基材面に所定間隔で配置される複数の貫通孔を有し、前記貫通孔中に、第1半導体層と第2半導体層とが積層することで接合部を形成した半導体領域とを有し、かつ、前記第1半導体層と前記第2半導体層との接合面とは異なる面が、それぞれ電極と接合していることを特徴とする発光体。前記基材は、フィルム状樹脂が用いられる請求項1に記載の発光体。前記基材は、ガラスからなる請求項1に記載の発光体。前記第1半導体層と前記第2半導体層とは、それぞれ粒子の集合体である請求項1~3のいずれか1項に記載の発光体。前記貫通孔は、すり鉢状の形状に形成される請求項1~4のいずれか1項に記載の発光体。前記第1の半導体層は、P型半導体であり、かつ、前記第2の半導体層は、N型半導体である請求項1~5のいずれか1項に記載の発光体。前記第1の半導体層は、N型半導体であり、かつ、前記第2の半導体層は、P型半導体である請求項1~5のいずれか1項に記載の発光体。特許文献1に記載されたLED表示ユニットは、基板上に配置した複数のチップLEDにより面発光するものである。しかし、このLED表示ユニットは、別個独立の部品としてのチップLEDが基板上に実装、配置されているので、LED表示ユニットが厚みを持ち、かつ、配置されたチップLED間の距離が影響し、面発光体としての輝度ムラが大きくなるおそれがある。また、LEDを基板上に実装するため、面発光体はフレキシブル性を有し得ない。本発明は、面発光する発光体の輝度ムラの低減を実現することを目的とする。本発明は、基材面に所定間隔で配置される複数の貫通孔を有し、前記貫通孔中に、第1半導体層と第2半導体層とが積層することで接合部を形成した半導体領域とを有し、かつ、前記第1半導体層と前記第2半導体層との接合面とは異なる面が、それぞれ電極と接合していることを特徴とする発光体である。この発光体は、所定間隔で配置される複数の貫通孔を有する、フィルム状樹脂またはガラスを基材として用いることができる。また、その複数の貫通孔はすり鉢状の形状をしており、かつ、その貫通孔は、異なる組成の半導体層が積層することで接合部を形成した半導体領域により充填されている。さらに、前記半導体層はそれぞれ粒子の集合体であり、それらの接合部が発光部となる。このような構造により、この発光体は、極めて薄い構造を有し、また、別個独立して配置されている複数の半導体領域が有する発光部において、それぞれが発光することで擬似面発光することができるため、フレキシブルな面発光体として機能する。また、発光部で発生した光は半導体領域を透過する際に、半導体領域を構成する透明又は半透明半導体粒子により散乱する。また、半導体領域をすり鉢形状とすることで、発光面方向に向かって裾が広がって行き、発光部面積に対して光の出口面積が大きくなるので、より効果的に光が透過、散乱され、複数の独立した発光部とそれ以外の領域との明るさの差が少なくなる。さらに、複数の発光部で発生した光は発光面方向だけでなく、あらゆる方向へと放射され、発光体を構成する各層および基材で反射、散乱するため、輝度ムラを低減することができる。本発明は、所定間隔で配置される複数の貫通孔を有するフィルム状樹脂またはガラスを基材として用い、かつ、その基材が有する複数に貫通孔は、発光部を有する半導体領域により充填されており、それぞれの発光部が発光することで擬似面発光をすることができる。このように、フィルム状樹脂またはガラスの基材の一部のみに、脆性を有する半導体領域を設けることにより、半導体領域は弾性のある基材に囲まれ、基材としての弾性が損なわれることなく、フレキシブルな面発光体として機能する。本発明は、所定間隔で配置される複数の貫通孔を有するフィルム状樹脂を基材として用い、かつ、その複数の貫通孔は、第1半導体層と第2半導体層が積層することで、接合部を形成した半導体領域により充填され、それら接合部が発光部となる。さらに、前記第1半導体層及び前記第2半導体層は粒子の集合体により構成される。このような構造により、この発光体は、複数の独立した発光部を有し、また、それら発光部で発生した光は半導体領域を透過する際に、半導体領域を構成する透明又は半透明半導体粒子により散乱され、複数の独立した発光部とそれ以外の領域との明るさの差が少なくなる。本発明において、所定間隔で配置される複数の貫通孔を有するフィルム状樹脂を基材として用い、かつ、その基材が有する複数の貫通孔は、発光部を有する半導体領域により充填されており、それぞれの発光部が発光することで擬似面発光をすることができる。さらに、前記貫通孔をすり鉢形状とすることで、前記発光体を屈曲させる際、半導体領域にかかる応力が分散される。また、上述したように、半導体領域をすり鉢形状とすることで、発光面方向に向かって裾が広がって行き、発光部面積に対して光の出口面積が大きくなるので、より効果的に光が透過、散乱され、複数の独立した発光部とそれ以外の領域との明るさの差が少なくなる。このため、貫通孔の形状はすり鉢状とすることが好ましい。本発明は、所定間隔で配置される複数の貫通孔を有するフィルム状樹脂またはガラスを基材として用い、かつ、その複数の貫通孔はすり鉢状の形状をしており、かつ、第1半導体層と第2半導体層が積層することで、接合部を形成した半導体領域により充填されている。さらに、前記第1半導体層及び前記第2半導体層は粒子の集合体により構成されるとともに、それら半導体層は互いに異なる組成であり、それぞれP型あるいはN型どちらか一方の特性を示す。つまり、半導体領域が有する第1半導体層と第2半導体層の接合部に、PN又はNP接合が形成され、LEDとなる。このような構造により、この発光体は、極めて薄い構造を有し、また、別個独立して配置されている複数の半導体領域が有する発光部LEDにおいて、それぞれが発光することで擬似面発光することができる。また、発光部で発生した光は半導体領域を透過する際に、半導体領域を構成する透明又は半透明半導体粒子により散乱する。また、半導体領域をすり鉢形状とすることで、発光面方向に向かって裾が広がって行き、発光部面積に対して光の出口面積が大きくなるので、より効果的に光が散乱され、複数の独立した発光部とそれ以外の領域との明るさの差が少なくなる。さらに、複数の発光部で発生した光は発光面方向だけでなく、あらゆる方向へと放射され、発光体を構成する各層および基材で反射、散乱するため、輝度ムラを低減することができる。また、弾性を有するフィルム状樹脂またはガラスの基材の一部のみに、脆性を有する半導体領域を設けることにより、半導体領域は弾性のある基材に囲まれ、基材としての弾性が損なわれることなく、フレキシブルな面発光体として機能させることができる。本発明は、面発光する発光体の輝度ムラの低減を実現することができる。以下、本発明を実施するための形態実施形態につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態は、本発明を限定するものではない。また、下記の実施形態で開示された構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態で開示した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。図1、図2-1、図2-2は、本実施形態に係る発光体の平面図である。発光体1、1’、1’’は、複数の発光部2を有するフィルム状の素子である。発光体1、1’、1’’は、複数の独立した発光部2を同一の面内で発光点発光させることにより、擬似的に面発光する発光素子である。それぞれの発光部2は、LEDLightEmittingDiode:発光ダイオードである。すなわち、発光体1、1’、1’’は、複数のLEDを同一共通のフィルム状樹脂の基材基板に作製したものである。この点で、発光体1、1’、1’’は、部品としてのLEDを、例えば、一つの基板に複数実装し取り付けた発光体とは異なる。図1に示す発光体1は、複数の発光部2が、X-Yの二次元座標系において、格子の交点に配列格子状に配列されている。複数の発光部2の配列間隔Pは、等間隔であることが好ましい。等間隔とすることにより、発光体面内での散乱光の強度のバラツキを抑制できるので、結果として、発光体1の輝度ムラを抑制できるので好ましい。この例では、X方向に隣接する発光部2の配列間隔XpとY方向に隣接する発光部2の配列間隔Ypとが等しい、すなわち、Xp=Yp=Pである。このようにすれば、それぞれの発光部2を発光させて擬似的に面発光させた場合、発光体1の輝度ムラを低減できるので好ましい。このように、発光体1は、2方向この例ではX方向及びY方向において、複数の発光部2の配列間隔が等しければ、発光体1の輝度ムラ低減の効果を得ることができる。配列間隔Pの範囲としては、発光部2の等価直径をDeDe=4×S/C、Sは柱状部分の断面積、Cは柱状部分の周長とすると、P-De=0.1mm以上10mm以下が好ましい。この配列間隔Pが狭すぎると、発光面に対する発光部が多くなり、発光部からの発熱が増加するおそれがある。また、逆に配列間隔Pが広すぎると、発光面における発光部が少なくなるため、面発光体として機能させるためには、粒子による散乱に配慮しより散乱を強める材料の選定が必要となる。上述した配列間隔Pの範囲内において、配列間隔Pをより狭くした配列の方が輝度ムラ低減に関してはより効果的である。図2-1に示す発光体1’は、複数の発光部2が、X-Yの二次元座標系において、千鳥状に配列されている。複数の発光部2が千鳥配列される場合でも、複数の発光部2の配列間隔Pは、等間隔であることが好ましい。等間隔とすることにより、発光体面内での散乱光の強度のバラツキを抑制できるので、結果として、発光体1’の輝度ムラを抑制できるので好ましい。発光体1’は、隣接する発光部2の配列間隔Pが等しくなっている。このようにすれば、それぞれの発光部2を発光させて擬似的に面発光させた場合、発光体1’の輝度ムラを低減できるので好ましい。図2-2に示す発光体1’’は、隣接する発光部2同士の配列間隔がすべてPとなるように複数の発光部2が配列されている。発光体1’’は、隣接する3個の発光部2で作られる三角形Sqが正三角形となっている。すなわち、三角形Sqのそれぞれの内角θは、すべて60度である。このようにすれば、隣接する発光部2同士の配列間隔がすべて等しくなるため、それぞれの発光部2を発光させて擬似的に面発光させた場合、発光体1の輝度ムラをより低減できる。次に、発光体1、1’、1’’の内部構造を説明する。以下においては、発光部2の配列は格子状、すなわち、発光体1の発光部2の配列を例とするが、他の配列でも同様である。図3は、本実施形態に係る発光体の断面図である。発光体1は、基材3と、半導体領域5と、下部電極4及び上部電極6と、保護層7A、7Bと、複数の発光部2とを含む。基材3は、基材面に等間隔に配置される複数の貫通孔3Hを有しており、その貫通孔3Hの形状はすり鉢形状となっている。半導体領域5は、異なる組成の第1半導体層5Aと第2半導体層5Bとが積層され接合部5Cを形成し、その接合界面に発光部2を形成し、基材3が有する複数の貫通孔3Hに充填されている。第1半導体層5Aと第2半導体層5Bとは、それぞれの接合面とは異なる面がそれぞれ下部電極4と上部電極6と接合している。つまり、半導体領域5は基材3が有する複数の貫通孔3Hの形状と同様なすり鉢形状となる。また、第1半導体層5A及び第2半導体層5Bは、それぞれ透明又は半透明粒子の集合体である。発光体1においては、第1半導体層5AがP型半導体であり、第2半導体層5BがN型半導体である。なお、第1半導体層5AがN型半導体であり、第2半導体層5BがP型半導体であってもよい。なお、第1半導体層5A及び第2半導体層5Bを構成するそれぞれの粒子のサイズは5nm~200nmが好ましい。更に、光散乱の効率を考慮すると20nm~50nmがより好ましい。上述したように、発光体1は、基材3が有する複数の貫通孔3Hが、発光部2を有する半導体領域5により充填されている。つまり、基材3の基材面に複数の半導体領域5が等間隔に配置された状態である。それら複数の半導体領域5は、基材3が有する複数の貫通孔3Hと同様なすり鉢形状となっている。半導体領域5は、電極の1つである上部電極6と接合する面の柱状部分の直径D柱状部分の断面が円形でない場合には等価直径Deが10μm以上1cm以下であることが好ましく、かつ、電極の1つである下部電極4と接合する面の柱状部分の直径D’柱状部分の断面が円形でない場合には等価直径DeがD’<Dであることが好ましい。また、半導体領域5の厚み基材3の表面と直交する方向における寸法は、50nm以上5000nm以下であることが好ましい。半導体領域5の寸法がこのような範囲であれば、発光部2としての抵抗値を抑えられ、かつ電流分布もある程度一定となるため、発光体1の輝度ムラを抑制できるので好ましい。また、第1半導体層5Aと第2半導体層5Bのそれぞれの厚みは、前記半導体領域5の厚みの範囲内であれば、特に限定されない。半導体領域5は、第1半導体層5A及び第2半導体層5Bが積層されることで形成される。また、第1半導体層5Aは、下部電極4と接合するとともに、第2半導体層5Bとも接合し、第2半導体層5Bの表面には上部電極6が設けられる。そして、基材3が有する複数の貫通孔3H中に形成される第1半導体層5Aと第2半導体層5Bとを含む半導体領域5は、下部電極4及び上部電極6を介して、電圧が印加される。複数の発光部2は、半導体領域5に形成される。より具体的には、発光部2は、第1半導体層5Aと第2半導体層5Bとの接合部界面の近傍である。すなわち、第1半導体層5Aと第2半導体層5BとでLEDが構成される。本実施形態では、P型半導体である第1半導体層5Aに正電圧を印加することにより、N型半導体である第2の半導体粒子の集合体5Bに向かって電流が流れ、両者の接合部PN接合部近傍より具体的には禁制帯の近傍で発光する。半導体領域5は、基材3が有するすり鉢形状をした複数の貫通孔3H中を充填しているため、貫通孔3Hと同様なすり鉢形状となる。このように、基材3と半導体領域5とをすり鉢形状とすることで、発光体1を屈曲させた際、半導体領域5にかかる応力を分散させることができる。また、発光体1は、半導体領域5がすり鉢形状であり、発光面に向かって裾が広がって行く形状であるため、発光部面積に対して光の出口面積が大きくなるので、より効果的に光が散乱される。さらに、半導体領域5が有するすり鉢形状において、発光面方向に広がる裾の先端部が湾曲している方が、散乱性及び半導体領域5と基材3との密着性が向上するのでより好ましい。その結果、発光体1は、半導体領域5をすり鉢形状とし、かつ、半導体領域5を半導体粒子により構成することにより輝度ムラが抑制できる。このように、発光体1は、同一の基材3が有する複数の貫通孔3H中に発光部2を有しているので、擬似的に面発光する。また、発光体1は、各発光部2の間、より具体的には複数の半導体領域5の間に、基材3を有している。通常のLEDは、半導体基板と半導体薄膜とにより構成されるため、フレキシブル性は持ち得ない。この点について、発光体1は、フィルム状樹脂の素材を基材3に用い、かつ、複数の半導体領域5に間に基材3を有する構造とすることで、基材3が有する弾性により、フレキシブルな面発光体とすることができる。また、本発明に使用される基材3の厚みは、100μm以下の範囲であれば特に限定されない。また、LEDは発光素子を大型化すると発熱及び電気特性が低下するという問題がある。この点について、発光体1は、大型化したLEDと比較して、小さな独立したLEDの発光部2を同一の基材3に形成して、擬似的に面発光させているので、面全体が発光部となっている面発光体と比べて発熱量は小さく、また発光面全体で発熱を放熱することができる。このため、発光体1は、全体の発熱を効率的に放熱することができる。また、発光体1は、下部電極4に、放熱性に優れた金属を用いることにより、発光部2で発生した熱は、発光体1の裏面へ伝わりやすくなる。その結果、発光体1は、発光に起因する昇温が抑制される。また、発光体1の昇温が抑制されることにより、発光体1は、電気特性の低下も抑制される。次に、本実施形態に係る発光体の製造方法を説明する。発光体の製造方法図4は、本実施形態における発光体の製造方法を示すフローチャートである。図5-1から図5-5は、本実施形態における発光体の製造方法を示す説明図である。本実施形態における発光体の製造方法は、図3に示す発光体1を製造する方法の一例である。ステップS1において、基材3を準備する図5-1。基材3は、基材面に等間隔に複数の貫通孔3Hが配置され、かつ、貫通孔3Hの形状がすり鉢形状となるよう加工を施す。基材の種類としては、PETPolyethyleneTerephthalate、PENPolyethyleneNaphthalate等の弾性を有したプラスチックフィルム又は、弾性を有した薄板ガラスなどの様々な種類のフィルムを用いることができる。もちろん、フィルム状とは薄い膜状フィルムから多少厚みのあるシートまで、弾性を有するものであれば特に厚みが限定されるものではない。貫通孔を形成する加工は、プラスチックフィルムではレーザー又はパンチプレスなどにより行い、薄板ガラスにおいてはレーザーにより行う。以下に記載の製造方法については、基材3はプラスチックフィルムを用いた場合であり、また、基材3が有する複数の貫通孔の開口部の広い面を表面上面と定義する。次に、ステップS2に進み、基材3の裏面に、下部電極4を形成する図5-2。下部電極4は、両面発光体とする場合は、透過率が高い材料で形成されることが好ましい。例えば、具体的にはITO、ZnO、SnO2、TiO2等を下部電極4として用いることができる。また、両面発光体ではなく、片面のみの発光体とする場合においては、下部電極4は、発光部2から放射される光を効率よく表面方向へ反射させることを考慮して、金属により形成されることが好ましい。例えば、Ag、Al、Au、Cu、Ni、Pt、Rh等を下部電極4として用いることができる。これらの材料を真空成膜又は塗布することにより下部電極4を形成する。次に、ステップS3に進み、半導体領域5を基材3が有する複数の貫通孔3H中に形成する図5-3。半導体領域5は、第1半導体層5Aと第2半導体層5Bとが積層することで接合し形成され、それらは、塗布、印刷又はインクジェット印刷することにより形成する。印刷により第1半導体層5Aと第2半導体層5Bとを形成する場合、先ず、第1半導体層5Aを構成する透明又は半透明半導体粒子と、有機溶剤とを分散させた塗料と、所望のスクリーン版とを用いて、基材3が有する複数の貫通孔3Hの部分に上述した塗料を印刷する。このとき、基材3の裏面には下部電極4が既に形成されているため、貫通孔3Hへ印刷された前記塗料が抜けてしまうことはない。続いて、第2半導体層5Bを構成する透明又は半透明半導体粒子と有機溶剤とを分散させた塗料と、所望のスクリーン版とを用いて、印刷された第1半導体層5Aの上へ印刷する。その後、乾燥させ圧縮加工を施す。このように、基材3が有する複数の貫通孔中に、第1半導体層5Aと第2半導体層5Bが積層、かつ接合されることで、P/N又はN/P接合を有する半導体領域5が形成される。半導体領域5は、すり鉢形状をした、透明又は半透明の半導体材料粒子の集合体である。このため、発光部2で発光した光は、半導体材料粒子を透過し散乱される。また、半導体領域5はすり鉢形状をしているため、発光面方向に向かって裾が広がって行く形状であり、発光部面積に対して光の出口面積が大きくなるので、より効果的に光が散乱されることにより、発光体1の輝度ムラが低減される。さらに、基材3と半導体領域5とをすり鉢形状とすることで、発光体1を屈曲させた際、半導体領域にかかる応力を分散させることができる。次に、上部電極6を形成するステップS4に進む図5-4。上部電極6は、透明電極である。下部電極4及び上部電極6は、P/N又はN/P接合部分の取出し電極となる。上部電極6は、光の取り出し効率を考慮して、透過率が高い材料で形成されることが好ましい。例えば、ITO、ZnO、SnO2、TiO2等を上部電極6として用いることができる。これらの材料を、例えば、基材3の表面に真空成膜又は塗布することによって上部電極6を形成する。次に、ステップS5に進み、下部電極4の表面に保護層7A、上部電極6の表面に保護層7Bを形成して、発光体1が完成する図5-5。保護層7Bも、上部電極6と同様に、光の取り出し効率を考慮して、透過率が高く、屈折率の低い材料で形成されることが好ましい。また、両面発光体とする場合、保護層7Aは、保護層7Bと同様に、透過率が高く、屈折率の低い材料で形成されることが好ましい。保護層7Aおよび保護層7Bは、材料を、例えば、第2電極5Bの表面に真空成膜又は塗布することによって形成する。このような工程により、発光体1を製造することができる。以上、本実施形態に係る発光体は、基材として基材面に等間隔に配置される複数の貫通孔を有するフィルム状樹脂またはガラスを用い、かつ、その複数の貫通孔はすり鉢状の形状をしており、かつ、その複数の貫通孔は、異なる組成の半導体層が積層することで接合し形成される半導体領域により充填されている。このような構造により、この発光体は、極めて薄い構造を有し、かつ、フレキシブル性を有し、また、別個独立して配置されている複数の半導体領域において、それぞれが発光することで擬似面発光する。このように、それぞれの半導体領域は発光部となる。またこのとき、発光部で発生した光は半導体領域を透過する際に、半導体領域を構成する半導体粒子により散乱する。さらに、基材が有する貫通孔をすり鉢形状とすることで、その貫通孔を充填する半導体領域はすり鉢形状となり、発光面方向に向かって裾が広がって行く形状となるため、発光部面積に対して光の出口面積が大きくなるので、より効果的に光が散乱され、複数の独立した発光部とそれ以外の領域との明るさの差が少なくなる。また、複数の発光部で発生した光は発光面方向だけでなく、あらゆる方向へと放射され、発光体を構成する各層及び基材で反射、散乱するため、輝度ムラを低減することができる。また、前記複数の発光部が等間隔であるので、発光面内における部分的な散乱光の強弱の発生を抑制できるので、輝度ムラを抑制することができる。また、本実施形態に係る発光体は、大型化したLEDによって面発光させる発光体と比較して、小さな発光部LEDの集合体により擬似的に面発光させる。このため、面全体が発光する面発光体と比べ発熱量及び消費電力を低減することができ、また発光部からの発熱を面全体で放熱するため、放熱効率が高い。これらの作用により、発光体は耐久性の低下が抑制される。また、本実施形態に係る発光体は、LEDからの光を導光板に導いて面発光させる発光体と比較して、寸法を抑制できるとともに部品点数も低減できる。また、本実施形態に係る発光体の製造方法は、半導体材料等と溶剤とを混合して得られた塗料を印刷又は塗布等することにより、半導体領域及び電極等を形成して発光体を製造する。このように、本実施形態に係る発光体の製造方法は、半導体領域及び電極の材料を含む塗料を用いるので、比較的簡易なプロセスで、比較的安価に発光体を製造することができる。また、本実施形態に係る発光体の製造方法は、半導体領域等を形成する対象基板の形状又は材質に対する自由度が大きく、プラスチックフィルムや薄板ガラスなどに半導体領域を形成したりすることができる。その結果、本実施形態に係る発光体の製造方法は、さまざまな形状又は仕様の、面発光する発光体を製造することができる。