"反応炉に含まれた流動ガス/固体混合物からガスを分離する方法であって、1回以上のガス注入ステップ、および、1回以上のガス放出ステップ、必要に応じて、1回以上の固体注入ステップ、および、1回以上の固体放出ステップを含み、前記反応炉の断面に平行して、空隙率0.7よりも大きい流動混合物の部分に配置された内部によって、前記ガスに混入された固体を分離するステップを含み、前記反応炉の自由断面の面に平行な前記内部の断面が、前記反応炉の自由断面の10未満を占め、そして、前記内部が、少なくとも2つの層の偏向板を含む1以上の単位内部を含む、方法。前記1以上の単一内部の同じ層の偏向板が、隣接した層の偏向板とは反対方向に傾斜されている、請求項1に記載の方法。前記反応炉の前記自由断面積に対する前記内部の投影領域の比率が、0.75よりも大きい、請求項1または2に記載の方法。前記内部が、固体の混入を制限し、かつ、前記内部を通るガスの速度を10よりも大きくは増加させないものとなっている、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。前記内部が、前記反応炉の前記自由断面の5未満を占め、そして、前記反応炉の前記自由断面積に対する前記内部の投影面積の比率が、0.8~1である、請求項1~4のいずれか一項に記載の方法。流動混合物を収容できる請求項1~5のいずれか一項に記載の方法を実行するための反応炉であって、ガスおよび固体入口ダクトと、1以上のガス放出ダクトと、1以上の固体放出ダクトと、前記反応炉の自由断面に平行して、前記反応炉の自由断面積の10未満を占める内部と、を含み、前記反応炉の前記自由断面に投影された前記内部の領域が、前記自由断面積の75よりも大きく、前記内部が、予測空隙率0.7よりも大きい前記反応炉の部分に配置され、そして、前記内部が、少なくとも2つの層の偏向板を含む1以上の単位内部を含む、反応炉。前記1以上の単一内部の同じ層の偏向板が、隣接した層の偏向板とは反対方向に傾斜されている、請求項6に記載の反応炉。前記内部が、前記反応炉の内側に少なくとも2つの単位内部を含み、前記単位内部が、一つの同じ層に沿って互いに平行して配置され、かつ、共に固定された少なくとも2つの層の偏向板を含み、そして、前記偏向板間の距離Eiは同じであるか異なる、請求項6または7に記載の反応炉。一つの層の偏向板の下側縁と、前記層の真下に配置された層の偏向板の上側縁とが、0~90°の角度αをなす、請求項6~8のいずれか一項に記載の反応炉。前記角度αが、0であるとき、前記一つの層の偏向板の下側縁が、前記層の真下に配置された層の偏向板の上側縁から距離dだけ離れて配置され、前記距離dが0~Eiである、請求項9に記載の反応炉。前記偏向板が、プレートで構成されて、sinθが前記プレートの幅Lに対する層の厚さhの比率となるように、前記反応炉の前記断面と角度θをなす、請求項6~10のいずれか一項に記載の反応炉。前記反応炉の前記断面に対する前記角度θが、10~90°、好ましくは、10~60°、さらに好ましくは、30~60°である、請求項6~11のいずれか一項に記載の反応炉。二つの連続した層C1及びC2における前記偏向板の角度θ1及びθ2が、同じであるか異なり、好ましくは、θ2が、θ190°又は180-θ1°である、請求項6~12のいずれか一項に記載の反応炉。前記単位内部が、少なくとも3つの層の偏向板を含んで、前記反応炉の前記断面に対して角度θiをなし、そして、前記単位内部が、前記少なくとも3つの層の上に置かれた、前記反応炉の前記断面に垂直な偏向板を含む、整流層としての第4の層を含む、請求項6~13のいずれか一項に記載の反応炉。前記偏向板各々が、前記プレートの代わりに少なくとも2つのフィンによって形成され、そして、前記フィンは、好ましくは、同じ幅を有し、0~90°の対相互角度をなす、請求項6~14のいずれか一項に記載の反応炉。流動触媒層におけるガス/固体分離のために、請求項6~15のいずれか一項に記載の反応炉において請求項1~5のいずれか一項に記載の方法を使用する方法。ガス/固体混合物中最も濃密でない部分において、前記反応炉の出口におけるディスエンゲ―ジャー/ストリッパーの流動層及び/又は触媒分解ユニットの再生器の流動層でのガス/固体分離に使用する、請求項16に記載の方法。したがって、本発明者は、流動層から放出されたガスから粒子を分離するプロセスを研究した。このプロセスは、最大量の粒子を流動層に向かって折り返すために、内部によって反応炉の可能な限り大きい断面積をカバーする即ち、占有されることを含む。ここで、可能な限り高い流量範囲flowareaを得るために反応炉の全てのレベルにおいて前記内部によって占有される面積領域を制限するとともに、前記反応炉の内側で前記内部が占める容積体積を制限する。本明細書において使用される用語反応炉の断面crosssectionofthereactorは、反応炉の軸を垂直に切断する面を意味する。自由断面freecrosssectionは、内部装置サイクロン、チューブ状ダクト、又は、その他の通常の装置を除いた、反応炉の断面の面において自由に残された流量範囲flowareaである。本発明の一つの目的は、反応炉に含まれた流動ガス/固体混合物からガスを分離する方法であって、流動混合物へのガスの一回以上の注入及び流動混合物からのガスの一回以上の放出を含み、必要に応じて、流動混合物への固体の一回以上の注入及び流動混合物からの固体の一回以上の放出を含む。この方法は、流動混合物の空隙率が0.7より大きい反応炉の部分の断面に平行して配置された内部によって、ガスに混入された固体を分離するステップを含み、反応炉の自由断面の面に平行した内部の断面が反応炉の自由断面の10より小さく、そして、内部は、少なくとも2層の偏向板を含む少なくとも1以上の単位内部unitaryinternalを含むことを特徴とする。本明細書に使用された用語固体solidは、流動混合物に使用される任意のタイプの物質を意味するが、流動混合物に使用される通常のサイズの固体粒子を参照し得る。1以上の単位内部単一の内部の一つの同じ層の偏向板は、隣接した層の偏向板とは反対方向に傾斜されているのが有利である。本明細書に使用された用語反対方向の角度angleinoppositedirectionは、反応炉の断面に対して一方は鋭角であり他方は鈍角である角度を意味するものと解される。本明細書において、内部が反応炉の自由断面の10未満を占めるときに、これは、反応炉の自由断面に平行した、又は、反応炉の自由断面の上に置かれた内部の断面によって占有された面積が、自由断面の面積の10未満であることを意味する。したがって、例えば、米国特許第4,589,352号に記載されたような先行技術の他のシステムとは異なり、内部の下に固体保持容量solidretentionvolumeは存在しない。流動混合物の空隙率は、流動混合物の総体積総容積に対するガスの体積容積の比率として定義される。したがって、流動混合物の濃密相densephaseは、空隙率が0.7未満のもの即ち、ガスの容積体積が流動混合物の容積の70未満であるときとして定義される。希釈相dilutephaseは、空隙率0.7よりも大きいもの即ち、ガスの容積が流動混合物の容積の70よりも大きいときとして定義される。流動混合物の空隙率を計算するために、流動混合物の構成成分の密度を概算することができる。流動混合物の空隙率、又は、その結果としての密度は、反応炉の幅、及び/又は、全体の高さにわたって均一なものではなく、特に、反応炉の上部及び下部間において大きく異なる。空隙率は、使用された固体の密度Ds、流動混合物の密度Dm、及び、流動混合物中に存在するガスの密度Dgから、計算され得る。この空隙率は、次の式Iによって計算される。流動混合物に含まれた固体及びガス混合物の密度は、当業者に知られた技術によって測定及び/又は計算され得る。流動混合物の密度は、流動混合物が液体として挙動すると仮定すれば文献[FluidizedEngineeringbyDaizoKuniiandOctaveLevenspiel2ndEdition1991]の第5頁参照、例えば、流動混合物において二つのレベルに置かれた圧力センサーによって圧力損失圧力降下を測定することによって得ることができる。流動混合物におけるこれらの二つの点間に測定された圧力損失圧力降下DPpressuredropは、次の式IIの通り、流動混合物の密度Dm、重力加速度gravitationalaccelerationg、及び、離れた2つの点間の距離Hの乗算の結果であるので、容易にDmを再計算することができる。本発明の別の実施例において、流動混合物が、温度約750°C、圧力2bar程度で70を超える窒素含量を含有するガス混合物において約1350kg/m3のバルク密度bulkdensityを有する固体を含有するのであれば、本発明の内部は、0.7を超える空隙率、及び、400kg/m3未満の密度を有する流動層の部分に配置されるのが好ましい。本発明の利点のうち一つは、全てのレベルの反応炉の断面に比べて単に僅かにガス流量範囲gasflowareaを減らし、かつ、僅かな圧力損失のみをもたらす内部に関する。結果として、ガスの速度は増加しないか、ほとんど増加しないし、この内部の存在によってもたらされた更なる粒子混入は観察されない。また、一つの層から別の層では反応炉の断面に対して反対方向に傾斜された少なくとも2つの層の偏向板を使用するという事実によって、反応炉の内側においてその内部によって占有される容積を減らすことができる。提案の内部は、ガスによって混入された固体粒子の動力学的エネルギーを減らすコンパクトな弾道セパレーターballisticseparatorとして働く。本発明の別の利点は、内部を貫通する際のガスの流速を増加させることによって、固体粒子を混入させるリスクなしに、希釈相において内部を任意のレベルで配置する能力である。内部を越えてのbeyond固体粒子混入の減少に関連した別の利点は、内部の下に置かれる希釈相の若干の濃密化densificationであり、それによって、関連した反応が発熱反応であるときに、その反応によって放出された熱のより良い発散、及び、起こりやすい副反応のより良い制御が可能となる。例えば、FCC触媒再生プロセス等の燃焼反応では、濃密化された固体粒子相の存在に起因して、一酸化炭素の燃焼によって生じた熱のより良い発散、それによる、後燃焼postcombustionによって引き起こされた温度偏差の減少が得られる。侵食を受けるユニットにおけるサイクロンの寿命を延ばすと共に、ユニットの修理に必要なシャットダウン期間を減らすことによって、生産損失及び修理装置のコストにかかわるコストを削減することができる。最終的に、そのユニットのスループット処理量は、サイクロン侵食cycloneerosionに基づくユニットの早期停止のリスクなしに増加され得る。本発明は、反応炉の自由断面積に対する内部の投影領域projectedareaの比率が0.75を超える内部をプロセスに使用することに関する。反応炉の自由断面積は、産業用の反応炉において、サイクロン、チューブ状ダクト、または、その他の通常の装置のようなその他の装置によって占有されていない面積領域、つまり、反応炉の断面の面において自由に残された流量範囲flowareaをいう。請求項に記載のプロセスにおいて、内部は、固体の混入を制限し、それを通るガスの速度を10より大きくは増加させない。また、内部は、反応炉の自由断面の5未満を占め、かつ、反応炉の自由断面積freecrosssectionalareaに対する内部の投影面積領域の比率が0.8~1となるように構成されるのが有利である。したがって、反応炉の自由断面100への内部の投影は、特に内部が反応炉の自由断面積の5よりも大幅に小さく占有するときに、本発明において達成できる最適条件であると考えられる。本発明の別の目的は、ガス及び固体入口ダクト、1以上のガス放出ダクトと、及び1以上の固体放出ダクトと、を備えた流動混合物を含むように設けられた反応炉である。その反応炉は、反応炉の自由断面積の10以下を占有する内部を有し、反応炉の自由断面に投影された内部の面積は、反応炉の自由断面積の75より大きく、内部は、流動混合物の空隙率が0.7未満である反応炉の部分に配置されている。流動層へ固体粒子を後退させる機能を果たすためには、内部が、反応炉の底に向かって固体をそらす即ち、偏向させる手段を含むのが望ましい。本発明によれば、この内部は、1以上の単位内部unitaryinternal、好ましくは、2以上の単位内部を含み、各々の単位内部は、少なくとも二つの層の偏向板を有し、第2の層の偏向板は、第1の層の偏向板とは反対方向に、反応炉の断面に対して傾斜されている。実際、広い面積領域では、内部は、反応炉の内側にいくつかの単位内部を含み得る。特に、産業用の規模の内部を製造するために、内部は、本発明の内部の特徴を獲得するために、単位内部を並べることjuxtapositionによって反応炉の自由断面の一部又は全部をカバーするように形成され得る。この実施形態において、任意の一つの層の偏向板は、必ずしも常に互いに平行している必要はないが、それは、産業用の内部はいくつかの単位内部で構成され得るからである。好ましくは、各々の単位内部は、一つ及び同じ層に沿って互いに平行して配置され、かつ、当業者に知られた任意の手段によって互いに固定された結び付けられた、少なくとも二つの層の偏向板を含む。一つ及び同じ層において離れた2つの偏向板間の距離Eiは、同じであっても良く、異なっていても良い。本発明の一つの実施例において、一つの層の偏向板の下側縁loweredgeと、そのすぐ下に配置された層の偏向板の上側縁upperedgeは、角度αをなし、その角度αは、0~90°の範囲である。好ましくは、角度αは0°または90°となるように選択される。角度αがゼロである場合、一つの層から別の層まで、偏向板は、一つの層の偏向板の下側縁が、そのすぐ下に配置された層の偏向板の上側縁から距離dだけ離れるように配置される。距離dは、0~Eiの範囲である。好ましい実施例において、全ての間隔spacingEiは、同じであり、dはEi/2である。一つ及び同じ層において、各々の偏向板は、1以上のプレートで構成されて、sinθがプレートの幅Lに対する層の厚さhの比率となるように、反応炉の断面と角度θをなす。好ましくは、Eiは、単位内部を通るガス‐固体ストリーム全てが偏向板と接触すうことを保証するために、Lと角度θのコサインの乗算値以下となるように選択される。同じ単位内部の層において、偏向板のプレートの幅Lは、一つの層から別の層へ変わり得る。好ましくは、角度θは、反応炉の断面に対して10~90°の範囲のものとして選択され、より好ましくは、10~60°の範囲である。さらに好ましくは、角度θは、各々の層の偏向板について、反応炉の断面に対して30~60°範囲のものとして選択される。2つの連続した層C1及びC2における偏向板の角度θ1及びθ2は、反応炉の断面に対して異なり、その一つ角度は鋭角acuteであり、もう一つは鈍角abtuseであるので、反対方向の傾斜が得られる。好ましい実施例において、θ2は、θ190°又は180-θ1°である。本発明の好ましい実施例において、単位内部は、少なくとも3つの層の偏向板を含んで、反応炉の断面に対して角度θiをなす。整流層と呼ばれる第4の層は、最初の3つの層の上に配置され、反応炉の断面に対して垂直な偏向板を含む。第4の層によって、最初の3つの層を通ったガスストリームは均一に流れるようになり、第4の層の偏向板の幅Lは、概してその上流に配置された層の偏向板の幅よりも小さく選択される。この構造において、角度θiは、第1の層の偏向板と第3の層の偏向板が、同じ方向に傾斜すると共に、第2の層の偏向板は前記方向第1の層の偏向板及び第3の層の偏向板の傾斜方向とは反対方向に傾斜するように、選択される。各々の偏向板が、上記プレートの代替として少なくとも2つのフィンfinで構成された場合、フィンは、同じ幅widthを有し、かつ、0~90°の対相互角度pairwiseangleをなすのが好ましい。かかる構成もまた本発明の範囲に入る。互いに隣接して配置された複数のフィンを使用し、互いに対する角度を0~90°にすることによって、反応炉の内側における内部の占める容積をさらに減らすことができる。二つの層が相互交差することも可能である。これは、WO00/35575に記載されたような内部の場合である。本発明の最終的な目的は、ガス/固体混合物における最も濃密でない部分において、流動触媒層におけるガス/固体分離、特に、反応炉の出口でのディスエンゲージャーdisengager/ストリッパーstripper、及び/又は、触媒分解ユニットの再生器の流動層におけるガス/固体分離のために前述した内部を備えた反応炉における前述したプロセスの使用である。本発明の一実施例において、内部は、流動層中密度400kg/m3未満のレベルの再生機regenerator内に配置されるのが有利である。本発明は、以下に示す実施例および図面に基づいて説明される。この実施例は、反応炉の断面に対して内部の投影領域の比率Psが0.5~1であるとき、ガス表面速度0.8m/sで混入された粒子の質量の変化variationを説明する。この実施例において、単位内部unitaryinternalは、実験用反応炉におけるその使用用途に応じて釣り合わせられた。内部を配置した反応炉は、直径0.34mであった。反応炉の使用条件下で、希釈相は3.5mの高さを有する。内部は、3つの層で構成され、二つの連続した層間の角度αは0である。第1および第3の層はそれぞれ4つの偏向板を有するが、第2の層は幾何学的制限により、そして、ガスおよび固体の循環をブロックする任意のバッフルbaffleを回避するために、3つの偏向板のみ有する。より下の層において、プレートの傾斜角度θは45°である。その真上の層において、その角度θは135°であり、そして、第3の層において、その角度はまた45°である。偏向板間の距離Eiは0.07メートルである。偏向板を構成するプレートの幅Lは0.1メートルである。第1の層の偏向板の上側縁と、第2の層の偏向板の下側縁間の距離dはE/2即ち、0.035mに固定されている。各々の層の厚さは、0.07m偏向板の幅L×角度θのサインである。こうして設計された内部の高さは、0.21m即ち、反応炉の希釈相の総高さの略6である。この内部では、反応炉の断面に対する内部の投影領域projectedareaの比率、Psは1である。以下の表1に示したPs値0.75および0.5を得るために、層あたりそれぞれ1つおよび2つの偏向板を撤回するwithdraw。反応炉の断面に対する内部の投影領域の比率Psが高ければ高いほど、ガスに混入された粒子の質量massが低くなることがわかる。この実施例は、2つまたは3つの層Ncのを偏向板を有する内部を使用したとき、表面ガス速度0.8m/sにおいて混入された粒子の質量の変化を説明する。この場合、反応炉の断面に対する内部の投影領域の比率Psは1である。本発明の好ましい構造において、偏向板の層は、Nc=2では、θ1=45°、θ2=θ190°、α=0°となるように、そして、Nc=3では、θ1=45°、θ2=θ190°、θ3=θ1、α=0°となるように配向されている。Lは0.28mであるので、2つのプレート間の距離Eiは0.198mであり、かつ、各々の層の高さhは0.198mである。偏向板を備えた層の数が多くなれば、ガスに混入された粒子の質量は低くなることがわかる。"