さまで除去することにより、突出部222を有する形状とされている。図11に示すように、平板部221の搭載面221a、ならびに突出部222の内側面222aおよび先端面には、たとえばスパッタリングなどの手法によりアルミニウム膜223が形成されている。アルミニウム膜223としては、アルミニウム単体膜、あるいはアルミニウムと銅を含む複数種の金属からなる膜などを採用することができる。本実施形態によれば、LEDチップ210からの光のうち、LEDチップ210の側方に向けて発せられた光は、このLEDチップ210を囲む突出部222によって遮蔽される。突出部222チップ支持体220の材質であるSiは、比較的光を吸収しやすい。本実施形態では、突出部222の内側面222aには、アルミニウム膜223が形成されている。アルミニウム膜223が形成された表面は、Siと比べて反射率が高いため、LEDチップ210からの光が反射される。したがって、このような実施形態によっても、LEDモジュール103の高輝度化を図ることができる。また、Siからなる突出部222の外側面222bは、そのすべてが白色樹脂700によって覆われている。このため、LEDチップ210からの光が外側面222bによって吸収されてしまうことを回避することが可能である。このことは、LEDモジュール103の高輝度化を図るうえで好ましい。図12~図16は、本発明の第4実施形態に基づくLEDモジュールを示している。本実施形態のLEDモジュール104は、複数のLEDチップ210を備えており、これにともなって基板300、およびリフレクタ600の構成が上述したLEDモジュール101と異なっている。また、本実施形態のLEDモジュール104は、上述の透光樹脂500を備えていない。図12および図13に示すように、本実施形態においては、基材310は、たとえばアルミナなどのセラミックスからなり、一定方向に長く延びたバー状とされている。基材310に形成された配線パターン320は、基材310の長手方向において交互に並ぶ複数ずつのボンディング部321,322と、基材310の端部に設けられた接続端子部図示略とを有する。基板300の上面には、長手方向に所定の間隔を隔てて複数のチップ支持体220が実装されている。複数ずつのボンディング部321,322は、複数のLEDチップ210に対応して配されている。隣り合うLEDチップ210にそれぞれ対応した、対をなすボンディング部321,322は、互いにつながって電気的に導通している。各LEDチップ210の電極図示略に一端がボンディングされる2つのワイヤ400のうち、一方のワイヤ400の他端は、当該LEDチップ210に対応するボンディング部321にボンディングされており、他方のワイヤ400の他端は、当該LEDチップ210に対応するボンディング部322にボンディングされている。このような構成により、複数のLEDチップ210は、互いに直列に接続されている。リフレクタ600は、基板300に対応して長く延びた形状とされている。リフレクタ600には、複数のチップ支持体220の配置に対応するように互いに分離した複数の反射面610が形成されている。本実施形態では、封止樹脂800は、蛍光体材料を含んでいる。このような構成のLEDモジュール104は、たとえば、液晶表示装置のバックライト用光源装置として用いられる。このような実施形態によっても、LEDモジュール104の高輝度化を図ることができる。本発明に係るLEDモジュールは、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係るLEDモジュールの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。"