アノード側電極とカソード側電極とで固体電解質を挟んで形成され、前記固体電解質と前記カソード側電極の間に中間層が介装された電解質電極接合体であって、前記中間層が多孔質体からなり、前記カソード側電極は、少なくとも、前記中間層に接触する第1層と、前記第1層上に積層された第2層とを有し、前記第1層は、BaxSr1-xCoyFe1-yO3、LaxSr1-xCoyFe1-yO3又はLaxSr1-xCoO3で表されるペロブスカイト型複合酸化物からなり、且つ前記中間層における前記第1層に臨む側の端面で開口した気孔を埋没するとともに前記第2層に臨む側の端面が平坦面であり、前記第2層は、酸化剤ガスが流通するための気孔を有する多孔質体からなることを特徴とする電解質電極接合体。請求項1記載の電解質電極接合体において、前記第1層の気孔率が15以下であることを特徴とする電解質電極接合体。請求項1又は2記載の電解質電極接合体において、前記中間層がセリウム系酸化物からなり、且つ前記第2層がBaxSr1-xCoyFe1-yO3、LaxSr1-xCoyFe1-yO3、又はLaxSr1-xCoO3で表されるペロブスカイト型複合酸化物からなることを特徴とする電解質電極接合体。請求項1~3のいずれか1項に記載の電解質電極接合体において、前記第1層の厚みが0.2~5μmであり、且つ前記第2層の厚みが10~40μmであることを特徴とする電解質電極接合体。請求項4記載の電解質電極接合体において、前記中間層の厚みが0.2~10μmであることを特徴とする電解質電極接合体。請求項1~5のいずれか1項に記載の電解質電極接合体において、前記第2層の気孔率が10~60であることを特徴とする電解質電極接合体。アノード側電極とカソード側電極とで固体電解質を挟んで形成され、前記固体電解質と前記カソード側電極の間に中間層が介装された電解質電極接合体の製造方法であって、前記固体電解質の一端面に直接、又は中間層を介してアノード側電極を設けた後、前記固体電解質の残余の他端面に中間層を介してカソード側電極を設ける工程を行うか、あるいは、アノード側電極の一端面に直接、又は中間層を介して前記固体電解質を設けた後、該固体電解質上に中間層を介してカソード側電極を設ける工程を有し、前記カソード側電極に臨む前記中間層を、粒子から成形体を設けた後、前記成形体を仮焼結させることで多孔質体として形成し、前記カソード側電極を、BaxSr1-xCoyFe1-yO3、LaxSr1-xCoyFe1-yO3又はLaxSr1-xCoO3で表されるペロブスカイト型複合酸化物からなり、且つ前記中間層の一端面に存在する開口した気孔を充填するとともに露呈した一端面が平坦な第1層と、前記第1層上に積層された第2層とを少なくとも具備する積層体として形成することを特徴とする電解質電極接合体の製造方法。請求項7記載の製造方法において、BET比表面積が17~30m2/gであるBaxSr1-xCoyFe1-yO3の粉末を用いて前記第1層を形成することを特徴とする電解質電極接合体の製造方法。請求項7又は8記載の製造方法において、前記中間層をセリウム系酸化物から形成し、且つ前記第2層をBaxSr1-xCoyFe1-yO3、LaxSr1-xCoyFe1-yO3、又はLaxSr1-xCoO3で表されるペロブスカイト型複合酸化物から形成することを特徴とする電解質電極接合体の製造方法。請求項7~9のいずれか1項に記載の製造方法において、前記第1層の厚みを0.2~5μmとして形成するとともに、前記第2層の厚みを10~40μmとして形成することを特徴とする電解質電極接合体の製造方法。請求項10記載の製造方法において、前記中間層の厚みを0.2~10μmとして形成することを特徴とする電解質電極接合体の製造方法。特許文献2~5記載の従来技術は、電解質と、多孔質体であるカソード側電極又はアノード側電極との接触面積を向上させたり、又は、Niや白金等によって電気的パスを設けたりするものであるに留まる。また、これら特許文献2~5には、中間層が多孔質体であることや、固体電解質とカソード側電極の間に中間層を設けることについての記載がない。従って、特許文献2~5記載の従来技術は、中間層を設ける場合に発生する上記の課題を何ら解決し得るものではない。本発明は上記した問題を解決するためになされたもので、中間層とカソード側電極との接触面積を向上させることが可能であり、このためにカソード側電極における電気特性を維持し得る電解質電極接合体及びその製造方法を提供することを目的とする。前記の目的を達成するために、本発明は、アノード側電極とカソード側電極とで固体電解質を挟んで形成され、前記固体電解質と前記カソード側電極の間に中間層が介装された電解質電極接合体であって、前記中間層が多孔質体からなり、前記カソード側電極は、少なくとも、前記中間層に接触する第1層と、前記第1層上に積層された第2層とを有し、前記第1層は、BaxSr1xCoyFe1yO3、LaxSr1xCoyFe1yO3又はLaxSr1xCoO3で表されるペロブスカイト型複合酸化物からなり、且つ前記中間層における前記第1層に臨む側の端面で開口した気孔を埋没するとともに前記第2層に臨む側の端面が平坦面であり、前記第2層は、酸化剤ガスが流通するための気孔を有する多孔質体からなることを特徴とする。すなわち、本発明においては、多孔質体であるためにカソード側電極に臨む側の端面で開口した中間層の気孔を、カソード側電極を構成する緻密な第1層最下層によって充填するようにしている。このため、中間層と第1層との接触面積が確保され、その結果、カソード側電極における電気特性を維持することができるようになる。第1層の気孔率は、15以下であることが好ましい。このように第1層を緻密体とすることにより、中間層と第1層との接触面積を十分に確保することができる。中間層の好適な材質としては、セリウムCeO2系酸化物を挙げることができる。この場合、第2層の好適な材質としては、BaxSr1xCoyFe1yO3、LaxSr1xCoyFe1yO3、又はLaxSr1xCoO3で表されるペロブスカイト型複合酸化物が挙げられる。なお、第1層の厚みは、中間層の開口した気孔を充填し得る程度であればよい。また、第2層は実質的にガス拡散層として機能するので、酸化剤ガスが容易に拡散し得る厚みであることが好ましい。この観点から、第1層の厚みは0.2~5μmであることが好ましく、第2層の厚みは10~40μmであることが好ましい。一方、中間層の厚みは、固体電解質とカソード側電極との相互反応を防止し得る程度であればよく、具体的には、0.2~10μmが好適である。上記したように第2層をガス拡散層として十分に機能させるためには、該第2層の気孔率が10~60であることが好ましい。また、本発明は、アノード側電極とカソード側電極とで固体電解質を挟んで形成され、前記固体電解質と前記カソード側電極の間に中間層が介装された電解質電極接合体の製造方法であって、前記固体電解質の一端面に直接、又は中間層を介してアノード側電極を設けた後、前記固体電解質の残余の他端面に中間層を介してカソード側電極を設ける工程を行うか、あるいは、アノード側電極の一端面に直接、又は中間層を介して前記固体電解質を設けた後、該固体電解質上に中間層を介してカソード側電極を設ける工程を有し、前記カソード側電極に臨む前記中間層を、粒子から成形体を設けた後、前記成形体を仮焼結させることで多孔質体として形成し、前記カソード側電極を、BaxSr1xCoyFe1yO3、LaxSr1xCoyFe1yO3又はLaxSr1xCoO3で表されるペロブスカイト型複合酸化物からなり、且つ前記中間層の一端面に存在する開口した気孔を充填するとともに露呈した一端面が平坦な第1層と、前記第1層上に積層された第2層とを少なくとも具備する積層体として形成することを特徴とする。このような過程を経ることで、中間層と第1層との接触面積を十分に大きくすることができる。このため、カソード側電極の電気化学的特性が確保される。なお、緻密な第1層を得るためには、易焼結性の出発材料を用いればよい。例えば、BET比表面積が17~30m2/gであるBaxSr1xCoyFe1yO3の粉末を選定すると、緻密な第1層を容易に得ることができる。上記したように、中間層は、例えば、CeO2系酸化物を用いて形成することができる。一方、カソード側電極を構成する第2層は、BaxSr1xCoyFe1yO3、LaxSr1xCoyFe1yO3、又はLaxSr1xCoO3で表されるペロブスカイト型複合酸化物を用いて形成することが可能である。さらに、前記接触面積を確保し且つ焼成処理時にクラックが発生する懸念を払拭するべく、第1層の厚みを0.2~5μmに設定することが好ましい。併せて、十分な量の酸化剤ガスが容易に拡散し得るようにするべく、第2層の厚みを10~40μmに設定することが好ましい。さらに、固体電解質と第1層との相互反応を防止するとともに、電解質電極接合体の電気抵抗を上昇させないという観点から、中間層の厚みを0.2~10μmに設定することが好ましい。本発明においては、多孔質体である中間層におけるカソード側電極に臨む側の端面で開口した気孔を、カソード側電極を構成する緻密な第1層最下層によって充填するようにしている。このため、中間層と第1層との接触面積が確保されるようになり、その結果、該中間層と第1層カソード側電極との間で電荷が迅速に授受される。従って、カソード側電極における電気特性を維持することができる。以下、本発明に係る電解質電極接合体及びその製造方法につき好適な実施の形態を挙げ、添付の図面を参照して詳細に説明する。なお、以下における気孔率の数値は全て、酸化ニッケルを還元した後の値を示す。図1は、本実施の形態に係る電解質電極接合体MEA10の概略全体断面説明図である。このMEA10は、アノード側電極12とカソード側電極14との間に固体電解質16が介装されて構成されており、アノード側電極12の厚みが最大であるアノード側電極支持型以下、ASCとも表記するのものである。なお、カソード側電極14と固体電解質16との間には、中間層18が介装されている。アノード側電極12の材質としては、好適には、Niと、Y2O3安定化ZrO2YSZとのサーメットが選定される。又は、NiとSc2O3安定化ZrO2SSZとのサーメット、NiとY2O3ドープCeO2YDCとのサーメット、NiとSm2O3ドープCeO2SDCとのサーメット、NiとGd2O3ドープCeO2GDCとのサーメット等であってもよい。このような材質からなるASCのアノード側電極12の厚みは、200~800μm程度、好ましくは600μm程度に設定される。また、固体電解質16は、例えば、Y2O3が8mol添加されたY2O3安定化ZrO28YSZからなる。中間層18は、カソード側電極14に含まれる元素が固体電解質16中に拡散すること、換言すれば、カソード側電極14と固体電解質16が相互反応を起こすことを防止する役割を果たす。すなわち、中間層18は、反応防止層として機能する。中間層18の厚みは、この反応防止機能を営める程度であればよく、具体的には0.2~10μm程度で十分である。中間層18の材質は、このような機能を営むものであれば特に限定されるものではないが、好適には、Sm2O3ドープCeO2SDC、Y2O3ドープCeO2YDC、Gd2O3ドープCeO2GDC、La2O3ドープCeO2LDCが挙げられる。特には、Gd2O3を10molドープしたCeO210GDCが用いられる。この中間層18は、図1に模式的に示すように、気孔20を多く含む多孔質体である。すなわち、上記したようなCeO2系酸化物は難焼結性であり、このため、後述する焼成処理において、緻密化が十分に進行しないからである。中間層18の気孔径は、走査型電子顕微鏡SEMの視野として確認される二次元断面の開口径の長径と短径の平均値として定義される。このように定義される気孔径は、最大でも3μm程度である。なお、中間層18の気孔率は、概ね25~40である。図2に示すように、気孔20の中には、カソード側電極14に臨む側の端面で開口するものも存在する。上記したように、気孔径が最大でも3μm程度であるので、この開口した気孔20の径も、最大で3μm程度である。中間層18上には、カソード側電極14が積層される図1参照。ここで、カソード側電極14は、固体電解質16側から第1層22a......第n層22nがこの順序で積層された積層体からなる。勿論、第1層22aが最下層に相当し、第n層22nが最上層に相当する。なお、カソード側電極14の層数は、3層又は4層程度でも十分であるが、最下層と最上層の2層のみであってもよい。すなわち、カソード側電極14は、2層以上であればよい。第1層22aの一端部は、中間層18におけるカソード側電極14に臨む側の端面で開口した気孔20を埋没する図2参照。その一方で、他端面は平坦に形成される。このような構成により、中間層18におけるカソード側電極14に臨む側の端面が平坦化される。すなわち、第1層22aは、平坦化層として機能する。第1層22aの厚みは、中間層18に臨む一端部が該中間層18において開口した前記気孔20を充填し、且つ他端面が平坦となり得るように設定される。第1層22aの好ましい厚みは、0.2~5μmである。0.2μm未満では、平坦面を得ることが容易ではない。また、5μmを超えると、焼成処理時にクラックが発生する懸念がある。ここで、第1層22aは、BaxSr1xCoyFe1yO3、LaxSr1xCoyFe1yO3又はLaxSr1xCoO3で表されるペロブスカイト型複合酸化物、すなわち、いわゆるBSCF、LSCF又はLSCからなり、緻密体として形成される。すなわち、第1層22aの気孔率は中間層18に比して低く、好ましくは15以下である。なお、気孔率が15を超える場合、第1層22aを平坦なものとして得ることが容易でなくなるとともに、中間層18と第1層22aとの接触領域が減少して導電率が低下する傾向がある。第1層22aの気孔率は、小さい程よい。換言すれば、第1層22aの気孔率は、15以下であれば如何なる値であってもよい。このような緻密な第1層22aを得るためには、BET比表面積が高いもの等、易焼結性の出発材料を用いるようにすればよい。この場合、第1層22aの線熱膨張係数が、固体電解質16や中間層18の線熱膨張係数と整合する。従って、焼成処理時等に層間剥離が起こり難い。また、緻密なBSCFからなる第1層22aは導電率が高く、このため、中間層18から第n層22n側への電気的パスが十二分に確保される。カソード側電極14を2層構造とする場合、第n層22n、すなわち、最上層に相当する第2層は、上記したBSCFBaxSr1xCoyFe1yO3や、LSCFLaxSr1xCoyFe1yO3、又はLSCLaxSr1xCoO3で表されるペロブスカイト型複合酸化物等によって形成することができる。この場合においては、第2層がガス拡散層として機能する。従って、第2層は多孔質体として設けられる。なお、第2層における好適な気孔率は、10~60である。10未満であると、酸化剤ガスが拡散することが容易ではない。また、60を超えると強度が低下するので、破損が起こる懸念がある。また、第2層の好ましい厚みは、10~40μmである。10μm未満であると、酸化剤ガスを供給し得る量が低減する。一方、40μmを超えると、酸化剤ガスが拡散することが容易でなくなる。勿論、第2層上に第3層を積層するようにしてもよい。この場合には、第3層が第n層22n最上層に相当する。この場合、第3層としては、電子拡散機能を営むものが好適である。すなわち、第3層を電子拡散層として形成することが好ましい。このような機能を営む第3層の材質としては、SOFCの運転温度において、カソード側電極をなす物質に比して電子伝導度が大きく、且つ酸素を還元することが可能な物質が選定される。この物質の好適な例としては、希土類元素A、遷移金属元素C、及び酸素Oを含有し、組成式がACO3で表される複合酸化物を挙げることができる。希土類元素Aの好適な例としては、La、Sm、Nd、Prの群から選択された少なくともいずれか1種を挙げることができ、一方、遷移金属元素Cの好適な例としては、Co、Fe、Ni、Cr、Mn、Gaの群から選択された少なくともいずれか1種を挙げることができる。具体的な一例としては、LaCoO3が挙げられる。又は、LSCで第3層を構成するようにしてもよい。このMEA10は、以下のようにして製造することができる。すなわち、はじめに、アノード側電極12を形成する。この場合、例えば、NiO粒子とYSZ粒子とが体積比で1:1の割合で混合された混合粒子と、ポリビニルブチラール系やアクリル系等のバインダと、PMMA樹脂やカーボン等の造孔材とを添加することでペーストを調製する。なお、この調製に際しては、シート状成形体として形成されたアノード側電極12の焼成処理に伴う収縮率が所定の範囲内となるように、NiO粒子及びYSZ粒子として所定の粒径、BET比表面積を有するものが選定されるとともに、バインダの添加量が設定される。例えば、NiO粒子の粒径、BET比表面積が1~2μm、6~9m2/gであり、YSZ粒子の粒径、BET比表面積が0.5~3μm、4~8m2/gであるときには、バインダの添加割合を40~65体積とすることが好ましい。この場合、焼成処理に伴うアノード側電極12の収縮率を8~30に制御することができる。次に、上記のように調製したペーストを用い、ドクターブレード法によってシート状成形体としてのアノード側電極12を形成する。このシート状成形体の厚みは、ホットプレス等による圧着、及び焼成処理を経た後のアノード側電極12の厚みが好適には200~800μmとなるように設定される。焼成処理後の厚みが200μmよりも小さいと、支持基板としての強度が十分でなくなるとともに、該アノード側電極12に供給された燃料ガスが拡散することが容易でなくなる。一方、800μmよりも大きいと、MEA10の積層方向厚み方向寸法が大きくなってしまい、このためにSOFCが大型化してしまう。また、SOFCの運転時にアノード側電極12の厚み方向に沿う燃料ガスの流通距離が長くなることから、この厚み方向に沿う燃料ガスのリーク量が増加する懸念がある。その後、必要に応じ、アノード側電極12に対して脱脂処理を行う。この脱脂処理によって造孔材が消失し、その消失跡に、造孔材の平均粒径に応じた径の閉気孔及び開気孔が形成される。なお、脱脂処理を行わない場合には、焼成処理時に造孔材が消失する。この時点では、アノード側電極12はNiO-YSZからなる。その一方で、固体電解質16及び中間層18の出発材料であるペーストを調製する。固体電解質16のペーストは、8YSZの粉末を上記したようなバインダとともに溶媒に添加して調製することができ、中間層18のペーストは、10GDCの粉末を上記したようなバインダとともに溶媒に添加して調製することができる。その後、例えば、ドクターブレード法によって固体電解質16のシート状成形体、及び中間層18のシート状成形体を各々成形する。なお、ドクターブレード法に代え、押出し成形法やロール塗工法等を行うことによっても、所望の厚みの各シート状成形体を形成することが可能である。次に、これらのシート状成形体、すなわち、固体電解質16及び中間層18をこの順序でアノード側電極12に順次積層する。その後、ホットプレス等によって各層を圧着することにより、アノード側電極12、固体電解質16及び中間層18からなる積層体が得られる。次に、この積層体に対して焼成処理を施す。この際の温度は、例えば、1100~1450°Cに設定すればよい。この焼成処理により、アノード側電極12、固体電解質16及び中間層18が熱収縮を起こす。本実施の形態では、シート状成形体を積層した後、各層に対して温度や圧力を付与することで圧着するようにしている。これにより隣接する層同士が堅牢に密着し合うので、焼成処理時に層同士の剥離が生じ難くなる。上記の温度範囲では、アノード側電極12及び固体電解質16は良好に緻密化するが、CeO2系酸化物等のような難焼結性物質からなる中間層18は、容易には緻密化しない。従って、中間層18は、図2に示すように気孔20が多く存在する多孔質体となる。次に、このようにして得られた積層体の中間層18上に、カソード側電極14を積層する。すなわち、第1層22a、第2層22b......第n層22nの出発材料となるペーストを各々調製する。カソード側電極14を3層構造とする場合、例えば、第1層22a、第2層及び第3層のペーストは、それぞれ、BSCF、LSCF、ACO3A=希土類元素、C=遷移金属元素の粉末を上記したようなバインダとともに溶媒に添加して調製することができる。なお、第1層22aとして緻密なものを得るべく、BSCFの粉末としては、例えば、BET比表面積が大きなもの等の易焼結性のものが選定される。焼結を促進し得るBSCF粉末の好ましいBET比表面積は、17~30m2/gである。そして、第1層22aとなるペーストを、スクリーン印刷法によって中間層18上に印刷する。ここで、第1層22aの厚みは、スクリーンメッシュ板の厚みに対応する。すなわち、スクリーンメッシュ板としては、所望の厚みの第1層22aが得られる厚みのものが選定される。この印刷に際し、余剰のペーストが中間層18の端面で開口した前記気孔20を充填する。その後、常温にて放置し、ペーストのレベリング平坦化を行う。放置時間は、如何なる程度平坦化させるかにも依存して設定されるが、概ね1~2時間程度でペーストが略平坦化する。さらに、適切な温度、例えば、90~120°Cでペーストを乾燥させることにより、概ね平坦な第1層22aが形成される。その後、焼成処理を施す。この焼成処理に際しては、100~200°C/時間の昇温速度で昇温した後、800~1100°Cで1~4時間保持を行えばよい。その後は、常温に到達するまで自然放冷する。次に、第2層となるペーストを上記に準拠して第1層22a上に塗布する。以降は上記の作業を繰り返して最上層第n層22nまでを形成することにより、第1層22a~第n層22nを有するカソード側電極14が得られるに至る。なお、上述のアノード側電極12、固体電解質16及び中間層18を同時に焼成処理し、次に、カソード側電極14をスクリーン印刷等によって形成した後に乾燥焼成処理を施すことに代替し、アノード側電極12及び固体電解質16を同時に焼成処理し、次に、中間層18をスクリーン印刷等によって形成して焼成処理を行い、さらに、カソード側電極14をスクリーン印刷等によって形成した後に乾燥焼成処理を施すようにしてもよい。以上のようにして得られるMEA10の作用効果につき説明する。SOFCを構成する場合、上記したMEA10をセパレータで挟んで単位セルを構成し、この単位セルを所定数積層してスタック化すればよい。その後、スタックの両端に位置する単位セルを1組のエンドプレートで挟み、さらに、これらエンドプレート同士をタイロッド等で緊締することによって、SOFCが構成される。そして、SOFCの運転に先んじて、アノード側電極12を構成するNiO-YSZに対して初期還元処理を施し、NiOをNiに変化させる。これに伴ってNi-YSZからなるアノード側電極12が得られ、MEA10が発電可能となる。SOFCを運転するに際しては、該SOFCを所定温度に上昇させた後、各単位セルのアノード側電極12に水素を含む燃料ガスが供給されるとともに、カソード側電極14に酸素を含む酸化剤ガスが供給される。カソード側電極14を構成する第n層22n最上層では酸素の電離反応が起こり、これにより生じた酸化物イオンが第1層22a、中間層18及び固体電解質16を介してアノード側電極12側に移動する。ここで、上記したように、本実施の形態では、第1層22aによって中間層18の開口した気孔20が充填されている。このため、第1層22aと中間層18との接触面積が大きくなるので、これら第1層22aと中間層18との間の界面抵抗が小さくなる。しかも、第1層22aは、好適には緻密なBSCFで形成されている。このため、導電率が大きい。以上のことが相俟って、MEA10の電圧降下が小さくなる。従って、SOFCを大電流密度で放電する場合においても、比較的大きな放電電圧を得ることができる。その上、中間層18が介装されているので、第1層22aと固体電解質16との相互反応が起こることが防止される。従って、反応生成物層が形成されることが回避される。なお、上記した実施の形態においては、アノード側電極12を基板とするASCを例示して説明しているが、固体電解質16を基板とする電解質支持型ESCであってもよい。この場合、図3に示すように、固体電解質16の厚みが最大70~100μm程度である電解質支持型のMEA10が構成される。このMEA10を作製する場合には、固体電解質16の一端面にアノード側電極12を設けるとともに、残余の一端面に中間層18、カソード側電極14をこの順序で設ければよい。勿論、カソード側電極14は、第1層22a~第n層22nを有し、且つ第n層22nが分割された電極群22である積層体として形成される。なお、ESCにおいては、アノード側電極12の厚みは概ね50~100μm程度、好適には90μm程度に設定される。アノード側電極12を基板とするASCのMEA10の場合には、アノード側電極12と固体電解質16との間に中間層を介装してもよい。この中間層は、多孔質体であるアノード側電極12における固体電解質16に臨む側の凹凸を充填ないし埋没することで平坦化する役割を果たす。すなわち、この中間層は、平坦化層として機能する。また、上記の製造方法は、シート体を作製する場合を例示して説明しているが、特にこれに限定されるものではない。例えば、アノード側電極12ないし固体電解質16を任意の公知手法で形成した後、プリント、スパッタリング、CVD法ないしPVD法等による製膜、スピンコーティング等によるコーティング、ディップ等によって残余の層を設けるようにしてもよい。上記に従い、NiO-YSZからなる厚み100μmのシート状成形体、8YSZからなる厚み10μmのシート状成形体、及び10GDCからなる厚み1μmのシート状成形体をそれぞれ作製した後、この順序で積層して焼成処理を行うことによって、アノード側電極、固体電解質及び中間層の積層体を得た。その一方で、BET比表面積が20m2/gであるBa05Sr05Co08Fe02Oxの粉末を含むペースト、BET比表面積が7m2/gであるLa06Sr04Co02Fe08Oxの粉末を含むペースト、BET比表面積が7m2/gであるLa05Sr05CoOxの粉末を含むペーストを調製した。そして、Ba05Sr05Co08Fe02Oxのペーストをスクリーン印刷によって中間層上に印刷した。これをレベリングした後に乾燥し、さらに、900°Cで焼成処理を施して、厚み4μm、気孔率8の第1層とした。次に、La06Sr04Co02Fe08Oxのペーストを第1層上に印刷した。これをレベリングした後に乾燥し、さらに、900°Cで焼成処理を施して、厚み25μm、気孔率35の第2層とした。さらに、La05Sr05CoOxのペーストを第2層上に印刷した。これをレベリングした後に乾燥した後に900°Cで焼成処理を施して、厚み10μm、気孔率25の第3層とした。これにより、前記第1層~前記第3層からなるカソード側電極を具備するMEAを得た。これを実施例1とする。第2層を形成するペーストとして、BET比表面積が11m2/gであるBa05Sr05Co08Fe02Oxの粉末を含むペーストを用いた以外は実施例1と同様にして、上記と同一物性の第1層及び第3層と、厚み25μm、気孔率30の第2層とを有するカソード側電極を具備するMEAを得た。これを実施例2とする。第2層を形成するペーストとして、BET比表面積が7m2/gであるLa05Sr05CoOxの粉末を含むペーストを用いた。また、第3層を形成しなかった。それ以外は実施例1、2と同様にして、上記と同一物性の第1層と、厚み10μm、気孔率25の第2層とを有するカソード側電極を具備するMEAを得た。これを実施例3とする。第1層~第3層の焼成処理温度を全て1000°Cに変更した以外は実施例1に準拠し、BSCFからなる第1層、LSCFからなる第2層、及びLSCからなる第3層からなるカソード側電極を具備するMEAを得た。前記第1層~前記第3層の厚み及び気孔率は、それぞれ、4μm及び5、25μm及び30、10μm及び22であった。これを実施例4とする。第2層を形成するペーストとして、BET比表面積が11m2/gであるBa05Sr05Co08Fe02Oxの粉末を含むペーストを用いた以外は実施例4と同様にして、該実施例4と同一物性の第1層及び第3層と、厚み25μm、気孔率25の第2層とを有するカソード側電極を具備するMEAを得た。これを実施例5とする。第2層を形成するペーストとして、BET比表面積が7m2/gであるLa05Sr05CoOxの粉末を含むペーストを用いた。また、第3層を形成しなかった。それ以外は実施例4、5と同様にして、実施例4、5と同一物性の第1層と、厚み10μm、気孔率22の第2層とを有するカソード側電極を具備するMEAを得た。これを実施例6とする。実施例1に準拠して、アノード側電極、固体電解質及び中間層からなる積層体を得た。次に、スパッタリングを行うことで、LSCFからなり、厚み500nm0.5μm、気孔率1の第1層を中間層上に形成した。その後、1000°Cで熱処理を施した。この第1層上に、BET比表面積が7m2/gであるLa05Sr05CoOxの粉末を含むペーストを印刷した。その後、1000°Cで焼成処理を施し、厚み10μm、気孔率22の第2層を形成した。以上により、前記第1層と前記第2層からなるカソード側電極を具備するMEAを得た。これを実施例7とする。実施例1に準拠して、アノード側電極、固体電解質及び中間層からなる積層体を得た。次に、スパッタリングを行い、LSCFからなり、且つ厚みが200nm0.2μm、気孔率が1である第1層を中間層上に形成し、さらに、900°Cで熱処理を施した。その後、実施例7と同様にして、La05Sr05CoOxからなり、厚みが10μm、気孔率が25である第2層に対して900°Cで熱処理を施すことで、前記第1層と前記第2層からなるカソード側電極を具備するMEAを得た。これを実施例8とする。BSCFからなり、厚み200nm0.2μm、気孔率1である第1層を形成したことを除いては実施例8に準拠して、該第1層、及びLa05Sr05CoOxからなり、厚みが10μm、気孔率が25である第2層からなるカソード側電極を具備するMEAを得た。これを実施例9とする。LSCからなり、厚み200nm0.2μm、気孔率1である第1層を形成したことを除いては実施例8、9に準拠して、該第1層、及びLa05Sr05CoOxからなり、厚みが10μm、気孔率が25である第2層からなるカソード側電極を具備するMEAを得た。これを実施例10とする。第1層に対して焼成処理を施す際の温度を800°Cとしたこと以外は実施例6と同様にして、MEAを作製した。このMEAにおける第1層は、厚み4μmで実施例6と同一であったが、気孔率は20と実施例6に比して大きかった。なお、第2層の厚み及び気孔率は10μm、22であった。これを比較例1とする。第1層を形成するペーストとしてLSCFを選定し、且つ焼成処理を施す際の温度を1000°Cとしたこと以外は比較例1と同様にして、MEAを作製した。このMEAにおける第1層の厚みは25μm、気孔率は30であった。なお、第2層の厚み及び気孔率は10μm、22であった。これを比較例2とする。以上の実施例1~10、比較例1、2のMEAにつき導電率を測定した。結果を図4に併せて示す。また、図5は、実施例3、6及び比較例1、2のMEAのコール-コールプロットである。これら図4及び図5から諒解されるように、実施例1~10においては十分な導電率が得られたのに対し、比較例1、2では導電率が不足していた。この理由は、比較例1、2では第1層が多孔質体であるために中間層と第1層との接触面積が十分に確保されていないためであると推察される。