"絶縁性基板の受光面側に第一電極層、光電変換層および透明な第二電極層が順に積層された光電変換部と、前記絶縁性基板の非受光面側に積層された背面電極とを有する単位太陽電池が複数形成され、各単位太陽電池において前記第二電極層と前記背面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する複数の集電孔を通じて電気的に接続されるとともに、隣接する二つの単位太陽電池のうちの一方の単位太陽電池の第一電極層と他方の単位太陽電池の裏面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する少なくとも一つの接続孔を通じて電気的に連結されることによって複数の前記単位太陽電池が直列接続された薄膜太陽電池において、薄膜太陽電池はその受光面側と非受光面側との双方が、封止材により封止され集電孔の内部にも当該封止材が充填されている薄膜太陽電池であって、前記背面電極側の封止材中に、集電孔から入射した光を反射する反射シートが挿入されているか、あるいは前記背面電極側の封止材の非受光面側に反射シートが形成されていることを特徴とする薄膜太陽電池。絶縁性基板の受光面側に第一電極層、光電変換層および透明な第二電極層が順に積層された光電変換部と、前記絶縁性基板の非受光面側に積層された背面電極とを有する単位太陽電池が複数形成され、各単位太陽電池において前記第二電極層と前記背面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する複数の集電孔を通じて電気的に接続されるとともに、隣接する二つの単位太陽電池のうちの一方の単位太陽電池の第一電極層と他方の単位太陽電池の背面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する少なくとも一つの接続孔を通じて電気的に連結されることによって複数の前記単位太陽電池が直列接続された薄膜太陽電池において、薄膜太陽電池の受光面側は、その全面が透明な第二電極層によって覆われており、薄膜太陽電池はその受光面側と非受光面側との双方が、封止材により封止され接続孔の内部にも当該封止材が充填されている薄膜太陽電池であって、前記背面電極側の封止材中に、接続孔から入射した光を反射する反射シートが挿入されているか、あるいは前記背面電極側の封止材の非受光面側に反射シートが形成されていることを特徴とする薄膜太陽電池。前記絶縁性基板が、フィルム材料から形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の薄膜太陽電池。前記フィルム材料が、ポリイミド又はポリアミドイミド又はポリエチレンナフタレート、の耐熱性フィルムであることを特徴とする請求項3に記載の薄膜太陽電池。前記封止材中に挿入される反射シートは金属層又は、封止材上に金属膜が製膜された金属シートであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の薄膜太陽電池。本発明はこのような実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、集電孔、接続孔が多数存在するSCAF構造の薄膜太陽電池において、集電孔、接続孔を通過した、発電に寄与しない光を、反射させることによって、薄膜太陽電池の出力を増加させる薄膜太陽電池を提供することにある。上記従来技術の有する課題を解決するために、本発明は、絶縁性基板の受光面側に第一電極層、光電変換層および透明な第二電極層が順に積層された光電変換部と、前記絶縁性基板の非受光面側に積層された背面電極とを有する単位太陽電池が複数形成され、各単位太陽電池において前記第二電極層と前記背面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する複数の集電孔を通じて電気的に接続されるとともに、隣接する二つの単位太陽電池のうちの一方の単位太陽電池の第一電極層と他方の単位太陽電池の裏面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する少なくとも一つの接続孔を通じて電気的に連結されることによって複数の前記単位太陽電池が直列接続された薄膜太陽電池において、薄膜太陽電池はその受光面側と非受光面側との双方が、封止材により封止され集電孔の内部にも当該封止材が充填されている薄膜太陽電池であって、前記背面電極側の封止材中に、集電孔から入射した光を反射する反射シートが挿入されているか、あるいは前記背面電極側の封止材の非受光面側に反射シートが形成されていることとする。また本発明は、絶縁性基板の受光面側に第一電極層、光電変換層および透明な第二電極層が順に積層された光電変換部と、前記絶縁性基板の非受光面側に積層された背面電極とを有する単位太陽電池が複数形成され、各単位太陽電池において前記第二電極層と前記背面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する複数の集電孔を通じて電気的に接続されるとともに、隣接する二つの単位太陽電池のうちの一方の単位太陽電池の第一電極層と他方の単位太陽電池の背面電極層とが前記絶縁性基板を貫通する少なくとも一つの接続孔を通じて電気的に連結されることによって複数の前記単位太陽電池が直列接続された薄膜太陽電池において、薄膜太陽電池の受光面側は、その全面が透明な第二電極層によって覆われており、薄膜太陽電池はその受光面側と非受光面側との双方が、封止材により封止され接続孔の内部にも当該封止材が充填されている薄膜太陽電池であって、前記背面電極側の封止材中に、接続孔から入射した光を反射する反射シートが挿入されているか、あるいは前記背面電極側の封止材の非受光面側に反射シートが形成されていることとする。また、本発明の薄膜太陽電池によれば、薄膜太陽電池として、アモルファス半導体或いは微結晶を含むアモルファス半導体の太陽電池、CIGS太陽電池、色素増感形太陽電池、有機太陽電池のなかのいずれかを使用することができる。封止材中に挿入される反射シートは金属シートAl箔、SUS箔、Au箔、Cu箔又は、封止材上にAg,Al,Cu,Au,Wなどの金属膜が製膜されたシートでも良い。反射率は高ければ高いほど良い。この中でも、Ag,Alが特に反射率が高く好ましい。この場合、全反射率は95以上になる。また封止材と接着が可能なフィルムにAg,Al,Cu,Wなどを蒸着法やスパッタ法により製膜したフィルムでも良い。さらには、受光面側と非受光面側との両面側から封止材により封止された薄膜太陽電池を、高反射シート上に貼り付ける構成でも良い。また、受光面側の透明電極上に反射防止膜が付与されていることが好ましい。本発明の薄膜太陽電池によれば、前記絶縁性基板が、フィルム材料から形成されている場合にも適用できる。また、本発明の薄膜太陽電池では、前記フィルム材料として、ポリイミド又はポリアミドイミド又はポリエチレンナフタレートのような耐熱性フィルムを使用することができる。本発明に係る薄膜太陽電池によれば、上記の構成を採用することにより、集電孔である第1の貫通孔を通過して、または接続孔である第2の貫通孔を通過して、発電に寄与しない光を、反射シートによって集電孔または接続孔の内部に乱反射させることによって、薄膜太陽電池の出力を増加させることができる。すなわち、反射シートで反射された光は、封止材光透過率は約90以上であるを通して、第1、第2の貫通孔内に乱反射され、第1、第2の貫通孔を通過あるいは第1、第2の貫通孔内側壁の背面電極に当たって乱反射されて受光面側に戻り、透明電極例えばITO:酸化インジウムスズと封止材との界面などで再度乱反射され、pin構造の光電変換層に入射する。つまり、第1の貫通孔に入射して発電に寄与しなかった光も、反射シートにより反射されて光電変換層に再度入射することによって、光電変換層における発電量が上昇することになる。[実施例]以下で、本発明の実施例に係る薄膜太陽電池を、図面を参照しながら説明する。図1は本発明の実施例を示すSCAF太陽電池の平面図である。図2aは、図1におけるA-A断面図で、図2bは図1aのC部を拡大した図である。また図3aは図1のB-B断面図であり、図3bは、図3aのD部を拡大した図である。図1、図2、図3、に示すように、本実施例に係る薄膜太陽電池21は、絶縁性基板22を備えている。この絶縁性基板22は、フィルム材料から形成されており、例えば、ポリイミドやポリアミドイミド又はポリエチレンナフタレート等の材料から形成されている。絶縁性基板の厚さは50μm程度である。図2に示すように、絶縁性基板21の両面22a,22bには、Agからなる金属電極層23が形成されている。ここで、絶縁性基板22の一方の面上の金属電極層23は、裏面電極層23aとして機能し、絶縁性基板22の他方の面上の金属電極層23は、第1の背面電極層23bとして機能する。また、図2に示すように、絶縁性基板22の一方の面受光面側上にある裏面電極層23a上には、光電変換層24と透明電極層25とが当該順で積層されている。ここで、光電変換層4としては、アモルファス半導体やアモルファス化合物半導体を用いた太陽電池、CIGS太陽電池、色素増感形太陽電池、又は有機太陽電池を用いることができる。一方、絶縁性基板2の他方の面非受光免側上にある第1の背面電極層23bには、第2の背面電極層26が積層されている。そして、図2、図3には、本発明の反射シート42を設けている。本実施例の特徴として、図2に示すように、絶縁性基板22上に形成された、SCAF構造を有する薄膜太陽電池は、受光面側および非受光面側の両面に、接着性を有する封止材41を有し、この封止材41により薄膜太陽電池が挟まれている。そして非受光面側の封止材を貼り合わせたあとに、反射シートとしてアルミシート42を貼り合わせ、さらにそのアルミシート42の非受光面側に封止材41を配置している。アルミシート42の厚さは20μm程度、アルミシート42の反射率は95程度である。ここで、絶縁性基板22の非受光面側とアルミシート42との間に存在する封止材41の厚さは100μm程度である。これは、あまりにこの封止材41の厚さが薄いと、アルミシート42と第2の背面電極層26とが短絡してしまう可能性があるからである。挿入する高反射率を有する反射シート42は例えば、SUS箔やAgなどが蒸着されたPETポリエチレンテレフタレートフィルムでも良い。反射シート42の厚さとしては、通常1μm以上である。数百nm以下であると、光が反射シート42を透過してしまい、反射シート32の面で、乱反射が生じなくなる可能性が有る。なお、光電変換層34上に形成された透明電極上にSiNなどの反射防止膜35を形成した。図4は、図2bの要部拡大図である。受光面側から入射した光は、矢印で示すように、反射シート42で反射され、背面電極26側壁で反射を繰り返し、封止材41と透明電極25との界面または表面保護材43と封止材41との界面などで反射して光電変換層24に再度入射する。すなわち、反射シート42で反射された光は、封止材41を通して、第1の貫通孔内に乱反射され、第1の貫通孔内側壁の背面電極に当たって乱反射され、受光面側に戻り、ITOと封止材との界面などで再度乱反射され、光電変換層に入射する。このように、集電孔である第1の貫通孔27を通過してきた光がアルミシート42により反射して発電面側に反射して乱反射することで、これまで第1の貫通孔27を通過して発電に寄与しなかった光が効率よく発電に寄与することができるようになる。本実施例によれば、従来の薄膜太陽電池に比べて、約1、薄膜太陽電池としての発電効率が向上する。これは、従来の薄膜太陽電池での発電効率を約10とした場合、その1割、発電効率が向上することになるので、大きな効率アップである。また、図4において、アルミシート反射シート42の下側非受光面側に封止材41を設けずに、反射シートが非受光面側である裏面の表面保護フィルムとした構成にしても、上記の構成と同じく、効率よく反射光を発電に寄与させることができる。図5は、本発明の別の実施例を示す平面図であり、図6は図5におけるE-E断面図である。貫通孔27の下方には、反射シート42が存在している。また、図7は図5におけるG-G断面図である。接続孔28の下方には、反射シート42が存在している。この反射シート42により、接続孔28を透過してきた光は、図4に矢印で示したのと同様にして、乱反射を繰り返して光電変換層24に入射して、発電効率のロスを取り戻す。本例では、接続孔28に入射した光の利用により、発電電力が増加するので、先に述べた貫通孔27における1の発電電力と合わせて、その効果は大きい。"