"ICIntegratedCircuitを実装可能なICソケットであって、前記ICソケットに実装された前記ICたる実装ICの底部と対向配置される底板部と、前記底板部上に載置され、前記実装ICの側部を覆い、前記実装ICの上部を露出する開口穴が設けられた蓋部と、前記底板部に組み込まれ、前記実装ICの底部と接触して加熱/吸熱する第1加熱/吸熱部とを備える、ICソケット。請求項1に記載のICソケットであって、前記蓋部に組み込まれ、前記実装ICの側部を加熱/吸熱する第2加熱/吸熱部をさらに備える、ICソケット。請求項1または請求項2に記載のICソケットであって、前記蓋部の前記開口穴内の一部に設けられ、前記実装ICの上部と接触して加熱/吸熱する第3加熱/吸熱部をさらに備える、ICソケット。請求項3に記載のICソケットであって、前記第3加熱/吸熱部は、発熱体と、前記発熱体の熱を前記実装ICの上部に伝える伝熱部とを備える、ICソケット。請求項3に記載のICソケットであって、前記第3加熱/吸熱部は、吸熱するペルチェ素子と、前記実装ICの上部の熱を前記ペルチェ素子に伝える伝熱部とを備える、ICソケット。請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のICソケットであって、前記ICは、トランスファーモールド型パワー半導体モジュールタイプのICを含む、ICソケット。ここで、高温下でのIC特性を測定する方法として、1あらかじめヒータ等でICの温度を上げてICソケットに実装してからIC特性を測定する、2ICを実装したICソケットをチャンバーに入れ、チャンバー内の温度を上昇させてIC特性を測定する、3ICソケットに実装されているICに、ドライヤー等で直接温風を吹きつけながらIC特性を測定する、ということが考えられる。しかしながら、1~3を実施する場合、ICソケットとは別に、ヒータ、チャンバー及びドライヤー等の他の装置が必要であり、他の装置を置くスペースが必要となる。それだけでなく、1については、IC特性を測定している間に、温度が変化してしまうという問題がある。また、ICソケットを用いた測定とは別に、温度制御中にICに測定針を当接させて解析測定しようとしても、2については、チャンバーの内部は気密性を保持するために密閉されていることから測定できず、3については、測定針が温風に吹き付けられてぶれるので測定が困難であるという問題がある。さらに2については、ICソケットから治具までの配線長を長くとる必要があることから、測定時にその配線長の影響を無視することができなくなるという問題がある。そこで、本発明は、上記のような問題点を鑑みてなされたものであり、他の装置を用いなくても、ICソケットに実装されたICを所望の温度に制御するとともに、温度制御中でも外部からICの特性を測定することが可能な技術を提供することを目的とする。本発明に係るICソケットは、ICIntegratedCircuitを実装可能なICソケットであって、前記ICソケットに実装された前記ICたる実装ICの底部と対向配置される底板部と、前記底板部上に載置され、前記実装ICの側部を覆い、前記実装ICの上部を露出する開口穴が設けられた蓋部と、前記底板部に組み込まれ、前記実装ICの底部と接触して加熱/吸熱する第1加熱/吸熱部とを備える。本発明によれば、底板部に組み込まれた第1加熱/吸熱部を備えることから、他の装置を用いなくても、実装ICの温度を所望の温度に制御することができる。また、第1加熱/吸熱部は、実装ICと接触して加熱/吸熱することから、実装ICの温度を精度よく制御することができる。また、蓋部に開口穴が設けられていることから、温度制御中でも、外部から開口穴を通じて実装ICの特性を測定することができる。<実施の形態1>図1は、本発明の実施の形態1に係るICソケット51の構成を示す断面図である。この図1に示すように、ICソケット51は、底板部1と、蓋部2と、発熱体3第1加熱/吸熱部とを備えており、ICを実装可能となっている。なお、ここでは、ICソケット51に実装されるICは、図1に示すように、略Z字形状のリードピン21aを有するSOPSmallOutlinePackageタイプのIC21であるものとして説明する。底板部1は、ICソケット51に実装されたIC21以下実装IC21と呼ぶの底面底部と対向配置される。底板部1は、対向配置された実装IC21のリードピン21aと接触する導電ピン1aを有している。実装IC21の特性は、通常、この導電ピン1aを介して測定される。蓋部2は、底板部1上に載置され、実装IC21の側面側部を覆う。また、この蓋部2には、実装IC21の上面上部を露出する開口穴2aが設けられている。本実施の形態では、この開口穴2aを通じて、外部から実装IC21ここではリードピン21aに測定針を当接することにより、通常の測定とは別に、実装IC21の特性を測定することが可能となっている。なお、外部から開口穴2aを通じて実装IC21に測定針を当接できる限りにおいて、蓋部2は、実装IC21のリードピン21aを覆うように構成されている。発熱体3は、底板部1に組み込まれており、実装IC21の底面底部と接触して加熱する。なお、本実施の形態では、発熱体3と実装IC21との間の温度に基づいて、発熱体3の発熱が制御されている。このような制御を実現する構成として、ここでは、熱電対やダイオードなど熱依存性を持つ素子からなる温度検出部図示せずと、当該温度検出部での検出温度ここでは発熱体3と実装IC21との間の温度に基づいて発熱体3の発熱を制御する温度制御部図示せずとを備える構成を想定している。そして、検出温度が予め定められた設定温度よりも高ければ、発熱体3の発熱が小さくなるように制御され、検出温度が当該設定温度よりも低ければ、発熱体3の発熱が大きくなるように制御される。これにより、実装IC21の温度が所望の温度に制御される。以上のような本実施の形態に係るICソケット51によれば、底板部1に組み込まれた発熱体3を備えることから、他の装置ドライヤーまたは恒温槽等の大型設備を用いなくても、実装IC21の温度を所望の温度に制御することができる。これにより、装置スペースを小さくすることができる。また、発熱体3は、実装IC21と接触して加熱することから、実装IC21の温度を精度よく制御することができる。また、蓋部2に開口穴2aが設けられていることから、温度制御中でも、外部から開口穴2aを通じて実装IC21に測定針を当接することにより、実装IC21の特性を測定することができる。なお、以上の説明では、第1加熱/吸熱部は発熱体3であるものとしたが、これに限ったものではない。例えば、図2及び図3に示すように、第1加熱/吸熱部は、平面視において蓋部2の外側に配置された発熱体4aと、発熱体4aの熱を実装IC21の底面に伝える伝熱経路部4bとから構成されてもよい。なお、この場合には、伝熱経路部4bと実装IC21との間の温度が設定温度よりも高ければ、発熱体4aの発熱が小さくなるように制御され、当該温度が設定温度よりも低ければ、発熱体4aの発熱が大きくなるように制御される。以上のような構成によれば、ICソケット51の設置面積は多少大きくなるが、大きなサイズの発熱体4aを設けることが可能となるので、良好な温度制御性の実現が期待できる。また、例えば、図4及び図5に示すように、第1加熱/吸熱部は、平面視において蓋部2の外側に配置されたヒートシンク等の放熱部5aと、実装IC21の底面を吸熱冷却するペルチェ素子5bと、ペルチェ素子5bの熱を放熱部5aに伝える伝熱経路部5cとから構成されてもよい。なお、この場合には、ペルチェ素子5bと実装IC21との間の温度が設定温度よりも高ければ、ペルチェ素子5aの吸熱が大きくなるように制御され、当該温度が設定温度よりも低ければ、ペルチェ素子5aの発熱が小さくなるように制御される。以上のような構成によれば、低温側のIC特性の測定においても、上述と同様の効果を実現することができる。なお、上述した発熱体発熱体3などとしては、ニクロム線等からなり、電気的に温度制御が容易な抵抗発熱体、あるいは、電源が不要な、鉄の酸化等の反応が行われる発熱体を用いるとよい。<実施の形態2>図6は、本発明の実施の形態2に係るICソケット51の構成を示す断面図である。なお、本実施の形態に係るICソケット51の説明において、実施の形態1で説明した構成要素と同一または類似するものについては同じ符号を付して説明を省略する。この図6に示されるように、本実施の形態に係るICソケット51には、蓋部2に組み込まれ、実装IC21の側面を加熱する発熱体6第2加熱/吸熱部が追加されている。なお、図6では、発熱体6は実装IC21と非接触となっているが、これに限ったものではない。例えば、外部から開口穴2aを通じて実装IC21に測定針を当接できるのであれば、発熱体6は実装IC21と接触していてもよい。このような本実施の形態に係るICソケット51によれば、実装IC21の側面も加熱することが可能となるから、実装IC21の温度を精度よく制御することができる。なお、発熱体6の発熱は、発熱体3の発熱と一律に制御されてもよいし、独立に制御されてもよい。また、以上の説明では、第2加熱/吸熱部は発熱体6であるものとしたが、発熱体6の代わりにペルチェ素子を備える構成であってもよい。<実施の形態3>図7は、本発明の実施の形態3に係るICソケット51の構成を示す断面図である。なお、本実施の形態に係るICソケット51の説明において、実施の形態1で説明した構成要素と同一または類似するものについては同じ符号を付して説明を省略する。この図に示されるように、本実施の形態に係るICソケット51には、蓋部2の開口穴2a内の一部に設けられ、実装IC21の上面と接触して加熱する発熱体11第3加熱/吸熱部が追加されている。つまり、外部からの測定針が通過可能な開口穴2aが完全に塞がれていない状態で、発熱体11が開口穴2a内に設けられている。なお、発熱体11は、図8に示すように平面視からみて開口穴2aの全周囲を囲うように蓋部2と接続されて設けられてもよいし、図9及び図10に示すように平面視からみて開口穴2aの一部を囲うように蓋部2と接続されて設けられてもよい。このような本実施の形態に係るICソケット51によれば、実装IC21の上面も加熱することが可能となることから、実装IC21の温度を精度よく制御することができる。また、底板部1と蓋部2との間の空間の気密性が向上するので、温度制御性を良好にすることができる。また、通常、ICソケット51の上側の方が下側よりも設計上の制約が少ないことから、大きなサイズの発熱体11を設けることが可能となる。したがって、本実施の形態に係るICソケット51によれば、良好な温度制御性の実現が期待できる。なお、発熱体11の発熱は、発熱体3の発熱と一律に制御されてもよいし、独立に制御されてもよい。また、以上の説明では、第3加熱/吸熱部は発熱体11であるものとしたが、これに限ったものではない。例えば、図11に示すように、第3加熱/吸熱部は、実装IC21上方に配置された発熱体12aと、発熱体12aの熱を実装IC21の上面に伝える伝熱経路部12b伝熱部とから構成されてもよい。このような構成によれば、より大きなサイズの発熱体12aを用いることが可能となることから、良好な温度制御性の実現が期待できる。なお、例えば、発熱体12aの平面視におけるサイズが、底板部1や蓋部2よりも大きい場合のように、発熱体12aの一部が、底板部1や蓋部2の外郭からはみ出るものであってもよい。また、例えば、図12に示すように、第3加熱/吸熱部は、実装IC21上方に配置されたヒートシンク等の放熱部13aと、実装IC21の上面を吸熱冷却し、その熱を放熱部13aに与えるペルチェ素子13bとから構成されてもよい。このような構成によれば、低温側のIC特性の測定においても、上述と同様の効果を実現することができる。なお、例えば、放熱部13aの平面視におけるサイズが、底板部1や蓋部2よりも大きい場合のように、放熱部13aの一部が、底板部1や蓋部2の外郭からはみ出るものであってもよい。また、例えば、図13に示すように、第3加熱/吸熱部は、実装IC21上方に配置されたヒートシンク等の放熱部14aと、吸熱するペルチェ素子14bと、実装IC21の上面の熱をペルチェ素子14bに伝える伝熱経路部14c伝熱部とから構成されてもよい。このような構成によれば、より大きなサイズのペルチェ素子14bを設けることが可能となるので、良好な温度制御性の実現が期待できる。なお、例えば、放熱部14a及びペルチェ素子14bの平面視におけるサイズが、底板部1や蓋部2よりも大きい場合のように、放熱部14a及びペルチェ素子14bの一部が、底板部1や蓋部2の外郭からはみ出るものであってもよい。また、以上においては、実装IC21の底面及び上面のいずれも加熱または吸熱冷却するものであったが、そのうちの一方を加熱し、他方を吸熱冷却するものであってもよい。図14及び図15は、本実施の形態に係るICソケット51の適用例を示す断面図である。なお、この図14及び図15では、便宜上、蓋部2等の図示は省略している。図14においては、ICソケット51に実装されるICとして、略L字形状のリードピン22aを有するDIPタイプのIC22が示されている。図15においては、ICソケット51に実装されるICとして、略L字形状のリードピン23aを有し、トランスファーモールドにより成型されるトランスファーモールド型パワー半導体モジュールタイプのIC23が示されている。本実施の形態に係るICソケット51によれば、これらIC22,23に対してもIC21と同様に適用することができることから、上述と同様の効果を得ることができる。特に、トランスファーモールド型パワー半導体モジュールタイプのIC23は、内蔵されているパワーチップにより発熱するが、ICソケット51により加熱/吸熱することにより、短時間でIC特性を測定可能な状態にすることができる。つまり、試験時間を短縮することができる。なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、適宜、省略したりすることが可能である。"