"受光面側から表面電極層、光電変換部及び裏面電極層が積層され、前記裏面電極層側が樹脂の充填層を用いて封止されている太陽電池であって、前記充填層は、光散乱粒子を含み、前記裏面電極層は、金属層を含み、前記金属層の受光面側は、前記充填層の受光面側の表面の、前記充填層に含まれる前記光散乱粒子による凹凸形状に沿った凹凸形状を有することを特徴とする太陽電池。請求項1に記載の太陽電池であって、前記光散乱粒子の平均粒径は、700nm以上1200nm以下であることを特徴とする太陽電池。請求項1又は2に記載の太陽電池であって、前記金属層の膜厚は、50nm以上100nm以下であることを特徴とする太陽電池。請求項1~3のいずれか1項に記載の太陽電池であって、前記金属層は、銀、銅及びアルミニウムの少なくとも1つを含むことを特徴とする太陽電池。ところで、太陽電池の裏面側に透明導電層を有し、その近傍に配置した裏面反射層内に光散乱性の粒子を含有させた構成では、裏面側の反射が不十分であり、発電層を透過した光を十分に反射させることができず、光の利用効率も不十分であった。また、裏面側に透明導電層のみを設けた構成では、裏面側の電気的抵抗を低下させるために透明導電層の膜厚を大きくする必要があり、これに伴って透明導電層における光の吸収損失が大きくなる等の問題があった。本発明は、受光面側から表面電極層、光電変換部及び裏面電極層が積層され、裏面電極層側が樹脂の充填層を用いて封止されている太陽電池であって、充填層は、光散乱粒子を含み、裏面電極層は、金属層を含み、金属層の受光面側は、充填層の受光面側の表面の、充填層に含まれる光散乱粒子による凹凸形状に沿った凹凸形状を有する、太陽電池である。本発明は、光の利用効率を向上させることによって高い発電効率を有する太陽電池を提供することができる。本発明の実施の形態における太陽電池100は、図1の断面図に示すように、基板10、透明電極層12、第1光電変換ユニット14、中間層16、第2光電変換ユニット18、裏面透明電極層20、裏面金属層22、充填層24及び封止材26を含んで構成される。基板10上に透明電極層12を形成する。基板10は、透光性を有する材料とする。基板10は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板等とすることができる。透明電極層12は、透光性を有する透明導電膜とする。透明電極層12は、酸化錫SnO2、酸化亜鉛ZnO、インジウム錫酸化物ITO等に錫Sn、アンチモンSb、フッ素F、アルミニウムAl等をドープした透明導電性酸化物TCOのうち少なくとも一種類又は複数種を組み合わせた膜を用いることができる。透明電極層12は、例えば、スパッタリング法、MOCVD法熱CVDにより形成する。基板10と透明電極層12の一方又は両方の表面に凹凸テクスチャ構造を設けることも好適である。複数の光電変換セルを直列に接続する構造とする場合、透明電極層12に第1のスリットを形成して短冊状にパターニングしてもよい。第1のスリットは、レーザ加工により形成することができる。例えば、波長1064nm、エネルギー密度13J/cm2、パルス周波数3kHzのYAGレーザを用いて透明電極層12を短冊状にパターニングすることができる。第1のスリットの線幅は10μm以上200μm以下とすることが好適である。透明電極層12上に第1光電変換ユニット14を形成する。本実施の形態では、第1光電変換ユニット14は非晶質アモルファスシリコン太陽電池a-Siユニットとする。ただし、第1光電変換ユニット14は、非晶質アモルファスシリコン太陽電池に限定されるものではなく、後述する第2光電変換ユニット18よりも短波長側に光電変換効率のピークを有する発電層を含むものであればよい。第1光電変換ユニット14は、基板10側からp型、i型、n型の順にアモルファスシリコン膜を積層して形成する。第1光電変換ユニット14は、例えば、プラズマ化学気相成長法CVDにより形成することができる。プラズマCVD法は、例えば、13.56MHzのRFプラズマCVD法を適用することが好適である。このとき、シランSiH4、ジシランSi2H6、ジクロルシランSiH2Cl2等のシリコン含有ガス、メタンCH4等の炭素含有ガス、ジボランB2H6等のp型ドーパント含有ガス、フォスフィンPH3等のn型ドーパント含有ガス及び水素H2等の希釈ガスを混合した混合ガスをプラズマ化して成膜を行うことによって、p型、i型、n型のアモルファスシリコン膜を積層することができる。第1光電変換ユニット14のi層の膜厚は100nm以上500nm以下とすることが好適である。本実施の形態において、i型とは真性の半導体層であり、n型及びp型のドーパント濃度を含んでいたとしても、n型及びp型のドーパント濃度が5×1019/cm3以下の半導体層を意味する。また、p型の半導体層は、ボロンB等のp型のドーパントがドープされ、p型のドーパント濃度が5×1020/cm3以上1×1022/cm3以下であることを意味する。n型の半導体層は、燐P等のn型のドーパントがドープされ、n型のドーパント濃度が5×1020/cm3以上1×1022/cm3以下であることを意味する。第1光電変換ユニット14上に中間層16を形成する。本実施の形態では、中間層16は、酸化シリコンSiOx等の透明導電性酸化物TCOとすることが好適である。特に、マグネシウムMgやリンPがドープされた酸化シリコンSiOxを用いることが好適である。透明導電性酸化物TCOは、プラズマCVD法又はDCスパッタリング法により形成することができる。中間層16の膜厚は、50nm以上200nm以下とすることが好適である。なお、中間層16を設けない構成としてもよい。中間層16上に第2光電変換ユニット18を形成する。本実施の形態では、第2光電変換ユニット18は微結晶シリコン太陽電池μc-Siユニットとする。ただし、第2光電変換ユニット18は、微結晶シリコン太陽電池に限定されるものではなく、第1光電変換ユニット14よりも長波長側に光電変換効率のピークを有する発電層を含むものであればよい。例えば、約700nm以上の波長領域の光に対して発電感度を有するものであることが好適である。第2光電変換ユニット18は、基板10側からp型、i型、n型の順に微結晶シリコン膜を積層して形成する。第2光電変換ユニット18は、プラズマCVD法により形成することができる。プラズマCVD法は、例えば、13.56MHzのRFプラズマCVD法を適用することが好適である。第2光電変換ユニット18は、シランSiH4、ジシランSi2H6、ジクロルシランSiH2Cl2等のシリコン含有ガス、メタンCH4等の炭素含有ガス、ジボランB2H6等のp型ドーパント含有ガス、フォスフィンPH3等のn型ドーパント含有ガス及び水素H2等の希釈ガスを混合した混合ガスをプラズマ化して成膜を行うことによって形成することができる。第2光電変換ユニット18のi層の膜厚は1000nm以上5000nm以下とすることが好適である。複数の光電変換セルを直列に接続する構造とする場合、第2のスリットを形成して短冊状にパターニングする。第2のスリットは、第2光電変換ユニット18,中間層16,第1光電変換ユニット14を貫いて透明電極層12に到達するように形成する。第2のスリットは、例えば、レーザ加工により形成することができる。レーザ加工は、これに限定されるものではないが、波長約532nmYAGレーザの第2高調波を用いて行うことが好適である。レーザ加工のエネルギー密度は例えば1×105W/cm2とすればよい。透明電極層12に形成した第1のスリットの位置から50μm横の位置にYAGレーザを照射して第2のスリットを形成する。第2のスリットの線幅は、10μm以上200μm以下とすることが好適である。第2光電変換ユニット18上に裏面透明電極層20を形成する。裏面透明電極層20は、透明導電性酸化物TCOとすることが好適である。透明導電性酸化物TCOは、酸化錫SnO2、酸化亜鉛ZnO、インジウム錫酸化物ITO等、又は、これらに不純物をドープしたものが用いられる。例えば、酸化亜鉛ZnOにアルミニウムAlを不純物としてドープしたものが用いられる。裏面透明電極層20は、例えば、スパッタリング法、MOCVD法熱CVDにより形成する。裏面金属層22は、銀Ag、銅Cu、アルミニウムAl等の金属を含む金属層とする。特に、反射率及び導電率の高さから銀Agを用いることが好適である。裏面金属層22は、スパッタリング法等により形成することができる。また、裏面金属層22は、銀等の酸化を防ぐためにチタンTi等を積層した構造としてもよい。複数の光電変換セルを直列に接続する構造とする場合、裏面透明電極層20及び裏面金属層22は、第2のスリットに埋め込まれ、第2のスリット内で裏面透明電極層20及び裏面金属層22と透明電極層12とが電気的に接続される。さらに、裏面透明電極層20及び裏面金属層22に第3のスリットを形成して短冊状にパターニングする。第3のスリットは、裏面金属層22,裏面透明電極層20,第2光電変換ユニット18,中間層16,第1光電変換ユニット14を貫いて透明電極層12に到達するように形成する。第3のスリットは、第1のスリットとの間に第2のスリットを挟む位置に形成する。第3のスリットは、レーザ加工により形成することができる。例えば、第2のスリットの位置から50μm横の位置にYAGレーザを照射して第3のスリットを形成する。YAGレーザは、エネルギー密度0.7J/cm2、パルス周波数4kHzのものを用いることが好適である。第3のスリットの線幅は、10μm以上200μm以下とすることが好適である。さらに、レーザ加工により太陽電池100の周辺に周辺領域と発電領域とを分離する溝を形成する。充填層24は、太陽電池100の裏面側を封止材26により封止するために使用される。充填層24は、図2の模式図に示すように、エチレンビニルアセテートEVAやポリビニルブチラートPVB等の樹脂24aを主成分とし、それに反射性の粒子24bを含有させたものとする。封止材26は、ガラス基板やプラスチックシート等の機械的及び化学的に安定な材料とすることが好ましい。充填層24を塗布した裏面金属層22上を封止材26で覆い、150°C程度の温度に加熱しつつ裏面金属層22へ向かって封止材26に約100kPaの圧力を加えることによって封止を行うことができる。これによって、太陽電池100の発電層への水分等の浸入を抑制することができる。粒子24bは、光を反射する材料を含んで構成され、特に第1光電変換ユニット14及び第2光電変換ユニット18を透過し得る波長の光を反射する材料を含んで構成されることが好適である。例えば、粒子24bは、酸化チタン、酸化ケイ素等の反射性の材料から構成することが好適である。本実施の形態では、図2の拡大断面図に示すように、充填層24に含まれる粒子24bの形状が裏面金属層22の受光面側に反映される。すなわち、封止材26により太陽電池100の裏面を封止する際に、充填層24に含まれる粒子24bによって裏面金属層22が型押しされ、充填層24の表面の粒子24bの凹凸形状が裏面金属層22の受光面側に反映される。粒子24bの径は、裏面金属層22の受光面側の凹凸が反射させたい光の波長と同程度の大きさになるように設定することが好ましい。シリコンを光電変換領域に利用した太陽電池100では、粒子24bの径は200nm以上1500nm以下であることが好適である。特に、a-Siユニットである第1光電変換ユニット14とμc-Siユニットである第2光電変換ユニット18とのタンデム型の太陽電池100やμc-Siユニットのみのシングル型の太陽電池では、第2光電変換ユニット26を透過してくる光の波長は主に700nm以上1200nm以下であるので、粒子24bの径は700nm以上1200nm以下とすることが好適である。また、a-Siユニットのみのシングル型の太陽電池の場合、粒子24bの径は500nm以上1000nm以下とすることが好適である。ここで、粒子24bの径とは、粒子24bの粒径の平均値であり、例えば、断面電子顕微鏡観察SEM、断面透過電子顕微鏡観察TEMにおいて観察される粒子24bの粒径の平均値を平均粒径として求めることができる。すなわち、粒子24bの平均粒径は、200nm以上1500nm以下であることが好適であり、μc-Siユニットを含む場合には700nm以上1200nm以下が特に好適であり、a-Siユニットのみのシングル型の太陽電池の場合には500nm以上1000nmが特に好適である。裏面金属層22の膜厚は、粒子24bによる凹凸が受光面側に反映される程度に薄くする。例えば、裏面金属層22の膜厚は、50nm以上100nm以下とすることが好適である。裏面金属層22の膜厚が100nmよりも厚い場合には、充填層24に含まれる粒子24bによって裏面金属層22が型押しされても、充填層24の表面の粒子24bの凹凸形状が裏面金属層22の受光面側に反映されなくなる。また、裏面金属層22の膜厚が50nmよりも薄い場合には、充填層24に含まれる粒子24bによって裏面金属層22が型押しされると、裏面金属層22が破断される部分が生じ易くなり、裏面金属層22の受光面側の形状を充填層24の表面の粒子24bの凹凸形状に沿ったものに形成できなくなる。特に、裏面金属層22が銀Agの場合には、50nmよりも薄くなることで、その反射率自体が低下してしまい、裏面金属層22の受光面側での反射がされなくなる。このような構成とすることで、裏面金属層22へ到達した光は、裏面金属層22の表面の凹凸によって散乱反射されて再び第2光電変換ユニット18及び第1光電変換ユニット14へ入射する。すなわち、裏面金属層22の高い反射率とその表面の凹凸形状によって、反射される光の量とその光路長を高めることができ、太陽電池100の短絡電流密度Iscを向上させることができる。例えば、短絡電流Iscは、粒子24bを含まない構成に比べて1.03倍程度になり、3程度増加させることができることを確認した。また発電効率ηは、粒子24bを含まない構成に比べて1.05倍程度になり、5程度増加させることができることを確認した。また、裏面金属層22を設けることによって、裏面透明電極層20の膜厚を従来より薄くしても裏面電極としての必要十分な導電性を得ることができる。したがって、裏面透明電極層20による光の吸収損失を低減することができ、太陽電池100の短絡電流密度Iscを向上させることができる。なお、本発明の適用範囲はこれらの太陽電池に限定されるものではなく、シリコン以外の半導体を用いた太陽電池、単結晶型太陽電池、色素増感太陽電池等にも同様に適用することができる。この場合も反射させる光の波長と同程度の径の粒子24bを適用すればよい。"