第1面と第2面とが対向する基板に孔を形成する基板の孔あけ方法であって、前記基板の前記第1面より第1凹部を形成する第1凹部形成工程と、前記第1凹部に分離膜を形成する分離膜形成工程と、前記第2面にエッチングガスを流動して前記第1凹部と対向する場所に前記第2面から前記分離膜まで第2凹部を形成する第2凹部形成工程と、前記第1凹部と前記第2凹部との間に位置する前記分離膜を除去して前記第1凹部と前記第2凹部とを貫通する前記孔を形成する分離膜除去工程と、を有し、前記第2凹部は平面視において辺と辺とが交差する場所が円弧となっている多角形または円形であることを特徴とする基板の孔あけ方法。請求項1に記載の基板の孔あけ方法であって、前記基板の平面視において前記第2凹部は前記第1凹部の内側に位置することを特徴とする基板の孔あけ方法。請求項1または2に記載の基板の孔あけ方法であって、前記孔は円柱状のピンが挿入される位置決め用の孔であり、前記多角形は長方形であり、前記円弧の直径は前記長方形の短辺方向の幅より短いことを特徴とする基板の孔あけ方法。請求項1~3のいずれか一項に記載の基板の孔あけ方法であって、前記基板は前記孔と異なる場所にノズル孔を有し、前記孔と前記ノズル孔とが同じ工程にて形成されることを特徴とする基板の孔あけ方法。シリコンまたはガラスからなる基板と、前記基板に設置された凹部と、前記基板の平面視において前記凹部の内側に位置する孔と、を有し、前記孔は平面視において辺と辺とが交差する場所が円弧となっている多角形または円形であることを特徴とする基板。ノズルプレートを生産性良く製造するために第1ノズル及び第2ノズルを形成する工程と並行して位置決め用の孔を形成する方法が考えられる。つまり、第1ノズルを形成する工程にて位置決め用の孔の一部を形成する。次に、分離膜を配置して基板を薄板化する。続いて、第2ノズルを形成する工程にて位置決め用の孔の残りを形成する。この工程において基板の裏面にはエッチングガスが流動し、基板の表面には冷却ガスが流動する。このエッチングガスと冷却ガスとは分離膜により分離される。そして、裏面に分離膜が露出するとき、分離膜にはエッチングガスの圧力と冷却ガスの圧力の差に相当する圧力が加わる。これにより、分離膜が破れて塵となりノズルプレートや製造装置に付着するとき正常なエッチングができずに不具合が生ずることがある。そこで、大きさの異なる複数の孔が重なる孔を製造するときの製造過程で、孔を分離する分離膜が破れ難い製造方法が望まれていた。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例にかかる基板の孔あけ方法は、第1面と第2面とが対向する基板に孔を形成する基板の孔あけ方法であって、前記基板の前記第1面より第1凹部を形成する第1凹部形成工程と、前記第1凹部に分離膜を形成する分離膜形成工程と、前記第2面にエッチングガスを流動して前記第1凹部と対向する場所に前記第2面から前記分離膜まで第2凹部を形成する第2凹部形成工程と、前記第1凹部と前記第2凹部との間に位置する前記分離膜を除去して前記第1凹部と前記第2凹部とを貫通する前記孔を形成する分離膜除去工程と、を有し、前記第2凹部は平面視において辺と辺とが交差する場所が円弧となっている多角形または円形であることを特徴とする。本適用例によれば、第1凹部形成工程にて基板の第1面より第1凹部を形成し、分離膜形成工程では第1凹部に分離膜を形成する。第2凹部形成工程では第1面に冷却ガスを流動し、第2面にエッチングガスを流動させる。そして、第1凹部と対向する場所に第2面から分離膜まで第2凹部を形成する。この段階では、第1凹部と第2凹部とは分離膜にて分離されている。従って、エッチングガスが流動する場所を第2面側に限定させることができる。分離膜除去工程では第1凹部と第2凹部との間に位置する分離膜を除去する。これにより、第1凹部と第2凹部とが貫通して基板に孔が形成される。第2凹部形成工程ではエッチングガスにより分離膜に圧力が加わる。そして、圧力の高い方に分離膜が加圧される。これにより、分離膜が伸長する。第2凹部が平面視において多角形のとき角部分は辺の部分に比べて引き伸ばされる。従って、分離膜には内部応力の高い場所と低い場所とが形成される。本実施形態では、多角形の辺と辺とが交差する場所が円弧となっている。従って、円弧の部分は辺と辺とが交差する場所が角となっているときに比べて引き伸ばされ難くすることができる。これにより、分離膜の内部応力の高い場所と低い場所と差を小さくことができる。第2凹部が平面視において円形のときにも分離膜の内部応力の高い場所と低い場所と差を小さくことができる。その結果、分離膜を破れ難くすることができる。[適用例2]上記適用例にかかる基板の孔あけ方法において、前記基板の平面視において前記第2凹部は前記第1凹部の内側に位置することを特徴とする。本適用例によれば、基板の平面視において第2凹部は第1凹部の内側に位置している。第1凹部には分離膜が形成されているので、第2凹部形成工程では第2凹部の第1面側が分離膜に到達する。このとき、平面状に形成された分離膜に圧力が加わる。一方、基板の平面視において第2凹部が第1凹部と第1凹部の外側の場所とに位置するとき、第2凹部の第1面側は分離膜と第1凹部の外側の部分とになる。従って、第1凹部の側面と第1凹部の第2面側の面とが交差し、交差する場所の分離膜が第2凹部の第1面側に含まれる。このとき第1凹部の側面と第1凹部の第2面側の面とが交差する場所の分離膜は応力が集中し易いので破れ易くなる。このときに比べて本適用例では平面状に形成された分離膜に圧力が加わるので応力集中が生じ難い為破れ難くすることができる。[適用例3]上記適用例にかかる基板の孔あけ方法において、前記孔は円柱状のピンが挿入される位置決め用の孔であり、前記多角形は長方形であり、前記円弧の直径は前記長方形の短辺方向の幅より短いことを特徴とする。本適用例によれば、孔にはピンが挿入され基板の位置決めに用いられる。そして、円弧の直径は長方形の短辺方向の幅より短くなっている。そして、ピンの直径は長方形の短辺方向の幅と略同じ長さに設定される。従って、ピンが長方形の短辺に接近するとき、ピンは円弧に接することなく短辺に接触する。その結果、孔は長方形の長手方向の総ての場所にピンを移動させることができる。[適用例4]上記適用例にかかる基板の孔あけ方法において、前記基板は前記孔と異なる場所にノズル孔を有し、前記孔と前記ノズル孔とが同じ工程にて形成されることを特徴とする。本適用例によれば、基板はノズル孔を有している。そして、孔とノズル孔とが同じ工程にて製造されている。従って、孔とノズル孔とをそれぞれ別の工程にて製造するときに比べて、生産性良く基板を製造することができる。[適用例5]本適用例にかかる基板であっては、シリコンまたはガラスからなる基板と、前記基板に設置された凹部と、前記基板の平面視において前記凹部の内側に位置する孔と、を有し、前記孔は平面視において辺と辺とが交差する場所が円弧となっている多角形または円形であることを特徴とする。本適用例によれば、基板はシリコンまたはガラスにて形成されている。そして、基板には凹部が形成され、基板の平面視において凹部の内側には孔が形成されている。凹部及び孔はエッチングにて形成することができ、特にドライエッチングにて精度良く形成することができる。このとき、まず、凹部を形成した後に凹部を覆って分離膜を形成する。次に、凹部と対向する場所に別の凹部を形成した後で分離膜を除去することにより基板を貫通する孔を形成することができる。このとき、孔の形状を平面視において辺と辺とが交差する場所が円弧となっている多角形または円形にすることにより、分離膜を破れないように基板を形成することができる。本実施形態では、液滴吐出ヘッドと液滴吐出ヘッドに用いられるノズルプレート及びノズルプレートを製造する特徴的な例について、図1~図8に従って説明する。以下、実施形態について図面に従って説明する。尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。実施形態図1は、液滴吐出ヘッドの構成を示す概略分解斜視図であり、一部を断面であらわしてある。図1に示すように、液滴吐出ヘッド1は主に流路形成基板2及び基板としてのノズルプレート3から構成され、流路形成基板2上にノズルプレート3が固着されている。流路形成基板2は主に電極基板4及びキャビティー基板5から構成され、電極基板4上にキャビティー基板5が固着されている。ノズルプレート3には複数のノズル孔6と孔としての位置決め孔7が設置されている。ノズル孔6は1列に配列しているが、2列以上でも良く、液滴吐出ヘッド1の形態に合わせて良い。ノズルプレート3の材質は剛性があれば良くシリコン、ガラス、金属等を採用することができる。本実施形態では例えば、ノズルプレート3の材料にシリコン基板を採用している。キャビティー基板5にはノズル孔6と連通する圧力室8が形成されている。圧力室8の個数はノズル孔6と同じ個数であり、一方向に長い直方体となっている。圧力室8の長手方向はノズル孔6の配列方向と直交している。そして、ノズルプレート3が圧力室8の蓋をする形態となっており、圧力室8の長手方向の一端にノズル孔6が設置されている。圧力室8においてノズルプレート3と対向する場所に振動板9が設置されている。キャビティー基板5の材質には例えばシリコン基板を用いることができる。そして、振動板9となる場所には高濃度のボロンを拡散させたボロン拡散層が形成されている。キャビティー基板5はアルカリによる異方性ウェットエッチング法を用いて形成され、ボロン拡散層を用いたエッチングストップ技術により振動板9の厚さが精度よく形成されている。圧力室8の長手方向においてノズル孔6とは別の端の側面には細溝状のオリフィス10が設置されている。そして、複数のオリフィス10と連通するリザーバー11が設置されている。リザーバー11は圧力室8にインクを供給する流路でありインクを貯留する場所となっている。そして、ノズルプレート3がリザーバー11の蓋をする形態となっており、リザーバー11において電極基板4と対向する面にはインク導入孔12が設置されている。キャビティー基板5において位置決め孔7と対向する場所には位置決め孔13が設置されている。そして、位置決め孔7と位置決め孔13とが連結するように配置されている。キャビティー基板5においてリザーバー11側の角には共通電極14が設置されており、キャビティー基板5に電圧を印加することが可能になっている。電極基板4の材料は例えばガラスを用いることができる。そして、圧力室8と対向する場所には一方向に長い直方体状の凹部15が形成されている。そして、凹部15の長手方向は圧力室8の長手方向と同じ方向となっている。凹部15内にはITOIndiumTinOxideからなる個別電極16が設置されている。電極基板4において、位置決め孔13と対向する場所には位置決め孔17が設置されている。そして、位置決め孔13と位置決め孔17とが連結するように配置されている。これにより、位置決め孔7、位置決め孔13、位置決め孔17が連結可能になっている。図2aはノズルプレートを示す模式平面図である。図2bはノズルプレートを示す模式断面図であり、図2aのA-A’線に沿う断面を示す。図2に示すようにノズルプレート3は長方形の板状である。キャビティー基板5と接するノズルプレート3の面を第2面3bとし、第2面3bと対向する面を第1面3aとする。ノズルプレート3にはノズル孔6が1列に整列して配置されている。ノズル孔6の個数や配列数は特に限定されず本実施形態では例えばノズルプレート3には11個のノズル孔6が設置されている。ノズル孔6は直径の異なる円柱状のノズル外側孔6aとノズル内側孔6bとの2つの孔が同軸上に配置されている。ノズル外側孔6aはノズル内側孔6bより直径が小さい孔であり、第1面3aに開口して設置されている。同様に、ノズル内側孔6bは第2面3bに開口して設置されている。ノズルプレート3にはさらに一対の位置決め孔7が設置されている。位置決め孔7は第1位置決め孔18と第2位置決め孔19とからなっている。第1位置決め孔18は直径の異なる円柱状の第1凹部、位置決め用の孔及び凹部としての第1外側凹部18aと第2凹部及び孔としての第1内側孔18bとの2つの孔が同軸上に配置されている。第1外側凹部18aは第1内側孔18bより直径が大きな凹部であり、第1面3aに開口して設置されている。同様に、第1内側孔18bは第2面3bに開口して設置されている。第2位置決め孔19は第1凹部としての第2外側凹部19aと第2凹部及び孔としての第2内側孔19bとが重ねて配置されている。第2内側孔19bはノズルプレート3の平面視において辺19dと辺19dとが交差する場所が円弧19eとなっている長方形である。第2外側凹部19aと第2内側孔19bとは平面形状が相似形であり、第2外側凹部19aは第2内側孔19bより大きい形状となっている。第2外側凹部19aは第1面3aに開口して設置され、第2内側孔19bは第2面3bに開口して設置されている。図2cは、インクジェットヘッドの構造を示す模式断面図である。図2cに示すように、液滴吐出ヘッド1は電極基板4、キャビティー基板5、ノズルプレート3がこの順に重ねて配置されている。インクはインク導入孔12からリザーバー11に供給される。リザーバー11には各オリフィス10が連結しており、インクはオリフィス10を通って圧力室8に流入する。そして、インクは圧力室8からノズル孔6を通って外気へ吐出される。電極基板4には凹部15が形成されており、凹部15には個別電極16が設置されている。キャビティー基板5において電極基板4側の面にはシリコンの熱酸化膜からなる絶縁膜22が形成されている。そして、凹部15により個別電極16と絶縁膜22との間にはギャップ23が形成されている。振動板9が振動するときギャップ23の長さが変動する。そして、絶縁膜22が個別電極16と接触するときにも絶縁膜22と個別電極16との間で電気が流れないようになっている。凹部15の一部はエポキシ樹脂等の封止材24により気密に封止されている。これにより、凹部15への水分や塵の粒子の侵入が防止されている。個別電極16の一端は電極端子25となっており、電極端子25は、ドライバーIC等の駆動制御回路26と接続されている。さらに、振動板9と導通する共通電極14も駆動制御回路26と接続されている。従って、駆動制御回路26は振動板9と個別電極16との間に印加する電圧を制御することができる。そして、所定のギャップ23を隔てて対向配置された振動板9と個別電極16とにより静電アクチュエーター27が構成される。駆動制御回路26は個別電極16と振動板9との間に電圧を印加する。電圧の印加によって静電気力が発生し、振動板9が個別電極16側に引き寄せられる。これにより、圧力室8内が負圧になり、リザーバー11内のインクが圧力室8に流入する。インクの流入と並行して、ノズル孔6ではインクの振動であるメニスカス振動が発生する。メニスカス振動が略最大となった時点で、駆動制御回路26は電圧を解除する。これにより、振動板9が個別電極16から離脱し、振動板9の復元力によりインクがノズル孔6から押出される。そして、液滴吐出ヘッド1はノズル孔6からインク滴を吐出する。次に上述したノズルプレート3の製造方法と組立方法について図3~図8にて説明する。図3は、ノズルプレートの製造方法及び組立方法のフローチャートであり、図4~図7はノズルプレートの製造方法を説明するための模式図である。図8はノズルプレートの組立方法を説明するための模式図である。図3のフローチャートにおいて、ステップS1は第1凹部形成工程に相当し、基板上に凹部を形成する工程である。次にステップS2に移行する。ステップS2は分離膜形成工程に相当し、基板を覆って分離膜を形成する工程である。次にステップS3に移行する。ステップS3は研削工程に相当し、基板の第2面側を研削して基板を薄板化する工程である。次にステップS4に移行する。ステップS4は第2凹部形成工程に相当し、研削した面に凹部を形成する工程である。次にステップS5に移行する。ステップS5は、分離膜除去工程に相当し、分離膜を除去する工程である。次にステップS6に移行する。ステップS6は、撥液膜形成工程に相当し、基板を覆って撥液膜を形成する工程である。次にステップS7に移行する。ステップS7は、分離工程に相当し、基板からノズルプレートを分離する工程である。次にステップS8に移行する。ステップS8は、組立工程に相当し、キャビティー基板にノズルプレートを固着する工程である。以上の工程で液滴吐出ヘッド1が完成する。次に、図4~図8を用いて、図3に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。図4a~図4cはステップS1の第1凹部形成工程に対応する図である。図4aに示すように、ステップS1において、シリコン基板28を用意する。シリコン基板28はシリコンウエハーとも称す。シリコン基板28の厚さは限定されないが本実施形態では例えば厚さは725μmとする。そして、シリコン基板28の一方の表面28aにドライエッチングマスクとしてのレジスト29を塗布し乾燥する。次に、フォトリソグラフィー法を用いてレジスト29をパターニングし、ノズル外側孔6a、第1外側凹部18a及び第2外側凹部19aに対応する場所に開口29aを形成する。尚、表面28aは、最終的に第1面3aとなることから以下では表面28aを第1面3aとする。図4bに示すように、ICPInductiveCoupledPlasmaドライエッチング装置を用いてレジスト29の開口29aから垂直に異方性ドライエッチングを行う。これにより、ノズル外側孔6a、第1外側凹部18a及び第2外側凹部19aを形成する。この場合のエッチングガスとしては、例えば、C4F8、SF6を使用し、これらのエッチングガスを交互に使用する。C4F8は、ノズル外側孔6a、第1外側凹部18a及び第2外側凹部19aの側面方向にエッチングが進行しないように側面を保護するために使用する。SF6は、シリコン基板28の垂直方向のエッチングを促進させるために使用する。図4cに示すように、シリコン基板28からレジスト29を剥離して除去する。レジスト29を除去するには硫酸水等からなる剥離液を使用してシリコン基板28を洗浄する。その後、純水にて洗浄することにより剥離液を除去する。図4dはステップS2の分離膜形成工程に対応する図である。図4dに示すように、ステップS2において、シリコン基板28を熱酸化炉に投入する。そして、シリコン基板28の表面全体に分離膜としての熱酸化膜30SiO2膜を形成する。熱酸化膜30の厚みは特に限定されないが、本実施形態では例えば、膜厚は0.1μmにしている。このとき、ノズル外側孔6a、第1外側凹部18a及び第2外側凹部19aにも熱酸化膜30が形成される。図5a及び図5bはステップS3の研削工程に対応する図である。図5aはシリコン基板の模式側面図であり、図5bはシリコン基板の模式上面図である。図5a及び図5bに示すように、ステップS3において、シリコン基板28の第1面3aに、両面接着シートを介して、ガラス等の透明材料よりなる支持基板31を貼り付ける。具体的には、支持基板31に貼り合わせた両面接着シートの自己剥離層の面と、シリコン基板28とを向かい合わせ、真空中で貼り合わせる。これにより接着界面に気泡が残らないきれいな接着が可能になる。この接着の際に接着界面に気泡が残ると、研削加工でシリコン基板28を薄板化する際に板厚がばらつく原因となる。ここで、両面接着シートは、例えば、セルファBG登録商標:積水化学工業を用いることができる。両面接着シートは一方の面に自己剥離層を持った自己剥離型シートであり両面に接着面を有している。自己剥離層は紫外線または熱等の刺激によって接着力が低下するようになっている。シリコン基板28と支持基板31とを貼り合わせているので、シリコン基板28の薄板化加工時にシリコン基板28を破損することなく加工することができる。また、研削加工後には支持基板31とシリコン基板28とを剥離する。このとき、シリコン基板28に糊が残ること無く容易に支持基板31を剥離することができる。尚、支持基板31を剥離する工程は特にこの工程に限定されず、後の工程にて剥離しても良い。シリコン基板28の第1面3aの反対側からグラインダーを用いて研削加工を行い、所望の板厚まで薄板化する。研削した場所は熱酸化膜30も削られて除去される。研削された場所で第1面3aと平行となる面が第2面3bとなる。従来の製造方法では、研削加工の際にノズル外側孔6a周縁にチッピングが発生する問題があった。本実施形態の製造方法では、ノズル外側孔6aを形成した後、ノズル外側孔6aの反対側から研削加工を行っている。そして、研削加工を行った後にノズル内側孔6bを形成する。このため、ノズル外側孔6a及びノズル内側孔6bのどちらにもチッピングが発生することがない。従って、品質良くノズル孔6を形成することができる。図5c及び図6はステップS4の第2凹部形成工程に対応する図である。図5cに示すように、ステップS4において、シリコン基板28の第2面3bにドライエッチングマスクとしてのレジスト29を塗布して乾燥する。次に、フォトリソグラフィー法を用いてレジスト29をパターニングし、ノズル内側孔6b、第1内側孔18b及び第2内側孔19bに対応する場所に開口29aを形成する。図6aに示すように、ICPドライエッチング装置を用いてレジスト29の開口29aから垂直に異方性ドライエッチングを行う。これにより、ノズル内側孔6b、第1内側孔18b及び第2内側孔19bを形成する。この場合のエッチングガスとしては、例えば、C4F8、SF6を使用し、これらのエッチングガスを交互に使用する。C4F8は、ノズル内側孔6b、第1内側孔18b及び第2内側孔19bの側面方向にエッチングが進行しないように側面を保護するために使用する。SF6は、シリコン基板28の垂直方向のエッチングを促進させるために使用する。図6bは第2位置決め孔19を拡大した模式断面図であり、図6cは第2位置決め孔19を拡大した模式平面図である。図6b及び図6cに示すように、シリコン基板28の平面視において第2内側孔19bは第2外側凹部19aの内側に位置している。そして、第2内側孔19b側にエッチングガス20bを流動させて、第2外側凹部19a側には冷却ガス20aを流動させる。冷却ガス20aとエッチングガス20bとにより熱酸化膜30に圧力が加わる。そして、圧力の高い第2内側孔19bから熱酸化膜30が加圧される。これにより、熱酸化膜30が伸長する。圧力が加わらないとき、熱酸化膜30は平坦な膜であり、加圧されて円弧状になる。従って、熱酸化膜30には応力が集中しない構造となっている為、熱酸化膜30は破れ難くすることができる。本実施形態では、第2内側孔19bの平面形状では長方形の辺19dと辺19dとが交差する場所が円弧19eとなっている。従って、熱酸化膜30の内部応力の高い場所と低い場所と差を小さくことができる為、熱酸化膜30を引き伸ばされ難くすることができる。図6dは比較例であり、第2内側孔が長方形の場合の模式平面図である。図6dにおいて、第2内側孔19cは平面形状が長方形となっており、辺と辺とが交差する場所は角32になっている。そして、角32の2等分線の方向を第1方向33とし、第1方向33と直交する方向を第2方向34とする。このとき、角32の付近では第1方向33に比べて第2方向34の方向に熱酸化膜30が引き伸ばされる。従って、熱酸化膜30は角32の付近にて破れやすくなっている。図7aはステップS5の、分離膜除去工程に対応する図である。図7aに示すように、ステップS5において、シリコン基板28からレジスト29及び熱酸化膜30を剥離して除去する。レジスト29及び熱酸化膜30を除去するには硫酸水等からなる剥離液を使用してシリコン基板28を洗浄する。その後、純水にて洗浄することにより剥離液を除去する。図7bはステップS6の、撥液膜形成工程に対応する図である。図7bに示すように、ステップS6において、シリコン基板28の表面全体にインクに対する耐インク性と撥インク性とを付与するための処理を行う。つまり、ノズル孔6、第1位置決め孔18及び第2位置決め孔19の内壁を含むシリコン基板28の表面全体にシリコンの熱酸化膜35及び撥液膜36を形成する。まず、シリコン基板28を熱酸化炉に投入してシリコン基板28の表面全体に例えば膜厚0.1μmの熱酸化膜35を形成する。熱酸化膜35はSiO2膜であり、ノズル孔6の内壁にも形成される。次に、シリコン基板28の洗浄を行う。この洗浄の際、ノズル孔6の開口が支持基板等で閉塞されることなく貫通しているため、ノズル孔6内の洗浄を良好に行うことができる。続いて、フッ素原子を含むケイ素化合物を主成分とする撥液性を持った材料を蒸着やディッピングで成膜し、撥液膜36を形成する。このとき、ノズル孔6はノズル外側孔6a及びノズル内側孔6bの内壁に撥液膜36が形成される。図7c~図7eはステップS7の、分離工程に対応する図である。図7cに示すように、ステップS7において、シリコン基板28の第1面3a側にダイシングテープ37を貼る。次に、図7dに示すように、レーザー照射装置38からシリコン基板28を分離する予定の線に沿ってレーザー光38aを照射する。このとき、レーザー光38aを集光して照射することにより、シリコン基板28の内部に改質部39が形成される。改質部39ではシリコン原子の配列構造が変化するのでシリコン基板28の改質部39を脆くすることができる。そして、シリコン基板28を分離する予定の線に沿って改質部39を配列させて、改質部39の面を形成する。次に、図7eに示すように、改質部39が形成された面に沿って応力を加える。これにより、シリコン基板28が分断され、個々のノズルプレート3が分離する。そして、ダイシングテープ37からノズルプレート3を剥離する。以上の工程にてノズルプレート3が完成する。図8はステップS8の、組立工程に対応する図である。図8aに示すように、ステップS8において、流路形成基板2及びノズルプレート3を用意する。流路形成基板2は電極基板4とキャビティー基板5とが陽極接合にて固着されている。流路形成基板2の製造方法は公知であり、説明を省略する。さらに、組立用の治具であるベース板42、2本の位置決めピン43、押圧板44を用意する。まず、ベース板42上に2本の位置決めピン43を立設する。次に、キャビティー基板5上でノズルプレート3と接触する場所に接着剤を塗布する。接着剤を塗布する方法は特に限定されず、オフセット印刷、スクリーン印刷、インクジェット法等を用いることができる。続いて、位置決めピン43に位置決め孔17及び位置決め孔13を貫通させて流路形成基板2をベース板42上に設置する。次に、ノズルプレート3の第1位置決め孔18及び第2位置決め孔19にそれぞれ位置決めピン43を貫通させて、ノズルプレート3を流路形成基板2上に設置する。続いて、押圧板44でノズルプレート3を押圧し加熱する。これにより、流路形成基板2とノズルプレート3とを接着させる。これによって、ノズルプレート3の各ノズル孔6と流路形成基板2の圧力室8とが適切な位置で連通するように高精度に位置決めされる。図8bに示すように、第2内側孔19bは長方形であり、位置決めピン43の直径43aは第2内側孔19bの短辺方向の幅45と同じ長さとなっている。従って、位置決めピン43とノズルプレート3は短辺方向の相対位置が規制される。第2内側孔19bの隣り合う2辺19dが交差する場所は円弧19eになっている。そして、円弧19eの半径46は位置決めピン43の半径より小さくなっている。従って、第2内側孔19bにおける円弧19eの直径は幅45より短く形成されている。このとき、位置決めピン43が第2内側孔19bの短辺に接近するとき、位置決めピン43は円弧19eに接することなく短辺に接触する。その結果、第2内側孔19bの長手方向の総ての場所に位置決めピン43を移動させることができる。以上の工程により液滴吐出ヘッド1が完成する。比較例図9は比較例におけるノズルプレートの模式断面図であり、ステップS4の第2凹部形成工程を説明するための模式図である。図9aはノズルプレートの全体を示し、図9bは第2位置決め孔の部分を示す。ノズルプレート47はシリコン基板28の第1面47aにノズル外側孔6aが形成されている。さらに、第1面47aには第1外側凹部48a及び第2外側凹部49aが形成されている。第1外側凹部48aは第1外側凹部18aに相当し、第2外側凹部49aは第2外側凹部19aに相当する。シリコン基板28は薄板化されており、第2面47bにはレジスト29が塗布されている。そして、開口29aがパターニングされ、ノズル内側孔6b、第1内側孔48b、第2内側孔49bがエッチングされている。図9bに示すように、第1外側凹部48aは第1内側孔48bより平面形状が小さくなっている。そして、第2面47b側から第1内側孔48bのエッチングが進行するとき、第1外側凹部48aと第1内側孔48bとの間には熱酸化膜30が残るように形成される。熱酸化膜30において第1外側凹部48aと第1内側孔48bとを仕切る部分を仕切部30aとする。そして、第1外側凹部48aと仕切部30aとが交差する場所を周辺部30bとする。熱酸化膜30の仕切部30aにはエッチングガス20bと冷却ガス20aとの差に相当する圧力が加わる。そして、仕切部30aは円弧状に変形する。周辺部30bは直角に形成されていることから、仕切部30aが円弧状に変形するとき、周辺部30bは鋭角になる。このとき、第1内側孔48b側の周辺部30bは伸長するように応力が作用する。従って、仕切部30aに加わる圧力が変動するとき周辺部30bは裂けやすくなる。第2外側凹部49aと第2内側孔49bとの間においても、同様に熱酸化膜30が裂けやすくなる。本実施形態では周辺部30bが平坦な形状となっている。従って、ノズルプレート3は熱酸化膜30が裂けるのを防止することができる。上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。1本実施形態によれば、ステップS4の第2凹部形成工程では冷却ガス20aとエッチングガス20bとにより熱酸化膜30に圧力が加わる。そして、圧力の高い方に熱酸化膜30が加圧される。これにより、熱酸化膜30が伸長する。第2内側孔19bが平面視において四角形のとき角32の部分は辺の部分に比べて引き伸ばされる。従って、熱酸化膜30には内部応力の高い場所と低い場所とが形成される。本実施形態では、四角形の辺19dと辺19dとが交差する場所が円弧19eとなっている。従って、円弧19eの部分は辺19dと辺19dとが交差する場所が角となっているときに比べて引き伸ばされ難くすることができる。これにより、熱酸化膜30の内部応力の高い場所と低い場所と差を小さくことができる。第1内側孔18bが平面視において円形のときにも分離膜の内部応力の高い場所と低い場所と差を小さくことができる。その結果、熱酸化膜30を破れ難くすることができる。2本実施形態によれば、シリコン基板28の平面視において第1内側孔18bは第1外側凹部18aの内側に位置している。第1外側凹部18aには熱酸化膜30が形成されているので、ステップS4の第2凹部形成工程では第1内側孔18bの第1面3a側が熱酸化膜30に到達する。このとき、平面状に形成された熱酸化膜30に圧力が加わる。一方、基板の平面視において第1内側孔18bが第1外側凹部18aと第1外側凹部18aの外側の場所とに位置するとき、第1内側孔18bの第1面3a側は熱酸化膜30と第1外側凹部18aの外側の部分とになる。従って、第1外側凹部18aの側面と第1外側凹部18aの第2面3b側の面とが交差する場所の熱酸化膜30も第1内側孔18bの第1面3a側に含まれる。このとき、第1外側凹部18aの側面と第1外側凹部18aの第2面3b側の面とが交差する場所の熱酸化膜30は応力が集中し易いので破れ易くなる。この構造に比べて本実施形態の構造では平面状に形成された熱酸化膜30に圧力が加わるので応力集中がおこり難い為破れ難くすることができる。この内容は、第2位置決め孔19においても同様の効果を有する。3本実施形態によれば、第2内側孔19bには位置決めピン43が挿入されノズルプレート3の位置決めに用いられる。そして、円弧19eの直径は長方形の短辺方向の幅45より短くなっている。そして、位置決めピン43の直径は長方形の短辺方向の幅45と略同じ長さに設定される。従って、位置決めピン43が長方形の短辺に接近するとき、位置決めピン43は円弧19eに接することなく短辺に接触する。その結果、第2内側孔19bは長方形の長手方向の総ての場所に位置決めピン43を移動させることができる。4本実施形態によれば、位置決め孔7とノズル孔6とが同じ工程にて製造されている。従って、位置決め孔7とノズル孔6とをそれぞれ別の工程にて製造するときに比べて、生産性良くノズルプレート3を製造することができる。5本実施形態によれば、熱酸化膜30が第1外側凹部18aと第1内側孔18bとを分離している。同様に、熱酸化膜30が第2外側凹部19aと第2内側孔19bとを分離している。従って、エッチングガスと冷却ガスとが混合することを防止することができる。その結果、品質良くエッチングを行うことができる。尚、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。変形例1前記第1の実施形態では、熱酸化膜30を分離膜とした。分離膜はCVDやスパッタ等の方法にて形成しても良い。このときには、分離膜の材質はSiO2に限らず、各種金属や無機質を用いることができる。そして、製造し易い工程にしても良い。変形例2前記第1の実施形態では、第1位置決め孔18は平面形状を円形にしたが、6角形、7角形、8角形等の多角形でも良い。位置決めピン43を第1位置決め孔18に挿入するときに多角形の辺を変形させることができるので、寸法の製造誤差を許容させることができる。変形例3前記第1の実施形態では、ノズルプレート3の例を説明したが、他の基板においても同様の方法を用いて大きさの異なる孔を形成しても良い。電極基板4、キャビティー基板5の他各種の基板に用いても良い。この場合にも分離膜が破れにくくすることができる。