少なくとも、エッチング対象物を固定し、三次元方向に移動可能なステージと、一方の端部が、ステージに固定された処理対象物に対向して設置されるプラズマ発生管と、プラズマ発生用電源と、該プラズマ発生用電源に接続され、プラズマ発生管の外側および内部に配置されるプラズマ発生用電極と、プラズマ発生管の他方の端部に連結される排気管を有する排気装置とを備えた吸引型のプラズマエッチング装置において、プラズマ発生管両端の圧力および圧力差、プラズマの発光並びにプラズマ中に含まれる反応生成物の種類とその量のうちの少なくともいずれかを計測する計測手段と、該計測手段からの情報に基づきプラズマの発生状態を制御する制御手段を有することを特徴とするプラズマエッチング装置。計測手段がプラズマ発光の状態をモニタする撮像手段であり、プラズマ発生管の一方の端部とエッチング対象物表面との間の領域のプラズマ発光を撮像手段で撮像し、撮像したプラズマ発光の画像情報を制御手段が受け取り、制御手段は受け取ったプラズマ発光の画像情報を画像処理してプラズマ発光の形状または発光強度の情報を求め、その情報に基づいてプラズマの発生状態を制御することを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチング装置。計測手段がプラズマの発光スペクトルを測定する分光光度計であり、プラズマ発生管の一方の端部とエッチング対象物表面との間の領域のプラズマ発光の光の一部を光ファイバを通じて分光光度計に導き、分光光度計の分析で求めた発光スペクトルのピーク情報を制御手段が受け取り、制御手段は受け取った発光スペクトルのピーク情報に基づいてプラズマの発生状態を制御することを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチング装置。計測手段がプラズマの発光スペクトルを測定する分光光度計であり、プラズマ発生管の一方の端部とエッチング対象物表面との間の領域のプラズマ発光の光とプラズマ発生管内のプラズマ発光の光の一部を光ファイバを通じて分光光度計に導き、分光光度計の分析で求めた発光スペクトルのピーク情報を制御手段が受け取り、制御手段は受け取った発光スペクトルのピーク情報に基づいてプラズマの発生状態を制御することを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチング装置。反応ガスとして大気圧の空気を用い、大気圧下に開放された状態でプラズマエッチングを行うように構成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のプラズマエッチング装置。制御手段は、プラズマ発生管両端の圧力および圧力差、プラズマ発生管の一方の端部とエッチング対象物表面との間隔並びにプラズマ発生用電源の出力の少なくともいずれかを調整することにより、プラズマ発生状態を制御することを特徴とする請求項5に記載のプラズマエッチング装置。ステージ、プラズマ発生管、プラズマ発生用電極、排気装置の一部を収容するチャンバを設置するとともに、反応ガスを収容する反応ガス源と、マスフローコントローラを通じて反応ガス源からの反応ガスをチャンバ内に導入する反応ガス導入管を設けたことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のプラズマエッチング装置。制御手段は、チャンバ内の圧力、反応ガス流量、プラズマ発生管両端の圧力および圧力差、プラズマ発生管の一方の端部とエッチング対象物表面との間隔並びにプラズマ発生用電源の出力の少なくともいずれかを調整することにより、プラズマ発生状態を制御することを特徴とする請求項7に記載のプラズマエッチング装置。排気装置の排気管にプラズマ発生管と同軸に設けた細孔を通じて接続され、プラズマ発生管と同軸に配置された質量分析計を格納した分析室を備え、該分析室には室内圧力を測定する真空管と室内を排気する分析室用ポンプが取り付けられ、細孔を通して吸引された反応ガスに含まれる反応生成物の一部を、プラズマ発生管の排気側の圧力圧力より低い圧力となるように分析室用ポンプで排気した分析室に吸引し、質量分析計で質量分析を行いマススペクトルを得て、得られたマススペクトルにより反応生成物の種類とその量を随時測定し、制御装置は測定されたこれらの情報に基づいてエッチングの進行の様子を監視することを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチング装置。少なくとも、エッチング対象物を固定し、三次元方向に移動可能なステージと、一方の端部が、ステージに固定された処理対象物に対向して設置されるプラズマ発生管と、プラズマ発生用電源と、該プラズマ発生用電源に接続され、プラズマ発生管の外側と内側に配置される一対のプラズマ発生用電極と、プラズマ発生管の他方の端部に連結される排気管を有する排気装置とを備えた吸引型のプラズマエッチング装置を用い、プラズマ発生管両端の圧力および圧力差、プラズマの発光並びにプラズマ中に含まれる反応生成物の種類とその量のうちの少なくともいずれかを計測し、計測された情報に基づきプラズマの発生状態を制御することを特徴とするプラズマエッチング方法。撮像手段により、プラズマ発生管の一方の端部とエッチング対象物表面との間の領域のプラズマ発光を撮像し、撮像したプラズマ発光の画像情報を画像処理してプラズマ発光の形状または発光強度の情報を求め、その情報に基づいてプラズマの発生状態を制御することを特徴とする請求項10に記載のプラズマエッチング方法。プラズマ発生管の一方の端部とエッチング対象物表面との間の領域のプラズマ発光の光の一部を光ファイバを通じて分光光度計に導き、分光光度計の分析で求めた発光スペクトルのピーク情報に基づいてプラズマの発生状態を制御することを特徴とする請求項10に記載のプラズマエッチング方法。プラズマ発生管の一方の端部とエッチング対象物表面との間の領域のプラズマ発光の光とプラズマ発生管内のプラズマ発光の光の一部を光ファイバを通じて分光光度計に導き、分光光度計の分析で求めた発光スペクトルのピーク情報に基づいてプラズマの発生状態を制御することを特徴とする請求項10に記載のプラズマエッチング方法。反応ガスとして大気圧の空気を用い、大気圧下に開放された状態でプラズマエッチングを行うことを特徴とする請求項10から13のいずれかに記載のプラズマエッチング方法。プラズマ発生管両端の圧力および圧力差、プラズマ発生管の一方の端部とエッチング対象物表面との間隔並びにプラズマ発生用電源の出力の少なくともいずれかを調整することにより、プラズマ発生状態を制御することを特徴とする請求項14に記載のプラズマエッチング方法。ステージ、プラズマ発生管、プラズマ発生用電極、排気装置の一部を収容するチャンバを設置するとともに、反応ガス源からの反応ガスをマスフローコントローラを通じて反応ガス導入管によりチャンバ内に導入することを特徴とする請求項10から13のいずれかに記載のプラズマエッチング方法。チャンバ内の圧力、反応ガス流量、プラズマ発生管両端の圧力および圧力差、プラズマ発生管の一方の端部とエッチング対象物表面との間隔並びにプラズマ発生用電源の出力の少なくともいずれかを調整することにより、プラズマ発生状態を制御することを特徴とする請求項16に記載のプラズマエッチング方法。排気装置の排気管にプラズマ発生管と同軸に設けた細孔を通じて接続され、プラズマ発生管と同軸に配置された質量分析計を格納した分析室を設け、該分析室には室内圧力を測定する真空計と室内を排気する分析室用ポンプを取り付け、細孔を通して吸引された反応ガスに含まれる反応生成物の一部を、プラズマ発生管の排気側の圧力より低い圧力となるように分析室用ポンプで排気した分析室に吸引し、質量分析計で質量分析を行いマススペクトルを得て、得られたマススペクトルにより反応生成物の種類とその量を随時測定し、測定した情報に基づいてエッチングの進行の様子を監視することを特徴とする請求項10に記載のプラズマエッチング方法。本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたものであり、より再現性よく安定してエッチング対象物の特定の局所的な特定の領域のみをプラズマエッチング加工することが可能なプラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法を提供することを課題とする。次に、本発明は、吸引プラズマでエッチング対象物を局所的にエッチングし、エッチングの反応生成物がプラズマ発生管内部と、プラズマ発生管先端とエッチング対象物との間の空間に特に濃厚に分布することを利用し、同領域からの発光を選択的に集光分光することによってエッチングの進行の様子を随時監視することができるプラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法を提供することを課題とする。また、本発明は、吸引プラズマがエッチングによる反応生成物が拡散する前にプラズマ発生管を通じて排気されるという特徴を利用し、反応生成物を含んだ反応ガスを質量分析計に効率的に導くことができ、エッチングが終点に達したかどうかを含めエッチングの進行の様子を随時監視することができるプラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法を提供することを課題とする。上記課題を解決するため、本発明によれば、第1には、少なくとも、エッチング対象物を固定し、三次元方向に移動可能なステージと、一方の端部が、ステージに固定された処理対象物に対向して設置されるプラズマ発生管と、プラズマ発生用電源と、該プラズマ発生用電源に接続され、プラズマ発生管の外側と内側に配置される一対のプラズマ発生用電極と、プラズマ発生管の他方の端部に連結される排気管を有する排気装置とを備えた吸引型のプラズマエッチング装置において、プラズマ発生管両端の圧力および圧力差、プラズマの発光並びにプラズマ中に含まれる反応生成物の種類とその量のうちの少なくともいずれかを計測する計測手段と、該計測手段からの情報に基づきプラズマの発生状態を制御する制御手段を有することを特徴とするプラズマエッチング装置が提供される。第2には、上記第1の発明において、計測手段がプラズマ発光の状態をモニタする撮像手段であり、プラズマ発生管の一方の端部とエッチング対象物表面との間の領域のプラズマ発光を撮像手段で撮像し、撮像したプラズマ発光の画像情報を制御手段が受け取り、制御手段は受け取ったプラズマ発光の画像情報を画像処理してプラズマ発光の形状または発光強度の情報を求め、その情報に基づいてプラズマの発生状態を制御することを特徴とするプラズマエッチング装置が提供される。第3には、上記第1の発明において、計測手段がプラズマの発光スペクトルを測定する分光光度計であり、プラズマ発生管の一方の端部とエッチング対象物表面との間の領域のプラズマ発光の光の一部を光ファイバを通じて分光光度計に導き、分光光度計の分析で求めた発光スペクトルのピーク情報を制御手段が受け取り、制御手段は受け取った発光スペクトルのピーク情報に基づいてプラズマの発生状態を制御することを特徴とするプラズマエッチング装置が提供される。第4には、上記第1の発明において、計測手段がプラズマの発光スペクトルを測定する分光光度計であり、プラズマ発生管の一方の端部とエッチング対象物表面との間の領域のプラズマ発光の光とプラズマ発生管内のプラズマ発光の光の一部を光ファイバを通じて分光光度計に導き、分光光度計の分析で求めた発光スペクトルのピーク情報を制御手段が受け取り、制御手段は受け取った発光スペクトルのピーク情報に基づいてプラズマの発生状態を制御することを特徴とするプラズマエッチング装置が提供される。第5には、上記第1から第4のいずれかの発明において、反応ガスとして大気圧の空気を用い、大気圧下に開放された状態でプラズマエッチングを行うように構成されていることを特徴とするプラズマエッチング装置が提供される。第6には、上記第5の発明において、制御手段は、プラズマ発生管両端の圧力及び圧力差、プラズマ発生管の一方の端部とエッチング対象物表面との間隔およびプラズマ発生用電源の出力の少なくともいずれかを調整することにより、プラズマ発生状態を制御することを特徴とするプラズマエッチング装置が提供される。第7には、上記第1から第4のいずれかの発明において、ステージ、プラズマ発生管、プラズマ発生用電極、排気装置の一部を収容するチャンバを設置するとともに、反応ガスを収容する反応ガス源と、マスフローコントローラを通じて反応ガス源からの反応ガスをチャンバ内に導入する反応ガス導入管を設けたことを特徴とするプラズマエッチング装置が提供される。第8には、上記第7の発明において、制御手段は、チャンバ内の圧力、反応ガス流量、プラズマ発生管両端の圧力および圧力差、プラズマ発生管の一方の端部とエッチング対象物表面との間隔並びにプラズマ発生用電源の出力の少なくともいずれかを調整することにより、プラズマ発生状態を制御することを特徴とするプラズマエッチング装置が提供される。第9には、上記第1の発明において、排気装置の排気管にプラズマ発生管と同軸に設けた細孔を通じて接続され、プラズマ発生管と同軸に配置された質量分析計を格納した分析室を備え、該分析室には室内圧力を測定する真空管と室内を排気する分析室用ポンプが取り付けられ、細孔を通して吸引された反応ガスに含まれる反応生成物の一部を、プラズマ発生管の排気側の圧力より低い圧力となるように分析室用ポンプで排気した分析室に吸引し、質量分析計で質量分析を行いマススペクトルを得て、得られたマススペクトルにより反応生成物の種類とその量を随時測定し、制御装置は測定されたこれらの情報に基づいてエッチングの進行の様子を監視することを特徴とするプラズマエッチング装置が提供される。第10には、少なくとも、エッチング対象物を固定し、三次元方向に移動可能なステージと、一方の端部が、ステージに固定された処理対象物に対向して設置されるプラズマ発生管と、プラズマ発生用電源と、該プラズマ発生用電源に接続され、プラズマ発生管の外側と内側に配置される一対のプラズマ発生用電極と、プラズマ発生管の他方の端部に連結される排気管を有する排気装置とを備えた吸引型のプラズマエッチング装置を用い、プラズマ発生管両端の圧力および圧力差、プラズマの発光並びにプラズマ中に含まれる反応生成物の種類とその量のうちの少なくともいずれかを計測し、計測された情報に基づきプラズマの発生状態を制御することを特徴とするプラズマエッチング方法が提供される。第11には、第10の発明において、撮像手段により、プラズマ発生管の一方の端部とエッチング対象物表面との間の領域のプラズマ発光を撮像し、撮像したプラズマ発光の画像情報を画像処理してプラズマ発光の形状または発光強度の情報を求め、その情報に基づいてプラズマの発生状態を制御することを特徴とするプラズマエッチング方法が提供される。第12には、第10の発明において、プラズマ発生管の一方の端部とエッチング対象物表面との間の領域のプラズマ発光の光の一部を光ファイバを通じて分光光度計に導き、分光光度計の分析で求めた発光スペクトルのピーク情報に基づいてプラズマの発生状態を制御することを特徴とするプラズマエッチング方法が提供される。第13には、第10の発明において、プラズマ発生管の一方の端部とエッチング対象物表面との間の領域のプラズマ発光の光とプラズマ発生管内のプラズマ発光の光の一部を光ファイバを通じて分光光度計に導き、分光光度計の分析で求めた発光スペクトルのピーク情報に基づいてプラズマの発生状態を制御することを特徴とするプラズマエッチング方法が提供される。第14には、第11から第13のいずれかの発明において、反応ガスとして大気圧の空気を用い、大気圧下に開放された状態でプラズマエッチングを行うことを特徴とするプラズマエッチング方法が提供される。第15には、第14の発明において、プラズマ発生管両端の圧力および圧力差、プラズマ発生管の一方の端部とエッチング対象物表面との間隔並びにプラズマ発生用電源の出力の少なくともいずれかを調整することにより、プラズマ発生状態を制御することを特徴とするプラズマエッチング方法が提供される。第16には、第11から第13のいずれかの発明において、ステージ、プラズマ発生管、プラズマ発生用電極、排気装置の一部を収容するチャンバを設置するとともに、反応ガス源からの反応ガスをマスフローコントローラを通じて反応ガス導入管によりチャンバ内に導入することを特徴とするプラズマエッチング方法が提供される。第17には、第16の発明において、チャンバ内の圧力、反応ガス流量、プラズマ発生管両端の圧力および圧力差、プラズマ発生管の一方の端部とエッチング対象物表面との間隔並びにプラズマ発生用電源の出力の少なくともいずれかを調整することにより、プラズマ発生状態を制御することを特徴とするプラズマエッチング方法が提供される。第18には、第10の発明において、排気装置の排気管にプラズマ発生管と同軸に設けた細孔を通じて接続され、プラズマ発生管と同軸に配置された質量分析計を格納した分析室を設け、該分析室には室内圧力を測定する真空計と室内を排気する分析室用ポンプを取り付け、細孔を通して吸引された反応ガスに含まれる反応生成物の一部を、プラズマ発生管の排気側の圧力より低い圧力となるように分析室用ポンプで排気した分析室に吸引し、質量分析計で質量分析を行いマススペクトルを得て、得られたマススペクトルにより反応生成物の種類とその量を随時測定し、測定した情報に基づいてエッチングの進行の様子を監視することを特徴とするプラズマエッチング方法が提供される。本発明によれば、噴出型のプラズマエッチング装置が有していた上記の問題点を解決できる他、特許文献2に記載の技術における更に改善すべき点である、より再現性よく安定してエッチング対象物の特定の局所的な特定の領域のみをプラズマエッチング加工することが可能なプラズマエッチング技術の提供が可能となる。また、本発明によれば、反応生成物を含んだ反応ガスを質量分析計に効率的に導くことができ、エッチングが終点に達したかどうかを含めエッチングの進行の様子を随時監視することができるプラズマエッチング技術を提供することが可能となる。本発明により、半導体故障解析のように、集積回路のごく一部分の被覆を露出するような加工を安定で半自動的に行うことが可能となる。また大気圧での吸引プラズマ加工が可能であることは、作業環境を大気プラズマとエッチング対象物との反応生成物気体または粉塵で汚染することなくプラズマ加工できる。安定して局所的にエッチング対象物をプラズマエッチングし、その反応生成物を発光分析、質量分析することが可能であることから、表面分析装置へ応用することも可能である。以下、本発明を一実施形態に基づいて詳細に説明する。図1に、本発明による一実施形態のプラズマエッチング装置の構成を模式的に示す。このプラズマエッチング装置は、ドライエッチング方式によるものであり、また吸引型装置である。図1に示すように、このプラズマエッチング装置は、密閉されたチャンバ1内に、エッチング対象物2を固定するXYZステージ3と、反応ガス源4からの反応ガスをマスフローコントローラ5を通じてチャンバ1へ導入する反応ガス導入管6と、チャンバ1内の圧力を測定する真空計7と、プラズマ発生管8とを持ち、プラズマ発生管8へ高周波電力を供給するための電極9およびRF電源10と、プラズマ発生管8からチャンバ1の気体を排気するための排気管11、ポンプ12、排気管11内の圧力を測定する真空計13、要素2、3、5、7、10、13を監視制御するためのコンピュータ14とを備え、チャンバ1内の反応ガスをエッチング対象物2側からプラズマ発生管8側へ吸引しながらエッチング対象物2表面とプラズマ発生管8との間にプラズマ15を発生させることによってエッチング対象物2をエッチングする構成となっている。プラズマ発生管8はそれ自身がエッチングされて発光スペクトルやマススペクトルに影響しないよう、またエッチングによってプラズマ発生管の寸法が変化しないよう管の材質の選定に留意する。例えばSiやSiO2をCF4でエッチングする場合にはアルミナAl2O3等Siを含まない材料をプラズマ発生管に用いる。XYZステージ3の位置情報、マスフローコントローラ5の読み、チャンバ真空計7および排気管真空計13の読み、RF電源10の出力はコンピュータ14に送られ、コンピュータ14に導入されたフィードバック機構によりチャンバ真空計7および排気管真空計13の読みから得られるプラズマ発生管両端の圧力および差圧が設定値に達するようにマスフローコントローラ5を通る反応ガス4の流量、並びにエッチング対象物2-プラズマ発生管8の先端間の距離を調整する。以下、具体例を挙げてさらに詳細に説明する。<実験例1>図1に示す構成のプラズマエッチング装置を用い、反応ガスとして純粋なCF4のみを用いてエッチング対象物としてSi基板をプラズマ加工した時のエッチング深さとその精度を調べ、そのうち3回の加工プロファイルを示した図2。外界から密閉されたチャンバ1には、エッチング対象物2を固定するXYZステージ3と、反応ガス源4からの反応ガスをマスフローコントローラ5を通じてチャンバ1へ導入する反応ガス導入管6と、チャンバ1内の圧力を測定する真空計7が設置されている。プラズマガンは、チャンバ1へ先端を挿入したプラズマ発生管8、このプラズマ発生管8へ高周波電力を供給するための電極9およびRF電源10と、プラズマ発生管8を通じてチャンバ1の気体を排気するための排気管11およびポンプ12、排気管内11の圧力を測定する真空計13とを備える。XYZステージ3の位置、マスフローコントローラ5の設定値並びに測定値、チャンバ真空計7の測定値、RF電源10からの投入電力、排気管11内の圧力すなわちガン圧力はコンピュータ14により監視制御される。プラズマ発生管8にRF電力を供給することにより、エッチング対象物2表面とプラズマ発生管8との間にプラズマ15を発生させ、同プラズマ内のラジカルを利用して、エッチング対象物2をエッチングした。プラズマ15の発生領域がプラズマ発生管内径程度の広さに限定されるよう、チャンバ圧力、ガン圧力、チャンバ1とガンとの圧力差、反応ガスの流量、エッチング対象物2表面とプラズマ発生管8との間隔を調整した。そして次のような条件で実験を行った。実験条件RFパワー:45Wガン圧力:550Paチャンバ圧力:2600Pa差圧:2050Paエッチング時間:25min図2より、Si表面が28μmminという高速度でエッチングされているうえに、そのエッチング深さのばらつきは1以内に収めることができた。<実験例2>図1の装置を用いてエッチング対象物としてSi基板を二種類の気体、すなわちCF4のみ、およびCF495とO25の混合物でエッチングし、異なるエッチング時間で両者のエッチング速度を比較した図3。実験条件プラズマ発生管内径:1mmプラズマ発生管8とエッチング対象物2との距離012mmRFパワー33Wガンの圧力:670Paプラズマ発生管両端の圧力差350Pa両者の間でエッチング速度に大きな差は見出されず、CF4だけを反応ガスに用いた場合でもSiのエッチングが可能であることが示された。したがって、通常安定した放電状態を得る目的で混入されるアルゴンガスがなくても、CF4ガス単独で安定したプラズマ放電を持続することが可能となる。また、SF6ガスでも酸素を混入したCF4ガスでもないCF4ガス単独を反応ガスに用いた場合でも、同ガスによるプラズマから生じるCF系ポリマーなどの固体生成物によってエッチングを妨げられることがなく、Si表面をドライエッチングすることができ、ドライエッチングによって生じた種々の生成物が再びエッチング対象物2の表面およびチャンバ1の内面に付着することを回避することができる。<実験例3>チャンバ1の圧力とガン圧力との圧力差を変えることで反応ガスの流量を変えながら、ドライエッチング中のエッチング対象物の温度上昇を噴射型と吸引型のドライエッチングにおいて比較した図4。実験条件プラズマ発生管内径2mmプラズマ発生管8とエッチング対象物2との距離:013mmRFパワー40W圧力差:200400550Pa200400880Paプラズマ発生管両端の圧力差が大きくなるにつれて、エッチングされているエッチング対象物表面における反応ガスの流速が大きくなる。噴射型の場合はエッチング対象物にプラズマ化した高温の反応ガスが噴射されるが、吸引型ではプラズマ化する前の室温の反応ガスがエッチング対象物上に流れ込み、ドライエッチング領域を冷却する効果があるため、噴射型では差圧の上昇とともに温度が上昇するのに対して、吸引型ではやや温度が減少する。また吸引型での温度上昇の絶対値は吸引型では室温10度程度であり、噴射法に比較して吸引法はエッチング対象物の温度上昇を抑えられる方法であることが示された。したがって、特別な冷却機構をつけなくてもエッチング対象物温度の上昇を軽減することができる。<実験例4>本発明によるプラズマエッチング装置および方法を用いることで、反応ガスとして大気圧の空気を用いても、プラズマ発生管の先端にプラズマを発生させることが可能である。図5はその場合の装置構成図である。プラズマ発生管8の先端は、室内に開放されたXYZステージ3の上に固定されたエッチング対象物2の表面に接近させた。図6は、大気圧に開放した条件で吸引プラズマを発生させ、ビデオカメラ17でプラズマの発光を観察した様子の一コマである。実験条件プラズマ発生管内径:1mmガンの圧力:400Paプラズマ発生管8とエッチング対象物2との距離:00080020mmRFパワー:50Wプラズマ発生管8内径に相当する領域にプラズマ発光が観察され、本発明によれば吸引プラズマを大気圧条件でも発生できることを確認した。本実施例の装置構成では反応ガスが室内の空気であるために、図1で示したような特別な反応ガス源4、マスフローコントローラ5、反応ガス導入管6を必要としない簡素な構成である上に、ドライエッチング中に発生した反応生成物はプラズマ発生管8を通じて排気系へ取り除かれるので、作業中の室内の大気を汚染しないという利点がある。また、この場合、ガンの圧力、プラズマ発生管8の両端間の圧力差、エッチング対象物2とそれに対向するプラズマ発生管8の一方の端面との間隔およびRF電源10の出力の少なくともいずれかを調整することにより、プラズマ発生状態を制御することができる。<実験例5>プラズマ発光の形状をビデオカメラでモニタしながら形状を画像処理ソフトにより数値化し、プラズマ発生を制御するための制御手段の一部とすることができる。図7はそのための装置構成を示したものである。図1で示した主要装置構成に加えて、プラズマ15を見込めるようなチャンバ1の壁に窓16を設け、ビデオカメラ17を用いてプラズマの発光の形状や明るさ発光強度を観察する。これらのデータをコンピュータ14に導入した画像認識ソフトで処理することにより、現在発生しているプラズマがどのような状態であるかを自動的に判断することができる。条件は以下の通りである。使用ガス:CF4プラズマ発生管内径:25mmRF出力:30W本ドライエッチング装置で生じ得る主要なプラズマの発生状況は3種類に分類される。すなわち図8のようにプラズマ15がプラズマ発生管8の外部に広く分布する場合[ビデオカメラ17で記録した像図8上と同画像の画像認識結果]、図9のようにプラズマ15がプラズマ発生管8のほとんど内部にのみ分布する場合[ビデオカメラ17で記録した像図9上と同画像の画像認識結果]、および図10のようにプラズマ15がプラズマの横方向の広がりが発生管8の内径にほぼ一致して分布する場合[ビデオカメラ17で記録した像と同画像の画像認識結果]であるが、図8-10からわかるようにいずれの場合もビデオカメラで記録したプラズマ発光の形状を画像認識ソフトを通じて認識していることがわかる。例えば半導体の故障診断をする場合にはプラズマをエッチング対象物2この場合診断すべき半導体素子の一部分にのみ照射するような図10の条件を実現することが求められるが、あらかじめそのように装置を制御するコンピュータ14をプログラムすることにより、図10のプラズマ発生条件が達成されるまでその他の制御手段を自動で調整することができる。<実験例6>ここでは、プラズマの発光スペクトルをプラズマ発生の制御手段に用い得ることを示した。図11に示したように、図1の主要装置構成に加えてプラズマ15を見込めるようなチャンバ1の壁に窓16を設け、光ファイバ18を用いてプラズマ15の発光の一部の光を集めて分光光度計19へ伝達し、プラズマの発光スペクトルを記録できるような装置構成とし、エッチング対象物としてSi基板上のSiO2酸化膜をCF4単独でドライエッチングし、エッチング対象物の有無に対する発光スペクトルを比較した図12。実験条件プラズマ発生管内径:1mmエッチング対象物とプラズマ発生管先端の間隔:020mm反応ガス:CF4反応ガス流量:20sccmチャンバ圧力:500Paガンの圧力:460PaRFパワー:40W図12を見ると、COに由来するピークが480nmおよび520nmに見えるが、エッチング対象物をドライエッチングしているときのこれらのピークの高さは、エッチングしていないときの同ピークに比べて増加していることがわかる。SiO2酸化膜をCF4を反応ガスとしてエッチングするとき、SiO2酸化膜中の酸素と反応ガス中の炭素とが反応してCOが発生するためであり、このことから、SiO2酸化膜のエッチングが進んでいることをこれらのピークの増加の様子からモニタすることができる。本発明においては、ドライエッチングが行われる領域をプラズマ発生管8の内径程度の広さに限定することが可能であるため、同部分からの発光を効率よく外部の光学系へ導くことが可能である。また、実験例6のようなプラズマの発光スペクトルを解析する場合、プラズマ発生管8に吸い込まれた反応ガスおよび反応生成物からのプラズマ発光も集めることが出来れば、信号強度を稼ぐことができる。図13はそのような計測を実施するための装置構成図である。図1で示した主要装置構成に加えて、排気管11の壁にプラズマ発生管8と同軸に配置するよう設けた窓20からチャンバ内のプラズマ15およびプラズマ発生管8内部のプラズマからの発光の一部を取り出し、窓の外に置かれた光ファイバ21を通じて分光光度計22へと導く。図13の装置構成で側方から記録したプラズマからの発光スペクトルと、図11の装置構成で同軸方向から記録したプラズマからの発光スペクトルを比較したものが図14である。実験条件プラズマ発生管内径:1mmエッチング対象物とプラズマ発生管先端の間隔:02mm反応ガス:CF4反応ガス流量:20sccmチャンバ圧力:400Paガンの圧力:200PaRFパワー:40Wこの実験例によってプラズマからの発光強度が実験例6の場合に比べて向上することがわかった。本実験例の配置は、反応生成物が発光しているプラズマ発生管内部およびその先端という縦に長い領域からの発光を効率よく集めることができるという点で、実験例1で述べた装置構成の特徴を活かしたものである。<実験例7>本実験例は、反応ガス中に含まれる反応生成物の分析に質量分析計を用いた例である。図15にその構成図を示す。図1の主要装置構成に加えて、排気管11に設けられた細孔23を通じて、吸引された反応ガスと反応生成物の一部を質量分析計25へ導き、反応ガス中に含まれる反応生成物の種類とその量を分析する。プラズマ発生管8、細孔23、質量分析計25は同軸に配置し、反応ガスと反応生成物はプラズマ発生管8から装置内壁等に衝突せずに直接質量分析計25へ導入されるように留意した。分析室24は質量分析計21を格納し、細孔23を通じて排気管11と接続されている。分析室24内の圧力は排気管11の圧力、すなわちガンの圧力より低くなるようポンプ27によって排気し、ガンの圧力とチャンバ1の圧力の圧力差を利用して、反応ガスと反応生成物は質量分析計へと導かれる。真空計26の主要な目的は、分析室20内の気圧が質量分析計21の使用可能範囲であるおよそ001Pa未満であるかどうかを確認するためであるが、質量分析計25がガンの圧力と同程度の雰囲気、すなわちおよそ10から1000Paで使用できる装置である場合には、ガンの圧力より分析室25の圧力が低いことの確認に用いられる。図15で示した装置を用いて、酸素を反応ガスとしてSi上に成膜した有機物ポリイミドの薄膜をドライエッチングし、吸引された気体を質量分析した。その結果を図16に示す。実験条件プラズマ発生管内径:4mmガンの圧力:50Paチャンバ圧力:560PaRFパワー:24W細孔直径:200μm質量分析計のイオン化エネルギー:70eV分析室圧力:0008Paポリイミド薄膜の厚さ:2μmエッチング中にはmq2844にピークが観察されたが、これらのピークは有機物がエッチングされたことによって生じたCOおよびCO2によるものと帰属することができる。さらにmq28のピークの信号強度についてその経時変化を測定したところ図17、下地のSiが露出するにつれて同信号は減少をはじめ、下地のSiが完全に露出したところで同信号の減少が停止することがわかり、質量分析の信号をエッチングの終点検出に応用できることが示唆された。