"基板110上に堆積材料の層を堆積するための堆積装置であって、前記基板を保持するように適合された基板支持体120と、ターゲットアセンブリ130;200;300;400;500を保持するように適合されたターゲット支持体125であって、前記ターゲットアセンブリは、バッキング要素131;220;320;420;520、および、少なくとも2つのターゲット要素132;133;210;211;310;311;410;411;412;510;511の間に間隙230;330;430;530を形成するように相互に隣接して前記バッキング要素上に配置された前記少なくとも2つのターゲット要素を備え、前記間隙は、幅wを有するように適合された、ターゲット支持体125とを備え、前記基板支持体120および前記ターゲット支持体125は、前記間隙幅wに対する前記基板と前記ターゲット要素との間の距離470;570の比率が少なくとも約150になるように、相互に対して配置される、堆積装置。前記間隙幅wに対する前記基板と前記ターゲット要素との間の前記距離470,570の前記比率は、約400から約600の間である、請求項1に記載の堆積装置。前記基板と前記ターゲット要素132;133;210;211;310;311;410;411;412;510;511との間の前記距離470;570は、約75mm以上である、請求項1または2に記載の堆積装置。前記少なくとも2つのターゲット要素132;133;210;211;310;311;410;411;412;510;511の間の前記間隙幅は、第1のターゲット要素210のエッジ212から第2のターゲット要素211の対面エッジ213にまで及ぶものとして定義される、請求項1から3のいずれか一項に記載の堆積装置。前記基板支持体120と前記ターゲット支持体125との間の前記距離470;570は、前記基板上に規則的な堆積を提供するため、前記個々のターゲット要素132;133;210;211;310;311;410;411;412;510;511の堆積材料の分散フィールドが基板表面の平面455;555内において実質的に重複することを可能にするように適合される、請求項1から4のいずれか一項に記載の堆積装置。前記基板支持体120と前記ターゲット支持体125との間の前記距離470;570は、結合間隙ムラの生成が実質的に回避されるように適合される、請求項1から5のいずれか一項に記載の堆積装置。前記バッキング要素131;220;320;420;520は、プレートである、請求項1から6のいずれか一項に記載の堆積装置。前記バッキング要素131;220;320;420;520は、チューブである、請求項1から6のいずれか一項に記載の堆積装置。前記ターゲット要素132;133;210;211;310;311;410;411;412;510;511は、酸化セラミックを、好ましくは、インジウム含有セラミック、スズ含有セラミック、亜鉛含有セラミック、ならびに、インジウムガリウム亜鉛酸化物IGZO、インジウムスズ酸化物ITO、亜鉛スズ酸化物ZTO、およびインジウム亜鉛酸化物IZOなどのそれらの組合せからなる群より選択されるセラミックを含む、請求項1から8のいずれか一項に記載の堆積装置。前記基板支持体120は、約1.5m2以上の基板を保持するように適合される、請求項1から9のいずれか一項に記載の堆積装置。前記ターゲット支持体125は、回転ターゲットアセンブリを保持するように適合される、請求項1から10のいずれか一項に記載の堆積装置。堆積装置において基板上に堆積材料の層を形成するための方法であって、被覆されるべき基板を用意することと、少なくとも2つのターゲット要素132;133;210;211;310;311;410;411;412;510;511の間に間隙230;330;430;530が形成されるように相互に隣接するバッキング要素131;220;320;420;520上の前記少なくとも2つのターゲット要素を備えるターゲットアセンブリ130;200;300;400;500を用意することであって、前記間隙は、幅wを有する、用意することと、前記間隙幅wに対する前記基板と前記ターゲット要素との間の距離の比率が少なくとも約150になるように、前記ターゲットアセンブリに対して前記基板を位置決めすることととを含む、方法。前記少なくとも2つのターゲット要素132;133;210;211;310;311;410;411;412;510;511の間の前記間隙230;330;430;530は、第1のターゲット要素210のエッジ212から第2のターゲット要素211の対面エッジ213にまで及ぶものとして定義される、請求項12に記載の方法。前記基板を位置決めすることは、前記ターゲット要素132;133;210;211;310;311;410;411;412;510;511から約75mm以上の距離470;570に前記基板を位置決めすることを含む、請求項12または13に記載の方法。前記基板を位置決めすることは、前記基板上に規則的な堆積を提供するため、前記個々のターゲット要素の堆積材料の分散フィールドが前記基板表面の平面455;555内において重複することを可能にするように、前記ターゲットアセンブリ130;200;300;400;500に対して前記基板を位置決めすることをさらに含む、請求項12から14のいずれか一項に記載の方法。以下、本発明の様々な実施形態を詳細に参照するが、それらの実施形態の1つまたは複数の例が、図面に示される。図面の以下の説明の中において、同一の参照番号は、同一の構成要素を指す。一般的には、個々の実施形態に関して異なる点だけを説明する。各例は、本発明の例示として提示され、本発明を限定するようには意図されない。さらに、ある実施形態の一部として図示または説明される特徴を、他の実施形態においてまたは他の実施形態との組合せにおいて使用することにより、さらなる実施形態を生み出すことが可能である。本説明にはかかる変更および変形が含まれることが、意図される。図1は、実施形態による堆積チャンバ100の概略図を示す。堆積チャンバ100は、PVDプロセスなどの堆積プロセス向けに適合される。基板110が、基板支持体120上に置かれている状態が示される。いくつかの実施形態によれば、基板支持体は、チャンバ100内において基板110の位置を調節可能にするように可動であってもよい。典型的には、基板支持体120は、例えば回転により、均一な層堆積を可能にするように可動であってもよい。ターゲット支持体125が、チャンバ100内に用意される。ターゲット支持体125は、ターゲットアセンブリ130を保持するように適合される。典型的には、ターゲットアセンブリ130は、基板110上に堆積されることとなる材料を提供する。いくつかの実施形態によれば、ターゲットアセンブリ130は、図1においてわかるように、バッキング要素131を備えてもよい。典型的には、バッキング要素131は、ターゲット要素132および133を担持するように適合される。ターゲット要素は、堆積されることとなる材料を提供し得る。また、2つ以上のターゲット要素を有するターゲットアセンブリが、マルチタイルターゲットアセンブリと呼ばれる。いくつかの実施形態によれば、大面積基板は、典型的には約1.4m2~約8m2の、より典型的には約2m2~約9m2の、またはさらには最大で12m2までのサイズを有してもよい。典型的には、本明細書に記載される実施形態によりマスク構造体、装置、および方法を提供するための矩形基板は、本明細書に記載されるような大面積基板である。例えば、大面積基板は、約1.4m2基板1.1m×1.25mに相当するGEN5、約4.29m2基板1.95m×2.2mに相当するGEN7.5、約5.7m2基板2.2m×2.5mに相当するGEN8.5、またはさらには約8.7m2基板2.85m×3.05mに相当するGEN10であることが可能である。GEN11およびGEN12などのさらに大型世代およびそれらに相当する基板面積も、同様に実装可能である。典型的には、基板は、材料堆積に適した任意の材料から作製されてもよい。例えば、基板は、ガラス例えばソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス、等々、金属、ポリマー、セラミック、複合材料、炭素繊維材料、または堆積プロセスによる被覆が可能な任意の他の材料もしくは材料の組合せからなる群より選択される材料から作製されてもよい。近年では、薄膜トランジスタTFTを作製する場合には、インジウムガリウム亜鉛酸化物IGZOなどの金属酸化物が、堆積材料としての一般的な候補になっている。金属酸化物は、主にその高い移動性および透明度により、次世代ディスプレイ技術に適用するための薄膜トランジスタの活性層としてアモルファスシリコンに代わり得るものである。かかる金属酸化物層を作製するための典型的な一方法は、大面積被覆装置に結合されたセラミックターゲットによる部分反応性PVDプロセスである。例示的には、本明細書に記載される実施形態の堆積装置は、結合されたセラミックターゲットによる部分反応性PVDプロセスを実施するように適合され得る。堆積材料としてセラミックを提供するターゲットの製造例えばセラミックを焼結することによる製造が、長尺のシリンダおよびプレートについては特に困難であるため、複数のシリンダまたはプレートを共に置いて、スパッタターゲットになり得る1つの大型サイズのターゲットにすることが、一般的である。図1においては、例示的に、2つのターゲット要素132および133が示される。本明細書に記載される他の実施形態と組み合わされ得るいくつかの実施形態によれば、ターゲット要素の個数は、4個、5個、10個、またはさらには20個など、典型的には3個以上となり得る。典型的には、ターゲット要素の個数は、プロセス、基板サイズ、堆積材料、ターゲット設計、および他のパラメータにより決定される。一例としては、チューブターゲットのターゲット要素の個数は、GEN8.5のターゲットすなわち約5.7m2の基板サイズ向けのターゲットの場合には約13~14個のターゲット要素となり得る。実施形態によれば、GEN8.5の平面ターゲットのターゲット要素の個数は、約3~4個のターゲット要素となり得る。ターゲット要素の個数は、プロセスパラメータにしたがって選択されてもよく、本明細書に例示的に記載される個数から逸脱してもよい。一般的には、間隙が、ターゲット要素の間に形成される。典型的には、間隙は、動作中の熱膨張を可能にするために、ターゲット要素の間に設けられる。例えば、インジウムが、ターゲットアセンブリのバッキング要素に対してターゲット要素を結合するために使用される場合には、空間が、熱膨張を可能にするために、この間隙によって提供される。堆積システムにおいては、マルチタイルターゲットアセンブリの構成が、基板上の堆積特徴に影響を及ぼす。マルチタイルターゲットアセンブリが使用される場合には、可視的なムラmura効果が、仕上がった製品中に現れる。このムラ効果は、基板上に堆積された層の中の少なくとも1つにおける異常を示す、ストライプの出現として説明することが可能である。典型的には、これらのストライプは、ディスプレイなどの仕上げられた製品中に現れる。金属酸化物TFTバックプレーンにより駆動されるOLEDパネルまたはLCDパネルの作製中の場合には、ムラ効果は、パネルの一部のエリアにおいてOLEDパネルまたはLCDパネルの機能の不全を引き起こし得る。単体ターゲットを使用することによりマルチタイルターゲットの必要性を回避することが知られているが、単体ターゲットは、ターゲットの製造およびターゲットの取扱いに関してコストを増加させる。マルチタイルターゲットは、単体ターゲットと同程度の非常に高コストなものではないが、上述のムラ効果をしばしば引き起こす。典型的には、ターゲット要素の間の間隙は、ムラ効果の発生に関与し得る。本明細書に記載される実施形態によれば、ムラパターン、すなわち堆積される材料における異常を示す基板上のストライプは、間隙の位置および形状寸法に原因を求めることができる。したがって、公知のシステムにおいては、基板上の堆積材料の規則性は、ターゲット要素の間の間隙により影響を被る。本明細書に記載される実施形態によるシステムにおいては、基板上の堆積材料の規則性は、ターゲット要素の間の間隙とは実質的に無関係であり、すなわち、間隙は、基板上の堆積材料の層の規則性および均一性に対して実質的な影響を有さない。間隙とは実質的に無関係という表現は、ターゲット要素の間の間隙に起因するムラ効果が、基板上に堆積された層において全く見られないこととして理解されたい。図2は、バッキング要素420ならびに例示的には3個のターゲット要素410、411、および412を有する、プレートターゲットアセンブリまたはチューブターゲットアセンブリ400を示す。いくつかの実施形態によれば、ターゲット要素の個数、ターゲットアセンブリに使用される材料、およびバッキング要素とターゲット要素との間の結合は、図1に関連して説明したものと同一であってもよい。図2に示す実施形態においては、ターゲットアセンブリ400のバッキング要素に対してターゲット要素を結合する結合材料415を見ることができる。間隙430が、ターゲット要素の間に形成される。図2においては、線450は、当技術において公知であるような堆積装置における基板表面の平面を示唆する。間隙の影響は、平面450内においては高い。これは、図2において破線460で見ることができる。一般的には、線460は、間隙430から延在しており、ターゲット要素から放出される堆積材料に対する間隙の影響を概略的に示す。典型的には、間隙の影響は、ターゲット要素からの距離が大きくなることにより弱まり、このことが、破線460の退色によって示唆されている。さらに、破線460は、間隙影響の領域が、基板表面に対して実質的に平行な方向に広がることを示唆する。典型的には、線460により示される間隙の影響は、ターゲット要素からの距離が大きくなることにより低下する。ターゲット要素から放出される粒子の相互作用の増加により、間隙の影響の低下が引き起こされ得る。いくつかの実施形態によれば、ターゲット要素と平面455中の基板表面との間の距離は、ターゲット要素と平面450中の基板表面との間の距離に比べて、ターゲット要素から放出されて基板に至る過程における粒子のさらなる広がり、衝突、および拡散を可能にする。本明細書に記載される実施形態によれば、ターゲット要素410、411、および412と、基板表面の平面455との間の距離は、ムラ効果の解消および実質的な回避を可能にする。一例としては、約0.5mmの間隙の場合には、少なくとも約75mmのターゲット-基板間距離470により、金属酸化物堆積プロセスにおけるムラ効果が解消される。いくつかの実施形態によれば、ターゲット-基板間距離は、典型的には約75mm~約350mmであり、より典型的には約100mm~約300mmであり、さらにより典型的には約200mmである。一般的には、ターゲット-基板間距離という表現は、堆積プロセスが実施される前の、被覆されるべき基板の表面と少なくとも1つのターゲット要素の表面との間の距離として理解されたい。典型的には、間隙幅に対する基板とターゲット要素との間の距離の比率は、約150以上であり、好ましくは約400~600の間である。いくつかの実施形態によれば、この比率は、145または140など、150を若干下回ってもよい。他の実施形態によれば、この比率は、610またはさらには630など、600超であってもよい。いくつかの実施形態によれば、少なくとも約150の比率で、間隙幅に応じてターゲット-基板間距離を設定することにより、コスト効率の高いマルチタイルターゲットアプローチによってムラのないパネルの金属酸化物層を作ることが可能となる。図1を再び参照すると、ターゲット-基板間距離は、参照番号170で示される。本明細書における概略図は、本明細書に記載される実施形態による比率とは異なる比率を示す場合があるが、間隙幅に対する基板とターゲット要素との間の距離の比率は、特に別様のことが述べられない限り、少なくとも約150、好ましくは約400~600の間であるものとして理解されたい。図3は、放出された粒子の分散を矢印580として例示的に示す。明瞭化を目的として、2つの矢印のみを参照番号580で示す。バッキング要素520および複数のターゲット要素を有するターゲットアセンブリ500の断面が、図3に示される。ターゲットアセンブリ500のこの断面においては、2つのターゲット要素510および511が、例示的に示される。典型的には、堆積材料の分散フィールドは、ターゲット要素から放出される実質的に全ての粒子を含むものとして理解することが可能である。図3においては、矢印580が、ターゲット要素の放出粒子の方向を表す。例えば、ターゲット要素510の堆積材料の分散フィールドは、ターゲット要素510から始まる全ての矢印580を含む。いくつかの実施形態によれば、この分散フィールドは、余弦関数の形状を実質的に有し得る。矢印580の長さは、矢印の方向に放出される粒子の個数を大まかに示唆する。例えば、上方に直線状に延びる矢印は、ある規定個数の放出粒子の方向を表す一方で、この直線矢印の左側または右側に延びる矢印は、より少数の粒子を表す。いくつかの実施形態によれば、図3に示すような、ターゲット要素510および511から基板表面の平面555までのターゲット-基板間距離570は、間隙幅に対する基板とターゲット要素との間の距離の上記で論じた比率を満たし、すなわち少なくとも約150の比率を満たす。典型的には、この比率を満たすことにより、図3で矢印580の延長部581によってわかるように、より多数の粒子衝突が可能となり、粒子分散が拡大される。さらに、明瞭化を目的として、2つのみの延長部を参照番号581で示す。矢印580の延長部581は、矢印580の方向に放出された粒子が進む方向を示す。ターゲット要素510の矢印580の延長部581は、ターゲット要素510の隣りのターゲット要素511の矢印の延長部581と、いくつかの点で重複する。いくつかの実施形態によれば、延長部の重複は、放出された粒子の衝突、広がり、および分散が拡大し、ターゲット要素の間の間隙の影響が低下することを意味する。図3においては、線555は、本明細書に記載される実施形態による、少なくとも約150の間隙幅に対する比率を有するターゲット-基板間距離を示す。矢印580のほぼ全ての延長部581が、線555に到達する前に交差する。すなわち、ターゲット要素の堆積材料の分散フィールドは、実質的に相互に対して重複する。このコンテクストにおいては、実質的に重複するという表現は、分散フィールドの大部分が、基板表面すなわち被覆されるべき表面の平面に到達する前に、相互に交差および相互作用することとして理解されたい。例えば、ターゲット要素表面から90°未満の角度に放出される粒子は、隣接するターゲット要素表面から90°未満の角度に放出される粒子と相互作用する。一例としては、ターゲット要素表面に対して実質的に90°となる矢印を除く、図3の全ての矢印が、隣接するターゲット要素の矢印と交差する。このコンテクストにおいては、実質的にという表現は、実質的にと共に示される特徴から幾分かの逸脱があり得ることを意味する。例えば、実質的に90°は、典型的には約1°~10°の、より典型的には約2°~約8°の、およびさらにより典型的には約3°~約7°の逸脱を含み得る。いくつかの実施形態によれば、図3の線555は、間隙幅に対する少なくとも約150の比率を満たすターゲット-基板間距離を提供する。これとは対照的に、線550は、公知の堆積装置において使用されるターゲット-基板間距離を示し、これは、少なくとも150の比率を満たさない。したがって、概ね線550の領域に置かれる基板の堆積プロセスは、上述のムラ効果をもたらし、ターゲット要素の間の間隙の影響を示す場合がある。例えば、ターゲットと線550との間のこの距離は、当技術で公知であるように、60mm以下となり得る。典型的には、本明細書に記載される実施形態による比率を満たすターゲット-基板間距離570に位置する基板は、全基板表面積にわたり堆積材料の規則的な層を有し得る。このコンテクストにおいては、規則的な堆積は、基板表面にわたって実質的に均一な堆積として理解されたい。特に、このコンテクストにおける規則的なは、ムラ効果がないことを、すなわち基板上にストライプがないことを意味する。いくつかの実施形態によれば、ムラ効果のストライプは、放出された粒子が基板に衝突するエネルギー、層密度、材料組成、局所層構造、および酸素含有量等々の、しかしそれらに限定されない、堆積特徴における異常を示唆し得る。いくつかの実施形態によれば、堆積チャンバのターゲット支持体および基板支持体は、相互に対して可動に適合されてもよい。例えば、ターゲット支持体および/または基板支持体は、基板表面とターゲット要素との間の距離を調節するように適合されてもよい。典型的には、ターゲットアセンブリの基板表面とターゲット要素との間の距離は、堆積プロセスにおいてターゲットアセンブリが使用される前に、ターゲットアセンブリのターゲット要素の間の間隙に応じて調節され得る。図4は、本明細書に記載される実施形態において使用し得るようなターゲットプレートアセンブリ200を示す。ターゲットアセンブリ200は、図4においては、バッキング要素220上に例示的に2つのターゲット要素210および211を有するターゲットプレートである。ターゲット要素の個数、ターゲット要素の材料、およびバッキング要素220に対するターゲット要素の結合は、図1に関連して上述したように選択されてもよい。典型的には、ターゲット要素は、ターゲットタイルであってもよい。ターゲットタイルは、規定の形状寸法を有する堆積されることとなる材料の片であってもよい。いくつかの実施形態によれば、ターゲット要素は、はんだ金属などの結合金属によりバッキング要素に対して結合されてもよい。典型的には、はんだ金属は、インジウム等々を含み得る。いくつかの実施形態によれば、堆積されることとなる材料は、堆積プロセスおよび被覆される基板の後の用途にしたがって選択されてもよい。例えば、ターゲットの堆積材料は、セラミックであってもよい。典型的には、ターゲット材料は、酸化セラミックであってもよく、より典型的には、材料は、インジウム含有セラミック、スズ含有セラミック、亜鉛含有セラミック、およびそれらの組合せからなる群より選択されるセラミックであってもよい。また、いくつかの実施形態によれば、堆積されることとなる材料は、インジウム含有酸化物、スズ含有酸化物、亜鉛含有酸化物、ガリウム含有酸化物、インジウム含有窒化物、スズ含有窒化物、亜鉛含有窒化物、ガリウム含有窒化物、インジウム含有酸窒化物、スズ含有酸窒化物、亜鉛含有酸窒化物、およびガリウム含有酸窒化物からなる群より選択されてもよい。典型的には、ターゲット要素の材料は、インジウムガリウム亜鉛酸化物IGZO、インジウムスズ酸化物ITO、亜鉛スズ酸化物ZTO、またはインジウム亜鉛酸化物IZO等々であってもよい。典型的には、間隙が、ターゲット要素の間に形成される。図4においては、ターゲット要素210と211との間の間隙は、参照番号230で示される。典型的には、間隙230は、図4においてわかるように幅wを有する。ターゲット要素の間の間隙は、一方のターゲット要素の1つのエッジから隣接するターゲット要素の1つの対面エッジにまで及ぶ。図4においては、間隙230は、ターゲット要素210のエッジ212からターゲット要素211のエッジ213にまで及ぶ。典型的には、間隙を画成するために使用されるターゲット要素のエッジは、バッキング要素に対して結合される側のターゲット要素のエッジである。いくつかの実施形態によれば、本明細書に記載される間隙の幅は、堆積プロセスにおいてターゲット要素を使用する前の幅である。換言すれば、この間隙幅wは、バッキング板に対するターゲット要素の取付け後の、かつ堆積装置内へのターゲットアセンブリの取付け前または取付け直後の、ターゲット要素の間の間隙として定義される。例えば、間隙幅wは、例えばISO5011の、温度および圧力の基準条件におけるターゲット要素の間の距離であってもよい。いくつかの実施形態によれば、ターゲットアセンブリのバッキング要素は、チューブであってもよく、またはシリンダ状形状を有してもよい。典型的には、ターゲット支持体およびターゲットアセンブリは、回転可能に適合されてもよい。図5は、本明細書に記載される実施形態によるターゲットアセンブリ300を示す。典型的には、バッキング要素320は、ターゲット要素310および311が結合されたチューブである。いくつかの実施形態によれば、ターゲット要素の個数、ターゲットアセンブリに使用される材料、およびバッキング要素とターゲット要素との間の結合は、図1に関連して説明したものと同一であってもよい。また、図5では、ターゲット要素310と311との間の間隙330は、幅wを有することがわかる。間隙は、一方のターゲット要素の1つのエッジから隣接するターゲット要素の対面エッジまでで測定される。典型的には、間隙幅wを判定するために使用されるターゲット要素のエッジは、バッキング要素に対して結合される側に位置する。典型的には、間隙幅は、約0.2mm~約0.7mm、より典型的には約0.3mm~約0.6mm、およびさらにより典型的には約0.3mm~約0.5mmの間であってもよい。いくつかの実施形態によれば、基板上に堆積材料の層を形成するための方法が提供される。図6は、本明細書に記載される実施形態による一方法の流れ図600を示す。基板上に層を生成するためのこの堆積プロセスは、堆積チャンバ内において実施されてもよく、このチャンバは、例示的には、図1に示し図1に関連して説明したような堆積チャンバであってもよい。典型的には、ステップ610において、基板が用意される。基板は、図1に関連して説明したような基板であってもよく、PVD等々の堆積プロセスに適したものであってもよい。いくつかの実施形態によれば、基板は、図1に関連してやはり説明したように、約1.4m2~約8.7m2の、より典型的には約2m2~約6m2の、およびさらにより典型的には約4.3m2~5.7m2の面積を有する大面積基板であってもよい。典型的には、基板は、堆積チャンバ内に基板を案内することにより、または堆積チャンバ内の基板支持体を駆動すること等々により、用意されてもよい。図6のステップ620においては、ターゲットアセンブリが、基板上に堆積されることとなる材料を供給するために用意される。本明細書に記載される実施形態によれば、ターゲットアセンブリは、ターゲット要素が上に配置されたバッキング要素を備える。典型的には、バッキング要素は、堆積プロセスに適した形状を有してもよく、被覆されるべき基板にしたがって選択され得る。いくつかの実施形態によれば、バッキング要素は、プレートまたはチューブの形状を有してもよい。ターゲット要素は、実質的には、堆積されることとなる材料から作製される。典型的には、ターゲット要素は、堆積材料のタイルであってもよい。ターゲット要素の間には、幅wを有する間隙が形成される。ステップ630は、ターゲットアセンブリのターゲット要素の間隙に応じて、基板およびターゲットアセンブリを相互に対して位置決めすることを指す。ターゲットおよび/または基板は、間隙幅wに対する基板とターゲット要素との間の距離の比率が少なくとも約150になるように、位置決めされる。典型的には、この比率は、約400~約600の間であってもよい。いくつかの実施形態によれば、この比率は、145または140など、150を若干下回ってもよい。他の実施形態によれば、この比率は、620またはさらには630など、600超であってもよい。典型的には、ターゲット要素の間の間隙の幅は、あるターゲット要素の1つのエッジから隣接するターゲット要素の対応するエッジにまで及ぶものとして定義される。幅wは、図4および図5ならびにそれらの説明を参照することにより理解されよう。いくつかの実施形態によれば、基板および/またはターゲットは、基板表面とターゲット表面との間の距離が、典型的には約75mm~約350mm、より典型的には約100mm~約300mm、およびさらにより典型的には約200mmになるように、位置決めされる。一般的には、ターゲット要素は、堆積材料の分散フィールドを有する。分散フィールドは、ターゲット要素から放出される粒子の分散のある規定された特徴を有する。分散フィールドは、ターゲット要素の放出粒子が分散されるエリアまたは領域として理解されたい。典型的には、分散フィールドは、実質的に余弦形状を有し得る。いくつかの実施形態によれば、隣接し合うターゲット要素の分散フィールドは、基板表面の平面内において実質的に重複し得る。実質的に重複するという表現は、図3に関連して説明したように理解されたい。堆積材料の分散フィールドが重複することにより、基板上に規則的な堆積材料層をもたらすことが可能になる。本明細書に記載される実施形態にしたがって配置された基板およびターゲットは、より多くの粒子衝突および粒子相互作用を可能にし、それにより、基板上の堆積が均一になる。特に、層の均一性に対する間隙の影響が、少なくとも低下し、またはさらには実質的に回避される。上記を考慮して、複数の実施形態を述べることが可能である。本明細書に記載される一態様によれば、基板上に堆積材料の層を堆積するための堆積装置が提供される。この装置は、基板を保持するように適合された基板支持体と、ターゲットアセンブリを保持するように適合されたターゲット支持体とを備える。ターゲットアセンブリは、バッキング要素と、少なくとも2つのターゲット要素の間に間隙を形成するように相互に隣接してバッキング要素上に配置された少なくとも2つのターゲット要素とを備える。ターゲット要素の間の間隙は、幅wを有するものとする。さらに、基板支持体およびターゲット支持体は、間隙幅wに対する基板とターゲット要素との間の距離の比率が少なくとも約150になるように、相互に対して配置される。典型的には、間隙幅wに対する基板とターゲット要素との間の距離470、570の比率は、約400~約600の間であることが可能である。さらなる実施形態によれば、基板とターゲット要素との間の距離は、約75mm以上であることが可能である。いくつかの実施形態によれば、少なくとも2つのターゲット要素の間の間隙幅は、第1のターゲット要素のエッジから第2のターゲット要素の対面エッジにまで及ぶものとして定義され得る。さらなる実施形態によれば、基板支持体とターゲット支持体との間の距離は、基板上に規則的な堆積を提供するため、個々のターゲット要素の堆積材料の分散フィールドが基板表面の平面内において実質的に重複することを可能にするように適合され得る。典型的には、基板上における堆積の規則性は、ターゲット要素の間の間隙とは実質的に無関係になり得る。いくつかの実施形態によれば、基板支持体とターゲット支持体との間の距離は、結合間隙ムラの生成が実質的に回避されるように適合され得る。典型的には、ターゲットアセンブリのバッキング要素は、プレートまたはチューブであることが可能である。いくつかの実施形態によれば、ターゲット要素は、酸化セラミックを含むことが可能である。本明細書に記載される実施形態の一態様によれば、基板支持体は、約1.5m2以上の基板を保持するように適合され得る。典型的には、ターゲット支持体は、回転ターゲットアセンブリを保持するように適合され得る。さらなる一態様によれば、堆積装置において基板上に堆積材料の層を形成するための方法が提供される。この方法は、被覆されるべき基板を用意することと、少なくとも2つのターゲット要素の間に間隙を形成するように相互に隣接したバッキング要素上の少なくとも2つのターゲット要素を有するターゲットアセンブリを用意することとを含む。典型的には、この間隙は、幅wを有する。この方法は、間隙幅wに対する基板とターゲットとの間の距離の比率が少なくとも約150になるように、ターゲットアセンブリに対して基板を位置決めすることをさらに含む。いくつかの実施形態によれば、少なくとも2つのターゲット要素の間の間隙は、第1のターゲット要素のエッジから第2のターゲット要素の対面エッジにまで及ぶものとして定義され得る。典型的には、基板の位置決めは、ターゲットから約75mm以上の距離に基板を位置決めすることを含み得る。いくつかの実施形態によれば、基板の位置決めは、基板上に規則的な堆積を提供するため、個々のターゲット要素の堆積材料の分散フィールドが基板表面の平面内において重複することを可能にするように、ターゲットアセンブリに対して基板を位置決めすることをさらに含み得る。前述は、本発明の実施形態に関するが、本発明の他のおよびさらなる実施形態が、本発明の基本範囲から逸脱することなく考案されてもよく、その範囲は、添付の特許請求の範囲により規定される。"