坩堝と、前記坩堝の外側に設けられた抵抗加熱ヒータと、前記抵抗加熱ヒータの外側に設けられた断熱材と、前記抵抗加熱ヒータと前記断熱材との間に複数に分割された保護部材と、を備えた、シリコン製造装置。前記保護部材は、略平行な2つの略平面を持つ平板を複数組み合わせたものである、請求項1に記載のシリコン製造装置。前記保護部材が、黒鉛または炭素繊維強化炭素材からなる、請求項1または2に記載のシリコン製造装置。前記保護部材は、ボルトおよびナットを用いて、前記断熱材に固定されている、請求項1から3のいずれかに記載のシリコン製造装置。前記ボルトおよびナットが、それぞれ、黒鉛または炭素繊維強化炭素材からなる、請求項4に記載のシリコン製造装置。少なくとも前記坩堝の上方に前記断熱材が配置されており、前記断熱材の下面の少なくとも一部上に前記保護部材が設けられている、請求項1から5のいずれかに記載のシリコン製造装置。請求項1から6のいずれかに記載のシリコン製造装置を用いた、シリコン精製方法。請求項1から6のいずれかに記載のシリコン製造装置を用いた、多結晶シリコンインゴット製造方法。キャスト法の装置や凝固偏析の装置においては、原料そのものに含まれる、若しくは坩堝などから混入した酸素により、シリコン融液表面からSiOガスが発生する。このSiOガスが拡散し、炉内のカーボン成型体からなる断熱材と接触すると、以下の反応式iの反応によりCOガスが発生するとともに、カーボン成型体のカーボンが珪化して、SiCへと変質する。SiO2C→SiCCO...iカーボン成型体からなる断熱材は、上記の反応式iにより、SiC化して容易に剥落する状態となり、断熱材としての機能が保たれなくなる。すなわち、断熱材の断熱効果が小さくなり、溶融シリコンを保持するために必要なヒータへの供給電力が増加し、チャンバへの熱負荷が大きくなる。また、断熱材から剥落したSiCが溶融シリコン内に混入した場合には、多結晶シリコンインゴットや回転冷却体の外周面に晶出させた高純度ケイ素内にSiCが取り込まれる可能性が高く、多結晶シリコンインゴットや晶出させた高純度ケイ素の製品としての品質を低下させる。また、断熱材から剥落したSiCが取り込まれた多結晶シリコンインゴットはウエハ形状に加工する際に加工装置を損傷させることがある。また、SiCが取り込まれた多結晶シリコンインゴットから得られたウエハを用いて太陽電池を作製した場合には、電流漏れによる性能不良を起こすことがある。また、SiC化がある程度進んだ断熱材は、SiCの剥落を起こす前に定期的に交換される。しかしながら、高価な断熱材を頻繁に交換する必要があるため、製品である多結晶シリコンインゴットや晶出させた高純度ケイ素の製造コストの上昇の要因として問題となっていた。さらに、断熱材の交換作業により装置が稼働できない時間が増えるため、多結晶シリコンインゴットや晶出させた高純度ケイ素の生産性が低下するという問題もあった。上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、断熱材の寿命を長くすることができるシリコン製造装置、シリコン精製方法および多結晶シリコンインゴット製造方法を提供することにある。本発明は、坩堝と、坩堝の外側に設けられた抵抗加熱ヒータと、抵抗加熱ヒータの外側に設けられた断熱材と、抵抗加熱ヒータと断熱材との間に複数に分割された保護部材と、を備えた、シリコン製造装置である。ここで、本発明のシリコン製造装置において、保護部材は、略平行な2つの略平面を持つ平板を複数組み合わせたものであることが好ましい。また、本発明のシリコン製造装置において、保護部材は、黒鉛または炭素繊維強化炭素材からなることが好ましい。また、本発明のシリコン製造装置において、保護部材は、ボルトおよびナットを用いて断熱材に固定されていることが好ましい。また、本発明のシリコン製造装置において、ボルトおよびナットは、それぞれ、黒鉛または炭素繊維強化炭素材からなることが好ましい。また、本発明のシリコン製造装置において、少なくとも坩堝の上方に断熱材が配置されており、断熱材の下面の少なくとも一部上に保護部材が設けられていることが好ましい。また、本発明は、上記のいずれかのシリコン製造装置を用いたシリコン精製方法である。さらに、本発明は、上記のいずれかのシリコン製造装置を用いた多結晶シリコンインゴット製造方法である。本発明によれば、断熱材の寿命を長くすることができるシリコン製造装置、シリコン精製方法および多結晶シリコンインゴット製造方法を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。<実施の形態1>図1に、本発明のシリコン製造装置の一例である実施の形態1のシリコン精製装置の模式的な構成図を示す。図1に示すように、実施の形態1のシリコン精製装置は、上部に開口部6を有するチャンバ2と、チャンバ2の内部に設けられた、坩堝3と、坩堝3の外側に設けられた抵抗加熱ヒータ7と、抵抗加熱ヒータ7の外側に設けられた保護部材9と、保護部材9の外側に設けられた断熱材8と、を備えている。ここで、坩堝3は坩堝台5上に配置されており、坩堝3の内部には精製するための溶融シリコン4が保持されている。また、抵抗加熱ヒータ7は、坩堝3の外側を取り囲むように設けられている。また、断熱材8は、チャンバ2の上部の内壁の内側に設けられた上部断熱材81と、チャンバ2の側壁の内側に設けられた側部断熱材82と、チャンバ2の下部の内壁の内側に設けられた下部断熱材83と、を備えている。なお、上部断熱材81、側部断熱材82および下部断熱材83は、それぞれ、カーボン成型体から構成されている。上部断熱材81は、チャンバ2の上部の内壁の下方に、抵抗加熱ヒータ7の上方を覆い、かつ開口部6を取り囲むようにして設けられている。下部断熱材83は、チャンバ2の下部の内壁の上方に、抵抗加熱ヒータ7の下方を覆い、かつ坩堝台5を取り囲むようにして設けられている。側部断熱材82は、抵抗加熱ヒータ7の外周を取り囲むように設けられている。また、側部断熱材82は、側部断熱材82の一端が上部断熱材81と接し、側部断熱材82の他端が下部断熱材83と接するようにして配置されている。また、保護部材9は、上部断熱材81の内壁面に接するようにして設けられた上部保護部材91と、側部断熱材82の内壁面に接するようにして設けられた側部保護部材92と、下部断熱材83の内壁面に接するようにして設けられた下部保護部材93と、を備えている。ここで、保護部材9は、坩堝3の内部に保持された溶融シリコン4の表面から発生するSiOガスが断熱材8に到達するのを抑制するために、抵抗加熱ヒータ7と断熱材8との間に設けられている。上記の構成を有する実施の形態1のシリコン精製装置においては、たとえば、坩堝3の上部の開口部6から、坩堝3の内部に抵抗加熱ヒータ7によって融液の状態で保持された溶融シリコン4中に回転冷却体を挿入して、溶融シリコン4中で回転冷却体を回転させながら、回転冷却体の内部に冷媒を流すことによって回転冷却体の外表面を冷却する。これにより、溶融シリコン4が偏析現象により精製されて、回転冷却体の外表面に溶融シリコン4よりも高純度のシリコンを晶出させることができる。回転冷却体の外表面に晶出した高純度のシリコンは、坩堝3の上部の開口部6から、回転冷却体を引き上げることによって装置の外部に取り出され、その後、回転冷却体から切り離されて回収される。従来においては、抵抗加熱ヒータ7と、カーボン成型体からなる断熱材8との間に保護部材9が設けられていなかったことから、上記のシリコンの精製中に、坩堝3の内部に保持された溶融シリコン4の表面からSiOガスが発生して拡散し、容易にカーボン成型体からなる断熱材8に到達して、上記の反応式iにしたがって、断熱材8と反応していた。SiOガスと、カーボン成型体からなる断熱材8との反応速度は、SiOガス分圧、COガス分圧および断熱材8の温度等の条件により異なるが、断熱材8の温度については、断熱材8の温度が1400°C以上である場合には、カーボン成型体からなる断熱材8の劣化に影響を及ぼすことが多い。特に、抵抗加熱ヒータ7で坩堝3の内部の溶融シリコン4を加熱して保持する際に、抵抗加熱ヒータ7自体の温度はシリコンの融点以上の温度となり、抵抗加熱ヒータ7の周囲に配置されている断熱材8も高温となるため、SiOガスとの反応による断熱材8の劣化も激しくなる。本発明者は、SiOガスによるカーボン成型体からなる断熱材8の反応による劣化を抑制するためには、断熱材8とSiOガスとの接触を絶つこと、あるいは断熱材8の温度を下げることが有効であると推察して鋭意検討を重ねた。そして、本発明者は、たとえば図1に示すように、抵抗加熱ヒータ7とカーボン成型体からなる断熱材8との間に、断熱材8へのSiOガスの到達を抑制する複数に分割された保護部材9上部保護部材91、側部保護部材92および下部保護部材93に分割を設けることによって、上記の推察から導かれる対策を具現化して、本発明を完成するに至った。すなわち、実施の形態1のシリコン精製装置においては、抵抗加熱ヒータ7とカーボン成型体からなる断熱材8との間に断熱材8へのSiOガスの到達を抑制するための保護部材9が設けられているため、坩堝3の内部に保持された溶融シリコン4の表面から発生するSiOガスが、断熱材8の坩堝3側の表面に接触するのを抑制することができる。また、この構成とすることによって、抵抗加熱ヒータ7、坩堝3および溶融シリコン4からの熱輻射を保護部材9によって遮ることができるため、上記のシリコン精製中における断熱材8の温度を低くすることができる。したがって、実施の形態1のシリコン精製装置においては、保護部材9の設置によって、断熱材8の寿命を長くすることができる。なお、実施の形態1のシリコン精製装置においては、回転冷却体の外表面に晶出した高純度シリコンを引き上げる途中で、回転冷却体からシリコン塊が溶融シリコン4内に落下して、溶融シリコン4が坩堝3の外に飛散する場合がある。しかしながら、この場合でも保護部材9によって、飛散した溶融シリコン4が断熱材8に接触するのを防ぐことができるため、溶融シリコン4との接触による断熱材8の劣化を抑制することができる。また、実施の形態1のシリコン精製装置においては、断熱材8が劣化してその一部が剥離した場合でも、断熱材8の剥離した部分が、坩堝3側に落下あるいは飛散するのを遮ることができるため、断熱材8の溶融シリコン4への混入を抑制することができる。保護部材9は、たとえば図1に示す上部保護部材91、側部保護部材92および下部保護部材93のように保護部材9を複数に分割することによって、保護部材9のコストを低減することができ、また保護部材9の設置時の作業性を向上することができる。また、上部保護部材91、側部保護部材92および下部保護部材93のそれぞれのサイズが大きい場合には、これらをそれぞれさらに分割することによって、保護部材9のさらなるコスト低減および保護部材9の設置時のさらなる作業性の向上を図ることができる。なお、本明細書において、分割には、1つの部材を複数に切り分ける場合だけでなく、別々に作製した複数の部材を組み合わせた場合も含まれる。さらに、側部断熱材82がたとえば円筒形である場合には、側部断熱材82の内壁面に沿うような曲面を有する一体型の側部保護部材92を用いてもよいが、たとえば図2の模式的な断面図に示すように、略並行な2つの略平面を持つ平板を複数組み合わせた構造の側部保護部材92とすることが好ましい。この場合には、側部保護部材92のさらなるコスト低減を図ることができる。なお、本明細書において、略並行には、完全に平行である場合だけでなく、完全に平行ではないが実質的に平行である場合も含まれる。また、本明細書において、略平面には、完全に平面である場合だけでなく、完全に平行ではないが実質的に平面である場合も含まれる。保護部材9は、断熱材8へのSiOガスの到達を抑制することができるものであれば特に限定されないが、黒鉛または炭素繊維強化炭素材からなることが好ましい。この場合には、保護部材9の耐熱性および断熱性が優れるとともに、溶融シリコン4の汚染を抑制することができる。すなわち、保護部材9の材質に黒鉛または炭素繊維強化炭素材を用いた場合には、溶融シリコン4の表面から発生するSiOガスによる保護部材9の劣化は当然発生するが、カーボン成型体からなる断熱材8に比較すると低価格である。そのため、保護部材9を頻繁に交換することがあっても、高価な断熱材9の交換頻度が抑えられるために、十分に低コスト化を図ることができる。また、黒鉛または炭素繊維強化炭素材は、SiOガスとの反応により劣化した場合でも、その表面からの剥落の頻度は、カーボン成型体からなる断熱材9に比べて少ないため、溶融シリコン4に混入するおそれは小さくなる。なお、本明細書において、カーボン成型体は、炭素繊維を基材に、樹脂を含浸させて成型し、炭化処理を施した材料を意味する。カーボン成型体は、一般的に、かさ密度が0.5g/cm3程度以下であり、断熱材などに用いられる。カーボン成型体を用いた製品としては、たとえば、大阪ガスケミカル株式会社より市販されているドナカーボ成形断熱材がある。また、本明細書において、炭素繊維強化炭素材は、炭素繊維で補強された炭素複合材料を意味する。炭素繊維強化炭素材は、一般的に、かさ密度が1g/cm3程度以上であり、耐熱構造材などに用いられる。炭素繊維強化炭素材を用いた製品としては、たとえば、日本カーボン株式会社より市販されているC/Cコンポジットがある。また、保護部材9は、ボルトおよびナットを用いて、断熱材8に固定することが好ましい。この場合には、保護部材9の断熱材8への固定作業を簡便にすることができる。また、保護部材9としてたとえば厚さ数mm程度の薄い炭素繊維強化炭素材を用いた場合には熱歪みにより保護部材9が変形するが、1つの保護部材9に対して複数箇所をボルトおよびナットで固定することによって、保護部材9の変形の程度を小さくすることができ、保護部材9の変形による隙間の発生を抑制することができる。また、保護部材9の固定に用いられるボルトおよびナットは、それぞれ、黒鉛または炭素繊維強化炭素材からなることが好ましい。この場合には、ボルトおよびナットの耐熱性および断熱性が優れるとともに、溶融シリコン4の汚染を抑制することができる。また、カーボン成型体からなる断熱材8の熱膨張が小さいため、ボルトに熱膨張の大きい材質を使用すると、温度変化した際に保護部材9の固定が緩んでしまう。そのため、特にボルトについては、熱膨張が小さい材質を使用することが望ましく、炭素繊維強化炭素材を使用することで、温度変化した際に、保護部材9の固定が緩む程度を小さく抑えることができる。また、たとえば図1に示すように、坩堝3の上方に配置された上部断熱材81の下面の少なくとも一部上に上部保護部材91が設けられていることが好ましい。坩堝3の内部に保持された溶融シリコン4から発生するSiOガスは、坩堝3の上方に拡散する傾向にあるため、坩堝3の上方に配置された上部断熱材81が劣化しやすい。しかしながら、坩堝3の上方に配置された上部断熱材81の下面の少なくとも一部上に上部保護部材91を配置することによって、坩堝3の上方に拡散してきたSiOガスによる上部断熱材81の劣化を効果的に抑制することができるため、断熱材8の寿命をさらに長くすることができる。<実施の形態2>図3に、本発明のシリコン製造装置の他の一例である実施の形態2の多結晶シリコンインゴット製造装置の模式的な構成図を示す。実施の形態2の多結晶シリコンインゴット製造装置は、坩堝3の上方に配置された上部断熱材81の下面の少なくとも一部上に上部保護部材91が配置されていることを特徴としている。図3に示す構成を有する実施の形態2の多結晶シリコンインゴット製造装置においては、坩堝3の内部に保持された溶融シリコン4を坩堝3の下部から冷却して一方向に凝固させることにより、多結晶シリコンインゴットを形成することができる。そして、実施の形態2の多結晶シリコンインゴット製造装置においては、坩堝3の上方に配置された上部断熱材81の下面の少なくとも一部上に上部保護部材91が配置されていることから、溶融シリコン4の表面から発生するSiOガスが、上部断熱材81の下面に接触するのを抑制することができる。また、抵抗加熱ヒータ7、坩堝3および溶融シリコン4からの熱輻射を上部保護部材91によって遮ることができるため、多結晶シリコンインゴットの形成中における上部断熱材81の温度を低くすることができる。したがって、実施の形態2の多結晶シリコンインゴット製造装置においても、上部保護部材91の設置によって、上部断熱材81の寿命を長くすることができる。また、実施の形態2の多結晶シリコンインゴット製造装置においては、上部断熱材81が劣化してその一部が剥離した場合でも、上部断熱材81の剥離した部分が、坩堝3側に落下するのを遮ることができるため、上部断熱材81の溶融シリコン4への混入を抑制することができる。また、実施の形態2の多結晶シリコンインゴット製造装置においても、実施の形態1のシリコン精製装置のように、側部断熱材82および下部断熱材83に、それぞれ、側部保護部材92および下部保護部材93を設けてもよいことは言うまでもない。この場合にも本発明の効果を得ることができる。実施の形態2における上記以外の説明は、実施の形態1と同様であるため、その説明については省略する。<実施例1>実施例1においては、図1および図2に記載の構造を有するシリコン精製装置を用いてシリコンの精製を行なった。図1および図2に示すように、上部に開口部6を有する水冷SUS製のチャンバ2の内壁面に、上部断熱材81、側部断熱材82および下部断熱材83から構成されている断熱材8厚さ100mmを設置し、断熱材8の内側に黒鉛製の抵抗加熱ヒーター7を設置した。また、抵抗加熱ヒーター7の内側に黒鉛製の坩堝3を設置し、坩堝3の内部に約400kgの溶融シリコン4を保持した。なお、上部断熱材81、側部断熱材82および下部断熱材83は、それぞれ、カーボン成型体からなるものが用いられた。さらに、断熱材8の上部断熱材81、側部断熱材82および下部断熱材83の内壁面にそれぞれ、上部保護部材91、側部保護部材92および下部保護部材93をボルトおよびナットを用いて固定した。なお、上部保護部材91、側部保護部材92および下部保護部材93としては、それぞれ、炭素繊維強化炭素材からなり、図2に示すように略平行な2つの略平面を持つ平板状に分割されたものを複数組み合わせたものを用いた。また、ボルトおよびナットも、それぞれ、炭素繊維強化炭素材からなるものを用いた。上記の構成を有するシリコン精製装置の坩堝3の上方の開口部6から黒鉛製の回転冷却体を坩堝3の内部に保持された溶融シリコン4中に浸漬させ、回転冷却体の内部に冷媒を流しながら、回転冷却体を回転させることによって、回転冷却体の外表面に約15kgの高純度シリコンを晶出させた。そして、溶融シリコン4から回転冷却体ごと引き上げ、シリコン精製装置の外部に取り出した。上記の回転冷却体の溶融シリコン4中への浸漬、冷却回転による高純度シリコンの晶出および回転冷却体の引き上げを12回繰り返した。その結果、坩堝3の内部の溶融シリコン4は約220kgまで減少したため、坩堝3の内部に原料シリコンを約180kg追加投入して溶融させた。これにより、再び坩堝3の内部の溶融シリコン4の量を約400kgとして、回転冷却体の溶融シリコン4中への浸漬、冷却回転による高純度シリコンの晶出および回転冷却体の引き上げを繰り返した。上記を繰り返すことで、坩堝3の内部の溶融シリコン4中の不純物が濃縮していき、偏析効果による精製を行っても製品として満足しない不純物濃度の精製シリコンしか得られない状態となる。その時点で、坩堝3の内部の高濃度に不純物を含む溶融シリコン4を坩堝3ごと交換することとし、抵抗加熱ヒータ7による坩堝3の加熱を停止して、坩堝3の冷却後に開炉チャンバ2の開放した。実施例1では、約1ヵ月で開炉することとなった。開炉時に、断熱材8の劣化状況を調査した。珪化進行による断熱材8の交換判断基準を以下のように定めて運用することとした。すなわち、断熱材8の表面に面積1cm2の金属棒の先端面を押しつけ、5Nの力を加える。そして、新品の断熱材8であれば破損することなく受け止められるが、珪化した断熱材8であれば金属棒との接触面から容易に崩壊し、金属棒が刺さり込むことになる。この刺さり込み深さが20mmを超えた場合に断熱材8の寿命とした。実施例1においては、初回の開炉時の調査では、断熱材8は寿命に至っていないと判断することができた。<比較例1>比較例1では、保護部材9上部保護部材91、側部保護部材92および下部保護部材93を設置しないこと以外はすべて実施例1と同様にしてシリコンの精製を行ない、断熱材8の寿命判断を行なった。また、実施例1と同様にして、1ヶ月毎の開炉時に断熱材8の寿命判断についても行なった。<実施例1と比較例1の寿命判断の結果>表1に、実施例1と比較例1のそれぞれについて、1ヶ月毎の開炉時に断熱材8の寿命判断を行なった結果を示す。表1に示すように、実施例1では断熱材8の寿命が12ヵ月であったのに対し、比較例1では断熱材8の寿命が4ヵ月であり、実施例1においては、断熱材8の寿命が長くなることが確認された。<実施例2>実施例2においては、図3に記載の構造を有する多結晶シリコンインゴット製造装置を用いて多結晶シリコンインゴットを製造した。図示しない黒鉛製サセプタで囲った方形シリカ酸化シリコン製の坩堝3の内部に原料シリコン450kgを充填し、チャンバ2の内部に設置した。抵抗加熱ヒータ7、断熱材8上部断熱材81、側部断熱材82および下部断熱材83および上部保護部材91は、それぞれ、実施例1と同様のものを用いた。チャンバ2の内部に原料シリコンを充填した坩堝3を設置した後、チャンバ2の蓋を閉め、チャンバ2の内部をアルゴンガスで置換し、抵抗加熱ヒータ7で原料シリコンを加熱して昇温させて溶融した。坩堝3の内面には、シリコンとの融着防止のため窒化珪素層が形成されているが、坩堝3からの酸素が拡散により溶融シリコン4内へと供給されており、原料シリコン表面の自然酸化膜からの酸素も溶融シリコン4に混入し、溶融シリコン4の表面からはSiOガスガが放出される状況であった。原料シリコンの溶融を完了させた後、抵抗加熱ヒータ7の出力を制御し、坩堝3の内部の溶融シリコン4が融点近傍で保持されるように調整した。その後、坩堝3の底部の温度を徐々に下げることにより、坩堝3の底部から溶融シリコン4を一方向に凝固させることにより、多結晶シリコンインゴットを形成した。溶融シリコン4を完全に凝固させた後、アニール工程を経て、チャンバ2の内部を冷却し、チャンバ2の蓋を開けて多結晶シリコンインゴットを取り出した。実施例2においても、実施例1と同様にして上部断熱材81の劣化を調査し、上部断熱材81の寿命判断以下、寿命判断1というを行なった。また、上記のようにして製造した多結晶シリコンインゴットからブロックを切り出し、ブロックの表面に目視確認される異物を除去するためにブロックから切除する部分の割合が1を超える場合を上部断熱材81の寿命とする判断以下、寿命判断2というも加えて行なった。実施例2においては、初回の開炉時には寿命判断1では上部断熱材81の劣化がほとんど確認されず、上部断熱材81は寿命には至っていないと判断できた。また、初回に製造した多結晶シリコンインゴットから切り出したブロックでは、目視で確認できる異物はなく、寿命判断2でも上部断熱材81は寿命に至っていないと判断できた。その後、再び新たな原料シリコンを充填した坩堝3をチャンバ2の内部に設置し、上記と同様にして多結晶シリコンインゴットの製造を繰り返した。<比較例2>比較例2では、上部保護部材91を設置しないこと以外はすべて実施例2と同様にして多結晶シリコンインゴットの製造を行ない、上部断熱材81の寿命判断1および寿命判断2を行なった。<実施例2および比較例2の寿命判断の結果>表2に、実施例2と比較例2のそれぞれについて、上部断熱材81の寿命判断1および寿命判断2を行なった結果を示す。表2に示すように、実施例2においては、比較例2と比較して、寿命判断1および寿命判断2のいずれにおいても、上部断熱材81の寿命が長くなっていることが確認された。以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、上述の各実施の形態および各実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。