"データの書き換え時に消去が必要な複数の不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリを制御するメモリコントローラと、を有し、前記メモリコントローラは、データの書き込みで指定される論理アドレスを不揮発性メモリの物理アドレスに変換するアドレス変換テーブルと、消去済みの物理ブロックアドレスとその不揮発性メモリ、不揮発性メモリ毎の消去済みの物理ブロック数を管理する消去済み物理ブロック管理部と、消去可能物理ブロックアドレスとその不揮発性メモリ、不揮発性メモリ毎の消去可能の物理ブロック数を管理する消去可能物理ブロック管理部と、前記複数の不揮発性メモリに対する書き込みおよび消去を制御するメモリ制御部と、を含み、前記不揮発性メモリの消去単位である物理ブロックを不揮発性メモリ毎に1つ以上、論理アドレス空間に割当てられない物理ブロックとして持ち、前記メモリ制御部は、前記消去済み物理ブロック管理部で管理される一の不揮発性メモリの第1の物理ブロックに受信したデータの書き込みを行い、当該書き込みと並行して前記消去可能物理ブロック管理部で管理される他の不揮発性メモリの第2の物理ブロックの消去を行うメモリ装置。前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリと接続されるインターフェイスであるチャネルを複数有し、前記各チャネルにおいて、不揮発性メモリの消去単位である物理ブロックを1つ以上、論理アドレス空間に割当てられない物理ブロックとして持ち、前記消去済み物理ブロック管理部は、消去済みの物理ブロックアドレスとそのチャネル、チャネル毎の消去済みの物理ブロック数を管理し、前記消去可能物理ブロック管理部は、消去可能物理ブロックアドレスとそのチャネル、チャネル毎の消去可能の物理ブロック数を管理し、データを受信すると、前記消去済み物理ブロック管理部は、消去済みの物理ブロック数が多いほうのチャネルに属する物理ブロックをその論理アドレスに対応する第1の物理ブロックとして割り当て、前記消去可能物理ブロック管理部は、書き込み対象とならないチャネルに属する物理ブロックを消去する第2の物理ブロックとして選択し、前記メモリ制御部は、前記第1の物理ブロックに受信データを書き込むのと並行して、前記第2の物理ブロックの消去を実行する請求項1記載のメモリ装置。前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリと接続されるインターフェイスであるチャネルを複数有し、前記各チャネルにおいて、不揮発性メモリの消去単位である物理ブロックを1つ以上、論理アドレス空間に割当てられない物理ブロックとして持ち、前記消去済み物理ブロック管理部は、消去済みの物理ブロックアドレスとそのチャネル、チャネル毎の消去済みの物理ブロック数を管理し、前記消去可能物理ブロック管理部は、消去可能物理ブロックアドレスとそのチャネル、チャネル毎の消去可能の物理ブロック数を管理し、データを受信すると、前記消去済み物理ブロック管理部は、消去対象とならないチャネルに属する物理ブロックをその論理アドレスに対応する第1の物理ブロックとして割り当て、前記消去可能物理ブロック管理部は、消去可能の物理ブロックが多いほうのチャネルに属する物理ブロックを消去する第2の物理ブロックとして選択し、前記メモリ制御部は、前記第1の物理ブロックに受信データを書き込むのと並行して、前記第2の物理ブロックの消去を実行する請求項1記載のメモリ装置。前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリと接続されるインターフェイスであるチャネルを複数有し、前記各チャネルにおいて、不揮発性メモリの消去単位である物理ブロックを1つ以上、論理アドレス空間に割当てられない物理ブロックとして持ち、最後に書き込みを実行したチャネルの情報を記録する最終書き込みチャネル記録部をさらに含み、前記消去済み物理ブロック管理部は、消去済みの物理ブロックアドレスとそのチャネルを管理し、消去可能物理ブロック管理部は、消去可能物理ブロックアドレスとそのチャネルを管理し、データを受信すると、前記最終書き込みチャネル記録部は、前回書き込みを行ったチャネルを調べ、前記消去済み物理ブロック管理部は、前回書き込みを行っていないチャネルに属する物理ブロックをその論理アドレスに対応する第1の物理ブロックとして割り当て、前記消去可能物理ブロック管理部は、前回書き込みを行ったチャネルに属する物理ブロックを消去する第2の物理ブロックとして選択し、前記メモリ制御部は、前記第1の物理ブロックに受信データを書き込むのと並行して、前記第2の物理ブロックの消去を実行し、データ書き込み後に、データの書き込みを実行したチャネルの情報を前記最終書き込みチャネル記録部に通知する請求項1記載のメモリ装置。前記メモリコントローラは、物理ブロックのサイズの境界を超える書き込みが要求された場合には、境界を超える前後で、書き込み先の物理ブロックと消去する物理ブロックを再度選択し直す請求項1から4のいずれか一に記載のメモリ装置。前記メモリコントローラは、物理ブロックへの書き込みデータのサイズが第1の閾値より大きい場合に、一のチャネルによる書き込みと並行して、他のチャネルで消去を実行し、第1の閾値は設定変更可能である請求項5記載のメモリ装置。前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリと接続されるインターフェイスであるチャネルを複数有し、物理ブロックへの書き込みデータのサイズにより、一のチャネルによる書き込みと並行して、他のチャネルで複数のブロックの消去を実行する請求項6記載のメモリ装置。前記消去済み物理ブロック管理部は、消去済みブロックとして最初に登録されたブロックを書き込みブロックとして選択する請求項1から7のいずれか一に記載のメモリ装置。前記消去済み物理ブロック管理部は、消去回数の最も少ないブロックを書き込みブロックとして選択する請求項1から7のいずれか一に記載のメモリ装置。前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリと接続されるインターフェイスであるチャネルを複数有し、各チャネルにおいて、不揮発性メモリの消去単位である物理ブロックを2つ以上、論理アドレス空間に割当てられない物理ブロックとして持ち、直前に消去した物理ブロックを書き込みブロックとして選択しない請求項8または9記載のメモリ装置。前記メモリコントローラは、データ読み出し時に、ブロック当りの読み出しデータサイズが第2の閾値よりも大きい場合に、データの読み出しと並行して、消去可能物理ブロックリストを検索し、読み出しに使用されていないチャネルに属する消去可能ブロックを消去する請求項10記載のメモリ装置。前記読み出しデータサイズの第2の閾値は設定変更可能である請求項11記載のメモリ装置。前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリと接続されるインターフェイスであるチャネルを少なくとも一つ有し、1つのチャネルに複数の不揮発性メモリが接続され、前記不揮発性メモリは複数のグループに分類され、前記各グループにおいて1つ以上、論理アドレス空間に割当てられない物理ブロックとして持ち、前記消去済み物理ブロック管理部は、消去済みの物理ブロックアドレスとそのグループ、グループ毎の消去済みの物理ブロック数を管理し、前記消去可能物理ブロック管理部は、消去可能物理ブロックアドレスとそのグループ、グループ毎の消去可能の物理ブロック数を管理し、データを受信すると、前記消去済み物理ブロック管理部は、消去済みの物理ブロック数が多いほうのグループに属する物理ブロックをその論理アドレスに対応する第1の物理ブロックとして割り当て、前記消去可能物理ブロック管理部は、書き込み対象とならないグループに属する物理ブロックを消去する第2の物理ブロックとして選択し、前記メモリ制御部は、前記第1の物理ブロックに受信データを書き込むのと並行して、前記第2の物理ブロックの消去を実行する請求項1記載のメモリ装置。前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリと接続されるインターフェイスであるチャネルを少なくとも一つ有し、1つのチャネルに複数の不揮発性メモリが接続され、前記不揮発性メモリは複数のグループに分類され、前記各グループにおいて1つ以上、論理アドレス空間に割当てられない物理ブロックとして持ち、前記消去済み物理ブロック管理部は、各チャネル毎に消去済みの物理ブロックアドレスとそのグループ、グループ毎の消去済みの物理ブロック数を管理し、前記消去可能物理ブロック管理部は、各チャネル毎に消去可能物理ブロックアドレスとそのグループ、グループ毎の消去可能の物理ブロック数を管理し、データを受信すると、前記消去済み物理ブロック管理部は、消去対象とならないグループに属する物理ブロックをその論理アドレスに対応する第1の物理ブロックとして割り当て、前記消去可能物理ブロック管理部は、消去可能の物理ブロックが多いほうのグループに属する物理ブロックを消去する第2の物理ブロックとして選択し、前記メモリ制御部は、前記第1の物理ブロックに受信データを書き込むのと並行して、前記第2の物理ブロックの消去を実行する請求項1記載のメモリ装置。前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリと接続されるインターフェイスであるチャネルを少なくとも一つ有し、1つのチャネルに複数の不揮発性メモリが接続され、前記不揮発性メモリは複数のグループに分類され、前記各グループにおいて1つ以上、論理アドレス空間に割当てられない物理ブロックとして持ち、最後に書き込みを実行したグループの情報を記録する最終書き込みグループ記録部をさらに含み、前記消去済み物理ブロック管理部は、各チャネル毎に消去済みの物理ブロックアドレスとそのグループを管理し、消去可能物理ブロック管理部は、各チャネル毎に消去可能物理ブロックアドレスとそのグループを管理し、データを受信すると、前記最終書き込みグループ記録部は、前回書き込みを行ったグループを調べ、前記消去済み物理ブロック管理部は、前回書き込みを行っていないグループに属する物理ブロックをその論理アドレスに対応する第1の物理ブロックとして割り当て、前記消去可能物理ブロック管理部は、前回書き込みを行ったグループに属する物理ブロックを消去する第2の物理ブロックとして選択し、前記メモリ制御部は、前記第1の物理ブロックに受信データを書き込むのと並行して、前記第2の物理ブロックの消去を実行し、データ書き込み後に、データの書き込みを実行したチャネルの情報を前記最終書き込みチャネル記録部に通知する請求項1記載のメモリ装置。前記メモリコントローラは、物理ブロックのサイズの境界を超える書き込みがホストから要求された場合には、境界を超える前後で、書き込み先の物理ブロックと消去する物理ブロックを再度選択し直す請求項13から15のいずれか一に記載のメモリ装置。前記メモリコントローラは、物理ブロックへの書き込みデータのサイズが第3の閾値より大きい場合に、一のグループでの書き込みと並行して、他のグループで消去を実行し、第3の閾値は設定変更可能である請求項16記載のメモリ装置。前記メモリコントローラは、物理ブロックへの書き込みデータのサイズにより、一のグループでの書き込みと並行して、他のグループの消去実行状態を監視し、消去が完了した場合には、他のブロックのアドレスに消去コマンドを発行する請求項13から17のいずれか一に記載のメモリ装置。前記消去済み物理ブロック管理部は、消去済みブロックとして最初に登録されたブロックを書き込みブロックとして選択する請求項13から18のいずれか一に記載のメモリ装置。前記消去済み物理ブロック管理部は、消去回数の最も少ないブロックを書き込みブロックとして選択する請求項13から18のいずれか一に記載のメモリ装置。前記メモリコントローラは、前記各グループにおいて、不揮発性メモリの消去単位である物理ブロックを2つ以上、論理アドレス空間に割当てられない物理ブロックとして持ち、直前に消去した物理ブロックを書き込みブロックとして選択しない請求項19または20記載のメモリ装置。前記メモリコントローラは、データ読み出し時に、ブロック当りの読み出しデータサイズが第4の閾値よりも大きい場合に、データの読み出しと並行して、消去可能物理ブロックリストを検索し、読み出しに使用されていないグループに属する消去可能ブロックを消去する請求項21記載のメモリ装置。前記読み出しデータサイズの第4の閾値は設定変更可能である請求項22記載のメモリ装置。前記メモリコントローラは、複数のチャネルを有し、当該複数のチャネルをそれぞれが独立に制御可能であり、各チャネル当り2以上の不揮発性メモリが接続されている請求項1から23のいずれか一に記載のメモリ装置。データの書き換え時に消去が必要な複数の不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリを制御するメモリコントローラと、前記メモリコントローラに対して少なくともデータの書き込みを指示するホスト装置と、を有し、前記メモリコントローラは、前記ホスト装置からデータの書き込みで指定される論理アドレスを不揮発性メモリの物理アドレスに変換するアドレス変換テーブルと、消去済みの物理ブロックアドレスとその不揮発性メモリ、不揮発性メモリ毎の消去済みの物理ブロック数を管理する消去済み物理ブロック管理部と、消去可能物理ブロックアドレスとその不揮発性メモリ、不揮発性メモリ毎の消去可能の物理ブロック数を管理する消去可能物理ブロック管理部と、前記複数の不揮発性メモリに対する書き込みおよび消去を制御するメモリ制御部と、を含み、前記不揮発性メモリの消去単位である物理ブロックを不揮発性メモリ毎に1つ以上、論理アドレス空間に割当てられない物理ブロックとして持ち、前記メモリ制御部は、前記ホスト装置からデータが転送されると、前記消去済み物理ブロック管理部で管理される一の不揮発性メモリの第1の物理ブロックに受信したデータの書き込みを行い、当該書き込みと並行して前記消去可能物理ブロック管理部で管理される他の不揮発性メモリの第2の物理ブロックの消去を行うメモリシステム。ところが、一般的に、フラッシュメモリ、フラッシュメモリの制御コントローラと、書き込みデータを供給するホスト装置からなるメモリシステムにおいては、状況によって、書き込み速度が低下する場合がある。たとえば、書き込もうとするフラッシュメモリのブロックにすでにデータが書き込まれている場合には、消去してからデータを書きこむため、消去済みのブロックにデータを書く場合に比べて速度が低下する。また、特許文献1には、データ書き込み時に別チップの消去可能な物理ブロックの消去を行う技術が開示されている。この技術では、論理アドレスの下位のアドレス空間をメモリチップAに割当て、論理アドレスの上位のアドレス空間をメモリチップBに割当てている。この場合、一方のアドレス空間のデータに書き込みが集中し、一つのメモリチップ内で消去可能なブロックがなくなってしまうと、データを消去してから書き込む処理が必要となり、書き込み速度を低下させることになる。一方、消去動作機器をホスト装置からのアクセスがないとき以下、スタンバイ時にメモリコンローラが任意のタイミングで不要ブロックを消去すると、スタンバイ時の消費電力を低くすることができなくなる。また、ホスト機器がアクセスをしないときに、電源を遮断するようなシステムにおいては、実質的に消去ブロックが確保できなくなるおそれがある。本発明は、書き込み時の論理アドレスによらず書き込み速度を低下させることなくデータを書き込むことが可能で、スタンバイ時の低消費電力化を図ることも可能なメモリ装置およびメモリシステムを提供することにある。本発明の第1の観点の不揮発性メモリ装置は、データの書き換え時に消去が必要な複数の不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリを制御するメモリコントローラと、を有し、前記メモリコントローラは、データの書き込みで指定される論理アドレスを不揮発性メモリの物理アドレスに変換するアドレス変換テーブル論物変換テーブルと、消去済みの物理ブロックアドレスとその不揮発性メモリ、不揮発性メモリ毎の消去済みの物理ブロック数を管理する消去済み物理ブロック管理部と、消去可能物理ブロックアドレスとその不揮発性メモリ、不揮発性メモリ毎の消去可能の物理ブロック数を管理する消去可能物理ブロック管理部と、前記複数の不揮発性メモリに対する書き込みおよび消去を制御するメモリ制御部と、を含み、前記不揮発性メモリの消去単位である物理ブロックを不揮発性メモリ毎に1つ以上、論理アドレス空間に割当てられない物理ブロックとして持ち、前記メモリ制御部は、前記消去済み物理ブロック管理部で管理される一の不揮発性メモリの第1の物理ブロックに受信したデータの書き込みを行い、当該書き込みと並行して前記消去可能物理ブロック管理部で管理される他の不揮発性メモリの第2の物理ブロックの消去を行う。本発明の第2の観点のメモリシステムは、データの書き換え時に消去が必要な複数の不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリを制御するメモリコントローラと、前記メモリコントローラに対して少なくともデータの書き込みを指示するホスト装置と、を有し、前記メモリコントローラは、前記ホスト装置からデータの書き込みで指定される論理アドレスを不揮発性メモリの物理アドレスに変換するアドレス変換テーブル論物変換テーブルと、消去済みの物理ブロックアドレスとその不揮発性メモリ、不揮発性メモリ毎の消去済みの物理ブロック数を管理する消去済み物理ブロック管理部と、消去可能物理ブロックアドレスとその不揮発性メモリ、不揮発性メモリ毎の消去可能の物理ブロック数を管理する消去可能物理ブロック管理部と、前記複数の不揮発性メモリに対する書き込みおよび消去を制御するメモリ制御部と、を含み、前記不揮発性メモリの消去単位である物理ブロックを不揮発性メモリ毎に1つ以上、論理アドレス空間に割当てられない物理ブロックとして持ち、前記メモリ制御部は、前記ホスト装置からデータが転送されると、前記消去済み物理ブロック管理部で管理される一の不揮発性メモリの第1の物理ブロックに受信したデータの書き込みを行い、当該書き込みと並行して前記消去可能物理ブロック管理部で管理される他の不揮発性メモリの第2の物理ブロックの消去を行う。本発明によれば、書き込み時の論理アドレスによらず書き込み速度を低下させることなくデータを書き込むことができ、また、スタンバイ時の低消費電力化を図ることもできる。以下、本実施形態を図面に関連付けて説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.第1の実施形態メモリシステムの第1の構成例2.第2の実施形態メモリシステムの第2の構成例3.第3の実施形態メモリシステムの第3の構成例4.第4の実施形態メモリシステムの第4の構成例5.第5の実施形態メモリシステムの第5の構成例6.第6の実施形態メモリシステムの第6の構成例7.第7の実施形態メモリシステムの第7の構成例8.第8の実施形態メモリシステムの第8の構成例9.第9の実施形態メモリシステムの第9の構成例<1.第1の実施形態>図3は、本第1の実施形態に係るメモリシステムの構成を示す図である。本メモリシステム10は、ホスト装置100、メモリコントローラ200、および不揮発性メモリ300,301を含んで構成される。ホスト装置100は、不揮発性メモリ300,301に書き込むデータとそのアドレス以下、論理アドレス:LAをメモリコントローラ200に送信する。メモリコントローラ200は、ホスト装置100から受信した論理アドレスを不揮発性メモリ300,301のアドレスに変換し、ホスト装置100から受信したデータを不揮発性メモリ300,301に書き込む。不揮発性メモリ300,301は、メモリコントローラ200から指定されたアドレスにデータを書き込む。次に、メモリコントローラ200について詳細に説明する。メモリコントローラ200は、ホストインタフェースI/F制御部201、ホストデータバッファ202、論物変換論理アドレス物理アドレス変換制御部203、および論物変換テーブル204を有する。メモリコントローラ200は、消去可能物理ブロック管理部205、消去済み物理ブロック管理部206、メモリ制御部207、第1閾値設定部208、第2閾値設定部209、メモリI/F制御部210、メモリI/F制御部211を有する。ホストI/F制御部201は、ホスト装置100とのインターフェイスを制御する。ホストI/F制御部201は、ホスト装置100から書き込みアドレス、書き込み要求サイズもしくは読み出し要求サイズからなる書き込みおよび読み出しコマンドを受信すると、その論理アドレスLAとそのサイズをメモリ制御部207に通知する。ホストI/F制御部201は、書き込み要求の場合は受信した書き込みデータをホストデータバッファ202に転送し、読み出し要求の場合には、ホストデータバッファ202のデータをホストI/FHIFに出力する。ホストデータバッファ202は、ホスト装置100から受信した書き込みデータ、メモリ制御部207から受信した読み出しデータを一時的に保持する。論物変換制御部203は、論物変換テーブルアドレス変換テーブル204を有する。図4は、論物変換テーブルの一例を示す図である。論物変換テーブル204は、図4に示すように、論理アドレスLAを実際の不揮発性メモリ300,301の物理アドレスPAに変換した結果を保持するテーブルである。論物変換制御部203は、この論物変換テーブル204を使って、メモリ制御部207から入力される論理アドレスLAを不揮発性メモリ300,301の物理アドレスPAに変換する。そして、論物変換制御部203は、論理アドレスLAが物理アドレスPAに未割当てであるか、割当てられていた場合にはその物理アドレスPAと、データ書き込み先の物理アドレスPAをメモリ制御部207に通知する。図5は、論理アドレス境界について説明するための図である。論理アドレスLAは消去単位である物理ブロックサイズ毎に割り当てられるため、以下では、図5に示すように、この物理ブロックPBLKサイズ毎の論理アドレスLAの区切りを論理アドレス境界と呼ぶ図5。図6は、本実施形態に係る論物変換制御部における、論理アドレスから物理アドレスを生成する処理を説明するためのフローチャートである。論物変換制御部203は、メモリ制御部207から論理アドレスLAを受信しST1、論物変換テーブル204から論理アドレスLAに対応する物理アドレスPAが存在しているかを調べるST2。論物変換制御部203は、論理アドレスLAに対応する物理アドレスPAが存在する場合には、ステップST3の処理を行う。ステップST3において、論物変換制御部203は、論理アドレスLAに対する物理アドレスPAが設定されていること、受信した論理アドレスLAに対応する物理アドレスPAと、データ書き込み先の物理アドレスPAをメモリ制御部207に通知する。論物変換制御部203は、メモリ制御部207でのデータ書き込み処理が終了するのを待って、論理アドレスLAと新たな物理アドレスPAの関係を論物変換テーブル204に更新するST4、ST5。ステップST2において、論理アドレスに対応する物理アドレスが存在しない場合には、論物変換制御部203は、消去済み物理ブロック管理部206に空きブロックアドレスの生成を要求するST6。論物変換制御部203は、消去済み物理ブロック管理部206から空きブロックアドレスとそのチャネルの情報を受信し、メモリ制御部207に通知しST7、ステップST4の処理に移行する。そして、上記したように、ステップST4において、論物変換制御部203は、メモリ制御部207でのデータ書き込み処理が終了するのを待って、ステップST5において、新たな論理アドレスと物理アドレスの関係を論物変換テーブル204に追加する。消去可能物理ブロック管理部205は、消去可能物理ブロックアドレスとそのチャネル、チャネル毎の消去可能の物理ブロック数を管理する。消去済み物理ブロック管理部206は、消去済みの物理ブロックアドレスとそのチャネル、チャネル毎の消去済みの物理ブロック数を管理する。図7AおよびBは、本実施形態に係る消去済み物理ブロック管理部が管理する消去済みブロックリストと消去可能物理ブロック管理部が管理する消去可能物理ブロックリストの一例を示す図である。図7Aは消去済みブロックEDBLKのリストEDBLを、図7B消去可能ブロックEBBLKのリストEBBLを示している。消去済みブロックリストEDBLおよび消去可能ブロックリストEBBLは、チャネルブロック番号CHx本例ではX=0,1およびブロック番号BLK[y]が対応付けてリストとして形成されている。ここで、本第1の実施形態に係る消去可能物理ブロック管理部205における、消去可能物理ブロックアドレスの生成処理について説明する。図8は、本第1の実施形態に係る消去可能物理ブロック管理部における、消去可能物理ブロックアドレスの生成処理を説明するためのフローチャートである。消去可能物理ブロック管理部205は、図7Bに示すように、消去可能ブロックEBBLKとそのブロックの属するチャネルの情報、それぞれのチャネルの消去可能ブロック数を管理する。そして、消去可能物理ブロック管理部205は、メモリ制御部207から消去ブロックのアドレス生成要求を受信するST11。そして、消去可能物理ブロック管理部205は、書き込みコマンドを受信して書き込み動作を行う場合はST12、次の処理を行う。消去可能物理ブロック管理部205は、消去済み物理ブロック管理部206から次に書き込みを行うチャネルの情報を受信する。消去可能物理ブロック管理部205は、受信したチャネルとは異なるチャネルに属するブロックから消去可能ブロックを選択し、メモリ制御部207にその物理ブロックとチャネルの情報を出力するST13,ST14,ST15。そして、消去可能物理ブロック管理部205は、そのチャネルの消去可能ブロック数から1減算するST16,ST17。図8では、一例として、ステップST13で、受信チャネルがチャネルCH0であるかどうかを判別し、チャネルCH0でない場合は、ステップST14においてチャネルCH0に属する消去可能ブロックを選択する。ステップST13で、チャネルCH0である場合は、ステップST15においてチャネルCH1に属する消去可能ブロックを選択する。また、消去可能物理ブロック管理部205は、ステップST12において、読み出しコマンドを受信して読み出し動作を行う場合はST12、次の処理を行う。消去可能物理ブロック管理部205は、読み出しチャネルとして使用していないチャネルに属する物理ブロックを消去可能ブロックとして選択し、メモリ制御部207にその物理ブロックとチャネルの情報を出力するST18。次に、本第1の実施形態に係る消去済み物理ブロック管理部206における、消去済み物理ブロックアドレスの生成処理について説明する。図9は、本第1の実施形態に係る消去済み物理ブロック管理部における、消去済み物理ブロックアドレスの生成処理を説明するためのフローチャートである。消去済み物理ブロック管理部206は、図7Aに示すように、消去済みブロックEDBLKとそのブロックの属するチャネルの情報、それぞれのチャネルの消去済みブロック数を管理する。そして、消去済み物理ブロック管理部206は、論物変換制御部203から消去ブロックアドレスの生成要求を受信するST21。消去済み物理ブロック管理部206は、複数のチャネルここでは一例として2つのチャネルCH0、CH1において消去済みブロック数の多いチャネルがCH1であるかCH0であるかを判別するST22。消去済み物理ブロック管理部206は、消去済みブロック数の多いチャネルがチャネルCH1の場合に次の処理を行う。消去済み物理ブロック管理部206は、チャネルCH1に属する消去済みブロックを次の書き込みブロックとして選択し、そのアドレスとチャネル番号CH1を論物変換制御部203に出力するST23。そして、消去済み物理ブロック管理部206は、そのチャネルCH1の消去済みブロック数を1減算するST24。消去済み物理ブロック管理部206は、消去済みブロック数の多いチャネルがチャネルCH0の場合に次の処理を行う。消去済み物理ブロック管理部206は、チャネルCH0に属する消去済みブロックを次の書き込みブロックとして選択し、そのアドレスとチャネル番号CH0を論物変換制御部203に出力するST25。そして、消去済み物理ブロック管理部206は、そのチャネルCH0の消去済みブロック数を1減算するST26。所定のチャネルに属する消去済みブロックの中から、次の書き込みに使用するブロックを選択する方法には2通りある。消去済みブロックとして登録された順に使用ブロックとして選択する方法と、消去回数をカウントして消去回数の少ないブロックを選択する方法である。図10は、消去回数をカウントして消去回数の少ないブロックを選択する方法を採用した場合の消去済みブロックリストの第1例を示す図である。図11は、消去回数をカウントして消去回数の少ないブロックを選択する方法を採用した場合の消去済みブロックリストの第2例を示す図である。図10の例では、消去済み物理ブロック管理部206は、消去回数をカウントして消去回数の少ないブロックを選択する。図11の例では、図10の方法に、さらに最後に消去を行ったブロックを判別するためのフラグFLGを持ち、フラグFLGが設定されているブロック以外で、消去回数が最も少ないブロックを選択する。メモリ制御部207は、基本的に次のような制御を行う。メモリ制御部207は、ホスト装置100から受信した論理アドレスLAと書き込みおよび読み出しサイズに対して、書き込みおよび読み出しが論理アドレス境界を超える場合には、論理アドレス境界毎に論理アドレスLAを論物変換制御部203に出力する。そして、メモリ制御部207は、これに対応する物理アドレスPAを受信し、書き込みおよび読み出しサイズ分のデータの書き込みおよび読み出しを行う。次に、メモリ制御部207の具体的な書き込み制御動作について説明する。図12は、本第1の実施形態に係るメモリ制御部の具体的な制御動作を説明するためのフローチャートである。図13は、メモリ制御部の制御動作において、論理アドレスに対して物理ブロックが割当てられていない場合を示す図である。図14は、メモリ制御部の制御動作において、書き込み論理アドレスが論理アドレス境界であり、かつ書き込みサイズが物理ブロックサイズと等しい場合を示す図である。図15は、メモリ制御部の制御動作において、論理アドレスに対する物理アドレスが設定済みであって、受信した論理アドレスに対応する物理アドレスAとデータ書き込み先の物理アドレスBを受信した場合の例を示す図である。図16は、メモリ制御部の制御動作において、書き込み論理アドレスと書き込み要求サイズの和が物理ブロックの境界を超える場合を示す図である。図13~図16においては、論理アドレス空間LASと物理アドレス空間PASを対応付けて示されている。メモリ制御部207は、ホスト装置100からデータの書き込み要求があるとST000、書き込み論理アドレスと書き込み要求サイズの和が論理アドレス境界を超えているか否かを判別するST100。ステップST100において、書き込み論理アドレスと書き込み要求サイズの和が論理アドレス境界を超えない場合、メモリ制御部207は書き込みサイズを書き込み要求サイズに設定しST200、論理アドレスLAを論物変換制御部203に出力する。ステップST100において、書き込み論理アドレスと書き込み要求サイズの和が論理アドレス境界を超える場合、後述するステップST300の処理を実行する。そして、メモリ制御部207は、その論理アドレスLAを論物変換制御部203に出力する。次に、メモリ制御部207は、論物変換制御部203から書き込み論理アドレスが物理アドレスに未割り当て未設定であるか否かの結果を受信する。ステップST400で、図13に示すように、論理アドレスに対して物理ブロックが割当てられていない場合には、メモリ制御部207は、論物変換制御部203から書き込み物理ブロックアドレスCを受信するST500。次に、メモリ制御部207は、書き込みデータサイズWSZがあらかじめ第1閾値設定部208に設定された第1閾値TH1より大きいか否かの判別を行うST600。メモリ制御部207は、書き込みデータサイズが第1閾値設定部208の第1閾値TH1より大きい場合には、消去可能物理ブロック管理部205から通知されるチャネルの物理ブロックに消去コマンドを発行し、物理ブロックを1つ以上消去するST700。メモリ制御部207は、消去コマンドの発行と並行して、もう一方のチャンネルに対して、ホスト装置100からの書き込みデータを物理ブロックアドレスに書き込むST800。書き込みデータサイズが第1閾値設定部208の第1閾値TH1より大きくない場合小さい場合、メモリ制御部207は、消去を行わず、ホスト装置100からの書き込みデータを物理ブロックアドレスに書込むST800。メモリ制御部207は、データの書き込みが終了したことを論物変換制御部203に通知するST900。ここで、メモリ制御部は、書き込み要求サイズが実際に書込んだデータサイズと等しいか否かを判別するST1000。このケースでは、書き込み要求サイズ=実際に書込んだデータサイズであるため、処理が終了する。ステップST400で、書き込み論理アドレスが論理アドレス境界でありかつ図14に示すように書き込みサイズが物理ブロックサイズと等しい場合には、メモリ制御部207は書き込み論理アドレスを出力し、論物変換制御部203で変換された書き込み物理ブロックアドレスCを受信するST500。次に、メモリ制御部207は、書き込みデータサイズがあらかじめ第1閾値設定部208に設定された第1閾値TH1より大きいか否かの判別を行うST600。メモリ制御部207は、書き込みデータサイズが第1閾値設定部208の第1閾値TH1より大きい場合には、消去可能物理ブロック管理部205から通知されるチャネルの物理ブロックに消去コマンドを発行し、物理ブロックを1つ以上消去するST700。メモリ制御部207は、消去コマンドの発行と並行して、もう一方のチャンネルに対して、ホスト装置100からの書き込みデータを物理ブロックアドレスに書き込むST800。書き込みデータサイズが第1閾値設定部208の第1閾値TH1より大きくない場合、メモリ制御部207は、消去を行わず、ホスト装置100からの書き込みデータを物理ブロックアドレスに書込むST800。メモリ制御部207は、データの書き込みが終了したことを論物変換制御部203に通知するST900。ここで、メモリ制御部は、書き込み要求サイズが実際に書込んだデータサイズと等しいか否かを判別するST1000。このケースでは、書き込み要求サイズ=実際に書込んだデータサイズであるため、処理が終了する。メモリ制御部207は、ステップST400で論理アドレスに対する物理アドレスが設定済みであり、かつ書き込みサイズが物理ブロックサイズと等しくない場合、論物変換制御部203から、図15のように受信した論理アドレスに対応する物理アドレスAとデータ書き込み先の物理アドレスBを受信するST1200。メモリ制御部207は、物理アドレスAの物理ブロックのデータの中で書換えないデータを物理アドレスBの物理ブロックにコピーST1300する。以下、上記コピー処理をガベージ処理と呼ぶ。次に、メモリ制御部207は、書き込みデータサイズWSZがあらかじめ第1閾値設定部208に設定された第1閾値TH1より大きいか否かの判別を行うST1400。メモリ制御部207は、書き込みデータサイズが第1閾値設定部208の第1閾値TH1より大きい場合には、消去可能物理ブロック管理部205から通知されるチャネルの物理ブロックに消去コマンドを発行し、物理ブロックを1つ以上消去するST1500。そして、メモリ制御部207は、この消去コマンドの発行と並行して、もう一方のチャンネルに対して、ホスト装置100からの書き込みデータを物理ブロックBに書き込むST1600。書き込みデータサイズが第1閾値設定部208の第1閾値TH1より大きくない場合、メモリ制御部207は、消去を行わず、ホスト装置100からの書き込みデータを物理ブロックBに書込むST1600。メモリ制御部207は、データの書き込みが終了したことを論物変換制御部203に通知するST900、このケースでは、書き込み要求サイズ=実際に書込んだデータサイズであるため、処理が終了するST1000。ステップST100において、図16に示すように、書き込み論理アドレスと書き込み要求サイズの和が論理アドレス境界を超える場合、メモリ制御部207は書き込みサイズを書き込み論理アドレスから次の論理境界までのサイズに設定するST300。そして、メモリ制御部207は、ステップST400からの処理を実行する。ステップST1000において、書き込み要求サイズが実際に書込んだデータサイズに等しくない場合には、メモリ制御部207は次に処理を行う。メモリ制御部207は、書き込み要求サイズを実際に書込んだデータサイズ分減算して新たな書き込み要求サイズとする。そして、メモリ制御部207は、書き込み論理アドレスに実際に書込んだデータサイズ分を加算して新たな書き込み論理アドレスとし、書き込み要求サイズがゼロになるまで、上述したステップST100からの処理を実行する。次に、メモリ制御部207の具体的な読み出し制御動作について説明する。図17は、本第1の実施形態に係るメモリ制御部の具体的な読み出し制御動作を説明するためのフローチャートである。メモリ制御部207は、ホスト装置100からデータの読み出し要求の場合は、以下の処理を実行する。メモリ制御部207は、ホスト装置100から読み出し論理アドレス、読み出し要求サイズとデータを受信するST2000。メモリ制御部207は、読み出し論理アドレスと読み出し要求サイズの和が物理ブロックの境界を超えるか否かを判別するST2100。ステップST2100において、読み出し論理アドレスと読み出し要求サイズの和が物理ブロックの境界を超ない場合には、メモリ制御部207は、読み出しサイズとして読み出し要求サイズを設定するST2200。ステップST2100において、読み出し論理アドレスと読み出し要求サイズの和が物理ブロックの境界を超える場合には、メモリ制御部207は、読み出しの先頭論理アドレスから次の論理アドレス境界までを読み出しサイズに設定するS2300。メモリ制御部207は、論理アドレスを論物変換制御部203に出力し、論物変換制御部203から読み出し先の物理アドレスを受信するST2400。そして、メモリ制御部207は、読み出しデータサイズRSZがあらかじめ第2閾値設定部209に設定された第2閾値TH2より大きいか否かの判別を行うST2500。メモリ制御部207は、読み出しデータサイズが第2閾値設定部209の第2閾値TH2より大きい場合には、消去可能物理ブロック管理部205から通知されるチャネルの物理ブロックに消去コマンドを発行し、物理ブロックを1つ以上消去するST2600。メモリ制御部207は、消去後、論物変換制御部203から受信した読み出し論理アドレスに対応するチャネルと物理アドレスに対しメモリI/F制御部210を通じてデータを読み出し、読み出しデータをホストデータバッファ202に出力するST2700。読み出しデータサイズが第2閾値設定部209の第2閾値TH2より大きくない場合小さい場合、メモリ制御部207は、消去を行わず、不揮発性メモリからデータを読み出し、読み出しデータをホストデータバッファ202に出力するST2700。次に、メモリ制御部207は、読み出し要求サイズが実際に読み出したデータサイズに等しいか否かを判別するST2800。ステップST2800において、読み出し要求サイズが実際に読み出したデータサイズに等しくない場合には、メモリ制御部207は、読み出し要求サイズを実際に読み出しデータサイズ分減算して新たな読み出し要求サイズとする。そして、メモリ制御部207は、読み出し論理アドレスに実際に読み出したデータサイズ分を加算して新たな読み出し論理アドレスとし、読み出し要求サイズが実際に読み出したデータサイズに等しくなるまで、上記処理を実行するST2800、ST2900。本第1の実施形態によれば、論理アドレス境界にアラインされた論理アドレスで、物理ブロックサイズの整数倍のサイズの書き込み要求に対しては、その書き込み時の論理アドレスによらずに、書き込み速度を落とさずに、データを書き込むことができる。<2.第2の実施形態>本第2の実施形態に係るメモリシステムは、基本的にシステム構成は第1の実施形態と同様である。本第2の実施形態は、消去可能物理ブロックアドレスの生成処理と消去済み物理ブロックアドレスの生成処理が上述した第1の実施形態と異なる。図18は、本第2の実施形態に係る消去可能物理ブロック管理部における、消去可能物理ブロックアドレスの生成処理を説明するためのフローチャートである。図19は、本第2の実施形態に係る消去済み物理ブロック管理部における、消去済み物理ブロックアドレスの生成処理を説明するためのフローチャートである。なお、図18および図19において、理解を容易にするため、図8および図9と同様の処理については同じステップ番号を付与してある。まず、本第2の実施形態に係る消去可能物理ブロック管理部における、消去可能物理ブロックアドレスの生成処理について、図18に関連付けて説明する。消去可能物理ブロック管理部205は、図7Bに示すように、消去可能ブロックEBBLKとそのブロックの属するチャネルの情報、それぞれのチャネルの消去可能ブロック数を管理する。そして、消去可能物理ブロック管理部205は、メモリ制御部207から消去ブロックのアドレス生成要求を受信するST11。そして、消去可能物理ブロック管理部205は、書き込みコマンドを受信して書き込み動作を行う場合はST12、次の処理を行う。消去可能物理ブロック管理部205は、消去可能ブロック数が多いチャネルに属するブロックから消去可能ブロックを選択し、メモリ制御部207にその物理ブロックとチャネルの情報を出力するST13a,ST14a,ST15a。そして、消去可能物理ブロック管理部205は、そのチャネルの消去可能ブロック数から1減算するST16,ST17。図18では、一例として、ステップST13aで、チャネルCH1の消去可能ブロック数がチャネルCH0の消去可能ブロック数が多いかどうかを判別する。チャネルCH0の消去ブロック数が多い場合は、ステップST14aにおいてチャネルCH0に属する消去可能ブロックを選択する。ステップST13aで、チャネルCH1の消去ブロック数が多い場合は、ステップST15aにおいてチャネルCH1に属する消去可能ブロックを選択する。また、消去可能物理ブロック管理部205は、ステップST12において、読み出しコマンドを受信して読み出し動作を行う場合はST12、次の処理を行う。消去可能物理ブロック管理部205は、読み出しチャネルとして使用していないチャネルに属する物理ブロックを消去可能ブロックとして選択し、メモリ制御部207にその物理ブロックとチャネルの情報を出力するST18。次に、本第2の実施形態に係る消去済み物理ブロック管理部における、消去済み物理ブロックアドレスの生成処理について、図19に関連付けて説明する。消去済み物理ブロック管理部206は、図7Aに示すように、消去済みブロックEDBLKとそのブロックの属するチャネルの情報、それぞれのチャネルの消去済みブロック数を管理する。そして、消去済み物理ブロック管理部206は、論物変換制御部203から消去ブロックアドレスの生成要求を受信するST21。消去済み物理ブロック管理部206は、次の消去ブロックの属するチャネルが所定のチャネルここでは一例としてチャネルCH0であるかを判別するST22a。消去済み物理ブロック管理部206は、次の消去ブロックに属するチャネルがチャネルCH0の場合に次の処理を行う。消去済み物理ブロック管理部206は、チャネルCH0とは異なるチャネルCH1に属する空ブロック消去済みブロックを次の書き込みブロックとして選択し、そのアドレスとチャネル番号CH1を論物変換制御部203に出力するST23a。そして、消去済み物理ブロック管理部206は、そのチャネルCH1の消去済みブロック数を1減算するST24。消去済み物理ブロック管理部206は、次の消去ブロックに属するチャネルがチャネルCH0でない場合に次の処理を行う。消去済み物理ブロック管理部206は、チャネルCH0に属する空ブロック消去済みブロックを次の書き込みブロックとして選択し、そのアドレスとチャネル番号CH1を論物変換制御部203に出力するST25a。そして、消去済み物理ブロック管理部206は、そのチャネルCH0の消去済みブロック数を1減算するST26。前述したように、所定のチャネルに属する消去済みブロックの中から、次の書き込みに使用するブロックを選択する方法には2通りある。消去済みブロックとして登録された順に使用ブロックとして選択する方法と、消去回数をカウントして消去回数の少ないブロックを選択する方法である。前述したように、図10に、消去回数をカウントして消去回数の少ないブロックを選択する方法を採用した場合の消去済みブロックリストの第1例を示している。また、図11に、消去回数をカウントして消去回数の少ないブロックを選択する方法を採用した場合の消去済みブロックリストの第2例を示している。図10の例では、消去済み物理ブロック管理部206は、消去回数をカウントして消去回数の少ないブロックを選択する。図11の例では、図10の方法に、さらに最後に消去を行ったブロックを判別するためのフラグFLGを持ち、フラグFLGが設定されているブロック以外で、消去回数が最も少ないブロックを選択する。<3.第3の実施形態>図20は、本第3の実施形態に係るメモリシステムの構成を示す図である。本第3の実施形態に係るメモリシステム10Aが第1の実施形態に係るメモリシステム10と異なる点は、次の通りである。本第3の実施形態に係るメモリシステム10Aは、メモリコントローラ200Aに最終書き込みチャネル記録部220が新たに配置されている。そして、第3の実施形態では、消去済み物理ブロックアドレスの生成処理と消去可能物理ブロックアドレスの生成処理が第1の実施形態と異なる。メモリシステム10Aにおいては、メモリ制御部207は、書き込みを実行したチャネルがチャネルCH0かチャネルCH1のいずれかを示す信号を最終書き込みチャネル記録部220に出力する。最終書き込みチャネル記録部220は、最後にデータの書き込みを行ったチャネルがどちらかを記録し、その情報を消去可能物理ブロック管理部205および消去済み物理ブロック管理部206に供給する。図21は、本第3の実施形態に係る消去可能物理ブロック管理部における、消去可能物理ブロックアドレスの生成処理を説明するためのフローチャートである。図22は、本第3の実施形態に係る消去済み物理ブロック管理部における、消去済み物理ブロックアドレスの生成処理を説明するためのフローチャートである。なお、図21および図22において、理解を容易にするため、図8および図9と同様の処理については同じステップ番号を付与してある。まず、本第3の実施形態に係る消去可能物理ブロック管理部における、消去可能物理ブロックアドレスの生成処理について、図21に関連付けて説明する。消去可能物理ブロック管理部205は、図7Bに示すように、消去可能ブロックEBBLKとそのブロックの属するチャネルの情報、それぞれのチャネルの消去可能ブロック数を管理する。そして、消去可能物理ブロック管理部205は、メモリ制御部207から消去ブロックのアドレス生成要求を受信するST11。そして、消去可能物理ブロック管理部205は、書き込みコマンドを受信して書き込み動作を行う場合はST12、次の処理を行う。消去可能物理ブロック管理部205は、最終書き込みチャネル記録部220から出力される最後にデータの書き込みを行ったチャネルの情報を受信する。そして、消去可能物理ブロック管理部205は、最後に書き込みチャネルとして使用したチャネルに属するブロックから消去可能ブロックを選択し、メモリ制御部207にその物理ブロックとチャネルの情報を出力するST13b,ST14b,ST15b。図21では、一例として、ステップST13bで、最終書き込みチャネルがチャネルCH0であるかどうかを判別し、チャネルCH0である場合は、ステップST14bにおいてチャネルCH0に属する消去可能ブロックを選択する。ステップST13bで、チャネルCH0でない場合は、ステップST15bにおいてチャネルCH1に属する消去可能ブロックを選択する。また、消去可能物理ブロック管理部205は、ステップST12において、読み出しコマンドを受信して読み出し動作を行う場合はST12、次の処理を行う。消去可能物理ブロック管理部205は、読み出しチャネルとして使用していないチャネルに属する物理ブロックを消去可能ブロックとして選択し、メモリ制御部207にその物理ブロックとチャネルの情報を出力するST18。次に、本第3の実施形態に係る消去済み物理ブロック管理部における、消去済み物理ブロックアドレスの生成処理について、図22に関連付けて説明する。消去済み物理ブロック管理部206は、図7Aに示すように、消去済みブロックEDBLKとそのブロックの属するチャネルの情報、それぞれのチャネルの消去済みブロック数を管理する。そして、消去済み物理ブロック管理部206は、論物変換制御部203から消去ブロックアドレスの生成要求を受信するST21。消去済み物理ブロック管理部206は、最終チャネルが所定のチャネルここでは一例としてチャネルCH0であるかを判別するST22b。消去済み物理ブロック管理部206は、最終チャネルがチャネルCH0の場合に次の処理を行う。消去済み物理ブロック管理部206は、チャネルCH0とは異なるチャネルCH1に属する空ブロック消去済みブロックを選択し、そのアドレスとチャネル番号CH1を論物変換制御部203に出力するST25a。消去済み物理ブロック管理部206は、最終チャネルがチャネルCH0でない場合に次の処理を行う。消去済み物理ブロック管理部206は、チャネルCH0に属する空ブロック消去済みブロックを選択し、そのアドレスとチャネル番号CH1を論物変換制御部203に出力するST25a。前述したように、所定のチャネルに属する消去済みブロックの中から、次の書き込みに使用するブロックを選択する方法には2通りある。消去済みブロックとして登録された順に使用ブロックとして選択する方法と、消去回数をカウントして消去回数の少ないブロックを選択する方法である。前述したように、図10に、消去回数をカウントして消去回数の少ないブロックを選択する方法を採用した場合の消去済みブロックリストの第1例を示している。また、図11に、消去回数をカウントして消去回数の少ないブロックを選択する方法を採用した場合の消去済みブロックリストの第2例を示している。図10の例では、消去済み物理ブロック管理部206は、消去回数をカウントして消去回数の少ないブロックを選択する。図11の例では、図10の方法に、さらに最後に消去を行ったブロックを判別するためのフラグFLGを持ち、フラグFLGが設定されているブロック以外で、消去回数が最も少ないブロックを選択する。<4.第4の実施形態>図23は、本第4の実施形態に係るメモリシステムの構成を示す図である。本第4の実施形態に係るメモリシステム10Bが第3の実施形態に係るメモリシステム10Aと異なる点は、次の通りである。本第4の実施形態に係るメモリシステム10Bは、チャネルが複数のメモリI/F制御部を含んで構成されている。この場合、チャネル情報の中にどのメモリI/F制御部であるかを特定する情報を含む。図23の例では、チャネルCH0は2つのメモリI/F制御部210-1,210-2を含み、メモリI/F制御部210-1に不揮発性メモリ300-1が接続され、メモリI/F制御部210-2に不揮発性メモリ300-2が接続されている。同様に、チャネルCH1は2つのメモリI/F制御部211-1,211-2を含み、メモリI/F制御部211-1に不揮発性メモリ301-1が接続され、メモリI/F制御部211-2に不揮発性メモリ301-2が接続されている。なお、このような構成は、最終書き込みチャネル記録部を含まない第1の実施形態や第2の実施形態にも適用可能である。<5.第5の実施形態>図24は、本第5の実施形態に係るメモリシステムの構成を示す図である。本第5の実施形態に係るメモリシステム10Cが第3の実施形態に係るメモリシステム10Aと異なる点は、次の通りである。本第5の実施形態に係るメモリシステム10Cは、チャネルが2つではさらに多くのチャネルを含んで構成されている。図24の例では、4つのチャネルCH0~CH3を含んで構成されている。チャネルCH0はメモリI/F制御部210を含み、メモリI/F制御部210に不揮発性メモリ300が接続されている。チャネルCH1はメモリI/F制御部211を含み、メモリI/F制御部211に不揮発性メモリ301が接続されている。チャネルCH2はメモリI/F制御部212を含み、メモリI/F制御部212に不揮発性メモリ302が接続されている。チャネルCH3はメモリI/F制御部213を含み、メモリI/F制御部213に不揮発性メモリ303が接続されている。なお、このような構成は、最終書き込みチャネル記録部を含まない第1の実施形態や第2の実施形態にも適用可能である。<6.第6の実施形態>図25は、本第6の実施形態に係るメモリシステムの構成を示す図である。本第6の実施形態に係るメモリシステム10Dが第1の実施形態に係るメモリシステム10と異なる点は、次の通りである。本第6の実施形態に係るメモリシステム10Dは、メモリI/F制御部210が一つのみで構成されている。メモリI/F制御部210には複数の不揮発性メモリが接続され、不揮発性メモリは2つ以上のグループGP0,GP1、に分類され、第1の実施形態でのチャネルがグループに置き換わっている。図25の例では、メモリI/F制御部210にチャネルCH0を通して不揮発性メモリ300,301が接続されている。そして、不揮発性メモリ300がグループGP0に分類され、不揮発性メモリ301がグループGP1に分類される。この第6の実施形態において、複数の物理ブロックを消去する場合の処理は、前述した第1の実施形態図12のステップST600~ST900と異なる。このため、以下に、第6の実施形態における複数の物理ブロックを消去する処理を説明する。図26は、第6の実施形態における複数の物理ブロックを消去する処理を説明するためのフローチャートである。図27は、第6の実施形態に係る論物変換テーブルの一例を示す図である。本第6の実施形態では、メモリインターフェイスに複数の不揮発性メモリが接続されている。このため、第6の実施形態では、ホスト装置100からのデータ書き込み最中に数ページのデータの書き込みが終了したらステップST704、消去を行っているグループの消去の進行状態を監視し、消去動作が完了したら次の消去コマンドを送出する。具体的には、図12のステップST500において、メモリ制御部207は、論物変換制御部203から書き込み物理ブロックアドレスを受信する。次に、メモリ制御部207は、書き込みデータサイズがあらかじめ第1閾値設定部208に設定された第1閾値TH1より大きいか否かの判別を行うST600。メモリ制御部207は、書き込みデータサイズが第1閾値設定部208の第1閾値TH1より大きい場合には、図26に示す処理を行う。まず、ページデータカウンタの値を0に設定しST701、消去可能物理ブロック管理部205から通知されるチャネルの物理ブロックに消去コマンドを発行し、物理ブロックを1つ以上消去するST700A。次に、1ページのデータの書き込みST702、ページデータカウンタに1を加算するST703。そして、ホスト装置100からのデータ書き込み最中に数ページのデータの書き込みが終了したらステップST704、消去を行っているグループの消去の進行状態を監視し、消去動作が完了したら次の消去コマンドを送出するST705,ST706。書き込みサイズ分のデータの書き込みが終了すると、メモリ制御部207は、データの書き込みが終了したことを論物変換制御部203に通知するST900A。書き込みデータサイズが第1閾値設定部208の第1閾値TH1より大きくない場合小さい場合、メモリ制御部207は、消去を行わず、ホスト装置100からの書き込みデータを物理ブロックアドレスに書込むST800A。メモリ制御部207は、データの書き込みが終了したことを論物変換制御部203に通知するST900A。<7.第7の実施形態>図28は、本第7の実施形態に係るメモリシステムの構成を示す図である。本第7の実施形態に係るメモリシステム10Eが第1の実施形態に係るメモリシステム10と異なる点は、次の通りである。本メモリシステム10Eにおいて、各メモリI/F制御部に複数の不揮発性メモリが接続され、不揮発性メモリは2つ以上のグループGP0、GP1、に分類され、不揮発性メモリへの書き込み時の他のチャネルおよびグループの消去動作が制御される。図28の例では、メモリI/F制御部210にチャネルCH0を通して不揮発性メモリ300-1,300-2が接続されている。そして、不揮発性メモリ300-1がグループGP0に分類され、不揮発性メモリ300-2がグループGP1に分類される。メモリI/F制御部211にチャネルCH1を通して不揮発性メモリ301-1,301-2が接続されている。そして、不揮発性メモリ301-1がグループGP2に分類され、不揮発性メモリ301-2がグループGP3に分類される。<8.第8の実施形態>図29は、本第8の実施形態に係るメモリシステムの構成を示す図である。本第8の実施形態に係るメモリシステム10Fは、メモリコントローラ200Fと複数の不揮発性メモリをメモリカード400として構成する例が示されている。図29は、複数の不揮発性メモリの接続形態が図28と同様の構成となっているが、上述した第1~第7の実施形態に係るメモリコントローラおよび不揮発性メモリの構成を含むメモリカード400として形成することが可能である。本メモリカード400は、ホスト装置100からの指示により低消費電力モードに遷移する。このメモリカード400とホスト装置100からなるシステムは、ホストの判断により電源が遮断されるメモリシステムとして構成される。<9.第9の実施形態>図30および図31は、本第9の実施形態に係るメモリシステムを説明するための図である。本第9の実施形態に係るメモリシステム10Fにおいては、不揮発性メモリのチップイネーブル信号CEにより書き込みおよび消去を制御する。この例では、4チャネルCH0~CH3を含み、各チャネルCH0~CH3には2つの不揮発性メモリフラッシュメモリ300-1,300-2、301-1,301-2、302-1,302-2、303-1,303-2が接続されている。そして、第1グループGP1の不揮発性メモリ300-1,301-1,302-1,303-1がチップイネーブル信号CE0により制御される。第2グループGP2の不揮発性メモリ300-2,301-2,302-2,303-2がチップイネーブル信号CE1により制御される。このような構成において、図30に示すように、書き込みコマンドがホスト装置からメモリコントローラ200Gに転送される。メモリコントローラ200Gは、チップイネーブル信号CE0により制御されるグループGP1の不揮発性メモリの消去すべきブロックがある場合、これらの不揮発性メモリ300-1~303-1に消去コマンドが送信される。不揮発性メモリ300-1~303-1が消去中でビジー状態にあるとき、チップイネーブル信号CE1により制御されるグループGP2の不揮発性メモリ300-2~303-2にデータが転送され、書き込みが行われる。さらに、図31に示すように、書き込みデータがブロックサイズより大きい場合、あるいは次の書き込みコマンドが送信される場合、次の処理が行われる。すなわち、メモリコントローラ200Gは、チップイネーブル信号CE1により制御されるグループGP2の不揮発性メモリの消去すべきブロックがある場合、これらの不揮発性メモリ300-2~303-2に消去コマンドが送信される。不揮発性メモリ300-2~303-2が消去中でビジー状態にあるとき、チップイネーブル信号CE0により制御されるグループGP1の不揮発性メモリ300-1~303-1にデータが転送され、書き込みが行われる。以上説明したように、本実施形態によれば、図32に示すように、論理アドレス境界にアラインされた論理アドレスで、物理ブロックサイズの整数倍のサイズの書き込み要求に対しては、その書き込み時の論理アドレスによらずに、書き込み速度を落とさずに、データを書き込むことができる。ホスト装置からの動作に同期して消去を行い、ホスト装置の予期しないタイミングで消去動作を行わないことで、スタンバイ時の低消費電力化を実効あるものとすることが可能となる。また、ホスト装置は任意のタイミングでメモリカード等への電力供給を停止することも可能になる。また、以上詳細に説明した方法は、上記手順に応じたプログラムとして形成し、CPU等のコンピュータで実行するように構成することも可能である。また、このようなプログラムは、半導体メモリ、磁気ディスク、光ディスク、フロッピー登録商標ディスク等の記録媒体、この記録媒体をセットしたコンピュータによりアクセスし上記プログラムを実行するように構成可能である。"