"基板上に材料をエピタキシャル成長させる方法であって、基板の一領域、またはその近傍において前駆物質をそれぞれの分解温度にまで個々に加熱することにより、前記領域に個々に供給されて前記領域に結合する核種を生成することを含む方法。請求項1において、それぞれの前駆物質からの前記核種が前記領域に順次に、個々に供給される方法。請求項1または2において、前記核種を基板の相対移動により前記領域に個々に供給して、前駆物質の分解が発生する位置に対して前記領域を移動させる方法。請求項1~3のいずれかにおいて、少なくとも1つの前駆物質が、ガス流として、個々に前記領域に供給される方法。請求項1~4のいずれかにおいて、前記核種がIII族およびV族元素よりなる群から選択されている方法。請求項1~4のいずれかにおいて、前記核種がIV族元素から選択されている方法。請求項5において、前記核種がガリウムおよび窒素を含んでいる方法。請求項6において、前記核種が炭素およびシリコンを含んでいる方法。請求項7において、前記前駆物質の1つがアンモニアである方法。請求項1~9のいずれかにおいて、前記基板がガリウム-砒化物のような半導体を含んでいる方法。請求項1~10のいずれかにおいて、前記前駆物質の1つが、基板を加熱することにより前駆物質の分解温度にまで加熱される方法。請求項6において、前記基板が低分解温度を持つ前駆物質の分解温度にまで加熱される方法。請求項11または12において、前記基板が500~800°Cの範囲の温度に加熱される方法。請求項1~13のいずれかにおいて、前記前駆物質の1つが、前記領域に近接した位置で前駆物質の分解温度にまで加熱される方法。請求項14において、前記前駆物質が400~1800°Cの範囲の温度に加熱される方法。請求項1~15のいずれかにおいて、さらに、前記基板全体にわたって前記領域を移動させることを含む方法。基板上に材料をエピタキシャル成長させるための装置であって、基板サポートを含むチャンバを備え、前記チャンバは第1前駆物質を供給するための第1注入口と、第1注入口から離れた、第2前駆物質を供給するための第2注入口とを有し、前記第1と第2前駆物質を、基板の前記領域またはその近傍において、前駆物質をそれぞれの分解温度にまで個々に加熱することにより、前記領域に個々に供給されて前記領域において結合する核種を生成させる第1と第2加熱手段を有している装置。請求項17において、前記第2注入口が前記基板サポートに近接して配置された供給管によって形成されている装置。請求項18において、前記第2注入口が細長いスロット形状である装置。請求項18または19において、前記第2加熱手段を前記スロット内またはその近傍に備えている装置。請求項17~20のいずれかにおいて、前記第2加熱手段が加熱ワイヤである装置。請求項17~21のいずれかにおいて、前記第1加熱手段が前記基板サポートを加熱する位置に配置されている装置。請求項17~22のいずれかにおいて、さらに、前記基板サポートと前記注入口の少なくとも1つとの間に相対移動を発生させるための手段を備えている装置。請求項18に従属する請求項23において、前記基板上の各領域に同一または異なる前駆物質を供給する複数の供給管を備え、前記管と基板サポートが相対移動可能に設定され、前記管を移動させて異なる領域に位置合わせする装置。請求項24において、前記供給管が、前駆物質を順次に、個々に前記領域に供給するように配置されている装置。請求項23において、前記基板サポートと注入管の少なくとも1つとの間の前記相対移動が、横方向移動である装置。請求項23において、前記基板サポートと注入管の少なくとも1つとの間の前記相対移動が、回転移動である装置。本発明の1つの構成によれば、基板上に材料をエピタキシャル成長させる方法は、基板の一領域、またはその近傍において前駆物質をそれぞれの分解温度にまで個々にすなわち、別々に加熱することにより、前記領域に個々にすなわち、別々に供給されて前記領域において結合する核種を生成することを含む。既知の方法と異なり、発明者らは、基板の一つの領域、またはその近傍において前駆物質をそれぞれの分解温度にまで個々に加熱する、また前記領域は核種が結合する成長領域を構成する。この方法では、各前駆物質をそれの最も効率の高い分解クラッキング温度に加熱でき、一方で、このプロセスを、基板表面に到達する前に発生期原子が再結合するリスクを最小にする領域の近傍で実行できる。前駆物質の分解により形成される核種は反応性が高く、すぐにより安定性の高い生成物を形成する。核種が別の反応に関係する確率は、時間と濃度の関数である。成長領域近傍の前駆物質を分解することにより、形成された核種は、望ましくない反応生成物を形成することなく、基板上の成長した領域に結合するのを促進される。成長領域に極めて近い位置での前駆物質の分解は、望ましくない反応が発生する可能性のある時間長さを短くする。好ましくは、各前駆物質からの核種は、順次に、個々に成長領域に供給される。核種を前記領域に個々に供給するには、基板を移動して、前駆物質の分解が発生する位置に対し前記領域を移動させることにより可能になる。一般に前駆物質の少なくとも1つが、ガス流として前記領域に単体で供給される。好ましくは、核種はIII族およびV族の元素から選択される。代替方法では、シリコンおよび炭素のようなIV族の元素を使用することもできる。好ましい例では、前駆物質の1つ、好ましくは最低の分解温度を持つ前駆物質を、基板を加熱することにより分解温度に加熱する。この好ましい例では、別の前駆物質が、成長領域近傍の位置でその前駆物質の分解温度に加熱される。したがって、基板は550~800°C、例えば650°Cに加熱でき、一方で他の前駆物質が、直接または触媒の存在中でその前駆物質の最適分解温度に加熱される。一般に、この温度は400~1800°Cの範囲である。本発明の第2の構成によれば、基板上に材料をエピタキシャル成長させるための装置は、基板支持体を含むチャンバを備える。このチャンバは、第1前駆物質を供給するための第1注入口と、第1注入口から離れた、第2前駆物質を供給するための第2注入口とを有する。さらに、この装置は、前記第1と第2前駆物質を、基板の一領域またはその近傍において、それぞれの分解温度にまで個々に加熱して、前記領域において結合する核種を生成するための第1と第2加熱手段を有する。好ましくは、第2注入口が基板支持体に近接して配置される供給管で形成される。これにより、第2前駆物質を基板近くに導くのに都合のよい方法を実現する。第2注入口は、例えば円形孔またはこれに近い形の各種の形態にできるが、細長いスロット孔の形態が望ましい。第2加熱手段は、前記スロットの上流に間隔を空けて設けることもできるが、スロット内またはそれの近くに設けるのが好都合である。一般に供給管は、石英、窒化シリコンSiN、またはアルミナなどの耐熱材料で製作される。一方、好ましくは第2注入口は、例えば2mmの横断寸法を持つ噴射開口を形成する。好ましくは第2注入口は、前駆物質の流出口方向を、基板支持体に対し鋭角になるように形成され、これによりベンチュリ効果が発生して、遠隔源から供給される水素のような他のガスが供給管の下を通過するのを促進させる。一般に第2加熱手段は加熱ワイヤの形態であり、例えば鉄、ニッケル、アルミニウム、プラチナ、またはそれらの合金、特にプラチナ-ロジウムから製作される。加熱ワイヤは一般にコイル状である。大部分の用途では、エピタキシャル成長を基板上の比較的大きい領域に拡大するのが望まれる。これには基板上全域で領域を移動させる、例えば基板支持体と少なくとも1つの注入口との間に相対的移動を生じさせる手段を設けることにより、最も都合よく達成される。さらに、本発明は、単一基板上に単一領域を設けることのみに限定されない。例えば、複数の供給管を備えて、供給管と基板支持体を相対的に移動可能で、供給管を異なる領域に位置合わせできるようにして、同一または異なる前駆物質を基板上の各領域に供給してもよい。供給管は、前駆物質を個々に、かつ順次に前記領域に供給するように配置してもよい。つぎに、本発明による方法と装置のいくつかの例を、添付の図面により説明する。図1に示す反応装置は反応チャンバ4を含み、その内部に基板支持体ウェーハキャリヤ2を保持する基板キャリヤサスセプタ3を備える。図1では、基板ウェーハ1が基板支持体2上の所定の位置にある状態を示している。基板キャリヤ3は従来の方法、例えば誘導、赤外線または抵抗加熱方式によって加熱されるグラファイトブロックにできる。第1注入口6は反応チャンバ4の側壁に備えられ、一方、ガスデフレクタ偏向板7は反応チャンバ内に取り付けられ、注入口6から流入する前駆物質ガス5をウェーハ1方向に誘導する。供給管である噴射管9は反応チャンバ4を横切って延びており、例えば細長いスロット10を持つ石英の耐熱管の形態であり、第2注入口であるスロット10はウェーハキャリヤ2上で前記管の長さ方向に延びる噴射開口を形成している。直線ワイヤまたはコイル11がスロット10内に保持され、加熱エレメントを形成している。使用の際、基板1は基板支持体2上に置かれ、反応チャンバ4が閉じ、その後チャンバ内の圧力が適正一般に5~1000torrに調整される。通常、ウェーハ材料は、材料のエピタキシャル成長を促進するように選択され、またサファイヤ、GaN、GaAs,SiC、またはZnOを含むことができる。1つまたは複数の反応性前駆物質ガス5が注入口6からチャンバ内に導入される。反応性ガスの例には、堆積層の必要な組成に依存して、トリメチルガリウムGa蒸着用、トリメチルインジウムインジウム蒸着用その他を含む。このような混合物は半導体ドーパントdopant:少量の不純物用の前駆物質を含むものでもよい。また混合物5に水素などのガスを加えて、前駆物質の解離時に生成された遊離基を安定化する。基板キャリヤ3が加熱されることにより、基板キャリヤ3に近接している基板1と基板支持体2も加熱されて、基板1が適正な成長温度すなわち注入口6から導入される前駆物質5が最も効率的に分解される温度に到達する。GaNの成長に適する温度は600~800°Cの範囲である。第2前駆物質ガス8この例ではアンモニアは、加圧された管9に沿って供給され、噴射スロット10を通り噴射されて加熱ワイヤ11を通過する。ワイヤ11は一般に、アンモニアを分解してNとH遊離基を発生させるのに最適の400~1800°Cの温度に加熱される。図2では、スロット10をウェーハ1の主面の法線に対して傾斜させ、ベンチュリ効果により、注入口6から導入されるガスを矢印30で示されるように管9の下に引き込むようにしている。前駆物質ガス5は、基板1に達すると、従来の方法で分解され、その結果得られた核種例えばGa原子がガス8からの窒素基と結合し、基板1上に窒化ガリウムのエピタキシャル成長を発生させる。好ましくはワイヤ11をプラチナ-ロジウム合金のような触媒材料から製作し、この合金の場合には、一般に600~700°Cの範囲に加熱する。これは、ワイヤエレメントがフィラメントワイヤの形態の場合には、電気抵抗加熱により達成される。ワイヤ11と基板1の間の距離は短くして、前駆物質8からの最大量の分解生成物が基板表面で前駆物質混合物5と反応するようにする。この最適距離は混合物5の流量によっても影響され、GaNの生成におけるアンモニアに対する典型的な条件では、0.35m/secの流速に対しては約5mmの距離である。基板上への第2前駆物質ガス核種の噴射は、噴流がガス遮蔽として作用し、前駆物質ガス5とその分解生成物を一掃し、基板上に付着させない利点を備える。これにより、窒素基および水素基を高濃度で基板に到達させ、それらが基板に到達する前に、前駆物質ガス5またはその分解核種と混合しないようにできる。したがってこの例では、各前駆物質の核種を基板表面に個々に付着させることができる。成長面積を制御するために、基板支持体2が基板キャリヤ3に移動可能に取り付けられ、管9の下に矢印31で示された方向、つまり管9の横方向に移動手段は示していないできる。この移動により、各前駆物質からの核種は、他の前駆物質またはその分解核種と混合することなく、順次、任意の順序で、個々に基板表面に到達できる。このプロセスを繰返して、別の層をウェーハ上に重ねて置き、異なる寸法、ドーパント、または組成の材料を含む多層ウェーハを生成できる。廃ガスは最終的に流出口33から排出される。本発明の用途はマイクロ波デバイスおよびオプトエレクトロニクスデバイスの製作である。これらのデバイスは異なる電気特性を持つ異なる材料の複数の層を重ねて形成する。これらの層の構成が、そのデバイスがマイクロ波または光放射、すなわち電界効果トランジスタまたは発光ダイオード用かどうかを決定する。最適性能を得るために、層は可能な限り最も理想的は温度で成長する必要がある。この温度は使用される材料と製作されるデバイスに依存して変化する。本発明の利点は、材料の成長温度が、アンモニアのような前駆材料を分解するための高温度を持つ必要性に合わせなくてもよいことである。都合のよいことは、本発明は、ジシクロペンタジエニルマグネシウムのような、ガス相において不適合な前駆物質、例えばアンモニアからV族の核種を持つ低蒸気圧付加体を形成する前駆物質を使用できる可能性を提供する。図4に本発明の第2実施形態を示す。この場合、反応チャンバ4’はセルブロック端部61に取り付けたほぼ円形断面の管状の石英外側セル60を備える。外側セル内に、ほぼ正方形の管状断面の内側セル65が配置されている。取外し可能なモリブデンのキャリヤプレート66が内側セル65内に置かれている。キャリヤプレート66は内側セル65の底面に沿った方向に突出している。加熱手段図示なしを備えた基板キャリヤ3はキャリヤプレート66上に置かれている。さらに、自己保持型の石英ガスデフレクタ7’がキャリヤプレート66上に配置されている。ガスの流出孔67がセルブロック端部61を貫通して設けられている。噴射管9はセルブロック端部61を貫通してセルに入り、図1に示す例とは異なり、ガスの主流の方向図4に矢印で示されるにほぼ平行な方向に置かれ、基板1全体の中間点まで延びているだけである。細長いスロット10と加熱エレメント11図2は適正な寸法とされ、基板1の外側縁と中心の間の領域に堆積物を生成する。この場合、基板支持体2は基板キャリヤ3にある凹所70内に配置される。基板支持体自体も凹所71を含み、蒸着中はその凹所内に基板1が置かれている。凹所1と基板1の両方の寸法は、基板1の上面と基板支持体2が基板キャリヤ3の上面とほぼ面一になる寸法である。基板支持体2はシャフト75上方に取り付けられ、そのシャフト75は下方からセルに入り、基板キャリヤ3、キャリヤプレート66、およびセル壁60、65の孔を貫通している。セル壁60、65は適正なガスシールを備えて、セルの気密を維持している。シャフトの下端はモータ80または他の適正な回転手段に取り付けられている。動作中、外側および内側セル60、65の両方は排気され、内側セル壁65の内外の圧力差を減少している。前の例と同様に、1つまたは複数の前駆物質ガスが図の右の注入口図示なしから内側セルに入る。材料の堆積物が同様な方法で生成される。しかしここでは、モータによるシャフトの回転図4で矢印76で示すにより、噴射管9に対して往復運動ではなく、相対回転が発生する。この例では、噴射管9とシャフト75は装置から取外し可能であり、キャリヤプレート66、ガスデフレクタ7’、基板キャリヤアセンブリをスライドさせて取外しできる。図5は、チャンバ図示なし内の加熱されたサスセプタ基板キャリア18上に取り付けられた複数の基板17上に材料を成長させる装置を示す。管19とサスセプタ18の一方または両方が回転する。半導体ウェーハの各層は、管9と同様に、サスセプタの中心から噴射する複数の前駆物質供給管19を使用して順次堆積できる。1つの例では、供給管を図のようにグループ化して、両方の反応核種に対する前駆物質を同時に単一領域に導くようにする。基板17は管19と基板17の相対移動により、供給管19に近接する位置に順次移動される。この例では、水素、窒素、アルゴン、または他の適正な掃気用ガスを基板支持体の中心でシステムに導入し、前駆物質の1つに直接供給するのではなく、径方向外方に向けて流す。この流れにより、使用済み反応生成物を一掃する。図6に示す代替例では、管19a,19bは個々に前駆物質を成長領域に順次供給する、各基板17と各前駆物質管の速い相対移動により、各核種の供給の時間間隔は短くなる。したがって、前駆物質からの核種が、他の前駆物質またはその前駆物質自体からの核種と反応することなく、基板に到達できるので、蒸着プロセスの効率が高くなる。管19aと19bは、環状サスセプタ18の外周から前駆物質を供給する。基板17は、環状サスセプタ18の表面に円周方向に並んで配置される。1つまたは複数の管に、1つまたは複数の供給された前駆物質を分解するための手段を装着できることは明らかである。この例では、管の各々が別個の前駆物質をそれぞれの温度で分解するための加熱ワイヤを装備している。管19aはV族の前駆物質アンモニアを供給し、管19bはIII族の前駆物質トリメチルガリウムを供給する。基板17も前の例と同様な方法で加熱される、加熱により堆積される材料の均一性を保証する。この装置は特に、各基板の近くで化学物質のガス流れを切り換えることなく、大量にデバイスを製造するために、装置をスケールアップできる利点がある。これは、環状サスセプタ18の半径を増加させて、より多くの基板をサセプタの周囲に配置させ、それに合わせて、より多くの数の管19aと19bを備えることにより達成できる。さらに、異なるサイズの基板を使用することもできる。図6では示していないが、この例では水素の径方向流れも提供されている。代替方法では、窒素またはアルゴンなどの他のガスも使用できる。"