"基板と、前記基板の上方に配置された機能素子と、前記機能素子が収容された空洞部を画成する被覆構造体と、を含み、前記被覆構造体は、前記空洞部に連通する第1貫通孔および前記第1貫通孔よりも大きい第2貫通孔を有し、かつ前記空洞部の上方に配置される第1被覆層と、前記第1被覆層の上方に配置され、前記貫通孔を塞ぐ第2被覆層と、を有する、電子装置。請求項1において、前記第1被覆層は、前記第1貫通孔を複数有する、電子装置。請求項1または2において、前記第1貫通孔の開口の面積は、1μm2以上4μm2未満であり、前記第2貫通孔の開口の面積は、4μm2以上7μm2以下である、電子装置。請求項1ないし3のいずれか1項において、前記空洞部を画成する前記被覆構造体の側面と前記第2貫通孔との間の距離は、前記被覆構造体の側面と前記第1貫通孔との間の距離よりも小さい、電子装置。基板の上方に機能素子を形成する工程と、前記基板および前記機能素子の上方に、絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の上方に、第1貫通孔および前記第1貫通孔よりも大きい第2貫通孔を有する第1被覆層を形成する工程と、前記第1貫通孔および第2貫通孔を通じてエッチング液またはエッチングガスを供給し、前記機能素子の上方の前記絶縁層をエッチングする工程と、前記第1被覆層の上方に、前記第1貫通孔および前記第2貫通孔を塞ぐ第2被覆層を形成する工程と、を含み、前記第2被覆層を形成する工程において、前記第2被覆層は、気相成長法により成膜される、電子装置の製造方法。請求項5において、前記第2被覆層は、前記第1貫通孔を複数有する、電子装置の製造方法。請求項1ないし4のいずれか1項に記載の電子装置と、前記電子装置の前記機能素子と電気的に接続された回路部と、を含み、前記機能素子は、振動子である、発振器。上述した貫通孔を塞いで空洞部内を減圧状態にする工程は、例えば、スパッタ法により第2被覆層を成膜することにより行われる。ここで、スパッタ法による成膜では、成膜時に発生する熱等で、空洞部に面する絶縁層等からガスが発生する。成膜工程中において、貫通孔が塞がっていないときには、このガスは貫通孔から空洞部の外へ排出される。しかしながら、成膜工程中において、貫通孔が塞がって空洞部が封止された後は、このガスは排出されずに空洞部内を滞留し、空洞部内の真空度が低下してしまう。したがって、空洞部が封止された後から成膜を終了するまでの時間は、短いことが望ましい。しかしながら、本工程において、空洞部が封止された後から成膜を終了するまでの時間を短くするために、成膜時間を短く設定すると、ウエハー内の位置やウエハー間で成膜速度にばらつきがあるため、すべての貫通孔が塞がれずに、歩留まりが低下する場合があった。このように、本工程において、すべての貫通孔を塞いで確実に空洞部の封止を行いつつ、空洞部が封止された後から成膜を終了するまでの時間を短くすることは困難である。したがって、特許文献1に開示された技術では、空洞部内の真空度を高めることが難しく、良好な特性を有する電子装置を得ることが難しかった。本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、良好な特性を有する電子装置およびその製造方法を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、上記の電子装置を有する発振器を提供することにある。本発明に係る電子装置は、基板と、前記基板の上方に配置された機能素子と、前記機能素子が収容された空洞部を画成する被覆構造体と、を含み、前記被覆構造体は、前記空洞部に連通する第1貫通孔および前記第1貫通孔よりも大きい第2貫通孔を有し、かつ前記空洞部の上方に配置された第1被覆層と、前記第1被覆層の上方に配置され、前記貫通孔を塞ぐ第2被覆層と、を有する。このような電子装置によれば、第1被覆層が、第1貫通孔と第1貫通孔よりも大きい第2貫通孔を有するため、第1貫通孔および第2貫通孔を塞ぐ工程において、第1貫通孔が塞がれ、その後第2貫通孔が塞がれる。これにより、第1被覆層の貫通孔がすべて同じ大きさである場合と比べて、空洞部の封止を確実に行いつつ、空洞部が封止された後から成膜が終了するまでの時間を短くすることができる。したがって、空洞部が封止された後に空洞部内で発生するガスの量を低減することができ、空洞部内の真空度を高めることができる。そのため、良好な特性を有することができる。なお、本発明に係る記載では、上方という文言を、例えば、特定のもの以下、Aというの上方に他の特定のもの以下、Bというを形成するなどと用いる場合に、A上に直接Bを形成するような場合と、A上に他のものを介してBを形成するような場合とが含まれるものとして、上方という文言を用いている。本発明に係る電子装置において、前記第1被覆層は、前記第1貫通孔を複数有していてもよい。このような電子装置によれば、空洞部を形成するリリース工程において、エッチング液やエッチングガスを効率よく供給することができる。本発明に係る電子装置において、前記第1貫通孔の開口の面積は、1μm2以上4μm2未満であり、前記第2貫通孔の開口の面積は、4μm2以上7μm2以下であってもよい。このような電子装置によれば、空洞部を形成するリリース工程において、エッチングを良好に行うことができ、かつ第1貫通孔および第2貫通孔を塞ぐ工程において、第2貫通孔を確実に塞ぐことができる。本発明に係る電子装置において、前記空洞部を画成する前記被覆構造体の側面と前記第2貫通孔との間の距離は、前記被覆構造体の側面と前記第1貫通孔との間の距離よりも小さくてもよい。このような電子装置によれば、第1貫通孔および第2貫通孔を塞ぐ工程において、被覆構造体の側面から発生するガスを効率よく排出することができる。本発明に係る電子装置の製造方法は、基板の上方に機能素子を形成する工程と、前記基板および前記機能素子の上方に、絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の上方に、第1貫通孔および前記第1貫通孔よりも大きい第2貫通孔を有する第1被覆層を形成する工程と、前記第1貫通孔および第2貫通孔を通じてエッチング液またはエッチングガスを供給し、前記機能素子の上方の前記絶縁層をエッチングする工程と、前記第1被覆層の上方に、前記第1貫通孔および前記第2貫通孔を塞ぐ第2被覆層を形成する工程と、を含み、前記第2被覆層を形成する工程において、前記第2被覆層は、気相成長法により成膜される。このような電子装置の製造方法によれば、第1被覆層が、第1貫通孔と第1貫通孔よりも大きい第2貫通孔を有するため、第1貫通孔および第2貫通孔を塞ぐ工程において、第1貫通孔が塞がれ、その後第2貫通孔が塞がれる。これにより、第1被覆層の貫通孔がすべて同じ大きさである場合と比べて、空洞部の封止を確実に行いつつ、空洞部が封止された後から成膜が終了するまでの時間を短くすることができる。したがって、空洞部が封止された後に空洞部内で発生するガスの量を低減することができ、空洞部内の真空度を高めることができる。そのため、良好な特性を有する電子装置を得ることができる。本発明に係る電子装置の製造方法において、前記第2被覆層は、前記第1貫通孔を複数有していてもよい。このような電子装置の製造方法によれば、空洞部を形成するリリース工程において、エッチング液やエッチングガスを効率よく供給することができる。本発明に係る発振器は、本発明に係る電子装置と、前記電子装置の前記機能素子と電気的に接続された回路部と、を含み、前記機能素子は、振動子である。このような発振器によれば、良好な特性を有することができる。以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。1.電子装置まず、本実施形態に係る電子装置について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る電子装置100を模式的に示す断面図である。図2は、本実施形態に係る電子装置100を模式的に示す平面図である。なお、図1は、図2のI-I線断面図である。また、図2では、便宜上、第2被覆層58、包囲壁40、層間絶縁層60,62、およびパッシベーション層70の図示を省略している。電子装置100は、図1および図2に示すように、基板10と、機能素子20と、被覆構造体30と、を含む。電子装置100は、さらに、第1配線層26と、第2配線層28と、第3配線層29と、包囲壁40と、パッシベーション層70と、を含むことができる。基板10は、図1に示すように、支持基板12と、第1下地層14と、第2下地層16と、を有することができる。支持基板12としては、シリコン基板等の半導体基板を用いることができる。支持基板12として、セラミックス基板、ガラス基板、サファイア基板、ダイヤモンド基板、合成樹脂基板などの各種の基板を用いてもよい。第1下地層14は、支持基板12上に形成されている。第1下地層14としては、例えば、トレンチ絶縁層、LOCOSlocaloxidationofsilicon絶縁層、セミリセスLOCOS絶縁層を用いることができる。第1下地層14は、機能素子20と、他の素子例えばトランジスター、図示せずと、を電気的に分離することができる。第2下地層16は、第1下地層14上に形成されている。第2下地層16としては、例えば、窒化シリコン層を用いることができる。第2下地層16は、空洞部1を形成するリリース工程において、エッチングストッパー層として機能することができる。機能素子20は、基板10上に配置されている。機能素子20は、空洞部1に収容されている。図示の例では、機能素子20は、第2下地層16上に形成された第1電極22と、第1電極22と間隔を空けて形成された第2電極24と、を有する振動子である。第2電極24は、第2下地層16上に形成された支持部24aと、支持部24aから延出し第1電極22との間に空隙を有した状態で配置された梁部24bと、を有することできる。すなわち、機能素子20は、片持ち梁型のMEMS振動子であるといえる。第1電極22および第2電極24の材質としては、例えば、所定の不純物をドーピングすることにより導電性が付与された多結晶シリコンが挙げられる。図示の例では、第2電極24は、1つの第1電極22に対して2つ設けられている。この2つの第2電極24は、異なる固有振動数を有していてもよいし、同じ固有振動数を有していてもよい。なお、1つの第1電極22に対する第2電極24の数は、特に限定されない。なお、機能素子20は、図示の例に限定されず、例えば、梁部の両端部が固定された両持ち梁型の振動子でもよい。また、機能素子20は、第2電極が、支持部と、支持部から互い反対方向に延出する第1梁部および第2梁部と、を有し、第1梁部および第2梁部の各々に対向して、第1電極が形成された振動子であってもよい。また、機能素子20は、例えば、振動子以外の、水晶振動子、SAW弾性表面波素子、加速度センサー、ジャイロスコープ、マイクロアクチュエーターなどの各種の機能素子であってもよい。すなわち、電子装置100は、空洞部1に収容されうる任意の機能素子を備えることができる。第1配線層26は、例えば、機能素子20の第1電極22に接続されている。第1配線層26は、第1電極22と一体的に形成されていてもよい。第2配線層28は、例えば、機能素子20の第2電極24に接続されている。第2配線層28は、第2電極24と一体的に形成されていてもよい。第1配線層26および第2配線層28は、包囲壁40の外側まで延出されている。第3配線層29は、2つの第2電極24の間を電気的に接続している。第1配線層26、第2配線層28、および第3配線層29の材質としては、例えば、所定の不純物をドーピングすることにより導電性が付与された多結晶シリコンが挙げられる。第1配線層26および第2配線層28は、電源部図示せずと電気的に接続されている。配線層26,28を介して、第1電極22と第2電極24との間に電圧が印加されると、梁部24bは、電極22,24間に発生する静電力により、基板10の厚み方向に振動することができる。被覆構造体30は、機能素子20が収容された空洞部1を画成している。被覆構造体30は、図示の例では、第1被覆層50、第2被覆層58、および層間絶縁層60,62を含んで構成されている。被覆構造体30によって画成される空洞部1の平面形状基板10の厚み方向からの平面視における形状は、機能素子20を収容できる形状であれば特に限定されず、例えば、円形状、多角形状などの任意の形状である。空洞部1の平面形状は、図示の例では四角形である。第1被覆層50は、空洞部1上を覆っている。第1被覆層50は、第1貫通孔52と、第2貫通孔54と、を有している。第1貫通孔52および第2貫通孔54は、空洞部1に連通している。後述するように、空洞部1を形成するリリース工程において、第1貫通孔52および第2貫通孔54を通して、エッチング液やエッチングガスを供給することができる。第1被覆層50としては、例えば、アルミニウム層を用いることができる。第1被覆層50は、例えば、第2金属層46と一体的に形成される。第1貫通孔52および第2貫通孔54の平面形状は、特に限定されず、例えば、円、楕円、多角形であってもよい。第1貫通孔52および第2貫通孔54の平面形状は、図示の例では、正方形である。第2貫通孔54は、第1貫通孔52よりも大きい。すなわち、第2貫通孔54の開口の面積は、第1貫通孔52の開口の面積よりも大きい。言い換えると、第2貫通孔54の平面視における面積基板10の厚み方向からの平面視における面積は、第1貫通孔52の平面視における面積よりも大きい。具体的には、第1貫通孔52の開口の面積は、1μm2以上4μm2未満である。第2貫通孔54の開口の面積は、4μm2以上7μm2以下である。第1被覆層50は、複数図示の例では、36個の第1貫通孔52を有している。第1貫通孔52は、例えば、複数行複数列に配置されている。また、第1貫通孔52は、第2電極24の梁部24bの上方を避けて配置されている。すなわち、第1貫通孔52と第2電極24の梁部24bとは、基板10の厚み方向から平面視において、重ならない。なお、第1貫通孔52の配置は、空洞部1を形成するリリース工程において、空洞部1を形成することができれば特に限定されない。第1被覆層50は、複数図示の例では、2つの第2貫通孔54を有している。なお、第2貫通孔54の数は特に限定されず、例えば、1つであってもよいし3つ以上であってもよい。第2貫通孔54の数は、例えば、第1貫通孔52の数よりも少ない。第2貫通孔54は、例えば、空洞部1を画成する被覆構造体30の側面32図示の例では、層間絶縁層60,62の側面61,63の近傍に配置される。例えば、被覆構造体30の側面32と第2貫通孔54との間の距離L2は、被覆構造体30の側面32と第1貫通孔54との間の距離L1よりも小さい。ここで、被覆構造体30の側面32と第2貫通孔54との間の距離L2とは、被覆構造体30の側面32と第2貫通孔54との間の最短距離をいう。同様に、被覆構造体30の側面32と第1貫通孔52との間の距離L1とは、被覆構造体30の側面32と第1貫通孔52との間の最短距離をいう。なお、第2貫通孔54の位置は、図示の例に限定されず、任意の位置に配置されていてもよい。第2被覆層58は、第1被覆層50上に配置されている。第2被覆層58は、第1貫通孔52および第2貫通孔54を塞いでいる。これにより、貫通孔52,54を通じて、外部から気体等が空洞部1内に浸入することを防ぐことができる。第2被覆層58は、例えば、第1被覆層50に設けられたすべての貫通孔52,54を塞いでいる。第2被覆層58としては、例えば、アルミニウム層、チタン層、または、アルミニウム層およびチタン層の積層体を用いることができる。第1被覆層50および第2被覆層58は、空洞部1を上方から覆って、空洞部1を封止する封止部材として機能することができる。第1層間絶縁層60および第2層間絶縁層62は、図1に示すように、第2下地層16上に形成されている。電子装置100は、2層の層間絶縁層60,62を有しているが、その数は特に限定されず、例えば、金属層の数によって適宜変更されることができる。第1層間絶縁層60の側面61および第2層間絶縁層62の側面63は、被覆構造体30の側面32を構成している。すなわち、層間絶縁層60,62の側面61,63は、空洞部1に面している。層間絶縁層60,62としては、例えば、酸化シリコン層を用いることができる。第1層間絶縁層60と第1配線26との間には、酸化シリコン層42が形成されていてもよい。なお、ここでは、被覆構造体30が、第1被覆層50、第2被覆層58、および層間絶縁層60,62を含んで構成されている場合について説明したが、被覆構造体30は、これに限定されず、例えば、図示はしないが、第1被覆層50、第2被覆層58、および包囲壁40を含んで構成されていてもよい。すなわち、被覆構造体30の側面が、包囲壁40の側面で構成されていてもよい。包囲壁40は、第2下地層16上であって、空洞部1の周囲に形成されている。図示の例では、包囲壁40は、層間絶縁層60,62に埋め込まれている。包囲壁40は、基板10の厚み方向からの平面視において、機能素子20を囲む形状を有する。包囲壁40の平面形状は、特に限定されず、例えば、円形状、多角形状などの任意の形状である。包囲壁40は、例えば、図1に示すように、第1金属層44、および第2金属層46を含んで構成されている。図示の例では、基板10側から、第1金属層44、第2金属層46の順で積層されている。金属層44,46としては、例えば、アルミニウム層、チタン層、または、アルミニウム層およびチタン層の積層体を用いることができる。なお、図示の例では、包囲壁40は、2層の金属層44,46を有しているが、金属層の数は特に限定されず、1層でもよいし、3層以上でもよい。包囲壁40の金属層44,46および第1被覆層50には、一定の電位例えば接地電位が与えられることが望ましい。これにより、金属層44,46および第1被覆層50を、電磁シールドとして機能させることができる。そのため、機能素子20を、外部と電気的に遮蔽することができる。これにより、機能素子20は、より安定した特性を有することができる。パッシベーション層70は、第2層間絶縁層62上に形成されている。パッシベーション層70としては、例えば、窒化シリコン層を用いることができる。本実施形態に係る電子装置100は、例えば、以下の特徴を有する。電子装置100では、被覆構造体30が、第1貫通孔52および第2貫通孔54を有し、第2貫通孔54は、第1貫通孔52よりも大きい。そのため、第1被覆層の貫通孔がすべて同じ大きさである場合と比べて、第1貫通孔52および第2貫通孔54を塞ぐ工程において、すべての第1貫通孔52が塞がれても第2貫通孔54は塞がれておらず、工程の最終段階で第2貫通孔54が塞がれることになる。これにより、空洞部の封止を確実に行いつつ、空洞部が封止された後から成膜が終了するまでの時間を短くすることができる。したがって、空洞部が封止された後に空洞部内で発生するガスの量を低減することができ、空洞部内の真空度を高めることができる。そのため、電子装置100は、良好な特性を有することができる。以下、その理由について説明する。スパッタ法による成膜では、成膜時に発生する熱等で、空洞部に面する絶縁層等からガスが発生する。そのため、成膜工程中において、貫通孔が塞がって空洞部が封止された後は、このガスは排出されずに空洞部内を滞留し、空洞部の真空度が低下してしまう。したがって、空洞部が封止された後から成膜を終了するまでの時間は、短いことが望ましい。しかしながら、本工程において、空洞部が封止された後から成膜を終了するまでの時間を短くするために、成膜時間を短く設定すると、ウエハー内の位置やウエハー間で成膜速度にばらつきがあるため、すべての貫通孔が塞がれずに、歩留まりが低下する場合があった。電子装置100では、貫通孔52,54を塞ぐ工程において、スパッタ法により第2被覆層58を成膜すると、まず、第1貫通孔52が塞がれる。このとき、第2貫通孔54は、第1貫通孔52よりも大きいため、塞がれていない。そのため、空洞部1内で発生したガスは、第2貫通孔54から排気される。さらに成膜を進めると、第2貫通孔54が塞がれて、空洞部1が封止される。そのため、貫通孔がすべて同じ大きさである場合に比べて、空洞部の封止を確実に行いつつ、空洞部が封止された後から成膜が終了するまでの時間を短くすることができる。したがって、空洞部1内の真空度を高めることができる。なお、ここでは、第2被覆層58をスパッタ法によって成膜する場合について説明したが、CVD法等のその他の気相成長法によっても、同様の問題が生じる。電子装置100によれば、そのような場合であっても、同様に、空洞部1内の真空度を高めることができる。電子装置100では、第1被覆層50が、第1貫通孔52を複数有することができる。これにより、空洞部1を形成するリリース工程において、エッチング液やエッチングガスを効率よく供給することができる。電子装置100では、第1貫通孔52の開口の面積が、1μm2以上4μm2未満であり、第2貫通孔54の開口の面積が、4μm2以上7μm2以下である。貫通孔の開口の面積が1μm2よりも小さい場合、空洞部を形成するリリース工程において、貫通孔を通しエッチングを行うことができなくなる場合がある。また、貫通孔の開口の面積が7μm2よりも大きい場合、貫通孔を塞ぐ工程において、貫通孔を確実に塞ぐことができない場合がある。したがって、第1貫通孔52の開口の面積および第2貫通孔54の開口の面積が上記の範囲にあることにより、空洞部1を形成するリリース工程において、良好なエッチングを行うことができ、かつ貫通孔52,54を塞ぐ工程において、貫通孔52,54を確実に塞ぐことができる。電子装置100では、被覆構造体30の側面32と第2貫通孔54との間の距離L2が、被覆構造体30の側面32と第1貫通孔52との間の距離L1よりも小さい。これにより、貫通孔52,54を塞ぐ工程において、被覆構造体30の側面32から発生するガスを効率よく排出することができる。電子装置100では、第1貫通孔52が、第2電極24の梁部24bの上方を避けて配置されている。これにより、貫通孔52,54を塞ぐ工程において、貫通孔52,54を通して、空洞部1内に第2被覆層58を構成する材料が浸入し、当該材料が機能素子20の梁部24b上に堆積することを防ぐことができる。2.電子装置の製造方法次に、本実施形態に係る電子装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図3~図8は、本実施形態に係る電子装置100の製造工程を模式的に示す断面図である。なお、図3~図8は、図1に対応している。図3に示すように、支持基板12上に、第1下地層14および第2下地層16をこの順で形成して、基板10を得る。第1下地層14は、例えば、STIshallowtrenchisolation法、LOCOS法により形成される。第2下地層16は、例えば、CVDChemicalVaporDeposition法、スパッタ法により形成される。図4に示すように、第2下地層16上に、第1電極22、および第1電極22に接続された第1配線層26を形成する。第1電極22および第1配線層26は、一体的に形成されることができる。より具体的には、第1電極22および第1配線層26は、CVD法やスパッタ法などによって成膜された後、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によってパターニングされることにより形成される。第1電極22および第1配線層26が多結晶シリコンからなる場合、導電性を付与するために所定の不純物をドーピングする。次に、熱酸化処理を行うことにより、第1電極22を覆う犠牲層23を形成する。犠牲層23は、図4に示すように、第1配線層26を覆っていてもよい。これにより、酸化シリコン層42が形成される。次に、犠牲層23上に第2電極24を形成し、さらに、第2下地層16上に第2配線層28を形成する。第2電極24および第2配線層28は、一体的に形成されることができる。第2電極24および第2配線層28は、例えば、第1電極22および第1配線層26と同様の成膜処理およびパターニング処理により形成される。第2電極24および第2配線層28が多結晶シリコンからなる場合、導電性を付与するために所定の不純物をドーピングする。図5に示すように、基板10の上方に第1層間絶縁層60を形成する。第1層間絶縁層60は、例えば、CVD法や塗布スピンコート法などで形成することができる。第1層間絶縁層60を形成した後に、第1層間絶縁層60の表面を平坦化する処理を行ってもよい。次に、第1層間絶縁層60上に第1金属層44を形成する。第1金属層44は、例えば、スパッタ法、めっき法などによって成膜された後、パターニングされることによって形成される。図6に示すように、第1層間絶縁層60上に第2層間絶縁層62を形成する。第2層間絶縁層62は、例えば、第1層間絶縁層60と同じ方法で形成される。次に、第2層間絶縁層62をパターニングして、第1金属層44が露出するように、開口部62aを形成する。次に、開口部62a内に、第2金属層46を形成し、さらに、機能素子20の上方に、第1被覆層50を形成する。第2金属層46および第1被覆層50は、一体的に形成されることができる。第2金属層46および第1被覆層50は、例えば、第1金属層44と同じ方法で形成される。以上の工程により、包囲壁40を形成することができる。次に、第1被覆層50をパターニングして、第1貫通孔52および第2貫通孔54図2参照を形成する。図7に示すように、第2層間絶縁層62上にパッシベーション層70を形成する。パッシベーション層70は、例えば、CVD法やスパッタ法などによって成膜された後、パターニングされることによって形成される。パッシベーション層70は、機能素子20の上方に開口部70aが形成されるようにパターニングされる。図8に示すように、貫通孔52,54を通して、機能素子20の上方の層間絶縁層60,62および犠牲層23をエッチング除去して、空洞部1を形成するリリース工程。エッチングは、例えば、フッ化水素酸や緩衝フッ酸フッ化水素酸とフッ化アンモニウムとの混合液などのエッチング液を用いたウェットエッチングによって行われる。また、エッチングは、フッ化水素ガス等のエッチングガスを用いたドライエッチングによって行われてもよい。図1に示すように、第1被覆層50上に第2被覆層58を形成する。これにより、貫通孔52,54を塞ぐことができ、空洞部1を封止することができる。第2被覆層58は、例えば、スパッタ法、CVD法などの気相成長法により形成することができる。これにより、空洞部1を減圧状態のまま封止することができる。本工程において、第2被覆層58の成膜を開始すると、まず、第1貫通孔52が塞がれる。このとき、第2貫通孔54は、第1貫通孔52よりも大きいため、塞がれていない。そのため、空洞部1内で発生したガスは、第2貫通孔54から排気される。さらに成膜を進めると、第2貫通孔54が塞がれて、空洞部1が封止される。以上の工程により、被覆構造体30を形成することができる。以上の工程により、本実施形態に係る電子装置100を製造することができる。本実施形態に係る電子装置100の製造方法は、例えば、以下の特徴を有する。電子装置100の製造方法によれば、被覆構造体30が、第1貫通孔52および第2貫通孔54を有し、第2貫通孔54は、第1貫通孔52よりも大きいため、上述のように、空洞部の封止を確実に行いつつ、空洞部が封止された後から成膜が終了するまでの時間を短くすることができる。したがって、空洞部が封止された後に空洞部内で発生するガスの量を低減することができ、空洞部内の真空度を高めることができる。そのため、良好な特性を有する電子装置を得ることができる。電子装置100の製造方法によれば、第1被覆層50が、第1貫通孔52を複数有することができる。これにより、空洞部1を形成するリリース工程において、エッチング液やエッチングガスを効率よく供給することができる。電子装置100の製造方法によれば、第1貫通孔52の開口の面積が、1μm2以上4μm2未満であり、第2貫通孔54の開口の面積が、4μm2以上7μm2以下であるように形成される。これにより、空洞部1を形成するリリース工程において、良好なエッチングを行うことができ、かつ貫通孔52,54を塞ぐ工程において、確実に貫通孔52,54を塞ぐことができる。電子装置100の製造方法によれば、被覆構造体30の側面32と第2貫通孔54との間の距離L2が、被覆構造体30の側面32と第1貫通孔52との間の距離L1よりも小さくなるように形成される。これにより、貫通孔52,54を塞ぐ工程において、被覆構造体30の側面32から発生するガスを効率よく排出することができる。電子装置100の製造方法によれば、第1貫通孔52が、第2電極24の梁部24bの上方を避けて配置されるように形成される。これにより、貫通孔52,54を塞ぐ工程において、貫通孔52,54を通して、空洞部1内に第2被覆層58を構成する材料が浸入し、機能素子20の梁部24bに堆積することを防ぐことができる。3.電子装置の変形例次に、本実施形態の変形例に係る電子装置について、図面を参照しながら説明する。図9は、本実施形態の変形例に係る電子装置200を模式的に示す断面図である。図10は、本実施形態の変形例に係る電子装置200を模式的に示す平面図である。なお、図9は図10のIX-IX線断面図である。また、図10では、便宜上、第2被覆層58、包囲壁40、層間絶縁層60,62、およびパッシベーション層70の図示を省略している。以下、本実施形態の変形例に係る電子装置200において、本実施形態に係る電子装置100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。上述した電子装置100の例では、図1および図2に示すように、第2電極24は、1つの第1電極22に対して2つ設けられていた。これに対して、電子装置200では、図9および図10に示すように、第2電極24は、1つの第1電極22に対して1つ設けられている。電子装置200によれば、電子装置100と同様の作用効果を奏することができる。なお、電子装置200の製造方法は、上述した電子装置100の製造方法と、1つの第1電極22に対して1つの第2電極24を設ける点を除いて同様であり、その説明を省略する。4.発振器次に、本実施形態に係る発振器について、図面を参照しながら説明する。図11は、本実施形態に係る発振器400を示す回路図である。発振器400は、図11に示すように、本発明に係る電子装置例えば電子装置200と、反転増幅回路410と、を含んで構成されている。電子装置200は、第1配線層26に電気的に接続された第1端子200aと第2配線層28に電気的に接続された第2端子200bとを有している。電子装置200の第1端子200aは、反転増幅回路410の入力端子410aと少なくとも交流的に接続する。電子装置200の第2端子200bは、反転増幅回路410の出力端子410bと少なくとも交流的に接続する。図示の例では、反転増幅回路410は、1つのインバーターから構成されているが、所望の発振条件が満たされるように、複数のインバーター反転回路や増幅回路を組み合わせて構成されていてもよい。発振器400は、反転増幅回路410に対する帰還抵抗を含んで構成されていてもよい。図11に示す例では、インバーター412の入力端子と出力端子とが抵抗420を介して接続されている。発振器400は、反転増幅回路410の入力端子410aと基準電位接地電位との間に接続された第1キャパシター430と、反転増幅回路410の出力端子410bと基準電位接地電位との間に接続された第2キャパシター432と、を含んで構成されている。これにより、電子装置200とキャパシター430,432とで共振回路を構成する発振回路とすることができる。発振器400は、この発振回路で得られた発振信号fを出力する。発振器400を構成するトランジスターやキャパシター等の素子図示せずは、例えば、基板10上に図9参照形成されていてもよい。これにより、電子装置200と反増幅回路410をモノリシックに形成することができる。発振器400を構成するトランジスター等の素子を基板10上に形成する場合、発振器400を構成するトランジスター等の素子を、上述した電子装置200電子装置100を形成する工程と同一の工程で形成してもよい。具体的には、犠牲層23を形成する工程において図4参照、トランジスターのゲート絶縁層を形成してもよい。さらに、第2電極24を形成する工程において図4参照、トランジスターのゲート電極を形成してもよい。このように、電子装置200の製造工程と発振器400を構成するトランジスター等の素子の製造工程を共通化することで、製造工程の簡素化を図ることができる。発振器400によれば、良好な特性を有する電子装置200を含む。そのため、発振器400は、良好な特性を有することができる。発振器400は、図12に示すように、さらに、分周回路440を有していてもよい。分周回路440は、発振回路の出力信号Voutを分周し、発振信号fを出力する。これにより、発振器400は、例えば、出力信号Voutの周波数よりも低い周波数の出力信号を得ることができる。なお、上述した実施形態及び変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば各実施形態及び各変形例は、複数を適宜組み合わせることが可能である。本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。"