"下記式1で表され、かつアリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有する第1のシリコーン樹脂と、下記式51で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基及びアルケニル基を有する第2のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、酸化珪素粒子とを含み前記第1のシリコーン樹脂が、ジメチルシロキサン骨格を有さず、かつ前記第2のシリコーン樹脂が、ジメチルシロキサン骨格を有さない、光半導体装置用ダイボンド材。前記式1中、a、b及びcは、a/abc=0.05~0.50、b/abc=0~0.20及びc/abc=0.30~0.90を満たし、R1~R6は、少なくとも1個がアリール基を表し、少なくとも1個が水素原子を表し、アリール基及び水素原子以外のR1~R6は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。但し、前記式1中、R4R5SiO2/2で表される構造単位は、R4及びR5の双方がメチル基ではなく、ジメチルシロキサン構造単位ではない。前記式51中、p、q及びrは、p/pqr=0.05~0.50、q/pqr=0.05~0.50及びr/pqr=0.05~0.50を満たし、R51~R56は、少なくとも1個がアリール基を表し、少なくとも1個がアルケニル基を表し、アリール基及びアルケニル基以外のR51~R56は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。但し、前記式51中、R54R55SiO2/2で表される構造単位は、R54及びR55の双方がメチル基ではなく、ジメチルシロキサン構造単位ではない。前記式1で表される第1のシリコーン樹脂が、下記式1Aで表される第1のシリコーン樹脂である、請求項1に記載の光半導体装置用ダイボンド材。前記式1A中、a、b、c1及びc2は、a/abc1c2=0.05~0.50、b/abc1c2=0~0.20、c1c2/abc1c2=0.30~0.90、c1/abc1c2=0.30~0.90及びc2/abc1c2=0~0.20を満たし、R1~R6は、少なくとも1個がアリール基を表し、少なくとも1個が水素原子を表し、アリール基及び水素原子以外のR1~R6は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。但し、前記式1A中、R4R5SiO2/2で表される構造単位は、R4及びR5の双方がメチル基ではなく、ジメチルシロキサン構造単位ではない。前記式51で表される第2のシリコーン樹脂が、下記式51Aで表される第2のシリコーン樹脂である、請求項1又は2に記載の光半導体装置用ダイボンド材。前記式51A中、p、q、r1及びr2は、p/pqr1r2=0.05~0.50、q/pqr1r2=0.05~0.50、r1r2/pqr1r2=0.05~0.50、r1/pqr1r2=0.05~0.40及びr2/pqr1r2=0~0.50を満たし、R51~R56は、少なくとも1個がアリール基を表し、少なくとも1個がアルケニル基を表し、アリール基及びアルケニル基以外のR51~R56は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。但し、前記式51A中、R54R55SiO2/2で表される構造単位は、R54及びR55の双方がメチル基ではなく、ジメチルシロキサン構造単位ではない。前記第1のシリコーン樹脂と前記第2のシリコーン樹脂とのそれぞれのE型粘度計を用いて測定された25°C及び10rpmでの粘度が1200mPas以上、6000mPas以下である、請求項1~3のいずれか1項に記載の光半導体装置用ダイボンド材。前記第1のシリコーン樹脂が、アリール基と、珪素原子に結合した水素原子と、アルケニル基とを有する第1のシリコーン樹脂である、請求項1~4のいずれか1項に記載の光半導体装置用ダイボンド材。請求項1~5のいずれか1項の光半導体装置用ダイボンド材と、接続対象部材と、前記光半導体装置用ダイボンド材を用いて前記接続対象部材に接続された光半導体素子とを備える、光半導体装置。上記光半導体装置を得る際には、先ず、ダイボンダーと呼ばれる塗布装置を用いて、基板上にダイボンド材を塗布又は積層し、ダイボンド層を形成する。次に、ダイボンド層上に、光半導体素子を積層し、ダイボンド層を硬化させる。その後、光半導体素子の電気的な接続を行うために、ワイヤーボンディングを行う。特許文献1に記載のような従来のダイボンド材では、ダイボンド材の硬化物が比較的軟らかいことなどに起因して、ワイヤーボンディングを精度よく行うことが困難なことがある。例えば、ワイヤーボンディング時に、ダイボンド材の硬化物が超音波振動を吸収することで、接合を阻害して、ワイヤーボンディング不良が生じることがある。さらに、従来のダイボンド材を用いた光半導体装置では、光半導体素子からの発光等に起因してダイボンド材の硬化物が高温に晒されると、該硬化物にクラックが生じることがある。本発明の目的は、ワイヤーボンディング時におけるボンダビィリティーを良好にすることができ、更に硬化物の耐熱クラック特性を高めることができる光半導体装置用ダイボンド材、並びに該光半導体装置用ダイボンド材を用いた光半導体装置を提供することである。本発明の広い局面によれば、下記式1で表され、かつアリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有する第1のシリコーン樹脂と、下記式51で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基及びアルケニル基を有する第2のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、酸化珪素粒子とを含み、上記第1のシリコーン樹脂が、ジメチルシロキサン骨格を有さず、かつ上記第2のシリコーン樹脂が、ジメチルシロキサン骨格を有さない、光半導体装置用ダイボンド材が提供される。上記式1中、a、b及びcは、a/abc=0.05~0.50、b/abc=0~0.20及びc/abc=0.30~0.90を満たし、R1~R6は、少なくとも1個がアリール基を表し、少なくとも1個が水素原子を表し、アリール基及び水素原子以外のR1~R6は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。但し、上記式1中、R4R5SiO2/2で表される構造単位は、R4及びR5の双方がメチル基ではなく、ジメチルシロキサン構造単位ではない。上記式51中、p、q及びrは、p/pqr=0.05~0.50、q/pqr=0.05~0.50及びr/pqr=0.05~0.50を満たし、R51~R56は、少なくとも1個がアリール基を表し、少なくとも1個がアルケニル基を表し、アリール基及びアルケニル基以外のR51~R56は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。但し、上記式51中、R54R55SiO2/2で表される構造単位は、R54及びR55の双方がメチル基ではなく、ジメチルシロキサン構造単位ではない。本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材のある特定の局面では、上記式1で表される第1のシリコーン樹脂は、下記式1Aで表される第1のシリコーン樹脂である。上記式1A中、a、b、c1及びc2は、a/abc1c2=0.05~0.50、b/abc1c2=0~0.20、c1c2/abc1c2=0.30~0.90、c1/abc1c2=0.30~0.90及びc2/abc1c2=0~0.20を満たし、R1~R6は、少なくとも1個がアリール基を表し、少なくとも1個が水素原子を表し、アリール基及び水素原子以外のR1~R6は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。但し、上記式1A中、R4R5SiO2/2で表される構造単位は、R4及びR5の双方がメチル基ではなく、ジメチルシロキサン構造単位ではない。本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材の他の特定の局面では、上記式51で表される第2のシリコーン樹脂は、下記式51Aで表される第2のシリコーン樹脂である。上記式51A中、p、q、r1及びr2は、p/pqr1r2=0.05~0.50、q/pqr1r2=0.05~0.50、r1r2/pqr1r2=0.05~0.50、r1/pqr1r2=0.05~0.40及びr2/pqr1r2=0~0.50を満たし、R51~R56は、少なくとも1個がアリール基を表し、少なくとも1個がアルケニル基を表し、アリール基及びアルケニル基以外のR51~R56は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。但し、上記式51A中、R54R55SiO2/2で表される構造単位は、R54及びR55の双方がメチル基ではなく、ジメチルシロキサン構造単位ではない。上記第1のシリコーン樹脂と上記第2のシリコーン樹脂とのそれぞれのE型粘度計を用いて測定された25°C及び10rpmでの粘度が1200mPas以上、6000mPas以下であることが好ましい。本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材の他の特定の局面では、上記第1のシリコーン樹脂は、アリール基と、珪素原子に結合した水素原子と、アルケニル基とを有する第1のシリコーン樹脂である。本発明に係る光半導体装置は、本発明に従って構成された光半導体装置用ダイボンド材と、接続対象部材と、上記光半導体装置用ダイボンド材を用いて上記接続対象部材に接続された光半導体素子とを備える。本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、式1で表され、アリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有する第1のシリコーン樹脂と、式51で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さずかつアリール基及びアルケニル基を有する第2のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、酸化珪素粒子とを含み、更に上記第1のシリコーン樹脂がジメチルシロキサン骨格を有さず、かつ上記第2のシリコーン樹脂がジメチルシロキサン骨格を有さないので、ワイヤーボンディング時におけるボンダビィリティーを良好にすることができ、更に硬化物の耐熱クラック特性を高めることができる。以下、本発明の詳細を説明する。本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、第1のシリコーン樹脂と、第2のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、酸化珪素粒子とを含む。上記第1のシリコーン樹脂は、式1で表され、アリール基と、珪素原子に結合した水素原子とを有する。上記第2のシリコーン樹脂は、式51で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する。すなわち、本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、ヒドロシリル化反応可能なシリコーン樹脂を含み、該ヒドロシリル化反応可能なシリコーン樹脂が、上記第1のシリコーン樹脂と上記第2のシリコーン樹脂とを含む。本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材では、上記第1のシリコーン樹脂はジメチルシロキサン骨格を有さず、かつ上記第2のシリコーン樹脂はジメチルシロキサン骨格を有さない。すなわち、本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材に含まれている上記ヒドロシリル化反応可能なシリコーン樹脂は、ジメチルシロキサン骨格を有さない。本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材における上記組成の採用により、ダイボンダー等の塗布装置を用いて、本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材を基板等の塗布対象部材上に塗布し、該ダイボンド材上に光半導体素子を積層し、ダイボンド材を硬化させた後、光半導体素子の電気的な接続を行うために、ワイヤーボンディングを行ったときに、ワイヤーボンディングを精度よく行うことができる。すなわち、上記組成の採用により、ワイヤーボンディング時におけるボンダビィリティーを良好にすることができる。特に、上記第1のシリコーン樹脂がジメチルシロキサン骨格を有さず、かつ上記第2のシリコーン樹脂がジメチルシロキサン骨格を有さないことは、ワイヤーボンディング時の超音波振動を吸収することなく光半導体素子に効率的に伝達し、ワイヤーボンディング時におけるボンダビィリティーを向上することに大きく寄与する。さらに、本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材における上記組成の採用により、特に第1,第2のシリコーン樹脂の双方がアリール基を有するので、ダイボンド材の硬化物の耐熱クラック特性を高めることができる。ダイボンド材を用いた光半導体装置では、光半導体素子の発光時などに、ダイボンド材の硬化物が高温下に晒される。本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材の硬化物は、高温に晒されてもクラックが生じ難いので、光半導体装置の信頼性を高めることができる。第1のシリコーン樹脂本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材に含まれている第1のシリコーン樹脂は、下記式1で表され、アリール基と、珪素原子に結合した水素原子とを有する。上記第1のシリコーン樹脂は、ジメチルシロキサン骨格ジメチルシロキサン構造単位を有さない。上記水素原子は、珪素原子に直接結合している。上記アリール基としては、無置換のフェニル基及び置換フェニル基が挙げられる。上記第1のシリコーン樹脂は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記式1中、a、b及びcは、a/abc=0.05~0.50、b/abc=0~0.20及びc/abc=0.30~0.90を満たし、R1~R6は、少なくとも1個がアリール基を表し、少なくとも1個が水素原子を表し、アリール基及び水素原子以外のR1~R6は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。但し、上記式1中、R4R5SiO2/2で表される構造単位は、R4及びR5の双方がメチル基ではなく、ジメチルシロキサン構造単位ではない。なお、上記式1中、R4R5SiO2/2で表される構造単位及びR6SiO3/2で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。上記のように、上記第1のシリコーン樹脂は、ジメチルシロキサン骨格を有さない。従って、上記式1で表される第1のシリコーン樹脂は、下記式101で表される構造単位を有さない。ダイボンド材の硬化物の耐熱クラック特性及び耐冷熱サイクル特性の双方をより一層高める観点からは、上記式1で表される第1のシリコーン樹脂は、CH3SiO3/2で表される構造単位を有することが好ましい。この構造単位の導入により、ダイボンド材の硬化物が冷熱サイクルに晒されても、硬化物にクラックが生じ難くなる。ダイボンド材の硬化物の耐熱クラック特性及び耐冷熱サイクル特性の双方をより一層高める観点からは、上記式1で表される第1のシリコーン樹脂は、下記式1Aで表される第1のシリコーン樹脂であることが好ましい。上記式1A中、a、b、c1及びc2は、a/abc1c2=0.05~0.50、b/abc1c2=0~0.20、c1c2/abc1c2=0.30~0.90、c1/abc1c2=0.30~0.90及びc2/abc1c2=0~0.20を満たし、R1~R6は、少なくとも1個がアリール基を表し、少なくとも1個が水素原子を表し、アリール基及び水素原子以外のR1~R6は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。但し、上記式1A中、R4R5SiO2/2で表される構造単位は、R4及びR5の双方がメチル基ではなく、ジメチルシロキサン構造単位ではない。上記式1A中、R6がアリール基及びアルケニル基以外である場合に、R6は、メチル基ではなく、炭素数2~8の炭化水素基を表すことが好ましい。なお、上記式1A中、R4R5SiO2/2で表される構造単位及びR6SiO3/2で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。ガスバリア性にさらに一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記第1のシリコーン樹脂は、アリール基と、珪素原子に結合した水素原子と、アルケニル基とを有する第1のシリコーン樹脂であることが好ましい。ガスバリア性にさらに一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記式1及び上記式1A中、R1~R6は、少なくとも1個がアリール基を表し、少なくとも1個が水素原子を表し、少なくとも1個がアルケニル基を表し、アリール基、水素原子及びアルケニル基以外のR1~R6は、炭素数1~8の炭化水素基を表すことが好ましい。上記式1及び上記式1Aは平均組成式を示す。上記式1及び上記式1Aにおける炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式1及び上記式1A中のR1~R6は同一であってもよく、異なっていてもよい。上記式1及び上記式1A中、R4R5SiO2/2で表される構造単位における酸素原子部分、及びR6SiO3/2で表される構造単位における酸素原子部分はそれぞれ、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、アルコキシ基の酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。なお、一般に、上記式1及び上記式1Aの各構造単位において、アルコキシ基の含有量は少なく、更にヒドロキシ基の含有量も少ない。これは、一般に、第1のシリコーン樹脂を得るために、アルコキシシラン化合物などの有機珪素化合物を加水分解し、重縮合させると、アルコキシ基及びヒドロキシ基の多くは、シロキサン結合の部分骨格に変換されるためである。すなわち、アルコキシ基の酸素原子及びヒドロキシ基の酸素原子の多くは、シロキサン結合を形成している酸素原子に変換される。上記式1及び上記式1Aの各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合には、シロキサン結合の部分骨格に変換されなかった未反応のアルコキシ基又はヒドロキシ基がわずかに残存していることを示す。後述の式51及び後述の式51Aの各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合に関しても、同様のことがいえる。上記式1及び上記式1Aにおける炭素数1~8の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、t-ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基、ビニル基及びアリル基等が挙げられる。上記式1及び上記式1A中にアルケニル基がある場合には、該アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基及びヘキセニル基等が挙げられる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、第1のシリコーン樹脂におけるアルケニル基及び上記式1及び上記式1A中のアルケニル基は、ビニル基又はアリル基であることが好ましく、ビニル基であることがより好ましい。上記第1のシリコーン樹脂における下記式X1より求められるアリール基の含有比率は3モル以上、30モル以下であることが好ましい。このアリール基の含有比率が3モル以上であると、ガスバリア性がより一層高くなる。アリール基の含有比率が30モル以下であると、ダイボンド材の剥離が生じ難くなる。ガスバリア性を更に一層高める観点からは、アリール基の含有比率は5モル以上であることがより好ましい。ダイボンド材の剥離をより一層生じ難くする観点からは、アリール基の含有比率は、20モル以下であることがより好ましい。アリール基の含有比率モル=上記第1のシリコーン樹脂の1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量/上記第1のシリコーン樹脂の数平均分子量×100式X1上記式X1中、第1のシリコーン樹脂は、平均組成式が上記式1又は上記式1Aで表される第1のシリコーン樹脂を示す。フェニル基を有する第1のシリコーン樹脂を用いる場合には、上記式X1におけるアリール基はフェニル基を示し、アリール基の含有比率はフェニル基の含有比率を示す。上記式1又は上記式1Aで表される第1のシリコーン樹脂において、R4R5SiO2/2で表される構造単位以下、二官能構造単位ともいうは、下記式1-2で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。R4R5SiXO1/2式1-2R4R5SiO2/2で表される構造単位は、下記式1-bで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式1-2-bで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R4及びR5で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、R4R5SiO2/2で表される構造単位に含まれる。具体的には、アルコキシ基がシロキサン結合の部分骨格に変換された場合には、R4R5SiO2/2で表される構造単位は、下記式1-bで表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。未反応のアルコキシ基が残存している場合、又はアルコキシ基がヒドロキシ基に変換された場合には、残存アルコキシ基又はヒドロキシ基を有するR4R5SiO2/2で表される構造単位は、下記式1-2-bで表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。なお、下記式1-bで表される構造単位において、末端の酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の1つの酸素原子をO1/2とする。上記式1-2及び1-2-b中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基を表す。上記式1-b、1-2及び1-2-b中のR4及びR5は、上記式1又は上記式1A中のR4及びR5と同様の基である。上記式1又は上記式1Aで表される第1のシリコーン樹脂において、R6SiO3/2で表される構造単位以下、三官能構造単位ともいうは、下記式1-3又は1-4で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の2つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。R6SiX2O1/2式1-3R6SiXO2/2式1-4R6SiO3/2で表される構造単位は、下記式1-cで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式1-3-c又は1-4-cで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R6で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、R6SiO3/2で表される構造単位に含まれる。上記式1-3、1-3-c、1-4及び1-4-c中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基を表す。上記式1-c、1-3、1-3-c、1-4及び1-4-c中のR6は、上記式1又は上記式1A中のR6と同様の基である。上記式1-b及び1-c、式1-2~1-4、並びに式1-2-b、1-3-c及び1-4-cにおいて、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基及びt-ブトキシ基が挙げられる。上記式1中のa/abc及び上記式1A中のa/abc1c2は、0.05以上、0.50以下である。a/abc及びa/abc1c2が上記下限以上及び上記上限以下であると、ダイボンド材の耐熱性がより一層高くなり、かつダイボンド材の剥離をより一層抑制できる。上記式1中のa/abc及び上記式1A中のa/abc1c2は、好ましくは0.10以上、より好ましくは0.15以上、好ましくは0.45以下、より好ましくは0.40以下である。上記式1中のb/abc及び上記式1A中のb/abc1c2は、0以上、0.20以下である。b/abc及びbabc1c2が上記上限以下であると、高温での貯蔵弾性率が高くなる。b/abc及びbabc1c2は、0を超えていてもよく、0.01以上であってもよい。上記式1及び上記式1A中、R4R5SiO2/2の構造単位が存在していても、ダイボンド材の硬化物のボンダビィリティーを良好にし、かつ耐熱クラック特性を高めることができる。なお、bが0であり、b/abc及びb/abc1c2が0である場合、上記式1及び上記式1A中、R4R5SiO2/2の構造単位は存在しない。上記式1中のc/abc及び上記式1A中のc1c2/abc1c2は、0.30以上、0.90以下である。c/abc及びc1c2/abc1c2が上記下限以上であると、ダイボンド材の高温での貯蔵弾性率が高くなる。c/abcが上記上限以下であると、ダイボンド材の耐熱性が高くなる。上記式1中のc/abc及び上記式1A中のc1c2/abc1c2は、好ましくは0.40以上、より好ましくは0.50以上、好ましくは0.80以下、より好ましくは0.75以下である。上記式1A中のc1/abc1c2は、0.30以上、0.90以下であり、かつc2/abc1c2は、0以上、0.20以下である。c1/abc1c2及びc2/abc1c2が上記下限以上及び上記上限以下であると、ダイボンド材の硬化物の耐熱クラック特性及び耐冷熱サイクル特性の双方を大きく高めることができる。上記式1A中のc1/abc1c2は、好ましくは0.35以上、より好ましくは0.40以上、好ましくは0.80以下、より好ましくは0.75以下である。c2/abc1c2は、0を超えていてもよく、0.01以上であってもよい。なお、c2が0であり、c2/abc1c2が0である場合、上記式1A中、R6SiO3/2の構造単位は存在しない。上記第1のシリコーン樹脂について、テトラメチルシラン以下、TMSを基準に29Si-核磁気共鳴分析以下、NMRを行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式1及び上記式1A中のR1R2R3SiO1/2で表される構造単位に相当するピークは10~-5ppm付近に現れ、上記式1及び上記式1A中のR4R5SiO2/2及び1-2の二官能構造単位に相当する各ピークは-10~-50ppm付近に現れ、上記式1及び上記式1A中のR6SiO3/2、CH3SiO3/2、並びに1-3及び1-4の三官能構造単位に相当する各ピークは-50~-80ppm付近に現れる。従って、29Si-NMRを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式1及び上記式1A中の各構造単位の比率を測定できる。但し、上記TMSを基準にした29Si-NMRの測定で上記式1及び上記式1A中の構造単位の見分けがつかない場合は、29Si-NMRの測定結果だけではなく、1H-NMRの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式1及び上記式1A中の各構造単位の比率を見分けることができる。第2のシリコーン樹脂本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材に含まれている第2のシリコーン樹脂は、下記式51で表され、アリール基と、アルケニル基とを有する。上記第2のシリコーン樹脂は、ジメチルシロキサン骨格ジメチルシロキサン構造単位を有さない。上記アルケニル基は、珪素原子に直接結合している。上記アルケニル基の炭素-炭素二重結合における炭素原子が、珪素原子に結合していてもよく、上記アルケニル基の炭素-炭素二重結合における炭素原子とは異なる炭素原子が、珪素原子に結合していてもよい。上記アリール基としては、無置換のフェニル基及び置換フェニル基が挙げられる。上記第2のシリコーン樹脂は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記式51中、p、q及びrは、p/pqr=0.05~0.50、q/pqr=0.05~0.50及びr/pqr=0.05~0.50を満たし、R51~R56は、少なくとも1個がアリール基を表し、少なくとも1個がアルケニル基を表し、アリール基及びアルケニル基以外のR51~R56は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。但し、上記式51中、R54R55SiO2/2で表される構造単位は、R54及びR55の双方がメチル基ではなく、ジメチルシロキサン構造単位ではない。なお、上記式51中、R54R55SiO2/2で表される構造単位及びR56SiO3/2で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。上記のように、上記第2のシリコーン樹脂は、ジメチルシロキサン骨格を有さない。従って、上記式51で表される第2のシリコーン樹脂は、下記式101で表される構造単位を有さない。ダイボンド材の硬化物の耐熱クラック特性及び耐冷熱サイクル特性の双方をより一層高める観点からは、上記式51で表される第2のシリコーン樹脂は、CH3SiO3/2で表される構造単位を有することが好ましい。この構造単位の導入により、ダイボンド材の硬化物が冷熱サイクルに晒されても、硬化物にクラックが生じ難くなる。ダイボンド材の硬化物の耐熱クラック特性及び耐冷熱サイクル特性の双方をより一層高める観点からは、上記式51で表される第2のシリコーン樹脂は、下記式51Aで表される第2のシリコーン樹脂であることが好ましい。上記式51A中、p、q、r1及びr2は、p/pqr1r2=0.05~0.50、q/pqr1r2=0.05~0.50、r1r2/pqr1r2=0.05~0.50、r1/pqr1r2=0.05~0.40及びr2/pqr1r2=0~0.50を満たし、R51~R56は、少なくとも1個がアリール基を表し、少なくとも1個がアルケニル基を表し、アリール基及びアルケニル基以外のR51~R56は、炭素数1~8の炭化水素基を表す。但し、上記式51A中、R54R55SiO2/2で表される構造単位は、R54及びR55の双方がメチル基ではなく、ジメチルシロキサン構造単位ではない。上記式51A中、R56がアリール基及びアルケニル基以外である場合に、R56は、メチル基ではなく、炭素数2~8の炭化水素基を表すことが好ましい。なお、上記式51A中、R54R55SiO2/2で表される構造単位及びR56SiO3/2で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。上記式51及び上記式51Aは平均組成式を示す。上記式51及び上記式51Aにおける炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式51及び上記式51A中のR51~R56は同一であってもよく、異なっていてもよい。上記式51及び上記式51A中、アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基及びヘキセニル基等が挙げられる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、第2のシリコーン樹脂におけるアルケニル基及び上記式51及び上記式51A中のアルケニル基は、ビニル基又はアリル基であることが好ましく、ビニル基であることがより好ましい。上記式51及び上記式51Aにおける炭素数1~8の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、t-ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基、ビニル基及びアリル基等が挙げられる。上記第2のシリコーン樹脂における下記式X51より求められるアリール基の含有比率は3モル以上、30モル以下であることが好ましい。このアリール基の含有比率が3モル以上であると、ガスバリア性がより一層高くなる。アリール基の含有比率が30モル以下であると、ダイボンド材の剥離が生じ難くなる。ガスバリア性を更に一層高める観点からは、アリール基の含有比率は5モル以上であることがより好ましい。剥離をより一層生じ難くする観点からは、アリール基の含有比率は、20モル以下であることがより好ましい。アリール基の含有比率モル=第2のシリコーン樹脂の1分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量/第2のシリコーン樹脂の数平均分子量×100式X51上記式X51中、第2のシリコーン樹脂は、平均組成式が上記式51又は上記式51Aで表される第2のシリコーン樹脂を示す。上記式51又は上記式51Aで表され、フェニル基を有する第2のシリコーン樹脂を用いる場合には、上記式X51におけるアリール基はフェニル基を示し、アリール基の含有比率はフェニル基の含有比率を示す。上記式51又は上記式51Aで表される第2のシリコーン樹脂において、R54R55SiO2/2で表される構造単位以下、二官能構造単位ともいうは、下記式51-2で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。R54R55SiXO1/2式51-2R54R55SiO2/2で表される構造単位は、下記式51-bで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式51-2-bで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R54及びR55で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、R54R55SiO2/2で表される構造単位に含まれる。上記式51-2及び51-2-b中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基を表す。上記式51-b、51-2及び51-2-b中のR54及びR55は、上記式51又は上記式51A中のR54及びR55と同様の基である。上記式51又は上記式51Aで表される第2のシリコーン樹脂において、R56SiO3/2で表される構造単位以下、三官能構造単位ともいうは、下記式51-3又は51-4で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の2つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。R56SiX2O1/2式51-3R56SiXO2/2式51-4R56SiO3/2で表される構造単位は、下記式51-cで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式51-3-c又は51-4-cで表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、R56で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、R56SiO3/2で表される構造単位に含まれる。上記式51-3、51-3-c、51-4及び51-4-c中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基を表す。上記式51-c、51-3、51-3-c、51-4及び51-4-c中のR56は、上記式51及び上記51A中のR56と同様の基である。上記式51-b及び51-c、式51-2~51-4、並びに式51-2-b、51-3-c及び51-4-cにおいて、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基及びt-ブトキシ基が挙げられる。上記式51中のp/pqr及び上記式51A中のp/pqr1r2は、0.05以上、0.50以下である。p/pqr及びp/pqr1r2が上記下限以上及び上限以下であると、ダイボンド材の耐熱性がより一層高くなり、かつダイボンド材の剥離をより一層抑制できる。上記式51中のp/pqr及び上記式51A中のp/pqr1r2は、好ましくは0.10以上、より好ましくは0.15以上、好ましくは0.45以下、より好ましくは0.40以下である。上記式51中のq/pqr及び上記式51A中のq/pqr1r2は、0.05以上、0.50以下である。q/pqr及びq/pqr1r2が上記上限以下であると、ダイボンド材の高温での貯蔵弾性率が高くなる。上記式51中のq/pqr及び上記式51A中のq/pqr1r2は、好ましくは0.40以下、より好ましくは0.35以下である。上記式51中のr/pqr及び上記式51A中のr1r2/pqr1r2は、0.05以上、0.50以下である。r/pqr及びr1r2/pqr1r2が上記下限以上であると、ダイボンド材の高温での貯蔵弾性率が高くなる。r/pqr及びr1r2/pqr1r2が上記上限以下であると、ダイボンド材の耐熱性が高くなる。上記式51A中のr1/pqr1r2は、0.05以上、0.40以下であり、かつr2/pqr1r2は、0以上、0.50以下である。r1/pqr1r2及びr2/pqr1r2が上記下限以上及び上記上限以下であると、ダイボンド材の硬化物の耐熱クラック特性及び耐冷熱サイクル特性の双方を大きく高めることができる。r2/pqr1r2は、0を超えていてもよく、0.01以上であってもよい。なお、r2が0であり、r2/pqr1r2が0である場合、上記式51A中、R56SiO3/2の構造単位は存在しない。上記第2のシリコーン樹脂について、テトラメチルシラン以下、TMSを基準に29Si-核磁気共鳴分析以下、NMRを行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式51及び上記式51A中のR51R52R53SiO1/2で表される構造単位に相当するピークは10~-5ppm付近に現れ、上記式51及び上記式51A中のR54R55SiO2/2及び51-2の二官能構造単位に相当する各ピークは-10~-50ppm付近に現れ、上記式51及び上記式51A中のR56SiO3/2、CH3SiO2/2並びに51-3及び51-4の三官能構造単位に相当する各ピークは-50~-80ppm付近に現れる。従って、29Si-NMRを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式51及び上記式51A中の各構造単位の比率を測定できる。但し、上記TMSを基準にした29Si-NMRの測定で上記式51及び上記式51A中の構造単位の見分けがつかない場合は、29Si-NMRの測定結果だけではなく、1H-NMRの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式51及び上記式51A中の各構造単位の比率を見分けることができる。上記第1のシリコーン樹脂100重量部に対して、上記第2のシリコーン樹脂の含有量は、好ましくは10重量部以上、より好ましくは30重量部以上、好ましくは400重量部以下、より好ましくは200重量部以下である。第1,第2のシリコーン樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、高温での貯蔵弾性率がより一層高く、かつガスバリア性により一層優れたダイボンド材を得ることができる。第1,第2のシリコーン樹脂の他の性質及びその合成方法上記第1,第2のオルガノポリシロキサンのアルコキシ基の含有量は、好ましくは0.5モル以上、より好ましくは1モル以上、好ましくは10モル以下、より好ましくは5モル以下である。アルコキシ基の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、ダイボンド材の密着性を高めることができる。アルコキシ基の含有量が上記下限以上であると、ダイボンド材の密着性を高めることができる。アルコキシ基の含有量が上記上限以下であると、第1,第2のシリコーン樹脂及びダイボンド材の貯蔵安定性が高くなり、ダイボンド材の耐熱性がより一層高くなる。上記アルコキシ基の含有量は、第1,第2のシリコーン樹脂の平均組成式中に含まれる上記アルコキシ基の量を意味する。上記第1,第2のシリコーン樹脂はシラノール基を含有しないほうが好ましい。第1,第2のシリコーン樹脂がシラノール基を含有しないと、第1,第2のシリコーン樹脂及びダイボンド材の貯蔵安定性が高くなる。上記シラノール基は、真空下での加熱により減少させることができる。シラノール基の含有量は、赤外分光法を用いて測定できる。上記第1,第2のシリコーン樹脂の数平均分子量Mnは好ましくは500以上、より好ましくは800以上、更に好ましくは1000以上、好ましくは50000以下、より好ましくは15000以下である。数平均分子量が上記下限以上であると、熱硬化時に揮発成分が少なくなり、高温環境下でダイボンド材の硬化物の厚みが減少しにくくなる。数平均分子量が上記上限以下であると、粘度調節が容易である。上記数平均分子量Mnは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCを用いて、ポリスチレンを標準物質して求めた値である。上記数平均分子量Mnは、Waters社製の測定装置カラム:昭和電工社製ShodexGPCLF-804長さ300mmを2本、測定温度:40°C、流速:1mL/分、溶媒:テトラヒドロフラン、標準物質:ポリスチレンを用いて測定された値を意味する。上記第1,第2のシリコーン樹脂を合成する方法としては特に限定されず、アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法、クロロシラン化合物を加水分解し縮合させる方法が挙げられる。なかでも、反応の制御の観点からアルコキシシラン化合物を加水分解する方法が好ましい。アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法としては、例えば、アルコキシシラン化合物を、水と酸性触媒又は塩基性触媒との存在下で反応させる方法が挙げられる。また、ジシロキサン化合物を加水分解して用いてもよい。上記第1,第2のシリコーン樹脂にアリール基を導入するための有機珪素化合物としては、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、及びフェニルトリメトキシシラン等が挙げられる。上記第1,第2のシリコーン樹脂にアルケニル基を導入するための有機珪素化合物としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、メトキシジメチルビニルシラン、ビニルジメチルエトキシシラン及び1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。上記第1のシリコーン樹脂に珪素原子に結合した水素原子を導入するための有機珪素化合物としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、及び1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。上記第1,第2のシリコーン樹脂を得るために用いることができる他の有機珪素化合物としては、例えば、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、イソプロピルメチルジメトキシシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン及びオクチルトリメトキシシラン等が挙げられる。上記酸性触媒としては、例えば、無機酸、有機酸、無機酸の酸無水物及びその誘導体、並びに有機酸の酸無水物及びその誘導体が挙げられる。上記無機酸としては、例えば、塩酸、リン酸、ホウ酸及び炭酸が挙げられる。上記有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸及びオレイン酸が挙げられる。上記塩基性触媒としては、例えば、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属のアルコキシド及びアルカリ金属のシラノール化合物が挙げられる。上記アルカリ金属の水酸化物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化セシウムが挙げられる。上記アルカリ金属のアルコキシドとしては、例えば、ナトリウム-t-ブトキシド、カリウム-t-ブトキシド及びセシウム-t-ブトキシドが挙げられる。上記アルカリ金属のシラノール化合物としては、例えば、ナトリウムシラノレート化合物、カリウムシラノレート化合物及びセシウムシラノレート化合物が挙げられる。なかでも、カリウム系触媒又はセシウム系触媒が好適である。上記第1のシリコーン樹脂と上記第2のシリコーン樹脂とのそれぞれのE型粘度計を用いて測定された25°C及び10rpmでの粘度は、1200mPas以上、6000mPas以下であることが好ましい。粘度がこの範囲内であることにより、ダイボンド材の糸曳きと滲みとの双方を抑制できる。ダイボンド材の糸曳きと滲みとの双方をより一層抑制する観点からは、上記第2のシリコーン樹脂のE型粘度計を用いて測定された25°Cにおける10rpmでの粘度は、好ましくは1300mPas以上、好ましくは4000mPas以下である。また、本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材のE型粘度計を用いて測定された25°Cにおける10rpmでの粘度η1は、好ましくは8000mPas以上、好ましくは30000mPas以下である。さらに、本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材のE型粘度計を用いて測定された25°Cにおける1rpmでの粘度η2mPasのE型粘度計を用いて測定された25°Cにおける10rpmでの粘度η1mPasに対する比η2/η1は好ましくは1.5以上、好ましくは4.0以下である。本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材が特定の上記粘度を有することにより、ダイボンド材の糸曳きと滲みとの双方を顕著に抑制できる。ダイボンド材の糸曳きと滲みとの双方をより一層抑制する観点からは、上記粘度η1は、より好ましくは12000mPas以上、より好ましくは25000mPas以下である。ダイボンド材の糸曳きと滲みとの双方をより一層抑制する観点からは、上記比η2/η1は、より好ましくは1.6以上、より好ましくは2.8以下である。なお、シリコーン樹脂及び光半導体装置用ダイボンド材における上記粘度は、E型粘度計TV-22型、東機産業社製を用いて測定された値である。ヒドロシリル化反応用触媒本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材に含まれているヒドロシリル化反応用触媒は、上記第1のシリコーン樹脂中の珪素原子に結合した水素原子と、上記第2のシリコーン樹脂中のアルケニル基とをヒドロシリル化反応させる触媒である。上記ヒドロシリル化反応用触媒として、ヒドロシリル化反応を進行させる各種の触媒を用いることができる。上記ヒドロシリル化反応用触媒は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記ヒドロシリル化反応用触媒としては、例えば、白金系触媒、ロジウム系触媒及びパラジウム系触媒等が挙げられる。ダイボンド材の透明性を高くすることができるため、白金系触媒が好ましい。上記白金系触媒としては、白金粉末、塩化白金酸、白金-アルケニルシロキサン錯体、白金-オレフィン錯体及び白金-カルボニル錯体が挙げられる。特に、白金-アルケニルシロキサン錯体又は白金-オレフィン錯体が好ましい。上記白金-アルケニルシロキサン錯体におけるアルケニルシロキサンとしては、例えば、1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、及び1,3,5,7-テトラメチル-1,3,5,7-テトラビニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。上記白金-オレフィン錯体におけるオレフィンとしては、例えば、アリルエーテル及び1,6-ヘプタジエン等が挙げられる。上記白金-アルケニルシロキサン錯体及び白金-オレフィン錯体の安定性を向上させることができるため、上記白金-アルケニルシロキサン錯体又は白金-オレフィン錯体に、アルケニルシロキサン、オルガノシロキサンオリゴマー、アリルエーテル又はオレフィンを添加することが好ましい。上記アルケニルシロキサンは、好ましくは1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサンである。上記オルガノシロキサンオリゴマーは、好ましくはジメチルシロキサンオリゴマーである。上記オレフィンは、好ましくは1,6-ヘプタジエンである。ダイボンド材100重量中、上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量は、好ましくは0.01重量以上、より好ましくは0.02重量以上、好ましくは0.5重量以下、より好ましくは0.3重量以下である。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が上記下限以上であると、ダイボンド材を十分に硬化させることが容易であり、ダイボンド材のガスバリア性をより一層高めることができる。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が上記上限以下であると、ダイボンド材がより一層変色し難くなる。酸化珪素粒子本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材に酸化珪素粒子が含まれていることにより、ダイボンド材の硬化物の耐熱性及び耐光性を損なうことなく、硬化前のダイボンド材の粘度を適当な範囲に調整できる。従って、ダイボンド材の取り扱い性を高めることができる。上記酸化珪素粒子の一次粒子径は好ましくは5nm以上、より好ましくは8nm以上、好ましくは200nm以下、より好ましくは150nm以下である。上記酸化珪素粒子の一次粒子径が上記下限以上であると、酸化珪素粒子の分散性がより一層高くなり、ダイボンド材の硬化物の透明性がより一層高くなる。上記酸化珪素粒子の一次粒子径が上記上限以下であると、25°Cにおける粘度の上昇効果を充分に得ることができ、かつ温度上昇における粘度の低下を抑制できる。上記酸化珪素粒子の一次粒子径は、以下のようにして測定される。光半導体装置用ダイボンド材の硬化物を透過型電子顕微鏡商品名JEM-2100、日本電子社製を用いて観察する。視野中の100個の酸化珪素粒子の一次粒子の大きさをそれぞれ測定し、測定値の平均値を一次粒子径とする。上記一次粒子径は、上記酸化珪素粒子が球形である場合には酸化珪素粒子の直径の平均値を意味し、非球形である場合には酸化珪素粒子の長径の平均値を意味する。上記酸化珪素粒子のBET比表面積は、好ましくは30m2/g以上、好ましくは400m2/g以下である。上記酸化珪素粒子のBET比表面積が30m2/g以上であると、ダイボンド材の25°Cにおける粘度を好適な範囲に制御でき、温度上昇における粘度の低下を抑制できる。上記酸化珪素粒子のBET比表面積が400m2/g以下であると、酸化珪素粒子の凝集が生じ難くなり、分散性を高くすることができ、更にダイボンド材の硬化物の透明性をより一層高くすることができる。上記酸化珪素粒子としては特に限定されず、例えば、フュームドシリカ、溶融シリカ等の乾式法で製造されたシリカ、並びにコロイダルシリカ、ゾルゲルシリカ、沈殿シリカ等の湿式法で製造されたシリカ等が挙げられる。なかでも、揮発成分が少なく、かつ透明性がより一層高いダイボンド材を得る観点からは、上記酸化珪素粒子として、フュームドシリカが好適に用いられる。上記フュームドシリカとしては、例えば、Aerosil50比表面積:50m2/g、Aerosil90比表面積:90m2/g、Aerosil130比表面積:130m2/g、Aerosil200比表面積:200m2/g、Aerosil300比表面積:300m2/g、及びAerosil380比表面積:380m2/gいずれも日本アエロジル社製等が挙げられる。上記酸化珪素粒子は、有機珪素化合物により表面処理されていることが好ましい。この表面処理により、酸化珪素粒子の分散性が非常に高くなり、硬化前のダイボンド材の温度上昇による粘度の低下をより一層抑制できる。上記有機珪素化合物としては特に限定されず、例えば、アルキル基を有するシラン系化合物、ジメチルシロキサン等のシロキサン骨格を有する珪素系化合物、アミノ基を有する珪素系化合物、メタアクリロイル基を有する珪素系化合物、及びエポキシ基を有する珪素系化合物等が挙げられる。上記メタアクリロイル基は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを意味する。酸化珪素粒子の分散性をさらに一層高める観点からは、表面処理に用いられる上記有機珪素化合物は、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物の内の少なくとも1種であることが好ましい。上記酸化珪素粒子は、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物の内の少なくとも1種により表面処理されていることが好ましい。有機珪素化合物により表面処理する方法の一例として、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物を用いる場合には、例えば、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルシリルクロライド及びトリメチルメトキシシラン等を用いて、酸化珪素粒子を表面処理する方法が挙げられる。ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物を用いる場合には、ポリジメチルシロキサン基の末端にシラノール基を有する化合物及び環状シロキサン等を用いて、酸化珪素粒子を表面処理する方法が挙げられる。上記トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、RX200比表面積:140m2/g、及びR8200比表面積:140m2/gいずれも日本アエロジル社製等が挙げられる。上記ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、RY200比表面積:120m2/g日本アエロジル社製等が挙げられる。上記有機珪素化合物により酸化珪素粒子を表面処理する方法は特に限定されない。この方法としては、例えば、ミキサー中に酸化珪素粒子を添加し、攪拌しながら有機珪素化合物を添加する乾式法、酸化珪素粒子のスラリー中に有機珪素化合物を添加するスラリー法、並びに、酸化珪素粒子の乾燥後に有機珪素化合物をスプレー付与するスプレー法などの直接処理法等が挙げられる。上記乾式法で用いられるミキサーとしては、ヘンシェルミキサー及びV型ミキサー等が挙げられる。上記乾式法では、有機珪素化合物は、直接、又は、アルコール水溶液、有機溶媒溶液若しくは水溶液として添加される。上記有機珪素化合物により表面処理されている酸化珪素粒子を得るために、光半導体装置用ダイボンド材を調製する際に、酸化珪素粒子と上記第1,第2のシリコーン樹脂等のマトリクス樹脂との混合時に、有機珪素化合物を直接添加するインテグレルブレンド法等を用いてもよい。上記光半導体装置用ダイボンド材100重量中、上記酸化珪素粒子の含有量は、好ましくは5重量以上、好ましくは30重量以下、より好ましくは25重量以下である。上記酸化珪素粒子の含有量が上記下限以上であると、ダイボンド材の硬化物の耐熱性及び耐光性を損なうことなく、硬化前のダイボンド材の粘度を適当な範囲に調整できる。上記酸化珪素粒子の含有量が上記上限以下であると、ダイボンド材の粘度をより一層適正な範囲に制御でき、かつダイボンド材の透明性をより一層高めることができる。本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材では、上記酸化珪素粒子の含有量が30重量以下であっても、高温での貯蔵弾性率が高くなる。本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材が、上記有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子を含有することにより、アリール基を有する第2のシリコーン樹脂又はアリール基を有する第1のシリコーン樹脂を含有していても、ダイボンド材の高温での粘度を十分な高さに維持できる。これにより、ダイボンド材が高温に加熱された時の粘度を適切な範囲に調整でき、ダイボンド材中の酸化珪素粒子の分散状態を良好にすることができる。このため、ダイボンド材の透明性をより一層高めることができる。カップリング剤本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、接着性を付与するために、カップリング剤をさらに含んでいてもよい。上記カップリング剤としては特に限定されず、例えば、シランカップリング剤等が挙げられる。該シランカップリング剤としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、及びN-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。カップリング剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。他の成分本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、必要に応じて、紫外線吸収剤、酸化防止剤、溶剤、着色剤、充填剤、消泡剤、表面処理剤、難燃剤、粘度調節剤、分散剤、分散助剤、表面改質剤、可塑剤、防黴剤、レベリング剤、安定剤、カップリング剤、タレ防止剤又は蛍光体等を含有してもよい。光半導体装置用ダイボンド材の詳細及び用途本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、ペースト状であってもよく、フィルム状であってもよい。本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、ペースト状であることが好ましい。上記第1のシリコーン樹脂と、上記第2のシリコーン樹脂と、上記ヒドロシリル化反応用触媒とは、これらを1種又は2種以上含む液を別々に調製しておき、使用直前に複数の液を混合して、本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材を調製してもよい。この場合に、酸化珪素粒子及びカップリング剤はそれぞれ、A液に添加してもよく、B液に添加してもよい。例えば、上記第2のシリコーン樹脂及び上記ヒドロシリル化反応用触媒を含むA液と、第1のシリコーン樹脂を含むB液とを別々に調製しておき、使用直前にA液とB液を混合して、ダイボンド材を調製してもよい。この場合に、酸化珪素粒子及びカップリング剤はA液に添加してもよく、B液に添加してもよい。このように上記第2のシリコーン樹脂及び上記ヒドロシリル化反応用触媒と上記第1のシリコーン樹脂とを別々に、第1の液と第2の液との2液にすることによって保存安定性を向上させることができる。本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材の製造方法としては特に限定されず、例えば、ホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリウムミキサー、ニーダー、三本ロール又はビーズミル等の混合機を用いて、常温又は加温下で、上記第1のシリコーン樹脂、上記第2のシリコーン樹脂、上記ヒドロシリル化反応用触媒及び必要に応じて配合される他の成分を混合する方法等が挙げられる。本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材を、基板等の接続対象部材上に配置し、又は光半導体素子の下面に配置し、ダイボンド材を介して接続対象部材と光半導体素子とを接続することにより、光半導体装置を得ることができる。本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材の硬化温度は特に限定されない。光半導体装置用ダイボンド材の硬化温度は、好ましくは80°C以上、より好ましくは100°C以上、好ましくは200°C以下、より好ましくは180°C以下である。硬化温度が上記下限以上であると、ダイボンド材の硬化が充分に進行する。硬化温度が上記上限以下であると、ダイボンド材及びダイボンド材により接合される部材の熱劣化が起こり難い。硬化方法として、特に限定されないが、ステップキュア方式を用いることが好ましい。ステップキュア方式は、一旦低温で仮硬化させておき、その後に高温で硬化させる方法である。ステップキュア方式の使用により、ダイボンド材の硬化収縮を抑えることができる。光半導体装置本発明に係る光半導体装置は、光半導体装置用ダイボンド材と、接続対象部材と、上記光半導体装置用ダイボンド材を用いて上記接続対象部材に接続された光半導体素子とを備える。本発明に係る光半導体装置としては、具体的には、例えば、発光ダイオード装置、半導体レーザー装置及びフォトカプラ等が挙げられる。このような光半導体装置は、例えば、液晶ディスプレイ等のバックライト、照明、各種センサー、プリンター及びコピー機等の光源、車両用計測器光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ、装飾、各種ライト並びにスイッチング素子等に好適に用いることができる。上記光半導体素子である発光素子としては、半導体を用いた発光素子であれば特に限定されず、例えば、上記発光素子が発光ダイオードである場合、例えば、基板上にLED形式用半導体材料を積層した構造が挙げられる。この場合、半導体材料としては、例えば、GaAs、GaP、GaAlAs、GaAsP、AlGaInP、GaN、InN、AlN、InGaAlN、及びSiC等が挙げられる。上記基板の材料としては、例えば、サファイア、スピネル、SiC、Si、ZnO、及びGaN単結晶等が挙げられる。また、必要に応じ基板と半導体材料との間にバッファー層が形成されていてもよい。上記バッファー層の材料としては、例えば、GaN及びAlN等が挙げられる。図1は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。本実施形態の光半導体装置1は、接続対象部材であるハウジング2と、光半導体素子3とを有する。ハウジング2内にLED素子である光半導体素子3が実装されている。この光半導体素子3の周囲を、ハウジング2の光反射性を有する内面2aが取り囲んでいる。本実施形態では、光半導体により形成された発光素子として、光半導体素子3が用いられている。ハウジング2の内面2aは、内面2aの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子3から発せられた光のうち、内面2aに到達した光B1が内面2aにより反射され、光半導体素子3の前方側に進行する。光半導体素子3は、ハウジング2に設けられたリード電極4に、ダイボンド材5を用いて接続されている。ダイボンド材5は、光半導体装置用ダイボンド材である。光半導体素子3に設けられたボンディングパッド図示せずとリード電極4とが、ボンディングワイヤー6により電気的に接続されている。光半導体素子3及びボンディングワイヤー6を封止するように、内面2aで囲まれた領域内には、封止剤7が充填されている。ダイボンド材5は、光半導体素子3の底部からはみ出してその周囲を囲むように配置されてもよく、光半導体素子3の底部からはみ出さないように配置されてもよい。ダイボンド材5の厚みは、2~50μmの範囲内であることが好ましい。光半導体装置1では、光半導体素子3を駆動すると、破線Aで示すように光が発せられる。この場合、光半導体素子3からリード電極4の上面とは反対側すなわち上方に照射される光だけでなく、ダイボンド材5に到達した光が矢印B2で示すように反射される光もある。なお、図1に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、光半導体素子3の実装構造等には適宜変形され得る。以下に、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。第1,第2のシリコーン樹脂第1,第2のシリコーン樹脂を以下のようにして合成した。合成例1第1のシリコーン樹脂の合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン40g、エチルトリメトキシシラン185g、及びフェニルトリメトキシシラン120gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、塩酸1.2gと水83gとの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマーAを得た。得られたポリマーAの数平均分子量Mnは1500であった。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーAは、下記の平均組成式A1を有していた。HMe2SiO1/20.20EtSiO3/20.50PhSiO3/20.30...式A1上記式A1中、Meはメチル基を、Etはエチル基を、Phはフェニル基を示す。得られたポリマーAのフェニル基の含有比率アリール基の含有比率は15.6モルであった。なお、合成例1及び合成例2~9で得られた各ポリマーの分子量は、10mgにテトラヒドロフラン1mLを加え、溶解するまで攪拌し、GPC測定により測定した。GPC測定では、Waters社製の測定装置カラム:昭和電工社製ShodexGPCLF-804長さ300mm×2本、測定温度:40°C、流速:1mL/min、溶媒:テトラヒドロフラン、標準物質:ポリスチレンを用いた。合成例2第1のシリコーン樹脂の合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン40g、メチルトリメトキシシラン165g、及びフェニルトリメトキシシラン120gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、塩酸1.2gと水83gとの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマーBを得た。得られたポリマーBの数平均分子量Mnは1500であった。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーBは、下記の平均組成式B1を有していた。HMe2SiO1/20.20MeSiO3/20.50PhSiO3/20.30...式B1上記式B1中、Meはメチル基、Phはフェニル基を示す。得られたポリマーBのフェニル基の含有比率アリール基の含有比率は15.6モルであった。合成例3第1のシリコーン樹脂の合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン40g、ビニルメチルジメトキシシラン26g、メチルトリメトキシシラン132g、及びフェニルトリメトキシシラン40gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、塩酸1.2gと水83gとの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマーCを得た。得られたポリマーCの数平均分子量Mnは1300であった。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーCは、下記の平均組成式C1を有していた。HMe2SiO1/20.20ViMeSiO2/20.10MeSiO3/20.60PhSiO3/20.10...式C1上記式C1中、Meはメチル基、Viはビニル基、Phはフェニル基を示す。得られたポリマーCのフェニル基の含有比率アリール基の含有比率は6モルであった。合成例4第2のシリコーン樹脂の合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン62g、ビニルメチルジメトキシシラン78g、及びフェニルトリメトキシシラン81gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、水酸化カリウム0.8gを水114gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸0.9gを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーDを得た。得られたポリマーDの数平均分子量Mnは2000であった。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーDは、下記の平均組成式D1を有していた。Me3SiO1/20.30ViMeSiO2/20.30PhSiO3/20.40...式D1上記式D1中、Meはメチル基、Viはビニル基、Phはフェニル基を示す。得られたポリマーDのフェニル基の含有比率アリール基の含有比率は15.6モルであった。合成例5第2のシリコーン樹脂の合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン62g、ビニルメチルジメトキシシラン78g、メチルトリメトキシシラン66g及びフェニルトリメトキシシラン81gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、水酸化カリウム0.8gを水114gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸0.9gを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーEを得た。得られたポリマーEの数平均分子量Mnは1800であった。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーEは、下記の平均組成式E1を有していた。Me3SiO1/20.30ViMeSiO2/20.30MeSiO3/20.20PhSiO3/20.20...式E1上記式E1中、Meはメチル基、Viはビニル基、Phはフェニル基を示す。得られたポリマーEのフェニル基の含有比率アリール基の含有比率は8.6モルであった。合成例6第1のシリコーン樹脂に類似した樹脂の合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン40g、フェニルメチルジメトキシシラン75g、メチルトリメトキシシラン66g、及びフェニルトリメトキシシラン120gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、塩酸1.2gと水83gとの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマーFを得た。得られたポリマーFの数平均分子量Mnは2500であった。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーFは、下記の平均組成式F1を有していた。HMe2SiO1/20.20PhMeSiO2/20.30MeSiO3/20.20PhSiO3/20.30...式F1上記式F1中、Meはメチル基を、Phはフェニル基を示す。得られたポリマーFのフェニル基の含有比率アリール基の含有比率は18.7モルであった。合成例7第1のシリコーン樹脂に類似した樹脂の合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン40g、ジメチルジメトキシシラン48g、メチルトリメトキシシラン99g、及びフェニルトリメトキシシラン120gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、塩酸1.2gと水83gとの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン150gと酢酸エチル150gとを添加し、イオン交換水300gで10回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマーGを得た。得られたポリマーGの数平均分子量Mnは2300であった。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーGは、下記の平均組成式G1を有していた。HMe2SiO1/20.20Me2SiO2/20.20MeSiO3/20.30PhSiO3/20.30...式G1上記式G1中、Meはメチル基を、Phはフェニル基を示す。得られたポリマーGのフェニル基の含有比率アリール基の含有比率は10.1モルであった。合成例8第2のシリコーン樹脂に類似した樹脂の合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン41g、ビニルメチルジメトキシシラン156g、メチルトリメトキシシラン33g、及びフェニルトリメトキシシラン40gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、水酸化カリウム0.8gを水114gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸0.9gを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーHを得た。得られたポリマーHの数平均分子量Mnは1800であった。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーHは、下記の平均組成式H1を有していた。Me3SiO1/20.20ViMeSiO2/20.60MeSiO3/20.10PhSiO3/20.10...式H1上記式H1中、Meはメチル基、Viはビニル基、Phはフェニル基を示す。得られたポリマーHのフェニル基の含有比率アリール基の含有比率は4.3モルであった。合成例9第2のシリコーン樹脂に類似した樹脂の合成温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン41g、ジメチルジメトキシシラン24g、ビニルメチルジメトキシシラン78g、メチルトリメトキシシラン66g、及びフェニルトリメトキシシラン80gを入れ、50°Cで攪拌した。その中に、水酸化カリウム0.8gを水114gに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に50°Cで6時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸0.9gを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーIを得た。得られたポリマーIの数平均分子量Mnは1900であった。29Si-NMRより化学構造を同定した結果、ポリマーIは、下記の平均組成式I1を有していた。Me3SiO1/20.20Me2SiO2/20.10ViMeSiO2/20.30MeSiO3/20.20PhSiO3/20.20...式I1上記式I1中、Meはメチル基、Viはビニル基、Phはフェニル基を示す。得られたポリマーIのフェニル基の含有比率アリール基の含有比率は8.2モルであった。実施例1ポリマーA5重量部、ポリマーD5重量部、白金の1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン錯体0.02重量部、及び酸化珪素微粒子AEROSILRY200、ポリジメチルシロキサン基を有する有機ケイ素化合物により表面処理された酸化ケイ素粒子、比表面積120m2/g、日本アエロジル社製2.2重量部を混合し、脱泡を行い、光半導体素子用ダイボンド材を得た。実施例2~5及び比較例1~4使用した材料の種類及び配合量を、下記の表1に示すように変更したこと以外は実施例1と同様にして、光半導体装置用ダイボンド材を得た。評価125°Cにおける粘度の測定E型粘度計TV-22型、東機産業社製を用いて、光半導体装置用ダイボンド材に用いたシリコーン樹脂第1,第2のシリコーン樹脂の25°Cにおける10rpmでの粘度mPasを測定した。2ワイヤーボンディング時におけるワイヤーボンダビリティーダイボンダーキャノンマシナリー社製BESTEM-D01Rを用いて、銀メッキされた銅基板上に得られた光半導体装置用ダイボンド材を、厚みが5μmでダイボンド材上に積層される光半導体素子の大きさとなるように塗布し、ダイボンド層を形成した。次に、ダイボンド層上に光半導体素子を積層し、積層体を得た。得られた積層体を150°Cで3時間加熱し、ダイボンド層を硬化させた。次に、ダイボンド層上の光半導体素子上に設けられた電極パッド上にワイヤーボンディングを行った。このときのワイヤーボンダビリティーを下記の判定基準で判定した。[ワイヤーボンダビリティーの判定基準]○○:1000サンプル中ワイヤーボンドNG不良無し○:1000サンプル中ワイヤーボンドNG1サンプル△:1000サンプル中ワイヤーボンドNG2サンプル×:1000サンプル中ワイヤーボンドNG3サンプル以上3耐熱クラック特性AgメッキしたCu基板上に、接着面積が3mm×3mmになるように光半導体装置用ダイボンド材を塗布し、3mm角のSiチップを載せた。その後、150°Cで3時間加熱し、ダイボンド材を硬化させ、硬化物により上記基板と上記Siチップとが接合された接合体テストサンプルを得た。得られた接合体1000個をオーブン内に入れ、270°Cで5分間加熱した。加熱後の接合体1000個中、クラックが生じている接合体の数を数え、耐熱クラック特性を下記の判定基準で判定した。[耐熱クラック特性の判定基準]○○:1000サンプル中、硬化物にクラックが発生したサンプル不良無し○:1000サンプル中、2サンプルで硬化物にクラックが発生した△:1000サンプル中、2サンプルで硬化物にクラックが発生した×:1000サンプル中、3サンプル以上で硬化物にクラックが発生した4耐冷熱サイクル特性AgメッキしたCu基板上に、接着面積が3mm×3mmになるように光半導体装置用ダイボンド材を塗布し、3mm角のSiチップを載せた。その後、150°Cで3時間加熱し、ダイボンド材を硬化させ、硬化物により上記基板と上記Siチップとが接合された接合体テストサンプルを得た。得られたテストサンプル1000個を用いて、かつ液槽式熱衝撃試験機TSB-51、ESPEC社製を用いて、-50°Cで5分間保持した後、135°Cまで昇温し、135°Cで5分間保持した後-50°Cまで降温する過程を1サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。1000サイクル後に接合体1000個中、クラックが生じている接合体の数を数え、耐冷熱サイクル特性を下記の判定基準で判定した。[耐冷熱サイクル特性の判定基準]○○:1000サンプル中、硬化物にクラックが発生したサンプル不良無し○:1000サンプル中、1サンプルで硬化物にクラックが発生した△:1000サンプル中、2サンプルで硬化物にクラックが発生した×:1000サンプル中、3サンプル以上で硬化物にクラックが発生した結果を下記の表1に示す。5接着性ダイシェア強度AgメッキしたCu基板上に、接着面積が3mm×3mmになるように光半導体装置用ダイボンド材を塗布し、3mm角のSiチップを載せて、テストサンプルを得た。得られたテストサンプルを150°Cで3時間加熱し、ダイボンド材を硬化させた。次に、ダイシェアテスターアークテック社製、型番:DAGE4000を用いて、300μ/秒の速度で、185°Cでのダイシェア強度を評価した。[ダイシェア強度の判定基準]○○:ダイシェア強度が1800g以上○:ダイシェア強度が1000g以上、1800g未満×:ダイシェア強度が1000g未満6滲みダイボンダーキャノンマシナリー社製BESTEMD01Rを用いて銀めっきされた銅基板上に得られた光半導体装置用ダイボンド材を、厚みが5μmでダイボンド材上に積層される光半導体素子の大きさとなるように塗布し、基板上にダイボンド材が塗布された塗布物を得た。得られた塗布物を平面視して、光半導体装置用ダイボンド材の塗布面積を評価した。滲みを下記の判定基準で判定した。[滲みの判定基準]○○:ダイボンド材上に積層される光半導体素子の面積に対して、はみ出した光半導体装置用ダイボンド材の塗布面積が1未満○:ダイボンド材上に積層される光半導体素子の面積に対して、はみ出した光半導体装置用ダイボンド材の塗布面積が1以上、3未満×:ダイボンド材上に積層される光半導体素子の面積に対して、はみ出した光半導体装置用ダイボンド材の塗布面積が3以上結果を下記の表1に示す。"