半導体基板と、前記半導体基板の上方に設けられ、複数の絶縁膜を含む第1積層膜と、前記第1積層膜層上に設けられ、発熱抵抗体を有する検出部と、前記半導体基板上に設けられ、前記発熱抵抗体を制御する制御回路を有する回路部と、前記発熱抵抗体上および前記制御回路の上方に設けられ、複数の絶縁膜を含む第2積層膜と、前記第2積層膜上に設けられる中間層と、前記中間層上および前記制御回路の上方に設けられ、複数の絶縁膜を含む第3積層膜と、を有し、前記中間層は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化チタン、窒化タングステン、またはチタンタングステンのいずれかからなることを特徴とする熱式センサ。請求項1において、前記中間層は、前記検出部の上方には設けられず、かつ、前記制御回路の上方に設けられることを特徴とする熱式センサ。請求項1において、前記中間層は、前記検出部の上方および前記制御回路の上方に設けられることを特徴とする熱式センサ。請求項1において、前記発熱抵抗体と前記制御回路とを接続する配線層をさらに有し、前記配線層と前記制御回路とは、前記発熱抵抗体と同層に設けられる金属層を介して導通することを特徴とする熱式センサ。請求項1において、前記発熱抵抗体と前記制御回路とを接続する配線層をさらに有し、前記制御回路と前記熱式センサの外部とを接続する電極は、前記配線層上に形成されることを特徴とする熱式センサ。請求項1において、前記中間層の膜厚は、200nm以下であることを特徴とする熱式センサ。請求項6において、前記中間層の膜厚は、20nm以上100nm以下であることを特徴とする熱式センサ。半導体基板と、前記半導体基板の上方に設けられ、複数の絶縁膜を含む第1積層膜と、前記第1積層膜上に設けられ、発熱抵抗体を有する検出部と、前記半導体基板上に設けられ、前記発熱抵抗体を制御する制御回路を有する回路部と、前記発熱抵抗体上および前記制御回路の上方に設けられ、複数の絶縁膜を含む第2積層膜と、前記第2積層膜上に設けられる中間層と、前記中間層上のうち前記検出部の上方を除いた領域に設けられ、複数の絶縁膜を含む第3積層膜と、を有することを特徴とする熱式センサ。請求項8において、前記中間層は、前記検出部の上方には設けられず、かつ、前記制御回路の上方に設けられることを特徴とする熱式センサ。請求項8において、前記中間層は、フッ素系ガスによるドライエッチングまたはフッ酸水溶液によるウエットエッチングにおける選択比が前記第3積層膜に含まれるどの絶縁膜よりも大きい材料からなることを特徴とする熱式センサ。発熱抵抗体を有する検出部と、前記発熱抵抗体を制御する制御回路を有する回路部と、を具備する熱式センサの製造方法であって、a半導体基板の上方に、複数の絶縁膜を含む第1積層膜を形成する工程と、b前記第1積層膜上に、前記発熱抵抗体を形成する工程と、c前記半導体基板上に、前記制御回路を形成する工程と、d前記発熱抵抗体上および前記制御回路の上方に、複数の絶縁膜を含む第2積層膜を形成する工程と、e前記第2積層膜上に、中間層を形成する工程と、f前記中間層上に、複数の絶縁膜を含む第3積層膜を形成する工程と、g前記第3積層膜のうち前記検出部の上方に位置する部分を、前記中間層をエッチストッパ層としてエッチングする工程と、を有することを特徴とする熱式センサの製造方法。請求項11において、前記工程eにおいて、前記中間層を、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化チタン、窒化タングステン、チタンタングステンのいずれかで形成することを特徴とする熱式センサの製造方法。請求項11において、h前記工程gの後に、前記中間層のうち前記検出部の上方に位置する部分をエッチングする工程を、さらに有することを特徴とする熱式センサの製造方法。請求項11において、i前記工程fの前に、前記発熱抵抗体と前記制御回路とを接続する配線層を形成する工程を、さらに有し、前記工程bにおいて、前記配線層と前記制御回路とを接続する金属層を、さらに形成することを特徴とする熱式センサの製造方法。請求項11において、i前記工程fの前に、前記発熱抵抗体と前記制御回路とを接続する配線層を形成する工程を、さらに有し、前記工程gにおいて、前記第3積層膜のうち前記配線層の上方に位置する部分を、さらにエッチングすることを特徴とする熱式センサの製造方法。しかしながら特許文献2においては、回路部と流量検出部の絶縁膜構成が同一となっており、回路部最上層の厚い無機絶縁膜による保護膜が空気流量検出部にも形成されているため、ヒータの熱量が当該保護膜に奪われて減少し感度が低下する課題がある。また、特許文献2においては、回路部最上層の保護膜が流量検出部の上層にまで位置しているため、流量検出部のヒータを加熱した際に当該保護膜の残留応力が変化し、ヒータおよびセンサの抵抗値が初期値から変化して測定精度を悪化させてしまう課題もある。保護膜はMOSトランジスタとヒータおよびセンサとを接続する配線上であるため、通常400°C以下の低温で形成した無機絶縁膜が用いられる。このような低温形成の無機絶縁膜は、熱による応力変化が大きいため、上述の残留応力が変化する課題が、特に顕著となる。以上を踏まえ、本発明の目的は、発熱抵抗部を有する検出部と、発熱抵抗体を制御する制御回路を有する回路部とを同一基板に形成し、かつ高感度、高精度の熱式センサを提供することにある。本願発明による課題を解決する手段のうち代表的なものを例示すれば、熱式センサであって、半導体基板と、半導体基板の上方に設けられ複数の絶縁膜を含む第1積層膜と、第1積層膜層上に設けられ発熱抵抗体を有する検出部と、半導体基板上に設けられ発熱抵抗体を制御する制御回路を有する回路部と、発熱抵抗体上および制御回路の上方に設けられ複数の絶縁膜を含む第2積層膜と、第2積層膜上に設けられる中間層と、中間層上および制御回路の上方に設けられ複数の絶縁膜を含む第3積層膜と、を有し、中間層は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化チタン、窒化タングステン、またはチタンタングステンのいずれかからなることを特徴とする。または、熱式センサであって、半導体基板と、半導体基板の上方に設けられ複数の絶縁膜を含む第1積層膜と、第1積層膜上に設けられ発熱抵抗体を有する検出部と、半導体基板上に設けられ発熱抵抗体を制御する制御回路を有する回路部と、発熱抵抗体上および制御回路の上方に設けられ複数の絶縁膜を含む第2積層膜と、第2積層膜上に設けられる中間層と、中間層上のうち検出部の上方を除いた領域に設けられ複数の絶縁膜を含む第3積層膜と、を有することを特徴とする。あるいは、発熱抵抗体を有する検出部と、発熱抵抗体を制御する制御回路を有する回路部と、を具備する熱式センサの製造方法であって、a半導体基板の上方に複数の絶縁膜を含む第1積層膜を形成する工程と、b第1積層膜上に発熱抵抗体を形成する工程と、c半導体基板上に制御回路を形成する工程と、d発熱抵抗体上および制御回路の上方に複数の絶縁膜を含む第2積層膜を形成する工程と、e第2積層膜上に中間層を形成する工程と、f中間層上に複数の絶縁膜を含む第3積層膜を形成する工程と、g第3積層膜のうち検出部の上方に位置する部分を、中間層をエッチストッパ層としてエッチングする工程と、を有することを特徴とする。本発明によれば、より高感度、高信頼性の熱式センサを提供しうる。以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施例においては、特に熱式センサの例として熱式流体流量センサを用いて説明するが、本願発明は、検出部に発熱抵抗体を用いる他のセンサ、例えば湿度センサ等においても、同様に適用しうるものである。また、以下の実施例において、上方とは、半導体基板の表面に垂直な向きのうち、検出部および回路部が形成される向き絶縁膜等が積層されていく向きを指している。実施例1による熱式流体流量センサの要部平面図の一例を図1に示し、図1のAA線における要部断面図を図2に示す。図1および図2に示すように、リードフレーム1上に搭載された半導体基板2には、流体の流量を検出する空気流量計測部3、ヒータ加熱を制御するMOSトランジスタやダイオードおよびメモリ等を形成した回路部4、および外部への入出力用の電極5が形成されている。前記空気流量計測部3には、裏面Siが除去されたダイヤフラム構造8が設けられている。また、前記電極5とリードフレームの外部端子7とは、ワイヤボンディング6を介して互いに接続されている。回路部4は、これらの電極5および外部端子7を介して、外部から電源供給を受け、外部に対する空気流量の出力を行なっている。なお、前記半導体基板2のうち、空気流量計測部3以外の部分は樹脂モールド9で覆われている。次に、実施例1における熱式流体流量センサの製造方法の一例を、図3~図13を用いて工程順に説明する。図3~13は、図2における半導体基板2を詳細に示した要部断面図である。まず、図3に示すように、単結晶Siからなる半導体基板10を用意する。続いて、半導体基板10上に高温の炉体で酸化シリコン膜11を形成し、CVD法を用いて窒化シリコン膜12を形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングを行い、絶縁膜11と絶縁膜12が除去されている部分を高温で熱酸化する工程により、素子分離のための厚い酸化シリコン膜13を形成する。このときの酸化シリコン膜13は300~600nm程度である。次に絶縁膜11と絶縁膜12は除去し、再度炉体においてSi基板表面に酸化シリコン膜14を150~200nm形成し、続いてCVD法を用いた窒化シリコン膜15を100~200nm程度形成し、空気流量検出部のみ前記酸化シリコン膜14と窒化シリコン膜15が残るようにフォトリソグラフィ法を用いてパターニングを行なう。次に、図4に示すように、洗浄後、回路部に相当する領域の基板にインプラでリン、ボロン、または砒素を注入し、拡散層16を形成する。なお、インプラを必要としない領域は、前記パターニング時に酸化シリコン膜14と窒化シリコン膜15が残るようにしておく。次に、図5に示すように、洗浄により拡散層16を清浄にした後、炉体による熱酸化工程によりゲート酸化膜17を形成し、次にポリシリコン膜を形成しフォトリソグラフィ法によるパターニングを行い、ゲート電極18を形成する。なお、ゲート酸化膜18の膜厚は、回路特性により異なるが5~30nm程度であり、ゲート電極の膜厚は100~150nm程度である。この後、インプラによるイオン注入を行い、ソース、ドレインとなる拡散層19を形成する。また、回路特性によりMOSトランジスタの特性を変える場合は、インプラの種類および注入量、ゲート酸化膜厚、ゲート電極材料を変更し、前記MOSトランジスタの製造方法を繰り返して各特性に合わせたトランジススタを形成する。次に、図6に示すように、絶縁膜20を厚く形成し、CMP法またはバックエッチ法を用いて絶縁膜20の平坦化を行なう。なお、絶縁膜20はボロンまたはリンを含む酸化シリコン膜またはプラズマCVD法を用いた酸化シリコン膜である。前記平坦化の後、絶縁膜21および絶縁膜22を順次形成して積層膜を形成する。なお、絶縁膜21は、例えばCVD法を用いた窒化シリコン膜であり、厚さは100~200nm程度であり、絶縁膜22は、例えばCVD法を用いた酸化シリコン膜であり、膜厚は100~200nm程度である。なお、絶縁膜14、19、21は残留応力が50MPa~250MPaの圧縮応力を有する膜であり、絶縁膜15、20は700MPa~1200MPaの引張り応力を有する膜である。なお、各工程後、特にCVD法を用いた酸化シリコン膜、プラズマCVD法を用いた窒化シリコン膜形成後は、膜の緻密化のため、炉体またはランプ加熱装置において窒素雰囲気中で850°C以上、好ましくは1000°Cの熱処理を施すのが良い。また、前述ではCMP後、絶縁膜21、絶縁膜22を形成したが、全体の応力調整により前記絶縁膜21、絶縁膜22を形成する工程を削除しても良い。次に、図7に示すように、回路部のソース、ドレイン19に接続するためのコンタクト孔、および図7には図示していないがゲート電極18に接続するためのコンタクト孔を形成し、スパッタ法またはCVD法による窒化チタンTiN膜を形成し、続けてCVD法によるタングステンW膜によりコンタクト孔に金属膜を埋め込み、孔以外の領域はエッチバック法またはCMP法によりW膜を除去して、金属プラグ23を形成する。この後、流体流量検出部のヒータおよびセンサの金属膜として例えばスパッタリング法でMoモリブデン膜を100~250nm形成する。この際、接着性向上および結晶性向上のため、Moデポ前にArアルゴンガスを用いたスパッタエッチング法により下地絶縁膜22を約5~20nmエッチングし、Moデポ時の基板温度は200°C~500°Cで形成する。また、Mo膜の結晶性をさらに高めるため、Mo成膜後に炉体またはランプ加熱装置において窒素雰囲気中で800°C以上、好ましくは1000°Cの熱処理を施すのが良い。次に、フォトリソグラフィ法を用いて、金属膜24のパターニングを行い、流量検出部のヒータおよびセンサを形成する。なお、前記金属プラグ23上にも、ヒータおよびセンサと同一の金属膜24を配置し、前記ヒータ膜24の加工時に金属プラグ23がエッチングされないようにする。なお、金属プラグ23の材料としてTiNとWの積層を挙げたが、Wのみ、またはPolySiであってもよい。また、ヒータおよびセンサの金属膜24の結晶性を向上させる手段として、下地に窒化アルミ膜を形成してもよい。前記窒化アルミ膜の膜厚は、20~100nm程度が好ましい。次に、図8に示したように、複数の絶縁膜を、絶縁膜25、絶縁膜26、絶縁膜27と順次形成して、積層膜を形成する。絶縁膜25は、例えばCVD法またはTEOSを原料としプラズマを用いた低温CVD法による酸化シリコン膜であり、膜厚は300~500nm程度である。絶縁膜26は例えばCVD法またはプラズマを用いた低温CVD法をによる窒化シリコン膜であり、膜厚は150~200nm程度である。絶縁膜27は、例えばCVD法またはTEOSを原料としプラズマを用いた低温CVD法による酸化シリコン膜であり、膜厚は100~500nm程度である。なお、絶縁膜25、27は残留応力が50MPa~250MPaの圧縮応力を有する膜であり、絶縁膜26は700MPa~1400MPaの引張り応力を有する膜である。絶縁膜26は、デポによる成膜後、850°C以上、好ましくは1000°Cの熱処理を施して所望の引っ張り応力となるように調整する。絶縁膜25、27の酸化シリコン膜に関しても同様に、デポによる成膜後、850°C以上、好ましくは1000°Cの熱処理を施して所望の圧縮応力になるように調整する。以上の処理は、絶縁膜25から27を形成した後に熱処理を一括して行ってもよいが、望ましくは絶縁膜25の成膜および熱処理を行い、その後絶縁膜26について同様の処理を行い、その後絶縁膜27について同様の処理を行う、というように、順次熱処理するのが良い。係る熱処理により、絶縁膜25~27のそれぞれの耐湿性が向上するためである。また、前記熱処理を行なうことにより、絶縁膜25~27のそれぞれが、流量測定時にヒータ加熱を行なっても残留応力が変化しにくい絶縁膜となる。その結果、長時間のヒータ加熱による絶縁膜の抵抗経時変化を抑制することができる。次に、図9に示すように接続孔をドライエッチ法またはウエットエッチング法等で形成する。その後回路部と流体流量検出部を接続する第1の配線金属膜として例えば厚さ400~800nm程度のAl合金膜の積層膜を形成する。なお、接続孔内に露出した金属膜24との接触を良好にするため、形成前にArアルゴンガスによりMo表面をスパッタエッチングしてもよい。さらに、その接触を確実なものとするため、TiN膜等のバリア金属膜をAl合金デポ前に形成してバリア膜とAl合金膜の2層膜や、さらにAl膜上にTiN膜を形成する3層膜など積層膜構造を形成してもよい。その際にバリア金属膜の厚さは、200nm以下が望ましいまた、バリア金属膜としてTiN膜を挙げたがTiWチタンタングステン膜、Tiチタン膜およびこれらの積層膜でも良い。次にフォトリソグラフィ法を用いて第1の配線金属膜をパターニングし、ドライエッチ法またはウエットエッチング法により第1の配線28を形成する。ここで、図9に示すように、発熱抵抗体として金属膜24を形成する際に、配線層28と制御回路16―19との間に、発熱抵抗体と同層に設けられる金属膜24を、さらに形成することができる。配線層28を形成する際に、コンタクトを取るための孔を絶縁膜25―27に対するエッチングにより形成しなくてはならないが、その際に、金属プラグ23の上部に金属膜24が形成されていることにより、エッチングによる金属プラグ23へのダメージを抑えることができるためである。次に図10に示すように絶縁膜29および絶縁膜30を形成する。なお、絶縁膜29はこれ以降形成する無機絶縁膜よりもエッチング時の選択比が大きい材料である必要があり、前記無機絶縁膜との選択比が、30以上、好ましくは50以上と高い材料が良い。具体的には、窒化アルミニウムAlN膜、または酸化アルミニウムAlO膜や炭化ケイ素SiC膜等が該当する。ここで、絶縁膜29の膜厚は、200nm以下が望ましい。絶縁膜29による残留応力の影響を低減するためである。特に望ましくは、20~100nm程度が望ましい。後に絶縁膜29を除去する際の除去しやすさをも考慮するためである。ここで、上述した絶縁膜29の選択比とは、無機絶縁膜を除去するためのエッチング例えばドライエッチング法ならばフッ素系のガスを用いたエッチングを、ウエットエッチング法ならばフッ酸水溶液例えばフッ酸希釈液を用いたエッチングを行う際の選択比を意味する。絶縁膜30は例えばCVD法またはTEOSを原料としプラズマを用いた低温CVD法による酸化シリコン膜であり、膜厚は100~500nm程度である。この後、第1の配線または金属膜24と、後に形成する配線28との接続孔を、ドライエッチング法またはウエットエッチング法等で形成する。この際、絶縁膜30に接続孔を形成した後、絶縁膜29に接続孔を形成する際のエッチングは、絶縁膜29の除去のため、ドライエッチングであればフッ素系から塩素系にガス種を変更する。また、ウエットエッチングであればフッ酸希釈液からアルカリ系の液KOHまたはTMAHにエッチング液を変更する。その後回路部と流体流量検出部を接続する第2の配線金属膜として例えば厚さ400~1000nm程度のAl合金膜の積層膜を形成する。なお、下地第1の配線28との接触を良好にするため、形成前にArアルゴンガスにより配線28表面をスパッタエッチングしてもよい。さらに、その接触を確実なものとするため、TiN膜等のバリア金属膜をAl合金デポ前に形成してバリア膜とAl合金膜の2層膜や、さらにAl膜上にTiN膜を形成する3層膜など積層膜構造を形成してもよい。その際にバリア金属膜の厚さは、200nm以下が望ましい。また、バリア金属膜としてTiN膜を挙げたがTiWチタンタングステン膜、Tiチタン膜およびこれらの積層膜でも良い。次にフォトリソグラフィ法を用いて第2の配線金属膜をパターニングし、ドライエッチング法またはウエットエッチング法により第2の配線31を形成する。次に、図11に示すように絶縁膜32と絶縁膜33を形成し、積層膜を形成する。絶縁膜32は例えばCVD法またはTEOSを原料としプラズマを用いた低温CVD法による酸化シリコン膜であり、膜厚は300~800nm程度である。絶縁膜33は例えばCVD法またはプラズマを用いた低温CVD法による窒化シリコン膜であり、樹脂モールド成型時のフィラーによるトランジスタおよび配線へのダメージを抑え、且つ外部からの水分透過による配線の腐食防止のため、膜厚は800~1200nm程度と厚く形成する。次に、図12に示すようにフォトリソグラフィ法を用いてパターニングを行い、外部との接続のための電極34配線31のうち、上層の絶縁膜32、33が除去されパッドを形成している部分を指す。以下同様上の絶縁膜33と絶縁膜32をドライエッチングにより除去する。この時、流量検出部の上方の絶縁膜33、絶縁膜32および絶縁膜30もドライエッチングにより除去し、開口部35を形成する。なお、流量検出する部分は絶縁膜29がドライエッチングのエッチストッパ層となるため、これより下層の残留応力を制御した絶縁膜は前記ドライエッチングのオーバーエッチングおよび面内分布の影響を受けることが無く、設計した膜厚、および残留応力範囲内に制御して形成することが可能でなる。次に、図13に示すように有機保護膜36として例えばポリイミド膜を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて、少なくとも外部との接続のための電極34および空気流量検出部37のポリイミド膜を除去した形状にする。次に、半導体基板10の裏面にフォトリソグラフィ法によりレジストパターンを形成し、裏面に形成されている絶縁膜14、15をドライエッチング法またはウエットエッチング法により除去した後、残された絶縁膜14、15をマスクに裏面Si基板をKOH水酸化カリウムまたはTMAH等またはこれらを主成分とする水溶液でウエットエッチングし、ダイヤフラム38を形成する。なお、ダイヤフラム38は保護膜36の流量検出部37より大きく設計される。好ましくは、ダイヤフラム38のそれぞれの辺は、保護膜36の流量検出部37のそれぞれの辺より約50μm以上大きく形成する。保護膜36のうち、ダイヤフラム38の外周より内側の部分に、外部からの空気に混ざったダストからダイヤフラムを守る効果があるためである。このダイヤフラム38を構成する無機絶縁膜の総膜厚は15μm~25μmが望ましい。これより薄い場合はダイヤフラム38の強度が低下し、自動車の吸気に含まれるダスト衝突などで破壊する確率が高くなるためである。なお、前記ヒータおよびセンサの金属膜24をMoにより構成された熱式流体流量センサに関して説明したが、例えばαTaアルファタンタル、Tiチタン、Wタングステン、Coコバルト、Niニッケル、Fe鉄、Nbニオブ、Hfハフニウム、Crクロム、Zrジルコニウムを主成分とする金属膜、またはTaN窒化タンタル、MoN窒化モリブデン、WN窒化タングステンなどの金属窒化化合物およびMOSi、CoSiコバルトシリサイド、NiSiなどの金属シリサイド化合物、多結晶シリコンに不純物として燐またはボロンをドーピングした膜でもよい。以上を踏まえると、本実施例に係る熱式センサの製造方法の特徴は以下の通りである。すなわち、発熱抵抗体を有する検出部3と、発熱抵抗体を制御する制御回路を有する回路部4と、を具備する熱式センサの製造方法であって、a半導体基板の上方に複数の絶縁膜を含む第1積層膜20―22を形成する工程と、b第1積層膜上に、発熱抵抗体24を形成する工程と、c半導体基板上に、制御回路16―19を形成する工程と、d発熱抵抗体上および制御回路の上方に、複数の絶縁膜を含む第2積層膜25―27を形成する工程と、e第2積層膜上に、中間層29を形成する工程と、f中間層上に、複数の絶縁膜を含む第3積層膜30、32、33を形成する工程と、g第3積層膜のうち検出部の上方に位置する部分35を、中間層をエッチストッパ層としてエッチングする工程図12と、を有することを特徴とする。また、本実施例に係る発明の特徴を、熱式センサの構造面に着目すると次のようになる図13。すなわち、熱式センサであって、半導体基板と、半導体基板の上方に設けられ、複数の絶縁膜を含む第1積層膜と、第1積層膜上に設けられ発熱抵抗体を有する検出部と、半導体基板上に設けられ発熱抵抗体を制御する制御回路を有する回路部と、発熱抵抗体上および制御回路の上方に設けられ複数の絶縁膜を含む第2積層膜と、第2積層膜上に設けられる中間層と、中間層上のうち検出部の上方を除いた領域に設けられ複数の絶縁膜を含む第3積層膜と、を有することを特徴とする。係る熱式センサ、およびその製造方法は、以下の効果を奏する。すなわち、回路部においては、積層膜30、32および33による配線の保護および耐湿性の向上を実現する。同時に、検出部においては、当該積層膜が除去されているため、積層膜20―22および積層膜25―27によって設計された所望の残留応力となり、かつ積層膜30、32および33を介してヒータの熱量が奪われることも無いため、ヒータの精度向上を実現する。次に、上述の工程eにおいて、特に中間層を窒化アルミニウム、酸化アルミウム、炭化ケイ素、のいずれかとすることをさらなる特徴とする。また、係る発明の特徴を、熱式センサの構造面に着目すると次のようになる。すなわち、熱式センサであって、半導体基板と、半導体基板の上方に設けられ複数の絶縁膜を含む第1積層膜と、第1積層膜上に設けられ発熱抵抗体を有する検出部と、半導体基板上に設けられ発熱抵抗体を制御する制御回路を有する回路部と、発熱抵抗体上および制御回路の上方に設けられ複数の絶縁膜を含む第2積層膜と、第2積層膜上に設けられる中間層と、中間層上かつ制御回路の上方に設けられ複数の絶縁膜を含む第3積層膜と、を有し、中間層は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、または炭化ケイ素のいずれかからなることを特徴とする。これらの材料は、積層膜をなす絶縁膜30、32および33を構成する材料例えば、酸化シリコン、窒化シリコンよりも、フッ素系ドライエッチングまたはフッ酸水溶液によるウエットエッチングにおける選択比が大きく、積層膜に対するエッチストッパ層として有効に機能するためである。また、ダイヤフラム38より開口部35は大きい関係にある。すなわち、積層膜30、32および33は、ダイヤフラム38よりも大きい面積となるよう除去され、開口部35が形成される。これは、ダイヤフラム38の上部に積層膜30、32および33が残存することにより、検出部3の残留応力が変化することを防止するためである。図14は、本発明の実施形態1による自動車等の内燃機関の吸気通路に取り付けられた熱式流体流量センサを実装した熱式空気流量計の概略配置図である。熱式空気流量計44は、熱式流体流量センサである測定素子1と、支持体42と、外部と測定素子1とを電気的に接続する連結部43とから構成され、測定素子1は、空気通路40の内部にある副通路41に配置される。吸気空気45は、内燃機関の条件によって、図14の矢印で示された空気流の方向、またはこれとは逆の方向に流れる。実施例2に係る熱式流量センサは、実施例1のものと比較して、エッチストッパ層となる絶縁膜29が流量検出部36の最上層から除去された構造となっている点が異なる。図15は、実施例2による熱式流体流量センサの一例であり、半導体基板2の要部断面図を示している。実施例2に係る熱式流量センサは、実施例1によるものと共通するものが多いため、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。なお、実施例1に示した要素と同一の要素には、同一の符号を用いる。実施例1では、流量検出部37の最上層にはエッチストッパ層となる絶縁膜29が残した構造であるが、前記絶縁膜29の膜厚が厚く流量検出部37全体の応力バランスが崩れる場合には、本実施の形態2に示したように、有機保護膜36をマスクとして前記絶縁膜29が除去されることを特徴としている。この構造にすることで、流量検出部37の残留応力が制御でき信頼性向上の効果がある。ここで、絶縁膜29の除去の工程は、ドライエッチングでは塩素系のガスを、ウエットエッチングであればアルカリ系の液KOHまたはTMAHを用いたエッチングにより行う。また、実施例1において述べた、第1の配線または金属膜24と配線28との接続孔を形成する工程においても、絶縁膜29を除去することとなるが、当該工程においてさらに流量検出部37の上方の絶縁膜29も除去することで、工程数を削減することができる。なお、実施の形態2では有機保護膜36をマスクとしたが、有機保護膜36を形成する前、即ち絶縁膜33、絶縁膜32、絶縁膜30をドライエッチにより除去して開口部35を加工した後、連続して前記エッチストッパ層となる絶縁膜29を除去しても実施の形態2と同様の効果が得られる。実施例3では、エッチストッパ層に金属膜を採用した構造となっている。図16は、実施例3による熱式流体流量センサの一例であり、半導体基板2の要部断面図を示している。実施例3に係る熱式流量センサは、実施例1によるものと共通するものが多いため、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。なお、実施例1に示した要素と同一の要素には、同一の符号を用いる。実施例1ではエッチストッパ層となる絶縁膜29を用いたが、実施例3では、前記絶縁膜の代わりにエッチストッパ層となる金属膜39を形成している。図16では特に、実施例2と同様、流量検出部37の最上層からエッチストッパ層となる金属膜39が除去された構造を示しているが、実施例1と同様に流量検出部37の最上層の金属膜39を残す構造も可能である。前記ストッパとなる金属膜39は、窒化チタン、窒化タングステン、チタンタングステン等の前記第1の配線28に用いたバリア膜を活用してAl膜を加工後、再度フォトリソグラフィ法を用いて、流量検出部37やダイヤフラム38より広い面積を覆うようにパターニングを行い当該Al膜から金属膜39となる部分を残したものである。その際、実施例1および2との相違点として、配線28のそれぞれの上層には金属膜39を残していない点がある。係る位置に金属膜39を残しておくと、配線28間で互いに導通してしまうためである。この後、実施例1と同様に工程を進め、絶縁膜33、絶縁膜32、および絶縁膜30をドライエッチングすることにより開口部35を加工した後、有機保護膜36を形成およびパターニングすることで、実施例1と同様の効果が得られる。さらに、その後にエッチストッパ層となる金属膜39を除去することで、実施例2と同様の効果が得られる。以上をまとめると、本実施例に係る熱式センサの製造方法は、上述した実施例1の工程eにおいて、特に中間層を窒化チタン、窒化タングステン、チタンタングステン、のいずれかとすることを特徴とする。また、係る発明の特徴を、熱式センサの構造面に着目すると次のようになる。すなわち、熱式センサであって、半導体基板と、半導体基板の上方に設けられ複数の絶縁膜を含む第1積層膜と、第1積層膜上に設けられ発熱抵抗体を有する検出部と、半導体基板上に設けられ発熱抵抗体を制御する制御回路を有する回路部と、発熱抵抗体上および制御回路の上方に設けられ複数の絶縁膜を含む第2積層膜と、第2積層膜上に設けられる中間層と、中間層上かつ制御回路の上方に設けられ複数の絶縁膜を含む第3積層膜と、を有し、中間層は、窒化チタン、窒化タングステン、またはチタンタングステンのいずれかからなることを特徴とする。これらの材料は、前述の窒化アルミニウム等の絶縁膜と同様に、積層膜30、32に対するエッチストッパ層として有効に機能するためである。なお、前述では有機保護膜36をマスクとしたが、有機保護膜36を形成する前、即ち絶縁膜33、絶縁膜32、絶縁膜30をドライエッチングにより開口部35を加工した後、連続して前記エッチストッパ層となる金属膜39を除去しても実施例2と同様の効果が得られる。本実施例4では、ヒータおよびセンサを形成する金属膜と同層の金属膜24を回路部の配線として用いた構造となっている。図17は、実施例4による熱式流体流量センサの一例であり、半導体基板2の要部断面図を示している。実施例4に係る熱式流量センサは、実施の形態1によるものと共通するものが多いため、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。なお、実施例1に示した要素と同一の要素には、同一の符号を用いる。実施例1では、流量検出部3と回路部4の接続、および回路部内の接続のため第1の配線28を用い、回路部内の配線および外部との接続のための電極5を第2の配線31を用いているが、本実施の形態4では回路部内の配線をヒータおよびセンサに用いている金属膜24を配線層として用い、図13で示した第2の配線層31を割愛し、外部との電極34を第1の配線28とした構造となっている。係る電極34は、上述した開口部35工程gと同時に形成される。すなわち、本実施例に係る熱式センサの製造方法の特徴は、上述した実施例1の工程fの前に発熱抵抗体と制御回路とを接続する配線層28を形成する工程iをさらに有し、工程gにおいて第3積層膜のうち配線層の上方に位置する部分をさらにエッチングすることを特徴とするものである。また、係る発明の特徴を、熱式センサの構造面に着目すると次のようになる。すなわち、熱式センサであって、発熱抵抗体と制御回路とを接続する配線層をさらに有し、制御回路と熱式センサの外部とを接続する電極が配線層上に形成されることを特徴とするものである。係る構造とすることで、実施例1と同様の効果が得られると共に、電極34の形成を開口部35の形成と同時に行うことが可能となるため、製造工程を削減しコスト低減を図ることができる。図18は、本実施例5による熱式流体流量センサの一例であり、図19は、図18のBB線における要部断面図である。実施例5に係る熱式流量センサは、実施例1によるものと共通するものが多いため、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。なお、実施例1に示した要素と同一の要素には、同一の符号を用いる。本実施例5は、リードフレーム1上に搭載された半導体基板2、および外部への入出力用の電極5とリードフレームの外部端子7へのワイヤボンディング6による接続は実施例1と同様であるが、樹脂モールド9の覆い方に特徴がある。本実施例では少なくともリードフレーム1が全て樹脂モールド9で覆われ、且つ半導体基板2の流量検出部3の少なくともダイヤフラム8を含む領域が露出しており、且つ空気が流れる方向に沿って溝47が形成されている構造となっている。この溝47上に他の部材で蓋図示しないを設置することで空気の流路を簡単に且つ精度良く形成することができる。また、空気流量測定に重要な空気流量の調整を樹脂モールド9の厚みを変えることや、溝47の形状、または前記蓋の形状等を変えることにより簡単に行なうことができるため、組立工程を簡素化することができコスト低減を図ることができる。なお、樹脂モールドが接触する半導体基板2の構造は少なくとも、有機保護膜36、絶縁膜33、絶縁膜32が下層に形成されており、樹脂モールド成型時のフィラーによる衝撃から守られている。また、本実施例では流量検出部と回路部を同一基板に形成する例を挙げたが、同一基板上に、例えば湿度センサ、圧力センサ等他のセンサを形成した複合センサにも適用できる。