"酸化ケイ素の質量SiO2換算に対するウランの質量の比U/SiO2が2ppb以下であり、酸化ケイ素の質量SiO2換算に対するトリウムの質量の比Th/SiO2が2ppb以下であり、酸化ケイ素の質量SiO2換算に対するアルカリ金属元素の質量の比アルカリ金属元素/SiO2が10~1000ppmであり、動的光散乱法によって測定される平均粒子径が10nm~10μmである、シリカ粒子。FT-IR分析を行って得られる波数とクベルカムンクKM式で計算した吸光度との関係を示したチャートにおいて、波数が3500~3700cm1の間に現れるピークの吸光度に対する、波数が3746cm1のときの吸光度の比[3746cm1]/[3500~3700cm1]が1以下となる、請求項1に記載のシリカ粒子。吸湿量が4質量以下となる、請求項1または2に記載のシリカ粒子。粒子径変動係数CV値が40以下である、請求項1~3のいずれかに記載のシリカ粒子。下記式Iで表される有機珪素化合物で表面処理されている、請求項1~4のいずれかに記載のシリカ粒子。Rn-SiX4n式Iただし、Rは炭素数1~10の非置換または置換炭化水素基であって、互いに同一であっても異なってもよい。Xは炭素数1~4のアルコキシ基、シラノール基、ハロゲンまたは水素であり、nは0~3の整数である。アルコキシシランを加水分解し、乾燥し、焼成して合成石英を得た後、前記合成石英に含まれる未反応シリカゲルを分離して得る分離工程と、アルカリのモル量アルカリ元素をMとしてM2O換算に対する、前記未反応シリカゲルに含まれる酸化ケイ素のモル量SiO2換算の比SiO2/M2Oが1~10である、アルカリと前記未反応シリカゲルとを含む珪酸アルカリ水溶液を得るアルカリ添加工程と、前記珪酸アルカリ水溶液の一部について、これに含まれるアルカリ成分を分離除去して珪酸液を得るアルカリ除去工程と、前記珪酸アルカリ水溶液の別の一部へ、前記珪酸液を添加してシリカ粒子分散液を得た後、シリカ粒子を分離して得る、ビルドアップ工程とを備える、シリカ粒子の製造方法。請求項1~5のいずれかに記載のシリカ粒子が得られる、請求項6に記載のシリカ粒子の製造方法。請求項6に記載のシリカ粒子の製造方法によって得られるシリカ粒子。請求項1、2、3、4、5または8に記載のシリカ粒子と樹脂とを含む、半導体実装用ペースト。前記シリカ粒子の含有率が30~90質量である、請求項9に記載の半導体実装用ペースト。前記樹脂が、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ビスマレイミド系樹脂、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、BTレジンおよびシアネート系樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1つである、請求項9または10に記載の半導体実装用ペースト。しかしながら、従来のシリカ粒子を含む半導体実装用ペーストは、微量なα線を放出するため半導体実装の用途では利用し難かった。また、樹脂へのシリカ粒子の分散性について改善の余地があった。本発明は上記のような課題を解決することを目的とする。すなわち、本発明の目的は、α線をほぼ放出せず、樹脂への分散性が良好であるシリカ粒子およびそれを含む半導体実装用ペースト、ならびにそのようなシリカ粒子の製造方法を提供することにある。本発明者は上記課題を解決するため鋭意検討した。そして、本発明者は、特定のシリカ粒子はα線をほぼ放出せず、加えて樹脂への分散性が良好であり、これと樹脂とを含むものは半導体実装用ペーストとして好ましく利用できることを見出し、本発明を完成させた。さらに、本発明者は、そのような半導体実装用ペーストに含有させるシリカ粒子を製造する方法を見出した。本発明は以下の1~11である。1酸化ケイ素の質量SiO2換算に対するウランの質量の比U/SiO2が2ppb以下であり、酸化ケイ素の質量SiO2換算に対するトリウムの質量の比Th/SiO2が2ppb以下であり、酸化ケイ素の質量SiO2換算に対するアルカリ金属元素の質量の比アルカリ金属元素/SiO2が10~1000ppmであり、動的光散乱法によって測定される平均粒子径が10nm~10μmである、シリカ粒子。2FT-IR分析を行って得られる波数とクベルカムンクKM式で計算した吸光度との関係を示したチャートにおいて、波数が3500~3700cm1の間に現れるピークの吸光度に対する、波数が3746cm1のときの吸光度の比[3746cm1]/[3500~3700cm1]が1以下となる、上記1に記載のシリカ粒子。3吸湿量が4質量以下となる、上記1または2に記載のシリカ粒子。4粒子径変動係数CV値が40以下である、上記1~3のいずれかに記載のシリカ粒子。5下記式Iで表される有機珪素化合物で表面処理されている、上記1~4のいずれかに記載のシリカ粒子。Rn-SiX4n式Iただし、Rは炭素数1~10の非置換または置換炭化水素基であって、互いに同一であっても異なってもよい。Xは炭素数1~4のアルコキシ基、シラノール基、ハロゲンまたは水素であり、nは0~3の整数である。6アルコキシシランを加水分解し、乾燥し、焼成して合成石英を得た後、前記合成石英に含まれる未反応シリカゲルを分離して得る分離工程と、アルカリのモル量アルカリ元素をMとしてM2O換算に対する、前記未反応シリカゲルに含まれる酸化ケイ素のモル量SiO2換算の比SiO2/M2Oが1~10である、アルカリと前記未反応シリカゲルとを含む珪酸アルカリ水溶液を得るアルカリ添加工程と、前記珪酸アルカリ水溶液の一部について、これに含まれるアルカリ成分を分離除去して珪酸液を得るアルカリ除去工程と、前記珪酸アルカリ水溶液の別の一部へ、前記珪酸液を添加してシリカ粒子分散液を得た後、シリカ粒子を分離して得る、ビルドアップ工程とを備える、シリカ粒子の製造方法。7上記1~5のいずれかに記載のシリカ粒子が得られる、請求項6に記載のシリカ粒子の製造方法。8上記6に記載のシリカ粒子の製造方法によって得られるシリカ粒子。9上記1、2、3、4、5または8に記載のシリカ粒子と樹脂とを含む、半導体実装用ペースト。10前記シリカ粒子の含有率が30~90質量である、上記9に記載の半導体実装用ペースト。11前記樹脂が、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ビスマレイミド系樹脂、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、BTレジンおよびシアネート系樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1つである、上記9または10に記載の半導体実装用ペースト。本発明によれば、α線をほぼ放出せず、樹脂への分散性が良好であるシリカ粒子およびそれを含む半導体実装用ペースト、ならびにそのようなシリカ粒子の製造方法を提供することができる。本発明について説明する。本発明は、酸化ケイ素の質量SiO2換算に対するウランの質量の比U/SiO2が2ppb以下であり、酸化ケイ素の質量SiO2換算に対するトリウムの質量の比Th/SiO2が2ppb以下であり、酸化ケイ素の質量SiO2換算に対するアルカリ金属元素の質量の比アルカリ金属元素/SiO2が10~1000ppmであり、動的光散乱法によって測定される平均粒子径が10nm~10μmである、シリカ粒子である。<本発明のシリカ粒子>本発明のシリカ粒子は、酸化ケイ素の質量SiO2換算に対するウランの質量の比U/SiO2が2ppb以下であり、1ppb以下であることが好ましく、実質的に含有しないことがより好ましい。ここで実質的に含有しないとは、後述するICPを用いた方法で測定した場合に、ウランが検出されないことを意味するものとする。以下、特に断りがない限り実質的に含有しないおよびこれに類する文言は、このような意味とする。また、酸化ケイ素の質量は、後述するICPを用いた方法でSiの質量を測定した後、全てのSi原子がSiO2の態様で存在していると仮定して算出した値を意味するものとする。また、本発明のシリカ粒子は、酸化ケイ素の質量SiO2換算に対するトリウムの質量の比Th/SiO2が2ppb以下であり、1ppb以下であることが好ましく、実質的に含有しないことがより好ましい。本発明のシリカ粒子は上記のようにウランおよびトリウムの含有率が非常に低いので、α線をほぼ放出しない。したがって、これと樹脂とを含むものは半導体実装用ペーストとして好ましく利用できる。本発明のシリカ粒子は、酸化ケイ素の質量SiO2換算に対するアルカリ金属元素の質量の比アルカリ金属元素/SiO2が10~1000ppmである。この比の上限は900ppmであることが好ましく、800ppmであることがより好ましい。また、この比の下限は300ppmであることが好ましく、400ppmであることがより好ましく、500ppmであることがさらに好ましい。アルカリ金属元素の含有量がこのような範囲であり、かつウランおよびトリウムの範囲が上記の通りであり、かつ平均粒子径が後述するような範囲内であるシリカ粒子は、α線をほぼ放出せず、加えて樹脂への分散性が良好であり、これと樹脂とを含むものは半導体実装用ペーストとして好ましく利用できるからである。ここでアルカリ金属元素とは、Li、Na、K、Rb、CsおよびFrを意味する。したがって、本発明のシリカ粒子が含有するアルカリ金属元素の質量とは、Li、Na、K、Rb、CsおよびFrの合計質量を意味する。本発明のシリカ粒子が含有するシリカSi、ウランU、トリウムTh、アルカリ金属元素Li、Na、K、Rb、CsおよびFrおよびその他の成分の含有率含有量は、本発明のシリカ粒子をフッ酸で溶解し、加熱してフッ酸を除去した後、必要に応じて純水を加え、得られた溶液についてICP誘導結合プラズマ発光分光質量分析装置例えば、株式会社島津製作所製、ICPM-8500を用いて測定するものとする。以下、特に断りがない限り、本発明のシリカ粒子が含有するシリカSi、ウランU、トリウムTh、アルカリ金属元素Li、Na、K、Rb、CsおよびFrおよびその他の成分の含有率含有量は、このような方法で測定して得た値を意味するものとする。本発明のシリカ粒子は、動的光散乱法によって測定される平均粒子径メジアン径が10nm~10μmである。平均粒子径の上限は2μmであることが好ましく、1μmであることがより好ましく、500nmであることがさらに好ましい。また、平均粒子径の下限は30nmであることが好ましく、50nmであることがより好ましく、70nmであることがさらに好ましい。ウラン、トリウムおよびアルカリ金属元素の含有量が上記の範囲内であり、かつ平均粒子径がこのような範囲内であるシリカ粒子は、α線をほぼ放出せず、加えて樹脂への分散性が良好であり、これと樹脂とを含むものは半導体実装用ペーストとして好ましく利用できるからである。ここで、本発明のシリカ粒子の平均粒子径メジアン径は動的光散乱法によって測定される値を意味するものとする。動的光散乱法とは、測定対象物をヘキサメタリン酸ナトリウム水溶液へ添加し、超音波分散および攪拌によって分散させて、透過率が70~90となるように調節した後、従来公知のレーザ散乱法例えばHORIBALA-950V2を用いて粒度分布を測定し、平均粒子径を算出する方法である。以下、特に断りがない限り、本発明において平均粒子径は、このような動的光散乱法によって測定して得た値を意味するものとする。本発明のシリカ粒子は、平均粒子径が100~500nmであることが好ましい。この平均粒子径の上限は450nmであることが好ましく、400nmであることがより好ましく、350nmであることがさらに好ましい。また、この平均粒子径の下限は150nmであることが好ましく、200nmであることがより好ましく、250nmであることがさらに好ましい。平均粒子径が100~500nmであり、かつ、ウラン、トリウムおよびアルカリの含有率が上記の範囲内であるシリカ粒子は、上記のように、α線をほぼ放出せず、加えて樹脂への分散性が良好であり、これと樹脂とを含むものは半導体実装用ペーストとして好ましく利用できることに加えて、不純物抽出量が少なくなり、このようなシリカ粒子を含む半導体実装用ペーストの間隙浸透性に優れるからである。ここで不純物抽出量とは、本発明のシリカ粒子を熱水で処理した場合に、溶液へ溶出する不純物の質量であり、これが低いとアンダーフィル使用時に信頼性が向上するので好ましい。また、間隙浸透性とは、例えば基板とチップとの間に生じる隙間へ浸透する程度を意味し、これが高いほど、基板とチップとの間の隙間を埋める能力が高く好ましい。本発明のシリカ粒子は、FT-IR分析を行って得られる波数とクベルカムンクKM式で計算した吸光度との関係を示したチャートにおいて、波数が3500~3700cm1の間に現れるピークの吸光度に対する、波数が3746cm1のときの吸光度の比[3746cm1]/[3500~3700cm1]が1以下となるものであることが好ましい。また、この比が0.5以下となるものであることがより好ましく、0.4以下となるものであることがより好ましく、0.3以下となるものであることがより好ましく、0.2以下となるものであることがさらに好ましい。このような本発明のシリカ粒子は樹脂への分散性が特に優れ、その結果、シリカ粒子を含む半導体実装用ペーストの間隙浸透性が特に優れるため、これと樹脂とを含むものは半導体実装用ペーストとして特に好ましく利用することができる。なお、本発明においてFT―IR分析は、シリカ粉末を装置内に入れ、試料室内を真空脱気し、300°Cで1時間キープした後に測定を行う。このようなFT-IR分析を行うことで、図1に例示するような、波数とクベルカムンクKM式で計算後の吸光度との関係を示したチャートを得ることができる。このようなチャートにおいて、波数が3500~3700cm1の間に現れるピークの吸光度と、波数が3746cm1のときの吸光度とを求める。図1に例示した場合では、波数が3500~3700cm1の間に現れるピークの吸光度は0.077であり、波数が3746cm1のときの吸光度は0.0043である。そして、これら吸光度の比[3746cm1]/[3500~3700cm1]を求める。本発明のシリカ粒子は吸湿量が4質量以下となるものであることが好ましく、3質量以下となるものであることがより好ましく、2質量以下となるものであることがより好ましく、1質量以下となるものであることがより好ましく、0.5質量以下となるものであることがより好ましく、0.1質量以下となるものであることがさらに好ましい。このような本発明のシリカ粒子は樹脂への分散性が特に優れ、その結果、シリカ粒子を含む半導体実装用ペーストの間隙浸透性が特に優れるため、これと樹脂とを含むものは半導体実装用ペーストとして特に好ましく利用することができる。なお、本発明のシリカ粒子の吸質量は、本発明のシリカ粒子の100gを200°Cで1時間乾燥させた後、25°C、98RHの雰囲気で168時間暴露した場合の質量増加率試験後質量-試験前質量/試験前質量×100を意味するものとする。本発明のシリカ粒子は、粒子径変動係数CV値が40以下となるものであることが好ましく、30以下となるものであることがより好ましく、28質量以下となるものであることがより好ましく、25以下となるものであることがさらに好ましい。このような本発明のシリカ粒子は、α線をほぼ放出せず、樹脂への分散性がより良好であり、これと樹脂とを含むものは半導体実装用ペーストとしてより好ましく利用できることに加えて、不純物抽出量がより少なくなり、このようなシリカ粒子を含む半導体実装用ペーストの間隙浸透性がより優れるからである。なお、本発明においてCV値は、次のような方法で得られる値を意味するものとする。初めに、本発明のシリカ粒子について走査型電子顕微鏡例えば、日本電子株式会社製:JSM-5300型を用いて写真を撮影し、この画像の250個のシリカ粒子について画像解析装置例えば、旭化成株式会社製:IP-1000を用いて直径投影面積円相当径を測定する。ここで250個の各々のシリカ粒子の直径をDii=1~250とし、Diから求められる平均粒子径メジアン径をDnとする。そして、次の式によって算出される値をCV値とする。CV値=粒子径標準偏差σ1/平均粒子径Dn×100粒子径標準偏差σ1=Σn|Di-Dn|/n-1×DnDi:個々のシリカ粒子の粒子径、n:250本発明のシリカ粒子は、下記式Iで表される有機珪素化合物で表面処理されているものであることが好ましい。Rn-SiX4n式Iただし、Rは炭素数1~10の非置換または置換炭化水素基であって、互いに同一であっても異なってもよい。Xは炭素数1~4のアルコキシ基、シラノール基、ハロゲンまたは水素であり、nは0~3の整数である。このような有機珪素化合物で表面処理されている本発明のシリカ粒子は、樹脂への分散性が特に優れ、その結果、シリカ粒子を含む半導体実装用ペーストの間隙浸透性が特に優れるため、これと樹脂とを含むものは半導体実装用ペーストとして特に好ましく利用することができる。このような有機珪素化合物として、具体的には、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリスβメトキシエトキシシラン、3,3,3-トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、メチル-3,3,3-トリフルオロプロピルジメトキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシメチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシメチルトリエキシシラン、γ-グリシドキシエチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシエチルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ-β-グリシドキシエトキシプロピルトリメトキシシラン、γ-メタアクリロオキシメチルトリメトキシシラン、γ-メタアクリロオキシメチルトリエキシシラン、γ-メタアクリロオキシエチルトリメトキシシラン、γ-メタアクリロオキシエチルトリエトキシシラン、γ-メタアクリロオキシプロピルトリメトキシシラン、γ-メタアクリロオキシプロピルトリメトキシシラン、γ-メタアクリロオキシプロピルトリエトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、オクチルエトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、3-ウレイドイソプロピルプロピルトリエトキシシラン、パ-フルオロオクチルエチルトリメトキシシラン、パ-フルオロオクチルエチルトリエトキシシラン、パ-フルオロオクチルエチルトリイソプロポキシシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、N-βアミノエチルγ-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-βアミノエチルγ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、トリメチルシラノ-ル、メチルトリクロロシランが挙げられる。このような有機珪素化合物による表面処理は、例えばシリカ粒子と前記有機珪素化合物とをアルコール等の分散液に添加し、ここへさらに水を加え、必要に応じて前記有機珪素化合物を加水分解するための触媒として酸またはアルカリを加える方法が挙げられる。有機珪素化合物によるシリカ粒子の表面処理量は、シリカ粒子の平均粒子径によっても異なるが、有機珪素化合物とシリカ粒子との質量比有機珪素化合物の固形分としての質量/シリカ粒子の固形分としての質量が0.01~0.5であることが好ましく、0.02~0.4であることがより好ましい。このような範囲であると、前記有機珪素化合物で表面処理された本発明のシリカ粒子の樹脂への分散性がより良好となるからである。なお、樹脂が親水性の場合は、n=0の有機珪素化合物を用いることが好ましい。また、樹脂が疎水性の場合は、n=1~3の有機珪素化合物を用いることが好ましい。<本発明のシリカ粒子の製造方法>次に、本発明のシリカ粒子の製造方法ついて説明する。本発明のシリカ粒子の製造方法は特に限定されないが、以下に説明する本発明の好適製造方法によって製造することが好ましい。本発明のシリカ粒子は、アルコキシシランを加水分解し、乾燥し、焼成して合成石英を得た後、前記合成石英に含まれる未反応シリカゲルを分離して得る分離工程と、アルカリのモル量アルカリ元素をMとしてM2O換算に対する、前記未反応シリカゲルに含まれる酸化ケイ素のモル量SiO2換算の比SiO2/M2Oが1~10である、アルカリと前記未反応シリカゲルとを含む珪酸アルカリ水溶液を得るアルカリ添加工程と、前記珪酸アルカリ水溶液の一部について、これに含まれるアルカリ成分を分離除去して珪酸液を得るアルカリ除去工程と、前記珪酸アルカリ水溶液の別の一部へ、前記珪酸液を添加してシリカ粒子分散液を得た後、シリカ粒子を分離して得る、ビルドアップ工程とを備える、シリカ粒子の製造方法によって製造することが好ましい。このような製造方法を本発明の好適製造方法ともいう。<分離工程>本発明の好適製造方法における分離工程について説明する。本発明の好適製造方法における分離工程は、アルコキシシランを加水分解し、乾燥し、焼成して合成石英を得た後、前記合成石英に含まれる未反応シリカゲルを分離して得る工程である。分離工程では、初めにアルコキシシランを加水分解する。ここでアルコキシシランはテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン等の炭素数が1~4の低級アルコキシシランまたはそれらのオリゴマーであることが好ましい。また、このようなアルコキシシランを加水分解する方法は特に限定されず、アルコキシシランを水と共存させれば加水分解する。水の使用量は、アルコキシシラン中のアルコキシ基の1~10倍当量とすることが好ましい。また、水と相溶性のあるアルコール類やエーテル類等の有機溶媒を用いると、反応系を均一で安定なものとすることができるので好ましい。ただし、加水分解反応の進行につれてアルコキシシランに結合しているアルコキシ基がアルコールとして遊離するため、アルコールの添加を行わなくてもよい。また、さらに加水分解反応の触媒として酸やアルカリを添加してもよい。このようにしてアルコキシシランを加水分解すると、概ね数時間でゲル化する。このようにして得られたゲルを好ましくは減圧下または不活性ガス雰囲気中で乾燥する。乾燥は100~200°C程度で行うことが好ましい。そして、乾燥後のシリカゲルを700~1200°C程度の温度で焼成して合成石英を得る。次に、得られた合成石英に含まれる未反応シリカゲルを分離する。分離する方法は特に限定されないが、比重差を利用した沈降速度による分離遠心分離、水比分級など、シリカゲルカラムによる分離が挙げられる。<アルカリ添加工程>本発明の好適製造方法におけるアルカリ添加工程について説明する。本発明の好適製造方法におけるアルカリ添加工程は、アルカリのモル量アルカリ元素をMとしてM2O換算に対する、前記未反応シリカゲルに含まれる酸化ケイ素のモル量SiO2換算の比SiO2/M2Oが1~10である、アルカリと前記未反応シリカゲルとを含む珪酸アルカリ水溶液を得る工程である。アルカリ添加工程では、例えば、純水へ前記未反応シリカゲルおよびアルカリを添加し、必要に応じて攪拌し混合して、珪酸アルカリ水溶液を得ることができる。ここでアルカリとは、Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、アンモニアまたはテトラメチルアンモニウムを意味する。用いるアルカリの量は、アルカリのモル量アルカリ元素をMとしてM2O換算に対する、前記未反応シリカゲルに含まれる酸化ケイ素のモル量SiO2換算の比SiO2/M2Oが1~10となる量とする。この比は1.5~6であることが好ましく、2~5であることがより好ましく、3~4.5であることがさらに好ましい。なお、前記未反応シリカゲルに含まれる酸化ケイ素のモル量は、本発明のシリカ粒子に含有されるシリカ、ウラン、トリウム、アルカリ金属元素などの含有量を測定する場合と同様に、ICP誘導結合プラズマ発光分光質量分析装置を用いて測定するものとする。また、珪酸アルカリ水溶液のpHは9~14であることが好ましく、10~13であることがより好ましい。また、珪酸アルカリ水溶液は密閉容器内で150~250°C好ましくは200°C程度の温度で1~50時間好ましくは10時間程度熟成させることが好ましい。<アルカリ除去工程>本発明の好適製造方法におけるアルカリ除去工程について説明する。本発明の好適製造方法におけるアルカリ除去工程は、前記珪酸アルカリ水溶液の一部について、これに含まれるアルカリ成分を分離除去して珪酸液を得る工程である。アルカリ除去工程では、上記のアルカリ添加工程によって得られた珪酸アルカリ水溶液の一部を用いる。例えば、前記珪酸アルカリ水溶液を2つの容器に分け、一方をアルカリ除去工程で用いる。そして、他方は、例えば後述するビルドアップ工程で用いることができる。そして、その一方についてのみ、そこに含有されるアルカリ成分を分離除去する。分離除去する方法は特に限定されないが、陽イオン交換樹脂を用いることが好ましい。また、限外膜による抽出や、イオン交換膜による膜分離を行うことでアルカリ成分を前記珪酸アルカリ水溶液中から分離除去することができる。また、得られる珪酸液のpHは低いことが好ましく、具体的にはpHは1~4であることが好ましい。<ビルドアップ工程>本発明の好適製造方法におけるビルドアップ工程について説明する。本発明の好適製造方法におけるビルドアップ工程は、前記珪酸アルカリ水溶液の別の一部へ、前記珪酸液を添加してシリカ粒子分散液を得た後、シリカ粒子を分離して得る工程である。ビルドアップ工程では、上記のアルカリ除去工程によって得られた珪酸液と、上記のアルカリ添加工程で得られた珪酸アルカリ水溶液とを用いる。珪酸アルカリ水溶液へ珪酸液を添加する際は、珪酸アルカリ水溶液を加温し、60°C以上に保持することが好ましい。この温度は60~200°Cであることが好ましく、90~170°Cであることが好ましく、150°C程度であることがさらに好ましい。好ましくはこのような温度に調整し保持した珪酸アルカリ水溶液へ、珪酸液を少しずつ徐々に添加していくと、シリカ粒子が成長し、シリカゾルが得られる。そして、シリカゾルからシリカ粒子を分離する。分離する方法は特に限定されず、例えば乾燥することで固形分としてシリカ粒子本発明のシリカ粒子が得られる。<本発明の半導体実装用ペースト>次に、本発明の半導体実装用ペーストについて説明する。本発明の半導体実装用ペーストは、本発明のシリカ粒子と樹脂とを含むものである。このような半導体実装用ペーストを、以下では本発明のペーストともいう。本発明のペーストが含有する本発明のシリカ粒子の含有率は30~90質量であることが好ましく、50~80質量であることがより好ましく、70質量程度であることがさらに好ましい。このような範囲であると本発明のペーストの粘度が適正となり、本発明のシリカ粒子の分散性が良好となるからである。また、本発明のシリカ粒子をアンダーフィル用のフィラーとして用いた場合、間隙浸透性が充分となるからである。また、膨張率が適正となり、バンプ周辺にクラックが発生したり、基板に反りが生じて半導体素子が損傷したりしないからである。本発明のペーストが含む樹脂は、粘度が低く、基板と半導体チップの間の空隙に迅速かつ緻密に充填でき、クラックが生じたり、樹脂の膨張によって基板のそりが生じたりすることがなければ特に限定されない。また、半導体装置実装用ペーストの粘度が低く、塗工性に優れ、かつチキソトロピー性リフロー性が小さいを有し、基板と半導体素子チップ効果的に接着できれば特に制限されない。このような樹脂は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ビスマレイミド系樹脂、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、BTレジンおよびシアネート系樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1つであることが好ましい。なお、本発明のペーストの粘度を低下するには分子量の低い樹脂、例えば樹脂モノマー、樹脂オリゴマー等を混合して用いることもできる。さらに、従来公知の溶剤を混合して用いることもできる。本発明のペースト中における樹脂の含有量は10~70質量であることが好ましく、20~60質量であることがさらに好ましい。このような範囲であると、基板との密着性が充分となり、ペーストの粘度が適正となり、分散性が良好となるからである。また、本発明のシリカ粒子をアンダーフィル用のフィラーとして用いた場合、浸透性が充分となるからである。また、膨張率が適正となり、バンプ周辺にクラックが発生したり、基板に反りが生じて半導体素子が損傷したりしないからである。本発明のペーストは、必要に応じて硬化触媒を含むことができる。硬化触媒としては樹脂の種類によっても異なるが、酸無水物、ナフテン酸亜鉛、オクチル酸錫等の有機金属、トリエチルアミン等の有機アミン、イミダゾール類、フェノール化合物等が挙げられる。酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。本発明のペースト中における硬化触媒の含有量は0.1~60質量であることが好ましく、1~50質量であることがより好ましい。本発明のペーストは、用途、用法によって2種のペーストに分類される。1つは粘度が低く、リフロー性、間隙浸透性、高密着性、耐クラック性等を有するペーストであり、アンダーフィル用として好適に用いることができる。他の1つは、比較的粘度が低く、かつチキソトロピー性、具体的には基板上にペーストを滴下した場合にリフローすることなく形状を維持できる性質を有するペーストであり、ダイアタッチ用として好適に用いることができる。本発明のペーストは、E型粘度計の回転数2.5rpmの時の粘度が1~100Pasであることが好ましく、10~40Pasであることがより好ましい。<珪酸ナトリウムの調製>テトラエトキシシランへ、エトキシ基に対して5倍当量の水を加え、1時間攪拌することで均一なゾルを得た。ここで水は30°Cに調整したものを用いた。なお、このような操作をすることでテトラエトキシシランが加水分解する。その後、室内にて5時間静置してゲル化したものを、150°Cに調整した真空乾燥機内に置いて乾燥させた。そして、乾燥後のものを粉砕してシリカゲルを得た。得られたシリカゲルの平均粒子径を前述の方法で測定したところ、200μmであった。次に、得られたシリカゲルをマッフル炉を用いて1150°Cで10時間、焼成して合成石英を得た。そして、これに含まれるCを含む未反応シリカゲルを遠心分離によって分離した。次に、分離したCを含む未反応シリカゲルに含まれるSi含有率をICP誘導結合プラズマ発光分光分析装置SPS1200Aセイコー電子株式会社製を用いて測定し、SiO2換算のモル濃度を得た後、モル濃度比でSiO2/Na2O=4となるように、NaOHを添加し、さらに純水を加えて攪拌して、SiO2換算の質量が24質量の溶液を得た。そして、この溶液を圧力容器密閉容器内で200°Cにて10時間熟成させることで、珪酸ナトリウム[1]を得た。<珪酸カリウムの調整>上記の珪酸ナトリウム[1]を得る方法の過程で得られたCを含む未反応シリカゲルに、モル濃度比でSiO2/K2O=4となるように、KOHを添加し、さらに純水を加えて攪拌して、SiO2換算の質量が24質量の溶液を得た。そして、この溶液を200°Cにて10時間熟成させることで、珪酸カリウム[1]を得た。<珪酸液の調整1>珪酸ナトリウム[1]SiO2換算で24質量に超純水を加えて、SiO2換算の質量が7質量の珪酸ナトリウム水溶液を得た。そして、陽イオン交換樹脂三菱化学社製、SK-1Bにてイオン交換を行って、陽イオンを除去した。そして、さらに超純水を加えて、SiO2換算の質量が4.5質量の珪酸液[1]を得た。珪酸液[1]のpHは2.5であった。<珪酸液の調整2>珪酸カリウム[1]SiO2換算で24質量に超純水を加えて、SiO2換算の質量が7質量の珪酸カリウム水溶液を得た。そして、陽イオン交換樹脂三菱化学社製、SK-1Bにてイオン交換を行って、陽イオンを除去した。そして、さらに超純水を加えて、SiO2換算の質量が4.5質量の珪酸液[2]を得た。珪酸液[2]のpHは2.5であった。<調整例1>1000gの超純水へ珪酸ナトリウム[1]を73g添加し、150°Cに調整した。そして、ここへ1000gの珪酸液[1]を24時間かけて少しずつ、ゆっくりと攪拌しながら添加した。全量を添加した後、加温を止め、常温常圧下で、さらに1時間、ゆっくりと攪拌した。その後、溶液の温度が室温程度に冷却されていることを確認し、限外膜を用いて固形分濃度が12質量となるように濃縮して、シリカ粒子分散液[1]を得た。<調整例2>1000gの超純水へ珪酸カリウム[1]を80g添加し、150°Cに調整した。そして、ここへ1000gの珪酸液[1]を24時間かけて少しずつ、ゆっくりと攪拌しながら添加した。全量を添加した後、加温を止め、常温常圧下で、さらに1時間、ゆっくりと攪拌した。その後、溶液の温度が室温程度に冷却されていることを確認し、限外膜を用いて固形分濃度が12質量となるように濃縮して、シリカ粒子分散液[2]を得た。<調整例3>1000gの超純水へ珪酸ナトリウム[1]を73g添加し、98°Cに調整した。そして、ここへ1000gの珪酸液[1]を24時間かけて少しずつ、ゆっくりと攪拌しながら添加した。全量を添加した後、加温を止め、常温常圧下で、さらに1時間、ゆっくりと攪拌した。その後、溶液の温度が室温程度に冷却されていることを確認し、限外膜を用いて固形分濃度が12質量となるように濃縮して、シリカ粒子分散液[3]を得た。<調整例4>調整例1で得られたシリカ粒子分散液[1]2000gを1000gの超純水へ添加し、160°Cに調整した。そして、ここへ267kgの珪酸液[1]を48時間かけて少しずつ、ゆっくりと攪拌しながら添加した。全量を添加した後、加温を止め、常温常圧下で、さらに1時間、ゆっくりと攪拌した。その後、溶液の温度が室温程度に冷却されていることを確認し、限外膜を用いて固形分濃度が12質量となるように濃縮して、シリカ粒子分散液[4]を得た。<調整例5>調整例2で得られたシリカ粒子分散液[2]2000gを1000gの超純水へ添加し、160°Cに調整した。そして、ここへ267kgの珪酸液[2]を48時間かけて少しずつ、ゆっくりと攪拌しながら添加した。全量を添加した後、加温を止め、常温常圧下で、さらに1時間、ゆっくりと攪拌した。その後、溶液の温度が室温程度に冷却されていることを確認し、限外膜を用いて固形分濃度が12質量となるように濃縮して、シリカ粒子分散液[5]を得た。<調整例6>調整例1で得られたシリカ粒子分散液[1]2000gを1000gの超純水へ添加し、98°Cに調整した。そして、ここへ267kgの珪酸液[1]を336時間かけて少しずつ、ゆっくりと攪拌しながら添加した。全量を添加した後、加温を止め、常温常圧下で、さらに1時間、ゆっくりと攪拌した。その後、溶液の温度が室温程度に冷却されていることを確認し、限外膜を用いて固形分濃度が12質量となるように濃縮して、シリカ粒子分散液[6]を得た。このようにして得られたシリカ粒子分散液[1]~[6]について、各々、陽イオン交換樹脂および陰イオン交換樹脂を用いて脱イオンを行った後、200°Cに調整した乾燥機内に30時間置き、乾燥して粉末状のシリカ粒子を得た。シリカ粒子分散液[1]から得られたシリカ粒子をシリカ粒子[1]という。シリカ粒子分散液[2]~[6]についても同様に、シリカ粒子[2]~シリカ粒子[6]という。次に、シリカ粒子[1]~[6]について平均粒子径およびCV値を測定した。また吸湿量測定およびFT-IR分析を行った。ここで、平均粒子径の測定方法は前述の通りであり、具体的にはHORIBALA-950V2を用いて粒度分布を測定して求めた。また、CV値の測定方法も前述の通りであり、具体的には走査型電子顕微鏡として、日本電子株式会社製:JSM-5300型を用い、画像解析装置として、旭化成株式会社製:IP-1000を用いた。また、吸湿量の測定方法も前述の通りである。また、FT-IR分析の方法も前述の通りであり、具体的には日本分光社製、FT-IR6300を用いて、波数cm1とクベルカムンク式で計算した吸光度との関係を示すグラフを作成して求めた。測定結果を第1表に示す。また、シリカ粒子[1]~[6]について不純物量および不純物抽出量を求めた。不純物量は、シリカ粒子[1]~[6]1gをフッ酸で溶解し、加熱してフッ酸を除去した後、純水を加えて100mLにメスアップし、得られた溶液についてICP誘導結合プラズマ発光分光質量分析装置株式会社島津製作所製、ICPM-8500を用いて測定した。含有されるSi濃度質量濃度および不純物Na、K、Fe、U、Th濃度質量濃度を求めた後、SiのSiO2換算の含有量質量に対する各不純物の含有量質量を算出した。不純物抽出量は、シリカ粒子[1]~[6]を120°Cで1時間煮沸した後、固形分を除去して得られる溶液についてICP誘導結合プラズマ発光分光分析装置SPS1200Aセイコー電子株式会社製を用いて測定した。含有される不純物Na、K濃度質量濃度を求めた後、固形分に含まれるSiのSiO2換算の含有量質量に対する各不純物の含有量質量を算出した。測定結果を第1表に示す。<実施例1>グリシジルエ-テル入りビスフェノ-ルA型のエポキシ系樹脂三菱化学株式会社製、jER801100gと、粉末状のシリカ粒子[1]455gと、硬化剤としての酸無水物メチルテトラヒドロ無水フタル酸三菱化学株式会社製、jERキュアYH-30795gとを充分に混合して、半導体実装用ペースト[1]を調製した。得られた半導体実装用ペースト[1]について、分散性、粘度、間隙浸透性、α線放出量を以下の方法で測定した。測定結果を第1表に示す。[粘度]E型粘度計東機産業株式会社製:TVE25Hを用いて30°C、回転数2.5rpmにおける粘度Pasecを測定した。[分散性]ガラス基板上にペーストを約1g滴下し、上からカバ-ガラスを被せ、その上から100gf/cm2の荷重を30秒間保持した後、広がったペーストを光学顕微鏡にて観察した。ここで倍率は50倍とした。そして、半導体実装用ペーストに含まれるシリカ粒子の分散状態を確認し、下記の判定基準で評価した。なお、固着粒子とは、粒子が2個以上接触した状態の粒子を意味する。また、非固着粒子とは、粒子が接触せずに分散した状態の粒子を意味する。固着粒子が殆ど認められなかった:◎固着粒子が僅かに認められた:○固着粒子が多数認められた:△非固着粒子が殆ど認められなかった:×[間隙浸透性]ガラス基板の表面に耐熱性のあるテープカプトンテープを貼り付け、ガラス基板とテープとの間にスペ-ス構造隙間幅約20μm、テープの幅:20mmを作った。そして、半導体実装用ペーストを100°Cに調整した後、ガラス基板上のテープの一方の側面に垂らして、毛細管現象によってスペース構造内ガラスとテープとの隙間をテープの幅方向に浸透させ、テープの他方の側面まで到達する時間secを計測した。[α線測定]半導体実装用ペーストを10×10×3mmの型に流し込み、150°Cで硬化させた。そして、得られた成型体について、微量α線測定装置日立協和エンジニアリング社製、KS-1100を用いて、α線の放出量を測定した。<実施例2>実施例1では、エポキシ系樹脂と、粉末状のシリカ粒子[1]と、硬化剤とを混合して半導体実装ペースト[1]を得たが、実施例2では、シリカ粒子[1]の代わりに、シリカ粒子[2]を用いた。そして、それ以外については全て実施例1と同様に操作し、得られた半導体実装用ペースト[2]について、同様の測定を行った。測定結果を第1表に示す。<実施例3>実施例1では、エポキシ系樹脂と、粉末状のシリカ粒子[1]と、硬化剤とを混合して半導体実装ペースト[1]を得たが、実施例3では、シリカ粒子[1]の代わりに、シリカ粒子[3]を用いた。そして、それ以外については全て実施例1と同様に操作し、得られた半導体実装用ペースト[3]について、同様の測定を行った。測定結果を第1表に示す。<実施例4>実施例1では、エポキシ系樹脂と、粉末状のシリカ粒子[1]と、硬化剤とを混合して半導体実装ペースト[1]を得たが、実施例4では、シリカ粒子[1]の代わりに、シリカ粒子[4]を用いた。そして、それ以外については全て実施例1と同様に操作し、得られた半導体実装用ペースト[4]について、同様の測定を行った。測定結果を第1表に示す。<実施例5>実施例1では、エポキシ系樹脂と、粉末状のシリカ粒子[1]と、硬化剤とを混合して半導体実装ペースト[1]を得たが、実施例5では、シリカ粒子[1]の代わりに、シリカ粒子[5]を用いた。そして、それ以外については全て実施例1と同様に操作し、得られた半導体実装用ペースト[5]について、同様の測定を行った。測定結果を第1表に示す。<実施例6>実施例1では、エポキシ系樹脂と、粉末状のシリカ粒子[1]と、硬化剤とを混合して半導体実装ペースト[1]を得たが、実施例6では、シリカ粒子[1]の代わりに、シリカ粒子[6]を用いた。そして、それ以外については全て実施例1と同様に操作し、得られた半導体実装用ペースト[6]について、同様の測定を行った。測定結果を第1表に示す。<珪酸液の調整RF-1>JIS3号水ガラス旭硝子Si-Tech製、SiO2換算で24質量に超純水を加えて、SiO2換算の質量が7質量の珪酸ナトリウム水溶液を得た。そして、陽イオン交換樹脂三菱化学社製、SK-1Bにてイオン交換を行って、陽イオンを除去した。そして、さらに超純水を加えて、SiO2換算の質量が4.5質量の珪酸液RF-1を得た。珪酸液RF-1のpHは2.5であった。<調整例RF-1>1000gの超純水へ、JIS3号水ガラス旭硝子Si-Tech製、SiO2換算で24質量を73g添加し、98°Cに調整した。そして、ここへ1000gの珪酸液RF-1を24時間かけて少しずつ、ゆっくりと攪拌しながら添加した。全量を添加した後、加温を止め、常温常圧下で、さらに1時間、ゆっくりと攪拌した。その後、溶液の温度が室温程度に冷却されていることを確認し、限外膜を用いて固形分濃度が12質量となるように濃縮して、シリカ粒子分散液RF-1を得た。<調整例RF-2>調整例RF-1で得られたシリカ粒子分散液RF-12000gを1000gの超純水へ添加し、98°Cに調整した。そして、ここへ267kgの珪酸液RF-1を336時間かけて少しずつ、ゆっくりと攪拌しながら添加した。全量を添加した後、加温を止め、常温常圧下で、さらに1時間、ゆっくりと攪拌した。その後、溶液の温度が室温程度に冷却されていることを確認し、限外膜を用いて固形分濃度が12質量となるように濃縮して、シリカ粒子分散液RF-2を得た。このようにして得られたシリカ粒子分散液RF-1およびRF-2について、各々、陽イオン交換樹脂および陰イオン交換樹脂を用いて脱イオンを行った後、200°Cに調整した乾燥機内に30時間置き、乾燥して粉末状のシリカ粒子を得た。シリカ粒子分散液RF-1から得られたシリカ粒子をシリカ粒子RF-1という。シリカ粒子分散液RF-2についても同様に、シリカ粒子RF-2という。<比較例1>実施例1では、エポキシ系樹脂と、粉末状のシリカ粒子[1]と、硬化剤とを混合して半導体実装ペースト[1]を得たが、比較例1では、シリカ粒子[1]の代わりに、シリカ粒子RF-1を用いた。そして、それ以外については全て実施例1と同様に操作し、得られた半導体実装用ペーストRF-1について、同様の測定を行った。測定結果を第1表に示す。<比較例2>実施例1では、エポキシ系樹脂と、粉末状のシリカ粒子[1]と、硬化剤とを混合して半導体実装ペースト[1]を得たが、比較例1では、シリカ粒子[1]の代わりに、シリカ粒子RF-2を用いた。そして、それ以外については全て実施例1と同様に操作し、得られた半導体実装用ペーストRF-2について、同様の測定を行った。測定結果を第1表に示す。実施例1~6における半導体実装用ペースト[1]~[6]は、いずれも樹脂への分散性に優れるものであった。また、α線が放出されていないので、半導体実装用ペーストとして好ましく用いることができる。これに対して比較例1または2における半導体用ペーストRF-1またはRF-2は、樹脂への分散性が不十分であった。また、α線が放出されており、半導体実装用ペーストとして用いることは難しい。"