製氷機内の空気を除染するための方法であって、パルス幅変調を使用して電圧を変調することにより、オゾン発生器から出力されるオゾンのレベルを制御することと、前記空気を前記オゾンと接触させることと、を含む方法。前記オゾンのレベルがおよそ0.1ppm未満である、請求項1に記載の方法。前記パルス幅変調が、前記オゾン発生器から前記製氷機へ導入されるオゾンの毎時のグラム数を制御し、又は操作することによって前記オゾンのレベルを制御する、請求項1に記載の方法。前記製氷機のモデルをルックアップ表と比較することと、前記モデルに基づいてパルス幅変調ドライバトランジスタのオン時間及び周波数を計算することにより、前記電圧を制御するのに必要な前記パルス幅変調のパーセンテージを決定することと、をさらに含む、請求項1に記載の方法。前記パルス幅変調から生成される前記変調電圧がプロセッサモジュール及びパルス幅変調回路からのオゾン制御信号によって生成される、請求項1に記載の方法。前記パルス幅変調回路が少なくとも1つの駆動抵抗器と電界効果トランジスタとを備える、請求項5に記載の方法。前記電界効果トランジスタが金属酸化膜半導体電界効果トランジスタである、請求項6に記載の方法。凝縮器と、圧縮機と、製氷区域内に配置された蒸発器と、前記製氷区域と連通するオゾン発生器と、を備える製氷機であって、前記オゾン発生器から出力されるオゾンのレベルが、パルス幅変調を使用して電圧を変調し、前記製氷区域から引き出される空気を前記オゾンと接触させて前記空気を前記製氷区域へ戻すことによって制御される、製氷機。前記オゾンのレベルがおよそ0.1ppm未満である、請求項8に記載の製氷機。前記パルス幅変調が、前記オゾン発生器から前記製氷区域へ導入されるオゾンの毎時のグラム数を制御し、又は操作することによって前記オゾンのレベルを制御する、請求項8に記載の製氷機。前記製氷機のモデルをルックアップ表と比較することと、前記モデルに基づいてパルス幅変調ドライバトランジスタのオン時間及び周波数を計算することにより、前記電圧を制御するのに必要な前記パルス幅変調のパーセンテージを決定すること、をさらに含む、請求項8に記載の製氷機。前記パルス幅変調から生成される前記変調電圧がプロセッサモジュール及びパルス幅変調回路からのオゾン制御信号によって生成される、請求項8に記載の製氷機。前記パルス幅変調回路が少なくとも1つの駆動抵抗器と電界効果トランジスタとを備える、請求項12に記載の製氷機。前記電界効果トランジスタが金属酸化膜半導体電界効果トランジスタである、請求項13に記載の製氷機。本発明の発明者らは、イオン洗浄装置の出力レベルを変更することにより過剰なオゾン生成が回避され得ることを期せずして発見した。すなわち、製氷機へ導入されるオゾンレベルが作業者へのおおよそ0.1ppmの曝露を超える場合には、健康に関連する問題の可能性が生じ得る。よって、操作時に作業者が曝露されるオゾンレベルを0.1ppm未満に維持することが望ましいはずである。本開示は、装置への直流電圧入力のパルス幅変調PWMの使用により、製氷機内に配置されたイオン洗浄機から出力されるオゾンレベルの量を制御し、又は操作する方法を規定する。すなわち、本開示は、イオン洗浄機から製氷機へ導入されるオゾンの毎時のグラム数を制御し、又は操作することにより、製氷機へ導入されるオゾンの量を調節する。また本開示は多くのさらに別の利点も備え、これらの利点は以下の説明で明らかになる。製氷機内の空気を除染するための方法は、パルス幅変調を使用して電圧を変調することにより、オゾン発生器から出力されるオゾンのレベルを制御することと、空気をオゾンと接触させることとを含む。好ましくは、オゾンのレベルはおよそ0.1ppm未満である。パルス幅変調は、オゾン発生器から製氷機へ導入されるオゾンの毎時のグラム数を制御し、又は操作することによりオゾンのレベルを制御する。方法は、製氷機のモデルをルックアップ表と比較することと、モデルに基づいてパルス幅変調ドライバトランジスタのオン時間及び周波数を計算することにより電圧を制御するのに必要なパルス幅変調のパーセンテージを決定することとをさらに含む。パルス幅変調から生成される変調電圧は、プロセッサモジュール及びパルス幅変調回路からのオゾン制御信号によって生成される。パルス幅変調回路は、少なくとも1つの駆動抵抗器drivingresistorと電界効果トランジスタとを備える。好ましくは、電界効果トランジスタは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタである。製氷機は、凝縮器と、圧縮機と、製氷区域内に配置された蒸発器と、製氷区域と連通するオゾン発生器とを備え、オゾン発生器から出力されるオゾンのレベルがパルス幅変調を使用して電圧を変調することにより制御され、製氷区域から引き出される空気をオゾンと接触させ、空気を製氷区域へ戻す。本開示の別の目的、特徴及び利点は、以下の図面及び詳細な説明を参照すれば理解されるであろう。本開示は、製氷機の長期衛生を助長するように製氷機の食品区域へイオン/オゾン吐出を放出するための製氷機内部でのイオン洗浄装置の設置を含む。イオン洗浄装置は、好ましくは、直流電圧入力を使用する。イオン洗浄装置のイオン/オゾン出力を、ひいては、製氷機内部に蓄積するイオン/オゾン濃度を操作するために、本開示は、製氷機及び容器アセンブリの内容積に基づいてイオン洗浄装置がどれほどの出力を有するかを制御するためのパルス幅変調の使用を規定する。パルス幅変調PWMは、フルオンとフルオフとの間の中間の電力量を提供する非常に有効な方法である。典型的な電源を有する単純な電源スイッチは、オンに切り換えられるときにだけ全出力を提供する。PWMは比較的最近の技法であり、本開示に記載するようにオゾンの分配に使用されることはこれまで知られていない。基本的に、PWM可変電力方式は、フルオンとフルオフとの間で電力をすばやく切り換えることができる。どのような場合でも、切り換え速度は、負荷、すなわち電力を使用する装置に影響を及ぼすことになる速度よりずっと速い。実際には、一部の時間だけ全出力を印加しても問題は生じない。デューティサイクルという用語は、一定の間隔又は期間に対するオン時間の割合をいい、低デューティサイクルは、電力がほとんどに時間にわたってオフであるため、低電力に相当する。デューティサイクルはパーセントで表され、100はフルオンである。PWMはデジタル制御でうまく機能し、デジタル制御は、オン/オフの機能があるために、必要なデューティサイクルを容易に設定することができる。信号又は電源のPWMは、通信路上で情報を伝達する、又は負荷へ送られる電力量を制御する、どちらかのためにデューティサイクルの変調を伴う。デジタル回路は、PWM信号を生成し例えば、多くのマイクロコントローラはPWM出力を有する、通常は、周期的に増分し、PWMの毎周期の終わりにリセットされるカウンタ回路のクロックに直接的又は間接的に接続されているを使用する。カウンタ値が基準値より大きいときに、PWM出力はハイからローへ又はローからハイへ状態を変更する。この技法は時間比例式、特に時間比例式制御と呼ばれ、固定サイクル時間のその割合がハイ状態で費やされる。増分され、周期的にリセットされるカウンタは、交差法intersectingmethodののこぎり波形の離散バージョンである。交差法のアナログ比較器は、現在のカウンタ値とデジタルおそらくはデジタル化された基準値との単純な整数比較になる。デューティサイクルは、カウンタ分解能の関数として、離散刻みでのみ変更され得る。しかし、高分解能カウンタは極めて良好な性能を提供することができる。以下の4種類のパルス幅変調PWMが可能である。1.パルス中央は時間窓の中央に固定されていてよく、パルスの両エッジが幅を圧縮し、又は拡張するために移動され得る。2.立ち上がりエッジは窓の立ち上がりエッジのところに保持され、立ち下がりエッジは変調され得る。3.立ち下がりエッジは固定され、立ち上がりエッジは変調され得る。4.パルス繰返し周波数は信号によって変更することができ、パルス幅は一定とすることができる。しかし、この方法は、他の3つの方法よりも平均出力の範囲が制限される。PWMは、電源が抵抗手段によって制限されるときに通常生じる損失なしで、負荷へ送られる総電力量を低減するのに使用され得る。これは、送られる平均電力が変調デューティサイクルに比例するからである。十分に高い変調速度では、受動電子フィルタが、パルス列を平滑化し、平均アナログ波形を回復するのに使用され得る。高周波数PWM電力制御システムは、半導体スイッチで容易に実現可能である。変調の離散的なオン/オフ状態は、負荷の両端の電圧又は負荷を通る電流を対応して制御する1つ又は複数のスイッチの状態を制御するのに使用される。このシステムの主要な利点は、スイッチが、オフで電流を流さないか、又はオンで理想的にはスイッチの両端の電圧降下を生じないかのどちらかの状態にあることである。任意の所与の時刻における電流と電圧との積は、スイッチによって損失される電力を定義し、よって理想的にはスイッチによる電力損は生じない。現実には、MOSFETやバイポーラ接合トランジスタBJTといった半導体スイッチは非理想スイッチであるが、それでもなお高効率コントローラが構築され得る。オン状態とオフ状態との遷移の間に、相当量の電力がスイッチにおいて損失される。しかし、フルオンとフルオフとの間の状態の変化は、典型的なオン時間又はオフ時間と比べて極めて速く、そのため、平均電力損は、送られる電力と比べて極めて低い。本開示はPWMを、イオン発生洗浄機からのオゾンの生成において効率のよい電圧調整器として利用する。適切なデューティサイクルで負荷への電圧を切り換えることにより、出力は所望のレベルの電圧を近似することになる。スイッチングノイズは、通常、インダクタ及びコンデンサを用いてフィルタリングされる。ある方法では出力電圧を測定する。出力電圧が所望の電圧より低いときに、この方法ではスイッチをオンにする。出力電圧が所望の電圧を上回るときに、この方法ではスイッチをオフにする。本開示は、電圧波形に対するパルス幅変調を行うことにより、イオン洗浄装置に印加される平均電圧を変更することによって平均出力を変化させる。好ましくは、コントローラソフトウェアは、製氷機の種類、例えば、製氷機のサイズや容量などに基づいてPWMの量を自動的に決定する。すなわち、製氷機の容量が小さいほど、その平均出力は低く、よって、PWM設定が低い。あるいは、PWM設定は、コントローラディスプレイ上のメニュー項目のようなユーザインターフェースを介して手動で選択されることも可能である。本開示は添付の図面を参照すれば最もよく理解することができ、図1と図5とには、製氷機と共に使用されるイオン洗浄機を制御する際に関与する様々な要素/構成部品が示されている。すなわち、プロセッサモジュール115は、好ましくは、マイクロコントローラ105、制御信号を生成すると共に、ユーザインターフェース110を介してコントローラ105へ入力されるデータに基づいて製氷機のモデルを認識し、そのモデルを不揮発性メモリ120に記憶されたモデルと比較する論理を有するファームウェア又はプログラム125を包含する。コントローラ105は、ユーザインターフェース110と、プロセッサ115と、メモリ120とを含む。コントローラ105は、汎用マイクロプロセッサ上で実施されてもよい。コントローラ105は、本明細書では独立型装置として表されているが、それだけに限定されず、必要とみなされる場合には、代わりに、ネットワーク130を介して他の装置不図示に結合されることも可能である。プロセッサ115は、命令に応答し、命令を実行する論理回路で構成されている。メモリ120は、プロセッサ115の動作を制御するためのデータ及び命令を記憶する。メモリ120は、ランダムアクセスメモリRAM、ハードドライブ、読取り専用メモリROM、又はこれらの組み合わせに実装され得る。メモリ120の構成要素のうちの1つがプログラムモジュール125である。プログラムモジュール125は、本明細書で説明した方法を実行するようにプロセッサ115を制御するための命令を含む。例えば、プログラムモジュール125及びプロセッサ115の実行の結果としてなど。モジュールという用語は、本明細書では、独立型構成要素として、又は複数の下位構成要素の統合構成のいずれかとして具現化され得る機能動作を表すのに使用される。よって、プログラムモジュール125は、単一のモジュールとして実装されてもよく、相互に協働して動作する複数のモジュールとして実装されてもよい。さらに、プログラムモジュール125は、本明細書では、メモリ120にインストールされ、したがって、ソフトウェアとして実装されるものとして説明されているが、ハードウェア例えば電子回路、ファームウェア、ソフトウェア、又はこれらの組み合わせのいずれとしても実装され得るはずである。ユーザインターフェース110は、ユーザがプロセッサ115に情報及びコマンド選択を伝えることを可能にするための、タッチスクリーン、キーボード、音声認識サブシステムといった入力装置を含む。プロセッサ115は、ユーザインターフェース110へ、本明細書で説明した方法の実行の結果を出力する。あるいは、プロセッサ115は、イオン洗浄装置114に印加される電圧を変調するようにPWM回路トランジスタ回路など113への電圧を制御するために適切なPWM信号が送られるように、ネットワーク130を介して遠隔装置不図示へ出力を向けることもできる。プログラムモジュール125は、すでにメモリ120へロードされたものとして表示されているが、後でメモリ120へロードするために記憶媒体135上で構成されてもよい。記憶媒体135は、プログラムモジュール125を有形的に記憶する任意の従来からの記憶媒体とすることができる。記憶媒体135の例には、フロッピーディスク登録商標、コンパクトディスク、磁気テープ、読取り専用メモリ、光記憶媒体、ユニバーサルシリアルバスUSBフラッシュドライブ、デジタル多用途ディスク、ZIPドライブが含まれる。あるいは、記憶媒体135は、遠隔記憶システム上に位置し、ネットワーク130を介してコントローラ105に結合されたランダムアクセスメモリ、又は他の種類の電子記憶装置とすることもできる。またプロセッサモジュール115は、不図示の制御盤上に位置するドライバ回路113へ制御信号を送るための不図示の入力/出力ポートも有し、制御盤はその結果としてイオン洗浄装置114へ送られる電圧を変調する。プロセッサモジュール115は、パルス幅変調PWMと呼ばれる、変化するオン/オフ時間を伴った総持続時間を同じままに保つ低電圧3.3V周波数信号1kHzを生成する。図2に、イオン洗浄機モジュールが開始され、又はセットアップされる200、すなわち、出力ポート構成及びモデル表プロトコルが確立される、本開示による、PWMによるイオン洗浄機におけるオゾン生成に使用される電力の制御に関する論理図を示す。その後、イオン装置114がオンにされ202、次いで、ユーザインターフェースによって入力されたモデル番号がメモリ120に記憶されたモデル表と比較され204、入力されたモデルに基づいてドライバトランジスタ113のオン時間及び周波数を計算することによりPWMが設定される206。その後、プロセスは完了し208、又はイオン装置をオンにするためにステップ202へ戻される。図3に、本明細書ではPWM回路と呼ばれ、プロセッサモジュール115から制御信号を受け取り、その信号をより高い電力レベル600mAで12ボルトなどに変換し、イオン洗浄装置114へ送る1つ又は複数の駆動抵抗器302と金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ304とを備える、本開示によるPWMドライバ回路を示す。図4は、PWMが変化するにつれて電流と電圧の両方が変化すること、すなわち、電圧が、直流12ボルトの100から75まで離散刻みで変更されることを裏付けるオシロスコープ取込み画像である。これは、信号の総持続期間を一定にすなわち1msである1kHzに保ちながら、この電圧信号のオン時間を変更することによって達成される。図6に、隔壁604及び左上レール606に固定するブラケット602によって製氷機600に取り付けられたオゾン発生器又はイオン洗浄機114を示す。製氷区域612からの空気が、それぞれ導管又はチューブ608、610を介してオゾン発生器又はイオン洗浄機114との間で運ばれる。以上、本発明によるいくつかの実施形態を図示し、説明したが、これらの実施形態は、当業者には明らかな多くの変更の余地があることが明確に理解されるべきである。したがって、図示し、説明した詳細だけに限定されるのではなく、添付の特許請求の範囲内に含まれるすべての変更及び改変を示すことを望むものである。