"矩形透明性基板に対向する側に第1電極および第2電極を備え、前記矩形透明性基板の対向する二辺が水平方向になるように載置されるフリップチップ型発光素子であって、前記矩形透明性基板上に形成された下地半導体層と、前記下地半導体層上に島状に形成された複数の第1電極と、前記複数の第1電極の各々を囲み各々に離間して前記下地半導体層上に形成された発光層を含む発光半導体層と、前記発光半導体層上に形成された第2電極と、を有し、前記第1電極は、前記矩形透光性基板の一辺と平行な複数の電極列を成すよう配置され、前記電極列に垂直でかつ前記矩形透光性基板の対向する二辺に平行な水平線のうち、前記第1電極の最大電極幅で前記第1電極に交差しかつ前記二辺に最も近接する2つの水平線を2つの基準水平線とした場合、前記電極列の隣接する二つの電極列において、前記第1電極は、前記2つの基準水平線の間の水平線のいずれの上においても、前記第1電極が存在するよう配置され、前記電極列の隣接する二つの電極列において、前記第1電極は、前記2つの基準水平線の間の前記水平線上における電極幅の合計が、前記2つの基準水平線の最大電極幅の合計の35以上65以下となるように形成されている、ことを特徴とするフリップチップ型発光素子。前記第1電極は、円形であることを特徴とする請求項1に記載のフリップチップ型発光素子。前記第1電極がn電極であり且つ前記第2電極がp電極であることを特徴とする請求項1又は2に記載のフリップチップ型発光素子。請求項1乃至3のいずれか1に記載の前記フリップチップ型発光素子を複数備え、前記複数の前記フリップチップ型発光素子は、前記フリップチップ型発光素子の各々における前記矩形透光性基板の前記電極列に垂直な一辺が一直線上に一致するように配列されていることを特徴とする発光素子モジュール。請求項1乃至3のいずれか1に記載の前記フリップチップ型発光素子を複数備え、前記複数のフリップチップ型発光素子は、前記フリップチップ型発光素子の各々に備えられた前記第1電極の電極列が相互に平行となるように配列されていることを特徴とする発光素子モジュール。請求項4又は請求項5に記載の発光素子モジュールと、前記発光素子モジュールを前向きに且つ前記発光素子モジュールの長手方向が前方から見て水平に固定されるベース部と、前記ベース部上の前記発光素子モジュールから前方に延びた光軸上に配設され、前記前記発光素子モジュールから発した光を前方に投影する投影レンズと、を備えることを特徴とする車両用灯具。請求項4又は請求項5に記載の発光素子モジュールと、前記発光素子モジュールの光源像を車両前方に投影することにより、車両前端部に正対した仮想鉛直スクリーン上にカットオフラインを含むヘッドランプ用配光パターンを形成するよう構成された投影光学系とを備え、前記投影光学系は、前記電極列に対応する像部分と、前記配光パターンにおけるカットオフラインの水平ラインとが垂直となるよう構成されていることを特徴とする車両用灯具。LED素子を光源LEDモジュールとして利用する車両用灯具が開発されており、特に車両用前照灯では、一般的に車両用LEDモジュールは、LED素子にランバーシアン輝度分布の指向性があるために、通常、複数の矩形LED素子を同一方向に向け一列に配置した長方形発光面とするものが用いられる。車両用前照灯の凸レンズや反射面を組み合わせたヘッドランプ光学系では、その光学系の後方焦点近傍に長方形発光面LEDモジュールを配置して用いられている。車両用前照灯では高輝度が求められているので、前照灯用LEDモジュールでは、大電流の供給が可能で発光効率の高いLED素子が必要である。よって、LEDモジュールにおいては、複数のバンプによる大電流の供給が可能で、光放射の妨げとなるワイヤリングが不要で、素子の間隔を詰められる、上記のようなフリップチップ型のLED素子をLEDモジュールに用いることが好適である。一方、車両前部の左右両側にそれぞれ配置されている車両用前照灯すなわちへッドランプの分野においては、対向車両同士のすれ違い時の前照灯による対向車運転手に眩惑を与えることなく自車運転手の前方視認性を確保する輝度分布の横長配光パターン所謂すれ違い用配光パターン図3、参照を照射することが求められている。このすれ違い用配光パターン以下、単に配光パターンともいうにおけるカットオフラインは、その自車線側カットオフラインが対向車線側カットオフラインに対してエルボー点から斜め一段上がりであるいは斜め上方の自車線側へ延びる。このようにして、配光パターンのカットオフラインの下方近傍に輝度分布を形成するようにすれば、自車の車両前方路面を幅広く照射することが可能となる。かかる配光パターンを可能とするへッドランプではLEDモジュールの高輝度化とともに輝度分布の均一性がさらに求められる。よって、LEDモジュールにおいて、上記のフリップチップ型LED素子の複数を高密度に配置することが考えられるが、各素子の発光バラツキにより製造歩留まりを上げることが難しい。各LED素子の大面積化も考えられるが、フリップチップ型LED素子では、図2に示すように、p電極に対応する発光層からの光はサファイア基板側からn電極カソード電極を囲むように放射されるので、個々のLED素子の発光輝度分布の均一性が問題となる。つまり、発光半導体層の存在しないn電極の配置された領域と、それ以外の領域との輝度明暗に起因する輝度分布の不均一性が問題となる。ここで、ヘッドランプの配光パターンは、一般的に、その光学系により、LEDモジュールの輝度分布において横縞が生じるよりも縦縞が生じるほうが配光パターンの照度ムラへの影響が少ないLEDモジュールにおいて生じる輝度ムラが、横縞と比較して縦縞である方が、ヘッドランプ用の光学系により緩和されて、ヘッドランプの配光パターンの照度ムラが小さくなる。そのため、LEDモジュールでは横縞が生じないような輝度分布を形成することが好ましいとされている。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、車両用前照灯などの光源として適した輝度分布の均一性に優れたLEDモジュール、特に、配光パターンに横縞が生じないような輝度分布を形成する複数のLED素子を直線状に配列してなるLEDモジュールおよび車両用灯具を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明の発光素子は、矩形透明性基板に対向する側に第1電極および第2電極を備え、前記矩形透明性基板の対向する二辺が水平方向になるように載置されるフリップチップ型発光素子であって、矩形透明性基板と、前記矩形透明性基板上に形成された下地半導体層と、前記下地半導体層上に島状に形成された複数の第1電極と、前記複数の第1電極の各々を囲み各々に離間して前記下地半導体層上に形成された発光層を含む発光半導体層と、前記発光半導体層上に形成された第2電極と、を有し、前記第1電極は、前記矩形透光性基板の一辺と平行な複数の電極列を成すよう配置されること、前記電極列に垂直でかつ前記矩形透光性基板の対向する二辺に平行な水平線のうち、前記第1電極の最大電極幅で前記第1電極に交差しかつ前記二辺に最も近接する2つの水平線を2つの基準水平線とした場合、前記電極列の隣接する二つの電極列において、前記第1電極は、前記2つの基準水平線の間の水平線のいずれの上においても、前記第1電極が存在するよう配置されること、並びに、前記電極列の隣接する二つの電極列において、前記第1電極は、前記2つの基準水平線の間の前記水平線上における電極幅の合計が、前記2つの基準水平線の最大電極幅の合計の35以上65以下となるように形成されている、ことを特徴とする。本発明によれば、前記矩形透明性基板の一辺が一直線上に一致するようにフリップチップ型LED素子が配列され前記一直線の伸長方向を長手方向とするLEDモジュールとした場合に、前記第1電極の前記水平線上の最大電極幅の合計の35乃至65の範囲から外れるものに比べて、所望の光取り出し面からの光輝度の均一性の向上を図れ、発光効率を高めることが可能となる。また、本発明によれば、所望の光取り出し面からの光輝度の均一性の更なる向上を図れ、発光効率を高めることが可能となる。上記目的を達成するため、本発明のLEDモジュールは、上記発明のフリップチップ型LED素子の複数を備え、前記複数の前記フリップチップ型発光素子は、前記フリップチップ型発光素子の各々における前記矩形透光性基板の前記電極列に垂直な一辺が一直線上に一致するように配列されていることを特徴とする。上記目的を達成するため、本発明の車両用灯具は、上記発明のLEDモジュールと、前記LEDモジュールを前向きに且つ前記LEDモジュールの長手方向が前方から見て水平に固定されるベース部と、前記ベース部上の前記LEDモジュールから前方に延びた光軸上に配設され、前記前記LEDモジュールから発した光を前方に投影する投影レンズと、を備えることを特徴とする。本発明の車両用灯具は、上記発明のLEDモジュールと、前記発光素子モジュールの光源像を車両前方に投影することにより、車両前端部に正対した仮想鉛直スクリーン上にカットオフラインを含むヘッドランプ用配光パターンを形成するよう構成された投影光学系とを備え、前記投影光学系は、前記電極列に対応する像部分と、前記配光パターンにおけるカットオフラインの水平ラインとが垂直となるよう構成されていることを特徴とする。本発明の車両用灯具によれば、前記矩形透明性基板の一辺が一直線上に一致するようにフリップチップ型LED素子が配列され前記一直線の伸長方向を長手方向とするLEDモジュールを用いた車両用灯具とした場合に、前記第1電極の前記水平線上の最大電極幅の合計の35乃至65の範囲から外れるものを用いた車両用灯具に比べて、配光パターンにおける光輝度の均一性の向上が可能となる。本発明によれば、一列に配置した複数LED素子から発する光束を相互に重ね合わせて均一化することが難しい車両用LEDモジュールにおいて、輝度の均一性に優れた光を照射させることが可能となる。これにより、LEDモジュールを用いて一様な輝度分布をカットオフラインに配光することが可能な車両用灯具を提供できる。以下、本発明の実施形態を添付図を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態では、一例として、青色LED素子と、青色発光を励起光とし黄橙色の蛍光を発光する波長変換層とを組み合わせ、青色光と黄橙色とを混色して白色を得る白色LEDモジュールについて説明するが、本発明では発光色が白色に限定されるものではなく、波長変換材料についても任意に組み合わせることができる。また、車両用前照灯以外の照明装置に本発明を適用することができる。車両用前照灯では、大別して、LEDモジュールと凸レンズと反射面を組み合わせたプロジェクタ型光学系のヘッドランプ、凸レンズを用いず車両用LEDモジュールと反射面を組み合わせたリフレクタ型光学系のヘッドランプ、並びに反射面を必ずしも要せず車両用LEDモジュールと凸レンズを組み合わせたダイレクトプロジェクション型光学系のヘッドランプが知られている。反射面としては、焦点がLEDモジュール近傍に設定された回転放物面系の連続反射面や同回転放物面を複数の小反射領域に区画されたいわゆるマルチリフレクタなどがある。反射面を組み合わせて配光しているプロジェクタ型光学系ヘッドランプおよびリフレクタ型光学系ヘッドランプでは、光源のLEDモジュールの投影像が光軸に対して回転されて斜めに投影される部分もあり、上記した配光パターンに明暗の横縞が現れることは少ない。よって、以下の実施形態では反射面によるLEDモジュールの投影像の回転がないダイレクトプロジェクション型光学系ヘッドランプについて説明するが、本発明は、かかるダイレクトプロジェクション型ヘッドランプに限定されるものではなく、光学系にかかわらず本発明を適用することができる。[ダイレクトプロジェクション型光学系ヘッドランプ]一般的に車両用ヘッドランプの配光パターンは、図3に示すように上下方向に光を集光し、左右方向に光を拡散するようなパターンを要する。この拡散角度は上下方向で10度乃至15度程度、左右方向では±30度乃至±60度程度であり、上下に対して左右方向は約4倍乃至12倍程度広く拡散する。更に、水平線付近には照度の明暗境界前記カットオフが必要となり、このカットオフライン近傍に光を集中させることによって、より多くの光が遠方まで照射され、より広範囲を明るく照らすことができる。このようなヘッドランプの所望する配光パターンを実現するために、図4に示すようにダイレクトプロジェクション型ヘッドランプなどの投影光学系10では、拡散角度を上下、左右で変化させ、上下では光をカットオフ付近に集光し、左右では広く拡散させるように光を屈折させる扁平した投影レンズ30を用いる。ここでは、詳しく言及しないが、歩行者側を照射するための斜め15度や、45度のカットオフも同様の原理で説明でき、15度傾いた方向、45度傾いた方向において投影レンズの一部分の拡散角度を変化させ実現している。また、同様の理由により投影されるLED光源の発光形状自体においても、上下方向に短く、左右方向に長いことが望ましく、上下方向と左右方向の比率は1:2乃至1:6が適しており、投影レンズの扁平率を抑え好適に光を制御することが可能となる。図4に投影レンズ30によって光軸Axと垂直な仮想平面線V-線H平面に投影されるLED光源LEDモジュール20の投影像を示す。図5は投影光学系10のLEDモジュール20LED光源の概略斜視図である。図5に示すように、LEDモジュール20は、例えば、矩形発光面をなす4つ一直線に並べられた矩形LED素子21と、これらが装填されるセラミック製の長方形ケース20caを備える。図4および図5に示すように、ダイレクトプロジェクション型ヘッドランプ10は支持ベース部11を備え、支持ベース部11の前側には接着剤その他の固定部材など固定手段図示せずによってLEDモジュール20が接合され、LEDモジュール20は前向きに且つLEDモジュール20の長手方向が前方から見て略水平に固定される。支持ベース部11の後側には放熱フィン図示せずなどの放熱手段が設けられる。図4および図5に示すように、LED光源の矩形発光面の下端20aを投影レンズ30の光軸Axと略一致させることにより、投影レンズで透過、反転投影され、矩形発光面の下端は上記仮想平面上においてカットオフ側に投影される。ここで、図4は、LED光源の投影像は投影レンズのある一点を通過して上記仮想平面上に投影されたものを表しており、更に説明すると、投影レンズ30の点L0を通過した光線が形成する投影像が像I0、点L1を通過した光線が形成する投影像が像I1、点L2を通過した光線が形成する投影像が像I2、というように投影レンズの透過位置によって形成される投影像を表している。要するに、ヘッドランプの配光パターンは、上記のように投影レンズのある点により屈折し投影される光源の投影像を好適に重ね合せる事により形成しているといえる。上記の上下方向の拡散角度が小さいということは、投影される上記光源像が上下で多く重なり合っているということになり、実際、カットオフ近傍においては非常に多くの光源像を一致させている。同様に左右方向の拡散角度が小さいということは、投影される光源像が左右方向で広く分布し、重なり合っていないということになる。この上記光源像が多く重なり合う部分、または光源像が一致する部分において光源の輝度分布のムラの影響が配光パターンの照度分布に顕著に現れる。なお、投影光学系10において、図示しないが、光源からの光の一部を遮光してカットオフパターンを形成するためシェードを任意の位置に配置することができる。[LEDモジュール]図6に示すように、LEDモジュール20の長方形ケース20caの前面凹部の底には配線パターン20ppが設けられ、配線パターン20pp上にバンプBを介してLED素子21のp電極およびn電極が電気的に接続されている。さらにLEDモジュール20はLED素子21の発光面を覆うように配置された波長変換層22蛍光体層を備え、LED素子21からの光のうち波長変換層22を透過した光とLED素子21からの光で励起されて発光した波長変換層22からの光とを前方に発光するように構成されている。たとえば、LEDモジュール20は、LED素子21からの青色光のうち波長変換層22を透過した青色光成分とLED素子21からの青色光で励起されて発光した波長変換層22からの黄色光成分とを含む白色光擬似白色光を発光する。波長変換層22としては、たとえば、LED素子21からの青色光で励起されて黄色光を発光する蛍光体たとえば、YAG系蛍光体粒子などの蛍光体粒子が分散された樹脂層を用いることが可能である。[LED素子]図7に示すように、LED素子21は、矩形の基板21aの片面に形成されたn型半導体層21bと、n型半導体層21b表面上に島状に形成されたn電極21cと、n電極21cを囲むようにn型半導体層21b表面上に形成された活性層21dと、活性層2ld表面に形成されたp型半導体層21eと、p型半導体層21e表面に形成された透明電極21fと、透明電極21f表面に形成された反射性の金属からなるp電極21gと、を備えている。LED素子21では、上記の基板21aの片面に形成された構成要素をすべて覆い保護する保護膜21hが形成されている。ただし、保護膜21hにはn型半導体層21bとp電極21gを露出させそれぞれのバンプBを接合するための開孔が形成されている。基板21aは、たとえば、青色光に対し透過性を有するサファイア基板などの単結晶基板である。n型半導体層21bは、たとえば、n-GaN層などの窒化物半導体層である。活性層21dは、たとえば、InGaN層などの発光層である。p型半導体層21eは、たとえば、p-GaN層などの窒化物半導体層である。透明電極21fは、AuNiやITOなどの薄膜で低抵抗の透明電極である。透明電極21fは、n型半導体層21bと比べ抵抗率の高いp型半導体層21eの電流拡散を補うために用いられる。p電極21gは、たとえば、青色光に対し高反射率の電極である。p電極21gは、島状に形成された複数のn電極21cの各々を離間して囲むように略全領域に形成されている。n電極21cについては、後述する。本実施形態のLED素子21によれば、p電極21gの反射作用により、フェイスアップ型のLED素子に比べ、出力増が可能となる。また、本実施形態のLED素子21においては、放熱効果の高いp電極21gをn電極より大きい面積で用いることが可能となるため、フェイスアップ型のLED素子に比べ、大電流を供給することに起因するLED素子21の発熱による影響発光輝度の低下などを防止または緩和することが可能となる。次に、LED素子21の製造方法について説明する。サファイア基板21aを準備し、MOCVDにより半導体層n型半導体層21b、活性層21d、p型半導体層21eなどをエピタキシャル成長させる。半導体層の成長では、サファイア基板21aをMOCVD装置に投入後、水素雰囲気中で1000°Cのサーマルクリーニングを10分間行う。TMGトリメチルガリウムおよびNH3を供給してGaN層からなるバッファ層図示せずを形成する。続いて、TMG、NH3およびドーパントガスとしてSiH4を供給し、n型GaN層からなるn型半導体層21bを形成する。続いて、n型半導体層21bの上に活性層21dを形成する。本実施例では、活性層21dには、InGaN/GaNからなる多重量子井戸構造を適用した。すなわち、InGaN/GaNを1周期として5周期成長を行う。具体的には、TMG、TMIトリメチルインジウム、NH3を供給しInGaN井戸層を形成し、続いてTMG、NH3を供給してGaN障壁層を形成する。かかる処理を5周期分繰り返すことにより活性層21dが形成される。次に、TMG、TMAトリメチルアルミニウム、NH3およびドーパントとしてCp2Mgbis-cycloPentadienylMgを供給し、p型AIGaNクラッド層図示せずを形成する。続いて、TMG、NH3およびドーパントとしてCp2Mgを供給しp型GaN層からなるp型半導体層21eを形成する。次に、n型半導体層21bn型GaN層の一部が表出するように、ウエハ上方からドライエッチングを施す。n型半導体層21bn型GaN層が露出した部分を覆うようなレジストパターンを新たにフォトリソグラフィで形成した後、p型半導体層21eを覆うようにITOからなる透明電極21fを形成する。続いて、電子ビーム蒸着法により、p電極21gが形成される。たとえば、p電極21gは、Ag/Ti/Pt/Auからなる多層膜である。p電極21gは、抵抗加熱蒸着によって形成されも良い。その後、レジストパターンをリムーバで除去する。次に、n型半導体層21bn型GaN層の露出面にTiAuからなるTiAIからなるn電極21cを形成する。n電極21cの形成の際は、それぞれが形成される部分以外にはマスクをフォトリソグラフィなどで形成しておき、n電極21cの形成後は、マスクをリムーバで除去する。p電極21gは、たとえば、図8に示すように、略円形の島状に形成された6個のn電極21cx,21cyの各々を離間して囲むようにp型半導体層21eの略全領域に形成される。なお、島状のn電極21cx,21cyの形状は円形に限られず、楕円などの曲線形状であればよく、後述する水平線の垂直方向において互いに反対向きに凸となる曲線を含む形状が好ましい。次に、各電極のためのバンプ用の開孔が形成される部分以外にはマスクをフォトリソグラフィなどで形成しておき、基板21aの片面に形成された構成要素をすべてSiO2、SiNなどの保護膜21hで覆い保護する。以上により、LED素子21が製造される。なお、説明した上記LED素子21はサファイア基板上に形成された素子であるが、これに限定されることはなく、シリコンカーバイド基板などに支持されたフリップチップLED素子でも適用である。さらに、第1電極がn電極であり且つ第2電極がp電極であるとするとき、第2電極のp電極側に発光する活性層が配置された実施形態を上記では説明しているが、第1電極と第2電極を入れ替え、第1電極がp電極であり且つ第2電極がn電極として第2電極のn電極に発光する活性層が配置されたフリップチップLED素子でも本発明は適用できる。いずれにしても広い面積の発光活性層側の電極を反射性の第2電極とし、島状に形成された複数の第1電極とすればよい。以下、本実施形態のLEDモジュールの製造工程を説明する。あらかじめ表面にバンプに対応する電極配線パッドを形成してある配線パターン20ppを前面凹部の底に備えたセラミック製の長方形ケースを用意し、電極配線パッド上にバンプを供給する。バンプの供給されたケースに、特性の揃った4つの上記製造されたLED素子21を、所定の間隔で一列に、各LED素子21の矩形透明性基板の一辺が一直線21a図5の下端20a上に一致するように配置する。このとき、LED素子21のバンプ用開口が、バンプに対向するように配置される。図6に示すように、LED素子21を、接合材バンプBを介して配線パターン20ppの実装部に、たとえば、超音波と荷重をかけたバンプ接合により実装する。つぎに、波長変換層22を形成する。たとえばシリコーン樹脂材料とYAG系蛍光体粒子を混合したもの材料混合液をディスペンサーなどで滴下する。塗布膜は、4つのLED素子21を一体に覆う1枚の長方形の膜として形成される。塗布膜の表面の凹凸は必ずレベリングされる。また、1枚の膜として塗布膜が形成されるため、各LED素子21上部における蛍光体濃度が一定となる。塗布膜を、その形状を維持したまま硬化させて、波長変換層22が形成される。以上により、LEDモジュール20が製造される。[LED素子のn電極構成]本実施形態では、図8に示すようにフリップチップ型LED素子における矩形の基板の片面側に同じ大きさの複数のn電極21cx,21cyおよびこれらn電極の各々を囲むp電極21gが形成されている。複数のn電極21は、複数の列をなし、各列に複数が直線的に等間隔で配列されている図8においては、3個のn電極21cxからなるn電極列R1と、3個のn電極21cyからなるn電極列R2の2列が配列されている。複数のn電極は、矩形基板21aの上記n電極列R1,R2と垂直な対向する二辺21ux、21uyに平行な水平線PLのうち、n電極と該n電極の最大電極幅で交差して最も該二辺に近接する2つの基準水平線PLux、PLuyとの間における水平線PL上においては、いずれかのn電極が存在するよう配置されている。また、n電極は、水平線PL上における各電極幅n電極列R1のn電極21cxの電極幅xとn電極列R2のn電極21cyの電極幅yの合計が、各電極の最大電極幅の合計XYの二分の一の±30以内、つまり、各電極の最大電極幅の合計XYの35以上65以下となるように、形成、配置されている。換言すると、複数のn電極は、水平線PL上においては、隣接するn電極列のn電極21cx、21cyの少なくともいずれかが存在し、以下の式を満たすように形成される。0.7×XY/2≦xy≦1.3×XY/20≦x≦X≦Z/20≦y≦Y≦Z/2上記式中、xはn電極21cxの水平線PL上の電極幅を、yはn電極21cyの水平線PL上の電極幅を、Xはn電極21cxの水平線PL上の最大電極幅を、Yはn電極21cyの水平線PL上の最大電極幅を、Zは、矩形基板21aのn電極列と垂直な辺水平線PLに平行な辺の長さを、それぞれ示す。n電極を、上記の通り定める理由は、下記根拠による。1水平線PL上にn電極が存在しないと部分的に明るい領域が生じるムラ以下、明るいムラと呼称するの原因になる。2ある水平線PL上にn電極が複数存在し、その水平線PL上での重なり幅が大きく、他の水平線PL上での重なりがないか重なり幅が小さいと、重なり幅が大きい水平線上に部分的に暗い領域が生じるムラ以下、暗いムラと呼称するの原因になる。この明るいムラと暗いムラの横縞現象は、n電極の上面とp電極の上面とで発光層の有無により、n電極の上で暗くなることに起因する図2、参照。実際、複数の従来のフリップチップ型LED素子を同一線上に配列したLEDモジュールを用いてへッドランプを構成した場合では、配光パターン照射時に、一線上に並ぶ隣り合う素子のn電極カソード電極に対応する3本の暗い横縞が現れる問題がある。たとえば、図9aに示すように水平線上に配列された4つの従来の矩形LED素子23図1、参照を備えたLEDモジュール20をダイレクトプロジェクション型光学系ヘッドランプ10に用いた場合図5、参照、図9bに示すように水平線の垂直方向にてn電極の上で暗くなる輝度分布が形成され、LED素子の発光面上下方向縦断面においては、周期的な輝度分布が形成される。図9aに示すように水平線PLA上の複数のn電極が並び且つ水平線PLB上のn電極が存在しないことによって、図9cに示すように仮想スクリーン上に配光パターンにおけるLEDモジュールの重なる反転投影像Iでは3本の暗い横縞4本の明るい横縞が、上下方向の照度分布図9dとして現れる。本発明による実施形態の車両用灯具は、図4に示す投影レンズ30を含む投影光学系10を備え、投影光学系10は、LEDモジュール20の光源像n電極列R1とn電極列R2を含むを車両前方に投影することにより、車両前端部に正対した仮想鉛直スクリーン上にカットオフラインを含むヘッドランプ用配光パターンを形成するよう構成されている。この投影光学系10によるLEDモジュール20のn電極列R1およびn電極列R2に対応する反転投影像Iの像部分IR1およびIR2は、配光パターンにおけるカットオフラインの水平ラインに垂直となる。本発明による実施形態について、図7及び図8を用いて、電極列が2列配置された発光素子を例に説明したが、本発明において、電極列は、2列配置に限定されず、3列以上配置されてもよい。この場合においては、隣接する2つの電極列が、電極列と垂直な対向する二辺に平行な水平線のうち、電極と該電極の最大電極幅で交差して最も該二辺に近接する2つの基準水平線との間における水平線PL上において、いずれかのn電極が存在するよう配置され、かつ、n電極は、水平線PL上における各電極幅n電極21cxの電極幅xとn電極21cyの電極幅yの合計が、各電極の最大電極幅の合計XYの35以上65以下となるように、電極が配置される。また、本発明による実施形態について、図7及び図8を用いて、1つの電極列上に複数の電極3つの電極が配置された発光素子を例に説明したが、本発明において、1つの電極列における電極の数は、任意に設けることができ、後述する変形例のように1つとすることもできる。かかる従来のLEDモジュールを用いてへッドランプを構成した場合における横縞現象の原因に鑑み、発明者は、一列に配置した複数LED素子からなるLEDモジュールを組み込んだヘッドランプ光学系による配光パターンとそのLED素子のn電極構成とに関して、実験と検討を重ねた結果、かかるn電極構成により、LEDモジュールの輝度分布の均一性を向上でき、配光パターンにおける照度分布にムラの少ない条件を見出し、本実施形態に至った。すなわち、n電極の形態を変化させたLEDモジュールのヘッドランプをヘッドランプ光学系により配光させ、その配光パターンの照度ムラの有無を目視で評価した実験結果により、矩形LED素子の一片に平行な何れの水平線PL上においても水平線PL上にn電極が重なるよう存在しているようn電極を配置するとともに、当該水平線PL上にn電極が重なる程度を、水平線PL上にて隣接する2つの電極の幅の合計が、当該各電極の最大幅の合計の二分の一の±30以内、すなわち当該各電極の最大幅の合計の35以上65以下となるようにすることで、目視による明暗ムラがほぼ確認できなくなる効果が奏されることを知見した。水平線PL上の2つの隣接する電極列のn電極の重なり程度に応じた横縞発生の程度について、実験した。実験に供したLED素子は上記説明したものであって、480μm×480μmの正方形基板に対し、1列3個のn電極を2列配置した。各n電極は、直径80μmの円形であり、第一列の電極の中心と第二列の電極の中心との水平距離は、120μmである。n電極は、水平線PLに垂直な方向に、複数が一直線上に揃って、列状に配置されている。ここで図10に示すようにLED素子21のn電極構成としては、2つのn電極の各々が共通の水平線PLにて接する場合を第1の実験例Ex1とし、1つの水平線PLに重なる2つのn電極の面積が順に増える場合をそれぞれ第2、第3および第4の実験例Ex2、Ex3およびEx4とした。図11乃至図14を用いて、第1、第2、第3および第4の実験例Ex1、Ex2、Ex3およびEx4のLED素子21の水平線PL上に隣接するn電極列の2つのn電極が重なる程度について説明する。図11に示すように、第1の実験例Ex1のLED素子21においては、左のn電極21cxの中心を通る水平線の位置を0μm位置として、左のn電極21cxの半径40μmの位置で左右のn電極21cx,21cyが或る水平線PL上に接する。2つのn電極21cx,21cyは水平線に垂直方向に80μm中心間隔ずれている。そこで、これら2つのn電極の同一水平線上の電極幅水平線がn電極と交差する長さの合計値以下、電極幅合計値を、水平線PLを2.5μmずつ、左のn電極21cxの中心を通る水平線の0μm位置から右のn電極21cyの中心を通る水平線の80μmの位置まで平行移動させ、プロットした。図11から明らかなように、水平線の40μmの位置で水平線上にある左右のn電極21cx,21cyの電極幅合計値が最小0μmとなる。第1の実験例Ex1では、水平線上の電極幅の合計値は、0μm~80μm各電極幅の最大幅の合計160μmの0~50であった。図12に示すように、第2の実験例Ex2のLED素子21においては、左のn電極21cxの中心を通る水平線の位置を0μm位置として、右のn電極21cyは水平線に垂直方向で70μm中心間隔ずれている。そこで、これら2つのn電極の電極幅合計値を、水平線PLを2.5μmずつ、左のn電極21cxの中心を通る水平線の0μm位置から右のn電極21cyの中心を通る水平線の70μmの位置まで平行移動させ、プロットした。図12から明らかなように、水平線の35μmの位置で電極幅合計値が最大となる。第2の実験例Ex2では、水平線上の電極幅の合計値は、52.92μm~80μm各電極幅の最大幅の合計160μmの約33~50であった。図13に示すように、第3の実験例Ex3のLED素子21においては、左のn電極21cxの中心を通る水平線の位置を0μm位置として、右のn電極21cyは水平線に垂直方向で65μm中心間隔ずれている。そこで、これら2つのn電極の電極幅合計値を、水平線PLを2.5μmずつ、左のn電極21cxの中心を通る水平線の0μm位置から右のn電極21cyの中心を通る水平線の65μmの位置まで平行移動させ、プロットした。図13から明らかなように、水平線の32.5μmの位置で電極幅合計値が最大となる。第3の実験例Ex3では、水平線上の電極幅の合計値は、62.45μm~93.28μm各電極幅の最大幅の合計160μmの約39~58であった。図14に示すように、第4の実験例Ex4のLED素子21においては、左のn電極21cxの中心を通る水平線の位置を0μm位置として、右のn電極21cyは水平線に垂直方向で55μm中心間隔ずれている。そこで、これら2つのn電極の電極幅合計値を、水平線PLを2.5μmずつ、左のn電極21cxの中心を通る水平線の0μm位置から右のn電極21cyの中心を通る水平線の55μmの位置まで平行移動させ、プロットした。図14から明らかなように、水平線の27.5μmの位置で電極幅合計値が最大となる。第4の実験例Ex4では、水平線上の電極幅の合計値は、74.16μm~116.18μm各電極幅の最大幅の合計160μmの約46~73であった。第1、第2、第3および第4の実験例Ex1、Ex2、Ex3およびEx4のLED素子のそれぞれ4つを水平線PL方向に一直線に配置して上記説明したLEDモジュールとして作成した。それら実験例Ex1、Ex2、Ex3およびEx4のLEDモジュールを上記説明したダイレクトプロジェクション型光学系ヘッドランプとしてそれぞれ作成した。実験例Ex1、Ex2、Ex3およびEx4のダイレクトプロジェクション型光学系ヘッドランプで、配光パターンとしてLEDモジュールの反転投影像Iを前方に投影し、当該反転投影像Iを観察した。図15に実験例Ex1、Ex2、Ex3およびEx4のLEDモジュールの反転投影像Iの観察結果を示す。実験例Ex1においては、左右のn電極21cx,21cyが重ならない水平線に対応する水平線上に多少明るいラインが観察でき、n電極の垂直方向ずれ80μmピッチに対応する横縞が発生した。実験例Ex2においては、左右のn電極21cx,21cyが重なる水平線に対応する領域上では、実験例Exlと比較して、LEDモジュールにおける部分的な明るいムラが緩和され、配光パターンにおける横縞が緩和されたが、配光パターンにおける横縞は目視確認された。実験例Ex3においては、LEDモジュールにおける輝度ムラ、配光パターンにおける横縞は観察されなかった。実験例Ex4においては、左右のn電極21cx,21cyが重なる水平線に対応する領域上に暗いラインが観察でき、n電極の垂直方向ずれ50μmピッチに対応する横縞が発生した。以上の第1、第2、第3および第4の実験結果により、矩形LED素子の一辺に平行な何れの水平線PL上においても水平線PL上にn電極が重なるよう存在しているようn電極を配置するとともに、当該水平線PL上にn電極が重なる程度を、水平線PL上にて隣接する2つの電極の幅の合計が、当該各電極の最大幅の合計の二分の一の±30以内、すなわち当該各電極の最大幅の合計の35以上65以下、本実験例においては、56μm~104μmn電極の最大幅80μm、となるようにすることで、目視による明暗ムラがほぼ確認できなくなった。尚、実験例Ex1とEx4では明らかな横縞が現れる。したがって、上記水平線PL上にn電極が重なる程度を考慮すると、各n電極の形状も、n電極の水平線PL上における各電極幅の合計が各電極の最大幅の合計の35以上65以下となるように、設定すべきである。たとえば、図16に示す比較例のように、LED素子21において2つの正方形のn電極80μm×80μmの左のn電極21cxの中心を通る水平線の位置を0μm位置として、右のn電極21cyは水平線に垂直方向で65μm中心間隔ずらして構成した場合、これら2つのn電極の電極幅合計値を、水平線PLを2.5μmずつ、左のn電極21cxの中心を通る水平線の0μm位置から右のn電極21cyの中心を通る水平線の65μmの位置まで平行移動させ、プロットすると、明らかなように、水平線の32.5μmの位置を含む水平線PL上にn電極が重なる部分は電極幅合計値160μmとなり、最大電極幅の合計160μmであるから、最大電極幅の合計の35以上65以下に含まれない。この場合、上記実験例Ex4と同様に配光パターンに明らかな横縞が現れる。つまり、水平線PL上においてn電極が重なっていても、水平線PL上における各電極幅の合計が各電極の最大幅の合計の35以上65以下となるような、電極形状および電極配置でなければ、横縞を解消することはできない。[変形例1]上記の実施例においては、2つの電極列の各々に3つの電極が配置されたLED素子を例に説明したが、本変形例のLED素子において、2つの電極列の各々に1つの電極を配置することもできる。図17aに示すように、かかる本変形例のLED素子21のn電極としてn電極列R1のn電極21cx及びn電極列R2のn電極21cyがそれぞれ1つ形成される。n電極21cx,21cyの各々は最大電極幅を有する電極本体212とこれから伸長する伸長部213とからなる。各伸長部213は、たとえば、直径80μmの円形の電極本体212の中心から220μmの長さの矩形伸長部幅40μmである。n電極21cx,21cyの各々の矩形伸長部213は水平線に直交する方向に互いに逆向きに平行に伸長しており、電極本体212の中心間距離は245μmである。ここで、図17aに示すように、これら2つのn電極の同一水平線上の電極幅水平線がn電極と交差する長さの電極幅合計値を、左のn電極21cxの中心を通る水平線の0μm位置から右のn電極21cyの中心を通る水平線の245μmの位置まで水平線PLを2.5μmずつ、平行移動させプロットする。その結果を図17bに示す。図17bから明らかなように、水平線の25μm~220μmの位置で電極幅合計値が最大となる。本変形例では、水平線上の電極幅の合計値は、62.45μm~80μmであった。図17の実験結果により、矩形LED素子の一辺に平行な何れの水平線PL上においても水平線PL上にn電極の伸長部213が重なるようn電極を配置する。同時に、当該水平線PL上にn電極が重なる程度を、水平線PL上にて隣接する2つの電極の幅の合計が、上記式の0.7×XY/2≦xy≦1.3×XY/2の範囲以内、すなわち当該各電極の最大幅の合計の35以上65以下、56μm~104μmn電極の最大幅80μm、となるようにすることで、本変形例においても、目視による場合も配光パターンでの明暗ムラがほぼ確認できなくなる。[変形例2]さらに、図18a及びbに示すように、LED素子において、n電極の列の各々のうち矩形透明性基板21の二辺21ux、21uyにそれぞれ最も近接する左右のn電極21cx,21cyに拡大部214を設けることができる。拡大部214は左右のn電極21cx,21cyのそれぞれの最大電極幅と等しい幅を有し、p電極21gの縁部第2基準水平線PLux2、PLuy2まで伸長している。すなわち、かかる拡大部214により、基準水平線PLux、PLuyより外側の2つの第2基準水平線PLux2、PLuy2まで基準水平線間の範囲が拡大される。かかる第2基準水平線PLux2、PLuy2の間の範囲内でも、いずれかの水平線PL2上にn電極が重なる程度は、水平線上にて隣接する2つの電極の幅の合計が、上記式の0.7×XY/2≦xy≦1.3×XY/2の範囲以内、すなわち当該各電極の最大幅の合計の35以上65以下とする条件を満たしている。よって、かかる変形例2においても、目視による場合も配光パターンでの明暗ムラがほぼ確認できなくなる。なお、図18aに示すLED素子は、左右のn電極21cx,21cyが矩形透明性基板21aの一辺に向かい拡大する拡大部214を有すること以外、図8に示す素子と同一である。図18bに示すLED素子も、左右のn電極21cx,21cyが矩形透明性基板21aの一辺に向かい拡大する拡大部214を有すること以外、図17aに示す素子と同一である。図18a及びbに示すLED素子よれば、LEDモジュールの投影像における周縁部の輝度が下がるので、当該周縁部に関わる上記した配光パターンに明暗の横縞が現れることが更に少なくなる。"