"処理チャンバ内の基台上に載置された炭化珪素基板をエッチングするエッチング方法であって、前記炭化珪素基板を200°C以上に加熱し、フッ素系ガスを含む処理ガスを前記処理チャンバ内に供給してプラズマ化し、前記基台に高周波電力を供給してバイアス電位を与え、前記炭化珪素基板をエッチングする第1の工程と、少なくとも、前記炭化珪素基板に、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜を形成する処理を含む第2の工程とを交互に繰り返して実施するようにしたことを特徴とするエッチング方法。前記第1の工程では、前記炭化珪素基板を等方的にエッチングし、前記第2の工程では、前記炭化珪素基板を200°C以上に加熱し、フッ素系ガスと酸素ガス又は窒素ガスとを含む処理ガスを前記処理チャンバ内に供給してプラズマ化し、前記基台に高周波電力を供給してバイアス電位を与え、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜を保護膜として前記炭化珪素基板に形成しつつ該炭化珪素基板をエッチングすることを特徴とする請求項1に記載のエッチング方法。前記第2の工程では、酸素ガス又は窒素ガスを含む処理ガスを前記処理チャンバ内に供給してプラズマ化するとともに、前記基台に300W以上の高周波電力を供給してバイアス電位を与えるようにしたことを特徴とする請求項2記載のエッチング方法。前記第1の工程では、フッ素系ガスと酸素ガスとを含む処理ガスを前記処理チャンバ内に供給してプラズマ化するようにしたことを特徴とする請求項2に記載のエッチング方法。前記第1の工程では、フッ素系ガスと酸素ガスとを含む処理ガスを前記処理チャンバ内に供給してプラズマ化するとともに、前記酸素ガスの供給流量をフッ素系ガスの1.25倍以下とし、前記第2の工程では、フッ素系ガスと酸素ガスとを含む処理ガスを前記処理チャンバ内に供給してプラズマ化するとともに、前記酸素ガスの供給流量をフッ素系ガスの供給流量の0.75倍以上とするようにしたことを特徴とする請求項2に記載のエッチング方法。前記第2の工程では、シリコン系ガスと酸素ガス又は窒素ガスとを含む処理ガスを前記処理チャンバ内に供給してプラズマ化し、前記炭化珪素基板に酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜を保護膜として形成することを特徴とする請求項1に記載のエッチング方法。前記第1の工程では、フッ素系ガスと酸素ガスとを含む処理ガスを前記処理チャンバ内に供給してプラズマ化するようにしたことを特徴とする請求項6記載のエッチング方法。しかしながら、炭化珪素基板Kを200°C~400°Cに加熱してエッチングした場合であっても、SF6ガス及びO2ガスを含む混合ガス中のO2ガスの割合によっては、穴Hや溝Hの底面に形成される溝H’が大きくなったり、穴Hや溝Hの側壁のエッチングが大きくなったりすることがあった。図4は、エッチング用の処理チャンバ内に供給するSF6ガスの流量を40sccmで一定とし、前記処理チャンバ内に供給するO2ガスの流量をそれぞれ0供給なし,10,40,60,100及び200sccmとして、炭化珪素基板Kをエッチングしたときの、側壁エッチング量b及び溝H’の深さdを纏めたものである。尚、その他のエッチング条件としては、前記SF6ガス及びO2ガスに加えてArガスを前記処理チャンバ内に50sccm供給し、炭化珪素基板Kの加熱温度を200°C~400°Cと、プラズマ生成用のコイルに供給する高周波電力を2500Wと、炭化珪素基板Kが載置される基台に供給する高周波電力を700Wと、前記処理チャンバ内の圧力を3Paとした。また、前記側壁エッチング量b及び溝H’の深さdは図5に示す寸法のことであり、上記図4では、穴Hや溝Hの深さ1μm当たりの数値に換算している。したがって、図4の側壁エッチング量b及び溝H’の深さdに実際の穴Hや溝Hの深さを掛けた値が実際の側壁エッチング量b及び溝H’の深さdとなる。同図4から分かるように、O2ガスを供給しない0sccmのときか、供給流量が小流量10sccmのときには、溝H’は形成されていないものの、側壁がエッチングされ、エッチング形状は図5aのようになった。一方、O2ガスの供給流量が大流量60,100,200sccmのときには、側壁はエッチングされていないものの、溝H’が形成され、エッチング形状は図5bのようになった。また、O2ガスの供給流量が中流量40sccmのときには、小流量のときよりも少ないながら側壁がエッチングされ、大流量のときよりも小さいながら溝H’が形成されており、エッチング形状は図5cのようになった。尚、図5において符号Mはマスクを、符号Hは穴や溝を示している。ここで、O2ガスの供給流量が大流量のときに、エッチング形状が図5bのようになるのは、次の理由によるものと考えられる。即ち、炭化珪素基板Kのエッチングにより生じたシリコン原子やシリコン化合物例えば、SiF4を構成するシリコン原子と、O2ガスから生じたラジカルやイオンとが反応して酸化シリコン例えば、SiO2が生成されるが、O2ガスの供給流量が多いと、この酸化シリコンにより十分な保護膜が形成されて穴Hや溝Hの側壁が保護され、また、その一方で酸化シリコンは穴Hや溝Hの底面にも堆積付着し、そのエッチングはイオン入射によって進行するため、イオン入射が集中する穴Hや溝Hの側壁近傍のエッチング速度が速く、これによって、溝H’が形成されるからである。他方、O2ガスを供給しないか、供給流量が小流量のときに、エッチング形状が図5aのようになるのは、十分な保護膜が形成されないため、エッチングが等方的に進むからである。このように、炭化珪素基板Kを200°C~400°Cに加熱しても、混合ガスに含まれるO2ガスの割合によっては、溝H’が大きくなったり、側壁のエッチングが大きくなったりすることがあり、一定の形状精度を満たすエッチング形状を得ることができない場合があった。本発明は、以上の実情に鑑みなされたものであって、より高精度に炭化珪素基板をエッチングすることができるエッチング方法の提供をその目的とする。上記目的を達成するための本発明は、処理チャンバ内の基台上に載置された炭化珪素基板をエッチングするエッチング方法であって、前記炭化珪素基板を200°C以上に加熱し、フッ素系ガスを含む処理ガスを前記処理チャンバ内に供給してプラズマ化し、前記基台に高周波電力を供給してバイアス電位を与え、前記炭化珪素基板をエッチングする第1の工程と、少なくとも、前記炭化珪素基板に、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜を形成する処理を含む第2の工程とを交互に繰り返して実施するようにしたことを特徴とするエッチング方法に係る。このエッチング方法によれば、炭化珪素基板を200°C以上に加熱し、フッ素系ガスを含む処理ガスをプラズマ化し、基台にバイアス電位を与える第1の工程と、少なくとも、前記炭化珪素基板に、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜を形成する処理を含む第2の工程とを繰り返し行う。前記第1の工程では、フッ素系ガスのプラズマ化により生じたイオンがバイアス電位により炭化珪素基板に入射,衝突することで当該炭化珪素基板がエッチングされるとともに、フッ素系ガスのプラズマ化により生じたラジカルやイオンが、炭化珪素基板を構成するシリコン原子と反応することで当該炭化珪素基板がエッチングされる。前記第2の工程では、炭化珪素基板のエッチングにより生じたシリコン原子やシリコン化合物を構成するシリコン原子と、酸素又は窒素のラジカルやイオンが反応して酸化シリコン又は窒化シリコン例えば、SiNxが生成され、この酸化シリコン又は窒化シリコンによって穴や溝の表面に酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜が形成される。イオン入射が多い穴や溝の底面では保護膜が除去されてエッチングされるものの、イオン入射が少ない穴や溝の側壁では保護膜によってエッチングが防止される。そして、このような第1の工程と第2の工程とが繰り返されると、第2の工程で前記炭化珪素基板に、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜が形成されるため、側壁のエッチングを抑えつつ、且つ穴や溝の側壁側に更に溝が形成されるのを防止しつつ、穴や溝の深さ方向にエッチングすることができる。これにより、ボウイング形状やサブトレンチが形成されるのを防止することができる。また、上記目的を達成するための本発明は、前記第1の工程では、前記炭化珪素基板を等方的にエッチングし、前記第2の工程では、前記炭化珪素基板を200°C以上に加熱し、フッ素系ガスと酸素ガス又は窒素ガスとを含む処理ガスを前記処理チャンバ内に供給してプラズマ化し、前記基台に高周波電力を供給してバイアス電位を与え、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜を保護膜として前記炭化珪素基板に形成しつつ該炭化珪素基板をエッチングすることを特徴とする請求項1に記載のエッチング方法に係る。このエッチング方法によれば、前記第1の工程における、前記炭化珪素基板を等方的にエッチングする処理と、前記第2の工程における、炭化珪素基板を200°C以上に加熱し、フッ素系ガスと酸素ガス又は窒素ガスとを含む処理ガスをプラズマ化し、基台にバイアス電位を与え、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜を保護膜として前記炭化珪素基板に形成しつつ該炭化珪素基板をエッチングする処理とが繰り返し行われる。前記第1の工程では、フッ素系ガスのプラズマ化により生じたイオンがバイアス電位により炭化珪素基板に入射,衝突することで当該炭化珪素基板がエッチングされるとともに、フッ素系ガスのプラズマ化により生じたラジカルやイオンが、炭化珪素基板を構成するシリコン原子と反応することで当該炭化珪素基板がエッチングされる。このようにして、炭化珪素基板は等方的にエッチングされる。また、前記第2の工程では、フッ素系ガスや酸素ガス又は窒素ガスのプラズマ化により生じたイオンがバイアス電位により炭化珪素基板に入射,衝突することで当該炭化珪素基板がエッチングされるとともに、フッ素系ガスのプラズマ化により生じたラジカルやイオンが、炭化珪素基板を構成するシリコン原子と反応することで当該炭化珪素基板がエッチングされる。また、炭化珪素基板のエッチングにより生じたシリコン原子やシリコン化合物を構成するシリコン原子と、酸素ガス又は窒素ガスのプラズマ化により生じたラジカルやイオンとが反応して酸化シリコン又は窒化シリコン例えば、SiNxが生成され、この酸化シリコン又は窒化シリコンによって穴や溝の表面に保護膜が形成される。イオン入射が多い穴や溝の底面では保護膜が除去されてエッチングされるものの、イオン入射が少ない穴や溝の側壁では保護膜によってエッチングが防止される。そして、このような第1の工程と第2の工程とが繰り返されると、第1の工程では穴や溝の底面中央部のエッチングも進んで当該底面の側壁側に更に溝が形成されるのが防止され、第2の工程では穴や溝の側壁のエッチングが防止されるため、側壁のエッチングを抑えつつ、且つ穴や溝の側壁側に更に溝が形成されるのを防止しつつ、穴や溝の深さ方向にエッチングすることができる。これにより、ボウイング形状やサブトレンチが形成されるのを防止することができる。斯くして、本発明に係るエッチング方法によれば、炭化珪素基板を等方的にエッチングする第1の工程と、保護膜を形成して穴や溝の側壁を保護しながら炭化珪素基板をエッチングする第2の工程とを交互に繰り返し、側壁のエッチングを抑えつつ、且つ穴や溝の側壁側に更に溝が形成されるのを防止しつつ、穴や溝の深さ方向にエッチングを進めることができるので、更に高精度に炭化珪素基板をエッチングすることができる。尚、前記第2の工程では、酸素ガス又は窒素ガスを含む処理ガスを前記処理チャンバ内に供給してプラズマ化するとともに、前記基台に300W以上の高周波電力を供給してバイアス電位を与え、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜を保護膜として前記炭化珪素基板に形成しつつ該炭化珪素基板をエッチングするようにしても良い。この場合、第2の工程では、酸素ガス又は窒素ガスのプラズマ化により生じたイオンがバイアス電位により炭化珪素基板に入射,衝突することで当該炭化珪素基板がエッチングされるとともに、炭化珪素基板のエッチングにより生じたシリコン原子と、酸素ガス又は窒素ガスのプラズマ化により生じたラジカルやイオンとが反応して酸化シリコン又は窒化シリコンが生成され、この酸化シリコン又は窒化シリコンによって穴や溝の表面に保護膜が形成される。ここで、基台に300W以上の高周波電力を供給しているのは、300W以上の高周波電力を供給してこれに対応したバイアス電位を与えなければ、炭化珪素基板に入射するイオンが少なく、一定レベル以上の保護膜を形成するのに必要なシリコン原子を生じさせることができないからである。また、前記第2の工程では、シリコン系ガスと酸素ガス又は窒素ガスとを含む処理ガスを前記処理チャンバ内に供給してプラズマ化し、前記炭化珪素基板に酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜を保護膜として形成するようにしても良い。この場合、前記第1の工程では、フッ素系ガスのプラズマ化により生じたイオンがバイアス電位により炭化珪素基板に入射,衝突することで当該炭化珪素基板がエッチングされるとともに、フッ素系ガスのプラズマ化により生じたラジカルやイオンが、炭化珪素基板を構成するシリコン原子と反応することで当該炭化珪素基板がエッチングされる。一方、前記第2の工程では、シリコン系ガスのプラズマ化により生じたラジカルやイオンと、酸素ガス又は窒素ガスのプラズマ化により生じたラジカルやイオンとが反応して酸化シリコン又は窒化シリコンが生成され、この酸化シリコン又は窒化シリコンによって穴や溝の表面に保護膜が形成される。そして、このような第1の工程と第2の工程とが繰り返されると、第1の工程では保護膜の除去及びエッチングが行われ、第2の工程では穴や溝の側壁及び底面に保護膜が形成されるため、穴や溝の側壁のエッチングが防止されつつ穴や溝の深さ方向にエッチングが進む。このため、上記と同様、ボウイング形状やサブトレンチが形成されるのを防止することができる。また、第1の工程と第2の工程とを繰り返す際の当該第1の工程では、フッ素系ガスと酸素ガスとを含む処理ガスを前記処理チャンバ内に供給してプラズマ化するようにしても良い。このようにすれば、炭化珪素基板のエッチングにより生じた炭素原子と、酸素ガスのプラズマ化により生じたラジカルやイオンとを反応させ、当該炭素原子を酸化物にして除去することができ、炭素を含む化合物が穴や溝に堆積して残渣が発生するのを防止することができる。また、前記第1の工程でも前記第2の工程でもフッ素系ガスと酸素ガスとを含む処理ガスを用いる場合、前記第1の工程では、フッ素系ガスと酸素ガスとを含む処理ガスを前記処理チャンバ内に供給してプラズマ化するとともに、前記酸素ガスの供給流量をフッ素系ガスの1.25倍以下とし、前記第2の工程では、フッ素系ガスと酸素ガスとを含む処理ガスを前記処理チャンバ内に供給してプラズマ化するとともに、前記酸素ガスの供給流量をフッ素系ガスの供給流量の0.75倍以上とすると良い。上述のように、酸素ガスの供給流量が多いときには、保護膜によって側壁のエッチングが防止されるものの、穴や溝の底面の側壁側に更に溝が形成され易く、一方、酸素ガスの供給流量が少ないときには、保護膜があまり形成されないためにエッチングが等方的に進み易い図4及び図5参照。そこで、各エッチング工程における酸素ガスの供給流量を上記のようにすれば、第1の工程ではサブトレンチが形成された穴や溝の底面中央部をエッチングして底面を平坦又はラウンド形状底面中央部の方が側壁側よりも深い形状にし、ボウイング形状やサブトレンチの形成を防止しながら穴や溝の深さ方向にエッチングを進め、第2の工程では穴や溝の側壁のエッチングを防止することができる。前記第1の工程における酸素ガスの供給流量をフッ素系ガスの供給流量の1倍以下、前記第2の工程における酸素ガスの供給流量をフッ素系ガスの供給流量の1倍以上、とすればより好ましく、前記第1の工程における酸素ガスの供給流量をフッ素系ガスの供給流量の0.25倍以下、前記第2の工程における酸素ガスの供給流量をフッ素系ガスの供給流量の1.5倍以上、とすれば更に好ましい。また、第2の工程では第1の工程よりも酸素ガスの供給流量を多くすることが好ましいが、酸素ガスの供給流量がフッ素系ガスの供給流量の0.75倍~1.25倍の間は、図5cのように、僅かながらも側壁がエッチングされ、僅かながらも溝H’が形成されるエッチング形状となる流量であるため、第1の工程及び第2の工程のどちらにも適用することが可能である。尚、前記フッ素系ガスとしては、例えば、SF6ガスを挙げることができ、前記シリコン系ガスとしては、例えば、SiF4ガスを挙げることができる。この他、炭化珪素基板を加熱するに当たっては、処理ガスのプラズマ化により生じたイオンの入射によって加熱しても、ヒータにより加熱しても、イオン入射及びヒータの両方で加熱しても良く、温度が上昇し過ぎるような場合には、炭化珪素基板の冷却を組み合わせても良い。以上のように、本発明に係るエッチング方法によれば、ボウイング形状やサブトレンチが形成されるのを防止して、より高精度なエッチング形状を得ることができる。以下、本発明の具体的な実施形態について、添付図面に基づき説明する。尚、本実施形態では、例えば、4H-SiCの結晶構造を持つ炭化珪素基板をエッチングするものとし、また、その表面には、例えば、二酸化珪素膜からなるエッチングマスクが形成されているものとする。まず、図1を基に、本発明の一実施形態に係るエッチング方法を実施するためのエッチング装置1について説明する。図1に示すように、このエッチング装置1は、閉塞空間を有する処理チャンバ11と、処理チャンバ11内に昇降自在に配設され、炭化珪素基板Kが載置される基台15と、基台15を昇降させる昇降シリンダ18と、処理チャンバ11内の圧力を減圧する排気装置20と、処理チャンバ11内に処理ガスを供給するガス供給装置25と、処理チャンバ11内に供給された処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成装置30と、基台15に高周波電力を供給する高周波電源35とを備える。前記処理チャンバ11は、相互に連通した内部空間を有する下チャンバ12及び上チャンバ13から構成され、上チャンバ13は、下チャンバ12よりも小さく形成される。前記基台15は、炭化珪素基板Kが載置される上部材16と、昇降シリンダ18が接続される下部材17とから構成され、下チャンバ12内に配置されている。前記排気装置20は、下チャンバ12の側面に接続した排気管21を備え、排気管21を介して処理チャンバ11内の気体を排気し、処理チャンバ11の内部を所定圧力にする。前記ガス供給装置25は、フッ素系ガスとして、SF6ガスを供給するガス供給部26と、キャリアガスとして、Arガスを供給するガス供給部27と、O2ガスを供給するガス供給部28と、一端が上チャンバ13の上面に接続し、他端が分岐して各ガス供給部26,27,28にそれぞれ接続した供給管29とを備えており、各ガス供給部26,27,28から供給管29を介して処理チャンバ11内にSF6ガス,Arガス及びO2ガスを前記処理ガスとして供給する。前記プラズマ生成装置30は、上チャンバ13の外周部に上下に並設される、複数の環状をしたコイル31と、各コイル31に高周波電力を供給する高周波電源32とから構成され、高周波電源32によってコイル31に高周波電力を供給することで、上チャンバ13内に供給された処理ガスをプラズマ化する。前記高周波電源35は、基台15に高周波電力を供給することで、基台15とプラズマとの間に電位差バイアス電位を生じさせ、処理ガスのプラズマ化により生じたイオンを炭化珪素基板Kに入射させる。次に、以上のように構成されたエッチング装置1を用いて炭化珪素基板Kをエッチングする方法について説明する。まず、炭化珪素基板Kを処理チャンバ11内に搬入して基台15上に載置する。この後、図2に示すように、処理チャンバ11内に供給するSF6ガス,Arガス及びO2ガスの供給流量などを制御することにより、等方的にエッチングする第1エッチング工程第1の工程E1と、保護膜を形成しつつエッチングする第2エッチング工程第2の工程E2とを交互に繰り返して実施する。尚、図2に示すように、SF6ガス及びArガスの供給流量は工程E1,E2に関係なく、一定であり、O2ガスの供給流量を工程E1,E2に応じて変化させている。前記第1エッチング工程E1では、炭化珪素基板Kを200°C以上に加熱し、ガス供給部26,27,28からSF6ガス,Arガス及びO2ガスを処理チャンバ11内にそれぞれ供給し、排気装置20によって処理チャンバ11内を所定圧力とし、高周波電源32,35によってコイル31及び基台15に高周波電力をそれぞれ供給する。尚、O2ガスの供給流量V4としては、SF6ガスの供給流量V1の1.25倍以下であり、SF6ガスの供給流量V1の1倍以下とすればより好ましく、SF6ガスの供給流量V1の0.25倍以下とすれば更に好ましい。これは、O2ガスの供給流量V4が少ないと、図4及び図5に示したように、保護膜をあまり形成させずにエッチングを等方的に進めることができるからである。すなわち、この工程E1では、等方的エッチングを進めるようにO2ガスの供給流量を少なくすることが好ましく、O2ガスを全く供給しないようにしても良い。そして、この第1エッチング工程E1では、SF6ガスやO2ガスのプラズマ化により生じたイオンがバイアス電位により炭化珪素基板Kに入射,衝突することで当該炭化珪素基板Kがエッチングされるとともに、SF6ガスのプラズマ化により生じたラジカルやイオンが、炭化珪素基板Kを構成するシリコン原子と反応することで当該炭化珪素基板Kがエッチングされる。また、炭化珪素基板Kのエッチングにより生じたシリコン原子やシリコン化合物を構成するシリコン原子と、O2ガスのプラズマ化により生じたラジカルやイオンとが反応して酸化シリコンが生成され、この酸化シリコンによって穴や溝の表面に保護膜が形成される。O2ガスを供給することで、保護膜が形成されるものの、O2ガスの供給流量が少ないために十分な保護膜が形成されず、このため、炭化珪素基板Kは等方的にエッチングされる。尚、O2ガスのプラズマ化により生じたラジカルやイオンの一部は、炭化珪素基板Kのエッチングにより生じた炭素原子と反応し、当該炭素原子が酸化物となって除去される。一方、前記第2エッチング工程E2では、炭化珪素基板Kを200°C以上に加熱し、ガス供給部26,27,28からSF6ガス,Arガス及びO2ガスを処理チャンバ11内にそれぞれ供給し、排気装置20によって処理チャンバ11内を所定圧力とし、高周波電源32,35によってコイル31及び基台15に高周波電力をそれぞれ供給する。尚、O2ガスの供給流量V3としては、SF6ガスの供給流量V1の0.75倍以上であり、SF6ガスの供給流量V1の1倍以上とすればより好ましく、SF6ガスの供給流量V1の1.5倍以上とすれば更に好ましい。これは、O2ガスの供給流量V3が多いと、図4及び図5に示したように、穴Hや溝Hの底面の側壁側に更に溝H’が形成され易いものの、保護膜によって側壁のエッチングを防止することができるからである。そして、この第2エッチング工程E2では、SF6ガスやO2ガスのプラズマ化により生じたイオンがバイアス電位により炭化珪素基板Kに入射,衝突することで当該炭化珪素基板Kがエッチングされるとともに、SF6ガスのプラズマ化により生じたラジカルやイオンが、炭化珪素基板Kを構成するシリコン原子と反応することで当該炭化珪素基板Kがエッチングされる。また、炭化珪素基板Kのエッチングにより生じたシリコン原子やシリコン化合物を構成するシリコン原子と、O2ガスのプラズマ化により生じたラジカルやイオンとが反応して酸化シリコンが生成され、この酸化シリコンによって穴や溝の表面に保護膜が形成される。イオン入射が多い穴や溝の底面では保護膜が除去されてエッチングされるものの、イオン入射が少ない穴や溝の側壁では保護膜によってエッチングが防止される。このようにして、炭化珪素基板Kは、穴や溝の側壁が保護膜によって保護されつつエッチングされる。尚、O2ガスのプラズマ化により生じたラジカルやイオンの一部は、炭化珪素基板Kのエッチングにより生じた炭素原子と反応し、当該炭素原子が酸化物となって除去される。このような第1エッチング工程E1と第2エッチング工程E2とを交互に繰り返すと、第1エッチング工程E1ではサブトレンチが形成された穴や溝の底面中央部をエッチングして底面を平坦又はラウンド形状底面中央部の方が側壁側よりも深い形状にし、第2エッチング工程E2では穴や溝の側壁のエッチングを防止し、ボウイング形状やサブトレンチの形成を防止しながら穴や溝の深さ方向にエッチングを進めることができる。そして、このようにして形成されたエッチング形状を図3に示す。同図3に示すように、側壁がほんの僅かにエッチングされた円弧状の形状が深さ方向に繰り返し形成された側壁面を有する形状となる。このように、側壁が若干エッチングされるものの、単一工程でエッチングする場合に比べて側壁のエッチング量は非常に僅かであり、また、サブトレンチも形成されていない。尚、図3において符号Mはマスクを示している。このようにして炭化珪素基板Kをエッチングし、所定深さの穴や溝が形成されると、上記一連の工程を終了して、炭化珪素基板Kを処理チャンバ11内から搬出する。尚、前記各エッチング工程E1,E2では、炭化珪素基板Kを200°C以上に加熱しているが、エッチングマスクである二酸化珪素膜は、レジストと比べて耐熱性が高いため、軟化してマスクパターンの形状精度が低下することはない。また、前記保護膜として酸化シリコン膜を形成しているので、シリコン基板の異方性エッチングでよく用いられるポリマー膜ポリマー膜はファンデルワールス力で結合しているため、結合が非常に弱く、100°C程度の温度で分解してしまうのように熱分解によって保護膜が形成されないということもない。加熱温度の上限値としては、エッチング装置1の構造上の問題などから、例えば、500°Cである。また、上述のように、炭化珪素基板Kを200°C以上に加熱しているので、原子間の結合が強い炭化珪素基板Kであっても、SF6ガスのプラズマ化により生じたラジカルやイオンと、炭化珪素基板Kを構成する原子とが反応し易くなってエッチングは効率的に進む。斯くして、本例のエッチング方法によれば、炭化珪素基板Kを等方的にエッチングする第1エッチング工程E1と、保護膜を形成して穴や溝の側壁を保護しながら炭化珪素基板Kをエッチングする第2エッチング工程E2とを交互に繰り返し、側壁のエッチングを抑えつつ、且つ穴や溝の側壁側に更に溝が形成されるのを防止しつつ、穴や溝の深さ方向にエッチングを進めることができるので、更に高精度に炭化珪素基板Kをエッチングすることができる。また、前記各エッチング工程E1,E2では、O2ガスのプラズマ化により生じたラジカルやイオンの一部と、炭化珪素基板Kのエッチングにより生じた炭素原子とが反応し、炭素原子が酸化物となって除去されるので、炭素を含む化合物が穴や溝に堆積して残渣が発生するのを防止することができる。因みに、本例のエッチング方法を適用して、炭化珪素基板Kをエッチングしたところ、図3に示すようなエッチング形状となり、ボウイング形状やサブトレンチの形成を抑えて非常に高精度なエッチング形状が得られた。具体的には、従来のエッチング方法では、サブトレンチの無い状態で、側壁エッチング量bを50nm以下に抑えることができなかったが、本例では、スキャロップ状ではあるものの、側壁エッチング量b図3参照を30nm以下に抑えることができた。尚、前記第2エッチング工程E2の処理条件は、処理時間を10秒と、SF6ガスの供給流量V1,Arガスの供給流量V2及びO2ガスの供給流量V3をそれぞれ10,60及び500sccm図2参照と、処理チャンバ11内の圧力を3Paと、コイル31に供給する高周波電力を2500Wと、基台15に供給する高周波電力を700Wと、炭化珪素基板Kの加熱温度を200°C以上とし、前記第1エッチング工程E1の処理条件は、処理時間を2秒と、SF6ガスの供給流量V1,Arガスの供給流量V2及びO2ガスの供給流量V4をそれぞれ10,60及び0sccm図2参照と、処理チャンバ11内の圧力を3Paと、コイル31に供給する高周波電力を2500Wと、基台15に供給する高周波電力を700Wと、炭化珪素基板Kの加熱温度を200°C以上とした。前記第2エッチング工程E2の処理時間10秒及び第1エッチング工程E1の処理時間2秒は、1つの実施例に過ぎず、例えば、第2エッチング工程E2の処理時間及び第1エッチング工程E1の処理時間をそれぞれ10秒及び2秒よりも短くすることで、側壁エッチング量bを上述の30nm以下よりも更に小さくすることも可能である。以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の採り得る具体的な態様は、何らこれに限定されるものではない。前記各エッチング工程E1,E2を実施する際には、加熱される炭化珪素基板Kの温度が一定となっていることが好ましいため、各エッチング工程E1,E2を繰り返し行う前に炭化珪素基板Kを予め加熱し、所定温度まで昇温させておいても良い。このときの昇温方法は、特に限定されるものではないが、例えば、不活性ガスを処理チャンバ11内に供給してプラズマ化するとともに、基台15にバイアス電位を与え、不活性ガスのプラズマ化により生じたイオンを炭化珪素基板Kに入射させて当該炭化珪素基板Kを加熱すると良い。また、各エッチング工程E1,E2の実施時の加熱についても、SF6ガス,Arガス及びO2ガスのプラズマ化により生じたイオンを炭化珪素基板Kに入射させることによって加熱すると良い。また、前記各エッチング工程E1,E2でSF6ガスの供給流量を変化させるようにしても良い。更に、上例では、前記第2エッチング工程E2でSF6ガス,Arガス及びO2ガスを処理チャンバ11内に供給するようにしたが、SF6ガスを供給せずに、少なくともO2ガスを供給し、高周波電源35によって基台15に300W以上の高周波電力を供給するようにしても良い。このようにしても、O2ガスのプラズマ化により生じたイオンがバイアス電位により炭化珪素基板Kに入射,衝突することで当該炭化珪素基板Kがエッチングされるとともに、炭化珪素基板Kのエッチングにより生じたシリコン原子と、O2ガスのプラズマ化により生じたラジカルやイオンとが反応して酸化シリコンが生成され、この酸化シリコンによって穴や溝の表面に保護膜が形成されるので、穴や溝の側壁を保護膜によって保護しつつ炭化珪素基板Kをエッチングすることができる。但し、基台15に300W以上の高周波電力を供給しなければ、炭化珪素基板Kに入射するイオンが少ないため、一定レベル以上の保護膜を形成するのに必要なシリコン原子を生じさせることができない。また、前記各エッチング工程E1,E2に代えて、エッチング工程第1の工程と保護膜形成工程第2の工程とを交互に繰り返すようにしても良い。この場合、前記エッチング工程では、炭化珪素基板Kを200°C以上に加熱し、ガス供給部26,27,28からSF6ガス,Arガス及びO2ガスを処理チャンバ11内にそれぞれ供給し、排気装置20によって処理チャンバ11内を所定圧力とし、高周波電源32,35によってコイル31及び基台15に高周波電力をそれぞれ供給する。そして、このエッチング工程では、SF6ガスやO2ガスのプラズマ化により生じたイオンがバイアス電位により炭化珪素基板Kに入射,衝突することで当該炭化珪素基板Kがエッチングされるとともに、SF6ガスのプラズマ化により生じたラジカルやイオンが、炭化珪素基板Kを構成するシリコン原子と反応することで当該炭化珪素基板Kがエッチングされる。また、炭化珪素基板Kのエッチングにより生じたシリコン原子やシリコン化合物を構成するシリコン原子と、O2ガスのプラズマ化により生じたラジカルやイオンとが反応して酸化シリコンが生成され、この酸化シリコンによって穴や溝の表面に保護膜が形成される。一方、前記保護膜形成工程では、図示しないガス供給部から、シリコン系ガスとして、例えば、SiF4ガス、SiCl4ガスを供給するとともに、ガス供給部28からO2ガスを処理チャンバ11内に供給し、排気装置20によって処理チャンバ11内を所定圧力とし、高周波電源32,35によってコイル31及び基台15に高周波電力をそれぞれ供給する。そして、この保護膜形成工程では、SiF4ガス、SiCl4ガスのプラズマ化により生じたラジカルやイオンと、O2ガスのプラズマ化により生じたラジカルやイオンとが反応して酸化シリコンが生成され、この酸化シリコンによって穴や溝の表面に保護膜が形成される。そして、このようなエッチング工程第1の工程と保護膜形成工程第2の工程とが繰り返されると、エッチング工程では保護膜の除去及びエッチングが行われ、保護膜形成工程では穴や溝の側壁及び底面に保護膜が形成されるため、穴や溝の側壁のエッチングが防止されつつ穴や溝の深さ方向にエッチングが進む。このため、上記と同様、ボウイング形状やサブトレンチが形成されるのを防止することができる。続いて、本願発明者らは、上記シリコン系ガスとしてSiCl4ガスを外部から供給することによって、対SiO2マスク選択比を飛躍的に改善できることを見出したので、これについて詳述する。ここで、マスク選択比とは、基板のエッチング速度をマスクのエッチング速度で割った値であり、以下でいう対SiO2マスク選択比とは、SiC基板のエッチング速度を、SiO2マスクのエッチング速度で割った値である。前述のとおり、前記第2の工程では、シリコン系ガスと酸素ガス又は窒素ガスとを含む処理ガスを処理チャンバ内に供給してプラズマ化し、炭化珪素基板に酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜を保護膜として形成してもよく、以下の例は、シリコン系ガスとしてSiCl4ガスを供給することにより、炭化珪素基板に酸化シリコン膜を保護膜として形成する構成に該当する。SiO2保護膜は、SiCエッチング時に自然に生じるSiと、O2とを反応させるSiO2→SiO2ことによっても得られるが、この方法ではエッチングにより発生するSiに限りがあるので、厚い保護膜を形成することは難しい。そこで、本例では、SiCl4ガスを外部から供給することによりSiCl4O2→SiO22Cl2、直接的かつ豊富に、保護膜としてのSiO2を形成することにより、対SiO2マスク選択比を改善する。前述のように、比較的低温によるエッチングが可能なシリコン基板の異方性エッチングなどでは、穴や溝の側壁を保護する保護膜としてポリマーを利用することができ、具体的には、エッチング用のガスとともに、CF系のガス例えばC4F8を導入することでポリマー保護膜による側壁保護が可能となる。しかし、SiCをサブトレンチが生じないように高速でエッチングするためには、200°C以上の高温でエッチングする必要がある。その点、ポリマー膜はファンデルワールス力で結合しているため、結合が非常に弱く、そのような高温では、例えばCF系のポリマーは分解し、堆積することができない。本例では、SiO2によって側壁を保護する保護膜を形成するので、SiCをサブトレンチが生じないように高速でエッチングすることが可能であり、さらには、上述のように、SiCl4ガスを外部から供給することにより直接的かつ豊富に保護膜としてのSiO2を生成するので、エッチング用のガス量とは独立して、側壁保護膜の形成膜量を調整できるという利点がある。対比のために、SiCエッチング時に自然に生じるSiと、O2とを反応させるSiO2→SiO2ことによって側壁保護膜を形成したときの様子を説明する。保護膜形成時の処理条件として、保護膜形成時間を10秒間、SF6ガスの供給流量を10sccm、Arガスの供給流量を60sccm、O2ガスの供給流量を600sccm、コイル31に供給する高周波電力を2500W、基台15に供給する電力を700W、処理チャンバ11内の圧力を3Paとし、続くエッチング時の処理条件として、エッチング時間を2秒間、SF6ガスの供給流量を10sccm、Arガスの供給流量を60sccm、コイル31に供給する高周波電力を2500W、基台15に供給する電力を700W、処理チャンバ11内の圧力を3Paに設定した。この結果、得られたSiCのエッチング深さは、1.05μmであった。これに対して、SiO2マスクは初期膜厚が2.0μmであり、エッチング後の残り膜厚は0.94μmとなった。つまり、SiO2マスクのエッチング量は、2.0μm-0.94μm=1.06μmであり、SiCとSiO2マスクとは略同量エッチングされることがわかった。換言すれば、対SiO2マスク選択比1.05/1.06は略1であった。このように、SiCエッチング時に自然に生じるSiと、O2とを反応させることによって側壁保護膜を形成したのでは、対SiO2マスク選択比の値が悪すぎるため対SiO2マスク選択比は略1、図6に示されるように、SiC基板Kをエッチングして穴Hを形成する際に、SiO2マスクMは、原型をとどめないほどにエッチングされてしまうことがわかる。次に、本願発明者らは、予備実験として、穴Hを有するトレンチ形状のSiC基板Kに、外部からSiCl4ガスを供給することによりSiCl4O2→SiO22Cl2、SiC基板K上にどのように保護膜SSiO2が堆積するかを調べた。保護膜形成時の処理条件として、保護膜形成時間を30秒間、SiCl4ガスの供給流量を5sccm、O2ガスの供給流量を200sccm、コイル31に供給する高周波電力を1500W、基台15に供給する電力を0W、処理チャンバ11内の圧力を3Paに設定した。この結果、トレンチ天井部の表面に堆積したSiO2膜の膜厚は0.19μm、トレンチ側壁部の表面に堆積したSiO2膜の膜厚は測定限界以下、トレンチ底部の表面に堆積したSiO2膜の膜厚は0.03μmとなった。この様子を示した模式図が図7であり、トレンチ天井部の表面と比較すると、トレンチ底部の表面におけるSiO2膜の堆積膜厚は極めて薄いことがわかる。上記のように、SiO2膜を不均一の厚さに堆積させた状態でエッチング処理を施すとどのようなエッチング構造が得られるかを調べるために、次の処理条件で、保護膜形成処理からエッチング処理を連続して行った。保護膜形成時の処理条件は、保護膜形成時間を5秒間、SiCl4ガスの供給流量を5sccm、O2ガスの供給流量を200sccm、コイル31に供給する高周波電力を1500W、基台15に供給する電力を0W、処理チャンバ11内の圧力を3Paに設定し、続くエッチング時の処理条件は、エッチング時間を10秒間、SF6ガスの供給流量を10sccm、Arガスの供給流量を60sccm、コイル31に供給する高周波電力を2500W、基台15に供給する電力を700W、処理チャンバ11内の圧力を4Paに設定した。この結果を図8に模式的に示す。同図中、一点鎖線下側のSiC領域とは、SiC基板Kが露出している領域のことであり、一点鎖線上側のSiO2領域とは、SiC基板Kの表面に設けたSiO2マスクおよびその後堆積したSiO2膜が覆っている領域のことである。同図に示されるように、トレンチ天井部の表面に厚いSiO2膜が形成された傘状の部分はほとんどエッチングされずに残る一方、保護膜としてのSiO2膜があまり堆積していなかった側壁は抉られるような、歪な形状でエッチングされている様子がわかる。このとき、SiCのエッチング深さは2.04μmであった。これに対して、SiO2マスクは、初期膜厚が1.95μm、エッチング後の残り膜厚が2.04μmエッチング後の膜厚は初期より厚くなったであり、SiCとSiO2マスクとの選択比は無限大となった。しかしながら、図8のようなエッチング構造では、側壁のエッチング形状が歪んでおり、形状精度が悪いため、内部に絶縁膜や電極を埋め込む際に巣が発生して側壁の膜厚が不均一になり易く、漏電の原因となるなど製品不良を招く。このため、マスク選択比が高いとしても実用的なエッチング構造とは言えない。そこで、本願発明者らは、鋭意研究の結果、SF6ガスとSiCl4ガスとを同時に供給することにより、SiCエッチング時に自然に生じるSiとO2との反応によるSiO2堆積と、SiCl4ガスの供給によるSiO2堆積とを並行して進め、マスク選択比の向上とエッチング構造の形状改善とを図ることに成功した。具体的には、保護膜形成時の処理条件として、保護膜形成時間を3秒間、SF6ガスの供給流量を5sccm、SiCl4ガスの供給流量を5sccm、O2ガスの供給流量を600sccm、コイル31に供給する高周波電力を1000W、基台15に供給する電力を700W、処理チャンバ11内の圧力を1.5Paとし、続くエッチング時の処理条件として、エッチング時間を6秒間、SF6ガスの供給流量を10sccm、Arガスの供給流量を60sccm、コイル31に供給する高周波電力を2500W、基台15に供給する電力を700W、処理チャンバ11内の圧力を4Paに設定した。この結果を図9に模式的に示す。同図中、一点鎖線下側のSiC領域とは、SiC基板Kが露出している領域のことであるのに対し、一点鎖線上側のSiO2領域とは、SiC基板Kの表面をSiO2膜が覆っている領域のことである。同図に示されるように、ボウイング形状やサブトレンチのない良好な形状のエッチング構造が得られていることがわかる。このとき、SiCのエッチング深さは、1.03μmであったのに対し、マスクは初期膜厚が1.95μm、エッチング後の残り膜厚は1.89μmであった。すなわち、マスクのエッチング量は1.95μm-1.89μm=0.06μmであり、対SiO2マスク選択比1.03/0.06は約17.2であった。このように、SF6ガスとSiCl4ガスとを同時に供給することにより、SiCエッチング時に自然に生じるSiとO2との反応によるSiO2堆積と、SiCl4ガスの供給によるSiO2堆積とを並行して進め、マスク選択比の向上とエッチング構造の形状改善とを同時に実現することができる。図6から図9の実施例における処理条件を表にまとめたものが図10である。更に、上例では、O2ガスを処理チャンバ11内に供給し、酸化シリコン膜を保護膜として形成するようにしたが、O2ガスに代えてN2ガスを処理チャンバ11内に供給し、窒化シリコン例えば、SiNx膜を保護膜として形成するようにしても良い。また、エッチング対象基板Kとして、4H-SiCの結晶構造を持つ炭化珪素基板を一例に挙げたが、エッチング対象基板Kは、4H-SiC以外の結晶構造を持つ炭化珪素基板であっても良い。更に、上例では、前記エッチング装置1を用いて本発明に係るエッチング方法を実施したが、このエッチング方法の実施には、他の構造を備えたエッチング装置を用いても良い。この他、上例で用いたフッ素系ガスSF6ガスに代えて、例えば、Cl2ガスやBCl3ガス、CCl4ガス、SiCl4ガスなどの塩素系ガスを用いても上述した効果と同一の効果を得ることができるため、このような塩素系ガスを用い、上記と同様にして炭化珪素基板Kをエッチングするようにしても良い。"