金属有機物のエピタキシー薄膜製造方法は、ウエハ基板とα線を予め設置する密閉空間内で、真空ステップ、燃焼ステップ、形成ステップを行い、前記真空ステップでは、前記密閉空間を真空にし、超真空環境を維持し、前記燃焼ステップでは、前記真空過程において、強酸物質を前記密閉空間内に吸入し、前記密閉空間に対して、高圧を加え、真空放電原理により、強酸物質を瞬間的に燃焼させ、瞬間化学温度は少なくとも1100度を達成し、前記形成ステップでは、前記瞬間燃焼を一定時間持続させ、熱昇華により、前記強酸物質を純化し、完全な気体とし、これにより、前記強酸物質は、超真空と高圧環境下で放電を始め、高圧電位差により、熱昇華純化により形成した気体の分子の電子と原子核を、ウエハ基板を通して、その内の電子を分け、結晶体を生じ質量を獲得し、順番に均一に、前記ウエハ基板上に埋め入れられ、エピタキシー薄膜が形成されることを特徴とする金属有機物のエピタキシー薄膜製造方法。請求項1記載の金属有機物のエピタキシー薄膜製造方法において、前記ウエハ基板は、有機金属を採用し、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、砒化アルミニウム、窒化ガリウムなどのシリコン元素結晶棒であることを特徴とする、金属有機物のエピタキシー薄膜製造方法。請求項1記載の金属有機物のエピタキシー薄膜製造方法において、前記真空ステップの超真空環境は、マイナス2気圧であることを特徴とする、金属有機物のエピタキシー薄膜製造方法。請求項1記載の金属有機物のエピタキシー薄膜製造方法において、前記強酸物質は、四酸化オスミウムを採用することを特徴とする、金属有機物のエピタキシー薄膜製造方法。請求項1記載の金属有機物のエピタキシー薄膜製造方法において、前記燃焼ステップ中で加える高圧は、14万ボルト、10mAであることを特徴とする、金属有機物のエピタキシー薄膜製造方法。請求項1記載の金属有機物のエピタキシー薄膜製造方法において、前記形成ステップにおける瞬間燃焼の持続時間は、ウエハのサイズに応じて決め、前記ウエハが2インチなら、瞬間燃焼は16秒持続させ、前記ウエハが4インチなら、瞬間燃焼は30秒持続させることを特徴とする、金属有機物のエピタキシー薄膜製造方法。本発明の目的は、体積が小さい設備で、短時間に、ウエハ上に均一な結晶体構造を形成でき、歩留が高く、生産能力と品質を高めることができ、しかも設備面積とコストを効果的に低下させることができる金属有機物のエピタキシー薄膜製造方法を提供することである。上述目的を実現するために、本発明は下記の金属有機物のエピタキシー薄膜製造方法を提供する。金属有機物のエピタキシー薄膜製造方法は、ウエハ基板とα線を予め設置する密閉空間内で、真空ステップ、燃焼ステップ、形成ステップを行い、該真空ステップでは、該密閉空間を真空にし、超真空環境を維持し、該燃焼ステップでは、該真空過程において、強酸物質を該密閉空間内に吸入し、該密閉空間に対して、高圧を加え、真空放電原理により、強酸物質を瞬間的に燃焼させ、瞬間化学温度は少なくとも1100度を達成し、該形成ステップでは、該瞬間燃焼を一定時間持続させ、熱昇華により、該強酸物質を純化し、完全な気体とし、これにより、該強酸物質は、超真空と高圧環境下で放電を始め、高圧電位差により、熱昇華純化により形成した気体の分子の電子と原子核を、ウエハ基板を通して、その内の電子を分け、結晶体を生じ質量を獲得し、順番に均一に、該ウエハ基板上に埋め入れられ、エピタキシー薄膜が形成される。本発明の金属有機物のエピタキシー薄膜製造方法は、体積が小さい設備で、短時間に、ウエハ上に均一な結晶体構造を形成でき、歩留が高く、生産能力と品質を高めることができ、しかも設備面積とコストを効果的に低下させることができる。図1に示すように、本発明金属有機物のエピタキシー薄膜製造方法1は、密閉空間2内に、ウエハ基板3とα線4を予め設置する。密閉空間2の体積は非常に小さく、一般の作業机上に置けるほどである。ウエハ基板3は、有機金属を採用する。例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、砒化アルミニウム、窒化ガリウムなどのシリコン元素結晶棒である。本実施例では、2インチ窒化ガリウムのシリコン元素結晶棒を採用する。α線4は、2個のプラス電荷を帯び、他の物質と非常に容易に電離でき、負極を備えるウエハ基板3と相対させて設置する。密閉空間2内では、真空ステップ5、燃焼ステップ6、形成ステップ7を行い、エピタキシー薄膜を製造する。図1に合わせて図2に示すように、真空ステップ5では、密閉空間2を真空にし、マイナス2気圧8により、超真空環境を維持する。燃焼ステップ6では、上記した真空過程において、強酸物質60を密閉空間2内に吸入する。強酸物質60は、四酸化オスミウムを採用する。その特性は、無色で、揮発性を備え、常温下で昇華し易い。密閉空間2に対して、14万ボルトの、10mAの高圧を加え、真空放電原理により、強酸物質60を瞬間的に燃焼させ、瞬間化学温度は少なくとも1100度を達成する。形成ステップ7では、上記した瞬間燃焼を16秒持続させ、熱昇華により、強酸物質60を純化し、完全な気体とする。これにより、強酸物質60は、超真空と高圧環境下で放電を始め、高圧電位差により、熱昇華純化により形成した気体の分子の電子と原子核を、ウエハ基板3を通して、その内の電子を分ける。すなわち、超真空下で、α線4とウエハ基板3は、強酸物質60のオスミウム気体原子を解離させる。オスミウムイオンが加速され衝突後、結晶体61を生じ質量を獲得し、順番に均一に、ウエハ基板上に埋め入れられ、エピタキシー薄膜が形成される。上記したように、本発明の長所と達成される効果の、従来法との差異は、以下の通りである。1.本発明は、超真空燃焼、放電により、エピタキシー薄膜をウエハ基板上に均一に埋め入れるため、成長方式によりゆっくりとエピタキシー薄膜を形成し、カッティング、研磨などの加工過程を必要とする従来法に比べ、製造プロセスにおいて明らかに優れている。2.本発明に必要な設備は体積が小さいため、工場全体の面積を費やして設置する必要がある従来の設備に比べ、その差は極めて大きい。3.本発明は、短時間内、均一な結晶体構造を形成することができ、短時間でエピタキシー薄膜を完成させることができ、形成に一週間かかる従来法に比べ、飛躍的に効率を高めることができる。4.本発明は製造プロセスにおいて、高圧真空放電により、α線4とウエハ基板3を均一に安定させ、ウエハ基板3電子を分け、製造プロセスの不良品率が低いため、不良品率が高い従来の製造プロセスに比べ、製造効率を効果的に高めることができる。以上述べたことは、本発明の実施例にすぎず、本発明の実施の範囲を限定するものではなく、本発明の特許請求の範囲に基づきなし得る同等の変化と修飾は、いずれも本発明の権利のカバーする範囲内に属するものとする。