"液体を介して露光光で露光される基板を保持する基板保持装置であって、開口と、前記開口内で前記基板を保持するための保持面を有する第1保持部と、を備え、前記開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第1面と、前記第1面の上方に設けられた前記第1面と非平行な第2面とを有し、前記第2面は、前記第1面と前記第2面との境界部から、上に向かって、かつ前記開口の中心に対して外側に向かって延び、前記第1面と前記第2面の境界部は、前記第1保持部に保持された前記基板の表面とほぼ同じ高さ、もしくは前記基板の表面より高い基板保持装置。前記第1面の下方に形成され、前記第1面と非平行な第3面を有し、前記第3面は、前記第1面と前記第3面との境界部から、下に向かって、かつ前記開口の中心に対して外側に向かって延びる請求項1記載の基板保持装置。前記第3面は、前記液体に対して撥液性である請求項2記載の基板保持装置。前記第3面は、面取り処理によって形成される請求項2又は3記載の基板保持装置。前記第1面は、前記保持面に対してほぼ垂直である請求項1~4のいずれか一項記載の基板保持装置。前記第1面は、前記第1面と前記第2面の境界部から、下に向かって、かつ前記開口の中心に対して外側に向かって延びる請求項1~4のいずれか一項記載の基板保持装置。前記第1保持部の保持面と垂直な軸と前記第2面とがなす角度は、前記軸と前記第1面とがなす角度より大きい請求項6記載の基板保持装置。前記第1保持部の保持面と垂直な方向に関して、前記第1面は前記第2面より大きい請求項6又は7記載の基板保持装置。前記第1面と前記第2面とがなす角度は90度以上である請求項6~8のいずれか一項記載の基板保持装置。前記保持面とほぼ平行な第4面を有し、前記第2面と前記第4面の境界部は、前記第1面と前記第2面との境界部よりも上方にあり、前記第4面は、前記第2面と前記第4面との境界部から前記開口の中心に対して外側に向かって延びる請求項1~9のいずれか一項記載の基板保持装置。前記第4面は、前記液体に対しては撥液性である請求項10記載の基板保持装置。液体を介して露光光で露光される基板を保持する基板保持装置であって、開口と、前記開口内で前記基板を保持するための保持面を有する第1保持部と、を備え、前記開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第1面と、前記第1面の上方に設けられた第2面とを有し、前記第2面は、前記第1面と前記第2面との境界部から、上に向かって、かつ前記開口の中心に対して外側に向かって延び、前記第1面が、前記第1面と前記第2面との境界部から、下に向かって、かつ前記開口の中心に対して外側に向かって延びる基板保持装置。前記第1面と前記第2面とがなす角度は90度以上である請求項12記載の基板保持装置。前記第1保持部の保持面と垂直な軸と前記第2面とがなす角度は、前記軸と前記第1面とがなす角度より大きい請求項12又は13のいずれか一項記載の基板保持装置。前記第1保持部の保持面と垂直な方向に関して、前記第1面は前記第2面より大きい請求項12~14のいずれか一項記載の基板保持装置。液体を介して露光光で露光される基板を保持する基板保持装置であって、開口と、前記開口内で前記基板を保持するための保持面を有する第1保持部と、を備え、前記開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第1面と、前記第1面の上方に設けられた第2面と、前記第1面の下方に設けられた第3面とを有し、前記第2面は、前記第1面と前記第2面との境界部から、上に向かって、かつ前記開口の中心に対して外側に向かって延び、前記第3面は、前記第1面と前記第3面との境界部から、下に向かって、かつ前記開口の中心に対して外側に向かって延び、前記第1保持部の保持面と垂直な軸と前記第2面とがなす角度は、前記軸と前記第3面とがなす角度より大きい基板保持装置。前記第2面と前記第3面とがなす角度は90度以上である請求項16記載の基板保持装置。前記第1保持部の保持面と垂直な方向に関して、前記第3面は前記第1面より大きい請求項16又は17記載の基板保持装置。液体を介して露光光で露光される基板を保持する基板保持装置であって、開口と、前記開口内で前記基板を保持するための保持面を有する第1保持部と、を備え、前記開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第1面と、前記第1面の上方に設けられた第2面と、前記第1面の下方に設けられた第3面とを有し、前記第2面は、前記第1面と前記第2面との境界部から、上に向かって、かつ前記開口の中心に対して外側に向かって延び、前記第3面は、前記第1面と前記第3面との境界部から、下に向かって、かつ前記開口の中心に対して外側に向かって延び、前記第1保持部の保持面と垂直な方向に関して、前記第3面は前記第1面より大きい基板保持装置。前記第1保持部の保持面と垂直な軸と前記第2面とがなす角度は、前記軸と前記第3面とがなす角度より大きい請求項19記載の基板保持装置。前記第1面は、前記第1保持部の保持面に対してほぼ垂直である請求項16~20のいずれか一項記載の基板保持装置。前記保持面とほぼ平行な第4面を有し、前記第2面と前記第4面の境界部は、前記第1面と前記第2面との境界部よりも上方にあり、前記第4面は、前記第2面と前記第4面の境界部から前記開口の中心に対して外側に向かって延び請求項12~21のいずれか一項記載の基板保持装置。前記第4面は、前記液体に対して撥液性である請求項22記載の基板保持装置。前記第4面は、前記第1保持部に保持された前記基板の表面とほぼ同じ高さである請求項22又は23記載の基板保持装置。前記第1面は、前記液体に対して撥液性である請求項1~24のいずれか一項記載の基板保持装置。前記第2面は、前記液体に対して撥液性である請求項1~25のいずれか一項記載の基板保持装置。前記第1保持部は、前記基板の側面と前記第1面の少なくとも一部とがギャップを介して対向するように、前記基板を保持する請求項1~26のいずれか一項記載の基板保持装置。前記基板の側面は、前記液体に対して撥液性の撥液領域を含み、前記第1面の少なくとも一部は、前記撥液領域と対向する請求項27記載の基板保持装置。前記第1面は、前記第1保持部に保持された前記基板の側面に沿うように設けられている請求項27又は28記載の基板保持装置。前記基板の側面は、前記基板の表面とほぼ垂直な垂直領域と、前記垂直領域の上端と前記基板の表面とを結ぶ上方領域と、前記垂直領域の下端と前記基板の裏面とを結ぶ下方領域とを含み、前記第1保持部は、前記基板の表面が前記保持面とほぼ平行となるように前記基板を保持する請求項27~29のいずれか一項記載の基板保持装置。プレート部材をリリース可能に保持する第2保持部をさらに備え、前記プレート部材を前記第2保持部で保持することによって、前記第1保持部の周囲に前記開口が設けられる請求項1~30のいずれか一項記載の基板保持装置。前記プレート部材は、前記開口を有する請求項31記載の基板保持装置。前記第2面は、面取り処理によって形成される請求項1~32のいずれか一項記載の基板保持装置。液体を介して露光光で露光される基板を保持する基板保持装置であって、開口と、前記開口内で前記基板を保持するための保持面を有する第1保持部と、を備え、前記開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第1斜面部と、前記第1斜面の上方に設けられた第2斜面部とを有し、前記第1斜面部は、前記第1保持部に保持された前記基板から離れるにつれて低くなり、前記第2斜面部は、前記第1保持部に保持された前記基板から離れるにつれて高くなり、前記第1保持部の保持面と垂直な方向に関して、前記第1斜面部は前記第2斜面部より大きい基板保持装置。前記第1斜面部と前記第2斜面部とがなす角度は90度以上である請求項34記載の基板保持装置。前記保持面に垂直な軸に対して前記第1斜面部がなす角度は、前記軸と前記第2斜面部とがなす角度より小さい請求項34又は35記載の基板保持装置。前記第1斜面部、及び第2斜面部は、前記液体に対して撥液性である請求項34~36のいずれか一項記載の基板保持装置。請求項1~37のいずれか一項に記載の基板保持装置を備え、前記基板保持装置に保持された基板を液体を介して露光する露光装置。請求項38記載の露光装置を用いて基板を露光することと、前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。請求項1~37のいずれか一項記載の基板保持装置に基板を保持することと、前記基板保持装置に保持された前記基板に液体を介して露光光を照射することと、を含む露光方法。請求項40記載の露光方法を用いて基板を露光することと、前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。液体を介して露光される基板の周囲に配置されるプレート部材であって、基板を配置するための開口と、前記開口の周囲に形成された表面と、を備え、前記開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第1面と、前記第1面に隣接して設けられた第2面とを有し、前記第1面は、前記第1面と前記第2面との境界部から、前記表面と垂直な第1方向に向かって、かつ前記開口の中心に対して外側に向かって延び、前記第2面は、前記第1面と前記第2面との境界部から、前記第1方向と逆向きの第2方向に向かって、かつ前記開口の中心に対して外側に向かって延びるプレート部材。液体を介して露光される基板の周囲に配置されるプレート部材であって、基板を配置するための開口と、前記開口の周囲に形成された表面と、を備え、前記開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第1面と、前記第1面の一側に隣接して設けられた第2面と、前記第1面の他側に隣接して設けられた第3面とを有し、前記第2面は、前記第1面と前記第2面との境界部から、前記表面と垂直な第1方向に向かって、かつ前記開口の中心に対して外側に向かって延び、前記第3面は、前記第1面と前記第3面との境界部から、前記第1方向と逆向きの第2方向に向かって、かつ前記開口の中心に対して外側に向かって延び、前記表面と垂直な軸と前記第2面とがなす角度は、前記軸と前記第3面とがなす角度より大きいプレート部材。液体を介して露光される基板の周囲に配置されるプレート部材であって、基板を配置するための開口と、前記開口の周囲に形成された表面と、を備え、前記開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第1面と、前記第1面の一側に隣接して設けられた第2面と、前記第1面の他側に隣接して設けられた第3面とを有し、前記第2面は、前記第1面と前記第2面との境界部から、前記表面と垂直な第1方向に向かって、かつ前記開口の中心に対して外側に向かって延び、前記第3面は、前記第1面と前記第3面との境界部から、前記第1方向と逆向きの第2方向に向かって、かつ前記開口の中心に対して外側に向かって延び、前記第1及び第2方向と平行な方向に関して、前記第3面は第1面より大きいプレート部材。液浸露光装置における基板の少なくとも一部を囲む壁であって、前記基板に向かって下がる傾斜を有する第1斜面と、前記第1斜面の下端における角であって、前記基板に比較的近くかつ、前記基板の表面と実質的に同じ高さ位置又は前記基板の表面より高い位置に配置される前記角と、を備える壁。前記第1斜面の下方に位置しかつ、前記基板の厚み方向に実質的に沿った実質的縦面と、前記実質的縦面の下方に位置しかつ、前記基板に向かって上がる傾斜を有する第2斜面と、をさらに備える請求項45記載の壁。前記基板の厚み方向に関して、前記実質的縦面の長さは前記第1斜面の長さより大きい請求項45又は46記載の壁。前記第1斜面と前記実質的縦面との間の角度は、90°以上である請求項45~47のいずれか一項記載の壁。前記第2斜面は、液体に対して撥液性を有する請求項46~48の少なくとも一項記載の壁。前記第1斜面の下方に位置しかつ、前記基板に向かって上がる傾斜を有する第2斜面であって、前記第1斜面と前記角で交わる前記第2斜面を、さらに備える請求項45記載の壁。前記基板の厚み方向に沿った軸と前記第1斜面との間の角度は、前記軸と前記第2斜面との間の角度よりも大きい請求項50記載の壁。前記第1斜面の上に位置しかつ、液体に対して撥液性を有しかつ、前記基板の厚み方向と直交する方向に沿った実質的横面を、さらに備える請求項45~51のいずれか一項記載の壁。液浸露光装置における基板の少なくとも一部を囲む壁であって、前記基板に向かって下がる傾斜を有する第1傾斜部と、前記第1傾斜部の下に位置しかつ、前記基板に向かって上がる傾斜を有する第2傾斜部と、前記第1傾斜部の下端における角であって、前記基板に実質的に最も近くかつ、前記基板の表面に比較的近い高さ位置に配置される前記角と、を備える壁。前記基板の厚み方向に関して、前記第2傾斜部の長さは前記第1傾斜部の長さより大きい、請求項53記載の壁。前記第1傾斜部の表面と前記第2傾斜部の表面との間の角度は、90°以上である、請求項53又は54記載の壁。前記基板の厚み方向に沿った軸と前記第1傾斜部の傾斜との間の角度は、前記軸と前記第2傾斜部の傾斜との間の角度よりも大きい、請求項54又は55記載の壁。前記第1傾斜部の傾斜、前記第2傾斜部の傾斜、及び前記角は、前記基板に向かって実質的に突き出た、前記基板の厚み方向に沿った輪郭を形成する請求項53~56のいずれか一項記載の壁。前記輪郭は、前記基板の厚み方向と直交する軸に関して実質的に非対称である請求項57記載の壁。前記第1傾斜部の表面及び前記第2傾斜部の表面の少なくとも一部は、液体に対して撥液性を有する請求項53~58のいずれか一項記載の壁。前記第1傾斜部の表面と前記第2傾斜部の表面とは、前記角で交わる請求項53~59のいずれか一項記載の壁。前記第1傾斜部と前記第2傾斜部との間に配置され、前記基板の厚み方向に沿った実質的縦部をさらに備える請求項53~59のいずれか一項記載の壁。前記実質的縦部の表面は、液体に対して撥液性を有する請求項61記載の壁。前記第1傾斜部の上に位置しかつ、液体に対して撥液性を有しかつ、前記基板の厚み方向と直交する方向に沿った実質的横部をさらに備える請求項53~62のいずれか一項記載の壁。上述したように、基板のエッジ周囲に形成されたギャップから液体が浸入すると、さまざまな問題を引き起こす可能性があり、そのギャップから液体の浸入を抑制するためのさらなる改良が求められている。本発明の態様は、基板のエッジ周囲の少なくとも一部に形成されるギャップから液体が浸入することを抑制できる基板保持装置を提供することを目的とする。また本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、基板のエッジ周囲の少なくとも一部に形成されるギャップから液体が浸入することを抑制できるプレート部材を提供することを目的とする。本発明の第1の態様に従えば、液体を介して露光光で露光される基板を保持する基板保持装置であって、開口と、開口内で基板を保持するための保持面を有する第1保持部と、を備え、開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第1面と、第1面の上方に設けられた第1面と非平行な第2面とを有し、第2面は、第1面と第2面との境界部から上に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって伸び、第1面と第2面との境界部は、第1保持部に保持された基板の表面とほぼ同じ高さ、もしくは基板の表面より高い基板保持装置が提供される。本発明の第2の態様に従えば、液体を介して露光光で露光される基板を保持する基板保持装置であって、開口と、開口内で基板を保持するための保持面を有する第1保持部と、を備え、開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第1面と、第1面の上方に設けられた第2面とを有し、第2面は、第1面と第2面との境界部から、上に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって延び、第1面が、第1面と第2面との境界部から、下に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって延びる基板保持装置が提供される。本発明の第3の態様に従えば、液体を介して露光光で露光される基板を保持する基板保持装置であって、開口と、開口内で基板を保持するための保持面を有する第1保持部と、を備え、開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第1面と、第1面の上方に設けられた第2面と、第1面の下方に設けられた第3面とを有し、第2面は、第1面と第2面との境界部から、上に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって延び、第3面は、第1面と第3面との境界部から、下に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって延び、第1保持部の保持面と垂直な軸と第2面とがなす角度は、軸と第3面とがなす角度より大きい基板保持装置が提供される。本発明の第4の態様に従えば、液体を介して露光光で露光される基板を保持する基板保持装置であって、開口と、開口内で基板を保持するための保持面を有する第1保持部と、を備え、開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第1面と、第1面の上方に設けられた第2面と、第1面の下方に設けられた第3面とを有し、第2面は、第1面と第2面との境界部から、上に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって延び、第3面は、第1面と第3面との境界部から、下に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって延び、第1保持部の保持面と垂直な方向に関して、第3面は第1面より大きい基板保持装置が提供される。本発明の第5の態様に従えば、液体を介して露光光で露光される基板を保持する基板保持装置であって、開口と、開口内で基板を保持するための保持面を有する第1保持部と、を備え、開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第1斜面部と、第1斜面部の上方に設けられた第2斜面部とを有し、第1斜面部は、第1保持部に保持された基板から離れるにつれて低くなり、第2斜面部は、第1保持部に保持された基板から離れるにつれて高くなり、第1保持部の保持面と垂直な方向に関して、第1斜面部は第2斜面部より大きい基板保持装置が提供される。本発明の第6の態様に従えば、第1~第5の態様の基板保持装置を備え、基板保持装置に保持された基板を液体を介して露光する露光装置が提供される。本発明の第7の態様に従えば、第6の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。本発明の第8の態様に従えば、第1~第5の態様の基板保持装置に基板を保持することと、基板保持装置に保持された基板に液体を介して露光光を照射することと、を含む露光方法が提供される。本発明の第9の態様に従えば、第8の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。本発明の第10の態様に従えば、液体を介して露光される基板の周囲に配置されるプレート部材であって、基板を配置するための開口と、開口の周囲に形成された表面と、を備え、開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第1面と、第1面に隣接して設けられた第2面とを有し、第1面は、第1面と第2面との境界部から、表面と垂直な第1方向に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって延び、第2面は、第1面と第2面との境界部から、第1方向と逆向きの第2方向に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって延びるプレート部材が提供される。本発明の第11の態様に従えば、液体を介して露光される基板の周囲に配置されるプレート部材であって、基板を配置するための開口と、開口の周囲に形成された表面と、を備え、開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第1面と、第1面の一側に隣接して設けられた第2面と、第1面の他側に隣接して設けられた第3面とを有し、第2面は、第1面と第2面との境界部から、表面と垂直な第1方向に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって延び、第3面は、第1面と第3面との境界部から、第1方向と逆向きの第2方向に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって延び、表面と垂直な軸と第2面とがなす角度は、軸と第3面とがなす角度より大きいプレート部材が提供される。本発明の第12の態様に従えば、液体を介して露光される基板の周囲に配置されるプレート部材であって、基板を配置するための開口と、開口の周囲に形成された表面と、を備え、開口を規定するエッジ部の少なくとも一部は、第1面と、第1面の一側に隣接して設けられた第2面と、第1面の他側に隣接して設けられた第3面とを有し、第2面は、第1面と第2面との境界部から、表面と垂直な第1方向に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって延び、第3面は、第1面と第3面との境界部から、第1方向と逆向きの第2方向に向かって、かつ開口の中心に対して外側に向かって延び、第1及び第2方向と平行な方向に関して、第3面は第1面より大きいプレート部材が提供される。本発明の第13の態様に従えば、液浸露光装置における基板の少なくとも一部を囲む壁であって、基板に向かって下がる傾斜を有する第1斜面と、第1斜面の下端における角であって、基板に比較的近くかつ、前記基板の表面と実質的に同じ高さ位置又は前記基板の表面より高い位置に配置される角と、を備える壁が提供される。本発明の第14の態様に従えば、液浸露光装置における基板の少なくとも一部を囲む壁であって、基板に向かって下がる傾斜を有する第1傾斜部と、第1傾斜部の下に位置しかつ、基板に向かって上がる傾斜を有する第2傾斜部と、第1傾斜部の下端における角であって、基板に実質的に最も近くかつ、基板の表面に比較的近い高さ位置に配置される角と、を備える壁が提供される。本発明の態様によれば、基板のエッジ周囲の少なくとも一部に形成されるギャップから液体が浸入することを抑制できる。また本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向すなわち鉛直方向をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転傾斜方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。<第1実施形態>第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る露光装置EXを示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、マスクMKを保持して移動可能なマスクステージ1と、基板Wを保持して移動可能な基板ステージ2と、マスクMKを露光光ELで照明する照明系ILと、露光光ELで照明されたマスクMKのパターンの像を基板Wに投影する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置3とを備えている。マスクMKは、基板Wに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクMKは、例えばガラス板等の透明板上にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成された透過型マスクを含む。なお、マスクMKとして、反射型マスクを用いることもできる。基板Wは、デバイスを製造するための基板である。基板Wは、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材フォトレジストの膜である。本実施形態の露光装置EXは、液体LQを介して露光光ELで基板Wを露光する液浸露光装置である。露光装置EXは、露光光ELの光路の少なくとも一部が液体LQで満たされるように液浸空間LSを形成可能な液浸部材4を備えている。液浸空間LSは、液体LQで満たされた空間である。本実施形態においては、液体LQとして、水純水を用いる。本実施形態において、液浸空間LSは、投影光学系PLの複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い終端光学素子5から射出される露光光ELの光路が液体LQで満たされるように形成される。終端光学素子5は、投影光学系PLの像面に向けて露光光ELを射出する射出面6を有する。液浸空間LSは、終端光学素子5とその終端光学素子5の射出面6と対向する位置に配置された物体との間の光路が液体LQで満たされるように形成される。射出面6と対向する位置は、射出面6から射出される露光光ELの照射位置を含む。以下の説明において、終端光学素子5の射出面6と対向する位置を適宜、露光位置、と称する。液浸部材4は、終端光学素子5の近傍に配置されている。液浸部材4は、下面7を有する。本実施形態において、射出面6と対向可能な物体は、下面7と対向可能である。物体の表面が露光位置に配置されたとき、下面7の少なくとも一部と物体の表面とが対向する。射出面6と物体の表面とが対向しているとき、終端光学素子5は、射出面6と物体の表面との間に液体LQを保持できる。また、下面7と物体の表面とが対向しているとき、液浸部材4は、下面7と物体の表面との間に液体LQを保持できる。一方側の射出面6及び下面7と他方側の物体の表面との間に保持される液体LQによって、液浸空間LSが形成される。本実施形態において、射出面6及び下面7と対向可能な物体は、露光位置を含む所定面内を移動可能な物体を含む。本実施形態において、その物体は、基板ステージ2、及びその基板ステージ2に保持された基板Wの少なくとも一方を含む。本実施形態において、基板ステージ2は、ベース部材8のガイド面9上を移動可能である。本実施形態においては、ガイド面9は、XY平面とほぼ平行である。基板ステージ2は、基板Wを保持して、ガイド面9に沿って、露光位置を含むXY平面内を移動可能である。本実施形態においては、射出面6及び下面7と対向する位置に配置された基板Wの表面の一部の領域局所的な領域が液体LQで覆われるように液浸空間LSが形成され、その基板Wの表面と下面7との間に液浸空間LSの液体LQの界面メニスカス、エッジが形成される。すなわち、本実施形態においては、露光装置EXは、基板Wの露光時に、投影光学系PLの投影領域を含む基板W上の一部の領域が液体LQで覆われるように液浸空間LSを形成する局所液浸方式を採用する。照明系ILは、所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ELで照明する。照明系ILは、照明領域に配置されたマスクMKの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ELで照明する。照明系ILから射出される露光光ELとして、例えば水銀ランプから射出される輝線g線、h線、i線及びKrFエキシマレーザ光波長248nm等の遠紫外光DUV光、ArFエキシマレーザ光波長193nm、及びF2レーザ光波長157nm等の真空紫外光VUV光等が用いられる。本実施形態においては、露光光ELとして、紫外光真空紫外光であるArFエキシマレーザ光を用いる。マスクステージ1は、マスクMKをリリース可能に保持するマスク保持部10を有する。本実施形態において、マスク保持部10は、マスクMKのパターン形成面下面とXY平面とがほぼ平行となるように、マスクMKを保持する。マスクステージ1は、リニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動システムの作動により、マスクMKを保持してXY平面内を移動可能である。本実施形態においては、マスクステージ1は、マスク保持部10でマスクMKを保持した状態で、X軸、Y軸、及びθZ方向の3つの方向に移動可能である。投影光学系PLは、所定の投影領域に露光光ELを照射する。投影光学系PLは、投影領域に配置された基板Wの少なくとも一部に、マスクMKのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系PLは、その投影倍率が例えば1/4、1/5又は1/8等の縮小系である。なお、投影光学系PLは、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系PLの光軸AXは、Z軸とほぼ平行である。また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれでもよい。また、投影光学系PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。基板ステージ2は、ステージ本体11と、ステージ本体11上に配置され、基板Wを保持可能な基板テーブル12とを有する。ステージ本体11は、気体軸受によって、ガイド面9に非接触で支持されており、ガイド面9上をXY方向に移動可能である。基板ステージ2は、基板Wを保持した状態で、終端光学素子5の光射出側投影光学系PLの像面側において、射出面6及び下面7と対向する位置を含むガイド面9の所定領域内を移動可能である。ステージ本体11は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含む粗動システムの作動により、ガイド面9上でXY平面内を移動可能である。基板テーブル12は、例えばボイスコイルモータ等のアクチュエータを含む微動システムの作動により、ステージ本体11に対してZ軸、θX、及びθY方向に移動可能である。基板テーブル12は、粗動システム及び微動システムを含む基板ステージ駆動システムの作動により、基板Wを保持した状態で、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。XY平面内におけるマスクステージ1及び基板ステージ2の位置情報は、干渉計システム13によって計測される。干渉計システム13は、マスクステージ1に配置されている反射面1Rを用いて、XY平面内におけるマスクステージ1の位置情報を計測するレーザ干渉計13Aと、基板ステージ2に配置されている反射面2Rを用いて、XY平面内における基板ステージ2の位置情報を計測するレーザ干渉計13Bとを備えている。また、基板ステージ2に保持された基板Wの表面の位置情報は、フォーカスレベリング検出システム不図示によって検出される。基板Wの露光時、マスクステージ1の位置情報及び基板ステージ2の位置情報が干渉計システム13で計測される。制御装置3は、干渉計システム13の計測結果に基づいて、マスクステージ1に保持されているマスクMKの位置制御を実行する。また、制御装置3は、干渉計システム13の計測結果及びフォーカスレベリング検出システムの検出結果に基づいて、基板ステージ2に保持されている基板Wの位置制御を実行する。本実施形態の露光装置EXは、マスクMKと基板Wとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクMKのパターンの像を基板Wに投影する走査型露光装置所謂スキャニングステッパである。基板Wの露光時、制御装置3は、マスクステージ1及び基板ステージ2を制御して、マスクMK及び基板Wを、露光光ELの光路光軸AXと交差するXY平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Wの走査方向同期移動方向をY軸方向とし、マスクMKの走査方向同期移動方向もY軸方向とする。制御装置3は、基板Wを投影光学系PLの投影領域に対してY軸方向に移動するとともに、その基板WのY軸方向への移動と同期して、照明系ILの照明領域に対してマスクMKをY軸方向に移動しつつ、投影光学系PLと基板W上の液浸空間LSの液体LQとを介して基板Wに露光光ELを照射する。これにより、基板Wは露光光ELで露光され、マスクMKのパターンの像が基板Wに投影される。次に、液浸部材4及び基板テーブル12について、図2及び図3を参照して説明する。図2は、露光位置に配置された基板テーブル12の近傍を示す側断面図、図3は、基板テーブル12を上方から見た平面図である。液浸部材4は、環状の部材である。液浸部材4は、終端光学素子5の周囲に配置されている。図2に示すように、液浸部材4は、射出面6と対向する位置に開口4Kを有する。液浸部材4は、液体LQを供給可能な供給口14と、液体LQを回収可能な回収口15とを備えている。供給口14は、液浸空間LSを形成するために、液体LQを供給可能である。供給口14は、露光光ELの光路の近傍において、その光路に面するように液浸部材4の所定位置に配置されている。供給口14は、流路16を介して、液体供給装置17と接続されている。液体供給装置17は、清浄で温度調整された液体LQを液浸部材4に送出可能である。流路16は、液浸部材4の内部に形成された供給流路、及びその供給流路と液体供給装置17とを接続する供給管で形成される流路を含む。液体供給装置17から送出された液体LQは、流路16を介して供給口14に供給される。回収口15は、液浸部材4の下面7と対向する物体上の液体LQの少なくとも一部を回収可能である。本実施形態においては、回収口15は、露光光ELが通過する開口4Kの周囲に配置されている。回収口15は、物体の表面と対向する液浸部材4の所定位置に配置されている。回収口15には、複数の孔を含むプレート状の多孔部材18が配置されている。なお、回収口15に、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。本実施形態において、液浸部材4の下面7の少なくとも一部は、多孔部材18の下面を含む。回収口15は、流路19を介して、液体回収装置20と接続されている。液体回収装置20は、真空システムを含み、液体LQを吸引して回収可能である。流路19は、液浸部材4の内部に形成された回収流路、及びその回収流路と液体回収装置20とを接続する回収管で形成される流路を含む。回収口15から回収された液体LQは、流路19を介して、液体回収装置20に回収される。本実施形態においては、制御装置3は、供給口14を用いる液体供給動作と並行して、回収口15を用いる液体回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子5及び液浸部材4と、他方側の物体との間に液体LQで液浸空間LSを形成可能である。基板テーブル12は、開口開口部21と、開口21内で基板Wを保持するための上面22を有する第1保持部23とを備えている。第1保持部23は、基板Wの裏面下面Wbと対向し、基板Wの裏面Wbを保持する。基板テーブル12は、基材24を有する。第1保持部23は、基板Wの裏面Wbと対向可能な基材24の上面25に設けられている。また、図3に示すように、第1保持部23は、開口21の中心Cが基板Wの中心とほぼ一致するように、基板Wを保持する。本実施形態において、第1保持部23は、所謂、ピンチャック機構を含み、基板Wをリリース可能に保持する。本実施形態において、第1保持部23は、基材24の上面25に配置され、基板Wの裏面Wbを支持する複数の第1支持部26と、上面25において第1支持部26の周囲に配置され、基板Wの裏面Wbと対向する環状の上面27Tを有する第1リム部27と、上面25において第1リム部27の内側に配置され、気体を吸引する第1吸引口28とを含む。複数の第1支持部26のそれぞれは、ピン状凸状である。第1支持部26のそれぞれは、基板Wの裏面Wbを保持するための上面26Tを有する。本実施形態において、上面26Tのそれぞれは、XY平面とほぼ平行である。また、上面26Tのそれぞれは、ほぼ同一平面内に配置される面一である。本実施形態において、開口21内で基板Wを保持するための上面22は、複数の第1支持部26の上面26Tを含む。以下の説明において、開口21内で基板Wを保持するための上面22を適宜、第1保持面22、と称する。第1保持面22は、XY平面とほぼ平行である。第1リム部27は、基板Wの外形とほぼ同形状の環状に形成されている。第1リム部27の上面27Tは、基板Wの裏面Wbの周縁領域エッジ領域と対向する。第1吸引口28は、第1リム部27の内側の上面25に複数設けられている。第1吸引口28のそれぞれは、真空システム等を含む吸引装置不図示に接続されている。制御装置3は、吸引装置を用いて、基板Wの裏面Wbと第1リム部27と基材24とで囲まれた第1空間の気体を第1吸引口28を介して排気して、その第1空間を負圧にすることによって、基板Wを第1保持面22で吸着保持する。また、第1吸引口28に接続された吸引装置による吸引動作を停止することにより、第1保持部23より基板Wをリリースすることができる。また、本実施形態においては、基板テーブル12は、第1保持部23の周囲に第2保持部29を備えている。第2保持部29は、第1保持部23の周囲でプレート部材Tを保持するための上面34を有する。第2保持部29は、プレート部材Tの裏面下面Tbと対向し、プレート部材Tの裏面Tbを保持する。第2保持部29は、プレート部材Tの裏面Tbと対向可能な基材24の上面25に設けられている。プレート部材Tは、基板Wを配置するための開口THを有する。プレート部材Tの表面Ta及び裏面Tbは、開口THの周囲に形成されている。第2保持部29に保持されたプレート部材Tは、第1保持部23に保持された基板Wの周囲に配置される。第2保持部29は、所謂、ピンチャック機構を含み、プレート部材Tをリリース可能に保持する。本実施形態において、第2保持部29は、上面25において第1リム部27の周囲に配置され、プレート部材Tの裏面Tbと対向する環状の上面30Tを有する第2リム部30と、上面25において第2リム部30の周囲に配置され、プレート部材Tの裏面Tbと対向する環状の上面31Tを有する第3リム部31と、第2リム部30と第3リム部31との間の上面25に配置され、プレート部材Tの裏面Tbを支持する複数の第2支持部32と、第2リム部30と第3リム部31との間の上面25に配置され、気体を吸引する第2吸引口33とを含む。複数の第2支持部32のそれぞれは、ピン状凸状である。第2支持部32のそれぞれは、プレート部材Tの裏面Tbを保持するための上面32Tを有する。本実施形態において、上面32Tのそれぞれは、XY平面とほぼ平行である。また、上面32Tのそれぞれは、ほぼ同一平面内に配置される面一である。本実施形態において、第1保持部23の周囲でプレート部材Tを保持するための上面34は、複数の第2支持部32の上面32Tを含む。以下の説明において、第1保持部23の周囲でプレート部材Tを保持するための上面34を適宜、第2保持面34、と称する。第2保持面34は、XY平面とほぼ平行である。第2リム部30の上面30Tは、開口TH近傍においてプレート部材Tの裏面Tbの内縁領域内側のエッジ領域と対向する。第3リム部31の上面31Tは、プレート部材Tの裏面Tbの外縁領域外側のエッジ領域と対向する。第2吸引口33は、第2リム部30と第3リム部31との間の上面25に複数設けられている。第2吸引口33のそれぞれは、真空システムを含む吸引装置不図示に接続されている。制御装置3は、吸引装置を用いて、プレート部材Tの裏面Tbと第2リム部30と第3リム部31と基材24とで囲まれた第2空間の気体を第2吸引口33を介して排気して、その第2空間を負圧にすることによって、プレート部材Tを第2保持面34で吸着保持する。また、第2吸引口33に接続された吸引装置による吸引動作を停止することにより、第2保持部29よりプレート部材Tをリリースすることができる。本実施形態においては、Z軸方向に関して、第1保持面22と第2保持面34とは、ほぼ同じ位置高さに配置されている。本実施形態においては、プレート部材Tを第2保持部29で保持することによって、第1保持部23の周囲に開口21が設けられる。本実施形態において、開口21は、プレート部材Tの開口TH側内側のエッジ部Egによって規定される。第1保持部23は、第2保持部29に保持されたプレート部材Tの開口21TH内で基板Wを保持する。本実施形態において、第1保持部23は、基板Wの表面Waが第1保持面22XY平面とほぼ平行となるように、基板Wを保持する。第2保持部29は、プレート部材Tの表面Taが第2保持面34XY平面とほぼ平行となるように、プレート部材Tを保持する。基板Wの表面Wa及びプレート部材Tの表面Taは、射出面6及び下面7と対向可能である。本実施形態においては、プレート部材Tの表面Taは、射出面6及び下面7と対向可能な基板ステージ2基板テーブル12の上面を形成する。また、本実施形態において、第1保持部23は、基板Wの側面Wcと、開口21を規定する第2保持部29に保持されたプレート部材Tのエッジ部EgとがギャップGを介して対向するように、基板Wを保持する。図4は、第1保持部23に保持された基板Wの側面Wc、及び第2保持部29に保持されたプレート部材Tのエッジ部Egの近傍基板Wの近傍の壁、基板Wの側方の壁を拡大した側断面図YZ断面図である。以下、基板Wが第1保持部23に保持され、プレート部材Tが第2保持部29に保持されている状態について説明する。開口21を規定するプレート部材Tのエッジ部Egは、第1面41と、第1面41に隣接して設けられた第2面42とを有する。本実施形態において、第1面41は、第1保持面22XY平面に対してほぼ垂直である。第1面41は、基板Wの厚み方向に沿った実質的縦面である。第2面42は、第1面41の境界部Jから、上Z側に向かって、かつ開口21の中心Cに対して外側に向かって延びるように配置されている。すなわち、第2面42は、第1面41と第2面42との境界部Jから開口21の中心Cから離れるように延びている。あるいは、第2面第1斜面42は、基板Wに向かって下がる傾斜を有する。本実施形態において、第1面41と第2面42とは、非平行である。なお、開口21はほぼ円形であり、開口21の中心Cは円の中心である。また、本実施形態においては、境界部Jは、第1面41と第2面42とが接続される角部角コーナーであり、第1面41の上端、および第2面42の下端を含む。なお、開口21の中心Cを含むZ軸と平行な断面において、第1面41と第2面42との境界部Jが丸みを帯びていても丸角よい。また、本実施形態において、第1面41と第2面42との境界部Jは、第1保持部23に保持された基板Wの表面Waとほぼ同じ高さ、もしくは基板Wの表面Waより高い位置に配置される。本実施形態においては、第1面41と第2面42との境界部Jが、基板Wの表面Waとほぼ同じ高さに配置される場合を例にして説明する。なお、第1面41と第2面42との境界部Jが、基板Wの表面Waより僅かに高い位置、すなわち、基板Wの表面Waに対して僅かにZ側に配置されてもよい。また、本実施形態においては、プレート部材Tのエッジ部Egは、第1面41の下方-Z側に形成され、第1面41と非平行な第3面43を有する。第3面43は、第1面41に隣接して設けられている。第3面43は、第1面41と第3面43の境界部Kから、下-Z側に向かって、かつ開口21の中心Cに対して外側に延びるように配置されている。すなわち、第3面43は、第1面41と第3面43の境界部Kから開口21の中心Cから離れるように延びている。あるいは、第3面第2斜面43は、基板Wに向かって上がる傾斜を有する。なお、本実施形態においては、境界部Kは、第1面41と第3面43とが接続される角部であり、第1面41の下端、および第3面43の上端を含む。なお、開口21の中心Cを含むZ軸と平行な断面において、第1面41と第3面43との境界部Kが丸みを帯びていてもよい。プレート部材Tの表面Taは、第2面42に隣接して設けられ、開口21の中心Cに対して、外側に向かって延びるように配置されている。すなわち、表面Taは、第2面42と表面Taとの境界部から開口21の中心Cから離れるように延びている。プレート部材Tの表面Taは、第1保持面22XY平面とほぼ平行である。以下の説明において、プレート部材Tの表面Taを適宜、第4面44、と称する。第4面44は、基板Wの厚み方向と直交する方向に沿った実質的横面である。なお、本実施形態においては、第2面42と第4面44との境界部は、第2面42と第4面44とが接続される角部であり、第2面42の上端を含む。なお、開口21の中心Cを含むZ軸と平行な断面において、第2面42と第4面44との境界部が丸みを帯びていてもよい。プレート部材Tの裏面Tbは、第3面43に隣接して設けられ、開口21の中心Cに対して、外側に向かって延びるように配置されている。すなわち、裏面Tbは、第3面43と裏面Tbとの境界部から開口21の中心Cから離れるように延びている。プレート部材Tの裏面Tbは、第1保持面22XY平面とほぼ平行である。以下の説明において、プレート部材Tの裏面Tbを適宜、第5面45、と称する。なお、本実施形態においては、第3面43と第5面45との境界部は、第3面43と第5面45とが接続される角部であり、第3面43の下端を含む。なお、開口21の中心Cを含むZ軸と平行な断面において、第3面43と第5面45との境界部が丸みを帯びていてもよい。本実施形態においては、第2保持部29に保持されたプレート部材Tの第4面44及び第2面42の少なくとも一部が、第1保持部23に保持された基板Wの表面Waに対して、上側Z側に配置される。本実施形態において、プレート部材Tの第4面44と第5面45とはほぼ平行である。本実施形態において、プレート部材Tの第4面44と第5面45との距離プレート部材Tの厚みD1は、基板Wの表面Waと裏面Wbとの距離基板Wの厚みD2より大きい。本実施形態において、基板Wの厚みD2は、約0.775mmである。プレート部材Tのエッジ部Egは、第1保持部23に保持された基板Wの側面Wcに沿うように設けられているエッジ部Egが基板Wの側面に実質的平行である。したがって、第1面41、第2面42、第3面43が第1保持部23に保持された基板Wの側面Wcに沿うように設けられる。第1保持部23は、基板Wの側面Wcとプレート部材Tの第1面41とがギャップGを介して対向するように、基板Wを保持する。本実施形態において、ギャップGの大きさdは、例えば0.1mm~0.5mm程度である。本実施形態において、第2面42は、面取り処理によって形成される。また、本実施形態においては、第3面43も、面取り処理によって形成される。本実施形態において、面取り処理の面取り角度は、ほぼ45度である。金属等の材料から加工される各種の部材は、加工の際にエッジ部が面取り処理されることが多い。本実施形態においては、基板Wの周囲に配置されるプレート部材Tのエッジ部Egが面取り処理されており、これにより、第2面42及び第3面43が形成されている。面取り処理することによって、エッジ部Egにおけるバリの発生、異物の発生が抑制される。本実施形態において、第1面41は、液体LQに対して撥液性である。また、第2面42も、液体LQに対して撥液性である。また、第3面43も、液体LQに対して撥液性である。また、第4面44も、液体LQに対して撥液性である。また、第5面45も、液体LQに対して撥液性である。本実施形態においては、プレート部材Tは、ステンレス等の金属製の基材と、その基材上に形成された撥液性材料の膜とを含む。本実施形態において、プレート部材Tの第1~第5面41~45は、撥液性材料の膜の表面を含む。撥液性材料としては、例えばPFATetrafluoroethyleneperfluoroalkylvinylethercopolymer、PTFEPolytetrafluoroethylene、PEEKpolyetheretherketone、テフロン登録商標等が挙げられる。これにより、第1~第5面41~45のそれぞれが、液体LQに対して撥液性となる。液体LQに対する第1~第5面41~45の接触角は、例えば90度以上である。本実施形態においては、プレート部材Tの基材は、ステンレスSUS316であり、膜を形成する撥液性材料は、PFAである。本実施形態においては、液体LQに対する第1~第5面41~45の接触角は、約110度である。なお、プレート部材T自体が撥液性材料で形成されてもよい。基板Wの表面Waと裏面Wbとはほぼ平行である。基板Wの側面Wcは、基板Wの表面Waとほぼ垂直な垂直領域51と、垂直領域51の上端と基板Wの表面Waとを結ぶ上方領域52と、垂直領域51の下端と基板Wの裏面Wbとを結ぶ下方領域53とを含む。本実施形態において、基板Wの側面Wcの上方領域52及び下方領域53の断面は、曲面を含む。垂直領域51の断面は、平面である。上述のように、本実施形態において、第1保持部23は、基板Wの表面Waが第1保持面22XY平面とほぼ平行となるように、基板Wを保持する。したがって、第1保持部23に保持された基板Wの垂直領域Wcは、XY平面とほぼ垂直である。本実施形態において、Z軸方向に関する上方領域52の大きさD4、及び下方領域53の大きさD5は、それぞれ約0.25mmである。上方領域52の大きさD4は、Z軸方向に関する基板Wの表面Waと上方領域52の下端との距離である。下方領域53の大きさD5は、Z軸方向に関する基板Wの裏面Wbと下方領域53の上端との距離である。本実施形態においては、基板Wの厚みD2は、約0.775mmであり、上方領域52の大きさD4及び下方領域53の大きさD5は、それぞれ約0.25mmなので、Z軸方向に関する垂直領域51の大きさD3は、約0.275mmである。本実施形態において、基板Wは、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材61と、基材61上に形成されたHMDS膜62と、HMDS膜62上に形成された感光膜と、感光膜を覆う保護膜トップコート膜63とを含む。HMDS膜62は、HMDSヘキサメチルジシラザンの膜である。感光膜は、感光材フォトレジストの膜である。なお、図4には、感光膜は図示されていない。保護膜63は、感光膜を液体LQから保護する機能を有する膜である。保護膜63は、液体LQに対して撥液性である。保護膜63は、液体LQに対して撥液性の撥液領域55を形成する。本実施形態において、保護膜63は、基板Wの表面Wa、及び側面Wcの一部を形成する。したがって、本実施形態において、基板Wの表面Wa、及び側面Wcの一部は、液体LQに対して撥液性の撥液領域55である。本実施形態において、側面Wcの撥液領域55は、側面Wcの上方領域52を含む。本実施形態において、Z軸方向に関する保護膜63の上端と下端との距離撥液領域55の上端と下端との距離D6は、約0.2mmである。本実施形態において、基板Wの裏面Wb、及び基板Wの側面Wcの一部は、保護膜63が形成されていない領域56を含む。本実施形態においては、保護膜63が形成されていない領域56は、HMDS膜62で形成されている。本実施形態においては、HMDS膜62は、側面Wcの上方領域52の一部、垂直領域51、及び下方領域53と、裏面Wbとを形成する。以下の説明において、HMDS膜62で形成された、撥液領域55以外の領域56を適宜、非撥液領域56、と称する。したがって、本実施形態においては、側面Wcの非撥液領域56は、上方領域52の一部、垂直領域51、及び下方領域53を含む。本実施形態において、液体LQに対する撥液領域55の接触角は、例えば90度以上である。本実施形態において、撥液領域55を形成する保護膜63として、東京応化工業株式会社製TCX091商品名が用いられ、液体LQに対する撥液領域55保護膜63の接触角は、約94度である。また、液体LQに対する非撥液領域56HMDS膜62の接触角は、約60度である。なお、本実施形態においては、HMDS膜62によって非撥液領域56が形成されているが、HMDS膜62の下地表面においては液体LQの接触角は20度以下である。したがって、HMDS膜62の下地表面に比べれば、HMDS膜62は撥液性と言うこともできる。基板Wは、基材61上にHMDS膜62を形成する処理と、そのHMDS膜62上に、例えばスピンコーティング法により感光膜を形成する処理と、その感光膜上に、例えばスピンコーティング法により保護膜63を形成する処理と、基板Wの側面Wcに形成された感光膜及び保護膜63の少なくとも一部を除去するエッジリンス処理とを含む処理によって形成される。エッジリンス処理により、基板Wの側面Wcの一部に非撥液領域56が形成される。側面Wcにおいて保護膜63が存在する部分が多いと、例えば基板Wを搬送する搬送装置、基板Wを保管する収容装置等が汚染する可能性が高くなる。エッジリンス処理して、側面Wcにおいて保護膜63が存在する部分を少なくし、側面Wcに非撥液領域56を設けることにより、例えば基板Wを搬送する搬送装置、基板Wを保管する収容装置等の汚染を抑制することができる。本実施形態においては、プレート部材Tの第1面41の少なくとも一部が、基板Wの側面Wcの撥液領域55と対向するように配置される。本実施形態において、第1面41は、保護膜63が形成された撥液領域55、及び保護膜63が除去された非撥液領域56の両方と対向する。換言すれば、第1面41は、保護膜63とHMDS膜62との境界と対向する。本実施形態においては、図2に示すように、供給口14からの液体LQで形成された液浸空間LSが、基板Wの表面Waとプレート部材Tの表面Taとに跨って形成される場合がある。すなわち、ギャップG上に液浸空間LSが形成される場合がある。本実施形態によれば、ギャップGを介して基板Wの裏面Wb側の空間に液体LQが浸入することを抑制することができる。本発明者は、以下に説明する解析を行った結果、第1面41と第2面42との境界部Jを基板Wの表面Waとほぼ同じ高さ、もしくは基板Wの表面Waより高い位置に配置することによって、液体LQの浸入を抑制できることを見出した。図5A及び図5Bは、第1部材の表面101と第2部材の表面102との間のギャップGaに浸入した液体LQの一般的な挙動を示す模式図である。ここで、以下の説明において、液体LQに対する表面101の接触角をθ1、液体LQに対する表面102の接触角をθ2、液体LQの表面張力をγ、ギャップGaの大きさをd、とする。表面101、102間のギャップGaに浸入した液体LQの内部圧力P、及びギャップGaにおける液体LQの界面の曲率半径Rについて、一般に、以下の式が成り立つ。なお、1式では、重力の作用を無視している。1式に示すように、液体LQの界面の曲率半径Rは、表面101、102の条件に応じて変化する。表面101、102の条件は、接触角θ1、θ2、及び大きさdを含む。また、内部圧力Pは、曲率半径Rに応じて変化する。図5A及び5Bは、表面101及び表面102のそれぞれがZ軸と平行であり、接触角θ1と接触角θ2とが等しい場合を示す。また、図5Aに示す表面101、102の接触角θ1、θ2のほうが、図5Bに示す表面101、102の接触角θ1、θ2より大きい。図5Aに示すように、ギャップGaにおける液体LQの界面の形状が、-Z方向に凸状凸面を下に向けた凸状になると、液体LQの表面張力により、Z方向に向く内部圧力Pが発生する。この場合、液体LQの界面の-Z方向への移動が抑制され、ギャップGaに対する液体LQの浸入が抑制される。一方、図5Bに示すように、ギャップGaにおける液体LQの界面の形状が、Z方向に凸状凹面を下に向けた凹状になると、毛細管現象により、-Z方向に向く内部圧力Pが発生する。この場合、液体LQの界面の-Z方向への移動が促進され、ギャップGaに対する液体LQの浸入が促進される。ここで、以下の説明において、ギャップGaにおける液体LQの界面が、-Z方向に凸状である状態を適宜、抑制状態、と称し、Z方向に凸状である状態を適宜、非抑制状態、と称する。したがって、液体LQの界面が抑制状態では、液体LQの浸入が抑制され、非抑制状態では、液体LQの浸入が促進される。このように、表面101、102間のギャップGaに液体LQの界面が形成される場合において、その界面が位置する表面101、102の条件に応じて、界面の形状曲率半径が変化する。換言すれば、表面101と表面102との間に液体LQの界面が形成される場合において、表面101、102の条件が、液体LQの内部圧力Pの向き、すなわち液体LQの浸入が抑制されるか否かを決定する。液体LQの界面を抑制状態にすることができる条件を有する表面101、102は、液体LQの浸入を抑制することができる。以下の説明においては、液体LQの界面を抑制状態にすることができ、液体LQの界面の-Z方向への移動を抑止できる表面101、102上の所定位置A、Bを適宜、抑止位置A、B、と称する。例えば図5Aに示すように、液体LQの界面が、表面101、102上の抑止位置A、Bに位置する場合、抑制状態となり、-Z方向への移動が抑止され、液体LQの浸入が抑制される。なお、1式は、図5A及び5Bに示すように、表面101,102がZ軸と平行な場合に適用されるものであり、表面101,102の少なくとも一方がZ軸に対して傾斜している場合には、接触角θ1、θ2の少なくとも一方に対して、その傾斜角を増減する必要がある。図6は、第1の比較例に係るプレート部材Tr1のエッジ部Egrと基板Wの側面Wcとの間のギャップGaに形成される液体LQの界面の形状を説明するための図である。図6に示す基板Wは、図4を参照して説明した基板Wと同一である。図6に示すプレート部材Tr1は、図4等に示したような本実施形態に係るプレート部材Tに比べて、第2面42及び第3面43が存在しない。すなわち、第1比較例に係るプレート部材Tr1は、面取り処理されていない。また、プレート部材Tr1の表面Taと基板Wの表面Waとは、ほぼ同じ高さである。また、プレート部材Tr1の厚みと、基板Wの厚みとは、ほぼ同じである。したがって、基板Wの撥液領域55と対向する位置には、プレート部材Tr1の第1面41rがZ軸とほぼ平行に設けられている。なお、液体LQに対するプレート部材Tr1の第1面41rの接触角は、約110度である。図6に示すようなモデルにおいて、図5A及び5Bの解析と同様にして、第1面41rと側面Wcとの間のZ軸方向に関する各位置における液体LQの界面の形状を解析した。図6中、抑制状態の液体LQの界面をライン実線L1で示し、非抑制状態の液体LQの界面をライン二点鎖線L2で示す。図6中、ラインL2aで示すように、液体LQの界面が、第1面41r上の位置C1と、撥液領域55で上方領域52上の位置D1との間に形成される場合であっても、非抑制状態となる。すなわち、液体LQの界面が、側面Wcの撥液領域55に位置する場合でも、位置D1における側面WcのZ軸に対する傾斜角が大きいため、非抑制状態となる。図6中、ラインL1aで示すように、液体LQの界面が、第1面41r上の抑止位置A1と、撥液領域55で上方領域52上の抑止位置B1との間に形成されることによって、抑制状態となる。すなわち、位置B1における側面WcのZ軸に対する傾斜角が比較的小さいため、液体LQの界面は、抑制状態となる。したがって、液体LQの界面の、-Z方向への移動を抑止される。図6中、ラインL2bで示すように、液体LQの界面が、第1面41r上の位置C2と、非撥液領域56で垂直領域51上の位置D2との間に形成される場合、液体LQの界面は非抑制状態となる。すなわち、液体LQの界面が、側面Wcの垂直領域51に位置する場合でも、その側面Wcの液体LQに対する接触角が大きくないため、非抑制状態となる。図6中、ラインL1bで示すように、液体LQの界面が、第1面41r上の抑止位置A2と、非撥液領域56で下方領域53上の抑止位置B2との間に形成されることによって、抑制状態となる。すなわち、側面Wcにおける液体LQの接触角が大きくなくても、抑止位置B2における側面Wcの傾斜によって、液体LQの界面は、抑制状態となる。液体LQの界面の-Z方向への移動を抑止される。このように、図6に示すモデルにおいては、第1面41r及び側面Wcの上部において、側面Wcの撥液領域55と対向して第1面41rがZ軸とほぼ平行に設けられているため、側面Wcの撥液領域55と第1面41rとの間に形成される液体LQの界面を抑制状態にすることができ、液体LQの浸入を抑制することができる。しかしながら、図6に示すモデルは、第1面41rの上部に液体LQの浸入を抑止できる抑止位置AA1が存在するものの、プレート部材Tr1の面取り処理が行われていないモデルである。図7は、第2の比較例に係るプレート部材Tr2のエッジ部Egrと、基板Wの側面Wcとの間のギャップGaに形成される液体LQの界面の形状を説明するための図である。図7に示す基板Wは、図4を参照して説明した基板Wと同一である。図7に示すプレート部材Tr2は、図6に示したプレート部材Tr1を面取り処理し、第2面42rを形成したものである。図7に示すモデルでは、第2面42rが形成されているので、図6のプレート部材Tr1と異なり、プレート部材Tr2には、側面Wcの抑止位置B1に対応する抑止位置A1が存在しない。すなわち、図7のモデルにおいては、第2面42rが形成されているため、側面Wcの撥液領域55と第1面41rとの間、および側面Wcの撥液領域55と第2面42rとの間のいずれにおいても、液体LQの界面を抑制状態で形成することができない。したがって、プレート部材Tr2の上部と側面Wcとの間において、液体LQの浸入をくい止めることができず、液体LQの界面は、-Z方向に移動しやすくなる。図6のモデルと同様に、図7において、ラインL1bで示すように、液体LQの界面が、第1面41r上の抑止位置A2と、非撥液領域56で下方領域53上の抑止位置B2との間に形成されることによって、液体LQの界面の-Z方向への移動を抑制できるが、この位置まで液体LQが浸入してしまった場合、液体LQが基板Wの裏面Wb側の空間に浸入してしまう可能性が高くなる。図7に示すモデルにおいて、第1面41r及び側面Wcの上部において液体LQの浸入をくい止めるために、例えば基板Wの垂直領域51の一部にも保護膜63を形成して、撥液領域55を拡大することが考えられる。すなわち、第1面41rの上部と対向する垂直領域51の上部も撥液領域55にすることも考えられる。しかしながら、上述したように、基板Wの側面Wcの垂直領域51に保護膜63を形成すると、基板Wを搬送する搬送装置、基板Wを保管する収容装置等が汚染する可能性が高くなる。また、図7に示すモデルにおいて、液体LQに対する接触角が非常に高い保護膜63を用いることによって、第1面41r及び側面Wcの上部において液体LQの浸入をくい止めることができる可能性がある。しかしながら、保護膜63として使用する材料の選択の幅が狭くなる等の問題が生じる可能性がある。また、プレート部材Tr2の面取り量を少なくして、第1面41rの上部に抑止位置Aを存在させることも考えられるが、面取り量を高精度に制御することは困難であり、製造コストの増大を招く。図8は、本実施形態に係るプレート部材Tのエッジ部Egと基板Wの側面Wcとの間のギャップGに形成される液体LQの界面の形状を説明するための図である。図8は、エッジ部Egと側面Wcとの間のZ軸方向に関する各位置における液体LQの界面の形状を解析した結果を示す。図8中、抑制状態の液体LQの界面をライン実線L1で示し、非抑制状態の液体LQの界面をライン二点鎖線L2で示す。図8に示すように、本実施形態においては、第1面41と第2面42との境界Jが、基板Wの表面Waとほぼ同じ高さ、もしくは基板Wの表面Waより高い位置に配置されているので、液体LQの浸入を抑制することができる。すなわち、図8中、ラインL1aで示すように、第1面41上の抑止位置A1と、撥液領域55で上方領域52上の抑止位置B1との間に形成される液体LQの界面を抑制状態にすることができる。すなわち、側面Wcの撥液領域55と第1面41との間に形成される液体LQの界面を抑制状態にすることができる。このように、本実施形態においては、第1面41の上部に抑止位置A1が存在し、側面Wcの上部に抑止位置B2が存在することとなる。したがって、第1面41及び側面Wcの上部において、液体LQの界面の-Z方向への移動を抑制することができる。したがって、ギャップGからの液体LQの浸入を抑制することができ、液体LQが基板Wの裏面Wb側に回り込んだり、基板Wの裏面Wbに付着したりすることを抑制することができる。また、液体LQがプレート部材Tの裏面Tb側に回り込んだり、プレート部材Tの裏面Tbに付着したりすることを抑制することができる。以上説明したように、本実施形態によれば、基板Wの周囲の少なくとも一部に形成されたギャップからの液体LQの浸入を抑制することができる。したがって、液体LQが基板Wの裏面Wb側の空間に浸入したり、その液体LQが基板Wの裏面Wbに付着したりすることを抑制することができる。本実施形態によれば、基板Wの側面Wcにおいて保護膜63が存在する部分を少なくしても、液体LQの浸入を抑制することができる。換言すれば、基板Wの側面Wcが、撥液性の保護膜63が除去された非撥液領域56を含む場合でも、液体LQの浸入を抑制できる。したがって、保護膜63に起因する搬送装置、収容装置等、露光装置EX内の各部材、機器、あるいはコータデベロッパ装置、エッチング装置等の外部装置周辺装置の汚染を抑制できる。また、したがって、露光不良の発生、不良デバイスの発生を抑制できる。なお、プレート部材Tの厚さは、基板Wの厚さとほぼ同じであってもよいし、基板Wより薄くてもよい。この場合も、第1面41と第2面42の境界部Jが基板Wの表面とほぼ同じ高さ、あるいは基板Wの表面よりも高くなるように、第2保持部29の第2保持面34の高さを第1保持部23の第1保持面22のより高くすればよい。なお、本実施形態においては、第1面41、第2面42、第3面43は、図8に示すように、開口21の中心Cを含むZ軸と平行な断面において直線となるように形成されているが、曲線となるように形成されていてもよいし、微小な凹凸があってもよい。<第2実施形態>次に、第2実施形態について図9、図10を参照して説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図9,10に示す基板Wは、図4を参照して説明した基板Wと同一である。図9は、第2実施形態に係るプレート部材T2のエッジ部Egの近傍を示す側断面図YZ断面図である。図9は、プレート部材T2が第2保持部29に保持され、基板Wが第1保持部23に保持されている状態を示す。上述の実施形態と同様、第1保持部23の第1保持面22は、XY平面とほぼ平行である。図9において、プレート部材T2のエッジ部Eg基板Wの近傍壁は、第1面41b第1斜面部と、第1面41bに隣接して設けられた第2面42b第2斜面部とを有する。第1面41bと第2面42bとは非平行である。第2面42bは、第1面41bと第2面42bとの境界部Lから、上Z側に向かって、かつ開口21の中心Cに対して外側に向かって延びるように配置されている。すなわち、第2面42bは、第1面41bと第2面42bの境界部Lから開口21の中心Cから離れるように延びている。あるいは、第2面42bは、基板Wに向かって下がる傾斜を有する。また、第1面41bは、第1面41bと第2面42bの境界部Lから、下-Z側に向かって、かつ開口21の中心Cに対して外側に向かって延びるように配置されている。すなわち、第1面41bは、第1面41bと第2面42bとの境界部Lから開口21の中心Cから離れるように延びている。あるいは、第1面41bは、基板Wに向かって上がる傾斜を有する。また、本実施形態においては、境界部Lは、第1面41bと第2面42bとが接続される角部角コーナーであり、第1面41bの上端、および第2面42bの下端を含む。第1面41bと第2面42bとが境界部L角で交わる。本実施形態において、境界部Lは、基板Wに実質的に最も近く、また、基板Wの表面Waに比較的近い高さ位置に配置される。なお、開口21の中心Cを含むZ軸と平行な断面において、第1面41bと第2面42bとの境界部Lが丸みを帯びていても丸角よい。プレート部材T2のエッジ部Egは、第1保持部23に保持された基板Wの側面Wcに沿うように設けられているエッジ部Egが基板Wの側面に実質的平行である。すなわち、本実施形態においては、第1保持部23に保持された基板Wの周囲に第1面41bと第2面42bとが配置される。本実施形態において、第1保持部23は、基板Wの側面Wcとプレート部材T2の第1面41b第2面42bとがギャップGを介して対向するように、基板Wを保持する。本実施形態において、Z軸と第2面42bとがなす角度θAは、Z軸と第1面41bとがなす角度θBより大きい。また、本実施形態においては、Z軸方向に関して、第1面41bは、第2面42bより大きい。Z軸方向における第2面42bの大きさは、Z軸方向における境界部Lとプレート部材T2の表面Ta第4面44bとの距離D7である。また、Z軸方向における第1面41bの大きさは、Z軸方向における境界部Lとプレート部材T2の裏面Tb第5面45bとの距離D8である。距離D8は距離D7より大きい。また、本実施形態において、第1面41bと第2面42bとがなす角度θCは、90度以上である。Z軸と第1面41bとがなす角度θBが、Z軸と第2面42bとがなす角度θAと同じであってもよいし、角度θAより大きくてもよい。プレート部材T2は、第2面42bに隣接して設けられた第4面44bを有する。第4面44bは、第2面42bと第4面44bとの境界部から、開口21の中心Cに対して、外側に向かって延びる。すなわち、第4面44bは、第2面42bと第4面との境界部から開口21の中心Cから離れるように延びる。第4面44bは、プレート部材T2の表面Taであり、第1保持面22XY平面とほぼ平行である。なお、本実施形態においては、第2面42bと第4面44bとの境界部は、第2面42bと第4面44bとが接続される角部であり、第2面42bの上端を含む。なお、開口21の中心Cを含むZ軸と平行な断面において、第2面42bと第4面44bとの境界部が丸みを帯びていてもよい。また、プレート部材T2は、第1面41bに隣接して設けられた第5面45bを有する。第5面45bは、第1面41bと第5面45bの境界部から、開口21の中心Cに対して、外側に向かって延びる。すなわち、第5面45bは、第1面41bと第5面45bとの境界部から開口21の中心Cから離れるように延びる。第5面45bは、プレート部材T2の裏面Tbであり、第1保持面22XY平面とほぼ平行である。なお、本実施形態においては、第1面41bと第5面45bとの境界部は、第1面41bと第5面45bとが接続される角部であり、第1面41bの下端を含む。なお、開口21の中心Cを含むZ軸と平行な断面において、第1面41bと第5面45bとの境界部が丸みを帯びていてもよい。また、本実施形態においては、第4面44bは、第1保持部23に保持された基板Wの表面Waとほぼ同じ高さに配置されている。また、プレート部材T2は、基板Wとほぼ同じ厚さである。このように、本実施形態においては、エッジ部Egの第1面41bは、第1面41bと第2面42bとの境界部Lから、第4面44bと垂直な-Z方向に向かって、かつ開口21の中心Cに対して外側に向かって延びるように配置されている。第2面42bは、境界部Lから、Z方向に向かって、かつ開口21の中心Cに対して外側に向かって延びるように配置されている。本実施形態において、第1面41b、第2面42b、第4面44b、及び第5面45bのそれぞれは、液体LQに対して撥液性である。本実施形態においては、境界部Lは、基板Wの側面Wcの撥液領域55と対向するように配置される。したがって、本実施形態においては、第1面41bの一部が、保護膜63で形成される撥液領域55と対向する。また、第2面42bのほぼ全域が、側面Wcの撥液領域55と対向する。なお、第1面41bが撥液領域55と対向していなくてもよい。すなわち、第1面41bと第2面42bとの境界部Lが非撥液領域56の垂直領域51と対向してもよい。本実施形態において、第2面42b第1傾斜部、第1面41b第2傾斜部、及び境界部L角は、基板Wに向かって実質的に突き出た、基板Wの厚み方向に沿った輪郭を形成する。この輪郭は、基板Wの厚み方向と直交する軸に関して実質的に非対称である。図10は、本実施形態に係るプレート部材T2のエッジ部Egと基板Wの側面Wcとの間のギャップGに形成される液体LQの界面の形状を説明するための図である。図10は、エッジ部Egと側面Wcとの間のZ軸方向に関する各位置における液体LQの界面の形状を解析した結果を示す。図10中、抑制状態の液体LQの界面をライン実線L1で示す。図10に示すように、本実施形態においては、第2面42bの下端から、下に向かって、かつ開口21の中心Cに対して外側に向かって延びる第1面41bが配置されているので、液体LQの浸入を抑制することができる。すなわち、図10中、ラインL1で示すように、第1面41bと側面Wcの垂直領域51非撥液領域56との間に形成される液体LQの界面を、抑制状態にすることができる。このように、本実施形態においては、第1面41bの上部に抑止位置Aが存在し、側面Wcの垂直領域51非撥液領域56に抑止位置Bが存在することとなる。すなわち、基板Wの側面Wcにおいて保護膜63が存在する部分を少なくしても、基板Wの表面Waに比較的近い位置に抑制状態で液体LQの界面を形成することできる。したがって、ギャップGからの液体LQの浸入を抑制することができる。また、本実施形態によれば、第1面41bと第2面42bとがなす角度θCは、90度以上である。本実施形態においては、第1面41bと第2面42bとがなす角度θCは、鈍角である。したがって、第1面41bと第2面42bとの境界部Lにおいて、バリ、異物が発生することが抑制される。また、第1面41bと第5面45bとがなす角度は、90度以上本実施形態においては、鈍角である。また、第2面42bと第4面44bとがなす角度は、90度以上本実施形態においては、鈍角である。したがって、第1面41bと第5面45bとの境界部、及び第2面42bと第4面44bとの境界部において、バリ、異物が発生することが抑制される。なお、本実施形態において、第2面42bを、面取り処理によって形成することができる。また、本実施形態においては、第1面41b、第2面42bは、図9及び図10に示すように、開口21の中心Cを含むZ軸と平行な断面において直線となるように形成されているが、曲線となるように形成されていてもよいし、微小な凹凸があってもよい。<第3実施形態>次に、第3実施形態について図11を参照して説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図11に示す基板Wは、図4を参照して説明した基板Wと同一である。図11は、第3実施形態に係るプレート部材T3のエッジ部Egの近傍を示す側断面図YZ断面図である。図11は、プレート部材T3が第2保持部29に保持され、基板Wが第1保持部23に保持されている状態を示す。上述の実施形態と同様、第1保持部23の第1保持面22は、XY平面とほぼ平行である。図11において、プレート部材T3のエッジ部Eg基板Wの近傍壁は、第1面41c実質的縦部と、第2面42c第2斜面部と、第3面43c第1斜面部とを有する。第2面42cは、第1面41cの上方に配置されている。第3面43cは、第1面41cの下方に配置されている。第2面42cは、第1面41cに隣接して設けられている。第3面43cは、第1面41cに隣接して設けられている。第1面41cと第2面42cとは非平行である。第1面41cと第3面43cとは非平行である。第2面42cと第3面43cとは非平行である。第2面42cは、第1面41cと第2面42cの境界部Mから、上Z側に向かって、かつ開口21の中心Cに対して外側に向かって延びるように配置されている。すなわち、第2面42cは、第1面41cと第2面42cの境界部Mから開口21の中心Cから離れるように延びる。あるいは、第2面42cは、基板Wに向かって下がる傾斜を有する。第3面43cは、第1面41cと第3面43cとの境界部Nから、下-Z側に向かって、かつ開口21の中心Cに対して外側に向かって延びるように配置されている。すなわち、第3面43cは、第1面41cと第3面43cの境界部Nから開口21の中心Cから離れるように延びる。あるいは、第3面43cは、基板Wに向かって上がる傾斜を有する。なお、本実施形態においては、境界部Mは、第1面41cと第2面42cとが接続される角部角コーナーであり、第1面41cの上端、および第2面42cの下端を含む。また、開口21の中心Cを含むZ軸と平行な断面において、第1面41cと第2面42cとの境界部Mが丸みを帯びていても丸角よい。また、本実施形態においては、境界部Nは、第1面41cと第3面43cとが接続される角部であり、第1面41cの下端、および第3面43cの上端を含む。第1面41cと第2面42cとが境界部M角で交わる。本実施形態において、境界部Mは、基板Wに実質的に最も近く、また、基板Wの表面Waに比較的近い高さ位置に配置される。また、開口21の中心Cを含むZ軸と平行な断面において、第1面41cと第3面43cとの境界部Nが丸みを帯びていてもよい。本実施形態において、第1面41cは、第1保持面22XY平面に対して、ほぼ垂直である。第1面41cは、第2面42cと第3面43cとの間に配置され、基板Wの厚み方向に沿っている実質的縦部。プレート部材T3エッジ部Egは、第1保持部23に保持された基板Wの側面Wcに沿うように設けられているエッジ部Egが基板Wの側面に実質的平行である。第1保持部23は、基板Wの側面Wcとプレート部材T3のエッジ部EgとがギャップGを介して対向するように、基板Wを保持する。すなわち、第1保持部23に保持された基板Wの周囲には、第1面41c、第2面42c、第3面43cが配置される。本実施形態において、Z軸と第2面42cとがなす角度θDは、Z軸と第3面43cとがなす角度θEより大きい。また、第2面42cと第3面43cとがなす角度θFは、90度以上である。また、本実施形態において、第1面41cZ軸と第2面42cとがなす角度θDは、90度以上である。第1面41cZ軸と第3面43cとがなす角度θEも、90度以上である。なお、Z軸と第1面41cとがなす角度θEが、Z軸と第2面42cとがなす角度θDと同じ、あるいは、角度θDより大きくてもよい。また、本実施形態においては、Z軸方向に関して、第3面43cは、第1面41cより大きい。また、本実施形態においては、Z軸方向に関して、第3面43cは、第2面42cより大きい。Z軸方向における第2面42cの大きさは、Z軸方向における第2面42cの下端とプレート部材T3の表面Ta第4面44cとの距離D9である。また、Z軸方向における第1面41cの大きさは、Z軸方向における第1面41cの上端と下端との距離D10である。また、Z軸方向における第3面43cの大きさは、第1面41cの下端とプレート部材T3の裏面Tb第5面45cとの距離D11である。本実施形態においては、距離D11は距離D10より大きい。また距離D11は距離D9より大きい。また距離D11は、距離D9と距離D10との和よりも大きい。プレート部材T3は、第2面42cに隣接して設けられた第4面44cを有する。第4面44cは、第2面42cと第4面44cの境界部から、開口21の中心Cに対して、外側に向かって延びる。第4面44cは、プレート部材T3の表面Taであり、第1保持面22XY平面とほぼ平行である。なお、本実施形態においては、第2面42cと第4面44cとの境界部は、第2面42cと第4面44cとが接続される角部であり、第2面42cの上端を含む。なお、開口21の中心Cを含むZ軸と平行な断面において、第2面42cと第4面44cとの境界部が丸みを帯びていてもよい。また、プレート部材T3は、第3面43cに隣接して設けられた第5面45cを有する。第5面45cは、第3面43cと第5面45cの境界部から、開口21の中心Cに対して、外側に向かって延びる。第5面45cは、プレート部材T3の裏面Tbであり、第1保持面22XY平面とほぼ平行である。なお、本実施形態においては、第3面43cと第5面45cとの境界部は、第3面43cと第5面45cとが接続される角部であり、第3面43cの下端を含む。なお、開口21の中心Cを含むZ軸と平行な断面において、第3面43cと第5面45cとの境界部が丸みを帯びていてもよい。また、本実施形態においては、第4面44cは、第1保持部23に保持された基板Wの表面Waとほぼ同じ高さに配置されている。本実施形態において、第1面41c、第2面42c、第3面43c、第4面44c、及び第5面45cのそれぞれは、液体LQに対して撥液性である。また、本実施形態においては、第1面41cの一部が、保護膜63で形成される撥液領域55と対向する。また、第2面42cのほぼ全域が、撥液領域55と対向する。本実施形態において、第2面42c第1傾斜部、第1面41c実質的縦部、第3面43c第2傾斜部、及び境界部M,L角は、基板Wに向かって実質的に突き出た、基板Wの厚み方向に沿った輪郭を形成する。この輪郭は、基板Wの厚み方向と直交する軸に関して実質的に非対称である。本実施形態においても、第1面41cの下端から、下に向かって、かつ開口21の中心Cに対して外側に向かって延びる第3面43cが配置されており、かつZ方向に関する第3面43cの大きさ距離D11が、第2面42cの大きさ距離D9及び第1面41cの大きさ距離D10よりも大きいので、液体LQの浸入を抑制することができる。すなわち、液体LQの界面を、垂直領域51非撥液領域56の上部と第1面41cとの間に形成される液体LQの界面を抑制状態にすることができる。本実施形態においても、側面Wcの垂直領域51非撥液領域56に抑止位置が存在することとなる。すなわち、基板Wの側面Wcにおいて保護膜63が存在する部分を少なくしても、基板Wの表面Waに比較的近い位置で液体LQの界面を抑制状態で形成することできる。したがって、基板Wの周囲の少なくとも一部に形成されたギャップGからの液体LQの浸入を抑制することができる。また、本実施形態によれば、第1面41cと第2面42cとがなす角度θDは、90度以上本実施形態においては、鈍角である。また、第1面41cと第3面43cとがなす角度θEは、90度以上本実施形態においては、鈍角である。また、第2面42cと第4面44cとがなす角度は、90度以上本実施形態においては、鈍角である。また、第3面43cと第5面45cとがなす角度は、90度以上本実施形態においては、鈍角である。なお、本実施形態において、第2面42cを、面取り処理によって形成することができる。なお、本実施形態において、第1面41cが、第1保持面22XY平面に対して非垂直でもよい。この場合、第1面41cが、第1面41cと第2面42cの境界部Mから下に向かって、かつ開口21の中心Cから離れるように形成されることが望ましい。なお、本実施形態において、プレート部材T3の厚さと基板Wの厚さとが異なっていてもよい。この場合、プレート部材T3の表面Ta第4面44cと基板Wの表面Waとをほぼ同じ高さとするために、第1保持部23の第1保持面22と第2保持部29の第2保持面34との高さを異ならせてもよい。また、本実施形態において、第1面41cと第3面43cの境界部NのZ方向の位置を、基板Wの表面Waに近づけるために、プレート部材T3の表面Ta第4面44cが基板Wの表面Waより高くなるようにプレート部材T3を保持してもよい。この場合、プレート部材T3を基板Wより厚くしてもよいし、及び/又は第2保持部29の第2保持面34を第1保持部23の第1保持面22より高くしてもよい。また、本実施形態においては、第1面41c、第2面42c、第3面43cは、図11に示すように、開口21の中心Cを含むZ軸と平行な断面において直線となるように形成されているが、曲線となるように形成されていてもよいし、微小な凹凸があってもよい。<第4実施形態>次に、第4実施形態について図12を参照して説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図12に示す基板Wは、図4を参照して説明した基板Wと同一である。第4実施形態に係るプレート部材T4は、図9等に示した第2実施形態にプレート部材T2の変形例であり、第1面41bの下方に第3面43bが形成されている点で、上述の第2実施形態のプレート部材T2と異なる。図12は、第4実施形態に係るプレート部材T4のエッジ部Egの近傍を示す側断面図YZ断面図である。図12に示すように、プレート部材T4のエッジ部Egは、第1面41b第1斜面部と、第1面41bの上方に配置された第2面42b第2斜面部とを有する。本実施形態においては、エッジ部Egは、第1面41bの下方に配置された第3面43bを有する。第1面41bと第2面42bとは非平行である。第1面41bと第3面43bとは非平行である。第2面42bは、第1面41bと第2面42bとの境界部Lから、上Z側に向かって、かつ開口21の中心Cに対して外側に向かって延びるように配置されている。第1面41bは、第1面41bと第2面42bの境界部Lから、下-Z側に向かって、かつ開口21の中心Cに対して外側に向かって延びるように配置されている。第3面43bは、第1面41bと第3面43の境界部Pから、下-Z側に向かって、かつ開口21の中心Cに対して外側に向かって延びるように配置されている。すなわち、第3面43bは、第1面41bと第3面43bの境界部Pから開口21の中心Cから離れるように延びている。なお、本実施形態においては、境界部Lは、第1面41bと第2面42bとが接続される角部であり、第1面41bの上端、および第2面42bの下端を含む。なお、開口21の中心Cを含むZ軸と平行な断面において、第1面41bと第2面42bとの境界部Lが丸みを帯びていてもよい。境界部Pは、第1面41bと第3面43bとが接続される角部であり、第1面41bの下端、および第3面43bの上端を含む。なお、開口21の中心Cを含むZ軸と平行な断面において、第1面41bと第3面43bとの境界部Pが丸みを帯びていてもよい。また、Z軸方向に関して、第1面41bは第3面43bより大きい。Z軸方向に関する第1面41bの大きさは、Z軸方向における境界部Lと境界部Pとの距離D12であり、Z軸方向に関する第3面43bの大きさは、Z軸方向における第1面41bと第3面43bの境界部Pとプレート部材T4の裏面Tb第5面45bとの距離D13である。また、プレート部材T4は、第2面42bに隣接して設けられた第4面44bを有する。第4面44bは、第2面42bと第4面44bの境界部から、開口21の中心Cに対して、外側に向かって延びる。第4面44bは、プレート部材T4の表面Taであり、第1保持面22XY平面とほぼ平行である。また、プレート部材T4は、第3面43bに隣接して設けられた第5面45bを有する。第5面45bは、第3面43bと第5面45bの境界部から、開口21の中心Cに対して、外側に向かって延びる。第5面45bは、プレート部材T4の裏面Tbであり、第1保持面22XY平面とほぼ平行である。また、本実施形態においても、Z軸と第1面41bとがなす角度θBが、Z軸と第2面42bとがなす角度θAと同じであってもよいし、角度θAより大きくてもよい。本実施形態においても、液体LQの界面を、側面Wcの垂直領域51非撥液領域56の上部と第1面41bとの間に形成される液体LQの界面を抑制状態にすることができ、液体LQの浸入を抑制することができる。なお、本実施形態において、第3面43bを面取り処理によって形成することができる。また、本実施形態においては、第1面41b、第2面42b、第3面43bは、図12に示すように、開口21の中心Cを含むZ軸と平行な断面において直線となるように形成されているが、曲線となるように形成されていてもよいし、微小な凹凸があってもよい。<第5実施形態>次に、第5実施形態について図13を参照して説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図13に示す基板Wは、図4を参照して説明した基板Wと同一である。第5実施形態は、上述の第2実施形態の変形例である。図13に示すように、第2実施形態に係るプレート部材T2の第4面44bが、第1保持部23に保持された基板Wの表面Waより高い位置に配置されている。第2面41a第1傾斜面は、基板Wに向かって下がる傾斜を有し、第1面41b第2傾斜面は、基板Wに向かって上がる傾斜を有する。第1面41bと第2面42bとが境界部L角で交わる。図13に示す例では、第1面41bと第2面42bとの境界部Lが、第1保持部23に保持された基板Wの表面Waとほぼ同じ高さ、もしくは基板Wの表面Waより高い位置に配置されている。本実施形態においても、基板Wの側面Wcの撥液領域55と第1面41bとの間に形成される液体LQの界面だけでなく、第1面41bと側面Wcの垂直領域51非撥液領域56との間に形成される液体LQの界面も抑制状態にすることができ、液体LQの浸入を抑制することができる。なお、本実施形態において、プレート部材T2の厚さと基板Wの厚さとが異なっていてもよい。この場合、第2保持部29の第2保持面34の高さと第1保持部23の第1保持面22の高さが同じであってもよいし、異なっていてもよい。また、第4実施形態のように第1面41bの下方に第3面43bが存在してもよい。<第6実施形態>次に、第6実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図14は、第6実施形態に係る基板テーブル12Bの一例を示す側断面図である。図14において、基板テーブル12Bは、第1保持部23が形成された第1基材24Aと、第2保持部29が形成された第2基材24Bとを含む。第1保持部23は、基板Wをリリース可能に保持する。第2保持部29は、プレート部材Tをリリース可能に保持する。本実施形態において、第2基材24Bは、第1基材24Aに対して移動可能である。本実施形態において、第1基材24Aと第2基材24Bとの間に、例えばボイスコイルモータ等のアクチュエータを含む駆動システム70が配置されている。第2基材24Bは、駆動システム70の作動により、第1基材24Aに対して移動可能である。第1基材24Aに対して第2基材24Bが移動することによって、第1基材24Aの第1保持部23に保持されている基板Wに対して、第2基材24Bの第2保持部29に保持されているプレート部材Tが移動する。本実施形態においては、駆動システム70の作動により、プレート部材Tは、少なくともZ軸方向に移動可能である。制御装置3は、駆動システム70を制御して、第1保持部23に保持されている基板Wと、第2保持部29に保持されているプレート部材Tとの位置関係を調整することができる。例えば、上述の第1実施形態で説明したプレート部材Tが第2保持部29に保持されている場合、制御装置3は、駆動システム70を制御して、基板Wの表面Waに対して、プレート部材Tの第1面41と第2面42の境界部JのZ軸方向に関する位置を調整することができる。したがって、例えばプレート部材Tの厚みと基板Wの厚みとがほぼ同じ場合でも、制御装置3は、駆動システム70を作動して、プレート部材Tの境界部Jを、第1保持部23に保持された基板Wの表面Waとほぼ同じ高さに配置したり、基板Wの表面Waより高い位置に配置したりすることができる。このように、本実施形態の基板テーブル12Bは、プレート部材Tの境界部Jが、第1保持部23に保持された基板Wの表面Waとほぼ同じ高さ、もしくは基板Wの表面Waより高い位置に配置されるようにプレート部材Tを保持することができる。本実施形態においても、液体LQの浸入を抑制できる。なお、本実施形態の第2保持部29にプレート部材T2、プレート部材T3、プレート部材T4のいずれかを保持するようにしてもよい。なお、上述の第1~第6実施形態においては、1つのプレート部材で開口21を規定しているが、複数のプレート部材を保持して、開口21を規定してもよい。<第7実施形態>次に、第7実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。図15は、第7実施形態に係る基板テーブル12Cの一例を示す側断面図である。上述の第1~第6実施形態においては、第1保持部23が配置される開口21を規定するエッジ部Egが、プレート部材TT2~T4に設けられている場合を例にして説明したが、図15に示すように、開口21を規定するエッジ部Egが、基板テーブル12C基材24Cの一部であってもよい。この場合も、上述のプレート部材T,T2,T3,T4と同様に、第1面41,41b、41c、第2面42,42b、42c、第3面43,43b、43cの少なくとも1つを基板テーブル12Cに設ければよい。また、上述の第1~第7実施形態において、開口21は円形であるが円形でなくてもよい。例えば、基板Wが矩形の場合には、開口21を矩形にすればよい。なお、上述の第1~第7実施形態においては、基板Wの撥液領域55は、保護膜63によって形成されているが、基板Wの感光膜が液体LQに対して撥液性の場合には、保護膜63を省いてもよい。この場合、基板Wの表面Waは、感光膜の表面を含む。また、基板Wの側面Wcの上方領域52の少なくとも一部を撥液性の感光膜で形成してもよい。また、上述の第1~第7実施形態においては、直径300mm厚さ0.775mmの基板Wを用いて説明しているが、各実施形態は、直径200mm、及び直径450mmの基板Wにも適用することができる。また、上述の第1~第7実施形態においては、投影光学系PLの終端光学素子5の射出側像面側の光路が液体LQで満たされているが、例えば国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、終端光学素子5の入射側物体面側の光路も液体LQで満たされる投影光学系PLを採用することができる。なお、上述の各実施形態においては、液体LQとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。例えば、液体LQとして、ハイドロフロロエーテルHFE、過フッ化ポリエーテルPFPE、フォンブリンオイル等を用いることもできる。なお、上述の各実施形態の基板Wとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版合成石英、シリコンウエハ等が適用される。露光装置EXとしては、マスクMKと基板Wとを同期移動してマスクMKのパターンを走査露光するステップアンドスキャン方式の走査型露光装置スキャニングステッパの他に、マスクMKと基板Wとを静止した状態でマスクMKのパターンを一括露光し、基板Wを順次ステップ移動させるステップアンドリピート方式の投影露光装置ステッパにも適用することができる。さらに、ステップアンドリピート方式の露光において、第1パターンと基板Wとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第1パターンの縮小像を基板W上に転写した後、第2パターンと基板Wとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第2パターンの縮小像を第1パターンと部分的に重ねて基板W上に一括露光してもよいスティッチ方式の一括露光装置。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板W上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Wを順次移動させるステップアンドスティッチ方式の露光装置にも適用できる。また、例えば米国特許第6611316号明細書に開示されているように、2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、1回の走査露光によって基板上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクションアライナーなどにも本発明を適用することができる。また、本発明は、米国特許第6341007号明細書、米国特許第6208407号明細書、米国特許第6262796号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。更に、例えば米国特許第6897963号明細書等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び/又は各種の光電センサを搭載し、露光対象の基板を保持しない計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。露光装置EXの種類としては、基板Wに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子CCD、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いてマスクステージ1及び基板ステージ2の各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージ1、2に設けられるスケール回折格子を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとしてもよい。また、上述の各実施形態では、露光光ELとしてArFエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ArFエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第7023610号明細書に開示されているように、DFB半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長193nmのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン又は位相パターン減光パターンを形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6778257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれるを用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子空間光変調器の一種であるDMDDigitalMicromirrorDevice等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、CRTCathodeRayTube、無機ELディスプレイ、有機ELディスプレイOLED:OrganicLightEmittingDiode、LEDディスプレイ、LDディスプレイ、電界放出ディスプレイFED:FieldEmissionDisplay、プラズマディスプレイPDP:PlasmaDisplayPanel等が挙げられる。上述の各実施形態においては、投影光学系PLを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系PLを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系PLを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。また、例えば国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板W上に形成することによって、基板W上にラインアンドスペースパターンを露光する露光装置リソグラフィシステムにも本発明を適用することができる。以上のように、本実施形態の露光装置EXは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図16に示すように、マイクロデバイスの機能性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスクレチクルを製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理露光処理を含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む205、検査ステップ206等を経て製造される。なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。"