"略平面でありパターニング構造を有する金属薄膜層であって、前記金属薄膜層を介して入射光を透過させるように配置される金属薄膜層を含む、電極。前記パターニング構造は、Eschericシリーズのパターンである、請求項1に記載の電極。前記パターニング構造は、円孔アレイを含む、請求項1に記載の電極。前記円孔アレイにおける円孔は周期的に分布されるか又はランダムに分布される、請求項3に記載の電極。前記パターニング構造は、複数本の平行な直線を含む、請求項1に記載の電極。前記パターニング構造は、複数本の十字交叉型直線を含む、請求項1に記載の電極。前記直線又は十字交叉型直線は周期的に分布されるか又はランダムに分布される、請求項5又は6に記載の電極。前記金属薄膜層は、可視光、近赤外光又は赤外光に対して透過可能である請求項1に記載の電極。前記金属薄膜層の表面粗さは、1μm未満、100nm未満、10nm未満又は1nm未満である、請求項1に記載の電極。前記金属薄膜層を製造するために用いられる材料の抵抗率は、0.005Ωm未満、0.002Ωm未満、又は0.001Ωm未満である、請求項1に記載の電極。前記金属薄膜層は、微小球リソグラフィ工程によって製造されたものである、請求項1に記載の電極。前記金属薄膜層のシート抵抗は下記式により算出され、式中、Rsqは前記金属薄膜層のシート抵抗で、ρは前記金属薄膜層を製造する材料の抵抗率で、dは前記金属薄膜層の厚さで、Rは微小球リソグラフィ過程を行う前の微小球半径で、rは微小球半径縮小処理を行った後の微小球半径である、請求項11に記載の電極。前記微小球はポリスチレン又はシリカを用いて製造したものである、請求項12に記載の電極。dの数値範囲は5~1000nm、Rの数値範囲は10nm~10μm、且つr<Rである、請求項12に記載の電極。基板上に有機物微小球を蒸着する工程と、前記有機物微小球をエッチバックすることにより、前記基板の表面の一部を露出する工程と、前記微小球と露出した基板の表面上に金属を蒸着する工程と、前記微小球を剥離することにより、パターニング構造を有する金属導電性薄膜層を形成する工程と、を含み、前記金属導電性薄膜層は、前記金属導電性薄膜層を介して入射光を透過させるように配置される、電極の製造方法。前記パターニング構造は、円孔アレイ、複数本の平行直線又は複数本の十字交叉型直線を含む、請求項15に記載の方法。光吸収材料層上に積層される電極であって、第1の寸法と第1の形状を有する第1のマイクロストリップアレイを少なくとも含む平面金属薄膜層パターンを含み、前記平面金属薄膜層パターンは、第1の波長範囲内の入射光を前記光吸収材料層中に透過させるように配置され、前記第1の波長範囲は少なくとも部分的に前記第1のマイクロストリップアレイの第1の寸法と第1の形状に基づいて確定される、電極。前記平面金属薄膜層パターンは、さらに、第2の寸法と第2の形状を有する第2のマイクロストリップアレイと、第3の寸法と第3の形状を有する第3のマイクロストリップアレイとを含み、前記平面金属薄膜層パターンは、第2の波長範囲内の入射光及び第3の波長範囲内の入射光を前記光吸収材料層中に透過させるように配置され、前記第2の波長範囲は少なくとも部分的に前記第2のマイクロストリップアレイの第2の寸法と第2の形状に基づいて確定され、前記第3の波長範囲は少なくとも部分的に前記第3のマイクロストリップアレイの第3の寸法と第3の形状に基づいて確定される、請求項17に記載の電極。前記平面金属薄膜層パターンは、透過範囲内の光の透過率が90より大きい、請求項17に記載の電極。前記光吸収材料層は、PN接合、PIN接合又は複数の接合を含む、請求項17に記載の電極。前記光吸収材料は、光起電力材料を含む、請求項17に記載の電極。前記光吸収材料は、シリコン、CIGS、CIS、CdTe、GaAs、Cu2O、Zn3P2、SiCの何れか一つを含む、請求項17に記載の電極。前記マイクロストリップは長方形である、請求項17に記載の電極。前記平面金属薄膜層パターンは、可視光、近赤外光又は赤外光に対して透過可能である、請求項17に記載の電極。前記平面金属薄膜層の表面粗さは、1μm未満、100nm未満、10nm未満、又は1nm未満である、請求項17に記載の電極。前記平面金属薄膜層を製造するために用いられる材料の抵抗率は0.005Ωm未満、0.002Ωm未満、又は0.001Ωm未満である、請求項17に記載の電極。前記マイクロストリップを透過する光の波長とマイクロストリップの寸法及び形状との間の共振関係は、下記式のようであり式中、lはマイクロストリップ長さ、λはマイクロストリップを透過する光の波長、nは光吸収材料の屈折率、sは任意の正整数である請求項17に記載の電極。光吸収材料層上に金属層を蒸着する工程と、前記金属層に対してパターニングを行うことにより、第1の寸法と第1の形状を有する第1のマイクロストリップアレイを少なくとも含む平面金属薄膜層パターンを生成する工程と、を含み、前記平面金属薄膜層パターンは、第1の波長範囲内の入射光を前記光吸収材料層中に透過させるように配置され、前記第1の波長範囲は少なくとも部分的に前記第1のマイクロストリップアレイの第1の寸法と第1の形状に基づいて確定される、電極の製造方法。上記問題を解決するために、本発明は、電極を製造する時に透明導電性酸化物膜を利用しないか又はその利用が極めて少ないとともに、テクスチャリング工程を必要としないことにより、テクスチャ面導電性酸化物厚膜による接合の品質の低下を防止する、電極及びその製造方法を提供することを目的とする。また、当該平面電極は、ウインドウスーパーストレイトwindowSuperstrateとして用いることにより、当該平面電極上に高品質の平面PV接合を蒸着することができる。また、本発明は、太陽電池を製造する時に裏面電極に対するテクスチャ処理を必要としない電極及びその製造方法を提供することを他の目的とする。本発明の一つの形態によれば、略平面でありパターニング構造を有する金属薄膜層であって、入射光が前記金属薄膜層を介して透過するように配置される金属薄膜層を含む、電極を提供する。また、前記パターニング構造は、Eschericシリーズのパターンであってもよい。一つの例では、前記パターニング構造は円孔アレイを含んでもよい。好ましくは、前記円孔アレイにおける円孔は周期的に分布されるか又はランダムに分布されてもよい。他の例では、前記パターニング構造は、複数本の平行直線を含んでもよい。又は、前記パターニング構造は、複数本の十字交叉型直線を含んでもよい。一つ又は複数の例では、前記平行直線又は十字交叉型直線は周期的に分布されるか又はランダムに分布されてもよい。また、前記金属薄膜層は、可視光、近赤外光又は赤外光に対して透過可能である。好ましくは、前記金属薄膜層の表面粗さは、1μm未満、100nm未満、10nm未満又は1nm未満である。また、好ましくは、前記金属薄膜層を製造するために用いられる材料の抵抗率は、0.005Ωm未満、0.002Ωm未満又は0.001Ωm未満である。また、前記金属薄膜層は、微小球リソグラフィ工程により製造したものである。前記金属薄膜層のシート抵抗は下記式により算出される。式中、Rsqは前記金属薄膜層のシート抵抗、ρは前記金属薄膜層を製造する材料の抵抗率、dは前記金属薄膜層の厚さ、Rは微小球リソグラフィ過程を行う前の微小球半径、rは微小球半径縮小処理を行った後の微小球半径である。好ましくは、前記微小球はポリスチレンを用いて製造されてもよく、シリカなどの無機材料を用いて製造されてもよい。好ましくは、前記金属薄膜層を製造するための材料はAgであり、d=40nm、R=220nm及びr=211nmである。また、dの数値範囲は5~1000nm、Rの数値範囲は10nm~10μm、且つr<Rである。本発明の他の形態によれば、基板上に微小球を蒸着する工程と、前記有機物微小球をエッチバックetchbackすることにより、前記基板の表面の一部を露出する工程と、前記微小球と露出した基板の表面上に金属を蒸着する工程と、前記微小球を剥離することにより、パターニング構造を有する金属導電性薄膜層を形成する工程と、を含み、前記金属導電性薄膜層は、入射光を前記金属導電性薄膜層を介して透過させるように配置される、電極の製造方法を提供する。また、前記パターニング構造は、円孔アレイ、複数本の平行直線又は複数本の十字交叉型直線を含む。本発明の他の形態によれば、光吸収材料層上に積層する電極であって、第1の寸法と第1の形状を有する第1のマイクロストリップアレイを少なくとも含む平面金属薄膜層パターンを含み、前記平面金属薄膜層パターンは、第1の波長範囲内の入射光を前記光吸収材料層中に透過させるように配置され、前記第1の波長範囲は少なくとも部分的に前記第1のマイクロストリップアレイの第1の寸法と第1の形状に基づいて確定される、電極を提供する。また、好ましくは、前記平面金属薄膜層パターンは、さらに、第2の寸法と第2の形状を有する第2のマイクロストリップアレイと、第3の寸法と第3の形状を有する第3のマイクロストリップアレイとを含み、前記平面金属薄膜層パターンは、第2の波長範囲内の入射光及び第3の波長範囲内の入射光を前記光吸収材料層中に透過させるように配置され、前記第2の波長範囲は少なくとも部分的に前記第2のマイクロストリップアレイの第2の寸法と第2の形状に基づいて確定され、前記第3の波長範囲は少なくとも部分的に前記第3のマイクロストリップアレイの第3の寸法と第3の形状に基づいて確定される。また、前記光吸収材料層は、PN接合、PIN接合又は複数の接合を含む。一つの例では、前記光吸収材料は、光起電力材料を含む。他の例では、前記光吸収材料は、シリコン、CIGS、CIS、CdTe、GaAs、Cu2O、Zn3P2、SiCの何れか一つを含む。好ましくは、前記マイクロストリップは長方形である。また、前記平面金属薄膜層の表面粗さは、1μm未満、100nm未満、10nm未満、又は1nm未満である。前記平面金属薄膜層を製造するために用いられる材料の抵抗率は0.005Ωm未満、0.002Ωm未満、又は0.001Ωm未満である。また、前記マイクロストリップを透過する光の波長とマイクロストリップの寸法及び形状との間の共振関係は、下記式の示す通りである。式中、lはマイクロストリップの長さ、λはマイクロストリップを透過する光の波長、nは光吸収材料の屈折率、sは任意の正整数である。本発明の他の形態によれば、光吸収材料層上に金属層を蒸着する工程と、前記金属層に対してパターニングを行うことにより、第1の寸法と第1の形状を有する第1のマイクロストリップアレイを少なくとも含む平面金属薄膜層パターンを生成する工程と、を含み、前記平面金属薄膜層パターンは、第1の波長範囲内の入射光を前記光吸収材料層中に透過させるように配置され、前記第1の波長範囲は少なくとも部分的に前記第1のマイクロストリップアレイの第1の寸法と第1の形状に基づいて確定される、電極の製造方法を提供する。上記の目的を実現するために、本発明の一つの又は複数の形態は、下記において詳しく説明するとともに特許請求の範囲に特別に指摘された特徴を含む。下記の説明及び図面は、本発明の幾つかの例示形態を詳しく説明する。しかし、これらの形態が示すのは、本発明の原理を利用できる各種の形態のうち一部の形態に過ぎない。また、本発明は、これらの形態及びそれらの同等物を含む。下記のように図面を参照する説明及び特許請求の範囲の内容を参照することによって、本発明の他の目的及び特徴は、より明らかになる。全ての図面において、同一の符号は、類似又は相応の特徴又は機能を示す。以下、図面を参照しながら本発明の各実施態様に対して詳細に記述する。以下の記述では、説明を行う目的から、一つの又は複数の実施態様に対する全面的な理解を手伝うために、多くの具体的な詳細内容を記述する。しかし、これらの具体的な詳細内容がない場合でもこれらの実施態様を実現可能なのはいうまでもない。他の例中では、一つの又は複数の実施態様の説明の便利さから、公知の構造と設備はブロック図の形式で示される。第1の実施態様本発明の第1の実施態様に係る電極は、略平面でありパターニング構造を有する金属薄膜層を含むことができ、前記金属薄膜層は入射光を前記金属薄膜層を介して透過するように配置される。図2Aは微小球リソグラフィ技術で製造される第1の実施態様に係る電極サンプル200-1の構造を示す図であり、フォトリソグラフィを行う前のポリスチレン球の半径R=220nmであり、微小球半径減小処理を行った後のポリスチレン球の半径r=170nmであり、石英基板上に蒸着する金属膜は3nmのCrに25nm程度のAuを加えたものである。図2Bは微小球リソグラフィ技術で製造される第1の実施態様に係る電極サンプル200-2の構造を示す図であり、フォトリソグラフィを行う前のポリスチレン球の半径R=220nmであり、微小球半径減小処理を行った後のポリスチレン球の半径r=192.5nmで、石英基板上に蒸着する金属膜は3nmのCrに25nm程度のAuを加えたものである。図2Aと2Bに示すように、金属薄膜層が有するパターニング構造は円孔アレイであり、且つ前記円孔アレイにおける円孔は前記金属導電性薄膜層中に規則的に分布される。他の例では、前記円孔アレイにおける円孔は前記金属導電性薄膜層中にランダムに分布されてもよい。また、説明すべきことは、前記パターニング構造は、Escheric系列パターンのうちの何れか1種であってもよい。代替実例では、前記パターニング構造は複数本の平行な直線を含むことができる。又は、前記パターニング構造は複数本の十字交叉型直線を含むことができる。同様に、前記平行直線又は十字交叉型直線は前記金属薄膜層中に規則的に分布されてもよく、又は、前記金属薄膜層中にランダムに分布されてもよい。本発明の第1の実施態様に係るパターニング構造を有する平面金属薄膜層は、可視光、近赤外光又は赤外光を透過することができ、且つその透過率は80、90、95又はそれ以上とすることができる。また、好ましくは、本発明の第1の実施態様に係る電極中の金属薄膜層の表面粗さは1μm未満、100nm未満、10nm未満又は1nm未満である。また、好ましくは、前記金属薄膜層を製造するために用いられる材料の抵抗率は0.005Ωm未満、0.002Ωm未満又は0.001Ωm未満である。また、微小球リソグラフィ技術で製造されたパターニング構造が円孔アレイである金属薄膜層のシート抵抗は下記式により算出される。式中、Rsqは前記金属薄膜層のシート抵抗、ρは前記金属薄膜層を製造する材料の抵抗率、dは前記金属薄膜層の厚さ、Rは微小球リソグラフィ過程を行う前の微小球半径、rは微小球寸法縮小処理を行った後の微小球半径である。本実施態様では、前記微小球はポリスチレンを用いて製造されたものである。好ましくは、前記微小球は本分野において公知の任意の適当な有機物又は材料、例えば、シリカを用いて製造してもよい。その中、dの数値範囲は5~1000nm、Rの数値範囲は10nm~10μm、且つr<Rである。以下、上記のように形成した電極サンプル200-1と電極サンプル200-2の性能を説明する。比較するために、まず、金を用いて製造した薄膜厚さが22nmである円孔アレイなしの電極サンプルの性能に対して測定を行った結果、得られたシート抵抗は1Ω/sqであり、これは、金の抵抗率0.022Ωmを用いて算出した結果と非常に合致しているRsq=ρ/d=1Ω/sq。次に、上記式1に基づいて、電極サンプル200-1のRsqは約4.4Ω/sq、電極サンプル200-2のRsqは約8Ω/sqであり、これは、上記のように形成した電極サンプル200-1と電極サンプル200-2を測定して得られた実験結果と非常に合致する。また、上記のように形成した電極サンプル200-1と電極サンプル200-2の光学特性をさらに測定することができ、得られた結果は図3に示される。図3では、水平軸は光波長、垂直軸は透過率を示す。灰線は石英基板の透過率と光波長との関係を示し、点線は電極サンプル200-1の透過率と光波長との関係を示し、黒線は電極サンプル200-2の透過率と光波長との関係を示す。説明すべきことは、上記測定結果は電極サンプル200-1と200-2に何れも石英基板を含む時に測定した結果である。石英基板を除去した後、得られた結果はそれよりよくなるはずである。図面から見えるように、電極サンプル200-2は、石英基板の影響を除去した後の透過率が約70、シート抵抗が8Ω/sqである。これは、本発明の第1の実施態様に係る最適な構造を有する電極サンプルではない。図4は、本発明の第1の実施態様に係る最適な構造を有するサンプル400の透過率T、吸収率A及び反射率Rと光波長との間の関係を示す図である。図4に示す電極サンプル400はAgρ=0.016Ωmを用いて製造したものであり、平面金属薄膜層の膜厚d=40nm、フォトリソグラフィを行う前のポリスチレン球の半径R=220nm、減小処理を行った後のポリスチレン球の半径r=211nmである。この場合に、得られたシート抵抗Rsqは約8Ω/sqである。図4に示されたように、波長範囲が530nm~800nmの時に、測定された透過率はほぼ100である。また、図4では、波長480nmにおいて比較的に深い孔内共振があるが、大きい誘電率を有する吸収体例えば、a-Si:Hを用いて、当該深い孔内共振を発生する波長を対象の波長範囲の外へ赤方偏移することができ、これは、本分野において公知のものである。上記から分かるように、図4の場合の電極の透過率T>97、シート抵抗Rsqは約8Ω/sqとなっており、その性能はITOの性能をはるかに超えている。また、他の例では、前記パターニング構造は複数本の平行な直線を含むことができる。図5の右図は、微小球リソグラフィ技術で製造される本発明の第1の実施態様に係る電極のSEM画像を示し、当該電極中のパターニング構造は、選択された方向と平行な複数本の直線であり、異方性システムであってもよい。図5の左図は、前記パターニング構造が複数本の平行直線である金属薄膜層を製造する時に、20~35度のグレージング角で金属を蒸発する過程を示す。また、前記パターニング構造は、複数本の十字交叉型直線を含んでもよい。図6はパターニング構造が十字交叉型直線即ち、方形孔であり、かつ基板を有する場合にライン間距離が390、400、410及び420nmの時の透過率と光波長との間の関係を示す図である。図6では、十字交叉型直線は、膜厚40nmのAgで製造したものである。この場合、ライン間距離390、400、410及び420nmに対応するシート抵抗はそれぞれ9.3、6.23、4.68及び3.74Ω/sqである。図7は本発明の第1の実施態様に係る電極の製造方法を示す概略フローチャートである。図7に示すように、まず、ステップS710において、基板上に微小球を蒸着する。前記基板は、例えば石英基板である。本実例では、微小球はポリスチレンで製造されている。代替実例として、本分野において公知のその他の適当な材料、例えばシリカを用いることもできる。次に、ステップS720において、前記微小球に対しエッチバック、例えば反応性イオンエッチングRIEを行うことにより、前記基板の表面の一部を露出する。次に、ステップS730において、前記微小球と露出した基板の表面上に金属を蒸着する。次に、ステップS740において、前記微小球を剥離することにより、パターニング構造を有する金属薄膜層を形成し、その中、前記金属薄膜層は、入射光をこの金属薄膜層を介して透過させるように配置される。補足すべきことは、前記パターニング構造は、円孔アレイ、複数本の平行直線又は複数本の十字交叉型直線とすることができる。図8と図9は、前記パターニング構造が円孔アレイである時の処理過程を示す図であり、当該過程は、例えばナノ球リソグラフィNSL技術で行うことができる。図8はNSL過程中の処理ステップを示す図である。図8の左図に示すように、まず、水面上にポリスチレン微小球を蒸着し、次に緻密に配列された単層を形成する。水を蒸発させた後、ナノ球を基板上に蒸着する。当該蒸着したナノ球アレイは、次の金属蒸発のマスクとして用いられる。図8の右図のうち上図はナノ球が水面上に浮く時の水面の光学画像を示し、下図は緻密に配列されたナノ球アレイを示す。上記のように得られたアレイパターンは離隔した類似三角形であり、非導電である。上記のように、緻密に配列された微小球アレイを得た後、図9に示すように、RIEにより当該緻密に配列された微小球アレイ中の微小球の直径を縮小する。次に、当該直径が縮小された微小球アレイをマスクとして金属を蒸発させる。金属を蒸発させた後に当該微小球を剥離することにより、円孔アレイのパターニング構造を有する金属薄膜層を形成する。図5の左図に示すように、前記パターニング構造は複数本の平行直線又は複数本の十字交叉型直線であり、その処理過程は円孔アレイと略同一で、相違点としては、金属を蒸発する過程が20~35度のグレージング角で行うことだけにある。上記のように、本発明の第1の実施態様に係る電極の構造と製造方法を記述した。本発明の第1の実施態様に係る電極によれば、当該電極を製造する時に、透明導電性酸化物膜を利用しないか又はその利用が極めて少ないとともに、テクスチャリング工程を必要としないことにより、テクスチャ面透明導電性酸化物厚膜による接合品質の低下を防止することができる。また、図4から分かるように、本発明の第1の実施態様に係る電極中のパターニング構造の寸法と構造に対して適当な設計を行うことにより、当該電極に高導電率と高透過性を付与することができる。また、当該平面電極は、ウインドウスーパーストレイトwindowSuperstrateとして用いることにより、当該平面電極上に高品質の平面PV接合を蒸着することができる。第2の実施態様以下、図10~図14を参照しながら本発明の第2の実施態様に係る電極及びその製造方法を詳細に記述する。図10は、本発明の第2の実施態様に係る単ピーク型電極1000の構造を示す概略図である。図10に示すように、本発明の第2の実施態様に係る単ピーク型電極1000が光吸収材料層1010上に積層され、前記光吸収材料層1010が下層金属膜例えば、金属裏面電極1020上に積層される。ここで、図10に示す構造は、太陽電池セルと対等することができる。前記単ピーク型電極1000は、平面金属薄膜層パターンを含み、前記平面金属薄膜層パターンは、第1の寸法と第1の形状を有する第1のマイクロストリップアレイを含む。この場合に、前記平面金属薄膜層パターンは、第1の波長範囲内の入射光を前記光吸収材料層中に透過させるように配置され、その中、前記第1の波長範囲は少なくとも部分的に前記第1のマイクロストリップアレイの第1の寸法と第1の形状に基づいて確定される。本実施態様では、前記マイクロストリップは長方形である。好ましくは、前記マイクロストリップは他の適当な形状、例えばマイクロストリップ孔又は他の形態の孔又は島の形状を取ってもよい。前記マイクロストリップが透過する光の波長とマイクロストリップの寸法及び形状との間の共振関係は下式である。式中、lはマイクロストリップの長さ、λはマイクロストリップを透過する光波長、nは光吸収材料の屈折率、sは任意の正整数、例えば、s=1,2,3...である。図11は、図10中の単ピーク型電極はマイクロストリップ長さがそれぞれ150nm、160nm、170nmと180nmの時の吸収率、反射率と光周波数との間の関係を示す図である。図11では、水平軸はeVを単位とする周波数、垂直軸は百分率を示す。同図に示すように、2.7eVにおける広い吸収ピークは、a-Siの固有のバンド間吸収に起因するものである。隣の衛星ピーク例えば、180nmの時に2.2eVにおけるピークは、マイクロストリップ共振を示し、且つ当該周波数即ち、波長とマイクロストリップ長さlとの間は、上記式2を満たす。比較的に短いlに対し、s=1の時に、対応の吸収ピークが存在している。図11に示すように、当該吸収ピークが対応する吸収率は約70であり、当該値は理想的なものではない。しかし、マイクロストリップ間の距離を減少することにより、当該吸収率を向上することができる。前記光吸収材料層は、PN接合、PIN接合又は複数の接合を含むことができる。一つの例では、前記光吸収材料は光起電力材料を含む。他の例では、前記光吸収材料はシリコン、CIGS、CIS、CdTe、GaAs、Cu2O、Zn3P2、SiCの何れか一つを含む。前記光吸収材料層は、量子ドット層であってもよい。又は、前記光吸収材料層は、有機半導体膜、例えばPF10TBT:[C60]PCBMであってもよい。前記下層金属膜は、パターニングされていなくてもよいし、パターニングされてもよい。また、前記平面金属薄膜層の表面粗さは1μm未満、100nm未満、10nm未満又は1nm未満である。前記平面金属薄膜層を製造するために用いられる材料の抵抗率は0.005Ωm未満、0.002Ωm未満又は0.001Ωm未満である。他の例では、第2の実施態様に係る電極は、多ピーク型電極であってもよい。図12は本発明の第2の実施態様に係る3-ピーク型電極1200を示す図であり、当該3-ピーク型電極1200では、第1の寸法と第1の形状を有する第1のマイクロストリップアレイ1201に加え、前記平面金属薄膜層パターン1200は第2の寸法と第2の形状を有する第2のマイクロストリップアレイ1202と、第3の寸法と第3の形状を有する第3のマイクロストリップアレイ1203とを含んでもよく、その中、前記平面金属薄膜層パターンは、第1の波長範囲の光を前記光吸収材料層に透過することに加え、第2の波長範囲内の入射光及び第3の波長範囲内の入射光をも前記光吸収材料層中に透過するように配置される。その中、前記第2の波長範囲は少なくとも部分的に前記第2のマイクロストリップアレイの第2の寸法と第2の形状に基づいて確定され、前記第3の波長範囲は少なくとも部分的に前記第3のマイクロストリップアレイの第3の寸法と第3の形状に基づいて確定される。同様に、当該3-ピーク型電極1200は光吸収材料層1210上に積層され、前記光吸収材料層1210は下層金属膜例えば、金属裏面電極1220上に積層される。また、第2の実施態様に係る電極は、5-ピーク型電極であってもよい。図13は、本発明の第2の実施態様に係る5-ピーク型電極の吸収率と光周波数との間の関係を示す図であり、当該5-ピーク型電極は、赤外光で作動する。図13では、当該5-ピーク型電極は、5つの異なる寸法例えば、異なる長さのマイクロストリップユニットを有し、各々のピークは一つの所定の長さのマイクロストリップユニットに対応する。当該形態では、低損失媒質を吸収体として用いるので、得られた吸収ピークは非常に狭い。このような光吸収は、可視光周波数範囲内に実現することができる。図14は、本発明の第2の実施態様に係る電極の製造方法を示す概略フローチャートである。図14に示すように、まず、ステップS1400において、光吸収材料層上に金属層を蒸着する。次に、ステップS1410において、前記金属層をパターニングすることにより、第1の寸法と第1の形状を有する第1のマイクロストリップアレイを少なくとも含む平面金属薄膜層パターンを生成し、その中、前記平面金属薄膜層パターンは、第1の波長範囲内の入射光を前記光吸収材料層中に透過するように配置され、また、前記第1の波長範囲は少なくとも部分的に前記第1のマイクロストリップアレイの第1の寸法と第1の形状に基づいて確定される。上記のように、図10~図14に対して本発明の第2の実施態様に係る電極の構造及び製造方法を記述した。本発明の第2の実施態様に係る電極によれば、太陽電池を製造する時に、裏面電極に対してテクスチャ処理を行う必要がない。ここで説明すべきことは、本発明の各実施態様に係る電極は、光起電力用途、即ち、太陽電池に適用できるだけでなく、光電デバイス用途、例えばLEDにも適用できる。詳しく記述した好ましい実施態様に基づいて本発明を開示したが、当業者にとって本発明の主旨と範囲から逸脱しない前提で、本発明に対し各種の改善や変形を行うことができることは自明である。従って、本発明の各種の改善や変形が特許請求の範囲及びその同等記述に限定される本発明の範囲内にある限り、これらの改善や変形は本発明の技術思想内に属すると見るべきである。"