"材料を切断する方法であって、材料に第1のレーザ出力を照射し、該第1のレーザ出力に曝された上記材料の材料特性を変化させるステップと、上記第1のレーザ出力に曝された材料に第2のレーザ出力を照射し、上記材料に生じる欠陥を大幅に減少させながら材料を切断するステップとを有することを特徴とする方法。上記第1のレーザ出力のレーザパルス幅は、約10ナノ秒以下、約50ピコ秒以下、及び約1ピコ秒以下のうちの何れかであることを特徴とする請求項1記載の方法。上記材料特性の変化は、上記材料の材料格子で分子結合の分離、上記材料の分子成分の幾何学的な再配向、及びビーム経路に沿った材料密度の変化のうちの何れかであることを特徴とする請求項1記載の方法。上記第1のレーザ出力は、可視光、赤外光及び紫外光から選択される波長を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。上記第2のレーザ出力は、上記材料の温度上昇、上記材料内の不連続な応力勾配、及び上記材料中の音響衝撃波の伝播のうちの少なくとも何れか1つを引き起こすことを特徴とする請求項1記載の方法。上記第1のレーザ出力は、ビーム経路に沿って材料に照射され、上記第2のレーザ出力は、上記ビーム経路に沿って及び上記ビーム経路に直接隣接して材料に照射されることを特徴とする請求項1記載の方法。上記第2のレーザ出力は、約3~50マイクロメートルから選択された波長を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。上記第2のレーザ出力は、約0.78~3マイクロメートルから選択された波長を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。上記第2のレーザ出力は、約50~1,000マイクロメートルから選択された波長を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。上記第2のレーザ出力のレーザパルス幅は、約10ピコ秒以上、約1マイクロ秒以上の何れかを含むことを特徴とする請求項1記載の方法。上記第2のレーザ出力は、連続波出力を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。上記第1のレーザ出力を照射するステップ及び上記第2のレーザ出力を照射するステップは、第1のレーザ出力を最初に照射し、それとほぼ同時に実行されることを特徴とする請求項1記載の方法。上記材料の上面と材料の底面との間に位置する上記材料内のある深さに上記第1のレーザ出力を集光するステップを更に有することを特徴とする請求項1記載の方法。材料を切断するレーザ装置であって、材料の少なくとも一部に照射されると、材料の1つ以上の材料特性を変化させるレーザ出力を発生する第1のレーザ発光装置と、上記第1のレーザ発光装置のレーザ出力に曝された材料に照射されると、上記材料に生じる欠陥を大幅に減少させながら切断された製品を製造するレーザ出力を発生する第2のレーザ発光装置とを備えることを特徴とするレーザ装置。上記材料の上面と材料の底面との間に位置する上記材料内のある深さに上記第1のレーザ出力を集光するビーム集束アセンブリを更に備えることを特徴とする請求項14記載のレーザ装置。上記材料の上面に第1のレーザ発光装置のレーザ出力を集光し、上記除去材料の局在化体積を生成するビーム集束アセンブリを更に備える請求項15記載のレーザ装置。上記第1のレーザ発光装置のレーザ出力が上記材料に照射されると、上記材料に不連続な格子パターンを形成することを特徴とする請求項15記載のレーザ装置。上記第2のレーザ発光装置のレーザ出力が上記材料に照射されると、上記不連続格子パターンに熱膨張を引き起こし、該不連続格子パターンに沿って材料を切断することを特徴とする請求項17記載のレーザ装置。上記第1のレーザ発光装置及び第2のレーザ発光装置は、選択的にレーザパラメータを調整できる単一のレーザ装置を備えることを特徴とする請求項15記載のレーザ装置。上記材料は、ガラス材料、非晶質固体材料、結晶性材料、半導体材料、結晶性セラミクス、ポリマ及びこれらの組合せのうちの何れかであることを特徴とする請求項15記載のレーザ装置。加工によって製造された切断された製品であって、上記加工は、ストック材料を準備するステップと、ビーム経路に沿って上記材料に第1のレーザ出力を照射し、該ビーム経路に沿って該第1のレーザ出力に曝された材料の材料特性を変化させるステップと、上記ビーム経路に沿って第2のレーザ出力を照射し、分離によって生成され切断された材料の表面に欠陥がほとんどに生じないように、該ビーム経路に沿って上記ストック材料から切断された材料を分離するステップとを有することを特徴とする製品。上記切断された製品は、1つ以上の貫通孔を有する半導体を含むことを特徴とする請求項21記載の加工。幾つかの実施形態によれば、本発明は、材料を切断する方法に関する。この方法は、a材料に第1のレーザ出力を照射し、第1のレーザ出力に曝されると、材料の材料特性を変化させるステップと、b第1のレーザ出力に曝された材料に第2のレーザ出力を照射し、材料に生じる欠陥を大幅に減少させながら材料を切断するステップとを有する。他の実施形態では、本発明は、材料を切断するレーザ装置に関する。レーザ装置は、a材料の少なくとも一部に照射されると、材料の1つ以上の材料特性を変化させるレーザ出力を発生する第1のレーザ装置と、b第1のレーザ装置のレーザ出力に曝された材料に照射されると、上記製品に生じる欠陥を大幅に減少させながら切断された製品を製造するレーザ出力を発生する第2のレーザ装置とを備える。更なる実施形態では、本発明は、加工によって製造された切断された製品に関する。幾つかの実施形態では、加工は、aストック材料を準備するステップと、bビーム経路に沿ってストック材料に第1のレーザ出力を照射し、ビーム経路に沿って第1のレーザ出力に曝されたストック材料の材料特性を変化させるステップと、cビーム経路に沿って第2のレーザ出力を照射し、切断された材料の表面に欠陥がほとんど生じないように、ビーム経路に沿ってストック材料から切断された材料を分離するステップとを有する。本発明の幾つかの実施形態は、添付図面に示されている。なお、図面は、必ずしも実寸表記ではなく、本発明の理解に不要な細部を示しておらず、理解を困難にするその他の細部については省略している。本発明は、ここに例示する特定の実施形態に必ずしも限定されるものではない。本発明は、多くの異なる形態の実施形態を有するが、幾つかの特定の実施形態を図面に示し以下に詳細に説明する。本発明の開示内容は、本発明の原理の例示と解釈すべきであり、以下に説明する実施形態に限定することを意図していない。以下に述べる同じ又は同様の構成要素及び/又は構成部品には、全ての図面において同じ参照符号を付す。また、図面の幾つかは本発明の概略図に過ぎない。従って、図を明瞭にするために、部品のあるものは、実際の大きさとは異なる寸法で示している。本発明は、一般的には、材料のレーザ加工に関し、より詳しくは、2つ以上の種類のレーザ出力を材料に照射することによって、材料、特に、切断された製品にはほとんど欠陥が生じない脆性材料を切断singulateするシステム及び方法に関するが、これらに限定されない。切断によって材料を個々の製品に分離又は材料に特徴をフライス切削加工することができる。一般的な切断工程は、最終製品に微視亀裂又は欠け等の欠陥が生じるのを回避するために、ゆっくりと繰り返し実行される多数の加工工程を含むことが多い。複数工程の加工を行った場合において、材料に機械的な力を印加すると材料に欠陥が生じやすいため、現在の工程は歩留まりが悪い。従って、機械的な材料分離装置及び/又は加工を必要としない材料を切断する簡単な工程の実現が望まれる。本発明は、一般的に言えば、材料を2つ以上の異なる種類のレーザビーム出力に曝すことを含み、各々の種類のレーザビーム出力は、材料に異なる物理的メカニズムの変化を引き起こす。これらレーザビーム照射の組合せによって、綺麗な欠陥のない形状を有する製品が製造される。綺麗で欠陥のない形状を有する製品は、ほぼ滑らかな表面を有する製品とも言われる。上述したように、切断によって処理して製品を製造することが多い材料の他の一般的な具体例としては、非晶質固体材料、結晶性材料、半導体材料、結晶性セラミクス、ポリマ、樹脂等が挙げられるが、これらに限定されないある。例えば、強化ガラス板に2種類以上のレーザビーム出力を照射して、強化ガラス板を、タッチスクリーンデバイスの製造に利用できる1つ以上のタッチスクリーン基板に変えてもよい。強化ガラスの具体例としては、コーニング社のゴリラガラスGorillaGlass及び旭硝子のドラゴントレイルDragontrail等、高温放置又は化学処理による強化ガラスを挙げることができる。強化ガラス板は、従来の切断方法では欠陥が生じやすい特別の薄約0.5mm以下さでもよい。概して、第1のレーザ出力は、材料特性を変化modificationさせ、第2のレーザ出力は、特性が変化した時点で材料を分離する。この二段階加工によって、割れ目又は他の表面の凹凸/変形等の欠陥がないエッジ面及び製品全体を有する切断された製品を製造することができる。すなわち、本発明は、機械的加工によって製造され分割された製品に比べて、切断されたエッジがより滑らかで、表面がより均一かつ平らで、表面に凹凸が少なく、機械的強度が大きい切断された製品を製造することができる。本発明を用いて、幾何学的形状が大きく変化した切断された製品を製造することができる。更に、ここで示したシステム及び方法を用いて、高精度で特徴形状を形成することができる。特徴形状の具体例としては、小溝、開口、溝、切込み、エッチング等があるが、これらに限定されない。より詳しく言うと、第1のレーザビームは、ビーム経路工具経路とも呼ばれるに沿って、材料の分子構造を不連続に変化させる。特性変化領域modificationは、幾つか例を挙げれば、材料格子の分子結合の分離、分子構成の幾何学的な再配向、及び/又は分子種の空間的移動の何れかを含むことができる。特性変化領域は、巨視的には、屈折率の変動、光吸収、材料の残りの部分に対する機械的応力の変化又は材料の物理的密度の変化等を示す。幾つかの実施形態では、第2のレーザビームは、第1のレーザビームと同じ経路を辿り、この経路に沿って熱効果を生じ、これにより、レーザビームが辿った経路に沿って、特性変化領域に沿って基板の断面間を完全に分離する。2つのレーザビームは、非常に小さな時間遅延で基板上に結像される。すなわち、第1のビーム伝送後の第2のビーム伝送までの時間遅延は非常に小さい場合によっては、数分の1秒。更に、2つのレーザビームは、単一の動き制御及びビーム伝送装置を用いて結像してもよい。2つのレーザビームによる基板の照射は、時間的に1つのレーザビームとして機能するように、ほぼ同時に行ってもよいが、それでも、最終的な材料特性の変化例えば、切断は、2つの別のレーザ誘発メカニズムの合併効果によって行われる。本発明の他の例示的な実施形態によれば、短いパルスレーザを用いて材料に第1の特性変化を行い、長いパルス又は連続波レーザを用いて材料を分離する。短いパルスレーザに関連する最大出力は、上述した分子摂動の何れかを容易に引き起こす。これらの摂動は、短いパルスレーザの強電場の材料への印加に応じた電子の急速な加速によって引き起こされる。第1の特性変化は、材料の格子パターン分子レベルの不連続性等、一群のイオン化作用のうちの何れかを含んでもよい。第2のレーザは、比較的高い平均出力及び低い最大出力でレーザビームを発生することができる。レーザビームは、光吸収により材料内に熱を発生させる。第2のレーザビームが照射された領域内の局所加熱によって、第1のレーザビームによって特性が変化した領域を選択的に加熱し、格子パターン不連続例えば、特性変化領域に沿って材料を分離することができる。また、その他の分離させる原因としては、材料の特性変化の領域の通過及び/又は材料の特性変化修正領域の急激な温度勾配への音響衝撃波acousticShockwave第2のレーザのレーザビーム照射によって生成されるの伝播が挙げられる。図1は、本発明の実施形態の実施に使用される例示的な切断システム以下システム100と呼ぶ。を示す。一般的に言えば、システム100は、第1のレーザ装置105及び第2のレーザ装置110を備え、これらは、それぞれビーム伝送アセンブリ115に選択的に接続されている。第1及び第2のレーザ装置のそれぞれについては以下に詳細に説明する。説明を明確にするため、第1及び第2のレーザ装置105,110は、ハウジング120内にお互いに別々に収容しても、任意の別のシステム図示せずに収容してもよいが、同じハウジング120内に配置されているものとして示す。ビーム伝送アセンブリ115は、一般的に、第1及び第2のレーザ装置105、110で発生されたレーザビームを集光及び方向付けする光学的及び/又は構造部品を備えるものとして説明する。ビーム伝送アセンブリの構造及び動作は、本発明の当業者にとって周知である。従って、説明を簡潔にするため、ビーム伝送アセンブリ115の詳細な説明は省略することにする。また、システム100は、第1及び第2のレーザ装置105,110の下方に位置するプラットフォーム125を備えていてもよい。プラットフォーム125は、ストック材料stockmaterialとも呼ばれる材料130を支持するために使用してもよい。ここで、図1~図2Bを参照して一括して説明すると、第1のレーザ装置105は、材料130中に1次電子エネルギ励起primarilyelectronicenergyexcitationを引き起こすレーザビーム135を発生するように適合された多くの異なる種類のレーザの何れ1つを含んでいてもよい。なお、第1のレーザ装置105は、可視光線、赤外線又は紫外線の何れかから選択される光の波長を有するレーザビームを発生することができる。更に、第1のレーザ装置105は、約10ナノ秒以下のレーザパルス幅を使用できる。他の実施形態では、第1のレーザ装置105は、約50ピコ秒以下のレーザパルス幅を使用する。幾つかの実施形態では、第1のレーザ装置105は、約1ピコ秒以下のレーザパルス幅を使用する。第1のレーザ装置105のレーザパルス幅は、照射領域特性変化領域の所望の領域内で生成されるべき所望の電界強度に基づいて選択できる。レーザパルス幅及びレーザパルス強度は、密度や不透明度等の材料の物理的性質に基づいて変更してもよい。第1のレーザ装置105は、ビーム経路140に沿って又はパターンに応じて、材料にレーザビームを選択的に照射できる。ビーム伝送アセンブリ115を選択的に調整することによって、材料のどんな深さにも電子エネルギ励起を引き起こすことができる図3参照。更に、第1のレーザ装置105の更なるパラメータ、例えば、ビーム伝送速度及びビームエネルギレベル等の追加パラマータを変化させることによって、電子エネルギ励起の量を選択的に調整できる。材料の電子エネルギ励起によって、ビーム経路140に沿って、材料内で分子摂動を引き起こすことができる。一般論として、材料の摂動は、材料130の1つ以上の物理的特性の変化を含む。幾つかの摂動の例としては、例えば、材料の分子格子の分子結合の分離格子パターン不連続性の生成としても知られている、除去材料の局在化体積スクライブとしても知られている、材料分子の幾何学的な再配向及び/又はビーム経路に沿った材料密度の変化等を挙げることができる。図2A及び図2Bは、ビーム経路140の長さに沿って材料130の上面150と底面155との間に延びる特性変化領域145を示す。図3は、材料300内での長さ及び深さが変化した材料の特性変化流域を示す。例えば、特性変化領域305は、材料300の上面310と底面315との間に延びている図2A及び図2Bの特性変化領域145と同じ。特性変化領域320は、上面310から材料300内のある深さまで達しているものとして示す。特性変化領域325は、上面310の下の少し離れた位置から始まり、底面315の上の所定の位置で終わるものとして示す。特性変化領域330は、材料300の底面315から上向きに延び、上面310から少し離れた材料300内の所定の位置で終わっている。これらの特性変化領域は、あくまで例示的なものに過ぎず、特性変化領域が、材料300の上面310と底面315との間で任意の深さまで達していてもよいことを示している。更に、ビーム伝送アセンブリ115の光学配置を変更することによって、ビーム経路140の幅を選択的に調整できる。幾つかの実施形態によれば、ビーム伝送アセンブリ115は、約1マイクロメートルから100マイクロメートルの幅で第1のレーザ装置105の出力を集光することができる。ビーム幅を選択的に変更して、特性変化領域305の大きさを変更できることは、本発明の当業者にとって明らかである。材料の材料特性の変化領域は、材料の機械的特性を検査することによって立証できる。例えば、特性変化によって、材料特に透明又は半透明材料の屈折率を特性変化領域に沿って変化させることができる。従って、材料の屈折を検査すれば、特性が変化した材料を特性が変化していない材料から視覚的に区別することができる。図4A及び図4Bは、特性が変化した材料400の屈折率検査の顕微鏡写真を示す。材料400は、材料400内の特性を変化405させた第1のレーザ出力に曝されている。この特性変化によって、第1のレーザ装置から放射されたビーム経路に沿って、材料400の密度が変化したことが分かる。屈折率を検査するには、材料へ光を照射する。材料へ光を照射すると、特性変化領域405は、材料400内を延びる暗線として現れる。暗線が現れる理由は、特性変化領域405に隣接する両側の材料400の他の部分に対して、光が特性変化領域405を通過するとき光の伝播が遅くなる又は光吸収が大きくなるためである。なお、材料400内の3ミリメートルの深さを示す点を除いて、図4Bは、図4Aと同じ材料400の一部を示す。更に、材料400は、少なくとも部分的に透明であり、光を透過することができるので、材料400の拡大及び撮像が可能である。図5は、特性が変化した材料500既に分割された構成で示す。の第1の部分505及び第2の部分510等の個別の部分への分離例えば、切断を示す。第1及び第2の部分505、510は、第1の部分505のエッジ面515を示すためにだけ、お互いにずらして示している。特性が変化した材料は、予め第1のレーザ装置105の第1のレーザ出力が照射された材料を含むものと理解される。特性が変化した材料500の切断は、ビーム経路520に沿って、第2のレーザ装置110のレーザ出力によって行われる。なお、図示のためにだけ、ビーム経路520は、特性が変化した材料500のエッジを超えて延びているものとして示す。第2のレーザ装置110のレーザ出力は、ビーム経路520に沿って特性が変化した材料500を加熱し、これによって、ビーム経路520で示される特性変化領域に沿って、特性が変化した材料を分離又は切断する。第2のレーザ装置110によって特性が変化した材料500を分離することで、ほとんど欠陥がない切断された製品が製造される。例えば、切断されたエッジ面515等のエッジ面及び切断により生成された角部525、530は、割れ、欠け、歪み等の欠陥がほとんどない。これらの欠陥は、製品の機械的完全性及び破壊強度を低下させ及び/又は美観を損ねるおそれがある。図示していないが、第2の部分510もほとんど欠陥がない切断されたエッジ面を有する。図示していないが、第2のレーザ装置110によって発生されたレーザビームは、特性が変化した材料に直接隣接する材料の温度を上昇させるのに十分な幅を有していてもよい。隣接する材料の温度が上昇することは、切断時、ビーム経路520に沿った欠陥の発生を防止するのに役立つ。使用するレーザの種類に応じて、第2のレーザ装置110の第2の出力は、特性が変化した材料500中を伝播する音響衝撃波を発生することができる。この音響衝撃波は、ビーム経路520に沿って、特性が変化した材料を破損させるおそれがある。なお、音響衝撃波は、超高速レーザ装置の出力によって発生することができる。他の実施形態では、第2のレーザ装置110のレーザビームとして、約10ピコ秒以上のレーザパルス幅を使用してもよい。他の実施形態では、約1マイクロ秒以上のレーザパルス幅を使用してもよい。幾つかの実施形態では、第2のレーザ出力は、約0.78~3マイクロメートルの範囲すなわち、近赤外光スペクトルから選択された波長を含むことができる。他の実施形態では、第2のレーザ出力は、約3~50マイクロメートルの範囲すなわち、中赤外光スペクトルから選択された波長を含むことができる。他の実施形態では、第2のレーザ出力は、50~1,000マイクロメートルの範囲すなわち、遠赤外光スペクトルから選択された波長を含むことができる。更に他の実施形態では、第2のレーザ装置110は、連続波レーザ装置を含む。上述したように、第2のレーザ装置110のビーム幅は、特性変化領域145の幅に基づいて選択的に調整してもよい。ビーム幅は、ビーム伝送アセンブリ115の光学配置を変更することによって選択的に調整できる。幾つかの実施形態によれば、ビーム伝送アセンブリ115は、第1のレーザ装置の出力によって引き起こされる特性変化領域の幅、すなわち約1~100μmに基づいて第2のレーザ装置110の出力を約10μm~10mmの幅に集光することができる。幾つかの実施形態では、システム100は、第1のレーザ装置105から、材料130のビーム経路140の全長に沿ってレーザ出力を照射し、この後、第2のレーザ装置110から、ビーム経路140の全長に沿ってレーザ出力を照射する。他の実施形態では、第1及び第2のレーザ装置105、110のレーザ出力の両方はほぼ同時に行われる。すなわち、第2のレーザ装置110出力は、第1のレーザ装置105の出力の照射後に行ってもよい。例えば、第2のレーザ装置110のレーザビームは、ビーム経路140に沿って、所定の位置で第1のレーザ装置105のレーザビームの後に続いて照射してもよい。上述した具体例は、単一の矩形材料を2つの別々の矩形部分に分離するものであるが、システム100を用いて、ストック材料から精密に成形された製品を製造できることは当業者にとって明らかである。例えば、上述した方法に基づき、強化ガラス板を加工して、複数のタッチスクリーン基板を製造することもできる。タッチスクリーン基板は、所望の如何なる幾何学的構成を有していてもよい。更に、上述の加工を用いて、開口又はポート等の細かな細部をタッチスクリーン基板に作り込むこともできる。他の例示的用途では、本発明により半導体基板を加工することもできる。例えば、本発明を用いてシリコン貫通電極throughsiliconvias等の特徴形状を半導体基板に形成することができる。幾つかの実施形態によれば、システムは、個別の第1及び第2のレーザ装置を備えるのではなく、様々なレーザ出力を発生することができる単一のレーザ発生/放射装置を備えていてもよい。例えば、単一のレーザ発生/放射装置は、短いパルス幅レーザビーム及び長いパルス幅レーザビーム両方を発生できるものであってもよい。また、単一のレーザ発生/放射装置は、任意の適切な波長範囲内のレーザビームを出力するものであってもよい。第1及び第2のレーザ装置105,110の両方について、これらのレーザ装置は、例えば、材料への又は材料内のレーザビーム伝送のための多くの技術のうちの任意の1つを用いてもよいことは明らかである。レーザビーム伝送技術の非限定的な具体例としては、線形及び/又は非線形光伝播、静的及び/又は過渡的な導波路効果、光回折、屈折、反射、フィラメント形成、自己集束、並びに本発明の当業者に周知の立体、平面、線及び点の何れかに対するレーザエネルギの位置付けのための他のあらゆる技術/装置が含まれる。更に、ここで述べるレーザ装置の合併効果は、広範囲の微細加工用途に使用してもよく、幾つかの例を挙げると、宝石原石の成形、半導体ウェハスクライビング又は切断、硬組織の外科的切断、透明装置内のシリアル番号又は製品番号のマーキング等の証印のマーキングが含まれるが、これらに限定されない。図1に戻って説明すると、ストック材料130は、動作時、システム100のプラットフォーム125に載置される。幾つかの実施形態では、実行可能な命令を用いて、システム100の動作特性を選択的に変更して、ストック材料から製品を切断する。これらの命令は、図6を参照して説明するコンピュータシステム600等のコンピュータシステムのプロセッサ図示せずで実行してもよい。コンピュータシステムは、システム100の動作を制御して材料を切断する特定用途に特化したものであってもよい。実行可能な命令は、材料130の物理的特性に基づいて選択された、第1のレーザ装置105のレーザパラメータを含むことができる。材料130の物理的特性は、ユーザが入力しても、1つ以上のセンサ図示せずから収集されたデータによって入力してもよい。次に、ビーム伝送アセンブリ115を選択的に調整して、第1のレーザ装置105のビームを材料130に対し特定の深さと幅に集光する。第1のレーザ装置105の出力は、所望の製品プロファイルに応じて、ビーム経路140に沿って照射される。すなわち、ビーム経路140は、所望の製品プロファイルの輪郭例えば、矩形、円形、多角形、不規則形状等を近似する。第1のレーザ装置105の出力を照射すると、ビーム経路140に沿って、材料130の材料特性変化領域145が生じる。ビーム経路140に沿って材料130を分離又は切断するために、材料の物理的特性及び材料130内に生じた特性変化領域145に基づいて、第2のレーザ110のレーザパラメータを選択的に調整する。次に、ビーム伝送装置115の構成を選択的に調整する。例えば、第2のレーザ装置110のビームの幅は、第2のレーザ装置110のビームが、特性変化領域145に隣接する材料の一部及び特性変化領域145自体に向けられるように選択される。第2のレーザ装置110の出力を照射すると、材料130のエッジ面に又は、材料130の他の部分に欠陥を生じることなく、特性変化領域145に沿って、ストック材料130から製品図示せずが分離又は切断される。図6は、本発明の実施形態の実施に用いることができる例示的なコンピュータシステム600を示す。図6のシステム600は、コンピュータシステム、ネットワーク、サーバ又はこれらの組合せ等において実装することができる。図6のコンピュータシステム600は、1つ以上のプロセッサ610と、主記憶装置620とを備える。主記憶装置620は、プロセッサ610で実行される命令及びデータを部分的に格納する。主記憶装置620には、動作時に実行可能コードを格納してもよい。図6のシステム600は、更に、大容量記憶装置630、携帯用記憶媒体ドライブ640、出力装置650、ユーザ入力装置660、グラフィックディスプレイ670及び周辺機器680も備える。図6に示す構成部品は、単一のバス690を介して接続されているものとして示す。これらの構成部品は、1つ以上のデータ転送手段を介して接続してもよい。処理装置610及び主記憶装置620は、ローカルマイクロプロセッサバスを介して接続してもよく、大容量記憶装置630、周辺機器680、携帯用記憶装置640及び表示装置670は、1つ以上の入出力I/Oバスを介して接続してもよい。大容量記憶装置630は、磁気ディスクドライブ又は光ディスクドライブであってもよく処理装置610で使用されるデータ及び命令を格納する不揮発性記憶装置である。大容量記憶装置630は、本発明の実施形態を実施するシステムソフトウェアを主記憶装置620に格納できる。携帯用記憶装置640は、例えば、フロッピーディスク、コンパクトディスク、デジタルビデオディスク、USBメモリ等の携帯用不揮発性記憶媒体と共に動作し、図6のコンピュータシステム600に/からデータ及びコードを入出力する。本発明の実施形態を実施するシステムソフトウェアは、このような携帯用端末に格納して、携帯用記憶装置640を介して、コンピュータシステム600にロードしてもよい。入力装置660は、ユーザインタフェースの一部を提供する。入力装置660は、英数字及び他の情報を入力するキーボード等の英数字キーパッド、又はマウス、トラックボール、スタイラス、カーソル矢印キー等のポインティングデバイスであってもよい。図6に示すシステム600としては、出力装置650を含む。適切な出力装置としては、スピーカ、プリンタ、ネットワークインタフェース及びモニタ等が挙げられる。表示装置670は、液晶ディスプレイliquidcrystaldisplay:LCD又は他の適切な表示装置であってもよい。表示装置670は、テキスト及びグラフィック情報を受け取り、これらの情報を処理して表示装置に出力する。周辺機器680は、コンピュータシステムに機能を追加する如何なる種類のコンピュータ支援機器であってもよい。周辺機器680は、モデム又はルータを備えていてもよい。図6のコンピュータシステム600に設けられる構成部品は、本発明の実施形態で実施するのに適切なコンピュータシステムに通常見られるもので、当技術分野で周知の広範な範疇のコンピュータ構成部品を示すことを意図している。すなわち、図6のコンピュータシステム600は、パーソナルコンピュータ、ハンドヘルドコンピュータシステム、電話、モバイルコンピューティングシステム、ワークステーション、サーバ、ミニコンピュータ、メインフレームコンピュータ又は他の如何なるコンピュータシステムであってもよい。また、コンピュータは、ネットワーク接続されたプラットフォーム、マルチプロセッサプラットフォーム等、異なるバス構成を備えていてもよい。Unix、Linax、Windows、MacintoshOS、PalmOS、Android、iPhoneOS等、他の適切なオペレーティングシステムを含む様々なオペレーティングシステムを用いることができる。本発明と共に用いるのが適切なここで述べた処理を実行するのに適する如何なるハードウェアプラットフォームを使用してもよい。コンピュータ読取可能な記憶媒体とは、中央演算処理装置centralprocessingunit:CPU、プロセッサ、マイクロコントローラ等に命令を与えるのに関与するあらゆる種類の媒体を指す。このような媒体は、光ディスク及び磁気ディスク等の不揮発性媒体、ダイナミックメモリ等の揮発性記憶媒体であってもよいが、これらに限定されない。コンピュータ読取可能な記憶媒体の一般的な形式としては、フロッピーディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、他のあらゆる磁気記憶媒体、CD-ROMディスク、デジタルビデオディスクDVD、他のあらゆる光記憶媒体、RAM、PROM、EPROM、FLASHEPROM及び他のあらゆるメモリチップ又はカートリッジが挙げられる。上記において各種実施形態を説明したが、これらは、あくまで例示的なものに過ぎず、本発明を限定するものではない。これらの説明は、本発明の範囲を、ここで説明した特定の実施形態に限定することを意図していない。従って、好適な実施形態の広さ及び範囲は、上述したどの例示的な実施形態によっても限定すべきではない。すなわち、上述した説明は、あくまで例示的なものに過ぎず、限定するものではない。逆に、上述した説明は、添付の特許請求の範囲に規定されており、さもなければ当業者に理解されるように、本発明の精神と範囲に含まれるものとして、代替例、変更例及び均等物を包含することを意図している。従って、本発明の範囲は、上述した説明によってではなく、その代わりに均等物の全範囲と共に、添付の特許請求の範囲によって決定しなければならない。"