70以上90以下の相対密度と、100ppm以上500ppm以下の酸素含有量とを有するタングステン粉末の予備成形体を作製し、前記予備成形体を1700°C以上1850°C以下の温度で熱間等方圧プレス法により焼結するタングステンターゲットの製造方法。請求項1に記載のタングステンターゲットの製造方法であって、前記予備成形体の焼結温度を1700°C以上1750°C以下とするタングステンターゲットの製造方法。請求項1に記載の製造方法によって製造されたタングステンターゲット。20μm以下かつ標準偏差10μm以下の平均粒径と、99以上の相対密度と、10ppm以下の酸素濃度とを有するタングステンターゲット。請求項4に記載のタングステンターゲットであって、前記平均粒径は、15μm以下であるタングステンターゲット。しかしながら、従来のタングステンターゲットの製造方法においては、平均結晶粒径のバラツキが大きく、数十μm以下の微細かつ均一な平均粒径に抑えることができない。このため、スパッタ時のパーティクルの抑制効果が十分ではなく、高品質なタングステン膜を安定して形成することが困難である。以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、平均粒径を数十μm以下に抑えることができるタングステンターゲットの製造方法およびタングステンターゲットを提供することにある。上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るタングステンターゲットの製造方法は、70以上90以下の相対密度と、100ppm以上500ppm以下の酸素含有量とを有するタングステン粉末の予備成形体を作製する工程を含む。上記予備成形体は、1700°C以上1850°C以下の温度で熱間等方圧プレス法により焼結される。また、本発明の一形態に係るタングステンターゲットは、20μm以下かつ標準偏差10μm以下の平均粒径と、99以上の相対密度と、10ppm以下の酸素濃度とを有する。本発明の一実施形態に係るタングステンターゲットの製造方法は、70以上90以下の相対密度と、100ppm以上500ppm以下の酸素含有量とを有するタングステン粉末の予備成形体を作製する工程を含む。上記予備成形体は、1700°C以上1850°C以下の温度で熱間等方圧プレス法により焼結される。スパッタリングターゲットのパーティクルの発生量は、焼結体の相対密度、平均粒径、酸素含有量に強い相関を有しており、焼結体の相対密度が低いほど、平均粒径が大きいほど、あるいは酸素含有量が多いほど、パーティクルの発生頻度は増加する。一方、平均粒径が微細であっても、粒径のばらつきが大きいと、パーティクルの増加が抑えられない。本発明者は、焼結体の相対密度、平均粒径、酸素含有量等が予備成形体の相対密度および酸素含有量に依存することを見出し、本発明を完成させるに至った。すなわち本実施形態のタングステンターゲットの製造方法において、予備成形体は、その相対密度が70以上90以下、酸素含有量が100ppm以上500ppm以下となるように作製される。予備成形体の相対密度が70未満の場合、焼結体の粒子径が大きくなる。また、予備成形体の相対密度が90を超えると、焼結時に成形体に残存する酸素を十分に放出脱気させることができなくなり、焼結体の酸素含有量を低減することが難しくなる。一方、予備成形体の酸素含有量が100ppm未満の場合、焼結体の酸素含有量は低く抑えられるが、焼結体の粒子径が大きくなる傾向にある。また、予備成形体の酸素含有量が500ppmを超えると、焼結体の粒子径を微細化できるものの、焼結体の酸素含有量を低減することが困難となる。予備成形体の作製方法は特に限定されず、例えばホットプレス法HPで作製されるが、上述した予備成形体の特性が得られる限りにおいて他の成形法冷間等方圧プレス法CIP、熱間等方圧プレス法HIPなどが採用されてもよい。ホットプレス法で予備成形体を作製するときの温度および圧力条件は、例えば、1400°C、39.2MPa400kg/cm2である。予備成形体は、熱間等方圧プレス法HIP法で焼結される。焼結温度は1700°C以上1850°C以下とされる。焼結温度が1700°C未満の場合、処理温度が低いため、量産に適した処理時間内で99以上の高い相対密度を得ることが難しい。また、焼結温度が1850°Cを超えると、処理温度が高いため、粒径の粗大化を招き、焼結体の粒子径の微細化および均一化を図ることができない。上記タングステンターゲットの製造方法によれば、パーティクルの発生量の少ないスパッタリングターゲットを得ることができる。例えば、上記製造方法によれば、平均粒径20μmかつ標準偏差10μm以下の平均粒径と、99以上の相対密度と、10ppm以下の酸素濃度とを有するタングステン焼結体を安定して製造することができる。上記予備成形体の焼結温度は、1700°C以上1750°C以下とすることができる。これにより、例えば平均粒径15μm以下のタングステン焼結体を製造することが可能となり、焼結粒子の更なる微細化が可能となる。本発明の一実施形態に係るタングステンターゲットは、20μm以下かつ標準偏差10μm以下の平均粒径と、99以上の相対密度と、10ppm以下の酸素濃度とを有する。これにより、パーティクルの発生量を大幅に低減でき、高品質なタングステン膜を安定して形成することが可能となる。以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。図1は、本発明の実施形態に係るタングステンターゲットの製造方法を説明する概略工程図である。本実施形態に係るタングステンターゲットの製造方法は、予備成形体の作製工程ステップ101と、予備成形体の焼結工程ステップ102と、焼結体の加工工程ステップ103とを有する。[予備成形工程]予備成形体は、原料粉末を所定形状にプレス成形することで作製される。原料粉末には、純度が例えば99.9995N以上の高純度のタングステン粉末が用いられる。原料粉末の酸素含有量は、予備成形体の酸素含有量に影響を及ぼすため、原料粉末の酸素含有量は例えば500ppm以下とされる。原料粉末の平均粒径は特に限定されず、例えば、BET法での測定値が3.5μm~4.5μmである平均粒径を有するタングステン粉末が用いられる。本実施形態では、真空ホットプレス法によって予備成形体を作製するが、これに限られず、大気圧下でのホットプレス法、冷間等方圧プレス法、熱間等方圧プレス法などの他のプレス法が採用されてもよい。図2は、真空ホットプレス法を説明する概略図である。真空ホットプレス装置10は、チャンバ11と、チャンバ11の内部に設置されたベース12と、ベース12の上に設置された外枠13と、外枠13の内部空所に嵌合するパンチ14と、パンチ14を加熱および押圧するラム15と、チャンバ11の内部を排気する真空ポンプ16とを有する。原料粉末は、外枠13の内部空所に充填され、チャンバ11の内部が所定の圧力にまで真空排気された後、パンチ14で所定温度に加熱されつつ所定の圧力でプレスされる。これにより、原料粉末の予備成形体S1が作製される。予備成形体S1は、例えば円形または矩形の板状に形成され、本実施形態では円板形状の予備成形体S1が作製される。予備成形体S1の形状は、外枠13の内部空所およびパンチ14各々の形状で決定される。予備成形体S1を真空ホットプレス法で作製することにより、予備成形体S1の脱ガスを促進し、予備成形体S1に含まれる酸素の量を低減させることができる。予備成形工程では、70以上90以下の相対密度と、100ppm以上500ppm以下の酸素含有量とを有するタングステン粉末の予備成形体S1が作製される。このような特性を有する予備成形体S1を作製するためのホットプレス温度および圧力条件は特に限定されないが、例えば、1400°C~1650°C、39.2MPa400kg/cm2~44.1MPa450kg/cm2である。プレス時間は、例えば1時間~6時間である。予備成形体S1の相対密度が70未満の場合、焼結体の粒子径が大きくなる。また、予備成形体S1の相対密度が90を超えると、焼結時に成形体S1に残存する酸素を十分に放出脱気させることができず、焼結体の酸素含有量を低減することが難しくなる。一方、予備成形体S1の酸素含有量が100ppm未満の場合、焼結体の酸素含有量は低くなるが、焼結体の粒子径が大きくなる傾向にある。また、予備成形体S1の酸素含有量が500ppmを超えると、焼結体の粒子径を微細化できるものの、焼結体の酸素含有量を低減することが困難となる。[焼結工程]予備成形体S1の焼結には、熱間等方圧プレス法HIPが適用される。図3は、熱間等方圧プレス法を説明する概略図である。熱間等方圧プレス装置20は、チャンバ21と、チャンバ21の内部に設置され被焼結材予備成形体S1を収容するキャニング材22等を有する。焼結工程では、キャニング材22で包んだ予備成形体S1をチャンバ21の内部に設置した後、チャンバの内部に高温高圧ガスを充填し、この状態を所定時間保持する。チャンバ21の内部にヒータ加熱源が設置されてもよい。これにより、予備成形体S1の焼結が進行し、タングステン粉末の焼結体S2が作製される。圧力媒体ガスには、上記所定温度に加熱された窒素やアルゴン等の不活性ガスが用いられる。また、キャニング材にはニオブ、タンタル等が用いられる。これらの材料は酸素の吸着性が高いため、焼結時において予備成形体S1から残留酸素を容易に除去することができる。予備成形体S1の焼結温度は、1700°C以上1850°C以下である。焼結温度が1700°C未満の場合、処理温度が低いため、量産に適した処理時間内で99以上の高い相対密度を得ることが難しい。また、焼結温度が1850°Cを超えると、処理温度が高いため、粒径の粗大化を招き、焼結体S2の粒子径の微細化および均一化を図ることができない。圧力は特に限定されず、例えば100~200MPaとされ、本実施形態では176.4MPa1800kg/cm2である。焼結温度は、焼結体の相対密度および平均粒径の各々に相関を有しており、予備成形体の相対密度および酸素含有量が一定であるとして、焼結温度が高くなるほど、相対密度は高くなる一方、平均粒径が大きくなる。図4~図6は、HIPによる焼結処理温度を異ならせて観察した焼結体の表面状態を示しており、Aは光学顕微鏡写真500倍、Bはライカ社製粒径測定装置LeicaQ500IWを用いて測定した平均粒径の測定処理画面である。すなわち図4は、処理温度が1700°Cのときの焼結体サンプルを示しており、その相対密度は99.2、平均粒径は9.91μm最大粒径29.32μm、標準偏差5.13μmである。図5は、処理温度が1750°Cのときの焼結体サンプルを示しており、その相対密度は99.5、平均粒径は11.21μm最大粒径34.35μm、標準偏差5.18μmである。図6は、処理温度が1850°Cのときの焼結体サンプルを示しており、その相対密度は99.7、平均粒径は19.76μm最大粒径48.38μm、標準偏差7.61μmである。本実施形態によれば、平均粒径が20μm以下標準偏差が10μm以下、相対密度が99以上、酸素含有量が10ppm以下のタングステン焼結体S2が製造される。これにより、パーティクルの発生が抑えられたタングステンスパッタリングターゲットを得ることができる。特に、焼結体の平均粒径の標準偏差が10μm以下と非常に小さいため、粒径のばらつきを小さくして微細な平均粒径を均一に揃えることができる。したがって、本実施形態のスパッタリングターゲットを用いることで、高品質なタングステン膜を安定して形成することが可能となる。[加工工程]作製された焼結体S2は、加工工程において所定のターゲット形状に加工される。加工方法は特に限定されないが、典型的には、研削、切削等の機械加工法が適用される。加工サイズおよび形状は、ターゲットの仕様に応じて定まり、例えば円形、矩形状に加工される。加工された焼結体は、バッキングプレートに接合されることで、スパッタリングカソードが構成される。実施例1平均粒径3.5μm~4.5μmBET法、酸素含有量500ppm、純度99.999のタングステン粉末を用いて、真空ホットプレス法HPにより、直径500mm、厚み12mmの予備成形体を作製した。HP条件は、温度を1550°C、圧力を39.2MPa400kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。得られた予備成形体を旋盤加工後、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行った。そして、重量÷体積÷タングステン理論密度の式から予備成形体の相対密度を測定した結果、70であった。また、加工の際に、分析サンプルブロックを採取して、成形体の酸素含有量を測定した結果、400ppmであった。酸素含有量の分析には、LECO社製分析装置TC-436を使用した。次に、得られた予備成形体をニオブ製カプセルにセットした後、電子ビーム溶接によってカプセルを封止した。その後、熱間等方圧プレスHIP処理を施すことで予備成形体を焼結した。HIP条件は、温度を1700°C、圧力を176.4MPa1800kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。その結果、直径460mm、厚み11mmのタングステン焼結体が得られた。得られたタングステン焼結体を旋盤による研削加工によって所定のターゲット形状直径440mm、厚み6mmに仕上げ、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行って相対密度を測定した。その結果、焼結体の相対密度は99.2であった。また、焼結体の平均粒径およびその標準偏差を測定したところ、平均粒径は11μm、標準偏差は5.5μmであった。平均粒径および標準偏差の測定には、ライカ社製粒径測定装置LeicaQ500IWを用いた。さらに、LECO社製分析装置TC-436を用いて、焼結体の酸素含有量を測定した結果、10ppm未満であった。続いて、得られたタングステンターゲットをアルミニウム製バッキングプレートにSnAg系ロウ材でボンディングし、スパッタリングカソードを構成した。そのスパッタリングカソードをアルバック社製スパッタリング装置ENTRON/エントロン登録商標に組み付け、直径300mmの半導体ウェーハ上にタングステン薄膜を形成した。その後、TOPCON社製表面検査装置WM100を用いてウェーハの表面を検査し、0.2μm以上の大きさのパーティクルの個数を測定したところ、9個であった。実施例2平均粒径3.5μm~4.5μmBET法、酸素含有量500ppm、純度99.999のタングステン粉末を用いて、真空ホットプレス法HPにより、直径500mm、厚み12mmの予備成形体を作製した。HP条件は、温度を1600°C、圧力を39.2MPa400kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。得られた予備成形体を旋盤加工後、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行った。そして、重量÷体積÷タングステン理論密度の式から予備成形体の相対密度を測定した結果、80であった。また、加工の際に、分析サンプルブロックを採取して、成形体の酸素含有量を測定した結果、400ppmであった。酸素含有量の分析には、LECO社製分析装置TC-436を使用した。次に、得られた予備成形体をニオブ製カプセルにセットした後、電子ビーム溶接によってカプセルを封止した。その後、熱間等方圧プレスHIP処理を施すことで予備成形体を焼結した。HIP条件は、温度を1700°C、圧力を176.4MPa1800kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。その結果、直径460mm、厚み11mmのタングステン焼結体が得られた。得られたタングステン焼結体を旋盤による研削加工によって所定のターゲット形状直径440mm、厚み6mmに仕上げ、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行って相対密度を測定した。その結果、焼結体の相対密度は99.2であった。また、焼結体の平均粒径およびその標準偏差を測定したところ、平均粒径は10μm、標準偏差は5μmであった。平均粒径および標準偏差の測定には、ライカ社製粒径測定装置LeicaQ500IWを用いた。さらに、LECO社製分析装置TC-436を用いて、焼結体の酸素含有量を測定した結果、10ppm未満であった。続いて、得られたタングステンターゲットをアルミニウム製バッキングプレートにSnAg系ロウ材でボンディングし、スパッタリングカソードを構成した。そのスパッタリングカソードをアルバック社製スパッタリング装置ENTRON/エントロン登録商標に組み付け、直径300mmの半導体ウェーハ上にタングステン薄膜を形成した。その後、TOPCON社製表面検査装置WM100を用いてウェーハの表面を検査し、0.2μm以上の大きさのパーティクルの個数を測定したところ、8個であった。実施例3平均粒径3.5μm~4.5μmBET法、酸素含有量500ppm、純度99.999のタングステン粉末を用いて、真空ホットプレス法HPにより、直径500mm、厚み12mmの予備成形体を作製した。HP条件は、温度を1650°C、圧力を39.2MPa400kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。得られた予備成形体を旋盤加工後、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行った。そして、重量÷体積÷タングステン理論密度の式から予備成形体の相対密度を測定した結果、90であった。また、加工の際に、分析サンプルブロックを採取して、成形体の酸素含有量を測定した結果、380ppmであった。酸素含有量の分析には、LECO社製分析装置TC-436を使用した。次に、得られた予備成形体をニオブ製カプセルにセットした後、電子ビーム溶接によってカプセルを封止した。その後、熱間等方圧プレスHIP処理を施すことで予備成形体を焼結した。HIP条件は、温度を1700°C、圧力を176.4MPa1800kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。その結果、直径460mm、厚み11mmのタングステン焼結体が得られた。得られたタングステン焼結体を旋盤による研削加工によって所定のターゲット形状直径440mm、厚み6mmに仕上げ、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行って相対密度を測定した。その結果、焼結体の相対密度は99.3であった。また、焼結体の平均粒径およびその標準偏差を測定したところ、平均粒径は12μm、標準偏差は5.5μmであった。平均粒径および標準偏差の測定には、ライカ社製粒径測定装置LeicaQ500IWを用いた。さらに、LECO社製分析装置TC-436を用いて、焼結体の酸素含有量を測定した結果、10ppm未満であった。続いて、得られたタングステンターゲットをアルミニウム製バッキングプレートにSnAg系ロウ材でボンディングし、スパッタリングカソードを構成した。そのスパッタリングカソードをアルバック社製スパッタリング装置ENTRON/エントロン登録商標に組み付け、直径300mmの半導体ウェーハ上にタングステン薄膜を形成した。その後、TOPCON社製表面検査装置WM100を用いてウェーハの表面を検査し、0.2μm以上の大きさのパーティクルの個数を測定したところ、10個であった。実施例4平均粒径3.5μm~4.5μmBET法、酸素含有量250ppm、純度99.999のタングステン粉末を用いて、真空ホットプレス法HPにより、直径500mm、厚み12mmの予備成形体を作製した。HP条件は、温度を1600°C、圧力を39.2MPa400kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。得られた予備成形体を旋盤加工後、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行った。そして、重量÷体積÷タングステン理論密度の式から予備成形体の相対密度を測定した結果、80であった。また、加工の際に、分析サンプルブロックを採取して、成形体の酸素含有量を測定した結果、100ppmであった。酸素含有量の分析には、LECO社製分析装置TC-436を使用した。次に、得られた予備成形体をニオブ製カプセルにセットした後、電子ビーム溶接によってカプセルを封止した。その後、熱間等方圧プレスHIP処理を施すことで予備成形体を焼結した。HIP条件は、温度を1700°C、圧力を176.4MPa1800kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。その結果、直径460mm、厚み11mmのタングステン焼結体が得られた。得られたタングステン焼結体を旋盤による研削加工によって所定のターゲット形状直径440mm、厚み6mmに仕上げ、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行って相対密度を測定した。その結果、焼結体の相対密度は99.2であった。また、焼結体の平均粒径およびその標準偏差を測定したところ、平均粒径は18μm、標準偏差は8μmであった。平均粒径および標準偏差の測定には、ライカ社製粒径測定装置LeicaQ500IWを用いた。さらに、LECO社製分析装置TC-436を用いて、焼結体の酸素含有量を測定した結果、10ppm未満であった。続いて、得られたタングステンターゲットをアルミニウム製バッキングプレートにSnAg系ロウ材でボンディングし、スパッタリングカソードを構成した。そのスパッタリングカソードをアルバック社製スパッタリング装置ENTRON/エントロン登録商標に組み付け、直径300mmの半導体ウェーハ上にタングステン薄膜を形成した。その後、TOPCON社製表面検査装置WM100を用いてウェーハの表面を検査し、0.2μm以上の大きさのパーティクルの個数を測定したところ、8個であった。実施例5平均粒径3.5μm~4.5μmBET法、酸素含有量500ppm、純度99.999のタングステン粉末を用いて、真空ホットプレス法HPにより、直径500mm、厚み12mmの予備成形体を作製した。HP条件は、温度を1600°C、圧力を39.2MPa400kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。得られた予備成形体を旋盤加工後、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行った。そして、重量÷体積÷タングステン理論密度の式から予備成形体の相対密度を測定した結果、80であった。また、加工の際に、分析サンプルブロックを採取して、成形体の酸素含有量を測定した結果、400ppmであった。酸素含有量の分析には、LECO社製分析装置TC-436を使用した。次に、得られた予備成形体をニオブ製カプセルにセットした後、電子ビーム溶接によってカプセルを封止した。その後、熱間等方圧プレスHIP処理を施すことで予備成形体を焼結した。HIP条件は、温度を1700°C、圧力を176.4MPa1800kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。その結果、直径460mm、厚み11mmのタングステン焼結体が得られた。得られたタングステン焼結体を旋盤による研削加工によって所定のターゲット形状直径440mm、厚み6mmに仕上げ、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行って相対密度を測定した。その結果、焼結体の相対密度は99.2であった。また、焼結体の平均粒径およびその標準偏差を測定したところ、平均粒径は10μm、標準偏差は5μmであった。平均粒径および標準偏差の測定には、ライカ社製粒径測定装置LeicaQ500IWを用いた。さらに、LECO社製分析装置TC-436を用いて、焼結体の酸素含有量を測定した結果、10ppm未満であった。続いて、得られたタングステンターゲットをアルミニウム製バッキングプレートにSnAg系ロウ材でボンディングし、スパッタリングカソードを構成した。そのスパッタリングカソードをアルバック社製スパッタリング装置ENTRON/エントロン登録商標に組み付け、直径300mmの半導体ウェーハ上にタングステン薄膜を形成した。その後、TOPCON社製表面検査装置WM100を用いてウェーハの表面を検査し、0.2μm以上の大きさのパーティクルの個数を測定したところ、8個であった。実施例6平均粒径3.5μm~4.5μmBET法、酸素含有量570ppm、純度99.999のタングステン粉末を用いて、真空ホットプレス法HPにより、直径500mm、厚み12mmの予備成形体を作製した。HP条件は、温度を1600°C、圧力を39.2MPa400kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。得られた予備成形体を旋盤加工後、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行った。そして、重量÷体積÷タングステン理論密度の式から予備成形体の相対密度を測定した結果、80であった。また、加工の際に、分析サンプルブロックを採取して、成形体の酸素含有量を測定した結果、500ppmであった。酸素含有量の分析には、LECO社製分析装置TC-436を使用した。次に、得られた予備成形体をニオブ製カプセルにセットした後、電子ビーム溶接によってカプセルを封止した。その後、熱間等方圧プレスHIP処理を施すことで予備成形体を焼結した。HIP条件は、温度を1700°C、圧力を176.4MPa1800kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。その結果、直径460mm、厚み11mmのタングステン焼結体が得られた。得られたタングステン焼結体を旋盤による研削加工によって所定のターゲット形状直径440mm、厚み6mmに仕上げ、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行って相対密度を測定した。その結果、焼結体の相対密度は99.4であった。また、焼結体の平均粒径およびその標準偏差を測定したところ、平均粒径は10μm、標準偏差は5μmであった。平均粒径および標準偏差の測定には、ライカ社製粒径測定装置LeicaQ500IWを用いた。さらに、LECO社製分析装置TC-436を用いて、焼結体の酸素含有量を測定した結果、10ppm未満であった。続いて、得られたタングステンターゲットをアルミニウム製バッキングプレートにSnAg系ロウ材でボンディングし、スパッタリングカソードを構成した。そのスパッタリングカソードをアルバック社製スパッタリング装置ENTRON/エントロン登録商標に組み付け、直径300mmの半導体ウェーハ上にタングステン薄膜を形成した。その後、TOPCON社製表面検査装置WM100を用いてウェーハの表面を検査し、0.2μm以上の大きさのパーティクルの個数を測定したところ、7個であった。実施例7平均粒径3.5μm~4.5μmBET法、酸素含有量500ppm、純度99.999のタングステン粉末を用いて、真空ホットプレス法HPにより、直径500mm、厚み12mmの予備成形体を作製した。HP条件は、温度を1600°C、圧力を39.2MPa400kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。得られた予備成形体を旋盤加工後、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行った。そして、重量÷体積÷タングステン理論密度の式から予備成形体の相対密度を測定した結果、80であった。また、加工の際に、分析サンプルブロックを採取して、成形体の酸素含有量を測定した結果、400ppmであった。酸素含有量の分析には、LECO社製分析装置TC-436を使用した。次に、得られた予備成形体をニオブ製カプセルにセットした後、電子ビーム溶接によってカプセルを封止した。その後、熱間等方圧プレスHIP処理を施すことで予備成形体を焼結した。HIP条件は、温度を1700°C、圧力を176.4MPa1800kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。その結果、直径460mm、厚み11mmのタングステン焼結体が得られた。得られたタングステン焼結体を旋盤による研削加工によって所定のターゲット形状直径440mm、厚み6mmに仕上げ、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行って相対密度を測定した。その結果、焼結体の相対密度は99.2であった。また、焼結体の平均粒径およびその標準偏差を測定したところ、平均粒径は10μm、標準偏差は5μmであった。平均粒径および標準偏差の測定には、ライカ社製粒径測定装置LeicaQ500IWを用いた。さらに、LECO社製分析装置TC-436を用いて、焼結体の酸素含有量を測定した結果、10ppm未満であった。続いて、得られたタングステンターゲットをアルミニウム製バッキングプレートにSnAg系ロウ材でボンディングし、スパッタリングカソードを構成した。そのスパッタリングカソードをアルバック社製スパッタリング装置ENTRON/エントロン登録商標に組み付け、直径300mmの半導体ウェーハ上にタングステン薄膜を形成した。その後、TOPCON社製表面検査装置WM100を用いてウェーハの表面を検査し、0.2μm以上の大きさのパーティクルの個数を測定したところ、7個であった。実施例8平均粒径3.5μm~4.5μmBET法、酸素含有量500ppm、純度99.999のタングステン粉末を用いて、真空ホットプレス法HPにより、直径500mm、厚み12mmの予備成形体を作製した。HP条件は、温度を1600°C、圧力を39.2MPa400kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。得られた予備成形体を旋盤加工後、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行った。そして、重量÷体積÷タングステン理論密度の式から予備成形体の相対密度を測定した結果、80であった。また、加工の際に、分析サンプルブロックを採取して、成形体の酸素含有量を測定した結果、400ppmであった。酸素含有量の分析には、LECO社製分析装置TC-436を使用した。次に、得られた予備成形体をニオブ製カプセルにセットした後、電子ビーム溶接によってカプセルを封止した。その後、熱間等方圧プレスHIP処理を施すことで予備成形体を焼結した。HIP条件は、温度を1750°C、圧力を176.4MPa1800kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。その結果、直径460mm、厚み11mmのタングステン焼結体が得られた。得られたタングステン焼結体を旋盤による研削加工によって所定のターゲット形状直径440mm、厚み6mmに仕上げ、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行って相対密度を測定した。その結果、焼結体の相対密度は99.4であった。また、焼結体の平均粒径およびその標準偏差を測定したところ、平均粒径は15μm、標準偏差は8μmであった。平均粒径および標準偏差の測定には、ライカ社製粒径測定装置LeicaQ500IWを用いた。さらに、LECO社製分析装置TC-436を用いて、焼結体の酸素含有量を測定した結果、10ppm未満であった。続いて、得られたタングステンターゲットをアルミニウム製バッキングプレートにSnAg系ロウ材でボンディングし、スパッタリングカソードを構成した。そのスパッタリングカソードをアルバック社製スパッタリング装置ENTRON/エントロン登録商標に組み付け、直径300mmの半導体ウェーハ上にタングステン薄膜を形成した。その後、TOPCON社製表面検査装置WM100を用いてウェーハの表面を検査し、0.2μm以上の大きさのパーティクルの個数を測定したところ、8個であった。実施例9平均粒径3.5μm~4.5μmBET法、酸素含有量500ppm、純度99.999のタングステン粉末を用いて、真空ホットプレス法HPにより、直径500mm、厚み12mmの予備成形体を作製した。HP条件は、温度を1600°C、圧力を39.2MPa400kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。得られた予備成形体を旋盤加工後、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行った。そして、重量÷体積÷タングステン理論密度の式から予備成形体の相対密度を測定した結果、80であった。また、加工の際に、分析サンプルブロックを採取して、成形体の酸素含有量を測定した結果、400ppmであった。酸素含有量の分析には、LECO社製分析装置TC-436を使用した。次に、得られた予備成形体をニオブ製カプセルにセットした後、電子ビーム溶接によってカプセルを封止した。その後、熱間等方圧プレスHIP処理を施すことで予備成形体を焼結した。HIP条件は、温度を1800°C、圧力を176.4MPa1800kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。その結果、直径460mm、厚み11mmのタングステン焼結体が得られた。得られたタングステン焼結体を旋盤による研削加工によって所定のターゲット形状直径440mm、厚み6mmに仕上げ、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行って相対密度を測定した。その結果、焼結体の相対密度は99.5であった。また、焼結体の平均粒径およびその標準偏差を測定したところ、平均粒径は18μm、標準偏差は9μmであった。平均粒径および標準偏差の測定には、ライカ社製粒径測定装置LeicaQ500IWを用いた。さらに、LECO社製分析装置TC-436を用いて、焼結体の酸素含有量を測定した結果、10ppm未満であった。続いて、得られたタングステンターゲットをアルミニウム製バッキングプレートにSnAg系ロウ材でボンディングし、スパッタリングカソードを構成した。そのスパッタリングカソードをアルバック社製スパッタリング装置ENTRON/エントロン登録商標に組み付け、直径300mmの半導体ウェーハ上にタングステン薄膜を形成した。その後、TOPCON社製表面検査装置WM100を用いてウェーハの表面を検査し、0.2μm以上の大きさのパーティクルの個数を測定したところ、13個であった。実施例10平均粒径3.5μm~4.5μmBET法、酸素含有量500ppm、純度99.999のタングステン粉末を用いて、真空ホットプレス法HPにより、直径500mm、厚み12mmの予備成形体を作製した。HP条件は、温度を1600°C、圧力を39.2MPa400kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。得られた予備成形体を旋盤加工後、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行った。そして、重量÷体積÷タングステン理論密度タングステン理論密度÷重量÷体積の式から予備成形体の相対密度を測定した結果、80であった。また、加工の際に、分析サンプルブロックを採取して、成形体の酸素含有量を測定した結果、400ppmであった。酸素含有量の分析には、LECO社製分析装置TC-436を使用した。次に、得られた予備成形体をニオブ製カプセルにセットした後、電子ビーム溶接によってカプセルを封止した。その後、熱間等方圧プレスHIP処理を施すことで予備成形体を焼結した。HIP条件は、温度を1850°C、圧力を176.4MPa1800kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。その結果、直径460mm、厚み11mmのタングステン焼結体が得られた。得られたタングステン焼結体を旋盤による研削加工によって所定のターゲット形状直径440mm、厚み6mmに仕上げ、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行って相対密度を測定した。その結果、焼結体の相対密度は99.8であった。また、焼結体の平均粒径およびその標準偏差を測定したところ、平均粒径は18μm、標準偏差は9μmであった。平均粒径および標準偏差の測定には、ライカ社製粒径測定装置LeicaQ500IWを用いた。さらに、LECO社製分析装置TC-436を用いて、焼結体の酸素含有量を測定した結果、10ppm未満であった。続いて、得られたタングステンターゲットをアルミニウム製バッキングプレートにSnAg系ロウ材でボンディングし、スパッタリングカソードを構成した。そのスパッタリングカソードをアルバック社製スパッタリング装置ENTRON/エントロン登録商標に組み付け、直径300mmの半導体ウェーハ上にタングステン薄膜を形成した。その後、TOPCON社製表面検査装置WM100を用いてウェーハの表面を検査し、0.2μm以上の大きさのパーティクルの個数を測定したところ、13個であった。比較例1平均粒径3.5μm~4.5μmBET法、酸素含有量500ppm、純度99.999のタングステン粉末を用いて、真空ホットプレス法HPにより、直径500mm、厚み12mmの予備成形体を作製した。HP条件は、温度を1500°C、圧力を39.2MPa400kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。得られた予備成形体を旋盤加工後、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行った。そして、重量÷体積÷タングステン理論密度タングステン理論密度÷重量÷体積の式から予備成形体の相対密度を測定した結果、60であった。また、加工の際に、分析サンプルブロックを採取して、成形体の酸素含有量を測定した結果、450ppmであった。酸素含有量の分析には、LECO社製分析装置TC-436を使用した。次に、得られた予備成形体をニオブ製カプセルにセットした後、電子ビーム溶接によってカプセルを封止した。その後、熱間等方圧プレスHIP処理を施すことで予備成形体を焼結した。HIP条件は、温度を1700°C、圧力を176.4MPa1800kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。その結果、直径460mm、厚み11mmのタングステン焼結体が得られた。得られたタングステン焼結体を旋盤による研削加工によって所定のターゲット形状直径440mm、厚み6mmに仕上げ、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行って相対密度を測定した。その結果、焼結体の相対密度は99.0であった。また、焼結体の平均粒径およびその標準偏差を測定したところ、平均粒径は40μm、標準偏差は30μmであった。平均粒径および標準偏差の測定には、ライカ社製粒径測定装置LeicaQ500IWを用いた。さらに、LECO社製分析装置TC-436を用いて、焼結体の酸素含有量を測定した結果、10ppmであった。続いて、得られたタングステンターゲットをアルミニウム製バッキングプレートにSnAg系ロウ材でボンディングし、スパッタリングカソードを構成した。そのスパッタリングカソードをアルバック社製スパッタリング装置ENTRON/エントロン登録商標に組み付け、直径300mmの半導体ウェーハ上にタングステン薄膜を形成した。その後、TOPCON社製表面検査装置WM100を用いてウェーハの表面を検査し、0.2μm以上の大きさのパーティクルの個数を測定したところ、47個であった。比較例2平均粒径3.5μm~4.5μmBET法、酸素含有量500ppm、純度99.999のタングステン粉末を用いて、真空ホットプレス法HPにより、直径500mm、厚み12mmの予備成形体を作製した。HP条件は、温度を1650°C、圧力を44.1MPa450kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。得られた予備成形体を旋盤加工後、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行った。そして、重量÷体積÷タングステン理論密度の式から予備成形体の相対密度を測定した結果、95であった。また、加工の際に、分析サンプルブロックを採取して、成形体の酸素含有量を測定した結果、300ppmであった。酸素含有量の分析には、LECO社製分析装置TC-436を使用した。次に、得られた予備成形体をニオブ製カプセルにセットした後、電子ビーム溶接によってカプセルを封止した。その後、熱間等方圧プレスHIP処理を施すことで予備成形体を焼結した。HIP条件は、温度を1700°C、圧力を176.4MPa1800kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。その結果、直径460mm、厚み11mmのタングステン焼結体が得られた。得られたタングステン焼結体を旋盤による研削加工によって所定のターゲット形状直径440mm、厚み6mmに仕上げ、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行って相対密度を測定した。その結果、焼結体の相対密度は99.4であった。また、焼結体の平均粒径およびその標準偏差を測定したところ、平均粒径は9μm、標準偏差は5μmであった。平均粒径および標準偏差の測定には、ライカ社製粒径測定装置LeicaQ500IWを用いた。さらに、LECO社製分析装置TC-436を用いて、焼結体の酸素含有量を測定した結果、90ppmであった。続いて、得られたタングステンターゲットをアルミニウム製バッキングプレートにSnAg系ロウ材でボンディングし、スパッタリングカソードを構成した。そのスパッタリングカソードをアルバック社製スパッタリング装置ENTRON/エントロン登録商標に組み付け、直径300mmの半導体ウェーハ上にタングステン薄膜を形成した。その後、TOPCON社製表面検査装置WM100を用いてウェーハの表面を検査し、0.2μm以上の大きさのパーティクルの個数を測定したところ、30個であった。比較例3平均粒径3.5μm~4.5μmBET法、酸素含有量180ppm、純度99.999のタングステン粉末を用いて、真空ホットプレス法HPにより、直径500mm、厚み12mmの予備成形体を作製した。HP条件は、温度を1600°C、圧力を39.2MPa400kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。得られた予備成形体を旋盤加工後、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行った。そして、重量÷体積÷タングステン理論密度の式から予備成形体の相対密度を測定した結果、80であった。また、加工の際に、分析サンプルブロックを採取して、成形体の酸素含有量を測定した結果、80ppmであった。酸素含有量の分析には、LECO社製分析装置TC-436を使用した。次に、得られた予備成形体をニオブ製カプセルにセットした後、電子ビーム溶接によってカプセルを封止した。その後、熱間等方圧プレスHIP処理を施すことで予備成形体を焼結した。HIP条件は、温度を1700°C、圧力を176.4MPa1800kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。その結果、直径460mm、厚み11mmのタングステン焼結体が得られた。得られたタングステン焼結体を旋盤による研削加工によって所定のターゲット形状直径440mm、厚み6mmに仕上げ、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行って相対密度を測定した。その結果、焼結体の相対密度は99.4であった。また、焼結体の平均粒径およびその標準偏差を測定したところ、平均粒径は80μm、標準偏差は60μmであった。平均粒径および標準偏差の測定には、ライカ社製粒径測定装置LeicaQ500IWを用いた。さらに、LECO社製分析装置TC-436を用いて、焼結体の酸素含有量を測定した結果、10ppm未満であった。続いて、得られたタングステンターゲットをアルミニウム製バッキングプレートにSnAg系ロウ材でボンディングし、スパッタリングカソードを構成した。そのスパッタリングカソードをアルバック社製スパッタリング装置ENTRON/エントロン登録商標に組み付け、直径300mmの半導体ウェーハ上にタングステン薄膜を形成した。その後、TOPCON社製表面検査装置WM100を用いてウェーハの表面を検査し、0.2μm以上の大きさのパーティクルの個数を測定したところ、63個であった。比較例4平均粒径3.5μm~4.5μmBET法、酸素含有量700ppm、純度99.999のタングステン粉末を用いて、真空ホットプレス法HPにより、直径500mm、厚み12mmの予備成形体を作製した。HP条件は、温度を1600°C、圧力を39.2MPa400kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。得られた予備成形体を旋盤加工後、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行った。そして、重量÷体積÷タングステン理論密度の式から予備成形体の相対密度を測定した結果、80であった。また、加工の際に、分析サンプルブロックを採取して、成形体の酸素含有量を測定した結果、650ppmであった。酸素含有量の分析には、LECO社製分析装置TC-436を使用した。次に、得られた予備成形体をニオブ製カプセルにセットした後、電子ビーム溶接によってカプセルを封止した。その後、熱間等方圧プレスHIP処理を施すことで予備成形体を焼結した。HIP条件は、温度を1700°C、圧力を176.4MPa1800kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。その結果、直径460mm、厚み11mmのタングステン焼結体が得られた。得られたタングステン焼結体を旋盤による研削加工によって所定のターゲット形状直径440mm、厚み6mmに仕上げ、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行って相対密度を測定した。その結果、焼結体の相対密度は99.3であった。また、焼結体の平均粒径およびその標準偏差を測定したところ、平均粒径は8μm、標準偏差は5μmであった。平均粒径および標準偏差の測定には、ライカ社製粒径測定装置LeicaQ500IWを用いた。さらに、LECO社製分析装置TC-436を用いて、焼結体の酸素含有量を測定した結果、60ppmであった。続いて、得られたタングステンターゲットをアルミニウム製バッキングプレートにSnAg系ロウ材でボンディングし、スパッタリングカソードを構成した。そのスパッタリングカソードをアルバック社製スパッタリング装置ENTRON/エントロン登録商標に組み付け、直径300mmの半導体ウェーハ上にタングステン薄膜を形成した。その後、TOPCON社製表面検査装置WM100を用いてウェーハの表面を検査し、0.2μm以上の大きさのパーティクルの個数を測定したところ、27個であった。比較例5平均粒径3.5μm~4.5μmBET法、酸素含有量500ppm、純度99.999のタングステン粉末を用いて、真空ホットプレス法HPにより、直径500mm、厚み12mmの予備成形体を作製した。HP条件は、温度を1600°C、圧力を39.2MPa400kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。得られた予備成形体を旋盤加工後、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行った。そして、重量÷体積÷タングステン理論密度の式から予備成形体の相対密度を測定した結果、80であった。また、加工の際に、分析サンプルブロックを採取して、成形体の酸素含有量を測定した結果、400ppmであった。酸素含有量の分析には、LECO社製分析装置TC-436を使用した。次に、得られた予備成形体をニオブ製カプセルにセットした後、電子ビーム溶接によってカプセルを封止した。その後、熱間等方圧プレスHIP処理を施すことで予備成形体を焼結した。HIP条件は、温度を1650°C、圧力を176.4MPa1800kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。その結果、直径460mm、厚み11mmのタングステン焼結体が得られた。得られたタングステン焼結体を旋盤による研削加工によって所定のターゲット形状直径440mm、厚み6mmに仕上げ、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行って相対密度を測定した。その結果、焼結体の相対密度は98.5であった。また、焼結体の平均粒径およびその標準偏差を測定したところ、平均粒径は8μm、標準偏差は5μmであった。平均粒径および標準偏差の測定には、ライカ社製粒径測定装置LeicaQ500IWを用いた。さらに、LECO社製分析装置TC-436を用いて、焼結体の酸素含有量を測定した結果、10ppm未満であった。続いて、得られたタングステンターゲットをアルミニウム製バッキングプレートにSnAg系ロウ材でボンディングし、スパッタリングカソードを構成した。そのスパッタリングカソードをアルバック社製スパッタリング装置ENTRON/エントロン登録商標に組み付け、直径300mmの半導体ウェーハ上にタングステン薄膜を形成した。その後、TOPCON社製表面検査装置WM100を用いてウェーハの表面を検査し、0.2μm以上の大きさのパーティクルの個数を測定したところ、55個であった。比較例6平均粒径3.5μm~4.5μmBET法、酸素含有量500ppm、純度99.999のタングステン粉末を用いて、真空ホットプレス法HPにより、直径500mm、厚み12mmの予備成形体を作製した。HP条件は、温度を1600°C、圧力を39.2MPa400kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。得られた予備成形体を旋盤加工後、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行った。そして、重量÷体積÷タングステン理論密度の式から予備成形体の相対密度を測定した結果、80であった。また、加工の際に、分析サンプルブロックを採取して、成形体の酸素含有量を測定した結果、400ppmであった。酸素含有量の分析には、LECO社製分析装置TC-436を使用した。次に、得られた予備成形体をニオブ製カプセルにセットした後、電子ビーム溶接によってカプセルを封止した。その後、熱間等方圧プレスHIP処理を施すことで予備成形体を焼結した。HIP条件は、温度を1900°C、圧力を176.4MPa1800kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。その結果、直径460mm、厚み11mmのタングステン焼結体が得られた。得られたタングステン焼結体を旋盤による研削加工によって所定のターゲット形状直径440mm、厚み6mmに仕上げ、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行って相対密度を測定した。その結果、焼結体の相対密度は99.8であった。また、焼結体の平均粒径およびその標準偏差を測定したところ、平均粒径は40μm、標準偏差は30μmであった。平均粒径および標準偏差の測定には、ライカ社製粒径測定装置LeicaQ500IWを用いた。さらに、LECO社製分析装置TC-436を用いて、焼結体の酸素含有量を測定した結果、10ppm未満であった。続いて、得られたタングステンターゲットをアルミニウム製バッキングプレートにSnAg系ロウ材でボンディングし、スパッタリングカソードを構成した。そのスパッタリングカソードをアルバック社製スパッタリング装置ENTRON/エントロン登録商標に組み付け、直径300mmの半導体ウェーハ上にタングステン薄膜を形成した。その後、TOPCON社製表面検査装置WM100を用いてウェーハの表面を検査し、0.2μm以上の大きさのパーティクルの個数を測定したところ、42個であった。比較例7平均粒径3.5μm~4.5μmBET法、酸素含有量700ppm、純度99.999のタングステン粉末を用いて、真空ホットプレス法HPにより、直径500mm、厚み12mmの予備成形体を作製した。HP条件は、温度を1650°C、圧力を44.1MPa450kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。得られた予備成形体を旋盤加工後、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行った。そして、重量÷体積÷タングステン理論密度の式から予備成形体の相対密度を測定した結果、93であった。また、加工の際に、分析サンプルブロックを採取して、成形体の酸素含有量を測定した結果、600ppmであった。酸素含有量の分析には、LECO社製分析装置TC-436を使用した。次に、得られた予備成形体をニオブ製カプセルにセットした後、電子ビーム溶接によってカプセルを封止した。その後、熱間等方圧プレスHIP処理を施すことで予備成形体を焼結した。HIP条件は、温度を1700°C、圧力を176.4MPa1800kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。その結果、直径460mm、厚み11mmのタングステン焼結体が得られた。得られたタングステン焼結体を旋盤による研削加工によって所定のターゲット形状直径440mm、厚み6mmに仕上げ、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行って相対密度を測定した。その結果、焼結体の相対密度は99.2であった。また、焼結体の平均粒径およびその標準偏差を測定したところ、平均粒径は10μm、標準偏差は15μmであった。平均粒径および標準偏差の測定には、ライカ社製粒径測定装置LeicaQ500IWを用いた。さらに、LECO社製分析装置TC-436を用いて、焼結体の酸素含有量を測定した結果、10ppm未満であった。続いて、得られたタングステンターゲットをアルミニウム製バッキングプレートにSnAg系ロウ材でボンディングし、スパッタリングカソードを構成した。そのスパッタリングカソードをアルバック社製スパッタリング装置ENTRON/エントロン登録商標に組み付け、直径300mmの半導体ウェーハ上にタングステン薄膜を形成した。その後、TOPCON社製表面検査装置WM100を用いてウェーハの表面を検査し、0.2μm以上の大きさのパーティクルの個数を測定したところ、30個であった。比較例8平均粒径3.5μm~4.5μmBET法、酸素含有量700ppm、純度99.999のタングステン粉末を用いて、真空ホットプレス法HPにより、直径500mm、厚み12mmの予備成形体を作製した。HP条件は、温度を1650°C、圧力を44.1MPa450kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。得られた予備成形体を旋盤加工後、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行った。そして、重量÷体積÷タングステン理論密度の式から予備成形体の相対密度を測定した結果、93であった。また、加工の際に、分析サンプルブロックを採取して、成形体の酸素含有量を測定した結果、600ppmであった。酸素含有量の分析には、LECO社製分析装置TC-436を使用した。次に、得られた予備成形体をニオブ製カプセルにセットした後、電子ビーム溶接によってカプセルを封止した。その後、熱間等方圧プレスHIP処理を施すことで予備成形体を焼結した。HIP条件は、温度を1750°C、圧力を176.4MPa1800kg/cm2、プレス保持時間を3時間とした。その結果、直径460mm、厚み11mmのタングステン焼結体が得られた。得られたタングステン焼結体を旋盤による研削加工によって所定のターゲット形状直径440mm、厚み6mmに仕上げ、ノギスによる寸法測定と電子天秤による重量測定とを行って相対密度を測定した。その結果、焼結体の相対密度は99.4であった。また、焼結体の平均粒径およびその標準偏差を測定したところ、平均粒径は15μm、標準偏差は20μmであった。平均粒径および標準偏差の測定には、ライカ社製粒径測定装置LeicaQ500IWを用いた。さらに、LECO社製分析装置TC-436を用いて、焼結体の酸素含有量を測定した結果、10ppm未満であった。続いて、得られたタングステンターゲットをアルミニウム製バッキングプレートにSnAg系ロウ材でボンディングし、スパッタリングカソードを構成した。そのスパッタリングカソードをアルバック社製スパッタリング装置ENTRON/エントロン登録商標に組み付け、直径300mmの半導体ウェーハ上にタングステン薄膜を形成した。その後、TOPCON社製表面検査装置WM100を用いてウェーハの表面を検査し、0.2μm以上の大きさのパーティクルの個数を測定したところ、40個であった。実施例1~10および比較例1~8の結果を表1に示す。実施例1~10に示すように、タングステン粉末の予備成形体は、相対密度が70以上90以下、酸素含有量が100ppm以上500ppm以下に調整される。この予備成形体を1700°C以上1850°C以下の温度でHIP処理することにより、20μm以下かつ標準偏差10μm以下の平均粒径と、99以上の相対密度と、10ppm以下の低酸素含有量とを有するタングステン焼結体を得ることができる。このような焼結体をスパッタリングターゲットに用いることで、パーティクルの発生が効果的に抑制される。したがって、高品質なタングステン薄膜を安定して形成することが可能となる。また、実施例1~8に示すように、1700°C以上1750°C以下でHIP処理されたタングステンターゲットによれば、焼結体の平均粒径のバラツキをより小さく抑えることが可能となるため、パーティクルの発生頻度の更なる低減を図ることができる。比較例1では、実施例1と比べて、予備成形体の相対密度が60と低かったため、99を超える相対密度を有する焼結体を得ることはできなかった。また、焼結体の平均粒径が40μmと大きく、その標準偏差も30μmと比較的大きかった。このため、パーティクルの発生頻度が高く、実施例1の5倍以上の数が確認された。比較例2では、実施例3と比べて、予備成形体の相対密度が95と高かったため、99を超える相対密度を有する焼結体を得ることはできたが、焼結時の脱ガス作用が不十分であったため焼結体の酸素含有量は90ppmと多かった。このため、パーティクルの発生頻度が高く、実施例3の3倍以上の数が確認された。比較例3では、実施例4と比べて、予備成形体の酸素含有量が80ppmと低かったため、焼結体の酸素含有量は低く抑えられたが、焼結体の平均粒径が大きく、ばらつきも大きくなる傾向にあることが確認された。このため、パーティクルの発生頻度が高く、実施例4の7倍以上の数が確認された。比較例4では、実施例6と比べて、予備成形体の酸素含有量が650ppmと高かったため、焼結体の平均粒径およびその標準偏差を低く抑えることができたが、焼結時の脱気作用が不十分となり、焼結体の酸素含有量が60ppmと多いことが確認された。このため、パーティクルの発生頻度が高く、実施例6の3倍以上の数が確認された。比較例5では、実施例1と比べて、予備成形体の焼結温度が1650°Cと低かったため、焼結体の相対密度が98.5と低いことが確認された。このため、パーティクルの発生頻度が高く、実施例1の6倍以上の数が確認された。比較例6では、実施例10と比べて、予備成形体の焼結温度が1900°Cと高かったため、焼結体の平均粒径および標準偏差が大きくなることが確認された。このため、パーティクルの発生頻度が高く、実施例10の3倍以上の数が確認された。比較例7では、実施例3と比べて、予備成形体の相対密度が93と高く、酸素含有量も600ppmと多かったため、焼結体の平均粒径の標準偏差が大きくなることが確認された。このため、パーティクルの発生頻度が高く、実施例3の3倍以上の数が確認された。比較例8では、実施例8と比べて、予備成形体の相対密度が93と高く、酸素含有量も600ppmと多かったため、焼結体の平均粒径の標準偏差が大きくなることが確認された。このため、パーティクルの発生頻度が高く、実施例8の5倍以上の数が確認された。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。例えば以上の実施形態では、予備成形体の作製に真空ホットプレス法を採用したが、これに限られず、大気圧下でのホットプレス法のほか、冷間等方圧プレス法CIP、熱間等方圧プレス法HIPなどの他のプレス法が採用されてもよい。