透明基板と、前記基板上に並置された金属材料からなるバスライン及び絶縁膜の組と、前記バスライン及び前記絶縁膜各々と前記バスラインと前記絶縁膜との間の領域とを覆うように形成された透明導電性膜と、前記透明導電性膜上への有機材料を含む溶液の塗布によって形成された有機材料層と、を含むことを特徴とする有機発光素子。前記有機材料層は陽極としての前記透明導電性膜上に形成されたホール注入輸送層を含むことを特徴とする請求項1記載の有機発光素子。前記有機材料層は前記ホール注入輸送層と、前記ホール注入輸送層上に形成された発光層とを含むことを特徴とする請求項2記載の有機発光素子。前記有機材料はインクジェット法を用いて前記透明導電性膜上に塗布されることを特徴とする請求項1~3のいずれか1記載の有機発光素子。前記バスライン及び前記絶縁膜の並置方向の少なくとも非対向側面が前記基板を臨むように傾斜していることを特徴とする請求項1記載の有機発光素子。前記有機材料層上に電子輸送層、電子注入層及び陰極が順に蒸着により積層されることを特徴とする請求項1~3のいずれか1記載の有機発光素子。透明基板上に金属材料からなるバスライン及び絶縁膜の組を並置させるバスライン及び絶縁膜形成工程と、前記バスライン及び前記絶縁膜各々と、前記バスラインと前記絶縁膜との間の領域とを覆うように透明導電性膜を形成する工程と、前記透明導電性膜上への有機材料を含む溶液の塗布によって有機材料層を形成する工程と、を含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法。しかしながら、上記したようなバンク構造の有機発光素子においては、バンクが一般に透光性がほとんどない絶縁膜として形成されている。よって、有機発光素子の駆動によって生成された光がバンクで吸収されるので、生成された光を外部に導く領域の面積が制限され、無駄に電力が消費されるという問題があった。すなわち、バンクによって形成された上記の開口部がそのまま光を外部に放出する領域となるので、開口率が低下し、結果として所望の光量を得るために消費電力が増加するという問題があった。そこで、本発明が解決しようとする課題は、上記の欠点が一例として挙げられ、開口率を増加させて消費電力を低減させることができる有機発光素子及びその製造方法を提供することが本発明の目的である。請求項1に係る発明の有機発光素子は、透明基板と、前記基板上に並置された金属材料からなるバスライン及び絶縁膜の組と、前記バスライン及び前記絶縁膜各々と、前記バスラインと前記絶縁膜との間の領域とを覆うように形成された透明導電性膜と、前記透明導電性膜上への有機材料を含む溶液の塗布によって形成された有機材料層と、を含むことを特徴としている。請求項7に係る発明の有機発光素子の製造方法は、透明基板上に金属材料からなるバスライン及び絶縁膜の組を並置させるバスライン及び絶縁膜形成工程と、前記バスライン及び前記絶縁膜各々と、前記バスラインと前記絶縁膜との間の領域とを覆うように透明導電性膜を形成する工程と、前記透明導電性膜上への有機材料を含む溶液の塗布によって有機材料層を形成する工程と、を含むことを特徴としている。請求項1に係る発明の有機発光素子及び請求項7に係る発明の有機発光素子の製造方法によれば、基板上にバスライン及び絶縁膜の組が並置され、バスライン及び絶縁膜各々と、そのバスラインと絶縁膜との間の領域とを覆うように透明導電性膜が形成され、透明導電性膜上への有機材料の塗布によって有機材料層が形成され、生成された光が金属材料のバスラインで拡散されるので、有機発光素子の開口率を従来の素子より向上させることができる。また、生成された光を効率より放出させることができるので、所望の光量を得るために従来の素子より消費電力を低減させることができる。以下、本発明の実施例を、図面を参照しつつ詳細に説明する。図1は本発明が適用された有機発光素子有機EL素子の製造方法を示している。図1の製造方法では複数の有機発光素子を有する発光パネルにおける1つの有機発光素子の製造方法が示されている。この製造方法は図1~に示すようにバスライン及び絶縁膜形成工程、陽極形成工程、ホール注入輸送層形成工程、塗布発光層形成工程、及び蒸着層形成工程を有する。バスライン及び絶縁膜形成工程先ず、例えば、厚さ0.7mmのガラス板からなる透明半透明を含むな基板11上にスパッタ法によりAlNdアルミニウム-ネオジウム合金を材料として膜が付着形成され、その後、フォトリソグラフィ技術によりAlNd膜上にレジストが塗布され、そのレジストにマスクパターンを転写するために露光及び現像が順に行われ、更に、エッチングでバスラインとして残すべき部分以外のAlNd膜が除去される。そして、基板11上においてレジストが除去されると、図1に示すように、残ったAlNd膜がバスライン12として得られる。バスライン12は導電性を有しており後述の陽極14への給電ラインである。次に、基板11上にスパッタ法によりSiO2を材料として膜が付着形成され、その後、フォトリソグラフィ技術によりSiO2膜上にレジストが塗布され、そのレジストにマスクパターンを転写するために露光及び現像が順に行われ、更に、エッチングでバスラインとして残すべき部分以外のSiO2膜が除去される。そして、基板11上においてレジストが除去されると、図1に示すように、残ったSiO2膜がライン状の絶縁膜13として得られる。バスライン12と絶縁膜13とは同一形状で組をなしており、互いに平行に配置されており、バスライン12と絶縁膜13とによってその間に凹部が形成される。なお、図1には一組のバスライン12及び絶縁膜13だけを示しているが、実際には基板11上には複数組のバスライン12及び絶縁膜13が並列に形成される。例えば、各バスライン12及び絶縁膜13の厚さは150nmであり、その幅は50μmであり、一組のバスライン12と絶縁膜13との離間距離は300μmであり、一組のバスライン12及び絶縁膜13とそれに隣接する他の一組のバスライン12及び絶縁膜13との間は50μmである。この実施例の工程ではバスライン12を形成してから絶縁膜13を形成しているが、絶縁膜13を先に形成してからバスライン12を形成しても良い。また、図1においては、バスライン12及び絶縁膜13の伸張方向に直交する並置方向の断面を示しており、このことは図1~においても同様である。陽極形成工程バスライン12及び絶縁膜13を含む基板11上にスパッタ法によりIZO酸化インジウム亜鉛を材料として透明膜が付着形成され、その後、フォトリソグラフィ技術によりIZO膜上にレジストが塗布され、そのレジストにマスクパターンを転写するために露光及び現像が順に行われ、更に、エッチングで陽極として残すべき部分以外のIZO膜が除去される。そして、基板11上においてレジストが除去されると、図1に示すように、残ったIZO膜が透明の陽極14透明導電性膜として得られる。陽極14は一組のバスライン12及び絶縁膜13各々及びバスライン12と絶縁膜13とが挟む領域凹部に亘ってこれらを覆うように形成され、バスライン12と絶縁膜13と間の領域では基板11上に直接位置する。陽極14の厚さは例えば、180nmである。図2は複数組のバスライン12及び絶縁膜13と共に陽極14が基板11上に形成された状態を基板11上面図として示している。ホール注入輸送層形成工程先ず、エキシマ光照射装置図示せずを用いて陽極14にはUV/O3紫外線/オゾンが照射され、IZO表面を前処理として洗浄することが行われる。その前処理後、インクジェット装置にてホストとしてPEDOT34エチレンジオキシチオフェンのポリマー、ドーパントとしてPSSスチレンスルホン酸のポリマーを用いた固定分濃度1wtのインク15が図1の左図に示すようにバスライン12と絶縁膜13との間の凹部への滴下により塗布される。インク15は陽極14上でその一方の端部図1の陽極14の断面で左端部と他方の端部図1の陽極14の断面で右端部との間で表面張力により中央が高く盛り上がった状態となり、その端部から外側に漏れこぼれないようにされる。例えば、図3に示すように、バスライン12及び絶縁膜13各々の断面形状を基板11に向かって狭くなるようにし、陽極14の端面をバスライン12及び絶縁膜13各々とほぼ連続平面となるように形成し、濡れピン止め効果により陽極14の端部でインク15が端部外側に漏れ出ないようにすることができる。なお、図3ではバスライン12及び絶縁膜13各々の並置方向の両方の側面が基板11に向かって狭くなるように斜面にされているが、バスライン12及び絶縁膜13各々の並置方向の少なくとも非対向側面が基板11を臨むように傾斜していれば良い。また、このバスライン12の傾斜側面については、陽極形成工程で王水等のエッチング液でIZO膜をエッチングする際にIZO膜と共にバスライン12のAlNdがエッチングされるが、AlNdのエッチングレートがIZOのそれより高いのでバスライン12の側面のAlNdの部分が多く除去されてしまい、この結果、図4に示すようにその陽極14の端面に続くバスライン12の側面が基板11から見て逆テーパ状になることを利用しても良い。次に、真空乾燥装置図示せずを用いてインク15は気体圧力0.1~50Paにて2分間に亘り真空乾燥され、そして、1時間に亘る230°Cでの加熱処理により焼成される。この結果、図1の右図に示すようにインク15の溶媒が蒸発して硬化したホール注入輸送層16有機材料層が得られる。ホール注入輸送層16の厚さは例えば、30nmである。塗布発光層形成工程インクジェット装置にてホストとしてBalq、ドーパントとして6wt-Hex-Ir3を用いた固定分濃度2wtのインク3Balq17が図1の左図に示すようにバスライン12と絶縁膜13との間の凹部への滴下により塗布される。インク17はホール注入輸送層16上でその一方の端部と他方の端部との間で中央が高く盛り上がった状態となり、その端部から外側に漏れこぼれないようにされる。すなわち、濡れピン止め効果により端部のテーパ角を大きくしてホール注入輸送層16端部でインク17が端部外側に漏れ出ないようにされる。次に、真空乾燥装置図示せずを用いてインク17は気体圧力0.1~50Paにて2分間に亘って真空乾燥され、そして、10分間に亘る130°Cでの加熱処理により焼成される。この結果、図1の右図に示すようにインク17の溶媒が蒸発して硬化した赤緑塗布発光層としてRG塗布混合層18有機材料層が得られる。RG塗布混合層18の厚さは例えば、40nmである。蒸着層形成工程先ず、RG塗布混合層18上に真空蒸着法にてホストPANDとドーパントDPAVBiがドーパント6wtとなるように共に真空蒸着され、これにより青発光層19が例えば、15nmの厚さで形成される。次に、青発光層19上に真空蒸着法にてAlq3トリスアルミニウムが真空蒸着され、これにより電子輸送層20が例えば、30nmの厚さで形成される。次いで、電子輸送層20上に真空蒸着法にてLiFフッ化リチウムが真空蒸着され、これにより電子注入層21が例えば、1nmの厚さで形成される。最後に、電子注入層21上に真空蒸着法にてAlアルミニウムが真空蒸着され、これにより陰極22が例えば、80nmの厚さで形成される。図1にはこの蒸着層形成工程で形成される青発光層19、電子輸送層20、電子注入層21及び陰極22が示されている。このように本発明によれば、バスライン及び絶縁膜形成工程、陽極形成工程、ホール注入輸送層形成工程、塗布発光層形成工程、及び蒸着層形成工程によって有機発光素子が製造されている。上記した実施例においては、バスライン12としてAlNd等の金属材料が用いられ、絶縁膜13としてSiO2が用いられ、そのバスライン12と絶縁膜13との上に透明導電性膜の陽極12が積層されるので、有機発光層で発光した光がバスライン12及び絶縁膜13で拡散されるので、有機発光素子の開口率を向上させることができる。例えば、特許文献2に開示された有機LEDでは絶縁性のバンク材が用いられており、そのバンク材は一般的にポリイミド材質など可視域に吸収がある材料が多いため、陰極の金属色である色合いに対して外観を損ねる。また、可視域に吸収材料があるため、発光した光がバンクで損失する可能性がある。これに対し、上記した実施例においてはバスライン12としてAlNd等の金属が用いられ、絶縁膜13としてSiO2が用いられているので、陰極22のAlの金属色と同等で外観を損ねることがない。また、発光した光がバスライン12及び絶縁膜13で拡散しても損失することなく、有機発光素子から放出されるので従来よりも高開口率を得ることができる。更に、バスライン12の材料の電気抵抗率は陽極14の材料のそれより小さく、またバスライン12に陽極14が直接接触するので、有機発光素子に効率よく給電することができる。更に、上記したように開口率の増加のために発光した光を効率より放出させることができるので、所望の光量を得るために従来の素子より消費電力を低減させることができる。また、発光パネルにおいて隣接する発光素子間では一方の発光素子のバスラインと他方の発光素子の絶縁膜とにより対向させることができるので、他方の発光素子の絶縁膜により発光素子間の距離を短くしても素子間の絶縁特性を良好に確保することができる。上記した実施例においては、バスライン12と絶縁層13との間の凹部にインク15の滴下によりホール注入輸送層16が形成され、更に、インク17の滴下によりRG塗布混合層18が形成されているが、本発明はこのように濡れピン止め効果を利用して2層が形成されることに限定されず、濡れピン止め効果を利用して1層だけ、或いは3層以上が形成されても良い。例えば、図5に示すように、発光パネルの第1発光素子Aは上記した実施例のようにバスライン及び絶縁膜形成工程、陽極形成工程、ホール注入輸送層形成工程、塗布発光層形成工程、及び蒸着層形成工程によって製造されている。この第1発光素子Aに隣接する第2発光素子Bはバスライン及び絶縁膜形成工程、陽極形成工程、ホール注入輸送層形成工程、及び蒸着層形成工程によって製造されている。蒸着層形成工程は第1発光素子A及び第2発光素子Bの共通の工程であり、各蒸着層が第1発光素子A及び第2発光素子Bに亘って連続的に形成される。第2発光素子Bでは、濡れピン止め効果を利用して形成した層はホール注入輸送層16だけであり、蒸着層形成工程で蒸着形成された青発光層19により青色だけが発光色として得られる。また、図5に示した発光パネルにおいては、第1発光素子Aのバスライン12間の凹部に塗布形成されたRG塗布混合層18の表面の凹凸状態、また第2発光素子Bのバスライン12間の凹部に塗布形成されたホール注入輸送層16の表面の凹凸状態が青発光層19の形成によって吸収されて青発光層19の表面は平坦にされ、青発光層19以外の蒸着層である電子輸送層20、電子注入層21及び陰極22が発光素子毎に平坦に形成されている。ただし、図6に示すように、第1発光素子A及び第2発光素子B各々において上記の凹凸状態を吸収することなく青発光層19、電子輸送層20、電子注入層21及び陰極22が凹凸状に形成されても良い。また、上記した実施例においては、発光素子毎にバスライン12及び絶縁膜13が基板11上に形成されているが、図7に示すように、第1発光素子Aの絶縁層32が第1発光素子Aと隣接する第2発光素子Bのバスライン34と重なるようにしても良い。すなわち、第1発光素子Aでは基板11上にバスライン31と絶縁層32とが形成され、絶縁層32の幅はバスライン31の幅より長くされている。そのバスライン31の外側端部からの絶縁膜32の中間部までを覆うように陽極33が形成されている。第2発光素子Bでは絶縁膜32の端部を覆うように逆L字状断面のバスライン34が基板11上に形成され、そのバスライン34の外側端部からの絶縁膜32と同様の絶縁膜図示せずの中間部までを覆うように陽極35が形成される。このように隣接する第1発光素子Aと第2発光素子Bとの間に絶縁層32を形成することにより素子間の絶縁特性を良好にすることができる。更に、上記した実施例においては、バスライン12が基板11上に直接形成されているが、図8に示すように、SiO2等の絶縁材料からなる嵩上げ層24を基板11上に形成した後、嵩上げ層24上にバスライン25を形成しても良い。このようにすることによりバスライン25をバスライン12より薄膜として形成することができる。また、バスライン12は、陽極14に接触した給電ラインとして示されているが、陰極に接触した給電ラインとして形成されても良い。なお、上記した実施例における基板11、バスライン12、絶縁膜13、陽極14、ホール注入輸送層16、RG塗布混合層18、青発光層19、電子輸送層20、電子注入層21及び陰極22の各材料は上記したものに限定されない。基板11としては透明半透明を含むなプラスチック基板でも良い。バスライン12の材料としてはAlAgMoTiPtAu等の金属又はそれらの合金を用いることができ、特に光反射率が高いものが好適である。絶縁膜13としては上記のSiO2のような透明絶縁材料に限らず、ポリイミド材等の不透明の絶縁材料でも良い。陽極14の材料としてはITO等の他の酸化金属を用いることができる。また、ホール注入輸送層16の材料としてインク滴下可能なAgMoCrIr等の他の金属酸化物を用いることができる。RG塗布混合層18及び青発光層19等の発光層の材料としてはホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する材料であれば良く、また、インク滴下して発光層を形成する場合にはインク滴下可能な材料である必要がある。電子注入層21の材料としては例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウム、或いはこれらの組み合わせで形成されることが好ましい。陰極22の材料としては、例えば、ITO、IZO等の酸化金属を用いても良い。また、上記した実施例において示した各工程での各膜の形成方法、各膜の幅及び厚さ、加熱温度、加熱時間等の条件は一例に過ぎず、本発明はこれに限定されない。更に、バスラインと絶縁膜は組として形成されているが、組をなすバスライン及び絶縁膜が同一断面形状である必要はなく、またライン伸張方向において同一の長さである必要はない。また、上記した濡れピン止め効果について説明すると、図9に示すように、屈曲角αの角部を有する部材41の表面に滴下された溶液42の平衡接触角をθとした場合に、図9に示すように、接触角がθαになるまでは溶液42はその角部を通過することができない。それは図9に示すように溶液42が角部を通過した先の斜面では接触角はθより小さくなるからである。すなわち、溶液42の接触角はθ~θαの範囲となり、屈曲角αが大なるほど撥液性が高くなることが濡れピン止め効果である。本発明の有機発光素子及びその製造方法は有機ELディスプレイや有機EL照明装置の発光素子に適用することができる。