ディスクブレーキパッド用の鋼製のバックプレートにおいて、摩擦材を接着する面にガス窒化法またはガス軟窒化法により形成された深さ5μm~20μmの化合物層を有し、かつ、前記化合物層は表層側に前記化合物層の深さの40以上の厚みのポーラス層を有することを特徴とするバックプレート。摩擦材を接着する面の表層に形成される酸化物層の厚さが1μm以下であることを特徴とする請求項1に記載のバックプレート。請求項1または2に記載のバックプレートに、摩擦材を接着してなるディスクブレーキパッド。本発明は上記事情に鑑みなされたもので、自動車等のディスクブレーキパッドに使用される、鋼製のバックプレート及び、そのバックプレートを用いたディスクブレーキパッドであって、摩擦材とバックプレートの接着強度を向上できるバックプレート及び、そのバックプレートに摩擦材を接着した、充分な接着強度を有するディスクブレーキパッドを提供することを課題とする。摩擦材とバックプレートの接着強度をより向上させるためには、充分な厚みを持つポーラス層を有する化合物層を形成したバックプレートを用いる必要がある。本発明者らは、前述したように、当該技術分野では技術的な検討が一切なされていなかった、金属材料の表面に存在する酸化膜をフッ素系ガスによりフッ化膜に置換し、金属材料の表面を活性化させる活性化処理を行った後、アンモニアガスにより、金属材料の表面に化合物層を形成する窒化処理法に着目し、鋭意検討を行った。バックプレートとして使用されるSAPH400、SAPH440等の自動車構造用熱間圧延鋼板、SPFH590等の自動車用加工性熱間圧延高張力鋼板において、フッ素ガスによる活性化処理は通常、その表面を平滑に仕上げるため150~350°Cの処理温度で実施されている。しかし、この処理温度を通常の温度よりも高くすると、バックプレート表面の酸化膜だけではなく、酸化膜の下にあるバックプレートの鉄素地もフッ化され、その状態で、ガス窒化処理またはガス軟窒化処理を施すと、驚くべきことに従来の当該技術分野で実施されていたガス窒化法、ガス軟窒化法では得られなかった、充分な厚みを持つポーラス層を有する化合物層を形成したバックプレートを製作することが可能となった。そのバックプレートに摩擦材を接着したディスクブレーキパッドは接着強度が飛躍的に向上することを知見し、本発明を完成させるに至った。また、バックプレートのガス窒化処理またはガス軟窒化処理の後に実施する冷却工程を、ガス窒化処理工程またはガス軟窒化工程と連続して非酸化性ガス雰囲気下で行うことにより、接着剤の密着性を阻害する原因となる酸化膜の再形成を抑制することができ、接着強度がより向上することをさらに知見した。本発明は、自動車等のディスクブレーキパッドに使用される、自動車構造用熱間圧延鋼板製等のバックプレート及び、そのバックプレートを用いたディスクブレーキパッドに関し、摩擦材とバックプレートの接着強度を向上できるバックプレート及び、そのバックプレートに摩擦材を貼り付けた、充分な接着強度を有するディスクブレーキパッドであり、以下の技術を基礎とするものである。1ディスクブレーキパッド用の鋼製のバックプレートにおいて、摩擦材を接着する面にガス窒化法またはガス軟窒化法により形成された深さ5μm~20μmの化合物層を有し、かつ、前記化合物層は表層側に前記化合物層の深さの40以上の厚みのポーラス層を有することを特徴とするバックプレート。2摩擦材を接着する面の表層に形成される酸化物層の厚さが1μm以下であることを特徴とする1に記載のバックプレート。31または2に記載のバックプレートに、摩擦材を接着してなるディスクブレーキパッド。本発明によれば、摩擦材とバックプレートの接着強度を向上できる表面処理を施したバックプレートと、充分な接着強度を有するディスクブレーキパッドを提供することができる。1ディスクブレーキパッド図1に示すように、ディスクブレーキパッドはバックプレートと摩擦材を接着剤等により接着してなる。1-1バックプレートバックプレートは、SAPH440等の自動車構造用熱間圧延鋼板やSPFH590等の自動車用加工性熱間圧延高張力鋼板を板金プレス加工で以って成形したものである。バックプレートの摩擦材を接着する面には、ガス窒化法またはガス軟窒化法により深さ5μm~20μmの化合物層が形成されており、前記化合物層は表層側に前記化合物層の深さの40以上の厚みのポーラス層を有する。化合物層の深さが5μm~20μmであり、ポーラス層の厚みが化合物層の深さの40以上であるバックプレートを使用すれば、摩擦材とバックプレートの接着強度が向上する。接着強度をより向上させるため、ポーラス層の厚みが化合物層の深さの50以上90以下であるバックプレートを使用するのが好ましく、ポーラス層の厚みが化合物層の深さの60以上80以下であるバックプレートを使用するのがより好ましい。また、バックプレートの摩擦材を接着する面の表層に形成される酸化物層の厚みが大きすぎると、接着強度が低下するため、摩擦材を接着する面の表層に形成される酸化物層の厚さが1μm以下のバックプレートを使用するのが更に好ましい。このようなバックプレートは、以下に説明する表面処理を施すことにより得ることができる。1-1バックプレートの表面処理1-1-1活性化処理活性化処理工程は、フッ素系ガスを含む雰囲気にバックプレートを投入して、バックプレート表面に形成している酸化膜及び酸化膜の下にあるバックプレートの鉄素地をフッ化させ、フッ化膜を形成させる。活性化処理に使用するフッ素系ガスとしては、酸化膜を形成している母材成分であるFeに対して酸素よりも親和性が強いハロゲン系物質であるフッ素系ガスフッ素化合物ガスまたはフッ素ガスを含有するガスが用いられる。このフッ素系ガスとしては、フッ素化合物、例えばNF3、BF3、CF4、SF6などを主成分とするガスやF2を主成分とするガスがあげられる。通常は、この主成分ガスを窒素ガスなどの希釈ガスで希釈してフッ素系ガスとして使用する。これらのフッ素系ガスに用いられる主成分ガスのうち、反応性、取り扱い性などの面でNF3が最も優れており、実用的である。上記フッ素系ガス雰囲気でバックプレートを、例えばNF3を含むフッ素系ガス雰囲気中で保持する。このときの処理温度を350~450°Cの範囲、好ましくは400~450°Cの範囲とすることにより、窒化処理または軟窒化処理後に必要充分な凹凸を持つポーラス層を形成し得るフッ化膜の層を形成させることができる。なお、活性化処理の時間については処理を行なうバックプレートの材質に応じて、表面の酸化膜及び酸化膜下のバックプレートの鉄素地がフッ化する適当な条件を設定するが、通常は10~180分の範囲である。また、フッ素系ガス雰囲気のフッ素化合物またはフッ素の濃度は、1000~100000ppmとするのが好ましい。1-1-2ガス窒化処理またはガス軟窒化処理上述した活性化処理工程に引き続き実施されるガス窒化処理については、窒素源ガスとしてアンモニアガスを含む雰囲気中で、処理温度300~600°C、好ましくは400~600°Cの範囲、処理時間30分~60分で実施する。ガス軟窒化処理の場合は、窒素源ガスとしてのアンモニアガスと浸炭性ガスの混合ガスを使用する。1-1-3冷却工程上述したガス窒化処理工程と連続して実施される冷却工程については、非酸化性ガス雰囲気下で行われる。非酸化性ガスとしてはアンモニアガス、窒素ガスなどが使用できる。冷却工程は、ガス窒化処理工程またはガス軟窒化処理工程の処理炉で行えば、別の処理炉に移動させる工程を省くことができ、効率的である。1-2摩擦材摩擦材は、金属繊維、有機繊維と、無機繊維などの繊維基材、熱硬化性樹脂などの結合材と、有機充填材、無機充填材、潤滑剤などの摩擦調整材とを含んでなる。繊維基材としては、スチール繊維、銅繊維等の金属繊維、アラミド繊維、アクリル繊維等の有機繊維、チタン酸カリウム繊維、カーボン繊維、セラミック繊維、ロックウール等の無機繊維が挙げられ、これらを単独又は2種以上を組み合わせて使用することができる。結合材としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、これらの熱硬化性樹脂をカシューオイル、シリコーンオイル、各種エラストマー等で変性した樹脂、これらの熱硬化性樹脂に各種エラストマー、フッ素ポリマー等を分散させた樹脂等が挙げられ、これらを単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。摩擦調整材としては、カシューダスト、ゴムダストタイヤトレッドゴムの粉砕粉、未加硫の各種ゴム粒子、加硫された各種ゴム粒子等の有機充填材、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、バーミキュライト、マイカ等の無機充填材、グラファイト、二硫化モリブデン、硫化錫、硫化亜鉛、硫化鉄等の潤滑剤が挙げられ、これらを単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。1-3ディスクブレーキパッドの製造方法本発明のディスクブレーキパッドは、上記の表面処理方法で表面処理したバックプレートに、摩擦材を接着したものである。本発明のディスクブレーキパッドは、所定量配合した上記繊維基材、結合材、摩擦調整材を、混合機を用いて均一に混合する混合工程、上記の表面処理方法で表面処理し、必要に応じて接着剤を塗布したバックプレートと、混合工程で得られた摩擦材原料混合物とを重ねて熱成形型に投入し、加熱加圧して成形する加熱加圧成形工程、得られた成形品を加熱して結合材の硬化反応を完了させる熱処理工程、摩擦面を形成する研磨処理工程を経て製造される。必要に応じて、加熱加圧成形工程の前に、摩擦材原料混合物を造粒する造粒工程、摩擦材原料混合物または造粒工程で得られた造粒物を予備成形型に投入し、予備成形物を成形する予備成形工程が実施され、加熱加圧成形工程の後に、塗装、塗装焼き付け工程、スコーチ工程が実施される。以下、実施例に基づき、本発明を説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。<実施例1~5及び比較例1~3>表1に示す条件で、バックプレートの表面処理を行った。各実施例、比較例の具体的な表面処理方法は、以下に詳述する。実施例1のバックプレート洗浄処理したSAPH440からなるバックプレートを、雰囲気温度350°Cに保持された炉内に投入し、NF3ガスを炉内に導入し30分間保持して活性化処理を行った。その後、570°Cに昇温した後、アンモニアガスを炉内に導入し30分間保持して窒化処理を行った。更に、冷却室に移動させ、室温まで冷却させ、表面処理されたバックプレートを得た。実施例2のバックプレート洗浄処理したSAPH440からなるバックプレートを、雰囲気温度400°Cに保持された炉内に投入し、NF3ガスを炉内に導入し30分間保持して活性化処理を行った。その後、570°Cに昇温した後、アンモニアガスを炉内に導入し30分間保持して窒化処理を行った。更に、冷却室に移動させ、室温まで冷却させ、表面処理されたバックプレートを得た。実施例3のバックプレート洗浄処理したSAPH440からなるバックプレートを、雰囲気温度450°Cに保持された炉内に投入し、NF3ガスを炉内に導入し30分間保持して活性化処理を行った。その後、570°Cに昇温した後、アンモニアガスを炉内に導入し30分間保持して窒化処理を行った。更に、冷却室に移動させ、室温まで冷却させ、表面処理されたバックプレートを得た。実施例4のバックプレート洗浄処理したSAPH440からなるバックプレートを、雰囲気温度400°Cに保持された炉内に投入し、NF3ガスを炉内に導入し30分間保持して活性化処理を行った。その後、570°Cに昇温した後、アンモニアガスを炉内に導入し30分間保持して窒化処理を行った。更に、そのままアンモニアガスを充満させた炉内で室温まで冷却させ、表面処理されたバックプレートを得た。実施例5のバックプレート洗浄処理したSAPH440からなるバックプレートを、雰囲気温度350°Cに保持された炉内に投入し、NF3ガスを炉内に導入し30分間保持して活性化処理を行った。その後、570°Cに昇温した後、アンモニアガスを炉内に導入し30分間保持して窒化処理を行った。更に、冷却室に移動させ、窒素ガスを導入して室温まで冷却させ、表面処理されたバックプレートを得た。比較例1のバックプレート洗浄処理したSAPH440からなるバックプレートを、雰囲気温度300°Cに保持された炉内に投入し、NF3ガスを炉内に導入し30分間保持して活性化処理を行った。その後、570°Cに昇温した後、アンモニアガスを炉内に導入し30分間保持して窒化処理を行った。更に、冷却室に移動させ、室温まで冷却させ、表面処理されたバックプレートを得た。比較例2のバックプレート洗浄処理したSAPH440からなるバックプレートを、雰囲気温度500°Cに保持された炉内に投入し、NF3ガスを炉内に導入し30分間保持して活性化処理を行った。その後、570°Cに昇温した後、アンモニアガスを炉内に導入し30分間保持して窒化処理を行った。更に、冷却室に移動させ、室温まで冷却させ、表面処理されたバックプレートを得た。比較例3のバックプレート洗浄処理したSAPH440からなるバックプレートを、570°Cに保持された炉内に投入し、アンモニアガスを炉内に導入し30分間保持して窒化処理を行った。さらに、冷却室に移動させ、室温まで冷却させ、表面処理されたバックプレートを得た。実施例1~5、比較例1~3のディスクブレーキパッドの製造方法表2に示す組成の摩擦材原料を混合機で5分間混合し、得られた摩擦材原料混合物を、予備成形金型で10MPaにて1分加圧して予備成形を行った。この予備成形物と、接着剤を塗布した実施例1~5、比較例1~2のバックプレートを重ねて熱成形金型に投入し、成形温度150°C、成形圧力40MPaの条件下で10分間成形した。その後、200°Cで5時間熱処理後硬化を行い、研磨して実施例1~5、比較例1~2のディスクブレーキパッドを作製した。接着強度の評価摩擦材とバックプレートの接着強度は、JISD4422自動車部品―ブレーキシューアッセンブリ及びディスクブレーキパッド―せん断試験方法に準拠し、ディスクブレーキパッドを300°Cの雰囲気で36時間保持した後、せん断試験を行い、バックプレート上に残存する摩擦材の残存率を用いて評価した。評価基準は表3のとおりである。評価結果は表1に併記してある。バックプレート断面および表面の観察電子顕微鏡を用いて実施例4と比較例3のバックプレートの断面を3000倍の倍率で、バックプレートの表面を1000倍、10000倍の倍率で観察した。それぞれの観察画像を図5~図10に示す。実施例4のバックプレートの断面の観察画像である図5と、比較例のバックプレートの断面の観察画像である図8を比較すると、比較例3よりも実施例4のポーラス層がより深く形成されていることが分かる。実施例4のバックプレートに形成された化合物層の深さは約13μm、ポーラス層の厚さは約8μmであり、ポーラス層の厚みは化合物層の深さの約61である。比較例3のバックプレートに形成された化合物層の厚さは約13μm、ポーラス層の厚さは約5μmであり、ポーラス層の厚みは化合物層の深さの約38である。また、実施例4のバックプレートの表面の観察画像である図6、図7と、比較例3のバックプレートの観察画像である図9、図10を比較すると、比較例3よりも実施例4の凹凸パターンがより緻密で複雑な皺状を呈していることが分かる。