半導体基板の裏面の一部に、i型非晶質半導体層及び第1導電型の非晶質半導体層を積層する第1工程と、前記第1導電型の非晶質半導体層に一部重複させて、i型非晶質半導体層及び第2導電型の非晶質半導体層を積層する第2工程と、前記第1導電型の非晶質半導体層及び前記第2導電型の非晶質半導体層上に、透明電極を形成する第3工程と、前記透明電極上に、金属電極を形成する第4工程と、前記第1導電型の非晶質半導体層と前記第2導電型の非晶質半導体層の重複領域の上方の、前記透明電極及び前記金属電極をウエットエッチングで除去する第5工程を備えた裏面電極型太陽電池の製造方法。前記第5工程は、フォトリソグラフィ法により行われる請求項1に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。前記第1導電型は、n型である請求項1または2に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。前記第3工程は、スパッタリング法により形成し、前記第4工程は、蒸着法により形成する請求項1~3のいずれかに記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。前記第1工程及び前記第2工程の処理温度は、他の工程の処理温度よりも高い請求項1~4のいずれかに記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。前記第1工程及び前記第2工程の処理温度は、120°C~200°Cである請求項5に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。特許文献1の裏面電極型太陽電池110では、分離溝130を形成するためのレーザ光が第1半導体層112及び第2半導体層114に照射されないように、絶縁層116が形成されている。一般的に、絶縁層116の形成温度は、350°C~1000°Cで、第1半導体層112及び第2半導体層114のようなアモルファス半導体層の形成温度は、120~200°Cである。しかしながら、第1半導体層112及び第2半導体層114の形成後に、第1半導体層112及び第2半導体層114の形成時よりも処理温度の高い工程があると、第1半導体層112、第2半導体層114及び半導体基板111のキャリアライフタイムを低減させてしまうことになる。本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体層及び半導体基板のキャリアライフタイムの低減を抑制しつつ、透明電極層と収集電極層を分離することが可能な裏面電極型太陽電池の製造方法を提供することにある。本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法は、半導体基板の裏面の一部に、i型非晶質半導体層及び第1導電型の非晶質半導体層を積層する第1工程と、第1導電型の非晶質半導体層に一部重複させて、i型非晶質半導体層及び第2導電型の非晶質半導体層を積層する第2工程と、第1導電型の非晶質半導体層及び第2導電型の非晶質半導体層上に、透明電極を形成する第3工程と、透明電極上に、金属電極を形成する第4工程と、第1導電型の非晶質半導体層と第2導電型の非晶質半導体層の重複領域の上方の、透明電極及び金属電極をウエットエッチングで除去する第5工程を備える。ここで、本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法は、第5工程は、フォトリソグラフィ法により行われてもよい。また、本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法は、第1導電型は、n型であってもよい。また、本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法は、第3工程は、スパッタリング法により形成し、第4工程は、蒸着法により形成してもよい。また、本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法は、第1工程及び第2工程の処理温度は、他の工程の処理温度よりも高くてもよい。また、本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法は、第1工程及び第2工程の処理温度は、120°C~200°Cであってもよい。本発明によれば、非晶質半導体層の形成後に、非晶質半導体層の形成工程の処理温度と同程度か、より低い処理温度で、他の工程を処理することができ、かつ、透明電極及び金属電極の分離も可能となるので、非晶質半導体層及び半導体基板のキャリアライフタイムの低減を抑制することが可能な裏面電極型太陽電池の製造方法を提供することができる。図1は、本発明の裏面電極型太陽電池の一例の断面構成図である。図1は、裏面電極型太陽電池の入射光側の面と反対の面である裏面以下、裏面電極型太陽電池の裏面という側が上となっている。裏面電極型太陽電池11には、第1導電型であるn型半導体基板1の入射光側の面と反対の面である裏面以下、n型半導体基板の裏面というに、第1導電型であるn型領域8と、第2導電型であるp型領域9が形成されている。なお、図1では、説明の便宜上、n型領域8とp型領域9はそれぞれ1領域ずつしか示していないが、n型半導体基板1の裏面には、n型領域8とp型領域9は所定の間隔を空けて複数形成されている。n型領域8には、n型半導体基板1の裏面に、n型半導体基板1側より、真性のi型非晶質半導体層2、n型非晶質半導体層3が形成されている。そして、n型非晶質半導体層3上には第1導電型のn型用電極81が形成されている。n型用電極81は、n型非晶質半導体層3側より、n型用透明電極61、n型用金属電極71が形成されている。また、p型領域9には、n型半導体基板1の裏面に、n型半導体基板1側より、真性のi型非晶質半導体層4、p型非晶質半導体層5が形成されている。そして、p型非晶質半導体層5上には、第2導電型のp型用電極82が形成されている。p型用電極82は、p型非晶質半導体層5側より、p型用透明電極62、p型用金属電極72が形成されている。i型非晶質半導体層4、p型非晶質半導体層5は、i型非晶質半導体層2、n型非晶質半導体層3に一部重なるように形成されている。n型用電極81のエッジは、n型非晶質半導体層3上で、i型非晶質半導体層4、p型非晶質半導体層5と接触しないように形成されている。また、p型用電極82のエッジは、p型非晶質半導体層5上で、n型非晶質半導体層3と重複しない領域に形成されている。すなわち、p型用電極82の存在領域の下方には、i型非晶質半導体層2、n型非晶質半導体層3は存在しない。n型非晶質半導体層3とp型非晶質半導体層5が重複する領域にp型用電極82のエッジが形成されると、その真下に電流パスが形成されるので、光電変換効率が低下してしまうからである。なお、n型領域8、p型領域9のエッジは、それぞれ、n型用電極81、p型用電極82のエッジと一致する。このように、n型非晶質半導体層3とp型非晶質半導体層5を一部重複して形成することで、n型領域8とp型領域9の間は、n型半導体基板1の裏面が露出しないようにしている。以下に、本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法の一例を示す。図2は、図1に示す本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法の一例であり、n型半導体基板1の裏面側が上となっている。まず、図2aを用いて説明する。半導体インゴットからスライスするなどによりn型半導体基板1を用意する。ここで、n型半導体基板1としては、例えば、多結晶シリコン若しくは単結晶シリコンなどからなるシリコン基板、またはGaAsやInPなどの化合物半導体からなる化合物半導体基板等を用いることができる。使用するn型半導体基板1は、スライスによって生じたダメージを除去しており、n型半導体基板1の入射光側の面である受光面以下、n型半導体基板の受光面というには、テクスチャ構造である凹凸構造が形成されていてもよい。なお、本実施形態では、n型の単結晶シリコン基板を用いて説明する。次に、n型半導体基板1の裏面の一部の領域に遮蔽板91を被せる。その後、プラズマ気相成長法plasma-enhancedchemicalvapordeposition:PECVDや原子堆積法atomiclayerdeposition:ALDなどの方法を用いて、i型非晶質半導体層2及びn型非晶質半導体層3の順に形成する。ここで、i型非晶質半導体層2及びn型非晶質半導体層3の膜厚は、各々数nm~50nm程度である。本実施形態では、i型非晶質半導体層2及びn型非晶質半導体層3をプラズマ気相成長法によって形成し、その際の形成温度は、120°C~200°Cであった。なお、i型非晶質半導体層2はシランを用い、n型非晶質半導体層3はホスフィンとシランを用いて形成する。次に、図2bに示すように、遮蔽板91を除去した後、n型非晶質半導体層3の一部に遮蔽板92を被せて、プラズマ気相成長法や原子堆積法などの方法を用いて、非晶質半導体層4及びp型非晶質半導体層5の順に形成する。遮蔽板92を被せた領域は、n型領域8となる。ここで、i型非晶質半導体層4及びp型非晶質半導体層5の膜厚は、各々数nm~50nm程度である。本実施形態では、i型非晶質半導体層4及びp型非晶質半導体層5をプラズマ気相成長法によって形成し、その際の形成温度は、120°C~200°Cであった。なお、i型非晶質半導体層4はシランを用い、p型非晶質半導体層5はジボランとシランを用いて形成する。なお、n型非晶質半導体層3とp型非晶質半導体層5が直接接すると、接した領域はpn接合となり太陽電池の一部を形成することとなるが、一般的に、非晶質半導体の品質は、結晶半導体に比べ良くないため、非晶質半導体層が形成するpn接合の存在は、結果的に太陽電池の光電変換効率を低下させることになる。したがって、n型非晶質半導体層3とp型非晶質半導体層5は接しないことが望ましい。また、図2bにおいて、成膜する際、遮蔽板92のエッジは、n型非晶質半導体層3が一部露出するように配置して、n型非晶質半導体層3とi型非晶質半導体層4の重複領域を形成する。n型半導体基板1が露出した領域ができると、n型半導体基板1表面のキャリアの再結合が増加することになるので、n型半導体基板1の露出部分がないようにすることが好ましい。そこで、n型非晶質半導体層3とi型非晶質半導体層4の重複領域を形成することによって、n型半導体基板1の露出を防ぐことができる。また、n型非晶質半導体層3とi型非晶質半導体層4の重複領域を形成することによって、n型非晶質半導体層3とp型非晶質半導体層5の間に、i型非晶質半導体層4が形成される。上記方法では、i型非晶質半導体層2及びi型非晶質半導体層4をそれぞれ別々に形成するが、まず、最初にn型半導体基板1の裏面全面にプラズマ気相成長法等を用いてi型非晶質半導体層を形成し、その後、n型非晶質半導体層3、p型非晶質半導体層5を順に形成してもよい。この場合、n型非晶質半導体層3とp型非晶質半導体層5の重複部分においては、n型層とp型層が接することになるが、わずかな領域なので太陽電池の特性に影響を与えることはない。次に、図2cに示すように、例えば、スパッタリング法等を用いて、n型非晶質半導体層3上と、p型非晶質半導体層5上に透明電極6を形成する。ここで、透明電極6としては、例えば、酸化インジウムスズindiumtinoxide:ITOや酸化亜鉛ZnO、酸化スズ等を用いることができる。本実施形態では、スパッタリング法でITOを形成した。その際の形成温度は、200°C以下であった。次に、図2dに示すように、例えば、蒸着法や印刷法を用いて、透明電極6上に金属電極7を形成する。ここで、金属電極7としては、例えば、アルミニウムAl、銀Ag、チタンTi、パラジウムPd等の単体の金属からなる電極、もしくは、異なる種類の金属を積層させた電極がある。本実施形態では、蒸着法でアルミニウムを形成した。次に、図2eに示すように、スピンコータ等を用いて、金属電極7上にフォトレジスト材10を塗布する。次に、図2fに示すように、フォトリソグラフィ法によってn型領域8とp型領域9の境界をパターニングする。この際、n型非晶質半導体層3とi型非晶質半導体層4の重複領域を含む領域の上方はフォトレジストが除去されるようにする。次に、図2gに示すように、n型用電極81及びp型用電極82を形成する。まず、金属電極7を溶解する水溶液に浸漬することで、金属電極7をウエットエッチングしてn型用電極71とp型用電極72に分離し、その後、透明電極6を溶解する水溶液に浸漬することで、透明電極6をウエットエッチングしてn型用透明電極61とp型用透明電極62に分離する。これによって、n型用電極81及びp型用電極82を形成する。この際、n型用電極71とp型用電極72の分離、n型用透明電極61とp型用透明電極62の分離は、いずれも、n型非晶質半導体層3とのエッジ、および、p型非晶質半導体層5のエッジを含む領域の上方で行う。つまり、n型用電極81のエッジは、n型非晶質半導体層3上にあり、p型用電極82のエッジは、n型非晶質半導体層3と重複しないp型非晶質半導体層5上にあるようにする。また、透明電極6を溶解する水溶液のみに浸漬させることにより、リフトオフ法で、パターニングされた領域の金属電極7及び透明電極6を除去することもできる。本実施形態では、塩酸水溶液に浸漬することで、パターニングに沿ってITOとアルミニウムの両方をウエットエッチングして除去した。その後、フォトレジスト材10を除去する。このようにして、裏面電極型太陽電池11を作製することができる。なお、上記方法では、透明電極6と金属電極7を形成した後に、フォトリソグラフィ法によりn型領域8とp型領域9に分離したが、透明電極6を形成した後にフォトリソグラフィ法によりn型用透明電極61とp型用透明電極62を分離し、その後、金属電極7を形成した後にフォトリソグラフィ法によりn型用金属電極71とp型用金属電極72に分離してもよい。本実施形態の製造方法において、非晶質半導体層の形成後は、非晶質半導体層の形成工程の処理温度と比較して、同程度か、より低い処理温度で、他の工程を行うことができるので、n型半導体基板1のバルク及び非晶質半導体層のキャリアライフタイムの低減を抑制することができる。したがって、n型半導体基板1及び非晶質半導体層にダメージも与えることなく、n型領域8とp型領域9に分離することができる。今回、n型単結晶シリコン基板について記載したが、p型単結晶シリコン基板でも同様の結果が得られた。