"複数の導体に導通接続された電子素子が樹脂パッケージにより封止され、かつ上記樹脂パッケージから上記複数の導体のうちの少なくとも1つの導体が微小長さだけ突出した形態を有する電子部品を製造する方法であって、電子部品形成領域が複数設定され、かつ上記各電子部品形成領域毎に上記導体となるべき導体メンバが複数形成された製造用フレームを用いて電子部品を製造するとともに、上記導体メンバを電子素子と導通接続する工程と、上記電子素子を樹脂封止する樹脂パッケージング工程と、上記複数の導体メンバのうちの少なくとも1つの導体メンバに対して、第1切断体により当該導体メンバの厚み方向の中間部にまで至る凹部を形成する凹部形成工程と、上記凹部が形成された導体メンバに対して、上記凹部が形成された面とは反対の面から第2切断体を作用させて上記導体メンバを切断する切断工程と、を含む電子部品の製造方法において、上記樹脂パッケージング工程においては、上記各電子部品形成領域毎に少なくとも1つの導体メンバが突出するようにし、かつ上記電子素子を個別に樹脂封止するようにして複数の樹脂パッケージが形成され、上記凹部形成工程においては、上記導体メンバにおける上記樹脂パッケージに極近接した部位において上記凹部を形成することを特徴とする、電子部品の製造方法。上記切断工程においては、上記導体メンバにおける上記凹部よりも上記樹脂パッケージから離間した部位において上記導体メンバを切断し、上記導体の端面を段状に形成する、請求項1に記載の電子部品の製造方法。上記凹部と上記樹脂パッケージとの最短距離は、10~100μmである、請求項1または2に記載の電子部品の製造方法。上記樹脂パッケージング工程においては、少なくとも1つの導体メンバが上記樹脂パッケージの下面から露出させられ、上記凹部形成工程においては、上記導体メンバに対して上記樹脂パッケージの下面側から上記凹部が形成され、上記切断工程においては、上記樹脂パッケージの上面側から上記第2切断体が作用させて上記導体メンバが切断される、請求項1ないし3のいずれかに記載の電子部品の製造方法。上記凹部は、断面V字状のノッチとして形成される、請求項1ないし4のいずれかに記載の電子部品の製造方法。上記凹部は、上記樹脂パッケージに最も近い部位が鉛直面とされている、請求項1ないし5のいずれかに記載の電子部品の製造方法。上記第1切断体および上記第2切断体は、パンチである、請求項1ないし6のいずれかに記載の電子部品の製造方法。本願発明は、このような事情のもとに考えだされたものであって、樹脂パッケージから導体が微小長さだけ突出した形態を有する電子部品を適切に形成することができる技術を提供することを課題としている。すなわち、本願発明により提供される電子部品の製造方法では、複数の導体に導通接続された電子素子が樹脂パッケージにより封止され、かつ上記樹脂パッケージから上記複数の導体のうちの少なくとも1つの導体が微小長さだけ突出した形態を有する電子部品を製造する方法であって、電子部品形成領域が複数設定され、かつ上記各電子部品形成領域毎に上記導体となるべき導体メンバが複数形成された製造用フレームを用いて電子部品を製造するとともに、上記導体メンバを電子素子と導通接続する工程と、上記電子素子を樹脂封止する樹脂パッケージング工程と、上記複数の導体メンバのうちの少なくとも1つの導体メンバに対して、第1切断体により当該導体メンバの厚み方向の中間部にまで至る凹部を形成する凹部形成工程と、上記凹部が形成された導体メンバに対して、上記凹部が形成された面とは反対の面から第2切断体を作用させて上記導体メンバを切断する切断工程と、を含む電子部品の製造方法において、上記樹脂パッケージング工程においては、上記各電子部品形成領域毎に少なくとも1つの導体メンバが突出するようにし、かつ上記電子素子を個別に樹脂封止するようにして複数の樹脂パッケージが形成され、上記凹部形成工程においては、上記導体メンバにおける上記樹脂パッケージに極近接した部位において上記凹部を形成することを特徴としている。この製造方法によれば、切断工程に先んじて導体メンバの一面に凹部が形成されているので、切断工程においては、凹部の内面に繋がる切断面を形成するようにして導体メンバを切断すればよい。つまり、凹部を形成しない場合に比べて、切断工程において形成すべき切断面が小さくて済む。その結果、導体メンバに対して大きな力を作用させることなく、導体メンバを切断することができるようになる。これにより、導体メンバにおける樹脂パッケージからの距離が小さい部位においても、ストリッパやカットダイなどでリードを押さえなくとも導体メンバを切断することができるようになる。すなわち、樹脂パッケージング工程において電子素子を個別に樹脂パッケージしたとしても、樹脂パッケージから導体をほとんど突出させることなく導体メンバを切断することができるようになる。電子素子を個別に樹脂パッケージしても、不具合なく導体が微小長さだけ突出した形態の電子部品を製造できるようになれば、樹脂パッケージング工程で必要な樹脂量を低減して製造コストの低減を図ることができるようになる。また、電子部品のサイズが同じであれば、樹脂パッケージからの突出量を小さくできれば、相対的に樹脂パッケージサイズを大きくできる。これにより、導体における電子部品を搭載すべき領域を大きく確保できるようになる。さらに、導体メンバを小さい力により切断できるのであれば、導体メンバを切断する際に当該導体メンバと樹脂パッケージとの間の接合面に作用する力剥離力を小さくして、樹脂パッケージからの導体メンバ導体の剥離を抑制することができるようになる。好ましい実施の形態においては、上記切断工程においては、上記導体メンバにおける上記凹部よりも上記樹脂パッケージから離間した部位において上記導体メンバを切断し、上記導体の端面を段状に形成する。凹部を形成した後にこれとは反対の面から第2切断体を作用させた場合には、第2切断体による切断面が凹部の内面と繋がった時点で導体メンバが切断されるのは上述した通りである。つまり、切断工程において第2切断体によって形成される切断面自体は、導体メンバの凹部形成面には至らない。したがって、切断工程において切断バリが生じた場合には、その切断バリが導体メンバの凹部形成面に付着するのではなく、導体の端面における段状の部分に付着する。たとえば、樹脂パッケージング工程においては、上記複数の導体メンバのうちの少なくとも1つの導体メンバが上記樹脂パッケージの下面から露出させられ、上記凹部形成工程においては、上記導体メンバに対して上記樹脂パッケージの下面側から上記凹部が形成され、上記切断工程においては、上記樹脂パッケージの上面側から厚み方向の全体にわたって上記導体メンバが切断される。このような製造方法においては、樹脂パッケージの下面から導体が露出した形態の電子部品が得られ、この電子部品では、樹脂パッケージの上面側から導体メンバを切断したとしても、導体の下面に切断バリが付着することが抑制されている。導体における樹脂パッケージから露出する面は、ハンダなどを介して回路基板などに接合される部分である。したがって、導体の下面への切断バリの付着が抑制されれば、ハンダなどの接合層内に切断バリが混入することを抑制できる。接合層内に切断バリが混在すれば、接合強度が低下することが懸念されるが、切断バリの混入が抑制できれば、所望の接合強度を確保することができるようになる。なお、凹部は、たとえば断面V字状のノッチとして形成される。もちろん、凹部の断面形状は、円弧状、矩形状、あるいはU字状などであってもよい。ただし、凹部における樹脂パッケージよりの部位は、導体メンバの厚み方向に拡がる鉛直面とされているのが好ましい。そうすれば、切断工程においては、この工程において生じた切断バリが第2切断体を介して段状の部分に擦り付けられることとなり、第2切断体により切断バリが導体の表面にまで持ち去られることを抑制できる。その結果、切断バリを導体の端面に留めておいて、導体の表面に付着してしまうことをより確実に抑制することができるようになる。また、第1および第2切断体としては、ポンチや回転ブレードが使用される。本願発明のその他の利点および特徴については、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明らかとなるであろう。以下、本願発明の好ましい実施の形態について、図面を参照して具体的に説明する。図1ないし図3は、本願発明に係る製造方法の適用対象となる電子部品としての半導体装置の一例を示している。半導体装置X1は、第1導体1、2つの第2導体2、半導体チップ3、ワイヤ4および樹脂パッケージ5を有している。第1導体1は、平面視矩形状の形態を有している。第1導体1の第1面11は平坦面とされているのに対して、第2面12は、2つの凸部13が設けられて凹凸状とされている。凸部13の表面14は平坦面とされており、この平坦面は、樹脂パッケージ5の下面50から露出して端子面を構成している。第1導体1の端部15は、樹脂パッケージ5から微小長さ、たとえば10~100μmだけ突出している。端部15の端面16は、上半部が下半部に比べて突出した段状とされている。第2導体2は、直方体状とされており、第1面20および第2面21ともに平坦面とされている。第2面21は、樹脂パッケージ5の下面50から露出して端子面を構成している。第2導体2の端部22もまた、樹脂パッケージ5から微小長さ、たとえば10~100μmだけ突出している。端部22の端面23もまた、上半部が下半部に比べて突出した段状とされている。半導体チップ3は、図面上に表れていないが上面および下面に電極が形成されている。この半導体チップ3は、ハンダペーストや銀ペーストなどの導電性材料を用いた実装作業により第1導体1の第1面11上に実装されている。半導体チップ3の下面には電極が形成されていることから、導電性材料を用いて第1導体1上に半導体チップ3を実装すれば、第1導体1と半導体チップ3の下面の電極とが導通する。一方、半導体チップ3の上面の電極は、ワイヤ4を介して第2導体2の第1面20と導通接続されている。樹脂パッケージ5は、半導体チップ3およびワイヤ4を封止している。この樹脂パッケージ5の下面50からは、上述したように端子面14,21が露出している。これにより、半導体装置X1が回路基板などに対して面実装可能とされている。以上の構成を有する半導体装置X1は、図4および図5に示したフレームを用いて製造される。なお、図4はフレームを上面側から見た要部斜視図、図5はフレームを下面側から見た要部斜視図である。フレーム6は、一対のサイドメンバ60を有し、これらのサイドメンバ60を橋渡すようにして複数のクロスメンバ61が設けられている。各クロスメンバ61からは、隣接するクロスメンバ61に向けて第1導体メンバ62および第2導体メンバ63が突出して形成されている。第1および第2導体メンバ62,63は、図1ないし図3に示した半導体装置X1における第1および第2導体1,2となるべき部分である。第1導体メンバ63は、半導体装置X1における端子面14を構成すべき部分が厚肉とされており、その余の部分が薄肉とされている。このようなフレーム6では、隣接するクロスメンバ61の間の領域に形成された第1導体62と第2導体63のペアによって1つの半導体装置X1が形成される。つまり、当該ペアを含む領域が図4および図5に仮想線で示したように個々の半導体装置形成領域64を構成している。このようなフレーム6に対しては、まず、ダイボンディングおよびワイヤボンディングを行い、図6に示したような状態とする。ダイボンディングでは、図7aに示したように、まず、下面の電極にハンダペーストなどの導電性材料が塗布された半導体チップ3を、フレーム6の第1導体メンバ62の上面62aに載置する。半導体チップは、吸着コレット70を用いて第1導体メンバ62に載置される。その後、加熱炉においてハンダペーストなどをリフローさせることにより半導体チップ3が第1導体メンバ62に接合される。一方、ワイヤボンディングは、既存のワイヤボンダーを用いて行われる。より具体的には、図7bに示したように、まず、ワイヤボンダーのキャピラリ71からワイヤ4′の先端部を突出させてこれを溶融させた後、当該先端部を半導体チップ3における上面の電極に押し付ける。次いで、キャピラリ71からワイヤ4′を引き出しつつキャピラリ71を移動させ、キャピラリ71によって第2導体メンバ63の上面にワイヤ4′を押し付けて切断することによりワイヤボンディングが行われる。次いで、個々の半導体チップ3を個別に覆うようにして樹脂パッケージ5を形成する。樹脂パッケージングは、図8aに示したように型締め状態において個々の半導体チップ3を個別に覆うキャビティ空間74を形成する上金型72および下金型73を用いて行われる。より具体的には、キャビティ空間74内に半導体チップ3およびワイヤ4を収容した状態でキャビティ空間74内に熱硬化性樹脂を注入した後に熱硬化性樹脂を熱硬化させることにより行われる。その後に離型すれば、図8bや図9に示したように、個々の半導体チップ3を個別に覆うようにしてフレーム6の上面側に樹脂パッケージ5が形成される。続いて、樹脂パッケージ5に極近接した部位において、第1および第2導体メンバ62,63を切断することにより図1ないし図3に示したような個別の半導体装置X1が得られる。第1および第2導体メンバ62,63の切断は、凹部形成工程と切断工程からなる。凹部形成工程においては、第1および第2導体メンバ62,63に対して図10および図11に示したような凹部65が形成される。凹部65は、第1および第2導体メンバ62,63の下面62a、63aにおける樹脂パッケージ5に極近接した部位、たとえば樹脂パッケージ5からの最短距離が10~100μmの部位に形成される。凹部65は、クロスメンバ61と同方向に延びる断面V字状とされており、樹脂パッケージ5に近い部位が鉛直面66とされている。このような凹部65は、図12に示したようにダイ75およびポンチ76を用いて行われる。ダイ75は、樹脂パッケージ5に対応した部位にこの樹脂パッケージ5を覆う得る凹部75aが形成されたものである。したがって、ダイ75によってフレーム6の上面側を覆えば、樹脂パッケージ5を凹部75aに収容しつつフレーム6の上面を押圧することができる。一方、ポンチ76は、複数の刃部76aを有するものであり、各々の刃部76aが片刃とされている。これらの刃部76aは、樹脂パッケージ5の寸法よりも若干大きな間隔を隔てて配置された2個のものが1つの組を構成しており、このような組がサイドメンバ60図4参照の延びる方向に並んで複数組設けられている。フレーム6に凹部65を形成する場合には、ダイ75をフレーム6の上面に当接させた状態で、フレーム6の下面側からポンチ76の刃部76aを作用させる。このとき、フレーム6第1および第2導体メンバ62,63に対する凹部形成位置や刃部76aの進入の程度凹部の深さを規制し、またフレーム6を確実に固定するために、ストリッパ77を介在させた状態でパンチ76を作用させる。こうすることにより、第1および第2導体メンバ62,63の下面における樹脂パッケージ5に極近接した部位に、クロスメンバ61と同方向に延びる断面V字状の凹部65が、第1および第2メンバ62,63の中間部に至る深さに形成される。一方、切断工程は、ポンチや回転ブレードなどの既存の切断体を用いて行われる。図13にはポンチ78を用いた場合を示した。同図に示したように、ポンチ78は、隣接する樹脂パッケージ5の間の距離よりも若干小さな厚み寸法図の左右方向を有している。より具体的には、凹部65における鉛直面66の間の距離よりも若干小さな厚み寸法を有している。切断工程では、ダイ79上にフレーム6を載置した状態でフレーム6の上面側からポンチ78が作用させられ、これにより第1および第2メンバ62,63が切断されて個々の半導体装置X1が得られる。このとき、半導体チップ3をピンPにより軽く押圧しておくのが好ましい。この製造方法によれば、先に凹部65が形成されているので、凹部65の内面66とポンチ78による切断面67とが繋がれば第1および第2導体メンバ62,63は切断される。つまり、凹部65が形成されていない場合に比べて、切断工程において切断すべき部位の厚みが事実上小さくされている。その結果、第1および第2導体メンバ62,63に対して大きな力を作用させることなく、第1および第2導体メンバ62,63を切断することができるようになる。これにより、第1および第2導体メンバ62,63における樹脂パッケージ5からの距離が小さい部位においても、フレーム6をストリッパやカットダイで押さえなくとも第1および第2導体メンバ62,63を切断することができるようになる。すなわち、樹脂パッケージング工程において半導体チップ3を個別に樹脂パッケージングしたとしても、樹脂パッケージ5から第1および第2導体1,2をほとんど突出させることなく第1および第2導体メンバ62,63を切断し、第1および第2導体1,2の突出量の極小さい半導体装置X1を提供できるようになる。半導体チップ3を個別に樹脂パッケージングしても、不具合なく第1および第2導体1,2が微小長さだけ突出した形態の半導体装置X1を製造できるようになれば、複数の半導体チップ3に対して一括して樹脂封止する場合に比べて、樹脂パッケージング工程で必要な樹脂量を低減して製造コストの低減を図ることができるようになる。また、半導体装置X1のサイズが同じであれば、樹脂パッケージ5からの突出量を小さくできれば、相対的に樹脂パッケージサイズを大きくできる。これにより、第1および第2導体1,2における半導体チップ3を搭載すべき領域を大きく確保できるようになる。また、第1および第2導体メンバ1,2を小さい力により切断できるのであれば、第1および第2導体メンバ1,2を切断する際に当該導体メンバ1,2と樹脂パッケージ5との間の接合面に作用する力剥離力を小さくして、樹脂パッケージ5からの導体メンバ導体の剥離を抑制することができるようになる。これにより、歩留まりを向上させて製造コストの低減を図ることができるようになる。この製造方法の切断工程においては、凹部65の鉛直面66の間の距離よりもポンチ78の厚み寸法のほうが小さくされている。このため、ポンチ78による切断面67が鉛直面66から位置ずれした部位に形成され、第1および第2導体1,2の端面16,23が段状となる。このようにして段状の端面16,23を形成するようにすれば、切断工程において切断バリが生じた場合には、図13に拡大図で示したように段状の部分に切断バリBが付着する。特に、凹部65が鉛直面66を有するものとすれば、ポンチ78が鉛直面66を通過する際に切断バリBが鉛直面66に対して擦り付けられて付着する。したがって、樹脂パッケージ5の上面側から第1および第2導体メンバ62,63を切断したとしても、第1および第2導体1,2の下面第2面13,21に切断バリBが付着することが抑制されている。第1および第2導体1,2における樹脂パッケージ5の下面50から露出する面は、ハンダなどを介して回路基板などに接合される部分である。このため、第1および第2導体1,2の下面への切断バリBの付着が抑制されれば、ハンダなどの接合層内に切断バリBが混入することを抑制できる。接合層内に切断バリが混在すれば、接合強度が低下することが懸念されるが、切断バリの混入が抑制できれば、所望の接合強度を確保することができるようになる。以上に説明した実施の形態では、電子部品としての半導体装置を例にとって説明したが、樹脂パッケージから導体が微小長さだけ突出した形態を有する他の電子部品、たとえば電子素子としてコンデンサ素子や抵抗素子を採用した電子部品についても本願発明を適用できる。本実施の形態においては、フレームに対して鉛直面を有する断面V字状の凹部を形成していたが、この凹部の形態は特に限定されない。たとえば図14aに示したように断面矩形状であってもよいし、同図17bに示したように断面U字状であってもよい。また、2つの傾斜面を有する断面V字状や円弧状などのように他の形態であってもよい。図1ないし図3に示した半導体装置では、樹脂パッケージの底面から4つの端子面が露出していたが、たとえば図15aに示したような2つの端子面14′、21′が露出する半導体装置X2や同図bに示したような3つの端子面14′′、21′′が露出する半導体装置X3の他、5つ以上の端子面を有する半導体装置の製造方法としても本願発明を適用できる。"