"基板上に形成する硬化性樹脂の量を決定すること、前記硬化性樹脂は揮発性を有すること、前記基板上に前記決定された量を有する硬化性樹脂を形成すること、前記硬化性樹脂上にガスを供給しながら、前記硬化性樹脂にテンプレートを接触させること、前記テンプレートは、前記接触させることにより、前記硬化性樹脂により充填されるパターンを具備すること、前記基板の中央部上の前記ガスと前記基板の周辺部上の前記ガスとは、前記基板上において、前記硬化性樹脂の揮発量が一様になるように、異なる条件で供給されること、前記硬化性樹脂に前記テンプレートを接触させた状態で前記硬化性樹脂を硬化することを含むことを特徴とするパターン形成方法。前記条件は、前記ガスの流量および前記ガスの流れの方向を含むことを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。前記硬化した硬化性樹脂から前記テンプレートを離すことで、第1のパターンを前記硬化性樹脂に形成すること、および、前記第1のパターンに基づき、第2のパターンを前記基板に形成することをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。前記第1のパターンに基づき、第2のパターンを形成することは、前記第1のパターンをマスクに用いて、前記基板をエッチングすることを具備していることを特徴とする請求項3に記載のパターン形成方法。前記硬化性樹脂を硬化することは、前記硬化性樹脂に光を照射することを具備していることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。本発明の目的は、基板上にパターンを形成する際におけるパターン欠陥の発生を抑制できるパターン形成方法を提供することにある。本発明の一態様によるパターン形成方法は、被加工基板上に形成する揮発性を有する硬化性樹脂の量を算出する工程と、前記被加工基板上に前記算出した量の硬化性樹脂を形成する工程と、前記被加工基板上に形成した前記硬化性樹脂にパターンが形成されたテンプレートを接触させて、前記テンプレートのパターンに前記硬化性樹脂を充填する工程と、前記硬化性樹脂に前記テンプレートを接触させた状態で前記硬化性樹脂を硬化する工程と、前記硬化した硬化性樹脂から前記テンプレートを離して、前記硬化性樹脂にパターンを形成する工程と、前記硬化性樹脂に形成したパターンに基づき、前記被加工基板にパターンを形成する工程とを含み、前記硬化性樹脂の量を算出する工程において、前記被加工基板の面内の複数の領域の各々について、前記硬化性樹脂が揮発により減少する分を見込んで、前記複数の領域の各々に形成する前記硬化性樹脂の量を算出することを特徴とする。本発明の一態様によるパターン形成方法は、被加工基板上に形成する揮発性を有する硬化性樹脂の量を算出する工程と、前記被加工基板上に前記算出した量の硬化性樹脂を形成する工程と、前記被加工基板上に形成した前記硬化性樹脂にパターンが形成されたテンプレートを接触させて、前記テンプレートのパターンに前記硬化性樹脂を充填する工程と、前記硬化性樹脂に前記テンプレートを接触させた状態で前記硬化性樹脂を硬化する工程と、前記硬化した硬化性樹脂から前記テンプレートを離して、前記硬化性樹脂にパターンを形成する工程と、前記硬化性樹脂に形成したパターンに基づき、前記被加工基板にパターンを形成する工程とを含み、前記テンプレートのパターンに前記硬化性樹脂を充填する工程において、前記被加工基板の面内における前記硬化性樹脂の揮発量が一様になるように、前記被加工基板の中央部と周辺部とで前記硬化性樹脂上に流すガスの流量およびガスの流れ方向を変えることを特徴とする。本発明によれば、基板上にパターンを形成する際におけるパターン欠陥の発生を抑制できるパターン形成方法を実現できるようになる。以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。第1の実施形態図1は、本実施形態で使用するパターン形成装置を模式的に示す図である。図1において、1は凹凸からなるパターン転写パターンを含むテンプレート1を示しており、このテンプレート1は、原版ステージ2に保持されるようになっている。ここでは、テンプレート1は、石英や蛍石など紫外線UV光を透過する材質で形成されている。また、上記転写パターンは、デバイスパターンに対応したパターンと、合わせずれ検査時に使用される合わせずれ検査マークに対応したパターンとを含む。原版ステージ2はテンプレート1を装置基準に位置決めするように動くことができる。転写パターンが転写される被転写基板3はチャック4に保持される。被転写基板3は、例えば、シリコン基板半導体基板や、SOI基板半導体基板である。被転写基板3は、多層構造のものであっても構わない。例えば、上記半導体基板とその上に設けられた導電膜または絶縁膜とで構成されたもの多層構造の被転写基板であっても構わない。上記導電膜は、例えば金属膜、ゲート材料となるポリシリコン膜等であり、上記絶縁膜は、例えば、ハードマスクとなるシリコン窒化膜やシリコン酸化膜である。実施形態のパターン形成装置を用いて、被転写基板3上に光硬化性樹脂を材料とするパターン樹脂パターンが形成される。この樹脂パターンをマスクに用いて、被転写基板3をエッチングすることにより、被転写基板3には微細パターンが形成される。チャック4は、試料ステージ5に固定されるようになっている。試料ステージ5は、X軸、Y軸、Z軸とそれら各軸まわりの合計6軸に駆動できることが好ましい。試料ステージ5はステージ定盤13上に設置されている。試料ステージ5上には基準マーク台6が固定されている。基準マーク台6上には装置の基準位置となる基準マーク不図示が設置されている。ここでは、上記基準マークは回折格子で構成されている。この基準マークは、アライメントセンサの校正およびテンプレート1の位置決め姿勢制御調整に利用される。テンプレート1には、図示しない第1のアライメントマーク原版アライメントマークが形成されている。被転写基板3に予め形成された下地パターンには、図示しない第2のアライメントマーク下地アライメントマークが形成されている。下地アライメントマークおよび原版アライメントマークは、テンプレート1と被転写基板3との相対的な位置ずれを計測するために使用される。ここでは、原版アライメントマークおよび下地アライメントマークは回折格子で構成されている。上記基準マークに対するテンプレート1の位置ずれ、および、テンプレート1に対する被転写基板3の位置ずれは、アライメントセンサ7第1の計測手段により計測される。アライメントセンサ7は、アライメントステージ8上に固定されている。上記基準マークに対するテンプレート1の位置ずれは、上記基準マークおよびテンプレート1を同時に検出可能な位置へ、試料ステージ5を図示しない移動機構により移動させ、上記基準マークおよび原版アライメントマークへ向けて図示しない光源により光を照射し、回折、反射してアライメントセンサ7に戻ってきた光の重心位置から位置ずれを計測することにより取得される。一方、テンプレート1に対する被転写基板3の位置ずれテンプレート1と被転写基板3との相対的な位置ずれを計測するには、対向する原版アライメントマークおよび下地アライメントマークを同時に検出可能な位置へ、試料ステージ5を図示しない移動機構により移動させ、原版アライメントマークおよび下地アライメントマークへ向けて図示しない光源により光を照射し、回折、反射してアライメントセンサ7に戻ってきた光の重心位置から相対的な位置ずれを計測することにより取得される。補正機構9補正手段は、テンプレート1の位置姿勢を微調整する調整機構を有し、テンプレート1の位置姿勢を微調整することにより、テンプレート1と被転写基板3との相対的な位置を補正する。テンプレート1の転写パターンを被転写基板3に転写する際には、補正機構9によりテンプレート1と被転写基板3との相対的な位置が補正された状態で、加圧部10押し付け手段により、被転写基板3の上方に配置されたテンプレート1を被転写基板3にプレスする。これにより、高精度のパターン転写が可能となる。なお、図1では、アライメントセンサ7は左右の2組のみ図示されているが、好ましくは4組以上である。UV光源12は本体定盤不図示に固定されている。UV光源12から出射した紫外線は、テンプレート1を介して、被転写基板3上に塗布した液状の光硬化性樹脂転写位置に照射されるようになっている。なお、図1では、UV光源12はテンプレート1の直上に設置されているが、この配置に限定されるものではない。本実施形態のパターン形成装置は、さらに、合わせずれ検査機構20第2の計測手段を備えている。合わせずれ検査機構20は、装置のベース11に設置されている。合わせずれ検査機構20は、被転写基板3の下地パターンに予め形成された合わせずれ検査マークと、被転写基板3上に塗布した光硬化性樹脂に転写されたテンプレート1の合わせずれ検査マークとの相対位置ずれ量を計測するためのものである。合わせずれ検査機構20は、例えば、周知の光学式検査機構で構成される。一般に、インプリントの光硬化性樹脂の塗布量は、転写するパターンの単位面積当たりの密度と使用するモールドの掘り深さ、および、インプリント時に生じる、テンプレートの凹凸パターンの凸部と被転写基板との間隙間に薄く残る光硬化性樹脂の厚さ残膜厚の設定値によって、レジストの塗布量分布が算出される。従来のインプリント装置の場合には、インプリントする際にレジストが塗布された被転写基板とテンプレートとの間隙の空気を置換ガスに置換するために、被転写基板の周辺に設置されたガスノズルから被転写基板に向かって置換ガスを吹き付ける構成になっている。ここで、置換ガスとは、例えば、CO2ガスのような分子量の小さいガス、あるいは、N2ガスのような不活性ガスである。インプリント用の光硬化性樹脂は揮発性の高い材料であるため、ドロップレシピ作成の際には、光硬化性樹脂の揮発量を補正する必要がある。さらに、従来のインプリント装置を用いてパターニングする場合には、置換ガス吹き付けに伴う光硬化性樹脂の揮発量分布は、ショット領域内で発生しているため、ショット領域内の光硬化性樹脂の揮発量分布を予め計測して、光硬化性樹脂の塗布量を補正する必要がある。上記のショット領域内の光硬化性樹脂の揮発量分布は、ブランクテンプレートブランクモールドと呼ばれるテンプレートモールドを用いて、光硬化性樹脂の塗布からテンプレートの離型までの工程を行い、離型工程後の光硬化性樹脂の厚さの分布を計測することで得られる。ブランクテンプレートとは、所望のパターンが形成されたテンプレートとショットサイズは同じであるがパターンがまったく形成されていないテンプレートのことである。ブランクテンプレートの利点は、例えば、パターン形成が不要なので作成が容易であること、欠陥が少ないこと、欠陥の発見および修正が容易であることである。また、パターンがないので、パターンに依存しない面内の揮発量分布を求めることができるという利点もある。なお、ブランクテンプレートの代わりに、被転写基板に実際に形成するパターンに対応したパターンを含むテンプレートを用いても構わない。このようなテンプレートを用いることにより、より精度の高い補正を行うことが可能となる。上記のショット領域内の光硬化性樹脂の揮発量分布に補正値として加えることで、所望のパターンが精度よく得られるために有効な光硬化性樹脂の塗布量分布を算出することが可能となる。ここで、所望のパターンが精度よく得られるとは、充填不良欠陥がなく、かつ光硬化性樹脂の残膜厚のショット内均一性が高いことを意味している。得られた光硬化性樹脂の塗布量分布を、光硬化性樹脂をドロップとして滴下するためのドロップレシピとして変換してインプリントプロセスに活用する。上述のブランクテンプレートを用いた場合の揮発量分布の補正は、置換ガス吹き付けに伴う光硬化性樹脂のショット領域内における揮発量分布を計測して、その計測結果一つのショット領域内における揮発量のばらつきを、被転写基板の全ショット領域のドロップレシピに反映させることで、光硬化性樹脂の塗布量分布をショット領域内で補正するというものである。ここで、図2に示すように、ブランクテンプレートを用いた光硬化性樹脂の膜厚分布の計測結果は、一般に、被転写基板の面内全ショット領域内で異なる傾向を示す。図2の各パラメーターAverageSigmaMinMaxTIRの値は、フィールド24中央フィールドの値を3とした場合の相対的な大小関係を示している。1,2,...,5の順でパラメーター値は大きくなる。また、図2の2次元の等高線グラフは1ショット内の光硬化性樹脂の膜厚分布を5nm刻みで濃淡で示しており、ウェハ中心付近のショットField24とウェハ外周部のショットField19、Field33では、全て膜厚分布が異なっている状況を示している。すなわち、図2は、ショット領域毎に光硬化性樹脂の揮発量分布が異なることを示す実験結果である。上記の実験結果は、ショット領域毎に異なる光硬化性樹脂の揮発量補正が必要であることを示唆しており、これは置換ガスをテンプレートの周囲から吹き付けている装置構成が故に、被転写基板上にできる置換ガス気流の違いが局所的に、特に被転写基板の中心付近と周辺付近で発生しているために起こる現象であると本発明者等は推測している。本実施形態は、ブランクテンプレートを用いた光硬化性樹脂の厚さの分布の計測をショット領域毎に事前に行い、ショット領域毎に適切なドロップレシピを適用してインプリントするという方法を用いて、光硬化性樹脂の揮発に起因する、被転写基板の面内における光硬化性樹脂の量のばらつきを十分に小さくし、未充填欠陥等のパターン欠陥の発生を効果的に抑制するというものである。なお、全てのショット領域でなく、少なくとも二つの領域であれば構わない。二つのショット領域だけの場合、図2の結果から、一つは周辺部のショット領域、もう一つは中央部のショット領域を選ぶと良い。また、未充填欠陥等のパターン欠陥が生じない程度の揮発量であっても、その揮発量はショット領域の位置によって異なるので、形成されたパターンの高さは位置によってばらつきを持つことになる。このような高さのばらつき平坦性の低下は、プロセスマージンの減少を招く原因となる。パターンを重ねて多層構造のパターンを形成する場合、上の層のパターンほど、平坦性の低下の影響は大きくなる。ところで、米国特許7282550公報には、樹脂材料の揮発性を低く調整することで揮発成分を減らすという方法が開示されている。しかし、材料の改善には現実的には非常に困難な側面があるため、実用レベルに達していない。図3に、本実施形態のパターン形成方法を説明するためのフローチャートである。[ステップS1]光硬化性樹脂が揮発しないと仮定した場合の、被転写基板の全ショット領域上に塗布するべき液状の光硬化性樹脂の厚さの分布以下、基準樹脂厚分布という。を算出する。この算出は従来と同様である。具体的には、テンプレートに形成された凹凸パターンの凹部の密度分布パターン密度分布、上記凹部の深さテンプレートの掘り深さなどのデータD1に基づいて、テンプレートに形成された凹凸パターンの凹部を充填するために必要な光硬化性樹脂の滴下量を算出し、この算出した滴下量に、インプリント時の光硬化性樹脂の残膜厚データD1に対応する滴下量を加えることで、基準樹脂厚布を算出することができる。上記凹部の密度分布および深さは、テンプレートの設計データ例えばGDSデータを用いて算出する。[ステップS2]前述の実験結果から、光硬化性樹脂の揮発量は、被転写基板の面内のショット領域の位置ショット位置毎に異なると考えられるため、ショット領域毎に光硬化性樹脂の滴下量を補正する必要がある。そこで、本実施形態では、予め作成しておいた、被転写基板上におけるショット領域毎の光硬化性樹脂の揮発量の分布以下、樹脂揮発量分布という。D2を用いて、ステップS1にて算出した基準樹脂厚分布を補正することにより、ショット領域毎に適切なドロップレシピを作成する。図4は、樹脂揮発量分布D2の作成方法の一例を説明するためのフローチャートである。[ステップS2a]所望のパターンが形成されたテンプレートとショットサイズは同じであるが、パターンがまったく形成されていないブランクテンプレートを用意する。このブランクテンプレートを用い、インクジェット方法によりショット領域上に液状の光硬化性樹脂を滴下塗布する際に、ショット領域内に滴下された光硬化性樹脂の厚さが均一となる、光硬化性樹脂の滴下条件基準ドロップレシピを作成する。ショット領域内に滴下された光硬化性樹脂の厚さは、膜厚計測が可能な厚さであればよく、例えば、20-50nm程度であればよい。[ステップS2b]前述の通り、液状の光硬化性樹脂の揮発量は、被転写基板の面内のショット位置により異なると考えられるため、ショット領域毎に揮発量分布を取得する。基準ドロップレシピおよびブランクテンプレートを用いて、被転写基板の全面全てのショット領域に対してインプリントを行う。この時、各ショット領域に対してのインプリント時における充填待ち時間は十分長く取り、光硬化性樹脂の充填不足による、未充填欠陥未充填欠陥の発生を防止する。これは、未充填欠陥未充填欠陥が膜厚計測に悪影響を及ぼす危険性があるためである。[ステップS2c]被転写基板の全面でのインプリントが完了した後、膜厚計測機を用いて、ショット領域内の複数の位置計測位置Pii=12...nでの光硬化性樹脂の厚さ計測厚Diを計測する。このような計測を残りのショット領域に対しても行うことにより、各ショット領域内の複数の位置計測位置での光硬化性樹脂の厚さ計測樹脂厚分布を取得する。上記膜厚計測機としては、例えば、レーザーの干渉を用いて計測する光学式の膜厚計測装置を用いる。これ以外の膜厚計測装置も使用可能である。[ステップS2d]樹脂揮発量分布D2は、上記の計測結果に基づいて算出される。樹脂揮発量分布D2の算出方法としては、例えば、以下の二つの方法12がある。1ショット領域内の複数の計測位置Piの各々について、計測膜厚Diと予め決められた基準膜厚Drefとの差分ΔDi=Di-Drefを算出する。計測位置Piでの差分ΔDiをその位置での樹脂揮発量と定義する。計測位置Pii=12...n以外の位置での樹脂揮発量は補間により算出する。このようにして、一つのショット領域内における樹脂揮発量分布が算出される。同様にして、他のショット領域内における樹脂揮発量分も算出することで、全ショット領域における樹脂揮発量分布D2を求める。2ショット領域内の複数の計測膜厚Dii=12...nのうちの最大値を基準膜厚Dref’とする方法である。すなわち、最も揮発量の少なかったショット領域の光硬化性樹脂の厚さを基準膜厚Dref’とする。ショット領域内の複数の計測位置Piの各々について、計測膜厚Diと基準膜厚Dref’との差分ΔDi’=Dref’-Diを算出する。計測位置Piでの差分ΔDi’をその位置での樹脂揮発量と定義する。計測位置Pii=12...n以外の位置での樹脂揮発量は補間により算出する。このようにして、一つのショット領域内における樹脂揮発量分布が算出される。同様にして、他のショット領域内における樹脂揮発量分も算出することで、全ショット領域における樹脂揮発量分布をD2求める。次に、ステップS2以降のステップS3S4について説明する。一連のステップS3S4は各ショット領域毎に行われる。[ステップS3]ステップS2で作成したドロップレシピに基づいて、被転写基板内の一つのショット領域上に光硬化性樹脂を滴下する。[ステップS4]ステップS3の後は、周知のアライメント工程、インプリント工程、硬化工程、離型工程およびその他の工程を行う。上記の周知のアライメント工程、インプリント工程、硬化工程、離型工程およびその他の工程について簡単に説明する。アライメント工程においては、被転写基板とテンプレートとの位置合わせが行われる。上記テンプレートは、表面にパターン凹パターンが形成された透明基板で構成されている。上記透明基板は、例えば、石英基板である。上記凹パターンは、被転写基板上に形成するべきパターンに対応する。インプリント工程においては、光硬化性樹脂にテンプレートが直接接触される。このとき、テンプレートの凸部と被転写基板との間隙間には光硬化性樹脂が薄く残る。この薄く残った光硬化性樹脂は残膜となる。硬化工程においては、光硬化性樹脂に光を照射することにより、光硬化性樹脂を硬化させる。離型工程においては、光硬化性樹脂からテンプレートが離される。その他の工程としては、例えば、離型工程後に行われるパターンの欠陥を検査する検査工程がある。残りのショット領域に対してもそれぞれ以上述べたステップS3S4が行われる。[ステップS5]ステップS4の後は、周知のエッチング工程およびその他の周知の工程を行うことで、被転写基板上にパターンを形成する。上記の周知のエッチング工程、その他の工程について簡単に説明する。エッチング工程においては、上記残膜が例えば主に酸素プラズマによる異方性エッチングにより除去されて、上記硬化された光硬化性樹脂で構成されたパターン樹脂パターンが形成され、さらに、このパターンをエッチングマスクに用いて、被転写基板をエッチングすることにより、被転写基板上に微細パターンが形成される。その他の工程としては、例えば、エッチング工程に行われるエッチングマスク樹脂パターンの除去工程などがある。その後、必要に応じてより上層のパターンを形成することが行われる。一つの被転写基板についてパターン形成が完成したら、同様の方法により、残りの被転写基板に対してパターン形成を行うというシーケンスにうつる。かくして本実施形態によれば、ショット領域毎に適切な揮発量分布を考慮したドロップレシピを用いてインプリントを行うことにより、被転写基板上に塗布した光硬化性樹脂の揮発に起因する充填不良欠陥の発生を効果的に抑制でき、充填不良欠が発生せずとも、テンプレートの凹凸パターンの凹部内を光硬化性樹脂充填にすることによる量の面内における揮発量のばらつきに起因する充填不良欠陥の発生を効果的に抑制でき、また、未充填欠陥等のパターン欠陥が生じない程度の揮発量の場合でも、高さのばらつき平坦性の低下によるプロセスマージンの減少を効果的に抑制できるようになる。本実施形態では、基準樹脂厚分布に対して揮発量の補正を加えたが、さらに、下地の3次元的な段差に起因する未充填欠陥の発生を防止するための補正を加えても構わない。例えば、小パターンテンプレートの凹凸パターンの凹部が小さいパターンは、大パターンテンプレートの凹凸パターンの凹部が大きいパターンよりも短時間で充填されるので、パターンに関係なく充填時間が決められているインプリントプロセスでは、大パターンは未充填欠陥が発生しやすいことを考慮して、大パターンに対しては多めの滴下量を設定するとともに、その大パターンに隣接する小パターンに対しては少なめの滴下量を設定するという補正を行う。第2の実施形態図5は、第2の実施形態に係るパターン形成方法を示すフローチャートである。なお、以下の図において、既出の図と対応する部分には既出の図と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。[ステップS1-S4]まず、第1の実施形態と同様に、ステップS1-S4を行う。[ステップS6]被転写基板に形成されたパターンに対して欠陥検査を行う。具体的には、光学式の欠陥検査装置を用いて、DietoDieもしくはCellArray方式のパターン欠陥検査を実施し、インプリントの固有欠陥を検出する。この時、パーティクルダスト等のインプリントプロセス要因以外の欠陥も検出されることとなるが、ここでは主にNonFillと呼ばれるインプリント特有の未充填欠陥を重点的に検出抽出するようにする。インプリントの未充填欠陥は、光硬化性樹脂が局所的に不足している場所があるときや、充填時間が不足している場合などに共有欠陥として発生することが多い。また、プロセスウェハにおいては、下地加工時に形成された本来は望まれない凹凸等下地プロセス起因の加工凹凸等が存在するため、ウェハ面内においてある傾向をもって未充填欠陥が発生することもある。いずれの原因の場合も、未充填欠陥は、大規模欠陥もしくは大サイズ欠陥となることが多い。そのため、未充填欠陥と他の不良欠陥との分類は容易に行うことができる。例えば、SEM-Reviewにより容易に分類を行うことが可能である。ここでは、光学式の欠陥検査装置を用いたインプリント固有欠陥の検出を例として示したが、本実施形態はそれにとらわれるものではなく、EB方式の欠陥検査装置等を用いても構わない。[ステップS7]ステップS6の欠陥検査により取得された検査結果欠陥が許容範囲内にあるか否かを判断する。ここでは、検出された欠陥のうち、インプリント固有の欠陥、より詳細には、未充填欠陥が無ければYes、未充填欠陥が一つでもあればNoと判断する。判断基準は上記の例に限定されるものではない。ステップS6での判断の結果、Yesの場合には、ステップS5に進む。なお、第1の実施形態と同様に、必要に応じてより上層のパターンの形成が行われる。[ステップS8]一方、ステップS7での判断の結果、Noの場合には、ステップS8に進む。すなわち、ステップS8では、未充填欠陥の位置座標およびそのサイズ、ならびに、テンプレートの凹部の深さに基づいて、未充填欠陥があるショット領域欠陥ショット領域を特定するとともに、凹部を充填するのに不足している硬化性樹脂の量追加滴下量を算出する。その後、ステップS8で取得された補正情報欠陥ショット領域、追加滴下量に基づいて、ステップS1にて算出した基準樹脂厚分布を補正する。ここで、補正後の基準樹脂厚分布は、補正前の基準樹脂厚分布に比べて、欠陥ショット領域の滴下量が追加滴下量だけ多いものとなる。補正後の基準樹脂厚分布を用いてステップS2新たなドロップレシピの作成を行い、この新たなドロップレシピの作成を用いてステップS3光硬化性樹脂の塗布を行い、さらに、ステップS4を行ってパターンを形成する。なお、新たなドロップレシピの作成を用いて行うステップS3光硬化性樹脂の塗布は、補正前のドロップレシピの作成を用いて行ったステップS3により塗布された光硬化性樹脂を除去して行うか、あるいは、補正前のドロップレシピの作成を用いて行ったステップS3と同じ下地を有する新しい被転写基板に対して行う。補正後の基準樹脂厚分布を用いてステップS2-S4を再び行った後、ステップS6欠陥検査を行わずに終了しても構わないし、あるいは、ステップS6欠陥検査を再び行っても構わない。この時のステップS6は、先のステップS6で欠陥ショット領域と判断された部分に対してだけ行うことにより、検査時間を短縮できる。また、ステップS6は、ステップS7判断でYesとなるまで、ステップS8S1-S4,S6を繰り返しても構わないし、あるいは、予め決めておいた回数繰り返してもステップS7判断でYesとならない場合には、パターン形成を中止しても構わない。本実施形態によれば、ステップS6-S8欠陥検査の結果をフィードバックして樹脂パターンを再形成するリーワクを追加することにより、インプリントの固有欠陥をさらに低減でき、高精度なパターン転写を実現することができるようになる。なお、本実施形態においても第1の実施形態と同様に、基準樹脂厚分布に対して揮発量の補正を加えたが、さらに、下地の3次元的な段差に起因する未充填欠陥の発生を防止するための補正を加えても構わない。第3の実施形態図6は、第3の実施形態に係るパターン形成方法を説明するためのフローチャートである。本実施形態が第1および第2の実施形態と異なる点は、被転写基板の全てのショット領域ではなく、その一部について基準樹脂厚分布を求めることにある。本実施形態では、被転写基板の中心部を除いた領域、具体的には、図7に示すように、被転写基板3の外周部の複数のショット領域31の基準樹脂厚分布を求めるステップS1’。外周部の複数のショット領域31には斜線を引いてある。ここで、被転写基板の中心部を除く理由は、中心部では揮発量のばらつきが確認されないことが多いという、本発明者等の見出した知見に基づく。また、滴下量の補正は、ステップS1’で求めた基準樹脂厚分布に対して行うステップS2’。この補正は、予め作成しておいた外周部の複数のショット領域の光硬化性樹脂の揮発量の分布外周部の樹脂揮発量分布D2’を用いて行われる。外周部の樹脂揮発量分布D2’の作成方法は、対象が外周部の複数のショット領域であることを除いて、樹脂揮発量分布D2の作成方法と同様である。ステップS2’の後、外周部の複数のショット領域31については、第1や第2の実施形態と同様に、ステップS3以降の工程を行う。一方、被転写基板3の全てのショット領域から、上記の外周部の複数のショット領域31を除いた残りの複数のショット領域については、被転写基板3の中心にあるショット領域32の樹脂揮発量分布を求め、この求めた樹脂揮発量分布を上記の残りの複数のショット領域において共通に使用し、従来と同様に残りの工程を行う。本実施形態によれば、被転写基板の全てのショット領域ではなく、その一部について基準樹脂厚分布を求めれば済むので、スループットの改善を図れる。特に、膜厚計測に要する時間が短縮化されることによるスループットの改善の効果は大きい。第4の実施形態第1-第3の実施形態では、被転写基板の面内全ショット領域における揮発量分布を求めて、ドロップレシピを補正することにより、被転写基板の面内における光硬化性樹脂の量のばらつきを十分に小さくした。しかし、被転写基板の面内における揮発量分布の傾向が予め分かっている場合は、ドロップレシピを補正せずとも、揮発量分布が一様になるように、被転写基板上にガスを流すことにより、被転写基板の面内における光硬化性樹脂の量のばらつきを十分に小さくすることが可能である。以下、このような知見に基づいたパターン形成装置およびパターン形成法について説明する。図8は、本実施形態のパターン形成装置を模式的に示す図である。本実施形態のパターン形成装置が、図1に示したパターン形成装置と異なる点は、被転写基板3上にガス40を流すためのガス供給機構をさらに備えていることにある。ガス供給機構は、ガスフローノズル41を備えている。図8には、二つのガスフローノズル41しか示されていないが、本実施形態では、図9の平面図に示すように、テンプレートの4辺に沿ってそれぞれ一つのガスフローノズル41が配置されている。テンプレート1の四方向から中心に向かうようにガス40は供給される。これにより、インプリント動作直前に、テンプレート1の凹凸パターンの凹部の空気をガス40と容易に置換することもできるようになる。各ガスフローノズル41にはそれぞれ図示しない精密レギュレータが設けられ、各ガス40の流量を制御できるようになっている。上記精密レギュレータもガス供給機構の一部を構成している。ガスの流れの方向は周知の手段および方法にて制御する。なお、ガスフローノズル41の数は四つには限定されず、一つ、二つ、もしくは三つ、または五つ以上でも構わない。図10は、本実施形態のパターン形成方法を説明するためのフローチャートである。[ステップS1]第1の実施形態図3と同様に、基準樹脂厚分布を取得する。[ステップS2’’]図1のステップS2と同様にドロップレシピを作成し、さらに、図1のステップS1では作成しなかった、ガスフローレシピを作成する。以下、ガスフローレシピについてさらに説明する。前述の通り、光硬化性樹脂の揮発量はショット領域の位置により異なる。そこで、本実施形態では、被転写基板の全面全ショット領域において光硬化性樹脂の揮発量が一様になるように、予め作成しておいた、被転写基板上における各ショット領域の光硬化性樹脂の揮発量のガス流量の依存性以下、揮発量のガス流量依存性という。D2’’を用いて、ショット領域毎にガスフローレシピを作成する。図11は、揮発量のガス流量依存性D2’’の作成方法の一例を説明するためのフローチャートである。[ステップS2a]第1の実施形態図4と同様に、基準ドロップレシピを作成する。[ステップS2b’]基準ドロップレシピおよびブランクテンプレートを用い、被転写基板上に一定の流量のガスを流しながら、被転写基板の全面全てのショット領域に対してインプリントを行う。[ステップS2c’]インプリントの終了後、ショット領域内の代表点における光硬化性樹脂の厚さを計測する。上記代表点は、例えば、ショット領域の中心である。ここで、本発明者等は、図12に示すように、ショット領域A、ショット領域B、ショット領域Cのうち、ショット領域Aが最も揮発量のガス流量依存性が高く、その次に、ショット領域Bが高く、そして、ショット領域Cが最も低いことを確認した。すなわち、被処理基板3の最外周に近いショット領域ほど、揮発量のガス流量依存性が高くなる傾向があることを確認した。また、ショット領域Cの揮発量のガス流量依存性は、被転写基板3の中心にあるショット領域32の揮発量のガス流量依存性とほぼ同じであった。したがって、図12の場合、斜線が引かれたショット領域外周側のショット領域34および被転写基板3の中心にあるショット領域32については計測を行い、その他のショット領域ショット領域34とショット領域32との間にあるショット領域については計測は行わず、ショット領域32の計測結果を上記その他のショット領域における厚さとすることで、計測に要する時間を短縮でき、スループットの改善を図れる。すなわち、少なくとも二つ以上のショット領域について計測を行えばよい。なお、正確性を期すために全てのショット領域に対して厚さ計測を行っても構わない。ステップ2b’2c’は、上記流量の値を変更して、繰り返し行われる。流量は、例えば、上記精密レギュレータにより制御できる。[ステップS2d’]ステップ2b’2c’を繰り返し行って得られた結果に基づいて、複数の流量値に対しての、塗布工程後において揮発が生じた光硬化性樹脂の厚さ分布が得られる。上記複数の流量値以外の流量値については、補間により、塗布工程後において揮発が生じた光硬化性樹脂の厚さ分布を得る。これらの塗布工程後において揮発が生じた光硬化性樹脂の厚さ分布から、被転写基板上における各ショット領域の光硬化性樹脂の厚さのガス流量依存性が得られる。先に示した図12aは、このようにして得られた、被転写基板上における各ショット領域ショット領域A-Cの光硬化性樹脂の厚さのガス流量依存性の一例を示している。次に、被転写基板上における各ショット領域の光硬化性樹脂の厚さのガス流量依存性を用いた、ショット領域毎のガスフローレシピの作成方法の具体例について、図12aを用いて説明する。上述したように、ショット領域Cの揮発量のガス流量依存性は、被転写基板3の中心にあるショット領域32の揮発量のガス流量依存性とほぼ同じであった。そこで、図12bに示した複数のショット領域34の揮発量のガス流量依存性が、ショット領域Cの揮発量のガス流量依存性に近づくように、ガス流量を制御する。このガス流量の制御は、図9に示した四つのガスフローノズル41の一つまたは二つ以上を用いて行う。具体的には、ガス流量=L0において、複数のショット領域34の揮発量の各々が、ショット領域Cの揮発量Vcに近づくように、つまり、揮発量のばらつきが一定以下になるように、ガス流量の設定レシピを決定する。例えば、ガス流量=L0において、ショット領域34の揮発量とショット領域Cの揮発量との差の絶対値が、光硬化性樹脂の厚さに換算して5nm以下になるように、ガス流量の設定レシピを決定する。なお、上記の例は、ガス流量=L0の一点において、揮発量のばらつきが一定以下になるように、ガス流量の設定レシピを決定したが、精度を高めるために、複数のガス流量値において、揮発量のばらつきが一定以下になるように、ガス流量の設定レシピを決定しても構わない。また、ガス流量を制御する代わりに、ガスの流れ方向を制御することで、あるいは、ガス流量およびガスの流れ方向を制御して、揮発量のばらつきが一定以下にすることも可能である。[ステップS3’’]ステップS2’’で作成したドロップレシピおよびガスフローレシピに基づいて、ショット領域上に光硬化性樹脂を滴下する。[ステップS4,S5]第1の実施形態と同様に、周知のアライメント工程、インプリント工程、硬化工程、離型工程およびその他の工程S4、ならびに、周知のエッチング工程およびその他の工程S5を行う。なお、本実施形態においても、第2の実施形態と同様に、欠陥検査の結果をフィードバックして樹脂パターンを再形成するリーワクを行っても構わない。かくして本実施形態によれば、中央部と周辺部とで硬化性樹脂上に流すガスの流量およびガスの流れ方向の少なくとも一方を変えることにより、被転写基板の面内における光硬化性樹脂の量のばらつきを十分に小さくできるようなり、その結果として、基板上にパターンを形成する際におけるパターン欠陥の発生を抑制できるようになる。付記1基板上に形成する硬化性樹脂の量を決定すること、前記硬化性樹脂は揮発性を有すること、前記硬化性樹脂の前記量は、前記硬化性樹脂が揮発により減少する分を考慮した計算により、決定されること、前記計算は、前記基板の複数の領域の各々について行われること、前記基板上に前記決定された量の硬化性樹脂を形成すること、前記硬化性樹脂を形成することは、前記基板の前記複数の領域の各々について行われること、前記基板上に形成した前記硬化性樹脂にテンプレートを接触させること、前記テンプレートは、前記接触させることにより、前記硬化性樹脂により充填されるパターンを具備すること、および前記硬化性樹脂に前記テンプレートを接触させた状態で前記硬化性樹脂を硬化することを含むことを特徴するパターン形成方法。2前記計算は、前記複数の領域の各々に所定の厚さを有する硬化性樹脂を形成するために必要な前記硬化性樹脂の初期量を、前記硬化性樹脂が揮発により減少する分を考慮せずに、決定するための第1の計算、前記第1の計算は、前記基板の前記複数の領域の各々について行われること、および前記基板の前記複数の領域の各々における硬化性樹脂の揮発量の分布に基づいて、前記複数の領域の各々に前記所定の厚さを有する前記硬化性樹脂が形成されるように、前記第1の計算によって得られた前記硬化性樹脂の初期量を補正するための第2の計算を含むことを特徴とする1に記載のパターン形成方法。3前記計算は、前記基板の外周部に形成する前記硬化性樹脂の量が、前記基板の中心部に形成する前記硬化性樹脂の量よりも多くなるように行われることを特徴とする1に記載のパターン形成方法。4前記計算は、前記複数の領域の各々に所定の厚さを有する硬化性樹脂を形成するために必要な前記硬化性樹脂の量を決定するための第1の計算、前記第1の計算は前記硬化性樹脂が揮発により減少する分を見込まずに行われること、および前記複数の領域の各々に前記所定の厚さを有する前記硬化性樹脂が形成されるように、前記第1の計算によって得られた前記硬化性樹脂の量を補正するための第2の計算、前記第2の計算は前記テンプレートに代わりにブランクテンプレートを用いて前記複数の領域の各々に形成されたパターンの厚さに基づいて行われることを特徴とする1に記載のパターン形成方法。5前記複数の領域は、前記基板の中央部以外の部分に対応することを特徴とする1に記載のパターン形成方法。6前記硬化した硬化性樹脂から前記テンプレートを離すことで、第1のパターンを前記硬化性樹脂に形成すること、および、前記第1のパターンに基づき、第2のパターンを前記基板に形成することをさらに含むことを特徴とする4に記載のパターン形成方法。7前記第2のパターンを形成する前に前記第1のパターンを検査することをさらに含むことを特徴とする6に記載のパターン形成方法。8前記第1のパターンが前記検査により許容できないと決定された時に、前記決定すること、前記形成すること、前記接触させること、前記硬化すること、および、前記離すことを再び行うことをさらに具備していることを特徴とする7に記載のパターン形成方法。9前記第1のパターンに基づき、第2のパターンを形成することは、前記第1のパターンをマスクに用いて、前記基板をエッチングすることを具備していることを特徴とする6に記載のパターン形成方法。10前記硬化性樹脂を硬化することは、前記硬化性樹脂に光を照射することを具備していることを特徴とする1に記載のパターン形成方法。11前記基板は、前記計算は行われないが前記硬化性樹脂が形成される部分を含むことを特徴する1に記載のパターン形成方法。12前記接触させることにより、前記硬化性樹脂により充填されるパターンは、凹部を有する大パターンと、前記大パターンの凹部よりも小さな凹部を有し、かつ、前記大パターンに隣接する小パターンとを具備し、前記大パターンに対しては多めの滴下量を設定するとともに前記小パターンには少なめの滴下量を設定することを特徴とすることを特徴する1に記載のパターン形成方法。13基板上に形成する硬化性樹脂の量を決定すること、前記硬化性樹脂は揮発性を有すること、前記基板上に前記決定された量を有する硬化性樹脂を形成すること、前記硬化性樹脂上にガスを供給しながら、前記硬化性樹脂にテンプレートを接触させること、前記テンプレートは、前記接触させることにより、前記硬化性樹脂により充填されるパターンを具備すること、前記基板の中央部上の前記ガスと前記基板の周辺部上の前記ガスとは、前記基板上において、前記硬化性樹脂の揮発量が一様になるように、異なる条件で供給されること、前記硬化性樹脂に前記テンプレートを接触させた状態で前記硬化性樹脂を硬化することを含むことを特徴とするパターン形成方法。14前記条件は、前記ガスの流量および前記ガスの流れの方向を含むことを特徴とする請求項13に記載のパターン形成方法。15前記硬化した硬化性樹脂から前記テンプレートを離すことで、第1のパターンを前記硬化性樹脂に形成すること、および、前記第1のパターンに基づき、第2のパターンを前記基板に形成することをさらに含むことを特徴とする13に記載のパターン形成方法。16前記第1のパターンに基づき、第2のパターンを形成することは、前記第1のパターンをマスクに用いて、前記基板をエッチングすることを具備していることを特徴とする15に記載のパターン形成方法。17前記硬化性樹脂を硬化することは、前記硬化性樹脂に光を照射することを具備していることを特徴とする13に記載のパターン形成方法。18基板上に形成する硬化性樹脂の量を決定すること、前記硬化性樹脂は揮発性を有すること、前記硬化性樹脂の前記量は計算により決定されること、前記計算は、前記基板の外周部に形成される前記硬化性樹脂の量が、前記基板の外周部に形成される前記硬化性樹脂の量よりも大きくなるように行われることを特徴するパターン形成方法。なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。"