超硬粒および該超硬粒間の隙間を含んでなる前駆体本体を提供することと、添加粒子を前記隙間に導入して予備焼結本体を形成し、該予備焼結本体を超硬材料が熱力学的に安定する温度および圧力にさらして焼結し、多結晶超硬材料を形成することを含んでなる、多結晶超硬材料の製造法。前記隙間に添加粒子を詰め込み、押しやり、または引き寄せて予備焼結本体を形成し、該予備焼結本体を、超硬材料が熱力学的に安定する温度および圧力にさらして焼結し、多結晶超硬材料を形成することを含む、請求項1に記載の方法。電場印加により隙間に添加粒子を詰め込むことを含む、請求項1または2に記載の方法。前記前駆体本体が、ダイヤモンド粒を含んでなり、前記方法が、前記予備焼結本体をダイヤモンド用触媒材料の存在下で、ダイヤモンドがグラファイトよりも熱的に安定する圧力および温度にさらすことを含む、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。前記添加粒子が、ダイヤモンド、グラファイト、cBN、hBN、金属、またはセラミック材料を含んでなる、請求項1~4のいずれか一項に記載の方法。前記添加粒子が、ダイヤモンド用触媒材料またはダイヤモンド用触媒材料の前駆体材料を含んでなる、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。前記前駆体本体が、最大でも500ミクロンであり、最小でも10ミクロンの平均円相当径ECDを有する超硬粒を含んでなる、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。前記前駆体本体内の隙間が、添加粒子の平均ECDの少なくとも約5倍の平均ECDを有する孔を含んでなる、請求項1~7のいずれか一項に記載の方法。前記添加粒子の平均ECDが少なくとも20ナノメートルであり、最大でも1ミクロンである、請求項1~8のいずれか一項に記載の方法。前記隙間の平均ECDが、前記添加粒子の平均ECDの少なくとも5倍である、請求項1~9のいずれか一項に記載の方法。超硬粒の平均近接度が少なくとも62パーセントであり、最大でも92パーセントである、焼結された超硬粒の塊を含んでなる多結晶超硬材料。格子間平均自由行程が少なくとも約0.05ミクロンであり、最大でも1.5ミクロンであり、該平均自由行程の標準偏差が最大でも1ミクロンである、請求項11に記載の多結晶超硬材料。平均円相当径が最大でも約50ミクロンである相互結合性超硬粒を含んでなる、請求項11または請求項12に記載の多結晶超硬材料。前記多結晶超硬材料の超硬粒含有量が、多結晶超硬材料の少なくとも70体積パーセントであり、最大でも98体積パーセントである、請求項11~13のいずれか一項に記載の多結晶超硬材料。前記多結晶超硬材料がPCDであり、前記超硬粒がダイヤモンドを含んでなる、請求項11~14のいずれか一項に記載の多結晶超硬材料。前記多結晶超硬材料が、最大でも10体積パーセントのダイヤモンド用触媒材料を含んでなるPCDである、請求項11~15のいずれか一項に記載の多結晶超硬材料。前記多結晶超硬材料がPCBNであり、前記超硬粒がcBNを含んでなる、請求項11~14のいずれか一項に記載の多結晶超硬材料。請求項11~17のいずれか一項に記載の多結晶超硬材料を含んでなる、超硬摩耗素子。複数の領域を含んでなり、各領域は、少なくとも一つは構造特性が異なる多結晶超硬材料を含んでなり、領域のうち少なくとも一つは多結晶超硬材料を含んでなる、請求項18に記載の超硬摩耗素子。前記超硬摩耗素子が、金属を含んでなる被加工物の機械加工、穿削、または切断に使用される、請求項18または請求項19に記載の超硬摩耗素子。摩擦抵抗性が高められた多結晶超硬材料およびその製造法に対する必要が存在する。第1の態様の観点から、超硬粒および該超硬粒間の隙間を含んでなる前駆体本体を提供することと、添加粒子を隙間に導入して予備焼結本体を形成し、該予備焼結本体を超硬材料が熱力学的に安定する温度および圧力にさらして焼結し、多結晶超硬材料を形成することを含んでなる多結晶超硬材料の製造法を提供する。一つの実施形態では、該方法は、隙間に添加粒子を詰め込み、押しやり、または引き寄せて予備焼結本体を形成し、該予備焼結本体を超硬材料が熱力学的に安定する温度および圧力にさらして焼結し、多結晶超硬材料を形成することを含む。一つの実施形態では、該方法は、電場印加により隙間に添加粒子を詰め込むことを含む。一つの実施形態では、該方法は、電気泳動により隙間に添加粒子を詰め込むことを含む。一つの実施形態では、前記前駆体本体はダイヤモンド粒を含んでなり、本方法には、前記予備焼結本体を、ダイヤモンド用触媒材料の存在下で、ダイヤモンドがグラファイトよりも熱的により安定する圧力および温度にさらすことを含む。一つの実施形態では、該圧力は少なくとも約5.5GPaであり、該温度は少なくとも約1250°Cである。一つの実施形態では、前記前駆体本体はcBN粒を含んでなり、該方法は、前記予備焼結本体を、cBNが六方晶窒化ホウ素hBNよりも熱的に安定的である圧力および温度にさらすことを含む。一つの実施形態では、該圧力は少なくとも約2GPaであり、該温度は少なくとも約900°Cである。一つの実施形態では、該方法は、添加粒子に荷電するための処理を含む。いくつかの実施形態では、前記添加粒子は、ダイヤモンド、グラファイト、cBN、hBN、金属、またはセラミック材料を含んでなる。金属添加粒子の非限定的例として、コバルトなどのダイヤモンド用金属触媒材料の粒子が挙げられる。セラミック添加粒子の非限定的例として、酸化ジルコニウム等の酸化物粒子、シリコンカーバイド、タングステンカーバイドもしくはバナジウムカーバイドなどのカーバイド粒子、または窒化ホウ素もしくは窒化チタンなどの窒化物粒子が挙げられる。一つの実施形態では、前記添加粒子は、粒精製材料とも呼ばれるダイヤモンドの粒成長を抑制するのに好適な材料を含んでなる。一つの実施形態では、前記前駆体本体はダイヤモンド粒を含んでなり、前記添加粒子は、ダイヤモンド用触媒材料またはダイヤモンド用触媒材料の前駆体材料を含んでなる。一つの実施形態では、前記前駆体本体はcBN粒を含んでなり、前記添加粒子はPCBNの結合剤用前駆体材料を含んでなる。一つの実施形態では、該方法は、少なくとも2群の添加粒子を隙間に埋めることを含み、各群は他の群単数もしくは複数とは実質的に異なる組成物、粒度分布または構造を有する。一つの実施形態では、少なくとも2群の添加粒子それぞれは、少なくとも2連続工程で前記前駆体に埋められ、一つの実施形態では、少なくとも2群の添加粒子それぞれは、同工程で、すなわち同時に前記前駆体に埋められる。前記前駆体本体がダイヤモンド粒を含んでなる一つの実施形態では、第1群添加粒子は、コバルトなどのダイヤモンド用触媒材料を含んでなり、第2群添加粒子は、セラミック材料、またはダイヤモンド用触媒材料の熱膨張率CTE未満、もしくはダイヤモンド用触媒材料のCTEよりもダイヤモンドのCTEに近似のCTEを有する材料を含んでなる。一つの実施形態では、前記前駆体本体は、前記超硬粒を結束し得る有機結合剤材料などの結合剤材料を含んでなる。一つの実施形態では、前記超硬粒の間の少なくとも一部の隙間に結合剤材料が含有される。一つの実施形態では、前記隙間の少なくとも一部が、少なくとも部分的に多孔である。一つの実施形態では、前記前駆体本体はダイヤモンド粒を含んでなり、少なくとも一部は互いに相互結合し骨格塊を形成する。一つの実施形態では、前記前駆体本体は、PCD材料を含んでなる。一つの実施形態では、前記前駆体本体は、PCD材料を作製する緑色本体を含んでなる。一つの実施形態では、該方法は、隙間の少なくとも一部がダイヤモンド用触媒材料で埋められているPCD材料を含んでなるPCD本体を提供することによりダイヤモンド本体を調製することと、PCD本体を処理して隙間の少なくとも一部から前記触媒材料の少なくとも一部を除去することとを含む。いくつかの実施形態では、前記前駆体本体の平均円相当径ECDが、最大でも約500ミクロン、最大でも約100ミクロン、最大でも約50ミクロンまたは最大でも約40ミクロンである超硬粒を含んでなる。いくつかの実施形態では、前記前駆体本体の平均ECDが、少なくとも約1ミクロン、少なくとも約10ミクロンまたは少なくとも約20ミクロンである超硬粒を含んでなる。一つの実施形態では、前記超硬粒は多モード粒度分布を有する。いくつかの実施形態では、前記添加粒子の平均ECDは、少なくとも約20ナノメートル、少なくとも約50ナノメートルまたは少なくとも約100ナノメートルである。いくつかの実施形態では、前記添加粒子の平均ECDは、最大でも約2ミクロン、最大でも約1ミクロン、最大でも約500ナノメートル、さらには最大でも約100ナノメートルでさえある。いくつかの実施形態では、前記隙間の平均ECDは、前記添加粒子の平均ECDの少なくとも約5倍、少なくとも約10倍、さらには少なくとも約20倍でさえある。いくつかの実施形態では、前記前駆体本体の少なくとも1領域内の超硬粒の含有量は、前記前駆体本体内の少なくとも約50体積または少なくとも約60体積である。いくつかの実施形態では、前記前駆体本体の少なくとも1領域内の超硬粒の含有量は、前記前駆体本体の最大でも約85体積または最大でも約90体積である。いくつかの実施形態では、該方法は、EPD、粉末冶金、または、フィルタープレス、遠心鋳造法、ゲル鋳込またはEPDなど、当技術分野で既知のその他の方法により前記前駆体本体を調製することを含む。いくつかの実施形態では、該方法は、熱圧、冷圧または予備焼結などを含む方法により前駆体本体を調製することを含む。一つの実施形態では、前記添加粒子は、極性媒体中で分散および安定化し、別の実施形態では、前記添加粒子は、非水媒体中で分散および安定化する。いくつかの実施形態では、超硬粒の体積含有量が高く、その結果、材料の摩耗耐性が高い多結晶超硬材料を形成することが可能である。さらなる態様の観点から、超硬粒の平均近接度が少なくとも約62パーセントまたは少なくとも約64パーセントである超硬粒の塊を含んでなる多結晶超硬材料を提供する。いくつかの実施形態では、前記超硬粒の近接度は、最大でも約92パーセント、最大でも約85パーセント、さらには最大でも約80パーセントでさえある。いくつかの実施形態では、前記多結晶超硬材料はPCDであり、前記超硬粒はダイヤモンドを含んでなる。一つの実施形態では、前記多結晶超硬材料はPCBNであり、前記超硬粒はcBNを含んでなる。いくつかの実施形態では、前記多結晶超硬材料の格子間平均自由行程は、少なくとも約0.05ミクロン、少なくとも約0.1ミクロン、少なくとも約0.2ミクロンまたは少なくとも約0.5ミクロンである。いくつかの実施形態では、前記多結晶超硬材料の格子間平均自由行程は、最大でも約1.5ミクロン、最大でも約1.3ミクロンまたは最大でも約1.0ミクロンである。いくつかの実施形態では、平均自由行程の標準偏差は、最大でも約1ミクロンまたは最大でも約1.5ミクロンであり、いくつかの実施形態は、平均自由行程の標準偏差は、少なくとも約0.05ミクロンまたは少なくとも約0.2ミクロンである。いくつかの実施形態では、多結晶超硬材料は、平均円相当径が最大でも約50ミクロンまたは最大でも約40ミクロンである超硬粒を含んでなる。一つの実施形態では、多結晶超硬材料は、平均円相当径が少なくとも約1ミクロンまたは少なくとも約10ミクロンである相互結合性超硬粒を含んでなる。いくつかの実施形態では、前記多結晶超硬材料の超硬粒含有量は、該多結晶超硬材料の少なくとも約70体積パーセント、少なくとも約80体積パーセント、少なくとも約88体積パーセント、少なくとも約90体積パーセント、少なくとも約92体積パーセント、さらには少なくとも約96体積パーセントでさえある。一つの実施形態では、前記多結晶超硬材料の超硬粒含有量は、該多結晶超硬材料の最大でも約98体積パーセントである。いくつかの実施形態では、前記多結晶超硬材料は、ダイヤモンド用触媒材料を含んでなるPCD材料であり、該触媒材料の含有量は、該PCD材料の最大でも約10体積パーセント、最大でも約8体積パーセント、さらには最大でも約4体積パーセントである。一つの実施形態では、該PCD材料は、実質上、ダイヤモンド用触媒材料を含まない少なくとも一つの領域を含んでなる。いくつかの実施形態では、前記多結晶超硬材料の摩耗耐性が高いという利点が存在し得る。前記多結晶超硬材料がPCDである実施形態では、使用時に経験され得るように、PCD材料の摩耗耐性が昇温において高いという利点を有する可能性がある。さらなる態様の観点から、前記多結晶超硬材料の一実施形態を含んでなる超硬摩耗素子を提供する。一つの実施形態では、前記超硬摩耗素子は複数の領域を含んでなり、各領域は、少なくとも一つの異なる構造特性を有する多結晶超硬材料を含んでなり、その非限定例は超硬粒の近接度、平均超硬粒度、超硬粒含有量、およびダイヤモンド用触媒の含有量を含んでもよい。いくつかの実施形態では、前記領域の少なくとも一部は、層または階層の形式をしている。一つの実施形態では、前記領域の少なくとも一つは、ダイヤモンド用金属系触媒材料が少ないか、または実質的に存在しない。一つの実施形態では、前記超硬摩耗素子は、超硬合金の材料を含んでなる基材に結合された多結晶超硬材料を含んでなる構造を含んでなる。いくつかの実施形態では、前記超硬摩耗素子は、金属を含んでなる被加工物の機械加工、穿削または切断に使用される。いくつかの実施形態では、前記超硬摩耗素子により、機械加工または摩耗用途の耐用年数が延長されるという利点が存在し得る。本明細書で使用される多結晶超硬材料は、少なくとも約28GPaビッカーズ硬度を有し、ダイヤモンドまたは立方晶窒化ホウ素cBNなどの超硬の塊を含んでなる。超硬材料の特定の例として、多結晶ダイヤモンドPCDおよび多結晶立方晶窒化ホウ素PCBNが挙げられる。本明細書で使用される多結晶ダイヤモンドPCD材料は、実質的に相互成長したダイヤモンド粒の塊を含んでなり、該ダイヤモンド粒の隙間を画定する骨格構造を形成する材料であり、該材料は少なくとも約80体積のダイヤモンドを含んでなる。本明細書で使用される多結晶立方晶窒化ホウ素PCBN材料は、摩耗耐性マトリックス内で結束された立方晶窒化ホウ素cBN粒の塊を含んでなる材料であり、cBN含有量はPCBNの少なくとも約40体積である。本明細書で使用される超硬摩耗素子は、超硬材料を含んでなる素子であり、硬質材料もしくは研磨材を含んでなる被加工物もしくは本体の侵食、掘削、切削または機械加工など、摩耗用途に使用される。本明細書で使用される電気泳動は、外部静電場の影響下で懸濁した流体に関連する分散した電荷添加粒子の挙動である。本明細書で使用される粒子の平均円相当径ECDは、粒子の断面と同じ領域を有する円の直径である。複数の粒子のECD粒度分布および平均粒径の測定は、本体の断面または表面の画像分析により、非結合粒子を個別に測定してもよく、または前記本体内で結合した粒子を測定してもよい。本明細書で使用される粒塊の多モード粒度分布には一つ以上のピークが含まれるか、または一つ以上の粒度分布の重ね合わせに分解され得、それぞれは単一のピークを有し、各ピークはそれぞれにモードに相応する。多モードの多結晶本体は、通常、各原料が実質的に異なる平均径の粒を含んでなる、複数の粒の複数の原料を提供し、前記粒または前記原料由来の粒を混ぜ合わせることにより作製される。本明細書で使用される緑色本体は、焼結用であるか、または部分的にすでに焼結されているが、まだ完全に焼結されておらず、完成品とはなっていない製品である。通常は自己支持型であってもよく、かつ意図された最終製品の一般的形式を有してもよい。本明細書で使用される粒の近接度κは、粒間の接触または結合または接触と結合双方の組み合わせの測定であり、多結晶超硬材料の研磨部分の画像分析から取得するデータを利用して、以下の式に従って計算する。式中、δは超硬粒の周囲長であり、βは結合剤の周囲長である。超硬粒の周囲長は、他の超硬粒と接触する超硬粒の表面積の比率である。単位体積当たりの、超硬粒の総表面積で除算した粒間の接触総面積として測定する。結合剤の周囲長は、他の超硬粒と接触しない超硬粒の表面積の比率である。実際には、近接度の測定は、研磨部表面の画像分析により行われ、分析された部分内の粒間の全接触面上の全接点を貫く線をすべて合わせた合計が超硬粒の周囲長となり、前記結合剤の周囲長も同様である。図面1に関して、多結晶超硬材料10の一実施形態は、超硬粒の平均近接度が約64パーセントである超硬粒12を含んでなる。前記超硬粒12の間の隙間14は、前記超硬粒12により画定される。一つの実施形態では、前記超硬粒は相互結合して骨格塊を形成するダイヤモンド粒である。図面2に関して、金属の機械加工用のドリルビット20図示無しの形態における超硬素子の一実施形態は、図面1に関して記載された、多結晶超硬材料の一実施形態を含んでなる超硬骨格22の一実施形態を含んでなり、前記多結晶超硬構造22は、タングステン超硬合金基材24に結合している。図面3A、図面3Bおよび図面3Cに関して、多結晶超硬材料の一実施例を行う方法の一実施形態には、超硬粒42および該超硬粒42間の隙間44を含んでなる前駆体本体40を提供することと、電場印加により、ナノサイズの超硬添加粒子50を前記前駆体本体40の前記隙間44に埋めて、予備焼結本体を形成することとを含む。前記前駆体本体40を、電気泳動セル30の陽極32に接続し、前記前駆体本体40の主要面を陰極34の方へ向ける。当業者であれば、陽極と陰極の配置が非常に異なる電気泳動セルも使用できると理解するであろう。例えば、電極を横向きにし、一方を他方の上に配置してもよい。前記前駆体本体40および前記陰極34の少なくとも一部を平均粒径が約50nmである添加粒子50を含有する安定的水性懸濁液36に浸す。磁気攪拌機38を使用して、懸濁液中の添加粒子を維持する。一つの実施例では、約200Vの直流電位を約5分間印加して、陽極32と陰極34の間に電場を発生させ、前記前駆体本体40内の隙間に懸濁液36から添加粒子50を引き寄せてもよい。当業者であれば、懸濁液の酸性度、分散物の種類および量などの工程条件を理解し、ならびに添加粒子表面の化学的性質を最適化することができるだろう。得られた予備焼結本体は、超硬粒62および隙間64を含んでなる微小構造60を有し、少なくともその一部には添加粒子50が含まれるが、次にセル30から除去し、乾燥し、それから焼結する。前記前駆体本体がダイヤモンド粒を含んでなる実施形態では、前記予備焼結本体を、ダイヤモンド用触媒材料の存在下で、約1350°Cの温度および約5.5GPaの圧力にさらして、PCD材料の一実施形態を形成してもよい。イオン浸透膜は、電気泳動セルの陽極と陰極の間に置いてもよい。これの有利な点は、陽極表面から発生するかもしれない気体から前駆体本体を保護しつつ、イオンが陽極と前駆体本体の間のイオン浸透膜を通過できるようにさせるということであり得る。陽極から発生する気体は、電気泳動堆積の工程を妨げ、添加粒子の前記前駆体本体の隙間への電気泳動堆積の効率性が低下する可能性がある。ダイヤモンド粒は典型的に負の電荷であり、正に荷電した陽極の方に移動する傾向がある。ダイヤモンド粒子は通常、水性媒体または有機媒体に懸濁されると表面が負に荷電し、そのため、電場内におけるダイヤモンド粒子の挙動を促すことができる。いくつかの実施形態では、懸濁液中のダイヤモンド添加粒子に追加で荷電する必要はない。溶液中の過剰なH陽子を利用可能としたいかなる溶液も、例えば、ダイヤモンドを希釈された15塩酸で予備洗浄し、次に脱イオン水で洗浄し、塩化物イオンの全ての痕跡を除去するか、またはダイヤモンドをアセトンおよびヨウ素の溶液に暴露させることで米国特許第6258237号に記載、正に荷電したダイヤモンドを生じさせる。いくつかの実施形態では、超音波、磁気攪拌、または、添加粒子の懸濁液に対しその他の好適な攪拌処理を行うことで、確実に懸濁液を均質にし、添加粒子を堆積させるようにし得る。添加粒子がナノサイズのダイヤモンド粒子である一つの実施形態では、単に攪拌しただけで十分である。添加粒子は、焼結された多結晶超硬材料中で顕在化する場合もあるが、焼結工程中に実質的に溶解する可能性もあり、それは焼結条件、特に焼結時間に依る。多結晶超硬材料がPCDである実施形態では、ダイヤモンド用触媒材料の存在下で焼結時間が長ければ長いほど、通常は、ナノ粒子がPCD材料中で顕在化する可能性は低くなる。前駆体本体がダイヤモンド粒を含んでなる実施形態では、ダイヤモンド用触媒材料またはその他の非ダイヤモンド材料、あるいはその両方を含んでなる添加粒子を利用して、その結果、ダイヤモンド粒間の相互結合性を改善することとなる場合があり、よって、ダイヤモンドの近接度も改善し、かつPCD焼結体の強度を高めることができる。特定の任意の仮説に制約されることを望まないが、その理由は、少なくとも部分的には、本方法では、混合するなどして、添加粒子を導入するその他の方法の場合に発生し得る様に、互いに接触する接点において、隣接するダイヤモンド粒間に添加粒子が挿入されるのを実質的に回避するからである。このようにして、隣接するダイヤモンド粒の直接的相互結合が、焼結中に増加する可能性がある。米国特許出願第2004/053767号は、非晶質SiO2から作製された多孔性緑色本体が、緑色本体の孔にSiO2粒子の電気泳動堆積させることで、さらに濃密にされる。米国特許第6699808号は、分散媒体中の非晶質SiO2粒子を均質に分散させることを開示し、前記分散物は、非晶質SiO2粒子の少なくとも80重量の固体含有量を有し、前記非晶質SiO2粒子は2形態の粒子径分布を有する。ダイヤモンド粒子の電気泳動はまたFabricationofdiamondSchottkyemitterarraybyusingelectrophoresispretreatmentandhotfilamentchemicalvapordepositionDiamondandRelatedMaterialsVolume16Issues47AprilJuly2007Pages13981402;ProceedingsofDiamond2006the17thEuropeanConferenceonDiamondDiamondLikeMaterialsCarbonにおいて既知である。米国特許第6258237号は、基材の表面にダイヤモンド粒子を堆積させる方法を開示しており、該方法は、aダイヤモンド粒子に正荷電し、正電荷のダイヤモンド粒子を得る、およびb前記基材の表面に緑色のダイヤモンド粒子被膜をつけるために、正電荷のダイヤモンド粒子を基材の表面に電気泳動堆積させることを含んでなる。前記添加粒子を前駆体本体の隙間に引き寄せる代替方法を使用してもよい。代替方法の非制限的例として、フィルタープレス、ゲル鋳込、粉末冶金または遠心鋳造法が含まれ得る。近接度は、画像分析ソフトにより研磨部分またはPCD素子の表面のSEM画像を使って測定する。特に、SoftImagingSystem登録商標GmbH製のanalySISProOlympusSoftImagingSolutionsGmbHの商標という商品名のソフトウェアを使ってもよい。このソフトウェアは、SeparateGrainsフィルターを備え、分離される構造が閉構造であるなら、操作マニュアルに従って操作しさえすれば満足のいく結果を提供する。よって、このフィルターを適用する前にすべての孔を満たしておくことが重要である。例えば、Morph.Closeコマンドを使用してもよく、またはfillholeモジュールからヘルプを得てもよい。このフィルターに加え、Separatorも、粒分離に利用できる別の強力なフィルターである。この分離は、操作マニュアルに従って、カラー値画像およびグレー値画像にも適用され得る。画像分析に使用される画像は、後方散乱電子信号を用いて撮影する走査電子顕微鏡SEMにより取得されなければならない。光学顕微鏡の焦点の深さは通常は十分でなく、実質的には異なるコントラストを生み出す。粒と粒の境界はグレースケールコントラストを基に特定され得るため、近接度の測定のためには適切なコントラストが重要となる。いくつかの実施形態では、高い摩耗耐性が示され得る。特定の任意の仮説に制約されることを望まないが、これは、超硬材料の含有量が増加し、超硬粒の間の接触または相互成長が増加した結果だと言えるかもしれない。以下の非制限的実施例を参照しつつ、さらに詳細に実施形態について記載する。実施例1平均粒子径が約30ミクロンである約0.5重量のダイヤモンド粒子と、アルコール系有機結合剤を含んでなるテープを、粉末冶金により調製した。次に、大気中で約150~220°Cに加熱して、結合剤を部分的にテープから除去し、理論上約62の密度を有し、平均孔径が約3ミクロンである多孔テープを産生した。緑色テープ中の残りの結合剤により結束は十分であった。次に、直径が約17mmである前駆体ディスクを多孔テープから切断した。前駆体ディスクを、平均粒径が約50nmである2.5体積のダイヤモンドナノ粒子を含有する安定した水溶性懸濁液を擁する電気泳動セルに入れた。ダイヤモンドナノ粒子を、0.5のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを支持電解質として含有する約97.5mlの脱イオン水に懸濁した。前記前駆体ディスクが陽極として機能し、白金被覆チタン素子は、使用時に陰極として機能し、前記前駆体ディスクの平坦な表面が陰極に直面するようセルを配置した。約200Vの直流電位を5分間印加し、懸濁液からダイヤモンドナノ粒子を前記前駆体ディスクの孔へと引き寄せ、予備焼結ディスクを形成した。次に、該予備焼結ディスクをセルから取り除き、約100度で一晩中オーブンで乾燥させた。乾燥した予備焼結ディスクを解析すると、理論上約70の密度であることが明らかになった。当技術分野で周知の通り、前記予備焼結ディスクをコバルトタングステン超硬合金の円筒基材上に置き、超高圧炉で処理するためにカプセル内に封入して、予備焼結集合体を作製した。次に、該予備焼結の集合体を、圧力約5.5GPaおよび温度約1350°Cでの処理に約15分間さらして、前記基材に結合した多結晶ダイヤモンドPCD焼結体の層を産生した。周知の通り、ダイヤモンド粒子の焼結は、前記基材から引き寄せられた溶融コバルトが触媒となり、その結果、PCD中に約7.7体積パーセントのコバルト含有量を含むようになった。PCDの画像解析により、相互結合したダイヤモンド粒子の骨格塊の近接度は約66.2であることが明らかとなった。顕微鏡解析により、前記ナノ粒子は、最終PCD焼結体に実質的には存在しないことがさらに明らかとなった。一つの仮説によると、前記ナノ粒子は分解し、結合されたダイヤモンド粒子間の相互結合のくびれでダイヤモンド材料として再沈殿したため、PCD焼結体材料の強度を改善されたということになる。比較のため、結合剤添加前の平均粒径が約30ミクロンであるより目の粗いダイヤモンド粒子と混ぜ合わせたダイヤモンドナノ粒子を、前駆体ディスク内に導入して、対照のPCDサンプルを作製した。ダイヤモンドナノ粒子とダイヤモンド粗粒子の重量比は約1対20であった。ナノ粒子と粗粒子の混合物を、エタノール系液体媒体中で高剪断混合にかけて、十分に混ぜ合わせた後に乾燥した。前駆体ディスクをテープから切断し、理論上の密度が約59であることが判明した。該ディスクを集め、上記の通り超高圧炉で処理した。解析の結果、前記PCD焼結体は約8.4体積であり、ダイヤモンド近接度は約62.1であることが明らかとなった。実施例2別の予備焼結の集合体を実施例1に記載の通りに調製し、実施例1に記載と同じ圧力および温度で処理した。但し、超高圧高温での処理時間は僅か2分であった。こうして産生された前記PCDを解析したところ、ダイヤモンドナノ粒子は顕在化しており、つまり、実施例1で完全には分解していなかったことを示した。実施例3実施例1の多孔テープから切断した別の前駆体ディスクを、実施例1に記載の電気泳動堆積セルに入れた。但し、ダイヤモンドナノ粒子を使用する代わりに、2.5体積の酸化ジルコニウムZrO2のナノ粒子を安定した水性懸濁液で懸濁した。該酸化ジルコニウムナノ粒子の平均粒径も約50nmであった。前記前駆体ディスクを電気泳動工程にかけ、乾燥して予備焼結を産生した後、前記予備焼結ディスクを基材で超高圧炉用のカプセル内に封入し、圧力約5.5GPaおよび温度約1350°Cで焼結した。前記PCD焼結体のダイヤモンド近接度は63.1、コバルト含有量は7.2であった。