第1の半導体層と、第2の半導体層と、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に設けられた発光層と、を含む半導体多層構造体と、前記半導体多層構造体の第1の主面側に延出され、前記第1の半導体層と接続された第1の電極と、前記半導体多層構造体の前記第1の主面において、前記第2の半導体層の上に設けられた第2の電極と、前記第2の電極の上に選択的に設けられた第3の電極と、を備え、前記第2の電極は、前記第1の主面に対して垂直な方向からみて、前記第1の電極と前記第3の電極との間に設けられ、前記第1の電極と前記第3の電極とを結ぶ経路に向けて延在する一対の切り欠きが形成された第1の領域と、前記第1の電極の周囲に設けられ、前記一対の切り欠きが形成されない第2の領域と、前記第3の電極の周囲に設けられ、前記一対の切り欠きが形成されない第3の領域と、を有し、前記第1の領域において、前記第2の電極の一方の端から前記第2の電極の内部に延在した第1の切り欠きと、前記第2の電極の他方の端から前記第2の電極の内部に延在した第2の切り欠きと、が互いに対向するように設けられ、前記第2の電極の抵抗率は、前記第2の半導体層の抵抗率よりも低く、前記第1および第2の切り欠きは、前記第1の主面に対して垂直な方向からみて、前記第1の電極と前記第3の電極とを結ぶ中心線に至らず、前記第1の電極と前記一対の切り欠きとの間の距離は、前記第3の電極と前記一対の切り欠きとの間の距離よりも短いか、もしくは、長いことを特徴とする半導体発光素子。前記第1の領域において、前記一対の切り欠きのほかに、他の一対の切り欠きをさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。前記第1の領域において、前記一対の切り欠きが互いに対向する距離と、前記他の一対の切り欠きが互いに対向する距離と、が異なることを特徴とする請求項2記載の半導体発光素子。前記一対の切り欠きのそれぞれの幅は、3マイクロメータ以下であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体発光素子。前記第2の電極の材質は、金属または酸化インジウム錫であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体発光素子。第1の半導体層と、第2の半導体層と、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に設けられた発光層と、を含む半導体多層構造体と、前記半導体多層構造体の第1の主面側に延出され、前記第1の半導体層と接続された第1の電極と、前記半導体多層構造体の前記第1の主面において、前記第2の半導体層の上に設けられた第2の電極と、前記第2の電極の上に選択的に設けられた第3の電極と、を備え、前記第2の電極は、前記第1の主面に対して垂直な方向からみて、前記第1の電極と前記第3の電極との間に設けられ、前記第1の電極と前記第3の電極とを結ぶ経路に向けて延在する一対の切り欠きが形成された第1の領域と、前記第1の電極の周囲に設けられ、前記一対の切り欠きが形成されない第2の領域と、前記第3の電極の周囲に設けられ、前記一対の切り欠きが形成されない第3の領域と、を有し、前記第1の領域において、前記第2の電極の第1の辺から前記第2の電極の内部に延在した第1の切り欠きと、前記第2の電極の前記第1の辺に略直交する第2の辺から前記第2の電極の内部に延在した第2の切り欠きと、が互いに対向するように設けられ、前記第2の電極の抵抗率は、前記第2の半導体層の抵抗率よりも低く、前記第1および第2の切り欠きは、前記第1の主面に対して垂直な方向からみて、前記第1の電極と前記第3の電極とを結ぶ中心線に至らず、前記第1の電極と前記一対の切り欠きとの間の距離は、前記第3の電極と前記一対の切り欠きとの間の距離よりも短いか、もしくは、長いことを特徴とする半導体発光素子。前記第2の電極の材質は、金属または酸化インジウム錫であることを特徴とする請求項6記載の半導体発光素子。本発明は、発光分布が良好な半導体発光素子を提供することを目的としている。本発明の一態様によれば、第1の半導体層と、第2の半導体層と、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に設けられた発光層と、を含む半導体多層構造体と、前記半導体多層構造体の第1の主面側に延出され、前記第1の半導体層と接続された第1の電極と、前記半導体多層構造体の前記第1の主面において、前記第2の半導体層の上に設けられた第2の電極と、前記第2の電極の上に選択的に設けられた第3の電極と、を備え、前記第2の電極は、前記第1の主面に対して垂直な方向からみて、前記第1の電極と前記第3の電極との間に設けられ、前記第1の電極と前記第3の電極とを結ぶ経路に向けて延在する一対の切り欠きが形成された第1の領域と、前記第1の電極の周囲に設けられ、前記一対の切り欠きが形成されない第2の領域と、前記第3の電極の周囲に設けられ、前記一対の切り欠きが形成されない第3の領域と、を有し、前記第1の領域において、前記第2の電極の一方の端から前記第2の電極の内部に延在した第1の切り欠きと、前記第2の電極の他方の端から前記第2の電極の内部に延在した第2の切り欠きと、が互いに対向するように設けられ、前記第2の電極の抵抗率は、前記第2の半導体層の抵抗率よりも低く、前記第1および第2の切り欠きは、前記第1の主面に対して垂直な方向からみて、前記第1の電極と前記第3の電極とを結ぶ中心線に至らず、前記第1の電極と前記一対の切り欠きとの間の距離は、前記第3の電極と前記一対の切り欠きと、の間の距離よりも短いか、もしくは、長いことを特徴とする半導体発光素子が提供される。また、本発明の別の一態様によれば、第1の半導体層と、第2の半導体層と、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に設けられた発光層と、を含む半導体多層構造体と、前記半導体多層構造体の第1の主面側に延出され、前記第1の半導体層と接続された第1の電極と、前記半導体多層構造体の前記第1の主面において、前記第2の半導体層の上に設けられた第2の電極と、前記第2の電極の上に選択的に設けられた第3の電極と、を備え、前記第2の電極は、前記第1の主面に対して垂直な方向からみて、前記第1の電極と前記第3の電極との間に設けられ、前記第1の電極と前記第3の電極とを結ぶ経路に向けて延在する一対の切り欠きが形成された第1の領域と、前記第1の電極の周囲に設けられ、前記一対の切り欠きが形成されない第2の領域と、前記第3の電極の周囲に設けられ、前記一対の切り欠きが形成されない第3の領域と、を有し、前記第1の領域において、前記第2の電極の第1の辺から前記第2の電極の内部に延在した第1の切り欠きと、前記第2の電極の前記第1の辺に略直交する第2の辺から前記第2の電極の内部に延在した第2の切り欠きと、が互いに対向するように設けられ、前記第2の電極の抵抗率は、前記第2の半導体層の抵抗率よりも低く、前記第1および第2の切り欠きは、前記第1の主面に対して垂直な方向からみて、前記第1の電極と前記第3の電極とを結ぶ中心線に至らず、前記第1の電極と前記一対の切り欠きとの間の距離は、前記第3の電極と前記一対の切り欠きとの間の距離よりも短いか、もしくは、長いことを特徴とする半導体発光素子が提供される。上記手段によれば、発光分布が良好な半導体発光素子が実現する。以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。図1は、半導体発光素子の要部図であり、図1aは、半導体発光素子の要部斜視模式図であり、図1bは、半導体発光素子の要部断面模式図である。また、図1cは、半導体発光素子の要部平面図である。また、図1bには、図1aのX-Y断面が例示されている。また、図1cでは、半導体発光素子1の電極300から基板10の方向に眺めた半導体発光素子1の要部平面が例示されている。図1a及び図1bに例示するように、半導体発光素子1は、基板10の上に、GaNバッファ層20、n型GaN層第1の半導体層30、n型GaNガイド層40、活性層発光層50、p型GaNガイド層60、p型GaN層第2の半導体層70がこの順序で設けられた半導体多層構造体を有している。すなわち、活性層50は、n型とp型の半導体の積層体に挟まれている。基板10としては、例えば、サファイアが用いられる。また、活性層50は、例えば、In0.15Ga0.85N/In0.02Ga0.98N-MQWMultiQuantumWell構造などで構成でき、活性層50から、例えば、青色光、紫色光等が放射される。また、n型GaN層30の上の一部には、主電極としてのn側電極第1の電極100が形成されている。そして、p型GaN層70の上面には、電流を拡散させる電極第2の電極300が配置され、電極300上の一部に、主電極としてのp側電極第3の電極200が選択的に配置されている。すなわち、n側電極100及びp側電極200は、ともに、半導体層が積層されている基板10の主面の上層に配置されている。電極300としては、例えば、金属膜や、ITO酸化インジウムスズを主成分とする導電膜が用いられる。電極300の材料としてITOを用いた場合には、活性層50から放出された光を電極300を透過させて外部に取り出すことが可能となる。また、電極300として遮光性の金属膜を用いた場合には、活性層50から放出された光を基板10の側から外部に取り出すことができる。また、p側電極200としては、AuZn/Mo/AuAuZnとMoとAuとをこの順に積層させた積層体や、Ti/Pt/Auなどを用いることができる。n側電極100としては、AuGe/Mo/Auや、Ti/Pt/Auなどを用いることができる。また、半導体層40、50などと、n側電極100と、の間には、例えば、図示しない絶縁層を介設してもよい。また、n側電極100とn型GaN層30との界面には、図示しない合金層を形成してもよい。電極300は、p側電極200からn側電極100に向かって延出している。そして、電極300の終端は、n側電極100の周辺を取り囲むように配置されている。そして、半導体発光素子1の電極300には、その一部に、少なくとも一つの切り欠き300aが設けられている。このような切り欠き300aを電極300内に形成することで、電極300を拡散する電流の流れを調節し、発光分布を均一に近づけることが可能となる。例えば、図1に表した具体例の場合、電極300には、p側電極200の中心部とn側電極100の中心部とを結ぶ直線aに対して略垂直となる方向に、対向する2つの切り欠き300aが設けられている。これら切り欠き300aは、電極300の端から電極300の内部に向かって形成されている。ただし、切り欠き300aは、直線aの位置までは、延在していない。すなわち、電極300は、直線aの近傍では、切り欠き300により分断されず、連続体となっている。そして、電極300においては、直線a近傍を主経路として、電流が流れることになる。換言すれば、p型GaN層70上には、p側電極200からn側電極100の方向に、電流の主経路となりうるITO膜の連続体が確保されている。そして、電極300は、n側電極100とp側電極200との間に設けられた第1の領域300Aと、n側電極100の周囲に設けられた第2の領域300Bと、p側電極200の周囲に設けられた第3の領域300Cと、を有する。第1の領域300Aには、切り欠き300aが形成されている。切り欠き300aは、n側電極100とp側電極200とを結ぶ経路に向けて延在している。一方、第2の領域300Bと第3の領域300Cには、切り欠きは形成されていない。また、図1cに表したように、半導体発光素子1の平面視における長手方向と短手方向の長さの比は、例えば、2:1となっている。例えば、半導体発光素子1の平面において、長手方向が500μmの場合、短手方向は250μmとすることができる。また、図1に示す電極300の幅をY1とした場合、切り欠き300aの長さY2は、例えば、Y1の1/3程度に構成されている。また、電極300内部に延在させた切り欠き300aの末端間の距離Y3は、10μm以上とすることができる。このような半導体発光素子1は、基板10の側を実装部材の上にマウントし、n側電極100とp側電極200にそれぞれワイヤなどを接続して発光させることができる。この場合、電極300にITOを用いることで、電極300を透過した光を取り出すことができる。また一方、半導体発光素子1をフリップチップ実装をすることもできる。この場合は、n側電極100とp側電極200にバンプを接続して、実装部材の上にマウントする。発光は、基板10の側から取り出すことができる。次に、半導体発光素子1の作用について説明する。以下では、切り欠き300aを備えた半導体発光素子1と、切り欠き300aが存在しない半導体発光素子と、を対比しつつ、半導体発光素子1の作用を説明する。図2は、半導体発光素子の作用を説明するための要部断面模式図である。まず、図2bに示したように切り欠き300aを設けていない比較例の半導体発光素子について説明する。当該比較例では、p型GaN層70よりも電極300の方が電気抵抗が低いことから、p側電極200とn側電極100との間に電圧を印加すると、p側電極200を介して流入した電流は、電極300の面内方向に拡散し易くなる。このような場合、比較例においては、図2bに表したように、電流は、電極300を面内に流れて、n側電極100に近い末端部に達し、その下のp型GaN層70、活性層50、n型GaN層30、さらに、n側電極100の順の電流パスを通じてn側電極100に流入する。すなわち、電流パスは、図2bに表した矢印Bのようになる。あるいは、本比較例では、p型GaN層70の膜面内での電流拡散が起き難いために、p側電極200から電極300に流入した電流は、p側電極200から直下方向に、活性層50を経由して、n型GaN層30を面中に流れ、n側電極100に流入する場合もありうる。すなわち、電流パスは、図2bに表した矢印Cのようになる。このように、切り欠き300aが存在しない比較例の半導体発光素子では、電流パスが矢印B、Cのような局部的な経路を選択することになる。これにより、比較例の半導体発光素子では、例えば、p側電極200側の直下か、あるいはn側電極100側の電極300の端部300nの直下で優先的に発光してしまう。つまり、発光分布が不均一になりやすい。なお、電極300の電気抵抗が低くなるほど、矢印Bで示される電流パスが優先的になる傾向がある。これに対して、本実施形態の半導体発光素子1においては、図1に関して前述したように、p側電極200とn側電極100との間において、電極300に切り欠き300aを設けている。このような切り欠き300aを設けることで、電極300内では、抵抗が見かけ上、高い部分が存在している。すなわち、電極300の面内方向における導電性が部分的に抑制されて、電極300内では、所謂、電流の溜まり効果が生ずる。このような電流の溜まりが生じると、溜まった電流は、半導体発光素子1の下方に移動拡散せざるを得ない。すなわち、図2aに示す半導体発光素子1では、矢印Bのライン以外に、新たに、矢印Aで示すような電流パスが発生する。つまり、電流のパスを分散させ、より均一な発光に近づけることができる。つまり、半導体発光素子1においては、電極300に切り欠き300aを設けることにより、活性層50における電流の分布を分散させ、均一な発光分布に近づけることができる。なお、図2aに例示する矢印Aは、一例であり、矢印Aのライン以外の部分においても電流パスが発生しうることは言うまでもない。さらに、半導体発光素子1では、図1cに示すように、n側電極100とp側電極200とを結ぶ直線aの付近に切り欠き300aを延在させていない。すなわち、p側電極200から延出した電極300には、面内方向において、電流が流れる主経路が形成されている。従って、p型GaN層70からn型GaN層30側に流れる電流は、電極300の中心部から供給される傾向が強くなる。これにより、半導体発光素子1では、素子中心部から周囲に拡散する電流成分が生じ、より均一な発光が可能となる。活性層50に対して、より均一に電流を注入することにより、発光効率が引き上げられ、切り欠き300aが存在しない半導体発光素子よりも、全体としての発光強度が強くなる。一方、図2bに例示したような局所的な電流集中が生じると、高密度電流による発光効率の低下が起きたり、発熱及び欠陥増加等が生じて、素子の信頼性が低下することもありうる。これに対して、半導体発光素子1では、上述したごとく、電極300からn型GaN層30の側に、より均一に電流を流すことができ、局所的な電流集中を抑制できる。その結果として、上述した発光効率の低下、素子の信頼性低下が抑制される。また、切り欠き300aのパターニングは、公知の成膜技術並びにリソグラフィ技術により容易に形成できることから、半導体発光素子1の製造に際してコストが大幅に上がることもない。ところで、上述した実施の形態に対し、半導体発光素子のp側電極から延出させた電極に周期的に貫通口を設けて網目状とした形態や、前記延出させた電極をストライプ状にした形態、櫛形とした形態がある例えば、特開2004-55646号公報、特開2005-252300号公報、特開2006-128227号公報。しかし、網目状の電極では、周期的に電極が途切れているために、図2aに例示したような主経路を形成し難い。従って、発光素子の中心部から電流を素子内に供給することが難しい。また、網目状とした形態では、電極内の導電性を部分的に抑制するという作用がないことから、結局、発光がp側電極かn側電極のいずれかに偏る可能性がある。また、ストライプ状の電極では、発光パターンがラインスペース状となってしまい、均一な発光分布を得ることが難しい。また、電極をストライプ状としても、各ラインの電極には上述した切り欠き300aが設けられていないことから、結局、各電極ラインにおいて、図2bに例示する電流集中が起きてしまう。また、櫛形の電極では、電極自体が平面状ではなく、細い電極ラインが主電極、または櫛形の幹の電極からストライプ状に複数延在されている。このような形態では、電極ライン自体が細い形状となってしまい、その末端にまでは、充分に電流が流れない虞がある。例えば、この形態の発光装置の4隅には、電流が充分に行き渡らない場合も生じる。また、このような形態においては、電極が櫛形であることから、発光パターンがラインスペース状となってしまう。従って、発光分布が半導体発光素子1ほど良好にならない。これに対して、半導体発光素子1では、平面状の電極300をp型GaN層70上に配置し、この電極300に切り欠き300aを備えた第1の領域300Aと、n側電極100周囲に切り欠きを配置しない第2の領域300Bと、p側電極200周囲に切り欠きを配置しない第3の領域300Cと、を設けている。そして、半導体発光素子1の中心部分である直線a付近を主経路として電流を流し、この電流の流れを切り欠き300aより、電極300内において部分的に制御しながら、主経路の任意の位置から満遍なくp型GaN層70からn型GaN層30側へ電流を流している。また、n側電極100周辺及びp側電極200周辺の電極300には、切り欠きがないことから、半導体発光素子1の主電極付近の4隅には充分に電流が拡散する。これにより、半導体発光素子1は、発光分布がより均一に近く、発光効率が高い発光素子とすることができる。図3は、半導体発光素子の発光特性を説明するための図である。図3aの横軸は、半導体発光素子内における観測箇所の位置を表し、縦軸は、発光強度の実測値規格値を表す。観測した部分は、図3bに例示するp側電極200とn側電極100との間の矩形状の領域P長手方向の長さLである。そして、図3aの横軸のL/2が領域Pの右端位置L/2に対応し、横軸の-L/2が領域Pの左端位置-L/2に対応している。Lとしては、例えば、160μmが適用される。また、図3では、4種の半導体発光素子の発光特性が例示されている。4種の半導体発光素子とは、例えば、図3bに示すように、一対の切り欠き300aを半導体発光素子の中央部に設けた素子Aと、一対の切り欠き300aを半導体発光素子のp側電極200側に設けた素子Bと、一対の切り欠き300aを半導体発光素子のn側電極100側に設けた素子Cと、切り欠き300aを設けていない半導体発光素子Dである。なお、素子B及び素子Cにおける切り欠き300aと領域Pの中央との距離は、例えば、60μmである。まず、切り欠き300aが設けられていない半導体発光素子Dでは、領域Pの右端位置L/2と、領域Pの左端位置-L/2で発光強度が高くなることが分かった。すなわち、半導体発光素子Dでは、図2bで例示したごとく、n側電極100付近及びp側電極200付近での電流集中が起きてしまい、n側電極100付近及びp側電極200付近での発光が優先的になってしまう。また、半導体発光素子Dでは、局所的な電流集中が起きてしまうことから、n側電極100付近及びp側電極200付近を除く領域P全域にわたり、その発光強度が低くなることが分かった。これに対し、半導体発光素子Aでは、半導体発光素子Dよりも、領域P全域にわたり、発光強度が強くなることが分かった。すなわち、切り欠き300aが電極300内に形成されたことにより、図2bで例示した矢印Bの電流パスが抑制されて、電流が電極300の中央付近に溜まり易くなったと考えられる。これにより、電流が電極300の広い領域からn型GaN層30側に流れて、領域P全域において発光強度が増加したと考えられる。このように、電極300に切り欠き300aを設けることにより、発光分布、発光効率が良好になる。また、このような切り欠き300aの位置を変えることにより、発光分布を制御できる。例えば、半導体発光素子Bでは、切り欠き300aをp側電極200側に配置していることから、電極300内での電流の溜め効果がp側電極200側に寄り、p側電極200側において強い発光が見られる。また、半導体発光素子Cでは、切り欠き300aをn側電極100側に配置していることから、電極300内での電流の溜め効果がn側電極100側に寄り、n側電極100側において強い発光が見られる。このように、切り欠き300aの位置により、発光分布を制御できる。また、このような効果は、実測以外にも、シミュレーションによっても確認されている。その結果を、図4に示す。図4は、半導体発光素子の発光特性を説明するための図である。この図4では、半導体発光素子の上面から発光する光の相対強度を濃淡で表示している。すなわち、濃淡が濃い部分ほど発光強度が高いことを表している。まず、切り欠き300aが設けられていない比較例の半導体発光素子Dでは、n側電極100側において、強く発光している図4a参照。これは、シミュレーションの条件で、電極300の抵抗を低くし、図2bで例示する電流パスBが電流パスCよりも優先となる条件に設定したためである。次に、半導体発光素子Bでは、切り欠き300aをp側電極200側に設けている。従って、上述した電極300内での電流の溜め効果がp側電極200側で促進され、p側電極200側の発光強度が増加している図4b参照。そして、半導体発光素子Aでは、電極300の中央部に切り欠き300aを設けている。従って、電極300内での電流の溜め効果がp側電極200側から電極300の中央部に移行し、p側電極200側から電極300の中央部にまで強く発光している図4c参照。さらに、半導体発光素子Cでは、切り欠き300aをn側電極100側に設けている。従って、電極300内での電流の溜め効果がn側電極100側に移行し、強く発光する部分が電極300の全体にまで拡がっている図4d参照。すなわち、n側電極100側が相対的に強く発光する場合には、切り欠き300aをn側電極100側に設けることで発光分布をより均一にすることができる。これに対して、p側電極200側が相対的に強く発光する場合には、切り欠き300aをp側電極200側に設けることで発光分布をより均一にさせることも確認されている図示しない。また、切り欠き300aの幅と発光パターンの関係についても、シミュレーションによって確認されている。その結果を、図5に示す。図5は、切り欠きの幅と発光パターンの関係を説明するための図である。この図5では、半導体発光素子の上面から発光する光の相対強度を濃淡で表示している。すなわち、濃淡が濃い部分ほど発光が相対的に強いことを表している。まず、図5aには、切り欠き300aの幅を変化させたときの発光パターンの変化の様子が示されている。切り欠き300aの幅としては、1μm、2μm、3μm、5μm、10μmが例示されている。このシミュレーションで示されるように、切り欠き300aの幅dが2μmまでは、発光強度比は90パーセントに近く、切り欠き300a自体のパターンが目立たない傾向が強い。そして、切り欠き300aの幅dが3μmにおいても、発光強度比はほぼ80パーセントであり、発光強度の分布に対して切り欠き300aのパターンが与える影響は少ないといえる。一方、切り欠き300aの幅が5μm、10μmになると、発光強度比は70パーセント強から順次低下し、そのパターンがより明確になってしまう。つまり、発光パターンに与える影響からは、切り欠き300の幅は、3マイクロメータ以下であることが望ましく、2マイクロメータ以下であることがさらに望ましいといえる。また、図5bには、切り欠き300aの幅dと、発光強度の割合の関係が示されている。ここで、発光強度の割合とは、電極300部の発光強度Iaと、切り欠き300a内部における発光強度Ibとの比Ib/Iaである。結果は、切り欠き300aの幅dが1μmでは、Ib/Iaが0.93であり、幅dが2μmでは、Ib/Iaが0.88であった。また、幅dが3μmでは、Ib/Iaが0.83であった。ただし、幅dが5μmでは、Ib/Iaが0.73であり、幅dが10μmでは、Ib/Iaが0.32であった。すなわち、切り欠き300aの幅dを3μm以下にすることにより、Ib/Iaは0.880以上になることが分かった。これらのことから、半導体発光素子1の平面において、発光パターンに影響を及ぼさない切り欠き300aの幅としては、3μm以下が好ましく、2μm以下がより好ましい。次に、切り欠きのパターンの変形例について説明する。なお、以下では、半導体発光素子1と同一の部材については同一の符号を付し、その詳細の説明については省略する。図6は、切り欠きのパターンの変形例を説明するための要部平面図である。図6aに示す半導体発光素子2においては、p側電極200と、n側電極100とを備え、p型GaN層70の上面において、電極300がp側電極200からn側電極100に向かい延出している。そして、電極300の終端は、n側電極100の周辺を取り囲むように配置されている。そして、電極300には、p側電極200の中心部とn側電極100の中心部とを直線aで結んだ場合、直線aに略垂直となる方向に、対向する3組の切り欠き300aが設けられている。すなわち、電極300においては、両サイドに6個の切り欠き300aが設けられている。ただし、切り欠き300aは、直線aの位置まで延在していない。すなわち、電極300は、直線a近傍では連続体となり、直線a近傍に電流が流れる主経路が形成されている。このような形態であっても、半導体発光素子2では、半導体発光素子1と同様の作用効果を得る。特に、半導体発光素子2では半導体発光素子1よりも、切り欠き300aの本数を増加させていることから、発光分布の制御性がより向上する。図6bに示す半導体発光素子3においては、p側電極200と、n側電極100とを備え、p型GaN層70の上面において、電極300がp側電極200からn側電極100に向かい延出している。そして、電極300の終端は、n側電極100の周辺を取り囲むように配置されている。そして、電極300には、p側電極200側において、直線aに略垂直となる方向に、直線aの位置まで延在しない2個の切り欠き300aが設けられ、n側電極100側において、直線aに略垂直となる方向に、直線aを跨ぐ切り欠き300bが設けられている。すなわち、2個の切り欠き300aに隣接する切り欠き300bが電極300の内部に配置されている。このような形態であっても、電極300は、切り欠き300a、300b以外の部分で連続体となっている。すなわち、p側電極200からn側電極100の方向に主経路となりうる連続体を形成している。従って、半導体発光素子3においても、半導体発光素子1と同様の作用効果を得る。特に、半導体発光素子3では電極300内を流れる電流を電極300のサイドにも拡散できることから、半導体発光素子1よりも、発光効率、発光分布の制御性がより向上する。図6cに示す半導体発光素子4においては、p側電極200と、n側電極100とを備え、p型GaN層70の上面において、電極300がp側電極200からn側電極100に向かい延出している。そして、電極300の終端は、n側電極100の周辺を取り囲むように配置されている。そして、電極300には、直線aに略垂直となる方向に、対向する3組の切り欠き300a、300c、300dが設けられている。すなわち、電極300においては、両サイドに6個の切り欠きが設けられている。ただし、それぞれの切り欠きは、直線aの位置まで延在していない。また、それぞれの切り欠きは、p側電極200からn側電極100に向かい、その対向する間隔を狭めるように配置され、電流が流れる主経路の幅がp側電極200からn側電極100に向かい、狭めるように構成されている。このような形態であっても、電極300は、切り欠き300a、300c、300d以外の部分で連続体となっている。すなわち、p側電極200からn側電極100の方向に主経路となりうる連続体を形成している。従って、半導体発光素子4においても、半導体発光素子1と同様の作用効果を得る。特に、半導体発光素子4では、それぞれの切り欠きの対向する間隔対向する切り欠き間における電極300部分の長さを電極300内で変えていることから、半導体発光素子1よりも、発光分布の制御性がより向上する。図6dに示す半導体発光素子5においては、p側電極200と、n側電極100とを備え、p型GaN層70の上面において、電極300がp側電極200からn側電極100に向かい延出している。そして、電極300の終端は、n側電極100の周辺を取り囲むように配置されている。そして、電極300には、直線aに略垂直となる方向に、2個の切り欠き300eが設けられている。ただし、2個の切り欠き300eにおいては、互いに対向させず、一方をp側電極200側に配置し、他方をn側電極100側に配置している。すなわち、電極300の一方の端から電極300の内部に延在した切り欠き300eと、電極300の他方の端から第3の電極300の内部に延在した、切り欠き300eとが隣接して配置している。また、それぞれの切り欠き300eは、直線aの位置まで延在している。このような形態であっても、電極300は、切り欠き300e以外の部分で連続体となっている。すなわち、p側電極200からn側電極100の方向に主経路となりうる連続体を形成している。従って、半導体発光素子5においても、半導体発光素子1と同様の作用効果を得る。特に、半導体発光素子5では、電極300内を流れる電流を電極300のサイドにも拡散できることから、半導体発光素子1よりも、発光効率、発光分布の制御性がより向上する。図6eに示す半導体発光素子6においては、p側電極200と、n側電極100とを備え、p型GaN層70の上面において、電極300がp側電極200からn側電極100に向かい延出している。そして、電極300の終端は、n側電極100の周辺を取り囲むように配置されている。そして、電極300には、2個のL字状の切り欠き300fが設けられている。すなわち、電極300の端から内部に向かって延在させた切り欠きの末端から、p側電極200からn側電極100に向かう方向に対し略平行に切り欠きを延在させている。ただし、2個の切り欠き300fにおいては、互いに対向させず、一方をp側電極200側に配置し、他方をn側電極100側に配置している。このような形態であっても、電極300は、切り欠き300f以外の部分で連続体となっている。すなわち、p側電極200からn側電極100の方向に主経路となりうる連続体を形成している。従って、半導体発光素子6においても、半導体発光素子1と同様の作用効果を得る。特に、半導体発光素子6では、電極300内を流れる電流を素子の中央部分においてクランク状に拡散できることから、半導体発光素子1よりも、発光効率がより向上する。次に、半導体発光素子及び切り欠きのパターンの別の変形例について説明する。図7は、半導体発光素子の要部図である。ここで、図7aには、半導体発光素子7の要部平面が例示され、図7bには、図7aのX-Y断面が例示されている。図7に例示するように、半導体発光素子7の平面において、長手方向と短手方向の比は、およそ、1:1となっている。また、半導体発光素子7は、基板10の上に、GaNバッファ層20、n型GaN層30、n型GaNガイド層40、活性層50、p型GaNガイド層60、p型GaN層70がこの順序で設けられた構造を有している。また、n型GaN層30の上の一部には、主電極としてのn側電極100が形成されている。そして、p型GaN層70の上面には、電極300が配置され、電極300上の一部に、主電極としてのp側電極200が配置されている。すなわち、n側電極100及びp側電極200はともに、半導体層が積層されている基板10の主面の上層に配置されている。また、半導体発光素子7は、平面内の対向する位置に、上記p型GaN層70の上層に配置されたp側電極200と、上記n型GaN層30上に配置されたn側電極100とを備えている。そして、p型GaN層70の上面において、p側電極200に接続された電極300が形成されている。当該電極300は、p側電極200から半導体発光素子7の平面の4隅に向かい延出している。そして、半導体発光素子7の電極300には、その一部に、少なくとも一つの切り欠き300gが設けられている。また、電極300は、切り欠き300gを備えた第1の領域300Aと、n側電極100周辺に切り欠きを配置しない第2の領域300Bと、p側電極200周辺に切り欠きを配置しない第3の領域300Cと、を有している。例えば、電極300には、n側電極100を中心として放射状に形成されている。また、p側電極200の中心部とn側電極100の中心部とを直線aで結んだ場合、切り欠き300gは、直線aの位置まで延在していない。すなわち、電極300は、直線a近傍では、連続体となっている。そして、電極300においては、直線a近傍を主経路として、電流が流れることになる。換言すれば、p型GaN層70上には、p側電極200からn側電極100の方向に、電流の主経路となりうるITO膜の連続体が確保されている。このような半導体発光素子7であっても、半導体発光素子1と同様の作用効果を得ることができる。すなわち、切り欠き300gを電極300内に配置していることから、電極300内での電流の溜め効果が促進して、上述したように、発光分布が良好となり、さらに、発光効率が向上する。次に、電極300に切り欠きを設けずに、発光分布を向上させた例について説明する。当該実施例は、シミュレーションによって確認されている。図8は、半導体発光素子の発光特性を説明するための図である。この図8では、半導体発光素子の上面から発光する光の相対強度を濃淡で表示している。すなわち、濃淡が濃い部分ほど発光強度が高いことを表している。まず、図8に例示する半導体発光素子では、電極300に切り欠きが設けられていない。ただし、電極300の抵抗を変えることにより、その発光分布を向上させている。例えば、この図では、電極300の抵抗として、5.0×10-4Ωcm~1.3×10-4Ωcmの例が示されている。電極300の抵抗が3.3×10-4Ωcm以上の場合では、p側電極200側で強く発光している図8a、図8b参照。特に、抵抗が高いほど、p側電極200側での発光が著しくなることが分かる。そして、電極300の抵抗が2.9×10-4Ωcmになると、電極300内全域での電流の溜め効果が促進し、発光分布がより向上する。すなわち、電極300全域で強く光るようになる図8c参照。そして、2.0×10-4Ωcm以下になると、上述したように、n側電極100側での発光が強くなる。特に、電極300の抵抗が低いほど、その傾向が著しくなる図8d~図8g参照。このように、電極300に切り欠きを設けず、良好な発光分布を得ることもできる。それには、電極300の抵抗を2.0×10-4Ωcm~3.3×10-4Ωcmとすることが好ましい。また、より好ましくは、電極300の抵抗を2.9×10-4Ωcmとすることが好ましい。以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明したが、上記の実施の形態を複合させてもよい。また、本実施の形態は以上の具体例に限定されるものではない。例えば、半導体多層構造体として用いることができるものは、GaN系に限定されず、InGaAlP系、GaAlAs系、ZnSe系をはじめとした各種の化合物半導体を用いてもよい。また、半導体発光素子から放射される光についても、可視光に限らず、紫外光であっても赤外光であってもよい。例えば、紫外光や青色光と、封止樹脂中に分散配置された蛍光体との組み合わせにより、波長変換が行われ、白色光が得られる。その他、半導体発光素子を構成する基板、半導体層、半導体層の組成、電極など、各要素の形状、サイズ、材質、配置関係などに関して、当業者が各種の設計変更を加えたものであっても、本発明の要旨を有する限りにおいて本発明の範囲に包含される。