"表面に導電部材を有する基体を準備する第1の工程と、絶縁基板と半導体層とを有する発光素子を、前記絶縁基板を上にした状態で前記導電部材に載置する第2の工程と、前記導電部材の表面を電着法又は静電塗装により反射部材で被覆する第3の工程と、前記反射部材を透光性の絶縁層で被覆する第4の工程と、前記絶縁基板を剥離する第5の工程と、前記第5の工程により露出された前記半導体層の表面を、電着法又は静電塗装により波長変換部材で被覆する第6の工程と、を順に有する発光装置の製造方法。前記反射部材は、SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、ZnO2、Nb2O5、MgO、SrO、In2O3、TaO2、HfO、SeO、Y2O3、SiN、AlN、AlON及びMgF2からなる群から選ばれた1種類以上を含む請求項1に記載の発光装置の製造方法。前記第3の工程において、前記導電部材の表面から、前記半導体層の側面に沿って、前記反射部材を連続的に被覆する請求項1又は請求項2に記載の発光装置の製造方法。前記第6の工程の後に、前記波長変換部材が被覆された前記半導体層上を透光性部材で被覆する第7の工程を有する請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。前記第3の工程の前に、保護素子を載置し、前記保護素子と前記導電部材とを電気的に接続する第8の工程を有し、前記第3の工程により、前記保護素子の表面を、前記反射部材で被覆する請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。前記反射部材の屈折率は、前記絶縁層の屈折率より高い請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。前記透光性部材の屈折率は、前記絶縁層の屈折率より高い請求項4乃至請求項6のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。前記第3の工程において、前記絶縁基板の側面の少なくとも一部及び上面を露出し、かつ、前記半導体層の側面を被覆するように前記反射部材を被覆する請求項1乃至7のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、蛍光体層を意図する部位にのみ配置することにより色むらを低減し、さらに光取り出し効率の高い発光装置の製造方法を提供することを目的とする。前記課題を解決するために、本発明に係る発光装置の製造方法は、表面に導電部材を有する基体を準備する第1の工程と、絶縁基板と半導体層とを有する発光素子を、前記絶縁基板を上にした状態で前記導電部材に載置する第2の工程と、前記導電部材の表面を電着法又は静電塗装により反射部材で被覆する第3の工程と、前記反射部材を透光性の絶縁層で被覆する第4の工程と、前記絶縁基板を剥離する第5の工程と、前記第5の工程により露出された前記半導体層の表面を、電着法又は静電塗装により波長変換部材で被覆する第6の工程と、を順に有する。また、前記反射部材は、SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、ZnO2、Nb2O5、MgO、SrO、In2O3、TaO2、HfO、SeO、Y2O3、SiN、AlN、AlON及びMgF2からなる群から選ばれた1種類以上を含むことができる。前記第3の工程において、前記導電部材の表面から、前記半導体層の側面に沿って、前記反射部材を連続的に被覆することが好ましい。前記第6の工程の後に、前記波長変換部材が被覆された前記半導体層上を透光性部材で被覆する第7の工程を有することが好ましい。前記第3の工程の前に、保護素子を載置し、前記保護素子と前記導電部材とを電気的に接続する第8の工程を有し、前記第3の工程により、前記保護素子の表面を、前記反射部材で被覆することが好ましい。前記反射部材の屈折率は、前記絶縁層の屈折率より高いことが好ましい。前記透光性部材の屈折率は、前記絶縁層の屈折率より高いことが好ましい。前記第3の工程において、前記絶縁基板の側面の少なくとも一部及び上面を露出し、かつ、前記半導体層の側面を被覆するように前記反射部材を被覆することが好ましい。以下、本発明に係る発光装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については、原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。図1~図5は、本実施形態に係る発光装置の製造工程を示す概略断面図である。本実施形態に係る発光装置の製造方法は、主として、表面に導電部材20a、20bを有する基体10を準備する工程第1の工程と、絶縁基板2と半導体層1とを有する発光素子30を、絶縁基板2を上にした状態で導電部材20a、20bに載置する工程第2の工程と、電着法又は静電塗装により導電部材20a、20bの表面を反射部材40で被覆する工程第3の工程と、反射部材40を透光性の絶縁層90で被覆する工程第4の工程と、絶縁基板2を剥離する工程第5の工程と、第5の工程により露出された半導体層1の表面を、電着法又は静電塗装により波長変換部材80で被覆する工程第6の工程と、を順に有する。第1の工程まず、表面に導電部材20を有する基体10を準備する。基体10は、その上に発光素子30が搭載される部材である。図1では平板形状であるが、キャビティーと称されるような凹部等を設けることもできる。なお、ここでは発光装置1つを用いて説明しているが、最終工程で分割するまでは基体10は集合体となっており、分割することで個々の発光装置とされる。基体10の材料としては、絶縁性材料が好ましく、発光素子30から放出される光や外光等が透過しにくい材料が好ましい。また、ある程度の強度を有するものが好ましい。より具体的には、セラミックスAl2O3、AlN等、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、BTレジン、ポリフタルアミドPPA等の樹脂が挙げられる。なお、基体10の材料に樹脂を用いる場合は、ガラス繊維や、SiO2、TiO2、Al2O3等の無機フィラーを樹脂に混合し、機械的強度の向上、熱膨張率の低減、光反射率の向上等を図ることもできる。基体10の表面に形成される導電部材20a、20bは、外部と発光素子30とを電気的に接続し、発光素子30に外部からの電流電力を供給するための部材である。すなわち、外部から通電させるための電極またはその一部としての役割を担うものである。本実施形態では、導電部材20a、20bが、正の電極と、負の電極と、を有しており、これらの電極が基体10上で離間して設けられているこの離間した部分を溝部Gという。導電部材20a、20bの材料は、基体10として用いられる材料等によって当該分野で公知のものを適宜選択することができる。例えば、基体10の材料としてセラミックを用いる場合は、導電部材20a、20bの材料は、セラミックスシートの焼成温度にも耐え得る高融点を有する材料が好ましく、例えば、タングステン、モリブデンのような高融点の金属を用いるのが好ましい。さらにその上に、金属膜を単層または多層で形成してもよい。例えば、銀、銅、金、アルミニウム、ロジウム等を単体又は合金で用いてもよい。熱伝導率等に優れた金を単体で用いることが好ましい。金属膜の膜厚は、0.05μm~50μm程度であることが好ましい。多層膜とする場合は、層全体の厚さをこの範囲内とするのが好ましい。本実施形態では、導電部材20a、20bは、後の工程で反射部材40により被覆される。そのため、反射性に優れる材料を用いなくても、光取り出し効率の低下が抑制される。第2の工程次に、発光素子30を導電部材20a、20bに載置する。発光素子30は、成長用の絶縁基板2の上に半導体層1が積層されて形成された発光素子30である。この半導体層1は、n型半導体層、活性層、p型半導体層が順に積層されており、n型半導体層にn側電極が形成されており、p型半導体層にはp側電極が形成されている。発光素子30は、絶縁基板2を上にした状態で、導電部材20a、20bに跨るように、接合部材60を介して載置されている。なお、発光素子30は単数個であっても、複数個用いていてもよい。発光素子をワイヤレスとすることにより、ワイヤによる光吸収が防止され、発光した光を効率よく取り出すことができる。接合部材60は、発光素子30の、半導体1側に形成された電極図示しないと導電部材20a、20bとを電気的に接続するものであり、また、発光素子30を基体10に接着させる部材である。この接合部材60には導電性の部材を用いる。具体的な材料としては、Au、Ag、Pdなどの導電性ペースト、Au含有合金、Ag含有合金、Pd含有合金、In含有合金、Pb-Pd含有合金、Au-Ga含有合金、Au-Sn含有合金、Sn含有合金、Au-Ge含有合金、Au-Si含有合金、Al含有合金、Cu-In含有合金、金属とフラックスの混合物等を挙げることができる。また、接合部材60としては、液状、ペースト状、固体状シート状、ブロック状、粉末状のものを用いることができ、組成や基体10の形状等に応じて、適宜選択することができる。また、これらの接合部材60は、単一部材で形成してもよく、あるいは、数種のものを組み合わせて用いてもよい。本実施の形態においては、発光素子として発光ダイオードを用いるのが好ましい。発光素子は、任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色や緑色波長490nm~570nmの光の発光素子を用いる場合には、ZnSeや窒化物半導体InXAlYGaN、0≦X、0≦Y、XY≦1、GaPを用いたものを用いることができる。また、窒化物半導体を積層させるための絶縁基板としては、サファイアやスピネルが好適に用いられる。第3の工程次に、導電部材の表面を電着法又は静電塗装により反射部材40で被覆する。反射部材40は、主として導電部材20a、20bを被覆するものであり、光の取り出し効率の低下を抑制する一方、後の工程においては、適切な位置に絶縁領域を形成するために用いることで、反射部材形成領域には波長変換部材が付着しないようにする役割を担う。反射部材40は、白色のフィラーであることが好ましく、また、主として無機化合物を用いることが好ましい。ここでの白色とは、フィラー自体が透明であった場合でも、フィラーの周りの材料と屈折率差がある場合に散乱で白色に見えるものも含む。具体的には、SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、ZnO2、Nb2O5、MgO、SrO、In2O3、TaO2、HfO、SeO、Y2O3等の酸化物や、SiN、AlN、AlON等の窒化物、MgF2等のフッ化物が挙げられ、これらの材料の1種類以上を含むことが好ましい。これらは、単独で用いても良いし、または、混合して用いてもよい。あるいは、積層させてもよい。フィラーとしては、粒径が1nm~10μm程度の範囲のものを用いることが好ましい。さらに好ましくは100nm~5μmである。これにより、光を良好に散乱させることができる。また、フィラーの形状は、球形でも鱗片形状でもよい。反射部材40は、図2a~cに示すように、基体10の表面に形成された導電部材20a、20bの表面に形成されている。この反射部材は、少なくとも発光素子の近辺に形成されていればよく、これにより、基体10や導電部材20a、20bで吸収されていた光を反射させて外部に取り出すことができる。図2aでは、発光素子30の直下であって、導電部材20a、20bの間溝部Gにも反射部材40が形成されている。導電部材20a、20bの隙間は、基体10が露出している部分であるため、この部分も反射部材40で被覆することで、さらに光取り出し効率を向上させることができる。さらに、図2a、bに示すように、発光素子30の下端部3においても、接合部材60を被覆するように、反射部材40が形成されている。これにより、接合部材60に吸収される光も反射させて取り出すことができるため好ましい。一方、反射部材40の形成条件によっては、図2b、cに示すように、発光素子30直下に位置する溝部Gや、発光素子30の下端部3が反射部材40で被覆されない場合もある。この場合であっても、発光素子30の直下以外の部分の溝部Gは、反射部材40で被覆することが好ましい。これにより、この溝部Gを介して光が漏れることを抑制することができる。この溝部Gの幅は、200μm以下とするのが好ましい。溝部Gの幅が200μm以下であると、反射部材40、特にフィラーが溝部を被覆しやすくなる。また、溝部Gの幅を100μmとすることで、フィラーが溝部をより被覆しやすくなり、好ましい。また、発光素子30の直下以外の部分の溝部Gは、反射部材40に完全に被覆されていることがより好ましい。また、下限については限定されるものではないが、電極同士の接触を防止する観点から、30μm以上が好ましい。なお、導電部材20a、20bの表面から、半導体層1の側面に沿って、反射部材40を連続的に被覆することが好ましい。これにより、発光素子からの発光が基体側に漏れる割合を少なくすることができる。反射部材40は、電着法又は静電塗装法により形成される。これらの方法を用いることにより、導電部材20a、20bや半導体層1に対して選択的に、効率良く反射部材40を堆積させることができる。後の工程で絶縁基板2を剥離する際に、剥離のしやすさの観点から、絶縁基板2の上面には反射部材40や絶縁層90が被覆されていないことが好ましい。そのため、第3の工程においては、絶縁基板2の側面の少なくとも一部及び上面を露出し、かつ、半導体層1の側面を被覆するように反射部材40を形成することが好ましい。電着法又は静電塗装法により形成することにより、選択的に反射部材を被覆することができる。また、集合基板に対し、一度に反射部材40を形成することができるため、量産性に優れており、好ましい。なお、例えば、導電部材20a、20bの一部を外部電極として用いる場合には、外部電極とされる部分にマスク等を形成しておき、反射部材40を形成した後にマスク等を除去することにより、導電部材20a、20bの一部を露出させればよい。ここで、電着法により反射部材40、例えばフィラーを導電部材に堆積する方法について説明する。まず、フィラーを含む溶液中に、発光素子が載置された基体を配置させる。次に、その溶液中における電気泳動により、フィラーを導電部材20a、20bに堆積させる。このようなフィラーを堆積させる方法は、溶液中において、発光素子30が載置された基体10と対向配置される電極を配置し、この電極に電圧を印加することにより溶液中で帯電されたフィラーを電気泳動させることで導電部材20a、20bにフィラーを堆積させるものである。ここで、堆積されたフィラーの厚みは、堆積条件や時間により適宜調整することができるが、少なくとも10μm以上の厚みであることが好ましい。電着用の電解液には、フィラーを分散させた混合液を用いる。この電解液には、その中を帯電されたフィラーが静電気力を受けて移動することができるものであれば特に材料は限定されない。例えば、電解液にフィラーを溶解させる酸やアルカリ、例えば、アルカリ土類金属のイオンMg2などを含んだ硝酸を含有させたりすることができる。また、電解液には金属アルコキシドを含有させてもよい。具体的には、Al、Sn、Si、Ti、Y、Pbあるいはアルカリ土類金属から選択される元素を構成元素として含む有機金属材料である。電解液に含まれる材料としては、その他にも、金属アルコレート、あるいは金属アルコキサイドと有機溶剤とを所定の割合で混合してなるゾル中にフィラーを分散させた混合液を電解液とすることもできる。その他にも、電解液はイソプロピルアルコールを母液とする溶液に、有機溶剤としてアセトン、有機金属材料としてアルミナゾルおよびフィラーを含有させた混合溶液とすることができる。本実施形態においては、発光素子30は絶縁基板2を上にした状態で、導電部材20a、20bに跨るように載置されているため、電着法又は静電塗装法で反射部材40を堆積させると、図2a~cに示すように、絶縁基板2には反射部材40が被覆されず、半導体層1と導電部材20a、20bに選択的に堆積される。なお、図2a~cに示すように、半導体層1に被覆された反射部材40が、その塗布量や厚み等によっては、絶縁基板2にも這い上がるように形成されていてもよい。第4の工程次に、反射部材40を透光性の絶縁層90で被覆する。この工程によって、以降の工程では、反射部材40が形成された箇所が絶縁化されることとなる。これにより、以降の工程で、再度電着法又は静電塗装法で波長変換部材を配置させる場合に、反射部材40の上には選択的に波長変換部材が形成されないようにすることができる。また、反射部材40を導電部材20a、20bに密着させることができ、以降の工程で反射部材40の脱落を抑制することができる。絶縁層90は、反射部材40で光を反射させるために光を透過可能なものであれば、特に材料は限定されないが、好ましくは透光性の樹脂又はガラス材料である。具体的な樹脂材料としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂等を挙げることができる。反射部材40がフィラー粒子の堆積からなる場合、フィラーとフィラーの間には、隙間が存在する。この隙間を埋めるように樹脂又はガラス等を含浸させることで、反射部材40を絶縁化しても良いし、フィラーとフィラーの隙間を埋めることなく、反射部材40の表面をコーティングするような形で絶縁化しても良い。また、この絶縁層90を、発光素子30の直下にも延在させることにより、アンダーフィルとしての機能を持たせることもできる。これにより、後の工程で絶縁基板2を除去する際の半導体層1の破損を抑制する役割を持たせることもできる。ここで、反射部材40の屈折率は、絶縁層90の屈折率より高いことが好ましい。反射部材40の屈折率を高くすると、絶縁層90との屈折率差を設けやすく、光散乱性が増して反射率を向上させることができる。第5の工程次に、図4に示すように、発光素子30の絶縁基板2を剥離する。絶縁基板2を剥離することで、導電部である半導体層1を露出させ、以降の工程で選択的に波長変換部材を形成させることができるようになる。なお、この工程を第4の工程の後に行うことにより、絶縁基板2に絶縁層90が付着していたとしても、絶縁層90ごと取り除くことができる。絶縁基板2の剥離方法としては、研磨法やレーザーリフトオフ法を用いることができる。さらに、絶縁基板2を剥離して露出した半導体層1の表面に、光取り出し効率を向上させるための凹凸加工をすることも可能である。レーザーリフトオフ法の場合、絶縁基板2側から半導体層1にレーザー光を照射することにより、絶縁基板2を剥離する。この際に、半導体層1よりも上方に所望の波長のレーザー光を吸収させる層があると、半導体層1にレーザー光を照射することができないため、そのような層がないことが好ましい。ただし、レーザー光を透過させることが可能な場合は薄い樹脂層等があっても構わない。例えば、透光性の絶縁層90が樹脂からなり、その形成の際に絶縁基板2の上面にまで這い上がったような場合であっても、レーザー光を透過させ、絶縁基板2を剥離可能であればよい。なお、絶縁基板2の剥離除去後に、半導体層1の表面を塩酸水溶液等で洗浄することができる。このとき、図4に示すように、反射部材40及び絶縁層90のうち、絶縁基板2を剥離することで、剥離された絶縁基板2の側面と接していた部分が露出され、半導体層の上部に、半導体層1の上面を底面とした凹部4が形成されることがある。このようにすると、ある程度の厚みをもった波長変換部材80を形成しても、波長変換部材80の側面が反射部材40及び絶縁層90に被覆されるような形になる。第6の工程次に、第5の工程により露出された半導体層1の表面を、電着法又は静電塗装により波長変換部材80で被覆する。波長変換部材は、発光素子半導体層からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を発する部材である。例えば、具体的には、蛍光体、蛍光顔料、蛍光染料等が該当する。波長変換部材としては、発光素子からの光を、より長波長に変換させるもののほうが効率がよい。波長変換部材は1種で単層に形成してもよいし、2種以上の部材が混合された単層を形成してもよいし、単層を2層以上積層してもよい。蛍光体は、例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される、窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体を用いることができる。より具体的には、大別して下記1~3にそれぞれ記載された中から選ばれる少なくともいずれか1以上であることが好ましい。1Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に賦活される、アルカリ土類ハロゲンアパタイト、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン、アルカリ土類金属アルミン酸塩、アルカリ土類金属硫化物、アルカリ土類金属チオガレート、アルカリ土類金属窒化ケイ素、ゲルマン酸塩等の蛍光体2Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される、希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩、アルカリ土類金属希土類ケイ酸塩等の蛍光体3Eu等のランタノイド系元素で主に賦活される、有機または有機錯体等の蛍光体中でも、前記2のCe等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体であるYAGYttriumAluminumGarnet系蛍光体が好ましい。YAG系蛍光体は、次の21~24などの組成式で表される。21Y3Al5O12:Ce22Y0.8Gd0.23Al5O12:Ce23Y3Al0.8Ga0.25O12:Ce24Y,Gd3Al,Ga5O12:Ceまた、例えば、Yの一部または全部をTb、Lu等で置換してもよい。具体的には、Tb3Al5O12:Ce、Lu3Al5O12:Ce等でもよい。さらに、前記した蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、作用、効果を有する蛍光体も使用することができる。蛍光体の粒径は、特に限定されないが、0.2~30μm程度であることが好ましい。波長変換部材80は、電着法又は静電塗装により、実質的に半導体層2のみを被覆するように形成される。電着法又は静電塗装とすることにより、波長変換部材80を選択的に形成することができる。電着法又は静電塗装は第3の工程で反射部材40の堆積方法として述べたものと同様にして、フィラー粒子を蛍光体粒子に変更することで、導電部に選択的に波長変換部材を堆積させることができる。第3の工程と同様に、集合基板に対し一度に波長変換部材80を形成することができるため、量産性に優れており好ましい。波長変換部材の厚みは、10~100μm程度とすることが好ましく、この厚みは狙いの色調に応じて、堆積条件や時間により適宜調整することができる。ここで、本実施形態においては、第4の工程及び第5の工程を経ることにより、反射部材40の上方は絶縁部とされており、半導体層1が露出された部分は導電部とされている。反射部材40も、電着または静電塗装により形成されているため、第5の工程により新たに露出される部分以外の導電部は、既に反射部材が形成されており、さらにその上から絶縁層が被覆されている。このため、反射部材40の上には波長変換部材が形成されず、半導体層1にのみ形成される。これにより、半導体層1の表面以外の部分に波長変換部材80が形成されることがないため、余分な蛍光体が存在することによる色むらを低減することができる。また、半導体層1の近傍は反射部材40で被覆されているため、基体10による光吸収が抑制され、光取り出し効率を向上させることができる。その他の工程本実施形態の製造方法は、さらに以下の工程を備えることができる。第7の工程第6の工程の後に、波長変換部材80が被覆された半導体層1上を透光性部材50で被覆することが好ましい。透光性部材50は、基体10に搭載された発光素子半導体層1や波長変換部材80、反射部材40等を、塵芥、水分、外力等から保護する部材である。透光性部材50の材料は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、ガラス等を挙げることができる。このような材料に加え、所望に応じて着色剤、光拡散剤、フィラー等を含有させることもできる。なお、透光性部材50の屈折率は、絶縁層90の屈折率よりも高くすることが好ましい。透光性部材50が高い屈折率を持つことにより、発光素子半導体層1からの光取り出し量を多くすることができ、加えて透光性部材50と絶縁層90の界面において、透光性部材50側から絶縁層90に入射する光は屈折率差に対応する臨界角以上の光を全反射することから、光の吸収損失をより小さくすることが可能である。なお、透光性部材50にレンズ機能を持たせてもよい。例えば、透光性部材50の表面を盛り上がらせて砲弾型形状や凸レンズ形状としてもよい。透光性部材50の形成方法としては、樹脂を滴下して硬化させるポッティング法や、圧縮成形、射出成形、印刷など、当該分野で発光素子をモールドする際に用いられる公知の方法によって形成することができる。このとき、波長変換部材80に透光性部材50を含浸させることが好ましい。また、後に外部電極とするために、導電部材20a、20bの一部をマスク等で覆っている場合には、透光性部材50の形成後にマスク等を除去することで、透光性部材50が外部電極を覆ってしまうことがなくなるため好ましい。第8の工程本実施形態において、必要に応じて保護素子をさらに備えることが好ましい。保護素子は、例えばツェナーダイオード等の役割を担うものである。保護素子は、第3の工程の前に載置し、保護素子と導電部材20a、20bとを電気的に接続することが好ましい。その後、第3の工程で導電部材20a、20bを反射部材40で被覆するのと同時に、保護素子の表面を反射部材40で被覆することが好ましい。保護素子は、その全体が半導体からなるものを用いることにより、電極部分を含めその全体が導電体とされているため、電着法等によって保護素子の表面全体に反射部材40を被覆させることができる。また、保護素子の電極と導電部材とを接続する際に、ワイヤを用いてもよい。この場合、ワイヤも導電性であるため、ワイヤの表面も同時に反射部材40で被覆することができる。ここでワイヤの表面とは、特にワイヤの上面に限定されるものではなく、ワイヤの下面等の露出面を含むものである。これにより、保護素子やワイヤによる光の吸収損失を抑制することができる。保護素子はその露出部の50以上を反射部材40で被覆していることが好ましく、さらに載置面以外の面の全てが反射部材40に被覆されることがより好ましい。これにより、保護素子による光の吸収損失を抑制することができる。さらに、本発明を行うにあたり、各工程に悪影響を与えない範囲において、各工程の間あるいは前後に、前記した工程以外の工程を含めてもよい。例えば、基体10を洗浄する基体洗浄工程や、ごみ等の不要物を除去する不要物除去工程や、発光素子30や保護素子の載置位置を調整する載置位置調整工程等、他の工程を含めてもよい。発光装置図6に、以上に述べた方法で製造された発光装置100を示す。図6に示すように、発光装置100は、表面に導電部材20a、20bを有する基体10と、導電部材20a、20bに載置されて電気的に接続された半導体層1と、半導体層1の上面に半導体層1と略同じサイズで形成された波長変換部材80と、導電部材40の表面及び半導体層1の側面を被覆する反射部材40と、反射部材40を被覆する絶縁性の透光性樹脂絶縁層90に該当と、を有してなる。図6に示す発光装置100では、平板状の基体10の表面には、一対の電極となる導電部材20a、20bが形成されている。導電部材20a、20bは、基材10の両端部近傍に位置する部分が外部電極20cとされており、反射部材40から露出されている。発光素子半導体層1の電極が、導電部材60を介して導電部材20a、20bに実装されており、反射部材40が導電部材20a、20bの表面から半導体層1の側面を連続して被覆している。さらに、反射部材40は絶縁層90で被覆されている。また、半導体層1及び波長変換部材80を覆うように、透光性部材50が、凸状のレンズ形状で設けられている。この透光性部材50は、半導体層1上の波長変換部材80及び反射部材40の上に形成されている。透光性部材50の表面が光取り出し面となるため、基板10側の面のうち、半導体層1と対向する面以外の面は、全て反射部材40で覆われていることが好ましい。このようにすることにより、透光性部材50の下面が、半導体層1と略同じサイズの波長変換部材と、反射部材40とで覆われるような構造となるため、光取り出し効率が高く、良質な点光源を形成することができる。なお、発光素子半導体層1の個数は、特に限定されず、複数個用いていても構わない。ただし、点光源としたい場合には、隣り合う発光素子半導体層1の距離を近づけ、光源半導体層1をなるべく一箇所に集中させて配置することが好ましい。また、点光源ではなく、面状の光源としたい場合には、隣り合う発光素子の距離を適宜離し、均等に光が取り出せるように調節する。本実施形態では、個々の発光素子において色むらを低減することができるため、発光素子を複数並べても同様に色むらを低減させることができる。また、変形例として図7に発光装置200を示す。この発光装置200は、基体11として発光素子30を収納する凹部を備えており、該凹部の底面に露出された導電部材20a、20bに発光素子半導体層1が載置されている。また、接合部材60を介して導電部材20aに保護素子5を接続しており、ワイヤ8で、発光素子と逆並列に接続されている。外部電極20cは、基体11の裏面側に設けられている。基体11の内側面には、導電部材からなるリフレクタ20dが形成されており、発光素子からの光が外部に透過しないような構成とされている。リフレクタ20dは導電性であるため、電着又は静電塗装により反射部材40を被覆することができる。さらに、リフレクタ20dに被覆された反射部材40を、透光性の絶縁層90で被覆することもできる。これにより、波長変換部材80を電着する際に、リフレクタ20dに波長変換部材80が被覆されないようにすることができる。なお、リフレクタ20dが凹部の上面にまで設けられていると、絶縁層90で被覆する際に、凹部の外側上面に絶縁層90がはみ出すことがある。このため、図7に示すように、凹部の側面に段差が形成されており、段差の側面には、リフレクタ20dが形成されない領域を有している。これにより、凹部の外側上面に絶縁層90がはみ出すことを抑制することができる。その他の構成は、先に述べた実施形態と実質的に同じである。"