"筒形状のチャンバ内に設けられた筒形状の加熱室と、前記加熱室の外周に配置された加熱コイルと、前記加熱室の内部に設けられたるつぼと、前記加熱コイルに高周波電流を供給する高周波電源とを有し、前記高周波電源から前記加熱コイルに高周波電流を供給して前記るつぼを高温に加熱し、前記るつぼ内のサファイア粉末を溶解せしめて、前記サファイア粉末を溶解した溶液にシードを接触させ、不活性ガスの雰囲気中で前記シードを回転させながら引き上げてサファイア単結晶を成長させるサファイア単結晶引上成長装置において、前記るつぼをモリブデン、タングステンまたはモリブデンとタングステンとの混合物により形成し、前記加熱室をカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品により形成し、前記加熱室を形成するカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品の内周面および外周面に筒形状の軸方向に沿って延長する複数の溝を形成し、前記複数の溝は、前記加熱室を形成するカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品の周面に対して、前記外周面の溝と前記内周面の溝とが互いに交互にずれて位置するように配置したことを特徴とするサファイア単結晶引上成長装置。請求項1に記載のサファイア単結晶引上成長装置において、前記加熱室における前記るつぼと対向する面に、モリブデン、タングステンまたはモリブデンとタングステンとの混合物よりなる上部反射板を配設したことを特徴とするサファイア単結晶引上成長装置。筒形状のチャンバ内に設けられた筒形状の加熱室と、前記加熱室の外周に配置された加熱コイルと、前記加熱室の内部に設けられたるつぼと、前記加熱コイルに高周波電流を供給する高周波電源とを有し、前記高周波電源から前記加熱コイルに高周波電流を供給して前記るつぼを高温に加熱し、前記るつぼ内のサファイア粉末を溶解せしめて、前記サファイア粉末を溶解した溶液にシードを接触させ、不活性ガスの雰囲気中で前記シードを回転させながら引き上げてサファイア単結晶を成長させるサファイア単結晶引上成長装置において、前記るつぼをモリブデン、タングステンまたはモリブデンとタングステンとの混合物により形成し、前記加熱室をカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品により形成し、前記加熱室における前記るつぼと対向する面に、モリブデン、タングステンまたはモリブデンとタングステンとの混合物よりなる上部反射板を配設し、前記加熱室の筒形状部および上部シールド部を相互間で空隙部を有する二重構造または三重構造に構成したことを特徴とするサファイア単結晶引上成長装置。請求項1、2または3のいずれか1項に記載のサファイア単結晶引上成長装置において、前記カーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品の外周面にアルミナ耐火物を配置したことを特徴とするサファイア単結晶引上成長装置。筒形状のチャンバ内に設けられた筒形状の加熱室と、前記加熱室の外周に配置された加熱コイルと、前記加熱室の内部に設けられたるつぼと、前記加熱コイルに高周波電流を供給する高周波電源とを有し、前記高周波電源から前記加熱コイルに高周波電流を供給して前記るつぼを高温に加熱し、前記るつぼ内のサファイア粉末を溶解せしめて、前記サファイア粉末を溶解した溶液にシードを接触させ、不活性ガスの雰囲気中で前記シードを回転させながら引き上げてサファイア単結晶を成長させるサファイア単結晶引上成長装置において、前記るつぼをモリブデン、タングステンまたはモリブデンとタングステンとの混合物により形成し、前記加熱室をカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品と前記カーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品の外周面に配置されたアルミナ耐火物とにより形成したことを特徴とするサファイア単結晶引上成長装置。請求項5に記載のサファイア単結晶引上成長装置において、前記加熱室における前記るつぼと対向する面に、モリブデン、タングステンまたはモリブデンとタングステンとの混合物よりなる上部反射板を配設したことを特徴とするサファイア単結晶引上成長装置。請求項1、2、3、4、5または6のいずれか1項に記載のサファイア単結晶引上成長装置において、さらに、前記加熱室の内部において、前記るつぼの上方に設けられたアフタヒータを備え、前記アフタヒータをモリブデン、タングステンまたはモリブデンとタングステンとの混合物により形成したことを特徴とするサファイア単結晶引上成長装置。請求項1、2、3、4、5、6または7のいずれか1項に記載のサファイア単結晶引上成長装置において、前記加熱コイルに高周波電流を供給する高周波電源のトランスを、負荷との整合が取れるタップを有するマッチングトランスとしたことを特徴とするサファイア単結晶引上成長装置。請求項1、2、3、4、5、6、7または8のいずれか1項に記載のサファイア単結晶引上成長装置において、前記高周波電源の高周波誘導加熱用発振器の発振周波数を2~10kHzとしたことを特徴とするサファイア単結晶引上成長装置。本発明は、上記したような従来の技術の有する種々の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、るつぼにイリジウムと比較して低価格のモリブデンMo、タングステンWまたはモリブデンとタングステンとの混合物Mo,Wを用いることができるようにしたサファイア単結晶引上成長装置を提供しようとするものである。上記目的を達成するために、本発明は、筒形状のチャンバ内に設けられた筒形状の加熱室と、上記加熱室の外周に配置された加熱コイルと、上記加熱室の内部に設けられたるつぼと、上記加熱コイルに高周波電流を供給する高周波電源とを有し、上記高周波電源から上記加熱コイルに高周波電流を供給して上記るつぼを高温に加熱し、上記るつぼ内のサファイア粉末を溶解せしめて、上記サファイア粉末を溶解した溶液にシードを接触させ、不活性ガスの雰囲気中で上記シードを回転させながら引き上げてサファイア単結晶を成長させるサファイア単結晶引上成長装置において、上記るつぼをモリブデン、タングステンまたはモリブデンとタングステンとの混合物により形成し、上記加熱室をカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品により形成し、上記加熱室を形成するカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品の内周面および外周面に筒形状の軸方向に沿って延長する複数の溝を形成し、上記複数の溝は、上記加熱室を形成するカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品の周面に対して、上記外周面の溝と上記内周面の溝とが互いに交互にずれて位置するように配置したものである。また、本発明は、上記加熱室における上記るつぼと対向する面に、モリブデン、タングステンまたはモリブデンとタングステンとの混合物よりなる上部反射板を配設したものである。また、本発明は、筒形状のチャンバ内に設けられた筒形状の加熱室と、上記加熱室の外周に配置された加熱コイルと、上記加熱室の内部に設けられたるつぼと、上記加熱コイルに高周波電流を供給する高周波電源とを有し、上記高周波電源から上記加熱コイルに高周波電流を供給して上記るつぼを高温に加熱し、上記るつぼ内のサファイア粉末を溶解せしめて、上記サファイア粉末を溶解した溶液にシードを接触させ、不活性ガスの雰囲気中で上記シードを回転させながら引き上げてサファイア単結晶を成長させるサファイア単結晶引上成長装置において、上記るつぼをモリブデン、タングステンまたはモリブデンとタングステンとの混合物により形成し、上記加熱室をカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品により形成し、上記加熱室における上記るつぼと対向する面に、モリブデン、タングステンまたはモリブデンとタングステンとの混合物よりなる上部反射板を配設し、上記加熱室の筒形状部および上部シールド部を相互間で空隙部を有する二重構造または三重構造に構成したものである。また、本発明は、上記カーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品の外周面にアルミナ耐火物を配置したものである。また、本発明は、筒形状のチャンバ内に設けられた筒形状の加熱室と、上記加熱室の外周に配置された加熱コイルと、上記加熱室の内部に設けられたるつぼと、上記加熱コイルに高周波電流を供給する高周波電源とを有し、上記高周波電源から上記加熱コイルに高周波電流を供給して上記るつぼを高温に加熱し、上記るつぼ内のサファイア粉末を溶解せしめて、上記サファイア粉末を溶解した溶液にシードを接触させ、不活性ガスの雰囲気中で上記シードを回転させながら引き上げてサファイア単結晶を成長させるサファイア単結晶引上成長装置において、上記るつぼをモリブデン、タングステンまたはモリブデンとタングステンとの混合物により形成し、上記加熱室をカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品と上記カーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品の外周面に配置されたアルミナ耐火物とにより形成したものである。また、本発明は、上記加熱室における上記るつぼと対向する面に、モリブデン、タングステンまたはモリブデンとタングステンとの混合物よりなる上部反射板を配設したものである。また、本発明は、上記加熱室の内部において、上記るつぼの上方に設けられたアフタヒータを備え、上記アフタヒータをモリブデン、タングステンまたはモリブデンとタングステンとの混合物により形成したものである。また、本発明は、上記加熱コイルに高周波電流を供給する高周波電源のトランスを、負荷との整合が取れるタップを有するマッチングトランスとしたものである。また、本発明は、上記高周波電源の高周波誘導加熱用発振器の発振周波数を2~10kHzとしたものである。本発明は、以上説明したように構成されているので、るつぼにイリジウムと比較して低価格のモリブデンMo、タングステンWまたはモリブデンとタングステンとの混合物Mo,Wを用いることができるようになるという優れた効果を奏する。以下、添付の図面を参照しながら、本発明によるサファイア単結晶引上成長装置の実施の形態の一例について詳細に説明するものとする。ここで、サファイア単結晶引上成長におけるサファイアの融点は2040°C程度であるので、使用できる保温断熱材はグラファイト系またはカーボンフェルトにアルミナ耐火物を組み合わせたものなど、加熱室を構成できる材料は限られてくる。しかしながら、カーボンフェルトやカーボンフェルト成形品は、高温になるにつれてインピーダンスが変化して高周波誘導を起こすようになり、被加熱源となってしまうことがままおこる。一方、カーボンフェルトの本来の目的は、金属製のるつぼに直流高周波誘導を起こさせ、金属製のるつぼの加熱発熱による熱量を保温断熱する役割を持たせることにある。本発明によるサファイア単結晶引上成長装置は、るつぼに価格の低いモリブデンMo、タングステンWまたはモリブデンとタングステンとの混合物Mo,Wを用い、加熱室を構成する材料としてカーボンフェルトやカーボンフェルト成形品を使用することができるようにしたものである。従って、本発明によるサファイア単結晶引上成長装置によれば、イリジウムIrに比較して極めて廉価なモリブデンMo、タングステンWまたはモリブデンとタングステンとの混合物Mo,Wを用いてるつぼを形成することができ、さらには、るつぼ蓋やアフタヒータの材料としてもモリブデンMo、タングステンWまたはモリブデンとタングステンとの混合物Mo,Wを用いることができるので、サファイア単結晶引上成長装置の性能を従来のものと同等に維持しながら、価格を大幅に低減させることができるようなるという優れた効果を奏する。このため、サファイア単結晶体の販売価格も下げることができるようになり、ひいてはサファイア単結晶体を使用する部品や製品の価格も下げられ、その需要拡大に寄与するものである。また、本発明によるサファイア単結晶引上成長装置においては、後述するように高周波誘導用加熱発振器の出力トランスの一次巻線に複数のタップを設け、このタップを切り替えて高周波誘導用加熱発振器の出力を調整することにより、サファイア単結晶引上成長装置の性能を適切に発揮させることができるなどの効果を有するものである。また、本発明によるサファイア単結晶引上成長装置によれば、るつぼの材料としてモリブデンMo、タングステンWまたはモリブデンとタングステンとの混合物Mo,Wを用いることにより、従来のイリジウムのるつぼよりも高温にすることができるため、大きいサイズのサファイア単結晶を容易に製造することができるようになる。実施例1図1および図2abcdは、本発明によるサファイア単結晶引上成長装置の要部である加熱室の一実施例を示す説明図である。より詳細には、図1は加熱室全体の縦断面図であり、また、図2aは加熱室の一部を構成する上部断熱部材を示す斜視図であり、図2bは図2aのA-A線による縦断面図であり、また、図2cは加熱室の一部を構成する下部断熱部材を示す斜視図であり、図2dは図2cのB-B線による縦断面図である。なお、以下の本発明によるサファイア単結晶引上成長装置の説明においては、本発明の要部である加熱室の構成を中心に説明するものであり、図9に示す従来のサファイア単結晶引上成長装置10に関する説明を援用することにより詳細な説明は省略するが、図9に示す従来のサファイア単結晶引上成長装置10と同様に、引き上げ軸30、バイロセンサー33、熱電対40、高周波誘導加熱用発振器52あるいは加熱コイル56などのサファイア単結晶引上成長装置の基本的な構成を備えているものである。上記した図1ならびに図2abにおいて、符号60は加熱室であり、また、符号61は円筒状の下部断熱部材であり、また、符号62は円筒状の上部断熱部材であり、また、符号63は円盤状の底部断熱部材であり、また、符号64は円盤状の蓋部断熱部材である。これら下部断熱部材61、上部断熱部材62、底部断熱部材63ならびに蓋部断熱部材64の各断熱部材は、保温断熱材としてカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品で形成されている。そして、上部断熱部材62の外周面には、図2abに示すように、縦方向円筒形状の軸方向に沿って4本の溝65a~65dが形成されている。また、上部断熱部材62の内周面にも、図2abに示すように、縦方向円筒形状の軸方向に沿って4本の溝65e~65hが形成されている。ここで、4本の溝65a~65dと4本の溝65e~65hとは、上部断熱部材62の周面に対して、外周面の溝65a~65dと内周面の溝65e~65hとが互いに交互にずれて位置するように配置されている。具体的には、上部断熱部材62の周面に関して、外周面の溝65aと溝65bとの間に内周面の溝65eが位置し、また、外周面の溝65bと溝65cとの間に内周面の溝65fが位置し、また、外周面の溝65cと溝65dとの間に内周面の溝65gが位置し、また、外周面の溝65dと溝65aとの間に内周面の溝65hが位置するようにして、溝65a~65hがそれぞれ配置されている。同様に、下部断熱部材61の外周面には、図2cdに示すように、縦方向円筒形状の軸方向に沿って4本の溝65a~65dが形成されている。また、下部断熱部材61の内周面にも、図2cdに示すように、縦方向円筒形状の軸方向に沿って4本の溝65e~65hが形成されている。ここで、下部断熱部材61においても、上部断熱部材62と同様に、4本の溝65a~65dと4本の溝65e~65hとは、下部断熱部材61の周面に対して、外周面の溝65a~65dと内周面の溝65e~65hとが互いに交互にずれて位置するように配置されている。具体的には、下部断熱部材61の周面に関して、外周面の溝65aと溝65bとの間に内周面の溝65eが位置し、また、外周面の溝65bと溝65cとの間に内周面の溝65fが位置し、また、外周面の溝65cと溝65dとの間に内周面の溝65gが位置し、また、外周面の溝65dと溝65aとの間に内周面の溝65hが位置するようにして、溝65a~65hがそれぞれ配置されている。次に、符号66は加熱室60を支持する円筒状の支持台であり、上記において説明した図9に示す支持台29と同様にアルミナAl2O3等の耐火物で形成されている。また、符号67は支持台66上に設けられた円盤状のアルミナAl2O3からなる基盤部であり、また、符号68は基盤部67上に更に設けられた円盤状の同じくアルミナAl2O3からなる基盤部である。さらに、符号69はモリブデンMo製のるつぼであり、基盤部68の上に設けられたタングステンW製の台70の上に載置されている。ここで、タングステンW製の台70は、るつぼ69およびその他の構造物を安定に保持するためのものであり、下部円筒部71と上部円筒部72と下部円盤部73と上部円盤部74とにより構成されている。より詳細には、タングステンW製の台70においては、下部円筒部71と上部円筒部72との間に下部円盤部73が設けられており、上部円筒部72の上面にはるつぼ69等を載置する上部円盤部74が配設されている。そして、このタングステンW製の台70の下部円筒部71は、カーボンフェルト成形品の底部断熱部材63に嵌め込むように設けられている。また、符号75はモリブデンMo製のリング状のるつぼ蓋であり、この上にモリブデンMo製の円筒状のアフターヒータ76が設けられている。符号77は、加熱室60の外周部に設けられた円筒状の石英管である。この石英管77は、下部断熱部材61および上部断熱部材62を構成するカーボンフェルト成形品が毛羽立ち、高周波誘導によって偶々放電現象を引き起こすことがあるのを防止する目的で設けられている。また、蓋部断熱部材64の下面、即ち、るつぼ69と対向する面には、モリブデンMo、タングステンWまたはモリブデンとタングステンとの混合物Mo,Wよりなる円盤状の上部反射板200が配設されている。上記した蓋部断熱部材64ならびに上部反射板200には、図9に示した従来のサファイア単結晶引上成長装置10と同様に、引き上げ軸30を通す挿通孔とバイロセンサー33により炉内温度を監視する覗き窓とが設けられている。具体的には、蓋部断熱部材64には引き上げ軸30を通す挿通孔78が設けられており、また、上部反射板200には引き上げ軸30を通す挿通孔202が設けられていて、挿通孔78、202はそれぞれ連通するような位置関係に配置されている。同様に、蓋部断熱部材64にはバイロセンサー33により炉内温度を監視する覗き窓79が設けられており、また、上部反射板200にはバイロセンサー33により炉内温度を監視する覗き窓204が設けられていて、覗き窓79、204はそれぞれ連通するような位置関係に配置されている。また、上記した下部断熱部材61および上部断熱部材62の外周面に設けられた溝65a~65dは、幅を約5mmとし、深さを約10mmとしてほぼ等間隔に4本設けてあるが、溝65a~65dの幅、深さならびに本数は、高周波電流の印加条件等によって適宜の幅、深さならびに本数に設定することができる。同様に、上記した下部断熱部材61および上部断熱部材62の内周面に設けられた溝65e~65hは、幅を約5mmとし、深さを約10mmとしてほぼ等間隔に4本設けてあるが、溝65e~65hの幅、深さならびに本数は、高周波電流の印加条件等によって適宜の幅、深さならびに本数に設定することができる。なお、基盤部67、68の中心部と底部断熱部材63の中心部とにそれぞれ設けられた各穴部80、81、82は、図9に示された熱電対40の貫通孔である。また、円筒状の断熱部材は、下部断熱部材61と上部断熱部材62との二体構造として、るつぼ69へのサファイアAl2O357の充填を容易に行えるようにしているが、るつぼ69の設置内部の構造によっては、更に分割した構造にしたり、あるいは一体構造としてもよい。また、本発明によるサファイア単結晶引上成長装置の他の特徴としては、るつぼ69を誘導加熱するための加熱コイル56への高周波電流の供給を改善したものである。即ち、本発明によるサファイア単結晶引上成長装置の高周波誘導加熱用発振器は、図3のブロックダイヤグラムに示すように、出力トランス84の一次側巻線に複数のタップ85a、85b...85nを設け、加熱室60の負荷との関係におけるインピーダンスの整合を取り易くするとともに、安定した温度調整が行えるようにしている。これは高周波誘導加熱用発振器52の最大電流容量に対して、出力トランス84の一次側巻線に供給される電流値を、例えば、1/12、1/15、1/18というように制御して供給するものである。この出力トランス84のタップ切り替えと、円筒状の断熱部材61、62の外周面に縦方向に設けられた溝65a~65dおよび内周面に設けられた溝65e~65hとが高周波特性に及ぼす状況を図4に示した特性図により説明する。ここで、図4は高周波誘導加熱用発振器52の高周波電圧Vを横軸にとり、高周波電流Aを縦軸にとって、高周波誘導特性を表した特性図グラフである。この特性図においてデータA、B、C、D、E、Fは、図11に示す図表、即ち、るつぼの加熱条件に示す各条件におけるデータである。ここで、図11に示す図表においてるつぼ69のみとは、加熱室60を構成する円筒状の断熱部材61、62が除去された状態を意味するものである。また、図11に示す図表において部材61、62とは、カーボンフェルト成形品から構成された断熱部材61、62である。また、図11に示す図表において部材61、62に溝なしとは、断熱部材61、62に溝65a~65hを設けてないものである。また、図11に示す図表において部材61、62に溝ありとは、断熱部材61、62に溝65a~65hを設けたものである。図4を参照しながら説明すると、データAは図1に示したモリブデン製のるつぼ69のみを加熱コイル56内に配置したときの高周波特性であり、データDは図1に示した加熱室60全体の高周波特性を示すものであり、明らかにるつぼ69のみの場合より円筒状のカーボンフェルト成形品の断熱部材61、62がある場合の方が負荷は非常に重くなり、高周波電流が流れ難くなっている。これは、カーボンフェルト成形品が高周波誘導加熱の負荷となっていることを示している。この現象を改善するために、本発明によるサファイア単結晶引上成長装置は、上記したようにカーボンフェルト成形品の断熱部材61、62に縦方向の溝を複数本設けたものであり、これにより図4のデータCで示す高周波特性となり、上記したデータDよりも改善させることができた。なお、上記したデータA、データD、ならびにデータCは、いずれも出力トランス84のタップ85が1/15の場合のデータである。また、出力トランス84のタップ85を1/15から1/18に変更し、高周波電圧高周波電流特性データで高周波誘導加熱用発振器52の性能をフル使用できるように整合調整したときのデータを示す。それにつれてデータAはデータBに、データCはデータEに、データDはデータFに変わるものである。上記において説明したように、カーボンフェルト成形品により断熱部材61、62を形成した場合であっても、その断熱部材61、62の表面、即ち、断熱部材61、62の外周面と内周面とに、縦方向、即ち、筒状の断熱部材61、62の軸方向に沿って所要の幅、深さ、本数の溝実施例においては、溝65a~65hである。を設けることにより、高周波誘導の影響を調節可能とすることができるものである。また、高周波誘導加熱用発振器52の出力トランス84のタップ85a、85b...85nを切り替えて、高周波誘導加熱発振器52の出力を調節することにより、サファイア単結晶引上成長装置としてモリブデンMo製のるつぼ69を用いた加熱室60を構成しても、実用上十分に適用することができた。上記において説明した本発明によるサファイア単結晶引上成長装置においては、るつぼ69、るつぼ蓋75、アフタヒータ76をモリブデンMoにより形成しているが、これらのるつぼ69、るつぼ蓋75、アフタヒータ76をタングステンWまたはモリブデンとタングステンとの混合物Mo,W例えば,Mo-30Wにより形成してもよい。また、各部それぞれをモリブデンMo、タングステンWまたはモリブデンとタングステンとの混合物Mo,Wから選択して異なる構成部材として形成してもよい。このように、各部の構成部材を替えても、図4に示したデータA~Fに対応する各データはほぼ同様の数値を示した。なお、モリブデンMoの溶解温度は約2620°Cであり、また、タングステンWの溶解温度は約3400°Cであり、また、モリブデンとタングステンとの混合物Mo-30Wの溶解温度は約2800°Cであり、コストはいずれもイリジウムIrに比較して大幅に低いが、溶解温度に関しては、モリブデンMoはタングステンWより低く、タングステンとモリブデンとの混合物Mo-30Wは両者の間にある。これらの材料の使用は、サファイア単結晶引上成長装置の大きさ、即ち、製造されるサファイア単結晶の大きさに基づく加熱温度容量の大きさを考慮して適正なコストになるよう選択すればよい。この考え方は、後述する他の実施例においても同様である。また、上記において説明した本発明によるサファイア単結晶引上成長装置においては、モリブデンMo、タングステンWまたはモリブデンとタングステンとの混合物Mo,Wよりなる円盤状の上部反射板200を設けているため、加熱室60の保温断熱をより向上することができる。実施例2次に、本発明によるサファイア単結晶引上成長装置の要部である加熱室の他の実施例を図5に基づいて説明する。なお、図5に示す加熱室90の構成部分のうち、図1に示す実施例で示した構成部分と同一または相当する箇所については、図1に示す実施例で用いた符号と同一符号で示すものとし、その詳細な説明を省略する。図5において、符号91はカーボンフェルト成形品により形成された円筒状の外側断熱部材であり、その上部にはカーボンフェルト成形品により形成された円盤状の蓋部断熱部材92が嵌合可能に設けられている。符号93は同じくカーボンフェルト成形品により形成された円筒状の内側断熱部材であり、その上部には同様にカーボンフェルト成形品により形成された円盤状の蓋部断熱部材94が嵌合可能に設けられている。また、蓋部断熱部材94の下面、即ち、るつぼ69と対向する面には、モリブデンMo、タングステンWまたはモリブデンとタングステンとの混合物Mo,Wよりなる上部反射板200が配設されている。上記した各蓋部断熱部材92、94ならびに上部反射板200には、図9に示した従来のサファイア単結晶引上成長装置10と同様に、引き上げ軸30を通す挿通孔とバイロセンサー33により炉内温度を監視する覗き窓とが設けられている。具体的には、蓋部断熱部材92には引き上げ軸30を通す挿通孔95が設けられており、また、蓋部断熱部材94には引き上げ軸30を通す挿通孔96が設けられており、また、上部反射板200には引き上げ軸30を通す挿通孔202が設けられていて、挿通孔95、96、202はそれぞれ連通するような位置関係に配置されている。同様に、蓋部断熱部材92にはバイロセンサー33により炉内温度を監視する覗き窓97が設けられており、また、蓋部断熱部材94にはバイロセンサー33により炉内温度を監視する覗き窓98が設けられており、上部反射板200にはバイロセンサー33により炉内温度を監視する覗き窓204が設けられていて、覗き窓97、98、204はそれぞれ連通するような位置関係に配置されている。また、外側断熱部材91と内側断熱部材93との厚さは、それぞれ10~20mm程度であり、その両者間には3~10mm程度の空隙99が設けられている。この図5に示す実施例においては、円筒状の断熱部材91、93を二重に設けているが、蓋部断熱部材92、94を含み、三重または四重のように多重に構成してもよい。また、円筒状の断熱部材91、93はそれぞれ1個で形成しているが、図1に示した実施例と同様に、上下に分離できる二体構造などに構成してもよい。このように、加熱室90を多重構造とすることにより、図1に示した実施例のように外側断熱部材91の外周面ならびに内周面に縦方向の溝を設けることなく、高周波誘導を減少させることができた。なお、この図5に示す実施例のサファイア単結晶引上成長装置では、モリブデンMo製のるつぼ69として直径150mm×高さ150mmのものを使用し、直径3インチのサファイア単結晶引上成長を行い良好な結果が得られた。実施例3次に、本発明によるサファイア単結晶引上成長装置の要部である加熱室の他の実施例を図6に基づいて説明する。なお、図6に示す加熱室100の構成部分のうち、図1または図5に示す実施例で示した構成部分と同一または相当する箇所については、図1または図5に示す実施例で用いた符号と同一符号で示すものとし、その詳細な説明を省略する。この図6に示す実施例の加熱室100は、るつぼ69を直径180mm×高さ180mmとして、直径が3インチ以上、例えば、4インチのサファイア単結晶引上成長に対応するものであり、カーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品にアルミナ耐火物を組み合わせて、保温断熱部材の熱容量を増加させるようにした点に特徴がある。即ち、図6に示す実施例においては、るつぼ69およびるつぼ蓋75の材料をモリブデンとタングステンとの混合物Mo-30WまたはタングステンWとした。また、内壁を構成する円筒状の断熱部材101は、厚さ20~40mmのカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品であり、その外側に円筒状の厚さ10~30mmのアルミナAl2O3耐火物102を配置する。カーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品は自立性がないので、アルミナ耐火物102の適宜箇所に複数の穴をあけ、その穴2個を一組にして、複数箇所で、例えば、カーボン繊維の紐などでカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品よりなる断熱部材101を抱えるようにしてアルミナ耐火物102に固定する。このようにして、アルミナ耐火物102にカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品よりなる断熱部材101を固定することにより、カーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品よりなる断熱部材101とアルミナ耐火物102との組み合わせ構造を構成し、これによって適度な熱量を保持可能な保温断熱構造とした。なお、これら断熱部材101とアルミナ耐火物102とは、上下方向に、例えば、2~3分割など適宜の個数に分割可能に構成されていて、それらを積み重ねた構造になっている。また、蓋部断熱部材を構成する円盤状の断熱部材105はカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品であり、その上面側に蓋部断熱部材を構成する円盤状のアルミナAl2O3耐火物106を配置する。カーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品は自立性がないので、アルミナ耐火物106の適宜箇所に複数の穴をあけ、その穴2個を一組にして、複数箇所で、例えば、カーボン繊維の紐などでカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品よりなる断熱部材105を抱えるようにしてアルミナ耐火物106に固定する。また、断熱部材105の下面、即ち、るつぼ69と対向する面には、モリブデンMo、タングステンWまたはモリブデンとタングステンとの混合物Mo,Wよりなる上部反射板200が配設されている。上記した蓋部断熱部材を構成する断熱部材105、アルミナ耐火物106ならびに上部反射板200には、図9に示した従来のサファイア単結晶引上成長装置10と同様に、引き上げ軸30を通す挿通孔とバイロセンサー33により炉内温度を監視する覗き窓とが設けられている。具体的には、断熱部材105には引き上げ軸30を通す挿通孔108が設けられており、また、アルミナ耐火物106には引き上げ軸30を通す挿通孔109が設けられており、また、上部反射板200には引き上げ軸30を通す挿通孔202が設けられていて、挿通孔95、108、109、202はそれぞれ連通するような位置関係に配置されている。同様に、断熱部材105にはバイロセンサー33により炉内温度を監視する覗き窓110が設けられており、また、アルミナ耐火物106にはバイロセンサー33により炉内温度を監視する覗き窓136が設けられており、上部反射板200にはバイロセンサー33により炉内温度を監視する覗き窓204が設けられていて、覗き窓97、110、136、204はそれぞれ連通するような位置関係に配置されている。なお、図6に示した実施例においては、るつぼ69に対向するカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品よりなる断熱部材101、105の外側にアルミナ耐火物102、106を配置した二重構造としたが、るつぼ69をより高温に加熱する場合には、さらに外周にアルミナ耐火物を数層重ねることが好ましい。ここで、図7ならびに図8abには、カーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品よりなる断熱部材101とアルミナ耐火物102との組み合わせ構造の一例を示す説明図が示されている。この例においては、アルミナ耐火物102の内周側に、カーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品よりなる断熱部材101が四層構造で設けられている。そして、これら四層の断熱部材101は、図7ならびに図8aに示すように、各層が縦方向筒状形状の軸方向に沿って溝300を形成するように分割されており、各層により構成される筒状形状の径方向に沿った隙間302がクランク形状をなすように、各層の断熱部材101がずれて配置されている。なお、カーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品は自立性がないので、アルミナ耐火物102の適宜箇所に複数の穴304をあけ、その穴2個を一組にして、複数箇所で、例えば、カーボン繊維の紐306などでカーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品よりなる断熱部材101を抱えるようにしてアルミナ耐火物102に固定する。こうした隙間302がクランク形状をなす溝300は、図1に示す実施例における溝65a~65hと同様な作用効果を奏するものである。即ち、断熱部材101に溝300を設けることにより、断熱部材101に高周波電流が流れ難くなる。ここで、一般的にカーボンフェルトへの高周波誘導は、発振周波数は30kHz以下が望ましいことが知られている。しかしながら、実際に発振周波数を30kHzとすると、現在市場で販売されているカーボンフェルトでは、そのほぼ全てがサファイア単結晶引上成長装置に使用する温度では高周波誘導される。上記した本発明によるサファイア単結晶引上成長装置の実施例1、実施例2ならびに実施例3の各実施例においては、発振周波数は8kHz以下がより良い結果を得た。ただし、発振周波数が3kHz以下では低周波になるほど騒音障害問題が発生し、好ましくなくなってくる。そのため、サファイア単結晶引上成長装置で使用する高周波誘導用加熱発振器の発振周波数は3~7kHzが好ましい。なお、上記した実施例1ならびに実施例2においても、実施例3と同様に、るつぼ69と対向する断熱部材の外周をアルミナ耐火物で取り囲み、カーボンフェルトまたはカーボンフェルト成形品よりなる断熱部材とアルミナ耐火物との組み合わせ構造により、断熱保温効果を図るようにしてもよい。また、その際に、図7ならびに図8abに示す構造としてもよいことは勿論である。また、チャンバや加熱室の形状は円筒状に限られるものではなく、適宜の筒形状に構成してもよいことは勿論である。"