可撓性基板上に光電変換素子と透明導電膜を形成し、その後、前記可撓性基板を巻取り室に搬送して、前記巻取り室に配置されている巻取りロールに巻取るようにした光電変換素子の製造装置において、前記巻取り室には、前記巻取り中の可撓性基板に対してアニール処理を行う加熱機構が設けられていることを特徴とする光電変換素子の製造装置。前記加熱機構は、前記巻取りロールのコアに設けられていることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子の製造装置。前記巻取りロールの外側には、前記可撓性基板を加熱する非接触式加熱機構が配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換素子の製造装置。前記非接触式加熱機構は、これを往復動させる駆動部を備え、前記駆動部によって、前記非接触式加熱機構が前記巻取りロールに巻かれた前記可撓性基板の巻き径に連動して移動するように構成されていることを特徴とする請求項3に記載の光電変換素子の製造装置。前記巻取り室には、前記可撓性基板の温度及び前記巻取りロールのコア温度の少なくとも一方を測定する温度測定器が配置され、前記温度測定器は、前記加熱機構及び前記非接触式加熱機構の出力を制御する温度制御手段に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の光電変換素子の製造装置。前記巻取りロールは、これを回転駆動させる回転駆動部を備え、前記回転駆動部及び前記非接触式加熱機構の駆動部は、前記巻取りロールの回転速度及び前記非接触式加熱機構の移動距離を制御する駆動制御手段に電気的に接続されていることを特徴とする請求項4または5に記載の光電変換素子の製造装置。前記温度制御手段及び前記駆動制御手段は、主制御装置を介して互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項5または6に記載の光電変換素子の製造装置。しかしながら、上述した特許文献1に示すような薄膜光電変換層を形成した可撓性基板に対する加熱処理は、薄膜を成膜する製造装置とは別に設けた加熱炉で行われるため、その分製造装置の大型化、ひいてはコスト増につながる。更に、搬送時間や加熱炉の昇降温の時間が必要なため、光電変換素子の生産性を低下させるという課題がある。本発明はこのような実状に鑑みてなされたものであって、その目的は、小スペースで可撓性基板に対するアニール処理を効率良く行うことによって、装置占有面積と処理時間の増大を最小限に抑え、高い生産性を確保しながら、光電変換素子の電気特性を向上させることが可能な光電変換素子の製造装置を提供することにある。上記従来技術の有する課題を解決するために、本発明は、可撓性基板上に光電変換素子と透明導電膜を形成し、その後、前記可撓性基板を巻取り室に搬送して、前記巻取り室に配置されている巻取りロールに巻取るようにした光電変換素子の製造装置において、前記巻取り室には、前記巻取り中の可撓性基板に対してアニール処理を行う加熱機構が設けられている。本発明は、特に、次のように構成されていることが好ましい。1前記加熱機構は、前記巻取りロールのコアに設けられている。2前記巻取りロールの外側には、前記可撓性基板を加熱する非接触式加熱機構が配置されている。3前記非接触式加熱機構は、これを往復動させる駆動部を備え、前記駆動部によって、前記非接触式加熱機構が前記巻取りロールに巻かれた前記可撓性基板の巻き径に連動して移動するように構成されている。4前記巻取り室には、前記可撓性基板の温度及び前記巻取りロールのコア温度の少なくとも一方を測定する温度測定器が配置され、前記温度測定器は、前記加熱機構及び前記非接触式加熱機構の出力を制御する温度制御手段に電気的に接続されている。5前記巻取りロールは、これを回転駆動させる回転駆動部を備え、前記回転駆動部及び前記非接触式加熱機構の駆動部は、前記巻取りロールの回転速度及び前記非接触式加熱機構の移動距離を制御する駆動制御手段に電気的に接続されている。6前記温度制御手段及び前記駆動制御手段は、主制御装置を介して互いに電気的に接続されている。7前記巻取り室は、前記可撓性基板に対して、120°C以上の温度範囲でアニール処理が行われるように構成されている。上述の如く、本発明に係る光電変換素子の製造装置は、可撓性基板上に光電変換素子と透明導電膜を形成し、その後、前記可撓性基板を巻取り室に搬送して、前記巻取り室に配置されている巻取りロールに巻取るようにしたものであって、前記巻取り室には、前記巻取り中の可撓性基板に対してアニール処理を行う加熱機構が設けられているので、成膜後の可撓性基板を巻取る過程であって、他の部分が成膜中に可撓性基板に対するアニール処理を行うことができる一方、加熱炉及びこれに付属する減圧装置や窒素導入装置等を製造装置とは別に追加して設置することが不要となる。したがって、本発明の製造装置によれば、アニール処理による電気特性を向上させた光電変換素子を円滑にかつ確実に製造することができるとともに、装置占有面積を抑え、処理時間の短縮が可能できる。また、本発明において、前記加熱機構は、前記巻取りロールのコアに設けられているので、巻取り室に大型の加熱室などを追加することなく、巻取りロールのコアに巻取られた状態で、成膜後の可撓性基板に対して迅速にアニール処理を行うことが可能となり、光電変換素子の電気特性向上を図ることができる。さらに、本発明において、前記巻取りロールの外側には、前記可撓性基板を加熱する非接触式加熱機構が配置されているので、成膜後の可撓性基板に対してより一層効果的にアニール処理を行うことができる。しかも、本発明において、前記非接触式加熱機構は、これを往復動させる駆動部を備え、前記駆動部によって、前記非接触式加熱機構が前記巻取りロールに巻かれた前記可撓性基板の巻き径に連動して移動するように構成されているので、成膜後の可撓性基板に対してより迅速にかつ効率よくまた常に一定の条件で、アニール処理を行うことができる。また、本発明において、前記巻取り室には、前記可撓性基板の温度及び前記巻取りロールのコア温度の少なくとも一方を測定する温度測定器が配置され、前記温度測定器は、前記加熱機構及び前記非接触式加熱機構の出力を制御する温度制御手段に電気的に接続されているので、成膜後の可撓性基板の温度及び巻取りロールのコア温度を監視し、温度制御手段を介してフィードバック制御を行うことにより、加熱機構の出力を変更することが可能となり、成膜後の可撓性基板の温度及び巻取りロールのコア温度を高い精度で制御することができる。また、本発明において、前記巻取りロールは、これを回転駆動させる回転駆動部を備え、前記回転駆動部及び前記非接触式加熱機構の駆動部は、前記巻取りロールの回転速度及び前記非接触式加熱機構の移動距離を制御する駆動制御手段に電気的に接続されているので、成膜後の可撓性基板の温度及び巻取りロールのコア温度を監視し、駆動制御手段を介してフィードバック制御を行うことにより、巻取りロールの回転速度及び非接触式加熱機構の移動距離を変更して可撓性基板の搬送速度や加熱温度を調整することが可能となり、成膜後の可撓性基板に対し必要かつ十分なアニール処理を行うことができる。さらに、本発明において、前記温度制御手段及び前記駆動制御手段は、主制御装置を介して互いに電気的に接続されているので、応答性の優れた制御を実現することができる。そして、本発明において、前記巻取り室は、真空または窒素、アルゴン等の不活性ガスが導入された雰囲気とされ、前記可撓性基板に対して、120°C以上の温度範囲でアニール処理が行われるように構成されているので、成膜後の可撓性基板に対し必要かつ十分なアニール処理を効率的に行うことができ、電気特性の優れた光電変換素子を製造することができる。以下、本発明に係る光電変換素子の製造装置について、図面を参照しながら、その実施形態に基づき詳細に説明する。ここで、図1は本発明の実施形態に係る光電変換素子の製造装置の構成の断面模式図である。図1は、可撓性基板1をロールツーロール方式で連続搬送する場合の実施の形態を示している。図1において、本実施形態の製造装置は、可撓性基板1の搬送方向矢印A方向に沿って延在する真空容器2を備えており、該真空容器2は、上流側から下流側図中、左側から右側にかけて巻出し室3、複数図1では1つのみが示されているの成膜室4及び巻取り室5が設置されている。一般に、可撓性基板1としては、PET、PEN、PES、アクリル、アラミド等の絶縁性プラスチックやステンレス鋼材が使用されている。巻出し室3内には、可撓性基板1の送り出し用の巻出しロール6及びガイドロール7が配置され、巻取り室5内には、可撓性基板1の巻取り用の巻取りロール8及びガイドロール7が配置されている。巻取り室5内は、真空または窒素、アルゴン等の不活性ガスが導入されることにより、不活性な雰囲気となるように構成されている。可撓性基板1は、巻出しロール6からガイドロール7を経て、成膜室4を通過し、さらにガイドロール7を経て巻取りロール8までの間を連続的に移動するように構成されている。成膜室4内には、外部の高周波電源から整合回路ユニットの整合回路、ケーブルを介して高周波電力RF電力が供給される高周波電極RF電極9と、該高周波電極9と対向する位置に接地電極10が配置されている。高周波電極9は、表面側に成膜ガス原料ガスをシャワー状に放出するための多数のガス吹出口を穿設したシャワーヘッド電極板を備え、接地電極10内には、搬送されてくる可撓性基板1を加熱するヒータが内蔵されている。そして、高周波電極9に高周波電圧が印加されると、高周波電極9と接地電極10との間の放電空間にプラズマが発生し、成膜ガスが分解、反応して、当該電極間に搬送されてくる可撓性基板1の表面に光電変換素子と透明導電膜が形成されるようになっている。一方、本実施形態の製造装置における巻取りロール8のコア巻き芯には、成膜後に、巻取り中の可撓性基板1に対してアニール処理を行う加熱機構のロールコアヒータ11が設けられており、該ロールコアヒータ11は、巻取りロール8を所定の温度まで昇温ならびに保温することが可能な構造になっている。具体的には、ステンレス鋼材やアルミニウム材等の材料で作製したロールコアの内側にヒータを設置することによって構成され、コア内部より加熱するようになっている。ロールコアヒータ11としては、シーズヒータ、エレメントヒータまたはカートリッジヒータが用いられ、フィードスルーを介して電力が供給されている。なお、処理対象となる可撓性基板の材質や装置構成によっては、形状を円筒としたヒータ自体をロールコアとして使用することも可能である。また、巻取りロール8の外側周囲には、巻取り中の可撓性基板1に対して所定温度以上のアニール処理が必要な場合などに対応できるようにするため、外周部側から成膜後の可撓性基板1を加熱する非接触式加熱機構の非接触式ヒータ12が所定の間隔を空けて配置されている。この非接触式ヒータ12としては、周方向に所定の間隔を空けて配置した複数個の遠赤外線加熱ランプヒータが挙げられ、各ランプヒータの外側には反射板12aが設けられている。遠赤外線加熱ランプヒータは、反射率が大きい、すなわち輻射率が小さい物質に対しての加熱効率が低いため、使用する可撓性基板1の処理状態に応じて使い分ける必要がある。成膜後の可撓性基板1は、120°C以上に加熱された状態で、アニール処理が行われるようになっている。しかも、非接触式ヒータ12は、当該ヒータを往復動させるアクチュエータなどの駆動部を備え、可動式の構造となっている。本実施形態の非接触式ヒータ12の駆動部としては、例えば、図1のA-A線断面に示す図2が挙げられる。この図2において、非接触式ヒータ12の上下部は、連結ロッド21及び作動ロッド22aを介して油圧式等のアクチュエータ22にそれぞれ接続されており、アクチュエータ22の作動ロッド22aを伸縮させることによって、非接触式ヒータ12を矢印方向へ移動させるようになっている。また、非接触式ヒータ12の移動方向は、非接触式ヒータ12の上下位置で巻取りロール8の軸心と直交する方向に延在し、かつ連結ロッド21と係合するガイド部ガイド溝、ガイドレール等23によって規制されている。さらに、各アクチュエータ22は、後述する駆動制御手段17に電気的に接続されている。すなわち、非接触式ヒータ12は、当該駆動部によって、巻取りロール8に巻取られた成膜後の可撓性基板1の巻き径に連動して可撓性基板1の径方向に対して前後に移動するように構成されており、処理中において非接触式ヒータ12と可撓性基板1との間の距離が制御され、成膜後の可撓性基板1が所望の温度に保たれるようになっている。例えば、図3aに示す巻き径が細い場合と、図3bに示す巻き径が太くなった場合では、非接触式ヒータ12の位置が、可撓性基板1の巻き径の変動に追随して変化するようになっている。なお、巻取りロール8に巻取られた可撓性基板1と非接触式ヒータ12との間を所定の距離に保つだけでなく、ヒータ出力を制御して入熱量熱流束を一定に制御する。これは、巻き径が細いときは、非接触式ヒータ12同士が接近して配置されることになるため、低いヒータ出力で効果的に加熱可能なためである。そして、本実施形態の巻取り室5内には、成膜後の可撓性基板1の温度及び巻取りロール8のコア温度の少なくとも一方本実施形態では両方を測定する例えば非接触式の温度測定器13が配置されている。この温度測定器13は、ロールコアヒータ11及び非接触式ヒータ12の出力を制御する温度制御手段14に電気的に接続されている。さらに、本実施形態の巻取りロール8は、当該ロールを回転駆動させるモータなどの回転駆動部を備えており、該回転駆動部が巻取りロール8の回転速度を調整することによって、巻取り中の可撓性基板1の搬送速度が変更可能に構成されている。この巻取りロール8の回転駆動部及び非接触式ヒータ12の駆動部は、巻取りロール8の回転速度及び非接触式ヒータ12の移動距離を制御する駆動制御手段17にそれぞれ電気的に接続されている。しかも、これら温度制御手段14及び駆動制御手段17は、主制御装置18を介して互いに電気的に接続されている。本実施形態の巻取りロール8の回転駆動部としては、例えば、図4に示すものが挙げられる。巻取りロール8の一端側は、回転駆動機構であるサーボモータ23等の回転軸に直接コアが接続されまたはモータの回転運動を伝達する機構のゴムベルト等で間接的に接続され、回転駆動機構に接続されていない他端側はベアリング24等の回転支持部品に接続されている。モータとの直接接続か、または間接接続かは、周囲の設置スペースの大きさによって選択する。また、サーボモータ23の回転駆動機構は、回転駆動部制御装置25を介して主制御装置18に電気的に接続され、サーボモータ23等の回転駆動機構と回転駆動部制御装置25との間には、サーボモータ23の回転数を検出するエンコーダ、タコジェネレータ等の検出部26が電気的に接続されて配置されている。このように構成された回転駆動機構のサーボモータ23によって巻取りロール8の回転速度を調整すると、巻取り中の可撓性基板1の搬送速度を変更することが可能になる。すなわち、図5に示すように、搬送速度の変更を入力すべく、主制御装置18より回転駆動部制御装置25を介してサーボモータ23に回転数の指定が入力されると、ギアチェンジが行われる。これに伴い、巻取りロール8の回転数が変更され、可撓性基板1の搬送速度の変更が完了することになる。なお、図5においては、ギアチェンジが行われているが、構成によってはギアチェンジを省略しても良い。一方、現状搬送速度の確認や搬送速度指示の検出異常値入力の検出などは、省略して説明している。また、巻取りロール8の回転速度制御と非接触式ヒータ12の移動距離制御については、下記の表1の処理条件によって、巻取りロール8の回転数を増減したり、非接触式ヒータ12及び可撓性基板1の間の距離ヒータ出力の変更でも可能を一定にしたり、近づけたりあるいは遠くにしたりすることが行われている。なお、制御部はすべて主制御装置18を介して接続されている。なお、表1はヒータ出力一定の場合の制御方法である。材料や目標温度によって適宜ヒータ出力も調整する。このように、本実施形態の主制御装置18は、温度制御手段14、駆動制御手段17及び回転駆動部制御装置25の全てと電気的に接続されており、上記表1に記載された各パターンの制御を入力値に従って処理するように構成されている。すなわち、主制御装置18は、温度制御手段14を介して温度測定器13と電気的に接続されており、温度測定器13により可撓性基板1の温度及び巻取りロール8のコア温度を測定した結果をフィードバックして、非接触式ヒータ12の加熱時間や非接触式ヒータ12及び可撓性基板1間の距離および各ヒータの出力を制御している。以上、本発明の実施の形態について述べたが、本発明は既述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて各種の変更及び変形が可能である。例えば、既述の実施の形態では、成膜室4を連続的に移動していく可撓性基板1上に連続的に成膜するロールツーロール方式の製造装置について説明したが、本発明は、成膜室4内に搬送される可撓性基板1を一旦停止させ、この状態で成膜した後、成膜の終わった可撓性基板部分をその成膜室4から次の成膜室4へ送り出すステッピングロール方式の製造装置に適用することも可能である。更には成膜室が鍍金工程等の真空プロセス以外の工程を含む場合にも適用可能である。また、既述の実施の形態では、巻取りロール8の外側周囲に、外周部側から可撓性基板1を加熱する非接触式ヒータ12が配置されているが、適用機種によっては、ロールコアヒータ11のみが設けられ、非接触式ヒータ12が配置されていない場合も可能である。