"光電変換可能な化合物半導体を含む光吸収層と、該光吸収層の一方の表面に設けられたInを含む第1の半導体層と、該第1の半導体層の前記光吸収層と反対側の表面に設けられたII-B族元素およびInを含む第2の半導体層と、該第2の半導体層の前記光吸収層と反対側の表面に設けられたInを含む透明電極層とを具備しており、前記第2の半導体層は前記第1の半導体層との界面付近においてInの組成比率の極小値を有している光電変換装置。前記第1の半導体層はInのカルコゲン化物を含み、前記第2の半導体層はZnのカルコゲン化物を含む請求項1に記載の光電変換装置。前記第1の半導体層は硫化インジウムを含み、前記第2の半導体層は硫化亜鉛を含む請求項1または2のいずれかに記載の光電変換装置。前記光吸収層はカルコパイライト系の材料を含む請求項1~3のいずれかに記載の光電変換装置。請求項1~4のいずれかに記載の光電変換装置を複数有し、隣接する前記光電変換装置を電気的に接続した光電変換モジュ-ル。光電変換可能な化合物半導体を含む光吸収層上にInを含む第1の半導体層を形成する第1工程と、該第1の半導体層の表面にII-B族元素のカルコゲン化物を含む中間層を形成する第2工程と、該中間層の表面にInを含む透明導電層を形成する第3工程と、該透明電極層を還元雰囲気中で熱処理して前記透明電極層から前記中間層内にInを拡散させる第4工程とを有する光電変換装置の製造方法。光電変換可能な化合物半導体を含む光吸収層上にInを含む第1の半導体層を形成する第1工程と、該第1の半導体層の表面にII-B族元素のカルコゲン化物を含む中間層を形成する第2工程と、該中間層をInを含む溶液に浸漬することで該溶液から前記中間層内にInを拡散させる第3工程とを有する光電変換装置の製造方法。しかしながら、特許文献1に示すような光電変換装置およびそれを用いた光電変換モジュ-ルであっても、用途によっては、リ-ク電流に対する信頼性が低く、経年変化によって光電変換効率が低下する場合があった。本発明は、上記従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、変換効率を高く維持可能な信頼性の高い光電変換装置および光電変換モジュ-ルを提供することである。本発明の一実施形態の光電変換装置は、光電変換可能な化合物半導体を含む光吸収層と、該光吸収層の一方の表面に設けられたInを含む第1の半導体層と、該第1の半導体層の前記光吸収層と反対側の表面に設けられたII-B族元素およびInを含む第2の半導体層と、該第2の半導体層の前記光吸収層と反対側の表面に設けられたInを含む透明電極層とを具備しており、前記第2の半導体層は前記第1の半導体層との界面付近においてInの組成比率の極小値を有している。さらに、本発明の一実施形態の光電変換モジュ-ルは、上記記載の光電変換装置を複数有し、隣接する前記光電変換装置を電気的に接続したものである。さらに、本発明の一実施形態の光電変換装置の製造方法は、光電変換可能な化合物半導体を含む光吸収層上にInを含む第1の半導体層を形成する第1工程と、該第1の半導体層の表面にII-B族元素のカルコゲン化物を含む中間層を形成する第2工程と、該中間層の表面にInを含む透明導電層を形成する第3工程と、該透明電極層を還元雰囲気中で熱処理して前記透明電極層から前記中間層内にInを拡散させる第4工程とを有する。また、本発明の一実施形態の光電変換装置の製造方法は、光電変換可能な化合物半導体を含む光吸収層上にInを含む第1の半導体層を形成する第1工程と、該第1の半導体層の表面にII-B族元素のカルコゲン化物を含む中間層を形成する第2工程と、該中間層をInを含む溶液に浸漬することで該溶液から前記中間層内にInを拡散させる第3工程とを有する。本発明によれば、光電変換装置を使用する過程での経年変化における第2の半導体層の導電性の上昇を抑えて、リ-ク電流を低減することで、光電変換効率を高く維持することが可能な高い信頼性を有する光電変換装置および光電変換モジュ-ルを得るものである。以下に、本発明の光電変換装置とその製造方法および光電変換モジュ-ルの一実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。光電変換装置光電変換装置10は、基板1と、第1の電極層2と、光吸収層3と、半導体層4と、第2の電極層5以下、透明電極層5ともいうとを含んで構成される。半導体層4は、光吸収層3側の第1の半導体層4aと透明電極層5側の第2の半導体層4bとから成る。半導体層4は、光吸収層3に対してヘテロ接合を行う層をいう。半導体層4は、光吸収層3上に5nm~200nm程度の厚みで形成されている。光吸収層3と半導体層4とは異なる導電型であることが好ましく、例えば、光吸収層3がp型半導体である場合、半導体層4はn型半導体である。好ましくはリ-ク電流を低減するという観点からは、半導体層4は、抵抗率が1Ωcm以上の層であるのがよい。また、半導体層4は光吸収層3の吸収効率を高めるため、光吸収層3が吸収する光の波長領域に対して光透過性を有するものが好ましい。図1において、光電変換装置10は複数並べて形成されている。そして、光電変換装置10は、光吸収層3の基板1側に第1の電極層2と離間して設けられた第3の電極層6を具備している。そして、光吸収層3に設けられた接続導体7によって、透明電極層5と第3の電極層6とが電気的に接続されている。この第3の電極層6は、隣接する光電変換装置10の第1の電極層2と一体化されている。この構成により、隣接する光電変換装置10同士が直列接続されている。なお、一つの光電変換装置10内において、接続導体7は光吸収層3および半導体層4を貫通するように設けられており、第1の電極層2と透明電極層5とで挟まれた光吸収層3と半導体層4とで光電変換が行なわれる。基板1は、光電変換装置10を支持するためのものである。基板1に用いられる材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が挙げられる。第1の電極層2および第3の電極層6は、Mo、Al、TiまたはAu等の導電体が用いられ、基板1上にスパッタリング法または蒸着法等で形成される。透明電極層5は、ITO、ZnO等の0.05~3μmの透明導電膜である。透明電極層5は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長CVD法等で形成される。透明電極層5は、半導体層4よりも抵抗率の低い層であり、光吸収層3で生じた電荷を取り出すためのものである。電荷を良好に取り出すという観点からは、透明電極層5の抵抗率が1Ωcm未満でシ-ト抵抗が50Ω/□以下であるのがよい。透明電極層5は光吸収層3の吸収効率を高めるため、光吸収層3の吸収光に対して光透過性を有するものが好ましい。光透過性を高めると同時に光反射ロス防止効果および光散乱効果を高め、さらに光電変換によって生じた電流を良好に伝送するという観点から、透明電極層5は0.05~0.5μmの厚さとするのが好ましい。また、透明電極層5と半導体層4との界面での光反射ロスを防止する観点からは、透明電極層5と半導体層4の屈折率は等しいのが好ましい。次に本発明の光電変換装置の実施の形態の他の例を図2、図3に基づき説明する。図2は他の実施形態である光電変換装置20の断面図であり、図3は光電変換装置20の斜視図である。図2、図3は、透明電極層5上に集電電極8が形成されている点で図1の光電変換装置10と異なっている。図2、図3において、図1と同じ構成のものには、同じ符号を付しており、図1と同様、光電変換装置20が複数接続されて光電変換モジュ-ル21を構成している。本発明の一実施形態の光電変換装置は、光電変換可能な化合物半導体を含む光吸収層と、該光吸収層の一方の表面に設けられたInを含む第1の半導体層と、該第1の半導体層の前記光吸収層と反対側の表面に設けられたII-B族元素およびInを含む第2の半導体層と、該第2の半導体層の前記光吸収層と反対側の表面に設けられたInを含む透明電極層とを具備しており、前記第2の半導体層は前記第1の半導体層との界面付近においてInの組成比率の極小値を有している。図4において、縦軸は光吸収層3および半導体層4の全組成に対するInの原子、横軸は光吸収層3と第1の半導体層4aとの界面を原点0としたときの距離を示すものであり、光吸収層側を、第1の半導体層4a側を-としているものである。例えば、第2の半導体層4bにおける第1の半導体層4aとの界面付近-30nm付近、すなわち図4の点線の円で囲まれた部分では、Inの組成比率の極小値を有している。この極小値の領域で導電性が最も低くなることで、光吸収層3から半導体層4にかけてのリ-ク電流を低減し、光電変換効率の高い信頼性を得るものである。また、この極小値の領域によって、経年変化による透明電極層5側からのInの拡散が緩衝され、第1の半導体層4aへの必要以上のInの拡散を抑えることができる。その結果、光吸収層3と第1の半導体層4aとの良好なpn接合を維持することができ、光電変換効率の高い信頼性を得るものである。また、第2の半導体層4bの透明電極5側においてInが予め含まれていることによって、透明電極層5から第2の半導体層4bへのInの拡散を低減することができる。その結果、経年変化による透明電極5からのInの拡散が、第2の半導体層4b中で局所的に進行することによる大きなリ-ク電流の発生を低減できる。なお透明電極層5から半導体層4にかけて、Inの組成が断続的に大きく変化している場合は、透過率や屈折率の急激な変化の要因となり、吸収する光の反射が生じてしまうので、Inの組成比率は膜厚方向に連続的に漸次変化していることが好ましい。さらに、本発明の一実施形態の光電変換装置は、前記第1の半導体層はInのカルコゲン化物を含み、前記第2の半導体層はZnのカルコゲン化物を含むことが好ましい。第1の半導体層4aはIII-VI族化合物を含む半導体であり、III-VI族化合物とはIII-B族元素とVI-B族元素との化合物である。III-VI族化合物としては、製造の容易性という観点からはIII-B族元素のカルコゲン化物であることが好ましく、例えば、Ga2S3、Ga2Se3、Ga2Te3、In2S3、In2Se3、In2Te3などが挙げられる。このようなIII-VI族化合物を含む半導体は、高温高湿の環境下における耐久性が高く、劣化しにくい。また、第2の半導体層4bはZnのカルコゲン化物を含む半導体であり、Znのカルコゲン化物とは、ZnS、ZnSe、ZnTeをいう。Znの水酸化物やZnの酸化物を含んでいてもよい。好ましくは、第2の半導体層4bを構成するZnの全モル数のうち、60以上がZnのカルコゲン化物であることが好ましい。このようなZnのカルコゲン化物を含む半導体は、光吸収層3とのバンド整合を良好にすることができ、光電変換効率を高めることができる。そして、光吸収層3上に第1の半導体層4aおよび第2の半導体層4bを順次積層した構成とすることで、高温高湿の環境下での高い耐久性と高い光電変換効率を兼ね備えたものとなるとともに、大面積で光電変換装置を作製した場合にも、このような耐久性および光電変換効率が面内位置によってばらつくことを抑制できる。よって、耐久性および光電変換特性にすぐれた光電変換装置の大面積化が可能となる。さらに第1の半導体層4aは5~100nmであることが好ましい。このような厚みであると、第2の半導体層4bが光吸収層3に接近して形成されるため、光吸収層3とのバンド整合を良好にして光吸収層3と半導体層4とで構成される光電変換部の電荷分離機能を高めることができる。さらに第2の半導体層4aは5~100nmであることが好ましい。このような厚みであることにより、漏れ電流の低減に寄与し、電圧を向上させ、性能を高めることができる。また、取出し電流の抵抗となる成分を抑えることができ、性能を高めることができる。さらに、本発明の一実施形態の光電変換装置の好ましい半導体層4の形態としては、第1の半導体層が硫化インジウムを含み、第2の半導体層が硫化亜鉛を含むものが好ましい。これにより、半導体層4間でのバンド整合がより良好となり電荷移動が良好となる。特に光吸収層3がI-III-VI族化合物半導体から成るカルコパイライト系の化合物半導体である場合、光吸収層3、半導体層4のバンド整合が特に良好となり光電変換効率をより高めることができる。好ましくは、第1の半導体層4aを構成するInの全モル数のうち、60以上が硫化インジウムであり、第2の半導体層4bを構成するZnの全モル数のうち、60以上が硫化亜鉛であることが好ましい。これにより、半導体層4全体の高温高湿の環境下における耐久性をより高めることができる。さらに、本発明の一実施形態の光電変換装置の光吸収層3は、カルコパイライト系の材料を含むことが好ましく、光を吸収して電荷を生じる機能を有する。光吸収層3は特に限定されないが、10μm以下の薄層でも高い光電変換効率を得ることができるという観点からは、カルコパイライト系の化合物半導体であることが好ましい。カルコパイライト系の化合物半導体としては、例えばI-III-VI族化合物半導体がある。I-III-VI族化合物半導体とは、I-B族元素11族元素ともいうとIII-B族元素13族元素ともいうとVI-B族元素16族元素ともいうとの化合物半導体であるCIS系化合物半導体ともいう。I-III-VI族化合物半導体としては、例えば、CuIn,GaSe2CIGSともいう、CuIn,GaSe,S2CIGSSともいう、およびCuInS2CISともいうが挙げられる。なお、CuIn,GaSe2とは、CuとInとGaとSeとから主に構成された化合物をいう。また、CuIn,GaSe,S2とは、CuとInとGaとSeとSとから主に構成された化合物をいう。また、II-VI族化合物半導体とは、II-B族元素12族元素ともいうとVI-B族元素との化合物半導体である。II-VI族化合物半導体としては、例えば、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS,CdSe、CdTe等が挙げられる。このような光吸収層3は以下のような方法により形成できる。まず、原料元素例えばI-B族元素、II-B族元素、III-B族元素、VI-B族元素などをスパッタリングや蒸着によって膜状に形成し、または原料溶液の塗布によって膜状に形成し、原料元素を含む前駆体を形成する。そしてこの前駆体を加熱することにより半導体から成る光吸収層3を形成できる。あるいは、金属元素例えばI-B族元素、II-B族元素、III-B族元素などを上記と同様に膜状に形成して前駆体を形成し、この前駆体をVI-B族元素を含むガス雰囲気下で加熱することによっても形成できる。光電変換モジュ-ルさらに、本発明の一実施形態の光電変換モジュ-ルは、光電変換装置を複数有し、隣接する光電変換装置を電気的に接続したものである。すなわち、光電変換装置10は、複数個を並べてこれらを電気的に接続し、光電変換モジュ-ル11とすることができる。隣接する光電変換装置10同士を容易に直列接続するために、図1に示すように、光電変換装置10は、光吸収層3の基板1側に第1の電極層2と離間して設けられた第3の電極層6を具備している。そして、光吸収層3に設けられた接続導体7によって、透明電極層5と第3の電極層6とが電気的に接続されている。接続導体7は、透明電極層5を形成する際に同時形成して一体化することが好ましい。これにより、工程を簡略化できるとともに透明電極層5との電気的な接続信頼性を高めることができる。接続導体7は、透明電極層5と第3の電極層6とを接続するとともに、隣接する光電変換装置10の各光吸収層3も分断するように形成されていることにより、隣接する光吸収層3でそれぞれ光電変換を良好に行い、直列接続で電流を取り出すことができる。光電変換装置の製造方法次に本発明の一実施形態の光電変換装置の製造方法について説明する。光電変換装置の製造方法には、湿式成膜法が用いられる。この湿式成膜法は、原料溶液を光吸収層3上に塗布しそれを加熱等の処理により化学反応させる方法や、原料を含む溶液中での化学反応により光吸収層3上に析出させる方法である。このような方法とすることで、光吸収層3表面に半導体層4がある程度拡散して形成され、光吸収層3と半導体層4とのヘテロ接合を欠陥の少ない良好なものとすることができる。本発明の一実施形態の光電変換装置の製造方法は、光電変換可能な化合物半導体を含む光吸収層上にInを含む第1の半導体層を形成する第1工程と、該第1の半導体層の表面にII-B族元素のカルコゲン化物を含む中間層を形成する第2工程と、該中間層の表面にInを含む透明導電層を形成する第3工程と、該透明電極層を還元雰囲気中で熱処理して前記透明電極層から前記中間層内にInを拡散させる第4工程とを有する。この第4工程では、水素等の還元雰囲気下において、好ましくは150~250°C、1~10時間程度熱処理する。これによって、透明電極層5から中間層の方向へInが積極的に拡散する一方、第1の半導体層4aからも中間層の方向へInが積極的に拡散するので、中間層における第1の半導体層4aとの界面付近において、Inの組成比率の極小値が形成され、中間層は第2の半導体層4bとなる。また、本発明の他の実施形態の光電変換装置の製造方法は、光電変換可能な化合物半導体を含む光吸収層上にInを含む第1の半導体層を形成する第1工程と、該第1の半導体層の表面にII-B族元素のカルコゲン化物を含む中間層を形成する第2工程と、該中間層をInを含む溶液に浸漬することで該溶液から前記中間層内にInを拡散させる第3工程とを有する。この第3工程では、中間層をInを含む溶液に浸漬する、好ましくは中間層を乾燥させた後、Inを含む溶液に圧力をかけて浸漬する。これによって、中間層へInを積極的に拡散させることができ、中間層における第1の半導体層4aとの界面付近において、Inの組成比率の極小値が形成され、中間層は第2の半導体層4bとなる。これらの光電変換装置の製造方法によって、予め第2の半導体層4bにInを適切に拡散させておくことができ、経年変化でのInの拡散によるリ-ク電流を低減し、光電変換効率が大きく変化することを低減することができる。"