レーザー光を半導体膜に照射し、前記半導体膜を結晶化させる半導体膜の作製方法であって、発振器から前記レーザー光を発振させ、シリンドリカル凹レンズ及び第一のシリンドリカル凸レンズを通過させることにより、前記レーザー光の断面の第一の方向に伸長させ、第一のレンズアレイを通過させることにより、前記第一の方向におけるエネルギー密度の分布を均一にし、第二のレンズアレイを通過させることにより、前記第一の方向と直交する第二の方向におけるエネルギー密度の分布を均一にし、且つ前記第二の方向に伸長させ、第二のシリンドリカル凸レンズを通過させることにより、前記第一の方向に収束させ、第三のシリンドリカル凸レンズを通過させることにより、前記第二の方向における幅を概略一定とし、前記第三のシリンドリカル凸レンズを通過したレーザー光を、前記半導体膜に照射し、結晶化した半導体膜を得ることを特徴とする半導体膜の作製方法。請求項1において、前記半導体膜は、ガラス基板上に形成されていることを特徴とする半導体膜の作製方法。請求項1または2において、前記半導体膜を用いた電子機器。しかしながら、従来、レーザーアニールの条件等については、各装置や被膜の条件によって異なるものとして、十分な検討がおこなわれなかった。その結果、レーザーアニール技術は非常にばらつきが大きくて、到底実用化には到らないというコンセンサスができていた。本発明の目的は、このような従来には認知されていなかった条件を提示し、よって、レーザーアニールによって再現性のよい結果を得ることである。本発明者は、特にイオン照射、イオン注入、イオンドーピング等のダメージによって、被膜がアモルファス、あるいはそれに類した非常に結晶性の悪化した状態で、半導体としても十分な特性の示せないような被膜を活性化せしめる目的でレーザーアニールの条件の最適化を探していたが、その際には、レーザー光のエネルギーの条件ばかりではなく、含まれる不純物やレーザーパルスのショット数によっても最適な条件が変動することを発見した。本発明では、活性化されるべき被膜は主としてシリコン、ゲルマニウム、あるいはシリコンとゲルマニウムの合金や炭化珪素等のIV族の元素から構成される被膜である。これらの被膜は10nm~1000nmの厚さである。これらの被膜をレーザーアニールする際には、透光性を考慮して400nm以下の短い波長のレーザーを使用するとよいことが知られている。例えば、一般にレーザーのエネルギー密度が高ければ活性化が十分におこなわれ、シート抵抗が低下するものと考えられている。しかし、実際には、不純物として燐が含まれている場合には、明らかにそのような傾向が得られたとしても、不純物が硼素の場合には、逆に高エネルギーでは劣化する。また、パルスレーザーによるアニールではパルスのショット数が増加すると、結果のばらつきが少なくなるものと考えられているが、ショット数が多くなると被膜のモフォロジーが悪化し、ミクロなばらつきが増大するという現象も生じることが明らかになった。これは、レーザーの照射を重ねることによって、被膜中に結晶の核が大きく成長するためだと考えられる。その結果、それまでは極めて均質であった被膜中に0.1~1μm程度のサイズで分布が生じるためである。特に、レーザーのエネルギーが大きな領域では顕著であった。また、レーザーアニールの際に被膜が大気中に露出しているのではなく、厚さ3~300nm代表的には10~100nmの透明な被膜によって覆われていることも必要であることを見出した。このような被膜はレーザー光を透過する目的から酸化珪素や窒化珪素が適しているが、通常はこの被膜をゲート酸化膜として用いる必要から酸化珪素を主たる材料とする被膜を用いる。もちろん、可動イオンをパッシベーションする目的からこれにリンや硼素がドープされていてもよい。もし、IV族被膜がこのような透明な被膜で被覆されていない場合には、先に述べたような不均質性が一段と加速された。このような条件を満たした上で、さらに平坦な均質な被膜を得るには、照射されるレーザー光のエネルギー密度をEmJ/cm2、レーザーパルスのショット数をN回としたときに、log10N≦AE-Bという関係があることを見出した。このA、Bは被膜に含まれている不純物によって異なるのであるが、不純物が燐の場合には、A=-0.02、B=350であり、不純物が硼素の場合には、A=-0.02、B=300であった。また本発明は、透明な膜の代わりに透明基板を用いてもよい。即ち、この場合のレーザー処理方法は、絶縁透明基板上に、形成されたIV族元素を主成分とし、高エネルギーの不純物イオンを照射された被膜に波長400nm以下、パルス幅50nsec以下のパルス状レーザー光を照射することによって半導体を活性化せしめるレーザーアニール方法において、該パルス状レーザー光は前記絶縁透明基板を通して該被膜に照射されることと、照射されるレーザーのエネルギー密度EmJ/cm2と照射パルス数Nの間に、log10N≦-0.02E-350の関係を有することを特徴とするレーザー処理方法である。以下に実施例を示し、より詳細に本発明を説明する。本発明によって最適なレーザーアニールをおこない、よって、ばらつきが少なく信頼性の高い半導体膜を得ることができた。このように本発明は工業上、有益なものと考えられる。本実施例では、IV族元素からなる膜半導体膜中に不純物を導入してN型とP型の一方を付与し、さらにマスクを用いて前記膜の一部に不純物を導入してその部分にN型とP型の他方を付与する。図1には本実施例で使用したレーザーアニール装置の概念図を示す。レーザー光は発振器2で発振され、全反射ミラー5、6を経由して増幅器3で増幅され、さらに全反射ミラー7、8を経由して光学系4に導入される。それまでのレーザー光のビームは3×2cm2程度の長方形であるが、この光学系4によって長さ10~30cm、幅0.1~1cm程度の細長いビームに加工される。この光学系を経たレーザー光のエネルギーは最大で1000mJ/ショットであった。光学系4の内部の光路は5のように示される。光学系4に入射したレーザー光は、シリンドリカル凹レンズA、シリンドリカル凸レンズB、横方向のフライアイレンズC、縦方向のフライアイレンズDを通過する。これらフライアイレンズC、Dを通過することによってレーザー光はそれまでのガウス分布型から矩形分布に変化する。さらに、シリンドリカル凸レンズE、Fを通過してミラーG図1ではミラー9を介して、シリンドリカルレンズHによって集束され、試料に照射される。本実施例では、図5の距離X1、X2を固定し、仮想焦点Iこれはフライアイレンズの曲面の違いによって生ずるようになっているとミラーGとの距離X3、と距離X4、X5とを調節して、倍率M、焦点距離Fを調整した。すなわち、これらの間には、M=X3X4/X5、1/F=1/X3X41/X5、という関係がある。なお、本実施例では光路全長X6は約1.3mであった。このような細長いビームに加工するのは、加工性を向上させるためである。すなわち、短冊状のビームは光学系4を出た後、全反射ミラー9を経て、試料11に照射されるが、試料の幅よりも長いので、結局、試料は1つの方向にのみ移動させてゆけばよい。したがって、試料のステージおよび駆動装置10は構造が簡単で保守も容易である。また、試料をセットする際の位置合わせの操作アライメントも容易である。これに対して、正方形に近いビームであれば、それだけで基板全面をカバーすることは不可能であるので、試料を縦方向、横方向というように2次元的に移動させなければならない。しかし、その場合にはステージの駆動装置は複雑になり、また、位置合わせも2次元的に行わなければならないので難しい。特にアライメントを手動でおこなう場合には、その工程での時間のロスが大きく生産性が低下する。なお、これらの装置は防振台等の安定な架台1上に固定される必要がある。試料は、縦100mm、横100~300mmの各種ガラス基板例えば、コーニング社製7059番ガラスを使用した。レーザーはKrFレーザー波長248nm、パルス幅30nsecを使用した。ガラス基板上にプラズマCVD法によってアモルファスシリコン膜半導体膜を厚さ10nm~1000nm例えば100nm形成した。これを600°Cで48時間アニールして結晶化させた。そして、これを島状にパターニングした。さらに、スパッタ法によって厚さ70nmの酸化珪素膜を形成し、基板全面に燐をドープした。このときはいわゆるイオンドーピング法を使用し、プラズマ源はフォスフィンPH3を使用した。加速電圧は80kVとした。さらに、基板の一部をマスクして、硼素をイオンドーピング法によって注入した。プラズマ源はジボランB2H6で、加速電圧は65kVであった。すなわち、マスクされた箇所には燐が注入され、結果としてN型を示し、マスクされなかった箇所には燐と硼素が注入され、結果としてP型を示す。そして、様々なエネルギー密度、ショット数のレーザーを照射し、レーザー活性化をおこない、シート抵抗を測定して、モフォロジーを光学顕微鏡によって観察した。図2~図4にその結果を示す。図2は燐イオンを注入したシリコン膜のシート抵抗とレーザー光のエネルギー密度、およびショット数の関係を示す。燐のドーズ量は2×1015cm2である。レーザーのエネルギー密度が200mJ/cm2以下では、活性化のために多くのショット数を要し、それでもなお10kΩ/□程度の高いシート抵抗しか得られなかったが、200mJ/cm2以上では、1~10ショットのレーザー照射で充分な活性化がおこなえた。図3は硼素イオン4×1015cm2を注入したシリコン膜半導体膜のレーザー活性化を示す。やはり、200mJ/cm2以下のエネルギー密度では活性化は不十分で多くのショット数が必要であった。一方、200~300mJ/cm2の範囲では、充分に低いシート抵抗が1~10ショットで得られたが、300mJ/cm2以上のレーザー照射では、かえってシート抵抗が高くなってしまった。特に200mJ/cm2以下の場合とは逆に、ショット数が多いほどシート抵抗が大きくなったが、これは、多数のレーザー照射によって、被膜の均一性が悪化し、結晶の粒界が成長したためである。実際のプロセスでは、レーザーアニールは、P型領域もN型領域も同時におこなう。したがって、レーザーのエネルギー密度を350mJ/cm2に設定したら、N型領域は充分に活性化されるが、P型領域は特性がかえって悪化してしまう。このため、本実施例の条件では、エネルギー密度は200~300mJ/cm2の範囲、特に250~300mJ/cm2の範囲が好ましかった。パルス数は1~100パルスが良い。さて、レーザーアニールによって被膜のモフォロジーに変化が生じることは先に述べた通りであるが、実際にショット数とエネルギー密度とモフォロジーを検討すると、図4のような結果が得られた。ここで、AnnealingPulseとは、レーザーのショット数を意味している。図の黒丸は燐ドープシリコンに於ける表面モフォロジーに変化が現れる点を、白丸は硼素ドープシリコンに於ける変化点をそれぞれ示している。図において右上の領域は膜表面のモフォロジーの悪い粗い状態を示し、左下はモフォロジーの良好な平坦な状態を示す。燐ドープシリコンの方がレーザーに対して抵抗力が強いことがわかる。この結果から、表面モフォロジーを変化させないようにレーザーアニールをおこなうための条件は、照射されるレーザー光のエネルギー密度をEmJ/cm2、レーザーパルスのショット数をN回としたときに、log10N≦AE-Bとであり、不純物が燐の場合には、A=-0.02、B=350であり、不純物が硼素の場合には、A=-0.02、B=300であることが導かれた。モフォロジーが荒れた場合には、部分によってシリコンの特性が著しく悪化するため、ばらつきが著しく大きくなる。実際にモフォロジーの悪い表面の粗いシリコン膜ではシート抵抗のばらつきは20以上であった。ばらつきを下げるためには上記の条件を満たし、かつ、適正なレーザーエネルギー密度を設定しなければならない。例えば、レーザーエネルギー密度を250mJ/cm2とした場合には、レーザーのショット数は10回以下が望ましい。また、レーザーエネルギー密度を280mJ/cm2とした場合には、レーザーのショット数は1~3回が望ましい。このような条件でレーザーアニールをおこなったときには、シート抵抗のばらつきを10以下におさえることができた。