基板上に、面内方向に細孔が配列されたフォトニック結晶層を備えた面発光レーザであって、前記基板と前記フォトニック結晶層との間に、前記細孔を通じて酸化された酸化領域と非酸化領域とを有するクラッド層を備え、前記酸化領域の屈折率は、前記フォトニック結晶層の屈折率よりも低いことを特徴とする面発光レーザ。前記フォトニック結晶層と、前記クラッド層の非酸化領域は、AlとGaとAsを含むことを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。前記クラッド層の非酸化領域におけるAlの含有割合は、前記フォトニック結晶層のAlの含有割合よりも大きいことを特徴とする請求項2に記載の面発光レーザ。面発光レーザの製造方法であって、基板上に、クラッド層と、面内方向に細孔が配列されたフォトニック結晶層とを有する部材を用意する第1の工程と、前記フォトニック結晶層の細孔の下部側に位置する前記クラッド層を酸化し、該クラッド層に、該フォトニック結晶層の屈折率よりも低い屈折率を有する酸化領域、および非酸化領域を形成する第2の工程と、を有することを特徴とする面発光レーザの製造方法。前記フォトニック結晶層と前記クラッド層はAlを含む化合物半導体からなり、前記クラッド層の非酸化領域におけるAlの含有割合は、前記フォトニック結晶層のAlの含有割合よりも大きいことを特徴とする請求項4に記載の面発光レーザの製造方法。前記第2の工程後に、前記酸化領域を、前記フォトニック結晶層から除去する工程を有することを特徴とする請求項4または請求項5に記載の面発光レーザの製造方法。しかしながら、上記従来例の特許文献1のものでは、貼り合わせには、高度なプロセス技術が必要となる。すなわち、貼り合わせに必要な層が素子としては不必要なためにそれを除去することが必要となり、また一つのエピタキシャル基板で素子を実現することができない、等プロセスが煩雑となり、高度なプロセス技術を要することとなる。本発明は、上記課題に鑑み、従来例のような貼り合わせ技術を用いずに、フォトニック結晶層下部の部材と、該結晶層との屈折率差を確保することが可能となる面発光レーザ、面発光レーザの製造方法を提供することを目的とする。本発明は、上記課題を達成するために、以下のように構成した面発光レーザ、面発光レーザの製造方法を提供するものである。本発明の面発光レーザは、基板上に、面内方向に細孔が配列されたフォトニック結晶層を備えた面発光レーザであって、前記基板と前記フォトニック結晶層との間に、前記細孔を通じて酸化された酸化領域と非酸化領域とを有するクラッド層を備え、前記酸化領域の屈折率は、前記フォトニック結晶層の屈折率よりも低いことを特徴としている。また、本発明の面発光レーザは、前記フォトニック結晶層と、前記クラッド層の非酸化領域は、AlとGaとAsを含むことを特徴としている。また、本発明の面発光レーザは、前記クラッド層の非酸化領域におけるAlの含有割合は、前記フォトニック結晶層のAlの含有割合よりも大きいことを特徴としている。また、本発明の面発光レーザの製造方法は、基板上に、クラッド層と、面内方向に細孔が配列されたフォトニック結晶層とを有する部材を用意する第1の工程と、前記フォトニック結晶層の細孔の下部側に位置する前記クラッド層を酸化し、該クラッド層に、該フォトニック結晶層の屈折率よりも低い屈折率を有する酸化領域、および非酸化領域を形成する第2の工程と、を有することを特徴としている。また、本発明の面発光レーザの製造方法は、前記フォトニック結晶層と前記クラッド層はAlを含む化合物半導体からなり、前記クラッド層の非酸化領域におけるAlの含有割合は、前記フォトニック結晶層のAlの含有割合よりも大きいことを特徴としている。また、本発明の面発光レーザの製造方法は、前記第2の工程後に、前記酸化領域を、前記フォトニック結晶層から除去する工程を有することを特徴としている。本発明によれば、従来例のような貼り合わせ技術を用いずに、フォトニック結晶層下部の部材と、その結晶層との屈折率差を確保することが可能となる面発光レーザ、面発光レーザの製造方法を実現することができる。これによれば、組成の異なる複数の層を有する半導体光素子においても、容易なプロセスで高屈折率差のスラブ型フォトニック結晶を形成することが可能となる。また、パッシブ素子のみならず、レーザ等のアクティブ素子への適用が可能なスラブ型二次元フォトニック結晶素子を得ることが可能となる。本発明は、光閉じ込めのため、基板とその上に設けられているフォトニック結晶層との屈折率差を大きくする必要があることから、フォトニック結晶層の下側に位置する半導体層が選択的に酸化されることに着目し、これを利用して構成したものである。すなわち、上記したように基板上に、第1の層と第2の層とを有する光学素子として、前記第2の層が、細孔を含み構成され、且つ面内方向の屈折率が周期的に異なる屈折率周期構造を有し、前記第1の層が、前記第2の層の細孔の下部側に酸化領域を備えており、該酸化領域の屈折率が、前記第2の層の屈折率よりも低い屈折率を有する光学素子を構成したものである。以上の構成によると、細孔から構成されるフォトニック結晶下部に酸化領域が存在している時は、酸化領域が無い場合つまり、エアブリッジ構造の場合に比べて、フォトニック結晶層が撓むことを防止することができる。特に、細孔を含み構成されるフォトニック結晶層上に保護層を設ける場合などは、酸化領域があることにより撓み防止の効果が大きい。更に、第1の層の下側基板側に、活性層を含む多層膜が設けられている場合には、当該多層膜へ外部からの不純物の進入を酸化領域で阻止あるいは低減できる。また、本発明の構成を適用して、スラブ型二次元フォトニック結晶素子を用いた発光素子を作製することにより、つぎのような利点がある。すなわち、単一横モード化を達成するために電流狭窄構造形成により達成していた従来の面発光レーザと比較して、ポスト構造全体で単一横モード動作を得ることが可能となる。また、従来の単一モード光と比較して、スポット径の大きなレーザ光を得ることが可能となり、その結果光出力も大きい面発光レーザを得ることができる。以下に、本発明の実施例について説明する。[実施例1]実施例1においては、本発明を適用して構成したスラブ型二次元フォトニック結晶素子について説明する。本実施例では、非酸化領域を構成するAlGaAs層Al組成90以上を選択的に酸化した層を上記第1の層としてのクラッドに適用し、AlGaAs層Al組成70以下をコアに適用したスラブ型フォトニック結晶をGaAs基板上に形成した。図1に、本実施例における上記第2の層を構成するスラブ型二次元フォトニック結晶素子の構成を示す。図1において、100はGaAs基板、102はAl0.93Ga0.07As層、104はAl0.5Ga0.5As層、106は円柱孔及び108は酸化アルミ層である。図1に示すように、本実施例で作製したスラブ型二次元フォトニック結晶素子の層構成は、GaAs基板100上にAl0.93Ga0.07As層102を0.5μmエピタキシャル成長させる。更にその上にAl0.5Ga0.5As層104を0.2μmエピタキシャル成長させたものである。Al0.5Ga0.5As層104には、Al0.5Ga0.5As層を貫通した円柱孔106が三角格子配列で周期的に配置されている。図1に示すように、本実施例においては、Al0.5Ga0.5As層104屈折率:3.5に形成した周期構造フォトニック結晶、円柱孔106が、その上面では空気屈折率:1に接している。また、その下面においては、Al0.93Ga0.07As層102を選択的に酸化することにより得られた酸化アルミ層108屈折率:1.6と接している。そのため、Al0.5Ga0.5As層104屈折率:3.5に形成した周期構造フォトニック結晶はコア層として機能する。このように、本実施例によれば、従来の半導体の積層構造においては屈折率差が0.3程度であったものを1.9程度まで大きく取ることが可能となる。したがって、本実施例の構造により、コア層への強い閉じ込めが可能となり、図2aに示すような光損失の少ない導波路や、図2bに示すようなQ値の高い共振器等を作製することが可能となる。つぎに、本実施例のスラブ型二次元フォトニック結晶素子の製造方法を説明する。図3に、本実施例の上記製造方法を説明する模式図を示す。同図において、300はGaAs基板、302はAlGaAsエピタキシャル層Al組成93、304はAlGaAsエピタキシャル層Al組成50である。また、306はレジスト層、308はレジストパターン、310は円柱孔、及び312は酸化アルミ層である。まず、図3aに示すように、GaAs基板300上にMOCVD装置によりバッファー層を介してAl0.93Ga0.07As層302を0.5μm成長させ、続いてAl0.5Ga0.5As層304を0.25μm成長させる。次に、図3b及びcに示すように、電子ビームリソグラフィー技術を用いて、Al0.5Ga0.5As層上にレジストパターン306を形成する。その後、図3dに示すように、ICPエッチング装置を用いて、Al0.5Ga0.5As層をドライエッチングする。この時、エッチング深さは、Al0.93Ga0.07As層302が露出するまで行う。その後、レジストを酸素アッシングにより除去する。この工程において、スラブ型二次元フォトニック結晶円柱孔310、三角格子配列が形成される。次に、図3eに示すように、酸化装置450°C、水蒸気雰囲気下に導入し、Al0.5Ga0.5As層304に形成した円柱孔を通じて、Al0.93Ga0.07As層302の一部を選択的に酸化し、酸化アルミ層312を得る。以上説明した工程により、半導体積層構造で形成したスラブ型二次元フォトニック結晶と比較して、コア層とクラッド層との屈折率差の大きくとることのできる半導体コア層と酸化膜クラッド層の積層構造を容易に作製することができる。例えば、スラブ型二次元フォトニック結晶を一部に形成した半導体多層膜構造を容易に作製することができる。本実施例では、円柱孔の周期を三角格子配列で配置したが、これに限定されるものではなく、正方格子、蜂の巣格子など任意の配列パターンで配列しても良い。また、円柱孔に限定されるものではなく楕円柱孔、四角柱孔、三角柱孔などであってもよい。また、本実施例では、AlGaAsAl組成90以上/AlGaAsAl組成70以下の系においてAlGaAsAl組成90以上を選択的に酸化することにより、低屈折率の酸化膜を形成したが、これに限定されるものではない。同様の効果選択的酸化の得られる材料系、例えばAlN/GaN系などを用いてもよい。また、本実施例において示した、成長、リソグラフィー、エッチング及びアッシングに用いた手法装置は記述手法装置に限るものではなく、同様の効果の得られる装置であればいかなる手法装置であってもよい。[実施例2]実施例2においては、本発明によるスラブ型二次元フォトニック結晶素子を用いた面発光レーザについて説明する。図4に、本実施例の上記面発光レーザの構成を示す。図4において、400はGaAs基板、402はn型Al0.93Ga0.07As/Al0.5Ga0.5As-DBRミラー層、404はn型AlGaInPクラッド層である。また、406はGaInP/AlGaInP多重量子井戸活性層、408はp型AlGaInPクラッド層、410はp型Al0.93Ga0.07As層である。また、412はp型Al0.5Ga0.5As層、414は円柱孔、416は酸化アルミ層、418は窒化シリコン層、420はアノードおよび422はカソードである。本実施例にて作製した二次元フォトニック結晶面発光レーザにおいては、共振器中に形成される定在波の腹が、共振器中央及び活性層と上下ミラーDBRミラー及びスラブ型二次元フォトニック結晶ミラーのそれぞれの境界で形成されるように作製した。多重量子井戸活性層406は共振器中央に形成し、利得整合するように形成した。また、本実施例では、第1のミラーを1/4波長厚の高屈折率媒質と1/4波長厚の低屈折率媒質を交互に積層したAl0.93Ga0.07As/Al0.5Ga0.5As多層膜反射鏡DBRミラーとした。そして、第2のミラーを本実施例によるスラブ型二次元フォトニック結晶ミラーとした。本実施例によるスラブ型二次元フォトニック結晶ミラーは、基板上に成長した半導体多層膜の最上層に形成した周期構造が、その上面では空気に接している。すなわち、上記半導体多層膜の最上層であるAl0.5Ga0.5As層屈折率:3.5に形成した周期構造フォトニック結晶、円柱孔、三角格子配列が、その上面では空気屈折率:1に接している。また、その下面においては、Al0.93Ga0.07As層の一部を選択的に酸化することにより得られた酸化アルミ層屈折率:1.6と接した構造を採っている。このスラブ型二次元フォトニック結晶は、GuidedResonanceと呼ばれる効果を利用しミラーとして機能している。このGuidedResonanceとは、スラブ型二次元フォトニック結晶に、スラブ面に垂直な方向から光を入射すると、所定の周波数の光がほぼ100の効率で反射されるというものである。つまり、スラブ型二次元フォトニック結晶中を導波するモードが特定の放射モードと共鳴することにより生じるものである。つぎに、本実施例のスラブ型二次元フォトニック結晶素子をミラーとして適用した面発光レーザの製造方法について説明する。図5に本実施例の上記面発光レーザの製造方法を説明する模式図を示す。まず、図5aに示すように、n型GaAs基板上にMOCVD装置によりバッファー層を介して、以下のように各層を成長させる。n型Al0.93Ga0.07As/Al0.5Ga0.5As-DBRミラー層、n型AlGaInPクラッド層、GaInP/AlGaInP-MQW活性層、p型AlGaInPクラッド層を成長させる。続いて、p型Al0.93Ga0.07As層、p型Al0.5Ga0.5As層を成長させる。本実施例では、上記各層をこのように成長させて半導体多層膜を構成する。次に、図5b及びcに示すように、電子ビームリソグラフィー技術を用いて、Al0.5Ga0.5As層上にレジストパターンを形成する。その後、図5dに示すように、ICPエッチング装置を用いて、Al0.5Ga0.5As層をドライエッチングする。この時、エッチング深さは、Al0.93Ga0.07As層402が露出するまで行う。その後、レジストを酸素アッシングにより除去する。この工程において、スラブ型二次元フォトニック結晶円柱孔、三角格子配列が形成される。次に、図5eに示すように、フォトリソグラフィー技術を用いて、Al0.5Ga0.5As層上にレジストパターンを形成する。その後、図5fに示すように、ICPエッチング装置を用いて、n型Al0.93Ga0.07As/Al0.5Ga0.5As-DBRミラー層が露出するまでドライエッチングを行う。その後、レジストを酸素アッシングにより除去する。次に、図5gに示すように、窒化シリコン層をPECVD装置を用いて成膜する。その後、フォトリソグラフィー技術、RIEドライエッチング及び酸素アッシングにより、Al0.5Ga0.5As層上に形成した周期構造フォトニック結晶、円柱孔が露出するようにする。次に、図5hに示すように、酸化装置450°C、水蒸気雰囲気下に導入し、Al0.5Ga0.5As層412に形成した円柱孔を通じて、Al0.93Ga0.07As層の一部を選択的に酸化し、酸化アルミ層を得る。次に、図5iに示すように、リフトオフ技術を用いて、Al0.5Ga0.5As層上にTi/Auアノードを形成する。また、電子ビーム蒸着により、AuGe/AuカソードをGaAs基板裏面に形成する。以上説明した工程により、垂直共振器を形成するミラーとしてDBRミラーとスラブ型二次元フォトニック結晶ミラーを用いた構成の面発光レーザを得ることができる。この構成により、従来の面発光レーザと比較して本実施例によるスラブ型二次元フォトニック結晶をミラーとした面発光レーザにおいては、単層で高反射率のミラーを形成することが可能となる。また、本実施例によれば、素子の抵抗を小さくすることができるため、従来の面発光レーザと比較して発振しきい値電流の小さな面発光レーザを得ることができる。本実施例では、円柱孔の周期を三角格子配列で配置したが、これに限定されるものではなく、正方格子、蜂の巣格子など任意の配列パターンで配列してもよい。また、円柱孔に限定されるものではなく楕円柱孔、四角柱孔、三角柱孔などであっても良い。また、本実施例では、AlGaAsAl組成90以上/AlGaAsAl組成70以下の系においてAlGaAsAl組成90以上を選択的に酸化することにより、低屈折率の酸化膜を形成したが、これに限定されるものではない。同様の効果選択的酸化の得られる材料系、例えばAlN/GaN系などを用いてもよい。また、本実施例において示した、成長、リソグラフィー、エッチング、アッシング及び蒸着に用いた手法装置は記述手法装置に限るものではなく、同様の効果の得られる装置であればいかなる手法装置であっても良い。また、本実施例では、n型Al0.93Ga0.07As/Al0.5Ga0.5As-DBRミラー402とスラブ型二次元フォトニック結晶ミラーを用い共振器構造を構成したが、この構成に限定されるものではない。例えば、図4に示すDBRミラー402の変わりに二次元フォトニック結晶ミラーを用いた構成をとってもよい。[実施例3]実施例3においては、本発明によるスラブ型二次元フォトニック結晶を用いた実施例2とは別の形態の面発光レーザについて説明する。図6に、本実施例の上記面発光レーザの構成を示す。図6において、600はGaAs基板、602はn型Al0.93Ga0.07As/Al0.5Ga0.5As-DBRミラー層、604はn型AlGaInPクラッド層である。また、606はGaInP/AlGaInP多重量子井戸活性層、608はp型AlGaInPクラッド層、610はp型Al0.93Ga0.07As層、612はp型Al0.5Ga0.5As層である。また、614は円柱孔、616は欠陥、618は酸化アルミ層、620は窒化シリコン層、622はアノードおよび624はカソードである。本実施例にて作製した二次元フォトニック結晶面発光レーザにおいては、共振器中に形成される定在波の腹が、共振器中央及び活性層と上下ミラー第1及び第2のミラーのそれぞれの境界で形成するよう作製した。量子井戸活性層606は共振器中央に形成し、利得整合するように形成した。また、本実施例では第1のミラーを1/4波長厚の高屈折率媒質と1/4波長厚の低屈折率媒質を交互に積層した多層膜反射鏡とした。そして、第2のミラーを本発明による欠陥を導入したスラブ型二次元フォトニック結晶ミラーとした。本実施例によるスラブ型二次元フォトニック結晶ミラーは、基板上に成長した半導体多層膜の最上層に形成した周期構造が、空気に接している。すなわち、上記基板上に成長した半導体多層膜の最上層であるAl0.5Ga0.5As層屈折率:3.5に形成した周期構造フォトニック結晶、円柱孔、三角格子配列が、その上面では空気屈折率:1に接している。また、その下面においては、Al0.93Ga0.07As層の一部を選択的に酸化することにより得られた酸化アルミ層屈折率:1.6と接した構造をとっている。このスラブ型二次元フォトニック結晶は、GuidedResonanceと呼ばれる効果を利用しミラーとして機能している。このGuidedResonanceとは、スラブ型二次元フォトニック結晶に、スラブ面に垂直な方向から光を入射すると、所定の周波数の光がほぼ100の効率で反射されるというものである。なお、本実施例で形成した周期構造フォトニック結晶の一部に、周期構造を乱す部位欠陥を導入している。この欠陥の形成により、二次元フォトニック結晶ミラーへの入射光が結晶面内でより広範囲に共振し、出射光のスポットサイズを拡大することができる。また欠陥の形状等を変えることで、発振モード及び偏光モードを制御することが可能となる。また、この構成においては、欠陥を導入することによりフォトニックバンド中に欠陥に起因した準位が形成され、二次元フォトニック結晶ミラーに入射した光が、欠陥準位に起因したモードのみで面内方向で共振し、単一モード化が図られる。この単一モード化した光が、入射光側の垂直方向に出射され、活性層を挟むように形成した上下二つのミラー少なくとも一方が欠陥を有したスラブ型二次元フォトニック結晶ミラー間を共振し、最終的に面発光レーザとしてコヒーレントな光を出射する。この時、空間的に局在した単一モード化した光が結合することにより、スポット径の大きい単一モード光を得ることが可能となる。つぎに、本実施例による欠陥を導入したスラブ型二次元フォトニック結晶をミラーとして適用した面発光レーザの製造方法について説明する。図7に本実施例の上記製造方法を説明する模式図を示す。まず、図7aに示すように、n型GaAs基板上にMOCVD装置によりバッファー層を介して、以下のように各層を成長させる。n型Al0.93Ga0.07As/Al0.5Ga0.5As-DBRミラー層、n型AlGaInPクラッド層、GaInP/AlGaInP-MQW活性層、p型AlGaInPクラッド層を成長させる。続いて、p型Al0.93Ga0.07As層、p型Al0.5Ga0.5As層を成長させる。本実施例では、上記各層をこのように成長させて半導体多層膜を構成する。次に、図7b及びcに示すように、電子ビームリソグラフィー技術を用いて、Al0.5Ga0.5As層上にレジストパターンを形成する。その後、図7dに示すように、ICPエッチング装置を用いて、Al0.5Ga0.5As層をドライエッチングする。この時、エッチング深さは、Al0.93Ga0.07As層が露出するまで行う。その後、レジストを酸素アッシングにより除去する。この工程において、欠陥を導入したスラブ型二次元フォトニック結晶円柱孔、三角格子配列が形成される。次に、図7eに示すように、フォトリソグラフィー技術を用いて、Al0.5Ga0.5As層上にレジストパターンを形成する。その後、図7fに示すように、ICPエッチング装置を用いて、n型Al0.93Ga0.07As/Al0.5Ga0.5As-DBRミラー層が露出するまでドライエッチングを行う。その後、レジストを酸素アッシングにより除去する。次に、図7gに示すように、窒化シリコン層をPECVD装置を用いて成膜する。その後、フォトリソグラフィー技術、RIEドライエッチング及び酸素アッシングにより、Al0.5Ga0.5As層上に形成した周期構造フォトニック結晶、円柱孔が露出するようにする。次に、図7hに示すように、酸化装置450°C、水蒸気雰囲気下に導入し、Al0.5Ga0.5As層に形成した円柱孔を通じて、Al0.93Ga0.07As層の一部を選択的に酸化し、酸化アルミ層を得る。次に、図7iに示すように、リフトオフ技術を用いて、Al0.5Ga0.5As層上にTi/Auアノードを形成する。また、電子ビーム蒸着により、AuGe/AuカソードをGaAs基板裏面に形成する。以上説明した工程により、垂直共振器を形成するミラーとしてDBRミラーと欠陥を導入したスラブ型二次元フォトニック結晶ミラーを用いた構成の面発光レーザを得ることができる。本実施例で示した構成により、単一横モード化を達成するために電流狭窄構造形成により達成していた従来の面発光レーザと比較して、本発明による二次元フォトニック結晶面発光レーザにおいては、ポスト構造全体で単一横モード動作を得ることが可能となる。また、本実施例によれば、従来の単一モード光と比較してスポット径の大きなレーザ光を得ることが可能となり、その結果光出力も大きいものを得ることができる。本実施例による方法で作製した、20μmポスト径の二次元フォトニック結晶面発光レーザにおいて、スポットサイズ15μm径の発光ニアフィールドパターンを達成した。また、この実施例の構成により、従来の面発光レーザと比較して本発明によるスラブ型二次元フォトニック結晶をミラーとした面発光レーザにおいては、単層で高反射率のミラーを形成することが可能であり、素子の抵抗を小さくすることができる。そのため、従来の面発光レーザと比較し、発振しきい値電流の小さな面発光レーザを得ることができる。本実施例では、円柱孔の周期を三角格子配列で配置したが、これに限定されるものではなく、正方格子、蜂の巣格子など任意の配列パターンで配列してもよい。また、円柱孔に限定されるものではなく楕円柱孔、四角柱孔、三角柱孔などであってもよい。また、本実施例では、AlGaAsAl組成90以上/AlGaAsAl組成70以下の系においてAlGaAsAl組成90以上を選択的に酸化することにより、低屈折率の酸化膜を形成したが、これに限定されるものではない。同様の効果選択的酸化の得られる材料系、例えばAlN/GaN系などを用いてもよい。また、本実施例において示した、成長、リソグラフィー、エッチング、アッシング及び蒸着に用いた手法装置は記述手法装置に限られるものではなく、同様の効果の得られる装置であればいかなる手法装置であってもよい。また本実施例では、n型Al0.93Ga0.07As/Al0.5Ga0.5As-DBRミラー602と欠陥を導入したスラブ型二次元フォトニック結晶ミラーを用い共振器構造を構成したが、この構成に限定されるものではなくい。例えば、図6に示すように、DBRミラー602の変わりに二次元フォトニック結晶ミラー乃至は欠陥を有した二次元フォトニック結晶ミラー図示せずを用いた構成をとってもよい。[実施例4]実施例4においては、本発明を適用して構成したエアブリッジ構造を備えたスラブ型二次元フォトニック結晶素子について説明する。本実施例は、本発明によるAlGaAs層Al組成90以上の一部を選択的に酸化し、更にその酸化した層のみを選択的にエッチングする。これにより、AlGaAs層Al組成70以下をコアに適用したエアブリッジ型スラブ型フォトニック結晶をGaAs基板上に形成したものである。図8に、本実施例のエアブリッジ構造を備えたスラブ型二次元フォトニック結晶素子の構成を示す。図8において、800はGaAs基板、802はAl0.93Ga0.07As層、804はAl0.5Ga0.5As層、806は円柱孔及び808はエアブリッジ構造である。図8に示すように、本実施例では、GaAs基板800上にAl0.93Ga0.07As層802を0.5μmエピタキシャル成長し、更にその上にAl0.5Ga0.5As層804を0.2μmエピタキシャル成長したものである。Al0.5Ga0.5As層804には、Al0.5Ga0.5As層を貫通した円柱孔806が三角格子配列で周期的に配置されている。図8に示すように、本実施例においては、Al0.5Ga0.5As層804屈折率:3.5に形成した周期構造円柱孔806、フォトニック結晶が、その上面では空気屈折率:1に接している。また、その下面においては、Al0.93Ga0.07As層802を選択的に酸化することにより得られた酸化アルミ層図示せず、屈折率:1.6を選択的に除去することにより形成した空気層屈折率:1と接したエアブリッジ構造808を形成している。このように本実施例の構成によれば、従来半導体の積層構造においては屈折率差が0.3程度であったものを2.5程度まで大きく取ることが可能となる。したがって本実施例の構成により、コア層への強い閉じ込めが可能となり、図9aに示すような光損失の少ない導波路や、図9bに示すようなQ値の高い共振器等を作製することが可能となる。つぎに、本実施例によるエアブリッジ構造を備えたスラブ型二次元フォトニック結晶素子の製造方法を説明する。図10に上記製造方法を説明する模式図を示す。図10において、1100はGaAs基板、1102はAlGaAsエピタキシャル層Al組成93、1104はAlGaAsエピタキシャル層Al組成50である。また、1106はレジスト層、1108はレジストパターン、1110は円柱孔、1112は酸化アルミ層、および1114はエアブリッジ構造である。まず図10aに示すように、GaAs基板1100上にMOCVD装置によりバッファー層を介してAl0.93Ga0.07As層1102を0.5μm成長し、続いてAl0.5Ga0.5As層304を0.25μm成長する。次に、図10b及びcに示すように、電子ビームリソグラフィー技術を用いて、Al0.5Ga0.5As層上にレジストパターン1106を形成する。その後、図10dに示すように、ICPエッチング装置を用いて、Al0.5Ga0.5As層をドライエッチングする。この時、エッチング深さは、Al0.93Ga0.07As層が露出するまで行う。その後、レジストを酸素アッシングにより除去する。この工程において、スラブ型二次元フォトニック結晶円柱孔、三角格子配列が形成される。次に、図10eに示すように、酸化装置450°C、水蒸気雰囲気下に導入し、Al0.5Ga0.5As層に形成した円柱孔を通じて、Al0.93Ga0.07As層の一部を選択的に酸化し、酸化アルミ層1112を得る。次に、図10fに示すように、酸化アルミ層1112をバッファーフッ酸を用いて選択的にエッチングすることにより空気層を形成し、エアブリッジ構造1114を形成する。以上説明した工程により、半導体積層構造で形成したスラブ型二次元フォトニック結晶と比較して、コア層とクラッド層との屈折率差を大きくとることのできる半導体コア層と空気クラッド層の積層構造を容易に作製することができる。例えば、スラブ型二次元フォトニック結晶を一部に形成した半導体多層膜構造を容易に作製することができる。本実施例では、円柱孔の周期を三角格子配列で配置したが、これに限定されるものではなく、正方格子、蜂の巣格子など任意の配列パターンで配列してもよい。また円柱孔に限定されるものではなく楕円柱孔、四角柱孔、三角柱孔などであってもよい。また、本実施例では、AlGaAsAl組成90以上/AlGaAsAl組成70以下の系においてAlGaAsAl組成90以上を選択的に酸化することにより、低屈折率の酸化膜を形成したが、これに限定されるものではない。同様の効果選択的酸化の得られる材料系、例えばAlN/GaN系などを用いてもよい。また、本実施例において示した、成長、リソグラフィー、エッチング及びアッシングに用いた手法装置は記述手法装置に限るものではなく、同様の効果の得られる装置であればいかなる手法装置であってもよい。