非晶質の半導体層、特に非晶質のシリコン層を、晶質の半導体層、特に晶質のシリコン層へと変換する方法において、前記変換は、前記半導体層のプラズマによる処理によって行われ、前記プラズマは、プラズマノズル1を備えたプラズマ源から発生され、その際、前記半導体層は、150°C以上、500°C以下の温度に熱処理される前記方法。請求項1に記載の方法において、前記プラズマは、30kHz未満の周波数を有する電圧によって発生される前記方法。請求項1または2に記載の方法において、前記変換は、大気圧で行われる前記方法。請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法において、前記プラズマは、希ガスまたは希ガス混合物、特にアルゴンおよび/または窒素を含むプロセスガスから発生される前記方法。請求項4に記載の方法において、前記プロセスガスは、更に水素を含む前記方法。請求項4または5に記載の方法において、前記プロセスガスは、90体積以上、99.9体積以下の1もしくは複数の希ガスおよび/または窒素を含み、かつ0.1体積以上、10体積以下の水素を含み、特にその際、窒素、1もしくは複数の希ガスおよび水素の体積パーセント値の合計は、全体で100体積パーセントとなる前記方法。請求項1から8までのいずれか1項に記載の方法において、前記処理温度は、プロセスガスの組成および/またはプロセスガス圧力あるいはプロセスガス速度の調整によって、および/またはプラズマノズルと半導体層との間の間隔の調整によって、および/または処理時間の調整によって、特にプラズマが半導体層上を動く処理速度の調整によって調整される前記方法。請求項1から9までのいずれか1項に記載の方法により製造される半導体層。請求項10に記載の半導体層を含む、エレクトロニクス物品またはオプトエレクトロニクス物品、特に太陽電池。プラズマノズル1と、前記プラズマノズル1の中空室中に配置されかつ前記プラズマノズル1から電気的に絶縁された内部電極2と、前記プラズマノズル1の中空室中にプロセスガスを供給し、かつ前記内部電極2と前記プラズマノズル1に電位差を印加して、前記内部電極2と前記プラズマノズル1との間に自己保持ガス放電によってプラズマを発生させるためのガスおよび電圧供給装置10とを含むプラズマ源、特に間接的プラズマ源であって、前記ガスおよび電圧供給装置10は、少なくとも2つの、特に少なくとも3つの、種々のガス種の供給のためのガス接続路N2、Ar、H2と、種々のガス種からのプロセスガスの混合のためのガス混合ユニットとを含み、特にその際、前記ガス混合ユニットは、種々のガス種がある調整可能な比率で互いに混合されるように設計されている前記プラズマ源。