"錘部と、支持部と、前記錘部の端を前記支持部に連結するとともに外部応力に応じて歪み変形が生じる梁部と、前記梁部に形成され前記外部応力を検出するピエゾ抵抗と、を備える加速度センサにおいて、前記錘部と前記支持部と前記梁部とは、複数の層からなり、前記梁部は、複数の層の内の1つの層であるピエゾ形成層に前記ピエゾ抵抗が形成され、前記錘部は、前記ピエゾ形成層と同じ層の前記梁部側の端が他の層の前記梁部側の端より前記梁部側へ延出した延出部を有する加速度センサ。前記錘部と前記支持部と前記梁部とは、SOI基板により形成され、前記ピエゾ形成層は、前記SOI基板の半導体薄膜層である、請求項1に記載の加速度センサ。前記延出部の延出長さは10μm以下である、請求項1または請求項2に記載の加速度センサ。前記梁部は、前記錘部の両端を前記支持部に連結する、請求項1から請求項3のいずれかに記載の加速度センサ。しかしながら、上記特許文献1に示されている加速度センサ1は、衝撃が加わってX方向の加速度が作用した際に、梁部11に応力が集中し易い構造となっている。そのため、加速度センサ1では、過度な衝撃が加わった場合や衝撃が繰り返し加わった場合などに、梁部11が破損するおそれがあった。そこで、梁部11の橋脚部12Bの幅を太くし耐衝撃性を向上させる方法が考えられるが、この方法では、加速度センサ1の感度が低下したり、共振周波数が変化したりするという問題があった。したがって、本発明の目的は、加速度センサの感度を低下させたり共振周波数を変えたりすること無く、耐衝撃性を向上させた加速度センサを提供することにある。本発明の加速度センサは、前記課題を解決するために以下の構成を備えている。1錘部と、支持部と、前記錘部の端を前記支持部に連結するとともに外部応力に応じて歪み変形が生じる梁部と、前記梁部に形成され前記外部応力を検出するピエゾ抵抗と、を備える加速度センサにおいて、前記錘部と前記支持部と前記梁部とは、複数の層からなり、前記梁部は、複数の層の内の1つの層であるピエゾ形成層に前記ピエゾ抵抗が形成され、前記錘部は、前記ピエゾ形成層と同じ層の前記梁部側の端が他の層の前記梁部側の端より前記梁部側へ延出した延出部を有する。この構成では錘部が延出部を有するため、衝撃が加わってX方向の加速度が作用した際に、応力が梁部と錘部の境界線から梁部側へ分散する。この構成では、実験により、耐衝撃性が特許文献1の加速度センサ1より向上することが明らかとなった。また、この構成では、実験により、センサの感度と共振周波数が特許文献1の加速度センサ1から変化していないことが明らかとなった。従って、この構成によれば、加速度センサの感度を低下させたり共振周波数を変えたりすること無く、加速度センサの耐衝撃性を向上させることができる。2前記錘部と前記支持部と前記梁部とは、SOI基板により形成され、前記ピエゾ形成層は、前記SOI基板の半導体薄膜層である。3前記延出部の延出長さは10μm以下であることが好ましい。4前記梁部は、前記錘部の両端を前記支持部に連結する。この構成では、所謂両持梁の加速度センサを想定している。この発明によれば、加速度センサの感度を低下させたり共振周波数を変えたりすること無く、加速度センサの耐衝撃性を向上させることができる。本発明の実施形態に係る加速度センサについて、図を参照して説明する。加速度センサは、例えばエアバッグやカメラの手振れ防止機構などにおいて加速度を検出するために用いられている。図3は、本発明の実施形態に係る加速度センサ3を示す斜視図である。図4は、本発明の実施形態に係る加速度センサ3の検出回路7の回路図である。図5は、本発明の実施形態に係る加速度センサ3を示す要部拡大斜視図である。図6Aは、図5に示す矢印Pから見た梁部31の側面図である。図6Bは、図5に示す矢印Qから見た錘部34の側面図である。図6Cは、梁部31および錘部34の下面図である。加速度センサ3は、支持部30と、梁部31と、錘部34とを備える。支持部30及び梁部31には、図4に示す検出回路7が形成されている。加速度センサ3は、図3ないし図6に示すように、例えばSOISiliconOnInsulator基板90を用いて形成されている。このため、加速度センサ3は、表面側に位置する表面層91と、該表面層91の裏面側に設けられた裏面層をなす支持基板層93と、表面層91と支持基板層93との間に位置する中間絶縁層92とを備えている。このとき、表面層91、支持基板層93はいずれもシリコン材料を用いて形成され、中間絶縁層92は例えば二酸化シリコンSiO2のような絶縁材料を用いて形成されている。すなわち、表面層91は、SOI基板90の半導体薄膜層である。支持部30は、加速度センサ3の外周側に位置して例えば略四角形の枠状に形成されており、表面層91、中間絶縁層92、支持基板層93によって形成されている。また、支持部30の内側には、図3中の横方向Y方向の手前側から奥側に向けて梁部31が突出して設けられている。梁部31は、基端側が支持部30に繋がり、先端側が錘部34に繋がっている。また、梁部31は、断面がT字形に形成されており、表面層91によって形成された平板部32Aと、支持基板層93および中間絶縁層92によって形成された橋脚部32Bとからなる。このため、梁部31は、図3中の横方向X方向に容易に歪み変形する。錘部34は、梁部31の先端に繋がっており、支持部30の内側に位置する。錘部34は、表面層91、中間絶縁層92、支持基板層93によって形成されている。また、錘部34と支持部30との間には、錘部34を取囲む略C字状の溝33が設けられている。これにより、錘部34と支持部30との間には隙間が形成され、錘部34は、梁部31によってX方向に変位可能に支持されている。さらに、錘部34は、表面層91が支持基板層93より梁部31側へ延出した延出部36を有する。ここで、梁部31と錘部34の各部位の寸法は以下のとおりである図6参照。橋脚部32Bの幅X1=10μm橋脚部32Bの長さY1=80μm平板部32Aの幅X2=50μm錘部34の下面の幅X3=150μm錘部34の下面の長さY3=150μm。検出回路7は、図3、図4に示すように、4個のピエゾ抵抗R1~R4と、配線部77と、4個の電極P1~P4とからなる。この検出回路7は、支持部30及び梁部31の表面側に設けられ、例えば酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁膜によって覆われている。ピエゾ抵抗R1~R4は、例えば梁部31の上面に対してp型の不純物を拡散ドープさせることによって梁部31の上面に形成される。すなわち、梁部31を構成する表面層91は、ピエゾ形成層である。また、ピエゾ抵抗R2,R4は直列接続されると共に、ピエゾ抵抗R1,R3も直列接続されている。また、ピエゾ抵抗R2,R4の直列接続回路とピエゾ抵抗R1,R3の直列接続回路とは互いに並列接続されている。これにより、検出回路7は、図4に示すホイートストンブリッジ回路を構成し、加速度センサ3の検出感度を高めている。また、ピエゾ抵抗R1,R3の直列接続回路は、一端側抵抗R1側が駆動電圧Vddが供給される駆動電極P3に接続され、他端側抵抗R3側がグランドGND用のグランド電極P4に接続されている。ピエゾ抵抗R2,R4の直列接続回路は、一端側抵抗R2側が駆動電圧Vddが供給される駆動電極P3に接続され、他端側抵抗R4側がグランドGND用のグランド電極P4に接続されている。さらに、ピエゾ抵抗R1,R3間の接続点には第1の検出信号Vout1を出力する出力電極P1が接続され、ピエゾ抵抗R2,R4間の接続点には第2の検出信号Vout2を出力する出力電極P2が接続されている。各電極P1~P4は、例えば導電性金属材料を用いた電極パッドによって形成され、支持部30の表面に設けられる。配線部77は、支持部30及び梁部31の表面側に設けられ、ピエゾ抵抗R1~R4間を接続すると共に、ピエゾ抵抗R1~R4と各電極P1~P4との間を接続している。なお、配線部77は、ブリッジ回路のバランスをとるために、例えば線路長さ寸法を等しく形成し、互いの抵抗値が同じ値になるように形成するのが好ましい。以上の構成において、加速度センサ3にX方向の加速度が作用すると、錘部34に作用する慣性力外部応力によって梁部31を中心として錘部34が水平面内で揺動して梁部31が歪み変形し、梁部31上のピエゾ抵抗R1~R4に応力が加わる。これにより、加速度による慣性力外部応力に応じてピエゾ抵抗R1~R4の抵抗値が変化するため、出力電極P1,P2から出力される第1,第2の検出信号Vout1,Vout2の電圧もピエゾ抵抗R1~R4の抵抗値に応じて変化する。このとき、出力電極P1,P2から出力される第1,第2の検出信号Vout1,Vout2の電圧を用いてピエゾ抵抗R1~R4の抵抗値を求めることができるため、出力電極P1,P2から出力される第1,第2の検出信号Vout1,Vout2を検出することによって、加速度慣性力を検出することができる。次に、比較例である加速度センサ2について説明する。図7は、加速度センサ2を示す要部拡大斜視図である。加速度センサ2が図5に示す加速度センサ3と相違する点は、錘部24である。錘部24は、延出部36を有する錘部34図5参照と逆に、表面層91の梁部21側の端が梁部21と反対側へ支持基板層93の梁部21側の端より引っ込んだ形状となっている。次に、加速度センサ3の耐衝撃性、センサの感度、及び共振周波数について加速度センサ1,2と比較しながら説明する。その際、加速度センサ1,2,3をそれぞれModel1,2,3と表記して説明する。ここで、Model1,2,3の相違点について纏めると、図2に示すModel1の錘部14は、表面層91と支持基板層93の梁部11側の端が揃った形状であり、図7に示すModel2の錘部24は、表面層91の梁部21側の端が支持基板層93の梁部21側の端より引っ込んだ形状であり、図5に示すModel3の錘部34は、表面層91の梁部31側の端が支持基板層93の梁部31側の端より梁部31側へ延出した延出部36を有する形状である。そして、その他の構成については各Modelとも同じである。図8Aは、各Modelに対して1Gの加速度をX方向へ作用させたときに各Modelにかかる応力と共振周波数とを有限要素法FEM:FiniteElementMethodで算出した結果を示す図である。図8Bは、図8Aに示すModel1の算出結果を基準にして他のModelの算出結果を百分率で表わした図である。図9は、図8Bに示すエッジの位置と応力および共振周波数との関係を示すグラフである。図10は、図8Bに示すエッジの位置と共振周波数との関係を示すグラフである。ここで、図8ABに示すModel2-1は、表面層91の梁部21側の端が梁部21と反対側へ支持基板層93の梁部21側の端より2.5μm引っ込んだ形状の加速度センサであり、Model2-2は、表面層91の梁部21側の端が梁部21と反対側へ支持基板層93の梁部21側の端より5μm引っ込んだ形状の加速度センサである。同様に、Model3-1は、表面層91の梁部31側の端が支持基板層93の梁部31側の端より梁部31側へ2.5μm延出した延出部36を有する形状の加速度センサであり、Model3-2は、表面層91の梁部31側の端が支持基板層93の梁部31側の端より梁部31側へ5μm延出した延出部36を有する形状の加速度センサであり、Model3-3は、表面層91の梁部31側の端が支持基板層93の梁部31側の端より梁部31側へ10μm延出した延出部36を有する形状の加速度センサである。また、図8ABに示すσMaxは、1Gの加速度をX方向へ作用させたときにModelに生じる最大応力を示し、σbeamは、1Gの加速度をX方向へ作用させたときに梁部11、21、31の表面にかかる応力を示し、Fr1~3は、それぞれModelの共振周波数を示す。ここで、このσMaxは、耐衝撃性を示す値に相当し、σbeamは、センサの感度を示す値に相当する。図8~図10に示す算出結果により、錘部34において表面層91の梁部31側の端が支持基板層93の梁部31側の端より梁部31側へ延出した延出部36を有する形状のModel3-1~3-3において、σMax耐衝撃性が向上することが明らかとなった。特にModel3-1は耐衝撃性に最も優れていることが明らかとなった。また、Model3-1~3-3では、センサの感度と共振周波数がModel1から変化していないことが明らかとなった。さらに、加速度センサ3の耐衝撃性について加速度センサ1,2と比較しながら詳述する。図11Aは、Model1において最大応力が生じる範囲を示す拡大斜視図である。図11Bは、Model2-2において最大応力が生じる範囲を示す拡大斜視図である。図11Cは、Model3-2において最大応力が生じる範囲を示す拡大斜視図である。ここで、図11A~Cで示される最大応力が生じる範囲は、FEMで算出することにより示している。図11Aに示すように、Model1では、梁部11と錘部14の境界線に最大応力が集中している。また、図11Bに示すように、Model2-2では、梁部21と錘部24の支持基板層93のエッジとが交わる1点に最大応力が集中している。しかし、図11Cに示すように、Model3-2では、梁部31と錘部34の境界線から梁部31側へ最大応力が分散しており、最大応力の生じている範囲がこれらの中で最も広い。よって、図11A~Cに示す算出結果により、錘部34において表面層91の梁部31側の端が支持基板層93の梁部31側の端より梁部31側へ延出した延出部36を有する形状のModel3-2が、これらの中で最も耐衝撃性に優れていることが明らかとなった。また、Model1とModel2-1とModel3-1とをFEMで算出した場合も、同様の算出結果、即ちModel3-1がこれらの中で最も耐衝撃性に優れていることが明らかとなった。以上より、この実施形態の加速度センサ3によれば、加速度センサの感度を低下させたり共振周波数を変えたりすること無く、耐衝撃性を向上させることができる。さらに、加速度センサ3の感度について加速度センサ1,2と比較しながら詳述する。図12は、各Modelに対して1Gの加速度をX方向へ作用させたときの梁部11,21,31の表面上の各地点と各地点で生じる応力との関係を示すグラフである。ここで、各地点で生じる応力は、FEMで算出している。また、各地点は、図2に示すModel1であれば、梁部11の短手方向の端から2μm内側にある長手方向矢印の中点Cを基準にした30μm~-30μmの地点である。Model2、3についても、Model1と同じ地点で応力を算出している図5、図7参照。図12に示す算出結果により、Model3-1とModel3-2についてはセンサの感度がModel1と殆ど変わらないことが明らかとなった。しかし、Model3-3については20μmから25μmの地点においてセンサの感度が他のModelより向上し、30μmの地点においてセンサの感度が他のModelより低下することが算出結果により明らかとなった。従って、延出部36の延出長さは10μm以下であることが好ましい。《その他の実施形態》上述の実施形態では、片持梁の加速度センサ3に適用した場合を例に挙げて説明したが、実施の際は両持梁の加速度センサに適用してもよい。また、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"