一方の主面が大気に露出している金属板と、前記金属板の他方の主面上に形成され、高熱伝導絶縁樹脂で構成される絶縁層と、前記絶縁層上に形成された導体パターンと、前記導体パターンに実装された半導体素子と、前記導体パターンに接合されたリードと、前記金属板の前記他方の主面側を覆う樹脂部と、を備えることを特徴とする半導体装置。一方の主面が大気に露出している絶縁性の放熱板と、前記放熱板の他方の主面上に形成された導体パターンと、前記導体パターンに実装された半導体素子と、前記導体パターンに接合されたリードと、前記放熱板の前記他方の主面側を覆う樹脂部と、を備えることを特徴とする半導体装置。前記リードの根元部に鍔が設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。前記樹脂部の周囲および前記金属板の周囲を囲むとともに前記樹脂部の隅部表面側に隅板部を有する樹脂ケースを備え、前記隅板部の外面側に突部が設けられていることを特徴とする請求項1~3のうちいずれか一項に記載の半導体装置。所定寸法にされた金属板上に高熱伝導絶縁樹脂材で構成される絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に導体パターンを形成する工程と、半導体素子を前記導体パターンに実装するとともにリードを前記導体パターンに接合する工程と、前記金属板のうち前記半導体素子が実装されている面とは反対面が大気中に露出するように、少なくとも前記リードの根元部と前記半導体素子とを樹脂封止する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。ところで、半導体チップを使用するとチップが発熱する。チップは樹脂封止されているので、チップの発熱を除去することは重要である。従来から、チップのこの発熱を放散することについて様々な提案がなされているが、現状よりも更に、簡易な構成で効率良く熱を放散させることが好ましい。本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、半導体素子で発生した熱を、簡易な構成で効率良く外部に放散させることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを課題とする。上記課題を解決するために、本発明に係る半導体装置は、一方の主面が大気に露出している金属板と、前記金属板の他方の主面上に形成され、高熱伝導絶縁樹脂で構成される絶縁層と、前記絶縁層上に形成された導体パターンと、前記導体パターンに実装された半導体素子と、前記導体パターンに接合されたリードと、前記金属板の前記他方の主面側を覆う樹脂部と、を備えることを特徴とする。また、本発明に係る別の半導体装置は、一方の主面が大気に露出している絶縁性の放熱板と、前記放熱板の他方の主面上に形成された導体パターンと、前記導体パターンに実装された半導体素子と、前記導体パターンに接合されたリードと、前記放熱板の前記他方の主面側を覆う樹脂部と、を備えることを特徴とする。また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、所定寸法にされた金属板上に高熱伝導絶縁樹脂材で構成される絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に導体パターンを形成する工程と、半導体素子を前記導体パターンに実装するとともにリードを前記導体パターンに接合する工程と、前記金属板のうち前記半導体素子が実装されている面とは反対面が大気中に露出するように、少なくとも前記リードの根元部と前記半導体素子とを樹脂封止する工程と、を備えることを特徴とする。本発明によれば、半導体素子で発生した熱を、簡易な構成で効率良く外部に放散させることができる半導体装置およびその製造方法を得ることができる。以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図1、図2は、それぞれ、本発明の一実施形態以下、本実施形態というに係る半導体装置の構造を説明する斜視図簡明化のため後述の樹脂部24を図示していない、および、本実施形態に係る半導体装置の斜視図である。図3は、本実施形態に係る半導体装置を金属板露出面側から見た斜視図である。図4は、本実施形態に係る半導体装置の側面断面図簡明化のため後述の保護膜18及び接合材26を図示せず、また、後述の半導体素子20の図示を簡略化しているであり、図5は、本実施形態に係る半導体装置の展開図簡明化のため樹脂部を図示していないである。本実施形態に係る半導体装置10は、例えば半導体リレーであるが、パワーモジュール等の他の半導体装置であってもよい。本実施形態に係る半導体装置10は、一方の主面12pが大気に露出している金属板12と、金属板12の他方の主面12q図4、図5参照上に形成され、高熱伝導絶縁樹脂で構成される絶縁層14と、絶縁層14上に形成された導体パターン16とを備えている。また、半導体装置10は、絶縁層14上に形成された保護膜18例えばレジストによって構成される。図5参照と、導体パターン16に実装された半導体素子20と、導体パターン16に接合されたリードピン端子22と、金属板12の他方の主面12q側を覆う固体状の樹脂部24図2、図4参照とを備えている。図5に示すように、導体パターン16と半導体素子20とは接合材26を介して接合されており、同様に、導体パターン16とリードピン22とは接合材26を介して接合されている。ここで、高熱伝導絶縁樹脂とは、熱伝導率が高く、かつ電気絶縁性の樹脂のことである。また、固体状の樹脂部24の材質は、例えばエポキシ樹脂である。接合材26の材質は、例えば、はんだ、銀ペーストなどである。金属板12の材質は、銅Cuなどの熱伝導率が高い材質とされている。なお、銅以外に、銅材にニッケルNiめっきしたもの、アルミニウムAl、鉄Feなどにすることも可能である。この金属板12の一方の主面12pは全面にわたって大気中に露出している。半導体素子20としては、MICやMOSが代表的に挙げられる。本実施形態では、半導体素子20の一方の電極ははんだ等により導体パターン16に接続接合され、他方の電極は、ワイヤボンディングまたは端子板により接続されている。本実施形態では、ワイヤボンディングには金ワイヤ28やアルミワイヤ30いずれも図1、図5参照などが用いられている。なお、アルミワイヤ30に代えて、クリップ状の導線を用いることも可能である。また、フリップチップ接続の場合には、ワイヤボンディングを省略することができる。導体パターン16の材質は銅であり、熱伝導率が高い。導体パターン16の表面側には、上述の保護膜18が形成されており、電気接続の必要性などにより導体パターン16を露出させたい領域では保護膜18が部分的に除去されている。リードピン22は、導体パターン16に直接に接合材26により接合されて所定位置に立設している。従って、本実施形態では、リードピン22は導体パターン16から金属板12の側とは反対側に延び出すように立設しており、リードピン22の先端部が樹脂部24から突出している図2、図4参照。本実施形態では、リードピン22は丸棒状例えば直径0.8mmφとされており、銅製の棒材の表面に銀めっきされたもので構成されている。また、リードピン22の根元部には鍔23が設けられており、根元部が樹脂部24から抜けないようにされている。なお、リードピン22に溝縦溝、横溝、螺旋溝などを形成しておいてもよい。これにより、製品実装時の結合強化やはんだ接合力の強化を達成することが可能になる。また、リードピン22の先端形状は丸形状であっても平形状であってもよい。また、接合材26に代えて、レーザ溶接で接合することも可能である。更に、半導体装置10は、樹脂部24の周囲および金属板12の周囲を囲む樹脂ケース32を有する。樹脂ケース32は、柔軟性のある熱可塑性樹脂材で構成されるように、その材質が選定されている。本実施形態では、樹脂ケース32の材質は樹脂部24よりも柔らかい材質にされており、半導体装置10に衝撃が加えられても、この衝撃を樹脂ケース32が吸収して緩和し、樹脂部24に大きな衝撃力が加えられることが回避されている。そして、この樹脂ケース32は、四隅部に、樹脂部24の表面側金属板12の側とは反対側に位置する隅板部34を有する。隅板部34の形状としては種々の形状が考えられ、直角三角形状、正方形状、長方形状、突状に延び出す形状などが例として挙げられる。また、隅板部34は、隅板部34は隅部を構成する両辺に連続するように形成されていてもよいし、一方の辺片辺に連続するように形成されていてもよい。更に、隅板部34の外面側には突部36が形成されており、突部36から衝撃力が半導体装置10に加えられた際に隅板部34が撓む構成にされている。製造方法半導体装置10を製造するには、まず、半導体装置10用の所定寸法にされた金属板12の上に、絶縁層14を形成する。フィルム状で貼り付け可能な高熱伝導絶縁樹脂材が市販されており、本実施形態ではこれを裁断等して所定寸法にし、金属板12に貼り付けることでこの絶縁層14を形成する。なお、高熱伝導絶縁樹脂材を真空雰囲気に載置するなどして高熱伝導絶縁樹脂材内の気泡を除去しておくことが好ましい。また、フィルム状の高熱伝導絶縁樹脂材に代えて、液状の高熱伝導絶縁樹脂材を塗布乾燥させて形成することも可能である。次に、この絶縁層14上に銅膜を形成する。銅膜を形成する手法としては、例えば、スパッタリングや無電解めっきなどである。そして、形成された銅膜を所定形状にエッチングすることで導体パターン16を形成する。更に、所定形状の開口が形成されたマスキングを被せ、レジストを塗布して所定形状の保護膜18を形成する。マスキングとしては、保護膜18を形成したい形状に合わせて予め開口したものを用いる。すなわち、保護膜18を形成したくない領域に対応するマスキング部分には開口が形成されていない。ここで、導体パターン16のうち保護膜18を形成したくない領域は、半導体素子20やリードピン22に電気接続させる必要性のある領域である。その後、半導体素子20を導体パターン16に実装する。この結果、導体パターン16のこの露出している部分と半導体素子20とがはんだ接合により電気接続される。なお、このときに半導体素子20が樹脂封止されていなくても、後述のように、金属板12の一方の主面12p側を樹脂封止する際にこの樹脂部24によって半導体素子20自体も樹脂封止される。また、リードピン22を導体パターン16に接合で立設させることでリードピン22と導体パターン16とを電気接続させる。接合させる際には、例えば、ペースト状のはんだを導体パターン16の所定位置に塗布し、半導体素子20を載せるとともにリードピン22を立て、電気炉で所定温度例えば300°C程度にて熱処理することでペースト状のはんだを固化させる。その後、電気炉から取り出し、金ワイヤ28とアルミワイヤ30を接続する。そして、予め製造しておいた樹脂ケース32を上から被せるようにして金属板12の外周側に配置する。なお、樹脂ケース32を製造するには、例えば射出成形で製造する。突部36については、樹脂ケース32と一体的に形成してもよいし、製造後に別部材として隅板部34に接着剤などで接合してもよい。そして、樹脂ケース32内に樹脂を流し込み、温度処理例えば180°C程度して樹脂を固化させることで樹脂部24が形成される。固化した樹脂部24が形成されることで、リードピン22の鍔23がリードピン長手方向へ移動することが強く規制される。従って、リードピン22に引抜き力が加えられてもリードピン22が樹脂部24から抜けることが防止される。作用、効果以下、本実施形態の作用、効果について説明する。本実施形態の半導体装置10では、金属板12の一方の主面12pが大気中に露出しており、金属板12が空冷され易い。このため、金属板12の他方の主面12q大気中への露出側とは反対側の主面に絶縁層14を介して形成された導体パターン16は、金属板12に熱を放散し易い。そして、半導体素子20は導体パターン16に実装されている。従って、半導体素子20の熱が導体パターン16を経由して金属板12から放散され易く、半導体素子20の熱を効率良く外部に放散させることができる。また、半導体素子20を導体パターン16に実装する際に半導体素子20が樹脂封止されていなくても、その後に一方の主面12pの側に樹脂部24を形成することで、半導体素子20自体を樹脂封止することができる。従って、予め樹脂封止したチップを用いなくてもよく、生産効率を大きく向上させ、低コスト化を図ることができる。また、リードピン22が導体パターン16に直接に接合されて立設している。従って、導体パターン16の形状の自由度によってリードピン22の配置位置の自由度が決まり、また、導体パターン16は、通常、自由に設計できる。よって、本実施形態により、リードピン22を機械式リレーと同じ位置に配置することが可能であり、コンパチ配列、逆差込防止などが可能になる。また、入力用のリードピン入力端子と出力用のリードピン出力端子との距離を大きく設定することで、絶縁性を高めること、すなわち、入力端子と出力端子との短絡を生じ難くすることができる。また、リードピン22の各位置を対称位置としないことで、リードピン22の差込方向を間違えること、すなわち、各リードピン22を正しくない位置に差し込んでしまうことを防止できる。また、絶縁層14によって応力緩和効果が得られており、外部から衝撃がリードピン22などに加えられても、導体パターン16とリードピン22や半導体素子20とを接合している接合材26にクラックが入り難くなっている。また、リードピン22の根元部に鍔23が形成されている。従って、流し込んだ樹脂が固化してなる樹脂部24に鍔23が拘束されており、リードピン22に引抜き力が作用してもリードピン22が樹脂部24から抜けないようにされている。従って、導体パターン16とリードピン22との間、更には、金属板12と絶縁層14との間、および、絶縁層14と導体パターン16との間、で剥離することが防止されている。また、樹脂ケース32の材質は、樹脂部24よりも柔らかい材質にされており、半導体装置10に衝撃が加えられても、この衝撃を樹脂ケース32が吸収する。これにより、衝撃吸収対策用のジグを新たに設置しなくても済む構成にすることが可能である。また、この樹脂ケース32は、四隅部に、樹脂部24の隅部表面側に配置された直角三角形状の隅板部34を有する。これにより、樹脂部24に樹脂ケース32から外れるような衝撃力が加えられても、樹脂部24は隅板部34によって支えられ、樹脂ケース32から抜け落ちることが防止されている。そして、隅板部34の外面側には突部36が形成されており、突部36から衝撃力が半導体装置10に加えられた際に隅板部34が撓む構成にされている。従って、大きな衝撃力が突部36に加えられても、この撓みによって衝撃が吸収され、樹脂部24に大きな衝撃力が加えられることが更に効果的に防止されている。このことは、突部36に大きな衝撃力が加えられた際に、リードピン22と導体パターン16とを接合する接合材26のはんだ接合部が破損することを防止する上で大きな効果をもたらす。また、製品実装時において、実装基板一般的なプリント基板の温度環境変化による膨張や、実装基板が配置されたユニット例えば自動車の発生する振動も隅板部34の撓みによって吸収され、製品実装時に、半導体装置10の内部の接合材26だけでなく、リードピン22と実装基板との接合材半導体装置10の外部を接合する接合材の破損も防止される。なお、金属板12の露出面一方の主面12p側に放熱ブロックや放熱フィンを取り付ける構造にすることで、より効率的に放熱させることができる。放熱ブロックや放熱フィンを取り付ける構造にするには、金属板12の一方の主面12p側にネジ穴などを形成することで容易に実現される。また、金属板12の材質を熱伝導率の高いもの例えば銅にすることで、より更に放熱し易くすることができる。また、金属板12の材質を銅にすることで、導電率を高くすることも併せて行うことができる。また、本実施形態では、金属板12の一方の主面12pが全面にわたって大気中に露出した例で説明したが、金属板の周辺に段形状を設け、モールドロックを施すことも可能である。また、金属板12はここでは1枚の板形状としたが、複数枚とすることも可能である。図6は、本実施形態の変形例を示す半導体装置の側面断面図である簡明化のため保護膜18及び接合材26を図示せず、また、半導体素子20の図示を簡略化している。図6に示すように、金属板12および絶縁層14に代えて、一方の主面42pが大気に露出している絶縁性の放熱板42とすることも可能である。これにより、絶縁層14を設けない構成にして、他方の主面42q上に直接に導体パターン16を形成することができ、製造時間の短縮化、装置構成の簡素化を図ることができる。絶縁性の放熱板42としては、例えばアルミナ基板などのセラミック基板である。以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための例示であって、本発明の範囲をそれらに限定することを意図しておらず、要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施できる。また、図面は模式的なものであり、寸法比などは現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な寸法比などは以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。