"0.1THz~30THzの範囲内にある目的周波数の電磁波を結晶の外部へと放射する電磁波放射素子であって、非線形光学結晶からなる本体と、この本体上に形成されたサブ波長格子構造とを備えており、前記サブ波長格子構造が、前記本体上に第一の方向および第二の方向に向かって規則的に配列された突起、隣接する前記突起の間に設けられ、前記第一の方向に向かって延びる第一の溝、および隣接する前記突起の間に設けられ、前記第二の方向に向かって延びる第二の溝を含み、前記各突起が、前記第一の方向に向かって対向する一対の第一の表面および前記第二の方向に向かって対向する一対の第二の表面を有しており、前記第一の表面の幅が前記本体から前記突起の上端へと向かって小さくなっており、前記第二の表面の幅が前記本体から前記突起の上端へと向かって小さくなっており、前記第一の溝を幅方向に切ってみたときに湾曲面を形成しており、かつ前記第二の溝を幅方向に切ってみたときに湾曲面を形成していることを特徴とする、電磁波放射素子。前記各突起の前記第一の表面および前記第二の表面が平面であることを特徴とする、請求項1記載の素子。前記各突起の前記第一の表面および前記第二の表面が凹面であることを特徴とする、請求項1記載の素子。前記第一の方向と前記第二の方向とが直交することを特徴とする、請求項1~3のいずれか一つの請求項に記載の素子。前記各突起が四角錐形状であることを特徴とする、請求項4記載の素子。前記各突起の前記上端が平面状であることを特徴とする、請求項1~4のいずれか一つの請求項に記載の素子。本発明者は、前記文献記載のようなサブ波長格子構造に着目し、これをテラヘルツ波の反射防止に利用することを検討した。このような検討はこれまでなされていない。しかし、実際に検討し、試作を行ってみると、種々の問題点があり、適用困難であることが判明してきた。すなわち、例えば特許文献6の記載によると、素子表面の凹凸の深さdは下式のように表される。d=λ/4√n×n0λは光の波長、nは素子を構成する結晶の屈折率、n0は空気の屈折率=1したがって、例えば光の周波数を1THzとし、λ=300μm、nをニオブ酸リチウム単結晶の屈折率52とすると、328μmの深さが必要になる。前記文献では、こうした3次元格子は、ナノインプリントや半導体製造プロセスによる反応性イオンエッチング、ウェットエッチングLN系の場合フッ硝酸で形成されている。しかし、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウム単結晶は、難加工材料であるので、30μm以上の深さの微細な凹凸を形成することは困難である。この点に関連して、本発明者は、特許文献7において、図12に示すような形態の四角錐形状の突起を基板7の表面に多数規則的に形成してサブ波長格子を形成し、このサブ波長格子へと基板7の内部から矢印Aのようにテラヘルツ波を放射し、基板外に射出させることを試みた。これと共に、四角錐形状の突起の高さを25~300μmの範囲で種々変更した場合について、シミュレーションを行い、基板から外部へと射出するテラヘルツ波の透過率を計算してみた。この結果、典型的な条件では、四角錐の高さを75μmとした場合には、幅広い周波数範囲について十分な透過率を得ることはできないことがわかった図13参照。この場合、例えば突起高さ100μmの場合には、幅広い周波数範囲について十分な透過率が得られた図14参照。突起高さが300μmの場合には、突起高さ100μmの場合と、それほど大きな相違は見られなかった。しかし、上述したように、硬度の極めて高いニオブ酸リチウム等の非線形光学単結晶に対して、高さ100μmの突起を多数規則的に形成する加工は困難であり、しかも設計形状に合わせて所定の精度をもって突起を形成することは、いっそう困難である。このため、テラヘルツ領域の光に対する透過率の高いサブ波長格子を形成するのは非常に困難である。本発明の課題は、サブ波長格子構造を利用することで、テラヘルツ波をニオブ酸リチウム単結晶等の高屈折率の結晶から外部へと高効率で放射可能な素子を提供することである。本発明は、0.1THz~30THzの範囲内にある目的周波数の電磁波を結晶の外部へと放射する電磁波放射素子であって、非線形光学結晶からなる本体と、この本体上に形成されたサブ波長格子構造とを備えており、サブ波長格子構造が、本体上に第一の方向および第二の方向に向かって規則的に配列された突起、隣接する突起の間に設けられ、第一の方向に向かって延びる第一の溝、および隣接する突起の間に設けられ、第二の方向に向かって延びる第二の溝を含み、各突起が、第一の方向に向かって対向する一対の第一の表面および第二の方向に向かって対向する一対の第二の表面を有しており、第一の表面の幅が本体から突起の上端へと向かって小さくなっており、第二の表面の幅が本体から突起の上端へと向かって小さくなっており、第一の溝を幅方向に切ってみたときに湾曲面を形成しており、かつ第二の溝を幅方向に切ってみたときに湾曲面を形成していることを特徴とする。本発明の素子によれば、サブ波長格子構造を利用することで、テラヘルツ波をニオブ酸リチウム単結晶等の高屈折率の結晶から外部へと高効率で放射可能な素子を提供できる。とくに、例えば四角錐状の突起を規則的に多数形成した場合に、隣接する突起の間に溝を形成し、溝が幅方向に見て湾曲した凹面を形成するような形態とした場合に、高いピーク透過率を得ることができる。この効果は、例えば図12に示すように四角錐形状の突起を多数形成した場合と比べて顕著であることが判明した。サブ波長格子構造とは、所定の光に対して回折限界以下の微細な周期構造SWGsubwavelengthgratingである。光がこの構造に入射した場合、構造の詳細を認識できず、屈折率についてもその平均値を持った媒質が存在するものとして振舞う性質がある。特に、motheye構造と呼ばれる反射防止効果を持つ構造が知られている。例えば、比較形態に係る図12の素子では、非線形光学結晶からなる本体7の表面にサブ波長格子構造が形成されている。このサブ波長格子構造は、縦横に規則的に形成された多数の四角錐形状の突起22からなる。突起22は、四角錐ではなく、柱状に形成することもできる。しかし、本発明者の検討では、非線形光学結晶にこうした突起を深く形成することは困難であり、このためテラヘルツ波の反射を抑制するサブ波長格子構造を量産することが困難である。また、こうした形態の突起では、目的周波数の光の透過率をある程度以上向上させることが難しいことが判明してきた。図1、図2、図3は、本発明の一実施形態に係る素子1を示すものである。図1は素子1の斜視図であり、図2は、素子1をX方向に見た拡大図であり、図3は、素子1をY方向に見た拡大図である。本素子では、支持基板30上に接着層31を介して、非線形光学結晶からなる本体7の底面7bを接着することができる。本体7の上面が電磁波放射面7aとして働く。本体7の放射面7a側にはサブ波長格子構造5が形成されており、結晶内部から外への電磁波の放射を促進し、結晶表面における電磁波の反射を抑制している。本例のサブ波長格子構造5は、X方向およびY方向に向かって規則的に配列された突起2を含む。各突起2は、四角錐形状をしている。すなわち、各突起2は、X方向に向かって規則的に配列されており、かつ、Y方向に向かって規則的に配列されている。各突起を構成する四角錐は、X方向に向かって対向し、配列されている一対の表面2c、2dと、Y方向に向かって対向し、配列されている一対の表面2a、2bとからなる。本例では、各表面2a~2dはそれぞれ平坦面をなしており、上端は頂点2eである。また、本例では、X方向に向かって延びる第一の溝3Xが形成されており、またY方向に向かって延びる溝3Yが形成されている。そして、隣接する突起は、溝3Xによって区分されており、また溝3Yによって区分されている。各溝3Y図2、3X図3は、それぞれ、基板本体7の加工前の水平線Hから見てへこんだ湾曲面をなしている。従って、図2、図3に示すように、各溝の幅方向溝の長手方向に対して垂直な方向に切ったみたときに、溝の底面が湾曲線を形成している。本例のサブ波長格子構造によれば、こうした形態を採用することによって、図12のように四角錐形状の突起が多数配列されている場合に比べて、同じ突起高さhでも透過率を改善できることを見いだした。しかも、こうした形態の構造は、例えば後述するような加工方法で比較的に効率的に形成できるものであった。本発明者は、その上、四角錐形状の突起を縦横に多数規則的に配列した構造において、隣接する突起の間に平坦面を形成することも検討した。しかし、隣接する突起の間に前記したような湾曲した溝を形成することによって、隣接する突起の間を平坦面とする場合に比べて、透過率を一層改善できることを見いだし、本発明に到達した。本発明の素子は、0.1THz~30THz範囲内の目的周波数の電磁波を結晶の外部へと透過できるものである。本発明のサブ波長格子の寸法は、目的周波数に対して透過率が最大となるように調整されるものであり、0.1THz~30THzの周波数の全範囲にわたって高い透過性を有している必要はない。本体を構成する非線形光学結晶は、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム-タンタル酸リチウム固溶体、KTP、KNなどの誘電体である。また、光損傷を抑制するために酸化マグネシウムなどのドーピングをしていてもよい。さらに、ニオブ酸リチウムについては、コングルエント組成のほかストイキオメトリ組成であってもよい。突起を配列する2方向X,Yは、互いに交差するが、交差角度は85~95度であることが好ましく、直交していることが最も好ましい。また、各突起は、X方向に向かってみたときに対向する一対の第一の表面を有しており、またY方向に向かってみたときに対向する一対の第二の表面を有している。これら各表面は、図1に示すように平坦面であってよく、あるいは平坦面から見てへこんだ凹面であってよく、また平坦面から見て膨らんだ凸面であってよい。更に、各突起の上端は、図1に示すように頂点をなしていてよいが、平坦面を形成していてもよい。また、突起の頂点に面取り、C面、アール面が形成されていてもよい。例えば図4の例では、各突起2Aの第一の表面2c、2d、第二の表面2a、2bがそれぞれ平坦面をなしているが、各突起2Aの上端が頂点になっておらず、平坦面2gをなしている。この平坦面2gは凸面をなしていてもよく、いわゆる面取り、C面、アール面をなしていてよい。また、図5の例では、各突起2の表面12a、12b、12c、12dは、それぞれ、平坦面を示す仮想線Lに対してへこんでおり、凹面を形成している。ここで、本発明の観点からは、各突起の高さhは、目的とする周波数に合わせて選択するので限定はされないが、透過率の観点からは大きい方が好ましい。この観点からは、hは、30μm以上が好ましく、40μm以上が更に好ましく、50μm以上が最も好ましい。また、加工の容易性の観点からは、hは低い方が好ましく、この観点からは、hは、300μm以下が好ましく、100μm以下が更に好ましい。各突起のピッチT、幅WTも目的とする周波数に合わせて選択する。ここで、Tとは、X方向およびまたはY方向に見たときに隣接する突起の中心線間の距離である。図2、図3、図5に示すように、突起が頂点2e、12eを有している場合には、隣接する突起の頂点間の距離にあたる。また、図4に示すように、突起が頂面2gを有している場合には、隣接する突起の各頂面の中心間の距離にあたる。周期Tは、透過率および加工のし易さの観点からは、15~70μmが好ましい。また、幅WTは、透過率および加工のし易さの観点からは、10~55μmが好ましく、20~50μmが更に好ましく、25~40μmが一層好ましい。X方向に延びる溝3X、Y方向に延びる溝3Yは、それぞれ湾曲面を形成している。各溝の幅方向に見たときには、各溝の底面が曲線として現れる。この曲線の曲率中心Oは溝上に存在する。この曲線の曲率半径Rは、透過率の観点からは、5μm以上が好ましい。また、透過率の観点からは、30μm以下が好ましく、20μm以下が更に好ましい。更に、溝の底面を構成する曲線には、2つ以上の曲率中心があってもよいが、この場合にも各曲率中心に対する曲率半径はそれぞれ5μm以上であることが好ましい。なお、突起の高さ、幅、溝の幅の基準は、加工前の基板表面の水平線Hとする。例えば図4に示すように、突起の上端に平坦面がある場合には、この平坦面の幅WUの幅WTに対する比率WU/WTは、透過率の観点からは、05以下であることが好ましく、02以下であることが更に好ましい。例えば図5に示すように,突起を構成する各表面がそれぞれ凹面である場合には、各表面の曲率中心は突起外にある。各表面の曲率半径は、20μm以上であることが好ましく、25μm以上であることが更に好ましい。また、各表面について、それぞれ、2つ以上の曲率中心があってもよい。この曲率半径の上限は特になく、最も好ましくは各表面が平坦面である。好適な実施形態においては、隣接する突起をその配列方向X、Yに沿って切ってみた横断面で見たときに、突起の輪郭線の裾野と溝の輪郭線とが連続するようにする。しかし、突起の輪郭線の裾野と溝の輪郭線との間に段差が形成されていてもよい。本発明では、第一の表面の幅が本体7から突起の上端2eへと向かって小さくなっており、第二の表面の幅が本体7から突起の上端2eへと向かって小さくなっている。各表面の幅は、図1~図5に示すように線型的ないし直線的に徐々に小さくなっていることが好ましいが、段階的にステップ状に小さくなっている場合も含まれる。本発明においては、素子の外側に電磁波発振源を設置し、この電磁波発振源から発振した電磁波を素子内に入射させ、次いで素子本体の電磁波放射面から放射させることができる。あるいは、素子の内部において電磁波をパラメトリック発振させることもできる。パラメットリック発振の場合には、パラメトリック発振可能な非線形光学結晶からなる素子本体内にポンプ波を入射し、ノンコリニア位相整合条件を満たす方向にアイドラー波とテラヘルツ波を発生させる。このとき、ポンプ波として単一周波数の第1レーザー光を使用し、かつ、アイドラー波の発生方向に単一周波数の別の第2レーザー光を光注入することが好ましい。例えば光源からポンプ波を素子本体に照射すると共に、光源からアイドラー波を素子本体に照射する。このとき、ポンプ波周波数ω1、アイドラー波周波数ω2、およびポラリトンテラヘルツ波:周波数ωTの間にエネルギー保存則ω1=ω2ωTおよび運動量保存則ノンコリニア位相整合条件:k1=k2kthが成立し、ポラリトン誘導散乱が観測される。この場合、分散特性のために、ポンプ波の光軸からの角度α、θに応じて、アイドラー波およびテラヘルツ波の波長が定まる。ポンプ波、アイドラー波、テラヘルツ波の周波数、α、θは、パラメトリック発振条件によって定まるものである。典型的には、ポンプ波の波長は800nm~1600nmが好ましく、αは0.04°~4°が好ましい。この場合、θは65°~62°の範囲となる。支持基板の材質は特に限定されないが、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム-タンタル酸リチウム固溶体、KTP、KNなどの誘電体や、GaP、ZnSeなどの半導体、石英ガラスなどのガラスを例示できる。また、信頼性上、熱膨張を素子本体と合わせるという観点では、支持基板は素子本体と同じ材質であることが望ましい。素子本体と支持基体とを接着する接着剤は、発振基板よりも低誘電率である材料からなることが好ましい。具体的には、接着層の屈折率が2以下であることが好ましい。接着層の具体例は特に限定されないが、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、カルドポリマー系接着剤、室温硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化性接着剤、アロンセラミックスC商品名、東亜合成社製熱膨張係数13×10-6/Kを例示できる。接着層の厚さは特に限定されないが、テラヘルツ波の漏れを防止するという観点からは、0.5μm以上が好ましい。ポンプ波やアイドラー波の光源は、半導体レーザや半導体レーザ励起の固体レーザYAG、YVO4、YLFなどを直接バットジョイント、あるいはレンズ結合させる。またこれらの光源をファイバでガイドし、そのファイバ端面を結晶に直接バットジョイントさせることができるし、レンズ結合させてもよい。本発明のサブ波長格子構造を素子本体の表面に形成することは、外周刃を利用した切削加工によって行える。好ましくは以下の手順で行う。まず、前記した所望の形状を得るための外周刃ブレードを選定する。次いで、ブレード形状を整形するドレス加工。次いで、ブレードの高さ位置を基板の表面に一致させるブレード高さ零点調整。次いで、所望の溝深さ、柱状体幅、定幅部幅となるブレードの高さと送りピッチを設定する。次いで、ブレード回転数、送り速度、カットウォータ量を設定する。次いでX、Y方向に向かってそれぞれ溝入れ加工を行う。外周刃としては、例えば図6abに示すような外周刃13を利用できる。この外周刃13は、本体13d、突出切削部分13b、一対の切削面13c、および頂部13a、突出切削部角度ブレード角度BAを有する。材料の硬度および外周刃の進行速度に合わせて切削面および頂部の形状を制御することで、突起の表面および溝の形態を制御できる。ブレード角度BAは10°~30°が望ましい。実施例1図1、図2、図3および図7に示す形態の電磁波放射素子を製造した。ただし、このサブ波長格子構造5は、図1には示した支持基板と接着層とを設けていないものである。具体的には、yカットMgドープニオブ酸リチウム単結晶からなる本体7を用意した。本体7の寸法は、縦30mm×横30mm×厚さ0.5mmである。ダイシングソーを利用し、図6の外周刃13ブレードをX方向に移動させて研削加工し、次いでY方向に移動させて切削加工することで、突起2を形成した。外周刃13は、電鋳ボンドタイプ、幅200μmであり、ブレード角度BA28°、砥粒4000を使用した。加工条件は、回転数30000rpm、スピード05mmsとし、深さ30~300μmまで溝加工を行い、所定ピッチとなるようにブレード送り調整した。以下、各部分の寸法を示す。h:75μmWT:37μmWG:126μmR:74μmT:50μmテラヘルツ波による透過特性を測定するためにTDS測定を実施した。すなわち、素子本体7の底面7b上にテラヘルツ波光源20を取り付け、素子本体内部へと向かって矢印Aのようにテラヘルツ波を入射させた。そして、サブ波長格子構造5上の空気中に受信素子21を設置し、受光強度を測定した。受光強度/発振強度を透過率とする。この結果、ピーク透過率は99以上であった。なお、得られたサブ波長格子構造について、3Dイメージをレーザ顕微鏡オリンパス製LEXTによって計測し、図8に示す。また、図8を斜視図として図面化し、図9に示す。更に、得られたサブ波長格子構造の上面観察像を電子顕微鏡KEYENCE製VE7800によって計測し、図10に示す。また、図10を図面化し、図11に平面図として模式的に示す。これらからわかるように,設計にほぼ沿った形態の格子構造が形成されていた。比較例1実施例1と同じ素子本体7を使用し、電磁波透過率を測定した。ただし、素子表面にサブ波長格子構造を形成しなかった。この場合、ピーク透過率は周波数にほとんど依存なく、55であった。これはニオブ酸リチウム単結晶の屈折率が本周波数では5になることに起因する。比較例2図12に示す四角錘形状の突起からなるサブ波長格子について、実施例1の構造と比較するためにFDTD法によるシミュレーションによる2次元解析を行った。シミュレーションのモデルとして、実施例1の構造のモデルとした。ただし、四角錘形状については四角錘底面幅50μm、ピッチ:50μmと固定し、h:30μm~300μmの領域において透過率を計算した。この結果、実施例1と同じ高さh:75μmではピーク透過率は80であった周波数075THz。この場合、ピーク透過率を90以上とするためには、高さhを100μm以上にする必要があることがわかった。このことから、本願構造では溝深さが浅くても高いピーク透過率が得られることがわかった。比較例3実施例1と同じ素子本体を使用し、電磁波透過率を測定した。ただし、素子本体の表面に、サブ波長格子構造を形成した。ここで、形成した各柱状体は四角柱形状をしている。各柱状体の高さは35μmであり、柱状体のピッチは50μmであり、柱状体の幅は20μmである。なお、本構造は、エキシマレーザを用いた疑似レーザアブレーション法で作製し、レーザのショット回数を調整して深さおよびピッチを調整した。この結果、ピーク透過率は77であった周波数は0.6THz。この構造において今回検証した高さT30μm~300μmの範囲ではTを大きくしてもピーク透過率は90以上にはならなかった。実施例2~7実施例1において、突起の高さhおよび溝の曲率半径Rを表1、表2に示すように変更し、ピーク透過率を測定し、結果を表1、表2に示す。比較例4実施例1において、溝を設けることなく、溝の代わりに平坦面を設けた。その他の部分は実施例1と同様とし、ピーク透過率を測定した。これらの結果から、本発明の素子によれば、極めてピーク透過率が大きく改善されることが明らかである。"