"陰極体及び陽極体を備え、電解質を保持したコンデンサ素子と、該コンデンサ素子に接続されたアルミニウム線とを外装部材で封止し、前記アルミニウム線の一部を外装部材から外部に導出させる電解コンデンサの製造方法において、前記アルミニウム線の一部を多角形状の粒子を吹き付けることにより粗面化する工程と、前記アルミニウム線の粗面化された表面にめっき層を形成する工程と、を有することを特徴とする電解コンデンサの製造方法。前記多角形状の粒子は、セラミックスを破砕したものであることを特徴とする請求項1に記載の電解コンデンサの製造方法。前記多角形状の粒子は、平均粒子径が200~400μmであることを特徴とする請求項1又は2に記載の電解コンデンサの製造方法。前記アルミニウム線の一部を多角形状の粒子を吹き付けることにより粗面化する工程の後に、前記粗面化したアルミニウム線の一部を断面略矩形に成形する工程と、前記断面略矩形に成形したアルミニウム線の一部を導出部の表面に対して平行に折り曲げる工程と、前記折り曲げたアルミニウム線の粗面化された表面にめっき層を形成する工程と、を行うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電解コンデンサの製造方法。陰極体及び陽極体を備え、電解質を保持したコンデンサ素子と、前記コンデンサ素子に接続されたアルミニウム線と、前記コンデンサ素子と前記アルミニウム線とを封止し、前記アルミニウム線の一部を外部に導出する導出部を備えた外装部材と、を有し、前記アルミニウム線の一部は多角形状の粒子を吹き付けることにより粗面化され、粗面化された表面にめっき層が形成されていることを特徴とする電解コンデンサ。近年、等価直列抵抗ESRの低いコンデンサが求められているが、CP線とアルミニウム線を溶接したリード端子は、溶接部に抵抗が生じやすい。また、異なる部材で構成されていることからも抵抗が高くなる傾向がある。そのため、アルミニウム線を直接基板に接続して、低ESRを実現することが求められていた。しかしながら、アルミニウム線は半田濡れ性が良くないため、基板への半田付けでの接続が困難であった。そこで、アルミニウム線に半田付け可能なめっき層を形成して、半田濡れ性を改善することが試みられていた。しかしながら、この方法においても半田付け不良が発生し、基板とアルミニウム線との接続強度が不十分な場合があった。図9は、基板とアルミニウム線との半田付けにおいて、a半田濡れ性が良好な状態とb不良の状態とを示している。aの半田濡れ性が良好な状態では、基板と接する底面のみならず、側面から上面にかけても半田が付着している。これに対してbの半田濡れ性不良の状態では、基板と接触する底面しか半田が付着していない。研究の結果、このような半田濡れ性不良が生じる原因は、めっき層とアルミニウム線とが十分に密着していないため、めっき層が半田付け時に脱落してしまうためであることが判明した。本発明は、上述した課題を解決するためになされたものである。その目的は、めっき層とアルミニウム線を十分に密着させることにより、基板との接続時に半田濡れ性が良い電解コンデンサの製造方法を提供することにある。本発明は、陰極体及び陽極体を備え、電解質を保持したコンデンサ素子と、該コンデンサ素子に接続されたアルミニウム線とを外装部材で封止し、前記アルミニウム線の一部を外装部材から外部に導出させる電解コンデンサの製造方法において、以下の工程を含むことを特徴とする。1前記アルミニウム線の一部を多角形状の粒子を吹き付けることにより粗面化処理する工程。2前記アルミニウム線の粗面化された表面にめっき層を形成する工程。さらに、上記製造方法により製造された電解コンデンサも、本発明に包含される。以上のような本発明によれば、アルミニウム線を多角形状の粒子を吹き付けることにより粗面化処理し、粗面化された表面にめっき層を形成することによって、粗面化処理で形成された凹凸にめっきが入り込み、アルミニウム線とめっき層の密着性が向上する。これによって、アルミニウム線と基板等とを半田付けで接続したときに、めっき層の脱落が防止される。結果として、半田濡れ性が良く、基板等との接続強度が良好な電解コンデンサを製造することができる。本発明に係る電解コンデンサの製造方法の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。図1のフローチャートに示すように、電解コンデンサは下記工程を経て製造される。ステップS01:コンデンサ素子アルミニウム線を外装部材に収容する。ステップS02:アルミニウム線の粗面化処理を行う。ステップS03:アルミニウム線の潰し加工を行う。ステップS04:アルミニウム線の折り曲げ加工を行う。ステップS05:アルミニウム線の粗面化処理された表面上にめっき層を形成する。以下、各工程について説明する。ステップS01:コンデンサ素子アルミニウム線を外装部材に収容するこの工程は、本実施形態の前提となる部分であり、図2aに示すように電解コンデンサを構成する。陽極箔と陰極箔とをセパレータを介在させて重ね、これらを巻回してコンデンサ素子1を形成する。陽極箔および陰極箔は、タンタル、アルミニウム等の弁作用金属から選択する。セパレータは、クラフト紙、マニラ紙、パルプ等の天然繊維を主体とするセパレータや、合繊繊維を混抄したものや、合繊繊維を主体としたもの等の中から選択する。陽極箔および陰極箔の電極には、それぞれアルミニウム線2を接続している。アルミニウム線2は、コンデンサ素子と外部基板を接続するものであり、図2bに示すように、このときアルミニウム線の断面は略円形である。このように構成されたコンデンサ素子1とアルミニウム線2を、電解質として駆動用電解質または固体電解質と共に外装ケース3内に収容する。外装ケース3は、一例として有底形状の金属円筒を用いる。コンデンサ素子1とアルミニウム線2は、外装ケース3の開口部から内部に収容される。収容後、開口部は、封口体4によって封止される。封口体4は弾性ゴム等で構成され、貫通孔5,5を備えている。貫通孔5を介して、アルミニウム線2の一部が外装ケース3の外部へ導出される。すなわち、封口体4はコンデンサ素子1を外装ケース3内部に封止する封止部であると同時に、アルミニウム線2を外部へ導出する導出部である。外部へ導出されたアルミニウム線2の一部は、封口体4の表面に対して直交する方向に延在する。これによって、コンデンサ素子1は外装ケース3内部に密封されると同時に、アルミニウム線2を介して外部と接続可能な状態となる。ステップS02:粗面化処理外部へ導出されたアルミニウム線2の表面に対して、粗面化処理を行う。粗面化処理は、例えばブラスト処理により行う。ブラスト処理とは、ブラスト剤の微粒子を圧縮空気によって対象表面に吹き付けて、対象表面を粗くし、微細な凹凸をつける処理である。ブラスト剤としては、多角形状の粒子を持つものを使用する。ガラスビーズのような球状の粒子を吹き付けた場合、アルミニウム線2の表面に形成される凹凸の溝が浅くなり、後述する潰し加工によって凹凸が消えてしまう可能性がある。多角形状の粒子を有するブラスト剤を使用すれば、潰し加工後も凹凸の溝が十分な深さを保ち、後述するめっき工程においてめっきが凹凸に入りこみやすくなる。多角形状の粒子を有するブラスト剤としては、例えば破砕セラミックスを使用することができる。これはセラミックスを破砕して微粒子としたものである。平均粒子径が200~400μmのものが好ましい。この範囲を下回ると、粒子が衝突する力が弱くなり、十分な凹凸が形成されない。この範囲を上回ると、凹凸が大きくなりすぎてめっきの密着力が却って弱くなる。吹き付け距離は、吹き付け圧力との関係や、アルミニウム線の材質硬度に応じて適宜選択することができる。この粗面化処理を行うことにより、アルミニウム線2の表面は、図3に示すように微細な凹凸が形成された状態となる。ステップS03:潰し加工粗面化処理を行ったアルミニウム線2に対して、直方体となるように潰し加工を施す。潰し加工後は、図4に示すように、断面が略矩形となる。潰し加工には一般的なプレス機等を用いる。アルミニウム線2の断面を略矩形になると、断面が円形である加工前の状態よりも、基板表面への接触面積が大きくなる。そのため、半田付け作業が容易となり、さらに半田濡れ性も向上することができる。この潰し加工は、上述の粗面化処理の後に行うことが好ましい。その理由としては、ブラスト処理によって、アルミニウム線2には凹凸が形成され、厚さが不均一となる。ここで潰し加工を行うことによって、厚さを一定にすることができるため、半田濡れ性もより良好となる。ただし、この潰し加工によっては、アルミニウム線2が完全に平坦化されるものでは無く、先の粗面化処理によって形成された凹凸は、潰し加工の後でも、形成された状態となっている。また、ブラスト処理において、ブラスト剤をアルミニウム線2に吹き付けた際の衝撃でアルミニウム線2の表面にバリが生じ、後述するめっき層の形成を阻害することがある。そこで、ブラスト処理後に潰し加工を行うことによって、バリを潰すことができるため、めっき層の形成状態が良好となる。更には、潰し加工を行うと、アルミニウム線2が加工硬化を起こす。潰し加工後に粗面化処理を施しても、アルミニウム線2の表面が硬化しているため、凹凸の形成が不十分となる場合がある。しかしながら、本実施形態のように、粗面化処理後に潰し加工を施すことで、アルミニウム線2に十分な程度の凹凸を形成することができる。これによって、後述するめっき層形成において、この凹凸にめっき層が入り込み、めっき層とアルミニウム線2が十分に密着する。ステップS04:折り曲げ加工続いて、図5に示すように、アルミニウム線2を、封口体5の表面に近い位置で直角に折り曲げる。折り曲げ加工には一般的なプレス機等を用いる。アルミニウム線の、折り曲げによって封口体5の表面と平行になった部分が、基板と接続する接続部21となる。接続部21の形成によりアルミニウム線と基板との接続面積を広く確保でき、半田付け作業が容易となり、半田濡れ性も向上することができる。なお、上述のステップS03の潰し加工と、ステップS04の折り曲げ加工とは、同一のプレス機を用いて同時に行うことも可能である。この折り曲げ加工も、上述の粗面化処理の後に行うことが好ましい。折り曲げ加工後は、アルミニウム線2と外装ケース3との間隔が非常に近くなるため、アルミニウム線2に均一にブラスト処理を行うことは難しくなる。また、ブラスト処理時に封口体5や外装ケース3に影響を与える可能性があるためである。ステップS05:めっき層形成アルミニウム線2の接続部21に対して、電気めっきによりめっき層を形成する。例えば、ニッケルめっきや錫めっきを使用することができる。図6に示すように、めっき層形成後の接続部21は、粗面化処理で形成された凹凸の溝の中に、めっきが入り込んだ状態となっている。そのため、アルミニウム線とめっき層に高い密着性が得られていることがわかる。本実施形態において、電解コンデンサは以上の工程で製造される。ここで、このように製造した電解コンデンサを基板等に半田付けで実装する方法の一例を、図7を用いて説明する。実装時には、外装ケース3を上方、アルミニウム線2を下方に向け、アルミニウム線2の接続部21を基板表面に向ける。このとき、アルミニウム線2の接続部21のうち、封口体5の表面と向かい合う面を上面21aとし、上面と対向する面が底面21bとする。基板上のコンデンサ設置箇所には、予めペーストはんだが塗布されている。このペースト上に底面21bを載置し、加熱する。加熱によって、はんだとアルミニウム線2のめっきとが溶融し、これが冷えて固まることで、電解コンデンサは基板上に固定される。このとき、アルミニウム線2とめっきとの密着が不十分な場合には、図9bで示すような半田濡れ性不良の状態が生じる。本実施形態の方法で製造された電解コンデンサは、上述したように、粗面化処理によってアルミニウム線2とめっき層とを十分に密着させている。したがって、図9aに示すように、アルミニウム線2の底面21bのみならず、側面から上面21aにかけてもはんだが付着した、半田濡れ性良好な状態を得ることができる。続いて、実施例に基いて、本発明をさらに詳細に説明する。1実施例と比較例の構成実施例1陽極箔と陰極箔にアルミニウム線を接続し、両電極箔をセパレータを介して巻回し、両電極箔間に固体電解質層を生成したコンデンサ素子を形成した。このコンデンサ素子を電解液と共に有底筒状の外装ケースに挿入し、開口端部に封口ゴムを装着して、加締め加工によって封止した。アルミニウム線の一部は、封口ゴムの貫通孔から外部へ導出した。次に、外部へ導出されたアルミニウム線の一部にブラスト処理を行って表面を粗面化した。ブラスト処理には、日本研削砥粒株式会社のサクランダムF80を使用し、吹き付け圧力は0.2Mpa、吹き付け距離は30mmとした。ブラスト剤として、粒子が多角形状であり、平均粒子径が200~400μmの破砕セラミックスを使用した。粗面化処理後、プレス機によってアルミニウム線の潰し加工及び折り曲げ加工を行った。最後に電気めっきでアルミニウム線に錫めっき層を形成して電解コンデンサを作製した。実施例2ブラスト処理における吹き付け距離を50mmとしたほかは、実施例1と同様に電解コンデンサを作製した。比較例1ブラスト処理を行わなかったほかは、実施例1と同様に電解コンデンサを作製した。比較例2ブラスト処理におけるブラスト剤として、粒子が球状であり、粒子径が50~80μmのガラスビーズを使用したほかは、実施例1と同様に電解コンデンサを作製した。比較例3ブラスト処理におけるブラスト剤として、粒子が球状であり、粒子径が50~80μmのガラスビーズを使用したほかは、実施例2と同様に電解コンデンサを作製した。2実施例と比較例の比較a潰し加工前、加工後のアルミニウム線断面状態の観察実施例1,2及び比較例1,2について、潰し加工前及び加工後のアルミニウム線断面の状態をそれぞれ観察した。その観察結果を図8に示す。ブラスト処理を行わなかった比較例1においては、潰し加工前後に関わらず、凹凸が形成されていない。ガラスビーズを用いてブラスト処理を行った比較例2においては、潰し加工前は凹凸の形成が認められるものの、潰し加工後はほぼ平面化した状態となっている。破砕セラミックスを用いてブラスト処理を行った実施例1においては、潰し加工を施した後であっても、粗面化した状態が保たれ、十分な凹凸が形成されている。このように、実施例1ではめっき層が入り込み、めっき層とアルミニウム線が密着するのに十分な程度に粗面化が行われていることがわかる。b半田濡れ性の評価実施例1,2及び比較例2,3について、半田濡れ性の評価を行った。評価の方法としては、各実施例及び比較例の電解コンデンサを、20個ずつ用意する。プリント基板にはんだを塗布し、電解コンデンサのアルミニウム線の接続部を搭載し、加熱を行った。その後、各実施例及び比較例において、アルミニウム線の基板と接していない側面及び上面について、半田濡れ性を評価した。評価の結果を、表1に示す。多角形状の粒子を有する破砕セラミックスを使用した実施例1,2は、球状の粒子を持つガラスビーズを使用した比較例2及び3と比べて、アルミニウム線の側面上面においても半田濡れ性が良好である。この結果により、実施例1及び2においては、潰し加工後も粗面化した状態が保たれているので、めっき層がアルミニウム線と密着して半田付け時の脱落が防止されていることがわかる。他の実施形態以上のように、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は例として提示したものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。そのような変形例も実施形態と共に発明の範囲や要旨に含まれる。1上述した実施形態では、電解コンデンサとして巻回型のコンデンサ素子を金属円筒の外装ケースに収容し、開口部を封口体によって封止しているが、これに限らず、樹脂モールドタイプのチップ型コンデンサであってもよい。樹脂モールドタイプのチップ型コンデンサについて、図10を参照して説明する。なお、上述した実施形態に示される構成部分と同一構成部分に付いては同一符号を付して重複する説明を省略する。まず、上述した実施形態と同様にコンデンサ素子1を形成する。その後、コンデンサ素子1の周囲に樹脂で外装樹脂層7を形成し、封止する。外装樹脂層7の形成には、液状樹脂にコンデンサ素子1を浸漬するいわゆる浸漬法や、金型にコンデンサ素子1を配置した後、金型に樹脂を注入してコンデンサ素子1の周囲に外装樹脂層7を成型する成型法などがある。本実施形態では、上述した実施形態と同様に、アルミニウム線2とめっき層6の密着性が向上し、これによるアルミニウム線と基板との半田付け性が向上する。この効果に加え、封口体を用いない構造であるため、封口体の厚さだけ高さの低いコンデンサを得ることができる。2さらに、上述した実施形態は、積層型の電解コンデンサの製造方法にも適用可能である。"