"フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも1種と、芳香族基と、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とを有する樹脂成分Cと、露光により酸を発生し且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分Aただし前記樹脂成分Cを除く。と、を含有し、前記樹脂成分C中の前記芳香族基を有する構成単位の割合が20モル以上であることを特徴とするEUV用またはEB用レジスト組成物。前記樹脂成分Cを、前記樹脂成分A100質量部に対して1~15質量部含有する、請求項1に記載のEUV用またはEB用レジスト組成物。前記樹脂成分Aが、露光により酸を発生する構造を含む構成単位a0を有し、前記樹脂成分A中の前記構成単位a0の割合が5モル以上である、請求項1または2に記載のEUV用またはEB用レジスト組成物。フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも1種と、芳香族基と、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とを有する樹脂成分Cと、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分Aただし前記樹脂成分Cを除く。と、露光により酸を発生する酸発生剤成分Bと、を含有し、前記樹脂成分C中の前記芳香族基を有する構成単位の割合が20モル以上であり、前記酸発生剤成分Bを、前記樹脂成分A100質量部に対して15質量部以上含有することを特徴とするEUV用またはEB用レジスト組成物。前記樹脂成分Aが、さらに、酸の作用により分解して極性が増大する酸分解性基を含む構成単位a1を有する、請求項1~4のいずれか一項に記載のEUV用またはEB用レジスト組成物。支持体上に、請求項1~5のいずれか一項に記載のEUV用またはEB用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜をEUVまたはEBにより露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。EUVリソグラフィーやEBリソグラフィーに用いられるレジスト材料には、EUVやEBに対する感度、ターゲットとする微細なレジストパターンを形成できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。現在、EUVリソグラフィーやEBリソグラフィーにおいて、レジスト材料としては、リソグラフィー特性に優れることから、これまでKrFエキシマレーザー用、ArFエキシマレーザー用等として提案されている化学増幅型レジストが一般的に用いられている。特に、ベース樹脂としてアクリル系樹脂を含有する化学増幅型レジストは、それらのリソグラフィー特性に優れるとされている。しかし、KrFエキシマレーザー用、ArFエキシマレーザー用等として提案されている化学増幅型レジストをEUVリソグラフィーやEBリソグラフィーに用いた場合、形成されるレジストパターンの形状が不良となる問題がある。たとえばEUVリソグラフィーにおいては、EUV露光装置の光源から発生する光に含まれている、EUV領域以外の波長の光、いわゆるOoBOutofBand光が問題となっている。OoB光は、同時に発生するフレアFlareとともにレジスト膜の未露光部に入射してつまり、EUV光照射時の露光領域の選択性を失わせ、未露光部においても、酸発生剤成分が分解して酸を発生してしまうため、レジストパターンのコントラストの低下、膜減り、ラフネスパターンの上面や側壁の表面荒れ等を引き起こしてしまう。ラフネスは、レジストパターンの形状不良の原因となる。たとえばパターン側壁表面のラフネスは、ラインアンドスペースパターンにおけるライン幅の不均一、ホールパターンにおけるホール周囲の歪み等に代表される形状不良の原因となる。このOoB光による形状不良の問題は、特に、ArFエキシマレーザー光等のDUV領域の波長の光を用いて露光を行うリソグラフィープロセス用の化学増幅型レジストを用いた場合に顕著に見られる傾向がある。つまり、該化学増幅型レジストは、一般的に、DUV領域の波長の光が照射されると酸が発生し、現像液に対する溶解性が変化する。OoB光は、13.5n前後のEUV、150~300nmのDUV、赤外領域の波長の光などを含んでおり、従来汎用されているオニウム塩系の酸発生剤は、DUV領域の波長の光を吸収して酸を発生しやすい。そのためEUV露光時に本来未露光部となる部分も感光してコントラストの低下、パターン膜減り等が引き起こされる。EBリソグラフィーにおいても、加速電圧等の電子線照射条件によっては電子がレジスト膜表面で拡散散乱し、上記EUVリソグラフィーにおけるOoB光と同様の問題を生じることがある。レジストパターンの形状不良は、微細な半導体素子の形成等に悪影響を与えるおそれがある。そのため、EUVリソグラフィーやEBリソグラフィーに用いられるレジスト材料には、リソグラフィー特性の向上とともに、パターン形状の向上が求められる。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、EUV用またはEB用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供することを目的とする。本発明者らは、鋭意検討の結果、露光により酸を発生する構造がある程度均一に分布したレジスト組成物ベース樹脂として、露光により酸を発生する構造が導入された樹脂を含有するか、またはベース樹脂に対して一定量以上の酸発生剤成分を含有するレジスト組成物に、添加剤として、特定の樹脂成分を配合することにより上記課題が解決されることを見出し、本発明を完成させた。すなわち本発明の第一の態様は、フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも1種と、芳香族基と、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とを有する樹脂成分Cと、露光により酸を発生し且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分Aただし前記樹脂成分Cを除く。と、を含有し、前記樹脂成分C中の前記芳香族基を有する構成単位の割合が20モル以上であることを特徴とするEUV用またはEB用レジスト組成物である。本発明の第二の態様は、フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも1種と、芳香族基と、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とを有する樹脂成分Cと、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分Aただし前記樹脂成分Cを除く。と、露光により酸を発生する酸発生剤成分Bと、を含有し、前記樹脂成分C中の前記芳香族基を有する構成単位の割合が20モル以上であり、前記酸発生剤成分Bを、前記樹脂成分A100質量部に対して15質量部以上含有することを特徴とするEUV用またはEB用レジスト組成物である。本発明の第三の態様は、支持体上に、前記第一の態様または第二の態様のEUV用またはEB用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜をEUVまたはEBにより露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法である。本明細書および特許請求の範囲において、EUV用またはEB用とは、当該レジスト組成物を用いたレジストパターンの形成が、露光光源放射線源としてEUV極紫外線またはEB電子線を用いて行われるものであることを示す。露光は、放射線の照射全般を含む概念とする。脂肪族とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。アルキル基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。アルキレン基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。ハロゲン化アルキル基はアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基である。ハロゲン化アルキレン基はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基である。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。フッ素化アルキル基はアルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基である。フッ素化アルキレン基はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基である。構成単位とは、樹脂高分子化合物、重合体、共重合体を構成するモノマー単位単量体単位を意味する。本発明によれば、EUV用またはEB用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供できる。≪第一の態様のレジスト組成物≫本発明の第一の態様のレジスト組成物は、フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも1種と、芳香族基と、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とを有する樹脂成分C以下C成分という。と、露光により酸を発生し且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分Aただし前記C成分を除く。以下A成分という。と、を含有する。本態様のレジスト組成物は、A成分を含有するため、露光により現像液に対する溶解性が変化する性質を有している。該レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対して選択的露光を行うと、露光部にてA成分から酸が発生し、該酸がA成分の現像液に対する溶解性を変化させる。その結果、露光部の現像液に対する溶解性が変化する一方で、未露光部は現像液に対する溶解性が変化しないため、該レジスト膜を現像すると、当該レジスト組成物がポジ型の場合は露光部が溶解除去されてポジ型のレジストパターンが形成され、当該レジスト組成物がネガ型の場合は未露光部が溶解除去されてネガ型のレジストパターンが形成される。本明細書においては、露光部が溶解除去されてポジ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をポジ型レジスト組成物といい、未露光部が溶解除去されるネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をネガ型レジスト組成物という。本態様のレジスト組成物は、ポジ型レジスト組成物であってもよく、ネガ型レジスト組成物であってもよい。また、本態様のレジスト組成物は、レジストパターン形成時の現像処理にアルカリ現像液を用いるアルカリ現像プロセス用であってもよく、該現像処理に有機溶剤を含む現像液有機系現像液を用いる溶剤現像プロセス用であってもよい。好適には、アルカリ現像プロセスにてポジ型レジストパターンを形成するために用いられるものであり、この場合、A成分としては、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大するものが用いられる。<C成分>C成分は、フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも1種と、芳香族基と、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とを有する樹脂成分である。本明細書において、樹脂成分とは、膜形成能を有する有機化合物であって重合体であるものを示す。樹脂成分としては、通常、ナノレベルのレジストパターンを形成しやすいことから、分子量が500以上、好ましくは1000以上の高分子化合物が用いられる。樹脂成分の場合、分子量としてはGPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算の質量平均分子量を用いるものとする。[芳香族基]芳香族基は、芳香族化合物から水素原子を1つ以上除いた基である。芳香族基は、DUV波長のOoB光を吸収し、その影響を低減することに寄与する。芳香族化合物は、芳香族性を有する化合物であり、置換基を有していてもよい芳香環を含む。芳香環の炭素数は、5~30であることが好ましく、5~20がより好ましく、6~15がさらに好ましく、6~12が特に好ましい。ただし該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香環として具体的には、ベンゼン、ビフェニル、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環;等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香環には置換基が結合していてもよい。芳香環としては、芳香族炭化水素環が好ましく、ベンゼンまたはナフタレンが特に好ましい。前記芳香環に結合していてもよい置換基としては、たとえばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、オキソ基=O、酸または塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基、等が挙げられる。前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基等が挙げられる。前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、たとえばメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基等が挙げられる。前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。前記置換基としての極性変換基のうち、酸の作用により分解して極性が増大する極性変換基としては、後述する構成単位c2の説明で挙げる酸分解性基と同様のものが挙げられる。塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基としては、以下に示すものと同様である。芳香族基に結合する置換基としては、上記のなかでも、フッ素原子、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、フッ素原子、メチル基、メトキシ基が特に好ましい。[塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基]塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基以下、塩基分解性極性変換基ということがある。は、アルカリ現像液好ましくは23°Cの2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液の作用により分解加水分解し得る。そのため、アルカリ現像前後で疎水性から親水性に変化することから、C成分を含有するレジスト組成物を用いてレジストパターンを形成する際、アルカリ現像前後でレジストパターン表面が疎水性から親水性に変化する。これにより、ディフェクトの発生が抑制され、ラインワイズラフネスLWRの小さい良好な形状のレジストパターンを形成できる。塩基分解性極性変換基としては、たとえば、塩基の作用により分解して極性基を生じる基が挙げられる。極性基としては、たとえばカルボキシ基、水酸基、アミノ基等が挙げられる。前記極性変換基としてより具体的には、極性基を少なくとも1つ有する極性基含有基の前記極性基の少なくとも1つを塩基解離性基で保護した基が挙げられる。極性基含有基は、極性基のみから構成されてもよく、n個の極性基[nは1以上の整数]がn1価の連結基に結合した基であってもよい。塩基解離性基は、塩基の作用により、少なくとも、当該塩基解離性基と該塩基解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る塩基解離性を有する基であり、塩基としては、アルカリ現像液たとえば23°Cの2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液が挙げられる。極性変換基を構成する塩基解離性基は、当該塩基解離性基の解離により生成する極性基よりも極性の低い基であることが必要で、これにより、塩基の作用により該塩基解離性基が解離した際に、該塩基解離性基よりも極性の高い極性基が生じて極性が増大する。その結果、C成分全体の極性が増大する。このような塩基解離性基としては、これまで種々提案されているものを特に制限無く適用できる。塩基分解性極性変換基としては、下記一般式I-1~I-4で表される基等が好ましい。これらの中でも、一般式I-1またはI-2で表される基が好ましく、一般式I-2で表される基が特に好ましい。[式中、R01は炭素数1~2のアルキル基または炭素数1~10のフッ素化アルキル基であり、L01は単結合または2価の連結基である。R02はフッ素原子を有していてもよい有機基であり、L02は単結合または2価の連結基である。R03はフッ素原子を有していてもよい有機基であり、L03は単結合または2価の連結基である。R04はフッ素原子を有していてもよい有機基であり、L04は単結合または2価の連結基である。]式I-1中、R01におけるフッ素化アルキル基としては、直鎖状または分岐鎖状が好ましく、直鎖状がより好ましい。フッ素化率無置換のアルキル基の水素原子がフッ素原子により置換された割合は、30以上が好ましく、50以上がより好ましい。フッ素化率の上限は特に限定されず、100であってもよい。フッ素化アルキル基としては、特に、-CH2v-Rf[vは0~4の整数であり、Rfは炭素数1~8のフッ素化アルキル基である。]で表される基が好ましい。vは1~3の整数が好ましい。Rfは炭素数が1~2であることが好ましい。また、vが1以上の整数である場合、Rfは、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。R01として具体的には、-CH3、-CH2-CH3、-CF3、-CH2-CF3、-CH2-CF2-CF3、-CHCF32、-CH22-CF22-CF3、-CH22-CF23-CF3、-CH22-CF24-CF3、-CH22-CF27-CF3、-CH23-CF3、-CH23-CF2-CF3、-CH24-CF3、-CH24-CF2-CF3、等が挙げられる。式I-1中、L01における2価の連結基としては、特に限定されないが、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基等が好適なものとして挙げられる。置換基を有していてもよい2価の炭化水素基2価の連結基としての炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。該脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1~10であることが好ましく、1~8がより好ましく、1~5がさらに好ましい。直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[-CH2-]、エチレン基[-CH22-]、トリメチレン基[-CH23-]、テトラメチレン基[-CH24-]、ペンタメチレン基[-CH25-]等が挙げられる。分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、-CHCH3-、-CHCH2CH3-、-CCH32-、-CCH3CH2CH3-、-CCH3CH2CH2CH3-、-CCH2CH32-等のアルキルメチレン基;-CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CHCH2CH3CH2-、-CCH2CH32-CH2-等のアルキルエチレン基;-CHCH3CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2-等のアルキルトリメチレン基;-CHCH3CH2CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2CH2-等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましい。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、水素原子を置換する置換基水素原子以外の基または原子を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、オキソ基=O等が挙げられる。前記構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含んでもよい環状の脂肪族炭化水素基脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が3~20であることが好ましく、3~12であることがより好ましい。環状の脂肪族炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。環状の脂肪族炭化水素基は、水素原子を置換する置換基水素原子以外の基または原子を有していてもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、オキソ基=O等が挙げられる。前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。環状の脂肪族炭化水素基は、その環構造を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されてもよい。該ヘテロ原子を含む置換基としては、-O-、-C=O-O-、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-が好ましい。2価の炭化水素基としての芳香族基は、芳香環を有する2価の炭化水素基であり、置換基を有していてもよい。芳香環の炭素数は5~30であることが好ましく、5~20がより好ましく、6~15がさらに好ましく、6~12が特に好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香環として具体的には、ベンゼン、ビフェニル、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環;等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。2価の炭化水素基としての芳香族基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を2つ除いた基アリーレン基またはヘテロアリーレン基;前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を1つ除いた基アリール基またはヘテロアリール基の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに1つ除いた基;等が挙げられる。前記アリール基またはヘテロアリール基に結合するアルキレン基の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。前記芳香族基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。たとえば当該芳香族基が有する芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、オキソ基=O等が挙げられる。前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。ヘテロ原子を含む2価の連結基ヘテロ原子を含む2価の連結基におけるヘテロ原子とは、炭素原子および水素原子以外の原子であり、たとえば酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子、ケイ素原子等が挙げられる。ヘテロ原子を含む2価の連結基として、具体的には、-O-、-C=O-、-C=O-O-、-O-C=O-O-、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-、-NH-、-NH-C=O-、-NH-C=NH-、=N-、-SiH2-O-等の非炭化水素系連結基、これらの非炭化水素系連結基の少なくとも1種と2価の炭化水素基との組み合わせ等が挙げられる。該2価の炭化水素基としては、上述した置換基を有していてもよい2価の炭化水素基と同様のものが挙げられ、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましい。上記のうち、-C=O-NH-中の-NH-、-NH-、-NH-C=NH-、-SiH2-O-中のHは、それぞれ、アルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。該置換基の炭素数としては1~10であることが好ましく、炭素数1~8であることがさらに好ましく、炭素数1~5であることが特に好ましい。また、非炭化水素系連結基と2価の炭化水素基との組み合わせである2価の連結基としては、たとえば、-Y21-O-Y22-、-[Y21-C=O-O]m’-Y22-、-Y21-O-C=O-Y22-ただし、Y21およびY22はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい2価の炭化水素基であり、Oは酸素原子であり、m’は0~3の整数である。、-[Y23-O]n’-ただし、Y23はアルキレン基であり、Oは酸素原子であり、n’は1以上の整数である。等が挙げられる。上記-Y21-O-Y22-、-[Y21-C=O-O]m’-Y22-または-Y21-O-C=O-Y22-において、Y21およびY22は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。該2価の炭化水素基としては、前記置換基を有していてもよい2価の炭化水素基として挙げたものと同様のものが挙げられる。Y21としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数1~5の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。Y22としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数1~3の直鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。-[Y21-C=O-O]m’-Y22-において、m’は0~3の整数であり、0~2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、1が特に好ましい。つまり、-[Y21-C=O-O]m’-Y22-としては、-Y21-C=O-O-Y22-が特に好ましい。なかでも、-CH2a’-C=O-O-CH2b’-が好ましい。該式中、a’は、1~10の整数であり、1~8の整数が好ましく、1~5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。b’は、1~10の整数であり、1~8の整数が好ましく、1~5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。上記-[Y23-O]n’-におけるY23のアルキレン基は、炭素数1~4のアルキレン基が好ましい。式I-1中、L01における2価の連結基としては、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂肪族環式基、又はヘテロ原子を含む2価の連結基であることが好ましく、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基であることがより好ましく、直鎖状のアルキレン基であることがさらに好ましい。式I-2中、R02における有機基は、フッ素原子を有する有機基であっても、フッ素原子を有しない有機基であってもよいが、フッ素原子を有する有機基であることが好ましい。ここで、フッ素原子を有する有機基とは、有機基における水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された基をいう。有機基としては、置換基を有していてもよい1価の炭化水素基が好ましい。該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族基であってもよい。1価の炭化水素基としての脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。該脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1~10であることが好ましく、1~8がより好ましく、1~5がさらに好ましい。該直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、アルキル基が好ましい。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、水素原子を置換する置換基水素原子以外の基または原子を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、オキソ基=O等が挙げられる。前記構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、1価の環状の脂肪族炭化水素基脂肪族炭化水素環から水素原子を1個除いた基、1価の環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、環状の脂肪族炭化水素基が1価の直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。1価の直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が3~20であることが好ましく、3~12であることがより好ましい。環状の脂肪族炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。環状の脂肪族炭化水素基は、水素原子を置換する置換基水素原子以外の基または原子を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、オキソ基=O等が挙げられる。環状の脂肪族炭化水素基は、その環構造を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されてもよい。該ヘテロ原子を含む置換基としては、-O-、-C=O-O-、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-が好ましい。1価の炭化水素基としての芳香族基は、芳香環を有する2価の炭化水素基であり、置換基を有していてもよい。芳香環の炭素数は5~30であることが好ましく、5~20がより好ましく、6~15がさらに好ましく、6~12が特に好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香環として具体的には、ベンゼン、ビフェニル、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環;等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。2価の炭化水素基としての芳香族基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を1つ除いた基アリール基またはヘテロアリール基;前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基アリールアルキル基またはヘテロアリールアルキル基;等が挙げられる。前記アリールアルキル基またはヘテロアリールアルキル基におけるアルキル基の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。前記アリールアルキル基またはヘテロアリールアルキル基の具体例としては、たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等が挙げられる。前記芳香族基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。たとえば当該芳香族基が有する芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、オキソ基=O等が挙げられる。前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。R02としては、上記のなかでも、フッ素原子が置換した直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状または分岐鎖状のフッ素化アルキル基がより好ましい。フッ素化アルキル基のフッ素化率無置換のアルキル基における水素原子のうちフッ素原子で置換された割合は、30以上が好ましく、50以上がより好ましい。フッ素化率の上限は特に限定されず、100であってもよい。式I-2中、L02における2価の連結基としては、式I-1中のL01における2価の連結基と同様のものが挙げられる。L02としては、それらの中でも、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂肪族環式基、又はヘテロ原子を含む2価の連結基であることが好ましく、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基であることがより好ましく、直鎖状のアルキレン基であることがさらに好ましい。式I-3中、R03、L03としては、それぞれ、式I-2中のR02、L02と同様のものが挙げられる。式I-4中、R04、L04としては、それぞれ、式I-2中のR02、L02と同様のものが挙げられる。C成分において、フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも1種と、芳香族基と、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とは、同一の構成単位中に含まれていてもよく、異なる構成単位中に含まれていてもよい。ここで、C成分を構成する構成単位としては、特に限定されるものではないが、エチレン性二重結合を有する化合物から誘導される構成単位であることが好ましい。エチレン性二重結合を有する化合物から誘導される構成単位とは、エチレン性二重結合を有する化合物におけるエチレン性二重結合が開裂して単結合となった構造の構成単位を意味する。エチレン性二重結合を有する化合物としては、たとえば、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸またはそのエステル、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリルアミドまたはその誘導体、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいビニル芳香族化合物、シクロオレフィンまたはその誘導体、ビニルスルホン酸エステル等が挙げられる。これらの中でも、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸またはそのエステル、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリルアミドまたはその誘導体、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいビニル芳香族化合物が好ましい。アクリル酸エステルは、アクリル酸CH2=CH-COOHのカルボキシ基末端の水素原子が有機基で置換された化合物である。本明細書において、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されたアクリル酸、アクリル酸エステルをそれぞれα置換アクリル酸、α置換アクリル酸エステルということがある。また、アクリル酸とα置換アクリル酸とを包括してα置換アクリル酸、α置換アクリル酸エステルとを包括してα置換アクリル酸エステルということがある。α置換アクリル酸またはそのエステルのα位の炭素原子に結合する置換基としては、ハロゲン原子、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基等が挙げられる。なお、アクリル酸エステルから誘導される構成単位のα位α位の炭素原子とは、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことを意味する。前記α位の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。前記α位の置換基としての炭素数1~5のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などの直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。前記α位の置換基としての炭素数1~5のハロゲン化アルキル基として具体的には、上記の炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。前記α位の置換基としてのヒドロキシアルキル基としては、炭素数1~5のヒドロキシアルキル基が好ましく、具体的には、上記の炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部または全部がヒドロキシ基で置換された基が挙げられる。本発明において、α置換アクリル酸またはそのエステルのα位の炭素原子に結合しているのは、水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であることが好ましく、水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のフッ素化アルキル基であることがより好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子またはメチル基であることが最も好ましい。有機基は、炭素原子を含む基であり、炭素原子以外の原子たとえば水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子等等を有していてもよい。α置換アクリル酸エステルが有する有機基としては、特に限定されないが、たとえば前述した芳香族基、極性変換基、後述する酸分解性基等の特性基、これらの特性基を構造中に含む特性基含有基等が挙げられる。該特性基含有基としては、たとえば、前記特性基に2価の連結基が結合した基等が挙げられる。2価の連結基としては、たとえば前述した一般式I-1中のL01の2価の連結基と同様のものが挙げられる。アクリルアミドまたはその誘導体としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリルアミド以下、α置換アクリルアミドということがある。、α置換アクリルアミドのアミノ基末端の水素原子の一方または両方が置換基で置換された化合物、等が挙げられる。アクリルアミドまたはその誘導体のα位の炭素原子に結合してもよい置換基としては、前記α置換アクリル酸エステルのα位の炭素原子に結合する置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。α置換アクリルアミドのアミノ基末端の水素原子の一方または両方を置換する置換基としては、有機基が好ましい。該有機基としては、特に限定されないが、たとえば前記α置換アクリル酸エステルが有する有機基と同様のものが挙げられる。α置換アクリルアミドのアミノ基末端の水素原子の一方または両方が置換基で置換された化合物としては、たとえば前記α置換アクリル酸エステル中のα位の炭素原子に結合した-C=O-O-を、-C=O-NRb-[式中、Rbは水素原子または炭素数1~5のアルキル基である。]で置換した化合物が挙げられる。式中、Rbにおけるアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。ビニル芳香族化合物は、芳香環および該芳香環に結合した1つのビニル基を有する化合物であり、スチレンまたはその誘導体、ビニルナフタレンまたはその誘導体等が挙げられる。ビニル芳香族化合物のα位の炭素原子ビニル基の炭素原子のうち、芳香環に結合した炭素原子に結合してもよい置換基としては、前記α置換アクリル酸エステルのα位の炭素原子に結合する置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。以下、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されビニル芳香族化合物をα置換ビニル芳香族化合物ということがある。スチレンまたはその誘導体としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、ベンゼン環に結合した水素原子が、水酸基以外の置換基で置換されていてもよいスチレン以下、α置換スチレンということがある。、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、ベンゼン環に結合した水素原子が、水酸基以外の置換基で置換されていてもよいヒドロキシスチレン以下、α置換ヒドロキシスチレンということがある。、α置換ヒドロキシスチレンの水酸基の水素原子が有機基で置換された化合物、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、ベンゼン環に結合した水素原子が、水酸基およびカルボキシ基以外の置換基で置換されていてもよいビニル安息香酸以下、α置換ビニル安息香酸ということがある。、α置換ビニル安息香酸のカルボキシ基の水素原子が有機基で置換された化合物、等が挙げられる。ヒドロキシスチレンは、ベンゼン環に、1つのビニル基と、少なくとも1つの水酸基とが結合した化合物である。ベンゼン環に結合する水酸基の数は、1~3が好ましく、1が特に好ましい。ベンゼン環における水酸基の結合位置は特に限定されない。水酸基の数が1つである場合は、ビニル基の結合位置のパラ4位が好ましい。水酸基の数が2以上の整数である場合は、任意の結合位置を組み合わせることができる。ビニル安息香酸は、安息香酸のベンゼン環に1つのビニル基が結合した化合物である。ベンゼン環におけるビニル基の結合位置は特に限定されない。スチレンまたはその誘導体のベンゼン環に結合してもよい、水酸基およびカルボキシ基以外の置換基としては、特に限定されず、たとえば、ハロゲン原子、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が特に好ましい。α置換ヒドロキシスチレンの水酸基の水素原子が有機基で置換された化合物における有機基としては、特に限定されないが、たとえば前記α置換アクリル酸エステルが有する有機基として挙げた有機基が挙げられる。α置換ビニル安息香酸のカルボキシ基の水素原子が有機基で置換された化合物における有機基としては、特に限定されないが、たとえば前記α置換アクリル酸エステルが有する有機基として挙げた有機基が挙げられる。ビニルナフタレンまたはその誘導体としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、ナフタレン環に結合した水素原子が、水酸基以外の置換基で置換されていてもよいビニルナフタレン以下、α置換ビニルナフタレンということがある。、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、ナフタレン環に結合した水素原子が、水酸基以外の置換基で置換されていてもよいビニルヒドロキシナフタレン以下、α置換ビニルヒドロキシナフタレンということがある。、α置換ビニルヒドロキシナフタレンの水酸基の水素原子が置換基で置換された化合物、等が挙げられる。ビニルヒドロキシナフタレンは、ナフタレン環に、1つのビニル基と、少なくとも1つの水酸基とが結合した化合物である。ビニル基は、ナフタレン環の1位に結合していてもよく、2位に結合していてもよい。ナフタレン環に結合する水酸基の数は、1~3が好ましく、1が特に好ましい。ナフタレン環における水酸基の結合位置は特に限定されない。ナフタレン環の1位または2位にビニル基が結合している場合、ナフタレン環の5~8位のいずれかが好ましい。特に、水酸基の数が1つである場合は、ナフタレン環の5~7位のいずれかが好ましく、5または6位が好ましい。水酸基の数が2以上の整数である場合は、任意の結合位置を組み合わせることができる。ビニルナフタレンまたはその誘導体のナフタレン環に結合してもよい置換基としては、前記α置換スチレンのベンゼン環に結合してもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。α置換ビニルヒドロキシナフタレンの水酸基の水素原子が有機基で置換された化合物における有機基としては、特に限定されないが、たとえば前記α置換アクリル酸エステルが有する有機基と同様のものが挙げられる。α置換アクリル酸またはそのエステルから誘導される構成単位として具体的には、下記一般式U-1で表される構成単位が挙げられる。α置換アクリルアミドまたはその誘導体から誘導される構成単位から誘導される構成単位として具体的には、下記一般式U-2で表される構成単位が挙げられる。α置換ビニル芳香族化合物のうち、α置換スチレンまたはその誘導体から誘導される構成単位として具体的には、下記一般式U-3で表される構成単位が挙げられる。また、α置換ビニルナフタレンまたはその誘導体から誘導される構成単位として具体的には、下記一般式U-4で表される構成単位が挙げられる。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。Xa~Xdはそれぞれ独立に水素原子または有機基である。Rbは水素原子または炭素数1~5のアルキル基である。RcおよびRdはそれぞれ独立にハロゲン原子、-COOXeXeは水素原子または有機基である。、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。pxは0~3の整数であり、qxは0~5の整数であり、pxqxは0~5である。qxが2以上の整数である場合、複数のRcはそれぞれ同じであっても異なってもよい。xは0~3の整数であり、yは0~3の整数であり、zは0~4の整数であり、xyzは0~7である。yzが2以上の整数である場合、複数のRdはそれぞれ同じであっても異なってもよい。]C成分は、少なくとも、フッ素原子またはケイ素原子を含む構成単位以下、構成単位c0という。を有する。構成単位c0としては、フッ素原子またはケイ素原子を含むものであれば特に限定されないが、エチレン性二重結合を有する化合物から誘導される構成単位であることが好ましく、下記一般式c-0で表される構成単位が好ましい。[式中、Rは、水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり、L0は、フッ素原子もしくはケイ素原子を有してもよい2価の連結基、または単結合であり、R0は、フッ素原子またはケイ素原子を有してもよい1価の有機基である。ただしL0およびR0の少なくとも一方は、フッ素原子またはケイ素原子を有する。]式c-0中、Rにおけるアルキル基、ハロゲン化アルキル基としては、それぞれ、前記α置換アクリル酸またはそのエステルのα位の炭素原子に結合する置換基として挙げたアルキル基、ハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。L0における2価の連結基としては、前記式I-1中のL01における2価の連結基と同様のものが挙げられる。なかでも、-C=O-O-L10-、-C=O-NRN-L10-または-Rar-L10-で表される基が好ましい。L10は単結合または2価の連結基である。該2価の連結基としては、前記一般式I-1中のL01における2価の連結基と同様のものが挙げられる。RNは水素原子または炭素数1~5のアルキル基である。該アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。RNとしては、水素原子またはメチル基が特に好ましい。Rarは置換基を有していてもよい2価の芳香族基である。該2価の芳香族基としては、前記一般式I-1中、L01における2価の連結基の説明で、2価の炭化水素基として挙げた芳香族基と同様のものが挙げられる。なかでも、置換基を有していてもよいフェニレン基、又は置換基を有していてもよいナフチレン基が好ましい。R0における有機基としては、特に限定されず、公知の有機基のなかから、C成分の所望の特性に応じた特性基を含む有機基を適宜選択できる。たとえば後述する構成単位c1~c6等の側鎖に含まれる特性基塩基分解性極性変換基、酸分解性基、極性基含有炭化水素基等が挙げられる。C成分を構成する構成単位としてより具体的には、以下の構成単位c1~c5等が挙げられる。構成単位c1:塩基分解性極性変換基を含む含フッ素構成単位。構成単位c2:酸の作用により分解して極性が増大する酸分解性基を含む構成単位。構成単位c3:極性基を含む構成単位。構成単位c4:環構造を含み、構成単位c1~c3に該当しない含フッ素構成単位。構成単位c5:トリアルキルシリル基またはシロキサン結合Si-O-Siを有する有機基を含む含ケイ素構成単位。[構成単位c1]構成単位c1における塩基分解性極性変換基は、前記で挙げた塩基分解性極性変換基と同様である。構成単位c1としては、前記一般式c-0中のR0が塩基分解性極性変換基であるものが挙げられ、好ましい例として、下記一般式c1-10またはc1-20で表される構成単位等が挙げられる。[式c1-10中、R、L0、L01、R01はそれぞれ前記と同じである。ただしL0、L01およびR01のうち少なくとも一つはフッ素原子を有する。式c1-20中、R、L0、L02、R02はそれぞれ前記と同じである。ただしL0、L02およびR02のうち少なくとも一つはフッ素原子を有する。]式中、R、L0はそれぞれ前記式c-0中のR、L0と同様である。L01、R01は、それぞれ、前記一般式I-1中のL01、R01と同様である。L02、R02は、それぞれ、前記一般式I-2中のL02、R02と同様である。前記一般式c1-10またはc1-20で表される構成単位の好ましい例として、下記一般式c1-11~c1-15、c1-21~c1-25で表される構成単位等が挙げられる。[式c1-11~c1-12中、R、R01はそれぞれ前記と同じであり、L11は単結合または2価の連結基であり、Rarは置換基を有していてもよい2価の芳香族基であり、L12は単結合または2価の連結基であり、RNは水素原子または炭素数1~5のアルキル基である。ただしL11、Rar、L12およびR01のうち少なくとも一つはフッ素原子を有する。式c1-13中、R、Rar、R01はそれぞれ前記と同じであり、L13は単結合または2価の連結基である。ただしRar、L13およびR01のうち少なくとも一つはフッ素原子を有する。式c1-14~c1-15中、R、R01、RNはそれぞれ前記と同じであり、L14は芳香族基を含まない2価の連結基である。ただしL14およびR01のうち少なくとも一つはフッ素原子を有する。式c1-21~c1-22中、R、Rar、R02、RNはそれぞれ前記と同じであり、L21は単結合または2価の連結基である。ただしL21、RarおよびR02のうち少なくとも一つはフッ素原子を有する。式c1-23中、R、Rar、R02はそれぞれ前記と同じである。ただしRarおよびR02のうち少なくとも一つはフッ素原子を有する。式c1-24~c1-25中、R、R02、RNはそれぞれ前記と同じであり、L22は芳香族基を含まない2価の連結基である。ただしL22およびR02のうち少なくとも一つはフッ素原子を有する。]式中、Rは前記式c-0中のRと同様である。R01は、前記塩基分解性極性変換基の説明で挙げた一般式I-1中のR01と同様であり、R02は、一般式I-2中のR02と同様である。Rarは、前記式I-1中のL01における2価の連結基の説明で挙げた-Rar-L10-におけるRarと同様である。RNは、前記式I-1中のL01における2価の連結基の説明で挙げた-C=O-NRN-L10-におけるRNと同様である。L11、L21における2価の連結基としては、それぞれ、前記一般式I-1中のL01における2価の連結基と同様のものが挙げられる。なかでも、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましい。なかでも、メチレン基が特に好ましい。L12、L13における2価の連結基としては、それぞれ、前記一般式I-1中のL01における2価の連結基と同様のものが挙げられる。なかでも、エーテル結合またはエステル結合を含むものが好ましく、-O-CH2a1-、-O-C=O-CH2a1-、-CH2a2-O-CH2a1-、または-CH2a2-O-C=O-CH2a1-がより好ましく、-O-CH2a1-が特に好ましい。式中、a1は1~5の整数であり、a2は1~5の整数である。L14、L22における2価の連結基としては、それぞれ、前記一般式I-1中のL01における2価の連結基と同様のものただし芳香族基を含むものを除く。が挙げられる。なかでも、フッ素原子を有していてもよい直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂肪族環式基、又はヘテロ原子を含む2価の連結基であることが好ましく、フッ素原子を有していてもよい直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基がより好ましい。なかでも、直鎖状のアルキレン基、またはカルボニル基に隣接する炭素原子にフッ素原子またはフッ素化アルキル基が結合した分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、-CH2-、-CH2-CH2-、-CHCH3-CF2-、-CHCH2CH3-CF2-、または-CHCH2CH3-CFCH3-が特に好ましい。構成単位c1としては、上記の中でも、一般式c1-11、c1-12、c1-14、c1-15またはc1-23で表される構成単位が好ましい。これらの構成単位の好ましい具体例を以下に示す。式中、Rβは水素原子又はメチル基である。C成分が構成単位c1を含有する場合、C成分に含まれる構成単位c1は1種であってもよく2種以上であってもよい。C成分中、構成単位c1の割合は、C成分を構成する全構成単位に対し、40~90モルが好ましく、50~85モルがより好ましく、50~80モルがさらに好ましい。下限値以上とすることによって、表面偏析効果を高め、アルカリ現像液に対する溶解性が向上し、リソグラフィー特性が向上する。また、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。構成単位c1が芳香族基を有する場合、構成単位c1の割合は、C成分を構成する全構成単位に対し、20~85モルが好ましく、25~80モルがより好ましい。上記範囲とすることによって、表面偏析効果を高め、OoB光による影響の低減効果が向上する。アルカリ現像プロセスの場合はアルカリ現像液に対する溶解性が向上する。構成単位c1が芳香族基を有さない場合、構成単位c1の割合は、0~45モルが好ましく、5~40モルがより好ましい。[構成単位c2]構成単位c2は、酸の作用により分解して極性が増大する酸分解性基酸分解性の極性変換基を含む構成単位である。酸分解性基は、露光によりA成分または任意に添加される酸発生剤成分Bから発生する酸の作用により、当該酸分解性基の構造中の少なくとも一部の結合が開裂し得る酸分解性を有する基である。酸の作用により極性が増大する酸分解性基としては、たとえば、酸の作用により分解して極性基を生じる基が挙げられる。酸分解性基を構成する極性基としては、たとえばカルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルホ基-SO3H等が挙げられる。これらのなかでも、カルボキシ基または水酸基が好ましく、カルボキシ基が特に好ましい。酸分解性基としてより具体的には、前記極性基を酸解離性基で保護した基たとえば前記極性基の水素原子を酸解離性基で保護した基が挙げられる。酸解離性基は、露光によりA成分または任意に添加される酸発生剤成分Bから発生する酸の作用により、少なくとも、当該酸解離性基と該酸解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る酸解離性を有する基である。酸分解性基を構成する酸解離性基は、当該酸解離性基の解離により生成する極性基よりも極性の低い基であることが必要で、これにより、酸の作用により該酸解離性基が解離した際に、該酸解離性基よりも極性の高い極性基が生じ、C成分の極性が増大する。露光時にC成分の極性が増大することで、アルカリ現像プロセスの場合は露光部のアルカリ現像液に対する溶解性が良好となる。酸解離性基としては、特に限定されず、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性基として提案されているものを使用することができる。一般的には、メタアクリル酸等におけるカルボキシ基と環状又は鎖状の第3級アルキルエステルを形成する基、アルコキシアルキル基等のアセタール型酸解離性基などが広く知られている。ここで、第3級アルキルエステルとは、カルボキシ基の水素原子が、鎖状又は環状のアルキル基で置換されることによりエステルを形成しており、そのカルボニルオキシ基-C=O-O-の末端の酸素原子に、前記鎖状又は環状のアルキル基の第3級炭素原子が結合している構造を示す。この第3級アルキルエステルにおいては、酸が作用すると、酸素原子と第3級炭素原子との間で結合が切断され、カルボキシ基が形成される。前記鎖状又は環状のアルキル基は、置換基を有していてもよい。以下、カルボキシ基と第3級アルキルエステルを構成することにより、酸解離性となっている基を、便宜上、第3級アルキルエステル型酸解離性基という。第3級アルキルエステル型酸解離性基としては、脂肪族分岐鎖状酸解離性基、脂肪族環式基を含有する酸解離性基が挙げられる。ここで、脂肪族分岐鎖状とは、芳香族性を持たない分岐鎖状の構造を有することを示す。脂肪族分岐鎖状酸解離性基の構造は、炭素および水素からなる基炭化水素基であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、炭化水素基は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。脂肪族分岐鎖状酸解離性基としては、たとえば、-CR71R72R73で表される基が挙げられる。式中、R71~R73は、それぞれ独立に、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基である。-CR71R72R73で表される基は、炭素数が4~8であることが好ましく、具体的にはtert-ブチル基、2-メチル-2-ブチル基、2-メチル-2-ペンチル基、3-メチル-3-ペンチル基などが挙げられる。特にtert-ブチル基が好ましい。構成単位c2に用いられる脂肪族分岐鎖状酸解離性基は、水素原子の一部がフッ素原子で置換されていてもよい。この場合、前記-CR71R72R73で表される基のR71、R72およびR73のうちの1つがフッ素化アルキル基であり、2つがアルキル基であることが好ましい。該フッ素化アルキル基としては、-CH2w-CF3で表される基が好ましい。wは0~3の整数である。脂肪族環式基は、芳香族性を持たない単環式基又は多環式基であることを示す。脂肪族環式基を含有する酸解離性基における脂肪族環式基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルコキシ基、フッ素原子、炭素数1~5のフッ素化アルキル基、酸素原子=O等が挙げられる。該脂肪族環式基の置換基を除いた基本の環の構造は、炭素および水素からなる基炭化水素基であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、該炭化水素基は、飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。脂肪族環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。脂肪族環式基としては、炭素数が3~30であるものが好ましく、5~30であるものがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~12が最も好ましい。単環式の脂肪族環式基としては、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂肪族環式基としては、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。また、これらの脂肪族環式基の環を構成する炭素原子の一部がエーテル基-O-で置換されたものであってもよい。脂肪族環式基を含有する酸解離性基としては、たとえば、i1価の脂肪族環式基の環骨格上の、当該酸解離性基に隣接する原子たとえば-C=O-O-における-O-と結合する炭素原子に置換基水素原子以外の原子または基が結合して第3級炭素原子が形成されている基;ii1価の脂肪族環式基と、これに結合する第3級炭素原子を有する分岐鎖状アルキレンとを有する基などが挙げられる。前記iの基において、脂肪族環式基の環骨格上、当該酸解離性基に隣接する原子と結合する炭素原子に結合する置換基としては、たとえばアルキル基が挙げられる。該アルキル基としては、たとえば後述する式1-1~1-9中のR14と同様のものが挙げられる。前記iの基の具体例としては、たとえば下記一般式1-1~1-9で表される基等が挙げられる。前記iiの基の具体例としては、たとえば下記一般式2-1~2-6で表される基等が挙げられる。[式中、R14はアルキル基であり、gは0~8の整数である。][式中、R15およびR16は、それぞれ独立してアルキル基である。]式1-1~1-9中、R14のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、直鎖状または分岐鎖状が好ましい。該直鎖状のアルキル基は、炭素数が1~5であることが好ましく、1~4がより好ましく、1または2がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基またはn-ブチル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。該分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が3~10であることが好ましく、3~5がより好ましい。具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、tert-ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、イソプロピル基であることが最も好ましい。gは0~3の整数が好ましく、1~3の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましい。式2-1~2-6中、R15~R16のアルキル基としては、前記R14のアルキル基と同様のものが挙げられる。上記式1-1~1-9、2-1~2-6中、環を構成する炭素原子の一部がエーテル性酸素原子-O-で置換されていてもよい。また、式1-1~1-9、2-1~2-6中、環を構成する炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子、フッ素化アルキル基が挙げられる。アセタール型酸解離性基は、一般的に、カルボキシ基、水酸基等のOH含有極性基末端の水素原子と置換して酸素原子と結合している。そして、露光により酸が発生すると、この酸が作用して、アセタール型酸解離性基と、当該アセタール型酸解離性基が結合した酸素原子との間で結合が切断され、カルボキシ基、水酸基等のOH含有極性基が形成される。アセタール型酸解離性基としては、たとえば、下記一般式p1で表される基が挙げられる。[式中、R1’,R2’はそれぞれ独立して水素原子または炭素数1~5のアルキル基を表し、nは0~3の整数を表し、Yは炭素数1~5のアルキル基または脂肪族環式基を表す。]式p1中、nは、0~2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、0が最も好ましい。R1’,R2’のアルキル基としては、上記α置換アクリル酸エステルについての説明で、α位の炭素原子に結合してもよい置換基として挙げたアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。本発明においては、R1’,R2’のうち少なくとも1つが水素原子であることが好ましい。すなわち、酸解離性基p1が、下記一般式p1-1で表される基であることが好ましい。[式中、R1’、n、Yは上記と同じである。]Yのアルキル基としては、上記α置換アクリル酸エステルについての説明で、α位の炭素原子に結合してもよい置換基として挙げたアルキル基と同様のものが挙げられる。Yの脂肪族環式基としては、従来ArFレジスト等において多数提案されている単環又は多環式の脂肪族環式基の中から適宜選択して用いることができ、たとえば上記脂肪族環式基を含有する酸解離性基で挙げた脂肪族環式基と同様のものが例示できる。アセタール型酸解離性基としては、下記一般式p2で示される基も挙げられる。[式中、R17、R18はそれぞれ独立して直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基または水素原子であり;R19は直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基である。または、R17およびR19がそれぞれ独立に直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基であって、R17とR19とが結合して環を形成していてもよい。]R17、R18において、アルキル基の炭素数は、好ましくは1~15であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。特にR17、R18の一方が水素原子で、他方がメチル基であることが好ましい。R19は直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基であり、炭素数は好ましくは1~15であり、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれでもよい。R19が直鎖状、分岐鎖状の場合は炭素数1~5であることが好ましく、エチル基、メチル基がさらに好ましく、エチル基が最も好ましい。R19が環状の場合は炭素数4~15であることが好ましく、炭素数4~12であることがさらに好ましく、炭素数5~10が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基など、上記脂肪族環式基と同様のものを例示できる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。また、上記式p2においては、R17及びR19がそれぞれ独立に直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基好ましくは炭素数1~5のアルキレン基であって、R19とR17とが結合していてもよい。この場合、R17と、R19と、R19が結合した酸素原子と、該酸素原子およびR17が結合した炭素原子とにより環式基が形成されている。該環式基としては、4~7員環が好ましく、4~6員環がより好ましい。該環式基の具体例としては、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。構成単位c2としては、後述する構成単位a1と同様のものが挙げられる。構成単位c2は、フッ素原子またはケイ素原子を有してもよく、有さなくてもよい。フッ素原子またはケイ素原子を有する構成単位c2としては、例えば、前記一般式c-0中のR0が酸分解性基であるものが挙げられ、特に式c-0中のL01が-C=O-O-L10-、-C=O-NRN-L10-または-Rar-L10-であるものが好ましい。構成単位c2としてより具体的には、下記一般式c2-11~c2-15で表される構成単位等が挙げられる。[式c2-11~c2-12中、R、L11、Rar、L12、RNはそれぞれ前記と同じであり、R03は酸解離性基である。式c2-13中、R、Rar、L13、R03はそれぞれ前記と同じであり、zは0または1である。式c2-14~c2-15中、R、L14、R03、RN、zはそれぞれ前記と同じである。]式c2-11~c2-15中、R、L11~L14、Rar、RNはそれぞれ前記構成単位c1の説明で挙げた一般式c1-11~c1-15中のR、L11~L14、Rar、RNと同様である。ただし、式c2-11~c2-15で表される構成単位は、必ずしもフッ素原子またはケイ素原子を有している必要はない。R03の酸解離性基としては前記と同様のものが挙げられる。それらの中でも、第3級アルキルエステル型酸解離性基が好ましく、脂肪族環式基を含有する酸解離性基が特に好ましい。C成分が構成単位c2を含有する場合、C成分に含まれる構成単位c2は1種であってもよく2種以上であってもよい。C成分中、構成単位c2の割合は、C成分を構成する全構成単位に対し、0~45モルが好ましく、5~40モルがより好ましく、10~40モルがさらに好ましい。上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。また、5モル以上含有すると、アルカリ現像プロセスの場合は露光部、溶剤現像プロセスの場合は未露光部における現像液溶解性が向上する。構成単位c2が芳香族基を有する場合、C成分を構成する全構成単位に対し、5~30モルが好ましく、10~20モルがより好ましい。上記範囲とすることで、OoB光による影響の低減効果が向上し、アルカリ現像プロセスの場合は露光部、溶剤現像プロセスの場合は未露光部における現像液溶解性が向上する。構成単位c2が芳香族基を有さない場合、C成分を構成する全構成単位に対し、0~45モルが好ましく、0~40モルがより好ましい。[構成単位c3]構成単位c3は、極性基を含む構成単位である。C成分が構成単位c3を有することにより、露光後のC成分の極性がさらに向上する。極性の向上は、ディフェクト低減に寄与する。また、アルカリ現像プロセスの場合に、解像性等の向上に寄与する。極性基としては、-OH、-COOH、-CN、-SO2NH2、-CONH2、等が挙げられる。-OHは、フェノール性水酸基でもアルコール性水酸基でもよい。構成単位c3は、水素原子の一部が極性基または極性基を含む有機基で置換された炭化水素基を含む構成単位であることが好ましい。極性基を含む有機基としては、たとえば、ヒドロキシアルキル基、ヒドロキシアルキルオキシ基、フッ素化アルコール基炭素原子に結合した水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基、ヒドロキシアリール基等が挙げられる。これらのうち、ヒドロキシアルキル基、ヒドロキシアルキルオキシ基、フッ素化アルコール基の炭素骨格は、直鎖状でも分岐鎖状でも環状でもよく、それらの組み合わせであってもよい。直鎖状または分岐鎖状である場合、該炭素骨格の炭素数は1~12が好ましい。環状である場合、該炭素骨格の炭素数は3~30が好ましい。ヒドロキシアリール基におけるアリール基としては、前記芳香族基の説明で挙げた芳香環から水素原子を1個除いた基が挙げられ、フェニル基またはナフチル基が好ましい。極性基または極性基を含む有機基で水素原子が置換される炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよい。なかでも、構成単位c3における炭化水素基は、芳香族炭化水素基あることがより好ましい。当該炭化水素基における脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基としては、それぞれ、前記一般式I-1中、L01における2価の連結基の説明で2価の炭化水素基として挙げた脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基と同様のものが挙げられる。前記炭化水素基は、極性基以外の置換基を有していてもよい。該置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、オキソ基=O等が挙げられる。構成単位c3としては、α置換アクリル酸から誘導される構成単位、またはα置換アクリル酸エステルから誘導される構成単位であって極性基を含む構成単位が好ましい。α置換アクリル酸から誘導される構成単位、α置換アクリル酸エステルから誘導される構成単位は、それぞれ、α置換アクリル酸のエチレン性二重結合が開裂して単結合となった構造の構成単位、α置換アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して単結合となった構造の構成単位を示す。α置換アクリル酸エステルから誘導される構成単位であって極性基を含む構成単位としては、たとえば後述の構成単位a3-11が挙げられる。構成単位c3は、フッ素原子またはケイ素原子を有してもよく、有さなくてもよい。フッ素原子またはケイ素原子を有する構成単位c3としては、前記一般式c-0中のR0が、極性基を含む炭化水素基であるものが挙げられる。構成単位c3としては、極性基に加え、さらにフッ素原子を含むものが好ましく、前記一般式c-0中のR0が、水酸基およびフッ素原子が結合した芳香族環式基であるか、またはフッ素化アルコール基が結合した脂肪族環式基であるものがより好ましい。特に式c-0中のL01が単結合、-C=O-O-L10-または-C=O-NRN-L10-であるものが好ましい。以下に、構成単位c3の好ましい具体例を示す。C成分が構成単位c3を含有する場合、C成分に含まれる構成単位c3は1種であってもよく2種以上であってもよい。C成分中、構成単位c3の割合は、C成分を構成する全構成単位に対し、0~50モルが好ましく、5~45モルがより好ましい。上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。構成単位c3が芳香族基を有する場合も有さない場合も、5モル以上とすることによって、構成単位c3を含有する効果が充分に得られる。構成単位c3が芳香族基を有する場合は、さらにOoB光による影響の低減効果が向上する。[構成単位c4]構成単位c4は、環式基を含み、構成単位c1~c3に該当しない含フッ素構成単位である。構成単位c4を有することにより、形成されるレジストパターンのドライエッチング耐性が向上する。また、C成分の疎水性が高まる。疎水性の向上は、特に有機溶剤現像の場合に、解像性、レジストパターン形状等の向上に寄与する。構成単位c4が有する環式基は、芳香族環式基でも脂肪族環式基でもよい。芳香族環式基としては、前記芳香族基の説明で挙げた芳香環から1個以上の水素原子を除いたものが挙げられる。脂肪族環式基は、飽和であっても不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。脂肪族環式基は、単環式でも多環式でもよい。単環式の脂肪族環式基としては、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。前記環式基には、置換基が結合していてもよい。該置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、オキソ基=O等が挙げられる。これらのうち、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基としては、前記芳香族基の説明で、芳香環に結合していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。前記置換基としての極性基としては、たとえば水酸基、カルボキシ基、アミノ基、スルホ基、シアノ基、ヒドロキシアルキル基、ヒドロキシアルキルオキシ基、フッ素化アルコール基炭素原子に結合した水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基等が挙げられる。これらのうち、ヒドロキシアルキル基、ヒドロキシアルキルオキシ基、フッ素化アルコール基の炭素骨格は、直鎖状でも分岐鎖状でも環状でもよく、それらの組み合わせであってもよい。直鎖状または分岐鎖状である場合、該炭素骨格の炭素数は1~12が好ましい。環状である場合、該炭素骨格の炭素数は3~30が好ましい。構成単位c4としては、前記一般式c-0中のR0が含フッ素環式基であるものが好ましく、特に式c-0中のL01が単結合、-C=O-O-L10-、または-C=O-NRN-L10-であるものが好ましい。以下に、構成単位c4の好ましい具体例を示す。C成分が構成単位c4を含有する場合、C成分に含まれる構成単位c3は1種であってもよく2種以上であってもよい。C成分中、構成単位c4の割合は、C成分を構成する全構成単位に対し、0~30モルが好ましく、1~20モルがより好ましい。上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。1モル以上であれば構成単位c4を含有する効果が充分に得られる。[構成単位c5]構成単位c5は、トリアルキルシリル基またはシロキサン結合を有する有機基を含む含ケイ素構成単位である。トリアルキルシリル基としては、たとえば、-SiR74R75R76で表される基が挙げられる。式中、R74~R76は、それぞれ独立に、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基である。該アルキル基の炭素数は、1~10であることが好ましく、1~8がより好ましく、1~5がさらに好ましい。該アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、t-ブチル基等が好ましく、メチル基が特に好ましい。トリアルキルシリル基として具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、t-ブチルジメチルシリル基などが挙げられる。トリアルキルシリル基を含む有機基は、トリアルキルシリル基のみから構成されてもよく、n個nは1以上の整数のトリアルキルシリル基がn1価の連結基に結合したものであってもよい。n1価の連結基のうち、nが1の場合の連結基、つまり2価の連結基としては、前記一般式I-1中のL01の2価の連結基の説明で挙げたものと同様のものが挙げられ、エーテル結合またはエステル結合が挿入されていてもよい直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。nが2以上の場合の連結基としては、該2価の連結基の連結基からさらに水素原子をn-1個除いた基が挙げられる。シロキサン結合Si-O-Siを含む有機基としては、たとえば、ケイ素原子に炭化水素基が結合した環状シロキサン、ケイ素原子に炭化水素基が結合したかご型シルセスキオキサン、鎖状または環状のアルキル基の炭素鎖の一部を-Si-O-Si-で置換した基等が挙げられる。環状シロキサンまたはかご型シルセスキオキサンのケイ素原子に結合する炭化水素基は、脂肪族炭化水素基でも芳香族基でもよい。好ましくは脂肪族基であり、より好ましくは炭素数1~5のアルキル基である。構成単位c5としては、前記一般式c-0中のR0がトリアルキルシリル基またはシロキサン構造を含む有機基であるものが挙げられ、特に式c-0中のL01が-C=O-O-L10-または単結合であるものが好ましい。C成分が構成単位c5を含有する場合、C成分に含まれる構成単位c5は1種であってもよく2種以上であってもよい。C成分中、構成単位c5の割合は、C成分を構成する全構成単位に対し、0~60モルが好ましく、1~50モルがより好ましく、5~40モルがさらに好ましい。上記範囲とすることにより、表面偏析効果、塗布性等が向上し、他の構成単位とのバランスをとることができる。C成分は、構成単位c1~c5以外の構成単位以下、構成単位c6という。をさらに有していてもよい。構成単位c6としては、構成単位c1~c5と共重合体を形成し得るものであれば特に限定されない。たとえばArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用、EB用、EUV用等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。このような構成単位としては、例えば、後述するA成分の説明で挙げる構成単位a0、a2、a4等が挙げられ、それらのなかから適宜選択できる。C成分を構成する構成単位は1種でも2種以上でもよい。C成分を構成する構成単位が1種である場合、該構成単位としては、フッ素原子またはケイ素原子のほか、塩基分解性極性変換基および芳香族基を有するものが用いられる。このような構成単位としては、たとえば、前記一般式c1-11~c1-13、c1-21~c1-23で表される構成単位が挙げられる。C成分は、前記芳香族基を有する構成単位の割合が20モル以上であることが必要である。該割合が20モル以上であることで、OoB光の影響を低減できる。C成分中の芳香族基を有する構成単位の割合は、C成分を構成する全構成単位の合計に対し、20~100モルであることが好ましく、25~100モルであることがより好ましい。芳香族基を有する構成単位は、構成単位c1~c6等のいずれに相当するものであってもよい。また、C成分中、フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも1種好ましくはフッ素原子を含む構成単位の割合は、本発明の効果の点で、C成分を構成する全構成単位の合計に対し、70モル以上が好ましく、80モル以上がより好ましい。上限は特に限定されず、100モルであってもよい。さらに、C成分は、フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも1種好ましくはフッ素原子を有しかつ芳香族基を有する構成単位を、C成分を構成する全構成単位の合計に対し、20~100モル含有することが好ましく、25~100モル含有することがより好ましい。C成分中、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基を有する構成単位の好ましい割合は前記構成単位c1の好ましい割合と同様である。また、C成分における、前記芳香族基を有する構成単位の割合に対し、フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも1種好ましくはフッ素原子を有する構成単位の割合は、40~500モルであることが好ましく、50~400モルであることがより好ましい。上記範囲とすることで、表面偏析効果が向上し、OoB光による影響の低減効果に優れる。C成分における、前記芳香族基を有する構成単位の割合に対し、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基を有する構成単位の割合は、50~250モルであることが好ましく、55~200モルであることがより好ましい。上記範囲とすることで、OoB光による影響の低減効果に優れ、アルカリ現像液に対する溶解性も良好となる。C成分は、構成単位c1を有する重合体であることが好ましく、構成単位c1と、構成単位c2および構成単位c3から選ばれる少なくとも1種とを有する共重合体であることが好ましい。構成単位c1としては、前記一般式c1-11~c1-15、c1-21~c1-25で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも1種が好ましく、一般式c1-11、c1-12、c1-14、c1-15またはc1-23で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも1種がより好ましい。構成単位c2としては、前記一般式c2-11~c2-15で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも1種が好ましく、一般式c2-11、c2-12またはc2-14で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも1種がより好ましい。構成単位c3としては、α置換アクリル酸から誘導される構成単位、フッ素原子および水酸基が結合した芳香族環式基を有する構成単位、またはフッ素化アルコール基が結合した脂肪族環式基を有する構成単位が好ましく、水素原子がフッ素原子で置換されたヒドロキシフェニル基、またはフッ素化アルコール基が結合したシクロヘキシル基を有するものがより好ましい。C成分の質量平均分子量MwゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算基準は、特に限定されるものではなく、1000~80000が好ましく、5000~60000がより好ましく、10000~50000が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。分散度Mw/Mnは、特に限定されず、1.0~5.0が好ましく、1.0~3.0がより好ましく、1.0~2.5が最も好ましい。なお、Mnは数平均分子量を示す。C成分は、含有させる構成単位を誘導するモノマーを、例えばアゾビスイソブチロニトリルAIBNのようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等によって重合させることによって得ることができる。また、C成分には、上記重合の際に、たとえばHS-CH2-CH2-CH2-CCF32-OHのような連鎖移動剤を併用して用いることにより、末端に-CCF32-OH基を導入してもよい。このように、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基が導入された共重合体は、現像欠陥の低減やLERラインエッジラフネス:ライン側壁の不均一な凹凸の低減に有効である。各構成単位を誘導するモノマーは、公知の方法により合成できる。たとえば構成単位a0に対応するモノマーは、特開2006-045311号公報、特開2010-095643号公報等に開示されている方法により合成できる。公知のモノマーについては市販のものを用いることもできる。C成分としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。本態様のレジスト組成物中、C成分の含有量は、A成分100質量部に対して1~15質量部が好ましく、2~14質量部がより好ましく、3~12質量部がさらに好ましい。1質量部以上であると、EUV露光またはEB露光により形成されるレジストパターンのパターン形状、限界解像性能等の向上効果に優れる。15質量部以下であると、A成分とのバランスが良好で、形状や解像性等のリソグラフィー特性が良好である。<A成分>本態様のレジスト組成物に用いられるA成分は、露光により酸を発生し且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分である。A成分は、酸の作用により現像液に対する溶解性が増大するものであってもよく、酸の作用により現像液に対する溶解性が減少するものであってもよい。A成分は、露光により酸を発生する部位酸発生部位を、側鎖中に含んでもよく、主鎖末端に含んでもよい。側鎖中に酸発生部位を有する場合、後述する構成単位a0を有する。本態様のレジスト組成物が、アルカリ現像プロセスにおいてネガ型レジストパターンを形成するまたは溶剤現像プロセスにおいてポジ型レジストパターンを形成するレジスト組成物である場合、A成分としては、好ましくは、露光により酸を発生し、かつアルカリ現像液に可溶性の樹脂成分以下、A2成分ということがある。が用いられ、さらに、架橋剤成分が配合される。かかるレジスト組成物は、露光によりA2成分から酸が発生すると、当該酸が作用してA2成分と架橋剤成分との間で架橋が起こり、結果、アルカリ現像液に対する溶解性が減少有機系現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜を選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性有機系現像液に対して可溶性へ転じる一方で、未露光部はアルカリ現像液に対して可溶性有機系現像液に対して難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像液で現像することによりネガ型レジストパターンが形成できる。また、このとき現像液として有機系現像液を用いると、ポジ型のレジストパターンが形成できる。A2成分としては、アルカリ現像液に対して可溶性の樹脂以下アルカリ可溶性樹脂という。として公知の樹脂に、露光により酸を発生する酸発生部位たとえば前記露光により酸を発生するアニオン部位を導入したものが挙げられる。アルカリ可溶性樹脂酸発生部位の導入前のものとしては、例えば特開2000-206694号公報に開示されている、α-ヒドロキシアルキルアクリル酸、またはα-ヒドロキシアルキルアクリル酸のアルキルエステル好ましくは炭素数1~5のアルキルエステルから選ばれる少なくとも一つから誘導される単位を有する樹脂;米国特許6949325号公報に開示されている、スルホンアミド基を有するα位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル樹脂またはポリシクロオレフィン樹脂;米国特許6949325号公報、特開2005-336452号公報、特開2006-317803号公報に開示されている、フッ素化アルコールを含有し、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル樹脂;特開2006-259582号公報に開示されている、フッ素化アルコールを有するポリシクロオレフィン樹脂等が、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。なお、前記α-ヒドロキシアルキルアクリル酸は、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸のうち、カルボキシ基が結合するα位の炭素原子に水素原子が結合しているアクリル酸と、このα位の炭素原子にヒドロキシアルキル基好ましくは炭素数1~5のヒドロキシアルキル基が結合しているα-ヒドロキシアルキルアクリル酸の一方または両方を示す。酸発生部位としては、レジスト組成物用の酸発生剤として公知の化合物が有する酸発生部位と同様の構造のものが適用できる。酸発生部位の導入位置は、主鎖末端でも側鎖部分でもよい。酸発生部位の主鎖末端への導入は、たとえばアルカリ可溶性樹脂を製造する際の重合開始剤として、酸発生部位を有する重合開始剤を用いることにより実施できる。側鎖部分への導入は、アルカリ可溶性樹脂を製造する際に、アルカリ可溶性基を有する単量体たとえば後述する構成単位a3のうち、極性基として水酸基、カルボキシ基等のアルカリ可溶性基を有する構成単位を誘導する単量体またはその前駆体たとえばアルカリ可溶性基を保護基で保護したものとともに、酸発生部位を有する単量体たとえば後述する構成単位a0を誘導する単量体を重合させることにより実施できる。架橋剤成分としては、例えば、通常は、メチロール基またはアルコキシメチル基を有するグリコールウリルなどのアミノ系架橋剤、メラミン系架橋剤などを用いると、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。架橋剤成分の配合量は、アルカリ可溶性樹脂100質量部に対し、1~50質量部であることが好ましい。本態様のレジスト組成物が、アルカリ現像プロセスにおいてポジ型レジストパターンを形成し、溶剤現像プロセスにおいてネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物である場合、A成分としては、好ましくは、酸の作用により極性が増大する樹脂成分以下、A1成分ということがある。が用いられる。A1成分は露光前後で極性が変化するため、A1成分を用いることにより、アルカリ現像プロセスだけでなく、溶剤現像プロセスにおいても良好な現像コントラストを得ることができる。つまり、アルカリ現像プロセスを適用する場合、A1成分は、露光前はアルカリ現像液に対して難溶性であり、露光によりA1成分から酸が発生すると、該酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性から可溶性に変化する一方で、未露光部はアルカリ難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像することによりポジ型レジストパターンが形成できる。一方、溶剤現像プロセスを適用する場合、A1成分は、露光前は有機系現像液に対して溶解性が高く、露光によりA1成分から酸が発生すると、該酸の作用により極性が高くなって有機系現像液に対する溶解性が減少する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部は有機系現像液に対して可溶性から難溶性に変化する一方で、未露光部は可溶性のまま変化しないため、有機系現像液で現像することにより、露光部と未露光部との間でコントラストをつけることができ、ネガ型レジストパターンが形成できる。本態様において、A成分は、A1成分であることが好ましい。構成単位a0構成単位a0は、露光により酸を発生する構成単位である。構成単位a0としては、露光により酸を発生する構造を有するものであれば特に限定されるものではないが、露光により酸を発生するオニウム塩構造を有することが好ましい。ここでオニウム塩構造としては、化学増幅型レジスト組成物において一般に用いられるオニウム塩系酸発生剤の機能部位と同様の構造のものが挙げられる。なお、発生する酸の強度は特に限定されるものではなく、一般的にレジスト組成物の酸発生剤で発生する酸として用いられるような強酸であってもよく、それ以外の弱酸であってもよい。構成単位a0として具体的には、下記一般式a0-1又はa0-2で表される基を有する構成単位が挙げられる。[式中、Q1、Q2はそれぞれ独立に、単結合又は2価の連結基であり、R3、R4、R5はそれぞれ独立に有機基であり、R4、R5は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよく、V-は対アニオンである。A-はアニオンを含む有機基であり、Mmは対カチオンであり、mは1~3の整数である。]式a0-1で表される基を有する構成単位式a0-1中、Q1は単結合又は2価の連結基である。Q1の2価の連結基としては、前記式I-1中のL01における2価の連結基と同様のものが挙げられる。なかでも、本発明におけるQ1としては、単結合、又はエステル結合[-C=O-O-]、エーテル結合-O-、アルキレン基若しくはこれらの組合せであることが好ましい。式a0-1中、R3~R5は、それぞれ独立に有機基である。R3~R5の有機基は、炭素原子を含む基であり、炭素原子以外の原子たとえば水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子等等を有していてもよい。R3の有機基としては、置換基を有していてもよいアリーレン基またはアルキレン基が好ましい。R3の置換基を有していてもよいアリーレン基としては、炭素数6~20の無置換のアリーレン基;該無置換のアリーレン基の水素原子の一部または全部が置換基で置換された置換アリーレン基等が挙げられる。無置換のアリーレン基としては、安価に合成可能なことから、炭素数6~10のアリーレン基が好ましい。具体的には、たとえばフェニレン基、ナフチレン基が挙げられる。置換アリーレン基における置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基、オキソ基=O、アリール基、アルコキシアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、-C=O-O-R6、-O-C=O-R7、-O-R8等が挙げられる。R7、R8、R9は、それぞれ独立に、水素原子、飽和炭化水素基または脂肪族不飽和炭化水素基である。前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基であることが最も好ましい。前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。前記置換基としてのアリール基としては、前記R1~R3のアリール基と同様のものが挙げられ、炭素数6~20のアリール基が好ましく、炭素数6~10のアリール基がより好ましく、フェニル基、ナフチル基がさらに好ましい。前記置換基としてのアルコキシアルキルオキシ基アルコキシアルキルオキシ基としては、たとえば、一般式:-O-CR47R48-O-R49[式中、R47、R48はそれぞれ独立して水素原子または直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基であり、R49はアルキル基である。]で表される基が挙げられる。R47、R48において、アルキル基の炭素数は好ましくは1~5であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。R47、R48は、少なくとも一方が水素原子であることが好ましい。特に、一方が水素原子であり、他方が水素原子またはメチル基であることがより好ましい。R49のアルキル基としては、好ましくは炭素数が1~15であり、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。R49における直鎖状、分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数が1~5であることが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基などが挙げられる。R49における環状のアルキル基としては、炭素数4~15であることが好ましく、炭素数4~12であることがさらに好ましく、炭素数5~10が最も好ましい。具体的には炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。モノシクロアルカンとしては、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。前記置換基としてのアルコキシカルボニルアルキルオキシ基としては、たとえば、一般式:-O-R50-C=O-O-R56[式中、R50は直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基であり、R56は第3級アルキル基である。]で表される基が挙げられる。R50における直鎖状、分岐鎖状のアルキレン基としては、炭素数が1~5であることが好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、1,1-ジメチルエチレン基などが挙げられる。R56における第3級アルキル基としては、2-メチル-2-アダマンチル基、2-2-プロピル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基、1-メチル-1-シクロペンチル基、1-エチル-1-シクロペンチル基、1-メチル-1-シクロヘキシル基、1-エチル-1-シクロヘキシル基、1-1-アダマンチル-1-メチルエチル基、1-1-アダマンチル-1-メチルプロピル基、1-1-アダマンチル-1-メチルブチル基、1-1-アダマンチル-1-メチルペンチル基;1-1-シクロペンチル-1-メチルエチル基、1-1-シクロペンチル-1-メチルプロピル基、1-1-シクロペンチル-1-メチルブチル基、1-1-シクロペンチル-1-メチルペンチル基;1-1-シクロヘキシル-1-メチルエチル基、1-1-シクロヘキシル-1-メチルプロピル基、1-1-シクロヘキシル-1-メチルブチル基、1-1-シクロヘキシル-1-メチルペンチル基、tert-ブチル基、tert-ペンチル基、tert-ヘキシル基などが挙げられる。さらに、前記一般式:-O-R50-C=O-O-R56におけるR56を、R56’で置き換えた基も挙げられる。R56’は、水素原子、アルキル基、フッ素化アルキル基、又はヘテロ原子を含んでいてもよい脂肪族環式基である。R56’におけるアルキル基は、前記R49のアルキル基と同様のものが挙げられる。R56’におけるフッ素化アルキル基は、前記R49のアルキル基中の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。R56’における、ヘテロ原子を含んでいてもよい脂肪族環式基としては、ヘテロ原子を含まない脂肪族環式基、環構造中にヘテロ原子を含む脂肪族環式基、脂肪族環式基中の水素原子がヘテロ原子に置換されたもの等が挙げられる。R56’について、ヘテロ原子を含まない脂肪族環式基としては、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。モノシクロアルカンとしては、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。R56’について、環構造中にヘテロ原子を含む脂肪族環式基として具体的には、後述の式L1~L5、S1~S4で表される基等が挙げられる。R56’について、脂肪族環式基中の水素原子がヘテロ原子に置換されたものとして具体的には、脂肪族環式基中の水素原子がオキソ基=Oに置換されたもの等が挙げられる。-C=O-O-R7、-O-C=O-R8、-O-R9におけるR7、R8、R9は、それぞれ独立に、水素原子、飽和炭化水素基または脂肪族不飽和炭化水素基である。飽和炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、それらの組み合わせであってもよい。直鎖状若しくは分岐鎖状の飽和炭化水素基の炭素数は1~25が好ましく、1~15がより好ましく、4~10がさらに好ましい。直鎖状の飽和炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基などが挙げられる。分岐鎖状の飽和炭化水素基としては、例えば、前記R56の説明で挙げた第3級アルキル基が挙げられる。また、第3級アルキル基以外の分岐鎖状の飽和炭化水素基として、例えば、1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。該置換基としては、たとえばアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、オキソ基=O、シアノ基、カルボキシ基等が挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。R7、R8、R9における環状の飽和炭化水素基の炭素数は、3~20が好ましい。環状の飽和炭化水素基は、多環式基、単環式基のいずれでもよく、例えば、モノシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基などが挙げられる。該環状の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該環状のアルキル基が有する環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、当該環状のアルキル基が有する環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。前者の例としては、前記モノシクロアルカンまたはポリシクロアルカンの環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換された複素シクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。また、前記環の構造中にエステル結合-C=O-O-を有していてもよい。具体的には、γ-ブチロラクトンから水素原子1つを除いた基等のラクトン含有単環式基や、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子一つを除いた基等のラクトン含有多環式基等が挙げられる。後者の例における置換基としては、上述した直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が有してもよい置換基として挙げたものと同様のもの、炭素数1~5のアルキル基等が挙げられる。R7、R8、R9における飽和炭化水素基は、直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基と、環状の飽和炭化水素基との組み合わせであってもよい。直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基と環状の飽和炭化水素基との組合せとしては、直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基に置換基として環状の飽和炭化水素基が結合した基例えば1-1-アダマンチルメチル基、環状の飽和炭化水素基に置換基として直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基が結合した基等が挙げられる。R7、R8、R9における脂肪族不飽和炭化水素基は、直鎖状または分岐鎖状が好ましい。直鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基アリル基、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基としては、例えば、1-メチルプロペニル基、2-メチルプロペニル基などが挙げられる。これら直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、前記直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。R7、R8、R9としては、それぞれ、上記のなかでも、リソグラフィー特性、レジストパターン形状が良好であることから、水素原子、炭素数1~15の直鎖状若しくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、または炭素数3~20の環状の飽和炭化水素基が好ましい。R4~R5の有機基としては、特に限定されるものではないが、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基等が挙げられる。これらの中でも、置換基を有していてもよいアリール基またはアルキル基が好ましい。置換基を有していてもよいアリール基としては、炭素数6~20の無置換のアリール基;該無置換のアリール基の水素原子の一部または全部が置換基で置換された置換アリール基等が挙げられる。無置換のアリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数6~10のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ナフチル基が挙げられる。置換アリール基における置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基、オキソ基=O、アリール基、アルコキシアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、-C=O-O-R6’、-O-C=O-R7’、-O-R8’等が挙げられる。これらの置換基としては、それぞれ、前記置換アリーレン基における置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。R4~R5におけるアリール基としては、フェニル基またはナフチル基が好ましい。R4~R5におけるアルキル基としては、たとえば、無置換のアルキル基、該無置換のアルキル基の水素原子の一部または全部が置換基で置換された置換アルキル基等が挙げられる。無置換のアルキル基としては、解像性に優れる点から、炭素数1~5のアルキル基が好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、n-ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。R4~R5におけるアルケニル基としては、たとえば、無置換のアルケニル基、該無置換のアルケニル基の水素原子の一部または全部が置換基で置換された置換アルケニル基等が挙げられる。無置換のアルケニル基は、炭素数2~10であることが好ましく、2~5がより好ましく、2~4がさらに好ましい。具体的には、ビニル基、プロペニル基アリル基、ブチニル基、1-メチルプロペニル基、2-メチルプロペニル基などが挙げられる。置換アルキル基、置換アルケニル基が有する置換基としては、それぞれ、前記置換アリーレン基が有する置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。R4、R5は相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していてもよい。該環は、飽和であってもよく、不飽和であってもよい。また、該環は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。たとえば環を形成するR4、R5のうちの一方または両方が環式基環状のアルキル基またはアリール基である場合、それらが結合すると、多環式の環縮合環が形成される。形成される環としては、式中のイオウ原子をその環骨格に含む1つの環が、イオウ原子を含めて、3~10員環であることが好ましく、5~7員環であることが特に好ましい。該環は、環骨格を構成する原子として、R4及びR5が結合した硫黄原子以外の他のヘテロ原子を有していてもよい。該ヘテロ原子としては、たとえば、硫黄原子、酸素原子、窒素原子等が挙げられる。形成される環の具体例としては、たとえばチオフェン環、チアゾール環、ベンゾチオフェン環、チアントレン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、9H-チオキサンテン環、チオキサントン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、テトラヒドロチオフェニウム環、テトラヒドロチオピラニウム環等が挙げられる。式a0-1中、V-は対アニオンである。V-の対アニオンとしては、特に限定されるものではなく、たとえばオニウム塩系酸発生剤のアニオン部として従来知られているものを適宜用いることができる。V-としては、たとえば、一般式R4SO3-R4は、置換基を有していてもよい直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、又はアルケニル基を表す。で表されるアニオンが挙げられる。前記一般式R4SO3-において、R4は、置換基を有していてもよい直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、又はアルケニル基を表す。前記R4としての直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基は、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~8であることがさらに好ましく、炭素数1~4であることが最も好ましい。前記R4としての環状のアルキル基は、炭素数4~15であることが好ましく、炭素数4~10であることがさらに好ましく、炭素数6~10であることが最も好ましい。R4がアルキル基の場合のR4SO3-としては、例えば、メタンスルホネート、n-プロパンスルホネート、n-ブタンスルホネート、n-オクタンスルホネート、1-アダマンタンスルホネート、2-ノルボルナンスルホネート、d-カンファー-10-スルホネート等のアルキルスルホネートが挙げられる。前記R4としてのハロゲン化アルキル基は、アルキル基中の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換されたものであり、該アルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、なかでも直鎖状または分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基、tert-ペンチル基、又はイソペンチル基であることがさらに好ましい。そして、水素原子が置換されるハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。ハロゲン化アルキル基において、アルキル基ハロゲン化前のアルキル基の水素原子の全個数の50~100がハロゲン原子で置換されていることが好ましく、水素原子の全てがハロゲン原子で置換されていることがより好ましい。ここで、該ハロゲン化アルキル基としては、フッ素化アルキル基が好ましい。フッ素化アルキル基は、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~8であることがさらに好ましく、炭素数1~4であることが最も好ましい。また、該フッ素化アルキル基のフッ素化率は、好ましくは10~100、さらに好ましくは50~100であり、特に水素原子をすべてフッ素原子で置換したものが、酸の強度が強くなるため好ましい。このような好ましいフッ素化アルキル基として、具体的には、トリフルオロメチル基、ヘプタフルオロ-n-プロピル基、ノナフルオロ-n-ブチル基が挙げられる。前記R4としてのアリール基は、炭素数6~20のアリール基であることが好ましい。前記R4としてのアルケニル基は、炭素数2~10のアルケニル基であることが好ましい。前記R4において、置換基を有していてもよいとは、前記直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、又はアルケニル基における水素原子の一部又は全部が置換基水素原子以外の他の原子又は基で置換されていてもよいことを意味する。R4における置換基の数は1つであってもよく、2つ以上であってもよい。前記置換基としては、たとえば、ハロゲン原子、ヘテロ原子、アルキル基、式:X3-Q’-[式中、Q’は酸素原子を含む2価の連結基であり、X3は置換基を有していてもよい炭素数3~30の炭化水素基である。]で表される基等が挙げられる。前記ハロゲン原子、アルキル基としては、R4において、ハロゲン化アルキル基におけるハロゲン原子、アルキル基として挙げたものと同様のものが挙げられる。前記ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等が挙げられる。X3-Q’-で表される基において、Q’は酸素原子を含む2価の連結基である。Q’は、酸素原子以外の原子を含有してもよい。酸素原子以外の原子としては、たとえば炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。酸素原子を含む2価の連結基としては、たとえば、酸素原子エーテル結合:-O-、エステル結合-C=O-O-、アミド結合-C=O-NH-、カルボニル基-C=O-、カーボネート結合-O-C=O-O-等の非炭化水素系の酸素原子含有連結基;該非炭化水素系の酸素原子含有連結基とアルキレン基との組み合わせ等が挙げられる。当該組み合わせに、さらにスルホニル基-SO2-が連結されていてもよい。該組み合わせとしては、たとえば、-R91-O-、-R92-O-C=O-、-C=O-O-R93-O-C=O-、-SO2-O-R94-O-C=O-、-R95-SO2-O-R94-O-C=O-式中、R91~R95はそれぞれ独立にアルキレン基である。等が挙げられる。R91~R95におけるアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、該アルキレン基の炭素数は、1~12が好ましく、1~5がより好ましく、1~3が特に好ましい。該アルキレン基として、具体的には、たとえばメチレン基[-CH2-];-CHCH3-、-CHCH2CH3-、-CCH32-、-CCH3CH2CH3-、-CCH3CH2CH2CH3-、-CCH2CH32-等のアルキルメチレン基;エチレン基[-CH2CH2-];-CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CHCH2CH3CH2-等のアルキルエチレン基;トリメチレン基n-プロピレン基[-CH2CH2CH2-];-CHCH3CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2-等のアルキルトリメチレン基;テトラメチレン基[-CH2CH2CH2CH2-];-CHCH3CH2CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2CH2-等のアルキルテトラメチレン基;ペンタメチレン基[-CH2CH2CH2CH2CH2-]等が挙げられる。Q’としては、エステル結合またはエーテル結合を含む2価の連結基が好ましく、なかでも、-R91-O-、-R92-O-C=O-または-C=O-O-R93-O-C=O-が好ましい。X3-Q’-で表される基において、X3の炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよく、脂肪族炭化水素基であってもよい。芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素数は3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~12が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香族炭化水素基として、具体的には、フェニル基、ビフェニルbiphenyl基、フルオレニルfluorenyl基、ナフチル基、アントリルanthryl基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いたアリール基、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基等が挙げられる。前記アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。該芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、当該芳香族炭化水素基が有する芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。前者の例としては、前記アリール基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基、前記アリールアルキル基中の芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部が前記ヘテロ原子で置換されたヘテロアリールアルキル基等が挙げられる。後者の例における芳香族炭化水素基の置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O等が挙げられる。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。X3における脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基であってもよく、不飽和脂肪族炭化水素基であってもよい。また、脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。X3において、脂肪族炭化水素基は、当該脂肪族炭化水素基を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよく、当該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよい。X3におけるヘテロ原子としては、炭素原子および水素原子以外の原子であれば特に限定されず、たとえばハロゲン原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。ヘテロ原子を含む置換基は、前記ヘテロ原子のみからなるものであってもよく、前記ヘテロ原子以外の基または原子を含む基であってもよい。炭素原子の一部を置換する置換基として、具体的には、たとえば-O-、-C=O-O-、-C=O-、-O-C=O-O-、-C=O-NH-、-NH-Hがアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-等が挙げられる。脂肪族炭化水素基が環状である場合、これらの置換基を環構造中に含んでいてもよい。水素原子の一部または全部を置換する置換基として、具体的には、たとえばアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O、シアノ基等が挙げられる。前記アルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記ハロゲン化アルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基等のアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、直鎖状もしくは分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基、または環状の脂肪族炭化水素基脂肪族環式基が好ましい。直鎖状の飽和炭化水素基アルキル基としては、炭素数が1~20であることが好ましく、1~15であることがより好ましく、1~10が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。分岐鎖状の飽和炭化水素基アルキル基としては、炭素数が3~20であることが好ましく、3~15であることがより好ましく、3~10が最も好ましい。具体的には、例えば、1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基などが挙げられる。不飽和炭化水素基としては、炭素数が2~10であることが好ましく、2~5が好ましく、2~4が好ましく、3が特に好ましい。直鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基アリル基、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、1-メチルプロペニル基、2-メチルプロペニル基などが挙げられる。不飽和炭化水素基としては、上記の中でも、特にプロペニル基が好ましい。脂肪族環式基としては、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。その炭素数は3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~12が最も好ましい。具体的には、たとえば、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含まない場合は、脂肪族環式基としては、多環式基が好ましく、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、アダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が最も好ましい。脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含むものである場合、該ヘテロ原子を含む置換基としては、-O-、-C=O-O-、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-が好ましい。かかる脂肪族環式基の具体例としては、たとえば下記式L1~L6、S1~S4等が挙げられる。[式中、Qは炭素数1~5のアルキレン基、-O-、-S-、-O-R94’-または-S-R95’-であり、R94’およびR95’はそれぞれ独立に炭素数1~5のアルキレン基であり、mは0または1の整数である。]式中、Q、R94’およびR95’におけるアルキレン基としては、それぞれ、前記R91~R95におけるアルキレン基と同様のものが挙げられる。これらの脂肪族環式基は、その環構造を構成する炭素原子に結合した水素原子の一部が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O等が挙げられる。前記アルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが特に好ましい。前記アルコキシ基、ハロゲン原子はそれぞれ前記水素原子の一部または全部を置換する置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。本発明において、X3は、置換基を有していてもよい環式基であることが好ましい。該環式基は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましい。前記芳香族炭化水素基としては、置換基を有していてもよいナフチル基、または置換基を有していてもよいフェニル基が好ましい。置換基を有していてもよい脂肪族環式基としては、置換基を有していてもよい多環式の脂肪族環式基が好ましい。該多環式の脂肪族環式基としては、前記ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、前記L2~L6、S3~S4等が好ましい。上記の中でも、前記R4としては、ハロゲン化アルキル基、または置換基としてX3-Q’-を有することが好ましい。置換基としてX3-Q’-を有する場合、R4としては、X3-Q’-Y3-[式中、Q’およびX3は前記と同じであり、Y3は置換基を有していてもよい炭素数1~4のアルキレン基または置換基を有していてもよい炭素数1~4のフッ素化アルキレン基である。]で表される基が好ましい。X3-Q’-Y3-で表される基において、Y3のアルキレン基としては、前記Q’で挙げたアルキレン基のうち炭素数1~4のものと同様のものが挙げられる。フッ素化アルキレン基としては、該アルキレン基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。Y3として、具体的には、-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2-、-CFCF2CF3-、-CCF32-、-CF2CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2CF2-、-CF2CFCF3CF2-、-CFCF3CFCF3-、-CCF32CF2-、-CFCF2CF3CF2-、-CFCF2CF2CF3-、-CCF3CF2CF3-;-CHF-、-CH2CF2-、-CH2CH2CF2-、-CH2CF2CF2-、-CHCF3CH2-、-CHCF2CF3-、-CCH3CF3-、-CH2CH2CH2CF2-、-CH2CH2CF2CF2-、-CHCF3CH2CH2-、-CH2CHCF3CH2-、-CHCF3CHCF3-、-CCF32CH2-;-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-、-CHCH3CH2-、-CHCH2CH3-、-CCH32-、-CH2CH2CH2CH2-、-CHCH3CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CHCH2CH3CH2-、-CHCH2CH2CH3-、-CCH3CH2CH3-等が挙げられる。Y3としては、フッ素化アルキレン基が好ましく、特に、隣接する硫黄原子に結合する炭素原子がフッ素化されているフッ素化アルキレン基が好ましい。このようなフッ素化アルキレン基としては、-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2-、-CF2CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2CF2-、-CF2CFCF3CF2-、-CFCF3CFCF3-、-CCF32CF2-、-CFCF2CF3CF2-;-CH2CF2-、-CH2CH2CF2-、-CH2CF2CF2-;-CH2CH2CH2CF2-、-CH2CH2CF2CF2-、-CH2CF2CF2CF2-等を挙げることができる。これらの中でも、-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-、又はCH2CF2CF2-が好ましく、-CF2-、-CF2CF2-又は-CF2CF2CF2-がより好ましく、-CF2-が特に好ましい。前記アルキレン基またはフッ素化アルキレン基は、置換基を有していてもよい。アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が置換基を有するとは、当該アルキレン基またはフッ素化アルキレン基における水素原子またはフッ素原子の一部または全部が、水素原子およびフッ素原子以外の原子または基で置換されていることを意味する。アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が有していてもよい置換基としては、炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基、水酸基等が挙げられる。R4がX3-Q’-Y3-で表される基であるR4-SO3-の具体例としては、たとえば下記式b1~b9のいずれかで表されるアニオンが挙げられる。[式中、q1~q2はそれぞれ独立に1~5の整数であり、q3は1~12の整数であり、t3は1~3の整数であり、r1~r2はそれぞれ独立に0~3の整数であり、gは1~20の整数であり、R7は置換基であり、n1~n6はそれぞれ独立に0または1であり、v0~v6はそれぞれ独立に0~3の整数であり、w1~w6はそれぞれ独立に0~3の整数であり、Qは前記と同じである。]R7の置換基としては、前記X3の説明で、脂肪族環式基の環構造を構成する炭素原子に結合した水素原子の一部を置換してもよい置換基として挙げたものや、芳香族炭化水素基が有する芳香環に結合した水素原子を置換してもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。R7に付された符号r1~r2、w1~w6が2以上の整数である場合、当該化合物中の複数のR7はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。また、式a0-1中のV-としては、たとえば下記一般式b-3で表されるアニオン、下記一般式b-4で表されるアニオンも挙げられる。[式中、Xは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数2~6のアルキレン基を表し;Y、Zは、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~10のアルキル基を表す。]式b-3において、Xは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基であり、該アルキレン基の炭素数は、好ましくは2~6であり、より好ましくは炭素数3~5、最も好ましくは炭素数3である。式b-4において、Y、Zは、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であり、該アルキル基の炭素数は、好ましくは1~10であり、より好ましくは炭素数1~7、最も好ましくは炭素数1~3である。Xのアルキレン基の炭素数又はY、Zのアルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、レジスト溶媒への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。また、Xのアルキレン基又はY、Zのアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また200nm以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するので好ましい。該アルキレン基又はアルキル基のフッ素化率は、好ましくは70~100、さらに好ましくは90~100であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基又はパーフルオロアルキル基である。式a0-1におけるV-としては、一般式R4SO3-で表されるアニオン特に、R4がX3-Q’-Y3-で表される基である上記式b1~b9で表されるアニオンが好ましい。以下に、式a0-1で表される基の具体例を示す。前記式a0-1で表される基を有する構成単位以下、構成単位a0-1という。としては、下記式a0-11で表される構成単位が好ましい。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり、Q1、R3~R5、V-は前記同様である。]式a0-11中、Rのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。Rのハロゲン化アルキル基は、前記のRのアルキル基の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。Rとしては、水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基が好ましく、水素原子又はメチル基が特に好ましい。式a0-11中、Q1、R3~R5、V-は前記と同様である。式a0-2で表される基を有する構成単位前記式a0-2中、Q2は単結合又は2価の連結基である。Q2の2価の連結基としては、前記式I-1中のL01における2価の連結基と同様のものが挙げられる。なかでも、本発明におけるQ2としては、単結合、又は、直鎖状分岐鎖状のアルキレン基、エステル結合[-C=O-O-]若しくはこれらの組み合わせであることが好ましい。式a0-2中、A-はアニオンを含む有機基である。A-としては、露光により発生して酸アニオンとなる部位を含むものであれば特に限定されるものではないが、スルホン酸アニオン、カルボアニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオンを発生しうる基が好ましい。なかでも、A-としては、下記式a0-2-an1~a0-2-an5で表される基が好ましい。[式中、Rf1及びRf2はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基であり、Rf1、Rf2のうち少なくとも1つはフッ素原子又はフッ素化アルキル基であり、p0は1~8の整数である。Z3は-C=O-O-、-SO2-又は置換基を有していてもよい炭化水素基であり、Z4及びZ5はそれぞれ独立に-C=O-又は-SO2-である。R62及びR63はそれぞれ独立にフッ素原子を有していてもよい炭化水素基である。Z1は-C=O-、-SO2-、-C=O-O-又は単結合であり、Z2は-C=O-又は-SO2-である。R61はフッ素原子を有していてもよい炭化水素基である。R64はフッ素原子を有していてもよい炭化水素基である。W0は置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基但し、Sに隣接する炭素にはフッ素原子は置換されていないものとするである。]式a0-2-an1中、Rf1及びRf2は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基であり、Rf1、Rf2のうち少なくとも1つはフッ素原子又はフッ素化アルキル基である。Rf1、Rf2のアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。Rf1、Rf2のフッ素化アルキル基としては、上記Rf1、Rf2のアルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が好ましい。Rf1、Rf2としては、フッ素原子又はフッ素化アルキル基であることが好ましい。式a0-2-an1中、p0は1~8の整数であり、1~4の整数であることが好ましく、1又は2であることがさらに好ましい。式a0-2-an2中、Z3は-C=O-O-、-SO2-又は置換基を有していてもよい炭化水素基である。Z3の置換基を有していていもよい炭化水素基としては、前記式I-1中のL01における2価の連結基の説明で挙げた置換基を有していていもよい2価の炭化水素基と同様のものが挙げられる。なかでもZ3としては-SO2-であることが好ましい。式a0-2-an2中、Z4及びZ5は、それぞれ独立に、-C=O-又は-SO2-であり、少なくとも一方が-SO2-であることが好ましく、両方が-SO2-であることがより好ましい。R62及びR63は、それぞれ独立に、フッ素原子を有していてもよい炭化水素基であり、後述するR61におけるフッ素原子を有していてもよい炭化水素基と同様のものが挙げられる。式a0-2-an3中、Z1は-C=O-、-SO2-、-C=O-O-又は単結合である。Z1が単結合の場合、式中のN-が、Z2と結合した側とは逆側即ち、式中の左端で直接-C=O-と結合しないことが好ましい。式a0-2-an3中、Z2は、-C=O-又は-SO2-であり、-SO2-であることが好ましい。R61は、フッ素原子を有していてもよい炭化水素基である。R61における炭化水素基としては、アルキル基、1価の脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基などが挙げられる。R61におけるアルキル基は、炭素数1~8であるものが好ましく、炭素数1~6であるものがより好ましく、炭素数1~4であるものがさらに好ましく、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基等が好ましいものとして挙げられる。R61における1価の脂環式炭化水素基は、炭素数3~20であるものが好ましく、炭素数3~12であるものがより好ましく、多環式でもよく、単環式でもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。R61におけるアリール基は、炭素数6~18であるものが好ましく、炭素数6~10であるものがより好ましく、具体的にはフェニル基が特に好ましい。R61におけるアラルキル基は、炭素数1~8のアルキレン基と上記R61におけるアリール基とが結合したものが好ましい例として挙げられる。炭素数1~6のアルキレン基と上記R61におけるアリール基とが結合したアラルキル基がより好ましく、炭素数1~4のアルキレン基と上記R61におけるアリール基とが結合したアラルキル基が特に好ましい。R61における炭化水素基は、当該炭化水素基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていることが好ましく、当該炭化水素基の水素原子の30~100がフッ素原子で置換されていることがより好ましい。なかでも、上述したアルキル基の水素原子の全部がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキル基であることが特に好ましい。式a0-2-an4中、R64は、フッ素原子を有していてもよい炭化水素基である。R64における炭化水素基としては、アルキレン基、2価の脂環式炭化水素基、アリール基から1個以上の水素原子を除いた基、アラルキル基から1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。R64における炭化水素基として、具体的には、上記R61における炭化水素基アルキル基、1価の脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基などについての説明の中で例示したものから1個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。R64における炭化水素基は、当該炭化水素基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていることが好ましく、当該炭化水素基の水素原子の30~100がフッ素原子で置換されていることがより好ましい。式a0-2-an5中、W0は置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基である。W0の置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよく、前記式I-1中のL01における2価の連結基で説明した脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基と同様のものが挙げられる。なかでもW0の置換基を有していてもよい炭化水素基としては、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましく、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン、カンファー等から2個以上の水素原子を除いた基置換基を有していてもよいであることがより好ましい。A-が式a0-2-an1~a0-2-an2で表される基や、Z1が-C=O-O-又は単結合である式a0-2-an3で表される基を有する場合、露光によってC成分から、フッ素化アルキルスルホン酸アニオン、カルボアニオン等の比較的強い酸を発生させることができる。一方、A-が式a0-2-an4~a0-2-an5で表される基や、Z1が-C=O-又は-SO2-である式a0-2-an3で表される基を有する場合、露光によってC成分からアルキルスルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン等の比較的弱い酸を発生させることができる。上記の様に構成単位a0から所望の酸強度を有する酸を発生させることができるため、レジスト組成物における構成単位a0から発生した酸の機能を適宜決定することができ、所望の機能にあわせてA-を選択することもできる。例えば、通常レジスト組成物において用いられる酸発生剤と同様の役割を構成単位a0が担う場合は、強酸を発生するA-を選択することが好ましい。また、例えば、通常レジスト組成物において用いられるクエンチャー酸発生剤から発生する強酸と塩交換して強酸をトラップするクエンチャーと同様の機能を構成単位a0が担う場合は、弱酸を発生するA-を選択することが好ましい。なお、ここで強酸、弱酸とは、後述する構成単位a1に含まれるような酸の作用により分解する酸分解性基の活性化エネルギーとの関係性や、共に用いられる酸発生剤の酸強度との関係性において決定されるものである。そのため、上述した比較的弱い酸が、必ずクエンチャーとして用いることができるものではない。式a0-2中、Mmは対カチオンであり、mは1~3の整数である。Mmの対カチオンとしては、有機カチオンが好ましい。有機カチオンとしては特に限定されず、例えば、従来、レジスト組成物のクエンチャーに用いられる光分解性塩基や、レジスト組成物のオニウム系酸発生剤等のカチオン部として知られている有機カチオンを用いることができる。このような有機カチオンとしては、例えば、下記一般式m-1やm-2で表されるカチオンを用いることができる。[式中、R1~R3,R5~R6は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基またはアルケニル基を表す。式m-1におけるR1~R3のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。]前記式m-1中、R1~R3における置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基としては、それぞれ、前記一般式a0-1中のR4~R5の説明で挙げたアリール基、アルキル基、アルケニル基と同様のものが挙げられる。式m-1におけるR1~R3のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合に形成される環としては、前記一般式a0-1中のR4~R5が結合して式中のイオウ原子と共に形成する環として挙げたものと同様のものが挙げられる。式m-1で表される化合物のカチオン部のなかで好適なものとして具体的には、下記式m1-1-1~m1-1-33で表されるカチオン部が挙げられる。[式中、g1、g2、g3は繰返し数を示し、g1は1~5の整数であり、g2は0~20の整数であり、g3は0~20の整数である。]また、前記式m-1で表される化合物のカチオン部において、R1~R3のうちのいずれか二つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成している場合の好ましい具体例として、たとえば、下記式m1-2~m1-5で表されるカチオン部が挙げられる。[式中、R81~R86はそれぞれ独立してアルキル基、アセチル基、アルコキシ基、カルボキシ基、水酸基またはヒドロキシアルキル基であり;n1~n5はそれぞれ独立して0~3の整数であり、n6は0~2の整数である。][式中、R9、R10は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基または炭素数1~5のアルキル基、アルコキシ基、水酸基であり、R4’は炭素数1~5のアルキレン基であり、uは1~3の整数である。]式m1-2~m1-3中、R81~R86におけるアルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、なかでも直鎖または分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、又はtert-ブチル基であることが特に好ましい。アルコキシ基は、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、なかでも直鎖状または分岐鎖状のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。ヒドロキシアルキル基は、上記アルキル基中の一個又は複数個の水素原子がヒドロキシ基に置換した基が好ましく、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基等が挙げられる。R81~R86に付された符号n1~n6が2以上の整数である場合、複数のR81~R86はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。n1は、好ましくは0~2であり、より好ましくは0又は1であり、さらに好ましくは0である。n2およびn3は、好ましくはそれぞれ独立して0又は1であり、より好ましくは0である。n4は、好ましくは0~2であり、より好ましくは0又は1である。n5は、好ましくは0又は1であり、より好ましくは0である。n6は、好ましくは0又は1であり、より好ましくは1である。前記式m1-2又はm1-3で表されるカチオンの好適なものとしては、たとえば以下に示すもの等が挙げられる。式m1-4~m1-5中、R9、R10は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基または炭素数1~5のアルキル基、アルコキシ基、水酸基である。この置換基としては、上記R1~R3のアリール基についての説明のなかで例示した置換アリール基における置換基アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、オキソ基=O、アリール基、-C=O-O-R6、-O-C=O-R7、-O-R8、前記一般式:-O-R50-C=O-O-R56中のR56をR56’で置き換えた基等と同様である。R4’は炭素数1~5のアルキレン基である。uは1~3の整数であり、1または2が最も好ましい。前記式m1-4またはm1-5で表されるカチオンの好適なものとしては、たとえば以下に示すもの等が挙げられる。式m1-4-1中、RCは置換基である。該置換基としては、上記置換アリール基についての説明のなかで例示した置換基アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、オキソ基=O、アリール基、-C=O-O-R6、-O-C=O-R7、-O-R8が挙げられる。式a0-2で表される基を有する構成単位以下、構成単位a0-2という。としては、下記式a0-2-11~a0-2-13、a0-2-21~a0-2-25、a0-2-31~a0-2-32、a0-2-41~a0-2-44及びa0-2-51~a0-2-53で表される基からなる群より選択される構成単位が好ましい。[式中、R、Rf1、Rf2、p0、Mm1/mは前記同様であり、Q21はそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基である。Q22は2価の連結基である。Q23は-O-、-CH2-O-、又は-C=O-O-を含有する基である。Rq1はフッ素原子又はフッ素化アルキル基である。Rnは水素原子又は炭素数1~5のアルキル基である。][式中、R、Q21~Q23、Z3~Z5、R62~R63、Rn、Rq1、Mm1/mは前記同様である。n60は0~3の整数である。][式中、R、Z1~Z2、Rn、Mm1/mは前記と同様であり、Q24、Q25はそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基である。][式中、R、Rn、Mm1/mは前記と同様であり、Q26~Q28はそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基である。n30は0~3の整数である。][式中、R、Q21~Q23、W0、Rq1、RnMm1/mは前記と同様である。]式a0-2-11~に対して、0.5~100質量部であることが好ましく、0.5~20質量部であることがより好ましい。溶媒は、1種を単独で用いても良く、2種以上を併用してもよい。上記反応における化合物i-2の使用量は、通常、化合物i-11モルに対して0.5~5モル程度が好ましく、0.8~4モル程度がより好ましい。上記反応における反応時間は、化合物i-1と化合物i-2との反応性や、反応温度等によっても異なるが、通常、1~80時間が好ましく、3~60時間がより好ましい。上記反応における反応温度は、20°C~200°Cが好ましく、20°C~150°C程度がより好ましい。次いで、得られた化合物i-3と、化合物i-4とを反応させ、化合物d1-3を得る。式i-4中、Mは前記同様であり、Z-は対アニオンである。化合物i-3と化合物i-4とを反応させ、化合物d1-3を得る方法としては、特に限定されないが、たとえば、適当なアルカリ金属水酸化物の存在下で、化合物i-3を適当な有機溶媒及び水に溶解し、化合物i-4を添加して攪拌により反応させることにより実施できる。上記反応におけるアルカリ金属水酸化物は、特に限定されるものではなく、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられ、その使用量は化合物i-31モルに対して0.3~3モル程度が好ましい。上記反応における有機溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホルム、酢酸エチル等の溶媒が挙げられ、その使用量は、化合物i-3に対して、0.5~100質量部であることが好ましく、0.5~20質量部であることがより好ましい。溶媒は、1種を単独で用いても良く、2種以上を併用してもよい。上記反応における化合物i-4の使用量は、通常、化合物i-31モルに対して0.5~5モル程度が好ましく、0.8~4モル程度がより好ましい。上記反応における反応時間は、化合物i-3と化合物i-4との反応性や、反応温度等によっても異なるが、通常、1~80時間が好ましく、3~60時間がより好ましい。上記反応における反応温度は、20°C~200°Cが好ましく、20°C~150°C程度がより好ましい。反応終了後、反応液中の化合物d1-3を単離、精製してもよい。単離、精製には、従来公知の方法が利用でき、たとえば濃縮、溶媒抽出、蒸留、結晶化、再結晶、クロマトグラフィー等をいずれか単独で、またはこれらの2種以上を組み合わせて用いることができる。上記のようにして得られる化合物d1-3の構造は、1H-核磁気共鳴NMRスペクトル法、13C-NMRスペクトル法、19F-NMRスペクトル法、赤外線吸収IRスペクトル法、質量分析MS法、元素分析法、X線結晶回折法等の一般的な有機分析法により確認できる。[D2成分]D2成分としては、前記A成分またはB成分に対して相対的に塩基性となる化合物であり、酸拡散制御剤、すなわち露光により前記A成分やB成分から発生する酸をトラップするクエンチャーとして作用するものであり、且つD1成分に該当しないものであれば特に限定されず、公知のものから任意に用いればよい。たとえば脂肪族アミン、芳香族アミン等のアミンが挙げられ、なかでも脂肪族アミン、特に第2級脂肪族アミンや第3級脂肪族アミンが好ましい。脂肪族アミンとは、1つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、該脂肪族基は炭素数が1~12であることが好ましい。脂肪族アミンとしては、たとえば、アンモニアNH3の水素原子の少なくとも1つを、炭素数20以下のアルキル基またはヒドロキシアルキル基で置換したアミンアルキルアミンまたはアルキルアルコールアミン、環式アミン、その他の脂肪族アミン等が挙げられる。前記アルキルアミンが有するアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。該アルキル基が直鎖状または分岐鎖状である場合、その炭素数は2~20であることがより好ましく、2~8であることがさらに好ましい。該アルキル基が環状である場合シクロアルキル基である場合、その炭素数は、3~30であることが好ましく、3~20がより好ましく、3~15がさらに好ましく、炭素数4~12であることが特に好ましく、炭素数5~10が最も好ましい。該アルキル基は単環式であってもよく、多環式であってもよい。具体的には、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等を例示できる。前記モノシクロアルカンとして、具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。また、前記ポリシクロアルカンとして、具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。前記アルキルアルコールアミンが有するヒドロキシアルキル基におけるアルキル基としては、前記アルキルアミンが有するアルキル基として挙げたものと同様のものが挙げられる。前記アルキルアミンの具体例としては、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デカニルアミン、トリ-n-ドデシルアミン等のトリアルキルアミン;が挙げられる。前記アルキルアルコールアミンの具体例としては、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ-n-オクタノールアミン、トリ-n-オクタノールアミン、ステアリルジエタノールアミン、ラウリルジエタノールアミン等が挙げられる。これらの中でも、炭素数5~10のトリアルキルアミンがさらに好ましく、トリ-n-ペンチルアミン又はトリ-n-オクチルアミンが特に好ましい。環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの脂肪族単環式アミンであっても多環式のもの脂肪族多環式アミンであってもよい。脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が6~10のものが好ましく、具体的には、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。その他の脂肪族アミンとしては、トリス2-メトキシメトキシエチルアミン、トリス{2-2-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-2-メトキシエトキシメトキシエチル}アミン、トリス{2-1-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシプロポキシエチル}アミン、トリス[2-{2-2-ヒドロキシエトキシエトキシ}エチルアミン、トリエタノールアミントリアセテート等が挙げられる。芳香族アミンとしては、アニリン、ピリジン、4-ジメチルアミノピリジン、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾールまたはこれらの誘導体、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、2,6-ジイソプロピルアニリン、N-tert-ブトキシカルボニルピロリジン等が挙げられる。D2成分はいずれか1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。D2成分は、A成分100質量部に対して、通常0.01~5.0質量部の範囲で用いられる。上記範囲とすることにより、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等が向上する。D成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。本態様のレジスト組成物がD成分を含有する場合、D成分の含有量は、A成分100質量部に対して、0.1~15質量部であることが好ましく、0.3~12質量部であることがより好ましく、0.5~12質量部であることがさらに好ましい。上記範囲の下限値以上であると、ラフネス等のリソグラフィー特性がより向上する。また、より良好なレジストパターン形状が得られる。前記範囲の上限値以下であると、感度を良好に維持でき、スループットにも優れる。本態様のレジスト組成物には、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、任意の成分として、有機カルボン酸、ならびにリンのオキソ酸およびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種の化合物E以下、E成分という。を含有させることができる。有機カルボン酸としては、例えば、酢酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。リンのオキソ酸としては、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等が挙げられ、これらの中でもホスホン酸が特に好ましい。リンのオキソ酸の誘導体としては、たとえば、上記オキソ酸の水素原子を炭化水素基で置換したエステル等が挙げられ、前記炭化水素基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数6~15のアリール基等が挙げられる。リン酸の誘導体としては、リン酸ジ-n-ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸エステルなどが挙げられる。ホスホン酸の誘導体としては、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸-ジ-n-ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸エステルなどが挙げられる。ホスフィン酸の誘導体としては、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸エステルなどが挙げられる。E成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。E成分は、通常、A成分100質量部に対して、0.01~5.0質量部の範囲で用いられる。本態様のレジスト組成物には、さらに所望により、混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。本態様のレジスト組成物は、材料を有機溶剤以下、S成分ということがあるに溶解させて製造することができる。S成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができる。例えば、γ-ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル-n-ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2-ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体[これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEが好ましい];ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチルEL、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などを挙げることができる。これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、ELが好ましい。また、PGMEAと極性溶剤とを混合した混合溶媒も好ましい。その配合比質量比は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2の範囲内とすることが好ましい。たとえば極性溶剤としてELを配合する場合は、PGMEA:ELの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2である。また、極性溶剤としてPGMEを配合する場合は、PGMEA:PGMEの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2、さらに好ましくは3:7~7:3である。また、極性溶剤としてPGMEおよびシクロヘキサノンを配合する場合は、PGMEA:PGMEシクロヘキサノンの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2、さらに好ましくは3:7~7:3である。また、S成分として、その他には、PGMEA、EL、または前記PGMEAと極性溶剤との混合溶媒と、γ-ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは70:30~95:5とされる。S成分の使用量は特に限定しないが、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものであるが、一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が1~20質量、好ましくは2~15質量の範囲内となる様に用いられる。≪第二の態様のレジスト組成物≫本発明の第二の態様のレジスト組成物は、フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも1種と、芳香族基と、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とを有する樹脂成分C以下、C’成分という。と、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分Aただし前記C’成分を除く。以下、A’成分という。と、露光により酸を発生する酸発生剤成分B以下、B’成分という。と、を含有し、前記C’成分中の前記芳香族基を有する構成単位の割合が20モル以上であり、前記B’成分を、前記A’成分100質量部に対して15質量部以上含有することを特徴とするEUV用またはEB用レジスト組成物である。本態様に用いられるC’成分は、前記第一の態様のレジスト組成物の説明で挙げたC成分と同じである。C’成分としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。本態様のレジスト組成物中、C’成分の含有量は、A成分100質量部に対して1~15質量部が好ましく、2~14質量部がより好ましく、3~12質量部がさらに好ましい。1質量部以上であると、EUV露光またはEB露光により形成されるレジストパターンのパターン形状、限界解像性能等の向上効果に優れる。15質量部以下であると、A成分とのバランスが良好で、形状や解像性等のリソグラフィー特性が良好である。<A’成分>A’成分としては、前記第一の態様のレジスト組成物の説明で挙げたA成分と同じものを用いてもよいが、好ましくは、A成分に該当しない、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分が用いられる。つまり、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化し、かつ露光により酸を発生しない樹脂成分が好ましく用いられる。かかる樹脂成分としては、特に限定されず、従来、化学増幅型レジスト組成物のベース樹脂として用いられているもののなかから適宜選択できる。たとえば本態様のレジスト組成物が、アルカリ現像プロセスにおいてネガ型レジストパターンを形成するまたは溶剤現像プロセスにおいてポジ型レジストパターンを形成するレジスト組成物である場合、A’成分としては、好ましくは、露光により酸を発生し、かつアルカリ現像液に可溶性の樹脂成分以下、A2’成分ということがある。が用いられ、さらに、架橋剤成分が配合される。かかるレジスト組成物は、露光によりB成分から酸が発生すると、当該酸が作用してA2’成分と架橋剤成分との間で架橋が起こり、結果、アルカリ現像液に対する溶解性が減少有機系現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜を選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性有機系現像液に対して可溶性へ転じる一方で、未露光部はアルカリ現像液に対して可溶性有機系現像液に対して難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像液で現像することによりネガ型レジストパターンが形成できる。また、このとき現像液として有機系現像液を用いると、ポジ型のレジストパターンが形成できる。A2’成分としては、アルカリ現像液に対して可溶性の樹脂以下アルカリ可溶性樹脂という。として公知の樹脂を用いることができ、該アルカリ可溶性樹脂としては、例えば特開2000-206694号公報に開示されている、α-ヒドロキシアルキルアクリル酸、またはα-ヒドロキシアルキルアクリル酸のアルキルエステル好ましくは炭素数1~5のアルキルエステルから選ばれる少なくとも一つから誘導される単位を有する樹脂;米国特許6949325号公報に開示されている、スルホンアミド基を有するα位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル樹脂またはポリシクロオレフィン樹脂;米国特許6949325号公報、特開2005-336452号公報、特開2006-317803号公報に開示されている、フッ素化アルコールを含有し、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル樹脂;特開2006-259582号公報に開示されている、フッ素化アルコールを有するポリシクロオレフィン樹脂等が、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。なお、前記α-ヒドロキシアルキルアクリル酸は、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸のうち、カルボキシ基が結合するα位の炭素原子に水素原子が結合しているアクリル酸と、このα位の炭素原子にヒドロキシアルキル基好ましくは炭素数1~5のヒドロキシアルキル基が結合しているα-ヒドロキシアルキルアクリル酸の一方または両方を示す。架橋剤成分としては、例えば、通常は、メチロール基またはアルコキシメチル基を有するグリコールウリルなどのアミノ系架橋剤、メラミン系架橋剤などを用いると、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。架橋剤成分の配合量は、アルカリ可溶性樹脂100質量部に対し、1~50質量部であることが好ましい。本態様のレジスト組成物が、アルカリ現像プロセスにおいてポジ型レジストパターンを形成し、溶剤現像プロセスにおいてネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物である場合、A’成分としては、好ましくは、酸の作用により極性が増大する樹脂成分以下、A1’成分ということがある。が用いられる。A1’成分は露光前後で極性が変化するため、A1’成分を用いることにより、アルカリ現像プロセスだけでなく、溶剤現像プロセスにおいても良好な現像コントラストを得ることができる。つまり、アルカリ現像プロセスを適用する場合、A1’成分は、露光前はアルカリ現像液に対して難溶性であり、露光によりB成分から酸が発生すると、該酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性から可溶性に変化する一方で、未露光部はアルカリ難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像することによりポジ型レジストパターンが形成できる。一方、溶剤現像プロセスを適用する場合、A1’成分は、露光前は有機系現像液に対して溶解性が高く、露光によりB成分から酸が発生すると、該酸の作用により極性が高くなって有機系現像液に対する溶解性が減少する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部は有機系現像液に対して可溶性から難溶性に変化する一方で、未露光部は可溶性のまま変化しないため、有機系現像液で現像することにより、露光部と未露光部との間でコントラストをつけることができ、ネガ型レジストパターンが形成できる。本態様において、A’成分は、A1’成分であることが好ましい。すなわち、本態様のレジスト組成物は、アルカリ現像プロセスにおいてポジ型となり、溶剤現像プロセスにおいてネガ型となる化学増幅型レジスト組成物であることが好ましい。A1’成分としては、たとえば、前記構成単位a1を有する樹脂成分が挙げられる。A1’成分が含有する構成単位a1は1種であってもよく2種以上であってもよい。A1’成分中、構成単位a1の割合は、A1’成分を構成する全構成単位に対し、15~70モルが好ましく、15~60モルがより好ましく、20~55モルがさらに好ましい。下限値以上とすることによって、レジスト組成物とした際に容易にパターンを得ることができ、感度、解像性、パターン形状等のリソグラフィー特性も向上する。また、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。A1’成分は、構成単位a1に加えて、前記構成単位a2をさらに有することが好ましい。A1’成分が有する構成単位a2は1種でも2種以上でもよい。たとえば構成単位a2として、構成単位a2Sのみを用いてもよく、構成単位a2Lのみを用いてもよく、それらを併用してもよい。また、構成単位a2Sまたは構成単位a2Lとして、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。A1’成分中、構成単位a2の割合は、当該A1’成分を構成する全構成単位の合計に対し、1~80モルであることが好ましく、10~70モルであることがより好ましく、10~65モルであることがさらに好ましく、10~60モルが特に好ましい。下限値以上とすることにより構成単位a2を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができ、DOF、CDU等の種々のリソグラフィー特性及びパターン形状が良好となる。A1’成分は、構成単位a1に加えて、または構成単位a1およびa2に加えて、前記構成単位a3をさらに有してもよい。A1’成分が有する構成単位a3は1種であっても2種以上であってもよい。A1’成分中、構成単位a3の割合は、当該A1’成分を構成する全構成単位に対して1~85モルであることが好ましく、5~80モルがより好ましい。構成単位a3の割合を下限値以上とすることにより、構成単位a3を含有させることによる効果解像性、リソグラフィー特性、パターン形状の向上効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。A1’成分は、構成単位a1に加えて、または構成単位a1およびa2に加えて、または前記構成単位a1~a3に加えて、前記構成単位a4をさらに有してもよい。この場合、A1’成分が有する構成単位a4は1種でも2種以上でもよい。A1’成分が構成単位a4を含有する場合、A1’成分中の構成単位a4の割合は、当該A1’成分を構成する全構成単位の合計に対し、1~30モルが好ましく、1~20モルがより好ましく、5~20モルがさらに好ましい。下限値以上とすることにより構成単位a4を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。A’成分は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記構成単位a0~a4以外の他の構成単位を含んでいてもよい。該他の構成単位は、上述の構成単位a0~a4に分類されない他の構成単位であれば特に限定されるものではなく、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用、EB用、EUV用等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。本発明において、A1’成分は、構成単位a1を有する重合体であることが好ましく、構成単位a1およびa2を有する共重合体であることがより好ましく、構成単位a1、a2およびa3を有する共重合体であることがさらに好ましい。構成単位a1を有する重合体としては、たとえば、構成単位a1からなる共重合体、構成単位a1およびa2からなる共重合体、構成単位a1およびa3からなる共重合体、構成単位a1、a2およびa3からなる共重合体、構成単位a1、a2、a3およびa4からなる共重合体等が例示できる。A’成分の質量平均分子量MwゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算基準は、特に限定されるものではなく、1000~50000が好ましく、1500~30000がより好ましく、2000~20000が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。分散度Mw/Mnは、特に限定されず、1.0~5.0が好ましく、1.0~3.0がより好ましく、1.0~2.5が最も好ましい。なお、Mnは数平均分子量を示す。A’成分は、各構成単位を誘導するモノマーを、例えばアゾビスイソブチロニトリルAIBNのようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等によって重合させることによって得ることができる。また、A’成分には、上記重合の際に、たとえばHS-CH2-CH2-CH2-CCF32-OHのような連鎖移動剤を併用して用いることにより、末端に-CCF32-OH基を導入してもよい。このように、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基が導入された共重合体は、現像欠陥の低減やLERラインエッジラフネス:ライン側壁の不均一な凹凸の低減に有効である。各構成単位を誘導するモノマーは、市販のものを用いても、公知の方法により合成したものを用いてもよい。A’成分としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。本態様のレジスト組成物中、A’成分の含有量は、形成しようとするレジスト膜厚等に応じて調整すればよい。本態様に用いられるB’成分としては、前記第一の態様のレジスト組成物の説明で挙げたB成分と同様のものが挙げられる。B’成分としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。本態様のレジスト組成物中、B’成分の含有量は、A成分100質量部に対して15質量部以上であり、20~70質量部が好ましく、30~60質量部がより好ましく、35~55質量部がさらに好ましい。上記範囲内であると、EUV露光またはEB露光により形成されるレジストパターンのパターン形状、限界解像性能、ラフネス、EL等のリソグラフィー特性が良好である。本態様のレジスト組成物は、任意の成分として、塩基性化合物以下、D’成分という。を含有してもよい。D’成分としては、前記D成分と同様のものが挙げられる。D’成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。本態様のレジスト組成物がD成分を含有する場合、D成分の含有量は、A成分100質量部に対して、0.1~15質量部であることが好ましく、0.3~12質量部であることがより好ましく、0.5~12質量部であることがさらに好ましい。上記範囲の下限値以上であると、ラフネス等のリソグラフィー特性がより向上する。また、より良好なレジストパターン形状が得られる。前記範囲の上限値以下であると、感度を良好に維持でき、スループットにも優れる。本態様のレジスト組成物には、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、任意の成分として、有機カルボン酸、ならびにリンのオキソ酸およびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種の化合物以下、E’成分という。を含有させることができる。E’成分としては、前記E成分と同様のものが挙げられる。E成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。E成分は、通常、A成分100質量部に対して、0.01~5.0質量部の範囲で用いられる。本態様のレジスト組成物には、さらに所望により、混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。本態様のレジスト組成物は、材料を有機溶剤以下、S’成分ということがあるに溶解させて製造することができる。S’成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができ、たとえば前記S成分と同様のものが挙げられる。S’成分の使用量は特に限定しないが、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものであるが、一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が1~20質量、好ましくは2~15質量の範囲内となる様に用いられる。上記本発明の第一の態様または第二の態様のレジスト組成物は、EUV露光またはEB露光によりレジストパターンを形成する際の解像性、露光余裕度等のリソグラフィー特性に優れており、しかも、ラフネスが少なく、断面形状の矩形性が高いパターン側壁の垂直性が高い良好な形状のレジストパターンを形成できる。これは、DUV領域の波長の光、特に150~300nmの波長の光に対して吸収を持つ芳香族基を含む構成単位を高い割合で含むC成分を含有することで、EUV光源より生じるOoB光に含まれるDUV領域の光が未露光部に入射したり、EB露光時に電子のレジスト膜表面で拡散散乱することによる悪影響光学コントラストの低下や未露光部での酸の発生やそれに伴う現像液溶解性の変化等が抑制されること;ベース樹脂として酸発生部位が導入されたA成分を含有する、あるいはB成分を高濃度に含有することによって、レジスト膜中での酸発生部位の分布が均一化すること;C成分を含有することで、特にアルカリ現像後の現像欠陥ディフェクトの発生を抑制できること;等が相乗的に作用していると考えられる。ディフェクトとは、例えば、KLAテンコール社の表面欠陥観察装置商品名KLAにより、現像後のレジストパターンを真上から観察した際に検知される不具合全般のことであり、例えば、現像後のスカムレジスト残渣、泡、ゴミ等のレジストパターン表面への異物や析出物の付着による不具合や、ラインパターン間のブリッジ、コンタクトホールパターンのホールの穴埋まり等のパターン形状に関する不具合や、パターンの色むら等をいう。ディフェクトの原因の一つとして、レジスト材料の疎水性の高さが挙げられる。疎水性が高いため、アルカリ現像やその後の水リンスを行った際に析出物が再付着しやすくなる。C成分は、現像前の露光時には疎水性を示す一方、アルカリによる現像後には極性が増大して親水性となる。加えて、該C成分はフッ素原子またはケイ素原子を含むことにより、レジスト膜の表面付近に偏在しやすい。そのため、該C成分を含有するレジスト組成物を用いて得られるレジスト膜の表面は、アルカリ現像後に親水性に変化する。このように、アルカリ現像後にレジスト膜の表面が親水性となることで、現像後のディフェクト、特に、膜表面へのスカムやゴミの再付着に関わるディフェクトBlobが低減される。≪レジストパターン形成方法≫本発明のレジストパターン形成方法は、支持体上に、前記第一の態様または第二の態様のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜をEUVまたはEBにより露光する工程、および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含む。本発明のレジストパターン形成方法は、例えば以下の様にして行うことができる。まず支持体上に前記本発明の第一の態様または第二の態様のレジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、ベークポストアプライベークPAB処理を、たとえば80~150°Cの温度条件にて40~120秒間、好ましくは60~90秒間施してレジスト膜を形成する。次に、該レジスト膜に対し、例えばEB描画装置、EUV露光装置等の露光装置を用いて、所定のパターンが形成されたマスクマスクパターンを介した露光、またはマスクパターンを介さない電子線の直接照射による描画等による選択的露光を行った後、ベークポストエクスポージャーベークPEB処理を、たとえば80~150°Cの温度条件にて40~120秒間、好ましくは60~90秒間施す。次に、前記レジスト膜を現像処理する。アルカリ現像プロセスの場合は、アルカリ現像液、例えば0.1~10質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液を用いてアルカリ現像処理を行う。溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を用いて現像処理を行う。この有機溶剤としては、A成分露光前のA成分を溶解し得るものであればよく、公知の有機溶剤のなかから適宜選択できる。具体的には、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられ、なかでもエステル系溶剤が好ましい。エステル系溶剤としては、酢酸ブチルが好ましい。現像処理後、好ましくはリンス処理を行う。アルカリ現像プロセス後の場合は純水を用いた水リンスが好ましい。溶剤現像プロセス後の場合は、上記で挙げた有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。その後は乾燥を行う。また、場合によっては、上記現像処理後にベーク処理ポストベークを行ってもよい。このようにしてレジストパターンを得ることができる。本発明のレジスト組成物は、特に、アルカリ現像プロセスにてポジ型のレジストパターンを形成する方法に好適に用いられる。支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。また、支持体としては、上述のような基板上に、無機系および/または有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜無機BARCが挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜有機BARCや多層レジスト法における下層有機膜等の有機膜が挙げられる。ここで、多層レジスト法とは、基板上に、少なくとも一層の有機膜下層有機膜と、少なくとも一層のレジスト膜上層レジスト膜とを設け、上層レジスト膜に形成したレジストパターンをマスクとして下層有機膜のパターニングを行う方法であり、高アスペクト比のパターンを形成できるとされている。すなわち、多層レジスト法によれば、下層有機膜により所要の厚みを確保できるため、レジスト膜を薄膜化でき、高アスペクト比の微細パターン形成が可能となる。多層レジスト法には、基本的に、上層レジスト膜と、下層有機膜との二層構造とする方法2層レジスト法と、上層レジスト膜と下層有機膜との間に一層以上の中間層金属薄膜等を設けた三層以上の多層構造とする方法3層レジスト法とに分けられる。レジスト膜の露光方法は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光ドライ露光であってもよく、液浸露光LiquidImmersionLithographyであってもよい。液浸露光は、予めレジスト膜と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒液浸媒体で満たし、その状態で露光浸漬露光を行う露光方法である。液浸媒体としては、空気の屈折率よりも大きく、かつ露光されるレジスト膜の有する屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒が好ましい。かかる溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。空気の屈折率よりも大きく、かつ前記レジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、フッ素系不活性液体、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。フッ素系不活性液体の具体例としては、C3HCl2F5、C4F9OCH3、C4F9OC2H5、C5H3F7等のフッ素系化合物を主成分とする液体等が挙げられ、沸点が70~180°Cのものが好ましく、80~160°Cのものがより好ましい。フッ素系不活性液体が上記範囲の沸点を有するものであると、露光終了後に、液浸に用いた媒体の除去を、簡便な方法で行えることから好ましい。フッ素系不活性液体としては、特に、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されたパーフロオロアルキル化合物が好ましい。パーフロオロアルキル化合物としては、具体的には、パーフルオロアルキルエーテル化合物やパーフルオロアルキルアミン化合物を挙げることができる。さらに、具体的には、前記パーフルオロアルキルエーテル化合物としては、パーフルオロ2-ブチル-テトラヒドロフラン沸点102°Cを挙げることができ、前記パーフルオロアルキルアミン化合物としては、パーフルオロトリブチルアミン沸点174°Cを挙げることができる。液浸媒体としては、コスト、安全性、環境問題、汎用性等の観点から、水が好ましく用いられる。アルカリ現像プロセスで現像処理に用いるアルカリ現像液としては、例えば0.1~10質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液が挙げられる。溶剤現像プロセスで現像処理に用いる有機系現像液が含有する有機溶剤としては、A成分露光前のA成分を溶解し得るものであればよく、公知の有機溶剤のなかから適宜選択できる。具体的には、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤及び炭化水素系溶剤を用いることができる。有機系現像液には、必要に応じて公知の添加剤を配合できる。該添加剤としてはたとえば界面活性剤が挙げられる。界面活性剤としては、特に限定されないが、たとえばイオン性や非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。界面活性剤を配合する場合、その配合量は、有機系現像液の全量に対して、通常0.001~5質量であり、0.005~2質量が好ましく、0.01~0.5質量がより好ましい。現像処理は、公知の現像方法におり実施でき、該方法としてはたとえば現像液中に支持体を一定時間浸漬する方法ディップ法、支持体表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止する方法パドル法、支持体表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している支持体上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。溶剤現像プロセスで現像処理後のリンス処理に用いるリンス液が含有する有機溶剤としては、たとえば前記有機系現像液が含有する有機溶剤として挙げた有機溶剤のうち、レジストパターンを溶解しにくいものを適宜選択して使用できる。通常、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤およびエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の溶剤を使用する。これらのなかでも、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤及びアミド系溶剤から選択される少なくとも1種類が好ましく、アルコール系溶剤およびエステル系溶剤から選択される少なくとも1種類がより好ましく、アルコール系溶剤が特に好ましい。リンス液を用いたリンス処理洗浄処理は、公知のリンス方法におり実施でき、該方法としてはたとえば一定速度で回転している支持体上にリンス液を塗出しつづける方法回転塗布法、リンス液中に支持体を一定時間浸漬する方法ディップ法、支持体表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法等が挙げられる。次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。[実施例1~20、比較例1~5]表1~2に示す各成分を混合、溶解してレジスト組成物を調製した。表1~2中、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。[]内の数値は配合量質量部である。A-1:下記構造式A-1で表される共重合体。A-2:下記構造式A-2で表される共重合体。C-1~C-10:それぞれ下構造式C-1~C-10で表される共重合体。C-1~C-5:それぞれ下構造式C-1~C-5で表される共重合体。B-1:下記構造式B-1で表される化合物。D-1:トリ-n-オクチルアミン。D-2:下記構造式D-2で表される化合物。E-1:サリチル酸。S-1:γ-ブチロラクトン。S-2:PGMEA/PGME=3000/2000質量比の混合溶剤。S-3:PGMEA/PGME/シクロヘキサノン=1500/1000/2500質量比の混合溶剤。なお、A成分およびC成分は公知の方法により合成した。それらの質量平均分子量Mwおよび分子量分散度Mw/Mnは、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の値である。共重合体の共重合組成比構造式中の各構成単位の割合モル比は、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求めた。13C-NMRの内部標準はテトラメチルシランTMSである。得られたレジスト組成物を用いて以下の評価を行った。[レジストパターンの形成]90°Cで36秒間のヘキサメチルジシラザンHMDS処理を施した8インチシリコン基板上に、各例のレジスト組成物を、スピンナーを用いて均一にそれぞれ塗布し、表3~4に示すPAB温度で60秒間のベーク処理PABを行ってレジスト膜膜厚60nmを成膜した。該レジスト膜に対し、電子線描画機HL800DVSBHitachi社製を用い、加速電圧50keVにて描画露光を行い、表3~4に示すPEB温度で60秒間のベーク処理PEBを行い、さらに23°CにてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAHの2.38質量水溶液商品名:NMD-3、東京応化工業株製を用いて60秒間の現像を行った。その結果、いずれの例においても、ライン幅100nm、ピッチ200nmのラインアンドスペースのレジストパターン以下LSパターンという。が形成された。該LSパターンが形成される最適露光量EopμC/cm2を求めた。結果を表3~4に示す。なお、加速電圧が高いほど、微細パターンの形成に有利と考えられているが、本評価では、OoB光が生じている状態を擬似的に再現するために、比較的低い加速電圧50keVの露光条件を採用した。[解像力の評価]上記Eopにおける限界解像度nmを、走査型電子顕微鏡S-9380日立ハイテクノロジー社製を用いて求めた。結果を解像力として表3~4に示す。[ラインエッジラフネスLWRの評価]上記[レジストパターンの形成]で形成したライン幅100nm、ピッチ200nmのLSパターンについて、LWRを示す尺度である3σを求めた。3σは、走査型電子顕微鏡加速電圧800V、商品名:S-9220、日立ハイテクノロジーズ社製により、ライン幅を、ラインの長手方向に400箇所測定し、その測定結果から求めた標準偏差σの3倍値3s単位:nmを示す。該3sの値が小さいほど、ライン側壁のラフネスが小さく、より均一幅のLSパターンが得られたことを意味する。結果を表3~4に示す。[露光余裕度10ELの評価]上記[レジストパターンの形成]にて、LSパターンのラインがターゲット寸法ライン幅100nmの±1090nm~110nmの範囲内で形成される際の露光量を求め、次式により露光余裕度単位:を求めた。露光余裕度は、その値が大きいほど、露光量の変動に伴うパターンサイズの変化量が小さいことを示す。結果を10ELとして表3~4に示す。露光余裕度=|E1-E2|/Eop×100式中、E1はライン幅90nmのLSパターンが形成された際の露光量μC/cm2、E2はライン幅110nmのLSパターンを形成された際の露光量μC/cm2を示す。上記結果に示すとおり、実施例1~10のレジスト組成物は、EBに対して良好な感度を有しており、しかも、C成分として芳香族基を有する構成単位を含まないC-1~C-2を用いた比較例1、2に比べて、その他の組成が同じであるにもかかわらず、解像力に優れ、露光余裕度が大きかった。また形成されたレジストパターンの形状も、LWRが小さく良好なものであった。同様に、実施例11~20のレジスト組成物は、EBに対して良好な感度を有しており、しかも、C成分として芳香族基を有する構成単位の割合が15.0モル以下のC-3~C-5を用いた比較例3~5に比べて、その他の組成が同じであるにもかかわらず、解像力に優れ、露光余裕度が大きかった。また形成されたレジストパターンの形状も、LWRが小さく良好なものであった。"