"基板上に、陽極及び陰極からなる一対の電極と、該電極間に発光層を有し、該発光層と該陽極の間に少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、該発光層と該陽極の間の少なくとも一層の有機層に下記一般式Aで表される化合物を少なくとも一種含有し、該発光層に発光材料として下記一般式B1-1、B1-2、又はB1-3で表される化合物を少なくとも一種含有する有機電界発光素子。一般式A中、ZAは、下記一般式ZA-1、ZA-2、又はZA-3から選択されるいずれか1種の基を表す。下記一般式ZA-1、ZA-2、又はZA-3においては一般式A中のXAとの結合部位を表す。一般式A及び一般式ZA-2中、ArAは、各々独立に、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロアリール基、又は下記一般式ArA-1で示される基である。下記一般式ArA-1においてはXAとの結合部位を表す。一般式A、ZA-1、ZA-2、ZA-3、及びArA-1中、XAは、各々独立に、窒素原子、ホウ素原子、又はリン原子を表す。YA及びYdは、各々独立に、単結合、炭素数1~30の置換若しくは無置換のアルキレン基、炭素数6~30の置換若しくは無置換のアリーレン基、又は炭素数4~30の置換若しくは無置換のヘテロ環基を表す。RA1、RA2、及びRA3は、各々独立に、水素原子、炭素数1~30の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数6~30の置換若しくは無置換のアリール基、又は炭素数4~30の置換若しくは無置換のヘテロ環基を表し、RA1、RA2、RA3のうち、互いに隣接した基は、結合して飽和又は不飽和の炭素環を形成してもよい。RA’及びRAは、各々独立に、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~30の置換若しくは無置換のアルキル基、又は炭素数6~30の置換若しくは無置換のアリール基を表す。一般式B1-1、B1-2、B1-3中、XB1、XB2、XB3、及びXB4は、各々独立に、BRB1、CRB12、SiRB12、C=O、C=NRB1、C=CRB12、O、S、S=O、SO2、NRB1、PRB1、P=ORB1、P=SRB1、又はこれらの基を2~4個の組み合わせてなる基を表す。YB及びZBは、各々独立に、N、P、P=O、PF2、P=S、As、As=O、As=S、Sb、Sb=O、Sb=S、C=O、O、S、Se、Te、S=O、SO2、Se=O、SeO2、Te=O、又はTeO2を表す。ArB1、ArB2、ArB3、及びArB4は、各々独立に、芳香族炭化水素環基又は芳香族ヘテロ環基を表す。Eは、各々独立に、単結合、NRB1、O、S、CRB12、SiRB12、又はBRB1を表す。RB1は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。q及びrは、各々独立に、0又は1を表す。tは、各々独立に、0又は1を表す。前記一般式B1-1、B1-2、又はB1-3で表される化合物が、下記一般式B2-1、B2-2、又はB2-3で表される、請求項1に記載の有機電界発光素子。一般式B2-1、B2-2、B2-3中、YB、ZB、ArB1、ArB2、ArB3、ArB4、E、RB1、q、r、及びtは、一般式B1-1、B1-2、B1-3中のYB、ZB、ArB1、ArB2、ArB3、ArB4、E、RB1、q、r、及びtと同義である。前記一般式Aで表される化合物が、下記一般式A1で表される、請求項1または2に記載の有機電界発光素子。一般式A1中、ArA、XA、YA、RA1、RA2、RA3、RA’及びRAは、一般式AにおけるArA、XA、YA、RA1、RA2、RA3、RA’及びRAと同義である。YA’はYAと同義である。前記一般式A又はA1におけるXAが窒素原子を表す、請求項1~3のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。前記一般式A又はA1におけるArAが置換又は無置換のアリール基を表す、請求項1~4のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。前記一般式A又はA1におけるYA、Yd、及びYA’が、各々独立に、単結合、又は炭素数6~12の無置換のアリーレン基を表す、請求項1~5のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。前記一般式ZA-1、ZA-2、ZA-3、又はA1におけるRA1、及びRA2が、各々独立に、炭素数1~30の置換若しくは無置換のアルキル基、又は炭素数6~30の置換若しくは無置換のアリール基を表す、請求項1~6のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。前記一般式ZA-1、ZA-2、ZA-3、又はA1におけるRA3が、各々独立に、炭素数6~30の置換若しくは無置換のアリール基を表す、請求項1~7のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。前記一般式B1-1、B1-2、B1-3、B2-1、B2-2、又はB2-3におけるYB及びZBがNを表す、請求項1~8のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。前記一般式B1-1、B1-2、B1-3、B2-1、B2-2、又はB2-3におけるArB1、ArB2、ArB3、及びArB4が、各々独立に芳香族炭化水素環基を表す、請求項1~9のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。請求項1~10のいずれか1項に記載の有機電界発光素子を用いた発光装置。請求項1~10のいずれか1項に記載の有機電界発光素子を用いた表示装置。請求項1~10のいずれか1項に記載の有機電界発光素子を用いた照明装置。従来の有機電界発光素子は、定電流駆動させ、輝度の低下を観察すると、発光開始直後の輝度の低下率が大きく輝度が初期の90になるまでの時間が短く、その後は徐々に輝度が低下する傾向がある。この初期の段階での輝度の低下を初期落ちと呼ぶ。この初期落ちは、有機電界発光素子をディスプレイに適用した場合に、固定画像パターン等によって連続点灯にさらされる画素群の輝度低下が、周辺画素に対する輝度段差として観測者に認識される、いわゆる焼き付きの原因になる。従って、有機電界発光素子をテレビ等に実用化するためには、この焼き付きを防止する必要があり、駆動耐久性の初期落ちを抑制することが重要となる。従来技術においては、有機電界発光素子の耐久性の指標として、輝度が初期の50になるまでの時間半減寿命について検討されることは多かったが、初期落ちについての検討は十分には行われていない。本発明の目的は、上記事情に鑑み、発光開始直後の輝度の低下率が少ない有機電界発光素子を提供することである。本発明者らの検討によると、発光層にカルバゾール構造又はフルオレン構造を含む特定の化合物を発光材料として含有し、該発光層より陽極側の層にフルオレン構造を含む特定の化合物を含むことにより、前記課題を解決し得ることを見出した。すなわち、本発明は下記の手段により達成することができる。1.基板上に、陽極及び陰極からなる一対の電極と、該電極間に発光層を有し、該発光層と該陽極の間に少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、該発光層と該陽極の間の少なくとも一層の有機層に下記一般式Aで表される化合物を少なくとも一種含有し、該発光層に発光材料として下記一般式B1-1、B1-2、又はB1-3で表される化合物を少なくとも一種含有する有機電界発光素子。一般式A中、ZAは、下記一般式ZA-1、ZA-2、又はZA-3から選択されるいずれか1種の基を表す。下記一般式ZA-1、ZA-2、又はZA-3においては一般式A中のXAとの結合部位を表す。一般式A及び一般式ZA-2中、ArAは、各々独立に、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロアリール基、又は下記一般式ArA-1で示される基である。下記一般式ArA-1においてはXAとの結合部位を表す。一般式A、ZA-1、ZA-2、ZA-3、及びArA-1中、XAは、各々独立に、窒素原子、ホウ素原子、又はリン原子を表す。YA及びYdは、各々独立に、単結合、炭素数1~30の置換若しくは無置換のアルキレン基、炭素数6~30の置換若しくは無置換のアリーレン基、又は炭素数4~30の置換若しくは無置換のヘテロ環基を表す。RA1、RA2、及びRA3は、各々独立に、水素原子、炭素数1~30の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数6~30の置換若しくは無置換のアリール基、又は炭素数4~30の置換若しくは無置換のヘテロ環基を表し、RA1、RA2、RA3のうち、互いに隣接した基は、結合して飽和又は不飽和の炭素環を形成してもよい。RA’及びRAは、各々独立に、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~30の置換若しくは無置換のアルキル基、又は炭素数6~30の置換若しくは無置換のアリール基を表す。一般式B1-1、B1-2、B1-3中、XB1、XB2、XB3、及びXB4は、各々独立に、BRB1、CRB12、SiRB12、C=O、C=NRB1、C=CRB12、O、S、S=O、SO2、NRB1、PRB1、P=ORB1、P=SRB1、又はこれらの基を2~4個の組み合わせてなる基を表す。YB及びZBは、各々独立に、N、P、P=O、PF2、P=S、As、As=O、As=S、Sb、Sb=O、Sb=S、C=O、O、S、Se、Te、S=O、SO2、Se=O、SeO2、Te=O、又はTeO2を表す。ArB1、ArB2、ArB3、及びArB4は、各々独立に、芳香族炭化水素環基又は芳香族ヘテロ環基を表す。Eは、各々独立に、単結合、NRB1、O、S、CRB12、SiRB12、又はBRB1を表す。RB1は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。q及びrは、各々独立に、0又は1を表す。tは、各々独立に、0又は1を表す。2.前記一般式B1-1、B1-2、又はB1-3で表される化合物が、下記一般式B2-1、B2-2、又はB2-3で表される、上記1に記載の有機電界発光素子。一般式B2-1、B2-2、B2-3中、YB、ZB、ArB1、ArB2、ArB3、ArB4、E、RB1、q、r、及びtは、一般式B1-1、B1-2、B1-3中のYB、ZB、ArB1、ArB2、ArB3、ArB4、E、RB1、q、r、及びtと同義である。3.前記一般式Aで表される化合物が、下記一般式A1で表される、上記1または2に記載の有機電界発光素子。一般式A1中、ArA、XA、YA、RA1、RA2、RA3、RA’及びRAは、一般式AにおけるArA、XA、YA、RA1、RA2、RA3、RA’及びRAと同義である。YA’はYAと同義である。4.前記一般式A又はA1におけるXAが窒素原子を表す、上記1~3のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。5.前記一般式A又はA1におけるArAが置換又は無置換のアリール基を表す、上記1~4のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。6.前記一般式A又はA1におけるYA、Yd、及びYA’が、各々独立に、単結合、又は炭素数6~12の無置換のアリーレン基を表す、上記1~5のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。7.前記一般式ZA-1、ZA-2、ZA-3、又はA1におけるRA1、及びRA2が、各々独立に、炭素数1~30の置換若しくは無置換のアルキル基、又は炭素数6~30の置換若しくは無置換のアリール基を表す、上記1~6のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。8.前記一般式ZA-1、ZA-2、ZA-3、又はA1におけるRA3が、各々独立に、炭素数6~30の置換若しくは無置換のアリール基を表す、上記1~7のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。9.前記一般式B1-1、B1-2、B1-3、B2-1、B2-2、又はB2-3におけるYB及びZBがNを表す、上記1~8のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。10.前記一般式B1-1、B1-2、B1-3、B2-1、B2-2、又はB2-3におけるArB1、ArB2、ArB3、及びArB4が、各々独立に芳香族炭化水素環基を表す、上記1~9のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。11.上記1~10のいずれか1項に記載の有機電界発光素子を用いた発光装置。12.上記1~10のいずれか1項に記載の有機電界発光素子を用いた表示装置。13.上記1~10のいずれか1項に記載の有機電界発光素子を用いた照明装置。本発明によれば、駆動耐久性の初期落ちが少ない有機電界発光素子を提供することができる。一般式A及び一般式B1-1、B1-2、B1-3の説明における水素原子は同位体重水素原子等も含み、また更に置換基を構成する原子は、その同位体も含んでいることを表す。本発明において、置換基群Aを下記のように定義する。置換基群Aアルキル基好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~10であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、t-ブチル、n-オクチル、n-デシル、n-ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ネオペンチルなどが挙げられる。、アルケニル基好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~10であり、例えばビニル、アリル、2-ブテニル、3-ペンテニルなどが挙げられる。、アルキニル基好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~10であり、例えばプロパルギル、3-ペンチニルなどが挙げられる。、アリール基好ましくは炭素数6~30、より好ましくは炭素数6~20、特に好ましくは炭素数6~12であり、例えばフェニル、4-メチルフェニル、2,6-ジメチルフェニル、ナフチル、アントラセニルなどが挙げられる。、アミノ基好ましくは炭素数0~30、より好ましくは炭素数0~20、特に好ましくは炭素数0~10であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。、アルコキシ基好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~10であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、2-エチルヘキシロキシなどが挙げられる。、アリールオキシ基好ましくは炭素数6~30、より好ましくは炭素数6~20、特に好ましくは炭素数6~12であり、例えばフェニルオキシ、1-ナフチルオキシ、2-ナフチルオキシなどが挙げられる。、ヘテロ環オキシ基好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。、アシル基好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~12であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~12であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。、アリールオキシカルボニル基好ましくは炭素数7~30、より好ましくは炭素数7~20、特に好ましくは炭素数7~12であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。、アシルオキシ基好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~10であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。、アシルアミノ基好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~10であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。、アルコキシカルボニルアミノ基好ましくは炭素数2~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数2~12であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。、アリールオキシカルボニルアミノ基好ましくは炭素数7~30、より好ましくは炭素数7~20、特に好ましくは炭素数7~12であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。、スルホニルアミノ基好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。、スルファモイル基好ましくは炭素数0~30、より好ましくは炭素数0~20、特に好ましくは炭素数0~12であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。、カルバモイル基好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。、アルキルチオ基好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。、アリールチオ基好ましくは炭素数6~30、より好ましくは炭素数6~20、特に好ましくは炭素数6~12であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。、ヘテロ環チオ基好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばピリジルチオ、2-ベンズイミゾリルチオ、2-ベンズオキサゾリルチオ、2-ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。、スルホニル基好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。、スルフィニル基好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。、ウレイド基好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。、リン酸アミド基好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基芳香族ヘテロ環基ヘテロアリール基も包含し、好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~12であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子であり、具体的にはピリジル、ピラジニル、ピリミジル、ピリダジニル、ピロリル、ピラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、キノリル、フリル、チエニル、セレノフェニル、テルロフェニル、ピペリジル、ピペリジノ、モルホリノ、ピロリジル、ピロリジノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基、シロリル基などが挙げられる。、シリル基好ましくは炭素数3~40、より好ましくは炭素数3~30、特に好ましくは炭素数3~24であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。、シリルオキシ基好ましくは炭素数3~40、より好ましくは炭素数3~30、特に好ましくは炭素数3~24であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。、ホスホリル基例えばジフェニルホスホリル基、ジメチルホスホリル基などが挙げられる。が挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよく、更なる置換基としては、以上に説明した置換基群Aから選択される基を挙げることができる。本発明の有機電界発光素子は、基板上に、陽極及び陰極からなる一対の電極と、該電極間に発光層を有し、該発光層と該陰極の間に少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、該発光層と該陽極の間の少なくとも一層の有機層に下記一般式Aで表される化合物を少なくとも一種含有し、該発光層に発光材料として下記一般式B1-1、B1-2、又はB1-3で表される化合物を少なくとも一種含有する。本発明の有機電界発光素子において、輝度の初期落ちが少ないという効果が現れる機構については定かではないが、発光層と陽極の間の少なくとも一層の有機層に含有される下記一般式Aで表される化合物の特定の配置にあるフルオレン構造やカルバゾール構造と、発光層に含有される下記一般式B1-1、B1-2、又はB1-3で表される化合物のカルバゾール構造又はフルオレン構造をはじめとする一般式Aと類似の部分構造を有する縮環構造部分とが、界面において相互作用することにより、分子の安定性が向上し、初期の分解が減少するためであると推定される。一般式Aで表される化合物以下、一般式Aで表される化合物について説明する。一般式A中、ZAは、下記一般式ZA-1、ZA-2、又はZA-3から選択されるいずれか1種の基を表す。下記一般式ZA-1、ZA-2、又はZA-3においては一般式A中のXAとの結合部位を表す。一般式A及び一般式ZA-2中、ArAは、各々独立に、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロアリール基、又は下記一般式ArA-1で示される基である。下記一般式ArA-1においてはXAとの結合部位を表す。一般式A、ZA-1、ZA-2、ZA-3、及びArA-1中、XAは、各々独立に、窒素原子、ホウ素原子、又はリン原子を表す。YA及びYdは、各々独立に、単結合、炭素数1~30の置換若しくは無置換のアルキレン基、炭素数6~30の置換若しくは無置換のアリーレン基、又は炭素数4~30の置換若しくは無置換のヘテロ環基を表す。RA1、RA2、及びRA3は、各々独立に、水素原子、炭素数1~30の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数6~30の置換若しくは無置換のアリール基、又は炭素数4~30の置換若しくは無置換のヘテロ環基を表し、RA1、RA2、RA3のうち、互いに隣接した基は、結合して飽和又は不飽和の炭素環を形成してもよい。RA’及びRAは、各々独立に、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~30の置換若しくは無置換のアルキル基、又は炭素数6~30の置換若しくは無置換のアリール基を表す。一般式A及び一般式ZA-2において、ArAで表されるアリール基又はヘテロアリール基としては、例えばフェニル基、ビフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アントラセニル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、アントリル基、フェナントリル基、トリフェニレン基、ピレニル基、クリセニル基、ピセニル基、ぺリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネリル基、トリナフチレニル基、へプタフェニル基、へプタセニル基、ピラントレニル基、オーバレニル基、カルバゾリル基、ピリジル基、チオフェニル基、ピラゾリル基、ピロリル基、イミダゾリル基等が挙げられる。一般式A及び一般式ZA-2において、ArAで表されるアリール基又はヘテロアリール基は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、上記置換基群Aから選ばれる置換基を挙げることができ、特に、炭素数1~3のアルキル基、炭素数1~3のアルコキシ基、シアノ基、フェノキシ基、フェニル基、ハロゲン原子、アミノ基好ましくはジアリールアミノ基であり、ジフェニルアミノ基が特に好ましいであることが好ましい。ArAは、置換若しくは無置換のアリール基、又は一般式ArA-1で示される基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアリール基であることがより好ましい。ArAは、フェニル基、炭素数1~5のアルキルフェニル基、炭素数1~5のアルコキシフェニル基、シアノフェニル基、フェノキシフェニル基、ハロフェニル基、ナフチル基、炭素数1~5のアルキルナフチル基、炭素数1~5のアルコキシナフチル基、シアノナフチル基、ハロナフチル基、フェナントリル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、炭素数1~5のアルキルカルバゾリル基、ビフェニル基、ジフェニルアミノフェニル基、炭素数1~5のアルキルビフェニル基、炭素数1~5のアルコキシビフェニル基、チオフェニル基、インドリル基、ピラゾリル基、又はピリジル基であることが好ましく、フェニル基、ビフェニル基、ジフェニルアミノフェニル基、炭素数1~3のアルキルフェニル基、炭素数1~3のアルコキシフェニル基、シアノフェニル基、フェノキシフェニル基、ハロフェニル基、ナフチル基、炭素数1~3のアルキルナフチル基、炭素数1~3のアルコキシナフチル基、シアノナフチル基、ハロナフチル基、フェナントリル基、フルオレニル基、又はカルバゾリル基であることがより好ましく、フェニル基、ビフェニル基、ジフェニルアミノフェニル基であることが更に好ましい。一般式A、ZA-2、及びZA-3において、XAは、各々独立に、窒素原子、ホウ素原子、又はリン原子を表す。正孔輸送性の観点から、窒素原子であることが好ましい。一般式AZA-1、ZA-2、ZA-3、及びArA-1において、YA及びYdは、各々独立に、単結合、炭素数1~30の置換若しくは無置換のアルキレン基、炭素数6~30の置換若しくは無置換のアリーレン基、又は炭素数4~30の置換若しくは無置換のヘテロ環基を表す。YA及びYdで表されるアルキレン基は、置換基を有していてもよく、置換基を有する場合の置換基としては、上記置換基群Aから選ばれる置換基を挙げることができ、アルキル基、アリール基であることが好ましい。炭素数1~30のアルキレン基として、好ましくは炭素数1~10のアルキレン基であり、より好ましくは炭素数1~5のアルキレン基である。例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられ、これらのうち、メチレン基、エチレン基が好ましく、メチレン基がより好ましい。YA及びYdで表されるアリーレン基は、置換基を有していてもよく、置換基を有する場合の置換基としては、上記置換基群Aから選ばれる置換基を挙げることができ、アルキル基、アリール基であることが好ましい。炭素数6~30のアリーレン基として、好ましくは炭素数6~18のアリーレン基であり、より好ましくは炭素数6~12のアリーレン基である。例えばフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基等が挙げられ、これらのうち、フェニレン基、ビフェニレン基が好ましく、フェニレン基がより好ましい。YA及びYdで表されるヘテロ環基は、置換基を有していてもよく、置換基を有する場合の置換基としては、上記置換基群Aから選ばれる置換基を挙げることができ、アルキル基、アリール基であることが好ましい。炭素数4~30のヘテロ環基として、好ましくは炭素数4~15のヘテロ環基であり、より好ましくは炭素数4~10のヘテロ環基である。例えばピリジンジイル基、トリアゾールジイル基、カルバゾールジイル基、チオフェンジイル基等が挙げられ、これらのうち、ピリジンジイル基、トリアゾールジイル基が好ましく、トリアゾールジイル基がより好ましい。YA及びYdは、単結合、炭素数6~30の無置換のアリーレン基、炭素数4~30の無置換のヘテロ環基であることが好ましく、単結合、炭素数6~12の無置換のアリーレン基であることがより好ましく、単結合、無置換のフェニレン基であることが更に好ましい。一般式AZA-1、ZA-2、ZA-3、及びArA-1において、RA1、RA2、及びRA3は、各々独立に、水素原子、炭素数1~30の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数6~30の置換若しくは無置換のアリール基、又は炭素数4~30の置換若しくは無置換のヘテロ環基を表し、RA1、RA2、RA3のうち、互いに隣接した基は、結合して飽和又は不飽和の炭素環を形成してもよい。RA1、RA2、及びRA3で表されるアルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基を有する場合の置換基としては、上記置換基群Aから選ばれる置換基を挙げることができ、アルキル基、アリール基であることが好ましい。炭素数1~30のアルキル基として、好ましくは炭素数1~10のアルキル基であり、より好ましくは炭素数1~5のアルキル基である。例えばメチル基、エチル基、t-ブチル基、イソプロピル基等が挙げられ、これらのうち、メチル基、t-ブチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。RA1、RA2、及びRA3で表されるアリール基は、置換基を有していてもよく、置換基を有する場合の置換基としては、上記置換基群Aから選ばれる置換基を挙げることができ、アルキル基、アリール基であることが好ましい。炭素数6~30のアリール基として、好ましくは炭素数6~18のアリール基であり、より好ましくは炭素数6~12のアリール基である。例えばフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、ターフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基等が挙げられ、これらのうち、フェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基が好ましく、フェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基がより好ましく、フェニル基がより好ましい。RA1、RA2、及びRA3で表されるヘテロ環基は、置換基を有していてもよく、置換基を有する場合の置換基としては、上記置換基群Aから選ばれる置換基を挙げることができ、アルキル基、アリール基であることが好ましい。炭素数4~30のヘテロ環基として、好ましくは炭素数4~15のヘテロ環基であり、より好ましくは炭素数4~10のヘテロ環基である。例えばピリジル基、カルバゾリル基、トリアゾール基、ベンズイミダゾール基等が挙げられ、これらのうち、カルバゾリル基、トリアゾール基が好ましく、カルバゾリル基がより好ましい。RA1、RA2、及びRA3は、炭素数1~30の置換若しくは無置換のアルキル基、又は炭素数6~30の置換若しくは無置換のアリール基を表すことが好ましく、炭素数1~30の無置換のアルキル基、又は炭素数6~30の無置換のアリール基を表すことがより好ましい。RA1、及びRA2は、炭素数1~30の無置換のアルキル基を表すことが更に好ましい。RA1、及びRA2は、具体的にはメチル基又はフェニル基を表すことが特に好ましく、メチル基を表すことが最も好ましい。RA3は、炭素数6~30の無置換のアリール基を表すことが更に好ましく、フェニル基を表すことが最も好ましい。一般式AZA-1、ZA-2、ZA-3、及びArA-1において、RA’及びRAは、各々独立に水素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~30の置換若しくは無置換のアルキル基、又は炭素数6~30の置換若しくは無置換のアリール基を表す。RA’及びRAで表されるアルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基を有する場合の置換基としては、上記置換基群Aから選ばれる置換基を挙げることができ、アルキル基、アリール基であることが好ましい。炭素数1~30のアルキル基として、好ましくは炭素数1~10のアルキル基であり、より好ましくは炭素数1~5のアルキル基である。例えばメチル基、t-ブチル基、イソプロピル基等が挙げられ、これらのうち、メチル基、t-ブチル基、が好ましく、メチル基がより好ましい。RA’及びRAで表されるアリール基は、置換基を有していてもよく、置換基を有する場合の置換基としては、上記置換基群Aから選ばれる置換基を挙げることができ、アルキル基、アリール基であることが好ましい。炭素数6~30のアリール基として、好ましくは炭素数6~18のアリール基であり、より好ましくは炭素数6~12のアリール基である。例えばフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基等が挙げられ、これらのうち、フェニル基、ビフェニル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。RA’及びRAは、水素原子、アルキル基又はアリール基であることが好ましく、水素原子であることがより好ましい。蒸着適性の観点から、一般式Aにおいて、ZAは前記一般式ZA-1で表される基であることが好ましい。一般式Aで表される化合物は、下記一般式A1で表される化合物であることが好ましい。一般式A1中、ArA、XA、YA、RA1、RA2、RA3、RA’及びRAは、一般式AにおけるArA、XA、YA、RA1、RA2、RA3、RA’及びRAと同義である。YA’はYAと同義である。一般式A1中、ArA、XA、YA、RA1、RA2、RA3、RA’及びRAの具体例及び好ましい例は、上記一般式AにおけるArA、XA、YA、RA1、RA2、RA3、RA’及びRAにおける具体例及び好ましい例と同じである。以下に、一般式Aで表される化合物の具体例を例示するが、これらに限定されるものではない。一般式Aで示される化合物の製造方法については、例えば特許文献2に記載の方法が挙げられる。本発明の発光素子において、一般式Aで表される化合物は発光層と陽極の間の少なくとも一層の有機層に含有されるが、その用途が限定されることはなく、その他のいずれの層に更に含有されてもよい。本発明にかかる一般式Aで表される化合物の導入層としては、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、励起子ブロック層、電荷ブロック層のいずれか、若しくは複数に含有することができる。一般式Aで表される化合物は、正孔注入層又は正孔輸送層に含有されることが好ましく、正孔輸送層に含有されることがより好ましい。発光層に一般式B1-1、B1-2、又はB1-3の化合物を含有させる場合には、初期落ちを抑制できる観点から、一般式Aで表される化合物は、発光層に隣接する陽極側の有機層に含有されることが好ましい。一般式B1-1、B1-2、又はB1-3で表される化合物下記一般式B1-1、B1-2、又はB1-3で表される化合物について説明する。本発明の有機電界発光素子は、下記一般式B1-1、B1-2、又はB1-3で表される化合物を発光層に発光材料として含有する。一般式B1-1、B1-2、B1-3中、XB1、XB2、XB3、及びXB4は、各々独立に、BRB1、CRB12、SiRB12、C=O、C=NRB1、C=CRB12、O、S、S=O、SO2、NRB1、PRB1、P=ORB1、P=SRB1、又はこれらの基を2~4個の組み合わせてなる基を表す。YB及びZBは、各々独立に、N、P、P=O、PF2、P=S、As、As=O、As=S、Sb、Sb=O、Sb=S、C=O、O、S、Se、Te、S=O、SO2、Se=O、SeO2、Te=O、又はTeO2を表す。ArB1、ArB2、ArB3、及びArB4は、各々独立に、芳香族炭化水素環基又は芳香族ヘテロ環基を表す。Eは、各々独立に、単結合、NRB1、O、S、CRB12、SiRB12、又はBRB1を表す。RB1は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。q及びrは、各々独立に、0又は1を表す。tは、各々独立に、0又は1を表す。一般式B1-1、B1-2、B1-3中、XB1、XB2、XB3、及びXB4は、各々独立に、BRB1、CRB12、SiRB12、C=O、C=NRB1、C=CRB12、O、S、S=O、SO2、NRB1、PRB1、P=ORB1、P=SRB1、又はこれらの基を2~4個の組み合わせてなる基を表す。ここで、RB1は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。RB1については後述する。XB1、XB2、XB3、及びXB4は、各々独立に、CRB12、NRB1、PRB1、又はP=ORB1であることが好ましく、CRB12、又はNRB1であることがより好ましく、初期輝度から輝度が90に落ちるまでの耐久性の観点から、CRB12であることが更に好ましい。一般式B1-1、B1-2、B1-3中、YB及びZBは、各々独立に、N、P、P=O、PF2、P=S、As、As=O、As=S、Sb、Sb=O、Sb=S、C=O、O、S、Se、Te、S=O、SO2、Se=O、SeO2、Te=O、又はTeO2を表す。YB及びZBは、各々独立に、N、C=O、P、又はP=Oであることが好ましく、N、C=O、又はP=Oであることがより好ましく、電荷輸送性の観点から、YB及びZBがNを表すことが更に好ましい。一般式B1-1、B1-2、B1-3中、ArB1、ArB2、ArB3、及びArB4は、各々独立に、芳香族炭化水素環基又は芳香族ヘテロ環基を表し、芳香族炭化水素環基を表すことが好ましい。前記芳香族炭化水素環基又は芳香族ヘテロ環基としては、5~40個の芳香族環原子を有する芳香族又は複素環式芳香族環構造を有する基であることが好ましい。前記芳香族炭化水素環基としては、好ましくは炭素数5~16の芳香族炭化水素環基であり、より好ましくは炭素数6~12の芳香族炭化水素環基である。1価の芳香族炭化水素環基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基等が挙げられ、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基が好ましく、フェニル基、1-ナフチル基、又は2-ナフチル基がより好ましく、フェニル基が更に好ましい。2価の芳香族炭化水素環基の具体例及び好ましい範囲は前記1価の芳香族炭化水素環基から任意の水素原子を1つ取り除いた基が挙げられる。芳香族ヘテロ環基としては、好ましくは芳香族環原子数5~16の芳香族ヘテロ環基であり、より好ましくは芳香族環原子数4~10の芳香族ヘテロ環基である。例えばピリジル基、キノリル基、キノキサリル基、カルバゾリル基等が挙げられ、これらのうち、キノリル基、キノキサリル基が好ましく、キノリル基がより好ましい。ここで、芳香族炭化水素環基又は芳香族ヘテロ環基とは、必ずしも芳香族炭化水素環又は芳香族ヘテロ環のみを含む基ではなく、複数の芳香族炭化水素環又は芳香族ヘテロ環が、例えば、C、N、又はO原子のような短い非芳香族単位により中断されていてもよい基をも含む。したがって、例えば、9,9’-スピロビフルオレン、9,9-ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテル等の構造を含む基も、本明細書の芳香族炭化水素環基又は芳香族ヘテロ環基とみなされる。ArB1、ArB2、ArB3、及びArB4は、各々独立に、5~16個の芳香族環原子を有する芳香族炭化水素環基又は芳香族ヘテロ環基であることが好ましく、5~16個の芳香族環原子を有する芳香族炭化水素環基であることが更に好ましい。具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピリジン、ピレン、チオフェン、トリフェニルアミン、ジフェニル-1-ナフチルアミン、ジフェニル-2-ナフチルアミン、フェニルジ1-ナフチルアミン、又はフェニルジ-2-ナフチルアミン、スピロビフルオレンから任意の1つ又は2つの水素原子を除いて得られる基であることがより好ましく、ベンゼン又はナフタレンから任意の1つ又は2つの水素原子を除いて得られる基1価の基としてはフェニル基、1-ナフチル基、又は2-ナフチル基であることが更に好ましい。ArB1、ArB2、ArB3、及びArB4が表す芳香族炭化水素環基又は芳香族ヘテロ環基は置換基を有してもよく、置換基としては後述するRB1が表す置換基が挙げられる。一般式B1-1、B1-2、B1-3中、RB1は、各々独立に、水素原子又は置換基を表し、好ましくはH、F、Cl、Br、I、CN、NO2、NRB22、SiRB23、BORB22、炭素数1~40の直鎖アルキル基、アルコキシ基若しくはチオアルコキシ基、炭素数3~40の分岐或いは環状アルキル基、アルコキシ基若しくはチオアルコキシ基各鎖は1以上のRB2基により置換されていてもよく、そして、1以上の隣接しないCH2基は、-RB2C=CRB2-、-C≡C-、SiRB22、GeRB22、SnRB22、C=O、C=S、C=Se、C=NRB2、-O-、-S-、-CO-O又はCONRB2で置き代えられていてもよく、また、1以上のH原子は、F、Cl、Br、I、CN又はNO2で置き代えられていてもよい、1以上の非芳香族RB1基により置換されていてもよい5~40個の芳香族環原子を有するアリール基若しくはヘテロアリール基、1以上の非芳香族RB1基により置換されていてもよい5~40個の芳香族環原子を有するアリールオキシ基若しくはヘテロアリールオキシ基、又はこれらの構造の組み合わせを表す。ここで、2以上の置換基RB1は、互いにモノ又はポリ環状環構造を形成するものであってもよい。RB1で表される直鎖アルキル基として、好ましくは炭素数1~10の直鎖アルキル基であり、より好ましくは直鎖炭素数1~5のアルキル基である。RB1で表される分岐又は環状アルキル基として、好ましくは炭素数1~5の分岐又は環状アルキル基であり、より好ましくは炭素数3~5の分岐アルキル基である。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、2-メチルブチル基、n-ペンチル基、s-ペンチル基、シクロペンチル基、n-ヘキシル基、シクロヘキシル基、n-ヘプチル基、シクロヘプチル基、n-オクチル基、シクロオクチル基、2-エチルヘキシル基、エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、シクロペンテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基、ヘプテニル基、シクロヘプテニル基、オクテニル基、シクロオクテニル基、エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、オクチニル基等が挙げられ、これらのうち、メチル基、t-ブチル基、i-プロピル基が好ましく、メチル基、t-ブチル基がより好ましい。RB1で表される直鎖アルコキシ基として、好ましくは炭素数1~5の直鎖アルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1~3の直鎖アルコキシ基である。RB1で表される分岐又は環状アルコキシ基として、好ましくは炭素数3~10の分岐又は環状アルコキシ基であり、より好ましくは炭素数3~6の分岐又は環状アルコキシ基である。アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、i-ブトキシ基、s-ブトキシ基、t-ブトキシ基、2-メチルブトキシ基等が挙げられ、これらのうち、メトキシ基、t-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基がより好ましい。RB1で表される直鎖チオアルコキシ基として、好ましくは炭素数1~5の直鎖チオアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1~3の直鎖チオアルコキシ基である。RB1で表される分岐又は環状チオアルコキシ基として、好ましくは炭素数3~10の分岐又は環状チオアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数3~6の分岐又は環状チオアルコキシ基である。チオアルコキシ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、t-ブチルチオ基等が挙げられ、これらのうち、メチルチオ基、t-ブチルチオ基が好ましく、メチルチオ基がより好ましい。RB1で表されるアルキル基、アルコキシ基及びチオアルコキシ基の各鎖は、1以上のRB2基により置換されていてもよく、そして、1以上の隣接しないCH2基は、-RB2C=CRB2-、-C≡C-、SiRB22、GeRB22、SnRB22、C=O、C=S、C=Se、C=NRB2、-O-、-S-、-CO-O又はCONRB2で置き代えられていてもよく、また、1以上のH原子は、F、Cl、Br、I、CN又はNO2で置き代えられていてもよい。各鎖において、1以上の隣接しないCH2基が置換されている場合、-RB2C=CRB2-、-C≡C-、-O-、又は-S-で置換されている事が好ましい。各鎖において、H原子が置換されている場合、Fで置換されている事が好ましい。RB1で表されるアリール基として、好ましくは芳香族環原子数6~18のアリール基であり、より好ましくは芳香族環原子数6~12のアリール基である。例えばフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、ビフェニル基等が挙げられ、これらのうち、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。RB1で表される芳香族ヘテロ環基として、好ましくは芳香族環原子数4~16のヘテロアリール基であり、より好ましくは芳香族環原子数4~10のヘテロアリール基である。例えばピリジル基、キノリル基、カルバゾリル基、キノキサリル基等が挙げられ、これらのうち、ピリジル基、カルバゾリル基が好ましく、ピリジル基がより好ましい。RB1は、各々独立に、H、F、CN、炭素数1~5の直鎖アルキル基、又は炭素数3~5の分岐アルキル基であることが好ましく、夫々の場合、1以上の隣接しないCH2基は、-RB2C=CRB2-、-C≡C-、-O-、又は-S-で置換されていてもよく、1以上のH原子は、Fで置換されていてもよい。また、1以上の非芳香族RB1基により置換されていてもよい5~16個の芳香族環原子を有するアリール基若しくはヘテロアリール基であることも好ましく、ここで、2以上のRB1基は、互いに環構造を形成するものであってもよい。RB1は、より好ましくは、H、F、CN、メチル基、tert-ブチル基、又は置換されていてもよい炭素数4~6のアリール基若しくはヘテロアリール基である。RB2は、各々独立に、水素原子、炭素数1~20の脂肪族基、又は芳香族炭化水素基を表す。RB2で表される炭素数1~20脂肪族炭化水素基としては、好ましくは炭素数1~10の脂肪族炭化水素基であり、より好ましくは炭素数1~5の脂肪族炭化水素基である。例えばメチル基、エチル基、t-ブチル基等が挙げられ、これらのうち、メチル基、t-ブチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。RB2で表される炭素数1~20の芳香族炭化水素基としては、好ましくは炭素数6~18の芳香族炭化水素基であり、より好ましくは炭素数6~12の芳香族炭化水素基である。例えばフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基等が挙げられ、これらのうち、フェニル基、ナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。RB2は、メチル基、フェニル基であることが好ましく、メチル基がより好ましい。一般式B1-1、B1-2、B1-3中、q及びrは、各々独立に、0又は1を表す。q及びrは、YB又はZB基の対応する中央の原子が周期表の第15族の元素であるならば、各々独立に1であり、また、YB又はZB基の対応する中央の原子が周期表の第14族又は第16族の元素であるならば、各々独立に0を表す。上述のように、YB及びZBがNを表すことが好ましいことから、q及びrは、1であることが好ましい。一般式B1-1、B1-2、B1-3中、tは、各々独立に、0又は1を表す。ここで、q=0ならばt=0である。一般式B1-1、B1-2、B1-3のうち、蒸着適性の観点から一般式B1-1、B1-2が好ましく、一般式B1-1がより好ましい。一般式B1-1、B1-2、又はB1-3で表される化合物は、有機EL素子の初期輝度が90に低下するまでの耐久性の観点から下記一般式B2-1、B2-2、又はB2-3で表される化合物であることが好ましい。一般式B2-1、B2-2、B2-3中、YB、ZB、ArB1、ArB2、ArB3、ArB4、E、RB1、q、r、及びtは、一般式B1-1、B1-2、B1-3中のYB、ZB、ArB1、ArB2、ArB3、ArB4、E、RB1、q、r、及びtと同義である。一般式B2-1、B2-2、B2-3中、YB、ZB、ArB1、ArB2、ArB3、ArB4、E、q、r、及びtの具体例及び好ましい例は、上記一般式B1-1、B1-2、B1-3におけるYB、ZB、ArB1、ArB2、ArB3、ArB4、E、q、r、及びtにおける具体例及び好ましい例と同じである。一般式B2-1、B2-2、B2-3のうち、蒸着適性の観点から一般式B2-1、B2-2が好ましく、一般式B2-1がより好ましい。一般式B2-1、B2-2、B2-3中、RB1の具体例及び好ましい例は、上記一般式B1-1、B1-2、B1-3におけるRB1の具体例及び好ましい例と同じであるが、特に好ましくは、炭素数1~4の直鎖アルキル基、炭素数6~10のアリール基であり、メチル基又はフェニル基がより好ましく、メチル基が更に好ましい。2以上のRB1基は、互いに環構造を形成するものであってもよい。複数のRB1基が、互いに環構造を形成するならば、スピロ構造が形成される。これは、特にRB1基がフェニル基であるならば、下記一般式B3-1、B3-2、又はB3-3の構造となる。一般式B3中、YB、ZB、ArB1、ArB2、ArB3、ArB4、E、q、r、及びtは、一般式B1-1、B1-2、B1-3中のYB、ZB、ArB1、ArB2、ArB3、ArB4、E、q、r、及びtと同義である。スピロ構造は、夫々、1以上の非芳香族RB1基より置換されていてもよい。以下に、一般式B1-1、B1-2、又はB1-3で表される化合物の具体例を例示するが、これらに限定されるものではない。上記本発明による化合物は、例えば、対応する共役、一部共役若しくは非共役ポリマー、オリゴマー製造用コポリマーとして、或いはデンドリマーのコアとしても使用することができる。ポリマー化は、ここでは好ましくはハロゲン官能基により実行される。本発明による化合物は、例えば特許文献1に記載の方法で合成することができる。本発明において、一般式B1-1、B1-2、又はB1-3で表される化合物は、発光材料として発光層に含有されるが、その用途が限定されることはなく、有機層内のいずれの層に更に含有されてもよい。一般式B1-1、B1-2、又はB1-3で表される化合物の導入層としては、発光層以外には、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、励起子ブロック層、電荷ブロック層のいずれかを挙げることができ、発光層と陽極の間の有機層が好ましく、正孔注入層、正孔輸送層がより好ましい。一般式B1-1、B1-2、又はB1-3で表される化合物は発光層の全質量に対して0.1質量~50質量含ませることが好ましく、1質量~50質量含ませることがより好ましく、2質量~40質量含ませることがより好ましい。一般式B1-1、B1-2、又はB1-3で表される化合物を発光層以外の層に更に含有させる場合は、該層の全質量に対して1~20質量含まれることが好ましく、5~15質量含まれることがより好ましい。有機電界発光素子本発明の有機電界発光素子は、基板上に、陽極及び陰極からなる一対の電極と、該電極間に発光層を有し、発光層と陽極の間に少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、発光層と陽極の間の少なくとも一層の有機層に前記一般式Aで表される化合物を少なくとも一種含有し、発光層に発光材料として前記一般式B1-1、B1-2、又はB1-3で表される化合物を少なくとも一種含有する。本発明の有機電界発光素子において、発光層は有機層であり、発光層と陽極の間に更に少なくとも一層の有機層を含むが、更にその他の有機層を有していてもよい。発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は、透明若しくは半透明であることが好ましい。図1は、本発明に係る有機電界発光素子の構成の一例を示している。図1に示される本発明に係る有機電界発光素子10は、支持基板2上において、陽極3と陰極9との間に発光層6が挟まれている。具体的には、陽極3と陰極9との間に正孔注入層4、正孔輸送層5、発光層6、正孔ブロック層7、及び電子輸送層8がこの順に積層されている。<有機層の構成>前記有機層の層構成としては、特に制限はなく、有機電界発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができるが、前記透明電極上に又は前記背面電極上に形成されるのが好ましい。この場合、有機層は、前記透明電極又は前記背面電極上の全面又は一部の面上に形成される。有機層の形状、大きさ、及び厚み等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。具体的な層構成として、下記が挙げられるが本発明はこれらの構成に限定されるものではない。陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極陽極/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/陰極陽極/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/陰極陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/ブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極有機電界発光素子の素子構成、基板、陰極及び陽極については、例えば、特開2008-270736号公報に詳述されており、該公報に記載の事項を本発明に適用することができる。<基板>本発明で使用する基板としては、有機層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。<陽極>陽極は、通常、有機層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。<陰極>陰極は、通常、有機層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。基板、陽極、陰極については、特開2008-270736号公報の段落番号0070~0089に記載の事項を本発明に適用することができる。<有機層>本発明における有機層について説明する。有機層の形成本発明の有機電界発光素子において、各有機層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式成膜法、転写法、印刷法、スピンコート法、バーコート法等の溶液塗布プロセスのいずれによっても好適に形成することができる。発光層発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。基板、陽極、陰極、有機層、発光層については、例えば、特開2008-270736、特開2007-266458に詳述されており、これらの公報に記載の事項を本発明に適用することができる。更に、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。発光層中の発光材料としては前記一般式B1-1、B1-2、又はB1-3で表される化合物を含有する。発光材料は発光層中に一般的に発光層を形成する全化合物質量に対して、0.1質量~50質量含有されるが、耐久性、外部量子効率の観点から1質量~50質量含有されることが好ましく、2質量~40質量含有されることがより好ましい。発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、2nm~500nmであるのが好ましく、中でも、外部量子効率の観点で、3nm~200nmであるのがより好ましく、5nm~100nmであるのが更に好ましく、特に20nm~40nmであるのが好ましい。本発明の素子における発光層は、前記一般式B1-1、B1-2、又はB1-3で表される化合物に加えて、前記一般式B1-1、B1-2、又はB1-3で表される化合物以外の発光材料を含有してもよい。該発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良い。本発明の素子における発光層は、発光材料とホスト材料の混合層とした構成であることが好ましい。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は一種であっても二種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。更に、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。また、発光層は一層であっても二層以上の多層であってもよい。また、それぞれの発光層が異なる発光色で発光してもよい。<ホスト材料>本発明に用いられるホスト材料として、以下の化合物、又は以下の化合物の誘導体を含有していても良い。ホスト材料は電子輸送材料及びホール輸送性材料を挙げることができ、電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は1種であっても2種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。例えば、フルオレン、ピレン、アントラセン、ピロール、インドール、カルバゾール例えばCBP4,4’-ジ9-カルバゾリルビフェニル、3,3’-ジ9-カルバゾリルビフェニル、アザインドール、アザカルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリN-ビニルカルバゾール、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ-ル、オキサゾ-ル、オキサジアゾ-ル、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、8-キノリノ-ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ-ルやベンゾチアゾ-ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体及びそれらの誘導体置換基や縮環を有していてもよい等を挙げることができる。本発明における発光層において、前記ホスト材料一重項最低励起エネルギーS1エネルギーが、前記発光材料のS1エネルギーより高いことが色純度、発光効率、駆動耐久性の点で好ましい。また、本発明におけるホスト化合物の含有量は、特に限定されるものではないが、発光効率、駆動電圧の観点から、発光層を形成する全化合物質量に対して15質量以上99.9質量以下であることが好ましく、50質量以上99以下含まれることがより好ましく、更に50質量以上95質量以下であることが好ましい。電荷輸送層電荷輸送層とは、有機電界発光素子に電圧を印加した際に電荷移動が起こる層をいう。具体的には正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層又は電子注入層が挙げられる。好ましくは、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層又は発光層である。塗布法により形成される電荷輸送層が正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層又は発光層であれば、低コストかつ高効率な有機電界発光素子の製造が可能となる。また、電荷輸送層として、より好ましくは、正孔注入層、正孔輸送層又は電子ブロック層である。正孔注入層、正孔輸送層正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。正孔注入層、正孔輸送層については、例えば、特開2008-270736、特開2007-266458に詳述されており、これらの公報に記載の事項を本発明に適用することができる。また、本発明においては、前記一般式B1-1、B1-2、又はB1-3で表される化合物を正孔注入層又は正孔輸送層に含有することが好ましい。また、下記化合物も正孔注入材料正孔輸送材料として用いることができる。正孔注入層には電子受容性ドーパントを含有することが好ましい。正孔注入層に電子受容性ドーパントを含有することにより、正孔注入性が向上し、駆動電圧が低下する、効率が向上するなどの効果がある。電子受容性ドーパントとは、ドープされる材料から電子を引き抜き、ラジカルカチオンを発生させることが可能な材料であれば有機材料、無機材料のうちいかなるものでもよいが、例えば、テトラシアノキノジメタンTCNQ、テトラフルオロテトラシアノキノジメタンF4-TCNQ、酸化モリブデンなどが挙げられる。正孔注入層中の電子受容性ドーパントは、正孔注入層を形成する全化合物質量に対して、0.1質量~50質量含有されることが好ましく、0.1質量~40質量含有されることがより好ましく、0.5質量~30質量含有されることがより好ましい。電子注入層、電子輸送層電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる電子注入材料、電子輸送材料は低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。電子注入層、電子輸送層については、例えば、特開2008-270736、特開2007-266458に詳述されており、これらの公報に記載の事項を本発明に適用することができる。電子輸送層としては特にトリス8-キノリノラトアルミニウムAlq、イミダゾール誘導体などが好ましく、イミダゾール誘導体がより好ましい。電子注入層には電子供与性ドーパントを含有することが好ましい。電子注入層に電子供与性ドーパントを含有させることにより、電子注入性が向上し、駆動電圧が低下する、効率が向上するなどの効果がある。電子供与性ドーパントとは、ドープされる材料に電子を与え、ラジカルアニオンを発生させることが可能な材料であれば有機材料、無機材料のうちいかなるものでもよいが、例えば、テトラチアフルバレンTTF、テトラチアナフタセンTTT、リチウム、セシウムなどが挙げられる。電子注入層中の電子供与性ドーパントは、電子注入層を形成する全化合物質量に対して、0.1質量~50質量含有されることが好ましく、0.1質量~40質量含有されることがより好ましく、0.5質量~30質量含有されることがより好ましい。正孔ブロック層正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機層として、正孔ブロック層を設けることができる。正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、アルミニウムIIIビス2-メチル-8-キノリナト4-フェニルフェノレートAluminumIIIbis2-methyl-8-quinolinato4-phenylphenolateBAlqと略記する等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthrolineBCPと略記する等のフェナントロリン誘導体、トリフェニレン誘導体、カルバゾール誘導体等が挙げられる。前記トリフェニレン誘導体は例えば国際公開第05/013388号、国際公開第06/130598号、国際公開第09/021107号に記載されている。正孔ブロック層の厚さとしては、1nm~500nmであるのが好ましく、5nm~200nmであるのがより好ましく、5nm~50nmであるのが更に好ましい。正孔ブロック層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。電子ブロック層電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が、陽極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陽極側で隣接する有機層として、電子ブロック層を設けることができる。電子ブロック層を構成する有機化合物の例としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが適用できる。電子ブロック層の厚さとしては、1nm~500nmであるのが好ましく、5nm~200nmであるのがより好ましく、10nm~100nmであるのが更に好ましい。電子ブロック層は、上述した材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。保護層本発明において、有機EL素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。保護層については、特開2008-270736号公報の段落番号0169~0170に記載の事項を本発明に適用することができる。封止容器本発明の素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。封止容器については、特開2008-270736号公報の段落番号0171に記載の事項を本発明に適用することができる。また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、ペルフルオロアルカンやペルフルオロアミン、ペルフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。駆動本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流必要に応じて交流成分を含んでもよい電圧通常2ボルト~15ボルト、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。本発明の有機電界発光素子の駆動方法については、特開平2-148687号、同6-301355号、同5-29080号、同7-134558号、同8-234685号、同8-241047号の各公報、特許第2784615号、米国特許5828429号、同6023308号の各明細書等に記載の駆動方法を適用することができる。本発明の有機電界発光素子の内部量子効率は、30以上であることが好ましく、50以上が更に好ましく、70以上が更に好ましい。素子の内部量子効率は、外部量子効率を光取り出し効率で除して算出される。通常の有機EL素子では光取り出し効率は約20であるが、基板の形状、電極の形状、有機層の膜厚、無機層の膜厚、有機層の屈折率、無機層の屈折率等を工夫することにより、光取り出し効率を20以上にすることが可能である。本発明の有機電界発光素子は、350nm以上700nm以下に極大発光波長発光スペクトルの最大強度波長を有するものが好ましく、より好ましくは350nm以上600nm以下、更に好ましくは400nm以上520nm以下、特に好ましくは400nm以上465nm以下である。本発明の発光素子の用途本発明の発光素子は、発光装置、ピクセル、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、又は光通信等に好適に利用できる。特に、照明装置、表示装置等の発光輝度が高い領域で駆動されるデバイスに好ましく用いられる。発光装置次に、図2を参照して本発明の発光装置について説明する。本発明の発光装置は、前記有機電界発光素子を用いてなる。図2は、本発明の発光装置の一例を概略的に示した断面図である。図2の発光装置20は、基板支持基板2、有機電界発光素子10、封止容器16等により構成されている。有機電界発光素子10は、基板2上に、陽極第一電極3、有機層11、陰極第二電極9が順次積層されて構成されている。また、陰極9上には、保護層12が積層されており、更に、保護層12上には接着層14を介して封止容器16が設けられている。なお、各電極3、9の一部、隔壁、絶縁層等は省略されている。ここで、接着層14としては、エポキシ樹脂等の光硬化型接着剤や熱硬化型接着剤を用いることができ、例えば熱硬化性の接着シートを用いることもできる。本発明の発光装置の用途は特に制限されるものではなく、例えば、照明装置のほか、テレビ、パーソナルコンピュータ、携帯電話、電子ペーパ等の表示装置とすることができる。照明装置次に、図3を参照して本発明の実施形態に係る照明装置について説明する。図3は、本発明の実施形態に係る照明装置の一例を概略的に示した断面図である。本発明の実施形態に係る照明装置40は、図3に示すように、前述した有機EL素子10と、光散乱部材30とを備えている。より具体的には、照明装置40は、有機EL素子10の基板2と光散乱部材30とが接触するように構成されている。光散乱部材30は、光を散乱できるものであれば特に制限されないが、図3においては、透明基板31に微粒子32が分散した部材とされている。透明基板31としては、例えば、ガラス基板を好適に挙げることができる。微粒子32としては、透明樹脂微粒子を好適に挙げることができる。ガラス基板及び透明樹脂微粒子としては、いずれも、公知のものを使用できる。このような照明装置40は、有機電界発光素子10からの発光が光散乱部材30の光入射面30Aに入射されると、入射光を光散乱部材30により散乱させ、散乱光を光出射面30Bから照明光として出射するものである。以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。合成例1なお、本実施例に用いた有機材料は全て昇華精製したものを用い、高速液体クロマトグラフィー東ソーTSKgelODS-100Zにより分析し、254nmの吸収強度面積比で99.9以上のものを用いた。[実施例1]<有機電界発光素子の作製>ガラス基板上に、インジウムスズ酸化物ITO透明導電膜を100nm堆積し、パターニングしたものジオマテック社製を陽極として用いた。前記ITO基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行って、真空蒸着装置内に設置し、蒸着装置内の真空度が2.7×10-4Pa以下になるまで排気した。続いて、上記真空蒸着装置内にて、HATCNを加熱し、膜厚10nmの正孔注入層を形成した。有機材料の層の形成は、るつぼに有機材料を入れ、そのるつぼをフィラメント上に載せておき、真空にした後でフィラメントを加熱する方法で形成した。次いで、上記により形成された正孔注入層の上に、化合物1をあらかじめるつぼに入れておき、ヒーターで加熱して、膜厚20nmの第1正孔輸送層を形成した。引続き、上記により形成された第1正孔輸送層の上に、HTM1をヒーターで加熱して、膜厚20nmの第2正孔輸送層を形成した。更に、上記により形成された第2正孔輸送層の上に、発光層に含有されるホスト材料として、HostAと、発光材料として、化合物1を同時に加熱し、発光層の成膜を行った。化合物1が発光層全体に対して5質量含有されるよう蒸着速度を調整し、膜厚30nmの発光層を第2正孔輸送層の上に積層した。最後に、Alqを蒸着し、膜厚20nmの電子輸送層を発光層の上に積層した。その後、フッ化リチウムLiFを1nmの膜厚で電子輸送層の上に蒸着により成膜して電子注入層を形成し、更に、アルミニウムを100nmの膜厚で蒸着により成膜して陰極を形成した。実施例1の素子の層構成を以下に示す。陰極アルミニウム電子注入層LiF膜厚1nm電子輸送層Alq膜厚20nm発光層HostA:化合物1質量比95:5膜厚30nm第2正孔輸送層HTM1膜厚20nm第1正孔輸送層化合物1膜厚20nm正孔注入層HATCN膜厚10nm陽極ITOガラス基板[実施例2~29、比較例1~12]実施例1における第2正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層につき、使用材料、使用比率、及び膜厚を下記表1~4に示すように膜厚に変更した以外は実施例1と同様にして、実施例2~29、比較例1~12の有機電界発光素子を作製した。評価作製した実施例1の有機電界発光素子について、トプコン社製のBM-8を用いて2,000cd/m2で発光させ、そのときの電流値で連続駆動し、90の輝度に落ちるまでの時間hourT90と、50になるまでの時間hourT50を評価した。その他の素子はトプコン社のSR-3を用いてスペクトルを測定し、実施例1の素子を2,000cd/m2で発光させたときと同じフォトン数になる輝度を求め、BM-8を用いてその輝度になるように電流値を調整して実施例1の素子と同様にT90とT50の評価を行った。表1~4の結果から、実施例の素子は、比較例の素子に対して、初期落ち時間が長いことがわかる。以下に実施例及び比較例で用いた化合物を示す。"