"グランドプレーンであって、外側境界と内側境界を備えた面を有する絶縁層であって、前記内側境界内の表面領域からなる中央領域と、前記内側境界と前記外側境界の間の表面領域からなる周辺領域を含む絶縁層と、前記中央領域の全体に配置された第1導電セグメントと、前記周辺領域の第1部分に配置され、前記第1導電セグメントと電気的に接触する第2導電セグメントと、前記周辺領域の第2部分に配置され、前記第1導電セグメントおよび前記第2導電セグメントから離間している第3導電セグメントと、前記第2導電セグメントおよび前記第3導電セグメントに電磁結合された集中定数回路素子を含むグランドプレーン。前記集中定数回路素子は、前記第2導電セグメントおよび前記第3導電セグメントに電磁結合された複数の集中定数回路素子のうちの1つである請求項1記載のグランドプレーン。前記集中定数回路素子は、抵抗、コンデンサ、またはインダクタのうちの少なくとも1つを含む請求項1記載のグランドプレーン。前記集中定数回路素子は第1集中定数回路素子であり、前記周辺領域の第4部分に配置された第4導電セグメントであって、前記第1導電セグメントと電気的に接触し、前記第2導電セグメントから離間しており、前記第3導電セグメントから離間している第4導電セグメントと、前記周辺領域の第5部分に配置され、前記第1導電セグメント、前記第2導電セグメント、前記第3導電セグメント、および前記第4導電セグメントから離間している第5導電セグメントと、前記第4導電セグメントおよび前記第5導電セグメントに電磁結合された第2集中定数回路素子をさらに含む請求項1記載のグランドプレーン。前記第1集中定数回路素子は前記第2導電セグメントおよび前記第3導電セグメントに電磁結合された複数の第1集中定数回路素子のうちの1つであり、前記第2集中定数回路素子は前記第4導電セグメントおよび前記第5導電セグメントに電磁結合された複数の第2集中定数回路素子のうちの1つである請求項4記載のグランドプレーン。前記外側境界は、第1側と、前記第1側と平行な第2側を有する第1長方形として構成され、前記内側境界は、前記第1側と前記第2側の間に配置され、前記第2導電セグメントは、第2長方形として構成され、前記内側境界と前記第1側の間に配置され、前記第3導電セグメントは、第3長方形として構成され、前記第2導電セグメントと前記第1側の間に配置され、前記第4導電セグメントは、第4長方形として構成され、前記内側境界と前記第2側の間に配置され、前記第5導電セグメントは、第5長方形として構成され、前記第4導電セグメントと前記第2側の間に配置される請求項4記載のグランドプレーン。前記外側境界は、第1半径を有する第1円として構成され、前記内側境界は、第2半径を有する第2円として構成され、前記第2円は前記第1円と同心であり、前記第2半径は前記第1半径よりも小さく、第2導電セグメントは、内側半径および外側半径を有する第1環状リングとして構成され、前記第1環状リングは、前記第1円と同心であり、前記第1環状リングの前記内側半径は、前記第2半径と等しく、前記第1環状リングの前記外側半径は、前記第1環状リングの前記内側半径よりも大きく、および第1半径よりも小さく、第3導電セグメントは、内側半径および外側半径を有する第2環状リングとして構成され、前記第2環状リングは、前記第1円と同心であり、前記第2環状リングの前記内側半径は、前記第1環状リングの前記外側半径よりも大きく、前記第2環状リングの前記外側半径は、前記第2環状リングの前記内側半径よりも大きく、および第1半径以下である請求項1記載のグランドプレーン。前記絶縁層は、誘電体基板を含み、前記第1導電セグメントは、第1金属膜を含み、前記第2導電セグメントは、第2金属膜を含み、前記第3導電セグメントは、第3金属膜を含む請求項1記載のグランドプレーン。グランドプレーンであって、外側境界を有する絶縁層と、前記絶縁層上に配置され、前記絶縁層の前記外側境界と同じ外側境界を有する導電層であって、内側境界内の前記導電層領域からなる中央領域と、前記内側境界と前記外側境界の間の前記導電層領域からなる周辺領域を含む絶縁層と、前記導電層内の溝であって、前記溝は、前記導電層の厚みと等しい深さを有し、前記外側境界上の第1部位、前記内側境界上の第1部位、または前記周辺領域内の第1部位に第1終点を有し、前記外側境界上の第2部位、前記内側境界上の第2部位、または前記周辺領域内の第2部位に第2終点を有する溝と、前記溝の一方の側の前記導電層の一部および前記溝の反対側の前記導電層の一部に電磁結合された集中定数回路素子を含むグランドプレーン。前記集中定数回路素子は、前記溝の一方の側の前記導電層の一部および前記溝の反対側の前記導電層の一部に電磁結合された複数の集中定数回路素子のうちの1つである請求項9記載のグランドプレーン。前記集中定数回路素子は、抵抗、コンデンサ、またはインダクタのうちの少なくとも1つを含む請求項9記載のグランドプレーン。前記溝は、複数の溝のうちの1つである請求項9記載のグランドプレーン。前記複数の溝内の各溝に対して、前記溝の一方の側の前記導電層の一部および前記溝の反対側の前記導電層の一部に電磁結合された少なくとも1つの集中定数回路素子をさらに含む請求項12記載のグランドプレーン。前記複数の溝は、溝の幾何学配列として構成される請求項12記載のグランドプレーン。前記幾何学配列は、長方形の幾何学配列、ひし形の幾何学配列、三角形の幾何学的配列、または六角形の幾何学的配列のうちの1つを含む請求項14記載のグランドプレーン。前記絶縁層は、誘電体基板を含み、前記導電層は、金属膜を含む請求項9記載のグランドプレーン。アンテナシステムであって、放射体要素と接地要素を含むアンテナと、グランドプレーンであって、外側境界と内側境界を備えた面を有する絶縁層であって、前記内側境界内の表面領域からなる中央領域と、前記内側境界と前記外側境界の間の表面領域からなる周辺領域を含む絶縁層と、前記中央領域の全体に配置された第1導電セグメントと、前記周辺領域の第1部分に配置され、前記第1導電セグメントと電気的に接触する第2導電セグメントと、前記周辺領域の第2部分に配置され、前記第1導電セグメントおよび前記第2導電セグメントから離間している第3導電セグメントと、前記第2導電セグメントおよび前記第3導電セグメントに電磁結合された集中定数回路素子を含むグランドプレーンを含み、前記接地要素は前記中央領域上に配置されるアンテナシステム。前記集中定数回路素子は、前記第2導電セグメントおよび前記第3導電セグメントに電磁結合された複数の集中定数回路素子のうちの1つである請求項17記載のアンテナシステム。前記集中定数回路素子は、抵抗、コンデンサ、またはインダクタのうちの少なくとも1つを含む請求項17記載のアンテナシステム。前記絶縁層は、誘電体基板を含み、前記第1導電セグメントは、第1金属膜を含み、前記第2導電セグメントは、第2金属膜を含み、前記第3導電セグメントは、第3金属膜を含む請求項17記載のアンテナシステム。前記集中定数回路素子は第1集中定数回路素子であり、前記グランドプレーンは、前記周辺領域の第4部分に配置された第4導電セグメントであって、前記第1導電セグメントと電気的に接触し、前記第2導電セグメントから離間しており、前記第3導電セグメントから離間している第4導電セグメントと、前記周辺領域の第5部分に配置され、前記第1導電セグメント、前記第2導電セグメント、前記第3導電セグメント、および前記第4導電セグメントから離間している第5導電セグメントと、前記第4導電セグメントおよび前記第5導電セグメントに電磁結合された第2集中定数回路素子をさらに含む請求項17記載のアンテナシステム。前記第1集中定数回路素子は前記第2導電セグメントおよび前記第3導電セグメントに電磁結合された複数の第1集中定数回路素子のうちの1つであり、前記第2集中定数回路素子は前記第4導電セグメントおよび前記第5導電セグメントに電磁結合された複数の第2集中定数回路素子のうちの1つである請求項21記載のアンテナシステム。アンテナシステムであって、放射体要素と接地要素を含むアンテナと、グランドプレーンであって、外側境界を有する絶縁層と、前記絶縁層上に配置され、前記絶縁層の前記外側境界と同じ外側境界を有する導電層であって、内側境界内の前記導電層領域からなる中央領域と、前記内側境界と前記外側境界の間の前記導電層領域からなる周辺領域を含む絶縁層と、前記導電層内の溝であって、前記溝は、前記導電層の厚みと等しい深さを有し、前記外側境界上の第1部位、前記内側境界上の第1部位、または前記周辺領域内の第1部位に第1終点を有し、前記外側境界上の第2部位、前記内側境界上の第2部位、または前記周辺領域内の第2部位に第2終点を有する溝と、前記溝の一方の側の前記導電層の一部および前記溝の反対側の前記導電層の一部に電磁結合された集中定数回路素子を含むグランドプレーンを含み、前記接地要素は前記中央領域上に配置されるアンテナシステム。前記集中定数回路素子は、前記溝の一方の側の前記導電層の一部および前記溝の反対側の前記導電層の一部に電磁結合された複数の集中定数回路素子のうちの1つである請求項23記載のアンテナシステム。前記集中定数回路素子は、抵抗、コンデンサ、またはインダクタのうちの少なくとも1つを含む請求項23記載のアンテナシステム。前記溝は、複数の溝のうちの1つである請求項23記載のアンテナシステム。前記グランドプレーンは、前記複数の溝内の各溝に対して、前記溝の一方の側の前記導電層の一部および前記溝の反対側の前記導電層の一部に電磁結合された少なくとも1つの集中定数回路素子をさらに含む請求項26記載のアンテナシステム。前記複数の溝は、溝の幾何学配列として構成される請求項26記載のアンテナシステム。前記絶縁層は、誘電体基板を含み、前記導電層は、金属膜を含む請求項23記載のアンテナシステム。図1Aおよび図1Bは、x軸102、y軸104、z軸106、および原点o108によって定義された直交座標系の斜視図を示している。図1Aに示されるように、磁場H-平面120は、y-z平面内にあり、図1Bに示されるように、電場E-平面130は、x-z平面内にある。また、図1Cの斜視図に示されるように、幾何学的構成が、球面座標系に対して説明されている。点P116の球面座標は、r,θ,φで与えられ、ここで、rは原点o108から測定した半径である。ここで点Pは、r,θ,φに対応する値を有する。x-y平面は、方位角平面と呼ばれ、x軸102から測定したφ103は、方位角と呼ばれている。φ=定数でz軸106と交差することによって定義された平面は子午面と呼ばれている。z軸106とx ́ ́軸112によって定義される一般的な子午面114が、図1Cに示されている。x-z平面とy-z平面は、子午面の特殊な場合である。いくつかの規則では、子午線角度と呼ばれる角度θは、z軸106から測定されるθ105と表記。本明細書中で使用されるような他の規則では、角度θは、x ́ ́軸112から測定されθ107と表記、仰角とも呼ばれている。図1Dは、以下に示すアンテナシステムの実施形態のビュー観測方向を定義する。ビューAはy方向に沿って観測され、ビューBは-x方向に沿って観測され、ビューCは-z方向に沿って観測される。ビューEは、図の断面がx-z平面に平行な断面図であり、ビューEは、y方向に沿って観察される。図2Aは、地球202の上方に位置するアンテナ204の概略図を示す。アンテナ204は、例えば、測地アプリケーション用測量三脚図示せずに取り付けることができる。図の平面は、E-平面x-z平面である。y方向は、図の平面内を指している。野外環境では、z上方向天頂とも呼ばれるは空の方向を指し、-z下は地球の方向を指している。ここで、地球という用語は、陸環境と水環境の両方を含む。グランドプレーンと関連して使用されるような電気的なgroundとの混乱を避けるために、土地と関連して使用されるような地理的なgroundは、本明細書中では使用されない。図2Aでは、電磁波がx軸に対して入射角θでアンテナ204に入射する光線として表現されている。水平線は、θ=0°に対応している。光線210や光線212などの広々とした空からの入射線は、入射角が正の値を有する。光線214などの地球202から反射した光線は、入射角が負の値を有する。ここで、入射角が正の値を有する空間領域は、直接信号領域と呼ばれている。直接信号領域は、前方半球、上部半球とも呼ばれている。ここで、入射角が負の値を有する空間領域は、マルチパス信号領域と呼ばれている。マルチパス信号領域は、後方半球、下部半球とも呼ばれている。入射線210は、アンテナ204に直接入射する。入射線212は、地球202にぶつかる。反射線214が入射線212の地球202からの反射によって生じる。反射信号を緩和するアンテナ能力を数値的に特徴付けるために、以下の比率が一般的に使用されている。パラメータDUθ上下比は、後方半球のアンテナ指向特性レベルF-θのミラー角度での前方半球のアンテナ指向特性レベルFθに対する比率に等しく、Fは電圧レベルを表す。dBで表すと、この比率は以下のようになる。本発明の一実施形態に係るグランドプレーンの表面上のアンテナの電磁特性は次のようにモデル化することができる。図2Bは、x-y平面に平行なグランドプレーン220の概略図を示している。グランドプレーン220は、上部グランドプレーン表面222および下部グランドプレーン表面224を有する。グランドプレーン表面の電場および磁場の接線成分は、特定の境界条件を満たしている。図2Bにおいて、は、上部グランドプレーン表面222と平行なと、上部グランドプレーン表面222に直交するを有する。は、下部グランドプレーン表面224と平行なと、下部グランドプレーン表面224に直交するを有する。磁場ベクトル図示せずの成分は同様に定義され、は、上部グランドプレーン表面222と平行なと、上部グランドプレーン表面222に直交するは、下部グランドプレーン表面224と平行なと、下部グランドプレーン表面224に直交するを有する。あるモデルでは、グランドプレーン表面上の構造素子と電気素子間の距離下記参照が、受信信号の波長に比べて無視できる程度であるため、近似または平均化境界条件を使用することができる。一般に、これらの境界条件は以下の関係によって表される。ただし、等価電流の面密度であり、ZSは、積層インピーダンスΩ単位で測定である。電場の境界条件は、が、グランドプレーン表面上で連続であることを特定する。磁場の境界条件は、が、グランドプレーン表面上でステップを有することを特定する。このステップの値は、一般的なケースでは、積層インピーダンスZSは、その要素が有効成分と無効成分と[または、同等には、係数振幅と位相]によって特定された複素数であるテンソルである。グランドプレーンの表面の積層インピーダンスの分布は、等価電流を制御する。一実施形態では、アンテナシステムは、半透明のグランドプレーン上に配置されたアンテナを含む。半透明のグランドプレーンの特性は、以下で詳細に説明される。アンテナは、放射体要素と接地要素を含む。アンテナの接地部は、一般的にアンテナのグランドプレーンと呼ばれる。本明細書に記載のグランドプレーンとの混同を避けるために、アンテナの接地部は接地要素と呼ばれる。アンテナシステムの全体的なアンテナパターンおよび上下比は、放射器パターンと、グランドプレーンの電流によって形成されたパターンの合計によって決定される。したがって、所望のDUθパラメータは、グランドプレーン表面上の積層インピーダンスの分布に依存する。図3Aは、本発明の一実施形態に係る半透明のグランドプレーンのビューCを示している。半透明のグランドプレーン300は、外側境界302と内側境界308を有する。内側境界308の内部の領域は、中央領域304と呼ばれている。内側境界308と外側境界302の間の領域は、周辺領域306と呼ばれている。図3Aでは、外側境界302は、半径R301をもつ円形形状を有し、内側境界308は、辺S303をもつ正方形形状を有する。図3Bに示されるビューAを参照。アンテナ340放射体要素と接地要素を有するは、中央領域304に配置されている。アンテナ340の例は、パッチアンテナ、ヘリカルアンテナ、およびキャビティアンテナを含む。後述するように、中央領域304の上面は導電性をもつ。一般的に、アンテナ340の接地要素は、中央領域304の導電性表面と電気的に接触している。一実施形態では、半透明のグランドプレーン300は、パッチアンテナの一体型接地要素として機能し、放射体パッチが、中央領域304の上方に配置され、放射体パッチと中央領域304は、空気などの誘電体または誘電基板によって分離されている。別の一実施形態では、半透明のグランドプレーン300は、パッチアンテナ用の独立した補助グランドプレーンとして機能し、アンテナ340は、誘電体によって分離した放射体パッチおよび接地要素を含む完全にスタンドアロンのパッチアンテナであり、その後、アンテナ340が、マルチパス受信を低減するために半透明のグランドプレーン300の中央領域304上に配置される。一般的には、外側境界と内側境界は、独立したユーザ定義の形状を有することができる。形状の他の例としては、楕円、矩形、および六角形を含む。ユーザ定義の形状は、例えば、特殊用途のアンテナ設計技術者によって指定される。一実施形態では、内側境界308の形状は、アンテナ340の形状に適合するように設計される。一実施形態では、内側境界308と外側境界302は、共通の幾何学的中心を有する。図3Cは、本発明の一実施形態に係る半透明のグランドプレーン300のビューEを示す。半透明のグランドプレーン300は、絶縁層330上に配置された導電層320を含む。導電層320の厚さはT1305であり、絶縁層330の厚さはT2307である。一実施形態では、絶縁層330は誘電体基板であり、導電層320は誘電体基板上に堆積した金属膜である。半透明のグランドプレーン300は、例えば、プリント回路基板から作製することができる。中央領域304では、導電層320は1つの連続導電セグメントである。周辺領域306では、導電層320は、複数の導電セグメントに分けられている。周辺領域306では、導電層320は、構造的および電気的要素でパターン化されている。構造的および電気的要素の具体例を以下で説明する。中央領域304では、積層インピーダンスは、残留損失によるがほぼゼロである。周辺領域306では、積層インピーダンスのユーザ指定の分布振幅と位相の両方が生成される。位相は-90°~90°の範囲で制御される。一実施形態において、周辺領域306では、導電層内に溝一式を構成し、溝の上または内部に集中定数回路素子一式を構成することによって、積層インピーダンスの所望の分布が生成される。ここで、集中定数回路素子は、1つの抵抗R、1つのコンデンサC、1つのインダクタC、および抵抗、コンデンサ、インダクタRCLの任意の組み合わせを含む。抵抗、コンデンサ、およびインダクタは、任意の直列、並列、または直列並列の組み合わせで電気的に接続することができる。設定可能な集中定数回路素子は、積層インピーダンスの係数振幅および位相または等価なものとして、積層インピーダンスの有効成分と無効成分の両方の分布の制御を可能にする。無効成分の制御により、有効電力損失の低減が可能となる。なお、積層インピーダンスは、絶縁層の特性例えば、厚さや誘電率などに依存している。いくつかの実施形態では、集中定数回路素子は、ワイヤおよびはんだ接合によって接続された個別のデバイス例えば、個別の抵抗、インダクタ、コンデンサなどである。いくつかの実施形態では、表面実装デバイス表面実装技術を用いたデバイスが使用される。いくつかの実施形態では、集中定数回路素子は、誘電体基板上に薄膜導電性または絶縁性から集積回路デバイスとして製造される。例えば、抵抗は有効電力損失を有する薄膜から作製することができ、インダクタは蛇行形状を有する金属薄膜から作製することができ、コンデンサは櫛形形状を有する金属膜から作製することができる。個別のデバイス、表面実装デバイス、集積回路デバイスの組み合わせを使用することができる。入射電磁波の一部が伝達され、一部は反射されるので、半透明なグランドプレーン300は、半透明グランドプレーンと呼ばれる。アンテナの性能を特徴付ける際に、受信モードの特性は、既知の相反定理によれば送信モードの特性に対応する。送信モードでは、典型的な完全に導電性のグランドプレーンによって、下向きの電磁場が、グランドプレーンの端部にわたって入射電磁場の回折から生じる。入射電磁場は、グランドプレーン上に配置されたアンテナによって生成される。半透明のグランドプレーンによって、グランドプレーン表面を通る入射電磁場の部分的な伝達と、グランドプレーンの端部にわたる入射電磁場の回折の2つの効果から、下向きの電磁場が生じる。完全に導電性のグランドプレーンでは、電磁場の振幅大きさおよび位相の分布を制御することはできない。しかしながら、半透明のグランドプレーンでは、電磁場の振幅および位相の分布の両方を制御することができる。図15は、誘電体基板上に作製した薄膜インダクタ1500の一例を示している。導体1502は、蛇行形状を有する金属ストリップである。入力/出力ポートは、接点1504および接点1506である。設計パラメータは、幅W1501と、外側長さLe1503と、内側長さLi1505と、間隔S1507を含む。図16は、誘電体基板上に作製した薄膜コンデンサ1600の一例を示している。電極1602および電極1608は、櫛形噛み合わされた形状を有する。入力/出力ポートは、接点1630および接点1632である。電極1602および電極1608は、チャネル1620によって区切られている。電極1602のフィンガー1604およびフィンガー1606は、電極1608のフィンガー1612およびフィンガー1610と噛み合っている。設計パラメータは、フィンガーの長さL1601、間隔d1603、および幅b1605を含む。図4A~図4Eは、直線偏光放射用に構成された、本発明の一実施形態に係る、半透明のグランドプレーン400の一実施形態を示す。図4Bに示されるビューCを参照。半透明のグランドプレーン400は、長方形の形状をもつ外側境界402と、円形の形状をもつ内側境界408を有する。外側境界402の下辺は、辺403と表記されており、外側境界402の上辺は、辺407と表記されている。辺403と辺407は、x軸に平行である。外側境界402の左辺は、辺405と表記されており、外側境界402の右辺は、辺409と表記されている。辺405と辺409は、y軸に平行である。外側境界402の左下隅を基準点401と表記している。外側境界402の寸法は、x軸に沿ってL1413であり、y軸に沿ってL2415である。内側境界408は、半径R411を有する。外側境界402と内側境界408は共通の幾何学的中心o108を有する。内部境界408内の領域は、中央領域404と呼ばれ、内側境界408と外側境界402との間の領域は、周辺領域406と呼ばれている。図4DのビューEを参照。半透明のグランドプレーン400は、絶縁層430上に配置された導電層420を含む。一例では、導電層420は薄い金属膜であり、絶縁層430は誘電体基板である。導電層420の厚さはT1427であり、絶縁層430の厚さはT2429である。図4Dの更なる詳細が、以下で説明される。図4AのビューCを参照。周辺領域406は、3つの周辺小領域に分割され、周辺小領域406-1、周辺小領域406-2、および周辺小領域406-3と表記される点線の四角形で示される。周辺小領域406-1および周辺小領域406-2には、y軸に平行な溝一式がある。溝450-1、溝450-2、溝450-3、溝450-4として示された4つの溝が、周辺小領域406-1内に構成される。溝450-5、溝450-6、溝450-7、溝450-8として示された4つの溝が、周辺小領域406-2内に構成される。周辺小領域406-1および周辺小領域406-3の断面図を示す図4Dを戻って参照。溝450-1、溝450-2、溝450-3、溝450-4は、導電層420の全体の厚さを貫通し、すなわち、Z軸に沿って測定される溝の深さは導電層の厚さに等しい。例えば、溝は導電層420のフォトリソグラフィーパターニングおよびエッチングにより作製することができる。周辺小領域406-2内の溝450-5、溝450-6、溝450-7、溝450-8図4Aを参照は、図4Dに示されるものと類似である。周辺小領域406-3には溝はなく、導電層402は連続している。再び図4Aを参照。29個の集中定数回路素子一式が、各々の溝を横切ってある。一番左の溝である溝450-1を横切って、集中定数回路素子が、集中定数回路素子461-1から集中定数回路素子461-29として示されている。一番右の溝である溝450-8を横切って、集中定数回路素子が、集中定数回路素子468-1から集中定数回路素子468-29として示されている。他の溝を横切って、集中定数回路素子が同様に示されている。図を簡略化するために、全ての名称が表示されていない。溝および集中定数回路素子の構成の更なる詳細を示している図4CのビューCを参照。基準点401は、座標x0,y0を有する。溝は、x=x1,x2,x3,x4,...,x8において、y軸に平行に走る。集中定数回路素子は、y=y1,y2,...,y29において、x軸に平行な直線に沿って配置されている。一般的には、溝の間の間隔Δxは、変化させることができる。いくつかの実施形態では、溝の間隔は一定である。一般的には、集中定数回路素子間の間隔Δyは、同じ溝に沿って独立に、および異なる溝に沿って独立に変化させることができる。いくつかの実施形態では、集中定数回路素子間の間隔は一定である。集中定数回路素子は、溝に対して垂直に整列されており、すなわち、集中定数回路素子の長手軸は、十字である溝の長手軸に垂直である。集中定数回路素子は、2ポートデバイスとしてモデル化することができる。集中定数回路素子の長手軸は、一方のポートから他方のポートへと電流が沿って流れる軸である。2つのポート間の電流の流れは、直線で近似することができる。周辺小領域406-1内の溝および集中定数回路素子の詳細を示している図4Dを再び参照。溝450-1、溝450-2、溝450-3、溝450-4の中心線の位置は、それぞれx1,x2,x3,x4である。参考のために、辺405の位置は、位置x0と表記されている。溝の幅はW2423と表記されている。図4Dに示される実施形態では、各溝は同じ幅を有している。一般に、各溝は異なる幅を有することができる。溝は、y軸に平行に走る導電性ストリップ導電性ストリップ420-1、導電性ストリップ420-2、導電性ストリップ420-3、導電性ストリップ420-4、導電性ストリップ420-5として構成される導電セグメントに導電層420を分割する。導電性ストリップの幅は、W1421で表記されている。図4Dに示される実施形態では、導電性ストリップ420-1、導電性ストリップ420-2、導電性ストリップ420-3、および導電性ストリップ420-4は、同じ幅を有する。一般に、各導電性ストリップは、異なる幅を有することができる。なお、本実施形態では、導電性ストリップ420-5は、周辺小領域406-3を横切って延びている。溝の両側の導電性ストリップは、電磁集中回路素子によって電磁結合される。ここで、電磁結合は、集中定数回路素子の2つのポート間の直接電気経路による結合例えば、抵抗と、集中定数回路素子の2つのポート間の直接電気経路無しの結合例えば、コンデンサの両方を含む。図4Dでは、集中定数回路素子は、集中定数回路素子461-15、集中定数回路素子462-15、集中定数回路素子463-15、集中定数回路素子464-15として示されている。集中定数回路素子の長さは、W3425と表記されている。代表的なアセンブリとして、導電性ストリップ420-3および導電性ストリップ420-4で囲まれた溝450-3を検討する。集中定数回路素子463-15は、溝450-3を横切って導電性ストリップ420-3から導電性ストリップ420-4への電磁結合ブリッジを形成している。集中定数回路素子463-15は、導電性ストリップ420-3に電気的に接続され、導電性ストリップ420-4に電気的に接続されている。代表的な電気的接続が、電気的接続470として示されている。電気的接続470の例は、はんだ接合である。別の一実施形態図4Eでは、集中定数回路素子463-15は、溝450-3内に配置されている。集中定数回路素子463-15は、導電性ストリップ420-3に電気的に接続され、導電性ストリップ420-4に電気的に接続されている。代表的な電気的接続が電気的接続472として示されている。電気的接続472の例は、ワイヤボンドである。再び、図4Aを参照。一般的に、溝の数は、ユーザ定義のパラメータであり、溝を横切る集中定数回路素子の数は、ユーザ定義のパラメータである。溝を横切る集中定数回路素子の数は、各溝に対して独立して変化させることができる。いくつかの実施形態では、各溝を横切る集中定数回路素子の数は同じである。最小限の構成では、周辺領域406内に1つの集中回路素子を有する1つの溝がある。直線偏光放射体は、半透明のグランドプレーンに電流を誘導する。集中定数回路素子を介して溝に直交して電流が流れる。図4Aを参照すると、x軸に平行に電流が流れる。上記のように、集中定数回路素子は、半透明のグランドプレーンの導電層に電磁結合されている。溝および集中定数回路素子の構成は、電流の振幅および位相の特定の分布を生成する。この分布は、上下比を制御する。直接の直線偏光放射に加えて、放射体は、寄生放射を放射する。寄生放射の方向は、直接放射に直交している。寄生放射は、直接放射に対して交差偏光である偏極ベクトル間に90度の差をもつ。したがって、直交する電流成分があり、電流の流れは、厳密には溝に垂直ではないつまり、電流はx軸に厳密に平行ではない。電流の寄生成分を補償し、異なる偏波面に対して所望の上下比を生成するために、溝および集中定数回路素子とで別の構成が使用される。図5AビューCは、直線偏光放射用に構成された半透明のグランドプレーンの別の一実施形態を示している。半透明のグランドプレーン500は、グランドプレーン400内の主要な溝y軸に平行に垂直に交差溝x軸に平行があることを除いて、グランドプレーン400と同様である。周辺小領域406-1では、交差溝一式は、交差溝510-1から交差溝510-14として示されている。周辺小領域406-2では、交差溝一式は、交差溝510-15から交差溝510-28として示されている。なお、交差溝を横切って、集中定数回路素子は配置されていない。交差溝は、一連の長方形として構成される導電セグメント一式に導電性ストリップを分割する。図5BビューCは、交差溝一式の間隔の詳細を示している。交差溝の中心線がy=Y1,Y2,Y3,Y4,...に位置している。一般的に、交差溝の間隔ΔYは変えることができる。いくつかの実施形態では、間隔は一定である。交差溝の数は、ユーザ定義のパラメータである。一実施形態では、周辺小領域406-1内に1つの交差溝と、周辺小領域406-2内に1つの交差溝がある。図6AビューCは、直線偏光放射用に構成されたグランドプレーン600として参照される半透明のグランドプレーンの別の一実施形態を示している。周辺小領域406-1には、12個の平行溝610-1から610-12までの第1の一式と、12個の平行溝620-1から620-12までの第2の一式がある。周辺小領域406-2には、12個の平行溝610-13から610-24までの第1の一式と、12個の平行溝620-13から620-14までの第2の一式がある。集中定数回路素子一式が、溝を横切って配置されている。代表的な集中定数回路素子が、集中定数回路素子661-Iおよび集中定数回路素子661-Jとして示されている。溝は、ひし形またはひし形の一部の配列を形成する。溝は、ひし形またはひし形の一部として構成される導電セグメントの配列に導電層を分割する。図6Bは、1つのひし形の詳細を示している。x軸およびy軸にそれぞれ平行な局所基準軸一式x ́軸632およびy ́軸634が示される。辺681、辺682、辺683、辺684として示されているひし形の4辺は、それぞれの長さS631を有する。頂角はα633である。集中定数回路素子661-Aは、辺681を横切って接続され、集中定数回路素子661-Bは、辺682を横切って接続され、集中定数回路素子661-Cは、辺683を横切って接続され、集中定数回路素子661-Dは、辺684を横切って接続されている。この実施形態では、集中定数回路素子と溝の間の角度は90度である。図7AビューCは、直線偏光放射用に構成された半透明のグランドプレーン半透明のグランドプレーン700として参照されるの別の一実施形態を示している。周辺小領域406-1および周辺小領域406-2には、溝一式と、溝を横切る集中定数回路素子一式がある。溝は、正三角形または正三角形の一部の配列を形成する。溝は、正三角形または正三角形の一部として構成される導電セグメントの配列に導電層を分割する。図7Bは、1つの三角形の詳細を示している。x軸およびy軸にそれぞれ平行な局所基準軸一式x ́軸732およびy ́軸734が示される。辺781、辺782、辺783として示されている三角形の3辺は、それぞれの長さS731を有する。集中定数回路素子791は、辺781を横切って接続され、集中定数回路素子792は、辺782を横切って接続され、集中定数回路素子793は、辺783を横切って接続されている。この実施形態では、集中定数回路素子と溝の間の角度は90度である。図8AビューCは、直線偏光放射用に構成された半透明のグランドプレーン半透明のグランドプレーン800として参照されるの別の一実施形態を示している。周辺小領域406-1および周辺小領域406-2には、溝一式と、溝を横切る集中定数回路素子一式がある。溝は、正六角形または正六角形の一部の配列を形成する。溝は、正六角形または正六角形の一部として構成される導電セグメントの配列に導電層を分割する。図8Bは、1つの六角形の詳細を示している。x軸およびy軸にそれぞれ平行な局所基準軸一式x ́軸832およびy ́軸834が示される。辺881~辺886として示されている六角形の6辺は、それぞれの長さS831を有する。集中定数回路素子891~集中定数回路素子896は、それぞれ辺881~辺886を横切って接続されている。この実施形態では、集中定数回路素子と溝の間の角度は90度である。図4A、図5A、図6A、図7A、図8Aでは、半透明のグランドプレーンは、直線偏光放射用に構成されている。溝と集中定数回路素子一式は、半透明のグランドプレーンの左側に沿った矩形領域内および右側に沿った矩形領域内に構成されている。円偏光放射用に構成された半透明のグランドプレーンの実施形態では、溝と集中定数回路素子の同様の構成が、グランドプレーンの4つの全ての辺に沿って構成される。円偏光放射用に、放射体は、グランドプレーンの中心から外側境界へ向けられた半径方向成分と、中心の周りの円に沿って向けられた方位角成分の2つの電流成分を誘導する。上下比は、2つの互いに直交する面EおよびH面内で決定される。2つの直交電流成分を有する円偏光アンテナに対しては、グランドプレーンの中心に対する2つの直交する平面内で所望の上下比を達成するために、溝および集中定数回路素子とで異なる構成が使用される。図9AビューCは、円偏光用に構成された半透明のグランドプレーンの一実施形態を示している。半透明のグランドプレーン900は、円形形状を有する外側境界902と、円形形状を有する内側境界908を有する。内側境界908内の領域は、中央領域904と呼ばれている。内側境界908と外側境界902との間の領域は、周辺領域906と呼ばれている。x-y平面に直交する断面図図示せずは、図3Cおよび図4Dで示されたものと同様である。中央領域904内は、導電層が連続している。周辺領域906内には、同心円一式として構成された溝一式があり、溝950-1、溝950-2、溝950-3として示されている。溝は、環状リング一式として構成された導電セグメントに導電層を分割している。各溝を横切って集中定数回路素子一式がある。溝および集中定数回路素子の形状は、12セクタの繰り返し配列を形成しており、セクタσ1910-1からセクタσ12910-12として示されている。図9Bは、追加の寸法の詳細を示している。外側境界902は、半径R1901を有しており、内側境界908は、半径R2903を有している。溝950-1、溝950-2、溝950-3の半径は、それぞれr1911、r2913、r3915である。代表的なセクタσ1910-1の詳細が、図9Bに示されている。方位角αは、y軸から時計回りに測定される。セクタσ1910-1はα=0で始まり、α=Δα1921で終わる。溝950-1、溝950-2、溝3に沿って、α=0に集中定数回路素子が配置され、これらの集中定数回路素子はそれぞれ、集中定数回路素子961-1、集中定数回路素子962-1、集中定数回路素子963-1として参照される。溝950-1に沿って、集中定数回路素子961-1がセクタσ1内で唯一の集中定数回路素子であり、集中定数回路素子961-2はセクタσ2910-2の開始位置に配置されている。溝950-1に沿って、集中定数回路素子は、角度増減値Δα1で区切られている。溝950-2に沿って、セクタσ1内の集中定数回路素子は、集中定数回路素子962-1、集中定数回路素子962-2、集中定数回路素子962-3であり、集中定数回路素子962-4がセクタσ2910-2の開始位置に配置されている。溝950-2に沿って、集中定数回路素子は、角度増減値Δα2922で区切られている。溝950-3に沿って、セクタσ1内の集中定数回路素子は、集中定数回路素子963-1、集中定数回路素子963-2であり、集中定数回路素子963-3がセクタσ2910-2の開始位置に配置されている。溝950-3に沿って、集中定数回路素子は、角度増減値Δα3923で区切られている。図9Aおよび図9Bに示される実施形態では、集中定数回路素子は、放射状の線に沿って整列し、円形の溝と90度で交差している。一般に、円形溝の数、各円形溝の半径、各円形溝を横切る集中定数回路素子の数、各円形溝を横切る集中定数回路素子間の角度増減値は、ユーザ定義のパラメータである。なお、特定の円形溝を横切る隣接する集中定数回路素子間の角度増減値は、独立して変化させることができる。いくつかの実施形態では、角度増減値は同じである。図10ビューCは、円偏光用に構成された半透明のグランドプレーン半透明のグランドプレーン1000として参照されるの別の一実施形態を示している。周辺領域906内には、同心円一式として構成された溝の第1の一式があり、円形溝1050-1、円形溝1050-2、円形溝1050-3として示されている。溝の第2の一式は、放射状の線分一式として構成されている。放射状の溝1060-II=1~12は、外側境界902から円形溝1050-1まで走っている。放射状の溝1070-JJ=1~12は、円形溝1050-1から円形溝1050-2まで走っている。放射状の溝1080-KK=1~12は、円形溝1050-2から円形溝1050-3まで走っている。図面を簡略化するために、放射状の溝の全てを明示的に示していない。集中定数回路素子一式は、各円形溝を横切って、各放射状の溝を横切って配置される。集中定数回路素子1051-LL=1~12は、円形溝1050-1を横切って配置され、集中定数回路素子1052-MM=1~12は、円形溝1050-2を横切って配置され、集中定数回路素子1053-NN=1~12は、円形溝1050-3を横切って配置されている。集中定数回路素子1061-Iは、放射状の溝1060-Iを横切って配置され、集中定数回路素子1071-Jは、放射状の溝1070-Jを横切って配置され、集中定数回路素子1081-Kは、放射状の溝1080-Kを横切って配置されている。図面を簡略化するために、全ての集中定数回路素子が明示的に示していない。図示の実施形態では、放射状の溝を横切って位置する1つの集中定数回路素子がある。他の実施形態では、複数の集中定数回路素子が、放射状の溝を横切って配置され、集中定数回路素子の数は、各放射状の溝に対して独立に変化させることができる。一般的に、円形溝の数および半径、放射状の溝の数および位置、集中定数回路素子の数および位置は、ユーザ定義のパラメータである。図12A、図13A、図14A全てビューCは、円偏光用に構成された半透明のグランドプレーンの他の実施形態を示している。図12Aを参照。グランドプレーン1200の周辺領域906には、溝一式と、溝を横切る集中定数回路素子一式がある。溝は、正三角形の配列を形成している。図12Bは、1つの三角形1202の詳細拡大図を示している。三角形の3辺辺1281、辺1282、辺1283として示されているは、各々長さSを有する。集中定数回路素子1291は辺1281を横切って接続され、集中定数回路素子1292は辺1282を横切って接続され、集中定数回路素子1293は辺1283を横切って接続されている。この実施形態では、集中定数回路素子と溝の間の角度は90度である。一般的には、各辺を横切る集中定数回路素子の数は、ユーザ定義のパラメータである。図13Aを参照。半透明のグランドプレーン1300の周辺領域906には、溝一式と、溝を横切る集中定数回路素子一式がある。溝は、ひし形の配列を形成している。図13Bは、1つのひし形の詳細拡大図を示している。ひし形の4辺辺1381、辺1382、辺1383、辺1384として示されているは、各々長さSを有する。集中定数回路素子1391は辺1381を横切って接続され、集中定数回路素子1392は辺1382を横切って接続され、集中定数回路素子1393は辺1383を横切って接続され、集中定数回路素子1394は辺1384を横切って接続されている。この実施形態では、集中定数回路素子と溝の間の角度は90度である。一般的には、各辺を横切る集中定数回路素子の数は、ユーザ定義のパラメータである。図14Aを参照。半透明のグランドプレーン1400の周辺領域906には、溝一式と、溝を横切る集中定数回路素子一式がある。溝は、正六角形の配列を形成している。図14Bは、1つの六角形の詳細拡大図を示している。六角形の6辺辺1481~辺1486として示されているは、各々長さSを有する。集中定数回路素子1491~集中定数回路素子1496は、それぞれ辺1481~辺1486を横切って接続される。この実施形態では、集中定数回路素子と溝の間の角度は90度である。一般的には、各辺を横切る集中定数回路素子の数は、ユーザ定義のパラメータである。図12A、図12B、図12Cにおいて、各溝は、2つの端点によって定義することができる。各端点は、外側境界上の部位、内側境界上の部位、または周辺領域内の部位のいずれかにある。端点は、中央領域内に存在することはできない。図12A、図12B、図12Cにおいて、外側境界は円形形状を有し、内側境界は円形形状を有する。一般的には、外側境界および内側境界は、異なる形状を有することができる。例えば、図3Aに示されるように外側境界は円形形状を有し、内側境界は正方形形状を有することができる。別の一例として、図5Aに示されるように外側境界は長方形形状を有し、内側境界は円形形状を有することができる。図11AビューCは、円偏光用に構成された半透明のグランドプレーン半透明のグランドプレーン1100として参照されるの別の一実施形態を示している。中央領域904は、絶縁層上に配置された連続的な導電層を有する。周辺領域906は、絶縁層上に配置された1110-1~1101-25として示される導電性ストリップ一式を有する。図示の実施形態では、導電性ストリップは、放射状の線に沿って配向している。一般的に、導電性ストリップの数は、ユーザ定義のパラメータであり、各導電性ストリップの位置、方向、長さ、幅は、各導電性ストリップに対して独立に指定することができるユーザ定義のパラメータである。一般的に、各導電性ストリップの形状および寸法は、各導電性ストリップに対して独立に指定することができる。各導電性ストリップの幅を横切って1以上の溝があるが、溝の数はユーザ定義のパラメータである。各集中定数回路素子は溝を横切っている。一般的には、複数の集中定数回路素子が、溝を横切って配置可能であり、集中定数回路素子の数は、ユーザ定義のパラメータである。最小限の構成では、周辺領域906は、1つの溝および1つの集中定数回路素子を有する中央領域904と電気的に接触する1つの導電性ストリップを含む。図11BビューCおよび図11CビューEは、代表的な導電性ストリップである導電性ストリップ1110-1の詳細を示している。図11Bを参照。導電性ストリップ1110-1は、x軸に沿って長さl11171を有し、y軸に沿って幅l21173を有する。導電性ストリップ1110-1の幅を横切って、溝1151-1~溝1151-6として示される6本の溝一式がある。各溝を横切って集中定数回路素子があり、それぞれ集中定数回路素子1152-1~集中定数回路素子1152-6として示されている。図11Cを参照。導電性ストリップ1110-1は、絶縁層1130上に配置されており、一実施形態では、絶縁層1130は誘電体基板である。導電性ストリップ1110-1の厚さは、T11137である。絶縁層1130の厚さは、T21139である。溝1151-1~溝1151-6の中心線は、それぞれx=x1,x2,x3,x4,x5,x6に位置する。参考のために、外側端部はx=x0に位置し、内側端部はx=x7に位置する。溝は、導電性ストリップ1110-1を7つの導電セグメント一式に分割する。導電セグメントは、導電セグメント1120-0から導電セグメント1120-6として示されている。導電セグメントの長さは、W11131である。図示の実施形態では、導電セグメントの長さは同じである。一般的に、導電セグメントの長さは変化させることができる。溝の幅は、W21133である。図示の実施形態では、溝の幅は同じである。一般的には、溝の幅は変化させることができる。集中定数回路素子は、溝を横切って電気的に接続されている。集中定数回路素子の長さは、W31135である。例えば、集中定数回路素子1152-2は、電気的接続1130によって導電セグメント1120-2および導電セグメント1120-1に電気的に接続されている。図17において、プロット1702は、本発明の実施形態に係る半透明のグランドプレーンの平均積層インピーダンスの係数振幅分布のプロットであり、プロット1704は、位相分布のプロットである。値は、放射体無しで決定される。横軸は、グランドプレーンの中心からの距離mm単位を表す。この分布によって、全地球測位システムGPSのL1、L2、およびL5周波数帯域に亘って、上下比は半透明のグランドプレーンの上方の30~90度の仰角に対して-20dB未満である。前述の詳細な説明は、あらゆる点で模式的、例示的なものであり、限定的なものではないことを理解すべきである。また、本明細書内で開示される発明の範囲は、詳細な説明から決定されるのではなく、むしろ特許法によって許可される全ての範囲にしたがって解釈されることを理解すべきである。本明細書内で図示され、説明された実施形態は、本発明の原理の単なる例示であり、本発明の範囲および趣旨から逸脱することなく、当業者は様々な変形形態を実施することができることを理解すべきである。当業者は、本発明の範囲および趣旨から逸脱することなく、他の様々な構成の組み合わせを実施することができる。"