"少なくとも一つのシリコン前駆体化合物を含むガスから多結晶シリコンを製造するための方法であって、該方法は、化学蒸着反応チャンバに第一のガスフローパターンを確立し;第一のフローパターンを有するガスから少なくとも一つの前駆体化合物の少なくとも一部の多結晶シリコンへの反応を促進し;反応チャンバに第二のガスフローパターンを確立し;そして第二のフローパターンを有するガスから少なくとも一つの前駆体化合物の少なくとも一部の多結晶シリコンへの反応を促進することを含む方法。第一のフローパターンの確立が、第一のノズル群を通じて反応チャンバにガスを導入することを含む、請求項1に記載の方法。第一のノズル群が単一ノズルからなる、請求項2に記載の方法。第一のフローパターンの確立が第一のノズル群を通じて反応チャンバにガスを導入することを含み、反応チャンバにおける第二のガスフローパターンの確立が第二のノズル群を通じてガスを導入することを含む、請求項1に記載の方法。反応チャンバにおける第二のガスフローパターンの確立が、第一のノズル群からのガスの導入を中断することを含む、請求項4に記載の方法。反応チャンバに第三のガスフローパターンを確立することをさらに含む、請求項4に記載の方法。反応チャンバにおける第三のガスフローパターンの確立が、第一のノズル群からのガスの導入を中断することを含む、請求項6に記載の方法。反応チャンバにおける第三のガスフローパターンの確立が、第二のノズル群からのガスの導入を中断することを含む、請求項6に記載の方法。化学蒸着システムにおいてシリコン前駆体化合物を含むガスから多結晶シリコンを製造するための方法であって、該方法は、多結晶シリコン前駆体化合物を含むガスの少なくとも一部を第一のノズル群を通じて化学蒸着システムの反応チャンバに導入し;第一のノズル群を通じて反応チャンバに導入されたガスの少なくとも一部から前駆体化合物の少なくとも一部の多結晶シリコンへの変換を促進し;ガスの少なくとも一部を第二のノズル群を通じて反応チャンバに導入し;そして第二のノズル群を通じて反応チャンバに導入されたガスの少なくとも一部から前駆体化合物の少なくとも一部の多結晶シリコンへの変換を促進することを含む方法。第一のノズル群が単一ノズルからなる、請求項9に記載の方法。ガスの少なくとも一部を第三のノズル群を通じて反応チャンバに導入し;そして第三のノズル群を通じて反応チャンバに導入されたガスの少なくとも一部から前駆体化合物の少なくとも一部の多結晶シリコンへの変換を促進することをさらに含む、請求項9に記載の方法。第一のノズル群、第二のノズル群、及び第三のノズル群のいずれかを通じて導入されるガスの流量を調節することをさらに含む、請求項11に記載の方法。第一のノズル群を通じて導入されるガスの少なくとも一部の導入を中断することをさらに含む、請求項11に記載の方法。第二のノズル群を通じて導入されるガスの少なくとも一部の導入を中断することをさらに含む、請求項11に記載の方法。ガスの少なくとも一部を第四のノズル群を通じて反応チャンバに導入し;そして第四のノズル群を通じて反応チャンバに導入されたガスの少なくとも一部から前駆体化合物の少なくとも一部の多結晶シリコンへの変換を促進することをさらに含む、請求項11に記載の方法。化学蒸着システムであって、ガス供給源と;ベースプレート及びベルジャーによって少なくとも部分的に規定された反応チャンバと;ベースプレート及びベルジャーの一つに配置された第一のノズル群第一のノズル群は、第一のマニホールド及び第一の流量調整器を通じてガス供給源に流体接続されていると;ベースプレート及びベルジャーの一つに配置された複数のノズルを含む第二のノズル群複数のノズルは、第二のマニホールド及び第二の流量調整器を通じてガス供給源に流体接続されていると;そしてガス供給源から第一のノズル群を通るガスの流量及びガス供給源から第二のノズル群を通るガスの流量を調節するために構成された制御装置とを含む化学蒸着システム。ベースプレート及びベルジャーの一つに配置された複数のノズルを含む第三のノズル群をさらに含み、第三のノズル群の複数のノズルは、第三のマニホールド及び第三の流量調整器を通じてガス供給源に流体接続されており、制御装置はさらに、ガス供給源から第三のノズル群を通るガスの流量を調節するようにさらに構成されている、請求項16に記載の化学蒸着システム。第一のノズル群が単一ノズルからなり、第二のノズル群が3個のノズルからなり、そして第三のノズル群が6個のノズルからなる、請求項17に記載の化学蒸着システム。第一のノズル群が単一ノズルからなり、第二のノズル群が3個のノズルからなる、請求項16に記載の化学蒸着システム。本発明の一つ又は複数の側面は、堆積反応チャンバにおいて制御された又は調節されたレベルのガス速度を提供する堆積プロセスに関する。本発明の一部の側面は、反応チャンバに導入される供給ストリームの流量が増大しても反応チャンバにおいて最大ガス速度を提供することに関する。本発明の更なる側面は、堆積反応チャンバにおけるガス速度の増大に伴う対流熱損失を、反応チャンバに導入される供給ストリームの質量流量が増大しても、低減することを提供しうる。本発明のなお更なる側面は、反応表面からの不必要な又は望ましくない熱伝達又は熱損失を削減しつつ、表面からバルク流体への何らかの濃度勾配を低減又はさらには除去するバルク流体における十分なフロー条件を提供する、制御されたレベル又は条件を有する二相式プロセスに関しうる。本発明の一つ又は複数の側面は、少なくとも一つのシリコン前駆体化合物を含むガスから多結晶シリコンを製造するための方法に関する。一部の場合において、多結晶シリコンの製造法は、化学蒸着システム又は装置において多結晶シリコン前駆体化合物を含むガスから達成できる。該方法の一つ又は複数の態様は、化学蒸着反応チャンバに第一のガスフローパターンを確立し、第一のフローパターンを有するガスから少なくとも一つの前駆体化合物の少なくとも一部の多結晶シリコンへの反応を促進し、反応チャンバに第二のガスフローパターンを確立し、そして第二のフローパターンを有するガスから少なくとも一つの前駆体化合物の少なくとも一部の多結晶シリコンへの反応を促進することを含みうる。該方法は、多結晶シリコン前駆体化合物を含むガスの少なくとも一部を第一のノズル群を通じて化学蒸着システムの反応チャンバに導入し、第一のノズル群を通じて反応チャンバに導入されたガスの少なくとも一部から前駆体化合物の少なくとも一部の多結晶シリコンへの変換を促進し、ガスの少なくとも一部を第二のノズル群を通じて反応チャンバに導入し、そして第二のノズル群を通じて反応チャンバに導入されたガスの少なくとも一部から前駆体化合物の少なくとも一部の多結晶シリコンへの変換を促進することを含みうる。本発明の一つ又は複数の方法は、第一のフローパターンの確立が、例えば単一ノズルからなる第一のノズル群を通じてガスを反応チャンバに導入することを含む態様を含みうる。本発明の一つ又は複数の方法は、第一のフローパターンの確立が第一のノズル群を通じてガスを反応チャンバに導入することを含み、反応チャンバにおける第二のガスフローパターンの確立が第二のノズル群を通じてガスを導入することを含む更なる態様を含みうる。本発明のなお更なる態様において、反応チャンバにおける第二のガスフローパターンの確立は、第一のノズル群からのガスの導入を中断することを含む。本発明の他の更なる態様において、多結晶シリコンの製造法は、反応チャンバに第三のガスフローパターンを確立することをさらに含みうる。本発明のなお更なる態様において、反応チャンバにおける第三のガスフローパターンの確立は、第一のノズル群からのガスの導入を中断することを含む。他の場合において、反応チャンバにおける第三のガスフローパターンの確立は、第二のノズル群からのガスの導入を中断することを含む。本発明の一部の態様に従う一部の構成において、第一のノズル群は単一ノズルからなることができる。本方法は、本発明の更なる側面に従って、ガスの少なくとも一部を第三のノズル群を通じて反応チャンバに導入することもさらに含みうる。該方法は、本発明のなお更なる側面に従って、第一のノズル群、第二のノズル群、及び第三のノズル群のいずれかを通じて導入されるガスの流量を調節することもさらに含みうる。該方法は、本発明のなお更なる側面に従って、第二のノズル群から導入されるガスの少なくとも一部の導入を中断することも含みうる。多結晶シリコンの製造法は、本発明のなお更なる側面に従って、第一のノズル群から導入されるガスの少なくとも一部の導入を中断することを含みうる。該方法は、本発明の他の更なる側面に従って、ガスの少なくとも一部を第四のノズル群を通じて反応チャンバに導入することを含みうる。本発明の一つ又は複数の側面は化学蒸着システムにも関しうる。本発明の一部の側面に従う一つ又は複数の構成において、化学蒸着システムは、少なくとも一つの前駆体化合物を含むガスを含むガス供給源と;底板ベースプレート及びガラス鐘ベルジャーによって少なくとも部分的に規定された反応チャンバと;ベースプレート及びベルジャーの一つに配置された第一のノズル群第一のノズル群は、第一のマニホールド及び第一の流量調整器を通じてガス供給源に流体接続されていると;ベースプレート及びベルジャーの一つに配置された複数のノズルを含む第二のノズル群複数のノズルは、第二のマニホールド及び第二の流量調整器を通じてガス供給源に流体接続されていると;そしてガス供給源から第一のノズル群を通るガスの流量及びガス供給源から第二のノズル群を通るガスの流量を調節するために構成された制御装置とを含みうる。化学蒸着システムはさらに、ベースプレート及びベルジャーの一つに配置された複数のノズルを含む第三のノズル群を含んでいてもよく、第三のノズル群の複数のノズルは、第三のマニホールド及び第三の流量調整器を通じてガス供給源に流体接続されている。一部の場合において、制御装置はさらに、ガス供給源から第三のノズル群を通るガスの流量も調節するように構成されている。第一のノズル群は単一ノズルからなる又は本質的になることができ、第二のノズル群は3個のノズルからなる又は本質的になることができ、第三のノズル群は6個のノズルからなる又は本質的になることができる。化学蒸着システムの一部の構成において、第一のノズル群は単一ノズルからなり又は本質的になり、第二のノズル群は3個のノズルからなる又は本質的になる。図1及び2は、多結晶シリコン棒101のような半導体材料を作製又は製造するための本発明の一つ又は複数の側面に従う化学蒸着システム100を概略的に示している。堆積システム100は、典型的には、ベース構造物又はベースプレート103及びハウジング又はベルジャー104によって少なくとも部分的に包囲及び規定された反応チャンバ102を含む。ベルジャー104とベースプレート103の間の境界面105は封止されて気密になっている。本発明の一部の側面の典型的な構成において、ベースプレート103とベルジャー104は対応する寸法及び円形断面を有しているので、境界面は反応チャンバ102を周方向に部分的に規定している。少なくとも一つ、好ましくは複数のロッド101は、反応チャンバ102中で同時に成長し、少なくとも一つのロッドのそれぞれはホルダー106に固定されている。さらに、ホルダー106のそれぞれは、典型的にはベースプレート103に配置又は固定されている。典型的には、初期堆積構造物としてフィラメントを利用し、その上に所望物質を成長させることになる。一つ又は複数のロッド101のそれぞれは、典型的には、その上での一つ又は複数の反応を促進し、そして反応チャンバ102に供給される一つ又は複数の前駆体化合物からの所望物質の成長及び堆積を促進するために加熱される。例えば、ロッド101のそれぞれは、一つ又は複数の電源130からホルダー106を通じてそれに供給される加熱電流によって電気的に加熱できる。堆積プロセス中に利用される特定の温度又は温度範囲は、いくつかの考慮事項に依存しうる。例えば、所望される又は堆積される物質、物質の一つ又は複数の特徴、物質の成長速度、反応チャンバからの熱損失又は熱伝達速度、及び、場合によっては反応チャンバ内のガスの一つ又は複数の特徴、例えば種類及び一つ又は複数の前駆体化合物の相対量又は化学量論量などである。例えば、約900°C~約1,500°Cの範囲、好ましくは約900°C~約1,100°Cの範囲の温度は、シリコン堆積に関する本発明の任意の様々な製造プロセスで実施されうる。一つ又は複数の前駆体化合物は、ガスの成分として、少なくとも一つのノズルを通じて反応チャンバ102に導入できる。例えば、化学蒸着システム100でシリコンを製造する場合、一つ又は複数のシリコン前駆体化合物が反応チャンバ102に導入できる。例えば多結晶シリコンの蒸着のために本発明の一つ又は複数の側面を実施するのに利用できる前駆体化合物の非制限的例は、シランSinH2n2、例えばSiH4、クロロシラン、例えば四塩化ケイ素、ジクロロシラン、及びトリクロロシラン、並びに水素などである。堆積反応のいずれにも関与しない不活性化合物又は成分も、いずれかの堆積プロセスの何らかの条件を促進、変更、又は調整するために、反応チャンバに導入してもよい。他の物質の蒸着に向けられるような本発明の更なる側面に従って、対応するハロゲン化化合物も一つ又は複数の前駆体化合物として利用することができる。例えば、四塩化ゲルマニウムは担体としての水素と共に利用すれば、その堆積反応中の種を削減することができる。本発明の更なる側面は、炭化ケイ素の堆積のための少なくとも一つの前駆体化合物として、モノメチルトリクロロシランを所望により一つ又は複数の炭化水素化合物と共に利用することも含みうる。堆積システム100は、典型的にはさらに、一つ又は複数の前駆体化合物を反応チャンバ102に導入するために配置された少なくとも一つのノズルを含む。本発明の一つ又は複数の特定構成に従って、堆積システム100は、ベースプレート103に少なくとも部分的に配置された少なくとも一つのノズル110を有する第一のノズル群を含む。しかしながら、少なくとも一つのノズル110の一つ又はすべては、ベルジャー104に少なくとも部分的に配置されていてもよい。例示されているように、第一のノズル群は、ベースプレート103の中心に配置された単一ノズルからなることができる又は本質的になることができる。第一のノズル群が複数のノズルを有する構成では、各ノズルは、好ましくは隣接ノズルから等距離に空間的に分離されている。一部の更なる構成において、第一のノズル群は複数のノズルを有し、各ノズルは隣接ノズルから等距離に空間的に分離され、またベースプレート103の中心からも等距離に空間的に分離されている。本発明の更なる側面に従って、堆積システム100は、典型的にはさらに、少なくとも一つ、好ましくは複数の空間的に分離されたノズル112を含む第二のノズル群を含む。第一のノズル群の場合と同様、第二のノズル群のノズル112の少なくとも一つ、及び所望によりそれぞれのノズルは、ベースプレート103に少なくとも部分的に配置されている。本発明の更なる側面は、第二のノズル群のノズル112の少なくとも一つがベルジャー104に少なくとも部分的に配置されている堆積システムの構成を含むこともできる。本発明のなお更なる側面は、第二のノズル群のノズル112の少なくとも一つがベースプレート103に少なくとも部分的に配置され、第二のノズル群のノズル112の少なくとも一つがベルジャー104に少なくとも部分的に配置されている堆積システムの構成を含むこともできる。第二のノズル群が複数のノズルを有する構成では、各ノズルは、好ましくは隣接ノズルから等距離に空間的に分離されている。一部の更なる構成において、第二のノズル群は複数のノズルを有し、各ノズルは隣接ノズルから等距離に空間的に分離され、またベースプレート103の中心からも等距離に空間的に分離されている。例示されているように、第二のノズル群は、ベースプレート103に等空間的に配置された3個のノズルからなることができる又は本質的になることができる。例えば、ノズル112のそれぞれは、ベースプレート103の中心から等しい半径方向の距離の位置で隣接ノズルから等距離に分離されうる。別の非制限的構成において、第二のノズル群の各ノズルは、隣接ノズル112から等空間的に分離された位置でベルジャー104に少なくとも部分的に配置されうる。本発明の更なる側面に従って、堆積システム100は、さらに、少なくとも一つ、好ましくは複数の等空間的に分離されたノズル114を含む第三のノズル群を含む。第一のノズル群及び第二のノズル群の場合と同様、第三のノズル群のノズル114の少なくとも一つは、ベースプレート103に少なくとも部分的に配置されている。本発明の更なる側面は、第三のノズル群のノズル114の少なくとも一つがベルジャー104に少なくとも部分的に配置されている堆積システムの構成も含みうる。本発明のなお更なる側面は、第三のノズル群のノズル114の少なくとも一つがベースプレート103に少なくとも部分的に配置され、第三のノズル群のノズル114の少なくとも一つがベルジャー104に少なくとも部分的に配置されている堆積システムの構成を含むこともできる。第三のノズル群が複数のノズルを有する構成では、各ノズルは、好ましくは隣接ノズルから等距離に空間的に分離されている。一部の更なる構成において、第三のノズル群は複数のノズルを有し、各ノズルは隣接ノズルから等距離に空間的に分離され、またベースプレート103の中心からも等距離に空間的に分離されている。同じく例示されているように、第三のノズル群は、ベースプレート103に等空間的に配置された6個のノズルからなることができる又は本質的になることができるが、所望により、第二のノズル群によって規定されているのとは異なる半径方向寸法の位置にあってもよい。本発明の一つ又は複数の様々な構成及び態様において、いずれかのノズル群の少なくとも一つのノズルは、好ましくは一つ又は複数のノズルの流体出口端がチャンバ102内に突出しないように、少なくとも部分的にベースプレート103又はベルジャー104内にあるか、又はベースプレート103もしくはベルジャー104の平面又は表面より奥まっている。少なくとも一つのノズル、好ましくは各ノズル、ベースプレート103、及びベルジャー104は、典型的には、堆積操作中に物質がその上に堆積及び成長するのを防止又は少なくとも抑制するために、冷却システム図示せずからの冷却液によって冷却される。冷却システムは、典型的には冷却液の温度を下げる冷却機を含む。堆積システム100は、典型的にはさらに、反応チャンバ102に導入される一つ又は複数の前駆体化合物の少なくとも一つの供給源120を含む。堆積システム100は、好ましくはさらに、少なくとも一つの供給源120から反応チャンバ102への一つ又は複数の前駆体化合物の導入を調節するために利用される、各ノズル群別の少なくとも一つのマニホールドを含む。さらに、堆積システム100は、好ましくは、少なくとも一つのマニホールドを経由し、少なくとも一つのノズルのいずれか一つを通じて反応チャンバに導入される一つ又は複数の前駆体化合物の流量を調節できる一つ又は複数の流量制御装置も含む。例えば、堆積システム100は、少なくとも一つの前駆体化合物を有する少なくとも一つの供給源120を、第一の少なくとも一つの流量調整器145を通って、少なくとも一つのノズル110を有する第一のノズル群に流体接続する第一のマニホールド140を含みうる。堆積システム100は、少なくとも一つの前駆体化合物を有する少なくとも一つの供給源120を、第二の少なくとも一つの流量調整器155を通って、少なくとも一つのノズル112を有する第二のノズル群に流体接続する第二のマニホールド150も含みうる。堆積システム100は、さらに、少なくとも一つのノズル114を有する第三のノズル群を、第三の少なくとも一つの流量調整器165を通って、少なくとも一つの供給源120に流体接続する第三のマニホールド160も含みうる。図2に例示されているように、堆積システム100の一部の構成は、少なくとも一つの前駆体化合物を有する少なくとも一つの供給源120を、第四の少なくとも一つの流量調整器175を通って、第三のノズル群の少なくとも一つのノズル114に流体接続する第四のマニホールド170を含んでいてもよい。しかしながら、他の場合において、堆積システムは、複数のノズルを含む第四のノズル群を含むこともでき、その場合、複数のノズルの少なくとも一つは、ベースプレート及びベルジャーの一つ又は両方のいずれかに配置されている。そのような構成では、堆積システムは、典型的にはさらに、第四のノズル群の少なくとも一つのノズルを、少なくとも一つの流量調整器を通って、少なくとも一つの前駆体化合物の少なくとも一つの供給源に流体接続する第四のマニホールドを含む。本発明の他の構成は、一つ又は複数のノズル群で働くノズルに関しうる。例えば、ベースプレート103の中心に配置されているとして例示されているノズル110は、少なくとも一つの前駆体化合物を含むガスを、第一のノズル群集合体の一部として、そしてまた第二のノズル群集合体の一部として、反応チャンバ102に導入することに関与できる。二つ以上の前駆体化合物が関与する本発明の態様において、前駆体化合物の混合物は、いずれかのノズル群を通じてその混合物として反応チャンバに導入できる。他の変形においては、二つ以上の前駆体化合物は、いずれかのノズル群を通じて別個に又は組み合わせて導入できる。さらに他の変形において、二つ以上の前駆体化合物は、典型的にはガスとしての及び混合物の成分としての一つ又は複数の不活性化合物と共に反応チャンバに導入できる。他の場合においては、一つ又は複数の不活性ガスは、いずれかのノズル群の一つ又は複数のノズルを通じて別個に又はまとめて反応チャンバに導入できる。本発明の様々な側面の実施において様々なノズルサイズが関与しうる。例えば、第一のノズル群は約20mm~約30mmの直径を有するノズルを利用でき、好適な直径は約20mmである。別の例示的構成において、第二のノズル群は約20mm~約40mmの直径を有するノズルを利用でき、好適な直径は約30mmである。別の例示的構成において、第三のノズル群は約20mm~約50mmの直径を有するノズルを利用でき、好適な直径は約30mmである。いずれのノズル群のいずれのノズルのサイズも、いくつかの因子に依存しうる。例えば、それを通じて反応チャンバに導入されるガスの特徴、例えばガスの密度、温度、圧力、及び容積流量又は質量流量などの因子であるが、これらに限定されない。典型的には、考慮事項の一つは、反応チャンバで所望の平均流速を提供するノズルサイズの選択に関する。更なる構成は、調節可能な又は可変の放出アパーチャを有する、いずれかのノズル群の一つのノズル又は複数のノズルを利用することに関しうる。本発明の一つ又は複数の側面の実施において様々な流量調整器が関与しうる。流量調整器は、例えば一つ又は複数の供給源からいずれかのノズル群へのいずれかの流路に沿って、例えば一つ又は複数の流量測定エレメント及び一つ又は複数の弁を含みうる。本発明の一部の構成において、堆積システムはさらに、いずれかのノズル群へのいずれかの流路を通る流量を調節するように構成された一つ又は複数の制御装置も含みうる。例えば、一つ又は複数の制御装置図示せずは、第一のマニホールド140におけるフロー条件、例えば第一のノズル群を通じて反応チャンバ102に導入される一つ又は複数の前駆体化合物の流量を調節するために、一つ又は複数の弁又は流量調整器145に動作的に連結できる。なお更なる構成において、一つ又は複数の制御装置は、第二のマニホールド150におけるフロー条件、例えば第二のノズル群を通じて反応チャンバ102に導入される一つ又は複数の前駆体化合物の流量を調節するために、一つ又は複数の弁又は流量調整器155に動作的に連結できる。なお更なる構成において、一つ又は複数の制御装置は、第三のマニホールド160におけるフロー条件、例えば第三のノズル群を通じて反応チャンバ102に導入される一つ又は複数の前駆体化合物の流量を調節するために、一つ又は複数の弁又は流量調整器165に動作的に連結できる。なお更なる構成において、一つ又は複数の制御装置は、第四のマニホールド170におけるフロー条件、例えば第三又は第四のノズル群を通じて反応チャンバ102に導入される一つ又は複数の前駆体化合物の流量を調節するために、一つ又は複数の弁又は流量調整器175に動作的に連結できる。フロー条件は、一つ又は複数の前駆体化合物を含むガスの容積流量又は質量流量でありうる。他の構成において、フロー条件は、反応チャンバに導入される少なくとも一つの前駆体化合物の質量分率又は容積分率でありうる。一つ又は複数の流量測定エレメントは、それを流れるガスの特徴又は特性値を提供する任意の適切な装置を含みうる。例えば、流量測定エレメントは、制流部前後の圧力差を利用してガスの流量の指標を提供することができる。制御装置は、例えば汎用コンピュータ又は専用コンピュータシステムでありうる一つ又は複数のコンピュータシステムを使用して実現できる。本発明のシステム又はサブシステムの一つ又は複数のプロセスを実行するために利用又は実施できる制御システムの非制限的例は、エマーソンエレクトリックコー社のDELTAVデジタルオートメーションシステムのような分散制御システム、及びウィスコンシン州ミルウォーキーのアレンブラドリー又はロックウェルオートメーション社から入手できるようなプログラマブル論理制御装置などである。典型的には、制御装置は、一つ又は複数の入力パラメータを操作又は利用して一つ又は複数の出力信号を生成する制御アルゴリズムを利用している。例えば、アルゴリズムは、いずれかの流量測定装置によって測定された流量などの測定パラメータのような入力値を利用し、その測定パラメータを、所定パラメータとして手動で定義できる設定値と比較し、流量を調節する弁を駆動又は作動できる出力信号を生成する制御ループを含みうる。制御装置は、堆積システムの一つ又は複数の運転条件を自動調整できる一つ又は複数のオーバレイアルゴリズムを含むこともできる。例えば、制御装置は、反応チャンバへのガスの導入量を時間の関数として定義又は調節する堆積サブアルゴリズムを有するカスケードアルゴリズムを含むこともできる。これを利用すれば、例えば流量設定値、一連の時間依存性流量設定値、又は堆積パラメータのスケジュールを生成することができ、このいずれもが流量制御サブアルゴリズムで利用できる。制御装置によって制御できる他のパラメータは、例えば、ロッドの温度、又は複数のロッドの温度設定値などである。制御装置によって制御できるさらに他の条件は、流量調整器の順位付け又は反応チャンバに導入される一つ又は複数の前駆体化合物を含むガスの供給ステージングなどである。そのようなアルゴリズムのいずれも、比例、微分、積分、又はそのようなゲイン関数のいずれかの組合せを有するフィードバック制御技術を含みうる。本発明の一つ又は複数の側面に従って、一つ又は複数の前駆体化合物が、典型的にはガスとして又は担体流体と共に、一つ又は複数の供給源から反応チャンバに導入でき、その中に第一のフローパターンが作り出される。一つ又は複数のそのような側面に従って、一つ又は複数の前駆体化合物を含むガスが、例えば少なくとも一つのノズル110を含む第一のノズル群を通じて反応チャンバに導入でき、第一のフローパターンが作り出される。本発明の一つ又は複数の側面に従って、一つ又は複数の前駆体化合物が、典型的にはガスとして又は担体流体と共に、一つ又は複数の供給源から反応チャンバに導入でき、その中に第二のフローパターンが作り出される。従って、例えば、一つ又は複数の前駆体化合物を含むガスが、少なくとも一つのノズル112を含む第二のノズル群を通じて反応チャンバに導入でき、図1に破線矢印で例示されている第二のフローパターンが作り出される。本発明の一つ又は複数の側面に従って、一つ又は複数の前駆体化合物が、典型的にはガスとして又は担体流体と共に、一つ又は複数の供給源から反応チャンバに導入でき、その中に第三のフローパターンが作り出される。従って、例えば、一つ又は複数の前駆体化合物を含むガスが、少なくとも一つのノズル114を含む第三のノズル群を通じて反応チャンバに導入でき、第三のフローパターンが作り出される。従って、本発明のいずれの様々な堆積操作の間も、例えば、第一、第二、第三、及びその他のノズル群のいずれかの組合せを含む任意のノズル群を利用することによって、第一のフローパターンを確立することができる。例えば、本発明の一部の特定態様は、ノズル110及び一つ又は複数のノズル112及び114のいずれかを含むノズル群を利用することによってフローパターンを確立することを含みうる。別の非制限的例において、反応チャンバにフローパターンを作り出す、又は一つもしくは複数の前駆体化合物を含むガスを導入するのに利用されるノズル群は、ベースプレート103上の周囲に配置されたノズル112及び114のいずれかを含みうる。さらに別の非制限的例において、反応チャンバにフローパターンを作り出す、又は一つもしくは複数の前駆体化合物を含むガスを導入するのに利用されるノズル群は、ベルジャー104に配置されたノズル110、112、及び114のいずれかを含みうる。第二のフローパターンは、例えば、第一、第二、第三、及びその他のノズル群のいずれかの組合せを含む任意のノズル群を利用することによって確立することができる。なお更なる変形において、第三のフローパターンは、例えば、第一、第二、第三、及びその他のノズル群のいずれかの組合せを含む任意のノズル群を利用することによって確立することができる。ノズル群のノズルの数は変動し得、例えば、反応チャンバに入るガスの流量、反応又は堆積の速度、ガス中の一つ又は複数の前駆体化合物の濃度又は相対量、ガスの温度、ロッドの温度、及び反応チャンバにおけるガスの所望の特徴などを含む一つ又は複数の考慮事項に依存しうる。例えば、少なくとも一つのノズルを含む第一のノズル群が関与しうる第一の堆積又は反応段階に関与するノズルの数は、反応チャンバ内に乱流条件又はフローパターン、例えば少なくとも5,000~最大約100,000のレイノルズ数を提供するために制限されうる。同様に、ノズル110、112、及び114いずれかの複数のノズルを含む第二のノズル群が関与しうる第二の堆積又は反応段階中、利用されるノズルの数は、反応チャンバ内に乱流パターンを提供するために制限されうるが、典型的には、又はさらに好ましくは、第一段階中に導入された流量と比べて高い総流量であるが、好ましくは反応チャンバにおけるレイノルズ数はほぼ同じ範囲内である。さらに、ノズル110、112、及び114いずれかの複数のノズルを含む第三のノズル群が関与しうる第三の堆積又は反応段階に関与するノズルの数、利用されるノズルの数は、反応チャンバ内に乱流パターンを提供するために制限されうるが、典型的には、又はさらに好ましくは、第二段階中に導入された流量と比べて高い総流量であるが、好ましくは反応チャンバにおけるレイノルズ数はほぼ同じ範囲内である。同様に、第四段階を含む本発明の態様において、第四のノズル群は、第三段階より大きい流量であるが、好ましくは反応チャンバにおけるレイノルズ数はほぼ同じ範囲内の乱流条件を作り出すために、ノズル110、112、及び114の一つ又は複数を含むことができる。それぞれの段階は反応チャンバにおけるそれぞれ所望の平均ガス速度範囲を有しうる。例えば、第一段階は反応チャンバにおける第一の平均ガス速度範囲を有することができ;第二段階は反応チャンバにおける第二の平均ガス速度範囲を有することができ;第三段階は反応チャンバにおける第三の平均ガス速度範囲を有することができる。本発明の一つ又は複数の特定の態様に従って、平均ガス速度は以下の関係式:に従って決定できる。式中、Vは平均ガス速度、kは反応チャンバの幾何学的パラメータに依存する定数、mは質量流量、Dはノズル直径、及びNはノズル数である。他の場合において、それぞれの段階は、反応チャンバにおいてそれぞれ所望のレイノルズ数範囲を有するフローパターンを有しうる。例えば、第一段階は、第一のレイノルズ数範囲にある第一のレイノルズ数を有する第一のガスフローパターンを有することができ;第二段階は、第二のレイノルズ数範囲にある第二のレイノルズ数を有することができ;第三段階は、第三のレイノルズ数範囲にある第三のレイノルズ数を有することができる。従って、本発明の一部の態様は、約5,000;約10,000;約20,000;約30,000;約50,000;又はさらには約100,000という最大レイノルズ数と関連する平均ガス速度を有する第一のフローパターンを持つ第一段階を含みうる。他の段階もそれぞれ同じ最大レイノルズ数を有しうる。しかしながら、本発明の他の態様は、約10,000;約20,000;約30,000;約50,000;又はさらには約100,000という最大レイノルズ数を有する他の段階を含んでいてもよい。いずれか一つ又は複数の段階の所望レイノルズ数は、何らかの対流熱損失を削減又はさらには最小化しながら、主に反応速度律速である、例えば拡散速度律速でない物質移動プロセスを創出する又は少なくとも促進するのに十分な乱流を反応チャンバ内に提供するために事前に決めることができる。レイノルズ数は、ロッド101の一つ又は複数の寸法を代表長さとして利用することによって決定できる。例えば、代表長さは、下記の関係式において、ロッド101に沿った流体、例えばガスの移動長さLでありうる。式中、ρはガスの密度であり、μはガスの動粘度であり、Vはガスの平均流速である。ガスは、好ましくは、所定の又は既定のスケジュール又は処方に従って反応チャンバに導入される。例えば、ガスの流量、又は一つもしくは複数の前駆体化合物の流量、又はその両方は、第一のノズル群を通じて導入されている間、第一の所定スケジュールに従って調節又は制御されうる。ガスの流量、又は一つもしくは複数の前駆体化合物の流量、又はその両方は、第二のノズル群を通じて導入されている間、第二の所定スケジュールに従って調節又は制御されうる。本発明の更なる態様において、ガスの流量、又は一つもしくは複数の前駆体化合物の流量、又はその両方は、第三のノズル群を通じて導入されている間、第二の所定スケジュールに従って調節又は制御されうる。本発明のこれら及びその他の態様の機能及び利点は、以下の実施例からさらに理解することができる。これらの実施例は、本発明の一つ又は複数のシステム及び技術の利益及び/又は利点を示しているが、本発明の全範囲を例示しているわけではない。本実施例において、本発明の一つ又は複数の態様による多結晶シリコン堆積プロセスの模擬実験シミュレーションを記載する。模擬堆積中のロッド表面温度は約1,050°C~約990°Cの範囲であった。多結晶シリコン棒の直径は、約79時間の堆積期間を通して約133.6mmに成長することがシミュレーションされた。水素H2、ジクロロシランH2SiCl2、及びトリクロロシランHSiCl3を多結晶シリコン堆積模擬実験のための前駆体化合物として利用した。模擬堆積中の前駆体化合物の総質量流量は約346kg/hr~約4,110kg/hrの範囲であった。模擬堆積中のH2:H2SiCl2:HSiCl3の相対モル比は、約3.7:0.1:1であった。図3は、模擬堆積期間中の流量の増大に伴う予測ロッド直径を示すグラフである。模擬堆積システムは図2に概略的に示されているようにモデル化され、第一のノズル群はベースプレート103中に配置された単一の中心ノズル110を含み、第二のノズル群はベースプレート103中に均等に分離された3個のノズル112を含み、第三のノズル群はベースプレート103中に均等に分離された6個のノズル114を含んでいる。図4は、第一のノズル群が関与する第一段階0時間~約2時間、第二のノズル群が関与する第二段階約2時間~約18時間及び第三のノズル群が関与する第三段階約18時間~を含む三つの堆積段階の注入速度及び平均ガス速度を示すグラフである。この実施例により、数個の段階で複数ノズルを利用すると、制御されたレベルの平均ガス速度を提供しながらも、なお反応チャンバに導入される質量流量の増大を提供し、ひいては高い流量に伴う望ましくない対流熱損失の可能性を低減することが示されている。本発明の一つ又は複数の側面に関するいくつかの例示的態様を記載してきたが、当業者には、前述の記載は単に例示であって制限ではないことは明白なはずである。多数の変更及びその他の態様が当業者の範囲内であり、本発明の範囲に含まれると考えられる。例えば、制御装置は、本発明の堆積システムの一部の構成に利用される場合、堆積プロセスの進行のモニターを容易にするために一つ又は複数のヒューマンマシンインターフェース又はデバイスを組み込むこともできる。本明細書中に示された例の多くは、方法行為又はシステムエレメントの特定の組合せを含んでいるが、それらの行為及びそれらのエレメントは、本発明の一つ又は複数の側面又は特徴を実施するために他の方法で組み合わせられることも当然理解されるべきである。従って、例えば、異なる性質の層を有するロッドは、ノズル群の順序を、例えば第一のノズル群の次に第二のノズル群、その次に第一のノズル群、そして第三のノズル群というように順序の置換を利用することによって創出することができる。さらに、本明細書中に記載されたパラメータ及び構成は例示であって、実際のパラメータ及び/又は構成は、本発明のシステム及び技術が実施される特定の用途に依存する。本明細書において、用語複数は、二つ以上の事項又は構成要素を意味する。用語含む、含む、持つ、有する、含有する、及び関与包含するは、上記説明においても特許請求の範囲においても、オープンエンドな用語である、すなわち含むが限定されないことを意味する。従って、そのような用語の使用は、その用語の後に列挙されている事項、及びその等価物だけでなく、追加の事項も包含することを意味する。移行句の~からなる及び本質的に~からなるのみが、特許請求の範囲に関して、それぞれクローズド又はセミクローズドの移行句である。特許請求の範囲においてクレームの要素を修飾するための第一、第二、第三などの序数用語の使用は、それ自体、一つのクレーム要素が他の要素に勝るという何らかの優先、先行、又は順序、あるいは方法の行為が実施される時間的順序を含意しているのではなく、序数用語としての使用を別にすれば、単にある名称を持つ一つの要素を同じ名称を持つ別の要素と区別するための標識として使用されているに過ぎない。"