予め準備された校正データをアナログ校正信号に変換し、当該アナログ校正信号に応じて駆動信号を生成するデータ駆動部と、予め設定されたプログラミング区間では前記駆動信号に応じてプログラミングのための充電経路を選択し、予め設定されたエミッション区間では劣化検出経路を選択する選択部と、電源の供給を受ける電源端と接地の間に連結された有機発光ダイオードを含み、前記プログラミング区間では前記駆動信号に応じて校正データに相応する値を充電し、前記エミッション区間では充電された値に応じて有機発光ダイオードに電流が流れるようにする画素部と、前記エミッション区間で、前記画素部の有機発光ダイオードの劣化情報を有する劣化電圧を検出するADCとを含むアクティブ有機発光表示装置。前記画素部は、前記電源の供給を受ける電源端と有機発光ダイオードの間に直列に連結された第1及び第2MOSトランジスタと、前記第1MOSトランジスタのゲートと前記選択部の間に連結された第3MOSトランジスタと、前記第1MOSトランジスタのゲートと前記電源端の間に連結された充電キャパシタとをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のアクティブ有機発光表示装置。前記画素部は、前記プログラミング区間では、前記第1及び第3MOSトランジスタがターンオンされ、前記第2MOSトランジスタがターンオフされ、前記エミッション区間では、前記第1及び第2MOSトランジスタがターンオンされ、前記第3MOSトランジスタがターンオフされるようになされることを特徴とする請求項2に記載のアクティブ有機発光表示装置。前記画素部は、前記プログラミング区間では、前記駆動信号に応じて電流が前記電源端から第1及び第3MOSトランジスタを経て前記選択部に向かって流れるようにし、前記充電キャパシタに校正データに相応する値を貯蔵し、前記エミッション区間では、前記充電キャパシタに貯蔵された値に応じて電流が前記電源端から第1及び第2MOSトランジスタ及び有機発光ダイオードを経て接地に流れるようになされることを特徴とする請求項2または3に記載のアクティブ有機発光表示装置。前記ADCは、前記エミッション区間で、前記画素部の第1及び第2MOSトランジスタ間の接続ノードで前記有機発光ダイオードの劣化情報を有する劣化電圧を検出するようになされることを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載のアクティブ有機発光表示装置。前記ADCからのデジタル劣化電圧を利用して劣化補償のための劣化補償信号を生成する補償部と、前記劣化補償信号を利用して入力データを劣化の補償された校正データに変換し、前記データ駆動部に提供する変換部とをさらに含むことを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載のアクティブ有機発光表示装置。前記選択部と前記画素部の間に形成されるパネルのロードに該当するパネルロード部をさらに含むことを特徴とする請求項1から6の何れか1項に記載のアクティブ有機発光表示装置。本発明は上述した従来技術の問題点を解決するためのものであり、本発明は、エミッション区間で劣化検知を行うことにより、より迅速に劣化検知が可能で、これによって劣化補償も迅速に行うことができるアクティブ有機発光表示装置を提供することを目的とする。上述した本発明の課題を解決するための本発明の第1技術的な側面は、予め準備された校正データをアナログ校正信号に変換し、このアナログ校正信号に応じて駆動信号を生成するデータ駆動部と、予め設定されたプログラミング区間では上記駆動信号に応じてプログラミングのための充電経路を選択し、予め設定されたエミッション区間では劣化検出経路を選択する選択部と、電源の供給を受ける電源端と接地の間に連結された有機発光ダイオードを含み、上記プログラミング区間では上記駆動信号に応じて校正データに相応する値を充電し、上記エミッション区間では充電された値に応じて有機発光ダイオードに電流が流れるようにする画素部と、上記エミッション区間で、上記画素部の有機発光ダイオードの劣化情報を有する劣化電圧を検出するADCを含むアクティブ有機発光表示装置を提案することである。本発明の第1技術的な側面において、上記画素部は、上記電源の供給を受ける電源端と有機発光ダイオードの間に直列に連結された第1及び第2MOSトランジスタと、上記第1MOSトランジスタのゲートと上記選択部の間に連結された第3MOSトランジスタと、上記第1MOSトランジスタのゲートと上記電源端の間に連結された充電キャパシタをさらに含むことを特徴とする。上記画素部は、上記プログラミング区間では上記第1及び第3MOSトランジスタがターンオンされ、上記第2MOSトランジスタがターンオフされ、上記エミッション区間では上記第1及び第2MOSトランジスタがターンオンされ、上記第3MOSトランジスタがターンオフされるようになされることを特徴とする。上記画素部は、上記プログラミング区間では上記駆動信号に応じて電流が上記電源端から第1及び第3MOSトランジスタを経て上記選択部に向かって流れるようにし、上記充電キャパシタに校正データに相応する値を貯蔵し、上記エミッション区間では上記充電キャパシタに貯蔵された値に応じて電流が上記電源端から第1及び第2MOSトランジスタ及び有機発光ダイオードを経て接地に流れるようになされることを特徴とする。上記ADCは、上記エミッション区間で、上記画素部の第1及び第2MOSトランジスタ間の接続ノードで上記有機発光ダイオードの劣化情報を有する劣化電圧を検出するようになされることを特徴とする。また、本発明の第1技術的な側面によるアクティブ有機発光表示装置は、上記ADCからのデジタル劣化電圧を利用して劣化補償のための劣化補償信号を生成する補償部と、上記劣化補償信号を利用して入力データを劣化が補償された校正データに変換し、上記データ駆動部に提供する変換部をさらに含むことを特徴とする。また、本発明の第1技術的な側面によるアクティブ有機発光表示装置は、上記選択部と上記画素部の間に形成されるパネルのロードに該当するパネルロード部をさらに含むことを特徴とする。また、本発明の第2技術的な側面は、予め準備された校正データをアナログ校正信号に変換し、このアナログ校正信号に応じて駆動信号を生成するデータ駆動部と、予め設定されたプログラミング区間では上記駆動信号に応じてプログラミングのための充電経路を選択し、予め設定されたエミッション区間では劣化検出経路を選択する選択部と、電源の供給を受ける電源端と接地の間に連結された有機発光ダイオードを含み、上記プログラミング区間では上記駆動信号に応じて校正データに相応する値を充電し、上記エミッション区間では充電された値に応じて有機発光ダイオードに電流が流れるようにする画素部と、上記エミッション区間で、上記画素部の有機発光ダイオードの劣化情報を有する劣化電圧を検出するADCと、上記ADCからのデジタル劣化電圧を利用して劣化補償のための劣化補償信号を生成する補償部と、上記劣化補償信号を利用して入力データを劣化の補償された校正データに変換し、上記データ駆動部に提供する変換部を含むアクティブ有機発光表示装置を提供することである。本発明の第2技術的な側面において、上記画素部は、上記電源の供給を受ける電源端と有機発光ダイオードの間に直列に連結された第1及び第2MOSトランジスタと、上記第1MOSトランジスタのゲートと上記選択部の間に連結された第3MOSトランジスタと、上記第1MOSトランジスタのゲートと上記電源端の間に連結された充電キャパシタをさらに含むことを特徴とする。上記画素部は、上記プログラミング区間では上記第1及び第3MOSトランジスタがターンオンされ、上記第2MOSトランジスタがターンオフされ、上記エミッション区間では上記第1及び第2MOSトランジスタがターンオンされ、上記第3MOSトランジスタがターンオフされるようになされることを特徴とする。上記画素部は、上記プログラミング区間では上記駆動信号に応じて電流が上記電源端から第1及び第3MOSトランジスタを経て上記選択部に向かって流れるようにし、上記充電キャパシタに校正データに相応する値を貯蔵し、上記エミッション区間では上記充電キャパシタに貯蔵された値に応じて電流が上記電源端から電流が第1及び第2MOSトランジスタ及び有機発光ダイオードを経て接地に流れるようになされることを特徴とする。上記ADCは、上記エミッション区間で、上記画素部の第1及び第2MOSトランジスタ間の接続ノードで上記有機発光ダイオードの劣化情報を有する劣化電圧を検出するようになされることを特徴とする。また、本発明の第2技術的な側面によるアクティブ有機発光表示装置は、上記選択部と上記画素部の間に形成されるパネルのロードに該当するパネルロード部をさらに含むことを特徴とする。本発明によると、エミッション区間で劣化検知及び補償を同時に行うことにより、より迅速に劣化検知及び補償を行うことができるという効果がある。以下、本発明の実施例を添付の図面を参照して説明する。本発明は以下に説明する実施例に限定されず、本発明の実施例は本発明の技術的思想に対する理解を助けるために用いられる。本発明に参照された図面において、実質的に同一の構成と機能を有した構成要素は、同一の符号を用いる。図1は本発明によるアクティブ有機発光表示装置のブロック図である。図1を参照すると、本発明によるアクティブ有機発光表示装置は、予め準備された校正データをアナログ校正信号Scorに変換し、このアナログ校正信号Scorに応じて駆動信号を生成するデータ駆動部120と、予め設定されたプログラミング区間P1では上記駆動信号に応じてプログラミングのための充電経路を選択し、予め設定されたエミッション区間P2では劣化検出経路を選択する選択部130とを含むことができる。ここで、上記選択部130は選択信号Sselに応じて充電経路または劣化検出経路を選択する。例えば、上記選択信号Sselがハイレベル1であれば、上記選択部130は充電経路を選択することができ、上記選択信号Sselがローレベル0であれば、上記選択部130は劣化検出経路を選択することができる。また、本発明によるアクティブ有機発光表示装置は、電源ELVDDの供給を受ける電源端と接地の間に連結された有機発光ダイオードOLEDを有し、上記プログラミング区間P1では上記駆動信号に応じて校正データに相応する値を充電し、上記エミッション区間P2では充電された値に応じて有機発光ダイオードOLEDに電流が流れるようにする画素部150を含むことができる。本発明によるアクティブ有機発光表示装置は、上記エミッション区間P2で、上記画素部150の有機発光ダイオードOLEDの劣化情報を有する劣化電圧Vdを検出するADCAnalog-DigitalConverter160を含むことができる。上記画素部150は、上記電源ELVDDの供給を受ける電源端と有機発光ダイオードOLEDの間に直列に連結された第1及び第2MOSトランジスタPM1、PM2と、上記第1MOSトランジスタPM1のゲートと上記選択部130の間に連結された第3MOSトランジスタPM3と、上記第1MOSトランジスタPM1のゲートと上記電源端の間に連結された充電キャパシタCchaをさらに含むことができる。上記画素部150は、上記プログラミング区間P1では上記第1及び第3MOSトランジスタPM1、PM3がターンオンされ、上記第2MOSトランジスタPM2がターンオフされ、上記エミッション区間P2では上記第1及び第2MOSトランジスタPM1、PM2がターンオンされ、上記第3MOSトランジスタPM3がターンオフされるようになされることができる。また、上記画素部150は、上記プログラミング区間P1では、上記駆動信号に応じて電流が上記電源端から第1及び第3MOSトランジスタPM1、PM3を経て上記選択部130に向かって流れるようにし、上記充電キャパシタCchaに校正データに相応する値を貯蔵するようになされることができる。そして、上記画素部150は、上記エミッション区間P2では、上記充電キャパシタCchaに貯蔵された値に応じて電流が上記電源端から第1及び第2MOSトランジスタPM1、PM2及び有機発光ダイオードOLEDを経て接地に流れるようになされることができる。上記ADC160は、上記エミッション区間P2で、上記画素部150の第1及び第2MOSトランジスタPM1、PM2間の接続ノードで上記有機発光ダイオードOLEDの劣化情報を有する劣化電圧Vdを検出するようになされることができる。また、本発明によるアクティブ有機発光表示装置は、上記ADC160からのデジタル劣化電圧VDdを利用して劣化補償のための劣化補償信号Sconを生成する補償部170と、上記劣化補償信号Sconを利用して入力データDinを劣化の補償された校正データに変換し、上記データ駆動部120に提供する変換部110とをさらに含むことができる。また、本発明によるアクティブ有機発光表示装置は、上記選択部130と上記画素部150の間に形成されるパネルPannelのロードに該当するパネルロード部140をさらに含むことができる。図2は本発明によるアクティブ有機発光表示装置の動作フローチャートである。図2において、S100はプログラミング区間P1を開始する段階を示す。S200はプログラミング区間P1を終了し、エミッション区間P2を開始する段階を示す。S300はエミッション区間で劣化検知を行う段階を示す。そして、S400はエミッション区間P2で上記劣化検知に基づいて劣化補償を行う段階を示す。図3は、本発明によるアクティブ有機発光表示装置のタイムチャートである。図3において、P1はプログラミング区間を、P2はエミッション区間を意味し、Sscanは上記画素部150の第3MOSトランジスタPM3のゲートに印加されるゲート信号であり、Semは第2MOSトランジスタPM2のゲートに印加されるゲート信号であり、VDdは上記ADC160から出力されるデジタル劣化電圧である。図4は本発明によるアクティブ有機発光表示装置のプログラミング区間での動作説明図であり、図5は本発明によるアクティブ有機発光表示装置のエミッション区間での動作説明図である。図4のPHiは、本発明のアクティブ有機発光表示装置におけるプログラミング区間P1での電流経路を意味する。また、図5のPHdetは、本発明のアクティブ有機発光表示装置における劣化検出経路を意味する。以下、本発明の作用及び効果を添付の図面に基づいて説明する。図1から図5を参照し、本発明によるアクティブ有機発光表示装置に対して説明するにあたり、予め設定されたプログラミング区間P1とエミッション区間P2とに区分して説明する。まず、本発明のアクティブ有機発光表示装置のプログラミング区間P1での動作を説明する。図1及び図2を参照すると、本発明のデータ駆動部120は、プログラミング区間に該当する動作を開始し、予め準備された校正データをアナログ校正信号Scorに変換し、このアナログ校正信号Scorに応じて駆動信号を生成する図2のS100。本発明の選択部130は、予め設定されたプログラミング区間P1では上記駆動信号に応じてプログラミングのための充電経路を選択する。即ち、上記選択部130は選択信号Sselに応じて充電経路を選択する。例えば、上記選択信号Sselがハイレベル1であれば、上記選択部130は充電経路を選択することができる。この際、画素部150は、上記プログラミング区間P1では上記駆動信号に応じて校正データに相応する値を充電することができる。即ち、上記画素部150は、上記プログラミング区間P1では上記第1及び第3MOSトランジスタPM1、PM3がターンオンされ、上記第2MOSトランジスタPM2がターンオフされる。これにより、上記画素部150は、図4に図示されたように、本発明の選択部130で電流経路が選択されるため、上記プログラミング区間P1では上記駆動信号に応じて電流が上記電源端から第1及び第3MOSトランジスタPM1、PM3を経て上記選択部130に向かって流れるようになり、結局、上記充電キャパシタCchaに校正データに相応する値を貯蔵することができる。次に、図2及び図3に図示したように、本発明のアクティブ有機発光表示装置のプログラミング区間P1が終了され、エミッション区間P2が開始される。一方、本発明の変換部110は、入力データDinを劣化の補償された校正データに変換し、上記データ駆動部120に提供することができる。以下、本発明のアクティブ有機発光表示装置のエミッション区間P2での動作を説明する。図1及び図2を参照すると、本発明の選択部130は、エミッション区間P2に該当する動作を開始し、予め設定されたエミッション区間P2では劣化検出経路を選択することができる図2のS200。即ち、上記選択部130は選択信号Sselに応じて劣化検出経路を選択することができる。例えば、上記選択信号Sselがローレベル0であれば、上記選択部130は劣化検出経路を選択することができる。また、本発明の画素部150は、上記エミッション区間P2では充電された値に応じて有機発光ダイオードOLEDに電流が流れるようにする。即ち、上記画素部150は、上記エミッション区間P2では上記第1及び第2MOSトランジスタPM1、PM2がターンオンされ、上記第3MOSトランジスタPM3がターンオフされる。これにより、上記画素部150は、上記エミッション区間P2では上記充電キャパシタCchaに貯蔵された値に応じて電流が上記電源端から第1及び第2MOSトランジスタPM1、PM2及び有機発光ダイオードOLEDを経て接地に流れるようになる。これと同時に、上記選択部130で選択された劣化検出経路によって、本発明のADC160は、上記エミッション区間P2で上記画素部150の有機発光ダイオードOLEDの劣化情報を有する劣化電圧Vdを検出することができる。即ち、上記ADC160は、上記エミッション区間P2で、上記画素部150の第1及び第2MOSトランジスタPM1、PM2間の接続ノードで上記有機発光ダイオードOLEDの劣化情報を有する劣化電圧Vdを検出することができる。次に、本発明の補償部170は、上記ADC160からのデジタル劣化電圧VDdを利用して劣化補償のための劣化補償信号Sconを生成し、変換部110に提供することができる。この際、上記変換部110は、上記劣化補償信号Sconを利用して入力データDinを劣化の補償された校正データに変換し、上記データ駆動部120に提供する。これにより、上述したように、上記データ駆動部120は、上記校正データをアナログ校正信号Scorに変換し、このアナログ校正信号Scorに応じて駆動信号を生成することができる。上述のような本発明によると、出力に対するトランジスタの移動度と閾値電圧の劣化などの影響を受けずに、エージングAgingと温度、工程上の劣化を補償することができる。また、補償電流駆動方式を利用して、OLEDを駆動する電流に対するトランジスタの移動度と閾値電圧の劣化の影響を除去することができ、さらに、OLEDの劣化程度を検知する区間を別に用いなくてもエミッション区間で検知が行われるため、画面をディスプレーしながら劣化を補償することができる。