基板に第1洗浄水を付着させる第1水供給部、および、基板表面を擦って基板を洗浄する洗浄部を有する第1洗浄槽と、前記第1洗浄槽で洗浄された基板に、第2洗浄水を付着させる第2水供給部を有する第2洗浄槽とを備え、前記第1水供給部は、純水を供給する第1水供給源およびアルカリイオン水を供給する第2水供給源と択一的に切り替え可能に接続される、基板洗浄装置。基板を前記洗浄部で擦って洗浄する際には、前記第1水供給部は前記第2水供給源と接続されてアルカリイオン水を基板に付着させ、基板を前記洗浄部で擦らないで洗浄する際には、前記第1水供給部は前記第1水供給源と接続されて純水を基板に付着させる、請求項1に記載の基板洗浄装置。前記第2水供給部は、純水を供給する第1水供給源および空気を供給する空気供給源と接続され、純水と空気とを混合して基板に噴き付ける、請求項1または2に記載の基板洗浄装置。前記洗浄部がブラシである、請求項1から3のいずれかに記載の基板洗浄装置。基板に第1洗浄水を付着させて洗浄する第1洗浄工程と、前記第1洗浄工程後に、基板に第2洗浄水を付着させて洗浄する第2洗浄工程とを備え、基板表面に銅が含まれている場合には、前記第1洗浄工程において、前記第1洗浄水として純水を基板に付着させて基板を洗浄し、基板表面に銅が含まれていない場合には、前記第1洗浄工程において、前記第1洗浄水としてアルカリイオン水を基板に付着させつつ基板表面を擦って基板を洗浄する、基板洗浄方法。前記第2洗浄工程において、前記第2洗浄水として空気と純水とを混合して基板に噴き付ける、請求項5に記載の基板洗浄方法。前記第1洗浄工程においてブラシで基板表面を擦る、請求項5または6に記載の基板洗浄方法。基板の表面には、様々なデバイスが製造される。そのため、製造されるデバイスの種類によって、表面に銅を含む基板および表面に銅を含まない基板の両方が存在する。これらの様々な基板を洗浄する洗浄装置には、基板表面の銅汚染を抑制しつつ短時間で基板を洗浄することが求められる。特許文献1に記載された半導体基板の洗浄方法においては、基板を洗浄液に浸漬して洗浄しているため、洗浄時間が長くなる。本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、基板表面の銅汚染を抑制しつつ短時間で様々な基板を洗浄できる、基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供することを目的とする。本発明に基づく基板洗浄装置は、基板に第1洗浄水を付着させる第1水供給部、および、基板表面を擦って基板を洗浄する洗浄部を有する第1洗浄槽と、第1洗浄槽で洗浄された基板に、第2洗浄水を付着させる第2水供給部を有する第2洗浄槽とを備える。第1水供給部は、純水を供給する第1水供給源およびアルカリイオン水を供給する第2水供給源と択一的に切り替え可能に接続される。本発明の一形態においては、基板を洗浄部で擦って洗浄する際には、第1水供給部は第1水供給源と接続されてアルカリイオン水を基板に付着させる。基板を洗浄部で擦らないで洗浄する際には、第1水供給部は第1水供給源と接続されて純水を基板に付着させる。本発明の一形態においては、第2水供給部は、純水を供給する第1水供給源および空気を供給する空気供給源と接続され、純水と空気とを混合して基板に噴き付ける。本発明の一形態においては、洗浄部がブラシである。本発明に基づく基板洗浄方法は、基板に第1洗浄水を付着させて洗浄する第1洗浄工程と、第1洗浄工程後に、基板に第2洗浄水を付着させて洗浄する第2洗浄工程とを備える。基板表面に銅が含まれている場合には、第1洗浄工程において、第1洗浄水として純水を基板に付着させて基板を洗浄する。基板表面に銅が含まれていない場合には、第1洗浄工程において、第1洗浄水としてアルカリイオン水を基板に付着させつつ基板表面を擦って基板を洗浄する。本発明の一形態においては、第2洗浄工程において、第2洗浄水として空気と純水とを混合して基板に噴き付ける。本発明の一形態においては、第1洗浄工程においてブラシで基板表面を擦る。本発明によれば、基板表面の銅汚染を抑制しつつ短時間で様々な基板を洗浄できる。以下、本発明の一実施形態に係る基板洗浄装置および基板洗浄方法について説明する。以下の実施形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰り返さない。図1は、本発明の一実施形態に係る基板洗浄装置の構成を示す側面図である。図1に示すように、本発明の一実施形態に係る基板洗浄装置1は、第1洗浄槽2と第2洗浄槽3とを備えている。第1洗浄槽2および第2洗浄槽3には、基板10を搬送する搬送ローラ11が設けられている。基板10の搬送方向において、第1洗浄槽2が上流側に、第2洗浄槽3が下流側に配置されている。第1洗浄槽2には、基板10の表面を洗浄するための洗浄部であるブラシ15が配置されている。ブラシ15は、搬送ローラ11により搬送されている基板10の表面を擦って基板10を洗浄する。なお、洗浄部は、ブラシ15に限られず、たとえば、フェルトまたはスポンジなどでもよい。なお、ブラシ15には図示しない上下移動駆動部が接続されている。搬送ローラ11より上方に設けられているブラシ15は、上下移動駆動部により図1に示す状態から上方に移動させられることにより、基板10の表面から離隔される。一方、搬送ローラ11より下方に設けられているブラシ15は、上下移動駆動部により図1に示す状態から下方に移動させられることにより、基板10の表面から離隔される。ブラシ15が基板10の表面から離隔された状態で基板10が搬送される場合には、ブラシ15による洗浄は行なわれない。このように、上下移動駆動部によってブラシ15を上下移動させることにより、ブラシ15による基板10の洗浄の有無を択一的に切り替えることができる。また、第1洗浄槽2には、上方から基板10に第1洗浄水を付着させる第1水供給部であるシャワーノズル12が配置されている。シャワーノズル12は、純水を供給する第1水供給源である純水供給源5およびアルカリイオン水を供給する第2水供給源であるイオン水供給源4と択一的に切り替え可能に接続されている。本実施形態においては、アルカリイオン水としてアンモニア水を用いている。シャワーノズル12は、第1洗浄水を噴き付けまたは流下させて基板10に付着させる。第2洗浄槽3には、上方から基板10に第2洗浄水を付着させる第2水供給部であるシャワーノズル13が配置されている。シャワーノズル13は、純水を供給する純水供給源5および圧縮空気を供給する空気供給源6と接続されている。シャワーノズル13は、純水と空気とを混合して基板10に噴き付ける2流体シャワーである。なお、シャワーノズル13は、2流体シャワーに限られず、純水を流下させて基板10に付着させるものでもよい。また、第2洗浄槽3には、基板10の表面に空気を噴き付けて乾燥させるエアーナイフ14が配置されている。以下、表示装置に用いられる基板10にTFTを作製する場合を例示して説明する。図2は、TFTアレイ基板の作製方法を示すフローチャートである。図2に示すように、基板10にTFTを作製する際には、まず、ゲートパターンを形成する。次に、半導体層を形成する。その後、ソースパターンを形成する。最後に、TFTと接続される絵素電極を形成する。図3は、基板上にパターンを形成する際の工程を示すフローチャートである。図2に示す各工程においては、図3に示すように、成膜工程、フォト工程、エッチング工程、剥離工程がこの順に行なわれる。その結果、基板10上にパターンが形成される。図4は、フォト工程において行なわれる工程を示すフローチャートである。図4に示すように、フォト工程においては、第1洗浄工程、第2洗浄工程、レジスト塗布工程、露光工程、現像工程がこの順に行なわれる。第1洗浄工程は、図1に示す第1洗浄槽2で行なわれる。第2洗浄工程は、第2洗浄槽3で行なわれる。基板10上に形成されるパターンは様々であり、たとえば、CuとTiとが積層されたパターン、または、AlとTiとが積層されたパターンなどが形成される。これらの様々なパターンが形成された基板10が、基板洗浄装置1において洗浄される。基板洗浄装置1においては、上述のとおり、第1洗浄槽2に配置されたブラシ15により基板10の表面を擦って基板10を洗浄することができる。ブラシ15を用いて洗浄することにより洗浄力を高めることができるが、基板10の表面に静電気が発生することがある。そのため、ブラシ15を用いて洗浄する際には、静電気の発生を抑制するために基板10にアルカリイオン水を付着させる。アルカリイオン水に含まれるイオンの電荷が静電気に作用することにより、静電気の発生を抑制することができる。ただし、基板10の表面に銅が含まれている場合に、基板10にアンモニアを含むアルカリイオン水を付着させると下記の化学反応が発生して、銅がエッチングされることがある。CuH2OO2→Cu2O2Cu24NH3→Cu422OH上記の化学式で示すように、Cuとアミンとの錯体が形成されて銅がエッチングされると、基板10の表面が銅で汚染される。そのため、本発明の基板洗浄方法においては、基板10の表面に銅が含まれている場合と、基板10の表面に含まれていない場合とにおいて、第1洗浄工程における洗浄方法を切り替えている。図5は、銅を含む場合と銅を含まない場合とにおけるそれぞれの洗浄工程を示すフローチャートである。図5に示すように、基板10の表面に銅が含まれていない場合には、第1洗浄工程において、第1洗浄水としてアルカリイオン水を基板10に付着させつつ基板10の表面をブラシ15で擦って基板10を洗浄する。このとき、シャワーノズル12はイオン水供給源4と接続されてアルカリイオン水を基板10に付着させる。その後、第2洗浄工程において、第2洗浄水として空気と純水とを混合して基板10に噴き付ける。このとき、シャワーノズル13は純水供給源5および空気供給源6と接続されて純水のミストを基板10上に噴き付ける。基板10の表面に銅が含まれている場合には、第1洗浄工程において、第1洗浄水として純水を基板10に付着させて基板10を洗浄する。このとき、シャワーノズル12は純水供給源5と接続されて純水を基板10に付着させる。その後、第2洗浄工程において、第2洗浄水として空気と純水とを混合して基板10に噴き付ける。このとき、シャワーノズル13は純水供給源5および空気供給源6と接続されて純水のミストを基板10上に噴き付ける。上記のように、基板10の表面に銅が含まれている場合には、ブラシ15による洗浄を行なわずに、基板10上に純水を付着させて第1洗浄工程を行なう。このようにした場合にも、第2洗浄工程において2流体シャワーによる洗浄を行なうことにより、基板10上のパーティクルなどを十分に除去することができる。基板10の表面に銅が含まれていない場合には、ブラシ15を用いて第1洗浄工程を行なうため、高い洗浄効果を得ることができる。このように、基板10上の銅の有無によって異なる洗浄水を付着させて洗浄することにより、基板10の表面の銅汚染を抑制しつつ短時間で様々な基板10を洗浄できる。なお、銅以外の金属において同様の汚染が発生する場合には、基板10上におけるその金属の有無によって洗浄水を切り替えることも当然に本発明において想定されている。今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。