ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含む第1のガラスセラミックス組成物の焼結体からなる略平板状の基体と、前記基体の上側主面に接合された枠体とを有し、前記基体の上側主面の一部を底面とし前記枠体の内壁面を側面として形成される凹部の底面に発光素子の搭載部を有する発光素子用基板であって、前記枠体が、拡散反射性を有する、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含む第2のガラスセラミックス組成物の焼結体からなることを特徴とする発光素子用基板。前記凹部の側面が該凹部の底面に対して略垂直に設けられた請求項1記載の発光素子用基板。さらに、前記基体が、拡散反射性を有する、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含む第2のガラスセラミックス組成物の焼結体からなる請求項1または2に記載の発光素子用基板。前記第2のガラスセラミックス組成物が含有するセラミックスフィラーがアルミナ粉末とジルコニア粉末の混合物である請求項1~3のいずれか1項に記載の発光素子用基板。前記凹部の側面と該凹部底面の搭載部端縁との間の距離が該搭載部の全周に亘って略等間隔となるように、前記枠体が前記基体の上側主面に接合された請求項1~4のいずれか1項に記載の発光素子用基板。複数の発光素子を搭載するための発光素子用基板であって、前記枠体が、搭載する発光素子毎に独立した前記凹部を形成するような形状に設計された請求項1~5のいずれか1項に記載の発光素子用基板。前記発光素子の搭載部間に位置する前記枠体の高さが、発光素子が搭載されたときの発光素子の最高部と同じ高さ以上であり、該高さに50μmを加えた高さ以下である請求項6に記載の発光素子用基板。請求項1~7のいずれか1項に記載の発光素子用基板と、前記発光素子用基板に搭載される発光素子とを有することを特徴とする発光装置。本発明は、上記問題を解決するためになされたものであって、簡便な構造でありながら、発光素子を搭載した際に高い光取り出し効率が得られる発光素子用基板の提供を目的とする。また、本発明は、上記発光素子用基板を用いた高発光輝度の発光装置の提供を目的とする。本発明の発光素子用基板は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含む第1のガラスセラミックス組成物の焼結体からなる略平板状の基体と、前記基体の上側主面に接合された枠体とを有し、前記基体の上側主面の一部を底面とし前記枠体の内壁面を側面として形成される凹部の底面に発光素子の搭載部を有する発光素子用基板であって、前記枠体が、拡散反射性を有する、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含む第2のガラスセラミックス組成物の焼結体からなることを特徴とする。本発明の発光素子用基板における前記凹部の側面は、該凹部の底面に対して略垂直に設けられることが好ましい。また、本発明の発光素子用基板は、前記枠体に加えて、さらに、前記基体が、拡散反射性を有する、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含む第2のガラスセラミックス組成物の焼結体からなることが好ましい。前記拡散反射性を有するガラス粉末とセラミックスフィラーとを含む第2のガラスセラミックス組成物の焼結体におけるセラミックスフィラーとしては、アルミナ粉末とジルコニア粉末の混合物が好ましい。本発明の発光素子用基板においては、前記枠体は前記基体の上側主面に、前記凹部の側面と該凹部底面の発光素子搭載部端縁との間の距離が該搭載部の全周に亘って略等間隔となるように、接合されていることが好ましい。本発明の発光素子用基板が複数の発光素子を搭載するための発光素子用基板である場合には、前記枠体は、搭載する発光素子毎に独立した前記凹部を形成するような形状に設計されることが好ましい。この場合には、前記発光素子の搭載部間に位置する前記枠体の高さは、発光素子が搭載されたときの発光素子の最高部と同じ高さ以上であり、該高さに50μmを加えた高さ以下であることが好ましい。本発明の発光装置は、上記本発明の発光素子用基板と、前記発光素子用基板に搭載される発光素子とを有することを特徴とする。本発明の発光素子用基板によれば、簡便な構造でありながら、搭載される発光素子から光取り出し方向以外に放射される光を基板表面で光取り出し方向へ効率よく反射させることが可能である。また、本発明によれば、このような発光素子用基板に発光素子を搭載することで、十分な発光輝度が得られる発光装置とできる。以下に、図を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。なお、本発明は、下記説明に限定して解釈されるものではない。本発明の発光素子用基板は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含む第1のガラスセラミックス組成物の焼結体からなる略平板状の基体と、前記基体の上側主面に接合された枠体とを有し、前記基体の上側主面の一部を底面とし前記枠体の内壁面を側面として形成される凹部の底面に発光素子の搭載部を有する発光素子用基板であって、前記枠体が、拡散反射性を有する、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含む第2のガラスセラミックス組成物の焼結体からなることを特徴とする。本発明によれば、発光素子用LTCC基板を凹部の底面に発光素子を搭載するように、基体と枠体で構成し、凹部の側面を形成する枠体の構成材料として、拡散反射性を有する、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体LTCCを用いることにより、発光素子から放射され凹部側面に照射される光を拡散反射により効率よく光取り出し方向へ導くことが可能となる。これまで、凹部の底面に発光素子を搭載する発光素子用基板においては、凹部側面を開口部に向かって広がるようなテーパー状に加工し、さらに側面に銀等の反射膜を配設することで光取り出し効率を上げていたが、本発明においては、凹部の側面を形成する材料自体に拡散反射性を有するLTCC材料を用いることにより、テーパー状の加工や銀反射膜等の配設を行うことなく、発光素子が搭載される凹部底面に対して略垂直な壁を設けることのみで光取り出し方向への十分な光反射を可能としている。これにより、この発光素子用基板に発光素子を搭載し発光装置とした際に、十分な発光輝度を得ることが可能となる。本明細書において、略垂直とは、目視レベルで垂直と感じるレベルをいい、同様に、略を付けた表記は、特に断わらない限り目視レベルでそう感じるレベルのことをいう。また、本発明によれば、複数の発光素子を搭載する発光素子用LTCC基板において、基体の上側主面の一部を底面とし枠体の内壁面を側面とする凹部を、各発光素子毎に独立して形成する構成とし、凹部の側面を形成する枠体に拡散反射性を有するLTCC材料を用いることにより、個々の発光素子から放射される光について、上記同様に光取り出し効率を上げることを可能としている。これにより発光装置全体としての発光輝度の向上を図ることができる。本発明の発光素子用基板においては、上記凹部の底面を拡散反射性を有するLTCC材料で構成することにより、上記同様に銀反射膜等の配設を行うことなく効率のよい光反射を行うことが可能となる。しかし、発光素子用LTCC基板には、発光装置の設計によって、放熱層の配設が必要とされる場合があり、銀等の放熱層を凹部の底面を含む基体主面の表面に設ける場合があるが、その場合には、これを反射層としても利用できるため、反射性の観点からいえば、さらに拡散反射性を有するLTCC材料で底面を構成しなくてもよい。ただし、枠体を構成するLTCC材料と、基体を構成するLTCC材料を同一の材料とすれば、熱収縮率の違いによる変形を防ぐことができ、密着性を確保できる利点がある。したがって、この場合には、要求特性に合わせて基体に用いるLTCC材料を枠体と同じ拡散反射性を有するもの、それ以外のものと適宜選択すればよい。また、放熱層を基体の内部に配設するような構成の発光素子用基板においては、少なくとも上記凹部の底面を形成する表層部分に拡散反射性を有するLTCC材料を用いることは、光の取り出し効率を上げる点において非常に有効である。さらに、この場合においても、枠体を構成するLTCC材料と、基体を構成するLTCC材料を同一の材料とすることで、熱収縮率の違いによる変形を防ぐことができ、密着性も確保できる利点もある。本発明の発光素子用基板において、発光素子を1個搭載するための本発明の第1の実施形態および、発光素子を複数個搭載するための本発明の第2の実施形態について、以下に説明する。<第1の実施形態>図1は、本発明の第1の実施形態である発光素子を1個搭載するための発光素子用基板1の一例を示す平面図a、およびそのX-X線断面図bである。発光素子用基板1は、これを主として構成する略平板状のかつ上から見た形状が略長方形の基体2を有する。基体2は発光素子用基板とした際に発光素子を搭載する上側の面を主面21として有し、本例においてはその反対側の面を裏面23とする。発光素子用基板1は、さらに、基体2の主面21の中央の略長方形部分を底面24とする凹部4を構成するように基体主面21の周縁部に接合された枠体3を有する。なお、この凹部4の側面25は、枠体3の内側の壁面で構成されている。発光素子用基板1においては、凹部底面24の略中央部が発光素子の搭載される搭載部22となっている。ここで、凹部4の側面25は、その底面24に対して略垂直に設けられている。つまり枠体3は、上下で開口部が同じ形状となるように成形され、基体主面21の周縁部に接合されている。また、発光素子用基板1において、発光素子の搭載部22は凹部底面24の略中央部に位置するが、枠体3の内壁面で構成される凹部4の側面25と発光素子搭載部22の端縁との間の距離は、搭載部22の全周に亘って略等間隔であることが好ましい。なお、略等間隔とは、具体的には、搭載部22の全周に亘る、凹部4の側面25と該凹部底面24における発光素子搭載部22の端縁との間の距離のうち最大値をL2図1aにおいてL2で示されるとし、最小値をL1図1aにおいてL1で示されるとしたときの、L2/L1で表される値が2以下であることをいう。本発明の発光素子用基板においてはこのL2/L1で表される値が、1.5以下であることがより好ましく、1.0であることが最も好ましい。上記凹部4の側面25と発光素子搭載部22の端縁との間の距離の具体的な数値は、搭載される発光素子の出力や、大きさサイズ、さらに、必要に応じて、例えば、後述の封止層に含有させる等して用いる蛍光体の種類やその含有量、変換効率等にもよるが、例えば、発光素子が発光する光が最も効率的に光取り出し方向に発光される距離を指標として用いてもよい。また、より具体的には、出力0.15Wの発光素子を35mAで用いた場合には、上記距離は概ね100~1200μmの範囲にあることが好ましい。この場合、上記最大値L2と最小値L1については、上記関係を保ちつつ、L2およびL1がともにこの距離の好ましい範囲に入るように枠体3を設けることが好ましい。また、上記凹部4の側面25の高さ、すなわち凹部4の底面24から枠体3の最高位までの距離枠体3の高さは、搭載される発光素子からの光を光取り出し方向に十分反射できる高さであれば、特に制限されない。具体的には、発光装置の設計、例えば、搭載される発光素子の出力や、上記発光素子搭載部の端縁からの距離等にもよるが、発光装置を搭載する製品の形状や波長変換のための蛍光体を含有した封止材を効率よく充填する等の観点から、発光素子が搭載されたときの発光素子の最高部の高さより100~500μm高くすることが好ましい。なお、枠体3の高さは発光素子の最高部の高さに450μmを加えた高さ以下であることがより好ましく、400μmを加えた高さ以下であることがさらに好ましい。また、複数の発光素子搭載用の発光素子用基板の場合、上記に加えて発光素子の搭載部間に位置する枠体の高さを、発光素子の最高部と同じ高さ以上であり、該高さに50μmを加えた高さ以下とするとさらに好ましい。本例において基体2および枠体3は、ともに拡散反射性を有するガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体LTCCで構成される。本例の発光素子搭載基板においては、上記構造の基体2および枠体3を、拡散反射性を有するLTCCで構成することにより、発光素子を搭載した際に、発光素子の放射する光を、凹部4の底面24および側面25が十分に光取り出し方向に反射する、高輝度の発光装置とすることができる。本発明の発光素子用基板に用いる拡散反射性を有するLTCCとしては、これを基板材料として用いた発光装置において光取り出し効率の向上が見られるもの、好ましくは銀反射膜に相当する光取り出し効率が得られるものであれば特に制限されないが、拡散反射性を評価する指標として、JISK7105により測定されるヘイズ値を用いた場合に、その値が95以上であることが好ましく、98以上であることがより好ましい。このような、拡散反射性を有するガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体としては、例えば、以下のガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物にバインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等により所定の形状のシート状に成形し、乾燥させ、必要に応じて脱脂を行い、800°C以上930°C以下で焼成して得られる焼結体が挙げられる。ガラスセラミックス組成物ガラス粉末は、必ずしも限定されるものではないものの、ガラス転移点Tgが550°C以上700°C以下のものが好ましい。ガラス転移点Tgが550°C未満の場合、脱脂が困難となるおそれがあり、700°Cを超える場合、収縮開始温度が高くなり、寸法精度が低下するおそれがある。また、800°C以上930°C以下で焼成したときに結晶が析出することが好ましい。結晶が析出しないものの場合、十分な機械的強度を得ることができないおそれがある。さらに、DTA示差熱分析により測定される結晶化ピーク温度Tcが880°C以下のものが好ましい。結晶化ピーク温度Tcが880°Cを超える場合、寸法精度が低下するおそれがある。このようなガラス粉末としては、例えばSiO2を57mol以上65mol以下、B2O3を13mol以上18mol以下、CaOを9mol以上23mol以下、Al2O3を3mol以上8mol以下、K2OおよびNa2Oから選ばれる少なくとも一方を合計で0.5mol以上6mol以下含有するものが好ましい。このようなものを用いることで、得られる焼結体の表面の平坦度を向上させることが容易となる。ここで、SiO2は、ガラスのネットワークフォーマとなる。SiO2の含有量が57mol未満の場合、安定なガラスを得ることが難しく、また化学的耐久性も低下するおそれがある。一方、SiO2の含有量が65molを超える場合、ガラス溶融温度やガラス転移点Tgが過度に高くなるおそれある。SiO2の含有量は、好ましくは58mol以上、より好ましくは59mol以上、特に好ましくは60mol以上である。また、SiO2の含有量は、好ましくは64mol以下、より好ましくは63mol以下である。B2O3は、ガラスのネットワークフォーマとなる。B2O3の含有量が13mol未満の場合、ガラス溶融温度やガラス転移点Tgが過度に高くなるおそれがある。一方、B2O3の含有量が18molを超える場合、安定なガラスを得ることが難しく、また化学的耐久性も低下するおそれがある。B2O3の含有量は、好ましくは14mol以上、より好ましくは15mol以上である。また、B2O3の含有量は、好ましくは17mol以下、より好ましくは16mol以下である。Al2O3は、ガラスの安定性、化学的耐久性、および強度を高めるために添加される。Al2O3の含有量が3mol未満の場合、ガラスが不安定となるおそれがある。一方、Al2O3の含有量が8molを超える場合、ガラス溶融温度やガラス転移点Tgが過度に高くなるおそれがある。Al2O3の含有量は、好ましくは4mol以上、より好ましくは5mol以上である。また、Al2O3の含有量は、好ましくは7mol以下、より好ましくは6mol以下である。CaOは、ガラスの安定性や結晶の析出性を高めると共に、ガラス溶融温度やガラス転移点Tgを低下させるために添加される。CaOの含有量が9mol未満の場合、ガラス溶融温度が過度に高くなるおそれがある。一方、CaOの含有量が23molを超える場合、ガラスが不安定となるおそれがある。CaOの含有量は、好ましくは12mol以上、より好ましくは13mol以上、特に好ましくは14mol以上である。また、CaOの含有量は、好ましくは22mol以下、より好ましくは21mol以下、特に好ましくは20mol以下である。K2O、Na2Oは、ガラス転移点Tgを低下させるために添加される。K2OおよびNa2Oの合計した含有量が0.5mol未満の場合、ガラス溶融温度やガラス転移点Tgが過度に高くなるおそれがある。一方、K2OおよびNa2Oの合計した含有量が6molを超える場合、化学的耐久性、特に耐酸性が低下するおそれがあり、電気的絶縁性も低下するおそれがある。K2OおよびNa2Oの合計した含有量は、0.8mol以上5mol以下であることが好ましい。なお、ガラス粉末は、必ずしも上記成分のみからなるものに限定されず、ガラス転移点Tg等の諸特性を満たす範囲で他の成分を含有できる。他の成分を含有する場合、その合計した含有量は10mol以下であることが好ましい。ガラス粉末は、上記したようなガラス組成を有するガラスを溶融法によって製造し、乾式粉砕法や湿式粉砕法によって粉砕することにより得ることができる。湿式粉砕法の場合、溶媒として水を用いることが好ましい。粉砕は、例えばロールミル、ボールミル、ジェットミル等の粉砕機を用いて行うことができる。ガラス粉末の50粒径D50は0.5μm以上2μm以下であることが好ましい。ガラス粉末の50粒径が0.5μm未満の場合、ガラス粉末が凝集しやすく、取り扱いが困難となると共に、均一に分散させることが困難となる。一方、ガラス粉末の50粒径が2μmを超える場合、ガラス軟化温度の上昇や焼結不足が発生するおそれがある。粒径の調整は、例えば粉砕後に必要に応じて分級することにより行うことができる。なお、本明細書において、粒径はレーザ回折散乱法による粒子径測定装置により得られる値をいう。レーザ回折散乱法による粒子径測定装置としては、島津製作所社製、レーザ回折式粒度分布測定装置商品名:SALD2100を使用した。一方、セラミックスフィラーとしては、通常LTCC基板の製造に用いられるセラミックスフィラーのうちアルミナ粉末とジルコニア粉末との混合物が好ましく用いられる。アルミナ粉末とジルコニア粉末の混合物としては、アルミナ粉末:ジルコニア粉末の混合割合が質量比で90:10~60:40の混合物が好ましい。また、セラミックスフィラーの50粒径D50は、例えば0.5μm以上4μm以下であることが好ましい。上記ガラス粉末とセラミックスフィラーとを、例えば、質量比で、ガラス粉末:セラミックスフィラー=30:70~50:50の範囲で混合することによりガラスセラミックス組成物を得ることができる。また、このガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加することによりスラリーを得ることができる。バインダーとしては、例えばポリビニルブチラール、アクリル樹脂等を好適に用いることができる。可塑剤としては、例えばフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等を用いることができる。また、溶剤としては、トルエン、キシレン、2-プロパノール、2-ブタノール等の有機溶剤を好適に用いることができる。なお、基体2は、発光素子の搭載時、その後の使用時における損傷等を抑制する観点から、例えば抗折強度が250MPa以上となることが好ましいが、上に説明した基体2および枠体3を構成する拡散反射性を有するLTCCにおいては、概ね、この抗折強度特性も満足できるものである。また、基体2の主面21上の発光素子搭載部22においては、放熱性を確保するために表面平坦性を有することが好ましいが、十分な放熱性を確保しつつ、かつ製造上の容易性の観点から、その表面平滑性は、表面粗さRaとして、0.15μm以下であることが好ましく、0.10μm以下であることがより好ましい。なお、表面粗さRaは算術平均粗さRaのことであり、算術平均粗さRaの値は、JIS:B06011994年の3定義された算術平均粗さの定義及び表示によって表されるものである。基体2を構成する材料である上記拡散反射性を有するLTCCは、上記表面粗さRaを確保できるものであることが好ましい。なお、具体的には、上記基体用のガラスセラミックス組成物において、スラリー作製工程における混練時間を長くすることによりセラミックスフィラーが粉砕され、表面粗さRaを上記範囲とできる。発光素子用基板1においては、基体2の主面21の一部で構成される凹部底面24上に、発光素子が有する一対の電極とそれぞれ電気的に接続される素子接続端子5が、この発光素子搭載部22の外側となる周辺部、具体的には両側に対向するようにして略円形状に一対設けられている。基体2の裏面23には、外部回路と電気的に接続される一対の外部接続端子6が設けられ、基体2の内部に、上記素子接続端子5と外部接続端子6とを電気的に接続する貫通導体7が一対設けられている。素子接続端子5、外部接続端子6および貫通導体7については、これらが発光素子→素子接続端子5→貫通導体7→外部接続端子6→外部回路と電気的に接続される限りは、その配設される位置や形状は図1に示されるものに限定されず、適宜調整可能である。これら素子接続端子5、外部接続端子6および貫通導体7以下、これらをまとめて配線導体ということもある。の構成材料は、通常、発光素子用基板に用いられる配線導体と同様の構成材料であれば特に制限なく使用することが可能である。これら配線導体の構成材料として、具体的には、銅、銀、金等を主成分とする金属材料を挙げることができる。このような金属材料のなかでも、銀、銀と白金、または銀とパラジウムからなる金属材料が好ましく用いられる。なお、素子接続端子5や外部接続端子6においては、これらの金属材料からなる、好ましくは厚さ5~15μmの金属導体層上にこの層を酸化や硫化から保護しかつ導電性を有する導電性保護層が形成された構成であることが好ましい。導電性保護層としては上記金属導体層を保護する機能を有する導電性材料で構成されていれば、特に制限されないが、金メッキ層が好ましく、ニッケルメッキの上に金メッキを施したニッケル/金メッキ層の構成がより好ましい。導電性保護層の膜厚としては、ニッケルメッキ層が3~20μm、金メッキ層が0.1~1.0μmであることが好ましい。図1に示す本発明の第1の実施形態の発光素子用基板1の一例においては、発光素子用基板1は放熱手段を有していないが、本発明においては、必要に応じて、発光素子用基板に放熱手段を設けてもよい。放熱手段として、具体的には搭載部直下に配設するサーマルビアおよび/または凹部底面すなわち基体主面に平行する放熱層等が挙げられるが、搭載部の平坦性が確保しやすい点から、基体主面に平行する放熱層を基体主面近傍の基体内部に配設する方法が好ましい。図2は、基体主面に平行する放熱層を有する本発明の発光素子用基板の第1の実施形態の一例を示す平面図および断面図である。図2に示す発光素子用基板1は、基体主面に平行して基体主面近傍の基体内部に配設された放熱層8以外は、全て、上記図1に示す発光素子用基板1と同様の構成とできる。放熱層8は、基体主面21に平行する層として、基体主面21から好ましくは5~150μm、より好ましくは75~125μmの深さの位置にその表面が位置するように、基体2を主として構成する本体2a上に配設される。上記放熱層8の配設される位置は、放熱層上に形成される基体の主面を有する最上部を構成する被覆層2bによる十分な絶縁保護の機能が確保され、かつ経済性、基体との熱膨張差による変形等を考慮して調整された位置である。放熱層8は、放熱性を考慮すると、できる限り大面積で設けられることが好ましいが、基体を主として構成する本体2aと被覆層2bの層間の密着性が確保できる程度に基体の内側にその端縁が留まるように配設される。具体的には本体2a上における放熱層8の形成面積の占める割合が、本体2aにおいて周縁部以外で放熱層8が形成されていない領域、すなわち貫通導体7とその周囲近傍、を除く領域の面積に対して、60~80となるように設けられる。なお、この放熱層8の形成面積の占める上記割合は、65~75であることが好ましく、68~72がより好ましい。また、基体2内部には2箇所に貫通導体7が配設されているが、放熱層8はこの貫通導体7と電気的に絶縁される距離をおいて、さらに製造面での不具合の発生等を考慮すれば、好ましくは100μm以上の、より好ましくは150μm以上の距離を保つように設けられる。また、放熱層8の膜厚については、8~50μmが好ましく、10~20μmがより好ましく、13~16μmが特に好ましい。放熱層8の膜厚が8μm未満では十分な放熱性が得られないおそれがあり、また、50μmを超えると経済的に不利であるとともに製造過程で基板本体との熱膨張差による変形が起こるおそれがある。放熱層8を構成する材料としては、熱伝導性を有する材料であれば特に制限されないが、LTCC基板と同時焼成が可能であり光反射性にも優れる銀を含む金属材料を好ましい材料として挙げることができる。銀を含む金属材料として、具体的には、銀、銀と白金、または銀とパラジウムからなる金属材料が挙げられる。銀と白金またはパラジウムからなる金属材料として、具体的には、金属材料全量に対する白金またはパラジウムの割合が5質量以下の金属材料が挙げられる。これらのうちでも銀のみで構成される放熱層が本発明においては高い反射率を得られる点から好ましい。十分な放熱性を得るために放熱層8の表面は平坦性を有することが好ましい。この表面平坦性として具体的には、十分な放熱性を確保しつつ、かつ製造上の容易性の観点から、少なくとも発光素子搭載部22において、表面粗さRaとして、0.15μm以下であることが好ましく、0.1μm以下であることがより好ましい。また、放熱層8は必要に応じて例えば構成材料の異なる層を積層した多層構造とすることも可能である。図2に示す本発明の発光素子用基板1においては、放熱層8は基体主面21に平行して基体主面近傍の基体内部に配設されているが、上記同様の構成で基体主面21上に形成されていてもよい。その場合、放熱性として反射性を有する放熱層を設け、さらに、この放熱層を被覆するようにして絶縁性保護層としてオーバーコートガラス層等を設けることが好ましい。このような構成として、例えば、図1に示す発光素子用基板1の、基体主面21の一部からなる凹部底面24上に、上記一対の素子接続端子5が配設された部分とその周囲近傍を除くかたちに、放熱層8を形成し、さらに、この放熱層8の端縁を含む全体を覆うように絶縁性保護層としてのオーバーコートガラス層が形成された構成が挙げられる。ここで、凹部底面24上に設けられた素子接続端子5と放熱層8の絶縁性が確保されている限りにおいてオーバーコートガラス層の端縁は、素子接続端子5に接していてもよいが、製造面での不具合の発生を考慮して、両者間の距離は75μm以上であることが好ましく、100μm以上であることがより好ましい。また、放熱層8の端縁とこれを覆うオーバーコートガラス層の端縁の間の距離については、放熱層8が外部の劣化要因から十分に保護される範囲でできる限り短い距離とすることが好ましい。具体的には、10~50μmであることが好ましく、20~30μmであることがより好ましい。この距離が10μm未満では、放熱層8の露出により、放熱層8を構成する金属材料、特に好ましく用いられる銀を含む金属材料の酸化や硫化等が発生して熱伝導性放熱性が低下するおそれがあり、50μmを超えると結果として放熱層8の配設される領域の面積が減少することで熱伝導性放熱性が低下することがある。オーバーコートガラス層の膜厚は、発光装置の設計にもよるが、十分な絶縁保護の機能を確保しかつ経済性、基体との熱膨張差による変形等を考慮すると、5~50μmであることが好ましい。十分な放熱性を得るためにオーバーコートガラス層の表面は平坦性を有することが好ましい。この表面平坦性として具体的には、十分な放熱性を確保しつつ、かつ製造上の容易性の観点から、少なくとも発光素子搭載部22において、表面粗さRaとして、0.03μm以下であることが好ましく、0.01μm以下であることがより好ましい。なお、オーバーコートガラス膜に関する原料組成は、後述の第2の実施形態の製造方法において説明する。上記のような構成で基体主面に平行して十分な放熱性を有する放熱層を配設し、発光素子搭載部直下にサーマルビアを配置しなければ、発光素子搭載部における凹凸の最高部と最低部との高低差は、搭載部以外の表面、つまり絶縁性保護層の表面と同等であり、概ね0.5μm以下となる。上記基体主面に平行な放熱層を配設する方法は、特別な方法を用いても発光素子搭載部に1μm以下程度の凹凸を発生させるサーマルビアを配設する方法に比べて、発光素子搭載部の平坦性が高く、放熱性や発光素子の接着性の点において有利である。ここで、基体主面に平行して十分な放熱性を有する放熱層を配設する場合でも、基体主面の表面に反射性を有する放熱層を配設する場合においては、上記の通り、基体は必ずしも、拡散反射性を有するガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体LTCCで構成されなくともよい。例えば、ガラスセラミックス組成物が含有するガラス粉末として上記拡散反射性を有するLTCCと同様のものを用い、セラミックスフィラーとして従来からLTCC基板の製造に用いられるものを特に制限なく用いて、基体用のLTCCとすることができる。この場合、セラミックスフィラーとしては、例えばアルミナ粉末、ジルコニア粉末、またはアルミナ粉末とジルコニア粉末との混合物を好適に用いることができる。セラミックスフィラーの50粒径D50は、例えば0.5μm以上4μm以下であることが好ましい。このようなガラス粉末とセラミックスフィラーとを、例えばガラス粉末が30質量以上50質量以下、セラミックスフィラーが50質量以上70質量以下となるように配合、混合することによりガラスセラミックス組成物を得ることができる。また、このガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加することによりスラリーを得ることができる。以上、本発明の第1の実施形態による発光素子用基板について説明したが、例えば、上記図1に示す発光素子用基板1を用いて、その搭載部22に発光ダイオード素子等の発光素子11を搭載することで、例えば、図3に示す発光装置10を作製することができる。図3に示すように、発光装置10は、発光素子用基板1の搭載部22にシリコーンダイボンド剤等のダイボンド剤により発光ダイオード素子等の発光素子11が搭載され、その図示しない1対の電極がボンディングワイヤ12によって、1対の素子接続端子5のそれぞれに接続されるとともに、発光素子11やボンディングワイヤ12を覆うように封止層13が設けられることにより構成されている。なお、封止層13を構成する材料封止材には、必要に応じて、発光装置の封止層に通常用いられる蛍光体が含有されていてもよい。このような本発明の第1の実施形態による発光装置10は、簡便な構造でありながら、搭載される発光素子から光取り出し方向以外に放射される光を基板表面で光取り出し方向へ効率よく反射させることが可能な本発明の発光素子用基板を用いることで、十分な発光輝度を得られる発光装置となっている。本発明の第1の実施形態の発光素子用基板は、例えば、以下のA工程~D工程を含む製造方法により製造できる。以下に、図2に示す発光素子用基板1を例にして、図4、図5を参照しながら製造方法を説明するが、製造に用いる部材については、完成品の部材と同一の符号を付して説明するものである。Aグリーンシート作製工程まず、上記に説明した拡散反射性を有するLTCC用のガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物を用いて、以下のi~iiiのグリーンシートを作製する。i枠体3を構成する枠体用グリーンシート3図41に平面図1aおよびそのX-X線断面図1bを示すii基体2の本体2aを構成する、被覆層が積層される面を積層面26としその反対側の面が基体2の裏面23となる略平板状の本体用グリーンシート2a図43に平面図3aおよびそのX-X線断面図3bを示すiii基体2の被覆層2bを構成する、基体2の主面21を有する被覆層用グリーンシート2b図42に平面図2aおよびそのX-X線断面図2bを示すこれら各グリーンシートは、上記ガラスセラミックス組成物にバインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等により、焼成後の形状膜厚が上記所望の範囲内となるような所定の形状、膜厚のシート状に成形し、乾燥させることで製造できる。B導体ペースト層形成工程上記A工程で得られた本体用グリーンシート2aおよび被覆層用グリーンシート2bの所定の位置に所定の導体ペースト層を形成する。図54は、導体ペースト層形成後の被覆層用グリーンシート2bを示す図4aは平面図、4bはそのX-X線断面図であるである。被覆層用グリーンシート2bには、所定の2箇所に貫通導体7の一部を構成する貫通導体用ペースト層7bが形成され、基体2の主面21となる面の所定位置に貫通導体用ペースト層7bを覆うように略円形状に素子接続端子ペースト層5が形成される。図55は、導体ペースト層形成後の本体用グリーンシート2aを示す図5aは平面図、5bはそのX-X線断面図であるである。導体ペースト層形成工程においては、本体用グリーンシート2aの所定の2箇所に積層面26から裏面23に貫通する貫通導体7の一部を構成する貫通導体用ペースト層7a、および裏面23に貫通導体用ペースト層7aと電気的に接続する外部接続端子用導体ペースト層6を形成する。また、本体用グリーンシート2aの積層面26上に、本体用グリーンシート2a積層面26の周縁部および、上記一対の貫通導体7aが配設された部分とその周囲近傍を除く領域にスクリーン印刷により、熱伝導性を有する材料、好ましくは銀を含む金属材料を含有する放熱層用ペースト層8を形成する。素子接続端子ペースト層5、外部接続端子用導体ペースト層6、および貫通導体用ペースト層7具体的には、本体用グリーンシート2aに形成される貫通導体用ペースト層7a、および被覆層用グリーンシート2bに形成される貫通導体用ペースト層7bの形成方法としては、スクリーン印刷法により導体ペーストを塗布、充填する方法が挙げられる。形成される素子接続端子ペースト層5および外部接続端子用導体ペースト層6の膜厚は、最終的に得られる素子接続端子および外部接続端子の膜厚が所定の膜厚となるように調整される。導体ペーストとしては、例えば銅、銀、金等を主成分とする金属粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを用いることができる。なお、上記金属粉末としては、銀からなる金属粉末、銀と白金またはパラジウムからなる金属粉末が好ましく用いられる。放熱層8形成のためのスクリーン印刷に用いる放熱層用ペーストは、放熱層8を構成する熱伝導性を有する材料、好ましくは銀を含む金属材料を含有するペーストである。このような材料としては、上記の通り、銀、銀パラジウム混合物、銀白金混合物等が挙げられるが、上記の理由により銀が好ましく用いられる。放熱層用ペーストは、このような材料を主成分とする熱伝導性材料粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを用いることができる。形成される放熱層用ペースト層8の膜厚、面積および形状は、最終的に得られる放熱層8の膜厚が上記所望の膜厚、面積および形状となるように調整される。また、最終的に得られる放熱層8の表面粗さRaを上記好ましい範囲とするために、金属ペーストに含有する金属粉末として粒度分布の少ない粉末を使うことが好ましい。C積層工程上記B工程で得られた、導体ペースト層付き本体用グリーンシート2aの積層面26上に、導体ペースト層付き被覆層用グリーンシート2bを素子接続端子ペースト層5が形成された面、すなわち基体2の主面21となる面を上にして積層する。さらに、その上に上記A工程で得られた枠体用グリーンシート3を積層して未焼結発光素子用基板1図56に平面図6aおよびそのX-X線断面図6bを示すを得る。D焼成工程上記C工程後、得られた未焼結発光素子用基板1について、必要に応じてバインダー等を除去するための脱脂を行い、ガラスセラミックス組成物等を焼結させるための焼成焼成温度:800~930°Cを行う。脱脂は、例えば500°C以上600°C以下の温度で1時間以上10時間以下保持することにより行える。脱脂温度が500°C未満もしくは脱脂時間が1時間未満の場合、バインダー等を十分に除去できないおそれがある。一方、脱脂温度は600°C程度、脱脂時間は10時間程度とすれば、十分にバインダー等を除去でき、これを超えるとかえって生産性等が低下するおそれがある。また、焼成は、基体2および枠体3の緻密な構造の獲得と生産性を考慮して、800°C~930°Cの温度範囲で適宜時間を調整することで行える。具体的には、850°C以上900°C以下の温度で20分以上60分以下保持することが好ましく、特に860°C以上880°C以下の温度で行うことが好ましい。焼成温度が800°C未満では、基体2および枠体3が緻密な構造のものとして得られないおそれがある。一方、焼成温度は930°Cを超えると基体本体が変形するなど生産性等が低下するおそれがある。また、上記導体ペーストや反射膜用ペーストとして、銀を主成分とする金属粉末を含有する金属ペーストを用いた場合、焼成温度が880°Cを超えると、過度に軟化するために所定の形状を維持できなくなるおそれがある。このようにして、未焼結発光素子用基板1が焼成され発光素子用基板1が得られるが、焼成後、必要に応じて素子接続端子5および外部接続端子6の全体を被覆するように、金メッキ等の通常、発光素子用基板において導体保護用に用いられる導電性保護膜を配設することも可能である。以上、本発明の第1の実施形態の発光素子用基板の一例の製造方法について説明したが、本体用グリーンシート2a、枠体用グリーンシート3等は必ずしも単一のグリーンシートからなる必要はなく、複数枚のグリーンシートを積層したものであってもよい。また、各部の形成順序等についても、発光素子用基板の製造が可能な限度において適宜変更できる。<第2の実施形態>以下に本発明の第2の実施形態として、複数個の発光素子を搭載するための発光素子用基板について説明する。図6は、本発明の第2の実施形態である複数個、例えば4個の発光素子を搭載するための発光素子用基板1の一例を示す平面図a、およびそのX-X線断面図bである。本発明の第2の実施形態の発光素子用基板1は、例えば、図7に示すように4個の発光素子11が四角形状等の略環状に位置し電気的に直列に接続されるように搭載されるものである。この発光素子用基板1は、発光素子11がボンディングワイヤ12によって電気的に直列に接続されるとともに、これら発光素子11とボンディングワイヤ12を覆うように封止層13が設けられて発光装置10として用いられる。なお、ここでは4個の発光素子11が電気的に直列に接続されるように搭載される発光装置および発光装置用基板を例として本発明の第2の実施形態について説明するが、搭載される発光素子の個数や、複数個搭載する場合の直列、並列等の電気的な接続方法等は特に制限されるものではない。以下に説明する個々の部材の構成は、本発明の範囲内において、用いられる発光装置の設計に応じて適宜調整され得るものである。発光素子用基板1は、これを主として構成する略平板状のかつ上から見た形状が略正方形の基体2を有する。基体2は発光素子用基板とした際に発光素子を搭載する上側の面を主面21として有し、本例においてはその反対側の面を裏面23とする。基体2の主面21上の略中央部には、4個の発光素子を搭載する4箇所の搭載部22が四角形状等の略環状に配置されている。発光素子用基板1は、基体2の主面21上に接合された枠体3を有する。枠体3は、基体主面上の4箇所の搭載部22毎に、基体2の主面21の一部が底面24となり、枠体の壁面が側面25となる凹部を、独立して形成可能なように成形されている。具体的には、枠体3は、基体2の主面21上に配置される4箇所の搭載部22が、その貫通孔のそれぞれ略中央に位置するように、四角形状等の略環状に4個の貫通孔を有する略平板状でかつ上から見た形状が略正方形の基体2と略同じ大きさの下部枠体3aと、下部枠体3aの周縁部に接合された、略平板状でかつ上から見た形状が略正方形の基体2と略同じ大きさであり略中央部に径大な円形状の孔部を有する上部枠体3bから構成される。このように、発光素子用基板1は、基体2の主面21の一部を底面24とし、枠体の内壁面、すなわち、下部枠体3aが有する4個の貫通孔の内壁面を側面25として構成され、その底面24の略中央部にそれぞれ1個ずつの発光素子搭載部22を有する4箇所の凹部4を有する。ここで、4箇所の凹部4はいずれも側面25が、底面24に対して略垂直となるように設けられている。つまり下部枠体3aが有する貫通孔はいずれも、上下で開口部が同じ形状となるように成形され、貫通孔以外の部分で基体主面21に接合されている。また、発光素子用基板1において、4箇所の発光素子搭載部22はそれに対応する各凹部底面24の略中央部に位置するが、下部枠体3aの貫通孔の内壁面で構成される凹部4の側面25と発光素子搭載部22の端縁との間の距離は、搭載部22の全周に亘って略等間隔であることが好ましい。なお、略等間隔とは、上記第1の実施形態で説明した通りであり、側面25と搭載部22の端縁の好ましい距離についても上記第1の実施形態と同様である。ここで、複数の発光素子を搭載する発光素子用基板の一例である本例において4個の凹部4を形成するための枠体3の形状は、上に説明した通りであるが、搭載部22の端縁からの側面の距離が一定の間隔を持って設けられるものであれば、形状は特に限定されない。また、発光素子用基板1において、発光素子の搭載部22間に位置する下部枠体3aの高さは、発光素子を搭載部22に実装する工程、すなわちダイボンド工程の位置精度やワイヤボンド作業の容易さの観点から発光素子が搭載されたときの発光素子の最高部と同じ高さ以上であり、その高さに50μmを加えた高さ以下であることが好ましい。図6に示される発光素子用基板1において、枠体3は上記発光素子搭載部22を有する凹部を形成する下部枠体3aと、さらに基体2の周縁部上に下部枠体3aから一段高く壁状に形成される上部枠体3bから構成される。この上部枠体3bの高さ、すなわち凹部4の底面24から上部枠体3bの最高位までの距離は、搭載される発光素子からの光を光取り出し方向に十分反射できる高さであれば、特に制限されない。具体的には、発光装置の設計、例えば、搭載される発光素子の出力や、上記発光素子搭載部の端縁からの距離等にもよるが、発光装置を搭載する製品の形状や波長変換のための蛍光体を含有した封止材を効率よく充填する等の観点から、発光素子が搭載されたときの発光素子の最高部の高さより100~500μm高くすることが好ましい。なお、枠体3の高さは発光素子の最高部の高さに450μmを加えた高さ以下であることがより好ましく、400μmを加えた高さ以下であることがさらに好ましい。また、複数の発光素子搭載用の発光素子用基板の場合、上記に加えて発光素子の搭載部間に位置する枠体の高さを、発光素子の最高部と同じ高さ以上であり、該高さに50μmを加えた高さ以下とするとさらに好ましい。本例において、少なくとも枠体3下部枠体3aおよび上部枠体3bは、拡散反射性を有するガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体LTCCで構成される。拡散反射性を有するLTCCについては、上記第1の実施形態で用いた拡散反射性を有するLTCCと同様なものが使用可能である。基体2は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体で構成される。本例においては、後述する通り基体2の主面21上に、反射層を兼ねる放熱層8と絶縁性保護層としてのオーバーコートガラス層9が形成されているため、上述の通り基体2を構成するLTCCは必ずしも拡散反射性を有するLTCCでなくてもよいが、基体2と枠体3の密着性や熱収縮率の違いによる変形を防止できることから、枠体3を構成する拡散反射性を有するLTCCと同じものを使用することが好ましい。本例の発光素子搭載基板1においては、上記構造の枠体3を、拡散反射性を有するLTCCで構成することにより、発光素子を搭載した際に、発光素子の放射する光が、凹部4の底面24に配設された反射層に加えて側面25においても、十分に光取り出し方向に反射可能な、高輝度の発光装置とできる。本例の発光素子用基板1は、例えば、図7に示すように4個の発光素子11と下部枠体3a上に配設された一対の素子接続端子5とがボンディングワイヤ12により電気的に直列に接続されて用いられる。4個の発光素子を第1の発光素子、第2の発光素子、第3の発光素子、第4の発光素子とし、一対の素子接続端子を、第1の素子接続端子、第2の素子接続端子とすれば、第1の素子接続端子→第1の発光素子→第2の発光素子→第3の発光素子→第4の発光素子→第2の素子接続端子の順にボンディングワイヤ12により接続される。本例の発光素子用基板1において、下部枠体3a上に配設される一対の素子接続端子5は、上記接続が可能なように、例えば、図6に示すように、一対が絶縁性が確保される程度の距離をとりつつ近接して並んで、上部枠体3bとの境界近くに略円形状に形成される。さらに、下部枠体3aは、上記一対の素子接続端子5の直下に、これらと電気的にそれぞれ接続される一対の貫通導体7b図94bを参照のことを有する。一方、基体2の裏面23には、外部回路と電気的に接続される一対の外部接続端子6が設けられ、基体2の内部に、上記下部枠体3aに配設された素子接続端子5貫通導体7bと、上記基体裏面23の外部接続端子6とを電気的に接続する貫通導体7a図95bを参照のことが一対設けられている。以下、貫通導体7bと貫通導体7aを合わせて貫通導体7という。これら素子接続端子5、外部接続端子6および貫通導体7、すなわち配線導体の構成材料は、通常、発光素子用基板に用いられる配線導体と同様の構成材料であれば特に制限なく使用することが可能であり、上記第1の実施形態において配線導体に用いる構成材料として説明したものと同様のものが使用可能である。また、素子接続端子5、外部接続端子6は上記第1の実施形態と同様、必要に応じて金メッキ等の導電性保護層を有する構成であってもよい。また、上記素子接続端子5、外部接続端子6および貫通導体7については、これらが発光素子→素子接続端子5→貫通導体7→外部接続端子6→外部回路と電気的に接続される限りは、その配設される位置や形状は図6に示されるものに限定されず、適宜調整可能である。基体2の主面21上には、基体主面21の周縁部および、上記一対の貫通導体7が配設された部分とその周囲近傍を除くかたちに、放熱層8が形成されている。基体主面21上には、さらに上記放熱層8の端縁を含む全体を覆うように絶縁性保護層としてのオーバーコートガラス層9が形成されている。なお、放熱層8およびオーバーコートガラス層9の構成材料、膜厚、表面特性、配設領域等については上記第1の実施形態の放熱層8およびオーバーコートガラス層9と同様とできる。以上、本発明の第2の実施形態による発光素子用基板1について説明したが、例えば、上記図6に示す発光素子用基板1を用いて、その搭載部22に発光ダイオード素子等の発光素子11を搭載することで、例えば、図7に示す発光装置10を作製することができる。図7に示すように発光装置10は、発光素子用基板1の上記所定の搭載部22にシリコーンダイボンド剤等のダイボンド剤により発光ダイオード素子等の発光素子11が4個、ボンディングワイヤ12を用いて電気的に直列に接続されるように搭載されたものである。具体的には、4個の発光素子11を第1の発光素子、第2の発光素子、第3の発光素子、第4の発光素子とし、一対の素子接続端子5を、第1の素子接続端子、第2の素子接続端子とすれば、第1の素子接続端子→第1の発光素子→第2の発光素子→第3の発光素子→第4の発光素子→第2の素子接続端子の順にボンディングワイヤ12で接続されている。また、発光装置10は、発光素子11やボンディングワイヤ12を覆うように封止層13が設けられることにより構成されている。なお、封止層13を構成する材料封止材には、必要に応じて、発光装置の封止層に通常用いられる蛍光体が含有されていてもよい。このような本発明の第2の実施形態による発光装置10は、簡便な構造でありながら、搭載される発光素子から光取り出し方向以外に放射される光を基板表面で光取り出し方向へ効率よく反射させることが可能な本発明の発光素子用基板を用いることで、十分な発光輝度を得られる発光装置となっている。本発明の第2の実施形態の発光素子用基板は、例えば、以下のA’工程~D’工程を含む製造方法により製造できる。以下に、図6に示す発光素子用基板1を例にして、基体2と枠体3を構成するLTCCとして拡散反射性を有するLTCCを用いた場合について、図8、図9を参照しながら製造方法を説明する。なお、製造に用いる部材については、完成品の部材と同一の符号を付して説明するものである。A’グリーンシート作製工程まず、上記に説明した拡散反射性を有するLTCC用のガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物を用いて、以下のi~iiiのグリーンシートを作製する。i上部枠体3bを構成する上部枠体用グリーンシート3b図81に平面図1aおよびそのX-X線断面図1bを示すii下部枠体3aを構成する下部枠体用グリーンシート3a図82に平面図2aおよびそのX-X線断面図2bを示すiii基体2を構成する、基体2の発光素子を搭載する上側の面を主面21としその反対側の面を裏面23とする略平板状の基体用グリーンシート2図83に平面図3aおよびそのX-X線断面図3bを示すこれら各グリーンシートは、上記ガラスセラミックス組成物にバインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等により、焼成後の形状膜厚が上記所望の範囲内となるような所定の形状、膜厚のシート状に成形し、乾燥させることで製造できる。B’導体ペースト層およびオーバーコートガラスペースト層形成工程上記A’工程で得られた下部枠体用グリーンシート3aの所定の位置に所定の導体ペースト層を形成する。また、上記A’工程で得られた基体用グリーンシート2について所定の位置に所定の導体ペースト層を形成し、さらに所定の位置に所定のオーバーコートガラスペースト層を形成する。図94は、導体ペースト層形成後の下部枠体用グリーンシート3aを示す図4aは平面図、4bはそのX-X線断面図であるである。下部枠体用グリーンシート3aには、所定の2箇所に貫通導体7の一部を構成する貫通導体用ペースト層7bが形成され、基体用グリーンシート2と積層される面と反対側、上側の面の所定位置に貫通導体用ペースト層7bを覆うように略円形状に素子接続端子ペースト層5が形成される。図95は、導体ペースト層オーバーコートガラスペースト層形成後の基体用グリーンシート2を示す図5aは平面図、5bはそのX-X線断面図であるである。導体ペースト層形成工程においては、基体用グリーンシート2の所定の2箇所に主面21から裏面23に貫通する貫通導体7の一部を構成する貫通導体用ペースト層7a、および裏面23に貫通導体用ペースト層7aと電気的に接続する外部接続端子用導体ペースト層6を形成する。また、基体用グリーンシート2の主面21上に、基体用グリーンシート2主面21の周縁部および、上記一対の貫通導体7aが配設された部分とその周囲近傍を除く領域にスクリーン印刷により、熱伝導性を有する材料、好ましくは銀を含む金属材料を含有する放熱層用ペースト層8を形成する。次いで、基体用グリーンシート主面21上に存在する放熱層用ペースト層8の端縁を含む全体を覆いかつ基体用グリーンシート2の主面21上の周縁部および、上記一対の貫通導体7aが配設された部分とその周囲近傍を除く、基体用グリーンシート主面21上にスクリーン印刷によりオーバーコートガラスペースト層9を形成する。上記素子接続端子ペースト層5、外部接続端子用導体ペースト層6、および貫通導体用ペースト層7具体的には、基体用グリーンシート2に形成される貫通導体用ペースト層7a、および下部枠体用グリーンシート3aに形成される貫通導体用ペースト層7bの形成方法としては、スクリーン印刷法により導体ペーストを塗布、充填する方法が挙げられる。形成される素子接続端子ペースト層5および外部接続端子用導体ペースト層6の膜厚は、最終的に得られる素子接続端子および外部接続端子の膜厚が所定の膜厚となるように調整される。これらの導体ペースト層形成に用いられる、素子接続端子ペースト、貫通導体用ペースト、外部接続端子用導体ペースト等の配線導体用ペーストおよび、放熱層用金属ペーストについては、上記第1の実施の形態で説明したのと同様のものを用いることが可能であり、形成方法も同様の方法とできる。また、上記オーバーコートガラスペーストは、ガラス粉末ガラス膜用ガラス粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを用いることができる。形成されるオーバーコートガラスペースト層9の膜厚は、最終的に得られるオーバーコートガラス層9の膜厚が上記所望の膜厚となるように調整される。オーバーコートガラス層用ガラス粉末としては、以下のC’工程後に次いで行われるD’焼成工程における焼成により、膜状のガラスを得られるものであればよく、その50粒径D50は0.5μm以上2μm以下であることが好ましい。また、オーバーコートガラス層9の表面粗さRaの調整は、例えばこのオーバーコートガラス層用ガラス粉末の粒度により行うことができる。すなわち、オーバーコートガラス層用ガラス粉末として、焼成時に十分に溶融し、流動性に優れる、上記50粒径D50の範囲のものを用いることで、表面粗さRaを上記好ましい範囲に調整することが可能である。C’積層工程上記B’工程で得られた、導体ペースト層オーバーコートガラスペースト層付き基体用グリーンシート2の主面21上に、導体ペースト層付き下部枠体用グリーンシート3aを素子接続端子ペースト層5が形成された面を上にして積層する。さらに、その上に上記A’工程で得られた上部枠体用グリーンシート3bを積層して未焼結発光素子用基板1図96に平面図6a、およびそのX-X線断面図6bを示すを得る。D’焼成工程上記C’工程後、得られた未焼結発光素子用基板1について、必要に応じてバインダー等を除去するための脱脂を行い、ガラスセラミックス組成物等を焼結させるための焼成を行う。この焼成工程は、上記第1の実施形態の発光素子用基板の製造方法におけるD焼成工程と全く同様とできる。このようにして、未焼結発光素子用基板1が焼成され発光素子用基板1が得られるが、焼成後、必要に応じて素子接続端子5および外部接続端子6の全体を被覆するように、金メッキ等の通常、発光素子用基板において導体保護用に用いられる導電性保護膜を配設することも可能である。以上、本発明の第2の実施形態の発光素子用基板の製造方法について説明したが、基体用グリーンシート2、下部枠体用グリーンシート3a、上部枠体用グリーンシート3bは必ずしも単一のグリーンシートからなる必要はなく、複数枚のグリーンシートを積層したものであってもよい。また、各部の形成順序等についても、発光素子用基板の製造が可能な限度において適宜変更できる。以上、発光素子を1個搭載するための本発明の第1の実施形態および、発光素子を複数個搭載するための本発明の第2の実施形態について、それぞれ発光素子用基板およびこれを用いた発光装置における例を挙げて説明したが、本発明の発光素子用基板および発光装置はこれらに限定されるものではない。本発明の趣旨に反しない限度において、また必要に応じて、その構成を適宜変更できる。本発明の発光素子用基板によれば、簡便な構造でありながら、搭載される発光素子から光取り出し方向以外に放射される光を基板表面で光取り出し方向へ効率よく反射させることが可能である。また、本発明によれば、光取り出し効率の良好な本発明の発光素子用基板を用いることで、十分に高輝度で発光できる発光装置の提供が可能となる。このような本発明の発光装置は、例えば携帯電話や大型液晶ディスプレイ等のバックライト、自動車用あるいは装飾用の照明、その他の光源として好適に用いることができる。以下に、本発明の実施例を説明する。なお本発明はこれら実施例に限定されるものではない。[実施例1]以下に説明する方法で、図3に示すのと同様の構造の発光素子1個を搭載する試験用発光装置を作製した。なお、上記同様、焼成の前後で部材に用いる符号は同じものを用いた。まず、発光素子用基板1の基体2および枠体3を作製するための基体用グリーンシート2、枠体用グリーンシート3を作製した。各グリーンシートは、SiO2が60.4mol、B2O3が15.6mol、Al2O3が6mol、CaOが15mol、K2Oが1mol、Na2Oが2molとなるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて1600°Cで60分間溶融させた後、この溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより40時間粉砕してガラス粉末を製造した。なお、粉砕時の溶媒にはエチルアルコールを用いた。このガラス粉末が35質量、アルミナフィラー昭和電工社製、商品名:AL-45H40質量、ジルコニアフィラー第一稀元素化学工業社製、商品名:HSY-3F-J25質量となるように配合し、混合することによりガラスセラミックス組成物を製造した。このガラスセラミックス組成物50gに、有機溶剤トルエン、キシレン、2-プロパノール、2-ブタノールを質量比4:2:2:1で混合したもの15g、可塑剤フタル酸ジ-2-エチルヘキシル2.5g、バインダーとしてのポリビニルブチラールデンカ社製、商品名:PVK3000K5g、さらに分散剤ビックケミー社製、商品名:BYK1800.5gを配合し、混合してスラリーを調製した。このスラリーをPETフィルム上にドクターブレード法により塗布し、乾燥させたグリーンシートを積層して、略平板状であって焼成後の厚さが0.4mmとなる基体用グリーンシート2、枠外の形状が基体用グリーンシート2と同様であり、枠内の形状が長辺:2.5mm、短辺:1.5mmの略長方形状あって、焼成後の枠高さが0.45mmである枠体用グリーンシート3を製造した。一方、導電性粉末大研化学工業社製、商品名:S550、ビヒクルとしてのエチルセルロースを質量比85:15の割合で配合し、固形分が85質量となるように溶剤としてのαテレピネオールに分散した後、磁器乳鉢中で1時間混練を行い、さらに三本ロールにて3回分散を行って配線導体用ペーストを製造した。基体用グリーンシート2の一対の貫通導体7に相当する部分に孔空け機を用いて直径0.3mmの貫通孔を形成し、スクリーン印刷法により配線導体用ペーストを充填して貫通導体ペースト層7を形成するとともに、裏面23に一対の外部接続端子導体ペースト層6を形成した。さらに、基体用グリーンシート2の主面21上には、貫通導体用ペースト層7を覆うように略円形状に一対の素子接続端子ペースト層5をスクリーン印刷法により形成して導体ペースト層付き基体用グリーンシート2を得た。上記で得られた、導体ペースト層付き本体用グリーンシート2の主面21上に、上記で得られた枠体用グリーンシート3を積層して未焼結発光素子用基板1を得た。この未焼成発光素子用基板1を、550°Cで5時間保持して脱脂を行い、さらに870°Cで30分間保持して焼成を行って試験用の発光素子用基板1を製造した。得られた発光素子用基板1における、枠体3の内壁面を側面25とし、基体主面21の一部を底面24とする凹部4は、底面24の形状については、長辺が2.5mm、短辺が1.5mmの略長方形状であった。また、凹部4の側面25は底面24に対して略垂直に形成され、その高さは0.6mmであった。発光素子用基板1における基体主面21の表面粗さRaは、東京精密社製サーフコム1400Dによる測定から0.01μmであることが確認された。また、枠体の内壁面および基体主面の表面におけるヘイズ値をヘイズメーター本電色工業製、NDH2000で測定したところ、100であった。上記で作製した試験用の発光素子用基板1の搭載部22に1個の2ワイヤタイプの発光ダイオード素子を搭載して発光装置10を作製した。具体的には、発光ダイオード素子11昭和電工社製、商品名:GQ2CR460Z、サイズ:380μm×240μm、高さ:80μmをダイボンド材信越化学工業社製、商品名:KER-3000-M2により上記の位置凹部4の略中央部であって、凹部4の長辺と発光素子11の長辺が同一方向となる位置に固定し、発光素子11が有する一対の電極のそれぞれと一対の素子接続端子5とをそれぞれボンディングワイヤ12を介して電気的に接続した。なお、搭載された発光素子の最高部の高さは凹部4の底面24から83μmであった。上記発光装置10において、枠体3の内壁面、すなわち凹部4の側面25から発光素子11の端縁との距離は、最大値図1においてL2に相当する長さが1060μm、最小値図1においてL1に相当する長さが630μmであった。さらに封止材信越化学工業社製、商品名:SCR-1016Aを用いて図3に示す封止層13を構成するように封止した。封止材には蛍光体化成オプトニクス社製、商品名P46-Y3を封止材に対して20質量含有したものを用いた。[比較例1]上記実施例1において、枠体3の内壁面に銀からなる反射膜を配したこと以外は、全て実施例1と同様にして、比較例1の発光装置を作製した。[比較例2]上記実施例1において、凹部4の側面25と底面24のなす角が135°となるような形状の枠体3を設け、枠体3の内壁面に銀からなる反射膜を配したこと以外は、全て実施例1と同様にして、比較例2の発光装置を作製した。<評価>上記実施例1および比較例1、2で得られた発光装置について以下の方法で全光束量と熱抵抗を測定した。[全光束量]発光装置の全光束量測定は、LED全光束測定装置スペクトラコープ社製、商品名:SOLIDLAMBDACCDLEDMONITORPLUSを用いて行った。積分球は6インチ、電圧電流発生器としてはアドバンテスト社製R6243を用いた。また、LED素子には35mAを印加して測定した。[熱抵抗]発光装置における発光素子用基板の熱抵抗を、熱抵抗測定器嶺光音電機社製、商品名:TH-2167を用いて測定した。なお、印加電流は35mAとし、電圧降下が飽和する時間まで通電し、降下した電圧と発光ダイオード素子の温度-電圧降下特性から導かれる温度係数によって飽和温度を算出し、熱抵抗を求めた。結果を表1に示す。なお、結果は比較例1の発光装置における全光束量および熱抵抗を100とした時の百分率で示した。[実施例2]以下に説明する方法で、図7に示すのと同様の構造の4個の発光素子を搭載する試験用発光装置を作製した。なお、上記同様、焼成の前後で部材に用いる符号は同じものを用いた。まず、発光素子用基板1の基体2および枠体3を作製するための、基体用グリーンシート2、下部枠体用グリーンシート3a、上部枠体用グリーンシート3bを作製した。各グリーンシート形成用のスラリーは上記実施例1と同様にして調製した。このスラリーをPETフィルム上にドクターブレード法により塗布し、乾燥させたグリーンシートを積層して、略平板状であって焼成後の厚さが0.4mmとなる基体用グリーンシート2、枠外の形状が基体用グリーンシート2と同様であり、枠内の形状が焼成後で長辺:0.78mm、短辺:0.64mmの略長方形状ある貫通孔を4個有し、焼成後の枠高さ以下に説明する凹部底面24のオーバーコートガラス層からの高さが0.1mmである下部枠体用グリーンシート3a、枠外の形状が基体用グリーンシート2と同様であり、枠内の形状が直径4.3mmの円形状あって、焼成後の枠高さ下部枠体3aからの高さが0.35mmである上部枠体用グリーンシート3bを製造した。一方、上記実施例1と同様にして配線導体用ペーストを製造した。また、放熱層用金属ペーストは、銀粉末大研化学工業社製、商品名:S400-2と、ビヒクルとしてのエチルセルロースとを質量比90:10の割合で配合し、固形分が87質量となるように溶剤としてのαテレピネオールに分散した後、磁器乳鉢中で1時間混練を行い、さらに三本ロールにて3回分散を行って製造した。下部枠体用グリーンシート3aの一対の貫通導体7に相当する部分に孔空け機を用いて直径0.3mmの貫通孔を形成し、スクリーン印刷法により配線導体用ペーストを充填して貫通導体ペースト層7bを形成し、基体用グリーンシート2と積層される面と反対側、上側の面の所定位置に貫通導体用ペースト層7bを覆うように略円形状に素子接続端子ペースト層5を形成した。基体用グリーンシート2の一対の貫通導体7に相当する部分に孔空け機を用いて直径0.3mmの貫通孔を形成し、スクリーン印刷法により配線導体用ペーストを充填して貫通導体ペースト層7aを形成するとともに、裏面23に外部接続端子導体ペースト層6を形成した。さらに、基体用グリーンシート2の主面21上には、基体用グリーンシート2主面21の周縁部および、上記一対の貫通導体7aが配設された部分とその周囲近傍を除く領域にスクリーン印刷により、放熱層用ペースト層8を焼成後の膜厚が15μmとなるように形成した。焼成後の放熱層8の表面粗さRaは、東京精密社製サーフコム1400Dによる測定から0.08μmであることを確認した。その上に、上記放熱層用ペースト層8の端縁を含む全体を覆いかつ上記一対の貫通導体7aが形成された領域およびその周囲近傍を除くように、オーバーコートガラスペースト層9を、焼成後の膜厚が20μmとなるようにスクリーン印刷法によって形成して、導体ペースト層オーバーコートガラスペースト層付き本体用グリーンシート2を得た。焼成後のオーバーコートガラス層9の表面粗さRaは、東京精密社製サーフコム1400Dによる測定から0.01μmであることを確認した。ここで、上記オーバーコートガラスペーストの調製に用いたガラス膜用ガラス粉末は以下のようにして製造した。まず、SiO2が81.6mol、B2O3が16.6mol、K2Oが1.8molになるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて1600°Cで60分間溶融させた後、この溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより8~60時間粉砕してガラス膜用ガラス粉末とした。このオーバーコートガラス膜用ガラス粉末が60質量、樹脂成分エチルセルロースとαテレピネオールとを質量比で85:15の割合で含有するものが40質量となるように配合した後、磁器乳鉢中で1時間混練し、さらに三本ロールにて3回分散を行うことによりオーバーコートガラスペーストを調製した。上記で得られた、導体ペースト層オーバーコートガラスペースト層付き基体用グリーンシート2の主面21上に、導体ペースト層付き下部枠体用グリーンシート3aを素子接続端子ペースト層5が形成された面を上にして積層した。さらに、その上に上記で得られた上部枠体用グリーンシート3bを積層して未焼結発光素子用基板1を得た。この未焼成発光素子用基板1を、550°Cで5時間保持して脱脂を行い、さらに870°Cで30分間保持して焼成を行って試験用の発光素子用基板1を製造した。得られた発光素子用基板1における、下部枠体3aの貫通孔内壁面を側面25とし、基体主面21の一部を底面24とする4箇所の凹部4はいずれも、底面24の形状については、長辺が0.78mm、短辺が0.64mmの略長方形状であった。また、凹部4の側面25は底面24に対して略垂直に形成され、その高さは、上記オーバーコートガラス層9からの高さとして、0.1mmであった。発光素子用基板1における基体主面21の表面粗さRaは、東京精密社製サーフコム1400Dによる測定から0.01μmであることが確認された。また、下部枠体3aの内壁面および基体主面21の表面におけるヘイズ値をヘイズメーター本電色工業製、NDH2000で測定したところ、100であった。上記で作製した試験用の発光素子用基板1の4箇所の搭載部22のそれぞれに2ワイヤタイプの発光ダイオード素子を1個ずつ計4個搭載して発光装置10を作製した。具体的には、4個の発光ダイオード素子11昭和電工社製、商品名:GQ2CR460Z、サイズ:380μm×240μm、高さ:80μmをそれぞれダイボンド材信越化学工業社製、商品名:KER-3000-M2により上記の位置各凹部について、凹部4の略中央部であって、凹部4の長辺と発光素子11の長辺が同一方向となる位置に固定し、4個の発光素子11が有する電極と一対の素子接続端子5とをボンディングワイヤ12を介して電気的に直列に接続した。なお、搭載された発光素子の最高部の高さは、凹部4の底面24のオーバーコートガラス層9から83μmであった。上記発光装置10において、4個の凹部4はいずれについても、下部枠体3aの内壁面、すなわち凹部4の側面25から発光素子11の端縁との距離は、発光素子11の全周に亘って約200μmであった。さらに封止材信越化学工業社製、商品名:SCR-1016Aを用いて図7に示す封止層13を構成するように封止した。封止材には蛍光体化成オプトニクス社製、商品名P46-Y3を封止材に対して17質量含有したものを用いた。[比較例3]上記実施例2において、下部枠体3aを配設せずに上部枠体3bをその枠高さ凹部底面24のオーバーコートガラス層9からの高さを0.45mmに変えて基体2の主面21上に配設した以外は、全て実施例2と同様にして、従来の構成の発光装置を比較例3として作製した。<評価>上記実施例2および比較例3で得られた発光装置について上記の方法で全光束量と熱抵抗を測定した。結果を表2に示す。なお、結果は比較例3の従来の発光装置における全光束量および熱抵抗を100とした時の百分率で示した。