第1の誘電体層を基板に提供するステップと、前記第1の誘電体層に、多数の水を含む細孔を画定するステップと、水を含む前記第1の誘電体層上に第2の誘電体層を設けるステップと、600°Cかそれ以下の温度で、前記第1および第2の誘電体層を水蒸気アニールするステップと、から構成されることを特徴とする誘電体層の高密度化方法。前記基板は水を通さない、請求項1に記載の方法。前記第1および第2の誘電体層を600°Cかそれ以下の温度で水蒸気アニールするステップによって、前記第1の誘電体層および前記第2の誘電体層の密度を高める、請求項1または請求項2に記載の方法。水蒸気アニールするステップの前に、前記第1の誘電体層はSiOxここで、x≠2を有する、請求項1~3のうちいずれか一項に記載の方法。前記第1の誘電体層はケイ素を含む重合体を有する、請求項1~4のうちいずれか一項に記載の方法。前記第1の誘電体層上に前記第2の誘電体層を設けるステップは、化学蒸着プロセスまたは回転塗布プロセスを有する、請求項1~5のうちのいずれか一項に記載の方法。前記第1の誘電体層上に前記第2の誘電体層を設けるステップは、前記回転塗布プロセスを有し、前記回転塗布プロセスは、ポリシラザン膜またはスピンオンガラス膜を前記水を含む第1の誘電体層上に回転塗布するステップを有する、請求項6に記載の方法。アニール後の前記第2の誘電体層のエッチング速度と熱酸化物のエッチング速度の比は1:1と1.25:1との間、または、1:1と1.1:1との間である、請求項1~7のうちいずれか一項に記載の方法。前記第1の誘電体層を前記基板に提供するステップは、前記第1の誘電体層を前記基板の上に形成するステップと、前記第1の誘電体層を水を有する流体と接触させるステップと、を含む、請求項1~8のうちいずれか一項に記載の方法。前記第1の誘電体層を前記基板の上に形成するステップは、回転塗布プロセス、または、化学蒸着プロセスを有する、請求項9に記載の方法。前記流体が蒸気または液体である、請求項9に記載の方法。前記第1の誘電体層を水を有する流体と接触させるステップは、前記第1の誘電体層の化学機械平坦化を有する、請求項9に記載の方法。前記第1の誘電体層を水を有する流体と接触させるステップは、前記第1の誘電体層を水溶液または水と接触させるステップを有する、請求項9に記載の方法。前記第1の誘電体層を水を有する流体と接触させるステップは、前記第1の誘電体層を水溶液の中または水の中に浸しておくステップを有する、請求項9に記載の方法。請求項1の方法で製造されたデバイス。請求項1の方法で製造されたリソグラフィテンプレート。インプリントリソグラフィテンプレートを製造する方法であって、多孔質層を溶融シリカ基板に提供するステップであって、前記多孔質層は多数の水を含む細孔を画定するステップと、水を含む前記多孔質層上にキャップ層を設けるステップと、前記多孔質層および前記キャップ層を、前記キャップ層の密度を高めるために、600°Cかそれ以下の温度で水蒸気アニールするステップと、を有する方法。前記多孔質層を前記溶融シリカ基板に提供するステップは、前記多孔質層を前記溶融シリカ基板の上に形成するステップと、前記多孔質層を水を有する流体と接触させるステップと、を含む、請求項17に記載の方法。前記キャップ層を前記水を含む多孔質層の上に設けるステップは、重合性材料を前記水を含む多孔質層に回転塗布するステップを有する、請求項17または請求項18に記載の方法。パターン形成キャップ層を前記水を含む多孔質層の上に形成するために、前記重合性材料をパターン形成するステップを更に有する、請求項19に記載の方法。前記多孔質層および前記キャップ層を水蒸気アニールするステップの前に、前記重合性材料をプリベークするステップを更に有する、請求項19または請求項20に記載の方法。請求項17の方法によって製造されるインプリントリソグラフィテンプレート。一般に、この明細書に記載されている主題の1つの革新的な態様は、水を含む多数の細孔を画定する第1の誘電体層を基板に提供するステップと、水を含む第1の誘電体層上に第2の誘電体層を設けるステップと、600°Cかそれ以下の温度で、第1および第2の誘電体層を水蒸気アニールするステップと、を含む方法で実施することができる。第2の誘電体層の密度は、水蒸気アニーリングの間に増加する。主題の別の革新的な態様は、上記のプロセスによって製造するデバイスを含む。主題の別の革新的な態様は、溶融シリカ上の多孔質層および高密度化されたキャップ層を含むナノインプリントリソグラフィテンプレートを、上記のプロセスによって、形成することを含む。これらの、そしてまた他の、実施形態は、1つまたは複数の次の特徴をそれぞれ選択的に含むことができる。場合によっては、基板は実質的に水を通さない。第1の誘電体層を備えた基板を提供するステップは、基板上に第1の誘電体層を形成するステップと、第1の誘電体層を水を含む流体に接触させるステップと、を含んでもよい。第1の誘電体層を基板の上に形成するステップは回転塗布プロセス、または、化学蒸着プロセスを含むことができる。アニールする前に、第1の誘電体層はSiOxここで、x≠2、および/または、ケイ素を含む重合体を含んでもよい。流体は、蒸気または液体であり得る。第1の誘電体層を水を含む流体に接触させるステップは、第1の誘電体層の化学機械平坦化を含むことができ、第1の誘電体層を水溶液または水と接触させ、そして、第1の誘電体層を水溶液または水の中に浸しておく、または、ちょっと浸したりする。第2の誘電体層を水を含む第1の誘電体層の上に設けるステップは、化学蒸着プロセスまたは回転塗布プロセスを含むことができる。第2の誘電体層を第1の誘電体層の表面上に設けるステップが回転塗布プロセスを含むとき、回転塗布プロセスは重合性材料例えば、ポリシラザン膜またはスピンオンガラス膜を、水を含む第1の誘電体層の上に回転塗布するステップを含むことができる。重合性材料は、パターン化された第2の誘電体層またはキャップ層を形成するために、パターン化、および/または、プリベークしてもよい。アニールした後、第2の誘電体層のエッチング速度と熱酸化物のエッチング速度の比は1:1と1.25:1との間の範囲、または、1:1と1.1:1との間の範囲であり得る。第1の誘電体層の密度は、アニーリングプロセスの間、第2の誘電体層の密度の増加と実質的に同時に、増加するであろう。本明細書において記載された方法およびデバイスの利点は、より低い処理温度で熱酸化物の様なSiO2の様な特性を達成するための、酸化ケイ素層の強化された高密度化を含む。熱酸化物の様な特性は、例えば、熱酸化物の密度に匹敵する密度、熱酸化物のエッチング速度に匹敵するエッチング速度などとして、明らかになる可能性がある。今日、使用されている典型的なナノファブリケーション技術は一般にインプリントリソグラフィと呼ばれている。典型的なインプリントリソグラフィプロセスは、米国特許出願公開第2004/0065976号明細書、米国特許出願公開第2004/0065252号明細書、米国特許第6、936、194号明細書などの数多くの刊行物に詳細に記載されており、米国特許出願公開第2004/0065976号明細書、米国特許出願公開第2004/0065252号明細書、米国特許第6、936、194号明細書は、ここに本発明の先行技術を開示している。上述の米国特許出願刊行物および特許の各々において開示されたインプリントリソグラフィ技術は、成形可能な重合可能な層へのレリーフパターンの形成と、そのレリーフパターンに相当するパターンを下にある基板に転写すること、とを含む。パターニングプロセスで容易に位置決めをするために、基板は移動ステージに連結してもよい。パターニングプロセスは、基板から間隔を置かれたテンプレート、および、テンプレートと基板との間に塗布される成形可能な液体を使用する。成形可能な液体は、凝固し、成形可能な液体と接触するテンプレートの表面の形状と同じであるパターンを有する硬質層を形成する。凝固の後、テンプレートは硬質層から分離され、テンプレートと基板は離れて間隔を開けられる。次に、基板および凝固層はさらに別のプロセスにかけられ、凝固層のパターンに相当するレリーフ像が基板に転写される。図1を参照すると、基板12にレリーフパターンを形成するのに使用するリソグラフィシステム10が例示してある。インプリントリソグラフィスタックは、基板12および基板に付着した1つまたは複数の層例えば、接着層を含んでもよい。基板12は、基板チャック14に連結してもよい。図示するように、基板チャック14は、真空チャックである。しかしながら、基板チャック14は、真空、ピンタイプ、溝タイプ、電磁石、その他同種のもの、またはこれらの組み合わせを含むいかなるチャックであってもよいが、これに限定されない。典型的なチャックは米国特許第6、873、087号明細書に記載されており、この米国特許は本願にとって有用な先行技術である。基板12および基板チャック14は、ステージ16で更に支えてもよい。ステージ16は、x軸、y軸およびz軸のまわりに運動してもよい。ステージ16、基板12および基板チャック14は、ベース図示せずにさらに配置してもよい。テンプレート18は、基板12から間隔を置いたところにある。テンプレート18は、基板12の方へと伸びるメサ20を含んでもよく、メサ20は、パターニング表面22を有する。更に、メサ20は、モールド20と呼ばれてもよい。テンプレート18および/またはモールド20は、溶融シリカ、石英、ケイ素、有機重合体、シロキサン重合体、シラザン重合体、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボン重合体、金属、硬化したサファイヤなど、またはこれらのあらゆる組み合わせを含む材料から形成されてもよいが、これに限定されるものではない。図示するように、パターニング表面22は、複数の間隔を置いた凹部24および/または凸部26によって定義されるフィーチャを有するが、本発明の実施形態はこのような構成に限定されない。パターニング表面22は、基板12の上に形成されるパターンの基礎を形成するあらゆる原型のパターンを定めてもよい。テンプレート18は、チャック28に連結してもよい。チャック28は、真空、ピンタイプ、溝タイプ、電磁石、および/またはその他類似のチャックタイプとして構成してもよいが、限定されない。典型的なチャックは米国特許第6、873、087号明細書に更に記載されており、米国特許第6、873、087号明細書は、ここに本明細書に参考として組み込まれたものとする。更に、チャック28は、チャック28および/またはインプリントヘッド30が、テンプレート18の作動を容易にするように構成されてもよいように、インプリントヘッド30に連結してもよいシステム10は、流体分配システム32を更に備える。流体分配システム32は、基板12上に重合性材料34を付着させるために用いてもよい。重合性材料34は、例えば、滴下分配、回転塗布、浸漬コーティング、化学蒸着CVD、物理蒸着PVD、薄膜分配、厚膜分配など、またはこれらのあらゆる組み合わせの技術を使用して、基板12に配置してもよい。重合性材料34例えば、インプリントレジストは、所望の体積を、モールド20と基板12との間で、設計検討によって決める前および/または後に、基板12に配置してもよい。重合性材料34は、米国特許第7、157、036号明細書および米国特許出願公開第2005/0187339号明細書に記載されている成分を含んでもよく、米国特許第7、157、036号明細書および米国特許出願公開第2005/0187339号明細書ともに、ここに本明細書に参考として組み込まれたものとする。図1および2を参照すると、システム10は、経路42に沿ってエネルギー40を導くために連結したエネルギー供給源38を更に備えてもよい。インプリントヘッド30およびステージ16は、テンプレート18および基板12を経路42で重ね合わせて配置するように構成してもよい。システム10は、プロセッサ54によって、ステージ16、インプリントヘッド30、流体分配システム32、供給源38またはあらゆるそれらの組み合わせと通信して調節されてもよいし、かつ、メモリ56に格納したコンピュータ読み出し可能プログラムで作動してもよい。インプリントヘッド30、ステージ16のどちらかまたは両方が、重合性材料34で実質的に充填される、モールド20と基板12の間の所望の体積を決定するために、それらの間の距離を変えてもよい。例えば、インプリントヘッド30は、モールド20が重合性材料34と接触するようにテンプレート18に力を加えてもよい。所要の体積が重合性材料34で実質的に満たされたあと、供給源38はエネルギー40、例えば、ブロードバンド紫外線放射、を発生し、重合性材料34を凝固させ、および/または、架橋結合させて基板12の表面44およびパターニング表面22の形状と一致させ、そして、基板12上のパターン層46を定まった形にする。パターン層46は、残留層48、および、凸部50および凹部52として示される複数のフィーチャを、凸部50が厚みt1を有し、残留層48が厚みt2を有する状態で含んでもよい。上記システムおよびプロセスは、米国特許第6、932、934号明細書、米国特許出願公開第2004/0124566号明細書、米国特許出願公開第2004/0188381号明細書、および米国特許出願公開第2004/0211754号明細書で言及されたインプリントリソグラフィプロセスおよびシステムで更に実現してもよく、米国特許第6、932、934号明細書、米国特許出願公開第2004/0124566号明細書、米国特許出願公開第2004/0188381号明細書、および米国特許出願公開第2004/0211754号明細書は、ここに本明細書に参考として組み込まれたものとする。重合性材料が滴下分配または回転塗布法によって基板に塗布されるナノプリントプロセスにおいて、ガスは、テンプレートが重合性材料と接触した後、テンプレートの凹部内部に閉じ込められてもよい。重合性材料が滴下分配法によって基板に塗布されるナノプリントプロセスにおいて、ガスは、基板、または、インプリントスタックに分配された、重合性材料またはインプリントレジストの液滴の間にさらに閉じ込められてもよい。すなわち、ガスは、液滴が広がるにつれて、液滴の間の間隙領域に閉じ込められてもよい。重合性材料が連続層を基板またはインプリントスタックの上に形成することができる速度、または、重合性材料が、テンプレートが重合性材料と接触した後、テンプレートフィーチャを満たすことができる速度を、ガスの逃げおよび溶解速度が制限する場合があり、それによって、ナノプリントプロセス全体を制限する。例えば、基板またはテンプレートは、基板とテンプレートの間に閉じ込められたガスを、実質的に通さなくてもよい。場合によっては、基板またはテンプレートに付着した重合体層は、ガスで飽和状態になる場合があり、その結果、インプリントスタックとテンプレート間のガスは、飽和重合体層に入ることが実質的にできず、そして、基板と基板またはインプリントスタックの間に閉じ込められたままになる。基板またはインプリントスタックとテンプレートの間に閉じ込められたままのガスは、パターン層の充填欠陥の原因となる可能性がある。インプリントリソグラフィプロセスにおいて、基板/インプリントスタックおよびテンプレートの間に閉じ込められたガスは、重合性材料、基板/インプリントスタック、テンプレート、または、あらゆるそれらの組み合わせを通して逃げてもよい。あらゆる媒体から逃げるガスの量は、閉じ込められたガスと媒体の間の接触領域によって影響される可能性がある。閉じ込められたガスと重合性材料との間の接触領域は、閉じ込められたガスと基板/インプリントスタックとの間の接触領域より小さく、かつ、閉じ込められたガスとテンプレートとの間の接触領域より小さい可能性がある。例えば、基板/インプリントスタック上の重合性材料の厚みは、約1μmより小さくてもよく、または約100nmより小さくてもよい。場合によっては、重合性材料は、十分なガスを吸収し、インプリンティングの前にガスで飽和する場合があり、その結果、閉じ込められたガスは、重合性材料に入ることが実質的にできない。対照的に、閉じ込められたガスと基板またはインプリントスタックとの間の接触領域、または、閉じ込められたガスとテンプレートとの間の接触領域は、比較的大きい場合がある。場合によっては、基板/インプリントスタックまたはテンプレートは、多孔質材料を含む場合があり、この多孔質材料は、基板/インプリントスタックまたはテンプレートへのガスの拡散を容易にするために、それぞれ選定された、平均細孔サイズおよび細孔密度または相対多孔率で細孔の多様性を定める。ある場合において、基板/インプリントスタックまたはテンプレートは、基板/インプリントスタックとテンプレートとの間に閉じ込められた、それぞれ、基板/インプリントスタックと基板との間の重合性材料から離れた方向から、そして、基板/インプリントスタックまたはテンプレートの方向へと向かう、ガスの輸送を容易にするために設計されている、多孔質材料の1つまたは複数の層または領域を含んでもよい。多孔質誘電体層は、能動素子を電気的に絶縁する絶縁層を提供するために、半導体装置、光導波管、その他同種のものなどの基板の上に形成してもよい。場合によっては、ナノインプリントリソグラフィテンプレートは、基板の上に形成される1つまたは複数の多孔質誘電体層を含む。誘電体層が形成される基板表面は、実質的に平らに形成してあってもよく、または、フィーチャ例えば、ナノパターンフィーチャを含んでもよい。誘電体層は、例えば、間隙充填層、パッシベーション層、金属間誘電体膜、プリメタル誘電体膜、浅溝素子分離、またはその他同種のものでもよい。誘電体層は、誘電体層の特性を改善するために密度を高めることができる例えば、誘電体層を通してのヘリウムガスの拡散を可能にするのに適切な多孔率を保つと共に、応力安定性または密度を増大させる。本明細書において、酸化ケイ素層の高密度化は、一般に、層の密度を増大すること、または、層内のケイ素に対する酸素の比率を変更すること例えば、増大させることを指す例えば、SiO15からSiO19まで、SixNyHzからSiO2まで、その他同種のもの。酸化ケイ素層の品質を改良することには、例えば、応力安定性例えば、ナノインプリントリソグラフィテンプレートのを増大させること、純度を増加させること、その他同種のことを含むことが可能である。誘電体層が形成される基板は、単層基板でも多層基板でもよい。実施例において、基板は、溶融シリカまたはシリコンウエハなどのケイ素を含む層を含む。場合によっては、基板または一番上の基板表面は、水を実質的に通さない。誘電体層は、同じ、または、別の異なる材料の2つ以上の誘電体層を含むことができる。例えば、第1の誘電体層は基板の上に形成することができ、そして、第2の誘電体層は第1の誘電体層の上に形成することができる。第1の誘電体層は、第1の誘電体層、第2の誘電体層、または両方の後続の高密度化を強化するために、第2の誘電体層を付着させる前に処理してもよい。本明細書において記載されているように、誘電体層は、結合再構成、酸化、または酸化剤、触媒、または反応物質水または酸素などの存在下での高密度化を受けることができる材料で形成してある。誘電体層のための適切な材料の例は、金属または半導体の酸化物または窒化物を含む。誘電体層に適する、ケイ素を含む材料の例には、酸化ケイ素、窒化ケイ素、およびケイ素を含む重合体ポリシラザンまたはスピンオンガラスなどを含む。高密度化の間の化学反応は、ケイ素-酸素結合を形成するために、ケイ素を含む材料と酸素または水の反応を含むことができる。酸化を受ける酸化剤および誘電材料に基づいて、副産物は、無い場合もあるし、または水素ガスおよび/またはアンモニアを含む場合もある。図3A~3Dには、第1の誘電体層を基板の上に形成し、水を第1の誘電体層の細孔に導入し、第2の誘電体層を水を含む第1の誘電体層の上に形成し、第1の誘電体層および第2の誘電体層をアニールして、同時に、第1および第2の誘電体層について、密度を高めおよび/または改良するプロセスを示す。高密度化は、湿式または乾式の酸化/アニールを含んでもよく、酸素の取り込み例えば、―Si―O―結合の形成と、および、水素、アンモニア、またはその他同種のものガス状の副産物として放出されるの形成を含む、化学反応を伴う。図3Aには、基板上に形成した第1の誘電体層102伴う基板100の側面図を示す。第1の誘電体層102は、化学蒸着CVD法例えば、プラズマ強化型CVD法、または当技術分野で知られた回転塗布プロセスによって基板100の上に形成してもよい。第1の誘電体層102の厚みは、1μm~10μmの範囲にある。実施例において、第1の誘電体層102は、SiOxを含む酸化ケイ素層を基板100の上に形成するために用いるPECVDプロセスによって形成し、ここで、x≠2すなわち、酸化ケイ素は実質的に純粋な二酸化ケイ素ではないである。第1の誘電体層102を形成するためのPECVDプロセスで、ケイ素を含む反応ガスは、SiH4、TEOSまたは他のケイ素を含む前駆物質を含むことができる。反応ガスは、プラズマの下で酸化剤によって酸化する。1つの実施例において、SiH4流量22sccmは、第1の誘電体層102を基板100の上に形成するために、Plasma―Therm700VLRPECVDシステム225°C、300mTorr、50Wで、N2O流量42sccmによって酸化させることができる。他の実施例において、第1の誘電体層102を、ポリシラザン層またはスピンオンガラス層を基板100の上に形成するために、回転塗布プロセスによって形成する。ポリシラザン層は、例えば、回転塗布SPINFIL600AZElectronicMaterialsから入手可能によって、基板100上に形成し、それから酸化して例えば、水蒸気アニールするステップによって酸化ケイ素層を形成してもよい。本明細書に参考として組み込まれたものとするShimizu他による米国特許出願公開第2007/0259106号明細書は、ポリシラザン組成物の水蒸気アニーリングを記載している。スピンオンガラスSOG層は、基板100上にSOG材料例えば、ハネウェルインターナショナル社から入手可能を回転塗布するステップによって形成してもよい。第1の誘電体層102は、多孔質層である。本明細書において、多孔質層とは、二酸化ケイ素SiO2より多孔質である層を指す。第1の誘電体層102を基板100の上に形成した後、第1の誘電体層は、水を含む流体例えば、蒸気または液体に接触し、水を含む第1の誘電体層104を形成する。第1の誘電体層を水を含む流体と接触させるステップは、例えば、第1の誘電体層を周囲条件に曝露するのではなく、むしろ、第1の誘電体層の細孔の中に水を慎重に導入するステップを含む。第1の誘電体層102を水を含む流体と接触させる実施例では、第1の誘電体層の化学機械平坦化CMPを含み、基板あるいは第1の誘電体層を、水、水溶液、もしくは水を含む蒸気例えば、水蒸気に曝露する、または、基板あるいは第1の誘電体層を水、水溶液、もしくは水を含む蒸気例えば、水蒸気、および、その他同種のものの中に、ちょっと浸したり、または、浸しておく。図3Bは、基板100上の水を含む第1の誘電体層104を示す。水を第1の誘電体層102の細孔に導入、つまり、取り入れ、水を含む第1の電磁体層104を形成した後、第2の誘電体層106を、水を含む第1の誘電体層の上に形成し、第1の誘電体層に水分を閉じ込める。図3Cは、水を含む第1の誘電体層104上の第2の誘電体層106を示す。水は、第2の誘電体層106を第1の誘電体層の上に形成する前に、第1の誘電体層104から意図的には消散させない。すなわち、例えば、第1の誘電体層104は、周囲条件に曝露してもよいが、第2の誘電体層106を、第1の誘電体層の上に形成させる前にアニールさせない。第2の誘電体層の厚みは、50nm~1μmの範囲にある。第2の誘電体層106は、例えば、CVDプロセス例えば、プラズマ強化型CVDプロセスまたは当技術分野で知られた回転塗布プロセスで形成してもよい。実施例において、第2の誘電体層106を、多孔質で水を含む第1の誘電体層104の上に、SiOxを含む酸化ケイ素層を形成するのに用いられるここで、x≠2、PECVDプロセスによって形成する。適切なPECVDプロセスの実施例は、第1の誘電体層102に関して上記されている。他の実施例において、第2の誘電体層106は、ポリシラザン層またはスピンオンガラス層を第1の誘電体層104の上に形成するために、回転塗布プロセスによって形成する。ポリシラザン層は、例えば、第1の誘電体層104上に、回転塗布SPINFIL600AZElectronicMaterialsから入手可能、プリベーキングし例えば、100°C~200°Cの温度で数分間、および後述するように水蒸気アニールして形成してもよい。SOG層は、水を含む第1の誘電体層104上にSOG材料例えば、ハネウェルインターナショナル社から入手可能を回転塗布して形成してもよい。第2の誘電体層106を、多孔質で水を含む第1の誘電体層104の上に形成した後、第1および第2の誘電体層を、水または水および酸素例えば、空気中の酸素の存在下で、600°Cかそれ以下例えば、550°Cかそれ以下の温度で、同時に水蒸気アニールし、硬化された第1の誘電体層108および硬化された第2の誘電体層110を、図3Dに示すように形成する。場合によっては、硬化された第1の誘電体層108および硬化された第2の誘電体層110は、それぞれ、第1の誘電体層102および第2の誘電体層106に比べて、より高い密度および/またはより大きな応力安定性および/またはSiO2または熱酸化物により近い成分を有する。図3Cに示すアセンブリを水蒸気アニールする間、反応物質または触媒例えば、水は、少なくとも2つの供給源、かつ、少なくとも2つの方向から第2の誘電体層106に入る、すなわち、水を含む第1の誘電体層104から第2の誘電体層106へ、および、環境内の水から例えば、第2の誘電体層を取り囲んでいる水蒸気から第2の誘電体層へ入る。したがって、硬化された第2の誘電体層110を形成するための、第2の誘電体層106の高密度化は、例えば、反応物質または触媒が実質的に一方向から密度を高める層に入る例えば、第2の誘電体層を取り囲んでいる水蒸気から第2の誘電体層に湿式の熱酸化プロセスよりも、より速くより完全に生じる。反応物質または触媒が実質的に一方向例えば、1つの表面または中間面を通してだけからアニールする層に入るときに、高密度化は、反応物質または触媒が入る表面で最初に発生し、数ナノメートル程度の厚さを有する高密度の皮膜を形成する。この高密度の皮膜は、反応物質または触媒が誘電体層の大半の部分に入る速度を減速し、その結果、一様に高密度化した層を提供するには極端に時間がかかることがあり得る。場合によっては、結果として生じるアニールした層は、不均質な場合があり、または、密度に勾配があり、表面に比べて大半の部分ではより低い密度である場合がある。水蒸気アニーリングプロセスの間、SiOxここで、x≠2を含む誘電体層例えば、PECVD層またはSOG層は、―Si―Hおよび―Si―OHが―Si―O―Si―結合に変換させられながら、xが2に近づく状態で、いくらか酸化する場合がある。同時に、誘電体層の酸化ケイ素の再構築が発生する可能性があり、その結果、層中の結合応力は減少させられ、または、応力安定性は増大させられる。水蒸気アニーリングプロセスの間、窒素を含む誘電体層例えば、ポリシラザン層は、水および酸素の存在下で酸化を受け、窒素が取り除かれ例えば、アンモニアの形で、そして―Si―O―Si―結合が形成されるプロセスにおいて酸化ケイ素または二酸化ケイ素を形成する。ポリシラザンの窒素を酸素に置き換え、酸化ケイ素を形成するステップによって、高い割れ限界値例えば、<1.0μmおよび基板に対する強力な付着力を有する純粋で密度の高いケイ素が与えられる。対照的に、SOGから水を取り除くステップによるゾル-ゲルスピンオンガラスSOGの密度を高めることによって、低い割れ限界値例えば、<0.5μmを有する不完全なケイ素が生じる。水蒸気アニールまたは硬化の後、硬化された第2の誘電体層110および/または硬化された第1の誘電体層108の密度は、熱酸化物の密度に匹敵する可能性がある。例えば、硬化された誘電体層のエッチング速度と熱酸化物のエッチング速度の比は、本明細書に記載されるように、1:1と1.25:1との間の範囲、または、1:1と1.1:1との間の範囲である可能性がある。硬化された誘電体層のヘリウム透過性と熱酸化物のヘリウム透過性の比は少なくとも2:1または3:1までである。図4は、基板上の誘電体層の密度を高めるためのプロセス200を示している流れ図である。202において、基板に、多孔質な第1の誘電体層を提供する。204において、第1の誘電体層内の細孔に水を導入する。206において、第2の誘電体層を、204において形成された水を含む第1の誘電体層の上に形成する。208において、水を含む第1の誘電体層および第2の誘電体層を、第1および第2の誘電体層の酸素分、および/または、密度、および/または、応力安定性を増大させるために、600°Cかそれ以下の温度で同時にアニールすることで、熱酸化物のような特性を硬化された第1および第2の誘導体層に与え、および/または、強化する。場合によっては、図4に示すプロセスは、少なくとも2.1g/cm3、少なくとも2.15g/cm3、または少なくとも2.18g/cm3の密度、これらは全て、熱酸化物の密度2.2g/cm3に匹敵する、を有する、第2の誘電体層および/または第1の誘電体層を与える。1つの実施形態において、ナノインプリントリソグラフィに用いられる多孔質テンプレートまたはフォトマスク上の第2の誘電体層またはキャップ層は、本明細書に記載されたプロセスを用いて高密度化できる。Sreenivasan他による米国特許出願公開第2004/0065976号明細書、Sreenivasan他による米国特許出願公開第2004/0065252号明細書、およびWattsに付与された米国特許第6、936、194号明細書は、ナノインプリントリソグラフィで用いる方法および装置を記載しており、Sreenivasan他による米国特許出願公開第2004/0065976号明細書、Sreenivasan他による米国特許出願公開第2004/0065252号明細書、およびWattsに付与された米国特許第6、936、194号明細書は、全て本明細書に参考として組み込まれたものとする。Fletcher他による米国特許出願公開第2010/0104852号明細書、Fletcher他による米国特許出願公開第2010/0109201号明細書、およびXu他による米国特許出願公開第2009/0140458号明細書は、ナノインプリントリソグラフィで用いる多孔質テンプレートを記載しており、Fletcher他による米国特許出願公開第2010/0104852号明細書、Fletcher他による米国特許出願公開第2010/0109201号明細書、およびXu他による米国特許出願公開第2009/0140458号明細書は、全て本明細書に参考として組み込まれたものとする。ナノインプリントリソグラフィにおいて、テンプレートまたはフォトマスクは、溶融シリカから製造する場合がある。溶融シリカは、高い機械的強度およびUV透過性を提供し、両方ともナノインプリントリソグラフィテンプレートにとって望ましい。しかしながら、溶融シリカは、ガス例えば、ヘリウムへの透過性が比較的限られており、インプリントリソグラフィプロセスのスループットを制限する可能性がある特性を有している。多孔質層を溶融シリカテンプレートに付け加えることで、テンプレートの中へのガスの拡散を強化することによって、ナノインプリントリソグラフィプロセスのスループットを増大できる。しかしながら、溶融シリカテンプレートの表面上の多孔質層は、適切な機械的安定性を与えない場合があり、したがって、インプリントリソグラフィプロセス中に損傷する可能性がある。高い機械的強度を維持しながら、ナノインプリントリソグラフィフォトマスクの透過性を増大させることは、溶融シリカのナノインプリントリソグラフィフォトマスク上に多孔質層を形成し、多孔質層の上に、薄くて比較的密度の高い層を形成することによって達成してもよい。図5Aおよび5Bは、溶融シリカベース層302、多孔質または第1の誘電体層304、およびキャップまたは第2の誘電体層306を有するナノインプリントリソグラフィテンプレート300の側面図である。図5Aに示すように、テンプレート300のインプリント表面は、実質的に平らである。図5Bに示すように、テンプレート300は多数のナノスケール凸部50および凹部52を含むすなわち、テンプレートはナノパターンである。テンプレート300は、第1の誘電体または多孔質の層304を溶融シリカベース層302の上に形成するステップと、水を多孔質層の細孔に導入するステップと、多孔質層上の第2の誘電体またはキャップ層306を形成するステップと、を含むプロセスによって形成してもよい。多孔質層304およびキャップ層306は、それぞれ、図3A―3Cにおいて示す、第1の誘電体層102または、104および第2の誘電体層106に関して記載されたと同じようなプロセスで同じような材料を使って形成されてもよい。場合によっては、多孔質層304は、低誘電率誘電体材料を含む。多孔質の層304およびキャップ層306は、例えば、キャップ層の密度および多孔質層の応力安定性を増大するために、600°Cかそれ以下の温度で水蒸気アニールすることができ、高密度化の後、キャップ層306は、ナノインプリントリソグラフィテンプレートとして用いるための適切な機械的強度を与える。しかしながら、キャップ層306は、キャップ層の下の多孔質の層304と共に、多孔質層なしのシリカテンプレートに比べて、テンプレートへのより急速なガスの拡散を可能とする。キャップ層306のヘリウム透過性の増大は、熱酸化物の密度に匹敵する密度と共に、望ましい機械的特性を与え、第1の誘電体層を通して多孔質層304へのヘリウムの急速な拡散を可能とし、それによって、パターン形成インプリントリソグラフィテンプレートのフィーチャを、ヘリウム環境でのインプリントレジストによって、急速に満たすことを容易にする。比較実施例。約4μmの厚みを有する多孔質の酸化ケイ素層SiOx、ここでx≠2は、PECVDプロセスでシリコン基板の上に形成した。PECVDプロセスでは、SiH4流量22sccmをPlasma-Therm700VLRPECVDシステム225°C、300mTorr、50WのN2O流量42sccmによって酸化させた。そして、第2の誘電体層は、約0.5μmの厚みを有するポリシラザンSPINFIL600の層を多孔質の酸化ケイ素層の上に回転塗布するステップによって形成した。第2の誘電体層を乾燥またはプリベークした後、基板/誘電体層アセンブリは、H2OおよびO2の存在下で550°Cで水蒸気アニールした。実施例。約4μmの厚みを有する多孔質酸化ケイ素層SiOx、ここでx≠2は、比較実施例のために記載したPECVDプロセスと類似したPECVDプロセスでシリコン基板の上に形成した。化学機械平坦化CMPを、酸化ケイ素層の表面を研磨するために用いた。CMPプロセスは、カボット半導体SemiSperse12Eスラリー研磨圧=2psi、背圧=1.5psi、パターン回転数/分=90、ヘッド回転数/分=85、ヘッドサイズ=4インチ、研磨時間=1分を用いて、IPEC/WestechModel373MのCMPシステムによって実行した。CMPプロセスの間、水を多孔質の酸化ケイ素層の細孔に導入した。そして、第2の誘電体層は、約0.5μmの厚さを有するポリシラザンSPINFIL600の層を、水を含んだ多孔質の酸化ケイ素層の上に回転塗布するステップによって、比較実施例のために上記したプロセスと類似したプロセスで形成した。水を含んだ多孔質の酸化ケイ素層は、第2の誘電体層を基板の上に形成する前にはアニールしなかった。第2の誘電体層を乾燥またはプリベークした後、基板/誘電体層アセンブリは、比較実施例のために上記したプロセスと類似したプロセスで、550°Cで水蒸気アニールした。実施例および比較実施例の特性を評価し、そして、第1および第2の誘電体層のエッチング速度を熱酸化物のエッチング速度と比較した。表1は、実施例および比較実施例で形成した、水蒸気アニールされた多層基板の特性を一覧にしたものである。処理中において第1の誘電体層へ水が導入されないすなわち、CMPなし比較実施例では、550°Cで引張り膜応力を示した。第2の誘電体層の割れは、600°Cで観察された。処理中において第1の誘電体層へ水が導入されるすなわち、第1の誘電体層のCMP実施例では、550°Cおよび600°Cで圧縮膜応力を示し、600°Cまで割れは無かった。圧縮応力を有する誘電体層は、引張り応力を有する誘電体層に比べて、より丈夫で、したがって、より望ましいであろう。実施例および比較実施例の第1の誘電体層および第2の誘電体層のエッチング速度は、エッチング液として界面活性剤J.T.Bakerから入手可能を用いる20:1バッファードオキサイドエッチングBOEを用いて、室温で評価した。実施例および比較実施例のために、550°Cでアニールした第1の誘電体層のエッチング速度と熱酸化物のエッチング速度の比および550°Cでアニールした第2の誘電体層のエッチング速度と熱酸化物のエッチング速度の比を、表1に示す。表1に示すように、実施例の第2の誘電体層SPINFIL600のエッチング速度は、熱酸化物のエッチング速度よりわずか10だけ大きい。この強化された高密度化は、熱酸化物の特性に匹敵する特性を有する高品質の酸化ケイ素層を与える、しかし、熱酸化のために必要とされる温度例えば、1000°Cより非常に低い温度例えば、550°Cで達成される。比較実施例の第2の誘電体層SPINFIL600のエッチング速度は、熱酸化物のエッチング速度より50だけ大きい。実施例の第1の誘電体層PECVD酸化ケイ素のエッチング速度は、熱酸化物の約45倍のエッチング速度であり、比較実施例の第1の誘電体層PECVD酸化ケイ素のエッチング速度は、熱酸化物のエッチング速度より約70倍大きい。したがって、実施例の第1PECVDおよび第2SPINFIL600の誘電体層の両方は、それぞれ、比較実施例の第1PECVDおよび第2SPINFIL600の誘電体層より高密度である。水を含む第1の誘電体層での水の存在例えば、第1の誘電体層において閉じ込められる湿気の存在は、水蒸気アニーリングプロセス中に、第1および第2の誘電体層の高密度化を強化することを示し、熱酸化物のエッチング速度に驚くほど類似した、しかし、大変に低い温度で達成されたエッチング速度を有する第2の誘電体層SPINFIL600に結果としてなる。多孔率の指標として、表1は、実施例のヘリウム充填時間は、比較実施例のヘリウム充填時間の2倍を上回ったことを示している。ヘリウム充填時間は、第2の誘電体層に配置される重合性材料例えば、インプリントレジストのヘリウム環境での滴下が、インプリンティングプロセスの各滴下の間の間隙領域を満たすのに必要な時間に相当する。インプリントレジストによる間隙領域の充填は、間隙領域での、例えば、多孔質層へのすなわち、第2の誘電体層を介した第1の誘電体層へのヘリウムの拡散に相当する。したがって、表1で示すヘリウム充填時間は、実施例の多層基板は、比較実施例の多層基板より多孔質でないより高密度であることを示している。ヘリウム充填時間はFletcher他による米国特許出願公開第2010/0104852号明細書に記載されており、ナノインプリントリソグラフィテンプレートを通して撮られたヘリウム環境でのインプリントレジストの滴下の像を示している。ナノインプリンティング試験の間の実施例のためのヘリウム充填時間は、2.1秒であり、熱酸化物の第2誘電体に対する約5~6秒のヘリウム充填時間と比較される。したがって、実施例は、熱酸化物に匹敵する機械的強度、および、熱酸化物よりおよそ2~3倍のガス拡散特性を示しており、強度と多孔質の好ましく、かつ、予想外の組合せを示している。比較実施例のヘリウム充填時間は1秒であるが、この増大された多孔率は望ましくない引張り応力、および、600°Cでアニールするときに割れを伴う。本明細書は具体的な実施態様の詳細を多く含んでいるが、いかなる発明や特許請求内容の範囲を制限すると解釈されるべきではなく、むしろ特定の発明の特定な実施形態の特徴の記述として解釈されるべきである。本明細書において、別個の実施形態の文脈で記載された幾つかの特徴は、組み合わせて、単一の実施形態として実施してもよい。逆に、単一の実施形態の文脈で記載した様々な特徴は、複数の実施形態として別個に実施してもよく、適切な如何なる部分的組合せとして実施してもよい。さらに、以上では、幾つかの特徴を、ある組合せで機能するものと説明しているが、初期的には、そのように特許請求している場合であっても、特許請求された組合せからの1つまたは複数の以上の特徴は、幾つかの場合、組合せから除外でき、特許請求された組合せは、部分的組合せまたは部分的な組合せの変形に変更してもよい。以上、主題の特定の実施形態を記載した。他の実施形態は、次の請求項の範囲内にある。場合によっては、請求項において詳述される動作は、別の順序で実行されることができ、なお望ましい結果を達成することができる。加えて、添付の図において示したプロセスは、望ましい結果を達成するために、示した特定の順序、または、時系列的な順序を必ずしも要求するものではない。