"酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分A、下記一般式c1で表される化合物C1を含む含窒素有機化合物成分C、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分Bただし、前記化合物C1を除くを含有するレジスト組成物であって、前記基材成分A100質量部に対し、前記酸発生剤成分Bの含有割合は、10~60質量部であり、前記化合物C1と前記酸発生剤成分Bとの合計に対し、前記化合物C1の含有割合は1~15モルであることを特徴とするレジスト組成物。[式中、RC1は水酸基、アルコキシ基、シアノ基、-O-C=O-CRC2=CH2RC2は水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である、または-O-C=O-RC3RC3は炭化水素基であるであり、Y1は2価の脂肪族炭化水素基であり、R1は水素原子、フッ素原子、アルキル基又はフッ素化アルキル基である。pは1~10の整数を表す。Aは有機カチオンを表す。]前記基材成分Aが、酸の作用により極性が増大する基材成分A0である請求項1に記載のレジスト組成物。前記基材成分A0が、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位a1を有する樹脂成分A1を含有する請求項2に記載のレジスト組成物。前記含窒素有機化合物成分Cが、さらに、前記化合物C1に該当しない含窒素有機化合物成分C2を含む請求項1~3のいずれか一項に記載のレジスト組成物。請求項1~4のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。今後、リソグラフィー技術のさらなる進歩、レジストパターンの微細化がますます進むなか、レジスト材料には、種々のリソグラフィー特性やパターン形状のさらなる向上が望まれる。向上が望まれているリソグラフィー特性として、たとえば、ラインエッジラフネス、ELマージン等がある。また、EUVを露光光源とするリソグラフィーでは、上記特許文献3のように酸発生剤を大量に用いて高感度化を図る試みがなされているが、酸発生剤を多く用いた場合、解像は得られるものの、パターン形状やLER等のリソグラフィー特性面では改良の余地があった。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、解像性に優れ、且つ、パターン形状やLER等のリソグラフィー特性にも優れたレジスト組成物及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供することを課題とする。上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。すなわち、本発明の第一の態様は、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分A、下記一般式c1で表される化合物C1を含む含窒素有機化合物成分C、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分Bただし、前記化合物C1を除くを含有するレジスト組成物であって、前記基材成分A100質量部に対し、前記酸発生剤成分Bの含有割合は、10~60質量部であり、前記化合物C1と前記酸発生剤成分Bとの合計に対し、前記化合物C1の含有割合は1~15モルであることを特徴とするレジスト組成物である。[式中、RC1は水酸基、アルコキシ基、シアノ基、-O-C=O-CRC2=CH2RC2は水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である、または-O-C=O-RC3RC3は炭化水素基であるであり、Y1は2価の脂肪族炭化水素基であり、R1は水素原子、フッ素原子、アルキル基又はフッ素化アルキル基である。pは1~10の整数を表す。Aは有機カチオンを表す。]本発明の第二の態様は、前記第一の態様のレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法である。本明細書及び本特許請求の範囲において、脂肪族とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。アルキル基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状および環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルキレン基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状および環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。ハロゲン化アルキル基は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。フッ素化アルキル基又はフッ素化アルキレン基は、アルキル基又はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基をいう。構成単位とは、高分子化合物樹脂、重合体、共重合体を構成するモノマー単位単量体単位を意味する。アクリル酸エステルは、アクリル酸CH2=CH-COOHのカルボキシ基末端の水素原子が有機基で置換された化合物である。アクリル酸エステルから誘導される構成単位とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルにおける、水素原子以外の原子としてはハロゲン原子等が挙げられ、置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基等が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。なお、アクリル酸エステルから誘導される構成単位のα位α位の炭素原子とは、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことを意味する。α位の炭素原子に結合していてもよい置換基における、炭素数1~5のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などの直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。また、該置換基における、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基として具体的には、上記の置換基における、炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。また、該置換基におけるヒドロキシアルキル基として具体的には、上記の置換基における、炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部または全部がヒドロキシ基で置換された基が挙げられる。本発明において、かかるα位の炭素原子に結合しているのは、水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であることが好ましく、水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のフッ素化アルキル基であることがより好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子またはメチル基であることが最も好ましい。ヒドロキシスチレン誘導体とは、ヒドロキシスチレン、およびヒドロキシスチレンのα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の置換基に置換されたもの、並びに、それらの誘導体を含む概念とする。なお、ヒドロキシスチレンのα位の炭素原子とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことである。ヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位とは、ヒドロキシスチレン誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。スチレンとは、スチレンおよびスチレンのα位の水素原子がアルキル基等の他の置換基に置換されたものも含む概念とする。スチレンから誘導される構成単位とは、スチレンのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。スチレンは、フェニル基の水素原子が炭素数1~5のアルキル基等の置換基で置換されていてもよい。露光は、放射線の照射全般を含む概念とする。本発明によれば、解像性に優れ、且つ、パターン形状やLER等のリソグラフィー特性にも優れたレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供できる。≪レジスト組成物≫本発明の第一の態様であるレジスト組成物は、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分A以下A成分という。、前記一般式c1で表される化合物C1を含む含窒素有機化合物成分C以下、C成分という。、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分B以下B成分という。を含有する。かかるレジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜は、レジストパターン形成時に選択的露光を行うと、B成分や化合物C1からの酸によりA成分の現像液に対する溶解性を変化させる。その結果、当該レジスト膜の露光部の現像液に対する溶解性が変化する一方で、未露光部は現像液に対する溶解性が変化しないため、現像することにより、ポジ型パターンの場合は露光部が、ネガ型パターンの場合は未露光部がそれぞれ溶解除去されてレジストパターンが形成される。本発明のレジスト組成物は、ネガ型レジスト組成物であってもよく、ポジ型レジスト組成物であってもよい。本明細書においては、露光部が溶解除去されるポジ型パターンを形成するレジスト組成物をポジ型レジスト組成物といい、未露光部が溶解除去されるネガ型パターンを形成するレジスト組成物をネガ型レジスト組成物という。<A成分>A成分としては、通常、化学増幅型レジスト用の基材成分として用いられている有機化合物を1種単独で、又は2種以上を混合して使用することができる。ここで、基材成分とは、膜形成能を有する有機化合物であり、好ましくは分子量が500以上の有機化合物が用いられる。該有機化合物の分子量が500以上であることにより、膜形成能が向上し、また、ナノレベルのレジストパターンを形成しやすい。前記基材成分として用いられる分子量が500以上の有機化合物は、非重合体と重合体とに大別される。非重合体としては、通常、分子量が500以上4000未満のものが用いられる。以下、分子量が500以上4000未満の非重合体を低分子化合物という。重合体としては、通常、分子量が1000以上のものが用いられる。以下、分子量が1000以上の重合体を高分子化合物という。高分子化合物の場合、分子量としてはGPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算の質量平均分子量を用いるものとする。以下、高分子化合物を単に樹脂ということがある。A成分としては、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分を用いることができ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する低分子化合物成分を用いることもできる。本発明のレジスト組成物がアルカリ現像プロセスにおいてネガ型パターンを形成するアルカリ現像プロセス用ネガ型レジスト組成物である場合、A成分としてはアルカリ現像液に可溶性の基材成分が用いられ、さらに、架橋剤成分が配合される。かかるアルカリ現像プロセス用ネガ型レジスト組成物は、露光によりB成分から酸が発生すると、当該酸が作用して基材成分と架橋剤成分との間で架橋が起こり、アルカリ現像液に対して難溶性へ変化する。そのため、レジストパターンの形成において、当該ネガ型レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜を選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性へ転じる一方で、未露光部はアルカリ現像液に対して可溶性のまま変化しないため、アルカリ現像することによりレジストパターンが形成できる。アルカリ現像プロセス用ネガ型レジスト組成物のA成分としては、通常、アルカリ現像液に対して可溶性の樹脂以下アルカリ可溶性樹脂という。が用いられる。アルカリ可溶性樹脂としては、例えば特開2000-206694号公報に開示されている、α-ヒドロキシアルキルアクリル酸、またはα-ヒドロキシアルキルアクリル酸のアルキルエステル好ましくは炭素数1~5のアルキルエステルから選ばれる少なくとも一つから誘導される単位を有する樹脂;米国特許6949325号公報に開示されている、スルホンアミド基を有するα位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル樹脂またはポリシクロオレフィン樹脂;米国特許6949325号公報、特開2005-336452号公報、特開2006-317803号公報に開示されている、フッ素化アルコールを含有し、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル樹脂;特開2006-259582号公報に開示されている、フッ素化アルコールを有するポリシクロオレフィン樹脂等が、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。なお、前記α-ヒドロキシアルキルアクリル酸は、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸のうち、カルボキシ基が結合するα位の炭素原子に水素原子が結合しているアクリル酸と、このα位の炭素原子にヒドロキシアルキル基好ましくは炭素数1~5のヒドロキシアルキル基が結合しているα-ヒドロキシアルキルアクリル酸の一方または両方を示す。架橋剤成分としては、例えば、通常は、メチロール基またはアルコキシメチル基を有するグリコールウリルなどのアミノ系架橋剤、メラミン系架橋剤などを用いると、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。架橋剤成分の配合量は、アルカリ可溶性樹脂100質量部に対し、1~50質量部であることが好ましい。本発明のレジスト組成物が、アルカリ現像プロセスにおいてポジ型パターンを形成し、溶剤現像プロセスにおいてネガ型パターンを形成するレジスト組成物である場合、A成分としては、酸の作用により極性が増大する基材成分以下A0成分という。を用いることが好ましい。A0成分を用いることにより、露光前後で基材成分の極性が変化するため、アルカリ現像プロセスだけでなく、溶剤現像プロセスにおいても良好な現像コントラストを得ることができる。アルカリ現像プロセスを適用する場合、該A0成分は、露光前はアルカリ現像液に対して難溶性であり、露光により前記B成分から酸が発生すると、該酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性から可溶性に変化する一方で、未露光部はアルカリ難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像することによりポジ型パターンが形成できる。また、溶剤現像プロセスを適用する場合は、該A0成分は、露光前は有機系現像液に対して溶解性が高く、露光により前記B成分から酸が発生すると、該酸の作用により極性が高くなり有機系現像液に対する溶解性が減少する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部は有機系現像液に対して可溶性から難溶性に変化する一方で、未露光部は可溶性のまま変化しないため、有機系現像液で現像することにより、露光部と未露光部との間でコントラストをつけることができ、ネガ型パターンが形成できる。本発明のレジスト組成物において、A成分は、酸の作用により極性が増大する基材成分A0成分であることが好ましい。すなわち、本発明のレジスト組成物は、アルカリ現像プロセスにおいてポジ型となり、溶剤現像プロセスにおいてネガ型となる化学増幅型レジスト組成物であることが好ましい。該A0成分は、酸の作用により極性が増大する樹脂成分A1以下A1成分ということがある。であってもよく、酸の作用により極性が増大する低分子化合物成分A2以下A2成分ということがある。であってもよく、又はこれらの混合物であってもよい。[A1成分]A1成分としては、通常、化学増幅型レジスト用の基材成分として用いられている樹脂成分ベース樹脂を1種単独で、または2種以上混合して使用することができる。本発明におけるA1成分としては、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位a0を有することが好ましい。前記構成単位a0としては、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していていもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位a1、またはヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位a11であることが好ましい。A1成分は、構成単位a1とa11とを両方含んでもよいし、いずれか一方でもよい。本発明のレジスト組成物においては、特に、A1成分が、前記構成単位a1を有することが好ましい。また、A1成分は、構成単位a1に加えて、さらに、-SO2-含有環式基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していていもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位、およびラクトン含有環式基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していていもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種の構成単位a2を有することが好ましい。また、A1成分は、構成単位a1に加えて、または構成単位a1およびa2に加えて、さらに、極性基含有脂肪族炭化水素基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していていもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位a3を有することが好ましい。構成単位a1構成単位a1は、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していていもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位である。酸分解性基は、酸露光によりB成分や化合物C1から発生する酸等の作用により、当該酸分解性基の構造中の少なくとも一部の結合が開裂し得る酸分解性を有する基である。酸の作用により極性が増大する酸分解性基としては、たとえば、酸の作用により分解して極性基を生じる基が挙げられる。極性基としては、たとえばカルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルホ基-SO3H等が挙げられる。これらのなかでも、構造中に-OHを含有する極性基以下、OH含有極性基ということがある。が好ましく、カルボキシ基または水酸基が好ましく、カルボキシ基が特に好ましい。酸分解性基としてより具体的には、前記極性基を酸解離性基で保護した基たとえばOH含有極性基の水素原子を酸解離性基で保護した基が挙げられる。酸解離性基は、酸露光によりB成分から発生する酸等の作用により、少なくとも、当該酸解離性基と該酸解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る酸解離性を有する基である。酸分解性基を構成する酸解離性基は、当該酸解離性基の解離により生成する極性基よりも極性の低い基であることが必要で、これにより、酸の作用により該酸解離性基が解離した際に、該酸解離性基よりも極性の高い極性基が生じて極性が増大する。結果、A1成分全体の極性が増大する。極性が増大することにより、アルカリ現像プロセスを適用する場合であれば、相対的に、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する。他方、溶剤現像プロセスを適用する場合であれば、有機溶剤を含有する有機系現像液に対する溶解性が減少する。構成単位a1における酸解離性基としては、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性基として提案されているものを使用することができる。一般的には、メタアクリル酸等におけるカルボキシ基と環状または鎖状の第3級アルキルエステルを形成する基;アルコキシアルキル基等のアセタール型酸解離性基などが広く知られている。ここで、第3級アルキルエステルとは、カルボキシ基の水素原子が、鎖状または環状のアルキル基で置換されることによりエステルを形成しており、そのカルボニルオキシ基-C=O-O-の末端の酸素原子に、前記鎖状または環状のアルキル基の第3級炭素原子が結合している構造を示す。この第3級アルキルエステルにおいては、酸が作用すると、酸素原子と第3級炭素原子との間で結合が切断され、カルボキシ基が形成されることによって、A1成分の極性が増大する。なお、前記鎖状または環状のアルキル基は置換基を有していてもよい。以下、カルボキシ基と第3級アルキルエステルを構成することにより、酸解離性となっている基を、便宜上、第3級アルキルエステル型酸解離性基という。第3級アルキルエステル型酸解離性基としては、脂肪族分岐鎖状酸解離性基、脂肪族環式基を含有する酸解離性基が挙げられる。ここで、本特許請求の範囲及び明細書における脂肪族分岐鎖状とは、芳香族性を持たない分岐鎖状の構造を有することを示す。脂肪族分岐鎖状酸解離性基の構造は、炭素および水素からなる基炭化水素基であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、炭化水素基は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。脂肪族分岐鎖状酸解離性基としては、炭素数4~8の第3級アルキル基が好ましく、具体的にはtert-ブチル基、tert-ペンチル基、tert-ヘプチル基等が挙げられる。脂肪族環式基は、芳香族性を持たない単環式基または多環式基であることを示す。構成単位a1における脂肪族環式基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルコキシ基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、酸素原子=O等が挙げられる。脂肪族環式基の置換基を除いた基本の環の構造は、炭素および水素からなる基炭化水素基であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、炭化水素基は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。脂肪族環式基は、多環式基であることが好ましい。脂肪族環式基としては、例えば、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。脂肪族環式基を含有する酸解離性基としては、例えば環状のアルキル基の環骨格上に第3級炭素原子を有する基を挙げることができ、具体的には、下記一般式1-1~1-9で示す基の様な、2-メチル-2-アダマンチル基や、2-エチル-2-アダマンチル基等が挙げられる。また、脂肪族分岐鎖状酸解離性基としては、下記一般式2-1~2-6で示す基の様に、アダマンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、ノルボルニル基、トリシクロデシル基、テトラシクロドデシル基等の脂肪族環式基と、これに結合する、第3級炭素原子を有する分岐鎖状アルキレン基とを有する基が挙げられる。[式中、R14はアルキル基であり、gは0~8の整数である。][式中、R15、R16はそれぞれ独立してアルキル基直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、好ましくは炭素数1~5であるを示す。]上記R14のアルキル基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましい。該直鎖状のアルキル基は、炭素数が1~5であることが好ましく、1~4がより好ましく、1または2がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基またはn-ブチル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。該分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が3~10であることが好ましく、3~5がより好ましい。具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、tert-ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、イソプロピル基であることが最も好ましい。gは0~3の整数が好ましく、1~3の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましい。R15~R16のアルキル基としては、R14のアルキル基と同様のものが挙げられる。上記式1-1~1-9、2-1~2-6中、環を構成する炭素原子の一部がエーテル性酸素原子-O-で置換されていてもよい。また、式1-1~1-9、2-1~2-6中、環を構成する炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子、フッ素化アルキル基が挙げられる。アセタール型酸解離性基は、一般的に、カルボキシ基、水酸基等のOH含有極性基末端の水素原子と置換して酸素原子と結合している。そして、露光により酸が発生すると、この酸が作用して、アセタール型酸解離性基と、当該アセタール型酸解離性基が結合した酸素原子との間で結合が切断され、カルボキシ基、水酸基等のOH含有極性基が形成されることによってA1成分の極性が増大する。アセタール型酸解離性基としては、たとえば、下記一般式p1で表される基が挙げられる。[式中、R1’,R2’はそれぞれ独立して水素原子または炭素数1~5のアルキル基を表し、nは0~3の整数を表し、Yは炭素数1~5のアルキル基または脂肪族環式基を表す。]上記式中、nは、0~2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、0が最も好ましい。R1’,R2’の炭素数1~5のアルキル基としては、上記Rの炭素数1~5のアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。本発明においては、R1’,R2’のうち少なくとも1つが水素原子であることが好ましい。すなわち、酸解離性基p1が、下記一般式p1-1で表される基であることが好ましい。[式中、R1’、n、Yは上記と同様である。]Yの炭素数1~5のアルキル基としては、上記Rの炭素数1~5のアルキル基と同様のものが挙げられる。Yの脂肪族環式基としては、従来ArFレジスト等において多数提案されている単環または多環式の脂肪族環式基の中から適宜選択して用いることができ、たとえば上記脂肪族環式基と同様のものが例示できる。また、アセタール型酸解離性基としては、下記一般式p2で示される基も挙げられる。[式中、R17、R18はそれぞれ独立して直鎖状または分岐鎖状のアルキル基または水素原子であり、R19は直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基である。または、R17およびR19がそれぞれ独立に直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基であって、R17の末端とR19の末端とが結合して環を形成していてもよい。]R17、R18において、アルキル基の炭素数は、好ましくは1~15であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。特に、R17、R18の一方が水素原子で、他方がメチル基であることが好ましい。R19は直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基であり、炭素数は、好ましくは1~15であり、直鎖状、分岐鎖状または環状のいずれでもよい。R19が直鎖状、分岐鎖状の場合は炭素数1~5であることが好ましく、エチル基、メチル基がさらに好ましく、特にエチル基が最も好ましい。R19が環状の場合は炭素数4~15であることが好ましく、炭素数4~12であることがさらに好ましく、炭素数5~10が最も好ましい。具体的にはフッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。また、上記式においては、R17及びR19が、それぞれ独立に直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基好ましくは炭素数1~5のアルキレン基であってR19の末端とR17の末端とが結合していてもよい。この場合、R17とR19と、R19が結合した酸素原子と、該酸素原子およびR17が結合した炭素原子とにより環式基が形成されている。該環式基としては、4~7員環が好ましく、4~6員環がより好ましい。該環式基の具体例としては、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。構成単位a1としては、下記一般式a1-0-1で表される構成単位および下記一般式a1-0-2で表される構成単位からなる群から選ばれる1種以上を用いることが好ましい。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基を示し、X1は酸解離性基を示す。][式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基を示し、X2は酸解離性基を示し、Y2は2価の連結基を示す。]一般式a1-0-1において、Rの炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基は、上記α位の炭素原子に結合していてもよい置換基の炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基と同様である。X1は、酸解離性基であれば特に限定されることはなく、例えば上述した第3級アルキルエステル型酸解離性基、アセタール型酸解離性基などを挙げることができ、第3級アルキルエステル型酸解離性基が好ましい。一般式a1-0-2において、Rは上記と同様である。X2は、式a1-0-1中のX1と同様である。Y2の2価の連結基としては、アルキレン基、2価の脂肪族環式基またはヘテロ原子を含む2価の連結基が挙げられる。該脂肪族環式基としては、水素原子が2個以上除かれた基が用いられること以外は前記脂肪族環式基の説明と同様のものを用いることができる。Y2がアルキレン基である場合、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~6であることがさらに好ましく、炭素数1~4であることが特に好ましく、炭素数1~3であることが最も好ましい。Y2が2価の脂肪族環式基である場合、シクロペンタン、シクロヘキサン、ノルボルナン、イソボルナン、アダマンタン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンから水素原子が2個以上除かれた基であることが特に好ましい。Y2がヘテロ原子を含む2価の連結基である場合、ヘテロ原子を含む2価の連結基としては、-O-、-C=O-O-、-C=O-、-O-C=O-O-、-C=O-NH-、-NH-Hはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-、-A-O酸素原子-B-ただし、AおよびBはそれぞれ独立して置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。、またはアルキレン基とヘテロ原子を含む2価の連結基との組み合わせ等が挙げられる。Y2が-NH-の場合における置換基アルキル基、アシル基等の炭素数としては1~10であることが好ましく、炭素数1~8であることがさらに好ましく、炭素数1~5であることが特に好ましい。Y2がA-O-Bである場合、AおよびBは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。炭化水素基が置換基を有するとは、該炭化水素基における水素原子の一部または全部が、水素原子以外の基または原子で置換されていることを意味する。Aにおける炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。Aにおける脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。Aにおける脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1~10であることが好ましく、1~8がより好ましく、2~5がさらに好ましく、2が最も好ましい。直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基、エチレン基[-CH22-]、トリメチレン基[-CH23-]、テトラメチレン基[-CH24-]、ペンタメチレン基[-CH25-]等が挙げられる。分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、-CHCH3-、-CHCH2CH3-、-CCH32-、-CCH3CH2CH3-、-CCH3CH2CH2CH3-、-CCH2CH32-等のアルキルメチレン基;-CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CHCH2CH3CH2-等のアルキルエチレン基;-CHCH3CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2-等のアルキルトリメチレン基;-CHCH3CH2CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2CH2-等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましい。鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、酸素原子=O等が挙げられる。環を含む脂肪族炭化水素基としては、環状の脂肪族炭化水素基脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基、該環状の脂肪族炭化水素基が前述した鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合するかまたは鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が3~20であることが好ましく、3~12であることがより好ましい。環状の脂肪族炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式基としては、炭素数3~6のモノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該モノシクロアルカンとしてはシクロペンタン、シクロヘキサン等が例示できる。多環式基としては、炭素数7~12のポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとして具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。環状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、酸素原子=O等が挙げられる。Aとしては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数2~5の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、エチレン基が最も好ましい。Bにおける炭化水素基としては、前記Aで挙げたものと同様の2価の炭化水素基が挙げられる。Bとしては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基またはアルキルメチレン基が特に好ましい。アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数1~3の直鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。構成単位a1として、より具体的には、下記一般式a1-1~a1-4で表される構成単位が挙げられる。[式中、X’は第3級アルキルエステル型酸解離性基を表し、Yは炭素数1~5のアルキル基、または脂肪族環式基を表し;nは0~3の整数を表し;Y2は2価の連結基を表し;Rは前記と同じであり、R1’、R2’はそれぞれ独立して水素原子または炭素数1~5のアルキル基を表す。]前記式中、X’は、前記X1において例示した第3級アルキルエステル型酸解離性基と同様のものが挙げられる。R1’、R2’、n、Yとしては、それぞれ、上述のアセタール型酸解離性基の説明において挙げた一般式p1におけるR1’、R2’、n、Yと同様のものが挙げられる。Y2としては、上述の一般式a1-0-2におけるY2と同様のものが挙げられる。以下に、上記一般式a1-1~a1-4で表される構成単位の具体例を示す。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。構成単位a1は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。その中でも、一般式a1-1、a1-2またはa1-3で表される構成単位が好ましく、具体的にはa1-1-1~a1-1-4、a1-1-20~a1-1-23、a1-2-1~a1-2-24およびa1-3-25~a1-3-28からなる群から選択される少なくとも1種を用いることがより好ましい。さらに、構成単位a1としては、特に、式a1-1-1~式a1-1-3およびa1-1-26の構成単位を包括する下記一般式a1-1-01で表されるもの、式a1-1-16~a1-1-17および式a1-1-20~a1-1-23の構成単位を包括する下記一般式a1-1-02で表されるもの、式a1-2-3、式a1-2-6および式a1-2-14の構成単位を包含する下記一般式a1-2-01で表されるもの、式a1-3-25~a1-3-26の構成単位を包括する下記一般式a1-3-01で表されるもの、式a1-3-27~a1-3-28の構成単位を包括する下記一般式a1-3-02、または式a1-3-29~a1-3-30の構成単位を包括する下記一般式a1-3-03で表されるものも好ましい。式中、Rはそれぞれ独立に水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基を示し、R11は炭素数1~5のアルキル基を示す。R12は炭素数1~7のアルキル基を示す。hは1~6の整数を表す。一般式a1-1-01において、Rについては上記と同様である。R11の炭素数1~5のアルキル基はRにおける炭素数1~5のアルキル基と同様であり、メチル基、エチル基、またはイソプロピル基が好ましい。一般式a1-1-02において、Rについては上記と同様である。R12の炭素数1~5のアルキル基はRにおける炭素数1~5のアルキル基と同様であり、メチル基、エチル基、またはイソプロピル基が好ましい。hは、1または2が好ましく、2が最も好ましい。式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基を示し、R13は水素原子またはメチル基であり、R8は水素原子または炭素数1~5のアルキル基であり、cは0~3の整数である。一般式a1-2-01において、Rについては上記と同様である。R8の炭素数1~5のアルキル基は前記Rにおける炭素数1~5のアルキル基と同様であり、メチル基、エチル基、またはイソプロピル基が好ましく、R8としては、水素原子、メチル基、エチル基、またはイソプロピル基が好ましい。cは、0~2が好ましく、0または1がさらに好ましい。式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基を示し;R14は前記同様であり、R13は水素原子またはメチル基であり、aは1~10の整数である。式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基を示し;R14は前記同様であり、R13は水素原子またはメチル基であり、aは1~10の整数であり、n’は1~6の整数である。[式中、Rは前記と同じであり、Y2’およびY2はそれぞれ独立して2価の連結基であり、X’は酸解離性基であり、nは0~3の整数である。]前記一般式a1-3-01~a1-3-03において、Rについては上記と同様である。R13は、水素原子が好ましい。n’は、1または2が好ましく、2が最も好ましい。aは、1~8の整数が好ましく、2~5の整数が特に好ましく、2が最も好ましい。Y2’、Y2における2価の連結基としては、前記一般式a1-3におけるY2と同様のものが挙げられる。Y2’としては、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基が好ましく、直鎖状の脂肪族炭化水素基がより好ましく、直鎖状のアルキレン基がさらに好ましい。中でも、炭素数1~5の直鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基が最も好ましい。Y2としては、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基が好ましく、直鎖状の脂肪族炭化水素基がより好ましく、直鎖状のアルキレン基がさらに好ましい。中でも、炭素数1~5の直鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基が最も好ましい。X’における酸解離性基は、前記と同様のものが挙げられ、第3級アルキルエステル型酸解離性基であることが好ましく、上述したi1価の脂肪族環式基の環骨格上に第3級炭素原子を有する基がより好ましく、中でも、前記一般式1-1で表される基が好ましい。nは0~3の整数であり、nは、0~2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、1が最も好ましい。A1成分中、構成単位a1の割合は、A1成分を構成する全構成単位に対し、5~80モルが好ましく、10~80モルがより好ましく、15~75モルがさらに好ましい。下限値以上とすることによって、レジスト組成物とした際に容易にパターンを得ることができ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。構成単位a11構成単位a11は、ヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位である。構成単位a11における酸分解性基としては、前記構成単位a1で挙げたものと同様のものが挙げられる。酸分解性基としては、例えば、構成単位a11におけるフェノール性水酸基の-OHの水素原子が、アセタール型酸解離性基により置換された基;構成単位a11におけるフェノール性水酸基の-OHの水素原子が、-C=OO-や、上記式a1-0-2における-Y2-C=O-O-のような連結基を介して、第3級アルキルエステル型酸解離性基やアセタール型酸解離性基により置換された基等が挙げられる。A1成分中、構成単位a11の割合は、A1成分を構成する全構成単位に対し、5~80モルが好ましく、10~80モルがより好ましく、15~75モルがさらに好ましい。下限値以上とすることによって、レジスト組成物とした際に容易にパターンを得ることができ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。構成単位a2構成単位a2は、-SO2-含有環式基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していていもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位以下、構成単位a2Sという。、およびラクトン含有環式基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していていもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位以下、構成単位a2Lという。からなる群から選択される少なくとも1種の構成単位である。構成単位a2は、-SO2-含有環式基またはラクトン環式基を含むことにより、当該A1成分を含有するポジ型レジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜の基板への密着性を高めたり、水を含有する現像液特にアルカリ現像プロセスの場合との親和性を高める等により、リソグラフィー特性の向上に寄与する。構成単位a2S:構成単位a2Sは、-SO2-含有環式基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していていもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位である。ここで、-SO2-含有環式基とは、その環骨格中に-SO2-を含む環を含有する環式基を示し、具体的には、-SO2-における硫黄原子Sが環式基の環骨格の一部を形成する環式基である。その環骨格中に-SO2-を含む環をひとつの目の環として数え、該環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。-SO2-含有環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。-SO2-含有環式基は、特に、その環骨格中に-O-SO2-を含む環式基、すなわち-O-SO2-中の-O-S-が環骨格の一部を形成するサルトンsultone環を含有する環式基であることが好ましい。-SO2-含有環式基は、炭素数が3~30であることが好ましく、4~20であることが好ましく、4~15であることがより好ましく、4~12であることが特に好ましい。ただし、該炭素数は環骨格を構成する炭素原子の数であり、置換基における炭素数を含まないものとする。-SO2-含有環式基は、-SO2-含有脂肪族環式基であってもよく、-SO2-含有芳香族環式基であってもよい。好ましくは-SO2-含有脂肪族環式基である。-SO2-含有脂肪族環式基としては、その環骨格を構成する炭素原子の一部が-SO2-または-O-SO2-で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基が挙げられる。より具体的には、その環骨格を構成する-CH2-が-SO2-で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基、その環を構成する-CH2-CH2-が-O-SO2-で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基等が挙げられる。該脂環式炭化水素基は、炭素数が3~20であることが好ましく、3~12であることがより好ましい。該脂環式炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、炭素数3~6のモノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該モノシクロアルカンとしてはシクロペンタン、シクロヘキサン等が例示できる。多環式の脂環式炭化水素基としては、炭素数7~12のポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとして具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。-SO2-含有環式基は、置換基を有していてもよい。該置換基としては、たとえばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O、-COOR、-OC=OR、ヒドロキシアルキル基、シアノ基等が挙げられる。該置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~6のアルキル基が好ましい。該アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。該置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~6のアルコキシ基が好ましい。該アルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基に酸素原子-O-に結合した基が挙げられる。該置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。該置換基のハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン化アルキル基としてはフッ素化アルキル基が好ましく、特にパーフルオロアルキル基が好ましい。前記-COOR、-OC=ORにおけるRは、いずれも、水素原子または炭素数1~15の直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキル基である。Rが直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~5であることがさらに好ましく、メチル基またはエチル基であることが特に好ましい。Rが環状のアルキル基の場合は、炭素数3~15であることが好ましく、炭素数4~12であることがさらに好ましく、炭素数5~10が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカンや、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。該置換基としてのヒドロキシアルキル基としては、炭素数が1~6であるものが好ましく、具体的には、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の少なくとも1つが水酸基で置換された基が挙げられる。-SO2-含有環式基として、より具体的には、下記一般式3-1~3-4で表される基が挙げられる。[式中、A’は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1~5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、zは0~2の整数であり、R27はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、水酸基、-COOR、-OC=OR、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり、Rは水素原子またはアルキル基である。]前記一般式3-1~3-4中、A’は、酸素原子-O-もしくは硫黄原子-S-を含んでいてもよい炭素数1~5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子である。A’における炭素数1~5のアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、イソプロピレン基等が挙げられる。該アルキレン基が酸素原子または硫黄原子を含む場合、その具体例としては、前記アルキレン基の末端または炭素原子間に-O-または-S-が介在する基が挙げられ、たとえば-O-CH2-、-CH2-O-CH2-、-S-CH2-、-CH2-S-CH2-等が挙げられる。A’としては、炭素数1~5のアルキレン基または-O-が好ましく、炭素数1~5のアルキレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。zは0~2のいずれであってもよく、0が最も好ましい。zが2である場合、複数のR27はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。R27におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、-COOR、-OC=OR、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ、前記で-SO2-含有環式基が有していてもよい置換基として挙げたアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、-COOR、-OC=OR、ヒドロキシアルキル基と同様のものが挙げられる。以下に、前記一般式3-1~3-4で表される具体的な環式基を例示する。なお、式中のAcはアセチル基を示す。-SO2-含有環式基としては、上記の中でも、前記一般式3-1で表される基が好ましく、前記化学式3-1-1、3-1-18、3-3-1および3-4-1のいずれかで表される基からなる群から選択される少なくとも一種を用いることがより好ましく、前記化学式3-1-1で表される基が最も好ましい。構成単位a2Sの例として、より具体的には、下記一般式a2-0で表される構成単位が挙げられる。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり、R28は-SO2-含有環式基であり、R29は単結合または2価の連結基である。]式a2-0中、Rは前記と同様である。R28は、前記で挙げた-SO2-含有環式基と同様である。R29は、単結合、2価の連結基のいずれであってもよい。本発明の効果に優れることから、2価の連結基であることが好ましい。R29における2価の連結基としては、特に限定されず、たとえば、前記構成単位a1の説明中で挙げた一般式a1-0-2中のY2における2価の連結基として挙げたものと同様のものが挙げられる。それらの中でも、アルキレン基、またはエステル結合-C=O-O-を含むものが好ましい。該アルキレン基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。具体的には、前記Y2における脂肪族炭化水素基として挙げた直鎖状のアルキレン基、分岐鎖状のアルキレン基と同様のものが挙げられる。エステル結合を含む2価の連結基としては、特に、一般式:-R30-C=O-O-[式中、R30は2価の連結基である。]で表される基が好ましい。すなわち、構成単位a2Sは、下記一般式a2-0-1で表される構成単位であることが好ましい。[式中、RおよびR28はそれぞれ前記と同様であり、R30は2価の連結基である。]R30としては、特に限定されず、たとえば、前記式a2-0中のR29の2価の連結基と同様のものが挙げられる。R30の2価の連結基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂環式炭化水素基、またはヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましい。該直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂環式炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基としては、後述するXで好ましいものとして挙げる直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂環式炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基と同様のものが挙げられる。上記の中でも、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、またはヘテロ原子として酸素原子を含む2価の連結基が好ましい。直鎖状のアルキレン基としては、メチレン基またはエチレン基が好ましく、メチレン基が特に好ましい。分岐鎖状のアルキレン基としては、アルキルメチレン基またはアルキルエチレン基が好ましく、-CHCH3-、-CCH32-または-CCH32CH2-が特に好ましい。酸素原子を含む2価の連結基としては、エーテル結合またはエステル結合を含む2価の連結基が好ましく、前記式-A-O-B-、-[A-C=O-O]m-B-または-A-O-C=O-B-で表される基がより好ましい。なかでも、式-A-O-C=O-B-で表される基が好ましく、-CH2c-C=O-O-CH2d-で表される基が特に好ましい。cは1~5の整数であり、1または2が好ましい。dは1~5の整数であり、1または2が好ましい。構成単位a2Sとしては、特に、下記一般式a0-1-11またはa0-1-12で表される構成単位が好ましく、式a0-1-12で表される構成単位がより好ましい。[式中、R、A’、R27、zおよびR30はそれぞれ前記と同じである。]式a0-1-11中、A’はメチレン基、酸素原子-O-または硫黄原子-S-であることが好ましい。R30としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、または酸素原子を含む2価の連結基が好ましい。R30における直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、酸素原子を含む2価の連結基としては、それぞれ、前記で挙げた直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、酸素原子を含む2価の連結基と同様のものが挙げられる。式a0-1-12で表される構成単位としては、特に、下記一般式a0-1-12aまたはa0-1-12bで表される構成単位が好ましい。[式中、RおよびA’はそれぞれ前記と同じであり、c~eはそれぞれ独立に1~3の整数である。]構成単位a2L:構成単位a2Lは、ラクトン含有環式基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していていもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位である。ここで、ラクトン含有環式基とは、その環骨格中に-O-CO-を含む環ラクトン環を含有する環式基を示す。ラクトン環をひとつの目の環として数え、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。ラクトン含有環式基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。構成単位a2Lにおけるラクトン環式基としては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。具体的には、ラクトン含有単環式基としては、4~6員環ラクトンから水素原子を1つ除いた基、たとえばβ-プロピオノラクトンから水素原子を1つ除いた基、γ-ブチロラクトンから水素原子1つを除いた基、δ-バレロラクトンから水素原子を1つ除いた基等が挙げられる。また、ラクトン含有多環式基としては、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子一つを除いた基が挙げられる。構成単位a2Lの例としては、たとえば前記一般式a2-0中のR28をラクトン含有環式基で置換したものが挙げられ、より具体的には、下記一般式a2-1~a2-5で表される構成単位が挙げられる。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり;R’はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルコキシ基または-COORであり、Rは水素原子またはアルキル基であり;R29は単結合または2価の連結基であり、sは0~2の整数であり;Aは酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1~5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり;mは0または1である。]一般式a2-1~a2-5におけるRは、前記構成単位a1におけるRと同様である。R’の炭素数1~5のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基が挙げられる。R’の炭素数1~5のアルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が挙げられる。R’は、工業上入手が容易であること等を考慮すると、水素原子が好ましい。Rにおけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。Rが直鎖状または分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~5であることがさらに好ましい。Rが環状のアルキル基の場合は、炭素数3~15であることが好ましく、炭素数4~12であることがさらに好ましく、炭素数5~10が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。Aとしては、前記一般式3-1中のA’と同様のものが挙げられる。Aは、炭素数1~5のアルキレン基、酸素原子-O-または硫黄原子-S-であることが好ましく、炭素数1~5のアルキレン基または-O-がより好ましい。炭素数1~5のアルキレン基としては、メチレン基またはジメチルメチレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。R29は、前記一般式a2-0中のR29と同様である。式a2-1中、sは1~2であることが好ましい。以下に、前記一般式a2-1~a2-5で表される構成単位の具体例を例示する。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。構成単位a2Lとしては、前記一般式a2-1~a2-5で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が好ましく、一般式a2-1~a2-3で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種がより好ましく、前記一般式a2-1またはa2-2で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が特に好ましい。なかでも、前記式a2-1-1、a2-1-2、a2-2-1、a2-2-7、a2-2-12、a2-2-14、a2-3-1、a2-3-5で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が好ましい。A1成分において、構成単位a2としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。たとえば構成単位a2として、構成単位a2Sのみを用いてもよく、構成単位a2Lのみを用いてもよく、それらを併用してもよい。また、構成単位a2Sまたは構成単位a2Lとして、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明においては、特に、構成単位a2として、少なくとも構成単位a2Sを有することが、本発明の効果に優れるため、好ましい。A1成分中、構成単位a2の割合は、当該A1成分を構成する全構成単位の合計に対し、1~80モルであることが好ましく、10~70モルであることがより好ましく、10~65モルであることがさらに好ましく、10~60モルが特に好ましい。下限値以上とすることにより構成単位a2を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができ、DOF、CDU等の種々のリソグラフィー特性及びパターン形状が良好となる。構成単位a3構成単位a3は、極性基含有脂肪族炭化水素基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していていもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位である。A1成分が構成単位a3を有することにより、A成分の親水性が高まり、解像性の向上に寄与する。極性基としては、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基等が挙げられ、特に水酸基が好ましい。脂肪族炭化水素基としては、炭素数1~10の直鎖状または分岐鎖状の炭化水素基好ましくはアルキレン基や、多環式の脂肪族炭化水素基多環式基が挙げられる。該多環式基としては、例えばArFエキシマレーザー用レジスト組成物用の樹脂において、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。該多環式基の炭素数は7~30であることが好ましい。その中でも、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、またはアルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基を含有する脂肪族多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位がより好ましい。該多環式基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどから2個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。これらの多環式基の中でも、アダマンタンから2個以上の水素原子を除いた基、ノルボルナンから2個以上の水素原子を除いた基、テトラシクロドデカンから2個以上の水素原子を除いた基が工業上好ましい。構成単位a3としては、極性基含有脂肪族炭化水素基における炭化水素基が炭素数1~10の直鎖状または分岐鎖状の炭化水素基のときは、アクリル酸のヒドロキシエチルエステルから誘導される構成単位が好ましく、該炭化水素基が多環式基のときは、下記式a3-1で表される構成単位、下記式a3-2で表される構成単位、下記式a3-3で表される構成単位が好ましいものとして挙げられる。式中、Rは前記と同じであり、jは1~3の整数であり、kは1~3の整数であり、t’は1~3の整数であり、lは1~5の整数であり、sは1~3の整数である。式a3-1中、jは1または2であることが好ましく、1であることがさらに好ましい。jが2の場合は、水酸基がアダマンチル基の3位と5位に結合しているものが好ましい。jが1の場合は、水酸基がアダマンチル基の3位に結合しているものが好ましい。jは1であることが好ましく、水酸基がアダマンチル基の3位に結合しているものが特に好ましい。式a3-2中、kは1であることが好ましい。シアノ基は、ノルボルニル基の5位または6位に結合していることが好ましい。式a3-3中、t’は1であることが好ましい。lは1であることが好ましい。sは1であることが好ましい。これらは、アクリル酸のカルボキシ基の末端に、2-ノルボルニル基または3-ノルボルニル基が結合していることが好ましい。フッ素化アルキルアルコールは、ノルボルニル基の5または6位に結合していることが好ましい。構成単位a3は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。A1成分中、構成単位a3の割合は、当該A1成分を構成する全構成単位に対し、1~50モルであることが好ましく、3~45モルがより好ましく、5~40モルがさらに好ましい。下限値以上とすることにより構成単位a3を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。その他の構成単位A1成分は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記構成単位a1~a3以外の他の構成単位以下、構成単位a4という。を含んでいてもよい。構成単位a4は、上述の構成単位a1~a3に分類されない他の構成単位であれば特に限定されるものではなく、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用好ましくはArFエキシマレーザー用等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。構成単位a4としては、例えば酸非解離性の脂肪族多環式基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していていもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位、ヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位、スチレンから誘導される構成単位、ビニルナフタレン単量体から誘導される構成単位などが好ましい。該多環式基は、例えば、前記の構成単位a1の場合に例示したものと同様のものを例示することができ、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用好ましくはArFエキシマレーザー用等のレジスト組成物の樹脂成分に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。特にトリシクロデカニル基、アダマンチル基、テトラシクロドデカニル基、イソボルニル基、ノルボルニル基から選ばれる少なくとも1種であると、工業上入手し易いなどの点で好ましい。これらの多環式基は、炭素数1~5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を置換基として有していてもよい。構成単位a4として、具体的には、下記一般式a4-1~a4-5の構造のものを例示することができる。[式中、Rは前記と同じである。]構成単位a4としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。構成単位a4をA1成分に含有させる場合、構成単位a4の割合は、A1成分を構成する全構成単位の合計に対して、1~90モルが好ましく、1~85モルがより好ましく、1~80モルがさらに好ましい。A1成分は、構成単位a1を有する共重合体であることが好ましい。かかる共重合体としては、たとえば、構成単位a1、a2及びa3からなる共重合体;構成単位a1及びa4からなる共重合体;構成単位a1、a2、a3及びa4からなる共重合体等が例示できる。本発明において、A1成分としては、特に下記一般式A1-11~A1-14に示す構成単位の組み合わせを含むものが好ましい。下記一般式中、R、R29、s、R13、c、R8、j、e、A’、R11、R12、hはそれぞれ前記と同じであり、式中に複数あるRはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。A1成分の質量平均分子量Mwゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準は、特に限定されるものではなく、1000~50000が好ましく、1500~30000がより好ましく、2500~20000が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。また、A1成分の分散度Mw/Mnは、特に限定されるものではなく、1.0~5.0が好ましく、1.0~3.0がより好ましく、1.2~2.5が最も好ましい。なお、Mnは数平均分子量を示す。A成分において、A1成分としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用しても良い。A成分中のA1成分の割合は、A成分の総質量に対し、25質量以上が好ましく、50質量がより好ましく、75質量がさらに好ましく、100質量であってもよい。該割合が25質量以上であると、リソグラフィー特性等の効果が向上する。[A2成分]A2成分としては、分子量が500以上2500未満であって、上述のA1成分の説明で例示したような酸解離性基と、親水性基とを有する低分子化合物が好ましい。具体的には、複数のフェノール骨格を有する化合物の水酸基の水素原子の一部が上記酸解離性基で置換されたものが挙げられる。A2成分は、たとえば、非化学増幅型のg線やi線レジストにおける増感剤や、耐熱性向上剤として知られている低分子量フェノール化合物の水酸基の水素原子の一部を上記酸解離性基で置換したものが好ましく、そのようなものから任意に用いることができる。かかる低分子量フェノール化合物としては、たとえば、ビス4-ヒドロキシフェニルメタン、ビス2,3,4-トリヒドロキシフェニルメタン、2-4-ヒドロキシフェニル-2-4’-ヒドロキシフェニルプロパン、2-2,3,4-トリヒドロキシフェニル-2-2’,3’,4’-トリヒドロキシフェニルプロパン、トリス4-ヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニル-2-ヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-2,5-ジメチルフェニル-2-ヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニル-3,4-ジヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-2,5-ジメチルフェニル-3,4-ジヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-3-メチルフェニル-3,4-ジヒドロキシフェニルメタン、ビス3-シクロヘキシル-4-ヒドロキシ-6-メチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルメタン、ビス3-シクロヘキシル-4-ヒドロキシ-6-メチルフェニル-3,4-ジヒドロキシフェニルメタン、1-[1-4-ヒドロキシフェニルイソプロピル]-4-[1,1-ビス4-ヒドロキシフェニルエチル]ベンゼン、フェノール、m-クレゾール、p-クレゾールまたはキシレノールなどのフェノール類のホルマリン縮合物の2~6核体などが挙げられる。勿論これらに限定されるものではない。特には、トリフェニルメタン骨格を2~6個有するフェノール化合物が、解像性、LWRに優れることから好ましい。酸解離性基も特に限定されず、上記したものが挙げられる。A2成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明のレジスト組成物において、A成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。上記のなかでも、A成分としては、A1成分を含有することが好ましい。本発明のレジスト組成物中、A成分の含有量は、形成しようとするレジスト膜厚等に応じて調整すればよい。<B成分>B成分としては、後述する化合物C1に該当しないものであれば特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。このような酸発生剤としては、これまで、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリビススルホニルジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが知られている。オニウム塩系酸発生剤として、例えば下記一般式b-1またはb-2で表される化合物を用いることができる。[式中、R1~R3,R5~R6は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表し;式b-1におけるR1~R3のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよく;R4は、置換基を有していても良いアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基を表し;R1~R3のうち少なくとも1つはアリール基を表し、R5~R6のうち少なくとも1つはアリール基を表す。]式b-1中、R1~R3はそれぞれ独立にアリール基またはアルキル基を表す。なお、式b-1におけるR1~R3のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。また、R1~R3のうち、少なくとも1つはアリール基を表す。R1~R3のうち、2以上がアリール基であることが好ましく、R1~R3のすべてがアリール基であることが最も好ましい。R1~R3のアリール基としては、特に制限はなく、例えば、炭素数6~20のアリール基であって、該アリール基は、その水素原子の一部または全部がアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基等で置換されていてもよく、されていなくてもよい。アリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数6~10のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ナフチル基が挙げられる。前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。R1~R3のアルキル基としては、特に制限はなく、例えば炭素数1~10の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。解像性に優れる点から、炭素数1~5であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、n-ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ノニル基、デシル基等が挙げられ、解像性に優れ、また安価に合成可能なことから好ましいものとして、メチル基を挙げることができる。式b-1におけるR1~R3のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、イオウ原子を含めて3~10員環を形成していることが好ましく、5~7員環を形成していることが特に好ましい。式b-1におけるR1~R3のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、残りの1つは、アリール基であることが好ましい。前記アリール基は、前記R1~R3のアリール基と同様のものが挙げられる。式b-1で表される化合物のカチオン部として、好ましいものとしては、下記式I-1-1~I-1-11で表されるカチオン部が挙げられる。これらの中でも、式I-1-1~I-1-8で表されるカチオン部等の、トリフェニルメタン骨格を有するものが好ましい。また、式I-1-9で表されるカチオン部等の、ジナフチル骨格を有するものも好ましい。下記式I-1-10~I-1-11中、R9、R10は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基または炭素数1~5のアルキル基、アルコキシ基、水酸基である。uは1~3の整数であり、1または2が最も好ましい。R4は、置換基を有していても良いアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基を表す。R4におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであっても良い。前記直鎖状または分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~8であることがさらに好ましく、炭素数1~4であることが最も好ましい。前記環状のアルキル基としては、炭素数4~15であることが好ましく、炭素数4~10であることがさらに好ましく、炭素数6~10であることが最も好ましい。R4におけるハロゲン化アルキル基としては、前記直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。ハロゲン化アルキル基においては、当該ハロゲン化アルキル基に含まれるハロゲン原子および水素原子の合計数に対するハロゲン原子の数の割合ハロゲン化率が、10~100であることが好ましく、50~100であることが好ましく、100が最も好ましい。該ハロゲン化率が高いほど、酸の強度が強くなるので好ましい。前記R4におけるアリール基は、炭素数6~20のアリール基であることが好ましい。前記R4におけるアルケニル基は、炭素数2~10のアルケニル基であることが好ましい。前記R4において、置換基を有していても良いとは、前記直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基における水素原子の一部または全部が置換基水素原子以外の他の原子または基で置換されていても良いことを意味する。R4における置換基の数は1つであってもよく、2つ以上であってもよい。前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヘテロ原子、アルキル基、式:X-Q1-[式中、Q1は酸素原子を含む2価の連結基であり、Xは置換基を有していてもよい炭素数3~30の炭化水素基である。]で表される基等が挙げられる。前記ハロゲン原子、アルキル基としては、R4において、ハロゲン化アルキル基におけるハロゲン原子、アルキル基として挙げたもの同様のものが挙げられる。前記ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等が挙げられる。X-Q1-で表される基において、Q1は酸素原子を含む2価の連結基である。Q1は、酸素原子以外の原子を含有してもよい。酸素原子以外の原子としては、たとえば炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。酸素原子を含む2価の連結基としては、たとえば、酸素原子エーテル結合;-O-、エステル結合-C=O-O-、アミド結合-C=O-NH-、カルボニル基-C=O-、カーボネート結合-O-C=O-O-等の非炭化水素系の酸素原子含有連結基;該非炭化水素系の酸素原子含有連結基とアルキレン基との組み合わせ等が挙げられる。該組み合わせとしては、たとえば、-R91-O-、-R92-O-C=O-、-C=O-O-R93-O-C=O-式中、R91~R93はそれぞれ独立にアルキレン基である。等が挙げられる。R91~R93におけるアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、該アルキレン基の炭素数は、1~12が好ましく、1~5がより好ましく、1~3が特に好ましい。該アルキレン基として、具体的には、たとえばメチレン基[-CH2-];-CHCH3-、-CHCH2CH3-、-CCH32-、-CCH3CH2CH3-、-CCH3CH2CH2CH3-、-CCH2CH32-等のアルキルメチレン基;エチレン基[-CH2CH2-];-CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CHCH2CH3CH2-等のアルキルエチレン基;トリメチレン基n-プロピレン基[-CH2CH2CH2-];-CHCH3CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2-等のアルキルトリメチレン基;テトラメチレン基[-CH2CH2CH2CH2-];-CHCH3CH2CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2CH2-等のアルキルテトラメチレン基;ペンタメチレン基[-CH2CH2CH2CH2CH2-]等が挙げられる。Q1としては、エステル結合またはエーテル結合を含む2価の連結基が好ましく、なかでも、-R91-O-、-R92-O-C=O-または-C=O-O-R93-O-C=O-が好ましい。X-Q1-で表される基において、Xの炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよく、脂肪族炭化水素基であってもよい。芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素数は3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~12が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香族炭化水素基として、具体的には、フェニル基、ビフェニルbiphenyl基、フルオレニルfluorenyl基、ナフチル基、アントリルanthryl基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いたアリール基、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基等が挙げられる。前記アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。該芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、当該芳香族炭化水素基が有する芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。前者の例としては、前記アリール基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基、前記アリールアルキル基中の芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部が前記ヘテロ原子で置換されたヘテロアリールアルキル基等が挙げられる。後者の例における芳香族炭化水素基の置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O等が挙げられる。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。Xにおける脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基であってもよく、不飽和脂肪族炭化水素基であってもよい。また、脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。Xにおいて、脂肪族炭化水素基は、当該脂肪族炭化水素基を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよく、当該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよい。Xにおけるヘテロ原子としては、炭素原子および水素原子以外の原子であれば特に限定されず、たとえばハロゲン原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。ヘテロ原子を含む置換基は、前記ヘテロ原子のみからなるものであってもよく、前記ヘテロ原子以外の基または原子を含む基であってもよい。炭素原子の一部を置換する置換基として、具体的には、たとえば-O-、-C=O-O-、-C=O-、-O-C=O-O-、-C=O-NH-、-NH-Hがアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-等が挙げられる。脂肪族炭化水素基が環状である場合、これらの置換基を環構造中に含んでいてもよい。水素原子の一部または全部を置換する置換基として、具体的には、たとえばアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O、シアノ基等が挙げられる。前記アルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記ハロゲン化アルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基等のアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、直鎖状もしくは分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基、または環状の脂肪族炭化水素基脂肪族環式基が好ましい。直鎖状の飽和炭化水素基アルキル基としては、炭素数が1~20であることが好ましく、1~15であることがより好ましく、1~10が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。分岐鎖状の飽和炭化水素基アルキル基としては、炭素数が3~20であることが好ましく、3~15であることがより好ましく、3~10が最も好ましい。具体的には、例えば、1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基などが挙げられる。不飽和炭化水素基としては、炭素数が2~10であることが好ましく、2~5が好ましく、2~4が好ましく、3が特に好ましい。直鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基アリル基、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、1-メチルプロペニル基、2-メチルプロペニル基などが挙げられる。不飽和炭化水素基としては、上記の中でも、特にプロペニル基が好ましい。脂肪族環式基としては、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。その炭素数は3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~12が最も好ましい。具体的には、たとえば、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含まない場合は、脂肪族環式基としては、多環式基が好ましく、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、アダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が最も好ましい。脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含むものである場合、該ヘテロ原子を含む置換基としては、-O-、-C=O-O-、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-が好ましい。かかる脂肪族環式基の具体例としては、たとえば下記式L1~L6、S1~S4等が挙げられる。[式中、Qは炭素数1~5のアルキレン基、-O-、-S-、-O-R94-または-S-R95-であり、R94およびR95はそれぞれ独立に炭素数1~5のアルキレン基であり、mは0または1の整数である。]式中、Q、R94およびR95におけるアルキレン基としては、それぞれ、前記R91~R93におけるアルキレン基と同様のものが挙げられる。これらの脂肪族環式基は、その環構造を構成する炭素原子に結合した水素原子の一部が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O等が挙げられる。前記アルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが特に好ましい。前記アルコキシ基、ハロゲン原子はそれぞれ前記水素原子の一部または全部を置換する置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。本発明において、Xは、置換基を有していてもよい環式基であることが好ましい。該環式基は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましい。前記芳香族炭化水素基としては、置換基を有していてもよいナフチル基、または置換基を有していてもよいフェニル基が好ましい。置換基を有していてもよい脂肪族環式基としては、置換基を有していてもよい多環式の脂肪族環式基が好ましい。該多環式の脂肪族環式基としては、前記ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、前記L2~L6、S3~S4等が好ましい。本発明において、R4は、置換基としてX-Q1-を有することが好ましい。この場合、R4としては、X-Q1-Y1-[式中、Q1およびXは前記と同じであり、Y1は置換基を有していてもよい炭素数1~4のアルキレン基または置換基を有していてもよい炭素数1~4のフッ素化アルキレン基である。]で表される基が好ましい。X-Q1-Y1-で表される基において、Y1のアルキレン基としては、前記Q1で挙げたアルキレン基のうち炭素数1~4のものと同様のものが挙げられる。フッ素化アルキレン基としては、該アルキレン基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。Y1として、具体的には、-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2-、-CFCF2CF3-、-CCF32-、-CF2CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2CF2-、-CF2CFCF3CF2-、-CFCF3CFCF3-、-CCF32CF2-、-CFCF2CF3CF2-、-CFCF2CF2CF3-、-CCF3CF2CF3-;-CHF-、-CH2CF2-、-CH2CH2CF2-、-CH2CF2CF2-、-CHCF3CH2-、-CHCF2CF3-、-CCH3CF3-、-CH2CH2CH2CF2-、-CH2CH2CF2CF2-、-CHCF3CH2CH2-、-CH2CHCF3CH2-、-CHCF3CHCF3-、-CCF32CH2-;-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-、-CHCH3CH2-、-CHCH2CH3-、-CCH32-、-CH2CH2CH2CH2-、-CHCH3CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CHCH2CH3CH2-、-CHCH2CH2CH3-、-CCH3CH2CH3-等が挙げられる。Y1としては、フッ素化アルキレン基が好ましく、特に、隣接する硫黄原子に結合する炭素原子がフッ素化されているフッ素化アルキレン基が好ましい。このようなフッ素化アルキレン基としては、-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2-、-CF2CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2CF2-、-CF2CFCF3CF2-、-CFCF3CFCF3-、-CCF32CF2-、-CFCF2CF3CF2-;-CH2CF2-、-CH2CH2CF2-、-CH2CF2CF2-;-CH2CH2CH2CF2-、-CH2CH2CF2CF2-、-CH2CF2CF2CF2-等を挙げることができる。これらの中でも、-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-、又はCH2CF2CF2-が好ましく、-CF2-、-CF2CF2-又は-CF2CF2CF2-がより好ましく、-CF2-が特に好ましい。前記アルキレン基またはフッ素化アルキレン基は、置換基を有していてもよい。アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が置換基を有するとは、当該アルキレン基またはフッ素化アルキレン基における水素原子またはフッ素原子の一部または全部が、水素原子およびフッ素原子以外の原子または基で置換されていることを意味する。アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が有していてもよい置換基としては、炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基、水酸基等が挙げられる。式b-2中、R5~R6は、それぞれ独立にアリール基またはアルキル基を表す。R5~R6のうち、少なくとも1つはアリール基を表す。R5~R6のすべてが、アリール基であることが好ましい。R5~R6のアリール基としては、R1~R3のアリール基と同様のものが挙げられる。R5~R6のアルキル基としては、R1~R3のアルキル基と同様のものが挙げられる。これらの中で、R5~R6は、すべてフェニル基であることが最も好ましい。式b-2中のR4としては、上記式b-1のR4と同様のものが挙げられる。式b-1、b-2で表されるオニウム塩系酸発生剤の具体例としては、ジフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ4-メチルフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジメチル4-ヒドロキシナフチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、モノフェニルジメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;ジフェニルモノメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、4-メチルフェニルジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ4-tert-ブチルフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジフェニル1-4-メトキシナフチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジ1-ナフチルフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-フェニルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-4-メチルフェニルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-4-メトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-4-エトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-フェニルテトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-4-メチルフェニルテトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート等が挙げられる。また、これらのオニウム塩のアニオン部をメタンスルホネート、n-プロパンスルホネート、n-ブタンスルホネート、n-オクタンスルホネート、1-アダマンタンスルホネート、2-ノルボルナンスルホネート、d-カンファー-10-スルホネート等のアルキルスルホネート、ベンゼンスルホネート、パーフルオロベンゼンスルホネート、p-トルエンスルホネート等の芳香族スルホネートに置き換えたオニウム塩も用いることができる。また、これらのオニウム塩のアニオン部を下記式b1~b8のいずれかで表されるアニオン部に置き換えたオニウム塩も用いることができる。[式中、pは1~3の整数であり、q1~q2はそれぞれ独立に1~5の整数であり、q3は1~12の整数であり、t3は1~3の整数であり、r1~r2はそれぞれ独立に0~3の整数であり、gは1~20の整数であり、R7は置換基であり、n1~n5はそれぞれ独立に0または1であり、v0~v5はそれぞれ独立に0~3の整数であり、w1~w5はそれぞれ独立に0~3の整数であり、Qは前記と同じである。]R7の置換基としては、前記Xにおいて、脂肪族炭化水素基が有していてもよい置換基、芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。R7に付された符号r1~r2、w1~w5が2以上の整数である場合、当該化合物中の複数のR7はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。また、オニウム塩系酸発生剤としては、前記一般式b-1又はb-2において、アニオン部を下記一般式b-3又はb-4で表されるアニオン部に置き換えたオニウム塩系酸発生剤も用いることができるカチオン部はb-1又はb-2と同様。[式中、Xは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数2~6のアルキレン基を表し;Y、Zは、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~10のアルキル基を表す。]Xは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基であり、該アルキレン基の炭素数は2~6であり、好ましくは炭素数3~5、最も好ましくは炭素数3である。Y、Zは、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、該アルキル基の炭素数は1~10であり、好ましくは炭素数1~7、より好ましくは炭素数1~3である。Xのアルキレン基の炭素数またはY、Zのアルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、レジスト溶媒への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。また、Xのアルキレン基またはY、Zのアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また200nm以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するので好ましい。該アルキレン基またはアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは70~100、さらに好ましくは90~100であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基またはパーフルオロアルキル基である。また、下記一般式b-5またはb-6で表されるカチオン部を有するスルホニウム塩をオニウム塩系酸発生剤として用いることもできる。[式中、R41~R46はそれぞれ独立してアルキル基、アセチル基、アルコキシ基、カルボキシ基、水酸基またはヒドロキシアルキル基であり;n1~n5はそれぞれ独立して0~3の整数であり、n6は0~2の整数である。]R41~R46において、アルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、なかでも直鎖または分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、又はtert-ブチル基であることが特に好ましい。アルコキシ基は、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、なかでも直鎖または分岐鎖状のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。ヒドロキシアルキル基は、上記アルキル基中の一個又は複数個の水素原子がヒドロキシ基に置換した基が好ましく、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基等が挙げられる。R41~R46に付された符号n1~n6が2以上の整数である場合、複数のR41~R46はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。n1は、好ましくは0~2であり、より好ましくは0又は1であり、さらに好ましくは0である。n2およびn3は、好ましくはそれぞれ独立して0又は1であり、より好ましくは0である。n4は、好ましくは0~2であり、より好ましくは0又は1である。n5は、好ましくは0又は1であり、より好ましくは0である。n6は、好ましくは0又は1であり、より好ましくは1である。式b-5またはb-6で表されるカチオン部を有するスルホニウム塩のアニオン部は、特に限定されず、これまで提案されているオニウム塩系酸発生剤のアニオン部と同様のものであってよい。かかるアニオン部としては、たとえば上記一般式b-1またはb-2で表されるオニウム塩系酸発生剤のアニオン部R4SO3-等のフッ素化アルキルスルホン酸イオン;上記一般式b-3又はb-4で表されるアニオン部等が挙げられる。本明細書において、オキシムスルホネート系酸発生剤とは、下記一般式B-1で表される基を少なくとも1つ有する化合物であって、放射線の照射によって酸を発生する特性を有するものである。この様なオキシムスルホネート系酸発生剤は、化学増幅型レジスト組成物用として多用されているので、任意に選択して用いることができる。[式B-1中、R31、R32はそれぞれ独立に有機基を表す。]R31、R32の有機基は、炭素原子を含む基であり、炭素原子以外の原子たとえば水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子等等を有していてもよい。R31の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基またはアリール基が好ましい。これらのアルキル基、アリール基は置換基を有していても良い。該置換基としては、特に制限はなく、たとえばフッ素原子、炭素数1~6の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。ここで、置換基を有するとは、アルキル基またはアリール基の水素原子の一部または全部が置換基で置換されていることを意味する。アルキル基としては、炭素数1~20が好ましく、炭素数1~10がより好ましく、炭素数1~8がさらに好ましく、炭素数1~6が特に好ましく、炭素数1~4が最も好ましい。アルキル基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアルキル基以下、ハロゲン化アルキル基ということがあるが好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味し、完全にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味する。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。すなわち、ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。アリール基は、炭素数4~20が好ましく、炭素数4~10がより好ましく、炭素数6~10が最も好ましい。アリール基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアリール基が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味し、完全にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味する。R31としては、特に、置換基を有さない炭素数1~4のアルキル基、または炭素数1~4のフッ素化アルキル基が好ましい。R32の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基、アリール基またはシアノ基が好ましい。R32のアルキル基、アリール基としては、前記R31で挙げたアルキル基、アリール基と同様のものが挙げられる。R32としては、特に、シアノ基、置換基を有さない炭素数1~8のアルキル基、または炭素数1~8のフッ素化アルキル基が好ましい。オキシムスルホネート系酸発生剤として、さらに好ましいものとしては、下記一般式B-2またはB-3で表される化合物が挙げられる。[式B-2中、R33は、シアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。R34はアリール基である。R35は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。][式B-3中、R36はシアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。R37は2または3価の芳香族炭化水素基である。R38は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。pは2または3である。]前記一般式B-2において、R33の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1~10であることが好ましく、炭素数1~8がより好ましく、炭素数1~6が最も好ましい。R33としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。R33におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50以上フッ素化されていることが好ましく、70以上フッ素化されていることがより好ましく、90以上フッ素化されていることが特に好ましい。R34のアリール基としては、フェニル基、ビフェニルbiphenyl基、フルオレニルfluorenyl基、ナフチル基、アントリルanthryl基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素の環から水素原子を1つ除いた基、およびこれらの基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基等が挙げられる。これらのなかでも、フルオレニル基が好ましい。R34のアリール基は、炭素数1~10のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基等の置換基を有していても良い。該置換基におけるアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1~8であることが好ましく、炭素数1~4がさらに好ましい。また、該ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。R35の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1~10であることが好ましく、炭素数1~8がより好ましく、炭素数1~6が最も好ましい。R35としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。R35におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50以上フッ素化されていることが好ましく、70以上フッ素化されていることがより好ましく、90以上フッ素化されていることが、発生する酸の強度が高まるため特に好ましい。最も好ましくは、水素原子が100フッ素置換された完全フッ素化アルキル基である。前記一般式B-3において、R36の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記R33の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。R37の2または3価の芳香族炭化水素基としては、上記R34のアリール基からさらに1または2個の水素原子を除いた基が挙げられる。R38の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記R35の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。pは、好ましくは2である。オキシムスルホネート系酸発生剤の具体例としては、α-p-トルエンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-p-クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-4-ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-4-ニトロ-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-クロロベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2,4-ジクロロベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2,6-ジクロロベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシベンジルシアニド、α-2-クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-チエン-2-イルアセトニトリル、α-4-ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-[p-トルエンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニル]アセトニトリル、α-[ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニル]アセトニトリル、α-トシルオキシイミノ-4-チエニルシアニド、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘプテニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロオクテニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-シクロヘキシルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-エチルアセトニトリル、α-プロピルスルホニルオキシイミノ-プロピルアセトニトリル、α-シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ-シクロペンチルアセトニトリル、α-シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ-シクロヘキシルアセトニトリル、α-シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-イソプロピルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-n-ブチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-イソプロピルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-n-ブチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-p-メトキシフェニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-p-メトキシフェニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-p-メトキシフェニルアセトニトリル、α-プロピルスルホニルオキシイミノ-p-メチルフェニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-p-ブロモフェニルアセトニトリルなどが挙げられる。また、特開平9-208554号公報段落[0012]~[0014]の[化18]~[化19]に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤、国際公開第04/074242号パンフレット65~86頁目のExample1~40に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤も好適に用いることができる。また、好適なものとして以下のものを例示することができる。ジアゾメタン系酸発生剤のうち、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類の具体例としては、ビスイソプロピルスルホニルジアゾメタン、ビスp-トルエンスルホニルジアゾメタン、ビス1,1-ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビス2,4-ジメチルフェニルスルホニルジアゾメタン等が挙げられる。また、特開平11-035551号公報、特開平11-035552号公報、特開平11-035573号公報に開示されているジアゾメタン系酸発生剤も好適に用いることができる。また、ポリビススルホニルジアゾメタン類としては、例えば、特開平11-322707号公報に開示されている、1,3-ビスフェニルスルホニルジアゾメチルスルホニルプロパン、1,4-ビスフェニルスルホニルジアゾメチルスルホニルブタン、1,6-ビスフェニルスルホニルジアゾメチルスルホニルヘキサン、1,10-ビスフェニルスルホニルジアゾメチルスルホニルデカン、1,2-ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニルエタン、1,3-ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニルプロパン、1,6-ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニルヘキサン、1,10-ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニルデカンなどを挙げることができる。B成分としては、これらの酸発生剤を1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明では、B成分として、フッ素化アルキルスルホン酸イオン又は上記式b-3で表されるアニオン部をアニオンとして有するオニウム塩系酸発生剤を用いることが好ましい。本発明のポジ型レジスト組成物におけるB成分の含有量は、A成分100質量部に対し、10~60質量部であって、10~50質量部が好ましく、12~40質量部がより好ましい。上記範囲とすることで、EUVやEBを露光光源とした場合にも、十分な感度を得ることができ、パターン形成を行うことができる。また、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。<C成分>本発明において、C成分は、下記一般式c1で表される化合物C1以下、C1成分という。を含む。本発明においてC成分は、酸拡散制御剤、すなわち露光により前記B成分等から発生する酸をトラップするクエンチャーとして作用するものである。また、本発明のC成分は、C1成分に該当しない含窒素有機化合物成分C2以下、C2成分という。を含んでいてもよい。[式中、RC1は水酸基、アルコキシ基、シアノ基、-O-C=O-CRC2=CH2RC2は水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である、または-O-C=O-RC3RC3は炭化水素基であるであり、Y1は2価の脂肪族炭化水素基であり、R1は水素原子、フッ素原子、アルキル基又はフッ素化アルキル基である。pは1~10の整数を表す。Aは有機カチオンを表す。][C1成分]C1成分は、上記式c1で表される、アニオン部とカチオン部とからなる化合物である。式c1中、RC1は水酸基、アルコキシ基、シアノ基、-O-C=O-CRC2=CH2RC2は水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である、または-O-C=O-RC3RC3は炭化水素基であるである。なお、EUVやEBを露光光源とした場合、RC1に水酸基を有すると露光部における分解反応が促進されると考えられるため好ましい。RC1のアルコキシ基は、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、炭素数1~5のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が挙げられる。なかでも、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。RC1が-O-C=O-CRC2=CH2である場合、RC2は水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。RC2における炭素数1~5のアルキル基は、炭素数1~5の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。RC2におけるハロゲン化アルキル基は、前記炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基である。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。RC2としては、水素原子、炭素数1~3のアルキル基又は炭素数1~3のフッ素化アルキル基が好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子又はメチル基が最も好ましい。RC1が-O-C=O-RC3である場合、RC3は炭化水素基である。RC3の炭化水素基は、芳香族炭化水素基であっても、脂肪族炭化水素基であってもよい。RC3の炭化水素基として具体的には、B成分中のR4の置換基として説明したXの炭化水素基と同様のものが挙げられる。なかでも、RC3の炭化水素基としては、シクロペンタン、シクロヘキサン、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた脂環式基、又は、フェニル基、ナフチル基等の芳香族基が好ましい。RC3が脂環式基である場合、レジスト組成物が有機溶剤に良好に溶解することによりリソグラフィー特性が良好となる。また、RC3が芳香族基である場合、EUV等を露光光源とするリソグラフィーにおいて、該レジスト組成物が光吸収効率に優れ、感度やリソグラフィー特性が良好となる。式c1中、Y1は2価の脂肪族炭化水素基であり、アルキレン基、2価の脂肪族環式基が好適なものとして挙げられる。Y1におけるアルキレン基は、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~6であることがさらに好ましく、炭素数1~4であることが特に好ましく、炭素数2~3であることが最も好ましい。Y1における2価の脂肪族環式基において、脂肪族環式基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルコキシ基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、酸素原子=O等が挙げられる。脂肪族環式基の置換基を除いた基本の環の構造は、炭素および水素からなる基炭化水素基であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、炭化水素基は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。脂肪族環式基は、単環式基又は多環式基のいずれでもよく、多環式基であることが好ましい。脂肪族環式基としては、例えば、前記置換基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。前記式c1中、R1は水素原子、フッ素原子、アルキル基又はフッ素化アルキル基である。特に、R1がフッ素原子又はフッ素化アルキル基である場合、露光によりC1成分から発生する酸の強度酸性度が弱いながらも高まり、露光によりB成分から発生する酸との塩交換のしやすさと、露光前のC1成分における対カチオンの維持しやすさとのバランスが良くなるため、好ましい。R1におけるアルキル基としては、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~8であることがさらに好ましく、炭素数1~4であることが最も好ましい。R1におけるフッ素化アルキル基としては、前記のR1におけるアルキル基中の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたものが挙げられる。該フッ素化アルキル基のフッ素化率フッ素原子と水素原子との合計数に対するフッ素原子数の割合は、50~100が好ましく、80~100がより好ましく、85~100がさらに好ましい。R1における該アルキル基又は該フッ素化アルキル基は、いずれも置換基を有していてもよい。置換基としては、たとえばアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O等が挙げられる。かかる置換基のアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。かかる置換基のハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。かかる置換基のハロゲン化アルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部又は全部が前記ハロゲン原子塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等で置換された基が挙げられる。式c1中、pは1~10の整数を表す。なかでも、pが1~4の整数であることがより好ましく、1~2であることが特に好ましい。pが1~4の整数であり、且つ、R1がフッ素化アルキル基でない場合のR1-CF2p-SO2-の骨格は、たとえば炭素数6~10のパーフルオロアルキル鎖が難分解性であるのに対して分解性が良好で、生体蓄積性を考慮した取扱い性がより向上するという効果も得られる。また、レジスト膜内に均一に分布しやすいため好ましい。式c1中、Aは有機カチオンを表す。Aの有機カチオンとしては、特に制限されず、従来、オニウム塩系酸発生剤等のカチオン部として知られているものを適宜用いることができる。具体的には、前記式b-1~b-2で表される化合物の有機カチオン部や、前記式b-5~b-6で表される有機カチオンを好適に用いることができる。本発明において、Aとしては、式b-1で表される化合物の有機カチオン部、又はb-5で表される有機カチオンが好ましく、特に、前記式I-1-1~I-1-8で表される有機カチオンが好ましく、前記式I-1-1~I-1-8で表される有機カチオン等のトリフェニル骨格の有機カチオンであることがより好ましい。C1成分としては、レジスト組成物とした際、ラフネス等のリソグラフィー特性とレジストパターン形状がより良好であることから、下記式c1-1~c1-3で表される化合物であることが特に好ましい。[式中、R1~R3、R1、pはそれぞれ前記と同じである。qは1~10の整数である。R0は水素原子又はメチル基であり、RC30は脂環式基又は芳香族基である。]前記式中、qは1~6の整数が好ましく、1~4の整数がより好ましく、1~3の整数がさらに好ましく、2が最も好ましい。前記式中、RC30の脂環式基、芳香族基は、RC3の脂環式基、芳香族基と同様である。C1成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明のポジ型レジスト組成物において、該C1成分とB成分との合計に対するC1成分の含有割合は、1~15モルであって、2~13モルであることが好ましく、3~12モルであることがより好ましい。上記範囲の下限値以上とすることにより、C1成分による酸拡散制御が好適に行われ、感度やラフネス等のリソグラフィー特性が向上する。また、上記範囲の上限値以下とすることにより、感度を良好に維持でき、スループットにも優れたレジスト組成物とすることができる。また、C1成分は、A成分100質量部に対して、0.5~10.0質量部であることが好ましく、0.5~5.0質量部であることがより好ましく、0.8~4.0質量部であることがさらに好ましい。上記範囲の下限値以上であると、ポジ型レジスト組成物とした際、A1成分と併用して、ラフネス等のリソグラフィー特性がより向上する。また、より良好なレジストパターン形状が得られる。前記範囲の上限値以下であると、感度を良好に維持でき、スループットにも優れる。[C2成分]C2成分は、C1成分に該当しない含窒素有機化合物成分C2である。C2成分としては、酸拡散制御剤として作用するものであり、且つC1成分に該当しないものであれば特に限定されず、公知のものから任意に用いればよい。なかでも、脂肪族アミン、特に第2級脂肪族アミンや第3級脂肪族アミンが好ましい。脂肪族アミンとは、1つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、該脂肪族基は炭素数が1~12であることが好ましい。脂肪族アミンとしては、アンモニアNH3の水素原子の少なくとも1つを、炭素数12以下のアルキル基またはヒドロキシアルキル基で置換したアミンアルキルアミンまたはアルキルアルコールアミン又は環式アミンが挙げられる。アルキルアミンおよびアルキルアルコールアミンの具体例としては、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デシルアミン、トリ-n-ドデシルアミン等のトリアルキルアミン;ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ-n-オクタノールアミン、トリ-n-オクタノールアミン等のアルキルアルコールアミンが挙げられる。これらの中でも、炭素数5~10のトリアルキルアミンがさらに好ましく、トリ-n-ペンチルアミン又はトリ-n-オクチルアミンが特に好ましい。環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの脂肪族単環式アミンであっても多環式のもの脂肪族多環式アミンであってもよい。脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が6~10のものが好ましく、具体的には、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。その他の脂肪族アミンとしては、トリス2-メトキシメトキシエチルアミン、トリス{2-2-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-2-メトキシエトキシメトキシエチル}アミン、トリス{2-1-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシプロポキシエチル}アミン、トリス[2-{2-2-ヒドロキシエトキシエトキシ}エチルアミン、トリエタノールアミントリアセテート等が挙げられ、トリエタノールアミントリアセテートが好ましい。また、C2成分としては、芳香族アミンを用いてもよい。芳香族アミンとしては、アニリン、ピリジン、4-ジメチルアミノピリジン、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾールまたはこれらの誘導体、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、2,6-ジイソプロピルアニリン、N-tert-ブトキシカルボニルピロリジン等が挙げられる。C2成分は、単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。C2成分は、A成分100質量部に対して、通常0.01~5.0質量部の範囲で用いられる。上記範囲とすることにより、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等が向上する。[E成分]本発明のレジスト組成物には、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、任意の成分として、有機カルボン酸、並びにリンのオキソ酸及びその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種の化合物E以下E成分という。を含有させることができる。有機カルボン酸としては、たとえば、酢酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。リンのオキソ酸としては、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等が挙げられ、これらの中でもホスホン酸が特に好ましい。リンのオキソ酸の誘導体としては、たとえば、上記オキソ酸の水素原子を炭化水素基で置換したエステル等が挙げられ、前記炭化水素基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数6~15のアリール基等が挙げられる。リン酸の誘導体としては、リン酸ジ-n-ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸エステルなどが挙げられる。ホスホン酸の誘導体としては、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸-ジ-n-ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸エステルなどが挙げられる。ホスフィン酸の誘導体としては、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸エステルなどが挙げられる。E成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。E成分としては、有機カルボン酸が好ましく、サリチル酸が特に好ましい。E成分は、A成分100質量部当り0.01~5.0質量部の割合で用いられる。本発明のレジスト組成物には、さらに所望により混和性のある添加剤、たとえばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。[S成分]本発明のレジスト組成物は、レジスト組成物に配合される成分を有機溶剤以下S成分という。に溶解させて製造することができる。S成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができる。S成分は、たとえば、γ-ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル-n-ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2-ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体[これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEが好ましい];ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチルEL、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などを挙げることができる。S成分は、単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。なかでも、γ-ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、乳酸エチルELが好ましい。また、PGMEAと極性溶剤とを混合した混合溶媒も好ましい。その配合比質量比は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよく、1:9~9:1の範囲内とすることが好ましく、2:8~8:2の範囲内とすることがより好ましい。より具体的には、極性溶剤としてELを配合する場合は、PGMEA:ELの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2である。また、極性溶剤としてPGMEを配合する場合は、PGMEA:PGMEの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2、さらに好ましくは3:7~7:3である。また、S成分として、その他には、PGMEA及びELの中から選ばれる少なくとも1種とγ-ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者との質量比が好ましくは70:30~95:5とされる。S成分の使用量は、特に限定されるものではなく、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定され、一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が0.5~20質量、好ましくは1~15質量の範囲内となる様に用いられる。レジスト組成物に配合される成分のS成分への溶解は、たとえば、上記各成分を通常の方法で混合、撹拌するだけでも行うことができ、また、必要に応じてディゾルバー、ホモジナイザー、3本ロールミルなどの分散機を用いて分散、混合させてもよい。また、混合した後で、さらにメッシュ、メンブレンフィルターなどを用いてろ過してもよい。本発明のレジスト組成物によれば、解像性に優れ、且つ、パターン形状やLER等のリソグラフィー特性に優れたレジストパターンを形成できる。また、本発明のレジスト組成物は、EUV等の露光光源に対して高感度であるため、EUV等を用いた場合にも微細パターンを形成することができる。かかる効果が得られる理由は、以下のように推測される。本発明のレジスト組成物は、C1成分を含む。そのため、未露光部においては、C1成分中のアニオン部が、露光により露光部のB成分等から発生する強酸と塩交換し、B成分等から発生した強酸の拡散を抑制するクエンチャーとして機能する。また、本発明のC1成分は、露光により分解し、弱酸を発生する光酸発生剤としても機能する。そのため、露光部においてB成分のみならず、C1成分からも酸が発生するよって光分解後はC1成分はクエンチャーとしての機能を失うことにより、B成分等からの酸の発生と脱保護反応が促進され、露光部と未露光部とのコントラストが大きくなり、より優れた形状やリソグラフィー特性を有するレジストパターンが得られると推察される。さらに、本発明のレジスト組成物は、B成分を多く含み、且つ、C1成分をB成分に対して特定の配合比で含むことにより、EUV等の露光光源に対しても適正感度となり、パターンを得ることができると考えられる。≪レジストパターン形成方法≫本発明の第二の態様であるレジストパターン形成方法は、支持体上に、前記本発明の第一の態様のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含む。本発明のレジストパターン形成方法は、例えば以下の様にして行うことができる。すなわち、まず支持体上に、前記レジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、80~150°Cの温度条件下、プレベークポストアプライベークPABを40~120秒間、好ましくは60~90秒間施し、これに例えば電子線描画機などにより、電子線EBを所望のマスクパターンを介して選択的に露光した後、80~150°Cの温度条件下、PEB露光後加熱を40~120秒間、好ましくは60~90秒間施す。次いで、これを現像処理する。アルカリ現像プロセスの場合は、アルカリ現像液、例えば0.1~10質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液を用いてアルカリ現像処理を行う。また、溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を用いて現像処理を行う。この有機溶剤としては、A成分露光前のA成分を溶解し得るものであればよく、公知の有機溶剤のなかから適宜選択できる。具体的には、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられ、なかでもエステル系溶剤が好ましい。エステル系溶剤としては、酢酸ブチルが好ましい。現像処理後、好ましくはリンス処理を行う。アルカリ現像プロセス後の場合は純水を用いた水リンスが好ましい。溶剤現像プロセス後の場合は、上記で挙げた有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。その後は乾燥を行う。また、場合によっては、上記現像処理後にベーク処理ポストベークを行ってもよい。このようにして、マスクパターンに忠実なレジストパターンを得ることができる。支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。また、支持体としては、上述のような基板上に、無機系および/または有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜無機BARCが挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜有機BARCが挙げられる。露光に用いる波長は、特に限定されず、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV極紫外線、VUV真空紫外線、EB電子線、X線、軟X線等の放射線を用いて行うことができる。本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EB又はEUVに対してより有効であり、ArFエキシマレーザーに対して特に有効である。レジスト膜の露光は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光ドライ露光であってもよく、液浸露光であってもよい。液浸露光では、露光時に、従来は空気や窒素等の不活性ガスで満たされているレンズとウェーハ上のレジスト膜との間の部分を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒液浸媒体で満たした状態で露光を行う。より具体的には、液浸露光は、上記のようにして得られたレジスト膜と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒液浸媒体で満たし、その状態で、所望のマスクパターンを介して露光浸漬露光することによって実施できる。液浸媒体としては、空気の屈折率よりも大きく、かつ当該浸漬露光によって露光されるレジスト膜の有する屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒が好ましい。かかる溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。空気の屈折率よりも大きく、かつレジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、フッ素系不活性液体、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。フッ素系不活性液体の具体例としては、C3HCl2F5、C4F9OCH3、C4F9OC2H5、C5H3F7等のフッ素系化合物を主成分とする液体等が挙げられ、沸点が70~180°Cのものが好ましく、80~160°Cのものがより好ましい。フッ素系不活性液体が上記範囲の沸点を有するものであると、露光終了後に、液浸に用いた媒体の除去を、簡便な方法で行えることから好ましい。フッ素系不活性液体としてnは、特に、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されたパーフロオロアルキル化合物が好ましい。パーフロオロアルキル化合物としては、具体的には、パーフルオロアルキルエーテル化合物やパーフルオロアルキルアミン化合物を挙げることができる。さらに、具体的には、前記パーフルオロアルキルエーテル化合物としては、パーフルオロ2-ブチル-テトラヒドロフラン沸点102°Cを挙げることができ、前記パーフルオロアルキルアミン化合物としては、パーフルオロトリブチルアミン沸点174°Cを挙げることができる。液浸媒体としては、コスト、安全性、環境問題、汎用性等の観点から、水が好ましく用いられる。次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。[実施例1~27、比較例1~11]表1~4に示す各成分を混合して溶解し、ポジ型のレジスト組成物を調製した。表1~4中の各略号は以下の意味を有する。また、[]内の数値は配合量質量部であり、<>内の数値はモル数である。A-1~A-5:下記高分子化合物A-1~A-5。B-1~B-4:下記化合物B-1~B-4。C1-1:下記化合物C1-1。C1-2:下記合成法により得られる下記化合物C1-2。C1-3:下記化合物C1-3。C2-1:トリ-n-オクチルアミン。E-1:サリチル酸。S-1:γ-ブチロラクトン。S-2:PGMEA/PGME/シクロヘキサノン=2205/1960/1225質量比の混合溶剤。S-3:PGMEA/PGME=6/4質量比の混合溶剤。以下に、下記C1-2で表される化合物の合成例を示す。なお、NMRによる分析において、1H-NMRの化学シフト基準物質はテトラメチルシランTMSであり、19F-NMRの化学シフト基準物質はトリクロロフルオロメタンである但し、ヘキサフルオロベンゼンのピークを-162.2ppmとした。[合成例1:N-2-アダマンタン-1-イルカルボニルオキシエチルトリフルオロメタンスルホンアミドの合成]温度計、コンデンサーを備えたガラスのフラスコにトリフルオロメタンスルホン酸アミドエタノール100g0.52mol、1-アダマンタンカルボン酸108.6g0.54mol、パラトルエンスルホン酸0.1mol、およびトルエン500gを投入しディーンシュターク型脱水装置を用いて還流下、脱水を行った。9時間還流の後、約9mlの水が除去できた。この反応液を酢酸エチル500gに溶解し、炭酸水素ナトリウム飽和溶液で2回、1N-HClで1回、飽和食塩水で1回洗浄する。有機相を硫酸ナトリウムで乾燥、溶媒を減圧留去した後、ヘキサン中で再結晶し、N-[2-アダマンタン-1-イルカルボニルオキシエチル]トリフルオロメタンスルホンアミド140g収率75、純度99を得た。[N-[2-アダマンタン-1-イルカルボニルオキシエチル]トリフルオロメタンスルホンアミドの物性分析]該N-[2-アダマンタン-1-イルカルボニルオキシエチル]トリフルオロメタンスルホンアミドについてNMRによる分析を行った。1HNMR測定溶媒:重クロロホルム,基準物質:テトラメチルシラン;δ=5.43-5.35brs,1H,4.20t,2H,J=5.2Hz,3.53td,2H,J=5.2Hz,2.08-1.98brs,3H,1.91-1.87brs,6H,1.75-1.67brs,6H.19FNMR測定溶媒:重クロロホルム,基準物質:トリクロロフルオロメタン;δ=-77.8s,3F.上記分析の結果から、得られた化合物が下記式iに示すN-2-アダマンタン-1-イルカルボニルオキシエチルトリフルオロメタンスルホンアミドであることが確認できた。[合成例2:トリフェニルスルホニウムN-[2-アダマンタン-1-イルカルボニルオキシエチル]トリフルオロメタンスルホンアミドの合成]3Lの反応器に、上記合成例1で得られたN-[2-アダマンタン-1-イルカルボニルオキシエチル]トリフルオロメタンスルホンアミド240g0.63mol、水800mL、クロロホルム800mLを加え、内温を0°Cに維持しながら11NaOH240g0.68molをゆっくりと滴下し、30分撹拌を行った。トリフェニルスルホニウムブロミド244g0.71molを加え室温で15時間撹拌した後、分液を行い、得られた有機層を水800mLで4回洗浄し、減圧濃縮を行った。得られた黄色油状物をアセトニトリルに溶解させIPE中で再結晶を行いトリフェニルスルホニウムN-[2-アダマンタン-1-イルカルボニルオキシエチル]トリフルオロメタンスルホンアミドを360g得た。このとき純度は99、収率87であった。[トリフェニルスルホニウムN-[2-アダマンタン-1-イルカルボニルオキシエチル]トリフルオロメタンスルホンアミドの物性分析]該トリフェニルスルホニウムN-[2-アダマンタン-1-イルカルボニルオキシエチル]トリフルオロメタンスルホンアミドについてNMRによる分析を行った。1HNMR測定溶媒:重DMSO,基準物質:テトラメチルシラン;δ=7.88-7.76m,15H;Ph3S,3.85t,2H,3.02t,2H,2.08-1.98brs,3H,1.91-1.87brs,6H,1.75-1.67brs,6H.19FNMR測定溶媒:重DMSO,基準物質:トリクロロフルオロメタン;δ=-75.5s,3F.上記分析の結果から、得られた化合物が下記C1-2に示すトリフェニルスルホニウムN-[2-アダマンタン-1-イルカルボニルオキシエチル]トリフルオロメタンスルホンアミドであることが確認できた。[Mw=8000、Mw/Mn=1.91、l/m/n=38.7/38.2/23.1モル比][Mw=7400、Mw/Mn=2.29、l/m/n/o=34.5/21.7/30.5/13.3モル比][Mw=8300、Mw/Mn=1.96、l/m/n=31/57/12モル比][Mw=7400、Mw/Mn=1.83、l/m/n/o/p=36.2/21.2/15.9/14.6/12.0モル比][Mw=8000、Mw/Mn=1.86、l/m=70.1/29.9モル比]<レジストパターンの形成>[感度]得られたポジ型レジスト組成物を用いて解像性の評価を行った。各例のポジ型レジスト組成物を、90°Cにて36秒間のヘキサメチルジシラザンHMDS処理を施した8インチシリコン基板上に、スピンナーを用いて均一にそれぞれ塗布し、表5に示す温度にて60秒間のベーク処理PABを行ってレジスト膜膜厚60nmを成膜した。該レジスト膜に対し、電子線描画機HL-800DVSBHitachi社製を用い、加速電圧70kVにて、露光量75μC/cm2以下の範囲で描画露光を行った。また、表5に示す温度にて60秒間のベーク処理PEBを行い、さらに23°CにてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAHの2.38質量水溶液商品名:NMD-3、東京応化工業株製を用いて30秒間の現像を行った後、純水にて15秒間リンスして、振り切り乾燥を行った。その結果、比較例6~11は解像しなかったが、比較例6~11を除いたいずれの例においても、前記レジスト膜に、スペース幅100nm、ピッチ200nmの1:1スペーススペースアンドラインS/Lパターンが形成された。また、形成されたパターンについてこのときの最適露光量EopμC/cm2、つまり感度を求めた。結果を表5に示す。[パターン形状評価]上記100nmの1:1S/Lパターンが形成される最適露光量Eopにおいて形成されたパターンの断面形状を、走査型電子顕微鏡商品名:S-4700、日立製作所製を用いて観察し、その形状を以下の基準で評価した。結果を表5に示す。○:矩形性が高く、良好である。×:Top-round形状であり、矩形性が低い。解像性上記Eopにおける限界解像度nmを、走査型電子顕微鏡S-9220Hitachi社製を用いて求めた。50nmで解像したものを○、50nmで解像しなかったものパターンが抜け切れなかったものを×として、結果を表5に示す。解像性の結果が○であった例において、以下のLER、ELマージンの検討を行った。[ラインエッジラフネスLER]S/Lパターンのラインごとの寸法ばらつきを評価した。具体的には、測長SEM走査型電子顕微鏡、加速電圧800V、商品名:S-9220、日立製作所社製により、16個のラインのライン幅を計測し、その結果から算出した標準偏差sの3倍値3sを求めた。このようにして求められる3sは、その値が小さいほどラフネスが小さく、均一な幅のS/Lパターンが得られたことを意味する。[露光余裕度ELマージンの評価]上記Eopで、S/Lパターンのラインがターゲット寸法ライン幅100nmの±1090nm~110nmの範囲内で形成される際の露光量を求め、次式によりELマージン単位:を求めた。その結果を表5に示す。ELマージン=|E1-E2|/EOP×100E1:スペース幅90nmのS/Lパターンが形成された際の露光量μC/cm2E2:スペース幅110nmのS/Lパターンが形成された際の露光量μC/cm2なお、ELマージンは、その値が大きいほど、露光量の変動に伴うパターンサイズの変化量が小さいことを示す。表5の結果から、実施例1~27のレジスト組成物は、比較例1~11のレジスト組成物に比べて、解像性、LWR、ELマージン等のリソグラフィー特性及びパターン形状が良好であることが確認できた。"