p導電型を有し半導体からなり太陽電池を製作するための太陽電池用基板において、前記半導体基板はp導電型を有する第1不純物、p導電型を有する第2不純物、そしてn導電型を有する第3不純物を含み、前記第1不純物の濃度と前記第2不純物の濃度の合計から前記第3不純物の濃度を引いた値である前記基板の純粋p型の不純物濃度は7.2×1015/cm3乃至3.5×1016/cm3である太陽電池用基板。前記第2不純物の濃度は1×1013/cm3乃至5.5×1015/cm3である請求項1記載の太陽電池用基板。前記第1不純物の濃度と前記第2不純物の濃度の合計は3.5×1016/cm3以下である請求項1記載の太陽電池用基板。前記第3不純物の濃度は2.8×1016/cm3以下である請求項3記載のの太陽電池用基板。前記第1不純物はホウ素B、前記第2不純物はアルミニウムAl及びガリウムGaのうち少なくとも一つであり、前記第3不純物はりんPである請求項1記載の太陽電池用基板。前記半導体基板は多結晶シリコン基板である請求項1記載の太陽電池用基板。前記太陽電池用基板は鉄Feをさらに含む請求項1記載の太陽電池用基板。前記鉄Feの濃度は6×1015/cm3以下である請求項7記載の太陽電池用基板。p導電型を有する多結晶質半導体基板と、n導電型を有し前記多結晶質半導体基板とp-n接合を形成するエミッタ部と、前記エミッタ部に接続されている第1電極、そして前記基板と接続されている第2電極と、を含み、前記多結晶質半導体基板の純粋p型の不純物濃度は7.2×1015/cm3乃至3.5×1016/cm3である太陽電池。前記太陽電池は12V乃至41Vのブレークダウン電圧を有する請求項9記載の太陽電池。前記多結晶半導体基板はホウ素B、アルミニウムAl及びガリウムGaの内少なくとも一つ、そしてりんPを含む請求項9記載の太陽電池。前記アルミニウムAlの濃度は1×1013/cm3乃至5.5×1015/cm3である請求項11記載の太陽電池。前記ホウ素Bの濃度と前記アルミニウムAl及びガリウムGaのうち少なくとも一つの濃度の合計が3.5×1016/cm3以下である請求項11記載の太陽電池。前記りんPの濃度は2.8×1016/cm3以下である請求項13記載の太陽電池。前記多結晶半導体基板は鉄Feをさらに含む請求項11記載の太陽電池。前記鉄Feの濃度は6×1015/cm3以下である請求項15記載の太陽電池。前記多結晶半導体基板は、前記p型の第1不純物と、前記p型の第2不純物と、そして前記n型の第3不純物と、を含み、純粋p型の不純物濃度は、前記第1不純物の濃度と前記第2不純物の濃度の合計から前記第3不純物の濃度を引いた値である請求項9記載の太陽電池用。前記第2不純物の濃度は1×1013/cm3乃至5.5×1015/cm3である請求項17記載の太陽電池。前記第1不純物の濃度と前記第2不純物の濃度の合計は3.5×1016/cm3以下であり、前記第3不純物の濃度は2.8×1016/cm3以下である請求項17記載の太陽電池。前記第1不純物はホウ素B、前記第2不純物はアルミニウムAl及びガリウムGaの内少なくとも一つであり、前記第3不純物はりんPである請求項17記載の太陽電池。本発明の目的とするところは、太陽電池の効率を向上させることにある。前述の課題を解決するために本発明の一特徴による太陽電池用基板はp導電型を有し半導体からなり太陽電池を製作するための太陽電池用基板として、前記半導体基板はp導電型を有する第1不純物、p導電型を有する第2不純物、そしてn導電型を有する第3不純物を含み、前記第1不純物の濃度と前記第2不純物の濃度の合計から前記第3不純物の濃度を引いた値である前記基板の純粋p型の不純物濃度は7.2×1015/cm3乃至3.5×1016/cm3である。前記第2不純物の濃度は1×1013/cm3乃至5.5×1015/cm3で有り得る。前記第1不純物の濃度と前記第2不純物の濃度の合計は3.5×1016/cm3以下で有り得る。前記第3不純物の濃度は約2.8×1016/cm3以下で有り得る。前記第1不純物はホウ素Bであり、前記第2不純物はアルミニウムAlとガリウムGaのうち少なくとも一つであり、前記第3不純物はりんPで有り得る。前記半導体基板は多結晶シリコン基板であることが良い。前記特徴による太陽電池用基板は鉄Feをさらに含むことができる。前記鉄Feの濃度は6×1015/cm3以下で有り得る。本発明の他の特徴による太陽電池はp導電型を有する多結晶質半導体基板、n導電型を有し前記多結晶質半導体基板とp-n接合を形成するエミッタ部、前記エミッタ部に接続されている第1電極、そして前記基板と接続されている第2電極を含み、前記多結晶質半導体基板の純粋p型の不純物濃度は7.2×1015/cm3乃至3.5×1016/cm3である。前記太陽電池は12V乃至41Vのブレークダウン電圧を有する方が良い。前記多結晶半導体基板はホウ素B、アルミニウムAlとガリウムGaの内少なくとも一つ、そしてりんPを含むことができる。前記アルミニウムAlの濃度は1×1013/cm3乃至5.5×1015/cm3で有り得る。前記ホウ素Bの濃度と前記アルミニウムAl及び前記ガリウムGaの内少なくとも一つの濃度の合計は3.5×1016/cm3以下で有り得る。前記りんPの濃度は2.8×1016/cm3以下で有り得る。前記多結晶半導体基板は鉄Feをさらに含むことができる。前記鉄Feの濃度は6×1015/cm3以下で有り得る。前記多結晶半導体基板は前記p型の第1不純物と、前記p型の第2不純物と、そして前記n型の第3不純物を含み、前記純粋p型の不純物濃度は前記第1不純物の濃度と前記第2不純物の濃度の合計から前記第3不純物の濃度を引いた値で有り得る。前記第2不純物の濃度は1×1013/cm3乃至5.5×1015/cm3で有り得る。前記第1不純物の濃度と前記第2不純物の濃度の合計は3.5×1016/cm3以下であり、前記第3不純物の濃度は2.8×1016/cm3以下で有り得る。前記第1不純物はホウ素B、前記第2不純物はアルミニウムAl及びガリウムGaの内少なくとも一つであり、前記第3不純物はりんPで有り得る。本発明のこのような特徴によると、太陽電池用基板に含む不純物の濃度を制御し太陽電池のブレークダウン電圧の大きさを増加させ太陽電池に印加される逆バイアス電圧による逆電流の発生を減少させる。これにより、太陽電池の効率と寿命が向上する。以下では添付した図面を参照にして本発明の実施の形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし本発明はいろいろ相異な形態に具現されることができここで説明する実施の形態に限定されない。そして図面で本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、明細書全体を通じて類似の部分に対しては類似の図面符号を付けた。図で多くの層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。層、膜、領域、基板などの部分が他の部分上にあると言う時、これは他の部分真上にある場合だけではなくその中間に他の部分がある場合も含む。反対に何れの部分が他の部分真上にあると言う時には中間に他の部分がないことを意味する。先ず、太陽電池を製作するための本実施の形態に係る基板、すなわち、半導体基板に対して説明する。一般的に太陽電池はシリコンなどからなる半導体基板で、p型の半導体部とn型の半導体部をp-n接合させ、p型の半導体部とn型の半導体部にそれぞれ電極を連結させ、光が入射された後p-n接合によって分離した電子と正孔を各該当の電極を通じ出力し電力を得る。この時、一つの太陽電池から出力される電圧の大きさはおおよそ0.6Vである。このような太陽電池のための半導体基板は一般的に単結晶シリコン基板または多結晶シリコン基板を利用している。このように入射される光を利用し電気を生成する太陽電池は一般的に複数個、例えば、10×6の行列構造に配列された後、これら60個の太陽電池を直列連結のように電気的に連結し一つの太陽電池モジュールで製作する。したがって、太陽電池モジュールが設置される空間に適当な個数の太陽電池モジュールを電気的に連結させる。設置された太陽電池モジュールの内で雲、木の葉、またはほこりなどによって光が正常に入射できないか陰になった太陽電池が存在する場合、この非正常太陽電池には太陽電池の入射面全体に正常に光が入射され正常な大きさの電流と電圧を生成する正常な太陽電池で生成された電圧の合計が非正常太陽電池に逆バイアス電圧に印加される。逆バイアス電圧が印加された非正常太陽電池には印加される逆バイアス電圧による逆電流が流れるようになり、逆バイアス電圧がしきい値、すなわち、ブレークダウン電圧を超過するようになれば非正常太陽電池に流れる逆電流は急激に増加する。このように、太陽電池に逆電流が流れれば発熱によって太陽電池の劣化現象が発生し、これにより太陽電池の効率減少と寿命低下が発生し、太陽電池モジュールで生成される電力減少をもたらす。このような急激な逆電流の増加をもたらすブレークダウン電圧の大きさは太陽電池の基板、すなわち半導体基板に含有された不純物濃度によって変わる。したがって、このような逆バイアス電圧による非正常太陽電池と太陽電池モジュールを保護するため、各太陽電池モジュールには少なくとも一つのバイパスダイオードが装着されている。しかし、一般的に常用化された太陽電池モジュール構造でバイパスダイオードは各太陽電池ごとに一つずつ装着されていないで、複数の太陽電池が行列に配置され接続される時隣接した二つの太陽電池列からなる一対の太陽電池列に一つずつ装着されている。例えば、10×6行列で太陽電池が配列される場合、バイパスダイオードの個数は合計3個である。したがって一つのバイパスダイオードによって保護される太陽電池の個数は二つの列にあたる20個になる。したがって、複数の太陽電池が直列で接続されているある一太陽電池列で、一つの非正常太陽電池が存在する場合、残りの正常太陽電池で生成された電圧の合計にあたる電圧が非正常太陽電池に逆バイアス電圧で作用する。二つの太陽電池列に20個すべての太陽電池が直列で接続されていて、各太陽電池で生成される電圧が約0.6Vの場合、一つの太陽電池列に含まれた10個の太陽電池の内で一つの太陽電池が非正常太陽電池であり、正常である一つの太陽電池で出力される電圧が約0.6Vであるので、によって算出された約11.4Vの電圧が一つの非正常太陽電池に印加される逆バイアス電圧の大きさである。結局、一つのバイパスダイオードによって保護される太陽電池列の個数は合計20個の太陽電池の内で正常である19個の太陽電池から出力される電圧の総合が残り一つの非正常太陽電池にすべて逆電圧で印加される。したがって、10×6行列構造で複数の太陽電池が配列された太陽電池モジュールで、各太陽電池に印加できる最大逆バイアス電圧の大きさは約11.4Vになる。たとえとして10×6行列構造を有する太陽電池モジュールに基づいて説明したが、本実施の形態で、太陽電池モジュールを構成する太陽電池の行列構造で行の個数と列の個数は変更可能である。このような逆バイアス電圧による太陽電池のブレークダウンは一般的に基板の不純物濃度及びp-n接合後発生する空乏層内の内部電界によって変わる。このような内部電界は逆バイアス電圧が印加及び増加することによってさらに増加するようになってp型基板から電子をトンネリング及びアバランシェブレークダウンを発生させ特定逆バイアス電圧で逆電流の急激な増加を引き起こす。太陽電池を製作するための基板にはp導電型のために人為的に注入された不純物ホウ素B以外にも太陽電池用基板に製作される半導体ウエハwaferを生成するための原材料の内で含有された他の不純物や基板の特性を向上するために注入された不純物、例えば、りんP、アルミニウムAl、ガリウムGa、鉄Feなどを含む。この時、太陽電池の基板がp型である時、ホウ素BとアルミニウムAl及びガリウムGaの内少なくとも一つは基板と同一である導電型を有するp型不純物であり、りんPは基板と反対であるn導電型を有する不純物である。したがってn型の不純物によってp型基板の実際のp型不純物の濃度は変わる。基板の特性のために注入されるガリウムGaは注入されないこともある。したがって、ガリウムGaが基板に注入される場合、p型不純物はホウ素B、アルミニウムAl及びガリウムGaであり、ガリウムGaが基板に注入されない場合、p型不純物はホウ素BとアルミニウムAlである。既に説明したように、太陽電池用基板のブレークダウン電圧は基板とエミッタ部の間のp-n接合による内部電界の影響を受けるようになるが、p型不純物の濃度増加は初期内部電界を増加させる。この場合、太陽電池用基板に逆バイアス電圧が印加される場合、基板とエミッタ部の間のp-n接合による空乏層はより一層増加する。すなわち、逆バイアス電圧が太陽電池に印加されれば、光が入射されるp型基板の前面の方に位置したn型のエミッタ部の方に電圧が印加され、前面の反対側に位置し光が入射されない基板の後面の方に-電圧が印加される。したがってエミッタ部の方に印加される電圧によってエミッタ部の方に電子eが移動し、基板の後面に印加される-電圧によって基板の後面の方に正孔hが移動し、太陽電池に逆バイアスが印加される場合p-n接合の時空乏層は増加する。このように、空乏層が増加すれば太陽電池の基板の内部電界の値が増加し、太陽電池に印加される逆バイアス電圧の大きさが特定しきい値に到逹した時ブレークダウン現象が発生するようになる。このように、太陽電池の逆バイアス電圧に影響を及ぼす要素は不純物のドーピング濃度とp-n接合の太陽電池基板の内部電界である。したがって、本実施の形態で、p型の多結晶シリコン基板である太陽電池用基板のブレークダウン電圧の大きさを増加させ、太陽電池モジュールを構成する太陽電池に最大の大きさの逆バイアス電圧が印加されてもブレークダウン現象が発生しないようにする。この場合、ブレークダウン電圧の大きさは基板の不純物濃度に影響を受けるので、p-n接合の空乏層変化による内部電界の影響を考慮し太陽電池を製作するためにインゴットを切断した基板の不純物の濃度を制御する。この時、基板の導電型のために注入されたホウ素の濃度だけではなく基板の原材料に含有された不純物であるりんとアルミニウム及びガリウムのうちで少なくとも一つの濃度を考慮し太陽電池用基板のブレークダウン電圧の大きさを制御する。したがってp導電型に影響を及ぼす切断した基板の不純物濃度Ctはホウ素Bのようなp型不純物の濃度C1、p型と反対の導電型を有するn型の不純物であるりんPの濃度C2そしてp型の不純物であるアルミニウムAlとガリウムGaの内少なくとも一つの濃度C3をすべて考慮し、実際p型基板の導電型に影響を及ぼす不純物の濃度を制御する。したがって、p導電型に影響を及ぼす基板の不純物ドーピング濃度Ctはp型の不純物の濃度の合計、すなわち、の濃度C1とアルミニウムAlとガリウムGaの内少なくとも一つの濃度C3の合計C1C3からn型の不純物の濃度C2を引いた値になる、すなわち、Ct=C1C3-C2。この時、p型の不純物とn型の不純物すべてのドーピング濃度を考慮したp型基板の不純物ドーピング濃度[Ct=C1C3-C2]をp型基板の純粋不純物濃度と称する。すなわち、純粋不純物濃度は純粋p型の不純物濃度と言える。言い換えれば、純粋不純物濃度はp型不純物の有効純度と言える。結局、このような純粋p型不純物濃度の増加はエミッタ部形成時の基板とエミッタ部の間のp-n接合による空乏層内の内部電界を増加させ、太陽電池用基板に逆バイアス電圧が印加される場合、このような内部電界は急激に増加するようになりブレークダウンを発生するようになる。本実施の形態で、変更されたブレークダウン電圧の基準電圧である12Vは、既に説明したように、10×6行列で配列された太陽電池を備えた太陽電池モジュールで一つの非正常太陽電池に印加されることができる最大の逆バイアス電圧11.4Vが印加されてもブレークダウン現象の発生を防止するための値である。結局、本実施の形態は非正常太陽電池に最大の大きさの逆バイアス電圧が印加されてもブレークダウン現象が発生しないように基板に含有された不純物の濃度を制御し基板のブレークダウン電圧の大きさを変更するのである。したがってp-n接合時逆バイアス電圧によって変わる内部電界を考慮し、ブレークダウン電圧の大きさが12V以上になるように太陽電池用で切断した基板の不純物の濃度は次のようである。切断した太陽電池用基板の純粋不純物濃度Ctは約7.2×1015/cm3乃至約3.5×1016/cm3である。この時、アルミニウムAlの濃度C3は約1×1013/cm3乃至約5.5×1015/cm3であり、p型不純物の合計であるホウ素BとアルミニウムAl及びガリウムGaの内少なくとも一つの合算濃度C1C3は約3.5×1016/cm3以下である。p型不純物の合計であるホウ素BとアルミニウムAl及びガリウムGaの内少なくとも一つの合算濃度C1C3は約3.5×1016/cm3以下の場合、n型不純物であるりんPの濃度C2は約2.8×1016/cm3以下である。また鉄Feの濃度は約6×1015/cm3以下である。基板の純粋不純物濃度Ctが約3.5×1016/cm3以下である場合、ブレークダウン電圧の大きさは最小値である約12Vになり、基板の純粋不純物濃度Ctが約7.2×1015/cm3以上であると基板の導電型が安定的にp型を維持する。上に記載したようにp型不純物の濃度とn型不純物の濃度を有する基板で太陽電池を製作する場合、この太陽電池に対する理論的なブレークダウン電圧を図1に示す。図1は約0.7eV乃至0.76eVのバンドギャップエネルギーを有するp型の多結晶シリコン基板で、純粋不純物濃度によるブレークダウン電圧の理論的な範囲を示したことで、各純粋不純物濃度によるブレークダウン電圧の下限値は多結晶シリコン基板が0.7eVのバンドギャップエネルギを有する場合の理論的な値であり、各純粋不純物濃度によるブレークダウン電圧の上限値は多結晶シリコン基板が0.76eVのバンドギャップエネルギを有する場合の理論的な値である。このような理論的なブレークダウン電圧は次の数式によって計算することができる。Exは内部電界値、qは電荷量、すなわち、1.6×1019、Naは純粋不純物濃度、Ndはエミッタ部ドーピング濃度、Vbiはビルト‐イン電位、そしてεSiはシリコンの誘電率である。またVaはブレークダウン電圧である。このような[数1]で、ブレークダウン電圧Vaは次の[数2]によって算出される。ここで、Eはブレークダウンが発生する時の内部電界値である。この時、ブレークダウン電界値Eは理論的なブレークダウン電界値の約75乃至80に当る値である。理論的なブレークダウン電界値Ebrは[数3]によって算出される。理論的なブレークダウン電界値Ebrはシリコン基板が理想的な結晶度を有し不純物が存在しない場合理論的に算出される電界値である。しかし実際多結晶シリコン基板は結晶が形成される時は結晶状態と不純物の存在などで理論的なブレークダウン電界値Ebrを有することができずに、[数3]によって算出された理論的なブレークダウン電界値Ebrの約75乃至80に当る電界値を通常有するようになる。したがって、ブレークダウン電界値Eは理論的なブレークダウン電界値Ebrの75乃至80にあたる値に算出される。したがって、図1はこのような値は数式により算出された理論的なブレークダウン電圧をグラフに示したものであり、[表1]は算出された理論的なブレークダウン電圧を表に示したのである。[表1で]、E075は理論的なブレークダウン電界値Ebrの75をブレークダウン電界値Eで算出する時の値であり、E08は理論的なブレークダウン電界値Ebrの80をブレークダウン電界値Eで算出する時の値である。また、Va075はE075を基礎にして算出されたブレークダウン電圧であり、また、Va08はE08を基礎にして算出されたブレークダウン電圧である。このように、図1と表1を算出する時、基板の純粋不純物濃度Naが約3.5×1016/cm3以下を有する場合、ブレークダウン電圧Vaが12V以上を有するようになることが分かる。既に記載したように、純粋不純物濃度が7.2×1015/cm3未満であると基板に部分的にn導電型を有する部分が発生する。したがって基板の純粋不純物濃度は7.2×1015/cm3以上ではなければならず、この時ブレークダウン電圧Vaは約41Vである。したがって本実施の形態に係るブレークダウン電圧Vaの範囲は約12V乃至41Vになる。図1で、実際測定値は本実施の形態に係る太陽電池用基板を利用しp型の多結晶シリコンからなる太陽電池を製作した後、太陽電池で直接測定したブレークダウン電圧である。実際測定値もまた基板の純粋不純物濃度が約3.5×1016/cm3以下を有する場合、ブレークダウン電圧Vaが12V以上を有するようになることが分かる。本実施の形態により定義されたとおり不純物を含む場合、基板のブレークダウン電圧の最小値は12Vになるので、10×6行列に配列された太陽電池を備えた太陽電池モジュールで最大の逆バイアス電圧である11.4Vである一つの非正常太陽電池に印加されてもブレークダウン現象を発生しないので、太陽電池と太陽電池モジュールの寿命を延長させ効率を向上する。このような各不純物のドーピング濃度と純粋不純物ドーピング濃度を有する基板を利用し製作した太陽電池の構造を図2及び図3を参照にして説明する。図2及び図3に示したように、本発明の一実施の形態に係る太陽電池11は基板110、光が入射される基板110の面である入射面以下、前面と称するに位置したエミッタ部121、エミッタ部121上に位置する反射防止部130、エミッタ部121と接続されている前面電極部140、光が入射されないで入射面の反対側に位置した基板110の面である非入射面以下、後面と称するに位置する後面電界部172、そして基板110の後面上に位置する後面電極部150を備える。基板110は第1導電型、例えばp導電型を有し多結晶シリコンからなる半導体基板である。基板110がp導電型を有する場合、ホウ素Bのような3価元素の不純物が基板110にドーピングされる。このような基板110の前面はテクスチャリングされて凹凸面であるテクスチャリング表面を有する。便宜上図1で、基板110の端部分だけテクスチャリング表面で示してその上に位置する反射防止部130もまたその端部分だけ凹凸面で示す。しかし、実質的に基板110の前面全体がテクスチャリング表面を有し、これにより基板110の前面の上に位置した反射防止部130も凹凸面を有する。複数の突出部を備えたテクスチャリング表面によって、光に対する太陽電池11の反射防止効率が大きく向上し、太陽電池11内部に入射される光の量が増加する。このような基板110はp型のためのドーパントであるホウ素B、p型のアルミニウムAlとガリウムGaの内少なくとも一つ、n型のドーパントであるりんP、基板110の導電性に影響を及ぼさない鉄Feなどのような多くの不純物を含んでいる。本実施の形態に係る基板110の純粋不純物濃度は約7.2×1015/cm3乃至約3.5×1016/cm3である。基板110内に含有されたアルミニウムAlの濃度は約1×1013/cm3乃至5.5×1015/cm3である。基板110のp導電型のために外部から印加された不純物であるホウ素BとアルミニウムAl及びガリウムGaの内少なくとも一つの合算濃度は約3.5×1016/cm3以下であり、この場合、基板110内に含有されたn導電型のためのりんPの濃度は約2.8×1016/cm3以下である。また鉄Feの濃度は約6×1015/cm3以下である。これら濃度はエミッタ部121と後面電界部172が位置しない基板110の部分で測定された不純物の濃度である。このような不純物濃度を有する基板110によって、太陽電池11のブレークダウン電圧は約12V乃至41Vである。エミッタ部121は基板110の導電型と反対である第2導電型、例えば、n導電型の不純物が基板110にドーピングされた領域で、入射面である基板110の前面に位置する。したがって第2導電型のエミッタ部121は基板110の内第1導電型部分とp-n接合を成す。基板110または基板110の第1導電型の部分とエミッタ部121とのp-n接合による内部電位差によって、基板110に入射された光によって生成された電荷である電子正孔対は電子と正孔に分離し電子はn型の方に移動し正孔はp型の方に移動する。したがって、分離した正孔はp型である基板110の後面の方に移動し分離した電子はn型であるエミッタ部121の方に移動する。エミッタ部121は5価元素の不純物を基板110にドーピングし形成されることができる。エミッタ部121上に位置した反射防止部130はシリコン窒化物SiNxやシリコン酸化物SiOxなどから成り得る。場合による他の物質が反射防止部130のために使われる。反射防止部130は太陽電池11に入射される光の反射度を減らし特定の波長領域の選択性を増加させ太陽電池11の効率を高める。このような反射防止部130は図2及び図3に示した単一膜構造を有するが2重膜のような多層膜構造を有することができる。必要によって反射防止部130は省略可能である。前面電極部140は複数の前面電極141と複数の前面電極141と接続されている複数の前面バスバー142を備える。複数の前面電極141はエミッタ部121と電気的及び物理的に接続されており、互いに離隔され決まった方向に並んで伸びている。複数の前面電極141はエミッタ部121の方に移動した電荷、例えば、電子を収集する。複数の前面バスバー142はエミッタ部121と電気的及び物理的に接続されていて複数の前面電極141と交差する方向に並んで伸びている。この時、複数の前面バスバー142は複数の前面電極141と同一層に位置し各前面電極141と交差する地点で該当の前面電極141と電気的及び物理的に接続されている。したがって、図2に示したように、複数の前面電極141は横または縦方向に伸びているストライプ形状を有し、複数の前面バスバー142は縦または横方向に伸びているストライプ形状を有し、前面電極部140は基板110の前面に格子形状で位置する。複数の前面バスバー142は接触したエミッタ部121の部分から移動する電荷だけではなく複数の前面電極141によって収集されて移動する電荷を収集する。各前面バスバー142は交差する複数の前面電極141によって収集された電荷を集めて所望する方向に移動させなければならないので、各前面バスバー142の幅は各前面電極141の幅より大きい。複数の前面バスバー142は外部装置と接続されているので、複数の前面バスバー142によって収集された電荷は外部装置に出力される。複数の前面電極141と複数の前面バスバー142を備えた前面電極部140は銀のような少なくとも一つの導電性物質からなる。図2で、基板110に位置する前面電極141と前面バスバー142の個数は一例に過ぎず、場合によって変更可能である。このように、エミッタ部121と電気的及び物理的に接続されている前面電極部140によって、反射防止部130は前面電極部140が位置しないエミッタ部121上に位置する。後面電界部172は基板110と同一の導電型の不純物が基板110より高濃度で基板110にドーピングされた領域、例えば、P領域である。このような基板110の第1導電性領域と後面電界部172の間の不純物濃度差によって電位障壁が形成され、これにより、正孔の移動方向である後面電界部172の方に電子移動は邪魔になる一方、後面電界部172の方に正孔移動は容易になる。したがって、後面電界部172は基板110の後面及びその近所で電子と正孔の再結合で損失される電荷の量を減少させ所望する電荷の移動を加速化させ後面電極部150への電荷移動量を増加させる。後面電極部150は後面電極151と後面電極151と接続されている複数の後面バスバー152を備える。後面電極151は基板110の後面に位置した後面電界部172と接触しており、後面バスバー152が位置した部分を除けば実質的に基板110の後なら全体に位置する。代案的な例で、後面電極151は基板110の後面端部分に位置しないこともある。後面電極151はアルミニウムAlのような導電性物質を含んでいる。このような後面電極151は後面電界部172の方から移動する電荷、例えば正孔を収集する。この時、後面電極151が基板110より高い不純物濃度で維持する後面電界部172と接触しているので、基板110、すなわち後面電界部172と後面電極151の間の接触抵抗が減少し基板110から後面電極151にの電荷転送効率が向上する。複数の後面バスバー152は後面電極151が位置しない基板110の後面上に位置し隣接した後面電極151と接続されている。また、複数の後面バスバー152は基板110を中心に複数の前面バスバー142と対応するように見合わせる。複数の後面バスバー152は複数の前面バスバー142と同様に、後面電極151から伝達する電荷を収集する。複数の後面バスバー152もまた外部装置と接続されているので、複数の後面バスバー152によって収集された電荷は外部装置に出力される。このような複数の後面バスバー152は後面電極151から伝達した電荷を外部装置に出力しなければならないので、後面電極151より良好な伝度度を有する物質からなることができ、例えば、銀Agのような少なくとも一つの導電性物質を含む。代案的な例で、後面電極151は後面バスバー152が位置した基板110の後面部分にも位置することができ、この場合、複数の後面バスバー152は基板110を中心に複数の前面バスバー142と対応されるように見合わせて後面電極151上に位置する。この時、場合によって後面電極151は後面の端部分を除いた実質的な後面全体面に位置することができる。このような構造を有する本実施の形態に係る太陽電池11の動作は次のようである。太陽電池11に光が照射されて反射防止部130を通じ半導体部であるエミッタ部121と基板110に入射されれば光エネルギによって半導体部で電子正孔対が発生する。この時、基板110のテクスチャリング表面と反射防止部130によって基板110に入射される光の反射損失が減って基板110に入射される光の量が増加する。これら電子正孔対は基板110とエミッタ部121のp-n接合によって互いに分離し電子と正孔は、n導電型を有するエミッタ部121とp導電型を有する基板110の方にそれぞれ移動する。このように、エミッタ部121の方に移動した電子は複数の前面電極141と複数の前面バスバー142によって収集され複数の前面バスバー142に付いて移動し、基板110の方に移動した正孔は隣接した後面電極151と複数の後面バスバー152によって収集されて複数の後面バスバー152に付いて移動する。このような前面バスバー142と後面バスバー152を導線で連結すれば電流が流れるようになり、これを外部で電力に利用するようになる。このような太陽電池のブレークダウン電圧の大きさは約12V以上を有しているので、太陽電池11に約11.4Vの最大逆バイアス電圧が印加されても、太陽電池11はブレークダウン現象が発生しない。上に記載した実施の形態で、基板に含有されホウ素B、リンP、アルミニウムAl、ガリウムGa及び鉄Feの不純物の濃度は太陽電池用基板を製作する時これら不純物をそれぞれ含んでいる物質の量を調節し上に記載したような濃度を有する。以上で本発明の望ましい実施の形態に対して詳細に説明したが本発明の権利範囲はここに限定されるのではなく次の請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多くの変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するのである。