"ESD保護回路を有する半導体集積回路装置であって、前記ESD保護回路は、第1方向に延びており、信号端子に電気的に接続されている、第1配線と、前記第1方向に延びており、電源端子または接地端子に電気的に接続されており、前記第1配線の両側にそれぞれ配置された、第2および第3配線と、前記第1配線の下に形成されており、互いに同一の第1導電型を有しており、前記第1方向と直交する第2方向において前記第2配線側と前記第3配線側とにそれぞれ配置され、かつ、前記第1方向における範囲の全部または一部において分離されている、第1および第2拡散領域と、前記第2配線の下に形成されており、第2導電型を有しており、前記第2方向において前記第1拡散領域と対向するように配置された、第3拡散領域と、前記第3配線の下に形成されており、前記第2導電型を有しており、前記第2方向において前記第2拡散領域と対向するように配置された、第4拡散領域とを備えていることを特徴とする半導体集積回路装置。請求項1記載の半導体集積回路装置において、前記第1、第2、第3および第4拡散領域はいずれも、前記第1方向における寸法が前記第2方向における寸法よりも大きい、矩形状を有していることを特徴とする半導体集積回路装置。請求項1または2記載の半導体集積回路装置において、前記第1および第2拡散領域の前記第2方向における寸法は、前記第3および第4拡散領域の前記第2方向における寸法よりも、小さいことを特徴とする半導体集積回路装置。請求項1記載の半導体集積回路装置において、前記第3および第4拡散領域は、前記第1および第2拡散領域の前記第1方向における両端部の先方に形成された拡散領域によって互いに接続されており、前記第1および第2拡散領域を囲むように、一体に形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。請求項1~4のうちいずれか1項記載の半導体集積回路装置において、前記第1拡散領域と前記第3拡散領域とが対向している範囲において、前記第1配線と前記第2配線との間隔は、前記第1拡散領域と前記第3拡散領域との間隔よりも大きく、前記第2拡散領域と前記第4拡散領域とが対向している範囲において、前記第1配線と前記第3配線との間隔は、前記第2拡散領域と前記第4拡散領域との間隔よりも大きいことを特徴とする半導体集積回路装置。請求項5記載の半導体集積回路装置において、前記第1拡散領域と前記第3拡散領域とが対向している範囲において、平面視で、前記第1拡散領域は、前記第1配線よりも前記第3拡散領域側にはみ出しており、前記第3拡散領域は、前記第2配線よりも前記第1拡散領域側にはみ出しており、前記第2拡散領域と前記第4拡散領域とが対向している範囲において、平面視で、前記第2拡散領域は、前記第1配線よりも前記第4拡散領域側にはみ出しており、前記第4拡散領域は、前記第3配線よりも前記第2拡散領域側にはみ出していることを特徴とする半導体集積回路装置。請求項1~6のうちいずれか1項記載の半導体集積回路装置において、前記第2および第3配線は、電源端子に接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。請求項7記載の半導体集積回路装置において、前記第1導電型はP型であり、前記第2導電型はN型であり、前記ESD保護回路は、信号端子をアノード、電源端子をカソードとするダイオード型であることを特徴とする半導体集積回路装置。請求項7記載の半導体集積回路装置において、前記第1導電型および前記第2導電型は、ともにP型であり、前記ESD保護回路は、信号端子をコレクタ、電源端子をエミッタとするバイポーラトランジスタ型であることを特徴とする半導体集積回路装置。請求項7記載の半導体集積回路装置において、前記第1導電型はN型であり、前記第2導電型はP型であり、前記ESD保護回路は、信号端子をカソード、電源端子をアノードとするサイリスタ型であることを特徴とする半導体集積回路装置。請求項1~6のうちいずれか1項記載の半導体集積回路装置において、前記第2および第3配線は、接地端子に接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。請求項11記載の半導体集積回路装置において、前記第1導電型はN型であり、前記第2導電型はP型であり、前記ESD保護回路は、接地端子をアノード、信号端子をカソードとするダイオード型であることを特徴とする半導体集積回路装置。請求項11記載の半導体集積回路装置において、前記第1導電型および前記第2導電型は、ともにN型であり、前記ESD保護回路は、接地端子をエミッタ、信号端子をコレクタとするバイポーラトランジスタ型であることを特徴とする半導体集積回路装置。請求項11記載の半導体集積回路装置において、前記第1導電型はP型であり、前記第2導電型はN型であり、前記ESD保護回路は、接地端子をカソード、信号端子をアノードとするサイリスタ型であることを特徴とする半導体集積回路装置。ESD保護回路を有する半導体集積回路装置であって、前記ESD保護回路は、第1方向に延びており、信号端子に電気的に接続されている、第1配線と、前記第1方向に延びており、電源端子または信号端子に電気的に接続されており、前記第1配線の両側にそれぞれ配置された、第2および第3配線と、前記第1配線の下に形成されており、第1導電型を有している、第1拡散領域と、前記第2配線の下に形成されており、第2導電型を有しており、前記第1方向と直交する第2方向において前記第1拡散領域と対向するように配置された、第2拡散領域と、前記第3配線の下に形成されており、前記第2導電型を有しており、前記第2方向において前記第1拡散領域と対向するように配置された、第3拡散領域とを備えており、前記第1拡散領域と前記第2拡散領域とが対向している範囲において、前記第1配線と前記第2配線との間隔は、前記第1拡散領域と前記第2拡散領域との間隔よりも大きく、前記第1拡散領域と前記第3拡散領域とが対向している範囲において、前記第1配線と前記第3配線との間隔は、前記第1拡散領域と前記第3拡散領域との間隔よりも大きいことを特徴とする半導体集積回路装置。請求項15記載の半導体集積回路装置において、前記第2および第3拡散領域は、前記第1拡散領域の前記第1方向における両端部の先方に形成された拡散領域によって互いに接続されており、前記第1拡散領域を囲むように、一体に形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。上述したようなESD保護回路を設けた場合には、信号端子と電源端子および接地端子との間に、配線による配線間容量や、拡散層の接合による拡散容量が存在することになる。このため、高速信号を入出力する信号端子では、この配線間容量や拡散容量を含めた端子容量が、信号波形の劣化を招く可能性がある。したがって、特に高速信号の入出力を行う半導体集積回路では、端子容量を低容量化したESD保護回路を設けることが好ましい。端子容量を低容量化するための方法としては、保護素子のサイズを小さくして拡散容量を小さくすることが考えられる。しかしながら、ただ単に保護素子のサイズを小さくした場合には、ESD耐圧が低下するという問題が生じる。また、拡散領域の面積を小さくすることによって、拡散層と接続する配線幅が小さくなったり、コンタクト数、ビア数が少なくなったりすると、サージ電流による配線等の溶断の懸念もある。前記の問題に鑑み、本発明は、信号端子のESD保護回路において、ESD耐圧の低下を招くことなく、信号端子の端子容量を小さくすることを目的とする。本発明の一態様では、半導体集積回路装置が有するESD保護回路は、第1方向に延びており、信号端子に電気的に接続されている第1配線と、前記第1方向に延びており、電源端子または接地端子に電気的に接続されており、前記第1配線の両側にそれぞれ配置された第2および第3配線と、前記第1配線の下に形成されており、互いに同一の第1導電型を有しており、前記第1方向と直交する第2方向において前記第2配線側と前記第3配線側とにそれぞれ配置され、かつ、前記第1方向における範囲の全部または一部において分離されている第1および第2拡散領域と、前記第2配線の下に形成されており、第2導電型を有しており、前記第2方向において前記第1拡散領域と対向するように配置された第3拡散領域と、前記第3配線の下に形成されており、前記第2導電型を有しており、前記第2方向において前記第2拡散領域と対向するように配置された第4拡散領域とを備えている。この態様によると、信号端子に接続された第1配線の下に、第2配線側と第3配線側とにそれぞれ、同一導電型の第1および第2拡散領域が配置されており、第1および第2拡散領域は、配線が延びる第1方向における範囲の全部または一部において分離されている。すなわち、第1配線の下では、電源端子または接地端子に接続された第2および第3配線下に形成された、第3および第4拡散領域に対向する部分だけに拡散領域が形成されており、第1方向に直交する第2方向における中央部分には、拡散領域は形成されていない。このため、保護素子を構成する拡散領域の面積は小さくなっており、したがって、信号端子の端子容量を小さくすることができる。また、電源端子または接地端子側の拡散領域と対向する範囲では、拡散領域は小さくなっていないので、保護素子の放電能力の低下は生じない。さらに、第1配線の配線幅やコンタクト、ビア数は十分に確保できるので、溶断等による放電能力の低下も生じない。本発明の他の態様では、半導体集積回路装置が有するESD保護回路は、第1方向に延びており、信号端子に電気的に接続されている第1配線と、前記第1方向に延びており、電源端子または信号端子に電気的に接続されており、前記第1配線の両側にそれぞれ配置された第2および第3配線と、前記第1配線の下に形成されており、第1導電型を有している第1拡散領域と、前記第2配線の下に形成されており、第2導電型を有しており、前記第1方向と直交する第2方向において前記第1拡散領域と対向するように配置された第2拡散領域と、前記第3配線の下に形成されており、前記第2導電型を有しており、前記第2方向において前記第1拡散領域と対向するように配置された第3拡散領域とを備えており、前記第1拡散領域と前記第2拡散領域とが対向している範囲において、前記第1配線と前記第2配線との間隔は、前記第1拡散領域と前記第2拡散領域との間隔よりも大きく、前記第1拡散領域と前記第3拡散領域とが対向している範囲において、前記第1配線と前記第3配線との間隔は、前記第1拡散領域と前記第3拡散領域との間隔よりも大きい。この態様によると、信号端子に接続された第1配線の下に形成された第1拡散領域は、電源端子または接地端子に接続された第2および第3配線下に形成された、第2および第3拡散領域とそれぞれ対向している。そして、拡散領域が対向している範囲において、配線間の間隔が、拡散領域間の間隔よりも大きくなっている。このため、配線間容量が小さくなっており、したがって、信号端子の端子容量を小さくすることができる。本発明によると、保護素子としての能力を損なうことなく、信号端子の端子容量を小さくすることができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。実施形態1図1は実施形態1に係る半導体集積回路装置のESD保護回路に関するレイアウト構成を示す図である。図1において、aは基板上方から見た平面図、bはaの線A-Bにおける断面図である。図1において、第1配線11は、図1aにおけるY方向第1方向に延びており、図示していない信号端子に電気的に接続されている。第2配線12および第3配線13は、第1配線11と同様にY方向に延びており、第1配線11の両側にそれぞれ配置されている。第2配線12および第3配線13は、図示していない電源端子または接地端子に電気的に接続されている。第1配線11の下に、第1拡散領域としての拡散領域1Aおよび第2拡散領域としての拡散領域1Bが形成されている。拡散領域1Aと拡散領域1Bとは、図1aにおけるX方向第2方向において、第2配線12側と第3配線13側とに分離して配置されている。言いかえると、第1配線11は、拡散領域1A,1Bを覆うように延びている。拡散領域1A,1Bは同一の導電型を有している。第2配線12の下に、第3拡散領域としての拡散領域2が形成されている。拡散領域2は、X方向において、拡散領域1Aと対向するように配置されている。また、第3配線13の下に、第4拡散領域としての拡散領域3が形成されている。拡散領域3は、X方向において、拡散領域1Bと対向するように配置されている。拡散領域2,3は同一の導電型を有している。第1配線11と拡散領域1A,1Bとはコンタクト25によって電気的に接続されている。同様に、第2配線12と拡散領域2とはコンタクト25によって電気的に接続されており、第3配線13と拡散領域3とはコンタクト25によって電気的に接続されている。なお、図1その他の平面図において、構成が分かりやすいように、配線下にある拡散領域が見えるように図示している。ここでは、第2および第3配線12,13は、電源端子に電気的に接続されているものとする。そしてESD保護回路は、信号端子第1配線11がアノードであり、電源端子第2および第3配線12,13がカソードであるダイオード型であるものとする。この場合、拡散領域1A,1BはP型であり、拡散領域2,3はN型である。図1の構成では、第1配線11下のアノード側における拡散領域1A,1Bは、カソード側における拡散領域2,3に対向する部分だけが残され、X方向における中央部が削除された形状になっている。削除されている中央部は、図1bに破線で示すように、放電時におけるウェル横断距離が長く高抵抗になるため、放電能力が低く、保護素子としての機能は十分には発揮しない。一方、カソードと対向する部分は、ウェル横断距離が短く低抵抗で放電できる。このため、本実施形態では、第1配線11下のアノード側における拡散領域について、カソード側と対向する部分だけを残して、中央部分については削除している。これにより、保護素子としての機能を損なうことなく、拡散容量を小さくすることができる。したがって、信号端子の端子容量を小さくすることが可能である。また、配線幅、コンタクト個数、ビア個数は、サージ電流を流せる程度に確保することによって、ESD耐性の低下を防ぐことができる。なお、図1の構成では、各拡散領域1A,1B,2,3はいずれも、縦長の形状、すなわち、配線が延びるY方向における寸法がX方向における寸法さよりも大きい、矩形状を有している。また、拡散領域1A,1Bは、拡散領域2,3よりも幅が細くなっており、すなわち、拡散領域1A,1Bは、X方向における寸法が拡散領域2,3よりも小さくなっている。ただし、本実施形態はこのような形状に限定されるものではない。図2は本実施形態の第1変形例を示す図である。図2において、aは基板上方から見た平面図、bはaの線A-Bにおける断面図である。図2において、図1と共通の構成要素には同一の符号を付している。図2の構成は図1とほぼ同様である。ただし、拡散領域同士が対向している範囲において、配線間の間隔が、拡散領域間の間隔よりも大きくなっている点が異なっている。これにより、図1の構成と比べて、配線間容量も小さくなり、端子容量をさらに小さくすることが可能になる。すなわち、拡散領域1Aと拡散領域2とが対向している範囲において、第1配線11と第2配線12との間隔a1は、拡散領域1Aと拡散領域2との間隔b1よりも大きくなっている。図2のレイアウトでは、平面視で、拡散領域1Aは第1配線11よりも拡散領域2側にはみ出しており、拡散領域2は第2配線12よりも拡散領域1A側にはみ出している。同様に、拡散領域1Bと拡散領域3とが対向している範囲において、第1配線11と第3配線13との間隔a2は、拡散領域1Bと拡散領域3との間隔b2よりも大きくなっている。図2のレイアウトでは、平面視で、拡散領域1Bは第1配線11よりも拡散領域3側にはみ出しており、拡散領域3は第3配線13よりも拡散領域1B側にはみ出している。このような構成により、第1配線11と第2配線12との間隔、および、第1配線11と第3配線13との間隔が大きくなるので、配線間容量が小さくなり、端子容量をさらに小さくすることが可能である。図3は本実施形態の第2変形例を示す図である。図3において、aは基板上方から見た平面図、bはaの線A-Bにおける断面図である。図3において、図1と共通の構成要素には同一の符号を付している。図3の構成は図1とほぼ同様である。ただし、第2配線12および第3配線13の下に形成した拡散領域に関しても、他の拡散領域と対向する部分以外を削除している点が異なっている。すなわち、第2配線12の下に、X方向において両側に分離して配置された拡散領域2A,2Bが形成されており、第3配線13の下に、X方向において両側に分離して配置された拡散領域3A,3Bが形成されいる。これにより、電源端子または接地端子の端子容量についても、削除することが可能になる。なお、本実施形態の構成は、保護素子がダイオードであるダイオード型のESD保護回路に限られるものではなく、例えば、保護素子がバイポーラトランジスタやサイリスタである場合であっても、同様に適用可能である。具体的には、本実施形態に係るESD保護回路は、信号端子第1配線11がコレクタであり、電源端子第2および第3配線12,13がエミッタであるバイポーラトランジスタ型であってもよい。この場合、拡散領域1A,1BはP型であり、拡散領域2,3もまたP型である。あるいは、本実施形態に係るESD保護回路は、信号端子第1配線11がカソードであり、電源端子第2および第3配線12,13がアノードであるサイリスタ型であってもよい。この場合は図4に示すように、P型のウェル26が形成され、拡散領域1A,1BはN型であり、拡散領域2,3はP型である。また、第2および第3配線12,13が、接地端子に電気的に接続されていてもよい。この場合、本実施形態に係るESD保護回路は例えば、接地端子第2および第3配線12,13がアノードであり、信号端子第1配線11がカソードであるダイオード型である。この場合、拡散領域1A,1BはN型であり、拡散領域2,3はP型である。あるいは、本実施形態に係るESD保護回路は、接地端子第2および第3配線12,13がエミッタであり、信号端子第1配線11がコレクタであるバイポーラトランジスタ型であってもよい。この場合、拡散領域1A,1BはN型であり、拡散領域2,3もまたN型である。あるいは、本実施形態に係るESD保護回路は、接地端子第2および第3配線12,13がカソードであり、信号端子第1配線11がアノードであるサイリスタ型であってもよい。この場合は図4に示すように、N型のウェル26が形成され、拡散領域1A,1BはP型であり、拡散領域2,3はN型である。また、図5~図7に示すように、拡散領域を分割する箇所をさらに増やした構成としてもよい。図5~図7の構成は、図1~図3の構成にそれぞれ対応したものである。配線14は信号端子に電気的に接続されており、配線15は電源端子または接地端子に電気的に接続されている。配線14の下に、X方向において分離して配置された拡散領域4A,4Bが形成されている。また、図5および図6では、配線15の下に、拡散領域5が配置されており、図7では、配線15の下に、X方向において分離して配置された拡散領域5A,5Bが形成されている。なお、上述したレイアウト構成では、拡散領域1A,1Bが、Y方向における範囲の全部において分離しているものとしているが、これに限られるものではなく、例えば、拡散領域1A,1Bが部分的につながっていて、その一部が分離しているようなレイアウト構成であってもよい。このような構成においても、保護素子としての機能を損なうことなく、拡散容量を小さくすることができ、よって、信号端子の端子容量を小さくすることが可能である。すなわち、拡散領域1A,1Bは、Y方向における範囲の全部または一部において分離されていればよい。実施形態2図8は実施形態2に係る半導体集積回路装置のESD保護回路に関するレイアウト構成を示す図である。図8において、aは基板上方から見た平面図、bはaの線A-Bにおける断面図である。図8において、第1配線11は、図8aにおけるY方向第1方向に延びており、図示していない信号端子に電気的に接続されている。第2配線12および第3配線13は、第1配線11と同様にY方向に延びており、第1配線11の両側にそれぞれ配置されている。第2配線12および第3配線13は、図示していない電源端子または接地端子に電気的に接続されている。第1配線11の下に、第1拡散領域としての拡散領域1Aおよび第2拡散領域としての拡散領域1Bが形成されている。拡散領域1Aと拡散領域1Bとは、図8aにおけるX方向第2方向において、第2配線12側と第3配線13側とに分離して配置されている。言いかえると、第1配線11は、拡散領域1A,1Bを覆うように延びている。拡散領域1A,1Bは同一の導電型を有している。そして、拡散領域1A,1Bを囲むように、拡散領域6が形成されている。拡散領域6は、第2配線12の下に形成され、X方向において拡散領域1Aと対向するように配置されている拡散領域2と、第3配線13の下に形成され、X方向において拡散領域1Bと対向するように配置されている拡散領域3とを含んだ形状を有している。すなわち、拡散領域2,3は、拡散領域1A,1BのY方向における両端部の先方に形成された拡散領域7A,7Bによって互いに接続されており、拡散領域1A,1Bを囲むように、一体に形成されている。第1配線11と拡散領域1A,1Bとはコンタクト25によって電気的に接続されている。同様に、第2配線12と拡散領域2とはコンタクト25によって電気的に接続されており、第3配線13と拡散領域3とはコンタクト25によって電気的に接続されている。本実施形態においても、第1実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、第1配線11下の拡散領域1A,1Bは、拡散領域2,3に対向する部分だけが残され、X方向における中央部が削除された形状になっている。これにより、保護素子としての機能を損なうことなく、拡散容量を小さくすることができる。したがって、信号端子の端子容量を小さくすることが可能である。また、配線幅、コンタクト個数、ビア個数は、サージ電流を流せる程度に確保することによって、ESD耐性の低下を防ぐことができる。図9は本実施形態の変形例を示す図である。図9において、aは基板上方から見た平面図、bはaの線A-Bにおける断面図である。図9において、図8と共通の構成要素には同一の符号を付している。図9の構成は図8とほぼ同様である。ただし、拡散領域同士が対向している範囲において、配線間の間隔が、拡散領域間の間隔よりも大きくなっている点が異なっている。これにより、図8の構成と比べて、配線間容量も小さくなり、端子容量をさらに小さくすることが可能になる。すなわち、拡散領域1Aと拡散領域2とが対向している範囲において、第1配線11と第2配線12との間隔a1は、拡散領域1Aと拡散領域2との間隔b1よりも大きくなっている。図9のレイアウトでは、平面視で、拡散領域1Aは第1配線11よりも拡散領域2側にはみ出しており、拡散領域2は第2配線12よりも拡散領域1A側にはみ出している。同様に、拡散領域1Bと拡散領域3とが対向している範囲において、第1配線11と第3配線13との間隔a2は、拡散領域1Bと拡散領域3との間隔b2よりも大きくなっている。図9のレイアウトでは、平面視で、拡散領域1Bは第1配線11よりも拡散領域3側にはみ出しており、拡散領域3は第3配線13よりも拡散領域1B側にはみ出している。このような構成により、第1配線11と第2配線12との間隔、および、第1配線11と第3配線13との間隔が大きくなるので、配線間容量が小さくなり、端子容量をさらに小さくすることが可能である。なお、本実施形態の構成も、第1実施形態と同様に、ESD保護回路がダイオード型、バイポーラトランジスタ型およびサイリスタ型のいずれの場合であっても適用可能である。また、第2および第3配線12,13が、電源端子に電気的に接続されていてもよいし、接地端子に電気的に接続されていてもよい。図10はESD保護回路がサイリスタ型である場合のレイアウト構成であり、拡散領域1A,1Bの周囲にウェル26が形成されている。また、図11に示すように、拡散領域を分割する箇所をさらに増やした構成としてもよい。図11の構成は、図8の構成に対応したものである。配線14は信号端子に電気的に接続されており、配線15は電源端子または接地端子に電気的に接続されている。配線14の下に、X方向において分離して配置された拡散領域4A,4Bが形成されている。また、配線15の下に拡散領域5が形成されている。なお、上述したレイアウト構成では、拡散領域1A,1Bが、Y方向における範囲の全部において分離しているものとしているが、これに限られるものではなく、例えば、拡散領域1A,1Bが部分的につながっていて、その一部が分離しているようなレイアウト構成であってもよい。このような構成においても、保護素子としての機能を損なうことなく、拡散容量を小さくすることができ、よって、信号端子の端子容量を小さくすることが可能である。すなわち、拡散領域1A,1Bは、Y方向における範囲の全部または一部において分離されていればよい。実施形態3実施形態3では、信号端子に接続された配線下の拡散領域を分離しないで、配線間の間隔を拡散領域間の間隔よりも大きくした構成について示す。図12は実施形態3に係る半導体集積回路装置のESD保護回路に関するレイアウト構成を示す図である。図12において、aは基板上方から見た平面図、bはaの線A-Bにおける断面図である。図12において、第1配線11は、図12aにおけるY方向第1方向に延びており、図示していない信号端子に電気的に接続されている。第2配線12および第3配線13は、第1配線11と同様にY方向に延びており、第1配線11の両側にそれぞれ配置されている。第2配線12および第3配線13は、図示していない電源端子または接地端子に電気的に接続されている。第1配線11の下に、第1拡散領域としての拡散領域31が形成されている。第2配線12の下に、第2拡散領域としての拡散領域32が形成されている。拡散領域32は、X方向において、拡散領域31と対向するように配置されている。また、第3配線13の下に、第3拡散領域としての拡散領域33が形成されている。拡散領域33は、X方向において、拡散領域31と対向するように配置されている。拡散領域32,33は同一の導電型を有している。第1配線11と拡散領域31とはコンタクト25によって電気的に接続されている。同様に、第2配線12と拡散領域32とはコンタクト25によって電気的に接続されており、第3配線13と拡散領域33とはコンタクト25によって電気的に接続されている。そして、拡散領域31と拡散領域32とが対向している範囲において、第1配線11と第2配線12との間隔a1は、拡散領域31と拡散領域32との間隔b1よりも大きくなっている。図12のレイアウトでは、平面視で、拡散領域31は第1配線11よりも拡散領域32側にはみ出しており、拡散領域32は第2配線12よりも拡散領域31側にはみ出している。同様に、拡散領域31と拡散領域33とが対向している範囲において、第1配線11と第3配線13との間隔a2は、拡散領域31と拡散領域33との間隔b2よりも大きくなっている。図12のレイアウトでは、平面視で、拡散領域31は第1配線11よりも拡散領域33側にはみ出しており、拡散領域33は第3配線13よりも拡散領域31側にはみ出している。このような構成により、第1配線11と第2配線12との間隔、および、第1配線と第3配線13との間隔が大きくなるので、配線間容量が小さくなり、信号端子に関する端子容量を小さくすることが可能である。図13は本実施形態の変形例を示す図である。図13において、aは基板上方から見た平面図、bはaの線A-Bにおける断面図である。図13において、図12と共通の構成要素には同一の符号を付している。図13の構成は図12とほぼ同様である。ただし、第1配線11と拡散領域31との接続に関し、第3配線13側の1列分のコンタクト25が削除されている点が異なっている。図13に示すように、サージ電流の放電に差し障りのない範囲においてコンタクト25を削除することによって、コンタクト25同士の間の容量も削減することができる。図14は本実施形態に係るレイアウト構成の他の例を示す図である。図14において、aは基板上方から見た平面図、bはaの線A-Bにおける断面図である。図14において、第1配線11は、図14aにおけるY方向第1方向に延びており、図示していない信号端子に電気的に接続されている。第2配線12および第3配線13は、第1配線11と同様にY方向に延びており、第1配線11の両側にそれぞれ配置されている。第2配線12および第3配線13は、図示していない電源端子または接地端子に電気的に接続されている。第1配線11の下に、拡散領域31が形成されている。そして、拡散領域31を囲むように、拡散領域36が形成されている。拡散領域36は、第2配線12の下に形成され、X方向において拡散領域31と対向するように配置されている拡散領域32と、第3配線13の下に形成され、X方向において拡散領域31と対向するように配置されている拡散領域33とを含んだ形状を有している。すなわち、拡散領域32,33は、拡散領域31のY方向における両端部の先方に形成された拡散領域37A,37Bによって互いに接続されており、拡散領域31を囲むように、一体に形成されている。第1配線11と拡散領域31とはコンタクト25によって電気的に接続されている。同様に、第2配線12と拡散領域32とはコンタクト25によって電気的に接続されており、第3配線13と拡散領域33とはコンタクト25によって電気的に接続されている。そして、拡散領域31と拡散領域32とが対向している範囲において、第1配線11と第2配線12との間隔a1は、拡散領域31と拡散領域32との間隔b1よりも大きくなっている。図14のレイアウトでは、平面視で、拡散領域31は第1配線11よりも拡散領域32側にはみ出しており、拡散領域32は第2配線12よりも拡散領域31側にはみ出している。同様に、拡散領域31と拡散領域33とが対向している範囲において、第1配線11と第3配線13との間隔a2は、拡散領域31と拡散領域33との間隔b2よりも大きくなっている。図14のレイアウトでは、平面視で、拡散領域31は第1配線11よりも拡散領域33側にはみ出しており、拡散領域33は第3配線13よりも拡散領域31側にはみ出している。このような構成により、第1配線11と第2配線12との間隔、および、第1配線11と第3配線13との間隔が大きくなるので、配線間容量が小さくなり、端子容量を小さくすることが可能である。なお、本実施形態の構成も、第1および第2の実施形態と同様に、ESD保護回路がダイオード型、バイポーラトランジスタ型およびサイリスタ型のいずれの場合でも適用可能である。また、第2および第3配線12,13が、電源端子に電気的に接続されていてもよいし、接地端子に電気的に接続されていてもよい。"