組成式をaBaObNd2O3c[{1x/2y/2}TiO21/2xTa2O51/2yAl2O3]と表したとき、前記a、b、c、x、yが、135≦a≦161、176≦b≦194、645≦c≦688、001≦x≦015、001≦y≦015、abc=100を満足することを特徴とする誘電体セラミックス。前記組成式の成分100質量に対して、マンガンをMnO2換算で3質量以下0質量を除く含むことを特徴とする請求項1に記載の誘電体セラミックス。請求項1または請求項2に記載の誘電体セラミックスと、該誘電体セラミックスと電磁界結合され、外部から電気信号が入力される入力端子と、前記誘電体セラミックスと電磁界結合されて前記誘電体セラミックスの共振周波数と対応した電気信号を選択的に出力する出力端子とを備えることを特徴とする誘電体フィルタ。しかしながら、特許文献1に記載のBaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2系の誘電体磁器組成物は、高い比誘電率εrおよび0ppm/°Cに近い共振周波数の温度係数τfを有するものの、品質係数Qf値が低かった。本発明は、高い比誘電率εrと、高い品質係数Qf値と、0ppm/°Cに近い共振周波数の温度係数τfとを有する誘電体セラミックスおよびこれを備える誘電体フィルタを提供することを目的とするものである。本発明の誘電体セラミックスは、組成式をaBaObNd2O3c[{1x/2y/2}TiO21/2xTa2O51/2yAl2O3]と表したとき、a、b、c、x、yが、135≦a≦161、176≦b≦194、645≦c≦688、001≦x≦015、001≦y≦015、abc=100を満足することを特徴とするものである。また、本発明の誘電体フィルタは、上記誘電体セラミックスと、該誘電体セラミックスと電磁界結合され、外部から電気信号が入力される入力端子と、前記誘電体セラミックスと電磁界結合されて前記誘電体セラミックスの共振周波数と対応した電気信号を選択的に出力する出力端子とを備えることを特徴とするものである。本発明の誘電体セラミックスによれば、組成式をaBaObNd2O3c[{1x/2y/2}TiO21/2xTa2O51/2yAl2O3]と表したとき、a、b、c、x、yが、135≦a≦161、176≦b≦194、645≦c≦688、001≦x≦015、001≦y≦015、abc=100を満足するならば、高い比誘電率εrと、高い品質係数Qf値と、0ppm/°Cに近い共振周波数の温度係数τfとを有することができる。また、本発明の誘電体フィルタによれば、高い比誘電率、高い品質係数Qf値が得られ、0ppm/°Cに近い共振周波数の温度係数τfを有する誘電体セラミックスと、誘電体セラミックスと電磁界結合され、外部から電気信号が入力される入力端子と、誘電体セラミックスと電磁界結合されて誘電体セラミックスの共振周波数と対応した電気信号を選択的に出力する出力端子とを備えることから、良好な性能を有する誘電体フィルタとすることができる。以下に、本実施形態の誘電体セラミックスおよびこれを備える誘電体フィルタの実施の形態の例について説明する。本実施形態の誘電体セラミックスは、組成式をaBaObNd2O3c[{1x/2y/2}TiO21/2xTa2O51/2yAl2O3]と表したとき、a、b、c、x、yが、135≦a≦161、176≦b≦194、645≦c≦688、001≦x≦015、001≦y≦015、abc=100を満足するものである。ここで、a、b、c、xおよびyが上記数値範囲を満足することにより、Ba、NdおよびTiを含有する主結晶相にTaおよびAlが固溶されると考えられ、TaおよびAlが固溶した主結晶相によって、比誘電率εrおよび品質係数Qf値Q値と共振周波数fの積が高く、共振周波数の温度係数τfの絶対値が小さくなる傾向がある。例えば、比誘電率εrを70以上、品質係数Qf値を12000GHz以上、共振周波数の温度係数τfの値を-10~20ppm/°Cとすることができる。また、本実施形態の誘電体セラミックスは、Taを上記範囲で含むことによって、低温域と高温域での共振周波数の温度係数τfのそれぞれの値の絶対値の差が小さくなる傾向があるので、幅広い温度域で安定して使用することができる。なお、低温域とは-40~20°C、高温域とは20~80°Cとする。ここで、本実施形態の誘電体セラミックスは、a、b、c、x、yが、143≦a≦152、182≦b≦188、660≦c≦675、004≦x≦011、004≦y≦011、abc=100であることがより好ましく、前記範囲であれば、比誘電率εrおよび品質係数Qf値がより高くなり、共振周波数の温度係数τfが0ppm/°Cにより近くなる傾向がある。本実施形態の誘電体セラミックスは、組成式の成分100質量に対して、マンガンをMnO2換算で3質量以下0質量を除く含むことが好ましい。誘電体セラミックスに、組成式の成分100質量に対して、マンガンをMnO2換算で3質量以下0質量を除く含むときには、焼成時のマンガン酸化物の価数変化によって生じる酸素が、誘電体セラミックス内の酸素欠陥に入ることによって、誘電体セラミックス内に生じる酸素欠陥を抑制することで、品質係数Qf値が高まる傾向がある。また、マンガンをMnO2換算で01~2質量の範囲で含むことにより、品質係数Qf値がより高まる傾向がある。なお、誘電体セラミックス中に含まれる各金属酸化物の含有量については、誘電体セラミックスの一部を粉砕し、得られた粉体を塩酸などの溶液に溶解した後、ICPInductivelyCoupledPlasma発光分光分析装置島津製作所製:ICPS-8100を用いて粉体中に含まれる金属の含有量を測定し、得られた各金属の含有量を酸化物換算することにより得られる。また、本実施形態の誘電体セラミックスはその表面および内部それぞれの平均ボイド率が5面積以下であることが好ましい。本実施形態の誘電体セラミックスは、平均ボイド率を5面積以下とすることで、比誘電率εr、品質係数Qf値が高まる傾向がある。さらに、誘電体セラミックスの平均ボイド率を5面積以下とすると、誘電体セラミックスの密度が高くなるので、機械的特性が高まる傾向がある。また、平均ボイド率を3面積以下にすると、比誘電率εr、品質係数Qf値がより高まる傾向があるので好ましい。なお、平均ボイド率は、例えば以下のように求めればよい。まず、100μm×100μmの範囲を観察できるように任意の倍率に調節した金属顕微鏡またはSEMScanningElectronMicroscope等により、誘電体セラミックスの磁器表面または内部断面それぞれの数カ所を写真または画像として撮影し、この写真または画像を画像解析装置により解析することで、単位面積100μm×100μmあたりのボイドの面積が占める割合をボイド率として求める。そして、数箇所のボイド率を平均すれば平均ボイド率が求められる。なお、画像解析装置としては例えばニレコ社製のLUZEX-FS等を用いればよい。次に、本実施形態の誘電体セラミックスの製造方法について説明する。例えば以下の工程1~7により製造することが可能である。1原料として、995以上の高純度の炭酸バリウムBaCO3、酸化ネオジウムNd2O3、酸化チタンTiO2、酸化タンタルTa2O5および酸化アルミニウムAl2O3の各粉末を準備する。そして、BaCO3、Nd2O3、TiO2、Ta2O5およびAl2O3を所望の割合となるように秤量する。次に秤量された粉末に純水を加え、各原料の平均粒径が20μm以下となるまで1~50時間、ジルコニアボール等を使用したボールミルにより粉砕を行ない、混合物を得る。2この混合物を乾燥後、1000~1300°Cで1~10時間焼成して一次原料を得る。3得られた一次原料を平均粒径05~3μmとなるまで、ボールミル等により粉砕し、得られた一次原料の粉砕物を容器に移し、この一次原料の粉砕物をASTME11-61に記載されている粒度番号が80のメッシュの篩いに通すことによって、分級された一次粉末を得る。なお、一次原料の粉砕には、ボールミルの代わりに増幸産業社製のマスコロイダを用いてもよい。43で得られた一次粉末に純水を加えた後、平均粒径が20μm以下となるまで1~30時間、ジルコニアボールを使用したボールミルにより混合粉砕を行なう。5一次粉末100質量部に対して、3~10質量のバインダ、例えば、パラフィンワックス、アクリル系ポリマー、ウレタン系ポリマー、ポリビニルアルコールPVA、またはポリエチレングリコールPEG等の有機バインダを加えて、その後、例えばスプレードライ法等により造粒し、得られた造粒体を、例えば金型プレス法、冷間静水圧プレス法等により任意の形状に成形する。また、得られた一次粉末を4で示すように混合粉砕したものを用いて杯土を作製し、押出成形法を用いて任意の形状に成形してもよい。6得られた成形体を大気雰囲気中1350°C~1550°Cで1~10時間保持して焼成し焼成体を得る。より好ましくは1400~1500°Cで焼成するのがよい。なお、このような焼成条件では、主結晶相にTaおよびAlの固溶が促進されやすく、主結晶相以外の異相の量を少なくできる傾向があるので、比誘電率εr、品質係数Qf値が高くなり、また誘電体セラミックスの共振周波数の温度依存性が小さくなりやすい。7必要に応じて、得られた焼成体を酸素5~30体積以上を含むガス中において、温度900~1500°C、圧力01~300MPaで、30分~100時間熱処理する。より好ましくは、温度1000~1300°C、圧力01~100MPaで1~60時間熱処理するのがよい。上記の方法により本実施形態の誘電体セラミックスを得ることができる。次に、本実施形態の誘電体セラミックスを備える誘電体フィルタの一例について以下に説明する。本実施形態の誘電体フィルタは、上述した誘電体セラミックスと、誘電体セラミックスと電磁界結合され、外部から電気信号が入力される入力端子と、誘電体セラミックスと電磁界結合されて誘電体セラミックスの共振周波数と対応した電気信号を選択的に出力する出力端子とを備える。図1は、本実施形態の誘電体フィルタの断面の一例を示す模式図である。図1に示すように、本実施形態のTEモ-ド型の誘電体フィルタ1は、金属ケース2、入力端子3、出力端子4、セラミック体5および載置台6を有する。金属ケース2は、軽量なアルミニウム等の金属からなり、入力端子3および出力端子4は、金属ケース2の内壁の相対向する両側に設けられている。また、セラミック体5は、本実施形態の誘電体セラミックスからなる。そして、セラミック体5は、入力端子3と出力端子4の間に配置され、入力端子3および出力端子4とそれぞれ電磁界結合されている。このような、誘電体フィルタ1において、外部から電気信号を入力端子3に入力することによって、金属ケース2内の入力端子3で磁界が発生する。その磁気エネルギーによって、セラミック体5は特定の周波数で共振を起こして、磁界が発生する。この磁気エネルギーによって出力端子4で磁界が発生して電流が流れ、出力端子4から電気信号が出力される。このように、誘電体フィルタ1は、誘電体セラミックスの共振周波数に対応した電気信号を選択的に出力することができる。なお、TEモードに限らず、TMモード、TEMモードもしくは多重モードとしてもよい。また、誘電体フィルタ1の構成は上述した構成に限定されず、入力端子3および出力端子4をセラミック体5に直接設けてもよい。また、セラミック体5は、本実施形態の誘電体セラミックスからなる所定形状の共振媒体であるが、その形状は筒状体、直方体、立方体、板状体、円板、円柱、多角柱またはその他共振が可能な立体形状であればよい。また、入力される高周波信号の周波数は500MHz~500GHz程度であり、共振周波数としては2GHz~80GHz程度が好ましい。そして、本実施形態の誘電体フィルタは、フィルタとして、高い比誘電率、高い品質係数Qf値が得られ、0ppm/°Cに近い共振周波数の温度係数τfを有する、本実施形態の誘電体セラミックスを備えるので、良好な性能を有する誘電体フィルタとすることができる。また、本実施形態の誘電体セラミックスは、各種誘電体フィルタ用材料以外に、MICMonolithicIC用誘電体基板、誘電体導波路、誘電体アンテナまたは積層型セラミックコンデンサの誘電体等に使用してもよい。本実施形態によるBaO-Nd2O3-TiO2-Ta2O5-Al2O3系材料のモル比a、b、c、xおよびyを種々変更して試料を作製し、比誘電率εr、品質係数Qf値および20°Cの共振周波数を基準とした-40~20°Cと20~80°Cの共振周波数の温度係数τfの測定をした。製造方法および特性測定方法の詳細を以下に説明する。出発原料として、純度995質量以上のBaCO3、Nd2O3、TiO2、Ta2O5およびAl2O3の各粉末を準備した。次に、それぞれの材料を表1の割合となるように秤量した。そして、BaCO3、Nd2O3、TiO2、Ta2O5およびAl2O3を混合したものを、ボールミル内に投入し、ボールミル内に純水を加えた。次に秤量された粉末に純水を加え、各原料の平均粒径が05~20μmの範囲内となるまで、ジルコニアボールを使用したボールミルにより粉砕を行い、混合物を得た。そして、得られた混合物を乾燥後、1100°Cで焼成し一次原料を得て、この一次原料をボールミルを用いて、平均粒径05~3μmの範囲内となるまで粉砕し、一次原料の粉砕物を得た。次に、この一次原料の粉砕物をASTME11-61に記載されている粒度番号が80のメッシュの篩いに通し、分級された一次粉末を得た。この一次粉末に純水を加えた後、平均粒径が05~20μmとなるまで1~30時間、ジルコニアボールを使用したボールミルにより混合粉砕を行なった。さらに、一次粉末100質量部に対して、それぞれ3~10質量のポリビニルアルコールを加えてから所定時間混合した後、表1に示す試料No.1~31を得るためのそれぞれのスラリーを得た。次に、上記スラリーをスプレードライヤで噴霧造粒して造粒体を得た後、これら造粒体を金型プレス法によりφ20mm、高さ15mmの円柱体に成形し成形体を得た。得られた成形体を大気雰囲気中1400°C~1500°Cで2時間保持して焼成し、試料No.1~31を得た。なお、これら試料は、焼成後に上下面と側面の一部に研磨加工を施し、アセトン中で超音波洗浄を行なったものである。次に、これら試料No.1~31について、誘電特性を評価した。誘電特性の評価は、試料No.1~31を用いて誘電体円柱共振器法国際規格IEC6133813により測定周波数4~5GHzにおける比誘電率εrとQ値を測定した。なお、Q値については測定周波数fとの積で表される品質係数Qf値に換算している。また、-40~20°Cおよび20~80°Cの温度範囲における共振周波数を測定し、それぞれ20°Cでの共振周波数を基準にして-40~20°Cおよび20~80°Cの共振周波数の温度係数τfAおよびτfBを算出した。なお、試料は入力端子および出力端子が接続された金属キャビティ内にセットされ、その金属キャビティを恒温槽内にセットした後、所望の温度で観測される共振周波数を測定して、-40~20°Cおよび20~80°Cの共振周波数の温度係数τfAおよびτfBを次の式で算出することができる。τfA=f-40-f20/f20/-40-20τfB=f80-f20/f20/80-20ここで、f-40、f80は-40、80°Cのときに測定された共振周波数、f20は20°Cのときに測定された共振周波数である。また、共振周波数の温度係数τfAとτfBとの差の絶対値である|τfA-τfB|を算出した。結果を表1に示す。表1から、比誘電率εr、品質係数Qf値および共振周波数の温度係数τfAおよびに基づいて計測しているので、試料No.2~5、8~11、14~17、20~24、27~30、32~42または43~48を備える誘電体フィルタは良好な性能を有することがわかった。