"複数のセラミックス基板と金属板とを交互に積層して接合するとともに、セラミックス基板に形成した貫通孔の内部を介して該セラミックス基板の両側の金属板を接続状態としたパワーモジュール用基板であって、セラミックス基板の間に配置される中段の金属板には、前記貫通孔を有するセラミックス基板の側面より外方に露出する引出配線部が設けられていることを特徴とするパワーモジュール用基板。前記引出配線部は、前記中段の金属板の表面から突出した肉厚形状に設けられていることを特徴とする請求項1記載のパワーモジュール用基板。前記引出配線部は、前記中段の金属板の裏面に配置されているセラミックス基板で支持されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のパワーモジュール用基板。前記セラミックス基板の貫通孔内には、金属部材が挿入されており、前記金属部材が塑性変形した状態で前記両側の金属板が接合されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板。前記金属部材と前記セラミックス基板の貫通孔の内周面との間に隙間が形成されていることを特徴とする請求項4記載のパワーモジュール用基板。しかしながら、パワーモジュールの構成によっては、配線の引き回しによって小型化を損なうことがある。また、パワーモジュール用基板を小型化することで、配線の引き出しが複雑になり作業性が悪いという問題がある。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、セラミックス基板と金属板とを多層に積層してセラミックス基板の両側の金属板を接続状態としたパワーモジュール用基板において、さらに小型化を図ることができ、配線接続の作業性を向上させることができるパワーモジュール用基板を提供することを目的とする。本発明のパワーモジュール用基板は、複数のセラミックス基板と金属板とを交互に積層して接合するとともに、セラミックス基板に形成した貫通孔の内部を介して該セラミックス基板の両側の金属板を接続状態としたパワーモジュール用基板であって、セラミックス基板の間に配置される中段の金属板には、前記貫通孔を有するセラミックス基板の側面より外方に露出する引出配線部が設けられていることを特徴とする。セラミックス基板の側面より外方に中段の金属板を露出させて引出配線部を設けることで、セラミックス基板を介して中段の金属板と接続される上段の金属板を介さずに、外部への配線を中段の金属板から直接引き出す構成としている。上段の金属板は、電子部品が搭載されるため、外部への配線のために電子回路を迂回して回路を形成する必要がある等、面方向に大きくなり易いが、中段の金属板を利用する場合は、その外周のうちの適宜の位置に引出配線部を形成すればよく、平面積の拡大を抑制してパワーモジュール用基板を小型化することができる。また、引出配線部は、パワーモジュール用基板の端部に設けられるので、配線の取り出しが容易であるとともに、外部との配線の距離を短くでき、作業性を向上させることができる。本発明のパワーモジュール用基板において、前記引出配線部は、前記中段の金属板の表面から突出した肉厚形状に設けられているとよい。この場合、引出配線部は、プレス加工により中段の金属板の表面に成形することができる。引出配線部を突出させて設けることで、その表面を電子部品の搭載面の高さに近づけることができる。これにより、配線を直線的に行うことができるので、ボンディングの作業性を向上させることができる。本発明のパワーモジュール用基板において、前記引出配線部は、前記中段の金属板の裏面に配置されているセラミックス基板で支持されているとよい。この場合、ボンディング作業時に引出配線部にかかる押圧力を、セラミックス基板で受けることができる。このため、配線時に負荷がかかるリードフレームの超音波溶接機等によっても配線することができる。本発明のパワーモジュール用基板において、前記セラミックス基板の貫通孔内には、金属部材が挿入されており、前記金属部材が塑性変形した状態で前記両側の金属板が接合されているとよい。セラミックス基板の貫通孔内に挿入した金属部材を塑性変形させて両側の金属板に接合することにより、セラミックス基板の厚さの寸法ばらつきを金属部材の塑性変形量によって調整することができ、安定した接合状態のパワーモジュール用基板を得ることができる。これにより、熱応力の発生が軽減され、剥離や割れ等の発生を防止することができる。本発明のパワーモジュール用基板において、前記金属部材と前記セラミックス基板に形成した貫通孔の内周面との間に隙間が形成されているとよい。貫通孔の内周面と金属部材との間に隙間が形成されているので、温度サイクルにより熱伸縮を繰り返しても、金属部材とセラミックス基板との熱膨張係数の差を隙間により吸収することが可能である。本発明によれば、セラミックス基板と金属板とを多層に積層してセラミックス基板の両側の金属板を接続状態としたパワーモジュール用基板において、金属板による配線構造を改良でき、パワーモジュール用基板の小型化を図ることができるとともに、作業性を向上させることができる。以下、本発明の一実施形態を、図面を参照しながら説明する。図1~図4は本実施形態のパワーモジュール用基板を示しており、このパワーモジュール用基板1は、複数のセラミックス基板2,3と金属板4A,4B,5A,5B,6とが交互に積層され、相互にろう付けにより接合されており、最上段に配置される金属板4A,4Bに電子部品7が搭載され、最下段に配置される金属板6にヒートシンク8が接合される。図示例ではセラミックス基板2,3が上側セラミックス基板2と下側セラミックス基板3との2枚用いられ、金属板4A,4B,5A,5B,6が3層となるように配置されている。金属板4A,4B,5A,5B,6は、最上段に金属板4A,4Bの2枚、両セラミックス基板の間の中段に金属板5A,5Bの2枚、最下段に金属板6の1枚がそれぞれ設けられている。上側セラミックス基板2と下側セラミックス基板3との間の金属板以下、中段の金属板という5A,5Bは、図3に示すように、セラミックス基板2,3の中央位置に最上段の金属板4A,4Bとの接続部51が設けられ、上側セラミックス基板2の側面より外方に露出して配置される後端部分に、外部への配線の引き出しに用いられる引出配線部52が設けられている。これら接続部51と引出配線部52とは、細長い帯板状の連結部53により接続され、この連結部53の幅が、接続部51及び引出配線部52より小さく形成されていることにより、一側部に凹部54が形成され、これら金属層5A,5Bは、互いの凹部54に他方の接続部51を対峙させるようにして並べられている。そして、図1に示すように、金属板4A,4Bとの接続部51に設けられた立設配線部55金属部材により上側セラミックス基板2の貫通孔21を介して電気的接続状態とされている。なお、立設配線部55及び引出配線部52は、金属板5A,5Bが上側セラミックス基板2と接する表面に形成されている。図6に示すように、中段の金属板5A,5Bと、最上段の金属板4A,4Bとの接続状態としては、上側セラミックス基板2に4個の貫通孔21が形成され、両セラミックス基板2,3の間の中段の金属板5A,5Bの片面にそれぞれ立設配線部55が円柱状に一体に形成され、これら立設配線部55がそれぞれ貫通孔21内に挿入され、最上段の金属板4A,4Bに接合された構造とされている。この場合、後述するように、立設配線部55は、最上段の金属板4A,4Bに接合され、最上段の金属板4A,4Bへの接合部Fと中段の金属板5A,5Bの上面との中間付近が塑性変形してわずかに拡径した状態とされているが、貫通孔21の内周面との間には隙間Gが形成されている。また、中段の金属板5A,5Bの引出配線部52は、上側セラミックス基板2の側面より外方に露出して設けられるが、引出配線部52の裏面側は、下側セラミックス基板3の端部が配置されている。セラミックス基板2,3は、AlN、Al2O3、SiC、Si3N4等により、例えば0.32mm~1.0mmの厚さに形成され、本実施形態では、0.635mmの厚さに形成されている。金属板4A,4B,5A,5B,6は、純アルミニウム又はアルミニウム合金により、例えば0.25mm~2.5mmの厚さに形成されており、本実施形態では、最上段の回路層を構成する金属板4A,4Bが0.5mm、中段の金属板5A,5Bが0.5mm、最下段の金属板6が2.0mmに形成されている。これらを接合するろう材としては、Al-Si系又はAl-Ge系のろう材が用いられる。本実施形態では、Al‐7.5質量Siからなる15μmの厚さのものが使用される。次に、このように構成したパワーモジュール用基板1を製造する方法について説明する。セラミックス基板2,3のうち、貫通孔21を有する上側セラミックス基板2は、セラミックスの焼成前のグリーンシートにプレス加工により貫通孔を形成した後に焼成することにより得ることができる。その外形は焼成後に加工される。貫通孔を有しない下側セラミックス基板3は、グリーンシートを焼成した後に外形加工される。金属板4A,4B,6は、ろう材箔13図7参照をオクタンジオール等の揮発性有機媒体等により表面に仮固定しておき、プレス加工によって一体に打ち抜くことにより、ろう材箔を貼り付けた金属板としておく。この場合、最上段の金属板4A,4Bの下面及び最下段の金属板6の上面にろう材箔が貼り付けられる。また、立設配線部55を有する中段の金属板5A,5Bは、予めプレス加工により片面に立設配線部55及び引出配線部52を成形しておき、それら立設配線部55及び引出配線部52を除くようにしてろう材箔13を立設配線部55の周囲の平面に貼り付けることにより形成される。このようにして成形される立設配線部55及び引出配線部52の高さは、貫通孔21を有する上側セラミックス基板2の厚さよりも大きく、図7に示すように、貫通孔21に挿入したときに上側セラミックス基板2からわずかに突出するように設定される。上側セラミックス基板2の厚さの寸法ばらつきを考慮して、その公差の最大値よりも0.02mm~0.2mm大きい、例えば0.05mm大きく設定される。また、立設配線部55の外径D1と上側セラミックス基板2の貫通孔21の内径D2とは、後述する加圧時に立設配線部55が拡径するので、その拡径状態でも隙間Gが形成されるように立設配線部55の外径D1は1.0mm~20mm、上側セラミックス基板2の貫通孔21の内径D2は1.1mm~28mmに形成される。例えば、立設配線部55の外径D1が10mm、貫通孔21の内径D2は13mmとされる。このようにして形成したセラミックス基板2,3と金属板4A,4B,5A,5B,6とを交互に重ね合わせ、金属板5A,5Bの立設配線部55を対応する上側セラミックス基板2の貫通孔21に挿入した状態とし、その積層体Sを図8に示す加圧装置に設置する。この加圧装置110は、ベース板111と、ベース板111の上面の四隅に垂直に取り付けられたガイドポスト112と、これらガイドポスト112の上端部に固定された固定板113と、これらベース板111と固定板113との間で上下移動自在にガイドポスト112に支持された押圧板114と、固定板113と押圧板114との間に設けられて押圧板114を下方に付勢するばね等の付勢手段115とを備えている。固定板113および押圧板114は、ベース板111に対して平行に配置されており、ベース板111と押圧板114との間に前述の積層体Sが配置される。積層体Sの両面には加圧を均一にするためにカーボンシート116が配設される。この加圧装置110により加圧した状態で、加圧装置110ごと図示略の加熱炉内に設置し、例えば630°Cのろう付け温度に加熱して真空中でろう付けする。このろう付け時に中段の金属板5A,5Bの立設配線部55に降伏点以上の荷重が作用するように、予め付勢手段115の付勢力を設定しておく。図9は純度が99.99質量のアルミニウムの630°C付近での真応力-真ひずみ線図であり、3.5MPa程度で降伏している。したがって、例えば、立設配線部55の外径D1が10mmとすると、630°Cの高温時に、立設配線部55に270N以上の荷重が作用するように、常温での付勢手段115の付勢力を設定しておく。このように付勢力を設定しておくことにより、ろう付け時に立設配線部55が塑性変形して押しつぶされながら、最上段の金属板4A,4Bに接合するとともに、この立設配線部55の周囲の金属板5A,5Bの平面が上側セラミックス基板2の表面に密接し、面方向に均一な接合状態を得ることができる。また、接合した後の状態においても、立設配線部55は部分的に拡径するが、前述したように拡径した状態で立設配線部55と貫通孔21の内周面との間に隙間Gが形成される設定であるので、貫通孔21の内周面が立設配線部55の塑性変形によって圧迫されないように構成している。このようにして製造されたパワーモジュール用基板1は、最上段の金属板4A,4Bの一部に電子部品7が搭載され、最下段の金属板6にヒートシンク8が取り付けられて使用に供される。図4に、本実施形態のパワーモジュール用基板1にIGBTチップ7A及びダイオードチップ7Bを各2個ずつ搭載してインバーター回路を構成した例を示す。また、このインバーター回路の回路図を図5に示す。この場合、IGBTチップ7Aをパワーモジュール用基板1の両端部に配置し、その内側にダイオードチップ7Bを配置することにより、IGBTチップ7Aとダイオードチップ7Bとを対称に且つ一列に配列している。そして、このパワーモジュール用基板1から外部への配線23の引出しは、パワーモジュール用基板1の両端部に配置されたIGBTチップ7Aと、上側セラミックス基板2の側面より外方に露出した引出配線部52とから直接取り出せるようになっている。なお、図4及び図5に示す符号11~13は、電力供給端子であるP端子11、N端子12、三相交流用端子13U相、V相、W相のいずれかを示し、同様の回路が三相分組合せられる。P端子11は、インバーター回路に直流電力を供給する正極であり、N端子12は負極である。また、三相交流用端子13は、パワーモジュールから三相交流電力の各相の電力相電流を出力する端子である。上段の金属層4A,4Bにおいては、電子部品7IGBTチップ7A,ダイオードチップ7Bが搭載されるため、外部への配線のために電子部品7を迂回して回路を形成する必要がある等、面方向に大きくなり易い。しかし、本実施形態のパワーモジュール用基板1においては、中段の金属板5A,5Bを利用し、その外周のうちの適宜の位置に引出配線部52を形成していることから、平面積の拡大を抑制でき、パワーモジュール用基板1を小型化することができる。また、このように構成されたパワーモジュール用基板1においては、上段の金属板4A,4B上のIGBTチップ7A及びダイオードチップ7Bの配線を直線的に行える。また、このインバーター回路から外部への配線も、パワーモジュール用基板1の両端部に配置されたIGBTチップ7Aと、上側セラミックス基板2の側面より外方に露出した引出配線部52とから直接引き出せるので、配線の取り出しが容易であるとともに、外部との配線を直線的に行えて配線を短くでき、ボンディングの作業性を向上させることができる。また、引出配線部52の裏面は、中段の金属板5A,5Bの裏面に配置されている下側セラミックス基板3で支持されており、ボンディング作業時に引出配線部52にかかる押圧力をセラミックス基板3で受けることができる。したがって、配線時に高負荷がかかるリードフレームの超音波溶接機等を使用して配線することも可能となっている。このように、図4に示すパワーモジュール用基板1においては、電子部品7の配線を複雑な構成をとることなく、直線的で簡単な構成で配線でき、配線構成によっても小型化することができる。なお、パワーモジュール用基板1においては、立設配線部55と貫通孔21の内周面との間に隙間Gが形成された状態とされているので、使用時の温度サイクルにより熱伸縮が繰り返されても、貫通孔21の部分での熱応力が軽減され、接合部の剥離やセラミックス基板2,3の割れ等が防止され、パワーモジュール用基板として高い信頼性を維持することができる。また、最上段の金属板4A,4Bに搭載されている電子部品7で発生する熱は、その金属板4A,4Bから立設配線部55を経由し中段の金属板5A,5Bにも熱伝達されるが、立設配線部55が電子部品7の直下に配置される場合は、金属板4A,4Bから立設配線部55を介して直線的に中段の金属板5A,5Bに熱伝達され、速やかに放熱することができる。この放熱性を高めるためには立設配線部55の外径D1は大きい方がよく、例えば電子部品7の投影面積よりも大きい横断面積であると、立設配線部55の延長上に電子部品7を搭載すれば優れた放熱性を発揮する。また、パワーモジュールとしても大電流が流れるので、大きい断面積の立設配線部55の方が電流密度が小さくなるので好ましい。なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、本実施形態ではセラミックス基板を2枚で金属板を3層とする構造としたが、これに限らず、セラミックス基板を3枚以上として金属板を積層してもよい。また、本発明の方法であれば、セラミックス基板の間に配置される中段の金属板の枚数や形状も任意に設定することができる。この場合、設計の自由度が高まり、高集積化に有利である。さらに、立設配線部55は、中段の金属板5A,5Bに形成するのではなく、最上段の金属板4A,4Bに成形してもよい。また、図10に示すように、両金属板4,5にそれぞれ立設配線部55A,55Bを形成しておき、セラミックス基板2の貫通孔21の長さの途中位置で接合される構成としてもよい。この場合は、貫通孔21の途中位置に接合部Fが形成される。また、中段の金属板5A,5Bの引出配線部52は、図11に示すように、金属板の端部を折り曲げることにより形成することも可能である。また、中段の金属板5A,5Bに立設配線部55を形成せずに、柱状の金属部材31を金属板5A,5Bとは別に形成しておき、上側セラミックス基板2の貫通孔21内に金属部材31を配置して、その両端面を図12に示すように、上段の金属板4A,4Bと中段の金属板5A,5Bとに接合させることにより、金属部材31の両端面に接合部Fを形成し、立設配線部としてもよい。このように、図12に示す金属部材31は、金属板とは別体に形成された立設配線部を言うが、本発明の金属部材には、図12に示す金属部材31の他、上記実施形態の図6に示されるように金属板に形成された立設配線部55を含むものとする。また、この金属部材は円柱状でなく、横断面多角形の柱状に形成し、貫通孔も同様の多角形とすることにより、貫通孔内で金属部材を回り止めすることが可能になり、多層構造とする場合の金属板の位置決めを容易にすることができる。また、金属板としてもアルミニウム以外に銅又は銅合金も使用可能である。例えば、上段の金属板と中段の金属板をアルミニウムで形成し、下段の金属板のみを銅又は銅合金で形成したり、上段から下段までの金属板の全てを銅又は銅合金で形成したり、適宜選択可能である。また、上記の実施形態においては、最上段の金属板から最下段の金属板までを、3層の金属板と、金属板の間に配置される2枚のセラミックス基板とを交互に重ね合わせた積層体として接合した後に、ヒートシンクを接合していたが、上段および中段の2層の金属板と2枚のセラミックス基板とを先に接合一次接合し、その後に下段の金属板とヒートシンクを接合二次接合する等、2回に分けて接合してもよい。セラミックス基板と金属板との接合は、ろう付け以外にもTLP接合法TransientLiquidPhaseBondingと称される過渡液相接合法によって接合してもよい。この過渡液相接合法においては、金属板の表面に蒸着させた銅層を、金属板とセラミックス基板及びヒートシンクとの界面に介在させて行う。加熱により、金属板のアルミニウム中に銅が拡散し、金属板の銅層近傍の銅濃度が上昇して融点が低下し、アルミニウムと銅との共晶域にて接合界面に金属液相が形成される。この金属液相が形成された状態で温度を一定に保持しておくと、金属液相がセラミックス基板又はヒートシンクと反応するとともに、銅がさらにアルミニウム中に拡散することに伴い、金属液相中の銅濃度が徐々に低下して融点が上昇し、温度を一定に保持した状態で凝固が進行する。これにより、金属板とセラミックス基板及びヒートシンクとの強固な接合が得られる。また、セラミックス基板と銅製の金属板とを、活性金属ろう材を用いて接合する方法を採用することもできる。例えば、活性金属であるTiを含む活性金属ろう材Ag‐27.4質量Cu‐2.0質量Tiを用い、銅製の金属板とセラミックス基板との積層体を加圧した状態で真空中で加熱し、活性金属であるTiをセラミックス基板に優先的に拡散させて、Ag‐Cu合金を介して金属板とセラミックス基板とを接合できる。また、ヒートシンクは、平板状のもの、熱間鍛造等によって多数のピン状フィンを一体に形成したもの、押出成形によって相互に平行な帯状フィンを一体に形成したもの等、適宜の形状のものを採用することができる。"