"1フォトレジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、2上記レジスト膜を露光する工程、及び3上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒を含有するネガ型現像液で現像する工程を含むパターン形成方法であって、上記フォトレジスト組成物が、[A]酸の作用により解離する酸解離性基を含む構造単位Iを有し、この酸解離性基の解離により上記現像液に対する溶解性が減少する重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有し、上記現像液が含窒素化合物を含むことを特徴とするパターン形成方法。上記含窒素化合物が、下記式1で表される化合物である請求項1に記載のパターン形成方法。式1中、R1及びR2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、ホルミル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、炭素数1~30の鎖状炭化水素基、炭素数3~30の脂環式炭化水素基、炭素数6~14の芳香族炭化水素基又はこれらの基を2種以上組み合わせてなる基である。R3は、水素原子、水酸基、ホルミル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、炭素数1~30のn価の鎖状炭化水素基、炭素数3~30のn価の脂環式炭化水素基、炭素数6~14のn価の芳香族炭化水素基又はこれらの基を2種以上組み合わせてなるn価の基である。nは、1以上の整数である。但し、nが2以上のとき、複数のR1及びR2はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。また、R1~R3のいずれか2つが結合して、それぞれが結合する窒素原子と共に環構造を形成してもよい。構造単位Iが、下記式2で表される基を有する構造単位である請求項1又は請求項2に記載のパターン形成方法。式2中、Rpは、酸解離性基である。構造単位Iが、下記式3で表される構造単位である請求項3に記載のパターン形成方法。式3中、R4は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Rpは、上記式2と同義である。上記Rpで表される酸解離性基が、下記式4で表される基である請求項3又は請求項4に記載のパターン形成方法。式4中、Rp1~Rp3は、炭素数1~4のアルキル基又は炭素数4~20の脂環式炭化水素基である。但し、上記アルキル基及び脂環式炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。また、Rp2及びRp3は、互いに結合して、それぞれが結合している炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基を形成してもよい。上記現像液が含有する有機溶媒が、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒及びエステル系溶媒からなる群より選択される少なくとも1種の有機溶媒である請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。レジストパターン形成方法に用いられる、有機溶媒を含有するネガ型現像液であって、含窒素化合物を含むことを特徴とする現像液。上記含窒素化合物が、下記式1で表される化合物である請求項7に記載の現像液。式1中、R1及びR2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、ホルミル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、炭素数1~30の鎖状炭化水素基、炭素数3~30の脂環式炭化水素基、炭素数6~14の芳香族炭化水素基又はこれらの基を2種以上組み合わせてなる基である。R3は、水素原子、水酸基、ホルミル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、炭素数1~30のn価の鎖状炭化水素基、炭素数3~30のn価の脂環式炭化水素基、炭素数6~14のn価の芳香族炭化水素基又はこれらの基を2種以上組み合わせてなるn価の基である。nは、1以上の整数である。但し、nが2以上のとき、複数のR1及びR2はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。また、R1~R3のいずれか2つが結合して、それぞれが結合する窒素原子と共に環構造を形成してもよい。本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、レジスト膜のパターン形成工程における膜減りを抑制すると共に、得られるパターンのLWRを低減でき、露光余裕度ExposureLatitude:EL、焦点深度DepthOfFocus:DOF等のリソグラフィー特性に優れるレジストパターンを形成することができるパターン形成方法を提供することである。上記課題を解決するためになされた発明は、1フォトレジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、2上記レジスト膜を露光する工程、及び3上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒を含有するネガ型現像液で現像する工程を含むパターン形成方法であって、上記フォトレジスト組成物が、[A]酸の作用により解離する酸解離性基を含む構造単位Iを有し、この酸解離性基の解離により上記現像液に対する溶解性が減少する重合体以下、[A]重合体ともいう、及び[B]感放射線性酸発生体以下、[B]酸発生体ともいうを含有し、上記現像液が含窒素化合物を含むことを特徴とするパターン形成方法である。本発明のパターン形成方法によると、有機溶媒を含有するネガ型現像液に含窒素化合物が含まれることで、露光部の膜減りを抑制することができる。また、現像工程における未露光部と露光部との溶解コントラストが向上し、LWRが低減され、EL、DOF等を指標としたリソグラフィー特性を十分満足するパターンを形成することができる。なお、ここで酸解離性基とは、カルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルホ基等の極性基の水素原子を置換する基であって、酸の作用により解離する基をいう。上記含窒素化合物は、下記式1で表される化合物であることが好ましい。式1中、R1及びR2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、ホルミル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、炭素数1~30の鎖状炭化水素基、炭素数3~30の脂環式炭化水素基、炭素数6~14の芳香族炭化水素基又はこれらの基を2種以上組み合わせてなる基である。R3は、水素原子、水酸基、ホルミル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、炭素数1~30のn価の鎖状炭化水素基、炭素数3~30のn価の脂環式炭化水素基、炭素数6~14のn価の芳香族炭化水素基又はこれらの基を2種以上を組み合わせてなるn価の基である。nは、1以上の整数である。但し、nが2以上のとき、複数のR1及びR2はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。また、R1~R3のいずれか2つが結合して、それぞれが結合する窒素原子と共に環構造を形成してもよい。含窒素化合物が上記特定構造を有することで、露光部の膜減りをより抑制することができる。また、当該パターン形成方法により形成されるパターンは、LWRが低減され、EL、DOF等を十分満足する。構造単位Iは下記式2で表される基を有する構造単位であることが好ましい。式2中、Rpは、酸解離性基である。構造単位Iが上記式2で表される基を有することで、当該パターン形成方法に用いられるレジスト膜の露光部において、酸の作用により上記酸解離性基が解離し極性の高いカルボキシ基が発生する。このカルボキシ基と現像液中の含窒素化合物とが相互作用することで、現像液に対する溶解性をさらに減少させることができる。そのため、当該パターン形成方法によると、露光部の膜減りをさらに抑制することができる。また、当該パターン形成方法により形成されるパターンは、LWRが低減され、EL、DOF等を十分満足する。構造単位Iは、下記式3で表される構造単位であることが好ましい。式3中、R4は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Rpは、上記式2と同義である。構造単位Iが上記特定構造であると、露光部において発生する酸の作用により上記酸解離性基が解離しカルボキシ基が発生する。このカルボキシ基と現像液中の含窒素化合物とが相互作用することで、現像液に対する溶解性をさらに減少させることができるため、当該パターン形成方法によると、露光部の膜減りをさらに抑制することができる。また、当該パターン形成方法により形成されるパターンは、LWRが低減され、EL、DOF等を十分満足する。上記Rpで表される酸解離性基は、下記式4で表される基であることが好ましい。式4中、Rp1~Rp3は、炭素数1~4のアルキル基又は炭素数4~20の脂環式炭化水素基である。但し、上記アルキル基及び脂環式炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。また、Rp2及びRp3は、互いに結合して、それぞれが結合している炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基を形成してもよい。上記式2及び式3においてRpで表される酸解離性基を上記式4で表される特定構造の基とすることで、上記酸解離性基は、露光部において発生する酸の作用により解離し易くなる。その結果、当該パターン形成方法によると、レジスト膜における露光部の現像液に対する溶解性をさらに減少させることができ、膜減りをさらに抑制することができる。上記現像液が含有する有機溶媒は、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒及びエステル系溶媒からなる群より選択される少なくとも1種の有機溶媒であることが好ましい。上記現像液が含有する有機溶媒をエーテル系溶媒、ケトン系溶媒及びエステル系溶媒からなる群より選択される少なくとも1種の有機溶媒とすることで、露光部の現像液に対する溶解性をさらに減少させることができ、膜減りをさらに抑制することができる。本発明には、レジストパターン形成方法に用いられる有機溶媒を含有するネガ型現像液であって、含窒素化合物を含むことを特徴とする現像液も含まれる。当該現像液は、有機溶媒及び含窒素化合物を含むため、レジスト膜における露光部の現像液溶解性をさらに減少させることができ、膜減りを抑制することができる。当該現像液は、ネガ型現像液として好適に用いられる。当該現像液が含む上記含窒素化合物は、下記式1で表される化合物であることが好ましい。式1中、R1及びR2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、ホルミル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、炭素数1~30の鎖状炭化水素基、炭素数3~30の脂環式炭化水素基、炭素数6~14の芳香族炭化水素基又はこれらの基を2種以上組み合わせてなる基である。R3は、水素原子、水酸基、ホルミル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、炭素数1~30のn価の鎖状炭化水素基、炭素数3~30のn価の脂環式炭化水素基、炭素数6~14のn価の芳香族炭化水素基又はこれらの基を2種以上組み合わせてなるn価の基である。nは、1以上の整数である。但し、nが2以上のとき、複数のR1及びR2はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。また、R1~R3のいずれか2つが結合して、それぞれが結合する窒素原子と共に環構造を形成してもよい。含窒素化合物が上記特定構造を有することで、当該現像液は、レジスト膜の露光部の膜減りをより抑制することができ、得られるパターンのLWRを低減すると共に、EL、DOF等を十分満足する。本発明のレジストパターン形成方法によれば、レジストパターン形成工程における膜減りを抑制することができると共に、LWRが低減され、EL、DOF等を十分満足するレジストパターンを形成することができる。<パターン形成方法>本発明のパターン形成方法は、1フォトレジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、2上記レジスト膜を露光する工程、及び3上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒を含有するネガ型現像液で現像する工程を含むパターン形成方法であって、上記フォトレジスト組成物が、[A]酸の作用により解離する酸解離性基を含む構造単位Iを有し、この酸解離性基の解離により上記現像液に対する溶解性が減少する重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有し、上記現像液が含窒素化合物を含むことを特徴とする。以下、各工程、フォトレジスト組成物及び現像液について詳述する。[1工程]本工程では、本発明に用いられるフォトレジスト組成物を基板上に塗布し、レジスト膜を形成する。基板としては、例えばシリコンウェハ、アルミニウムで被覆されたウェハ等の従来公知の基板を使用できる。また、例えば特公平6-12452号公報や特開昭59-93448号公報等に開示されている有機系又は無機系の下層反射防止膜を基板上に形成してもよい。塗布方法としては、例えば回転塗布スピンコーティング、流延塗布、ロール塗布等が挙げられる。なお、形成されるレジスト膜の膜厚としては、通常0.01μm~1μmであり、0.01μm~0.5μmが好ましい。上記フォトレジスト組成物を塗布した後、必要に応じてプレベークPBによって塗膜中の溶媒を揮発させてもよい。PBの加熱条件としては、上記フォトレジスト組成物の配合組成によって適宜選択されるが、通常30°C~200°C程度であり、50°C~150°Cが好ましい。また、環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するために、例えば特開平5-188598号公報等に開示されている保護膜をレジスト層上に設けることもできる。さらに、レジスト層からの酸発生剤等の流出を防止するために、例えば特開2005-352384号公報等に開示されている液浸用保護膜をレジスト層上に設けることもできる。なお、これらの技術は併用できる。[2工程]本工程では、1工程で形成されたレジスト膜の所望の領域に特定パターンのマスク、及び必要に応じて液浸液を介して縮小投影することにより露光を行う。例えば、所望の領域にアイソラインパターンを有するマスクを介して縮小投影露光を行うことにより、アイソスペースパターンを形成できる。同様にして、ドットパターンを有するマスクを介して縮小投影露光を行うことによりホールパターンを形成することができる。また、露光は所望のパターンとマスクパターンによって2回以上行ってもよい。2回以上露光を行う場合、露光は連続して行うことが好ましい。複数回露光する場合、例えば所望の領域にラインアンドスペースパターンマスクを介して第1の縮小投影露光を行い、続けて第1の露光を行った露光部に対してラインが交差するように第2の縮小投影露光を行う。第1の露光部と第2の露光部とは直交することが好ましい。直交することにより、露光部で囲まれた未露光部においてコンタクトホールパターンを形成することができる。なお、露光の際に用いられる液浸液としては水やフッ素系不活性液体等が挙げられる。液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつ膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、特に露光光源がArFエキシマレーザー光波長193nmである場合、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水を用いるのが好ましい。露光に使用される放射線としては、[B]酸発生体の種類に応じて適宜選択されるが、例えば、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等が挙げられる。これらのうち、ArFエキシマレーザー波長193nmやKrFエキシマレーザー波長248nmに代表される遠紫外線が好ましく、ArFエキシマレーザーがより好ましい。露光量等の露光条件は、上記フォトレジスト組成物の配合組成や添加剤の種類等に応じて適宜選択される。当該レジストパターン形成方法においては、上述のように露光工程を複数回有してもよく、これらの複数回の露光においては、同じ光源を用いても異なる光源を用いても良い。但し、1回目の露光にはArFエキシマレーザー光を用いることが好ましい。また、露光後にポストエクスポージャーベークPEBを行なうことが好ましい。PEBを行なうことにより、上記フォトレジスト組成物中の酸解離性基の解離反応を円滑に進行できる。PEBの加熱条件としては、通常30°C~200°Cであり、50°C~170°Cが好ましい。[3工程]本工程は、2工程において露光されたレジスト膜を本発明の現像液で現像しパターンを形成する工程である。当該現像液は、有機溶媒を含有するネガ型現像液であり、さらに含窒素化合物を含む。当該現像液が有機溶媒に加えて含窒素化合物を含むことで、レジスト膜における露光部の現像液不溶性が向上し、膜減りを抑制することが可能となる。ここで、ネガ型現像液とは、低露光部及び未露光部を選択的に溶解除去させる現像液のことである。当該現像液中の有機溶媒の含有量としては、80質量以上が好ましく、90質量以上がより好ましく、100質量がさらに好ましい。現像液中の有機溶媒の含有量を上記特定の範囲とすることにより、露光部、未露光部間の溶解コントラストを向上させることができ、その結果、リソグラフィー特性に優れたパターンを形成することができる。なお、有機溶媒以外の成分としては、例えば、水、シリコンオイル等が挙げられる。上記有機溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系有機溶媒、アミド系溶媒、エステル系有機溶媒、炭化水素系溶媒等が挙げられる。アルコール系溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、n-プロパノール、iso-プロパノール、n-ブタノール、iso-ブタノール、sec-ブタノール、tert-ブタノール、n-ペンタノール、iso-ペンタノール、2-メチルブタノール、sec-ペンタノール、tert-ペンタノール、3-メトキシブタノール、n-ヘキサノール、2-メチルペンタノール、sec-ヘキサノール、2-エチルブタノール、sec-ヘプタノール、3-ヘプタノール、n-オクタノール、2-エチルヘキサノール、sec-オクタノール、n-ノニルアルコール、2,6-ジメチル-4-ヘプタノール、n-デカノール、sec-ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec-テトラデシルアルコール、sec-ヘプタデシルアルコール、フルフリルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5-トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等のモノアルコール系溶媒;エチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-ブチレングリコール、2,4-ペンタンジオール、2-メチル-2,4-ペンタンジオール、2,5-ヘキサンジオール、2,4-ヘプタンジオール、2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール系溶媒;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ-2-エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等の多価アルコール部分エーテル系溶媒等が挙げられる。エーテル系溶媒としては、例えばアニソール、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジフェニルエーテル等が挙げられる。ケトン系溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル-iso-ブチルケトン、メチル-n-アミルケトン、エチル-n-ブチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジ-iso-ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等のケトン系溶媒が挙げられる。アミド系溶媒としては、例えばN,N’-ジメチルイミダゾリジノン、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルプロピオンアミド、N-メチルピロリドン等が挙げられる。エステル系溶媒としては、例えばジエチルカーボネート、プロピレンカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、酢酸n-プロピル、酢酸iso-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸iso-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n-ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸iso-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル等が挙げられる。炭化水素系溶媒としては、例えばn-ペンタン、iso-ペンタン、n-ヘキサン、iso-ヘキサン、n-ヘプタン、iso-ヘプタン、2,2,4-トリメチルペンタン、n-オクタン、iso-オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n-プロピルベンゼン、iso-プロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、iso-ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ-iso-プロピルベンセン、n-アミルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらのうち、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒が好ましく、酢酸n-ブチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、アニソール、メチルエチルケトン、メチル-n-ブチルケトン、メチル-n-アミルケトンがより好ましい。これらの有機溶媒は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。上記現像液が含む上記含窒素化合物は、酸の作用によりレジスト膜中に発生する極性基と相互作用し、有機溶媒に対する露光部の不溶性をさらに向上させることができる。ここで、上記含窒素化合物と極性基との相互作用とは、この含窒素化合物と極性基が反応して塩を形成する作用、イオン性結合を形成する作用等のことである。上記含窒素化合物としては、上記式1で表される化合物が好ましい。上記式1中、R1及びR2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、ホルミル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、炭素数1~30の鎖状炭化水素基、炭素数3~30の脂環式炭化水素基、炭素数6~14の芳香族炭化水素基又はこれらの基を2種以上組み合わせてなる基である。R3は、水素原子、水酸基、ホルミル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、炭素数1~30のn価の鎖状炭化水素基、炭素数3~30のn価の脂環式炭化水素基、炭素数6~14のn価の芳香族炭化水素基又はこれらの基を2種以上組み合わせてなるn価の基である。nは、1以上の整数である。但し、nが2以上のとき、複数のR1及びR2はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。またR1~R3のいずれか2つが結合して、それぞれが結合する窒素原子と共に環構造を形成してもよい。上記R1及びR2で表される炭素数1~30の鎖状炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。上記R1及びR2で表される炭素数3~30の脂環状炭化水素基としては、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボニル基等が挙げられる。上記R1及びR2で表される炭素数6~14の芳香族炭化水素基としては、例えばフェニル基、トリル基、ナフチル基等が挙げられる。上記R1及びR2で表されるこれらの基を2種以上組み合わせてなる基としては、例えばベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等の炭素数6~12のアラルキル基等が挙げられる。上記R3で表される炭素数1~30のn価の鎖状炭化水素基としては、例えば上記R1及びR2で表される炭素数1~30の鎖状炭化水素基として例示した基と同様の基から水素原子をn-1個除いた基等が挙げられる。上記R3で表される炭素数3~30の脂環状炭化水素基としては、例えば上記R1及びR2で表される炭素数3~30の環状炭化水素基として例示した基と同様の基から水素原子をn-1個除いた基等が挙げられる。上記R3で表される炭素数6~14の芳香族炭化水素基としては、例えば上記R1及びR2で表される炭素数6~14の芳香族炭化水素基として例示した基と同様の基から水素原子をn-1個除いた基等が挙げられる。上記R3で表されるこれらの基を2種以上組み合わせてなる基としては、例えば上記R1及びR2で表されるこれらの基を2種以上組み合わせてなる基として例示した基と同様の基から水素原子をn-1個除いた基等が挙げられる。上記R1~R3で表される基は置換されていてもよい。具体的な置換基としては、例えばメチル基、エチル基、プロビル基、n-ブチル基、t-ブチル基、ヒドロキシル基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アルコキシ基等が挙げられる。上記ハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。また、アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。上記式1で表される化合物としては、例えばシクロアルキルアミン化合物、含窒素複素環化合物、アミド基含有化合物、ウレア化合物等が挙げられる。シクロアルキルアミン化合物としては、例えば窒素原子を1つ有する化合物、窒素原子を2つ有する化合物、窒素原子を3つ以上有する化合物等が挙げられる。窒素原子を1つ有するシクロアルキルアミン化合物としては、例えばn-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、1-アミノデカン、シクロヘキシルアミン等のモノシクロアルキルアミン類;ジ-n-ブチルアミン、ジ-n-ペンチルアミン、ジ-n-ヘキシルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジ-n-ノニルアミン、ジ-n-デシルアミン、シクロヘキシルメチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジシクロアルキルアミン類;トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デシルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリシクロアルキルアミン類;トリエタノールアミン等の置換アルキルアミン;アニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、N,N-ジブチルアニリン、4-ニトロアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、ナフチルアミン、2,4,6-トリ-tert-ブチル-N-メチルアニリン、N-フェニルジエタノールアミン、2,6-ジイソプロピルアニリン、2-4-アミノフェニル-2-3-ヒドロキシフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-4-ヒドロキシフェニルプロパン等の芳香族アミン類が挙げられる。窒素原子を2つ有するシクロアルキルアミン化合物としては、例えばエチレンジアミン、テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノジフェニルアミン、2,2-ビス4-アミノフェニルプロパン、2-3-アミノフェニル-2-4-アミノフェニルプロパン、1,4-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、1,3-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、ビス2-ジメチルアミノエチルエーテル、ビス2-ジエチルアミノエチルエーテル、1-2-ヒドロキシエチル-2-イミダゾリジノン、2-キノキサリノール、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン等が挙げられる。窒素原子を3つ以上有するシクロアルキルアミン化合物としては、例えばポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、2-ジメチルアミノエチルアクリルアミド等の重合体等が挙げられる。含窒素複素環化合物としては、例えば含窒素芳香族複素環化合物、含窒素脂肪族複素環化合物等が挙げられる。含窒素芳香族複素環化合物としては、例えばイミダゾール、4-メチルイミダゾール、4-メチル-2-フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、2-フェニルベンズイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチル-1H-イミダゾール等のイミダゾール類;ピリジン、2-メチルピリジン、4-メチルピリジン、2-エチルピリジン、4-エチルピリジン、2-フェニルピリジン、4-フェニルピリジン、2-メチル-4-フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、4-ヒドロキシキノリン、8-オキシキノリン、アクリジン、2,2’:6’,2’’-ターピリジン等のピリジン類が挙げられる。含窒素脂肪族複素環化合物としては、例えばピペラジン、1-2-ヒドロキシエチルピペラジン等のピペラジン類;ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、プロリン、ピペリジン、ピペリジンエタノール、3-ピペリジノ-1,2-プロパンジオール、モルホリン、4-メチルモルホリン、1-4-モルホリニルエタノール、4-アセチルモルホリン、3-N-モルホリノ-1,2-プロパンジオール、1,4-ジメチルピペラジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。アミド基含有化合物としては、例えばN-t-ブトキシカルボニルジ-n-オクチルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-ノニルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-デシルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-2-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン、S---1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、R--1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン、N-t-ブトキシカルボニルピロリジン、N-t-ブトキシカルボニルピペラジン、N,N-ジ-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N,N-ジ-t-ブトキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラ-t-ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,7-ジアミノヘプタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,8-ジアミノオクタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,9-ジアミノノナン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,10-ジアミノデカン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,12-ジアミノドデカン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N-t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-メチルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール等のN-t-ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物;ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン、N-アセチル-1-アダマンチルアミン、イソシアヌル酸トリス2-ヒドロキシエチル等が挙げられる。ウレア化合物としては、例えば尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリ-n-ブチルチオウレア等が挙げられる。これらのうち、シクロアルキルアミン化合物、含窒素脂肪族複素環化合物が好ましく、1-アミノデカン、ジ-n-オクチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、N,N-ジブチルアニリン、プロリンがより好ましい。現像液には、必要に応じて界面活性剤を適当量添加することができる。界面活性剤としては例えば、イオン性や非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。現像方法としては、例えば現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。当該パターン形成では、3工程の後にレジスト膜をリンス液により洗浄するリンス工程を含むことが好ましい。上記リンス工程におけるリンス液としては、有機溶媒を使用することができる。リンス液として、有機溶媒を使用することで、発生したスカムを効率よく洗浄することができる。リンス液として使用する有機溶媒としては、炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、アルコール系溶媒、アミド系溶媒等が好ましい。これらのうちアルコール系溶媒、エステル系溶媒がより好ましく、アルコール系溶媒がさらに好ましい。上記アルコール系溶媒のうち、炭素数6~8の1価のアルコール系溶媒が特に好ましい。炭素数6~8の1価のアルコール系溶媒としては、例えば直鎖状、分岐状又は環状の1価のアルコール等が挙げられ、具体的には、1-ヘキサノール、1-ヘプタノール、1-オクタノール、4-メチル-2-ペンタノール、2-ヘキサノール、2-ヘプタノール、2-オクタノール、3-ヘキサノール、3-ヘプタノール、3-オクタノール、4-オクタノール、ベンジルアルコール等が挙げられる。これらのうち、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、2-ヘプタノール、4-メチル-2-ペンタノールが好ましい。上記リンス液の各成分は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。リンス液中の含水率は、10質量以下が好ましく、5質量以下がより好ましく、3質量以下がさらに好ましい。リンス液中の含水率を10質量以下にすることで、良好な現像特性を得ることができる。なお、リンス液には界面活性剤を添加できる。上記リンス液による洗浄処理の方法としては、例えば一定速度で回転している基板上にリンス液を塗出しつづける方法回転塗布法、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法等が挙げられる。<フォトレジスト組成物>本発明に用いられるフォトレジスト組成物は、[A]重合体及び[B]酸発生体を含有する。また、上記フォトレジスト組成物は、好適成分として、[C]フッ素原子含有重合体、[D]酸拡散制御体、[E]溶媒を含有する。さらに本発明の効果を損なわない限り、上記フォトレジスト組成物は、その他の任意成分を含有してもよい。以下、各成分について詳述する。<[A]重合体>[A]重合体は、酸の作用により解離する酸解離性基を含む構造単位Iを有し、この酸解離性基の解離により上記現像液に対する溶解性が減少する重合体である。[A]重合体は、構造単位Iを有することで、露光により[B]酸発生体から発生する酸の作用により、酸解離性基が解離し、カルボキシ基等の極性基を有するようになる。その結果、有機溶媒を含有するネガ型現像液に対する溶解性が低下するため、良好なレジストパターンを形成することができる。また、当該パターン形成方法に用いられる上記現像液が含む含窒素化合物は、上記極性基と相互作用し、さらに現像液に対する溶解性を低下させることができる。その結果、パターン形成工程におけるレジスト膜の膜減りを抑制することができる。ここで、極性基とは、カルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルホ基等の高い極性を有する基をいう。なお、[A]重合体は、本発明の効果を損なわない限り、構造単位Iに加えて、ラクトン基又は環状カーボネート基を含む構造単位IIを有することが好ましく、極性基を含む構造単位III等のその他の構造単位を有してもよい。なお、[A]重合体は各構造単位を単独で有してもよいし、2種以上を併用してもよい。[構造単位I]構造単位Iは酸の作用により解離する酸解離性基を含む構造単位である。また、構造単位Iは、上記式2で表される基を有する構造単位であることが好ましい。構造単位Iが上記式2で表される基を有すると、当該パターン形成方法に用いられるレジスト膜において酸の作用により発生する基が、極性の高いカルボキシ基となる。このカルボキシ基と現像液中の含窒素化合物との相互作用より、レジスト膜の露光部の現像液に対する溶解性をより減少させることができる。それにより露光部の膜減りをさらに抑制することができると共に、得られるパターンはLWRが低減され、EL、DOF等を十分満足する。また、構造単位Iは、上記式3で表される構造単位であることがさらに好ましい。上記式2中、Rpは酸解離性基である。Rpで表される酸解離性基としては上記式4で表される基が好ましい。式4中、Rp1~Rp3は、炭素数1~4のアルキル基又は炭素数4~20の脂環式炭化水素基である。但し、上記アルキル基及び脂環式炭化水素基は置換基を有してもよい。また、Rp2及びRp3は、互いに結合してそれぞれが結合している炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基を形成してもよい。Rp1~Rp3で表される炭素数1~4のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等が挙げられる。Rp1~Rp3で表される炭素数4~20の脂環式炭化水素基としては、例えばアダマンタン骨格、ノルボルナン骨格等の有橋式骨格を有する多環の脂環式炭化水素基;シクロペンタン、シクロヘキサン等のシクロアルカン骨格を有する単環の脂環式炭化水素基が挙げられる。また、これらの基が有する水素原子の一部又は全部は、例えば炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種以上で置換されていてもよい。これらのうち、Rp1が炭素数1~4のアルキル基であり、Rp2及びRp3が相互に結合してそれぞれが結合している炭素原子とともにアダマンタン骨格又はシクロアルカン骨格を有する2価の基を形成することが好ましい。上記式2で表される基は、構造単位Iにおいて、どの部位に結合していてもよい。例えば、重合体主鎖部分に直接結合していてもよいし、側鎖部分に結合していてもよい。構造単位Iとしては、上記式3で表される構造単位が好ましく、上記式3で表される構造単位としては、例えば下記式1-1~1-4で表される構造単位等が挙げられる。上記式1-1~1-4中、R4は、上記式3と同義である。Rp1、Rp2及びRp3は上記式4と同義である。npは1~4の整数である。[A]重合体における構造単位Iの含有率は、20モル~80モルであることが好ましく、30モル~70モルであることがより好ましい。構造単位Iの含有率を上記特定範囲とすることで、当該パターン形成方法を用いた場合のリソグラフィー特性さらに向上させることができる。[構造単位II][A]重合体は、ラクトン基又は環状カーボネート基を含む構造単位IIを有することが好ましい。[A]重合体が構造単位IIを有することで、当該パターン形成方法におけるレジスト膜の基板への密着性を向上できる。ここで、ラクトン基とは、-O-CO-で表される構造を含むひとつの環ラクトン環を含有する基を表す。また、環状カーボネート基とは、-O-CO-O-で表される構造を含むひとつの環環状カーボネート環を含有する基を表す。ラクトン環又は環状カーボネート環を1つめの環として数え、ラクトン環又は環状カーボネート環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基という。構造単位IIとしては、例えば下記式で表される構造単位等が挙げられる。上記式中、R5は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。構造単位IIを与える単量体としては、例えば国際公開2007/116664号に記載の単量体、下記式5で表される単量体等が挙げられる。上記式5中、R5は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。RL1は、単結合又は2価の連結基である。RL2は、ラクトン基又は環状カーボネート基である。上記RL1で表される2価の連結基としては、例えば炭素数1~20の2価の直鎖状又は分岐状の炭化水素基等が挙げられる。上記RL2で表されるラクトン基としては、例えば下記式L2-1~L2-6で表される基等が挙げられ、環状カーボネート基としては、例えばL2-7、L2-8で表される基等が挙げられる。上記式中、RLc1は、酸素原子又はメチレン基である。RLc2は、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基である。nLc1は、0又は1である。nLc2は、0~3の整数である。nC1は、0~2の整数である。nC2~nC5は、それぞれ独立して、0~2の整数である。は、上記式5のRL1に結合する部位を示す。なお、上記式L2-1~L2-8で表される基は置換基を有していてもよい。[A]重合体における構造単位IIの含有率は、25モル~65モルであることが好ましく、35モル~55モルであることがより好ましい。構造単位IIの含有率を上記特定範囲とすることで、当該パターン形成方法におけるレジスト膜の基板等への密着性がさらに向上する。[A]重合体は、構造単位I、構造単位II以外のその他の構造単位を有していてもよい。その他の構造単位としては、例えば極性基を含む構造単位III等が挙げられる。[構造単位III][A]重合体は、極性基を含む構造単位IIIをさらに有することが好ましい。[A]重合体が構造単位IIIをさらに有することで、[A]重合体と、[B]酸発生体等の他の成分との相溶性が向上するため、当該パターン形成方法により得られるパターンのリソグラフィー性能をより優れたものとすることができる。なお、構造単位IIIとしては、例えば下記式で表される構造単位等が挙げられる。上記式中、R6は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。[A]重合体における構造単位IIIの含有率としては、0~30モルが好ましく、0~20モルがより好ましい。<[A]重合体の合成方法>[A]重合体は、例えば所定の各構造単位に対応する単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより製造できる。例えば、単量体及びラジカル開始剤を含有する溶液を、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法、単量体を含有する溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法、各々の単量体を含有する複数種の溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法等の方法で合成することが好ましい。上記重合に使用される溶媒としては、例えばn-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等のアルカン類;シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン類;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類;クロロブタン類、ブロモヘキサン類、ジクロロエタン類、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類;アセトン、2-ブタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-ヘプタノン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエトキシエタン類等のエーテル類;メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、4-メチル-2-ペンタノール等のアルコール類等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。上記重合における反応温度は、ラジカル開始剤の種類に応じて適宜決定すればよいが、通常40°C~150°Cであり、50°C~120°Cが好ましい。反応時間としては、通常1時間~48時間であり、1時間~24時間が好ましい。上記重合に使用されるラジカル開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリルAIBN、2,2’-アゾビス4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2-シクロプロピルプロピオニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオニトリル等が挙げられる。これらの開始剤は2種以上を混合して使用してもよい。重合反応により得られた重合体は、再沈殿法により回収することが好ましい。すなわち、重合反応終了後、重合液を再沈溶媒に投入することにより、目的の樹脂を粉体として回収する。再沈溶媒としては、アルコール類やアルカン類等を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。再沈殿法の他に、分液操作やカラム操作、限外ろ過操作等により、単量体、オリゴマー等の低分子成分を除去して、重合体を回収することもできる。[A]重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによる重量平均分子量Mwとしては、1,000~100,000が好ましく、1,000~50,000がより好ましく、1,000~30,000がさらに好ましい。[A]重合体のMwを上記特定範囲とすることで、膜減りを抑制し、得られるパターンのLWRを低減することができる。[A]重合体のMwと数平均分子量Mnとの比Mw/Mnとしては、通常1~5であり、1~3が好ましく、1~2がより好ましい。Mw/Mnをこのような特定範囲とすることで、得られるパターンのLWRを低減することができる。なお、本明細書においてMw及びMnは、GPCカラムG2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本、以上東ソー社製を用い、流量1.0mL/分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、試料濃度1.0質量、試料注入量100μL、カラム温度40°Cの分析条件で、検出器として示差屈折計を使用し、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより測定した値をいう。<[B]酸発生体>[B]酸発生体は、当該パターン形成方法における露光工程において、放射線照射により酸を発生する化合物である。その酸の作用により[A]重合体中に存在する酸解離性基が解離し、カルボキシ基等の極性基が発生する。その結果、[A]重合体が当該現像液に難溶性となる。当該パターン形成方法における[B]酸発生体の含有形態としては、後述するような化合物の形態以下、適宜[B]酸発生剤ともいうでも、重合体の一部として組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。[B]酸発生剤としては、例えばオニウム塩化合物、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物等が挙げられる。これらの[B]酸発生剤のうち、オニウム塩化合物が好ましい。オニウム塩化合物としては、例えばスルホニウム塩テトラヒドロチオフェニウム塩を含む、ヨードニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等が挙げられる。スルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、4-メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート、トリフェニルホスホニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-6-1-アダマンタンカルボニロキシ-ヘキサン-1-スルホネート、トリフェニルスルホニウムノルボルニル-ジフルオロエタンスルホネート等が挙げられる。これらのうち、4-シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノルボルニル-ジフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート及びトリフェニルホスホニウム1,1,2,2-テトラフルオロ-6-1-アダマンタンカルボニロキシ-ヘキサン-1-スルホネートが好ましい。テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-6-n-ブトキシナフタレン-2-イルテトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート等が挙げられる。これらのテトラヒドロチオフェニウム塩のうち、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート及び1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネートが好ましい。ヨードニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムカンファースルホネート等が挙げられる。これらのヨードニウム塩のうち、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネートが好ましい。これらの[B]酸発生体は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。[B]酸発生体が酸発生剤である場合の含有量としては、レジストとしての感度及び現像性を確保する観点から、[A]重合体100質量部に対して、通常、0.1質量部以上30質量部以下、好ましくは0.5質量部以上20質量部以下である。この場合、[B]酸発生剤の使用量が0.1質量部未満では、感度が低下する傾向があり、一方30質量部を超えると、放射線に対する透明性が低下して、所望のレジストパターンを得られ難くなる傾向がある。<[C]フッ素原子含有重合体>当該パターン形成方法において用いられるフォトレジスト組成物は、[C]フッ素原子含有重合体以下、[C]重合体ともいうを含有することが好ましい。上記フォトレジスト組成物が、[C]重合体を含有することで、レジスト膜を形成した際に、[C]重合体の撥油性的特徴により、その分布がレジスト膜表層に偏在化する傾向があるため、液浸露光時において、膜中の酸発生剤や酸拡散制御剤等の液浸媒体への溶出を抑制することができる。なお、[C]重合体としては、[A]重合体に該当する重合体は除くものとする。[C]重合体は、通常フッ素原子を構造中に含む単量体を1種類以上重合することにより形成することができる。[C]重合体は下記式6で表される構造単位F-Iを有することが好ましい。上記式6中、R7は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Aは、単結合又は2価の連結基である。R8は、少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導基である。上記Aで表される2価の連結基としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、アミド基、スルホニルアミド基、ウレタン基等が挙げられる。上記構造単位F-Iを与える好ましい単量体としては、トリフルオロメチルメタアクリル酸エステル、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロエチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロi-プロピルメタアクリル酸エステル、パーフルオロn-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロi-ブチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロt-ブチルメタアクリル酸エステル、2-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチルメタアクリル酸エステル、パーフルオロシクロヘキシルメチルメタアクリル酸エステル、1-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルメタアクリル酸エステル、1-3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-ヘプタデカフルオロデシルメタアクリル酸エステル、1-5-トリフルオロメチル-3,3,4,4,5,6,6,6-オクタフルオロヘキシルメタアクリル酸エステルが挙げられる。[C]重合体における構造単位F-Iの含有率としては、通常5モル以上であり、10モル以上が好ましく、15モル以上がより好ましい。構造単位F-Iの含有率が5モル未満であると、後退接触角が70度未満となる、レジスト膜からの酸発生剤等の溶出を抑制できない等の不都合が発生するおそれがある。[C]重合体は、構造単位F-Iを1種のみ有していてもよいし、2種以上を有していてもよい。[C]重合体は、上述のフッ素原子を構造中に有する構造単位以外にも、例えば現像液に対する溶解速度をコントールするために酸解離性基を有する構造単位や、ラクトン基又は環状カーボネート基を含む構造単位、水酸基、カルボキシ基等を含む構造単位、脂環式基等を含む構造単位、基板からの反射による光の散乱を抑えるために芳香族化合物に由来する構造単位等の他の構造単位を1種類以上含有させることができる。上記酸解離性基を有する構造単位としては、[A]重合体の構造単位Iと同様の構造単位が挙げられる。上記ラクトン基又は環状カーボネート基を含む構造単位としては、[A]重合体の構造単位IIと同様の構造単位が挙げられる。上記水酸基、カルボキシ基等を含む構造単位としては[A]重合体の構造単位IIIと同様の構造単位が挙げられる。上記脂環式基を含む構造単位F-IVとしては、例えば下記式7で表される構造単位等が挙げられる。上記式7中、R9は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Xは、炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基である。上記Xで表される炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基としては、例えばシクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカン等のシクロアルカン類の脂環族環に由来する炭化水素基が挙げられる。これらのシクロアルカン由来の脂環族環に由来する炭素水素基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又は炭素数3~10のシクロアルキル基の1種以上あるいは1個以上で置換してもよい。置換基は、これらアルキル基及びシクロアルキル基に限定されるものではなく、ヒドロキシル基、シアノ基、炭素数1~10のヒドロキシアルキル基、カルボキシ基、酸素原子で置換されたものであってもよい。上記構造単位F-IVを与える好ましい単量体としては、メタアクリル酸-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イルエステル、メタアクリル酸-ビシクロ[2.2.2]オクタ-2-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[5.2.1.02,6]デカ-7-イルエステル、メタアクリル酸-テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[3.3.1.13,7]デカ-1-イルエステル、メタアクリル酸-トリシクロ[3.3.1.13,7]デカ-2-イルエステルが挙げられる。また、上記芳香族化合物に由来する構造単位以下、構造単位F-Vともいう。を与える好ましい単量体としては、スチレン、α-メチルスチレン、2-メチルスチレン、3-メチルスチレン、4-メチルスチレン、2-メトキシスチレン、3-メトキシスチレン、4-メトキシスチレン、4-2-t-ブトキシカルボニルエチルオキシスチレン2-ヒドロキシスチレン、3-ヒドロキシスチレン、4-ヒドロキシスチレン、2-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、3-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、4-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、2-メチル-3-ヒドロキシスチレン、4-メチル-3-ヒドロキシスチレン、5-メチル-3-ヒドロキシスチレン、2-メチル-4-ヒドロキシスチレン、3-メチル-4-ヒドロキシスチレン、3,4-ジヒドロキシスチレン、2,4,6-トリヒドロキシスチレン、4-t-ブトキシスチレン、4-t-ブトキシ-α-メチルスチレン、4-2-エチル-2-プロポキシスチレン、4-2-エチル-2-プロポキシ-α-メチルスチレン、4-1-エトキシエトキシスチレン、4-1-エトキシエトキシ-α-メチルスチレン、メタアクリル酸フェニル、メタアクリル酸ベンジル、アセナフチレン、5-ヒドロキシアセナフチレン、1-ビニルナフタレン、2-ビニルナフタレン、2-ヒドロキシ-6-ビニルナフタレン、1-ナフチルメタアクリレート、2-ナフチルメタアクリレート、1-ナフチルメチルメタアクリレート、1-アントリルメタアクリレート、2-アントリルメタアクリレート、9-アントリルメタアクリレート、9-アントリルメチルメタアクリレート、1-ビニルピレンが挙げられる。[C]重合体が有する他の構造単位として、構造単位II、構造単位III、構造単位F-IV、構造単位F-Vをそれぞれ1種のみ有していてもよいし、2種以上を有していてもよい。[C]重合体において、これらの他の構造単位の含有率としては、通常80モル以下であり、75モル以下が好ましく、70モル以下がより好ましい。<[C]重合体の合成方法>[C]重合体は、例えば所定の各構造単位に対応する単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより合成できる。なお、[C]重合体の合成に使用される重合開始剤、溶媒等としては、上記[A]重合体の合成方法において例示したものと同様のものを挙げることができる。上記重合における反応温度としては、通常40°C~150°C、50°C~120°Cが好ましい。反応時間としては、通常1時間~48時間、1時間~24時間が好ましい。[C]重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィGPC法によるポリスチレン換算重量平均分子量Mwとしては、1,000~50,000が好ましく、1,000~30,000がより好ましく、1,000~10,000が特に好ましい。[C]重合体のMwが1,000未満の場合、十分な前進接触角を得ることができない。一方、Mwが50,000を超えると、レジストとした際の現像性が低下する傾向にある。[D]重合体のMwとGPC法によるポリスチレン換算数平均分子量Mnとの比Mw/Mnとしては、通常1~3であり、好ましくは1~2.5である。<[D]酸拡散制御体>[D]酸拡散制御体は、露光により[B]酸発生体から生じる酸のレジスト膜中における拡散現象を制御し、未露光部における好ましくない化学反応を抑制する効果を奏する成分である。フォトレジスト組成物が[D]酸拡散制御体を含有することで、得られるフォトレジスト組成物の貯蔵安定性がさらに向上し、またレジストとしての解像度がさらに向上する。また、露光から現像処理までの引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れた組成物が得られる。なお、[D]酸拡散制御体の本発明におけるフォトレジスト組成物における含有形態としては、遊離の化合物の形態以下、適宜[D]酸拡散制御剤ともいうでも、重合体の一部として組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。[D]酸拡散制御剤としては、例えばアミン化合物、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等が挙げられる。アミン化合物としては、例えばモノシクロアルキルアミン類;ジシクロアルキルアミン類;トリシクロアルキルアミン類;置換アルキルアニリン又はその誘導体;エチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノジフェニルアミン、2,2-ビス4-アミノフェニルプロパン、2-3-アミノフェニル-2-4-アミノフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-3-ヒドロキシフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-4-ヒドロキシフェニルプロパン、1,4-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、1,3-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、ビス2-ジメチルアミノエチルエーテル、ビス2-ジエチルアミノエチルエーテル、1-2-ヒドロキシエチル-2-イミダゾリジノン、2-キノキサリノール、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、N,N,N’,N’’N’’-ペンタメチルジエチレントリアミン、トリエタノールアミン等が挙げられる。アミド基含有化合物としては、例えばN-t-ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン、N-アセチル-1-アダマンチルアミン、イソシアヌル酸トリス2-ヒドロキシエチル等が挙げられる。ウレア化合物としては、例えば尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリ-n-ブチルチオウレア等が挙げられる。含窒素複素環化合物としては、例えばイミダゾール類;ピリジン類;ピペラジン類;ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、4-ヒドロキシ-N-アミロキシカルボニルピペリジン、ピペリジンエタノール、3-ピペリジノ-1,2-プロパンジオール、モルホリン、4-メチルモルホリン、1-4-モルホリニルエタノール、4-アセチルモルホリン、3-N-モルホリノ-1,2-プロパンジオール、1,4-ジメチルピペラジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。また、[D]酸拡散制御剤として、露光により感光し弱酸を発生する光崩壊性塩基を用いることもできる。光崩壊性塩基は、露光部においては酸を発生して[A]重合体の当該現像液に対する不溶性を高め、結果として現像後の露光部表面のラフネスを抑制する。一方、未露光部ではアニオンによる高い酸捕捉機能が発揮されクエンチャーとして機能し、露光部から拡散する酸を捕捉する。すなわち、未露光部のみにおいてクエンチャーとして機能するため、脱保護反応のコントラストが向上し、結果として解像度をより向上させることができる。光崩壊性塩基の一例として、露光により分解して酸拡散制御性を失うオニウム塩化合物がある。オニウム塩化合物としては、例えば下記式D1で示されるスルホニウム塩化合物、下記式D2で表されるヨードニウム塩化合物等が挙げられる。上記式D1及び式D2中、R10~R14はそれぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子又は-SO2-RCである。RCは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はアリール基である。Z-は、OH-、R15-COO-、RD-SO2-N-―R15、R15-SO3-又は下記式D3で示されるアニオンである。R15は炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数3~20のシクロアルキル基、炭素数6~30のアリール基、炭素数7~30のアルカリール基である。上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアルカリール基の水素原子の一部又は全部は置換されていてもよい。RDは、炭素数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、置換基を有してもいてもよい炭素数3~20のシクロアルキル基である。上記アルキル基及びシクロアルキル基の水素原子の一部又は全部はフッ素原子で置換されていてもよい。但し、Z-がR15-SO3-の場合、SO3-が結合する炭素原子にフッ素原子が結合する場合はない。上記式D3中、R16は、水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基である。uは0~2の整数である。上記式D1及びD2におけるR10~R14としては、水素原子及び-SO2-RCが好ましい。また、上記RCとしては、シクロアルキル基が好ましく、シクロヘキシル基がより好ましい。上記R15で表されるアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、i-プロピル基、ブチル基、i―ブチル基、t-ブチル基等、及びこれらの基の水素原子の一部又は全部が置換された基等が挙げられる。上記R15で表されるシクロアルキル基としては、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基等、及びこれらの基の水素原子の一部又は全部が置換された基等が挙げられる。上記R15で表されるアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基等、及びこれらの基の水素原子の一部又は全部が置換された基等が挙げられる。上記R15で表されるアルカリール基としては、例えば、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、及びこれらの基の水素原子の一部又は全部が置換された基等が挙げられる。上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアルカリール基が有する置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ラクトン基、アルキルカルボニル基等が挙げられる。上記RDで表されるアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。上記RDで表されるシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。上記光崩壊性塩基としては、例えば下記式で表される化合物等が挙げられる。当該パターン形成方法に用いられるフォトレジスト組成物における[D]酸拡散制御剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、10質量部未満が好ましい。合計使用量が10質量部を超えると、レジストとしての感度が低下する傾向にある。これらの[D]酸拡散抑制剤は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。<[E]溶媒>当該パターン形成方法に用いられるフォトレジスト組成物は通常[E]溶媒を含有する。[E]溶媒は少なくとも[A]重合体、[B]酸発生体、好適成分である[C]重合体、[D]酸拡散制御剤及び任意成分を溶解できれば特に限定されない。[E]溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒及びその混合溶媒等が挙げられる。[E]溶媒の具体例としては、上述のレジストパターン形成方法における3工程において列挙した有機溶媒と同様のものが挙げられる。これらのうちプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、γ-ブチロラクトンが好ましい。これらの溶媒は単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。<その他の任意成分>当該パターン形成方法に用いられるフォトレジスト組成物は、その他の任意成分として、界面活性剤、脂環式骨格含有化合物、増感剤等を含有できる。なお、上記フォトレジスト組成物は、上記その他の任意成分をそれぞれ1種のみ含有してもよいし、2種以上を含有してもよい。[界面活性剤]界面活性剤は、当該パターン形成方法に用いられるフォトレジスト組成物の塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する効果を奏する。界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn-オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn-ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤の他、以下商品名でKP341信越化学工業社、ポリフローNo.75、同No.95以上、共栄社化学社、エフトップEF301、同EF303、同EF352以上、トーケムプロダクツ社、メガファックF171、同F173以上、大日本インキ化学工業社、フロラードFC430、同FC431以上、住友スリーエム社、アサヒガードAG710、サーフロンS-382、同SC-101、同SC-102、同SC-103、同SC-104、同SC-105、同SC-106以上、旭硝子工業社等が挙げられる。[脂環式骨格含有化合物]脂環式骨格含有化合物は、当該パターン形成方法に用いられるフォトレジスト組成物のドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等を改善する効果を奏する。脂環式骨格含有化合物としては、例えば1-アダマンタンカルボン酸、2-アダマンタノン、1-アダマンタンカルボン酸t-ブチル等のアダマンタン誘導体類;デオキシコール酸t-ブチル、デオキシコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸2-エトキシエチル等のデオキシコール酸エステル類;リトコール酸t-ブチル、リトコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸2-エトキシエチル等のリトコール酸エステル類;3-2-ヒドロキシ-2,2-ビストリフルオロメチルエチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、2-ヒドロキシ-9-メトキシカルボニル-5-オキソ-4-オキサ-トリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン等が挙げられる。これらの脂環式骨格含有化合物は単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。[増感剤]増感剤は、[B]酸発生体からの酸の生成量を増加する作用を示すものであり、当該パターン形成方法に用いられるフォトレジスト組成物のみかけの感度を向上させる効果を奏する。増感剤としては、例えばカルバゾール類、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、フェノール類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等が挙げられる。これらの増感剤は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。<フォトレジスト組成物の調製方法>当該パターン形成方法に用いられるフォトレジスト組成物は、例えば[E]溶媒中で[A]重合体、[B]酸発生体、[C]重合体、[D]酸拡散制御剤及び任意成分を所定の割合で混合することにより調製できる。また、当該フォトレジスト組成物は、[E]溶媒に溶解又は分散させた状態に調製され使用され得る。<現像液>当該現像液は、当該パターン形成方法に好適に用いられるネガ型現像液であり、有機溶媒を含有し、さらに含窒素化合物を含む。なお、当該現像液については、当該パターン形成方法の3工程における現像液の説明を適用することができる。以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。各物性値の測定方法を下記に示す。[重量平均分子量Mw及び数平均分子量Mn]重合体のMw及びMnは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより東ソー社製のGPCカラムG2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を使用し、以下の条件により測定した。溶離液:テトラヒドロフラン和光純薬工業社流量:1.0mL/分試料濃度:1.0質量試料注入量:100μL検出器:示差屈折計標準物質:単分散ポリスチレン[低分子量成分含有量][A]重合体中の低分子量成分分子量1,000未満の成分の含有量質量は、高速液体クロマトグラフィーHPLCにより、ジーエルサイエンス社製InertsilODS-25μmカラム4.6mmφ×250mmを使用し、以下の条件により測定した。溶離液:アクリロニトリル/0.1リン酸水溶液流量:1.0mL/分試料濃度:1.0質量試料注入量:100μL検出器:示差屈折計[13C-NMR分析]:13C-NMR分析は、日本電子社製JNM-EX400を使用し、測定溶媒としてDMSO-d6を使用して行った。重合体における各構造単位の含有率は、13C-NMRで得られたスペクトルにおける各構造単位に対応するピークの面積比から算出した。<[A]重合体の合成>[A]重合体及び後述する[C]重合体の合成に用いた単量体を下記に示す。[合成例1]化合物M-143.08g50モル、及び化合物M-556.92g50モルを200gの2-ブタノンに溶解し、AIBN4.21g単量体化合物の総量に対し5モルを添加して単量体溶液を調製した。100gの2-ブタノンを入れた1,000mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、撹拌しながら80°Cに加熱し、調製した単量体溶液を滴下漏斗にて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合溶液を水冷して30°C以下に冷却した。2,000gのメタノール中に冷却した重合溶液を投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別した白色粉末を400gのメタノールで2回洗浄した後、ろ別し、50°Cで17時間乾燥させて白色粉末状の重合体A-1を得た収量73g、収率73。得られた重合体A-1のMwは、7,730であり、Mw/Mnは1.51であり、低分子量成分含有量は0.05質量であった。また、13C-NMR分析の結果、重合体A-1における化合物M-1由来の構造単位I:化合物M-5由来の構造単位IIの含有率は、47.3モル:52.7モルであった。[合成例2~4]表1に記載の単量体を所定量配合した以外は、合成例1と同様に操作して重合体A-2~A-4を得た。また、得られた各重合体の各構造単位の含有率、Mw、Mw/Mn比、収率、低分子量成分含有量を合わせて表1に示す。<[C]フッ素原子含有重合体の合成>[合成例5]化合物M-971.67g70モル及び化合物M-1128.33g30モルを100gの2-ブタノンに溶解し、ジメチル2,2’-アゾビスイソブチレート10.35gを添加して単量体溶液を調製した。100gの2-ブタノンを入れた1,000mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、撹拌しながら80°Cに加熱し調製した単量体溶液を滴下漏斗にて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合溶液を水冷して30°C以下に冷却した。反応溶液を4L分液漏斗に移液した後、300gのn-ヘキサンでその重合溶液を均一に希釈し、1,200gのメタノールを投入して混合した。次いで、60gの蒸留水を投入し、さらに攪拌して30分静置した。その後、下層を回収し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液とした収率60。得られた重合体C-1のMwは7,200であり、Mw/Mnは2.00であり、低分子量成分含有量は0.07質量であった。また、13C-NMR分析の結果、重合体C-1における化合物M-9由来の構造単位及び化合物M-11由来の構造単位の含有率は、71.1モル:28.9モルであった。[合成例6]表1に記載の単量体を所定量配合した以外は、合成例5と同様に操作して重合体C-2を得た。また、得られた各重合体の各単量体化合物に由来する構造単位の含有率、Mw、Mw/Mn比、収率、低分子量成分含有量を合わせて表1に示す。<現像液の調製>各現像液の調製に用いた含窒素化合物を以下に示す。含窒素化合物F-1:トリn-オクチルアミンF-2:ジ-n-オクチルアミンF-3:1-アミノデカンF-4:N,N-ジブチルアニリンF-5:プロリンF-6:テトラメチルエチレンジアミン[実施例1]メチル-n-アミルケトン99.9g99.9質量に、含窒素化合物F-10.1g0.1質量を添加し、撹拌して現像液G-1を得た。[実施例2~14、比較例1]表2に記載した有機溶媒及び含窒素化合物を所定量配合した以外は、実施例1と同様に操作して、現像液G-2~G-14及びg-1を得た。<フォトレジスト組成物の調製>フォトレジスト組成物の調製に用いた[B]酸発生体、[D]酸拡散制御剤、[E]溶媒について以下に示す。[B]酸発生剤下記式B-1及びB-2でそれぞれ表される化合物[D]酸拡散制御剤下記式D-1~D-3でそれぞれ表される化合物D-1:トリフェニルスルホニウムカンファースルホネートD-2:4-ヒドロキシ-N-アミロキシカルボニルピペリジンD-3:トリエタノールアミン[E]溶媒E-1:酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルE-2:シクロヘキサノンE-3:γ-ブチロラクトン[合成例7]重合体A-1100質量部、酸発生剤B-27.2質量部、重合体C-13質量部、酸拡散制御剤D-13.9質量部、及び溶媒E-12110質量部、E-2900質量部、E-330質量部を混合し、得られた混合溶液を孔径0.20μmのフィルターでろ過してフォトレジスト組成物J-1を調製した。[合成例8~10]下記表3に記載した種類及び配合量の各成分を混合した以外は、合成例7と同様にして各フォトレジスト組成物J-2~J-4を調製した。<レジストパターンの形成>[実施例15~31及び比較例2~5]12インチシリコンウェハ上に、下層反射防止膜ARC66、ブルワーサイエンス社製をスピンコーターCLEANTRACKLithiusProi、東京エレクトロン社製を使用して塗布した後、205°Cで60秒間加熱することにより膜厚105nmの下層反射防止膜を形成した。次いで、上記スピンコーターを使用して、表4に記載の各フォトレジスト組成物を塗布し、90°Cで60秒間PBを行った。その後23°Cで30秒間冷却し、膜厚90nmのレジスト膜を形成した。次いで、ArF液浸露光装置NSR-S610C、ニコン精機カンパニー社製を使用し、NA=1.3、ダイポールの光学条件にて、ベストフォーカスの条件で露光した。露光は1/4倍投影のスキャナーNikon精機カンパニー社製、NSR-S610Cを使用し、レチクル上のサイズは160nmクロム/320nmピッチで、マスクバイアスは0nmであった。その後、ホットプレートCLEANTRACKLithiusProiにて、表4に示す温度で60秒間PEBし、23°Cで30秒間冷却した後、表4に示す現像液を用いて30秒間パドル現像し、4-メチル-2-ペンタノールで7秒間リンスした。2,000rpm、15秒間振り切りでスピンドライすることにより、40nmライン/80nmピッチのレジストパターンを形成した。なお、測長には走査型電子顕微鏡日立ハイテクノロジーズ社製、CG4000を用いた。<評価>上記のように形成したレジストパターンについて、以下のように各種物性を評価した。結果を表4に合わせて示す。[感度]上記パターン形成方法により形成されるラインパターンが40nmライン/80nmピッチとなるような露光量を最適露光量とし、この最適露光量を感度mJ/cm2とした。感度が60mJ/cm2以下である場合、良好であると判断した。[露光余裕度EL]縮小投影露光後のラインパターンが40nmライン/80nmピッチとなるようなマスクを介して露光し、形成されるラインパターンのライン幅が40nmの±10以内となる場合の露光量の範囲の、最適露光量に対する割合を露光余裕度ELとした。ELの値が10以上である場合、露光量変化に対するパターニング性能の変量が小さく良好であると判断した。[焦点深度DepthOfFocus:DOF]縮小投影露光後のラインパターンが40nmライン/80nmピッチとなるようなマスクを介して露光し、形成されるラインパターンのライン幅が40nmの±10以内となる場合のフォーカスの振れ幅を焦点深度DOFnmとした。DOFの値が300nm以上である場合、フォーカス変化に対するパターニング性能の変量が小さく良好であると判断した。[LWRLineWidthRoughnessnm]上記最適露光量にて解像した40nmライン/80nmピッチのラインパターンを、走査型電子顕微鏡日立ハイテクノロジーズ製、CG4000を用い、パターン上部から観察した。そして、ライン幅を任意のポイントで計50点測定し、その測定ばらつきを3シグマとして算出した値をLWRnmとした。LWRの値が4.5nm以下である場合を良好と判断した。[膜減り量]まず、膜厚77nmの下層反射防止膜ARC29A、ブルワーサイエンス社製を形成した8インチシリコンウェハ上に、上記各フォトレジスト組成物によって、初期膜厚120nmのレジスト膜を形成し、90°Cで60秒間PBを行った。次に、このレジスト膜を、ArFエキシマレーザー露光装置NSRS306C、NIKON社製を用い、NA=0.78、sigma=0.90、Conventionalの条件により、マスクを介する事無く、上記の40nmライン/80nmピッチのラインパターンを形成する最適露光量Eopでウェハ全面を露光した。露光後、表4に記載の温度で60秒間PEBを行った。その後、表4に示す現像液により23°Cで30秒間現像し、4-メチル-2-ペンタノールで7秒間リンス処理を行った後、乾燥を行った。一連のプロセス完了後、残存するレジスト膜の膜厚を測定し、初期膜厚から残存膜厚を引いた値を膜減り量nmとした。なお、膜厚測定には光干渉式膜厚測定装置ラムダエース、大日本スクリーン製造社製を用いた。測定された膜減り量が、30nm未満の場合を良好、30nm以上の場合を不良と判断した。表4に示されるように、本発明のレジストパターン形成方法によれば、レジスト膜のパターン形成時における膜減りを著しく抑制できると共に、得られるパターンの線幅のバラツキを低減することができる。また、本発明のレジストパターン形成方法によれば、感度、EL、DOFを十分に満足するレジストパターンを形成することができる。"