少なくとも一部に円形の外周端縁を有するウェハを、格子状の分断予定ラインに沿って分断するための半導体ウェハの加工方法であって、前記分断予定ラインに沿ってレーザ光を走査し、ウェハ表面にスクライブ溝を形成する第1工程と、前記スクライブ溝の両側を押圧して前記スクライブ溝に沿ってウェハを分断する第2工程と、を含み、前記第1工程では、前記分断予定ラインとウェハ外周端縁とのなす角度が45°以下である特定分断予定ラインに沿って形成されるスクライブ溝においては、少なくとも外周部の溝深さが前記特定分断予定ライン以外の他の分断予定ラインに沿って形成されるスクライブ溝に比較して深く形成される、半導体ウェハの加工方法。前記第1工程では、前記特定分断予定ラインに沿って形成されるスクライブ溝は、少なくとも、前記特定分断予定ラインと他の分断予定ラインとが交差する複数の交点のうちのウェハ外周端に最も近い交点から外周側が、他の部分に比較して深く形成される、請求項1に記載の半導体ウェハの加工方法。前記第1工程では、前記特定分断予定ラインに沿って形成されるスクライブ溝は、少なくとも前記特定分断予定ラインと他の分断予定ラインとが交差する複数の交点のうちのウェハ外周端から2番目の交点から外周側が、他の部分に比較して深く形成される、請求項2に記載の半導体ウェハの加工方法。前記第1工程では、前記特定分断予定ラインに沿って形成されるスクライブ溝は、全体にわたって他の分断予定ラインに沿って形成されるスクライブ溝より深く形成される、請求項3に記載の半導体ウェハの加工方法。前記第1工程では、レーザ光の走査速度を制御することによってスクライブ溝の深さが制御される、請求項1から4のいずれかに記載の半導体ウェハの加工方法。前記特定分断予定ラインに沿って形成されるスクライブ溝において溝深さが深い部分は、ウェハ厚みの50以上の深さである、請求項1から5のいずれかに記載の半導体ウェハ加工方法。少なくとも一部に円形の外周端縁を有するベース基板と、格子状の分断予定ラインに沿って形成された複数のスクライブ溝により区画され、前記ベース基板上に形成された複数の素子領域と、を備え、前記複数のスクライブ溝のうちの、分断予定ラインとウェハ外周端縁とのなす角度が45°以下である特定分断予定ラインに沿って形成されたスクライブ溝においては、少なくとも外周部の溝深さが前記特定分断予定ライン以外の他の分断予定ラインに沿って形成されたスクライブ溝に比較して深い、半導体ウェハ。以上のようなスクライブ溝が形成されたウェハを分断する場合は、スクライブ溝の両側をロッド等で受け、スクライブ溝の両側に圧力を加える。これにより、ウェハはスクライブ溝に沿って分断される。ところで、半導体ウェハは一般的にオリフラを除く部分が円形に形成されている場合が多い。このような円形のウェハに対して、格子状の分断予定ラインに沿ってスクライブ溝が形成されると、図1に示すように、スクライブ溝SLの両側における素子形成領域の面積が異なる部分図1の斜線で示す領域が生じる。そして、特に、スクライブ溝のうちのウェハ外周端縁とのなす角度が小さいスクライブ溝に沿って分断する場合は、そのスクライブ溝の内周側の部分が片持ちで受けられることになる。このような片持ち状態でウェハを受け、分断を行うと、分断不良が生じやすい。本発明の課題は、少なくとも一部に円形の外周端縁を有する半導体ウェハの分断不良を少なくすることにある。前述のように、スクライブ溝とウェハ外周端縁とのなす角度が小さい場合は、分断不良が起こりやすくなる。そこで、本件発明者は、種々の実験を繰り返して分析を行った結果、分断予定ラインあるいはスクライブ溝とウェハ外周端縁とのなす角度が45°以下で分断不良が起こりやすいことを見出した。以下の発明は、この知見に基づくものである。なお、分断予定ラインとウェハ外周端縁とのなす角度は、図2に示す角度αである。より具体的には、スクライブ溝の中心線Mと、この分断予定ラインより外周側の素子領域における外周端エッジEにおける接線Nとのなす角度である。第1発明に係る半導体ウェハの加工方法は、少なくとも一部に円形の外周端縁を有するウェハを、格子状の分断予定ラインに沿って分断するための方法であって、第1工程及び第2工程を含んでいる。第1工程では、分断予定ラインに沿ってレーザ光を走査し、ウェハ表面にスクライブ溝を形成する。第2工程では、スクライブ溝の両側を押圧してスクライブ溝に沿ってウェハを分断する。そして、第1工程では、分断予定ラインとウェハ外周端縁とのなす角度が45°以下である特定分断予定ラインに沿って形成されるスクライブ溝においては、少なくとも外周部の溝深さが特定分断予定ライン以外の他の分断予定ラインに沿って形成されるスクライブ溝に比較して深く形成される。ここでは、まず、分断予定ラインに沿ってレーザ光が照射され、分断予定ラインのウェハ領域が溶融されてスクライブ溝が形成される。このとき、分断予定ラインとウェハ外周端縁とのなす角度が45°以下である特定分断予定ラインに沿ってスクライブ溝を形成する際には、少なくとも外周部の溝深さが他の分断予定ラインに沿って形成されたスクライブ溝に比較して深く形成される。このため、第2工程において分断する際には、深い溝が形成された部分はウェハの分断が容易になり、従来では分断不良が生じていた部分の分断不良が抑えられる。第2発明に係る半導体ウェハの加工方法は、第1発明の加工方法において、第1工程では、特定分断予定ラインに沿って形成されるスクライブ溝は、少なくとも、特定分断予定ラインと他の分断予定ラインとが交差する複数の交点のうちのウェハ外周端に最も近い交点から外周側が、他の部分に比較して深く形成される。ここでは、分断時において、特に片持ちで受けることになりやすい部分の溝深さが深く形成されるので、分断不良を抑えることができる。第3発明に係る半導体ウェハの加工方法は、第2発明の加工方法において、第1工程では、特定分断予定ラインに沿って形成されるスクライブ溝は、少なくとも特定分断予定ラインと他の分断予定ラインとが交差する複数の交点のうちのウェハ外周端から2番目の交点から外周側が、他の部分に比較して深く形成される。ここでは、特定分断予定ラインにおいては、第2発明に比較して、外周側のより長い部分において溝深さが深く形成されるので、分断不良をより抑えることができる。第4発明に係る半導体ウェハの加工方法は、第3発明の加工方法において、第1工程では、特定分断予定ラインに沿って形成されるスクライブ溝は、全体にわたって他の分断予定ラインに沿って形成されるスクライブ溝より深く形成される。ここでは、特定分断予定ラインについては、その全長にわたって溝深さが深く形成されるので、加工時の制御が容易になり、かつ分断不良をより抑えることができる。第5発明に係る半導体ウェハの加工方法は、第1から第4発明のいずれかの加工方法において、第1工程では、レーザ光の走査速度を制御することによってスクライブ溝の深さが制御される。ここでは、容易にスクライブ溝の深さを制御することができる。第6発明に係る半導体ウェハの加工方法は、第1から第5発明のいずれかの加工方法において、特定分断予定ラインに沿って形成されるスクライブ溝において溝深さが深い部分は、ウェハ厚みの50以上の深さである。ここでは、溝深さをウェハ厚みの50以上にすることによって、分断不良をより抑えることができる。第7発明に係る半導体ウェハは、少なくとも一部に円形の外周端縁を有するベース基板と、ベース基板上に形成された複数の素子領域と、を備えている。複数の素子領域は格子状の分断予定ラインに沿って形成された複数のスクライブ溝により区画されている。そして、複数のスクライブ溝のうちの、分断予定ラインとウェハ外周端縁とのなす角度が45°以下である特定分断予定ラインに沿って形成されたスクライブ溝においては、少なくとも外周部の溝深さが特定分断予定ライン以外の他の分断予定ラインに沿って形成されたスクライブ溝に比較して深い。以上のような本発明では、円形の半導体ウェハをスクライブ溝に沿って分断する場合に、特に外周端部の分断不良を少なくすることができる。[加工対象]図3は、本発明の一実施形態による加工方法が適用される半導体ウェハの一例である。この図1に示す半導体ウェハ1は、サファイア基板2上に窒化物半導体が積層され、複数の発光ダイオード等の発光素子3が分断予定ライン4によって区画されて形成されたものである。[レーザ加工装置]図4は、本発明の一実施形態による加工方法を実施するためのレーザ加工装置5の概略構成を示したものである。レーザ加工装置5は、レーザ光線発振器6aやレーザ制御部6bを含むレーザ光線発振ユニット6と、レーザ光を所定の方向に導くための複数のミラーを含む伝送光学系7と、伝送光学系7からのレーザ光を集光させるための集光レンズ8と、を有している。レーザ光線発振ユニット6からは、ビーム強度等の照射条件が制御されたパルスレーザ光以下、単にレーザ光と記すが出射される。なお、半導体ウェハ1はテーブル9に載置されている。テーブル9は、駆動制御部20によって駆動制御され、水平面内で移動が可能である。すなわち、テーブル9に載置された半導体ウェハ1と集光レンズ8から照射されるレーザ光線とは水平面内で相対移動が可能である。また、レーザ光と半導体ウェハ1が載置されるテーブル9とは、相対的に上下方向に移動が可能である。レーザ制御部6b及び駆動制御部20は、加工制御部21によって制御されるようになっている。加工制御部21は、マイクロコンピュータで構成されており、レーザ制御部6b及び駆動制御部20を制御して、以下のような処理を実行する。1ビーム強度の調整されたレーザ光をウェハ1に照射するとともに分断予定ライン4に沿って走査し、分断予定ライン4に沿ってスクライブ溝を形成する。2スクライブ溝の形成に際し、分断予定ライン4とウェハ外周端縁とのなす角度が45°以下である特定分断予定ラインに沿って形成されるスクライブ溝においては、特定分断予定ライン以外の他の分断予定ラインに沿ってスクライブ溝を形成する場合に比較して走査速度を遅くし、スクライブ溝の溝深さを深くする。[レーザ加工方法]半導体ウェハ1を各素子領域に分断する場合は、まず、レーザ加工装置5によって各分断予定ライン4に沿ってスクライブ溝を形成する。このとき、前述のように、特定分断予定ラインにおいては、他の分断予定ラインに比べて溝深さの深いスクライブ溝が形成される。ここでは、特定分断予定ラインに沿って形成されるスクライブ溝の溝深さは、ウェハ厚みの50以上の深さで形成される。次に、スクライブ溝の両側に圧力をかける。これにより、半導体ウェハ1はスクライブ溝に沿って分断され、複数の素子3が得られる。[ウェハの分断の検証]次に、ウェハを所定の条件で分断した場合の検証結果を示す。各条件は以下の通りであり、円形基板を分断したときの加工状態について検証した。1レーザ条件波長:266nm集光径:12μm繰り返し周波数:90kHz出力:4.0W走査速度:120mms、280mms焦点位置:基板上面走査回数:1回2基板種類:単結晶Si6inchウェハ×t0.2mm加工サイズ:3.0mm×3.0mm以上の条件で加工した結果を、図5及び図6に示す。各図において、aは基板上面の様子を示し、bは分断面を示している。これらの図に示すように、走査速度が120mmsの場合は、加工幅が22μmで加工深さは102μm基板厚みの51である。また、走査速度が280mmの場合は、加工幅は29μmで加工深さは21μm基板厚みの10.5である。以上の加工を行って分断を行った結果、分断不良が発生する範囲は、以下の通りであった。a走査速度が120mms加工深さ102μm:基板端から1.1mm以下の範囲で分断不良。b走査速度が280mms加工深さ21μm:基板端から2.3mm以下の範囲で分断不良。以上から、スクライブ溝の加工深さを深くすると分断不良が発生する範囲は狭くなることがわかる。そして、基板端から1.1mm以下の範囲では、完全な素子が形成されているわけではないので、分断不良が生じても特に製品として問題はない。したがって、特定分断予定ラインに沿ってスクライブ溝を形成する場合は、他の部分に比較して走査速度を遅くし、溝深さをウェハ厚みの50以上にすれば、分断不良を製品に影響のないレベルにすることができることになる。[他の実施形態]本発明は以上のような実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変形又は修正が可能である。a前記実施形態では、特定分断予定ラインに沿って形成されるスクライブ溝の全長にわたって溝深さを深くしたが、外周部の一部についてのみ、溝深さを深くするようにしてもよい。例えば、特定分断予定ラインにおいて、ウェハ外周端に最も近い交点図1において、X方向及びY方向の分断予定ラインの交点C1から外周側の部分の溝深さを、ウェハ厚みの50以上とし、他の部分の溝深さを浅くしてもよい。この場合は、タクトタイムを短くすることができる。また、特定分断ラインにおいて、ウェハ外周端から2番目の交点図1において交点C2から外周側の部分の溝深さを、ウェハ厚みの50以上とし、他の部分の溝深さを浅くしてもよい。b前記実施形態では、スクライブ溝の深さを、走査速度を変えることによって制御したが、レーザ出力を変えることによって制御するようにしてもよい。