"少なくともリチウム前駆体、ルイス塩基、及び溶媒を含む液体混合物を用いる、CVDによるリチウムベースの層の形成方法。前記液体混合物が、エアロゾルの形状で噴霧され、その後蒸発することを特徴とする請求項1に記載のCVDによるリチウムベースの層の形成方法。前記層が、LiPON、LiSiPON又はLi,LaTiO3から形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載のCVDによるリチウムベースの層の形成方法。前記ルイス塩基が、有利にはTMEDAN,N,N’,N’-テトラエチレンジアミン型、又はTMPDAN,N,2,2-テトラメチル-1,3-プロパンジアミン型のアミンであることを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載のCVDによるリチウムベースの層の形成方法。前記リチウム前駆体が、有機金属前駆体である、有利にはアルコキシド、β-ジケトナート、又はアミドであることを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載のCVDによるリチウムベースの層の形成方法。前記溶媒が、トルエン若しくはオクタン等の、非含酸素脂肪族の若しくは芳香族の有機溶媒、又は、ブタノール若しくはイソプロパノール等の、アルコール型の含酸素有機溶媒であることを特徴とする請求項1から5の何れか一項に記載のCVDによるリチウムベースの層の形成方法。前記リン前駆体及び/又は前記窒素前駆体が、液体形状で、又は溶液の形状でも現れることを特徴とする請求項3から6の何れか一項に記載のCVDによるリチウムベースの層の形成方法。前記リン前駆体及び/又は前記窒素前駆体が、前記リチウム前駆体を含む前記液体混合物に加えられることを特徴とする請求項7に記載のCVDによるリチウムベースの層の形成方法。前記層が、三次元テクスチャ構造体上に形成されることを特徴とする請求項1から8の何れか一項に記載のCVDによるリチウムベースの層の形成方法。前記層が、マイクロバッテリーの電解質を形成することを特徴とする請求項1から9の何れか一項に記載のCVDによるリチウムベースの層の形成方法。従って、実際には本発明は、三次元基板上の薄膜バッテリーのための、リチウムベースの電解質を形成する方法を目的とする。この電解質は、例えばリチウムLi、リンP、酸素O、及び窒素Nを含むLiPONであり得る。すでに述べられたように、このような文脈では、適合する堆積技術はCVDである。再び述べると、CVDは、特定の圧力及び温度条件に置かれた気体混合物の特定の元素が、化学反応によって、表面を形成する材料上に堆積することにより、気相状態から固相状態へと移行する際に、表面上に薄層を形成する方法である。CVDは、プラズマ強化され得るPE-CVD。そして、室温で気体又は液体形状の、CVDに適合するリチウム化合物は存在しないため、主な困難はリチウムに由来する。これまでで唯一利用可能な選択肢は、引用文献1で開示されたような固体前駆体を用いることである。本発明は、中間液相を経由することを含む、特に適切な代替溶液を提供する。実際に、固体よりも液体を蒸発させる方が容易である。さらに具体的には、本発明は、リチウムベースの層をCVDによって形成する方法に関するもので、リチウム前駆体はルイス塩基を含む混合物中で液体形状である。好ましい実施形態によると、本発明による方法はこのように、少なくともリチウム前駆体、ルイス塩基、及び溶媒を含む液体混合物を用いる。言い換えると、液体媒質は、少なくとも三つの異なるもの、つまり、リチウム前駆体、溶媒、及びルイス塩基を含む。なお、特定の場合、同一の分子がこれらの役割の内の二つ例えば、溶媒及びルイス塩基、又はリチウム前駆体及びルイス塩基を果たし得るが、本発明は、通常用いられる前駆体及び溶媒に加えて、有利には以下のように定義されるルイス塩基の意図的な追加を行う。CVDの原理によると、この液体混合物はその後、エアロゾルの形状で噴霧され、その後蒸発する。好ましくは、その層は以下の群から選択された材料から作製される。-LiPON、-LiSiPON、及び-Li、LaTiO3。前述したように、リチウム前駆体は溶解性に乏しい、又は溶媒中で不安定である。実際、リチウムLiは、元素周期表の最初の列に属する化学元素である。アルカリと呼ばれるこのような元素は、一般的に強い陽性であり、従って強いイオン性を備える複合体を主に形成することになる。実際には、CVDで用いられるリチウム前駆体、つまりリチウムベースの有機金属化合物は、固体オリゴマーの形状で現れる。現在、このような固体オリゴマーは一般的に、低い蒸気圧と、普通と呼ばれる有機金属前駆体の溶解のために慣用的に用いられる溶媒に対する低い溶解特性と、を有する。従って、本発明の文脈で提供される溶液は、リチウム前駆体を溶解するために、溶媒及びルイス塩基を用いることになる。金属中心に近い配位圏に入ることにより、ルイス塩基はオリゴマーのポリマー構造を壊し、このようにしてダイマー構造体、又はさらにモノマー構造体の形成及び安定化を促進する。こうして付加化合物と呼ばれる化合物が形成され、ほとんどの場合、より高い蒸気圧、慣用的な脂肪族の有機溶媒及び/又は芳香族の有機溶媒に対して増加した溶解度、並びに蒸発と堆積チャンバーとの間での蒸気輸送段階中の気相前駆体の向上した熱安定性だけでなく、原料容器での前駆体保管段階中の液相での向上した化学的安定性も有する。さらに、ルイス塩基がアミンである特定の場合では、合成された層をドープ可能である潜在的な窒素源が、金属元素に近い配位圏内へと、且つこれは単一の段階で、導入される。従って、そして有利には、リチウム前駆体及び溶媒をさらに含む液体混合物中に存在するルイス塩基はアミンであり、且つさらにより有利には、-TMEDAN,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、又は、-TMPDAN,N,2,2-テトラメチル-1,3-プロパンジアミンである。さらに具体的には、アミンルイス塩基は、一級R-NH2、二級R2-NH、又は三級NR3、ただしR=CH3、C2H5、C3H7、C4H9、又は、二級及び/又は三級アミンの場合は、これらの群の組み合わせであり得る。アミンルイス塩基は、前述したように単座の、又はより有利には二座ジアミンのタイプR2N-CH2x-NR2、ただしx=1,2,3,4且つR=CH3、C2H5、C3H7、C4H9、又はこれらの群の組み合わせであり得る。最後に、ルイス塩基は、含酸素化合物のR-O-Rエーテル型、ただしR=CH3、C2H5、C3H7、C4H9、又はこれらの群の組み合わせであり得る。また一方、含酸素ルイス塩基は、前述したようにR-O-R単座の、又はより有利には二座のグリムxのタイプR-O-CH2x-O-R、ただしx=1,2,3,4且つR=CH3、C2H5、C3H7、C4H9、又はこれらの群の組み合わせであり得る。変形例として、ルイス塩基はアセチルアセトン又はベンジル型アルコールであり得る。もちろんルイス塩基の混合物は用いられ得る。すでに述べられたように、前駆体に関連して適切に選択されたルイス塩基の使用は、-原料容器内の溶液中における前駆体の化学的安定性、-慣用的な脂肪族の有機溶媒及び/又は芳香族の有機溶媒におけるその溶解度の向上、-蒸発器とCVD反応器の堆積チャンバーとの間での気相形状での輸送段階における、前駆体の分子構造の安定化をもたらすことになる。好ましくは、リチウム前駆体は有機金属前駆体であり、有利には、例えばリチウムtert-ブトキシドLiOtBu等のアルコキシド、又はリチウムアセチルアセトネートLiAcac及び/又はリチウム2,2,6,6-テトラメチル-3-5-ヘプタンジオネートLiTMHD等のβ-ジケトナート、又はリチウムビストリメチルシリルアミドLiHMDS等のアミドである。もちろんそれは、リチウム前駆体の混合物であり得る。ルイス塩基が存在する液体溶液中にリチウム前駆体を配することは、経験式CxH2x2、ただしx=3,4,5,6,7,8若しくは9の脂肪族の有機溶媒、又はベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の非含酸素芳香族の溶媒、又はブタノール若しくはイソプロパノール等のアルコールタイプの含酸素有機溶媒によって有利に達成される。また、モノグリムは溶媒の可能性がある。それは溶媒の混合物であり得る。リチウム前駆体が固体形状で提供された先行技術とは逆に、本願発明は、液体形状で存在するリチウム前駆体を蒸発することを提供する。もちろん、リチウム前駆体が液体でないならば、固体の初期形状を有し得る。その後、少なくとも一つの溶媒及び少なくとも一つルイス塩基による溶液中に配されることで、その蒸発前に、中間段階を形成する。液体混合物では、ルイス塩基のモル濃度は一般的に、リチウム前駆体のモル濃度よりも1倍~20倍高い。リチウム濃度は、有利には0.01M~1Mの範囲であり得る。すでに言及されたように、その層、特に電解質は、リチウムLi以外の元素、特にリンP、窒素N、酸素O、シリコンSi、チタンTi又はランタンLaを含み得る。これらの元素は、リチウム前駆体を用いて、又は場合によっては他の前駆体を介して導入され得る。好ましい実施形態では、これらの他の元素、特にリン及び/又は窒素は、液体形状でも導入される。これらは有利には、溶液中の、又は純水な液体形状の有機金属前駆体である。そしてこの場合、液体混合物は、リチウム前駆体、ルイス塩基及び溶媒に加えて、少なくとも他の一つの有機金属前駆体を含む。リンに関しては、トリフェニルリン酸塩TPPa又はトリメチルリン酸塩TMPa等のリン酸塩ベースの溶液が、同様に、亜リン酸塩ベースの溶液、例えばトリフェニル亜リン酸塩TPPi又はトリメチル亜リン酸塩TMPiが、用いられ得る。溶液の濃度は有利には、0.01M~1Mの範囲である。Ti前駆体は、アルコキシド、β-ジケトナート、オキソ-β-ジケトナート例えば、TiOAcac2、alcoxo-β-ジケトナート例えば、TiOR2TMHD2であり得る。La前駆体は、複合体、又はβ-ジケトナート例えば、LaTMHD3でないか、又はその付加化合物例えば、LaTMHD3テトラグリムであり得る。異なる前駆体は、作製され得るか、又は異なる溶液、若しくは特に二つの、例えば一方がLiNを含み、他方がPを含む混合物中に導入され得る。変形例として、全ての前駆体が同一の混合物例えば、LiPN内にあり、それによってルイス塩基及び溶媒も含む。すでに言及したように、窒素源は、ルイス塩基によって形成され得る。慣例的に、本発明による方法はCVD型の堆積反応器内で実施される。低い圧力で、同様に大気圧で実施され得る。大気圧では、本方法は以下の段階を含む。-前駆体の導入:エアロゾル形状での噴霧。エアロゾルは、圧電セラミックによって、又は噴射ノズル型のシステムによって、又は自動車型の液体注入器を介して、のいずれかで生成され得る。-そこに注入されたキャリアガスAr、O2、N2、空気を有する導管による堆積チャンバーへのエアロゾルの移動。-加熱された基板表面近くでの前駆体の蒸発。-加熱された基板表面での反応堆積チャンバー内への反応ガス注入の可能性。基板は200°C~700°Cで加熱され得る。低い圧力では、本方法は以下の段階を含む。-前駆体の導入:自動車型の液体注入器を介した噴霧と、それに続く蒸発器での蒸発。-加熱された導管を介した堆積チャンバーへのガス混合物の移動-加熱された基板表面での反応。反応ガスO2、N2O、H2、NH3を堆積チャンバー内へ注入する可能性。チャンバー内の圧力は固定されている。0.1mbar~500mbarの範囲である。基板温度は、200°C~800°Cの範囲であり、有利には300°C~500°Cである。どちらの場合も、前駆体流量は、注意深く制御される。堆積速度は、750nm/hを超え得る。すでに言及されたように、マイクロバッテリーのための電解質に関連する好ましい用途では特に、本発明による方法は、三次元テクスチャ構造体上に層を有利に形成することが可能である。本発明が実施され得る方法、及び結果として生じる利点は、添付の図面に関連する以下の非限定的な実施形態からより明らかになるであろう。I.LiPON層の作製:I-1.大気圧での実施形態:LiAcac又はLiTMHD、及びTPPaの混合物が、0.03M~0.12Mの濃度範囲で用いられる。用いられる溶媒は、リチウム前駆体のモル濃度の1倍~20倍となるモル濃度範囲でアセチルアセトン、ベンジル型アルコール、TMEDA、又はそれらの混合物をルイス塩基として加えた、ブタノール又はトルエンである。堆積速度は、基板キャリアの温度が400°C~550°Cの範囲で、50nm/h~300nm/hの範囲をとり得る。図1の曲線は、この材料のイオン伝導度を算出可能である。:2×10-8S/cm。堆積物の正角性conformalityは、高い形状因子1:5に関して70より大きくなる図2。XPSによって測定された組成は、Li2.54PO3.97N0.19である。前駆体濃度の違いは、LiPON層LixPOyNzのx、y及びzの比を変化させる。I-2.低い圧力での実施形態:この場合に用いられる前駆体の混合物は、LiOtBu、TMEDA及びTPPaである。Li前駆体溶液の濃度は0.1Mであり、且つリンの濃度は0.03Mである。TMEDAルイス塩基濃度は、LiOtBuの濃度よりおよそ10倍高い。基板キャリアの温度は、420°C~480°Cの範囲であり、酸素比率は、25~60の範囲をとる。動作圧力は、10mbar~20mbarの範囲である。堆積速度は220nm/h~980nm/hの範囲である。電気特性は、2×10-9S/cmのイオン伝導度、且つ7×10-14S/cm未満の電子伝導率を示す図3。有意な形状因子1:5での堆積物の正角性conformalityは56である図4。XPS分析及びEDX分析は、LixPOyNz層の形成を示す。II.他の材料:II-1.低い圧力でのLiSiPON:以下から形成される混合物:-ビス-トリメチルシリルアミドhmds、-TMEDA、及び-TPPaは、0.03M~0.1Mの濃度範囲で用いられる。基板キャリアの温度は400°C~600°Cの範囲で、酸素比率は25~70の範囲をとる。動作圧力は、10mbar~25mbarの範囲である。堆積速度は100nm/h~400nm/hの範囲である。II-2.大気圧でのLi,LaTiO3:LiAcac又はLiTMHDと、アルコキシド、β-ジケトナート、オキソ-β-ジケトナート例えば、TiOAcac2、又はalcoxo-β-ジケトナート例えば、TiOR2TMHD2等のTi前駆体と、β-ジケトナート、複合体、又は例えば、LaTMHD3でない、又はその付加化合物例えば、LaTMHD3テトラグリムと、の混合物は、0.01M~0.1Mの濃度範囲で用いられる。用いられる溶媒は、リチウム前駆体のモル濃度の1倍~20倍となるモル濃度範囲でアセチルアセトン、ベンジル型アルコール、TMEDA、又はそれらの混合物を加えた、ブタノール又はトルエンである。堆積速度は、基板キャリアの温度が400°C~650°Cの範囲で、50nm/h~500nm/hの範囲をとる。II-3.低い圧力でのLi,LaTiO3:LiTMHDと、TiOiPr2TMHD2及びLaTMHD3との混合物は、0.01M~0.1Mの濃度範囲で用いられる。用いられる溶媒は、リチウム前駆体のモル濃度の1倍~20倍のモル濃度範囲でTMEDAを追加したモノグリムである。堆積速度は、基板キャリアの温度が400°C~800°C、好ましくは500°C~650°Cの範囲で、50nm/h~500nm/hの範囲をとる。"