サファイアインゴットからスライスして得られた基板に複数工程に亘る加工を施すことによりサファイア基板を製造するサファイア基板の製造方法であって、前記基板の少なくとも主面をウェットブラスト加工するウェットブラスト工程と、前記ウェットブラスト工程後に、前記ウェットブラスト加工された主面をCMP研磨するCMP工程と、を含むことを特徴とするサファイア基板の製造方法。請求項1に記載のサファイア基板の製造方法であって、前記CMP工程での前記基板の研磨量が10μm以下であることを特徴とするサファイア基板の製造方法。請求項1又は2に記載のサファイア基板の製造方法であって、前記ウェットブラスト工程で使用するウェットブラストノズルは、前記基板とのなす角度が90°よりも小さい角度で配置することを特徴とするサファイア基板の製造方法。請求項1から3までのいずれか1項に記載のサファイア基板の製造方法によって製造されたサファイア基板。請求項4に記載のサファイア基板であって、前記CMP工程後の前記サファイア基板の0.04μm2から4μm2の範囲における面粗度が、0.01nm以上0.3nm以下であることを特徴とするサファイア基板。請求項4または5に記載のサファイア基板であって、前記サファイア基板に半導体素子が形成されたことを特徴とするサファイア基板。特許文献1に開示されたサファイア基板の製造方法では、CMP研磨によって研磨が行われると、研磨屑被研磨物や研磨パッド等の削れ屑や遊離砥粒の凝集物などの異物が発生し、この異物の除去のため、洗浄液供給ノズルから洗浄液を研磨パッドの研磨面に噴射しながら研磨している。また、CMP研磨に用いられるアルカリ性のコロイダルシリカの遊離砥粒は化学薬品であるため、その洗浄には大量の洗浄液を使用する。これにより、サファイア基板の製造による工程費用が非常に高いものとなっていた。今般、LED素子などの半導体素子へのコスト低減の要求が強まっている背景から、できるだけ工程の短縮や削減が必要となっている。工程費用を削減するためにCMP研磨せずに、粗研磨であるラップ加工のみでサファイア基板を製造すると、サファイア基板の表面の平坦性を示す値である面粗度が悪くなり、その後、半導体素子形成を行う場合には面粗度が十分なものではなかった。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、工程費用を削減することにあり、工程費用を削減してもCMP研磨によって得られていたサファイア基板の面粗度と同程度の面粗度のサファイア基板の製造方法及びサファイア基板を提供することにある。上記目的を達するために、本発明は次のとおりの構成としている。本発明に係るサファイア基板の製造方法は、サファイアインゴットからスライスして得られた基板に複数工程に亘る加工を施すことによりサファイア基板を製造するサファイア基板の製造方法であって、前記基板の少なくとも主面をウェットブラスト加工するウェットブラスト工程と、前記ウェットブラスト工程後に、前記ウェットブラスト加工された主面をCMP研磨するCMP工程と、を含むことを特徴とする。また、本発明に係るサファイア基板は、上記のサファイア基板の製造方法によって製造されたサファイア基板である。このような特定事項により、ウェットブラスト加工によりCMP工程前のサファイア基板の面粗度が向上し、CMP工程の処理時間を短縮することができるため、大量の洗浄液を用いることがなく、製造コストを安くすることができ、CMP工程と同等の面粗度のサファイア基板を製造することができる。上記のサファイア基板の製造方法であって、前記CMP工程での前記基板の研磨量が10μm以下であることする。このような特定事項により、CMP工程の研磨が10μm以下であるため、通常のCMP工程よりも処理時間を短縮することができるため、大量の洗浄液を用いることがなく、製造コストを安くすることができ、CMP工程と同等の面粗度のサファイア基板を製造することができる。上記のサファイア基板の製造方法であって、前記ウェットブラスト工程で使用するウェットブラストノズルは、前記基板とのなす角度が90°よりも小さい角度で配置することとする。このような特定事項により、ウェットブラストノズルと基板とのなす角度が90°のときよりもサファイア基板の面粗度を向上させることができる。上記のサファイア基板であって、前記CMP工程後の前記サファイア基板の0.04μm2から4μm2の範囲における面粗度が、0.01nm以上0.3nm以下であることとする。このような特定事項により、ウェットブラスト工程を行わずに、CMP工程のみでサファイア基板を研磨した場合と同程度の面粗度のサファイア基板とすることができ、上記の面粗度の範囲内であれば、後工程の半導体素子形成時に行われる有機金属気相成長法により良質の結晶成長ができる上記のサファイア基板に半導体素子が形成されたこととする。このような特定事項により、CMP工程の処理時間を短縮することができるため、製造コストが安く、面粗度の優れたサファイア基板の表面に半導体素子が形成されたサファイア基板となる。本発明によれば、工程費用を削減することができ、工程費用を削減してもCMP研磨によって得られていたサファイア基板の面粗度と同程度の面粗度のサファイア基板の製造方法及びサファイア基板を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図9は、本発明に係るサファイア基板の製造方法の製造フローである。本実施形態に係るサファイア基板の製造方法は、サファイアインゴットからスライスされた基板10の両面をラップ加工する両面ラップ工程と、基板10の表面をウェットブラスト装置によって加工するウェットブラスト工程と、両面ラップ工程及びウェットブラスト工程によって生じた加工応力及び加工歪みを緩和するアニール工程と、基板10を基板保持部材300に貼り付ける貼り付け工程と、基板10の表面10Aを粗研磨するラップ工程と、ラップ加工された基板10の表面10AをCMP研磨するCMP工程と、基板10を洗浄する洗浄工程と、を含むものである。この工程に沿ってサファイア基板の製造方法を説明する。なお、以下に示す実施の形態はいずれも本発明を具体化した例であって、本発明の技術的範囲を限定する性格のものではない。[両面ラップ工程]まず、両面ラップ工程について説明する。図1は、本発明に係るサファイア基板の製造方法の両面ラップ工程を示し、aは、両面ラップ装置の概略図、bは両面ラップ工程を示す断面図である。両面ラップ工程では、サファイアインゴットからスライスされた厚さ1.2mmの基板10の両面を両面ラップ加工する。両面ラップ加工に用いられる両面ラップ装置200には、基板10を収容する治具210と、治具210の上部に備えられた上定盤220と、治具210の下部に備えられた下定盤221と、治具210の中心を自転軸、上定盤の中心を自転軸、下定盤の中心を自転軸として、それぞれ独立して自転させるモータ不図示とが備えられている。本実施形態の上定盤220及び下定盤221には、銅定盤が用いられる。治具210には、基板10の直径よりも大きい貫通孔211が備えられている。この貫通孔211に基板10を収容する。本実施形態では、4枚の基板10を治具210に収容している図1a参照。基板10を治具210に収容後、治具210及び基板10を、下定盤221に載置する。そして、上定盤220を下定盤221の方向に下げていき、上定盤220と下定盤221とで基板10を挟み込む。上定盤220が加重されることによって、基板10は下定盤221に押し当てられる。ここで、治具210の厚みは基板10の厚みよりも薄く設計されているため、基板10の両面は、それぞれ上定盤220及び下定盤221と接触している図1b参照。基板10が上定盤220及び下定盤221で挟み込まれた状態で、上定盤220、下定盤221が互いに逆向きとなるように自転させると共に上定盤220及び下定盤221と基板10との間に遊離砥粒を流し込む。これにより、遊離砥粒によって基板10の両面がラップ加工される。ここで、治具210も治具210の中心を自転軸として自転させるため、治具に収納された4枚の基板の面粗度が等しくなるようにラップ加工される。遊離砥粒は、数十μmから数百μmの粒径であり、例えばボロンカーバイド又はグリーンカーバイドといった遊離砥粒を用いる。これにより、基板10の厚みを両面合わせて0.25mmラップ加工し、基板10の両面の面粗度が数十nmから数百μmの範囲となる。本工程では、両面ラップ加工に限られず、片面ラップ加工、ワイヤーソウ加工を用いても構わない。[ウェットブラスト工程]次にウェットブラスト工程について説明する。図2は、本発明に係るサファイア基板の製造方法のウェットブラスト工程を示す模式図である。ウェットブラスト工程では、サファイア基板の表面後述するCMP研磨する面をウェットブラスト加工する。ウェットブラスト加工に用いられるウエットブラスト装置500には、基板10を載置するステージ510と、ステージ510を一方向に移動させるステージ移動機構不図示と、ステージ510と対峙して配置され、ステージ510上に遊離砥粒と圧縮空気とが混合された遊離砥粒530を噴射するウェットブラストノズル520と、が備えられている。ウェットブラストノズル520には、遊離砥粒が導入される遊離砥粒導入部521と、圧縮空気が導入される空気導入部522と、導入された遊離砥粒と圧縮空気とが混合される混合室523と、この混合室523から圧縮空気とともに送られてきた遊離砥粒530を、ステージ510の移動方向とステージ510と同一平面において直交する直線上に噴射するスリット状の噴射部524と、が備えられている。本実施の形態では、ウェットブラストノズル520は、基板10とのなす角度が45°として配置されている。基板10の表面10Aがウェットブラスト加工されるように、基板10をステージ510に載置し、ステージ移動機構によって、ステージ510が速度が1mm/secの速度で移動するとともに、ウェットブラストノズル520から0.4MPaの圧力で遊離砥粒530が基板10に向けて噴射される。基板10が載置されたステージ510が移動することによって、基板10の表面10A全体に遊離砥粒530が噴射された結果、基板10の表面10A全体がウェットブラスト加工されることとなる。ウェットブラスト加工では、加工レートを1.5μm/minの速度と設定し、基板10の厚みを3μm加工する。つまり、基板10の表面10Aのウェットブラスト処理時間は2分である。ウェットブラスト加工の加工レートは、ステージ510の移動速度に依存している。つまり、ステージ510の移動速度が遅いほど、基板10が遊離砥粒530に曝されている時間が長くなるため、加工量が多くなる。逆に、ステージ510の移動速度が速いほど、基板10が遊離砥粒530に曝されている時間が短くなるため、加工量が少なくなる。ここで、遊離砥粒530に使用される遊離砥粒は、基板10の平坦性を向上させるため、粒径が揃った遊離砥粒を用いることが望ましく、平均粒径100μmのアルミナが使用される。また、本実施の形態の基板10のウエハサイズは、4インチを想定しているが、6インチ用のステージを使用して6インチの基板10をウェットブラスト加工することもできる。6インチのサファイア基板を製造することにより、そのサファイア基板の表面には、4インチのサファイア基板よりも多くの半導体素子を形成することができるため、半導体素子の採取量が増える。よって、製造コストを低くすることが可能となる。[アニール工程]次にアニール工程について説明する。アニール工程では、前述した両面ラップ工程及びウェットブラスト工程によって基板10に生じた加工応力及び加工歪みを緩和する。具体的には、基板10を高温炉不図示に入れ、1600°Cの加熱温度で3時間保持している。これにより、基板10の加工応力及び加工歪みを緩和することができる。ここで、アニールの温度、アニールの時間は、一例を示しただけであって、上記した温度、時間に限定するものではない。[貼り付け工程]次に貼り付け工程について説明する。図3は、本発明に係るサファイア基板の製造方法の貼り付け工程を示す断面図である。貼り付け工程では、後述するラップ工程によってラップ加工する基板10の面と逆側の面本実施形態では、基板10の裏面10Bとする。に基板保持部材300を貼り付ける。基板保持部材300は、プレート310と、プレート310上に固定され、開口を有する保持部材320と、保持部材320の開口に収容され、プレート310に貼り付けられた吸着パッド330と、が含まれる。基板10の裏面10Bに、吸着パッド330を貼り付けると共に、基板10の裏面10Bに接着剤であるワックスを用いて、保持部材320と基板10の裏面10Bの貼り付けを行う。貼り付け時には基板10の表面10Aから圧力をかけて貼り付けを行う。よって、基板10とプレート310とが貼り付けられ、基板10と基板保持部材300とが貼り付けられることとなる。なお、接着剤には、アクリル樹脂又はガラスエポキシ樹脂を用いても構わない。また、プレート310は、セラミックプレートを用いている。これにより、後述するラップ工程で基板10をラップ加工する際に、基板10の裏面10Bには基板保持部材300が貼り付けられているので、基板10が加重されても、基板10を保護することができる。[ラップ工程]次にラップ工程について説明する。図4は、本発明に係るサファイア基板の製造方法のラップ工程を示し、aは、ラップ装置を示す平面図、bはラップ工程を示す断面図である。ラップ工程では、前述した基板保持部材300が貼り付けられた基板10側基板10の表面10Aをラップ加工する。ラップ工程に用いられるラップ装置400には、基板10をラップ加工する定盤410と、定盤410と対峙するように基板10が取り付けられる取付具420と、ラップ加工時に使用する遊離砥粒が吐出されるノズル430と、取付具420の中心を自転軸、定盤410の中心を自転軸として、それぞれ独立して自転させるモータ不図示と、が備えられている。本実施形態の定盤410には、銅または錫を含む比較的軟質な金属系の定盤が用いられる。取付具420に前述した基板保持部材300が貼り付けられた基板10を取り付けた後、取付具420が定盤410方向に加重されることによって、基板10の表面10Aが定盤410に押し当てられる。この状態で、定盤410及び取付具420を互いに逆向きとなるように自転させると共に、ノズル430から遊離砥粒を吐出する。定盤410は、30rpmから80rpmまでの回転数で自転させることが好ましい。遊離砥粒は、数μmの粒径であり、例えばダイヤモンドスラリーを用いる。その後、数十nmの粒径のシリカ粒子を用いて、軟質の発泡ウレタンまたはスエード状のパッドなどの研磨布で基板10の表面10Aを研磨する。[CMP工程及び精密洗浄工程]次にCMP工程について説明する。図5は、本発明に係るサファイア基板の製造方法のラップ工程を示し、aは、CMP装置を示す平面図、bはCMP工程を示す断面図である。CMP工程では、前述したラップ加工を行った後に、そのラップ加工を行った基板10の表面10AをCMP研磨する。CMP工程に用いられるCMP装置450と、前述したラップ装置400とは、遊離砥粒等の化学薬品を精密洗浄するための洗浄液が吐出される洗浄液ノズル460が備えられている点と、遊離砥粒に数十nmの粒径であるコロイダルシリカを用いる点と、が異なるだけであるから、以下、その相違点についてのみ説明し、同一の構成要素については、同一符号を付してその説明を省略する。CMP研磨は、定盤410の自転軸及び取付具420の自転軸によって、定盤410と取付具420とを自転させると共に、ノズル430から遊離砥粒を吐出してCMP研磨を行う。その後に、研磨屑被研磨物や研磨パッド等の削れ屑や遊離砥粒の凝集物などの異物の除去や、アルカリ性の化学薬品であるコロイダルシリカの洗浄を行うための洗浄液を浄液ノズル460から吐出しながら、基板10の表面10Aの精密洗浄を行う。[サファイア基板の面粗度について]CMP工程後の基板10の表面10Aの面粗度について図6から図8を参照しながら説明する。図6は、本発明に係るサファイア基板の製造方法であって、CMP研磨量が3μmの場合のサファイア基板のAFM画像であり、aは、ウェットブラスト工程を行ったサファイア基板のAFM画像、bは、ウェットブラスト工程を行わないサファイア基板のAFM画像であり、図7は、本発明に係るサファイア基板の製造方法であって、CMP研磨量が10μmの場合のサファイア基板のAFM画像であり、aは、ウェットブラスト工程を行ったサファイア基板のAFM画像、bは、ウェットブラスト工程を行わないサファイア基板のAFM画像であり、図8は、本発明に係るサファイア基板の製造方法で製造されたサファイア基板の面粗度を示すグラフであって、aはウェットブラスト工程の有無による面粗度の比較を示すグラフ、bは、ウェットブラスト工程のウェットブラストノズルの角度と面粗度の関係を示すグラフである。まず、図8aのグラフを参照しながら、ウェットブラスト工程の有無による面粗度の違いについて説明する。図8aに示したグラフは、前述した一連のサファイア基板の製造方法の製造工程を終えた後のサファイア基板の面粗度を測定したグラフであり、縦軸に面粗度、横軸にCMP研磨量としている。CMP研磨量が3μmの場合、ウェットブラスト工程が有る場合では、基板10の面粗度は、4μm2の範囲で0.3nmである結果が得られた図6a参照。一方、ウェットブラス工程が無い場合は、基板10の面粗度は、4μm2の範囲で3.2nmである結果が得られた図6b参照。よって、ウェットブラスト工程を行った基板10の面粗度が優れている結果が得られ、ウェットブラスト工程が基板10の面粗度の向上に有効である結果が得られた。さらに、CMP研磨量を3μmラップ加工10μmから10μmラップ加工40μmと増加させたときの面粗度の変化を、ウェットブラスト工程の有無で比較すると、ウェットブラス工程が無い場合は、CMP研磨量に比例して面粗度が向上されている。一方、ウェットブラスト工程が有る場合は、CMP研磨量を多くした場合でも面粗度にはそれほど変化が見られない図8a参照。これより、CMP研磨量が3μmラップ加工量10μmと少ない研磨量でも面粗度が4μm2の範囲で0.3nmであり図6a参照、ウェットブラスト工程を行わずにCMP研磨量を10μmラップ加工40μmとした場合のサファイア基板の面粗度の値である0.3nm図7bと同等の面粗度を得ることができた。すなわち、基板10のCMP研磨量が少なくても、ウェットブラスト工程を行うことによって、面粗度のよいサファイア基板を製造することができる。次に、図8bのグラフを参照しながらウェットブラスト工程時のウェットブラストノズルのサファイア基板に対する角度によるサファイア基板の面粗度の違いについて説明する。図8bに示したグラフは、前述した一連のサファイア基板の製造方法の製造工程を終えた後のサファイア基板の面粗度を測定したグラフであって、縦軸に面粗度、横軸にウェットブラスト工程時のウェットブラストノズルとサファイア基板とのなす角度と設定している。また、本実施の形態では、ウェットブラストノズル520と基板10とのなす角度が45°のときのサファイア基板の面粗度と、90°のときのサファイア基板の面粗度と、の2点をプロットしている。ウェットブラストノズル520と基板10とのなす角度が90°つまり、ウェットブラストノズル520の真下に基板10が配置され、垂直に遊離砥粒530が噴射された場合の面粗度は、実験より4μm2の範囲で0.80nmであった。一方、その角度が45°程度にウェットブラストノズル520を寝かせて遊離砥粒530を噴射させた場合の基板10の面粗度は、実験より4μm2の範囲で0.12nmであった。これより、ウェットブラストノズル520と基板10とのなす角度が45°の場合の方が基板10の面粗度が優れていることがわかった。すなわち、ウェットブラストノズル520と基板10とのなす角度が90°未満とすることによって、サファイア基板の面粗度を向上させることができる。さらに上記の面粗度の優れた基板10上にLEDやパワーデバイスといった半導体素子を形成することができる。