周期的な凹凸部を表面に有する反射防止構造体において、最外側の凸部を除く任意の凸部と、該任意の凸部からの距離の合計が最短である6個の凸部とは、1該6個の凸部のうちの4個の前記凸部のそれぞれと前記任意の凸部との間に凸部の頂点よりも低く凹部の底点よりも高い位置で凸部同士を連結する連結部が存在し、2該6個の凸部のうちの残りの2個の前記凸部のそれぞれと前記任意の凸部との間に凹部が存在するように、配置されることを特徴とする反射防止構造体。前記任意の凸部を中心に交差する3方向のうち、2方向に沿って前記凸部と前記連結部とが交互に配置され、残りの一方向に沿って前記前記凸部と前記凹部とが交互に配置される請求項1に記載の反射防止構造体。前記凸部は、正六方格子状に周期的に配置される請求項1又は2に記載の反射防止構造体。前記凸部は、正四方格子状に周期的に配置される請求項1又は2に記載の反射防止構造体。周期的な凹凸部を表面に有する原型を用いて、周期的な凹凸部を表面に有する反射防止構造体を製造する工程を有する反射防止構造体の製造方法において、前記原型において、最外側の凸部を除く任意の凸部と、該任意の凸部からの距離の合計が最短である6個の凸部とは、1該6個の凸部のうちの4個の前記凸部のそれぞれと前記任意の凸部との間に凸部の頂点よりも低く凹部の底点よりも高い位置で凸部同士を連結する連結部が存在し、2該6個の凸部のうちの残りの2個の前記凸部のそれぞれと前記任意の凸部との間に凹部が存在するように、配置されることを特徴とする反射防止構造体の製造方法。前記任意の凸部を中心に交差する3方向のうち、2方向に沿って前記凸部と前記連結部とが交互に配置され、残りの一方向に沿って前記前記凸部と前記凹部とが交互に配置される請求項5に記載の反射防止構造体の製造方法。前記原型を製造する工程をさらに有し、該工程は、基体上にレジスト膜を成膜する工程と、該レジスト膜の表面に、第1の方向に沿って光強度が変化する第1の干渉縞を露光する工程と、該レジスト膜の表面に、前記第1の方向と交差する第2の方向に沿って光強度が変化する第2の干渉縞を露光する工程と、前記第1及び第2の干渉縞の露光後に、前記レジスト膜を現像する工程とを有する請求項5又は6に記載の反射防止構造体の製造方法。前記第1の方向と前記第2の方向とのなす角が60°である請求項7に記載の反射防止構造体の製造方法。前記第1の方向と前記第2の方向とのなす角が90°である請求項7に記載の反射防止構造体の製造方法。従来の反射防止構造体の凹凸部は、平面上に錐状の突起部が多数配列された構造を有する。突起部の充填率を高めるため、突起部は六方格子状又は四方格子状に周期的に配置される。反射防止構造体の低反射性の向上を目的として、突起部の充填率をさらに高めるため、突起部の下部同士が重なり合うように配置されることがある。しかしながら、突起部の下部同士が重なり過ぎると、凸部の頂点と凹部の底点との高低差が小さくなるので、却って低反射性に悪影響を及ぼす。また、反射防止構造体は、表面に凹凸部を有するので、表面が擦れたときに傷付きやすいという問題もあった。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、低反射性及び耐擦傷性に優れた反射防止構造体、及び反射防止構造体の製造方法の提供を目的とする。上記目的を解決するため、本発明の一の態様による反射防止構造体は、周期的な凹凸部を表面に有する反射防止構造体において、最外側の凸部を除く任意の凸部と、該任意の凸部からの距離の合計が最短である6個の凸部とは、1該6個の凸部のうちの4個の前記凸部のそれぞれと前記任意の凸部との間に凸部の頂点よりも低く凹部の底点よりも高い位置で凸部同士を連結する連結部が存在し、2該6個の凸部のうちの残りの2個の前記凸部のそれぞれと前記任意の凸部との間に凹部が存在するように、配置されることを特徴とする。さらに、本発明の他の態様による反射防止構造体の製造方法は、周期的な凹凸部を表面に有する原型を用いて、周期的な凹凸部を表面に有する反射防止構造体を製造する工程を有する反射防止構造体の製造方法において、前記原型において、最外側の凸部を除く任意の凸部と、該任意の凸部からの距離の合計が最短である6個の凸部とは、1該6個の凸部のうちの4個の前記凸部のそれぞれと前記任意の凸部との間に凸部の頂点よりも低く凹部の底点よりも高い位置で凸部同士を連結する連結部が存在し、2該6個の凸部のうちの残りの2個の前記凸部のそれぞれと前記任意の凸部との間に凹部が存在するように、配置されることを特徴とする。本発明によれば、低反射性及び耐擦傷性に優れた反射防止構造体、及び反射防止構造体の製造方法が提供される。以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において、同一の又は対応する構成については同一の又は対応する符号を付して説明を省略する。[第1の実施形態]図1は、本発明の第1の実施形態による反射防止構造体の一部を示す斜視図である。図1において、反射防止構造体の表面の凹凸を表現するため、等高線を細線で示す。図2は、図1の反射防止構造体の表面の凹凸を模式的に示す平面図1である。図2Aは凸部の頂点を結ぶ格子の配列を示し、図2Bは図2Aの一部を示す。図2において、図面を見やすくするため、凸部及び連結部を異なる点模様、凸部の頂点を黒丸、凹部の底点を白丸、凸部の頂点を結ぶ格子を太線で示す。図3は、図1の反射防止構造体の表面の凹凸を示す図である。図3Aは図2のA-A線に沿った断面における凹凸、図3Bは図2のB-B線に沿った断面における凹凸、図3Cは図2のC-C線に沿った断面における凹凸、図3Dは図2のD-D線に沿った断面における凹凸を示す。反射防止構造体10は、所謂モスアイ型であって、図1に示すように、基体12と基体12上に形成される樹脂層14とで構成される。基体12及び樹脂層14は、透光性を有してよい。樹脂層14の表面には、周期的な凹凸部20が形成されている。尚、反射防止構造体10は、樹脂層14のみで構成されてもよい。基体12は、例えばシート状、板状、又はブロック状に形成される。基体12の材料は、特に限定されないが、例えばガラス又はプラスチック等が用いられる。ガラスとしては、例えばソーダライムガラス、無アルカリガラス、石英ガラス等が用いられる。ガラスの成形方法としては、例えばフロート法、フュージョン法等が用いられる。プラスチックとしては、例えばポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキルメタアクリレート、スチレンなどといったビニルモノマーとの共重合体などのメタアクリル系樹脂;ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネートCR39などのポリカーボネート系樹脂;臭素化ビスフェノールA型のジメタアクリレートの単独重合体ないし共重合体、臭素化ビスフェノールAモノメタアクリレートのウレタン変性モノマーの重合体及び共重合体などといった熱硬化性メタアクリル系樹脂;ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよび不飽和ポリエステル、アクリロニトリル-スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー商品名:アートン、ゼオノアなどが好ましい。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂の使用も可能である。樹脂層14は、例えば基体12上に熱硬化性又は光硬化性の樹脂を塗布し、硬化してなる。樹脂層14の表面には凹凸部20が形成される。凹凸部20は、図1及び図2に示すように、凸部21と、凹部22と、凸部21の頂点21aよりも低く凹部22の底点22aよりも高い位置で所定の凸部21同士を連結する連結部23とを有する。複数の凸部21と、複数の凹部22と、複数の連結部23とが2次元的に配列されている。凸部21は、例えば正六方格子状、準六方格子状、正四方格子状、又は準四方格子状図1及び図2では正六方格子状に周期的に配置される。凸部21の充填率を高めるため、凸部21は六方格子状に周期的に配置されることが好ましい。以下、凸部21が六方格子状に周期的に配置される場合について説明する。尚、凸部21が四方格子状に周期的に配置される場合については、第2の実施形態で説明する。正六方格子状に周期的に配置されるとは、図2に示すように、最外側の凸部21を除く任意の凸部21-1の周囲に、該任意の凸部21-1からの距離が最短で且つ等しい6個の凸部21-2~21-7が配置されることを意味する。6個の凸部21-2~21-7の頂点は、凸部21-1の頂点を中心に60°間隔で等ピッチで配置され、正六角形状の格子を構成する。準六方格子状に周期的に配置されるとは、正六方格子に準ずる形状に周期的に配置されることを意味する。正六方格子に準ずる形状は、正六角形状の格子を所定の方向に引き伸ばした形状等、正六角形状の格子を歪ませた形状である。正六角形状の格子を歪ませた形状の格子は、直線形状、曲線形状、又は蛇行形状に連続的に並んでよい。本実施形態では、図2に示すように、最外側の凸部21を除く任意の凸部21-1と、該凸部21-1からの距離の合計和が最短である6個の凸部21-2~21-7とは、下記の1及び2を満たすように配置される。16個の凸部21-2~21-7のうちの4個の凸部21-2、21-3、21-5、21-6のそれぞれと、凸部21-1との間に連結部23が存在する。26個の凸部21-2~21-7のうちの残りの2個の凸部21-4、21-7のそれぞれと、凸部21-1との間に凹部22が存在する。距離は、凸部21の頂点21a同士の間の距離のことである。距離の合計が最短である6個の凸部の組合せが複数有る場合、全ての組合せについて上記の1及び2が成立する。尚、本実施形態では、距離の合計が最短である6個の凸部の組合せは1つだけである。上記の1及び2が成立する場合、図2に示すように、例えば任意の凸部21-1を中心に交差する3方向のうち、2方向F1方向及びF2方向に沿って凸部21と連結部23とが交互に配置され、残りの一方向F3方向に沿って凸部21と凹部22とが交互に配置される。F1方向、F2方向、及びF3に間隔をおいて並ぶ凸部21のピッチP1図3A及び図3B参照は、可視光の波長以下の長さに設定されてよい。F3方向と垂直な方向に間隔をおいて並ぶ凸部21のピッチP2図3C参照は、ピッチP1よりも大きい。F1方向と平行な方向に沿って凹部22と連結部23とが交互に配置されている図2及び図3D参照。このように、凸部21及び凹部22が交互に配置される方向と、凸部21及び連結部23が交互に配置される方向とが異なる。そのため、凸部21の頂点21aと凹部22の底点22aとの高低差H1図3B参照と、凸部21の頂点21aと連結部23の所定部分23a図1参照との高低差H2図3A参照とを独立に設計可能である。従って、高低差H1と、高低差H2とを独立に最適化することが可能である。ここで、連結部23の所定部分23aは、凸部21の頂点21a同士の間における最も低い部分であって、凹部22の底点22a同士の間における最も高い部分である。高低差H1と高低差H2の最適化のため、先ず、ピッチP1の範囲が設定されてよい。ピッチP1は、上述の如く、可視光の波長以下の長さに設定されるので、例えば400nm以下好ましくは300nm以下であってよい。また、ピッチP1は、生産性の観点から、例えば50nm以上好ましくは100nm以上であってよい。従って、ピッチP1は50~400nmであってよい。次いで、凹凸部20のアスペクト比の範囲が設定される。凹凸部20のアスペクト比は、凸部21の頂点21aと凹部22の底点22aとの高低差H1と、凸部21のピッチP1との比H1/P1で表される。アスペクト比H1/P1は、反射防止構造体10の低反射性の観点から、例えば0.5以上好ましくは0.7以上、より好ましくは1以上である。また、アスペクト比H1/P1は、生産性の観点から、例えば4以下好ましくは3以下、より好ましくは2以下である。尚、凸部21のF1方向におけるピッチと、凸部21のF2方向におけるピッチと、凸部21のF3方向におけるピッチとが異なる場合、最短のピッチでアスペクト比が求められる。アスペクト比H1/P1が0.5~4であるので、高低差H1は例えば100~500nmであってよい。次いで、高低差H1と高低差H2との比H2/H1が設定される。比H2/H1が大きくなるほど、連結部23の所定部分23aの高さが低くなるので、反射防止構造体10の低反射性が良くなる。比H2/H1は、例えば0.1以上好ましくは0.2以上、より好ましくは0.3以上である。一方、比H2/H1が小さくなるほど、連結部23の所定部分23aの高さが高くなり、凸部21が補強されるので、反射防止構造体10の耐擦傷性が良くなる。比H2/H1は、例えば0.9以下好ましくは0.7以下、より好ましくは0.5以下である。比H2/H1が0.1~0.9であるので、高低差H2は例えば30~300nmであってよい。本実施形態では、高低差H1と、高低差H2とを独立に最適化することが可能であるので、アスペクト比H1/P1と、比H2/H1を独立に最適化することが可能であり、低反射性と耐擦傷性の両立が可能である。ピッチP1、高低差H1、高低差H2等は、原子間力顕微鏡AFM:AtomicForceMicroscopeにより撮影したAFM画像、及びその断面プロファイルから求められる。尚、本実施形態では、直線方向であるF1方向及びF2方向に沿って凸部21と連結部23とが交互に配列され、直線方向であるF3方向に沿って凸部21と凹部22とが交互に配列されるが、上記の1及び2が成立する限り、本発明はこれに限定されない。例えば、六角形状の格子を湾曲状に配列する場合、所定の曲線方向に沿って凸部21と連結部23とが交互に配列されてもよい。尚、本実施形態では、凸部21の配置について着目したが、凹部22の配置について着目してもよい。図4は、図1の反射防止構造体の表面の凹凸を模式的に示す平面図2である。図4Aは凹部の底点を結ぶ格子の配列を示し、図4Bは図4Aの一部を示す。図4において、図面を見やすくするため、凸部及び連結部を異なる点模様、凸部の頂点を黒丸、凹部の底点を白丸、凹部の底点を結ぶ格子を太線で示す。図4に示すように、最外側の凹部22を除く任意の凹部22-1と、該凹部22-1からの距離の合計和が最短である6個の凹部22-2~22-7とは、下記の3及び4を満たすように配置される。36個の凹部22-2~22-7のうちの4個の凹部22-2、22-3、22-5、22-6のそれぞれと、凹部22-1との間に連結部23が存在する。46個の凹部22-2~22-7のうちの残りの2個の凹部22-4、22-7のそれぞれと、凹部22-1との間に凸部21が存在する。距離は、凹部22の底点22a同士の間の距離のことである。距離の合計が最短である6個の凹部22の組合せが複数有る場合、全ての組合せについて上記の3及び4が成立する。本実施形態では、距離の合計が最短である6個の凹部22の組合せは1つだけである。図5~図6は、本発明の第1の実施形態による反射防止構造体の製造方法の説明図1~2である。図5は原型を用いてレプリカを作製する第1の工程を示し、図6はレプリカを用いて反射防止構造体を作製する第2の工程を示す。反射防止構造体の製造方法は、周期的な凹凸部60を表面に有する原型50を用いて、周期的な凹凸部20を表面に有する反射防止構造体10を製造する工程を有する。該工程は、例えば、原型50の凹凸部60の形状を反転転写した凹凸部80を表面に有するレプリカ70を作製する第1の工程と、レプリカ70の凹凸部80の形状を反転転写した凹凸部20を表面に有する反射防止構造体10を作製する第2の工程とを有する。原型50は第1の工程において繰り返し使用可能であり、レプリカ70は第2の工程において繰り返し使用可能である。第1の工程は、例えば、原型50を用意する工程図5A参照と、原型50の凹凸部60上に金属膜を成膜してレプリカ70を作製する工程図5B参照と、レプリカ70を原型50から剥離する工程図5C参照とを有する。レプリカ70は、例えば原型50の凹凸部60上に導電膜を形成した後、導電膜上にNi等の金属膜を電鋳法で形成してなる。導電膜の形成方法としては、無電解メッキ、スパッタリングや真空蒸着等のPVD法が用いられる。第2の工程は、例えば基体12上に硬化性樹脂を塗布する工程図6A参照と、塗布層13の表面にレプリカ70の凹凸部80を押し付けた状態で塗布層13を硬化する工程図6B参照と、塗布層13を硬化してなる樹脂層14からレプリカ70を剥離する工程図6C参照とを有する。硬化性樹脂には、例えば熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂が用いられる。硬化性樹脂の塗布方法としては、例えばスピンコート法、ダイコート法、インクジェット法等の一般的な方法が用いられる。このようにして、反射防止構造体10が製造される。反射防止構造体10の凹凸部20は、原型50の凹凸部60の形状を2回反転した形状を有するので、原型50の凹凸部60と略同じ形状、略同じ寸法を有する。図7は、図5の原型の表面の凹凸を模式的に示す平面図である。図7Aは凸部の頂点を結ぶ格子の配列を示し、図7Bは図7Aの一部を示す。図7において、図面を見やすくするため、凸部及び連結部を異なる点模様、凸部の頂点を黒丸、凹部の底点を白丸、凸部の頂点を結ぶ格子を太線で示す。原型50の凹凸部60は、反射防止構造体10の凹凸部20と同様に、図7に示すように、凸部61と、凹部62と、凸部61の頂点61aよりも低く凹部62の底点62aよりも高い位置で所定の凸部61同士を連結する連結部63とを有する。複数の凸部61と、複数の凹部62と、複数の連結部63とが2次元的に配列されている。凸部61は、例えば正六方格子状、準六方格子状、正四方格子状、又は準四方格子状本実施形態では正六方格子状に周期的に配置される。凸部61の充填率を高めるため、凸部61は、六方格子状に周期的に配置されることが好ましい。凸部61が正六方格子状に周期的に配置される場合、最外側の凸部61を除く任意の凸部61-1の周囲に、該任意の凸部61-1からの距離が最短で且つ等しい6個の凸部61-2~61-7が配置される。6個の凸部61-2~61-7の頂点は、凸部61-1の頂点を中心に60°間隔で等ピッチで配置され、正六角形状の格子を構成する。本実施形態では、図7に示すように、最外側の凸部61を除く任意の凸部61-1と、該凸部61-1からの距離の合計和が最短である6個の凸部61-2~61-7とは、下記の5及び6を満たすように配置される。56個の凸部61-2~61-7のうちの4個の凸部61-2、61-3、61-5、61-6のそれぞれと、凸部61-1との間に連結部63が存在する。66個の凸部61-2~61-7のうちの残りの2個の凸部61-4、61-7のそれぞれと、凸部61-1との間に凹部62が存在する。尚、本実施形態では、距離の合計が最短である6個の凸部の組合せは1つだけである。上記の5及び6が成立する場合、例えば任意の凸部61-1を中心に交差する3方向のうち、2方向F1方向及びF2方向に沿って凸部61と連結部63とが交互に配置され、残りの一方向F3方向に沿って凸部61と凹部62とが交互に配置される。F1方向と平行な方向に沿って、凹部62と連結部63とが交互に配置されている。このように、原型50において、凸部61及び凹部62が交互に配置される方向と、凸部61及び連結部63が交互に配置される方向とが異なる。そのため、凸部61の頂点61aと凹部62の底点62aとの高低差と、凸部61の頂点61aと連結部63の所定部分反射防止構造体10の連結部23の所定部分23aに対応する部分との高低差とを独立に設計可能である。よって、図1~図4に示す反射防止構造体10において凸部21の頂点21aと凹部22の底点22aとの高低差H1と、凸部21の頂点21aと連結部23の所定部分23aとの高低差H2とを独立に設計可能である。よって、高低差H1と、高低差H2とを独立に最適化することが可能であるので、低反射性と耐擦傷性との両立が可能である。尚、本実施形態では、反射防止構造体10の凹凸部20は、原型50の凹凸部60の形状を2回反転した形状を有するが、原型50の凹凸部60の形状を1回以上反転した形状を有していればよく、塗布層13図6参照の表面に原型50の凹凸部60を押し付けた状態で塗布層13を硬化してもよい。反転転写の回数に関係なく、反射防止構造体10の凸部21は上記の1及び2を満たすので、低反射性と耐擦傷性との両立が可能である。図8は、本発明の第1の実施形態による反射防止構造体の製造方法の説明図3である。図8は、原型を製造する工程を示す。反射防止構造体の製造方法は、原型50を製造する工程をさらに有してよい。該工程は、例えば、基体51図5及び図6参照上にレジスト膜52を成膜する工程と、レジスト膜52の表面に、第1の方向G1方向に光強度が変化する第1の干渉縞を露光する工程図8A参照と、レジスト膜52の表面に、第1の方向と交差する第2の方向G2方向に光強度が変化する第2の干渉縞を露光する工程図8B参照と、第1及び第2の干渉縞の露光後にレジスト膜52を現像する工程とを含む。基体51図5及び図6参照は、例えばシート状、板状、ブロック状、又はロール状に形成される。基体51の材料は、特に限定されないが、例えばシリコン、石英ガラス、ソーダガラス、無アルカリガラス等が用いられる。レジスト膜52の材料としては、一般的なものが用いられ、ネガ型、ポジ型のいずれも使用可能である。レジスト膜52の材料に応じて、現像液が選定される。第1の干渉縞は、2光束干渉露光法で形成される。第1の干渉縞によって感光した複数の感光部53が第1の方向G1方向に間隔をおいて並ぶ。干渉波の光源としては、He-Cdレーザ波長325nm等の一般的なレーザ発振器が用いられる。第2の干渉縞は、レジスト膜52を回転した後、第1の干渉縞と同様に、2光束干渉露光法で形成される。第1の干渉縞によって感光した複数の感光部54が第2の方向G2方向に間隔をおいて並ぶ。尚、本実施形態では、第1の干渉縞の露光と、第2の干渉縞の露光とは、別々に行われるが、同時に行われてもよい。レジスト膜52の現像は、第1及び第2の干渉縞の露光後に行われる。レジスト膜52を現像することにより、周期的な凹凸部60を表面に有する樹脂層56図5A参照が得られる。レジスト膜52がネガ型の場合、強く感光した部分ほど現像後に残りやすい。そのため、感光部53と感光部54との交差部分55が、現像後に凸部61となる。凸部61は、頂点61aに向けて先細り状に形成される。感光部53、54の交差部分55以外の部分が、現像後に連結部63となる。また、レジスト膜52がポジ型の場合、強く感光した部分ほど現像によって除去されやすい。そのため、感光部53と感光部54との交差部分55が、現像後に凹部62となる。凹部62は、底点62aに向けて先細り状に形成される。感光部53、54の交差部分55以外の部分が、現像後に連結部63となる。このようにして、原型50が作製される。第1の方向と第2の方向とのなす角θが60°の場合、凸部61が正六方格子状に周期的に配置される。尚、第1の方向と第2の方向とのなす角θが90°の場合、凸部61が正四方格子状に周期的に配置される。尚、本実施形態の原型50は、2光束干渉露光法でレジスト膜52に干渉縞を露光して作製されるが、原型50の作製方法は特に限定されない。例えば、フォトリソグラフィ法、電子線EB描画法、レーザ描画法等で基体51の表面に凹凸部60を形成してもよい。[第2の実施形態]図9は、本発明の第2の実施形態による反射防止構造体の一部を示す斜視図である。図9において、反射防止構造体の表面の凹凸を表現するため、等高線を細線で示す。図10は、図9の反射防止構造体の表面の凹凸を模式的に示す平面図である。図10Aは凸部の頂点を結ぶ格子の配列を示し、図10Bは図10Aの一部を示す。図10において、図面を見やすくするため、凸部及び連結部を異なる点模様、凸部の頂点を黒丸、凹部の底点を白丸、凸部の頂点同士を結ぶ格子を太線で示す。図11は、図9の反射防止構造体の表面の凹凸を示す図である。図11Aは図10のA-A線に沿った断面における凹凸、図11Bは図10のB-B線に沿った断面における凹凸、図11Cは図10のC-C線に沿った断面における凹凸を示す。反射防止構造体110は、所謂モスアイ型であって、図9に示すように、第1の実施形態と同様に、基体112と基体112上に形成される樹脂層114とで構成される。樹脂層114の表面には、周期的な凹凸部120が形成されている。尚、反射防止構造体110は、樹脂層114のみで構成されてもよい。凹凸部120は、凸部121と、凹部122と、凸部121の頂点121aよりも低く凹部122の底点122aよりも高い位置で所定の凸部121同士を連結する連結部123とを有する。複数の凸部121と、複数の凹部122と、複数の連結部123とが2次元的に配列されている。凸部121は、例えば正四方格子状に周期的に配置される。正四方格子状に周期的に配置されるとは、図10に示すように、最外側の凹部122を除く任意の凹部122の周囲に、該任意の凹部122からの距離が最短で且つ等しい4個の凸部121が配置されることを意味する。4個の凸部121の頂点121aは、凹部122の底点122aを中心に90°間隔で等ピッチで配置され、正四角形の格子を構成する。尚、凸部121は、準四方格子状に周期的に配置されてもよい。準四方格子状に周期的に配置されるとは、正四方格子に準ずる形状に周期的に配置されることを意味する。正四方格子に準ずる形状は、正四角形状の格子を所定の方向に引き伸ばした形状等、正四角形状の格子を歪ませた形状である。正四角形状の格子を歪ませた形状の格子は、直線形状、曲線形状、又は蛇行形状に連続的に並んでよい。本実施形態では、図10に示すように、最外側の凸部121を除く任意の凸部121-1と、該凸部121-1からの距離の合計和が最短である6個の凸部例えば凸部121-2~121-7とは、下記の7及び8を満たすように配置される。76個の凸部121-2~121-7のうちの4個の凸部121-2、121-3、121-5、121-6のそれぞれと、凸部121-1との間に連結部123が存在する。86個の凸部121-2~121-7のうちの残りの2個の凸部121-4、121-7のそれぞれと、凸部121-1との間に凹部122が存在する。距離は、凸部121の頂点121a同士の間の距離のことである。距離の合計が最短である6個の凸部の組合せが複数有る場合、全ての組合せについて上記の7及び8が成立する。本実施形態では、凸部121-1からの距離が最短で且つ等しい凸部が4個あり、凸部121-1からの距離が次に短く且つ等しい凸部が4個あるので、凸部121-1からの距離の合計が最短である6個の凸部の組合せは6個ある。6個全ての組合せについて上記の7及び8が成立する。上記の7及び8が成立する場合、例えば任意の凸部121-1を中心に交差する3方向のうち、2方向J1方向及びJ2方向に沿って凸部121と連結部123とが交互に配置され、残りの一方向J3方向に沿って凸部121と凹部122とが交互に配置される。J1方向及びJ2方向に間隔をおいて並ぶ凸部121のピッチP11図11A参照は、可視光の波長以下の長さに設定されてよい。J3方向に間隔をおいて並ぶ凸部121のピッチP12図11B参照はピッチP11よりも大きい。J1方向と平行な方向に沿って、凹部122と連結部123とが交互に配置されている図10及び図11C参照。このように、凸部121及び凹部122が交互に配置される方向と、凸部121及び連結部123が交互に配置される方向とが異なる。そのため、凸部121の頂点121aと凹部122の底点122aとの高低差H11図11B参照と、凸部121の頂点121aと連結部123の所定部分123a図9参照との高低差H12図11A参照とを独立に設計可能である。従って、高低差H11と、高低差H12とを独立に最適化することが可能である。ここで、連結部123の所定部分123aは、凸部121の頂点121a同士の間における最も低い部分であって、凹部122の底点122a同士の間における最も高い部分である。高低差H11と高低差H12の最適化のため、先ず、ピッチP11の範囲が設定されてよい。ピッチP11は、上述の如く、可視光の波長以下の長さに設定されるので、例えば400nm以下好ましくは300nm以下であってよい。また、ピッチP11は、生産性の観点から、例えば50nm以上好ましくは100nm以上であってよい。従って、ピッチP11は50~400nmであってよい。次いで、凹凸部120のアスペクト比の範囲が設定される。凹凸部120のアスペクト比は、凸部121の頂点121aと凹部122の底点122aとの高低差H11と、凸部121のピッチP11との比H11/P11で表される。アスペクト比H11/P11は、反射防止構造体110の低反射性の観点から、例えば0.5以上好ましくは0.7以上、より好ましくは1以上である。また、アスペクト比H11/P11は、生産性の観点から、例えば4以下好ましくは3以下、より好ましくは2以下である。尚、凸部121のJ1方向におけるピッチと、凸部21のJ2方向におけるピッチとが異なる場合、最短のピッチでアスペクト比が求められる。アスペクト比H11/P11が0.5~4であるので、高低差H11は例えば100~500nmであってよい。次いで、高低差H11と高低差H12との比H12/H11が設定される。比H12/H11が大きくなるほど、連結部123の所定部分123aの高さが低くなるので、反射防止構造体110の低反射性が良くなる。比H12/H11は、例えば0.1以上好ましくは0.2以上、より好ましくは0.3以上である。一方、比H12/H11が小さくなるほど、連結部123の所定部分123aの高さが高くなり、凸部121が補強されるので、反射防止構造体110の耐擦傷性が良くなる。比H12/H11は、例えば0.9以下好ましくは0.7以下、より好ましくは0.5以下である。比H12/H11が0.1~0.9であるので、高低差H12は例えば30~300nmであってよい。本実施形態では、高低差H11と、高低差H12とを独立に最適化することが可能であるので、アスペクト比H11/P11と、比H12/H11を独立に最適化することが可能であり、低反射性と耐擦傷性の両立が可能である。尚、本実施形態では、凸部121の配置について着目したが、第1の実施形態と同様に、凹部122の配置について着目してもよい。上記構成の反射防止構造体110の製造方法は、第1の実施形態による反射防止構造体10の製造方法と同様であるので、説明を省略する。以上、本発明の第1~第2の実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に制限されない。本発明の範囲を逸脱することなく、上記の実施形態に種々の変形や置換を加えることができる。例えば、反射防止構造体の裏面モスアイ型の凹凸部が形成される面と対向する面には、低反射層が設けられてもよい。低反射層は透光性を有する。低反射層は、光の干渉作用によって反射率を低下させてもよいし、光の吸収によって反射率を低下させてもよい。低反射層は、有機物及び/又は無機物で形成される。低反射層の形成方法には、PVD法やCVD法等のドライコーティング、ダイコート法、スプレイコート法、インクジェット法、スピンコート法等のウェットコーティングが用いられる。反射防止構造体がタッチパネルに用いられる場合、低反射層が外側、モスアイ型の凹凸部が内側に配置されてよい。また、上記実施形態の凸部は頂点に向けて先細り状であるが、凸部が平らな頂部を有してもよい。この場合、特許請求の範囲における距離は、凸部の頂部の中心点同士の間の距離である。同様に、上記実施形態の凹部は底点に向けて先細り状であるが、凹部が平らな底部を有してもよい。以下に、実施例等により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。[実施例1]実施例1では、図1~図3に示す凹凸部を表面に有する反射防止構造体の解析用モデルを作製し、コンピュータを用いてシミュレーション解析を行った。解析用モデルは、図12に示すように、断面形状が正弦波状の凸条部群91を仮想平面92上で2つ図12には1つのみ図示重ねて作製した。レジスト膜に干渉縞を1回露光し、現像すると、断面形状が正弦波状の凹凸面が形成されることを考慮している。2つの凸条部群91の重なる部分が図1~図2に示す凸部21に相当する。凸部が正六方格子状に周期的に配置されるように、2つの凸条部群91の交差角は60°に設定した。凸部の頂点と凹部の底点仮想平面92との高低差H1図3B参照は300nm、凸部の頂点と連結部の所定部分との高低差H2図3A参照は150nm、凸部のピッチP1図3A及び図3B参照は250nmとした。凸条部群91の物性値例えば屈折率やヤング率等としては、アクリル樹脂の物性値を用いた。解析用モデルの凹凸部上での反射率は、FDTD法有限差分時間領域法で解析した。解析ソフトには、CYBERNET社製PoyntingforOpticsを用いた。結果を図14に示す。図14において、横軸は光の波長、縦軸は光の反射率である。また、図14において、L1は実施例1の解析結果、L11~L13は後述の比較例1~3の解析結果を表す。尚、反射率の解析では、仮想平面92の代わりに、厚さ0.7μmの基板の表面を用いた。基板の物性値例えば屈折率としては、凸条部群91の物性値と同じく、アクリル樹脂の物性値を用いた。解析用モデルの耐擦傷性として、各凸部の高さ方向と垂直な方向の外力を各凸部の頂点に与えた場合に凸部に生じる最大応力を有限要素法で解析した。解析ソフトには、SolidWorks社製SolidWorksSimulationを用いた。最大応力が小さいほど、耐擦傷性が高いことを意味する。最大応力の相対値後述の比較例1の最大応力を1とするを表1に示す。相対値で示すのは、ソフト上の制約で応力解析用のモデルの長さ例えば、高低差H1、H2、ピッチP1などを実際の1000倍の長さに設定したためである。[比較例1]比較例1では、従来と同様の凹凸部を表面に有する反射防止構造体の解析用モデルを作製し、実施例1と同様にコンピュータを用いてシミュレーション解析を行った。解析用モデルは、図13に示すように、円錐台93の底面93aの中心を250nmのピッチで正六方格子状に周期的に仮想平面92上に並べ図13A参照、図13では3つの円錐台93のみ図示、各円錐台93の頂面93bとテーパ面93cとの角部を丸く面取りし、先端部が球面の一部で構成される突起部94で形成した図13B参照。突起部94の高さ底面94aと頂点94bとの高低差H21は300nm、突起部94の頂点94bのピッチP21は250nmに設定した。突起部94の底面94a同士が離れるように、底面94aの半径Rは120nmとした。突起部94を高さ方向中央で切断したときの切断面の半径rは94nmであった。円錐台93の底面93aとテーパ面93cとのなす角α図13A参照は80°に設定した。突起部94の物性値例えば屈折率やヤング率等としては、アクリル樹脂の物性値を用いた。光反射率の解析結果を図14、応力の解析結果を表1に示す。[比較例2]比較例2では、円錐台93の底面93aとテーパ面93cとのなす角α図13A参照を70°、突起部94の底面94aの半径Rを150nmとし、図13Cに示すように突起部94の底面94a同士を一部重ねて、突起部94の頂点94b同士の間に鞍部95を形成した他は比較例1と同様に反射防止構造体の解析用モデルを作製し、実施例1と同様にコンピュータを用いてシミュレーション解析を行った。突起部94の頂点94bと鞍部95との高低差H22は160nm、突起部94を高さ方向中央で切断したときの切断面の半径rは124nmであった。光反射率の解析結果を図14、応力の解析結果を表1に示す。[比較例3]比較例3では、円錐台93の底面93aとテーパ面93cとのなす角α図13A参照を80°に設定することによって突起部94の頂点94bと鞍部95との高低差H22を230nmとした他は比較例2と同様に反射防止構造体の解析用モデルを作製し、実施例1と同様にコンピュータを用いてシミュレーション解析を行った。突起部94を高さ方向中央で切断したときの切断面の半径rは95nmであった。光反射率の解析結果を図14、応力の解析結果を表1に示す。図14及び表1から、実施例1の構造は、比較例1~3の構造と異なり、低反射性及び耐擦傷性の両方を有していることがわかる。比較例1では、突起部94の底面94a同士が離れており、鞍部95が形成されないため、耐擦傷性が悪い。比較例2及び比較例3では、反射防止構造体の凹凸部が上記の1及び2を満たしておらず、低反射性が悪い。比較例2及び比較例3では、鞍部95が形成されるように突起部94の底面94a同士が一部重なるので、反射防止構造体の凹部の底点が仮想平面92から離れ、凹部の底点と凸部の頂点との高低差が小さくなるためである。