"溝加工の間隔に合わせて直線状に並設された複数の加工軸を備え、ガラス基板に半導体薄膜が形成されたワークに対して前記加工軸を前記並設方向と直交する方向に相対的に移動させ、薄膜に対して複数の溝を同時に加工するレーザスクライブ加工方法であって、前記ワークが正規位置から加工方向に対して傾いて装填されたとき、前記傾きによって減少する隣接する溝間隔を隣接する前記加工軸の軸間距離を増大させることによって補正する工程を備えていることを特徴とするレーザスクライブ加工方法。請求項1記載のレーザスクライブ加工方法であって、前記補正する工程が、前記ワークの正規位置からの傾きを計測する工程と、計測された傾きに基づいて前記増大させる軸間距離の補正倍率を演算する工程と、前記隣接する加工軸の軸間距離に前記演算された補正倍率を乗算し、補正軸間距離を取得する工程と、前記隣接する加工軸の軸間距離を前記取得された補正軸間距離まで移動させる工程と、を含むことを特徴とするレーザスクライブ加工方法。請求項1又は2記載のレーザスクライブ加工方法であって、前記ワークが太陽電池であることを特徴とするレーザスクライブ加工方法。溝加工の間隔に合わせて直線状に並設された複数の加工軸を備え、ガラス基板に半導体薄膜が形成されたワークに対して前記加工軸を前記並設方向と直交する方向に相対的に移動させ、薄膜に対して複数の溝を同時に加工するレーザスクライブ加工装置であって、前記ワークが正規位置から加工方向に対して傾いて装填されたとき、前記傾きによって減少する隣接する溝間隔を隣接する前記加工軸の軸間距離を増大させることによって補正する制御手段を備えていることを特徴とするレーザスクライブ加工装置。請求項4記載のレーザスクライブ加工装置であって、前記制御手段は、前記ワークの正規位置からの傾きを計測し、計測された傾きに基づいて前記増大させる軸間距離の補正倍率を演算し、前記隣接する加工軸の軸間距離に前記演算された補正倍率を乗算して補正軸間距離を取得し、前記隣接する加工軸の軸間距離を前記取得された補正軸間距離まで移動させることを特徴とするレーザスクライブ加工装置。請求項4又は5記載のレーザスクライブ加工装置であって、前記ワークが太陽電池であることを特徴とするレーザスクライブ加工装置。前記特許文献1記載の技術では、レーザ光の照射位置を一定に保持することが可能となり、加工部の品質の向上を図ることができるが、ガルバノモータを2軸使用し、あるいは回転テーブルを使用するので、装置が大型化し、その分装置製造のコストが増加せざるを得なかった。そこで、本発明が解決しようとする課題は、ガルバノモータの搭載個数を削減するとともに回転テーブルを不要にし、装置の小型化と装置コストの低減を図ることにある。前記課題を解決するため、第1の手段は、溝加工の間隔に合わせて直線状に並設された複数の加工軸を備え、ガラス基板に半導体薄膜が形成されたワークに対して前記加工軸を前記並設方向と直交する方向に相対的に移動させ、薄膜に対して複数の溝を同時に加工するレーザスクライブ加工方法であって、前記ワークが正規位置から加工方向に対して傾いて装填されたとき、前記傾きによって減少する隣接する溝間隔を隣接する前記加工軸の軸間距離を増大させることによって補正する工程を備えていることを特徴とする。この場合、前記補正する工程は、前記ワークの正規位置からの傾きを計測する工程と、計測された傾きに基づいて前記増大させる軸間距離の補正倍率を演算する工程と、前記隣接する加工軸の軸間距離に前記演算された補正倍率を乗算し、補正軸間距離を取得する工程と、前記隣接する加工軸の軸間距離を前記取得された補正軸間距離まで移動させる工程と、を含む。第2の手段は、溝加工の間隔に合わせて直線状に並設された複数の加工軸を備え、ガラス基板に半導体薄膜が形成されたワークに対して前記加工軸を前記並設方向と直交する方向に相対的に移動させ、薄膜に対して複数の溝を同時に加工するレーザスクライブ加工装置であって、前記ワークが正規位置から加工方向に対して傾いて装填されたとき、前記傾きによって減少する隣接する溝間隔を隣接する前記加工軸の軸間距離を増大させることによって補正する制御手段を備えていることを特徴とする。この場合、前記制御手段は、前記ワークの正規位置からの傾きを計測し、計測された傾きに基づいて前記増大させる軸間距離の補正倍率を演算し、前記隣接する加工軸の軸間距離に前記演算された補正倍率を乗算して補正軸間距離を取得し、前記隣接する加工軸の軸間距離を前記取得された補正軸間距離まで移動させる制御を実行する。なお、第1及び第2の手段において、ワークとしては例えば太陽電池が挙げられる。本発明によれば、ガルバノモータの搭載個数を削減するとともに回転テーブルを不要にすることが可能となり、装置の小型化と装置コストの低減を図ることができる。本発明は、加工軸の軸間隔の補正処理によってワークの回転補正を行って薄膜ワークにスクライブ加工を施すことにより、ガルバノモータの搭載個数を削減し、回転テーブルを不要にしたことを特徴とする。以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。図1は、本発明の実施形態に係るワーク加工装置の制御構成の概略を示す機能ブロック図である。同図において、本実施形態に係るワーク加工装置は、記憶装置10、演算装置20、制御装置30、軸間調整装置40、回転角検出装置60及び加工点調整装置80から基本的に構成され、制御装置30によってワーク70の各加工軸50~59を制御するようになっている。加工軸50~59は、図1では、第1ないし第nnは1以上の整数の加工軸として示し、図示の都合上、第1の加工軸図では加工軸1と記す50、第2の加工軸図では加工軸2と記す51、第n-1の加工軸図では加工軸n-1と記す58、第nの加工軸図では加工軸nと記す59として参照符号を付している。記憶装置10は加工する位置座標を記憶する。演算装置20は回転角検出装置60からのワーク回転角信号を演算し、軸間ピッチ補正倍率Cを求める。また、記憶装置10から入力された軸間ピッチ指令値と軸間ピッチ補正倍率Cを乗算し、制御装置30へ軸間ピッチ調整のための信号を送信する。さらに、記憶装置10から入力された加工指令値を演算し、加工に必要な加工座標などの制御情報を制御装置10に送信する。制御装置30は演算装置20からの信号を受け、第1ないし第nの加工軸50~59を制御する信号を送信し、軸間調整装置40へ軸間ピッチを調整する信号を送信する。軸間調整装置40は制御装置30からの信号を受け、第1ないし第nの加工軸50~59を移動させ、第1ないし第nの加工軸50~59の軸間を変更する。第1ないし第nの加工軸50,51,52,58,59は、制御装置30からの信号を受け、ワーク70に対し加工を行う。各加工軸は連結されており、同時に加工ができる。よって、図3に示すように各軸がY座標方向に並んでいる場合の例では、第1の加工軸50がワーク70上の座標X1,Y1にあるとき第2の加工軸51は座標X1,Y1Aw1に、第3の加工軸52はX1,Y1Aw1Aw2、第nの加工軸59はX1,Y1Aw1Aw2...Awn-1にあり、その場所を加工できる。当然、加工軸はY座標方向の並びに限定するものではなく、X座標、Z座標方向などであってもよい。なお、ここでは、隣接する第k及び第k1の加工軸k=1,2,3n-1の座標をある座標軸に投影した点間の距離を軸間ピッチAw1~Awn-1と称する。軸間ピッチは軸間調整装置40により各加工軸間の位置が調整され、軸間ピッチが変更される。回転角検出装置60は正規の装填位置からのワーク70が装填された回転角度を測定し、演算装置20へワーク回転角度信号を送信する。ワーク70は、加工対象物である。本実施形態では、ガラス基板に半導体薄膜を成膜した太陽電池である。加工点調整装置80は、制御装置30からの信号を受け、第1ないし第nの加工軸50~59又はワーク70を移動させ、ワーク70上の加工予定位置加工点に加工軸を合わせる。加工装置では、例えばXYテーブルがそれに当たる。図3はワークが回転せず、加工装置の加工テーブルの正規の装填位置にワークが装填された場合における加工状態を示す説明図である。同図では、第1ないし第nの加工軸50,51,52,58,59を軸間ピッチAw1,Aw2,Awn-1に設定して加工を行う。各加工軸は連結されているため、第1の加工軸50を座標A1からB1に向けて移動しながら加工する場合、第2の加工軸51はA2からB2に、第3の加工軸52はA3からB3に、第nの加工軸59はAnからBnに、それぞれ移動し、加工する。このときスクライブ加工線100,101,102,108,109間の距離は、軸間ピッチAw1,Aw2,Awn-1に等しい。これは、ワーク70が加工装置の加工テーブルの正規の位置に装填されていることから当然である。なお、スクライブ加工線100,101,102,108,109は、ワーク70が正規の位置に装填された場合において、第1ないし第nの加工軸50~59によってスクライブ加工された線である。図4は従来の加工装置において、ワークが正規位置から回転角θズレて加工テーブルに装填された場合における加工状態を示す説明図である。この場合も、図3の場合と同様に第1ないし第nの加工軸50,51,52,58,59の各加工軸を軸間ピッチAw1,Aw2,Awn-1に設定し、第1の加工軸50をワーク70の回転角θに合わせ座標A1aからB1aに向けて移動しつつ加工するとき、第2の加工軸51はA2aからB2aに、第3の加工軸52はA3aからB3aに、第nの加工軸59はAna~Bnaに移動する。この移動によってスクライブ加工線110,111,112,118,119が加工されるが、隣り合う任意の加工軸第kの加工軸と第k1の加工軸k=1,2,,n-1によって加工されたスクライブ加工線間の距離垂直方向Awkaは、Awka=AwkXcosθ1ただし、k=1,2,,n-1θ:正規の装填位置に対するワークの回転角で表される。この1式から、cosθ分スクライブ加工線間の距離が縮まることが分かる。このことから、ワークの装填位置が傾くと、太陽電池の性能に大きく影響するスクライブ加工線間の距離が設計通りにならず、本来意図した性能を得ることができなくなることが分かる。なお、図4におけるスクライブ加工線未補正スクライブ加工線110,111,112,118,119は、ワーク70が回転角θを持って加工装置に装填され、回転補正を行わない場合において、第1ないし第nの加工軸50~59によってスクライブ加工された線である。図5は本実施形態における加工状態を示す説明図である。図5では、図4の場合と同様にワークが正規位置からθの回転角ずれて加工テーブルに装填されている。また、図2は、図5に示した本実施形態における加工状態で加工する加工手順を示すフローチャートである。本実施形態における加工手順では、まず、加工装置の加工テーブルにワーク70を装填するステップS1。ワーク70が装填された後、回転角検出装置60によってワーク70の正規位置からの回転角度を計測するステップS2。計測値は演算装置20に入力され、演算装置20で軸間隔補正倍率Cを、C=1/cosθ2ただし、θ:正規の装填位置に対するワークの回転角に基づいて演算するステップS3。次いで、記憶装置10から演算装置20に加工指令値、軸間ピッチ指令値が入力されるステップS4。演算装置20は、入力された正規の装填位置用の軸間隔指令値Aw1~Awn-1=軸間ピッチに対し、前記2式で求められた軸間隔補正倍率Cをそれぞれ乗算し、Dwk=CXAwk3=Awk/cosθただし、k=1,2,,n-1から補正軸間隔Dw1~Dwn-1を得るステップS5。さらに、制御装置30は演算装置20からの信号を受け、軸間隔調整装置40へ各軸の間隔をDw1~Dwn-1に調整する信号を送り、軸間隔調整装置40は軸間距離がAw1~Awn-1から3式で求められる補正軸間隔Dw1~Dwn-1となるように移動させ、軸間隔を調整するステップS6。調整が終了すると、調整により広がった状態で加工点調整装置80によって加工点をA1bからB1b、A2bからB2b、A3bからB3b、AnbからBnbへの移動させながら補正スクライブ加工線210,211,212,218,219を加工するステップS7。そして、加工が終了したらワーク70を排出するステップS8。なお、補正スクライブ加工線210,211,212,218,219はワーク70が回転角θを持って加工装置に装填され、本実施形態における回転補正を行った場合に、第1ないし第nの加工軸50~59によってスクライブ加工された線である。このように、本実施形態によれば、ワーク70の装填時の回転により軸間隔が狭まった分を広げ、回転による影響を打ち消すことにより、設計通りの軸間隔でスクライブ加工を行うことができる。また、スクライブ加工線210~219の平行方向延長方向に対して回転補正を行わないので、スクライブ加工開始座標及び終了座標はずれてしまう。しかし、太陽電池のスクライブ加工ではワーク70を縦断していればよいことが多く、加工開始座標及び終了座標はワーク70外となれば十分であり、加工開始座標及び終了座標のズレは問題とならない。そのため、スクライブ加工方向に加工ストロークを長さL分余分に長くする処理により、ワーク70外へ加工開始座標及び終了座標を設定することができ、これにより太陽電池に必要な縦断加工を行うことができる。前記余分に長くするLは、L=tanθ×Aw1Aw2..Awn4式によって得ることができる。このように本実施形態によれば、ワーク70の回転補正を第1ないし第nの加工軸50,59の軸間距離の補正に置き換えてスクライブ加工を行うので、ガルバノモータの搭載個数を削減し、回転テーブルも不要とすることができる。その結果、装置の小型化、及び部品点数の削減及び小型による装置コストの低減を図ることが可能となる。なお、特許請求の範囲における溝加工の間隔は本実施形態では軸間ピッチAw1~Awn-1に、複数の加工軸は第1ないし第nの加工軸50~59に、ワークは符号70に、傾きはθに、増大補正された軸間隔は補正軸間隔Dw1~Dwn-1に、補正する工程はステップS2からステップS6の手順に、計測する工程はステップS2に、補正倍率を演算する工程はステップS3に、補正軸間距離を取得する工程はステップS5に、移動させる工程はステップS6に、制御手段は演算装置20及び制御装置30に、それぞれ対応する。さらに、本発明は前述した実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であり、特許請求の範囲に記載された技術思想に含まれる技術的事項の全てが本発明の対象となる。前記実施形態は、好適な例を示したものであるが、当業者ならば、本明細書に開示の内容から、各種の代替例、修正例、変形例あるいは改良例を実現することができ、これらは添付の特許請求の範囲に記載された技術的範囲に含まれる。"