"フッ素系高分子材料に電子ビームを照射してそのフッ素系高分子材料の表面を超疎水性表面に改質する方法。前記フッ素系高分子材料が、フィルム形態のポリテトラフルオロエチレンPolytetrafluoroethylene,PTFE、フッ化エチレンプロピレンFluorinatedethylenepropylene,FEP、テトラフルオロエチレンパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体Polytetrafluoroethylene-co-perfluoroalkylvinylether,PFA、エチレンテトラフルオロエチレン共重合体Polyethylene-co-tetrafluoroethylene,ETFE及びポリビニリデンフルオライドPolyvinylidenefluoride,PVDFからなる群から選択されることを特徴とする、請求項1に記載の電子ビームを照射してフッ素系高分子材料の表面を超疎水性表面に改質する方法。前記フッ素系高分子材料が、ポリテトラフルオロエチレンPTFEフィルムであることを特徴とする、請求項2記載の電子ビームを照射してフッ素系高分子材料の表面を超疎水性表面に改質する方法。前記フッ素系高分子材料のフィルムの厚さが、1~500μmであることを特徴とする、請求項2に記載の電子ビームを照射してフッ素系高分子材料の表面を超疎水性表面に改質する方法。前記電子ビームのエネルギーが、10~500keVであることを特徴とする、請求項1に記載の電子ビームを照射してフッ素系高分子材料の表面を超疎水性表面に改質する方法。前記電子ビームの電流密度が、1~20μA/cm2であることを特徴とする、請求項1に記載の電子ビームを照射してフッ素系高分子材料の表面を超疎水性表面に改質する方法。前記電子ビームの照射量が、1X1016ないし1X1019electrons/cm2であることを特徴とする、請求項1に記載の電子ビームを照射してフッ素系高分子材料の表面を超疎水性表面に改質する方法。本発明の目的は、大面積フッ素系高分子材料の表面に超疎水性を付与することができる簡単な方法を提供することである。前記目的を達成するために、フッ素系高分子材料に電子ビームを照射する単一工程で大面積の超疎水性表面を製造する方法が提供される。本発明によるフッ素系高分子材料に電子ビームを照射してその表面を超疎水性表面に改質する方法は、電子ビームの照射量を調節して照射する単一工程でフッ素系高分子材料の表面が超疎水性を示すので、超疎水性表面を必要とする塗料産業、接着剤産業、繊維産業、精密化学産業、電気電子産業、自動車産業、金属産業、ディスプレイ産業などで撥水性、防汚性、非粘着性、低表面張力などの機能を付与したり、次世代電池、マイクロ流体装置、電気湿潤ディスプレイなど先端研究分野で有用に用いることができる。以下、本発明を詳しく説明する。本発明は、フッ素系高分子材料に電子ビームを照射してその表面を超疎水性表面に改質する方法を提供する。具体的には、前記電子ビームの照射量を調節して照射することで、前記フッ素系高分子材料の表面に凹凸roughnessを形成する物理的改質と、フッ素系高分子材料表面の化学組成が変化する化学的改質とが一緒に起きて、超疎水性表面が製造されるものである。本発明による電子ビームを照射してフッ素系高分子材料の表面を超疎水性表面に改質する方法において、前記フッ素系高分子材料は、フィルム形態のポリテトラフルオロエチレンPolytetrafluoroethylene,PTFE、フッ化エチレンプロピレンFluorinatedethylenepropylene,FEP、テトラフルオロエチレンパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体Polytetrafluoroethylene-co-perfluoroalkylvinylether,PFA、エチレンテトラフルオロエチレン共重合体Polyethylene-co-tetrafluoroethylene,ETFE、ポリビニリデンフルオライドPolyvinylidenefluoride,PVDFなどを用いることができ、ポリテトラフルオロエチレンフィルムを使用することが好ましい。本発明による電子ビームを照射してフッ素系高分子材料の表面を超疎水性表面に改質する方法において、前記フッ素系高分子フィルムの厚さは、1~500μmであることが好ましい。フィルムの厚さが1μm未満の場合には、電子ビームのエネルギーがフッ素系高分子フィルムに充分に伝達される前に通過してしまい、500μmを超過する場合には、数百keV以上の高エネルギー電子ビームが必要となって生産費用が高くなるという問題がある。本発明による電子ビームを照射してフッ素系高分子材料の表面を超疎水性表面に改質する方法において、前記電子ビームのエネルギーは、10~500keVであることが好ましい。電子ビームのエネルギーが10keV未満の場合には、透過深度が浅過ぎて超疎水性のための凹凸が大きな構造を生成させるのに十分ではなく、500keVを超過する場合には電子ビームが深く透過し過ぎて電子ビームの照射による反応の大部分がフィルム表面よりはフィルム内部で起きるため、表面の改質には適当ではないという問題がある。本発明による電子ビームを照射してフッ素系高分子材料の表面を超疎水性表面に改質する方法において、前記電子ビームの電流密度は、1~20μA/cm2であることが好ましい。電流密度が1μA/cm2未満の場合には、単位時間当りの電子ビームによる反応が少な過ぎて表面改質効果を得にくく、20μA/cm2を超過する場合には多くの熱が発生して不適切な熱反応が起きるという問題がある。本発明による電子ビームを照射してフッ素系高分子材料の表面を超疎水性表面に改質する方法において、前記電子ビームの照射量は、1X1016ないし1X1019electrons/cm2であることが好ましい。照射量が、1X1016electrons/cm2未満の場合には表面改質の程度が少なくて超疎水性を得ることができないという問題があり、1X1019electrons/cm2を超過する場合には表面改質が過度に進行され過ぎて超疎水性を得ることができないという問題がある。本発明による電子ビームを照射してフッ素系高分子材料の表面を超疎水性表面に改質する方法では、電子ビームの照射量が増加するほど、表面の凹凸が次第に深くなるだけでなく、表面のフッ素含量は減少するのに対して、酸素及び炭素の相対的な含量は次第に増加することが示された。前記のような結果は、フッ素系高分子フィルムに電子ビームを照射することで、表面が物理的及び化学的に改質されたことを示す。特に、電子ビームの照射量が、4X1017~1X1018electrons/cm2の時、水と表面の接触角が150 ゚以上の超疎水性表面が形成されることが示された。したがって、電子ビームの照射量を調節してフッ素系高分子材料の表面を超疎水性に改質できるのみならず、高分子材料の表面を所望の用途に合わせて改質することに有効に用いることができる。以下、本発明を実施例によってさらに詳細に説明する。但し、下記の実施例は、本発明を例示するためだけのものであって、本発明の内容がこれに限定されるのではない。<実施例1>電子ビームの照射を用いたPTFEフィルムの表面改質図1に示したように、厚さ100μmのPTFEAshaiGlass社フィルムに電子ビームを照射して表面を改質させ、電子ビームの照射条件を調節して超疎水性表面を製造した。具体的には、PTFEフィルムを自己製作した電子ビーム照射装置に入れて2X10-5トールtorr2.66x10-3Pa以下の真空状態を作った。ここで、電子ビームの加速電圧は30kVで、電子ビームのエネルギーは30keVで、電子ビームの電流密度は8μA/cm2に設定して電子ビームを照射し、照射時間を調節して電子ビームの照射量が、I0、II5X1016、III2.5X1017、IV4X1017、V6X1017、VI1X1018electrons/cm2になるようにして、PTFEフィルムの表面を改質した。<実施例2>電子ビームの照射を用いたFEPフィルムの表面改質厚さ100μmのFEPAshaiGlass社フィルムを使用したことを除き、実施例1と同一な方法でFEPフィルムの表面を改質した。<実施例3>電子ビームの照射を用いたPFAフィルムの表面改質厚さ100μmのPFAAshaiGlass社フィルムを使用したことを除き、実施例1と同一な方法でPFAフィルムの表面を改質した。前記実施例1ないし実施例3で使用した材料及び電子ビーム処理条件を下記の表1に整理して示した。<実験例1>電子ビームの照射による高分子フィルムの構造的な表面改質の評価実施例1で前記I~VIの電子ビーム照射量で処理されたPTFEフィルムの表面が構造的に改質された程度を測定するために、走査電子顕微鏡SEM,S-4800,日立製を用いて確認した結果を図2に示した。図2は、高分子フィルム表面の構造的変化を示した走査電子顕微鏡写真である。図2に示されたように、電子ビームの照射量が増加するにつれて表面の凹凸が次第に大きくなり、構造的表面改質が進行したことを確認することができる。<実験例2>電子ビームの照射による高分子フィルムの化学的な表面改質の評価実施例1で前記I~VIの電子ビーム照射量で処理されたPTFEフィルムの表面が化学的に改質された程度を測定するために、X線光電子分光光度計X-rayphotoelectronspectrometer;XPS,SigmaProbe,ThermoVGScientificを用いて測定した結果を下記の表2及び図3に示した。図3は、高分子フィルム表面の化学的変化を示すX線光電子分光光度計のスペクトルである。図3に示されたように、電子ビームの照射量が増加するにつれてフッ素Fの量は減少するが、炭素Cと酸素Oの量は相対的に増加して化学的な表面改質が進行したことを確認することができる。<実験例3>超疎水性表面の形成評価実施例1で前記I~VIの電子ビーム照射量で処理されたPTFEフィルムの表面に超疎水性の性質が示されるかどうかを確認するために、接触角分析装置Phoenix300,SurfaceElectroOpticsCompanyを用いて接触角を測定し、その測定結果を表3及び図4に示した。図4は、電子ビームが照射されたPTFEフィルム表面で水の接触角変化を測定した写真である。図4に示されたように、電子ビームを照射していないPTFEフィルム表面の接触角は119 ゚であり一般的な疎水性を示しているが、電子ビームの照射量Vまでは電子ビームの照射量が増加するほど接触角が増加し、照射量がVより多くなると接触角が減少する現象を示した。電子ビームの照射量IV~VIまでの条件では、接触角が150 ゚を越す超疎水性を示し、その中で電子ビームの照射量がVである時、最も大きな接触角を示した。したがって、超疎水性のための表面改質には、Vの6X1017electrons/cm2の電子ビーム照射量が最適であることが分かった。"