"光電変換素子を有するセンサー基板と、前記センサー基板上の少なくとも一部に設けられた非イオン性層と、前記非イオン性層上に設けられると共に、放射線の波長を前記光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換部材とを備えた放射線撮像装置。前記センサー基板は、絶縁保護膜により被覆されており、前記非イオン性層は前記絶縁保護膜上に設けられている請求項1に記載の放射線撮像装置。前記センサー基板の光入射側の面は凹凸形状を有し、前記非イオン性層は、少なくとも前記凹凸形状の凹部を埋め込むように設けられている請求項1に記載の放射線撮像装置。前記非イオン性層は、前記センサー基板側に前記凹凸形状に倣った凹凸面、前記波長変換部材側に平坦面をそれぞれ有する請求項3に記載の放射線撮像装置。前記非イオン性層は、シリコン樹脂、アクリル樹脂またはパリレン樹脂により構成されている請求項4に記載の放射線撮像装置。前記非イオン性層は、シリコン樹脂により構成されている請求項5に記載の放射線撮像装置。前記波長変換部材は平板状のものであり、前記非イオン性層に対して非接着となっている請求項1に記載の放射線撮像装置。前記センサー基板および前記波長変換部材の間に、外部からの水分の介入を抑制する防湿層が設けられ、前記非イオン性層として空気層を有する請求項1に記載の放射線撮像装置。前記センサー基板および前記波長変換部材の間に、吸湿層が設けられ、前記非イオン性層として空気層を有する請求項1に記載の放射線撮像装置。前記光電変換素子は、PINダイオードである請求項1に記載の放射線撮像装置。前記センサー基板では、前記光電変換素子およびトランジスタが並設されている請求項10に記載の放射線撮像装置。前記トランジスタは、多結晶シリコン、微結晶シリコン、非晶質シリコンおよび酸化物半導体のうちのいずれかにより構成された半導体層を含む請求項11に記載の放射線撮像装置。前記半導体層は、低温多結晶シリコンにより構成されている請求項12に記載の放射線撮像装置。放射線に基づく画像を取得する撮像装置と、前記撮像装置により取得された画像を表示する表示装置とを有し、前記撮像装置は、光電変換素子を有するセンサー基板と、前記センサー基板上に設けられた非イオン性層と、前記非イオン性層上に設けられると共に、放射線の波長を前記光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換部材とを備えた放射線撮像表示システム。ところが、上記特許文献1の手法のようなシンチレータプレートを用いる場合、センサー基板とシンチレータプレートの間に結露が生じ、これに起因して暗電流が増加する。この暗電流の発生は画質低下を招くため、改善が望まれる。本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、結露に起因する画質低下を抑制することが可能な放射線撮像装置および放射線撮像表示システムを提供することにある。本開示の放射線撮像装置は、光電変換素子を有するセンサー基板と、センサー基板上に設けられた非イオン性層と、非イオン性層上に設けられると共に、放射線の波長を光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換部材とを備えたものである。本開示の放射線撮像表示システムは、放射線に基づく画像を取得する撮像装置上記本開示の放射線撮像装置と、この撮像装置により取得された画像を表示する表示装置とを備えたものである。本開示の放射線撮像装置および放射線撮像表示システムでは、入射した放射線は、波長変換部材を通過後、光電変換素子において受光されることにより、その受光量に対応する電気信号画像情報が得られる。ここで、波長変換部材とセンサー基板との間に、結露によって水が溜まると、水に含まれるイオン成分と光電変換素子光電変換素子の電極等とのカップリングが生じ、暗電流が増加することがあるが、非イオン性層が設けられていることにより、そのようなカップリングが抑制され、暗電流が生じにくい。本開示の放射線撮像装置および放射線撮像表示システムによれば、波長変換部材とセンサー基板との間に非イオン性層を設けるようにしたので、波長変換部材とセンサー基板との間に結露を生じた場合であっても、それによる暗電流の増加を抑制することができる。よって、結露に起因する画質低下を抑制することが可能となる。以下、本開示における実施形態について図面を参照して説明する。尚、説明は以下の順序で行う。1.実施の形態センサー基板とシンチレータプレートとの間に高平坦化膜非イオン性層を設けた例2.変形例1センサー基板上の一部に非イオン性層を設けた例3.変形例2センサー基板とシンチレータプレートとを防湿層により封止した例4.変形例3パッシブ駆動方式による画素回路の例5.変形例4フォトダイオードのp型半導体層に非晶質シリコンを用いた例6.適用例放射線撮像表示システムの例<実施の形態>[構成]図1は、本開示の一実施の形態に係る放射線撮像装置放射線撮像装置1の全体構成を表すものである。放射線撮像装置1は、α線、β線、γ線、X線に代表される放射線を波長変換して受光し、放射線に基づく画像情報を読み取るものである。この放射線撮像装置1は、医療用をはじめ、手荷物検査等のその他の非破壊検査用のX線撮像装置として好適に用いられるものである。放射線撮像装置1は、センサー基板10上にシンチレータプレートシンチレータパネル30が対向配置されたものである。これらのセンサー基板10およびシンチレータプレート30は、別々のモジュールとして作製されたものである。本実施の形態では、これらのセンサー基板10とシンチレータプレートとの間に、高平坦化膜20非イオン性層が設けられている。尚、このシンチレータプレート30が、本開示の波長変換部材の一具体例に相当する。[センサー基板10]センサー基板10は、複数の画素を有するものであり、基板11の表面にフォトダイオード111A光電変換素子とトランジスタ111Bとを含む画素回路後述の画素回路12aが形成されたものである。本実施の形態では、これらのフォトダイオード111Aおよびトランジスタ111Bは、ガラス等よりなる基板11上に並設されており、それらの一部ここでは、後述のゲート絶縁膜121,第1層間絶縁膜112A,第2層間絶縁膜112Bが互いに共通の層となっている。フォトダイオード111Aフォトダイオード111Aは、入射光の光量受光量に応じた電荷量の電荷光電荷を発生して内部に蓄積する光電変換素子であり、例えばPINフォトダイオードよりなる。フォトダイオード111Aでは、その感度域が例えば可視域となっている受光波長帯域が可視域である。このフォトダイオード111Aは、例えば、基板11上の選択的な領域に、ゲート絶縁膜121を介してp型半導体層122を有している。基板11上詳細にはゲート絶縁膜121上には、そのp型半導体層122に対向してコンタクトホール貫通孔H1を有する第1層間絶縁膜112Aが設けられている。第1層間絶縁膜112AのコンタクトホールH1において、p型半導体層122上にはi型半導体層123が設けられており、このi型半導体層123上にn型半導体層124が形成されている。n型半導体層124には、第2層間絶縁膜112BのコンタクトホールH2を介して上部電極125が接続されている。尚、ここでは、基板側下部側にp型半導体層122、上部側にn型半導体層16をそれぞれ設けた例を挙げたが、これと逆の構造、即ち下部側基板側をn型、上部側をp型とした構造であってもよい。ゲート絶縁膜121は、例えば、フォトダイオード111Aおよびトランジスタ111Bに共通の層として設けられたものであり、例えば酸化シリコンSiO2膜、酸窒化シリコンSiON膜および窒化シリコン膜SiNのうちの1種よりなる単層膜またはそれらのうちの2種以上よりなる積層膜により構成されている。p型半導体層122は、例えば多結晶シリコンポリシリコンまたは微結晶シリコンに例えばボロンBがドープされてなるp領域であり、厚みは例えば40nm~50nmである。p型半導体層122は、例えば信号電荷を読み出すための下部電極として機能し、後述の蓄積ノードNに接続されているp型半導体層122が蓄積ノードNを兼ねている。第1層間絶縁膜112Aおよび第2層間絶縁膜112Bは、例えば酸化シリコン膜および窒化シリコン膜等の絶縁膜を積層したものである。これらの第1層間絶縁膜112Aおよび第2層間絶縁膜112Bは、フォトダイオード111Aおよびトランジスタ111Bに共通の層としてそれぞれ形成されている。i型半導体層123は、p型半導体層122およびn型半導体層124よりも導電性の低い半導体層、例えばノンドープの真性半導体層であり、例えば非晶質シリコンアモルファスシリコンにより構成されている。i型半導体層123の厚みは、例えば400nm~1000nmであるが、厚みが大きい程、光感度を高めることができる。n型半導体層124は、例えば非晶質シリコンにより構成され、n領域を形成するものである。このn型半導体層124の厚みは例えば、10nm~50nmである。上部電極125は、例えば光電変換のための基準電位を供給するための電極であり、基準電位供給用の電源配線後述の端子133に接続されている。この上部電極125は、例えばITO等の透明導電膜により構成されている。このフォトダイオード111Aは、第1層間絶縁膜112Aおよび第2層間絶縁膜112Bに設けられたコンタクトホールH1,H2に対応する領域に、p型半導体層122,i型半導体層123およびn型半導体層124を積層したものである。このため、センサー基板10の光入射側の面では、例えばフォトダイオード111Aの形成領域に対応して、コンタクトホールH1,H2に起因する沈み込み凹み10aが生じている。即ち、センサー基板10の光入射側の面は凹凸面となっている凹凸形状を有している。トランジスタ111Bトランジスタ111Bは、例えば電界効果トランジスタFET:Fieldeffecttransistorである。基板11上に、例えばTi、Al、Mo、W、Cr等からなるゲート電極120が形成され、このゲート電極120上にはゲート絶縁膜121が形成されている。ゲート絶縁膜121上に半導体層126が形成されており、この半導体層126は、チャネル領域と126aと、LDD126bと、n領域またはp領域126cを有している。半導体層126は、例えば多結晶シリコン、微結晶シリコンまたは非晶質シリコンにより構成され、望ましくは低温多結晶シリコンLTPS:LowtemperaturePolySiliconにより構成されている。あるいは、酸化インジウムガリウム亜鉛InGaZnOまたは酸化亜鉛ZnO等の酸化物半導体により構成されていてもよい。このような半導体層126上に設けられた第1層間絶縁膜112Aには、読出し用の信号線や各種の配線に接続された配線層128ソース電極またはドレイン電極がTi、Al、Mo、W、Cr等によって形成されている。尚、このトランジスタ111Bは、後述の3つのトランジスタTr1,Tr2,Tr3のいずれかに相当するものである。これらのフォトダイオード111Aおよびトランジスタ111Bを覆って、保護膜129が設けられている。保護膜129は、例えば酸化シリコン、窒化シリコンなどの絶縁膜より構成され、厚みは例えば175nmとなっている。図2は、上記のようなセンサー基板10の全体構成を表したものである。センサー基板10は、基板11上に、撮像エリアとしての画素部12を有すると共に、この画素部12の周辺領域に、例えば行走査部13、水平選択部14、列走査部15およびシステム制御部16からなる周辺回路駆動回路を有している。画素部12は、例えば行列状に2次元配置された単位画素P以下、単に画素と記述する場合もあるを有し、単位画素Pは、前述のフォトダイオード111Aおよびトランジスタ111Bを含んでいる。この単位画素Pには、例えば画素行ごとに画素駆動線17具体的には行選択線およびリセット制御線が配線され、画素列ごとに垂直信号線18が配線されている。画素駆動線17は、画素からの信号読み出しのための駆動信号を伝送するものである。画素駆動線17の一端は、行走査部13の各行に対応した出力端に接続されている。周辺回路行走査部13は、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、画素部12の各画素Pを、例えば行単位で駆動する画素駆動部である。行走査部13によって選択走査された画素行の各画素Pから出力される信号は、垂直信号線18の各々を通して水平選択部14に供給される。水平選択部14は、垂直信号線18ごとに設けられたアンプや水平選択スイッチ等によって構成されている。列走査部15は、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、水平選択部14の各水平選択スイッチを走査しつつ順番に駆動するものである。この列走査部15による選択走査により、垂直信号線18の各々を通して伝送される各画素の信号が順番に水平信号線19に出力され、当該水平信号線19を通して基板11の外部へ伝送される。行走査部13、水平選択部14、列走査部15および水平信号線19からなる回路部分は、基板11上に直に形成されていてもよいし、あるいは外部制御ICに配設されたものであってもよい。また、それらの回路部分は、ケーブル等により接続された他の基板に形成されていてもよい。システム制御部16は、基板11の外部から与えられるクロックや、動作モードを指令するデータなどを受け取り、また、放射線撮像装置1の内部情報などのデータを出力するものである。システム制御部16はさらに、各種のタイミング信号を生成するタイミングジェネレータを有し、当該タイミングジェネレータで生成された各種のタイミング信号を基に行走査部13、水平選択部14および列走査部15などの周辺回路の駆動制御を行う。画素回路図3は、画素回路画素回路12aの一例を表したものである。画素回路12aは、フォトダイオード111Aと、トランジスタTr1,Tr2,Tr3前述のトランジスタ111Bに相当と、前述の垂直信号線18と、画素駆動線17としての行選択線171およびリセット制御線172とを含むものである。フォトダイオード111Aの一端には、例えば端子133を通じて基準電位Vxrefが供給され、他端は蓄積ノードNに接続されている。蓄積ノードNには容量成分136が存在し、フォトダイオード111Aで発生した信号電荷は蓄積ノードNに蓄積される。尚、フォトダイオード111Aを蓄積ノードNとグランドGNDとの間に接続した構成としてもよい。トランジスタTr1は、リセットトランジスタであり、参照電位Vrefが与えられる端子137と蓄積ノードNとの間に接続されている。このトランジスタTr1は、リセット信号Vrstに応答してオンすることによって蓄積ノードNの電位を参照電位Vrefにリセットするものである。トランジスタTr2は、読出トランジスタであり、ゲートが蓄積ノードNに、ドレイン側の端子134が電源VDDにそれぞれ接続されている。このトランジスタTr2は、フォトダイオード111Aで発生した信号電荷をゲートで受け、この信号電荷に応じた信号電圧を出力する。トランジスタTr3は、行選択トランジスタであり、トランジスタTr2のソースと垂直信号線18との間に接続されており、行走査信号Vreadに応答してオンすることにより、トランジスタTr2から出力される信号を垂直信号線18に出力する。このトランジスタTr3については、トランジスタTr2のドレインと電源VDDとの間に接続する構成を採ることも可能である。[シンチレータプレート30]シンチレータプレート30は、上述のように、センサー基板とは別のモジュールとして作製されるものである。このシンチレータプレート30は、平板状プレート状の波長変換部材であり、例えばガラスなどの透明な基板上にシンチレータ層図示せずが設けられたものである。シンチレータ層上には、更に防湿性を有する保護膜が形成されていてもよく、あるいはシンチレータ層および基板の全体を覆うように保護膜が設けられていてもよい。このようなシンチレータプレート30には、例えば放射線X線を可視光に変換するシンチレータ蛍光体が用いられる。このような蛍光体としては、例えば、ヨウ化セシウムCsIにタリウムTlを添加したものCsI;Tl、酸化硫黄カドミウムGd2O2SにテルビウムTbを添加したもの、BaFXXはCl,Br,I等等が挙げられる。シンチレータ層の厚みは100μm~600μmであることが望ましい。例えば材料としてCsI;Tlを用いた場合には、厚みは例えば600μmである。尚、このシンチレータ層は、透明基板上に例えば真空蒸着法を用いて成膜することができる。ここでは、上記のようなシンチレータプレートを例示したが、放射線をフォトダイオード111Aの感度域に波長変換可能な波長変換部材であればよく、上述の材料に特に限定されない。[高平坦化膜20]上記のようなセンサー基板10とシンチレータプレート30との間には、高平坦化膜20が設けられている。上述のように、センサー基板10の表面は、フォトダイオード111Aの形成領域に対応して凹み10aを有するが、高平坦化膜20は、少なくともこのような凹み10aを埋め込むようにセンサー基板10上に設けられている。ここでは、高平坦化膜20は、センサー基板10上にフォトダイオード111Aの各層の厚みよりも大きな厚みで設けられており、センサー基板10の表面に形成された凹凸形状を平坦化する役割を有している。換言すると、高平坦化膜20は、センサー基板10側にその凹凸形状に倣った凹凸面を有する一方、シンチレータプレート30側の面は平坦となっている。高平坦化膜20は、非イオン性を有する電気分解によってイオンを生じないと共に、例えば可視光に対して透明性を有する材料により構成されている。また望ましくは、本実施の形態のように平坦性に優れた材料により構成されている。このような材料としては、シリコン樹脂シリコーンsilicone、アクリル樹脂またはパリレン樹脂などが挙げられ、シリコン樹脂からなることがより望ましい。高平坦化膜20の厚みは、例えばフォトダイオード111Aの各層の厚みよりも十分に大きくなるように設定されていることが望ましく、例えば3μm以上となっている。このような高平坦化膜20は、シンチレータプレート30と対面して設けられるが、これらの各対向面同士は非接触となっている僅かな空気層を挟んで設けられており、密着されていない。但し、高平坦化膜20とシンチレータプレート30とは、画素部よりも外側周辺領域において、シール材により接着されていてもよい。[製造方法]上記のような放射線撮像装置1は、例えば次のようにして製造することができる。即ち、まず、センサー基板10を作製する。例えば、ガラスよりなる基板11上に、フォトダイオード111Aおよびトランジスタ111Bを、公知の薄膜プロセスにより形成する。本実施の形態では、これらのフォトダイオード111Aおよびトランジスタ111Bの少なくとも一部を、同一プロセスにおいて一括形成するが、ここでは、フォトダイオード111Aの形成方法について詳細に説明する。図4~図8は、フォトダイオード111Aの形成方法を工程順に表したものである。まず、図4Aに示したように、基板11上に、SiN層121aおよびSiO2層121bをこの順に、例えばCVDChemicalVaporDeposition:化学気相成長法により成膜することにより、ゲート絶縁膜121を形成する。形成したゲート絶縁膜121上に、例えばCVD法により、アモルファスシリコンα-Si層122Aを成膜する。次いで、図4Bに示したように、例えば400°C~450°Cの温度下において、脱水素アニール処理を施す。この後、図4Cに示したように、例えばエキシマレーザアニールELAにより、例えば波長308nmのレーザ光Lを照射し、α-Si層122Aを多結晶化する。これにより、絶縁膜13上に、ポリシリコンp-Si層122Bが形成される。続いて、図5Aに示したように、形成したp-Si層122Bに対し、例えばボロンBイオンを、例えばイオンインプラ等によりドープする。これにより、ゲート絶縁膜121上に、p領域となるp型半導体層122が形成される。この後、図5Bに示したように、p型半導体層122を、例えばフォトリソグラフィによってパターニングする。次いで、図5Cに示したように、p型半導体層122を形成した基板11の全面に渡って、SiO2層112a1,SiN層112a2およびSiO2層112a3をこの順に、例えばCVD法により成膜する。これにより、第1層間絶縁膜112Aが形成される。続いて、図6Aに示したように、例えばフォトリソグラフィにより、第1層間絶縁膜112Aのp型半導体層122に対向する領域に、コンタクトホールH1を形成する。この際、例えば、第1層間絶縁膜112AにおけるSiO2層112a1,SiN層112a2およびSiO2層112a3の3層を、例えばドライエッチング等の1回1段階のエッチングプロセスで除去する。次いで、図6Bに示したように、第1層間絶縁膜112A上に、コンタクトホールH1を埋め込むように、i型半導体層123およびn型半導体層124をこの順に、例えばCVD法により成膜する。これにより、i型半導体層123およびn型半導体層124には、コンタクトホールH1の高低差により沈み込みが生じる。続いて、図7Aに示したように、形成したi型半導体層123およびn型半導体層124を、例えばフォトリソグラフィにより、所定の形状にパターニングする。尚、このパターニングの際には、第1層間絶縁膜112AにおけるSiO2層112a3がエッチングストッパ層として機能する。次いで、図7Bに示したように、例えばCVD法により、基板11の全面に、第2層間絶縁膜112Bを成膜する。続いて、図8Aに示したように、第2層間絶縁膜112Bのn型半導体層124に対向する領域に、例えばフォトリソグラフィによりコンタクトホールH2を形成する。この後、図8Bに示したように、上部電極125を、例えばスパッタ法により成膜する。この際、上部電極125にも、コンタクトホールH1,H2に応じた沈み込みが生じる。このようにして、図1に示したフォトダイオード111Aを完成する。フォトダイオード111Aおよびトランジスタ111Bを形成した後、これらを覆うように、保護膜129を例えばCVD法により成膜することにより、センサー基板10を作製することができる。この後、センサー基板10上に、例えば上述した樹脂材料を、例えばスピンコート法により塗布形成した後、焼成することにより、高平坦化膜20を形成する。最後に、別途用意したシンチレータプレート30を、センサー基板10上に高平坦化膜20を間にして貼り合わせる画素部の周辺領域をシール材等により接着するか、または、画素部周辺あるいはパネル全面を押さえて固定する。これにより、図1に示した放射線撮像装置1を完成する。[作用効果]本実施の形態の作用、効果について、図1~図3,図9および図10を参照して説明する。放射線撮像装置1では、図示しない放射線例えばX線照射源から照射され、被写体検出体を透過した放射線が入射すると、この入射した放射線が波長変換後に光電変換され、被写体の画像が電気信号として得られる。詳細には、放射線撮像装置1に入射した放射線は、まず、シンチレータプレート30において、フォトダイオード111Aの感度域ここでは可視域の波長に変換されるシンチレータプレート30において可視光を発光する。このようにしてシンチレータプレート30から発せられた可視光は、高平坦化膜20を経てセンサー基板10へ入射する。センサー基板10では、フォトダイオード111Aの一端例えば、上部電極125に、図示しない電源配線から所定の電位が印加されると、上部電極125の側から入射した光が、その受光量に応じた電荷量の信号電荷に変換される光電変換がなされる。この光電変換によって発生した信号電荷は、フォトダイオード111Aの他端例えば、p型半導体層122側から光電流として取り出される。詳細には、フォトダイオード111Aにおける光電変換によって発生した電荷は、蓄積ノードNにおいて収集され、この蓄積ノードNから電流として読み出され、トランジスタTr2読出トランジスタのゲートに与えられる。トランジスタTr2はこの読み出された信号電荷に応じた信号電圧を出力する。トランジスタTr2から出力される信号は、行走査信号Vreadに応答してトランジスタTr3がオンすると、垂直信号線18に出力される読み出される。垂直信号線18に出力された信号は、垂直信号線18を通じて画素列ごとに、水平選択部14へ出力される。本実施の形態では、フォトダイオード111Aを第1層間絶縁膜112Aおよび第2層間絶縁膜112BのコンタクトホールH1,H2を埋め込むように形成するため、センサー基板10の表面には、凹み10aが設けられている凹凸形状を有している。比較例ここで、図9に、本実施の形態の比較例に係る放射線撮像装置放射線撮像装置100における断面構造について示す。比較例においても、本実施の形態と同様の積層構造を有するセンサー基板101上に、シンチレータプレート103が非接触の状態で配設されている。センサー基板101の表面には、フォトダイオード111Aの形成箇所に対応して凹み101aが形成されている。但し、比較例の放射線撮像装置100では、このような凹凸面を有するセンサー基板10上に、シンチレータプレート103が重ね合わせられているために、センサー基板10とシンチレータプレート103との間の間隙部分が、水蒸気を含む大気層102となる。このため、放射線撮像装置100では、大気層102において結露が生じ、それによって発生した水滴Wが、センサー基板10の凹み101aに溜まり易い。凹み101aは、上述のようにフォトダイオード111Aに対向する領域であるから、水滴Wが凹み101aに溜まると、電気分解によって水に含まれるイオン成分が、例えば上部電極25とカップリングし、暗電流が増加してしまう。このような暗電流の増加は、取得画像において明るさの低減などを引き起こす。また、水滴Wは画素部12の局所的な箇所において生じ易いことから、そのような暗電流が局所的な箇所で増加し、その結果、明るさにむらが生じてしまう。即ち、取得画像の画質が劣化してしまう。これに対し、本実施の形態の放射線撮像装置1では、シンチレータプレート30とセンサー基板10との間に非イオン性を有する高平坦化膜20が設けられている。これにより、シンチレータプレート30とセンサー基板10との間において、上記のような結露を生じた場合であっても、上部電極25とのカップリングの要因となるイオンを発生しない。このため、上記のような暗電流の増加が抑制され、取得画像における明るさの低下あるいは明るさむらの発生が抑制される。以上のように、本実施の形態では、センサー基板10上とシンチレータプレート30との間に非イオン性の高平坦化膜20を設けることにより、結露が生じた場合であっても、それによる暗電流の増加を抑制することができる。よって、結露に起因する画質低下を抑制することが可能となる。また、高平坦化膜20が、例えばシリコン樹脂など、非イオン性に加え、平坦化性に優れた材料により構成されていることにより、凹み10aをなくし、センサー基板10の表面側を平坦化することができる。このため、結露によって生じた水滴が局所的な領域に溜まることを抑制することができ、明るさむらの発生をより効果的に抑制することができる。次に、上記実施の形態の放射線撮像装置の変形例変形例1~4について説明する。尚、上記実施の形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。<変形例1>図10は、変形例1に係る放射線撮像装置放射線撮像装置1Aの断面構成を表したものである。放射線撮像装置1Aは、上記実施の形態の放射線撮像装置1と同様、センサー基板10上に、シンチレータプレート30を配設したものである。また、センサー基板10とシンチレータプレート30との間には、非イオン性層20Aが設けられている。但し、本変形例では、その非イオン性層20Aが、センサー基板10上の凹み10aに対向する領域にのみ選択的に設けられ、その他の領域は空気層Aとなっている。このように、非イオン性層20Aは、少なくともセンサー基板10上の凹み10aを埋め込むように形成されていればよい。結露によって水滴が生じた場合であっても、フォトダイオード111Aに対向する凹み10aに、水滴が入り込むことを避けることができ、上述のようなカップリングによる暗電流の増加を抑制することができる。よって、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。但し、本変形例のように選択的な領域にのみ非イオン層20Aを形成するよりも、センサー基板10の全面に渡って高平坦化層20を形成する方が、プロセス上容易である。<変形例2>図11は、変形例2に係る放射線撮像装置放射線撮像装置1Bの断面構成を表したものである。放射線撮像装置1Bは、上記実施の形態の放射線撮像装置1と同様、センサー基板10上に、シンチレータプレート30を配設したものである。但し、本変形例では、非イオン性の層として空気層B水蒸気を含まずが設けられており、センサー基板10と、シンチレータプレート30との間に、防湿層20Bが設けられている。防湿層20Bは、例えばセンサー基板10およびシンチレータプレート30の周辺領域に設けられ、空気層Bへの水蒸気の侵入を抑制するようになっている。尚、この防湿層20Bがシール層として機能してもよい。このように、防湿層20Bを設けることにより、センサー基板10とシンチレータプレート30との間に水分水蒸気が介入しないような構成としてもよい。これにより、空気層Aにおける結露そのものの発生を抑制して、上述のようなカップリングによる暗電流の増加を抑制することができる。よって、上記実施の形態とほぼ同等の効果を得ることができる。また、このような防湿層20Bの配設によって、センサー基板10とシンチレータプレート30との間を空気層Bのみとすることができ、屈折率の観点では、光損失を軽減することができるため上記実施の形態よりも望ましい。尚、このような防湿層に代えて、乾燥剤などよりなる吸湿層を設けるようにしてもよい。吸湿層の配設により、結露が生じた場合であっても、水滴を吸収してフォトダイオード111Aへの上記のような影響を軽減することができる。<変形例3>上記実施の形態では、各画素Pに設けられる画素回路として、アクティブ駆動方式による画素回路12aについて説明したが、センサー基板10に設けられる画素回路は、図12に示したようなパッシブ駆動方式による画素回路12bであってもよい。本変形例では、単位画素Pが、フォトダイオード111A、容量成分138およびトランジスタTr読出し用のトランジスタTr3に相当を含んで構成されている。トランジスタTrは、蓄積ノードNと垂直信号線18との間に接続されており、行走査信号Vreadに応答してオンすることにより、フォトダイオード111Aにおける受光量に基づいて蓄積ノードNに蓄積された信号電荷を垂直信号線18へ出力する。尚、トランジスタTrTr3が、上記実施の形態等のトランジスタ111Bに相当する。また、変形例のパッシブ駆動方式の場合には、例えば図13に示したような断面構造において、上部電極125が信号取り出しのための電極として機能し蓄積ノードNを兼ねており、TFT111B配線層128と電気的に接続されている。このように、画素の駆動方式は、上記実施の形態で述べたアクティブ駆動方式に限らず、本変形例のようなパッシブ駆動方式であってもよい。<変形例4>上記実施の形態では、フォトダイオードのp型半導体層122にポリシリコンを用いたが、このp型半導体層122は、非晶質シリコンから構成されていてもよいPIN全ての層が非晶質シリコンであってもよい。尚、この場合、図14に示したように、第1層間絶縁膜113ASiN上に、下部電極115Mo/Al/Moを介してp型半導体層122が設けられる。下部電極115は、信号取り出し用の電極として機能し、第1層間絶縁膜113Aに形成されたコンタクトホールを通じてトランジスタ111Bの配線層128ソースドレイン電極に接続されている。この例では、トランジスタ111Bの半導体層126も非晶質シリコンにより構成されている。このように、p型半導体層n型半導体層も同様に非晶質シリコンを用いる場合には、金属電極金属配線を別途設ければよい。<適用例>上記実施の形態および変形例1~3において説明した放射線撮像装置は、例えば図15に示したような放射線撮像表示システム2に適用可能である。放射線撮像表示システム2は、放射線撮像装置1と、画像処理部25と、表示装置28とを備えている。このような構成により、放射線撮像表示システム2では、放射線撮像装置1が、放射線源26から被写体27に向けて照射された放射線に基づき、被写体27の画像データDoutを取得し、画像処理部25へ出力する。画像処理部25は、入力された画像データDoutに対して所定の画像処理を施し、その画像処理後の画像データ表示データD1を表示装置28へ出力する。表示装置28は、モニタ画面28aを有しており、そのモニタ画面28aに、画像処理部25から入力された表示データD1に基づく画像を表示する。このように、放射線撮像表示システム2では、放射線撮像装置1において、被写体27の画像を電気信号として取得可能であるため、取得した電気信号を表示装置28へ伝送することで、画像表示を行うことができる。即ち、放射線写真フィルムを用いることなく、被写体27の画像を観察可能となり、また、動画撮影および動画表示にも対応可能となる。以上、実施の形態を挙げて説明したが、本開示内容は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態等では、センサー基板10において、フォトダイオード111Aとトランジスタ111Bとが並設された構成を例示したが、これに限定されず、例えば基板11上にトランジスタ111Bおよびフォトダイオード111Aがこの順に積層された構成であってもよい。また、上記実施の形態では、本開示の非イオン性層として、シリコン樹脂よりなる高平坦化膜または空気層を例に挙げて説明したが、非イオン性層はこれらに限定されるものではなく、電気分解によってイオンを生じない何らかの材質のものが設けられていればよい。更に、シンチレータ層22に用いられる波長変換材料は、上述したものに限定されず、他の様々な蛍光体材料を使用することができる。加えて、上記実施の形態では、フォトダイオード111Aを、基板側から、p型半導体層、i型半導体層およびn型半導体層の順に積層した構造としたが、基板側から、n型半導体層、i型半導体層およびp型半導体層の順に積層してもよい。また、本開示の放射線撮像装置は、上記実施の形態で説明した各構成要素を全て備えている必要はなく、また逆に他の層を備えていてもよい。尚、本開示の放射線撮像装置または放射線撮像表示システムは、以下の1~12に記載したような構成を有してもいてもよい。1光電変換素子を有するセンサー基板と、前記センサー基板上に設けられた非イオン性層と、前記非イオン性層上に設けられると共に、放射線の波長を前記光電変換素子の感度域の波長に変換する波長変換部材とを備えた放射線撮像装置。2前記センサー基板は、絶縁保護膜により被覆されており、前記非イオン性層は前記絶縁保護膜上に設けられている上記に記載の放射線撮像装置。3前記センサー基板の光入射側の面は凹凸形状を有し、前記非イオン性層は、少なくとも前記凹凸形状の凹部を埋め込むように設けられている上記またはに記載の放射線撮像装置。4前記非イオン性層は、前記センサー基板側に前記凹凸形状に倣った凹凸面、前記波長変換部材側に平坦面をそれぞれ有する上記に記載の放射線撮像装置。5前記非イオン性層は、シリコン樹脂、アクリル樹脂またはパリレン樹脂により構成されている上記~のいずれかに記載の放射線撮像装置。6前記非イオン性層は、シリコン樹脂により構成されている上記~のいずれかに記載の放射線撮像装置。7前記波長変換部材は平板状のものであり、前記非イオン性層に対して非接着となっている上記~のいずれかに記載の放射線撮像装置。8前記センサー基板および前記波長変換部材の間に、外部からの水分の介入を抑制する防湿層が設けられ、前記非イオン性層として空気層を有する上記~のいずれかに記載の放射線撮像装置。9前記センサー基板および前記波長変換部材の間に、吸湿層が設けられ、前記非イオン性層として空気層を有する上記~のいずれかに記載の放射線撮像装置。10前記光電変換素子は、PINダイオードである上記~のいずれかに記載の放射線撮像装置。11前記センサー基板では、前記光電変換素子およびトランジスタが並設されている上記~のいずれかに記載の放射線撮像装置。12前記トランジスタは、多結晶シリコン、微結晶シリコン、非晶質シリコンおよび酸化物半導体のうちのいずれかにより構成された半導体層を含む上記~のいずれかに記載の放射線撮像装置。13前記半導体層は、低温多結晶シリコンにより構成されている上記~のいずれかに記載の放射線撮像装置。"