"一方の主面と他方の主面とを有し且つ導電性を有している基板と、前記基板の一方の主面上に配設された第1の導電型の第1の半導体層、この第1の半導体層上に配設された前記第1の導電型とは逆の第2の導電型の第2の半導体層を有する半導体発光機能層と、前記第1の半導体層の外周側面の一部と前記基板の一方の主面との間を電気的に接続する短絡電極と、を備え、前記基板の外周部には、前記基板の一方の主面と前記第1の半導体層の外周側面とで段差が形成され、前記短絡電極が形成されない領域における前記段差の角度が、前記短絡電極が形成される領域における段差の角度よりも急峻に形成されていることを特徴とする半導体発光装置。前記短絡電極が形成される領域における前記段差の角度が60°以下の緩やかな角度で形成されている部分を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。前記短絡電極が形成されない領域における前記段差の角度が70°以上の急峻な角度で形成されている部分を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光装置。前記短絡電極は、前記第1の半導体層から前記基板にこれら双方の間の界面を通して至る電流経路の比抵抗値に対して、小さい比抵抗値を有する材料により構成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体発光装置。前記短絡電極は、前記基板の一方の主面に接する側である第1の金属層とその上に形成される第2の金属層の少なくとも2層以上の金属層により形成され、前記第1の金属層にはNiが含まれており、前記第2の金属層にはAlが含まれていることを特徴とする請求項4に記載の発光装置。本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。従って、本発明は、導電性基板とその表面上に配設された半導体発光機能層との間の順方向電圧を低下させることができ、かつ発光効率を向上することができる半導体発光装置を提供することにある。上記課題を解決するため、本発明は、一方の主面と他方の主面とを有し且つ導電性を有している基板と、前記基板の一方の主面上に配設された第1の導電型の第1の半導体層、この第1の半導体層上に配設された前記第1の導電型とは逆の第2の導電型の第2の半導体層を有する半導体発光機能層と、前記第1の半導体層の外周側面の一部と前記基板の一方の主面との間を電気的に接続する短絡電極と、を備え、前記基板の外周部には、前記基板の一方の主面と前記第1の半導体層の外周側面とで段差が形成され、前記短絡電極が形成されない領域における前記段差の角度が、前記短絡電極が形成される領域における段差の角度よりも急峻に形成されていることを特徴とする。順方向電圧を低下させることができ、かつ発光効率を向上するとともに、発熱を抑え、信頼性を向上させた半導体発光装置を提供できる。次に、本発明の実施形態を、図面を参照して具体的に説明する。なお、ここで示す実施形態は一例であって、本発明はここに示す実施形態に限定される趣旨ではない。図1及び図2に、本発明の実施形態に従う過電圧保護素子を伴った半導体発光装置、即ち発光ダイオードと過電圧保護素子との複合半導体装置を示す。本発明の第1の実施の形態に係る半導体発光装置は、半導体基板1と、半導体基板1の一方の主面5上に配設された第1の導電型の第1の半導体層n型半導体層11、この第1の半導体層11上に活性層12を介して配設された第1の導電型とは逆の第2の導電型の第2の半導体層p型半導体層13を有する主半導体領域2とを備え、第1の半導体層11と半導体基板1の一方の主面との間を電気的に接続する短絡電極50とを備える。また、主半導体領域2上には光透過性導電膜19が形成され、それを保護膜17が覆うようにして形成される。保護膜17の上には第1の電極上側電極3が設けられ、前記保護膜17を介して光透過性導電膜19と接続される。第1の電極上側電極3の一部は、半導体基板1の一方の主面5上の一部に形成される保護素子形成領域7へと延伸し接続される。半導体基板1の他方の主面6には、第2の電極基板電極4が形成される。半導体基板1は導電型決定用不純物としてボロン等の3族元素を含むp型単結晶シリコン基板から成り、一方の主面5と他方の主面6とを有し且つ保護素子形成領域7を有している。保護素子形成領域7は、図1に示される通り、略正方形からなる半導体基板1の角部の1か所に形成される図1中、左上の角部。なお、ここでは、図2に示すようにp型単結晶シリコンからなる基板1の一方の主面5の一部に導電型決定用不純物としてリン等の5族元素を含むn型層8を配置することで保護素子形成領域7を形成している。半導体基板1のp型不純物濃度は、例えば5×1018~5×1019cm3程度あり、抵抗率は00001Ωcm~0.01Ωcm程度である。従って、半導体基板1は導電性基板であり、発光素子及び保護素子の電流通路として機能する。半導体基板1は、主半導体領域2のエピタキシャル成長のための基板としての機能、及び発光素子を構成するための主半導体領域2と第1の電極3との支持体としての機能を有する。半導体基板1の好ましい厚みは比較的厚い100~500μmである。なお、半導体基板1の導電型をn型にすることもできる。発光素子の主要部を構成するための主半導体領域2は、シリコン半導体基板1と異種の3-5族化合物半導体から成る複数の層を有し、シリコン半導体基板1の上に周知の気相成長法によって形成されている。更に詳細には、主半導体領域2は、ダブルヘテロ接合発光ダイオードを構成するためにとn型半導体層11と活性層12とp型半導体層13とを順次に有している。なお、n型半導体層11をn型クラッド層と呼び、p型半導体層13をp型クラッド層と呼ぶことがある。発光ダイオードは原理的にn型半導体層11とp型半導体層13のみで構成できる。従って、主半導体領域2から活性層12を省くことができる。また、必要に応じてバッファ層や周知の電流分散層又はオーミックコンタクト層等を主半導体領域2に付加することができる。図1に示す通り、保護素子形成領域7が形成される半導体基板1の一方の角部と対角線上に位置する他方の角部には、半導体基板1の角部を形成する2辺に沿うように、上面視から見て略L字状に短絡電極50が形成される。この短絡電極50は、図2に示すように、n型半導体層11の側面と半導体基板1の一方の主面5との間を電気的に短絡する。短絡電極50は、n型半導体層11から半導体基板1にこれら双方の間の界面を通して至る電流経路の比抵抗値に対して、小さい比抵抗値を有する材料により構成されている。具体的には、短絡電極50には例えばAl層を含む金属層以下、Al層を使用することができ、このAl層の膜厚は100nm-200nmに設定されている。また、好ましくは、例えばニッケルNiを含む金属層以下、Ni層上にAl層を積層した複合膜とすることができる。またIn、SnもしくはZnを含む透明導電性材料においても良好な接触抵抗が得られる。さらにAl層の上に、Al層の形状よりも大きな形状で、Al層をすべて覆うことができる金Auを含む金属層を形成することで、Al層の腐食が抑制され、信頼性の良好な発光素子が製造できる。このような短絡電極50を備えることで、半導体基板1の表面とn型半導体層11との界面及びこの付近に電気抵抗の高い層が発生しても、半導体装置の順方向電圧が増大するのを抑制できる。この短絡電極50は、n型半導体層11の外周側面の一部と半導体基板1の一方の主面5を覆うように形成される。図2に示すように、半導体基板1の一方の主面5上にはn型半導体層11が形成されるが、半導体基板1の一方の主面5上の外周付近においては段差が形成されている。この半導体基板1の一方の主面5とn型半導体層11の側面によって生じる段差によって形成される角度θ1が直角に近付くほど、この段差部分に沿って形成される短絡電極50の断線する危険性が高くなる。当該角度θ1が60°以上になると短絡電極50の断線する危険性が急激に高くなる。そのため、短絡電極50が形成される箇所においては、半導体基板1の一方の主面5に対し、n型半導体層11の側面が緩やかな角度となるように、n型半導体層11を形成することが好ましい。一方で、短絡電極50が形成されない箇所においては、半導体基板1の一方の主面5とn型半導体層11の側面によって生じる段差によって形成される角度θ1を急峻とすることが好ましい。図3は、この角度θ1に対する半導体発光装置の輝度を示したグラフである。横軸はテーパー角度の推移であり、縦軸は半導体発光装置の輝度任意単位:a.u.を示したものである。テーパー角θ1が60°から80°にかけて輝度の値が著しく上昇していることがわかる。よって、半導体基板1の一方の主面5とn型半導体層11の側面によって生じる段差によって形成される角度θ1は90°に近付けるよう形成することが好ましく、具体的には70°以上とし、さらに好ましくは80°以上となるように形成する。テーパー角θ1が比較的緩やかな場合、活性層12で発生した光は主半導体領域2の外周端面まで進むと、主半導体領域2の外周端面の内面で、シリコン半導体基板1方向へ反射するため、シリコン半導体基板1にその光の一部が吸収される。そのため、光の取り出し効率が悪く、発光効率の低下を招く。一方、前記テーパー角θ1を比較的急峻90°に近付けた角度とした場合、主半導体領域2の外周端面の内面でのシリコン半導体基板1方向への光の反射を抑制でき、活性層12で発生した光は効率的に外部へ出射されるため、発光効率の低下を抑制できる。なお、上記のような半導体基板1の一方の主面5とn型半導体層11の側面によって生じる段差によって形成される角度を比較的急峻に形成するには、主半導体領域2形成後のドライエッチングにおいて、エッチングマスクとして使用するレジストの端面をほぼ直角に形成し、その後エッチングを行うことで比較的急峻なテーパー角を形成することができる。また、ドライエッチング時の選択比前記レジストと主半導体領域2のエッチレート比を上げることで比較的急峻なテーパー角を形成することができる。第1の電極上側電極3は、略正方形に形成される基板1の中央付近に形成されるボンディングパッド電極部20と保護素子形成領域へ延伸する帯状接続導体層22とから成る。ボンディングパッド電極部20は、絶縁層17を介して光透過性導電膜19に接続されている。また、帯状接続導体層22は、半導体基板1の一方の主面5の一部に形成される保護素子形成領域7のn型層8と接続されている。従って、第1の電極上側電極3は発光ダイオードのアノード機能の他に過電圧保護素子のカソード機能を有する。光透過性導電膜19は主半導体領域2の第1の主面、即ちp型半導体層13の表面のほぼ全部に配置され、ここにオーミック接触している。従って、既に説明したように光透過性導電膜19は主半導体領域2に電流を均一に流すために寄与し、且つ主半導体領域2から放射された光の取り出しを可能にする。この実施例の光透過性導電膜19は厚さ1800オングストローム程度のITOインジウム錫オキサイドから成る。なお、光透過性導電膜19をITO以外のNi、Pt、Pd,Rh,Ru,Os,Ir,Au、Ag等から選択された材料で形成することもできる。しかし、いずれの材料で形成する場合であっても光透過性導電膜19の光透過性を高めることが必要であり、光透過性導電膜19をあまり厚く形成することができず、例えば500~5000オングストローム、好ましくは1800オングストローム程度に形成される。絶縁膜17は上記機能を得るために光透過性導電膜19よりも光透過性が良い材料、例えばシリコン酸化物SiO2、によって光透過性導電膜19、短絡電極50、主半導体領域2、及び半導体基板1の表面を覆うように形成されている。絶縁膜17は光透過性導電膜19よりも光透過性が良い材料SiO2から成るので、この厚みを光透過性導電膜19よりも厚い例えば1500~10000オングストロームとすることができる。第2の電極基板電極4は金属層からなり、半導体基板1の他方の主面6の全面に形成されている。上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者は様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。既に述べた実施形態の説明においては、過電圧保護素子を備える発光装置を例示的に示したが、保護素子形成領域を有さない半導体発光装置にも適用できることは明らかである。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。"