単結晶炭化珪素基板11を用意し、前記単結晶炭化珪素基板11の主表面から水素イオンを注入して水素イオン注入層13を形成する水素イオン注入層形成工程と、前記単結晶炭化珪素基板11の主表面に支持基板1を接合する接合工程と、熱処理することにより、前記水素イオン注入層13で前記単結晶炭化珪素基板11を剥離し、前記単結晶炭化珪素基板11の一部によって構成される単結晶炭化珪素層2を前記支持基板1上に備えた構造とする剥離工程と、前記単結晶炭化珪素層2上に、炭化珪素をエピタキシャル成長させて活性層3を形成する工程と、半導体素子の構成要素4~10、14~17を形成する工程と、を含み、前記支持基板1として、単結晶炭化珪素と異なる材料を用いて構成され、かつ前記活性層3を形成する工程および前記半導体素子の構成要素4~10、14~17を形成する工程における温度以上の耐熱性を有するものを用い、前記接合工程では、前記半導体素子の動作温度以下の温度で直接接合することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。前記剥離工程は、真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で行うことを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記接合工程は、200°C以下の温度で行い、前記剥離工程は、750°C以上の温度で行うことを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記支持基板1として、多結晶または非晶質炭化珪素、炭素、金属炭化物、金属窒化物、金属硼化物、導電性セラミックス、高融点金属の少なくともいずれか一つを主成分とする材料を用いて構成されたものを用いることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記支持基板1として、炭化珪素からなる粉末を焼結することにより構成された多結晶炭化珪素を用いることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。前記半導体素子の構成要素4~10、14~17を形成する工程では、縦型電流駆動用の構成要素6~10、14~17を形成し、前記支持基板1として、単結晶炭化珪素よりも比抵抗の低いものを用いることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。請求項1ないし6のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法に使用される炭化珪素半導体基板の製造方法であって、前記水素イオン注入層形成工程と、前記接合工程と、前記剥離工程と、前記活性層3を形成する工程と、を行うことを特徴とする炭化珪素半導体基板の製造方法。支持基板1と、前記支持基板1の表面に接合されることにより前記支持基板1と一体化された単結晶炭化珪素層2と、前記単結晶炭化珪素層2を挟んで前記支持基板1と反対側に炭化珪素がエピタキシャル成長されて形成された活性層3と、熱処理を含む工程を行うことにより形成された半導体素子の構成要素4~10、14~17と、を有し、前記支持基板1は、単結晶炭化珪素と異なる材料を用いて構成され、かつ前記活性層3が形成されるときの温度および前記半導体素子の構成要素4~10、14~17が形成されるときの温度以上の耐熱性を有しており、前記支持基板1と前記単結晶炭化珪素層2とは前記半導体素子の動作温度以下の温度で直接接合されていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。前記半導体素子の構成要素4~10、14~17は、縦型電流駆動用の構成要素6~10、14~17であり、前記支持基板1は、単結晶炭化珪素よりも比抵抗の低い材料で構成されていると共に電流経路となっていることを特徴とする請求項8に記載の炭化珪素半導体装置。請求項8または9に記載の炭化珪素半導体装置に使用される炭化珪素半導体基板であって、前記支持基板1と、前記単結晶炭化珪素層2と、前記活性層3とを含むことを特徴とする炭化珪素半導体基板。しかしながら、上記非特許文献1の製造方法では、単結晶SiC基板と多結晶SiC基板との接合を約1000°Cの高温で行っている。このため、1000°Cの状態では応力フリーとなるが、実際にSiC半導体装置が使用される室温から200°Cの温度環境下、つまり半導体素子の動作温度では、SiCとWSi2との熱膨張係数の差によって半導体素子に常に応力が印加された状態となり、信頼性が低下してしまうという問題がある。また、特許文献1の製造方法では、化学的気相成長法によってメタンもしくはプロパンを1000°Cで熱分解してグラファイトを堆積している。このため、上記非特許文献1の製造方法と同様に、実際にSiC半導体装置が使用される室温から200°Cの温度環境下では、SiCとグラファイトとの熱膨張係数の差によって半導体素子に常に応力が印加された状態となり、SiC半導体装置の信頼性が低下してしまうという問題がある。さらに、化学的気相成長法により約200μmのグラファイト層を形成するためには約20時間もの時間が必要となる。これは、プロセスコストの増大を引き起こし、本来の目的である低コスト化を妨げることになる。本発明は、高品質な単結晶SiC基板の使用量を減らすことが可能であり、信頼性を向上させることができるSiC半導体基板、SiC半導体装置、SiC半導体基板の製造方法およびSiC半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、単結晶SiC基板11を用意し、単結晶SiC基板11の主表面から水素イオンを注入して水素イオン注入層13を形成する水素イオン注入層形成工程と、単結晶SiC基板11の主表面に支持基板1を接合する接合工程と、熱処理することにより、水素イオン注入層13で単結晶SiC基板11を剥離し、単結晶SiC基板11の一部によって構成される単結晶SiC層2を支持基板1上に備えた構造とする剥離工程と、単結晶SiC層2上に、SiCをエピタキシャル成長させて活性層3を形成する工程と、半導体素子の構成要素4~10、14~17を形成する工程と、を含み、支持基板1として、単結晶SiCと異なる材料を用いて構成され、かつ活性層3を形成する工程および半導体素子の構成要素4~10、14~17を形成する工程における温度以上の耐熱性を有するものを用い、接合工程では、半導体素子の動作温度以下の温度で直接接合することを特徴としている。このような製造方法では、単結晶SiC基板11を剥離することにより単結晶SiC層2を構成しているため、高品質な単結晶SiC基板11の使用量を減らすことができる。また、支持基板1と単結晶SiC基板11とを半導体素子の動作温度以下の温度で直接接合しているため、半導体素子の動作時において支持基板1と単結晶SiC基板11との接合界面で発生する応力を小さくすることができ、SiC半導体装置が使用される際に半導体素子に印加される応力を小さくすることができる。すなわち、SiC半導体装置の信頼性が低下することを抑制することができる。例えば、請求項2に記載の発明のように、剥離工程を真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で行うことができる。このような製造方法では、単結晶SiC基板11を水素イオン注入層13で剥離したときに、単結晶SiC層2の表面、つまり単結晶SiC層2のうちの支持基板1と接合された一面と反対側の一面に酸化膜が形成されることを抑制することができる。そして、請求項3に記載の発明のように、接合工程は200°C以下の温度で行い、剥離工程は750°C以上の温度で行うことができる。この製造方法では、接合工程の際の接合温度が剥離工程の際の剥離温度に比べて十分に低いので、接合工程の際に水素イオン注入層13で剥離が生じることを抑制することができる。また、請求項4に記載の発明のように、支持基板1として、多結晶または非晶質SiC、炭素、金属炭化物、金属窒化物、金属硼化物、導電性セラミックス、高融点金属の少なくともいずれか一つを主成分とする材料を用いて構成されたものを用いることができる。特に、多結晶または非晶質SiCを用いて支持基板1を構成した場合には、単結晶SiCと熱膨張係数が近いため、活性層3を形成する工程および半導体素子の構成要素4~10、14~17を形成する工程の際に、支持基板1と単結晶SiC層2との接合界面に応力が発生することを抑制することができる。さらに、請求項5に記載の発明のように、支持基板1としてSiCからなる粉末を焼結することにより構成された多結晶SiCを用いることができる。この製造方法では、焼結により支持基板1を形成しており、物理的気相成長法または化学的気相成長法により支持基板1を形成する場合と比較して、プロセスコストを低減することができる。そして、請求項6に記載の発明のように、半導体素子の構成要素4~10、14~17を形成する工程では縦型電流駆動用の構成要素6~10、14~17を形成し、支持基板1として単結晶SiCよりも比抵抗の低いものを用いることができる。このような製造方法では、支持基板1として単結晶SiCより比抵抗の低いものを用いているため、支持基板1を単結晶SiCで構成した場合と比較して、オン抵抗を低くすることができ、低消費電力動作が可能なSiC半導体装置を製造することができる。また、請求項7に記載の発明は、本発明をSiC半導体基板の製造方法についての発明として把握したものであり、請求項1ないし6のいずれか1つに記載のSiC半導体装置の製造方法に使用されるSiC半導体基板の製造方法であって、水素イオン注入層形成工程と、接合工程と、剥離工程と、活性層3を形成する工程と、を行うことを特徴としている。そして、請求項8に記載の発明では、支持基板1と、支持基板1の表面に接合されることにより支持基板1と一体化された単結晶SiC層2と、単結晶SiC層2を挟んで支持基板1と反対側にSiCがエピタキシャル成長されて形成された活性層3と、熱処理を含む工程を行うことにより形成された半導体素子の構成要素4~10、14~17と、を有し、支持基板1は、単結晶SiCと異なる材料を用いて構成され、かつ活性層3が形成されるときの温度および半導体素子の構成要素4~10、14~17が形成されるときの温度以上の耐熱性を有しており、支持基板1と単結晶SiC層2とは半導体素子の動作温度以下の温度で直接接合されていることを特徴としている。このようなSiC半導体装置は、請求項1ないし6のいずれか1つに記載の製造方法により製造されるものであり、上記のように、高品質な単結晶SiC基板11の使用量を減らすことができる。また、支持基板1と単結晶SiC層2との接合界面で発生する応力を小さくすることができ、SiC半導体装置が使用される際に半導体素子に印加される応力を小さくすることができる。すなわち、SiC半導体装置の信頼性が低下することを抑制することができる。例えば、請求項9に記載の発明のように、半導体素子の構成要素4~10、14~17を縦型電流駆動用の構成要素6~10、14~17とし、支持基板1を単結晶SiCよりも比抵抗の低い材料で構成すると共に電流経路とすることができる。また、請求項10に記載の発明は、本発明をSiC半導体基板として把握したものであり、請求項8または9に記載のSiC半導体装置に使用されるSiC半導体基板であって、支持基板1と、単結晶SiC層2と、活性層3とを含むことを特徴としている。なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。第1実施形態本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本実施形態におけるSiC半導体装置の断面構成を示す図である。図1に示されるように、本実施形態のSiC半導体装置は、支持基板1の主表面に単結晶SiC基板から剥離したSiC層2が備えられ、SiC層2の表面にSiCからなるn-型ドリフト層3がエピタキシャル成長させられたSiC半導体基板を用いて構成されている。なお、本実施形態では、SiC層2が本発明の単結晶SiC層に相当しており、n-型ドリフト層3が本発明の活性層に相当している。n-型ドリフト層3の表層部における所定領域には、所定深さを有するp型ソース領域4とp型ドレイン領域5とが離間して形成されている。さらに、p型ソース領域4とp型ドレイン領域5との間におけるn-型ドリフト層3の表面には、シリコン酸化膜等で構成されたゲート絶縁膜6を介してゲート電極7が形成されている。また、ゲート電極7は層間絶縁膜8によって覆われており、層間絶縁膜8に形成されたコンタクトホールを通じてp型ソース領域4と電気的に接続されるソース電極9およびp型ドレイン領域5と電気的に接続されるドレイン電極10が形成されている。すなわち、本実施形態のSiC半導体装置は、p型ソース領域4やp型ドレイン領域5等の上記構成要素を含んで構成される半導体素子としてのMOSトランジスタが構成されたものである。なお、本実施形態では、半導体素子としてMOSトランジスタを例に挙げて説明するが、例えば、ダイオードやキャパシタ等が形成されたものであってもよい。支持基板1は、n-型ドリフト層3が形成されるときエピタキシャル成長させられるときの温度および半導体素子の構成要素が形成されるときの温度以上の耐熱性を有する材料を用いて構成されている。言い換えると、これらの温度以上の温度に融点を有する材料を用いて構成されている。具体的には、多結晶または非晶質SiC、炭素、金属炭化物、金属窒化物、金属硼化物、導電性セラミックス、高融点金属等の少なくともいずれか一つを主成分とする材料を用いて構成されている。そして、これらの材料の中でもより好ましくは、単結晶SiCと熱膨張係数が近いものを用いるのがよい。n-型ドリフト層3を形成するときや半導体素子の構成要素を形成するときに発生する熱応力により、支持基板1とSiC層2との接合界面が剥離したり、支持基板1およびSiC層2の反りや割れを抑制するためである。具体的な材料としては、多結晶SiC、非晶質SiC、金属タングステンおよびその炭化物、金属モリブデン等が挙げられる。特に、支持基板1として、多結晶または非晶質SiCを用いる場合には、熱膨張係数が単結晶SiCに近いために、n-型ドリフト層3を形成するときや半導体素子の構成要素を形成するときに支持基板1とSiC層2との間に発生する応力を極めて小さくすることができる。また、支持基板1として多結晶または非晶質SiCを用いる場合には、単結晶SiC基板を用いる場合と比較して、欠陥等の発生を考慮せずに高速で成長させたものを利用することができるため、製造コストを抑制することができる。なお、炭素、金属タングステンおよびその炭化物、金属モリブデンおよびその炭化物等については溶融固化、焼結などの手段によって支持基板を形成できるのでそのプロセスコストを抑えられる。すなわち、支持基板1としては、上記材料を主成分として構成されるものであればよく、その製造方法は特に限定されず、例えば、材料の溶融固化、焼結等により製造されたものを用いることができる。また、本実施形態のSiC半導体装置は、n-型ドリフト層3の表層部を平面横方向に電流が流れるため、支持基板1としては、単結晶SiCより比抵抗の高いセラミック等を用いることもできる。次に、このようなSiC半導体装置の製造工程について説明する。図2は、本実施形態におけるSiC半導体装置の製造工程を示す図である。まず、図2aに示されるように、欠陥が極めて少なく、板厚が約400μm~600μmの単結晶SiC基板11を用意し、主表面を表面粗度Raが約0.3nm程度になるように研削研磨する。その後、図2bに示されるように、単結晶SiC基板11を熱酸化し、主表面に約30nm程度の酸化膜12を形成する。この酸化膜12は、後述のイオン注入時のチャネリングを防止するものであり、また、単結晶SiC基板11の主表面にコンタミネーションが付着することを抑制するものである。続いて、図2cに示されるように、単結晶SiC基板11の主表面から水素イオンを約200keVの加速エネルギー、2×1017/cm3のドーズ量で酸化膜12を介してイオン注入し、主表面から約1.3μmの深さに水素イオン注入層13を形成する。その後、図2dに示されるように、単結晶SiC基板11の主表面に形成した酸化膜12をウェットエッチング等により除去する。また、図2a~図2dとは別工程にて、図2eに示されるように、板厚が約400μm~600μmであり、単結晶SiCと異なる材料で構成された支持基板1を用意する。具体的には、後述の図2hの工程におけるn-型ドリフト層3を形成するときの温度、および後述の図2iの工程におけるp型ソース領域4やp型ドレイン領域5等の半導体素子の構成要素が形成されるときの温度以上の耐熱性を有する材料を主成分として構成されたものを用意する。より好ましくは、上記のように単結晶SiCと熱膨張係数が近い材料を主成分として構成されたものを用意する。例えば、支持基板1として、上記のように、多結晶SiC、非晶質SiC、金属タングステンおよびその炭化物、金属モリブデン等で構成された支持基板1を用意する。そして、支持基板1のうち一方の面を表面粗度Raが約5nm以下となるように研削を行ったり、メカノケミカル研磨を行ったりする平坦化工程を行う。なお、支持基板1として多結晶材料にて構成されるものを用いた場合には、主表面に対して化学的なエッチングを行うと、粒界の方が結晶部よりもエッチングレートが速くなる。すなわち、支持基板1として多結晶材料にて構成されるものを用いた場合には、研削の後にメカノケミカル研磨を行うと研削後より表面粗度Raが大きくなってしまう。したがって、支持基板1として多結晶材料で構成されるものを用いる場合には、メカノケミカル研磨工程を行わずに、表面粗度Raが約5nm以下となるまで研削工程を行う。続いて、図2fに示されるように、支持基板1のうちの平坦化工程を行った側の一面と、単結晶SiC基板11の主表面水素イオン注入層13を形成する水素イオンの注入を行った面とを、半導体素子の動作温度以下の温度で直接接合する。なお、本明細書において、半導体素子の動作温度以下とは、SiC半導体装置が使用される温度以下のことであり、200°C以下のことである。基板同士を直接接合する方法としては、次の接合方法が提案されている例えば、文献1:MEMSNEMSの最前線、表面化学第26巻、2005年、第2号、p82-87や、文献2:RoomtemperaturebondingofLithiumniobateandsiliconwafersbyargonbeamsurfaceactivation、ApplPhysLett74、2387、1999年等参照。具体的には、まず、二つの基板を用意する。基板は、一般的に、大気中では表面が自然酸化膜や吸着分子により覆われており、基板表面と基板内部とは組成も化学結合も異なる状態にある。このため、真空中で各基板に対して不活性ガスのイオンビーム等を照射することにより、各基板の表面層をそれぞれ除去する。これにより表面に露出した原子は化学結合を形成する結合手の一部が結合相手を失った状態となり、他の原子に対する強い結合力を持った状態となる。したがって、表面層が除去された2つの基板を真空中で貼り合せ、強い結合力をもつ結合手同士に化学結合を形成させて2つの基板同士を常温で接合する。すなわち、二つの基板を1000°C程度の高温に加熱しないで接合する。以上より、本実施形態では、まず、支持基板1および水素イオン注入層13が形成された単結晶SiC基板11を真空チャンバ内に搬送する。そして、真空チャンバ内の圧力を2×10-6Pa以下になるまで真空引きする。続いて、支持基板1のうちの平坦化工程を行った側の一面、および単結晶SiC基板11の主表面水素イオン注入層13を形成する水素イオンの注入を行った側の一面にアルゴンイオンを照射し、それぞれの面を約4nmエッチングして不純物の除去および活性化を行う。次に、真空中でアルゴンイオンを照射した面同士を対向させ、半導体素子の動作温度以下、つまり、200°C以下で貼り合せて直接接合する。なお、直接接合するときには、支持基板1および単結晶SiC基板11が破壊されない範囲内で加圧力を印加すれば、より良好な接合状態を形成できる。図3は、支持基板1と単結晶SiC基板11との直接接合について、支持基板1の表面粗度Raに着目して評価した結果を示す図である。なお、図3は、図2fと同様に、支持基板1および単結晶SiC基板11の各接合面にアルゴンイオンを照射し、200°C以下の温度で貼り合わせを行ったときの結果である。図3に示されるように、支持基板1として化学的気相成長CVD法および焼結により構成した多結晶SiC基板を用意し、表面粗度を変化させて単結晶SiC基板11との直接接合を行ったところ、接合可否は表面粗度に起因していることが確認される。具体的には、化学的気相成長法により形成した多結晶SiC基板の表面粗度Raを5.9nmにした場合には直接接合を行うことができなかったが、焼結により形成した多結晶SiC基板の表面粗度Raを1.2nmにした場合には直接接合を行うことができている。すなわち、図3および上記文献1および文献2等によれば、基板の接合面に対して十分なクリーニングと活性化が行われていれば、支持基板1の形成方法には制約はなく、表面粗度Raが所定の値以下であればよいことが確認される。そして、接合面の表面粗度を約5nm以下とすることにより支持基板1と単結晶SiC基板11とを200°C以下の温度で直接接合することができる。つまり、支持基板1は、プロセスコストの高い化学的気相成長法により形成しなくても、例えば、焼結により形成することができる。その後、図2gに示されるように、一体化した支持基板1と単結晶SiC基板11とを真空チャンバから取り出し、真空中またはアルゴン等の不活性ガス雰囲気中にて900°Cの温度で数十分間加熱することにより、単結晶SiC基板11を水素イオン注入層13で剥離する。これにより、SiC層2が接合された支持基板1が得られる。また、真空中または不活性ガス雰囲気中にて剥離工程を行うことにより、SiC層2の表面に酸化膜が形成されることを抑制することができる。なお、本発明者らは、アルゴンガス雰囲気中にて750°Cの温度で数十分間加熱することにより、単結晶SiC基板11が水素イオン注入層13で剥離することを確認しているが、確実に単結晶SiC基板11を剥離するために900°Cで数十分間加熱することが好ましい。また、水素イオン注入層13で剥離された残りの単結晶SiC基板11は再び図2aの工程に戻して再利用することが可能である。すなわち、SiC層2は剥離により形成されるため、欠陥の極めて少ない貴重な単結晶SiC基板11の使用量を減らすことができ、基板コストの低減を図ることができる。次に、図2hに示されるように、支持基板1に接合されたSiC層2側の表面、つまりSiC層2のうち支持基板1と接合された一面と反対側の一面に対して研磨や水素エッチング等を行い、ダメージ領域を除去する。そして、SiC層2をシードとして低不純物濃度のSiCを約1600°Cの成長温度にてエピタキシャル成長させ、厚さが約10μm~30μmであり、活性領域を構成するn-型ドリフト層3を形成する。このとき、単結晶のSiC層2の表面にn-型ドリフト層3を形成しているため、n-型ドリフト層3の結晶性はSiC層2の結晶性が引き継がれ、単結晶のSiCとなる。以上の工程により、素子の活性領域となる単結晶のSiCで構成されたSiC層2およびn-型ドリフト層3と、支持基板1とが一体となったSiC半導体基板が製造される。そして、図2iに示されるように、このような構成のSiC半導体基板を用いて周知のデバイス形成プロセスを実施して半導体素子を形成する。すなわち、n-型ドリフト層3に対してマスクを用いて不純物をイオン注入し、約1650°Cで活性化熱処理工程を行うことでp型ソース領域4およびp型ドレイン領域5を形成する。その後、熱酸化等によってゲート絶縁膜6を形成すると共に、ドープトPoly-Siの成膜およびパターニングによりゲート電極7を形成する。そして、層間絶縁膜8の形成工程、コンタクトホールの形成工程、ソース電極9の形成工程、ドレイン電極10の形成工程、ゲート配線のパターニング工程等を行うことにより、図1に示すSiC半導体装置が製造される。以上説明したように、本実施形態の製造方法によれば、素子の活性領域となる単結晶のSiCで構成されたSiC層2およびn-型ドリフト層3と、支持基板1とが一体となったSiC半導体基板を製造することができる。このようなSiC半導体基板は、単結晶SiC基板11を剥離することによってSiC層2を構成したものであるため、高品質な単結晶SiC基板11の使用量を減らすことが可能となり、製造コストの低減を図ることができる。さらに、支持基板1と単結晶SiC基板11とを半導体素子の動作温度以下の温度で直接接合している。このため、従来のSiC半導体装置の製造方法と比較して、支持基板1と単結晶SiC基板11との接合界面で発生する応力を小さくすることができ、SiC半導体装置が使用される際に半導体素子に印加される応力を小さくすることができる。すなわち、SiC半導体装置の信頼性が低下することを抑制することができる。第2実施形態本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態のSiC半導体装置は、第1実施形態に対して縦型電流駆動用の半導体素子が形成されたものでり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図4は、本実施形態におけるSiC半導体装置の断面構成を示す図であり、aはゲートがOFFの状態を示す図、bはゲートがONの状態を示す図である。図4aに示されるように、SiC半導体装置は、SiC層2としてn型SiC層が用いられ、縦型電流駆動用の半導体素子が形成されている。具体的には、n-型ドリフト層3の表層部には、所定深さを有するp型ベース領域14が離間して形成されている。また、p型ベース領域14の表層部には、p型ベース領域14よりも浅い高不純物濃度のn型ソース領域15が形成されている。また、n-型ドリフト層の表面にはn型表面層16が形成されており、p型ベース領域14の表面には隣接するn型ソース領域15とn型表面層16とを繋ぐようにチャネル領域を構成するp型の表面チャネル層17が形成されている。さらに、n型表面層16およびp型の表面チャネル層17の表面には、シリコン酸化膜等で構成されたゲート絶縁膜6を介してゲート電極7が形成されている。また、ゲート電極7を覆う層間絶縁膜8に形成されたコンタクトホールを通じてn型ソース領域15およびp型ベース領域14に電気的に接続されるソース電極9が形成されている。そして、支持基板1の裏面側には、ドレイン電極10が形成されている。このような半導体装置では、図4aに示されるように、ゲートがOFFである場合には、表面チャネル層17がp型であるためにドレイン-ソース間の電流経路が表面チャネル層17の部分で遮断されて電流は流れない。しかしながら、図4bに示されるように、ゲートがONされると、表面チャネル層17がn型に反転してドレイン-ソース間に電流経路が形成されるため、電流が流れる。つまり、本実施形態のSiC半導体装置は、基板の縦方向に電流を流し、支持基板1が電流経路となる縦型電流駆動用の半導体素子が形成されたものである。支持基板1は、本実施形態では、単結晶SiCに熱膨張係数が近く、かつ、単結晶SiCよりも比抵抗の小さい材料を用いて構成されている。支持基板1を比抵抗が低い材料を用いて構成することにより、オン抵抗を低くすることができ、低消費電力動作が可能となるためである。具体的には、支持基板1は、例えば、高濃度ドープ多結晶SiC、高濃度ドープ非晶質SiC、金属タングステンおよびその炭化物、金属モリブデン炭化物等を主成分とする材料にて構成されている。このようなSiC半導体装置は、例えば、次のように製造される。すなわち、上記図2eの工程において、支持基板1として、SiCに熱膨張係数が近く、かつ、単結晶のSiCよりも比抵抗の小さい材料を用いて構成されたものを用意する。そして、上記図2iの工程において、周知のデバイス製造プロセスを行うことにより、n-型ドリフト層3にp型ベース領域14等を形成したり、支持基板1の裏面にドレイン電極10を形成したりして縦型電流駆動用の半導体素子を形成すればよい。以上説明したように、本実施形態のSiC半導体装置は縦型電流駆動用の半導体素子が形成されたものであり、支持基板1を単結晶SiCより比抵抗の小さい材料を主成分として構成している。このため、従来のように厚い単結晶SiC基板上にn-型ドリフト層3を形成してSiC半導体装置を形成した場合には、基板抵抗を低くするために基板を研削等したりして薄板化する工程が行われるが、本実施形態では、薄板化する工程を無くすことができる。また、仮に薄板化する場合であっても、支持基板1として単結晶SiCより硬度が低い材料を選択することにより、研削にかかる時間を短縮することができる。他の実施形態上記第2実施形態では、n型SiC層2の上にn-型ドリフト層3を形成したSiC半導体装置について説明したが、p型SiC層の上にn-型ドリフト層を形成したSiC半導体装置を上記のような製造方法によって製造することもできる。また、上記第1実施形態ではpチャネルタイプのSiC半導体装置を例に挙げて説明し、上記第2実施形態ではnチャネルタイプのSiC半導体装置を例に挙げて説明したが、各部の導電型を逆にしたチャネルタイプのSiC半導体装置とすることもできる。また、上記各実施形態では、単結晶SiC基板11に水素イオンをイオン注入する際に単結晶SiC基板11の主表面に酸化膜12を形成する例について説明したが、酸化膜12を形成しなくてもよい。さらに、上記各実施形態では、真空中または不活性ガス雰囲気中で剥離工程を行う例について説明したが、例えば、大気中で剥離工程を行うこともできる。