"n型窒化物半導体層と、下部発光層と、上部発光層と、p型窒化物半導体層とをこの順に備える窒化物半導体発光素子であって、前記下部発光層は、複数の下部井戸層と該下部井戸層に挟まれ該下部井戸層よりバンドギャップの大きい下部バリア層とが交互に積層されたものであり、前記上部発光層は、複数の上部井戸層と該上部井戸層に挟まれ該上部井戸層よりバンドギャップの大きい上部バリア層とが交互に積層されたものであり、前記上部発光層における前記上部バリア層の厚さは、前記下部発光層における前記下部バリア層の厚さよりも薄いことを特徴とする窒化物半導体発光素子。前記上部バリア層の厚さは、前記下部バリア層の厚さより0.5nm以上薄い、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。前記下部バリア層及び前記上部バリア層の各層の厚さは、直下の層の厚さと同じ、またはp型窒化物半導体層側に近づくにつれて薄くなっている、請求項1または2に記載の窒化物半導体発光素子。前記下部発光層の平均n型ドーピング濃度は、前記上部発光層の平均n型ドーピング濃度より高い、請求項1~3のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。前記下部バリア層及び前記上部バリア層の各層の平均n型ドーピング濃度は、直下の層の平均n型ドーピング濃度と同じ、またはp型窒化物半導体層側に近づくにつれて低くなっている、請求項4に記載の窒化物半導体発光素子。従来の技術にしたがって窒化物半導体発光素子を製造し、製造された窒化物半導体発光素子を大電流で駆動すると、発光効率の低下を招くことがあり、また動作電圧が上がって消費電力が大きくなることがある。これらのことから、単位電力当たりの発光効率電力効率の低下を招くことがある。一般に、窒化物半導体発光素子に印加される電流密度が比較的小さい場合及び大きい場合に発光効率が低下する。電流密度が比較的小さい場合に発光効率が低下する理由は、非発光再結合を引き起こす準位結晶欠陥などが発光層に多数存在するからであると考えられている。そのため、従来における窒化物半導体発光素子の発光効率の向上対策は、主として、発光層における結晶欠陥の低減であった。しかし、窒化物半導体発光素子に印加される電流密度が大きくなると、発光層における結晶欠陥以外の要因による発光効率の低減が生じる。この原因として、オージェ再結合説、ピエゾ電界説、オーバーフロー説などが唱えられている。オージェ再結合説は、大電流密度における発光効率の低下の原因の1つとして、活性層の注入キャリア密度が高くなることに伴い、オージェ再結合注入キャリア密度の3乗に比例して再結合確率が増大する非発光再結合が支配的になるというものである。ピエゾ電界説は、以下のようなものである。井戸層の組成がInxGa1xNでありバリア層の組成がGaNである場合、両者の格子定数が異なるため、本来ならば断面形状が正方形状である格子が長方形状に伸ばされる、あるいは圧縮される。それに伴い、結晶中、特に井戸層中にピエゾ電界が生じ、その影響により半導体のエネルギーバンドバレンスバンド、コンダクションバンドの傾きが生じ、ホールと電子との密度分布が最大となる位置が井戸層の両側に空間的に分離する。そのため、電子とホールとの発光再結合が妨げられる発光再結合の寿命が長くなるというものである。オーバーフロー説は、電子の発光層への注入を多くすると、電子が発光層からあふれでてp側の層に達し、そのp側の層で非発光再結合により消滅するというものである。いずれの説であっても、大電流駆動時における発光効率低下を抑制するためには、井戸層における注入キャリア密度を低くする、すなわち井戸層の体積を大きくすることが望ましい。注入キャリア密度を低くする方法の一つとして、チップサイズを大きくして、発光面積を増大して、単位面積当たりの電流値を下げることにより、実際の単位体積あたりのキャリア濃度を下げるという手法が考えられる。しかし、チップサイズを大きくすると、1枚のウエハから製造できるチップの個数が減少するため、窒化物半導体発光素子の価格の上昇を招く。注入キャリア密度を低くする別の方法として、多重量子井戸構造における井戸層の層厚を厚くしたり、井戸層の層数を増やすなどの手法が考えられる。しかし、井戸層の層厚を厚くしすぎると、井戸層の結晶品質の低下を招く。また、井戸層の層数を増やしすぎると、窒化物半導体発光素子の動作電圧の上昇を招く。さらに、注入される電子とホールの密度分布が異なると、見かけの井戸層の体積を増加しても、実効的な井戸層の体積はそれに比例して増加しない。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、発光層の結晶品質を低下させず、大電流で駆動しても、動作電圧の上昇が防止され、発光効率が向上し、よって、電力効率が良好な窒化物半導体発光素子を作製することである。本発明に係る窒化物半導体発光素子は、n型窒化物半導体層と、下部発光層と、上部発光層と、p型窒化物半導体層とをこの順に備える。下部発光層は、複数の下部井戸層と、下部井戸層に挟まれ下部井戸層よりバンドギャップの大きい下部バリア層とが交互に積層されたものである。上部発光層は、複数の上部井戸層と、上部井戸層に挟まれ上部井戸層よりバンドギャップの大きい上部バリア層とが交互に積層されたものである。上部発光層における上部バリア層の厚さは、下部発光層における下部バリア層の厚さよりも薄い。この構成は、上部発光層のバリア層厚が薄い部分を主たる発光層として機能させ、下部発光層のバリア層厚が厚い部分を結晶回復層として機能させるという考えから導かれた。窒化物半導体発光素子の発光層は、一般にInzGa1zNz>0から成る井戸層を含むため、発光層の成長温度は、GaNやAlGaNなどInを含まない窒化物半導体層の成長温度に比べて低い。また、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法で結晶成長させる場合は、キャリアガスの大部分として窒素を使っており、水素は全く使わないか、使ったとしてもごく微量である。このような成長条件から、発光層では、結晶欠陥が発生しやすい。発光層に結晶欠陥が存在していても、その影響をできるだけ受けずに発光効率を上げるためには、結晶欠陥に注入キャリアが捕獲される前に発光再結合が起こる必要があり、そのためには、井戸層におけるピエゾ電界によるバンドの傾きを小さくする必要がある。しかし、表面がC面であるサファイア基板を使って窒化物半導体結晶をc軸方向に成長させ、窒化物半導体結晶の多くをGaNで形成し、その中に格子定数の異なるInzGa1zNz>0井戸層を設けてその井戸層で発光させるという一般的な構造の場合には、井戸層の格子定数が井戸層以外の窒化物半導体層の格子定数とは異なることに伴い、井戸層中にピエゾ電界が必然的に生じる。本発明では、井戸層中のピエゾ電界を小さくするために、発光への寄与が特に大きい上部発光層におけるバリア層を薄くするという着想に至った。本発明者は、単にバリア層の厚さを薄くするだけでも、バリア層と井戸層との平均組成に対するバリア層の組成の違いが減少し、井戸層中のピエゾ電界を低減できると推定している。また、発光層全体においてバリア層を薄くすると結晶欠陥が増大するため、発光層のうち主に発光しているp層側の発光層のバリア層だけを薄くしてピエゾ電界を低減し、n層側の発光層においては、井戸層の成長後に蓄積される結晶欠陥をバリア層で低減する効果を重視してバリア層を厚くした。バリア層は、Inを含まないか、Inを含んでいても井戸層よりもIn組成が低いために、バリア層の結晶品質を高めることが井戸層の結晶品質を高めることよりも容易である。よって、n層側の発光層におけるバリア層を厚く成長することで、井戸層で低下した結晶品質が回復するという役割を果たすと推定している。さらに、結晶品質だけを考えると、下部発光層から井戸層を無くし、バリア層だけにすることが望ましいように考えられるが、実際には、下部発光層にはひずみを緩和する効果があると考えられる。従って、上部発光層のピエゾ電界を低減するためには、下部発光層に井戸層が含まれることが好ましい。また、上部発光層におけるバリア層を薄くすると、以下の効果もあると推定している。発光層において、p層側から注入されるホールの発光層全体への拡散が十分でないため、p層に近い井戸層の方がホール密度が大きく、p層から離れるについてホール密度が小さくなる。ホールをより下側の井戸層まで拡散させるためには、井戸層の間に設けているバリア層の厚さを薄くし、下の井戸層までの距離を短くすればよいと考えられる。一方、発光層としての働きが少ない下部発光層には、バリア層を薄くしてもホールが届きにくいので、その部分は結晶回復層としての働きを重視してバリア層を厚くする。これにより、上部発光層における結晶品質及び発光効率の向上が図れる。上部バリア層の厚さは、下部バリア層の厚さより0.5nm以上薄いことが好ましい。下部バリア層及び上部バリア層の各層の厚さは、直下の層の厚さと同じ、またはp型窒化物半導体層側に近づくにつれて薄くなっていることが好ましい。ここで、直下の層とは、着目している下部バリア層に対して下部井戸層1層を挟んでn型窒化物半導体側に位置する下部バリア層を意味し、着目している上部バリア層に対して上部井戸層1層を挟んでn型窒化物半導体側に位置する上部バリア層を意味する。下部発光層の平均n型ドーピング濃度は、上部発光層の平均n型ドーピング濃度より高いことが好ましい。下部発光層は、上部発光層に対するn型キャリア注入層としても働くため、下部発光層の平均n型ドーピング濃度を上部発光層の平均n型ドーピング濃度よりも高くすることで、電子の移動が容易になり、その部分の電気抵抗が低減し、駆動電圧を低減できる。下部バリア層及び上部バリア層の各層の平均n型ドーピング濃度は、直下の層の平均n型ドーピング濃度と同じ、またはp型窒化物半導体層側に近づくにつれて低くなっていることが好ましい。ここで直下の層とは上述の通りである。本発明に係る窒化物半導体発光素子によれば、大電流で駆動しても、動作電圧の上昇が防止され、発光効率の低下が防止され、よって、電力効率が良好である。以下では、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。なお、以下では、バリア層は、井戸層に挟まれた層を指し、井戸層に挟まれていない層は、最初のバリア層または最後のバリア層という形で井戸層に挟まれた層とは表記を変えている。本発明においては、井戸層と井戸層との間に形成されたバリア層におけるホールあるいは電子の移動が特に重要だからである。また、以下の実施の形態では、下部発光層および上部発光層という表記を用いているが、下部発光層とはn側窒化物半導体層に近い側の層を指すための便宜上の表現であり、上部発光層とはp側窒化物半導体層に近い側を指すための便宜上の表現である。例えば図1の上下を反転させても、下部発光層および上部発光層の表記は変わらない。上部発光層の上に基板を設けても良いし、また基板を剥離して基板のない窒化物半導体発光素子としてもよい。また、以下ではキャリア濃度という言葉とドーピング濃度という言葉とを用いているが、その関係については後述する。また、本発明は以下に示す実施形態に限定されない。さらに、本発明の図面において、長さ、幅、および厚さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜変更されており、実際の寸法関係を表すものではない。図1および図2は、それぞれ、本発明の実施形態に係る窒化物半導体発光素子1の概略断面図および概略平面図である。図2に示すI-I線における断面図が図1に相当する。また、図3は、図1に示された窒化物半導体発光素子1における超格子層11からp型窒化物半導体層16までにおけるバンドギャップEgの大きさを模式的に示すエネルギー図である。図3の縦軸方向は図1に示す層の上下方向であり、図3の横軸のEgは各組成におけるバンドギャップの大きさを模式的に表している。また、図3では、n型ドーピングを行なう層には斜線を塗っている。<窒化物半導体発光素子>本実施形態に係る窒化物半導体発光素子1は、基板3の上面上に、バッファ層5と、下地層7と、n型窒化物半導体層9,10と、超格子層11と、下部発光層13と、上部発光層15と、p型窒化物半導体層16,17,18とがこの順に積層されてメサ部30図2参照が構成されている。メサ部30の外側においては、n型窒化物半導体層10の上面の一部分が超格子層11に覆われずに露出しており、その露出部分の上には、n側電極21が設けられている。p型窒化物半導体層18の上には、透明電極23を介してp側電極25が設けられている。窒化物半導体発光素子1のほぼ上面全体には、p側電極25およびn側電極21が露出するように、透明保護膜27が設けられている。<基板>基板3は、たとえば、サファイアのような絶縁性基板であっても良いし、GaN、SiC、またはZnOなどのような導電性基板であっても良い。基板3の厚さは120μmとしたが、特に限定されず、例えば50μm以上300μm以下であれば良い。基板3の上面は、平坦であっても良いし、図1に示すように凸部3Aおよび凹部3Bからなる凹凸形状を有していても良い。<バッファ層>バッファ層5は、たとえばAls0GatoN0≦s0≦1、0≦t0≦1、s0t0≠0層であれば良く、好ましくはAlN層である。ただし、Nのごく一部0.5~2を酸素に置き換えても良い。これにより、基板3の成長面の法線方向に伸長するようにバッファ層5が形成されるので、結晶粒の揃った柱状結晶の集合体からなるバッファ層5が得られる。バッファ層5の厚さは、特に限定されないが、3nm以上100nm以下であれば良く、好ましくは5nm以上50nm以下である。<下地層>下地層7は、たとえばAls1Gat1Inu1N0≦s1≦1、0≦t1≦1、0≦u1≦1、s1t1u1≠0層であれば良く、好ましくはAls1Gat1N0≦s1≦1、0≦t1≦1、s1t1≠0層であり、より好ましくはGaN層である。これにより、バッファ層5中に存在する結晶欠陥たとえば転位などがバッファ層5と下地層7との界面付近でループされ易くなり、よって、その結晶欠陥がバッファ層5から下地層7へ引き継がれることを防止できる。下地層7は、n型不純物を含んでいても良い。しかし、下地層7がn型不純物を含んでいなければ、下地層7の良好な結晶性を維持することができる。よって、下地層7はn型不純物を含んでいないことが好ましい。下地層7の厚みを厚くすることにより下地層7中の欠陥は減少するが、下地層7の厚みをある程度以上厚くしても下地層7における欠陥減少効果が飽和する。このことより、下地層7の厚さは、特に限定されないが、1μm以上8μm以下であれば良い。<n型窒化物半導体層>n型窒化物半導体層9及び10は、たとえばAls2Gat2Inu2N0≦s2≦1、0≦t2≦1、0≦u2≦1、s2t2u2≒1層にn型不純物がドーピングされた層であれば良く、好ましくはAls2Ga1s2N0≦s2≦1、好ましくは0≦s2≦0.5、より好ましくは0≦s2≦0.1層にn型不純物がドーピングされた層である。n型ドーパントは、特に限定されないが、Si、P、AsまたはSbなどであれば良く、好ましくはSiである。このことは、後述の各層においても言える。n型窒化物半導体層9及び10におけるn型ドーピング濃度は、特に限定されないが、1×1017cm3以下であれば良い。n型窒化物半導体層9及び10の厚みが厚い方が、その抵抗が減少する。そのため、n型窒化物半導体層9及び10の厚みは厚い方が好ましい。しかし、n型窒化物半導体層9及び10の厚みを厚くすると、コストアップになる。そのため、実用的には、n型窒化物半導体層9及び10の厚みは薄い方が好ましい。n型窒化物半導体層9及び10の厚さは、特に限定されないが、実用上1μm以上10μm以下であれば良い。なお、n型窒化物半導体層9及び10は、後述する実施例1においては同じn型GaN層を一旦中断して2つの成長工程によって形成したものであるが、n型窒化物半導体層9とn型窒化物半導体層10とを連続して単層としても良いし、3層以上の積層構造を有していても良い。各層は、同一の組成からなっても良いし、異なる組成からなっても良い。また、各層は、同一の膜厚を有していても良いし、異なる膜厚を有していても良い。<超格子層>本明細書における超格子層とは、非常に薄い結晶層を交互に積層することにより、その周期構造が基本単位格子よりも長い結晶格子からなる層を意味する。図3に示すように、超格子層11では、ワイドバンドギャップ層11Aとナローバンドギャップ層11Bとが交互に積層されて超格子構造を構成しており、その周期構造がワイドバンドギャップ層11Aを構成する半導体材料の基本単位格子およびナローバンドギャップ層11Bを構成する半導体材料の基本単位格子よりも長くなっている。なお、超格子層11は、ワイドバンドギャップ層11Aおよびナローバンドギャップ層11Bとは異なる1層以上の半導体層と、ワイドバンドギャップ層11Aと、ナローバンドギャップ層11Bとが順に積層されて超格子構造を構成していても良い。また、超格子層11の一周期の長さつまり、ワイドバンドギャップ層11Aの層厚とナローバンドギャップ層11Bの層厚との合計は、後述の下部発光層13の一周期の長さよりも短く、具体的には1nm以上10nm以下である。各ワイドバンドギャップ層11Aは、たとえばAlaGabInN0≦a<1、0<b≦1であれば良く、好ましくはGaN層である。各ナローバンドギャップ層11Bの組成は、たとえばワイドバンドギャップ層11Aよりもバンドギャップが小さく、且つ下記下部井戸層13Bおよび上部井戸層15Bの各バンドギャップより大きいAlaGabInN0≦a<1、0<b≦1であれば良く、好ましくはGabInN0<b≦1である。各ワイドバンドギャップ層11A及び各ナローバンドギャップ層11Bの少なくとも一方は、n型ドーパントを含んでいることが好ましい。ワイドバンドギャップ層11Aとナローバンドギャップ層11Bとの両方がアンドープであると、駆動電圧が上昇するためである。なお、ワイドバンドギャップ層11Aおよびナローバンドギャップ層11Bの各層数は、図3では20としたが、例えば2から50であればよい。超格子層11は、n型窒化物半導体層9及び10に存在する貫通転位threadingdislocationなどの結晶欠陥を低減し、下部発光層13及び上部発光層15における結晶欠陥を減少させるために設けているが、結晶欠陥が少ない場合や下部発光層13に超格子層11の結晶欠陥低減機能を兼ねさせる場合には省略することができる。<下部発光層>下部発光層13は、図3に示すように、下部井戸層13Bと下部バリア層13Aとが交互に積層されることにより下部バリア層13Aが下部井戸層13Bに挟まれて構成されたものであり、最初の下部バリア層13A’を介して超格子層11の上に設けられている。下部バリア層13Aのバンドギャップは、下部井戸層13Bのバンドギャップより大きい。なお、下部発光層13は、超格子層11と同じく、下部バリア層13Aおよび下部井戸層13Bとは異なる1層以上の半導体層と、下部バリア層13Aと、下部井戸層13Bと、が順に積層されていても良い。また、下部発光層13の一周期の長さ下部バリア層13Aと下部井戸層13Bの合計の厚さは、例えば5nm以上100nm以下である。各下部井戸層13Bの組成は、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子に求められる発光波長に合わせて調整されるが、たとえばAlaGabInN0≦a<1、0<b≦1であれば良く、好ましくはAlを含まないIncGaN0<c≦1層である。ただし例えば375nm以下の紫外発光を行なう場合には、一般にはバンドギャップを広くするため適宜Alを含ませることとなる。各下部バリア層13Aおよび最初の下部バリア層13A’は、たとえばAlaGabInN0≦a<1、0<b≦1層であれば良く、好ましくはGaN層である。ただし、下部バリア層13Aは下部井戸層13Bよりバンドギャップを大きくする必要があるため、適宜In、Alあるいはその両方を導入してバンドギャップを調整する。下部発光層13の平均n型ドーピング濃度は、後述の上部発光層15の平均n型ドーピング濃度よりも高いことが好ましい。これにより、窒化物半導体発光素子1を大電流で駆動しても、その駆動電圧の上昇が抑えられるため、電力効率の低下を防止できる。ただし、他の手法により駆動電圧の上昇を抑えることができれば、下部発光層13の平均n型ドーピング濃度が上部発光層15の平均n型ドーピング濃度よりも低い方が発光効率が向上するため好ましいと考えられる。駆動電圧の上昇を抑えるという観点からは、各下部井戸層13Bと各下部バリア層13Aおよび最初の下部バリア層13A’の少なくとも一方のバリア層とはn型ドーパントを含むことが好ましい。また、各下部バリア層13Aのn型ドーピング濃度が各下部井戸層13Bのn型ドーピング濃度より高いことがより好ましい。各下部井戸層13B及び各下部バリア層13Aにおけるn型ドーピング濃度は、特に限定されないが、1×1017cm3以上であれば良く、好ましくは3×1017cm3以上3×1018cm3以下である。下部発光層13の平均キャリア濃度ドーパントがSiの場合ほぼn型ドーピング濃度に等しいが1×1017cm3未満であれば、窒化物半導体発光素子1の駆動電圧が上昇する傾向にある。各下部井戸層13Bの厚さは、特に限定されないが、1.5nm以上5.5nm以下であることが好ましい。各下部井戸層13Bの厚さがこの範囲外であると、発光効率が低下する場合がある。各下部バリア層13Aおよび最初の下部バリア層13A’の厚さは、特に限定されないが、3nm以上であることが好ましく、4nm以上20nm以下であればさらに好ましい。各下部バリア層13Aの厚さは一定である必要はなく、特に図3に示す最初の下部バリア層13A’の厚さは各下部バリア層13Aの厚さと異なっていてもよい。一般に、窒化物半導体発光素子では、発光層を構成する井戸層とn型窒化物半導体層とで格子定数などが異なることに起因して歪みが発生するが、下部発光層13はこの歪みに起因する結晶の欠陥を低減する働きがある。<上部発光層>上部発光層15は、図3に示すように、上部井戸層15Bと上部バリア層15Aとが交互に積層されることにより上部バリア層15Aが上部井戸層15Bに挟まれて構成されたものであり、上部井戸層15Bのうち最もp型窒化物半導体層16側に位置する上部井戸層15Bの上には、最後の上部バリア層15A’が設けられている。上部井戸層15Bのバンドギャップより、上部バリア層15Aおよび最後の上部バリア層15A’のバンドギャップの方が大きい。なお、上部発光層15は、上部バリア層15Aおよび上部井戸層15Bとは異なる1層以上の半導体層と、上部バリア層15Aと、上部井戸層15Bと、が順に積層されていても良い。また、上部発光層15の一周期上部バリア層15Aの厚さと上部井戸層15Bの厚さの和の長さは、例えば5nm以上100nm以下である。本発明は、上部発光層を構成する各上部バリア層15A最後の上部バリア層15A’を含まないの厚さが下部発光層を構成する各下部バリア層13Aの厚さより薄いことを特徴としている。各上部バリア層15Aの厚さは各下部バリア層13Aの厚さより0.5nm以上薄いことが好ましく、1nm以上薄いことがより好ましく、1.5nm以上薄いことが更に好ましい。先に述べたように、上部バリア層15Aの厚さが厚いほうが、上部井戸層15Bにおける結晶欠陥を修復する結晶回復層としての効果が高い。しかし、上部バリア層が厚いと、上部発光層15において注入キャリアである電子およびホールの移動が妨げられ、そのため電子とホールとの再結合による発光が妨げられる傾向にあると考えられる。最後の上部バリア層15A’の厚さは、1nm以上40nm以下が好ましい。各上部井戸層15Bの厚さは、限定されないが、各下部井戸層13Bの厚さと同じであることがさらに好ましい。下部井戸層13Bの厚さと上部井戸層15Bの厚さが同じであれば、各井戸層における電子とホールとの再結合により各井戸層において同じ波長で発光し、よって、窒化物半導体発光素子1の発光スペクトル幅が狭くなるため好都合である。一方、意図的に上部井戸層15Bの厚さを下部井戸層13Bの厚さとは異ならせる、あるいは上部井戸層15Bを構成する各井戸層の厚さを互いに異ならせることにより、窒化物半導体発光素子1の発光スペクトル幅をブロードにすることもできる。各上部井戸層15Bの厚さは、1nm以上7nm以下であることが好ましい。各上部井戸層15Bの厚さがこの範囲外であれば、発光効率が低下する傾向にある。各上部バリア層15Aにおけるn型ドーピング濃度は、特に限定されないが、8×1017cm3以下であれば良い。上部バリア層15Aにおけるn型ドーピング濃度が8×1017cm3を超えると、発光素子に電圧を印加したときに、ホールが上部発光層15へ注入され難くなり、よって、発光効率の低下を招くことがある。各上部バリア層15Aおよび最後の上部バリア層15A’には、p型ドーパントが含まれることがある。各上部井戸層15Bの組成は、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子に求められる発光波長に合わせて調整されるが、たとえばAlaGabInN0≦a<1、0<b≦1であれば良く、好ましくはAlを含まないIncGaN0<c≦1層である。ただし例えば375nm以下の紫外発光を行なう場合には、一般にはバンドギャップを広くするため適宜Alを含ませることとなる。また、各下部井戸層13Bはドーパントを極力含まない成長時にドーパント原料を導入しないことが好ましい。各上部井戸層15Bがn型ドーパントを含んでいなければ、各上部井戸層15Bにおける非発光再結合が起こりにくく、発光効率が良好となる。なお、各上部井戸層15Bは、n型ドーパントを含んでいても良く、それにより発光素子の駆動電圧が低下する傾向にある。<p型窒化物半導体層>図1に示した構成では、p型窒化物半導体層をp型AlGaN層16、p型GaN層17、および高濃度p型GaN層18の3層構造としているが、この構成は一例であって、一般にp型窒化物半導体層16,17,18は、たとえばAls4Gat4Inu4N0≦s4≦1、0≦t4≦1、0≦u4≦1、s4t4u4≠0層にp型ドーパントがドーピングされた層であれば良く、好ましくはAls4Ga1s4N0<s4≦0.4、好ましくは0.1≦s4≦0.3層にp型ドーパントをドーピングした層である。p型ドーパントは、特に限定されないが、たとえばマグネシウムである。p型窒化物半導体層17,18におけるキャリア濃度は、1×1017cm3以上であることが好ましい。ここで、p型ドーパントの活性率は0.01程度であることから、p型窒化物半導体層17,18におけるp型ドーピング濃度キャリア濃度とは異なるは1×1019cm3以上であることが好ましい。ただし上部発光層15に近いp型窒化物半導体層16におけるp型ドーピング濃度はこれより低くてもよい。p型窒化物半導体層16,17,18の合計の厚さは、特に限定されないが、50nm以上300nm以下であれば良い。<n側電極、透明電極、p側電極>n側電極21およびp側電極25は、窒化物半導体発光素子1に駆動電力を供給するための電極である。n側電極21およびp側電極25は平面図である図2ではパッド電極部分のみで構成されているが、電流拡散を目的とする細長い突出部枝電極が接続されていてもよい。また、p側電極25の下部において電流の注入を止めるための絶縁層を設けても良く、それによりp側電極25に遮蔽される発光の量が減少する。n側電極21は、たとえば、チタン層、アルミニウム層および金層がこの順序で積層されて構成されていれば良く、ワイヤボンドを行なう場合の強度を想定すると1μm程度の厚さを有していれば良い。p側電極25は、たとえばニッケル層、アルミニウム層、チタン層および金層がこの順序で積層されて構成されていれば良く、1μm程度の厚さを有していれば良い。n側電極21とp側電極25は同一の組成であってもよい。透明電極23は、たとえばITOIndiumTinOxide、IZOIndiumZincOxideなどの透明導電膜からなれば良く、20nm以上200nm以下の厚さを有していれば良い。以上のように、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子1では、上部発光層15における上部バリア層15Aの厚さが下部発光層13における下部バリア層13Aの厚さより薄い。そのため、i上部発光層15の上部井戸層15Bにおけるピエゾ電界が低減し、それに伴い発光再結合確率が増加するという効果、およびiip側から注入されるホールの各上部井戸層15Bへの拡散が向上し、注入ホール密度を低くすることができ、オージェ再結合の発生を抑えることができるという効果が得られ、よって、発光効率の低下を防止できる。この効果は、上部発光層15における上部バリア層15Aの厚さが下部発光層13における下部バリア層13Aの厚さよりも0.5nm以上薄いことにより顕著となる。また、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子1では、好ましくは、下部発光層13の平均n型ドーピング濃度が上部発光層15の平均n型ドーピング濃度よりも高い。そのため、下部発光層13における直列抵抗成分の低下を図ることができ、窒化物半導体発光素子1を大電流で駆動させても動作電圧の上昇を防止できる。このように、本実施形態では、大電流駆動時における動作電圧の上昇および発光効率の低下を防止できるので、大電流駆動時における電力効率の悪化を防止できる。なお、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子1では、下部バリア層13Aの厚さは、直下の層着目している下部バリア層13Aに対して1層の下部井戸層13Bを挟んでn型窒化物半導体16側に位置する下部バリア層13Aの厚さと同じである、またはp型窒化物半導体層16側に近づくにつれて薄くなることが好ましい。これにより、上述の効果つまり、大電流駆動時における動作電圧の上昇および発光効率の低下を防止できるので、大電流駆動時における電力効率の悪化を防止できるという効果がさらに顕著となる。同様の理由から、上部バリア層15Aの厚さは、直下の層着目している上部バリア層15Aに対して1層の上部井戸層15Bを挟んでn型窒化物半導体16側に位置する上部バリア層15Aの厚さと同じである、またはp型窒化物半導体層16側に近づくにつれて薄くなることが好ましい。また、本実施形態に係る窒化物半導体発光素子1では、下部バリア層13Aの平均n型ドーピング濃度は、直下の層の平均n型ドーピング濃度と同じである、またはp型窒化物半導体層16側に近づくにつれて低くなることが好ましい。これにより、下部発光層13における直列抵抗成分の低下を図ることができるという効果が顕著となる。同様の理由から、上部バリア層15Aの平均n型ドーピング濃度は、直下の層の平均n型ドーピング濃度と同じである、またはp型窒化物半導体層16側に近づくにつれて低くなることが好ましい。ここで、キャリア濃度は、電子または正孔の濃度を意味し、n型ドーパントの量またはp型ドーパントの量だけで決まらない。つまり、下部発光層13のキャリア濃度は下部発光層13にドープされたn型ドーパントの量だけで決まらず、上部発光層15のキャリア濃度は上部発光層15にドープされたn型ドーパントの量だけで決まらない。このようなキャリア濃度は、窒化物半導体発光素子1の電圧対容量特性の結果に基づいて算出されるものであり、電流が注入されていない状態のキャリア濃度のことを指しており、イオン化した不純物、ドナー化した結晶欠陥、またはアクセプター化した結晶欠陥から発生したキャリアの合計である。しかしながら、n型キャリア濃度は、n型ドーパントであるSi等の活性化率が高いことから、n型ドーピング濃度と同じと考えることができる。また、n型ドーピング濃度は、SIMSSecondaryIonMassSpectrometryにて深さ方向の濃度分布を測定することにより、容易に求まる。さらに、ドーピング濃度の相対関係比率は、キャリア濃度の相対関係比率とほぼ同じである。これらのことから、本発明の特許請求の範囲では、実際に測定の容易なドーピング濃度で定義している。そして、測定により得られたn型ドーピング濃度を平均すれば、平均n型ドーピング濃度を得ることができる。以下では、本発明の具体的な実施例を示す。なお、本発明は以下に示す実施例に限定されない。<実施例1>まず、凹凸加工が上面に施された100mm径のサファイア基板3からなるウエハを準備し、その上面上に、AlNからなるバッファ層5をスパッタ法により形成した。次に、ウエハを第1のMOCVD装置に入れ、MOCVD法により、原料ガスとしてTMGtrimethylgalliumとNH3とを用いてアンドープGaNからなる下地層7を結晶成長させ、引き続きドーパント用ガスとしてSiH4を加えてn型GaNからなるn型窒化物半導体層9を結晶成長させた。このとき、下地層7の厚さは4μm、n型窒化物半導体層9の厚さは3μmであり、n型窒化物半導体層9におけるn型ドーピング濃度は6×1018cm3であった。第1のMOCVD装置から取り出したウエハを、第2のMOCVD装置に入れ、ウエハの温度を1050°Cに設定して、n型窒化物半導体層10を結晶成長させた。n型窒化物半導体層10はn型GaNからなり、厚さは1.5μmである。引き続きウエハの温度を880°Cに設定して、超格子層11を結晶成長させた。具体的には、SiドープGaNからなるワイドバンドギャップ層11AとSiドープInGaNからなるナローバンドギャップ層11Bとを交互に20周期、結晶成長させた。ここで、ワイドバンドギャップ層11A用の原料ガスとしてTMGとNH3とSiH4とを用いた。各ワイドバンドギャップ層11Aの厚さは1.75nmであり、各ワイドバンドギャップ層11Aにおけるn型ドーピング濃度は3×1018cm3であった。ナローバンドギャップ層11Bは、原料ガスとしてTMGとTMItrimethylindiumとNH3とSiH4とを用いて、結晶成長させた。各ナローバンドギャップ層11Bの厚さは1.75nmであった。また、井戸層がフォトルミネッセンスにより発する光の波長が375nmとなるようにTMIの流量を調整したため、各ナローバンドギャップ層の組成はInyGa1yNy=0.10であった。超格子層11の平均n型ドーピング濃度は約3×1018cm3となった。次に、ウエハの温度を855°Cに下げて下部発光層13を結晶成長させた。具体的には、SiドープGaNからなる下部バリア層13AとアンドープInGaNからなる下部井戸層13Bとを交互に3周期、結晶成長させた。下部バリア層13Aは、原料ガスとしてTMGとNH3とSiH4とを用いて結晶成長させた。各下部バリア層13Aの成長速度を100nm/hourとした。各下部バリア層13Aの厚さは6.5nmであり、各下部バリア層13Aにおけるn型ドーピング濃度は3.4×1017cm3であった。下部井戸層13Bは、原料ガスとしてTMIガスとNH3ガスとを用い、キャリアガスとして窒素ガスを用いて、アンドープInxGa1xN層x=0.13を結晶成長させた。各下部井戸層13Bの成長速度を100nm/hourとした。各下部井戸層13Bの厚さは3.9nmであった。また、Inの組成xは、下部井戸層13Bがフォトルミネッセンスにより発する光の波長が448nmとなるようにTMIの流量を調整して設定した。下部バリア層13Aと下部井戸層13Bとを含む下部発光層13の平均n型ドーピング濃度は約2.6×1017cm3となった。次に、ウエハの温度を850°Cに下げて上部発光層15を結晶成長させた。具体的には、アンドープGaNからなる上部バリア層15AとアンドープInGaNからなる上部井戸層15Bとを交互に3周期、結晶成長させた。上部バリア層15Aは、原料ガスとしてTMGとNH3とSiH4とを用いて結晶成長させた。各上部バリア層15Aの成長速度を100nm/hourとした。各上部バリア層15Aの厚さを4nmとし、各下部バリア層13Aの厚さより薄くした。各上部バリア層15Aはアンドープとした。上部井戸層15Bは、原料ガスとしてTMIガスとNH3ガスとを用い、キャリアガスとして窒素ガスを用いて、アンドープInxGa1xN層x=0.13を結晶成長させた。各上部井戸層15Bの成長速度を100nm/hourとした。各上部井戸層15Bの厚さを3.9nmとし、各下部井戸層13Bの厚さと設計上同じ厚さとした。また、Inの組成xは、上部井戸層15Bがフォトルミネッセンスにより発する光の波長が448nmとなるようにTMIの流量を調整して設定した。上部バリア層15Aと上部井戸層15Bを含む上部発光層15の平均n型ドーピング濃度は約7×1016cm3となった。次に、最上層の上部井戸層15Bの上に、アンドープのGaN層からなる最後の上部バリア層15A’を10nm成長した。次に、ウエハの温度を上げて、最上バリア層の上面上に、p型Al018Ga082N層16、p型GaN層17およびp型コンタクト層18を結晶成長させた。そして、n型窒化物半導体層9の一部分が露出するように、p型コンタクト層18、p型GaN層17、p型AlGaN層16、上部発光層15、下部発光層13、超格子層11、n型窒化物半導体層10の一部をエッチングした。このエッチングにより露出したn型窒化物半導体層10の上面上にAuからなるn側電極21を形成した。また、p型コンタクト層18の上面上に、ITOからなる透明電極23とAuからなるp側電極25とを順に形成した。また、主として透明電極23及び上記エッチングによって露出した各層の側面を覆うように、SiO2からなる透明保護膜27を形成した。ウエハを280×550μmサイズのチップに分割して、実施例1に係る窒化物半導体発光素子が得られた。得られた窒化物半導体発光素子を、TO-18型ステムにマウントし、樹脂封止を行なわずに光出力を測定したところ、駆動電流30mA、駆動電圧2.9Vで光出力45mWドミナント波長451nmが得られた。このようにして高い発光効率が得られた窒化物半導体発光素子は、従来の窒化物半導体発光素子に比べ、井戸層中のピエゾ電界が小さいことが確認できた。ピエゾ電界が小さくなったことは、各種方法で、間接的に観測可能である。その方法の一つは、フォトルミネッセンスの発光ピーク波長λPLと電流注入時の発光ピーク波長λELとの差を比べるものであり、その差が小さくなるとピエゾ電界が小さくなったと判断できる。図4図4には、本実施例におけるλELとλPL-λELとの関係を示すに示すように、本実施例に係る発光素子においてはλPL-λELが-0.4~0.1nm程度であり、他の設計バリア層厚がすべて6.5nm、図4に示す従来構造の場合にはλPL-λELが2.1~2.9nmであった。このように、本実施例に係る発光素子においては、上記他の設計に比べて、λPL-λELが大幅に減少している。また、電流密度を3桁程度変化させた時における発光波長の変化量が減少したことからも、ピエゾ電界が小さくなったと判断している。<実施例2>実施例2においては、ウエハ径基板3の直径を150mmとして、実施例1に用いたものとは別のMOCVD装置を用い、下部発光層13における下部井戸層13Bの厚さを3.25nmとし、下部バリア層13Aの厚さを6.25nmとした。また、上部発光層15における上部井戸層15Bの厚さを3.25nmとし、上部バリア層15Aの厚さを4nmとした。実施例1とはMOCVD装置が異なるため直接の比較はできないが、本実施例においても駆動電流30mAで45mWの光出力が得られ、従来構造下部発光層13と上部発光層15とにおいてバリア層厚を同じにしたものに比べて約1.5mWの光出力の向上が図れた。<実施例3>実施例3においては、下部発光層13及び上部発光層15の層数を増加させたことを除いては上記実施例1と同様である。以下では、上記実施例1とは異なる点について示す。下部発光層13における下部井戸層13Bの層数は6である。下部井戸層13B及び下部バリア層13Aへのn型ドーピングは、その有無も含めて実施例1と同様に行なった。上部発光層15における上部井戸層15Bの層数は3である。得られた結果は、ばらつきの範囲内で実施例1とほぼ同等であった。<実施例4>実施例4においては、下部発光層13及び上部発光層15の層数を増加させたことを除いては上記実施例1と同様である。以下では、上記実施例1とは異なる点について示す。下部発光層13における下部井戸層13Bの層数は4である。下部井戸層13B及び下部バリア層13Aへのn型ドーピングは、その有無も含めて実施例1と同様に行なった。上部発光層15における上部井戸層15Bの層数は5である。得られた結果は、駆動電流30mAで駆動電圧が実施例1よりも0.05V高く2.95Vとなった。<実施例5>実施例5においては、実施例1をベースに、上部バリア層15A上部井戸層15Bに挟まれた層にもn型ドーピングを行なっている。n型ドーピング濃度が3.4×1017cm3となるように上部バリア層15Aにドーピングを行なった。得られた結果は、駆動電流30mAで駆動電圧が実施例1よりも0.03V低く2.87Vとなったが、大電流での発光効率が低下していることから、駆動電流が30mA以下の低電流駆動用として適している。<実施例6>実施例4をベースに、下部バリア層13A及び上部バリア層15Aの層厚を徐々に変化させた。ただし下部井戸層の層数と上部井戸層の層数との和は9である。下部発光層13と上部発光層15との区別をせずにバリア層の層厚を下の層基板3側から記載した結果を表1に示す。下部発光層13と上部発光層15との境界をどう判断するかが問題となる。バリア層1の層厚とバリア層8の層厚との平均は5.25nmであるため、この値を下部発光層13と上部発光層15との境界とし、バリア層1からバリア層4までは下部バリア層13Aとし、バリア層5からバリア層8までは上部バリア層15Aとする。ただし本実施例におけるこの区分は便宜上のものであり、機能の点から見ると下部発光層13の機能と上部発光層15の機能の割合が下の層では下部発光層13の割合が多く、上の層では上部発光層15の割合が多くなるよう、少しづつ変化している。最初のバリア層0からバリア層4までの下部バリア層13A及びその下部バリア層13Aの間の下部井戸層13Bに、n型ドーピング濃度が3.4×1017cm3となるようにドーピングを行なった。<実施例7>実施例6をベースに、n型ドーピング濃度についても徐々に変化させた。ただし下部井戸層の層数と上部井戸層の層数との和は9である。下部発光層13と上部発光層15との区別をせずにバリア層の層厚およびn型ドーピング濃度を下の層から記載した結果を表2に示す。実施例6と同じく、バリア層1の層厚とバリア層8の層厚との平均は5.25nmであるため、バリア層1からバリア層4までを下部バリア層13Aとし、バリア層5からバリア層8までを上部バリア層15Aとする。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"