以下の工程を具備する太陽電池を製造する方法:グラファイト基板の表面に酸素アッシング処理を行って、アモルファスカーボン層を前記グラファイト基板の表面に形成する工程、前記アモルファスカーボン層上にMOCVD有機金属気相成長法によってAlN層を形成する工程、前記AlN層上にn型窒化物半導体層を形成する工程、前記n型窒化物半導体層上に複数の開口部を有するマスク層を形成する工程、前記複数の開口部から露出する前記n型窒化物半導体層の部分上に複数の第2のn型窒化物半導体層を形成する工程、前記複数の第2のn型窒化物半導体層上に窒化物半導体からなる複数の光吸収層を形成する工程、前記複数の光吸収層上に複数のp型窒化物半導体層を形成する工程、前記複数のp型窒化物半導体層に電気的に接続されたp側電極を形成する工程、および、前記n型窒化物半導体層に電気的に接続されたn側電極を形成する工程前記アモルファスカーボン層が20nm以上60nm以下の厚みを有する、前記項1に記載の方法。n型窒化物半導体層を形成する前に、前記AlN層上に窒化物半導体からなるバッファ層を形成する工程をさらに有する、前記項1に記載の方法。n型窒化物半導体層を形成する前に、前記AlN層上に窒化物半導体からなるバッファ層を形成する工程をさらに有する、前記項2に記載の方法。p型電極がZnO透明導電膜である、前記項1に記載の方法。p型電極がZnO透明導電膜である、前記項4に記載の方法。グラファイト基板、前記グラファイト基板上に形成されたアモルファスカーボン層、前記アモルファスカーボン層上に形成されたAlN層、前記AlN層上に形成された第1のn型窒化物半導体層、前記n型窒化物半導体層上に形成された複数の第2のn型窒化物半導体層、ここで、前記各n型窒化物半導体層は柱状であり、前記複数の第2のn型窒化物半導体層上に形成された窒化物半導体を具備する複数の光吸収層、前記複数の光吸収層上に形成された複数のp型窒化物半導体層、前記複数のp型窒化物半導体層に電気的に接続されたp側電極、および前記n型窒化物半導体層に電気的に接続されたn側電極を具備する太陽電池。前記アモルファスカーボン層が20nm以上60nm以下の厚みを有する、前記項7に記載の太陽電池。前記AlN層と前記n型窒化物半導体層との間に挟まれた窒化物半導体からなるバッファ層をさらに備える、前記項7に記載の太陽電池。前記AlN層と前記n型窒化物半導体層との間に挟まれた窒化物半導体からなるバッファ層をさらに備える、前記項8に記載の太陽電池。p型電極がZnO透明導電膜である、前記項7に記載の太陽電池。p型電極がZnO透明導電膜である、前記項10に記載の太陽電池。しかし、パルススパッタリング法によってグラファイト上に作製したGaN薄膜は多結晶体であり、多くの欠陥を有するため、当該GaN薄膜は、太陽電池には適していない。さらに、パルススパッタリング法によって形成した窒化物半導体薄膜は、成膜時の放電プラズマによって大きなダメージを受けているため、当該薄膜の結晶は非常に多くの欠陥を有することが良く知られている。このため、太陽電池を作製する際に必要不可欠となるp型GaNを、特許文献2によるパルススパッタリング法を用いて作製することは非常に困難である。本発明の目的は、非単結晶基板であるグラファイト基板を用いて、半導体素子の製造に最も適した有機金属化学気相成長MetalOrganicChemicalVaporDeposition:MOCVD法によって、低コストで高性能な太陽電池及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明のある形態に係る太陽電池を製造する方法は以下の工程を具備する:グラファイト基板の表面に酸素アッシング処理を行って、アモルファスカーボン層を前記グラファイト基板の表面に形成する工程、前記アモルファスカーボン層上にMOCVD有機金属気相成長法によってAlN層を形成する工程、前記AlN層上にn型窒化物半導体層を形成する工程、前記n型窒化物半導体層上に複数の開口部を有するマスク層を形成する工程、前記複数の開口部から露出する前記n型窒化物半導体層の部分上に複数の第2のn型窒化物半導体層を形成する工程、前記複数の第2のn型窒化物半導体層上に窒化物半導体からなる複数の光吸収層を形成する工程、前記複数の光吸収層上に複数のp型窒化物半導体層を形成する工程、前記複数のp型窒化物半導体層に電気的に接続されたp側電極を形成する工程、および、前記n型窒化物半導体層に電気的に接続されたn側電極を形成する工程。前記アモルファスカーボン層が20nm以上60nm以下の厚みを有することが好ましい。n型窒化物半導体層を形成する前に、前記AlN層上に窒化物半導体からなるバッファ層を形成する工程をさらに有してもよい。n型窒化物半導体層を形成する前に、前記AlN層上に窒化物半導体からなるバッファ層を形成する工程をさらに有してもよい。p型電極がZnO透明導電膜であってもよい。p型電極がZnO透明導電膜であってもよい。本発明の他の形態に係る太陽電池は、グラファイト基板、前記グラファイト基板上に形成されたアモルファスカーボン層、前記アモルファスカーボン層上に形成されたAlN層、前記AlN層上に形成された第1のn型窒化物半導体層、前記n型窒化物半導体層上に形成された複数の第2のn型窒化物半導体層、ここで、前記各n型窒化物半導体層は柱状であり、前記複数の第2のn型窒化物半導体層上に形成された窒化物半導体を具備する複数の光吸収層、前記複数の光吸収層上に形成された複数のp型窒化物半導体層、前記複数のp型窒化物半導体層に電気的に接続されたp側電極、および前記n型窒化物半導体層に電気的に接続されたn側電極を具備する。前記アモルファスカーボン層が20nm以上60nm以下の厚みを有することが好ましい。前記AlN層と前記n型窒化物半導体層との間に挟まれた窒化物半導体からなるバッファ層をさらに備えてもよい。前記AlN層と前記n型窒化物半導体層との間に挟まれた窒化物半導体からなるバッファ層をさらに備えてもよい。p型電極がZnO透明導電膜であってもよい。p型電極がZnO透明導電膜であってもよい。本発明は、非単結晶基板であるグラファイト基板を用いる、低コストで高性能な太陽電池及びその製造方法を提供する。以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明では、同一の部材に同一の符号を与える。これにより、重複する説明が省略され得る。実施の形態1図1は、実施の形態1による太陽電池の断面図である。図1に示されるように、アモルファスカーボン層102がグラファイト基板101の表面に形成されている。アモルファスカーボン層102は、グラファイト基板101の表面への酸素アッシング処理によって形成される。アモルファスカーボン層102上には、AlN層103が形成されている。AlN層103は、例えば、MOCVD法によって形成され得る。AlN層103上には、GaNからなる低温成長バッファ層104が形成されている。低温成長バッファ層104は、MOCVD法より形成され得る。低温成長バッファ層104上には、第1のn型GaN層105が形成されている。第1のn型GaN層105上には、マスク層106が形成されている。マスク層106は複数の開口部を有する。複数の開口部から露出する第1のn型GaN層105の部分には、柱状の複数の第2のn型GaN層107が形成されている。柱状の複数の第2のn型GaN層107上には、InxGa1-xNからなる柱状の複数の光吸収層108が形成されている。xの値は0.01以上0.20以下が好ましい。一例として、xの値は0.12であり得る。柱状の複数の光吸収層108上には、柱状の複数のp型GaN層109が形成されている。柱状の複数のp型GaN層109上には、複数のp型コンタクト層110が形成されている。p型コンタクト層110の材料は、好ましくはGaNである。p型コンタクト層110を介して、柱状の複数のp型GaN層109は、p側電極111に電気的に接続されている。第1のn型GaN層105には、n側電極112が電気的に接続されている。低温成長バッファ層104、第1のn型GaN層105、第2のn型GaN層107、光吸収層108、p型GaN層109、およびp型GaNコンタクト層110は、この順でAlN層103上にエピタキシャル成長法により形成される。全ての柱状の複数のp型GaNコンタクト層110がp側電極111に電気的に接続されていることが好ましい。p側電極111の例は、インジウム錫酸化物膜または酸化亜鉛膜のような透明導電膜、あるいはニッケル膜及び金膜の積層体から構成される。一例として、n側電極112は、チタンTi及びアルミニウムAl積層膜から構成される。以下、図面を参照しながら上記の太陽電池を製造する方法を説明する。図2A~図2Gは、実施の形態1に係る太陽電池を製造する方法における各工程の断面図を示す。第1の実施形態においては、窒化物半導体の結晶成長法としてMOCVD法が用いられる。ガリウム源としては、例えば、トリメチルガリウムTMGが挙げられる。アルミニウム源としては、例えば、トリメチルアルミニウムTMAが挙げられる。インジウム源としては、例えば、トリメチルインジウムTMIが挙げられる。窒素源としては、例えば、アンモニアNH3が挙げられる。n型ドーパントの原料としては、シランSiH4が挙げられる。p型ドーパントの原料としては、シクロペンタジエニルマグネシウムCP2Mgが挙げられる。まず、図2Aに示されるように、グラファイト基板101の表面を、酸素アッシング処理により酸化する。このようにして、アモルファスカーボン層102が形成される。次に図2Bに示されるように、およそ960°Cの温度のMOCVD法を用いて、アモルファスカーボン層102上にAlN層103が成長される。さらに、図2Cに示されるように、およそ500°Cの温度でGaNからなる低温成長バッファ層104が成長される。次に図2Dに示されるように、およそ900°Cの高温で第一のn型GaN層105が成長される。図2Eに示すように、第一のn型GaN層105上に、複数の開口部を有するマスク層106を形成する。図2Fに示すように、マスク層106の開口部から露出する第一の第1のn型GaN層105の部分上に、約900°Cの高温で第二のn型GaN層107、InxGa1xNからなる光吸収層108、p型GaN層109、及びp型GaNコンタクト層110が順次成長される。これにより、第2のn型GaN層107、光吸収層108、p型GaN層109から構成される柱状構造が形成される。最後に、図2Gに示すように、柱状構造の先端部に位置する全てのp型GaNコンタクト層110に接するp側電極111が形成される。第一のn型GaN層105上にn側電極112も形成される。実施の形態1においては、酸素アッシング処理によってアモルファスカーボン層102がグラファイト基板101の表面に設けられる。さらに、その上にMOCVD法を用いてAlN層103が形成される。これにより非常に緻密でc軸配向したAlN層103が形成される。そのため、単結晶基板ではないグラファイト基板が用いられているにもかかわらず、貫通欠陥が少ない高品位なGaN薄膜の作製が達成される。これによって、グラファイト基板上に太陽電池が直接的に作製される。マスク層106の材料の例は、酸化シリコン、窒化シリコン、または酸化アルミニウムである。これらの材料は、およそ900度の高温においても化学的に反応しない。マスク層106は、スパッタリング法、または化学気相成長法のような一般的な半導体形成手法を用いて形成され得る。実施例以下の実施例により、本発明をより詳細に説明する。図3Aは、酸素アッシング処理を行っていない表面を有するグラファイト基板101上に、MOCVD法によってAlNを堆積した後のSEM観察像を示す。図3Bは、20ナノメートルの厚みを有するAlN層103が、酸素アッシング処理によって形成された20ナノメートルの厚みを有するアモルファスカーボン層102を設けられたグラファイト基板上にMOCVDによって形成された後のSEM観察像を示す。図3Aから明らかなように、酸素アッシング処理が行われていないグラファイト基板101上には、緻密なAlN薄膜は形成されなかった。樹状結晶の様な微結晶のみが堆積した。一方、図3Bから明らかなように、アモルファスカーボン層102を表面に有するグラファイト基板101上には、緻密なAlN薄膜が形成された。図4Aは、グラファイト基板上101上に形成された、アモルファスカーボン層102図4Aにおける表面改質領域に対応、MOCVD法により形成された20nmの厚みを有するAlN層103、および1μmのGaN低温成長バッファ層104から構成される積層体の断面TEM観察写真を示す。図4Bは、アモルファスカーボン層102とAlN層103との間の界面付近の格子像を示す。図4Aおよび図4Bから明らかなように、アモルファスカーボン層102の上に緻密な結晶性を有するAlN層103が形成された。AlN層103上に良好な結晶性を有するGaNからなる低温バッファ層104が成長された。断面TEM観察写真から求められた転位密度は低かった。具体的には転位密度は2×109cm2であった。この転位密度は、サファイア基板上にGaN低温成長バッファ層を用いて成長させたGaN薄膜と同一の転位密度であった。非単結晶基板であるグラファイト基板の表面に、アモルファスカーボン層102を設けることによって、グラファイト基板上に非常に高い結晶性を有する窒化物薄膜の形成が達成されることが見いだされた。グラファイト基板101の表面にアモルファスカーボン層102を形成することによって緻密なAlN薄膜が成長する原因は、以下の通りであると考えられる。通常のグラファイト表面では、グラフェンのsp2混成軌道からなるπ結合によって電子が非局在されている。一方、酸素アッシングによってアモルファス化されたアモルファスカーボン層102の表面では、いたるところでπ結合が寸断されている。この結果、sp2軌道のみならずsp3軌道が存在していると考えられる。表1は、第一原理計算によって求められた、カーボンのsp2軌道およびsp3軌道に対するAl原子およびN原子の吸着エネルギーを示す。表1から明らかなように、sp2軌道に対するAl原子およびN原子の吸着エネルギーはいずれも正の値である。一方、sp3軌道に対するそれらはいずれも負の値である。このことは、sp3軌道に対して自発的にAlおよびNが吸着しやすいことを意味する。このことから、グラファイト基板の表面に酸素アッシング処理によってアモルファスカーボン層102を形成することによってカーボンのsp3軌道が多数形成され、そしてAlNが成長する初期の段階における核生成が促進される。このようにして、良好な薄膜結晶が成長したと考えられる。表2は、種々の厚みを有する複数のアモルファスカーボン層を形成した際のGaNのXRDのロッキングカーブによって得られた0002ピークの半値幅を示す。アモルファスカーボン層102が20nm以上60nm以下の厚みを有する場合、GaN薄膜はc軸配向し、かつ良好な半値幅を有する。アモルファスカーボン層の厚みが80nmを超える場合、酸素アッシング処理の際にグラファイト薄膜中に取り込まれる酸素の量が増加する。そのため、その後にMOCVD法によってAlNおよびGaNを成長させる際、グラファイト基板中に取り込まれた酸素がAlまたはGaと反応する。これが、急峻な界面の形成を阻害したと考えられる。したがって、アモルファスカーボン層102は、20nm以上60nm以下の厚みを有することが望ましい。表3は、実施例1における層の膜厚を示している。表3に示されるアモルファスカーボン層102、AlN層103、GaN低温成長バッファ層104、第一のn型GaN層105、マスク層106、複数の第二のn型GaN層107、複数の光吸収層108、複数のp型GaNクラッド層109、および複数のp型GaNコンタクト層110が、図2A~図2Gに示されるように、順次成長された。マスク層106の材料はSiO2であった。図5に示されるように、マスク層106は、複数の円状の開口部113を具備していた。開口部113の直径Aは210nmであった。隣接する2つの開口部113の間隔Bは420nmであった。当該マスク層106を用いて、グラファイト基板101上に210nmの直径を有する複数の柱状構造を形成した。隣接する2つの柱状構造の間隔は420nmであった。当該各柱状構造は、n型GaN層、多重量子井戸層、およびp型GaN層から構成された。光吸収層108の組成は、In012Ga088Nであった。p型GaNコンタクト層110上には、液相合成法を用いてZnO透明導電膜から構成されるp側電極111が形成された。以下、当該液相合成法の詳細を示す。0.1mol/Lの濃度を有する硝酸亜鉛ZnNO3の溶液に、0.1mol/Lの濃度を有するヘキサメチレンテトラミンCH26N4を滴下し、pH値を5から7までの間に調整した。その後、レジストを塗布しフォトリソグラフィーによってp型GaNコンタクト層110のみ露出させた。太陽電池構造体を上記溶液に浸漬し、溶液の温度を70°Cに保ちながら2~6時間静置した。このようにして、p型GaNコンタクト層110上にZnO透明導電膜を成長させた。ZnO透明導電膜の厚みは成長時間によって調整した。成長速度は、約2.7nm/minであった。300nmの厚みを有するZnO透明導電膜を成長後、アセトンを用いてレジストを剥離し、得られたダイオードを乾燥させた。UV-可視透過率測定の結果、上記手法で作製したZnO透明電極膜は、350nm~2.5μmの幅広い波長の範囲において95以下という高い透過率を有した。4端子法による抵抗率測定の結果、ZnO透明電極膜は、1.2×102Ωcmの比較的低い抵抗率を有した。これらの結果は、作製したZnO透明電極膜が、太陽電池のp側電極として十分に使用可能であることを意味した。10nmの厚みを有するTi膜および100nmの厚みを有するAl膜を積層することにより、n側電極112が形成された。その後、各素子をダイサーによって1mm×1mmのサイズに分離することにより、実施例1の太陽電池を作製した。比較例1として、マスク層106形成しなかったこと以外は実施例1と同様の太陽電池を作製した。図6は、実施例1の太陽電池のI-V特性を示す。図6から明らかなように、実施例1の太陽電池は良好な特性を示し、1.43×104Aの短絡電流、約2.44Vの開放電圧、および約0.8の曲線因子FFを有した。図7は、実施例1および比較例1の太陽電池の分光感度特性を示す。外部量子効率が、分光計器株式会社製分光感度測定装置CEP-25ML直流モードにより測定された。図7から明らかなように、光吸収層108であるIn012Ga088N層の吸収ピークに起因する420nm付近において最大の外部量子効率が得られた。実施例1の光吸収層は、比較例1よりも、およそ1.32倍の量子効率を有した。これらの結果から理解されるように、本発明では、グラファイト基板表面にアモルファスカーボン層を形成し、続いてMOCVDによってAlN層を設ける。このことが、結晶性の良い柱状GaNを形成することを可能にする。このようにして、低コストで高性能な太陽電池を実現できる。実施例1の光吸収層はInxGa1xNx=0.12から構成される。しかし、xは0.01以上0.20以下であり得る。実施例1のマスク層は、210nmの直径および420nmの間隔を有する複数の開口部を具備していた。しかし、当業者は、InxGa1xN層の組成によって決定される光吸収層の吸収波長と対応するように、適切に当該直径および間隔を設定し得る。