"基板と、上記基板の厚み方向に変位可能に基板に支持され、可動電極を有する変位部材と、上記可動電極との間に静電力を発生させて上記変位部材の変位を制御する第1固定電極と、を備た加速度センサであって、上記第1固定電極は、基板の厚み方向に直交する方向において可動電極に対向して基板に支持され、加速度の作用により可動電極に対向する面積が変化する、ことを特徴とする加速度センサ。基板の厚み方向において上記変位部材に対向して基板に配置され、変位部材との間に静電力を発生させて変位部材の変位を制御する第2固定電極をさらに備えた、請求項1記載の加速度センサ。上記第1固定電極は、基板の厚み方向において上記可動電極に対して反基板側に配置される、請求項1又は2に記載の加速度センサ。上記第1固定電極は、基板の厚み方向において上記可動電極に対して基板側に配置される、請求項1又は2に記載の加速度センサ。上記変位部材は、変位可能に当該変位部材を基板に支持する支持構造を有する、請求項1から4のいずれか1項に記載の加速度センサ。上記変位部材は、上記直交方向に沿って延在し、ねじれ軸線を中心としてねじれ、かつ基板に支持されるねじれ梁と、上記ねじれ軸線を中心として回転可能であり、上記ねじれ梁に支持される検出フレームと、上記直交方向に沿って延在し、上記ねじれ軸線とは異なる位置で上記検出フレームに支持されるリンク梁と、リンク梁に支持され、加速度の作用により基板の厚み方向に変位可能な慣性質量体と、を有する、請求項1から4のいずれか1項に記載の加速度センサ。基板の厚み方向において上記変位部材に対向して基板に配置され、変位部材との間に静電容量を形成して変位部材の変位を検出する検出電極をさらに備えた、請求項1から6のいずれか1項に記載の加速度センサ。上記検出電極は、同方向の加速度に対して、静電容量が増加する第1検出電極と、静電容量が減少する第2検出電極とを有する、請求項7記載の加速度センサ。基板の厚み方向において上記変位部材に対向して基板に配置され、変位部材との間に静電力を発生させて変位部材の変位を制御する第2固定電極をさらに備え、第1検出電極及び第2検出電極は、加速度が作用せずかつ第2固定電極への電圧印加が無い状態において互いに異なる静電容量を有する、請求項8記載の加速度センサ。基板の厚み方向において上記変位部材に対向して基板に配置され、変位部材との間に静電力を発生させて変位部材の変位を制御する第2固定電極と、第2固定電極へ一定電圧を印加した状態での第1検出電極及び第2検出電極の各静電容量の差に相当する容量を有する固定容量と、をさらに備えた、請求項8記載の加速度センサ。特許文献1の加速度センサでは、シリコンのビームで支持された可動電極は、対向する2つのガラス基板上にそれぞれ作製された2つの固定電極で挟まれて配置されている。静電容量は、可動電極と固定電極との間のギャップに依存する。このように従来の加速度センサでは、可動電極と固定電極とは異なる部材にて構成されている。さらに、印加加速度作用する加速度が零の状態において、可動電極と各固定電極との間の2つのギャップに形成される各静電容量を等しくするためには、2つのギャップ間隔が同じになるように、可動電極と2つの固定電極とを高い精度で製作し、かつ組み立てる必要があるという問題点がある。本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、従来に比べて高精度での製作及び組み立てが不要である加速度センサを提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明は以下のように構成する。即ち、本発明の一態様における加速度センサは、基板と、上記基板の厚み方向に変位可能に基板に支持され、可動電極を有する変位部材と、上記可動電極との間に静電力を発生させて上記変位部材の変位を制御する第1固定電極と、を備えた加速度センサであって、上記第1固定電極は、基板の厚み方向に直交する方向において可動電極に対向して基板に支持され、加速度の作用により可動電極に対向する面積が変化することを特徴とする。本発明の一態様における加速度センサによれば、基板の厚み方向に変位可能に基板に支持される可動電極に対して、第1固定電極を、基板の厚み方向に直交する方向において対向して配置するように構成したことから、従来のような可動電極を挟んだ上下に電極等の部材を機械的に貼り合わせるプロセスは必要なくなる。したがって、当該加速度センサは、いわゆる半導体微細加工技術、つまりMEMS技術によって一体で容易に製作することが可能となる。即ち、基板表面側からのみの一方向の成膜、パターニング、エッチングといったいわゆる半導体微細加工プロセスによって、大まかにはサブミクロンオーダの精度で作製することが可能となる。このように、従来に比べると、製作及び組み立てに高い精度を要せず、また、従来に比べて小型、軽量化を図ることが可能である。また、第1固定電極を設けることで、基板の厚み方向の加速度印加による変位部材の変位に対し、この変位を規定の変位に戻す方向及び大きさの静電力を発生させるため、第1固定電極へ印加する電圧を制御するサーボ制御方式を適用することができる。このサーボ制御により、機械的形状部分の変位を小さくでき、一般に、変位に伴う信号変化の影響を小さくすることができる。よって、例えば出力線形性の向上や、信号のダイナミックレンジの拡大が可能となる。また、機械的形状部分の変位が小さいため、壊れにくく信頼性を高めることができる。本発明の実施形態である加速度センサについて、図を参照しながら以下に説明する。尚、各図において、同一又は同様の構成部分については同じ符号を付している。実施の形態1.図1から図4は、本実施形態1における加速度センサ101の構成を示しており、図1及び図4において、紙面に対して垂直方向が当該加速度センサ101における加速度の検出軸方向1aである。まず、本実施形態1における加速度センサ101の主要構成について説明する。加速度センサ101は、基本的構成部分として、基板1と、変位部材と、第1固定電極11とを備え、さらに任意の構成部分である、第2固定電極13及び検出電極81、82総括して検出電極8と記す場合もあるをも備えている。また、後述の製造方法からも明らかなように、加速度センサ101は、いわゆるMEMSMicroElectroMechanicalSystems技術により形成することができる。以下には、加速度センサ101の各構成部分について説明する。基板1は、本実施形態では半導体基板で例えばシリコン基板を用いる。尚、基板1は、シリコン基板に限定するものではなく、例えばガラス基板や有機材料基板等を用いることもできる。このような基板1に対して、変位部材、第1固定電極11、第2固定電極13、及び検出電極81、82は、導電性ポリシリコン膜を用いることができる。このポリシリコン膜は低応力で、かつ特に厚み方向において応力分布がないことが望ましい。基板1の厚み方向が、図2に示すように、加速度の検出軸方向1aに対応する。また、説明の便宜上、図1に示すように、基板1の平面に沿いかつ互いに直交する2軸をX軸及びY軸とする。変位部材は、当該加速度センサ101では、慣性質量体3、リンク梁4、アンカー5、ねじれ梁6、及び検出フレーム7から構成される。アンカー5は、検出軸方向1aに沿って基板1に絶縁体9を介して立設して形成される柱状の部材である。尚、絶縁体9は、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜を用いることができる。ねじれ梁6は、2つ存在し、Y軸方向において、アンカー5を中心として互いに逆方向へ同長にて延在する短冊状の梁部材であり、それぞれの一端がアンカー5に接続、支持されており、それぞれの他端が検出フレーム7に接続されている。これら2つのねじれ梁6は、Y軸方向に沿ったねじれ軸6a上に位置し、このねじれ軸6aを中心に軸周りにねじれることができる。検出フレーム7は、図1に示すように板状で枠状の部材であり、導電性を有し、ねじれ軸6aを中心に回転可能なようにして、ねじれ梁6及びアンカー5を介して基板1に支持されている。ねじれ梁6は、検出フレーム7のX軸方向における中央部に位置する。よって、検出フレーム7は、ねじれ軸6aを中心に線対称な形状にてなる。リンク梁4は、2つ存在し、短冊状でY軸方向に沿って延在し、それぞれの一端を検出フレーム7に他端を慣性質量体3に接続した梁である。これら2つのリンク梁4は、Y軸方向に沿った軸4a上に位置する。ねじれ梁6のねじれ軸6aと、リンク梁4の軸4aとは、図示するように平行に位置するが、X軸方向において異なる位置に配置される。慣性質量体3は、図1に示すように板状で枠状の部材であり、導電性を有し、軸4aを介して基板1の厚み方向加速度の検出軸方向1aに変位可能であり、可動電極12を有する。また、慣性質量体3は、ねじれ軸6aを中心に線対称な形状にてなる。可動電極12は、本実施形態では板状で導電性の部材であり、慣性質量体3のY軸方向に平行な2つの側面3aからX軸方向にそれぞれ突設され、また、各側面3aに沿って一定間隔、本実施形態では等間隔、にて複数枚が櫛歯状に設置される。これらの可動電極12は、慣性質量体3の変位に応じて慣性質量体3と共に移動することになる。各可動電極12は、全て同形状で同じ大きさにてなる。第1固定電極11は、本実施形態では板状で導電性の部材であり、上述のように一定間隔で配列された可動電極12の間に、可動電極12に非接触で一定間隔、本実施形態では等間隔、にて複数枚が配列され、可動電極12と互いに等間隔にて配置される。各第1固定電極11は、全て同形状で同じ大きさであり、また、本実施形態では可動電極12に対しても同形状で同じ大きさにてなる。このような各第1固定電極11は、絶縁体9を介して基板1に立設された固定部2に接続されている。よって、第1固定電極11は固定されており、基板1の厚み方向に直交する方向、つまりX軸及びY軸の方向、本実施形態ではY軸方向、において可動電極12に対向する。また、慣性質量体3の変位に応じて可動電極12が移動することから、第1固定電極11が可動電極12に対向する面積は、慣性質量体3の変位に応じて変化する。図32に示され、また後述するように、当該加速度センサ101は、サーボ制御及び加速度検出回路110と電気的に接続され、第1固定電極11及び可動電極12には電圧が印加可能である。よって、第1固定電極11に電圧が印加されることで、第1固定電極11は、可動電極12との間に静電力を発生させ、この静電力により可動電極12を介して慣性質量体3を駆動する。よって、以下の説明では、第1固定電極11を駆動電極11と記す場合もある。第2固定電極13は、基板1の厚み方向において慣性質量体3に対向して、図4に示すように、慣性質量体3と平面上同形状にて基板1に絶縁体9を介して形成される電極である。このような第2固定電極13は、電圧が印加されることで、慣性質量体3との間に静電力を発生させ、慣性質量体3の変位を制御する電極である。よって、以下の説明では、第2固定電極13をオフセット電極13と呼ぶ場合もある。検出電極81、82は、図4に示すように、基板1の厚み方向において、検出フレーム7に対向してY軸方向に沿ってX軸の2箇所で基板1に絶縁体9を介して形成される電極である。本実施形態では、図4に示すように、2箇所に設けられる検出電極81、82は、同形状で同じ大きさにてなる。このような検出電極81,82は、検出フレーム7との間に形成される静電容量を検出する電極である。次に、本実施の形態1の加速度センサ101の製造方法の一例について、図5から図14を参照して説明する。加速度センサ101における上述した構成は、例えば、シリコン基板1上に成膜、パターニング、エッチングといったプロセスを繰り返し行う、いわゆる半導体微細加工技術、MEMS技術によって作製することができる。尚、図5から図14は、図2に示す断面位置に対応した、製造工程における図である。図5を参照して、基板1にLPCVDLowPressureChemicalVaporDeposition法により窒化シリコン膜あるいは酸化シリコン膜による絶縁体9を成膜する。次に、図6に示すように、絶縁体9の上に導電性ポリシリコン膜91を成膜し、図7に示すように、導電性ポリシリコン膜91のパターニング、エッチングを行い、第2固定電極13及び検出電極81、82を形成する。次に、図8に示すように、PSGPhosphosilicateGlass膜92を成膜し、図9に示すようにPSG膜92の平坦化研磨を行い、図10に示すようにPSG膜92のパターニングエッチングを行う。次に、図11に示すように、PSG膜92上に、固定部2、慣性質量体3、リンク梁4、アンカー5、ねじれ梁6、検出フレーム7、固定電極11、及び可動電極12となる導電性ポリシリコン膜93を成膜し、図12に示すように導電性ポリシリコン膜93の平坦化研磨を行い、図13に示すように導電性ポリシリコン膜93のパターニング、エッチングを行う。最後に、PSG膜92をエッチングにより除去し、図14に示す本実施の形態1の加速度センサ101が作製される。図15を参照して、本実施の形態1の加速度センサ101の各構成部分間の電気的な接続について説明する。図15は、互いに等電位となるように電気的に接続されている構成部材を同じハッチングで表示した、加速度センサ101の断面図である。固定部2、第1固定電極11駆動電極11は、等電位になるように接続されている。アンカー5、ねじれ梁6、検出フレーム7、リンク梁4、慣性質量体3、及び可動電極12は、それぞれ等電位になるように接続されている。基板1と、第2固定電極13オフセット電極13、検出電極81,82とは、絶縁体9を介して、それぞれ上述のいずれの構成部分とも電気的に接続されていない。また、図16に示すように、2つの検出電極81,82と、検出フレーム7との間にはそれぞれ静電容量C1、C2が形成される。ここで、静電容量差ΔC=C1-C2を定義する。また、以上のように構成される加速度センサ101は、図32に示すように、サーボ制御及び加速度検出回路110と電気的に接続され、加速度センサ101、並びに、サーボ制御及び加速度検出回路110によって、加速度検出装置150を構成する。固定部2、つまり第1固定電極11駆動電極11、アンカー5部分、つまりねじれ梁6、検出フレーム7、リンク梁4、慣性質量体3、及び可動電極12、並びに、第2固定電極13オフセット電極13への電圧の印加のために、さらに、検出フレーム7と、検出電極81、82との間に形成される静電容量値の電圧等への変換のために、各構成部分は、サーボ制御及び加速度検出回路110と電気的に接続される。以下には、本実施の形態1における加速度センサ101の動作について、図17及び図18を参照して説明する。尚、以下の動作説明において、アンカー5部分は、上述のように互いに同電位にある、アンカー5、ねじれ梁6、検出フレーム7、リンク梁4、慣性質量体3、及び可動電極12の構成部分を指す。図17に示すように、本実施の形態1の加速度センサ101において、第2固定電極オフセット電極13に、アンカー5部分に対して一定の電圧Vfを印加すると、第2固定電極13と慣性質量体3との間に両者間の電位差によって静電力Ffが生じる。この静電力Ffは、電圧Vfの2乗に比例し、第2固定電極13と慣性質量体3との間の間隙に比例した静電力である。このような静電力Ffと、ねじれ梁6及びリンク梁4の変形による復元力Fbとがつり合うように、慣性質量体3は、基板1側に変位する。慣性質量体3が変位することで、リンク梁4及びねじれ梁6により慣性質量体3とアンカー5とに接続された検出フレーム7は、リンク梁4及びねじれ梁6が変形して、ねじれ軸6aの周りに回転変位する。よって、検出電極81,82と、検出フレーム7との間のギャップ間隔は、それぞれ変化し、静電容量c1は増加し、静電容量c2は減少する。慣性質量体3の変位に対して、静電容量C1、C2は単調関数であるので、サーボ制御及び加速度検出回路110にて静電容量差ΔCを測定することにより、慣性質量体3の変位を知ることができる。一般に静電容量は、スイッチトキャパシタ回路との接続等によって電圧に変換し、容量値を知ることができる。さらに、固定部2に、アンカー5に対して電圧Vmを印加すると、アンカー5及び慣性質量体3が同電位、また、固定部2及び第1固定電極駆動電極11が同電位であることから、第1固定電極11と慣性質量体3との間に電位差が生じる。一方、上述のように、第1固定電極11と可動電極12とは、互いに櫛歯状に組み合うように、いわゆる櫛歯電極構造を構成しており、第1固定電極11と可動電極12との間に形成される静電容量は、慣性質量体3の変位によって減少する。よって、第1固定電極11と可動電極12との間に、静電容量が大きくなる方向、すなわち慣性質量体3を基板1から離れる方向に、静電力Fmが発生する。ここで静電力Fmは、第1固定電極11と可動電極12との対向面積の基板厚み方向微分値に比例し、電圧Vmの2乗に比例した静電力であり、図18に示すように慣性質量体3を引き上げる方向に発生する。したがってこのとき、慣性質量体3には、静電力Ff及び静電力Fmと、ねじれ梁6及びリンク梁4の変形による復元力Fbとが作用しており、これらがつり合う位置へ慣性質量体3は変位する。このようにつり合ったときの慣性質量体3の基板厚み方向の変位をZo、静電容量差ΔCをΔCoとする。この状態で、検出軸方向1aの加速度Aが作用すると、慣性質量体3は、加速度Aによって力Faを受け、力Fa、復元力Fb、静電力Ff、静電力Fmとがつりあう位置に変位する。正の方向の加速度図中上向きに対して、慣性質量体3は下方基板1側へに、負の方向の加速度図中下向きに対して、慣性質量体3は上方反基板1側に変位する。ここで、静電容量差ΔCがΔCoになるように、電圧Vmを調整することで、静電力Fmを変化させ、慣性質量体3の変位をZoに制御することができる。ここで、力Faは、加速度Aに比例する。慣性質量体3の変位に対して静電容量C1、静電容量C2、復元力Fbは比例し、静電力Ffは、電圧Vfが一定下では慣性質量体3の変位に対して単調関数である。また、図33に示すように、可動電極12及び第1固定電極11の高さをh、基板1の厚み方向における、第1固定電極11に対する可動電極12の変位位置をZ、両者が完全に対向しているときの変位位置Zを0としたとき、可動電極12が第1固定電極11に対して上方つまり基板1から離れる反基板側Z>0、あるいは下方つまり基板1に近づく基板側Z<0へ変位する場合Z≠0には、変位位置Zに比例して両者の対向面積Sは小さくなる。よって、図34に示すように、変位Zに対する対向面積Sは、Z=0をピークとして、Z>0、Z<0の域電極間の重なりがなくなるまででは、それぞれ一定の傾きをもって減少する。したがって、図35に示すように、慣性質量体3が変位するとき、第1固定電極11と可動電極12との対向面積Sを変位Zで微分した値は、第1固定電極11に対して可動電極12が反基板側h>Z>0または基板側0<Z<-hに位置している場合には、それぞれ、変位位置に拘わらず、一定∂S∂Z、反基板側の場合と基板側の場合では符号が逆である。よって、電圧Vmが一定の下では、静電力Fmは、慣性質量体3の変位に依存せず一定となり、静電力Fmは電圧Vmの変化に対して単調関数である。したがって、電圧Vmの値によって加速度Aを一意に知ることができ、目標値をΔCoとし、電圧Vmを制御量としたサーボ方式を適用することができる。このようなサーボ方式を適用することにより、機械的な形状部分の変位が小さいため、変位に伴う信号変化の影響を小さくすることができ、例えば出力線形性の向上、信号のダイナミックレンジ検出可能な印加加速度の最小分解能に対する検出可能な最大印加加速度の比の拡大といった、良好な加速度検出特性を得ることができる。また、機械的な形状部分の変位が小さく、可動部分が他の部分と接触する可能性を低く抑えることができるため、壊れにくく信頼性の高い加速度センサを得ることができる。また、基板1に対する成膜、パターニング、エッチングといったプロセスを繰り返し行うことで作製できるため、高い精度での部材の組み立てを必要としないという利点がある。また、第1固定電極11を、基板1の厚み方向に直交する方向において可動電極12に対向して配置するように構成したことから、当該加速度センサは、上述のようにMEMS技術によって一体で製作することができる。よって、従来に比べて高精度での製作及び組み立てが不要であり、また、センサの小型、軽量化が可能となる。本実施の形態1の加速度センサ101においては、加速度が作用していない場合でも、第2固定電極オフセット電極13に電圧を印加することにより、慣性質量体3を強制的に変位させることができる。よって、加速度センサ101は、当該加速度センサ101が破壊されているか否かを自己診断する機能をも併せ持つ。また、本実施の形態1の加速度センサ101では、上述のように、電圧Vfを一定とし、電圧Vmを制御量としたサーボ方式を適用している。一方、上述のように、可動電極12が第1固定電極駆動電極11に対して、上方反基板側、下方基板側のいずれかに位置しているもとでは、慣性質量体3の変位に対する第1固定電極11と可動電極12との対向面積の微分値は、慣性質量体の変位に依らず一定である。よって、電圧Vmを一定のもとでは、発生する静電力は、慣性質量体3の変位に依存しないため、サーボ制御が容易に行えるという利点がある。また、本実施の形態1の加速度センサ101では、検出電極8を2つ設け、それらの静電容量差を、サーボ制御を行う際の目標値としている。2つの検出電極81,82の静電容量差をサーボ制御の目標とすることで、目標値の絶対値を小さくすることができることから、サーボ制御を容易に行うことができ、電気回路への負担を小さくすることができる。また、プロセスばらつき等に起因する、目標値のばらつきを小さく抑えることもできる。また、本実施の形態1の加速度センサ101では、作用する加速度による慣性質量体3の変位を検出フレーム7の回転変位に変換して検出している。よって、正負いずれの方向の加速度に対しても、検出フレーム7と基板1との間の空気層が衝撃を緩和する緩衝材となる効果であるエアダンピング効果が生じ、素子構造を壊れにくくすることができる。また、本実施の形態1の加速度センサ101では、電圧Vfを一定とし、電圧Vmを制御量としたサーボ方式を適用しているが、電圧Vmを一定とし電圧Vfを制御量としてもサーボ方式を適用した加速度センサを実現できる。また、本実施の形態1の加速度センサ101では、第1固定電極11と可動電極12とを櫛歯状に構成しているが、図19に示すように、櫛歯状の電極を設けず単に固定部2と慣性質量体3とが対向した構成としてもよい。固定部2と慣性質量体3との間に電圧Vmを印加することで、慣性質量体3の変位によって基板厚み方向の静電力を得ることができ、サーボ方式を適用した加速度センサを実現できる。また、本実施の形態1の加速度センサ101では、第1固定電極11は、慣性質量体3等の可動部分に対して対向するようにして、ねじれ軸6aに対して対称に配置しているが、第1固定電極11を慣性質量体3の外周を取り囲むように配置しても、また、慣性質量体3の一部と対向するように配置してもよい。この構成でも、電圧Vmを印加することで、慣性質量体3の変位によって基板厚み方向の静電力を得ることができ、サーボ方式を適用した加速度センサを実現できる。また、本実施の形態1の加速度センサ101では、検出電極8を2つ設け、その静電容量差をサーボ制御の目標値としているが、検出電極8は一つでもよい。この構成では、電圧Vfを印加したときの静電容量を目標値としてサーボ制御を行うことができる。また、本実施の形態1の加速度センサ101では、加速度による慣性質量体3の変位を検出フレーム7の回転変位に変換して検出しているが、図20から図22に示すように、ねじれ梁6、検出フレーム7、及びリンク梁4を設けず、梁部材61によって基板厚み方向に変位が可能な、可動電極12を有する慣性質量体3とした構成でもよい。このような構成にあっても、電圧Vmを印加することで、慣性質量体3の変位によって基板厚み方向の静電力を得ることができ、サーボ方式を適用した加速度センサを実現できる。また、本実施の形態1の加速度センサ101では、電圧Vfの印加により、静電容量C1が増加、静電容量C2が減少としているが、静電容量C1が減少、静電容量C2が増加としてもよい。また、制御する静電容量差ΔCをC1-C2としているが、C2-C1としてもよい。また、本実施の形態1の加速度センサ101では、一つの検出フレーム7を慣性質量体3が取り囲む構成であるが、複数の検出フレーム7を囲む形態としてもよい。即ち、図23及び図24に示すように、慣性質量体3は、例えば2つの検出フレーム7を囲む。2つの検出フレーム7において、ねじれ梁6とリンク梁4との相対的な位置関係を反対にすると、慣性質量体3が基板1の厚み方向に変位する場合には、2つの検出フレーム7がそれぞれ逆向きに回転変位し、慣性質量体3が傾斜する、あるいは基板1に平行又はほぼ平行な方向面内方向に変位する場合には、2つの検出フレーム7は、同じ方向に回転変位する。そのため、それぞれの検出フレーム7が互いに逆向きに回転変位する場合にのみ感度が高くなるように、検出電極81と検出電極84とを、検出電極82と検出電極83とを、それぞれ接続して静電容量C1、C2とすることで、検出軸方向1a以外の加速度に対する感度を抑制し、角速度や角加速度の影響を受けにくくすることができる。実施の形態2.次に、本発明の実施の形態2における加速度センサ102について、図25を参照して説明する。尚、図25において、同一又は同様の機能を果たす構成部分には、実施の形態1にて参照した図に付した符号と同じ符号を付し、以下では相違点のみについて説明を行う。上述した実施の形態1の加速度センサ101では、図4に示すように、検出電極81,82は、同形状で同面積にて構成した。これに対し本実施の形態2の加速度センサ101では、図25に示すように、第2固定電極オフセット電極13に、アンカー5部分に対して一定の電圧Vfを印加したときに、静電容量C1と静電容量C2とが等しくなるように、換言すると、加速度センサ102が非動作時における初期の静電容量がC1<C2となるように、2つの検出電極8の面積を異ならせている。つまり、実施の形態2における加速度センサ102では、加速度センサ101の検出電極81に対応した、加速度センサ102における検出電極について、81-1と符番し、検出電極82の面積に比べて検出電極81-1の面積を小さくした。このように構成することで、サーボ制御を行う際のΔCの目標値を0にすることができ、サーボ制御を容易に行うことができ、電気回路への負担を小さくすることができる。勿論、本実施の形態2の加速度センサ102においても、上述した実施の形態1の加速度センサ101が奏する効果を奏することができ、また、上述した各変形例についても加速度センサ102に適用することができる。実施の形態3.次に、本発明の実施の形態3の加速度センサ103について、図26及び図27を参照して説明する。尚、図面において、同一又は同様の機能を果たす構成部分には、実施の形態1にて参照した図に付した符号と同じ符号を付し、以下では相違点のみについて説明を行う。サーボ制御を行う際のΔCの目標値を0にする手法として、上述の実施の形態2の構成を挙げたが、本実施の形態3は、さらに別の手法を開示する。即ち、上述したように、第2固定電極オフセット電極13に、アンカー5部分に対して、一定の電圧Vfを印加したときには、静電容量C1と静電容量C2とに差が生じる。本実施の形態3では、この差に等しい値の静電容量C3を有する固定容量21を、基板1の絶縁体9上で、固定部2及び慣性質量体3等の検出部を形成した場所以外の箇所に形成している。つまり、絶縁体9に配線パターンにて、静電容量C2と静電容量C3とを並列に接続することで、静電容量差ΔC=C1-C2C3とする。C2C3がC1に等しくなるように固定容量21の静電容量C3を設定することで、サーボ制御を行う際のΔCの目標値を0とすることができる。これにより、サーボ制御を容易に行うことができ、電気回路への負担を小さくすることができる。ここで、固定容量21は、静電容量C1、C2に関する第2固定電極13、アンカー5部分等と同じ製造プロセスで作製することができることから、プロセスばらつき等は、静電容量C1、C2、C3に対して同様に作用する。よって、プロセスばらつき等に起因する静電容量のばらつきを小さくすることが可能である。また、本実施形態3では、静電容量C3を追加する手法として固定容量21を基板1に形成する手法を採ったが、加速度センサ103外部に設置した静電容量の電圧変換回路への入力の前に、容量値がC1とC2との差に等しいキャパシタをC2と並列に接続してもよい。勿論、本実施の形態3の加速度センサ103においても、上述した実施の形態1の加速度センサ101が奏する効果を奏することができ、また、上述した各変形例についても加速度センサ103に適用することができる。実施の形態4.次に、本発明の実施の形態4の加速度センサ104について、図28から図31を参照して説明する。尚、図面において、同一又は同様の機能を果たす構成部分には、実施の形態1にて参照した図に付した符号と同じ符号を付し、以下では相違点のみについて説明を行う。本実施の形態4の加速度センサ104では、第2固定電極オフセット電極13を設けない構成を採る。即ち、本実施の形態4の加速度センサ104では、図28及び図29に示すように、第1固定電極駆動電極11が可動電極12よりも反基板側上側に位置するように作製し、第2固定電極13を設けない構成としている。このような構成により、オフセット用の電圧Vfを第2固定電極13に印加することなく、電圧Vfの印加により慣性質量体3を変位させる場合と同じ効果がある。加速度検出域で、慣性質量体3及び検出フレーム7等の変位部材の変位範囲を、第1固定電極駆動電極11の下方基板側に限定することができ、印加加速度と第1固定電極11への印加電圧Vmとを一意に対応させることができる。また、印加加速度零、第1固定電極11への電圧印加が零の状態で検出容量差ΔCを零とすることができるため、サーボ制御を行う際のΔCの目標値を0とすることができ、サーボ制御を容易に行うことができ、電気回路への負担を小さくすることができる。一方、これとは逆に、図30及び図31に示すように、第1固定電極11が可動電極12よりも基板側下側に位置するように作製し、第2固定電極オフセット電極13を設けない構成としてもよい。このような構成にあっても、加速度検出域で、電圧Vfを第2固定電極13に印加することなく、慣性質量体3及び検出フレーム7等の変位部材の変位範囲を、第1固定電極駆動電極11の上方反基板側に限定することができ、印加加速度と第1固定電極11への印加電圧Vmとを一意に対応させることができる。また、印加加速度零、第1固定電極11への電圧印加が零の状態で検出容量差ΔCを零とすることができるため、サーボ制御を行う際のΔCの目標値を0とすることができ、サーボ制御を容易に行うことができ、電気回路への負担を小さくすることができる。勿論、本実施の形態4の加速度センサ104においても、上述した実施の形態1の加速度センサ101が奏する効果を奏することができ、また、上述した各変形例についても加速度センサ104に適用することができる。"