GaNパウダーの原料として、GaN系発光素子のエッチング過程で発生するGaNエッチング物を用いる、ことを特徴とするGaNパウダー製造方法。前記GaNパウダー製造方法は、GaN系発光素子のエッチング過程で発生するGaNエッチング物を捕集し、前記の捕集されたGaNエッチング物を洗浄し、前記の洗浄されたGaNエッチング物を加熱することによって、前記GaNエッチング物に含まれたインジウムIn成分を除去し、前記インジウム成分が除去された前記GaNエッチング物を粉砕処理してパウダー化すること、を含むことを特徴とする、請求項1に記載のGaNパウダー製造方法。前記の捕集されたGaNエッチング物を洗浄することは、アセトン又はメチルアルコールを用いた超音波洗浄方式で実施される、ことを特徴とする、請求項2に記載のGaNパウダー製造方法。前記の洗浄されたGaNエッチング物を加熱することによって、前記GaNエッチング物に含まれたインジウムIn成分を除去することでは、900~1250°Cの温度で前記GaNエッチング物の加熱が実施される、ことを特徴とする、請求項2に記載のGaNパウダー製造方法。前記インジウム成分が除去されたGaNエッチング物を粉砕してパウダー化することでは、製造されるGaNパウダーの平均粒径が10nm~1μmになるように粉砕処理が実施される、ことを特徴とする、請求項2に記載のGaNパウダー製造方法。成長基板と、前記成長基板上にGaNパウダーで形成されるGaNパウダー層と、前記GaNパウダー層上に、複数の窒化物が積層されて形成される発光構造体と、を含み、前記GaNパウダー層は、GaN系発光素子のエッチング過程で発生するGaNエッチング物を洗浄、加熱及び粉砕して製造されたGaNパウダーで形成されたものである、ことを特徴とする窒化物系発光素子。前記発光構造体は、前記GaNパウダー層上に形成されるバッファ層と、前記バッファ層上に形成されるn―タイプの窒化物層と、前記n―タイプの窒化物層の上部に形成される発光活性層と、前記発光活性層の上部に形成されるp―タイプの窒化物層と、を含む、ことを特徴とする、請求項6に記載の窒化物系発光素子。前記成長基板は、n―タイプのシリコン基板である、ことを特徴とする、請求項7に記載の窒化物系発光素子。前記バッファ層は、n―タイプの窒化物で形成される、ことを特徴とする、請求項7に記載の窒化物系発光素子。前記発光構造体は、前記バッファ層と前記n―タイプの窒化物層との間に形成される非ドーピング窒化物層をさらに含む、ことを特徴とする、請求項7に記載の窒化物系発光素子。成長基板と、前記成長基板上にGaNパウダーで形成されるGaNパウダー層と、前記GaNパウダー層上に形成されるp―タイプの窒化物層と、前記p―タイプの窒化物層上に形成される発光活性層と、前記発光活性層上に形成されるn―タイプのZnO層と、を含み、前記GaNパウダー層は、GaN系発光素子のエッチング過程で発生するGaNエッチング物を洗浄、加熱及び粉砕して製造されたGaNパウダーで形成されたものである、ことを特徴とする窒化物系発光素子。前記成長基板は、p―タイプのシリコン基板である、ことを特徴とする、請求項11に記載の窒化物系発光素子。前記発光素子は、前記GaNパウダー層と前記p―タイプの窒化物層との間に、窒化物で形成されるバッファ層をさらに含む、ことを特徴とする、請求項11に記載の窒化物系発光素子。前記バッファ層は、p―タイプの窒化物で形成される、ことを特徴とする、請求項13に記載の窒化物系発光素子。本発明の第1の目的は、GaNパウダーを容易に製造できる方法を提供することにある。本発明の第2の目的は、上記製造方法により製造されたGaNパウダーを用いることにより、窒化物の成長時にシリコンと窒化物における格子定数の差によって発生する線欠陥が簡便に低減化された窒化物系発光素子を提供することにある。前記第1の目的を達成するための本発明のGaNパウダー製造方法は、GaN系発光素子のエッチング過程で発生するGaNエッチング物を捕集し、捕集された前記GaNエッチング物を洗浄し、洗浄された前記GaNエッチング物を加熱することによって、前記GaNエッチング物に含まれたインジウムIn成分を除去し、前記インジウム成分が除去された前記GaNエッチング物を粉砕処理してパウダー化すること、を含むことを特徴とする。前記第2の目的を達成するための本発明の窒化物系発光素子は、成長基板と、前記成長基板上にGaNパウダーで形成されるGaNパウダー層と、前記GaNパウダー層上に形成され、複数の窒化物層が積層されている発光構造体とを含み、前記GaNパウダー層は、GaN系発光素子のエッチング過程で発生するGaNエッチング物を洗浄、加熱及び粉砕して製造されたGaNパウダーで形成されたものである、ことを特徴とする。前記第2の目的を達成するための本発明の他の窒化物系発光素子は、成長基板と、前記成長基板上にGaNパウダーで形成されるGaNパウダー層と、前記GaNパウダー層上に形成されるp―タイプの窒化物層と、前記p―タイプの窒化物層上に形成される発光活性層と、前記発光活性層上に形成されるn―タイプのZnO層とを含み、前記GaNパウダー層は、GaN系発光素子のエッチング過程で発生するGaNエッチング物を洗浄、加熱及び粉砕して製造されたGaNパウダーで形成されたものである、ことを特徴とする。本発明に係るGaNパウダー製造方法によれば、GaN系発光素子の製造時に発生するGaNエッチング物を用いることによって、高価なGaNパウダーを簡単な方法で製造することができる。また、本発明に係る窒化物系発光素子では、GaNエッチング物から製造されたGaNパウダーを用いてGaNパウダー層を形成することによって、窒化物の成長時にシリコンと窒化物における格子定数の差によって発生する線欠陥を簡便に低減化することができる。実施形態1以下、添付の図面を参照して本発明の好適な実施形態1に係るGaNパウダー製造方法について詳細に説明する。図1は、一般的な水平型の窒化物系発光素子を示した図で、より具体的には、窒化物としてGaNを用いた例を示した図である。図1を参照すると、図示した水平型の窒化物系発光素子は、下側から、基板110、バッファ層120、u―GaN層130、n―GaN層140、発光活性層150及びp―GaN層160を含む。また、図示した発光素子は、n―GaN層140に接触するn―電極170と、p―GaN層160に接触するp―電極180とを含む。u―GaN層130は非ドーピング窒化物層である。図1に示した水平型の窒化物系発光素子において、n―電極170を形成するためには、n―GaN層140が露出しなければならない。図2は、水平型の窒化物系発光素子の製造時にエッチングされる部分を示した図である。n―GaN層140の露出のためには、図2に示した例のように、p―GaN層160、発光活性層150、及びn―GaN層140の一部分をエッチング部分210としてエッチングにより除去する。以下では、除去されたものをエッチング物と呼ぶ。エッチングには、ICPInductiveCoupledPlasmaエッチング方式などが用いられる。本発明では、GaN系発光素子の製造過程のエッチング工程で発生するエッチング物以下、GaNエッチング物と呼ぶを用いてGaNパウダーを製造する方法を提示する。図3は、本発明の実施形態1に係るGaNパウダー製造方法を概略的に示したフローチャートである。図3を参照すると、図示したGaNパウダー製造方法は、GaNエッチング物捕集段階S310、GaNエッチング物洗浄段階S320、In成分除去段階S330及びGaNエッチング物粉砕段階S340を含む。GaNエッチング物捕集段階S310では、GaN系発光素子の製造過程のエッチング工程で発生するGaNエッチング物をトラップやフィルタを用いて捕集する。次に、GaNエッチング物洗浄段階S320では、エッチング物に含まれている異物などを洗浄により除去する。GaNエッチング物の洗浄は、多様な方式で実施可能である。GaNエッチング物洗浄方式としては、アセトン又はメチルアルコールを用いた超音波洗浄方式を提示することができる。前記方式の場合、洗浄効率に優れるという長所がある。次に、In成分除去段階S330では、GaNエッチング物に含まれるインジウムIn成分を除去する。インジウム成分は、主に発光活性層150に含まれるが、GaNパウダーの純度を高めるためにインジウム成分を除去することが望ましい。インジウム成分の除去は、GaNエッチング物の加熱を通して行われる。加熱温度は900~1250°Cであることが望ましい。加熱温度が900°C未満である場合、インジウム成分が完全に除去されるのに長時間がかかる。また、加熱温度が1250°Cを超える場合、インジウム成分を除去するための装置構成が難しくなるという問題がある。次に、GaNエッチング物粉砕段階S340では、インジウム成分が除去されたGaNエッチング物を粉砕してパウダー化する。このとき、粉砕は、ボールミルなどを用いて行うことができる。また、粉砕は、製造されるGaNパウダーの平均粒径が10nm~1μmになるように実施されることが望ましい。これは、後述するGaNパウダーを用いた窒化物系発光素子において、望ましいGaNパウダーの平均粒径が10nm~1μmであることを考慮したことによる。上述したように、本発明では、GaN系発光素子の製造過程で発生するGaNエッチング物を用いてGaNパウダーを製造する。したがって、GaNエッチング物捕集、洗浄、インジウム除去、粉砕などの簡単な過程で高純度のGaNパウダーを製造することができる。前記の製造されたGaNパウダーは、窒化物系発光素子の格子緩衝層に活用することができる。実施形態2図4は、本発明の実施形態2に係るGaNパウダーを用いた窒化物系発光素子の構成例を示した図である。図4を参照すると、図示した窒化物系発光素子は、成長基板410、GaNパウダー層420及び発光構造体を含む。図4に示す例では、発光構造体は符号450~470、又は430~470で示す層後述で構成される。本実施形態2に適用される成長基板410としては、窒化物系発光素子の製造時に成長基板として広く用いられるサファイア基板を用いることができ、単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板などのシリコン基板を用いることもできる。GaNパウダー層420は、成長基板410上にGaNパウダーで形成される。このとき、GaNパウダーとしては、GaN系発光素子のエッチング過程で発生するGaNエッチング物を洗浄、加熱及び粉砕して製造されたものを用いることができる。GaNパウダー層420は、成長対象になる窒化物と成長基板410との間の格子定数の差に起因する格子ミスマッチングlatticemismatchingを減少させ、窒化物の成長時に発生する線欠陥密度を減少させる役割を有する。例えば、シリコン基板を成長基板410として用いる場合、シリコンと窒化物との間には大きな格子定数の差がある。この状態で、シリコン基板上に窒化物を成長させると、その窒化物では線欠陥密度が非常に高くなり、その窒化物で構成される窒化物発光素子の光効率を低下させる要因になる。成長基板410上にGaNパウダー層420を形成した後、窒化物を成長させると、結晶ミスマッチングが緩和され、窒化物の成長時に発生する線欠陥を減少させることができる。また、パウダー形態のGaN上で成長する窒化物は、初期は垂直方向に成長し、その後は水平方向に成長する。その結果、平らな窒化物の成長が可能である。GaNパウダーは、スピンコーティング方式などによって成長基板410上に付着又は固定される。GaNパウダーを成長基板410上に容易に付着又は固定するために、成長基板410の表面には突部と凹部を有する凹凸が形成されてもよい。凹凸は、特定のパターンで形成されてもよく、非定型の形態で形成されてもよい。成長基板410の表面の凹凸は、エッチングなどの多様な方法で形成することができる。成長基板410の表面に凹凸が形成されている場合、GaNパウダーは、凹凸の凹部に容易に付着又は固定される。より具体的には、GaNパウダー層420は、次のような方法で形成することができる。まず、スピンコーターなどを用いて成長基板410にGaNパウダーを載せる。その後、CVDChemicalVaporDepositionチャンバなどのチャンバ内で成長基板410をアンモニアガス雰囲気で略800~1200°Cの温度で加熱し、GaNパウダーを付着させる。この場合、成長基板410には、若干のエッチングが行われ、表面に凹凸が形成される。成長基板410の表面に形成された凹凸は、上述したようにGaNパウダーの付着又は固定を容易にする。また、GaNパウダー層420は、GaNパウダー含有溶液を用いて成長基板410上にスピンコーティングした後、乾燥する方法で形成することができる。このとき、GaNパウダー含有溶液としては、アセトン、メタノール、エチレングリコールなどの多様な種類の溶媒を用いることができる。前記の提示されたGaNパウダーを用いたGaNパウダー層形成方法のうちいずれか一つの方法が選択的に適用されてもよく、二つの方法が共に適用されてもよい。例えば、GaNパウダーを含有する溶液を用いて成長基板410上にスピンコーティングした後で乾燥し、その後、チャンバ内で成長基板410を加熱することができる。一方、前記GaNパウダーとしては、平均粒径が10nm~1μmであるものを用いることが望ましい。GaNパウダーの平均粒径が小さいほど、窒化物の成長時に発生する線欠陥の抑制効果がより優れている。GaNパウダーの平均粒径が1μmを超える場合、前記線欠陥の抑制効果が不十分であり、製造される窒化物系発光素子の光効率が低い。ただし、GaNパウダーの平均粒径が10nm未満である場合、GaNパウダー自体の製造費用が非常に嵩み、窒化物系発光素子の製造費用上昇の原因になり得る。次に、符号450~470で示す層後述で構成される発光構造体が、GaNパウダー層420上に形成される。発光構造体は、複数の窒化物層が積層されて形成される。より具体的には、発光構造体は、第1の導電型窒化物層450図4ではn-GaNと記載されたn-GaN層450、発光活性層図4ではMQWsMQW:MultipleQuantumWellと記載460及び第2の導電型窒化物層470図4ではp-GaNと記載されたp-GaN層470を含む。n-GaN、p-GaNは、それぞれn-タイプのGaN、p-タイプのGaNのことである。第1の導電型窒化物層450は、GaNパウダー層420の上部に形成される。第1の導電型窒化物層450は、ドーピングされる不純物によってn―タイプ又はp―タイプの特性を示すことができる。例えば、窒化物にシリコンSiなどの不純物がドーピングされた場合、第1の導電型窒化物層450はn―タイプの特性を示す。その一方、窒化物にマグネシウムMgなどの不純物がドーピングされた場合、第1の導電型窒化物層450はp―タイプの特性を示す。図4は第1の導電型窒化物層450がn-タイプのGaNで形成される場合を示す。発光活性層460は、第1の導電型窒化物層450の上部に形成される。発光活性層460は、MQW構造を有することができる。その例として、InxGa1-xN01≦x≦03とGaNが交互に積層されている構造を提示することができる。発光活性層460では、n―タイプの窒化物層を通して流れる電子とp―タイプの窒化物層を通して流れる正孔とが再結合して、光が発生する。第2の導電型窒化物層470は、発光活性層460の上部に形成され、第1の導電型窒化物層450とは反対の電気的特性を示す。例えば、第1の導電型窒化物層450がn―タイプのGaNで形成される場合、第2の導電型窒化物層470はp―タイプのGaNで形成される。第2の導電型窒化物層470がn―タイプのGaNで形成される場合、GaNにSiがドーピングされて形成されてもよく、p―タイプのGaNで形成される場合、GaNにMgがドーピングされて形成されてもよい。図4は第2の導電型窒化物層470がp-タイプのGaNで形成される場合を示す。前記のように、第1の導電型窒化物層450がn―タイプのGaNで形成され、第2の導電型窒化物層470がp―タイプのGaNで形成される場合、成長基板410としてはn―タイプのシリコン基板を用いることができる。n―タイプのシリコン基板を用いる場合、発光活性層460の下部の各層がn―タイプに形成される。また、n―タイプのシリコン基板を用いる場合、シリコン基板自体をn―電極として活用することができ、基板除去工程及びn―電極形成工程を省略することができる。したがって、n―タイプのシリコン基板を用いる場合、水平型発光素子のみならず、発光面積が相対的に広いことから高輝度を容易に具現できる垂直型発光素子も容易に製造することができる。また、成長基板410としてn―タイプのシリコン基板を用いると、高温での窒化物の成長時におけるシリコン基板の反り現象が微々たるものになり、高温での窒化物の均質な成長が可能である。一方、図4に示した発光構造体は、GaNパウダー層420の上部に形成されるバッファ層430をさらに含むことができる。この場合、第1の導電型窒化物層450はバッファ層430の上部に形成される。バッファ層430は、成長基板上に異種の物質である窒化物を成長させるときに発生する応力を緩和させる役割を有する。このようなバッファ層430は、AlN、ZrN、GaNなどの窒化物で形成することができる。第1の導電型窒化物層450がn―タイプである場合、バッファ層430もn―タイプに形成することができる。バッファ層430を形成する窒化物のほとんどは、大きな電気抵抗を有する。しかし、バッファ層430をn―タイプに形成する場合、バッファ層430の電気抵抗が低くなる。したがって、製造される窒化物系発光素子の駆動効率を向上させることができる。特に、成長基板410としてn―タイプのシリコン基板を用いる場合、成長基板410に注入される電子が発光活性層460まで障壁なく容易に移動できるので、発光素子の駆動効率をさらに高めることができる。また、バッファ層430の上部には、格子マッチングをより容易にするために非ドーピング窒化物層440図4ではu-GaNと記載されたu-GaN層440がさらに形成される。この場合、第1の導電型窒化物層450は、非ドーピング窒化物層440の上部に形成される。非ドーピング窒化物層440は、非ドーピング基板を用いる場合に適用することが望ましい。図5は、実施形態2に係るGaNパウダーを用いた窒化物系発光素子の他の構成例を示した図である。図5を参照すると、図示した窒化物系発光素子は、成長基板510、GaNパウダー層520、p―タイプの窒化物層540図5ではp-GaNと記載されたp-GaN層540、発光活性層図5ではMQWsと記載550及びn―タイプのZnO層560図5ではn-ZnOと記載されたn-ZnO層560を含む。n-ZnOはn-タイプのZnOのことである。図5の例ではp―タイプの窒化物層540が第1の導電型窒化物層540、n―タイプのZnO層560が第2の導電型窒化物層560となる。図5に示した例で、成長基板510及びGaNパウダー層520は、図4に示した成長基板410及びGaNパウダー層420と同様であるので、それについての詳細な説明は省略する。p―タイプの窒化物層540は、GaNパウダー層520の上部に形成される。p―タイプの窒化物層540には、p―タイプの電気的特性を確保するためにマグネシウムMgなどがドーピングされている。従来のほとんどの窒化物系発光素子の製造方法では、p―タイプの窒化物層を、発光活性層を形成した後の最後の段階で形成する。このとき、p―タイプの窒化物層形成過程で発光活性層に及ぼす影響を低減化するために、成長温度を低下させた状態でp―タイプの窒化物を形成する。その結果、p―タイプの窒化物の結晶品質が低下し、これは、発光効率の低下をもたらす。しかし、図5に示すように、p―タイプの窒化物層540を、発光活性層550を形成する前に形成することによって、高品質のp―タイプの窒化物層540を得ることができる。発光活性層550は、p―タイプの窒化物層540の上部に形成される。発光活性層550は、MQW構造を有することができる。発光活性層550の例としては、InxGa1-xN01≦x≦03とGaNが交互に積層されている構造、又はInxZn1-xO01≦x≦03とZnOが交互に積層されている構造などを提示することができる。n―タイプのZnO層560は、発光活性層550の上部に形成され、p―タイプの窒化物層540とは反対のn―タイプの電気的特性を示す。ZnO自体がn―タイプではあるが、不純物を添加して得られるn―タイプの電気的特性に比べて微々たる特性しか示さず、電流パス程度の役割を担うことができるだけである。したがって、n―タイプのZnO層560にはSiなどがドーピングされていてもよい。ZnOは、GaNとほぼ同一のウルツ鉱Wurtzite型結晶構造を有する。また、ZnOは略700~800°Cの温度でも成長が可能であるので、ZnOの成長時に下部の発光活性層550に及ぼす影響を低減化することができ、結晶品質を向上させることができる。したがって、本発明に適用されるn―タイプのZnO層560は、1200°C程度の高温で成長するn―タイプのGaNに取って代わるものである。また、窒化物系発光素子にn―タイプのZnO層560を適用すると、n―タイプのGaNを適用した場合に比べて窒化物系発光素子の光輝度が向上する。前記のように、図5に示す構成例では、成長基板510上にp―タイプの窒化物層540が先に形成され、発光活性層550上にn―タイプのZnO層560が形成される。このとき、成長基板510として、p―タイプのシリコン基板を用いることができる。p―タイプのシリコン基板を用いる場合、発光活性層550の下部の各層がp―タイプに形成される。p―タイプのシリコン基板を用いる場合、シリコン基板自体をp―電極として活用することができる。したがって、垂直型発光素子の製造時にも基板除去工程を省略することができ、さらに、p―電極形成工程を省略することができる。したがって、p―タイプのシリコン基板を用いる場合、水平型発光素子のみならず、発光面積が相対的に広いことから高輝度を容易に具現できる垂直型発光素子も容易に製造することができる。一方、図5に示す構成例では、窒化物系発光素子は、GaNパウダー層520とp―タイプの窒化物層540との間に窒化物で形成されたバッファ層530をさらに含むことができる。図5の構成例において、バッファ層530はp―タイプにも形成することができる。特に、バッファ層530をp―タイプに形成し、成長基板510としてp―タイプのシリコン基板を用いる場合、p―タイプのシリコン基板からなる成長基板510から発光活性層550まで正孔が障壁なく容易に移動できるので、発光素子の駆動効率をさらに高めることができる。また、バッファ層530をp―タイプに形成する場合、バッファ層530のマグネシウムMgなどの不純物が成長基板510に浸透するようになる。この場合、基板にp―タイプの電気的特性が与えられる。したがって、成長基板510として絶縁特性を有するサファイア基板を用いる場合でも、従来の垂直型発光素子の製造時とは異なって、その除去を要しない。上述したように、本実施形態2に係る窒化物系発光素子によれば、GaN系発光素子のエッチング過程で発生するGaNエッチング物を洗浄、加熱及び粉砕して簡便に製造されたGaNパウダーを用いることにより、GaNパウダー層420又は520を簡便に形成することができ、それによって、窒化物の成長時に、シリコンと窒化物との間の格子定数の差によって発生する線欠陥を低減化することができる。したがって、製造される窒化物系発光素子の光抽出効率を簡便に向上させることができる。本発明は、以上の実施形態の記載に限定されるものではなく、当業者の水準で多様な変更や変形が可能である。このような変更と変形は、本発明の範囲を逸脱しない限り、本発明に属するものといえる。したがって、本発明の権利範囲は、以下で記載する特許請求の範囲によって判断しなければならない。