事前に基板上に堆積された複合層に含まれる金属粒子の拡散方法であって、前記複合層はさらに少なくとも1つの誘電体マトリックスを含み、前記基板へ向かう前記金属粒子の拡散はプラズマ処理によって達成される方法。前記プラズマ処理が低温プラズマと呼ばれるプラズマによって、有利には室温における低温プラズマによって実施されることを特徴とする、請求項1に記載の金属粒子の拡散方法。前記プラズマがヘリウム、アルゴン、キセノン、又はこれらの気体の混合物を含む群から選択される少なくとも1つの気体を含むことを特徴とする、請求項1又は2に記載の金属粒子の拡散方法。前記金属粒子が銀、銅、金、チタン、クロム、タンタル、又はこれらの金属の混合物を含む群から選択される金属の粒子であることを特徴とする、請求項1~3の何れか一項に記載の金属粒子の拡散方法。前記複合層が、金属粒子の及び誘電体マトリックスの同時堆積によって、又は少なくとも1つの誘電体マトリックスの及び金属粒子の連続する堆積によって作成されることを特徴とする、請求項1~4の何れか一項に記載の金属粒子の拡散方法。前記誘電体マトリックスが、ウェットプロセス含浸、ゾル-ゲル、又はドライプロセスPVD、CVDによって、有利にはPVDによって作成される複合層であることを特徴とする、請求項1~5の何れか一項に記載の金属粒子の拡散方法。前記誘電体マトリックスが誘電体酸化物、さらに有利にはシリコン酸化物SiOxであることを特徴とする、請求項1~6の何れか一項に記載の金属粒子の拡散方法。前記基板がガラス、シリコン、又はポリマー製であることを特徴とする、請求項1~7の何れか一項に記載の金属粒子の拡散方法。前記プラズマ処理が、-PECVD反応器内で、-ヘリウムを用いて、-0-2.45GHzの、好ましくは10-450kHzの周波数域で、-時間が1秒間から60分間の間で、有利には15秒間から15分間の間で、-カソードに印加される出力が0.01-10W/cm2で、特に0.01-1W/cm2で、-温度域が15-45°Cで実施されることを特徴とする、請求項1~8の何れか一項に記載の金属粒子の拡散方法。金属粒子を統合している複合層を有する基板付近でのプラズマの使用方法であって、前記基板へ向かう前記金属粒子の拡散を達成するための方法。前記複合層が、その内部に分散された前記金属粒子を有する誘電体マトリックスで形成される、請求項10に記載のプラズマの使用方法。前記複合層が、その上部に堆積された前記金属粒子を有する誘電体マトリックスで形成される、請求項10に記載のプラズマの使用方法。本発明は室温及び減圧下における複合層中の金属粒子の拡散方法に特に関するものであり、金属粒子及び誘電体マトリックスによって形成される複合層の構造制御を可能にする。出願人は、金属粒子を拡散可能にする方法を発展させてきた。ここで、基板上に事前に堆積された複合層は後処理を受ける。後処理の段階は、金属粒子の拡散の制御を可能にする。拡散という用語は、マトリックス中の、又は基板に向かう少なくとも1つの金属種の移動のいかなる機構を示すのに用いられる。さらに具体的には、本発明は基板上に事前に堆積された複合層内に含まれる金属粒子の拡散方法に関するものであり、前記複合層は少なくとも1つの誘電体マトリックスをさらに含む。ここで前記基板へ向かう前記金属粒子の拡散はプラズマ処理によって達成される。別の言い方をすると、本発明はマトリックス中の又は基板に向かう金属粒子の拡散を制御するための、少なくとも1つのマトリックス/金属粒子の堆積で覆われた基板付近でプラズマを用いることを特に含む。こうして本発明に従う方法は、金属粒子の表面プラズモン共鳴による光吸収強度の制御を可能にする。このように本発明は主に、複合層から基板へ金属粒子を拡散させるための複合層を含む基板付近でのプラズマの使用を目指す。一般的に基板は拡散に対するバリア層として用いられる。すでに示されたように、複合層は次のように作成され得る:-金属粒子及び誘電体マトリックスの同時堆積、又は-少なくとも1つの誘電体マトリックス及び金属粒子の連続する堆積。最初の場合では、マトリックス及び金属粒子は同時に堆積され、粒子は誘電体マトリックス中に埋め込まれ、マトリックス表面に現れる粒子の割合は小さい。このような堆積は、薄膜又は薄層の特に厚さ全体で一様である。誘電体マトリックス及び金属粒子の連続した堆積によって複合層が作成される場合、堆積は複数の異なる連続する段階で実施される。サンドイッチ構造体とも呼ばれる、複数層の構造体はこのように得られる。最終層が誘電体マトリックスの堆積により得られるならば、金属粒子はマトリックス中で孤立した状態になり得る。低温プラズマと呼ばれるプラズマを用いてプラズマ処理が実施されると有利であり、室温に近い又は室温での低温プラズマの影響下ではさらに有利である。生来分解する可能性のある化学前駆体をプラズマ中に導入しないことも必要とされる。一般的にプラズマ処理は15-45°Cで実施されることが有利である。本発明に従う方法はこうして、様々な性質の基板、及び特に熱に敏感な基板に適用可能な優位点を有する。典型的に、本発明に従う金属粒子の拡散方法において用いられるプラズマは、少なくとも1つの気体を含み、それはヘリウム、アルゴン、キセノン、又はこれらの気体の混合物を含む群から好ましく選択される。当然、プラズマを形成する気体の性質と同様に、温度及び圧力条件は状況によって変化する。例えば、当業者は用いられる気体によって圧力を容易に調整し得る。ヘリウムの場合、反応器圧力は典型的には26Pa程度である。非常に具体的な実施形態において、プラズマ処理は以下のように実施され得る:-PECVD反応器内で、-ヘリウムを用いて、-周波数域が0-2.45GHzで、好ましくは10-450kHzで、-時間が1秒間から60分間の間で、有利には15秒間から15分間の間で、-カソードに印加される出力が0.01から10W/cm2の間で、特に0.01から1W/cm2の間で、-温度域が15-45°Cで実施され得る。有利には、直流電流、低周波数、ラジオ波、マイクロウェイブ、又は電子サイクロトロン共鳴の電力供給によってプラズマが生成され得る。一般的には、当業者に知られている技術であるウェットプロセス含浸、ゾル-ゲル又はドライプロセスPVD、CVDによって、より有利にはPVDによって複合層は形成される。PVDは真空蒸着であり、一方CVDは化学蒸着であるということを単に明示しているだけである。マトリックス及び金属粒子の同時堆積は均一な複合層を提供し、一方マトリックス及び金属粒子の異なる連続段階での堆積はサンドイッチ構造体を提供する。誘電体マトリックスは、有利には誘電体酸化物であり、及びより有利にはシリコン酸化物SiOxである。すでに示されたように、プラズマ処理前に基板上に堆積された複合層は、薄層形状をしたマトリックス及び金属粒子から主に形成される。基板は、典型的にはガラス、シリコン、又はポリマー製である。一方、金属粒子は有利には銀、銅、金、チタン、クロム、タンタル、又はこれらの金属の混合物を含む群から選択される金属の粒子である。金属粒子は、好ましくは100nm未満である最大寸法を有するナノ粒子の形態で現れる。一般的に金属粒子の最大寸法は、1μm未満であり、好ましくは100nm未満である。本発明は、基板へ向かう前記金属粒子の拡散を達成するために、事前にその上に堆積された金属粒子を統合している複合層を有する基板付近におけるプラズマの使用に関するものでもある。すでに示されたように複合層は、その内部に分散された金属粒子を有する誘電体マトリックス、又はその上部に堆積された金属粒子を有する誘電体マトリックスから形成される。本発明に従う方法は、低コストである及び室温で実現可能であるという優位性を有する。ヘリウムプラズマに暴露される時間によって表面プラズモン効果を制御することが可能である。さらに、基板へ向かう金属粒子の拡散の制御により、複合層の機能特性を修正することが可能である。本発明の前述の及び他の特徴及び優位点は、添付図面に関連する以下の実施形態の以下の非限定的な説明内で議論される:例1から例3の試料は、室温で作成される。PECVDはプラズマ強化化学気相堆積を意味する。例1この例は図2から図4によって示される。SiOx-Ag-SiOx複合層は、ソーダ石灰ガラス基板、シリコン基板、及びTEM観察用グリッド上に堆積される。この堆積は以下を含む3段階で実施される。-低周波数PECVDによる第1のSiOx層の堆積であり、ガラス、TEM、又はSi試料は接地された基板ホルダー上で堆積され、アルミニウムカソードは基板から3.5cmの距離に配され、He及びHMDSO、つまりヘキサメチルジシロキサン1の混合気体が反応器内へ導入され、圧力が26Paに調整され、カソードに印加される出力は周波数40kHzで2Wcm-2を10秒間であり、反応気体相はプラズマによって分解され、堆積物の厚さは、SiOxの場合、およそ30nmである。-従来技術FR2924359に従う銀ナノ粒子の堆積であり、その際試料はマグネトロンカソードスパッタリング装置内で銀ターゲットから3cmの距離に配され、アルゴンが反応器内に導入され、使用圧力が26Paに設定され、銀ターゲットのスパッタに用いられる電源は、1Wcm-2の出力密度のパルス電流発生器100kHzである。堆積時間は7秒間である。-第2のSiOx層の堆積は、第1のSiOx層と同様に行われる。得られる膜の特徴:こうして得られる複合膜又は層は、SiOx-銀ナノ粒子-SiOxサンドイッチ構造体を有する。このようなサンドイッチ堆積物は、カーボン膜に覆われた銅製TEMグリッド上に実施される。サンドイッチ膜のTEMによる観測は、およそ3nmの直径を有する銀ナノ粒子の存在を明らかにする。ソーダ石灰ガラス上に堆積された膜の透過率は、300-800nmでの光学分光測定によって決定される。透過曲線図3、曲線aは、400nm以下に高い吸収を持つソーダ石灰板で従来観測されるものと一致し、これは実際のガラスに起因するものである。400nm以上の透過率はおよそ91である。堆積物に固有の特徴が存在せず、従って可視域で透明である。ガラス上に堆積された試料に対する後処理の実施:ガラス試料は後処理反応器内に配され、この場合ヘリウムのみが反応器内へ導入される。圧力は26Paに調整される。カソードに印加される出力は、0.13Wcm-2のみである。周波数は40kHzに維持される。SiOx-銀ナノ粒子-SiOxサンドイッチ堆積物で覆われたガラス試料上の透過率測定は、全持続時間30秒間、2分間、5分間、及び10分間のヘリウムプラズマ後処理の後に行われる。後処理によって、420-450nmの波長域に集中する吸収ピークが検出される。このような吸収は、SiO2マトリックス中における銀ナノ粒子の表面プラズモン共鳴の特徴である。この吸収帯の強度は、ヘリウムプラズマ後処理の時間と共に増加する。よって吸収の制御は、ヘリウムプラズマへの暴露時間の関数である。後処理によって、シリコン基板上の断面観察で銀粒子の蓄積が検出される図4。拡散バリア層として機能する、元から存在するシリカによって、拡散は停止される。例2この例は、図5及び図6によって示される。ソーダ石灰ガラス基板、及びTEM観察用グリッド上への例1よりも少量の銀を含むSiOx-銀ナノ粒子-SiOxの堆積は、3段階で達成される。第1及び第3の段階は、例1と同一である。第2の段階は銀ターゲットに注入される出力密度が異なる。この例ではそれは0.5Wcm-2であり、つまり例1の半分未満である。得られる膜の特徴:例1に関して、最終的な堆積物は、SiOx-銀ナノ粒子-SiOxサンドイッチ構造体を有する。銅製TEMグリッド上でのサンドイッチ膜のTEM観察は、およそ1.5nmの直径を有する銀ナノ粒子の存在を明らかにする。このような銀ナノ粒子は例1で得られたもののおよそ半分未満の大きさである。ソーダ石灰ガラス上に堆積された膜の透過率は、300-800nmでの光学分光測定によって決定される。透過曲線図6aは、このように堆積されたガラス試料の透過に対応する後処理前。それは図3の曲線aと似ており、それ自身は単純なガラス基板のものとほぼ同一である。堆積物は可視域で透明である。ガラス上に堆積された試料に対する後処理の実施:例1にあるように、試料はPECVD反応器内に配される。ヘリウムが導入され、圧力が26Paに調整される。カソードに印加される出力は、0.13Wcm-2である。周波数は40kHzに維持される。SiOx-銀ナノ粒子-SiOxの堆積物で覆われたガラス試料上の透過率測定は、全持続時間30秒間、2分間、及び5分間のヘリウムプラズマ後処理の後に行われる。透過率曲線は図6に示される。後処理によって、420-450nmの波長域に集中する吸収ピークが再び検出される。吸収の強度は例1よりも低いが、銀ターゲットに印加される出力密度が例1の半分未満で、この試料中の銀が少ないため必然である。しかしながら、ヘリウムプラズマに暴露される時間と共に、吸収は同様に増加し、試料の色が深まる。第2の試料は、金属ナノ粒子の表面プラズモン共鳴を制御するヘリウムプラズマ後処理の効果を再度示す。例3この例は図7に示される。SiOx-銀-SiOxの堆積物は複数のシリコン基板上に3段階で達成される。2つのシリコン試料は例1と同様の条件で被覆される。第1の試料では、堆積直後におけるSIMS二次イオン質量分析法の銀プロファイルが描かれる。第2の試料では、SIMSの銀プロファイルが決定された後、例1及び例2のものと同一の条件で10分間のヘリウムプラズマ後処理が実施された。SIMS分析条件は第1の試料と同一である。堆積後、銀粒子は2つのSiOx層内に存在する第1及びこの堆積段階。ヘリウムプラズマ後処理の後、このプロファイルは変更される。シリコン基板へ向かう銀粒子の拡散が明確に現れる。試料の外部表面第3の堆積段階にある、第2のSiOx層内よりも銀粒子の量は少なく、最大の銀濃度は基板に向かってオフセットされる。この結果は本発明の追加の優位点につながり、それは基板へ向かう銀粒子の拡散を制御する、ひいては機能特性を調節する可能性である。