透明絶縁性ウェーハ上にシリコン薄膜を有するSOIウェーハのシリコン薄膜側を、真空チャック又は静電チャックを用いて保持し、前記SOIウェーハの透明絶縁性ウェーハ側の表面にブラスト加工を施す粗面化処理透明SOIウェーハの製造方法。前記ブラスト加工が、サンドブラスト加工又はウェットブラスト加工である請求項1に記載の粗面化処理透明SOIウェーハの製造方法。前記真空チャック又は静電チャックの表面の材質がアルミである請求項1又は2に記載の粗面化処理透明SOIウェーハの製造方法。前記真空チャック又は静電チャックが、前記SOIウェーハのウェーハ径と同一の直径と、前記SOIウェーハの厚さと同一の深さを有する凹部と、該凹部に前記SOIウェーハを保持できる保持部とを備える請求項1~3のいずれかに記載の粗面化処理透明SOIウェーハの製造方法。前記ブラスト加工を施すSOIウェーハが、表面から水素イオンを注入して内部に水素イオン注入層を備えるシリコンウェーハをドナーウェーハとして用い、前記シリコンウェーハの前記表面と、透明絶縁性ハンドルウェーハの表面とを貼り合わせる工程と、前記貼り合わせた貼り合わせウェーハに、温度が200~400°Cの熱処理を施す工程と、前記熱処理後、前記水素イオン注入層に沿って前記透明絶縁性ハンドルウェーハ上の前記シリコン薄膜を剥離し、該透明絶縁性ハンドルウェーハ上に該シリコン薄膜を転写する剥離転写工程と、を少なくとも含む方法によって得られる請求項1~4のいずれかに記載の粗面化処理透明SOIウェーハの製造方法。前記透明絶縁性ウェーハが、石英、ガラス、サファイア、又はAlNである請求項1~5のいずれかに記載の粗面化処理透明SOIウェーハの製造方法。上記特許文献1では、問題点を解決するために、シリコン膜を堆積させたSOIウェーハの透明絶縁性ハンドルウェーハ側の表面にブラスト加工を施すことによって、在荷センサーの受光強度を変化させ、ウェーハの有無を判断できるようにすることを提案している。SOIウェーハのシリコン膜側の表面にテープを貼り、該SOIウェーハをゴムシートに固定させ、透明絶縁性ウェーハ側の表面にブラスト加工を施し、その後、SOIウェーハをゴムシートから剥がして回収できる。しかし、ウェーハのゴムシートへの固定処理が非常に繁雑であり、両面テープで固定されたウェーハを剥がすことによってウェーハに負荷がかかり、破損品が発生しやすく、歩留まりを低下させるという問題があった。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、ウェーハにかかる負荷を低減させ、かつ、破損品の発生を大きく低減させ、歩留まりを向上させる粗面化処理透明SOIウェーハの製造方法を提供する。上記課題を解決するため、本発明者は、真空チャック又は静電チャックを用いてウェーハを固定することによって、ブラスト加工を施すことを見出した。すなわち、本発明においては、透明絶縁性ウェーハ上にシリコン薄膜を有するSOIウェーハのシリコン薄膜側を、真空チャック又は静電チャックを用いて保持し、前記SOIウェーハの透明絶縁性ウェーハ側の表面にブラスト加工を施す粗面化処理透明SOIウェーハの製造方法を提供する。本発明の粗面化処理透明SOIウェーハの製造方法によれば、ウェーハにかかる負荷を低減させ、かつ、破損品の発生を大きく低減させ、歩留まりを向上させることができる。本発明で用いる透明絶縁性ウェーハとしては、好ましくは、石英、ガラス、サファイア、又はAlNのいずれかの材料からなるものを挙げることができる。なお、透明絶縁性ウェーハは、後述する貼り合わせる工程の前に、RCA洗浄等の洗浄をしておくことが好ましい。本発明で用いる透明SOIウェーハは、透明絶縁性ウェーハ上にシリコン薄膜を有するものであって、その製造方法は特に限定されない。透明絶縁性ウェーハ上に、シリコン薄膜を蒸着させたり、成長させたものであっても良いが、好ましくは、表面から水素イオンを注入して内部に水素イオン注入層を備えるシリコンウェーハをドナーウェーハとして用い、前記シリコンウェーハの前記表面と、透明絶縁性ハンドルウェーハの表面とを貼り合わせる工程と、前記貼り合わせた貼り合わせウェーハに、温度が200~400°Cの熱処理を施す工程と、前記熱処理後、前記水素イオン注入層に沿って前記透明絶縁性ハンドルウェーハ上の前記シリコン薄膜を剥離し、該透明絶縁性ハンドルウェーハ上に該シリコン薄膜を転写する剥離転写工程と、を少なくとも含む方法によって得られる透明SOIウェーハである。ハンドルウェーハは、透明SOIウェーハを構成する透明絶縁性ウェーハである。ドナーウェーハは、透明SOIウェーハのシリコン薄膜を提供するものであり、単結晶シリコンウェーハ等が挙げられ、例えば、チョクラルスキ法により育成された一般に市販されているものであり、その導電型や比抵抗率等の電気特性値や結晶方位や結晶径は、本発明の方法で製造される透明SOIウェーハが供されるデバイスの設計値やプロセス又は製造されるデバイスの表示面積等に依存して適宜選択されてよい。以下、粗面化処理透明SOIウェーハの製造方法について、ドナーウェーハとハンドルウェーハを貼り合わせる方法を用いる場合を例にとり、図1及び図2を参照して説明する。図1は、粗面化処理透明SOIウェーハの製造方法の工程の一例を示す図である。まず、図1Aに示すように、シリコンウェーハ12をドナーウェーハとして用い、シリコンウェーハの表面12sから水素イオンを注入して内部に水素イオン注入層13を形成させる。次に、図1Bに示すように、シリコンウェーハ12のイオン注入された表面12sと、透明絶縁性ハンドルウェーハ11の表面11sとを貼り合わせる。図1Aに示すように、シリコンウェーハ12の表面12sから水素イオンを注入して水素イオン注入層13を形成する際、例えば、シリコンウェーハ12の温度を250~400°Cとし、その表面から所望の深さに水素イオン注入できるような注入エネルギーで、所定の線量の水素イオンを注入する。このときの条件として、例えば注入エネルギーは50~100keV、注入線量は2×1016~1×1017/cm2とすることができる。注入される水素イオンとしては、2×1016~1×1017atoms/cm2のドーズ量の水素イオンH、又は1×1016~5×1016atoms/cm2のドーズ量の水素分子イオンH2が好ましい。特に好ましくは、8.0×1016atoms/cm2のドーズ量の水素イオンH、又は4.0×1016atoms/cm2のドーズ量の水素分子イオンH2である。このドーズ量で作製したものが、後の剥離、転写の際に、好適な脆弱性を有するからである。水素イオン注入されたシリコンウェーハ12の表面12sから水素イオン注入層13までの深さは、透明絶縁性ハンドルウェーハ11上に設けるシリコン薄膜12Bの所望の厚さに依存するが、好ましくは300~500nm、さらに好ましくは400nm程度である。また、水素イオン注入層13の厚さは、機械衝撃によって容易に剥離できる厚さがよく、好ましくは200~400nm、さらに好ましくは300nm程度である。また、必要に応じて、ドナーウェーハとして、表面12sに酸化膜を形成したシリコンウェーハを用いてもよい。このような、表面12sに酸化膜を形成したシリコンウェーハを用い、酸化膜を通してイオン注入を行えば、注入イオンのチャネリングを抑制する効果が得られ、イオンの注入深さのバラツキをより抑えることができる。これにより、膜厚均一性の高い薄膜を形成することができる。なお、酸化膜は、一般的な熱酸化法により形成することができる。一般的には、酸素雰囲気又は水蒸気雰囲気で常圧下で、800~1100°Cで熱処理することで得られるものである。これは、水素イオン注入を行う際、酸化膜を通して注入を行えば、注入イオンのチャネリングを抑制する効果が得られるからである。酸化膜の厚さは、好ましくは50~500nmである。これはあまり薄いと、酸化膜厚の制御が難しく、またあまり厚いと時間が掛かりすぎるためである。次に、図1Cに示すように、貼り合わせた貼り合わせウェーハ14に、温度が200~400°Cの熱処理Hを施す。また、熱処理時間は、熱処理温度と材料に応じて決められ、好ましくは1~24時間の範囲から選択される。熱処理温度が高すぎたり、熱処理時間が長すぎたりすると、ひび割れ、剥離等が発生する恐れがある。このように、貼り合わせウェーハ14を熱処理することによって、シリコンウェーハ12と透明絶縁性ハンドルウェーハ11の貼り合わせの強度を高めることができる。貼り合わせ強度を高めれば、後の剥離をする際の不良の発生を減少させることもできる。熱処理工程は、好ましくは、アルゴン、窒素、ヘリウム、またはこれらの混合ガスの存在下で行われることができる。次に、図1Dに示すように、前記水素イオン注入層13に沿って前記透明絶縁性ハンドルウェーハ11上の前記シリコン薄膜12Bを剥離し、該透明絶縁性ハンドルウェーハ11上に該シリコン薄膜12Bを転写することによってSOIウェーハ15を得る。剥離を行う方法として、水素イオン注入層13に衝撃を与えて機械的剥離を行う場合、加熱に伴う熱歪、ひび割れ、貼り合わせた面の剥離等が発生するおそれがない。機械的剥離は、一端部から他端部に向かうへき開によるものが好ましい。例えば、楔くさびを水素イオン注入層13注入界面に挿入し、楔による変形でへき開を進行させて剥離する方法であってもよい。この方法の使用に際しては、楔が接触する部分での傷やパーティクルの発生や、楔を打ち込むことにより生じるウェーハの過大な変形による基板割れの発生を回避するように留意する。水素イオン注入層13に衝撃を与えるためには、例えば、ガスや液体等の流体のジェットを貼り合わせたウェーハの側面から連続的又は断続的に吹き付ければよいが、衝撃により機械的剥離が生じる方法であれば特に限定はされない。次に、図1Eに示すように、前記SOIウェーハ15のシリコン薄膜12B側を、真空チャック又は静電チャック20を用いて保持し、前記SOIウェーハ15の透明絶縁性ハンドルウェーハ11側の表面11ssにブラスト加工を施す。図2は、真空チャック図2A及び静電チャック図2B及びCの平面図及び断面図である。図2Aに示すように、真空チャック30は、好ましくは、前記SOIウェーハ15のウェーハ径と同一の直径と、前記SOIウェーハ15の厚さと同一の深さを有する凹部31と、該凹部31に前記SOIウェーハ15を保持する保持部32とを備える。SOIウェーハ15のシリコン薄膜12B側の表面12Bsを凹部31に設置し、保持部32によってSOIウェーハ15が保持され、保持部32に設けられた吸着口33から真空吸着することによって、SOIウェーハ15を固定することができる。真空チャック30は、SOIウェーハ15のシリコン薄膜12B側の表面12Bs全面を真空吸着するために、溝を備えてもよい。溝は、好ましくは、溝34の例のように、SOIウェーハのシリコン薄膜側の表面の周方向と径方向に設けることができる。真空チャック30は、特に限定されず、多孔質ポリエチレン、アルミナ等の真空チャックを用いることができる。例えば、上述したような凹部を備える真空チャック部を有するアルミ板を用いることができる。このアルミ板は、二枚のアルミ板を重ね合わせたものとすることができ、好ましくは、一方のアルミ板を真空チャックと同様の形状にくり抜き、他方のアルミ板に真空チャックをビス止めで固定したものを用いる。図2Bに示すように、静電チャック40に、SOIウェーハ15のシリコン薄膜12B側の表面12Bsを設置し、この状態で電極43に電圧を印加すると、SOIウェーハ15との間に静電力が発生し、SOIウェーハ15を強力に吸着保持することができる。また、図2Cに示すように、静電チャック50は、好ましくは、前記SOIウェーハ15のウェーハ径と同一の直径と、前記SOIウェーハ15の厚さと同一の深さを有する凹部51と、該凹部51に前記SOIウェーハ15を保持できる好ましくは嵌合できる保持部52とを備える。SOIウェーハ15のシリコン薄膜12B側の表面12Bsを凹部51に設置し、保持部52によってSOIウェーハ15が保持される。この状態で電極53に電圧を印加すると、図2Bと同様に、SOIウェーハ15との間に静電力が発生し、SOIウェーハ15を強力に吸着保持することができる。静電チャック40、50は、特に限定されず、炭化ケイ素や窒化アルミニウム等のセラミックス静電チャック等を用いることができる。例えば、上述したような凹部を備える静電チャック部日本ガイシ製を有するアルミ板を用いることができる。このアルミ板は、二枚のアルミ板を重ね合わせたものとすることができ、好ましくは、一方のアルミ板を静電チャックと同様の形状にくり抜き、他方のアルミ板に静電チャックをビス止めで固定したものを用いる。真空チャック又は静電チャック20の表面の材質は、好ましくはアルミ板である。材質がアルミであれば、加工等扱いやすいとのメリットがあるからである。以上のように、真空チャック又は静電チャック20を用いた固定手段によれば、テープを貼り付ける工程が不要となり、従来法よりも簡便である。また、SOIウェーハ15の吸着をSOIウェーハ全面で行うため、ウェーハにかかる負荷が低減される。ブラスト加工は、好ましくは、サンドブラスト加工又はウェットブラスト加工である。この加工方法によれば、SOIウェーハ15の透明絶縁性ハンドルウェーハ11側の表面11ssを粗面化することができる。サンドブラスト加工は、空気圧によって砥粒に加工エネルギーを付与する方式である。サンドブラスト加工では、好ましくは、微粉がシリコン薄膜を傷つけないようにシリコン薄膜側を保護する。最も簡単な方法は、保護テープ例えば、バックグラインド用、ダイシング用をシリコン薄膜12B側に貼ることである。保護テープは、サンドブラスト加工中にシリコン薄膜の表面を保護できるものであれば特に限定されないが、紫外線照射により粘着性が低下するUV硬化型テープが好ましい。保護テープは、好ましくは、バックグラインド用保護テープ、ダイシング用テープ、又はダイボンディングテープである。サンドブラスト加工は、公知の方法を用いて行うことができる。例えば、ブラスト用の微粉としては、平均粒径5~50μmのアルミナやシリカが挙げられる。このような微粉は硬度が高いので、ブラスト加工の効率が良好であるので好ましい。また、サンドブラスト加工は、市販の装置を用いて行うことができる。サンドブラスト加工後、保護テープを剥がし、保護テープを剥がされたシリコン薄膜12Bの表面12Bsを研磨し、洗浄して、粗面化された表面を有するSOIウェーハが得られる。保護テープを剥がす際は、処理の利便性から、好ましくは、追加処理としてサンドブラスト加工後に、HFを含む溶液を用いて、粗面化された表面の洗浄を行ってからテープ剥がしを行うとよい。HFを含む溶液は、好ましくは1~49体積のフッ化水素酸やバッファードフッ化水素酸BHF:BufferedHFが挙げられる。ウェットブラスト加工は、水圧によって砥粒に加工エネルギーを付与する方式である。ウェットブラスト加工は、公知の方法を用いて行うことができる。例えば、ブラスト用の微粉としては、平均粒径5~50μmのアルミナやシリカが挙げられる。また、ウェットブラスト加工は、市販の装置を用いて行うことができる。ブラスト加工は、好ましくは、SOIウェーハ15の透明絶縁性ハンドルウェーハ11側の表面11ssの表面粗さがRa値で0.1μm以上となるようにして行う。このような表面粗さとなるようにブラスト加工を施せば、在荷センサーがSOIウェーハの存在を認識することができる。上述したようなブラスト加工を施した後、真空チャック又は静電チャック20を解除し、図1Fに示すような、粗面化処理透明SOIウェーハ16を得ることができる。以上説明したように、本発明の粗面化処理透明SOIウェーハの製造方法によれば、ウェーハにかかる負荷を低減させ、かつ、破損品の発生を大きく低減させ、歩留まりを向上させることができる。以下、実施例、比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例1透明絶縁性ハンドルウェーハとして6インチの石英ウェーハを用い、シリコン薄膜を堆積させたSOIウェーハのシリコン薄膜側の表面に保護テープを貼り、SOIウェーハのウェーハ径と同一の直径6インチと、SOIウェーハの厚さと同一の深さ1.2mmを有する凹部を備える真空チャック部を有するアルミ板にSOIウェーハをセットし、SOIウェーハのシリコン薄膜側を真空吸着した。このアルミ板は、二枚のアルミ板を重ね合わせたものであり、一方のアルミ板を真空チャックと同様の形状にくり抜き、他方のアルミ板に真空チャックをビス止めで固定した。SOIウェーハを固定した後、SOIウェーハの透明絶縁性ハンドルウェーハ側の表面にサンドブラスト加工を施した。その後、真空吸着を解除し、粗面化処理透明SOIウェーハを回収した。実施例2透明絶縁性ハンドルウェーハとして6インチの石英ウェーハを用い、シリコン薄膜を堆積させたSOIウェーハのシリコン薄膜側の表面に保護テープを貼り、SOIウェーハのウェーハ径と同一の直径6インチと、SOIウェーハの厚さと同一の深さ1.2mmを有する凹部を備える静電チャック部日本ガイシ製を有するアルミ板にSOIウェーハをセットし、SOIウェーハのシリコン薄膜側を固定した。このアルミ板は、二枚のアルミ板を重ね合わせたものであり、一方のアルミ板を静電チャックと同様の形状にくり抜き、他方のアルミ板に静電チャックをビス止めで固定した。SOIウェーハを固定した後、SOIウェーハの透明絶縁性ハンドルウェーハ側の表面にサンドブラスト加工を施した。その後、静電チャックを解除し、粗面化処理透明SOIウェーハを回収した。実施例3ブラスト加工としてウェットブラスト加工を施した以外は、実施例1と同様に行った。実施例4ブラスト加工としてウェットブラスト加工を施した以外は、実施例2と同様に行った。比較例1透明絶縁性ハンドルウェーハとして6インチの石英ウェーハを用い、シリコン薄膜を堆積させたSOIウェーハのシリコン薄膜側の表面に保護テープを貼り、さらにその保護テープにテープを貼り付け、ゴムシートに固定した。SOIウェーハを固定した後、SOIウェーハの透明絶縁性ハンドルウェーハ側の表面にサンドブラスト加工を施した。その後、テープを剥がし、粗面化処理透明SOIウェーハを回収した。比較例2ブラスト加工としてウェットブラスト加工を施した以外は、比較例2と同様に行った。比較例1及び2では、1回の処理ウェーハ数50枚あたり、テープを貼る工程30分及びテープ残渣の除去工程30分が必要であった。一方、実施例1~4では、比較例1及び2において必要だったテープを貼る工程及びテープ残渣の除去工程にかかった時間を短縮することができ、かつ、破損品が発生しなかった。