発光素子が搭載される搭載面を有する基板本体と、この基板本体の搭載面の一部に形成される銀を含む反射層と、この反射層上に形成されたガラス質絶縁層とを有し、このガラス質絶縁層が遷移金属元素を含有し900°C以下で焼結できるガラスであることを特徴とする発光素子搭載用基板。前記反射層は前記発光素子から発せられる光を反射する請求項1記載の発光素子搭載基板。前記ガラス質絶縁層が、前記ガラス以外にセラミックスフィラーを含有する請求項1または2記載の発光素子搭載用基板。前記遷移金属元素をMとしたとき、2z/xw-yzMxOyO2=2x/xw-yzMzOwで表される酸化反応における標準自由エネルギー変化が、2COO2=2CO2で表される酸化反応における標準自由エネルギー変化より大きくなる遷移金属元素を少なくとも1種含有するガラスである請求項1~3のいずれか1項に記載の発光素子搭載用基板。前記遷移金属元素がCu、Co、MnおよびMoから選ばれる少なくとも1種である請求項1~4のいずれか1項に記載の発光素子搭載用基板。前記基板本体上に前記発光素子用の端子部が形成され、この端子部を除く領域に前記ガラス質絶縁層が形成されている請求項1~5のいずれか1項に記載の発光素子搭載用基板。前記搭載面が前記基板本体に形成された凹部である請求項1~6のいずれか1項に記載の発光素子搭載用基板。請求項1~7のいずれか1項に記載の発光素子搭載用基板の前記ガラス質絶縁層上に発光素子が搭載され、前記発光素子を覆うように形成される蛍光体層を有する発光装置。本発明は、光反射率が高く、かつ腐食による反射率の低下の少ない反射層を備え、光の取出し効率が向上された発光素子搭載用基板とその基板を用いた発光装置の提供を目的とする。さらなる課題として、このような反射層の形成において工程の負荷を抑えるため、基板上の反射層と、この反射層を保護するガラス質絶縁層とを1回の焼成処理で発光素子搭載用基板を形成することである。本発明は上記課題を解決するために、発光素子搭載用基板において、発光素子が搭載される搭載面を有する基板本体と、この基板本体の搭載面の一部に形成される銀を含む反射層と、この反射層上に形成されたガラス質絶縁層とを有し、このガラス質絶縁層が遷移金属元素を含有し900°C以下で焼結できるガラスとした。また、前記反射層は、前記発光素子から発せられる光を反射するものである。また、前記ガラス質絶縁層には、セラミックスフィラーを含有することもできる。さらに、発光装置としては、上記発光素子搭載用基板と前記基板本体の搭載面に搭載される発光素子とを備えるものとした。本発明の発光素子搭載用基板では、以下の効果を期待できる。ガラス質絶縁層で反射層を被覆したことにより、反射層の酸化や硫化を防止でき、反射率の低下も長期的に防止できる。ガラス質絶縁層を形成するガラスが900°C以下で焼結できるので、銀を含む反射層と同時に基板本体に焼結できる。したがって、反射層とガラス質絶縁層とを一度の焼成処理で行うことができる。ガラス質絶縁層を構成するガラスに遷移金属元素を含有させたことにより、反射層の銀がガラス質絶縁層中に拡散しても、遷移金属元素が還元され銀の還元を防止できる。したがって、ガラス中に銀のコロイドができにくくなるので銀発色を防止できる。本発明の発光装置では、上記した発光素子搭載用基板を用いることにより、反射層の反射率が低下しにくいので、長期間発光効率の維持を期待できる。本発明の発光素子搭載用基板は、発光素子が搭載される搭載面を有する基板本体と、この基板本体の搭載面の一部に形成され、前記発光素子から発せられる光を反射させる銀を含む金属から構成される反射層と、この反射層上に形成されたガラス質絶縁層とを有し、このガラス質絶縁層が900°C以下で焼結でき遷移金属元素を含有するガラスであることを特徴とする。または、前記ガラス質絶縁層が前記ガラス以外にセラミックスフィラーを含むことを特徴とする。基板本体は図1に示すように全体が平板状の部材や、図2に示すように発光素子搭載面が一段下の位置となるように凹部が形成された部材である。基板を構成する材質は特に限定されないが、ガラス質絶縁層に用いるガラスを焼き付けなければならないため無機材料が好ましい。熱伝導率や放熱性、強度、コストの観点からアルミナセラミックス、低温同時焼成セラミックスLowTemperatureCofiredCeramic以下、LTCCという。、窒化アルミニウムなどが挙げられる。LTCCの場合には、基板と反射層とこの反射層を被覆するガラス質絶縁層とを同時焼成によって形成することが可能である。また、LTCCの場合には、基板内に内部配線の形成も容易できる。反射層には反射率の高さから銀が主として用いられるが、銀パラジウム混合物や銀白金混合物等の金属も使用できる。ガラス質絶縁層は下層の反射層を腐食特に、銀の酸化や硫化などなどから保護するための層であり、遷移金属元素を含有するガラスまたはそれにさらにセラミックスフィラーを含むものとすることが好ましい。で形成されるものである。ガラス質絶縁層に含まれるガラスは遷移金属元素を含有し、銀発色を抑制するガラスである。このガラスはガラス質絶縁層を緻密にするための成分であり、望ましくは、発光素子から放射される450nmの光の吸収が少ないことが好ましい。前記ガラスは反射層と同時に焼成できるものが好ましく、反射層と同時に焼成したときに銀と反応し、オープンポアなど、欠陥を生じないものがさらに好ましい。すなわち反射層と同時に焼成する場合、使用される基板本体の材料に合わせて、ガラス質絶縁層は焼成温度が500~900°Cの範囲から選ばれる温度で焼結して、緻密化できるものである。反射層を被覆する形でガラス質絶縁層を焼成したとき、ガラス質絶縁層を構成するガラス中には銀イオンが拡散する。そしてガラス組成や、その他、発光素子搭載用基板を構成する基板材料や、銀を含む金属材料、焼成の雰囲気や温度条件などによって、ガラス中に拡散した銀イオンが、還元され、ガラス質絶縁層中でコロイドを生成し、ガラス質絶縁層がいわゆる銀発色することがある。この銀発色を抑制するには、ガラス質絶縁層を構成するガラスに遷移金属元素から構成される化合物を含有させると、有効であることを発明者は見いだした。ガラスが焼成されている状態は一種の溶融塩と考えられ、金属精錬で用いられるエリンガムダイアグラムが活用できることを想起した。つまり、焼成時にガラス中に拡散した銀イオンは、温度と雰囲気にもよるが、ガラスを構成するその他の金属イオンより、優先的に還元されやすい元素のひとつである。銀発色はガラス中で還元された銀がコロイド状に集合し、光吸収を伴うため引き起こされるものであり、銀イオンをガラス質絶縁層中で、還元されない状態、言い換えれば酸化された状態で留めておくことが銀発色抑制の有効な手段であると考えられる。ここで、銀を還元する要因について考察する。銀を被覆するガラス質絶縁層は、粉末ガラスを樹脂、溶剤等の有機物と混練して作製したペースト状のものを、塗布、乾燥、焼成する工法で形成するのが好適であるが、この工法においては、焼成過程で、有機物由来の炭素が共存する。この炭素および炭素分が燃焼する過程で生成する一酸化炭素が還元作用を及ぼすと推察される。この炭素および一酸化炭素を酸化するような酸化剤を導入することが、銀の還元を抑制することにつながると考えた。このとき、酸化剤として自身が金属まで還元されてしまうような元素を用いるのではなく、複数の酸化状態をとりうる遷移金属元素を用い、その高次の酸化状態から低次の酸化状態への還元反応を炭素もしくは一酸化炭素の酸化に利用することが、銀を酸化状態、つまり、ガラス中のイオンで存在する状態に留めておくことに有効であることを見いだした。さらには、低次の酸化状態になった遷移金属元素酸化物は、空気中の酸素と反応し、酸化され、再度、高次の酸化状態に戻ることが期待できる。高次の酸化状態となった遷移金属元素は再度酸化剤として働くことが期待できる。このサイクルを利用できる遷移金属元素は、酸化剤として、非常に有効に働くことが推定される。このような、高次の酸化状態から低次の酸化状態へ自身が還元される反応により、共存する相手を酸化する反応を促進する元素を探索するには標準自由エネルギーを参考にすることが有用である。もちろん標準自由エネルギーは平衡状態での状態を表すものであるため、非平衡状態や、反応速度が支配的な状況などでは、必ずしも反応の方向を示すことにならないおそれもあるが、焼成雰囲気が大気雰囲気に近い状況で、平衡状態に近い状態であれば、よく適合することが推察される。低次の酸化状態から高次の酸化状態への酸化反応に伴う標準自由エネルギー変化の値が、炭素および一酸化炭素の酸化反応よりも大きい値を示す遷移金属元素を含有するガラスは、炭素および一酸化炭素を酸化する能力が大きいため、炭素および一酸化炭素の存在によって引き起こされる銀の還元を抑制する傾向が大きいと考えられる。そのため、銀をガラス中にイオンの形で留めておくことができる。このようなガラスを用いたガラス質絶縁層であれば、銀反射層を被覆する形で焼成し形成しても銀発色が抑制されるため、反射層として、十分な性能を発揮させるものであると考えられる。ここで、標準自由エネルギー変化について、Cuを例にして説明する。反応に関与する成分の比熱変化を0と近似し、標準自由エネルギー変化をΔG、エンタルピー変化をΔH、エントロピー変化をΔSとすると、ΔG=ΔH-T×ΔST=温度Kで、求められる。2Cu2OsO2g=4CuOsの反応において、ΔHとΔSは以下の式から近似することができる。ΔH=4×ΔH0CuO-2×ΔH0Cu2OΔH0O2ΔS=4×ΔS0CuO-2×ΔS0Cu2OΔS0O2上記したΔH0は標準生成エンタルピー変化、ΔS0は標準エントロピー変化を表しており、上記式中の各成分の標準生成エンタルピー変化や標準エントロピー変化は以下のように知られている。ΔH0CuO=-157.3kJ/molΔH0Cu2O=-168.6kJ/molΔH0O2=0kJ/molΔS0CuO=42.6J/molKΔS0Cu2O=93.1J/molKΔS0O2=205.1J/molKこれから、本反応の標準自由エネルギー変化ΔGは以下のように導かれる。ΔG1=-292.0-T×-220.9×10-3kJ/mol同様に、2COO2=2CO2の場合を計算すると、ΔG2=-566.0-T×-173.0×10-3kJ/molとなる。したがって、ガラス質絶縁層を形成する焼成温度域が含まれる、常温298K~900°C1173Kの温度域では、ΔG1はΔG2より大きくなる。このように、ΔG2より前記の温度域で、ΔGが大きくなる反応式は同様に、以下のようなものが例示できる。6CoOO2=2Co3O4ΔG4=-271.3-T×-171.7×10-3kJ/mol2Mn2O3O2=4MnO2ΔG5=-141.5-T×-213.5×10-3kJ/mol2MoO2O2=2MoO3ΔG6=-331.1-T×-170.2×10-3kJ/molさらに、遷移金属元素をガラス中に存在させたときには、そのイオン状態での特有の吸収により、着色が見られる場合が多いが、発光素子搭載用基板としては、特に青色の波長である450nm付近の吸収が少ないものが望ましいと考えられる。それを満たすものとしてはCu、Co、MnおよびMoなどが例示できる。遷移金属元素のガラス中への添加量は5以下に留めた方がよい。5以上では遷移金属元素由来のガラス着色が大きくなる。銀発色の度合いは焼成条件の変動などによっても影響を受け、ばらつくことがあり、製造上の問題となる。前記のような遷移金属元素を添加したガラスでは、銀発色を抑制でき、銀発色のばらつきを抑制でき、反射特性にばらつきの少ない発光素子搭載用基板を得ることができる。発光素子としてはLED素子があげられる。より具体的には、放射した光で蛍光体を励起して可視光を発光させるものがあり、青色発光タイプのLED素子や紫外発光タイプのLED素子が例示される。ただし、これらに限定されるものではなく、蛍光体を励起して可視光を発光させることが可能な発光素子であれば、発光装置の用途や目的とする発光色等に応じて種々の発光素子を使用できる。本発明の発光装置には、蛍光体層が設けられることが好ましい。蛍光体は、発光素子から放射された光や、反射層から反射する光により励起されて可視光を発光し、この可視光と発光素子から放射される光との混色によって、あるいは蛍光体から発光される可視光または可視光自体の混色によって、発光装置として所望の発光色を得るものである。蛍光体の種類は特に限定されるものではなく、目的とする発光色や発光素子から放射される光等に応じて適宜に選択される。蛍光体層は、蛍光体をシリコーン樹脂やエポキシ樹脂のような透明樹脂に混合分散させた層として形成される。蛍光体層は、発光素子の外側を覆うように形成することができる図3参照が、直接発光素子を覆うように形成された被覆層の上に、別に蛍光体層を設けることも可能である。すなわち、蛍光体層は発光装置の発光素子が形成された側の最上層に形成されることが好ましい。本発明の発光装置は典型的には基板の表面に発光素子を電気的に接続する端子部を有し、当該端子部を除く領域がガラス質絶縁層で覆われているものである。この場合、発光素子の実装は、たとえば、発光素子を基板上にエポキシ樹脂やシリコーン樹脂で接着ダイボンドするとともに、発光素子上面の電極を金線等のボンディングワイヤを介して基板のパッド部に接続する方法、あるいは、発光素子の裏面に設けられた半田バンプ、Auバンプ、Au-Sn共晶バンプ等のバンプ電極を、基板のリード端子やパッド部にフリップチップ接続する方法などにより行われる。前記基板本体は反射層とこれを保護するガラス質絶縁層を設けることができれば特に限定されないが、以下では基板本体がLTCC基板である場合について説明する。LTCC基板はガラス粉末とアルミナ粉末等のセラミックスフィラーとの混合物を焼成して製造される基板であり、銀を含む反射層およびガラス質絶縁層と同時に焼成して製造することが可能な基板である。ここで、銀を含む反射層とは、銀を90質量以上含むものを意味し、具体的には銀からなるものや、銀とパラジウムとを含むものや、銀と白金とを含むものが挙げられる。ただし、反射層中への微量の不純物不可避不純物等は、著しく反射特性を低下させなければ許容できる。パラジウムを含有させる場合には、パラジウムは反射層中に10質量まで含有でき、また白金を含有させる場合には、白金は反射層中に3質量まで含有できる。LTCC基板に使用するガラス粉末とアルミナ粉末等のセラミックスフィラーは通常グリーンシート化して使用される。たとえば、まずガラス粉末とアルミナ粉末等をポリビニルブチラールやアクリル樹脂等の樹脂と、必要に応じてフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等の可塑剤等も添加して混合する。次に、トルエン、キシレン、ブタノール等の溶剤を添加してスラリーとし、ポリエチレンテレフタレート等のフィルム上にドクターブレード法等によってこのスラリーをシート状に成形する。最後に、このシート状に成形されたものを乾燥して溶剤を除去しグリーンシートとする。これらグリーンシートには必要に応じて、銀ペーストを用いてスクリーン印刷等によって配線パターンやビアなどが形成される。LTCC基板を構成するガラス組成は、特に限定はされず、たとえばモル表示で、SiO2が60.4、B2O3が15.6、Al2O3が6、CaOが15、K2Oが1、Na2Oが2である。LTCC基板の製造に用いられるガラス粉末は、溶融法によって得られたガラスを粉砕して製造される。粉砕の方法は本発明の目的を損なわないものであれば限定されず、乾式粉砕でもよいし湿式粉砕でもよい。湿式粉砕の場合には、溶媒として水を用いることが好ましい。また粉砕にはロールミル、ボールミル、ジェットミル等の粉砕機を適宜用いることができる。ガラスは粉砕後、必要に応じて乾燥され、分級される。アルミナ粉末の粒度や形状などは特に限定されないが、典型的には平均粒粒径D50が1~5μm程度のものが用いられる。たとえば昭和電工社製のAL-45Hが挙げられる。ガラス粉末とアルミナ粉末の配合比率は典型的にはガラス粉末40質量、アルミナ粉末60質量である。なお、本明細書において50粒径D50は、レーザー回折/散乱式粒度分布測定装置を用いて測定したものをいう。前記グリーンシートは、焼成後必要に応じて所望の形状に加工されて基板とされる。この場合、被焼成体は1枚または複数枚のグリーンシートを重ねたものである。前記焼成は典型的には800~900°Cに20~60分間保持して行われる。より典型的な焼成温度は850~880°Cである。次に、ガラス質絶縁層について説明する。このガラス質絶縁層はガラス単体の層またはガラスとセラミックスフィラーとを含む層であると好ましい。ここで使用するガラスの一例としては、酸化物基準のmol表示で、SiO2を20~85、B2O3を0~40、Al2O3を0~20、MgO、CaO、SrOおよびBaOから選ばれる少なくとも1種を0~50、Na2OおよびK2Oの少なくとも一方を0~16、Cu、Co、MnおよびMoから選ばれる少なくとも1種を0.1~5を含有するものである。ガラス質絶縁層の厚みは典型的には5~30μmである。5μm未満であると、被覆性が不充分になるおそれがあるため5μm以上であることが好ましい。30μm超では発光素子の放熱性を阻害し発光効率が低下してしまうおそれがある。ガラス質絶縁層がガラス単体またはガラスとセラミックスフィラーで形成される場合、ガラス質絶縁層は、たとえばガラスの粉末をペースト化してスクリーン印刷し、焼成して形成される。しかし、典型的には5~30μmの厚みのものを平坦に形成できる方法であれば特に限定されるものではない。本発明においてガラス質絶縁層中、体積表示でガラスを50以上含有することが好ましい。50未満であると、焼成時の焼結が不充分となり、被覆性を損ねるおそれがある。焼結性を向上するために70以上含有することがより好ましい。また、セラミックスフィラーを50以下含有する。セラミックスフィラーの含有量は典型的には5以上である。セラミックスフィラーを含有することにより、ガラス質絶縁層の強度を高くできる場合がある。また、ガラス質絶縁層の放熱性を高くできる場合がある。前記セラミックスフィラーはアルミナ、シリカであることが例示されるが、反射率を損ねる吸収をもたらさないものであれば、限定されるものではない。以下に、本発明の実施例を説明する。なお本発明はこれら実施例に限定されるものではない。[実施例1]まず、発光素子搭載用基板の基板本体1を作製するためのグリーンシートを作製した。グリーンシートは、SiO2が60.4mol、B2O3が15.6mol、Al2O3が6mol、CaOが15mol、K2Oが1mol、Na2Oが2molとなるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて1600°Cで60分間溶融させた後、この溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより40時間粉砕して基板本体用ガラス粉末を製造した。なお、粉砕時の溶媒にはエチルアルコールを用いた。この基板本体用ガラス粉末が40質量、アルミナフィラー昭和電工社製、商品名:AL-45Hが60質量となるように配合し、混合することによりガラスセラミックス組成物を製造した。このガラスセラミックス組成物50gに、有機溶剤トルエン、キシレン、2-プロパノール、2-ブタノールを質量比4:2:2:1で混合したもの15g、可塑剤フタル酸ジ-2-エチルヘキシル2.5g、バインダーとしてのポリビニルブチラールデンカ社製、商品名:PVK3000K5g、さらに分散剤ビックケミー社製、商品名:BYK1800.5gを配合し、混合してスラリーを調製した。このスラリーをPETフィルム上にドクターブレード法により塗布し、乾燥させ、焼成後の厚さが0.15mmとなるグリーンシートを製造した。次に、反射層2は、銀ペーストを基板本体1上に塗布し、焼成することにより形成する。この銀ペーストは、銀粉末大研化学工業社製、商品名:S400-2、ビヒクルとしてのエチルセルロースを質量比90:10の割合で配合し、固形分が87質量となるように溶剤としてのαテレピネオールに分散した後、磁器乳鉢中で1時間混練を行い、さらに三本ロールにて3回分散を行って製造した。次に、ガラス質絶縁層3は、ガラス粉末をガラスペーストとし反射層2上に塗布し、焼成することにより形成する。このガラスペーストの調整に用いたガラス粉末は、以下のようにして製造した。まず、SiO2が44mol、B2O3が41mol、ZnOが3.9mol、K2Oが10mol、CuOが1mol、CoOが0.1molになるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて1600°Cで60分間溶融させた後、この溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより8~60時間粉砕してガラス膜用ガラス粉末とした。このガラス粉末が60質量、樹脂成分エチルセルロースとαテレピネオールとを質量比で85:15の割合で含有するものが40質量となるように配合した後、磁器乳鉢中で1時間混練し、さらに三本ロールにて3回分散を行うことによりガラスペーストを調製した。そして、上記で得られたグリーンシートの表面に銀ペーストとガラスペーストをスクリーン印刷法によって塗布し、反射面用グリーンシートを形成した。そして、両ペーストを塗布していないグリーンシートを反射面用グリーンシートのガラスペーストが上側、つまり最外層になるように重ね合わせて、熱圧着することにより一体化して未焼成発光素子搭載用基板とした。その後、550°Cで5時間保持して脱脂を行い、さらに870°Cで30分間保持して焼成を行って発光素子搭載用基板を製造した。ガラス質絶縁層用ガラス粉末には、生成自由エネルギー変化量が、一酸化炭素の酸化反応よりも大きい値を示すCuOやCoOを含んでいるので、得られる発光素子搭載用基板のガラス質絶縁層には、銀発色による変色部は見られない。作製した発光素子搭載用基板に発光ダイオード素子6を搭載して発光装置10を作製した。搭載部に発光ダイオード素子6昭和電工社製、商品名:GQ2CR460Zを1つダイボンド材信越化学工業社製、商品名:KER-3000-M2により固定し、さらに封止剤信越化学工業社製、商品名:SCR-1016Aを用いて図3に示すモールド材5を構成するように封止した。封止剤には蛍光体化成オプトニクス社製、商品名:P46-Y3を封止剤に対して20質量含有したものを用いた。得られる発光装置の全光束については、長期間使用しても銀発色による低下は見られない。