"単結晶基板上に、GaAs層、AlGaAs層からなるバッファ層、n型不純物を含有するAlGaAs層又はInGaP層若しくはSiプレナードープ層からなる電子供給層、InGaAs層からなるチャネル層、ノンドープ又は低濃度n型不純物を含有するGaAs層又はAlGaAs層からなるショットキー層、ノンドープ又は低濃度n型不純物を含有するInGaP層からなるストッパー層、n型不純物を含有するGaAs層からなるキャップ層を積層したHEMT構造を有するIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、前記ストッパー層におけるInGaP中のAsが占めるV族原子分率が15以下であることを特徴とするIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハ。前記ストッパー層のPLピーク波長が660nm以下である請求項1に記載のIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハ。前記HEMT構造上に、HBT構造を積層したBiFET構造を有する請求項1又は2に記載のIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハ。しかしながら、ストッパー層を有するHEMT構造を成長させた場合、InGaP層からなるストッパー層中にV属原子分率で15を超えるAsが混入してしまう問題がある。V属原子分率で15を超えるAsが混入したストッパー層ではエッチングプロセス時に表面が白く曇ってしまう。或いはAlGaAs/InGaP界面に不純物ピークが出てしまう。この場合、チップ化プロセスを行った際、ストッパー層が抵抗層となってしまい、オン抵抗が増大してしまう。そこで、本発明の目的は、オン抵抗の低いストッパー層を有するIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハを提供することにある。この目的を達成するために創案された本発明は、単結晶基板上に、GaAs層、AlGaAs層からなるバッファ層、n型不純物を含有するAlGaAs層又はInGaP層若しくはSiプレナードープ層からなる電子供給層、InGaAs層からなるチャネル層、ノンドープ又は低濃度n型不純物を含有するGaAs層又はAlGaAs層からなるショットキー層、ノンドープ又は低濃度n型不純物を含有するInGaP層からなるストッパー層、n型不純物を含有するGaAs層からなるキャップ層を積層したHEMT構造を有するIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、前記ストッパー層におけるInGaP中のAsが占めるV族原子分率が15以下であるIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハである。前記ストッパー層のPLピーク波長が660nm以下であると良い。前記HEMT構造上に、HBT構造を積層したBiFET構造を有すると良い。本発明によれば、オン抵抗の低いストッパー層を有するIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハを提供することができる。以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面にしたがって説明する。図1は、本発明の好適な実施の形態に係るIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハを示す図である。図1に示すように、本実施の形態に係るIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハ17は、GaAsからなる単結晶基板8上に、GaAs層、AlGaAs層からなるバッファ層9、n型不純物を含有するAlGaAs層又はInGaP層若しくはSiプレナードープ層からなる電子供給層10、InGaAs層からなるチャネル層12、ノンドープ又は低濃度n型不純物を含有するGaAs層又はAlGaAs層からなるショットキー層14、ノンドープ又は低濃度n型不純物を含有するInGaP層からなるストッパー層15、n型不純物を含有するGaAs層からなるキャップ層16を積層したHEMT構造18を有する。チャネル層12の上下には、ノンドープのAlGaAs層からなるスペーサ層11,13が配置される。さて、本実施の形態に係るIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハ17は、ストッパー層15のオン抵抗を低く抑えるために、ストッパー層15におけるInGaP中のAsが占めるV族原子分率を15以下にコントロールしたものである。そもそもAsは、HEMT構造のInGaP層以外の全ての層に使用されているため、As供給ラインを封じ切ったとしても成長炉内に微量のAsが必ず存在してしまう。そのため、InGaP中のAsが占めるV族原子分率を15以下にコントロールするのは非常に困難であった。そこで、本発明者らは鋭意検討を重ね、その結果、InGaP層においては基板温度を600°Cより高くして成長させた場合、層中へのAsの取り込み量がV属原子分率にして15超まで上昇してしまうことが分かった。この場合、エッチングした際、InGaP層の表面が曇ってしまい、抵抗層を形成し、オン抵抗を上げる要因となってしまう。一方、成長時の基板温度を600°C以下に制御することでInGaP中へのAsの取り込み量を15以下まで下げることができることが分かった。この場合は、エッチング後のInGaP層の表面の曇りが解消され、オン抵抗の低いHEMT構造18を作製可能である。つまり、本発明者らが提案するIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法は、成長時の基板温度を600°C以下とする方法であり、この方法によれば、InGaP中のAsが占めるV族原子分率を15以下にコントロールすることができる。この方法においては、使用有機金属原料として基板温度が600°C以下であっても熱分解が可能であるTEI、TMI、TEG、TMGを用いると良い。なお、成長方法としては、MOCVD法若しくはMBE法を用いると良い。さらに、本発明者らは、ストッパー層15のPLピーク波長を660nm以下に制御することで、AlGaAs/InGaP界面の不純物ピークを無くすことができることを見出した。PLピーク波長が660nm超のストッパー層15においては、例え、Asの取り込み量をV属原子分率で15以下まで低減したとしても、AlGaAs/InGaP界面の不純物ピークの影響により、オン抵抗が上がってしまう。以上説明したように、本実施の形態に係るIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハ17によれば、ストッパー層15におけるInGaP中のAsが占めるV族原子分率を15以下としているため、オン抵抗を低く抑えることができる。また、本実施の形態に係るIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法によれば、成長時の基板温度を600°C以下とするため、InGaP中のAsが占めるV族原子分率を15以下にコントロールでき、オン抵抗の低いストッパー層15を有するIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハ17を得られる。なお、本実施の形態においては、III-V族化合物半導体エピタキシャルウェハ17は、HEMT構造18のみを有するものとしたが、HEMT構造18上に、HBT構造を積層したBiFET構造を有するように構成しても良い。III-V族化合物半導体エピタキシャルウェハを製造し、基板温度を変えたときのInGaP中のAs取り込み量を調べた。実施例先ず、図1に示すように、単結晶基板半絶縁性のGaAs基板8上に、バッファ層9となるun-AlxGaAs層x=0.28、電子供給層10となるn-AlxGaAs層x=0.3、スペーサ層11となるun-AlxGaAs層x=0.3、チャネル層12となるInxGaAs層x=0.18、スペーサ層13となるun-AlxGaAs層x=0.3、ショットキー層14となるun-GaAs層、ストッパー層15となるn-InxGaP層x=0.48、キャップ層16となるn-GaAs層を成長させた。このとき、ストッパー層15の成長時の基板温度は550°Cとし、有機金属原料にTMI、TEGを使用して成長させた。比較例実施例と同様の構造のIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハを製造した。このとき、ストッパー層の成長時の基板温度は650°Cとした。結果実施例及び比較例におけるInGaP中へのAsの取り込み量を調べた結果、図2に示すように、比較例従来条件:基板温度650°Cでは、Asの取り込み量がV属原子分率で16と高かったのに対し、実施例本発明:基板温度550°Cでは、V属原子分率で6まで低減することができた。また、ストッパー層15のPLピーク波長を調べた結果、その波長は655nmであり、AlGaAs/InGaP界面の不純物ピークが無いことを確認した。以上より、本発明によれば、オン抵抗の低いストッパー層を有するIII-V族化合物半導体エピタキシャルウェハが得られることが証明された。"