"基板と、前記基板上に位置し、第1の導電型半導体層、活性層及び第2の導電型半導体層を含む発光構造体と、前記第1の導電型半導体層に電気的に接続された第1の電極パッドと、前記基板の上部に位置する第2の電極パッドと、前記発光構造体の一部を覆い、前記第2の電極パッドの下部に位置し、前記第2の電極パッドを前記発光構造体から離隔させる絶縁反射層と、前記第2の電極パッドに連結され、前記第2の導電型半導体層に電気的に接続された少なくとも一つの上部延長部と、前記第2の導電型半導体層の上部に位置する光取出しエレメントのパターンを含む発光ダイオード。前記第1の導電型半導体層はn型窒化物半導体層で、前記第2の導電型半導体層はp型窒化物半導体層であることを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオード。前記p型窒化物半導体層上に位置する透明電極層をさらに含み、前記上部延長部は前記透明電極層に接続する、請求項2に記載の発光ダイオード。前記光取出しエレメントのパターンは前記透明電極層上に形成された、請求項3に記載の発光ダイオード。前記透明電極層を覆う絶縁層をさらに含み、前記絶縁層は、前記透明電極層を露出させる開口部を有し、前記上部延長部は、前記開口部を介して前記透明電極層に接続する、請求項3に記載の発光ダイオード。前記開口部は前記第2の電極パッドから離隔して位置する、請求項5に記載の発光ダイオード。前記光取出しエレメントのパターンは前記絶縁層上に形成された、請求項5に記載の発光ダイオード。前記第1の導電型半導体層は、前記第2の導電型半導体層及び前記活性層のメサエッチングによって露出した領域を有し、前記第2の電極パッドは、前記第1の導電型半導体層の露出した領域の上部に位置し、前記絶縁反射層は、前記第2の電極パッドと前記第1の導電型半導体層との間に位置する、請求項1に記載の発光ダイオード。前記絶縁反射層は、前記メサエッチングによって露出した前記第2の導電型半導体層及び前記活性層の各側面のうち少なくとも一部を覆う、請求項8に記載の発光ダイオード。前記上部延長部と前記第2の電極パッドとを連結する連結部をさらに含み、前記連結部は、絶縁層によって前記第2の導電型半導体層から離隔される、請求項8に記載の発光ダイオード。前記第2の導電型半導体層及び前記活性層は、少なくとも二つの発光領域を定義するように分割され、前記の少なくとも二つの発光領域上には、それぞれ前記第2の電極パッドに連結された上部延長部が位置する、請求項1に記載の発光ダイオード。前記の少なくとも二つの発光領域は、前記第1の電極パッドと前記第2の電極パッドを横切る線に対して対称性を有する、請求項11に記載の発光ダイオード。前記第1の電極パッドに連結された少なくとも一つの下部延長部をさらに含み、前記各下部延長部のうち少なくとも一つは、前記の少なくとも二つの発光領域の間に位置する、請求項11に記載の発光ダイオード。前記各発光領域内の前記各第2の導電型半導体層上にそれぞれ位置する各透明電極層をさらに含み、前記第2の電極パッドに連結された各上部延長部が前記各透明電極層にそれぞれ接続する、請求項11に記載の発光ダイオード。前記光取出しエレメントのパターンは前記各透明電極層上にそれぞれ形成された、請求項14に記載の発光ダイオード。前記各透明電極層を覆う絶縁層をさらに含み、前記絶縁層は、前記各透明電極層を露出させる各開口部を有し、前記各上部延長部は、前記各開口部を介して前記各透明電極層にそれぞれ接続する、請求項14に記載の発光ダイオード。前記光抽出パターンは前記絶縁層上に形成された、請求項16に記載の発光ダイオード。本発明が解決しようとする課題は、改善された光抽出効率を有する発光ダイオードを提供することにある。本発明が解決しようとする他の課題は、電極パッドの付近で電流集中現象が発生することを防止できる発光ダイオードを提供することにある。本発明が解決しようとする更に他の課題は、広い面積の発光ダイオードで電流を均一に分散させ得る発光ダイオードを提供することにある。本発明が解決しようとする更に他の課題は、電極パッドによる光の損失を減少させ得る発光ダイオードを提供することにある。前記課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光ダイオードは、基板と、前記基板上に位置し、第1の導電型半導体層、活性層及び第2の導電型半導体層を含む発光構造体と、前記第1の導電型半導体層に電気的に接続された第1の電極パッドと、前記基板の上部に位置する第2の電極パッドと、前記発光構造体の一部を覆い、前記第2の電極パッドの下部に位置し、前記第2の電極パッドを前記発光構造体から離隔させる絶縁反射層と、前記第2の電極パッドに連結され、前記第2の導電型半導体層に電気的に接続された少なくとも一つの上部延長部と、前記第2の導電型半導体層の上部に位置する光取出しエレメントのパターンを含む。前記絶縁反射層によって第2の電極パッドを前記発光構造体から離隔させるので、第2の電極パッドの周囲に電流が集中することを防止し、電流分散性能を改善することができる。さらに、前記絶縁反射層によって第2の電極パッドに進行する光を反射させることができ、第2の電極パッドによる光の損失を減少させることができる。また、基板側に対向して第2の導電型半導体層の上部に光取出しエレメントのパターンを配置することによって、前記光取出しエレメントのパターンが光を外部に容易に放出させ得るので光抽出効率が改善される。前記光取出しエレメントのパターンは、例えば、サファイア基板上に形成されたパターンと組み合わせて使用することができる。ここで、特別に限定されるのではないが、前記第1の導電型半導体層はn型窒化物半導体層で、前記第2の導電型半導体層はp型窒化物半導体層であっても良い。さらに、前記発光ダイオードは、前記p型窒化物半導体層上に位置する透明電極層をさらに含むことができ、前記上部延長部は前記透明電極層に接続することができる。いくつかの実施例において、前記光取出しエレメントのパターンは前記透明電極層上に形成することができる。例えば、前記光取出しエレメントのパターンは、前記透明電極層の上部をパターニングして形成することができる。一方、前記発光ダイオードは、前記透明電極層を覆う絶縁層をさらに含んでも良い。この場合、前記絶縁層は、前記透明電極層を露出させる開口部を有しても良く、前記上部延長部は、前記開口部を介して前記透明電極層に接続しても良い。さらに、前記開口部は、前記第2の電極パッドから離隔して位置させても良い。これによって、前記開口部を介して前記透明電極層に接続された上部延長部は、前記絶縁層上に位置する連結部によって前記第2の電極パッドと連結される。前記連結部が絶縁層上に位置するので、前記第2の電極パッドの周囲で上部延長部が透明電極層に直接接続されず、その結果、第2の電極パッドの周囲で電流が集中することをさらに防止することができる。いくつかの実施例において、前記光取出しエレメントのパターンは前記絶縁層上に形成しても良い。例えば、前記光取出しエレメントのパターンは、前記絶縁層の上部をパターニングして形成することができる。一方、前記第1の導電型半導体層は、前記第2の導電型半導体層及び前記活性層のメサエッチングによって露出した領域を有することができ、前記第2の電極パッドは、前記第1の導電型半導体層の露出した領域の上部に位置させても良い。このとき、前記絶縁反射層は、前記第2の電極パッドと前記第1の導電型半導体層との間に位置させても良い。これによって、第2の電極パッドの下部で不必要に光が発生することを防止することができる。このとき、前記絶縁反射層は、前記メサエッチングによって露出した前記第2の導電型半導体層及び前記活性層の各側面のうち少なくとも一部を覆っても良い。従って、前記絶縁反射層は、活性層で生成されてメサ側面を通して第2の電極パッドに進行する光を反射させることができ、第2の電極パッドによる光の損失を防止することができる。一方、前記発光ダイオードは、前記上部延長部と前記第2の電極パッドとを連結する連結部を有することができ、前記連結部は、絶縁層によって前記第2の導電型半導体層から離隔させることができる。例えば、前記連結部は、前記絶縁反射層によって前記メサ側面から絶縁させることができ、さらに、他の絶縁層によって前記第2の導電型半導体層又は透明電極層の上部面から絶縁させることができる。いくつかの実施例において、前記第2の導電型半導体層及び前記活性層は、少なくとも二つの発光領域を定義するように分割することができる。また、前記の少なくとも二つの発光領域上には、それぞれ前記第2の電極パッドに連結された上部延長部を位置させることができる。前記発光構造体を複数の発光領域に分割することによって、特定位置にピンホールや貫通転位などの欠陥がある場合にも、これら欠陥に電流が過度に集中することを防止することができ、その結果、広い領域にわたって電流を均一に分散させることができる。前記の少なくとも二つの発光領域は、前記第1の電極パッドと前記第2の電極パッドを横切る線に対して対称性を有することができる。これによって、前記の少なくとも二つの発光領域が同一の発光特性を示すことができる。さらに、前記発光ダイオードは、前記第1の電極パッドに連結された少なくとも一つの下部延長部をさらに含むことができる。さらに、前記各下部延長部のうち少なくとも一つは、前記の少なくとも二つの発光領域の間に位置させることができる。従来の発光ダイオードにおいて、第2の電極パッドは、第2の導電型半導体層上に位置し、第2の導電型半導体層に電気的に接続される。従って、第2の電極パッドの周囲に電流が集中するため、電流分散が妨げられる。しかし、本発明の各実施例によると、前記第2の電極パッドが絶縁反射層によって発光構造体から絶縁されるので、第2の電極パッドの周囲に電流が集中することを防止することができる。さらに、発光構造体における第2の導電型半導体層及び活性層がメサエッチングによって除去された部分に第2の電極パッドを形成することによって、第2の電極パッドの下部で不必要に光が発生することを防止し、発光効率を改善することができる。また、発光構造体を複数の発光領域に分割することによって、各発光領域の結晶欠陥に電流が過度に集中することを防止し、均一に電流を分散させることができる。さらに、発光構造体上に光取出しエレメントのパターンを配置することによって、光抽出効率をより改善することができる。以下、添付の各図面を参照して本発明の各実施例を詳細に説明する。次に紹介する各実施例は、当業者に本発明の思想を十分に伝達するために例として提供されるものである。従って、本発明は、以下で説明する各実施例に限定されるものでなく、他の形態で具体化することもできる。そして、各図面において、構成要素の幅、長さ、厚さなどは、便宜のために拡張して表現することができる。明細書全体にわたって同一の参照番号は、同一の構成要素を示す。図1は、本発明の一実施例に係る発光ダイオードを説明するための平面図で、図2aは、図1のA―A線断面図で、図2bは、図1のB―B線断面図で、図2cは、図1のC―C線断面図である。図1、図2a~図2cを参照すると、前記発光ダイオードは、基板21、発光領域LE1、LE2を含む発光構造体、絶縁反射層31、第1の電極パッド35、第2の電極パッド33及び各上部延長部33aを含む。また、前記発光ダイオードは、透明電極層29、絶縁層32、各連結部33b、第1の下部延長部35a及び第2の下部延長部35bを含むことができる。さらに、前記発光構造体は、第1の導電型半導体層23、活性層25、及び第2の導電型半導体層27を含む。前記基板21は、パターニングされたサファイア基板であり得るが、これに限定されることはない。第1の導電型半導体層23が前記基板21上に位置し、前記1の導電型半導体層23上に第2の導電型半導体層27が位置し、第1の導電型半導体層と第2の導電型半導体層との間に活性層25が介在する。前記第1の導電型半導体層23、活性層25及び第2の導電型半導体層27は、窒化ガリウムベースの化合物半導体物質、すなわち、Al,In,GaNで形成することができる。前記活性層25の組成元素及び組成比は、要求される波長の光、例えば、紫外線又は青色光を放出するように決定される。前記第1の導電型半導体層23はn型窒化物半導体層で、第2の導電型半導体層27はp型窒化物半導体層であり得るが、その反対の場合もあり得る。前記第1の導電型半導体層23及び/又は第2の導電型半導体層27は、図示したように、単層構造又は多層構造で形成することができる。また、活性層25は、単一量子井戸又は多重量子井戸構造を有することができる。また、前記基板21と第1の導電型半導体層23との間にバッファー層図示せずを介在させることができる。前記各半導体層23、25、27は、有機金属気相成長法MOCVD又は分子線エピタキシー法MBE技術を使用して形成することができる。前記発光構造体の第2の導電型半導体層27及び活性層25は、少なくとも二つの発光領域LE1、LE2を定義するように分割することができる。これら発光領域LE1、LE2は対称構造を有するように形成することができ、このような分割工程はメサエッチング工程によって行うことができる。前記メサエッチング工程によって、前記発光構造体の中央を横切る領域内の第1の導電型半導体層23が露出し、前記第2の導電型半導体層27及び前記活性層25を二つの領域に分割することができる。また、前記メサエッチング工程によって形成される発光構造体の各側面は、基板21の表面に対して30~70°範囲内の傾斜角を有することができる。一方、前記第2の導電型半導体層27上に透明電極層29を位置させることができる。透明電極層29は、インジウムスズ酸化物ITO又はNi/Auで形成することができ、第2の導電型半導体層にオーミック接触される。前記透明電極層29上には光取出しエレメントLEEのパターンが位置する。例えば、前記光取出しエレメントは、約5μmの直径を有する円柱形状であってもよく、これら光取出しエレメントは、互いに約30μm離隔させることができる。光取出しエレメントは、活性層25で生成された光が透明電極層29側に進行するとき、光を散乱又は反射させることによって光の放出を促進することができる。光取出しエレメントのパターンは規則的なパターンであり得るが、これに限定されることはなく、不規則なパターンであってもよい。絶縁反射層31は、メサエッチング工程によって露出した第1の導電型半導体層23上に位置する。前記絶縁反射層31は発光構造体の一部領域上に位置し、メサエッチングによって露出したメサ側面の一部を覆う。絶縁反射層31は、屈折率が互いに異なる各材料層を交互に積層した後、フォトリソグラフィ及びエッチング工程を用いてそれらをパターニングすることによって形成することができ、前記屈折率が互いに異なる各層は、例えば、SiO2、Si3N4、TiO2及びNb2O5から選択することができる。前記絶縁反射層31は、発光構造体上に透明電極層29を形成した後で形成できるが、これに限定されることはなく、絶縁反射層31を形成した後で透明電極層29を形成することもできる。一方、絶縁層32は、前記発光構造体の第2の導電型半導体層27又は前記透明電極層29を覆うことができる。また、絶縁層32は、メサエッチングによって露出した第2の導電型半導体層27及び活性層25の側面を覆うことができる。さらに、前記絶縁層32は、前記各発光領域LE1、LE2上の透明電極層29を露出させる各開口部32aを有する。前記各開口部32aによって前記透明電極層29又は第2の導電型半導体層27が露出する。前記絶縁層32は、活性層25で生成された光が透過し得る透明な材料であれば特別に限定されなく、例えば、SiO2で形成することができる。前記メサエッチングによって露出した第1の導電型半導体層23上には、第1の電極パッド35及び第2の電極パッド33が位置する。前記第1の電極パッド35は、第1の導電型半導体層23に電気的に接続される。一方、前記第2の電極パッド33は、絶縁層31によって第1の導電型半導体層23から絶縁される。前記第1及び第2の電極パッド35、33は、ワイヤをボンディングするためのボンディングパッドであって、ワイヤをボンディングできるように相対的に広い面積を有する。前記第1の電極パッド35及び第2の電極パッド33は、第1の導電型半導体層23の露出領域上に限定して位置し得るが、これに限定されることはなく、その一部が前記第2の導電型半導体層27の上部に位置することもできる。前記第2の電極パッド33と前記第1の導電型半導体層23との間に前記絶縁反射層31が位置し、第1の導電型半導体層23から第2の電極パッド33を絶縁させる。さらに、前記絶縁反射層31は、メサ側面の一部を覆い、第2の電極パッド33が第2の導電型半導体層27又は活性層25に接することを防止する。一方、前記第2の導電型半導体層27又は透明電極層29上に各上部延長部33aが位置する。前記各上部延長部33aは、それぞれ各連結部33bを介して第2の電極パッド33に連結することができ、前記各上部延長部33aは、第2の導電型半導体層27又は透明電極層29に電気的に接続される。各上部延長部33aは、絶縁層32の各開口部32aを介して透明電極層29に接続することができる。各上部延長部33aは、第1の導電型半導体層23内に電流を均一に分散させ得るように配置される。一方、前記各連結部33bは、絶縁反射層31及び/又は絶縁層32によって第2の導電型半導体層27及び活性層25から離隔される。一方、少なくとも一つの下部延長部35aを前記第1の電極パッド35から延長させても良い。前記下部延長部35aは、第1の導電型半導体層23上に位置し、第1の導電型半導体層23に電気的に接続する。下部延長部は、図示したように、分割された各発光領域の間に位置できるが、これに限定されることはなく、下部延長部35bのように各発光領域の外側に位置させても良い。前記各電極パッド33、35、各上部延長部33a、各連結部33b及び下部延長部35a、35bは、同一の金属材料、例えば、Cr/Auで同一の工程を用いて共に形成できるが、これに限定されることはない。例えば、各上部延長部33aと前記第2の電極パッド33を別個の工程で形成しても良く、互いに異なる材料で形成しても良い。本実施例において、分割された各発光領域は、第1の電極パッド35と第2の電極パッド33とをつなぐ線、例えば、B―B線に対して対称である。また、各上部延長部33aも互いに対称に配置され、前記各発光領域は同一の発光特性を示すことができる。従って、従来の二つの発光ダイオードを互いに並列に連結して使用する場合に比べて、一つの発光ダイオード内で発光領域を二つに分割して使用することによって発光ダイオードのパッケージング工程を単純化することができる。さらに、発光領域を分割することによって、欠陥による電流の集中を緩和することができ、メサエッチングによって傾斜した各側面が形成され、それによって光抽出効率を増加させることができる。本実施例において、第2の電極パッド33は、メサエッチングによって露出した第1の導電型半導体層23上に位置し、絶縁反射層31がこれらの間に介在する。このような構造は、第2の電極パッド33の下部で光が生成されることを防止し、第2の電極パッド33の形成領域以外の領域で光を生成させることによって電流を効率的に活用する。しかし、本発明がこれに限定されることはない。例えば、メサエッチングによって露出した第1の導電型半導体層23をさらに除去して基板を露出させても良く、基板21上に絶縁反射層31を形成し、前記絶縁反射層上に第2の電極パッド33を配置しても良い。また、前記第2の電極パッド33と第2の導電型半導体層27又は透明電極層29との間に絶縁反射層31を介在して、前記第2の電極パッド33を絶縁反射層31上に配置することもできる。図3は、本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードを説明するための断面図で、図1のC―C線断面図である図2cに対応する。図3を参照すると、本実施例に係る発光ダイオードは、上述した発光ダイオードと概して類似するので、重複を避けるために相違点についてのみ説明する。図1、図2a~図2cを参照して前述した発光ダイオードの場合、光取出しエレメントLEEのパターンが透明電極層29上に位置する。その一方、本実施例に係る発光ダイオードの場合、光取出しエレメントLEEのパターンが絶縁層32上に位置する。前記光取出しエレメントLEEは、絶縁層32の上部を部分的にパターニングして形成することができ、又は、絶縁層32上に他の材料層を形成した後、前記材料層をパターニングして形成することができる。前記光取出しエレメントLEEは、例えば、5μmの直径を有する円柱形状であってもよく、これら光取出しエレメントは、互いに約30μm離隔させても良い。図4は、本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。図1の実施例においては、第1の電極パッド35及び第2の電極パッド33が発光ダイオードの長軸方向に沿って配置され、各発光領域が発光ダイオードの長軸方向に沿って分割される場合を示しているが、本実施例においては、各電極パッド53、55が発光ダイオードの短軸方向に沿って配置され、各発光領域が発光ダイオードの短軸方向に沿って分割されている。また、分割された各発光領域は対称構造を有し、各上部延長部53a及び各下部延長部55aも対称になるように配置されている。前記第2の電極パッド53の下部に、図1を参照して説明したように、絶縁反射層51が位置し、透明電極層又は絶縁層52上に光取出しエレメントLEEのパターンが位置する。ここで、前記上部延長部53aは、発光ダイオードの外縁にそって延長されて発光ダイオードを取り囲む形態で配置され、また、発光ダイオードの外縁から内側に侵入する延長部53cを有する。一方、各下部延長部55aは、発光ダイオードの内側から外側に延長されている。また、各下部延長部55aは、それぞれ各発光領域内で前記延長部53cを取り囲むように二つに分岐させても良い。前記各上部延長部55aと前記各第2の電極パッド53は、各連結部53bによって互いに連結される。図5は、本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードを説明するための平面図である。図5を参照すると、本実施例に係る発光ダイオードは、図4を参照して説明した発光ダイオードと概して類似するが、各下部延長部65a及び各上部延長部63aの配置において差がある。すなわち、下部延長部65aが発光ダイオードの外縁に沿って延長された後、発光領域の内側に侵入し、各上部延長部63aは、各発光領域上に二つの延長部を含み、これら二つの延長部が前記発光領域の内側に侵入した下部延長部65aを取り囲むように配置される。以上では、本発明のいくつかの実施例について説明したが、各電極パッド及び各延長部の配置に対して多様な実施例及び変形が可能である。また、発光ダイオードが二つの発光領域に分割された場合を例として説明したが、発光ダイオードはより多数の発光領域に分割することもできる。"