"光電変換素子を有する撮像画素が配列された撮像領域部と、周辺回路部と、外部リードのコンタクトパッドと、黒基準画素と、配線層を有し、該配線層と上記コンタクトパッドとがそれぞれ構成材を異にする金属層によって構成される固定撮像装置であって、少なくとも上記周辺回路部上と上記黒基準画素上とに遮光層が形成され、該遮光層が、上記コンタクトパッドの金属層と同時に形成された金属層によって構成されたことを特徴とする固体撮像装置。上記配線層が銅Cuより成り、上記コンタクトパッドおよび上記遮光層の金属層がアルミニウムAlもしくはアルミニウムとCuの合金Al―Cuより成ることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。基体に、光電変換素子を有する画素が配列された撮像領域部と、周辺回路部と、黒基準画素とを少なくとも形成する工程と、上記撮像領域部および上記周辺回路部の配線層の形成工程と、外部リードのコンタクトパッドの形成と、少なくとも上記周辺回路部上と上記黒基準画素上に遮光層を同一金属層によって同時に形成する工程とを有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。上記配線層を銅Cuによって形成し、上記コンタクトパッドと上記遮光層とをアルミニウムAlもしくはアルミニウムとCuの合金Al―Cuによって形成することを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置の製造方法。本発明においては、上述したような工程数の増加を来たすことなく、かつ黒基準画素における遮光性が充分得られる固体撮像装置およびその製造方法を提供するものである。すなわち、例えば固体撮像装置におけるCMOSセンサは、画素ごとに、光電変換素子のフォトダイオードによって受光量に応じて発生させた信号電荷をCMOS回路によって検出増幅する構成によるものであり、高い感度を有し、また、信号伝達回路のノイズを受けにくいという特徴を有する。このCMOS固体撮像装置にあっては、高画質化に伴う、各画素の微小稠密化に伴って配線層の幅および厚さの縮小化の要求が高く、配線層としては、導電性の高い金属層、一般にはCuによって構成される。しかしながら、外部リードのコンタクトパッドにおいては、リード線等のボンディングが良好になされないことから、通常、配線層を構成する金属層とは異なる金属層のAl、あるいはAlの合金層によって構成される。本発明においては、このことに着目して黒基準画素の遮光膜等の形成を工程数の増加を来たすことなく、かつその遮光を確実に行うことができるようにした固体撮像装置およびその製造方法を提供するものである。すなわち、本発明による固体撮像装置は、光電変換素子を有する撮像画素が配列された撮像領域部と、周辺回路部と、外部リードのコンタクトパッドと、黒基準画素と、配線層を有し、該配線層と上記コンタクトパッドとがそれぞれ構成材を異にする金属層によって構成される固定撮像装置であって、少なくとも上記周辺回路部上と上記黒基準画素上とに遮光層が形成され、該遮光層が、上記コンタクトパッドの金属層と同時に形成された金属層によって構成されたことを特徴とする。本発明による半導体装置の製造方法においては、基体に、光電変換素子を有する画素が配列された撮像領域部と、周辺回路部と、黒基準画素とを少なくとも形成する工程と、上記撮像領域部および上記周辺回路部の配線層の形成工程と、外部リードのコンタクトパッドの形成と、少なくとも上記周辺回路部上と上記黒基準画素上に遮光層を同一金属層によって同時に形成する工程とを有することを特徴とする。また、本発明は、上述の本発明による固体撮像装置およびその製造方法にあって、上記配線層を銅Cuによって形成し、上記コンタクトパッドと上記遮光層とをアルミニウムAlもしくはアルミニウムとCuの合金Al―Cuによって形成することを特徴とする。本発明による固体撮像装置およびその製造方法においては、前述したCMOSにおけるように、導電性の高い金属層によって配線層を構成し、これとは異なる金属層によってコンタクトパッドが形成される構成であって、そのコンタクトパッドを形成する金属層をもって、このコンタクトパッドの形成と同時に、遮光層を形成するものであるから、遮光層を形成するための工程数の増加を来たすことがない。また、金属層による遮光層、特にコンタクトパッドを構成する比較的厚い金属層と同一の遮光層とすることからその遮光層としての機能を充分有するものであり、完全な遮光層として形成することができる。したがって、正確な黒レベル信号の検出を行うことができ、高い画質の撮像を行うことができるものである。以下、図面を参照して本発明の実施の形態例を説明するが、本発明はこの実施の形態例に限られるものではない。まず、本発明による固体撮像装置について説明する。図1は、本発明による固体撮像装置、この例ではCMOS固体撮像装置イメージセンサの構成を示すブロック図である。このCMOS固体撮像装置1においては、基板100例えばシリコン基板上に、光電変換素子を含む撮像画素2がマトリックス状に複数多数2次元的に配列された撮像画素領域3と、その周辺回路部40としての垂直駆動回路4と、カラム信号処理回路5と、水平駆動回路6と、出力回路7と制御回路8等を有する。更に、この周辺回路部40の外側に外部リード図示せずがコンタクトされるコンタクトパッド30が配列される。図2は、撮像画素2の一例の回路図で、撮像画素2は、光電変換素子を構成する例えばフォトダイオード21と、それぞれMOSトランジスタ、例えばnチャネルMOSトランジスタによる、転送トランジスタ22、リセットトランジスタ23、増幅トランジスタ24および選択トランジスタ25を有して成る。一方、図1に示すように、黒基準画素2SBが、撮像画素領域3に、あるいはその近傍に形成される。この黒基準画素2SBは、撮像画素2と同様の構成を有するが、これに対し外部からの光が極力入射されることがないように、この上に遮光層が形成される。制御回路8は、垂直同期信号、水平同期信号およびマスタクロックに基づいて、垂直駆動回路4、カラム信号処理回路5および水平駆動回路6などの動作の基準となるクロック信号や制御信号などを生成し、垂直駆動回路4、カラム信号処理回路5および水平駆動回路6等に入力する。垂直駆動回路4は、例えばシフトレジスタによって構成され、撮像画素領域部3の各画素2を行単位で順次垂直方向に選択走査し、垂直信号線9を通して各画素2の光電変換素子フォトダイオード21において受光量に応じて生成した信号電荷をカラム信号処理回路5に供給する。カラム信号処理回路5は、画素2の例えば列ごとに配置されており、1行分の画素2から出力される信号を画素列ごとに黒基準画素からの信号によってノイズの除去や信号増幅などの信号処理を行う。カラム信号処理回路5の出力段には、水平選択スイッチ図示せずが水平信号線10との間に接続されて設けられる。水平駆動回路6は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路5の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路5の各々から画素信号を水平信号線10に出力させる。出力回路7は、カラム信号処理回路5の各々から水平信号線10を通して順次に供給される信号に対し、信号処理を行って出力する。図3は、本発明による固体撮像装置の一実施形態の一例の要部の模式的断面図である。図3においては、例えばシリコン基板100上に、撮像画素2と、黒基準画素2BSとが形成された撮像領域部3と周辺回路部40と、コンタクトパッド30が配列形成されたパッド部31が模式的に示されている。基板100に形成された撮像領域部3、周辺回路部40は、図1および図2で説明した構成を有し、図3においては、その一部のフォトダイオード21、MOSトランジスタが示されている。基板100上には、層間絶縁層50を介して、図においてはそれぞれ、導電性にすぐれた例えばCuより成る第1、第2および第3の金属層M1~M3による配線層がそれぞれ所要のパターンに形成され、相互に所定位置でビアホールを通じて接続された例えばダマシン構造の配線層60として形成される。また、パッド部31には配線層60の所定部が延長形成される。上層の層間絶縁層50の表面は平坦面に形成され、パッド部31には、配線層60からの延長部にコンタクトし、外部リードがコンタクトされるコンタクトパッド30が形成される。このコンタクトパッド30は、例えば厚さ0.4μm~2μmの外部へのリード線等が良好にコンタクトされるAlもしくはAl-Cu等のAl合金層によって構成される。そして、本発明構成においては、このコンタクトパッド30と同一金属層による遮光層70を遮光がなされるべき黒基準画像2BS上、周辺回路部40上等に形成する。これらコンタクトパッド30と遮光層70とは、後述するように同一工程において同時に形成する。撮像領域部3の撮像画素2上にはそれぞれ例えば赤R、緑G,青Bのカラーフィルタ、更にその上に微小レンズいわゆるオンチップレンズOCLが形成される。次に、上述した本発明による固体撮像装置の製造方法の実施の形態例を説明する。図4~図10は、この製造方法の主たる工程における要部の概略断面図で、図3と対応する部分には同一符号を付す。図4に示すように、シリコン半導体基板100に、上述したように黒基準画素2SB,撮像画素2を有する撮像領域3、周辺回路部40、コンタクトパッド30を有するパッド層31、層間絶縁層50、配線層60が形成され、層間絶縁層50の表面平坦化がなされる。図5に示すように、この平坦化表面上にフォトレジスト層80を形成し、図3で説明したパッド部31のコンタクトパッド30がコンタクトされる配線層60上に、フォトリソグラフィによって上に開口80aを形成する。そして、この開口80aを通じて、コンタクトパッド30上の層間絶縁層50に開口50aを形成する。図6に示すように、フォトレジスト層80を除去し、層間絶縁層50の開口50a通じてコンタクトパッド30にコンタクトされるように全面的に例えば厚さ0.4μm~2μmのAlあるいはAl合金による金属層32を例えばスパッタによって形成する。図7に示すように、金属層32上に一旦フォトレジスト層80を全面的に形成し、フォトリソグラフィによって図3で示した最終的にコンタクトパッド30と遮光層70の各形成部上を残して他部の撮像領域部3フォトレジスト層80を除去する。図8に示すように、フォトレジスト層80をマスクとして、フォトレジスト80が除去されて露呈された金属層32をエッチングし、フォトレジスト層80を除去し、金属層32によってコンタクトパッド30と遮光層70とを形成する。図9に示すように、平坦化膜51を形成し、この上にカラーフィルタRGBを受光を必要とする撮像領域部3においては所定のパターンに並置形成し、同時に他部の周辺回路部等の遮光層70上を覆って、例えばカラーフィルタを2層積層形成する。図10に示すように、オンチップレンズ材101を少なくとも撮像画素を有する撮像領域上に形成平坦面を形成するように、形成する。そして、このオンチップレンズ材101上に、フォトレジスト層80を形成し、フォトリソグラフィによって最終的にオンチップレンズOCLが形成される部分に、フォトレジスト層を形成しリフロー処理して、OCL形成部にOCL形状のフォトレジスト層によるエッチングマスクを形成する。その後、エッチバックを行ないフォトレジスト層を除去するとともに、このパターンを踏襲したエッチングを行い、図3に示すようにオンチップレンズOCLを形成し、目的とする本発明による固体撮像装置1を得る。上述したように、本発明製造方法では、遮光層70をコンタクトパッド30と同一金属層によって形成するものであることから、この金属層は、コンタクトパッドとして必要とする充分な厚さを有し、このため、完全な遮効果を有する遮光層が構成されるものである。すなわち、例えばカラーフィルタによって遮光層を形成する場合に比してすぐれた遮光がなされると同時に、この遮光層70は、コンタクトパッド30と同時に形成することから何ら工程数を増加することがないものである。尚、本発明は上述した実施形態例に限られるものではなく、本発明構成において、使用態様、目的等に応じて変形変更がなされるものである。"