"ダイ配列を有するウェハを担持するためのアクティブキャリアであって、ベースプレートと、前記ベースプレートの表面又は内部に構築され、且つ前記ダイ配列から選択されたダイに近接する接着層に局所的にエネルギー供給するように構成されて前記ダイ配列に対応する配列にレイアウトされた、複数のエネルギー供給部であり、前記選択されたダイを前記接着層から解放することを可能にする複数のエネルギー供給部と、外部からアドレス可能な複数のコンタクトと、前記コンタクトを前記エネルギー供給部に接続し、それにより、前記コンタクトをアドレス指定することによる前記複数のエネルギー供給部の個別制御を可能にするように構成された伝導路と、を有するアクティブキャリア。前記エネルギー供給部は抵抗を有する、請求項1に記載のアクティブキャリア。前記エネルギー供給部はLEDを有する、請求項1に記載のアクティブキャリア。前記エネルギー供給部はVCSELを有する、請求項1に記載のアクティブキャリア。前記接着層を更に有する請求項1乃至4の何れかに記載のアクティブキャリア。前記接着層は、熱的に切替可能あるいは熱的に可逆的な接着材を有する、請求項5に記載のアクティブキャリア。前記接着材は、ディールスアルダー反応、マイケル反応、ニトロソ二量化反応、エステルを形成する環状無水物反応、脂肪族イオネン形成反応、ウレタン形成、及びアズラクトン-フェノール付加物形成反応、のうちの1つで形成された架橋を有する、請求項5又は6に記載のアクティブキャリア。前記接着層は、前記エネルギー供給部によって活性化されることが可能なガス発生剤を有する、請求項5乃至7の何れかに記載のアクティブキャリア。当該アクティブキャリアは更に、前記エネルギー供給部と前記接着層との間に、前記エネルギー供給部のエネルギーを伝導するエネルギー伝導材料を有する、請求項1乃至8の何れかに記載のアクティブキャリア。当該アクティブキャリアは、薄化されたウェハを付着された状態で半導体ウェハ処理装置に構造的に適合するように寸法決めされている、請求項1乃至9の何れかに記載のアクティブキャリア。前記ベースプレートはフレキシブルフォイルを有し、当該アクティブキャリアは使い捨てキャリアである、請求項1乃至10の何れかに記載のアクティブキャリア。複数のダイのアクティブな解放及びピックアップのための方法であって、アクティブキャリア、ピックアップツール、コントローラ、及び複数のダイを用意するステップであり、前記複数のダイは、前記アクティブキャリアに接着され、且つダイ配列にレイアウトされ、前記アクティブキャリアは:-接着層と、-ベースプレートと、-前記ベースプレートの表面又は内部に構築され、且つ前記ダイ配列から選択されたダイに近接する前記接着層に局所的にエネルギー供給するように構成されて前記ダイ配列に対応する配列にレイアウトされた、複数のエネルギー供給部であり、前記選択されたダイを前記接着層から解放することを可能にする複数のエネルギー供給部と、-外部からアドレス可能な複数のコンタクトと、-前記コンタクトを前記エネルギー供給部に接続し、前記コンタクトをアドレス指定することによって前記複数のエネルギー供給部の個別制御を可能にするように構成された伝導路と、を有する、用意するステップと、繰り返すステップであり、-前記コントローラを用いて、前記選択されたダイに近接する前記接着層に局所的にエネルギー供給するよう、前記選択されたダイに近接する少なくとも1つのエネルギー供給部を作動させ、それにより前記選択されたダイを前記接着層から解放するステップと、-前記ピックアップツールを、前記選択されたダイの付近に前記ピックアップツールを位置付け、前記選択されたダイに前記ピックアップツールを付着させ、前記選択されたダイを前記ピックアップツールでピックアップし、且つ前記選択されたダイを指定の目的位置まで運ぶように制御するステップと、を有する方法。前記接着層を介して前記アクティブキャリアに接着されるウェハを用意し、該ウェハを前記ダイ配列に従って複数のダイへとダイシングするステップ、を先行して有する請求項12に記載の方法。前記接着層を介して前記アクティブキャリアに接着されるウェハを用意し、該ウェハを半導体ウェハ処理装置にて処理するステップ、を先行して有する請求項13に記載の方法。前記ダイ配列は、複数の破断線を個々のダイ間に有し、前記接着層はガス発生剤を有し、且つ前記接着層を失活させることは、前記ガス発生剤を活性化させることを有し、それにより発生されたガスの膨張力が、選択されたダイを囲む前記破断線に沿った破断を生じさせて、前記選択されたダイを前記ダイ配列から分離する、請求項12乃至14の何れかに記載の方法。故に、より薄いダイ厚さ、特に20μmの薄さ、へと進むとき、ピックアップのためのその他の装置及び/又は方法が必要となる。第1の態様において、ウェハを担持するためのアクティブキャリアが提供される。ウェハは特定のダイ配列を有する。当該キャリアは、ベースプレートと、該ベースプレートの表面又は内部に構築された複数のエネルギー供給部とを有する。エネルギー供給部は、ダイ配列に対応する配列にレイアウトされている。エネルギー供給部は、ダイ配列から選択されたダイに近接する接着層に局所的にエネルギー供給することができる。この局所的な接着層へのエネルギー供給により、ダイが接着層から解放される。さらに、アクティブキャリアは、外部からアドレス可能な複数のコンタクトと伝導路とを有する。伝導路は、コンタクトをエネルギー供給部に接続し、それにより、コンタクトをアドレス指定することによる前記複数のエネルギー供給部の個別制御を可能にする。第2の態様において、複数のダイのアクティブな解放及びピックアップのための方法が提供される。このため、接着層を更に有する本発明の第1の態様に従ったアクティブキャリアが用意される。さらに、ピックアップツール、コントローラ、及び複数のダイが用意される。これらのダイは、アクティブキャリアに接着され、且つ特定のダイ配列にレイアウトされる。アクティブな解放及びピックアップのための方法のステップ群は、任意の順序で以下のステップを有する。アクティブ解放ステップにおいて、コントローラを用いて、ダイ配列から選択されたダイに近接する少なくとも1つのエネルギー供給部が作動させる。このエネルギー供給部からのエネルギーが、選択されたダイに近接する接着層に局所的にエネルギー供給する。それにより、選択されたダイが接着層から解放される。ピックアップステップにおいて、ピックアップツールが、選択されたダイの付近に位置するように制御される。そして、選択されたダイにピックアップツールが付着され、選択されたダイがピックアップツールによってピックアップされる。そして、選択されたダイは、指定の目的位置まで運び去られる。以下の特定の実施形態の説明及び添付図面から、他の目的、特徴及び利点が明らかになる。これらの実施形態は、ここに開示されるシステム及び方法を当業者が実施することを可能にするよう十分詳細に説明される。理解されるように、他の実施形態が使用されてもよく、また、本システムの精神及び範囲を逸脱することなく構造的及び論理的な変形が為され得る。説明において、相等しい部分又は対応し合う部分は、同一あるいは対応する参照符号を有する。ここに示される典型実施形態は、決して限定的なものではなく、単に例示としての役割を果たすものとして解釈されるべきである。図面に示される模式的な記号及び形状は、単に、システムの構成要素を例示するために使用されている。形状、大きさ又は外観における如何なる特定の限定も意図されていない。故に、以下の詳細な説明は限定的な意味で解釈されるべきでなく、本システムの範囲は添付の請求項のみによって定められるものである。また、明瞭化目的で、本システムの説明をぼんやりさせないよう、周知の装置、回路及び方法の詳細な説明は割愛する。図1は、ウェハから半導体ダイ14を製造する従来プロセス110と、アクティブキャリア1を用いる本発明の第2の態様に係る方法100との比較を示している。言及しておくに、パッシブキャリアとダイシングテープ15との組合せの代わりにアクティブキャリア1を用いることにより、ウェハをキャリアから分離してダイシングテープに再付着させる必要がなく、故に、処理工程D-Fを省略して、より高いスループット及びより低いCoOが得られる。また、埋め込み式エネルギー供給部によって提供される柔軟性及び正確性が、例えば:-例えばダイ当たり複数のソースをアクティブにすることによる、様々なダイサイズ;-複数のダイの並行解放;-例えばキャリアの周りで横方向に広がることが可能なエネルギーをウェハ裏面から外に向けて放射することによってよりも正確な、ダイの周りの局所位置での接着の解放;-例えば接着材のみを照射することによる、外部ランプを用いてダイの頂部を照射するときには不可能な、ダイ内へのエネルギー付与によるダメージの回避;を可能にする。図2は、イジェクタキャップ5の頂部の接着ダイシングテープ15に貼り付けられたダイ14の伝統的なピックアップ手法図1の工程Hを示している。この場合、ダイ14の剛性はダイシングテープ15のそれより高い。針6がテープ及びダイを下方から押すとき、ダイの高めの剛性がダイを真っ直ぐに保ち、テープが、周囲のテープ及び真空力V2によって部分的に保持されて、側方から引かれて剥離される。ダイシングテープ15が部分的に剥離されると、ピックアップツール4がダイ14をイジェクタキャップ5からピックアップすることを可能にするのに十分なように薄層力が低減される。この場合のピックアップは、ピックアップツール4のノズルを介して真空V1を印加することによって実行される。ダイ14を効果的に真空吸引するため、この真空は周囲より強い、すなわち、低い圧力である必要がある。ダイとテープとの間での剛性の差が過度に小さい場合、例えば、より薄いダイの場合、ダイはテープと実質的に同じように丸まり始め、剥離を開始させるエッジ応力が発生しないことになる。或る特定の問題が、テープの粘着力が過度に高く且つ針のプッシュ動作がダイを屈曲伸張させてダメージを生じさせるときに発生する。図3は、ベースプレート2の頂部の接着層3に幾つかのダイが接着されたキャリア1の一実施形態を示している。各ダイ14に対して、ベースプレート2の内部に、エネルギーZを発することが可能な対応するエネルギー供給部7が設けられている。エネルギー供給部7は、ベースプレート2の内部に埋め込まれ、外部からアドレスを指定することが可能アドレス可能なコンタクト12例えば、コンタクトパッドに伝導路9例えば、ワイヤを介して接続される例えば図5を参照。それらコンタクトパッド12は好ましくは、キャリアの底面に埋め込まれる。斯くして、それらコンタクトは、同一平面にあり、キャリアの面から突出せず、且つ、好ましくは700μm未満であるキャリアの均一な高さを妨げない。キャリアは故に、ウェハこれは典型的に、700μm厚で200mm又は300mmの直径のディスクとして寸法を定められるとして半導体ウェハ処理装置によってハンドリングされることができる。標準的なデバイスウェハ寸法は、例えば、SEMIM1―SpecificationforPolishedSingleCrystalSiliconWafers研磨した単結晶シリコンウェハの仕様内に見出すことができる。図3に示した実施形態においては、ダイ14当たり1つのエネルギー供給部7が設けられている。他の実施形態においては、ダイ14当たり複数のエネルギー供給部7が設けられて、それらエネルギー供給部が、選択されたダイ14を接着層3から解放するように個別に活性化あるいは組み合わせて活性化され得るように、ダイ配列Pに対応するエネルギー供給部7の配列が設けられる。代替的に、エネルギー供給部は、隣接し合う1つ以上のダイを保持する接着層又はその一部に部分的にエネルギー供給するように配列されることもできる。それら隣接ダイを保持する接着層に事前エネルギー供給することにより、それら隣接ダイが次のサイクルで解放されるべき場合に時間を節減することができる。一実施形態において、アクティブキャリアは、例えば圧力及び/又は接着剤の加熱によって接着層に接着されるウェハを供給される。この熱は、場合により、内蔵エネルギー供給部によって供給されることができる。ウェハがアクティブキャリアに貼り付けられた後、これらが共に半導体ウェハ処理装置に供給され、そこでウェハは、例えば、研削又はエッチングによってウェハの厚さを減少させる処理工程など、様々な種類の処理に掛けられる。その他の種類の処理には、有機層又は無機層の堆積、熱処理、ドライ及びウェットのエッチング、レジストのコーティング、現像及び剥離、リソグラフィなどが含まれる。処理後あるいは処理中に、ウェハをダイ配列P例えば図9参照内の個々のダイへと分割するため、ウェハは、例えば破断線へのレーザ印加によって、切断あるいは部分的に切断される。なお、この時点では、個々のダイは依然としてアクティブキャリアに貼り付けられている。故に、アクティブキャリアを用いることによって、ウェハを別個のダイシングテープに移動させる必要がないので、すなわち、工程D-F図1参照を省略することができるので、この方法は従来の処理工程とは異なる。ダイシング後、アクティブキャリア1からダイが1つずつ或いは並行してピックアップされる。この目的のため、ピックアップツール4が、ダイ配列P内の選択されたダイ14の付近この例では上方に位置付けられ、例えば真空ノズルを用いて、該ダイ14に付着される。選択されたダイ14の下の接着層3に局所的にエネルギー供給し、それにより選択されたダイ14を接着層3から解放するために、コンタクトパッド12に添えられたコントローラ24が、選択されたダイ14の近傍の1つ以上のエネルギー供給部7を稼働させる。接着層3の局所的な失活により、ダイ14は、ピックアップツール4によって持ち上げられ、指定位置例えば、3Dスタックに置くために持ち去られることができる。この局所エネルギー供給は、ダイ配列Pを保持する接着層3の選択部分、特に、選択されたダイ14をアクティブキャリア1に拘束している接着層3の部分に制限される。接着層のこの部分のみにエネルギー供給することにより、活性化されたエネルギー供給部によって非選択ダイが解放されることがないまま、選択ダイが解放される。これは、例えば、エネルギー絶縁材料17を用いてエネルギー供給部とそれに対応しないダイとの間でのクロストークを分離しながら、エネルギー伝導材料8を用いてエネルギー供給部と対応するダイとの間のエネルギー伝導を促すことによって達成されることができる。例えばLED発光ダイオード又はVCSEL垂直キャビティ面発光レーザといった、放射線の放出によって動作するエネルギー供給部の場合、エネルギー伝導材料8は、例えば、エネルギー供給部の放出周波数に対して透明な材料であり、エネルギー絶縁材料17は、エネルギー供給部の放出周波数を反射する材料を含む。対応して、例えば薄膜抵抗Rといった、熱の放出によって動作するエネルギー供給部7の場合、エネルギー伝導材料8は、熱をよく伝導する材料を含み、エネルギー絶縁材料17は、乏しい熱伝導を有する材料例えば、SiO2を含む。熱伝導材料には例えば銅を用いることができ、例えばSiO2などの薄い電気的且つ化学的なパッシベーション層によって絶縁される。エネルギー伝導材料8が有する伝導体8はまた、点状のソース源であるエネルギー供給部7からの例えば熱又は光を、ダイ14が接着層3に貼り付けられている表面に対応する局所的な表面上に広げることにも使用されることができる。実用的な一実施形態において、アクティブキャリアは、薄い回路層例えば、薄膜抵抗及び伝導路9が頂部に設けられた、例えば600-700μm厚の、ガラスベースプレート2を有する。この回路は、薄いパッシベーション層によって覆われる。パッシベーション層は、耐久性があり、熱伝導性であり、且つ電気絶縁性である。パッシベーション層の典型的な厚さは1μm程度である。この層がもっと厚いとき、熱伝導が悪化し、熱膨張係数の差に起因してキャリアが屈曲し得る。シリコンに対するガラスベースプレートの利点は、それが透明なことである。これは、例えば、ダイシング中のアライメントのため、貼り付けられたウェハ上のパターンを観察するために、キャリアの裏から眺めることを可能にする。ベースプレートにガラスを用いることの他の1つの利点は、ガラスの主成分であるSiO2は低い熱伝導を有し、それを良好な絶縁体にすることである。故に、熱が好ましいことに、より厚い背面層ではなく、薄い正面層内を移動することになる。また、接着材は、熱伝導要素を有していてもよい。回路は、例えばTSVを作り出すことによって、ベースプレート2の背面のコンタクトパッド12に接続され得る。熱エネルギーを用いて動作するキャリアの実施形態の材料を決定する際の重要な検討事項は、材料の熱膨張係数が少なくとも或る一定の許容範囲内で整合することであり、例えば、銅とSiO2との組合せを使用することができる。伝統的に使用されているSiNより高い熱伝導を有する好適なエネルギー伝導材料8の例は、炭化珪素SiC、窒化アルミニウムAlN、及びダイアモンド状カーボンDLCである。これらの材料は、適切な熱伝導と電気絶縁とをなおも維持しながら、より厚い、ひいては、より堅牢な層を可能にする。例えばレーザビームなどを用いた局所的な処理により、このようなセラミックはガラス化、すなわち、アモルファスにされることができ、それが熱伝導率の低減につながる。斯くして、伝導体8は、例えば、解放するよう選択されていない隣接ダイへの望ましくない横方向の熱拡散を防止するため、境界部17を熱伝導材料からもっと断熱性の材料へと転換することによって容易に寸法決めされることができる。特定の一実施形態において、エネルギー供給部は、抵抗体中を電流が流れる結果として昇温する単純な抵抗素子R例えば、薄膜抵抗を有する。この熱は、エネルギー供給部7とダイ14との間に高い熱伝導係数を有する伝導材料8を選択することによって、主として、対応するダイを保持する接着材の方に導かれることができる。また、エネルギーの流れは、エネルギー供給部7同士間及び/又はそれとベースプレート2の背面との間にエネルギー絶縁材料の境界部17を設けることによって、更に方向付けられ得る。さらに、抵抗素子は、接着層の近くに置かれてもよく、可能であればベースプレート2と接着層3との間の面に置かれてもよい。他の一実施形態において、エネルギー供給部は、例えばLED又はVCSELなどの発光性のエネルギー供給体を有し得る。発光エネルギー供給体の放射周波数を、この周波数がエネルギー供給部7とダイ14との間のキャリアのエネルギー伝導透明層8の吸収帯域と重ならないように選定することによって、特定の利点が達成され得る。斯くして、キャリアは放射性エネルギー供給部の放射によって昇温されない。そして、光は接着材又はダイによって吸収され得る。さらに、接着材がまた、選択された周波数の光を伝達するように選定される場合、この伝達光は主としてダイによって吸収されることになる。斯くして光がダイを加熱するとき、この熱は主として、ダイと接触している下地の接着層へ拡散し、ひいては、非常に局所的に接着材を失活させることになる。ダイの裏面を介したこの加熱の1つの利点は、熱がダイ側から接着層内へ拡散し、故に、ダイ側から接着材を失活させることである。その結果、熱がキャリア側から接着材内に拡散する場合より少ない接着材のみがダイにくっつくことになる。これは、より少ない接着材のみをダイから洗い流せばよく、また、より多くの接着材がキャリア上に残るという利点を有する。全てでないとしても大部分の接着材がキャリア上にとどまるので、この接着材は次のウェハ付着プロセスで再使用されてもよい。その場合、例えば可逆ディールスアルダーDielsAlder反応で回復キュアされる接着材など、再使用可能な接着材であると特に有利である。代替的に、ダイ内へのエネルギー付与が回避されることが好ましい場合、光は、接着層ベースプレートでなくによって強く吸収される周波数に調整され得る。特にそのような場合にLEDに対するVCSELの特有の利点は、VCSELにおける光は一般に、より指向性であり、故に、ダイの位置を主として照らすように、より良好に狙いを定められ得ることである。これらのLED及びVCSELは、別個のLED/VCSELウェハからのピックアンドプレースを用いる製造方法で作製されることができる。更なる他の一実施形態において、エネルギー供給部7は、マイクロ波放射線に曝されるときに昇温する金属片を有していてもよい。このマイクロ波放射線は、例えばメーザによって生成され、例えばプラズモン結合又は光ファイバによってコンタクトに結合され、且つ、例えばフォトニック結晶構造といった伝導路9を用いてエネルギー供給部7まで導かれることができる。代替的に、この金属片は接着材3の一部であって、エネルギー供給部7が、例えば電界効果トランジスタ、トンネルダイオード、ガンGunnダイオード、及びIMPATTダイオードなどの半導体デバイスをといったマイクロ波源を有していてもよい。他の一実施形態において、接着層は、変化磁場に曝されるときに昇温する材料、例えばシリカのナノ粉末、を有していてもよく、エネルギー供給部は、例えばソレノイド回路を有して、該磁場を放射するように構築されてもよい。故に、エネルギー供給部は、如何なる種類のエネルギー伝導素子を有していてもよい。他の例では、エネルギー供給部はまた、光を接着層に導く例えば反射素子又は屈折素子などの受動素子を有していてもよい。この光は、例えばレーザなどの外部光源によってコンタクトに結合され、例えばガラス繊維チャネル又はフォトニック結晶などの伝導路を介して、対応するエネルギー供給部へと導かれ得る。図3に示した実施形態において、ベースプレート2は、例えばシリコン又はガラスのウェハから構築された、剛性構造である。代替的に、他の一実施形態において、ベースプレートは柔軟なものであってもよく、例えば、抵抗及びコンタクトパッドなどの回路を備えたフレキシブルフォイルとし得る。そのような安価な実施形態の1つの利点は、キャリアを、エネルギー供給素子がフォイル内に埋め込まれてはいるが研削用テープ及び/又はダイシングテープとして作用する使い捨てのキャリアとし得ることである。使い捨てであるので、このアクティブキャリアフォイルは、ピックアップ後に洗浄される必要がない。キャリア/フォイルが既存のダイシング/研削テープハンドリング装置によってハンドリングされ得るよう、このフォイルは研削用テープ又はダイシングテープと同様の材料を有することができる。使い捨ての一実施形態に特に好適なことには、エネルギー供給部は、例えば、放射線などを介して適時にトリガーされるときに発熱反応を経る物質など、発熱反応が可能な物質を有し得る。一実施形態において、接着層は、その粘着性が局所的に失活されることが可能な材料を有し、例えば、図7に示すように失活温度範囲T1で粘性を変化させる。材料を上記温度範囲T1まで加熱することにより、粘着力Faが実質的に低下するように粘性が変化される。本発明の一実施形態において、粘着力Faの失活は、ディールスアルダー化学反応によって回復される接着材の失活に由来する。ディールスアルダー反応においては、2つの官能基AとBとの間に架橋が形成される。具体的には、ディールスアルダー化学反応によって回復される接着材を失活させることは、架橋の少なくとも一部が開裂して接着材の粘着性の低下をもたらす温度まで接着材を加熱することを含む。失活された接着材は好ましくは、最大で500Pasの粘度を有する。粘度は、例えば、国際公開第2010/044661号に開示されているように、平行板配置を用いるAntonPaarMCR301レオメータでの振動測定によって測定される。一実施形態において、官能基Aはジエン基を有し、官能基Bはジエノフィル基を有する。好ましくは、官能基Aの総量及び官能基Bの総量は基本的に1/1A/Bの比率にある。使用される官能基A及びBの量及び種類は、接着材の所望の特性強さ、転移温度などに依存する。官能基Aの例は、フラン基、アントラセン基、チオフェン基、及び/又はピロール基である。基Bの例は、マレイミド基、フマル酸エステル基、マレイン酸エステル基、及び/又はアルキン基である。ディールスアルダー化学反応は技術的に知られたものである。例えば、国際公開第2004/076567号は、低溶剤コーティングプロセスを、2つの官能基ジエン及びジエノフィル間の共有結合がディールスアルダー反応によってもたらされる実施形態とともに開示している。先出の国際公開第2010/044661号は、有機基質複合材料を再使用する方法を、熱可逆架橋が少なくとも部分的に可逆ディールスアルダー反応に基づく実施形態とともに開示している。ディールスアルダー反応の更なる他の一例は、Magata等のReactiveFunctionalPolymers70、2010年、第442-448頁に見出すことができる。これらの例の各々について、その全体をここに援用する。ディールスアルダー反応を介して架橋された接着材は、化学的に回復される接着材を形成する。ディールスアルダー反応において、熱が与えられるとき、架橋が開裂されることで非架橋システムが作り出される。この架橋の開裂は典型的に、粘着力の低下につながる接着材の液化をもたらす。ディールスアルダー接着材は、固体から低粘性液体へ比較的狭い温度範囲内で変化する。これは、ウェハ全体の粘着性を失活させるため図1の工程Dに使用される従来の熱可塑性材料やワックスとは対照的である。ディールスアルダー反応の狭い温度範囲は、例えば指定領域からキャリア表面に沿って拡散する熱によって近隣のダイが意図せず取り外されるのを防止することにおいて特に有利である。また、回復される接着材は、それらに自然に存在する化学的な交差結合のおかげで、より高い機械的応力に耐えることができる。ダイは、接合されるべきとき例えば、研削中には低温で一層良好に化学的に結合され、解放されるべきとき例えば、ピックアップ中には一層容易に解放される。更なる他の一例として、ディールスアルダー反応の転移温度Tgは、例えば、接着材内のディールスアルダー成分の数を調整し、ディールスアルダー化合物間のポリマーの分子量を調整し、且つ/或いは例えばエポキシ、ポリウレタン、アミン、酸性化合物などの第2の架橋化合物を付加することで接着材の架橋密度を変化させることによって、調整されることが可能である。他の一態様において、接着材は熱可逆性のものであり、すなわち、接着材は、熱的に可逆的に開かれたり閉じられたりする架橋を有する。このような熱可逆反応は、例えば、ここに援用する先出の国際公開第2010/044661号及び国際公開第2004/076567号から、技術的に知られている。熱可逆的な交差結合は、例えばイオン結合、水素結合、ディールスアルダー反応、ニトロソ基の二量化、エステル形成例えば、エステル結合が形成される環状無水物反応、イオネン形成、ウレタン形成、アズラクトン-フェノール付加物形成、金属リガンド配位、又はこれらの組合せなどの多数の機構に基づき得る。熱可逆反応は、例えば、以下の反応群:ディールスアルダー付加環化反応;マイケル反応;ニトロソ二量化反応;エステル結合が形成される環状無水物反応;脂肪族イオネン形成が起こる反応;ウレタン形成が起こる反応;及びアズラクトン-フェノール付加物形成が起こる反応;から選択され得る。条件は、この群から選択された反応が熱的に可逆的であるというものである。これらの反応の更なる説明に関しては、J.Macromol、Sci.Rev.Macromol.Chem.C333、1993年、239-257頁;Science1、2002年3月、295巻、5560号、1698-1702頁;Polymer51、2010年、1169-1175頁;Polym.Degrad.Stab.2010、95号、826-829頁;CompositesScienceandTechnology、69巻、Issues7-8、2009年6月、1082-1087頁を参照することができる。有利な一実施形態において、熱可逆反応は、架橋の開裂が熱的に可逆的である可逆ディールスアルダー反応に少なくとも部分的に基づく。接着層の失活に熱可逆反応を利用することは、再使用可能な接着層3を有するキャリアの一実施形態を可能にする。このような一実施形態においては、接着材の大部分がダイにくっつかずにキャリア上に残ることが更に有利である。これを達成するため、例えば上述のように透明な接着層を介してダイを照射する放射エネルギー供給部によって、接着材をダイの裏面から加熱することができる。一例に係るディールスアルダー反応において、フルフリル基含有化合物がマレイミド含有化合物と反応させられる。ビルドアップされる接着材の一例は、メタクリル酸ブチル-メタクリル酸フルフリルBMA-FMAコポリマーと反応されるビスマレイミド化合物である。本願の開示を限定するものでない単なる例例Aとして、以下のようにBMA-FMAコポリマー比9:1の調合を行った。窒素雰囲気で、10.398g73.125mmolのメタクリル酸ブチルBMA;Aldrich及び1.350g8.125mmolのメタクリル酸フルフリルFMA;Aldrichを45mlのトルエン内に溶解させ、次いで、133.4mg0.8125mmolの2,2’-アゾビス2-メチルプロピオニトリルAIBN;Flukaを付加した。得られた溶液を90°Cで20時間撹拌した。室温まで冷却した後、この混合物を、30分間激しい撹拌下で250mlのメタノールに付加し、次いで、更に0.5時間撹拌した。一晩置いた後、粘着性の沈降ポリマーから、濁った溶液を静かに移した。生成物を250mlのメタノールと1時間撹拌した。メタノールの除去後、このポリマーを一晩80°Cで真空内にて乾燥させた。9.71g73.3の無色の粘性固体が得られた。この生成物を、プロトン核磁気共鳴1HNMR、ゲル浸透クロマトグラフィーGPC、及び示差走査熱量測定DSCによって特徴付けた。1HNMR結果は、化学シフトδCH2O-BMA=3.94ppm且つδCH2O-FMA=4.94ppmであり、インテグレーションBMA:FMAはほぼ開始時のままであった。GPC結果は、数平均分子量Mn=24786、重量平均分子量Mw=46073、多分散指数PDI=1.86であった。DSCでは、最初のランでガラス転移温度Tg~36.8°Cが見出され、2度目のランでTg~33.2°Cが見出された。これは、可逆ディールスアルダー反応を指し示している。更なる他の一例例Bにおいて、コポリマーBMA-FMA9:1にBMI-Hを加えたものを以下のように調合した。1g0.6924mmolのコポリマーBMA-FMA9:1及び0.134g0.3739mmolの1,1’-メチレンジ-4,1-フェニレンビスマレイミドBMI-H;Aldrichを10mlのCH2CI2内に溶解させた。15分間撹拌した後、この溶液を室温でゆっくりと蒸発乾固させた。残留物を24時間真空1mmHg内で乾燥させた。1.13gの淡黄色の固体が得られた。この固体の熱特性をDSC:三度にわたって、150°Cまで加熱3°C/min、-50°Cまで冷却3°C/min、そして再び150°Cまで加熱によって調査した。このサンプルに関して、DSCを用いて以下の結果が得られた:全てのランでTgは57°Cと60°Cとの間のままであり、これは、ポリマーのFMA基とBMI-Hとの間で持続的な可逆ディールスアルダー反応が起こっていることを指し示す。有利な一実施形態において、転移温度Tgは、ウェハ処理装置の環境温度条件に晒されたときに接着材が失活しないように、すなわち、処理中に達する温度よりTgが高いように調整される。斯くすることで、キャリアは薄いウェハの処理の全工程に参画することができる。例えば、ディールスアルダー反応を部分的に妨げる立体障害効果及び/又は電子的効果を生じさせ、より高いガラス転移温度で反応起こるという結果をもたらす置換基をフラン基に付加することによって、転移温度Tgを上げることができる。また、BMAメタクリル酸ブチルメチルをBAアクリル酸ブチルで置換することにより、室温で、より脆弱でない接着材の結合を達成することができる。例えば、類似したアクリル酸メチル及びアクリレートポリマーの場合、一般に、アクリレートポリマーの方が低い転移温度Tgを有する。故に、或る特定の分子量で、転移温度はBMA/BAの相対量を指定することによって調整され得る。転移温度を変化させるその他の可能なものは、架橋の数の調整例えば、より少ないFMA、及び/又はより短いポリマー鎖を用いること若しくは異なるBMIを用いることを含む。更なる有利な実施形態において、より低い粘性を剥離時又は転移温度にて得るために、ディールスアルダー反応で使用される高分子化合物が、比較的小さいジフラン化合物及び/又はトリフラン化合物が比較的小さいジマレイミド化合物及び/又はトリマレイミド化合物と組み合わされたもので置換される。これら小さめの化合物は、ディールスアルダー反応において依然としてポリマーを形成するが、剥離後には、より小さい分子へと分解し、それにより、非常に低い値まで調整可能な粘性が提供される。図3に示した本発明の一実施形態において、接着層3は、第2の温度範囲T2まで加熱されるときに活性化され、接着材内にガスを形成して気泡を作り出すガス発生剤を有する。他の例では、ガス形成剤は、例えば紫外光といった光で照射されるときに活性化されてもよい。これら気泡の膨張は、膨張力とスクイーズ力の低下との組合せによって、ダイのアクティブ剥離を引き起こす。好適なガス形成剤は、接着材内に溶解されることが可能なものである。好ましくは、第1の温度範囲T1が第2の温度範囲より低く、その結果、接着材が加熱されるときに、先ず接着材が粘性変化を受け、その後に接着材内にガスが放出されるように、接着材及びガス形成剤が選定される。この粘性変化は、より良好な気泡の膨張を可能にする。他の例では、ガス発生剤が照射によって活性化される場合、エネルギー供給部は、接着材の温度とガス形成プロセスとを独立に制御するために、加熱素子と放射素子との双方を有していてもよい。他の例において、アクティブキャリアは複数の異なる種類のエネルギー供給部を有し、複数のエネルギー供給部が協働して1つの選択ダイを解放する。物質内に気泡を導入することには様々な手法が知られている。例えば、米国特許第4925684号は、マイクロ波パッケージを開ける方法を開示しており、発泡剤を含有する熱解放可能な樹脂の近傍でのマイクロ波放射によって昇温される金属フレークを用いている。樹脂が熱くなることにより、発泡剤が分解されてガスを発生する。他の一例において、米国特許出願公開第2007/0037364号は、ガス発生剤として、アゾ化合物及びアジド化合物を開示している。アゾ化合物は、放射線、特に約365nmの波長を有する放射線に曝されるときに窒素ガスを発生する。更なる他の一例として、高分子シェルが特定の温度で消える低沸点を有する高分子マイクロカプセルを接着材に付加することができる。他の例では、塩内に結晶化された水が接着材に導入され得る例えば、MgSO4.7H2Oなどの水和物、又は例えばゼオライトなどの吸着された水の蒸発。国際公開第00/40648号は、接着材の熱抵抗を高めて熱処理後の剥離強度を実効的に低減することができる剥離可能な接着材組成物を開示している。その熱剥離可能な接着材組成物は、キュア可能な樹脂と熱膨張性材料とを有し、熱膨張性材料は熱膨張性無機材料である。特開平6-184504号公報において、接着材は、少なくとも3μmだけ互いに異なる平均粒径を有する少なくとも2種類の熱膨張性微粒子と接着剤を化合物化させることによって調合されている。接着材に好適なその他の材料は、アゾジカーボンアミド、ヒドラジン派生物、セミカルバジド、テトラゾール、膨張性黒鉛、バーミキュライト蛭石、パーライト真珠岩、マイカ雲母、ウェルムランダイトwermlandite、タンマサイトthanmasite、ハイドロタルサイトを含む。図4は、ウェハ形態の形状にされたアクティブキャリア1の上面図を示しており、ダイ14が既にピックアップされた部分的にエンプティの位置16を有している。エンプティ位置16は、交差した複数の伝導路9のマトリクスを介して接続された、下に位置するエネルギー供給部7を示している。この実施形態において、複数のエネルギー供給部を接続する各ワイヤは、対応するコンタクトパッドを有する。指定されたエネルギー供給部が、対応する配線対に電圧差を印加することによって電力供給され得る。例えば、エネルギー供給部7abは、ワイヤ9a及び9bに電圧差を与えることによって電力供給される。このマトリクス状配線の1つの利点は、各エネルギー供給部がそれ自身のコンタクト配線及びパッドの対を有する状況と比較して、コンタクトパッドの個数を少なく保つことができることである。ウェハを加えたキャリアの容易な処理を可能にするため、特に有利には、薄化ウェハを担持するときにこの結合体が構造的に半導体ウェハ処理装置に適合フィットし得るように、すなわち、この結合体が半導体ウェハ処理装置での処理に適合することができ、且つウェハのハンドリング及び処理のための従来方法が薄ウェハ/ダイにも使用可能であるように、キャリアの寸法が決められる。斯くすることで、処理装置にコストの掛かる調整を行う必要がなくなる。ピックアップ直前にダイ毎に基づいてダイシングを行うことにより、プロセスフローに柔軟性がもたらされ、且つダイシングされたウェハのハンドリングが回避される。製造工程数が削減され、向上された歩留まりが得られる。サイクルタイムが短縮され、より高いスループットがもたらされる。また、ベースプレートエネルギー供給部を含む及び接着材の材料及び特性は、ウェハの処理条件例えば、研削、裏面処理などに耐えることができるように選択される必要がある。アクティブキャリアの堅牢性のため、エネルギー供給部7、コンタクトパッド12、及び伝導路9のうちの1つ以上をベースプレート内に埋め込むことが有利である。ウェハ処理装置における熱及び/又は放射線の条件から例えばエネルギー供給部を保護するため、それらは例えば、熱/放射線耐性材料によって離隔されてもよい。ベースプレート2と、対応するエネルギー供給部7、コンタクト12及び伝導路9とが標準リソグラフィ技術を用いてウェハから作り出されるという、本発明の第1の態様に従ってキャリアを製造する方法によって、更なる利点が達成され得る。先ず、リソグラフィ処理装置にウェハが供給され、リソグラフィ処理装置は、複数のエネルギー供給部、複数のコンタクト手段例えば、コンタクトパッド、及びエネルギー供給部を対応するコンタクト手段に接続する伝導路をウェハ上に作製するように制御される。エネルギー供給部のパターンが2次元パターンにレイアウトされ、アクティブキャリアが本発明の第2の態様に従って使用されるときに、これら供給源が、指定されたダイへと局所的にエネルギー例えば、熱、放射線を供給することができるようにされる。本発明の第1の態様に係る一実施形態において、ダイ当たり2つ以上のエネルギー供給部が設けられてもよく、それらが協働して要求エネルギーを供給してもよい。接着層の特定領域付近の指定されたエネルギー供給部のみを、個別に、あるいは組み合わさって活性化するという選択肢は、例えば様々なダイサイズに対して、あるいは並行して複数のピックアップを取り扱うときに、より高い柔軟性を可能にする。また、特定領域に付与されるエネルギー量を、注意深く制御することができる。更なる利点が、内蔵エネルギー供給部を使用するときに達成される。何故なら、周囲の材料の調整によって、エネルギーの流れを管理することができるからである。例えば、エネルギー供給部として抵抗素子を使用するとき、ベースプレート内で熱伝導材料と断熱材料との組合せを選択することによって、生成されたエネルギーを正確に導くことができる。同様に、放射素子を用いるとき、その他の箇所は反射性でありながら、指定されるダイとエネルギー供給部との間が透明であるように周囲の材料を選択することができる。一実施形態において、標準リソグラフィ技術又はレーザ加工技術を用いて作り出すことが可能な薄膜抵抗と組み合わせて、2層の相互接続インターコネクト構造を作り出すことによって、ウェハからキャリアが製造され得る。薄膜抵抗などの抵抗体の1つの利点は、例えば特定のウェハ処理工程中に発生し得るもののような上昇温度に対して、抵抗体が有する許容範囲が概して高いことである。標準ウェハから開始して、例えば以下の工程を含むプラズマ化学気相成長PE-CVDを用いて、相互接続配線パターンが形成される:-ウェハにフォトレジストを設ける-リソグラフィパターンを設ける-フォトレジストを現像する-ウェハ内にパターンをエッチングする-残存するレジストを剥離する-金属堆積。例えば、シード層をスパッタリングし、めっきし、化学的機械的研磨CMPにより絶縁層の頂部の高さまで銅を除去する工程群を有するカッパーダマシンプロセス。絶縁層のトレンチ内に陥没した導電材料が、パターニングされた伝導路、及び/又は接着材を局所的に加熱するエネルギー供給部として使用され得る薄膜抵抗になる。これらの工程は、例えば図3-5に示したもののような相互接続銅配線の層状構造を作り出すために例えば4-6回にわたって繰り返され得る。相異なる層の間のコンタクトのため、例えばレーザ技術を用いて複数の孔を形成し且つそれらの孔を例えばペーストなどの伝導材料で充填することによって、多数のビア縦方向経路を作り出すことができる。製造コストを低く維持するため、ビアのアスペクト比を低く保つことが更に有利である。同様に、好ましくはキャリアの適性寸法を維持するようにキャリアの下面に、外部コンタクト手段を設けることができる。他の例では、例えばLED又はVCSELなどのエネルギー供給部が、例えばアタッチワイヤボンディング技術例えば図5に示すを用いて、別個のLED/VCSELウェハからピックアンドプレースされ得る。LED/VCSELの1つの利点は、指定されたダイの底面のみに、対応する接着層に代えて、選択的にエネルギーを照らすようにLED/VCSELを調整し、それにより、そのダイに直に接続された接着層の更に局所的な失活を実現することができることである。VCSELの1つの特有の利点は、放射される光が、より正確にダイに向けられ得ることである。また、アクティブキャリアは、処理装置の環境条件温度などに耐えることができるように設計される。これが意味することは、エネルギー供給部を含むベースプレートの材料が、それらが耐える必要がある処理工程に応じて、それらの環境耐性に合わせて選択されるということである。同様に、例えば研削工程においてもウェハを保持するのに十分な強さの接着材が選択される。熱溶解性の接着剤を使用するパッシブキャリアの一例が米国特許出願公開第2005/164472号に示されている。ガス発生剤を使用するダイシングテープの一例が米国特許出願公開第2007/037364号に示されている。静電的に発生される保持力を用いたウェハ付着の一手法が米国特許出願公開第US2004/037692号に示されている。図5は、アクティブキャリア1の一実施形態の側断面図を示している。この実施形態において、伝導路9は、例えばリソグラフィ技術によって、ベースプレート2の絶縁層17内に埋め込まれている。経路9は、例えばレーザ穿孔及び充填によって作り出されたTSV18を用いて、コンタクトパッド12に接続されている。この実施形態において、経路9は、例えばピックプレース技術とそれに続くアタッチワイヤボンディング技術とを用いて、配線19を介してエネルギー供給部7に接続されている。その後、ベースプレートはエネルギー伝導層8で充填され、それにより、平坦な頂面を有するベースプレート2が完成される。その後、接着層3が設けられて、アクティブキャリア1の製造が完了する。使用時、アクティブキャリアは、その接着層3上にくっつけて、ウェハ又は切断された複数のダイ14を保持することができる。図6aは、ダイ剥離プロセスの第1段階におけるアクティブキャリアの一実施形態の上部を示しており、ピックアップツール4がダイに取り付けられている。下に位置するエネルギー供給部7から接着層3内への透明層8を介したエネルギーZの流入により、気泡が生成され、該気泡が、上に位置するダイを押し上げ始める。この実施形態において、ダイはステルスダイシング技術によってウェハから形成され、該ダイシング技術によって、ダイの切断ラインに対応するパターンでウェハに破断線10が例えば、レーザカッターを用いて設けられている。例えば、米国特許出願公開第2008/280421号は、ウェハを通過することが可能な波長を有するレーザビームがウェハの裏面側からウェハの内部に集光される改質層形成工程を含むウェハ分割方法を開示している。図6bに示すように、この部分的なダイシング技術をガス形成剤と組み合わせることによって、特有の利点が達成される。ダイ剥離プロセスの後の段階において、生成された気泡11aがダイ14を均一に押し上げ、それにより、ガスの膨張力が破断線10に沿った破断を引き起こし、事前形成された破断線1に沿ってダイ14がウェハ20から取り外される。さらに、生成された気泡11aは融合して、ダイ14を均一に押し上げる一層大きい気泡11bを形成し得る。この均一な持ち上げは、例えば針6を用いる、あるいは接着材を分解するのみでピックアップツール4でダイを単純に引っ張るなどのその他の技術と比較して、ダイ14への応力の低減、ひいては、ダメージを防止することを意味する。他の一実施形態において、破断線10はまた、接着層内まで部分的に延在されてもよく、それにより、接着層を通っての気泡の移動が、該当する指定ダイのみに制限され得る。このように、気泡の適用は、薄ウェハ厚さ<50μmのレーザダイシングに完全に適合したものである。このような薄いウェハでは、例えばソーダイシングは、クラッキング、クリッピング、及びその他の歩留まり品質課題を伴う問題をもたらす。図7は、ダイに印加される粘着力Faを温度Tの関数として示す模式的なグラフ700である。定格温度範囲T0での定格粘着力Fa1で開始して、この例における粘着力は、第1の温度範囲T1に入ると、例えば接着材が溶融、気化又は昇華といった相転移を被るので、例えば10-50Kの温度範囲で粘性が約1/10に低下することにより、中間値Fa2まで大きく低下する。例えば、温度範囲T1は約120-180°Cであり、60°Cの範囲内でO1000-O1Pasの粘性低下がもたらされ、あるいは更には、40°Cの範囲内でO1000-O1の低下がもたらされる。温度が更に第2の温度範囲T2まで上昇されると、粘着力は更に、アクティブキャリアからのダイのピックアップを開始するのに十分な低さのFa3なる値まで低下する。この第2の粘着力低下は、例えば、接着層に組み込まれて例えば蒸発温度といった特定の温度によってトリガーされるガス発生剤の結果であり得る。他の例では、温度ではなく、特定種類の電磁放射線が、ガス発生剤の活性化を開始させる。他の一実施形態において、これら2つの機構のうちの一方のみ、すなわち、粘性変化/相転移又はガス発生剤の何れかが使用される。第1の温度範囲T1における接着材の脆弱か、及び第2の温度範囲T2におけるガス生成は、ガス発生剤が接着材に適合したものであると仮定すると、原理的に化学的に独立である。故に、これらの温度範囲は個々に調整されることができる。この用途の場合、これらの温度範囲T1及びT2が可能な限り狭く、且つ可能な互いに近く好ましくは、なおもT1<T2保たれることが望ましく、それにより、例えば、接着材に局所的に供給されるエネルギーの横方向拡散の結果として、近隣のダイも意図せずに剥離し始めながらも、指定されたダイが未だ完全には剥離されていないといったことが防止される。有利な一実施形態において、接着層は、熱的に切替可能な接着材を有する。そのような接着材は、局所的に加熱されて非指定ダイの解放なく指定ダイの解放をもたらすことができるよう、狭い範囲内で明確に定められた切替温度を有する。熱的に切替可能な好適な接着材は、何れの非指定ダイの解放もなく指定ダイのみを解放させるように局所的に熱でエネルギー供給されることが可能な接着材である。この特性は、非指定ダイへの熱伝達が非指定ダイを解放するのに十分でないように、指定ダイと近隣の非指定ダイとの間の熱勾配及び熱伝導が十分に小さい場合に達成される。熱勾配は、狭い温度範囲内でその粘着性を切り替える接着材を用いることによって低減され得る。相異なるダイの接着層の間の熱伝導は、例えば断熱材料及び/又は障壁を用いることによって低減され得る。例えば相転移によってオフに切り替えられた切替可能接着材は、依然として粘性流体の挙動を示し得る。典型的な粘度はO0-10PasとO1000Pasとの間で切り替わり得る。例えば、剥離粘度は0-50Pas、好ましくは0.1-2.5Pas程度の低さであり、接合粘度は例えば2000Pasである。開示の例Bにおいて、2000Pas120°Cと2.5Pas180°Cとの間での粘度の切替が提供される。気泡の膨張により、その膨張力とスクイーズ力の低減例えば、ChallengesinUltra-thinDieHandling、GeraldSteinwasserGeneralManagerMuhlbauer,Inc.を参照との双方によってダイのアクティブ剥離が引き起こされる。気泡は、例えば光、熱又はEM放射線の、非接触エネルギー供給部によって生成されることができる。代替的な一実施形態において、気泡は、単にテープを貫通して接着層内に気泡を吹き込む1つ以上の中空針の形態の接触式ソース気泡源によって生成されることができる。上述の全ての選択肢の主な利点は、必要とされるピックアップ力が有意に低減されることである。従って、通常の真空ノズルを用いながら、要求生産量を達成するのに必要な高速性で、非常に薄いダイを拾い上げることが実現可能になる。図8は、本発明の第2の態様に係る方法の一実施形態の、以下の工程を有する4工程を示している。工程Aにて、厚ウェハ20がアクティブキャリア1に接着される。工程Bにて、例えば暗いんだ又はエッチング装置などの薄層化装置21によって、厚ウェハがその厚さを低減される。工程Gにて、例えばレーザカッターなどの切断装置23を用いて、薄ウェハ20が個々のダイ14へと切断ダイシングされる。工程Hにて、アクティブキャリア1がそのコンタクトパッド12を用いてコントローラ24に付着される。該コントローラは、例えば対応するコンタクトパッド同士に電圧差を印加することによって、ダイ14に近接する指定のエネルギー供給部7を活性化することができる。エネルギー供給部7が作動されて接着層が失活されると、指定のダイは、例えば真空ノズルであるピックアップツール4によって運び去られ得る。図9は、破断線10を設けることによってウェハ20から得られるダイ14の配列Pの2つの例を示している。下に位置するキャリア1は、ダイ配列Pに一致する配列で、ベースプレート2の内部又は表面にエネルギー供給部7を有する。すなわち、エネルギー供給部7は、選択された如何なるダイ10の接着層3にも必要に応じてエネルギー供給し、それにより、その選択ダイ14を解放することができるように配列されている。図示した実施形態において、各ダイ14は、該ダイ14の下方に、ほぼ該ダイの中心位置に位置付けられた対応するエネルギー供給部7を有する。代替的な一実施形態において、この対応関係は、ダイ当たり複数のエネルギー供給部の配列を含んだ多対一の関係であり、それら複数のエネルギー供給部が協働して接着層の選択部分にエネルギー供給し得る。更なる他の一実施形態において、複数のエネルギー供給部が、例えば破断線10の下方など、それらが複数のダイ間で共有されるように配置されてもよい。図9に示した実施形態において、各エネルギー供給部7はそれ自身の伝導路9の対及びコンタクト12の対を有している。他の例では、これらも、例えば図4に示したように複数のエネルギー供給部間で共有され得る。例えばP2のような交互れんが配列の、例えばP1のような直線配列に対する1つの利点は、一般的に前者の方が、より多くのダイをウェハ20から切り出すことを可能にすることである。エネルギー供給部7も対応して、そのようなウェハ20からのダイ14の最大生産量を可能にするように配列されることができる。一方、P1の1つの利点は、破断線10の切断が容易であることである。レーザダイシングを用いることの1つの利点は、レーザは一般的に、如何なる所望のパターンPをも切断するように制御されるのが、より容易であることである。図面及び以上の説明にて本発明を詳細に図示して説明してきが、これらの図示及び説明は、限定的なものではなく、例示的あるいは典型的なものと見なされるべきであり、本発明は開示の実施形態に限定されるものではない。また、開示した例における構成要素は、ダイプレースメントプロセスにおけるダイであるが、本発明の範囲を逸脱することなく、例えば表面実装デバイスやMEMSデバイスなど、解放及びピックアップを要するその他のプレースメントプロセスも使用され得る。図面、明細書及び特許請求の範囲から、請求項に記載の発明を実施する当業者によって、開示の実施形態へのその他の変形が理解され得る。請求項において、用語有するは、その他の要素又はステップを排除するものではなく、不定冠詞a又はanは、複数であることを排除するものではない。単一のユニットが、請求項に記載の複数のアイテムの機能を果たしてもよい。特定の複数の手段が相互に異なる従属請求項に記載されているという単なる事実は、それら手段の組合せが有利に使用され得ないということを指し示すものではない。請求項中の如何なる参照符号も、範囲を限定するものとして解釈されるべきでない。"