"基板を提供するステップと、前記基板にフレームを形成するステップと、前記フレームに近接して前記基板に発光ダイオードLEDダイを取り付けるステップと、前記発光ダイオードLEDダイ及び前記基板にワイヤをワイヤ結合するステップと、発光ダイオードLEDダイを封入するための透明ドーム及びレンズを形成するように構成された前記フレームに透明封入物質をディスペンシングするステップと、を含むことを特徴とする、発光ダイオードLEDパッケージを製造する方法。前記フレームは、前記発光ダイオードLEDダイを包囲すると共に前記ディスペンシングステップの間に前記透明ドームを位置付け、支持し、且つ、形作るように構成されている周囲形状を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。前記取り付けるステップは、複数の発光ダイオードLEDダイを前記基板に取り付けることを含んでおり、前記フレームが前記複数の発光ダイオードLEDダイを包囲するように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記複数の発光ダイオードLEDダイのうちの少なくとも1つが、残りの前記複数の発光ダイオードLEDダイと異なる発光特性を有することを特徴とする請求項3に記載の方法。前記ディスペンシングステップの前に前記発光ダイオードLEDダイに波長変換層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記形成ステップは、物質ディスペンシングシステム、プリンティング、ジェット噴射、スプレー、化学気相体積CVD、熱蒸着、電子ビーム蒸着及び付着を使用する、スピンコーティング、リソグラフィ、浸漬コーティング、ディスペンシングからなる群から選択されたプロセスを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記ディスペンシングステップは、スクリーンプリンティング、精密ディスペンシング、スタンピング、スプレー及びジェット噴射からなる群から選択されるプロセスを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。複数の基板を備える半導体ウエハ又はその一部に前記基板が含まれており、前記ディスペンシングステップの後に前記ウエハから前記基板を分離するように、前記ウエハを分離するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。基板を提供するステップと、周囲形状を有するフレームを前記基板に形成するステップと、前記周囲形状によって包囲された少なくとも1つの発光ダイオードLEDダイを前記基板に取り付けるステップと、前記発光ダイオードLEDダイを封入するための透明ドーム及びレンズを形成するように構成された前記フレームに透明封入物質をディスペンシングするステップと、を含み、前記フレームが、前記発光ダイオードLEDダイを包囲すると共に前記ディスペンシングステップの間に前記透明ドームを位置付けし、支持し、且つ、形作るように構成されていることを特徴とする、発光ダイオードLEDパッケージを製造する方法。前記フレームは、円形、多角形、楕円形、ピーナッツ形状、長円形、正方形、長方形及び縦長形からなる群から選択される周囲形状を有していることを特徴とする請求項9に記載の方法。前記ディスペンシングステップの前に前記発光ダイオードLEDダイ及び前記基板にワイヤをワイヤ結合するステップをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。前記透明ドームを硬化するステップをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。前記ディスペンシングステップの前に前記発光ダイオードLEDダイに波長変換層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。前記取り付けるステップは、複数の発光ダイオードLEDダイを基板に取り付けることを含んでおり、前記複数の発光ダイオードLEDダイのうちの少なくとも1つが、残りの前記複数の発光ダイオードLEDダイと異なる発光特性を有することを特徴とする請求項9に記載の方法。前記フレームは、エポキシ、シリコン、ポリミド、パリレン、ベンゾシクロブテンBCB、ポリアクリルアミドPC、ポリメチルメタクリレートPMMA、ガラス、クォーツ、レジスト及び金属からなる群から選択される物質を含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。前記形成ステップは、物質ディスペンシングシステム、プリンティング、ジェット噴射、スプレー、化学気相体積CVD、熱蒸着、電子ビーム蒸着及び付着を使用する、スピンコーティング、リソグラフィ、浸漬コーティング、ディスペンシングからなる群から選択されたプロセスを含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。複数の基板を備える半導体ウエハ又はその一部に前記基板が含まれており、前記ディスペンシングステップの後に前記ウエハから前記基板を分離するように、前記ウエハを分離するステップをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。基板と、前記基板に搭載された発光ダイオードLEDダイと、前記発光ダイオードLEDダイを包囲するように構成された、前記基板上のフレームと、前記発光ダイオードLEDダイ及び前記基板に結合されたワイヤと、前記発光ダイオードLEDダイを封入するレンズとして構成された透明ドームと、を備え、前記フレームがディスペンシングステップの間に前記透明ドームを位置付けし、支持し、且つ、形作るように構成されていることを特徴とする、発光ダイオードLEDパッケージ。前記フレームで包囲されていると共に前記透明ドームで封入されている前記基板に搭載された複数の発光ダイオードLEDダイをさらに備えることを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオードLEDパッケージ。前記複数の発光ダイオードLEDダイのうちの少なくとも1つは、残りの前記複数の発光ダイオードLEDダイと異なる発光特性を有することを特徴とする請求項19に記載の発光ダイオードLEDパッケージ。前記複数の発光ダイオードLEDダイのうちの少なくとも1つは、波長変換層を含むことを特徴とする請求項19に記載の発光ダイオードLEDパッケージ。前記フレームは、円形、多角形、楕円形、ピーナッツ形状、長円形、正方形、長方形及び縦長形状からなる群から選択される周囲形状を有していることを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオードLEDパッケージ。前記発光ダイオードLEDダイ上に波長変換層をさらに備えることを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオードLEDパッケージ。前記フレームは、エポキシ、シリコン、ポリミド、パリレン、ベンゾシクロブテンBCB、ポリアクリルアミドPC、ポリメチルメタクリレートPMMA、ガラス、クォーツ、レジスト及び金属からなる群から選択される物質を含むことを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオードLEDパッケージ。前記透明ドームは、シリコン、エポキシ、ポリミド、プラスチック、又は、ガラスからなる群から選択される物質を含むことを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオードLEDパッケージ。前記フレームは、前記基板上に0.01μmから2000μmの厚み又は高さを有することを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオードLEDパッケージ。前記フレームは、前記基板上に1μmから3000μmの幅又は径を有することを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオードLEDパッケージ。前記発光ダイオードLEDダイは、250nmから2000nmのピーク波長を有することを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオードLEDパッケージ。本開示は、成形プロセスを使用して製造されたドームを有するパッケージに係る問題を解決する発光ダイオードLEDパッケージ及び当該発光ダイオードLEDパッケージを製造する方法に関する。発光ダイオードLEDパッケージは、基板と、該基板に搭載された発光ダイオードLEDダイと、該基板上のフレームと、発光ダイオードLEDダイ及び基板に結合されたワイヤと、発光ダイオードLEDダイを封入カプセル被包するレンズとして構成された透明ドームとを含む。好ましくは、フレームは、基板上に所望の高さ及び周囲形状で形成された透明物質を含み、透明ドームを位置決めし、支持し、且つ、形作るように構成されている。例えば、フレームは、円形、多角形、楕円形、ピーナッツ形又は長円形の周囲形状を有し、発光ダイオードLEDダイを包囲する。さらに、1つの発光ダイオードLEDダイ又は複数の発光ダイオードLEDダイのいずれかを、フレームで包囲して透明ドームで封入可能である。さらに、発光ダイオードLEDダイは、波長変換層をも含みうる。別の代替形態として、異なるサイズ及び発光特性を有する複数の発光ダイオードLEDダイを、フレームで包囲して透明ドームで封入することも可能である。発光ダイオードLEDパッケージを製造する方法は、基板を提供するステップと、該基板上にフレームを形成するステップと、フレームに近接して基板に発光ダイオードLEDダイを取り付けるステップと、発光ダイオードLEDダイ及び基板にワイヤをワイヤ結合するステップと、発光ダイオードLEDダイを封入するための透明ドーム及びレンズを形成するように構成されたフレームに透明封入物質をディスペンシング処理するステップと、を含む。ウエハレベルの製造プロセスを実行可能であるように、基板が物質のウエハに含まれうる。ディスペンシングステップの間、封入物質を含むと共にドームの外周形状を形成するためのダム堰をフレームが提供する。これによって、成形処理というよりもむしろディスペンシング処理を透明ドームの形成に使用することを可能にする。また、この方法は、発光ダイオードLEDダイ上に波長変換層を形成するステップをも含みうる。別の代替形態として、この方法は、基板に複数の発光ダイオードLEDダイを取り付けると共に当該ダイにドームを形成することをも含みうる。例示する実施形態が図面にて説明される。実施形態及び図面は、限定するためではなく説明のためにここに開示される。図1A及び1Bに示すとおり、発光ダイオードLEDパッケージ10は、基板12と、該基板12に搭載された発光ダイオードLEDダイ14と、基板12上のフレーム16と、発光ダイオードLEDダイ14と基板12との間に結合されたワイヤ18と、発光ダイオードLEDダイ14を封入するレンズとして構成された透明ドーム20とを含む。基板12図1A及び1Bは、実装基板として機能し、また、発光ダイオードLEDパッケージ10を外部と電気的に接続するための導電体図示せず、電極図示せず及び電気回路図示せずを提供する。基板12は、図示したように平坦形状を有するか、あるいは、凸面形状もしくは凹面形状を有することができる。さらに、基板12は、光抽出を改善するように反射層図示せずを含みうる。基板12は、シリコン、又は、GaAs、SiC、GaP、GaN若しくはAlNのような別の半導体物質を含みうる。あるいは、基板12は、セラミック物質、サファイア、ガラス、プリント基板PCB材料、メタルコアプリント基板MCPCB、FR-4プリント基板PCB、金属マトリクス複合材料、金属リードフレーム、有機リードフレーム、シリコンサブマウント基板、又は、当該技術に使用される任意のパッケージング基板からなる。さらには、基板は、Si、AlN、SiC、ダイアモンド、MMC、グラファイト、Al、Cu、Ni、Fe、Mo、CuW、CuMo、酸化銅、サファイア、ガラス、セラミック、金属若しくは合金のような、金属若しくは合金層の単層又は複層を含みうる。いずれにせよ、好ましくは、基板が約60°Cから350°Cまでの範囲の動作温度を有する。基板12図1A及び1Bは、任意の多角形状例えば、正方形、長方形及び任意の適切なサイズを有しうる。例えば、発光ダイオードLEDパッケージ10がチップスケールパッケージCSPと同じチップスケールサイズを有するように、基板12のダイサイズ設定が可能である。あるいは、基板12は、複数の発光ダイオードLEDダイ14を有するウエハスケールシステムを提供する大きさに形成されたウエハであってもよい。さらに、基板12は、代表的には35μmから3000μmの必要な厚みを有することができる。さらに、基板12は、LEDシステムにおいて発光ダイオードLEDパッケージ10を搭載及び電気接続するためのマザーボード、回路基板又は別のサポート基板図示せずに電気接続するために構成された基板12上の導体図示せず及び端末コンタクト図示せずと電気通信状態にある基板コンタクト22を含む。発光ダイオードLEDダイ14図1A及び1Bは、公知のプロセスを使用して製造された従来のLEDを含みうる。発光ダイオードLEDダイ14は、好ましくは、約250nmから2000nmまでのピーク波長を有する。適切な発光ダイオードLEDダイは、SEMILED,INC.台湾、ボイズ,ID及びミャオリーカウンティに所在から市販されている。発光ダイオードLEDダイ14はダイコンタクト24を含み、ワイヤ18がダイコンタクト24及び基板12上の基板コンタクト22にワイヤ結合されうる。さらに、発光ダイオードLEDダイ14は、ダイ取り付け付着層図示せず又は他の適切な取り付けシステム例えば、はんだを使用して、基板12上の電極図示せずに電気的に取り付け可能である。フレーム16図1A及び1Bは、好ましくは、適切な配置プロセスを使用して基板12上に配置された透明物質を備える。フレーム16にとって適切な物質は、エポキシ、シリコン、ポリミド、パリレン及びベンゾシクロブテンBCBを含む。さらに、これらポリマー物質は、熱膨張係数CTEを減少させると共にポリマー物質の粘度を調整するように構成されたケイ酸塩のようなフィルタを含むことができる。また、フレーム16は、アクリル、ポリアクリルアミドPC、ポリメチルメタクリレートPMMA、ガラス、シリコン又はクォーツ材料を含みうる。別の代替形態として、フレーム16は、EPONRESINSU-8商標のようなフォトレジストなどの感光性物質をも含みうる。また、フレーム16は、Al、Ti、Ag、Au、Cu、Cr、Ni、Co又はTiWのような金属をも含みうる。また、フレーム16は、堆積物質の高さ又は厚みに等しい深さまで基板12内にエッチングされた凹部のような基板12のエッチングされた部分をも含みうる。フレーム16図1A及び1Bを形成するための適切なプロセスは、スピンコーティング、リソグラフィ、浸漬コーティング、物質ディスペンス装置を使用したディスペンシング散布、塗布、プリンティング、ジェット噴射、スプレー、化学気相堆積CVD、熱蒸着、電子eビーム蒸着及び付着を含む。さらに、フレーム16は、物質の単層又は物質の複層を含みうる。また、堆積物質を備える以外に、フレーム16はフレーム16の高さ又は厚みと等しい深さまで基板12内にエッチングされた凹部を含みうる。フレーム16は、好ましくは、発光ダイオードLEDダイ14を包囲する周囲形状を有する。フレーム16のための適切な周囲形状は、円形、多角形、楕円形、ピーナッツ形状、長円形、正方形、長方形及び縦長形状を含む。代表的には、フレーム16の幅、長さ及び径を約0.01μmから2000μmまで必要に応じて選択可能である。また、代表的には、基板12上のフレーム16の高さ又は厚みを0.01μmから2000μmまで必要に応じて選択可能である。透明ドーム20図1A及び1Bは、発光ダイオードLEDダイ14を封入するレンズとして機能する。透明ドーム20にとって適切な物質は、シリコン、エポキシ及びガラスを含む。透明ドーム20は、スクリーンプリンティング、ディスペンシング、精密ディスペンシング、スプレー及びジェット噴射のような適切な堆積プロセスを使用して形成された物質の1又は複数の層を含みうる。特に堆積プロセスの間、フレーム16は透明ドーム20を位置決めし、支持し、且つ、形作るように構成されている。透明ドーム20の各パラメータは、表1に挙げられている。図2に示すとおり、別実施形態の発光ダイオードLEDパッケージ10Aは、基板12Aと、基板12Aに搭載された複数の発光ダイオードLEDダイ14Aと、基板12A上のフレーム16Aと、発光ダイオードLEDダイ14Aを封入するレンズとして構成された透明ドーム20Aとを含む。簡潔にするために、発光ダイオードLEDダイ14Aを基板12Aに接続するワイヤを図示しない。図3に示すとおり、別実施形態の発光ダイオードLEDパッケージ10Bは、基板12Bと、ピーク発光のような異なる発光特性を有する基板12Bに搭載された複数の発光ダイオードLEDダイ14Bと、基板12B上のフレーム16Bと、発光ダイオードLEDダイ14Bを封入するレンズとして構成された透明ドーム20Bとを含む。簡潔にするために、発光ダイオードLEDダイ14Bを基板12Bに接続するワイヤを図示しない。さらに、発光ダイオードLEDダイ14Bは、赤色、緑色及び青色の発光特性を有するように図示されている。しかしながら、別の配置構成も可能である。さらに、発光ダイオードLEDダイ14Bは、同じ動作電流又は異なる動作電流を有しうると共に別々に制御することも可能である。さらには、発光ダイオードLEDダイ14Bを並列又は直列に電気接続可能である。図4に示すとおり、別実施形態の発光ダイオードLEDパッケージ10Cは、基板12Cと、基板12Cに搭載された波長変換層26Cを有する複数の発光ダイオードLEDダイ14Cと、基板12C上のフレーム16Cと、発光ダイオードLEDダイ14Cを封入するレンズとして構成された透明ドーム20Cとを含む。簡潔にするために、発光ダイオードLEDダイ14Cを基板12Cに接続するワイヤを図示しない。波長変換層26Cは、発光ダイオードLEDダイ14Cによる放射光の波長を変換又は調整するように構成された樹脂ベースの蛍光物質を含みうる。図5に示すとおり、別実施形態の発光ダイオードLEDパッケージ10Dは、基板12Dと、基板12Dに搭載された複数の発光ダイオードLEDダイ14Dであって、そのうちの少なくとも1つが波長変換層26Dを有する発光ダイオードLEDダイ14Dと、基板12D上のフレーム16Dと、発光ダイオードLEDダイ14Dを封入するレンズとして構成された透明ドーム20Dとを含む。簡潔にするために、発光ダイオードLEDダイ14Dを基板12Dに接続するワイヤを図示しない。波長変換層26Dは、発光ダイオードLEDダイ14Dによる放射光の波長を変換又は調整するように構成されたリンベースの物質を含みうる。図6に示すとおり、別実施形態のウエハサイズの発光ダイオードLEDパッケージ10Wは、ウエハサイズの基板12Wと、基板12Wに搭載された複数の発光ダイオードLEDダイ14Wと、基板12W上の複数のフレーム16Wと、複数の発光ダイオードLEDダイ14Wを封入するレンズとして構成された複数の透明ドーム20Wとを含む。ウエハサイズの基板12Wは、150mm径、200mm径又は300mm径ウエハのようなウエハを備えうる。また、ウエハサイズの基板12Wは、必要な大きさ及び周囲形状を有するウエハ又はパネルの一部をも含みうる。さらに、発光ダイオードLEDダイ14Wは、同じ発光特性又は異なる発光特性を有していてもよい。その上、1又は複数の発光ダイオードLEDダイ14Wが波長変換層を有しうる。図7A~7Eを参照すると、発光ダイオードLEDパッケージ10を製造する方法の各ステップが記載されている。別実施形態の発光ダイオードLEDパッケージ10A~10D及び10Wを基本的に同じステップを使用して製造可能である。最初に、図7Aに示すとおり、複数の基板12からなるウエハ28を提供する。ウエハ28は標準径及び全層を有する従来の半導体ウエハを含みうる。あるいは、ウエハ28は薄型半導体ウエハを含みうる。ウエハ28の代表的な厚みは35μmから3000μmである。ウエハ28は、必要に応じて基板コンタクト22図1B、導体図示せず及び電極図示せずを有する複数のメタライゼーションパターン図示せずを含みうる。加算処理マスクを通した堆積又は減算処理マスクを通したエッチングのような公知のプロセスを使用してこれらメタライゼーションパターンを形成可能である。また、図7Aに示すとおり、ウエハ28上の複数のフレーム16を形成するようにフレーム形成ステップを実行可能である。各基板12は、当該基板12上に必要な位置、周囲形状及び高さを有するフレーム16を含む。フレーム16を形成するための適切な方法は、スピンコーティング、リソグラフィ、浸漬コーティング、物質ディスペンシングシステムを使用するディスペンシング、プリンティング、ジェット噴射、スプレー、化学気相堆積CVD、熱蒸着、及び、電子ビーム蒸着を含む。さらに、各フレーム16を、1つの発光ダイオードLEDダイ14、又は、別実施形態のパッケージ10A、10B、10Dで説明したような複数のダイを囲むように構成可能である。フレーム16の適切な周囲形状は、前に説明したとおり、円形、多角形、楕円形、ピーナッツ形状、長円形、正方形、長方形及び縦長形状を含む。さらに、フレーム16を、ポリマー、エポキシ、シリコン、ガラス、クォーツ、レジスト又は金属を含む前述した物質から形成可能である。次に、図7Bに示すとおり、ウエハ28上の電極図示せずと電気接触した状態で基板12に発光ダイオードLEDダイ14を搭載するように、ダイ搭載取り付けステップを実行可能である。基板28上の電極図示せずに発光ダイオードLEDダイ14を結合させるように、はんだリフロー処理、バンピング処理又は銀エポキシ硬化処理を使用して結合層図示せずを形成可能である。発光ダイオードLEDダイ14は、公知のプロセスを使用して製造された従来のLEDダイを含みうる。適切なLEDダイは、SEMILED,INC.台湾、ボイズ,ID及びミャオリーカウンティに所在から市販されている。次に、図7Cに示すとおり、ワイヤ18を発光ダイオードLEDダイ14上のダイコンタクト24図1B及び基板12上の基板コンタクト22図1Bにワイヤ結合するようにワイヤ結合ステップを実行可能である。ワイヤ結合ステップは、従来のワイヤ結合装置を使用して実行可能である。選択的に、ワイヤ結合ステップの前又は後に、別実施形態のパッケージ10C図4又は10D図5を形成するために波長変換層26C図4又は26D図5を発光ダイオードLEDダイ14上に形成可能である。波長変換層26C図4又は26D図5は、精密ディスペンシング、精密スタンピング、精密ジェット噴射、スプレー、ディスペンシング及びスクリーンプリンティングを使用して堆積可能であり、そして、60°Cから350°Cまでの温度で硬化される。さらに、波長変換層26C図4又は26D図5は、積層として形成された複数層を備えうる。次に、図7Dに示すとおり、発光ダイオードLEDダイ14上に透明ドーム20を形成するように、ディスペンシングステップを実行可能である。透明ドーム20は、シリコン、エポキシ、ポリミド、プラスチック又はガラスのような透明物質を含みうる。レンズ形成ステップの間、フレーム16が透明ドーム20を位置付け、支持し、且つ、形作るように構成されている。スクリーンプリンティング、精密ディスペンシング、スタンピング又はジェット噴射のような適切な堆積プロセスを使用して透明ドーム20を形成可能である。ディスペンシングステップに続いて、熱硬化又はUV硬化のような適切なプロセスを使用して透明ドームを硬化可能である。次に、図7Eに示すとおり、複数の発光ダイオードLEDパッケージ10にウエハ28を分離ダイシングするように、分離ステップを実行可能である。また、分離プロセスは、ダイシングのような技術に参照される。分離ステップは、レーザー加工、ソー加工、ウォータージェット、エッチング、又は、スクライブ及びブレイクscribeandbreakのようなプロセスを使用して実行可能であり、溝30が発光ダイオードLEDパッケージ10を分離する。図8を参照して、図7A~7Eの方法のプロセスのフローチャートを説明する。プロセスAが基本的な方法を示す。プロセスBがワイヤ結合ステップの前に波長変換層26C図4又は26D図5を適応した方法を示す。プロセスCがワイヤ結合ステップの後に波長変換層26C図4又は26D図5を適応した方法を示す。本明細書は、改善した発光ダイオードLEDパッケージ及びその製造方法を開示している。複数の実施例及び実施形態が説明されたが、当該技術分野の当業者は、任意の改変、置換、付加、及びこれらの組み合わせを認識するであろう。すなわち、添付した特許請求の範囲は、発明の技術的範囲として、このような全ての改変、置換、付加、及び、組み合わせを含むものと解釈されることを意図している。"