基準マークを利用して被検出体の位置を検出する位置検出装置であって、第1の波長帯域を有する計測光を用いて前記被検出体を照明する第1の照明光学系と、第2の波長帯域を有する基準光を用いて前記基準マークを照明する第2の照明光学系と、前記被検出体からの光束および前記基準マークからの光束を検出する検出光学系と、前記検出光学系で検出された前記光束に基づいて前記被検出体の位置を検出する位置検出部と、を有し、前記基準光の第2の波長帯域は、前記計測光の第1の波長帯域の上限と下限との間に設定されている、ことを特徴とする位置検出装置。基準マークを利用して被検出体の位置を検出する位置検出装置であって、第1の波長帯域を有する計測光を用いて前記被検出体を照明する第1の照明光学系と、第2の波長帯域を有する基準光を用いて前記基準マークを照明する第2の照明光学系と、前記被検出体からの光束および前記基準マークからの光束を検出する検出光学系と、前記検出光学系で検出された前記光束に基づいて前記被検出体の位置を検出する位置検出部と、を有し、前記位置検出部は、前記計測光で前記基準マークを計測した結果と前記基準光で該基準マークを計測した結果とに基づき、前記第1の波長帯域と前記第2の波長帯域とが互いに異なることで生じる基準マーク計測値の変動量を予め記憶し、該基準マーク計測値の変動量を用いて該計測光による該被検出体の計測結果を補正する、ことを特徴とする位置検出装置。前記被検出体を照明する第1の光源と、前記基準マークを照明する第2の光源と、を更に有し、前記第1の光源および前記第2の光源のそれぞれは、ハロゲンランプ、LED、レーザ、レーザダイオードの少なくとも一つを備えて構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の位置検出装置。前記第1の光源と前記第2の光源を共通化して一つの光源部が構成されていることを特徴とする請求項3に記載の位置検出装置。前記一つの光源部は、前記被検出体を照明する光路と前記基準マークを照明する光路とを切り換える光路切換手段を有することを特徴とする請求項4に記載の位置検出装置。前記基準光の波長帯域は、前記計測光の波長帯域の選択と連動して選択されることを特徴とする請求項4または5に記載の位置検出装置。前記基準光および前記計測光は、互いに独立して光量調整が可能であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の位置検出装置。前記被検出体からの光束と前記基準マークからの光束とを合成する光学素子と、前記光学素子で合成された光束を前記検出光学系を介して受光する画像検出素子と、を更に有し、前記光学素子の膜の光学特性は、前記第1の波長帯域を有する前記計測光と前記第2の波長帯域を有する前記基準光との間で互いに異なることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の位置検出装置。前記被検出体からの光束と前記基準マークからの光束とを合成する光学素子と、前記光学素子で合成された光束を前記検出光学系を介して受光する画像検出素子と、を更に有し、前記光学素子の膜の光学特性は、前記被検出体からの光束の光量が前記基準マークからの光束の光量より大きくなるように設定されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の位置検出装置。原版のパターンを基板に露光する露光装置であって、請求項1乃至9のいずれか1項に記載の位置検出装置を有することを特徴とする露光装置。ところで、位置検出装置で用いられる計測光の波長は可変であるが、基準光の波長は固定である。このため、計測値の補正は、実際の計測値に対して所定の補正量オフセット量を加減することにより行われる。しかし厳密に言えば、実際の計測値に対して要求される補正量は、計測光の波長と基準光の波長との差に応じて異なる。このため、一定の補正量を考慮しただけでは正確な補正を行うことができない。また、実際の位置検出装置では、光学部品等の構成部品の製造誤差や組み立て誤差への対応力を向上させるため、使用波長帯域を広帯域化する傾向がある。そこで本発明は、波長差に起因する計測誤差を低減して高精度な位置検出を行う位置検出装置および露光装置を提供する。本発明の一側面としての位置検出装置は、基準マークを利用して被検出体の位置を検出する位置検出装置であって、第1の波長帯域を有する計測光を用いて前記被検出体を照明する第1の照明光学系と、第2の波長帯域を有する基準光を用いて前記基準マークを照明する第2の照明光学系と、前記被検出体からの光束および前記基準マークからの光束を検出する検出光学系と、前記検出光学系で検出された前記光束に基づいて前記被検出体の位置を検出する位置検出部とを有し、前記基準光の第2の波長帯域は、前記計測光の第1の波長帯域の上限と下限との間に設定されている。本発明の他の側面としての位置検出装置は、基準マークを利用して被検出体の位置を検出する位置検出装置であって、第1の波長帯域を有する計測光を用いて前記被検出体を照明する第1の照明光学系と、第2の波長帯域を有する基準光を用いて前記基準マークを照明する第2の照明光学系と、前記被検出体からの光束および前記基準マークからの光束を検出する検出光学系と、前記検出光学系で検出された前記光束に基づいて前記被検出体の位置を検出する位置検出部とを有し、前記位置検出部は、前記計測光で前記基準マークを計測した結果と前記基準光で該基準マークを計測した結果とに基づき、前記第1の波長帯域と前記第2の波長帯域とが互いに異なることで生じる基準マーク計測値の変動量を予め記憶し、該基準マーク計測値の変動量を用いて該計測光による該被検出体の計測結果を補正する。本発明の他の側面としての露光装置は、原版のパターンを基板に露光する露光装置であって、前記位置検出装置を有する。本発明の他の目的及び特徴は、以下の実施例において説明される。本発明によれば、波長差に起因する計測誤差を低減して高精度な位置検出を行う位置検出装置および露光装置を提供することができる。以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳細に説明する。各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。図1は、本実施例における露光装置100の概略図である。露光装置100は、後述のように、位置検出装置としてのOA検出系24およびフォーカス計測装置70を備えて構成されている。本実施例の位置検出装置は、基準マークを利用して被検出体の位置を検出するように構成されている。なお、基準マークは基準指標としての機能を有するものであればその形態や位置は限定されるものではない。また被検出体は、ウエハウエハマークに限定されるものではなく、その他の物体を検出する場合にも本実施例は適用可能である。露光装置100は、投影光学系22を介して、マスク17原版のパターンをウエハW基板上に結像して投影させる。光源34からは、所定の波長帯域の照明光が射出する。光源34から射出された照明光は、マスク17を照明する照明光学系に入射し照明される。照明光学系は、照明光整形光学系35、フライアイレンズ36、コンデンサレンズ37、固定視野絞り38、可変視野絞り39可動ブラインド、および、リレーレンズ系40を備えて構成されている。可変視野絞り39は、走査方向±Y方向の幅を規定する2枚の羽根遮光板39A、39B、および、走査方向に垂直な非走査方向±X方向の幅を規定する2枚の羽根不図示を有する。このような構成により、スリット状の照明領域内におけるマスク17の回路パターン像は、投影光学系22を介してウエハW上に転写される。光源34としては、例えば、ArFエキシマレーザ、KrFエキシマレーザ等のエキシマレーザ光源、金属蒸気レーザ光源、YAGレーザの高周波発生装置等のパルス光源、水銀ランプと楕円反射鏡とを組み合わせた構成等の連続光源が用いられる。露光のオン/オフは、光源34がパルス光源の場合、パルス光源用の電源装置からの供給電力の制御により切り換えられる。一方、光源34が連続光源の場合、照明光整形光学系35内のシャッタにより切り換えられる。ただし、本実施例では可変視野絞り39が設けられているため、可変視野絞り39の開閉によって露光のオン/オフを切り換えてもよい。光源34からの照明光は、照明光整形光学系35によりその光束径が所定の大きさに設定され、フライアイレンズ36に到達する。フライアイレンズ36の射出面には、多数の2次光源が形成される。これらの2次光源からの照明光は、コンデンサレンズ37により集光され、固定視野絞り38を経て可変視野絞り39に到達する。本実施例において、固定視野絞り38は可変視野絞り39よりもコンデンサレンズ37側に配置されているが、逆に、固定視野絞り38をリレーレンズ系40側に配置してもよい。固定視野絞り38には、長方形のスリット状の開口部が形成されている。このため、固定視野絞り38を通過した光束は、長方形のスリット状の断面を有する光束となり、リレーレンズ系40に入射する。スリットの長手方向は、図1における紙面に対して垂直な方向である。リレーレンズ系40は、可変視野絞り39とマスク17のパターン形成面とを共役に設定するレンズ系である。マスク17は、マスクステージ18の上に保持されている。マスクステージ18は、マスク17を走査方向±Y方向に移動可能に構成されている。マスクステージ18の位置は、マスクステージ18の上に設けられた反射ミラー25からの反射光を検出する干渉計26により計測される。また、マスクステージ18の上にはマスク基準マーク19が設けられており、マスクステージ18の位置検出に用いられる。ウエハWは、ウエハ搬送装置不図示によりウエハステージ20のステージ基盤29に載置される。ウエハステージ20は、投影光学系22の光軸に垂直な面内でウエハWの位置決めを行うとともに、ウエハWを走査方向±Y方向に走査するXYステージ、Z方向にウエハWの位置決めを行うZステージ等を備えて構成されている。ウエハステージ20の位置は、ウエハステージ20の上に形成された反射ミラー27からの反射光を検出する干渉計28により計測される。また、ウエハステージ20の上にはステージ基準マーク21が設けられており、ウエハステージ20の位置検出に用いられる。ウエハWの上方には、オフアクシス方式のOA検出系24オフアクシスアライメント検出系が設けられている。なお、投影光学系22の露光領域には、投影光学系22のフォーカス方向±Z方向の位置を計測するフォーカス計測装置70が設けられている。次に、図2を参照して、ベースライン計測方法について説明する。図2は本実施例におけるマスクステージ周辺部の構成図であり、図2aは上面図、図2bは断面図である。マスクステージ18は、マスク17を保持して移動可能に構成されている。マスクステージ18上にはマスク17が載置されている。マスク17には、ベースライン計測用マーク33が設けられている。またマスクステージ18上には、マスク17とマスクステージ18の位置決めのための基準マークであるマスク基準マーク19が設けられている。マスク17は、マスクアライメント顕微鏡不図示を用いて、マスク基準マーク19に対する位置合わせが行われる。まず図2bに示されるように、アライメント顕微鏡23を用いて、マスク17上に設けられているベースライン計測用マーク33と、投影光学系22を介してウエハステージ20上に固定されたステージ基準マーク21との相対位置を検出する。第1工程の完了後、ウエハステージ20を移動させ、ステージ基準マーク21をOA検出系24の観察領域に移動させる。続いて、ステージ基準マーク21とOA検出系24の基準マークとの相対位置を検出する。第1工程と第2工程の検出結果に基づいて、ベースライン量を算出する。これにより、露光描画中心に対するOA検出系24の検出位置を求めることができる。そして、ウエハW基板の位置決めを行った後に露光を開始することが可能となる。次に、本発明の実施例における位置検出装置を備えた露光装置について説明する。図3は、本実施例における露光装置の要部構成図であり、OA検出系24位置検出装置を中心として示している。図3において、22は投影光学系である。41は光源部である。光源部41には、HeNeレーザやハロゲンランプの発熱体光源が配設されているため、温度安定性が求められるOA検出系24から離れて配置されている。OA検出系24のウエハマーク照明光束WMILは、光源部41からOA検出系24の照明系に接続されているファイバ43により導光される。ファイバ43の出射端からのウエハマーク照明光束WMILは、照明リレーレンズ2、3を介して、照明開口絞り円盤4上に配置された複数種類の照明開口絞りのいずれかを通過する。これらの照明開口絞りは、照明開口絞り円盤4をモータ44で駆動することにより、回転方式ターレット方式で切り換え可能に構成されている。コンピュータ48は、光源部41の種類HeNeレーザまたはハロゲンランプなどと照明開口絞りの組合せによる照明条件以下、照明モードというが設定されると、モータ44の原点からの回転量を主制御系49に指示する。後述のように、コンピュータ48は、検出光学系10で検出された光束に基づいてウエハマークWMの位置を検出する位置検出部である。モータ44の回転原点は、予め、原点検出駆動としてモータ44を回転させることで得られる。本実施例の原点検出方法において、モータ44の回転原点は、照明開口絞り円盤4に設けられたスリットがフォトスイッチの検出部を通過した位置に設定される。主制御系49は、コンピュータ48から指示された回転量に応じて、モータ44を駆動し、照明開口絞りのいずれかがウエハマーク照明光束WMILに設定される。次に、ウエハマーク照明光束WMILは、照明リレーレンズ3を介して照明視野絞り45を照射する。照明視野絞り45を射出したウエハマーク照明光束WMILは、照明光学系5第1の照明光学系を透過した後、偏光ビームスプリッタ6に入射する。照明光学系5は、第1の波長帯域を有する計測光を用いて被検出体ウエハマークWMを照明するように構成されている。ウエハマーク照明光束WMILは、偏光ビームスプリッタ6に対してP偏光成分紙面に平行な成分が反射する。なお、偏光ビームスプリッタ6は、検出光を高効率で検出するのに用いられており、光量に問題がない場合には通常のハーフミラーで構成してもよい。偏光ビームスプリッタ6を透過したウエハマーク照明光束WMILは、反射プリズム46で反射し、ウエハWに向けて図中の下方向に進む。反射プリズム46の下には、λ/4板8が配置されている。λ/4板8を透過したウエハマーク照明光束WMILは、円偏光に変換される。その後、結像開口絞りASおよび対物レンズ9を介して、ウエハW上の検出対象であるウエハマークWMを落射照明する。このとき、ウエハWは、X、Y、Z方向およびそれらの軸の回転方向に駆動可能なウエハステージ20上に保持されている。なおウエハステージ20は、コンピュータ48からの指示に応じて、ステージ制御系47により駆動可能に構成されている。ウエハマークWMからの反射、回折、散乱により発生した結像光束MLは、対物レンズ9、結像開口絞りAS、および、λ/4板8を透過する。λ/4板8を透過した結像光束MLは、円偏光から紙面垂直方向W方向の直線偏光S偏光に変換される。次に、結像光束MLは、反射プリズム46を介して偏光ビームスプリッタ6を透過し、リレーレンズ7に導光される。リレーレンズ7は、ウエハマークWMの像を一旦結像する。その後、検出光学系10により画像検出素子11の受光面上に再度結像する。検出光学系10は、ウエハマークWMからの光束および後述の基準マークSMからの光束を検出する。画像検出素子11により検出されたウエハマーク信号は、主制御系49を介してコンピュータ48に入力される。OA検出系24の基準マーク照明光束SMILは、光源部41からOA検出系24の基準マーク照明系に接続されているファイバ42により導光される。ファイバ42の出射端からの基準マーク照明光束SMILは、基準板照明光学系13第2の照明光学系を介して、基準板14を一様な光量分布となるようケーラー照明を行う。基準板照明光学系13は、第2の波長帯域を有する基準光を用いて基準マークSMを照明するように構成されている。本実施例において、基準光の第2の波長帯域は、計測光の第1の波長帯域の上限と下限との間に設定されている。第1の波長帯域と第2の波長帯域との関係をこのように設定することにより、基準光と計測光との波長差が小さくなるため、波長差に起因する計測誤差を低減することができる。またこれに代えて、第1の波長帯域と第2の波長帯域との波長差に基づく補正を行うように構成してもよい。この場合、計測光で基準マークSMを計測した結果と基準光で基準マークSMを計測した結果とに基づき、第1の波長帯域と第2の波長帯域とが互いに異なることで生じる基準マーク計測値の変動量を予め記憶する。この変動量は、例えばコンピュータ48に設けられた記憶部に記憶される。そしてコンピュータ48は、基準マーク計測値の変動量を用いて計測光によるウエハマークWMの計測結果を補正する。このような構成でも、波長差に起因する計測誤差を低減することが可能である。基準マークSMは基準板14に設けられており、基準マークSMを透過した光のみがハーフミラー15光学素子に導光される。ハーフミラー15は、基準マークSMからの光束を画像検出素子11に導光する。画像検出素子11は、ハーフミラー15で合成された光束ウエハマークWMからの光束と基準マークSMからの光束の合成光を、検出光学系を介して受光する。画像検出素子11により検出された基準マークSM信号は、主制御系49を介してコンピュータ48に入力される。コンピュータ48は、ウエハマーク信号および基準マーク信号を用いて、ウエハステージ20の位置に基づいてウエハWの位置を算出する。ステージ制御系47は、その算出結果に基づいてウエハステージ20を駆動し、ウエハWの位置合わせを行う。次に、図4を参照して、本実施例の位置検出装置における光源部41について説明する。図4は、光源部41の構成図である。光源部41には、ハロゲンランプ50、HeNeレーザ58、光源切換ミラー51、光源ハロゲンランプ50、HeNeレーザ58からの光束をファイバ42、43の入射端に集光する光学系52、および、光路切換ミラー57光路切換手段が設けられている。ハロゲンランプ50およびHeNeレーザ58は、ウエハマークWMを照明する第1の光源、および、基準マークSMを照明する第2の光源である。本実施例では、第1の光源と第2の光源を共通化して一つの光源部41が構成されている。第1の光源と第2の光源とを互いに逆に構成してもよい。また、第1の光源および第2の光源のそれぞれは、ハロゲンランプ、LED、レーザ、レーザダイオードの少なくとも一つを備えて構成されていればよい。光源部41には、ハロゲンランプ50からの光を所望の波長帯域に変換する波長切換円盤54、および、波長切換円盤54を駆動するモータ53が設けられている。更に光源部41には、光源の光量調整を行う光量調整円盤56、光量調整円盤56を駆動するモータ55が設けられている。波長切換円盤54には複数の波長カットフィルタが設けられており、波長切換円盤54をモータ53で駆動することにより、回転方式ターレット方式で波長の切り換えが可能である。本実施例の波長切換円盤54は、高波長側および低波長側の波長カットフィルタを組み合わせて所望の波長帯域の波長を実現可能な機構を有する。まず、本実施例で用いられる波長帯域照明波長帯域をa、b、c、d、e700nm~800nmに設定する。また、HeNeレーザの波長波長帯域を633nmに設定する。なお、波長の最少単位を1nmとする。表1は、各波長帯域とその波長帯域に対応する波長カットフィルタの組合せについて示している。ここで、例えば波長帯域aが選択された場合を考える。このとき、449nm以下の波長をカットする低波長側カットフィルタと551nm以上の波長をカットする高波長カットフィルタを組み合わせることで、ハロゲンランプ50からの光を所望の波長帯域の照明光として生成することができる。他の波長帯域についても、同様の組合せにより、所望の波長帯域の照明光を生成可能である。図5は、本実施例における波長切換円盤54の構成図であり、図5aは平面図、図5bは図5aのB-B線で切断した断面図を示す。波長切換円盤54は、複数の波長帯域に対応して組み合わせられた複数のカットフィルタを有する。図5bの断面図に示されるように、波長切換円盤54の一方の面側に低波長側カットフィルタ59、61が配置され、他方の面側に高波長側カットフィルタ60、62が配置される。このように、複数の種類の低波長側カットフィルタと高波長側カットフィルタとを組み合わることで、所望の波長帯域の照明光が生成可能となる。本実施例において、波長帯域aに関しては、低波長側カットフィルタ59として449nm以下の波長をカットする波長カットフィルタを用い、高波長側カットフィルタ60として551nm以上の波長をカットする波長カットフィルタを用いる。同様に、波長帯域dに関しては、低波長側カットフィルタ61として649nm以下の波長をカットする波長カットフィルタを用い、高波長側カットフィルタ62として701nm以上の波長をカットする波長カットフィルタを用いる。コンピュータ48は、照明光の波長帯域が設定されると、主制御系49にモータ55の回転原点からの回転量を指示する。モータ55の回転原点は、予め、原点検出駆動としてモータ55を回転させて求められる。本実施例の原点検出方法において、モータ55の回転原点は、波長切換円盤54に設けられたスリット54aがフォトスイッチPSの検出部を通過した位置に設定される。主制御系49は、指示された回転量に応じてモータ44を駆動し、照明開口絞りのいずれかがウエハマーク照明光束WMILに設定される。なお、本実施例は5種類の波長帯域a~fを設定しているが、これに限定されるものではなく、何種類の波長帯域を設定してもよい。また、波長切換円盤54は一段構成であるが、これに限定されるものではなく、複数段構成を採用してより多くの波長帯域の照明光を生成可能に構成してもよい。また、基準光の波長帯域は、計測光の波長帯域の選択と連動して選択される。図4において、光量調整円盤56には、互いに透過率が異なる複数のNDフィルタが設けられている。光量調整円盤56をモータ55で駆動することにより、NDフィルタは回転方式ターレット方式で切換可能に構成されている。光量調整円盤56により、基準光および前記計測光は、互いに独立して光量調整が可能である。光量調整円盤56を通過した光の光路は、ファイバ42、43の入射端に集光させるための光路切換ミラー57で切り換えられる。このように、光路切換ミラー57は、ウエハマークWMを照明する光路と基準マークSMを照明する光路とを切り換える。コンピュータ48は、HeNeレーザ58とハロゲンランプ50のいずれの光源を使用するかについて主制御系49に指示すると、主制御系49はその指示に応じて光源切換ミラー51を駆動する。すなわち、光源としてHeNeレーザ58が選択された場合、光源切換ミラー51は図4中の破線で示されるように光路から退避して下方向に移動して、HeNeレーザ58からの光束は、光学系52を介してファイバの入射端に集光される。一方、光源としてハロゲンランプ50が選択された場合、ハロゲンランプ50からの光束は、光源切換ミラー51で反射され、光学系52を介してファイバの入射端に集光される。本実施例では、HeNeレーザ58とハロゲンランプ50の配置を互いに逆にしてもよい。また、波長帯域a~eが選択された場合、コンピュータ48が主制御系49に対して選択波長帯域になるように指示することで、モータ53により波長切換円盤54が駆動される。光量調整に関しても同様に、設定された光量になるようにコンピュータ48が主制御系49に対して指示することで、モータ55により光量調整円盤56が駆動される。また、コンピュータ48が主制御系49に対する、ウエハマークWMと基準マークSMのいずれを計測するかの指示に応じて、光路切換ミラー57は主制御系49により駆動される。すなわち、ウエハマークWMの計測が選択された場合、光路切換ミラー57は図4中の破線で示されるように光路から退避して上方向に移動して、光束はウエハマークWMを照明するためのファイバ43の入射端に集光される。一方、基準マークSMの計測が選択された場合、光束は、光路切換ミラー57で反射され、基準マークSMを照明するためのファイバ42の入射端に集光される。本実施例では、ファイバ43の入射端とファイバ42の入射端の配置を互いに逆にしてもよい。また、製造プロセスの影響を受けるウエハマークWMの計測と基準マークSMの計測において、光量値を互いに異なるように設定してもよい。また、画像検出素子11の蓄積時間を変化させてもよい。なお、図3に示されるハーフミラー15は、ハーフミラーに限定されるものではなく、透過率や反射率などの特性を任意に変更することが可能である。図6は、ハーフミラー15の膜が透過率90、反射率10の光学特性を有する場合におけるハーフミラー特性の説明図である。図6aは基準マーク信号が100入射した場合の透過特性と反射特性を示す。90の光が透過され、画像検出素子11には10の光が反射される。図6bはウエハマーク信号が100入射した場合の透過特性と反射特性を示す。10の光が透過され、画像検出素子11には90の光が反射される。このように本実施例において、ハーフミラー15の膜の光学特性は、ウエハマークWMからの光束の光量が基準マークSMからの光束の光量より大きくなるように設定されている。透過率と反射率に差を付けることで、基準マーク信号の光量に対し、ウエハマーク信号をより多く取り込むことが可能となる。次に、図7を参照して、本発明の実施例2について説明する。図7は、本実施例における露光装置の要部構成図である。本実施例の露光装置では、ウエハマークWMを照射するための光源63ウエハマーク照明光源と基準マークSMを照射するための光源64基準マーク照明光源とが互いに分離して構成されている。OA検出系24は、実施例1と同様の構成を有する。光源63、64の両光源ともに、温度安定性が求められるOA検出系24から離れて配置されている。また、両光源は、OA検出系24に対してファイバ42、43を用いて独立して接続される。本実施例では、ウエハアライメント光を射出する照明光源は専用の光源として構成されている。このため実施例1とは異なり、光束をウエハマークWM照明用のファイバ43と基準マークSM照明用のファイバ42に切換える光路切換手段を設ける必要がない。ウエハマークWMの計測および基準マークSMの計測において、同一波長の照明光を用いて計測を行うには、基準マークSMを照明する光源64の構成は、ウエハアライメント光を射出する光源とすればよい。コンピュータ48は、主制御系49に選択波長および計測タイミングの指令を与え、主制御系49は、その指令に基づいて、ウエハマーク照明用の光源63と基準マーク照明用の光源64を選択的に用いて計測を行う。実施例1の露光装置位置検出装置ではハーフミラー15が用いられるが、本実施例ではハーフミラー15に代えてダイクロイックミラー15aが用いられる。図8は、ダイクロイックミラー15aを用いた場合ダイクロイックミラー特性の説明図である。図8aは、ミラーの膜の光学特性として、ミラー部の透過率と波長の関係を示す。図8bは、画像検出素子11上の光量と波長の関係を示す。図8aに示されるように、ウエハマーク計測光の波長帯域の中心付近に一部透過特性を持たない膜を採用し、その波長帯域に基準マーク計測波長を設定する。このようにダイクロイックミラー15a光学素子の膜の光学特性は、第1の波長帯域を有する計測光と第2の波長帯域を有する基準光との間で互いに異なる。本実施例では図8bに示されるように、全計測波長において、画像検出素子11にて計測することができる。これにより、ウエハマーク計測光の波長帯域の中心付近に基準マーク計測波長を設定することで、波長差による計測誤差を低減させたシステムを構成することが可能である。なお本実施例においても、実施例1のハーフミラー15を用いてもよい。次に、図9を参照して、本発明の実施例3について説明する。実施例2では、基準マークSMを計測する光源64は、ウエハマークWMを計測する光源63と同様の構成を有している。すなわち、両光源はそれぞれ、HeNeレーザ58およびハロゲンランプ50を備え、複数の波長帯域の照明光を生成することができる。しかし、光源はこのような構成に限定されるものではなく、例えば光源は、特定の波長帯域を有する複数のLEDを備えて構成することもできる。図9は、本実施例における光源64の構成図であり、5つのLEDを用いて構成された基準マーク光源光源64を示している。図9において、65aは波長帯域a、65bは波長帯域b、65cは波長帯域c、65dは波長帯域d、65eは波長帯域eを有するLEDである。例えば波長帯域が比較的低い波長帯域aでは、白色LEDを用いればよい。66_1~66_4は、ダイクロイックミラーである。本実施例では、波長帯域に合わせて4種類のダイクロイックミラーが設けられている。波長帯域a~eの各波長帯域を有するLEDの配置の関係で、各ダイクロイックミラーの膜は異なる。ダイクロイックミラー661は、551nm以上の波長帯域の光を反射し、549nm以下の波長帯域の光を透過させる波長特性を有する。ダイクロイックミラー662は、601nm以上の波長帯域の光を反射し、600nm以下の波長帯域の光を透過させる波長特性を有する。ダイクロイックミラー663は、601nm以上の波長帯域の光を反射し、600nm以下の波長帯域の光を透過させる波長特性を有する。ダイクロイックミラー664は、651nm以上の波長帯域の光を反射し、650nm以下の波長帯域の光を透過させる波長特性を有する。本実施例ではダイクロイックミラーを用いているが、光量に余裕があればハーフミラーを用いてもよい。また、ウエハマークWM計測の波長選択条件に応じて、コンピュータ48が主制御系49に指令を与えることにより、使用するLEDが選択され照明される。例えばウエハマークWM計測の際に波長帯域eが選択された場合、主制御系49はLED65を照明させる。照明したLEDの光束は、基準マークSM照明用のファイバ42の入射端に集光される光学系67を通過し、ファイバ42に集光される。LEDの光量は、主制御系49により、電流値または電圧値を変化させることで調節可能である。その際、LEDは使用する波長帯域に応じて光量値を変化させてもよく、また画像検出素子11の蓄積時間を変化させてもよい。波長帯域ごとに構成するLEDは、できるだけ波長帯域の中心波長のLEDを採用することが好ましい。例えば、波長帯域bの場合、中心波長が575nmであるため、その中心波長の近傍で輝度の高いLEDを選定すればよい。また、本実施例のように各波長帯域で1つの種類のLEDを備えた構成に限定されるものではなく、各波長帯域で複数の種類のLEDを備えるように構成してもよい。その際、条件によって照明させるLEDの組合せが自由に選択できるように構成することができる。上記実施例1乃至実施例3では、ウエハマーク計測光の波長と基準マーク計測光の波長を同等にして波長差による計測誤差を低減させる位置検出装置露光装置について説明した。なお、ウエハマーク計測光の波長と基準マーク計測光の波長が異なる場合でも、予め波長差による計測誤差値を取得し、ウエハマーク計測値に反映させる方法を採用することができる。複数の基準光を構成する場合、基準光のそれぞれに対して計測誤差値を取得すればよい。また、ウエハマーク計測光の波長の条件が複数ある場合、各条件において基準光との計測誤差値を取得すればよい。次に、図10を参照して、本発明の実施例4について説明する。本実施例では、位置検出装置が投影光学系22のフォーカス方向を計測するフォーカス計測装置70に適用される。図10は、本実施例におけるフォーカス計測装置70位置検出装置の構成図である。フォーカス計測装置70フォーカス検出系において、照明光源71から射出した光は、照明レンズ72を介してスリット73を照明する。スリット73を透過した光は、照明光学系74第1の照明光学系およびミラー75によってウエハW被検出体上にスリットパターンを結像する。ウエハW上に投影されたスリットパターンは、ウエハWの表面上で反射し、照明光学系74と反対側に構成されたミラー76および検出光学系77に入射する。検出光学系77は、ウエハW上に形成されたスリットパターンを光電変換素子78上に再結像させる。次に、本実施例における基準光について説明する。基準光の光源79から射出した光は、基準光照明レンズ80第2の照明光学系を介して基準光スリット81を照明する。基準光スリット81を透過した光は、投影光学系22下の雰囲気内を通過し、計測光と基準光を合成する基準光合成ミラー82および合成光を検出する検出光学系77に入射する。検出光学系77は、基準光スリットパターンを光電変換素子78上に再結像させる。ウエハWが上下することで、光電変換素子78上のスリット像が移動し、この移動量からウエハWのフォーカス方向の距離を位置検出部不図示で計測することができる。通常は、スリット73を複数ウエハW上の多点用意し、それぞれのフォーカス位置を検出することウエハW上の多点計測で、投影光学系22のマスク17像の像面に対するウエハWの傾きを計測することもできる。これにより、通過する空気の密度がゆらいでも、いずれも略同一の空間内を通過するため、受ける影響が同じとなる。このため、変動の仕方が双方ともに等しくなる。本実施例では、照明光源71と基準光の光源79とを互いに別に構成しているが、上記各実施例と同様に、基準光の光源79の波長を照明光源71と同等にすれば、波長差による計測値の誤差を低減することができる。なお、基準光の光源79として複数の光源を備えて構成してもよく、また、照明光源71と共通化してもよい。実施例1、2におけるOA検出系の構成をフォーカス計測装置70にも同様に適用可能である。なお実施例1乃至4は、ウエハ側の位置検出装置または面位置検出装置に関して説明しているが、これに限定されるものではなく、マスク側に構成される位置検出装置または面位置検出装置に適用してもよい。上記各実施例によれば、波長差に起因する計測誤差を低減して高精度な位置検出を行う位置検出装置を提供することができる。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。