Si111単結晶基板の一主面上にAlN膜を形成し、前記AlN膜上に2H-SiC単結晶を形成する2H-SiC単結晶の製造方法であって、前記一主面の法線が、111方向から011方向または112方向に対して、0°より大きく30°より小さい角度のオフカット角を有していることを特徴とする2H-SiC単結晶の製造方法。特許文献1の技術では、2H-SiCを製造できるとしている。しかしこの方法では、3C-SiCと2H-SiCの混在した結晶が生成され、2H-SiCのみを高純度で製造するには、必ずしも適切であるとはいえない。特許文献2の技術は、4H型ポリタイプのSiC単結晶の製造方法に関するものである。しかし、この方法でも、2H-SiCのみを高純度で製造することが困難であった。また、あらかじめSiC単結晶からなる種結晶を準備する必要があり、この場合、製造コスト的にも不利であることから、大口径のSiC単結晶基板の作製には、必ずしも適切でないものといえる。特許文献3の技術は、Si単結晶基板上に、介在層を設けて、β-SiC単結晶薄膜を製造する方法である。しかし、この方法でも、2H-SiCのみを高純度で製造することが困難であった。本発明は、これらの課題を鑑みてなされたもので、特に、大口径化に有利であるSi単結晶基板上にSiCを気相成長させる方法において、2H-SiCのみを高純度で形成する方法を提供するものである。本発明に係る2H-SiC単結晶の製造方法は、Si111単結晶基板の一主面上に、AlN膜を形成し、前記AlN膜上に2H-SiC単結晶を形成する2H-SiC単結晶の製造方法であって、前記一主面の法線が、111方向から011方向または112方向に対して、0°より大きく30°より小さい角度のオフカット角を有していることを特徴とする。このような構成をとることで、Si単結晶基板上に、2H-SiC単結晶を、高純度で形成することが可能となる。本発明に係る2H-SiC単結晶の製造方法によれば、特に、大口径化に有利であるSi単結晶基板を用いて、4Hや3Cなどのポリタイプを含まない、高純度の2H-SiCを形成する方法を提供することが可能となる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。図1は、本発明の一態様に係るSiC半導体基板の構造を断面からみた模式図である。以下、本発明の好ましい実施形態を実施例に基づき説明するが、本発明はこの実施例により限定されるものではない。実験1CZ法で作製した、4インチ、ドーパントがリンで平均抵抗率10Ωcmの、結晶方位111のSi単結晶インゴットを用意した。続いて、スライス工程にて、111方向から011方向または112方向に対してのオフセット角を、表1に示した内容でそれぞれ形成した。この後、研磨工程、洗浄工程を経て、片面を鏡面仕上げした厚さ525μmの評価用Si単結晶ウェーハとした。各工程は、一般的な半導体用シリコンウェーハの製造プロセスを適用した。評価用Si単結晶ウェーハに対して、MOCVD装置を用いて、1000°C×10分の水素処理後、同温度にて、トリメチルアルミニウムとアンモニアを原料として、2H-AlNを100nm堆積した。引き続き、同温度にて、原料としてモノシランとアセチレンを用いて、SiCを500nm堆積した。このようにして、評価用SiC基板を作製した。評価方法は、X線回折法を用いて、3Cおよび2H-SiCに特有なピークの強度比を調査し、2H-SiCが生成した割合を評価した。表1から、本発明の適用により、2H-SiC単結晶が製造でき、さらに、本発明の好ましい範囲において、2H-SiC単結晶の生成する割合をより高く、かつ面荒れを起こさずに2H-SiC単結晶を形成することが可能であることがわかる。実験2111方向から011方向または112方向に対してのオフセット角を10°にした評価用Si単結晶ウェーハに対して、表2に示す内容で、2H-AlN膜2の膜厚を変更して、評価用SiC基板を作製した。評価方法は、実験1と同様に行った。表2の結果より、本発明のより好ましい範囲においても、2H-SiC単結晶の生成する割合をより高くすることが可能である。一方、本発明のより好ましい範囲を外れた場合は、2H-SiC単結晶の生成は確認されたが、表面平坦性の点では、より好ましい範囲のものと比べてやや見劣りする。なお、2H-AlN膜2の膜厚が厚すぎると、2H-SiC単結晶は形成できるものの、クラックの発生があり、基板としては、必ずしも好ましいものではない。