"光学系と、良好に熱を伝導するフレーム形式の支持体を用いて引っ張る形で固定した膜上にサーモパイル式、ボロメーター式又はピロ電気式センサー構造の形の熱電対を備えたチップとを有し、この支持体が垂直又はほぼ垂直な壁を有する、筐体内の赤外線温度センサーにおいて、サーモパイル式センサー構造が、センサーセル1毎の少数の長い熱電対16から構成され、これらの熱電対が、膜3上の吸収層5の上の温接点9を熱電対16の冷接点8と互いに接続する接続ブリッジ6上に配置されていることと、膜3が、一つ以上の接続ブリッジ6によって吊るされていることと、膜3が、長い熱電対16の両側に幅の狭いスリットを有し、それらのスリットが、中央の領域4と支持体2の両方から接続ブリッジ6を分離していることと、少なくとも中央の領域4が吸収層5によって覆われていることと、を特徴とする赤外線温度センサー。長く幅の狭い接続ブリッジ6上の熱電対16が、吸収領域の周りを取り巻いており、接続ブリッジ6の長さが、少なくとも吸収領域の側面の長さの半分、有利には、側面の全長に等しいことを特徴とする請求項1に記載の赤外線温度センサー。長く幅の狭い接続ブリッジ6上の熱電対16が、吸収領域の周りを取り巻いており、接続ブリッジ6の長さが、吸収領域の側面の長さの1~2倍の長さに等しいことを特徴とする請求項1に記載の赤外線温度センサー。長く幅の狭い接続ブリッジ6上の熱電対16が、吸収領域の周りを取り巻いており、接続ブリッジ6が、少なくとも一つの折り返し箇所24を有することを特徴とする請求項1から3までのいずれか一つに記載の赤外線温度センサー。幅の狭い接続ブリッジ6が、吸収領域の複数の側面に沿って延びていることを特徴とする請求項1から4までのいずれか一つに記載の赤外線温度センサー。当該のサーモパイル式センサー構造が、n型とp型の多結晶シリコンから構成されるとともに、CMOSプロセスで製作されたものであることを特徴とする請求項1から5までのいずれか一つに記載の赤外線温度センサー。半導体プロセス時にサーモパイル構造上に作成された分離及びパシベーション層の一部が、表側から再び取り除かれていることを特徴とする請求項5に記載の赤外線温度センサー。薄い吸収層5の少なくとも一部が、面利用率を向上させるために、接続ブリッジ6上にも延びていることを特徴とする請求項1から7までのいずれか一つに記載の赤外線温度センサー。吸収領域内の膜3が、一つ以上の多結晶シリコン層で覆われていることを特徴とする請求項1から8までのいずれか一つに記載の赤外線温度センサー。当該の吸収領域内の多結晶シリコン層が、吸収層5の中心を出発点とする十字の形状を有するように構成されていることと、その十字の端が、温接点の周囲を取り囲んでいるか、或いは温接点の片側だけと接触していることと、を特徴とする請求項1から9までのいずれか一つに記載の赤外線温度センサー。熱電対を有する長く薄い接続ブリッジ6が、少なくとも一カ所で、安定化リブによって、隣接する基板本体又は吸収領域2と接続されていることを特徴とする請求項1から10までのいずれか一つに記載の赤外線温度センサー。複数のセンサーセルが、配列又はアレーの形状で、同じセンサーチップ上に密に隣接して配置されていることを特徴とする請求項1から11までのいずれか一つに記載の赤外線温度センサー。信号処理部の少なくとも一部が、同じ半導体基板上に統合されていることを特徴とする請求項1から12までのいずれか一つに記載の赤外線温度センサー。配列又はアレーの形状で配置されたセンサーセル1が、個別のセル毎に共通の電子信号処理ユニットを有するか、或いは少なくとも四つの個別のセル毎に共通の電子信号処理ユニットを有することを特徴とする請求項1から13までのいずれか一つに記載の赤外線温度センサー。光学系13が、フィルターディスク又は結像レンズであることを特徴とする請求項1から14までのいずれか一つに記載の赤外線温度センサー。当該の光学系が、筐体に固定して取り付けられた第一のレンズ13と、筐体外に置かれた第二のレンズ23とから構成されており、これらの二つのレンズが、共同して光学像を生成することを特徴とする請求項1から15までのいずれか一つに記載の赤外線温度センサー。第二のレンズ23が、気密に取り付けられておらず、交換可能であることを特徴とする請求項1から16までのいずれか一つに記載の赤外線温度センサー。第二のレンズ23が、調整機器によって、センサー素子との間隔を調節することが可能であることを特徴とする請求項1から17までのいずれか一つに記載の赤外線温度センサー。本発明の課題は、小さいチップサイズで、高い温度分解能と、高い面利用率と、高い応答速度とを有し、標準圧力又は低い圧力のガスの下で動作可能であり、負担のかかる超真空筐体密閉技術を用いること無く、標準CMOSプロセスを用いて、大量のロット数で安価に製造することができる、モノリシックシリコン微細加工技術によるサーモパイル赤外線センサーを提示することである。本発明の課題は、冒頭に述べた形式のサーモパイル赤外線センサーにおいて、サーモパイルセンサー構造が、センサーセル当たり少数の長い熱電対から構成され、それらの熱電対が、膜上の吸収層の上に有る温接点と熱電対の冷接点とを互いに接続する接続ブリッジ上に配置されていることと、その膜が、一つ以上の接続ブリッジによって吊るされていることと、その膜が、長い熱電対の両側に幅の狭いスリットを有し、それらのスリットは、中央の領域と支持体の両方から接続ブリッジを分離していることと、少なくとも中央の領域が、吸収層によって覆われていることとによって解決される。本発明によって、特に高い信号感度を有するとともに、高い面利用率を実現可能とするサーモパイルセンサー構造が実現される。本発明の第一の実施形態では、長く幅の狭い接続ブリッジ上の熱電対が吸収領域の周りを取り巻いており、一つの接続ブリッジの長さは、少なくとも吸収領域の横の長さの半分に等しく、有利には、吸収領域の横の長さに等しい。本発明の別の実施形態は、長く幅の狭い接続ブリッジ上の熱電対が吸収領域の周りを取り巻いており、一つの接続ブリッジの長さは、吸収領域の横の長さ~横の長さの2倍に等しいことによって特徴付けられる。更に、長く幅の狭い接続ブリッジ上の熱電対が吸収領域の周りを取り巻いており、接続ブリッジが、少なくとも一つの折り返し箇所を有することを提案することができる。そのようにして、接続ブリッジの曼陀羅形状が、それによって長さを延長させた形で実現可能である。本発明の特別な実施形態は、熱電対の温端を有する幅の狭い接続ブリッジが複数の側から吸収領域に通されるものと規定する。サーモパイルセンサー構造は、有利には、CMOSプロセスで製作されたn型とp型の多結晶シリコンから構成される。小さい熱質量と速い応答速度を実現するために、サーモパイルセンサー構造上に半導体プロセスで作った分離及びパシベーション層の一部を表側から再び除去する。面利用率を向上させるために、薄い吸収層が、少なくとも部分的に接続ブリッジ上にも延び、有利には、それどころか接続ブリッジ全体の上に延びるとともに、冷接点の直前にまで延びる。温度の平均化のために、吸収領域内の膜を一つ以上の多結晶シリコン層で塞ぐことができる。本発明の更なる改善形態では、吸収領域内の多結晶シリコン層は、熱質量を低減するために縮小された形の構造を有する。例えば、その層が、吸収層の中央を出発点とする十字の形状を有し、その十字の端が、サーモパイル構造の温接点を取り囲むか、或いは短絡防止のために、その片側だけと接触する。更に、熱電対を有する長く薄い接続ブリッジが、少なくとも一カ所で安定化ブリッジによって、隣接する支持基板と接続されるものと規定する。本発明の有利な実施構成では、複数のセンサーセルが、近接して配列又はアレー形状で同じセンサーチップ上に配置されており、信号処理部の少なくとも一部は、同じ半導体基板上に統合されているか、或いはセンサーセルは、一つの個別セル又は四つの個別セル当たり共通の一つの電子信号処理ユニットを有する。サーモパイル赤外線センサー構造の光学系は、最も簡単な場合、フィルターディスク又は収斂レンズとすることができる。この光学系は、筐体に固定して取り付けられた第一のレンズと、筐体の外に置かれた第二のレンズとから構成され、これらの二つのレンズが、共同して光学像を作り出すようにすることもできる。それに代わって、この光学系は、筐体内に固定して取り付けられた第一のレンズと、筐体の外に置かれた第二のレンズとから構成され、第二のレンズは、気密に設置する必要がなく、交換可能であるようにすることができる。最後に、この光学系は、筐体内に固定して取り付けられた第一のレンズと、筐体の外に置かれた第二のレンズとから構成され、第二のレンズが、調整機器によって、センサー素子との間隔を調節可能であるようにすることができる。添付図面に基づき、本発明を説明する。図1と2は、本発明による赤外線センサーの基本構造を図示している。支持体2、膜3、吸収層5を備えた中央の感知領域4及び接続ブリッジ6を有するセンサーセルチップ1が、底板10の上に設置されており、その底板は、更にカバー12によって閉鎖されている。カバー12の中のセンサーセル上には、物体からの赤外線を吸収体5に誘導又は集束するための光学系13が有る。支持体2は、半導体材料例えば、シリコンから成る基板で構成されており、裏側からのエッチングによって、センサー素子の下の半導体材料を完全に掘り抜かれており、熱電対16の間の領域には、半導体の基板材料から成る薄い、垂直又はほぼ垂直な分離壁を残している。チップ1上のセンサーセルの電気端子は、接続配線11を介して、外部端子14と繋がっている。この構造は、例えば、トランジスタの筐体などの金属製の底板10上でも、金属製でない底板例えば、回路基板やセラミック基板10上でも実現することが可能である。筐体内に閉じ込められた媒体は、ガス又は混合ガス15である。本発明では、膜温接点3の中央の領域吸収領域4から支持体冷接点2への対流を出来る限り少なくするために、このガス15の熱伝導率は、空気又は窒素よりも小さい。それには、モル質量の大きなガス15、例えば、キセノン、クリプトン又はアルゴンを使用するか、或いは標準大気圧と比べて大幅に内圧を低減した超真空以上のガスを使用するのが有利である。この筐体は、周囲環境とのガスの交換が行われないように閉鎖しなければならない。図2は、本発明によるセンサー筐体内の赤外線を感知するセンサーセル1の構造自体を図示している。シリコン又はそれ以外の半導体材料から成る支持体基板2上において、支持体の表側には、中央の領域4が一つ以上の薄い接続ブリッジ6によって吊るされた薄い膜3が置かれている。これらの接続ブリッジ6は、本発明による幅の狭いスリット7によって、中央の領域4と支持体2の両方から分離されている。計測可能な大きさに赤外線を変換するための温度センサー構造が、中央の領域4と接続ブリッジ6上に有る。これらのセンサー構造は、例えば、周知のピロ電気又は熱電気式構造、或いはボロメーター式構造とすることもできる。以下において、熱電気式センサー構造、所謂サーモパイルに基づき本発明を説明する。そのようなサーモパイルは、ヒートシンクとしての役割を果たす、垂直な壁を備えた基板本体の上の冷接点8と、中央の吸収領域上の所謂温接点9とを有する。センサー筐体の外に有る測定すべき物体の温度がヒートシンク基板本体2よりも高い限り、吸収領域上で吸収された赤外線によって、温接点9は、冷接点8と比べて温められる。その逆の場合、吸収領域は冷やされて、負の温度差が生じる。この熱電気式センサー構造は、温接点と冷接点の間の温度差に比例した信号電圧を発生する。センサーセルの測定感度信号電圧を向上させるためには、温接点9をヒートシンク2から特に良好に断熱すると同時に、吸収領域の大きさをセル全体と比べて出来る限り大きくしなければならない。本発明では、熱分岐線16の長さを特に長く実現することによって、それを解決しており、熱分岐線を従来通り冷接点8と直線の経路で直接接続するのではなく、より長く、より幅の狭い接続ブリッジ6による迂回経路で接続する形で実現している図3a~3dを参照。従来のサーモパイルセンサーが多数の個別の熱分岐線16個別のセル当たり、典型的には40~80個、多くの場合100個以上の熱電対を有するのに対して、本発明では、個々のセル当たり最大20個、典型的には10個以内の少数の熱電対で実現している。高い面利用率を実現するために、ブリッジを支持基板及び中央の吸収領域から分離するためのスリット7の幅は、最大10μm、有利には、3μm以内である。センサーセルの製作は、例えば、安価なCMOSプロセスで行われる。熱分岐線とも称する熱電対16は、有利には、n型とp型のシリコン、ゲルマニウム又はそれらの混合構成から作成されており、1μm以内の厚さを有する。支持体2の壁は、垂直又はほぼ垂直であり、有利には、支持体の底にまで達する。それらは、所謂MEMSとしても知られている微細加工技術で製作され、MEMS微小電子機械システムを応用したものである。その有利な方法は、例えば、反応性イオンエッチング深堀りRIEプロセスであり、支持体の下側から、基板全体を通って膜に達するまでエッチングするものである。測定物体の赤外線を最大限吸収するために使用する吸収層5自体は、吸収領域の熱質量を小さくして、それによってセンサー素子の速い応答速度を達成するために、非常に薄く、有利には、1μm以内の厚さである図4。多くの場合、吸収層5は、その下に有る、薄い膜3上の層とも協力して機能する。吸収層5は、CMOSと互換性の有るプロセスで製作される。測定点の小さい単一素子のセンサーセルとするために、ブリッジ以外の中央の領域4に吸収層5を限定することができる。複数の素子の構造図7も参照に対しては、面利用率を向上するために、吸収体5を接続ブリッジ6全体又は少なくともその一部の上に拡大することもできる図1b。以下において、セルサイズ、特に、熱分岐線16と分離スリット7を備えたブリッジ6の形状に関する実施構成を説明する。図3a~3dは、本発明による熱分岐線16を備えた接続ブリッジ6に関する複数の実施構成を図示している。一般的に、中央の領域4は、二つ又は四つの接続ブリッジ6を介して支持体2と接続されている。その場合、接続ブリッジ6の長さは、少なくとも中央の領域4の側面の半分である。典型的には、ブリッジの長さは、中央の領域4の側面の長さ図3aの所謂90°形式又は側面の長さの二倍図3bの所謂180°形式である。図3bは、そのような中央の領域4の側面の二倍の長さ180°形式のブリッジを図示している。別の実施形態は、ブリッジの形状が折り返し箇所24を有し、それによりブリッジの向きを逆転させて、ブリッジに曼陀羅形状を持たせることによって実現した更に長い接続ブリッジ6を有する。図3cは、接続ブリッジ6が曼陀羅形状の90°形式を図示し、図3dは、接続ブリッジ6が曼陀羅形状の180°形式を図示している。基本的に、図3a~3dの間の別の解決策、例えば、側面の長さの0.5倍又は側面の長さの1.5倍の接続ブリッジ6も考えられる。接続ブリッジ6の長さを更に延長するために、接続ブリッジ6を更に多くの曼陀羅形状に折り返すこともできる。そのような一つ又は別の変化形態は、セルの大きさ、達成可能な応答速度、筐体内のガスの圧力及び形式、並びに温度分解能に関する要件に応じた利点を有する。図4は、中央の領域4の実施形態を図示している。図4a~4dは、本発明による中央の領域4の実施構成を図示しており、図4aと4bは、吸収層と多結晶シリコン製の熱平衡層の有る実施構成を、図4cは、吸収層の有る実施構成を、図4dは、吸収層と多結晶シリコン製の熱平衡層の無い実施構成を図示している。既に述べた通り、膜3の中央の領域4は、ブリッジ上に拡大することもできる吸収層5で覆われている。熱分岐線16を構成する多結晶シリコンの層は、CMOSプロセスで実現される。そのような層は、吸収層5に加えて、吸収体の様々な領域と温接点の間の良好で速い熱平衡を実現するために、中央の領域に使用することもできる。典型的には、温度が最も高い部分は、中央の領域4の中心に生じる。しかし、中央の領域4の中心にまで熱分岐線16の全部を通した場合、熱電対の内部電気抵抗とそのため雑音とが増大する。そのため、多結晶シリコン製の面17は、中央の領域4とその更に外側に有る温接点8の間の熱平衡層として使用することができる。更に、温接点を吸収体上に分散させることもでき、その場合、サーモパイルの内部抵抗を低下させるために、熱分岐線の幅を広げている図3と4には図示されていない。図4aは、中央の領域4全体が少なくとも一つの多結晶シリコン製ベルト17で覆われた形態を図示している。それによって、雑音の小さい最も高い信号感度即ち、最も高い検出性能を達成することができる。この場合、外側の多結晶シリコン面は、温接点をほぼ取り囲んでいる。しかし、有利には、短絡を防止するための隙間を少なくとも片側に残しておく。高い応答速度を達成するためには、多結晶シリコンの面17を中央の領域4全体の上に拡大させないで、中心から十字又は星の形にだけ構成することが有利な場合が有る図4b参照。そうすることによって、中央の領域の熱質量の低減とそのため応答速度の向上とが達成される。また、吸収層が存在する箇所から多結晶シリコン層17を取り去った場合、信号が大きくなり、速い応答速度が達成される図4c。その場合の信号は、多結晶シリコン製熱平衡面が有る場合よりも若干小さい。応答速度は最も速いが信号が小さい形態は、吸収層と多結晶シリコン層17を取り去ることによって実現される。信号を大きくして、応答速度を向上させることは、CMOSプロセスの間に吸収体の領域又は吸収体とブリッジの領域に生じるパシベーション層を表側から完全に、或いは部分的に再度除去する薄くすることによって実現することができる。図5aと5bは、シリコン製支持体の上の外部領域と比べて、吸収体領域内のパシベーション層18の厚さを低減した形態を図示している。そのように薄くすることは、周知のチップ前側の湿式化学エッチング又はドライエッチング法によって行われる。特に、複数の素子から成る構造における壊れ易い膜の安定性とそのため生産性とを向上させる手法は、接続ブリッジ6と吸収体領域の間又は接続ブリッジ6と支持体2の間に、膜材料から成る薄いリブ19を残すことである。その場合、エッチングされた隙間7は、そのようにして残したリブ19によって、所望の通り数カ所で中断される。図6には、そのようなリブ19が図示されている。リブ19は、接続ブリッジの様々な箇所に設けることができ、例えば、吸収体の四つの角全部に設けることもでき、それは、本構成の機械的な安定性を向上させる。別の実施構成では、従来から提案されているサーモパイルセルを組み合わせて、m行xn列のアレー構造とすることもできる。その例が図7に図示されている。そのような同じチップ上の多くの個別セルから成る実施構成は、チップ側の電子回路も必要となるので、図7aには、見易くするために、膜に切れ目を入れて小さい四角形としただけの個々のサーモパイルセル20が図示されている。そのようなセンサー近傍の電子回路20又は22は、例えば、前置増幅器、ローパスフィルター、マルチプレクサー、アドレスレジスター、ADコンバータ及びインタフェースを備えることができる。個別のセンサーセルを選択するのに適したスイッチングトランジスタ21は、有利には、各セルの近くに有るが、素子数が少ない場合、チップ周縁部に移動することもできる。特に有利には、個別の素子をチップ上にマトリックス形状に配置することによって、吸収体材料5による被覆が大きな面となり、幅の狭いスリット7との協働作用によるエッチング壁が基板2全体で直線となるため、高い面利用率を達成することができるという作用効果を奏する。そのことは、熱線によって活性化されない面に対する、熱線を吸収して、それによって活性化される面の比率である、アレー用途に関して重要な面利用率を一層向上させることができる。アレー構造を動作させるためには、電子素子グループを基板に統合しなければならない。その場合、個々の素子は、センサー素子から成るマトリックス内に、例えば、素子の間の頂点に取り付けることができる。前置増幅器、ローパスフィルター、マルチプレクサー、アドレスレジスター、温度基準、電圧基準、アナログデジタル変換器、インタフェース素子グループなどの別の電子素子グループは、アレー構造の周縁領域に収容することができる。そうすることによって、光活性領域外のそれらの素子は、面利用率に不利な影響を及ぼさなくなる。更に、電子素子グループで生じる熱損失は、簡単に外に排出することができる。この実施構成に関しては、全ての使用プロセスが標準的なCMOS手順と互換性を持つことが特に重要である。使用する材料と所要のプロセスが標準的なCMOS手順に抵触しない場合にのみ、前述した赤外線を感知するセンサー素子を所要の評価電子素子とモノリシック方式で統合するとの課題を解決することができる。そのような統合工程によって、少数の入出力を介したセンサー制御とセンサー信号の出力の実現を達成することができる。そのため、負担のかかる配線接続部11が不要になるとともに、そのようなアレーセンサーの安価な大量生産が容易になる。前置増幅器を除くピクセル近傍の電子素子がローパスフィルターも含む場合、システムの雑音帯域幅を縮小して、信号対雑音比を向上することができ、それは、達成可能な検出性能と測定精度を高めることとなる。図1は、本発明による筐体内のセンサーチップを図示している。そのために、前述したセンサーチップが、例えば、金属、セラミック又は金属コーティングしたプラスチック回路基板から成る良好に熱を伝導する底板10の上に、個別素子又はアレー構造として構築されている。所要の制御入力と信号出力は、有利には、配線接続部11を介して、基板支持体の電気接点面と接続されている。そして、このセンサー構成は、有利には、ニッケル、アルミニウム又は銅から成る、同じく良好に熱を伝導するカバー12によって気密に閉鎖されている。カバー12の中には、赤外線を通す材料から成る光学的な窓13が有り、その窓を通して、検出すべき赤外線がセンサーチップ1上に到達する。閉鎖された筐体内には、標準圧力のガス15又は圧力を低下させた残留ガスから成る雰囲気が有る。ここで述べた発明の利点は、そのような雰囲気の熱伝導が標準の雰囲気又は標準圧力の乾いた窒素雰囲気よりも著しく低い場合に効果を発揮する。更に別の二つの実施構成を説明する。第一の実施構成では、周囲のガスの圧力を低減した真空筐体構成を使用した場合に、最良の感度が達成されるが、その中間の段階も考えられる。真空筐体の欠点は、筐体全体を完全に気密に閉鎖しなければならず、長年に渡ってガス圧の変化が起こらないようにすることである。それには、負担のかかる、そのため高価な筐体方式が必要となる。第二の実施構成では、筐体は、標準圧力で、例えば、クリプトン又はキセノンなどの熱伝導率の小さいガスで満たされる。そうすることによって、同じく、センサーの感度が向上するが、筐体方式の要件が低くなる。真空筐体の実施構成とするか、或いは熱伝導率の小さいガスによるガス充填の実施構成とするかの選択は、センサーチップ構成の最適化にも影響する。即ち、シミュレーションによる計算では、真空筐体方式を用いた場合の熱電対の最適な数が非常に小さいことを示している。サーモパイルの出来る限り大きな検出性能を達成するために、有利には、センサー素子当たり4~8個を上回る熱電対を使用しない。そして、膜3を支持している一定数の接続ブリッジ6上に、そのような熱電対を分散させる。それに対して、熱伝導率の小さいガスを用いた筐体構成を選択した場合、より多くの数の熱電対を選定することができる。ここで述べた発明に関して、キセノン又はクリプトンを用いたセンサー筐体の充填を行った場合の熱電対の有利な数は、サーモパイル当たり6~16個の素子である。センサーの熱時定数は、検知領域の熱容量を温接点と冷接点8間の熱伝導係数で割った商として得られる。熱伝導係数を小さくすることによって、感度及び検出性能の向上を達成した場合、時定数が上昇して、センサーの応答速度が低下することが欠点として生じる。そのような理由から、本発明による吸収層5が検知領域内での赤外線の大きな吸収を引き起こすだけでなく、薄い層厚とそのため小さい熱質量とを有することも特に重要である。図8は、有利には、カバー12内の光学系13が赤外線レンズによって構成されている、アレーとして配置されたセンサー素子の実施構成を図示している。センサーチップとレンズの両方が、互いにセンサー筐体内の中心に置かれている。赤外線がセンサー素子上に鋭く結像するように、カバーの高さを調整しなければならない。基本的には、そのような光学系の代わりに、フィルターディスクを使用することもできる。その場合、レンズは、筐体の外に置かなければならない。センサーとレンズの間の可視領域は、有利には、反射性ではない、或いは散乱光線を低減するための部材を配備される。有利には、センサー筐体内の雰囲気15の熱伝導率は小さい。アレーとして配置されたセンサー素子と共に結像光学系を使用することによって、赤外線の空間解像方式による測定が可能となる。球面又は非球面の平凸レンズの使用が特に有利である。それによって、一方では安価に製作することができ、他方では、平坦な側が気密な筐体への組込みに適した密閉面となる。センサー筐体内の雰囲気15に応じて、平坦な側を外側にしてカバー12内に、或いは平坦な側をセンサー内部に向けてカバー12の外側の上にレンズ13を取り付けることが有利な場合が有る。そのような取付けは、有利には、レンズ13の密閉面がカバー12に加えて筐体内部と外部環境の間の圧力差にも適合するような手法で行われる。前述した実施構成は、第二のレンズ23を第一のレンズ13又はフィルターの前に所定の間隔を開けて設置することによって拡張され、それによって、結像特性の改善を達成することができる図9a。そのような第二のレンズ23は、所望の光学要件に応じて、任意の球面又は非球面の形状を持つことができる。その場合、第一のレンズ13と第二のレンズ23の間のバレルは、特別な雰囲気を持たず、気密又は真空にする必要はない。二つのレンズ13,23の間の領域は、多くの場合標準の雰囲気とすることができる。二つのレンズ13,23の間の領域は、有利には、反射性ではなく、良好に熱を伝導する材料から構成される。別の実施構成では、カバー12に取り付けられたレンズ13又はフィルターに対する第二のレンズ23の間隔を変更して、その結果結像光学系の結像特性を変化させることができる図9b。基本的には、光学系は、カバー内の結像フィルター又は結像レンズと組み合わせた、カバーの中又は外の結像ミラーから構成することもできる図示していない。"