"表面と、フィン形成領域と前記フィン形成領域を取り囲む周辺領域とを含む裏面とを備えた基板と、前記表面上に搭載された絶縁基板と、前記絶縁基板上に搭載された半導体チップと、前記フィン形成領域上に形成された複数のフィンと、前記周辺領域と重なるように、前記基板に接合部材を介して形成された補強部材と、を有することを特徴とする半導体装置。前記補強部材には、前記基板とは異なる材料が用いられていることを特徴とする請求の範囲第1項記載の半導体装置。前記補強部材には、前記基板よりも硬い材料が用いられていることを特徴とする請求の範囲第2項記載の半導体装置。前記基板には、前記補強部材よりも熱伝導性が高い材料が用いられていることを特徴とする請求の範囲第2項または第3項記載の半導体装置。前記補強部材は、前記周辺領域上に前記接合部材を介して形成されていることを特徴とする請求の範囲第1項~第4項のいずれか1項に記載の半導体装置。前記補強部材には開口部が設けられ、前記補強部材は、前記開口部により前記フィン形成領域を露出するように、前記周辺領域上に形成されていることを特徴とする請求の範囲第5項記載の半導体装置。前記補強部材には複数の貫通孔が設けられ、前記補強部材は、前記複数のフィンのそれぞれが前記複数の貫通孔のそれぞれの内に位置するように、前記周辺領域上および前記フィン形成領域上に形成されていることを特徴とする請求の範囲第5項または第6項記載の半導体装置。前記基板の前記表面は、絶縁基板搭載領域と前記絶縁基板搭載領域を取り囲む周辺領域とを備え、前記絶縁基板は、前記絶縁基板搭載領域上に搭載され、前記表面の周辺領域上に接合部材を介して補強部材が形成されていることを特徴とする請求の範囲第5項~第7項のいずれか1項に記載の半導体装置。前記絶縁基板は、前記表面の周辺領域上の前記接合部材と同じ材料を用いた接合部材を介して、前記絶縁基板搭載領域上に搭載されていることを特徴とする請求の範囲第8項記載の半導体装置。前記基板の前記表面上には前記絶縁基板が複数個搭載され、前記表面上の前記補強部材には、開口部と前記開口部に突出する突出部とが設けられ、前記複数の絶縁基板はそれぞれ、前記突出部を境界にして、前記開口部内に配置されていることを特徴とする請求の範囲第8項または第9項記載の半導体装置。前記基板の前記表面は、絶縁基板搭載領域と前記絶縁基板搭載領域を取り囲む周辺領域とを備え、前記絶縁基板は、前記絶縁基板搭載領域上に搭載され、前記表面の周辺領域上に前記接合部材を介して前記補強部材が形成されていることを特徴とする請求の範囲第1項~第4項のいずれか1項に記載の半導体装置。絶縁基板搭載領域を含む表面と、フィン形成領域と前記フィン形成領域を取り囲む周辺領域とを含む裏面とを備えた基板と、前記フィン形成領域上に形成された複数のフィンと、前記周辺領域と重なるように、前記基板に接合部材を介して形成された補強部材と、を有することを特徴とする放熱部材。前記補強部材には、前記基板とは異なる材料が用いられていることを特徴とする請求の範囲第12項記載の放熱部材。前記補強部材には、前記基板よりも硬い材料が用いられていることを特徴とする請求の範囲第13項記載の放熱部材。前記基板には、前記補強部材よりも熱伝導性が高い材料が用いられていることを特徴とする請求の範囲第13項または第14項記載の放熱部材。前記補強部材は、前記周辺領域上に前記接合部材を介して形成されていることを特徴とする請求の範囲第12項~第15項のいずれか1項に記載の放熱部材。前記基板の前記表面は、前記絶縁基板搭載領域を取り囲む周辺領域を備え、前記表面の周辺領域上に接合部材を介して補強部材が形成されていることを特徴とする請求の範囲第12項~第16項のいずれか1項に記載の放熱部材。表面と、フィン形成領域と前記フィン形成領域を取り囲む周辺領域とを含む裏面とを備えた基板の、前記フィン形成領域上に接合部材を介して複数のフィンを配置する工程と、複数の貫通孔が設けられた補強部材を、前記複数のフィンのそれぞれが前記複数の貫通孔のそれぞれの内に位置するように、前記周辺領域上および前記フィン形成領域上に前記接合部材を介して配置する工程と、前記補強部材が配置された前記基板に熱処理を施して、前記接合部材により前記基板と前記複数のフィンおよび前記補強部材とを接合させる工程と、前記表面上に絶縁基板を搭載する工程と、前記絶縁基板上に半導体チップを搭載する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。絶縁基板搭載領域と前記絶縁基板搭載領域を取り囲む周辺領域とを含む表面と、フィン形成領域を含む裏面とを備え、前記フィン形成領域上に複数のフィンが形成され、かつ、前記表面の周辺領域上に開口部と前記開口部に突出する突出部とが設けられた補強部材が前記開口部により前記絶縁基板搭載領域を露出するように接合部材を介して形成された基板の、前記絶縁基板搭載領域上に、複数の絶縁基板をそれぞれ、前記突出部を目印にして搭載する工程と、前記複数の絶縁基板のそれぞれの上に、半導体チップを搭載する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。しかしながら、複数のフィンが基板に形成された半導体装置では、複数のフィンが形成されている基板の中央寄りの部分と、フィンが形成されていない基板の周辺部分とで、熱収縮または熱膨張の程度が異なるため、基板が反ってしまう可能性がある。これに対して、基板を厚くして、反りに対する基板の強度を向上させることも考えられるが、この場合、基板の熱抵抗が大きくなってしまい、半導体チップから発生した熱を効果的に複数のフィンへ伝導することができず、放熱性が低下してしまう可能性がある。このような点に鑑み、本発明は、放熱性を向上しつつ、基板の反りを抑制した半導体装置、放熱部材、および、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために以下のような半導体装置が提供される。この半導体装置は、表面と、フィン形成領域とフィン形成領域を取り囲む周辺領域とを含む裏面とを備えた基板と、表面上に搭載された絶縁基板と、絶縁基板上に搭載された半導体チップと、フィン形成領域上に形成された複数のフィンと、周辺領域と重なるように、基板に接合部材を介して形成された補強部材と、を有する。本発明の半導体装置、放熱部材、および、半導体装置の製造方法によれば、放熱性を向上しつつ、基板の反りを抑制することが可能となる。本発明の上記および他の目的、特徴および利点は本発明の例として好ましい実施の形態を表す添付の図面と関連した以下の説明により明らかになるであろう。以下、実施の形態を図面を参照して説明する。[第1の実施の形態]図1は、第1の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す上面図である。図2は、第1の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す下面図である。図3は、第1の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。ここで、図3は、図1の点線A-Aにおける断面図に相当する。図3に示すように、半導体装置100は、表面111と裏面112とを備えている基板110を有している。基板110の材料には、例えば、銅合金、または、アルミ合金等が用いられている。銅合金としては、例えば、コバルト、りん、錫、ニッケル、亜鉛を銅に微量添加した銅合金銅:99.5以上が用いられている。さらに、JIS規格を用いて説明すると、銅合金には、例えば、C10201000系~7000系が用いられている。アルミ合金には、例えば、A3000系、A5000系、A6000系、A7000系が用いられている。さらに、基板110の表面111上には、接合部材120を介して絶縁基板130が搭載されている。接合部材120には、例えば、はんだが用いられている。絶縁基板130は、接合部材120と接合された導体層131と、導体層131上に形成された絶縁層132と、絶縁層132上に形成された導体層133a,133b図3では不図示とを有している。導体層131,133a,133bには、例えば、銅、または、アルミ等が用いられている。絶縁層132には、例えば、窒化アルミニウム、窒化シリコン、または、酸化アルミニウム等のセラミックスが用いられている。さらに、絶縁基板130の導体層133a上には、接合部材140a,140bをそれぞれ介して、半導体チップ150a,150bが搭載されている。図1に示すように、半導体チップ150a,150bは、互いに、または、導体層133bと、ワイヤ151により接続されている。接合部材140a,140bには、例えば、はんだが用いられている。半導体チップ150a,150bには、例えば、絶縁ゲートバイポーラトランジスタInsulatedGateBipolarTransistor:IGBT、または、フリーホイールダイオードFreeWheelingDiode:FWD等が用いられている。基板110の裏面112は、図2および図3に示すように、点線B1で囲まれたフィン形成領域S1と、フィン形成領域S1を包囲する周辺領域S2とを含む。ここで、フィン形成領域S1は、絶縁基板130の直下に位置している。フィン形成領域S1上には、接合部材160を介して、複数のフィン170が形成されている。複数のフィン170は、マトリックス状に配置されている。半導体チップ150a,150bから発生した熱は、絶縁基板130および基板110を介して複数のフィン170に伝導し、複数のフィン170から外部へ放出される。接合部材160には、例えば、銅合金、または、アルミ合金等のろう材が用いられている。銅合金としては、例えば、りん銅系が用いられている。アルミ合金としては、例えば、A4000系が用いられている。フィン170には、例えば、銅合金、または、アルミ合金等が用いられている。銅合金としては、例えば、C10201000系の無酸素銅が用いられている。アルミ合金としては、例えば、A4000系が用いられている。さらに、基板110の裏面112の周辺領域S2上には、接合部材160を介して補強部材180が形成されている。補強部材180には開口部181が設けられている。すなわち、補強部材180は枠状を成している。補強部材180は、開口部181によりフィン形成領域S1を露出するように、周辺領域S2上に形成されている。補強部材180の材料には、例えば、銅合金、または、アルミ合金等が用いられている。銅合金としては、例えば、コバルト、りん、錫、ニッケル、亜鉛を銅に微量添加した銅合金銅:99.5以上が用いられている。JIS規格を用いて説明すると、銅合金には、例えば、C1000系~C7000系が用いられている。アルミ合金には、例えば、A3000系、A5000系、A6000系、A7000系が用いられている。ここで、補強部材180には、基板110とは異なる材料が用いられている。具体的には、補強部材180には、基板110よりも硬い材料が用いられている。また、基板110には、補強部材180よりも熱伝導性が高い材料が用いられている。すなわち、補強部材180および基板110に、例えば、銅合金が用いられている場合、補強部材180には、例えば、C1000系~C7000系の中から、硬い銅合金が選択されて用いられ、基板110には、例えば、C1000系~C7000系の中から、熱伝導性が高い銅合金が選択されて用いられている。なお、半導体装置100のうち、基板110、接合部材160、複数のフィン170、および、補強部材180から成る部分を、放熱部材190と称す。次に、半導体装置100の製造方法について説明する。図4は、第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す図である。まず、図4Aに示すように、放熱部材190を準備する。放熱部材190は、基板110の裏面112上に、接合部材160を介して複数のフィン170および補強部材180を搭載し、この状態で熱処理を施して、接合部材160により基板110と複数のフィン170および補強部材180とを接合させることで生成される。すなわち、複数のフィン170、および、補強部材180を、基板110に対して一括して接合させる。なお、放熱部材190の表面は、全面的、または、部分的にニッケルめっきされていてもよい。そして、放熱部材190上に、接合部材120、絶縁基板130、接合部材140a,140b、および、半導体チップ150a,150bを順次搭載する。次に、図4Bに示すように、各部品が搭載された構造体101に、熱処理を施す。これにより、接合部材120により基板110と絶縁基板130とが接合し、接合部材140a,140bにより、絶縁基板130と半導体チップ150a,150bとが接合する。このようにして、半導体装置100が生成される。以上のように、半導体装置100では、基板110の裏面112の周辺領域S2上に、接合部材160を介して補強部材180が形成されている。この構成によれば、補強部材180により基板110の周辺部分が支持されるため、基板110に発生する反りを抑制することができる。また、これにより、基板110自体の反りに対する強度を低く設定することもできるため、基板110を薄くすることが可能となる。基板110を薄くすることで、基板110の熱抵抗を下げることができ、半導体チップ150a,150bから発生した熱を、効果的に複数のフィン170に伝導することができ、放熱性を向上させることが可能となる。さらに、基板110を薄くすることで、基板110の材料が少なくなるため、また、比較的入手の容易なロール材を使うことができるため、材料費を低減することが可能となる。さらに、半導体装置100を軽量化することができる。特に、半導体装置100が車載製品に用いられる場合、軽量化の要求が強いため、効果は大きい。さらに、半導体装置100では、補強部材180は基板110の裏面112上に接合部材160を介して形成されている。すなわち、補強部材180と基板110とが別の部品で構成されている。このため、基板110に発生する反りの大きさが、例えば、半導体装置100の用途等により異なる場合でも、基板110の厚さを変えずに、補強部材180の厚さ等を調整することによって、対応することが可能となる。すなわち、基板110に発生する反りの大きさに応じて、異なる種類の基板110を準備する必要がないため、製造コストを低減することが可能となる。さらに、半導体装置100では、補強部材180には、基板110とは異なる材料が用いられている。具体的には、補強部材180には、基板110よりも硬い材料が用いられている。これにより、基板110の周辺部分をより強力に支持することが可能となる。また、基板110には、補強部材180よりも熱伝導性が高い材料が用いられている。これにより、半導体チップ150a,150bから発生した熱を、より効果的に複数のフィン170に伝導することが可能となる。また、半導体装置100は、フィン170と補強部材180とが接合部材160により基板110に接合されている。フィン170を補強部材180と一緒に接合するため、基板110に反りのない状態で組み立てることができ、製造が容易になる。変形例次に、半導体装置100の変形例について説明する。図5は、第1の実施の形態の変形例の半導体装置を示す図である。図5Aは、半導体装置の下面図を示し、図5Bは、半導体装置の断面図を示す。変形例の半導体装置100aは、半導体装置100に対して、補強部材180に換えて、補強部材180とは形状および配置が異なる補強部材180aを用いたものである。その他の構成は、半導体装置100と同様である。図5A、Bに示すように、補強部材180aには、複数の貫通孔182が設けられている。貫通孔182の径は、フィン170の径よりも大きい。そして、補強部材180aは、複数のフィン170のそれぞれが複数の貫通孔182のそれぞれの内に位置するように、基板110の裏面112の周辺領域S2上およびフィン形成領域S1上に、接合部材160を介して形成されている。なお、半導体装置100aのうち、基板110、接合部材160、複数のフィン170、および、補強部材180aから成る部分を、放熱部材190aと称す。半導体装置100aにおいても、基板110の裏面112の周辺領域S2上に、接合部材160を介して補強部材180aが形成されている。この構成によれば、補強部材180aにより基板110の周辺部分が支持されるため、基板110に発生する反りを抑制することができる。また、これにより、基板110を薄くすることができ、放熱性を向上させることが可能となる。半導体装置100aの製造方法は、図4に示された半導体装置100の製造方法と同様である。すなわち、半導体装置100aは、放熱部材190a上に、接合部材120、絶縁基板130、接合部材140a,140b、および、半導体チップ150a,150bを順次搭載した後、各部品が搭載された構造体に、熱処理を施すことで生成される。次に、放熱部材190aの製造方法について説明する。図6は、第1の実施の形態の変形例の放熱部材の製造方法を示す図である。まず、図6Aに示すように、基板110の裏面112上に接合部材160を介して複数のフィン170を配置する。ここで、複数のフィン170は、基板110に完全には接合されていない。そして、基板110の裏面112と対向するように、補強部材180aを配置する。次に、図6Bに示すように、補強部材180aを、複数のフィン170のそれぞれが複数の貫通孔182のそれぞれの内に位置するようにして、接合部材160に接触させる。このとき、複数のフィン170のそれぞれは、補強部材180aの複数の貫通孔182のそれぞれによって、位置合わせされる。そして、この状態で熱処理を施し、接合部材160により基板110と複数のフィン170および補強部材180aとを接合させる。このようにして、放熱部材190aが生成される。このように、放熱部材190aの製造方法によれば、複数の貫通孔182が設けられた補強部材180aを、複数のフィン170のそれぞれが複数の貫通孔182のそれぞれの内に位置するように、基板110の裏面112上に接合部材160を介して配置した後、熱処理を施して、接合部材160により基板110と複数のフィン170および補強部材180aとを接合させる。この構成によれば、補強部材180aを配置する工程が、複数のフィン170の位置合わせを行う工程を兼ねるため、製造工程を少なくすることが可能となる。[第2の実施の形態]次に、第2の実施の形態の半導体装置について説明する。図7は、第2の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図である。図7Aは、上面図であり、図7Bは、図7Aの点線A-Aにおける断面図に相当する。第2の実施の形態の半導体装置200は、第1の実施の形態の半導体装置100に対して、基板110の表面111上にも、補強部材を形成したものである。その他の構成は、半導体装置100と同様である。基板110の表面111は、図7A、Bに示すように、点線B2で囲まれた領域であり絶縁基板130が搭載された絶縁基板搭載領域S3と、絶縁基板搭載領域S3を取り囲む周辺領域S4とを含む。そして、周辺領域S4上に、接合部材210を介して補強部材220が形成されている。補強部材220には開口部221が設けられている。すなわち、補強部材220は枠状を成している。補強部材220は、開口部221により絶縁基板搭載領域S3を露出するように、周辺領域S4上に形成されている。接合部材210の材料には、例えば、銅合金、または、アルミ合金等のろう材が用いられている。銅合金としては、例えば、りん銅系が用いられている。アルミ合金としては、例えば、A4000系が用いられている。補強部材220の材料には、例えば、銅合金、または、アルミ合金等が用いられている。銅合金としては、例えば、コバルト、りん、錫、ニッケル、亜鉛を銅に微量添加した銅合金銅:99.5以上が用いられている。JIS規格を用いて説明すると、銅合金には、例えば、C1000系~C7000系が用いられている。アルミ合金には、例えば、A3000系、A5000系、A6000系、A7000系が用いられている。ここで、補強部材220には、基板110とは異なる材料が用いられている。具体的には、補強部材220には、基板110よりも硬い材料が用いられている。また、基板110には、補強部材220よりも熱伝導性が高い材料が用いられている。なお、半導体装置200のうち、基板110、接合部材160,210、複数のフィン170、および、補強部材180,220から成る部分を、放熱部材230と称す。次に、半導体装置200の製造方法について説明する。図8は、第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す図である。まず、図8Aに示すように、放熱部材230を準備する。放熱部材230の製造方法としては、まず、基板110の裏面112上に、接合部材160を介して複数のフィン170および補強部材180を搭載し、さらに、基板110の表面111上に、接合部材210を介して補強部材220を搭載する。そして、この状態で熱処理を施して、接合部材160により基板110と複数のフィン170および補強部材180とを接合させ、接合部材210により基板110と補強部材220とを接合させる。すなわち、複数のフィン170、および、補強部材180,220を、基板110に対して一括して接合させる。これにより、放熱部材230が生成される。なお、放熱部材230の表面は、全面的、または、部分的にニッケルめっきされていてもよい。次に、放熱部材230上に、接合部材120、絶縁基板130、接合部材140a,140b、および、半導体チップ150a,150bを順次搭載する。次に、図8Bに示すように、各部品が搭載された構造体201に、熱処理を施す。これにより、接合部材120により基板110と絶縁基板130とが接合し、接合部材140a,140bにより、絶縁基板130と半導体チップ150a,150bとが接合する。このようにして、半導体装置200が生成される。以上のように、半導体装置200では、基板110の裏面112の周辺領域S2上に、接合部材160を介して補強部材180が形成されている。この構成によれば、補強部材180により基板110の周辺部分が支持されるため、基板110に発生する反りを抑制することができる。また、これにより、基板110を薄くすることができ、放熱性を向上させることが可能となる。さらに、半導体装置200では、基板110の表面111の周辺領域S4上に、接合部材210を介して補強部材220が形成されている。この構成によれば、補強部材220により基板110の周辺部分が支持されるため、基板110に発生する反りをより効果的に抑制することができる。なお、半導体装置200では、補強部材180を削除することも可能である。変形例次に、半導体装置200の変形例について説明する。図9は、第2の実施の形態の変形例の半導体装置を示す図である。図9Aは、半導体装置の上面図を示し、図9Bは、図9Aの点線A-Aにおける断面図に相当する。変形例の半導体装置200aは、半導体装置200に対して、絶縁基板130に換えて、複数の絶縁基板240,250,260が基板110に搭載されたものである。また、半導体装置200aは、半導体装置200に対して、補強部材220に換えて、補強部材220とは形状が異なる補強部材220aを用いたものである。その他の構成は、半導体装置200と同様である。基板110の表面111上には、接合部材210を介して、図9A、Bに示すように、絶縁基板240~260が搭載されている。絶縁基板240~260はそれぞれ、半導体装置200の絶縁基板130と同様の構成を備えている。さらに、絶縁基板240上には、接合部材271を介して半導体チップ270a,270bが搭載されている。絶縁基板250上には、接合部材272を介して半導体チップ280a,280bが搭載されている。絶縁基板260上には、接合部材273を介して半導体チップ290a,290bが搭載されている。接合部材271~273には、例えば、はんだが材料に用いられている。図9Aに示すように、補強部材220aには、開口部221aと、開口部221aに突出する複数の突出部222,223,224,225が設けられている。そして、補強部材220aは、開口部221aにより絶縁基板搭載領域S3を露出するように、周辺領域S4上に形成されている。絶縁基板240~260はそれぞれ、突出部222~225を境界にして、開口部221a内に配置されている。ここでは、例えば、突出部222と突出部224とを結ぶ点線B3を境界にして、絶縁基板240,250がそれぞれ開口部221a内に配置され、突出部223と突出部225とを結ぶ点線B4を境界にして、絶縁基板250,260がそれぞれ開口部221a内に配置されている。なお、半導体装置200aのうち、基板110、接合部材160,210、複数のフィン170、および、補強部材180,220aから成る部分を、放熱部材230aと称す。半導体装置200aにおいても、基板110の表面111の周辺領域S4上に、接合部材210を介して補強部材220aが形成されている。この構成によれば、補強部材220aにより基板110の周辺部分が支持されるため、基板110に発生する反りをより効果的に抑制することができる。半導体装置200aの製造方法は、図8に示された半導体装置200の製造方法と同様である。すなわち、半導体装置200aは、放熱部材230a上に、接合部材120、絶縁基板240~260、接合部材271~273、および、半導体チップ270a,270b,280a,280b,290a,290bを順次搭載した後、各部品が搭載された構造体に、熱処理を施すことで生成される。ここで、半導体装置200aの製造方法では、絶縁基板240~260を放熱部材230aの基板110上に搭載する際に、補強部材220aに設けられた突出部222~225を目印にして位置合わせを行う。例えば、絶縁基板240に対しては、突出部222,224を目印にして位置合わせを行い、絶縁基板250に対しては、突出部222,224、または、突出部223,225を目印にして位置合わせを行い、絶縁基板260に対しては、突出部223,225を目印にして位置合わせを行う。このように、半導体装置200aの製造方法によれば、絶縁基板240~260を、補強部材220aに設けられた突出部222~225を目印にして、基板110上に搭載する。この構成によれば、冶具等を用いなくとも、絶縁基板240~260の位置合わせを行うことができるため、製造工程を簡略化することが可能となる。[第3の実施の形態]次に、第3の実施の形態の半導体装置について説明する。図10は、第3の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す断面図である。第3の実施の形態の半導体装置300は、第2の実施の形態の半導体装置200に対して、基板110と絶縁基板130および補強部材220とを接合する接合部材に、接合部材120,210に換えて、接合部材210aを用いるようにしたものである。その他の構成は、半導体装置200と同様である。図10に示すように、絶縁基板130および補強部材220は、基板110の表面111上に接合部材210aを介して搭載または形成されている。接合部材210aの材料には、例えば、銅合金、または、アルミ合金等のろう材が用いられている。銅合金としては、例えば、りん銅系が用いられている。アルミ合金としては、例えば、A4000系が用いられている。なお、半導体装置300のうち、基板110、接合部材160,210a、複数のフィン170、および、補強部材180,220から成る部分を、放熱部材310と称す。次に、半導体装置300の製造方法について説明する。図11は、第3の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す図である。まず、図11Aに示すように、放熱部材310に絶縁基板130が搭載された積層体を準備する。この積層体の製造方法としては、まず、基板110の裏面112上に、接合部材160を介して複数のフィン170および補強部材180を搭載し、さらに、基板110の表面111上に、接合部材210aを介して絶縁基板130および補強部材220を搭載する。そして、この状態で熱処理を施して、接合部材160により基板110と複数のフィン170および補強部材180とを接合させ、接合部材210aにより基板110と絶縁基板130および補強部材220とを接合させる。すなわち、複数のフィン170、補強部材180,220、および、絶縁基板130を、基板110に対して一括して接合させる。これにより、放熱部材310に絶縁基板130が搭載された積層体が生成される。次に、この積層体上に、接合部材140a,140b、および、半導体チップ150a,150bを順次搭載する。次に、図11Bに示すように、各部品が搭載された構造体301に、熱処理を施す。これにより、接合部材140a,140bにより、絶縁基板130と半導体チップ150a,150bとが接合する。このようにして、半導体装置300が生成される。以上のように、半導体装置300では、基板110の裏面112の周辺領域S2上に、接合部材160を介して補強部材180が形成されている。この構成によれば、補強部材180により基板110の周辺部分が支持されるため、基板110に発生する反りを抑制することができる。また、これにより、基板110を薄くすることができ、放熱性を向上させることが可能となる。さらに、半導体装置300では、基板110の表面111の周辺領域S4上に、接合部材210aを介して補強部材220が形成されている。この構成によれば、補強部材220により基板110の周辺部分が支持されるため、基板110に発生する反りをより効果的に抑制することができる。上記については単に本発明の原理を示すものである。さらに、多数の変形、変更が当業者にとって可能であり、本発明は上記に示し、説明した正確な構成および応用例に限定されるものではなく、対応するすべての変形例および均等物は、添付の請求項およびその均等物による本発明の範囲とみなされる。"