基板と、前記基板上に形成され、第1の活性領域、第1の活性領域を挟むように構成された第1の垂直共振器、および第1の活性領域に駆動電流を供給するための第1の電極を含む発光部と、前記基板上に形成され、前記発光部で発せられた光を前記基板の主面と略平行な方向に伝播させ、かつ伝播された光を吸収または増幅する光制御部とを有し、前記光制御部は、第2の活性領域、第2の活性領域を挟むように構成された第2の垂直共振器、制御電流を供給するための第2の電極、第2の垂直共振器上に形成された反射部とを有し、前記反射部は、第2の垂直共振器からの光を入射し、入射した光を一定方向へ反射させる、半導体レーザ。前記反射部は、第2の垂直共振器からの光を入射する入射面、入射された光を反射する反射面、反射された光を前記一定方向に出射する出射面とを有し、前記反射面は、前記入射面に対して傾斜している、請求項1に記載の半導体レーザ。前記反射部は、前記入射面から入射された光を収束し、収束した光を前記出射面から出射させる、請求項1または2に記載の半導体レーザ。前記反射部は、第2の垂直共振器上に結晶成長された半導体層である、請求項1ないし3いずれか1つに記載の半導体レーザ。前記半導体層は、第1の端部と、当該第1の端部に対向する第2の端部とを有し、第1の端部は、第1の膜厚および第1の幅を有し、第2の端部は、第1の膜厚よりも大きい第2の膜厚および第1の幅よりも狭い第2の幅を有し、第2の端部は、反射部の出射面を形成する、請求項1ないし4いずれか1つに記載の半導体レーザ。前記光制御部は、前記発光部の等価屈折率よりも等価屈折率が小さい低等価屈折率領域と、前記低等価屈折率領域よりも等価屈折率が高い高等価屈折率領域とを含み、前記反射部は、前記高等価屈折率領域が延在する方向に延在する、請求項1ないし5いずれか1つに記載の半導体レーザ。前記反射部は、前記高等価屈折率領域と重複する位置に形成される、請求項1ないし6いずれか1つに記載の半導体レーザ。前記低等価屈折率領域は、第2の垂直共振器内に形成された溝である、請求項6に記載の半導体レーザ。前記出射面は、略円形または略正方形である、請求項1ないし8いずれか1つに記載の半導体レーザ。前記光制御部は、第2の電極に順方向バイアスの制御電流が供給されたとき、伝播された光を増幅する、請求項1ないし9いずれか1つに記載の半導体レーザ。前記光制御部は、第2の電極に逆バイスの制御電流が供給されたとき、伝播された光を吸収する、請求項1ないし9いずれか1つに記載の半導体レーザ。請求項1ないし11いずれか1つに記載の半導体レーザと、前記反射部の出射面から出射された光と結合される光伝送部材と、を有する光伝送装置。光伝送装置はさらに、第1の電極に駆動電流を供給し、第2の電極に制御電流を供給する駆動手段を含む、請求項12に記載の光伝送装置。本発明は、光ファイバ等の光伝送部材と結合が容易な半導体レーザを提供することを目的とする。請求項1は、基板と、前記基板上に形成され、第1の活性領域、第1の活性領域を挟むように構成された第1の垂直共振器、および第1の活性領域に駆動電流を供給するための第1の電極を含む発光部と、前記基板上に形成され、前記発光部で発せられた光を前記基板の主面と略平行な方向に伝播させ、かつ伝播された光を吸収または増幅する光制御部とを有し、前記光制御部は、第2の活性領域、第2の活性領域を挟むように構成された第2の垂直共振器、制御電流を供給するための第2の電極、第2の垂直共振器上に形成された反射部とを有し、前記反射部は、第2の垂直共振器からの光を入射し、入射した光を一定方向へ反射させる、半導体レーザ。請求項2は、前記反射部は、第2の垂直共振器からの光を入射する入射面、入射された光を反射する反射面、反射された光を前記一定方向に出射する出射面とを有し、前記反射面は、前記入射面に対して傾斜している、請求項1に記載の半導体レーザ。請求項3は、前記反射部は、前記入射面から入射された光を収束し、収束した光を前記出射面から出射させる、請求項1または2に記載の半導体レーザ。請求項4は、前記反射部は、第2の垂直共振器上に結晶成長された半導体層である、請求項1ないし3いずれか1つに記載の半導体レーザ。請求項5は、前記半導体層は、第1の端部と、当該第1の端部に対向する第2の端部とを有し、第1の端部は、第1の膜厚および第1の幅を有し、第2の端部は、第1の膜厚よりも大きい第2の膜厚および第1の幅よりも狭い第2の幅を有し、第2の端部は、反射部の出射面を形成する、請求項1ないし4いずれか1つに記載の半導体レーザ。請求項6は、前記光制御部は、前記発光部の等価屈折率よりも等価屈折率が小さい低等価屈折率領域と、前記低等価屈折率領域よりも等価屈折率が高い高等価屈折率領域とを含み、前記反射部は、前記高等価屈折率領域が延在する方向に延在する、請求項1ないし5いずれか1つに記載の半導体レーザ。請求項7は、前記反射部は、前記高等価屈折率領域と重複する位置に形成される、請求項1ないし6いずれか1つに記載の半導体レーザ。請求項8は、前記低等価屈折率領域は、第2の垂直共振器内に形成された溝である、請求項6に記載の半導体レーザ。請求項9は、前記出射面は、略円形または略正方形である、請求項1ないし8いずれか1つに記載の半導体レーザ。請求項10は、前記光制御部は、第2の電極に順方向バイアスの制御電流が供給されたとき、伝播された光を増幅する、請求項1ないし9いずれか1つに記載の半導体レーザ。請求項11は、前記光制御部は、第2の電極に逆バイスの制御電流が供給されたとき、伝播された光を吸収する、請求項1ないし9いずれか1つに記載の半導体レーザ。請求項12は、請求項1ないし11いずれか1つに記載の半導体レーザと、前記反射部の出射面から出射された光と結合される光伝送部材と、を有する光伝送装置。請求項13は、光伝送装置はさらに、第1の電極に駆動電流を供給し、第2の電極に制御電流を供給する駆動手段を含む、請求項12に記載の光伝送装置。請求項1の発明によれば、反射部を備えていない構成と比べて、光伝送部材との結合を容易にすることができる。請求項2の発明によれば、入射された光の反射を容易にすることができる。請求項3の発明によれば、光伝送部材との結合効率を向上させることができる。請求項4の発明によれば、反射部の形成を容易にすることができる。請求項5の発明によれば、反射部の出射面の形状の選択を容易することができる。請求項6、7の発明によれば、第2の垂直共振器からの光を効率的に反射部に入射させることができる。請求項8の発明によれば、発光部の光を光制御部へ容易に伝播させることができる。請求項9の発明によれば、光伝送部材との結合を容易にすることができる。請求項10の発明によれば、レーザ光の光量を増加することができる。請求項11の発明によれば、レーザ光の変調を行うことができる。次に、本発明の実施の形態に係る半導体レーザについて図面を参照して説明する。また、図面のスケールは、発明の特徴を分かり易くするために強調しており、必ずしも実際のデバイスのスケールと同一ではないことに留意すべきである。図1aは、本発明の第1の実施例に係る半導体レーザの模式的な平面図、図1bは、そのA-A線断面図である。同図に示すように、本実施例の半導体レーザ10は、光を発光する発光部20と、発光部20で発せられた光を横方向に伝播する横導波路として機能しかつ光の吸収または増幅等の制御を行う光制御部30とを基板上に含んでいる。発光部20は、典型的な面発光型半導体レーザVerticalCavitySurfaceEmittingLaserdiodeVCSELと同様に構成される。すなわち、発光部20は、n型のGaAs基板100上に、Al組成の異なるAlGaAs層を交互に重ねたn型の下部分布ブラック型反射鏡DistributedBraggReflector:以下、DBRという102、下部DBR102上に形成された上部および下部スペーサ層に挟まれた量子井戸層を含む活性領域104、活性領域104上に形成されたAl組成の異なるAlGaAs層を交互に重ねたp型の上部DBR108を積層して構成される。発光部20の平面形状は、図1に示すように略半円状である。n型の下部DBR102は、高屈折率層と低屈折率層の積層として、例えば、Al092Ga008As層とAl016Ga084As層とのペアを複数積層する。各層の厚さは、λ/4nr但し、λは発振波長、nrは媒質の屈折率であり、これらを交互に40周期で積層する。n型不純物であるシリコンをドーピングした後のキャリア濃度は、例えば、3×1018cm3である。活性領域104の下部スペーサ層は、アンドープのAl06Ga04As層であり、量子井戸活性層は、アンドープGaAs量子井戸層およびアンドープのAl03Ga07As障壁層であり、上部スペーサ層は、アンドープのAl06Ga04As層である。p型の上部DBR108は、高屈折率層と低屈折率層の積層として、例えば、Al092Ga008As層とAl016Ga084As層とのペアを複数積層する。各層の厚さは、λ/4nrであり、これらを交互に24周期積層する。p型不純物であるカーボンをドーピングした後のキャリア濃度は、例えば、3×1018cm3である。上部DBR108の最下層もしくはその内部には、p型Al098Ga002As層またはAlAs層からなる電流狭窄層106が形成される。また、上部DBR108の最上層に、p型GaAsからなる不純物濃度が高い例えば、1×1019cm3コンタクト層を形成するようにしてもよい。電流狭窄層106は、下部DBR102や上部DBR108よりもAl組成が高く、酸化工程において酸化が早く進む。図1aに示すような半円筒状のポストを酸化すると、電流狭窄層106には、ポストの側壁から内部に向けて選択的に酸化された酸化領域106A図1bのハッチングされた部分が形成される。これにより、酸化領域106Aによって囲まれた非酸化領域106Bが形成される。非酸化領域106Bの平面形状は、ほぼポスト構造の平面形状を反映した形状となる。図1aに示す破線106Cは、酸化領域106Aと非酸化領域106Bの境界を示している。非酸化領域106Bの半円部分の直径は、基本横モード発振される程度の大きさであり、例えば、約3ミクロン以下である。酸化領域106Aの屈折率は、約1.7であり、非酸化領域Al098Ga002As106Bの屈折率は、約3.0であり、屈折率の高い非酸化領域106B内に光を閉じ込めることが可能になる。また、酸化領域106Aは、高抵抗領域であるため、電極から注入されたキャリアは、導電領域である非酸化領域106Bを通過することで、キャリア密度が増加され、活性領域104に注入される。上部DBR108上には、例えば、AuまたはTi/Auなどを積層した金属から構成される金属製の半円状のp側電極110が形成され、p側電極110は、上部DBR108と電気的に接続される。好ましくは、p側電極110は、電流狭窄層106の非酸化領域106Bの真上を覆うように、すなわち重複するように形成され、さらに好ましくは、p側電極110は、発光部20の上部DBR108の略全域を覆うように形成される。従って、発光部20は、通常のVCSELと異なり、上部DBR108の最上層からレーザ光を出射しないことに留意すべきである。また、基板100の裏面には、n側電極112が形成される。このn側電極112は、光制御部30にも共通である。こうして、基板100上には、垂直共振器構造をもつ発光部20が形成され、p側電極110とn側電極112との間に順方向の駆動信号を印加することで、活性領域104から光が発生され、レーザ光が励起される。但し、上記したように、上部DBR108の表面は、p型電極110によって被覆されているため、レーザ光は、p側電極110によって内部に反射される。半導体レーザ10には、発光部20の側部に横導波路としての光制御部30がモノリシックに形成される。光制御部30は、発光部20で発生されたレーザ光を導くための相対的に等価屈折率が小さい低等価屈折率領域120と、低等価屈折率領域120から導かれた光を伝播する高等価屈折率領域のスローライト部122と、スローライト部122上に形成された反射部124とを有する。好ましくは、光制御部30は、発光部20と同一の半導体層を用いて構成される。なお、本明細書中で用いられる等価屈折率とは、基板に対して垂直方向に積層している、屈折率の異なる半導体多層膜の実効的な屈折率多層膜の屈折率を単層の屈折率とみなすを、等価屈折率法によって求められたものを指す。好ましくは、低等価屈折率領域120は、上部DBR108内に形成されたトレンチ溝120によって形成される。トレンチ120は、好ましくは、図1aに示す酸化領域106Aと非酸化領域106Bとの境界106Cの内側、すなわち非酸化領域106と重複する位置に形成され、基板と略垂直方向に一定の深さを有する。より好ましくは、トレンチ120は、p側電極110の端部に隣接するように形成される。このように、境界106Cの内側の非酸化領域106Bと重複する位置にトレンチ120を形成するのは、発光部20で発生された光をスローライト部122に容易に導くためであり、トレンチ120は、発光部20の光が効率良くスローライト部122に漏洩されるような位置、深さ、幅D2で形成される。トレンチ120の形状は問わないが、本実施例では、矩形状に形成される。また、発光部20の非酸化領域106Bの実質的な径D1を2μm、トレンチ120の幅D2を1μm、スローライト部122の長手方向に延在する距離D3を6μmで形成している。図2は、半導体レーザ10の等価屈折率と光閉じ込め分布の関係を示している。同図において、階段状の線が等価屈折率を示し、曲線は、光閉じ込め分布を表している。低等価屈折率NLの領域D0図1aを参照は、発光部20の酸化領域106Aに対応し、高等価屈折率NHの領域D1は、発光部20の非酸化領域106Bに対応する。低等価屈折率NLの領域D2は、光制御部30のトレンチ120に対応し、高等価屈折率NHの領域D3は、光制御部30のスローライト部122の非酸化領域106Bに対応する。高低の等価屈折率NL、NHとなる領域D0、D1、D2、D3が連続的に形成されることで、発光部20で発生された光は、上部DBR108の最上層から出射されることなく、領域D1に閉じ込められる。領域D1に閉じ込められた基本横モードの光Linはガウシアン分布となるが、トレンチ120領域D2は、光Linを完全に光を閉じ込めるのではなく、その裾野の一部の光をスローライト部122へ導く。発光部20において垂直共振されるレーザ光であっても、レーザ光は、垂直方向から若干の傾斜角または広がり角をもっている。このため、裾野から漏洩した光は、低等価屈折率の領域D2を介して高等価屈折率NHの領域D3へ導波される。スローライト部122に導かれた光は、スローライト部122の非酸化領域106B内に閉じ込められた状態で、垂直共振器内を傾斜角の方向で共振されながら基板の主面と略水平方向に伝播される。スローライト部122を伝播された光は、下部DBR102と上部DBR108の間で反射されながら進行するため、スローライト部122の水平方向の距離D3が小さくとも、実際に光が走行する距離光路長は、その距離D3の数百倍に相当する。このため、スローライト部122を水平方向に伝播する光の速度は、あたかも光の速度が遅延されたかのように、ゆっくりとした光にみえる。図3は、発光部20から光制御部30へ伝搬された光の光分布の計算結果を示すグラフである。横軸は、距離μm、縦軸は、相対強度である。同図において、0-2μmの範囲は、非酸化領域106Bの径D1に対応し、相対強度の大きなガウシアン分布のレーザ発振が生じる。2-3μmの範囲は、トレンチ120の幅D2に対応し、ここでは、相対強度の小さな光が生じる。3-9μmの範囲は、スローライト部122の距離D3に対応し、スローライト部122に閉じ込められて伝播するレーザ光を示している。但し、図3は、光制御部30により光の増幅または吸収を行っていないときの光分布を示している。光制御部30は、図1に示すように、スローライト部122の上面、すなわち、上部DBR108上に反射部124を有する。反射部124は、スローライト部122からの光を入射し、入射した光を基板の主面と略平行な方向に反射する。反射部124は、図1aに示すように、スローライト部122の非酸化領域106Bが延在する方向に延在し、好ましくは、反射部124は、酸化領域106Bの略全部と重複する位置に形成される。図1aに示す例では、反射部124は、スローライト部122の距離D3よりも幾分短く形成されているが、反射部124は、トレンチ120と隣接するように距離D3の長さで形成されてもよいし、距離D3よりも長くても良い。図4aは、反射部124を模式的に示した斜視図である。同図に示すように、反射部124は、スローライト部122からの光を入射する入射面124Aと、入射した光を反射する反射面124Bと、反射面124で反射された光を出射する出射面124Cとを有している。ここでは、反射部124の一方の端部は、幅W1、膜厚H1であり、他方の端部は、幅W2、膜厚H2であり、W1>W2、H1<H2の関係にある。反射部124の幅W1は、好ましくは、スローライト部122の非酸化領域106Bの幅よりも大きく、幅W2は、非酸化領域106Bの幅と等しいかそれよりも幾分大きいことが望ましい。反射面124Bは、入射面124Aに対して傾斜しており、入射された光を出射面124に向けて反射する。また、反射面124Bは、幅W2から幅W1に向けて入射された光を収束させる。図4bは、反射部124の製造方法の例を説明する図である。同図に示すように、GaAsウエハーW上のスローライト部122の表面、すなわち上部DBR108の最上層に、シリコン酸化膜SiO2あるいは窒化シリコン膜SiNなどの誘電体膜からなる一対のパターン130が公知のフォトリソ工程を用いて形成される。パターン130は、一定の膜厚を有し、その平面形状は、形成されるべき反射膜124の形状に応じて適宜選択されるが、図1aに示すような台形状の反射部124を形成する場合には、例えば、平面形状が三角形のパターン130を並置させ、両パターンの間に、幅W1、幅W2の台形状の開口部を形成する。この開口部によって、上部DBR108の表面が露出される。次に、MOCVD有機金属気相成長により、スローライト部122上に、化合物半導体層を再結晶成長させると、化合物半導体層は、パターン130の開口部上にパターン成長され、これにより、幅W1、幅W2を有する台形状の反射部124が形成される。ここで、W2<W1の関係にあるため、幅W2の膜厚H2は、幅W1の膜厚H1よりも大きくなる。幅W1、W2、パターン130の対向する側面エッジの基板に対する傾斜角、再結晶成長時間などを適宜調整することにより、膜厚H1、H2が調整され、これにより、反射面124Bの傾斜角、出射面124Cの形状を調整することができる。反射部124をパターン成長により形成する場合には、好ましくは、下地の半導体層と格子定数が一致するかまたは近似される材料が用いられる。また、反射部124は、スローライト部122からの光の吸収が少なく、かつ入射された光を反射面124Bで反射させる屈折率をもつ材料が選択される。例えば、発光部20が発するレーザ光が850nmの波長であるとき、反射部124は、GaInP、AlGaAs、GaAsなどから構成される。この中では、光の吸収が少なく、酸化し難いGaInPがより好ましい。なお、反射部124は、MOCVDによるパターン成長以外の方法で形成されるものであってもよい。例えば、スローライト部122の表面に、光の吸収が少なく、一定の屈折率を持つ材料を形成し、当該材料をエッチングなどすることにより、所望の形状の反射部124を得るようにしてもよい。上記の例では、反射面124Bの傾斜が線形に変化する例を示しているが、これに限らず、反射面124Bの傾斜は、図5aに示すような湾曲もしくは曲面を持つように変化されるものであってもよいし、図5bに示すように階段状に変化するものであってもよい。要は、反射面124Bは、入射面124Aからの光を出射面124Cに向けて反射させることができる形状であればよい。また、出射面124Cの形状は、異方性のない形状であることが好ましく、例えば、図5cに示すように円形であることが望ましい。また、出射面124Cの形状が図4aに示すような矩形状である場合には、幅W2=H2であることが望ましい。さらに、出射面124Cは、図5dに示すように、頂部が半円となるような半円形状またはドーム形状であってもよい。要は、入射面124Aから入射された光のプロファイルの異方性が抑制されるか低減されるように、出射面124Cの形状または幅W2、膜厚H2が選択される。さらに出射面124Cの大きさは、収束されたレーザ光が光ファイバなどの光伝送部品と容易に結合できるように選択される。再び図1を参照すると、光制御部30は、スローライト部122の上面に一対のp側電極210を備えている。一対のp側電極210は、好ましくは、反射部124を挟むように配置され、スローライト部122の上部DBR108と電気的に接続される。光制御部30と発光部20とは、上部DBR108の一部を介して電気的に接続されているが、発光部20のp側電極110から注入されたキャリアは、トレンチ120の存在により光制御部30へ流れ込まず、その大部分は、直下の非酸化領域106Bを介して活性領域104へ注入されるので、発光部20と光制御部30との動作が、実質的に干渉することはない。なお、必要に応じて、トレンチ120の幅等を縦方向に延ばすことで、光制御部30と発光部20の間の抵抗値を増大させたり、あるいはイオンインプラ注入等を用いて電気的に断絶することも可能である。光制御部30は、横導波路として機能することに加えて、発光部20からの光を外部変調する機能を有する。第1の好ましい態様では、光制御部30が選択的に光の吸収を行う光吸収器として機能する例を説明する。発光部20のp側電極110とn側電極112との間には、常時、順方向バイアスの駆動電流が印加され、発光部20においてレーザ発振された光は、p側電極110によって反射されるため、より多くの光が光制御部30へ導かれる。一方、光制御部30のp型電極210とn側電極との間には、逆バイアスの周波数fの駆動パルス信号が印加される。スローライト部122に逆バイアス電圧が印加されると、活性領域104の屈折率が変化しそこを通る光が吸収される。このような光の吸収原理は、電界吸収型ElectroAbsorption:EAの変調器として知られている。EA変調器は、半導体ヘテロ結合で形成された量子井戸に電界を印加すると、吸収端が長波長側にシフトする性質を用いて変調を行う。発光部20から横方向に導き出されたレーザ光Lmは、スローライト部122の下部DBR102から上部DBR108の垂直共振器内を反射されながら水平方向に伝播される。このため、スローライト部122の水平方向の距離D3が小さいものであっても、レーザ光Lmは、その距離の数百倍に相当する回数で活性領域104を通過し、これにより、レーザ光Lmがより効果的に吸収される。こうして、駆動パルス信号の周波数fに応じてスイッチングまたは変調されたレーザ光Lnは、スローライト部122の表面境界106Cに相当するエリアから反射部124の入射面124Aに入射され、入射された光は、反射面124Bで反射され、出射面124Cから収束されたレーザ光Lnが基板の主面と略平行な方向に出射される。スローライト部122の表面に反射部124が形成されていない場合には、スローライト部122の表面からは、非酸化領域106Bの平面形状、すなわち境界106Cの平面形状に則した、異方性のある楕円形のプロファイルを持つレーザ光が出射される。こうした、異方性の大きい楕円状のプロファイルを持つレーザ光は、光ファイバに結合しても、光量の損失が大きく、結合効率が低くなってしまい、光ファイバ等の光伝送部材との結合に適さない。これに対して、本実施例では、スローライト部122の表面に反射部124を設け、スローライト部122から出射されるレーザ光を異方性の少ないプロファイルを持つレーザ光に収束させることで、半導体レーザ10と光ファイバ等の光伝送部材との結合を容易にすることができる。次に、光制御部30の第2の好ましい態様について説明する。第2の好ましい態様では、光制御部30は、光増幅部として機能する。第2の好ましい態様では、スローライト部122のp側電極210とn側電極112間に、順方向バイアスの駆動電流を印加することで、発光部20から導波されたレーザ光Lmを増幅する。光増幅器は、半導体光増幅器SemiconductorOpticalAmplifierSOAとして知られている。p側駆動電極210とn側電極112との間に順方向バイアスの駆動電流を印加すると、電極からキャリアが注入され、スローライト部122内のレーザ光のゲインが増幅される。発光部20から注入されたレーザ光Lmは、スローライト部122の垂直共振器内を反射されながら水平方向に伝播されるため、活性領域104を何度も通過し、その結果、レーザ光Lmのゲインが増幅され、スローライト部112の表面から高出力のレーザ光Lnが反射部124へ入射される。仮に、周波数fの駆動パルス信号を印加すれば、周波数fに応じて変調されたレーザ光Lnが出射面124Cから水平方向に出射される。図6は、光制御部30が光増幅器として機能するときの光増幅量を示すグラフである。縦軸は利得、横軸は電流密度である。図から明らかにように、電流密度が増加すると、利得が増加することが分かる。つまり、光制御部30からのキャリアからの注入量が増加すると、利得が増加する。上記実施例では、光制御部30を、光吸収器または光増幅器として機能させる例を示したが、発光部20の側部に、2つの光制御部を形成し、2つの光制御部によって光吸収器および光増幅器の機能を実現させるようにしてもよい。例えば、発光部20から注入されたレーザ光Lmを第1の光制御部により一定のゲインで増幅し、増幅されたレーザ光を第2の光増幅器により選択的に吸収変調することができる。この場合、第1の光制御部の表面から光が出射されないように、例えば、p側電極を非酸化領域106Bに重複させ、第2の光制御部の表面に反射部124を形成する。また、これとは反対に、発光部20から注入された光を第1の光制御部により選択的に吸収変調し、変調されたレーザ光を第2の光制御部で増幅するようにしてもよい。この場合にも、第1の光制御部の表面から光が出射されないようにし、第2の光制御部の表面に反射部124を形成する。なお、光吸収と光増幅のために2つの光制御部を形成ける場合には、それぞれ別個にp側の駆動電極を形成する必要がある。図7は、本実施例の半導体レーザを用いた光伝送装置の構成を示すブロック図である。本実施例の光伝送装置300は、発光部20を駆動するための駆動信号S1、光制御部30を駆動するための駆動信号S2を生成する駆動部310を備えている。駆動信号S2は、光制御部30が光吸収器として機能するかまたは光増幅器として機能するかに応じて変更される。さらに、上記したように、第1および第2の光制御部30A、30Bを形成する場合には、駆動部310は、第1および第2の光制御部30A、30Bに対しそれぞれ駆動信号S2、S3を供給する。図8は、本実施例の光伝送装置の一構成例を示す断面図である。光伝送装置400は、半導体レーザ10や駆動部310が形成された電子部品410を搭載する金属ステム420を含み、ステム420が中空キャップ430で覆われ、キャップ430の中央にボールレンズ440が固定されている。ステム420にはさらに円筒状の筐体450が取り付けられ、筐体450の端部にフェルール460を介して光ファイバ470が固定される。電子部品410から変調されたレーザ光は、ボールレンズ440によって集光され、その光は、光ファイバ470に入射され、送信される。なお、ボールレンズ以外にも両凸レンズや平凸レンズ等の他のレンズを用いることができる。以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。上記実施例では、AlGaAsの化合物半導体を用いた半導体レーザを例示したが、これ以外のIII-V族化合物半導体層を用いた半導体レーザであってもよい。さらに、上記実施例中の発光部20や光制御部30の形状は例示であって、これ以外の形状であってもよい。