チップ搭載部と、前記チップ搭載部と一体に形成された第1吊りリードと、前記チップ搭載部と一体に形成された第2吊りリードと、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードと、表面、前記表面に形成された複数のボンディングパッド、および前記表面とは反対側の裏面を有し、前記チップ搭載部上に搭載された半導体チップと、前記半導体チップの前記複数のボンディングパッドと前記複数のリードとを、それぞれ電気的に接続する複数のワイヤと、前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する封止体と、を含み、前記封止体の平面形状は、第1角部、前記第1角部と前記チップ搭載部を介して対向する第2角部、前記第2角部の隣に位置する第3角部、前記第3角部と前記チップ搭載部を介して対向する第4角部、前記第1角部と前記第4角部の間に位置する第1辺、前記第2角部と前記第3角部の間に位置する第2辺、前記第2角部と前記第4角部の間に位置する第3辺、および前記第1角部と前記第3角部の間に位置する第4辺を有する四角形から成り、前記第1角部と前記第2角部を結ぶ仮想線を第1対角線、前記第3角部と前記第4角部を結ぶ仮想線を第2対角線とすると、前記第1吊りリードは、平面視において、前記チップ搭載部から前記封止体の前記第1角部に向かって、かつ前記第1対角線に沿って延び、前記第2吊りリードは、平面視において、前記チップ搭載部から前記封止体の前記第2角部に向かって、かつ前記第1対角線に沿って延び、複数のリードは、前記第1乃至第4辺のそれぞれに沿って配置され、前記複数のリードのそれぞれにおいて、前記チップ搭載部側に位置する先端部には、前記複数のワイヤを接合するボンディング領域を備え、前記複数のリードには、平面視において前記第1対角線を挟んで隣り合って配置される二対の第1角部リード対と、平面視において前記第2対角線を挟んで隣り合って配置される二対の第2角部リード対と、が含まれ、前記二対の第1角部リード対の間には、それぞれ前記第1または第2吊りリードが配置され、前記二対の第2角部リード対の間には吊りリードが配置されず、前記二対の第2角部リード対の前記チップ搭載部側の先端部の配置間隔は、前記二対の第1角部リード対の前記チップ搭載部側の先端部の配置間隔よりも狭いことを特徴とする半導体装置。請求項1において、前記複数のワイヤのうち、前記二対の第2角部リード対にそれぞれ接続される第2ワイヤ間の間隔は、前記二対の第1角部リードにそれぞれ接続される第1ワイヤ間の間隔よりも狭いことを特徴とする半導体装置。請求項1において、前記第1吊りリードは、前記チップ搭載部と前記封止体の第1角部の間に、第1傾斜部を備え、前記第2吊りリードは、前記チップ搭載部と前記封止体の第2角部の間に、第2傾斜部を備え、前記第1および第2傾斜部は、平面視において、それぞれ前記複数のリードの間に配置されていることを特徴とする半導体装置。請求項1において、前記複数のリードには、前記第1辺に沿って配置される第1リード群を構成する複数の第1リード、前記第2辺に沿って配置される第2リード群を構成する複数の第2リード、前記第3辺に沿って配置される第3リード群を構成する複数の第3リード、および前記第4辺に沿って配置される第4リード群を構成する複数の第4リードが含まれ、前記第1辺と前記第2辺の中心を結ぶ仮想線を第1中心線、前記第3辺と前記第4辺を結ぶ仮想線を第2中心線とすると、前記複数の第1リードの前記チップ搭載部側の先端部は、前記第1中心線と前記第2対角線の間の領域に配置される数の方が、前記第1中心線と前記第1対角線の間の領域に配置される数よりも多く、前記複数の第2リードの前記チップ搭載部側の先端部は、前記第1中心線と前記第2対角線の間の領域に配置される数の方が、前記第1中心線と前記第1対角線の間の領域に配置される数よりも多く、前記複数の第3リードの前記チップ搭載部側の先端部は、前記第2中心線と前記第2対角線の間の領域に配置される数の方が、前記第1中心線と前記第1対角線の間の領域に配置される数よりも多く、前記複数の第4リードの前記チップ搭載部側の先端部は、前記第2中心線と前記第2対角線の間の領域に配置される数の方が、前記第1中心線と前記第1対角線の間の領域に配置される数よりも多いことを特徴とする半導体装置。請求項4において、前記複数のリードは、前記封止体から露出する複数のアウタリード部と、前記複数のアウタリード部と一体に形成され、かつ、前記封止体に封止される複数のインナリード部から構成され、前記複数のアウタリード部には、前記第1辺に沿って配置される第1リード群を構成する複数の第1アウタリード部、前記第2辺に沿って配置される第2リード群を構成する複数の第2アウタリード部、前記第3辺に沿って配置される第3リード群を構成する複数の第3アウタリード部、および前記第4辺に沿って配置される第4リード群を構成する複数の第4アウタリード部が含まれ、前記複数の第1アウタリード部は、前記第1中心線から一方の端部までの間に配置される数と、前記第1中心線から他方の端部までの間に配置される数と同数であり、前記複数の第2アウタリード部は、前記第1中心線から一方の端部までの間に配置される数と、前記第1中心線から他方の端部までの間に配置される数と同数であり、前記複数の第3アウタリード部は、前記第2中心線から一方の端部までの間に配置される数と、前記第2中心線から他方の端部までの間に配置される数と同数であり、前記複数の第4アウタリード部は、前記第2中心線から一方の端部までの間に配置される数と、前記第2中心線から他方の端部までの間に配置される数と同数であることを特徴とする半導体装置。以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法:aチップ搭載部、前記チップ搭載部と一体に形成された第1吊りリード、前記チップ搭載部と一体に形成された第2吊りリード、および前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードを備えるリードフレームを準備する工程;b表面、前記表面に形成された複数のボンディングパッド、および前記表面とは反対側の裏面を有する半導体チップを前記チップ搭載部上に搭載する工程;c前記半導体チップの前記複数のボンディングパッドと前記複数のリードとを、複数のワイヤを介して、それぞれ電気的に接続する工程;d前記c工程の後、成形金型のキャビティ内に前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを配置した状態で封止用樹脂を供給し、前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する工程;ここで、前記複数のリードのそれぞれにおいて、前記チップ搭載部側に位置する先端部には、前記c工程で前記複数のワイヤを接合するボンディング領域が配置され、前記キャビティの平面形状は、第1角部、前記第1角部と前記チップ搭載部を介して対向する第2角部、前記第2角部の隣に位置する第3角部、前記第3角部と前記チップ搭載部を介して対向する第4角部、前記第1角部と前記第4角部の間に位置する第1辺、前記第2角部と前記第3角部の間に位置する第2辺、前記第2角部と前記第4角部の間に位置する第3辺、および前記第1角部と前記第3角部の間に位置する第4辺を有する四角形から成り、前記第1角部と前記第2角部を結ぶ仮想線を第1対角線、前記第3角部と前記第4角部を結ぶ仮想線を第2対角線とすると、前記d工程では、前記第1吊りリードは、平面視において、前記チップ搭載部から前記キャビティの前記第1角部に向かって、かつ、前記第1対角線に沿って延びるように配置され、前記第2吊りリードは、平面視において、前記チップ搭載部から前記キャビティの前記第2角部に向かって、かつ、前記第1対角線に沿って延びるように配置され、前記第1乃至第4辺のそれぞれに沿って前記複数のリードが配置され、前記複数のリードには、平面視において前記第1対角線を挟んで隣り合って配置される二対の第1角部リード対と、平面視において前記第2対角線を挟んで隣り合って配置される二対の第2角部リード対と、が含まれ、前記二対の第1角部リード対の間には、それぞれ前記第1または第2吊りリードが配置され、前記二対の第2角部リード対の間には吊りリードが配置されず、前記二対の第2角部リード対の前記チップ搭載部側の先端部の配置間隔は、前記二対の第1角部リード対の前記チップ搭載部側の先端部の配置間隔よりも狭い。請求項6において、前記成形金型は前記キャビティの側面に前記封止用樹脂の供給部および排出部を備え、前記供給部は、前記キャビティの前記第1角部に配置され、前記排出部は、前記第2角部に配置されることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項7において、前記複数のワイヤのうち、前記二対の第2角部リード対にそれぞれ接続される第2ワイヤ間の間隔は、前記二対の第1角部リードにそれぞれ接続される第1ワイヤ間の間隔よりも狭いことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項7において、前記第1吊りリードは、前記チップ搭載部と前記キャビティの第1角部の間に、第1傾斜部を備え、前記第2吊りリードは、前記チップ搭載部と前記キャビティの第2角部の間に、第2傾斜部を備え、前記第1および第2傾斜部は、平面視において、それぞれ前記複数のリードの間に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項7において、前記複数のリードには、前記第1辺に沿って配置される第1リード群を構成する複数の第1リード、前記第2辺に沿って配置される第2リード群を構成する複数の第2リード、前記第3辺に沿って配置される第3リード群を構成する複数の第3リード、および前記第4辺に沿って配置される第4リード群を構成する複数の第4リードが含まれ、前記第1辺と前記第2辺の中心を結ぶ仮想線を第1中心線、前記第3辺と前記第4辺を結ぶ仮想線を第2中心線とすると、前記複数の第1リードの前記チップ搭載部側の先端部は、前記第1中心線と前記第2対角線の間の領域に配置される数の方が、前記第1中心線と前記第1対角線の間の領域に配置される数よりも多く、前記複数の第2リードの前記チップ搭載部側の先端部は、前記第1中心線と前記第2対角線の間の領域に配置される数の方が、前記第1中心線と前記第1対角線の間の領域に配置される数よりも多く、前記複数の第3リードの前記チップ搭載部側の先端部は、前記第2中心線と前記第2対角線の間の領域に配置される数の方が、前記第1中心線と前記第1対角線の間の領域に配置される数よりも多く、前記複数の第4リードの前記チップ搭載部側の先端部は、前記第2中心線と前記第2対角線の間の領域に配置される数の方が、前記第1中心線と前記第1対角線の間の領域に配置される数よりも多いことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項7において、前記d工程では、前記複数のリードを構成する複数のインナリード部を前記キャビティ内に配置し、前記複数のインナリード部と一体に形成される複数のアウタリード部は、前記キャビティ外に配置され、前記複数のアウタリード部には、前記第1辺に沿って配置される第1リード群を構成する複数の第1アウタリード部、前記第2辺に沿って配置される第2リード群を構成する複数の第2アウタリード部、前記第3辺に沿って配置される第3リード群を構成する複数の第3アウタリード部、および前記第4辺に沿って配置される第4リード群を構成する複数の第4アウタリード部が含まれ、前記複数の第1アウタリード部は、前記第1中心線から一方の端部までの間に配置される数と、前記第1中心線から他方の端部までの間に配置される数と同数であり、前記複数の第2アウタリード部は、前記第1中心線から一方の端部までの間に配置される数と、前記第1中心線から他方の端部までの間に配置される数と同数であり、前記複数の第3アウタリード部は、前記第2中心線から一方の端部までの間に配置される数と、前記第2中心線から他方の端部までの間に配置される数と同数であり、前記複数の第4アウタリード部は、前記第2中心線から一方の端部までの間に配置される数と、前記第2中心線から他方の端部までの間に配置される数と同数であることを特徴とする半導体装置の製造方法。半導体装置のパッケージ態様を、半導体チップを搭載する基材の種類毎に大別すると、リードフレームを基材とするリードフレーム型の半導体装置と、配線基板インタポーザ基板を基材とする配線基板型の半導体装置がある。リードフレーム型の半導体装置は、このリードフレーム型の半導体装置において基材となるリードフレームが、配線基板型の半導体装置において基材となる配線基板に比べて安価であるため、配線基板型の半導体装置よりも製造コストを低減することができる。また、リードフレーム型の半導体装置のうち、QFP型の半導体装置やQFNQuadFlatNonLeadedPackage型の半導体装置は、四辺形を成す半導体装置の四辺のそれぞれに沿って複数の外部端子が配置されるので、外部端子数が増加しても実装面積の増大を抑制しつつ、かつ、製造コストを低減できる半導体装置である。本願発明者は、上記したQFP型あるいはQFN型の半導体装置についてさらに検討を行い以下の課題を見出した。近年の半導体装置に対する小型化の要求に伴い、リードフレームに搭載する半導体チップの平面サイズの小型化が進められている。ところが、半導体チップの周囲に配置される複数の外部端子である複数のリードの微細加工には限界があり、半導体チップの小型化技術が進むと、それに対応してリードを微細化することが困難になっている。このため、小型化した半導体チップに、複数のリードを近づけることが困難となり、半導体チップに形成されたボンディングパッドとリードの距離が長くなる傾向がある。つまり、半導体チップのボンディングパッドとリードを電気的に接続するワイヤの長さが長くなる傾向がある。ここで、ワイヤの長さは、半導体装置の信頼性に影響を及ぼす重要な要素である。例えば、ワイヤの長さが長くなると製造工程中に変形し易くなり、隣り合うワイヤ同士の短絡不良などの原因となる。また、ワイヤの長さが長くなれば、ワイヤのインピーダンス成分が増加するので、所定の電気的特性が得られない場合がある。また、ワイヤの長さが長くなると、ワイヤを構成する材料金属の使用量も増加するため、製造コストの増大を招くこととなる。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、リードフレーム型の半導体装置の信頼性を向上させる技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。すなわち、本願発明の一態様である半導体装置は、半導体チップを搭載するチップ搭載部の周囲に前記半導体チップと複数のワイヤを介して電気的に接続された複数のリードが配置され、前記半導体チップ、前記複数のワイヤ、および前記複数のリードのボンディング領域は封止体により封止される。また、前記封止体は平面視において、四辺形を成し、四辺のそれぞれに沿ってそれぞれ前記複数のリードが配置される。また、前記チップ搭載部は、前記チップ搭載部と一体に形成される複数の吊りリードに支持される。また、前記複数の吊りリードのそれぞれは、四辺形を成す前記封止体の第1対角線仮想線に沿って延び、前記第1対角線とは異なる第2対角線仮想線側には、前記複数の吊りリードは配置されない。ここで、前記複数のリードのボンディング領域は、それぞれ前記第2対角線側に寄せて配置するものである。本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。すなわち、本願発明の一態様によれば、リードフレーム型の半導体装置の信頼性を向上させることができる。本願における記載形式基本的用語用法の説明本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しの説明を省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、AからなるX等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、A以外の要素を含むものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、Aを主要な成分として含むX等の意味である。たとえば、シリコン部材等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、SiGeシリコンゲルマニウム合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。また、金めっき、Cu層、ニッケルめっき等といっても、そうでない旨、特に明示した場合を除き、純粋なものだけでなく、それぞれ金、Cu、ニッケル等を主要な成分とする部材を含むものとする。さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。また、実施の形態の各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するため、あるいは領域の境界を明示するために、ハッチングやドットパターンを付すことがある。本実施の形態では、四辺形を成す封止体の四辺のそれぞれに沿って複数の外部端子が配置されたリードフレーム型の半導体装置の一例として、QFP型の半導体装置に適用した実施態様を取り上げて説明する。<半導体装置の外観構造>まず、本実施の形態の半導体装置の外観構造について説明する。図1は本実施の形態の半導体装置の上面側を示す平面図である。また、図2は、図1のA-A線に沿った断面図、図3は図1のB-B線に沿った断面図である。また、図4は、図1に示す半導体装置の封止体内部における平面構造を示す透視平面図、図5は、図4に示す半導体チップ周辺を拡大して示す拡大平面図である。なお、図4および図5は、半導体装置の内部構造を示す透視平面図であるため、図1に示す封止体5を透過して内部構造を示す平面図としている。本実施の形態の半導体装置1は、半導体チップ2図2~図4参照を封止する封止体樹脂体5と、封止体5から露出する外部端子である複数のリード10を有している。封止体5は、図2および図3に示すように、上面5a、上面5aの反対側に位置する下面5b、および上面5aと下面5bの周縁部を取り囲む側面5cを有している。また、図1に示すように、封止体5の平面形状は、四辺形四角形から成る。詳しくは、封止体5は、第1角部C1、第1角部C1と半導体チップ2を搭載するチップ搭載部を介して対向する第2角部C2、第1角部C1の隣に位置する第3角部C3、第3角部とチップ搭載部を介して対向する第4角部C4を有している。また、封止体5は、第1角部C1と第4角部C4の間に位置する第1辺S1、第2角部C2と第3角部C3の間に位置する第2辺S2、第2角部C2と第4角部C4の間に位置する第3辺S3、および第1角部C1と第3角部C3の間に位置する第4辺S4を有する。また、封止体5は、第1角部C1と第2角部C2を結ぶ第1対角線仮想線DL1と、第3角部C3と第4角部C4を結ぶ第2対角線仮想線DL2を有している。なお、厳密には、図1に示すように封止体5の各角部は封止体5のチッピングなどの損傷を防止ないしは抑制するための面取り加工が施されているが、第1辺S1~第4辺S4の各辺各辺は、面取り加工部を構成する辺と比較して十分に長く、四辺形または四角形と見做すことができるので、本実施の形態では、面取り加工部の辺を除く四つの主辺を有する四辺形として説明する。半導体装置1の外部端子である複数のリード10は、第1辺S1~第4辺S4の各辺に沿ってそれぞれ複数のリード10が配置されている。つまり、半導体装置1は、四辺形を成す半導体装置1の四辺のそれぞれに沿って複数のリード10が配置される、QFP型の半導体装置1である。半導体装置1は、四辺のそれぞれに複数のリード10を配置することにより外部端子数を増加させた、所謂多ピンタイプの半導体装置である。例えば、図1に示す例では、多ピンタイプの例として、各辺に沿って、それぞれ36本、合計144本のリード10が配置されている。ただし、リード10の数は、図1に示す態様に限定されず、要求される外部端子数に応じてさらに増やすこともできる。例えば、図1に対する変形例として、各辺に沿って、64本、合計256本のリード10が配置された半導体装置とすることができる。また、図2に示すように、複数のリード10のそれぞれは、一部インナリード部12が封止体5に封止され他部アウタリード部11が封止体5から露出している。アウタリード部11は、半導体装置1を図示しない実装基板に実装する際に、実装基板側の端子と電気的に接続するための端子であって、本実施の形態では、封止体5の側面5cから外側に向かって突出するように露出し、封止体5の外側においてガルウィング状に成形されている。また、アウタリード部11の表面上面、下面および側面には、実装基板の端子と電気的に接続する際に、接合材料となる半田の濡れ性を向上させるため、例えば半田からなる外装めっき膜13が形成されている。また、図1に示すように封止体の各辺第1辺S1~第4辺S4に沿って配置される複数のアウタリード部11は、それぞれ各辺の中心からの配置本数が均等同数になるように、等間隔で配置されている。詳しくは、複数のアウタリード部11のうち、第1辺S1に沿って配置される複数の第1アウタリード部OL1は、第1辺S1の中心から一方の端部までの間の配置本数が他方の端部までの間の配置本数と均等図1では各18本となるように等間隔で配置されている。同様に、複数のアウタリード部11のうち、第2辺S2に沿って配置される複数の第2アウタリード部OL2は、第2辺S2の中心から一方の端部までの間の配置本数が他方の端部までの間の配置本数と均等図1では各18本となるように等間隔で配置されている。また、複数のアウタリード部11のうち、第3辺S3に沿って配置される複数の第3アウタリード部OL3は、第3辺S3の中心から一方の端部までの間の配置本数が他方の端部までの間の配置本数と均等図1では各18本となるように等間隔で配置されている。また、複数のアウタリード部11のうち、第4辺S4に沿って配置される複数の第4アウタリード部OL4は、第4辺S4の中心から一方の端部までの間の配置本数が他方の端部までの間の配置本数と均等図1では各18本となるように等間隔で配置されている。言い換えれば、複数のアウタリード部11は、各辺の中心に対してそれぞれ対称となるように配置されている。また、アウタリード部11の配置は、前記した第1対角線DL1、第2対角線DL2のそれぞれに対して、対称になるように配置されている。このようなアウタリード部11のレイアウトは、一般的に行われているため、本実施の形態では一般的なレイアウトでアウタリード部11を配置することで、実装基板に対して特殊な端子配置を要求しない構成となっている。つまり、半導体装置1の汎用性を向上させることができる。<半導体装置の内部構造>次に、半導体装置1の内部構造について説明する。図2に示すように、半導体装置1は、半導体チップ2と、半導体チップ2を搭載するタブチップ搭載部、ダイパッド3と、タブ3の周囲に配置された複数のリード10と、半導体チップ2と複数のリード10を電気的に接続する複数のワイヤ4と、半導体チップ2および複数のワイヤ4を封止する封止体5と、を備えている。また、図3に示すように、半導体装置1は、タブ3と一体に形成される二本の吊りリード6を有している。以下、各構成部材の詳細について説明する。封止体5内に配置される半導体チップ2は、表面主面2a、表面2aとは反対側に位置する裏面主面2b、および表面2aと裏面2bとの間に位置し、表面2aと裏面2bの周囲を取り囲む側面2cを有している。図5に示すように半導体チップ2の平面形状表面2a、裏面2bの形状は四角形からなる。また、表面2aには半導体チップ2の外部接続端子である複数のパッドボンディングパッド、チップ電極、電極パッド2dが形成されている。複数のパッド2dは、半導体チップ2の各辺に沿って表面2a上の周縁部側にそれぞれ配置されている。また、半導体チップ2は、例えばシリコンから成る半導体基板と、半導体基板上に積層される複数の配線層を備えている。半導体チップ2の表面2a側詳しくは半導体基板の素子形成面主面には、それぞれダイオードやトランジスタなどの複数の半導体素子回路素子が形成され、半導体素子上に形成された図示しない配線配線層を介して、複数のパッド2dとそれぞれ電気的に接続されている。このように半導体チップ2は、表面2aに形成された複数の半導体素子とこれら複数の半導体素子を電気的に接続する配線により集積回路を構成している。なお、半導体チップ2の半導体素子形成面である表面2aを持つ基材半導体基板は、例えば、シリコンSiからなる。また、表面2aには絶縁膜であるパッシベーション膜図示は省略が形成されており、複数のパッド2dのそれぞれの表面は、このパッシベーション膜に形成された開口部において、絶縁膜から露出している。また、パッド2dは金属からなり、本実施の形態では、例えばアルミニウムAlからなる。さらに、このパッド2dの表面には、めっき膜が形成されており、本実施の形態では、例えばニッケルNi膜を介して、金Au膜が形成された多層構造の積層めっき膜が形成されている。また、半導体チップ2は、チップ搭載部であるタブ3上に接着材ダイボンド材7を介して搭載されている。本実施の形態では、半導体チップ2は、裏面2bをタブ3の上面3aと対向させた状態で、タブ3上に搭載する、所謂フェイスアップ実装方式により搭載されている。接着材7は、タブ3上に半導体チップ2をしっかりと固定できるものであれば、特に限定されないが、本実施の形態では、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂を用いている。また、タブ3は、図2および図3に示すように、上面3aおよび上面3aの反対側に位置する下面3bを有している。タブ3は、金属材料からなり、本実施の形態では、例えば銅Cuから成る。詳しくは、銅Cuからなる基材の表面に、例えばニッケルNiからなる薄いめっき導体膜図示は省略が形成されている。また、タブ3の平面形状は、例えば図5に示すように円形を成し、半導体チップ2の裏面2b図2参照よりも面積が小さい。このため、タブ3の上面3a全体が、半導体チップ2に覆われている。なお、図5では、タブ3の平面形状の一例として、種々の平面サイズの半導体チップ2を搭載することができる円形の形状を示しているが、搭載する半導体チップ2の形状や平面サイズに応じて、種々の変形例を適用することができる。また、図3および図5に示すように、タブ3は、吊りリード6により支持されている。吊りリード6は、上面6a、および上面6aの反対側に位置する下面6bを有している。吊りリード6はタブ3と同じ金属材料からなり、本実施の形態では、例えば銅Cuから成る。詳しくは、銅Cuからなる基材の表面に、例えばニッケルNiからなる薄いめっき導体膜図示は省略が形成されている。本実施の形態では、タブ3には、二本の吊りリード6が接続され、それぞれタブ3と一体に形成されている。図3に示すように、二本の吊りリード6のうち、第1吊りリードSL1は、タブ3から封止体5の第1角部C1に向かって、図1に示す第1対角線DL1に沿って延びる。また、二本の吊りリード6のうち、第2吊りリードSL2は、タブ3から封止体5の第2角部C2に向かって、図1に示す第1対角線DL1に沿って延びる。一方、図4に示すように、第2対角線DL2に沿った方向には、吊りリード6は配置されていない。つまり、本実施の形態のタブ3の支持構造は、第1対角線DL1に沿って延びる二本の吊りリード6第1吊りリードSL1および第2吊りリードSL2によりタブ3を支持する、2点吊り構造となっている。また、図3に示すように、二本の吊りリード6のそれぞれは、タブ3と封止体5の角部第1角部C1または第2角部C2の間に、傾斜部オフセット部、曲げ加工部6cを備えている。本実施の形態の吊りリード6は、傾斜部6cのタブ3側の端部の高さが、反対側の端部よりも低くなるように形成する、所謂ダウンセット加工が施されている。複数の吊りリード6にダウンセット加工を施すことにより、図2に示すようにタブ3の高さはリード10の高さよりも低い位置に配置されることとなる。この結果、半導体チップ2に接続される複数のワイヤ4を封止し、かつ、封止体5全体の厚さを薄くすることができる。つまり、半導体装置1を薄型化することができる。また、図5に示すように、傾斜部6cは、平面視において、リード10の間に配置されている。傾斜部6cをリード10の間に配置することにより、リード10の内側の領域における吊りリード6の上面6a図3参照の高さはタブ3の上面3a図3参照と同じ高さにすることができる。この結果、リード10の内側に収まる範囲で、任意の大きさの半導体チップ2をタブ3上に安定的に搭載することができる。また、図2および図5に示すように、タブ3の周囲言い換えれば半導体チップ2の周囲には、複数のリード10が配置されている。複数のリード10は、図2に示すように、上面10aおよび上面10aの反対側に位置する下面10bを有している。また、リード10はタブ3および吊りリード6と同じ金属材料からなり、本実施の形態では、例えば銅Cuから成る。詳しくは、銅Cuからなる基材の表面に、例えばニッケルNiからなる薄いめっき導体膜図示は省略が形成されている。また、リード10のインナリード部12は、封止体5の側面5cからタブ3半導体チップ2に向かって延び、タブ3半導体チップ2の先端部にワイヤ4を接合するためのボンディング領域12aを備えている。また、本実施の形態では、複数のリード10の特に先端部は、狭い領域内に狭ピッチで配置されているため、複数のリード10には絶縁性の接着材接着テープ8が貼り付けられ、隣り合うリード10同士の接触を抑制している。半導体装置1の製造工程において、特に、リード10の先端部において、リード10の位置ずれに起因する接触が発生し易いので、接着材8は、リード10の先端部近傍に接着することが好ましい。また、図5に示すように、リード10と吊りリード6が接触することを抑制する観点から、タブ3の周囲を取り囲むように接着材8を配置することで、複数のリード10および吊りリード6の平面位置を固定することが好ましい。また、詳細は後述するが、ワイヤ4をリード10に接合するワイヤボンディング工程において、ボンディング領域12aを下面10b側から支持するため、接着材8はリード10の上面10a側に接着することが好ましい。リード10のその他の構造的特徴は、後で詳細に説明する。また、半導体チップ2と複数のリード10は、複数のワイヤ4を介して電気的に接続されている。詳しくは、複数のワイヤ4の一方の端部は、半導体チップの複数のパッド2dに接合され、複数のワイヤ4の他方の端部は、複数のリード10のボンディング領域12aに接合され、これにより、パッド2dとリード10を電気的に接続している。ワイヤ4は、金属材料からなり、本実施の形態では、電気伝導度が高く、かつ容易に加工することができる金Auからなる。なお、ワイヤを構成する材料としては、これに限らず、例えば銅Cuを用いてもよい。また、本実施の形態では、ワイヤ4とパッド2dの接合部を第1ボンド側、ワイヤ4とリード10のボンディング領域12aの接合部を第2ボンド側とする、所謂、正ボンディング方式により接合する例を示している。ただし、ワイヤ4の接合方式は、正ボンディング方式には限定されず、変形例として、ワイヤ4とリード10のボンディング領域12aの接合部を第1ボンド側、ワイヤ4とパッド2dの接合部を第2ボンド側とする、所謂逆ボンディング方式とすることもできる。また、上記した半導体チップ2、複数のワイヤ4および複数のリード10のインナリード部12は、樹脂からなる封止体5により封止されている。このため、複数のワイヤ4および複数のリード10のインナリード部12は封止体5内で固定され、保護される。<リードの詳細構造>次に、図1~図5に示す複数のリード10および吊りリード6の詳細な構造について、特に平面配置を中心に説明する。図6~図9は、それぞれ図5のD部、E部、F部、G部の拡大平面図である。本実施の形態のように多ピンタイプの半導体装置1の場合、封止体5の周縁部では、図1に示すアウタリード部11のように、複数のリード10間の配置ピッチを広くとることができる。一方、図5に示すように、複数のリード10のタブ3側の先端部では、各リード10が密集して配置されるため、隣り合うリード10間の間隔は、周縁部における間隔よりも狭くなる。リード10の配置間隔が狭くなると、隣り合うリード10同士が接触する虞が生じる。この隣り合うリード10同士の接触を防止する方法としては、各リード10の長さを短くし、リード10の先端部の位置を封止体5図4参照の周縁部側に近づけて配置することで、リード10の配置スペースを確保する態様が考えられる。ところが、リード10の先端部の位置を封止体5図4参照の周縁部側に近づけて配置すると、リード10に接続されるワイヤ4の長さが長くなってしまう。特に近年、半導体チップの小型化が進んでおり、リード10の先端部を半導体チップ2側に近づけることができなければ、ワイヤ4の長さがさらに長くなる。ワイヤ4の長さは、半導体装置1の信頼性に影響を及ぼす重要な要素である。例えば、ワイヤ4の長さが長くなると製造工程中に変形し易くなり、隣り合うワイヤ4同士の短絡不良などの原因となる。また、ワイヤ4の長さが長くなれば、ワイヤ4のインピーダンス成分が増加するので、所定の電気的特性が得られない場合がある。また、ワイヤ4のインピーダンス成分を低減するため、金など、高価な材料でワイヤ4を形成する場合には、ワイヤ4の長さが長くなれば、製造コストの増大を招くこととなる。そこで、本願発明者は、ワイヤ4の長さが長くなることを抑制する技術について検討を行い、本実施の形態の構成を見出した。すなわち、本実施の形態では、図5に示すタブ3を、第1対角線DL1図4参照に沿って延びる二本の吊りリード6第1吊りリードSL1および第2吊りリードSL2で支持するので、図1に示す第2対角線DL2に沿った吊りリードは配置されていない。そして、複数のリード10の先端部を第2対角線DL2側に寄せて配置している。詳しくは、本実施の形態では、図4に示す第1辺S1に沿って配置される第1リード群、第2辺S2に沿って配置される第2リード群、第3辺S3に沿って配置される第3リード群、および第4辺S4に沿って配置される第4リード群は、それぞれ複数のリード10を備えている。各リード群を構成する複数のリード10の先端部は、一定の幅を有し、一定の間隔で配置されている。例えば、図5に示す複数のリード10の先端部の幅平面視における幅は、それぞれ90μmであり、隣り合うリード10の先端部間の距離は、それぞれ60μmである。なお、一定という用語には、厳密に一定であるものが含まれるが、例えば、加工精度などの問題により、僅かにずれたものを排除するものではない。以下一定という表現を用いる場合には、同様の意味で用いる。一方、各リード群の端に配置されるリード10間の先端部の間隔は、一定ではない。すなわち、吊りリード6を挟んで隣り合うリード10の先端部の間隔図6に示す角部リード対CLD1の間隔W3、および図7に示す角部リード対CLD2の間隔W3は、吊りリード6を挟まずに隣り合うリード10の先端部の間隔図8に示す角部リード対CLD3の間隔W4、および図9に示す角部リード対CLD4の間隔W4よりも広くなっている。詳しくは、第1リード群を構成する複数のリード10のうち、最も第1角部C1側に配置されるリード10と、第4リード群を構成する複数のリード10のうち、最も第1角部C1側に配置されるリード10は、図6に示す角部リード対CLD1を構成する。また、第2リード群を構成する複数のリード10のうち、最も第2角部C2側に配置されるリード10と、第3リード群を構成する複数のリード10のうち、最も第2角部C2側に配置されるリード10は、図7に示す角部リード対CLD2を構成する。また、第2リード群を構成する複数のリード10のうち、最も第3角部C3側に配置されるリード10と、第4リード群を構成する複数のリード10のうち、最も第3角部C3側に配置されるリード10は、図8に示す角部リード対CLD3を構成する。また、第1リード群を構成する複数のリード10のうち、最も第4角部C4側に配置されるリード10と、第3リード群を構成する複数のリード10のうち、最も第4角部C4側に配置されるリード10は、図9に示す角部リード対CLD4を構成する。ここで、図6に示す角部リード対CLD1、および図7に示す角部リード対CLD2のタブ3側の先端部の間隔は、間に吊りリード6が配置されているため広くなっている。例えば、本実施の形態では、吊りリード6の幅平面視における幅W1は、300μmである。また、吊りリード6と吊りリード6の隣に配置されるリード10の先端部間の間隔W2は、250μmである。このため、図6に示す角部リード対CLD1と図7に示す角部リード対CLD2のタブ3側の先端部の間隔W3は、それぞれ800μmとなっている。一方、図8に示す角部リード対CLD3、および図9に示す角部リード対CLD4のタブ3側の先端部の間隔先端部間の距離W4は、間に吊りリードが配置されないので、角部リード対CLD1、CLD2よりも狭くすることができる。例えば、本実施の形態では、100μmとなっている。ここで、図6および図7に示すように間に吊りリード6が配置された角部リード対CLD1、CLD2の間は、吊りリード6の幅W1の300μmに加えて、その両隣にそれぞれ250μmの隙間を開けている。これは、吊りリード6の傾斜部6cを、例えば成形金型を用いたプレス加工により形成する際に、吊りリード6の隣に配置されるリード10と成形金型が接触することを防止するためのクリアランスである。吊りリード6に傾斜部6cを形成しない場合には、吊りリード6の両隣の隙間間隔W2は、例えば100μm程度とすることができる。また、図8および図9に示すように間に吊りリードが配置されない角部リード対CLD3、CLD4の間は、各リード群を構成するリード10間の距離例えば60μmよりも広い隙間間隔W4;例えば100μmが空いているが、これは、以下の理由による。すなわち、複数のリード10の先端部を、例えば、打ち抜き金型を用いたプレス加工により形成する際に、各リード10の先端部が、角部を結ぶ対角線に向かって位置ズレする傾向がある。打ち抜き金型を用いたプレス加工では、各リード群の中央のリードから両端部に向かって順次プレス加工を施すからである。そして、各リード群の端に位置するリード10の先端部が接触することを防止するため、本実施の形態では、100μmの隙間を開けている。ただし、変形例として、複数のリード10の先端部を、例えばエッチング加工により形成する場合には、各リード群の配置間隔と同様に60μmとすることができる。また、本実施の形態では、第2対角線DL2図4参照に沿った吊りリードを配置しないので、対角線周辺のスペースに、リード10のタブ3側の先端部を配置することができる。そして、各リード群を構成する複数のリード10の先端部は、略一定の間隔で、第2対角線DL2側から第1対角線DL1図4参照に向かって並んでいる。したがって、各リード群を構成する複数のリード10の先端部の平面配置は、以下のように表現することができる。すなわち、図4に示す第1辺S1の中心と第2辺S2の中心を結ぶ線を第1中心線仮想線CL1図4参照とした場合、第1リード群を構成する複数のリード第1リード10の先端部は、第1中心線CL1と第2対角線DL2の間の領域に配置される数の方が、第1中心線CL1と第1対角線DL1の間の領域に配置される数よりも多い。また、第2リード群を構成する複数のリード第2リード10の先端部は、第1中心線CL1と第2対角線DL2の間の領域に配置される数の方が、第1中心線CL1と第1対角線DL1の間の領域に配置される数よりも多い。また、図4に示す第3辺S3の中心と第4辺S4の中心を結ぶ線を第2中心線仮想線CL2図4参照とした場合、第3リード群を構成する複数のリード第3リード10の先端部は、第2中心線CL2と第2対角線DL2の間領域に配置される数の方が、第2中心線CL2と第1対角線DL1の間の領域に配置される数よりも多い。また、第4リード群を構成する複数のリード第4リード10の先端部は、第2中心線CL2と第2対角線DL2の間の領域に配置される数の方が、第2中心線CL2と第1対角線DL1の間の領域に配置される数よりも多い。つまり、本実施の形態では、複数のリード10の先端部を図1に示す第2対角線DL2側に寄せて配置するものである。このため、リード10の先端部の位置を半導体チップ2に近づけても、隣り合うリード10の先端部同士が接触することを抑制可能な配置間隔で配置することができる。また、各リード10において、ワイヤ4を接続するためのボンディング領域12aは、リード10のタブ3側の先端部にあるので、リード10の先端部の位置を半導体チップ2に近づければ、ワイヤ4の長さを短くすることができる。このため、本実施の形態の半導体装置1では、ワイヤ4が製造工程中に変形することによる隣り合うワイヤ4同士の短絡不良などを抑制することができる。また、ワイヤ4のインピーダンス成分を最小限に留めることができるので、所定の電気的特性が容易に得られる。また、本実施の形態では、ワイヤ4は金からなるが、ワイヤ4の長さを短くできるので、製造コストを低減することができる。特に、本実施の形態のように吊りリード6が傾斜部6c図3参照を備えた、オフセット構造の半導体装置1の場合、第2対角線DL2図4参照に沿った吊りリードを取り除くことにより、リード10の先端部の配置スペースを広く確保できる。例えば、上記した例では、700μm800μm-100μmの幅が確保できる。したがって、吊りリードを取り除き、かつ吊りリードを取り除いた対角線側に複数のリード10の先端部を寄せて配置することで、リード10の先端部と半導体チップ2の距離を、近づけることができる効果が大きい。また、本実施の形態では、図4に示すように、封止体の各辺第1辺S1~第4辺S4に沿って配置される複数のアウタリード部11は、それぞれ各辺の中心からの配置本数が均等同数になるように、等間隔で配置されている。詳しくは、複数のアウタリード部11のうち、第1辺S1に沿って配置される複数の第1アウタリード部OL1は、第1中心線CL1から一方の端部までの間の配置本数が他方の端部までの間の配置本数と同数図4では各18本となるように等間隔で配置されている。同様に、複数のアウタリード部11のうち、第2辺S2に沿って配置される複数の第2アウタリード部OL2は、第1中心線CL1から一方の端部までの間の配置本数が他方の端部までの間の配置本数と同数図4では各18本となるように等間隔で配置されている。また、複数のアウタリード部11のうち、第3辺S3に沿って配置される複数の第3アウタリード部OL3は、第2中心線CL2から一方の端部までの間の配置本数が他方の端部までの間の配置本数と同数図4では各18本となるように等間隔で配置されている。また、複数のアウタリード部11のうち、第4辺S4に沿って配置される複数の第4アウタリード部OL4は、第2中心線CL2から一方の端部までの間の配置本数が他方の端部までの間の配置本数と同数図4では各18本となるように等間隔で配置されている。このため、前記したように本実施の形態では一般的なレイアウトでアウタリード部11を配置することで、実装基板に対して特殊な端子配置を要求しない構成となっている。つまり、半導体装置1の汎用性を向上させることができる。また、本実施の形態では、複数のリード10の先端部を図1に示す第2対角線DL2側に寄せて配置するので、第2対角線DL2を挟んで隣り合う角部リード対CLD3図8参照、CLD4図9参照にそれぞれ接続されるワイヤ4の間隔は、第1対角線DL1を挟んで隣り合う角部リード対CLD1図6参照、CLD2図7参照にそれぞれ接続されるワイヤ4の間隔よりも狭い。このため、後述する半導体装置の製造工程において、特に、封止工程におけるワイヤ4の変形を抑制することができる。封止工程において、ワイヤ4の変形を抑制する詳細な理由については後述する。<半導体装置の製造工程>次に図1~図9に示す半導体装置1の製造工程について説明する。半導体装置1は、図10に示す組み立てフローに沿って製造される。図10は、本実施の形態の半導体装置の組み立てフローを示す説明図である。各工程の詳細については、図11~図32を用いて、以下に説明する。1.リードフレーム準備工程;図11は、図10に示すリードフレーム準備工程で準備するリードフレームの全体構造を示す平面図、図12は、図11に示す複数の製品形成領域のうち、1つの製品形成領域周辺の拡大平面図である。まず、図10に示すリードフレーム準備工程として、図11に示すようなリードフレーム20を準備する。リードフレーム20は、例えば銅Cuから成る。詳しくは、銅Cuからなる基材の表面に、例えばニッケルNiからなる薄いめっき導体膜図示は省略が形成されている。また、リードフレーム20の構成部材の厚さは、例えば125μmである。また、リードフレーム20は、例えば行列状に配置される複数の製品形成領域20aを備えている。複数の製品形成領域20aは、それぞれ枠部枠体20bに囲まれ、支持されている。図11の部分拡大図である図12に示すように、各製品形成領域20aには、図1~図9を用いて説明したタブ3、タブ3を支持する複数の吊りリード6、およびタブ3の周囲に配置される複数のリード10が形成されている。タブ3、複数の吊りリード6、および複数のリード10は、一体に形成され、枠部20bに連結されている。また、製品形成領域20aは、第1辺S1、第2辺S2、第3辺S3、および第4辺S4を備えている。また、製品形成領域20aは、第1辺S1と第4辺S4の間の第1角部C1、第2辺S2と第3辺S3の間に位置し、タブ3を介して第1角部C1と対向する第2角部C2、第2辺S2と第4辺S4の間の第3角部C3、および第1辺S1と第3辺S3の間に位置し、タブ3を介して第3角部C3と対向する第4角部C4を備えている。半導体チップを搭載するためのチップ搭載部であるタブ3は、製品形成領域20aの中央部に配置されている。また、タブ3は、図1~図9を用いて説明した複数の吊りリード6に連結され、吊りリード6を介して枠部20bに支持されている。複数の吊りリード6は、それぞれ第1対角線DL1に沿って配置され、第2対角線DL2に沿った吊りリードは配置されていない。また、各吊りリード6には、傾斜部6cが形成されている。つまり、本工程で準備するリードフレーム20は、予めオフセット加工ダウンセット加工が施されている。なお、図12では、吊りリードが第1角部C1あるいは第2角部C2において二又に分岐して枠部20bに連結されている。これは図10に示す封止工程において、封止用樹脂の流路を広くするためである。ただし、各吊りリード6の形状は、図12に示す態様に限定されず、例えば変形例として、第1角部C1あるいは第2角部C2まで分岐せずに延ばし、枠部20bと連結する形状とすることができる。また、タブ3の周囲には、複数のリード10が配置されている。詳しくは、製品形成領域20aの第1辺S1、第2辺S2、第3辺S3、および第4辺S4に沿って、それぞれ複数のリード10が配置されている。これらの複数のリード10の間には、複数のリード10と交差直交するように延びるダム部ダムバー、タイバー21が配置され、複数のリード10は、ダム部21を介してリードフレーム20と一体に形成されている。ダム部21は、タブ3の周囲を取り囲むように配置されている。後述する封止工程図10参照では、このダム部21で囲まれた領域の内側に封止用樹脂を供給し、図1に示す封止体5を形成する。また、複数のリード10のタブ3側の先端部には、それぞれボンディング領域12aが設けられている。ボンディング領域12aは後述するワイヤボンディング工程図10参照においてワイヤの一方の端部を接合する領域である。また、複数のリード10にはタブ3の周囲を取り囲むように配置された絶縁性の接着材接着テープ8が貼り付けられている。接着材8は、リード10の中間よりも先端部側に配置されている。これにより、複数のリード10が狭いピッチで配置される領域において、隣り合うリード10同士が接触することを抑制できる。また、接着材8は、ボンディング領域12aよりも外周側に配置されている。言い換えれば、接着材8は、複数のリード10の先端部に設けられたボンディング領域12aが露出するようにリード10の先端部側に配置されている。また、複数のリード10のそれぞれの先端部は、吊りリード6が配置される第1対角線DL1よりも、吊りリード6が配置されない第2対角線DL2側に寄せて配置されている。図11および図12に示すリードフレーム20は、例えば以下のように形成される。まず、金属板例えば、銅板にニッケル膜がめっき形成されたものを準備して、プレス加工、あるいはエッチングにより例えば図11や図12に示すパターンを形成する。この時、加工中にリード10の先端部が変形することを抑制するため、リード10の先端部が連結された状態で、パターニングを行い、パターンが形成された後で、複数のリード10の先端部を例えばプレス加工、あるいはエッチングにより切り離すことが好ましい。次に、オフセット工程として、吊りリード6にオフセット加工を施して、傾斜部6cを形成する。このオフセット工程では、図13~図16に示すように上型25と下型26からなる成形金型27を用いてプレス加工を施すことにより、吊りリード6に傾斜部6cを形成する。図13~図16は、図12に示す吊りリードの傾斜部を形成するオフセット工程を模式的に示す拡大断面図である。また、図17は、図13~図16に示す上金型の押圧部と図12に示すリードフレームの平面的位置関係を示す拡大平面図である。オフセット工程で用いる成形金型27は、例えば図13~図16に示すように上型25と、下型26から成る。上型25は下面側に下型26に向かって突出する押圧部25aを備えている。一方、下型26は、上型25の押圧部25aと対向する位置に窪み部26aを備えている。そして、上型25の下面と下型26の上面を近づけて、押圧部25aと窪み部26aの間に配置された吊りリード6をプレスすると、図15および図16に示すように、吊りリード6に押圧部25aと窪み部26aの形状に倣って傾斜部6cが形成される。このようにプレス加工により傾斜部6cを形成する場合、成形金型27とリードフレーム20の位置合わせ精度を考慮して、図17に示すように、成形金型27の押圧部25aの幅は、吊りリード6の幅よりも太くすることが好ましい。しかし、押圧部25aの幅を太くすると、吊りリード6の近傍に配置されるリード10と押圧部25aが接触することを防止する必要がある。このため、本実施の形態では、吊りリード6と、吊りリード6の隣に配置されるリード10の先端部の間隔W2を250μmとしている。これにより、プレス加工時に、押圧部25aとリード10が接触してリード10が変形してしまうことを抑制できる。次に、リード先端部固定工程として、図12に示すように、リード10のタブ3側の先端部の近傍に接着材8を塗布し、硬化させることで、リード10の先端部を固定する。本実施の形態では、オフセット工程で、接着材8が図13~図16に示す成形金型27の間に挟み込まれないように、オフセット工程の後で、接着材8を塗布する。ただし、リード10の先端部を固定するタイミングは上記に限定されず、例えば、オフセット工程の前にリード先端部固定工程を行うことができる。この場合、成形金型27の間に接着材8が配置されるため、傾斜部6cの形状や成形性に与える影響を低減する観点から接着材8と成形金型27が接触しない態様とすることが好ましい。ただし、各吊りリード6の形状は、図16に示す態様に限定されず、例えば変形例として、プレス加工を施さなくてもよい。この場合、吊りリードと、この吊りリードに隣接するリードとの間隔をさらに近づけることができる。2.ダイボンディング工程;図18は、図12に示すタブ上に、ボンディング材を介して半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図、図19は、図18のH-H線に沿った拡大断面図、図20は図18のK-K線に沿った拡大断面図である。次に、図10に示すダイボンディング工程として、図18~図20に示すように半導体チップ2を、タブ3上に接着材7を介して搭載する。本実施の形態では、図19および図20に示すように、半導体チップ2の裏面2bをタブ3の上面3aと対向させた状態で搭載する、所謂フェイスアップ実装方式で搭載する。本実施の形態では、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂である接着材7を介して半導体チップ2を搭載するが、接着材7は、硬化熱硬化させる前には流動性を有するペースト材である。このようにペースト材を接着材7として用いる場合には、まず、タブ3上に、接着材7を塗布し、その後、半導体チップ2の裏面2bをタブ3の上面3aに接着する。そして、接着後に、接着材7を硬化させる例えば熱処理を施すと、図19および図20に示すように、半導体チップ2は接着材7を介してタブ3上に固定される。なお、本実施の形態では、接着材7に、熱硬化性樹脂からなるペースト材を用いる実施態様について説明したが、種々の変形例を適用することができる。例えば、ペースト材ではなく、両面に接着層を備えるテープ材フィルム材である接着材を、予め半導体チップ2の裏面2bに貼り付けておき、テープ材を介して半導体チップ2をタブ3上に搭載しても良い。また、本実施の形態では、吊りリード6の傾斜部6cをリード10の間に配置することで、リード10のタブ3側の先端部よりも内側の領域は同じ高さになっている。このため、リード10のタブ3側の先端部よりも内側に収まる平面サイズであれば、任意の大きさの半導体チップ2を搭載することができる。つまり、リードフレーム20の汎用性を向上させることができる。3.ワイヤボンディング工程;図21は、図18に示す半導体チップの電極パッドとリードをワイヤを介して電気的に接続した状態を示す拡大平面図、図22は、図21のH-H線に沿った拡大断面図である。次に図10に示すワイヤボンディング工程として、図21および図22に示すように、半導体チップ2の複数のパッド2dと複数のリード10を複数のワイヤ4を介してそれぞれ電気的に接続する。本工程では、例えば図22に示すように、凹部30aが形成されたヒートステージ30を準備し、タブ3が凹部30a内に位置するように、半導体チップ2が搭載されたリードフレーム20をヒートステージ30上に配置する。そして、半導体チップ2のパッド2dとリード10とを、ワイヤ4を介して電気的に接続する。ここで、本実施の形態では、キャピラリ31を介してワイヤ32を供給し、超音波と熱圧着を併用する、所謂、ネイルヘッドボンディング方式によりワイヤ4を接合している。また、本実施の形態では、半導体チップ2のパッド2dにワイヤ4の一方の端部を接続した後、ワイヤ4の他方の端部をリード10インナリード部12のボンディング領域12aに接続する、所謂、正ボンディング方式によりワイヤ4を接合している。本工程では、ヒートステージ30を介してリード10を加熱するが、リード10に接着される接着材8が、ヒートステージ30とリード10の密着性を阻害することを抑制する観点から、接着材8はリード10の上面10a側に配置して、下面10b側は接着材8から露出させることが好ましい。また、ワイヤ4は、パッド2dとリード10を接続するので、隣り合うワイヤ4の間隔は、パッド2dおよびリード10の配置により規定される。このため、本実施の形態では、角部リード対CLD1、CLD2、CLD3、CLD4に接続されるワイヤ4間の間隔は、角部リード対CLD1、CLD2、CLD3、CLD4以外のリード10に接続されるワイヤ4間の間隔よりも広い。また、角部リード対CLD3に接続されるワイヤ4c間の間隔および角部リード対CLD4に接続されるワイヤ4d間の間隔は、角部リード対CLD1に接続されるワイヤ4a間の間隔および角部リード対CLD2に接続されるワイヤ4b間の間隔よりも狭くなる。言い換えれば、第2対角線DL2図12参照を挟んで隣り合って配置されるワイヤ4c、4dの配置間隔は、第1対角線DL1図12参照を挟んで隣り合って配置されるワイヤ4a、4bの配置間隔よりも狭くなる。4.封止工程;図23は、図21に示すリードフレームの製品形成領域に、封止体を形成した状態を示す拡大平面図、図24は図23のA-A線に沿った拡大断面図である。また、図25は、図23に示すA-A線に沿った断面において、成形金型のキャビティ内に、封止用樹脂を供給する状態を示す拡大断面図である。また、図26は、図23に示すB-B線に沿った断面において、成形金型のキャビティ内に、封止用樹脂を供給する状態を示す拡大断面図である。次に、図10に示す封止工程として、図23および図24に示すように、封止体5を形成し、半導体チップ2および複数のワイヤ4、および複数のリード10の一部インナリード部12を封止する。封止体5が形成されると、封止体5内の複数のワイヤ4および複数のリード10はそれぞれ固定され、隣り合うワイヤ4同士、あるいはリード10同士の接触を防止することができる。本実施の形態では、図25および図26に示すように成形金型40の上金型41と下金型42のキャビティ43、44内に、リードフレーム20に搭載された半導体チップ2を固定した状態で、軟化可塑化させた熱硬化性樹脂封止用樹脂5dを、キャビティ43、44内に圧入して成形し、その後加熱硬化させる、所謂トランスファモールド方式を用いている。トランスファモールド方式は、複数の製品形成領域20aに一括して封止体5を形成できるので、製造を効率的に行うことができる点で好ましい。本工程では、まず、図25および図26に示す成形金型40を準備する。成形金型40は、リードフレーム20の上面半導体チップを搭載した面側を覆う上金型第1金型41、およびリードフレーム20の下面半導体チップを搭載した面の反対面側を覆う下金型第1金型42を備えている。上金型41はキャビティ凹部43を、下金型42はキャビティ凹部44をそれぞれ有し、キャビティ43、44を対向させて重ね合わせることで、図26に示す封止体5を形成するための空間を形成する。また、図25に示すように上金型41のキャビティ43の周囲には、金型面クランプ面41aが配置される。また、下金型42のキャビティ44の周囲には、金型面クランプ面42aが配置され、金型面41aと対向配置されている。成形金型40は、対向配置される金型面41a、42aでリードフレーム20を挟んで押さえることにより、リードフレーム20を上金型41と下金型42の間に固定する。また、金型面41a、42aは、図25に示すダム部21の内側タブ3に近い側まで延びている。言い換えれば、キャビティ43、44は、それぞれ図25に示すダム部21の内側に配置される。これにより、図25および図26に示す封止用樹脂5dはダム部21図25参照の外側には広がらず、図25および図26に示す形状の封止体5が形成される。また、図26に示すように、成形金型40は、封止用樹脂5dの供給部であるゲート部45、およびキャビティ43、44内の気体空気および余剰な封止用樹脂5dの排出部であるベント部46を有している。本実施の形態では、キャビティ43、44は、四つの角部図23に示す第1角部C1、第2角部C2、第3角部C3、および第4角部C4を有するが、第1角部C1にゲート部45を、残りの三つの角部にベント部46を配置している。図26に示すように、キャビティ43の側面43bにゲート部45を配置する方式は、サイドゲート方式と呼ばれる。サイドゲート方式は、封止用樹脂5dをキャビティ43の上方から供給する、所謂トップゲート方式と比較して、金型の構造を単純化できる点で有利である。次に、封止用樹脂5dの流れ方向について説明する。封止用樹脂5dは、ゲート部45からキャビティ43、44内に供給され、キャビティ43、44内の気体空気および余剰な封止用樹脂5dは、封止用樹脂5dの供給圧力により押し出され、ベント部46から排出される。本実施の形態では、図26に示すように第1角部C1と第2角部C2を結ぶ第1対角線DL1図23参照に沿った2本の吊りリード6でタブ3を支持する。このため、吊りリード6の延在方向に沿った方向からの外力に対しては、変形し難いが、吊りリード6の延在方向に対して直交方向図23に示す第2対角線DL2に沿った方向からの外力に対しては、変形し易い。つまり、図23に示す第2対角線DL2に沿って封止用樹脂5dの供給圧力が加わると、該圧力によりタブ3およびタブ3に搭載された半導体チップ2が変形し易い。そこで、本実施の形態では、封止体形成領域の4つの角部のうち、吊りリード6が配置される第1角部C1にゲート部45を配置している。また、タブ3を介して第1角部C1の反対側に位置する第2角部C2にベント部46を配置している。これにより、封止用樹脂5dの供給圧力は、吊りリード6の延在方向に沿って印加されることになる。その結果、封止工程において、タブ3およびタブ3に搭載される半導体チップ2が変形することを防止ないしは抑制することができる。つまり、本実施の形態では、吊りリード6が配置される第1対角線DL1図23参照に沿ってゲート部45とベント部46を配置することで、タブ3を二本の吊りリード6で支持する構造の半導体装置の製造工程において、タブ3および半導体チップ2の変形を抑制し、該変形に伴う半導体装置の信頼性低下を抑制することができる。なお、本実施の形態では、角部に気体が滞留してボイドが形成されることを抑制する観点から、図23に示す第3角部C3および第4角部C4にもベント部46を形成している。この場合であっても、第2角部C2にベント部46を配置すれば、封止用樹脂5dの供給圧力は、吊りリード6の延在方向に沿って印加される。また、本実施の形態では、前記したワイヤボンディング工程において、図21に示すように角部リード対CLD3に接続されるワイヤ4c間の間隔および角部リード対CLD4に接続されるワイヤ4d間の間隔を狭くすることにより、封止用樹脂5dの供給圧力によりワイヤ4が変形する、所謂、ワイヤ流れ現象を抑制することができる。以下、その理由について説明する。図27は、図10に示す封止工程においてワイヤが配置された領域に封止用樹脂を供給する様子を模式的に示す説明図である。また、図28は図27のL-L線、図29は図27のM-M線に沿った断面を模式的に示す説明図である。なお、図27では封止用樹脂5dの供給方向を模式的に示している。ワイヤ流れ現象とは、封止工程において、封止用樹脂の供給圧力によりワイヤ4が変形する現象である。詳しくは、ワイヤ4の延在方向に対して交差直交する方向から封止用樹脂の供給圧力が印加されることにより、ワイヤ4が隣のワイヤ4に向かって倒れるように変形する現象である。このため、ワイヤ流れ現象による変形の程度によっては、隣り合うワイヤ4同士が接触して、半導体装置の信頼性を低下させる原因となる。本願発明者は、ワイヤ流れ現象について検討を行い、以下の知見を得た。すなわち、図27に示すように狭ピッチで密集して配置される複数のワイヤ4からなるワイヤ群に対して封止用樹脂を供給する場合、複数のワイヤ4のうち、封止用樹脂5dの供給側に最も近い位置に配置されるワイヤ4eにおいてワイヤ流れ現象が発生し易く、その他のワイヤ4fおよびワイヤ4gにおいては、ワイヤ流れ現象は殆ど発生しない。また、図27に示すワイヤ4hのように封止用樹脂5dの供給側に配置されるワイヤ4gとの配置ピッチが広い場合には、ワイヤ流れ現象が発生し易くなる。図28に示すように、ワイヤ4が狭ピッチで配置された領域では、封止用樹脂5dは、ワイヤ4により上部と下部に分断され、その後、隣り合うワイヤ4の間の隙間に埋め込まれる。このため、封止用樹脂5dの供給圧力は分散され、ワイヤ流れ現象の原因となる封止用樹脂5dの進行方向の力成分は小さくなる。一方、図29に示すように、ワイヤ4gとの配置ピッチが広いワイヤ4hを封止する際には、上部と下部に分断された封止用樹脂5dが再び一体化した状態でワイヤ4hに接触する。このため、ワイヤ4hに印加される封止用樹脂5dの供給圧力は分散されず、ワイヤ流れ現象の原因となる封止用樹脂5dの進行方向の力成分が大きくなる。この結果、ワイヤ4hでは、ワイヤ流れ現象が発生し易いと考えられる。次に、上記したワイヤ流れ現象の原理を本実施の形態に当てはめて説明する。本実施の形態では、サイドゲート方式で封止するので、例えば図23に矢印を付して示すように、封止用樹脂5dの一部は、ゲート部45図26参照が配置された第1角部C1からタブ3図26参照および半導体チップ2図26参照の周囲を囲むように廻り込んで第2角部C2に向かって進む。なお、封止用樹脂5dの他部は、半導体チップ2上およびタブ3の下にも供給されるが、半導体チップ2およびタブ3が配置された領域は、封止用樹脂5dの流れに対する抵抗が大きいので、タブ3および半導体チップ2の周囲に廻り込む封止用樹脂5dの方が多い。このタブ3および半導体チップ2の周囲に廻り込む封止用樹脂5dは、図21に示す複数のワイヤ4の延在方向と交差する方向に進行する。このため、複数のワイヤ4の配置ピッチが広くなるとワイヤ流れ現象が発生し易くなる。そこで本実施の形態では、図21に示すように角部リード対CLD3に接続されるワイヤ4c間の間隔および角部リード対CLD4に接続されるワイヤ4d間の間隔を狭くしている。このため、ワイヤ流れ現象を抑制することができる。また、本実施の形態では、複数のリード10と半導体チップ2の距離を近づけることによりワイヤ4の長さを短くすることができる。この構成によってもワイヤ流れ現象を抑制することができる。ところで、図21に示す角部リード対CLD1に接続されるワイヤ4a間の間隔および角部リード対CLD2に接続されるワイヤ4b間の間隔はワイヤ4c間およびワイヤ4d間の間隔よりも広くなっている。しかし、ワイヤ4aは、複数のワイヤ4のうち、ゲート部45図26参照が配置される第1角部C1に最も近い位置に配置されるワイヤ4である。このため、ワイヤ4aを封止する際には、キャビティ43、44図26参照内には封止用樹脂5d図26参照が未充填の広い空間が残っているので、ワイヤ4aに印加される封止用樹脂5dの供給圧力を緩和することができる。このため、ワイヤ4aにおいてワイヤ流れ現象の発生を抑制することができる。また、ワイヤ4bは、封止用樹脂5dの供給側である第1角部C1から最も離れた位置に配置されるワイヤ4である。また、ワイヤ4bを封止する際に封止用樹脂5dの供給側の隣には他のワイヤ4が狭ピッチで配置されているため、封止用樹脂5dの供給圧力が高くなってもワイヤ流れ現象は発生し難い。上記の通り、本実施の形態によれば、ワイヤ流れ現象が最も発生し易いワイヤ4c間、ワイヤ4d間の間隔を狭くすることによりワイヤ流れ現象を抑制することができる。この結果、隣り合うワイヤ4同士の接触を抑制し、図1~図9に示す半導体装置1の信頼性低下を抑制することができる。上記のように、キャビティ43、44内に封止用樹脂5dで満たし、気泡ボイドを除去した後、封止用樹脂5dを加熱することにより硬化させて図25および図26に示す封止体5を形成する。この加熱工程ベーク工程は、例えば成形金型40図25参照内で封止用樹脂5dを仮硬化封止用樹脂5d全体が硬化した訳ではないが、成形金型40から取り出しても形状を保持できる状態させる。その後、リードフレーム20を成形金型40から取り出し、図示しない加熱炉に移送して封止用樹脂5dを本硬化封止用樹脂5d全体が硬化した状態させる。この加熱工程が完了すれば、図25および図26に示す封止体5が形成される。5.ダムカット工程;図30は、図23に示すダム部を切断した状態を示す拡大平面図である。次に、図10に示すダムカット工程として、図30に示すように、複数のリード10アウタリード部11の間に形成され、複数のリード10を連結するダム部21を取り除く。本工程では、例えば、図示しないパンチ切断刃とダイ支持治具を用いてプレス加工を施すことにより、ダム部21を取り除く。この時、ダム部21の内側に形成された樹脂体ダム内樹脂の一部も、ダム部21と共に取り除かれる。なお、本工程では、複数のリード10のアウタリード部11の端部は、リードフレームの枠部20bに連結されている。言い換えれば、ダム部21を取り除いた後も複数のリード10は、リードフレーム20の枠部20bを介して一体に形成されている。6.めっき工程;図31は、図30に示すA-A線に沿った断面において、封止体から露出する複数のリードの露出面に外装めっき膜を形成した状態を示す拡大断面図である。次に、図10に示すめっき工程として、図31に示すように封止体5から露出する複数のリード10アウタリード部11に外装めっき膜13を形成する。外装めっき膜13は、例えば半田からなり、外部端子であるリード10に外装めっき膜13を形成することにより、図2に示す半導体装置1を図示しない実装基板に実装する際の接合部材である半田材の濡れ性を向上させることができる。本工程では、被めっき加工物であるリードフレーム20を、めっき液図示は省略が入っためっき槽図示は省略内に配置して、例えば、電解めっき法により外装めっき膜13を形成する。この電解めっき法によれば、封止体5から露出している領域に一括して外装めっき膜13を形成することができる。したがって、外装めっき膜13は、複数のアウタリード部11の上面、下面、側面に形成される。7.リード成形図32は、図31に示すアウタリード部を切断し、成形した状態を示す拡大平面図である。なお、図32に示すA-A線に沿った拡大断面図は、図2と同様なので図示を省略し、図2を用いて説明する。次に、図10に示すリード成形工程として、図32に示すようにリード10のアウタリード部11を切断し、枠部20bから切り離す。その後、図2に示すように複数のリード10のアウタリード部11のそれぞれをガルウィング状に成形する。複数のリード10のアウタリード部11の切断方法は、例えば、リードフレーム20の上面側に図示しないパンチ切断刃を、下面側には図示しないダイ支持治具をそれぞれ配置してプレスすることで切断する。また、リード10のアウタリード部11を成形する方法は、成形用のパンチとダイを用いてプレスすることで成形することができる。本工程により、複数のリード10はそれぞれ分離され、別体となる。また、本工程により複数のリード10はリードフレーム20から切り離される。このため、製品形成領域20a内の各部材をリードフレーム20の枠部20bにより支持しなければ、成形し難い。そこで、本実施の形態では、図12に示すように、複数のリード10が配置されない領域に吊りリード6を配置し、例えば図31に示すように吊りリード6を封止体5により封止している。これにより、後述する個片化工程が完了するまでは、製品形成領域20aは、吊りリード6図12参照を介してリードフレーム20の枠部20bに連結され、支持される。8.個片化工程図33は、図32に示す製品形成領域をリードフレームの枠部から切り離し、個片化した状態を示す拡大平面図である。次に、図10に示す個片化工程として、図33に示すように、製品形成領域20aをリードフレーム20の枠部20bから切り離し、個片化する。本工程では、製品形成領域20aと枠部20bの連結部である吊りリード6図12参照を例えば、図示しないパンチ切断刃とダイ支持治具を用いてプレス加工を施すことにより、切断する。この時、図26に示すゲート部45に形成されたゲート樹脂およびベント部46に形成されたベント樹脂は、それぞれパンチにより取り除かれる。以上の各工程により、図1~図9に示す半導体装置1を取得する。なお、図示は省略したが、上記の各工程に加え、半導体装置1の製品識別記号などを形成する、マーク工程を行う。また、本実施の形態のリードフレーム20は、図11に示すように複数の製品形成領域20aを有するリードフレーム20を用いているので、1枚のリードフレーム20から複数個の半導体装置1を取得することができる。その後、外観検査や電気的試験など、必要な検査、試験を行い、出荷、あるいは図示しない実装基板に実装する。<変形例>以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、前記実施の形態ではQFP型の半導体装置1およびその製造方法に適用した実施態様について説明したが、変形例として、図34~図36に示すように、QFN型の半導体装置50に適用することができる。図34は、図1に示す半導体装置に対する変形例である半導体装置の下面実装面側を示す平面図、図35は、図34に示す半導体装置において、図2に対応する断面図、図36は、図34に示す半導体装置において、図4に対応する透視平面図である。図34~図36に示す半導体装置50は、QFN型の半導体装置である点で、図1に示す半導体装置1と相違する。QFN型の半導体装置50は、半導体装置1を図示しない実装基板に実装する際に、実装基板側の端子と電気的に接続するための端子であるアウタリード部11が、封止体5の下面実装面5bにおいて露出している。言い換えれば、封止体5は、複数のリード10のアウタリード部11が封止体5の下面5bから露出するように形成されている。半導体装置50は、このアウタリード部11が図示しない実装基板側の端子と対向するように配置して電気的に接続する。このため、図35に示すように封止体5の側面5cからリード10を突出させない、または、突出長さを短くすることができるので、前記実施の形態1で説明した半導体装置1よりも、さらに実装面積を低減することができる。アウタリード部11の露出面積は、実装時に実装基板側の端子との電気的接続信頼性が確保できる範囲内で出来るだけ小さくすることが好ましい。露出面積を低減することで、リード10の脱落や酸化を防止ないしは抑制することができる。このため、半導体装置50は、リード10のインナリード部12の下面10b側からエッチング加工ハーフエッチング加工を施し、インナリード部12を封止体5で封止している。このため、図35に示すようにワイヤ4を接合するボンディング領域12aの下面10b側も封止される。したがって、ワイヤ4とリード10の接合部を確実に保護することができる。半導体装置50は、上記の点で前記実施の形態で説明した半導体装置1と相違するが、平面視において四辺形を成す封止体5を有し、四辺のそれぞれに沿ってそれぞれ複数のリード10が配置される点では、半導体装置1と同様である。したがって、前記実施の形態で説明した技術を適用することにより、信頼性を向上させることができる。なお、半導体装置50は、上記した相違点を除き、半導体装置1と同様なので、重複する説明は省略する。また、例えば、前記実施の形態では、ワイヤ4の長さを短くする観点から、第2対角線DL2に沿った吊りリード6を取り除いたスペースを利用してリード10のタブ3側の先端部を半導体チップ2に近づける態様について説明したが、変形例として、図37に示すように、外部端子数を増やした半導体装置55に適用することができる。図37は、図4に対する別の変形例である半導体装置を示す透視平面図である。なお、図37では、前記実施の形態で説明した半導体装置1に対する変形例について説明するが、以下に説明する技術を図34~図36に示すQFN型の半導体装置50と組み合わせて適用することもできる。図37に示す半導体装置55は、第2対角線DL2に沿って第3角部C3と第4角部C4側にそれぞれ2本ずつ、合計4本のリード10を追加している点で前記実施の形態で説明した半導体装置1と異なる。つまり、図1~図9に示す半導体装置1は、各辺に沿って配置される複数のリード10の先端部は、吊りリード6の配置されない第2対角線DL2側に寄せて配置しているが、アウタリード部11は、一方の対角線側に寄せず、各辺第1辺S1、第2辺S2、第3辺S3、第4辺S4の中心に対して、それぞれ対称に配置している。一方、図37に示す半導体装置55は、各辺に沿って配置される複数のリード10の先端部を吊りリード6の配置されない第2対角線DL2側に寄せて配置する点では、半導体装置1と同様である。半導体装置55はこれに加え、アウタリード部11も、各辺の中心に対してそれぞれ第2対角線DL2側に寄せて配置している。言い換えれば、半導体装置55は、平面視において四辺形を成し、各辺第1辺S1、第2辺S2、第3辺S3、第4辺S4に沿ってそれぞれ複数のリード10が配置される。そして、封止体5の各辺第1辺S1~第4辺S4に沿って配置される複数のアウタリード部11は、それぞれ各辺の中心からの配置本数が、各辺の中心から第1対角線DL1側の配置本数よりも、各辺の中心から第1対角線DL1側の配置本数の方が多くなるように、等間隔で配置されている。詳しくは、複数のアウタリード部11のうち、第1辺S1に沿って配置される複数の第1アウタリード部OL1は、第1辺S1の中心第1中心線CL1から第2対角線DL2の端部までの間の配置本数図37では19本が、第1対角線DL1側の端部までの間の配置本数図37では各18本よりも多くなるように等間隔で配置されている。同様に、複数のアウタリード部11のうち、第2辺S2に沿って配置される複数の第2アウタリード部OL2は、第2辺S2の中心第1中心線CL1から第2対角線DL2の端部までの間の配置本数図37では19本が、第1対角線DL1側の端部までの間の配置本数図37では各18本よりも多くなるように等間隔で配置されている。また、複数のアウタリード部11のうち、第3辺S3に沿って配置される複数の第3アウタリード部OL3は、第3辺S3の中心第2中心線CL2から第2対角線DL2の端部までの間の配置本数図37では19本が、第1対角線DL1側の端部までの間の配置本数図37では各18本よりも多くなるように等間隔で配置されている。また、複数のアウタリード部11のうち、第4辺S4に沿って配置される複数の第4アウタリード部OL4は、第4辺S4の中心第2中心線CL2から第2対角線DL2の端部までの間の配置本数図37では19本が、第1対角線DL1側の端部までの間の配置本数図37では各18本よりも多くなるように等間隔で配置されている。このように、吊りリード6が配置されない第2対角線DL2に沿って、リード10を追加することで、半導体装置55は半導体装置1よりも外部端子数を増加させることができる。図37に示す例では、第2対角線DL2に沿って、角部リード対CLD3、CLD4を追加しており、合計148本のリード10を有している。また、半導体装置55のように、第2対角線DL2に沿ってリード10を追加すると、図4と図37を比較すると判るように、第2対角線DL2の周辺のリード10の配置ピッチが、半導体装置1よりも狭くなる。言い換えれば、半導体チップ2の周囲にリード10インナリード部が敷き詰められる。このため、前記実施の形態で説明した封止工程において、封止用樹脂を供給する際に、供給圧力を安定化させることができるので、キャビティ内の気体の滞留を抑制することができる。この結果、封止体5内にボイド気泡が残留することを抑制できる。また、半導体装置55の複数のリード10のタブ3側の先端部は、半導体装置1と同様に第2対角線DL2側に寄せて配置するので、角部リード対CLD3、CLD4に接続されるワイヤ4のワイヤ流れ現象を抑制することができる。ただし、半導体装置55は、吊りリード6を取り除いたスペースを利用してリード10を追加するので、半導体装置1と比較してリード10の先端部を半導体チップ2に近づけることができない。言い換えれば、半導体装置55は、半導体装置1よりもリード10の長さが短く、リード10の先端部と半導体チップ2の距離が半導体装置1よりも遠くなっている。このため、半導体装置55の複数のワイヤ4それぞれの長さは、半導体装置1のワイヤ4の長さよりも長い。したがって、ワイヤ4の長さを短くすることによる効果例えば、ワイヤ4のインピーダンス成分の低減、ワイヤ4の製造工程中での変形、あるいは製造コストの低減を得る観点からは、前記実施の形態で説明した半導体装置1、あるいは変形例で説明した半導体装置50の方が好ましい。また、半導体装置55は外部端子のレイアウトが、特殊なレイアウトとなるため、実装基板に対する汎用性の点でも半導体装置1、50の方が好ましい。その他の相違点としては、半導体装置55では、リード10の長さが短くなるため、図5に示す接着材8は配置していない。ただし、接着材8の有無に関しては、リード10の特に先端部周辺の変形し易さに応じて決定することができるので、半導体装置55においても、リード10のボンディング領域とアウタリード部11の間に図4に示すような接着材8を配置することもできる。上記した相違点を除き半導体装置55は前記実施の形態で説明した半導体装置1と同様なので、重複する説明は省略する。また、前記実施の形態では、半導体チップ2を搭載するチップ搭載部として、半導体チップ2の裏面2bよりも平面積が小さく、円形の平面形状を成すタブ3を例として説明したが、チップ搭載部の形状は、上記に限定されず、種々の大きさ、形状のものを適用することができる。また、吊りリード6よりも幅の広いチップ搭載部を形成せず、単に吊りリード6上に半導体チップ2を搭載する態様を適用することができる。この場合、吊りリード6の半導体チップ2を搭載する領域を、チップ搭載部として考えることができる。また、前記実施の形態では、タブ3の下面3bが封止体5に封止される例について説明したが、変形例としてタブ3が封止体5の下面5b側から露出する構造とすることができる。