"フリップ角が単調増加するRFパルス系列により過渡状態でのスピンの振動を抑制するStartupシーケンスと、定常状態でエコー信号を計測するSSFPシーケンスとからなる撮像シーケンスを生成する演算処理部と、前記撮像シーケンスに基づいて被検体からのエコー信号の計測を制御する計測制御部と、を備えた磁気共鳴イメージングであって、前記RFパルス系列は、オフセットを有して単調増加するフリップ角であることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。請求項1記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記オフセットは、前記SSFPシーケンスのRFパルスのフリップ角と、前記RFパルス系列のRFパルス数に応じて変わる値であることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。請求項2記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記SSFPシーケンスのRFパルスのフリップ角と、前記RFパルス系列のRFパルス数の入力を受け付ける入力手段を備えていることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。請求項2記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記RFパルス系列のフリップ角は、単調増加数列の隣り合う二項間の和であることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。請求項4記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記単調増加数列は、ゼロと前記SSFPシーケンスのRFパルスのフリップ角の半分の値との間の値をとることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。請求項2記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記RFパルス系列のフリップ角は、線形に増加することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。請求項6記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記RFパルス系列のフリップ角は、傾きがα/N、オフセットが-α/である直線に沿って増加することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。請求項2記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記RFパルス系列のフリップ角は、隣り合う二項間の差が単調増加の後単調減少する数列の隣り合う二項間の和であることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。請求項2記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記RFパルス系列のフリップ角は、立ち上がり、及び、α/2の直線との接点で滑らかに変化する数列の隣り合う二項間の和であることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。請求項2記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記RFパルス系列のフリップ角は、曲線に沿って増加することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。請求項10記載の磁気共鳴イメージング装置において、前記RFパルス系列のn番目のフリップ角φは、φα/2×β2=/2sin=sin/2βcos=/2βで表されることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。フリップ角が単調増加するRFパルス系列により過渡状態でのスピンの振動を抑制するStartupシーケンスと、定常状態でエコー信号を計測するSSFPシーケンスとからなる撮像シーケンスにおける前記RFパルス系列のフリップ角を制御するRFパルス制御方法であって、前記RFパルス系列のRFパルス数と、前記SSFPシーケンスにおけるRFパルスのフリップ角とを設定するステップと、前記設定されたRFパルス系列のRFパルス数とSSFPシーケンスにおけるRFパルスのフリップ角とに基づいて、オフセットを有して単調増加するフリップ角を求めて前記RFパルス系列とするフリップ角算出ステップと、前記求めたフリップ角のRFパルス系列を有する撮像シーケンスを実行するステップと、を有することを特徴とするRFパルス制御方法。請求項12記載のRFパルス制御方法において、前記フリップ角算出ステップは、単調増加数列の隣り合う二項間の和として、前記RFパルス系列の各RFパルスのフリップ角を求めることを特徴とするRFパルス制御方法。請求項13記載のRFパルス制御方法において、前記単調増加数列は、初項がゼロでない、等差数列であることを特徴とするRFパルス制御方法。請求項13記載のRFパルス制御方法において、前記単調増加数列は、隣り合う二項間の差が単調増加の後単調減少する数列であることを特徴とするRFパルス制御方法。LinearFlipAngle法では、StartupシーケンスのRFパルスの総数が少ない場合、オフレゾナンスのスピンだけではなく、オンレゾナンスのスピンについてもエコー信号が振動してしまう。特に、セントリックオーダーのK空間走査のように、数回程度の空打ちの直後から画像再構成に用いるエコー信号の計測を開始しなければならない場合においては、振動が残存した状態でエコー信号を計測しなければならない。その結果、画像にゴーストやブラーリング等のアーチファクトが生じる可能性がある。そこで、本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、定常状態に導くStartupシーケンスのRFパルスの総数を少なくしても、エコー信号の振動を低減して、画像にゴーストやブラーリング等のアーチファクトが生じないようにすることを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、StartupシーケンスのRFパルス系列を、オフセットを有して単調増加するフリップ角とする。例えば、単調増加数列の隣り合う二項間の和をフリップ角とする。具体的には、本発明のMRI装置は、フリップ角が単調増加するRFパルス系列により過渡状態でのスピンの振動を抑制するStartupシーケンスと、定常状態でエコー信号を計測するSSFPシーケンスとからなる撮像シーケンスを生成する演算処理部と、撮像シーケンスに基づいて被検体からのエコー信号の計測を制御する計測制御部と、を備え、RFパルス系列は、オフセットを有して単調増加するフリップ角であることを特徴とする。また、本発明のRFパルス制御方法は、RFパルス系列のRFパルス数と、SSFPシーケンスにおけるRFパルスのフリップ角とを設定するステップと、設定されたRFパルス系列のRFパルス数とSSFPシーケンスにおけるRFパルスのフリップ角とに基づいて、オフセットを有して単調増加するフリップ角を求めてRFパルス系列とするフリップ角算出ステップと、を有することを特徴とする。本発明のMRI装置及びRFパルス制御方法によれば、定常状態に導くStartupシーケンスのRFパルスの総数を少なくしても、エコー信号の振動を低減して、画像にゴーストやブラーリング等のアーチファクトが生じず、高画質の画像を取得することができる。以下、添付図面に従って本発明のMRI装置の好ましい実施例について詳説する。なお、発明の実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。最初に、本発明に係るMRI装置を図1に基づいて説明する。図1は、本発明に係るMRI装置の一実施例の全体構成を示すブロック図である。このMRI装置は、NMR現象を利用して被検体101の断層画像を得るもので、図1に示すように、静磁場発生磁石102と、傾斜磁場コイル103及び傾斜磁場電源109と、RF送信コイル104及びRF送信部110と、RF受信コイル105及び信号検出部106と、信号処理部107と、計測制御部111と、全体制御部108と、表示操作部113と、被検体101を搭載する天板を静磁場発生磁石102の内部に出し入れするベッド112と、を備えて構成される。静磁場発生磁石102は、垂直磁場方式であれば被検体101の体軸と直交する方向に、水平磁場方式であれば体軸方向に、それぞれ均一な静磁場を発生させるもので、被検体101の周りに永久磁石方式、常電導方式あるいは超電導方式の静磁場発生源が配置されている。傾斜磁場コイル103は、MRI装置の実空間座標系であるX、Y、Zの3軸方向に巻かれたコイルであり、それぞれの傾斜磁場コイルは、それを駆動する傾斜磁場電源109に接続され電流が供給される。具体的には、各傾斜磁場コイルの傾斜磁場電源109は、それぞれ後述の計測制御部111からの命令に従って駆動されて、それぞれの傾斜磁場コイルに電流を供給する。これにより、X、Y、Zの3軸方向に傾斜磁場Gx、Gy、Gzが発生する。2次元スライス面の撮像時には、スライス面に直交する方向にスライス傾斜磁場パルスが印加されて被検体101に対するスライス面が設定され、そのスライス面に直交して且つ互いに直交する残りの2つの方向に位相エンコード傾斜磁場パルスと周波数エンコード傾斜磁場パルスが印加されて、NMR信号にそれぞれの方向の位置情報がエンコードされる。RF送信コイル104は、被検体101にRFパルスを照射するコイルであり、RF送信部110に接続され高周波パルス電流が供給される。これにより、被検体101の生体組織を構成する原子のスピンにNMR現象が誘起される。具体的には、RF送信部110が、後述の計測制御部111からの命令に従って駆動されて、高周波パルスが振幅変調され、増幅された後に被検体101に近接して配置されたRF送信コイル104に供給されることにより、RFパルスが被検体101に照射される。RF受信コイル105は、被検体101の生体組織を構成するスピンのNMR現象により放出されるエコー信号を受信するコイルであり、信号検出部106に接続されて受信したエコー信号が信号検出部106に送られる。信号検出部106は、RF受信コイル105で受信されたエコー信号の検出処理を行う。具体的には、RF送信コイル104から照射されたRFパルスによって誘起された被検体101の応答のエコー信号が被検体101に近接して配置されたRF受信コイル105で受信され、後述の計測制御部111からの命令に従って、信号検出部106が、受信されたエコー信号を増幅し、直交位相検波により直交する二系統の信号に分割し、それぞれを所定数サンプリングし、各サンプリング信号をAD変換してディジタル量に変換し、後述の信号処理部107に送る。従って、エコー信号は所定数のサンプリングデータからなる時系列のデジタルデータとして得られる。信号処理部107は、エコーデータに対して各種処理を行い、処理したエコーデータを計測制御部111に送る。計測制御部111は、被検体101の断層画像の再構成に必要なエコーデータ収集のための種々の命令を、主に、傾斜磁場電源109と、RF送信部110と、信号検出部106に送信してこれらを制御する制御部である。具体的には、計測制御部111は、後述する全体制御部108の制御で動作し、ある所定のパルスシーケンスに基づいて、傾斜磁場電源109、RF送信部110及び信号検出部106を制御して、被検体101へのRFパルスの照射及び傾斜磁場パルスの印加と、被検体101からのエコー信号の検出と、を繰り返し実行し、被検体101の撮像領域についての画像の再構成に必要なエコーデータの収集を制御する。繰り返しの際には、2次元撮像の場合には位相エンコード傾斜磁場の印加量を、3次元撮像の場合には更にスライスエンコード傾斜磁場の印加量も、変えて行なう。位相エンコードの数は通常1枚の画像あたり128、256、512等の値が選ばれ、スライスエンコードの数は、通常163264等の値が選ばれる。これらの制御により信号処理部107からのエコーデータを全体制御部108に出力する。全体制御部108は、計測制御部111の制御、及び、各種データ処理と処理結果の表示及び保存等の制御を行うものであって、CPU及びメモリを内部に有する演算処理部114と、光ディスク、磁気ディスク等の記憶部115とを有して成る。具体的には、計測制御部111を制御してエコーデータの収集を実行させ、計測制御部111からのエコーデータが入力されると、演算処理部114がそのエコーデータに印加されたエンコード情報に基づいて、メモリ内のK空間に相当する領域に記憶させる。メモリ内のK空間に相当する領域に記憶されたエコーデータ群をK空間データともいう。そして演算処理部114は、このK空間データに対して信号処理やフーリエ変換による画像再構成等の処理を実行し、その結果である被検体101の画像を、後述の表示操作部113に表示させると共に記憶部115に記録させる。表示操作部113は、再構成された被検体101の画像を表示する表示部と、MRI装置の各種制御情報や上記全体制御部108で行う処理の制御情報を入力するトラックボール又はマウス及びキーボード等の操作部と、から成る。この操作部は表示部に近接して配置され、操作者が表示部を見ながら操作部を介してインタラクティブにMRI装置の各種処理を制御する。現在MRI装置の撮像対象核種は、臨床で普及しているものとしては、被検体の主たる構成物質である水素原子核である。プロトン密度の空間分布や、励起状態の緩和時間の空間分布に関する情報を画像化することで、人体頭部、腹部、四肢等の形態または、機能を2次元もしくは3次元的に撮像する。次に、本発明のMRI装置及びRFパルス制御方法の実施例1について説明する。本実施例は、Startupシーケンスを構成するRFパルス系列の各フリップ角を、オフセットが0以外の直線上の値となるように、制御する。以下、図2~図9に基づいて本実施例を詳細に説明する。最初に、Startupシーケンスにおける各RFパルスのフリップ角についての本実施例の制御の概要を説明する。図2のように、0とα2の間を線形に増加するような数列Θを作成する。つまり、初項0、公差αの等差数列を作成する。Θ=×nここで、αはエコーデータ収集時のSSFPシーケンスのフリップ角を、NはStartupシーケンスのRFパルス数を表す。例えば、Nが5回の場合は、α10、2α10、3α10、4α10、5α10となる。このΘは、縦緩和時間T1と横緩和時間T2が繰り返し時間TRに較べて十分長く、緩和過程が無視できるような極限で、n番目のRFパルスを照射した後で、オンレゾナンスのスピンがMz軸とのなす角の絶対値を意味する。そこで、以下の式に従い、Θからn番目のRFパルスのフリップ角の絶対値φを算出する。φ=Θn=1のとき、φ=ΘΘ2≦n≦Nのとき式を式に代入して解くと、下記式のようになる。φ=a×nbここで、傾き:a=αN、オフセット:b=-αである。式で表される直線の例としてN=5の場合を図2に示す。つまり、本実施例のStartupシーケンスを構成するRFパルス系列の各RFパルスのフリップ角は、オフセットが0でない直線上の値となり、この直線に沿ってフリップ角がRFパルスの照射毎に単調に増加する。フリップ角が単調に増加するという点では従来のLinearFlipAngle法と同様であるが、従来のLinearFlipAngle法でのフリップ角の絶対値は、式のようにオフセットがないのに対して、本実施例のフリップ角制御では式のようにオフセットbが存在する点が異なる。実際には、照射位相を180degずらしながら各RFパルスを照射するため、n番目のRFパルスのフリップ角は式となる。φ={a×nb}×n例えば、Nが5回の場合、StartupシーケンスのRFパルス系列のフリップ角は、図3に示す様に、α10-3α105α10-7α109α10となる。更にα=90degの場合、9deg-27deg45deg-63deg81degとなる。これに対して、式で示す従来のLinearFlipAngle法のフリップ角は、同一条件で18deg-36deg54deg-72geg90degである。なお、図3では、傾斜磁場パルス波形を省略してある。傾斜磁場パルス波形の詳細は、例えば特許文献2に記載のパルスシーケンスを用いることができるので、ここでの詳細説明は省略する。Startupシーケンスを用いた場合の、オンレゾナンスのスピンの振舞を図4に示す。図に、本実施例のStartupシーケンスを用いた場合を示し、比較のために、図に従来のLinearFlipAngle法を用いた場合を示す。共に、縦緩和時間T1と横緩和時間T2が繰り返し時間TRに較べて十分長く、緩和過程を無視できるような極限を想定し、N=5α=90degとした場合のRFパルス系列を有して成るStartupシーケンスを実行する場合のMx-Mz平面でのスピンの挙動を示したものであり、図中の数値はRFパルスの照射回数を表す。図に示す本実施例の場合のRFパルスのフリップ角は9deg-27deg45deg-63deg81degであり、図の従来のLinearFlipAngle法の場合のRFパルスのフリップ角は、18deg-36deg54deg-72geg90degとなる。図4に示す様に、本実施例のStartupシーケンスを印加されるオンレゾナンスのスピンは、RFパルスの印加毎にMz軸を挟んで交互に運動するが、Startupシーケンス終了時にはMz軸とのなす角がちょうどα2となるので、エコー信号の振動を抑制することが可能である。これに対して従来のLinearFlipAngle法のStartupシーケンスが印加されるオンレゾナンスのスピンは、RFパルスの印加毎にMz軸を挟んで交互に運動し、Startupシーケンス終了時には、401と402の間を振動することになるのでエコー信号も振動してしまう。図5に、オフレゾナンスのスピンについて過渡状態での振動を数値計算した結果を示す。なお、図5では、縦軸がゼロのスピンがオンレゾナンスで、それ以外のスピンがオフレゾナンスと定義する。図に、本実施例のStartupシーケンスを用いた場合を示し、比較のために、図に従来のLinearFlipAngle法を用いた場合を示す。共に、横軸はRFパルスの照射回数を、縦軸は繰り返し時間TR間でのオフセット周波数を示し、横磁化の絶対値をグレースケースで表示した。数値計算に用いたパラメータは、T1=1200ms、T2=250ms、FA=90deg、TR=40ms、N=5である。図に示す様に、従来のLinearFlipAngle法を用いた場合では、502の領域のようにRFパルスの照射周波数とのずれが小さいスピンが振動しているのに対して、本実施例のStartupシーケンスを用いた場合は、図に示す様に、オンレゾナンス付近でのスピン501について振動を十分に抑制していることがわかる。図6に、Startupシーケンスを用いた場合のオンレゾナンスのスピンについて、過渡状態での振動のフリップ角依存性を数値計算した結果を示す。図に本実施例のStartupシーケンスを用いた場合を示し、比較のために、図に従来のLinearFlipAngle法を用いた場合を示す。図の横軸はRFパルスの回数を、縦軸はフリップ角を示し、図5と同様に横磁化の絶対値をグレースケールで表示した。数値計算に用いたパラメータは図5と同じである。図は、図のそれぞれからフリップ角FAが45deg90deg135degであるスピンに関して、各RFパルスの回数における横磁化の絶対値を示す。図より、LinearFlipAngle法では、FAが45deg90deg135degであるスピンが振動する。一方、図より、本実施例のStartupシーケンスでは、振動が生じないことがわかる。この傾向は、任意のフリップ角でも同様であり、図により、本実施例のStartupシーケンスでは任意のフリップ角でエコー信号の振動を抑制できるが、従来のLinearFlipAngle法では、いずれのフリップ角でもエコー信号が振動していることが理解できる。したがって、本実施例のStartupシーケンスを用いることで、照射不均一によりフリップ角にずれが生じた場合でも振動を抑制することが可能である。図6では簡単のために、オンレゾナンスのスピンについての数値計算結果を示したが、オフレゾナンスのスピンに関しては図5と同様、本実施例のStartupシーケンスを用いた場合は、オンレゾナンス付近でのスピンについて振動を十分に抑制可能である。なお、本実施例では、Θの初項を0としたが、任意の値でも振動を抑制することが可能である。次に、上述した本実施例のStartupシーケンスを構成する各RFパルスのフリップ角を求めて、該Startupシーケンスを含むSSFPシーケンスを起動する演算処理部114の各機能を図7に示す機能ブロック図を用いて説明する。本実施例の演算処理部114は、撮像条件設定部701と、RFパルス系列設定部702と、パルスシーケンス設定部703と、撮像制御部704と、を有してなる。撮像条件設定部701は、表示操作部113と記憶部115に接続され、表示部に撮像条件の設定入力を受け付ける入力画面を表示させる。操作者はこの入力画面を介して撮像条件を設定する。図9に入力画面の一例を示す。この入力画面には、少なくとも、データ収集シーケンスであるSSFPシーケンスにおけるフリップ角αと、エコーデータ収集前の準備シーケンスであるStartupシーケンスにおけるRFパルス系列のRFパルス数Nと、を含む撮像条件毎にその値の入力を受け付ける領域が表示される。操作者は、操作部を介して各撮像条件の値を入力する。そして、撮像条件設定部701は、操作者により入力された各種撮像条件の値を、該各種撮像条件の設定値として、メモリに記憶する。なお、フリップ角αとRFパルス数Nについては、記憶部115に記憶された所定の値を用いてもよい。RFパルス系列設定部702は、撮像条件設定部701に接続され、入力された撮像条件に基づいて、StartupシーケンスのRFパルス系列のフリップ角を計算して設定する。RFパルス系列設定部702は、操作者が入力してメモリに記憶された、或いは、記憶部115から読み出した、フリップ角αとRFパルス数Nの値を用いて、式に基づいて等差数列Θを作成し、この生成した等差数列Θを用いて式に基づいてn番目のRFパルスのフリップ角の絶対値φを算出する。或いは、式に基づいてn番目のRFパルスのフリップ角の絶対値φを直接算出してもよい。パルスシーケンス生成部703は、RFパルス系列設定部702と記憶部115に接続され、操作者が入力しメモリに記憶された撮像条件に基づいて、RFパルスや傾斜磁場パルスの印加タイミング等を設定する具体的データを求めてパルシーケンスを生成する。本実施例のパルスシーケンスは、準備シーケンスとしてのStartupシーケンスと、データ収集シーケンスとしてのSSFPシーケンスと、から成るので、パルスシーケンス設定部703は、これらの2つのパルスシーケンスを連続して実行するための具体的データをそれぞれ生成する。具体的には、Startupシーケンスのデータは、RFパルス系列設定部702で設定されたフリップ角に照射位相を付加した式で表されるフリップ角のRFパルス系列を具体的に規定するRFパルスや傾斜磁場パルスについてのデータである。また、SSFPシーケンスのデータは、フリップ角αのRFパルスを照射して画像再構成用のエコー信号の計測を規定するRFパルスや傾斜磁場パルスについてのデータである。撮像制御部704は、パルスシーケンス生成部703と記憶部115と計測制御部111に接続され、パルスシーケンス生成部703で生成されたパルスシーケンスの具体的データを計測制御部111に通知し、計測制御部111にそのパルスシーケンスを実行させて撮像を開始する。次に、上記演算処理部114の各機能部が連携して行なう、本実施例の処理フローを図8に示すフローチャートに基づいて説明する。ステップ801で、撮像条件設定部701は、表示部に撮像条件の設定入力を受け付ける入力画面を表示する。操作者はこの入力画面を介して撮像条件を入力設定する。或いは、撮像条件設定部701は、記憶部115に事前に記憶された撮像条件の値を読み込む。そして、撮像条件設定部701は、入力された或いは読み込んだ各種撮像条件の値を演算処理部114のメモリに記憶する。ステップ802で、RFパルス系列設定部702は、ステップ801でメモリに記憶された撮像条件の値に基づいて、StartupシーケンスのRFパルス系列のフリップ角を計算して演算処理部114のメモリに記憶する。ステップ803で、パルスシーケンス生成部703は、ステップ801でメモリに記憶された撮像条件の値と、ステップ802でメモリに記憶されたStartupシーケンスのRFパルス系列のフリップ角と、に基づいて、RFパルスのフリップ角や傾斜磁場パルス形状及びそれらの印加タイミング等を規定する具体的データを求めて、StartupシーケンスとSSFPシーケンスを連続して実行するための具体的データを生成する。ステップ804で、撮像制御部704は、ステップ803でパルスシーケンス生成部703が生成したパルスシーケンスの具体的データを計測制御部111に通知して、計測制御部111に生成されたパルスシーケンスを実行させて撮像を開始する。以上までが、本実施例の処理フローの説明である。以上説明したように、本実施例のMRI装置及びRFパルス制御方法は、StartupシーケンスのRFパルス系列を構成する各RFパルスのフリップ角を、適切なオフセットと共に線形に増加させる。これにより、オンレゾナンススピンの振動を抑制することが可能である。従って、定常状態に導くStartupシーケンスのRFパルスの総数を少なくしても、エコー信号の振動を低減して、画像にゴーストやブラーリング等のアーチファクトが生じず、高画質の画像を取得することができる。つまり、少ない空打ち回数でエコーデータ収集を開始することが可能となる。次に、本発明のMRI装置及びRFパルス制御方法の実施例2について説明する。本実施例は、立ち上がり、及び、α2の直線との接点で滑らかに変化する数列、つまり、隣り合う二項間の差が単調増加の後単調減少する数列を用いて、StartupシーケンスのRFパルス系列の各フリップ角を決定する。以下、図10,11に基づいて本実施例を詳細に説明する。前述の実施例1では、0とα2の2点を繋ぐ直線をもとに数列Θを作成したが、一般には単調増加数列であればよい。そこで、単調増加数列を様々に変化させて数値計算した結果、立ち上がり、及び、α2の直線との接点で滑らかに変化する数列、つまり、隣り合う二項間の差が単調増加の後単調減少する数列を用いて、StartupシーケンスのRFパルス系列の各フリップ角を決定することにより、より広いオフセット周波数に対してエコー信号の振動が抑制されることを発明者は発見した。そのような数列の例として、Θ=α4×が考えられる。この数列を図10に示す。式の数列について、式に従い漸化式を解くとφ=α2×、n=12...Nとなる。ここで、β2=2、sin=sin2β、cos=2βである。式で表される曲線の例としてN=5の場合を図10に示す。実際には、照射位相を180degずらしながら各RFパルスを照射するため、n番目のRFパルスのフリップ角は式のように表される。このようなフリップ角を有するRFパルス系列のStartupシーケンスにより、実施例1と同様に、オンレゾナンスのスピンについては、過渡状態でのエコー信号の振動を抑制可能である。図11に、オフレゾナンスのスピンについて過渡状態でのエコー信号の振動を数値計算した結果を示す。座標軸、及び、数値計算の方法は図5と同様とする。図5と図11を比較すると、図11ではより広い周波数オフセットに対して振動が抑制可能であることが分かる。なお、図11は、オンレゾナンスのスピンについても振動が抑制されていることが示されている。次に、上述した本実施例のStartupシーケンスにおける各RFパルスのフリップ角を求めて、該Startupシーケンスを含むSSFPシーケンスを起動する演算処理部114の各機能を説明する。本実施例における演算処理部114の各機能は、図7に示した前述の実施例1と同様であるが、RFパルス系列設定部702の処理内容が異なる。以下異なる箇所のみを説明し、同一の箇所については説明を省略する。本実施例の演算処理部114のRFパルス系列設定部702は、式に基づいて等差数列Θを作成し、この生成した等差数列Θを用いて式に基づいてn番目のRFパルスのフリップ角の絶対値φを算出する。或いは、式に基づいてn番目のRFパルスのフリップ角の絶対値φを直接算出してもよい。また、本実施例の演算処理部114の各機能部が連携して行なう、本実施例の処理フローは図8に示した前述の実施例1の処理フローと同様なので説明を省略する。以上説明したように、本実施例のMRI装置及びRFパルス制御方法は、立上り、及び、α2の直線との接点で滑らかに変化する数列をもとに式から算出したフリップ角のRFパルス系列を有して成るStartupシーケンスを用いる。これにより、オンレゾナンススピンの振動を抑制するだけではなく、より広い周波数オフセットに関してオフレゾナンススピンの振動を抑制することが可能である。従って、実施例1と同様に、定常状態に導くStartupシーケンスのRFパルスの総数を少なくしても、エコー信号の振動を低減して、画像にゴーストやブラーリング等のアーチファクトが生じず、高画質の画像を取得することができる。"