電極が形成された半導体チップと、前記電極に対応するリードと、前記電極と前記リードとを接続する金属配線と、前記金属配線と前記電極との接続部分及び前記金属配線と前記リードとの接続部分を覆う第1の樹脂部と、前記金属配線、前記第1の樹脂部及び前記半導体チップを覆う第2の樹脂部と、を有することを特徴とする半導体装置。前記金属配線の全体が、前記第1の樹脂部により覆われていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記金属配線は、ボンディングワイヤまたは金属リボンであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。前記半導体チップには、窒化物半導体からなる半導体層を有する電子デバイスが形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置。前記窒化物半導体は、GaN及びAlGaN、または、InAlN及びInGaAlNのいずれかを含むものであることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。前記第1の樹脂部と前記第2の樹脂部とは異なる樹脂材料により形成されているものであることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の半導体装置。前記第1の樹脂部はポリイミドにより形成されていることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の半導体装置。前記第2の樹脂部はモールド樹脂により形成されているであることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の半導体装置。リードフレームに半導体チップを設置する工程と、前記半導体チップに形成された電極と前記リードフレームに形成されたリードとを金属配線により接続する工程と、前記金属配線と前記電極との接続部分、及び前記金属配線と前記リードとの接続部分を第1の樹脂部により覆う工程と、前記金属配線、前記第1の樹脂部、前記半導体チップ及び前記リードの一部を第2の樹脂部により覆う工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記第1の樹脂部により覆う工程は、前記金属配線の全体を前記第1の樹脂部により覆うものであることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。ところで、高電圧において動作する高耐圧電力デバイス等では、電極等には高電圧が印加されるため、これらの電極等に電圧を印加するためのボンディングワイヤにも高電圧の電流が流れる。このため、従来の低い電圧では問題とならなかったような、ボンディングワイヤ間におけるリーク電流等が問題となる場合がある。即ち、高電圧において動作する高耐圧電力デバイス等では、ボンディングワイヤにおける電位差が大きくなるため、隣接するボンディングワイヤ間の間隔が僅かに狭くなっただけでも、リーク電流が大きくなり不良等となってしまう場合がある。また、高耐圧に対応したモールド樹脂は粘度が高く、モールド樹脂による封止を行う際には、モールド樹脂に加わる力によりボンディングワイヤが押され、ボンディングワイヤの形状が変形し、隣接するボンディングワイヤの間隔が狭くなり接触等する場合がある。また、モールド樹脂に加わる力によりボンディングワイヤが押されることにより、電極等の接続部分からボンディングワイヤがはずれ、断線等が生じる場合がある。一方、ボンディングワイヤは低抵抗化の傾向にあり、ボンディングワイヤを形成する材料として銅を含む材料が用いられつつある。しかしながら、ボンディングワイヤを形成する材料として銅を含む材料を用いた場合、従来のモールド樹脂材料による封止では、耐湿性が十分ではなく、銅等が酸化し、信頼性を十分に確保することができないといった課題もある。よって、高電圧において動作する半導体装置において、歩留りが高く、信頼性の高い、モールド樹脂による封止を行なうことのできる半導体装置の製造方法及び半導体装置が求められている。本実施の形態の一観点によれば、電極が形成された半導体チップと、前記電極に対応するリードと、前記電極と前記リードとを接続する金属配線と、前記金属配線と前記電極との接続部分及び前記金属配線と前記リードとの接続部分を覆う第1の樹脂部と、前記金属配線、前記第1の樹脂部及び前記半導体チップを覆う第2の樹脂部と、を有することを特徴とする。また、本実施の形態の他の一観点によれば、リードフレームに半導体チップを設置する工程と、前記半導体チップに形成された電極と前記リードフレームに形成されたリードとを金属配線により接続する工程と、前記金属配線と前記電極との接続部分、及び前記金属配線と前記リードとの接続部分を第1の樹脂部により覆う工程と、前記金属配線、前記第1の樹脂部、前記半導体チップ及び前記リードの一部を第2の樹脂部により覆う工程と、を有することを特徴とする。開示の半導体装置及び半導体装置の製造方法によれば、高電圧において動作する半導体装置においても、高い歩留りで、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。発明を実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。第1の実施の形態半導体装置の構造図1に基づき、第1の実施の形態における半導体装置について説明する。本実施の形態における半導体装置は、HEMTと呼ばれるトランジスタが形成された半導体チップをディスクリートパッケージしたものである。尚、図1は、本実施の形態における半導体装置において、後述する第2の樹脂部60の表面を一部除去した状態のものを示す。本実施の形態における半導体装置では、半導体チップ10がリードフレーム本体部20上に、ハンダ等のダイアタッチ剤30により固定されたものである。半導体チップ10は、後述するGaN系の材料により形成されたHEMTであり、図2に示すように、ゲート電極パッド11、ソース電極パッド12、ドレイン電極パッド13が、半導体チップ10の一方の面に、Al、Au、Cu等の金属材料により形成されている。ゲート電極パッド11とゲートリード21とはボンディングワイヤ41により接続し、ソース電極パッド12とソースリード22とはボンディングワイヤ42により接続し、ドレイン電極パッド13とドレインリード23とはボンディングワイヤ43により接続する。尚、ボンディングワイヤ41、42、43は金属配線であり、Al、Au、Cu等の金属材料により形成されている。ゲート電極パッド11とボンディングワイヤ41との接続部分から、ゲートリード21とボンディングワイヤ41との接続部分にかけて、ボンディングワイヤ41の全体は第1の樹脂部51に覆われている。また、ソース電極パッド12とボンディングワイヤ42との接続部分から、ソースリード22とボンディングワイヤ42との接続部分にかけて、ボンディングワイヤ42の全体は第1の樹脂部52に覆われている。ドレイン電極パッド13とボンディングワイヤ43との接続部分から、ドレインリード23とボンディングワイヤ43との接続部分にかけて、ボンディングワイヤ43の全体は第1の樹脂部53に覆われている。第1の樹脂部51、52及び53は、ポリイミド等からなる樹脂材料であり、この樹脂材料をスプレー等することにより形成しているため、ボンディングワイヤ41、42及び43を変形等させることなく形成することができる。また、第1の樹脂部51、52及び53は、ポリイミド等からなる樹脂材料により形成されており耐湿性も通常のモールド樹脂と比べて高い。更に、半導体チップ10及び第1の樹脂部51、52及び53に覆われたボンディングワイヤ41、42及び43、リードフレーム本体部20、ゲートリード21、ソースリード22及びドレインリード23の一部は、第2の樹脂部60により全体が覆われている。第2の樹脂部60はモールド樹脂等により形成されており、トランスファーモールド法により樹脂封止がなされる。本実施の形態における半導体装置は、ボンディングワイヤ41、42及び43等を第1の樹脂部51、52及び53により覆った後、第2の樹脂部60により、更に覆われた構造となっている。このため、トランスファーモールド法等により樹脂封止をする場合においても、ボンディングワイヤ41、42及び43は、第1の樹脂部51、52及び53に覆われているため、変形や断線等が生じることはない。これにより、歩留りが高く信頼性の高い半導体装置を作製することができる。更に、一般的にはーモールド樹脂等の樹脂材料は耐湿性が十分ではないが、耐湿性の高いポリイミド等の樹脂材料により第1の樹脂部51、52及び53を形成することにより外部からの水分の進入を防ぐことができる。これにより、ボンディングワイヤ41、42、43を形成している材料であるCu等の酸化や腐食を防ぐことができ、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。上記説明では、金属配線として金属ワイヤであるボンディングワイヤ41、42及び43を用いた場合について説明したが、金属ワイヤに代えて金属リボン等を用いたものであってもよい。半導体装置の製造方法次に、本実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。最初に、図3及び図4に基づき、本実施の形態に用いられる半導体チップ10の製造方法について説明する。最初に、図3aに示すように、基板110上に、電子走行層121、スペーサ層122、電子供給層123、キャップ層124等からなる半導体層をMOVPEMetalOrganicVaporPhaseEpitaxy等によるエピタキシャル成長により形成する。基板110は、Si、SiC、サファイアAl2O3等からなる基板を用いることができ、基板110上には電子走行層121等をエピタキシャル成長させるため不図示のバッファ層が形成されている。このバッファ層は、例えば、厚さ0.1μmのノンドープのi-AlNにより形成されている。第1の半導体層となる電子走行層121は、厚さ3μmのノンドープのi-GaNにより形成されている。スペーサ層122は、厚さ5nmのノンドープのi-AlGaNにより形成されている。第2の半導体層となる電子供給層123は、厚さ30nmのn-Al0.25Ga0.75Nにより形成されており、不純物元素としてSiが5×1018cm-3の濃度でドープされている。キャップ層124は、厚さ10nmのn-GaNにより形成されており、不純物元素としてSiが5×1018cm-3の濃度でドープされている。次に、図3bに示すように、ソース電極132及びドレイン電極133が形成される領域のキャップ層124を除去し、電子供給層123を露出させる。具体的には、キャップ層124の表面にフォトレジストを塗布し露光装置による露光、現像を行なうことにより、ソース電極132及びドレイン電極133が形成される領域に開口部を有する不図示のレジストパターンを形成する。この後、塩素系のガスを用いてRIE等のドライエッチングを行なうことにより、不図示のレジストパターンの開口部におけるキャップ層124を除去する。尚、不図示のレジストパターンは、この後、有機溶剤等により除去する。これにより、ソース電極132及びドレイン電極133が形成される領域においてキャップ層124が除去され、電子供給層123を露出させることができる。次に、図3cに示すように、キャップ層124が除去され電子供給層123が露出している領域にソース電極132及びドレイン電極133を形成する。具体的には、キャップ層124が形成されている面にフォトレジストを塗布し露光装置による露光、現像を行なうことにより、ソース電極132及びドレイン電極133が形成される領域に開口部を有する不図示のレジストパターンを形成する。この後、全面に金属膜Ta:膜厚約20nm/Al:膜厚約200nmを真空蒸着等により成膜した後、有機溶剤を用いてリフトオフを行なうことによりレジストパターン上に成膜された金属膜を除去する。これにより、レジストパターンが形成されていない領域の金属膜によりソース電極132及びドレイン電極133が形成される。尚、成膜された金属膜におけるTa膜は電子供給層123に接しており、窒素雰囲気中で400°Cから700°Cの温度、例えば、550°Cの温度で熱処理を行なうことにより、ソース電極132及びドレイン電極133においてオーミックコンタクトを確立する。また、この熱処理を行なわなくともオーミックコンタクトを確立することができる場合には、熱処理は行なう必要がない。次に、図4aに示すように、キャップ層124上にゲート絶縁膜となる絶縁膜140を形成する。具体的には、絶縁膜140は、酸化アルミニウムAl2O3により形成されており、トリメチルアルミニウムTMAと、純水H2Oとを用いて、ALD法により、基板温度300°Cにおいて、約10nm成膜することにより形成する。次に、図4bに示すように、絶縁膜140上の所定の領域にゲート電極131を形成する。具体的には、絶縁膜140が形成されている面にフォトレジストを塗布し、露光装置による露光、現像を行なうことにより、ゲート電極131が形成される領域に開口部を有する不図示のレジストパターンを形成する。この後、全面に金属膜Ni:膜厚約40nm/Au:膜厚約400nmを真空蒸着により成膜した後、有機溶剤を用いてリフトオフを行なうことによりレジストパターン上に成膜された金属膜を除去する。これにより、レジストパターンの形成されていない領域の金属膜によりゲート電極131が形成される。尚、金属膜におけるNi膜は絶縁膜140上に形成されており、この後、必要に応じて熱処理等を行ってもよい。更に、この上に保護膜等を形成し、図2に示すように、ゲート電極131と接続されるゲート電極パッド11、ソース電極132と接続されるソース電極パッド12、ドレイン電極133と接続されるドレイン電極パッド13を形成する。尚、本実施の形態では、ゲート電極とはゲート電極パッド11を含むもの、ソース電極とはソース電極パッド12を含むもの、ドレイン電極とはドレイン電極パッド13を含むものを意味する場合がある。以上により、半導体チップ10を作製することができる。上記説明では、半導体層としてGaN、AlGaNが形成されている半導体チップ10の場合について説明したが、半導体チップ10は、半導体層としてInAlN、InGaAlN等の窒化物半導体を用いたものであってもよい。また、高電圧に対応したトランジスタ等の電子デバイスが形成されているものであれば、半導体層がSi、GaAs、SiC、C等を含む材料により形成されたものであってもよい。次に、半導体チップ10を用いた本実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。最初に、図5aに示すように、金属板等を加工することにより、リードフレーム160を作製する。リードフレーム160は、銅等を含む導電性を有する金属材料により形成されている。リードフレーム160は、後に半導体チップ10が固定されるリードフレーム本体部20、ゲートリード21、ソースリード22、ドレインリード23を有している。ドレインリード23はリードフレーム本体部20に接続されており、ゲートリード21はドレインリード23の側面の一方の側に接続部161を介し接続されており、ソースリード22はドレインリード23の側面の他方の側に接続部162を介し接続されている。次に、図5bに示すように、半導体チップ10をリードフレーム本体部20にハンダ等のダイアタッチ剤30により固定する。次に、図5cに示すように、ワイヤボンディングによる接続を行なう。これによりゲート電極パッド11とゲートリード21をボンディングワイヤ41により接続し、ソース電極パッド12とソースリード22をボンディングワイヤ42により接続し、ドレイン電極パッド13とドレインリード23をボンディングワイヤ43により接続する。尚、ボンディングワイヤ41、42、43に用いられる材料は、通常、ゲート電極パッド11、ソース電極パッド12、ドレイン電極パッド13を形成している材料と同じ材料が用いられる。次に、図6aに示すように、各々のボンディングワイヤ41、42及び43の全体を第1の樹脂部51、52各々53により各々覆うことにより固定する。具体的には、ゲート電極パッド11とボンディングワイヤ41との接続部分から、ゲートリード21とボンディングワイヤ41との接続部分にかけて、ボンディングワイヤ41の全体を第1の樹脂部51により覆う。また、ソース電極パッド12とボンディングワイヤ42との接続部分から、ソースリード22とボンディングワイヤ42との接続部分にかけて、ボンディングワイヤ42の全体を第1の樹脂部52により覆う。また、ドレイン電極パッド13とボンディングワイヤ43との接続部分から、ドレインリード23とボンディングワイヤ43との接続部分にかけて、ボンディングワイヤ43の全体を第1の樹脂部53により覆う。第1の樹脂部51、52及び53に用いられる材料は、ポリイミド等であり、第1の樹脂部51、52及び53が形成される部分に開口部を有するシャドーマスクを用いて、ポリイミド等の樹脂材料をスプレー等することにより形成する。また、第1の樹脂部51、52、53の形成方法としては、ディスポーザー等によりポリイミド等の樹脂材料を供給することにより形成してもよい。次に、図6bに示すように、半導体チップ10をリードフレーム160の一部とともに、第2の樹脂部60により覆い固定する。具体的には、トランスファーモールド法により第2の樹脂部60を形成する。第2の樹脂部60は、通常のモールド樹脂であって、高耐圧に対応したものが用いられている。このため、第1の樹脂部51、52及び53に求められる特徴とは異なる特徴を有している。よって、第1の樹脂部51、52及び53と第2の樹脂部60とは異なる材料により形成されている。次に、図6cに示すように、ドレインリード23とゲートリード21とを接続していた接続部161を切断して除去し、ドレインリード23とソースリード22とを接続していた接続部162を切断して除去する。これにより、本実施の形態における半導体装置を作製することができる。尚、ゲートリード21及びソースリード22はリードフレーム本体部20には接続されてはいないが、第2の樹脂部60であるモールド樹脂により固定されている。本実施の形態では、第2の樹脂部60としてモールド樹脂を用いた場合について説明したが、他の材料等を用いてもよい。第2の実施の形態半導体装置の構造次に、第2の実施の形態について説明する。本実施の形態における半導体装置は、第1の実施の形態において用いた半導体チップ10を用いるものであり、第1の実施の形態と同様にHEMTと呼ばれるトランジスタが形成された半導体チップ10をディスクリートパッケージしたものである。図7に基づき本実施の形態における半導体装置について説明する。尚、図7は、本実施の形態における半導体装置において、後述する第2の樹脂部60の表面を一部除去した状態のものを示す。本実施の形態における半導体装置は、第1の実施の形態と同様に半導体チップ10がリードフレーム本体部20上に、ハンダ等のダイアタッチ剤30により固定されたものである。半導体チップ10は、GaN系の材料により形成されたHEMTである。ゲート電極パッド11とボンディングワイヤ41との接続部分は第1の樹脂部211により覆われており、ゲートリード21とボンディングワイヤ41との接続部分は第1の樹脂部221により覆われている。また、ソース電極パッド12とボンディングワイヤ42との接続部分は第1の樹脂部212により覆われており、ソースリード22とボンディングワイヤ42との接続部分は第1の樹脂部222により覆われている。また、ドレイン電極パッド13とボンディングワイヤ43との接続部分は第1の樹脂部213により覆われており、ドレインリード23とボンディングワイヤ43との接続部分は第1の樹脂部223により覆われている。第1の樹脂部211、212、213、221、222及び223は、ポリイミド等からなる樹脂材料により形成されており、スプレー等をすることにより形成される。更に、半導体チップ10及び第1の樹脂部211、212、213、221、222及び223、ボンディングワイヤ41、42及び43、リードフレーム本体部20等は、第2の樹脂部60により全体が覆われ封止されている。第2の樹脂部60はモールド樹脂等であり、トランスファーモールド法により樹脂封止がなされる。本実施の形態では、第1の樹脂部211、212、213、221、222及び223は、ボンディングワイヤ41、42及び43を変形させることや、断線させることなく形成することができる。このように第1の樹脂部211、212、213、221、222及び223を形成することにより、ボンディングワイヤ41、42及び43における接続部分を固定することができる。これにより、ボンディングワイヤ41、42及び43が各々の電極パッドやリードからはずれることなく、トランスファーモールド法等により第2の樹脂部60を形成することができ樹脂封止することができる。よって、歩留りが高く信頼性の高い半導体装置を得ることができる。半導体装置の製造方法次に、図8及び図9に基づき本実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。最初に、図8aに示すように、金属板等を加工することにより、リードフレーム160を作製する。リードフレーム160は、銅等を含む導電性を有する金属材料により形成されている。次に、図8bに示すように、半導体チップ10をリードフレーム本体部20にハンダ等のダイアタッチ剤30により固定する。次に、図8cに示すように、ワイヤボンディングによる接続を行なう。これによりゲート電極パッド11とゲートリード21をボンディングワイヤ41により接続し、ソース電極パッド12とソースリード22をボンディングワイヤ42により接続し、ドレイン電極パッド13とドレインリード23をボンディングワイヤ43により接続する。次に、図9aに示すように、各々のボンディングワイヤ41、42、43における接続部分を第1の樹脂部211、212、213、221、222及び223により覆い固定する。具体的には、ゲート電極パッド11とボンディングワイヤ41との接続部分を第1の樹脂部211により覆い、ゲートリード21とボンディングワイヤ41との接続部分を第1の樹脂部221により覆う。また、ソース電極パッド12とボンディングワイヤ42との接続部分を第1の樹脂部212により覆い、ソースリード22とボンディングワイヤ42との接続部分を第1の樹脂部222により覆う。ドレイン電極パッド13とボンディングワイヤ43との接続部分を第1の樹脂部213により覆い、ドレインリード23とボンディングワイヤ43との接続部分を第1の樹脂部223により覆う。第1の樹脂部211、212、213、221、222及び223に用いられる材料は、ポリイミド等の樹脂材料である。具体的には、第1の樹脂部211、212、213、221、222及び223が形成される部分に開口部を有するシャドーマスクを用いて、ポリイミド等の樹脂材料をスプレー等することにより形成する。また、第1の樹脂部211、212、213、221、222及び223の形成方法としては、ディスポーザー等によりポリイミド等の樹脂材料を供給することにより形成してもよい。次に、図9bに示すように、リードフレーム160に固定された半導体チップ10をリードフレーム160の一部とともに、第2の樹脂部60により覆い固定する。具体的には、トランスファーモールド法により第2の樹脂部60を形成することにより固定する。第2の樹脂部60は、通常のモールド樹脂であって、高耐圧に対応したものが用いられている。このため、第2の樹脂部60は第1の樹脂部211、212、213、221、222及び223に求められる特徴とは異なる特徴を有している。よって、第1の樹脂部211等と第2の樹脂部60とは異なる材料により形成されていることが好ましい。次に、図9cに示すように、ドレインリード23とゲートリード21とを接続していた接続部161を切断して除去し、ドレインリード23とソースリード22とを接続していた接続部162を切断して除去する。これにより、本実施の形態における半導体装置を作製することができる。尚、ゲートリード21及びソースリード22はリードフレーム本体部20とは接続されてはいないが、第2の樹脂部60であるモールド樹脂により固定されている。以上により本実施の形態における半導体装置を作製することができる。尚、上記以外の内容については、第1の実施の形態と同様である。第3の実施の形態次に、第3の実施の形態について説明する。本実施の形態における電源装置及び高周波増幅器は、第1または第2の実施の形態における半導体装置を用いた電源装置及び高周波増幅器である。図10に基づき、本実施の形態における電源装置について説明する。本実施の形態における電源装置460は、高圧の一次側回路461、低圧の二次側回路462及び一次側回路461と二次側回路462との間に配設されるトランス463を備えている。一次側回路461は、交流電源464、いわゆるブリッジ整流回路465、複数のスイッチング素子図10に示す例では4つ466及び一つのスイッチング素子467等を備えている。二次側回路462は、複数のスイッチング素子図10に示す例では3つ468を備えている。図10に示す例では、第1の実施の形態における半導体装置を一次側回路461のスイッチング素子466及び467として用いている。尚、一次側回路461のスイッチング素子466及び467は、ノーマリーオフの半導体装置であることが好ましい。また、二次側回路462において用いられているスイッチング素子468はシリコンにより形成される通常のMISFETmetalinsulatorsemiconductorfieldeffecttransistorを用いている。また、図11に基づき、本実施の形態における高周波増幅器について説明する。本実施の形態における高周波増幅器470は、例えば、携帯電話の基地局用パワーアンプに適用してもよい。この高周波増幅器470は、ディジタルプレディストーション回路471、ミキサー472、パワーアンプ473及び方向性結合器474を備えている。ディジタルプレディストーション回路471は、入力信号の非線形歪みを補償する。ミキサー472は、非線形歪みが補償された入力信号と交流信号とをミキシングする。パワーアンプ473は、交流信号とミキシングされた入力信号を増幅する。図11に示す例では、パワーアンプ473は、第1の実施の形態における半導体装置を有している。方向性結合器474は、入力信号や出力信号のモニタリング等を行なう。図11に示す回路では、例えば、スイッチの切り替えにより、ミキサー472により出力信号を交流信号とミキシングしてディジタルプレディストーション回路471に送出することが可能である。以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。上記の説明に関し、更に以下の付記を開示する。付記1電極が形成された半導体チップと、前記電極に対応するリードと、前記電極と前記リードとを接続する金属配線と、前記金属配線と前記電極との接続部分及び前記金属配線と前記リードとの接続部分を覆う第1の樹脂部と、前記金属配線、前記第1の樹脂部及び前記半導体チップを覆う第2の樹脂部と、を有することを特徴とする半導体装置。付記2前記金属配線の全体が、前記第1の樹脂部により覆われていることを特徴とする付記1に記載の半導体装置。付記3前記金属配線は、ボンディングワイヤまたは金属リボンであることを特徴とする付記1または2に記載の半導体装置。付記4前記金属配線は、Al、Au、Cuのうちから選ばれる1または2以上の材料を含むものであることを特徴とする付記3に記載の半導体装置。付記5前記電極は、前記半導体チップに形成された電子デバイスの電極と接続されているものであることを特徴とする付記1から4のいずれかに記載の半導体装置。付記6前記半導体チップには、窒化物半導体からなる半導体層を有する電子デバイスが形成されていることを特徴とする付記1から5のいずれかに記載の半導体装置。付記7前記窒化物半導体は、GaN及びAlGaN、または、InAlN及びInGaAlNのいずれかを含むものであることを特徴とする付記6に記載の半導体装置。付記8前記電子デバイスはHEMTであることを特徴とする付記6または7に記載の半導体装置。付記9前記半導体チップには前記電極が3以上形成されており、前記リードは前記電極に対応し3以上形成されており、前記金属配線は、対応する前記電極と前記リードとを各々接続するものであることを特徴とする付記1から8のいずれかに記載の半導体装置。付記10前記第1の樹脂部と前記第2の樹脂部とは異なる樹脂材料により形成されているものであることを特徴とする付記1から9のいずれかに記載の半導体装置。付記11前記第1の樹脂部はポリイミドにより形成されていることを特徴とする付記1から10のいずれかに記載の半導体装置。付記12前記第2の樹脂部はモールド樹脂により形成されているであることを特徴とする付記1から11のいずれかに記載の半導体装置。付記13付記1から12のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする電源装置。付記14付記1から12のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする増幅器。付記15リードフレームに半導体チップを設置する工程と、前記半導体チップに形成された電極と前記リードフレームに形成されたリードとを金属配線により接続する工程と、前記金属配線と前記電極との接続部分、及び前記金属配線と前記リードとの接続部分を第1の樹脂部により覆う工程と、前記金属配線、前記第1の樹脂部、前記半導体チップ及び前記リードの一部を第2の樹脂部により覆う工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。付記16前記第1の樹脂部により覆う工程は、前記金属配線の全体を前記第1の樹脂部により覆うものであることを特徴とする付記15に記載の半導体装置の製造方法。付記17前記金属配線は、ボンディングワイヤまたは金属リボンであることを特徴とする付記15または16に記載の半導体装置の製造方法。付記18前記第1の樹脂部により覆う工程は、スプレーまたはディスポーザーにより第1の樹脂部を形成する材料を供給することにより行なわれるものであることを特徴とする付記15から17のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。付記19前記第1の樹脂部により覆う工程は、前記第1の樹脂部が形成される領域に開口を有するマスクを設置し、前記マスクに第1の樹脂部を形成する材料をスプレーすることにより、前記開口となる領域に前記第1の樹脂部を形成するものであることを特徴とする付記15から18のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。付記20前記第1の樹脂部は、ポリイミドにより形成されていることを特徴とする付記15から19のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。