"初期成分として、水;砥粒;式Iによるハロゲン化第四級アンモニウム化合物:[式中、R8は、C1-10アルキル基及びC1-10ヒドロキシアルキル基から選択され;X1は、塩化物、臭化物、ヨウ化物及びフッ化物から選択されるハロゲン化物であり;R9、R10及びR11は、各々独立して、飽和又は不飽和のC1-10アルキル基、C1-10ハロアルキル基、C6-15アリール基、C6-15ハロアリール基、C6-15アリールアルキル基及びC6-15ハロアリールアルキル基より選択され;式I中の前記アニオンは、式I中の前記カチオンのの電荷とバランスをとる任意のアニオンであることができる];及び、場合により、式IIによるジ第四級物質:[式中、各々のAは、独立してN及びPより選択され;R1は、飽和又は不飽和のC1-C15アルキル基、C6-C15アリール基及びC6-C15アラルキル基より選択され;R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、各々独立して、水素、飽和又は不飽和のC1-15アルキル基、C6-C15アリール基、C6-C15アラルキル基及びC6-C15アルカリール基より選択され;式II中の前記アニオンは、式II中の前記カチオンの2の電荷とバランスをとる任意のアニオン又はアニオンの組み合わせであることができる]を含む、ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物。前記ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物が、初期成分として、水;0.1~40重量の前記砥粒;0.001~1重量の、式Iで示される前記ハロゲン化第四級アンモニウム化合物;及び、0~1重量の、式IIによる前記ジ第四級物質を含む、請求項1に記載のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物。ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物が、初期成分として、水;0.1~10重量の砥粒;0.002~0.5重量の、式Iによるハロゲン化第四級アンモニウム化合物式中、R8は、-CH22-基、-CH2CHOH基、-CH23-基及び-CH22-CHOH基より選択され;X1は、塩化物及び臭化物より選択されるハロゲン化物であり;R9、R10及びR11は、各々独立して、-CH3基及び-CH2CH3基より選択され;そして、式I中の前記アニオンは、塩化物アニオン及び臭化物アニオンより選択される;及び、0.002~0.2重量の、式IIによる前記ジ第四級物質式中、各々のAは、Nであり;R1は、-CH24-基であり;そして、R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、各々-CH23CH3基であるを含む、請求項1に記載のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物。前記ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物が、初期成分として、水;0.1~10重量の前記砥粒前記砥粒は20~50nmの平均粒子サイズを有するコロイダルシリカ砥粒である;0.01~0.2重量の、式Iによる前記ハロゲン化第四級アンモニウム化合物式中、R8は、-CH22-基、-CH2CHOH基、-CH23-基及び-CH22-CHOH基より選択され;X1は、塩化物及び臭化物より選択されるハロゲン化物であり;R9、R10及びR11は、各々独立して、-CH3基及び-CH2CH3基より選択され;そして、式I中の前記アニオンは、塩化物アニオン及び臭化物アニオンより選択される;及び、0.01~0.05重量の、式IIによる前記ジ第四級物質式中、各々のAは、Nであり;R1は、-CH24-基であり;R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、各々-CH23CH3基であり;そして、式II中の前記カチオンの2の電荷とバランスをとる前記アニオンは、ハロゲン化物アニオン及び水酸化物アニオンより選択されるを含む、請求項1に記載のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物。ケミカルメカニカルポリッシングスラリーの製造方法であって水を提供すること;砥粒を提供すること;式Iによるハロゲン化第四級アンモニウム化合物:[式中、R8は、C1-10アルキル基及びC1-10ヒドロキシアルキル基から選択され;X1は、塩化物、臭化物、ヨウ化物及びフッ化物から選択されるハロゲン化物であり;R9、R10及びR11は、各々独立して、飽和又は不飽和のC1-10アルキル基、C1-10ハロアルキル基、C6-15アリール基、C6-15ハロアリール基、C6-15アリールアルキル基及びC6-15ハロアリールアルキル基より選択され;そして、式I中のアニオンは、式I中の前記カチオンのの電荷とバランスをとる任意の前記アニオンであることができる]を提供すること;及び、場合により、式IIによるジ第四級物質:[式中、各々のAは、独立してN及びPより選択され;R1は、飽和又は不飽和のC1-C15アルキル基、C6-C15アリール基及びC6-C15アラルキル基より選択され;R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、各々独立して、水素、飽和又は不飽和のC1-15アルキル基、C6-C15アリール基、C6-C15アラルキル基及びC6-C15アルカリール基より選択され;式II中の前記アニオンは、式II中の前記カチオンの2の電荷とバランスをとる任意のアニオン又はアニオンの組み合わせであることができる]を提供すること;pH調整剤を提供すること;前記水;前記砥粒;式Iによる前記ハロゲン化第四級アンモニウム化合物;及び場合により式IIによる前記ジ第四級物質を合わせて、ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物を形成すること;ならびに、前記pH調整剤をスラリーに必要なだけ加え、前記ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物のpHを<7に調整することを含む、ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物の製造方法。基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、酸化ケイ素及びSi3N4の少なくとも一種を含む基板を提供すること;請求項1に記載のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物[ここで、式Iによる前記ハロゲン化第四級アンモニウム化合物の濃度及び式IIによる任意の前記ジ第四級物質の濃度は、前記ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物によって示される酸化ケイ素及びSi3N4の少なくとも一種の除去速度を調整するために選択される]を提供すること;研磨表面を有するケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること;ダウンフォース0.69~34.5kPaで、前記ケミカルメカニカルポリッシングパッドの前記研磨表面及び基板との間の界面に、動的接触を作り出すこと;ならびにケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物を、前記ケミカルメカニカルポリッシングパッド及び前記基板の間の前記界面又はその近傍で前記ケミカルメカニカルポリッシングパッド上に注入することを含み;ここで、提供される前記ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物は、<7のpHを有し;ここで、前記基板は研磨され;そして、酸化ケイ素及びSi3N4の少なくとも一種の一部は前記基板から除去される、基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法。提供される前記ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物が、初期構成組成として、水;0.1~10重量の前記砥粒前記砥粒20~50nmの平均粒子サイズを有するコロイダルシリカ砥粒である;0.01~0.2重量の式Iによるハロゲン化第四級アンモニウム化合物式中、R8は、-CH22-基、-CH2CHOH基、-CH23-基より選択され;X1は、塩化物及び臭化物より選択されるハロゲン化物であり;R9、R10及びR11は、各々独立して、-CH3基及び-CH2CH3基より選択され;そして、式I中の前記アニオンは、塩化物アニオン及び臭化物アニオンより選択される;及び、0.01~0.05重量の式IIによるジ第四級物質式中、各々のAは、Nであり;R1は、-CH24-基であり;そして、R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、各々、-CH23CH3基であるを含み;そして、提供される前記ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物が、2~4のpHを有する、請求項6に記載の方法。前記基板が、酸化ケイ素を含み、そしてここで、前記ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物が、200~3,000Å/分の酸化ケイ素除去速度を示すように調整される、請求項7に記載の方法。前記基板が、Si3N4を含み、そしてここで、前記ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物が、300~2,000Å/分のSi3N4除去速度を示すように調整される、請求項7に記載の方法。前記基板が、酸化ケイ素及びSi3N4の両方を含み、そしてここで、前記ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物が、1:2~10:1の、酸化ケイ素のSi3N4に対する除去速度の選択比を示すように調整される、請求項7に記載の方法。ある最近のデバイス設計は、ケミカルメカニカルプラナリゼーション法における使用のために、ポリシリコンに優先する酸化ケイ素に対する選択性すなわち、ポリシリコンについての除去速度と比べて、より高い酸化ケイ素の除去速度を提供する研磨組成物を要求する。ポリシリコンよりも酸化ケイ素及び窒化ケイ素の少なくとも一種に対する選択性を提供する、ケミカルメカニカルプラナリゼーション法における使用のための一つの研磨配合物が、Dysardらへの米国特許出願公開第2007/0077865号に開示されている。Dysardらは、基板をケミカルメカニカルポリッシングする方法を開示し、この方法はi酸化ケイ素及び窒化ケイ素から選択される材料とポリシリコンとを含む基板を、a砥粒、b液体キャリア、c液体キャリア及びそれに溶解又は懸濁されている任意の成分の質量を基準にして約1ppm~約100ppmの、約15以下のHLBを有するポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシドコポリマー及びdポリッシングパッド:を含むケミカルメカニカルポリッシング系と接触させ;ii基板に対してポリッシングパッドを動かし;そしてiii基板の少なくとも一部を磨耗させて、基板を研磨することを含む。ポリシリコンよりも、酸化ケイ素及び窒化ケイ素の少なくとも一種に対する選択性を提供するケミカルメカニカルプラナリゼーション法における使用のための別の研磨配合物が、Parkらへの米国特許第6,626,968号に開示されている。Parkらは、酸化ケイ素層及びポリシリコン層を有する表面を同時に研磨するための、pH7~11を有するスラリー形態のケミカルメカニカルポリッシング組成物を開示し、該スラリー組成物は、本質的に、水;シリカSiO2、アルミナAl2O3、セリアCeO2、酸化マンガンMn2O3及びこれらの混合物からなる群より選択される砥粒粒子;及びポリビニルメチルエーテルPVME、ポリエチレングリコールPEG、ポリオキシエチレン23ラウリルエーテルPOLE、ポリプロパン酸PPA、ポリアクリル酸PAA、ポリエーテルグリコールビスエーテルPEGBE及びこれらの混合物からなる群より選択されるポリマー添加剤約0.001重量~約5重量:からなり、このポリマー添加剤は、ポリシリコンの層の除去に対する酸化ケイ素層の除去についての選択性比を向上させる。それにもかかわらず、半導体システムの製造における使用のためのデバイス設計の動的な分野をサポートするために、設計ニーズの変更に適合する研磨特性の望まれるバランスを提供するように配合されるケミカルメカニカルポリッシング組成物についての継続した必要性が存在している。例えば、酸化ケイ素及びSi3N4のような絶縁体膜の調整可能な除去速度及び除去速度の選択比を示す、ケミカルメカニカルポリッシング組成物についての必要性が依然として存在している。本発明は、初期成分として、水;砥粒;式I:[式中、R8は、C1-10アルキル基及びC1-10ヒドロキシアルキル基から選択され;X1は、塩化物、臭化物、ヨウ化物及びフッ化物から選択されるハロゲン化物であり;R9、R10及びR11は、各々独立して、飽和又は不飽和のC1-10アルキル基、C1-10ハロアルキル基、C6-15アリール基、C6-15ハロアリール基、C6-15アリールアルキル基及びC6-15ハロアリールアルキル基より選択され;式I中のアニオンは、式I中のカチオンのの電荷とバランスをとる任意のアニオンであることができる]によるハロゲン化第四級アンモニウム化合物;及び、場合により、式II:[式中、各々のAは、独立してN及びPより選択され;R1は、飽和又は不飽和のC1-C15アルキル基、C6-C15アリール基及びC6-C15アラルキル基より選択され;R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、各々独立して、水素、飽和又は不飽和のC1-15アルキル基、C6-C15アリール基、C6-C15アラルキル基及びC6-C15アルカリール基より選択され;そして式II中のアニオンは、式II中のカチオンの2の電荷とバランスをとる任意のアニオン又はアニオンの組み合わせであることができる]によるジ第四級diquaternary物質を含む、ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物を提供する。本発明は、初期成分として、水;0.1~40重量の砥粒;0.001~1重量の式Iによるハロゲン化第四級アンモニウム化合物ここで、R8は、C1-10アルキル基及びC1-10ヒドロキシアルキル基から選択され;X1は、塩化物、臭化物、ヨウ化物及びフッ化物から選択されるハロゲン化物であり;R9、R10及びR11は、各々独立して、飽和又は不飽和のC1-10アルキル基、C1-10ハロアルキル基、C6-15アリール基、C6-15ハロアリール基、C6-15アリールアルキル基及びC6-15ハロアリールアルキル基より選択され;式I中のアニオンは、式I中のカチオンのの電荷とバランスをとる任意のアニオンであることができる;及び、0~1重量の式IIによるジ第四級物質ここで、各々のAは、独立してN及びPより選択され;R1は、飽和又は不飽和のC1-C15アルキル基、C6-C15アリール基及びC6-C15アラルキル基より選択され;R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、各々独立して、水素、飽和又は不飽和のC1-15アルキル基、C6-C15アリール基、C6-C15アラルキル基及びC6-C15アルカリール基より選択され;式II中のアニオンは、式II中のカチオンの2の電荷とバランスをとる任意のアニオン又はアニオンの組み合わせであることができるを含む、ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物を提供する。本発明は、初期成分として、水;0.1~10重量の砥粒;0.002~0.5重量の、式Iによるハロゲン化第四級アンモニウム化合物ここで、R8は、-CH22-基、-CH2CHOH基、-CH23-基及び-CH22-CHOH基より選択され;X1は、塩化物及び臭化物より選択されるハロゲン化物であり;R9、R10及びR11は、各々独立して、-CH3基及び-CH2CH3基より選択され;そして、式I中のアニオンは、塩化物アニオン及び臭化物アニオンより選択される;及び、0.002~0.2重量の、式IIによるジ第四級物質ここで、各々のAは、Nであり;R1は、-CH24-基であり;そして、R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、各々、-CH23CH3基であるを含む、ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物を提供する。本発明は、初期成分として、水;砥粒が20~50nmの平均粒子サイズを有するコロイダルシリカ砥粒である0.1~10重量の砥粒;0.01~0.2重量の式Iによるハロゲン化第四級アンモニウム化合物ここで、R8は、-CH22-基、-CH2CHOH基、-CH23-基及び-CH22-CHOH基より選択され;X1は、塩化物及び臭化物より選択されるハロゲン化物であり;R9、R10及びR11は、各々独立して、-CH3基及び-CH2CH3基より選択され;そして、式I中のアニオンは、塩化物アニオン及び臭化物アニオンより選択される;及び、0.01~0.05重量の、式IIによるジ第四級物質ここで、各々のAは、Nであり;R1は、-CH24-基であり;R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、各々、-CH23CH3基であり;そして、式II中のカチオンの2の電荷とバランスをとるアニオンは、ハロゲン化物アニオン及び水酸化物アニオンより選択されるを含む、ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物を提供する。本発明は、水を提供すること;砥粒を提供すること;式Iによるハロゲン化第四級アンモニウム化合物ここで、R8は、C1-10アルキル基及びC1-10ヒドロキシアルキル基から選択され;X1は、塩化物、臭化物、ヨウ化物及びフッ化物から選択されるハロゲン化物であり;R9、R10及びR11は、各々独立して、飽和又は不飽和のC1-10アルキル基、C1-10ハロアルキル基、C6-15アリール基、C6-15ハロアリール基、C6-15アリールアルキル基及びC6-15ハロアリールアルキル基より選択され;そして、式I中のアニオンは、式I中のカチオンのの電荷とバランスをとる任意のアニオンであることができるを提供すること;そして、場合により、式IIによるジ第四級物質ここで、各々のAは、独立してN及びPより選択され;R1は、飽和又は不飽和のC1-C15アルキル基、C6-C15アリール基及びC6-C15アラルキル基より選択され;R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、各々独立して、水素、飽和又は不飽和のC1-15アルキル基、C6-C15アリール基、C6-C15アラルキル基及びC6-C15アルカリール基より選択され;そして、式II中のアニオンは、式II中のカチオンの2の電荷とバランスをとる任意のアニオン又はアニオンの組み合わせであることができるを提供すること;pH調整剤を提供すること;水、砥粒、式Iによるハロゲン化第四級アンモニウム化合物、及び場合により式IIによるジ第四級物質を合わせて、ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物を形成すること;及び、pH調整剤をスラリーに必要なだけ加え、ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物のpHを<7に調整することを含む、ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物の製造方法を提供する。本発明は、酸化ケイ素及びSi3N4の少なくとも一つを含む基板を提供すること;請求項1によるケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物[ここで、式Iによるハロゲン化第四級アンモニウム化合物の濃度及び任意の式IIによるジ第四級物質の濃度は、ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物によって示される酸化ケイ素及びSi3N4の少なくとも一つに対する除去速度を調整するために選択される]を提供すること;研磨表面を有するケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること;ダウンフォース0.69~34.5kPaで、ケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨表面及び基板との間の界面に、動的接触を作り出すこと;及びケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物を、ケミカルメカニカルポリッシングパッド及び基板の間の界面又はその近傍でケミカルメカニカルポリッシングパッド上に注入することを含み;ここで、提供されるケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物は、<7のpHを有し;ここで、基板は研磨され;そして、酸化ケイ素及びSi3N4の少なくとも一種の一部は基板から除去される、基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法を提供する。発明の詳細な説明本発明のケミカルメカニカルポリッシング法に使用される、本発明のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物の具体的な処方の選択は、酸化ケイ素、Si3N4及びポリシリコンの少なくとも一種についての標的とする除去速度を提供し;そして好ましくは、酸化ケイ素、Si3N4及びポリシリコンの少なくとも二種の間より好ましくは、酸化ケイ素及びSi3N4の間での標的とする除去速度の選択比を提供するための鍵となる。本発明のケミカルメカニカルポリッシング法に使用するための適切な基板は、その上に堆積した酸化ケイ素、Si3N4及びポリシリコンの少なくとも一種を有する半導体基板を含む。好ましくは、使用される基板は、酸化ケイ素及びSi3N4の少なくとも一種を含む。より好ましくは、使用される基板は、SiC、SiCN、Si3N4、SiCO及びポリシリコンの少なくとも一種最も好ましくはSi3N4の上に堆積した酸化ケイ素を有する。本発明のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物に使用するために適切な砥粒は、例えば、無機酸化物、無機水酸化物、無機水酸化酸化物hydroxideoxides、金属ホウ化物、金属炭化物、金属窒化物、ポリマー粒子及び前述の少なくとも一種を含む混合物を含む。適切な無機酸化物は、例えば、シリカSiO2、アルミナAl2O3、ジルコニアZrO2、セリアCeO2、酸化マンガンMnO2、酸化チタンTiO2又は前述の酸化物の少なくとも一種を含む組み合わせである。有機ポリマーで被膜された無機酸化物粒子及び無機物で被膜された粒子のような、これらの無機酸化物の改変系もまた、所望であれば利用することができる。適切な金属炭化物、ホウ化物及び窒化物は、例えば、炭化ケイ素、窒化ケイ素、炭窒化ケイ素SiCN、炭化ホウ素、炭化タングステン、炭化ジルコニウム、ホウ化アルミニウム、炭化タンタル、炭化チタン又は前述の金属炭化物、ホウ化物及び窒化物の少なくとも一種を含む組み合わせである。好ましくは、使用される砥粒は、コロイダルシリカ砥粒である。本発明のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物に使用される砥粒は、好ましくは5~200nm;より好ましくは20~100nm;さらにより好ましくは20~60nm;最も好ましくは20~50nmの平均粒子サイズを有する。本発明のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物は、好ましくは0.1~40重量、より好ましくは0.1~20重量、さらにより好ましくは1~20重量、最も好ましくは1~10重量の砥粒を含有する。本発明のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物は、好ましくは20~100nmの平均粒子サイズを有するコロイダルシリカ砥粒を含む。さらにより好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物は、1~10重量の、平均粒子サイズ20~60nmを有するコロイダルシリカ砥粒を含む。最も好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物は、1~10重量の、平均粒子サイズ20~50nmを有するコロイダルシリカ砥粒を含む。本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物中に含有される水は、偶発的な不純物を制限するために、好ましくは、脱イオン化されたもの及び蒸留されたものの少なくとも一つである。本発明のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物は、初期成分として、式Iによるハロゲン化第四級アンモニウム化合物:[式中、R8は、C1-10アルキル基及びC1-10ヒドロキシアルキル基より選択され好ましくは、R8は、C1-5アルキル基及びC1-5ヒドロキシアルキル基より選択され;より好ましくは、R8は、C1-4アルキル基及びC1-4ヒドロキシアルキル基より選択され、最も好ましくは、R8は、-CH22-基、-CH2CHOH基、-CH23-基及び-CH22-CHOHより選択される;X1は、塩化物、臭化物、ヨウ化物及びフッ化物より選択されるハロゲン化物であり好ましくは、X1は、塩化物、臭化物及びヨウ化物より選択され;最も好ましくは、X1は、塩化物及び臭化物より選択される;R9、R10及びR11は、各々独立して、飽和又は不飽和のC1-10アルキル基、C1-10ハロアルキル基、C6-15アリール基、C6-15ハロアリール基、C6-15アリールアルキル基及びC6-15ハロアリールアルキル基より選択され好ましくは、R9、R10及びR11は、各々独立して、C1-5アルキル基及びC1-5ハロアルキルより選択され;より好ましくは、R9、R10及びR11は、各々独立して、C1-4アルキル基より選択され;最も好ましくは、R9、R10及びR11は、各々独立して、-CH3基及び-CH2CH3基より選択される;そして、式I中のアニオンは、式I中のカチオンのの電荷とバランスをとる、任意のアニオンであることができる好ましくは、式I中のアニオンは、ハロゲン化物アニオン、水酸化物アニオン及び硝酸アニオン;より好ましくは、ハロゲン化物アニオン及び水酸化物アニオン;最も好ましくは、塩化物アニオン及び臭化物アニオンより選択されるハロゲン化物アニオンより選択される]を含む。好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物は、初期成分として、0.001~1重量より好ましくは0.002~0.5重量、さらにより好ましくは0.005~0.2重量、最も好ましくは0.01~0.2重量の、式Iによるハロゲン化第四級アンモニウム化合物を含む。最も好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物は、初期成分として、0.01~0.2重量の、臭化2-ブロモエチルトリメチルアンモニウム;塩化2-クロロエチルトリメチルアンモニウム;臭化3-ブロモプロピルトリメチルアンモニウム;塩化3-クロロエチルトリメチルアンモニウム;臭化3-ブロモプロピルトリエチルアンモニウム及び塩化3-クロロ-2-ヒドロキシプロピルトリメチルアンモニウムより選択される、式Iによるハロゲン化第四級アンモニウム化合物を含む。実施例に記載された研磨条件下での、式Iによるハロゲン化第四級アンモニウム化合物を含有することは、ポリシリコン、酸化ケイ素及びSi3N4の除去速度を上昇させ;及び酸化ケイ素及びSi3N4の除去速度における調整可能な選択比を有する。本発明のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物は、場合により、初期成分として、式IIによるジ第四級物質:[式中、各々のAは、独立してN及びPより選択され、好ましくは、各々のAはNであり;R1は、飽和又は不飽和のC1-C15アルキル基、C6-C15アリール基及びC6-C15アラルキル基より選択され好ましくは、C2-C10アルキル基であり;より好ましくは、C2-C6アルキル基であり;さらにより好ましくは、-CH26-基及び-CH24-基であり;最も好ましくは、-CH24-基である;R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、各々独立して、水素、飽和又は不飽和のC1-C15アルキル基、C6-C15アリール基、C6-C15アラルキル基及びC6-C15アルカリール基より選択され好ましくは、水素及びC1-C6アルキル基であり;より好ましくは、水素及びブチル基であり;最も好ましくは、ブチル基である;そして、式II中のアニオンは、式II中のカチオンの2の電荷とバランスをとる、任意のアニオン又はアニオンの組み合わせであることができる好ましくは、式II中のアニオンは、ハロゲン化物アニオン、水酸化物アニオン、硝酸アニオン、硫酸アニオン及びリン酸アニオンより選択され;より好ましくは、ハロゲン化物アニオン及び水酸化物アニオンであり;最も好ましくは、水酸化物アニオンである]を含む。本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、場合により、初期成分として、0~1重量好ましくは0~0.5重量;より好ましくは0.001~0.5重量、さらにより好ましくは0.002~0.2重量、その上さらにより好ましくは0.005~0.1重量、最も好ましくは0.01~0.05重量の、式IIによるジ第四級物質を含む。最も好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、初期成分として、0.01~0.05重量の、式IIによるジ第四級物質を含み、ここで、各々のAは、Nであり;R1は、-CH24-基であり;そして、R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、各々-CH23CH3基である。本発明のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物中に、場合により、式IIによるジ第四級物質を含有させることは、実施例に記載された研磨条件下での、酸化ケイ素の除去速度の上昇、Si3N4の除去速度の減少及びポリシリコンの除去速度の減少をもたらす。本発明のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物は、場合によりさらに、分散剤、界面活性剤、緩衝剤及び殺生物剤より選択される、追加の添加剤を含む。本発明のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物は、2~<7のpHで有効性を与える。好ましくは、使用されるケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物は、2~5のpHで有効性を与える。最も好ましくは、使用されるケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物は、2~4のpHで有効性を与える。ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物のpHを調整するのに使用するための適切な酸は、例えば、リン酸、硝酸、硫酸及び塩酸を含む。ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物のpHを調整するのに使用するための適切な塩基は、例えば、水酸化アンモニウム及び水酸化カリウムを含む。好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物は、実施例に記載した研磨条件下で測定したときに、200~3,000Å/分好ましくは300~2,100Å/分の、調整可能な酸化ケイ素除去速度を示す。好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物は、実施例に記載した研磨条件下で測定したときに、300~2,000Å/分好ましくは300~1,000Å/分の、調整可能なSi3N4除去速度を示す。好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物は、実施例に記載した研磨条件下で測定したときに、1:2~10:1好ましくは1:2~7:1の、酸化ケイ素のSi3N4に対する調整可能な除去速度の選択比を示す。好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物は、初期成分として、水;0.1~40重量好ましくは0.1~20重量、さらにより好ましくは1~20重量、最も好ましくは1~10重量の、平均粒子サイズ5~200nm好ましくは20~100nm、より好ましくは20~60nm、最も好ましくは20~50nmを有する砥粒;0.001~1重量より好ましくは0.002~0.5重量、さらにより好ましくは0.005~0.2重量、最も好ましくは0.01~0.2重量の、式Iによるハロゲン化第四級アンモニウム化合物[ここで、R8は、C1-10アルキル基及びC1-10ヒドロキシアルキル基より選択され好ましくは、R8は、C1-5アルキル基及びC1-5ヒドロキシアルキル基より選択され;より好ましくは、R8は、C1-4アルキル基及びC1-4ヒドロキシアルキル基より選択され、最も好ましくは、R8は、-CH22-基、-CH2CHOH基、-CH23-基及び-CH22-CHOHより選択される;X1は、塩化物、臭化物、ヨウ化物及びフッ化物より選択されるハロゲン化物であり好ましくは、X1は、塩化物、臭化物及びヨウ化物より選択され;最も好ましくは、X1は、塩化物及び臭化物より選択される;R9、R10及びR11は、各々独立して、飽和又は不飽和のC1-10アルキル基、C1-10ハロアルキル基、C6-15アリール基、C6-15ハロアリール基、C6-15アリールアルキル基及びC6-15ハロアリールアルキルより選択され好ましくは、R9、R10及びR11は、各々独立して、C1-5アルキル基及びC1-5ハロアルキル基より選択され;より好ましくは、R9、R10及びR11は、各々独立して、C1-4アルキル基より選択され;最も好ましくは、R9、R10及びR11は、各々独立して、-CH3基及び-CH2CH3基より選択される;そして、式I中のアニオンは、式I中のカチオン上のの電荷とバランスをとる任意のアニオンであることができる好ましくは、式I中のアニオンは、ハロゲン化物アニオン、水酸化物アニオン及び硝酸アニオン;より好ましくは、ハロゲン化物アニオン及び水酸化物アニオン;最も好ましくは、塩化物アニオン及び臭化物アニオンより選択されるハロゲン化物アニオンより選択される];0~1重量好ましくは0~0.5重量;より好ましくは0.001~0.5重量、さらにより好ましくは0.002~0.2重量、その上さらにより好ましくは0.005~0.1重量、最も好ましくは0.01~0.05重量の、式IIによるジ第四級物質[ここで、各々のAは、N及びPより独立して選択され、好ましくは、各々のAはNであり;R1は、飽和又は不飽和のC1-C15アルキル基、C6-C15アリール基及びC6-C15アラルキル基より選択され好ましくは、C2-C10アルキル基;より好ましくはC2-C6アルキル基;さらにより好ましくは-CH26-基及び-CH24-基;最も好ましくは-CH24-基である;R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、各々独立して、水素、飽和又は不飽和のC1-C15アルキル基、C6-C15アリール基、C6-C15アラルキル基及びC6-C15アルカリール基より選択され好ましくは、水素及びC1-C6アルキル基であり;より好ましくは、水素及びブチル基であり;最も好ましくは、ブチル基である;そして、式II中のアニオンは、式II中のカチオンの2の電荷とバランスをとる任意のアニオンであることができる好ましくは、式II中のアニオンは、ハロゲン化物アニオン、水酸化物アニオン、硝酸アニオン、硫酸アニオン及びリン酸アニオン;より好ましくは、ハロゲン化物アニオン及び水酸化物アニオン;最も好ましくは水酸化物アニオンより選択される];を含む。本発明のケミカルメカニカルポリッシング法は、酸化ケイ素及びSi3N4の少なくとも一種を含む基板を提供すること;本発明のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物を提供すること、ここで、ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物は、初期成分として、水、0.1~40重量好ましくは0.1~20重量、最も好ましくは1~10重量の、5~200nm好ましくは、20~60nm、最も好ましくは20~50nmの平均粒子サイズを有する砥粒;0.001~1重量より好ましくは、0.002~0.5重量、さらにより好ましくは0.005~0.2重量、最も好ましくは0.01~0.2重量の、式Iによるハロゲン化第四級アンモニウム化合物[ここでR8は、C1-10アルキル基及びC1-10ヒドロキシアルキル基より選択され好ましくは、R8は、C1-5アルキル基及びC1-5ヒドロキシアルキル基より選択され;より好ましくは、R8は、C1-4アルキル基及びC1-4ヒドロキシアルキル基より選択され、最も好ましくは、R8は、-CH22-基、-CH2CHOH基、-CH23-基及び-CH22-CHOHより選択される;X1は、塩化物、臭化物、ヨウ化物及びフッ化物より選択されるハロゲン化物であり好ましくは、X1は、塩化物、臭化物及びヨウ化物より選択され;最も好ましくは、X1は、塩化物及び臭化物より選択される;R9、R10及びR11は、各々独立して、飽和又は不飽和のC1-10アルキル基、C1-10ハロアルキル基、C6-15アリール基、C6-15ハロアリール基、C6-15アリールアルキル基及びC6-15ハロアリールアルキルより選択され好ましくは、R9、R10及びR11は、各々独立して、C1-5アルキル基及びC1-5ハロアルキル基より選択され;より好ましくは、R9、R10及びR11は、各々独立して、C1-4アルキル基より選択され;最も好ましくは、R9、R10及びR11は、各々独立して、-CH3基及び-CH2CH3基より選択される;そして、式I中のアニオンは、式I中のカチオン上のの電荷とバランスをとる任意のアニオンであることができる好ましくは、式I中のアニオンは、ハロゲン化物アニオン、水酸化物アニオン及び硝酸アニオン;より好ましくは、ハロゲン化物アニオン及び水酸化物アニオン;最も好ましくは、塩化物アニオン及び臭化物アニオンより選択されるハロゲン化物アニオンより選択される];0~1重量好ましくは0~0.5重量;より好ましくは0.001~0.5重量、さらにより好ましくは0.002~0.2重量、その上さらにより好ましくは0.005~0.1重量、最も好ましくは0.01~0.05重量の、式IIによるジ第四級物質[ここで、各々のAは、N及びPより独立して選択され、好ましくは、各々のAはNであり;R1は、飽和又は不飽和のC1-C15アルキル基、C6-C15アリール基及びC6-C15アラルキル基より選択され好ましくはC2-C10アルキル基;より好ましくはC2-C6アルキル基;さらにより好ましくは-CH26-基及び-CH24-基;最も好ましくは-CH24-基である;R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、各々独立して、水素、飽和又は不飽和のC1-C15アルキル基、C6-C15アリール基、C6-C15アラルキル基及びC6-C15アルカリール基より選択され好ましくは、水素及びC1-C6アルキル基であり;より好ましくは、水素及びブチル基であり;最も好ましくは、ブチル基である;そして、式II中のアニオンは、式II中のカチオンの2の電荷とバランスをとる任意のアニオンであることができる好ましくは、式II中のアニオンは、ハロゲン化物アニオン、水酸化物アニオン、硝酸アニオン、硫酸アニオン及びリン酸アニオン;より好ましくは、ハロゲン化物アニオン及び水酸化物アニオン;最も好ましくは水酸化物アニオンより選択される]を含み;ここで、式Iによるハロゲン化第四級アンモニウム化合物の濃度及び場合による式IIによるジ第四級物質の濃度は、ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物によって示される酸化ケイ素及びSi3N4の少なくとも一種についての除去速度を調整するように選択される;研磨表面を有するケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること;ダウンフォース0.69~34.5kPa0.1~5psi、好ましくは0.69~20.7kPa0.1~3psiでケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨表面及び基板の間の界面に動的接触を作り出すこと;ならびにケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物を、ケミカルメカニカルポリッシングパッド及び基板の間の界面又はその近傍のケミカルメカニカルポリッシングパッド上に注入することを含み;ここで、提供されるケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物は、<7のpH好ましくは2以上7未満;より好ましくは2~5;最も好ましくは2~4を有し;ここで、基板は研磨され;ここで、酸化ケイ素及びSi3N4の少なくとも一種の一部は、基板から除去される。好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング法は、酸化ケイ素及びSi3N4の少なくとも一種を含む基板を提供すること;水を提供すること;初期成分として、砥粒が20~50nmの平均粒子サイズを有するコロイダルシリカの砥粒である、0.1~10重量の砥粒;0.01~0.2重量の、式Iによるハロゲン化第四級アンモニウム化合物[ここで、R8は、-CH22-基、-CH2CHOH基、-CH23-基及び-CH22-CHOHより選択され;X1は、塩化物及び臭化物より選択されるハロゲン化物であり;R9、R10及びR11は、各々独立して、-CH3基及び-CH2CH3基より選択され;そして、式I中のアニオンは、塩化物アニオン及び臭化物アニオンより選択される];及び、0~0.05重量の、式IIによるジ第四級物質[ここで、各々のAはNであり;R1は、-CH24-基であり;そして、R2、R3、R4、R5、R6及びR7は各々-CH23CH3基である]を含むケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物を提供すること;研磨表面を有するケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること;ダウンフォース0.69~34.5kPa0.1~5psi、好ましくは0.69~20.7kPa0.1~3psiでケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨表面及び基板との間の界面に動的接触を作り出すこと;ならびにケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物を、ケミカルメカニカルポリッシングパッド及び基板の間の界面又はその近傍で注入することを含み;ここで、提供されるケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物は、<7のpH好ましくは2以上7未満;より好ましくは2~5;最も好ましくは2~4を有し;ここで、基板は研磨され;ここで、酸化ケイ素及びSi3N4の少なくとも一種の一部は、基板から除去される。本発明の幾つかの実施態様を、以下の実施例にて詳細に記載する。[比較実施例C1及び実施例A1~A6]ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物の調製比較研磨実施例PC1及び研磨実施例PA1~PA6において使用されるケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物すなわち、それぞれケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物C1及びA1~A6を、表1に一覧にした量の成分を、残部である脱イオン水と組み合わせ、そして組成物のpHを、表1に一覧にした最終pHへと、硝酸を用いて調整することによって調製した。[比較実施例PC1及び実施例PA1~PA6]ケミカルメカニカルポリッシング除去速度試験酸化ケイ素、Si3N4及びポリシリコン除去速度研磨試験は、比較実施例C1及び実施例A1~A6に従って調製したケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物を用いて実施した。具体的には、各々のケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物C1及びA1~A6についての酸化ケイ素、Si3N4及びポリシリコン除去速度が表1に特定された。研磨除去速度試験は、8インチのブランケットウェーハ上で実施した。StrasbaughnSpire登録商標CMPシステムモデル6EC回転型研磨プラットフォームを比較例PC1に使用し、そしてAppliedMaterialsMirra商標研磨機を実施例PA1~PA6に使用した。全ての研磨試験は、IC1010登録商標ポリウレタンポリッシングパッドRohmandHaasElectronicMaterialsCMPIncより市販されているを用いて、ダウンフォース20.7kPa3psi、ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物の流速200mlmin、テーブル回転速度93rpm及びキャリア回転速度87rpmで実施した。除去速度は、研磨前後のフィルムの厚さを、KLATencorFX200計測器を用いて測定することで決定した。除去速度試験の結果は、表2に示す。"