ワークをクランプする一対のクランパ部を備え、該一対のクランパ部によって前記ワークをクランプしたまま加熱加圧することで前記ワークの各部材を圧着する圧着装置であって、一方のクランパ部は、クランプ面側に設けられた温度センサと、前記クランプ面側から前記温度センサより遠ざかって設けられた冷却部と、前記クランプ面側から前記冷却部より遠ざかって設けられた加熱部とを備え、前記温度センサの検出値に基づいて前記冷却部と前記加熱部をオンオフ制御して前記ワークの温度を制御することを特徴とする圧着装置。請求項1記載の圧着装置において、前記冷却部は、前記一方のクランパ部のクランプ面と平行に延設し、内部を冷媒が循環する冷却管路を備えており、前記冷却部のオフ動作のときに前記冷媒の流動を停止することを特徴とする圧着装置。請求項1または2記載の圧着装置において、前記一方のクランパ部は、前記加熱部が内蔵されたベースブロックと、前記冷却部が内蔵された可動ブロックとを有し、前記冷却部を前記加熱部に対して接離動させる駆動部を備えることを特徴とする圧着装置。請求項3記載の圧着装置において、前記冷却部と前記加熱部とが接触した状態で、前記一対のクランパ部で前記ワークをクランプして加熱加圧した後、前記駆動部により前記冷却部を、前記加熱部から離間させて、前記冷却部と前記他方のクランパ部とで前記ワークをクランプしたまま、前記冷却部のオン動作により前記ワークを冷却することを特徴とする圧着装置。一方のクランパ部および該一方のクランパ部と対向する他方のクランパ部でクランプされて加熱加圧されるワークに対する温度を制御する温度制御方法であって、aクランプ面側から順に冷却部、加熱部が設けられた前記一方のクランパ部と、前記他方のクランパ部とで前記ワークをクランプする工程と、b前記a工程後、前記一方のクランパ部側から前記ワークを加熱し続ける工程とを含み、前記b工程では、前記加熱部をオン動作させながら、前記冷却部のオン動作およびオフ動作を繰り返すことにより所定温度で所定時間維持することを特徴とする温度制御方法。請求項5記載の温度制御方法において、前記冷却部は、前記一方のクランパ部のクランプ面と平行に延設し、内部を冷媒が循環する冷却管路を有し、前記b工程では、前記冷却部のオフ動作のときに、前記冷媒の流動を停止することを特徴とする温度制御方法。請求項5または6記載の温度制御方法において、前記一方のクランパ部では、前記冷却部が前記加熱部から離間可能に設けられており、前記a工程では、前記冷却部と前記加熱部とが接触した状態で、前記一方のクランパ部の前記冷却部と前記他方のクランパ部とで前記ワークをクランプし、前記b工程後、前記冷却部と前記他方のクランパ部とで前記ワークをクランプしたまま、前記加熱部から前記冷却部を離間させて、前記冷却部のオン動作により前記ワークを冷却することを特徴とする温度制御方法。半導体チップ、コンデンサチップなどの電子部品を、配線基板、半導体基板などの基板に実装する場合、電子部品の接続端子例えば接続バンプと基板の接続端子例えば接続パッドは、確実に電気的に接続されている必要がある。また、接続端子間を保護し、電気的に分離するために、電子部品と基板との間には絶縁樹脂例えば接着層を設けて接続信頼性を確保する場合もある。なお、接続バンプとしては、例えば、はんだバンプ、金バンプなどの金属バンプが用いられる。また、接続パッドとしては、例えば、銅またはその合金などの金属パッドが用いられる。また、接着層としては、例えば、NCFNonConductiveFilmやNCPNonConductivePasteが用いられる。例えば、接着層を介して配線基板上に複数の半導体チップが積層され、仮圧着仮接合されたワークに対して、配線基板と複数の半導体チップとを一括で本圧着本接合する場合、半導体チップの接続バンプは、溶融するまで加熱された後、加圧されて配線基板の接続パッドと電気的に接続される。しかしながら、例えば、接続バンプが溶融するまでの時間より、接着層が硬化するまでの時間の方が短い場合には、接続バンプと接続パッドとが電気的に接続接合される前に接着層が硬化してしまい、接続不良例えば接続端子間の未接続などを起こすおそれがある。また、ワークに対する加熱時間が長くなると、接着層によっては予め混入している微細な空気が加熱により膨張あるいは発泡して、接続不良例えば配線基板から半導体チップの剥離などを引き起こすおそれもある。本発明の目的は、熱処理が施されるワークに対して温度制御を適切に行うことのできる技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。本発明の一実施形態における圧着装置は、ワークをクランプする一対のクランパ部を備え、該一対のクランパ部によって前記ワークをクランプしたまま加熱加圧することで前記ワークの各部材を圧着する圧着装置であって、一方のクランパ部は、クランプ面側に設けられた温度センサと、前記クランプ面側から前記温度センサより遠ざかって設けられた冷却部と、前記クランプ面側から前記冷却部より遠ざかって設けられた加熱部とを備え、前記温度センサの検出値に基づいて前記冷却部と前記加熱部をオンオフ制御して前記ワークの温度を制御する。本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次のとおりである。前記一実施形態によれば、前記加熱部より前記ワークに近いクランプ面側の前記冷却部で前記加熱部の熱を遮り、素早く冷却することができ、熱処理が施されるワークに対して温度制御を適切に行うことができる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。実施形態1本発明の実施形態1における温度制御機構を備えた圧着装置は、積層された複数の部材を含むワークを、対向して設けられた上クランパ部および下クランパ部一対のクランパ部で挟み込んでクランプして、各部材を圧着する。まず、本実施形態におけるワークについて図8~図10を参照して説明する。図8~図10にクランプ前からクランプ後の状態のワークWの要部を示す。ワークWは、積層された複数の部材として、配線基板2上に半導体チップ3が積層されたものである。配線基板2上には複数の半導体チップ3が整列して設けられているが、図8~図10では、説明を明解にするために、要部として配線基板2上の一つの半導体チップ3を示している。図8に示すワークWは、絶縁層8例えばソルダレジストから露出する複数の接続パッド5例えば銅パッドと対応する複数の接続バンプ6例えばはんだバンプとが位置合わせされて、配線基板2上に例えば熱硬化性樹脂の接着層4例えばNCFまたはNCPを介して半導体チップ3が仮圧着仮接合された状態である。図9に示すワークWは、対応する接続パッド5と接続バンプ6とが当接した状態である。図10に示すワークWは、対応する接続パッド5と接続バンプ6とが電気的に接合フリップチップ接合されて、配線基板2上に接着層4を介して半導体チップ3が圧着された状態である。次に、本実施形態における温度制御機構を備えた圧着装置を図1~図3などを参照して説明する。図1~図3に一連の動作状態の圧着装置1を示す。圧着装置1は、上下方向型開閉方向に対向して設けられワークWを挟み込む上型11および下型12を含んで構成されている。上型11が可動プラテン13の中央部に固定して組み付けられ、下型12が固定プラテン14の中央部に固定して組み付けられている。可動プラテン13および固定プラテン14は、それぞれの外周部で複数のタイバー15によって接続され、例えば可動プラテン13および固定プラテン14が矩形板状であればその四隅で接続されている。また、固定プラテン14はタイバー15に固定され、可動プラテン13はタイバー15で摺動されるように構成されている。また、可動プラテン13および固定プラテン14は、互いに対向する面の平行度が保たれるように構成されている。なお、これら可動プラテン13、固定プラテン14およびタイバー15で構成される筐体部はダイセットとも呼ばれる。可動プラテン13は、駆動部19例えば、シリンダにより昇降可能上下動可能である。これにより、下型12に対して上型11が昇降可能となる。可動プラテン13および固定プラテン14の上下の位置関係により、上型11および下型12が離間して型開きした状態で、上型11および下型12の間にワークWが供給搬入される図1参照。また、上型11および下型12が近接して型閉じした状態では、密閉空間16チャンバが形成される図2、図3参照。なお、可動プラテン13および固定プラテン14の互いに対向する面の平行度が保たれているので、上型11および下型12も、互いに対向する面の平行度が保たれるように構成される。このような上型11において、圧着装置1は、温度制御機構61を有する上クランパ部27と、上シール部42とを備えている。また、下型12において、圧着装置1は、下クランパ部28と、レベリング部29と、押動ブロック30押動部と、ガイド部26と、下シール部43とを備えている。さらに、圧着装置1は、上型11および下型12の外部に、圧力調節部47を備えている。上クランパ部27および下クランパ部28は、対向して設けられ、本実施形態では、上クランパ部27に対して下クランパ部28が昇降可能となるような構成とし、上クランパ部27および下クランパ部28でワークWを挟み込んでクランプするものである。下クランパ部28は、押動ブロック30の下方に設けられたエアシリンダ等で構成される駆動部図示せずにより昇降可能である。上シール部42および下シール部43は、対向して設けられ、互いが当接して密閉空間16図2、図3参照を形成するものである。この上シール部42および下シール部43は、上クランパ部27および下クランパ部28のそれぞれを内包して具備している。また、下シール部43は、レベリング部29、押動ブロック30およびガイド部26を内包して備えている。押動ブロック30は、上クランパ部27に対して下クランパ部28を昇降上下動する際に不図示の駆動部によって押し上げられる。また、レベリング部29は、下クランパ部28と押動ブロック30との間に設けられ、後述するスペーサブロック22の下面または上ベースブロック21のクランプ面27aに対して下クランパ部28のクランプ面28aを平行に維持しながらスムーズに昇降に昇降させるために設けられている。また、ガイド部26は、下クランパ部28が昇降する際のガイドをするものである。また、圧力調節部47は、密閉空間16内に充填される例えば圧縮空気の圧力を調節制御するものである。なお、押動ブロック30、レベリング部29およびガイド部26を含む機構は、下クランパ部28を平行に昇降させるので平行昇降機構ともいう。これら上クランパ部27、下クランパ部28、上シール部42、下シール部43、レベリング部29、押動ブロック30、ガイド部26、圧力調節部47の詳細を説明する前に、まず、上型11および下型12の構成部材について概略する。上型11は、固定ブロック17、複数のポスト18ポスト状のブロック、上ベースブロック21、スペーサブロック22および上シールブロック23を有している。これらブロックは、例えば合金工具鋼からなる。可動プラテン13下には、固定ブロック17が固定して組み付けられている。この固定ブロック17下には、下方に起立するように複数のポスト18が並べられて、固定して組み付けられている。この複数のポスト18の先端面で、上ベースブロック21が固定して組み付けられている。この上ベースブロック21の下面側外周部には、貫通孔23aが形成された筒状の上シールブロック23が固定して組み付けられている。また、この上ベースブロック21の下面側中央部には、スペーサブロック22が固定して組み付けられている。また、下型12は、下ベースブロック24および下シールブロック25を有している。これらブロックは、例えば合金工具鋼からなる。固定プラテン14上には、貫通孔24aが形成された筒状の下ベースブロック24が固定して組み付けられている。この下ベースブロック24の上面側外周部には、貫通孔24aと連通し、それより内径の大きい貫通孔25aが形成された筒状の下シールブロック25が固定して組み付けられている。なお、この下シールブロック25の貫通孔25a内に筒状のガイド部26が同心状に嵌め込まれて下ベースブロック24の上面内周側に固定して組み付けられている。上クランパ部27は、下クランパ部28と共に、ワークWを挟み込んでクランプし、加熱加圧するものである。この上クランパ部27は、上ベースブロック21の中央部に設けられている。この上クランパ部27は、上クランパ部27のクランプ面27a側から遠ざかる方向に複数の温度センサ31、冷却部32および加熱部33がこの順に上ベースブロック21に配設内蔵され、温度センサ31の検出値に基づいて冷却部32と加熱部33をオンオフ制御してクランプしたワークW図3参照の温度を制御調節するものである。すなわち、上クランパ部27は、クランプしたワークWに対して温度を制御するためにクランプ面27a側に設けられた冷却部32と、クランプ面27a側から冷却部32より遠ざかって設けられた加熱部33とを有する温度制御機構61を備えている。本実施形態では、スペーサブロック22がワークWを直接クランプするが、上ベースブロック21の中央部にクランプ面27aが形成されているものとして説明する。なぜならば、スペーサブロック22は、ワークWの厚さに応じて調整して設けられるものであり、ワークWの厚さによっては不要な場合もあるからである。上クランパ部27が有する加熱部33は、加熱能力を向上するために、上クランパ部27のクランプ面27aと平行に延設延在する複数のヒータ35を有している。ヒータ35の加熱能力は、上ベースブロック21などの部材が有する熱容量を考慮し、半導体チップ3の接続バンプ6はんだを溶融する温度であって、かつ、接着層4NCFまたはNCPを加熱硬化する温度を、クランプしたワークWに加えられることが必要である。本実施形態で用いるはんだの融点は例えば250~260°C程度である。また、NCFやNCPの融点は例えば200°C~260°C程度であり、所定時間加熱加圧されることで硬化する。上クランパ部27が有する冷却部32は、上クランパ部27のクランプ面27aと平行に延設延在し、内部を気体や液体の冷媒が循環する複数の冷却管路34を有している。圧着装置1では、例えばクランプしたワークWに対して加熱部33をオン動作させた状態で、冷却部32をオン、オフ動作を繰り返して、ワークWに対して所定の温度を所定の時間維持して、加熱温度の制御が行われる。このため、加熱部33よりワークWに近いクランプ面27a側に冷却部32を設けることで、冷却部32のオン、オフ動作によってワークWに加わる温度を追随させやすくしている。具体的には、温度制御機構61により、冷却部32が、オフ動作のときは冷媒の流動を停止し、オン動作のときは冷媒を流動させる。冷却部32のオン、オフ動作が、冷媒の動きによる流動の切り換えであるので、容易に、迅速に制御することができる。なお、冷却部32としてはペルチェ素子を用いることも考えられるが、圧着装置1は冷却部32よりクランプ面27aより遠ざかって配置された加熱部33によりワークWを加熱する構造であるので、冷媒を循環させる冷却管路34を用いる方がより、素早くクランプ面27a側を冷却したり、加熱したりして温度制御することができる。ここで、クランプされたワークWに対する圧着装置1の温度制御機構61温度制御方法を説明するために、図4に、経過時間-ワーク温度t-T特性の一例を示す。下クランパ部28に載置されたワークWを、加熱部33例えば300°Cに設定により予め加熱された上クランパ部27と、下クランパ部28とで挟み込んでクランプすると、急激にワークWの温度が上昇する。温度制御機構61では、冷却部32および加熱部33を有する上クランプ部27側から前記ワークを所定の温度例えば260°Cの範囲R内例えば±5°Cとなるように加熱し続ける。具体的には、加熱部33をオン動作させながら、冷却部32のオン動作およびオフ動作を繰り返す。加熱部33よりワークWに近いクランプ面27a側に冷却部32を設けることで、加熱部33側では加熱部33からの熱を遮るように働き、クランプ面27a側にはワークWを冷却するように働かせることができ、素早くワークWを冷却できる。これにより、図4中の実線Aに示すように所定の温度を、所定の時間例えば30分~60分維持することができる。また、温度制御機構61により、ワークWの加熱温度を素早く昇温しながらオーバーシュートも防止することができ、過熱によるワークWの損傷や予定を越えた膨脹を防止することができる。このように、温度制御機構61を備えた圧着装置1では、熱処理が施されるワークWに対して温度制御を適切に行うことができる。また、冷却部32および加熱部33を有する温度制御機構61上クランパ部27によって、ワークWを急速に加熱、冷却することができることにより、圧着装置1では、接着層4が熱により硬化する前に、急速加熱により、短時間で接続バンプ6を溶融させることができる。そして、所定の加熱温度を所定の時間で保持することができ、接続パッド5と接続バンプ6との接合、接着層4の硬化を適切に行うことで、配線基板2と半導体チップ3との接続信頼性を向上することができる。なお、図4中の破線Bは、加熱部33をオン動作させた状態で冷却部32をオフ動作させ続けた場合のグラフ図、また、破線Cは、加熱部33をオン動作させた状態で冷却部32をオン動作させ続けた場合のグラフ図を示す。これからも、冷却部32のオン、オフ動作の繰り返しが温度制御に有効であることがわかる。下クランパ部28は、上クランパ部27と共に、ワークWを挟み込んでクランプするものである。この下クランパ部28は、ガイド部26に形成された摺動孔26aに挿入されている。下クランパ部28は、支持ブロック36および支持ブロック36から起立して並べられた複数の支持ロッド37を有して、複数の支持ロッド37の先端でワークWをフローティング支持するものである。支持ブロック36上には、固定ブロック38が固定して組み付けられている。固定ブロック38は、支持ロッド37の一端側のロッド頭で抜け止め固定するものである。このように設けられた複数の支持ロッド37の他端側で、ワークWが支持載置される。すなわち、下クランパ部28のクランプ面28aは、同一水平面上にあるこれら複数の支持ロッド37の先端面で形成される。複数の支持ロッド37は、例えばマトリクス状に平面配置されており、支持プレート41を介してワークWを支持する。各支持ロッド37は、支持プレート41が自重によって撓んで高さが不均一にならないように均等な間隔で配置されている。この支持プレート41を用いてワークWを支持することで、ワークWを上クランプ部27のクランプ面27aと平行に配置することができる。本実施形態では、支持プレート41を介してワークWをクランプするが、同一水平面上にある各支持ロッド37の先端面でクランプ面28aが形成されているものとして説明する。なぜならば、支持プレート41は、剛性が高く撓みが少ない基板例えばセラミック基板を配線基板2として用いた場合には省略することができるからである。複数の支持ロッド37でワークWをフローティング支持することで、下クランパ部28の熱容量を低減すると共に、クランプ面28aの下部例えば、支持ブロック36とを熱的に分離するようになっている。このため、下クランパ部28は、ワークWが載置支持される際に、低温例えば50°C以下を保持することができ、ワークWを上クランパ部27と共にクランプする際に、高温例えば、260°Cを保持することができる。ガイド部26は、下クランパ部28が昇降する際のガイドをするものである。このガイド部26は、摺動孔26aが形成された筒状のブロックであり、例えば合金工具鋼からなる。ガイド部26は、ベースブロック24の貫通孔24aと摺動孔26aとが連通するように、ベースブロック24の上面内周側中央部で支持される。下シールブロック25の貫通孔25aに同心状に嵌め込まれて固定して組み付けられている。この摺動孔26aには、下クランパ部28、レベリング部29および押動ブロック30が挿入される。これら下クランパ部28、レベリング部29および押動ブロック30を昇降させるため、摺動孔26aの上下には、押動ブロック30を昇降させる駆動部が駆動部19とは別の駆動源として配置されている。なお、可動プラテン13の駆動部19が密閉空間16に圧力を加えるときには気体を漏らさないために必要なクランプ力を生じさせるのに対して、押動ブロック30はワークWの対応する接続パッド5と接続バンプ6とが接合できるクランプ力を生じさせる必要がある。この場合、押動ブロック30のクランプ力は、ワークの大きさ、バンプ数またはバンプの種類に基づいて適宜設定される。例えば、ワークのサイズが大きくバンプ数が多い場合や、接合に高いクランプ力を要するバンプ例えば銅バンプ等の場合には、高いクランプ力を生じさせる駆動部を用いる必要がある。なお、押動ブロック30は、微細な接続パッド5と接続バンプ6とを接合するために、例えば1kg毎に微調整可能なものが好ましい。レベリング部29は、上下のクランプ面27a、28aを平行に維持しながら下クランパ部28をスムーズに昇降させるために設けられている。レベリング部29は、ガイド部26の摺動孔26a内に挿入された載置ブロック52およびスプリング部51を備えて構成されている。この載置ブロック52上に下クランパ部28の支持ブロック36が設けられる図1参照。レベリング部29では、載置ブロック52を摺動孔26aの内壁面に対してスプリング部51を介して押し当てている。このため、下クランパ部28が押動ブロック30により昇降する際、載置ブロック52が摺動孔26a内で位置決めされたまま摺動するので、下クランパ部28のクランプ面28aが上クランパ部27のクランプ面27aに対して高い平行度を保つことができる。上シール部42および下シール部43図1中、破線で囲まれた部分は、対向して設けられ、互いが当接して密閉空間16図2、図3参照を形成するものである。下シール部43は、上シール部42側に開口する凹形状の箱部となるように、固定プラテン14の中央部上に、貫通孔24aを有する下ベースブロック24と貫通孔24aに連通する貫通孔25aを有する下シールブロック25が重ね合わせて形成されている。下ベースブロック24と下シールブロック25が互いに接する面の境界部では、各部材が例えばボルトによって固定して組み付けられているので、シールされていることとなる。このような下シール部43内に下クランパ部28が収納される。また、下シール部43の縁部でシール部材44例えばOリングが設けられている。また、上シール部42は、下シール部43側に開口する凹形状の箱部となるように、上ベースブロック21外周部下に、貫通孔23aを有する上シールブロック23が設けられて形成されている。上ベースブロック21と上シールブロック23が互いに接する面の境界部では、各部材が例えばボルトによって固定して組み付けられているので、シールされていることとなる。このような上シール部42内に上クランパ部27が収納される。また、上シール部42の縁部でシール部材44を介して下シール部43の縁部が当接される。上シール部42および下シール部43が近接することで、上クランパ部42の縁部と下クランパ部43の縁部とが接して内部に密閉空間16が形成される図2参照。言い換えると、上型11および下型12が近接することで型閉じされ内部に密閉空間16が形成される。このような密閉空間16では、クランプ前後のワークWが内包されるので、上クランパ部42によりワークWをより急速に加熱することができる。なお、上シール部42および下シール部43は密閉空間16を形成するために近接するものであって、ワークWをクランプするものではない。ワークWをクランプするのは、上クランパ部27および下クランパ部28である。また、下シール部43を構成する下シールブロック25のシール面側には、奥行き方向に延在するヒータ45が設けられ、下ベースブロック24側には、冷却管路46内部を冷媒が循環するが設けられている。シール部材44側、すなわち下クランパ部28近傍にヒータ45を設けることで、上クランプ部27と共に下クランパ部28側からも加熱できる構成となる。また、下クランパ部28近傍にヒータ45を設けることで、ワークWをクランプして熱を帯びた下クランパ部28に合わせて、下シールブロック25に組み付けられたガイド部26を熱膨張させることで、摺動孔26a内で下クランパ部28をスムーズに昇降することができる。また、下ベースブロック24側、すなわち下クランパ部28を昇降する駆動部近傍に冷却管路46を設けることで、押動ブロック30周辺を冷却することができ、押動ブロック30が誤動作するのを防止することができる。圧力調節部47は、密閉空間16内の圧力を調節制御するものである。本実施形態では、この圧力調節部47は、上シールブロック23に形成されたエア路48を通じて、例えば、密閉空間16に対して圧縮処理を行う。このため、圧力調節部47は、密閉空間16に接続される圧縮機例えばコンプレッサを有している。密閉空間16では、上クランプ部27により接着層4が加熱されると、接着層4内でボイドが発生して接着層4が膨脹し、半導体チップ3を配線基板2から引き離すおそれが生じる。そこで、密閉空間16を圧縮空間とすることでボイドの発生を抑制することができる。また、圧着装置1は、圧縮空間において配線基板2に複数の半導体チップ3を一括して接合する構成であるため、ボイドの発生を抑制して一様の圧力を加えながら加熱を行うことができる。したがって、配線基板2上に接着層4を介した複数の半導体チップ3の接続信頼性を向上することができる。次に、本実施形態における圧着装置1の機能を用いて、配線基板2上に複数の半導体チップ3を一括で接合する圧着方法接合方法と共に、これにより製造される半導体装置7の製造方法について図1~図3および図8~図10を参照して説明する。図1などは、動作中の圧着装置1を模式的に示す断面図であり、図8などは、動作中の圧着装置1におけるワークWを明確にするために、図1などに示すワークWの要部を拡大して示している。本実施形態の圧着方法は、概略すると、接着層4を介して積層された配線基板2および半導体チップ3を含むワークWを、対向して設けられた上クランパ部27および下クランパ部28で挟み込んでクランプして、配線基板2および半導体チップを圧着する工程を含んでいる。まず、配線基板2の複数の接続パッド5と対応する各半導体チップ3の複数の接続バンプ6とを対向して位置合わせして、配線基板2上に接着層4を介して積層された複数の半導体チップ3を含んでなるワークWを準備する図8参照。このワークWは、接着層4が接着された配線基板2に対して、公知のフリップチップボンダを用いて、接着層4側から複数の半導体チップ3がマトリクス状に位置合わせされて、仮圧着仮接合されている。配線基板2は、例えばガラスエポキシ基板であり、その内部に配線パターンが形成されており、また絶縁層8から露出する接続パッド5が形成されている。また、半導体チップ3は、例えばシリコン基板にMISMetalInsulatorSemiconductorトランジスタなどが形成されたものであり、接続バンプ6としてはんだバンプが用いられている。続いて、図1に示すように、上型11と下型12とが離間した状態で、図示しない搬送装置によって下型12にワークWを載置する。具体的には、上クランプ部27および下クランパ部28の間にワークWを搬送し、下クランパ部28が有する複数の支持ロッド37の先端面で形成されるクランプ面28aでワークWをフローティング支持する。本実施形態では、接着層4の劣化防止のため、ワークWが低温50°C以下で支持されるように、フローティング支持している。続いて、図2に示すように、上型11と下型12とを近接させることで、対向して設けられ、上クランパ部27および下クランパ部28のそれぞれを内包する上シール部42および下シール部43を当接させて密閉空間16を形成する。次いで、圧力調節部47によりシールされた密閉空間16に対して圧縮空気を導入する圧縮処理を行い、圧縮空間を形成する。この圧縮空間は、例えば密閉空間16のシールが解除されるまでの間形成しておく。なお、密閉空間16は空気の発泡防止のため、少なくとも接着層4が硬化されるまで形成されるのが好ましい。続いて、図3に示すように、図2に示した状態からガイド部26の摺動孔26a内で昇降可能な下クランパ部28を上クランパ部27側に上昇させて、上クランパ部27および下クランパ部28でワークWを挟み込んでクランプする。このように、上クランパ部27および下クランパ部28で両側から挟まれて直接的に加熱されたワークWは、急速に加熱され始める。なお、加熱部33のヒータ35や下シールブロック25のヒータ45からの輻射熱によって、密閉空間16内の温度は上昇しているため、間接的にワークWは加熱されていることとなる。ワークWの温度が急速に上昇すると、接続バンプ6および接着層4が溶融状態となる。このため、クランプされたワークWでは、溶融した接着層4を押し退けて接続バンプ6が接続パッド5に当接し図9参照、溶融した接続バンプ6と接続パッド5とが接合する図10参照。次いで、上クランパ部27と下クランパ部28とでワークWをクランプしたまま加熱加圧する。ここで、温度制御機構61上クランプ部27が有する冷却部32および加熱部33を用いて、ワークWをクランプしながら所定の温度範囲内で加熱し続ける。具体的には、加熱部33をオン動作させながら、上クランパ部27のクランプ面27a側に加熱部33より近くに設けられた冷却部32のオン動作およびオフ動作を繰り返す。これにより、接続バンプ6が溶融する温度を維持しながら、接着層4が硬化する温度および時間を維持することができる。例えば、図4を参照して説明したように、所定の温度例えば260°Cを、所定の時間例えば30分~60分維持することができる。このように、熱処理が施されるワークWに対して温度制御を適切に行うことができる。したがって、接着層4を介して積層された配線基板2と半導体チップ3の接続信頼性を向上することができる。また、例えば加熱部33による加熱を停止することで自然に温度の上昇しなくなる構成とは異なり、素早く所定の温度まで昇温しながら強制的に昇温を停止させることができるため素早く昇温しながらもオーバーシュートが起こることもない。これにより、ワークWの温度が高くなりすぎることで半導体チップ3が損傷するといった問題も効率的に回避することができる。本実施形態では、冷却部32が上クランパ部27のクランプ面27aと平行に延設延在し、内部を冷媒が循環する冷却管路34を有しており、冷却部32がオフ動作のときに冷媒の流動を停止し、冷却管路34を介してクランプされたワークWを加熱部33により加熱する。このように、冷却部32を迅速に制御することで、所定の温度を、所定の時間維持することができ、熱処理が施されるワークWに対して温度制御を適切に行うことができる。次いで、ワークWの接合を完了させた後図3参照、圧力調節部47による密閉空間16への加圧を停止し、下クランパ部28を下降させて、載置されているワークWを上クランパ部27のクランプ面27aから離す図2参照。次いで、上型11と下型12とを離間させることで上シール部42および下シール部43で構成された密閉空間16を開放し、図示しない搬送装置によって下型12からワークWを搬出することで1個のワークWの接合のための動作が終了する。すなわち、配線基板2に半導体チップ3が実装された半導体装置7が製造される図10参照。なお、支持ロッド37でワークWを支持させた後で所定時間維持することで接続バンプ6の温度を下げて硬化させてから搬出しても良い。実施形態2前記実施形態1では、温度制御機構61として、上クランパ部27の上ベースブロック21に冷却部32および加熱部33を内蔵した場合について説明した。本発明の実施形態2では、温度制御機構61Aとして、上クランパ部27Aの冷却部32Aが加熱部33Aと接離動可能である場合について説明する。他の構成は、前記実施形態1と同様であるので、その構成については説明を省略する場合がある。温度制御機構61Aは、図5に示すように、上クランパ部27Aに設けられている。この上クランパ部27Aは、下クランパ部28と共に、ワークWを挟み込んでクランプ加熱加圧するものである。この上クランパ部27Aは、上クランパ部27Aのクランプ面27b側から遠ざかる方向に温度センサ31、冷却部32Aおよび加熱部33Aがこの順に配設され、温度センサ31の検出値に基づいて冷却部32Aと加熱部33Aをオンオフ制御してクランプしたワークW図6参照の温度を制御調節するものである。具体的には、温度センサ31および冷却部32Aは、可動スペーサブロック22Aに配設内蔵されている。可動スペーサブロック22Aは、厚さが上ベースブロック21より十分薄い板状であり、その内部にクランプ面27bに沿って冷却部22Aが配設されている。また、加熱部33Aは、上ベースブロック21に配設内蔵されている。上ベースブロック21では、加熱部33Aは可動スペーサブロック22Aとの当接面側で沿って配設されている。このように、上クランパ部27Aは、クランプ面27b側に設けられた冷却部32Aと、クランプ面27b側から冷却部32Aより遠ざかって設けられた加熱部33Aとが接離動可能な温度制御機構61Aを備えている。可動スペーサブロック22Aは、外周部に設けられた複数の駆動ロッド62図5~図7では破線で示しているを介してそれぞれ複数の駆動部63と接続されている。駆動部63は、駆動ロッド62を介して可動スペーサブロック22Aを上下方向型開閉方向に昇降させるためのものであり、可動プラテン13上に設けられている。駆動ロッド62は、可動プラテン13、固定ブロック17、ポスト18、上ベースブロック21のそれぞれを連通するように貫通孔に挿入されている。この駆動ロッド62は、一端が可動スペーサブロック22Aと接続され、他端が駆動部63と接続されている。圧着装置1Aは、駆動ロッド62、駆動部63を備え、冷却部32Aを加熱部33Aに対して接離動させることができる。このように、上クランパ部27Aは、冷却部32Aが加熱部33Aから離間可能に設けられているので、温度制御機構61Aは、加熱部33Aからの熱を遮り、冷却部32AによりワークWを冷却して、急速に温度低下させることができる。次に、本実施形態における圧着装置1Aの機能を用いて、配線基板2上に複数の半導体チップ3を一括で接合する圧着方法接合方法と共に、これにより製造される半導体装置7の製造方法について説明する。図5に示すように、上型11と下型12とが離間した状態で、図示しない搬送装置によって下型12にワークWを載置する。具体的には、上クランプ部27Aおよび下クランパ部28の間にワークWを搬送し、下クランパ部28が有する複数の支持ロッド37の先端面で形成されるクランプ面28aでワークWをフローティング支持する。続いて、図6に示すように、上型11と下型12とを近接させることで、上シール部42および下シール部43を当接させて密閉空間16を形成する。次いで、圧力調節部47によりシールされた密閉空間16に対して圧縮空気を導入する圧縮処理を行い、圧縮空間を形成する。次いで、ガイド部26の摺動孔26a内で昇降可能な下クランパ部28を上クランパ部27A側に上昇させて、上クランパ部27Aおよび下クランパ部28でワークWを挟み込んでクランプする。具体的には、冷却部32Aと加熱部33Aとが接触した状態で、上クランパ部27Aの冷却部32Aと下クランプ部28とでワークWを挟み込んでクランプする。次いで、上クランパ部27Aと下クランパ部28とでワークWをクランプしたまま加熱加圧する。ここで、温度制御機構61A上クランプ部27Aの冷却部32Aおよび加熱部33Aを用いて、ワークWをクランプしながら所定の温度範囲内で加熱し続ける。具体的には、加熱部33Aをオン動作させながら、上クランパ部27Aのクランプ面27b側に加熱部33より近くに設けられた冷却部32Aのオン動作およびオフ動作を繰り返す。これにより、接続バンプ6が溶融する温度を維持しながら、接着層4が硬化する温度および時間を維持することができる。例えば、図4を参照して説明したように、所定の温度例えば260°Cを、所定の時間例えば30分~60分維持することができる。これにより、接着層4を十分に加熱し硬化を完了させることで、接続信頼性が確保されて、接着層4を介して積層された配線基板2と半導体チップ2とが圧着接合される。続いて、図7に示すように、下クランパ部28の下降に追従して冷却部32Aを下降させる。すなわち、冷却部32Aと下クランパ部28とでワークWをクランプしたまま下降させ、加熱部33Aから冷却部32Aを離間させて、冷却部32Aのオン動作によりワークWを冷却する。加熱部33Aから冷却部32Aが離間することで、冷却部32Aと加熱部33Aとの間には空隙が形成される。加熱部33Aから可動スペーサブロック22Aを介したワークWへの熱の伝導は、この空隙により遮断されることとなる。加熱部33Aからの熱伝導が遮断されたワークWは、冷却部32Aのオン動作により冷却されるため、バンプ6が冷却されて固化するため、搬送の際などに外力が加えられてもバンプ6による電気的接続が損なわれることはない。この場合、加熱部33Aからの熱の伝動を遮断したうえで十分薄く熱容量の低い可動スペーサブロック22Aに配設された冷却部32Aによって冷却されるため急速に温度が低下することができる。このため、冷却に要する時間を短縮しサイクルタイムを短くすることができる。次いで、圧力調節部47による密閉空間16への加圧を停止し、下クランパ部28を下降させて、載置されているワークWを上クランパ部27A冷却部32Aのクランプ面27bから離す。次いで、上型11と下型12とを離間させることで上シール部42および下シール部43で構成された密閉空間16を開放し、図示しない搬送装置によって下型12からワークWを搬出することで1個のワークWの接合のための動作が終了する。すなわち、配線基板2に半導体チップ3が実装された半導体装置7が製造される図10参照。以上、本発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、前記実施形態では、ワークWを下型12に載置する場合について説明した。これに限らず、上型11においてワークWを吸着や爪による把持で支持する構成であっても良い。これにより、下クランパ部に温度制御機構を設けることができる。例えば、下クランパ部のクランプ面側から順に冷却部、加熱部を設けて、温度制御機構を構成することができる。また、例えば、前記実施形態では、冷却部32として、内部を冷媒が循環する冷却管路34を用いた場合について説明したが、内部をエア及び水の両方が循環する冷却管路34を用いても良い。また、冷却部32の一部を空冷用、他部を水冷用とする場合であっても良い。この場合、圧着時クランプ時の温度を安定させるときには空冷を用い、初期の加熱を停止する際や圧着完了時に冷却するとき非クランプ時には水冷を行うことができ、複数のワークWに対して繰り返して圧着する場合に生産性を向上することができる。また、前記実施形態では、圧力調節部47に圧縮機を用いた場合について説明したが、圧縮機の代わりに、密閉空間16を減圧する減圧機例えば真空ポンプが接続されても良い。減圧することで、接着層4内の微細な空気や、密閉空間16内の異物浮遊物を除去することができるからである。また、圧力調節部47は、減圧機と圧縮機を併用した処理を行うこともできる。例えば、密閉空間16内を減圧雰囲気として接着層4に微細な空気を積極的に排除したり空間中の異物を除去したりしてから加熱を開始して圧縮空間としてボイドの発生を抑制することで、相乗的効果を得ることができ配線基板2上に接着層4を介した複数の半導体チップ3の接続信頼性をより向上することができる。このように、圧力調節部47は、密閉空間16に接続される圧縮機または減圧機の少なくともいずれか一方を有しているものでも良い。また、例えば、前記実施形態では、接着層を介して積層された第1および第2部材として、それぞれ配線基板2および半導体チップ3を含むワークWを用いた場合について説明したが、さらに第3、第4、の部材が積層されたワークに対しても適用することができる。例えば、第1部材として配線基板、第2および第3部材としてそれぞれ半導体チップが接着層を介して積層されたワークに対しても適用することができる。また、例えば、基板として配線基板2の他にリードフレームやウェハを用いても良い。また、例えば電子部品として半導体チップ3の他にコンデンサチップなどのチップ部品を用いても良い。また、例えば、前記実施形態では、配線基板2の接続パッド5と半導体チップ3の接続バンプ6とが接していない状態のワークW図8参照を準備し、このワークWをクランプして配線基板2に複数の電子部品3を一括で接合して半導体装置7図10参照を製造する場合する場合について説明した。これに限らず、配線基板2の接続パッド5と半導体チップ3の接続バンプ6とが接した状態のワークW図9参照を準備し、このワークWをクランプして配線基板2に複数の半導体チップ3を一括で接合して半導体装置7を製造しても良い。接続バンプ6が溶融したワークWを加熱加圧する際に、接続パッド5と接続バンプ6との位置ずれを抑制することができるからである。また、例えば、前記実施形態では、加熱により半導体チップ3の接続バンプ6が溶融する場合について説明した。これに限らず、配線基板2の接続パッド5を溶融させても、また、配線基板2の接続パッド5と半導体チップ3の接続バンプ6とも溶融させても、配線基板2と半導体チップ3とを接合することができる。また、例えば、前記実施形態では、上型11を可動プラテン13に固定して組み付け、下型12を固定プラテン14に固定して組み付けた場合について説明した。これに限らず、上型11を固定プラテン、下型12を可動プラテンに固定して組み付け、上型11に対して下型12を昇降するようにしても良い。