太陽電池であって、基板と、透明導電性酸化物の前面電極または第1電極と、微結晶シリコンを含有する少なくとも1つのp-i-n接合とを含み、前記p-i-n接合は、第1のnドープシリコン副層、第2のpドープシリコン副層、および前記第1副層と前記第2副層との間に配置された第3の本質的に真性の微結晶シリコン副層を含み、本質的に真性の非晶質シリコンを含有する少なくとも1つのパシベーション層が、a本質的に真性の微結晶シリコン副層とnドープシリコン副層との間にまたはb埋め込み層として本質的に真性の微結晶シリコン副層にまたはc両方に配置される、太陽電池。前記パシベーション層は、5nm~200nm、好ましくは10~50nmの厚さを有する、請求項1に記載の太陽電池。前記パシベーション層は、本質的に真性のシリコンまたはa-SiC:H、a-Si:O:H、a-SiN:Hまたは類似のシリコン化合物/合金を含有する、請求項1~2に記載の太陽電池。光起電薄膜シリコン太陽電池を製造する方法であって、透明基板の上に透明導電前面電極を設けるステップと、pドープSi層を堆積させるステップと、真性の微結晶シリコン層を堆積させるステップと、本質的に真性の非晶質シリコンを含有するパシベーション層を堆積させるステップと、nドープSi層および裏面電極層を堆積させるステップとを含む、薄膜シリコン太陽電池の製造方法。パシベーション層を堆積させるステップは、基板が配置されたPECVDプロセスチャンバの中にシランと水素との混合ガスを導入するステップと、基板を100°C~250°Cの温度、好ましくは160°Cで保持するステップと、5nm~100nm、好ましくは20~40nmの厚さを有する本質的に真性の非晶質シリコン含有層を堆積させるステップとを含む、請求項4に記載の方法。パシベーション層を堆積させるステップは、0.1~2mbar、好ましくは0.2~0.5mbarのプロセス圧力と、40MHz以上で、1平方センチ基板サイズ当たり2.5mW~250mW、好ましくは1平方センチ基板サイズ当たり15mW~50mWのRFパワーと、1:1の水素とシランとの比とを確立させるステップを含む、請求項4~5に記載の方法。パシベーション層を堆積させるステップは、1~5mbarのプロセス圧力と、40MHz以上で、1平方センチ基板サイズ当たり50mW~300mWのRFパワーと、10:1~200:1の水素とシランとの比とを確立させるステップを含む、請求項4~5に記載の方法。発明の背景微結晶シリコンを光活性真性i-層として取入れた単接合および多接合太陽電池において、μc-i-層の重要な物理パラメータのうち2つは、1その結晶度および2その電子品質欠陥密度である。装置の最適性能を得るために、一方では、標準PECVD堆積条件の場合に微結晶シリコン層は、装置に高開放電圧Vocを引起す非晶質-微結晶シリコン転移の近くに堆積させたとき、より良い電子品質低欠陥密度を有することを考慮して、光活性層の結晶度を選択しなければならない。他方では、高電流密度Jscは、非晶質-微結晶転移における結晶度をよく増大させることによって得られる。したがって、最適な装置のために、高Vocと高Jscとの間の妥協点を見出さなければならない。中i-層結晶度の最適値が大まかに見出されている。現在では、i-μc-Si:H層の最適結晶度および最高電子品質を得るために、既知のPECVDプロセスは、微結晶i-層堆積時の堆積パラメータたとえば、シラン濃度プロファイルおよび/または電力プロファイルなどを段階的または連続的に調整している。i-μc-Si:H層中の欠陥密度は、その結晶度に関連しているだけではない。粗い前面透明導電性酸化物TCO層を前面電極前面TCO、前面電極として使用した際、追加の欠陥が導入される。このようなTCOは主に、装置内の光の光路を増加させることによって薄膜シリコン太陽電池のJscを増加させるために使用されている。しかしながら、粗い前面TCOの使用は、通常Vocおよび曲線因子FFの低下を引起す。この影響は、付加的な形態に関連する欠陥多孔質i-μc-Si:Hゾーンの存在に起因する。その付加的な形態に関連する欠陥は、VocおよびFFの低下を引起す。従来技術の不備通常、選択された、装置のi-μc-Si:H層の結晶度は、高Jscを達成するための高結晶度と高Vocを達成するための中結晶度との妥協から生まれる。最先端のPECVD堆積ツールおよび堆積プロセスは、μc-Si:Hi-層を製造するために、高結晶度高Jscおよび低欠陥密度高Vocを有する理想的なμc-Si:H材料を考慮していない。しかしながら、欠陥-パシベーション層を設けることによって、典型的な標準PECVD堆積パラメータで高結晶度高Jscおよび良好なVocを達成することが可能である。発明の概要図4Bに示すように、本発明は、太陽電池60の微結晶i-層45Micromorphタンデム型太陽電池中のボトムセルの中にまたはそれに隣接して欠陥-パシベーション層55を導入するステップを含む。この追加パシベーション層55は、a-Si:Hi-層を含む。i-層は、上から入射する光に対して光学的に透明であるすなわち、光線は、トップセル、およびpからiまでのμc-Si:H副セルを一度通過した後その上に到達する。i-μc-Si:H層の上に堆積させたこの追加a-Si:Hi-層は、Micromorph装置の全体的な電気性能測定されたVoc、FFおよびJscが外部量子効率EQEであるを向上させる。発明の詳細な説明以下の例示的な実施例において、トップ級のMicromorph太陽電池を成長させた粗いTCOLPCVD-ZnOとして作製した。比較のための参照装置50は、トップp-i-na-Si:Hセル51とボトムμc-Si:Hセル43とを有する。トップp-i-na-Si:Hセル51は、厚さ250nmのi-層53を有する。ボトムμc-Si:Hセル43は、中結晶度780nmのレーザーを用いて測定したバルクラマン結晶度:50~55および2000nmの厚さを有する光活性のi-層45を有する。本発明の不活化された装置60において、トップセルのi-層とボトムセルのi-層とは同じ厚さを有する。ただし、μc-Si:Hi-層45を堆積させた後、本発明にしたがった異なる厚さを有する完全非晶質i-層55パシベーション層の堆積を行った。不活化された装置60は、改善された電気性能図1参照を示している。これは、基礎となる微結晶シリコン層の欠陥の一部の有害な影響がこのように軽減されたためである。特に、ダングリングボンドのような再結合中心がa-Si:Hにより効率的に不活化されることができ、例示的な実施例で観察されたように、それに応じて低減された光キャリアの再結合が、Voc、FFと合計トップ副セルとボトム副セルとの和JscEQEによって測定されるを増加させる。同様に、形態誘起欠陥、すなわち成長に関連する欠陥の有害な影響は、i-μc-Si:H層の成長の終わりにパシベーション層を導入することによって低減される。たとえば、この例示的な実施例に使用されたボトムセルは、微結晶i-層の成長の終わりに非晶質パシベーション層を導入することによって得られた相対効率利得が約5である。図1に示すように、パシベーション層の適切な厚さは、太陽電池のVocおよびFFへの影響を考慮して選択する必要がある。図1は、FFとVocとの値を同時に増加させるために、パシベーション層の一定の厚さを必要とすることを示している。しかしながら、パシベーション層が厚すぎると、IV曲線にダブルダイオード挙動が現れ、装置の性能をかなり低下させる。図2は、層厚に対して利得の限界を示している。例示的な実施例において、μc-Si:Hi-層の成長の終わりに堆積させた追加層により減少した欠陥密度が、増加したボトムセル光電流総Jsc=JscトップセルJscボトムセルが約0.5mA/cm2増加した。図3参照とともに現れる。Micromorph太陽電池がトップ級であるので、この増加はIV曲線には見られない。純a-Si:Hではなくシリコンをベースにした他の合金、たとえばa-SiC:H、a-Si:0:H、またはa-SiN:Hなどのi-パシベーション層も同様に使用することができる。各TCOの粗さに対して、それらの最適な厚さが導電性と650nm~1100nm波長範囲での光透過性とに応じて選択されなければならない。より高い結晶度すなわちより不良を有するμc-Si:Hi-層に適用されると、a-Si:Hi-パシベーション層がより効果的であることが予想される。したがって、これらの層の低い電子グレードにより通常観察されたVocロスが追加の完全非晶質パシベーション層によって少なくとも部分的に補償されることは期待できる。また、このパシベーション層を真性の微結晶層の堆積の終了時に適用することは必須ではない。その次の結晶層が十分な結晶性を有すれば、このパシベーション層を真性の微結晶層の成長中にさまざまな場所に適用することができる。また、微結晶i-層の成長中に2つ以上のパシベーション層を導入することも可能である。実験本発明に係るパシベーション層は、以下のように作製することができる。当該技術分野で公知のPECVDプロセスチャンバたとえば、OerlikonSolar社から市販されているKAI-Mにおいて、以下のプロセスパラメータが使用された。基板サイズが約500×400mm2であった。圧力が0.1~2mbar、好ましくは0.2~0.5mbar、電力が5~500W基板サイズ1cm2当たり2.5mW~250mW、好ましくは30~100W基板サイズ1cm2当たり15mW~50mW、および水素とシランとの比率が1:1である条件下で、高品質のa-Si:Hパシベーション層が得られる。プロセス温度として100°C~250°C、好ましくは約200°Cを選択した。50~2000sccm、好ましくは50~500sccmのガス流速を使用した。また、このガス流速は、使用されるプロセスツールおよび基板サイズにも依存する。もう一つの方法として、1~5mbarのプロセス圧力、100~600Wの電力、および10:1~200:1の水素とシランとの比率を使用してもよい。堆積速度は使用されるプロセスツールに依存するので、本発明に係る層厚として5nm~50nmが得られるまでプロセス期間も変化する。概要太陽電池60は、基板31、透明導電性酸化物の前面電極または第1電極42、および微結晶シリコンを含有する少なくとも1つのp-i-n接合43を含む。該p-i-n接合43は、シリコンおよびnドーパントを含有する第1副層44、シリコンおよびpドーパントを含有する第2副層46、および本質的に真性の微結晶シリコンを含有する第3副層45を含む。本質的に真性の非晶質シリコンを含有する少なくとも1つのパシベーション層45は、a本質的に真性の微結晶副層45とnドープシリコン副層46との間にまたはb埋め込み層として本質的に真性の微結晶副層45にまたはc両方に配置される。他の実施形態としては、複数の埋め込み層を設けてもよい。パシベーション層45は、5nm~200nm、好ましくは10~50nmの厚さを有する。パシベーション層55は、本質的に真性のシリコンまたはa-SiC:H、a-Si:O:H、a-SiN:Hまたは類似のシリコン化合物/合金を用いて実現してもよい。光起電薄膜太陽電池にパシベーション層55を堆積させるプロセスは、処理される基板が配置されたPECVDプロセスチャンバにシランと水素との混合ガスを導入するステップと、0.1~2mbar、好ましくは0.2~0.5mbarのプロセス圧力と5~500W、好ましくは30~100WのRFパワー40MHz以上と1:1の水素とシランとの比とを確立させる工程または1~5mbarのプロセス圧力と100~600WのRFパワー40MHz以上と10:1~200:1の水素とシランとの比とを確立させるステップと、基板を100°C~250°Cの温度、好ましくは160°Cで保持するステップと、5nm~100nm、好ましくは20~40nmの厚さを有する本質的に真性の非晶質シリコン含有層を堆積させるステップとを含む。光起電薄膜太陽電池を製造する方法は、透明基板41の上に透明導電前面電極42を設けるステップと、pドープSi層44、真性の微結晶シリコン層45、本質的に真性の非晶質シリコンを含有するパシベーション層55、nドープSi層46および裏面電極層48を堆積させるステップとを含む。