"支持部を有する第1基板と、前記支持部に支持される第2基板と、前記第1基板に設けられた第1光学膜と、前記第2基板に設けられた、前記第1光学膜と対向する第2光学膜と、前記支持部の、前記第2基板を支持する支持面に設けられた第1接合膜と、前記第2基板の被支持面のうちの少なくとも前記支持部に対応する部分に前記第1接合膜よりも厚みが薄い第2接合膜と、を含み、前記支持部において前記第1接合膜と前記第2接合膜との接合によって、前記第1基板と前記第2基板とが固着されていることを特徴とする光フィルター。請求項1記載の光フィルターであって、前記第2接合膜は、前記第2基板の、前記第1基板側の表面の全領域上に設けられていることを特徴とする光フィルター。請求項1または請求項2記載の光フィルターであって、前記第2接合膜は、前記第2光学膜上に設けられていることを特徴とする光フィルター。請求項1記載の光フィルターであって、前記第2接合膜は、前記第2基板の厚み方向からみた平面視において、前記第2光学膜と重なりを有さない領域において設けられていることを特徴とする光フィルター。支持部を有する第1基板と、前記支持部に支持される第2基板と、前記第1基板に設けられた第1光学膜と、前記第2基板に設けられた、前記第1光学膜と対向する第2光学膜と、前記第2基板の被支持面に設けられた第2接合膜と、前記第1基板の支持面のうちの少なくとも前記第2基板の被支持部に対応する部分に前記第2接合膜よりも厚みが薄い第1接合膜と、を含み、前記支持部において前記第1接合膜と前記第2接合膜との接合によって、前記第1基板と前記第2基板とが固着されていることを特徴とする光フィルター。請求項5記載の光フィルターであって、前記第1接合膜は、前記第1基板の、前記第2基板側の表面の全領域上に設けられていることを特徴とする光フィルター。請求項5または請求項6記載の光フィルターであって、前記第1接合膜は、前記第1光学膜上に設けられていることを特徴とする光フィルター。請求項5記載の光フィルターであって、前記第1接合膜は、前記第1基板の厚み方向からみた平面視において、前記第1光学膜と重なりを有さない領域において設けられていることを特徴とする光フィルター。支持部を有する第1基板と、前記支持部に支持される第2基板と、前記第1基板に設けられた第1光学膜と、前記第2基板に設けられた、前記第1光学膜と対向する第2光学膜と、前記支持部の、前記第2基板を支持する支持面に設けられた第1接合膜と、前記第2基板の被支持面のうちの少なくとも前記支持部に対応する部分に前記第1接合膜よりも厚みが薄い第2接合膜と、を含み、前記支持部において前記第1接合膜と前記第2接合膜との接合によって、前記第1基板と前記第2基板とが固着されていることを特徴とする光フィルターの製造方法であって、基板に凹部と、前記凹部の底面を基準として、前記第1基板の厚み方向に所定距離だけ突出する突起部によって構成される前記支持部と、前記第1光学膜と、を形成して、前記第1基板を形成する工程と、基板に前記被支持面を有し、前記第2光学膜を形成して、前記第2基板を形成する工程と、前記第1基板に設けられた前記支持部の前記支持面の全領域上に、前記第1接合膜を形成する工程と、前記第2基板の被支持面のうちの少なくとも前記支持部に対応する部分に前記第1接合膜よりも厚みが薄い第2接合膜を形成する工程と、前記第1接合膜を活性化する工程と、前記第2接合膜を活性化する工程と、前記第1基板と前記第2基板とを、前記第1光学膜と前記第2光学膜とが対向し、かつ、前記支持面と前記被支持面とが対向する状態で保持し、前記第1基板と前記第2基板の少なくとも一方に荷重をかけて、活性化された前記第1接合膜と、活性化された前記第2接合膜とを接合し、これによって前記第1基板と前記第2基板とを固着する工程と、を含むことを特徴とする光フィルターの製造方法。請求項9記載の光フィルターの製造方法であって、前記第2接合膜を形成する工程では、前記第2基板の、前記第1基板側の表面の全領域上に前記第2接合膜を形成することを特徴とする光フィルターの製造方法。請求項9記載の光フィルターの製造方法であって、前記第2接合膜を形成する工程では、前記第2基板の厚み方向からみた平面視において、前記第2光学膜と重なりを有さない領域において前記第2接合膜を形成することを特徴とする光フィルターの製造方法。支持部を有する第1基板と、前記支持部に支持される第2基板と、前記第1基板に設けられた第1光学膜と、前記第2基板に設けられた、前記第1光学膜と対向する第2光学膜と、前記第2基板の被支持面に設けられた第2接合膜と、前記第1基板の支持面のうちの少なくとも前記第2基板の被支持部に対応する部分に前記第2接合膜よりも厚みが薄い第1接合膜と、を含み、前記支持部において前記第1接合膜と前記第2接合膜との接合によって、前記第1基板と前記第2基板とが固着されていることを特徴とする光フィルターの製造方法であって、基板に凹部と、前記凹部の底面を基準として、前記第1基板の厚み方向に所定距離だけ突出する突起部によって構成される前記支持部と、前記第1光学膜と、を形成して、前記第1基板を形成する工程と、基板に前記被支持面を有し、前記第2光学膜を形成して、前記第2基板を形成する工程と、前記第1基板に設けられた前記支持部の前記支持面の全領域上に、前記第1接合膜を形成する工程と、前記第1接合膜を活性化する工程と、前記第2接合膜を活性化する工程と、前記第1基板と前記第2基板とを、前記第1光学膜と前記第2光学膜とが対向し、かつ、前記支持面と前記被支持面とが対向する状態で保持し、前記第1基板と前記第2基板の少なくとも一方に荷重をかけて、活性化された前記第1接合膜と、活性化された前記第2接合膜とを接合し、これによって前記第1基板と前記第2基板とを固着する工程と、を含むことを特徴とする光フィルターの製造方法。請求項12記載の光フィルターの製造方法であって、前記第1接合膜を形成する工程では、前記第1基板の、前記第2基板側の表面の全領域上に前記第1接合膜を形成することを特徴とする光フィルターの製造方法。請求項12記載の光フィルターの製造方法であって、前記第1接合膜を形成する工程では、前記第1基板の厚み方向からみた平面視において、前記第1光学膜と重なりを有さない領域において前記第1接合膜を形成することを特徴とする光フィルターの製造方法。請求項9~請求項14のいずれか一項に記載の光フィルターの製造方法により製造された光フィルターを含む光機器。エタロンフィルターの小型化を促進しつつ、波長分解能の向上を実現するためには、第1光学膜と第2光学膜との間のギャップを、例えば、ナノメートルオーダーで高精度に制御する技術が必要となる。したがって、第1基板と第2基板とを、シロキサン結合を含む接合膜を介して接合する際に、各基板を傾斜させずに、各基板間の平行度を確保することが重要である。基板に傾きを生じさせる原因としては、例えば、各基板に接合膜を形成する際に、成膜環境に起因する塵や埃等が付着することや、各基板に部分的に接合膜を形成する際に接合膜のエッジ部には傾斜や丸み等が形成され易いことが挙げられる。塵や埃が付着した場合には、それを取り除く為の洗浄を行う必要があるが、硫酸やフッ酸などの薬液洗浄では、接合膜の最表面をエッチングして、塵や埃を除去することが可能であるが、接合膜の表面状態が変化して、オゾンや紫外光によって活性化エネルギーを付与しても、十分な活性化状態を得られなくなり、接合強度が低下する懸念がある。接合膜のエッジ部に発生する傾斜や丸み等は、所望の開口パターンを有するマスクを使用して部分的に接合膜を形成することで、マスクの開口パターン端部に重なる接合膜端部に発生する。従って、マスクを使用せずに、各基板の接合面において、光学膜上を含む全領域に接合膜を形成すれば、マスクの開口パターン端部に重なる接合膜端部に発生する傾斜や丸みを防止することができる。但し、光学膜上に接合膜を形成する場合には、光学膜と接合膜との屈折率差によって、本来光学膜が有している光学特性を低下させてしまう弊害がある。光学膜上に接合膜を形成することによる光学特性への影響度は、接合膜が厚くなる程増加し、接合膜が薄くなるほど低下する傾向がある。本発明の少なくとも一つの態様によれば、例えば、基板の貼り合わせによって構成される光フィルターにおいて、基板の傾きを抑制して、十分な接合強度を確保すると同時に各基板に設けられる光学膜間の平行度を確保することができる。本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例にかかる光フィルターは、支持部を有する第1基板と、前記支持部に支持される第2基板と、前記第1基板に設けられた第1光学膜と、前記第2基板に設けられた、前記第1光学膜と対向する第2光学膜と、前記支持部の、前記第2基板を支持する支持面に設けられた第1接合膜と、前記第2基板の被支持面のうちの少なくとも前記支持部に対応する部分に前記第1接合膜よりも厚みが薄い第2接合膜と、を含み、前記支持部において前記第1接合膜と前記第2接合膜との接合によって、前記第1基板と前記第2基板とが固着されていることを特徴とする。本態様では、第1基板が有する支持部の支持面に設けられた第1接合膜と、第2基板の第1基板側の表面の全領域上に設けられている第2接合膜のフラットな面とが接触した状態で、第1接合膜と第2接合膜とが接合されて、第1基板と第2基板との固着、すなわち、第1基板と第2基板との貼り合わせが実現されていることになる。また、第2接合膜は、第2基板の、第1基板側の表面の全領域上に、第1接合膜よりも薄い厚みで設けられている。よって、第2光学膜の光学特性低下を抑制しながら、被支持部の端部に傾斜や丸みが発生するのを防止できる。つまり、本態様では、第1接合膜に十分な厚みを持たせることにより、接合膜の形成過程で付着した、塵や埃を第1接合膜中に閉じ込めることと、接合膜端部の傾斜や丸みを防止した第2接合膜によって、傾きを抑制することを同時に行うことで、第2基板が、第1基板に対して傾くことが抑制される。第1基板に設けられる第1光学膜と、第2基板に設けられる第2光学膜との間のギャップは、例えば、ナノメートルオーダーで高精度に設定する必要がある。このような高精度のギャップ制御を実現するためには、各光学膜の互いに対向する面対向面同士の平行度を高精度に確保することが重要である。本態様によれば、例えば、接合膜表面に付着した塵や埃を十分な厚みがある第1接合膜に閉じ込めること、さらには、第2接合膜の傾斜や丸みを抑制することで、接合時にこれらの影響によって生じる基板の傾きを抑制できる。よって、第1光学膜と第2光学膜との間の微小ギャップを、高精度に実現することができる。[適用例2]上記適用例にかかる光フィルターにおいて、前記第2接合膜は、前記第2基板の、前記第1基板側の表面の全領域上に設けられていることが望ましい。この構成によれば、第2接合膜は成膜位置を限定する必要が無い。従って、開口パターンを有するマスクを使用する必要が無く、接合膜のマスク開口端部に発生する傾斜や丸みを防止できる。[適用例3]上記適用例にかかる光フィルターにおいて、前記第2接合膜は、前記第2光学膜上に設けられていることが望ましい。この構成によれば、第2接合膜は成膜位置を限定する必要が無い。従って、開口パターンを有するマスクを使用する必要が無く、接合膜のマスク開口端部に発生する傾斜や丸みを防止できる。[適用例4]上記適用例にかかる光フィルターにおいて、前記第2接合膜は、前記第2基板の厚み方向からみた平面視において、前記第2光学膜と重なりを有さない領域において設けられていることが望ましい。この構成によれば、第2接合膜は、第2光学膜にかからないように形成される。よって、前記第2光学膜の光学特性低下を懸念することなく、十分な接合膜の厚みを確保することができる。[適用例5]本適用例にかかる光フィルターは、支持部を有する第1基板と、前記支持部に支持される第2基板と、前記第1基板に設けられた第1光学膜と、前記第2基板に設けられた、前記第1光学膜と対向する第2光学膜と、前記第2基板の被支持面に設けられた第2接合膜と、前記第1基板の支持面のうちの少なくとも前記第2基板の被支持部に対応する部分に前記第2接合膜よりも厚みが薄い第1接合膜と、を含み、前記支持部において前記第1接合膜と前記第2接合膜との接合によって、前記第1基板と前記第2基板とが固着されていることを特徴とする。本態様では、第2基板が有する第1基板支持部の被支持面に設けられた第2接合膜と、第1基板の第2基板側の表面の全領域上に設けられている第1接合膜のフラットな面とが接触した状態で、第1接合膜と第2接合膜とが接合されて、第1基板と第2基板との固着、すなわち、第1基板と第2基板との貼り合わせが実現されていることになる。また、第1接合膜は、第1基板の、第2基板側の表面の全領域上に、第2接合膜よりも薄い厚みで設けられている。よって、第1光学膜の光学特性低下を抑制しながら、被支持部の端部に傾斜や丸みが発生するのを防止できる。つまり、本態様では、第2接合膜に十分な厚みを持たせることにより、接合膜の形成過程で付着した、塵や埃を第2接合膜中に閉じ込めることと、接合膜端部の傾斜や丸みを防止した第1接合膜によって、傾きを抑制することを同時に行うことで、第1基板が、第2基板に対して傾くことが抑制される。第1基板に設けられる第1光学膜と、第2基板に設けられる第2光学膜との間のギャップは、例えば、ナノメートルオーダーで高精度に設定する必要がある。このような高精度のギャップ制御を実現するためには、各光学膜の互いに対向する面対向面同士の平行度を高精度に確保することが重要である。本態様によれば、例えば、接合膜表面に付着した塵や埃を十分な厚みがある第2接合膜に閉じ込めること、さらには、第1接合膜の傾斜や丸みを抑制することで、接合時にこれらの影響によって生じる基板の傾きを抑制できる。よって、第1光学膜と第2光学膜との間の微小ギャップを、高精度に実現することができる。[適用例6]上記適用例にかかる光フィルターにおいて、前記第1接合膜は、前記第1基板の、前記第2基板側の表面の全領域上に設けられていることが望ましい。この構成によれば、第1接合膜は成膜位置を限定する必要が無い。従って、開口パターンを有するマスクを使用する必要が無く、接合膜のマスク開口端部に発生する傾斜や丸みを防止できる。[適用例7]上記適用例にかかる光フィルターにおいて、前記第1接合膜は、前記第1光学膜上に設けられていることが望ましい。この構成によれば、第1接合膜は成膜位置を限定する必要が無い。従って、開口パターンを有するマスクを使用する必要が無く、接合膜のマスク開口端部に発生する傾斜や丸みを防止できる。[適用例8]上記適用例にかかる光フィルターにおいて、前記第1接合膜は、前記第1基板の厚み方向からみた平面視において、前記第1光学膜と重なりを有さない領域において設けられていることが望ましい。この構成によれば、第1接合膜は、第1光学膜にかからないように形成される。よって、前記第1光学膜の光学特性低下を懸念することなく、十分な接合膜の厚みを確保することができる。[適用例9]本適用例にかかる光フィルターの製造方法は、支持部を有する第1基板と、前記支持部に支持される第2基板と、前記第1基板に設けられた第1光学膜と、前記第2基板に設けられた、前記第1光学膜と対向する第2光学膜と、前記支持部の、前記第2基板を支持する支持面に設けられた第1接合膜と、前記第2基板の被支持面のうちの少なくとも前記支持部に対応する部分に前記第1接合膜よりも厚みが薄い第2接合膜と、を含み、前記支持部において前記第1接合膜と前記第2接合膜との接合によって、前記第1基板と前記第2基板とが固着されていることを特徴とする光フィルターの製造方法であって、基板に凹部と、前記凹部の底面を基準として、前記第1基板の厚み方向に所定距離だけ突出する突起部によって構成される前記支持部と、前記第1光学膜と、を形成して、前記第1基板を形成する工程と、基板に前記被支持面を有し、前記第2光学膜を形成して、前記第2基板を形成する工程と、前記第1基板に設けられた前記支持部の前記支持面の全領域上に、前記第1接合膜を形成する工程と、前記第2基板の被支持面のうちの少なくとも前記支持部に対応する部分に前記第1接合膜よりも厚みが薄い第2接合膜を形成する工程と、前記第1接合膜を活性化する工程と、前記第2接合膜を活性化する工程と、前記第1基板と前記第2基板とを、前記第1光学膜と前記第2光学膜とが対向し、かつ、前記支持面と前記被支持面とが対向する状態で保持し、前記第1基板と前記第2基板の少なくとも一方に荷重をかけて、活性化された前記第1接合膜と、活性化された前記第2接合膜とを接合し、これによって前記第1基板と前記第2基板とを固着する工程と、を含むことを特徴とする。この製造方法によれば、第1接合膜の未結合手と、第2接合膜の未結合手を荷重によって強固に結びつけることができる。従って、十分な接合強度を得ることが可能となる。[適用例10]上記適用例にかかる光フィルターの製造方法において、前記第2接合膜を形成する工程では、前記第2基板の、前記第1基板側の表面の全領域上に前記第2接合膜を形成することが望ましい。この製造方法によれば、第2接合膜は成膜位置を限定する必要が無い。従って、開口パターンを有するマスクを使用する必要が無く、接合膜のマスク開口端部に発生する傾斜や丸みを防止できる。第2接合膜の傾斜や丸みを防止することにより、荷重をかけた場合に、第1基板が傾くことを抑制し、第1光学膜と、第2光学膜との間の微小ギャップを高精度に実現できる。[適用例11]上記適用例にかかる光フィルターの製造方法において、前記第2接合膜を形成する工程では、前記第2基板の厚み方向からみた平面視において、前記第2光学膜と重なりを有さない領域において前記第2接合膜を形成することが望ましい。この製造方法によれば、第2接合膜は、第2光学膜にかからないように形成される。よって、第2光学膜の光学特性低下を懸念することなく、十分な接合膜の厚みを確保することができる。従って、荷重をかけて第1接合膜と、第2接合膜を固着するときに、接合膜表面に付着した塵や埃を第2接合膜中に埋め込むことが可能となり、第1基板が傾くことを抑制し、第1光学膜と第2光学膜との間の微小ギャップを高精度に実現できる。[適用例12]本適用例にかかる光フィルターの製造方法は、支持部を有する第1基板と、前記支持部に支持される第2基板と、前記第1基板に設けられた第1光学膜と、前記第2基板に設けられた、前記第1光学膜と対向する第2光学膜と、前記第2基板の被支持面に設けられた第2接合膜と、前記第1基板の支持面のうちの少なくとも前記第2基板の被支持部に対応する部分に前記第2接合膜よりも厚みが薄い第1接合膜と、を含み、前記支持部において前記第1接合膜と前記第2接合膜との接合によって、前記第1基板と前記第2基板とが固着されていることを特徴とする光フィルターの製造方法であって、基板に凹部と、前記凹部の底面を基準として、前記第1基板の厚み方向に所定距離だけ突出する突起部によって構成される前記支持部と、前記第1光学膜と、を形成して、前記第1基板を形成する工程と、基板に前記被支持面を有し、前記第2光学膜を形成して、前記第2基板を形成する工程と、前記第1基板に設けられた前記支持部の前記支持面の全領域上に、前記第1接合膜を形成する工程と、前記第1接合膜を活性化する工程と、前記第2接合膜を活性化する工程と、前記第1基板と前記第2基板とを、前記第1光学膜と前記第2光学膜とが対向し、かつ、前記支持面と前記被支持面とが対向する状態で保持し、前記第1基板と前記第2基板の少なくとも一方に荷重をかけて、活性化された前記第1接合膜と、活性化された前記第2接合膜とを接合し、これによって前記第1基板と前記第2基板とを固着する工程と、を含むことを特徴とする。この製造方法によれば、第1接合膜の未結合手と、第2接合膜の未結合手を荷重によって強固に結びつけることができる。従って、十分な接合強度を得ることが可能となる。[適用例13]上記適用例にかかる光フィルターの製造方法において、前記第1接合膜を形成する工程では、前記第1基板の、前記第2基板側の表面の全領域上に前記第1接合膜を形成することが望ましい。この製造方法によれば、第1接合膜は成膜位置を限定する必要が無い。従って、開口パターンを有するマスクを使用する必要が無く、接合膜のマスク開口端部に発生する傾斜や丸みを防止できる。第1接合膜の傾斜や丸みを防止することにより、荷重をかけた場合に、第1基板が傾くことを抑制し、第1光学膜と第2光学膜との間の微小ギャップを高精度に実現できる。[適用例14]上記適用例にかかる光フィルターの製造方法において、前記第1接合膜を形成する工程では、前記第1基板の厚み方向からみた平面視において、前記第1光学膜と重なりを有さない領域において前記第1接合膜を形成することが望ましい。この製造方法によれば、第1接合膜は、第1光学膜にかからないように形成される。よって、第1光学膜の光学特性低下を懸念することなく、十分な接合膜の厚みを確保することができる。従って、荷重をかけて第1接合膜と、第2接合膜を固着するときに、接合膜表面に付着した塵や埃を第1接合膜中に埋め込むことが可能となり、第1基板が傾くことを抑制し、第1光学膜と第2光学膜との間の微小ギャップを高精度に実現できる。[適用例15]本適用例にかかる光機器は、上記の光フィルターの製造方法により製造された光フィルターを含む。上述のとおり、本発明の各態様にかかる光フィルターでは、光学膜間のギャップが極めて微小であるような場合でも、基板の傾きを抑制することができ、各基板に設けられる光学膜間の平行度ならびにギャップを高精度に制御可能であることから、小型かつ高性能の光フィルターを得ることができる。この光フィルターを搭載する光機器も、同様の効果を享受することができる。以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。第1実施形態本実施形態では、第1基板と第2基板とを貼り合わせた構造をもつエタロンフィルターにおける、第2基板の安定的な支持について説明する。なお、以下の説明においては、図10に示される従来例の構成を適宜、参照し、本実施形態の例と対比する。なお、図10に示される従来例は、特許文献1の図2に記載されている従来例である。図1はエタロンフィルターの構成を示し、Aは断面図、Bは平面図である。なお、以下の説明では、エタロンフィルターを、単にエタロンという場合がある。図1Aには、本実施形態にかかる、光学膜間のギャップを可変に制御可能な可変ギャップエタロンフィルターの断面構造が示されている。但し、この例は一例であり、ギャップが固着されたエタロンフィルターであってもよい。なお、以下の説明では、可変ギャップエタロンフィルターを、単に可変ギャップエタロンという場合がある。図1に示されるように、エタロンフィルター300は、互いに平行に保持された第1基板20および第2基板30と、第1基板20上に設けられた第1光学膜40と、第2基板30上に設けられた第2光学膜50と、を有する。第1基板20及び第2基板30は、例えば、所望の波長帯域の光に対する透過性を有するガラス基板である。また、第1光学膜40と第2光学膜50とは対向し、かつ、所定のギャップG1を有するように形成されている。第1光学膜40と第2光学膜50は、所望波長帯域の光に対する反射特性と透過特性とを兼ね備えており、各々は、エタロンフィルター300におけるミラーを構成する。図1に示される可変ギャップエタロンフィルターは、支持部22を有する第1基板20と、支持部22によって支持される第2基板30とを貼り合わせた構造を有する。第1基板20と第2基板30との固着には、第1接合膜105と、第1接合膜105よりも薄い第2接合膜107が使用されている。第1接合膜105および第2接合膜107としては、例えば、シロキサン結合を有するSi骨格およびSi骨格に結合される脱離基とを含む膜を使用することができる。シロキサン結合を利用することによって、第1基板20と第2基板30を強固に貼り合わせることができる。図1の例では、第1接合膜105は、第1基板20における、支持部22上に部分的に設けられている。また、第2接合膜107は、第2基板30の第1基板20側の表面すなわち一主面の全領域上に成膜されている。第1基板20は、支持部22と、第1基板20の一主面の中央に設けられた第1光学膜第1反射膜40と、第1光学膜40の周囲に設けられている第1電極60と、第1電極60上に設けられている保護膜61と、を有する。支持部22は、第1基板20自体を加工することによって形成されたものでもよい。また、第1基板20は、凹部23図2参照を有する。また、第2基板30は、第2基板30の一主面の中央に設けられた第2光学膜第2反射膜50と、第2光学膜50の周囲に設けられている第2電極70と、を有する。第1電極60と第2電極70は、可動基板である第2基板30に撓みを生じさせて、第1光学膜40と第2光学膜50との間のギャップを可変に制御するためのアクチュエーターを構成する。本実施形態では、第2基板30は、薄肉部ダイヤフラム部34を備える可動部35と、可動部35を支持する、薄肉部34よりも厚肉の可動部の支持部36と、を有する。支持部22によって、第2基板30における可動部の支持部36が支持される。支持部22の上面が支持面となる。図1に示される例では、支持部22は、第1基板20に設けられた凹部23の底面を基準として、距離L2だけ、第1基板20の厚み方向に突出する突起部によって構成されている。なお、第1基板20の中央には、凹部23の底面を基準として距離L1だけ突出した凸部21図2参照が設けられており、この凸部21上に、第1光学膜40が形成されている。なお、距離L1は、距離L2よりも小さく設定されている。図1の例では、第1基板20における、支持部突起部22の上面は、第1接合膜105によって覆われている。そして、第2基板30における被支持面の全領域全面に、第1接合膜よりも膜厚が薄い第2接合膜107が設けられている。これによって、第2接合膜107は段差のないフラットな面、すなわち平坦面となっている。従って、十分な厚みを確保した第1基板20の支持部22上の第1接合膜105で異物等の影響を抑制して、第2基板30を、第1基板20上に安定的に支持することができ、第2基板30の傾きを抑制することができる。ここで、比較例として、図10の例を参照する。図10は、特許文献1の図2に示される従来のエタロンフィルターの構造を示す図である。図10の上側に示される図は、特許文献1の図2に示される従来のエタロンフィルターの構造をそのまま示しており、図10の左下ならびに右下に示される図は、図1における本実施形態の支持構造との比較を行うために、新たに追加された図である。図10に示される従来例では、上側の基板2と下側の基板3とが、接合膜43a,43bを介して接合されている。また、上側の基板2には、引き出し電極281が設けられている。図10の左下に示されるように、図10の従来例の場合、支持面Q1の全領域全面に対向する被支持面Q2が存在しない。第1接合膜43b1および第2接合膜43b2の各々は、各基板3,2上において、部分的に成膜されている。上側の基板2を支持する支持構造に比べて、図1に示される本実施形態の支持構造の方が、上側の基板を、より安定的に支持できるのは明らかである。また、図10の従来例の場合、接合膜43b1,43b2のトータルの膜厚d1と、引き出し電極281の膜厚d2とに差があると、そのことが、上側の基板2の傾きの原因となる。図10の左下に示される例では、d1<d2となっている。図1に示される本実施形態の支持構造では、支持面の全面を利用して、第2基板30可動部の支持部36を支持すると共に、各接合膜105,107の接触によって、第2基板30を支持面上において安定的に支持していることから、第2基板30の傾きが生じにくい。次に、第1接合膜105および第2接合膜107の成膜に関するバリエーションについて説明する。第1接合膜105および第2接合膜107の各々は、膜厚を変更することにより、第1接合膜105を全面成膜し、第2接合膜107を部分成膜することもできる。図2A~図2Cは、第1接合膜および第2接合膜の成膜に関するバリエーションを示す図である。図2Aのエタロンフィルター300の例では、第1接合膜105は第1基板20の全面上に形成されている。そして、第1基板20の支持部22に対向する第2基板30の面に第2接合膜107が設けられている。この第2接合膜107は第1接合膜105より厚みが厚く形成されている。このように、図1に示した態様と接合膜の構成が逆となっていてもよく、図1の態様と同様の効果を得ることができる。図2Bのエタロンフィルター300の例では、図1の態様の第2光学膜50と重なる部分の第2接合膜107を取り除いた形態である。すなわち、第2接合膜107は、第2基板30の厚み方向からみた平面視において、第2光学膜50と重なりを有さない領域において設けられている。このように、第2光学膜50の表面に第2接合膜107が無いため、光学膜40,50における光学特性を阻害することが無い。図2Cのエタロンフィルター300の例では、図2Aの態様の第1光学膜40と重なる部分の第1接合膜105を取り除いた形態である。すなわち、第1接合膜105は、第1基板20の厚み方向からみた平面視において、第1光学膜40と重なりを有さない領域において設けられている。このように、第1光学膜40の表面に第1接合膜105が無いため、光学膜40,50における光学特性を阻害することが無い。第2実施形態本実施形態では、光フィルターエタロン300としての可変ギャップエタロンフィルターの製造方法について説明する。図3A~図3Hは、接合前における第2基板の製造工程の一例を示す図である。まず、図3Aに示される工程において、例えば、合成石英ガラス基板の両面を鏡面研磨して、例えば200μmの厚みのガラス基板31を作製する。図3Bの工程では、ガラス基板31の両面上に、厚み50nmのクロムCr膜を成膜し、Cr膜の上に厚み500nmの金Au膜を成膜する。図3Cに示される工程では、ガラス基板31の両面にレジスト不図示を塗布し、レジストをパターニングしてレジストマスクを形成する。そして、レジストマスクを用いて、Au/Cr膜をパターニングする。すなわち、Au膜をヨウ素とヨウ化カリウムの混合液でエッチングし、次に、Cr膜を硝酸セリウムアンモニウム水溶液でエッチングする。図3Dに示す工程では、ガラス基板31をフッ酸水溶液に浸し、薄肉部ダイヤフラム部34および電極取り出し溝不図示の形成領域において、ガラス基板31を、約150μmエッチングする。これにより、薄肉部ダイヤフラム部34および電極取り出し溝不図示の形成領域における、エッチング後のガラス基板31の厚みは約50μmとなる。図3Eに示される工程では、ガラス基板31の両面に付いているレジスト不図示ならびにAu/Cr膜をそれぞれ除去する。図3Fに示す工程では、第2基板30上に、第2電極70用の材料膜であるITOインジウム錫酸化物膜を0.1μmの厚さで、スパッタ法を用いて成膜する。その上にレジスト不図示を塗布し、レジストをパターニングした後、硝酸と塩酸の混合液で、ITO膜をエッチングする。この結果、第2電極70が形成される。そして、レジスト不図示を除去する。なお、電極用の材料膜として、ITO膜以外の膜を使用することもできる。例えば、金等の金属膜を用いてもよい。但し、ITO膜は、透明であることから、放電の有無の確認が行い易いという利点がある。図3Gの工程では、ミラー材料誘電体多層膜や金属膜等を、スパッタ法または蒸着法により成膜する。例えば、基板側から順に、SiO2膜厚み50nm、TiO2膜厚み50nm、Ag厚み50nmを順次、スパッタ法により積層形成する。そして、レジスト不図示を除去することにより、ミラー材料がリフトオフされる。この結果、ミラー部のみにミラー材料が残る。このようにして、第2光学膜第2反射膜50が形成される。なお、第2光学膜50の厚みは、例えば、0.1μmである。また、第1基板20に形成される第1光学膜40は、第2光学膜50と同じ材料で構成し、また、その膜厚も、同じに設定する。また、ミラー材料光学膜の材料としては、Ag、Al、SiO2、TiO2、Ta2O5等の材料を使用することができる。なお、第2光学膜50の形成後に、電極取り出し口不図示に残るガラスの薄膜を、機械的または化学的に除去する工程を設けることができる。図3Hの工程では、ガラス基板31の、第1基板20と接合される側の面の全領域全面に、第2接合膜107としてのプラズマ重合膜例えば、ポリオルガノシロキサンを主成分とする膜を、プラズマCVD法により成膜する。第2接合膜107の厚みは、例えば、100nmである。なお、図1Aや図5Cに示されるデバイス構造が採用される場合には、この後、第2接合膜107をパターニングして、接合領域においてのみ第2接合膜107が残るようにすればよい。次に、接合前における第1基板20の製造工程の一例について説明する。図4A~図4Fは、接合前における第1基板の製造工程の一例を示す図である。まず、図4Aに示される工程において、合成石英ガラス基板の両面を鏡面研磨し、500μmの厚みのガラス基板17を作製する。次に、ガラス基板17の両面にレジスト不図示を塗布し、レジストをパターニングする。パターニングされたレジストをマスクとして、フッ酸水溶液で、ガラス基板17を選択的にエッチングする。これによって、凹部19が形成される。凹部の深さは、約0.5μmである。その後、レジストマスクを除去する。図4Bの工程では、ガラス基板17の両面にレジスト不図示を塗布し、上面に形成されているレジストをパターニングする。そのパターニングされたレジストをマスクとして、ガラス基板17を、フッ酸水溶液で例えば1μmエッチングする。これによって、ミラー形成用の凹部23と、電極取り出し部用の凹部23’とが形成される。その後、レジストマスクを除去する。図4Cの工程では、ITO膜を0.1μmの厚さでスパッタ法を用いて成膜した後、硝酸と塩酸の混合液によるエッチングを実行して、ITO膜を所定形状に加工する。これによって、第1電極60が形成され、また、引き出し電極62bが形成される。図4Dの工程では、パターニングされたレジスト不図示上に、ミラー材料誘電体多層膜や金属膜等を、スパッタ法または蒸着法により成膜する。例えば、基板側から順に、SiO2膜厚み50nm、TiO2膜厚み50nm、Ag厚み50nmを順次、スパッタ法により積層形成する。そして、レジスト不図示を除去することにより、ミラー材料がリフトオフされる。この結果、ミラー部のみにミラー材料が残る。このようにして、第1光学膜第1反射膜40が形成される。第1光学膜40の厚みは、例えば、0.1μmである。ミラー材料光学膜の材料としては、Ag、Al、SiO2、TiO2、Ta2O5等の材料を使用することができる。なお、この後、サンドブラスト法または切削法により、電極取り出し用の貫通穴不図示を造りこむ工程を設けることができる。このようにして、接合前の第1基板20が形成される。図4Eの工程では、第1電極60を保護する保護膜61を形成する。保護膜61は、例えば、TEOS膜をプラズマCVD法により、厚み0.1μmで成膜し、そのTEOS膜をパターニングすることによって形成される。TEOS膜のパターニングは、例えば、レジストを使用したリフトオフ法によって行うことができる。図4Fの工程では、ガラス基板17の、第2基板30と接合される側の面の支持部22の上面に、第1接合膜105としてのプラズマ重合膜例えば、ポリオルガノシロキサンを主成分とする膜を、プラズマCVD法により成膜する。第1接合膜105の厚みは、例えば100nmである。次に、第1基板20と第2基板30との接合工程について説明する。図5A~図5Cは、第1基板と第2基板との接合工程の一例を示す図である。図5Aの工程では、第2基板30上に形成されている第2接合膜107としてのプラズマ重合膜ここでは、ポリオルガノシロキサンを主成分とする膜に活性化エネルギーを与えるために、O2プラズマ処理またはUV処理を実行する。O2プラズマ処理の場合、O2流量が30cc/分、圧力が27Pa、RFパワーが200Wの条件で30秒間処理する。またUV処理の場合、UV光源としてエキシマUV波長172nmを用い、例えば、3分間処理する。図5Bの工程では、第1基板20上に形成されている第1接合膜105としてのプラズマ重合膜ポリオルガノシロキサンを主成分とする膜に活性化エネルギーを与えるために、O2プラズマ処理またはUV処理を実行する。処理条件は、上記条件と同じである。図5Cの工程では、活性化エネルギーを与えた後の第1基板20および第2基板30を対向させて配置し、各基板のアライメント位置合わせを行い、各基板20,30を重ね合わせて、荷重をかける。図5Cでは、荷重は、黒塗りの矢印で示されている。このとき、活性化エネルギー付与後の第1接合膜105ならびに第2接合膜107の活性手未結合手同士が結合され、これによって、第1接合膜105と第2接合膜107が強固に接合される。このようにして、第1基板20と第2基板30との接合貼り合わせ、または固着が完了する。なお、この後に、各チップを分割する工程を設けることができる。先に説明したように、本実施形態では、支持面の全領域全面上に設けられている第1接合膜105のフラットな面と、第2接合膜107のフラットな面とが接触した状態で、第1接合膜105と第2接合膜107とが接合される。つまり、支持部22の支持面の全面を利用して第2基板30を支持すると共に、各接合膜105,107のフラットな面同士の接触によって、第2基板30を支持面上において安定的に支持し、この状態で、各接合膜105,107が接合される。よって、第2基板30が、第1基板20に対して傾くことが抑制される。本実施形態によれば、例えば、水平に保持された各基板20,30を、平行度を維持して貼り合わせることができる。よって、第1光学膜40と第2光学膜50との間の微小ギャップ、例えばナノメートルオーダーのギャップを、高精度に実現することができる。図6は、シロキサン結合について説明するための図である。図6の下側の図に示されるように、第1接合膜105および第2接合膜107は、シロキサンSi-O-SiO結合302を含むSi骨格305と、このSi骨格305に結合する脱離基CH3基307とを有することができる。また、上述したオゾンや紫外線UVの照射による活性化処理によって、Si骨格305から脱離基307を脱離させて、未結合手304を形成することができる。そして、第1接合膜105の未結合手304と、第2接合膜107の未結合手304とを結合させることによって、第1接合膜105と第2接合膜107とを接合することができる。ポリオルガノシロキサン等で構成された接合膜105,107は、それ自体が優れた機械的特性剛性等を有している。また、この接合膜105,107は、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、ポリオルガノシロキサン等で構成された第1接合膜105および第2接合膜107は、特に強い被着力を示し、その結果として、第1基板20と第2基板30とを強固に接合することができる。また、ポリオルガノシロキサン等の接合膜105,107は、通常、撥水性非接着性を示すが、活性化エネルギーを付与されることにより、容易に有機基を脱離させることができ、親水性に変化し、接着性を発現するが、この非接着性と接着性との制御を、容易かつ確実に行えるという利点もある。次に、光フィルターエタロン300の具体的な構造例について説明する。図7A~図7Cは、可変ギャップエタロンフィルターの具体的な構造の一例と、その動作を説明するための図である。図7Aは、駆動電圧を印加しない状態における可変ギャップエタロンフィルターの断面構造を示す図である。図7Aに示されるように、第1光学膜40と第2光学膜50との間の初期ギャップはG1に設定されている。初期ギャップG1は、上述のとおり、例えば100nm程度に設定される。また、図7Bは、第1基板20上に形成される第1光学膜40および第1電極60のレイアウト例を示す図である。図7Cは、駆動電圧を印加した状態における可変ギャップエタロンフィルターの断面構造を示す図である。図7Cに示されるように、第1光学膜40と第2光学膜50との間の初期ギャップはG3に変化する。図7Aにおいて、第1基板20と例えば一体で、第2基板30を可動に支持する支持部22が形成されている。支持部22は、第2基板30に設けてもよく、あるいは第1基板20および第2基板30とは別体で形成してもよい。第1基板20および第2基板30の各々は、例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成することができる。そして、これらの2つの基板20,30は、例えばプラズマ重合膜を用いた表面活性化接合などにより接合されることで、一体化されている。第1基板20および第2基板30の各々は、一辺が例えば10mmの正方形に形成される。また、図7Bに示される、円形の第1電極60の直径は、例えば5mm程度である。また、第1基板20は、例えば、厚みが500μmのガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。また、可動基板としての第2基板30は、薄肉部ダイヤフラム部34と、厚肉部32および可動部の支持部36を有する。薄肉部ダイヤフラム部34が設けられることによって、より小さい駆動電圧によって、第2基板30に所望の撓み変形を生じさせることができる。よって、省電力化が実現される。第1基板20における、第2基板30と対向する対向面のうちの中央の第1対向面に、例えば円形の第1光学膜40が形成されている。同様に、第2基板30は、厚みが例えば200μmのガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。第2基板30の、第1基板20と対向する対向面の中央位置には、第1光学膜40と対向する例えば円形の第2光学膜50が形成されている。なお、第1光学膜40および第2光学膜50は、例えば直径が約3mmの円形状に形成されている。この第1光学膜40および第2光学膜50としては、例えば、透過率の半値幅も狭く分解能が良好な、AgC等の金属膜を使用することができ、また、誘電体多層膜を使用することもできる。第1光学膜40および第2光学膜50は、例えば、スパッタリングなどの手法により形成することができる。各光学膜の膜厚寸法は、例えば0.03μmに形成されている。本実施形態では、第1光学膜40および第2光学膜50として、例えば、可視光全域を分光できる特性をもつ光学膜を用いることができる。第1光学膜40および第2光学膜50は、図7Aに示す電圧非印加状態においては、第1ギャップG1を介して対向配置されている。なお、ここでは第1光学膜40を固定鏡とし、第2光学膜50を可動鏡とするが、逆でもよく、また、双方を可動鏡とすることもできる。第1基板20の厚み方向からみた平面視において、第1光学膜40の周囲には、第1電極60が形成されている。なお、以下の説明において、平面視とは各基板の基板厚み方向から基板平面を見た場合をいう。同様に、第2基板30上には、第1電極60と対向して第2電極70が設けられている。第1電極60と第2電極70は、第2ギャップG2を介して、対向配置されている。なお、第1電極60および第2電極70の表面は、絶縁膜にて被覆することができる。図7Bに示されるように、第1電極60は、平面視で、第1光学膜40にオーバーラップしない。よって、第1光学膜40の光学特性の設計が容易である。このことは、第2電極70ならびに第2光学膜50についても同様である。また、例えば、第2電極70を共通電位例えば接地電位とし、第1電極60に電圧を印加することによって、図7Cに示すように、各電極間に矢印で示す静電力ここでは静電引力F1を生じさせることができる。すなわち、第1電極60および第2電極70は、静電アクチュエーター80を構成する。静電引力F1によって、第1光学膜40と第2光学膜50との間のギャップを、初期ギャップG1よりも小さいギャップG3となるように可変に制御することができる。各光学膜間のギャップの大きさによって透過光の波長が決まる。よって、ギャップを変化させることで透過波長を選択することが可能となる。なお、図7Aにおいて太線で示されるように、第1電極60には第1配線63が接続されており、また、第2電極70には第2配線71が接続されている。第3実施形態図8Aおよび図8Bは、可変ギャップエタロンフィルターを用いた光フィルターの構造の一例を示す図である。図8Aに示すように、光フィルターエタロン300としての可変ギャップエタロンフィルターは、互いに対向して配置される第1基板例えば固定基板20と、第2基板例えば可動基板30と、第1基板20の主面表面に設けられる第1光学膜40と、第2基板30の主面表面に設けられる第2光学膜50と、各基板によって挟持された、各基板間のギャップ距離を調整するためのアクチュエーター例えば静電アクチュエーターや圧電素子等80a,80bと、を有する。なお、第1基板20および第2基板30の少なくとも一方が可動基板であればよく、双方を可動基板とすることも可能である。アクチュエーター80aおよびアクチュエーター80bは各々、駆動部駆動回路301aおよび駆動部駆動回路301bの各々によって駆動される。また、各駆動部駆動回路301a,301bの動作は、制御部制御回路303によって制御される。所定角度θで外部から入射する光Linは、ほとんど散乱されることなく第1光学膜40を通過する。第1基板20に設けられた第1光学膜40と第2基板30に設けられた第2光学膜50との間で、光の反射が繰り返され、これによって、光の干渉が生じ、特定の条件を満たす波長の光のみが強められ、その強められた波長の光の一部は、第2基板30上の第2光学膜50を通過して、受光部受光素子400に到達する。干渉によってどの波長の光が強め合うかは、第1基板20と第2基板30との間のギャップG1に依存する。よって、ギャップG1を可変に制御することによって、通過する光の波長帯域を変化させることができる。この可変ギャップエタロンフィルターを使用すると、図8Bに示すような分光測定器を構成することができる。なお、分光測定器の例としては、例えば、測色器、分光分析器、分光スペクトラムアナライザー等があげられる。図8Bに示される分光測定器において、例えば、サンプル200の測色を行う場合には光源100が用いられ、また、サンプル200の分光分析を行う場合には、光源100’が用いられる。分光測定器は、光源100あるいは100’と、複数の波長可変バンドパスフィルター可変BPF1~可変BPF4を備える光フィルター300と、フォトダイオード等の受光素子PD1~PD4を含む受光部400と、受光部400から得られる受光信号光量データに基づいて、所与の信号処理を実行して分光光度分布等を求める信号処理部600と、可変BPF1~可変BPF4の各々を駆動する駆動部301と、可変BPF1~可変BPF4の各々の分光帯域を可変に制御する制御部303と、を有する。信号処理部600は、信号処理回路501を有し、必要に応じて、補正演算部500を設けることも可能である。分光光度分布の測定によって、例えば、サンプル200の測色や、サンプル200の成分分析等を行うことができる。また、光源100100’としては、例えば、白熱電球、蛍光灯、放電管、LED等の固体発光素子を用いた光源固体発光素子光源等を使用することができる。なお、光フィルター300および受光部400によって、光フィルターモジュール350が構成される。光フィルターモジュール350は、分光測定器に適用できる他、例えば、光通信装置の受信部受光光学系と受光素子を含むとしても使用可能である。この例については、図9を用いて後述する。本実施形態における光フィルターモジュール350は、光学膜の特性劣化が抑制されて信頼性が高く、また、透過光の波長範囲を広くとることができ、小型軽量で、かつ使い勝手がよいという利点がある。第4実施形態図9は、光機器の一例である波長多重通信システムの送信機の概略構成を示すブロック図である。波長多重WDMWavelengthDivisionMultiplexing通信では、波長の異なる信号は干渉し合わないという特性を利用して、波長が異なる複数の光信号を一本の光ファイバー内で多重的に使用すれば、光ファイバー回線を増設せずにデータの伝送量を向上させることができるようになる。図9において、波長多重送信機800は、光源100からの光が入射される光フィルターエタロン300を有し、光フィルター300上記いずれかのミラー構造が採用されたエタロンフィルターを具備するからは、複数の波長λ0,λ1,λ2,...の光が透過される。波長毎に送信器311,312,313が設けられる。送信器311,312,313からの複数チャンネル分の光パルス信号は、波長多重装置321にて1つに合わせられて一本の光ファイバー伝送路331に送出される。本発明は光符号分割多重OCDM:OpticalCodeDivisionMultiplexing送信機にも同様に適用できる。OCDMは、符号化された光パルス信号のパターンマッチングによってチャンネルを識別するが、光パルス信号を構成する光パルスは、異なる波長の光成分を含んでいるからである。このように、本発明を光機器に適用することによって、光学膜の特性劣化が抑制された、信頼性の高い光機器例えば、各種センサーや光通信応用機器が実現される。以上説明したように、本発明の少なくとも一つの実施形態によれば、例えば、基板の貼り合わせによって構成される光フィルターにおいて、基板の傾きを抑制して、各基板に設けられる光学膜間の平行度を確保することができる。本発明は、例えば、エタロンフィルターのような干渉型の光フィルターに適用して好適である。但し、この例に限定されるものではなく、本発明は、ミラー構造として、光の反射特性ならびに光の透過特性を併せ持つ光学膜を用いる構造体素子や機器全般に適用可能である。以上、幾つかの実施形態について本発明を説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるものである。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。"