III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法であって、六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面を含む基板と前記半極性主面の上に形成され活性層を含む半導体領域とを有する基板生産物を用意する工程と、前記基板生産物の第1の面をスクライブし、前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に延在する複数のスクライブマークを形成する工程と、劈開装置を用いて、レーザバーと他の基板生産物とを前記基板生産物から形成する工程と、を備え、前記劈開装置は、前記基板生産物を支持する支持板と、前記基板生産物が前記支持板に支持される場合に前記第1の面の反対側にある前記基板生産物の第2の面から前記基板生産物を前記支持板の側に押圧するためのブレードと、を有し、前記支持板は、前記基板生産物が搭載される表面と、前記表面の反対側の裏面と、前記表面から前記裏面に貫通する孔部とを有し、前記孔部は、前記支持板の前記表面に沿って延びており前記支持板において規定される基準軸と直交する方向に延在し、前記基準軸と直交する方向の前記孔部の幅は、前記第1の面の径よりも長く、前記レーザバーと前記他の基板生産物とを形成する工程は、前記複数のスクライブマークの中で最も端にある一のスクライブマークが前記孔部の上に位置し前記孔部に沿って延びるように、前記基板生産物を前記支持板に固定する工程と、前記ブレードの押圧方向と前記支持板の前記表面とが直交している状態から、前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸と前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸とによって規定されるc-m面において、前記m軸から、前記押圧方向と前記a軸とによって規定される基準面に向かって、角度THETAの傾斜を支持板に施す工程と、前記一のスクライブマークと前記第1の面との交線を含んでおり前記押圧方向に沿って延びる面に重なるように、前記a軸と直交する方向における前記ブレードの位置決めを行う工程と、前記ブレードを前記基板生産物の前記第2の面に押し当てる工程と、を含み、前記ブレードが前記第2の面を押圧する部分は、前記a軸に沿って延在し、前記c軸の方向を示すc軸ベクトルは、前記半極性主面の法線ベクトルに対して角度ALPHAの傾斜を成しており、前記角度ALPHAは、71度以上79度以下の範囲と101度以上109度以下の範囲との何れかの範囲にあり、前記角度THETAは、11度以上19度以下の範囲にあり、前記レーザバーは、前記第1の面から前記第2の面にまで延在し、分離により形成される第1の端面及び第2の端面を有し、前記第1の端面及び前記第2の端面は、前記c-m面に交差し、前記第1の端面及び前記第2の端面は、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。前記スクライブマークは、前記a軸と前記法線ベクトルとによって規定されるa-n面に沿って、前記第1の面から前記第2の面の方向に延在する、請求項1に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。前記基板生産物を用意する工程において、前記基板は、当該基板の厚さが50μm以上100μm以下になるように加工が施され、前記加工は、スライス又は研削であり、前記第2の面は、前記加工により形成された加工面と前記加工面の上に形成された電極を含む面との何れかの面である、請求項1又は請求項2に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。前記スクライブは、レーザスクライバを用いて行われ、前記スクライブマークはスクライブ溝を含む、請求項1~請求項3の何れか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。前記半極性主面は、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかの半極性面から、m面方向に-4度以上4度以下の範囲の傾斜を有する、請求項1~請求項4の何れか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。前記半極性主面は、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかの面である、請求項1~請求項5の何れか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。前記基板の材料は、GaN、AlGaN、AlN、InGaN及びInAlGaNの何れかを含む、請求項1~請求項6の何れか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。前記第1の端面及び前記第2の端面の各々における前記活性層の端面は、前記基板のm軸に直交するm面に対して、前記c-m面においてALPHA-5度以上ALPHA5度以下の範囲の角度を成す、請求項1~請求項7の何れか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。前記活性層の端面は、前記c-m面と前記法線ベクトルとに直交する平面において、当該平面と前記c-m面との交線に直交する面から、-5度以上5度以下の範囲の角度ずれを有している、請求項8に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。特許文献1のように、半極性面を用いたIII族窒化物半導体レーザ素子のレーザ導波路が、c面からm軸に向けてオフした半極性面に沿って形成されている場合、このレーザ導波路に直交する共振器ミラーの形成は、従来の劈開によって形成されることは困難であり、割断によって形成される。しかしながら、割断によって共振器ミラーを形成する場合、この共振器ミラーが、レーザ素子の共振器ミラーとして十分な機能を有する、すなわち、発振しきい値電流の低減が可能な共振器ミラーを安定して供給できることが望まれている。そこで、本発明の目的は、上記の事項を鑑みてなされたものであり、半極性面を用いたIII族窒化物半導体レーザ素子の作製方法であって、発振しきい値電流の低減が可能な共振器ミラーを安定して供給可能な方法を提供することである。本発明のIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法は、六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面を含む基板と前記半極性主面の上に形成され活性層を含む半導体領域とを有する基板生産物を用意する工程と、前記基板生産物の第1の面をスクライブし、前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に延在する複数のスクライブマークを形成する工程と、劈開装置を用いて、レーザバーと他の基板生産物とを前記基板生産物から形成する工程と、を備え、前記劈開装置は、前記基板生産物を支持する支持板と、前記基板生産物が前記支持板に支持される場合に前記第1の面の反対側にある前記基板生産物の第2の面から前記基板生産物を前記支持板の側に押圧するためのブレードと、を有し、前記支持板は、前記基板生産物が搭載される表面と、前記表面の反対側の裏面と、前記表面から前記裏面に貫通する孔部とを有し、前記孔部は、前記支持板の前記表面に沿って延びており前記支持板において規定される基準軸と直交する方向に延在し、前記基準軸と直交する方向の前記孔部の幅は、前記第1の面の径よりも長く、前記レーザバーと前記他の基板生産物とを形成する工程は、前記複数のスクライブマークの中で最も端にある一のスクライブマークが前記孔部の上に位置し前記孔部に沿って延びるように、前記基板生産物を前記支持板に固定する工程と、前記ブレードの押圧方向と前記支持板の前記表面とが直交している状態から、前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸と前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸とによって規定されるc-m面において、前記m軸から、前記押圧方向と前記a軸とによって規定される基準面に向かって、角度THETAの傾斜を支持板に施す工程と、前記一のスクライブマークと前記第1の面との交線を含んでおり前記押圧方向に沿って延びる面に重なるように、前記a軸と直交する方向における前記ブレードの位置決めを行う工程と、前記ブレードを前記基板生産物の前記第2の面に押し当てる工程と、を含み、前記ブレードが前記第2の面を押圧する部分は、前記a軸に沿って延在し、前記c軸の方向を示すc軸ベクトルは、前記半極性主面の法線ベクトルに対して角度ALPHAの傾斜を成しており、前記角度ALPHAは、71度以上79度以下の範囲と101度以上109度以下の範囲との何れかの範囲にあり、前記角度THETAは、11度以上19度以下の範囲にあり、前記レーザバーは、前記第1の面から前記第2の面にまで延在し、分離により形成される第1の端面及び第2の端面を有し、前記第1の端面及び前記第2の端面は、前記c-m面に交差し、前記第1の端面及び前記第2の端面は、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する。本発明の作製方法によれば、ブレードの押圧方向と支持板の表面とが直交している状態から、c-m面において、m軸から押圧方向とa軸とによって規定される基準面に向かって角度THETAの傾斜を支持板に施し、更に、a軸と直交する方向におけるブレードの位置決めを、複数のスクライブマークのうち最も端にあるスクライブマークと基板生産物の表面との交線を含んでおりブレードの押圧方向に沿って延びる面に重なるように行う。c軸ベクトルと半極性主面の法線ベクトルとの間の角度ALPHAは、71度以上79度以下の範囲と101度以上109度以下の範囲との何れかの範囲にある場合に、角度THETAが11度以上19度以下の範囲となるので、ブレードの押圧方向に沿って延びる基準面は、c軸に直交するc面に沿って延びることになるので、c面による劈開が利用できる。よって、このブレードの押圧による分離によって形成されるレーザバーの第1の端面及び第2の端面とは、共振器ミラーとして十分な平坦性及び垂直性を有する。従って、このレーザバーから作製されるIII族窒化物半導体レーザ素子の発振しきい値電流は低減される。本発明において、前記スクライブマークは、前記a軸と前記法線ベクトルとによって規定されるa-n面に沿って、前記第1の面から前記第2の面の方向に延在する、ことが好ましい。スクライブマークが、a-n面に沿って形成されるので、ブレードによるレーザバーの分離によって生じる面もa-n面に添って延在する。従って、共振器ミラーとして用いられる面を、c-m面に直交する面として形成できる。スクライブマークが第1の面から第2の面の方向に延びているので、レーザバーの分離が容易に行える。本発明において、前記基板生産物を用意する工程において、前記基板は当該基板の厚さが50μm以上100μm以下になるように加工が施され、前記加工は、スライス又は研削であり、前記第2の面は、前記加工により形成された加工面と前記加工面の上に形成された電極を含む面との何れかの面である、ことが好ましい。従って、基板の剛性は高い。基板はスライス又は研削によって加工されるので、加工面に十分な平坦性が実現できる。本発明において、前記スクライブは、レーザスクライバを用いて行われ、前記スクライブマークは、スクライブ溝を含む、ことが好ましい。従って、レーザスクライバが用いられるので、スクライブマークが正確に形成される。スクライブマークがスクライブ溝を含むので、レーザバーの分離が容易となる。本発明において、前記半極性主面は、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかの半極性面から、m面方向に-4度以上4度以下の範囲の傾斜を有する、ことが好ましい。従って、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかの面からm面の方向に-4度以上4度以下の範囲の傾斜を有する半極性面を有する基板生産物に対し、本発明に係る作製方法が適用できる。本発明において、前記半極性主面は、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかの面である、ことが好ましい。従って、特に、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかの半極性面を有する基板生産物に対し、本発明に係る作製方法が適用できる。本発明において、前記基板の材料は、GaN、AlGaN、AlN、InGaN及びInAlGaNの何れかを含む、ことが好ましい。このように、窒化物系の半導体が基板に利用される。本発明において、前記第1の端面及び前記第2の端面の各々における前記活性層の端面は、前記基板のm軸に直交するm面に対して、前記c-m面においてALPHA-5度以上ALPHA5度以下の範囲の角度を成す、ことが好ましい。従って、第1の端面及び第2の端面に対し、共振器ミラーに必要な平坦性と垂直性とが実現できる。本発明において、前記活性層の端面は、前記c-m面と前記法線ベクトルとに直交する平面において、当該平面と前記c-m面との交線に直交する面から、-5度以上5度以下の範囲の角度ずれを有している、ことが好ましい。従って、共振器ミラーに必要な平坦性と垂直性とを有する活性層の端面が実現できる。本発明によれば、半極性面を用いたIII族窒化物半導体レーザ素子の作製方法において、発振しきい値電流の低減が可能な共振器ミラーを安定して供給できる。以下、図面を参照して、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、可能な場合には、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。実施形態に係る作製方法は、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法である。図1は、実施形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子の作製方法の主要な工程を示す図である。図2は、III族窒化物半導体レーザ素子の製造に用いる基板生産物及びレーザバーを示す図である。ステップSp1まず、図2のA部に示す基板生産物5を用意する。基板生産物5は、六方晶系III族窒化物半導体のレーザ構造体と、このレーザ構造体に設けられたp側の絶縁膜、p側電極及びn側電極とを有する。p側とは、基板生産物5の六方晶系III族窒化物半導体のレーザ構造体においてp型の半導体領域が設けられている側を意味し、n側とは、基板生産物5の六方晶系III族窒化物半導体のレーザ構造体においてn型の半導体領域が設けられている側を意味する。基板生産物5から、後述の図4に示すIII族窒化物半導体レーザ素子11が、分離されて形成される。基板生産物5の六方晶系III族窒化物半導体のレーザ構造体は、基板SubIII族窒化物半導体レーザ素子11の支持基体17に対応と半導体領域LyIII族窒化物半導体レーザ素子11の半導体領域19に対応とを含むウェハである。基板Subの材料は、GaN、AlGaN、AlN、InGaN及びInAlGaNの何れかを含む。基板Subは、六方晶系III族窒化物半導体の半極性面である半極性主面SFIII族窒化物半導体レーザ素子11の半極性主面17aに対応を有する。半極性主面SFは、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかの半極性面から、基板Subの六方晶系III族窒化物半導体のm面の方向に-4度以上4度以下の範囲の傾斜を有する。半極性主面SFは、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかであることができる。半導体領域Lyは、基板Subの半極性主面SFの上にエピタキシャル成長によって形成され、半極性主面SFに接している。基板生産物5は、p側の絶縁膜III族窒化物半導体レーザ素子11の絶縁膜31に対応と、p側電極III族窒化物半導体レーザ素子11のp側電極15に対応と、n側電極III族窒化物半導体レーザ素子11のn側電極41に対応とを有する。基板生産物5のp側の表面5a第1の面であり、p側の絶縁膜の表面に、p側電極が設けられている。基板Subの表面に、この表面を覆うようにn側電極が設けられている。このn側電極の表面は、基板生産物5の裏面5e第2の面となる。なお、基板Subは、この基板Subの厚さが50μm以上100μm以下になるように加工が施される。この加工はスライス又は研削である。基板生産物5の裏面5eは、この加工により形成された加工面と、この加工面の上に形成されたn側電極を含む面との何れかであることができる。法線軸NXは、半極性主面SFの法線であり、基板生産物5の表面5aに対しても垂直である。法線ベクトルNVは、基板Subの半極性主面SFにおける法線軸NXの方向を向くベクトルであり、法線軸NXに沿って半極性主面SFから半導体領域Lyの側に向いている。法線ベクトルNVは、表面5aと半極性主面SFとに対して垂直である。法線軸NXと法線ベクトルNVとは、直交座標系Sのz軸に平行である。法線ベクトルNVは、z方向を向いている。表面5aと半極性主面SFとは、x-y平面に平行である。図2のA部に、結晶座標系CRが記載されている。基板Subの六方晶系III族窒化物半導体のc軸方向を示すc軸ベクトルVCは、半極性主面SFの法線ベクトルNVに対して角度ALPHAの傾斜角を成している。角度ALPHAは、71度以上79度以下の範囲と、101度以上109度以下の範囲との何れかの範囲内にある。なお、図2のA部に示す角度ALPHAは、一例として、71度以上79度以下の範囲内にある。基板Subの六方晶系III族窒化物半導体のa軸は、y軸を示す方向と逆向きである。基板Subの六方晶系III族窒化物半導体のc軸と、c軸の方向を示すc軸ベクトルVCと、基板Subの六方晶系III族窒化物半導体のm軸と、m軸の方向を示すm軸ベクトルVMと、法線軸NXと、法線軸NXの方向を示す法線ベクトルNVとは、何れも、y軸a軸に直交しており、z-x面内に含まれることができる。ステップSp2ステップSp1の後に、表面5aをスクライブする。このスクライブは、レーザスクライバを用いて行われる。スクライブにより、スクライブマーク5bが形成される。スクライブマーク5bは、a軸の方向と法線軸NXとによって規定されるa-n面に沿って、基板生産物5の表面5aから基板生産物5の裏面5eの方向に延びる。スクライブマーク5bは、a軸方向に延在しており、表面5aから半導体領域Lyに到達している。スクライブマーク5bは、例えば、基板生産物5の一のエッジに形成されることができる。スクライブマーク5bは、スクライブ溝を含む。レーザビームLBの照射により、スクライブマーク5bが表面5aに形成される。図2のA部の場合、二つのスクライブマーク5bが既に形成されており、レーザビームLBを用いてスクライブマーク5cの形成が進められている。スクライブマーク5bの長さは、a-n面と表面5aとの交差線よりも短く、この交差線の一部分にレーザビームLBの照射が行われる。ステップSp2の後、基板生産物5を割断し、この割断によって、レーザバー5dと、他の基板生産物51とを作製する。ステップSp3は、ステップSp3-1~ステップSp3-5を含む。基板生産物5の割断は、劈開装置を用いて行う。劈開装置は、図2のB部、及び、図3に示すように、支持板H、ブレード5g、モニタカメラ6a及び表示装置6cを備える。図3は、図2のB部のI-I線に沿ってとられた断面の構成を示す。なお、図2のB部は、レーザバー5dが分離された状態を示し、図3は、レーザバー5dが分離される前の状態を示す。また、図2のB部には、説明を容易にするため図3に示す基板生産物5を保護するための保護シートTFの記載が省略されており、図2のB部及び図3には、何れも、基板生産物5を保持するための粘着シートの記載が省略されている。支持板Hは、基板生産物5を支持する。支持板Hは、表面Haと、裏面Hbと、孔部HLとを有する。表面Haは、基板生産物5が搭載される面である。裏面Hbは、表面Haの反対側にある面である。孔部HLは、表面Haから裏面Hbに貫通する部分である。孔部HLは、表面Haに沿って延びており支持板Hにおいて規定される基準軸Aaと直交する方向に延在する。基準軸Aaと直交する方向の孔部HLの幅は、基板生産物5の表面5aの径より長い。ブレード5gは、基板生産物5が支持板Hに支持されている場合に、裏面5eから基板生産物5を支持板Hの側に押圧する。図3に示すように、孔部HLを挟んで、支持板Hの表面Ha上にブレード5gが設置され、支持板Hの裏面Hb上にモニタカメラ6aが設置されている。ブレード5gの中心軸の方向を示す軸方向ベクトルVXは、モニタカメラ6aのレンズ6bからブレード5gのエッジ5hに向かう方向と同一である。軸方向ベクトルVXは、エッジ5hの面から、この面の反対側にあるブレード5gの端面5iに向かう方向を表すベクトルであり、エッジ5hの面と端面5iとに直交する。エッジ5hは、一の方向図2及び図3の場合、y軸方向であり、基板生産物5のa軸の方向に延びている。モニタカメラ6aは、レンズ6bを有する。モニタカメラ6aには、表示装置6cが接続されている。表示装置6cは、ディスプレイを有し、モニタカメラ6aがレンズ6bを介して取得する画像を、このディスプレイに表示する。ブレード5g及びモニタカメラ6aの位置は固定されており、基板生産物5が支持板Hの上に搭載されていない場合には、表示装置6cのディスプレイの中心には、孔部HLを介してブレード5gのエッジ5hが常に表示される。支持板Hの操作者は、表示装置6cのディスプレイを見ながら、エッジ5hが表示されるべきディスプレイ内の表示位置に、表面5aとスクライブマーク5bとの交差部P1が表示されるように、支持板Hの上に搭載されている基板生産物5の配置を調整する。ステップSp3-1まず、図2のB部に示すように、基板生産物5の表面5aを支持板Hに向けて、基板生産物5を支持板Hに置く。そして、複数のスクライブマーク5bの中で最も端にある一のスクライブマーク特に、スクライブマーク5b1というが孔部HLの上に位置し孔部HLに沿って延びるように、基板生産物5を支持板Hに固定する。ステップSp3-2ステップSp3-1の後、ブレード5gを裏面5eに押圧する押圧方向PRと支持板Hの表面Haとが直交している状態から、c軸とm軸とによって規定されるc-m面において、m軸から、ブレード5gの押圧方向PRとa軸とによって規定される基準面Abに向かって、角度THETAの傾斜を支持板Hに施す。このm軸から基準面Abに向かう向きにおいて、m軸がa-n面と成す角度は、鋭角である。ブレード5gを裏面5eに押圧する押圧方向PRは、軸方向ベクトルVXと逆向きである。角度THETAは、11度以上19度以下の範囲にある。図9に、支持板Hを傾斜させる方向の具体例を示す。図9には、ブレード5gを裏面5eに押圧する押圧方向PRと支持板Hの表面Haとが直交している状態が示されている。ブレード5gの押圧方向PRは、半極性主面SFの法線ベクトルNVに平行である。基準面Abは、ブレード5gの押圧方向PRとa軸とによって規定される面であるが、基準面Abは、半極性主面SFの法線ベクトルNVに平行である。図9のA部とB部とに、角度ALPHAが71度以上79度以下の場合を示す。図9のC部とD部とに、角度ALPHAが101度以上109度以下の場合を示す。ステップSp3-3ステップSp3-2の後、スクライブマーク5b1と表面5aとの線状の交差部P1を含んでおりブレード5gの押圧方向PRに沿って延びる面交差部P1を含む基準面Abに対応に重なるように、a軸と直交する方向c-m面に沿った方向におけるブレード5gの位置決めを行う。ステップSp3-4ステップSp3-5の後、ブレード5gを基板生産物5の裏面5eに押し当てる。ステップSp3-5ステップSp3-4の後、ブレード5gの軸方向ベクトルVXを法線ベクトルNVに対し角度THETAだけ傾けた状態で、ブレード5gを用いた基板生産物5の裏面5eへの押圧によって基板生産物5をレーザバー5dに割断し、レーザバー5dを分離する。ブレード5gが裏面5eを押圧する部分は、ブレード5gのエッジ5hと重なる部分であって、a軸と孔部HLとに沿って延在する。c軸ベクトルVCは、半極性主面SFの法線ベクトルNVに対して角度ALPHAの傾斜を成している。従って、基板生産物5からレーザバー5dが割断によって分離され、この分離によって形成される端面5f第1及び第2の端面を示しており、割断面27及び割断面29に対応が、半導体レーザの共振器ミラーとなる。レーザバー5dは、割断によって形成された端面5fを有する。端面5fは、レーザバー5dの表面割断前の表面5aによって与えられる面からレーザバー5dの裏面割断前の裏面5eによって与えられる面にまで延在する。端面5fは、c面、m面及びa面といったこれまでのへき開面とは異なる。端面5fは、スクライブマーク5bに沿って形成される。端面5fは、a-n面に沿って延在する。端面5fは、III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成する。端面5fは、c-m面に交差する。このように形成された端面5fは、共振器ミラーに必要な十分な垂直性及び平坦性を有する。端面5fにおける半導体領域の活性層の端面図5に示す端面SEを与える面は、基板Subのm軸に直交するm面に対して、六方晶系III族窒化物半導体のc軸及びm軸によって規定されるc-m面第1平面においてALPHA-5度以上ALPHA5度以下の範囲の角度を成す。半導体領域の活性層の端面図5に示す端面SEを与える面は、c-m面と法線ベクトルNV法線軸NXとに直交する平面第2平面であり、図5に示す平面S2を与える面において、この平面とc-m面との交線図4に示す交差線LIXを与える線であり、導波路Idに沿って延びるに直交する面図5に示す面Siを与える面から、-5度以上5度以下の範囲の角度ずれBETAを有している。図5は、実施形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法の効果を、端面の角度ずれによって説明するための図である。なお、基板生産物5から一又は複数のレーザバー5dが分離された後には、残余の基板生産物51が形成されるが、基板生産物5とスクライブマーク5b1とに対する上述の規定は、このような残余の基板生産物51に対しても適用される。ステップSp4次に、レーザバー5dの端面5fに誘電体多層膜を形成してレーザバー生産物を形成し、この後、このレーザバー生産物を個々のIII族窒化物半導体レーザ素子III族窒化物半導体レーザ素子11に対応に分離する。このようにして、III族窒化物半導体レーザ素子がレーザバー5dから形成される。以上説明したように、ブレード5gの押圧方向PRと支持板Hの表面Haとが直交している状態から、c-m面において、m軸から押圧方向PRとa軸とによって規定される基準面Abに向かって角度THETAの傾斜を支持板Hに施し、更に、a軸と直交する方向におけるブレード5gの位置決めを、複数のスクライブマーク5bのうち最も端にあるスクライブマーク5b1と基板生産物5の表面5aとの交線交差部P1を含んでおり押圧方向PRに沿って延びる面に重なるように行う。c軸ベクトルVCと半極性主面SFの法線ベクトルNVとの間の角度ALPHAは、71度以上79度以下の範囲と101度以上109度以下の範囲との何れかの範囲にある場合に、角度THETAが11度以上19度以下の範囲となるので、押圧方向PRに沿って延びる基準面Abは、c軸に直交するc面に沿って延びることになるので、c面による劈開が利用できる。よって、このブレード5gの押圧による分離によって形成されるレーザバー5dの端面5fは、共振器ミラーとして十分な平坦性及び垂直性を有する。従って、このレーザバー5dから作製されるIII族窒化物半導体レーザ素子11の発振しきい値電流Ithは低減される。また、スクライブマーク5bが、a-n面に沿って形成されるので、ブレード5gによるレーザバー5dの分離によって生じる面もa-n面に添って延在する。従って、共振器ミラーとして用いられる面を、c-m面に直交する面として形成できる。スクライブマーク5bが表面5aから裏面5eの方向に延びているので、レーザバー5dの分離が容易に行える。また、基板Subの厚さが50μm以上100μm以下なので、基板Subの剛性は高い。基板Subは、スライス又は研削によって加工されるので、加工面に十分な平坦性が実現できる。また、スクライブは、レーザスクライバを用いて行われるので、スクライブマークが正確に形成される。スクライブマークは、スクライブ溝を含むので、レーザバー5dの分離が容易となる。また、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかの面からm面の方向に-4度以上4度以下の範囲の傾斜を有する半極性主面SFを有する基板生産物5に対し本実施形態に係る作製方法が適用できる。また、特に、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかの半極性主面SFを有する基板生産物5に対し、本発明に係る作製方法が適用できる。また、基板Subの材料が、GaN、AlGaN、AlN、InGaN及びInAlGaNの何れかを含むので、窒化物系の半導体が基板に利用される。また、端面5fにおける活性層の端面は、m面に対して、c-m面においてALPHA-5度以上ALPHA5度以下の範囲の角度を成す。従って、端面5fに対し、共振器ミラーに必要な平坦性と垂直性とが実現できる。また、基板生産物5の活性層の端面図5に示す端面SEを与える面は、c-m面と法線ベクトルNVとに直交する平面図5に示す平面S2を与える面において、当該平面とc-m面との交線に直交する面図5に示す面Siを与える面から、-5度以上5度以下の範囲の角度ずれを有している。従って、共振器ミラーに必要な平坦性と垂直性とを有する活性層の端面端面SEを与える面が実現できる。次に、上述のステップSp1~ステップSp4によって作製されるIII族窒化物半導体レーザ素子の構成を説明する。図4は、本実施形態に係る作製方法によって作製されるIII族窒化物半導体レーザ素子11の構造を概略的に示す図面である。III族窒化物半導体レーザ素子11は、利得ガイド型の構造を有するが、利得ガイド型の構造に限定されるものではない。法線軸NXは、レーザ構造体13のp側の面13aの法線支持基体17の半極性主面17aの法線であり、z軸の方向に向く。III族窒化物半導体レーザ素子11の支持基体17の半極性主面17aは、x-y面に平行に延在する。また、図4には、代表的なc面SCが描かれている。支持基体17の六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、軸CXに対応している。c軸軸CXは、支持基体17の六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に、法線軸NXに対して有限な角度ALPHAで傾斜している。c軸ベクトルVCと法線ベクトルNVとの間の角度は、角度ALPHAである。c軸ベクトルVCは、c軸の方向を示すベクトルである。法線ベクトルNVは、法線軸NXに沿ってレーザ構造体13のp側の面13a上に向かうベクトルであり、面13aと半極性主面17aとに対して垂直である。角度ALPHAは、71度以上79度以下の範囲内と101度以上109度以下の範囲内との何れかにあることができる。図4に示す角度ALPHAは、71度以上79度以下の範囲内にあるが、101度以上109度以下の範囲内であってもよい。レーザバー5dの端面5fに対応する割断面27及び割断面29は、c-m面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子11のレーザ共振器は、割断面27及び割断面29を含み、割断面27及び割断面29の一方から他方に、レーザ導波路が延在している。III族窒化物半導体レーザ素子11のレーザ共振器の共振器長は、例えば、600μm程度である。レーザ構造体13は、面13a及び裏面13bを含み、面13aは裏面13bの反対側の面である。割断面27及び割断面29は、面13aのエッジ13cから裏面13bのエッジ13dまで延在する。割断面27及び割断面29は、c面、m面又はa面といった、これまでのへき開面とは異なる。III族窒化物半導体レーザ素子11によれば、レーザ共振器を構成する割断面27及び割断面29がc-m面に交差する。これ故に、c-m面と半極性主面17aとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を設けることができる。従って、III族窒化物半導体レーザ素子11は、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有することになる。III族窒化物半導体レーザ素子11は、レーザ構造体13、絶縁膜31、n側電極41及びp側電極15を備える。レーザ構造体13は、支持基体17及び半導体領域19を含む。支持基体17は、六方晶系III族窒化物半導体からなる。支持基体17は、半極性主面17a及び裏面17bを有する。支持基体17は、50μm以上100μm以下の厚さDSUBを有する。支持基体17の材料は、GaN、AlGaN、AlN、InGaN及びInAlGaNの何れかを含む。半極性主面17aは、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかの半極性面からm面方向に-4度以上4度以下の範囲の傾斜を有する。半極性主面17aは、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかであることができる。半導体領域19は、支持基体17の半極性主面17aの上に設けられている。半導体領域19は、半導体層20、n側クラッド層21、n側光ガイド層35a、n側光ガイド層35b、活性層25、p側光ガイド層37、p側ブロック層39、p側光ガイド層38、クラッド層23及びコンタクト層33を含む。半導体層20は、支持基体17の半極性主面17aの上に設けられている。半導体層20は、n型窒化ガリウム系半導体からなり、例えばn型GaN等からなる。n側クラッド層21は、半導体層20の上に設けられている。n側クラッド層21は、n型窒化ガリウム系半導体からなり、例えばn型AlGaN、n型InAlGaN等からなる。n側光ガイド層35aは、n側クラッド層21の上に設けられている。n側光ガイド層35bは、n側光ガイド層35aの上に設けられている。n側光ガイド層35a及びn側光ガイド層35bは、例えばGaN、InGaN等からなる。活性層25は、n側クラッド層21とクラッド層23との間に設けられる。活性層25は、特に、n側光ガイド層35bとp側光ガイド層37との間に設けられている。活性層25は窒化ガリウム系半導体層を含み、この窒化ガリウム系半導体層は例えば井戸層25aである。活性層25は窒化ガリウム系半導体からなる障壁層25bを含み、井戸層25a及び障壁層25bは交互に配列されている。井戸層25aは、例えばInGaN等からなり、障壁層25bは例えばGaN、InGaN等からなる。活性層25は、波長360nm以上600nm以下の光を発生するように設けられた量子井戸構造を含むことができる。半極性面の利用により、波長430nm以上550nm以下の光の発生に好適である。p側光ガイド層37は、活性層25の上に設けられている。p側光ガイド層37は、活性層25とp側ブロック層39との間に設けられている。p側光ガイド層37は、アンドープの窒化ガリウム系半導体からなり、例えば、GaN、InGaN等からなる。p側ブロック層39は、p側光ガイド層37とp側光ガイド層38との間に設けられる。p側ブロック層39は、p型窒化ガリウム系半導体からなり、例えば、p型AlGaN等からなる。p側光ガイド層38は、p側ブロック層39の上に設けられている。p側光ガイド層38は、p側ブロック層39とクラッド層23との間に設けられている。p側光ガイド層38は、p型窒化ガリウム系半導体からなり、例えば、p型GaN、p型InGaN等からなる。クラッド層23は、p側光ガイド層38の上に設けられている。クラッド層23は、p側光ガイド層38とコンタクト層33との間に設けられている。クラッド層23は、p型窒化ガリウム系半導体からなり、例えば、p型AlGaN、p型InAlGaN等からなる。コンタクト層33は、クラッド層23の上に設けられている。コンタクト層33は、p型窒化ガリウム半導体からなり、例えば、p型GaN等からなる。半導体層20、n側クラッド層21、n側光ガイド層35a、n側光ガイド層35b、活性層25、p側光ガイド層37、p側ブロック層39、p側光ガイド層38、クラッド層23及びコンタクト層33は、半極性主面17aレーザ構造体13のp側の面13aの法線軸NXに沿って順に配列されている。絶縁膜31及びp側電極15は、半導体領域19のp側の表面19aレーザ構造体13のp側の面13aに設けられている。絶縁膜31は、半導体領域19の表面19aを覆っており、半導体領域19は絶縁膜31と支持基体17との間に位置する。絶縁膜31は開口31aを有し、開口31aは半導体領域19の表面19aとc-m面との交差線LIXの方向に延在し、例えばストライプ形状を成す。p側電極15は、開口31aを介して半導体領域19の表面19aコンタクト層33に接触を成しており、交差線LIXの方向に延在する。n側電極41は、レーザ構造体13のn側の裏面13b支持基体17の裏面17bに設けられており、裏面13b裏面17bを覆っている。絶縁膜31は、例えば、SiO2の絶縁膜であり、n側電極41は、例えば、Ti/Al/Ti/Auからなり、p側電極15は、例えば、Ni/Auからなる。また、III族窒化物半導体レーザ素子11は、パッド電極を有する。このパッド電極は、p側電極15に接続されており、例えば、Ti/Alからなる。III族窒化物半導体レーザ素子11において、レーザ構造体13は、c-m面に交差する割断面27及び割断面29を含む。III族窒化物半導体レーザ素子11のレーザ導波路は、n側クラッド層21、クラッド層23及び活性層25を含み、交差線LIXの方向に延在する。割断面27及び割断面29の各々における活性層25の端面SE図5を参照は、支持基体17のm軸に直交するm面に対し、c-m面においてALPHA-5度以上ALPHA5度以下の範囲の角度を成す。活性層25の端面SEは、c-m面と法線軸NXとに直交する平面S2基板生産物5の表面5aによって与えられる面であり、図5を参照において、この平面S2とc-m面との交線交差線LIXであり、図5に示す導波路Idに沿って延びているに直交する面Siから、-5度以上5度以下の範囲の角度ずれBETAを有している。III族窒化物半導体レーザ素子11では、支持基体17の厚さDSUBは400μm以下であることが、レーザ共振器のための良質な割断面を得るために良い。特に、III族窒化物半導体レーザ素子11では、支持基体17の厚さDSUBは50μm以上100μm以下であることが良く、この場合、ハンドリングが容易になり、生産歩留まりを向上させることができる。半極性主面17aは、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかであることができる。更に、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかの面から-4度以上4度以下の範囲で微傾斜した面も半極性主面17aとして良い。これら典型的な半極性主面17aにおいて、III族窒化物半導体レーザ素子11のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性及び垂直性の割断面27及び割断面29を提供できる。また、これらの典型的な面方位にわたる角度の範囲において、十分な平坦性及び垂直性を示す端面が得られる。支持基体17の積層欠陥密度は、1×104cm-3以下であることができる。積層欠陥密度が1×104cm-3以下であるので、偶発的な事情により割断面の平坦性及び/又は垂直性が乱れる可能性が比較的に低い。また、支持基体17の材料は、GaN、AlN、AlGaN、InGaN及びInAlGaNの何れかの窒化ガリウム系半導体を含む。これらの窒化ガリウム系半導体からなる基板を用いるとき、共振器として利用可能な割断面27及び割断面29を得ることができる。AlN又はAlGaN基板を用いるとき、偏光度を大きくでき、また低屈折率により光閉じ込めを強化できる。InGaN基板を用いるとき、基板と発光層との格子不整合率を小さくでき、結晶品質を向上できる。実施例以下の通り有機金属気相成長法により図6に示すレーザダイオードを作製した。図6に示すレーザダイオードは、図4に示すIII族窒化物半導体レーザ素子11に対応する。原料にはトリメチルガリウムTMGa、トリメチルアルミニウムTMAl、トリメチルインジウムTMIn、アンモニアNH3、シランSiH4を用いた。基板には、HVPE法で厚く成長した0001GaNインゴットからm軸方向に75度の角度で切り出した20-21面を主面とするGaN基板基板Sub及び支持基体17に対応を用いた。この基板を反応炉内のサセプタ上に配置した後に、以下の成長手順でエピタキシャル層半導体領域Ly及び半導体領域19に対応を成長した。まず、厚さ1000nm程度のn型GaN半導体層20に対応を成長した。次に、n型の第1のクラッド層である厚さ1200nm程度のn型InAlGaN層n側クラッド層21に対応を成長した。引き続き、厚さ200nm程度のn型GaN層n側光ガイド層35aに対応と厚さ65nm程度のアンドープInGaNn側光ガイド層35bに対応とを成長した後に、15nm程度の厚みの複数のGaN層と3nm程度の厚みの複数のInGaN層とが一層ずつ交互に設けられた3周期MQW活性層25に対応を成長した。続いて、厚さ65nm程度のアンドープInGaNp側光ガイド層37に対応と、厚さ20nm程度のp型AlGaNp側ブロック層39に対応と、厚さ200nm程度のp型GaNp側光ガイド層38に対応とを成長した。次に、p型の第2のクラッド層である厚さ400nm程度のp型InAlGaNクラッド層23に対応を成長した。最後に、厚さ50nm程度のp型GaNコンタクト層33を成長した。SiO2の絶縁膜絶縁膜31に対応を、この厚さ50nm程度のp型GaN層の上に成膜した後に、フォトリソグラフィを用いて幅10μm程度のストライプ窓をウェットエッチングにより形成した。ストライプ窓を形成した後に、Ni/Auから成るp側電極p側電極15に対応とTi/Alから成るパッド電極とを蒸着した。次いで、GaN基板基板Sub及び支持基体17に対応の裏面裏面17bに対応をダイヤモンドスラリーを用いて研磨し、この裏面をミラー状態とした。このミラー状態の裏面研磨面に、Ti/Al/Ti/Auから成るn側電極を、蒸着により形成した。以上のようにして、基板生産物基板生産物5に対応を作製した。共振器ミラーの形成には、レーザスクライバを用いた。波長355nmのYAGレーザを用い、レーザの出力は100mW、レーザの走査速度は5mm/sとした。スクライブマークスクライブマーク5bに対応は400μmピッチで形成した。スクライブマークを施した後、実施形態に係る劈開装置を用いて、基板生産物基板生産物5に対応を割断し、レーザバーレーザバー5dに対応を作製した。この割断によって共振器ミラーを形成した。基板生産物の割断は以下のようにして行った。まず、ブレード5gの押圧方向PRと支持板Hの表面Haとが直交するように、基板生産物を支持板Hに置いた。次に、複数のスクライブマーク5bの中で最も端にある一のスクライブマークが支持板Hの孔部HLの上に位置し孔部HLに沿って延びるように、基板生産物を支持板Hに固定した。なお、ブレード5gの中心ブレード5gのエッジ5hと交わる基準面Abから孔部HLの二つの内壁までの距離を450μm程度とした。この二つの内壁は、基準面Abに沿って延びており、基準軸Aaに直交している。次に、c-m面において、m軸からブレード5gの押圧方向PRとa軸とによって規定される基準面Abに向けて、角度THETAの傾斜を基板生産物と共に支持板Hに施した。次に、表示装置6cのディスプレイを見ながら、表面5aに形成されているスクライブマーク5bが、ディスプレイにおいてブレード5gのエッジ5hが表示されるべき箇所と重なるように、ブレード5gと基板生産物との位置合わせを行った。次に、基板生産物の裏面基板生産物5の裏面5eに対応からブレード5gを押し込むことによって基板生産物を割断し、レーザバーレーザバー5dに対応を基板生産物から分離して、このレーザバーを作製した。この割断によって形成された端面5fは、共振器ミラーであった。そして、このレーザバーを、個々のIII族窒化物半導体レーザ素子III族窒化物半導体レーザ素子11に対応に更に分離した。このIII族窒化物半導体レーザ素子は、割断面から成る共振器ミラーを有する。実施例に係るIII族窒化物半導体レーザ素子に対し、通電による評価を、室温において行った。電源には、パルス幅500ns、デューティ比0.1のパルス電源を用い、表面電極に針を落として通電した。光出力測定の際には、III族窒化物半導体レーザ素子の端面からの発光をフォトダイオードによって検出して、電流-光出力特性I-L特性を調べた。図7は、実施例に係るIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法の効果を説明するための図であり、支持板Hの傾斜角角度THETAと、発振しきい値電流IthmAの平均値との相関によって説明するための図である。図8は、実施例に係るIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法の効果を説明するための図であり、支持板Hの傾斜角角度THETAと、レーザバーの分離によって形成される端面の角度ずれ角度ずれBETAの平均値との相関によって説明するための図である。図7に示すように、角度THETAには発振しきい値電流Ithの平均値を極小にする最適値が存在することがわかり、この角度THETAの値は、図8において共振器ミラーの角度ずれBETAの平均値がゼロになる傾斜角に近い値であることがわかる。なお、共振器ミラーの角度ずれBETAが大きくなるにつれて、発振しきい値電流Ithも増大する。以上の結果から、角度THETAには最適値が存在し、角度THETAがこの最適値の場合には共振器ミラーの角度ずれBETAがゼロに近づくと共に、発振しきい値電流Ithも極小値となることがわかる。次に、角度THETAに最適値が存在する理由について、結晶学的観点から説明する。図7と図8とを参照すると、角度THETAの最適値は、15度付近の範囲、より具体的には、11度以上19度以下の範囲に存在していることがわかる。なお、図8に示すプロットされた複数のデータについて、最小二乗法によるデータ点の近似直線を求めた。角度THETAの値図8の横軸をX1とし、角度ずれBETAの平均値図8の縦軸をX2とすると、この近似直線は、X2=-0.11×X11.89であった。この近似直線と横軸X1の値を示す軸との交点X2=0の場合のX1の値を求めると、X1=17.2度となり、確かに、図7に示すように15度付近で共振器ミラーの角度ずれBETAがゼロに近づく事が確認できる。ここで、20-21基板において傾斜角15度とは、c面がブレードに対して平行になる角度である図3を参照。この場合、ブレードの押圧によってc面劈開がスムーズに進行する。すなわち、角度THETAをおよそ15度にし、c面劈開を利用して無理なく割断を生じさせることによって、品質の良い共振器ミラーが安定して形成される。以上のように、角度THETAが11度以上19度以下の範囲であればレーザのパルス発振が確認できていることから、図7に示すように、角度THETAが11度以上19度以下の範囲であれば、十分な垂直性及び平坦性を有する共振器ミラーが形成されることが確認できる。なお、図7に示す測定値は以下の通りである。角度THETA度発振しきい値電流IthmA。11.3648。13.1566。14.9517。18.4737。21.8796。図8に示す測定結果は以下の通りである。角度THETA度角度ずれBETAの平均値度1.01.84。1.92.64。2.41.54。3.32.16。3.31.79。3.81.83。6.30.48。6.31.08。7.60.40。7.60.26。14.90.45。16.7-0.46。21.8-0.55。24.2-0.65。31.0-0.90。以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。