半導体層に形成された凹部の側面および底面に第1屈折率を有する第1絶縁膜を形成する工程と、前記凹部の側面であって前記第1絶縁膜上に前記第1屈折率より大きい第2屈折率を有する第2絶縁膜を形成する工程と、前記凹部を埋め込むように前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜上に前記第2屈折率より小さい第3屈折率を有するレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に光を照射し、前記凹部に埋め込まれた前記レジスト膜を上方から入射する前記光および前記第2絶縁膜中を導光されて下方から入射する前記光により露光する工程と、前記レジスト膜を現像する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記第2絶縁膜中を導光される前記光は、前記第2絶縁膜と前記第1絶縁膜との第1界面および前記第2絶縁膜と前記レジスト膜との第2界面で全反射を繰り返しながら前記第2絶縁膜内を前記凹部の底面に向かって伝播し、前記第2絶縁膜の端面を透過して、前記端面に接する前記第1絶縁膜に入射し、前記第1絶縁膜と前記半導体層との第3界面で反射して前記底面から前記第1絶縁膜に接する前記レジスト膜に入射することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記半導体層がシリコンであり、前記第1絶縁膜がシリコン酸化膜であり、前記第2絶縁膜が二酸化シリコンを含有するポリシロキサンであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記凹部が、ホールであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記レジストがポジレジストまたはネガレジストであり、前記現像後に、前記凹部に埋め込まれた前記レジスト膜が除去または残置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。本発明は、凹部に塗布されたレジストの露光不足を解消できる半導体装置の製造方法を提供する。一つの実施形態によれば、半導体装置の製造方法では、第1屈折率を有する第1絶縁膜が、半導体層に形成された凹部の側面および底面に形成される。前記第1屈折率より大きい第2屈折率を有する第2絶縁膜が、前記凹部の側面であって前記第1絶縁膜上に形成される。前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜上に前記第2屈折率より小さい第3屈折率を有するレジスト膜が、前記凹部を埋め込むように形成される。前記レジスト膜に光が照射され、前記凹部に埋め込まれた前記レジスト膜は上方から入射する前記光および前記第2絶縁膜中を導光されて下方から入射する前記光により露光される。露光された前記レジスト膜が現像される。以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。本実施例に係る半導体装置の製造方法について図1乃至図3を用いて説明する。図1および図2は本実施例の半導体装置の製造工程の要部を順に示す断面図、図3はレジストの露光状態を説明するための図である。本実施例は、リソグラフィ工程で半導体基板に形成されたホール内にポジレジストが塗布され、露光現像処理によりホール内に塗布されたポジレジストが除去されるときに、ホールの底部のレジストの露光不足を解消する場合の例である。図1aに示すように、半導体基板11半導体層にホール凹部12が形成されている。ホール12は、例えば半導体基板11に開口を有するマスク材を形成し、このマスク材を用いてRIEReactiveIonEtching法により半導体基板11を異方性エッチングすることにより形成されている。図1bに示すように、ホール12の内面側面および底面および半導体基板11の表面に第1屈折率n1を有する第1絶縁膜13をコンフォーマルに形成する。第1絶縁膜13は、例えばCVDChemicalVaporDeposition法によるシリコン酸化膜である。シリコン酸化膜の露光光、例えば波長550nmの光に対する第1屈折率n1は、約1.4である。次に、図1cに示すように、ホール12の側面上の第1絶縁膜13および半導体基板11上の第1絶縁膜13に第1屈折率n1より大きい第2屈折率n2を有する第2絶縁膜14をコンフォーマルに形成する。第2絶縁膜14は、例えばスプレー法またはインクジェット法により塗布された二酸化シリコンSiO2を含有するポリシロキサンである。SiO2を含有するポリシロキサンの露光光に対する第2屈折率n2は、SiO2の含有量によって変化するが約1.8から2.0の間にある。スプレー法またはインクジェット法により、ポリシロキサンをホール12の側壁にのみ形成することができる。ポリシロキサンとは、化学的にはジメチルジクロロシランをはじめとする各種のシラン類を加水分解し、生成したシラノールR3SiOHが脱水縮合したオリゴマー、ポリマーのことである。モノマーが10以下の比較的低分子のものは、ポリシロキサンまたは単にシロキサンと呼ばれる。シロキサン結合はバンドギャップが大きいため、透明性および電気絶縁性が比較的高く、絶縁耐力に優れている。次に、図2aに示すように、リソグラフィ工程において第2絶縁膜14上に第2屈折率n2より小さい第3屈折率n3を有するポジレジストが塗布される。このとき、ホール12を埋め込むように第2絶縁膜14上にポジレジスト膜15が形成される。ポジレジスト膜15の露光光に対する第3屈折率n3は、約1.5から1.8の間にある。これにより、ホール12の側面に沿って第2屈折率n2を有する第2絶縁膜14が、第1屈折率n1を有する第1絶縁膜13および第3屈折率n3を有するポジレジスト膜15で挟まれた導光構造が形成されるn1、n3<n2。ここでは、第2絶縁膜14の膜厚は、露光光の波長より十分に大きいものとする。この導光構造では、光は幾何光学的に導光される。第3屈折率n3は、第1屈折率n1より大きくても小さくても構わないが、第1屈折率と略等しいことが好ましい。次に図2bに示すように、リソグラフィ工程においてポジレジスト膜15に光16が照射され、ポジレジスト膜15が露光される。このときのホール12内のポジレジスト膜15の露光状態を、図3を用いて説明する。図3に示すように、ホール12に埋め込まれたポジレジスト膜15はポジレジスト膜15に照射された露光光16のうち、上方から入射する露光光16aおよび第2絶縁膜14中を導光されて下方から入射する露光光16bにより露光される。ポジレジスト膜15に上方から入射した露光光16aは、ポジレジスト膜15に吸収されながらホール12の底部に向かう。ホールの深さDが深いため、ホール12の底部のポジレジスト膜15に露光光16aが十分に届かなくなり、ホールの底部のポジレジスト膜15が露光不足になる。一方、ポジレジスト膜15を透過して第2絶縁膜14に入射した露光光16bは、第2絶縁膜14と第1絶縁膜13との第1界面21および第2絶縁膜14とポジレジスト膜15との第2界面22で全反射を繰り返しながら、第2絶縁膜14内をホール12の底部に向かって導光される。第2絶縁膜14による光吸収は、ポジレジスト膜15による光吸収より十分少ない。導光された露光光16bは第2絶縁膜14の端面14aを透過して、端面14aに接する第1絶縁膜13に入射し、第1絶縁膜13と半導体基板11との第3界面23で反射して底面から第1絶縁膜13に接するポジレジスト膜15に入射する。その結果、ホール12の底部のポジレジスト膜15を、十分に露光することが可能である。図2に戻って、リソグラフィ工程において露光されたポジレジスト膜15が現像されると、図2cに示すように、露光されたポジレジスト膜15は除去され、図1cに示すポジレジスト膜15が塗布される前の状態に戻る。以後、ホール12に対する処理を含む製造工程が継続され、半導体装置が製造される。上述したリソグラフィ工程で、ホール12に塗布されたポジレジスト膜15はきれいに除去されているので、その後の工程になんら支障をきたさない。図4は比較例の半導体装置の製造工程の要部を示す断面図である。ここで比較例とはホールの側面であって第1絶縁膜上に第2絶縁膜が形成されない半導体装置の製造方法のことである。図4aに示すように、リソグラフィ工程において内面にコンフォーマルに第1絶縁膜13が形成されたホール12を埋め込むようにポジレジスト膜15が形成される。ポジレジスト膜15に光16が照射され、ポジレジスト膜15が露光される。このとき、上述したようにホール12の底部のポジレジスト膜15が露光不足になり、露光不足部31が生じる。露光不足部31は、ホール12の底部の外周に沿って発生しやすい。ホール12の底部の外周は、ホール12の上部の側面の影領域になり易いためである。次に、図4bに示すように、リソグラフィ工程において露光されたポジレジスト膜15が現像される。このとき、露光されたポジレジスト膜15は除去されるが、露光不足部31のポジレジスト膜15は残置され、レジスト残渣32となる。レジスト残渣32があると、ホール12に対する処理を含む製造工程において、なんらかの障害が生じる。以上説明したように、本実施例の半導体装置の製造方法では、ホール12の側面に沿って第2屈折率n2を有する第2絶縁膜14が、第1屈折率n1を有する第1絶縁膜13および第3屈折率n3を有するポジレジスト膜15で挟まれた導光構造を形成しているn1、n3<n2。その結果、ホール12に埋め込まれたポジレジスト膜15は上方から入射する露光光16aおよび第2絶縁膜14中を導光されて下方から入射する露光光16bにより露光される。従って、凹部に塗布されたレジストの露光不足を解消できる半導体装置の製造方法が得られる。ここでは、凹部がホール12である場合について説明したが、これに限定されること無くその他の凹部、例えばトレンチにも同様に適用することができる。また、凹部の側面が半導体層に対して末広がり状に傾斜していても構わない。図5は、半導体層に対して末広がり状に傾斜した側面を有する凹部を示す断面図で、図5aは側面が半導体基板11の内部から表面に向かって末広がり状に傾斜した凹部41を示す断面図、図5bは側面が半導体基板11の表面から内部に向かって末広がり状に傾斜した凹部42を示す断面図である。凹部41は順テーパ状であり、凹部42は逆テーパ状である。凹部41は、例えば、リソグラフィ法にてフォーカスおよび露光量を制御することにより順テーパ状の開口を有するレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクとし半導体基板をRIE法により異方性エッチングすることにより形成する。また、順テーパ状の開口を有するレジスト膜はインプリント法により形成することもできる。凹部42についても同様である。第2絶縁膜14がSiO2を含有するポリシロキサンである場合について説明したが、透明性および電気絶縁性が高く、屈折率が第1絶縁膜13およびポジレジスト膜15より高いその他の材料でも構わない。例えば、二酸化チタンTiO2を含有するポリシロキサン、TiO2を含有するポリイミド、TiO2を含有するアクリル、TiO2を含有するアクリルエポキシ、またはポリベンゾオキサゾールトレンチなどである。TiO2を含有するポリシロキサンでは、SiO2を含有するポリシロキサンより高い屈折率が得られる。第2絶縁膜14の膜厚が露光光の波長より十分大きく、露光光16bが幾何光学的に導光される場合について説明したが、第2絶縁膜14の膜厚が露光光16bの波長と同程度であっても構わない。その場合、露光光16bは波動光学的に導光されるので、凹部の形状を図5aに示す順テーパ状にするとよい。角部が鈍角のほうが、露光光16bの伝搬ロスを少なくすることができるためである。本実施例に係る半導体装置の製造方法について図6を用いて説明する。図6は半導体装置の製造工程の要部を示す断面図である。本実施例において、上記実施例1と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。本実施例が実施例1と異なる点は、レジストをネガレジストとしたことにある。即ち、図6aに示すように、リソグラフィ工程において第2絶縁膜14上に第2屈折率n2より小さい第3屈折率n3を有するネガレジストが塗布される。このとき、ホール12を埋め込むように第2絶縁膜14上にネガレジスト膜50が形成される。次に、ネガレジスト膜50に光16が照射され、ネガレジスト膜50が露光される。このときのホール12内のネガレジスト膜50の露光状態は、図3と同様であり、ホール12の底部のネガレジスト膜50は十分に露光される。ネガレジスト膜50は露光により架橋される。次に、図6bに示すように、リソグラフィ工程において露光されたネガレジスト膜50が現像されると、露光されたネガレジスト膜50は除去されないので、そのままホール12内に残置され、ホール12を埋め込んでいる。以後、製造工程が継続され、半導体装置が製造される。リソグラフィ工程でホール12に塗布されたネガレジスト膜50は、その後の工程、例えばRIE工程、イオン注入工程において、ホール12の保護膜として機能する。具体的には、RIE工程でホール12が削られたくない場合、イオン注入工程でホール12の内面に不純物を導入したくない場合などである。ネガレジスト膜50としては、例えばソルダーレジスト膜などがあげられる。図7は比較例の半導体装置の製造工程の要部を示す断面図である。図7aに示すように、リソグラフィ工程において内面にコンフォーマルに第1絶縁膜13が形成されたホール12を埋め込むようにネガレジスト膜50が形成される。ネガレジスト膜50に光16が照射され、ネガレジスト膜50が露光される。このとき、上述したようにホール12の底部のネガレジスト膜50が露光不足になり、露光不足部61が生じる。次に、図7bに示すように、リソグラフィ工程において露光されたネガレジスト膜50が現像されると、露光されたネガレジスト膜50は残置される。一方、露光不足部61のネガレジスト膜50は現像液に触れないので、除去されずにそのまま残置される。然し、架橋していないのでキュア後に空隙62が生じる。更に、露光されたネガレジスト膜50がホール12の側面から剥離する場合もある。露光されたネガレジスト膜50は、空隙62、側面からの剥離が生じると、その後の工程、例えばRIE工程、イオン注入工程において、ホール12の保護膜としての機能が低下し、なんらかの障害が生じることになる。以上説明したように、本実施例の半導体装置の製造方法では、レジストをネガレジストとしている。リソグラフィ工程においてホール12内に塗布されたネガレジスト膜50は現像露光後に、ホール12内に残置されるので、ホール12の保護膜として機能させることができる利点がある。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。本発明は、以下の付記に記載されているような構成が考えられる。付記1前記凹部の側面が、前記半導体層に対して末広がり状に傾斜している請求項1に記載の半導体装置の製造方法。付記2前記第2絶縁膜を、スプレー法またはインクジェット法により形成する請求項3に記載の半導体装置の製造方法。付記3前記凹部が、トレンチである請求項1記載の半導体装置の製造方法。付記4前記第2絶縁膜が、二酸化チタンを含有するポリシロキサン、二酸化チタンを含有するポリイミド、二酸化チタンを含有するアクリル、二酸化チタンを含有するアクリルエポキシ、またはポリベンゾオキサゾールトレンチである請求項1に記載の半導体装置の製造方法。