表面に、以下の一般式で表される少なくとも1種の単位が固定化されていることを特徴とする支持体:前記一般式において、同一でも異なっていてもよいR1およびR2は、H、ハロゲン原子、C1~C20エーテル基、直鎖または分岐C1~C20アルキル鎖、またはC5~C30アリール基から選択される基を表し;Xは、クリック化学型、アザウィッティッヒ、ペプチドカップリング反応の生成物または該アザウィッティッヒ反応後に得られる生成物の水添により得られる生成物であり;Yは、スペーサアームであり;nは、0または1に等しい数であり;およびAは、飽和または不飽和で、C2~C3の炭化水素を基本とする鎖を表し、あるいは、リングに、n1の場合にはYが、あるいはn0の場合にはXが結合している、C5~C6の芳香族またはヘテロ芳香族リングの二重結合CCを表す。前記同一または異なっていてもよいR1およびR2が、直鎖または分岐C1~C20アルキル鎖を表す、請求項1記載の支持体。前記同一または異なっていてもよいR1およびR2が、1またはそれ以上のヘテロ原子およびまたは1またはそれ以上のアリール基で遮断されている、直鎖または分岐C1~C20アルキル鎖を表す、請求項2記載の支持体。前記同一または異なっていてもよいR1およびR2が、1またはそれ以上のヘテロ原子を含む、C5~C30のアリール基を表す、請求項1記載の支持体。前記同一または異なっていてもよいR1およびR2が、C1~C20のエーテル基、直鎖または分岐C1~C20アルキル鎖、またはC5~C30のアリール基から選択される基を表し、該エーテル基、該アルキル鎖、および該アリール基が、少なくとも1種の以下の基:OH、NH2、NO2、COOH、CONH2、トリアゾールリングまたはCOOZ1で置換されており、ここでZ1はC1~C5のアルキル基、C1~C5のアルコキシ基またはハロゲン原子を表す、請求項1記載の支持体。前記Xが、以下の式:で表され、これら式において、は、n1の場合には、Yに対する結合を、あるいはn0の場合には、Aに対する結合を表し;およびR3およびR4は、H、C1~C20アルキル鎖、C1~C20のエーテル基、C1~C20のエステル基またはC5~C30のアリール基から選択される、請求項1記載の支持体。前記Xが、以下の式:で表される基であり、ここでは、請求項6において定義した通りである、請求項6記載の支持体。前記Yが、直鎖または分岐C1~C20アルキル鎖、C1~C20のエーテル基、C1~C20のエステル基またはC5~C30のアリール基から選択される基である、請求項1記載の支持体。前記式の単位が、以下の式で表される基:の一つを持ち、これらの式において、R1およびR2は請求項1において定義した通りであり、またXは請求項1において定義した通りである、請求項1記載の支持体。前記構造を持つ少なくとも一つの単位が、少なくとも一種の金属と配位結合して、少なくとも一種の金属錯体を生成する、請求項1記載の支持体。前記金属が、元素周期律表の遷移金属の一種である、請求項10記載の支持体。前記金属が、ニッケルおよびコバルトから選択される、請求項11記載の支持体。前記式の単位と共に形成される前記金属錯体が、以下の式:で表されるものであり、ここで、Zはハロゲン原子を表し、または、n1である場合には、Yを介するXに対する結合を表す、請求項10記載の支持体。前記式で表される単位が、リンカーアームを介して前記支持体に結合されている、請求項1記載の支持体。前記リンカーアームが、1またはそれ以上の前記式で表される単位と結合している、請求項14記載の支持体。前記リンカーアームが、共有結合により、または非共有的相互作用を介して、前記支持体に結合されている、請求項14記載の支持体。前記支持体が、完全にまたは部分的に、半導性酸化物、または導電性または半導性物質から選択される材料から形成されており;または該支持体が、1またはそれ以上の興味の対象とする分子からなる、請求項1記載の支持体。前記支持体が、完全にまたは部分的に、ITO、単一壁または多重壁カーボンナノチューブまたはガラス質炭素から選択される材料から製造されている、請求項17記載の支持体。請求項1記載の支持体を含むことを特徴とする、電極。請求項19記載の電極を含むことを特徴とする、電解デバイス。以下の一般式で表される配位子該一般式において、R1、R2、Aおよびnは、請求項1において定義した通りであり、またYは、請求項1において定義した通りであり;およびTは、以下に列挙する基:N3、NH2またはNP3の内の一つを表し、ここで、3は3個の同一または異なるC6~C20の芳香族基を表す。前記Tが、NPPh3を表す、請求項21記載の配位子。以下の一般式で表される配位子該一般式において、R1、R2、Aおよびnは、請求項1において定義した通りであり、またYは、請求項1において定義した通りであり、およびXは請求項1において定義した通りであり;mは0または1に等しい数値であり;Pは、C1~C20の炭化水素を基本とする鎖、C1~C20のエーテル基、C1~C20のエステル基またはC5~C30のアリール基を表し;および ゚Fは、共有結合または非共有結合を生成することのできる反応性官能基を表す。前記式において、同一または異なっていてもよいR1およびR2は、直鎖または分岐したC1~C20アルキル鎖を表し;Aは、飽和または不飽和のC2~C3の炭化水素を基本とする鎖を表し;あるいはリングにXが結合している、C5~C6の芳香族またはヘテロ芳香族リングの、二重結合CCを表し、nは0であり;Xは、クリック化学型、アザウィッティッヒ、ペプチドカップリング反応の生成物または該アザウィッティッヒ反応後に得られる生成物の水添により得られる生成物であり;mは1であり;Pは、C1~C20のエーテル基を表し;およびFはCOOHである請求項23記載の配位子。従って、支持体の表面上に、長期に渡り安定に固定化することのできる、ジイミンジオキシム配位子または対応する金属錯体に対する要求がある。また、ジイミンジオキシム配位子またはその金属錯体と他の分子とを、共有結合的にカップリングすることによる、分子アセンブリーの製造に対する要求もある。従って、本発明の目的は、上記要求の全てまたはその一部を解決することにある。第一の局面によれば、本発明は、表面に、以下の一般式で表される少なくとも1種の単位が固定化されている支持体に係る:該一般式において、同一でも異なっていてもよいR1およびR2は、H、ハロゲン原子、C1~C20のエーテル基、場合により1またはそれ以上のヘテロ原子およびまたは1またはそれ以上のアリール基によって遮断されている、直鎖または分岐したC1~C20のアルキル鎖、または場合により1またはそれ以上のヘテロ原子を含む、C5~C30のアリール基から選択される基を表し、該エーテル基、該アルキル鎖および該アリール基は、少なくとも1種の以下の基:OH、NH2、NO2、COOH、CONH2、トリアゾールリングまたはCOOZ1で置換されており、ここでZ1はC1~C5のアルキル基、C1~C5のアルコキシ基またはハロゲン原子を表し;Xは、クリック化学型、アザウィッティッヒ、ペプチドカップリング反応の生成物または該アザウィッティッヒ反応後に得られる生成物の水添により得られる生成物であり;Yは、スペーサアームであり;nは、0または1に等しい数であり;およびAは、飽和または不飽和の、C2~C3の炭化水素を基本とする鎖を表し、あるいは、リングに、n1の場合にはYが、あるいはn0の場合にはXが結合している、C5~C6の芳香族またはヘテロ芳香族リングの二重結合CCを表す。上記クリック化学型の反応とは、アルキン官能基とアジド官能基との間のカップリング反応を意味する。上記用語ペプチドカップリング型反応とは、アミン官能基とカルボン酸基、またはその誘導体、例えばアシルハライドまたは活性化されたエステル官能基、例えばヒドロキシフタルイミドエステルとの間のカップリングによって、アミドの生成に導く反応を意味するものと理解すべきである。上記表現表面に、一般式で表される少なくとも1種の単位が固定化されている支持体とは、式で表される単位が、利用可能な形状で、即ち1またはそれ以上の他の分子との可能な相互作用にとって適した形状で、該支持体の表面に存在することを意味するものと理解すべきである。本明細書の以下の部分から明らかになるように、この固定化は、共有結合または非共有結合的性質のものであり得る。本発明の一変形態様によれば、該構造を持つ単位は、有利には少なくとも一つの金属に配位結合されて、少なくとも1種の錯体、例えば触媒活性を示すことのできる錯体を形成する。本発明の目的にとって、該用語金属とは、以下に列挙する元素を表すものとする:Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Ga、In、Sn、Tl、Pb、Bi、Po。本明細書の以下の部分から明らかになるように、本発明に従って考察を行っている該配位子は、有利なことに、一部にはエクアトリアル位置における結合を介して、少なくとも1種の該配位子により形成される該金属錯体を、支持体上に固定化するのに適している。以下において述べるように、一般的には単座配位子を介するアキシアル位置における固定化と比較して、本発明による利用し易いエクアトリアル配向における該固定化モードは、有利なことに、とりわけジイミンジオキシム配位子の多座配位特性のために、高い安定性を持つことが明らかにされており、これは、該金属錯体の脱離の確率を大幅に減じることを可能とする。本発明のもう一つの局面によれば、本発明は、以下の一般式で表される配位子にも係る:該一般式において、R1、R2、A、n、XおよびYは、上記定義通りであり;およびTは、以下に列挙する基:N3、NH2またはNP3の内の一つを表し、ここで、3は3個の同一または異なり、場合により置換されたC6~C20の芳香族基を表し、NP3は好ましくはNPPh3である。更に別の本発明の局面によれば、本発明は、以下の一般式で表される配位子にも係る:該一般式において、R1、R2、A、n、XおよびYは、上記定義通りであり;mは0または1に等しい数値であり;Pは、適当な場合には1またはそれ以上のアリール基により遮断されている、C1~C20の炭化水素を基本とする鎖、C1~C20のエーテル基、C1~C20のエステル基または場合により1またはそれ以上の末端環式ヘテロ原子を含む、C5~C30のアリール基を表し、Pは、適当な場合には、少なくとも1種の以下の基:OH、NH2、NO2、COOH、CONH2またはCOOZ2で置換されていてもよく、ここでZ2はC1~C5のアルキル基、C1~C5のアルコキシ基またはハロゲン原子を表し;およびFは、共有結合または非共有結合を生成することができ、および特に以下に列挙する基:COOH、NH2、N3、C≡CH、および以下に列挙するシラン基:トリハロシラン基、トリヒドロゲノシラン基、トリアルコキシシラン基:Si3を表し、ここで、R5は、1~6個の炭素原子を持つ直鎖または分岐したアルキル基、フェニル基、トリアミノアルコキシシラン基:Si3を表しから選択される、反応性官能基を表す。本発明の別の局面によれば、本発明は、上で定義したような支持体を含む電極に係る。本発明の他の局面によれば、本発明は、上で定義したような電極を含む電解用デバイスに関するものである。本発明の更に他の局面によれば、本発明は、上で定義したような電解用デバイスを使用する、二水素の製造方法に関する。本発明の他の局面によれば、本発明は、少なくとも以下に列挙する諸工程を含む、方法に関するものである:上で定義したような官能化された支持体および分析すべき金属イオン源を調製する工程;および上記単位により該金属イオンを配位させるのに適した条件下で、該支持体と該金属イオン源とを接触させる工程。この方法は、金属イオンを検出するための方法であり得、該単位による該金属イオンの配位は、結果として、恐らく該支持体の少なくとも一つの特性の改善に導く可能性がある。この配位は、例えば該支持体の光学特性の改善、特にその蛍光スペクトルの改善、または該支持体の電気化学的特性の改善、特に錯化された金属イオンの存在による、ボルタモグラムの改善に導く可能性がある。この場合、該方法は、また特にコントロール値に対して、該支持体の光学的または電気化学的な挙動を特徴付けするための、連続する工程をも含むことができる。上記方法は、また金属イオンを抽出する方法であってもよく、また上記錯化の後に、該支持体と該金属イオン溶液との接触を中断して、該錯化されたイオンを抽出することも可能である。式の単位:R1、R2、AおよびYに関して以下に与えられる実例は、該式の単位に対して、また式およびで表される配位子に対しても当てはまるものと理解される。更に、Xに関して以下に与えられる実例は、該式の単位および式およびで表される配位子に対して当てはまる。好ましくは、該式の単位は、以下に列挙する式の一つを持つものであり得る:ここで、R1、R2およびXは、上記定義通りであり得る。特に好ましい一変形において、該式の単位は、以下の式で表されるものであり得る:ここで、R1、R2およびXは、上記定義通りであり得る。Xの定義:Xは、好ましくは以下に列挙する式で表されるものであり得る:これらの式において、はn1の場合にはYに対する結合を、またn0の場合にはAに対する結合を表し;また、R3およびR4は、H、C1~C20のアルキル鎖、C1~C20のエーテル基、C1~C20のエステル基またはC5~C30のアリール基から選択され、またR3およびR4は、適当な場合には、少なくとも一つの以下に列挙する基:OH、NH2、COOHまたはCONH2で置換されている。Xが式で表されるものである場合、該式の単位は、有利には少なくとも1種の金属と配位結合している。より一層好ましい一変形において、Xは以下の式で表されるものであり得る:ここで、:は上記定義通りである。Yの定義:Yは、スペーサアームであり、その機能はnが1である場合にはXをAに結合することにある。nが1に等しい場合、Yは、例えば1またはそれ以上のヘテロ原子およびまたは1またはそれ以上のアリール基で場合により遮断されている、直鎖または分岐したC1~C20のアルキル鎖、C1~C20のエーテル基、C1~C20のエステル基または場合により1またはそれ以上のヘテロ原子を含むC5~C30のアリール基から選択することができ、Yは、適当な場合には、少なくとも1種の以下の基:OH、NH2、NO2、COOH、CONH2またはCOOZ2で置換されていてもよい。Aの定義:この定義の一部について、Aは、好ましくは置換されたC2~C3の炭化水素を基本とする鎖であり得る。より一層好ましい変形においては、Aは置換されたC3の炭化水素を基本とする鎖であり得る。R1およびR2の定義:2つの基R1は、同一でも異なっていてもよい。同様に、2つの基R2は、同一でも異なっていてもよい。R1およびR2は、例えば同一でも異なっていてもよく、またHまたは場合により少なくとも一つの以下の基:OH、NH2、COOH、CONH2またはトリアゾールリングで置換されている、C1~C20のアルキル鎖から選択することができる。R1およびR2は、例えば同一であり得る。R1およびR2は、例えば両者共に、場合により置換されたC1~C20のアルキル鎖から選択することができる。R1およびR2は、例えば両者共に、場合により置換されたメチル基であり得る。金属と配位結合していても、また金属と配位結合していなくてもよい該式の単位は、上記支持体に直接結合していてもよい。この場合、上記固定化方法は、一方では該支持体の反応性末端部の特性に依存し、他方では、該ジイミンジオキシム誘導体の特性に依存する。該支持体の特性に関連して、金属と配位結合していても、また金属と配位結合していなくてもよい該式の単位は、該支持体と共有結合的にまたは非共有結合的に結合することができる。一変形として、該式の単位は、Lとして表すこともできる、リンカーアームを介して該支持体と結合することもできる。リンカーアームの定義:この場合、該固定化方法は、一方では該支持体の反応性末端部の特性に依存し、他方では、該ジイミンジオキシム誘導体の特性に依存する。該リンカーアームを、該支持体上に固定化して、該支持体と、場合により金属と配位結合している該式の単位との間の良好な電子伝達を保証することができる。該リンカーアームは、該支持体と共有結合的にまたは非共有結合的に結合することができる。該非共有結合的相互作用は、好ましくは静電的相互作用またはππ相互作用であり得る。更に、該リンカーアームは、1またはそれ以上の該式の単位と結合させることができる。金属と配位結合していても、また金属と配位結合していなくてもよい該式の単位は、例えば該リンカーアームと共有結合的に結合していてもよい。明らかな理由から、該リンカーアームおよびより詳しくはその端部に存在する該単位の選択は、該支持体の特性および同様に固定化すべき該ジイミンジオキシム誘導体上に存在する反応性官能基と関連している。夫々該支持体および該単位上での結合の形成を可能とすべく、該リンカーアームの反応性両端部の化学的特性を調節することは、当業者の実務範囲内にある。該式の単位が、リンカーアームを介して該支持体と結合している場合、以下の式で表される単位を、該支持体表面上に固定化することができる:ここで、R1、R2、A、Y、nおよびXは、上記定義通りであり;Lはリンカーアームを表し;は該支持体に対する結合を表す。該リンカーアームLの化学的特性は、該単位およびその錯体の諸特性、特に反応性または触媒特性を過度に破壊しない限り、決定的因子ではない。例示の目的で、該リンカーアームは、例えば以下の式またはで表されるものであり得る:ここで、は上記定義通りであり、またはXに対する結合を表し;Bは二価の炭化水素を基本とする基であり、これは、場合により単位:COOまたはCONHにより遮断されていてもよく、またXと結合しているその端部は、2つの反応性官能基、例えばアミド、エステルまたはエーテル単位間のカップリングの結果生じる単位から形成される。Bは、例えばエーテル単位により特徴付けられる、Xと結合した端部を含むことができる。該リンカーアームが、上記式で表されるものである場合、これを、例えば該支持体に共有結合により結合することができる。該リンカーアームが、上記式で表されるものである場合、該アームと該支持体との結合は、例えばアリールジアゾニウム塩の還元反応により得ることができる。該リンカーアームが、上記式で表されるものである場合、これを、例えば静電相互作用によって、該支持体に、非共有結合的に結合することができる。本発明による支持体の調製は、当業者の能力の範囲内にあることは明らかである。一実施例によれば、このような支持体は、少なくとも以下のものからなる工程を含む方法により得ることができる:a該リンカーアームを該支持体に結合する工程;およびb該リンカーアームを上記式の単位と結合する工程、ここで該単位は、恐らく金属と配位結合しており;該工程aは該工程bの前または後に行われる。金属錯体:上記の如く、構造を持つ該単位は、少なくとも一つの金属錯体を形成するように、少なくとも一つの金属と配位結合することができる。前に述べたように、該金属は、以下に列挙するものから選択することができる:Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Ga、In、Sn、Tl、Pb、BiまたはPo。該金属は、好ましくは元素周期律表の遷移金属であり得る。特に好ましい一変形において、該金属は、ニッケルおよびコバルトから選択される。特に好ましい一変形において、該式の単位と共に形成される該金属錯体は、以下に示す式の一つを持つことができる:ここで、Zはハロゲン原子、好ましくは塩素または臭素原子を表し、または、n1の場合にはYを介する、Xに対する結合を表す。支持体:本発明の目的にとって、該支持体は、例えばある材料からなるか、あるいは1またはそれ以上の対象とする分子からなるものであり得る。該支持体がある材料を含むか、あるいは更には該材料からなるものである場合、この材料は、高い比表面積を持つ導電性または半導性材料を含むことができる。該高い比表面積を持つ導電性または半導性材料を、導電性支持体上に堆積させて、高い比表面積を持つ電極を製造することができる。該導電性支持体は、例えばITO、または他の導電性透明酸化物、例えばFSnO2またはAlZnO、ステンレススチール、鉄、銅、ニッケル、コバルト、アルミニウム、金、ドープトダイアモンド、チタン、真鍮または炭素、例えばグラファイトを含むことができ、例えばこれらから形成されたものであり得る。該導電性支持体は、好ましくはITOまたはグラファイトを含むことができ、例えばこれから形成されたものであり得る。該支持体がある材料を含み、あるいは更には該材料からなる場合、該材料は、以下に列挙するものから選択することができる:半導性酸化物、例えばITO、FSnO2、ZnO、AlZnO、NaZnO、NiOまたはTiO2;または導電性または半導性材料、例えば以下に列挙するもの:金属、例えば場合によりドープされたケイ素、真鍮、ステンレススチール、鉄、銅、ニッケル、コバルト、アルミニウム、銀、金、チタン;金属酸化物;または炭素を主成分とする材料、例えば単一壁または多重カーボンナノチューブ、カーボンブラック、フラーレンナノ粒子、グラファイト、ガラス質炭素、グラフェンまたはドープトダイアモンド。少なくとも部分的に該支持体を構成する該材料は、固体または半固体であり得る。少なくとも部分的に該支持体を構成する該材料は、ナノ構造を持つものであっても、該構造を持たないものであってもよい。該用語ナノ構造を持つ材料とは、該材料が実質的に表面粗さを持ちおよびまたは高い比表面積を持つものであるか、あるいは該材料が、完全にまたは部分的に、例えば2nm~10μmなる範囲、および特に5nm~300nmなる範囲の径を持つ粒子から形成されたものを意味するものと理解すべきである。上に述べたように、該支持体は、その一変形として、1またはそれ以上の対象とする分子、特に1またはそれ以上の生体分子であり得、これは例えば以下に列挙するものから選択される:マーカー、染料、フルオロフォア、ボロンジピノメテン、オキサジン等、放射性標識分子、造影剤、毒素、リンカー、治療薬、化粧料または植物保護活性剤、特別な結合対の構成員、ペプチド、アミノ酸およびアミノ酸残基、ポリペプチド、糖および糖残基、オリゴヌクレオチド、DNAまたはRNAストランド、抗体、抗原、cis異性体およびまたはtrans異性体を持つ化合物、例えばジアリールエチレン誘導体、スピロピラン、スピロロキサジン、フルギドまたはアゾベンゼン。該対象とする分子は、好ましくはフルオロフォアであり得る。好ましい一変形によれば、該対象とする分子は、生体分子である。興味ある該生体分子は、天然産のもの、あるいは合成により製造したもの、あるいは組換えにより製造したものであり得、また単離し、精製することができる。該対象とする分子がポリペプチドであり場合、該ポリペプチドは、DまたはLアミノ酸またはこれら両者で構成されたものであり得、また天然産であれ、合成したものであれ、組換えにより製造したものであれ、変性して、その中に他の基を含めることもできる。例えば、ターゲットポリペプチドは、リポタンパク質、糖タンパク質、または任意の他の変性タンパク質であり得る。もう一つの変形態様によれば、該対象とする分子は、造影剤であり得る。以下の実施例において記載されるNMRスペクトルは、ブルッカーAC300分光光度計において、径5mmのチューブ内で、室温にて記録された。完全に重水素化されなかった溶媒の残留ピークを、内部標準として使用した。以下の実施例において記載されるマススペクトルは、イオントラップ型のフィニガンLCQサーモクエスト装置により測定した。以下の実施例において記載される電気化学的測定値は、3電極アセンブリーおよびEGGポテンシオスタット、モデル273Aを用いる、公知の方法で得た。その補助電極は、白金ワイヤであり、また基準電極は、AgAgCl、3MKCl電極である。その作動電極は、ガラス質炭素電極または官能化されたITOブレード、またはLeGoff等MScience200932613841387に記載されているカーボンナノチューブを基本とする電極である。また、電位は、時折フェリシニウムフェロセンカップルに対して与えられ、後者は、操作の終了時点において、該電解液にフェロセンを添加することにより再度測定された。該電解液は、テトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレートの01Mアセトニトリル溶液である。実施例1:アジド型の結合官能基Tを持つ、上記式の配位子の合成図1は、アジド官能基T、飽和の炭化水素を基本とする鎖型の基Aを含み、置換基R1MeおよびR2Meである、ジイミンジオキシム配位子6を得るのに使用する、合成経路をまとめたものである。NNジtboc2ヒドロキシ13ジアミノプロパンの合成:100mLのMeCNH2O混合物中に、2ヒドロキシ13ジアミノプロパンを溶解して得た溶液に、0°Cにて、MeCN中にジtブチルカーボネートを溶解して得た溶液を添加した。次いで、この混合物の温度を、室温まで高め、該混合物を18時間に渡り攪拌状態に維持した。次に、この溶液を、CH2Cl2で抽出し、得られた有機相を、飽和NaHCO3水性溶液で洗浄し、MgSO4上で乾燥し、次いで減圧下で濃縮した。生成した白色固体を集めた。1HNMRδ:534400372H316140NNジtboc2メタンスルホニル13ジアミノプロパンの合成:0°Cまで冷却した、Et3Nを含むAr雰囲気下にある、上記化合物1のCH2Cl2溶液に、メタンスルホニルクロリドを滴添した。次いで、この混合物の温度を、室温まで高め、該混合物を2時間に渡り攪拌状態に維持した。次に、更に2当量のメタンスルホニルクロリドを、0°Cに予備冷却された上記混合物に添加した。この混合物を室温にて18時間攪拌し、次いで飽和NaHCO3水性溶液で洗浄し、得られる有機相をMgSO4上で乾燥し、次いで減圧下で濃縮した。生成した白色固体を集めた。1HNMRδ:518468H349333311146NNジtboc2ブロモ13ジアミノプロパンの合成:0°Cまで冷却した、PPh3を含む、上記化合物1のCH2Cl2溶液に、CH2Cl2中にCBr4を溶解した溶液を添加した。この溶液を0°Cにて2時間、次いで室温にて3時間攪拌した。該溶媒を、減圧下で蒸発させ、得られた生成物を、シリカゲル上でのクロマトグラフィーにより精製した。ペンタンによる最初の洗浄によって、不純物を除去し、次に得られた生成物を、73なる割合のペンタンEtOAc混合物で溶出させた。生成した白色固体を集めた。1HNMRδ:532411374327147NNジtboc2アジド13ジアミノプロパンの合成:無水DMF中に上記化合物2を溶解して得た溶液に、無水DMF中にNaN3を分散させた懸濁液を添加した。この混合物を80°Cにて18時間加熱した。次いで、水およびCH2Cl2を該混合物に添加し、次に得られた有機相を、水で洗浄した。該有機相を、MgSO4上で乾燥し、真空下で濃縮した。黄色のオイルを集めた。1HNMRδ:507366338316147同様なプロトコールを、出発物質として上記化合物2の代わりに、上記化合物3を用いて実施することができる。2アジド13ジアミノプロパン塩酸塩の合成:HClガスを、0°Cにて2時間に渡り、CH2Cl2中に上記化合物4を溶解した溶液に吹込んだ。次いで、生成した白色沈殿を濾別し、Et2Oで洗浄し、次に真空下で乾燥させた。1HNMRδ:416327304N2N2’2アジドプロパンジイルビスの合成:水およびiPr2Oの二相混合物中に、上記化合物5、23ブタジオンモノオキシムおよびNaHCO3を溶解した溶液を、ディーンスターク装置を用いて、18時間還流した。次いで、この混合物を、熱時濾過し、また生成した沈殿をCH2Cl2で洗浄した。該溶媒を蒸発させ、また生成した固体を、最小量のEtOAc中に溶解し、ペンタンを添加することにより沈殿させ、濾別し、真空下にて乾燥させた。1HNMRδ:1154402362202194この反応が不完全であった場合には、上記全材料を、蒸留したEtOH中に溶解させ、o蟻酸エチルを該混合物に添加した。この混合物を、次に8時間に渡り還流した。次いで、該溶媒を蒸発させ、生成物をペンタンから析出させた。実施例2:本実施例は、以下の式で表される錯体の製造に関するものである:遷移金属、例えばコバルトまたはニッケルは、実施例1において得た、官能化された四座配位子と配位結合することができる。錯体:CoN3pnCl2の合成:上記化合物6を、アセトンに溶解した溶液に、CoCl26H2Oをアセトンに溶解した溶液を添加した。空気を分散させると、該褐色の混合物は、緑色に変化した。30分経過後に、該溶媒を蒸発させ、緑色の固体を集めた。これを、先ずアセトン中に、次いでジクロロメタン中に溶解し、標記化合物7を得た。1HNMRδ:1939456390277255錯体:CoN3pnBr2の合成:CoBr26H2Oを用いて、上記化合物7の合成と同様な手順を利用した。1HNMRδ:1945470389280257錯体:NiN3pnClO4の合成:上記化合物6をMeOHに溶解して得た溶液に、MeOH中に溶解した過剰量のNiCl2を添加した。30分経過後に、該混合物を濾過し、得られた濾液を減圧下に濃縮し、得られた残渣を水に溶解した。このNi錯体を、NaClO4溶液の添加により析出させた。この橙色の固体を、濾過により回収した。1HNMRδ:182846339037024722113CHNMR17931562586506165115以下の表1は、このようにして得た錯体およびの結晶学的パラメータを示すものである。図2および3は、ガラス質炭素電極上で、アセトニトリル中にて、100mVs1において記録された、上記化合物7および9のサイクリックボルタモグラムを示す図である。該電気化学電位は、フェロセンフェリシニウムカップルに対する値として与えられている。実施例3:NPPh3型の基Tを持つ式の配位子を用いた、金属錯体の合成:THF中での、上記錯体9とトリフェニルホスフィンとの反応は、ホスフィンイミン化合物10aの生成へと導き、該化合物を、1HNMRおよびマススペクトル分析によって特徴付けした。該錯体:NiCH2ClO410aを合成するためのプロトコールは、以下の通りである。丸底フラスコ中で、35mgの該ニッケル錯体9および21mgのトリフェニルホスフィンを、10mLのTHFに溶解した。この溶液を24時間攪拌した後、該THFを留去し、得られた残渣を、水で洗浄し、次いで風乾した。1HNMRδ:21283553654217717941833ESIMSmz5723実施例4:NH2型の基Tを含む式の配位子を用いた、金属錯体の合成:THF水混合物中での長期間の放置による該化合物10aの加水分解は、対応するアミノ誘導体10bに導いた。該錯体:NiCH2ClO410bを合成するためのプロトコールは、以下の通りである:丸底フラスコ内で、40mgの上記ニッケル錯体10aを、10mLのTHFおよび4mLの脱イオン水中に溶解した。この溶液を24時間に渡り攪拌した後、該THFを留去し、得られた残渣を水洗し、次いで風乾した。実施例5:式の配位子を用いた金属錯体の合成:この実施例に対応する合成経路を、以下に与える:該シクロオクチン14を、刊行物:AgardNJBaskinJMPrescherJALoABertozziCRアジドを用いたバイオオルソゴナル反応の比較研究AcsChemicalBiology20061644648および特許出願US20060110782に記載の手順に従って合成した。この方法においては、該反応中に2つの異性体が生成された。上記反応経路は、錯体7、8および9とシクロオクチン14との間の反応生成物を示す。上部の反応経路に対応するプロトコールは、以下の通りである:12mgのシクロオクト1イン3グリコール酸14のTHF溶液に、27mgのコバルト錯体7のエタノール溶液を添加した。この反応混合物を、室温にて18時間攪拌した。次いで、該有機溶媒を減圧下にて留去した。得られた生成物を、セファデックスサイズ排除カラム上で精製した。下部の反応経路に対応するプロトコールは、以下の通りである:12mgのシクロオクト1イン3グリコール酸14のTHF溶液に、アセトン中に溶解した29mgのニッケル錯体9の溶液を添加した。この反応混合物を、室温にて18時間攪拌した。該反応媒体を、減圧下で濃縮し、次いで風乾した。得られた生成物を、セファデックスサイズ排除カラム上で精製した。実施例6:配位錯体のITO表面上での、ヒュスゲンの環化付加による固定化:このヒュスゲンカップリングは、シクロオクチン官能基により予め官能化されたITO表面上で行われる。使用する該ITOブレードは、導電性薄層に関する公知の方法において定義されているように、≦5ohmssqなる抵抗率を持ち、参照名CEC005Sの、ドイツ国のプレジションズグラスオプティックGmbHから得たものである。該ITOは、厚み11mmを持ち、SiO2の薄層により不動態化されたガラス支持体上に堆積されている。該ITOブレード表面の調製:該ブレードを、アセトン中で5分間に渡り、超音波によって洗浄し、次いでエタノール水混合物中の、NaOH溶液内で、30分間超音波処理することによって活性化させた。次いで、該ブレードを、脱イオン水で洗浄し、かつアルゴン気流下で乾燥した。その直後に、該ブレードを、酸素プラズマ処理に掛けた。該プラズマ処理装置は、05Torrにて60Wの出力を6分間に渡り生じるように設定された。シクロオクチン14による該ITOブレードの官能化:上記の表面処理に付された、該ITOブレードを、トルエン15mLに20mgのシクロオクチン14を分散させた溶液中に浸漬し、閉鎖系状態にあるオーブン内で、100°Cにて20時間維持した。次いで、これらを、脱イオン水および次にアセトンで洗浄し、アルゴン雰囲気下で乾燥した。次いで、該分子14の該ITO表面への固定化を、該分子14のカルボキシレート単位の酸素原子と、ヒドロキシル官能基およびまたは表面金属カチオンとの間に、静電的相互作用を生ぜしめることにより行った。錯体7のカップリング:このようにして官能化した該ITOブレードを、次に4mLの蒸留水メタノール混合物中に溶解した、6mgの錯体7の溶液中に浸漬した。該溶液を12時間に渡り攪拌した。次いで、該ブレードを、蒸留水で、および次にアセトンで洗浄した。かくして得た該表面の光電子分光分析は、錯体7との反応前に該表面を分析した際には存在しなかった、コバルトの存在を明らかにした。この官能化は、蒸留水による洗浄および超音波処理に対して耐性であった。実施例7:カーボンナノチューブのローン上への配位錯体の固定化:以下の反応経路は、本実施例に関連して実施された反応を例示するものである:該官能化手順は、先ず微孔質導電性被膜で被覆された、炭素繊維電極上にカーボンナノチューブを固定化することにより進められた。次いで、該カーボンナノチューブを、アミン官能基で修飾した。最終的に、該コバルト錯体7を、該修飾されたカーボンナノチューブのローン上に固定化し、かつ該ガス拡散層上に堆積させた。1該カーボンナノチューブの官能化:該ガス拡散層LT1200Wは、バスフ社により提供されたものであった。該C100多重壁カーボンナノチューブは、アルケマ社から購入したものであり、これを付随的な精製処理を経ることなくそのまま使用した。カーボンナノチューブにより被覆された電極を、ガス拡散層社製から調製し、ジアゾニウム塩ベンゼンジアゾニウムテトラフルオロボレートの電解還元により官能化した。該カーボンナノチューブで被覆された電極を、4ベンゼンジアゾニウムテトラフルオロボレートの存在下で、3電極セルにおける作動電極として使用した。FcFcに対して、20mVsおよび04V~04Vなる範囲の電圧にて行われる、3サイクルのサイクリックボルタンメトリーは、FcFcに対して、026Vなる電位において、001MLなる該ジアゾニウム塩の還元の観測を可能とし、この還元は、該電極のアミン官能基による修飾をもたらした。次いで、該電極を、30分間アセトニトリルに浸漬することにより濯ぎ、次に使用に先立って数時間風乾した。2該配位錯体の該ナノチューブ上への固定化:第二段階においては、トリエチルアミンの存在下で、前に得た該アミノ官能基と、活性化されたエステル官能基で官能化されたシクロオクチン15とを反応させた。次に、該コバルト錯体7を、ヒュスゲンカップリングにより固定化し、次いでこれが、プロトンの二水素への還元に関して活性であることを立証した。13ジオキソイソインドリン2イル2アセトン15を、以下のプロトコールに従って合成した:15mLの酢酸エチルに84mgのシクロオクト1イン3グリコール酸14を溶解して得た溶液に、80mgのNヒドロキシフタルイミドおよび101mgのNNジシクロヘキシルカルボジイミドを添加した。この混合物を室温にて12時間攪拌した後、濾過し、濃縮した後に、カラムクロマトグラフィーにより精製した。143mgの生成物を、白色固体として回収した。1HNMR132344845778513CNMR20712609295834234217557463989078102391240412883134871615816677次いで、該アミン官能基で官能化されたカーボンナノチューブによって覆われた該ガス拡散層を、CH2Cl2に上記化合物15およびEt3Nを溶解して得た溶液中に、2日間に渡り浸漬した。次に、該電極を、CH2Cl2の溶液中に浸すことにより洗浄し、かつ風乾した。次いで、該電極を、エタノール中に上記化合物7を溶解して得た溶液中に、1週間に渡り浸漬し、更にエタノール中に連続的に3回浸すことにより洗浄した。このようにして得た該電極を、最終的に風乾した。上記コバルトジイミンジオキシム錯体で官能化した、カーボンナノチューブの電極に関する、アセトニトリル中で測定したサイクリックボルタモグラムを、図4Aとして与える。AgAgClに対して、600mVにおける可逆的電気化学波の存在が、該コバルトジイミンジオキシム錯体の特徴である。ピーク電流における変化は、走査速度に比例しており、このことは、該作動電極表面に固定化された電気的に活性な単位の存在に関する指標である。図5に示したボルタモグラムは、アニリニウムテトラフルオロボレートが、溶液として添加された際の、このボルタモグラムの変化を示す。この酸は、プロトン源として使用された。該電気化学波が、正の電位方向にシフトしており、また該酸の量が増大した場合には、該波の強度が増大することに注目すべきである。曲線a、b、c、dおよびeは、夫々0、18、28、40および52mML1に等しいアニリニウム濃度に相当する。これは二水素の製造における、電極触媒挙動における典型的なものである。実施例8:金属の錯化のための、ITO上への配位子6の固定化の例:錯化されていない配位子6は、実施例7において与えられたものに類似する方法に従ってグラフとすることができる。次いで、得られた材料を、溶液中に存在する金属原子の錯化を可能とする。これらの応用は、上記支持体が導電性である場合には、電気化学的な金属掃去剤の製造、排水の汚染物除去用材料等に関連するものであり得る。上で使用されている用語1種を含むとは、少なくとも1種を含むことを意味するものと理解すべきである。