インナーリードを有するリードフレームと、前記リードフレームに搭載された、電極パッドを有する半導体素子と、前記電極パッドと前記インナーリードとを接続する導電性の接続体とを有し、前記インナーリードにおける、前記接続体が接合される接合領域の近傍に、前記インナーリードの厚さ方向に形成された凹部が配置されていることを特徴とする半導体装置。前記接続体における前記接続体が延びる方向に直交する方向の幅は、前記凹部における前記接続体が延びる方向に直交する方向の幅よりも広いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記凹部における前記接続体が延びる方向の幅は、前記接続領域における前記接続体が延びる方向の幅と同等以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。前記凹部は、前記接続体が延びる方向に直交する方向に前記接合領域を挟むように配置されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置。前記凹部は、前記接続体が延びる方向で、かつ、前記接合領域よりも外側に配置されていること特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体装置。前記凹部の開口形状は、矩形状であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体装置。前記凹部の開口形状は、円形状或いは円弧形状であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体装置。前記凹部の断面形状は矩形状であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体装置。前記凹部の断面形状は、前記インナーリードの厚さ方向に向かって、凹部の開口面積が徐々に小さくなるような、逆台形状であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体装置。前記凹部の断面形状は、前記インナーリードの表面から裏面に貫通する形状であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体装置。前記凹部の断面形状は、前記接合領域側から前記インナーリードの外側に向かって傾斜を成す形状であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体装置。前記凹部の内部表面は、粗面加工されていることを特徴とする請求項1~11のいずれか1項に記載の半導体装置。前記凹部は前記インナーリードが粗面加工された領域であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体装置。前記接続体は、導電性リボン或いは導電性ワイヤであることを特徴とする請求項1~13のいずれか1項に記載の半導体装置。前記接続体は、超音波接合により、前記インナーリードに接続されていることを特徴とする請求項1~14のいずれか1項に記載の半導体装置。前記電極パッドと前記接続体とは、少なくとも2つの領域において接続していることを特徴とする請求項1~15のいずれか1項に記載の半導体装置。前記電極パッドを第1の電極パッドとし、前記接続体を第1の接続体とすると、前記半導体素子はさらに第2の電極パッドを有し、前記第2の電極パッドには第2の接続体が接続しており、前記第1の接続体は、前記第2の接続体よりも太いことを特徴とする請求項1~16のいずれか1項に記載の半導体装置。前記第1の電極パッドの面積は、前記第2の電極パッドの面積よりも大きいことを特徴とする請求項17に記載の半導体装置。台座に固定されたリードフレーム上のダイパッドに半導体素子を搭載し、前記半導体素子が有する電極パッドと前記リードフレームが有するインナーリードの接合面を導電性の接続体を用いて超音波接合により電気的に接続し、樹脂により封止した構造を有し、前記インナーリードの接合面の前記接続体が接合される接合領域の近傍に、前記インナーリードの厚さ方向に形成された凹部を配置した半導体装置の製造方法であって、接合ツールの加重により前記電極パッドに前記接続体を加圧し、超音波振動を印加して接合する1回目の接合ステップaと、前記接合ツールを所定の距離だけ移動して、前記接続体をループ形状とした後、接合ツールの加重により前記電極パッドに前記接続体を加圧し、超音波振動を印加して接合する2回目の接合ステップbと、前記接合ツールを前記インナーリード上へ移動するとともに、前記接続体をループ形状とするステップcと、前記接合ツールの加重により前記インナーリードの接合面に前記接続体を加圧し、超音波振動を印加して接合するステップdと、を有し、前記ステップa、b、dは、前記インナーリードに形成された前記凹部にリード押さえ治具の先端を嵌め込み、押圧することで前記台座に前記インナーリードを固定した状態で実施されることを特徴とする半導体装置の製造方法。ここで、導電性リボンや太線ワイヤでボンディングを行う場合には、荷重と超音波出力が増加する。そのため、リードフレームの十分な規正が必要になる。しかし、特許文献2に開示された構造では、押し付ける方向の規正は押さえ治具によりなされているが、超音波振動方向、すなわちリードフレームの面方向への規正が不十分である。本発明は、上記課題を解決するものであり、リードフレームに導電性リボンや太線ワイヤなどの接続体をボンディングする場合においても、インナーリードの超音波振動方向の振動を規制し、高品質で且つ信頼性が高いボンディングを実現できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。上記の目的を達成するために、本発明の半導体装置は、インナーリードを有するリードフレームと、リードフレームに搭載された、電極パッドを有する半導体素子と、電極パッドとインナーリードとを接続する導電性の接続体とを有し、インナーリードにおける、接続体が接合される接合領域の近傍に、インナーリードの厚さ方向に形成された凹部が配置されていることを特徴とする。このような構成により、インナーリードの接合領域の近傍の凹部にリード押さえ治具の先端を嵌め込み、台座に押さえつけることができる。そのため、高い超音波出力が必要な接合においても、インナーリードの超音波振動方向への振動を規制し、高品質で且つ信頼性が高いボンディングを実現できる。本発明の半導体装置の製造方法は、台座に固定されたリードフレーム上のダイパッドに半導体素子を搭載し、半導体素子が有する電極パッドとリードフレームが有するインナーリードの接合面を導電性の接続体を用いて超音波接合により電気的に接続し、樹脂により封止した構造を有し、インナーリードの接合面の接続体が接合される接合領域の近傍に、インナーリードの厚さ方向に形成された凹部を配置した半導体装置の製造方法であって、接合ツールの加重により電極パッドに接続体を加圧し、超音波振動を印加して接合する1回目の接合ステップaと、接合ツールを所定の距離だけ移動して、接続体をループ形状とした後、接合ツールの加重により電極パッドに接続体を加圧し、超音波振動を印加して接合する2回目の接合ステップbと、接合ツールをインナーリード上へ移動するとともに、接続体をループ形状とするステップcと、接合ツールの加重によりインナーリードの接合面に接続体を加圧し、超音波振動を印加して接合するステップdと、を有し、ステップa、b、dは、インナーリードに形成された凹部にリード押さえ治具の先端を嵌め込み、押圧することで台座にインナーリードを固定した状態で実施されることを特徴とする。本発明によれば、リードフレームに導電性リボンや太線ワイヤなどの接続体をボンディングする場合においても、インナーリードの超音波振動方向の振動を規制し、高品質で且つ信頼性が高いボンディングを実現できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することができる。第1の実施形態以下、本発明の第1の実施形態について図面を参照しながら説明する。図1a~cは、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の構成を示す図であって、aはその内部構成を示す平面図、bはaのA-A線の断面図、cはaのB-B線の断面図である。図1は、半導体素子として電力用半導体装置に主に用いられる縦型のIGBT絶縁ゲートバイポーラトランジスタを用いた一例を示している。図1a及びbに示すように、本実施形態に係る半導体装置1の内部に半導体素子2が配置されており、半導体素子2の上面に電極パッド3a、3bが設けられている。面積の大きい電極パッド3aがエミッタ用電極パッドであり、面積の小さい電極パッド3bがゲート用電極パッドである。また、半導体素子2の下面が図示しないコレクタ用電極である。以下、電極パッド3aと電極パッド3bを区別しない場合には、電極パッド3と呼ぶ。半導体素子2は、リードフレーム4上のダイパッド5上に半田等の導電性接合材料6を介して搭載されている。半導体素子2の下面におけるコレクタ用電極とダイパッド5とは、導電性接合材料6を介して電気的に接続されている。半導体素子2の下面とダイパッド5とを導電性接合材料6を介して接続することにより、半導体素子2とリードフレーム4とが電気的及び熱的に接合される。半導体素子2の上面の電極パッド3a及び3bとリードフレーム4が有するインナーリード7a及び7bとは、それぞれ、導電性リボン8と導電性ワイヤ9により電気的に接続されており、半導体装置1の外部の電極端子10へ引き出される。ここで、導電性リボン8からなる接続体は、導電性ワイヤ9からなる接続体よりも太い方が好ましい。大電流が流れるエミッタ用電極パッド3aには、後述する接合ツールを用いた超音波接合により、導電性の接続体である導電性リボン8の一端が電気的に接続されている。導電性リボン8の他端は、接合ツールを用いた超音波接合により、リードフレーム4のインナーリード7aの接合面に電気的に接続されている。ゲート用電極パッド3bからリードフレーム4のインナーリード7bへの接続においても、同様に導電性ワイヤ9を超音波接合により接続する方法が用いられる。ゲート用電極に接続される導電性ワイヤ9は比較的低い電流容量でよいため、主に直径が200μm以下の細いワイヤが用いられる。一方、導電性リボン8は、幅が1.0mmから2.0mm以上有することが好ましい。また、導電性リボンの代わりに、太線ワイヤを用いても良いが、太線ワイヤの径は、300μm以上500μm以下であることが好ましい。インナーリード7a上のインナーリード7aと導電性リボン8との接合領域11の近傍には、あらかじめプレス加工等により作製された凹部12が配置されている。凹部12は、インナーリード7aの厚さ方向に形成されており、その開口形状が矩形状で、断面形状が矩形状となっている。また、凹部12は、導電性リボン8により半導体素子2からインナーリード7aへループ形状を成して接続される接続方向に対して直交する方向導電性リボン8が延びる方向に直交する方向に接合領域11を挟むように配置されている。導電性リボン8の接続方向導電性リボン8が延びる方向の凹部12の幅W1は、導電性リボン8の接続方向の接合領域11の幅W2と同等以下にすることが好ましい。また、導電性リボン8における導電性リボン8が延びる方向に直交する方向の幅W4は、凹部12における導電性リボン8が延びる方向に直交する方向の幅W3より広いことが好ましい。半導体素子2及び内部接続は周囲の封止樹脂14により外部環境から保護される構造となっている。なお、図面を見やすくするために、図1a及びcでは、封止樹脂14は省略している。半導体素子2の電極パッド3の最表面の材料としては、一般的にアルミニウム薄膜が用いられており、導電性リボン8の材料としては、一般的にアルミニウムが用いられる。また、リードフレーム4の材料としては、一般的に、母材として銅合金が用いられ、ワイヤーボンド又はリボンボンドを行う面に金属メッキを施して接続性を高めている。アルミニウム製のワイヤ或いはリボンに対してはニッケルメッキが好適であり、アルミニウムもニッケルも表面の薄い酸化膜により内部の清浄な材料が保護されているために超音波よる接合に適している。次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法、特に、導電性リボン8を電極パッド3a上からインナーリード7aの接合面に接続する工程について、図面を参照しながら説明する。図2a~cは、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に説明する図である。まず、図2aに示すように、ダイパッド5上に半導体素子2が搭載されたリードフレーム4をリード押さえ付け治具15により、リボンボンディング設備上の台座16へ垂直方向に押さえ付けて固定する。リード押さえ付け治具15は先端が先細りした爪形状をなしている。インナーリード7aを台座16に押し付け固定するリード押さえ治具15の先端部はインナーリード7a上に配置された凹部12に嵌まり込むようにしてインナーリード7aを台座16へ垂直方向に押し付ける。またダイパッド5を台座16へ押し付けるリード押さえ治具15の先端部はダイパッド5の上面に接触する形で、ダイパッド5を台座16へ垂直方向に押し付け固定する。その後、台座16へ押し付け固定されたリードフレーム4上の半導体素子2の上面のエミッタ用電極パッド3aに対して、接合ツール17により導電性リボン8を接合する。ここで、接合ツール17に対しては、導電性リボン8を供給する供給ガイド不図示により導電性リボン8が供給される。また、接合ツール17には、超音波振動子不図示が接続されており、この超音波振動子により接合ツール17に超音波振動が印加される。以上のようにして、接合ツール17の荷重によってエミッタ用電極パッド3a上に導電性リボン8が押し付けられると同時に、印加された超音波振動により、電極パッド3aと導電性リボン8の金属同士の固相拡散により接合層が形成される。このようにして、電極パッド3aと導電性リボン8との間で第1回目の接合を行う。次に、図2bに示すように、所定の距離を接合ツール17が移動する。また、供給ガイドにより導電性リボン8が接合ツール17に供給され、ループ形状が形成される。その後、第1回目の接合と同様に接合ツール17により導電性リボン8を再度加圧し超音波振動の印加により、第2回目の接合を行う。このようにして、電極パッド3aと導電性リボン8とは少なくとも2つの領域において接続されることとなる。なお、同じ電極パッド3a上において複数回の接合を行うことにより、電極パッド3aと導電性リボン8との合計の接合面積を大きくすることができる。このため、IGBTの電極パッド3aへの導電性リボン8の接合部の接合抵抗を更に低下させることができる。次に、図2cに示すように、接合ツール17がインナーリード7a上へと移動する。また、供給ガイドにより導電性リボン8が接合ツール17に供給され、ループ形状が形成される。その後、電極パッド3a上への接合と同様に、接合ツール17により、インナーリード7a上へ導電性リボン8を加圧する。その後、超音波振動を印加し、導電性リボン8をインナーリード7aへ接合する。その後、接合ツール17がインナーリード7aから離れるように移動する。その後、カッター不図示により、導電性リボン8を切断し、接合領域11が形成される。導電性リボン8とインナーリード7aとの接合時、超音波振動は導電性リボン8のループ形成方向導電性リボン8が延びる方向に印加される。しかし、インナーリード7aは接合領域11を挟むように配置された凹部12に嵌まり込んだリード押さえ治具15により台座16へ強固に固定されている。そのため、超音波振動の印加時に、インナーリード7aがリードフレーム4の面方向へ動くことを効果的に抑制できる。その結果、超音波振動のエネルギーは導電性リボン8とインナーリード7aの接合に効率的に使われ、導電性リボン8とインナーリード7aとは良好に接合される。本実施形態において、インナーリード7aの厚み方向へ形成された凹部12の開口形状は矩形状としたが、その開口形状は図3aに示すように円形状のものであってもよいし、図3bに示すように円弧状のものであってもよい。また、本実施形態において、インナーリード7aの厚み方向へ形成された凹部12の断面形状は矩形状としたが、図4aに示すように、インナーリードの厚さ方向に向かって、凹部の開口面積が徐々に小さくなるような、逆台形状であってもよく、図4bに示すように、インナーリード7aの表面側から裏面へ貫通する形状であってもよい。また、凹部12の断面形状は、図4cに示すように、接合領域11側からインナーリード7aの外側に向かって貫通する形状であってもよく、さらには、図4dに示すように、接合領域11側からインナーリード7aの外側に向かって傾斜を成す形状であってもよい。また、インナーリード7aの厚み方向へ形成された凹部12は、図5に示すように、内部表面が粗面18を有するように粗面加工されていてもよい。また、インナーリード7aの厚み方向へ形成された凹部12は、図6に示すように、粗面加工された領域粗面18であってもよい。このように、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置1によれば、インナーリード7aに形成された凹部12を用いることにより、超音波振動の印加時に、インナーリード7aが動くことを効果的に抑制することができる。そのため、導電性リボン8とインナーリード7aとは良好に接合されることとなる。第2の実施形態以下、本発明の第2の実施形態について図面を参照しながら説明する。図7a~cは、本実施形態に係る半導体装置の構成を示す図であって、aはその内部構成を示す平面図、bはaのC-C線の断面図、cはbの要部拡大断面図である。なお、図1a、cと同様に、図7a、cでは封止樹脂14を省略している。本実施形態に係る半導体装置20の構成について、第1の実施形態と同様である部分については同じ符号を付してその説明を省略する。本実施形態の半導体装置20では、インナーリード27aと導電性リボン8の接合領域11の近傍にはあらかじめプレス加工等により作製された凹部13が配置されている。凹部13は、インナーリード27aの厚さ方向に形成され、開口形状が矩形状で、断面形状が矩形状となっている。凹部13は、半導体素子2からインナーリード27aへループ形状を成して接続される接続方向の外側導電性リボン8が延びる方向で、かつ、接合領域11よりも外側に配置されている。導電性リボン8の接続方向導電性リボン8が延びる方向の凹部13の幅W1は、導電性リボン8の接続方向の接合領域11の幅W2と同等以下にすることが好ましい。また、導電性リボン8における導電性リボン8が延びる方向に直交する方向の幅W4は、凹部13における導電性リボン8が延びる方向に直交する方向の幅W3より広いことが好ましい。本実施形態の半導体装置20の製造方法については、第1の実施形態と同様であるため、その説明を省略する。本実施形態の半導体装置20では、導電性リボン8とインナーリード27aとの接合時、超音波振動は導電性リボン8のループ形成方向導電性リボン8が延びる方向に印加される。しかし、インナーリード27aは接合領域11に対して導電性リボン8の接続方向導電性リボン8が延びる方向の外側に配置されている凹部13に嵌まり込んだリード押さえ治具15により台座16へ固定されている。そのため、接合領域11に対して超音波振動方向の延長線上を押さえることができる。その結果、超音波振動の印加時にインナーリード27aの接合領域11の近傍がリードフレーム4面内で動くことをより効果的に抑制できる。これにより、超音波振動のエネルギーは導電性リボン8とインナーリード27aの接合に効率的に使われ、良好に接合される。本実施形態において、インナーリード27aの厚み方向へ形成された凹部13の開口形状は、矩形状としたが、その開口形状は図8aに示すように円形状のものであってもよく、図8bに示すように円弧状のものであってもよい。また、凹部13の断面形状は図9aに示すように、インナーリードの厚さ方向に向かって、凹部の開口面積が徐々に小さくなるような、逆台形状であってもよく、図9bに示すように、インナーリード27aの表面から裏面へ貫通する形状であってもよい。また、凹部13の断面形状は図9cに示すように、接合領域11側からインナーリード27aの外側に向かって貫通する形状であってもよく、さらに、図9dに示すように、接合領域11側からインナーリード27aの外側に向かって傾斜を成す形状であってもよい。また、インナーリード27aの厚み方向へ形成された凹部13は、図10に示すように、内部表面が粗面18を有するように粗面加工されていてもよい。また、インナーリード27aの厚み方向へ形成された凹部13は、図11に示すように、粗面加工された領域粗面18であってもよい。このように、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置20によればインナーリード27aに形成された凹部13を用いることにより、超音波振動の印加時に、インナーリード27aが動くことを効果的に抑制することができる。そのため、導電性リボン8とインナーリードとは良好に接合されることとなる。第3の実施形態以下、本発明の第3の実施形態について図面を参照しながら説明する。図12は、本実施形態に係る半導体装置内部の平面図である。本実施形態は、第1の実施形態及び第2の実施形態を組み合わせたものである。本実施形態の半導体装置30において、インナーリード37a上には、凹部12と凹部13がともに配置されている。凹部12は導電性リボン8により半導体素子2からインナーリード37aへループ形状を成して接続される接続方向に対して直交する方向導電性リボン8が延びる方向に直交する方向に接合領域11を挟むように配置されている。凹部13は、導電性リボン8により半導体素子2からインナーリード37aへループ形状を成して接続される接続方向導電性リボン8が延びる方向で、かつ接合領域11よりも外側に配置されている。このように、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置30によればインナーリード37aに形成された凹部12及び凹部13の両方をリード押さえ治具15の先端で台座16に押さえつけることができる。従って、第1の実施形態及び第2の実施形態と比較してリード押さえ治具15によりインナーリード37aを台座16にさらに強固に押さえつけることができる。そのため、接合ツール17による超音波振動の印加時にインナーリード37aが動くことを効果的に抑制できる。その結果、導電性リボン8とインナーリード37aとは良好に接合されることとなる。以上説明したように、本発明の半導体装置によれば、リードフレームのインナーリードに形成された凹部をリード押さえ付け治具の先端で台座に押さえつけることにより、超音波振動の印加時にインナーリードが動くことを効果的に抑制できる。その結果、導電性リボンとインナーリードとを良好に接合できる。なお、各々の実施形態の構成はあくまで本発明の一例として記載したものであり、本発明はこれらの実施形態の構成のみに限定するものではない。例えば、上記実施形態の構成として、半導体素子は縦型のIGBTを搭載する半導体装置により説明したが、半導体素子はSiC、或いはGaNのような電力制御用に用いられる半導体素子や、大電流を流す必要のある半導体素子にも同様に適応可能である。また、上記実施形態では、半導体素子とインナーリードを接続する導電性の接続体として導電性リボンを例に挙げて説明したが、電流容量の大きい導電性の太線ワイヤでもよい。また、上記実施形態では、インナーリードの凹部はプレス加工により作製すると説明したが、エッチングや切削加工等の他の方法により作製しても良く、本発明の効果は形状の作製方法に依存するものではない。また、上記実施形態では、インナーリードの接合領域の近傍に凹部を配置し、インナーリードの厚さを部分的に薄くしている。これにより、半導体装置を構成する材料の熱膨張係数差に起因して、熱サイクルにより導電性ワイヤやリボンへの接合領域にかかる応力を緩和する効果も得られる。また、リードフレームにニッケルのように封止樹脂との密着性が低い金属めっきを施した場合、その立体構造やインナーリード表面の粗面により封止樹脂との密着性を向上させ、剥離を抑制できる効果も得られる。