"光電変換部と信号増幅部を有する複数の画素をアレイ状に配置し、該画素毎あるいは複数の画素毎に配置されたフローティングディフュージョンが該信号増幅部の入力となる固体撮像装置において、該フローティングディフュージョンから該増幅部の入力までの接続は、該フローティングディフュージョンとポリシリコンの直接コンタクトを用いて行うことを特徴とする固体撮像装置。前記フローティングディフュージョンから前記増幅部の入力までの接続は、ポリシリコンのみで行われていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記フローティングディフュージョン上は、該フローティングディフュージョンとは別電位のメタル層によって遮光されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像装置。前記メタル層は複数層から成り、その最下層は該メタル層の他の層より低い反射率を有していることを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。前記ポリシリコンは複数層から成り、その最上層は可視光領域において該ポリシリコンの他の層より低透過率であることを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。前記光電変換部とフローティングディフュージョンの間には、前記光電変換部で発生した信号電荷が該フローティングディフュージョンに流入することを防止するポテンシャル障壁を有することを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の固体撮像装置。前記画素毎にリセット手段および電荷転送手段を有し、全画素一斉にリセットを行った後、該光電変換部に蓄えられた信号電荷を全画素一斉にフローティングディフュージョンへ転送し、該フローティングディフュージョンの電位を順次読み出すことを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の固体撮像装置。被写体からの光を結像する結像光学系と、この結像された像を光電変換する請求項1~7のいずれかに記載の固体撮像装置と、該固体撮像装置からの出力信号をディジタル変換して処理する信号処理回路とを有することを特徴とする撮像システム。しかしながら上記の従来のCMOS型固体撮像装置では、入射光により発生した信号電子がフローティングディフュージョン3に混入し、出力電圧を変化させるという課題があった。図3に示すように、斜方入射した光線330aにより、転送MOSトランジスタのゲート下で発生した電子正孔対330bのうち電子は、フォトダイオードのN型カソード305より、フローティングディフュージョンを構成するN型高濃度層308に引き寄せられる。また、例えば転送MOSトランジスタのゲート電極304上に入射した光331aは図3ように反射を繰り返し、N型高濃度層308直下で電子正孔対331bを発生させる。このうち電子はN型高濃度層に引き寄せられる。第一層メタル320を図3で開口側に引き伸ばして遮光性を向上すると、フローティングディフュージョン部の静電容量が増大し、電荷変換係数が低下することで、S/Nが劣化するという問題を生じていた。以上の様にして、フォトダイオードを介すること無く、直接フローティングディフュージョンに捉えられた電子は、擬信号となり、固体撮像装置のノイズを増加させる、ダイナミックレンジを縮小させる、暗時の出力を増大させる、暗時のシェーディングを増大させる等の問題を引き起こす。このため、フローティングディフュージョンの遮光性を向上させることが従来のCMOS型固体撮像装置の課題であった。CCD型固体撮像装置でも、読み出し回路の最終段にフローティングディフュージョンを用いたソースフォロワー型増幅回路が一般に使用されている。例えば、ソースフォロワー増幅器への電極引き出しをポリシリコンで行う例がある例えば、特許文献1参照。しかしこの例には遮光性の向上については触れられておらず、先の従来例で示したような、シリコン内部で発生した電子がフローティングディフュージョンに流入することに関しても考慮していない。更にCCD型固体撮像装置では、フローティングディフュージョン増幅回路は水平CCDの後段に1つあるだけであるので、画素部から遠いために、画素面積に制約されること無くレイアウトできるので、あまり工夫は必要でない。一方CMOS型固体撮像装置では、画素毎にフローティングディフュージョンが存在するので、フォトダイオードとフローティングディフュージョンが近接していること、遮光の役目を果たす金属電極は回路の配線としても使用するので、どうしても隙間をつくる必要があること、などがCCD型固体撮像装置と事情が異なるため、構造上の新たな工夫が必要であった。そこで本発明は、フローティングディフュージョンの遮光性を向上することによって、暗時のシェーディングが無く、ダイナミックレンジ、S/Nを高くすることができる固体撮像装置を提供することを目的とする。上述の課題を解決するため、第一の発明は、光電変換部と信号増幅部を有する複数の画素をアレイ状に配置し、該画素毎あるいは複数の画素毎に配置されたフローティングディフュージョンが該信号増幅部の入力となる固体撮像装置において、該フローティングディフュージョンから該増幅部への入力までの接続は、該フローティングディフュージョンとポリシリコンの直接コンタクトを用いて行うことを特徴としている。また、第二の発明は、第一の発明の固体撮像装置において、フローティンディフュージョンから前記増幅部への入力までの接続はポリシリコンのみで行われていることを特徴としている。また、第三の発明は、第一、第二の発明の固体撮像装置において、フローティングディフュージョン上は、フローティングディフュージョンとは別電位のメタル層によって遮光されていることを特徴としている。また、第四の発明は、第三の発明の固体撮像装置において、前記メタル層は複数層から成り、その最下層は該メタル層の他の層より低い反射率を有していることを特徴としている。また、第五の発明は、第四の発明の固体撮像装置において、前記ポリシリコンは複数層から成り、その最上層は可視光領域において該ポリシリコンの他の層より低透過率であることを特徴としている。更に、第六の発明は、第一から第五の発明の固体撮像装置において、前記光電変換部とフローティングディフュージョンの間には、前記光電変換部で発生した信号電荷が該フローティングディフュージョンに流入することを防止するポテンシャル障壁を有することを特徴としている。そして、第七の発明は、第一から第六の発明の固体撮像装置において、前記画素毎にリセット手段および電荷転送手段を有し、全画素一斉にリセットを行った後、該光電変換に蓄えられた信号電荷を全画素一斉にフローティングディフュージョンへ転送し、該フローティングディフュージョンの電位を順次読み出すことを特徴としている。第一の発明の作用は、光電変換部と信号増幅部を有する複数の画素をアレイ状に配置し、該画素毎あるいは複数の画素毎に配置されたフローティングディフュージョンが該信号増幅部の入力となる固体撮像装置において、該フローティングディフュージョンから該増幅部への入力までの接続は、該フローティングディフュージョンとポリシリコンの直接コンタクトを用いて行うことにより、第一層メタルでフローティングディフュージョンを遮光することができるので、フローティングディフュージョン上から直接入射する光量を抑制することができる。第二の発明の作用は、第一の発明において、前記フローティングディフュージョンから前記増幅部への入力までの接続はポリシリコンのみで行われていることにより、第一層メタルの隙間を設けること無く遮光できるとともに、ポリシリコンから第一層メタルへ接続するスペースを省くことができるので、フローティングディフュージョンを小さく作ることができる。第三の発明の作用は、第一、第二の発明において、前記フローティングディフュージョン上は、該フローティングディフュージョンとは別電位のメタル層によって遮光されていることにより、フローティングディフュージョン上からの光入射量を極小にすることができる。第四の発明の作用は、第三の発明において、前記最下層メタル層は複数層から成り、最下層は該メタル層の他の層より低い反射率を有していることにより、メタル層の底面で反射することによりフローティングディフュージョンに入射する光量を抑制することができる。第五の発明の作用は、第四の発明において、前記ポリシリコンは複数層から成り、最上層は可視光領域において該ポリシリコンの他の層より低透過率であることにより、ポリシリコンの表面で反射された後に反射を繰り返してフローティングディフュージョンに入射する光量を抑制することができる。第六の発明の作用は、第一から第五の発明において、前記光電変換部とフローティングディフュージョンの間には、前記光電変換部で発生した信号電荷が該フローティングディフュージョンに流入することを防止するポテンシャル障壁を有することにより、シリコン内部で発生した信号電荷のフローティングディフュージョンへの拡散を抑制することができる。第七の発明の作用は、第一から第六の発明において、該画素毎にリセット手段および電荷転送手段を有し、全画素一斉にリセットを行った後、該光電変換に蓄えられた信号電荷を全画素一斉にフローティングディフュージョンへ転送した後、該フローティングディフュージョンの電位を順次読み出すことで、全画面同時蓄積型の電子シャッター動作を可能としたことにより、画素回路を複雑にすること無く、固体撮像装置で高画質の撮像ができる電子シャッター動作を実現できる。本発明により、固体撮像装置のフローティングディフュージョンの遮光性を向上できる。その結果、暗時のシェーディングが無く、ダイナミックレンジ、S/Nを高くすることができる。更に、本発明を用いると、固体撮像装置で、全画素同時蓄積型の電子シャッターを高画質で実現することができる。次に、本発明の最良の形態について図面を参照して説明する。図4は、第一の実施例を説明する画素回路のレイアウトを示す。110はフォトダイオードが形成されているアクティブ領域、111は選択MOSトランジスタおよびソースフォロワートランジスタが形成されているアクティブ領域を示す。120は転送MOSトランジスタの領域、121は転送MOSトランジスタのゲート線を示している。破線で囲まれた領域130はフローティングディフュージョンのうち半導体のPN接合で形成されている部分を示している。フローティングディフュージョンからの電極の引き出しは、ポリシリコン131からの直接コンタクトで行っている点が従来例との違いである。ポリシリコン131は金属電極を介すること無く、直接ソースフォロワーMOSトランジスタのゲート電極となっている。また132はフローティングディフュージョン上を覆う遮光メタルで、本実施例では転送トランジスタ部120のゲート電極上、フローティングディフュージョンPNの接合部130をオーバーサイズで覆っている。このようにフローティングディフュージョンをポリシリコンで引き出すことで、シリコンに近接した位置でフローティングディフュージョンを遮光することが可能となっている。このフローティングディフュージョンは電気的にフローティングとしてもよいし、第二層メタル、あるいは第三層メタルと接続することで固定電位にしてもよい。他の部分は図2と同様であり、140はリセットMOSトランジスタ領域、141はリセット電源との接続のためのコンタクト、150は選択MOSトランジスタのゲート領域、151はVDD電源と接続するためのコンタクト、160はソースフォロワーMOSトランジスタ領域を示しており、フローティングディフュージョンと電気的に接続されているポリシリコン131をゲート電極としている。170は出力線で金属電極で構成される。また171は出力線170とソースフォロワーMOSトランジスタ160の主電極を接続するコンタクトである。図5は、図4のBB′断面を示す。501はn型シリコン基板、502aはP型ウエル、502bはP型埋め込み層、503aはMOSトランジスタのゲート酸化膜、503bは受光部上の薄い酸化膜、504は転送MOSトランジスタのゲート電極、505はフォトダイオード1のN型カソード、506はフォトダイオードを埋め込み構造とするための表面P型領域、507aは素子分離のためのLOCOS酸化膜、507bはP型チャネルストップ層、508aはフローティングディフュージョンを形成し転送MOSトランジスタのドレイン領域ともなっているN型高濃度領域である。508bはN型高濃度領域と直接コンタクトをとっているポリシリコン引き出し電極である。また509はゲート電極とメタル第一層を絶縁するシリコン酸化膜、521はメタル第一層でフローティングディフュージョン部を遮光している。522はメタル第一層とメタル第二層を絶縁する層間絶縁膜、523はメタル第二層、524はメタル第二層とメタル第三層を絶縁する層間絶縁膜、525はメタル第三層、526はパッシベーション膜である。カラー用光電変換装置では、パッシベーション膜526の上層に更に不図示のカラーフィルター層、さらに感度向上のためのマイクロレンズを形成するのは従来と同じである。表面から入射した光はメタル第3層の無い開口部を通して、フォトダイオードに入る。入射光のうち、転送MOSトランジスタのゲート電極504上面で反射した光は、図5のようにポリシリコン直上の第一層メタルで反射されるので、フローティングディフュージョン部に入射する前に複数回の反射を繰り返すので、充分に減衰し、偽信号はきわめて小さくなる。また図4のようにフローティングディフュージョンは隙間無くメタルで覆われるので、図5の断面以外の経路をたどる光に対しても遮光性が高い。第一層メタルは通常はアルミニウムあるいはアルミニウムを主体とする合金で形成されるが、本発明の効果を顕著にするためには、第一層メタルの最下層はTiNを形成することにより迷光の反射率を下げるのが好適である。TiNはバリアメタルの役割も果たすので、微細な配線を形成する上でも適した材料である。本実施例によりフローティングディフュージョンの遮光性を向上することができ、偽信号の影響を排除することができる。図8は、本発明の画素回路を多数個2次元配置したときの回路構成での略図である。ひとつの画素801にはフォトダイオード802、転送MOSトランジスタ803、ソースフォロワーMOSトランジスタ804、リセットMOSトランジスタ805、選択MOSトランジスタ806がある。同じ行の選択MOSトランジスタのゲートは選択線807、リセットMOSトランジスタのゲートはリセット線808、そして転送MOSトランジスタのゲートは転送線809でそれぞれ接続され、垂直走査回路801により、走査選択される。同じ列の出力線811には電流源812が接続され、出力線の電位をソースフォロワー動作で読み出すことができる。光信号は出力線上の光信号読み出し線815で選択された光信号転送MOSトランジスタ813より、ノイズ信号はノイズ信号読み出し線816で選択されたノイズ814信号転送MOSトランジスタより、それぞれ電荷蓄積部818に蓄えられる。電荷蓄積部818に蓄積された信号は水平走査回路で順次走査読み出され、不図示の差動増幅回路により、光信号とノイズ信号の差分が出力される。本発明はCMOS型固体撮像装置で、全画素同時蓄積型の電子シャッター動作を行う場合に顕著な効果が得られる。図9にこの電子シャッター動作を説明するタイミング図を示す。まず全画素のフォトダイオードをリセットするために全行のリセットパルスをON、全行の転送パルスをONする。両パルスをOFFにした瞬間から全画面で同時にフォトダイオードの蓄積動作が始まる。所望の時間だけ蓄積を行い、全行の転送パルスをONした後、OFFすることで、各画素の信号電荷が一斉に各画素のフローティングディフュージョンに転送される。次に、行ごとに選択パルスをON/OFFさせることにより、フローティングディフュージョンの電荷が行ごとに順次読み出される。読み出された信号は図8の電荷蓄積部818にSN信号として蓄えられる。次に全行のリセットパルスをONとすることで、全画素のフローティングディフュージョンが一斉にリセットされる。リセットパルスをOFFとした後、各行のフローティングディフュージョンの電位を順次読み出す。読み出された信号はN信号として、電荷蓄積部818にSNと併設された容量部に蓄えられる。蓄えられたSN信号とN信号を差動増幅器の入力とすることにより、S信号を取り出す。この動作ではフローティングディフュージョンに電荷が保持される時間が行ごとに異なるので、従来の構造では、保持時間が短い行この場合は第一行に比して、保持時間が長い量この場合は最終行はフローティングディフュージョンに入り込む偽信号により、出力電位がシェーディングする。本発明ではフローティングディフュージョンに流入するが抑制されるので、このようなシェーディングは出ない、あるいは問題にならないレベルとなる。図10は、本発明による固体撮像装置をカメラに応用する場合の回路ブロックの例を示したものである。撮影レンズ1002の手前にはシャッター1001があり、露出を制御する。絞り1003により必要に応じ光量を制御し、固体撮像装置1004に結像させる。固体撮像装置1004から出力された信号は信号処理回路1005で処理され、A/D変換器1006によりアナログ信号からディジタル信号に変換される。出力されるディジタル信号はさらに信号処理部1007で演算処理される。処理されたディジタル信号はメモリ1010に蓄えられたり、外部I/F1013を通して外部の機器に送られる。固体撮像装置1004、撮像信号処理回路1005、A/D変換器1006、信号処理部1007はタイミング発生部1008により制御される他、システム全体は全体制御部演算部1009で制御される。記録媒体1012に画像を記録するために、出力ディジタル信号は全体制御部演算部で制御される記録媒体制御I/F部1011を通して、記録される。なお、本実施例は、他の全ての導電型を反転することにより、ホール蓄積型画素を構成した場合にも本発明を適用できることは言うまでもない。図6は、本発明の第二実施例の固体撮像装置画素部の断面図である。601はn型シリコン基板、602aはP型ウエル、602bはP型埋め込み層、603aはMOSトランジスタのゲート酸化膜、603bは受光部上の薄い酸化膜、604は転送MOSトランジスタのゲート電極、605はフォトダイオード1のN型カソード、606はフォトダイオードを埋め込み構造とするための表面P型領域、607aは素子分離のためのLOCOS酸化膜、607bはP型チャネルストップ層、608aはフローティングディフュージョンを形成し転送MOSトランジスタのドレイン領域ともなっているN型高濃度領域である。608bはN型高濃度領域と直接コンタクトをとっているポリシリコン引き出し電極である。ポリシリコン引出し電極608bは最上面が金属で構成させる。608cはたとえばTi,W、あるいはMoのシリコン化物である。また609はゲート電極とメタル第一層を絶縁するシリコン酸化膜、621はメタル第一層でフローティングディフュージョン部を遮光している。622はメタル第一層とメタル第二層を絶縁する層間絶縁膜、623はメタル第二層、624はメタル第二層とメタル第三層を絶縁する層間絶縁膜、625はメタル第三層、626はパッシベーション膜である。本実施例では、ポリシリコン電極の上面を可視光に対して低反射とすることで、フローティングディフュージョンに入り込む光を更に低減した。すなわち、入射光のうち、転送MOSトランジスタのゲート電極604上面に入射した光は透過することはないので、シリコン内部に直接入る光が減少する。またシリサイド608cの反射率を低く抑えることで、反射光の強度もさげることができる。ポリシリコン直接コンタクト608bの上面もシリサイドで覆われているので、迷光があっても、ポリシリコンを直接透過してくる光成分を小さくすることができる。図7は、本発明の第三実施例の固体撮像装置画素部の断面図である。701はN型シリコン基板、702は埋め込みP型高濃度層、703aはN型エピタキシャル層、703bはフォトダイオードのN型カソード、704a、704b、704cはP型分離層、705a、705b、705cはP型ウエル層である。また、706a、706bはフィールド酸化膜下のチャンネルストップP型層である。714はフォトダイオードからフローティングディフュージョンへの電荷転送路を規定し、転送MOSトランジスタ直下のポテンシャル障壁を形成するためのフィールドストップ層、707はフィールド酸化膜、708はMOSトランジスタのゲート酸化膜、709aは転送MOSトランジスタのゲートポリシリコンで表面には金属シリサイド層709b、710はフォトダイオードを埋め込み型とするための表面P型層である。711は転送MOSトランジスタのN型高濃度拡散領域である。712aはN型高濃度領域と直接コンタクトをとっているポリシリコン引き出し電極である。ポリシリコン引出し電極712bは最上面が金属シリサイドである。また713はゲート電極とメタル第一層を絶縁するシリコン酸化膜、721はメタル第一層でフローティングディフュージョン部を遮光している。722はメタル第一層とメタル第二層を絶縁する層間絶縁膜、723はメタル第二層、724はメタル第二層とメタル第三層を絶縁する層間絶縁膜、725はメタル第三層、726はパッシベーション膜である。本実施例は第二の実施例と同じく、ポリシリコンゲートの最上層を金属シリサイド化することにより上面からフローティングディフュージョンに入射する偽信号を低減すると同時に、斜め入射光731aによりフォトダイオード端部で発生した電子ホール対731bのうち電子はP型分離層704b、P型ウエル層705b、フィールドストップ層714により、フローティングディフュージョン側には拡散さずに、フォトダイオードのカソード703に集まる。このように本実施例では、シリコン内部からのフローティングディフュージョンへ拡散を抑制することができる。シリサイドとポテンシャル障壁の組み合わせにより、より効果的に偽信号を排除できる。"