"基板上に、露光光を反射する多層反射膜を有する多層反射膜付き基板であって、前記基板を挟んで前記多層反射膜と反対側に、前記基板の少なくとも周縁部を除く領域に導電膜が形成されていることを特徴とする多層反射膜付き基板。基板上に、露光光を反射する多層反射膜を有する多層反射膜付き基板であって、前記基板を挟んで前記多層反射膜と反対側に、導電膜が形成され、該導電膜表面は、実質的に酸素Oを含まない金属窒化膜であることを特徴とする多層反射膜付き基板。前記導電膜は金属窒化膜であることを特徴とする請求項2記載の多層反射膜付き基板。基板上に、露光光を反射する多層反射膜を有する多層反射膜付き基板であって、前記基板を挟んで前記多層反射膜と反対側に、金属を含む材料からなる導電膜が形成され、該導電膜を形成する材料は導電膜の膜厚方向で組成が異なっており、前記導電膜のうち前記基板側には、窒素Nを含み、前記導電膜のうち表面側には、酸素O及び炭素Cの少なくとも何れか一方を含むことを特徴とする多層反射膜付き基板。前記基板はガラス基板であり、前記金属は、クロムCr、タンタルTa、モリブデンMo、珪素Siのうちから選ばれる少なくとも一種の材料であることを特徴とする請求項1乃至4の何れかに記載の多層反射膜付き基板。前記導電膜にヘリウムHeが含まれていることを特徴とする請求項1乃至5の何れかに記載の多層反射膜付き基板。請求項1乃至6の何れかに記載の多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、露光光を吸収する吸収体膜が少なくとも形成されていることを特徴とする露光用反射型マスクブランクス。請求項7記載の反射型マスクブランクスにおける前記吸収体膜に転写パターンとなる吸収体膜パターンが形成されていることを特徴とする露光用反射型マスク。基板上に、該基板の少なくとも周縁部を除く領域に導電膜を形成した導電膜付き基板を準備する工程と、該導電膜付き基板の前記導電膜が形成された側を静電チャックにより保持し、前記基板を挟んで前記導電膜と反対側に、露光光を反射する多層反射膜を形成する工程と、を有することを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。前記多層反射膜は、静電チャックにより保持された前記導電膜付き基板を多層反射膜成膜用のスパッタターゲット面に対し対向した状態で回転させながらスパッタ成膜することを特徴とする請求項9記載の多層反射膜付き基板の製造方法。請求項9又は10記載の多層反射膜付き基板の製造方法により得られた多層反射膜付き基板の前記多層反射膜上に、露光光を吸収する吸収体膜を形成する工程を有することを特徴とする露光用反射型マスクブランクスの製造方法。請求項11記載の露光用反射型マスクブランクスの製造方法により得られた反射型マスクブランクスの前記吸収体膜に転写パターンとなる吸収体膜パターンを形成することを特徴とする露光用反射型マスクの製造方法。しかし、特許文献1に記載されたマスク基板は、図3aを参照するとわかるように、基板1の裏面の全面、つまり基板1の一主表面11bだけでなく、その周縁部である面取面12及び側面13にも例えば上記CrONの導電膜2を形成しているので、以下の問題点がある。第1に、ガラス基板に対してCrON膜の付着力が弱いので、基板を静電チャックして上記イオンビームスパッタリングにより多層反射膜を形成する際に、ガラス基板とCrON膜との間で膜剥れが生じてパーティクルが発生する。特に、静電チャック50との境界近傍では、基板回転による静電チャック50との境界近傍に加わる力が原因で、膜剥れが発生しやすい。また第2に、基板1の面取面12と側面13を含む片面全面に導電膜2が形成されているので、とりわけ基板1の面取面12と側面13は、面取面12と側面13に導電膜が斜めに形成されることによる膜付着力が特に弱い状況において、静電チャック時の基板の反りなどにより、膜剥れが発生しやすい。また第3に、CrONの導電膜2の表面には酸素Oが含まれているので、成膜条件によっては多層反射膜や吸収体膜の成膜時に異常放電が起きることがある。このような静電チャック時成膜時に導電膜の膜剥れや、成膜時の異常放電によるパーティクルが発生すると、製品多層反射膜付き基板、露光用反射型マスクブランクス、露光用反射型マスクにおける欠陥が多く、高品質の製品が得られない。従来の露光用透過型マスクを用いたパターン転写の場合には、露光光の波長が紫外域150~247nm程度と比較的長いため、マスク面に凹凸欠陥が生じても、これが重大な欠陥とまではなりにくく、そのため従来では成膜時のパーティクルの発生は課題としては格別認識されていなかった。しかしながら、EUV光のような短波長の光を露光光として用いる場合には、マスク面上の微細な凹凸欠陥があっても、転写像への影響が大きくなるため、パーティクルの発生は無視できない。上述の静電チャック時の導電膜の膜剥れや、成膜時の異常放電によるパーティクル発生という課題があることを、本発明者は鋭意研究の結果、新たに見い出したものである。そこで、本発明の目的は、第1に、導電膜を設けた基板の静電チャック時の導電膜の膜剥れや異常放電によるパーティクルの発生を抑制した多層反射膜付き基板及びその製造方法を提供することであり、第2に、パーティクルによる表面欠陥の少ない高品質の露光用反射型マスクブランクス及びその製造方法を提供することであり、第3に、パーティクルによるパターン欠陥のない高品質の露光用反射型マスク及びその製造方法を提供することである。本発明は、上記課題を解決するため、以下の構成を有する。構成1基板上に、露光光を反射する多層反射膜を有する多層反射膜付き基板であって、前記基板を挟んで前記多層反射膜と反対側に、前記基板の少なくとも周縁部を除く領域に導電膜が形成されていることを特徴とする多層反射膜付き基板。構成1によれば、基板を挟んで多層反射膜と反対側に、基板の少なくとも周縁部を除く領域に導電膜を形成し、基板の少なくとも面取面と側面には導電膜が形成されていないため、基板の周縁部にも導電膜を形成した場合の周縁部の膜剥れによるパーティクルの発生を防止することが出来る。従って、例えば静電チャック時に基板の反りが生じても、基板周縁部からのパーティクルの発生を防止することが出来る。なお、上記基板の周縁部とは、本発明においては、多層反射膜が形成される基板の主表面と直交して設けられた基板の側面及び、主表面と側面の間に設けられた面取面をいうものとする。構成2基板上に、露光光を反射する多層反射膜を有する多層反射膜付き基板であって、前記基板を挟んで前記多層反射膜と反対側に、導電膜が形成され、該導電膜表面は、実質的に酸素Oを含まない金属窒化膜であることを特徴とする多層反射膜付き基板。構成2によれば、静電チャック時に接触する導電膜表面を実質的に酸素Oを含まない金属窒化膜とすることにより、多層反射膜や吸収体膜の成膜の際、異常放電の発生を防止することが出来るので、多層反射膜や吸収体膜へのパーティクルの発生を防止することが出来る。構成3前記導電膜は金属窒化膜であることを特徴とする構成2記載の多層反射膜付き基板。構成3によれば、導電膜全体を金属窒化膜としているので、基板に対する導電膜の密着力が向上し、導電膜の膜剥れも防止できるので、膜剥れによるパーティクルの発生を防止することができる。構成4基板上に、露光光を反射する多層反射膜を有する多層反射膜付き基板であって、前記基板を挟んで前記多層反射膜と反対側に、金属を含む材料からなる導電膜が形成され、該導電膜を形成する材料は導電膜の膜厚方向で組成が異なっており、前記導電膜のうち前記基板側には、窒素Nを含み、前記導電膜のうち表面側には、酸素O及び炭素Cの少なくとも何れか一方を含むことを特徴とする多層反射膜付き基板。構成4によれば、基板を挟んで多層反射膜と反対側に、金属を含む材料からなる導電膜であって、該導電膜を形成する材料はその膜厚方向で組成が異なっており、導電膜の基板側には、窒素Nを含み、表面側には、酸素O及び炭素Cの少なくとも何れか一方を含む導電膜を形成しているので、基板に対する導電膜の密着力並びに静電チャックと基板との密着力の双方を向上させ、導電膜の膜剥れによるパーティクルの発生、或いは、静電チャックと基板との密着力不足により生じる静電チャックと基板との擦れによるパーティクルの発生を防止することが出来る。また、基板回転による静電チャックの境界近傍に加わる力が原因で発生する導電膜の膜剥れも防止できるので、パーティクルの発生を防止することができる。ここで、導電膜の基板側に窒素Nが含まれていることにより、基板に対する導電膜の密着力が向上して導電膜の膜剥れを防止し、さらに導電膜の膜応力が低減されるので、静電チャックと基板との密着力を大きくすることが出来る。また、導電膜の表面側に、酸素O及び炭素Cの少なくとも何れか一方が含まれていることにより、導電膜表面が適度に荒れ、静電チャック時の静電チャックと基板との密着力が大きくなり、静電チャックと基板との間で発生する擦れを防止できる。なお、酸素Oを含む場合、導電膜表面の表面粗さが適度に荒れる表面粗さが大きくなることにより、静電チャックと基板との密着力が向上する。また、炭素Cを含む場合、導電膜の比抵抗を低減することができるので、静電チャックと基板との密着力が向上する。また、上記導電膜の膜材料は、基板に対する密着力が大きいため、基板の周縁部、つまり基板の面取面や側面に形成された導電膜であっても膜剥れを抑制することができる。構成5前記基板はガラス基板であり、前記金属は、クロムCr、タンタルTa、モリブデンMo、珪素Siのうちから選ばれる少なくとも一種の材料であることを特徴とする構成1乃至4の何れかに記載の多層反射膜付き基板。構成5によれば、基板材料がガラスの場合、導電膜を構成する金属の材料は、クロムCr、タンタルTa、モリブデンMo、珪素Siのうちから選ばれる少なくとも一種の材料とすることにより、基板に対する密着力が良いので、膜剥れを防止し、膜剥れによるパーティクルの発生を防止できる。構成6前記導電膜にヘリウムHeが含まれていることを特徴とする構成1乃至5の何れかに記載の多層反射膜付き基板。構成6によれば、導電膜にヘリウムHeが含まれていることにより、導電膜の膜応力がさらに低減するとともに、導電膜表面を更に適度に荒らすことが出来るので、静電チャックと基板との密着力をより向上することができ、パーティクルの発生を防止する。構成7構成1乃至6の何れかに記載の多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、露光光を吸収する吸収体膜が少なくとも形成されていることを特徴とする露光用反射型マスクブランクス。構成7によれば、構成1乃至6の何れかに記載の多層反射膜付き基板を使用し、その上に露光光を吸収する吸収体膜を形成して露光用反射型マスクブランクスとしているので、パーティクルによる表面欠陥の極めて少ない露光用反射型マスクブランクスとなる。なお、上記吸収体膜と多層反射膜との間に、吸収体膜へのパターン形成時に多層反射膜を保護するためのエッチングストッパー機能を有するバッファ膜を設けることができる。構成8構成7記載の反射型マスクブランクスにおける前記吸収体膜に転写パターンとなる吸収体膜パターンが形成されていることを特徴とする露光用反射型マスク。構成8によれば、構成7記載の反射型マスクブランクスを使用し、その吸収体膜にパターンを形成して露光用反射型マスクとしているので、パーティクルによるパターン欠陥の無い露光用反射型マスクとなる。構成9基板上に、該基板の少なくとも周縁部を除く領域に導電膜を形成した導電膜付き基板を準備する工程と、該導電膜付き基板の前記導電膜が形成された側を静電チャックにより保持し、前記基板を挟んで前記導電膜と反対側に、露光光を反射する多層反射膜を形成する工程と、を有することを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。構成9によれば、基板の少なくとも周縁部を除く領域に導電膜を形成した導電膜付き基板を使用し、この導電膜付き基板を静電チャックにより保持し、基板の導電膜と反対側に多層反射膜を形成することにより、静電チャック時の基板周縁部からのパーティクルの発生を防止することが出来るので、パーティクルによる表面欠陥の無い多層反射膜付き基板を得ることができる。構成10前記多層反射膜は、静電チャックにより保持された前記導電膜付き基板を多層反射膜成膜用のスパッタターゲット面に対し対向した状態で回転させながらスパッタ成膜することを特徴とする構成9記載の多層反射膜付き基板の製造方法。構成10によれば、多層反射膜は、静電チャックにより保持された構成9の導電膜付き基板を多層反射膜成膜用のスパッタターゲット面に対し対向した状態で回転させながらスパッタ成膜するので、多層反射膜が基板面内において均一な膜厚分布を有するように形成される。また、静電チャック時のパーティクルの発生を防止することが出来るので、パーティクルによる表面欠陥の無い多層反射膜付き基板を得ることができる。構成11構成9又は10記載の多層反射膜付き基板の製造方法により得られた多層反射膜付き基板の前記多層反射膜上に、露光光を吸収する吸収体膜を形成する工程を有することを特徴とする露光用反射型マスクブランクスの製造方法。構成11によれば、構成9又は10によって得られた多層反射膜付き基板を使用し、その上に露光光を吸収する吸収体膜を形成して露光用反射型マスクブランクスを製造するので、パーティクルによる表面欠陥の極めて少ない露光用反射型マスクブランクスを得ることが出来る。構成12構成11記載の露光用反射型マスクブランクスの製造方法により得られた反射型マスクブランクスの前記吸収体膜に転写パターンとなる吸収体膜パターンを形成することを特徴とする露光用反射型マスクの製造方法。構成12によれば、構成11によって得られた露光用反射型マスクブランクスを使用し、その吸収体膜にパターンを形成して露光用反射型マスクを製造するので、パーティクルによるパターン欠陥の無い露光用反射型マスクを得ることが出来る。本発明によれば、導電膜を設けた基板の静電チャック時の導電膜の膜剥れや異常放電によるパーティクルの発生を防止できるので、静電チャックにより保持された基板上に露光光を反射する多層反射膜を形成することにより、パーティクルよる表面欠陥のない多層反射膜付き基板が得られる。また、本発明によれば、上述の多層反射膜付き基板を用いて、多層反射膜上に露光光を吸収する吸収体膜を形成することにより、パーティクルによる表面欠陥の極めて少ない高品質の露光用反射型マスクブランクスが得られる。さらに、本発明によれば、上述の露光用反射型マスクブランクスを用いて、その吸収体膜に転写パターンとなる吸収体膜パターンを形成することにより、パーティクルによるパターン欠陥のない高品質の露光用反射型マスクが得られる。以下、本発明の実施の形態を詳述する。本発明の多層反射膜付き基板の第1の実施の形態は、基板上に露光光を反射する多層反射膜を有し、前記基板を挟んで前記多層反射膜と反対側に、前記基板の少なくとも周縁部を除く領域に導電膜が形成されている多層反射膜付き基板である。この多層反射膜付き基板は、図1に示すように、基板1上に、該基板1の少なくとも周縁部を除く領域に導電膜2を形成した導電膜付き基板同図a参照を準備し、基板1を挟んで導電膜2と反対側に多層反射膜3を形成することによって得られる同図b参照。多層反射膜3は、上記導電膜付き基板の導電膜2が形成された側を静電チャックにより保持し、静電チャックにより保持された上記導電膜付き基板を多層反射膜成膜用のスパッタターゲット面に対し対向した状態で回転させながらスパッタ成膜することによって形成することができる。基板1としては、ガラス基板が好ましく用いられるので、基板上に導電膜2を形成することにより、低電圧で良好な静電チャック力が得られる。本発明では、基板1の少なくとも周縁部を除く領域に導電膜2を形成しているので、静電チャック時の基板周縁部からのパーティクルの発生を防止することが出来、これによりパーティクルによる表面欠陥の無い多層反射膜付き基板10が得られる。上述のように、本発明では、基板1の少なくとも周縁部を除く領域に導電膜2を形成するので、図3bを参照するとわかるように、基板1の面取面12及び側面13を除く、基板1の一主表面11bの全面に導電膜2を形成することができる。また、基板1の側面13から所定の長さWだけ内側の領域を除いた基板1の一主表面11b上に導電膜2を形成してもよい。この場合の所定の長さWは、基板1のサイズや、静電チャック面の大きさ面積等を考慮して適宜設定することが出来るが、概ね3cmを超えない範囲である。勿論、基板1の面取面12には導電膜2が形成されないので、所定の長さWの下限は、基板1の側面13から一主表面11bの端縁までの長さLである。また、本発明の多層反射膜付き基板の第2の実施の形態は、基板上に露光光を反射する多層反射膜を有し、前記基板を挟んで前記多層反射膜と反対側に、導電膜が形成され、該導電膜表面は実質的に酸素を含まない金属窒化膜からなる多層反射膜付き基板である。このような材料からなる導電膜を基板上に形成することで、多層反射膜や吸収体膜の成膜の際、異常放電の発生を防止することができるので、多層反射膜や吸収体膜へのパーティクルの発生を防止することができる。また、導電層全体を金属窒化膜とすることにより、基板に対する導電膜の密着力が向上するので、静電チャック時の導電膜の膜剥れも防止でき、膜剥れによるパーティクルの発生を防止することができる。上記導電膜の膜材料は、基板に対する密着力が大きいため、基板の周縁部、つまり基板の面取面及び側面に導電膜を形成しても膜剥れを起こし難い。但し、基板周縁部からのパーティクル発生をより確実に防止する観点からは、基板の周縁部を除く領域に上記膜材料の導電膜を形成することが好ましい。また、本発明の多層反射膜付き基板の第3の実施の形態は、基板上に露光光を反射する多層反射膜を有し、前記基板を挟んで前記多層反射膜と反対側に、金属を含む材料からなる導電膜が形成され、該導電膜を形成する材料は導電膜の膜厚方向で組成が異なっており、該導電膜のうち基板側には窒素Nを含み、表面側には酸素O及び炭素Cの少なくとも何れか一方を含む多層反射膜付き基板である。このような材料からなる導電膜を基板上に形成することで、基板に対する導電膜の密着力並びに静電チャックと基板との密着力の両方を向上できるため、導電膜の膜剥れによるパーティクルの発生、或いは、静電チャックと基板との密着力不足により生じる静電チャックと基板との擦れによるパーティクルの発生を防止することが出来る。上記導電膜の膜材料は、基板に対する密着力が大きいため、基板の周縁部、つまり基板の面取面及び側面に導電膜を形成しても膜剥れを起こし難い。但し、基板周縁部からのパーティクル発生をより確実に防止する観点からは、基板の周縁部を除く領域に上記膜材料の導電膜を形成することが好ましい。上記基板材料がガラスである場合、上記金属は、クロムCr、タンタルTa、モリブデンMo、珪素Siのうちから選ばれる少なくとも一種の材料であることが好ましい。特に、好ましい材料は、クロムCrである。上記金属がクロムCrの場合、上記クロムCrを含む材料であって、更に窒素Nを含むものとしては、例えば、CrN,CrCN等が挙げられる。この場合、窒素Nの含有量は、1~60atが好ましい。特に、CrNの場合、窒素Nの好ましい含有量は、40~60atである。この範囲内でクロムCrを含む材料に窒素Nを含有することにより、基板に対する導電膜の密着力が向上し、導電膜の膜応力が低減されるので、静電チャックと基板との密着力を大きくすることが出来る。また、上記導電膜表面が実質的に酸素を含まないクロム窒化膜例えば、CrN、CrCNの場合、多層反射膜や吸収体膜の成膜時に異常放電の発生を防止することができる。また、上記クロムCrを含む材料であって、酸素O及び炭素Cの少なくとも何れか一方を含むものとしては、例えば、CrC,CrON等が挙げられる。この場合、酸素Oの含有量は、0.1~50atが好ましく、炭素Cの含有量は、0.1~10atが好ましい。この範囲内で酸素Oを含有することにより、導電膜表面の表面粗さが適度に大きくなり、静電チャックと基板との密着力を向上することができる。また、炭素Cをこの範囲内で含有することにより、導電膜の比抵抗を低減することができ、静電チャックと基板との密着力を向上することができる。上記金属がタンタルTaの場合は、例えば、TaN、TaBN等が挙げられる。また、上記金属がモリブデンMoや珪素Siの場合は、例えば、MoN、SiN、MoSiN等が挙げられる。この場合、窒素Nの含有量は、10~60atが好ましい。特に、TaNの場合、窒素Nの好ましい含有量は、5~50atである。上述と同様、この範囲内でタンタルTa、モリブデンMo、珪素Siを含む材料に窒素Nを含有することにより、基板に対する導電膜の密着力が向上し、導電膜の膜応力が低減されるので、静電チャックと基板との密着力を大きくすることが出来る。基板上に上記導電膜を形成するための成膜方法は特に限定されないが、例えば反応性スパッタリングを好適に用いることが出来る。上記導電膜を形成するCrを含む材料が、導電膜の膜厚方向で組成が異なり、導電膜のうち基板側には窒素Nを含み、表面側には酸素O及び炭素Cの少なくとも何れか一方を含むように導電膜を形成する方法としては、たとえば、導電膜のスパッタ成膜中に、添加ガスの種類の変更、スパッタターゲットの変更或いは切替、投入電圧印加電圧の変更などの手段を適宜実施する方法が挙げられる。この場合、導電膜に含まれる元素が基板側から導電膜表面に向かって連続的に変化していることが好ましい。導電膜に含まれる元素が基板側から導電膜表面に向かって連続的に変化しているので、組成傾斜により、基板に対する導電膜の密着力及び静電チャックと基板との密着力を向上することが出来る。また、上記導電膜を、異なる材料の積層膜で形成することも好ましい実施形態である。このような実施形態としては、例えば、導電膜を、基板側から順に、CrN/CrC/CrONやCrN/CrCN/CrONの3層構造の積層膜で形成する。この場合、導電膜はクロムCrを含むとともに、その基板側には窒素Nを含み、表面側には酸素Oを含んでいる。勿論、積層膜はこのような3層構造に限定される必要は無く、例えば、CrCN/CrONのような2層でも、或いは、4層以上でも構わない。導電膜を異なる材料の積層膜で形成する場合、その材料の組合せによって、導電膜を構成する各層の界面における膜応力を低減でき、静電チャックと基板との密着力を大きくすることができる。また、導電膜を構成する各層の密着力を向上させて、膜剥れを抑制することが出来る。また、上記導電膜にヘリウムHeが含まれていることも好ましい実施形態である。導電膜にヘリウムHeが含まれていることにより、導電膜の膜応力がさらに低減するとともに、導電膜表面を更に適度に荒らすことが出来るので、静電チャックと基板との密着力をより向上することができ、パーティクルの発生を好ましく防止することができる。ヘリウムHeは導電膜の全体に含まれていてもよいし、導電膜の一部の層或いは領域に含まれていてもよい。ところで、基板の少なくとも周縁部を除く領域に上記導電膜を形成する方法としては、例えば、導電膜の成膜時に、成膜粒子が基板の周縁部には堆積しないように基板の少なくとも周縁部をマスキングする覆う保持具を用いて、基板上に導電膜をスパッタ成膜する方法が挙げられる。このような保持具の一例を図5乃至図7を参照して説明する。図5は同保持具の平面図、図6は図5のA部の拡大斜視図、図7は図6のVII-VII線断面図である。保持具60は、四隅部が面取りされた方形のプレート61を備えている。プレート61は、例えば図5に示すような4×3のマトリックス状に形成された合計12個の基板用開口62を有している。基板用開口62は全て同一の大きさで、保持具60に挿入する基板1より若干大きい方形に形成されている。また、基板用開口62の内側面には四隅部を除く全周にわたって張出部63が内側に向かって一体に突設され、その上面が基板1の周縁部のマスキング面64を形成している。なお、図5に示すように各列の基板用開口62は、リブ65によってそれぞれ仕切られているが、該リブ65は上記張出部63の2倍の幅を有し、その上面が前後に隣接して配置される各基板1に対して共通のマスキング面を形成している。勿論、張出部63のマスキング面64とリブ65の上記マスキング面とは同一平面を形成する。上記基板用開口62の四隅部に設けられ基板1の角部を保持する保持部70は、図6及び図7に示すように、平面視形状が頂部を円弧状とされる略二等辺三角形で、断面形状が楔形をなす板状体に形成されている。保持部70の上面は、その外側端縁部72より内側端縁部73の長手方向中央部73aに向かって徐々に板厚が減少するようすり鉢状に傾斜する傾斜面74となっている。この傾斜面74の傾斜角度θは2~3度で、外側端縁部72は前記張出部63のマスキング面64よりは高く、また内側端縁部73の最も低い中央部73aにおいても、その高さは上記マスキング面64よりも高いか略等しいように形成されている。従って、基板1の各角部1Aを上記保持部70に載置すると、各角部1Aは図7に示すように前記外側端縁部72の上縁と線接触した状態で支持され、前記張出部63のマスキング面64との間に適当な隙間が出来た状態で支持される。なお、保持部70の外側には、基板1の角部1Aの両側面を支持する支持壁面75a,75bと、加工逃げ部76が形成されている。この加工逃げ部76は支持壁面75a,75b間に設けられている。また、保持部70の内側端縁部73の両端73bは、前記張出部63の側端の幅方向略中央に位置している。従って、基板1の側面は、前記保持部70によって支持される各角部1Aにおいて基板用開口62の内壁面に当接し得るだけで、その以外の側面部分は上記内壁面に当接することがない。また、図5に示す保持具60のB部は、リブ65を介してその両側に基板用開口62があること以外は、上述のA部及びその保持部70と略同様の構成であるため説明を省略する。このような構造からなる保持具60において、基板1を各基板用開口62に挿入すると、その角部1Aが前記保持部70の上面外側端縁部72に線接触状態で支持され、且つ、角部1A付近の両側面が保持部70外側の支持壁面75a,75bに当接して位置決めされる。この状態で、例えば図7の下方からスパッタ成膜すると、基板1の少なくとも周縁部は上記張出部63によって覆われているので、基板1の少なくとも周縁部を除く領域に前記導電膜が形成される。なお、上記張出部63の突出幅によって、基板1の少なくとも周縁部を除く導電膜を形成する領域を調節することが出来る。上述した基板の少なくとも周縁部を成膜時にマスキングするための保持具はあくまでも一例であって、本発明はこのような保持具を用いて導電膜を形成する実施の形態には限定されない。また、基板上に形成される導電膜の膜厚は特に限定されないが、通常、10~500nm程度の範囲が適当である。基板材料としては、ガラス基板を好ましく用いることが出来る。ガラス基板は良好な平滑性と平坦度が得られ、特にマスク用基板として好適であるものの、導電率が低いため、基板を静電チャックにより保持するには高電圧が必要で、絶縁破壊を起こす恐れがあるが、本発明のように、基板の静電チャック側に導電膜を形成することで、低電圧でも十分なチャック力が得られる。ガラス基板材料としては、低熱膨張係数を有するアモルファスガラス例えばSiO2-TiO2系ガラス等、石英ガラス、β石英固溶体を析出した結晶化ガラス等が挙げられる。基板は0.2nmRms以下の平滑な表面と100nm以下の平坦度を有していることが高反射率および転写精度を得るために好ましい。尚、本発明において平滑性を示す単位Rmsは、二乗平均平方根粗さであり、原子間力顕微鏡で測定することができる。又本発明における平坦度は、TIRで示される表面の反り変形量を示す値である。これは、基板表面を元に最小二乗法で定められる平面を焦平面としたとき、この焦平面より上にある基板表面の最も高い位置と、焦平面より下にある最も低い位置の高低差の絶対値である。平滑性は10μm角エリアでの平滑性、平坦度は142mm角エリアでの平坦度で示している。上記導電膜とは反対側の基板上に形成する多層反射膜は、屈折率の異なる材料を交互に積層させた構造をしており、特定の波長の光を反射することが出来る。例えば13~14nmのEUV光に対する反射率が高い、MoとSiを交互に40周期程度積層したMo/Si多層反射膜が挙げられる。EUV光の領域で使用されるその他の多層反射膜の例としては、RuSi周期多層反射膜、MoBe周期多層反射膜、Mo化合物Si化合物周期多層反射膜、SiNb周期多層反射膜、SiMoRu周期多層反射膜、SiMoRuMo周期多層反射膜、SiRuMoRu周期多層反射膜などが挙げられる。これらの多層反射膜を基板上に形成した多層反射膜付き基板は、例えばEUV反射型マスクブランクス又はEUV反射型マスクにおける多層反射膜付き基板、或いはEUVリソグラフィーシステムにおける多層反射膜ミラーとして使用される。前述したように、多層反射膜は、静電チャックにより保持された上記導電膜付き基板を多層反射膜成膜用のスパッタターゲット面に対し対向した状態で回転させながらスパッタ成膜することによって形成することができ、例えば図4に示すようなイオンビームスパッタリング装置を使用して、多層反射膜をイオンビームスパッタにより形成することができる。図4の装置の構成については前述したので、ここでは説明を省略する。なお、成膜時のターゲット要因等によるパーティクル発生の防止の観点から、導電膜付き基板を垂直に向けた状態で成膜するのが好ましい。導電膜付き基板をこのような状態で、尚且つ回転させながら成膜するため、基板に対する導電膜の密着力や静電チャックと基板との密着力が弱いと、導電膜の膜剥れや、静電チャックと基板との擦れなどによるパーティクルが発生しやすいので、本発明は特に好適である。本発明による多層反射膜付き基板の多層反射膜上に、露光光を吸収する吸収体膜を形成することにより、露光用反射型マスクブランクスが得られる。必要に応じて、多層反射膜と吸収体膜の間に、吸収体膜へのパターン形成時のエッチング環境に耐性を有し、多層反射膜を保護するためのバッファ膜を有していてもよい。本発明によれば、上述の多層反射膜付き基板を使用して反射型マスクブランクスとしているので、パーティクルによる表面欠陥の極めて少ない反射型マスクブランクスを得ることが出来る。吸収体膜の材料としては、露光光の吸収率が高く、吸収体膜の下側に位置する膜通常バッファ膜或いは多層反射膜とのエッチング選択比が十分大きいものが選択される。例えば、Taを主要な金属成分とする材料が好ましい。この場合、バッファ膜にCrを主成分とする材料を用いれば、エッチング選択比を大きく10以上取ることができる。Taを主要な金属元素とする材料は、通常金属または合金である。また、平滑性、平坦性の点から、アモルファス状または微結晶の構造を有しているものが好ましい。Taを主要な金属元素とする材料としては、TaとBを含む材料、TaとNを含む材料、TaとBとOを含む材料、TaとBとNを含む材料、TaとSiを含む材料、TaとSiとNを含む材料、TaとGeを含む材料、TaとGeとNを含む材料等を用いることができる。TaにBやSiGe等を加えることにより、アモルファス状の材料が容易に得られ、平滑性を向上させることができる。また、TaにNやOを加えれば、酸化に対する耐性が向上するため、経時的な安定性を向上させることができるという効果が得られる。他の吸収体膜の材料としては、Crを主成分とする材料クロム、窒化クロム等、タングステンを主成分とする材料窒化タングステン等、チタンを主成分とする材料チタン、窒化チタン等を用いることができる。これらの吸収体膜は、通常のスパッタ法で形成する事が出来る。また、上記バッファ膜は、吸収体膜に転写パターンを形成する際に、エッチング停止層として下層の多層反射膜を保護する機能を有し、通常は多層反射膜と吸収体膜との間に形成される。なお、バッファ膜は必要に応じて設ければよい。バッファ膜の材料としては、吸収体膜とのエッチング選択比が大きい材料が選択される。バッファ膜と吸収体膜のエッチング選択比は5以上、好ましくは10以上、さらに好ましくは20以上である。更に、低応力で、平滑性に優れた材料が好ましく、とくに03nmRms以下の平滑性を有していることが好ましい。このような観点から、バッファ膜を形成する材料は、微結晶あるいはアモルファス構造であることが好ましい。一般に、吸収体膜の材料には、TaやTa合金等が良く用いられている。吸収体膜の材料にTa系の材料を用いた場合、バッファ膜としては、Crを含む材料を用いるのが好ましい。例えば、Cr単体や、Crに窒素、酸素、炭素の少なくとも1つの元素が添加された材料が挙げられる。具体的には、窒化クロムCrN等である。一方、吸収体膜として、Cr単体や、Crを主成分とする材料を用いる場合には、バッファ膜には、Taを主成分とする材料、例えば、TaとBを含む材料や、TaとBとNを含む材料等を用いることができる。このバッファ膜は、反射型マスク形成時には、マスクの反射率低下を防止するために、吸収体膜に形成されたパターンに従って、パターン状に除去してもよいが、バッファ膜に露光光の透過率の大きい材料を用い、膜厚を十分薄くすることが出来れば、パターン状に除去せずに、多層反射膜を覆うように残しておいてもよい。バッファ膜は、例えば、DCスパッタ、RFスパッタ、イオンビームスパッタ等のスパッタ法で形成することができる。以上のようにして得られる反射型マスクブランクスの吸収体膜に所定の転写パターンを形成することにより、露光用反射型マスクが得られる。吸収体膜へのパターン形成は、リソグラフィーの手法を用いて形成することができる。図2を参照して説明すると、まず、本発明による多層反射膜付き基板10図1b参照の多層反射膜3上に吸収体膜4を形成して得られた反射型マスクブランクス20図2a参照を準備する。次に、この反射型マスクブランクス20の吸収体膜4上にレジスト層を設け、このレジスト層にパターン描画、現像を行って所定のパターン5を形成する図2b参照。パターンの描画は、電子線による描画、露光による描画などが挙げられる。次に、このレジストパターン5をマスクとして、吸収体膜4にエッチングなどの手法でパターン4aを形成する。例えばTaを主成分とする吸収体膜の場合には、塩素ガスを含むドライエッチングを適用することが出来る。最後に、残存するレジストパターン5を除去して、図2cに示すように所定の吸収体膜パターン4aが形成された反射型マスク30が得られる。なお、以上の説明では、前述のバッファ層を設けていないが、上記吸収体膜4と多層反射膜3との間にバッファ膜を有する場合には、吸収体膜4にパターン4aを形成した後、必要に応じて、バッファ膜を吸収体膜パターン4aにしたがって除去し、多層反射膜を露出させてもよい。本発明によれば、上述の反射型マスクブランクスを使用して反射型マスクとしているので、パーティクルによるパターン欠陥のない反射型マスクが得られる。次に、実施例により本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。基板として、外形6インチ角、厚さが6.3mmの低膨張のSiO2-TiO2系のガラス基板を用意した。このガラス基板は、機械研磨により、0.12nmRmsの平滑な表面と100nm以下の平坦度を有している。次に、このガラス基板を前述の図5乃至図7に示す構造の保持具60の所定位置に載置し、インライン型スパッタリング装置により導電膜のスパッタ成膜を行った。まず、クロムターゲットを用いて、アルゴンArと窒素Nの混合ガス雰囲気Ar:72体積、N2:28体積、圧力0.3Pa中で反応性スパッタリングにより、膜厚15nmのCrN膜を形成し、次いで、クロムターゲットを用い、アルゴンとメタンの混合ガス雰囲気Ar:96.5体積、CH4:3.5体積、圧力0.3Pa中で反応性スパッタリングにより、膜厚25nmのCrC膜を形成し、最後に、クロムターゲットを用い、アルゴンと一酸化窒素の混合ガス雰囲気Ar:87.5体積、NO:12.5体積、圧力0.3Pa中で反応性スパッタリングにより、膜厚20nmのCrON膜を形成した。得られたCrN膜における窒素の含有量は20at、CrC膜における炭素の含有量は6at、CrON膜における酸素の含有量は45at、窒素の含有量は25atであった。以上のようにして、上記ガラス基板上に、基板側からCrN/CrC/CrONの3層構造の積層膜からなる導電膜を形成した。尚、本実施例では、上記保持具を用いて、基板側面から10mm内側つまり前述の図3bにおけるW=10mmに導電膜を形成した。次に、上記導電膜を形成した基板上の導電膜とは反対側に、多層反射膜として、露光波長13~14nmの領域の反射膜として適したMoとSiからなる交互積層膜を形成した。成膜方法は、前述の図4に示した構造のイオンビームスパッタリング装置を用い、上記導電膜付き基板の導電膜が形成された側を静電チャックにより保持し、静電チャックにより保持された上記導電膜付き基板を多層反射膜成膜用のスパッタターゲット面に対し対向した状態で垂直に立てて回転させながらスパッタ成膜した。まずSiターゲットを用いて、Si膜を4.2nm成膜し、その後、Moターゲットを用いて、Mo膜を2.8nm成膜し、これを1周期として40周期積層した後、最後にSi膜を4nm成膜した。合計膜厚は、284nmである。以上のようにして、得られた本実施例の多層反射膜付き基板の多層反射膜表面のパーティクル個数を測定したところ、0.05個/cm2であり、多層反射膜の成膜時におけるパーティクルの発生は殆ど起こらなかったことが判る。尚、上記パーティクルは、大きさが0.15μm以上のものとし、欠陥検査装置レーザーテック社製MAGICSM1320により測定した。次に、上記で得られた多層反射膜付き基板の多層反射膜上に、波長13~14nmの露光光に対する吸収体膜として、Taを主成分とし、BとNを含む膜を形成した。成膜方法は、Ta及びBを含むターゲットを用いて、Arに窒素を10添加して、DCマグネトロンスパッタ法によって行った。基板は静電チャックにより保持し、ターゲット面に対向させた状態で回転させながら成膜した。厚さは、露光光を十分に吸収できる厚さとして、70nmとした。成膜されたTaBN膜の組成比は、Taは0.8、Bは0.1、Nは0.1であった。以上のようにして、本実施例の反射型マスクブランクスが得られた。本実施例の反射型マスクブランクスの吸収体膜表面のパーティクル個数についても上記と同様にして測定したところ、0.1個/cm2であり、パーティクルによる表面欠陥の殆ど無い反射型マスクブランクスを得ることができた。次に、上記反射型マスクブランクスを用いて、その吸収体膜にパターンを形成し、デザインルールが0.07μmの16Gbit-DRAM用のパターンを有する反射型マスクを作製した。まず、上記反射型マスクブランクス上にEBレジストをコートし、EB描画と現像によりレジストパターンを形成した。次に、このレジストパターンをマスクとして、吸収体膜であるTaBN膜を塩素を用いてドライエッチングし、吸収体膜パターンを形成した。以上のようにして、本実施例の反射型マスクが得られた。前記欠陥検査装置でパターン欠陥を測定したところ、パーティクルによるパターン欠陥の無いことが判った。また、この反射型マスクを用いて半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、良好な転写像が得られた。本実施例は、基板上に形成する導電膜をCrCN/CrON膜の二層としたこと以外は、実施例1と同様にして多層反射膜付き基板を作製した。なお、CrON膜の成膜方法は実施例1と同様にし、CrCN膜の成膜は、クロムターゲットを用い、アルゴンとメタンと窒素の混合ガス雰囲気におけるメタンと窒素のガス流量を調整して行った。膜厚については60nmとした。得られたCrCN膜における炭素の含有量は8at、窒素の含有量は12atであった。また、実施例1と同様、基板側面から10mm内側に導電膜を形成した。得られた本実施例の多層反射膜付き基板の多層反射膜表面のパーティクル個数を測定したところ、1.0個/cm2であり、多層反射膜の成膜時におけるパーティクルの発生は殆ど起こらなかった。次に、上記で得られた多層反射膜付き基板の多層反射膜上に、実施例1と同様、波長13~14nmの露光光に対する吸収体膜として、TaBN膜を形成して反射型マスクブランクスを得た。本実施例の反射型マスクブランクスの吸収体膜表面のパーティクル個数は、1.5個/cm2であり、パーティクルによる表面欠陥の極めて少ない反射型マスクブランクスを得ることができた。次に、上記反射型マスクブランクスを用いて、実施例1と同様に、その吸収体膜にパターンを形成し、デザインルールが0.07μmの16Gbit-DRAM用のパターンを有する反射型マスクを作製した。得られた反射型マスクについて、パターン欠陥を測定したところ、パーティクルによるパターン欠陥が殆ど無いことが判った。また、この反射型マスクを用いて半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、良好な転写像が得られた。本実施例は、基板上に形成する導電膜を実施例1と同様のCrN/CrC/CrONの3層構成の積層膜とし、基板の一主表面並びに基板の面取面及び側面を含む片面全面に導電膜を形成した。この点以外は、実施例1と同様にして多層反射膜付き基板を作製した。得られた本実施例の多層反射膜付き基板の多層反射膜表面のパーティクル個数を測定したところ、10個/cm2であり、多層反射膜の成膜時におけるパーティクルの発生は少なかった。本実施例では、基板の面取面及び側面にも導電膜を形成しているものの、上記積層膜による導電膜は基板に対する密着力が大きいため、基板周縁部でのパーティクルの発生を抑制することができた。次に、上記で得られた多層反射膜付き基板の多層反射膜上に、実施例1と同様、波長13~14nmの露光光に対する吸収体膜として、TaBN膜を形成して反射型マスクブランクスを得た。本実施例の反射型マスクブランクスの吸収体膜表面のパーティクル個数は、13個/cm2であり、パーティクルによる表面欠陥の発生を低減した反射型マスクブランクスを得ることができた。次に、上記反射型マスクブランクスを用いて、実施例1と同様に、その吸収体膜にパターンを形成し、デザインルールが0.07μmの16Gbit-DRAM用のパターンを有する反射型マスクを作製した。得られた反射型マスクについて、パターン欠陥を測定したところ、問題となるようなパーティクルによるパターン欠陥は非常に少ないことが判った。また、この反射型マスクを用いて半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、良好な転写像が得られた。本実施例では、基板上に形成する導電膜を実施例1と同様のCrN/CrC/CrONの3層構成の積層膜としたが、2層目のCrC膜の成膜は、アルゴンとメタンの混合ガスに更にヘリウムHeガスを添加して行った。混合ガス中に含まれるヘリウムガスの含有量は60体積、メタンガスの含有量は10体積とした。また実施例3と同様に基板の一主表面並びに基板の面取面及び側面を含む片面全面に導電膜を形成した。これらの点以外は、実施例1と同様にして多層反射膜付き基板を作製した。尚、昇温脱離分析法により、導電膜中にヘリウムHeが含まれていることが確認できた。得られた本実施例の多層反射膜付き基板の多層反射膜表面のパーティクル個数を測定したところ、5個/cm2であり、多層反射膜の成膜時におけるパーティクルの発生は非常に少なかった。本実施例では、基板の面取面及び側面にも導電膜を形成しているものの、上記積層膜による導電膜は基板に対する密着力が大きく、また導電膜にヘリウムを含むことにより静電チャックと基板との密着力をさらに大きくすることが出来るため、基板周縁部でのパーティクルの発生を抑制することができた。次に、上記で得られた多層反射膜付き基板の多層反射膜上に、実施例1と同様、波長13~14nmの露光光に対する吸収体膜として、TaBN膜を形成して反射型マスクブランクスを得た。本実施例の反射型マスクブランクスの吸収体膜表面のパーティクル個数は、7個/cm2であり、パーティクルによる表面欠陥の発生を抑制した反射型マスクブランクスを得ることができた。次に、上記反射型マスクブランクスを用いて、実施例1と同様に、その吸収体膜にパターンを形成し、デザインルールが0.07μmの16Gbit-DRAM用のパターンを有する反射型マスクを作製した。得られた反射型マスクについて、パターン欠陥を測定したところ、問題となるようなパーティクルによるパターン欠陥は殆ど無いことが判った。また、この反射型マスクを用いて半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、良好な転写像が得られた。本実施例は、基板上に形成する導電膜をCrNとしたこと以外は、実施例1と同様にして多層反射膜付き基板を作製した。なお、CrN膜の成膜は、クロムターゲットを用い、アルゴンと窒素の混合ガス雰囲気における窒素のガス流量を調整して行った。膜厚については45nmとした。得られたCrN膜における窒素の含有量は40atであった。また、実施例1と同様、基板側面から10mm内側に導電膜を形成した。得られた本実施例の多層反射膜付き基板の多層反射膜表面のパーティクル個数を測定したところ、0.03個/cm2であり、多層反射膜の成膜時におけるパーティクルの発生は殆ど起こらなかった。次に、上記で得られた多層反射膜付き基板の多層反射膜上に、実施例1と同様、波長13~14nmの露光光に対する吸収体膜として、TaBN膜を形成して反射型マスクブランクスを得た。本実施例の反射型マスクブランクスの吸収体膜表面のパーティクル個数は、0.07個/cm2であり、パーティクルによる表面欠陥の極めて少ない反射型マスクブランクスを得ることができた。次に、上記反射型マスクブランクスを用いて、実施例1と同様に、その吸収体膜にパターンを形成し、デザインルールが0.07μmの16Gbit-DRAM用のパターンを有する反射型マスクを作製した。得られた反射型マスクについて、パターン欠陥を測定したところ、パーティクルによるパターン欠陥は殆ど無いことが判った。また、この反射型マスクを用いて半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、良好な転写像が得られた。本実施例は、基板上に形成する導電膜をTaNとしたこと以外は、実施例1と同様にして多層反射膜付き基板を作製した。なお、TaN膜の成膜は、タンタルターゲットを用い、アルゴンと窒素の混合ガス雰囲気における窒素のガス流量を調整して行った。膜厚については50nmとした。得られたTaN膜における窒素の含有量は20atであった。また、実施例1と同様、基板側面から10mm内側に導電膜を形成した。得られた本実施例の多層反射膜付き基板の多層反射膜表面のパーティクル個数を測定したところ、0.03個/cm2であり、多層反射膜の成膜時におけるパーティクルの発生は殆ど起こらなかった。次に、上記で得られた多層反射膜付き基板の多層反射膜上に、実施例1と同様、波長13~14nmの露光光に対する吸収体膜として、TaBN膜を形成して反射型マスクブランクスを得た。本実施例の反射型マスクブランクスの吸収体膜表面のパーティクル個数は、0.1個/cm2であり、パーティクルによる表面欠陥の極めて少ない反射型マスクブランクスを得ることができた。次に、上記反射型マスクブランクスを用いて、実施例1と同様に、その吸収体膜にパターンを形成し、デザインルールが0.07μmの16Gbit-DRAM用のパターンを有する反射型マスクを作製した。得られた反射型マスクについて、パターン欠陥を測定したところ、パーティクルによるパターン欠陥は殆ど無いことが判った。また、この反射型マスクを用いて半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、良好な転写像が得られた。次に、上記実施例に対する比較例を挙げる。比較例本比較例では、基板上に形成する導電膜をCrON膜の一層とした。CrON膜の成膜方法は実施例1と同様にし、膜厚については60nmとした。また実施例3と同様に基板の一主表面並びに基板の面取面及び側面を含む片面全面に導電膜を形成した。これらの点以外は、実施例1と同様にして多層反射膜付き基板を作製した。得られた本比較例の多層反射膜付き基板の多層反射膜表面のパーティクル個数を測定したところ、100個/cm2であり、多層反射膜の成膜時におけるパーティクルの発生は非常に多いことがわかった。これは、CrON膜はガラス基板に対する密着力が弱い上に、基板の面取面及び側面にも導電膜を形成しているので、結果として上記導電膜の膜剥れによる特に基板周縁部からのパーティクルの発生が多かったことによるものと考察される。次に、上記で得られた多層反射膜付き基板の多層反射膜上に、実施例1と同様、波長13~14nmの露光光に対する吸収体膜として、TaBN膜を形成して反射型マスクブランクスを得た。本比較例の反射型マスクブランクスの吸収体膜表面のパーティクル個数は、113個/cm2であり、パーティクルによる表面欠陥が非常に多かった。次に、上記反射型マスクブランクスを用いて、実施例1と同様に、その吸収体膜にパターンを形成し、デザインルールが0.07μmの16Gbit-DRAM用のパターンを有する反射型マスクを作製したが、得られた反射型マスクについて、パターン欠陥を測定したところ、パーティクルによるパターン欠陥が非常に多かった。尚、上述の実施の形態1の導電膜材料の具体例として、クロムCrを含む材料しか挙げなかったが、それ以外に、タンタルTa、モリブデンMo、珪素Si、チタンTi,タングステンW,インジウムIn,スズSnを含む材料であってもよい。"