"赤色,緑色もしくは青色またはシアン,マゼンタもしくはイエローの光成分を透過する特性を有するカラーフィルタが受光面上に形成された光電変換素子が奇数行奇数列および偶数行偶数列または奇数行偶数列および偶数行奇数列に配列され,第4nnは0以上の整数1行と第4n2行において斜め方向の2つの光電変換素子に形成されているカラーフィルタの特性と第4n3行と第4n4行において斜め方向の2つの光電変換素子に形成されているカラーフィルタの特性とがそれぞれ同じであるMOSセンサ,ならびに奇数行の光電変換素子に蓄積された信号電荷を1行ずつまたは1列ずつ順に読み出して第1の映像信号として出力し,偶数行の光電変換素子に蓄積された信号電荷を奇数行の光電変換素子に蓄積された信号電荷の読み出しと異なるように1列ずつまたは1行ずつ順に読み出して第2の映像信号として出力するように上記MOSセンサを制御する読み出し制御手段,を備えた固体電子撮像装置。上記MOSセンサによって撮像される被写体の動き方向が水平方向か垂直方向かを検出する動き方向検出手段,および上記動き方向検出手段によって水平方向の動き方向と検出されたことに応じて,上記第1の映像信号または上記第2の映像信号のうち1列ずつ順に読み出された信号電荷にもとづいて得られる映像信号を選択し,上記動き方向検出手段によって垂直方向の動き方向と検出されたことに応じて,上記第1の映像信号または上記第2の映像信号のうち1行ずつ順に読み出された信号電荷にもとづいて得られる映像信号を選択する第1の選択手段,をさらに備えた請求項1に記載の固体電子撮像装置。上記動き方向検出手段によって検出された動き方向の動き量を検出する動き量検出手段,ならびに上記動き量検出手段によって検出された動き量および上記動き方向検出手段によって検出された動き方向に応じたリサイズ率で上記第1の選択手段によって選択された映像信号によって表される被写体像をリサイズする第1のリサイズ手段,をさらに備えた請求項1または2に記載の固体電子撮像装置。上記固体電子撮像装置のぶれ方向が水平方向か垂直方向かを検出するぶれ方向検出手段,および上記ぶれ方向検出手段によって水平方向のぶれ方向と検出されたことに応じて,上記第1の映像信号または上記第2の映像信号のうち1列ずつ順に読み出された信号電荷にもとづいて得られる映像信号を選択し,上記ぶれ方向検出手段によって垂直方向のぶれ方向と検出されたことに応じて,上記第1の映像信号または上記第2の映像信号のうち1行ずつ順に読み出された信号電荷にもとづいて得られる映像信号を選択する第2の選択手段,をさらに備えた請求項1から3のうち,いずれか一項に記載の固体電子撮像装置。上記ぶれ方向検出手段によって検出されたぶれ方向のぶれ量を検出するぶれ量検出手段,ならびに上記ぶれ量検出手段によって検出されたぶれ量および上記ぶれ方向検出手段によって検出されたぶれ方向に応じたリサイズ率で上記第2の選択手段によって選択された映像信号によって表される被写体像をリサイズする第2のリサイズ手段,をさらに備えた請求項1から4のうち,いずれか一項に記載の固体電子撮像装置。上記MOSセンサがC-MOSセンサである,請求項1から5のうちいずれか一項に記載の固体電子撮像装置。赤色,緑色もしくは青色またはシアン,マゼンタもしくはイエローの光成分を透過する特性を有するカラーフィルタが受光面上に形成された光電変換素子が奇数行奇数列および偶数行偶数列または奇数行偶数列および偶数行奇数列に配列されたMOSセンサにおいて,第4nnは0以上の整数1行と第4n2行において斜め方向の2つの光電変換素子に形成されているカラーフィルタの特性と第4n3行と第4n4行において斜め方向の2つの光電変換素子に形成されているカラーフィルタの特性とがそれぞれ同じであり,読み出し制御手段が,奇数行の光電変換素子に蓄積された信号電荷を1行ずつまたは1列ずつ順に読み出して第1の映像信号として出力し,偶数行の光電変換素子に蓄積された信号電荷を奇数行の光電変換素子に蓄積された信号電荷の読み出しと異なるように1列ずつまたは1行ずつ順に読み出して第2の映像信号として出力するように上記MOSセンサを制御する,固体電子撮像装置の動作制御方法。図1Aは,この発明の実施例を示すもので,C-MOSComplementaryMetalOxideSemiconductorセンサ40の一部分の模式図を示している。この実施例ではC-MOSセンサ40について述べるが,C-MOSセンサ40以外のMOSセンサ3MOSセンサ,LiveMOSセンサ,NMOSセンサなどにも適用できる。C-MOSセンサ40には,行方向および列方向に多数のフォトダイオード2および3が配列されている。奇数行に配列されているフォトダイオード2に符号2が付され,偶数行に配列されているフォトダイオード3に符号3が付されている。この実施例では,奇数行奇数列および偶数行偶数列にフォトダイオード2または3が配列されているが,奇数行偶数列および偶数行奇数列にフォトダイオード2または3が配列されるようにしてもよい。フォトダイオード2または3の受光面上には,赤色成分,緑色成分または青色成分の光成分を透過する特性を有するカラーフィルタが形成されている。赤色の光成分を透過するフィルタにはRまたはrの符号が付され,緑色の光成分を透過するフィルタにはGまたはgの符号が付され,青色の光成分を透過するフィルタにはBまたはbの符号が付されている。第4nnは0以上の整数1行と第4n2行とにおいて斜め方向の2つの光電変換素子に形成されているカラーフィルタの特性と第4n3行と第4n4行とにおいて斜め方向の2つのフォトダイオード2および3に形成されているカラーフィルタの特性とがそれぞれ同じである。赤色成分,緑色成分または青色成分の光成分を透過する特性を有するカラーフィルタの代わりに,シアン成分,マゼンタ成分またはイエロー成分の光成分を透過する特性を有するカラーフィルタを設けてもよい。そのような場合であっても,上述のように,斜め方向の2つの光電変換素子に形成されているカラーフィルタの特性は同じものとされる。この実施例では,奇数行のフォトダイオード2に蓄積された信号電荷については,1行ずつ順に列方向に向かって読み出される。奇数行のフォトダイオード2に蓄積された信号電荷にもとづいて被写体像奇数行画像ということにするが得られる。図1Bは,奇数行画像4の一部分を示している。奇数行画像4を構成する画素P1は,C-MOSセンサ40の奇数行のフォトダイオード2に対応している。フォトダイオード2に形成されているカラーフィルタと奇数行画素P1との関係をわかりやすくするために,画素P1には対応するフォトダイオード2に形成されているカラーフィルタの符号も付されている。奇数行画像4は,奇数行のフォトダイオード2に蓄積された信号電荷が1行ずつ順に列方向に向かって読み出されるから,下の行のフォトダイオード2に蓄積された信号電荷ほど上の方の行のフォトダイオード2に蓄積された信号電荷よりも読み出しタイミングが徐々に遅れる。しかしながら,右側の列のフォトダイオード2に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングと左側の列のフォトダイオード2に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングとはほぼ同じである。また,この実施例では,偶数行のフォトダイオード3に蓄積された信号電荷については,1列ずつ順に行方向に向かって読み出される。偶数行のフォトダイオード3に蓄積された信号電荷にもとづいて被写体像偶数行画像ということにするが得られる。図1Cは,偶数行画像5の一部分を示している。偶数行画像5を構成する画素P2は,C-MOSセンサ40のフォトダイオード3に対応している。フォトダイオード3に形成されているカラーフィルタと偶数行画素P2との関係をわかりやすくするために,画素P2には対応するフォトダイオード3に形成されているカラーフィルタの符号も付されている。偶数行画像5は,偶数行のフォトダイオード3に蓄積された信号電荷が1列ずつ順に行方向に向かって読み出されるから,右の列のフォトダイオード3に蓄積された信号電荷ほど左の列のフォトダイオード3に蓄積された信号電荷よりも読み出しタイミングが徐々に遅れる。しかしながら,上の行のフォトダイオード3に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングと下の行のフォトダイオード3に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングとは同じである。上述したものとは逆に奇数行のフォトダイオード2に蓄積された信号電荷を1列ずつ順に列方向に読み出し,偶数行のフォトダイオード3に蓄積された信号電荷を1行ずつ順に行方向に読み出してもよい。図2は,奇数行画像の一例である。奇数行画像4Aは,水平方向に移動している被写体を表すものである。奇数行画像4Aには,水平方向に移動している被写体を表す被写体像11が含まれている。上述したように,奇数行画像4Aは,フォトダイオード2に蓄積された信号電荷を1行ずつ順に行方向に読み出して得られるものであるから,上側の行のフォトダイオード2に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングよりも下側の行のフォトダイオード2に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングの方が遅れる。このために,水平方向に移動している被写体を表す被写体像11は,奇数行画像4Aではローリング歪が生じ,斜めにゆがんでしまう。図3は,偶数行画像の一例である。偶数行画像5Aは,水平方向に移動している被写体を表すものである。偶数行画像5Aには,水平方向に移動している被写体を表す被写体像12が含まれている。上述したように,偶数行画像5Aは,フォトダイオード3に蓄積された信号電荷を1列ずつ順に列方向に読み出して得られるものであるから,上側の行のフォトダイオード2に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングと下側の行のフォトダイオード2に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングとは同じである。このために,水平方向に移動している被写体を表す被写体像12には,斜めのゆがみが含まれていない。しかしながら,偶数行画像5Aでは,左側の列のフォトダイオード3に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングよりも右側の列のフォトダイオード3に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングの方が遅れる。このために,水平方向に移動している被写体を表す被写体像12は,移動方向に応じて伸び縮みしてしまう。この実施例では,伸び縮みした量が動き方向および動き量に応じて補正される。図4は,奇数行画像の他の一例である。奇数行画像4Bは,垂直方向に移動している被写体を表すものである。奇数行画像4Bには,垂直方向に移動している被写体を表す被写体像13が含まれている。上述したように,奇数行画像4Bは,フォトダイオード2に蓄積された信号電荷を1行ずつ順に列方向に読み出して得られるものであるから,右側の列のフォトダイオード2に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングと左側の列のフォトダイオード2に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングとは同じである。このために垂直方向に移動する被写体を表す被写体像13では水平方向のゆがみは生じない。しかしながら,奇数行画像4Bでは,上側の行のフォトダイオード2に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングよりも下側の行のフォトダイオード2に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングの方が遅れる。このために,垂直方向に移動している被写体を表す被写体像13は,移動方向垂直方向に応じて伸び縮みしてしまうので,伸び縮みした量が動き方向および動き量に応じて補正される。図5は,偶数行画像の一例である。偶数行画像5Bも,垂直方向に移動している被写体を表すものである。偶数行画像5Bには,垂直方向に移動している被写体を表す被写体像14が含まれている。上述したように,偶数行画像5Bは,フォトダイオード3に蓄積された信号電荷を1列ずつ順に列方向に読み出して得られるものであるから,垂直方向に移動している被写体を現す被写体像14には斜めのゆがみが生じてしまう。この実施例では,水平方向に移動している被写体については奇数行画像を選択し,垂直方向に移動している被写体については偶数行画像を選択するものである。斜め方向のゆがみが含まれない画像が得られる。図6は,C-MOSセンサ40の回路図である。上述した奇数行のフォトダイオード2には,第1のFETFieldeffecttransistor21のソース端子が接続されている。第1のFET21のゲート端子には,読み出しライン25が接続されている。第1のFET21のドレイン端子には,第2のFET22のソース端子および第3のFET23のゲート端子が接続されている。第2のFET22のゲート端子およびソース端子には,リセットライン24およびドレインライン26がそれぞれ接続されている。第3のFET23のドレイン端子およびソース端子には信号ライン27およびドレインライン26が接続されている。これらのフォトダイオード2および第1から第3のFET21から23が奇数行画像の1画素に対応する。これらのフォトダイオード2および第1から第3のFET21から23のひとまとまりを,奇数行画素部20とする。同様に,上述した偶数行のフォトダイオード3には,第1のFETFieldeffecttransistor31のソース端子が接続されている。第1のFET31のゲート端子には,読み出しライン35が接続されている。第1のFET31のドレイン端子には,第2のFET32のソース端子および第3のFET33のゲート端子が接続されている。第2のFET32のゲート端子およびソース端子には,リセットライン34およびドレインライン36がそれぞれ接続されている。第3のFET33のドレイン端子およびソース端子には信号ライン37およびドレインライン36が接続されている。これらのフォトダイオード3および第1から第3のFET31から33が偶数行画像の1画素に対応する。これらのフォトダイオード3および第1から第3のFET31から33のひとまとまりを,偶数行画素部30とする。信号ライン27および37の一端には定電流源28および38が接続されている。第1のシフトレジスタ25Aは,奇数行のフォトダイオード2への電荷の蓄積,排出を制御するもので,リセットライン24および読み出しライン25が接続されている。第1のシフトレジスタ25Aから1行ずつ順に行方向にリセットライン24および読み出しライン25にリセットパルスおよび読み出しパルスが出力することにより,奇数行のフォトダイオード2に蓄積された不要電荷がドレインから掃き出される。第1のシフトレジスタ25Aから1行ずつ行方向に読み出しライン25に読み出しパルスが出力することにより,奇数行のフォトダイオード2に蓄積された信号電荷が信号ライン27から奇数行画像を表す第1の映像信号として出力される。第2のシフトレジスタ35Aは,偶数行のフォトダイオード3への電荷の蓄積,排出を制御するもので,リセットライン34および読み出しライン35が接続されている。第2のシフトレジスタ35Aから1行ずつ順に行方向にリセットライン34および読み出しライン35にリセットパルスおよび読み出しパルスが出力することにより,偶数行のフォトダイオード3に蓄積された不要電荷がドレインから掃き出される。第2のシフトレジスタ35Aから1列ずつ列方向に読み出しライン35に読み出しパルスが出力することにより,偶数行のフォトダイオード3に蓄積された信号電荷が信号ライン37から偶数行画像を表す第2の映像信号として出力される。第1の映像信号および第2の映像信号は,選択回路41に与えられる。水平方向に移動している被写体を撮像したときには,偶数行画像を表す第2の映像信号が選択回路41によって選択される。垂直方向に移動している被写体を撮像したときには,奇数行画像を表す第1の映像信号が選択回路41によって選択される。図7は,撮像装置の電気的構成を示すブロック図である。C-MOSセンサ40は,読み出し制御装置44によって読み出しが制御される。読み出し制御装置44からC-MOSセンサ40に読み出し制御パルスが与えられる。すると,その制御パルスは第1のシフトレジスタ25Aおよび第2のシフトレジスタ35Aに与えられて,奇数行画像を表す第1の映像信号および偶数行画像を表す第2の映像信号が選択回路41に入力する。撮像装置には,動き方向/動き量検出装置42が含まれている。動き方向/動き量検出装置42によって被写体の動き方向および動き量が検出される。動き方向/動き量検出装置42には,被写体を撮像する撮像素子が含まれており,その撮像素子を用いてC-MOSセンサ40での撮像タイミングとほぼ同時のタイミングで2回撮像される。この2回の撮像により得られる2フレームの被写体像から被写体の動き方向および動き量が検出される。検出された動き方向を表すデータは選択回路41に入力し,動き量を表すデータはリサイズ装置43に入力する。被写体が水平方向に移動している場合には偶数行画像を表す第2の映像信号が選択回路41によって選択され,被写体が垂直方向に移動している場合には奇数行画像を表す第1の映像信号が選択回路41によって選択される。選択回路41によって選択された映像信号は,リサイズ装置43に入力する。リサイズ装置43は,入力する映像信号によって表される奇数行画像または偶数行画像を与えられる動き量を表すデータにもとづいて垂直方向または水平方向に伸び縮みさせる補正を行うものである。被写体が水平方向に移動している場合において,右側に移動しているときには動き量は正の値となり,左側に移動しているときには動き量は負の値となる。動き量が正の値のときには,右側に移動している被写体像は縮んでいるから動き量に応じて伸びるように補正される。逆に左側に移動している被写体像は伸びているから動き量に応じて縮むように補正される。被写体が垂直方向に移動している場合において,下側に移動しているときには動き量は正の値となり,上側に移動しているときには動き量は負の値となる。動き量が正の値のときには,下側に移動している被写体像は縮んでいるから動き量に応じて伸びるように補正される。逆に上側に移動している被写体像は伸びているから動き量に応じて縮むように補正される。リサイズ装置43において補正された映像信号が出力となる。図8は,被写体の一例である。被写体50には,右側に移動する動きの大きい被写体51と左側に移動する動きの小さい被写体52とが含まれている。このように被写体50の中に動きのある被写体51および52というように,動きのある被写体が複数含まれている場合には,動きの大きい被写体の動き量を補正するようにリサイズ処理される。また,動き量の大きい方の被写体の動き方向に対応した映像信号が選択回路41において選択される。図9は,撮像装置の処理手順を示すフローチャートである。C-MOSセンサ40によって被写体が撮像されるステップ61。上述のように,動き方向/動き量検出装置42によって,被写体の動き方向が検出される。被写体の動きがあればステップ62でYES,動き方向が,水平方向かどうかが確認されるステップ63。動き方向が水平方向であればステップ63でYES,偶数行画像第2の映像信号が選択回路41によって選択されるステップ64。動き方向/動き量検出装置42によって被写体の動き量が算出されるステップ65。算出された動き量に応じて偶数行画像が水平方向にリサイズされるステップ66。動き方向が垂直方向であればステップ63でNO,奇数行画像第1の映像信号が選択回路41によって選択されるステップ64。動き方向/動き量検出装置42によって被写体の動き量が算出されるステップ68。算出された動き量に応じて奇数行画像が垂直方向にリサイズされるステップ69。リサイズされた偶数行画像または奇数行画像を表す映像信号画像データがメモリカードなどの所定の記録媒体に記録されるステップ70。図10から図13は,他の実施例を示している。この実施例は手振れを検出し,その手振れ方向および手振れ量に応じて,画像を補正するものである。図10は,撮像装置の電気的構成を示すブロック図である。この図において,図7に示すものと同一物については同一符号を付して説明を省略する。撮像装置には,手振れ検出装置46が設けられている。手振れ検出装置46は,撮像装置の手振れ方向および手振れ量を検出するものである。検出された手振れ方向を表すデータは選択回路41に入力し,手振れ量を表すデータはリサイズ装置43に入力する。上述した動きのある被写体と同じように,水平方向の手振れの場合には偶数行画像を表す第2の映像信号が選択され,垂直方向の手振れの場合には奇数行画像を表す第1の映像信号が選択される。また,動き量に応じたリサイズによる補正と同様に手振れ量に応じてリサイズによる補正が行われる。図11は,奇数行画像の一例である。奇数行画像4Cは,水平方向の手振れがあった場合の被写体を表すものである。奇数行画像4Cには,水平方向の手振れによりゆがんだ被写体像71が含まれている。図12は,偶数行画像の一例である。偶数行画像5Cも,水平方向の手振れがあった場合の被写体を表すものである。上述したように,偶数行画像5Cは,フォトダイオード3に蓄積された信号電荷を1列ずつ順に列方向に読み出して得られるものであるから,上側の行のフォトダイオード2に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングと下側の行のフォトダイオード2に蓄積された信号電荷の読み出しタイミングとは同じである。このために,水平方向に手振れがあったとしても被写体像72には,斜めのゆがみが生じない。しかしながら,水平方向の手振れがあった場合被写体像72は,手振れ方向に応じて伸び縮みしてしまう。この実施例では,伸び縮みした量が手振れ方向および手振れ量に応じて補正される。図13は,撮像装置の処理手順を示すフローチャートである。この図において,図9に示す処理と同一の処理については同一符号を付して説明を省略する。上述したのと同様に,被写体が撮像されるステップ61。手振れがあるとステップ73でYES,手振れ方向が,水平方向かどうかが判断されるステップ74。手振れ方向が水平方向であると偶数行画像が選択されるステップ64。手振れ量が算出されステップ75,手振れ量および手振れ方向に応じたリサイズ処理が行われるステップ66。このリサイズ処理は,上述したように,被写体の動き量および動き方向に応じたリサイズ処理と同様である。手振れ方向が垂直方向であると奇数行画像が選択されるステップ67。奇数行画像が選択された場合も,手振れ量が算出され,算出された手振れ量および手振れ方向に応じたリサイズ処理が行われるステップ78,69。"