"ナノグラフェンファイバーに溶媒を加えて前記ファイバー表面に付着している高分子化合物を除去する前処理工程と、ナノグラフェンファイバーを含む溶媒を超臨界処理してナノグラフェンファイバーをグラフェンに解体させる超臨界処理工程と、前記ナノグラフェンを含む溶媒の中に存在する不純物を除去する後処理工程とを具備することを特徴とするナノグラフェンの製造方法。前記前処理工程は、ナノグラフェンファイバーを含む溶媒を加熱、加圧により亜臨界状態にすることであることを特徴とする請求項1記載のナノグラフェンの製造方法。前記前処理工程は、ナノグラフェンファイバーを含む溶媒に分散剤を加えてナノグラフェンファイバーを構成する炭素に化学修飾基を付加することであることを特徴とする請求項1記載のナノグラフェンの製造方法。前記前処理工程の直後に、真空脱気処理を行うことを特徴とする請求項1乃至3いずれか1項記載のナノグラフェンの製造方法。前記後処理工程は、解体されたナノグラフェンを含む溶媒内に残存する不純物を分離除去することであることを特徴とする請求項1記載のナノグラフェンの製造方法。ナノグラフェンファイバーと溶媒を投入する溶媒供給装置と、前記溶媒供給装置に接続され,前記溶媒を亜臨界処理する圧力調整手段および温度調整手段を備えた第1の圧力容器と、第1の開閉弁を介して前記第1の圧力容器に接続され,前記溶媒を臨界処理する圧力調整手段および温度調整手段を備えた第2の圧力容器と、前記第2の開閉弁を介して前記第2の圧力容器に接続され,前記溶媒を亜臨界処理する圧力調整手段および温度調整手段を備えた第3の圧力容器と、第3の開閉弁を介して前記第3の圧力容器に接続され,処理された溶媒からナノグラフェンを分離する分離装置とを具備することを特徴とするナノグラフェン製造装置。ナノグラフェンファイバーと溶媒を投入する溶媒供給装置と、前記溶媒供給装置に接続され,前記溶媒を亜臨界処理する圧力調整手段を備えた圧力容器と、前記圧力容器の周囲に設けられ,圧力容器内の第1の領域では前記溶媒を亜臨界処理となる温度に調整し、圧力容器内の第2の領域では前記溶媒を臨界処理となる温度に調整し、圧力容器内の第3の領域では前記溶媒を亜臨界処理となる温度に調整する温度調整手段と、処理されたナノグラフェンファイバーと溶媒からナノグラフェンを分離する分離装置とを具備することを特徴とするナノグラフェン製造装置。実施形態の目的は、ナノグラファイトファイバーを超臨界処理で効率よく薄層化するとともに、触媒粒子や高分子粒子等の不純物を除去可能なナノグラフェンの製造方法及びその製造装置を提供することにある。実施形態によれば、ナノグラフェンファイバーに有機溶媒を加えて前記ファイバー表面に付着している高分子化合物を除去する前処理工程と、ナノグラフェンファイバーを含む有機溶媒を超臨界処理してナノグラフェンファイバーをグラフェンに解体させる超臨界処理工程と、前記ナノグラフェンを含む有機溶媒の中に存在する不純物を除去する後処理工程とを具備することを特徴とするナノグラフェンの製造方法を提供できる。本実施形態に係るナノグラフェンの製造方法について図1を参照して説明する。なお、本実施形態は下記に述べることに限定されない。ナノグラフェンは、カーボンナノ素材であるナノグラフェンファイバーNGF1に対して、高分子除去、分散処理等の前処理工程2と、前処理済みのNGF1を超臨界処理してナノグラフェンNG6に解体する超臨界処理工程3と、残存する微細な触媒金属粒子等のNG以外の不純物を除去する後処理工程4とを備えている。なお、図1中の符号5は、ナノグラフェン分散液を示す。前記NGFは、グラフェンが長手方向に多層に重なり合って形成される線状の微細炭素繊維であることが望ましい。前記NGFを得る方法は特に限定されないが、例えばCVD法が挙げられる。CVD法には、反応炉の中に配置した基板にNGFを生成させる気相成長基板法と、触媒金属と炭素源を一緒に高温の炉に流動させてNGFを生成する気相流動法の2つの方法がある。また、流動気相法の発展型として、内部を還元雰囲気に保持しうる反応容器と、この反応容器内に配置した触媒としての金属基板と、この金属基板を加熱する加熱手段と、反応容器内に炭化水素を供給する炭化水素供給手段と、金属基板上に生成される微細炭素繊維を掻き取る掻き取り手段と、掻き取った微細炭素繊維を回収する回収容器と、反応容器内のガスを排気する排気手段を具備した装置を用いてもよい。例えば、特願2011-33723、特願2011-33724で説明されるNGFの製造方法がある。次に、前処理工程について説明する。1第1に、前処理工程として、NGFを含む有機溶媒を加熱、加圧により亜臨界状態にすることが挙げられる。NGFには、生成の過程でタールなどの高分子成分が付着することがあり、超臨界処理に使用する溶媒との接触を阻害する。しかし、有機溶剤を用いた亜臨界条件下でNGFから高分子成分を除去することで、超臨界処理における剥離の効率化が行える。有機溶剤としては、トルエンなどの無極性溶媒、酢酸エチルなど極性溶媒、またはその混合溶媒を用いることができる。2第2に、前処理工程として、NGFを含む有機溶媒に分散剤を加えてNGFを構成する炭素に化学修飾基を付加することが挙げられる。即ち、超臨界によるNGF生成を流体内で均一に行わせるには、カーボンが有機溶媒に均一に分散していなければならないため、分散剤を加える。ここで、分散剤としては、溶媒と相溶性を有し、かつ低極性の微細炭素繊維との相性が良い分散剤を選定する。分散剤としては、例えば界面活性剤が挙げられる。界面活性剤には、陽イオン界面活性剤、陰イオン界面活性剤、両性イオン界面活性剤があるが、界面活性剤の極性は、溶媒にカーボンを添加した際のカーボンの表面電位ζ電位で決める。例えば、エタノール中でカーボンの表面電位がの時は、解離時にカウンターイオンである負イオン化する陰イオン界面剤を添加する。陰イオン界面活性剤は、カーボンと等量程度添加し、混合槽の中央に挿入された攪拌羽根による攪拌や混合槽の周囲に設置された超音波発振子で超音波を照射して、カーボンと界面活性剤の親和性によりカーボンを溶液中に分散させる。得られたカーボン分散液は、ポンプで送液されて超臨界装置に送り込まれ、所定圧力まで加圧される。本実施形態において、超臨界によるNGF生成を均一に行わせるため、上述した分散剤を加える他、次の方法が挙げられる。1超音波による方法混合容器でカーボンをエタノールに10wtとなるように添加後、混合槽の中心に挿入された攪拌羽根で攪拌して投入時には乾いていたカーボン表面が濡れることにより、カーボンとエタノールを予めある程度馴染ませる。次に混合容器の外周に設置された超音波振動子から容器内に超音波を照射して、エタノール中でのカーボンの均一分散を促す。ここで絡まって存在していた繊維状カーボンはある程度まで解されて分散し、かつ場合によっては繊維が切断する。得られたカーボンを分散させた液体は、ポンプで送液されて超臨界処理装置に送り込まれ、所定圧力まで加圧される。2界面活性剤を添加したビーズミル湿式粉砕方法。カーボンを10wt添加したエタノールに、カーボンと等比率の陰イオン界面活性剤を添加し粒径0.1mm程度のビーズを入れたビーズミルで湿式粉砕する。この操作により、絡み合っていた繊維状カーボンは解されサブミクロンオーダーまで粉砕されて、液中に均一分散する。得られたカーボン分散液はビーズを分離した後、ポンプで送液されて超臨界装置に送り込まれ、所定圧力まで加圧される。本実施形態においては、NGFと超臨界処理に使用する有機溶媒と混合させた後、真空脱気処理を行ってもよい。この真空脱気処理により、線状の微細炭素繊維の繊維間に残る気泡を無くすることができ、溶媒が浸透し易くなり剥離の効率化が行える。次に、超臨界処理工程について説明する。超臨界処理に使用する溶媒としては、二酸化炭素、水、アンモニア、メタン、エタン、プロパン、エチレン、プロピレン、メタノール、エタノール、アセトン等が挙げられる。具体的には、高圧容器の中にNGFが分散した溶媒を投入し、臨界温度以上に加熱する。この処理により、臨界状態以上の温度圧力下でエタノールや二酸化炭素等の小さな分子を、グラファイトやグラフェン層間に押し込んで、層間の分子間力を断ち切り解体する。化学反応を伴わないためエッジが酸化されにくいと同時に元のSP2型結晶構造を維持しやすい。本実施形態においては、前記超臨界処理を行う前後に、亜臨界処理を所望の時間で行うようにしてもよい。超臨界処理の前後で前処理することで、微細炭素繊維に付着した高分子が除去されて、超臨界処理の薄層化収率向上となる。また、亜臨界処理で後処理することで溶媒に残存する分解されなかった有機化合物や非晶質カーボンなどの不純物を除去することができる。ここで、高圧配管と配管周辺に設置した熱源を用いて、高圧容器内に臨界温度より低い領域と臨界温度領域を設けることで、配管内で亜臨界処理と超臨界処理を続けて行っても良い。次に、超臨界処理工程の後の後処理工程について説明する。超臨界処理後の溶媒内には解体されたグラフェンだけでなく、不純物として微細な金属触媒や非晶質カーボン、残渣などが残っている。従って、これらを酸性溶液中で溶解したり、自然沈降や遠心分離等の重力を利用した方法、または磁気分離等の電磁気的な手段で分離除去する後処理工程を行う。また、前述のように亜臨界処理を行っても良い。本実施形態において、溶媒内のグラフェンを分離するために、分散状態が気体であれば多重フィルタ等を用いて得られたグラフェンを分離回収することが好ましい。また、溶媒を冷却液化して、遠心沈殿によりグラフェンを分離回収してもよい。実施例1図2は、実施例1に係る超臨界装置の構成例を示す。超臨界装置は、NGFカーボン/溶媒供給タンク溶媒供給装置11,送液加圧ポンプ圧力調整手段12,電磁弁13,14,管状炉第1の圧力容器15,電磁弁16,管状炉第2の圧力容器17,電磁弁18,管状炉第3の圧力容器19,電磁弁20,冷却容器21,電磁弁22,液化したグラフェン分解液の液化回収タンク23,電磁弁24,フィルター25,磁力選別槽26,電磁弁27,ナノグラフェン分散液回収槽28を備えている。3つの管状炉15,17,19の周りには、加熱のためのヒータ温度調整手段29が取り付けられている。ここでは、エタノールを溶媒として使うことを考える。なお、前記液化回収タンク23およびフィルター25を総称して分離装置と呼ぶ。管状炉19の後の電磁弁20を閉鎖後、エタノールはポンプで送液されて、管状炉内で加圧される。3つの管状炉15,17,19は、エタノールで満たされて各々前後の電磁弁を閉鎖された後加熱され、管状炉15は亜臨界状態、管状炉17は超臨界状態、管状炉19は亜臨界状態に保持されている。まず、エタノールに重量で10wtのNGFを添加してスラリー状として管状炉15に送液して、管状炉19のエタノールを排出する。カーボンを分散させたエタノール溶液は送液加圧ポンプ12で送液されて、管状炉15を満たした後、設定圧力になるまで加圧する。設定圧に到達したら管状炉出入口の電磁弁13,14,16を閉鎖して送液加圧ポンプ12を止める。次に、管状炉15を加熱して亜臨界状態で一定時間保持して、カーボンと共存していた高分子有機化合物等を分解する。次いで、各管状炉の電磁弁を開き管状炉15のカーボン分散液を管状炉17へ、新たなカーボン分散液を管状炉15へ移送して、管状炉19のエタノールは排出されるつまりは順送りにする。設定圧力に到達後、各管状炉の電磁弁を閉鎖して、管状炉15を亜臨界、管状炉17を超臨界状態に一定時間保持して、管状炉15で高分子有機物等を分解、管状炉17でNGF型カーボンをナノグラフェンまで解体する。次に、各管状炉の電磁弁を開き、カーボンを分散した新溶液を管状炉15に送液し、それぞれの管状炉の液は送液され、同様に設定圧力に到達後、一定温度で一定時間保持される。管状炉19では、亜臨界状態に保持され、分解せずに残存していた非晶質カーボンや高分子有機化合物の分解が行われる。つづいて、管状炉19の亜臨界処理完了後、電磁弁22を閉じたまま電磁弁20を開いて一部の溶液を移送し、その後電磁弁20を閉じて電磁弁20,22間にある溶液をゆっくり冷却して液体状態に戻す。液体状態に戻ったナノグラフェン分散液を液化回収タンク23に回収する。この操作を、管状炉19の液が無くなるまで繰り返す。管状炉19の液が無くなったら、順送りで、管状炉17の液を移送し、同様に亜臨界処理する。上記の操作で管状炉19のグラフェン溶液を排出後、新溶液が管状炉15に入り、カーボン分散液は亜臨界状態-超臨界状態-亜臨界状態を経て連続的に処理された後ナノグラフェンの分散液として、液化回収タンク23に回収される。回収されたナノグラフェン分散液は、フィルター25を介して残存微粒子を分離除去した後、更に側面に電磁石30を設置した磁力選別槽26に移されて、NGFカーボン解体で遊離してきた触媒由来の微細金属粒子を磁力分離した後、高純度のカーボン分散液としてナノグラフェン分散液回収槽28で回収される。実施例2図3は、実施例2に係る超臨界装置の構成例を示す。但し、図1と同部材は同符号を付して説明を省略する。まず、ナノグラフェンが積層して繊維形状を成したものである、NGFを、エタノールに重量で10wtのNGFを添加してスラリー状として耐圧性の管状炉圧力容器31に送る。管状炉31は、送液加圧ポンプ12側から順に管状炉31の流れ方向に、第1の領域,第2の領域,第3の領域の外部に夫々加熱ヒータ29を複数設置した構成とする。これにより、流れ方向に沿ってスラリーの温度は段階的に加熱される。さらに、管状炉31の入口と出口には電磁弁が各々2個直列に設置され、管状炉内の圧力を保ったまま、連続的にNGFの供給、排出が行える構成とする。スラリー状のNGFは送液供給ポンプ12により所定圧力に保たれた管状炉31に導かれ、徐々に加熱される。加熱されたNGFは、初期は液体状態で、流れの方向に進むに従ってやがて気体となる。さらに流れ方向に進み、加熱されると亜臨界状態となり、やがて超臨界状態となる。管状炉31に外部に設置された加熱ヒータ29の出力およびNGFの流れる速度を調整することにより、各相における状態の滞留時間を変化させることができる構成とする。次に、超臨界装置からのナノグラフェン分散液、ナノグラフェン粉体の回収方法について説明する。実施例1,2においてナノグラフェン分散液として回収する場合、液化回収タンク23前の電磁弁22を閉鎖しておいてリアクターである管状炉の出口の電磁弁20を開き、ナノグラフェン分散流体の一部を2つの電磁弁20,22の間にある冷却容器21に移した後、リアクター出口の電磁弁20を閉鎖する。冷却容器21の周囲には冷却水が流れており、容器内部の流体の温度と圧力を序々に下げて、流体をゆっくりと液体状態に戻す。密封容器内でゆっくり降温、降圧することは、開放系で冷却する場合と比較して、流体の揮発に伴う粒子径サブミクロン以下のナノグラフェンの同伴による、ナノグラフェン揮散の問題を回避し、ナノグラフェンの回収率を向上させることができる。液体状態になったナノグラフェンを液化回収タンク23に移し、同上の操作を繰り返すことにより、リアクター内の流体を全てナノグラフェン分散液として回収することができる。また、生成したナノグラフェンを粉体として回収する場合は、次のように行う。リアクターである管状炉より排出された流体を急激に大気開放することにより、気化した流体にナノグラフェンが同伴する。同伴したナノグラフェンを捕獲するために、例えばサブミクロン孔径のフィルターを直列に接続し、多段のフィルターで回収することにより回収率を向上させることができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"