"閃光発光を行う閃光装置を制御可能なカメラであって、撮影に先立って前記閃光装置を発光させる予備発光を行う制御部と、前記予備発光に先立って第1の蓄積時間だけ電荷を蓄積することにより定常光を測光する第1測光と、前記予備発光に伴う被写体からの反射光を第2の蓄積時間だけ電荷を蓄積することにより測光する第2測光とを行う、複数の受光素子を有する光センサ部と、前記第1測光の測光結果から、前記第2測光において前記光センサ部の定常光による電荷蓄積量が所定量より大きくなるか否かを予測する予測部と、前記予測部により電荷蓄積量が前記所定量より大きくなると予測された場合に、前記第2測光における前記光センサ部の受光感度を、定常光による電荷蓄積量が前記所定量以下となる受光感度に設定する感度設定部と、前記第2測光の測光結果から、撮影時の前記閃光装置の発光量を演算する演算部と、を備えることを特徴とするカメラ。請求項1に記載のカメラにおいて、前記第1測光の測光結果は、定常光の輝度情報を含み、前記第2の蓄積時間は、前記予備発光における前記閃光装置の発光時間に応じて前記予備発光の前に予め決定され、前記予測部は、前記第1測光の測光結果に含まれる定常光の輝度情報および前記第1の蓄積時間と、前記第2の蓄積時間とから、前記第2測光において前記光センサ部の定常光による電荷蓄積量が所定量より大きくなるか否かを予測することを特徴とするカメラ。請求項1または2に記載のカメラにおいて、前記光センサ部が有する前記複数の受光素子は、それぞれ蓄積時間が異なり、前記予測部は、前記光センサ部が有する前記複数の受光素子のうち、蓄積時間が最も長くなる画素の蓄積時間を基準として、前記第2測光において前記光センサ部の定常光による電荷蓄積量が所定量より大きくなるか否かを予測することを特徴とするカメラ。請求項1~3のいずれか一項に記載のカメラにおいて、前記演算部は、前記光センサ部が有する前記複数の受光素子のうち第1範囲に含まれる受光素子のみを用いて撮影時の前記閃光装置の発光量を演算する第1演算モードと、前記光センサ部が有する前記複数の受光素子のうち前記第1範囲より小さい第2範囲に含まれる受光素子のみを用いて撮影時の前記閃光装置の発光量を演算する第2演算モードとを有し、前記予測部は、前記演算部が前記第2演算モードのとき、前記第1測光の前記第2範囲における測光結果から、前記第2測光のとき前記第2範囲において定常光による電荷蓄積量が所定量より大きくなるか否かを予測することを特徴とするカメラ。請求項1~4のいずれか一項に記載のカメラにおいて、前記第2の蓄積時間は、前記第1の蓄積時間以上であることを特徴とするカメラ。特許文献1に記載のカメラは、定常光の光量が大きい場合、予備発光時に被写体からの反射光量を正確に測光できなくなるという問題があった。請求項1に係る発明は、閃光発光を行う閃光装置を制御可能なカメラであって、撮影に先立って閃光装置を発光させる予備発光を行う制御部と、予備発光に先立って第1の蓄積時間だけ電荷を蓄積することにより定常光を測光する第1測光と、予備発光に伴う被写体からの反射光を第2の蓄積時間だけ電荷を蓄積することにより測光する第2測光とを行う、複数の受光素子を有する光センサ部と、第1測光の測光結果から、第2測光において光センサ部の定常光による電荷蓄積量が所定量より大きくなるか否かを予測する予測部と、予測部により電荷蓄積量が所定量より大きくなると予測された場合に、第2測光における光センサ部の受光感度を、定常光による電荷蓄積量が所定量以下となる受光感度に設定する感度設定部と、第2測光の測光結果から、撮影時の閃光装置の発光量を演算する演算部と、を備えることを特徴とするカメラである。本発明によれば、予備発光時に被写体からの反射光量を正確に測光することができる。第1の実施の形態図1は、本発明を適用したレンズ交換式のカメラシステムを示す断面図である。カメラ1は、カメラボディ100と、カメラボディ100に着脱可能な交換レンズ200から成る、いわゆる一眼レフレックス方式のデジタルカメラである。カメラボディ100は閃光装置103を装着可能に構成されている。閃光装置103は電気接点を介してカメラボディ100に接続され、カメラボディ100により制御される。なお、閃光装置103はカメラボディ100に装着可能なものでなくてもよい。例えば、カメラボディ100から離れた位置に設置され、光通信や無線通信によりカメラボディ100から制御されるようにしてもよい。また、カメラボディ100が閃光装置103を内蔵するようにしてもよい。交換レンズ200には、複数のレンズから構成される結像光学系201と、開口部を有する絞り202が設けられている。被写体からの光束は、結像光学系201と絞り202の開口部とを通過して、カメラボディ100に入射する。なお、図1では結像光学系201を2つのレンズにより構成されるかのように図示しているが、いくつのレンズで構成されるようにしてもよい。また、図1では絞り202が結像光学系201の被写体から見て後方に設けられているが、周知のように、絞り202は結像光学系201の前方にあってもよいし、結像光学系201の内部レンズとレンズの間にあってもよい。カメラボディ100は、被写体像を撮像する、CCDやCMOS等の撮像素子116を有している。撮像素子116は、撮像面が結像光学系201の予定焦点面と一致するように配置されている。撮像素子116の撮像面近傍には撮像素子116の露光制御を行うメカニカルシャッター115が設けられている。カメラボディ100内の、結像光学系201と撮像素子116の撮像面との間には、クイックリターンミラー111が設置されている。非撮影時、クイックリターンミラー111は被写体光をカメラボディ100の上方に反射させる位置図1に実線で示す位置に存在する。このとき、カメラボディ100に入射した被写体光は、フォーカシングスクリーン112により拡散され、ペンタプリズム113ペンタゴナルダハプリズムを透過した後に接眼レンズ114に向かう。撮影者は接眼レンズ114を介して被写体像を視認することができる。ペンタプリズム113を透過した被写体光の一部は、付近に設けられたエリアセンサ101後に詳述へ向かう。演算制御装置102は、マイクロプロセッサやその周辺回路から成る装置であり、カメラボディ100の各部や交換レンズ200を制御する。演算制御装置102は、不図示の記憶媒体に予め記憶されている所定の制御プログラムを読み込んで実行することにより、これら各部の制御を行う。レリーズスイッチ不図示が全押し操作されると、演算制御装置102は撮影制御を行う。このとき演算制御装置102は、クイックリターンミラー111を、被写体光を遮らない退避位置図1に破線で示す位置に移動させた後、直前の露出演算結果に基づいて絞り202およびメカニカルシャッター115を制御する。また、演算制御装置102は、被写体に撮影補助光を照射する閃光装置103の発光が許可されている場合にレリーズスイッチが全押し操作されると、TTLthroughthelens調光動作を行った後、撮影制御を行う。TTL調光動作では、閃光装置103の予備発光に合わせてエリアセンサ101の蓄積動作を行い、該蓄積動作により得られた信号に基づいてTTL調光演算を行う。演算制御装置102は、TTL調光演算結果に基づいて閃光装置103の本発光量を制御する。つまり、閃光装置103の発光が許可されている場合、演算制御装置102はまず閃光装置103に予備発光を行わせる。そして、予備発光による被写体からの反射光量を測光し、この反射光量から撮影時の発光量本発光量を決定する。エリアセンサ101の説明図2は、エリアセンサ101の一部の構成を示す正面図である。エリアセンサ101は、マトリクス状に配列された複数の画素光電変換素子40を備えており、その受光範囲は撮像素子116の撮像範囲とほぼ等しい。エリアセンサ101の画素数はたとえば約10万画素である。各画素40にはそれぞれ赤R、緑G、青Bのカラーフィルタのいずれかが設けられており、ベイヤー配列を形成している。エリアセンサ101の出力信号は演算制御装置102に入力される。演算制御装置102は、エリアセンサ101の出力を用いて、露出演算およびTTL調光演算等の演算を行う。図3は、露出演算用のブロック化を説明する図である。演算制御装置102は、エリアセンサ101において、隣接するa×a個の画素40をまとめて1つの露出演算用ブロック41とし、露出演算用ブロック41に含まれる画素40ごとの出力信号を合成加算する。図3のように、露出演算用ブロック41の形状は正方形とし、露出演算用ブロック41に含まれる水平方向と垂直方向の画素数a個は同一とする。TTL調光動作時には、エリアセンサ101から所定数の水平方向の画素列水平ラインごとに信号を読み出す動作、いわゆる間引き読み出しが行われる。図4aは、この間引き読み出しを説明する図である。図4aにおいて、斜線が描かれた画素40は、出力信号を読み出さない画素を示し、斜線が描かれていない画素40は、出力信号を読み出す画素を示す。なお、図4では、図示の都合上、エリアセンサ101の一部を抜き出して図示している。図4aに示すように、エリアセンサ101からはc列につきd列ずつ信号が読み出される。本実施形態は、このように間引き読み出しを行うことで、読み出し時間を短縮できるよう構成されている。図4bは、TTL調光演算用のブロック化を説明する図である。演算制御装置102は、エリアセンサ101の間引き読み出しされる領域において、隣接するd×e個の画素40をまとめて1つのTTL調光演算用ブロック44とし、TTL調光演算用ブロック44に含まれる画素40ごとの出力信号を合成加算する。なお、TTL調光演算用ブロック44の垂直方向の画素数は、間引き読み出しするd列に対応してd個とする。また、本実施形態では、TTL調光演算用ブロック44を横長の矩形状とし、TTL調光演算用ブロック44の垂直方向の画素数よりも水平方向の画素数を多くするすなわちd<e。このように本実施形態では、エリアセンサ101から出力される所定画素数の画像データを、露出演算に適したサイズのブロックに区分する。このように、露出演算用ブロック41に含まれる複数の画素40からの出力信号を合成加算することにより、ランダムノイズ成分の影響を軽減することができ、露出演算の精度を向上することができる。また、露出演算用ブロック41に含まれる複数の画素40からの出力信号を合成加算して露出演算用ブロック41ごとの信号レベルを示すビット幅を大きくすることで、露出演算においてビット幅の大きいデータを扱うことができ、露出演算の精度を向上することができる。閃光装置103を用いた撮影の説明図5は、閃光装置103を用いた撮影処理のフローチャートである。演算制御装置102は、カメラ1の電源がオンされた後、図5に示す処理の実行を開始する。まずステップS201において、演算制御装置102は、エリアセンサ101を用いて定常光の測光を行う。このとき、エリアセンサ101は、上述した露出演算用ブロック41によるブロック化が行われる。ステップS201において演算制御装置102は、各露出演算用ブロック41の出力が飽和しないような条件で、エリアセンサ101の蓄積を行う。例えば、電源オン後の最初の定常光の測光は、所定の感度および蓄積時間でエリアセンサ101の蓄積を行う。そして、いずれかの露出演算用ブロック41の出力が飽和していた場合には、再度ステップS201に戻り、より低い感度、またはより短い蓄積時間でエリアセンサ101の蓄積を行う。これを繰り返すことにより、各露出演算用ブロック41の出力が飽和しないような条件で、エリアセンサ101の蓄積を行うことができる。以下の説明において、ステップS201における定常光の測光を第1測光と称する。ステップS202において演算制御装置102は、予備発光時の飽和予測演算を行う。これは、閃光装置103の予備発光において、エリアセンサ101が有するいずれかの画素の出力が、定常光のみによって飽和するか否かを予測する演算である。演算制御装置102は、次式1が満たされた場合には、予備発光時にエリアセンサ101が飽和すると判断する。ここで、Ymaxはエリアセンサ101の全露出演算用ブロック41の出力のうちで最大の値、TVsは第1測光におけるエリアセンサ101の蓄積時間、SVsは第1測光におけるエリアセンサ101のゲイン受光感度である。TVsは定常光の明るさに応じて、例えば6マイクロ秒~70ミリ秒程度の時間となる。また、TVpは後述する予備発光時のエリアセンサ101の蓄積時間であり、SVpは後述する予備発光時のエリアセンサ101のゲインである。上式1の右辺のYthは、エリアセンサ101が飽和したとみなすしきい値である。上式1の左辺は、第1測光の測光結果定常光の輝度すなわち露出演算用ブロック41の出力の最大値から、測光条件蓄積時間およびゲインを予備発光時のものに変化させたときの定常光によるセンサ出力を見積もるものである。予備発光時の蓄積時間TVpおよびゲインSVpが、第1測光時の蓄積時間TVsおよびゲインSVsと等しければ、上式1の左辺はYmaxそのものとなり、蓄積時間やゲインが大きくなれば、上式1の左辺はその分大きな値となる。例えば昼間に閃光装置103を利用した撮影を行う場合など、定常光がある程度大きい場合には、予備発光時の蓄積時間TVpは第1測光時の蓄積時間TVs以上になることがある。これは、予備発光時の蓄積時間TVpは閃光装置103の特性によりほぼ決定されてしまうため、第1測光時のように自由に変更することができないためである。このような場合、閃光装置103の予備発光において、エリアセンサ101が有するいずれかの画素の出力が、定常光のみによって飽和する可能性がある。また、予備発光時の蓄積時間TVpが第1測光時の蓄積時間TVs以上でない場合であっても、例えば予備発光時のゲインSVpが第1測光時のゲインSVs以上であれば同様に、閃光装置103の予備発光において、エリアセンサ101が有するいずれかの画素の出力が、定常光のみによって飽和する可能性がある。ステップS202における飽和予測は、これらのような事態に対処するためのものである。なお、本実施形態において、エリアセンサ101の各露出演算用ブロック41は、入射光量に応じて0~1023の値を出力する。つまり、上式1のYthは、例えば1023とすることができる。ただし、実際には、Ythは1023よりある程度低い値例えば800~900程度とすることが望ましい。これは、定常光のみで1023に近い値となってしまうと、予備発光時の被写体からの反射光によりほぼ確実に飽和してしまうこと、および、RGBいずれかの色に対応する入射光が飽和している可能性があるためである。ステップS203では演算制御装置102が、不図示のレリーズスイッチが全押し操作されたか否かを判定する。全押し操作されていない場合には処理はステップS211に進む。他方、レリーズスイッチの全押し操作が為された場合にはステップS204に進む。ステップS204において演算制御装置102は、予備発光のためのエリアセンサ101の蓄積上述した間引き読み出し動作を開始する。このとき、エリアセンサ101の蓄積時間TVpは、閃光装置103の発光時間よりも長い時間例えば数百マイクロ秒程度とし、閃光装置103の発光開始から発光完了までの時間が含まれるようにする。また、エリアセンサ101のゲインSVpは、ステップS202における飽和予測演算の結果に基づいて決定される。ステップS202において、上式1が満たされない場合、つまり演算制御装置102により予備発光時にエリアセンサ101が飽和しないと判断された場合には、演算制御装置102はエリアセンサ101のゲインSVpを所定の初期値例えばISO1600相当の値である8に設定する。他方、予備発光時にエリアセンサ101が飽和すると判断された場合には、ステップS204においてエリアセンサ101のゲインSVpを、上式1を満たさない程度の値例えばISO100相当の値である5に設定する。演算制御装置102は、このようにして決定された蓄積時間TVpおよびゲインSVpで、エリアセンサ101の蓄積を開始する。ステップS205では演算制御装置102が、閃光装置103に予備発光を行わせる。ステップS206では演算制御装置102が、ステップS204で決定した蓄積時間TVpの経過を待ち、その後にエリアセンサ101による蓄積を完了させる。以下の説明では、ステップS204からステップS206において行われる、予備発光に伴う被写体からの反射光の測光を、第2測光と呼ぶ。ステップS207では演算制御装置102が、ステップS205と同じ設定でエリアセンサ101の蓄積を開始する。ステップS208では演算制御装置102が、ステップS204で決定した蓄積時間TVpの経過を待ち、その後にエリアセンサ101による蓄積を完了させる。なお、以下の説明において、予備発光時ステップS204~ステップS206の図4bに示す各TTL調光演算用ブロック44の出力を、Ypi,jと表す。ここでiはTTL調光演算用ブロック44の列番号であり、図4bの左端から順に0,1,2,...となる。また、jはTTL調光演算用ブロック44の行番号であり、図4bの上端から順に0,1,2,...となる。また、予備発光後の定常光測光時ステップS207~ステップS208の図4bに示す各TTL調光演算用ブロック44の出力を、Ysi,jと表す。iおよびjについてはYpi,jと同様である。ステップS209では演算制御装置102が、撮影時の発光量を演算する。演算制御装置102はまず、次式2から、予備発光による被写体からの反射光量の最大値MYmaxを算出する。MYmax=max{Ypi,j-Ysi,j}...2つまり、TTL調光演算用ブロック44により検出された、予備発光による被写体からの反射光量のうち最大の量を、MYmaxとする。次に演算制御装置102は、次式3により、撮影時の発光量GNを算出する。ここでGNpは、予備発光時の閃光装置103の発光量のガイドナンバーである。また、CONSTは発光量を補正するための固定値である。ステップS210では演算制御装置102が、ステップS209で決定した発光量GNにより閃光装置103を閃光発光させ、被写体像の撮影を行う。ステップS211では演算制御装置102が、カメラ1の電源オフボタン不図示が押下されたか否か、つまりカメラ1が電源オフされたか否かを判定する。電源オフされていない場合にはステップS201に戻り、上述の処理を繰り返し実行する。他方、電源オフされた場合には処理を終了する。上述した第1の実施の形態によるカメラによれば、次の作用効果が得られる。1エリアセンサ101は複数の受光素子を有しており、予備発光に先立って蓄積時間TVsだけ電荷を蓄積することにより定常光を測光する第1測光と、予備発光に伴う被写体からの反射光を蓄積時間TVpだけ電荷を蓄積することにより測光する第2測光とを行う。演算制御装置102は、第1測光の測光結果から、第2測光においてエリアセンサ101の定常光による電荷蓄積量が所定量より大きくなるか否かを予測し、電荷蓄積量が所定量より大きくなると予測した場合には、第2測光におけるエリアセンサ101のゲインを、定常光による電荷蓄積量が所定量以下となるゲインに設定する。そして、第2測光の測光結果から、撮影時の閃光装置103の発光量を演算する。このようにしたので、予備発光時に被写体からの反射光量を正確に測光することができる。2第1測光の測光結果は、定常光の輝度情報を含む。また、第2測光時の蓄積時間TVpは、予備発光における閃光装置103の発光時間に応じて予備発光の前に予め決定される。演算制御装置102は、第1測光の測光結果に含まれる定常光の輝度情報および第1測光の蓄積時間TVsと、第2測光の蓄積時間TVpとから、第2測光においてエリアセンサ101の定常光による電荷蓄積量が所定量より大きくなるか否かを予測する。このようにしたので、予備発光時に被写体からの反射光量を正確に測光することができる。第2の実施の形態第2の実施の形態に係るカメラは、第1の実施の形態に係るカメラ1と同様の構成を有するが、エリアセンサ101が有する複数の受光素子について、それぞれ蓄積時間を一律に設定できない点において、第1の実施の形態とは異なる。以下、第1の実施の形態との違いについて説明する。なお、以下の説明において、第1の実施形態と同一の箇所については、同一の符号を付し説明を省略する。図6は、エリアセンサ101による電荷蓄積パターンを示す図である。図6aおよび図6bでは、エリアセンサ101の各行の電荷蓄積状態を左から右に引いた矢印で表しており、横軸は時間経過を意味している。なお、図6の説明において、TTL調光動作時の間引き読み出しを行う行数を5行であると仮定し、行番号をj=0~4と表現する。第1の実施の形態に係るエリアセンサ101は、図6aに示す電荷蓄積パターンで動作する。時刻T10に蓄積を開始すると、j=0の行から順に所定時間おきに電荷蓄積が開始される。そして、各行ごとに所定時間が経過すると、電荷蓄積を終了する。例えばj=0の行は、時刻T10において電荷蓄積が開始され、時刻T12において電荷蓄積が終了する。また、最後の行であるj=4の行は、時刻T11において電荷蓄積が開始され、時刻T13において電荷蓄積が終了する。閃光装置103の予備発光発光開始から発光完了までは、時刻T11から時刻T12までの間に実行されるので、エリアセンサ101の各行は、予備発光に伴う被写体からの反射光を確実に受光することができる。また、各行の総蓄積時間は一定となっているため、測光時の定常光の影響はどの行についても一定となる。他方、本実施形態に係るエリアセンサ101は、図6bに示す電荷蓄積パターンで動作する。時刻T20において全行の蓄積が開始されるが、電荷蓄積の終了は各行毎に順に行われる。例えば時刻T21においてまずj=0の行について電荷蓄積が終了し、それから所定時間後にj=1の行が、更に所定時間後にj=2の行が順に電荷蓄積を完了する。そして、時刻T22においてj=4の行が電荷蓄積を終了し、エリアセンサ101全体の電荷蓄積が終了する。エリアセンサ101を図6bのように構成することにより、全体の測光時間を短縮することが可能となる。つまり、図6aにおける全体の測光時間時刻T10から時刻T13までの時間よりも、図6bにおける全体の測光時間時刻T20から時刻T22までの時間の方が短くなっている。他方、各行の電荷蓄積時間TVpが各行で異なってしまう。本実施形態の演算制御装置102は、第1の実施の形態で説明した式1を用いた飽和予測演算において、予備発光時の電荷蓄積時間TVpを、エリアセンサ101の各行のうち蓄積時間が最も長くなる行の蓄積時間とする。つまり、図6bにおいて、j=4の行の蓄積時間時刻T20から時刻T22までの時間を、式1における蓄積時間TVpとする。また、閃光装置103による予備発光発光開始から発光完了までを、時刻T20から時刻T21までの間に実行させる。上述した第2の実施の形態によるカメラによれば、次の作用効果が得られる。1エリアセンサ101が有する複数の受光素子は、それぞれ蓄積時間が異なる。演算制御装置102は、エリアセンサ101が有する複数の受光素子のうち、蓄積時間が最も長くなる画素の蓄積時間を基準として、第2測光においてエリアセンサ101の定常光による電荷蓄積量が所定量より大きくなるか否かを予測する。このようにしたので、エリアセンサ101の蓄積条件が画素毎に異なる場合であっても、精度の高い閃光装置103の制御が可能となる。第3の実施の形態第3の実施の形態に係るカメラは、第1の実施の形態に係るカメラ1と同様の構成を有するが、撮影時における閃光装置103の発光量の決定方法が、第1の実施の形態とは異なる。以下、第1の実施の形態との違いについて説明する。なお、以下の説明において、第1の実施形態と同一の箇所については、同一の符号を付し説明を省略する。本実施形態の演算制御装置102は、撮影範囲全体の測光結果を用いて撮影時における閃光装置103の発光量を演算する第1演算モードと、撮影範囲に設けられた一部の範囲の測光結果のみを用いて撮影時における閃光装置103の発光量を演算する第2演算モードとを有している。以下、第2演算モードにおける演算制御装置102の処理内容について説明する。なお、第1演算モードの場合、演算制御装置102は第1の実施形態と同様の方法で撮影時の発光量を決定するので、説明を省略する。図7は、第2演算モードにおいて、撮影範囲および撮影時における閃光装置103の発光量を決定するための範囲を示す図である。本実施形態の演算制御装置102は、第2撮影モードのとき、撮影時における閃光装置103の発光量を、撮影範囲50の全体ではなく、撮影範囲50の中央付近に設けられた一部範囲51における測光結果に基づいて決定する。発光量をこのようにして決定することで、例えば、撮影範囲50の中央付近に主要被写体が存在し、撮影範囲50の周辺部分一部範囲51の外に街灯や太陽等の明るい物体が存在する場合などに、主要被写体に合わせて露出を調整することが可能となる。本実施形態では、上述のような方法で撮影時の発光量を決定するので、図5のステップS202で行われる飽和予測演算についても、撮影範囲50の全体ではなく、一部範囲51に基づいて行われる。つまり、本実施形態の演算制御装置102は、第2演算モードのとき、第1測光の一部範囲51における測光結果から、第2測光のとき一部範囲51において定常光による電荷蓄積量が所定量Ythより大きくなるか否かを予測する。従って、一部範囲51の外側に非常に明るい物体等が存在し、これにより当該物体の位置に対応する受光素子が飽和する場合であっても、演算制御装置102はこれを無視して飽和予測演算を実行する。上述した第3の実施の形態によるカメラによれば、次の作用効果が得られる。1演算制御装置102は、エリアセンサ101が有する複数の受光素子のうち撮影範囲50の全体に含まれる受光素子を用いて撮影時の閃光装置103の発光量を演算する第1演算モードと、エリアセンサ101が有する複数の受光素子のうち撮影範囲50より小さい一部範囲51に含まれる受光素子のみを用いて撮影時の閃光装置103の発光量を演算する第2演算モードとを有する。演算制御装置102は、第2演算モードのとき、第1測光の第2範囲における測光結果から、第2測光のとき一部範囲51において定常光による電荷蓄積量が所定量より大きくなるか否かを予測する。このようにしたので、発光量の決定とは無関係な領域の定常光に影響されることなく、発光量演算の精度確保が可能となる。次のような変形も本発明の範囲内であり、変形例の一つ、もしくは複数を上述の実施形態と組み合わせることも可能である。変形例1本発明は、上述の各実施形態に示した、一眼レフレックスカメラ以外の撮像装置に適用することも可能である。例えば、レンズ一体型のカメラや、クイックリターンミラー111を有さないレンズ交換式のカメラなどについても、本発明を適用することができる。本発明の特徴を損なわない限り、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の形態についても、本発明の範囲内に含まれる。"