"a支持体の少なくとも一部が面を有するテンプレート領域を含む、支持体を提供すること、b該テンプレート面上に、少なくとも銅I及び酸素を含む構成成分を含む、配向されたp型半導体領域を形成すること、cプラズマの存在下で、該p型半導体領域上に、配向されたn型エミッタ領域を形成すること、の工程を含む、方法。前記テンプレート領域は面心立方晶構造を含む、請求項1記載の方法。前記テンプレート領域、前記p型半導体領域及び前記n型エミッタ領域の各々は面心立方晶構造を含む、請求項1記載の方法。前記テンプレート領域は二軸配向表面組織を有する表面を少なくとも含む、請求項1記載の方法。前記テンプレート領域は導電性であり、そして面心立方晶構造を有する、請求項1記載の方法。前記テンプレート領域はMgOを含む、請求項1記載の方法。前記n型エミッタ領域は亜鉛を含む、請求項6記載の方法。前記p型半導体領域は亜酸化銅を含み、そして、前記半導体領域が前記テンプレート領域上にエピタキシャル成長するのに有効な条件下に成長される、請求項1記載の方法。前記テンプレート領域は少なくとも1種の導電性材料を含む支持体上に成長された少なくとも1層のフィルムである、請求項1記載の方法。工程aは、前記テンプレート領域が二軸配向組織を有する表面を少なくとも含むようにテンプレート領域の少なくとも一部を成長させるために、イオンビーム援助蒸着及び/又は反応性イオンビーム援助蒸着を使用することを含む、請求項1記載の方法。工程bの少なくとも一部はプラズマ中で行う、請求項1記載の方法。工程bは二軸配向亜酸化銅を提供するのに有効な条件下で行う、請求項1記載の方法。工程cの少なくとも一部はプラズマの存在下で行う、請求項1記載の方法。a支持体の少なくとも一部が二軸配向結晶構造を有するテンプレート領域を含み、該テンプレート領域が面を有する、支持体を提供すること、bプラズマの存在下で、テンプレート領域の面上に、少なくともZn及び酸素を含む構成成分を含むn型エミッタ領域を形成すること、及び、cn型エミッタ領域上に、少なくとも銅I及び酸素を含む構成成分を含む、配向されたp型半導体領域を形成すること、の工程を含む、方法。a配向されたp型亜酸化銅半導体領域、bp-nヘテロ接合がp型領域とn型領域との間に形成されるようにp型亜酸化銅半導体領域に隣接した、配向されたn型エミッタ領域、ここで、前記n型領域は少なくともZn及び酸素を含む構成成分を含む、及び、c前記n型領域及びp型領域の少なくとも一方に隣接している領域であって、該隣接領域の少なくとも一部は二軸結晶構造を有し、そして、該隣接領域は少なくともMg及び酸素を含む構成成分を含む、領域、を含むマイクロエレクトロニクスデバイス又はその前駆体。a二軸配向された、面心立方晶構造を含む第一の電極であって、前記第一の電極の優先的に整列された結晶特性に関連する第一の格子定数を有する第一の電極、b前記第一の電極上に形成され、面心立方晶構造を有するp型亜酸化銅半導体領域であって、前記半導体領域の優先的に整列された結晶特性に関連する第二の格子定数を有し、前記第一の格子定数/前記第二の格子定数の比が約1:1.05~約1.05:1の範囲にある、p型亜酸化銅半導体領域、c前記p型亜酸化銅半導体領域に隣接しておりかつ面心立方晶構造を有するn型エミッタ領域であって、前記n型エミッタ領域の少なくとも一部の優先的に整列された結晶特性に関連する第三の格子定数を有し、前記第二の格子定数/前記第三の格子定数の比は約1:1.05~約1.05:1の範囲である、n型エミッタ領域、及び、d前記n型エミッタ領域上に直接的に又は間接的に形成されている、第二の透明電極、を含む、光起電力デバイス。現在好ましい実施形態の詳細な説明下記の本発明の実施形態は、本発明を以下の詳細な説明に開示されている厳格な形態に網羅的とし又は限定することを意図しない。むしろ、実施形態は、他の当業者が本発明の原理及び実施を評価しそして理解することができるように選択されそして説明されている。本明細書中に引用したすべての特許、係属特許出願、公開特許出願及び技術文献はすべての目的でそれぞれの全体を参照により本明細書中に取り込まれる。図1はp-nヘテロ接合を取り込んだ本発明の例示のマイクロエレクトロニクス構造10を示す。構造10は、一般に、基材12、亜酸化銅半導体領域14、及び、n-型エミッタ領域16を含む。ヘテロ接合はp型材料とn型材料との間の界面により少なくとも部分的に形成される。基材12は、一般に、安定で滑らかな機械支持体を提供し、その上に、構造10の他の層が形成されうる。さらに、基材12の少なくとも一部は面22を有するテンプレート領域20を含む。図1に示す実施形態に関して、テンプレート領域20は結晶配向特性などの特性を有し、テンプレート領域20の面22上に同一又は類似の結晶学的配向を有する逐次の層の成長を促進する。好ましい実施形態において、テンプレート領域は好ましい二軸配向を有する亜酸化銅半導体領域14の成長を促進する結晶学的テンプレートを提供する。ある場合には、テンプレート領域と亜酸化銅半導体領域14との間に追加の層を提供し、それにより、亜酸化銅半導体領域14の好ましい結晶学的配向を得ることができる。追加の層又は領域はバッファ層又は領域と呼ばれることができる。望ましくは、テンプレート領域20はテンプレート面22上に成長される亜酸化銅材料の結晶学的に配向された成長、好ましくはエピタキシャル及び/又は二軸配向された成長を促進するのに有効な結晶特性を有する。本明細書中に使用されるときに、用語配向された又は組織化されたは相互互換的に使用でき、各々は注目の領域の結晶粒が少なくとも1つの結晶学的方向に沿って少なくとも実質的に整列していることを意味する。それらの用語は、一般に、注目の領域例えば、p-n界面に近接する結晶学的組織について述べ、全体のフィルムの結晶学的配向について述べる必要はない。もし、結晶学的配向が実質的に完全にランダムであるならば、サンプルは組織を有しない。実際の実施では、いわゆるランダム配向材料でも、若干の配向度である少量の異方性指示を示す。したがって、材料に対するX-線回折XRDを用いて得られる対称θ/2θ回折パターンが同一材料のランダム配向粒の粉末パターンと比較されたときに特定のブラッグ反射Ihklの増強及び他の反射の低減を示す場合に、本発明の実施において配向されている又は組織化されていると考えられる。好ましい実施形態において、注目の領域中の結晶粒の少なくとも約50、より好ましくは少なくとも約60、より好ましくは少なくとも約75、さらにより好ましくは少なくとも約90は少なくとも1つの結晶学的方向、より好ましくは少なくとも2つの結晶学的方向に沿って整列されている。ある実施形態では、注目の領域は全フィルム層であることができ、例えば、結晶粒の配向量が実質的に一定であるか、又は、フィルムと、フィルムのテンプレートとしての役割を果たす又はフィルムによりテンプレートされる別の材料との間で注目の界面から離れる方向でフィルム深さとともに概して増加している場合である。他の実施形態では、注目の領域はフィルム層の一部のみであり、例えば、このような注目の界面に近接しているフィルムの一部のみが少なくとも50配向されており、一方、界面から遠位の領域はより低い程度で配向されているか、及び/又は、注目の界面から離れる方向でフィルム深さとともに配向の量が低減される場合である。これらの後者の実施形態では、注目の領域はこのような界面に近接している約100nmまで、好ましくは約50nmまで、より好ましくは約25nmまで、さらにより好ましくは約5nmまでの深さのフィルムの部分であると考えられる。薄膜サンプル中の配向もしくは組織化の程度を定量測定するために、Chapter5、BirkholzMTextureandPreferredOrientationinThinFilmAnalysisbyXRayScatteringWileyVCHVerlagGmbHCoKGaAWeinheimFRGdoi1010023527607595ch5に記載されている手順を本発明の実施に使用する。支持分析特性化は透過型電子顕微鏡TEM又は反射高速電子回折RHEEDを用いた選択領域回折によりさらに提供されうることは当業者に理解されるであろう。サンプルの製造の間の薄膜のエピタキシャルもしくは配向成長を示すためには、確立された方法を用いてリアルタイムで組織生成をモニターするために現場RHEEDを用いることができる。一般に、配向度は、通常、成長条件が実質的に一定であるかぎり、厚さとともに増加する。しかしながら、追加の非配向材料を追加するために成長条件を変更するならば、たとえ層間の遷移が徐々であったとしても、この追加の層は構造中の追加の層であろう。組織化の程度がフィルム深さとともに実際に減少し、材料が同一の化学量論比である場合には、JTBonarskiProgressinMaterialsScience61149に記載される技術により、フィルム内の組織不均一性を決定するためにX-線法を用いることができる。一軸配向材料において、材料の表面上及び/又は材料内の1つの結晶軸は直交方向の1つに沿って優先的に配向されているが例えば、材料の表面の平面に対して垂直に配向されている、他の2つの結晶軸はランダムに配向されている。用語二軸配向又は二軸組織化は材料の表面及び/又は材料内の結晶粒が2つの直交方向例えば、平面外方向及び平面内方向に優先的に配向されているが、残りの軸はランダムに配向されている材料を指す。用語エピタキシャル又はエピタキシャル形成されたは注目の領域における優先的に整列された組織が下層の一軸もしくは二軸組織などの整列組織により少なくとも部分的に決められ又は生じさせられる結晶学的構造又はその領域を指す。下層はテンプレート層と呼ばれることができる。というのは、少なくとも部分的には、テンプレート層はテンプレート層上に形成される材料中でテンプレート層の結晶学的構造を再現する機能を有するからである。エピタキシャル材料又はエピタキシャル形成された材料は、本明細書中に記載されるときに、エピタキシャル構造がこのようにテンプレートされた様式で形成される任意のメカニズムによって形成されうる。亜酸化銅材料の配向成長を促進するのに適する特性を備えたテンプレート領域を提供するために種々の方策を使用することができる。1つの方策によると、テンプレート領域20の少なくとも一部は面22に近接した二軸配向結晶構造を有し、それにより、亜酸化銅の配向成長を促進する。別の方策では、テンプレートの結晶構造は亜酸化銅材料と十分に格子適合されており、それにより、領域14の配向成長を促進する。また、これらの方策の組み合わせを使用して、所望のテンプレート機能を備えた領域20を提供することができる。図1は、テンプレート領域20が亜酸化銅半導体領域14に近接している基材12の一部を形成している実施形態を示している。このような実施形態において、テンプレート領域20は下層支持体26上に形成される。支持体26は剛性であり又は可とう性であることができ、1層以上の層中で広範な材料から形成されうる。支持体26は単結晶、多結晶又は非晶性材料であることができる。基材は、好ましくは、テンプレート領域20、亜酸化銅半導体領域14及びn型エミッタ領域などの追加の層が形成される反応条件すなわち、温度、圧力などに対して実質的に物理的及び化学的に不活性である。例示の支持体材料としては、半導体材料、例えば、Si、Ge、III-V半導体、例えば、GaAs、ZnP及びInP、これらの組み合わせなど、酸化物、窒化物、例えば、窒化ケイ素炭化物又はこれらの組み合わせ、他のセラミック材料、ポリマー、金属、合金、金属間化合物metalliccompositions、織物布もしくは不織布、これらの組み合わせなどが挙げられる。支持体26は1層又は複数層から形成されてよく、場合により、1つ以上のマイクロエレクトロニクスデバイス又はその前駆体を含むことができる。このように、ある実施形態では、ヘテロ接合は1つ以上の下層デバイスのすべて又は一部を含む基材12上に形成される。1つの例示の実施形態において、支持体26は非晶性、多結晶性又は単結晶性Siの層を含み、それは熱成長された酸化物の保護バリアを有し、ケイ素を保護しそして分離する。テンプレート領域20はこの支持体上に薄膜として成長される。テンプレート領域20は亜酸化銅材料の配向成長を促進する適切な結晶構造を有する種々の1種以上の材料から形成されうる。テンプレート領域は少なくとも1つの方向で亜酸化銅に密に格子適合されるべきである。適切な材料の例としては、1種以上の金属の酸化物、窒化物及び炭化物が挙げられる。例示の金属としては、Mg、Ti、Ta、Zr、Cr及びこれらの組み合わせが挙げられる。1つの選択肢によると、好ましい酸化物、窒化物及び/又は炭化物材料は面心立方晶構造を有し、格子定数は0.38nm~約0.47nmの範囲にあり、より好ましくは約0.41nm~約0.44nm、さらにより好ましくは約0.42nm~約0.43nmの範囲にある。このような材料は、一般に、亜酸化銅に密に格子適合されているa=0.427nm。別の選択肢によると、好ましい酸化物、窒化物及び/又は炭化物材料は結晶粒が平面内及び平面外で実質的に配向された二軸配向組織を有する。より好ましい選択肢によると、より好ましい酸化物、窒化物及び/又は炭化物は面心立方晶構造を有し、上記のパラメータの範囲の1つ以上による格子定数を有し、そして二軸的に組織化されている。RHEED及びX-線回折技術は本発明の実施において結晶構造を評価するために使用されうる。ある実施形態では、導電性である1つ以上のテンプレート材料を使用することが望ましいことがある。多くのマイクロエレクトロニクスデバイス、特に光起電力デバイスでは、半導体アブソーバーに隣接して導電性層を形成し、半導体アブソーバーから外部回路への導電性経路を提供することが望ましく、それにより、他の構造及びデバイスとの統合が容易に可能になる。この種のテンプレート材料の例としては、導電性金属窒化物、例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化ジルコニウム、炭化チタン、これらの組み合わせなど、ならびに、酸化亜鉛、酸化カドミウム、酸化マンガンMnO、酸化第一コバルト、これらの組み合わせなどの材料に基づく導電性酸化物などが挙げられる。ある実施形態では、導電性テンプレート領域は別の非晶性もしくは多結晶性導電性層又は基材上に形成されうる。MgOは多くの実施形態においてテンプレート領域を形成するための例示の材料である。本明細書中で使用されるときに、MgOは酸化物の金属含有分の少なくとも90質量、より好ましくは少なくとも95質量、さらにより好ましくは実質的にすべてがマグネシウムである、少なくとも1種のマグネシウム酸化物を含む材料を指す。MgOは二軸配向平面内及び平面外での面心立方晶構造001で容易に堆積され、a=0.422nmの格子定数を有する。このように、MgO及び面心亜酸化銅0001は両方とも立方晶構造を有し、そして密に適合した格子パラメータを有する。MgOと亜酸化銅との間の格子不適合はわずか約1.1である。これにより、MgOは、高度に配向された単結晶の、好ましくはエピタキシャルの亜酸化銅0001のMgO上での配向成長を促進するのに非常に適する。実際、亜酸化銅0001のキューブオンキューブエピタキシーがMgO001上で観測される。現場RHEED分析を使用してエピタキシャル成長を確認した。例えば、亜酸化銅の薄膜がMgO上で層ごとの成長様式で成長していることを示すRHEED振動が観測される。このことは、通常、フィルム成長が上手く制御されそしてゆっくりと成長されているならば例えば、ある実施形態では、約2Å/秒程度で、観測される。RHEEDパターンの垂直軸に沿った、長く伸びた又は縞状の特徴はCu2O層の比較的に滑らかな又は平坦な表面の形成を示す。X-線回折分析はRHEED分析により得られた結果を確認する。XRDロッキング曲線分析はMgO上での亜酸化銅のエピタキシャル成長を示し、ω=21.58°及びω=21.61°で2つのピークを有した。さらに、MgOはバルク形態で透明であり、良好な絶縁体でありそして優れた機械支持体である。これにより、MgOは構造10を取り込むことができる種々のマイクロエレクトロニクスデバイスで有用な構成成分となるが、所望のマイクロエレクトロニクスデバイスにヘテロ接合を取り込むために、テンプレート領域のすべて又は一部は、場合により、構造10から除去されてよい。ざらなる利点として、MgOは、また、図2との関係で下記に記載されるとおりのZnOなどの配向された単結晶n型エミッタ材料のプラズマ援助成長のための良好なテンプレートである。このように、MgOは結晶学的に配向された亜酸化銅又は結晶学的に配向されたn型エミッタ材料のいずれかの成長のためのテンプレートとして使用されうる。例示の実施形態では、n型エミッタ材料のテンプレート領域22上での成長は本発明によりプラズマの存在下で少なくとも部分的に行われる。図1はテンプレート領域20を基材12の一部のみとして示しているが、他の実施形態では、テンプレート領域20は基材12のバルクと統合的に形成されてもよい。これらの実施形態において、基材12のバルクは面22で望ましいテンプレート特性を提供する材料から形成されうる。例えば、適切なバルクMgOはSPISuppliesofWestChesterPAMTIInstrumentsofAlbanyNY及びtheKurtJLeskerCompanyofClairtonPAなどの供給元から商業的に得ることができる。テンプレート領域が基材12の一部のみを形成しても、又は、バルクの形態で提供されても、テンプレート領域を提供するための種々の組成的選択肢がある。1つの選択肢として、テンプレート領域の組成は実質的に全体をとおして均一であることができる。別の選択肢として、テンプレートの特性は表面22で最も望ましいので、テンプレート領域20の全体が表面22の特性を有する必要はない。表面22から遠位にあるテンプレート領域20の領域はテンプレート特性を有する必要がなく、仮にあったとしても、表面22と同程度である必要がない。このため、テンプレート領域の組成は傾斜しているか又はさもなければ不均一であることができる。テンプレート領域20が基材12の一部のみを形成している実施形態において、領域20と下層の支持体26との間の界面24は比較的に明確であっても又はその遷移は徐々になっていてもよい。ある実施形態では、亜酸化銅の配向された単結晶の、好ましくはエピタキシャル成長を支持するために、亜酸化銅層に対してより密に適合するように逐次層又は領域が遷移するように、支持体26から表面22に向かう方向で段階的に推移しうる。図1による薄膜としてテンプレート領域20を提供することが好ましい。薄膜テンプレート領域20を使用すると、バルクテンプレート材料を使用するのと比較して多くの利点が提供される。1つの利点としては、テンプレート材料は他の基材材料よりも高価である傾向がある。そこで、この薄膜を製造するために、より少量のテンプレート材料を使用するので、実質的なコスト節約が実現しうる。それで、より高価でない材料は下層の支持体のために使用されうる。この方法では、既に存在しているデバイスの上に得られるp-nヘテロ接合を成長させることも可能である。これにより、これらのp-nヘテロ接合をタンデム型ソーラセルに容易に取り込むことを含めて利用可能な設計の可能性の範囲が広がる。もしテンプレート材料をソーラセルデバイスなどのマイクロエレクトロニクスデバイスで統合機能を発揮することができるならば、追加の利点が実現されうる。このような機能の例としては、ソーラセルデバイス内での裏面電気接触又は上部透明導電性層のいずれかとして機能することができる導電性テンプレート領域の使用が挙げられる。さらに、テンプレート領域は比較的に薄いので、テンプレート上に成長される得られる亜酸化銅フィルム又は下記のようなZnOフィルムは歪みが低い傾向があり、結果として、高品質となる傾向があるであろう。さらに、バルク材料上で単結晶亜酸化銅を堆積するために使用される同一の技術は薄膜テンプレート材料上で単結晶亜酸化銅を堆積するために使用されうる。イオンビーム援助堆積IBAD又は反応性イオンビーム援助堆積RIBADは、MgO又はTiNフィルムなどの二軸組織化薄膜テンプレート領域20を形成するために使用されうる1つの例示の技術である。このようなIBAD技術を使用して、向上した品質のために多段階でテンプレート領域20を成長させることが望ましい。模式的には、これらの技術による2つの主要な成長段階があり、第一の段階はさらに、本明細書中でフェーズとも呼ばれる3つの副次段階で行うもの見ることができる。概観として、第一の段階はテンプレート領域の初期部分を堆積させることである。初期材料は所望の二軸配向を有するが、有意なイオン損傷を有することがある。第二の段階では、より多くのMgOはイオン損傷を修復しそしてテンプレート層をより良い品質に変化させるように堆積される。IBAD技術の使用を、エピタキシャル亜酸化銅を成長させるために使用されるMgO薄膜のテンプレートとの関係で記載するが、その技術は他のテンプレート材料にも応用可能であることは理解される。MgOの実際の成長の前に、支持体26は望ましくは、有機汚染物などの汚染物を除去するためにクリーニングされる。種々のクリーニング技術は使用されてよい。1つの例として、RFプラズマを用いるなどのプラズマクリーニング技術は金属含有支持体から有機汚染物を除去するために適する。有用なクリーニング技術の他の例としては、イオンエッチング、ウエットケミカル浴などが挙げられる。IBAD技術を使用して、MgO堆積の第一のフェーズは支持体26のイオン衝撃の存在下に行う。イオン衝撃は基材に垂直な軸から45°などの適切な角度で行う。適切なエネルギーのイオンを使用する。1つの実施形態では、750eVのArイオンを使用することが適切である。支持体26のイオン衝撃との関係で、MgOは任意の適切な堆積技術を用いて堆積されうる。例示の技術はe-ビーム蒸着である。MgOのIBAD成長は3つのフェーズのプロセスと見ることができる。第一のフェーズでは、MgOの初期フィルム厚を堆積させる。初期フィルムは堆積されたときに非晶性となりそうである。多くの実施形態において、この第一のフィルムは厚さが20nm以下、好ましくは約10nm以下、より好ましくは約4nm以下で形成されうる。成長の第二のフェーズの間に、MgO結晶はより厚いフィルム厚が堆積していくにつれて、平面外組織化で固相結晶化により核生成するものと考えられる。成長の第三の段階では、平面内組織化はArイオンから不完全平面内組織化を伴う結晶粒の非晶化により平面内組織化が生じる。IBAD成長は十分な材料が堆積され、001のエネルギー的に低い表面が形成されるまでは少なくとも行われる。ある実施形態では、フィルム厚が約8nm~約30nmの厚さとなるときに、このことが起こる。1つの実施形態では、IBAD成長をフィルム厚が約10nmに到達するまで行った。RHEED分析は二軸組織化MgOの成長を確認しそしてモニターするために使用されうる。初期のMgOフィルムのIBAD成長は二軸組織の発現が可能な適切な速度で行う。1つの実施形態において、約0.2nm/秒の速度の成長は適切である。IBAD成長は、周囲室温で、それより下及び/又はそれより上の広範な温度を用いて行うことができる。室温成長は便利でかつ適切である。特定の実施形態において、IBAD成長の第一の段階は室温で基材上に0.5nm/秒の堆積速度で行い、5nmの厚さを有するフィルムを成長させる。成長の第二の段階の間に、イオンビームを止め、エピタキシャルMgOを堆積させて、フィルムの厚さをさらに増加させ、より高い品質のより欠陥のないテンプレート表面を発現させる。MgOはIBAD成長で使用した技術と同一及び/又は異なる技術を用いて堆積されうる。第一のIBAD段階及び第二のエピタキシャル段階の両方で同一の堆積技術を用いることが便利である。望ましくは、エピタキシャル成長はエピタキシャル成長を可能にするのに必要なエネルギーを提供するのに十分な1つ以上の温度で行う。このような成長温度は室温、室温未満又は室温を超える温度を含む、広い範囲から選択されうる。実際、この成長のための応用可能なフェーズのダイアグラムは、2000°Cを超える温度の使用を理論的に可能とするが、このような高温はあまり実際的でない。それでも、エピタキシャル成長の間により高い堆積温度を使用すると、より品質の高いフィルムを生じる傾向がある。したがって、例示の実施形態において、500°C~700°Cの範囲の温度で成長を行うことは適切である。RHEED分析を使用し続けて、エピタキシャルMgOフィルムの成長を確認しそしてモニターすることができる。第二の段階において堆積される追加のエピタキシャルMgOは広い範囲の厚さを有することができる。一般に、もし追加のエピタキシャルMgO材料が薄すぎるならば、所望の品質改良がより低い程度にしか実現されえない。より厚い層は技術的に適しているが、コストの増加を正当化するにはあまり追加の利点がない。このような問題をバランスさせると、追加のエピタキシャルMgO材料は約1nm~約500nm、望ましくは約5nm~約100nm、より好ましくは約7nm~約80nmの範囲の厚さを有することができる。1つの実施形態において、成長の第二段階は650°Cで基材上に0.5nm/秒で追加の10nmのエピタキシャルMgOを堆積させる。二軸組織化MgOフィルムが形成された後に、フィルムを、より高い品質の結晶性材料を得るためにアニーリングすることが望ましい。アニーリングは、望ましくは、酸素の存在下で十分な時間、十分な温度で行い、非晶性領域の結晶化を誘発しそして原子を結晶の他の領域に拡散させる。このような温度は、室温、室温未満又は室温を超える温度を含む、広い範囲から選択されうる。実際、この成長のための応用可能なフェーズのダイアグラムは、2000°Cを超える温度の使用を理論的に可能とするが、このような高温はあまり実際的でない。それでも、エピタキシャ成長の間により高い堆積温度を使用すると、より品質の高いフィルムを生じる傾向がある。したがって、例示の実施形態において、約3秒~約100時間の範囲の時間、より好ましくは、約2分~約200分の範囲の時間で、500°C~700°Cの範囲の温度で成長を行うことは適切である。ある実施形態では、適切な酸素圧は約10-7トル~約10-4トルの範囲である。1つの実験で、約10-6トルの酸素圧は非常にシャープなRHEEDを示す亜酸化銅を提供した。亜酸化銅半導体領域14は基材12上に形成される。本明細書中に使用されるときに、亜酸化銅はCuIの任意の酸化物及び/又はオキシ水素化物を指す。選択肢として、領域14はCuI及び酸素に加えて、1種以上の他の構成成分を含むことができる。他の可能な構成成分の例としては、1種以上の他のp型半導体、ドーパント、格子置換基及び/又はその他が挙げられる。このような格子構成成分の例としては、硫黄、セレン、窒素及びこれらの組み合わせが挙げられる。1種以上の任意成分のドーパントも半導体領域に取り込まれてよい。このようなドーパントの例としては、窒素、塩素、銅、リチウム及びこれらの組み合わせが挙げられる。格子構成成分及び/又はドーパントに加えて、他の構成成分としては、アルミニウム、ガリウム及びインジウムならびにこれらの組み合わせが挙げられる。亜酸化銅半導体は、また、1つ以上のCuI及び/又はOが1つ以上の格子位置で欠損しており、そして他の格子構成成分により置換されていない格子空孔も有することができる。特に、Cu空孔はp型特性に寄与する。しかしながら、領域14は領域14の合計質量を基準として少なくとも50質量、好ましくは少なくとも75質量、そして最も好ましくは少なくとも90質量、さらにより好ましくは少なくとも95質量の亜酸化銅を含む。亜酸化銅半導体材料の少なくとも一部、より好ましくは少なくとも実質的にすべては望ましくは単結晶の面心立方晶構造0001を有する。望ましくは、結晶構造は平面内及び平面外でエピタキシャル及び/又は二軸配向されている。というのは、これらの形態はより高品質のより良好なエレクトロニクス性能を提供するからである。テンプレート領域20及び適切な成長条件を使用することにより、原子層での成長及び結晶配向は良好に制御されうる。単結晶亜酸化銅0001は種々の方法でテンプレート領域20上に形成されうる。より高度に配向された亜酸化銅を提供する技術が好ましい。テンプレート領域上でエピタキシャル及び/又は二軸配向された亜酸化銅を形成する技術はより好ましい。例示の実施形態では、プラズマ支援分子ビームエピタキシーMBEを用いて、高度に配向されたエピタキシャル単結晶p型亜酸化銅をテンプレート領域20上に成長させる。プラズマ支援MBEは、有利なことには、温度、フラックス、ベース圧、界面品質などを含む成長条件にわたって向上した制御性を提供する。さらに、プラズマの存在下での亜酸化銅の形成は、有利なことに、そして望ましいことには、より低い酸素分圧で亜酸化銅フィルム中により高度に酸素を導入することができる。プラズマはRF、DC又はIC誘導結合型及び/又はその他の源などの異なる源を用いて発生できる。例示の実施形態では、プラズマはRF源を用いて、酸素及びアルゴンガスの混合物の存在下に発生する。プラズマは、通常、出力及び酸素の量を示す酸素の圧力により定められる。広範なプラズマ出力及び酸素圧は使用されうる。選択されるパラメータは、使用される装置のタイプ、テンプレートの性質及び成長される亜酸化銅の性質などの要因によるであろう。1つの実施形態において、約5×10-7トルのビーム等価圧力を有する10-5トルでのRF酸素プラズマP=300Wは適切である。本発明によると、プラズマを含有する精製された酸素は下記にさらに記載される亜酸化銅及びn型エミッタ層を成長させるためにより好ましい。しかしながら、酸素を1種以上の他のプラズマ構成成分とともに含む他のプラズマも使用されてよい。例えば、1種以上のアルゴン、窒素などの不活性ガス、及び/又は、オゾンなどの他の反応性種、これらの組み合わせなどを酸素と組み合わせて含むプラズマは使用されてよい。Cuは種々の異なる源から得ることができる。これらの源の例としては、銅含有ターゲット、Cuを含有する流出セル、銅ショット蒸発源、これらの組み合わせなどが挙げられる。好ましい実施形態において、銅流出セルは適切である。亜酸化銅の堆積速度は得られるフィルムの品質に影響を及ぼすことができる。堆積速度が速すぎるならば、堆積される材料は所望の配向を発現するために十分な時間を有しないことがある。もし遅すぎるならば、生産量効率が低くなりすぎることがある。これらの懸念をバランスさせると、亜酸化銅は好ましくは約0.05nm/秒~約0.5nm/秒の範囲の速度で堆積されうる。1つの実施形態において、約0.2nm/秒の堆積速度は適切である。亜酸化銅半導体の形成は広範な温度にわたって行うことができる。この材料の形成は室温未満、約室温25°C及び約1100°C以下の範囲の室温を超える温度を含む1つ以上の温度で行うことができる。形成は、望ましくは、約500°C~約800°Cの温度で行う。得られる領域14はある範囲の厚さを有することができる。領域14が薄すぎるならば、亜酸化銅材料は得られる光起電力デバイス中のこの層に到達する十分な量の光を有効に吸収しないことがある。厚すぎる亜酸化銅層は層に入ってくる光の大部分を吸収し、そして十分な光起電力機能を提供するが、有効光捕獲に必要とされるよりも多量の材料を使用する点で浪費であり、直列抵抗が増加することにより曲線因子が低減されることに悩まされることもある。これらの懸念をバランスさせると、領域14は厚さが約0.8μm~約5μmの範囲であり、好ましくは約0.8μm~約3μmの範囲である。1つの実施形態において、2μmの厚さは適切である。代表的な実施形態において、配向された亜酸化銅は5×10-5トルの酸素分圧を用いて650°Cの基材温度で0.02nm/秒で200nmの合計厚まで成長されるRF出力=250W。図1の実施形態によると、n型エミッタ領域16は、プラズマの存在下に、配向された単結晶亜酸化銅領域14の上に形成される。種々のn型エミッタ材料は単独で又は組み合わせで使用されて領域16を形成することができる。このような材料の例としては、酸化亜鉛、酸化カドミウム、酸化インジウム、これらの組み合わせなどが挙げられる。酸化亜鉛は好ましい。というのは、少なくとも、酸化亜鉛は広いバンドギャップの半導体であり、酸化亜鉛は地球に豊富にあり、酸化銅及び酸化亜鉛の間のバンドオフセットは高効率ソーラセルのために好ましいからである。配向された亜酸化銅、特に、エピタキシャル及び/又は二軸配向亜酸化銅0001は単結晶n型材料のプラズマ支援配向成長を促進するのに適する表面を有する。本明細書中に使用されるときに、結晶性材料に関する用語配向は、結晶粒の少なくとも1つの結晶軸で、材料が3つの直交方向a,b,cの1つの方向に優先的に配列されることを意味する。領域16のすべて又は一部は配向されている。より好ましくは、n型材料の少なくとも一部は、平面内又は平面外でエピタキシャル及び/又は一軸もしくは二軸配向組織を有するように十分に配向されている。より好ましいn型材料は、望ましくは、m-面配向を有し、例えば、m型配向を有する亜酸化銅は10-10単結晶構造を有する。もし領域16の一部のみが配向されているならば、配向された領域は領域14に近接しており、n型材料及びp型材料との間に高品質界面を提供する。遠位部分は同一であっても又は異なっていてもよい。例えば、勾配付き又は層状組成である領域16の実施形態は領域14の上にエピタキシャル及び/又は二軸配向ZnOを最初に成長させることにより形成されうる。この配向された材料の所望の厚さが成長されるときに、例えば、約5~約50nmの範囲の厚さのフィルムが成長されるときに、1つ以上の他の金属、ドーパントなどとともにZnの同時堆積が開始されうる。例えば、Znは初期に酸素プラズマの存在下にそれ自体を堆積させて、配向された酸化亜鉛を形成することができる。その後、アルミニウムと亜鉛の同時堆積を開始して、より導電性のアルミニウムでドープされた酸化亜鉛を成長させることができる。このように、デバイス構造は透明導電性酸化物領域AZOは配向されたp-nヘテロ接合に隣接するように製造されうる。例示の目的で、図1は全体にわたって均一な組成を有する領域1の実施形態を示す。プラズマの存在下にて、配向された亜酸化銅表面上にn型エミッタを成長させると、n型層が成長される下層の半導体表面に対して、より密に適合された配向結晶特性でもって、より制御されてn型層を形成するのを援助する。このため、p-n界面の品質はより良好になる。よりよく配向されそして組織化されたn型エミッタ材料を成長させる能力は改良された性能を有するヘテロ接合をもたらすはずである。結晶配向及びより高い品質の界面で得られる、より優れた制御性の理由から、より高いVoc及び効率が得られるはずである。いかなる特定の操作理論に固執するつもりはないが、n型材料の改良された配向は、プラズマ及び他の反応条件の結果として、エピタキシャル成長の結果及び/又は二軸配向単結晶構造への現場転化の結果のいずれかにより生じるものと考えられる。提案されるエピタキシャル機構によると、n型材料がプラズマの非存在下でエピタキシャル成長するには格子不適合でありすぎる場合であっても、プラズマによって、下層材料上にn型材料をエピタキシャル成長させることができる。提案される現場転化機構によると、n型エミッタは、おそらく、初期には非晶もしくは多結晶構造で堆積されるであろう。しかし、プラズマへの暴露は、この非晶性及び/又は多結晶性構造を単結晶の、より配向された構造、例えば、二軸配向構造へと転化させるのを援助することができる。また、固執したくはないが、プラズマを使用することは、フィルムの成長の間に平衡成長効果よりも動的成長効果を支配的にさせることができるものと考えられる。このことは、プラズマの非存在下ではn型層は亜酸化銅に対してより不適合で、より低い配向性でもって堆積される傾向があるので、驚くべきことである。配向された亜酸化銅材料上でn型エミッタ材料のプラズマ援助成長を使用することの利点は酸化亜鉛の使用により例示される。プラズマの非存在下に従来のように堆積されたときには、酸化亜鉛のフィルムは結晶特性の点で亜酸化銅に非常に不適合である傾向がある。結果として、ZnOはエピタキシャル及び/又は二軸組織を有する単結晶でなく、非晶性及び/又は多結晶性である傾向がある。それでも、プラズマの存在下に、高度に配向されており、そして下層の亜酸化銅とより密に格子適合された単結晶性ZnOは容易に形成する。例えば、酸素プラズマ支援MBEは、成長がプラズマの非存在下に行われたならば観測されるであろうことが期待される、より一般的に観測される0002配向に対応するピークが非常に弱く、優先的な10-10配向を有するZnO薄膜の成長を可能にする。支配的ピーク10-10はエピタキシャル亜酸化銅0001及び二軸組織化MgO001に対して非常に密に適合されている。そのため、プラズマ中の成長は、、亜酸化銅上、又は、下記に記載されるとおり、二軸組織化MgO001などのテンプレート表面上のいずれかで、単結晶ZnOのより強く組織化され、配向された成長を促進する。実際、プラズマの存在下で堆積されたn型エミッタ材料の構造、光学及びエレクトロニクス品質の改良はバルクのMgO及び亜酸化銅基材上でRHEED、X線回折、EDS、分光学的偏光解析法及びホール移動度測定を用いて確認された。固執したくはないが、初期に成長する多結晶性及び/又は非晶性ZnO相が少量存在しうると考えられる。しかしながら、これらはm-面組織に急速に変化しそして発現するようである。種々のプラズマ支援分子技術を用いて、亜酸化銅半導体領域14上に配向されたn型エミッタ材料を成長させることができる。例示の目的で、亜酸化銅半導体領域14上に配向されたZnO薄膜を成長させる例示の実施形態を以下に説明する。n型エミッタの成長の前に、エミッタ材料が成長される表面をクリーニングすることが望ましいが、必須ではないであろう。湿式及び/又は乾式技術を含む種々のクリーニング技術を用いてクリーニングを行うことができる。乾式技術はより好ましい。1つの乾式技術によると、表面はRF酸素プラズマなどのプラズマを用いて、適切な時間、適切な温度で熱クリーニングされる。1つの実施形態において、約450°Cの温度で約15分間、表面を熱クリーニングすることは適切である。その後、プラズマの存在下に、クリーニングされた表面上にn型エミッタ層を成長させる。RF、DC、IC、これらの組み合わせを含む異なる範囲のプラズマは適切である。RF酸素プラズマは好ましい。広範なプラズマ条件は適切である。例えば、例示のRF酸素プラズマは使用されてよく、約100W~約300Wの範囲の出力で、約10-6トル~約10-4トルの範囲の圧力で、10-6トル~約10-5トルの範囲のビーム等価圧力で発生される。1つの実施形態において、10-5トルで、約1×10-6トルのビーム等価圧力を有するRF酸素プラズマP=200Wは適切である。もし、圧力が高すぎるならば、所望のレベルの配向成長は得られないことがある。圧力が低すぎるならば、過度の量のZn金属が堆積されうる。n型エミッタ材料を成長させる温度は広い範囲にあることができる。温度が低すぎるならば、成長されたままのフィルムは好ましい結晶配向性度を得ることができないことがある。温度が高すぎるならば、n型領域の所望の組成又は均一性に影響を及ぼしうる有害反応が起こることがあり、また、n型領域とp型領域との間の元素の所望されない移行が生じうる。このような懸念をバランスさせると、約25°C~約600°C、より好ましくは約100°C~約450°Cの範囲の温度で望ましい成長が起こる。1つの実施形態では、約350°Cの温度は単結晶の配向されたn型エミッタ材料を成長させるのに適するであろう。成長速度は所望の配向されたn型材料の成長に影響を及ぼしうる。一般に、速度が速すぎるならば、ZnOなどの材料は所望のm-面10-10配向でなく、より従来のc-平面0001配向で成長する傾向があるであろう。より遅い成長は所望のm-面相の生成を優先する傾向がある。非常に遅い成長速度を使用することができるが、生産量効率が低減されることになるであろう。このような問題をバランスさせると、約0.01~約1.0nm/秒の範囲の速度でn型エミッタ材料を成長させることが望ましい。1つの実施形態では、0.2nm秒の成長速度はm-面配向を有する単結晶ZnOを成長させるために適する。RHEED及びX線回折分析を用いて成長をモニターしそして制御することができる。代表的な実施形態において、配向された酸化亜鉛は、8×10-6トルの酸素分圧を用いて、350°Cの基材温度で、0.02nm/秒で100nmの合計厚さに成長されるRF出力=250W。図2はp-nヘテロ接合を取り込んだ、本発明のマイクロエレクトロニクス構造50の別の実施形態を示す。構造52は、一般に、基材52、亜酸化銅半導体領域54及びn型エミッタ領域56を含む。基材52の少なくとも一部はテンプレート領域60を含む。p-nヘテロ接合はp型材料及びn型材料との界面58により少なくとも部分的に形成される。構造50は図1の構造10と類似であるが、n型エミッタ領域56はプラズマの存在下にテンプレート領域60上に形成され、その後、半導体領域54はn型エミッタ領域56上に形成される。好ましくは二軸組織化MgOであるテンプレート表面は単結晶n型材料のプラズマ援助配向成長を促進する適切な表面を有する。図1に関して使用されたものと同一の特徴及び成長技術は構造50の対応する構成部品中に取り込まれ及び/又は該部品を成長するために使用されうる。基材53のすべて又は一部はマイクロエレクトロニクスデバイス中に得られるp-nヘテロ接合を取り込んでいる際に除去されうる。本発明のp-nヘテロ接合は広範なマイクロエレクトロニクスデバイスにおいて使用されうる。例としては、光起電力デバイス特に、多重接合光起電力デバイス、薄膜バッテリー、液晶ディスプレイ、発光ダイオード、これらの組み合わせなどが挙げられる。亜酸化銅のバンドギャップは2.17eVであるから、この材料は多重接合光起電力デバイス中の上部セルに好適である。このようなデバイスは上部セルと、より低いバンドギャップの続くセルとの間のトンネル接合を有利に利用する。したがって、本発明の1つの実施形態では、a配向されたp型亜酸化銅半導体領域、bp-nヘテロ接合がp型領域とn型領域との間に形成されるようにp型亜酸化銅半導体領域に隣接した、配向されたn型エミッタ領域、及び、c前記n型領域及びp型領域の少なくとも一方に隣接している領域であって、該隣接領域の少なくとも一部は二軸配向結晶構造を有する領域、を含むマイクロエレクトロニクスデバイス又はその前駆体であって、該亜酸化銅半導体デバイス及び少なくとも1つの他の光起電力デバイスとの間にトンネル接合を含み、該他のデバイスは亜酸化銅デバイスよりも低いバンドギャップを有するマイクロエレクトロニクスデバイス又はその前駆体が提供される。本発明のp-nヘテロ接合を取り込んだ例示の光起電力デバイス70を図3に示す。裏側接触74は基材72上に提供される。接触74は1種以上の導電性材料を含む。1つの実施形態において、裏側接触74はAu/Crを含む。配向されたp型亜酸化銅層76は接触74上に形成される。配向されたn型エミッタ層78は、亜酸化銅層76がエミッタ層78の配向成長のためのテンプレートとしての役割を果たすようなテンプレート様式で、亜酸化銅層76上に形成される。層76と層78との界面82はp-nヘテロ接合を提供する。例示の実施形態では、エミッタ層78は酸化亜鉛を含む。透明導電性酸化物層80はn型エミッタ層78上に形成される。例示の実施形態では、層80はアルミニウム酸化亜鉛aluminumzincoxideAZOを含む。ここで、本発明を以下の例示の実施例を参照しながら説明する。例1本例に使用されるCu2O/ZnOヘテロ接合はプラズマ援助分子ビームエピタキシーを用いてバルクMgO100結晶上に成長される。MgO基材は基材チャンクに銀ペーストしたのもであり、MBE中に装填される。UHV銀ペーストはチャンク上に基材を固定し、かつ、基材にクリッピングしたのと比較して優れた熱接触を提供する方法である。その後、堆積前に10分間、基材を酸素プラズマ中でクリーニングするPo2=5×10-5、P=250W、Tsub=650°C。クリーニングの後に、エピタキシャルCu2OはMgO上に0.5μm厚さが得られるまで堆積させるPo2=5×10-5、P=250W、Tsub=650°C、堆積速度=.02nm/秒。結晶性、エピタキシー性及び成長速度をすべて、現場RHEED及びXRDによりモニターする。これらは完全に配向された単結晶フィルムを示し、平面外で配向されているものと考えられる。その後、ZnO層の堆積前に、基材を350°Cに冷却させる。厚さ100nmに達するまでZnOをCu2O上に堆積させるPo2=5×10-5、P=250W、Tsub=350°C、堆積速度=.04nm/秒。RF酸素プラズマはエピタキシャルm-面10-10ZnOを堆積するのを援助し、そのことは現場RHEEDによりモニターされる。配向成長の確認のために、単結晶フィルムの指標となるRHEED回折パターンを観測するべきである。このパターンの見え方の例としては、点状又は縞状の回折が挙げられる。回折リングが見えるならば多結晶成長の指標、このようなリングの強度は望ましくは、満足されるように組織化される材料の点又は縞よりも低い。より好ましくは、回折リングの強度は点又は縞の強度の50以下であり、より好ましくは10以下である。薄膜の構造のさらなる特性化はXRDにより行われる。この特性化ではそれぞれMgO、亜酸化銅及び酸化亜鉛の各々の単一ピークを示すXRDパターンを生じ、各材料は単結晶であり、そして完全に組織化されていることを示す。例2ソーラセルヘテロ接合は例1に従って製造されるが、バルクの基材を、本明細書中に記載されるとおりの二段階で製造されたIBADMgO100テンプレート基材原子的に滑らかなシリコン、石英、ガラス、SiNなどで置き換える。薄膜の構造の特性化はXRDにより行われる。この特性化ではそれぞれMgO、亜酸化銅及び酸化亜鉛の各々の単一ピークを示すXRDパターンを生じ、各材料は単結晶であり、そして完全に組織化されていることを示す。例3Cu2O/ZnOヘテロ接合は例1に関して記載したのと同様に、TiN100テンプレート上に、プラズマ援助分子ビームエピタキシーを用いて成長されうる。組織化されたTiN薄膜はrfプラズマ源及び基材に対して45°角度に向けられたアルゴンと窒素との混合物体積比1:1を含むイオンビームを用いて純粋99.9999のTiターゲットから反応性イオンビーム援助堆積RIBADを用いて基材上に堆積されうる。RIBADプロセスの間の全体の堆積速度はTiターゲットのアブレーション速度を調節することにより約0.1nm/秒に設定されうる。TiN薄膜テンプレートを形成した後に、亜酸化銅及び酸化亜鉛を例1に記載したように成長させることができる。薄膜の構造の特性化はXRDにより行われる。この特性化ではそれぞれMgO、亜酸化銅及び酸化亜鉛の各々の単一ピークを示すXRDパターンを生じ、各材料は単結晶であり、そして完全に組織化されていることを示す。比較例Aソーラセルヘテロ接合は例1に従って製造されるが、ZnOの成長は酸素プラズマ又はそれ以外のプラズマの存在下に行われない。得られる層は多結晶ZnO薄膜であり、その成長は現場RHEESDによりモニターされうる。多結晶成長の指標である回折リングを観測する。本発明の他の実施形態は本明細書を考慮し又は本明細書中に開示された本発明を実施した時に当業者に明らかであろう。本明細書中に記載した原理及び実施形態に対する種々の省略、修正及び変更は以下の特許請求の範囲により示される本発明の真の範囲及び精神から逸脱することなく当業者によってなされることができる。本明細書中で参照された各特許、公開特許出願、技術文献及び任意の他の刊行物はすべての目的でそれぞれの全体を参照により本明細書中に取り込まれる。"