"絶縁性基板上に、第1透明電極と、pin構造またはnip構造の多結晶シリコン層と、第2透明電極とが少なくとも順次積層されてなる太陽電池であり、いずれかのi型多結晶シリコン層と、該i型多結晶シリコンに対して前記絶縁性基板に近い側に隣接するp型シリコン層またはn型シリコン層との間に、5×1019/cm3以上の酸素原子が含まれることを特徴とする太陽電池。200°C程度の低温プロセスで形成される薄膜結晶系シリコンは、小粒径の結晶相とアモルファス相とから構成されている。微結晶シリコン成膜の製膜においては、通常、原料であるシランを水素で高希釈した混合ガスが用いられる。しかし、発電層であるi層を成膜する際に過度に水素リッチの原料ガスを用いると、多量の結晶核が生成し、この結晶核から結晶が成長して粒径の小さな微結晶粒が生成する。このように微結晶粒が増えると、Si層の膜厚方向と交差する方向に延びる結晶粒界が多くなって欠陥が増大し、キャリアの再結合が促進されてキャリアが短寿命となり、電池特性を向上させることが困難になる。微結晶シリコンにおいては、一定のアモルファス成分が欠陥を電気的に不活性化し、キャリアの再結合を抑制する効果があることが報告されている。しかし、成長初期において結晶核の生成が少な過ぎて、i層初期がアモルファス成分が過多となる場合も電池特性に好ましくない影響を与える。Si層中の結晶粒を適切に成長させる手段としては、i層を成膜する際に、結晶核生成と結晶成長を独立に制御すべく、成膜中に成膜条件を切り換える二段階式成膜法が知られているが、この二段階式成膜法をもってしても、結晶粒界を減少させるには不十分であった。また、光電変換効率を向上させるには、i層中の欠陥を減少させる以外にi層を挟むn層またはp層の導電率を高めればよいことも知られている。そのために、熱処理は有効な方法である。しかし、p-i-n層を成膜した後に、熱処理を行うと、場合によってはn層およびp層のドーパントがi層に拡散し、結果的に光電変換効率が低下するといった問題があった。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、i層における膜厚方向の結晶粒径を大きくして、成長方向の粒界を減少させ、キャリアの再結合を抑制することにより、光電変換効率を向上させることが可能な太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。また本発明は、i層の特性を変えることなく、n層及びp層の導電率を高めることで、光電変換効率を向上させることが可能な太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。更に本発明は、n層及びp層の導電率が高く、しかもi層における膜厚方向の結晶粒径が大きく、光電変換効率が高い太陽電池を提供することを目的とする。上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。本発明の参考例とされる太陽電池の製造方法は、絶縁性基板上に、第1透明電極と、p型シリコン層、n型シリコン層及びi型シリコン層からなるpin構造またはnip構造の多結晶シリコン層と、第2透明電極と裏面電極とを少なくとも順次積層してなる太陽電池の製造方法であり、p型シリコン層またはn型シリコン層を積層してから熱処理を行い、続いてp型シリコン層またはn型シリコン層上にi型シリコン層を積層し、更にi型シリコン層上にn型シリコン層またはp型シリコン層を積層することにより、前記pin構造またはnip構造の多結晶シリコン層を形成することを特徴とする。なお、ここでいう多結晶シリコンは、例えば200°C程度の低温でプラズマCVDにより製膜されるもので、微結晶シリコンを含む。この構成により、第1透明電極上のp型シリコン層またはn型シリコン層に含まれるドーパントを活性化させて、p型シリコン層またはn型シリコン層の導電率を向上させることができ、また、それぞれのフェルミ準位をバンドギャップの価電子帯p型、または伝導帯n型に近づけることで内蔵電位を増大させて、光電変換効率に優れた太陽電池を製造できる。また、i型シリコン層を積層する前に熱処理をするので、第1透明電極上のp型シリコン層またはn型シリコン層に含まれるドーパントが、i型シリコン層に拡散するおそれがなく、太陽電池の特性を低下させることがない。また、本発明の参考例とされる太陽電池の製造方法は、絶縁性基板上に、第1透明電極と、p型シリコン層、n型シリコン層及びi型シリコン層からなるpin構造またはnip構造の多結晶シリコン層と、第2透明電極とを少なくとも順次積層してなる太陽電池の製造方法であり、p型シリコン層またはn型シリコン層を積層してから減圧酸素雰囲気中で熱処理を行い、続いてp型シリコン層またはn型シリコン層上にi型シリコン層を積層し、更にi型シリコン層上にn型シリコン層またはp型シリコン層を積層することにより、前記pin構造またはnip構造の多結晶シリコン層を形成することを特徴とする。なお、本発明において、減圧酸素雰囲気とは、雰囲気中に含まれる気体がすべて酸素であって圧力が大気圧以下のものと、雰囲気中に含まれる気体が酸素と不活性ガスとの混合ガスであって圧力が大気圧以下のものと、を含む。また、圧力は、0.1~760Torr13Pa~0.1MPaの範囲が好ましい。この構成により、第1透明電極上のp型シリコン層またはn型シリコン層に含まれるドーパントを活性化させてp型シリコン層またはn型シリコン層の導電率を向上させることができ、光電変換効率に優れた太陽電池を製造できる。また、i型シリコン層を積層する前に熱処理をするので、第1透明電極上のp型シリコン層またはn型シリコン層に含まれるドーパントが、i型シリコン層に拡散するおそれがなく、太陽電池の特性を低下させることがない。更に、減圧酸素雰囲気中で熱処理することで、第1電極上のp型シリコン層上またはn型シリコン層上に酸化膜が形成される。この酸化膜上にi型シリコン層が形成されることにより、i型シリコン層における初期結晶核の生成を適切に抑制することができる。その結果、多結晶シリコン層の膜厚方向への結晶粒の成長を促進させることができる。これにより、i型シリコン層におけるキャリアの再結合が抑制された太陽電池の特性を向上することができる。また、本発明の参考例とされる太陽電池の製造方法においては、前記熱処理は80°C以上250°C以下の温度範囲で行われることが好ましい。より好ましくは、前記熱処理は100°C以上220°C以下の温度範囲で行うことが好ましく、更に好ましくは100°C以上150°C以下の温度範囲で行われる。この構成により、光電変換特性に優れた太陽電池を製造することができる。また、本発明の参考例とされる太陽電池の製造方法においては、前記第1透明電極または前記第2透明電極と、前記pin構造またはnip構造の多結晶シリコン層との間に、pin構造またはnip構造のアモルファスシリコン層を積層しタンデム構造としてもよい。ここでアモルファスシリコン層のうちpあるいはn層は結晶成分を含んでもかまわない。また、本発明の参考例とされる太陽電池の製造方法においては、前記pin構造またはnip構造の多結晶シリコン層に、pin構造またはnip構造の別の多結晶シリコン層を更に積層しトリプル構造としてもよい。ここでアモルファスシリコン層のうちpあるいはn層は結晶成分を含んでもかまわない。また、本発明の参考例とされる太陽電池の製造方法においては、前記のpin構造またはnip構造の別の多結晶シリコン層を形成する際に、p型シリコン層またはn型シリコン層を積層してから熱処理を行い、続いてp型シリコン層またはn型シリコン層上にi型シリコン層を積層し、更にi型シリコン層上にn型シリコン層またはp型シリコン層を積層してもよい。また、本発明の参考例とされる太陽電池の製造方法においては、前記のpin構造またはnip構造の別の多結晶シリコン層を形成する際に、p型シリコン層またはn型シリコン層を積層してから減圧酸素雰囲気中または乾燥空気雰囲気中で熱処理を行い、続いてp型シリコン層またはn型シリコン層上にi型シリコン層を積層し、更にi型シリコン層上にn型シリコン層またはp型シリコン層を積層してもよい。次に本発明の参考例とされる太陽電池は、絶縁性基板上に、第1透明電極と、pin構造またはnip構造の多結晶シリコン層と、第2電極とが少なくとも順次積層されてなる太陽電池であり、前記多結晶シリコン層は、p型シリコン層またはn型シリコン層と、i型シリコン層と、n型シリコン層またはp型シリコン層とが順次積層されてなり、該i型シリコン層の前記絶縁性基板側にあるp型シリコン層またはn型シリコン層が熱処理されてなることを特徴とする。p型シリコン層またはn型シリコン層が熱処理されることにより、第1透明電極上のp型シリコン層またはn型シリコン層に含まれるドーパントが活性化されて、p型シリコン層またはn型シリコン層の導電率を向上させることができ、また、それぞれのフェルミ準位をバンドギャップの価電子帯p型、または伝導帯n型に近づけることで内蔵電位を増大させ、これにより、太陽電池の光電変換効率を向上させることができる。また本発明の太陽電池は、絶縁性基板上に、第1透明電極と、pin構造またはnip構造の多結晶シリコン層と、第2透明電極と裏面電極が少なくとも順次積層されてなる太陽電池であり、前記多結晶シリコン層は、p型シリコン層またはn型シリコン層と、i型シリコン層と、n型シリコン層またはp型シリコン層とが順次積層されてなり、前記i型シリコン層と、該i型シリコン層の前記絶縁性基板側にあるp型シリコン層またはn型シリコン層との界面に、5×1019/cm3以上の酸素原子を含むことを特徴とする。第1電極上のp型シリコン層上またはn型シリコン層上に酸化膜が形成されることにより、i型シリコン層における結晶核の生成を減少させて微細結晶粒の析出を防ぐことができる。その結果、多結晶シリコン層の膜厚方向への結晶粒の成長を促進させることができる。これにより、i型シリコン層におけるキャリアの再結合が抑制されて太陽電池の電池特性を向上させることができる。また本発明の参考例とされる太陽電池は、先に記載の太陽電池であり、前記酸化膜は、前記第1電極上に前記p型シリコン層または前記n型シリコン層が積層されてから減圧酸素雰囲気中あるいは乾燥空気雰囲気中で熱処理されることにより形成されたものであることを特徴とする。p型シリコン層またはn型シリコン層が減圧酸素雰囲気中または乾燥空気雰囲気中で熱処理されることにより、第1透明電極上のp型シリコン層上またはn型シリコン層上に酸化膜が形成される。この酸化膜上にi型シリコン層が形成されることにより、i型シリコン層における結晶核の生成を適度に抑制することができる。その結果、多結晶シリコン層の膜厚方向への結晶粒の成長を促進させることができる。これにより、i型シリコン層におけるキャリアの再結合が抑制されて太陽電池の電池特性を向上させることができる。以上説明したように、本発明の参考例とされる太陽電池の製造方法によれば、i型シリコン層を積層する前に第1透明電極上のn型シリコン層またはp型シリコン層を熱処理することで、i型シリコン層の特性を変えることなくn型シリコン層またはp型シリコン層の導電率を高めることができ、光電変換効率に優れた太陽電池を製造することができる。また、本発明の参考例とされる太陽電池の製造方法によれば、i型シリコン層の下地膜として酸化膜を形成することで、i層における膜厚方向の結晶粒径を大きくしてキャリアの再結合を抑制することができ、光電変換効率に優れた太陽電池を製造することができる。更に本発明の参考例とされる太陽電池によれば、i型シリコン層の特性を変えることなくn型シリコン層またはp型シリコン層の導電率を高めることができ、太陽電池の光電変換効率を向上できる。また、i型シリコン層の下地膜として酸化膜を形成することで、i型シリコン層における膜厚方向の結晶粒径を大きくしてキャリアの再結合を抑制することができ、太陽電池の光電変換効率を向上できる。第1の参考実施形態本発明の参考例に係る絶縁性基板側から光を入射するタイプの太陽電池の製造方法について図1を参照して説明する。第1工程透明絶縁性基板絶縁性基板11上に第1透明電極12を形成する。透明絶縁性基板11には、例えば光透過を示す白板ガラスが用いられる。第1透明電極12は、例えば酸化錫SnO2、酸化亜鉛ZnOのような金属酸化物から作られる。なお、後述する多結晶シリコン層の製造過程で用いる水素による第1透明電極12の還元を抑制するため、数十nmの厚さの酸化亜鉛膜を第1透明電極12上へ形成してもよい。第2工程次に、プラズマCVD装置の陽極に、第1透明電極12が形成された透明絶縁性基板11を被処理物として保持させた状態で、被処理物を反応容器に収納した後、真空ポンプを作動して前記反応容器内を真空排気する。つづいて、陽極に内蔵された加熱ヒーターに通電し、前記被処理物の基板を例えば160°C以上に加熱する。そして、反応容器内に原料ガスであるSiH4、H2およびp型不純物ガスを導入し、反応容器内を所定の圧力に制御する。そして、高周波電源から高周波電力を放電用電極に供給することにより前記放電用電極と前記被処理物の間にプラズマを発生させ、前記被処理物の第1透明電極12上に多結晶のp型シリコン層13を成膜する。前記p型不純物ガスとしては、例えばB2H6等を用いることができる。第3工程次に、p型シリコン層13が成膜された透明絶縁性基板11を、熱処理装置に移す。そして、熱処理装置内を、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気にする。その後、p型シリコン層13が成膜された透明絶縁性基板11を、80°C以上250°Cの範囲、より好ましくは100°C以上220°C以下の温度で0.5~10分程度加熱して熱処理する。この熱処理により、p型シリコン層13に含まれるボロンなどのドーパントを活性化させ、p型シリコン層の導電率を向上させ、また内蔵電位を増大させることができる。熱処理温度が80°C未満であると、p型シリコン層13に含まれるドーパントの活性化に長時間必要となる。また熱処理温度が250°Cを越えると、透明導電膜/p層界面等が変質する恐れがあるので好ましくない。更に、真空雰囲気とする場合に1Torr以下133Pa程度とする。第4工程p型シリコン層13を熱処理した後、再び透明絶縁性基板11をプラズマCVD装置の反応容器に収納し、反応容器内を真空排気する。つづいて、反応容器内に原料ガスであるSiH4とH2との混合ガスを導入し、反応容器内の所定の圧力に制御する。そして、超高周波電源から周波数が60MHz以上の超高周波電力を放電用電極に供給することにより、前記放電用電極と前記被処理物の間にプラズマを発生させ、前記被処理物のp型シリコン層13の上にi型シリコン層14を成膜する。また、反応容器内にプラズマを発生させる際の圧力は、0.5~10Torrの範囲、より好ましくは1.0~6.0Torrの範囲に設定することが望ましい。第5工程i型シリコン層14を成膜した後、原料ガスの供給を停止し、反応容器内を真空排気する。つづいて、この反応容器内に原料ガスであるSiH4、H2およびn型不純物ガスPH3等を導入し、反応容器内の所定の圧力に制御する。そして、超高周波電源から超高周波電力を放電用電極に供給することにより放電用電極と被処理物の間にプラズマを発生させ、i型シリコン層14上にn型シリコン層15を成膜する。この後、前記被処理物をプラズマCVD装置から取り出し、n型シリコン層15上に第2透明電極16および裏面電極17を順次形成して太陽電池を製造する。この太陽電池は、透明絶縁性基板11側から太陽光のような光を入射させて前記pin構造の多結晶シリコン層で光電変換させることにより起電される。なお前記n型不純物ガスとしては、例えばPH3等を用いることができる。また第2透明電極16は、例えば酸化インジウム錫ITO、あるいは酸化亜鉛ZnOから作られる。更に裏面電極17は、例えばAlあるいはAgから作られる。なお、太陽電池の製造において第1透明電極12側からp型、i型、n型のシリコン層13,14,15を順次成膜してpin構造としたが、n型、i型、p型のシリコン層を順次成膜してnip構造としてもよい。この場合、n型シリコン層を成膜してからi型シリコン層を成膜する前に、熱処理を行うことが望ましい。また、第1透明電極12とpin構造またはnip構造を持つ多結晶シリコン層との間に、p、i、nの配列が多結晶シリコン層と同様なpin構造またはnip構造を持つアモルファスシリコン層を配置してもよい。この場合、pin構造またはnip構造を持つアモルファスシリコン層を成膜し、その後、p型またはn型シリコン層を成膜した後に、熱処理を行うことが望ましい。なお、ここでアモルファスシリコン層のうちpあるいはn層は結晶成分を含んでもかまわない。更に、第1透明電極12とpin構造またはnip構造の多結晶シリコン層との間に、p、i、nの配列が多結晶シリコン層と同様なpin構造またはnip構造を持つアモルファスシリコン層を配置するとともに、第2透明電極16とpin構造またはnip構造を持つ多結晶シリコン層との間に、p、i、nの配列が多結晶シリコン層と同様な別のpin構造またはnip構造を持つ多結晶シリコン層を配置してもよい。この場合、多結晶p型またはn型シリコン層を成膜してから熱処理を行うとともに、別の多結晶シリコン層を成膜する際において最初のp型またはn型シリコン層を成膜してから熱処理を行うことが望ましい。以上、本実施形態によれば、第1透明電極12上にp型シリコン層またはn型シリコン層を成膜した後にp型またはn型シリコン層を熱処理するので、p型シリコン層またはn型シリコン層に含まれるドーパントを活性化させてp型シリコン層またはn型シリコン層の導電率を向上させることができ、光電変換効率に優れた太陽電池を製造できる。また、i型シリコン層14を積層する前に熱処理をするので、第1電極12上のp型シリコン層またはn型シリコン層に含まれるドーパントが、i型シリコン層14に拡散するおそれがなく、i型シリコン層14の特性を低下させることがない。また、前記熱処理を80°C以上250°C以下の温度範囲で行うことにより、光電変換特性に優れた太陽電池を製造することができる。第1の実施形態次に、本発明の第1の実施形態である太陽電池の製造方法について説明する。なお、本実施形態の太陽電池の製造方法は、先に説明した第1の参考実施形態の太陽電池の製造方法と比べて、第1透明電極を形成した後のp型またはn型シリコン層の熱処理の際に、減圧酸素雰囲気中あるいは乾燥空気雰囲気中で熱処理する点が異なっている。従って、本実施形態では、p型またはn型シリコン層の熱処理の工程について詳細に説明し、その他の工程については第1の実施形態の各工程と同様であるのでその詳細な説明を省略する。まず、第1工程として、透明絶縁性基板絶縁性基板上に第1透明電極第1電極を形成する。次に、第2工程として、プラズマCVD装置を用いて、第1透明電極上に多結晶のp型シリコン層を成膜する。次に、第3工程として、p型シリコン層が成膜された透明絶縁性基板を熱処理装置に移し、熱処理装置内を、0.1~760Torr13Pa~0.1MPa程度の減圧酸素雰囲気とする。そして、p型シリコン層が成膜された透明絶縁性基板を、80°C以上250°C以下の範囲、より好ましくは100°C以上220°C以下の温度で0.5~10分程度加熱して熱処理する。この熱処理により、p型シリコン層に含まれるボロンなどのドーパントが活性化されて、p型シリコン層の導電率が向上する。また、p型シリコン層の表面が酸化されて極薄の酸化シリコン層酸化膜が形成される。後述するように、この酸化シリコン層上にi型シリコン層が成膜されることにより、i型シリコン層における結晶核の生成量が適切に抑制されてi型シリコン層に微結晶粒が析出しにくくなる。減圧酸素雰囲気の圧力を0.1Torr13Pa未満にすると、それに見合う効果が得られないので好ましくなく、圧力が760Torr0.1MPaを越えるとp型シリコン層13の表面に厚い酸化膜が形成されてしまい、p型シリコン層とi型シリコン層との間に高抵抗が直列に繋がることになり、光電変換効率が低下するおそれがあるので好ましくない。また、熱処理温度が80°C未満であると、p型シリコン層に含まれるドーパントの活性化に長時間必要となり、生産性の低下を招く。250°Cを超えると、酸化膜厚が厚くなりすぎると共に、透明導電膜とp層との界面が変質する等の恐れがあり、好ましくない。次に、第4工程として、p型シリコン層を熱処理した後、再び透明絶縁性基板を別のプラズマCVD装置に収納し、反応容器内を真空排気する。つづいて、反応容器内に原料ガスであるSiH4とH2との混合ガスを導入し、反応容器内の所定の圧力に制御する。そして、高周波電源から周波数が60MHz以上の高周波電力を放電用電極に供給することにより、前記放電用電極と前記被処理物の間にプラズマを発生させ、前記被処理物のp型シリコン層の上にi型シリコン層を成膜する。p型シリコン層上には先の熱処理によって極薄の酸化シリコン層が形成されている。従ってi型シリコン層は、酸化シリコン層上で成膜される。このように、酸化シリコン層上で成長することにより、i型シリコン層における結晶核の生成量が適切に抑制される。結晶核の生成量が低下することで、結晶粒同士の衝突が抑制され、i型シリコン層における結晶粒の数が少なくなり、相対的に結晶粒自体が大きくなる。これにより、多結晶シリコン層の膜厚方向への結晶粒の成長が促進され、多結晶シリコン層の膜厚方向と交差する方向に延びる結晶粒界が少なくなって欠陥が減少し、i型シリコン層におけるキャリアの再結合が抑制される。反応容器内にプラズマを発生させる際の圧力は、0.5~10Torrの範囲、より好ましくは1.0~6.0Torrの範囲に設定することが望ましい。次に、第5工程として、プラズマCVD装置を用いて、i型シリコン層上にn型シリコン層を成膜する。この後、前記被処理物をプラズマCVD装置から取り出し、n型シリコン層上に第2透明電極および裏面電極を順次形成して太陽電池を製造する。この太陽電池は、透明絶縁性基板側から太陽光のような光を入射させて前記pin構造の多結晶シリコン層で光電変換させることにより起電される。なお、本実施形態では、第1透明電極側からp型、i型、n型のシリコン層を順次成膜してpin構造としたが、n型、i型、p型のシリコン層を順次成膜してnip構造としてもよい。この場合、n型シリコン層を成膜してからi型シリコン層を成膜する前に、減圧酸素雰囲気中または乾燥空気雰囲気中で熱処理を行うことが望ましい。また、第1透明電極とpin構造またはnip構造を持つ多結晶シリコン層との間に、p、i、nの配列が多結晶シリコン層と同様なpin構造またはnip構造を持つアモルファスシリコン層を配置してもよい。この場合、pin構造またはnip構造を持つアモルファスシリコン層を成膜し、その後、p型またはn型シリコン層を成膜した後に、熱処理を行うことが望ましい。なお、ここでアモルファスシリコン層のうちp層あるいはn層は結晶成分を含んでもかまわない。更に、第1透明電極とpin構造またはnip構造の多結晶シリコン層との間に、p、i、nの配列が多結晶シリコン層と同様なpin構造またはnip構造を持つアモルファスシリコン層を配置するとともに、第2透明電極とpin構造またはnip構造を持つ多結晶シリコン層との間に、p、i、nの配列が多結晶シリコン層と同様な別のpin構造またはnip構造を持つ多結晶シリコン層を配置してもよい。この場合、第1透明電極上にp型またはn型シリコン層を成膜してから熱処理を行うとともに、別の多結晶シリコン層を成膜する際において最初のp型またはn型シリコン層を成膜してから熱処理を行うことが望ましい。なお、ここでアモルファスシリコン層のうちp層あるいはn層は結晶成分を含んでもかまわない。更に、上記構造に含まれるp型シリコン層とn型シリコン層とが隣接する界面において、先にp型シリコン層またはn型シリコン層が成膜された時点で熱酸化処理を行い、後のn型シリコン層またはp型シリコン層を成膜することが好ましい。本実施形態の太陽電池の製造方法によれば、第1の実施形態の効果と同様な効果が得られるとともに、下記の効果も得られる。即ち、本実施形態の太陽電池の製造方法によれば、減圧酸素雰囲気中または乾燥空気雰囲気中で熱処理することで、第1電極上のp型シリコン層上またはn型シリコン層上に極薄の酸化シリコン層が形成され、この酸化シリコン層上にi型シリコン層が形成されることにより、i型シリコン層における結晶核の生成を適切に抑制し、結晶粒同士の衝突を減少させ、多結晶シリコン層の膜厚方向への結晶粒の成長を促進させることで、膜厚方向を横切る粒界を減少させることができる。これにより、i型シリコン層におけるキャリアの再結合が抑制されて電池特性を向上させることができる。第2の参考実施形態本発明に係る第2透明電極側から光を入射するタイプの太陽電池の製造方法について、図16を参照して説明する。第1工程例えば光透過を示す白板ガラスの透明絶縁性基板11絶縁性基板上に例えばAlまたはAgからなる裏面電極18を形成した後、この裏面電極18上に例えば酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム錫ITOのような金属酸化物から作られる第1透明電極19を形成する。第2工程次に、プラズマCVD装置の陽極に、第1透明電極19が形成された透明絶縁性基板11を被処理物として保持させた状態で、被処理物を反応容器に収納した後、真空ポンプを作動して前記反応容器内を真空排気する。つづいて、陽極に内蔵された加熱ヒーターに通電し、前記被処理物の基板を例えば160°C以上に加熱する。そして、反応容器内に原料ガスであるSiH4、H2およびp型不純物ガスを導入し、反応容器内を所定の圧力に制御する。そして、超高周波電源から超高周波電力を放電用電極に供給することにより前記放電用電極と前記被処理物の間にプラズマを発生させ、前記被処理物の第1透明電極12上に多結晶のp型シリコン層13を成膜する。前記p型不純物ガスとしては、例えばB2H6等を用いることができる。第3工程次に、p型シリコン層13が成膜された透明絶縁性基板11を、熱処理装置に移す。そして、熱処理装置内を、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気にするか、あるいは1Torr以下133Pa程度の真空雰囲気とする。なお、真空雰囲気とする場合も背圧ガスは不活性ガスにすることが好ましい。そして、p型シリコン層13が成膜された透明絶縁性基板11を、80°C以上250°Cの範囲、より好ましくは100°C以上220°C以下の温度で0.5~10分程度加熱して熱処理する。この熱処理により、p型シリコン層13に含まれるボロンなどのドーパントを活性化させ、p型シリコン層の導電率を向上させることができる。熱処理温度が80°C未満であると、p型シリコン層13に含まれるドーパントの活性化に長時間かかり、生産性が低下する。また熱処理温度が250°Cを越えると、それに見合う効果が得らないので好ましくない。更に、真空雰囲気とする場合に圧力を1Torr133Pa未満にするのは、酸素や水分等の残留ガス成分による再現性が低下することを抑えるためである。第4工程p型シリコン層13を熱処理した後、再び透明絶縁性基板11をプラズマCVD装置の反応容器に収納し、反応容器内を真空排気する。つづいて、反応容器内に原料ガスであるSiH4とH2との混合ガスを導入し、反応容器内の所定の圧力に制御する。そして、超高周波電源から周波数が60MHz以上の超高周波電力を放電用電極に供給することにより、前記放電用電極と前記被処理物の間にプラズマを発生させ、前記被処理物のp型シリコン層13の上にi型シリコン層14を成膜する。また、反応容器内にプラズマを発生させる際の圧力は、0.5~10Torrの範囲、より好ましくは1.0~6.0Torrの範囲に設定することが望ましい。第5工程i型シリコン層14を成膜した後、原料ガスの供給を停止し、反応容器内を真空排気する。つづいて、別の反応容器内に透明絶縁性基板11を収納して、真空排気を行った後、この反応容器内に原料ガスであるSiH4、H2およびn型不純物ガスPH3等を導入し、反応容器内の所定の圧力に制御する。そして、超高周波電源から超高周波電力を放電用電極に供給することにより放電用電極と被処理物の間にプラズマを発生させ、i型シリコン層14上にn型シリコン層15を成膜する。この後、前記被処理物をプラズマCVD装置から取り出し、p型シリコン層15上に例えば酸化亜鉛、酸化インジウム錫ITOのよう金属酸化物からなる第2透明電極21を形成し、更に集電電極23を形成して太陽電池を製造する。この太陽電池は、第2透明電極側から太陽光のような光を入射させて前記pin構造の多結晶シリコン層で光電変換させることにより起電される。なお、太陽電池の製造において第1透明電極側からp型、i型、n型のシリコン層13,14,15を順次成膜してpin構造としたが、n型、i型、p型のシリコン層を順次成膜してnip構造としてもよい。この場合、n型シリコン層を成膜してからi型シリコン層を成膜する前に、熱処理を行うことが望ましい。また、第2透明電極21とpin構造またはnip構造を持つ多結晶シリコン層との間に、p、i、nの配列が前記微結晶シリコン層または多結晶シリコン層と同様なpin構造またはnip構造を持つアモルファスシリコン層を配置してもよい。この場合、pin構造またはnip構造を持つアモルファスシリコン層を成膜し、その後、p型またはn型シリコン層を成膜した後に、熱処理を行うことが望ましい。なお、ここでアモルファスシリコン層のうちp層あるいはn層は結晶成分を含んでもかまわない。更に、第1透明電極19上にpin構造またはnip構造を持つ多結晶シリコン層を形成し、更にその上にp、i、nの配列が多結晶シリコン層と同様な別のpin構造またはnip構造を持つ多結晶シリコン層を積層し、更にp、i、nの配列が前記多結晶シリコン層と同様なpin構造またはnip構造を持つアモルファスシリコン層を積層しても良い。この場合、第1透明電極上のp型またはn型シリコン層を成膜してから熱処理を行うとともに、別の多結晶シリコン層を成膜する際において最初のp型またはn型シリコン層を成膜してから熱処理を行うことが望ましい。なお、ここでアモルファスシリコン層のうちp層あるいはn層は結晶成分を含んでもかまわない。更に、上記構造に含まれるp型シリコン層とn型シリコン層とが隣接する界面において、先にp型シリコン層またはn型シリコン層が成膜された時点で熱酸化処理を行い、後のn型シリコン層またはp型シリコン層を成膜することが好ましい。本実施形態の太陽電池の製造方法によれば、第1の参考実施形態の効果と同様な効果が得られる。第2の実施形態次に、本発明の第2の実施形態である太陽電池の製造方法について説明する。なお、本実施形態の太陽電池の製造方法は、先に説明した第2の実施形態の太陽電池の製造方法と比べて、第1透明電極を形成した後のp型またはn型シリコン層の熱処理の際に、減圧酸素雰囲気中または乾燥空気雰囲気中で熱処理する点が異なっている。従って、本実施形態では、p型またはn型シリコン層の熱処理の工程について詳細に説明し、その他の工程については第2の参考実施形態の各工程と同様であるのでその詳細な説明を省略する。まず、第1工程として、透明絶縁性基板絶縁性基板上に裏面電極及び第1透明電極第1電極を形成する。次に、第2工程として、プラズマCVD装置を用いて、第1透明電極上に多結晶のp型シリコン層を成膜する。次に、第3工程として、p型シリコン層が成膜された透明絶縁性基板を熱処理装置に移し、熱処理装置内を、0.1~760Torr13Pa~0.1MPa程度の減圧酸素雰囲気または乾燥空気雰囲気とする。そして、p型シリコン層が成膜された透明絶縁性基板を、80°C以上250°Cの範囲、より好ましくは100°C以上220°C以下の温度で0.5~10分程度加熱して熱処理する。この熱処理により、p型シリコン層に含まれるボロンなどのドーパントが活性化されて、p型シリコン層の導電率が向上する。また、p型シリコン層の表面が酸化されて極薄の酸化シリコン層が形成される。後述するように、この酸化シリコン層上にi型シリコン層が成膜されることにより、i型シリコン層における結晶核の生成量が適切に抑制されi型シリコン層の粒径が増大する。減圧酸素雰囲気または乾燥空気雰囲気の圧力を0.1Torr13Pa未満にするのは、それに見合う効果が得られないので好ましくなく、圧力が760Torr0.1MPaを越えるとp型シリコン層13の表面に厚い酸化膜が形成されてしまい、p型シリコン層とi型シリコン層との間に高い抵抗が直列に接続されて、光電変換効率が低下するおそれがあるので好ましくない。また、熱処理温度が80°C未満であると、p型シリコン層に含まれるドーパントの活性化に長時間かかり生産性が低下する。250°Cを超えると、酸化膜厚が厚くなりすぎると共に、透明導電膜とp層との界面が変質する等の恐れがあり、好ましくない。次に、第4工程として、p型シリコン層を熱処理した後、再び透明絶縁性基板を別のプラズマCVD装置に収納し、反応容器内を真空排気する。つづいて、反応容器内に原料ガスであるSiH4とH2との混合ガスを導入し、反応容器内の所定の圧力に制御する。そして、超高周波電源から周波数が60MHz以上の超高周波電力を放電用電極に供給することにより、前記放電用電極と前記被処理物の間にプラズマを発生させ、前記被処理物のp型シリコン層の上にi型シリコン層を成膜する。p型シリコン層上には先の熱処理によって極薄の酸化シリコン層が形成されている。従ってi型シリコン層は、酸化シリコン層上に成長する。このように、酸化シリコン層上に成長することにより、i型シリコン層における結晶核の生成量が適切に抑制される。結晶核の生成量が適切に抑制されることで、i型シリコン層における結晶粒の数が少なくなり、相対的に結晶粒自体が大きくなる。これにより、多結晶シリコン層の膜厚方向への結晶粒の成長が促進され、多結晶シリコン層の膜厚方向と交差する方向に延びる結晶粒界が少なくなって欠陥が減少し、i型シリコン層におけるキャリアの再結合が抑制される。反応容器内にプラズマを発生させる際の圧力は、0.5~10Torrの範囲、より好ましくは1.0~6.0Torrの範囲に設定することが望ましい。次に、第5工程として、プラズマCVD装置を用いて、i型シリコン層上にn型シリコン層を成膜する。この後、前記被処理物をプラズマCVD装置から取り出し、n型シリコン層上に第2透明電極および裏面電極を順次形成して太陽電池を製造する。この太陽電池は、透明絶縁性基板側から太陽光のような光を入射させて前記pin構造の多結晶シリコン層で光電変換させることにより起電される。なお、本実施形態では、第1透明電極側からp型、i型、n型のシリコン層を順次成膜してpin構造としたが、n型、i型、p型のシリコン層を順次成膜してnip構造としてもよい。この場合、n型シリコン層を成膜してからi型シリコン層を成膜する前に、減圧酸素雰囲気中あるいは乾燥空気雰囲気中で熱処理を行うことが望ましい。また、第1透明電極とpin構造またはnip構造を持つ多結晶シリコン層との間に、p、i、nの配列が前記微結晶シリコン層または多結晶シリコン層と同様なpin構造またはnip構造を持つアモルファスシリコン層を配置してもよい。この場合、pin構造またはnip構造を持つアモルファスシリコン層を成膜し、その後、p型またはn型シリコン層を成膜した後に、熱処理を行うことが望ましい。なお、ここでアモルファスシリコン層のうちp層あるいはn層は結晶成分を含んでもかまわない。更に、第1透明電極上にpin構造またはnip構造を持つアモルファスシリコン層を形成し、更にその上にp、i、nの配列が多結晶シリコン層と同様な別のpin構造またはnip構造を持つ多結晶シリコン層を積層し、更にp、i、nの配列が前記多結晶シリコン層と同様なpin構造またはnip構造を持つ多結晶シリコン層を積層しても良い。この場合、p型またはn型多結晶シリコン層を成膜してから熱処理を行うとともに、別の多結晶シリコン層を成膜する際において最初のp型またはn型シリコン層を成膜してから熱処理を行うことが望ましい。なお、ここでアモルファスシリコン層のうちp層あるいはn層は結晶成分を含んでもかまわない。更に、上記構造に含まれるp型シリコン層とn型シリコン層とが隣接する界面において、先にp型シリコン層またはn型シリコン層が成膜された時点で熱酸化処理を行い、後のn型シリコン層またはp型シリコン層を成膜することが好ましい。本実施形態の太陽電池の製造方法によれば、第1の実施形態及び第1の実施形態の効果と同様な効果が得られる。次に、本発明の太陽電池及びその製造方法について、下記参考例1、実施例1~実施例12により更に詳細に説明する。参考例1、実施例1~6は透明絶縁基板側から光を入射させる太陽電池であり実施例7~実施例12は第2透明電極側から光を入射させる太陽電池である。参考例1参考例1では、多結晶シリコン層がpin構造であって不活性ガス雰囲気で熱処理された太陽電池について図1を参照して説明する。まず、光透過を有する白板ガラスからなる透明絶縁性基板11上に酸化錫SnO2からなる第1透明電極12を形成した。次いで、プラズマCVD装置内に、第1透明電極12が形成された透明絶縁性基板11を被処理物として収納し、真空ポンプを作動して真空雰囲気とした。つづいて、前記被処理物を160°Cに加熱した。加熱温度が十分安定した後、原料ガスであるSiH4、H2およびB2H6をそれぞれ3sccm、300sccm、0.016sccmの流量で導入し、反応容器1内を500mTorrの圧力に制御した。温度および圧力が十分安定した後、周波数100MHz、出力75Wの高周波電力を放電用電極に供給することにより前記放電用電極と前記被処理物の間にプラズマを発生させ、前記被処理物の第1透明電極12上に厚さ20nmのp型シリコン層13を成膜した。次に、p型シリコン層13が成膜された透明絶縁性基板11を、熱処理装置に移した。そして、熱処理装置内を、圧力10Torrの窒素雰囲気とした。そして、p型シリコン層13が成膜された透明絶縁性基板11を、200°Cで10分間加熱することにより熱処理した。次いで、プラズマCVD装置内に、熱処理後のp型シリコン層13が形成された透明絶縁性基板11を被処理物として収納し、真空ポンプを作動して真空雰囲気とした。別の反応容器に収納して、真空雰囲気とした。つづいて、前記被処理物を180°Cに加熱した。加熱温度が十分安定した後、原料ガスであるSiH4、H2それぞれ15sccm、300sccm、の流量で導入し、反応容器1内を1.0Torrの圧力に制御した。温度および圧力が十分安定した後、周波数100MHz、出力15Wの高周波電力を放電用電極に供給することにより前記放電用電極と前記被処理物の間にプラズマを発生させ、前記被処理物のp型シリコン層13上に厚さ1500nmのi型シリコン層14を成膜した。次に、真空ポンプを作動して真空雰囲気とした。さらに別の反応容器に収納して、真空雰囲気とし、つづいて、前記被処理物を170°Cに加熱した。加熱温度が十分安定した後、原料ガスであるSiH4、H2及びPH3をそれぞれ3sccm、300sccm、0.1sccmの流量で導入し、反応容器内を700mTorrの圧力に制御した。温度および圧力が十分安定した後、周波数60MHz、出力15Wの高周波電力を放電用電極に供給することにより前記放電用電極と前記被処理物の間にプラズマを発生させ、前記被処理物のi型シリコン層14上に厚さ30nmのn型シリコン層15を成膜した。この後、前記被処理物をプラズマCVD層の反応容器から取り出し、前記n型シリコン層15に酸化亜鉛からなる第2透明電極16およびAgからなる裏面電極17を順次形成して図1に示す太陽電池を製造した。比較例1p型シリコン層に対する熱処理を行わなかったこと以外は上記参考例1と同様にして比較例1の太陽電池を製造した。参考例1及び比較例1の太陽電池にそれぞれ、模擬太陽光スペクトル:AM1.5、照射強度:1kW/m2、試料温度:25°Cをそれらの透明絶縁性基板側から入射し、発電特性を評価した。その結果を表1に示す。表1には、各太陽電池の短絡電流密度JSC、開放電圧VOC、曲線因子FF並びに光電変換効率を、比較例1の測定値で標準化比較例1の測定値を1.0とするした相対値で示す。表1に示すように、参考例1の太陽電池は、比較例1の太陽電池に比べて、光電変換効率が大幅に上昇していることがわかる。また、短絡電流密度及び開放電圧についても向上していることがわかる。これは、参考例1の太陽電池を構成するp型シリコン層13が熱処理されてドーパントが活性化され、p型シリコン層13の導電率が向上したためである。実施例1実施例1では、多結晶シリコン層がpin構造であって減圧酸素雰囲気で熱処理された太陽電池について図1を参照して説明する。まず、光透過を有する白板ガラスからなる透明絶縁性基板11上に酸化錫SnO2からなる第1透明電極12を形成した。次いで、プラズマCVD装置内に、第1透明電極12が形成された透明絶縁性基板11を被処理物として収納し、真空ポンプを作動して真空雰囲気とした。つづいて、前記被処理物を160°Cに加熱した。加熱温度が十分安定した後、原料ガスであるSiH4、H2およびB2H6をそれぞれ3sccm、300sccm、0.016sccmの流量で導入し、反応容器1内を500mTorrの圧力に制御した。温度および圧力が十分安定した後、周波数100MHz、出力75Wの高周波電力を放電用電極に供給することにより前記放電用電極と前記被処理物の間にプラズマを発生させ、前記被処理物の第1透明電極12上に厚さ20nmのp型シリコン層13を成膜した。次に、p型シリコン層13が成膜された透明絶縁性基板11を、熱処理装置に移した。そして、熱処理装置内を、圧力1および10Torrの酸素雰囲気とした。そして、p型シリコン層13が成膜された透明絶縁性基板11を、100、150、200、280°Cで10分間加熱することにより熱処理した。このようにして、p型シリコン層13の上面に極薄の酸化シリコン層を形成した。次いで、プラズマCVD装置内に、熱処理後のp型シリコン層13が形成された透明絶縁性基板11を被処理物として収納し、真空ポンプを作動して真空雰囲気とした。つづいて、前記被処理物を180°Cに加熱した。加熱温度が十分安定した後、原料ガスであるSiH4及びH2をそれぞれ15sccm、300sccmの流量で導入し、反応容器内を1.0Torrの圧力に制御した。温度および圧力が十分安定した後、周波数100MHz、出力15Wの高周波電力を放電用電極に供給することにより前記放電用電極と前記被処理物の間にプラズマを発生させ、前記被処理物のp型シリコン層13上に厚さ1500nmのi型シリコン層14を成膜した。次に、真空ポンプを作動して真空雰囲気とした。別の反応容器に収納して、真空雰囲気とし、つづいて、前記被処理物を170°Cに加熱した。加熱温度が十分安定した後、原料ガスであるSiH4、H2及びPH3をそれぞれ3sccm、300sccm、0.1sccmの流量で導入し、反応容器1内を700mTorrの圧力に制御した。温度および圧力が十分安定した後、周波数100MHz、出力15Wの高周波電力を放電用電極に供給することにより前記放電用電極と前記被処理物の間にプラズマを発生させ、前記被処理物のi型シリコン層14上に厚さ30nmのn型シリコン層15を成膜した。この後、前記被処理物をプラズマCVD層の反応容器から取り出し、前記n型シリコン層15に酸化亜鉛からなる第2透明電極16およびAgからなる裏面電極17を順次形成して図1に示す太陽電池を製造した。1.0Torrの減圧酸素雰囲気中において150°Cで熱処理した太陽電池について、pin構造の多結晶シリコン層の断面を透過型電子顕微鏡TEMにより観察した。TEM像の模式図を図2に示す。図2に示すように、多結晶シリコン層10には、膜厚方向に沿って成長した結晶粒10aが多数含まれていることがわかる。この結晶粒10aの長手方向の結晶粒径dは0.9~1.2μmであった。一方、先の比較例1についても同様に多結晶シリコン層のTEM像を観察したところ、結晶粒の長手方向の結晶粒径は0.7μm以下であった。このように、実施例1の結晶粒の長手方向の粒径は、比較例1に対して20~50増加していた。以上説明したように、減圧酸素雰囲気中でp層表面が熱処理された太陽電池の多結晶シリコン層10は、膜厚方向に成長した結晶粒10aが多数存在するため、膜厚方向と直交する方向に延びる結晶粒界が少なく、キャリアの再結合が阻害されない構造であることがわかる。次に、実施例1及び上記の比較例1の太陽電池にそれぞれ、模擬太陽光スペクトル:AM1.5、照射強度:100mW/cm2、試料温度:25°Cをそれらの透明絶縁性基板側から入射し、発電特性を評価した。その結果を図3~図10に示す。図3は実施例1の太陽電池の短絡電流密度と熱処理温度との関係を示すグラフである。図4は実施例1の太陽電池の開放電圧と熱処理温度との関係を示すグラフである。図5は実施例1の太陽電池の曲線因子と熱処理温度との関係を示すグラフである。図6は実施例1の太陽電池の光電変換効率と熱処理温度との関係を示すグラフである。なお、図3~図6では酸素圧力を10Torrとした。また、図7は実施例1の太陽電池の短絡電流密度と雰囲気圧力との関係を示すグラフである。図8は実施例1の太陽電池の開放電圧と雰囲気圧力との関係を示すグラフである。図9は実施例1の太陽電池の曲線因子と雰囲気圧力との関係を示すグラフである。図10は実施例1の太陽電池の光電変換効率と雰囲気圧力との関係を示すグラフである。なお、図7~図10では熱処理温度を200°Cとした。図3~図10においては、各太陽電池の短絡電流密度JSC、開放電圧VOC、曲線因子FF並びに光電変換効率を、比較例1の測定値で標準化比較例1の測定値を1.0とするした相対値で示す。図3に示すように、短絡電流密度JSCについては、熱処理温度が100~150°Cの範囲で特に優れた値を示していることがわかる。また、熱処理温度が150~280°Cの範囲でも比較例1熱処理なしよりは良好な値を示していることがわかる。また図4に示すように、開放電圧については、処理温度が高くなるにつれて向上することがわかる。また図5に示すように、曲線因子については、処理温度が100~200°Cまでは比較例1熱処理なしと変わらず、200°Cを越えると比較例1より小さくなることがわかる。更に図6に示すように、光電変換効率については、処理温度が100~200°Cの範囲では比較例1より良好だが、200°Cを越えると低下することがわかる。次に、図7に示すように、短絡電流密度JSCについては、酸素圧力が低いほど特に優れた値を示していることがわかる。また図8に示すように、開放電圧については1Torrと10Torrでは差がないが、比較例1よりは明らかに向上していることがわかる。また図9に示すように、曲線因子については1Torrと10Torrでは比較例1より若干小さくなることがわかる。更に図10に示すように、光電変換効率については、酸素圧力が低いほど特に優れた値を示していることがわかる。ただし、これは、処理時間や処理温度との兼ね合いで必ずしも酸素圧力が低いほうが常に良いことを意味するものではない。以上のことから、熱処理温度については、100~200°Cの範囲が好ましく、特に150°Cが最も好ましいことがわかる。また、酸素圧力については、1~10Torrの範囲で効果があることがわかる。このように、多結晶シリコン層を形成する際に減圧酸素雰囲気中で熱処理することにより、結晶粒が膜厚の方向に沿って粒成長し、膜厚方向と直交する方向に延びる結晶粒界が減少し、キャリアの再結合が阻害された結果、光電変換効率=短絡電流密度×開放電圧×曲線因子が向上することがわかる。実施例2実施例2では、透明絶縁性基板側から光を入射するタイプでnip構造からなる多結晶シリコン層を具備してなり、減圧酸素雰囲気中で熱処理された太陽電池について図11を参照して説明する。図11に示すように、白板ガラスからなる透明絶縁性基板11上に酸化錫からなる第1透明電極12を形成した。つづいて、この第1透明電極12上に参考例1と同様な方法によりn型多結晶シリコン層15,i型多結晶シリコン層14、p型多結晶シリコン層13を積層した。n型多結晶シリコン層15を積層した後に、n型多結晶シリコン層15に対して実施例1と同様にして減圧酸素中で熱処理を行い、n型多結晶シリコン層15の上面に極薄の酸化シリコン層を形成した。ひきつづき、参考例1と同様な方法により酸化亜鉛からなる第2透明電極16およびAgからなる裏面電極17を順次形成して図11に示す太陽電池を製造した。実施例2の太陽電池に模擬太陽光スペクトル:AM1.5、照射強度:100mW/cm2、照射温度:25°Cをその透明絶縁性基板側から入射し、発電特性を評価した。その結果、実施例1と同様に優れた発電特性が得られた。実施例3この実施例3では、透明絶縁性基板側から光を入射するタイプでpin構造からなる多結晶シリコン層とpin構造からなるアモルファスシリコン層とを具備してなり、減圧酸素雰囲気中で熱処理されたタンデム型の太陽電池について図12を参照して説明する。図12に示すように、白板ガラスからなる透明絶縁性基板11上に酸化錫からなる第1透明電極12を形成した。続いて、この第1透明電極12上にp型シリコン層アモルファスシリコン層31,i型シリコン層アモルファスシリコン層32、n型シリコン層微結晶シリコン層33を積層してpin構造のアモルファスシリコン層を形成した。なお、アモルファスシリコン層の形成は、主としてシランの水素希釈率を低下させることにより行った。つづいて、このアモルファスシリコン層上に参考例1と同様な方法によりp型多結晶シリコン層13,i型多結晶シリコン層14、n型多結晶シリコン層15を積層した。p型多結晶シリコン層13を積層した後に、p型多結晶シリコン層13に対して実施例1と同様にして減圧酸素雰囲気中あるいは乾燥空気雰囲気中で熱処理を行い、p型多結晶シリコン層13の上面に極薄の酸化シリコン層を形成した。ひきつづき、酸化亜鉛からなる第2透明電極16およびAgからなる裏面電極17を順次形成して図12に示す太陽電池を製造した。実施例3の太陽電池に模擬太陽光スペクトル:AM1.5、照射強度:100mW/cm2、照射温度:25°Cをその透明絶縁性基板側から入射し、発電特性を評価した。処理温度を200°C、処理時間を3分と固定し、酸化ガスの種類と圧力を変化させたタンデムセルの結果を図30から図33に示す。どの処理においてもJSC、VOCが向上し、効率が向上していることが見てとれる。実施例4実施例4では、透明絶縁性基板側から光を入射するタイプでnip構造からなる多結晶シリコン層とnip構造からなるアモルファスシリコン層とを具備してなり、減圧酸素雰囲気中で熱処理されたタンデム型の太陽電池について図13を参照して説明する。図13に示すように、白板ガラスからなる透明絶縁性基板11上に酸化錫からなる第1透明電極12を形成した。続いて、この第1透明電極12上にn型シリコン層アモルファスシリコン層33,i型シリコン層アモルファスシリコン層32、p型シリコン層アモルファスシリコン層31を積層してnip構造のアモルファスシリコン層を形成した。つづいて、このアモルファスシリコン層上に参考例1と同様な方法によりn型多結晶シリコン層15,i型多結晶シリコン層14、p型多結晶シリコン層13を積層した。n型多結晶シリコン層15を積層した後に、n型多結晶シリコン層15に対して実施例1と同様にして減圧酸素中で熱処理を行い、n型多結晶シリコン層15の上面に極薄の酸化シリコン層を形成した。ひきつづき、酸化亜鉛からなる第2透明電極16およびAgからなる裏面電極17を順次形成して図13に示す太陽電池を製造した。参考例4の太陽電池に模擬太陽光スペクトル:AM1.5、照射強度:100mW/cm2、照射温度:25°Cをその透明絶縁性基板側から入射し、発電特性を評価した。その結果、実施例1と同様に優れた発電特性が得られた。実施例5実施例5では、透明絶縁性基板側から光を入射するタイプでpin構造からなる多結晶シリコン層と、pin構造からなる別の多結晶シリコン層と、pin構造からなるアモルファスシリコン層とを具備してなり、減圧酸素雰囲気中で熱処理されたトリプル型の太陽電池について図14を参照して説明する。図14に示すように、白板ガラスからなる透明絶縁性基板11上に酸化錫からなる第1透明電極12を形成した。続いて、この第1透明電極12上にp型シリコン層アモルファスシリコン層31,i型シリコン層アモルファスシリコン層32、n型シリコン層微結晶シリコン層33を積層してpin構造のアモルファスシリコン層を形成した。つづいて、このアモルファスシリコン層上に参考例1と同様な方法によりp型多結晶シリコン層13,i型多結晶シリコン層14、n型多結晶シリコン層15を積層した。p型多結晶シリコン層13を積層した後に、p型多結晶シリコン層13に対して実施例1と同様にして減圧酸素中で熱処理を行い、p型多結晶シリコン層13の上面に極薄の酸化シリコン層を形成した。更に、このpinからなる多結晶シリコン層上に参考例1と同様な方法によりp型多結晶シリコン層43,i型多結晶シリコン層44、n型多結晶シリコン層45を積層して別のpinからなる多結晶シリコン層を形成した。p型多結晶シリコン層43を積層した後に、p型多結晶シリコン層43に対して実施例1と同様にして減圧酸素中で熱処理を行い、p型多結晶シリコン層43の上面に極薄の酸化シリコン層を更に形成した。ひきつづき、酸化亜鉛からなる第2透明電極16およびAgからなる裏面電極17を順次形成して図14に示す太陽電池を製造した。実施例5の太陽電池に模擬太陽光スペクトル:AM1.5、照射強度:100mW/cm2、照射温度:25°Cをその透明絶縁性基板側から入射し、発電特性を評価した。その結果、以下の表2に示すように、実施例1と同様に優れた発電特性が得られた。表2において、処理1はミドルセルのp層積層後に熱酸化処理を施したものである。処理2は処理1に加え、さらにミドルのn層積層後に熱酸化処理を施したものである。処理3は処理2に加え、さらにボトムのp層積層後に熱酸化処理を施したものである。熱酸化処理は、20TorrのO2中で200°C、3分で行った。実施例6実施例6では、透明絶縁性基板側から光を入射するタイプでnip構造からなる多結晶シリコン層と、nip構造からなる別の多結晶シリコン層と、nip構造からなるアモルファスシリコン層とを具備してなり、減圧酸素雰囲気中で熱処理されたトリプル型の太陽電池について図15を参照して説明する。図15に示すように、白板ガラスからなる透明絶縁性基板11上に酸化錫からなる第1透明電極12を形成した。続いて、この第1透明電極12上にn型シリコン層アモルファスシリコン層あるいは微結晶シリコン層33,i型シリコン層アモルファスシリコン層32、p型シリコン層アモルファスシリコン層31を積層してnip構造のアモルファスシリコン層を形成した。つづいて、このアモルファスシリコン層上に参考例1と同様な方法によりn型多結晶シリコン層15,i型多結晶シリコン層14、p型多結晶シリコン層13を積層した。n型多結晶シリコン層15を積層した後に、n型多結晶シリコン層15に対して実施例1と同様にして減圧酸素中で熱処理を行い、n型多結晶シリコン層15の上面に極薄の酸化シリコン層を形成した。更に、この多結晶シリコン層上に参考例1と同様な方法によりn型多結晶シリコン層45,i型多結晶シリコン層44、p型多結晶シリコン層43を積層して別の多結晶シリコン層を形成した。n型多結晶シリコン層45を積層した後に、n型多結晶シリコン層45に対して参考例1と同様にして減圧酸素中で熱処理を行い、n型多結晶シリコン層45の上面に極薄の酸化シリコン層を形成した。ひきつづき、酸化亜鉛からなる第2透明電極16およびAgからなる裏面電極17を順次形成して図15に示す太陽電池を製造した。実施例6の太陽電池に模擬太陽光スペクトル:AM1.5、照射強度:100mW/cm2、照射温度:25°Cをその透明絶縁性基板側から入射し、発電特性を評価した。その結果、参考例1と同様に優れた発電特性が得られた。実施例7実施例7では、第2透明電極側から光を入射させるタイプであって、多結晶シリコン層がpin構造であり、かつ減圧酸素雰囲気で熱処理された太陽電池について図16を参照して説明する。まず、光透過を有する白板ガラスからなる透明絶縁性基板11上にAlからなる裏面電極18および酸化亜鉛ZnOからなる第1透明電極19を形成した。つづいて、第1透明電極19上に参考例1と同様な方法によりp型多結晶シリコン層13,i型多結晶シリコン層14、n型多結晶シリコン層15を積層した。p型多結晶シリコン層13を積層した後に、p型多結晶シリコン層13に対して実施例1と同様にして減圧酸素中で熱処理を行い、p型多結晶シリコン層13の上面に極薄の酸化シリコン層を形成した。ひきつづき、n型多結晶シリコン層15に酸化インジウムからなる第2透明電極21を形成し、さらに第2透明電極21上に取出電極22を形成して図16に示す太陽電池を製造した。実施例7の太陽電池に模擬太陽光スペクトル:AM1.5、照射強度:100mW/cm2、照射温度:25°Cをその第2透明電極側から入射し、発電特性を評価した。その結果、実施例1と同様に優れた発電特性が得られた。実施例8実施例8では、第2透明電極側から光を入射させるタイプであって、多結晶シリコン層がnip構造であり、かつ減圧酸素雰囲気で熱処理された太陽電池について図17を参照して説明する。まず、光透過を有する白板ガラスからなる透明絶縁性基板11上にAgからなる裏面電極18および酸化亜鉛ZnOからなる第1透明電極19を形成した。つづいて、第1透明電極19上に参考例1と同様な方法によりn型多結晶シリコン層15,i型多結晶シリコン層14、p型多結晶シリコン層13を積層した。n型多結晶シリコン層15を積層した後に、n型多結晶シリコン層15に対して実施例1と同様にして減圧酸素中で熱処理を行い、n型多結晶シリコン層15の上面に極薄の酸化シリコン層を形成した。ひきつづき、p型多結晶シリコン層13上に酸化インジウムITOからなる第2透明電極21を形成し、さらに第2透明電極21上に集電電極22を形成して図17に示す太陽電池を製造した。実施例8の太陽電池に模擬太陽光スペクトル:AM1.5、照射強度:100mW/cm2、照射温度:25°Cをその第2透明電極側から入射し、発電特性を評価した。その結果、実施例1と同様に優れた発電特性が得られた。実施例9実施例9では、第2透明電極側から光を入射するタイプでpin構造からなる多結晶シリコン層とpin構造からなるアモルファスシリコン層とを具備してなり、減圧酸素雰囲気中で熱処理されたタンデム型の太陽電池について図18を参照して説明する。まず、光透過を有する白板ガラスからなる透明絶縁性基板11上にAgからなる裏面電極18および酸化亜鉛ZnOからなる第1透明電極19を形成した。つづいて、第1透明電極19上に参考例1と同様な方法によりp型多結晶シリコン層13,i型多結晶シリコン層14、n型多結晶シリコン層15を積層した。p型多結晶シリコン層13を積層した後に、p型多結晶シリコン層13に対して実施例1と同様にして減圧酸素中で熱処理を行い、p型多結晶シリコン層13の上面に極薄の酸化シリコン層を形成した。次に、多結晶のn型シリコン層15上に、p型シリコン層アモルファスシリコン層31,i型シリコン層アモルファスシリコン層32、n型シリコン層アモルファスシリコン層あるいは微結晶シリコン層33を積層してpin構造のアモルファスシリコン層を形成した。アモルファスシリコン層の形成は、主としてシランの水素希釈率を低下させることにより行った。ひきつづき、n型シリコン層33上に酸化インジウムからなる第2透明電極21を形成し、さらに第2透明電極21上に集電電極22を形成して図18に示す太陽電池を製造した。実施例9の太陽電池に模擬太陽光スペクトル:AM1.5、照射強度:100mW/cm2、照射温度:25°Cをその第2電極側から入射し、発電特性を評価した。その結果、実施例1と同様に優れた発電特性が得られた。実施例10実施例10では、第2透明電極側から光を入射するタイプでnip構造からなる多結晶シリコン層とnip構造からなるアモルファスシリコン層とを具備してなり、減圧酸素雰囲気中で熱処理されたタンデム型の太陽電池について図19を参照して説明する。まず、光透過を有する白板ガラスからなる透明絶縁性基板11上にAgからなる裏面電極18および酸化亜鉛ZnOからなる第1透明電極19を形成した。つづいて、第1透明電極19上に参考例1と同様な方法によりn型多結晶シリコン層15,i型多結晶シリコン層14、p型多結晶シリコン層13を積層した。n型多結晶シリコン層15を積層した後に、n型多結晶シリコン層15に対して実施例1と同様にして減圧酸素中で熱処理を行い、n型多結晶シリコン層15の上面に極薄の酸化シリコン層を形成した。次に、多結晶のp型シリコン層13上に、n型シリコン層アモルファスシリコン層あるいは微結晶シリコン層33,i型シリコン層アモルファスシリコン層32、p型シリコン層アモルファスシリコン層31を積層してnip構造のアモルファスシリコン層を形成した。アモルファスシリコン層の形成は、主としてシランの水素希釈率を低下させることにより行った。ひきつづき、p型シリコン層31上に酸化インジウムからなる第2透明電極21を形成し、さらに第2透明電極21上に集電電極22を形成して図19に示す太陽電池を製造した。実施例10の太陽電池に模擬太陽光スペクトル:AM1.5、照射強度:100mW/cm2、照射温度:25°Cをその第2電極側から入射し、発電特性を評価した。その結果、実施例1と同様に優れた発電特性が得られた。実施例11実施例11では、第2透明電極側から光を入射するタイプでpin構造からなる多結晶シリコン層と、pin構造からなる別の多結晶シリコン層と、pin構造からなるアモルファスシリコン層とを具備してなり、減圧酸素雰囲気中で熱処理されたトリプル型の太陽電池について図20を参照して説明する。まず、光透過を有する白板ガラスからなる透明絶縁性基板11上にAgからなる裏面電極18および酸化亜鉛ZnOからなる第1透明電極19を形成した。つづいて、第1透明電極19上に参考例1と同様な方法により多結晶のp型シリコン層13,i型シリコン層14、n型シリコン層15を積層した。p型シリコン層13を積層した後に、p型シリコン層13に対して実施例1と同様にして減圧酸素中で熱処理を行い、p型シリコン層13の上面に極薄の酸化シリコン層を形成した。つづいて、このpinからなる多結晶シリコン層上に実施例1と同様な方法によりp型シリコン層43,i型シリコン層44、n型シリコン層45を積層して別の多結晶シリコン層を形成した。p型シリコン層43を積層した後に、p型シリコン層43に対して実施例1と同様にして減圧酸素中で熱処理を行い、p型シリコン層43の上面に極薄の酸化シリコン層を更に形成した。更に、n型シリコン層45上に、p型シリコン層アモルファスシリコン層31,i型シリコン層アモルファスシリコン層32、n型シリコン層アモルファスシリコン層あるいは微結晶シリコン層33を積層してpin構造のアモルファスシリコン層を形成した。ひきつづき、n型シリコン層33上に酸化インジウムからなる第2透明電極21を形成し、さらに第2透明電極21上に集電電極22を形成して図20に示す太陽電池を製造した。実施例11の太陽電池に模擬太陽光スペクトル:AM1.5、照射強度:100mW/cm2、照射温度:25°Cをその第2電極側から入射し、発電特性を評価した。その結果、実施例1と同様に優れた発電特性が得られた。実施例12実施例12では、第2透明電極側から光を入射するタイプでnip構造からなる多結晶シリコン層と、nip構造からなる別の多結晶シリコン層と、nip構造からなるアモルファスシリコン層とを具備してなり、減圧酸素雰囲気中で熱処理されたトリプル型の太陽電池について図21を参照して説明する。まず、光透過を有する白板ガラスからなる透明絶縁性基板11上にAlからなる裏面電極18および酸化亜鉛ZnOからなる第1透明電極19を形成した。つづいて、第1透明電極19上に参考例1と同様な方法により多結晶のn型シリコン層15,i型シリコン層14、p型シリコン層13を積層した。n型シリコン層15を積層した後に、n型シリコン層15に対して実施例1と同様にして減圧酸素中で熱処理を行い、n型シリコン層15の上面に極薄の酸化シリコン層を形成した。つづいて、このpinからなる多結晶シリコン層上に参考例1と同様な方法によりn型シリコン層45,i型シリコン層44、p型シリコン層43を積層して別の多結晶シリコン層を形成した。n型シリコン層45を積層した後に、n型シリコン層45に対して実施例1と同様にして減圧酸素中で熱処理を行い、n型シリコン層45の上面に極薄の酸化シリコン層を形成した。更に、p型シリコン層43上に、n型シリコン層アモルファスシリコン層あるいは微結晶シリコン層33,i型シリコン層アモルファスシリコン層32、p型シリコン層アモルファスシリコン層31を積層してnip構造のアモルファスシリコン層を形成した。ひきつづき、p型シリコン層31上に酸化インジウムからなる第2透明電極21を形成し、さらに第2透明電極21上に集電電極22を形成して図21に示す太陽電池を製造した。実施例12の太陽電池に模擬太陽光スペクトル:AM1.5、照射強度:100mW/cm2、照射温度:25°Cをその第2電極側から入射し、発電特性を評価した。その結果、実施例1と同様に優れた発電特性が得られた。実施例13実施例13では、実施例1において純酸素雰囲気中で行われた熱処理を、乾燥空気雰囲気中で行った場合の、多結晶シリコン層がpin構造である太陽電池について図1を参照して説明する。本実施例においては、酸化処理室を備えた多室プラズマCVD装置が用いられ、基板は一度も真空中に出されずに連続処理が行われた。すべての反応容器はあらかじめ真空であり、基板は真空中を移動する。まず、光透過を有する白板ガラスからなる透明絶縁性基板11上に酸化錫SnO2からなる第1透明電極12を形成した。次いで、プラズマCVD装置内に収納された、第1透明電極12が形成された透明絶縁性基板11を160°Cに加熱した。加熱温度が十分安定した後、原料ガスであるSiH4、H2およびB2H6をそれぞれ3sccm、300sccm、0.016sccmの流量で導入し、反応容器1内を500mTorrの圧力に制御した。温度および圧力が十分安定した後、周波数100MHz、出力75Wの高周波電力を放電用電極に供給することにより前記放電用電極と前記被処理物の間にプラズマを発生させ、前記被処理物の第1透明電極12上に厚さ20nmのp型シリコン層13を成膜した。次に、p型シリコン層13が成膜された透明絶縁性基板11を、熱処理装置に移した。そして、熱処理装置内を、圧力1~10Torrの乾燥空気雰囲気とした。そして、p型シリコン層13が成膜された透明絶縁性基板11を、100~280°Cで10分間加熱することにより熱処理した。このようにして、p型シリコン層13の上面に極薄の酸化シリコン層を形成した。次いで、プラズマCVD装置内で、熱処理後のp型シリコン層13が形成された透明絶縁性基板11を180°Cに加熱した。加熱温度が十分安定した後、原料ガスであるSiH4及びH2をそれぞれ15sccm、300sccmの流量で導入し、反応容器内を3.0Torrの圧力に制御した。温度および圧力が十分安定した後、周波数100MHz、出力30Wの高周波電力を放電用電極に供給することにより前記放電用電極と前記被処理物の間にプラズマを発生させ、前記被処理物のp型シリコン層13上に厚さ1500nmのi型シリコン層14を成膜した。次に、別の反応容器に収納して、前記被処理物を170°Cに加熱した。加熱温度が十分安定した後、原料ガスであるSiH4、H2及びPH3をそれぞれ3sccm、300sccm、0.1sccmの流量で導入し、反応容器1内を700mTorrの圧力に制御した。温度および圧力が十分安定した後、周波数100MHz、出力15Wの高周波電力を放電用電極に供給することにより前記放電用電極と前記被処理物の間にプラズマを発生させ、前記被処理物のi型シリコン層14上に厚さ30nmのn型シリコン層15を成膜した。この後、前記被処理物をプラズマCVD層の反応容器から取り出し、前記n型シリコン層15に酸化亜鉛からなる第2透明電極16およびAgからなる裏面電極17を順次形成して図1に示す太陽電池を製造した。次に、実施例13の太陽電池にそれぞれ、模擬太陽光スペクトル:AM1.5、照射強度:100mW/cm2、試料温度:25°Cをそれらの透明絶縁性基板側から入射し、発電特性を評価した。その結果を図22~図29に示す。図22~図25においては、各太陽電池の短絡電流密度JSC、開放電圧VOC、曲線因子FF並びに光電変換効率を、比較例1の測定値で標準化比較例1の測定値を1.0とするした相対値で示す。図22から図25は、実施例13の太陽電池の特性と雰囲気圧力との関係を示すグラフである。熱処理温度は180°C、処理時間は3分とした。図22は太陽電池の短絡電流密度と雰囲気圧力との関係を示すグラフである。図23は太陽電池の開放電圧と雰囲気圧力との関係を示すグラフである。図25は太陽電池の曲線因子と雰囲気圧力との関係を示すグラフである。図25は太陽電池の光電変換効率と雰囲気圧力との関係を示すグラフである。図26は実施例13の太陽電池の短絡電流密度と熱処理温度との関係を示すグラフである。図27は実施例13の太陽電池の開放電圧と熱処理温度との関係を示すグラフである。図28は実施例13の太陽電池の曲線因子と熱処理温度との関係を示すグラフである。図29は実施例13の太陽電池の光電変換効率と熱処理温度との関係を示すグラフである。図22から図25に示されるように、短絡電流密度、開放電圧、曲線因子、及び光電変換効率のいずれも、雰囲気圧力が700Torr付近で最も優れた値を示している。開放電圧、曲線因子、及び光電変換効率は、雰囲気圧力が高いほど、より優れた値を示している。図26に示すように、短絡電流密度JSCについては、熱処理温度が200°Cの付近で特に優れた値を示していることがわかる。また図27に示すように、開放電圧については、処理温度が180°Cの付近で特に優れた値を示している。また図28に示すように、曲線因子については、処理温度が180~200°Cにおいて比較例1熱処理なしよりも大きい値を示すことがわかる。更に図29に示すように、光電変換効率については、処理温度が100~200°Cの範囲で高くなるほど良好になることがわかる。このように、多結晶シリコン層を形成する際に乾燥大気雰囲気中で熱処理することにより、結晶粒が膜厚の方向に沿って粒成長し、膜厚方向と直交する方向に延びる結晶粒界が減少し、キャリアの再結合が阻害された結果、光電変換効率=短絡電流密度×開放電圧×曲線因子が向上する。p層積層後、乾燥空気雰囲気中で熱酸化したpin層積層膜について二次イオン質量分析器により深さ方向の元素分析を行った。分析結果ではp層に到達する領域において、ホウ素原子が観測されると同時に、約20nmの半値幅を持つピーク値2×1020/cm3の酸素原子に由来する信号が検出され、p層とi層との界面に酸素原子が存在することを示している。実施例14実施例3及び実施例5の変形例として、n型シリコン層アモルファスシリコン層33を積層した後に酸化処理を行い、n型シリコン層33アモルファスシリコン層とp型多結晶シリコン層13との間に酸化膜を形成する構造も好適に用いられる。実施例15p-i-n構造が参考例3及び参考例5の各々逆となっている参考例4及び参考例6の変形例としては、p型シリコン層アモルファスシリコン層31を積層した後に酸化処理を行い、p型シリコン層31アモルファスシリコン層とn型多結晶シリコン層15との間に酸化膜を形成する構造が好適に用いられる。実施例16実施例5の第2の変形例として、n型多結晶シリコン層15を積層した後に酸化処理を行い、n型多結晶シリコン層15とp型多結晶シリコン層43との間に酸化膜を形成する構造も好適に用いられる。実施例17p-i-n構造が参考例5の逆となっている参考例6の第2の変形例としては、p型多結晶シリコン層13を積層した後に酸化処理を行い、p型多結晶シリコン層13とn型多結晶シリコン層45との間に酸化膜を形成する構造が好適に用いられる。実施例18実施例5及び実施例6の第2の変形例は、各々の第1の変形例と併用することも可能である。実施例19実施例9の変形例として、n型多結晶シリコン層15を積層した後に酸化処理を行い、n型多結晶シリコン層15とp型シリコン層アモルファスシリコン層31との間に酸化膜を形成する構造も好適に用いられる。実施例20p-i-n構造が実施例9の逆となっている実施例10の変形例としては、p型多結晶シリコン層13を積層した後に酸化処理を行い、p型多結晶シリコン層13とn型シリコン層アモルファスシリコン層33との間に酸化膜を形成する構造が好適に用いられる。実施例21実施例11の第1の変形例として、n型多結晶シリコン層45を積層した後に酸化処理を行い、n型多結晶シリコン層45とp型シリコン層アモルファスシリコン層31との間に酸化膜を形成する構造も好適に用いられる。実施例22p-i-n構造が実施例11の逆となっている実施例12の第1の変形例としては、p型多結晶シリコン層45を積層した後に酸化処理を行い、p型多結晶シリコン層45とn型シリコン層アモルファスシリコン層33との間に酸化膜を形成する構造が好適に用いられる。実施例23実施例11の第2の変形例として、n型多結晶シリコン層15を積層した後に酸化処理を行い、n型多結晶シリコン層15とp型多結晶シリコン層43との間に酸化膜を形成する構造も好適に用いられる。実施例24p-i-n構造が実施例11の逆となっている実施例12の第2の変形例としては、p型多結晶シリコン層13を積層した後に酸化処理を行い、p型多結晶シリコン層13とn型多結晶シリコン層43との間に酸化膜を形成する構造が好適に用いられる。実施例11及び実施例12の第2の変形例における酸化膜は、各々の第1の変形例における酸化膜と共に形成される構造も好適に用いられる。"