誘電材料から成る端子台と、該端子台の上面における端部に形成された複数の上面信号導体層と、前記端子台の前記上面における前記端部に形成されており、前記複数の上面信号導体層のそれぞれを挟むように配置された複数の上面接地導体層と、前記端子台の下面に形成された下面接地導体層と、前記端子台の側面に形成されており、前記複数の上面接地導体層および前記下面接地導体層に電気的に接続されている複数の側面接地導体層と、前記端子台の前記側面に形成されており、前記複数の上面信号導体層に電気的に接続されている複数の側面信号導体層と備えており、前記複数の側面接地導体層が、前記端子台の前記側面の上端から下端にかけて形成されており、前記複数の側面信号導体層が、前記端子台の前記側面の前記上端から形成されており前記複数の側面接地導体層よりも短いことを特徴とする端子構造体。前記下面接地導体層は、前記複数の側面信号導体層に対応して複数の非形成領域を有していることを特徴とする請求項1記載の端子構造体。前記端子台の下面に設けられた誘電体層をさらに備えており、該誘電体層は、前記下面接地導体層の前記複数の非形成領域に対応して複数の非形成部を有していることを特徴とする請求項2記載の端子構造体。前記複数の上面信号導体層に接合された複数の信号リード端子をさらに備えており、前記複数の側面信号導体層の幅が、前記複数の信号リード端子の幅よりも大きいことを特徴とする請求項1記載の端子構造体。請求項1乃至請求項4のいずれかに記載された端子構造体と、該端子構造体を支持する容器体とを備えている電子部品収納用パッケージ。請求項5に記載された電子部品収納用パッケージと、該電子部品収納用パッケージに搭載された電子部品とを備えている電子装置。しかしながら、上述の端子構造体において、側面信号導体層は、例えば下面接地導体層による寄生容量または例えば隣に設けられている側面接地導体層による寄生容量が付加されており、上面信号導体層における信号の伝送特性が低減される可能性があった。本発明の一つの態様によれば、端子構造体は、誘電材料から成る端子台と、端子台の上面における端部に形成された複数の上面信号導体層および複数の上面接地導体層と、端子台の下面に形成された下面接地導体層と、端子台の側面に形成された複数の側面接地導体層および複数の側面信号導体層とを含んでいる。複数の上面接地導体層は、複数の上面信号導体層のそれぞれを挟むように配置されている。複数の側面接地導体層は、複数の上面接地導体層および下面接地導体層に電気的に接続されている。複数の信号導体層は、複数の上面信号導体層に電気的に接続されている。複数の側面接地導体層は、端子台の側面の上端から下端にかけて形成されており、複数の側面信号導体層が、端子台の側面の上端から形成されており複数の側面接地導体層よりも短い。本発明の他の態様によれば、電子部品収納用パッケージは、上記の端子構造体と、端子構造体を支持する容器体とを含んでいる。本発明の他の態様によれば、電子装置は、上記の電子部品収納用パッケージと、電子部品収納用パッケージに搭載された電子部品とを含んでいる。本発明の一つの態様によれば、端子構造体が複数の側面接地導体層および複数の側面信号導体層を含んでおり、複数の側面接地導体層が端子台の側面の上端から下端にかけて形成されており、複数の側面信号導体層が端子台の側面の上端から形成されており複数の側面接地導体層よりも短いことによって、端子構造体は、複数の側面信号導体層における寄生容量に関して低減されており、複数の上面信号導体層における信号の伝送特性に関して向上されている。本発明の他の態様によれば、電子部品収納用パッケージは、上述の端子構造体を含んでいることによって、収容される電子部品および外部の間における信号の伝送特性に関して向上されている。本発明の他の態様によれば、電子装置は、上述の電子部品収納用パッケージを含んでいることによって、信号の伝送特性に関して向上されている。以下、本発明のいくつかの例示的な実施形態について図面を参照して説明する。第1の実施形態図1に示されているように、本発明の第1の実施形態における電子装置は、電子部品収納用パッケージ100と、電子部品収納用パッケージ100に搭載された電子部品200とを含んでいる。電子部品収納用パッケージ100は、端子構造体110と、端子構造体110を支持する容器体120とを含んでいる。図2および図3に示されているように、端子構造体110は、端子台1と、端子台1の上面に形成された複数の上面信号導体層2と、端子台1の上面に形成された複数の上面接地導体層3と、端子台1の下面に形成された下面接地導体層4と、端子台1の側面に形成された複数の側面接地導体層5と、端子台1の側面に形成された複数の側面信号導体層6と、端子台1の上端に形成された上端接地導体層7を含んでいる。端子構造体110は、複数の上面信号導体層2に接合された複数の信号リード端子8と、複数の上面接地導体層3に接合された複数の接地リード端子9とをさらに含んでいる。図2aにおいて、端子台1は、仮想のxyz空間におけるxy平面に設けられている。端子台1は、誘電材料から成り、基体誘電体層11および上側誘電体層12を有している。誘電材料は、例えばセラミックスである。上側誘電体層12は、基体誘電体層11の上に設けられており、図2aおよびbにおいて、基体誘電体層11および上側誘電体層12の境が、仮想の二点鎖線によって示されている。図3aに示されているように、上側誘電体層12は、仮想xy平面のy軸方向において基体誘電体層11の中央部分に設けられている。複数の上面信号導体層2は、端子台1の上面の仮想のy軸における端部11aに形成されている。図2aおよび図3aにおいて、複数の上面信号導体層2は、ドット模様によって示されている。複数の上面信号導体層2は、基体誘電体層11の上面の仮想のy軸方向における第1の端部11aから第2の端部11bにかけて形成されており、部分的に基体誘電体層11および上側誘電体層12によって挟まれている。図3aにおいて、複数の上面信号導体層2のうち上側誘電体層12によって覆われた部分が、上側誘電体層12を透視した状態で破線によって示されている。複数の上面接地導体層3は、端子台1の上面における端部11aに形成されており、複数の上面信号導体層2のそれぞれを挟むように配置されている。図2aおよび図3aにおいて、複数の上面接地導体層3は、ドット模様によって示されている。複数の上面接地導体層3は、基体誘電体層11の上面の仮想のy軸方向における第1の端部11aから第2の端部11bにかけて形成されており、部分的に基体誘電体層11および上側誘電体層12によって挟まれている。図3aにおいて、複数の上面接地導体層3のうち上側誘電体層12によって覆われた部分が、上側誘電体層12を透視した状態で破線によって示されている。下面接地導体層4は、端子台1の下面に形成されており、図2bおよび図3cにおいてドット模様によって示されている。下面接地導体層4は、図3cに示されているように、下面透視において複数の上面信号導体層2および複数の上面接地導体層3の形成領域に対応して設けられている。複数の側面接地導体層5は、端子台1の側面に形成されており、複数の上面接地導体層3および下面接地導体層4に電気的に接続されている。図2a、bおよび図3bにおいて、複数の側面接地導体層5は、ドット模様によって示されている。複数の側面接地導体層5は、端子台1の側面の上端から下端にかけて形成されている。複数の側面接地導体層5は、端子台1の側面に形成された複数のキャスタレーション内に形成されている。複数の側面信号導体層6は、端子台1の側面に形成されており、複数の上面信号導体層2に電気的に接続されている。複数の側面信号導体層6は、図2a、bおよび図3bにおいてドット模様によって示されている。複数の側面信号導体層6のそれぞれは、複数の側面接地導体層5によって挟まれるように配置されている。複数の側面信号導体層6は、端子台1の側面の上端から形成されており、端子台1の側面に形成された複数のキャスタレーション内に形成されている。図3bに示されているように、複数の側面信号導体層6は、複数の側面接地導体層5の長さL5よりも短い長さL5を有している。上端接地導体層7は、上側誘電体層12の上面に形成されており、上面誘電体層12の側面に形成された複数の導体層によって複数の上面接地導体層3に電気的に接続されている。図2aおよび図3aにおいて、上端接地導体層7は、ドット模様によって示されている。上面誘電体層12の側面に形成された複数の導体層は、上面誘電体層12の側面に形成された複数のキャスタレーション内に形成されている。複数の信号リード端子8は、端子台1の端部11aにおいてろう材86によって複数の上面信号導体層2に接合されている。図2bに示されているように、ろう材86の一部分は、複数の側面信号導体層6にも付着している。複数の接地リード端子9は、端子台1の端部11aにおいてろう材95によって複数の上面接地導体層3に接合されている。図2bに示されているように、ろう材95の一部分は、複数の側面接地導体層5にも付着している。高周波信号の伝送構造における接地電位の安定化および信号リード端子8に付加される寄生容量の低減という観点において、複数の信号リード端子8が複数の接地リード端子9よりも細い方が好ましい。図2bに示されているように、信号リード端子8の接合強度の観点において、側面信号導体層6の長さL6は、信号リード端子8の厚みT8以上であることが好ましい。信号リード端子8に負荷がかかった場合でも、側面信号導体層6との接続部において応力を分散させることができる。例えば信号リード端子8が01mmの厚みT8を有する場合、側面信号導体層6は例えば015mmの長さL6を有するとよい。なお、上面信号導体層2における信号の伝送特性の観点において、側面信号導体層6の長さL6は、上面信号導体層2を伝送される信号の波長の1/4以下であることが好ましい。側面信号導体層6の長さL6が上面信号導体層2を伝送される信号の波長の1/4以下であることによって、上面信号導体層2を伝送される信号の反射が低減される。本実施形態の端子構造体110において、複数の側面信号導体層6が端子台1の側面の上端から形成されており複数の側面接地導体層5よりも短いことによって、複数の側面接地導体層5における寄生容量が低減されており、複数の上面信号導体層2における信号の伝送特性が向上されている。なお、複数の側面接地導体層5は、例えば端子台1の下面に下面接地導体層4が設けられた構造においては、端子台1の側面の下端まで設けられていることによって、下面接地導体層4との電気的接続を有することができ、接地電位の供給の安定化が図られる。図4に示されているように、側面信号導体層6は、下面接地導体層4との間に形成された寄生容量C46と、側面接地導体層5との間に形成された寄生容量C56とを有している。側面信号導体層6が短いことによって、側面信号導体層6および下面接地導体層4の距離が大きくなり、寄生容量C46が低減されている。さらに、側面信号導体層6が短いことによって、側面信号導体層6および側面接地導体層5の対向部分が小さくなり、寄生容量C56が低減されている。図4において、寄生容量C46およびC56が模式的に示されている。本実施形態における電子部品収納用パッケージ100は、上述の端子構造体110と、端子構造体110を支持する容器体120とを含んでいることによって、収容される電子部品200および外部の間における信号の伝送特性に関して向上されている。本実施形態における電子装置は、上述の電子部品収納用パッケージ100と、電子部品収納用パッケージ100に搭載された電子部品200とを含んでいることによって、信号の伝送特性に関して向上されている。なお、図5に示されているように、側面信号導体8が下方向に向かうに伴って小さくなるパターン幅を有していると、側面信号導体層8における寄生容量がさらに低減される。第2の実施形態図6aおよびbを参照して、本発明の第2の実施形態における電子装置について説明する。本実施形態の電子装置において、第1の実施形態における電子装置と異なる構成は、下面接地導体層4の形状である。その他の構成は、第1の実施形態における電子装置と同様である。下面接地導体層4は、複数の側面信号導体層6に対応して複数の非形成領域4aを有している。図6bに示されているように、下面接地導体層4は、基体誘電体層11の下面における端部11cに形成された複数の非形成領域4aを有しており、複数の非形成領域4aは、複数の信号リード端子8に対応して設けられている。本実施形態の端子構造体110において、下面接地導体層4が複数の側面信号導体層6に対応して複数の非形成領域4aを有していることによって、側面信号導体層6における下面接地導体層4による寄生容量が低減されており、複数の上面信号導体層2における信号の伝送特性が向上されている。図7aに示されているように、本実施形態の端子構造体110において、下面接地導体層4が非形成領域4aを有していることによって、図7bに比較例として示されているように、下面接地導体層40が非形成領域を有さない端子構造体に比べて、本実施形態における端子構造体110は、側面信号導体層6および下面接地導体層4の距離が大きくなっており、複数の信号リード端子8における下面接地導体層4による寄生容量C64に関して低減されている。図7aおよびbにおいて、複数の信号リード端子8における寄生容量C64およびC640が模式的に示されている。本実施形態における電子部品収納用パッケージ100は、上述の端子構造体110と、端子構造体110を支持する容器体120とを含んでいることによって、収容される電子部品200および外部の間における信号の伝送特性に関して向上されている。本実施形態における電子装置は、上述の電子部品収納用パッケージ100と、電子部品収納用パッケージ100に搭載された電子部品200とを含んでいることによって、信号の伝送特性に関して向上されている。第3の実施形態図8を参照して、本発明の第3の実施形態における電子装置について説明する。本実施形態の電子装置において、第2の実施形態における電子装置と異なる構成は、端子台1の下面に設けられた下側誘電体層13をさらに含んでいることである。その他の構成は、第2の実施形態における電子装置と同様である。本実施形態における電子装置は、下側誘電体層13をさらに含んでいることによって、例えば下層誘電体層13の下面に接地導体層をさらに設けることが可能となり、接地電位の安定化が図られる。下側誘電体層13は、基体誘電体層11の下面に設けられており、下面接地導体層4の複数の非形成領域4aに対応して複数の非形成部13aを有している。本実施形態の端子構造体110において、下側誘電体層13が下面接地導体層4の複数の非形成領域4aに対応して複数の非形成部13aを有していることによって、側面信号導体層6における寄生容量が低減されており、上面信号導体層2における信号の伝送特性が向上されている。図9aに示されているように、本実施形態の端子構造体110において、下側誘電体層13が非形成部13aを有していることによって、図9bに比較例として示されているように下側誘電体層130が非形成領域を有さない端子構造体に比べて、本実施形態における端子構造体110は、例えば下側誘電体層13の下面に設けられた接地導体層と側面信号導体層6との間における誘電率が低減されており、側面信号導体層6における寄生容量に関して低減されている。図9aおよびbにおいて、側面信号導体層6における寄生容量が模式的に示されている。第4の実施形態図10aおよびbを参照して、本発明の第4の実施形態における電子装置について説明する。本実施形態の電子装置において、第1の実施形態における電子装置と異なる構成は、複数の側面信号導体層6の幅が複数の信号リード端子8の幅よりも大きいことである。その他の構成は、第1の実施形態における電子装置と同様である。本実施形態の端子構造体110において、複数の側面信号導体層6の幅6wが複数の信号リード端子8の幅8wよりも大きいことによって、側面信号導体層6において信号リード端子8よりも広い部分がインダクタンス成分となって、このインダクタンス成分が信号リード端子8における側面信号導体層6による寄生容量と整合されて、端子構造体110の高周波特性が向上される。本実施形態における構成は、上述の第2および第3の実施形態における電子装置においても適用され得る。