"基板と、前記基板上に設けられ、前記基板と対向して配置された基板の外部から入射した励起光により蛍光を生じる蛍光体層と、前記蛍光体層の側面を囲む隔壁と、を含み、前記隔壁の少なくとも前記蛍光体層と接する部分が光散乱性を有することを特徴とする蛍光体基板。前記隔壁の少なくとも前記蛍光体層と接する部分が樹脂と光散乱性粒子とを含む材料で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の蛍光体基板。前記隔壁の少なくとも前記蛍光体層と接する部分が白色であることを特徴とする請求項1または2に記載の蛍光体基板。前記隔壁の少なくとも前記蛍光体層と接する部分が凹凸形状であることを特徴とする請求項1ないし3に記載の蛍光体基板。請求項1ないし4のいずれか一項に記載の蛍光体基板と、前記蛍光体層に照射する励起光を射出する光源と、を備えたことを特徴とする表示装置。赤色光による表示を行う赤色画素と、緑色光による表示を行う緑色画素と、青色光による表示を行う青色画素と、を少なくとも含む複数の画素が備えられ、前記光源から前記励起光としての紫外光が射出され、前記蛍光体層として、前記赤色画素に前記紫外光を前記励起光として赤色光を発する赤色蛍光体層が設けられ、前記緑色画素に前記紫外光を前記励起光として緑色光を発する緑色蛍光体層が設けられ、前記青色画素に前記紫外光を前記励起光として青色光を発する青色蛍光体層が設けられたことを特徴とする請求項5に記載の表示装置。赤色光による表示を行う赤色画素と、緑色光による表示を行う緑色画素と、青色光による表示を行う青色画素と、を少なくとも含む複数の画素が備えられ、前記光源から前記励起光としての青色光が射出され、前記蛍光体層として、前記赤色画素に前記青色光を前記励起光として赤色光を発する赤色蛍光体層が設けられ、前記緑色画素に前記青色光を前記励起光として緑色光を発する緑色蛍光体層が設けられ、前記青色画素には前記青色光を散乱させる散乱層が設けられたことを特徴とする請求項5に記載の表示装置。前記光源は、前記複数の画素に対応して設けられた複数の発光素子と、前記複数の発光素子をそれぞれ駆動する複数の駆動素子と、を備えたアクティブマトリクス駆動方式の光源であることを特徴とする請求項6または7に記載の表示装置。前記光源が、発光ダイオード、有機エレクトロルミネセンス素子、無機エレクトロルミネセンス素子のいずれかであることを特徴とする請求項5ないし8のいずれか一項に記載の表示装置。前記光源が、光射出面から光を射出する面状光源であり、前記面状光源と前記蛍光体基板との間に、前記画素毎に前記面状光源から射出された光の透過率を制御可能な液晶素子が設けられたことを特徴とする請求項5ないし9のいずれか一項に記載の表示装置。前記光源は、指向性を有していることを特徴とする請求項5ないし10のいずれか一項に記載の表示装置。前記光源と前記蛍光体基板との間に、波長435nm以上480nm以下における消光比が10000以上である偏光板が設けられていることを特徴とする請求項5ないし11のいずれか一項に記載の表示装置。前記蛍光体層の上面または下面のいずれか一方にカラーフィルターが設けられたことを特徴とする請求項5ないし12のいずれか一項に記載の表示装置。前記隔壁の上面または下面の少なくとも一方に黒色層が設けられたことを特徴とする請求項5ないし13のいずれか一項に記載の表示装置。前記光源と前記蛍光体基板との間に、青色領域の光を透過し、緑色から近赤外領域までの光を反射するバンドパスフィルターが設けられたことを特徴とする請求項5ないし14のいずれか一項に記載の表示装置。請求項5ないし15のいずれか一項に記載の表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。特許文献1に記載の蛍光体基板は、異なる画素に対応した蛍光体層とカラーフィルターとの間にブラックマトリクスが形成されている。そのため、蛍光体層で生じた蛍光がブラックマトリクスに吸収されてしまい、外部に蛍光を十分に取り出すことができない、という問題がある。本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、蛍光体層で生じた蛍光を外部に十分に取り出すことが可能な蛍光体基板、表示装置および電子機器を提供することを目的とする。上記の目的を達成するために、本発明の蛍光体基板は、基板と、前記基板上に設けられ、前記基板と対向して配置された基板の外部から入射した励起光により蛍光を生じる蛍光体層と、前記蛍光体層の側面を囲む隔壁と、を含み、前記隔壁の少なくとも前記蛍光体層と接する部分が光散乱性を有することを特徴とする。本発明の蛍光体基板は、前記隔壁の少なくとも前記蛍光体層と接する部分が樹脂と光散乱性粒子とを含む材料で形成されていることを特徴とする。本発明の蛍光体基板は、前記隔壁の少なくとも前記蛍光体層と接する部分が白色であることを特徴とする。本発明の蛍光体基板は、前記隔壁の少なくとも前記蛍光体層と接する部分が凹凸形状であることを特徴とする。本発明の表示装置は、前記本発明の蛍光体基板と、前記蛍光体層に照射する励起光を射出する光源と、を備えたことを特徴とする。本発明の表示装置は、赤色光による表示を行う赤色画素と、緑色光による表示を行う緑色画素と、青色光による表示を行う青色画素と、を少なくとも含む複数の画素が備えられ、前記光源から前記励起光としての紫外光が射出され、前記蛍光体層として、前記赤色画素に前記紫外光を前記励起光として赤色光を発する赤色蛍光体層が設けられ、前記緑色画素に前記紫外光を前記励起光として緑色光を発する緑色蛍光体層が設けられ、前記青色画素に前記紫外光を前記励起光として青色光を発する青色蛍光体層が設けられたことを特徴とする。本発明の表示装置は、赤色光による表示を行う赤色画素と、緑色光による表示を行う緑色画素と、青色光による表示を行う青色画素と、を少なくとも含む複数の画素が備えられ、前記光源から前記励起光としての青色光が射出され、前記蛍光体層として、前記赤色画素に前記青色光を前記励起光として赤色光を発する赤色蛍光体層が設けられ、前記緑色画素に前記青色光を前記励起光として緑色光を発する緑色蛍光体層が設けられ、前記青色画素には前記青色光を散乱させる散乱層が設けられたことを特徴とする。本発明の表示装置において、前記光源は、前記複数の画素に対応して設けられた複数の発光素子と、前記複数の発光素子をそれぞれ駆動する複数の駆動素子と、を備えたアクティブマトリクス駆動方式の光源であることを特徴とする。本発明の表示装置は、前記光源が、発光ダイオード、有機エレクトロルミネセンス素子、無機エレクトロルミネセンス素子のいずれかであることを特徴とする。本発明の表示装置は、前記光源が、光射出面から光を射出する面状光源であり、前記面状光源と前記蛍光体基板との間に、前記画素毎に前記面状光源から射出された光の透過率を制御可能な液晶素子が設けられたことを特徴とする。本発明の表示装置において、前記光源は、指向性を有していることを特徴とする。本発明の表示装置において、前記光源と前記蛍光体基板との間に、波長435nm以上480nm以下における消光比が10000以上である偏光板が設けられていることを特徴とする。本発明の表示装置において、前記蛍光体層の上面または下面のいずれか一方にカラーフィルターが設けられたことを特徴とする。本発明の表示装置において、前記隔壁の上面または下面の少なくとも一方に黒色層が設けられたことを特徴とする。本発明の表示装置において、前記光源と前記蛍光体基板との間に、青色領域の光を透過し、緑色から近赤外領域までの光を反射するバンドパスフィルターが設けられたことを特徴とする。本発明の電子機器は、前記本発明の表示装置を備えたことを特徴とする。本発明によれば、蛍光体層で生じた蛍光を外部に十分に取り出すことが可能な蛍光体基板、表示装置および電子機器を提供することができる。以下に実施形態及び実施例を挙げ、本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態及び実施例に限定されるものではない。なお、以下の全ての図面においては、各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。第1実施形態図1は、第1実施形態の蛍光体基板10の断面模式図である。本実施形態に係る蛍光体基板10は、当該蛍光体基板10と対向して配置された基板13を備えている。蛍光体基板10は、赤色、緑色および青色の表示をそれぞれ行う3つのドットにより画像を構成する最小単位である1つの画素が構成されている。以下の説明では、赤色の表示を行うドットを赤色画素PR、緑色の表示を行うドットを緑色画素PG、青色の表示を行うドットを青色画素PBと称する。基板13の外部からは励起光L1として例えば紫外光又は青色光が射出される。蛍光体基板10では、外部から射出された励起光L1を受けて、赤色画素PRにおいて赤色の蛍光L2が生じ、緑色画素PGにおいて緑色の蛍光L2が生じ、青色画素PBにおいて青色の蛍光L2が生じる。そして、これら赤色、緑色および青色の3つの色光によってフルカラー表示が行われる。蛍光体基板本実施形態に係る蛍光体基板10は、基板1と、基板1上に設けられ、基板1と対向して配置された基板13の外部から入射した励起光L1により蛍光L2を生じる蛍光体層3R,3G,3Bと、蛍光体層3R,3G,3Bの側面を囲む隔壁7と、蛍光体層3R,3G,3Bの表面に設けられた平坦化層8と、を備えている。蛍光体層3R,3G,3Bの励起光L1が入射する励起光入射面3aは、隔壁7の開口部から露出している。すなわち、励起光入射面3aは、光源11の発光素子2から射出された励起光L1が入射可能な面である。励起光L1は蛍光体層3R,3G,3Bにおいて蛍光L2に変換され、蛍光L2は蛍光体層3R,3G,3Bの射出面3bから射出される。蛍光体層3R,3G,3Bは、ドット毎に分割された複数の蛍光体層からなり、複数の蛍光体層3R,3G,3Bはドットによって異なる色の色光を発光するために異なる蛍光体材料で構成されている。なお、これら複数の蛍光体層3R,3G,3Bを構成する蛍光体材料は、互いにその屈折率が異なっていてもよい。蛍光体層3R,3G,3Bは、例えば平面視矩形状の薄膜からなる。蛍光体層3R,3G,3Bの励起光入射面3aの外面側に、励起光L1を透過し、蛍光体層3R,3G,3Bから放射された蛍光L2を反射する波長選択透過反射部材が形成されていてもよい。なお、励起光を透過するとは、励起光のピーク波長にあたる光を少なくとも透過することを意味し、また、蛍光体層3R,3G,3Bで生じた蛍光を反射するとは、蛍光体層3R,3G,3Bからのそれぞれの発光ピーク波長にあたる光を少なくとも反射することを意味する。隔壁7は、内部に光散乱性粒子7aが分散されて構成されている。具体的には、隔壁7は、樹脂と光散乱性粒子とを含む材料で形成されている。なお、本実施形態においては、隔壁7全体が樹脂と光散乱性粒子とを含む材料で形成されているが、これに限らない。例えば、隔壁7の蛍光体層3R,3G,3Bと接する部分のみが樹脂と光散乱性粒子とを含む材料で形成されていてもよい。すなわち、隔壁7の少なくとも蛍光体層3R,3G,3Bと接する部分が光散乱性を有していればよい。隔壁7は白色であってもよい。具体的には、隔壁7は白色レジストを含んで形成されていてもよい。なお、隔壁7全体が白色レジストを含んで形成されていてもよいし、隔壁7の蛍光体層3R,3G,3Bと接する部分のみが白色レジストを含んで形成されていてもよい。すなわち、隔壁7の少なくとも蛍光体層3R,3G,3Bと接する部分が白色であればよい。これにより、隔壁が黒色である場合に比べて、蛍光L2が隔壁7に吸収されにくくすることができる。図2は、第1実施形態に係る表示装置100の隔壁7の作用を説明するための模式図である。図2Aは本実施形態に係る表示装置100を示す断面模式図であり、図2Bは従来の表示装置100Xを示す断面模式図である。蛍光体層3Xに外部から励起光L1を入射する場合、図2Bに示すように、蛍光体層3Xの周囲にブラックマトリクス7Xが形成された構成であると、蛍光体層3Xで生じた蛍光L2がブラックマトリクス7Xに吸収されてしまい、外部に蛍光L2を十分に取り出すことができない図2Bの破線。これに対し、本実施形態では、図2Aに示すように、蛍光体層3の側面を囲む隔壁7に光散乱性粒子7aが分散されて形成されているため、蛍光体層3で生じた蛍光L2が隔壁7と接する部分の光散乱性粒子7aで散乱し、蛍光L2が隔壁7に吸収されにくい。このため、蛍光体層3で生じた蛍光L2が隔壁7に吸収されることによる蛍光L2のロスを少なくすることができ、外部に蛍光L2を十分に取り出すことが可能となる。また、本実施形態では、基板13を備えているので製造が容易となる。例えば、基板の外部に励起光源を備えた構成を考える。例えば、励起光源が有機ELの場合、もし基板がなければ、有機ELの各層を積層して形成した後に蛍光体層、カラーフィルター層、隔壁層などを順次積層するか、または有機ELの陰極まで形成した基板と別基板上に隔壁層、カラーフィルター層、蛍光体層を形成した蛍光体基板とを水、酸素を排除した雰囲気中で貼り合わせることが必要となり、製造が非常に困難である。また、例えば励起光源がLEDで、液晶素子によって光の透過を調整する場合にも、やはり基板があった方が液晶基板、蛍光体基板をそれぞれ別に製造できるため、容易にかつ低コストで製造することができる。また、有機EL素子を封止、保護する効果が大きい。有機EL素子は水分や酸素の影響により劣化しやすいという問題がある。このため、基板1だけで封止する構造よりも、基板13と基板1の2枚の基板で封止する構造の方が、大気中の水分や酸素の有機EL素子内への侵入の機会を減らすことができる。そのため、有機EL素子の劣化を防止し、信頼性を高めることができる。また、基板13を挿入することによって、有機EL素子と、現像プロセスを経て残留水分を含有している可能性のある隔壁や残留有機溶剤を含有している可能性のある蛍光体、カラーフィルターなど他の部材とを分離することができるので、基板13が設けられていない場合に比べて有機EL素子の長寿命化することが可能となる。光源と蛍光体との距離が近い場合、光源から発生する熱によって蛍光体が劣化しやすいという問題がある。それに対して、基板13の外部に励起光源がある場合には、光源と蛍光体の距離を十分に確保でき、励起光源の発熱による蛍光体の劣化を抑制することができる。以下、本実施形態に係る蛍光体基板10の構成部材及びその形成方法について具体的に説明するが、蛍光体基板10の構成部材およびその形成方法は、これに限定されるものではない。基板本実施形態で用いられる蛍光体基板10用の基板としては、蛍光体層3R,3G,3Bからの蛍光L2を外部に取り出す必要がある事から、蛍光体層3R,3G,3Bの発光領域で、蛍光L2を透過する必要があり、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスティック基板等が挙げられるが、本実施形態はこれらの基板に限定されるものではない。蛍光体層本実施形態の蛍光体層3R,3G,3Bは、紫外発光有機EL素子、青色発光有機EL素子、紫外発光LED、青色LED等の発光素子2からの励起光L1を吸収し、赤色、緑色、青色に発光する赤色蛍光体層3R、緑色蛍光体層3G、青色蛍光体層3Bから構成されている。ただし、発光素子2として青色発光を適用する場合、青色蛍光体層3Bは設けず、青色励起光L1を青色画素PBからの発光としてもよい。また、発光素子2として指向性を有する青色発光を適用する場合は、青色蛍光体層3Bは設けず、当該指向性を有する励起光L1を散乱し、等方発光にして外部へ取り出すことができるような光散乱層を適用してもよい。また、必要に応じて、シアン光、イエロー光に発光する蛍光体層を画素に加える事が好ましい。ここで、シアン光、イエロー光に発光する画素のそれぞれの色純度を、色度図上での赤色、緑色、青色に発光する画素の色純度の点で結ばれる三角形より外側にすることで、赤色、緑色、青色の3原色を発光する画素を使用する表示装置より色再現範囲を更に広げる事が可能となる。蛍光体層3R,3G,3Bは、以下に例示する蛍光体材料のみから構成されていてもよく、任意に添加剤等を含んでいてもよく、これらの材料が高分子材料結着用樹脂又は無機材料中に分散された構成であってもよい。本実施形態の蛍光体材料としては、公知の蛍光体材料を用いることができる。このような蛍光体材料は、有機系蛍光体材料と無機系蛍光体材料に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、蛍光体材料はこれらの材料に限定されるものではない。有機系蛍光体材料としては、青色蛍光色素として、スチルベンゼン系色素:1,4-ビス2-メチルスチリルベンゼン、トランス-4,4‘-ジフェニルスチルベンゼン、クマリン系色素:7-ヒドロキシ-4-メチルクマリン等が挙げられる。また、緑色蛍光色素として、クマリン系色素:2,3,5,6-1H、4H-テトラヒドロ-8-トリフロメチルキノリジン9,9a、1-ghクマリンクマリン153、3-2′-ベンゾチアゾリル―7-ジエチルアミノクマリンクマリン6、3-2′-ベンゾイミダゾリル―7-N,N-ジエチルアミノクマリンクマリン7、ナフタルイミド系色素:ベーシックイエロー51、ソルベントイエロー11、ソルベントイエロー116等が挙げられる。また、赤色蛍光色素としては、シアニン系色素:4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-p-ジメチルアミノスチルリル-4H-ピラン、ピリジン系色素:1-エチル-2-[4-p-ジメチルアミノフェニル-1,3-ブタジエニル]-ピリジニウム-パークロレート、及びローダミン系色素:ローダミンB、ローダミン6G、ローダミン3B、ローダミン101、ローダミン110、ベーシックバイオレット11、スルホローダミン101等が挙げられる。また、無機系蛍光体材料としては、青色蛍光体として、Sr2P2O7:Sn4、Sr4Al14O25:Eu2、BaMgAl10O17:Eu2、SrGa2S4:Ce3、CaGa2S4:Ce3、Ba、SrMg、MnAl10O17:Eu2、Sr、Ca、Ba2、0Mg10PO46Cl2:Eu2、BaAl2SiO8:Eu2、Sr2P2O7:Eu2、Sr5PO43Cl:Eu2、Sr,Ca,Ba5PO43Cl:Eu2、BaMg2Al16O27:Eu2、Ba,Ca5PO43Cl:Eu2、Ba3MgSi2O8:Eu2、Sr3MgSi2O8:Eu2等が挙げられる。また、緑色蛍光体として、BaMgAl16O27:Eu2,Mn2、Sr4Al14O25:Eu2、SrBaAl12Si2O8:Eu2、BaMg2SiO4:Eu2、Y2SiO5:Ce3,Tb3、Sr2P2O7-Sr2B2O5:Eu2、BaCaMg5PO43Cl:Eu2、Sr2Si3O8-2SrCl2:Eu2、Zr2SiO4、MgAl11O19:Ce3,Tb3、Ba2SiO4:Eu2、Sr2SiO4:Eu2、BaSrSiO4:Eu2等が挙げられる。また、赤色蛍光体としては、Y2O2S:Eu3、YAlO3:Eu3、Ca2Y2SiO46:Eu3、LiY9SiO46O2:Eu3、YVO4:Eu3、CaS:Eu3、Gd2O3:Eu3、Gd2O2S:Eu3、YP,VO4:Eu3、Mg4GeO55F:Mn4、Mg4GeO6:Mn4、K5Eu25WO4625、Na5Eu25WO4625、K5Eu25MoO4625、Na5Eu25MoO4625等が挙げられる。また、上記無機系蛍光体は、必要に応じて表面改質処理を施してもよく、その方法としてはシランカップリング剤等の化学的処理によるものや、サブミクロンオーダーの微粒子等の添加による物理的処理によるもの、更にそれらの併用によるもの等が挙げられる。励起光による劣化、発光による劣化等の安定性を考慮すると、無機材料を使用する方が好ましい。更に無機材料を用いる場合には、平均粒径d50が、0.5~50μmであることが好ましい。平均粒径が1μm以下であると、蛍光体の発光効率が急激に低下する。また、50μm以上であると、高解像度にパターニングすることが困難になる。また、蛍光体層は、上記の蛍光体材料と樹脂材料を溶剤に溶解、分散させた蛍光体層形成用塗液を用いて、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウエットプロセス、上記の材料を抵抗加熱蒸着法、電子線EB蒸着法、分子線エピタキシーMBE法、スパッタリング法、有機気相蒸着OVPD法等の公知のドライプロセス、又は、レーザー転写法等により形成することができる。上記の蛍光体の膜厚は、通常100nm~100μm程度であるが、1μm~100μmが好ましい。膜厚が100nm未満であると、光源からの発光を十分吸収することが不可能である為、発光効率の低下、必要とされる色に励起光の透過光が混じる事による色純度の悪化といった問題が生じる。更にこの光源からの発光の吸収を高め、色純度の悪影響を及ぼさない程度に励起光の透過光を低減する為には、膜厚として、1μm以上とする事が好ましい。また、膜厚が100μmを超えると光源からの発光を既に十分吸収する事から、効率の上昇には、繋がらず材料を消費するだけに留まり、材料コストのアップに繋がる。一方、青色蛍光体層3Bの代わりとして光散乱層を適用する場合、光散乱粒子は、有機材料により構成されていてもよいし、無機材料により構成されていてもよいが、無機材料により構成されていることが好ましい。これにより、外部例えば発光素子からの指向性を有する光を、より等方的に効果的に拡散または散乱させることが可能となる。また、無機材料を使用することにより、光および熱に安定な光散乱層を提供することが可能となる。また、光散乱粒子としては、透明度が高いものであることが好ましい。また、光散乱粒子としては、低屈折率の母材中に母材よりも高屈折率の微粒子を分散するものであることが好ましい。また、青色光が光散乱層によって効果的に散乱するためには、光散乱性粒子の粒径がミー散乱の領域にあることが必要であるので、光散乱性粒子の粒径として100nm~500nm程度が好ましい。光散乱粒子として、無機材料を用いる場合には、例えば、ケイ素、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、インジウム、亜鉛、錫、およびアンチモンからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属の酸化物を主成分とした粒子微粒子等が挙げられる。また、光散乱粒子として、無機材料により構成された粒子無機微粒子を用いる場合には、例えば、シリカビーズ屈折率:1.44、アルミナビーズ屈折率:1.63、酸化チタンビーズ屈折率アナタース型:2.50、ルチル型:2.70、酸化ジルコニアビーズ屈折率:2.05、酸化亜鉛ビーズ屈折率:2.00、チタン酸バリウムBaTiO3屈折率:24等が挙げられる。光散乱粒子として、有機材料により構成された粒子有機微粒子を用いる場合には、例えば、ポリメチルメタクリレートビーズ屈折率:1.49、アクリルビーズ屈折率:1.50、アクリル-スチレン共重合体ビーズ屈折率:1.54、メラミンビーズ屈折率:1.57、高屈折率メラミンビーズ屈折率:1.65、ポリカーボネートビーズ屈折率:1.57、スチレンビーズ屈折率:1.60、架橋ポリスチレンビーズ屈折率:1.61、ポリ塩化ビニルビーズ屈折率:1.60、ベンゾグアナミン-メラミンホルムアルデヒドビーズ屈折率:1.68、シリコーンビーズ屈折率:1.50等が挙げられる。上述した光散乱粒子と混合して用いる樹脂材料としては、透光性の樹脂であることが好ましい。また、樹脂材料としては、例えば、アクリル樹脂屈折率:1.49、メラミン樹脂屈折率:1.57、ナイロン屈折率:1.53、ポリスチレン屈折率:1.60、メラミンビーズ屈折率:1.57、ポリカーボネート屈折率:1.57、ポリ塩化ビニル屈折率:1.60、ポリ塩化ビニリデン屈折率:1.61、ポリ酢酸ビニル屈折率:1.46、ポリエチレン屈折率:1.53、ポリメタクリル酸メチル屈折率:1.49、ポリMBS屈折率:1.54、中密度ポリエチレン屈折率:1.53、高密度ポリエチレン屈折率:1.54、テトラフルオロエチレン屈折率:1.35、ポリ三フッ化塩化エチレン屈折率:1.42、ポリテトラフルオロエチレン屈折率:1.35等が挙げられる。隔壁本実施形態の隔壁7は、樹脂と光散乱性粒子7aとを含む材料で形成されている。上述した光散乱層同様、低屈折率の樹脂中に樹脂よりも高屈折率の光散乱微粒子を分散するものであることが好ましい。また、青色光が光散乱性隔壁によって効果的に散乱するためには、光散乱性粒子の粒径がミー散乱の領域にあることが必要であるので、光散乱性粒子の粒径として100nm~500nm程度が好ましい。樹脂としては、例えば0056に挙げたような樹脂材料を用いることができる。また、光散乱性粒子7aとしては、例えば0053、0054、0055に挙げたような光散乱性粒子を用いることができる。隔壁材料の構成樹脂としてアルカリ可溶性樹脂を選択し、光重合性モノマー、光重合開始剤、溶剤を添加することによって隔壁材料をフォトレジスト化することができ、フォトリソグラフィーによってパターニングすることが可能となる。なお、隔壁7の開口部蛍光体層一区画の縦横サイズは、20μm×20μm程度~500μm×500μm程度が好ましい。また、隔壁7は、CIE1976Lab表示系において80以上の反射率を有することが好ましい。また、従来通りコントラスト向上を目的として、光散乱性隔壁の光取出し方向側に0.01μmから3μm程度の光散乱性隔壁に比べて薄い黒色隔壁層を挿入しても良い。更に、ある画素に進入するように設計された励起光が隣接画素に漏れて混色がおきるのを防止するために、隣接画素に進入しようとする光を吸収する目的で、光散乱性隔壁の光取出し方向とは反対側に0.01μmから3μm程度の光散乱性隔壁に比べて薄い黒色隔壁層を挿入しても良い。隔壁への撥液性の付与蛍光体層をディスペンサー法、インクジェット法などによってパターニングする場合、隔壁より蛍光体溶液が溢れ出て隣接画素間での混色を防止するために隔壁に撥液性を付与することが必須である。隔壁に撥液性を付与する方法としては例えば以下のような方法がある。1フッ素プラズマ処理例えば、特開2000-76979号公報に開示されているように、隔壁を形成した基板に対して導入ガスをフッ素系とした条件下でプラズマ処理を行うことによって隔壁に撥液性を付与することができる。2フッ素系表面改質剤の添加光散乱性隔壁の材料にフッ素系表面改質剤を添加することによって隔壁に撥液性を付与することができる。フッ素系表面改質剤としては、例えばUV硬化型表面改質剤ディフェンサDIC株式会社製やメガファックなどが使用できる。隔壁の形状隔壁の形状としては、バックライト光が本来入射すべき画素の隣接画素に入射しないように、出射基板側よりも入射側で隔壁の開口部が広くなるような、テーパー形状が望ましい。また、基板と隔壁との密着性を十分に高めるためには、隔壁の横幅に対する隔壁の高さの比率アスペクト比が1以上であることが望ましい。カラーフィルター本実施形態の蛍光体基板10には、光取り出し側の基板1と蛍光体層3R,3G,3Bとの間にカラーフィルターを設けることが好ましい。カラーフィルターとしては、従来のカラーフィルターを用いることが可能である。ここで、カラーフィルターを設けることによって、赤色画素PR、緑色画素PG、青色画素PBの色純度を高める事が可能となり、表示装置100の色再現範囲を拡大する事ができる。また、青色蛍光体層3Bと対向する青色カラーフィルター、緑色蛍光体層3Gと対向する緑色カラーフィルター、赤色蛍光体層3Rと対向する赤色カラーフィルターが、外光の各蛍光体層3R,3G,3Bを励起する励起光を吸収するため、外光による蛍光体層3R,3G,3Bの発光を低減防止することが可能となり、コントラストの低下を低減防止する事が出来る。また、青色カラーフィルター、緑色カラーフィルター、赤色カラーフィルターにより、蛍光体層3R,3G,3Bにより吸収されず、透過してしまう励起光L1が外部に漏れ出す事を防止できるため、蛍光体層3R,3G,3Bからの発光と励起光L1による混色による発光の色純度の低下を防止する事が可能となる。光源本実施形態の蛍光体基板10には、基板13の外部に、蛍光体層3R,3G,3Bに照射する励起光を射出する光源が設けられ、表示装置が構成されていてもよい。蛍光体層3R,3G,3Bを励起する光源としては、紫外光、青色光が好ましく、例えば、紫外LED、青色LED、紫外発光無機EL、青色発光無機EL、紫外発光有機EL、青色発光有機EL等が挙げられるが、本実施形態はこれらの光源に限定されるものではない。また、これらの光源を直接スイッチングする事で、画像を表示する為の、発光のON/OFFをコントロールする事が可能であるが、蛍光体層3R,3G,3Bと光源11との間に、液晶の様なシャッター機能を有する層を配置し、それを、コントロールする事で発光のON/OFFをコントロールする事も可能である。また、液晶の様なシャッター機能を有する層と光源とを両方共ON/OFFをコントロールする事も可能である。光源としては、公知の紫外LED、青色LED、紫外発光無機EL、青色発光無機EL、紫外発光有機EL、青色発光有機EL等が使用可能であり、特に限定されるものではなく、公知の材料、公知の製造方法で作製する事が可能である。ここで、紫外光としては、主発光ピークが360nm~410nmの発光が好ましく、青色光としては、主発光ピークが435nm~480nmの発光が好ましい。光源は、指向性を有していることが望ましい。指向性とは、光の強度が方向によって異なる性質をいう。指向性は、光が蛍光体層に入射する時点で有していればよい。光源は、平行光を蛍光体層に入射させることが望ましい。光源の指向性の程度としては半値幅30度以下、より好ましくは10度以下が良い。半値幅30度よりも大きい場合、バックライトから射出された光が所望の画素以外に入射して所望外の蛍光体を励起することにより色純度やコントラストを低下させるためである。以下、光源に好適に利用可能な発光素子について説明する。LED図3に示すように、LED発光ダイオードを発光素子2Aとして用いることができる。LEDとしては、公知のLEDを用いる事が可能で、例えば、紫外発光無機LED、青色発光無機LEDが好適である。これらのLEDは、例えば、基板9の一面に第1のバッファ層23、n型コンタクト層24、第2のn型クラッド層25、第1のn型クラッド層26、活性層27、第1のp型クラッド層28、第2のp型クラッド層29、第2のバッファ層30が順次積層され、n型コンタクト層24上に陰極22が形成され、第2のバッファ層30上に陽極21が形成された構成の発光素子2Aである。なお、LEDの具体的な構成は前記のものに限ることはない。活性層27は、電子と正孔の再結合より発光を行う層であり、活性層材料としては、LED用の公知の活性層材料を用いることができる。このような活性層材料としては、例えば、紫外活性層材料としては、AlGaN、InAlN、InaAlbGa1abN0≦a、0≦b、ab≦1、青色活性層材料としては、InzGa1zN0<z<1等が挙げられるが、活性層材料はこれらに限定されるものではない。活性層27としては、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造のものが利用できる。量子井戸構造の活性層はn型、p型のいずれでもよいが、特にノンドープ不純物無添加とすることによりバンド間発光により発光波長の半値幅が狭くなり、色純度のよい発光が得られるため好ましい。活性層27にドナー不純物、アクセプター不純物の少なくとも一方をドープしてもよい。不純物をドープした活性層の結晶性がノンドープと同じであれば、ドナー不純物をドープすると、ノンドープのものに比べてバンド間発光強度をさらに強くすることができる。アクセプター不純物をドープするとバンド間発光のピーク波長よりも約0.5eV低エネルギー側にピーク波長をシフトさせることができるが、半値幅は広くなる。アクセプター不純物とドナー不純物との両者をドープすると、アクセプター不純物のみをドープした活性層の発光強度に比べその発光強度をさらに大きくすることができる。特に、アクセプター不純物をドープした活性層を形成する場合、活性層の導電型はSi等のドナー不純物をもドープしてn型とすることが好ましい。n型クラッド層25,26としては、LED用の公知のn型クラッド層材料を用いることができる。図3の例では、n型クラッド層を第1のn型クラッド層26と第2のn型クラッド層25の2層で構成しているが、n型クラッド層は、1層でもよいし、3層以上の多層でも良い。活性層27よりバンドギャップエネルギーが大きいn型半導体で形成される材料によりn型クラッド層を構成する事で、n型クラッド層と活性層27の間には正孔に対する電位障壁ができ、正孔を活性層に閉じ込める事が可能となる。例えば、n型InxGa1xN0≦x<1によりn型クラッド層を25,26形成する事が可能であるが、n型クラッド層は25,26は、これらに限定されるものではない。p型クラッド層28,29としては、LED用の公知のp型クラッド層材料を用いることができる。図3の例では、p型クラッド層を第1のp型クラッド層28と第2のp型クラッド層29の2層で構成しているが、p型クラッド層は、1層でもよいし、3層以上の多層でも良い。活性層27よりバンドギャップエネルギーが大きいp型半導体で形成される材料によりp型クラッド層を構成する事で、p型クラッド層と活性層27の間には電子に対する電位障壁ができ、電子は活性層27に閉じ込める事が可能となる。例えば、AlyGa1yN0≦y≦1でp型クラッド層28,29を形成する事が可能であるが、p型クラッド層28,29は、これらに限定されるものではない。n型コンタクト層24としては、LED用の公知のコンタクト層材料を用いることができる。例えば、n型クラッド層に接して電極陰極22を形成する層としてn型GaNよりなるn型コンタクト層を形成することが可能である。また、p型クラッド層に接して電極陽極21を形成する層としてp型GaNよりなるp型コンタクト層を形成することも可能である。但し、このコンタクト層は、第2のn型クラッド層25、第2のp型クラッド層29をGaNで形成されていれば、特に形成する必要はなく、第2のn型およびp型クラッド層をコンタクト層とすることも可能である。上記各層は、LED用の公知の成膜プロセスを用いる事が可能であるが、成膜プロセスは特にこれらに限定されるものではない。例えば、MOVPE有機金属気相成長法、MBE分子線気相成長法、HDVPEハイドライド気相成長法等の気相成長法を用いて、例えばサファイアC面、A面、R面を含む、SiC6H-SiC、4H-SiCも含む、スピネルMgAl2O4、特にその111面、ZnO、Si、GaAs、あるいは他の酸化物単結晶基板NGO等等の基板上に上記各層を形成することが可能である。有機EL素子図4に示すように、有機EL素子を発光素子2Bとして用いることができる。本実施形態で用いられる有機EL素子は、公知の有機ELを用いる事が可能である。有機EL素子2Bは、例えば、基板9の一面に陽極41、正孔注入層43、正孔輸送層44、発光層45、正孔防止層46、電子輸送層47、電子注入層48、陰極49が順次積層された構成の発光素子2Bである。陽極41の端面を覆うようにエッジカバー42が形成されている。有機EL素子2Bとしては、陽極41と陰極49との間に少なくとも有機発光材料からなる発光層有機発光層45を含む有機EL層を含んでいればよく、具体的な構成は前記のものに限ることはない。なお、以下の説明では、正孔注入層43から電子注入層48までの層を有機EL層と称することがある。有機EL素子2Bは、図1に示した赤色画素PR、緑色画素PG、青色画素PBの各々に対応してマトリクス状に設けられ、個別にオン/オフが制御されるようになっている。複数の有機EL素子2Bの駆動方法は、アクティブマトリクス駆動でもよいし、パッシブマトリクス駆動でもよい。アクティブマトリクス方式の有機EL素子を用いた構成例は、後の説明で詳述する。以下、有機EL素子2Bの各構成要素について詳細に説明する。基板本実施形態で用いられる基板9としては、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスティック基板、アルミナ等からなるセラミックス基板等の絶縁性基板、又は、アルミニウムAl、鉄Fe等からなる金属基板、または、前記基板上に酸化シリコンSiO2、有機絶縁材料等からなる絶縁物を表面にコーティングした基板、Al等からなる金属基板の表面を陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板等が挙げられる。さらに、前記プラスティック基板に無機材料をコートした基板、前記金属基板に無機絶縁材料をコートした基板が更に好ましい。これにより、プラスティック基板を有機ELの基板として用いた場合の最大の問題となる水分の透過による有機ELの劣化有機ELは、特に低量の水分に対しても劣化が起こることが知られている。を解消する事が可能となる。また、金属基板を有機ELの基板として用いた場合の最大の問題となる金属基板の突起によるリークショート有機ELの膜厚は、100~200nm程度と非常に薄いため、突起による画素部での電流にリークショートが、顕著に起こることが知られている。を解消する事が可能となる。また、有機EL素子をアクティブマトリックス駆動するためのTFTを形成する場合には、500°C以下の温度で融解せず、歪みも生じない基板を用いることが好ましい。また、一般的な金属基板は、ガラスと熱膨張率が異なるため、従来の生産装置で金属基板上にTFTを形成することが困難であるが、線膨張係数が1×10-5/°C以下の鉄-ニッケル系合金である金属基板を用いて、線膨張係数をガラスに合わせ込む事で金属基板上にTFTを従来の生産装置を用いて安価に形成する事が可能となる。また、プラスティック基板の場合には、耐熱温度が非常に低いため、ガラス基板上にTFTを形成した後、プラスティック基板にTFTを転写する事で、プラスティック基板上にTFTを転写形成する事が可能である。更に、有機EL層からの発光を基板と反対側から取り出す場合には、基板としての制約はないが、有機EL層からの発光を基板側から取り出す場合には、用いる基板として有機EL層からの発光を外部に取り出す為に、透明又は半透明の基板を用いる必要がある。陽極及び陰極本実施形態で用いられる陽極41及び陰極49は、有機EL層に電流を供給する第1電極及び第2電極として機能する。図4では、第1電極である陽極41を有機EL層を挟んで基板9側に配置し、第2電極である陰極49を有機EL層を挟んで基板9とは反対側に配置しているが、この関係は逆にしてもよい。つまり、第1電極である陽極41を有機EL層を挟んで基板9とは反対側に配置し、第2電極である陰極49を有機EL層を挟んで基板9側に配置してもよい。以下に、具体的な化合物及び形成方法を例示するが、化合物及び形成方法はこのようなものに限定されるものではない。陽極41及び陰極49を形成する電極材料としては公知の電極材料を用いることができる。陽極を形成する電極材料としては、有機EL層への正孔の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が4.5eV以上の金Au、白金Pt、ニッケルNi等の金属、及び、インジウムInと錫Snからなる酸化物ITO、錫Snの酸化物SnO2インジウムInと亜鉛Znからなる酸化物IZO等が透明電極材料として挙げられる。また、陰極49を形成する電極材料としては、有機EL層への電子の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が4.5eV以下のリチウムLi、カルシウムCa、セリウムCe、バリウムBa、アルミニウムAl等の金属、又は、これらの金属を含有するMg:Ag合金、Li:Al合金等の合金が挙げられる。陽極41及び陰極49は、上記の材料を用いてEB蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができるが、陽極及び陰極の形成方法はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、必要に応じて、フォトリソグラフフィー法、レーザー剥離法により、形成した電極をパターン化することもでき、シャドーマスクと組み合わせることで直接パターン化した電極を形成することもできる。その膜厚は、50nm以上が好ましい。膜厚が50nm未満の場合には、配線抵抗が高くなることから、駆動電圧の上昇が生じるおそれがある。色純度の向上、発光効率の向上、正面輝度の向上等の目的でマイクロキャビティ効果を用いる場合には、有機EL層からの発光を陽極41側から取り出す場合には、陽極41として半透明電極を用いることが好ましい。ここで用いる材料として、金属の半透明電極単体、もしくは、金属の半透明電極と透明電極材料の組み合わせを用いる事が可能であるが、半透明電極材料としては、反射率透過率の観点から、銀が好ましい。半透明電極の膜厚は、5~30nmが好ましい。膜厚が5nm未満の場合には、光の反射が十分行えず、干渉の効果を十分得るとこができない。また、膜厚が30nmを超える場合には、光の透過率が急激に低下することから輝度、効率が低下するおそれがある。また、陰極49として光を反射する反射率の高い電極を用いることが好ましい。この際に用いる電極材料としては、例えば、アルミニウム、銀、金、アルミニウム-リチウム合金、アルミニウム-ネオジウム合金、アルミニウム-シリコン合金等の反射性金属電極、透明電極と前記反射性金属電極反射電極を組み合わせた電極等が挙げられる。有機EL層からの発光を陰極49側から取り出す場合には、上記とは逆に、陽極41を反射率の高い電極で形成し、陰極49を半透明電極とすればよい。有機EL層本実施形態で用いられる有機EL層は、有機発光層の単層構造でも、有機発光層と電荷輸送層の多層構造でもよく、具体的には、下記の構成が挙げられるが、有機EL層の構成はこれらにより限定されるものではない。図4の例では、下記8の構成が用いられている。なお、以下の説明では、正孔および電子を電荷と称し、陽極41又は陰極49から発光層45に向けて電荷を注入する層正孔注入層又は電子注入層を電荷注入層と称し、電荷注入層によって陽極41又は陰極49から注入された電荷を発光層45に向けて輸送する層正孔輸送層、電子輸送層を電荷輸送層と称し、電荷注入層と電荷輸送層を総称して電荷注入輸送層と称することがある。1有機発光層2正孔輸送層/有機発光層3有機発光層/電子輸送層4正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層5正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層6正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/電子注入層7正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/正孔防止層/電子輸送層8正孔注入層/正孔輸送層/有機発光層/正孔防止層/電子輸送層/電子注入層9正孔注入層/正孔輸送層/電子防止層/有機発光層/正孔防止層/電子輸送層/電子注入層有機発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔防止層、電子防止層、電子輸送層及び電子注入層の各層は、単層構造でも多層構造でもよい。有機発光層45は、以下に例示する有機発光材料のみから構成されていてもよく、発光性のドーパントとホスト材料の組み合わせから構成されていてもよく、任意に正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤ドナー、アクセプター等等を含んでいてもよく、また、これらの材料が高分子材料結着用樹脂又は無機材料中に分散された構成であってもよい。発光効率寿命の観点からは、ホスト材料中に発光性のドーパントが分散されたものが好ましい。有機発光材料としては、有機EL用の公知の発光材料を用いることができる。このような発光材料は、低分子発光材料、高分子発光材料等に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、有機発光材料はこれらの材料に限定されるものではない。また、上記発光材料は、蛍光材料、燐光材料等に分類されるものでもよく、低消費電力化の観点で、発光効率の高い燐光材料を用いる事が好ましい。ここで、具体的な化合物を以下に例示するが、有機発光材料はこれらの材料に限定されるものではない。発光層に任意に含まれる発光性のドーパントとしては、有機EL用の公知のドーパント材料を用いることができる。このようなドーパント材料としては、例えば、紫外発光材料としては、p-クォーターフェニル、3,5,35テトラtブチルセクシフェニル、3,5,35テトラtブチルp-クィンクフェニル等の蛍光発光材料等が挙げられる。青色発光材料として、スチリル誘導体等の蛍光発光材料、ビス[4,6-ジフルオロフェニル-ピリジナト-N,C2‘]ピコリネートイリジウムIIIFIrpic、ビス4’6‘-ジフルオロフェニルポリジナトテトラキス1-ピラゾイルボレートイリジウムIIIFIr6等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。また、ドーパントを用いる時のホスト材料としては、有機EL用の公知のホスト材料を用いることができる。このようなホスト材料としては、上述した低分子発光材料、高分子発光材料、4,4‘-ビスカルバゾールビフェニル、9,9-ジ4-ジカルバゾール-ベンジルフルオレンCPF、3,6-ビストリフェニルシリルカルバゾールmCP、PCF等のカルバゾール誘導体、4-ジフェニルフォスフォイル-N,NジフェニルアニリンHM-A1等のアニリン誘導体、1,3-ビス9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルベンゼンmDPFB、1,4-ビス9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルベンゼンpDPFB等のフルオレン誘導体等が挙げられる。電荷注入輸送層は、電荷正孔、電子の電極からの注入と発光層への輸送注入をより効率よく行う目的で、電荷注入層正孔注入層、電子注入層と電荷輸送層正孔輸送層、電子輸送層に分類される。電荷注入輸送層は、以下に例示する電荷注入輸送材料のみから構成されていてもよく、任意に添加剤ドナー、アクセプター等等を含んでいてもよく、これらの材料が高分子材料結着用樹脂又は無機材料中に分散された構成であってもよい。電荷注入輸送材料としては、有機EL用、有機光導電体用の公知の電荷輸送材料を用いることができる。このような電荷注入輸送材料は、正孔注入輸送材料及び電子注入輸送材料に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、電荷注入輸送材料はこれらの材料に限定されるものではない。正孔注入正孔輸送材料としては、例えば、酸化バナジウムV2O5、酸化モリブデンMoO2等の酸化物、無機p型半導体材料、ポルフィリン化合物、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ビスフェニル-ベンジジンTPD、N,N’-ジナフタレン-1-イル-N,N’-ジフェニル-ベンジジンNPD等の芳香族第三級アミン化合物、ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物等の低分子材料、ポリアニリンPANI、ポリアニリン-樟脳スルホン酸PANI-CSA、3,4-ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンサルフォネイトPEDOT/PSS、ポリトリフェニルアミン誘導体Poly-TPD、ポリビニルカルバゾールPVCz、ポリp-フェニレンビニレンPPV、ポリp-ナフタレンビニレンPNV等の高分子材料等が挙げられる。また、陽極41からの正孔の注入輸送をより効率よく行う点で、正孔注入層43として用いる材料としては、正孔輸送層44に使用する正孔注入輸送材料より最高被占分子軌道HOMOのエネルギー準位が低い材料を用いることが好ましく、正孔輸送層44としては、正孔注入層43に使用する正孔注入輸送材料より正孔の移動度が高い材料を用いることが好ましい。また、より正孔の注入輸送性を向上させるため、前記正孔注入輸送材料にアクセプターをドープする事が好ましい。アクセプターとしては、有機EL用の公知のアクセプター材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、アクセプター材料はこれらの材料に限定されるものではない。アクセプター材料としては、Au、Pt、W,Ir、POCl3、AsF6、Cl、Br、I、酸化バナジウムV2O5、酸化モリブデンMoO2等の無機材料、TCNQ7,7,8,8,-テトラシアノキノジメタン、TCNQF4テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、TCNEテトラシアノエチレン、HCNBヘキサシアノブタジエン、DDQジシクロジシアノベンゾキノン等のシアノ基を有する化合物、TNFトリニトロフルオレノン、DNFジニトロフルオレノン等のニトロ基を有する化合物、フルオラニル、クロラニル、ブロマニル等の有機材料が挙げられる。この内、TCNQ、TCNQF4、TCNE、HCNB、DDQ等のシアノ基を有する化合物がよりキャリア濃度を効果的に増加させることが可能であるためより好ましい。電子注入電子輸送材料としては、例えば、n型半導体である無機材料、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、ベンゾジフラン誘導体等の低分子材料;ポリオキサジアゾールPoly-OXZ、ポリスチレン誘導体PSS等の高分子材料が挙げられる。特に、電子注入材料としては、特にフッ化リチウムLiF、フッ化バリウムBaF2等のフッ化物、酸化リチウムLi2O等の酸化物等が挙げられる。電子の陰極49からの注入輸送をより効率よく行う点で、電子注入層48として用いる材料としては、電子輸送層47に使用する電子注入輸送材料より最低空分子軌道LUMOのエネルギー準位が高い材料を用いることが好ましく、電子輸送層47として用いる材料としては、電子注入層48に使用する電子注入輸送材料より電子の移動度が高い材料を用いることが好ましい。また、より電子の注入輸送性を向上させるため、前記電子注入輸送材料にドナーをドープする事が好ましい。ドナーとしては、有機EL用の公知のドナー材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、ドナー材料はこれらの材料に限定されるものではない。ドナー材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Al、Ag、Cu、In等の無機材料、アニリン類、フェニレンジアミン類、ベンジジン類N,N,N’,N’-テトラフェニルベンジジン、N,N’-ビス-3-メチルフェニル-N,N’-ビス-フェニル-ベンジジン、N,N’-ジナフタレン-1-イル-N,N’-ジフェニル-ベンジジン等、トリフェニルアミン類トリフェニルアミン、4,4’4-トリスN,N-ジフェニル-アミノ-トリフェニルアミン、4,4’4-トリスN-3-メチルフェニル-N-フェニル-アミノ-トリフェニルアミン、4,4’4-トリスN-1-ナフチル-N-フェニル-アミノ-トリフェニルアミン等、トリフェニルジアミン類N,N’-ジ-4-メチル-フェニル-N,N’-ジフェニル-1,4-フェニレンジアミン等の芳香族3級アミンを骨格にもつ化合物、フェナントレン、ピレン、ペリレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン等の縮合多環化合物ただし、縮合多環化合物は置換基を有してもよい、TTFテトラチアフルバレン類、ジベンゾフラン、フェノチアジン、カルバゾール等の有機材料がある。この内特に、芳香族3級アミンを骨格にもつ化合物、縮合多環化合物、アルカリ金属がよりキャリア濃度を効果的に増加させることが可能であるためより好ましい。発光層45、正孔輸送層44、電子輸送層47、正孔注入層43及び電子注入層48等の有機EL層は、上記の材料を溶剤に溶解、分散させた有機EL層形成用塗液を用いて、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウエットプロセス、上記の材料を抵抗加熱蒸着法、電子線EB蒸着法、分子線エピタキシーMBE法、スパッタリング法、有機気相蒸着OVPD法等の公知のドライプロセス、又は、レーザー転写法等により形成することができる。なお、ウエットプロセスにより有機EL層を形成する場合には、有機EL層形成用塗液は、レベリング剤、粘度調整剤等の塗液の物性を調整するための添加剤を含んでいてもよい。上記の各有機EL層の膜厚は、通常1nm~1000nm程度であるが、10nm~200nmが好ましい。膜厚が10nm未満であると、本来必要とされる物性電荷の注入特性、輸送特性、閉じ込め特性が得なれない。また、ゴミ等の異物による画素欠陥が生じるおそれがある。また、膜厚が200nmを超えると有機EL層の抵抗成分により駆動電圧の上昇が生じ、消費電力の上昇に繋がる。エッジカバー図4の例では、基板9側に形成された陽極41のエッジ部で、陽極41と陰極49との間でリークを起こす事を防止する目的でエッジカバー42が設けられている。ここで、エッジカバー42は、絶縁材料を用いてEB蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができ、公知のドライ及びウエット法のフォトリソグラフィー法によりパターン化をすることができるが、エッジカバー42の形成方法はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、エッジカバー42を構成する材料は、公知の材料を使用することができ、本実施形態では特に限定されないが、光を透過する必要がある場合には、例えば、SiO、SiON、SiN、SiOC、SiC、HfSiON、ZrO、HfO、LaO等が挙げられる。また、膜厚としては、100nm~2000nmが好ましい。100nm以下であると、絶縁性が十分ではなく、陽極41と陰極49との間でリークが起こり、消費電力の上昇、非発光の原因となる。また、2000nm以上であると、成膜プロセスに時間が係り生産性の悪化、エッジカバー42での電極の断線の原因となる。有機EL素子2Bは、陽極41及び陰極49として用いられる反射電極と半透明電極との干渉効果による、もしくは、誘電体多層膜によるマイクロキャビティ構造光微小共振器構造を有する事が好ましい。これにより、有機EL素子2Bの発光を正面方向に集光する指向性を持たせる事が可能とり、周囲に逃げる発光ロスを低減する事が可能となり、正面での発光効率を高める事が、可能となる。これにより、より効率良く有機EL素子2Bの発光層45中で生じる発光エネルギーを蛍光体層3R,3G,3Bへ伝搬する事が可能となる。また、干渉効果により、発光スペクトルの調整も可能となり、所望の発光ピーク波長、半値幅に調整する事により発光スペクトルの調整が可能となる。これにより、蛍光体層3R,3G,3Bをより効果的に励起することが可能なスペクトルに制御する事ができる。有機EL素子2Bは、外部駆動回路に電気的に接続される。この場合、有機EL素子2Bは直接外部駆動回路に接続され、駆動されてもよいし、TFT等のスイッチング回路を画素内に配置し、TFT等が接続される配線に外部駆動回路走査線電極回路ソースドライバ、データ信号電極回路ゲートドライバ、電源回路が電気的に接続されてもよい。アクティブマトリクス駆動型有機EL素子図5は、アクティブマトリクス駆動型の有機EL素子2Bを用いた有機EL素子基板70光源の断面図である。本実施形態の有機EL素子基板70は、基板9の一面にTFT駆動素子51が形成されている。すなわち、ゲート電極52およびゲート線53が形成され、これらゲート電極52およびゲート線53を覆うように基板本体9上にゲート絶縁膜54が形成されている。ゲート絶縁膜54上には活性層図示略が形成され、活性層上にソース電極55、ドレイン電極56およびデータ線57が形成され、これらソース電極55、ドレイン電極56およびデータ線57を覆うように平坦化膜58が形成されている。なお、この平坦化膜58は単層構造でなくてもよく、他の層間絶縁膜と平坦化膜を組み合わせた構成としてもよい。また、平坦化膜もしくは層間絶縁膜を貫通してドレイン電極56に達するコンタクトホール59が形成され、平坦化膜58上にコンタクトホール59を介してドレイン電極56と電気的に接続された有機EL素子2Bの陽極41が形成されている。有機EL素子2B自体の構成は前述したものと同様である。TFT51は、有機EL素子2Bを形成する前に基板9上に形成され、画素スイッチング用素子および有機EL素子駆動用素子として機能する。本実施形態で用いられるTFT51としては、公知のTFTが挙げられ、公知の材料、構造および形成方法を用いて形成することができる。また、本実施形態では、TFT51の代わりに、金属-絶縁体-金属MIMダイオードを用いることもできる。TFT51の活性層の材料としては、例えば、非晶質シリコンアモルファスシリコン、多結晶シリコンポリシリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料、酸化亜鉛、酸化インジウム-酸化ガリウム-酸化亜鉛等の酸化物半導体材料、またはポリチオフェン誘導体、チオフェンオリゴマー、ポリp-フェリレンビニレン誘導体、ナフタセン、ペンタセン等の有機半導体材料などが挙げられる。また、TFT51の構造としては、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型などが挙げられる。TFT51を構成する活性層の形成方法としては、1プラズマ誘起化学気相成長PECVD法により成膜したアモルファスシリコンに不純物をイオンドーピングする方法、2シランSiH4ガスを用いた減圧化学気相成長LPCVD法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、3Si2H6ガスを用いたLPCVD法またはSiH4ガスを用いたPECVD法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピングを行う方法低温プロセス、4LPCVD法またはPECVD法によりポリシリコン層を形成し、1000°C以上で熱酸化することによりゲート絶縁膜を形成し、その上に、nポリシリコンのゲート電極を形成し、その後、イオンドーピングを行う方法高温プロセス、5有機半導体材料をインクジェット法等により形成する方法、6有機半導体材料の単結晶膜を得る方法等が挙げられる。本実施形態で用いられるTFT51のゲート絶縁膜54は、公知の材料を用いて形成することができる。例えば、PECVD法、LPCVD法等により形成されたSiO2またはポリシリコン膜を熱酸化して得られるSiO2等が挙げられる。また、本実施形態で用いられるTFT51のデータ線57、ゲート線53、ソース電極55およびドレイン電極56は、公知の導電性材料を用いて形成することができ、例えばタンタルTa、アルミニウムAl、銅Cu等が挙げられる。本実施形態に係るTFT51は、前記のような構成とすることができるが、これらの材料、構造および形成方法に限定されるものではない。本実施形態に用いられる層間絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、酸化シリコンSiO2、窒化シリコンSiN、または、Si3N4、酸化タンタルTaO、または、Ta2O5等の無機材料、または、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。また、その形成方法としては、化学気相成長CVD法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。また、必要に応じて、フォトリソグラフィー法等によりパターニングすることもできる。その他、有機EL素子2Bからの光を基板9の反対側から取り出す場合には、基板9上に形成されたTFT51に外光が入射し、TFT51の電気的特性に変化が生じることを防ぐ目的で、遮光性を兼ね備えた遮光性絶縁膜を用いることが好ましい。また、前記の層間絶縁膜と遮光性絶縁膜を組み合わせて用いることもできる。遮光性絶縁膜としては、フタロシアニン、キナクリドン等の顔料または染料をポリイミド等の高分子樹脂に分散したもの、カラーレジスト、ブラックマトリクス材料、NixZnyFe2O4等の無機絶縁材料等が挙げられる。しかしながら、本実施形態はこれらの材料および形成方法に限定されるものではない。本実施形態においては、基板9上に形成したTFT51や各種配線、電極により、その表面に凸凹が形成され、この凸凹によって有機EL素子2Bの欠陥例えば、陽極41や陰極49の欠損や断線、有機EL層の欠損、陽極41と陰極49との短絡、耐圧の低下等が発生するおそれがある。よって、これらの欠陥を防止する目的で層間絶縁膜上に平坦化膜58を設けることが望ましい。本実施形態で用いられる平坦化膜58は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル等の無機材料、ポリイミド、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。平坦化膜58の形成方法としては、CVD法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられるが、本実施形態はこれらの材料および形成方法に限定されるものではない。また、平坦化膜58は、単層構造でも多層構造でもよい。図6は、上記有機EL素子基板70を備えた表示装置200の概略構成図である。表示装置200は、有機EL素子基板70と、有機EL素子基板70と対向配置された蛍光体基板10と、有機EL素子基板70と蛍光体基板10とが対向する領域に設けられた画素部71と、画素部71に駆動信号を供給するゲート信号側駆動回路72、データ信号側駆動回路73、信号配線74および電流供給線75と、有機EL素子基板70に接続されたフレキシブルプリント配線板76FPCと、外部駆動回路77とを備えている。本実施形態に係る有機EL素子基板70は、図5に示した有機EL素子2Bを駆動するために走査線電極回路、データ信号電極回路、電源回路等を含む外部駆動回路77に、FPC76を介して電気的に接続されている。本実施形態の場合、図5に示したTFT51等のスイッチング回路が画素部71内に配置され、TFT51等が接続されるデータ線57、ゲート線53等の配線に有機EL素子2Bを駆動するためのデータ信号側駆動回路73、ゲート信号側駆動回路72がそれぞれ接続され、これら駆動回路に信号配線74を介して外部駆動回路77が接続されている。画素部71内には、複数のゲート線53および複数のデータ線57が配置され、ゲート線53とデータ線57との交差部にTFT51が配置されている。本実施形態に係る有機EL素子は、図7に示すように、電圧駆動デジタル階調方式によって駆動が行われ、画素毎にスイッチング用TFTおよび駆動用TFTの2つのTFTが配置され、駆動用TFTと発光部有機EL素子2Bの陽極とが、図5に示した平坦化膜58に形成されるコンタクトホール59を介して電気的に接続されている。また、一つの画素内には駆動用TFTのゲート電位を定電位にするためのコンデンサーが、駆動用TFTのゲート電極に接続されるように配置されている。しかし、本実施形態では、特にこれらに限定されるものではなく、駆動方式は、前述した電圧駆動デジタル階調方式でも良く、電流駆動アナログ階調方式でもよい。また、TFTの数も特に限定されるものではなく、前述した2つのTFTにより有機EL素子を駆動しても良いし、TFTの特性移動度、閾値電圧バラツキを防止する目的で、画素内に補償回路を内蔵した2個以上のTFTを用いて有機EL素子を駆動してもよい。無機EL素子図8に示すように、無機EL素子を発光素子2Cとして用いることができる。無機EL素子としては、公知の無機EL素子を用いる事が可能で、例えば、紫外発光無機EL素子、青色発光無機EL素子が好適である。これらの無機EL素子は、例えば、基板9の一面に第1電極81、第1誘電体層82、発光層83、第2誘電体層84、および第2電極85が順次積層された構成の発光素子2Cである。なお、無機EL素子の具体的な構成は前記のものに限定されるものではない。以下、無機EL素子2Cの各構成要素について詳細に説明する。第1電極および第2電極本実施形態で用いられる第1電極81及び第2電極85としては、アルミニウムAl、金Au、白金Pt、ニッケルNi等の金属、及び、インジウムInと錫Snからなる酸化物ITO、錫Snの酸化物SnO2インジウムInと亜鉛Znからなる酸化物IZO等が透明電極材料として挙げられるが、電極材料はこれらの材料に限定されるものではない。しかし、光を取り出す方向には、ITO等の透明電極が良く。光を取り出す方向と反対側には、アルミニウム等の反射膜を用いる事が好ましい。第1電極81及び第2電極85は、上記の材料を用いてEB蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができるが、電極の形成方法はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、必要に応じて、フォトリソグラフフィー法、レーザー剥離法により、形成した電極をパターン化することもでき、シャドーマスクと組み合わせることで直接パターン化した電極を形成することもできる。その膜厚は、50nm以上が好ましい。膜厚が50nm未満の場合には、配線抵抗が高くなることから、駆動電圧の上昇が生じるおそれがある。誘電体層本実施形態で用いられる第1誘電体層82及び第2誘電体層84としては、無機EL用の公知の誘電体材料を用いることができる。このような誘電体材料としては、例えば、五酸化タンタルTa2O5、酸化珪素SiO2、窒化珪素Si3N4、酸化アルミニウムAl2O3、チタン酸アルミニウムAlTiO3チタン酸バリウムBaTiO3およびチタン酸ストロンチウムSrTiO3等が挙げられるが、誘電体材料はこれらに限定されるものではない。また、本実施形態の第1誘電体層82及び第2誘電体層84は上記の誘電体材料のうちから選んだ1種類でも、2種類以上の材料を積層した構成でも良い。また、第1誘電体層82及び第2誘電体層84の膜厚は、200nm~500nm程度が、好ましい。発光層本実施形態で用いられる発光層83としては、無機EL素子用の公知の発光材料を用いることができる。このような発光材料としては、例えば、紫外発光材料としては、ZnF2:Gd、青色発光材料としては、BaAl2S4:Eu、CaAl2S4:Eu、ZnAl2S4:Eu、Ba2SiS4:Ce、ZnS:Tm、SrS:Ce、SrS:Cu、CaS:Pb、Ba,MgAl2S4:Eu等が挙げられるが、発光材料はこれらに限定されるものではない。また、発光層83の膜厚は、300nm~1000nm程度が、好ましい。上述のように、図1の基板13の外部に光源を設ける場合の発光素子としては、LED、有機EL素子、無機EL素子などを好適に用いることができる。これらの構成例において、LED、有機EL素子、無機EL素子等の発光素子を封止する封止膜または封止基板を設けることが好ましい。封止膜および封止基板は、公知の封止材料および封止方法により形成することができる。具体的には、光源を構成する基板本体と逆側の表面上にスピンコート法、ODF、ラミレート法を用いて樹脂を塗布することによって封止膜とすることもできる。もしくは、プラズマCVD法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、スパッタ法等により、SiO、SiON、SiN等の無機膜を形成した後、さらに、スピンコート法、ODF、ラミレート法を用いて樹脂を塗布する、または、貼り合わせることによって封止膜とすることもできる。このような封止膜や封止基板により、外部からの発光素子内への酸素や水分の混入を防止することができ、光源の寿命が向上する。また、光源と蛍光体基板10とを接合するときは、一般の紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等の接着剤層で接着させることが可能である。また、蛍光体基板10上に光源を直接形成した場合には、例えば窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスをガラス板、金属板等で封止する方法が挙げられる。さらに、封入した不活性ガス中に酸化バリウム等の吸湿剤等を混入すると、水分による有機ELの劣化をより効果的に低減できるため、好ましい。ただし、本実施形態は、これらの部材や形成方法に限定されるものではない。また、基板1と反対側から光を取り出す場合は、封止膜、封止基板ともに光透過性の材料を使用する必要がある。また、図1の表示装置100には、光取り出し側に偏光板を設けてもよい。偏光板としては、従来の直線偏光板とλ/4板とを組み合わせたものを用いることが可能である。ここで、偏光板を設けることによって、表示装置100の電極からの外光反射、基板1,9もしくは封止基板の表面での外光反射を防止する事が可能であり、表示装置100のコントラストを向上させることができる。第2実施形態以下、本発明の第2実施形態について、図9および図10を用いて説明する。本実施形態の表示装置の基本構成は第1実施形態と同一であり、隔壁の構成が第1実施形態と異なるのみである。したがって、本実施形態では、表示装置の基本構成の説明は省略し、隔壁についてのみ説明する。図9は、第2実施形態の表示装置100Aの断面模式図である。第1実施形態では、隔壁7は内部に光散乱性粒子7aが分散されて構成されていた。これに対して、本実施形態の隔壁17は、図9に示すように、隔壁17の蛍光体層3R,3G,3Bと接する部分隔壁17の側面が凹凸形状である。その他の構成は第1実施形態と同様である。なお、本実施形態においては、隔壁17の側面のみが凹凸形状であるが、これに限らない。例えば、隔壁17の表面全体隔壁17の側面に加えて隔壁17の上面が凹凸形状であってもよい。すなわち、隔壁17の少なくとも蛍光体層3R,3G,3Bと接する部分が光散乱性を有していればよい。図10は、第2実施形態に係る表示装置100Aの隔壁17の作用を説明するための模式図である。本実施形態では、図10に示すように、蛍光体層3の側面が凹凸形状であるため、蛍光体層3で生じた蛍光L2が隔壁17と接する部分の凹凸形状で散乱し、蛍光L2が隔壁17に吸収されにくい。このため、蛍光体層3で生じた蛍光L2が隔壁17に吸収されることによる蛍光L2のロスを少なくすることができ、外部に蛍光L2を十分に取り出すことが可能となる。第3実施形態以下、本発明の第3実施形態について、図11を用いて説明する。本実施形態の表示装置100Bの基本構成は第1実施形態と同一であり、基板1と蛍光体層3との間にカラーフィルター4が設けられた点、隔壁7に黒色層5,6が設けられた点が第1実施形態と異なる。したがって、本実施形態では、表示装置100Bの基本構成の説明は省略する。図11は、第3実施形態の表示装置100Bの断面模式図である。本実施形態の表示装置100Bにおいて、基板1と赤色蛍光体層3Rとの間には赤色カラーフィルター4Rが設けられている。基板1と緑色蛍光体層3Gとの間には緑色カラーフィルター4Gが設けられている。基板1と青色蛍光体層3Bとの間には青色カラーフィルター4Bが設けられている。これにより、色度を向上させることができる。隔壁7の上面には第1黒色層5が設けられている。これにより、隣接画素への光漏れを抑制して混色が生じることを回避することができる。なお、第1黒色層5の厚みは隔壁7の厚みよりも薄くなっている。例えば、第1黒色層5の厚みは0.01μm~3μm程度となっている。また、第1黒色層5の幅は隔壁7の幅と同等の幅となっている。隔壁7の下面基板1と隔壁7との間には第2黒色層6が設けられている。これにより、コントラストの向上を図ることができる。なお、第2黒色層6の厚みは隔壁7の厚みよりも薄くなっている。例えば、第2黒色層6の厚みは、第1黒色層5の厚みと同様、0.01μm~3μm程度となっている。また、第2黒色層6の幅は隔壁7の幅よりも大きくなっている。第2黒色層6と隔壁7の横幅については、第2黒色層の幅が隔壁7の幅よりも大きいことが望ましい。こうすることで、画面を見た時に隔壁7が第2黒色層6によって隠れるため、コントラストを高くすることができる。第2黒色層6とカラーフィルター4の膜厚に関しては、カラーフィルター4の膜厚が第2黒色層6の膜厚よりも厚いことが望ましい。カラーフィルター4の膜厚の方が第2黒色層6の膜厚に比べて薄い場合には、蛍光体層3の側面と第2黒色層6とが接することになる。これにより、蛍光体3からの発光が第2黒色層6に吸収されてしまい、光取出し効率が低下してしまうという問題が生じるからである。なお、本実施形態においては、隔壁7の上面および下面の双方に黒色層が設けられているが、これに限らない。例えば、黒色層が隔壁7の上面のみに設けられていてもよいし、下面のみに設けられていてもよい。第4実施形態以下、本発明の第4実施形態について、図12を用いて説明する。本実施形態の表示装置100Cの基本構成は第1実施形態と同一であり、平坦化層8の上面にバンドパスフィルター12が設けられた点が第1実施形態と異なる。したがって、本実施形態では、表示装置100Cの基本構成の説明は省略する。図12は、第4実施形態の表示装置100Cの断面模式図である。本実施形態の表示装置100Cにおいて、蛍光体基板10の各蛍光体層3R,3G,3Bの上面には、平坦化層8が形成されている。平坦化層8および隔壁7の上面には、バンドパスフィルター12が設けられている。バンドパスフィルター12は、青色領域の光波長435~480nmの範囲内の光を透過し、緑色から近赤外領域までの光前記青色領域の波長の範囲外の光を反射する機能を有する。バンドパスフィルター12は、例えば金や銀等の薄膜、あるいは誘電体多層膜によって構成される。これにより、発光素子2から射出された青色光はバンドパスフィルター12を透過し、蛍光体層3で波長変換して、緑色光や赤色光を発光させることができる。さらに、バンドパスフィルター12は、当該バンドパスフィルター12に向かう緑色光や赤色光を再び蛍光体層側に反射させるので、緑色光32や赤色光33を効率的に利用することができる。なお、本実施形態においては、平坦化層8の上面にバンドパスフィルター12が設けられているが、これに限らない。例えば、平坦化層8を設けずに、バンドパスフィルターを隔壁7の開口部に形成された各蛍光体層3R,3G,3Bの上面に設けられていてもよい。すなわち、バンドパスフィルターは、発光素子2と蛍光体基板10との間に設けられていればよい。[第5実施形態]図13は、第5実施形態の表示装置300の断面模式図である。表示装置300は、蛍光体基板10と光源11との間に、光学部材である液晶素子90を装入した構成例である。図13において、第1実施形態の表示装置100と共通する構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。本実施形態の表示装置300は、蛍光体基板10と、有機EL素子基板11光源と、液晶素子90と、を備えている。蛍光体基板10の構成は第1実施形態と同様である。有機EL素子基板11の積層構造は、第1実施形態において図4に示したものと同様である。しかし、第1実施形態では、各画素に対応する有機EL素子に個別に駆動信号が供給され、各有機EL素子が独立して発光、非発光が制御されていたのに対し、本実施形態では、有機EL素子2Bは、画素毎に分割されておらず、全ての画素に共通の面状光源として機能する。また、液晶素子90は、一対の電極93,94を用いて液晶層98に印加する電圧を画素毎に制御可能な構成とされ、有機EL素子2Bの全面から射出された光の透過率を画素毎に制御する。すなわち、液晶素子90は、有機EL素子基板11からの光を画素毎に選択的に透過させる光シャッターとしての機能を有するようになっている。本実施形態の液晶素子90は、公知の液晶素子を用いることが可能であり、例えば一対の偏光板91,92と、電極93,94と、配向膜95,96と、基板97と、を有し、配向膜95,96間に液晶層98が挟持されている。さらに、液晶セルと一方の偏光板91,92との間に光学異方性層が1枚配置されるか、または、液晶セルと双方の偏光板91,92との間に光学異方性層が2枚配置されることもある。液晶セルの種類としては特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばTNモード、VAモード、OCBモード、IPSモード、ECBモードなどが挙げられる。また、液晶素子90は、パッシブ駆動でも良いし、TFT等のスイッチング素子を用いたアクティブ駆動でもよい。蛍光体基板10と液晶素子90と光源11とは、接着剤層14を介して接合され、一体化されている。すなわち、蛍光体基板10の蛍光体層3R,3G,3Bが形成された面と液晶素子90の偏光板91とが接着剤層14を介して貼り合わされ、光源11の有機EL素子2Bが形成された面と液晶素子90の偏光板92とが接着剤層14を介して貼り合わされている。偏光板91,92としては、少なくとも一方が、波長435nm以上480nm以下における消光比が10000以上であることが好ましい。消光比は、例えばグラントムソンプリズムを用いた回転検光子法によって測定することができる。消光比とは、偏光板91と偏光板92のそれぞれに固有の性能として表され、以下のように定義される。消光比=偏光板透過軸方向の偏光透過率/偏光板吸収軸方向の偏光透過率なお、偏光透過率とは、グラントムソンプリズムを用いて、理想的な偏光光を入射したときの透過率を指す。ところで、従来の液晶では、コントラストや透過率は主に550nmの領域に対して最適設計することが一般的であり、従来の液晶で使われているヨウ素偏光板の490nm以下の短波長領域における消光比は2000~3000程度となっている緑色領域、赤色領域での消光比は10000程度。これに対して、本実施形態に係る青色光バックライトを使用する青色励起方式ディスプレイ用の偏光板では、青色領域に対して最適設計をすることができるため、青色領域での消光比を10000以上である偏光板を使用する。このように、消光比が高い偏光板を使用することによって、パネルのコントラストを高めることができる。また、消光比の高い偏光板では透過率が高いため、バックライトの光利用効率を高めることができ、低消費電力化を図ることができる。[電子機器の例]前記実施形態の表示装置を備えた電子機器の例として、図14Aに示す携帯電話機、図14Bに示すテレビ受信装置などが挙げられる。図14Aに示す携帯電話機1000は、本体1001、表示部1002、音声入力部1003、音声出力部1004、アンテナ1005、操作スイッチ1006等を備えており、表示部1002に前記実施形態の表示装置が用いられている。図14Bに示すテレビ受信装置1100は、本体キャビネット1101、表示部1102、スピーカー1103、スタンド1104等を備えており、表示部1102に前記実施形態の表示装置が用いられている。このような電子機器においては、前記実施形態の表示装置が用いられているため、表示品位に優れた低消費電力の電子機器を実現することができる。また、本発明の一実施形態に係る表示装置は、例えば、図15Aに示す携帯型ゲーム機に適用できる。図15Aに示す携帯型ゲーム機1200は、操作ボタン1201、LEDランプ1202、筐体1203、表示部1204、赤外線ポート1205等を備えている。そして、表示部1204として本発明の表示装置が好適に適用できる。本発明の一実施形態に係る表示装置を携帯型ゲーム機1200の表示部1204に適用することによって、少ない消費電力で高いコントラストの映像を表示することができる。また、本発明の一実施形態に係る表示装置は、例えば、図15Bに示すノートパソコンに適用できる。図15Bに示すノートパソコン1300は、キーボード1301、ポインティングデバイス1302、筐体1303、表示部1304、カメラ1305、外部接続ポート1306、電源スイッチ1307等を備えている。そして、このノートパソコン1300の表示部1304として本発明の表示装置が好適に適用できる。本発明の一実施形態に係る表示装置をノートパソコン1300の表示部1304に適用することによって、少ない消費電力で高いコントラストの映像を表示することが可能なノートパソコン1300を実現できる。また、本発明の一実施形態に係る表示装置は、例えば、図16Aに示すシーリングライトに適用できる。図16Aに示すシーリングライト1400は、照明部1401、吊具1402、及び電源コード1403等を備えている。そして、照明部1401として本発明の表示装置が好適に適用できる。本発明の一実施形態に係る表示装置をシーリングライト1400の照明部1401に適用することによって、少ない消費電力で自在な色調の照明光を得ることができ、光演出性の高い照明器具を実現することができる。また、均一な照度で色純度の高い面発光が可能な照明器具を実現することができる。また、本発明の一実施形態に係る表示装置は、例えば、図16Bに示す照明スタンドに適用できる。図16Bに示す照明スタンド1500は、照明部1501、スタンド1502、電源スイッチ1503、及び電源コード1504等を備えている。そして、照明部1501として本発明の表示装置が好適に適用できる。本発明の一実施形態に係る表示装置を照明スタンド1500の照明部1501に適用することによって、少ない消費電力で自在な色調の照明光を得ることができ、光演出性の高い照明器具を実現することができる。また、均一な照度で色純度の高い面発光が可能な照明器具を実現することができる。以下、実施例および比較例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。比較例1図17Aに示すように、基板101として、0.7mmのガラスを用いた。これを水洗後、純水超音波洗浄10分、アセトン超音波洗浄10分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄5分を行い、100°Cにて1時間乾燥させた。次に、基板101上に、CrクロムやCr/酸化Crの多層膜等の金属、もしくはカーボン粒子を感光性樹脂に分散させたフォトレジストを画素ピッチ500μm、線幅50μmでパターン形成し、ドットを仕切る膜厚50μmのブラックマトリクス102を作製した。次に、図17Bないし図17Dに示すように、ブラックマトリクス102によって区画された領域に、赤色蛍光体層111、緑色蛍光体層112、青色光散乱層113をパターン形成した。赤色蛍光体層111の形成工程においては、まず、平均粒径4μmの赤色蛍光体CaS:Eu20gに、10wtポリビニルアルコール水溶液30gを加え、分散機により攪拌した赤色蛍光体形成用塗液を作製した。次に、作製した赤色蛍光体形成用塗液を、ディスペンサー手法で、ブラックマトリクス102で区画された領域にパターン塗布した。引き続き真空オーブン200°C、10mmHgの条件で4時間加熱乾燥し、屈折率1.6の赤色蛍光体層111を膜厚25μmでパターン形成した図17B。緑色蛍光体層112の形成工程においては、まず、平均粒径4μmの緑色蛍光体Ga2SrS4:Eu20gに、10wtポリビニルアルコール水溶液30gを加え、分散機により攪拌した緑色蛍光体形成用塗液を作製した。次に、作製した緑色蛍光体形成用塗液を、ディスペンサー手法で、ブラックマトリクス102で区画された領域にパターン塗布した。引き続き真空オーブン200°C、10mmHgの条件で4時間加熱乾燥し、屈折率1.6の緑色蛍光体層112を膜厚25μmでパターン形成した図17C。青色光散乱層113の形成工程においては、1.5μmのシリカ粒子屈折率:1.6520gに、10wtポリビニルアルコール水溶液30gを加え、分散機により攪拌した青色散乱体層形成用塗液を作製した。その後、作製した青色散乱体層形成用塗液を、ディスペンサー手法で、ブラックマトリクス102で区画された領域にパターン塗布した。引き続き真空オーブン200°C、10mmHgの条件で4時間加熱乾燥し、屈折率1.6の青色光散乱層113を膜厚50μmで形成した図17D。以上により蛍光体基板を完成させた。最後に、全光束測定システム大塚電子社製ハーフムーンを用いて、波長460nmの励起光をこの蛍光体基板の背面より照射して蛍光体基板の前面での光取り出し効率を測定した。その結果、光取り出し効率は43であった。実施例1図18Aに示すように、比較例1と同様に、基板101として、0.7mmのガラスを用いた。これを水洗後、純水超音波洗浄10分、アセトン超音波洗浄10分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄5分を行い、100°Cにて1時間乾燥させた。まず、隔壁103の材料として、エポキシ系樹脂屈折率:1.59、アクリル系樹脂屈折率:1.49、ルチル型酸化チタン屈折率:2.71、粒径250nm、光重合開始剤、芳香族系溶剤からなる白色感光性組成物を攪拌混合してネガ型レジストとした。次に、基板101上に、ネガ型レジストをスピンコーターを用いて塗布した。その後、80°Cで10分間プリベークして膜厚50μmの塗膜を形成した。この塗膜に所望の画像パターンが形成できるようなマスク画素ピッチ500μm、線幅50μmを被せてi線300mJ/cm2を照射し、露光した。次いで、アルカリ現像液を用いて現像して画素パターン状の構造物を得た。引き続き、熱風循環式乾燥炉を用い、140°Cで60分間ポストベークしてドットを仕切る隔壁103を作製した。なお、隔壁103の反射率を測定したところ96.5であった。次に、図18Bないし図18Dに示すように、比較例1と同様に、隔壁103によって区画された領域に、赤色蛍光体層111、緑色蛍光体層112、青色光散乱層113をパターン形成した。以上により蛍光体基板を完成させた。最後に、全光束測定システム大塚電子社製ハーフムーンを用いて、波長460nmの励起光をこの蛍光体基板の背面より照射して蛍光体基板の前面での光取り出し効率を測定した。その結果、光取り出し効率は67であり、比較例1に対して1.56倍の光取り出し効率の向上が観測された。実施例2図19Aに示すように、比較例1と同様に、基板101として、0.7mmのガラスを用いた。これを水洗後、純水超音波洗浄10分、アセトン超音波洗浄10分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄5分を行い、100°Cにて1時間乾燥させた。まず、黒色隔壁材料として、東京応化製BKレジストをスピンコーターを用いて塗布した。その後、70°Cで15分間プリベークして膜厚1μmの塗膜を形成した。この塗膜に所望の画像パターンが形成できるようなマスク画素ピッチ500μm、線幅50μmを被せてi線100mJ/cm2を照射し、露光した。次いで、現像液として炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像し、純水でリンス処理を行い、画素パターン状の構造物を得た。引き続き、実施例1に記載の白色隔壁材料であるネガ型レジストをスピンコーターを用いて塗布した。その後、70°Cで15分間プリベークして膜厚30μmの塗膜を形成した。この塗膜に、下層に形成した黒色隔壁とアライメントを合わせて、所望の画像パターンが形成できるようなマスク画素ピッチ500μm、線幅50μmを被せてi線300mJ/cm2を照射し、露光した。次いで、現像液として炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像し、純水でリンス処理を行い、画素パターン状の構造物を得た。引き続き、熱風循環式乾燥炉を用い、140°Cで60分間ポストベークしてドットを仕切る膜厚30μmの隔壁104を作製した。なお、隔壁104の反射率を測定したところ89.6であった。このようにして形成した隔壁によって区画された領域に、図19Bに示すように、赤色カラーフィルター109R、緑色カラーフィルター109G、青色カラーフィルター109Bをインクジェット法によりそれぞれ1μm厚で形成した。次に、図19Cないし図19Eに示すように、比較例1と同様に、隔壁104によって区画された領域に、赤色蛍光体層121、緑色蛍光体層122、青色光散乱層123をパターン形成した。次いで、得られる蛍光体基板に表面高さの不釣り合いが形成されるのを最小限に抑えるため、アクリル樹脂をスピンコート法により厚さ20μmで基板101の表面全体に塗布し、続いて120°C30分加熱することにより、平坦化層124を形成した図19F。その後、光取り出し効率を向上させるため、平坦化層124上に、波長460nmの光の透過率が85であり、波長480nm以上の可視光の透過率が5以下であるバンドパスフィルター125を、熱硬化性透明エラストマーを用いて貼り合わせた図19G参照。以上により蛍光体基板を完成させた。最後に、全光束測定システム大塚電子社製ハーフムーンを用いて、波長460nmの励起光をこの蛍光体基板の背面より照射して蛍光体基板の前面での光取り出し効率を測定した。その結果、光取り出し効率は65であり、比較例1に対して1.51倍の光取り出し効率の向上が観測された。実施例3青色LED蛍光体方式図20は、実施例3の表示装置400の断面模式図である。本実施例の表示装置400は、蛍光体基板10と、LEDバックライト411と、液晶素子90と、を備えている。LEDバックライト411は、LED励起光源412と、導光板413と、を備えている。半値幅10度の指向性を有する青色LEDピーク波長450nm面光源上に、第一偏光板、第一基板、一対の透明電極に挟持された液晶層と保護膜、第二偏光板とから成る液晶パネルを形成する。第一偏光板、第二偏光板は、波長435nm以上480nm以下における消光比が12000である。液晶の駆動はTFTを用いたアクティブマトリクス駆動方式である。第二基板上に青色領域の光を透過し、緑色から近赤外領域までの光を反射するバンドパスフィルターを熱硬化性透明エラストマーを用いて貼り合わせた。更にその基板に実施例2の方法で作成した蛍光体基板を貼り合わせた。フルカラー表示が可能で、良好な画像、視野角特性の良い画像を得る事ができた。実施例4図21Aに示すように、比較例1と同様に、基板101として、0.7mmのガラスを用いた。これを水洗後、純水超音波洗浄10分、アセトン超音波洗浄10分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄5分を行い、100°Cにて1時間乾燥させた。先ず、アプリケーターを用いて、基板101上にガラスペースト105を30μm厚で塗布し、乾燥させた。次に、乾燥させたガラスペースト105の上にドライフィルムレジスト東京応化工業製、NB-235をラミネートし、フォトマスクを介して露光を行った。次に、炭酸ナトリウム水溶液を用い、スプレー現像を行った。これにより、耐ブラスト性パターン106を作製した図21B。次に、S-91200不二製作所製ステンレス製研削材を研削材としてサンドブラスト法により、耐ブラスト性パターン106を介して、乾燥させたガラスペースト105に対して垂直方向からブラスト処理を行った。その後、水酸化ナトリウム水溶液を用いて耐ブラスト性パターンを剥離した。その後、ピーク温度550°C、保持時間13分、全焼成時間2時間で焼成を行った。このようにして側面に頂点間隔約500nmの微細な凹凸構造が設けられた隔壁107を形成した図21C。この時の隔壁の膜厚は30μmであった。なお、隔壁107の反射率を測定したところ91であった。次に、図21Dないし図21Fに示すように、比較例1と同様に、隔壁107によって区画された領域に、赤色蛍光体層111、緑色蛍光体層112、青色光散乱層113をパターン形成した。以上により蛍光体基板を完成させた。最後に、全光束測定システム大塚電子社製ハーフムーンを用いて、波長460nmの励起光をこの蛍光体基板の背面より照射して蛍光体基板の前面での光取り出し効率を測定した。その結果、光取り出し効率は67であり、比較例1に対して1.56倍の光取り出し効率の向上が観測された。実施例5図18Aに示すように、実施例1と同様に、基板101として、0.7mmのガラスを用いた。これを水洗後、純水超音波洗浄10分、アセトン超音波洗浄10分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄5分を行い、100°Cにて1時間乾燥させた。まず、隔壁103の材料として、エポキシ系樹脂屈折率:1.59、アクリル系樹脂屈折率:1.49、ルチル型酸化チタン屈折率:2.71、粒径250nm、光重合開始剤、芳香族系溶剤からなる白色感光性組成物を攪拌混合してネガ型レジストとした。次に、基板101上に、ネガ型レジストをスピンコーターを用いて塗布した。その後、80°Cで10分間プリベークして膜厚50μmの塗膜を形成した。この塗膜に所望の画像パターンが形成できるようなマスク画素ピッチ500μm、線幅50μmを被せてi線300mJ/cm2を照射し、露光した。次いで、アルカリ現像液を用いて現像して画素パターン状の構造物を得た。引き続き、熱風循環式乾燥炉を用い、140°Cで60分間ポストベークしてドットを仕切る隔壁103を作製した。なお、隔壁103の反射率を測定したところ96.5であった。次に、図18Bないし図18Dに示すように、実施例1と同様に、隔壁103によって区画された領域に、赤色蛍光体層111、緑色蛍光体層112、青色光散乱層113をパターン形成した。赤色蛍光体層111の形成工程においては、まず、平均粒径4μmの赤色蛍光体CaAlSiN3:Eu20gに、10wtポリビニルアルコール水溶液30gを加え、分散機により攪拌した赤色蛍光体形成用塗液を作製した。次に、作製した赤色蛍光体形成用塗液を、ディスペンサー手法で、ブラックマトリクス102で区画された領域にパターン塗布した。引き続き真空オーブン200°C、10mmHgの条件で4時間加熱乾燥し、屈折率1.6の赤色蛍光体層111を膜厚25μmでパターン形成した図18B。緑色蛍光体層112の形成工程においては、まず、平均粒径4μmの緑色蛍光体SrGa2S4:Eu20gに、10wtポリビニルアルコール水溶液30gを加え、分散機により攪拌した緑色蛍光体形成用塗液を作製した。次に、作製した緑色蛍光体形成用塗液を、ディスペンサー手法で、ブラックマトリクス102で区画された領域にパターン塗布した。引き続き真空オーブン200°C、10mmHgの条件で4時間加熱乾燥し、屈折率1.6の緑色蛍光体層112を膜厚25μmでパターン形成した図18C。青色光散乱層113の形成工程においては、まず、平均粒径4μmの青色蛍光体Sr10PO46C12Eu20gに、10wtポリビニルアルコール水溶液30gを加え、分散機により攪拌した青色蛍光体形成用塗液を作製した。次に、作製した青色蛍光体形成用塗液を、ディスペンサー手法で、隔壁で区画された領域にパターン塗布した。引き続き真空オーブン200°C、10mmHgの条件で4時間加熱乾燥し、屈折率1.6の青色蛍光体層を膜厚25μmでパターン形成した。図18D。以上により蛍光体基板を完成させた。最後に、全光束測定システム大塚電子社製ハーフムーンを用いて、波長400nmの励起光をこの蛍光体基板の背面より照射して蛍光体基板の前面での光取り出し効率を測定した。その結果、光取り出し効率は64であり、比較例1に対して1.49倍の光取り出し効率の向上が観測された。"