半導体発光素子が放射する光を受光して発光状況の検査を行う半導体発光素子検査装置であって、前記半導体発光素子の発光中心軸上で、かつ、前記半導体発光素子に対向して配置され、前記半導体発光素子から放射される光を受光し、受光した受光状況を複数地点毎に測定可能な受光手段と、前記半導体発光素子から放射される光を反射して前記受光手段へ導光する反射部と、前記受光手段が得た複数地点毎の受光状況に関する受光情報と比較するために、その比較の基準となる基準情報を記憶する記憶手段と、前記基準情報と前記受光情報とを比較検査を行う検査手段と、を有する半導体発光素子検査装置。前記受光手段は、面としての受光情報である画像情報を取得可能な撮像手段からなり、前記記憶手段が記憶する基準情報は、基準画像情報であり、前記検査手段は、前記基準画像情報と前記画像情報と比較検査する請求項1に記載の半導体発光素子検査装置。撮像部が撮像した画像情報を2値化して検査手段に提供する画像処理部を有する請求項2に記載の半導体発光素子検査装置。撮像部が撮像した画像情報を256階調化して検査手段に提供する画像処理部を有する請求項2に記載の半導体発光素子検査装置。前記撮像手段によって取得された前記画像情報を表示部に表示する請求項2~4いずれか1項に記載の半導体発光素子検査装置。前記半導体発光素子は、ウエハ上に配置されており、前記ウエハは移動ステージに保持されており、前記半導体発光素子が検査される際に、前記移動ステージを移動する制御手段を有する請求項1~5いずれか1項に記載の半導体発光素子検査装置。前記反射部は、前記半導体発光素子と前記受光部との間に配置され、その内面が前記発光中心軸を中心とした回転体であり、前記発光中心軸上で切断した断面形状が放物線形状に形成されている請求項1~5いずれか1項に記載の半導体発光素子検査装置。前記半導体発光素子は、ウエハ上に配置されており、前記ウエハは移動ステージに保持されており、前記半導体発光素子が検査される際に、当該半導体発光素子が前記放物線形状の焦点付近に配置されるように前記移動ステージを移動する制御手段を有する請求項7に記載の半導体発光素子検査装置。しかしながら、特許文献1、特許文献2及び特許文献3のいずれの方法においても球座標で立体的に半導体発光素子の発光の状況以下、単に発光状況というを測定し、この測定結果に応じて半導体発光素子を検査するためには、極めて多くの回数測定をしなければならないという不利益がある。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的の一例は、高速で半導体発光素子の発光状況を測定し、この測定結果に基づいてその半導体発光素子を検査することが可能な半導体発光素子検査装置を提供することにある。本発明の半導体発光素子検査装置は、半導体発光素子が放射する光を受光して発光状況の検査を行う半導体発光素子検査装置であって、前記半導体発光素子の発光中心軸上で、かつ、前記半導体発光素子に対向して配置され、前記半導体発光素子から放射される光を受光し、受光した受光状況を複数地点毎に測定可能な受光手段と、前記半導体発光素子から放射される光を反射して前記受光手段へ導光する反射部と、前記受光手段が得た複数地点毎の光の強度に関する受光情報と比較するために、その比較の基準となる基準情報を記憶する記憶手段と、前記基準情報と前記受光情報とを比較検査を行う検査手段と、を有する。<第1の実施形態>以下、本発明の第1の実施形態を、図1を用いて詳細に説明する。図1は、本発明の第1の実施形態におけるLED101の発光状況の説明図である。図1aに記載されているように、LEDLightEmittingDiode101は発光面101aから光を発光する。このLED101の発光面101aの法線を発光中心軸LCAという。また、発光面101aを含む平面上の、一方向を基準軸X軸とした場合に、この平面上のX軸からの反時計回りの角度をφとする。また、φを固定した場合における、発光中心軸となす角度をθと定義する。LED101の発光面101aから放射される光の強度は、発光中心軸からの角度θ等によって異なる図2も参照のこと。ところで、今後、LED101の発光状況をより精密に測定し、これによってLED101の分別をより高速で行う必要性がより高まることが予想される。そのような需要を満たすための半導体発光素子の検査装置を以下に説明する。LED101は、θが同じ場合には同じ光の強度を示すことが通常であるという前提で検査工程が構築されている。しかし、LED101によっては、θが同じでも、φが異なれば異なる光の強度となる場合もある。そのような、光の強度を視覚的に表わすために、図1bのような図が用いられる。この図1bにおいて、X軸とY軸との交点部分がθ=0°を表わしている。そして、円上の各点がθ=90°の各φの位置をそれぞれ表わしている。このような図において、光の強度に応じて濃淡をつけることによって、光の強度を表わしている。そして、この濃淡に基づいて、光の強度を視覚的に知ることが可能となる図3及び図4参照のこと。なお、図1cは、φの値が一定の位置における断面図である。このような、図1において、LED101からの同一の距離における光の強度を配光強度と定義する。製造されたLED101のこの配光強度を測定することによって、そのLED101の特性を判断することが可能である。この特性の判断とは、例えば、全体としての配光強度が一定程度を満たさない、一定のθの位置における配光強度が一定程度を満たさない等の判断がなされる。さらに、全体としての配光強度が一定程度を満し、かつ、一定のθの位置における配光強度が一定程度を満たしていても、その程度等に応じて、ランク分け等の判断がなされる。なお、この判断によって、良品不良品の分別、良品の中でのランク分け等がなされる。なお、以上の説明は、LED101から十分に遠い位置で測定したことによって、LED101がほぼ点として考えることができるとして記載している。以後の説明も、特に記載のない限り、LED101がほぼ点であると仮定して記載している。なぜなら、LED101は通常CCD105等図5参照と比較すると極めて小さいことから、このように仮定することができるからである。図2は、配光強度分布についての説明図である。図2aは、図1cと同じ図である。図2aのように、LED101からの距離rが一定の位置において、一定のθの角度での、光の強度が配光強度である。そして、この配光強度を各θの角度について測定して、これをグラフしたものが配光強度分布である。さらに、各θの角度及び各φの角度において測定し、球座標で表したものも配光強度分布という以下、このような球座標における配光強度分布を球面配光強度分布という。この球面配光強度分布を求めることができれば、LED101の特性を精密に把握し分別等することが可能となる。しかし、球面配光強度分布は球座標で表されているため、これを直接計測することは困難である。さらに、本実施形態で求めているのは、球面配光強度分布の測定ではなく、LED101が一定の性能を満たしているか、満たしている場合にその程度等によって分別を可能とするような検査を行うことである。したがって、精密な球面配光配光強度分布を求める必要はない。その代り、一定の性能を満たしているLED101が出射する光を受光したCCD105ChargeCoupledDeviceが出力する受光情報画像情報を予め計測又は計算によって保持この保持されている情報を基準情報というしておき、この基準情報と検査対象のLED101が出射した光を受光したCCD105から現実に出力された受光情報画像情報を比較する。そして、比較の結果、基準情報との差異が一定の範囲内であるLED101について、同じく一定の性能を満たしているとして分別を行う。なお、基準情報は一定の性能を満たしたLED101の情報だけではなく、一定の性能を満たしたうえでの分別を可能とするように、分別対象ごとに保持されている。ここで、LED101の光を受光するCCD105を単に配置して、受光情報画像情報の出力を受けるのが通常であるが、単純にこのようにしてしまうと、CCD105に直接入射する光の範囲の受光情報画像情報をより広範囲における情報を取得することができない。そこで、本実施形態では、反射部123を用いることで、θが広範囲の受光情報画像情報を取得している。なお、基準情報は、反射部123が存在する状態で計測又は計算されている。上述したように、本実施形態、最終的にLED101を検査することが目的である。しかし、検査対象のLED101には様々な特性のLED101が存在することが想定される。そこで、このさまざまなLED101の例として、図2bのcos型のLED101及び図2cのドーナツ型のLED101を用いて、本実施形態は説明していく。cos型及びドーナツ型のLED101は、あくまで例であり、この2つの特性を有するLED101を測定の対象に限定する趣旨ではない。もっとも、通常のLED101は、光のピークがcos型のLED101とθ=30°に光の強度のピークをもつドーナツ型のLED101の間の特性を持つことが多い。つまり、検査対象の通常のLED101は、θが0°~30°の範囲に光の強度のピークがあることが多い。そこで、両極端の例として図2bに示されるcos型のLED101とθ=30°のドーナツ型のLED101を例に以下説明をするものである。以下、本実施形態を理解するためにLED101が出射する光の特性についてまず説明する。LED101の本来の特性を示す、球面配光強度分布は球座標で示されているため、図示することが困難である。そこで、後述する図3b及び図4bのような、平面にて表したものこれを平面配光強度分布と以下いう。を用いて視覚化して、人間の感覚においてとらえることを可能にしている。なお、この平面配光強度分布は、あくまでLED101の特性を説明するために便宜的に用いているものであり、本実施形態において、これを算出検出、測定することは行っていない。なお、図8a、図10c及び図11cにおいてもこの平面配光強度分布と類似する図が用いられているが、この図8a、図10c及び図11cと平面配光強度分布とは異なる図である。この図8a、図10c及び図11cが、本実施形態において、CCD105が現実に受光、出力する受光情報画像情報の図である。この図8a、図10c及び図11cを得るために、図5~図7の半導体発光素子検査装置3光素子用受光モジュール1が用いられる。そして、この半導体発光素子検査装置3光素子用受光モジュール1によって、LED101が検査され、分別されることになる。図2~図4は、LED101が出射する光の特性を説明するための図であるが、以下図2~図4について説明する図2bは、θが0°の場合に配光強度が最も強いLED101cos型の例であり、図2cは、θが30°近傍の場合に配光強度が最も強いLED101ドーナツ型の例である。なお、通常は、θ=90°で配光強度はゼロになる。また、この図2では、θの角度の最大値はθ=90°であるが、θの角度を90°以上として配光強度を測定しても良い。例えば、θの角度を0°~135°までの範囲で測定してもよい。なお、θの角度の測定範囲の最大値は当然ながら180°である。前述したが、例えば、図2bの様なcos型のLED101を製造しようとしても、製造誤差等が原因で、図2cの様なドーナツ型のLED101がどうしても製造されてしまう。たとえ、一定のφの角度において、図2bの様なcos型の配光強度分布を有していたとしても、他のφの角度において、図2cの様なドーナツ型の配光強度分布となっている可能性もある。さらに、より複雑不均一な配光強度分布を有するLED101も存在しえるため、このような配光強度分布を有するLED101を高速で検査する必要が生じる。図3は、cos型のLED101についての平面配光強度分布の説明図である。図3bは、図3aのようなcos型のLED101の配光強度分布を、全てのφの角度について測定しこれを図1bの様な方法によって、視覚化したものである。図3bのように、図3aのようなcos型の配光強度分布を有するLED101は、θの角度が0°の場合に配光強度が最も高く濃度が薄く表現されている、θの角度が大になるに従い、配光強度が低くなる濃度が濃く表現されている。図4は、ドーナツ型のLED101についての平面配光強度分布の説明図である。図4bは、図4aのようなドーナツ型のLED101の配光強度分布を、全てのφの角度について測定しこれを図1bの様な方法によって、視覚化した平面配光強度分布である。図4bのように、図3aのようなcos型の配光強度分布を有するLED101は、θの角度が0°の場合における配光強度よりも、θの角度が30°付近で最も配光強度が高く濃度が薄く表現されているなっている。そして、このθの角度30°付近からさらにθの角度が大になるに従い、配光強度が低くなる濃度が濃く表現されている。図5は、第1の実施形態においてLED101の検査行うための発光素子用受光モジュール1の第1の状態の説明図である。図5の発光素子用受光モジュール1は、LED101の検査を行うためのデータを得るために用いられている。以下、図5の発光素子用受光モジュール1の構成を説明する。図5aのように、発光素子用受光モジュール1は、本実施形態では、ワーク102試料設置台、CCD105、ホルダ107、信号線111、画像処理部113、通信線115、スペーサ117、プローブ針109及び反射部123を有している。もっとも、この全てが発光素子用受光モジュール1の必須の構成ではなく、少なくとも、CCD105を有していれば足りる。LED101は水平に設置されているワーク102上に配置されている。このワーク102と対向する位置に、ホルダ107が、空間を隔てて配置されている。ホルダ107の内部には、CCD105が配置されている。LED101、ワーク102及びCCD105は互いに平行となる様に配置されている。プローブ針109は、受光状況の測定及び電気特性測定時にはLED101の電極に接触して、電圧をLED101に印加する。ワーク102及びLED101が固定されている状態でプローブ針109が移動して、プローブ針109とLED101とが接触してもよい。逆に、プローブ針109が固定されている状態でワーク102及びLED101が移動して、プローブ針109とLED101とが接触してもよい。また、プローブ針109は、電気特性計測部119と接続されている。プローブ針109は、LED101の発光面101aとほぼ平行に、LED101の法線と直角方向に放射状に延在している。ホルダ107は、円筒形状の側面部107bを有している。側面部107bは円筒形状を有し、θ=0°の方向に延在した形状を有している。遮蔽部107a及び側面部107bの中心はθ=0°の方向を有しており、LED101の発光面101aの発光中心軸と同一である。側面部107bの内周面が形成する中空空間に、CCD105が配置されている。遮蔽部107aの中心部には、上下逆の円錐台形の中空部を形成する円形開口部107cが形成されている。この円形開口部107cがあることによって、LED101から放射された光をCCD105が受光可能となっている。遮蔽部107aの内周面によって形成される中空空間は、傾斜面107dから形成されている。傾斜面107dによって形成される中空空間は、上下逆の略円錐台形状を有している。LED101側からCCD105側に行くに従い直径が大になる形状を有している。なお、上下逆の略円錐台形状としたのは、中空空間には放物線形状の反射部123が挿入されるため、厳密には放物線の形状で曲率を有しているからである。反射部123を形成する反射面123aは、放物線を、発光中心軸を中心に360°回転させた回転体の形状を有している。つまり、反射部123は、断面形状が放物線形状を有している。この放物線は、LED101が焦点位置又は焦点位置の近傍にくるように形成されている。つまり、LED101側から、CCD105側に行くに従い直径が大になるような形状を有している。このように、反射部123が放物線形状であり、かつ、LED101が放物線の焦点位置又は焦点位置の近傍に配置されていることから、反射部123によって反射された光は全て発光中心軸に平行に直進する。なお、反射部123は、ステンレス、アルミ、銀等の金属材料等から構成されて、それ自体が反射を行うものであっても良い。さらに、これら反射をする材料又は反射しない材料の表面に、アルミ、銀等の反射材料をコーティングしてもよい。また、図5bは、図5aのLED101の近傍の拡大図である。ワーク102は、円錐台形状を有しており、この円錐台の上面にLED101は配置されている。図5bのように、反射部123は、LED101のCCD105側とは反対側位置にまで伸びて形成されている。このように、反射部123がLED101のCCD105側とは反対側位置にまで伸びて形成されていることによって、θの角度が90°以上の範囲へ出射される光も、反射部123の反射面123aによって反射させることが可能になる。そして、θの角度が90°以上の方向に出射されLED101のCCD105側とは反対側位置の反射面123aによって反射された光は、θの角度が90°以下の方向に出射され反射面123aによって反射した光と同様に、発光中心軸に対して平行に進む。このように、構成したことから、CCD105へは、LED101から放射されて反射面123aに反射した後の光に加え、LED101から放射されて反射面123aに反射しない光も入射する。図6は、図5bの側面からの説明図である。この図6のように、反射部123はスリット部123bが形成されている。このスリット部123b内に、プローブ針109が挿入され、LED101の表面に電圧等を加える。このスリット部123b及びプローブ針109は、比較的小さく形成されているため、ワーク102上に配置されているLED101からの光を僅かしか阻害しない。図7は、半導体発光素子検査装置3の概要の説明図である。半導体発光素子検査装置3は、発光素子用受光モジュール1に加え、電気特性計測部119、記憶部161、表示部163及びテスタ151比較部165を有している。なお、発光素子用受光モジュール1は、本実施形態では、ワーク102試料設置台、CCD105、ホルダ107、信号線111、画像処理部113、通信線115、スペーサ117、を有している。もっとも、この全てが発光素子用受光モジュール1の必須の構成ではなく、少なくとも、CCD105を有していれば足りる。電気特性計測部119は、HVユニット153、ESDユニット155、切替えユニット157及び位置決めユニット159を有している。CCD105の各受光素子は、LED101から放射された光を受光する。そして、その受光素子は受光した光の強度情報の電気信号をアナログ信号として、画像処理部113に出力する。このCCD105が出力する光の情報は、X方向及びY方向縦方向の位置が特定された情報であることから、面としての受光情報ということができる。つまり、CCD105が出力する情報は面としての受光情報であるから画像情報ということもできる。そのため、CCD105は受光手段であるということができ、さらに特定的に表現すれば撮像手段であるということができる。画像処理部113は、この受光情報画像情報をアナログ信号から、デジタル信号に変換する。さらに、画像処理部113は、テスタ151の比較部165が比較するのに適切な情報に変換画像処理する。具体的には、受光情報画像情報を閾値に対して光の強度の高低に応じて白と黒の2値化してもよい。また、他の基準によって2値化しても良い。さらに、画像処理部113は、受光情報画像情報を256階調化しても良い。2値化した場合には、比較部165が処理する処理量が極めて少なくすることができるので、高速での処理が可能となるという利点がある。他方、256階調化した場合には、LED101の発光状況をより高い分解能で把握することができることから、より、細かい比較が比較部165で可能となるという利点がある。さらに細分化された階調によって、階調化してもよい。なお、この変換方法はあくまで一例であり、他の方法によって画像処理を行ってよい。この画像処理部113でデジタル信号化、テスタ151の比較部165が比較するのに適切な情報に変換画像処理された画像情報は通信線115を介してテスタ151に出力される。プローブ針109は、LED101の表面に物理的に接触してLED101を発光させるための電圧を印加する機能を有している。また、プローブ針109は位置決めユニット159によって位置決め固定されている。この位置決めユニット159は、ワーク102が移動する形式のものであれば、プローブ針109の先端位置を一定の位置に保持する機能を有する。逆に、この位置決めユニット159は、プローブ針109が移動する形式のものであれば、プローブ針109の先端位置をLED101が載置されるワーク102上の所定の位置に移動させ、その後その位置に保持する機能を有する。HVユニット153は、定格電圧を印加して、定格電圧に対するLED101での各種特性を検出する役割を有している。通常、このHVユニット153からの電圧の印加状態で、LED101が発光する光をCCD105が測定を行う。HVユニット153が検出した各種特性情報はテスタ151に出力される。ESDユニット155は、LED101に一瞬の間大きな電圧をかけて静電気放電させ静電気破壊されないか等の検査を行うユニットである。ESDユニット155が検出した静電破壊情報はテスタ151に出力される。切替えユニット157は、HVユニット153とESDユニット155との切替えを行う。つまり、この切替えユニット157によって、プローブ針109を介してLED101に印加される電圧が変更される。そして、この変更によって、LED101の検査項目が、定格電圧での各種特性を検出、又は、静電破壊の有無を検出にそれぞれ変更される。記憶部161は、比較の基準となる基準情報を記憶している。この基準情報は、CCD105が得た受光情報画像情報との比較に用いられる。なお、この基準情報は、前もって記憶しておくことも可能であるし、必要に応じて作成して記憶しておくことも可能である。具体的には、例えば、cos型の受光情報画像情報、θが5°の位置にピークが形成されるドーナツ型のLED101の受光情報画像情報、θが10°の位置にピークが形成される受光情報画像情報、θが15°の位置にピークが形成される受光情報画像情報、θが20°の位置にピークが形成される受光情報画像情報、θが25°の位置にピークが形成される受光情報画像情報、θが30°の位置にピークが形成される受光情報画像情報等の複数の基準情報基準画像情報を予め計算又は測定して記憶部161で記憶しておく。表示部163は、受光情報画像情報を表示する。さらに、後述するテスタ151による比較検査の結果情報を表示しても良い。なお、異なる実施形態では、この表示部163によって表示された情報に基づいて検査者がLED101の良否、クラス分け等を判断することもできる。テスタ151は、受光情報画像情報、HVユニット153が検出した各種電気特性情報、ESDユニット155が検出した静電破壊情報の入力を受ける。そして、テスタ151は、これらの入力からLED101の特性を分析分別を行う。特に、本実施形態において、テスタ151は、画像処理部113が変換画像処理した画像情報の入力を受ける。そして、記憶部161が記憶している基準情報基準画像情報とこの画像情報とをテスタ151内の比較部165において比較する。その比較は、様々な方法をもちいて良いが、例えば、パターンマッチング等により比較することによって検査される。より具体的には、上述の記憶部161についての説明ところで例示した複数の基準情報cos型及び各θ値でピークを有するドーナツ型のLED101の基準情報を使用する場合であれば、受光情報画像情報とこの複数の基準情報基準画像情報とを比較し、その差が一定範囲の場合に、その基準情報と同じ特性を有すると判断する検査を行う。なお、光の強度による検査である必要はなく、光学フィルタ等を利用した光の波長での検査等であっても良い。つまり、検査は何らかの基準情報基準画像情報との差異から、その一致不一致を検査して、それに基づいて良品不良品の分別、光の波長による分別等ができるものであれば、どのようなものであっても良い。検査の結果に基づいて、テスタ151は個別のLED101毎に分別を行う。具体的には、例えば、テスタ151は、一定の性能を有しないLED101は破棄するべき旨の判断する分別を行う。さらに、光の光量毎に分別を行う。なお、テスタ151は、HVユニット153が検出した各種電気特性情報、ESDユニット155が検出した静電破壊情報からも同様な分別を行う。なお、物理的な分別は、半導体発光素子検査装置3による検査の後の工程で行われる。図8は、CCD105に入射する光の状況の説明図である。図9は、図8をさらに補足する説明図である。図8bのように、CCD105には、反射部123によって反射されていない直接光と反射部123によって反射されている反射光の両方が複合された複合光が入射する。ここで、A地点への直接光がDLAとして表され、A地点への反射光がRLAとして表わされる。なお、A地点へのRLAは、θが90°以内の方向へ放射された光が反射したものである。また、B地点への直接光がDLBとして表わされ、B地点への反射光がRLBとして表わされる。なお、B地点へのRLBは、θが90°以上の方向へ放射された光が反射したものである。直接光は、θがθ1以内の範囲の光が直接光になり、反射光はθがθ1~θ2の範囲の光が反射光となる。ここで、θ1は、LED101の放射面からCCD105の最外周部へ引く直線のθの値である。また、θ2は、円錐台形状のワーク102の側面の角度である。つまり、これ以上のθの角度では、ワーク102が光を遮蔽することから反射部123に光が入射せず、反射されないから、θ2以上の角度の光はCCD105が受光しない。その結果、θ2が測定可能最大範囲となる。なお、反射部123は放物線形状を有することから、この反射部123で反射された光は全て発光中心軸に平行に直進する。その結果、直接光と反射光が重畳する以外は、異なるθの角度を有する光はCCD105の各受光素子へ入射することはない。例えば、A地点へ入射する光は、θがθA1の直接光とθがθA2の反射光のみであり、他のθの角度の光はA地点に入射することはない。この放物線と焦点との間の性質を用いて、本実施形態では、CCD105が受光した光の強度の情報から、各θの角度におけるCCD105が受光するであろう受光情報画像情報を算出することが可能である。反射部123があることによって、CCD105には、反射部123によって反射されていない直接光と反射部123によって反射されている反射光の両方が入射し、図8aのような強度の光が入射する。なお、図8aにおいて、濃度の濃い部分が光の強度が低く、濃度の薄い部分が光の強度が高いことを表わしている。なお、この図8aの図は、測定するLED101がcos型のLED101である場合を想定している。この図8aのC地点からD地点までの光の強度を現したのが図9aである。図9aから分かるように、C地点から外部に進むに従い光の強度は低下する。しかし、E地点で不連続に光の強度が急激に上昇する。そして、E地点からF地点へ進むに従い急激に再度光の強度が低下する。その後、F値地点からD地点までは、徐々に光の強度が低下等している。なお、F地点における反射光分の強度がゼロなのは、θ=90°の方向にはLED101は光を出射していないからである。また、CCD105が受光する地点A、F、Eにおける光が、反射部123によって反射されている位置がそれぞれA ́、F ́、E ́に該当する。また、E ́は、反射部123のワーク102側と接する部分の位置である。次に、LED101から出射された光がどのように、CCD105に受光されるか説明する特に、図9を参照のこと。まず、θが0°C地点に該当~θ1D地点に該当まで増加すると、それに従い、CCD105に直接光としてそれぞれの角度で受光される。さらに、θがθ1D地点に~θ2E地点に該当まで増加すると、CCD105に反射光としてそれぞれの角度で受光される。つまり、θ=0°~θ1の範囲では、θの角度が増加するに従い、それぞれの角度の光の軌跡は、C地点からE1地点を経由してD1地点へ移動する。次に、θ=θ1~θ2の範囲では、さらにθの角度が増加すると、それぞれの角度の光の軌跡は、DD1、D2地点で折り返して、D2地点からE2地点まで移動する。したがって、EE1、E2地点までは直接光のみの光が受光されており、EE1、E2地点からは直接光と反射光の両方が受光されている。なお、F地点では、θ=90°の反射光が入射するはずであるが、LED101は、θ=90°方向には光を出射しないため、反射光の量は0となっている。その結果、例えば、A地点では、θ=θA1での直接光の強度Padと、θ=θA2での反射光の光の強度Parとの合算した光の強度が検出されることになる。このように、CCD105が受光する受光状況を測定すると、CCD105が受光する受光情報にはθが0°~θ2の範囲の受光情報が全て含まれている。また、CCD105は、面としての受光情報画像情報を有することから、φが0°~360°の範囲の受光情報も全て含まれている。このため、この受光情報画像情報を基準情報基準画像情報と比較することによって、その測定されているLED101の検査が可能となる。以下、どのような受光情報となるのかを具体例を示して説明する。図10は、cos型のLED101の光をCCD105が受光した場合に得られる受光情報画像情報の説明図である。図11は、ドーナツ型のLED101の光をCCD105が受光した場合に得られる受光情報画像情報の説明図である。cos型のLED101の光を図5のような発光素子用受光モジュール1で測定した場合には、図10cのような受光情報画像情報を得ることができる。なお、この図10cは、光の強度が図9aとなる場合における受光情報画像情報である。図10bは、図9aと同じ図である。図10aは、cos型のLED101の配光強度である。もっとも、θが90°以上の範囲θが90°~θ2の範囲についても測定可能であることから、θが90°からθ2までの範囲についても記載している。ドーナツ型のLED101の光を図5のような発光素子用受光モジュール1で測定した場合には、図11cのような受光情報画像情報を得ることができる。図11bは、ドーナツ型のLED101における、CCD105が受光する光の強度を現した図である。この図11bは、図10bと同じ方法で記載したものである。図11aは、ドーナツ型のLED101の配光強度である。もっとも、θが90°以上の範囲θが90°~θ2の範囲についても測定可能であることから、θが90°からθ2までの範囲についても記載している。図10c及び図11cを比較すれば分かるように、LED101の発光状況に応じて、受光情報画像情報はまったく異なる。なお、以上の例では極端な例としてcos型のLED101とドーナツ型のLED101途を比較したが、通常のLED101はこの間にあり、それらもそれぞれに異なった受光情報画像情報を得ることができる。そして、予め得ていた複数の基準情報基準画像情報と比較して分別する。したがって、基準情報と比較することによって、LED101の不良品、ランク分け等が可能となる。<第2の実施形態>図12は、第2の実施形態を説明する説明図である。第1の実施形態のポイントは、短時間高速ででLED101の発光状況を表わす受光情報画像情報を取得し処理することができることである。したがって、複数のLED101を連続的に処理することに適している。そこで、図12のようにウエハ102c上に複数のLED101が配置されており、これを連続的に測定する。なお、この第2の実施形態では、反射部123は、θが60°が反射するように形成されている。そして、この第2の実施形態では、LED101が検査される際に、LED101が放物線形状の焦点付近に配置されるように移動ステージ102bを移動する制御手段を有している。<第3の実施形態>以上の実施形態では、反射部123は放物線形状の回転体であったが、例えば、CCD105側に行くに従い直径が大となる円錐台形状等であっても良い。つまり、反射部123の放物線形状の回転体に限定する必要はない。この場合であっても、基準情報だけあれば比較し、検査することが可能であるからである。したがって、反射部123の形状は放物線を回転させた回転体形状である必要はない。また、必ずしも放物線の焦点位置にLED101を配置する必要もない。同じく、基準情報だけあれば比較し、検査することが可能であるからである。<実施形態の効果>本実施形態の半導体発光素子検査装置3は、LED101が放射する光を受光して発光状況の検査を行う半導体発光素子検査装置3であって、LED101の発光中心軸上で、かつ、LED101に対向して配置され、LED101から放射される光を受光し、受光した受光状況を複数地点毎に測定可能なCCD105と、を有する。また、半導体発光素子検査装置3は、LED101から放射される光を反射してCCD105へ導光する反射部123を有する。さらに、半導体発光素子検査装置3は、CCD105が得た複数地点毎の受光状況に関する受光情報と比較するために、その比較の基準となる基準情報を記憶する記憶部161と、基準情報と前記受光情報とを比較検査を行うテスタ151と、を有する。このような構成を有することから、半導体発光素子検査装置3は高速で半導体発光素子の発光状況を測定し、この測定結果に基づいてその半導体発光素子を検査することが可能となる。CCD105は、面としての受光情報である画像情報を取得可能なCCD105からなり、記憶部161が記憶する基準情報は、基準画像情報であり、テスタ151は、基準画像情報と画像情報と比較検査する。このような構成を有することから、画像として受光情報を処理することが可能となり、より高速で半導体発光素子を検査することが可能となる。CCD105が撮像した画像情報を2値化してテスタ151に提供する画像処理部113を有する。このような構成を有することから、テスタ151の比較部165が処理する値が2値しかないためより高速で半導体発光素子を検査することが可能となる。CCD105が撮像した画像情報を256階調化してテスタ151に提供する画像処理部113を有する。このような構成を有することから、テスタ151の比較部165での処理を高速化しつつ、高精度で半導体発光素子を検査することが可能となる。前記CCD105によって取得された画像情報を表示部163に表示する。このような構成を有することから、検査者が必要に応じて目視でのチェックをさらに加えることが可能となる。LED101は、ウエハ102c上に配置されており、ウエハ102cは移動ステージ102bに保持されており、LED101が検査される際に移動ステージ102bを移動する制御手段を有する。このように構成されたことから、連続的にLED101を検査することが可能となる。反射部123は、LED101と前記受光部との間に配置され、その内面が前記発光中心軸を中心とした回転体であり、発光中心軸上で切断した断面形状が放物線形状に形成されている。このような構成を有することで、基準情報をより容易に得ることが可能となる。LED101は、ウエハ102c上に配置されており、ウエハ102cは移動ステージ102bに保持されており、LED101が検査される際に、当該LED101が反射部123の放物線形状の焦点付近に配置されるように移動ステージ102bを移動する制御手段を有する。このように構成されたことから、連続的にLED101を検査することが可能となる。また、本発明は以上の実施形態に限定されるものではなく、様々な変化した構造、構成を行っていても良い。なお、本発明は、発光状況の検査を行う発光素子検査装置のみではなく、これを用いる方法であってもよい。さらにまた、本実施形態では、光の波長の測定は行っていなかったが、光学フィルタ等を用いて波長を測定し、その波長毎に分別等することも当然に行ってよい。加えて、各波長における光の強度を測定することによって分別等してもよい。<定義等>本発明において受光状況とは、受光した光の強度、光学フィルタ等を用いた光の波長等の光に含まれる全ての情報をいう。本発明において発光情報とは、半導体発光素子が発生する光の状況の情報をいう。具体的には、各θの角度、φの角度等における半導体発光素子が出射する光の状況の情報である。本発明において、受光情報とは、受光手段が受光した受光状況の情報をいう。また、実施形態のCCD105は、本発明における受光手段の一例である。つまり、本発明における受光手段は、複数の受光素子を有して、光の強度を測定可能なものであればどのようなものであっても良い。また、実施形態のCCD105は、本発明における撮像手段の一例である。つまり、撮像手段とは面としての受光情報を取得可能なものであればどのようなものであっても良い。また、LED101は、本発明における半導体発光素子の一例である。つまり、半導体発光素子とは、光を発光する素子であればどのようなものであっても良い。ここで、光は可視光に限定されるものではなく、例えば、赤外線、紫外線等であってよい。さらに、反射部123は、本発明の反射部の一例である。つまり、反射部123は、光を反射可能であればどのようなものであってよく、構成部材自体が反射可能な材料であればそれ自体であってもよいし、反射部が蒸着等でコーティングによって形成されたものであっても良い。本発明において発光中心軸は、半導体発光素子が光を発する際に光の中心となる軸をいう。本発明において記憶手段とは、記憶可能なものであればどのようなものであっても良い。例えば、ROM、RAM等であってよい。本発明において検査手段の一例が、実施形態のテスタ151である。より特定すると、本発明において検査手段の一例が、実施形態の比較部165である。