"基板と、前記基板上に配置された第1の膜と、前記第1の膜上に配置され且つ有機材料を含む膜がその上に形成される第2の膜と、を備え、前記第1の膜は、前記第2の膜のエッチングに用いられるエッチャントに対する前記第2の膜のエッチングレートよりも低く設定されており、かつ、光学的に検出可能な欠陥の検出下限値が前記第2の膜の欠陥の検出下限値以下であり、前記第2の膜の膜厚は、光学的に測定したHaze値が最小値又は極小値をとる近傍の値に設定されていることを特徴とする評価用基板。有機材料に含まれる異物による欠陥を検出するための評価用基板であって、シリコン基板と、前記シリコン基板上に配置されたシリコン酸化膜と、前記シリコン酸化膜上に配置され且つ前記の有機材料を含む膜がその上に形成される多結晶シリコン膜と、を備え、前記多結晶シリコン膜の表面のHaze値が30ppm以下であることを特徴とする評価用基板。前記基板がシリコン基板であって、前記第1の膜がシリコン酸化膜であり、前記第2の膜が多結晶シリコン膜であることを特徴とする、請求項1に記載の評価用基板。前記基板がシリコン基板であって、前記第1の膜がシリコン酸化膜であり、前記第2の膜がアモルファスシリコン膜であることを特徴とする、請求項1に記載の評価用基板。前記多結晶シリコン膜又は前記アモルファスシリコン膜の平均表面粗さRaが1.73nm以下であることを特徴とする、請求項2乃至4のいずれか記載の評価用基板。前記多結晶シリコン膜又は前記アモルファスシリコン膜の最大高低差P-V値が13.8nm以下であることを特徴とする、請求項2乃至4のいずれかに記載の評価用基板。前記多結晶シリコン膜又は前記アモルファスシリコン膜の自乗表面粗さRMSが2.2nm以下であることを特徴とする、請求項2乃至4のいずれかに記載の評価用基板。前記多結晶シリコン膜又は前記アモルファスシリコン膜の厚さは、前記シリコン酸化膜の厚さよりも大きいことを特徴とする、請求項2乃至4のいずれかに記載の評価用基板。有機材料に含まれる異物による欠陥を検出する欠陥検査方法であって、シリコン基板を準備し、前記シリコン基板の表面の欠陥を光学的に検出するとともに、検出した各欠陥の位置ごとの情報を第1の欠陥情報として記録し、前記シリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜の表面の欠陥を光学的に検出するとともに、検出した各欠陥の位置ごとの情報を第2の欠陥情報として記録し、前記第2の欠陥情報から前記第1の欠陥情報と同一位置の欠陥を除き、第1の差分欠陥情報を求め、前記シリコン酸化膜上に形成された多結晶シリコン膜の表面の欠陥を光学的に検出するとともに、検出した各欠陥の位置ごとの情報を第3の欠陥情報として記録し、前記第3の欠陥情報から前記第1の差分欠陥情報と同一位置の欠陥を除き、第2の差分欠陥情報を求め、前記多結晶シリコン膜上に形成され、有機材料を主成分とする原料による有機材料を含む膜と、前記多結晶シリコン膜と、をエッチングし、前記シリコン酸化膜上のエッチング残渣に起因する欠陥を検出するとともに、検出した各欠陥の位置ごとの情報を第4の欠陥情報として記録し、前記第4の欠陥情報から前記第2の差分欠陥情報と同一位置の欠陥を除くことで前記有機材料を含む膜の欠陥数を取得することを特徴とする欠陥検査方法。有機材料に含まれる異物による欠陥を検出する欠陥検査方法であって、基板上に形成された第1の膜の表面の欠陥を光学的に検出するとともに、検出した各欠陥の位置ごとの情報を第1の欠陥情報として記録し、前記第1の膜上に形成された第2の膜の表面の欠陥を光学的に検出するとともに、検出した各欠陥の位置ごとの情報を第2の欠陥情報として記録し、前記第2の欠陥情報から前記第1の欠陥情報と同一位置の欠陥を除き、差分欠陥情報を求め、前記第2の膜上に形成され、有機材料を主成分とする原料による前記有機材料を含む膜と、前記第2の膜とを、前記第1の膜よりも前記第2の膜に対するエッチングレートが高いエッチャントを用いてエッチングし、前記第1の膜上のエッチング残渣に起因する欠陥を検出するとともに、検出した各欠陥の位置ごとの情報を第3の欠陥情報として記録し、第3の欠陥情報から差分欠陥と同一位置の欠陥を除くことで前記有機材料を含む膜の欠陥数を取得することを特徴とする欠陥検査方法。請求項9又は10記載の欠陥検査方法による欠陥検出工程を含むことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。光源と、該光源からの出射光が照射される対象物が設置されるステージと、前記対象物からの前記出射光の反射光を検出する光検出部と、を含む欠陥検出手段と、前記欠陥検出部によって取得された、前記対象物の表面の位置ごとの欠陥情報を処理する欠陥情報処理手段と、を備え、前記欠陥情報処理手段は、前記欠陥検出手段により検出された前記対象物表面の各位置ごとの欠陥情報を保存する第1保存部と、第1対象物表面の各位置ごとの欠陥情報と、該第1対象物に所定の処理がなされた第2対象物表面の各位置ごとの欠陥情報とを比較して、同一位置の欠陥につき差分演算を行って前記第2対象物になされた前記の所定の処理に起因する欠陥を抽出する比較演算部と、前記比較演算部で差分演算されて抽出した欠陥情報を保存する第2保存部と、を含むことを特徴とする欠陥検出装置。前記比較演算部は、前記第2保存部に保存された前記第2対象物と前記第1対象物の各位置ごとの欠陥情報に対して差分演算して抽出した欠陥情報と、前記第2対象物に所定の処理がなされた第3対象物表面の各位置ごとの欠陥情報とを比較して、同一位置の欠陥につき差分演算を行って前記第2対象物になされた前記の所定の処理に起因する第3対象物表面の欠陥情報を抽出する、ことを特徴とする、請求項12に記載の欠陥検出装置。半導体デバイスの製造に用いられる有機反射防止膜は、その材料自体に含まれる異物の量や大きさが半導体デバイスの製造に影響を与える。そこで、実際の半導体デバイスに形成した有機反射防止膜の材料自体に含まれる異物を定量化した情報を把握することが望まれている。半導体デバイスに適用した際の反射防止膜の品質を評価する技術を確立することにより、半導体デバイスの製造における品質が保証される。反射防止膜の品質を評価する技術は確立されていないのが現状である。本発明は上記に鑑み、半導体デバイスの製造に影響を与える有機材料に含まれる異物による欠陥を評価するための評価用基板、その欠陥検査方法及び欠陥検出装置を提供することを目的とする。本発明者らは、鋭意検討の結果、有機材料に含まれる異物を光学的に検出する技術を新規に開発し、本発明をするに至る。本発明は、以下の態様を包含する。本発明の一実施形態に係る評価用基板は、基板と、前記基板上に配置された第1の膜と、前記第1の膜上に配置され且つ有機材料を含む膜がその上に形成される第2の膜と、を備え、前記第1の膜は、前記第2の膜のエッチングに用いられるエッチャントに対する前記第2の膜のエッチングレートより低く設定されており、かつ、光学的に検出可能な欠陥の検出下限値が前記第2の膜の欠陥の検出下限値以下であり、前記第2の膜の膜厚は、光学的に測定したHaze値が最小値又は極小値をとる近傍の値に設定されていることを特徴とする。この評価用基板によれば、実際の半導体デバイス上に形成した有機材料膜、例えば、被加工基板上に塗布された有機反射防止膜、に含まれる異物を定量的に評価することができる。本発明の一実施形態に係る評価用基板は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に配置されたシリコン酸化膜と、前記シリコン酸化膜上に配置された多結晶シリコン膜と、を備え、前記多結晶シリコン膜の表面のHaze値が30ppm以下であることを特徴とする。この評価用基板によれば、有機材料に含まれる異物による欠陥を評価するための評価用基板を提供することができる。本発明の一実施形態に係る評価用基板は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に配置されたシリコン酸化膜と、前記シリコン酸化膜上に配置された多結晶シリコン膜と、を備え、前記多結晶シリコンの膜厚は、光学的に測定したHaze値が最小値あるいは極小値をとる近傍の値に設定されていることを特徴とする。この評価用基板によれば、有機材料に含まれる異物による欠陥を評価するための評価用基板を提供することができる。本発明の一実施形態に係る評価用基板は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に配置されたシリコン酸化膜と、前記シリコン酸化膜上に配置されたアモルファスシリコン膜と、を備え、前記アモルファスシリコンの膜厚は、光学的に測定したHaze値が最小値あるいは極小値をとる近傍の値に設定されていることを特徴とする。この評価用基板によれば、有機材料に含まれる異物による欠陥を評価するための評価用基板を提供することができる。また、本発明の一実施形態に係る評価用基板は、前記多結晶シリコン膜又は前記アモルファスシリコン膜の平均表面粗さRaが1.73nm以下であってもよい。この評価用基板によれば、異物欠陥の検出下限値を下げることができる。また、本発明の一実施形態に係る評価用基板は、前記多結晶シリコン膜又は前記アモルファスシリコン膜の最大高低差P-V値が13.8nm以下であってもよい。この評価用基板によれば、異物欠陥の検出下限値を下げることができる。また、本発明の一実施形態に係る評価用基板は、前記多結晶シリコン膜又は前記アモルファスシリコン膜の自乗表面粗さRMSが2.2nm以下であってもよい。この評価用基板によれば、異物欠陥の検出下限値を下げることができる。また、本発明の一実施形態に係る評価用基板は、前記多結晶シリコン膜又は前記アモルファスシリコン膜の厚さは、前記シリコン酸化膜の厚さよりも大きくてもよい。この評価用基板によれば、異物欠陥の検出下限値を下げることができる。本発明の一実施形態に係る欠陥検査方法は、有機材料に含まれる異物による欠陥を検出する欠陥検査方法であって、シリコン基板を準備し、前記シリコン基板の表面の欠陥を光学的に検出するとともに、検出した各欠陥の位置ごとの情報を第1の欠陥情報として記録し、前記シリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜の表面の欠陥を光学的に検出するとともに、検出した各欠陥の位置ごとの情報を第2の欠陥情報として記録し、前記第2の欠陥情報から前記第1の欠陥情報と同一位置の欠陥を除き、第1の差分欠陥情報を求め、前記シリコン酸化膜上に形成された多結晶シリコン膜の表面の欠陥を光学的に検出するとともに、検出した各欠陥の位置ごとの情報を第3の欠陥情報として記録し、前記第3の欠陥情報から前記第1の差分欠陥情報と同一位置の欠陥を除き、第2の差分欠陥情報を求め、前記多結晶シリコン膜上に形成され、有機材料を主成分とする原料による有機材料を含む膜と、前記多結晶シリコン膜と、をエッチングし、前記シリコン酸化膜上のエッチング残渣に起因する欠陥を検出するとともに、検出した各欠陥の位置ごとの情報を第4の欠陥情報として記録し、前記第4の欠陥情報から前記第2の差分欠陥情報と同一位置の欠陥を除くことで前記有機材料を含む膜の欠陥数を取得することを特徴とする。この欠陥検査方法によれば、半導体デバイス製造工程における有機材料に含まれる異物による欠陥を抽出して評価することができる。本発明の一実施形態に係る欠陥検査方法は、有機材料に含まれる異物による欠陥を検出する欠陥検査方法であって、基板上に形成された第1の膜の表面の欠陥を光学的に検出するとともに、検出した各欠陥の位置ごとの情報を第1の欠陥情報として記録し、前記第1の膜上に形成された第2の膜の表面の欠陥を光学的に検出するとともに、検出した各欠陥の位置ごとの情報を第2の欠陥情報として記録し、前記第2の欠陥情報から前記第1の欠陥情報と同一位置の欠陥を除き、差分欠陥情報を求め、前記第2の膜上に形成され、有機材料を主成分とする原料による前記有機材料を含む膜と、前記第2の膜とを、前記第1の膜よりも前記第2の膜に対するエッチングレートが高いエッチャントを用いてエッチングし、前記第1の膜上のエッチング残渣に起因する欠陥を検出するとともに、検出した各欠陥の位置ごとの情報を第3の欠陥情報として記録し、第3の欠陥情報から差分欠陥と同一位置の欠陥を除くことで前記有機材料を含む膜の欠陥数を取得することを特徴とする。この欠陥検査方法によれば、有機材料に含まれる異物による欠陥を抽出して評価することができる。本発明の一実施形態に係る欠陥検査装置は、光源と、該光源からの出射光が照射される対象物が設置されるステージと、前記対象物からの前記出射光の反射光を検出する光検出部と、を含む欠陥検出手段と、前記欠陥検出部によって取得された、前記対象物の表面の位置ごとの欠陥情報を処理する欠陥情報処理手段と、を備える。前記欠陥情報処理手段は、前記欠陥検出手段により検出された前記対象物表面の各位置ごとの欠陥情報を保存する第1保存部と、第1対象物表面の各位置ごとの欠陥情報と、該第1対象物に所定の処理がなされた第2対象物表面の各位置ごとの欠陥情報とを比較して、同一位置の欠陥につき差分演算を行って前記第2対象物になされた処理に起因する欠陥を抽出する比較演算部と、前記比較演算部で差分演算されて抽出した欠陥情報を保存する第2保存部と、を含むことを特徴とする。この欠陥検査装置によれば、実際の半導体デバイス上に形成した有機材料膜、例えば、被加工基板上に塗布された有機反射防止膜、に含まれる異物を定量的に評価することができる。本発明によれば、有機材料に含まれる異物による欠陥を抽出して評価することができる。本発明を実施するための形態を説明する前に、本発明の特徴部分がより明確となるように本発明に至る経緯について、従来技術との関係を示しながら簡単に説明しておく。発明に至る経緯有機反射防止膜は、フォトレジストと被加工基板の間に塗布されるが、有機反射防止膜表面に欠陥が生じる場合がある。この欠陥は有機反射防止膜に含まれる異物に起因し、半導体デバイスの製造プロセスに影響を及ぼす。従来、半導体デバイスの製造に用いられる有機材料に含まれる異物を定量的に評価するには、製造に用いる前の状態の有機材料自体を化学分析する他なかった。つまり化学的手段によって材料評価の1つとして、有機材料に含まれる異物の定量的な評価が行われていた。しかし、半導体デバイスを製造するにあたっては、実際の半導体デバイス上に形成した有機材料膜の性質を評価する必要があったが、これに応える手段は少なくとも本発明者らが知る限りにおいてはなかった。そこで本発明者らは、有機材料に含まれる欠陥原因の定量化を、光学分析を用いた物理的手段によって把握することを検討した。そして有機反射防止膜の形成前後における欠陥を随時把握し、それらを比較検討することにより有機反射防止膜の材料に起因する欠陥を突き止めることができるとの知見に至った。しかしながら、半導体デバイスのゲート電極として利用される多結晶シリコンは、他の材料と比較して基板に膜付けした際の欠陥の検出下限値が大きいため、半導体デバイスの製造工程において本来欠陥と判定すべきものを欠陥として識別することが特に困難であった。そこで、鋭意検討した結果、ゲート電極などに利用される多結晶シリコンにおいて欠陥の検出下限を下げることに成功した。その際、欠陥検査装置で検出される表面のHaze値と検出下限に相関があることが判明した。なお、Haze値はHazeAverage値であり、後述するHaze値の測定ではAverage値をHaze値と呼ぶことにする。Haze値は、以下の数式1により算出される。Haze=kPMT受光量/正反射光量×106ppm1但し、k:受光効率等を含む欠陥検査装置固有の定数正反射光量:シリコン基板表面でレーザー光が散乱しない場合の理論値PMT受光量:PMTPhoto-MultiplierTube:光電子増倍管による散乱光の受光量なお、本明細書に記載するHaze値の測定は、KLA-Tencor社製SP1DLSを用いて行った値である。以下、図面を参照して本発明に係る評価用基板及びその製造方法について説明する。但し、本発明の評価用基板は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。<評価用基板の製造工程及び検査工程>まず、評価用基板の構成例、製造工程及び検査工程について図1及び図2を参照して説明する。図1は、評価用基板の構成及び評価用基板を用いた検査工程の一例を示す模式的な断面図である。図2は、図1の製造工程及び検査工程の一例を示す図である。なお、図1に示す評価用基板は、半導体デバイスを模した基板であり、多結晶シリコンがゲート電極として用いられる例を示している。図1Aにおいて、シリコン基板100上には、シリコン基板100側から酸化膜SiO2101、多結晶シリコン膜102が順次積層されている。酸化膜101はゲート絶縁膜を模した膜であり、本検査工程においてエッチングストッパである。多結晶シリコン膜は、ゲート電極として利用されうる。次いで、図1Bにおいて多結晶シリコン膜102には、有機反射防止膜103がスピンコート法等により形成される。次いで、図1Cにおいて、ドライエッチングにより多結晶シリコン膜102及び有機反射防止膜103がエッチングされる。有機反射防止膜に異物が存在する場合、異物が存在する部位がマスクとして機能し、残渣104が得られる。なお、酸化膜SiO2101に限定されるものではなく、例えば、窒化膜SiNXや複数の絶縁膜の積層であってもよい。次に、図1に示した評価用基板の製造工程及び検査工程について図2を参照して説明する。1シリコン基板の欠陥検査まず、シリコン基板100ベアシリコン基板を準備し、その表面の欠陥を検査する。この検査において、欠陥検査装置例えば、KLA-Tencor社製SP1DLS、レーザー光源波長:488nmを用いてシリコン基板100表面をレーザーにより走査して、所定の大きさ例えば、100nmより大きい欠陥を検出し、その検出した欠陥数と各欠陥の座標の情報を第1の欠陥情報として記録する。この欠陥検査後、シリコン基板100を洗浄する。2酸化膜の形成図2A参照洗浄後のシリコン基板100を熱酸化炉に入れて所定の条件加熱温度及び酸化ガス流量の設定等によりシリコン基板100の表面に酸化膜SiO2101を形成する。欠陥検査装置の検出感度は、2種類の膜種の光学特性の兼ね合いで変化し、検出感度が高くなる膜厚条件を選べば良い。本工程では、レーザー光源波長が488nmの時の光学特性はn=4.476、k=0.248であり、例えば、多結晶シリコン膜の厚みが150nmの場合、この酸化膜101の厚みは、60nm~130nmの範囲で適宜設定する。より好ましくは80nm~100nmとする。熱酸化炉を用いた酸化膜の成膜例について図3を参照して説明する。図3において、熱酸化炉200は、石英ボート201と、石英管アウター202と、ヒータ203と、温度センサ204と、ガス導入管205と、ガス排気管206と、を備える。シリコン基板は、搬送ロボット230によりウェハキャリア220から石英ボート201に移動されてセットされる。石英ボート201は、例えば、所定の処理枚数のシリコン基板をセットするボートを備える。石英ボート201は、シリコン基板がセットされた後、石英管202内に挿入される。この後、石英管202は、密封されて内部が真空ポンプ図示せずにより所定の真空度まで排気される。続いて、ヒータ203により石英管202内を約1000°Cに昇温し、ガス導入管205からO2とH2Oを導入して酸化膜を形成する。石英管202内の温度は、図中に示す4ヶ所に配置された温度センサ204により検出される。これら温度センサ204の検出温度によりヒータ203の駆動状態が制御されて、石英管202内の温度が設定温度に調整される。次いで、石英管202内を降温し、石英管202内を大気圧状態に戻し、密封を解除して石英ボート201を石英管202内から引き下げる。そして、石英ボート201にセットされたシリコン基板は、搬送ロボット230によりウェハキャリア220に移動される。3酸化膜の欠陥検査図2A参照次に、酸化膜101表面の欠陥を検査する。この検査において、欠陥検査装置例えば、KLA-Tencor社製SP1DLSを用いて前記の酸化膜101表面をレーザーにより走査して、例えば、100nmより大きい欠陥を検出し、その検出した欠陥数と各欠陥の座標の情報を第2の欠陥情報として記録する。4基板の洗浄図2B参照上記3の検査終了後、酸化膜101が付いたシリコン基板100を洗浄する。5多結晶シリコン膜の形成図2C参照次に、洗浄後の酸化膜101付きのシリコン基板100をCVDChemical-VaporDeposition法により作製する。成膜温度を比較的低温650°C以下にして成膜レートを低く制御することができるLPCVDLow-PressureChemical-VaporDeposition法を採用することが好ましい。酸化膜101付きのシリコン基板100をLPCVD装置に入れて所定の条件成膜温度及び膜厚の設定等により酸化膜101上に多結晶シリコン膜102を成膜する。上述したように、欠陥検査装置の検出感度は、2種類の膜種の光学特性の兼ね合いで変化し、検出感度が高くなる膜厚条件を選べば良い。本工程では、レーザー光源波長が488nmの時の光学特性はn=4.476、k=0.248であり、例えば、酸化膜101の厚みが80nmの場合、この多結晶シリコン膜102の厚みは、128nm~153nmの範囲で適宜設定する。より好ましくは140nm~145nmとする。成膜される多結晶シリコン膜102は表面のHaze値が30ppm以下であることが好ましい。Haze値を30ppm以下とすることで欠陥検出下限を140nm以下とすることができ、有機反射防止膜に含まれる異物の欠陥検出のS/N比を向上させることができる。多結晶シリコン膜102の膜厚とHaze値には相関関係があり、Haze値が使用する欠陥検査装置に依存して変動する場合には、多結晶シリコン膜102の膜厚を欠陥検査装置において測定したHaze値が最小値あるいは極小値となる近傍で設定することが好ましい。なお、近傍とは、所望の検出下限が得られるHaze値となる膜厚の範囲をさす。LPCVD装置を用いた多結晶シリコン膜の成膜例について図4を参照して説明する。図4において、LPCVD装置300は、石英ボート301と、石英管インナー302と、石英管アウター303と、ヒータ304と、温度センサ305と、圧力計306と、ガス導入管307と、ガス排気管308と、バルブ309と、真空ポンプ310と、ガス処理設備311と、を備える。シリコン基板は、搬送ロボット330によりウェハキャリア320から石英ボート301に移動されてセットされる。石英ボート301は、所定の処理枚数のシリコン基板をセットするボートを備えている。石英ボート301は、シリコン基板がセットされた後、石英管インナー302内に挿入される。この後、石英管アウター303は、密封されて石英管インナー302内部が真空ポンプ310により所定の真空度まで排気される。石英管インナー302内の真空度は、圧力計306により測定される。この測定された真空度により真空ポンプ310の駆動状態が制御されて、石英管インナー302内の真空度が設定値に調整される。続いて、ヒータ304により石英管302内を620°Cに昇温し、ガス導入管307からSiH4シランガスを導入して多結晶シリコン膜を形成する。石英管302内の温度は、図中に示す4ヶ所に配置された温度センサ305により検出される。これら温度センサ305の検出温度によりヒータ304の駆動状態が制御されて、石英管302内の温度が設定温度に調整される。次いで、石英管302内を降温し、ガス導入管307からN2ガスを導入して、石英管302内を大気圧状態に戻す。次いで、石英管アウター303の密封を解除して石英ボート301を石英管302内から引き下げる。そして、石英ボート301にセットされたシリコン基板は、搬送ロボット330によりウェハキャリア320に移動される。6多結晶シリコン膜の欠陥検査図2C参照次に、多結晶シリコン膜102表面の欠陥を検査する。この検査において、欠陥検査装置例えば、KLA-Tencor社製SP1DLSを用いて多結晶シリコン膜102表面をレーザーにより走査して、半導体デバイスの製造における許容可能な欠陥の大きさ例えば、140nmより大きい欠陥を検出し、その検出した欠陥数と各欠陥の座標の情報を第3の欠陥情報として記録する。通常、シリコン基板100がベアシリコンである状態、シリコン基板100に酸化膜101が形成された状態では、欠陥検出下限が所望の値以下になっている。多結晶シリコン膜102を酸化膜101上に積層した時点で多結晶シリコン膜102の欠陥検出下限の影響が支配的になり、欠陥検出下限が高い場合には後の有機反射防止膜の欠陥検出精度が悪化することになる。本発明では、多結晶シリコン膜の表面のHaze値が低く、欠陥検出下限を低くすることができ、後の有機反射防止膜の欠陥検出精度を確保することができる。7有機反射防止膜の塗布図1B及び図2D参照次に、多結晶シリコン膜102上にスピンコート法等により有機反射防止膜用の材料を塗布して有機反射防止膜103を形成する。この有機反射防止膜103の厚みは、例えば、100nm程度である。8エッチング図1C及び図2E参照次に、ウェットエッチング又はドライエッチングにより多結晶シリコン膜102及び有機反射防止膜103をエッチングする。好ましくはドライエッチングにより多結晶シリコン膜102及び有機反射防止膜103をエッチングするとよい。有機反射防止基板103に異物を含む部分は残渣104となる。9エッチング後の欠陥検査次に、エッチング後のシリコン基板100表面の欠陥を検査する。この検査において、欠陥検査装置例えば、KLA-Tencor社製SP1DLSを用いて、前記のエッチングされたシリコン基板100表面をレーザーにより走査して、例えば、100nmより大きいエッチング残渣による欠陥を検出し、その検出した欠陥数と各欠陥の座標の情報を第4の欠陥情報として記録する。10反射防止膜の欠陥の検出処理次に、酸化膜101表面から検出して記録した各欠陥の座標と、多結晶シリコン膜102表面から検出して記録した各欠陥の座標と、をエッチング後に検出して記録した各欠陥の座標とを比較する。この比較により、エッチング後の欠陥のうち酸化膜表面の欠陥座標と多結晶シリコン膜表面の欠陥座標と一致する欠陥は削除し、最終的に残った欠陥を反射防止膜103に含まれる異物に起因する欠陥として検出する。ここで、欠陥検出処理の具体例について、図5及び図6を参照して説明する。図5は、上記石英ボート201、301内のボートアドレスとしてSlot01、Slot05、Slot09にセットされたシリコン基板100についてエッチング前後の欠陥数の検出結果を示す図である。図6は、図5のSlot01にセットされたシリコン基板100について検出した差分欠陥のサイズの分布を示すグラフである。図5Aは、ベアシリコン基板100が熱酸化炉200の石英ボート201のSlot01にセットされて酸化膜が形成された後の欠陥の検出過程を示す。前記の酸化膜101表面において検出された100nmより大きい欠陥の生データ、すなわち、第2欠陥情報の数は47である。図中に示す3は、ベアシリコン基板100表面において検出された100nmより大きい欠陥、すなわち、第1欠陥情報と座標が一致するため削除された欠陥数を示す。すなわち、シリコン基板100の酸化膜101表面において検出された100nmより大きい欠陥の総数は47個であるが、前の工程で検出された欠陥の生データ第1欠陥情報と座標が一致する3箇所の欠陥は削除されている。ここで、第2欠陥情報から、第1欠陥情報と座標が一致する欠陥の情報を減じることによって得られた欠陥情報を第1差分欠陥情報と定義する。次に、図5Bは、LPCVD装置300の石英ボート301のSlot01にセットされて多結晶シリコン膜が形成された後の欠陥の検出過程を示す。尚、多結晶シリコンの欠陥を光学的に検出できる下限は、140nmである。シリコン基板100の多結晶シリコン膜102表面において検出された140nmより大きい欠陥の生データ、すなわち、第3欠陥情報の数は89個であった。図5Bに示す欠陥の数42は、前記の第3欠陥情報のうち、シリコン基板100の酸化膜101表面において検出された100nmより大きい欠陥である第1差分欠陥情報と座標が一致する欠陥数を示す。ここで、第3欠陥情報から、第1差分欠陥情報と座標が一致する欠陥の情報を減じることによって得られた欠陥情報を第2差分欠陥情報と定義する。図5Bの場合、第2差分欠陥情報の数は、47個である。次に、図5Cは、Slot01のシリコン基板100をエッチングした後の欠陥の検出過程を示す。そのエッチング面上で検出された100nmより大きい欠陥の生データ、すなわち、第4欠陥情報の数は、218個であった。本実施形態において、これらの218個のデータは、エッチング残渣による欠陥情報と見なすことができる。そこで、前記のエッチング面上で検出された218個の第4欠陥情報から、多結晶シリコン膜102表面から検出された第2差分欠陥情報と座標が一致する欠陥の数45個を削除した結果を、第3差分欠陥情報と定義する。図5Cの場合、第3差分欠陥情報の数は、173個である。第3差分欠陥情報は、差分として残った欠陥であり、有機反射防止膜103において発生した欠陥である図5D。以下、差分として残った欠陥を差分欠陥と言うことにする。次に、図5に示した差分欠陥173個に含まれる欠陥を大きさ100~110nm、110~120nm、120~140nm、140~160nm、160~200nm、200~220nm、220~250nm、250~300nm、>300nm別に分類して検出し、その各大きさの個数を計数した結果を図6に示す。したがって、上述したような欠陥検査方法により有機反射防止膜において発生する欠陥の大きさ及び数を検出可能とすることにより、有機反射防止膜の品質を評価することが可能になる。欠陥サイズの検出下限値は、半導体デバイスの微細化に伴って、より小さい値に設定することが望ましい。更に以下では、多結晶シリコン膜付きのシリコン基板とHaze値との関係を検証するため、多結晶シリコン膜の成膜条件である膜厚と成膜温度をそれぞれ変化させてHaze値を測定し、多結晶シリコン膜の膜厚及び成膜温度とHaze値との関係について検討した。多結晶シリコン膜の膜厚とHaze値の関係について図7を参照して説明する。図7において、Aは多結晶シリコン膜の膜厚とHaze値の測定結果を示す表であり、BはAの表をグラフ化した図、CはHaze値と欠陥の検出下限値との関係を示す表である。尚、図7Aに示される多結晶シリコン膜の成膜温度は、615°Cである。この測定結果では、多結晶シリコン膜の膜厚を140nmとした場合にHaze値が5.5ppmと最小になることを確認した。また、図7Cに示すように、Haze値が下がるにしたがって欠陥の検出下限値が下がることも確認した。この場合、Haze値が6ppmの場合に検出下限値が1.2μmとなることを確認した。すなわち、多結晶シリコン膜の膜厚を薄くすることによりHaze値を低減できることが判明した。次に、多結晶シリコン膜の成膜温度とHaze値の関係について図8及び図9を参照して説明する。図8A~Eは、図4に示したLPCVD装置300において石英ボート301にセットされた複数の酸化膜付きシリコン基板に多結晶シリコン膜を成膜し、その膜厚とHaze値を測定した結果である。この場合、4ロット分の酸化膜付きシリコン基板をロット毎に石英ボート301にセットして多結晶シリコン膜の成膜を行い、ロット毎に膜厚とHaze値を測定した。図8Aは、ロットAとして石英ボート301にセットされた複数の酸化膜付きシリコン基板のうち、ボート番号13,17,21,25,29,33,37,41,45,49,53,57,61の13枚について多結晶シリコン膜の膜厚とHaze値を測定した結果である。このロットAでは、LPCVD装置300内のヒータ304の加熱温度は、設定温度615°Cに対して、4ヶ所の温度センサ305の各測定温度は最上段Uが616.5°C、次段CUが615.0°C、次段CLが612.0°C、最下段Lが603.2°Cであった。また、多結晶シリコン膜の設定膜厚は150nmである。図8Bは、ロットBとして石英ボート301にセットされた複数の酸化膜付きシリコン基板のうち、ボート番号13,17,21,25,29の5枚について多結晶シリコン膜の膜厚とHaze値を測定した結果である。このロットBでは、LPCVD装置300内のヒータ304の加熱温度は、設定温度620°Cに対して、4ヶ所の温度センサ305の各測定温度は最上段Uが621.5°C、次段CUが620.0°C、次段CLが617.0°C、最下段Lが604.2°Cであった。また、多結晶シリコン膜の設定膜厚は150nmである。図8Cは、ロットCとして石英ボート301にセットされた複数の酸化膜付きシリコン基板のうち、ボート番号13,17,21,25,29,33,37,41,45,49,53,57,61の13枚について多結晶シリコン膜の膜厚とHaze値を測定した結果である。このロットCでは、LPCVD装置300内のヒータ304の加熱温度は、設定温度620°Cに対して、4ヶ所の温度センサ305の各測定温度は最上段Uが621.5°C、次段CUが620.0°C、次段CLが617.0°C、最下段Lが604.2°Cであった。また、多結晶シリコン膜の設定膜厚は150nmである。図8Dは、ロットDとして石英ボート301にセットされた複数の酸化膜付きシリコン基板のうち、ボート番号13,17,21,25,29,33,37,41,45,49,53,57,61の13枚について多結晶シリコン膜の膜厚とHaze値を測定した結果である。このロットDでは、LPCVD装置300内のヒータ304の加熱温度は、設定温度620°Cに対して、4ヶ所の温度センサ305の各測定温度は最上段Uが621.5°C、次段CUが620.0°C、次段CLが617.0°C、最下段Lが608.0°Cであった。また、多結晶シリコン膜の設定膜厚は150nmである。図8Eは、ロットEとして石英ボート301にセットされた複数の酸化膜付きシリコン基板のうち、ボート番号49,53,57,61の4枚について多結晶シリコン膜の膜厚とHaze値を測定した結果である。このロットDでは、LPCVD装置300内のヒータ304の加熱温度は、設定温度620°Cに対して、4ヶ所の温度センサ305の各測定温度は最上段Uが621.5°C、次段CUが620.0°C、次段CLが617.0°C、最下段Lが604.2°Cであった。また、多結晶シリコン膜の設定膜厚は140nmである。図9は、図8A~Dの各測定結果をグラフ化した図である。このグラフでは、Haze値が30ppm以下の基板を評価用基板として使用可能OKであることを示している。以上の膜厚とHaze値の測定結果により、成膜温度を615°Cに設定したロットAと、成膜温度を620°Cに設定したロットB、C、Dと、の間でHaze値の分布を比較すると、ロットAにおいてHaze値が30ppm以下を示す枚数が最も多くなっており、成膜温度を615°Cに下げることによりHaze値は下がる傾向にあることを確認できた。また、図10は、図8A~Eの各測定結果をグラフ化した図である。このグラフにおけるロットEのHaze値の分布を見ると、Haze値の極小値或いは最小値が存在する可能性があると考えられる。図8E及び図10の結果によれば、多結晶シリコン膜の膜厚を140nm未満に設定すると、Haze値はむしろ上がる傾向が生じている。そこで、多結晶シリコン膜の薄膜化とHaze値との関係を明確に調査するべく、以下のように膜厚が約129.0nm~約140.0までの多結晶シリコン膜を成膜し、多結晶シリコン膜の膜厚とHaze値を測定した。まず、ロットFとして、図4に示したLPCVD装置300の石英ボート301にセットされた複数の酸化膜付きシリコン基板に対して成膜温度を615°Cに設定して多結晶シリコン膜を成膜し、多結晶シリコン膜の膜厚とHaze値を測定した。このロットFの測定結果と、比較対象として図8A乃至Dの測定結果の一部と、を図11Bに示す。図11Aは、ロットFの多結晶シリコン膜の膜厚とHaze値を測定した結果である。図11Bは、図8A乃至Dの測定結果から比較対象にすることができる部分、すなわち、Haze値が50ppm未満のデータを抽出した表である。図11Bに示すように、膜厚を薄くすることによりHaze値が下がり、膜厚を薄くするに従ってHaze値が極小値に漸近するが、Haze値は極小値に到達した後、多結晶シリコン膜の薄膜化によってHaze値が再び増加することを確認できた。次に、多結晶シリコン膜を成膜する際の設定温度と、多結晶シリコン膜の膜厚との関係について、以下の通り更に検討した。まず、ロットGとして石英ボート301にセットされた複数の酸化膜付きシリコン基板に対して成膜温度を610°Cに設定して多結晶シリコン膜を成膜し、多結晶シリコン膜の膜厚とHaze値を測定した。このロットGの測定結果と、比較対象として図8A、C及びDの測定結果の一部と、を図12及び図13に示す。図12は、図4に示したLPCVD装置300の石英ボート301にセットされた複数の酸化膜付きシリコン基板に成膜温度610°Cで多結晶シリコン膜を成膜し、その膜厚とHaze値を測定した結果である。図12は、図8A、C及びDの測定結果から比較対象とする部分を抽出した表である。図12は、ロットGとして石英ボート301にセットされた複数のシリコン基板のうち7枚について多結晶シリコン膜の膜厚とHaze値を測定した結果である。このロットGでは、LPCVD装置300内のヒータ304の加熱温度は設定温度610°Cであり、多結晶シリコン膜の設定膜厚は150nmである。図13は、図12の測定結果をグラフ化した図である。この場合、図13に示すように、成膜温度を620°Cから5°Cずつ下げて610°Cに設定した場合にHaze値の分布が8.5ppm~19.8ppmと最も下がることを確認できた。以上のように、多結晶シリコン膜を成膜する際に、成膜温度を下げること、及び、膜厚の設定を下げることによりHaze値が下がることを確認した。この多結晶シリコン膜の成膜温度とHaze値の関係について、更に検討した。成膜温度によって多結晶シリコン膜の成長速度が変化し、多結晶シリコン膜の表面粗さが変化する。このことから、この多結晶シリコン膜の表面粗さとHaze値の関係について更に検討した。多結晶シリコン膜の表面状態とHaze値の関係図14~図16は、同一の成膜温度で成膜した多結晶シリコン膜付きのシリコン基板の表面状態とHaze値の関係を表すパラメータとして、平均面粗さRaと、最大高低差P-V値と、自乗平均面粗さRMSについて計測した結果を示す図である。これらの平均面粗さRa、最大高低差P-V値及び自乗平均面粗さRMSは、シリコン基板表面の400nm×400nmの範囲を計測対象とし、それぞれ4枚のシリコン基板について計測した結果を示す。平均面粗さRa、最大高低差P-V値及び自乗平均面粗さRMSは、原子間力顕微鏡セイコーインスツル株式会社製SPA460-DFMを用いて測定した値である。1平均面粗さRaとHaze値の関係まず、多結晶シリコン膜付きのシリコン基板の平均面粗さRaとHaze値の測定結果を図14A及びBに示す。図14において、Aは平均面粗さRaとHaze値の測定結果を示す表であり、BはAの表をグラフ化した図である。図14A及びBに示す多結晶シリコン膜表面の平均面粗さRaとHaze値の測定結果により、平均面粗さRaが小さくなることにより、Haze値も下がる傾向になることが判明した。この場合、平均面粗さRaが1.72nmの場合にHaze値が10ppmと最小になることを確認した。2最大高低差P-V値とHaze値の関係次に、多結晶シリコン膜付きのシリコン基板表面の最大高低差P-V値とHaze値の実測結果を図15A及びBに示す。図15において、Aは最大高低差P-V値とHaze値の測定結果を示す表であり、BはAの表をグラフ化した図である。図15A及びBに示す多結晶シリコン膜表面の最大高低差P-V0値とHaze値の測定結果により、最大高低差P-V値が小さくなることにより、Haze値が下がることが判明した。この場合、最大高低差P-V値が13.2nm以下の場合にHaze値が10ppmと最小になることを確認した。3自乗平均面粗さRMSとHaze値の関係次に、多結晶シリコン膜付きのシリコン基板表面の自乗平均面粗さRMSとHaze値の実測結果を図16A及びBに示す。図16において、Aは自乗平均面粗さRMSとHaze値の実測結果を示す表であり、BはAの表をグラフ化した図である。図16A及びBに示す多結晶シリコン膜表面の自乗平均面粗さRMSとHaze値の実測結果により、自乗平均面粗さRMSが小さくなることにより、Haze値が下がることが判明した。この場合、自乗平均面粗さRMSが2.15nm以下の場合にHaze値が10ppmと最小になることを確認した。以上のように、多結晶シリコン膜付きのシリコン基板表面における平均面粗さRa、最大高低差P-V値、及び自乗平均面粗さRMSは、それぞれの値が小さくなることにより、Haze値が下がることが確認できた。すなわち、Haze値を下げる条件として、多結晶シリコン膜の成膜温度を下げて、多結晶シリコン膜の表面を平坦化することが有効であることが判明した。また、図13、及び図14~図16の結果により、多結晶シリコン膜の膜厚が同一であっても成膜温度が高い程、多結晶シリコン粒径は大きくなり、平均面粗さRa、最大高低差P-V値及び自乗平均面粗さRMSは大きくなることが考えられる。本発明の一実施の形態に係る反射防止膜の欠陥を評価するための評価用基板によれば、酸化膜、多結晶シリコン膜及び反射膜の各成膜工程において、それぞれ所望のサイズの欠陥と欠陥位置を示す座標を記録し、成膜工程毎に座標が一致する欠陥を削除して、最終的に残った欠陥を反射防止膜に含まれる異物に起因する欠陥として検出することを可能にした。このため、反射防止膜に含まれる異物に起因する欠陥のみを対象として評価することが可能になる。また、本発明の一実施の形態に係る評価用基板によれば、欠陥検査装置の欠陥サイズの検出下限値に影響を与えるHaze値を低減することを検討した結果、多結晶シリコン膜の膜厚及び成膜温度が関係することを見出した。そして、多結晶シリコン膜の膜厚及び成膜温度を変更してHaze値を測定したところ、膜厚を薄くすることと、成膜温度を下げることによりHaze値が下がることを確認した。したがって、評価用基板を製造する際に、多結晶シリコン膜の膜厚及び成膜温度をHaze値が下がる条件に調整することにより、欠陥検査装置の欠陥サイズの検出下限値を下げることが可能になる。また、上述の多結晶シリコン膜の膜厚及び成膜温度、及び多結晶シリコン膜の表面状態平均面粗さRa、最大高低差P-V値、及び自乗平均面粗さRMSと、Haze値とを測定した結果により、Haze値は最小値を持つことを確認した。すなわち、図7に示した多結晶シリコン膜の膜厚とHaze値との関係では、膜厚を薄くすることによりHaze値が下がり、膜厚を薄くするに従ってHaze値が最小値に漸近することを確認した。しかし、図10、図11A及びBに示した多結晶シリコン膜の膜厚とHaze値との関係により、Haze値が最小値になる多結晶シリコン膜の膜厚が存在しており、多結晶シリコン膜の薄膜化によるHaze値の低減効果は限界が存在することを確認した。また、図9及び図13に示した多結晶シリコン膜の成膜温度とHaze値との関係では、成膜温度を下げることによりHaze値が下がり、成膜温度を最も低くした場合にHaze値が最小値になることを確認した。図14に示した多結晶シリコン膜の平均面粗さRaとHaze値の関係では、平均面粗さRaが1.72nmの場合にHaze値が最小値になることを確認した。図15に示した最大高低差P-V値とHaze値の関係では、最大高低差P-V値が13.2nm以下の場合にHaze値が最小値になることを確認した。図15に示した自乗平均面粗さRMSとHaze値の関係では、自乗平均面粗さRMSが2.15nm以下の場合にHaze値が最小値になることを確認した。なお、多結晶シリコン膜以外に、結晶粒界のないアモルファスシリコン膜であっても上記の平均面粗さRa、最大高低差P-V値、自乗平均面粗さRMSの条件を満たす場合にHaze値が小さくなり、結果として異物検出下限値を下げることができるので好適である。したがって、欠陥検査装置において欠陥サイズの検出下限値に影響を与えるHaze値は、上述した多結晶シリコン膜の膜厚、成膜温度、平均面粗さRa、最大高低差P-V値、及び自乗平均面粗さRMSをそれぞれ下げる成膜条件を設定することにより、Haze値を最小値にして欠陥検査装置の欠陥サイズの検出下限値を下げることが可能になる。このため、本発明の一実施の形態に係る評価用基板を用いることにより、有機反射防止膜のより小さいサイズの欠陥を検出することが可能になる。この評価用基板による欠陥の検出結果を用いることにより、成膜された有機反射防止膜に含まれる欠陥ゴミ及び凹部などを含むに対する品質評価を適切に行うことができる。この有機反射防止膜の品質評価の結果を半導体デバイスの製造プロセスに反映することにより、有機反射防止膜に起因する半導体デバイスの品質低下を未然に防止することができる。また、有機反射防止膜に含まれる欠陥の検出下限値を下げることにより、半導体デバイスの微細化に対応して製造プロセスに影響を与える有機反射防止膜に含まれる異物欠陥を確実に検出することができ、製造プロセスの信頼性を向上することができる。また、上記実施の形態の評価用基板では、異物欠陥の検出下限値を下げるために、多結晶シリコン膜の厚さを酸化膜の厚さよりも大きくしてもよい。多結晶シリコン膜と酸化膜の膜厚に関する当該条件は、前記の平均面粗さRa、最大高低差P-V値、及び自乗平均面粗さRMSに関する成膜条件の少なくともいずれかと組み合わせることによって、欠陥検査装置の欠陥サイズの検出下限値及び有機反射防止膜に含まれる欠陥の検出下限値を下げることができる。上記評価基板の構成は例示である。基板に形成された膜を基板側から第1の膜、第2の膜と称するとき、第1の膜は第2の膜のエッチングに用いられるエッチャントに対する第2の膜のエッチングレートよりも低く設定されており、かつ、光学的に検出可能な欠陥の検出下限値が第2の膜の欠陥の検出下限値以下であるとよい。このように設定する理由は、第1の膜をエッチングストッパとして用いることができ、かつ第1の膜の特性に左右されずに第2の膜上に形成される有機材料に含まれる異物を精度良く検出するためである。評価用基板に用いる基板に特に制限はなく、シリコン基板はあくまで例示である。より好ましくは基板が、後述する欠陥検査装置で用いられるレーザー光を反射する表面を有するものであるとよい。<欠陥検査装置>前記の欠陥検査方法は、図17に示される構成の欠陥検査装置を用いて好適に実施することができる。すなわち、真空チャンバ等のハウジング10内に、光源11と、被測定対象14が設置されるステージ13と、被測定対象14からの反射光を検出する光検出部12が設置されており、欠陥検出手段1は、これらの機器を含んで構成される。前記の被測定対象14は、特に限定されず、シリコン基板等の単一基板、シリコン酸化膜が形成された基板や該シリコン酸化膜上に更に多結晶シリコン膜等が形成された基板等の複数膜が形成された基板、或いは前記複数膜に対してエッチング等の処理が施された後の基板を例示することができる。光源11は、プローブ光を出射するものである。好ましくは指向性の高い光を出射するものであり、例えば上記のようなレーザーである。光検出部12は、被測定対象14からの反射光を受光する光電子増倍管等の受光ユニットを含む。前記欠陥検出部1によって取得された前記被測定対象14の表面の位置ごとの欠陥情報は、欠陥情報処理手段2に保存され、比較される被測定対象となる第2対象物の表面の位置ごとの欠陥情報と比較する等の処理が行われる。前記の欠陥情報処理手段2は、第1保存部21と、後述する演算処理を行う比較演算部22と、該比較演算部22によって出力された演算結果を保存するための第2保存部23と、を含んで構成される。前記の第1保存部21は、被測定対象14を変えて、各被測定対象14について表面の位置ごとの欠陥情報を保存することが可能である。例えば、被測定対象14として、シリコン基板等の単一基板、該基板に形成されたシリコン酸化膜、該シリコン酸化膜上に更に形成された多結晶シリコン膜、或いは該多結晶シリコン膜上に有機材料により有機材料膜を形成した後にエッチング等の処理を施した後の基板上に存在する成膜に変えて、各被測定対象14についての欠陥情報を取得して、別個の被測定対象として前記の第1保存部21に保存される。すなわち、被測定対象14が取り替えられる毎に、第1対象物、第2対象物、第3対象物第N対象物等として、それぞれの欠陥情報が前記の第1保存部21に保存される。前記の比較演算部22は、例えば第1対象物としての第N-1番目Nは整数であって、N≧2の対象物の表面の位置ごとの欠陥情報と、該第N-1番目の対象物上に成膜を行う処理或いは前記の第N-1番目の対象物としての膜に対してエッチング等の処理を施した後の第2対象物としての第N番目の対象物の表面の位置ごとの欠陥情報とを比較して各種の差分演算を行う。具体的には、比較演算部22は、第N番目の対象物の表面の欠陥情報のうち、第N-1番目の対象物の表面の欠陥情報と共通する欠陥情報を、前記第N番目の対象物の表面の欠陥情報から除く差分演算を行うことができる。或いは、比較演算部22は、第1番目の対象物の表面の位置ごとの欠陥情報と、該第1番目の対象物上に成膜を形成する処理或いは前記の第1番目の対象物としての成膜に対してエッチング等の処理を施した後の第2番目の対象物の表面の位置ごとの欠陥情報と、を比較する差分演算を行う。比較演算部22は、この差分演算結果を第1差分欠陥情報と定義する。そして、比較演算部22は、第3番目の対象物の表面の欠陥情報から、前記の第1差分欠陥情報のうち、この第3番目の対象物の表面の欠陥情報と位置的に共通し且つ所定の大きさの欠陥を有する第1差分欠陥情報を除く差分演算を行うことができる。比較演算部22は、前記の第3番目の対象物の表面の欠陥情報と前記の第1差分欠陥情報に関する前記の差分演算結果を第2差分欠陥情報と定義する。このようにして、比較演算部22は、第1保存部21に保存された第P番目Pは整数であって、P≧3の対象物の表面の欠陥情報から、第P-2差分欠陥情報と位置的に共通し且つ所定の大きさを有する欠陥情報を除く差分演算を行う。この演算結果は、第P-1差分欠陥情報として順次定義される。比較演算部22による差分演算の結果の情報は、第2保存部23に保存される。このように、第N番目の対象物と第N-1番目の対象物を比較することで、第N番目の対象物に施された処理に起因する欠陥を抽出することができる。また、比較演算部22は、機能的に異なる複数の演算部を組み合わせることによって構成することもできる。例えば、第1比較演算部22aによって、第1対象物表面の各位置ごとの欠陥情報と、該第1対象物に所定の処理がなされた第2対象物表面の各位置ごとの欠陥情報とを比較して、同一位置の欠陥につき差分演算を行って前記第2対象物になされた処理に起因する欠陥を抽出する。そして、第2比較演算部22bによって、前記第1比較演算部で差分演算されて抽出した欠陥情報と、前記第2対象物に所定の処理がなされた第3対象物表面の各位置ごとの欠陥情報とを比較して、同一位置の欠陥につき差分演算を行って前記第2対象物になされた処理に起因する欠陥を抽出する。差分欠陥情報は第2保存部23に保存される。必要に応じて第2保存部23から読み出しを行い、次の対象物に対する比較演算部22の演算処理に使用される。前記の欠陥情報処理手段2は、制御用パーソナルコンピュータ20等によって実現することが可能であり、取得された欠陥情報や前記の比較演算部22の演算結果等を前記パーソナルコンピュータに接続されたディスプレイ等の表示部40によって表示することができる。また、ステージコントローラ30を用いて、ステージ13の勾配角度の調整或いはステージ13の位置を水平方向若しくは垂直方向へシフトさせることができる図17のXYZθ。このように、ステージコントローラ30によって、光源11及び光検出部12の少なくともいずれか一方と、被測定対象14との相対的な位置関係を変化させることによって、被測定対象14の表面の位置ごとの欠陥情報を十分に或いは適切に取得することができる。前記ステージコントローラ30は、制御用パーソナルコンピュータ20を用いて制御できるように構成できる。以上、本発明に関する評価用基板、異物検査方法及び欠陥検出装置について説明した。本発明の異物検査方法の説明として、多結晶シリコン膜第1の層/シリコン酸化膜第2の層/シリコン基板からなる評価用基板を用いる場合について説明を行ったが、評価用基板の構成は半導体デバイスごとに異なる場合がある。本発明の異物検査方法は、種々の構成の評価用基板を用いて有機材料に含まれる異物を検出することが可能である。例えば、第1の層として多結晶シリコン、タングステンW、アルミニウムAl、モリブデンMo等を用い、第2層としてシリコン酸化膜、窒化膜、酸化膜窒化膜あるいはこれらの積層膜を用いてもよい。また、前記したように、本発明の一実施形態に係る評価用基板の前記第1の膜及び第2の膜がそれぞれ単一の物質で形成された単一層で形成されている場合について説明した。しかし、他の実施形態で、前記第1の膜及び第2の膜として、単一物質で形成される単層構造以外に、複数の物質で形成された多重層構造のものを用いることができる。また、前記基板として、金属基板、ガラス基板、石英基板、アルミナ基板、チタニア基板、シリコン基板等の無機材料基板、プラスチック製基板等の有機材料基板、或いは、無機材料及び有機材料で形成される複合基板を用いることができる。また、前記の第2の膜として、図18に例示した物質、すなわち、熱酸化膜Th-SiO2、Si3N4、正珪酸四エチルから得られたSiO2膜TEOS-SiO2、タンタルTa、PVD法により形成されたCu薄膜、TiN及びTiの積層薄膜TiN/Ti、SOI絶縁膜上に形成した単結晶シリコン、アモルファスシリコンを用いることができる。また、前記したように、本発明の一実施形態に係る評価用基板の前記第2の膜上に形成される有機材料を含む膜が、多結晶シリコン膜上に形成された有機反射防止膜である場合について説明した。しかし、他の実施形態で、有機材料を含む膜として、有機反射防止膜以外に、単一成分から成る有機材料、複数成分から成る有機材料、セラミックス及び/或いは金属から成る無機材料と有機材料から成る複合材料を用いることができる。上記実施の形態では、ウエハ基板上に積層する各膜の欠陥は欠陥検査装置により測定された結果を用いているが、欠陥検査装置に用いられるレーザー光源による測定波長や受光システムが異なっていても本質的には欠陥検査装置の検出感度は測定対象の膜種の膜厚によって周期的に変化している。Haze値が変化しやすい多結晶シリコン膜についても膜厚と欠陥検査装置の検出感度との間に相関があり、同様に考えることができる。また、シリコン基板上に形成される単層膜の膜種によって、光学的な欠陥検査装置の検出感度の下限は、図18に示されるように異なる。従って、各膜における欠陥検査装置の測定結果に合わせて評価する膜厚を最適化すればよい。このため、上記実験では、酸化膜の膜厚を80nmに設定し、多結晶シリコン膜の膜厚を150nmに設定したが、欠陥検査装置の評価結果に合わせてこれらの膜厚は任意に変更してもよい。<半導体デバイスの製造方法>半導体デバイスの製造方法は、デバイスによって種々の製造工程を有している。それらの製造工程において、例えば、本発明は、次のように適用される。本発明に係る欠陥検査方法を用いて、有機材料に含まれる異物の情報を取得する。また、本発明に係る欠陥検査方法を用いて得られた欠陥の検出結果により有機材料膜の形成条件、フォトレジストの材料及び形成条件、ゲート層の形成条件等を設定する。設定した条件に基づいて、ウエハ基板を洗浄した後、ゲート絶縁膜を形成する。ゲート絶縁膜上にゲート電極層を形成し、その上に反射防止膜としての有機材料膜、フォトレジストを形成する。フォトレジストをパターニングした後、ゲート層をパターニングしてゲート電極を形成し、半導体デバイスを製造する。前記の製造方法によって製造される半導体デバイスの一例として電界トランジスタの機能を用いた半導体メモリを挙げることができる。電界トランジスタは、p型のシリコン基板を準備し、このシリコン基板に対して不純物をドープしてn型領域であるソース領域、ドレイン領域を形成し、シリコン基板上に酸化シリコンからなる絶縁膜を形成してパターニングすることでゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に多結晶シリコンなどの導電性材料からなる導電膜を公知の成膜法により形成して作製可能である。前記のソース領域、ドレイン領域及びゲート絶縁膜等の形成工程において、本発明に係る欠陥検査方法を利用することができる。"