エピタキシャル成長法を用いて発光ダイオードを製造するためのパターン基板であって、該パターン基板が、成長面とする上面から下向きに窪んだ凹部の形成面により画成され、また、それぞれが互いに離間して設けられ、さらに、該上面より下向きに延伸された周面と該周面と共に該凹部を画成する底面とを有する、複数の凹部と、各該凹部の該底面よりそれぞれ上向きに突出して形成された複数の突起と、を備えていることを特徴とする、パターン基板。各前記凹部における前記凹部形成面の前記底面の直径が2~7μmであり、かつ、隣接する前記凹部同士の中心間距離が各前記底面の直径よりも大きいことを特徴とする、請求項1に記載のパターン基板。前記突起が、対応する前記凹部において前記周面と離間して設けられ、前記突起の最大横断面の直径が7μm以下であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のパターン基板。前記凹部において、前記上面から前記底面までの深さが0.5μmかた5μmであることを特徴とする、請求項1から3のいずれか1項に記載のパターン基板。前記突起の高さが、前記凹部の深さ以下であり、かつ、前記凹部の深さの半分以上であることを特徴とする、請求項1から4のいずれか1項に記載のパターン基板。サファイア基板を用い、前記パターン基板の前記上面と前記凹部の前記底面とが、該サファイア基板のC0001面であることを特徴とする、請求項1から5のいずれか1項に記載のパターン基板。請求項1から6のいずれか1項に記載のパターン基板と、前記パターン基板の前記上面に前記エピタキシャル成長法を用いて形成されたエピタキシャル層構造体と、該エピタキシャル層構造体と電気的に接続された電極ユニットと、を備えていることを特徴とする、発光ダイオード。前記エピタキシャル層構造体が、三族元素及び五族元素を含む半導体化合物から形成されることを特徴とする、請求項7に記載の発光ダイオード。パターン基板11の凹部112において光の進行方向を変えることにより発光輝度を向上させることができ、また、パターン基板11によりエピタキシャル層構造体12の品質を向上させることができる。しかしながら、更なる輝度向上を目指した研究は、パターン基板の新たなパターン開発によりなおも続けられている。本発明は、発光輝度の更なる向上を図ることができるパターン基板及び該パターン基板を用いた発光ダイオードを提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、エピタキシャル成長法を用いて発光ダイオードを製造するためのパターン基板であって、成長面とする上面から下向きに窪んだ凹部形成面により画成された複数の凹部であって、複数の前記凹部が互いに離間して設けられ、各前記凹部形成面は、前記上面より下向きに延伸される周面と、該周面と共に前記凹部を画成する底面とを有する複数の凹部と、各前記凹部の前記底面よりそれぞれ上向きに突出して形成された複数の突起とを備えていることを特徴とするパターン基板を提供する。また、本発明は、前記パターン基板と、前記パターン基板の上面にエピタキシャル成長法を用いて形成されたエピタキシャル層構造体と、前記エピタキシャル層構造体と電気的に接続された電極ユニットとを備えていることを特徴とする発光ダイオードを提供する。以上の構成によれば、複数の凹部のそれぞれにおいて、各凹部形成面の底面上に周面から離間して突起が設けられているので、入射した光をパターン基板の上面、凹部形成面及び突起の表面で反射させることができる。これにより、従来のパターン基板より多くの光が反射されるので、発光輝度をより一層向上させることができる。以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳しく説明する。図3及び図4では本発明によるパターン基板2の好ましい態様が示されている。パターン基板2は、エピタキシャル成長法を用いて発光ダイオードを製造するためのパターン基板であり、サファイア基板を用いて、成長面とする上面21と、互いに離間して設けられた複数の凹部25と、複数の突起26などを備えるように構成される。なお、この形態において、サファイア基板の成長面とする上面21はサファイア基板のC0001面である。各凹部25は、上面21から下向きに窪んだ凹部形成面22により画成され、凹部形成面22は、上面21に続いて下向きに延伸される周面24と、該周面24の下周縁231により画成される底面23とからなり、底面23にはそれぞれ突起26が上向きに突出して形成されている。当該実施形態では、複数の凹部25のそれぞれの底面23は上面視で円形を呈し且つ上面21と平行であり、故に底面23はサファイア基板のC0001面である。各凹部25の周面24はそれぞれ上面21側に対して底面23側に窄んでおり、各凹部25の形状は略円錐台状を呈す。底面23はそれぞれ直径が2μm~7μmであり、上面21からの深さが0.5μm~5μmである。隣接する凹部25同士の中心間距離は各底面23の直径よりも大きい。突起26はそれぞれ、横断面が略円形であり、底面23側に対して上面21側に窄む略円錐台状となる。突起26の最大横断面は直径が7μm以下であり、且つ対応する凹部25において凹部形成面22の周面24と離間して設けられている。さらに、突起26の高さは底面23の深さ以下であり、且つ底面23の深さの半分以上なので、突起26は上面21より外面に突き出ることはない。以下に凹部25と突起26の形成方法を具体的に説明する。この実施形態では、サファイア基板のC0001面である上面21に同心円パターンを有するエッチングマスクを配置してから、ドライエッチング法を用いてサファイア基板に凹部25と突起26とを形成する。同心円パターンを有するエッチングマスクを使用することにより、突起26をそれぞれ対応する底面23の幾何学的中心に形成することができる。このように作成されたパターン基板2を上面視すると、各凹部25において周面24、底面23及び突起26の上面は同心円を呈すようになる図3参照。なお、本実施例では、底面23、周面24及び突起26は横断面が略円形を呈しているが、これらは略円形に限定されるものではなく、四角形や五角形などの多角形に形成されてもよい。図5に示すように、エピタキシャル成長法を用いてパターン基板2の上面に形成されたエピタキシャル層構造物3に、電極ユニット4を設けると、本発明による発光ダイオード5が形成される。パターン基板2に関しては上述した通りであり詳細な説明は省く。エピタキシャル層構造物3は三族元素及び五族元素を含む半導体化合物、例えばGaN系半導体材料で作られ、基板2側から順に、基板2の上面21に形成され凹部25を充満するように設けられたn形半導体層31と、発光層32と、p形半導体層33からなっている。この例では、n形半導体層31としてはn-GaN、p形半導体層33としてはp-GaNにより構成されることが好ましい。電極ユニット4は、n形半導体層31と電気的に接続されるようにn形半導体層31上に形成された第1電極41と、p形半導体層33と電気的に接続されるようにp形半導体層33上に形成された第2電極42とから構成され、外部電力図示せずと電気的に接続できるようになっている。電極ユニット4が前記外部電源に接続されると、電力はn形半導体層31とp形半導体層33を経由して発光層32に転送され、発光層32により光エネルギーに転換されて発光する。発光層32からp形半導体層33への光は電極42を通過して外部に放射される。一方、発光層32からn形半導体層31への光は基板2の上面21、周面24、底面23及び突起26にて反射や回折されて上方へ向かって放射される。以上のように本発明における発光ダイオード5は、パターン基板2に複数の凹部25のそれぞれに突起26が設けられていることにより、エピタキシャル層構造体3における転移等の結晶欠陥を改善することができ、また、エピタキシャル層構造体3からの発光を、パターン基板2の凹部25及び突起26によって反射、回折して従来よりも効率よく上方へ射出させることができるので、本発明による発光ダイオード5の主な照明方向における輝度を向上させることができる。図6aは図1に示したパターン基板11を用いた従来例の発光ダイオードの放射強度分布曲線であり、従来の発光ダイオードの放射強度が18mW/srであることを示している。図6bは本発明による発光ダイオードの放射強度分布曲線であり、本発明による発光ダイオードの放射強度が2.0mW/srであることを示している。図6a及び図6bにより、本発明による発光ダイオード5は、従来の発光ダイオードよりも約10高い輝度放射強度を得ることが分かる。以上により、パターン基板2に突起26を備えた凹部25を複数有することによって、エピタキシャル層構造体3からの発光が、従来よりも主な照明方向上方へ効率よく反射され、回折されることができる。これにより、本発明による発光ダイオード5の輝度をより一層向上させることができる。また、パターン基板2に突起26を備えた凹部25を複数形成していることによりエピタキシャル層構造体3における転移等の結晶欠陥をも改善することができるので、発光ダイオード5の品質の向上を図ることができる効果を有する。本発明を、最も実際的であり、また、好ましい実施態様に関して説明してきたが、本発明は上記実施態様には限定されず、最も広い解釈の精神および範囲の中に含まれる種々の変更、並びに均等な変更を網羅していることが意図されていると理解されなければならない。