平準化されていない入力強度を有する光ビームのエネルギをパルス間で平準化するシステムであって、3次の非線形特性を有する光学デバイスを含む一群の光学デバイスを備え、前記一群の光学デバイスを通過する未平準化光ビームの透過特性が、該光学デバイスからの出力光ビームの出力強度が平準化されるように変化し、前記一群の光学デバイスは、ビームステアリングシステムを構成する第1のプリズム及び第2のプリズムを少なくとも備え、該第1及び第2のプリズムはそれぞれ3次の非線形特性を有し、入射した未平準化光ビームが第1のプリズムにより処理され、処理された光ビームは第2のプリズムに入射して第2のプリズムにより処理されることを特徴とするシステム。前記一群の光学デバイスは、第2のプリズムの下流に設けられた開口をさらに備え、該開口は、第2のプリズムで処理された光ビームを受光して、平準化された出力強度を有する出力光ビームとして通過させることを特徴とする請求項1に記載のシステム。前記開口は、ハードアパーチャであることを特徴とする請求項2に記載のシステム。第1のプリズム及び第2のプリズムのそれぞれの実効屈折率は入射ビームの入射強度レベルに基づくことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のシステム。前記一群の光学デバイスに未平準化光ビームを与える光源と、前記出力光ビームを受光してドーズ量制御をする可変光減衰器と、をさらに備えることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のシステム。前記出力光ビームを処理する照明系と、処理された光ビームにパターンを付与するパターニングデバイスと、をさらに備える請求項1から5のいずれかに記載のシステム。前記一群の光学デバイスと前記照明系との間で光ビームの方向を変更するビーム搬送系をさらに備えることを特徴とする請求項6に記載のシステム。放射ビームを発する放射源と、放射ビームを処理する照明系と、処理された放射ビームにパターンを付与するパターニングデバイスと、パターンが付与された放射ビームを基板の目標部分に投影する投影系と、前記放射源の下流に配置され、3次の非線形特性を有する光学デバイスを含む一群の光学デバイスを備えるパルス間エネルギ平準化部と、を備え、前記一群の光学デバイスを放射ビームが通過する際に放射ビームの実効的な透過特性が変化して、前記一群の光学デバイスを放射ビームが出るときには放射ビームの出力強度が平準化され、前記一群の光学デバイスは、ビームステアリングシステムを構成する第1のプリズム及び第2のプリズムを少なくとも備え、該第1及び第2のプリズムはそれぞれ3次の非線形特性を有し、入射した未平準化光ビームが第1のプリズムにより処理され、処理された光ビームは第2のプリズムに入射して第2のプリズムにより処理されることを特徴とするリソグラフィシステム。光ビームのエネルギをパルス間で平準化する方法であって、光ビームの透過特性を、3次の非線形特性を有する光学材料を通過させることで変化させることと、該光ビームを処理することと、を含み、それによって該光ビームのパルス間のエネルギ変動が安定化される方法であって、前記透過特性を変化させることは、前記光ビームの入射強度レベルに基づく実効屈折率に基づいて該光ビームの方向を変えることを含むことを特徴とする方法。前記光ビームを処理することは、前記光ビームに開口を通過させることを含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。前記透過特性を変化させることは、前記実効屈折率をn=n0n2Iで定めることを含み、nは実効屈折率であり、n0は実効屈折率の線形部分であり、n2は実効屈折率の非線形部分であり、Iは光ビームの入射強度レベルであることを特徴とする請求項9または10に記載の方法。リソグラフィ装置においては極小のドーズ量制御変動が求められる場合がある。例えば、単パルス転写においては0.5未満のドーズ量制御変動が要求される場合がある。レーザ等の光源におけるパルス間変動は最大で10以上にもなりうる。この問題への現状の解決策の1つは、ポッケルスセルを使用することである。ポッケルスセルは、スイッチとして使用可能な電気光学デバイスである。ポッケルスセルは、2つの偏光状態速い軸及び遅い軸の間の位相を変化させる。ポッケルスセルは交差する偏光子間で使用され、光ビーム強度を変調または制御する。ポッケルスセルデバイスが依拠する現象は、ポッケルス効果または線形電気光学効果と呼ばれている。しかし、ポッケルスセルを使用する手法にはさまざまな欠点がある。例えば、非常に高い電圧が要求されることや、光学系が大きな容積を占めかつ非常に複雑となること、検出用電子回路及びスイッチ用電子回路が極度に複雑であること、二光子吸収及び色中心形成により透過率が損なわれること、などがある。一実施形態においては、平準化されていない入力強度を有する光ビームのエネルギをパルス間で平準化するシステムは、3次の非線形特性を有する光学デバイスを含む一群の光学デバイスを備える。前記一群の光学デバイスを通過する未平準化光ビームの透過特性は、光学デバイスからの出力光ビームの出力強度が平準化されるように変化する。一実施例においては、前記一群の光学デバイスは、未平準化光ビームを受光して、該未平準化光ビームを反射及び通過させるビームスプリッタを備えてもよい。前記一群の光学デバイスは、ビームスプリッタから反射された未平準化光ビームを受光して、未平準化光ビームの第1の部分を反射しかつ未平準化光ビームの第2の部分を通過させる非線形干渉フィルタを備えてもよい。前記一群の光学デバイスは、非線形干渉フィルタからの未平準化光ビームの第1の部分を受光し、該未平準化光ビームの第1の部分を反射するミラーを備えてもよい。前記一群の光学デバイスは、ビームスプリッタを透過した未平準化光ビームを受光しかつミラーからの未平準化光ビームの第1の部分を受光し、受光したビームを、平準化された出力強度を有する出力光ビームへと結合するビームコンバイナを備えてもよい。他の実施例においては、前記一群の光学デバイスは、ビームステアリングシステムを構成する第1のプリズム及び第2のプリズムを少なくとも備えてもよい。これらのプリズムはそれぞれ3次の非線形特性を有してもよい。入射した未平準化光ビームが第1のプリズムにより処理され、処理された光ビームは第2のプリズムに入射して第2のプリズムにより処理されてもよい。前記一群の光学デバイスは、第2のプリズムの下流に設けられ、第2のプリズムで処理された光ビームを受光して、平準化された出力強度を有する出力光ビームを通過させる開口をさらに備えてもよい。また、リソグラフィシステムが提供される。一実施形態においては、リソグラフィシステムは、放射ビームを発する放射源と、放射ビームを処理する照明系と、処理された放射ビームにパターンを付与するパターニングデバイスと、パターンが付与された放射ビームを基板の目標部分に投影する投影系と、を備える。このシステムは、放射源の下流に配置され、3次の非線形特性を有する光学デバイスを含む一群の光学デバイスを備えるパルス間エネルギ平準化部をさらに備えてもよい。前記一群の光学デバイスを放射ビームが通過する際に放射ビームの実効的な透過特性が変化して、前記一群の光学デバイスを放射ビームが出るときには放射ビームの出力強度が平準化されている。光ビームのエネルギをパルス間で平準化する方法もまた提供される。一実施形態においては、光ビームの透過特性を、3次の非線形特性を有する光学材料を通過させることで変化させ、該光ビームのパルス間のエネルギ変動を安定化するよう該光ビームを処理する。一実施例においては、変化された光ビーム透過特性は光ビームの入射強度レベルに応じて異なる。一実施例においては、光ビームは前記光学材料で反射された第1の部分に結合され、結合光ビームは平準化された出力強度を有する。他の実施例においては、透過特性を変化させることは、光ビームの入射強度レベルに基づく実効屈折率に基づいて該光ビームの方向を変えることを含む。この実施例においては、光ビームはさらに開口を通過してもよい。本発明の更なる実施形態や特徴、効果は、本発明のさまざまな実施形態の構成及び作用とともに添付図面を参照して以下に詳細に説明される。以下では特定の構成が説明されるが、これは単に例示目的であるものと理解されたい。当業者であれば、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で他の構成を認識可能であろう。また、本発明は他にさまざまな応用が可能であることも当業者に明らかであろう。以下で一実施形態、一実施例等の表現を用いる場合には、実施形態が特定の特徴、構造、または特性を含んでもよいことを示すにすぎないものであり、当該特徴、構造または特性がすべての実施形態に含まれなければならないことを意味するのではない。またこれらの表現は同一の実施形態を必ずしも指し示すものでもない。さらに、一実施形態に関連して特定の特徴、構造、または特性が説明される場合には、明示的に説明されているか否かによらず当業者の知識により他の実施形態においても当該特徴、構造または特性が有効であるものと理解されたい。図1は、本発明の一実施形態に係るパルス平準化システム100の一例を示す図である。システム100は、ビームスプリッタ102、非線形光学NLOデバイス104例えば干渉フィルタ、ミラー106、ビームコンバイナ108を含む。ビームスプリッタ102はレーザ等の光源図示せずから光ビーム110を受光し、その光ビームの一部ビーム111を通過させるとともに光ビームの一部ビーム112を反射する。NLOデバイス104は、反射光ビーム112をビームスプリッタ102から受光する。NLOデバイス104は、3次の非線形性を有する非線形材料を備える。3次の非線形性を有する材料は、第3高調波発生や、強度の屈折率依存光カー効果としても知られる、詳細は後述等の3次の非線形相互作用を有する。図1において、NLOデバイス104は、3次の非線形性を示す非線形光学材料で形成され、かつ2つの表面が部分反射コーティングで被覆されて、非線形ファブリペロー干渉フィルタを構成している。これは、2つの部分反射ミラーの間に非線形光学材料を配置することによっても構成することができる。3次の非線形性を有する非線形材料をファブリペロー共振器の内部に配置すると、双安定性が現れる。ビームスプリッタ102で反射されて受光した光ビーム112の強度に応じて、NLOデバイス104は、光ビーム112を異なる強度で反射及び透過する。すなわち、NLOデバイス104の透過特性は、光ビーム112の入射強度に基づいて変化する。例えば、NLOデバイス104が受光する反射光ビーム112の強度があるしきい値よりも小さければ、光ビーム112の大半がNLOデバイス104でビーム113として反射され、NLOデバイス104を透過するビームビーム114の出力強度は反射ビーム113よりも小さくなる。一方、NLOデバイス104が受光する反射光ビーム112の強度があるしきい値よりも大きければ、光ビーム112の大半がNLOデバイス104をビーム114として透過して、NLOデバイス104で反射されるビームビーム113の出力強度は小さくなる。NLOデバイス104は実質的にゲートまたはフィルタとして作用する。強いビームすなわち高い入射強度のビームであれば、NLOデバイス104を透過する割合が大きく反射される割合が小さい。弱いビームすなわち小さい入射強度のビームであれば、NLOデバイス104を透過する割合が小さく反射される割合が大きい。NLOデバイス104の双安定特性の一例が図2のグラフ200に示されている。グラフ200においては、NLOデバイス104に入射する光ビームの入力強度または入射強度を横軸220に示し、NLOデバイス104を透過した光ビーム112の出力強度を縦軸222に示す。入力強度がしきい値より小さい場合には、低いライン226に示されるように出力強度は小さい。逆に、入力強度がしきい値よりも大きい場合には、高いライン224に示されるように出力強度は大きい。グラフ200に示されるように、このしきい値は、入力強度が高強度から低強度へとしきい値例えばしきい値227を下回る場合と、低強度から高強度へとしきい値例えばしきい値228を上回る場合とで異なりうる。図1に戻る。NLOデバイス104はビーム112をビーム114として通過させる。ビーム114は、上述のように、ビーム112の入射強度に依存する強度を有する。この実施例では、ビーム114は不要な過剰光である。NLOデバイス104はビーム112をビーム113として反射する。ビーム113も上述のように、ビーム112の入射強度に依存する強度を有する。このようにして、NLOデバイス104は、入射強度に基づいて透過特性が変化する光ゲートとして機能する。この光ゲートのスイッチング時間はおよそ10-12秒とすることができる。ミラー106はビーム113を受け、ビームコンバイナ108に向けてビーム113をビーム115として反射する。ビームコンバイナ108はビームスプリッタ102からのビーム111も受ける。ビームコンバイナ108は、ビーム111及びビーム115を結合して結合ビーム116を形成する。システム100のようなシステムを用いることにより、結合ビーム116の総強度を平準化できるという効果が得られる。非線形光学系についての更なる詳細は、BoydRobertWNonlinearOpticsAcademicPressSanDiegoCalifornia1992pp159164and262263及びAwwalAASandArifMInformationProcessingandMicroOpticalSystemFreeSpaceOpticalComputinginEncyclopediaofModernOpticsEdBobDGuentherElsevierVol2pp247256December2004を参照。これらの文献の全体を本明細書に援用する。図3は、本発明の一実施形態に係るパルス平準化システム300の他の例を示す図である。システム300は、プリズム330及びプリズム332を含む。プリズム330及びプリズム332は、ビームステアリングシステムを構成し、各々が3次の非線形性を有する。上述のように、3次の光学非線形性があることによって、光カー効果としても知られる光強度の屈折率依存が生じる。各プリズムに入射する光ビームの入射強度レベルに応じて、その光ビームは、プリズム内部で実質的に屈折率が異なる。例えば、第1プリズム330が受光する光ビーム334の入射強度が小さければ、図中の上方のビーム336を生じさせる実効屈折率となる。逆に、第1プリズム330が受光する光ビーム334の入射強度が大きければ、図中の下方のビーム338を生じさせる実効屈折率となる。プリズム330及びプリズム332は、入力強度に基づく非常に効率的なビームステアリングシステムを形成する。透過強度を制限する開口例えばハードアパーチャ340をプリズム330及びプリズム332に付随して設けることにより、このシステムはパルス間変動を安定化する非常に効率的なパルス間光リミッタとなる。図3に示される実施例では2つのプリズムのみが示されているが、本発明は2つのプリズムには限定されない。入力ビームに存在する変動の程度やその変動に要求される安定化レベル、あるいは入力強度レベルに応じてプリズムの数を変えてもよい。光カー効果は、入力強度が小さい場合には通常小さい。しかし、入力強度が大きい場合には、屈折率がn=n0n2Iで示される。ここで、n0は屈折率の線形部分であり、n2は屈折率の非線形部分であり、Iは入力ビーム強度である。この屈折率及び非線形光学について更なる詳細は、BoydRobertWNonlinearOpticsAcademicPressSanDiegoCalifornia1992pp159164and262263を参照。この文献の全体を本明細書に援用する。システム100及びシステム300はそれぞれパルス間変動の平準化または安定化を実現するシステムの一例であるが、3次の非線形特性を有する非線形光学デバイスを使用する他のさまざまなシステムも本明細書の開示から予測可能である。例えば、システム100は階段状に連続的にカスケード状に構成されていてもよいし、システム300は更なる制御のために3つ以上のプリズムを含んでもよい。図4は、本発明の一実施形態に係り、例えば図1及び図3のパルス間平準化システムに示される非線形光学デバイスを通過したパルス列の平準化の様子を示すブロック図である。図4は、光源444、パルス間平準化部446例えばシステム100またはシステム300、及び可変光減衰器VAT448を備えるパルス間平準化システム400を示す。なお可変光減衰器448は省略されてもよい。VAT448は、光のドーズ量を制御するために使用される。VAT448は、本システムにおけるエネルギまたは強度を制御する。これは、照明系に有益な制御である。光源は、平準化されていないパルス列454を有する光ビーム450を発する。パルス間平準化部446は光ビーム450を受光し光ビーム452をVAT448へと通過させる。光ビーム452は平準化されたパルス列456を有する。システム400を用いることにより、VAT448による決定論的モデルに基づいて、何ら計測の必要なくかつ何らフルーエンスを低下させることなく、放射ドーズ量を設定することができる。これはつまり、要求される設定を選択するためにVAT448がパルスエネルギ測定値に依存する必要がないということである。個々のパルスのエネルギを知ることなくVAT448を構成することができるのは、既にエネルギがパルス間で平準化されているからである。図5は、本発明の一実施形態に係り、パルス間平準化システムを含むリソグラフィシステム500の一例を示すブロック図である。リソグラフィシステム500は、光源560、ビーム搬送系562、照明系564、パターニングデバイス566、投影系568、及び基板ステージ570を備える。ビーム搬送系562は省略されてもよい。システム100またはシステム300等のパルス間平準化システムは、光源560の下流のいかなる位置に設けてもよい。どの位置でパルス間の平準化をすることが望ましいかによって決めればよい。理想的には、パルス間平準化システムは、リソグラフィシステム500においては光源560のすぐ後に配置される。例えば、図5においては、位置Aで示される光源560の直下である。そうすれば、リソグラフィシステム500の残りにおけるパルス間強度変動を除去することができる。上述の説明では本発明の実施形態を光リソグラフィに適用したが、本発明はパルス間のエネルギ平準化が望まれるいかなる光学システムに使用されてもよい。当業者には理解されるであろうが、リソグラフィシステム500はパルス間平準化システム100または300を含むシステムの一例であり、図6に示されるのは他の一例である。図6は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す。この装置は、照明系IL、支持構造MT、基板テーブルWT、及び投影系PSを備える。照明系ILは放射ビームB例えば、水銀アークランプにより供されるUV放射ビーム、または、KrFエキシマレーザまたはArFエキシマレーザにより生成されるDUV放射ビームを調整するよう構成されている。支持構造例えばマスクテーブルMTは、パターニングデバイス例えばマスクまたは動的パターニングデバイスMAを支持するよう構成されている。パターニングデバイスMAは、マスクパターンMPを有する。支持構造MTは、第1ポジショナPMに接続されている。第1ポジショナPMは、パラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成されている。基板テーブル例えばウェーハテーブルWTは、基板例えばレジストで被覆されたウェーハWを支持するよう構成され、第2ポジショナPWに接続されている。第2ポジショナPWは、パラメータに従って基板を正確に位置決めするよう構成されている。投影系例えば屈折投影レンズ系PSは、パターニングデバイスMAのパターンMPにより放射ビームBに与えられたパターンを基板Wの例えば1つまたは複数のダイからなる目標部分Cに投影するよう構成されている。照明系は、放射の方向変更、形状変更、またはその他の制御のための屈折光学素子、反射光学素子、回折光学素子、またはこれらの任意の組み合わせを含むさまざまな形式の光学素子を含んでもよい。照明系は、図1及び図3を参照して説明したパルス間平準化部を含んでもよい。支持構造は、パターニングデバイスを支持するすなわち荷重を受ける。支持構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、あるいはパターニングデバイスが真空環境に保持されるか否か等のその他の条件に応じた形式でパターニングデバイスを保持する。支持構造は、例えばフレームまたはテーブルであってもよく、固定されていても必要に応じて移動可能であってもよい。支持構造は、パターニングデバイスを所望の位置、例えば投影系に対する所望の位置に位置決めすることを保証してもよい。本明細書においてはレチクルまたはマスクという用語は、より一般的な用語であるパターニングデバイスと同義であるとみなされたい。パターニングデバイスという用語は、例えば基板の目標部分にパターンを生成するために放射ビーム断面にパターンを与えるのに使用され得るいかなるデバイスをも含むよう広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されるパターンは、例えばパターンMPが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャである場合には、基板目標部分に与えるパターンに厳密に一致していなくてもよい。一般には、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に形成されるデバイス例えば集積回路の特定の機能層に対応している。パターニングデバイスは透過型であってもよいし反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知である。マスクには例えば、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、減衰型位相シフトマスクがあり、さまざまなハイブリッド型のマスクもある。プログラマブルミラーアレイの例としては、微小ミラーのマトリックス配列がある。各ミラーは個別的に傾斜され、入射放射ビームを異なる方向に反射する。傾斜ミラーにより放射ビームにパターンが付与される。放射ビームはこのマトリックスミラーにより反射される。投影系という用語は、使用される露光放射に対してあるいは液浸液や真空の使用等のその他の条件に対して適切な屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、またはこれらの任意の組み合わせを含むいかなる形式の投影光学系をも含むように広く解釈されるべきである。本明細書においては投影レンズという用語は、より一般的な用語である投影系と同義であるとみなされたい。図示されるように、リソグラフィ装置は透過型例えば透過型マスクを使用である。あるいは、リソグラフィ装置は反射型例えば上述のプログラマブルミラーアレイまたは反射型マスクを使用であってもよい。リソグラフィ装置は2つまたはそれ以上の基板テーブル及び/または2つまたはそれ以上のマスクテーブルを有するタイプであってもよい。2つの場合はデュアルステージとも称される。この多重ステージの装置においては、複数のテーブルが並列に使用されてもよい。あるいは、1つまたは複数のテーブルが露光に使用されているときに1つまたは複数のテーブルで準備工程が実行されていてもよい。リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が比較的高屈折率の液体例えば水で覆われて基板と投影系との間の空間を満たすようになっている形式であってもよい。液浸技術は投影系の開口数を大きくする技術として周知である。液浸という用語は、基板等の構造体が液体に浸されていることを意味するというよりも、投影系と基板との間に露光中に液体が存在することを意味するにすぎない。図6においては、照明系ILが放射源SOからの放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合には、別体であってもよい。この場合、放射源SOから照明系ILに向かう放射ビームはビーム搬送系BDを通過する。ビーム搬送系BDは例えば、適切な方向変更用ミラー及び/またはビームエキスパンダを備える。一方、例えば放射源が水銀ランプである場合には、放射源はリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。放射源SO及び照明系ILを総称して、あるいはビーム搬送系BDが必要とされる場合にはこれも併せて、放射系と称してもよい。照明系ILは、マスク位置での放射ビーム角強度分布を調整するアジャスタADを備えてもよい。一般には、照明系ILの瞳IPUでの強度分布の外径及び内径それぞれσアウタ、σインナと呼ばれているを少なくとも調整する。加えて、照明系ILは、例えばインテグレータINやコンデンサCO等のその他の要素を備えてもよい。照明系は、放射ビームを調整してマスク位置でのビーム断面に所望の均一性及び所望の強度分布を与えるように使用されてもよい。放射ビームBはパターニングデバイス例えばマスクMAまたはプログラマブルパターニングデバイスに入射する。パターニングデバイスは支持構造例えばマスクテーブルMTに保持されている。放射ビームBは、パターニングデバイスによりパターンMPに従ったパターンが与えられる。放射ビームBは、マスクMAを通過し、さらに投影系PSを通過する。投影系PSは基板Wの目標部分Cにビームを集束する。投影系は照明系の瞳IPUに共役な瞳PPUを有する。瞳PPUは、照明系の瞳IPUでの強度分布のうちマスクパターンを通過したときにその回折の影響を受けていない放射の一部が照明系の瞳IPUでの強度分布の像を形成する位置である。第2ポジショナPW及び位置センサIF例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサにより基板テーブルWTは正確に移動され、例えば、放射ビームBの経路に複数の目標部分Cを位置決めすることができる。同様に、第1ポジショナPM及び図6には明示されていない別の位置センサは、例えばマスクライブラリからの機械的取付後または走査中にマスクMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めするために使用されてもよい。一般に、マスクテーブルMTの移動は、ロングストロークモジュール粗い位置決め用及びショートストロークモジュール微細位置決め用により実現されてもよい。これらは第1ポジショナPMの一部を構成する。同様に、基板テーブルWTの移動は、第2ポジショナPWの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現されてもよい。ステッパにおいてはスキャナとは逆にマスクテーブルMTはショートストロークのアクチュエータに接続されていてもよいし、固定されていてもよい。マスクMAと基板Wとは、マスクアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を使用してアライメントされる。図においては基板アライメントマークが専用の目標部分を占拠しているが、アライメントマークは目標部分の間に配置されていてもよいこれはスクライブラインアライメントマークとして知られる。同様に、マスクMAに複数のダイが設けられている場合には、マスクアライメントマークがダイ間に配置されてもよい。図示の装置は以下のモードの少なくとも1つに使用され得る。1.ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターン全体が目標部分に一回で投影される際にすなわち一回の静的露光において、マスクテーブルMTと基板テーブルWTとが実質的に静止状態とされる。その後基板テーブルWTはX方向及び/またはY方向に移動されて別の目標部分Cが露光される。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズが一回の静的露光に結像できる目標部分Cのサイズを制限する。2.スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影される際にすなわち1回の動的露光においてマスクテーブルMTと基板テーブルWTとが同期して走査される。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影系PSの倍率及び像反転特性により決定されてもよい。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズが一回の動的露光における目標部分の非走査方向の幅を制限する。一方、目標部分の走査方向の長さは走査移動距離が決定する。3.別のモードにおいては、放射ビームに与えられたパターンが目標部分Cに投影される際に、プログラマブルパターニングデバイスを保持するマスクテーブルMTは実質的に静止され、基板テーブルは移動または走査される。このモードにおいては、一般にパルス放射源が使用され、基板テーブルの移動後または走査中の連続パルス間に必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、例えば上述のプログラマブルミラーアレイ等のプログラマブルパターニングデバイスが使用されるマスクレスリソグラフィに適用されてもよい。上述のモードの組み合わせや変形例が使用されてもよいし、まったく異なるモードが使用されてもよい。上述の説明ではリソグラフィ装置でのICの製造を例としたが、リソグラフィ装置はそれ以外に利用されてもよい。例えば、集積光学システムや、磁気ドメインメモリの案内パターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等に利用されてもよい。当業者であれば、これらの代替分野におけるウェーハまたはダイという用語は、より一般的な基板または目標部分という用語と同義とみなせると理解できるであろう。基板は、露光前または露光後に、例えばトラック基板にレジスト層を形成し、露光後のレジストを現像するツール、メトロロジツール、及び/またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能であれば、本発明はこれらのまたはその他の基板処理ツールに適用されてもよい。また、例えば多層ICを形成するために、基板が複数回処理されてもよい。よって、基板という用語は、既に多層の処理層を有する基板を意味してもよい。放射及びビームという用語は、紫外UV放射例えば約365nm、355nm、248nm、193m、157nm、または126nmの波長、及び極紫外EUV放射例えば5乃至20nmの範囲の波長を含むあらゆる種類の電磁放射を含む。図7は、光ビームエネルギのパルス間平準化方法700を示すフローチャートである。方法700はステップ702から開始し直ちにステップ704に移行する。ステップ704においては、光ビームのパルス間エネルギ変動を安定化させるように、3次の非線形特性を有する光学材料に光ビームを通過させることにより光ビームの透過特性が変更される。方法700はステップ706で終了する。図8及び図9は、本発明の一実施形態に係り、図7に示される方法のステップ704の例を示すフローチャートである。図8は、図1のシステム100により説明したパルス間平準化部を使用する光ビームエネルギのパルス間平準化ステップ704の例800を示すフローチャートである。処理800はステップ802から始まる。ステップ802においては、光ビームが、光学材料から反射された光ビームの第1の部分と結合される。その結果、結合された光ビームは平準化された出力強度を有する。ステップ804において、例800は方法700のステップ706に戻る。図9は、図3のシステム300により説明したパルス間平準化部を使用する光ビームエネルギのパルス間平準化ステップ704の例900を示すフローチャートである。処理900はステップ902から始まる。ステップ902においては、光ビームの入力強度レベルに応じた屈折率に基づいて光ビームの方向が変更されるステアされる。ステップ904においては、光ビームが開口を通過する。ステップ906において、例900は方法700のステップ706に戻る。上述のパルス間平準化システムは、リソグラフィ装置を含む光学システムにおけるパルス間変動を安定化するために使用し得る。上述の実施形態はマスクを使用するリソグラフィであるが、マスクレスリソグラフィにも同様に適用可能である。各実施形態は液浸リソグラフィや干渉リソグラフィ、同様に機能する光学系を含むその他のシステムにも用いることが可能である。上述の説明によれば、非線形光学材料を使用するパルス間平準化システムが、光で光を制御する洗練されかつ効果的な方法を提供する。これにより、安価でコンパクトな光学設計が可能となる。ポッケルスセルに必要となる遅延線を取り除くこともできる。リアルタイムに光を光で制御しているので、簡素で安価な電子回路とすることができる。実際、電子回路がなくてもパルス間変動を制御することが可能となる。先に述べたように、例えば可変光減衰器VATを使用することにより、何ら計測することなくかつ何らフルーエンスを低下させることなく放射ドーズ量を設定することもできる。結語課題を解決するための手段及び要約の欄ではなく、発明を実施するための最良の形態の欄が請求項を解釈するのに使用されることを意図していると理解されたい。課題を解決するための手段及び要約の欄は本発明者の考える本発明の幾つかの例を説明するものであるがすべてを説明するものではない。よって、課題を解決するための手段及び要約の欄は、本発明及び請求項を制限することを意図するものではない。本発明は、特定の機能及びそれら機能間の関係を示す機能ブロックを用いて説明されているが、各機能ブロックの境界は説明の便利のために任意に定義されたものにすぎない。よって各機能及びそれらの関係が適切に実現される限り、異なる境界を定義してもよい。上述の各実施形態の説明は本発明の基本原則を完全に現すものであり、当業者の知識を適用することにより、過度の実験を要することなく、本発明の基本概念を逸脱することなく、適宜修正したりさまざまな分野に適合させたりすることが可能である。よって、これらの修正や適合は、本明細書の教示に基づいて、開示の実施形態の均等の範囲に含まれる。また本明細書における用語の選択は発明を限定するためではなく単に説明のために使用されているにすぎず、本明細書の教示に照らして当業者に解釈されるべきである。本発明のさまざまな実施形態が説明されたがこれらは例示にすぎず本発明を限定するものではない。本発明の趣旨から逸脱することなくさまざまな変更が可能であることは当業者に明らかであろう。よって、本発明の範囲は上述の実施形態によっていかなる形にも限定されるべきではなく請求項及びその均等物によって定められるべきである。