1溶解状態の純化前のシリコンに、重量百分比で当該シリコンの10を占める溶解状態のNa2CO3を添加し、10分間攪拌した後、混合溶融物の表面に被覆剤を添加してから密閉し;2監視を開始し、かつ純化前のシリコンの温度を記録し;3温度が1490~1510°Cまで下がった時に、温度の降下速度を遅くさせ;4温度がシリコンの融点まで下がった時に、加熱パワーを一定とし;5シリコンの温度が下がり始めると、加熱を停止し;6シリコンを自然に室温まで冷却させ、結晶した固体のシリコンを取り出し;7室温では結晶したシリコンを潰し、混合酸溶液に含浸させ、ドラフトチャンバーに置き、12時間静置し;8酸浸出されたシリコン粒子を酸溶液と分離させてから水に含浸させ、中性となるまで水洗し、濾過し、乾燥させることにより高純度のシリコンを得るといったステップを含むシリコンを純化する方法。前記被覆剤が麦かん又は稲わらであることを特徴とする請求項1に記載のシリコンを純化する方法。前記混合酸溶液は、重量百分比計算で、19のHCLと49のHNO3と49のH2SO4とのうちの一つ、又はそれらの任意の二つ又は二つ以上からなる重量が同じ混合溶液であることを特徴とする請求項1に記載のシリコンを純化する方法。溶解状態の純化前のシリコンを温度制御可能な結晶器に投入し、凝固時のシリコン結晶核の数、結晶粒子の成長速度を制御し、結晶粒子の表面及びメルト界面上の不純物の偏析効果により、結晶粒子から排出された不純物を最終的に凝固した結晶粒子間に積み重ねた後、不純物に包まれたシリコン結晶粒子を解放させることで純化したシリコンは得られることを特徴とする結晶粒界ドーピング効果を用いたシリコンの純化法。前記凝固時のシリコン結晶核の数の制御とは、瞬間に数多くの結晶核を同時に形成し、固体-液体の界面を増大させることを意味することを特徴とする請求項4に記載の結晶粒界ドーピング効果を用いたシリコンの純化法。前記の不純物に包まれたシリコン結晶粒子を解放させることとは、酸溶液により結晶界面の不純物を含浸させかつ溶解させる場合、不純物により包まれた高純度のシリコン結晶粒子は解放されることを意味することを特徴とする請求項4に記載の結晶粒界ドーピング効果を用いたシリコンの純化法。結晶粒界に集まった不純物は、温度が下がる過程において結晶粒界から析出し、独立した不純物相を形成することを特徴とする請求項4に記載の結晶粒界ドーピング効果を用いたシリコンの純化法。前記温度制御可能な結晶器は、外層の温度制御パネル及びこのパネル内に配置された結晶器本体からなり、前記温度制御パネルは内設された加熱素子により結晶過程におけるシリコンメルトの温度を制御し、前記結晶器本体の内部にはプログラム温度制御機器と接続された温度制御の熱電対があることを特徴とする請求項4に記載の結晶粒界ドーピング効果を用いたシリコンの純化法。本発明は、方向性凝固及びゾーン溶融法に比べて純化効率を顕著に高くさせ、工業用シリコンの純度を太陽電池の要求が満足できるように向上させることのできる新たなシリコンを純化する方法を提供することを目的とする。上述の目的を達成するためには、本発明では以下のような実施態様が採用されている。シリコンを純化する方法であり、1溶解状態の純化前のシリコンに、重量百分比で当該シリコンの10を占める溶解状態のNa2CO3を添加し、10分間攪拌した後、混合溶融物の表面に被覆剤を添加してから密閉し;2監視を開始し、かつ純化前のシリコンの温度を記録し;3温度が1490~1510°C即ちシリコンの融点より80~100°C高いまで下がった時に、温度を下げる速度を遅くさせ;4温度がシリコンの融点まで下がった時に、加熱パワーを不変とし;5シリコンの温度が下がり始めると、加熱を停止し;6シリコンを自然に室温まで冷却させ、結晶した固体のシリコンを取り出し;7室温では結晶したシリコンを潰し、混合酸溶液に含浸させ、ドラフトチャンバーに置き、12時間静置し;8酸浸出されたシリコン粒子を酸溶液と分離させてから水に含浸させ、中性となるまで水洗し、濾過し、乾燥させることにより高純度のシリコンを得るといったステップを含む。このようなシリコンを純化する方法は、前記被覆剤が麦かん又は稲わらであり、添加量が純化前のシリコンの表面を完全に被覆可能な量であることを特徴とする。このようなシリコンを純化する方法では、前記混合酸溶液は、重量百分比計算で、19のHCLと49のHNO3と49のH2SO4とのうちの一つ、又はそれらの任意の二つ又は二つ以上からなる重量が同じ混合溶液である。結晶粒界ドーピング効果を用いたシリコンの純化法であり、溶解状態の純化前のシリコンを温度制御可能な結晶器に投入し、凝固時のシリコン結晶核の数、結晶粒子の成長速度を制御し、結晶粒子の表面及びメルト界面上の不純物の偏析効果により、結晶粒子から排出された不純物を最終的に凝固した結晶粒子間に積み重ねた後、不純物に包まれたシリコン結晶粒子を解放させることで純化したシリコンは得られることを特徴とする。前記凝固時のシリコン結晶核の数の制御とは、瞬間に数多くの結晶核を同時に形成し、固体-液体の界面を増大させることを意味する。前記の不純物に包まれたシリコン結晶粒子を解放させることとは、酸溶液により結晶粒界の不純物を含浸させかつ溶解させる場合、不純物により包まれた高純度のシリコン結晶粒子は解放されることを意味する。結晶粒界に集まった不純物は、温度が下がる過程において結晶粒界から析出し、独立した不純物相となる。前記温度制御可能な結晶器は、外層の温度制御パネル及びこのパネル内に配置された結晶器本体からなり、前記温度制御パネルは内設された加熱素子により結晶過程におけるシリコンメルトの温度を制御する。前記結晶器本体は内部にプログラム温度制御機器と接続された温度制御の熱電対を有する。本発明の有益な効果は、本発明によれば、不純物の偏析効果により純化する全く新しい方法以下、結晶粒界ドーピング法と略称は提供された。そのステップは以下のとおりである。溶解状態の工業用シリコンを特製した温度制御可能な結晶器に投入する。マクロ手段凝固時のシリコン結晶核の数、結晶粒子の成長速度を制御することにより、結晶粒子表面とメルト界面上の不純物の偏析効果を十分に生かし、結晶粒子から排出された不純物は最終的に凝固した結晶粒界に集まる。その後、有効な方法により、不純物により包まれた純シリコン結晶粒子を解放した後、より純度の高いシリコンは得られる。本発明は従来の方向性凝固とゾーン溶融法と比べて以下の点で優れている。1.凝固過程における不純物の偏析効果は大いに向上したので、純化の効率及び効果も向上した。本発明の純化法によれば、瞬間に数多くの結晶核を同時に形成するため、生成した固体-液体の界面は非常に大きい。シリコン結晶粒子の成長につれて、固体-液体の界面の面積の増長は粒径の二乗と正比例し、次第に、偏析による純化の効果も明らかに変化する。2.純化の過程を大いに短くした。10kgの工業用シリコンを用いて結晶粒界ドーピング法により結晶する方法と10kgのシリコンで方向性凝固を行う方法とを比べて分かるように、結晶が開始するから全部凝固するまでの時間が30分であると、結晶粒子の成長速度固体-液体の界面の推進速度は1ミリメートル/時間となる。そこで、10kgのシリコンを断面9cm×9cm、長さ53cmのインゴットに鋳造し、上記速度で方向性凝固を行えば、完成するには530時間22日が必要となる。これに対して、結晶粒界ドーピング法によれば、巨大数の結晶核は同時にスタートし、各粒子は周りの空間まで1ミリメートル延在すれば会合し、不純物は結晶粒界まで追い出され、30分しかかからない。3.純材料の実収率は向上した。数多くの結晶粒子は立体空間で同時に成長し、最終的に一体となり、シリコンにおける不純物は効率のよい偏析効果により最終的に凝固した結晶粒子の粒界に集まる。結晶粒子の粒界に集まった不純物は温度の下がる過程において粒界にあるシリコンから析出し、独立した不純物相を形成する。酸溶液で粒界にある不純物を含浸させ、溶解させる場合、不純物により包まれた高純度のシリコン結晶粒子は解放される。このように得られた純化後のシリコンは損失が少なく、数回にわたって不純の下部をカットする方向性凝固法と比べて、実収率は大いに向上した。結晶粒界ドーピング法により不純物を除去する原理は方向性凝固とゾーン溶融法と同じであるが、偏析効果は非常に顕著であるので、純化後のシリコンの純度は有効的に向上することとなる。さらに、硼素と燐の除去処理を行えば、太陽電池の高純度のシリコンに対する技術的要求をよりよく満足することができる。本発明の結晶粒界ドーピング法を行う典型的な温度制御可能な結晶器の外観及び構成は図3-図7に示すとおりである。当該温度制御可能な結晶器は外層の温度制御パネル及び当該パネル内に配置された結晶器本体からなる。当該結晶器本体は二層の構成を有し、耐熱金属からなるケース1及び耐火材料からなる内層2を含む。ケース1の内壁には溶接により耐高温の合金管3が5本装着され、そのうち、二本は一方側に位置し、他の3本はもう一方側に位置する。同じ側に位置する3本の合金管のうち、真ん中に位置する合金管の長さは他の4本の合金管の1/2であり、当該合金管は一端がケース1の内壁で結晶器の中心に接近する位置に一つの閉合端を形成し、もう一端が結晶器本体を貫通し、外部と連通した開口を形成する。他の4本の合金管はいずれも両端が結晶器本体を貫通し、ケース1の外壁に外部と連通した開口を形成する。放熱を防止するために、結晶器本体の上には耐火絶熱材である上蓋4が設けられ、その上に一つの下孔5が開けてある。当該温度制御パネルも二層の構成を有し、耐熱金属からなるケース6と保温材からなる内層7とを含む。当該内層7には複数の加熱素子が設けられている。当該ケース6と内層7の上には通孔9があり、当該通孔9は結晶器本体の合金管3のケース1における開口とそれぞれ対応して連通している。結晶器本体を温度制御パネルの内層7に設置し、温度制御パネル上の通孔9を介して熱電対を5本の合金管3に挿入させ、そのうち、短めの合金管は温度制御用熱電対に挿入され、かつその閉合端を介して当該温度制御用熱電対を結晶器の中心に接近する部位に固定させる。上蓋用熱電対を上蓋4の下孔5を介して結晶器本体の内部に挿入させる。各熱電対から出力された温度を監視し、温度制御用熱電対とプログラム温度制御器未図示とを接続し、さらに温度制御パネル中の加熱素子8を制御することにより、結晶過程におけるシリコンメルトの温度を制御する。結晶器内部の結晶過程における温度の均一性を監視するために、他の4本の合金管にある熱電対は移動できる。工業用シリコンメルトをプログラムで温度制御可能な結晶器に入れる。図2に示す工業用シリコンメルトの冷却過程を表す冷却曲線から、点Aは結晶器に入る時のシリコンメルトの温度であり、メルトの放熱につれて、温度は次第に下がる。点Bに到達すると、メルト内の多くの結晶核は形成しかつ成長し始まり、シリコンメルトは固体-液体の両相均衡の段階にあり始まる。固相の放熱のため、シリコンメルトの温度は両相均衡の段階の間に不変に保ち、およそ1410°Cと一定に保たれる。結晶核成長の過程において、不純物には偏析が起こる。シリコン結晶粒子は結晶器の容積空間で自由に成長し、結晶粒子の表面は両相均衡の固体-液体の界面である。結晶粒子の成長とともに、界面の面積は結晶粒径の二乗と正比例するように拡大し、不純物はまだ凝固していない溶融したシリコンに排出され、最終的に結晶粒子同士の粒界に集まる。結晶粒界にある溶解したシリコンには結晶粒子より排出された不純物k<1の不純物が集まっている。そして、シリコンメルトがすべて凝固すると点Cに到達し、これ以上固相潜熱は放出されない。この後、温度は下がり続け、不純物は続々と結晶粒界から析出する。結晶器で凝固したシリコンを取り出し、適当に潰してから酸浴槽に入れ、混合酸溶液で約12時間浸す。酸溶液は結晶粒界に沿って浸入し、不純物を溶解させた後結晶粒界は破裂し、純化後のシリコン結晶粒子は解放される。シリコン結晶粒子を酸溶液と分離してから純水で中性となるまでリンスし、乾燥させることで高純度のシリコンは得られる。1溶解状態のシリコンを既に温度制御パネル内に放置された結晶器に投入し、その中に重量百分比で純化前のシリコンの10を占める溶解状態のNa2CO3を添加し、10分間攪拌した後、その表面に被覆剤である麦かんを添加し、上蓋4をする。2上蓋の下穴5に上蓋用熱電対を挿入し、温度記録装置をスタートする。3温度が1500°Cまで下がると、温度の降下速度を遅くするために、温度制御パネル内の加熱素子8を動作させる。4温度がシリコンの融点まで下がったときに、上蓋用熱電対を抜け、下穴5を封じる。このとき、温度制御パネルの加熱パワーを一定とさせる。中管に位置する固定温度制御用熱電対の温度指示値と上蓋用熱電対との差を記録し、その後、固定温度制御用熱電対で示される温度値をもとに結晶過程を判断し、温度記録装置で温度を連続してプリントする。5温度曲線はターニングポイントが現れ、温度が下がり始めることを表すと、結晶過程が完了することを意味する。その場合、加熱を停止させる。6室温となるまで自然に冷却させ、結晶器を取り出し、固体のシリコンを出す。7室温でシリコンを潰してから酸酸浴槽に投入し、重量百分比で49のHNO3と49のH2SO4とを1:1の比例重量比で混合させた溶液を添加し、シリコンを含浸させ、ドラフトチャンバーに置き、12時間静置する。8含浸により破裂したシリコン結晶粒子を酸溶液と分離してから水に浸し、中性となるまでリンスし、濾過させ、乾燥させることで高純度のシリコンは得られる。