"一対の基板と、前記一対の基板のいずれか一方に形成された画素電極と、前記一対の基板の間に挟持された液晶層と、前記一対の基板のそれぞれに形成され、一定方向に光配向処理がなされた配向膜と、紫外線を照射することにより、前記配向膜の前記液晶層側に形成されたポリマー層と、クロスニコルに配置された2枚の偏光板とを有し、前記画素電極は、互いに平行に延びる複数のスリットを有する、液晶表示装置。前記複数のスリットの幅は0.5~5ミクロンである、請求項1に記載の液晶表示装置。前記ポリマー層は、重合性モノマーに紫外線を照射することにより形成されている、請求項1または2に記載の液晶表示装置。前記重合性モノマーは、2官能性アクリレートモノマー、または2官能性アクリレートと単官能性アクリレートとの混合物である、請求項3に記載の液晶表示装置。前記液晶表示装置の表示モードは、IPSモードである、請求項1から4のいずれかに記載の液晶表示装置。本発明は、上記の如き従来技術の問題点を解決し、感光性の材料を含む液晶組成物を感光させるに際して液晶分子の配向を調整することにより液晶表示装置を製造するに当たり、液晶分子の配向をほぼ一定にすることができ、安定に駆動させることのできる液晶表示装置の製造方法およびそれによって得られる液晶表示装置を提供しようとするものである。本発明の第1の面においては、上記の課題を解決するため、次のように大きく3つに分類することのできる概念に基づく方法を提案するものである。1.交流印加により電気容量を利用して液晶を駆動し、配線欠陥の影響を回避する。2.第2の基板上の配線や電極の電位を揃え、配線欠陥の影響を回避する。3.TFTチャネル部分を遮光しつつ、配線欠陥の影響を回避する。すなわち、本発明の第1の面においては、第1の概念に基づき、1第1の基板にこの基板全面に電圧を印加するための共通電極を形成し、第2の基板にマトリックス状に配置されるゲートバスラインとデータバスラインと、前記2つのバスラインの交点で薄膜トランジスタとそれにつながる画素電極と、前記画素電極との間で電気容量を形成するCsバスラインを形成し、前記第1の基板と第2の基板の間隙に感光性の材料を含む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、前記共通電極と画素電極とにより、それらの間に前記液晶層を挟んで電気容量を形成し、前記共通電極とCsバスラインとに交流電圧を印加することにより共通電極と画素電極との間に交流電圧を印加し、前記液晶層に光を照射することを特徴とする、液晶表示装置の製造方法を提供する。また、本発明は、上記第2の概念に基づき、2第1の基板にこの基板全面に電圧を印加するための共通電極を形成し、第2の基板にマトリックス状に配置されるゲートバスラインとデータバスラインと、前記2つのバスラインの交点で薄膜トランジスタとそれにつながる画素電極と、前記画素電極との間で電気容量を形成するCsバスラインを形成し、前記第1の基板と第2の基板の間隙に感光性の材料を含む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、前記共通電極と画素電極とにより、それらの間に前記液晶層を挟んで電気容量を形成し、前記共通電極と3つのバスラインとの間を絶縁させておくかまたは高抵抗で接続し、前記共通電極と前記第2の基板上の3つのバスラインゲートバスライン、データバスラインおよびCsバスラインとの間に直流電圧を印加することにより共通電極と画素電極との間に直流電圧を印加し、前記液晶層に光を照射することを特徴とする、液晶表示装置の製造方法、または3第1の基板にこの基板全面に電圧を印加するための共通電極を形成し、第2の基板にマトリックス状に配置されるゲートバスラインとデータバスラインと、前記2つのバスラインの交点で薄膜トランジスタとそれにつながる画素電極と、前記画素電極との間で電気容量を形成するCsバスラインと、前記データバスラインまたはゲートバスラインの少なくとも一方と交差するリペアラインを形成し、前記第1の基板と第2の基板の間隙に感光性の材料を含む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、前記共通電極と画素電極とにより、それらの間に前記液晶層を挟んで電気容量を形成し、前記共通電極と前記第2の基板上の4つのバスラインゲートバスライン、データバスライン、Csバスラインおよびリペアラインとの間に直流電圧を印加することにより共通電極と画素電極との間に直流電圧を印加し、前記液晶層に光を照射することを特徴とする、液晶表示装置の製造方法、または4第1の基板にこの基板全面に電圧を印加するための共通電極を形成し、第2の基板にマトリックス状に配置されるゲートバスラインとデータバスラインと、前記2つのバスラインの交点で薄膜トランジスタとそれにつながる画素電極と、前記画素電極との間で電気容量を形成するCsバスラインを形成し、前記第1の基板と第2の基板の間隙に感光性の材料を含む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、前記共通電極と画素電極とにより、それらの間に前記液晶層を挟んで電気容量を形成し、前記共通電極と前記第2の基板上の4つのバスラインゲートバスライン、データバスラインおよびCsバスラインとの間を高抵抗で接続し、少なくとも1つのバスラインと前記共通電極との間に直流電圧を印加することにより共通電極と画素電極との間に直流電圧を印加し、前記液晶層に光を照射することを特徴とする、液晶表示装置の製造方法を提供する。さらに、本発明は、上記第3の概念に基づき、5第1の基板にこの基板全面に電圧を印加するための共通電極を形成し、第2の基板にマトリックス状に配置されるゲートバスラインとデータバスラインと、前記2つのバスラインの交点で薄膜トランジスタとそれにつながる画素電極と、前記画素電極との間で電気容量を形成するCsバスラインを形成し、薄膜トランジスタのチャネル部分にCF樹脂または光を遮断するパターンを形成し、前記第1の基板と第2の基板の間隙に感光性の材料を含む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、前記共通電極と画素電極とにより、それらの間に前記液晶層を挟んで電気容量を形成し、隣接するデータバスラインのそれぞれをその両端において電気的に接続し、そして前記ゲートバスラインにトランジスタのON電圧を印加し、前記共通電極とデータバスラインとの間に交流電圧を印加することにより共通電極と画素電極との間に交流電圧を印加し、前記液晶層に光を照射することを特徴とする、液晶表示装置の製造方法、または6第1の基板にこの基板全面に電圧を印加するための共通電極を形成し、第2の基板にマトリックス状に配置されるゲートバスラインとデータバスラインと、前記2つのバスラインの交点で薄膜トランジスタとそれにつながる画素電極と、前記画素電極との間で電気容量を形成するCsバスラインと、前記データバスラインと交差するリペアラインを形成し、薄膜トランジスタのチャネル部分にCF樹脂または光を遮断するパターンを形成し、前記第1の基板と第2の基板の間隙に感光性の材料を含む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、前記共通電極と画素電極とにより、それらの間に前記液晶層を挟んで電気容量を形成し、少なくとも1本のデータバスラインと少なくとも1本のリペアラインとにレーザー照射等の方法により接続処理を施し、そして前記ゲートバスラインにトランジスタのON電圧を印加し、前記共通電極とデータバスラインおよびリペアラインデータバスラインと同電位との間に交流電圧を印加することにより共通電極と画素電極との間に交流電圧を印加し、前記液晶層に光を照射することを特徴とする、液晶表示装置の製造方法を提供する。また、本発明の第2の面においては、7透明電極と液晶分子を垂直に配向させる配向制御膜とを備えた2枚の基板間に負の誘電率異方性を有し、かつ、重合可能なモノマーを含む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、相対する透明電極の間に電圧を印加しながらモノマーを重合させて、液晶分子にプレチルト角をもたせる垂直配向液晶表示装置の製造方法において、モノマーを重合させる前に、相対する透明電極の間において、閾値電圧以上でかつ飽和電圧以下の一定電圧を一定時間印加した後、所定の電圧に変化させてその電圧を維持しながら、前記液晶組成物に紫外線を照射し、または熱を加えてモノマーを重合させることを特徴とする液晶表示装置の製造方法が提供される。すなわち、重合可能なモノマーの重合に際して、閾値電圧よりわずかに高い電圧を印加して液晶分子が順方向に倒れるのを待ってから、電圧を上昇させ、その電圧を維持しながら重合性モノマーを重合させるのである。本発明の第3の面においては、8透明電極を備えた2枚の基板間に重合可能なモノマーを含む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、相対する透明電極に電圧を印加しながらモノマーを重合させて、液晶分子にプレチルト角を持たせ、かつ、電圧印加時の液晶分子の傾斜方向を規定する液晶表示装置の製造方法において、前記重合可能なモノマーの重合のための光照射を少なくとも2回に分割して実施することを特徴とする液晶表示装置の製造方法が提供される。本発明の第4の面においては、9光重合性成分または熱重合性成分を含有する液晶組成物を基板間に挟持し、電圧を印加しながら前記重合性成分を光重合または熱重合させることにより電圧印加時の液晶分子の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、前記重合性成分を含む液晶組成物を注入するための注入口が複数個設けられ、それぞれの注入口の間隔が注入口が存在する辺の寸法の1/5以下であることを特徴とする液晶表示装置、または10光重合性成分または熱重合性成分を含有する液晶組成物を基板間に挟持し、電圧を印加しながら前記重合性成分を重合させることにより電圧印加時の液晶分子の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、額縁のBM部分のセルギャップが表示領域のセルギャップ以下であることを特徴とする液晶表示装置、または11光重合性成分または熱重合性成分を含有する液晶組成物を基板間に挟持し、電圧を印加しながら前記重合性成分を重合させることにより電圧印加時の液晶分子の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、額縁のBM部分にメインシールまたは補助シールを形成して、額縁BM部分のセルギャップをなくしたことを特徴とする液晶表示装置、または12光重合性成分または熱重合性成分を含有する液晶組成物を基板間に挟持し、電圧を印加しながら前記重合性成分を重合させることにより電圧印加時の液晶分子の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、補助シールを形成することにより、前記重合性成分と液晶との濃度分布が生じた材料をBM部分に誘導するようにしたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。本発明の第5の面においては、13第1の基板に共通電極およびカラーフィルター層を形成し、第2の基板をゲートバスライン層、ゲート絶縁膜層、ドレインバスライン層、保護膜層および画素電極層が形成されたアレイ基板で構成し、前記画素電極層には、微細なスリットを、そのスリットが画素内を少なくとも2領域以上に分割する方向に形成し、前記2枚の基板には液晶分子を垂直に配向させる垂直配向膜を形成し、前記2枚の基板の間隙に液晶骨格を有する紫外線硬化性樹脂を含む負の誘電率異方性を有するn型液晶組成物を充填して液晶層を形成し、液晶分子にこの液晶分子の閾値以上の電圧を印加しながら紫外線を照射することにより電圧印加時の液晶分子の傾斜方向を規定し、2枚の偏光板を、その吸収軸が液晶分子の配向方位と45度の角度をなすようにこの装置の上下面にクロスニコルに、それぞれ配置することを特徴とする液晶表示装置の製造方法が提供される。本発明の第6の面においては、14電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、設計的に10以上セル厚が変動する部分を液晶のドメイン境界部に配置したことを特徴とする液晶表示装置、または15電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、液晶のドメイン境界部にソース電極と画素電極を接続するコンタクトホールが設けられていることを特徴とする液晶表示装置、または16電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、液晶のドメイン境界部にCs中間電極と画素電極を接続するコンタクトホールが設けられていることを特徴とする液晶表示装置、または17電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定し、2分割以上に配向分割した液晶表示装置において、設計的に10以上セル厚が変動する部分が複数箇所存在しないことを特徴とする液晶表示装置、または18電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定し、2分割以上に配向分割した液晶表示装置において、同一分割領域に複数のコンタクトホールを有さないことを特徴とする液晶表示装置、または19電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定する液晶表示装置において、1つのコンタクトホールにより画素電極、ソース電極およびCs中間電極を接続することを特徴とする液晶表示装置、または20電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、金属電極が表示画素内の液晶ドメイン境界にそって配線されていることを特徴とする液晶表示装置、または21電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、画素電極と同電位の電極が表示画素内の画素電極のスリット部に配線されていないことを特徴とする液晶表示装置が提供される。本発明の第7の面においては、22電極を有する一対の基板間に重合可能なモノマーを含む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、相対する電極間に所定の液晶駆動電圧を印加しながら、前記液晶組成物に紫外線を照射してモノマーを重合させることを含む液晶表示装置の製造方法において、前記モノマーの重合処理後に、液晶駆動電圧を印加することなく、または液晶を実質的に駆動させない電圧を印加しながら、前記液晶組成物に対して追加の紫外線照射を行うことを特徴とする液晶表示装置の製造方法が提供される。本発明の第1の面において、その方法の具体的形態として、下記の方法が例示される。1前記共通電極とCsバスラインとが、液晶層に光を照射する時点で、絶縁されているかまたは高抵抗で接続されている、上記1の方法。2前記共通電極とCsバスラインとが、液晶層に光を照射した後で、電気的に接続される、上記1の方法。3ゲートバスラインにトランジスタのOFF電圧が印加される、上記1の方法。4初期には液晶層を垂直配向させておき、感光性の材料を含む液晶組成物に電圧を印加しながら光を照射することにより、液晶の配向膜に対する平均の角度を極角90°未満にする、上記1の方法。5交流電圧印加時の交流周波数を1~1000Hzに設定する、上記1の方法。6隣接するゲートバスラインまたはデータバスラインのそれぞれをその両端において電気的に接続する、上記2の方法。7前記共通電極とCsバスラインとの間を、液晶層に光を照射した後で、電気的に接続する、上記2の方法。8初期には液晶層を垂直配向させておき、感光性の材料を含む液晶組成物に電圧を印加しながら光を照射することにより、液晶の配向膜に対する平均の角度を極角90°未満にする、上記2の方法。通常、TFT液晶パネルは、図5に示すような電気的な結合を有する。このとき共通電極と画素電極の2つの電極は、その間隙に液晶や配向膜といった材料を狭持し、電気容量Clcを形成する。図中のCsバスラインは画素電極との間に電気容量Csを形成し、画素電極に書き込まれる電荷量の制御と電圧変動量の制御を行っている。通常、画素電極への電荷の書き込みは薄膜トランジスタTFTを介して行われ、これにより書き込みのスイッチの役割を果たすゲートバスラインと、画素電極に電圧を書き込むデータバスラインとが、画素電極を挟む形でマトリクス状に形成される。TFT液晶パネルで発生する致命的なパターン欠陥配線欠陥としては、a.ゲートバスラインの断線b.データバスラインの断線c.Csバスラインの断線d.ゲートバスラインとCsバスラインの同層短絡e.ゲートバスラインとデータバスラインの層間短絡f.Csバスラインとデータバスラインの層間短絡があり、これらは歩留まり低下を発生させる。これらの欠陥に対しては冗長設計が行われるが、そのリペア作業はパターン形成直後だけでなく液晶を充填した後のセル状態でも頻繁に行われる。このとき、上述のa,c,dは、基板に成膜される第1層目の欠陥であることからリワークが容易であり、通常セル化後のリワーク対象にはならない。特に、cについては、Csバスラインは共通電極であることから、図6に示すように、LCDパネルの両側で束ねるなどの方法により、パターン的な冗長も容易であり、膜の電気伝導率が一定以上であれば回避することも可能である。しかしながら、b,e,fは、セル化後のリワーク対象になることが多く、液晶への光照射を行う際に、データバスラインからの書き込みにより正常な駆動をすることができない。そこで、本発明においては、上記第1の概念に基づく方法において、液晶に電圧を印加する際に、データバスラインからの電圧書き込みをするのではなく、2つの共通電極間に電圧を印加することにより書き込みを行うのである。これにより、前述した如きデータバスラインからの書き込みの場合に生じる問題をある程度無視することが可能となる。その理由としては、画素電極をフローティング層として扱うため、bやeのような欠陥の影響を受けないことが挙げられる。これは、共通電極とCsバスライン間に交流電圧を印加することで、画素の電位がほぼClcとCsである直列結合の両端に交流電圧を印加する回路が形成され、それぞれのインピーダンスをZlc、Zcとすると、液晶部分への印加電圧は液晶部分への印加電圧=Zlc/ZlcZc×交流電圧で与えられるためである。このとき、ゲートバスラインの電圧は、フローティングであれば、TFTはほぼOFF状態であり、本発明のもう1つの目的であるしきい値シフトの回避は自動的に行われている。また、このとき、ゲートバスラインに積極的にOFF電圧を印加することも現実には可能であり、この場合にはゲートバスラインと共通電極が形成する電気容量Cgcや、ゲートバスラインと画素電極が形成する容量Cgsが液晶部分への印加電圧の値に作用してくる。本発明の第2の概念に基づく方法では、直流電圧を印加して、本発明で規定する第2の基板上の配線や電極の電位を揃えることで、上記b、e,fの欠陥を回避することを提案している。e,fの欠陥は、データバスライン、Csバスライン、ゲートバスラインの電圧がすべて同じであれば、原理的にそれらのショートが全く見えない状態を実現することができる。もちろん、これは光感光時にのみ実現することを目的としている。たとえば、共通電極に0V、データバスライン、Csバスライン、ゲートバスラインに5Vの直流電圧を印加すれば、画素電極には結果的に5Vが印加されていく。これは、データバスラインと画素電極は、TFTによってつながっているが、十分に時間が経過した後では、画素電極に徐々に電荷が流入し、結果的に5Vになるためである。つまり、共通電極0V-画素電極5Vの状態が実現され、液晶に電圧を印加することが可能となる。通常、TFTで使用する液晶は高い抵抗を持つため、液晶層内でのイオンの移動もほとんど無視することが可能である。この考え方によれば、bの欠陥についても回避をする手段が得られる。すなわち、図6に示すように、通常、TFTパネルの場合、静電気による障害を回避するためにESD回路静電気対策回路が形成されていることが多い。これは、おのおののバスラインが高い抵抗で接続されているような状態になっているとも言える。図6のケースのように、データバスラインの断線が起こったとしても、反対側に何らかの電圧の入力経路があれば、たとえ高い抵抗の接続状態であったとしても十分に時間がたてば、所望の電圧印加を実現することができる。本発明の第3の概念に基づく方法では、TFTのチャネル部分への紫外光の照射を直接的に防ぎつつ、配線欠陥を回避して液晶に光を当てることを目指している。この場合には、液晶への電圧印加にあたり、通常の駆動が可能となる。ただし、ここでは、線欠陥の影響を回避する目的で、バスラインに対して両側から電圧を印加することを提案している。これによりbの欠陥の影響を回避することが可能となる。最近では、検査技術の進化により、セル化前に欠陥座標の検出を高い精度で実現することが可能になっている。欠陥座標の確認さえ可能であれば、図7に示すような処理により、e,fのタイプの欠陥をbのタイプの欠陥に変換することが可能である。また、液晶に光を照射する前の段階でこのリペア処理が実施できれば、ここで提案するような方法と併用することで、線欠陥の影響の回避が可能となる。また、本発明の方法は、次のような場合に応用することもできる。1つは、図8に示すように、Csonゲートと呼ばれるTFT設計に応用する場合である。この場合に、Csバスラインが存在しないものの、前述した第2および第3の概念に基づく本発明の方法を、同様に適用することができる。また、第1の概念に基づく本発明の方法においても、画素電極がゲートバスラインとなす容量をそれぞれCgs1、Cgs2とすれば、そのインピーダンスをZgs=1/jωCgs1Cgs2として、液晶部分への印加電圧は液晶部分への印加電圧=Zlc/ZlcZgs×交流電圧によりほぼ決まることが予想されるからである。2つめは、その製造過程で液晶への均一な直流電圧が印加されるような液晶表示装置の製造プロセスについてである。たとえば、強誘電性液晶の初期配向状態の決定の際に、直流電圧を全面に均一に印加することが要求される場合があるが、本発明の方法の場合と同様に線欠陥部分が問題視されることが予想される。3つめは、IPSモードと感光性材料を組み合わせる際である。IPSの場合は、感光時に電界を形成する方向として、上下基板間においてだけでなく、櫛形電極間にも想定される。このような場合、本発明の方法では、共通電極が第1の基板上にあると規定しているが、第2の基板上の共通電極と画素電極間を想定した電圧印加にも対応させることができるのである。なお、本発明の方法により製造される液晶表示装置においては、一般に第1の基板と第2の基板との間隔は、それらを支持する構造物により、または図2に示すようにプラスチックビーズ等のギャップ支持部材により、所定の大きさに保持されており、またそれらの間に保持される液晶材料は、その周囲を接着剤層で固定することにより、上記2枚の基板間の間隙に密閉されている。また、本発明の第2の面において、その方法の具体的形態として、下記の方法が例示される。1相対する透明電極の間において、閾値電圧以上でかつ閾値1V以下の一定電圧を10秒間以上印加した後、白表示時に印加する電圧以上の電圧を印加して電圧を変化させ、その電圧を維持しながら、前記液晶組成物に紫外線を照射し、または熱を加えてモノマーを重合させる、上記7の方法。2少なくとも一方の基板上の透明電極が、0.5~5ミクロンの微細スリット構造を有する、上記7の方法。3微細スリット構造が縦方向に形成された微細ITOスリットからなる、上記7の方法。4微細ITOスリットが画素電極の縦方向の長さのほぼ半分の長さである、上記7の方法。5微細スリット構造が横方向に形成された微細ITOスリットからなる、上記7の方法。6微細ITOスリットが画素電極の横方向の長さにほぼ等しい長さである、上記7の方法。7少なくとも一方の基板が、基板間の間隙内に突出する高さ0.1~5ミクロンの突起を有する、上記7の方法。現在のMVAでは、広視野角化のため、電圧印加時に液晶分子が4方向に倒れるように、土手やITOスリットを複雑に配置しているため、光透過率が低い。これを単純化し、電圧印加時に液晶分子が2方向に倒れるような図30、31に示すような構造を考えた。MVAでは、土手やITOスリットが作る電界によって土手やスリットに近い液晶分子から順に液晶分子の倒れる方向が規定されていく。図30、31示すように土手やITOスリットの間隙が非常に広いと、液晶分子の傾斜の伝播に時間がかかるため、電圧を印加したときのパネルの応答が非常に遅い。そこで、重合可能なモノマーを含む液晶組成物を注入し、電圧を印加した状態でモノマーを重合させて液晶分子の倒れる方向を記憶させておくという技術を導入した。さらに、データバスライン近傍の画素電極端で発生する電界によって液晶分子が意図した方向とは90°異なる方向に倒れるため、図32に示す画素顕微鏡観察図のように画素には大きな暗部が生じてしまう。そこでTFTのある基板側のITO画素電極に微細スリットを設けて配向を電界で規定することにした。ITO画素電極に微細スリットを設けると、液晶分子は微細スリットと平行に倒れる。また、全液晶分子の方向が電界によって定まるので、画素端の発生する電界の影響を最小限に抑えることができる。急激に高い電圧を印加すると、静電エネルギーにより液晶分子が大きく倒れる。本来倒れる方向と逆方向に倒れてしまった液晶分子は、エネルギー的に不安定なため、順方向に傾きなおそうとする。傾き直る過程で、静電エネルギーに逆らうため、順方向に戻すために大きな弾性エネルギーが必要となる。そのため、静電エネルギーに打ち勝てないと、逆方向に液晶分子が倒れたまま準安定してしまう。しかし、閾値よりわずかに高い電圧を印加すれば、液晶分子が逆方向に倒れても、小さな弾性エネルギーで静電エネルギーに打ち勝って順方向に戻すことができる。一旦液晶分子が順方向に倒れれば、電圧を高くしても、逆方向に倒れることはない。順方向に倒れた状態でモノマーを重合すれば、順方向の配向状態が記憶され、次に電圧を印加するときには液晶分子が逆方向に倒れることはなくなる。そこで、閾値電圧よりわずかに高い電圧で配向を整えてから、所定の電圧に上昇させ、その状態で重合性モノマーを重合させれば、良好な配向を得ることが可能である。なお、微細ITOスリット幅は、あまり細すぎると切断してしまう可能性があり、またあまり太すぎると液晶分子がスリットと平行方向に倒れなくなる。また、微細スリットがあまりに狭いと微細ITOが短絡する可能性があり、またあまりに広いと液晶分子がスリットと平行方向に倒れなくなる。そこで、微細スリットおよび微細電極の幅は0.5~5ミクロンに設定するのが好ましい。本発明の第3の面においては、その方法の具体的形態として、下記の方法が例示される。1前記複数回の光照射のうちの少なくとも1回の光照射を前記液晶層に電圧が印加された状態で行う、上記8の方法。2前記複数回の光照射を、前記電圧を印加して行う光照射の前後のいずれか、またはその前後の両方において、電圧を印加せずに行う、上記8の方法。3前記複数回の光照射を、複数の異なる光強度で行う、上記8の方法。4前記電圧を印加して行う光照射を、50mW/cm2以上の光強度で行う、上記8の方法。5前記電圧を印加せずに行う光照射を、50mW/cm2以下の光強度で行う、上記8の方法。6前記液晶がN型液晶であり、この液晶分子が電圧を印加しない状態でほぼ垂直に配向している、上記8の方法。7液晶表示装置が、2枚の基板の一方にスイッチング素子であるTFTアレイが形成されたアクティブマトリクス型LCDである、上記8の方法。8前記重合可能なモノマーが液晶性または非液晶性モノマーであり、紫外線照射により重合される、上記8の方法。9前記重合可能なモノマーが2官能性アクリレートまたは2官能性アクリレートと単官能性アクリレートとの混合物である、上記8の方法。ポリマーの焼付きを抑えるためには、モノマーが残存せず、全てのモノマーがポリマー化されることが好ましい。UV照射不足、あるいは高いUV強度で短時間の重合では時間的に反応しきらないモノマーが残るため、低UV強度で長時間の重合を行うのが良いことが実験的にわかっている。しかし、未反応モノマーが残存しない程に照射量を増やすと、今度はコントラストが低下してしまうという問題が生じるが、これはUV照射の間ずっと電圧を印加し続けるために起こる問題である。そこで、本発明では、重合時のUV照射を複数回に分割して行うもののである。各照射工程を電圧のかかった状態と電圧がかからない状態に分けて行うことにより、液晶分子のプレチルトを低下させ過ぎず、かつ、残存モノマーを解消することができるのである。さらに、UV照射強度も、その都度異ならせるのがよい。例えば、低UV強度で前段階照射の後、電圧印加状態で高強度UV照射を行い、さらに低強度UVで後照射する。電圧無印加での照射は、複数枚を一括で処理できるため、ここでの照射時間の増加は問題とならず、よって律速段階である電圧印加時の照射時間を高強度UVを用いることによって短縮することができる。本発明の方法において、電圧印加時のUV照射ではプレチルトは低下し、電圧無印加時のUV照射ではプレチルトは変化しない。よって、UV照射を複数回に分割して行い、電圧を印加して行うUV照射の時間を短時間とし、電圧無印加時のUV照射の時間を長くすると、プレチルト角は大きくなり過ぎず、しかもモノマーは十分に反応して残存しない状態が得られる。あるいは、電圧印加でのUV照射の前段階として予備照射を行い、予めモノマーの反応を僅かに促進させておくことで、残存モノマーをより低減することができる。ここで、UV照射をインターバル的に行うことの効果について説明する。TFT-LCDの場合、UVをTFT側もしくはCF側どちらから当てても遮光部の存在により未照射部が生じる。そして、この部分の未反応モノマーが時間とともに表示部へしみ出し、焼付きの原因となる。しかしながら、上述のように照射と照射の間に一定の時間間隔を設けることにより、未反応モノマーはその都度表示部へしみ出してはUVが照射されるため、最終的には遮光部のモノマーもそのほとんどが反応し、その結果として焼付きの少ないLCDが得られるのであると考えられる。すなわち、本発明によれば、高コントラストでかつ焼付きの無い高分子安定化MVA-LCDが得られ、またその重合工程の時間を従来より短縮することができる。本発明の第4の面においては、その装置の具体的形態として、下記の装置が例示される。1前記注入口と表示端との距離が注入口が存在する辺の寸法の2/5以下である、上記9の装置。2前記表示領域のセルギャップ以下のセルギャップを有する領域とセル形成用のシールとの距離が0.5mm以下である、上記10の装置。3液晶組成物が非液晶成分を含有し、または分子量、表面エネルギーが液晶成分と異なる成分を含有する液晶組成物を用いた、上記9~12のいずれかの装置。本発明の上記9の装置においては、液晶と重合性成分の分離による重合性成分の重合後の表示のムラを軽減するためには、液晶組成物の注入の初期に液晶組成物が十分に攪拌されて、重合性成分と液晶の異常濃度部分が形成されず、かつ、注入過程で局所的な速度増加が発生しないようにする必要があり、注入口の数および位置を最適化することでこれが可能となる。また、本発明の上記10および11の装置においては、液晶と重合性成分の分離による重合性成分の重合後の表示のムラを軽減するためには、液晶注入の初期に重合性成分と液晶の異常濃度部分が生じて額縁から表示部へ回り込むことによる異常部の凝集、および額縁での速度増加による液晶と重合性成分の分離を抑える必要がある。そのため、額縁のセル厚を表示領域以下にすること、額縁端とシールとの距離を一定以下にすること、および額縁部分を補助シールにより埋めることにより、表示ムラの軽減が可能となる。また、本発明の上記12の装置においては、重合性成分と液晶との濃度が異常となった部分を重合性成分の重合の前に表示領域外に誘導することで、表示ムラを発生させないことが可能となる。本発明の液晶表示装置においては、液晶中に分散された重合性成分を電圧を印加しながら光重合または熱重合させることにより電圧印加時の液晶分子の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、液晶組成物の注入口が存在する辺の近傍で表示むらが発生しないので、これにより表示品位の高い液晶表示装置を与えることができる。本発明の第5の面においては、その方法の具体的形態として、下記の方法が例示される。12枚の基板間に注入された液晶組成物に対する紫外線照射を、光強度の異なる紫外線により2段階以上に分割して行う、上記13の方法。22枚の基板間に注入された液晶組成物に対する紫外線照射を、液晶分子にこの液晶分子の閾値以上の電圧を印加しながら紫外線照射する工程と、液晶分子に電圧を印加せずに紫外線照射する工程の2段階に分割して行う、上記13の方法。32枚の基板間に注入された液晶組成物に対する紫外線照射を、それぞれ異なる電圧を液晶分子に印加しながら2段階に分割して行う、上記13の方法。42枚の基板間に注入された液晶組成物中の紫外線重合性成分を重合させるために、光強度の異なる複数の紫外線照射ユニットを用い、2段階以上に分割して紫外線照射する、上記13の方法。52枚の基板間に注入された液晶分子に対する紫外線照射を、前記アレイ基板側より行う、上記13の方法。6前記第2の基板をカラーフィルタ層が形成されたアレイ基板で構成し、前記第1の基板には共通電極を形成し、2枚の基板間に注入された液晶分子に対する紫外線照射を、第1の基板側より行う、上記13の方法。本発明によれば、液晶分子の傾斜角、方位角を規制するための高分子材料は、液晶分子に対し、適度に液晶分子の傾斜方向を規制する構造をとることができる。たとえば、電圧を印加した状態で光を十分に照射すると硬い架橋構造を形成するが、処理時間がかかりすぎて、量産時においては装置台数の増加や処理能力の減少といった面から、高コストとなる。以上に説明したように、本発明によれば、焼付きがなく、信頼性の高い4ドメインによる広視野角で、垂直配向による高コントラストで、高分子により液晶分子の傾き方向が規制された、高速応答の可能な液晶表示装置を得ることが可能となる。本発明の第6の面においては、その装置の具体的形態として、下記の装置が例示される。1赤色、青色、緑色からなるカラーフィルタ層がTFT基板上に形成されている基板と共通電極が形成された基板とに液晶層が挟持されている、上記14~21のいずれかの装置。本発明の上記14~16の装置においては、液晶の異常ドメインの発生を防ぎ、所望の方位に配向させるために、異常ドメインの起点となるセル厚変動を所望の配向をさせた場合のドメイン境界に配置することが必須となる。これにより、異常ドメインによる輝度低下や応答速度の劣化、表示ムラの発生の改善が可能となる。また、本発明の上記17、18の装置においては、液晶ドメインが発生した場合でもその領域を最小限にする必要がある。そのためには、同一配向の分割領域に複数の異常ドメインの起点となる構造を有さないようにする必要がある。これにより異常ドメインによる輝度低下や応答速度の劣化、表示ムラの発生の改善が可能となる。また、本発明の上記19の装置においては、異常ドメインの起点となるコンタクトホールを1つにすることにより、異常ドメインの低減が可能となり、かつ、開口率の向上も可能となる。また、本発明の上記20の装置においては、表示画素内の金属電極による開口率の低下を防ぐために、表示画素内で電圧印加時でも暗線となる領域に沿って金属電極を配線することが有効となる。さらに、本発明の上記21の装置においては、液晶の異常ドメインの発生を防ぎ、所望の方位に配向させるために、画素電極と同電位の電極を画素電極スリット部に配線しないことが必須となる。これにより、画素電極と同電位の電極からの電界による異常ドメインの発生を防ぎ、輝度低下や応答速度の劣化、表示ムラの発生の改善が可能となる。前述したように、本発明によれば、液晶中に分散させた光重合性成分を電圧を印加しながら光重合させることにより電圧印加時の液晶分子の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、液晶の異常ドメインの発生を防ぎ、所望の方位に配向させることが可能となり、輝度低下や応答速度の劣化、表示ムラの発生の改善ができ、表示品位の高い液晶表示装置が得られる。本発明の第7の面において、その方法の具体的形態として、下記の方法が例示される。1追加の紫外線照射において、この追加の紫外線照射前のモノマーの重合処理に用いた紫外線と異なる波長の紫外線が用いられる、上記22の方法。2追加の紫外線照射において照射される紫外線が、そのスペクトルにおいて310~380nmに最大エネルギーピークを有するものである、上記22の方法。3追加の紫外線照射において照射される紫外線が、そのスペクトルにおいて350~380nmに最大エネルギーピークを有するものである、上記22の方法。4追加の紫外線照射において照射される紫外線が、そのスペクトルにおいて310~340nmに最大エネルギーピークを有するものである、上記22の方法。5追加の紫外線照射において、照射時間が10分以上である、上記22の方法。6基板表面が垂直配向処理された垂直配向モードであり、非表示部の液晶もほぼ垂直配向されている、上記22の方法。本発明の方法においては、配向規制のための重合工程を行った後に、残留するモノマーを反応させる後工程として、紫外線による追加照射を行う。追加照射時には液晶パネルを駆動させることなく、液晶組成物に対して紫外光のみを照射する。この照射は、重合に必要な波長の紫外光のみを効率的に発しており可視光域等を持たず、かつ、それほど強くないものを用い、長時間行うのがよい。照射時間は紫外線の強度にもよるが、一般には10分~24時間であるのがよい。この方法では、照射光が紫外光より波長が長い光域をほとんど持たないため、照射による温度上昇が無く、かつ、有効な波長の光をある程度強く当てることが可能となる。その結果、残留するモノマーを温度上昇を伴わずに重合させることができ、焼き付きが極めて少ないパネルを得ることができる。また、この追加の紫外線照射では、パネル駆動の必要が無く、簡易な装置でよいため、照射のための装置を多数台設置することが可能となり、長時間の照射を要する場合でも多数のパネルを同時に処理することができるので、パネル製造工程全体を遅延させて生産性を低下させることはない。以下に、本発明の第1の面における実施例につき、さらに説明する。実施例1図9に示すように、第1の基板側にマトリクス状にゲートバスラインとデータバスラインが配置されており、それぞれのラインはその片側で束ねられた構成になっている。バスライン同士のクロス部にはTFTが配置されており、このTFTを介して画素電極が形成されている。対向側の第2の基板には、前述の画素電極のそれぞれと電気容量を形成する共通電極が形成されており、それに電圧を印加するためのパットが左下に取り出されている。また、画素電極は、第1の基板内で、Csバスラインと呼ばれる層と補助容量Csをそれぞれ形成している。Csバスラインは、もう1つの共通電極であると言うことができる。Csバスラインは、右上でパットCsとして取り出されている。このように構成された液晶パネルの断面は、図2のようになっており、ここでいう第1の基板は下側の基板にあたり、第2の基板はカラーフィルタが成膜されている基板にあたる。それぞれの基板の表面には、液晶の初期配向状態液晶に光を照射する前の状態を決めるための配向膜が形成されており、ここでは垂直配向性を示すポリイミド配向膜を用いている。液晶としては、誘電率異方性Δεが-3~-5のネガ型液晶材料を用い、それに感光性を示す液晶アクリレート系材料を微量0.1~1.0配合したものを用いた。このような構成を持つ液晶パネルに対し、共通電極パットCに±20Vの交流電圧方形波パットCsに0Vを印加すると、先に述べたように液晶部分への印加電圧はZlc/ZlcZc×交流電圧で与えられ、ここで液晶の容量Clc=250fF、補助容量Cs=250fFとすると液晶部分にはおよそ±10Vの電圧が印加されたことが計算できる。この状態で液晶パネルにUV照射をしてやると、液晶分子が倒れた方向に傾斜して、液晶性アクリレート材料が重合する。感光後電圧印加を解除してやると、初期配向が垂直配向の状態からわずかに傾いた状態が実現できる。このようにしてできたパネルの表示特性は、図10および図11のようになり、液晶性アクリレートの重合時印加電圧に影響され、±20Vの交流電圧方形波の印加によって白輝度320cd/m2、黒輝度0.53cd/m2バックライト5000cd/m2のパネルが得られることがわかる。実施例2図9に示した実施例1の構成に代えて、図12に示すように、共通電極とCsバスラインとの間が完全に絶縁された構成とする通常は、導電性粒子や銀ペーストによりショートされている。これにより印加した交流電圧の電圧の鈍りを低減させることができるので、このように共通電極とCsバスライン間を完全に絶縁しているのが望ましい。特に、Csバスライン1本あたりの抵抗は数kΩのオーダーであることが多く、リークの大きさによっては印加電圧の低下が発生する。実施例3上記に述べたように、液晶に光を照射する時の電圧印加に際し、共通電極とCsバスラインは電気的に絶縁されていることが望ましい。しかしながら、この方法では、四方から電流の供給を受けることが必要な共通電極に対し、Csバスラインへの電圧供給とは別のパターンを形成する必要性が生じる。そこで、この例のように、光の照射の後で、共通電極とCsバスラインをショートさせることを考えておけば、四方からの電流の供給が簡単に実現される。すなわち、図13に示すように、あらかじめパネルの構造内に、レーザーでショートさせる部分を設けておく方法が挙げられる。そのためには、一般的には、上下基板間の導通を銀ペーストもしくは導電スペーサを用いて行う。一方、図14に示す態様では、端子部分での接続が行われる。ここでは、共通電極とCsバスラインとの接続をパネルの外で行う例を示している。実施例4実施例1で説明したのと同様の、図15に示す如き構成を有する液晶パネルに対して、共通電極パットCに±8Vの交流電圧方形波を印加し、パットCsに0Vを印加し、さらにゲートバスラインに-5Vを印加する。先に述べたように液晶部分への印加電圧はZlc/ZlcZc×交流電圧で与えられる。また、ゲートバスラインに電圧が印加されていることで、トランジスタからデータバスラインに流れる電流を抑制することができる。さらに、実施例1と同様に液晶パネルにUV感光をしてやると、液晶分子が倒れた方向に引きずられて、液晶性アクリレート材料が重合する。実施例5前述の実施例では、特に液晶性アクリレート材料を液晶中に配合する場合を説明している。しかし、これらの実施例で説明した方法は、ポリマー分散型液晶表示パネル等感光性材料を含むものや、配向処理が必要な強誘電性パネルにも応用することが可能である。実施例6実施例1の方法において、交流電圧印加時の周波数が高くなるとCsバスラインの抵抗が高いことが問題となり,書き込み不足となる。逆に周波数が低くなると高抵抗で接続されている部分等で、電圧のリークが発生し、パネルの表示面全体に均一な電圧を書き込む事が不可能になる。ここでは、配線抵抗が材質等により変化することを踏まえて、交流電圧を変動させて、周波数と輝度との関係を測定した。結果を図16に示す。そこで、交流電圧印加時の交流周波数は1Hz~1kHz程度とするのがよい。実施例7第2の基板上の配線や電極の電位を揃えて直流電圧を印加することにより、配線欠陥を見えないようにする例である。この例では、図17に示すように、直流電圧を、共通電極と3つのバスライン間に印加する。ここでは、共通電極に10Vを印加し、3つのバスラインに0Vを印加する。そうすると、実際に液晶に印加される電圧は、実施例1の説明で示したモデルと同じであるため、表示特性についても同様なパネルが得られる白輝度320cd/m2、黒輝度0.53cd/m2。この場合には、バスライン同士のショート等は、電圧が同じであるため問題にならないことは言うまでもない。実施例8実施例7の場合において、図18に示すように、データバスラインに関して反対側を束ねてやるものである。これにより、データバスラインに断線があっても電圧が回り込んで入力される。この場合、束ねた部分は後でガラスを切断して切り離してやればよい。実施例9実施例8において、切り離すプロセスを回避するには、図19に示すように、反対側で束ねる代わりに、高抵抗で接続する方法が挙げられる。直流電流の場合には、図5に関して説明したように、時間が十分に経過すれば高抵抗接続でも等電位になっていく。これを利用すると、図20および図21に示すようなパターンを形成して、直流電圧を印加することも可能である。図20では、データバスラインとゲートバスライン、Csバスライン他に後で述べるリペアラインも含む、共通電極が、ESD回路等を介してすべて高抵抗で接続された状態にある。ここでは、データバスラインに10V、ゲートバスライン後に述べるリペアラインを含むに10V、共通電極に0V、を印加し、液晶に光を照射する。図21では、データバスラインとゲートバスライン、Csバスライン他に後で述べるリペアラインも含むが、ESD回路等を介してすべて高抵抗で接続された状態にある。ただし、共通電極とは絶縁された状態にある。ここでは、データバスラインに10V、共通電極に0V、を印加し、液晶に光を照射する。なお、図20および図21の例は、そのいずれにおいても、第2の基板上のバスラインの電位を、すべて等電位にするものである。実施例10この例では、図22に示すように、データバスライン、ゲートバスライン、Csバスライン、共通電極に加え、リペアラインにも電圧が印加される。リペアラインは、通常、データバスラインの両側または信号入力側の逆に配置されるが、この図の装置では信号入力側の逆に配置されている。図7の説明で述べたように、層間短絡に起因する線欠陥も含めて、リペア処理はb.データバスラインの断線の状況に変換し、それを図20に示すようにリペアラインと接続する方法などが代表的例として挙げられる。このような場合、断線した先の部分には、信号入力側からは電圧が入力されないため、先の実施例にあるように、パネル内部のESD回路などを利用して、電圧を回り込ませるやり方もあるが、ダイレクトにリペアラインに電圧を印加することは、かなり確実な方法といえる。図22の装置では、上記の概念にもとづき、リペアラインに直接的または間接的に高抵抗接続を介して電圧を印加するものである。図では、第2の基板上にそれぞれのバスライン、TFTが配置されている。第1の基板には、共通電極としての透明電極が形成されている。それぞれの基板には、印刷やスピナーなどの手法によって配向膜が形成される。また、2つの基板の間には、液晶性アクリーレート材料を微量添加した液晶が挟持されている。次に、共通電極に0V、ゲートバスライン、データバスライン、リペアラインのそれぞれと高抵抗で接続された部分に直流電圧10Vを印加する。そして、このように液晶に電圧を印加した後、UV光を液晶部分に照射する。実施例11この例は、図23に示すように、パネルの構成としてCF-ON-TFT構造を用いる例である。図4で示したように、TFTのしきい値シフトは、TFTがON状態の時に、紫外光が直接照射されることにより発生する。TFT基板側にカラーフィルタをTFT部分を覆うように形成することにより、到達するUV光の大部分をカットすることが可能となり、結果としてしきい値シフトを抑制することが可能となる。図23では、第2の基板上にTFTが配置され、その上にカラ-フィルタが成膜され、さらにその上に画素電極が形成される。第1の基板には、共通電極としての透明電極が形成されている。それぞれの基板には、印刷やスピナーなどの手法によって配向膜が形成される。また、2つの基板の間には、液晶性アクリーレート材料を微量添加した液晶が挟持されている。次に、共通電極に0V、ゲートバスラインに20V、データバスラインに±10Vの交流30Hz方形波を印加する。データバスラインの両側は、図18に示すように両側で束ねられている。このように液晶に電圧を印加した後、UV光を第1の基板側から照射する。実施例12この例は、図24に示すように、TFTのしきい値シフトを抑制するために、TFT上に遮光膜を準備するのと同時に、線欠陥部にも均一に電圧を印加するため、リペアラインにデータバスラインに入力する信号と同じものを印加する例である。実施例11の場合と同様に第2の基板上にTFTが配置され、その上にカラ-フィルタが成膜され、さらにその上に画素電極が形成される。第1の基板には、共通電極としての透明電極が形成されている。それぞれの基板には、印刷やスピナーなどの手法によって配向膜が形成される。また、2つの基板の間には、液晶性アクリーレート材料を微量添加した液晶が挟持されている。次に、共通電極に0V、ゲートバスラインに20V、データバスラインとリペアラインに±10Vの交流30Hz方形波を印加する。このとき、リペアラインは、リペアの対象となるバスラインと接続されているものとする。このように液晶に電圧を印加した後、UV光を第1の基板側から照射する。次に、本発明の第2の面における実施例を説明する。これらの実施例では、全て垂直配向膜を使用し、液晶は誘電率異方性が負、偏光板はクロスニコルに液晶パネルの両側に貼付するのでノーマリーブラック、偏光板の変更軸はバスラインに対して45°方向である。パネルサイズは15型、解像度はXGAである。また、重合性モノマーとしては大日本インキ株製の液晶物アクリレートモノマーUCL-001を用い、液晶としては△εが負の液晶を用いた。実施例13図25に示すようなITOパターンをもつ液晶パネルを作製した。微細ITOスリットの幅と、データバスラインとITOの間隙がほぼ等しいため、データバスラインとITOの間隙でも液晶分子がデータバスラインと平行な方向に倒れるので、液晶分子が全て同じ方向に傾斜し、暗部の発生を防ぐことができる。なお、視角特性を対称にするため、図25で液晶分子が下に向かって倒れる領域と図23で液晶分子が上に向かって倒れる領域の面積はほぼ等しい。図25では、微細な電極を画素中央部で接続する。図25の装置の一例の断面図である図26に示すように電界だけで液晶分子の倒れる方向を制御することは可能であるが、図25の装置の他の一例の断面図である図27に示すように液晶分子の倒れる方向をよりはっきり規定するために突起状の土手を設けてもよい。また、土手の代わりに配向膜を図の方向にラビングするか、光配向を利用することも可能である。パネル内に封入された液晶組成物に閾値電圧より0.1V高い電圧を印加して1分間待ち、顕微鏡による観察で配向が所定の方向に制御されたことを確認後、電圧を3Vまでは毎秒0.01V、10Vまでは毎秒0.1Vの速度で上昇させ、10Vの電圧が印加された状態で紫外線を照射してモノマーを重合させた。これにより、配向乱れの無い液晶パネルを作製できた。実施例14図28に示すようなITOパターンをもつ液晶パネルを作製した。パネル内に封入された液晶組成物に閾値電圧より0.1V高い電圧を印加して1分間待って液晶分子の配向を安定させた後、電圧を3Vまでは毎秒0.01V、10Vまでは毎秒0.1Vの速度で上昇させ、10Vの電圧が印加された状態で紫外線を照射してモノマーを重合させた。これにより、配向乱れの無い液晶パネルを作製できた。次に、本発明の第3の面における実施例を説明する。実施例15~17、比較例1、215インチXGA-LCDを用いた従来法による比較例および本発明の実施例を図33に示す。液晶として、△εが負のN型液晶を用いた。また、重合性モノマーとして、大日本インキ株製のアクリレートモノマーUCL-001を用いた。モノマー混入濃度は、液晶組成物の重量の0.1~2であった。また、光重合開始剤をモノマー重量に対して0~10の濃度で添加した。UV照射の条件および得られた結果を表1に示す。比較例1では、UV照射時の印加電圧10V、UV強度10mW/cm2であり、照射量は4000mJ/cm2であった。照射時間は約400秒であり、600程度のコントラストが得られるが、残存モノマーが存在し、焼付きは18と大きい。比較例2の如く、UV照射量を8000mJ/cm2とすると、焼付きは6と小さくなるが、この場合にはコントラストが低下し、また照射時間が約800秒と多大になる。実施例15の方法は、1回目照射時に電圧10Vを印加してプレチルトを付け、2回目照射は無電界で行って残存モノマーを解消する方法である。1回目照射時のUV強度は、表1に示すように、高強度の場合と、低強度の場合がある。高強度の場合100mW/cm2には、電圧印加時の照射時間が40秒程度で、焼付き、コントラストともに良好な結果となった。低強度の場合10mW/cm2には、電圧印加時の照射時間が200秒とやや長くなるが比較例に比べると1/2以下であり、焼付き、コントラストとも良好な結果を示した。実施例16の方法は、1回目照射を無電界で、2回目照射時に電圧を印加する方法である。これは、1回目照射を少量照射としてある程度モノマーを反応させておき、遮光部のモノマーを反応し易い状態に導いてやり、その後に電圧の印加下に照射するものである。後照射が無い分焼付きはやや大きくなるが、コントラストはさらに良好となった。実施例17の方法は、上記後照射と前照射の両方を行う方法である。焼付きおよびコントラストはともに良好な結果となった。次に、本発明の第4の面における実施例を説明する。実施例18一方の基板上にTFT素子、データバスライン、ゲートバスラインおよび画素電極を形成した。もう一方の基板には、色層および共通電極を形成した。これらの基板を径4μmのスペーサを介してはりあわせ、空セルを作製した。こうして得られたセルに、ネガ型液晶にネマティック液晶性を示すアクリル系光重合性成分を0.3wtの量で混合し、得られた光重合性成分を含有する液晶組成物を注入して、液晶パネルを作製した。図34に示すように、このパネルの注入口は、3個形成され、それぞれ232mmの長さの辺のうち68~80mm、110~122mmおよび152~164mmの位置に配置された。このパネルに、ゲート電圧DC30V、データ電圧DC10V、コモン電圧DC5Vを印加し、パネルの液晶を傾かせた状態で、共通基板側より、300~450nmの波長の紫外線を、2000mJ/cm2照射した。これにより、紫外線重合性モノマーが重合された。次に、偏光板をはり、液晶パネルを完成させた。このようにして作成された液晶パネルは、コーナー部のムラ等の表示不良もなく、表示品位の高い液晶表示装置であることが認められた。実施例19一方の基板上にTFT素子、データバスライン、ゲートバスラインおよび画素電極を形成した。もう一方の基板には、色層および共通電極を形成した。これらの基板を径4μmのスペーサを介してはりあわせ、空セルを作製した。こうして得られたセルに、ネガ型液晶にネマティック液晶性を示すアクリル系光重合性成分を0.3wtの量で混合し、得られた光重合性成分を含有する液晶組成物を注入して、液晶パネルを作製した。図35に示すように、このパネルの額縁のBM部分をCF樹脂を積層することにより形成し、そのセルギャップを2.4μm表示部ギャップ=4.0μm、シールとの距離を0.2mmとした。このパネルに、ゲート電圧DC30V、データ電圧DC10V、コモン電圧DC5Vを印加し、パネルの液晶を傾かせた状態で、共通基板側より、300~450nmの波長の紫外線を、2000mJ/cm2照射した。これにより、紫外線重合性モノマーが重合された。次に、偏光板をはり、液晶パネルを完成させた。このようにして作成された液晶パネルは、コーナー部のムラ等の表示不良もなく、表示品位の高い液晶表示装置であることが認められた。上記において、パネルのBM部分を樹脂重ねBMとするのではなく、Cr等の金属BM上にCF樹脂などで成膜しても同様の効果が得られる。実施例20一方の基板上にTFT素子、データバスライン、ゲートバスラインおよび画素電極を形成した。もう一方の基板には、色層および共通電極を形成した。これらの基板を径4μmのスペーサを介してはりあわせ、空セルを作製した。こうして得られたセルに、ネガ型液晶にネマティック液晶性を示すアクリル系光重合性成分を0.3wtの量で混合し、得られた光重合性成分を含有する液晶組成物を注入して、液晶パネルを作製した。図36に示すように、このパネルの額縁のBM部分の上に補助シールを形成し、額縁のBM部分のセルギャップがない構造とした。このパネルに、ゲート電圧DC30V、データ電圧DC10V、コモン電圧DC5Vを印加し、パネルの液晶を傾かせた状態で、共通基板側より、300~450nmの波長の紫外線を、2000mJ/cm2照射した。これにより、紫外線重合性モノマーが重合され、ポリマーのネトワークがパネル内に形成された。次に、偏光板をはり、液晶パネルを完成させた。このようにして作成された液晶パネルは、コーナー部のムラ等の表示不良もなく、表示品位の高い液晶表示装置であることが認められた。実施例21一方の基板上にTFT素子、データバスライン、ゲートバスラインおよび画素電極を形成した。もう一方の基板には、色層および共通電極を形成した。これらの基板を径4μmのスペーサを介してはりあわせ、空セルを作製した。こうして得られたセルに、ネガ型液晶にネマティック液晶性を示すアクリル系光重合性成分を0.3wtの量で混合し、得られた光重合性成分を含有する液晶組成物を注入して、液晶パネルを作製した。このパネルの額縁のBM部分に、図37に示すように、補助シールでポケットを形成し、濃度異常となった液晶がポケット内に入り込むような構造とした。このパネルに、ゲート電圧DC30V、データ電圧DC10V、コモン電圧DC5Vを印加し、パネルの液晶を傾かせた状態で、共通基板側より、300~450nmの波長の紫外線を、2000mJ/cm2照射した。これにより、紫外線重合性モノマーが重合された。次に、偏光板をはり、液晶パネルを完成させた。このようにして作成された液晶パネルは、コーナー部のムラ等の表示不良もなく、表示品位の高い液晶表示装置であることが認められた。次に、本発明の第5の面における実施例につき説明する。実施例22この実施例のパネルの断面図を図38に示す。TFT基板の層構造は、下から、Al-Nd/MoN/Moによるゲートメタル層、SiNによるゲート絶縁膜、a-Si層、n/Ti/Al/MoN/Moによるドレインメタル層、SiNによる保護膜層、ITOによる画素電極層からなる。CF基板の構造は、赤、青、緑のカラーフィルター層と共通電極となるITO膜層からなる。図39は、このパネルの平面図である。この画素電極パターンによれば、電圧印加時には液晶分子は、図のa,b,c,dの4方向に傾く。こうすることにより、広視野角が実現できる。また、対向基板は、ITOによる共通電極からなる。これらの2枚の基板に垂直配向膜を塗布し、片側の基板にビーズスペーサを散布し、もう1方にパネル周辺シールを形成し、2枚の基板を貼り合わせた。この貼り合わせしたパネルに液晶を注入した。液晶としては、負の誘電率異方性をもつネガ型液晶に、紫外線硬化型モノマーを0.2wtの量で添加したものを使用した。このパネルに、電圧印加および紫外線照射を行い、液晶の配向規制を行った。図40に高分子による液晶配向規制について示す。初期の電圧無印加時には、液晶分子は垂直に配向し、モノマーはモノマーとして存在している。ここで、電圧を印加すると液晶分子は画素電極の微細パターン方向に傾き、モノマーも同様に傾く。この状態で紫外線照射を行うとモノマーは傾斜をもったまま高分子化する。このようにしてモノマーが傾斜をもって高分子化することにより、液晶分子の配向が規制されることとなる。電圧印加と紫外線照射のパターンとしては、図41に示すような方法が考えられる。ここで、高紫外線照射強度とは、300~450nmの波長の紫外線により30mW以上の場合であり、低紫外線照射強度とは、同紫外線により30mW以下の強度である。また、高電圧とは、液晶層にかかる電圧において、液晶の閾値以上の電圧であり、低電圧とは、液晶の閾値電圧以下および電圧無印加のことである。こうして得られた液晶パネルは、高輝度、広視野で焼付きの無い高品位なものであった。実施例23図42に示すように、実施例22のパネルの製造方法を行うために、紫外線照射ユニットが2台連結された構成とし、特にファーストユニットでは、電圧印加および紫外線照射を行うことができ、セカンドユニットでは、搬送コロ上でパネルを搬送しながら紫外線照射を行う構造をもった製造装置を用いた。この装置では、高スループット、低スペースでパネルの製造が可能となる。実施例24この例のパネル断面図を図43に示す。TFTアレイ上にカラーフィルタ層およびオーバーコート層を形成しており、これにより高透過率が実現することができる。次に、本発明の第6の面における実施例を説明する。実施例25一方の基板上にTFT素子、データバスライン、ゲートバスラインおよび画素電極を形成した。もう一方の基板には、色層および共通電極を形成した。これらの基板を径4μmのスペーサを介して貼り合わせ、空セルを作製した。こうして得られたセルに、ネガ型液晶にネマティック液晶性を示すアクリル系光重合性成分を0.3wtの量で混合し、得られた光重合性成分を含有する液晶組成物を注入して、液晶パネルを作製した。このパネルは、図45に示すような画素平面および断面を有し、ソース電極と画素電極のコンタクトホール、Cs中間電極と画素電極のコンタクトホールともに画素スリットによる液晶ドメイン境界部に配置されている。このため、コンタクトホールによる異常ドメインの発生を防ぐことができ、このように作成した液晶表示装置は異常ドメインの発生もなく、輝度低下や応答速度の劣化、表示ムラの発生のない表示品位の高い液晶表示装置となる。実施例26一方の基板上にTFT素子、データバスライン、ゲートバスラインおよび画素電極を形成した。もう一方の基板には、色層、共通電極および配向制御用の土手を形成した。これらの基板を径4μmのスペーサを介して貼り合わせ、空セルを作製した。こうして得られたセルに、ネガ型液晶にネマティック液晶性を示すアクリル系光重合性成分を0.3wtの量で混合し、得られた光重合性成分を含有する液晶組成物を注入して、液晶パネルを作製した。このパネルは、図46に示すような画素平面を有し、ソース電極と画素電極のコンタクトホール、Cs中間電極と画素電極のコンタクトホールともに土手の十字部に配置されており、これは液晶ドメインの境界部分に当たる。また、ソース電極、Cs中間電極を表示領域内に引伸する際、これらは画素電極スリットにより意図的に生じる液晶ドメインの境界部をはしっており、異常ドメインの原因にもならず、開口率も低下されない。このように作成した液晶表示装置は、異常ドメインの発生もなく、輝度低下や応答速度の劣化、表示ムラの発生のない表示品位の高いものである。実施例27実施例25と同様にして液晶パネルを作成した。画素平面図は図47に示す如くであり、ソース電極と画素電極のコンタクトホールとCs中間電極と画素電極のコンタクトホールはそれぞれ異なる配向分割領域にあり、各々異常ドメインの起点となった場合でも、相互作用によるより広範囲での異常ドメインの発生にはつながらない。このようにして得られた液晶表示装置は、異常ドメインの発生も少なく、輝度低下や応答速度の劣化、表示ムラの発生の少ない表示品位の高いものである。実施例28一方の基板上にTFT素子、データバスライン、ゲートバスライン、色層および画素電極を形成した。もう一方の基板には、共通電極を形成した。これらの基板を径4μmのスペーサを介して貼り合わせ、空セルを作製した。こうして得られたセルに、ネガ型液晶にネマティック液晶性を示すアクリル系光重合性成分を0.3wtの量で混合し、得られた光重合性成分を含有する液晶組成物を注入して、液晶パネルを作製した。このパネルの画素平面図および断面図は図48の如くであり、セル厚変動等の異常ドメインの原因となるコンタクトホールは液晶ドメインの境界部に配置されている。また、画素電極、ソース電極およびCs中間電極が1つのコンタクトホールで接続されており、異常ドメインの原因が消滅し、開口率が向上している。ソース電極は画素電極スリットにより意図的に生じる液晶ドメインの境界部でかつ画素スリット部以外に配線され、異常ドメインの原因にもならず、開口率も低下されない。このように作成した液晶表示装置は、異常ドメインの発生もなく、輝度低下や応答速度の劣化、表示ムラの発生のない表示品位の高いものである。次に本発明の第7の面における実施例を説明する。実施例29TFT基板とカラーフィルタ基板とからなる2枚の基板間にΔεが負のネマチック液晶が充填されて垂直配向しているパネルを用いた。液晶層には、重合性モノマーとして大日本インキ株製の液晶性モノアクリレートモノマーUCL-001-K1を0.25重量の量で添加した。このパネルを、液晶層に実効電圧が5.0Vとなるように駆動電圧を印加して液晶を駆動させながら、最大エネルギーピークの波長が365nmである紫外線を300秒間照射し、所定の液晶配向状態で、モノマーを重合させ、硬化させた。ここで、垂直配向性のポリアミック酸配向膜を用いた。パネルのセルギャップを4.0μmとした。駆動モードは、ノーマリブラックである。次いで、図49に示すようにして、このパネルに対して追加の紫外線照射を行った。追加照射光源として市販のブラックランプ東芝ライテック製を用いた。最大エネルギーピークの波長は352nmであり、ランプを10cm間隔で5本並べて面発光とし、10cmの距離から5mW/cm2の強度で照射した。次いで、追加の紫外線照射前のパネルと照射後のパネルの焼付き率を測定したところ、追加の紫外線照射前のパネルの焼付き率が12であったのに対して、照射後の焼付き率は3まで低減されていた。また、これらのパネルを24時間放置した後において、前者は戻らなかったのに対して、後者では完全に焼付きが消えていた。また、パネルに対する追加の紫外線照射における紫外線照射量を変化させ、紫外線照射量と焼付き率との関係を求めた。その結果は図50に示すとおりであった。紫外線照射量が増加するにつれて、焼付き率が低減されることがわかる。なお、ここで、焼付き率は次のようにして求めた。すなわち、白黒チェッカーパターンを表示領域に48時間表示させる。その後、表示領域全域に所定の中間色調グレーを表示させ、白表示であった領域の輝度βと黒表示であった領域の輝度γとの差β-γを黒表示であった領域の輝度γで除して焼付き率を求める。焼付き率α=β-γ/γ×100実施例30追加照射光源として、ブラックランプに代えて市販の健康線用蛍光ランプ東西電線株製を用いたことを除き、実施例29に述べた操作を繰り返した。この蛍光ランプの最大エネルギーピークの波長は310nmであった。これにより、得られた追加の紫外線照射後のパネルは、焼付き率が2.5まで低減されており、また24時間放置後には焼付きが完全に消えていた。以上に説明した本発明の第1の面による液晶表示装置の製造方法は、以下のようにまとめられる。付記1第1の基板にこの基板全面に電圧を印加するための共通電極を形成し、第2の基板にマトリックス状に配置されるゲートバスラインとデータバスラインと、前記2つのバスラインの交点で薄膜トランジスタとそれにつながる画素電極と、前記画素電極との間で電気容量を形成するCsバスラインを形成し、前記第1の基板と第2の基板の間隙に感光性の材料を含む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、前記共通電極と画素電極とにより、それらの間に前記液晶層を挟んで電気容量を形成し、前記共通電極とCsバスラインとに交流電圧を印加することにより共通電極と画素電極との間に交流電圧を印加し、前記液晶層に光を照射することを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。付記2前記共通電極とCsバスラインとが、液晶層に光を照射する時点で、絶縁されているかまたは高抵抗で接続されている、付記1に記載の液晶表示装置の製造方法。付記3前記共通電極とCsバスラインとが、液晶層に光を照射した後で、電気的に接続される、付記1に記載の液晶表示パネルの製造方法。付記4初期には液晶層を垂直配向させておき、感光性の材料を含む液晶組成物に電圧を印加しながら光を照射することにより、液晶の配向膜に対する平均の角度を極角90°未満にする、付記1に記載の液晶表示装置の製造方法。付記5交流電圧印加時の交流周波数を1~1000Hzに設定する、付記1に記載の液晶表示装置の製造方法。付記6第1の基板にこの基板全面に電圧を印加するための共通電極を形成し、第2の基板にマトリックス状に配置されるゲートバスラインとデータバスラインと、前記2つのバスラインの交点で薄膜トランジスタとそれにつながる画素電極と、前記画素電極との間で電気容量を形成するCsバスラインを形成し、前記第1の基板と第2の基板の間隙に感光性の材料を含む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、前記共通電極と画素電極とにより、それらの間に前記液晶層を挟んで電気容量を形成し、前記共通電極と3つのバスラインとの間を絶縁させておくかまたは高抵抗で接続し、前記共通電極と前記第2の基板上の3つのバスラインゲートバスライン、データバスラインおよびCsバスラインとの間に直流電圧を印加することにより共通電極と画素電極との間に直流電圧を印加し、前記液晶層に光を照射することを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。付記7隣接するゲートバスラインまたはデータバスラインのそれぞれをその両端において電気的に接続する、付記6に記載の液晶表示装置の製造方法。付記8前記共通電極とCsバスラインとの間を、液晶層に光を照射した後で、電気的に接続する、付記7に記載の液晶表示装置の製造方法。付記9初期には液晶層を垂直配向させておき、感光性の材料を含む液晶組成物に電圧を印加しながら光を照射することにより、液晶の配向膜に対する平均の角度を極角90°未満にする、付記6に記載の液晶表示装置の製造方法。付記10第1の基板にこの基板全面に電圧を印加するための共通電極を形成し、第2の基板にマトリックス状に配置されるゲートバスラインとデータバスラインと、前記2つのバスラインの交点で薄膜トランジスタとそれにつながる画素電極と、前記画素電極との間で電気容量を形成するCsバスラインと、前記データバスラインまたはゲートバスラインの少なくとも一方と交差するリペアラインを形成し、前記第1の基板と第2の基板の間隙に感光性の材料を含む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、前記共通電極と画素電極とにより、それらの間に前記液晶層を挟んで電気容量を形成し、前記共通電極と前記第2の基板上の4つのバスラインゲートバスライン、データバスライン、Csバスラインおよびリペアラインとの間に直流電圧を印加することにより共通電極と画素電極との間に直流電圧を印加し、前記液晶層に光を照射することを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。付記11第1の基板にこの基板全面に電圧を印加するための共通電極を形成し、第2の基板にマトリックス状に配置されるゲートバスラインとデータバスラインと、前記2つのバスラインの交点で薄膜トランジスタとそれにつながる画素電極と、前記画素電極との間で電気容量を形成するCsバスラインを形成し、前記第1の基板と第2の基板の間隙に感光性の材料を含む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、前記共通電極と画素電極とにより、それらの間に前記液晶層を挟んで電気容量を形成し、前記共通電極と前記第2の基板上の4つのバスラインゲートバスライン、データバスラインおよびCsバスラインとの間を高抵抗で接続し、少なくとも1つのバスラインと前記共通電極との間に直流電圧を印加することにより共通電極と画素電極との間に直流電圧を印加し、前記液晶層に光を照射することを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。付記12第1の基板にこの基板全面に電圧を印加するための共通電極を形成し、第2の基板にマトリックス状に配置されるゲートバスラインとデータバスラインと、前記2つのバスラインの交点で薄膜トランジスタとそれにつながる画素電極と、前記画素電極との間で電気容量を形成するCsバスラインを形成し、薄膜トランジスタのチャネル部分にCF樹脂または光を遮断するパターンを形成し、前記第1の基板と第2の基板の間隙に感光性の材料を含む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、前記共通電極と画素電極とにより、それらの間に前記液晶層を挟んで電気容量を形成し、隣接するデータバスラインのそれぞれをその両端において電気的に接続し、前記ゲートバスラインにトランジスタのON電圧を印加し、前記共通電極とデータバスラインとの間に交流電圧を印加することにより共通電極と画素電極との間に交流電圧を印加し、前記液晶層に光を照射することを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。付記13第1の基板にこの基板全面に電圧を印加するための共通電極を形成し、第2の基板にマトリックス状に配置されるゲートバスラインとデータバスラインと、前記2つのバスラインの交点で薄膜トランジスタとそれにつながる画素電極と、前記画素電極との間で電気容量を形成するCsバスラインと、前記データバスラインと交差するリペアラインを形成し、薄膜トランジスタのチャネル部分にCF樹脂または光を遮断するパターンを形成し、前記第1の基板と第2の基板の間隙に感光性の材料を含む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、前記共通電極と画素電極とにより、それらの間に前記液晶層を挟んで電気容量を形成し、少なくとも1本のデータバスラインと少なくとも1本のリペアラインとにレーザー照射等の方法により接続処理を施し、前記ゲートバスラインにトランジスタのON電圧を印加し、前記共通電極とデータバスラインおよびリペアラインデータバスラインと同電位との間に交流電圧を印加することにより共通電極と画素電極との間に交流電圧を印加し、前記液晶層に光を照射することを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。付記14付記1~13のいずれかに記載した方法により製造された液晶表示装置。本発明の第2の面による液晶表示装置の製造方法は、以下のようにまとめられる。付記15透明電極と液晶分子を垂直に配向させる配向制御膜とを備えた2枚の基板間に負の誘電率異方性を有し、かつ、重合可能なモノマーを含む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、相対する透明電極の間に電圧を印加しながらモノマーを重合させて、液晶分子にプレチルト角をもたせる垂直配向液晶表示装置の製造方法において、モノマーを重合させる前に、相対する透明電極の間において、閾値電圧以上でかつ飽和電圧以下の一定電圧を一定時間印加した後、所定の電圧に変化させてその電圧を維持しながら、前記液晶組成物に紫外線を照射し、または熱を加えてモノマーを重合させることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。付記16相対する透明電極の間において、閾値電圧以上でかつ閾値1V以下の一定電圧を10秒間以上印加した後、白表示時に印加する電圧以上の電圧を印加して電圧を変化させ、その電圧を維持しながら、前記液晶組成物に紫外線を照射し、または熱を加えてモノマーを重合させる、付記15に記載の液晶表示装置の製造方法。付記17少なくとも一方の基板上の透明電極に、スリット構造を形成する工程をさらに含む、付記15または16に記載の液晶表示装置の製造方法。付記18少なくとも一方の基板に、基板間の間隙内に突出する突起形成する工程をさらに有する、付記15~17のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。付記19付記15~18のいずれかに記載した方法により製造された液晶表示装置。本発明の第3の面による液晶表示装置の製造方法は、以下のようにまとめられる。付記20透明電極を備えた2枚の基板間に重合可能なモノマーを含む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、相対する透明電極に電圧を印加しながらモノマーを重合させて、液晶分子にプレチルト角を持たせ、かつ、電圧印加時の液晶分子の傾斜方向を規定する液晶表示装置の製造方法において、前記重合可能なモノマーの重合のための光照射を少なくとも2回に分割して実施することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。付記21前記複数回の光照射のうちの少なくとも1回の光照射を前記液晶層に電圧が印加された状態で行う、付記20に記載の液晶表示装置の製造方法。付記22前記複数回の光照射を、前記電圧を印加して行う光照射の前後のいずれか、またはその前後の両方において、電圧を印加せずに行う、付記20または21に記載の液晶表示装置の製造方法。付記23前記複数回の光照射を、複数の異なる光強度で行う、付記20~22のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。付記24前記電圧を印加して行う光照射を、50mW/cm2以上の光強度で行う、付記20~23のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。付記25前記電圧を印加せずに行う光照射を、50mW/cm2以下の光強度で行う、付記20~24のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。付記26前記重合可能なモノマーが液晶性または非液晶性モノマーであり、紫外線照射により重合される、付記20~25のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。付記27前記重合可能なモノマーが2官能性アクリレートまたは2官能性アクリレートと単官能性アクリレートとの混合物である、付記20~26のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。付記28付記20~27のいずれかに記載した方法により製造された液晶表示装置。本発明の第4の面による液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。付記29光重合性成分または熱重合性成分を含有する液晶組成物を基板間に挟持し、電圧を印加しながら前記重合性成分を重合させることにより電圧印加時の液晶分子の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、前記重合性成分を含む液晶組成物を注入するための注入口が複数個設けられ、それぞれの注入口の間隔が注入口が存在する辺の寸法の1/5以下であることを特徴とする液晶表示装置。付記30前記注入口と表示端との距離が注入口が存在する辺の寸法の2/5以下である、付記29に記載の液晶表示装置。付記31光重合性成分または熱重合性成分を含有する液晶組成物を基板間に挟持し、電圧を印加しながら前記重合性成分を重合させることにより電圧印加時の液晶分子の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、額縁のBM部分のセルギャップが表示領域のセルギャップ以下であることを特徴とする液晶表示装置。付記32前記表示領域のセルギャップ以下のセルギャップを有する領域とセル形成用のシールとの距離が0.5mm以下である、付記31に記載の液晶表示装置。付記33光重合性成分または熱重合性成分を含有する液晶組成物を基板間に挟持し、電圧を印加しながら前記重合性成分を重合させることにより電圧印加時の液晶分子の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、額縁のBM部分にメインシールまたは補助シールを形成して、額縁BM部分のセルギャップをなくしたことを特徴とする液晶表示装置。付記34光重合性成分または熱重合性成分を含有する液晶組成物を基板間に挟持し、電圧を印加しながら前記重合性成分を重合させることにより電圧印加時の液晶分子の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、補助シールを形成することにより、前記重合性成分と液晶との濃度分布が生じた材料をBM部分に誘導するようにしたことを特徴とする液晶表示装置。付記35液晶組成物が非液晶成分を含有し、または分子量、表面エネルギーが液晶成分と異なる成分を含有する液晶組成物を用いた、付記29~34のいずれかに液晶表示装置。本発明の第5の面による液晶表示装置の製造方法は、以下のようにまとめられる。付記36第1の基板に共通電極およびカラーフィルター層を形成し、第2の基板をゲートバスライン層、ゲート絶縁膜層、ドレインバスライン層、保護膜層および画素電極層が形成されたアレイ基板で構成し、前記画素電極層には、微細なスリットを、そのスリットが画素内を少なくとも2領域以上に分割する方向に形成し、前記2枚の基板には液晶分子を垂直に配向させる垂直配向膜を形成し、前記2枚の基板の間隙に液晶骨格を有する紫外線硬化性樹脂を含む負の誘電率異方性を有するn型液晶組成物を充填して液晶層を形成し、液晶分子にこの液晶分子の閾値以上の電圧を印加しながら紫外線を照射することにより電圧印加時の液晶分子の傾斜方向を規定し、2枚の偏光板を、その吸収軸が液晶分子の配向方位と45度の角度をなすようにこの装置の上下面にクロスニコルに、それぞれ配置することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。付記372枚の基板間に注入された液晶組成物に対する紫外線照射を、光強度の異なる紫外線により2段階以上に分割して行う、付記36に記載の液晶表示装置の製造方法。付記382枚の基板間に注入された液晶組成物に対する紫外線照射を、液晶分子にこの液晶分子の閾値以上の電圧を印加しながら紫外線照射する工程と、液晶分子に電圧を印加せずに紫外線照射する工程の2段階に分割して行う、付記36に記載の液晶表示装置の製造方法。付記392枚の基板間に注入された液晶組成物に対する紫外線照射を、それぞれ異なる電圧を液晶分子に印加しながら2段階に分割して行う、付記36に記載の液晶表示装置の製造方法。付記402枚の基板間に注入された液晶組成物中の紫外線重合性成分を重合させるために、光強度の異なる複数の紫外線照射ユニットを用い、2段階以上に分割して紫外線照射する、付記36に記載の液晶表示装置の製造方法。付記412枚の基板間に注入された液晶分子に対する紫外線照射を、前記アレイ基板側より行う、付記36に記載の液晶表示装置の製造方法。付記42前記第2の基板をカラーフィルタ層が形成されたアレイ基板で構成し、前記第1の基板には共通電極を形成し、2枚の基板間に注入された液晶分子に対する紫外線照射を、第1の基板側より行う、付記36に記載の液晶表示装置の製造方法。付記43付記36~42のいずれかに記載した方法により製造された液晶表示装置。本発明の第6の面による液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。付記44電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、設計的に10以上セル厚が変動する部分を液晶のドメイン境界部に配置したことを特徴とする液晶表示装置。付記45電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、液晶のドメイン境界部にソース電極と画素電極を接続するコンタクトホールが設けられていることを特徴とする液晶表示装置。付記46電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、液晶のドメイン境界部にCs中間電極と画素電極を接続するコンタクトホールが設けられていることを特徴とする液晶表示装置。付記47電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定し、2分割以上に配向分割した液晶表示装置において、設計的に10以上セル厚が変動する部分が複数箇所存在しないことを特徴とする液晶表示装置。付記48電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定し、2分割以上に配向分割した液晶表示装置において、同一分割領域に複数のコンタクトホールを有さないことを特徴とする液晶表示装置。付記49電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定する液晶表示装置において、1つのコンタクトホールにより画素電極、ソース電極およびCs中間電極を接続することを特徴とする液晶表示装置。付記50電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、金属電極が表示画素内の液晶ドメイン境界にそって配線されていることを特徴とする液晶表示装置。付記51電極を有する一対の基板間に液晶層が挟持され、熱もしくは光で重合するポリマーにより液晶分子のプレチルト角および電圧印加時の傾斜方向を規定した液晶表示装置において、画素電極と同電位の電極が表示画素内の画素電極のスリット部に配線されていないことを特徴とする液晶表示装置。付記52赤色、青色、緑色からなるカラーフィルタ層がTFT基板上に形成されている基板と共通電極が形成された基板とに液晶層が挟持されている、付記44~51のいずれかに記載の液晶表示装置。本発明の第7の面による液晶表示装置の製造方法は、以下のようにまとめられる。付記53電極と配向膜とを備えた2枚の基板間に重合可能なモノマーを含む液晶組成物を充填して液晶層を形成し、相対する電極間に所定の液晶駆動電圧を印加しながら、前記液晶組成物に紫外線を照射してモノマーを重合させることを含む液晶表示装置の製造方法において、前記モノマーの重合処理後に、液晶駆動電圧を印加することなく、または液晶を実質的に駆動させない電圧を印加しながら、前記液晶組成物に対して追加の紫外線照射を行うことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。付記54追加の紫外線照射において、この追加の紫外線照射前のモノマーの重合処理に用いた紫外線と異なる波長の紫外線が用いられる、付記53に記載の液晶表示装置の製造方法。付記55追加の紫外線照射において照射される紫外線が、そのスペクトルにおいて310~380nmに最大エネルギーピークを有するものである、付記53または54に記載の液晶表示装置の製造方法。付記56追加の紫外線照射において照射される紫外線が、そのスペクトルにおいて350~380nmに最大エネルギーピークを有するものである、付記55に記載の液晶表示装置の製造方法。付記57追加の紫外線照射において照射される紫外線が、そのスペクトルにおいて310~340nmに最大エネルギーピークを有するものである、付記55に記載の液晶表示装置の製造方法。付記58追加の紫外線照射において、照射時間が10分以上である、付記53~57のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。付記59基板表面が垂直配向処理された垂直配向モードであり、非表示部の液晶もほぼ垂直配向されている、付記53~58のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。"