"略直方体状の磁性体2と、前記磁性体の底面に対して垂直な、相対する長手方向の側面2a,2b間を独立かつ平行に貫通している1対の第1貫通孔3a,3bと、前記第1貫通孔のそれぞれに挿通する2本の導体3c,3dと、前記導体間にそれらと独立して延びている断面縦長の第2貫通孔4とからなるインピーダンス素子。前記第2貫通孔の高さは、磁性体の高さHの2分の1から5分の4である請求項1記載のインピーダンス素子。略直方体状の磁性体2と、前記磁性体の底面に対して垂直な、相対する長手方向の側面2a,2b間を独立かつ平行に貫通している1対の第1貫通孔3a,3bと、前記第1貫通孔のそれぞれに挿通する2本の導体3c,3dと、前記導体間にそれらと独立して延びている断面縦長の第2貫通孔4と、前記第1貫通孔に挿通した2本の導体の両端部3e,3fを下方に曲げ加工した面実装端子とからなるインピーダンス素子。前記磁性体は、NiZn系フェライト材である請求項1乃至3のいずれか1項に記載のインピーダンス素子。しかし、特許文献1の技術は、2つの磁性体を製造してギャップ材を設けて貼り付けるなど、製造工程が複雑になり生産効率が悪い問題があった。したがって、1つの磁性体で、磁気結合を抑制し、かつ直流重畳特性を向上するインピーダンス素子が必要である。前記の問題を解決するために、略直方体状の磁性体と、前記磁性体の底面に対して垂直な、相対する長手方向の側面間を独立かつ平行に貫通している1対の第1貫通孔と、前記第1貫通孔のそれぞれに挿通する2本の導体と、前記導体間にそれらと独立して延びている断面縦長の第2貫通孔とからなるインピーダンス素子を構成する。前記の目的をより効果的に達成するために、前記第2貫通孔は、磁性体の高さHの2分の1から5分の4の高さとする。さらに、本発明は、前記課題をより効果的に解決する対応として、略直方体状の磁性体と、前記磁性体の相対する底面に対して垂直な、長手方向の側面間を独立かつ平行に貫通している1対の第1貫通孔と、前記第1貫通孔にそれぞれ挿通する2本の導体と、前記導体間にそれらと独立して延びている断面縦長の第2貫通孔と、前記磁性体に挿通した2本の導体の両端部を下方に曲げ加工した面実装端子とからなるインピーダンス素子を構成する。前記磁性体は、NiZn系フェライト材であるインピーダンス素子とする。本発明によると、従来の技術より簡便な方法で、磁気結合と磁気飽和を抑制し、かつ1個の磁性体で面実装インピーダンス素子を製造することができる。次に、本発明の好ましい実施形態について説明する。図1に示すように、本発明に係るインピーダンス素子1は、略直方体状の磁性体2と、一対の第1貫通孔3a,3bと、導体3c,3dと、第2貫通孔4とからなる。前記磁性体2のサイズは、縦A3~15mm,横B4~10mm,高さH2~6mmであり、透磁率80~2000H/mのNi-Zn系フェライト材からなる。前記第1貫通孔3a,3bは、垂直な長手方向の側面2a,2b間を独立かつ平行に貫通している。前記導体3c,3dは、材料に銅を用い、前記第1貫通孔3a,3bのそれぞれに挿通し、両端部3e,3fは下面に向かって曲げ加工されている。前記第2貫通孔4は、前記導体間にそれらと独立して延びていて、断面は、縦長であり、縦方向の高さは、前記磁性体の高さHの2分の1から5分の4を有する。前記高さにすることで、50~80の磁気結合を抑制することができる。第2貫通孔4の高さが磁性体2の高さHの2分の1より小さいと磁気結合の抑制率が50より低くなるため、ディファレンシャルモードのノイズフィルタとして充分機能しなくなり、磁性体2の高さHの5分の4より高いと、磁気結合の抑制率は、80より高くなるが、インピーダンス素子の強度が小さくなる。したがって、前記第2貫通孔4の縦方向の高さは、前記範囲が望ましい。以下、インピーダンス素子1の製造方法の実施例について、図面を参照しながら説明する。本発明の製造方法は、次の6つの工程からなる。1原料を混ぜる工程Ni-Zn系フェライト粉と水とバインダーとをそれぞれ40~60:40~60:2~10の重量割合で混合し、ボールミルで5~24時間撹拌し、スラリー原料にする。2スプレードライ工程前記スラリー原料を120~220°Cの熱風中で噴霧にし、粒径が10~200μmの粉状の磁性体にする。3乾式成形工程図2に示すように、上型6、下型8には、突出部9a,9b,9cを挿入できる貫通孔があり、それぞれが金属ダイス7に挟まれて上下に動作ができる。土台9は、貫通孔形成用の突出部9a,9b,9cを具備して固定されている。突出部9a,9bは、それぞれ第1貫通孔3a,3bを形成し、突出部9cは、第2貫通孔4を形成する。前項で形成した粉状の磁性体を、土台9が挿入され、下型8と金属ダイス7に挟まれて磁性体2の金型となっている部分に流し込み、上型6と下型8で上下から加圧して、磁性体2を成形する。加圧成形した後、上型6を金属ダイス7からはずし、さらに下型8を、金属ダイス7の上面に対して水平になるまで上昇させ、下から押し出すように、磁性体2の形の乾式成形品を取り出す。4焼成工程前記乾式成形品を、徐々に加熱して脱バインダーをおこない、高温炉で900~1300°Cで2時間かけて焼成し、磁性体2を得る。5導体挿入工程図3、図4のように、導体3c,3dを磁性体2の第一貫通孔3a,3bに挿入する。導体3c,3dは、所定の長さが磁性体2の内部からはみ出すように磁性体2に挿入される。6導体折り曲げ工程磁性体2からはみ出した導体の両端部3e,3fを下方に折り曲げる。好ましくは、下方に向かって折り曲げ、かつ下面に沿わせて折り曲げる。以上の方法で、図1のインピーダンス素子1を製造する。従来の技術では、磁気結合を抑制するために、磁性体を2個貼り合わせて使用する必要があったが、本発明では、導体間に貫通孔4を設けるだけで、磁気結合を抑制し、磁性体を貼り合わせることなく2連インピーダンス素子を製造することができる。また、従来の製造工程では、乾式成型工程で部品数が2倍必要であるため、製造時間が約2倍になり、さらに、導体挿入工程の前に2個の磁性体を貼り合わせる接着工程が必要となる。したがって、本発明は、従来の製造方法に比べて生産性を格段に高めることができる。"