電流駆動型半導体スイッチで構成されるインバータ部と、前記インバータ部により駆動されるモータと、前記電流駆動型半導体スイッチをドライブさせるための電源と、前記電源と前記電流駆動型半導体スイッチのゲート端子の間に接続され温度により抵抗値が変化する可変抵抗を備え、前記可変抵抗は、モータ温度と略等しくなるように配置され、前記電流駆動型半導体スイッチに流せる最大電流が前記モータの減磁電流より小さくなるようにゲート電流が調整される温度特性を有することを特徴とするモータインバータ装置。前記モータがフェライト磁石で構成される場合、前記可変抵抗は負の温度特性を有することを特徴とする請求項1記載のモータインバータ装置。前記モータがネオジウム磁石で構成される場合、前記可変抵抗は正の温度特性を有することを特徴とする請求項1記載のモータインバータ装置。前記モータは密閉型圧縮機に内蔵され、前記可変抵抗は前記密閉型圧縮機の外郭を構成する圧縮機の外面に配置されることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のモータインバータ装置。出力可変型の空気調和機に適用したことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のモータインバータ装置。前記電流駆動型半導体スイッチにGaN窒化ガリウムを用いたことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のモータインバータ装置。従来技術のモータインバータ装置では、電流検出回路6で検出された電流値と直流ブラシレスモータ1の温度により補正された過電流上限値を比較して、モータ電流遮断やデューティ制御によるモータ電流抑制などの過電流抑制の保護動作を行う。このため電流検出回路6、補正手段5、保護手段2が必要となり構成が複雑で部品点数が増加し、これらを動作させる消費電力も必要となる。更にデューティ制御によるモータ電流抑制では電流検出回路6における過電流検出からモータ電流抑制が行われるまでの遅延が発生することが課題であった。本発明は部品点数の少ない簡単な構成でモータ1の減磁特性に応じて電流駆動型半導体スイッチ8に流れる最大ドレイン電流を遅延なく制限できるモータインバータ装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、電流駆動型半導体スイッチ8で構成されるインバータ部7と、前記インバータ部7により駆動されるモータ1と、前記電流駆動型半導体スイッチ8をドライブさせるための電源と、前記電源と前記電流駆動型半導体スイッチ8のゲート端子の間に接続され温度により抵抗値が変化する可変抵抗9を備え、前記可変抵抗9は、モータ温度と略等しくなるように配置され、前記電流駆動型半導体スイッチ8に流せる最大電流が前記モータ1の減磁電流より小さくなるようにゲート電流が調整される温度特性を有するようにしたものである。これにより簡単な構成で、使用するモータ1の減磁特性に応じて電流駆動型半導体スイッチ8に流れる最大ドレイン電流を遅延なく制限することができ、更に、モータ特性に応じたドライブ電力を供給するため、電流駆動型半導体スイッチ8を駆動させるための不要なドライブ電力削減を実現するモータインバータ装置を提供する。本発明のモータインバータ装置は、部品点数の少ない簡単な構成で遅延なく過電流を抑制し、モータ1の減磁を防止することができる。第1の発明は、電流駆動型半導体スイッチで構成されるインバータ部と、前記インバータ部により駆動されるモータと、前記電流駆動型半導体スイッチをドライブさせるための電源と、前記電源と前記電流駆動型半導体スイッチのゲート端子の間に接続され温度により抵抗値が変化する可変抵抗を備え、前記可変抵抗は、モータ温度と略等しくなるように配置され、前記電流駆動型半導体スイッチに流せる最大電流が前記モータの減磁電流より小さくなるようにゲート電流が調整される温度特性を有することで部品点数の少ない簡単な構成で遅延なく過電流を抑制し、モータの減磁を防止できる。更に、モータ特性に応じたドライブ電力を供給するため、不要なドライブ電力を削減できる。第2の発明は、前記モータがフェライト磁石で構成される場合、前記可変抵抗は負の温度特性を有することにより、モータ特性に合わせた過電流抑制によりモータの減磁を防止できる。更に、モータ特性に応じたドライブ電力供給により、不要なドライブ電力を削減できる。第3の発明は、前記モータがネオジウム磁石で構成される場合、前記可変抵抗は正の温度特性を有することにより、モータ特性に合わせた過電流抑制によりモータの減磁を防止できる。更に、モータ特性に応じたドライブ電力供給により、不要なドライブ電力を削減できる。第4の発明は、前記モータは密閉型圧縮機に内蔵され、前記可変抵抗は前記密閉型圧縮機の外郭を構成する圧縮機の外面に配置されることにより、密閉型圧縮機駆動用モータの温度を容易に計測できる。第5の発明は、運転範囲が広いためにモータに流れる電流変化幅が大きく、また寒冷地から熱帯地域と使用される環境温度の範囲が非常に広い空気調和機に適用することにより、状況とモータ特性に合わせた過電流抑制によりモータの減磁を防止できる。更に、モータ特性に応じたドライブ電力供給より、不要なドライブ電力を削減できる。第6の発明は、前記電流駆動型半導体スイッチにGaN窒化ガリウムを用いることで、導通損失およびスイッチング損失の削減によりインバータ損失を低減できる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、この実施の形態によって本発明が限定されるものではない。実施の形態1図1は本発明における実施の形態における電流駆動型半導体スイッチ8の駆動回路、図2は電流駆動型半導体スイッチ8で構成されるインバータ部7を示す。電流駆動型半導体スイッチ8で構成されるインバータ部7と、前記インバータ部7により駆動される密閉型圧縮機3に内蔵されたモータ1と、前記電流駆動型半導体スイッチ8をドライブさせるための電源Ecと、前記電源Ecと前記電流駆動型半導体スイッチ8のゲート端子の間に接続され温度により抵抗値が変化する可変抵抗9を備え、前記可変抵抗9は、モータ温度Tmと略等しくなるように密閉型圧縮機3の外郭に配置され、負荷への供給電源ELから前記電流駆動型半導体スイッチ8に流せる最大電流が前記モータ1の減磁電流より小さくなるようにゲート電流Igが調整される温度特性を有する。以上のように構成されたモータインバータ装置において、以下にその動作と、作用を説明する。まず、電流駆動型半導体スイッチ8にワイドバンドギャップ型の化合物半導体であるGaN窒化ガリウムを用いた場合、ゲート電流Igとドレイン電流Id、ドレインソース電圧Vdsには図3に示すような電気特性を有する。ここで、ゲート電流Ig_a、Ig_bの大小関係をIg_a>Ig_bとすると、電流駆動型半導体スイッチ8GaNに流すことのできる最大ドレイン電流Idmaxは、ゲート電流IgをIg_aに設定したときに流すことのできる最大ドレイン電流IdmaxIg=Ig_aの方がゲート電流IgをIg_bに設定したときに流すことのできる最大ドレイン電流IdmaxIg=Ig_bより大きくなる。つまり最大ドレイン電流Idmaxをゲート電流Igにより制限することができる。ここでまず、モータ1に用いられる永久磁石がフェライト磁石である場合について説明する。モータ1の温度をTm、モータ1の減磁電流をImとすると、図4に示すようにモータ温度Tmの上昇に伴い減磁電流Imが大きくなるような関係を有する。例えばモータ1の温度Tm=20°Cでの減磁電流をIm20°C、モータ1の温度Tm=80°Cでの減磁電流をIm80°Cとすると、その大小関係はIm20°C<Im80°Cとなりモータ1の温度Tmが高いほどモータ1に流すことのできる最大電流が高くなる。また、電流駆動型半導体スイッチ8GaNのゲート駆動用電源電圧をEc、温度により抵抗値が変化する可変抵抗9であるゲート抵抗値をRgとすると、ゲート抵抗は密閉型圧縮機3の外郭に配置されるが、モータ温度Tmと相関関係があるため密閉型圧縮機3の外郭温度によりモータ温度Tmを概ね検知でき、モータ温度Tm=20°Cのゲート抵抗値Rg20°C、モータ温度Tm=80°Cのゲート抵抗値Rg80°Cとし、更にゲート抵抗値Rg20°C、Rg80°Cにおける電流駆動型半導体スイッチ8GaNの最大ドレイン電流IdmaxをそれぞれIdmaxIg=Ec/Rg20°C、IdmaxIg=Ec/Rg80°Cとすると、下記の関係式を満たす図5に示すような温度の上昇により抵抗値が減少する温度特性を有する可変抵抗9をゲート抵抗Rgとして用いることにより、過電流を抑制しモータ1の減磁を防止することができる。Im20°C>IdmaxIg=Ec/Rg20°CIm80°C>IdmaxIg=Ec/Rg80°CRg20°C>Rg80°C次に、モータ1に用いられる永久磁石がネオジウム磁石である場合について説明する。モータ1の温度をTm、モータ1の減磁電流をImとすると、図6に示すようにモータ温度Tmの上昇に伴い減磁電流Imが小さくなるような関係を有する。例えばモータ1の温度Tm=20°Cでの減磁電流をIm20°C、モータ1の温度Tm=80°Cでの減磁電流をIm80°Cとすると、その大小関係はIm20°C>Im80°Cとなりモータ1の温度Tmが高いほどモータ1に流すことのできる最大電流が低くなる。また、モータ温度Tm=20°Cのゲート抵抗値Rg20°C、モータ温度Tm=80°Cのゲート抵抗値Rg80°Cとし、更にゲート抵抗値Rg20°C、Rg80°Cにおける電流駆動型半導体スイッチ8GaNの最大ドレイン電流IdmaxをそれぞれIdmaxIg=Ec/Rg20°C、IdmaxIg=Ec/Rg80°Cとすると、下記の関係式を満たす図7に示すような温度の上昇により抵抗値が増加する温度特性を有する可変抵抗9をゲート抵抗Rgとして用いることにより、過電流を抑制しモータ1の減磁を防止することができる。Im20°C>IdmaxIg=Ec/Rg20°CIm80°C>IdmaxIg=Ec/Rg80°CRg20°C<Rg80°Cこのようにゲート電流Igによる最大ドレイン電流Idmaxの制限はモータ電流を検出して予め設定された基準値と比較し、過電流を抑制するといった動作的な遅延がない。このため図10、図11に示されるモータ1の減磁電流と設定する過電流上限値の差ΔIを図4、図6に示すように小さく設定できΔI>ΔI1、結果として運転動作範囲を広げることが出来る。また、電流駆動型半導体スイッチ8GaNのドライブ損失に関して、最大ドレイン電流Idmax1、Idmax2の大小関係をIdmax1>Idmax2とした場合、それぞれの最大ドレイン電流Idmax1、Idmax2を流すために必要なゲート電流IgをIg1、Ig2とするとその大小関係はIg1>Ig2となる。よってモータ温度Tmにより最大ドレイン電流が変動する場合、図8、図9に示すようにモータ温度Tmにより最大ドレイン電流を制限するゲート電流Igを調整する。これによりドライブ損失の大小関係もEcIg1>EcIg2となり最大ドレイン電流の値によってドライブ損失が増減する。このためエアコンをはじめとする冷蔵庫、洗濯機、掃除機等のようにインバータ部7が設置される環境温度、雰囲気温度つまりモータ温度Tmが季節夏冬や時間帯昼夜、地域場所により大きく変動し、更にインバータ運転によりインバータ動作電流が大きく変動する場合において、常時最大ドレイン電流値や最もドレイン電流を流しにくい条件温度を想定してゲート電流を設定する必要がなく、ドレイン電流や温度により必要となる電流値に調整されたゲート電流を供給することで駆動回路における動作損失を抑制することができる。なお、従来の過電流抑制手法と併用した場合、動作的な遅延に対する自由度が高まる。よって例えば電流検出回路6の高速化高精度化が不要となるためより安価で信頼性の高い電流制限、過電流抑制を行えるモータインバータ装置を提供できる。以上のようにモータの温度Tmにより抵抗値が変化する可変抵抗9を用いて、電流駆動型半導体スイッチ8のゲート電流調整による最大ドレイン電流を制限することで、モータ温度Tmによって変化するモータ減磁特性に応じたモータ電流の過電流抑制を行うことができる。