"第1のレーザ部と前記第1のレーザ部から出力される光信号を第1の高周波信号に基づいて変調する第1のEA変調部とを備える第1のEA変調器集積レーザ部と、第2のレーザ部と前記第2のレーザ部から出力される光信号を第2の高周波信号に基づいて変調する第2のEA変調部とを備える第2のEA変調器集積レーザ部と、がモノリシックに集積されたEA変調器集積レーザアレイ部と、前記第1の高周波信号を搬送する第1の高周波信号ラインと、前記第2の高周波信号を搬送する第2の高周波信号ラインと、第1の終端抵抗と、第2の終端抵抗と、一端が前記第1のEA変調部に接続され他端が前記第1の高周波信号ラインに接続された第1の導体と、一端が前記第2のEA変調部に接続され他端が前記第2の高周波信号ラインに接続された第2の導体と、一端が前記第1の終端抵抗に接続され他端が前記第1のEA変調部に接続された第3の導体と、一端が前記第2の終端抵抗に接続され他端が前記第2のEA変調部に接続された第4の導体と、を含み、前記第1の導体の前記一端の位置と前記第1の導体の前記他端の位置とを通る直線である第1の直線が、前記第2の導体の前記一端の位置と前記第2の導体の前記他端の位置とを通る直線である第2の直線と交差するように、前記第1の導体と前記第2の導体とが備えられていること、を特徴とするレーザアレイ。前記第3の導体の前記一端の位置と前記第3の導体の前記他端の位置とが前記第1の直線上にあり、前記第4の導体の前記一端の位置と前記第4の導体の前記他端の位置とが前記第2の直線上にあること、を特徴とする請求項1に記載のレーザアレイ。第1のコンデンサと、第2のコンデンサと、一端が前記第1のコンデンサに接続され他端が前記第1のレーザ部に接続された第5の導体と、一端が前記第2のコンデンサに接続され他端が前記第2のレーザ部に接続された第6の導体と、をさらに含み、前記第5の導体の前記一端の位置と前記第5の導体の前記他端の位置とを通る直線である第3の直線が、前記第2の直線と交差するように、前記第5の導体が備えられ、且つ、前記第6の導体の前記一端の位置と前記第6の導体の前記他端の位置とを通る直線である第4の直線が、前記第1の直線と交差するように、前記第6の導体が備えられていること、を特徴とする請求項1又は2に記載のレーザアレイ。前記第1のEA変調器集積レーザ部が占める光軸方向に垂直な方向の範囲の一部と、前記第2のEA変調器集積レーザ部が占める前記光軸方向に垂直な方向の範囲の一部と、が重なっていること、を特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のレーザアレイ。特許文献1及び特許文献2に記載の技術は、レーザモジュールとフォトダイオードのような別々のモジュール間でのクロストークを低減するための技術であるが、現在の半導体技術トレンドにおいては、装置をより小型化することが必要とされている。この小型集積化の流れの中で、レーザモジュールを利用した装置として、変調器とレーザモジュールとがモノリシックに集積された変調器集積レーザ、例えば、EA変調器集積レーザの開発量産が進められている。このEA変調器集積レーザでは、レーザのスイッチとして動作するEA変調器部に対して、高周波信号を入力信号として用いる。この高速変調時において、変調器に接着した入力信号用のワイヤは、電磁波を発生するアンテナの役割をするため、この変調器に接続されたワイヤと他のボンディングワイヤ、例えば、レーザ部に接続された入力用ワイヤとの間で電磁的干渉が起こり、EA変調器部とレーザ部間でクロストークが発生する。このクロストークは、EA変調器集積レーザをアレイ状にモノリシック集積した場合に顕著となる。例えば、2つのEA変調器集積レーザをモノリシック集積した場合、2つのEA変調器に接続された入力用ワイヤは、双方で高周波を伝送することから、電磁的干渉の影響が顕著となるためである。本発明の目的は、2つの変調器集積レーザを集積したレーザアレイにおいて、変調器間で発生する高周波信号のクロストークを軽減することである。上記目的を達成するために、本発明に係るレーザアレイは、第1のレーザ部と前記第1のレーザ部から出力される光信号を第1の高周波信号に基づいて変調する第1のEA変調部とを備える第1のEA変調器集積レーザ部と、第2のレーザ部と前記第2のレーザ部から出力される光信号を第2の高周波信号に基づいて変調する第2のEA変調部とを備える第2のEA変調器集積レーザ部と、がモノリシックに集積されたEA変調器集積レーザアレイ部と、前記第1の高周波信号を搬送する第1の高周波信号ラインと、前記第2の高周波信号を搬送する第2の高周波信号ラインと、第1の終端抵抗と、第2の終端抵抗と、一端が前記第1のEA変調部に接続され他端が前記第1の高周波信号ラインに接続された第1の導体と、一端が前記第2のEA変調部に接続され他端が前記第2の高周波信号ラインに接続された第2の導体と、一端が前記第1の終端抵抗に接続され他端が前記第1のEA変調部に接続された第3の導体と、一端が前記第2の終端抵抗に接続され他端が前記第2のEA変調部に接続された第4の導体と、を含み、前記第1の導体の前記一端の位置と前記第1の導体の前記他端の位置とを通る直線である第1の直線が、前記第2の導体の前記一端の位置と前記第2の導体の前記他端の位置とを通る直線である第2の直線と交差するように、前記第1の導体と前記第2の導体とが備えられていることを特徴とする。ここで、前記第3の導体の前記一端の位置及び前記第3の導体の前記他端の位置もが前記第1の直線上にあり、前記第4の導体の前記一端の位置及び前記第4の導体の前記他端の位置もが前記第2の直線上にあってよい。また、第1のコンデンサと、第2のコンデンサと、一端が前記第1のコンデンサに接続され他端が前記第1のレーザ部に接続された第5の導体と、一端が前記第2のコンデンサに接続され他端が前記第2のレーザ部に接続された第6の導体と、をさらに含み、前記第5の導体の前記一端の位置と前記第5の導体の前記他端の位置とを通る直線である第3の直線が、前記第2の直線と交差するように、前記第5の導体が備えられ、且つ、前記第6の導体の前記一端の位置と前記第6の導体の前記他端の位置とを通る直線である第4の直線が、前記第1の直線と交差するように、前記第6の導体が備えられていてよい。また、前記第1のEA変調器集積レーザ部が占める光軸方向に垂直な方向の範囲の一部と、前記第2のEA変調器集積レーザ部が占める前記光軸方向に垂直な方向の範囲の一部と、が重なっていてよい。以下、添付図面を参照しながら本発明に係るレーザアレイの実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。図1は、サブマウント4に実装したレーザアレイ2を例示する図である。なお、縦方向は光軸方向を示す。同図に示すように、レーザアレイ2は、EA変調器集積レーザアレイ6を備える。EA変調器集積レーザアレイ6はサブマウント4にハンダ付けされる。EA変調器集積レーザアレイ6は、レーザ部8と、EA変調部10と、を備えている。レーザ部8は、レーザ部8a第1のレーザ部とレーザ部8b第2のレーザ部とを備えている。一点鎖線の左側がレーザ部8aであり一点鎖線の右側がレーザ部8bである。また、EA変調部10は、EA変調部10a第1のEA変調部とEA変調部10b第2のEA変調部とを備えている。EA変調器一点鎖線の左側がEA変調部10aであり、一点鎖線の右側がEA変調部10bである。なお以下では、レーザ部8a及びレーザ部8bとして分布帰還型DFBDistributedFeedbackレーザを用いているが、ファブリペロー型レーザ、ないし分布反射型DBRDistributedBraggReflectorレーザを用いてよい。また、以下では導体としてワイヤを用いているが、ワイヤの代わりに架橋型の固定された金属導体を用いてもよい。また、以下では、ワイヤの長さを規定しているが、ワイヤの長さによって、本発明の効果が損なわれることはない。レーザ部8aとEA変調部10aとで第1のEA変調器集積レーザ第1のEA変調器集積レーザ部が構成され、レーザ部8bとEA変調部10bとで第2のEA変調器集積レーザ第2のEA変調器集積レーザ部が構成される。そのため、EA変調器集積レーザアレイ6の構造は、両EA変調器集積レーザがモノリシックに集積された構造となっている。各々のEA変調器集積レーザは、それぞれ、メサストライプ部12a,12bを備え、レーザ部8aから出力される光信号がメサストライプ部12aを介して搬送され、レーザ部8bから出力される光信号がメサストライプ部12bを介して搬送される。レーザ部8aは、駆動信号を取得するための電極13aを備えている。レーザ部8aはこの駆動信号に基づいて光信号を発する。なお、駆動信号は、コンデンサ14a第1のコンデンサにおいてその直流成分がカットされた上で、電極13aに入力される。コンデンサ14aと電極13aとはワイヤ25第5の導体によって接続されており、駆動信号はワイヤ25を介して電極13aに入力されることとなる。なお、コンデンサ14a内の点P1は、コンデンサ14aに接続されたワイヤ25の一方の端の位置を示し、電極13a内の点P2は、電極13aに接続されたワイヤ25の他方の端の位置を示している。同様に、レーザ部8bは、駆動信号を取得するための電極13bを備えている。レーザ部8bはこの駆動信号に基づいて光信号を発する。なお、駆動信号は、コンデンサ14b第2のコンデンサにおいてその直流成分がカットされた上で、電極13bに入力される。コンデンサ14bと電極13bとはワイヤ26第6の導体によって接続されており、駆動信号はワイヤ26を介して電極13bに入力されることとなる。なお、コンデンサ14b内の点Q1は、コンデンサ14bに接続されたワイヤ26の一方の端の位置を示し、電極13b内の点Q2は、電極13bに接続されたワイヤ26の他方の端の位置を示している。なお、本実施形態の場合、ワイヤ25の長さはワイヤ26の長さと等しい。また、EA変調部10aは、変調信号を取得するための電極16aを備えている。EA変調部10aはこの変調信号に基づいて、レーザ部8aから出力される光信号を変調する。なお、変調信号は、高周波信号であり、高周波信号ライン17aから電極16aに供給される。高周波信号ライン17aと電極16aとはワイヤ21第1の導体によって接続されており、変調信号はワイヤ21を介して電極16aに入力されることとなる。また、電極16aは接地されている終端抵抗18a第1の終端抵抗とワイヤ23第3の導体を介して接続されており、変調信号は終端抵抗18aにも入力される。なお、点P4は、ワイヤ21の一方の端の位置を示し、点P5は、ワイヤ23の一方の端の位置を示している。また、点P3は、ワイヤ21及びワイヤ23の他方の端の位置を示している。同様に、EA変調部10bは、変調信号を取得するための電極16bを備えている。EA変調部10bはこの変調信号に基づいて、レーザ部8bから出力される光信号を変調する。なお、変調信号は、高周波信号であり、高周波信号ライン17bから電極16bに供給される。高周波信号ライン17bと電極16bとはワイヤ22第2の導体によって接続されており、変調信号はワイヤ22を介して電極16bに入力されることとなる。また、電極16bは接地されている終端抵抗18b第2の終端抵抗とワイヤ24第4の導体を介して接続されており、変調信号は終端抵抗18bにも入力される。ここで、点Q4は、ワイヤ22の一方の端の位置を示し、点Q5は、ワイヤ24の一方の端の位置を示し、点Q3は、ワイヤ22及びワイヤ24の他方の端の位置を示している。なお、ここでは、ワイヤ21の長さはワイヤ22の長さと等しく、ワイヤ23の長さはワイヤ24の長さと等しい。なお、本実施形態の場合、EA変調部10a及びEA変調器10bは電界吸収型変調器である。但し、交流電気信号で駆動する変調器であるならば、EA変調部10a及びEA変調器10bはどのような変調器であってよい。図2に、図1に示すレーザアレイ2をEA変調部10を手前にして見た図を例示した。図1を見ても分かるとおり、レーザアレイ2では、第1の左側のEA変調器集積レーザが占める横方向の範囲の一部と、第2の右側のEA変調器集積レーザが占める横方向の範囲の一部と、が重なるように、電極13a、電極13b、電極16a、及び電極16bが備えられている。すなわち、電極13a、電極13b、電極16a、及び電極16bが、EA変調器集積レーザアレイ6を等分する縦線以下、等分線を横切るように配置されている。そのため、EA変調器集積レーザアレイ6の小型化が実現され、ひいては、レーザアレイ2の小型化が図られる。以上のようなレーザアレイ2では、高周波信号を搬送するワイヤ間で電磁的干渉は発生し、クロストークが発生する。そこで、クロストーク発生を抑制するため、ワイヤ間の相互インダクタンスが小さくなるよう図られている。具体的には、ワイヤ21とワイヤ23とを含む閉回路C1とワイヤ22とワイヤ24とを含む閉回路C2とのなす角度が60度~90度となるよう、点P3と点P4と点P5とを通る直線L1図1参照が、点Q3と点Q4と点Q5とを通る直線L2図1参照と略直交で交差するように、これら4つのワイヤが設置されている。そのため、閉回路C1と閉回路C2との間の相互インダクタンスが小さくなり、クロストークの発生が抑制される。また、閉回路C1と、ワイヤ26を含む閉回路C4と、のなす角度が60度~90度となるよう、直線L1が、点Q1と点Q2とを通る直線L4図1参照と略直交で交差するように、ワイヤ26が設置されている。そのため、閉回路C1と閉回路C4との相互インダクタンスが小さくなり、この点からも、クロストークの発生が抑制される。また、閉回路C2と、ワイヤ25を含む閉回路C3と、のなす角度が60度~90度となるよう、直線L2が、点P1と点P2とを通る直線L3図1参照と略直交で交差するようにワイヤ25が設置されている。そのため、閉回路C2と閉回路C3との相互インダクタンスが小さくなり、この点からも、クロストークの発生が抑制される。なお、閉回路C3と閉回路C4との相互インダクタンスも小さくなるため、この点からも、クロストークの発生が抑制されることとなる。参考として、クロストークの大きさの指標である相互インダクタンスと2本のワイヤ間の角度との関係を図5に例示した。図5に示す結果は計算によって得られたものであり、2本のワイヤの長さを650μmに設定し、且つ、両ワイヤ間の最近接距離を100μmに設定している。また、ワイヤ間の角度が0度の場合の相互インダクタンスを1として、相互インダクタンスを規格化している。ワイヤ間の角度が60度~90度である場合では、相互インダクタンスが最大値の半分以下となることから、効果的にクロストーク発生が抑制されることがわかる。なお、本発明に実施形態は、上記実施形態だけに限らない。例えば、必ずしも、電極13a、電極13b、電極16a、及び電極16bが、上記等分線を横切るように配置されなくてもよい。例えば、図3に示すように、電極13a及び電極16aが上記等分線を横切らないよう上記等分線の左側に配置され、電極13b及び電極16bが上記等分線を横切らないよう上記等分線の右側に配置されてもよい。図4に、図3に示すレーザアレイ2をEA変調部10を手前にして見た図を例示した。"