"オプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法であって、-pn接合部104を有する半導体積層体101を基板100の上に配置するステップと、-前記半導体積層体101を横方向にパターニングして、第1の半導体ボディ1および第2の半導体ボディ2の複数の対を形成するステップであって、前記第1の半導体ボディ1と前記第2の半導体ボディ2とが横方向lにおいて互いに隔てられている、前記ステップと、-第1の半導体ボディ1および第2の半導体ボディ2の前記対から前記基板100を剥離するステップと、-第1の半導体ボディ1および第2の半導体ボディ2の少なくとも1つの対を、電気接続領域4もしくは少なくとも1つの導体トラック5またはその両方を備えた接続キャリア3に貼り付けるステップと、-第1の半導体ボディ1および第2の半導体ボディ2の対の前記半導体ボディ1を、前記第1の半導体ボディ1の前記pn接合部104が前記第2の半導体ボディ2の前記pn接合部104に逆並列に接続されるように、前記接続領域4もしくは前記少なくとも1つの導体トラック5またはその両方によって、電気的に接続するステップと、を含んでいる、方法。前記第1の半導体ボディ1を貼り付けてテストした後に、前記少なくとも1つの導体トラック3が閉じられる、請求項1に記載の方法。前記第1の半導体ボディ1および前記第2の半導体ボディ2の少なくとも1つの対を前記接続キャリア3に貼り付けた後に、前記基板100が剥離される、請求項1または請求項2に記載の方法。オプトエレクトロニクス半導体部品であって、-電気接続領域4もしくは少なくとも1つの導体トラック5またはその両方を備えた接続キャリア3と、-pn接合部104を備えた第1の半導体ボディ1と、-pn接合部104を備えた第2の半導体ボディ2と、を備えており、-前記第1の半導体ボディ1と前記第2の半導体ボディ2とが同じ構造であり、-前記第1の半導体ボディ1と前記第2の半導体ボディ2とが同じ厚さdであり、-前記第1の半導体ボディ1と前記第2の半導体ボディ2とが、割り当てられている電気接続領域4に導電接続されており、-前記第1の半導体ボディ1および前記第2の半導体ボディ2が、前記第1の半導体ボディ1の前記pn接合部104が前記第2の半導体ボディ2の前記pn接合部104に逆並列に接続されているように、前記電気接続領域4もしくは前記少なくとも1つの導体トラック5またはその両方によって、接続されている、オプトエレクトロニクス半導体部品。-前記第1の半導体ボディ1が、前記半導体部品の動作時に電磁放射を生成する目的で設けられており、-前記第2の半導体ボディ2が、前記第1の半導体ボディ1のためのESD保護ダイオードとして設けられている、請求項1から請求項4のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品または方法。前記第1の半導体ボディ1の底面領域が、前記第2の半導体ボディ2の底面領域よりも大きい、請求項1から請求項5のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品または方法。前記第2の半導体ボディ2の前記底面領域が、前記第1の半導体ボディ1の前記底面領域の最大で10である、請求項6に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品または方法。前記第1の半導体ボディ1および前記第2の半導体ボディ2が、最大で10μmの厚さdを有する、請求項1から請求項7のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品または方法。前記第1の半導体ボディ1および前記第2の半導体ボディ2が表面実装可能であり、前記第1の半導体ボディ1および前記第2の半導体ボディ2が、前記接続キャリア3の側のそれぞれの底面に接触領域105を備えている、請求項1から請求項8のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品または方法。前記第1の半導体ボディ1が、前記接続キャリア3とは反対側の自身の上面に、放射出口面1aを備えており、動作時に前記第1の半導体ボディ1によって生成される電磁放射の大部分が、前記放射出口面1aを通過し、前記第1の半導体ボディ1の前記pn接合部104に電流を供給するための電流分散が、その全体が前記放射出口面1aより下で行われる、請求項1から請求項9のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品または方法。前記接続キャリア3とは反対側の前記第1の半導体ボディ1の上面に、金属被覆、接触領域、電流分散トラックが存在しない、請求項1から請求項10のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品または方法。前記接続キャリア3がセラミック本体30を備えており、前記セラミック本体30の外面に、前記接続領域4,112もしくは前記少なくとも1つの導体トラック5またはその両方が、パターニングされた金属被覆として形成されている、請求項1から請求項11のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品または方法。前記第1の半導体ボディ1の少なくとも1つの接触領域105もしくは前記第2の半導体ボディ2の少なくとも1つの接触領域105またはその両方が、前記接続キャリア3の導体トラック5によって、前記接続キャリア3の接続領域4,112に接続されており、前記導体トラックの一部分が前記半導体ボディ1,2の下に延在しており、前記導体トラックの一部分が前記半導体ボディ1,2から横方向に隔てられている、請求項1から請求項12のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品または方法。-第1の半導体ボディ1および第2の半導体ボディ2の複数の対であって、前記第1の半導体ボディ1と前記第2の半導体ボディ2とが前記接続キャリア3の導体トラック5によって互いに導電接続されている、前記複数の対、を有する、請求項1から請求項13のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品または方法。前記接続キャリア3とは反対側の前記第2の半導体ボディ2の上面に、導電性の、特に金属の層200、が配置されている、請求項1から請求項14のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品または方法。本発明の1つの目的は、オプトエレクトロニクス半導体部品の、特に低コストの製造方法を提供することである。オプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法の少なくとも一実施形態によると、最初の方法ステップにおいて、pn接合部を備えた半導体積層体を基板上に配置する。半導体積層体は、例えば、基板上にエピタキシャルに堆積させる。半導体積層体は、少なくとも1層のn型導電層と、1層のp型導電層とを備えていることが好ましい。n型導電層とp型導電層との間にpn接合部が配置されている。pn接合部は、電磁放射を生成する目的で、または電磁放射を検出する目的で設けられている少なくとも1つの活性領域を備えていることが好ましい。半導体積層体は、例えば、III-V族化合物半導体材料をベースとしており、III-V族化合物半導体材料は、第III族の少なくとも1種類の元素例えば、Al、Ga、Inと、第V族の1種類の元素例えば、N、P、Asとを含んでいる。用語III-V族化合物半導体材料は、特に、第III族の少なくとも1種類の元素と第V族の少なくとも1種類の元素とを含んだ二元化合物、三元化合物、および四元化合物からなる群を包含する例えば、窒化物化合物半導体、リン化物化合物半導体。n型導電層およびp型導電層は、それぞれ、半導体材料を適切にドープすることによって形成することができる。基板は、例えば成長基板であり、この場合、特に、サファイアまたはシリコンからなる、あるいは、サファイアまたはシリコンを含んでいることができる。本方法の少なくとも一実施形態によると、半導体積層体を基板に形成した後、半導体積層体を横方向にパターニングして、第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディの複数の対を形成する。横方向にパターニングするとは、半導体積層体が、第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディの複数の対に分割され、対が横方向に互いに隔てられることを意味する。横方向とは、この場合、基板の外面半導体積層体が上に配置されている面に平行に延びる方向である。横方向にパターニングした後、各対の第1の半導体ボディと第2の半導体ボディは、特に、横方向に互いに隔てられた状態に配置されており、すなわち、第1の半導体ボディと第2の半導体ボディとの間に溝が存在しており、この溝は、半導体積層体の上面基板とは反対側から、基板まで、または基板の中まで達していることができる。パターニングは、例えば、メサ溝をエッチングすることによって、もしくは、レーザ分離法によって、またはこれらの両方によって、行うことができる。半導体積層体を横方向にパターニングすることにより、第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディそれぞれが、半導体積層体のpn接合部の領域を備えている、すなわち、第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディそれぞれがpn接合部を備えている。横方向にパターニングした後、各対の第1の半導体ボディのpn接合部と第2の半導体ボディのpn接合部は、互いに電気的に絶縁されている。本方法の少なくとも一実施形態によると、第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディの対から、基板を剥離する。基板の剥離は、半導体積層体を横方向にパターニングして第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディの複数の対を形成した後に行う。剥離は、例えば、エッチング、ソーイング、研削、レーザリフトオフ法のうちの少なくとも1種類によって行うことができる。本方法の少なくとも一実施形態によると、第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディの少なくとも1つの対を、接続キャリアに貼り付ける。第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディの対を貼り付けるステップは、基板を剥離する前、または剥離した後に行うことができる。対の第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディは、同時にすなわち同じステップにおいて接続キャリアに貼り付けることが好ましい。接続キャリアは、例えば一種の回路基板であり、電気接続領域もしくは少なくとも1つの導体トラック、またはその両方を備えている。接続キャリアは、例えば、セラミック本体を備えており、セラミック本体の外面に、電気接続領域もしくは少なくとも1つの導体トラック、またはその両方が、例えばパターニングされた金属被覆の形で形成されている。セラミック本体は、特に、セラミック材料例えば、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ホウ素からなる、またはこれらのセラミック材料の1種類を含んでいることができる。さらには、接続キャリアを、金属コア基板またはプリント基板例えばフレキシブルなプリント基板とすることも可能である。いずれの場合も、接続キャリアは、電気接続領域もしくは少なくとも1つの導体トラックまたはその両方を備えていることが好ましい。本方法の少なくとも一実施形態によると、第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディの対の半導体ボディは、第1の半導体ボディのpn接合部が第2の半導体ボディのpn接合部に逆並列に接続されるように、接続キャリアの接続領域もしくは少なくとも1つの導体トラックまたはその両方によって、互いに電気的に接続される。ここで、逆並列に接続されているとは、第1の半導体ボディのp型導電領域が第2の半導体ボディのn型導電領域に電気的に接続されており、かつ、第1の半導体ボディのn型導電領域が第2の半導体ボディのp型導電領域に電気的に接続されているように、第1の半導体ボディと第2の半導体ボディとが互いに並列に接続されていることを意味する。第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディは、pn接合部により、それぞれダイオードを形成しており、これらのダイオードは、接続キャリアの接続領域もしくは少なくとも1つの導体トラックまたはその両方によって、互いに逆並列に接続されている。第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディの電気的接続は、これらの半導体ボディの対を接続キャリアに貼り付けることによって、または貼り付けた後に形成される。特に、この電気的接続は、接続キャリアに貼り付ける前には形成されていない。接続キャリアに貼り付ける前の時点では、第1の半導体ボディのpn接合部と第2の半導体ボディのpn接合部は、互いに電気的に分離されている。本方法の少なくとも一実施形態によると、第1の半導体ボディのpn接合部と第2の半導体ボディのpn接合部とが互いに逆並列に接続されるように、第1の半導体ボディを第2の半導体ボディに電気的に接続する目的で、少なくとも1つの導体トラックが閉じられるのは、第1の半導体ボディを貼り付けてテストした後である。このようにすることで、第1の半導体ボディの機能のテストが、第2の半導体ボディによって妨げられることがない。さらに、本発明は、オプトエレクトロニクス半導体部品に関する。本オプトエレクトロニクス半導体部品は、本発明の方法を使用して製造することができ、すなわち、オプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法に関して開示されているすべての特徴は、本オプトエレクトロニクス半導体部品にもあてはまり、逆も同様である。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、オプトエレクトロニクス半導体部品は接続キャリアを備えており、この接続キャリアは、電気接続領域および少なくとも1つの導体トラックを備えている。さらに、本オプトエレクトロニクス半導体部品は、pn接合部を備えた第1の半導体ボディと、pn接合部を備えた第2の半導体ボディとを含んでいる。この場合、第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディは、同じ構造であることが好ましい。ここで、同じ構造とは、これらの半導体ボディが、例えば同じ一連の半導体層を備えていることを意味する。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、第1の半導体ボディと第2の半導体ボディは、同じ厚さである。厚さは、この場合、横方向に直角に延びる垂直方向に測定した厚さである。同じ厚さとは、半導体積層体をエピタキシャルに堆積させるときに製造公差の範囲内で達成可能な同じ厚さを意味するものと理解されたい。同じ構造および同じ厚さの第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディは、例えば、半導体積層体を横方向にパターニングして第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディの複数の対を形成することによって、作製することができる。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディは、同じ向きで接続キャリアに貼り付けられており、すなわち、両方の半導体ボディにおいて、接続キャリアとは反対側の各半導体ボディの面に例えばn型導電層が配置されている。この場合、半導体ボディのp型導電層は、接続キャリアの側にある。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディは、それぞれに割り当てられている電気接続領域に導電接続されており、第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディは、第1の半導体ボディのpn接合部が第2の半導体ボディのpn接合部に逆並列に接続されているように、電気接続領域もしくは少なくとも1つの導体トラックまたはその両方によって、互いに接続されている。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、本半導体部品は接続キャリアを備えており、この接続キャリアは、電気接続領域もしくは少なくとも1つの導体トラックまたはその両方を備えている。さらに、本半導体部品は、pn接合部を備えた第1の半導体ボディと、pn接合部を備えた第2の半導体ボディとを含んでいる。第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディは、構造および厚さが同じである。第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディは、それぞれに割り当てられている電気接続領域に導電接続されており、第1の半導体ボディのpn接合部が第2の半導体ボディのpn接合部に逆並列に接続されているように、接続キャリアの少なくとも1つの導体トラックもしくは電気接続領域またはその両方によって、互いに接続されている。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、第1の半導体ボディは、本半導体部品の動作時に電磁放射を生成する目的で設けられている。第1の半導体ボディは、例えば、発光ダイオードチップである。一実施形態によると、第2の半導体ボディは、第1の半導体ボディのためのESD保護ダイオードとして設けられている。本発明の方法と、本発明の半導体部品は、特に、以下の発想に基づいている。すなわち、上述した方法を使用すると、例えば、発光ダイオードチップ第1の半導体ボディと、ESD保護ダイオード第2の半導体ボディとを、単一のウェハ上に製造することが可能である。ESD保護ダイオードは、発光ダイオードチップと同時に製造される。発光ダイオードチップの従来の製造方法と比較して、半導体積層体を横方向にパターニングして第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディを形成する以外は、追加のステップが必要ない。これによって、製造コストが特に低いESD保護ダイオードを作製することが可能である。さらに、ESD保護ダイオードは、発光ダイオードチップと同じ厚さであり、したがって、特に薄い半導体部品を製造することができ、この半導体部品には、例えば、セラミック本体を有する特に安価な接続キャリアを使用することができる。さらには、半導体部品を製造するための本発明の方法の特徴として、接続キャリア上の発光ダイオードチップのテストを、ESD保護ダイオードが接続されていない状態で行うことができ、第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディは、これらを接続キャリアに貼り付けてテストを行った後にはじめて互いに接続される。このようにすることで、ESD保護ダイオードが存在することで発光ダイオードチップすなわち第1の半導体ボディのテストが妨げられたり、測定結果が変わることがない。本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、第1の半導体ボディは、第2の半導体ボディの底面領域より大きい底面領域を備えている。底面領域は、例えば、接続キャリアの主延在方向に平行な平面内の、接続キャリアとは反対側の半導体ボディの面における、半導体ボディの領域を使用して測定される。特に、第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディの主たる違いが、それぞれの底面領域のみであるようにすることが可能である。少なくとも一実施形態によると、第2の半導体ボディの底面領域は、第1の半導体ボディの底面領域の最大で10であり、すなわち、第2の半導体ボディは、横方向の範囲に関して、第1の半導体ボディよりも大幅に小さい。例えば、第1の半導体ボディは、1mm×1mmの底面領域を有する。この場合、第2の半導体ボディは、例えば100μm×60μmの底面領域を有する。少なくとも一実施形態によると、第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディは、最大で10μm例えば約6μmの厚さを有する。言い換えれば、第1および第2の半導体ボディは特に薄く、この薄さは、第1および第2の半導体ボディを備えた半導体積層体から基板が完全に剥離されることにおいて達成することができる。少なくとも一実施形態によると、第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディは、表面実装可能であり、この場合、第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディは、接続キャリアの側のそれぞれの底面領域に、接触領域を備えている。例えば、少なくとも1つのビアが、これらの接触領域から第1および第2の半導体ボディそれぞれの中に延在していることができ、これらのビアは、例えば、半導体ボディのp型導電領域またはn型導電領域との接触を形成する目的で設けられている。少なくとも一実施形態によると、第1の半導体ボディは、接続キャリアとは反対側の自身の上面に、放射出口面を備えており、動作時に第1の半導体ボディによって生成される電磁放射の大部分は、この放射出口面を通過し、この場合、第1の半導体ボディのpn接合部に電流を供給するための電流分散は、その全体が放射出口面より下で行われる。言い換えれば、接続キャリアとは反対側の第1の半導体ボディの上面には、放出される電磁放射例えば光を吸収または反射しうる接触領域や電流分散トラックが配置されていない。したがって、第1の半導体ボディの上面には、金属被覆が存在しない。これが可能であるのは、電流分散が放射出口面より下で行われるためである。少なくとも一実施形態によると、第1の半導体ボディの少なくとも1つの接触領域もしくは第2の半導体ボディの少なくとも1つの接触領域またはその両方は、接続キャリアの導体トラックを介して、接続キャリアの接続領域に接続されており、導体トラックは、一部分が半導体ボディの下に延在しており、一部分が半導体ボディから横方向に隔てられている。言い換えれば、半導体ボディの接触領域が、接続キャリアの導体トラックによって、半導体ボディによって覆われていない接続キャリアの領域まで横方向に延長されている。これにより、接続キャリアの接続領域との接触を特に簡単に形成することができる。少なくとも一実施形態によると、第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディの複数の対が、接続キャリアの導体トラックによって、互いに導電接続されており、すなわち、本オプトエレクトロニクス半導体部品は、第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディの少なくとも2つの対を備えており、第1の半導体ボディが互いに直列に接続されており、第1の半導体ボディそれぞれの第2の半導体ボディが、第1の半導体ボディに逆並列に接続されている。これによって、例えば発光ダイオードチップが直列に接続され、各発光ダイオードチップは、それぞれに関連付けられているESD保護ダイオードによって保護される。第1の半導体ボディそれぞれは、接続キャリアの導体トラックによって相互接続されており、導体トラックは、例えば、接続キャリアの対応する接続領域を互いに接続している。少なくとも一実施形態によると、接続キャリアとは反対側の第2の半導体ボディの上面に、導電層が配置されている。この導電層は、第2の半導体ボディにおけるp型導電層の横方向導電率transverseconductivityを高める。この場合、ビアが、第2の半導体ボディのn型導電層およびp型導電層を貫いて導電層まで延在していることができる。導電層は、例えば、金属例:金によって形成されている。導電層は、特に、放射に対して不透明とすることができる。動作時、第2の半導体ボディ2において放射は生成されない、または、放射の放出が導電層によって阻止されることが有利である。以下では、本発明の方法および本発明の半導体部品について、例示的な実施形態および関連付けられる図面を参照しながら、さらに詳しく説明する。図面において、同じ要素、類似する要素、または同じ機能の要素には、それぞれ同じ参照数字を付してある。図面と、図面に示した要素の互いのサイズの比率は、正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、便宜上、または深く理解できるようにする目的で、個々の要素を誇張した大きさで示してある。図1Aは、本発明のオプトエレクトロニクス半導体部品の、第1の半導体ボディ1および第2の半導体ボディ2を有する対の斜視図である基板100を剥離する前。基板100例えばサファイアまたはシリコンを含んでいるの上に、半導体積層体101がエピタキシャルに堆積されている。半導体積層体101は、p型導電層102とn型導電層103とを備えている。p型導電層とn型導電層との間にpn接合部104が配置されており、このpn接合部104は、例えば、電磁放射を生成するのに適する少なくとも1つの領域を備えている。半導体積層体は、横方向にパターニングされて、第1の半導体ボディ1および第2の半導体ボディ2が形成されている。この場合、第1の半導体ボディ1は、第2の半導体ボディの底面領域の少なくとも10倍の大きさの底面領域を有する。第1の半導体ボディ1および第2の半導体ボディ2は、溝107によって互いに隔てられており、溝107は、基板100とは反対側の半導体積層体101の面から、基板100まで達している。基板100とは反対側の半導体積層体101の面には、パターニングによって、例えば金属被覆の形の電気接触領域105が形成されている。接触領域105は、半導体ボディ1,2のn側接触またはp側接触を形成する役割を果たす。図1Aの例示的な実施形態においては、第2の半導体ボディ2は、第1の半導体ボディ1から横方向に距離をおいて、第1の半導体ボディ1の領域の外側に配置されている。第2の半導体ボディ2は、例えば、60μmの幅および100μmの長さを有する。第1の半導体ボディ1は、例えば1mmの幅および1mmの長さを有することができる。完成したオプトエレクトロニクス半導体部品において、第1の半導体ボディ1は、電磁放射例えば光を生成する発光ダイオードチップとして機能する。第2の半導体ボディ2は、ESD保護ダイオードとしての役割を果たす。第1の半導体ボディ1および第2の半導体ボディ2は、積層体101を形成することによって基板100の上に一緒に製造されており、したがって、厚さおよび組成が実質的に同じである。ここで、実質的にとは、第1の半導体ボディ1と第2の半導体ボディ2の組成および厚さの違いが、製造時の変動公差によるものであることを意味する。第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディの厚さすなわち半導体積層体101の厚さは、例えば、d≦10μm例:d=6μmである。図1Bの概略的な斜視図は、本発明のオプトエレクトロニクス半導体部品の例示的な実施形態における、第1の半導体ボディ1および第2の半導体ボディ2のさらなる対を示している。図1Aの例示的な実施形態とは異なり、第2の半導体ボディ2が、第1の半導体ボディ1の領域内に配置されている。このようにすることで、エピタキシャルに形成される半導体積層体のうち無駄になる材料が最小限になる。電気的分離性を高めるため、第1の半導体ボディ1と第2の半導体ボディ2との間の溝107が、電気的絶縁材料106例えば、窒化ケイ素もしくは二酸化ケイ素またはその両方によって満たされている。図1Cの概略的な斜視図は、本発明のオプトエレクトロニクス半導体部品の例示的な実施形態における、第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディの対のさらなる実施形態を示している。この例示的な実施形態においては、第2の半導体ボディ2溝107によって第1の半導体ボディ1から隔てられているは、第1の半導体ボディ1の側面全体に沿って延在している。この場合、第2の半導体ボディ2は、第1の半導体ボディ1のための特に高耐電圧のESD保護ダイオードを形成することができる。図1Dの概略的な斜視図は、第1の半導体ボディおよび第2の半導体ボディの対の実施形態の例を、さらに詳しく示している。図1Dは、基板100とは反対側の半導体ボディ1,2の面を示している。p側接触領域105bは、例えば第1の半導体ボディ1の領域内に配置されている。n側の接触を形成するための接触領域105aは、第1の半導体ボディ1の周縁領域に配置することが可能である。半導体ボディ1は、基板100とは反対側の面に、裏面金属被覆108を備えていることができ、この被覆108は、例えばTi/Pt/Auという積層体によって形成されている。銀を含んでいる、または銀からなる、ミラーとして機能する積層体を、例えば、裏面金属被覆108とp型導電領域102との間に配置することができる。この積層体は、例えば、Pt/Ag/Tiという構造である。図1Eの概略的な斜視図は、n側接触領域105aが、例えば、p型導電層を貫くビアの形をとり得ることを、さらに詳しく示しており、このビアは、半導体ボディのn型導電層以外の領域から、電気的絶縁材料106例えば二酸化ケイ素によって絶縁されているこの点に関して図1Fの拡大図も参照。図2A、図2B、および図2Cにおける概略図は、本発明のオプトエレクトロニクス半導体部品の第1の例示的な実施形態をさらに詳しく示している。このオプトエレクトロニクス半導体部品においては、例えば、図1A~図1Fに関連して説明したように、第1の半導体ボディ1および第2の半導体ボディ2の対が使用されている。このオプトエレクトロニクス半導体部品は、接続キャリア3を備えている。接続キャリア3は、セラミック材料によって形成されているセラミック本体30を備えている。セラミック材料は、例えば、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、または窒化ホウ素である。図2Aおよび図2Bの例示的な実施形態においては、半導体ボディ1,2の側の接続キャリア3の面に、2つの接続領域4が配置されているこの点に関して、特に図2Bの概略平面図を参照。半導体ボディ1,2は、接続領域4の上に例えばはんだ付けされている。ESD保護ダイオードとして設けられている半導体ボディ2は、放射を生成する目的で設けられている半導体ボディ1に逆並列に接続されており、すなわち、2つの半導体ボディ1,2のpn接合部104が、接続キャリア3の接続領域4によって、互いに逆並列に接続されている。この場合、半導体ボディ1,2は、同じ向きで接続キャリア3に貼り付けられており、すなわち、両方の半導体ボディ1,2において、例えばn型導電層103が半導体ボディ接続キャリア3とは反対側に位置している。図2Cの概略側面図が示すように、第1の半導体ボディ1および第2の半導体ボディ2のそれぞれにおいて、ビア109がp型導電層102を貫いてn型導電層103の中に達している。このようにすることで、第1の半導体ボディ1および第2の半導体ボディ2は表面実装可能である。接続キャリア3とは反対側の第1の半導体ボディ1および第2の半導体ボディ2の表面には、接触領域もしくは電気導体が存在しない。しかしながら、図2Cに示したように、接続キャリア3とは反対側の第2の半導体ボディ2の上面に、導電層200を配置することができる。導電層200は、第2の半導体ボディ2におけるp型導電層103の横方向導電率を高める。この場合、ビア109が導電層200まで延在していることが可能である。導電層200は、例えば、金属例:金によって形成されている。導電層200は、特に、放射に対して不透明とすることができる。本発明のオプトエレクトロニクス半導体部品のさらなる例示的な実施形態について、図3Aおよび図3Bを参照しながらさらに詳しく説明する。この例示的な実施形態においては、図2Aおよび図2Bの例示的な実施形態とは異なり、半導体ボディ1,2が、接続キャリア3の接続領域4および導体トラック5によって、互いに逆並列に接続されている。導体トラック5は、最初の段階ではすなわち半導体ボディ1,2を貼り付けた直後には、中断部110を備えている。言い換えれば、第1の半導体ボディ1および第2の半導体ボディ2は、接続キャリア3に貼り付けた直後の時点では、互いに逆並列に接続されていない。したがって、第2の半導体ボディ2は、最初の段階では、放射を放出する半導体ボディ1のためのESD保護ダイオードとして機能しない。この状態において、半導体ボディ1の機能をテストする。テストの後、例えばスクリーン印刷によって、または導電性のペーストを塗布することによって、中断部110を閉じる、すなわち、第1の半導体ボディ1をテストした後に、第1の半導体ボディ1と第2の半導体ボディ2とが互いに逆並列に接続され、したがって第2の半導体ボディ2は、第1の半導体ボディ1のためのESD保護ダイオードとして機能することができる。図4Aおよび図4Bの概略図は、本発明のオプトエレクトロニクス半導体部品のさらなる例示的な実施形態を示している。図4Aおよび図4Bに記載されているオプトエレクトロニクス半導体部品は、外部接続領域112によって、表面実装可能である。接続キャリア3の本体30の中にビア111が配置されており、このビアは、半導体ボディ1,2が存在する本体30の上面と、半導体ボディ1,2とは反対側の下面とを接続している。ビア111によって、接続キャリア3の本体30の上面における導体トラック5と、外部接続領域112との間に、導電接続が形成されるこの点に関して、特に図4Bの概略断面図を参照。導体トラック5は、第1の半導体ボディ1の接触領域105と、第2の半導体ボディ2の接触領域105とに、導電接続されている。2つの半導体ボディは、導体トラック5によって、互いに逆並列に接続されている。さらに、半導体ボディ1は、放射に対して透過性の封止体113によって、密着状態に囲まれており、封止体113は、例えばシリコーンもしくはエポキシドまたはその両方を含んでいる。封止体113は、半導体部品の側面において、接続キャリア3の本体30と端部が揃っている。放射取出し効率を高める目的で、封止体113は、第1の半導体ボディ1の領域において、レンズのように、外側に接続キャリア3から離れる方向に凸状に湾曲していることができる。本発明のオプトエレクトロニクス半導体部品のさらなる例示的な実施形態について、図5A、図5B、および図5Cの概略平面図を参照しながらさらに詳しく説明する。これらの例示的な実施形態の共通の特徴として、例えば、少なくとも第1の半導体ボディ1のn側接触領域105aが、それに割り当てられている接続キャリア3の接続領域4に、導体トラック5例えば金属被覆の形をとるによって接続されている。導体トラック5は、少なくとも一部分が第1の半導体ボディ1の下にすなわち、接続キャリア3の本体30と、接続キャリア3の側の半導体ボディ1の下面との間に延在している。導体トラック5と半導体ボディ1との間には、電気的絶縁材料106例えば、二酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素またはその両方の層が配置されている。図5Bが示すように、この場合、半導体ボディの残りの下面が、例えばp側接触領域105bの役割を果たすことができる。半導体ボディ1,2との接触を形成する導体トラック5は、半導体ボディの下、横方向に外側に延在している。図5Cが示すように、このような配置構造は、第2の半導体ボディ2が逆並列に接続されている第1の半導体ボディ1を直列に接続するうえで、特に好適に利用することができる。すべての例示的な実施形態において、接触領域105bがn側接触領域を形成し、接触領域105aがp側接触領域を形成することが可能である。要約すると、本発明のオプトエレクトロニクス半導体部品の重要な特徴は、安価に製造できること、空間が節約される平坦な構造であること、多用途に使用できることである。ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。[関連出願]本特許出願は、独国特許出願第102010032813.8号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。"