"半導体を吸着する吸着面を有するサセプターと、このサセプター内に埋設されている静電チャック電極とを備えている静電チャックであって、前記サセプターが、板状本体部と、前記吸着面に面する表面耐食層とを備えており、前記表面耐食層が、マグネシウム、アルミニウム、酸素及び窒素を主成分とするセラミックス材料であって、酸化マグネシウムに窒化アルミニウムが固溶したMgO-AlN固溶体の結晶相を主相とするセラミックス材料からなることを特徴とする、静電チャック。前記静電チャック電極に高周波電圧を印加可能であることを特徴とする、請求項1記載の静電チャック。前記表面耐食層の前記板状本体部側の主面上に前記静電チャック電極が設けられていることを特徴とする、請求項1または2記載の静電チャック。前記板状本体部の内部に埋設されている発熱体を備えていることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一つの請求項に記載の静電チャック。前記MgO-AlN固溶体は、CuKα線を用いたときの200面及び220面のXRDピークが酸化マグネシウムの立方晶のピークと窒化アルミニウムの立方晶のピークとの間である2θ=42.9~44.8°,62.3~65.2°に現れる、請求項1~4のいずれか一つの請求項に記載の静電チャック。前記MgO-AlN固溶体は、CuKα線を用いたときの111面、200面及び220面のXRDピークが酸化マグネシウムの立方晶のピークと窒化アルミニウムの立方晶のピークとの間である2θ=36.9~39°,42.9~44.8°,62.3~65.2°に現れる、請求項5記載の静電チャック。前記MgO-AlN固溶体の200面、220面のXRDピークがそれぞれ2θ=42.92°以上,62.33°以上に現れる、請求項5または6記載の静電チャック。前記MgO-AlN固溶体の200面、220面のXRDピークがそれぞれ2θ=42.95°以上,62.35°以上に現れる、請求項5~7のいずれか一つの請求項に記載の静電チャック。前記MgO-AlN固溶体の200面、220面のXRDピークがそれぞれ2θ=43.04°以上,62.50°以上に現れる、請求項5~8のいずれか一つの請求項に記載の静電チャック。前記MgO-AlN固溶体の200面、220面のXRDピークがそれぞれ2θ=43.17°以上,62.72°以上に現れる、請求項5~9のいずれか一つの請求項に記載の静電チャック。前記MgO-AlN固溶体の200面のXRDピークの積分幅が0.50°以下である、請求項1~10のいずれか一つの請求項に記載の静電チャック。前記セラミックス材料がAlN結晶相を含まない、請求項1~11のいずれか一つの請求項に記載の静電チャック。前記セラミックス材料が、CuKα線を用いたときのXRDピークが少なくとも2θ=47~49°に現れるマグネシウム-アルミニウム酸窒化物相を副相として含む、請求項1~12のいずれか一つの請求項に記載の静電チャック。前記マグネシウム-アルミニウム酸窒化物相の2θ=47~49°のXRDピーク強度をA、前記MgO-AlN固溶体の220面の2θ=62.3~65.2°のXRDピーク強度をBとしたとき、A/Bが0.03以上である、請求項13記載の静電チャック。前記A/Bが0.14以下である、請求項14記載の静電チャック。前記マグネシウム-アルミニウム酸窒化物相の2θ=47~49°のXRDピーク面積をa、前記MgO-AlN固溶体の220面の2θ=62.3~65.2°のXRDピーク面積をb、スピネルMgAl2O4の400面の2θ=45.0°のXRDピーク面積をc、窒化アルミニウムAlNの002面の2θ=36.0°のXRDピーク面積をdとしたとき、acd/abcd値が0.1以下である、請求項1~15のいずれか一つの請求項に記載の静電チャック。前記板状本体部が、窒化アルミニウム、酸化イットリウムまたは酸化アルミニウムを主相とするセラミックスからなることを特徴とする、請求項1~16のいずれか一つの請求項に記載の静電チャック。以下、本発明で用いる新規なセラミックス材料を説明し、次いで静電チャックの構成を説明する。[セラミックス材料]本発明のセラミックス材料は、マグネシウム、アルミニウム、酸素及び窒素を主成分とするセラミックス材料であって、酸化マグネシウムにアルミニウム、窒素成分が固溶したMgO-AlN固溶体の結晶相を主相とするものである。本発明においては、酸化マグネシウムの結晶格子の中にアルミニウム、窒素成分が固溶したものをMgO-AlN固溶体と称する。本発明のセラミックス材料は、耐食性は酸化マグネシウムと比べて同等であり、耐湿性、耐水性は酸化マグネシウムよりも優れている。このため、このセラミックス材料からなる半導体製造装置用部材は、半導体製造プロセスにおいて使用される反応性の高いF、Cl等のハロゲン系プラズマに長期間耐えることができ、この部材からの発塵量を低減することができる。その上、耐湿性、耐水性が高いため、通常の酸化マグネシウムよりも変質し難く、湿式の加工にも強い特徴がある。また、本発明のセラミックス材料は、酸化マグネシウムの結晶構造を維持し、酸化マグネシウムより低い電気抵抗を有する。これは、酸化マグネシウム結晶にアルミニウムや窒素が固溶することにより、酸化マグネシウム中のキャリアが増加したためと思われる。本発明のセラミックス材料は、マグネシウム、アルミニウム、酸素及び窒素を主成分とするセラミックス材料であって、酸化マグネシウムに窒化アルミニウム成分が固溶したMgO-AlN固溶体の結晶相を主相とするものである。このMgO-AlN固溶体は、耐食性が酸化マグネシウムと同等であり、耐湿性や耐水性は酸化マグネシウムよりも優れていると考えられる。このため、このMgO-AlN固溶体の結晶相を主相とするセラミックス材料も、耐食性、耐湿性、耐水性が高くなったと考えられる。なお、本発明のセラミックス材料は、酸化マグネシウムに窒化アルミニウム、酸化アルミニウムを加えることにより、アルミニウム、窒素成分の固溶量を著しく増加することができる。このため、このMgO-AlN固溶体には、窒素の固溶量に対してアルミニウムが多く含まれているものとしてもよい。このMgO-AlN固溶体は、CuKα線を用いたときの111面、200面及び220面のXRDピークが酸化マグネシウムの立方晶のピークと窒化アルミニウムの立方晶のピークとの間である2θ=36.9~39°,42.9~44.8°,62.3~65.2°に現れるものであることが好ましい。あるいは、MgO-AlN固溶体は、CuKα線を用いたときの200面及び220面のXRDピークが酸化マグネシウムの立方晶のピークと窒化アルミニウムの立方晶のピークとの間である2θ=42.9~44.8°,62.3~65.2°に現れるものとしてもよく、更に、111面のXRDピークが酸化マグネシウムの立方晶のピークと窒化アルミニウムの立方晶のピークとの間である2θ=36.9~39°に現れるものとしてもよい。111面のピークが他の結晶相のピークとの判別を行いにくい場合があることから、200面及び220面のXRDピークのみ上記範囲に現れるものとしてもよい。同様に、200面または220面のピークも他の結晶相のピークとの判別を行いにくい場合がある。アルミニウム、窒素成分の固溶量が多いほど、耐湿、耐水性が向上する。固溶量の増加に伴って、酸化マグネシウムのXRDピークは高角側にシフトする。したがって、MgO-AlN固溶体の200面、220面のXRDピークがそれぞれ2θ=42.92°以上,62.33°以上に現れるものが、耐湿性をより高めることができ、より好ましい。また、MgO-AlN固溶体の200面、220面のXRDピークがそれぞれ2θ=42.95°以上,62.35°以上に現れるものが、耐湿性及び耐水性をより高めることができ、より好ましい。また、MgO-AlN固溶体の200面、220面のXRDピークがそれぞれ2θ=43.04°以上,62.50°以上であると、耐湿性、耐水性をより高めることができ、好ましい。また、MgO-AlN固溶体の200面、220面のXRDピークがそれぞれ2θ=43.17°以上,62.72°以上であると、耐湿性はもとより、耐水性をより高めることができ、より好ましい。また、MgO-AlN固溶体の積分幅が小さいほど耐水性が向上することを見出した。すなわち、MgO-AlN固溶体の200面のXRDピークの積分幅は、0.50°以下であることが耐水性を向上する上で好ましく、0.35°以下であることがより好ましい。本発明のセラミックス材料は、副相としてAlN結晶相を含むと耐食性が低下する傾向があるため、AlN結晶相は少ないことが好ましく、含まないことがより好ましい。本発明のセラミックス材料は、CuKα線を用いたときのXRDピークが少なくとも2θ=47~49°に現れるマグネシウム-アルミニウム酸窒化物相を副相として含んでいてもよい。このマグネシウム-アルミニウム酸窒化物も耐食性が高いため、副相として含まれていても問題ない。このマグネシウム-アルミニウム酸窒化物相は、含有量が多いほど機械特性を向上することができ、中でも強度、破壊靱性の向上に有効に作用する。但し、本発明のMgO-AlN固溶体と比較すると耐食性が低いため、耐食性の点から含有量には限度がある。マグネシウム-アルミニウム酸窒化物相の2θ=47~49°のXRDピーク強度をA、MgO-AlN固溶体の220面の2θ=62.3~65.2°のXRDピーク強度をBとしたとき、A/Bが0.03以上であることが好ましい。こうすれば、機械特性をより高めることができる。このA/Bは、耐食性の観点からは、A/B=0.14以下であることが好ましい。本発明のセラミックス材料は、混合粉末中のマグネシウム/アルミニウムのモル比が0.5以上であることが好ましい。本発明のセラミックス材料において、開気孔率は5以下であることが好ましい。ここでは、開気孔率は、純水を媒体としたアルキメデス法により測定した値とする。開気孔率が5を超えると、強度が低下するおそれや材料自身が脱粒によって発塵し易くなるおそれがあり、更に材料加工時等で気孔内に発塵成分がたまり易くなるため好ましくない。また、開気孔率は、できるだけゼロに近いほど好ましい。このため、特に下限値は存在しない。また、本発明のセラミックス材料は、異相が少ないものとしてもよい。MgO-AlN固溶体を主相とするセラミックス材料の場合、マグネシウム-アルミニウム酸窒化物相の2θ=47~49°のXRDピーク面積をa、2θ=62.3~65.2°のMgO-AlN固溶体の220面のXRDピーク面積をb、2θ=45.0°近傍のスピネルMgAl2O4の400面のXRDピーク面積をc、2θ=36.0°近傍の窒化アルミニウムAlNの002面のXRDピーク面積をdとしたときに、acd/abcd値が0.1以下であることが好ましい。acd/abcd値が小さいほど、セラミックス材料にしめるMgO-AlN固溶体の割合が大きく、異相となる可能性があるマグネシウム-アルミニウム酸窒化物相、スピネルMgAl2O4、および窒化アルミニウムAlNなどの合計量が少ないことを示す。この、異相が少ないセラミックス材料、例えばacd/abcd値が0.1以下であるセラミックス材料は、スパッタリングターゲット部材に利用することが好ましい。スパッタリングターゲット部材に異相を含む場合、主相と異相のスパッタリングレートが異なる可能性があるが、異相が少ない場合には、成膜される膜の均質性の低下をより抑制することができ、スパッタリングターゲット部材からの発塵の発生などをより抑制することができる。このほか、アルミニウム、窒素の固溶により、酸化マグネシウムの格子定数が変化することから、固溶量に伴い格子定数を調整でき、それによって被成膜材との格子の整合性を調整できる。[セラミックス材料の製造]本発明のセラミックス材料は、酸化マグネシウムと窒化アルミニウムとアルミナとの混合粉末を、成形後焼成することにより製造することができる。原料の混合粉末としては、49質量以上の酸化マグネシウムと、窒化アルミニウムとアルミナ酸化アルミニウムとを含むものが好ましく、耐食性の観点からは、混合粉末組成において、酸化マグネシウムが70質量以上99質量以下、窒化アルミニウムが0.5質量以上25質量以下、酸化アルミニウムが0.5質量以上25質量以下となるように混合したものがより好ましく、酸化マグネシウムが70質量以上90質量以下、窒化アルミニウムが5質量以上25質量以下、酸化アルミニウムが5質量以上25質量以下となるように混合したものが更に好ましい。また、機械特性と耐食性とを同時に発現する観点からは、混合粉末組成において、酸化マグネシウムが49質量以上99質量以下、窒化アルミニウムが0.5質量以上25質量以下、酸化アルミニウムが0.5質量以上30質量以下となるように混合したものが好ましく、酸化マグネシウムが50質量以上75質量以下、窒化アルミニウムが5質量以上20質量以下、酸化アルミニウムが15質量以上30質量以下となるように混合したものが更に好ましい。焼成温度は1650°C以上とすることが好ましく、1700°C以上とすることがより好ましい。焼成温度が1650°C未満では、目的とするMgO-AlN固溶体が得られないおそれがあるため好ましくない。また、焼成温度が1700°C未満では、副相としてAlNが含まれるおそれがあり、高耐食を得るためには1700°C以上で焼成する方がよい。なお、焼成温度の上限は、特に限定するものではないが、例えば1850°Cとしてもよい。また、焼成はホットプレス焼成を採用することが好ましく、ホットプレス焼成時のプレス圧力は、50~300kgf/cm2で設定することが好ましい。焼成時の雰囲気は、酸化物原料の焼成に影響を及ぼさない雰囲気であることが好ましく、例えば窒素雰囲気やアルゴン雰囲気、ヘリウム雰囲気などの不活性雰囲気であることが好ましい。成形時の圧力は、特に制限するものではなく、形状を保持することのできる圧力に適宜設定すればよい。[静電チャック]第6~8図を適宜参照しつつ、本発明の静電チャックを説明する。第6図aの静電チャック1Aにおいては、サセプター11Aは、板状本体部3と誘電体層2とからなる。本例では、板状本体部3の背面3cがサセプター11Aの背面11bをなしている。板状本体部の上面3a側には誘電体層2が設けられており、誘電体層2の上面が吸着面11aをなしている。本例では、誘電体層2の板状本体部側の主面2a上に静電チャック電極4が形成されている。本例では、板状本体部3の側面3b、背面3cは耐食層によって被覆されていない。本例では、誘電体層2が表面耐食層をなしており、これを本発明の前記セラミックス材料によって形成する。吸着面11aは全面にわたって平坦である必要はなく、凹凸加工を行ったり、基板の大きさにあわせた溝を形成したり、パージガス用の溝を形成しても良い。図6bの静電チャック1Bにおいては、サセプター11Bは、板状本体部3と誘電体層2とからなる。本例では、板状本体部3の背面3cがサセプター11Bの背面11bをなしている。板状本体部の上面3a側には誘電体層2が設けられており、誘電体層2の上面が吸着面11aをなしている。本例では、更に、板状本体部の側面3bを被覆する側面耐食層5aが設けられている。本例では、誘電体層2が表面耐食層をなしており、これを本発明の前記セラミックス材料によって形成する。側面耐食層5aも本発明の前記セラミックス材料によって形成する。サセプター側面が腐蝕すると、パーティクルの原因となるだけでなく、側面からの熱放射特性が変化することでウエハ上温度均一性にも悪影響がある。本実施形態では、ウエハ側だけでなく、側面における腐蝕も抑制できる。図6cの静電チャック1Cにおいては、サセプター11Cは、板状本体部3と誘電体層2とからなる。本例では、板状本体部3の背面3cがサセプター11Cの背面11bをなしている。板状本体部の上面3a側には誘電体層2が設けられており、誘電体層2の上面が吸着面11aをなしている。本例では、更に、板状本体部の背面3cを被覆する背面被覆層5bが設けられている。本例では、誘電体層2が表面被覆層をなしており、これを本発明の前記セラミックス材料によって形成する。背面被覆層5bも本発明の前記セラミックス材料によって形成する。板状本体部の材質として、熱伝導率が前記セラミックス材料よりも高い材料を使用した場合には,板状本体部全体の熱伝導によってウエハ上温度均一性は向上する。しかし、この場合には、板状本体部3の背面3c側からの放熱量も大きくなるので、不均等な熱放射によってウエハ上温度均一性がかえって劣化する可能性がある。本実施形態では、板状本体部の背面側に前記セラミックス材料からなる背面被覆層を設けているので、背面側の耐食を図れるだけでなく、サセプター背面側からの熱放射を全体に抑制し、ウエハ上温度均一性を一層改善できる。図7aに示す静電チャック1Dは、図6aの静電チャック1Aと同様のものであるが、ただしサセプター11Dの板状本体部3中に抵抗発熱体6が埋設されている。図7bに示す静電チャック1Eは、図6bの静電チャック1Bと同様のものであるが、ただしサセプター11Eの板状本体部3中に抵抗発熱体6が埋設されている。図7cに示す静電チャック1Fは、図6cの静電チャック1Cと同様のものであるが、ただしサセプター11Fの板状本体部3中に抵抗発熱体6が埋設されている。好適な実施形態においては、静電チャックの背面側に冷却板を接合する。例えば、図7dに示す静電チャック1Gは、図6aの静電チャックAの背面に冷却板7を接着した構造である。むろん、図6b,c、図7a、b,cの各静電チャックの各背面側に対しても冷却板を接着して一体型の静電チャックとすることができる。この冷却板は金属材料、例えばアルミニウムを材料として製作された冷却剤通路好ましくは水路8付きの板状構造をしており、静電チャックの昇降温機能を補助する。発熱体は、サセプター内に埋設されていることが好ましいが、サセプターに取り付けられていても良い。また、発熱体は、サセプターから離れた位置に設けられた赤外線加熱素子のような外部発熱体であってよい。また、図8に示すように支持部を設けることもできる。すなわち、サセプター1Aの下面背面3cに支持部9が接合されている。本例では支持部は管状であり、支持部9中に電力供給部材10が収容されている。電力供給部材は、給電端子8を介して静電チャック電極4に接続されている。支持部は、好ましくは途中に段差を有しており、段差を境にしてサセプター側が大径部9b、反対側が小径部9aとなっている。大径部9bの端部にはフランジ9cが形成されている。そして、支持部はサセプターと中心軸が同軸となるように、大径部の端部がサセプターの背面に接合されている。サセプターは盤状であり、好ましくは略円盤状である。サセプターの大きさは、特に限定するものではないが、例えば直径280~380mm、厚さ8~20mmである。また、支持部を設ける場合には、サセプターと支持部との接合部分の外径は、直径として例えば40~120mmである。上述の例では、誘電体層が一層の表面耐食層からなる。しかし、誘電体層が、表面耐食層と一層以上の中間層とからなっていてよく、この場合には誘電体層と板状本体部との接着力を一層向上させることができる。本実施形態の静電チャックの使用例について以下に簡単に説明する。この静電チャックの吸着面にウエハを載置し、電極4の給電端子を介して電極4に直流高電圧を印加することにより静電気的な力を発生させ、それによってウエハを吸着面に吸着する。また、抵抗発熱体の給電端子にヒーター電源を接続し、供給する電力を制御することによりウエハを所望の温度に調節する。この状態で、ウエハにプラズマCVD成膜を施したり、プラズマエッチングを施したりする。[発熱体および静電チャック電極]発熱体、静電チャック電極は、例えば線状の導体を屈曲させ、巻回体に加工したものを使用可能である。発熱体の線径は0.3mm~0.5mm程度であり、コイル形状の場合には巻径は2mm~4mm程度であり、ピッチは1mm~7mm程度である。ここで巻径とは、コイルの内径を意味する。発熱体、静電チャック電極の形状としては、コイル形状の他にも、リボン状、メッシュ状、コイルスプリング状、シート状、膜状、印刷電極等の種々の形態を採用することもできる。なお、リフトピン等やパージガス用に設けられた貫通孔に隣接する部分では、発熱体を迂回させたりするなど、必要に応じてパターンの変形を行うことが望ましい。発熱体、静電チャック電極の材料としては、モリブデンMo、タングステンW、ニオブNb、タングステン/モリブデン化合物等の高融点導電材料を好ましく使用できる。また、タングステン、ニオブ、モリブデン、これらの合金、タングステン/モリブデン化合物、タングステンカーバイド等の高融点導電性材料粉末を含む印刷ペーストにアルミナ粉末を混合し、サーメットとすることができる。[板状本体部の材質]板状本体部の材質は、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、窒化アルミニウム、を例示でき、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、窒化アルミニウムが特に好ましい。特に、窒化アルミニウムを主相とする材質によって板状本体部を形成することにより、高熱伝導を維持でき、高耐食である前記セラミックス材料の表面温度を均一に保ちやすくなる。好適な実施形態においては、表面耐食層と板状本体部との線熱膨張係数差が0.3ppm/K以下である。この場合には、表面耐食層と板状本体部とを高温で接合例えば一体焼結により接合した際やこの積層体の高温-低温での使用を繰り返したりした際に、クラックや剥離が生じるおそれがない。板状本体部と各耐食層,背面被覆層とは、中間層を介して接合されていてもよい。こうすれば、例えば熱膨張率の違いによる耐食層、背面被覆層の剥離を、いっそう抑制することができる。この中間層は、耐食層、背面被覆層と板状本体部との中間の性質を有する層とする。具体的には、中間層は、前記セラミックス材料と、板状本体部の材料との混合物を焼結した複合セラミックスであってよい。また、中間層を複数層形成することができ、各中間層の組成を互いに異ならせることによって、傾斜材料層を形成することができる。[支持部の材質]支持部9いわゆるシャフトの材質は必ずしも限定はされず、以下を例示できる。窒化アルミニウム、アルミナ、スピネル、酸化マグネシウム好ましくは、支持部の材質も前記セラミックス材料とする。ただし、この場合にも、サセプターを形成する前記セラミックス材料と、支持部を形成する前記セラミックス材料とは、同一組成である必要はなく、前記の範囲で互いに異なる組成であってよい。本発明者らは、設計温度から外れると温度均一性が悪化する原因について考察した結果、高温では3種の熱伝導の形態のうち放射熱伝導による放熱への寄与が大きくなるためであると考えた。例えば、サセプターの中心部に支持部が接合されているため、低温で支配的な固体熱伝導が大きく寄与して、低温ではサセプター中心部からの熱の逃げが大きく、中心部の温度は高くならない。しかし、高温では放射熱伝導の寄与が相対的に大きく、サセプターの中央付近と比べて支持部がない外周付近の方が放射により熱が逃げやすいため、外周部の放射による放熱が相対的に大きくなり、外周部の温度が中心部に比較して低くなり、高温で温度均一性が悪化すると考えた。このため、支持部を前記セラミックス材料で形成すると、アルミナなどに比べて熱伝導性が低いので、広い範囲の作動温度において良好な温度均一性が得られ易い。[静電チャックの製造]本発明の静電チャックの製法は限定されるものではないが、好適な製法について、図9を参照しつつ説明する。a前記した製法に従い、酸化マグネシウムとアルミナと窒化アルミニウムとの混合粉末を焼成することにより、緻密な焼結体を作製する。すなわち、前述のような調合粉末を一軸加圧成形し、板状の成形体を作製する。この成形体をホットプレス焼結することにより、誘電体層用のセラミック焼結体2Aを得る。b次いで、図8aに示すように、焼結体2Aの片面2aを研磨加工し、平坦面を得る。後述する工程では、板状本体部用の焼結体を製造するときの焼成温度が、誘電体層用の焼結体の焼成温度に比べて、同程度若しくは低温である為、工程bで研磨した面の表面平坦度がほぼそのまま維持されると考えられる。このため、焼結体のうち電極を形成する主面2aの表面平坦度は、最終的にウエハ吸着面から平板電極までの厚みのバラツキである厚み変動度に大きく関与するパラメーターである。そして厚み変動度を100μm以下にする為には、工程bの段階で研磨した面2aの表面平坦度が10μm以下とすることが好ましく、5μm以下とすることがより好ましい。c次いで、図8bに示すように、焼結体2Aの研磨面2aに静電チャック電極4を形成する。例えば、電極や抵抗発熱体は、焼結体表面にスクリーン印刷法等により、印刷することにより形成できる。この場合、タングステン、ニオブ、モリブデン、これらの合金、タングステンカーバイド等の高融点導電性材料粉末を含む印刷ペーストにアルミナ粉末を混合することが好ましい。これによれば、電極や抵抗発熱体と基体との密着性を向上できる。電極材料は、焼結体との熱膨張率の差が小さいものが好ましく、例えば炭化モリブデンや炭化タングステンが特に好ましい。電極材料の平均粒径は、0.4μm以下が好ましい。さらには、0.2μm以下がより好ましい。又、電極は、焼結体上にメッシュ状の高融点導電性材料のバルク体金網や、多数の穴があけられた高融点導電性材料のバルク体パンチングメタル等を載置することによっても形成できる。又、抵抗発熱体は、焼結体上にコイル状線状の高融点導電性材料のバルク体や、メッシュ状の高融点導電性材料のバルク体金網を載置することによっても形成できる。d図8cに示すように、焼結体のうち電極ペーストを印刷した主面2a上に、アルミナなどのセラミックスを主成分とする原料粉末を成型して、成型体14とする。粉末の平均粒径が0.2μm以下であることが特に好ましい。この粉末を成型して、そして、軸方向に加圧しながら、窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気中で、焼結する。アルミナの場合には、窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気中で、1250~1350°Cで焼結することが好ましい。また、最高温度までは、昇温速度200°C/時間以下で昇温することが好ましい。また、最高温度では1~10時間保持することが好ましい。焼成方法は限定されないが、ホットプレス法を用いることが好ましい。緻密なアルミナ焼結体とすることができ、得られるアルミナ焼結体の体積抵抗率をより向上させることができるからである。この場合加える圧力は、10~30MPaが好ましい。基体としてより緻密な焼結体を得ることができるからである。表面耐食層の焼結温度が1750°C以上であったため、アルミナ焼結体の焼成温度では、表面耐食層が再焼結することはほとんどない。このため、アルミナ焼結体の焼成温度で表面耐食層が変形することなく、平板電極にうねりが生じることも無い。また、アルミナ焼結体は最終的には板状本体層になるものであり、本体層もウエハと平板電極との間に電圧を印加した際に絶縁破壊されないことが要求されるため、緻密であることが要求される。e次いで、図9dに示すように、焼結体2Aのうち窒化アルミニウム粉末焼結体3とは反対側の主面12を研磨してウエハ吸着面1aとする。これにより、該ウエハ吸着面から電極4までの厚みのバラツキを表す厚み変動度が100μm以下のサセプターを得ることができる。つまり電極4はアルミナ焼結体の焼成温度でうねりが発生することがないため、ウエハ吸着面からその平板電極までの厚みバラツキを小さく抑えることができる。こうして得られたサセプターの板状本体部3の背面中央に平板電極に至る挿通穴をあけ、その挿通穴に円筒状の端子8図8参照を取り付け、この端子を介して平板電極に電圧を印加できる様にする。[ハロゲン系腐食性ガス]本発明のサセプターは、ハロゲン系腐食性ガスおよびそのプラズマに対する耐蝕性に優れているが、特に以下のハロゲン系腐食性ガスまたはその混合物またはこれらのプラズマに対する耐蝕性が特に優れている。NF3、CF4、ClF3、Cl2、BCl3、HBr[セラミックス材料の製造と評価]以下に、本発明の好適な適用例について説明する。実験例1~16のMgO原料、Al2O3原料及びAlN原料は、純度99.9質量以上、平均粒径1μm以下の市販品を使用し、実験例17~28ではMgO原料に純度99.4質量,平均粒径3μmの市販品、Al2O3原料に純度99.9質量,平均粒径0.5μmの市販品、AlN原料に実験例1~16と同じ平均粒径1μm以下の市販品を使用した。ここで、AlN原料については1質量程度の酸素の含有は不可避であるため、酸素を不純物元素から除いた純度である。なお、実験例1~4,7~17,21,23~28が本発明の実施例に相当し、実験例5~6,18~20,22が比較例に相当する。[実験例1~3]調合MgO原料、Al2O3原料及びAlN原料を、表1に示す質量となるように秤量し、イソプロピルアルコールを溶媒とし、ナイロン製のポット、直径5mmのアルミナ玉石を用いて4時間湿式混合した。混合後スラリーを取り出し、窒素気流中110°Cで乾燥した。その後、30メッシュの篩に通し、混合粉末とした。なお、この混合粉末のMg/Alのモル比は2.9である。成形混合粉末を、200kgf/cm2の圧力で一軸加圧成形し、直径35mm、厚さ10mm程度の円盤状成形体を作製し、焼成用黒鉛モールドに収納した。焼成円盤状成形体をホットプレス焼成することによりセラミックス材料を得た。ホットプレス焼成では、プレス圧力を200kgf/cm2とし、表1に示す焼成温度最高温度で焼成し、焼成終了までAr雰囲気とした。焼成温度での保持時間は4時間とした。[実験例4]焼成温度を1650°Cに設定した以外は、実験例1と同様にしてセラミックス材料を得た。[実験例5]MgO原料のみを用いて焼成温度を1500°Cに設定した以外は、実験例1と同様にしてセラミックス材料を得た。[実験例6]MgO原料及びAl2O3原料を、表1に示す質量となるように秤量し、焼成温度を1650°Cに設定した以外は、実験例1と同様にしてセラミックス材料を得た。[実験例7~16]MgO原料、Al2O3原料及びAlN原料を、表1に示す質量となるように秤量し、表1に示す焼成温度最高温度に設定した以外は実験例1と同様にしてセラミックス材料を得た。[実験例17~21]MgO原料、Al2O3原料及びAlN原料を、表3に示す質量となるように秤量し、混合粉末の成形圧力を100kgf/cm2、サンプルの直径を50mm、焼成雰囲気をN2、焼成温度最高温度を表3に示す値に設定した以外は実験例1と同様にしてセラミックス材料を得た。[実験例22]MgO原料、Al2O3原料を、表3に示す質量となるように秤量した以外は、実験例1と同様にして調合工程を行い混合粉末を得た。混合粉末を、100kgf/cm2の圧力で一軸加圧成形し、直径20mm、厚さ15mm程度の円柱状成形体を作製し、作製された成形体を3000kgf/cm2でCIP成形する成形工程を行った。蓋付の黒鉛製るつぼに上記の混合原料を充填し、充填した混合原料中に成形体を埋め込んだ。円柱状成形体を常圧焼成する焼成工程を行い、セラミックス材料を得た。焼成工程では、表3に示す焼成温度最高温度で焼成し、焼成終了までAr雰囲気とした。焼成温度での保持時間は4時間とした。[実験例23~28]MgO、Al2O3及びAlNの各原料を、表3に示す質量となるように秤量し、調合時の玉石を直径20mmの鉄芯入ナイロンボールとし、成形時の一軸加圧成形時の圧力を100kgf/cm2として直径50mm、厚さ20mm程度の円盤状成形体を作製し、表3に示す焼成温度最高温度に設定し、焼成時の雰囲気をN2雰囲気とした以外は実験例1と同様にしてセラミックス材料を得た。[評価]実験例1~28で得られた各材料を各種評価用に加工し、以下の評価を行った。各評価結果を表1~4に示す。なお、実験例1~17では、直径50mmのサンプルも作製したが、表1~4と同様の結果が得られた。1嵩密度開気孔率純水を媒体としたアルキメデス法により測定した。2結晶相評価材料を乳鉢で粉砕し、X線回折装置により結晶相を同定した。測定条件はCuKα,40kV,40mA,2θ=5-70°とし、封入管式X線回折装置ブルカーエイエックスエス製D8ADVANCEを使用した。測定のステップ幅は0.02°とし、ピークトップの回折角を特定する場合は内部標準としてNIST製Si標準試料粉末SRM640Cを10質量添加し、ピーク位置補正した。酸化マグネシウムのピークトップの回折角は、ICDD78-0430の値とした。MgO-AlN固溶体と酸化マグネシウムとのピーク間隔、積分幅は下記のとおり算出した。2-1ピーク間隔ピークシフトの計算MgO-AlN固溶体中のAl、N固溶量を相対比較するため、MgO-AlN固溶体の220面を対象としてピーク間隔ピークシフトを評価した。MgO-AlN固溶体の220面のピークトップの回折角と、ICDD78-0430にある酸化マグネシウムの220面の回折角62.3°の差をピーク間隔とした。2-2積分幅の計算MgO-AlN固溶体の結晶性を相対比較するため、積分幅を計算した。積分幅は、MgO-AlN固溶体の200ピークのピーク面積をピークトップの強度Imaxで除して計算した。ピーク面積は、ピークトップの回折角から-1°~1°の範囲において、バックグラウンドを差し引いて、強度を積算することで得た。計算式を下記に示す。なお、バックグラウンドはピークトップから-1°の回折角におけるピーク強度とした。上記の手法を用いて計算したNIST製Si標準試料SRM640Cの111面の積分幅は0.15°であった。積分幅=ΣI2θ×ステップ幅/Imax2-3マグネシウム-アルミニウム酸窒化物相とMgO-AlN固溶体のXRDピーク強度比の計算副相として含まれるマグネシウム-アルミニウム酸窒化物相の含有割合を相対比較するため、下記の方法を用いてマグネシウム-アルミニウム酸窒化物相とMgO-AlN固溶体のXRDピーク強度の比を計算した。マグネシウム-アルミニウム酸窒化物相の2θ=47~49°のXRDピーク強度をA、2θ=62.3~65.2°のMgO-AlN固溶体の220面のXRDピーク強度をBとしたときのA/B値を求めた。ここでは、XRDピーク強度Aは、2θ=47~49°のXRDピークのバックグラウンドを除いた積分強度とし、XRDピーク強度Bは、MgO-AlN固溶体の220面のXRDピークのバックグラウンドを除いた積分強度とした。なお、算出には、市販のソフトウエアMDI社製JADE5を用いて求めた。2-4異相の含有割合の計算次に、全体に対する異相の割合を相対比較するため、以下の方法によってXRDピーク面積の比を算出した。マグネシウム-アルミニウム酸窒化物相の2θ=47~49°のXRDピーク面積をa、2θ=62.3~65.2°のMgO-AlN固溶体の220面のXRDピーク面積をb、2θ=45.0°近傍のスピネルMgAl2O4の400面のXRDピーク面積をc、2θ=36.0°近傍の窒化アルミニウムAlNの002面のXRDピーク面積をdとしたときの、acd/abcd値を求めた。ここでは、XRDピーク面積a、b、c、dは市販のソフトウエアMDI社製JADE5のピークサーチ機能から求められたそれぞれの上記角度のピーク面積とした。JADE5のピークサーチ条件は、フィルタータイプについては放物線フィルタ、ピーク位置定義についてはピークトップ、しきい値と範囲については、しきい値σ=3.00、ピーク強度カットオフ=0.1、BG決定の範囲=1.0、BG平均化のポイント数=7、角度範囲=5.0~70.0°とし、可変フィルタ長データポイントON、Kα2ピークを消去ON、現存のピークリストを消去ONとした。また、上記の計算方法を用いて、ピーク面積aとピーク面積bの比、a/b値も求めた。3エッチングレート各材料の表面を鏡面に研磨し、ICPプラズマ耐食試験装置を用いて下記条件の耐食試験を行った。段差計により測定したマスク面と暴露面との段差を試験時間で割ることにより各材料のエッチングレートを算出した。ICP:800W、バイアス:450W、導入ガス:NF3/O2/Ar=75/35/100sccm0.05Torr、暴露時間:10h、試料温度:室温4構成元素EPMAを用いて、構成元素の検出及び同定と、各構成元素の濃度分析を行った。5耐湿性各材料を乳鉢にてメジアン径10μm以下まで粉砕した粉末を作製し、室温で飽和水蒸気圧雰囲気に4日間暴露した。その後、TG-DTA装置にて40~500°C間の脱水量を測定した。6バルク材耐湿性各材料の表面を鏡面研磨し、40°C,相対湿度90の雰囲気下に28日間暴露した。その後、走査型電子顕微鏡フィリップス社製XL30にて試料表面を観測し、変化のないものを○、表面の40以上に針状や粒状の析出物が生じたものを×、その中間を△とした。7バルク材耐水性各材料の表面を鏡面研磨し、室温で水中に15日間浸漬した。その後、走査型電子顕微鏡にて試料表面を観測し、変化のないものを○、表面の40以上に溶出した痕跡が見られるものを×、その中間を△とした。8破壊靱性JIS-R1607にしたがって、B法により破壊靱性を評価した。9曲げ強度JIS-R1601に準拠した曲げ強度試験によって測定した。10体積抵抗率測定JIS-C2141に準じた方法により、大気中、室温にて測定した。試験片形状は直径50mm×0.5~1mmとし、主電極は直径20mm、ガード電極は内径30mm、外径40mm、印加電極は直径40mmとなるよう各電極を銀で形成した。印加電圧は2kV/mmとし、電圧印加後1分時の電流値を読み取り、その電流値から室温体積抵抗率を算出した。また、実験例1,3,5,12,23~28について、同様の方法により、真空中0.01Pa以下、600°Cにて測定した。試験片形状は直径50mm×0.5~1mmとし、主電極は直径20mm、ガード電極は内径30mm、外径40mm、印加電極は直径40mmとなるよう各電極を銀で形成した。印加電圧は500V/mmとし、電圧印加後1時間時の電流値を読み取り、その電流値から体積抵抗率を算出した。なお、表2,4の体積抵抗率において、aEbは、a×10bを表し、例えば1E16は1×1016を表す。表1の注:1MgO-AlNss:MgO-AlN固溶体立方晶2Mg-Al-O-N:Mg,Al酸窒化物3MgO-AlNss220面とMgO220面のXRDピーク間隔4MgO-AlNssの200面の積分幅表2の注:1A:2θ=47~49°のMg-Al-O-Nピーク強度、B:2θ=62.3~65.2°のMgOピーク強度と定義2Mg-Al-O-Nの2θ=47~49°のXRDピーク面積をa、MgO-AlNssの220面の2θ=62.3~65.2°のXRDピーク面積をb、MgAl2O4の400面の2θ=45.0°近傍のXRDピーク面積をc、AlNの002面の2θ=36.0°近傍のXRDピーク面積をdと定義3鏡面研磨試料を40°C90RHの水蒸気雰囲気下に28日暴露した前後の微構造変化で判定。変化なしを○、表面の40以上に析出物が生じたものを×、その中間を△とした。4鏡面研磨試料をRTで水中に浸漬し、15日暴露した前後の微構造変化で判定。変化のないものを○、表面の40以上に溶出した痕跡が見られるものを×、その中間を△とした。5破壊靱性の単位:MPam1/26-は未測定表3の注:1MgO-AlNss:MgO-AlN固溶体立方晶2Mg-Al-O-N:Mg,Al酸窒化物3MgO-AlNss220面とMgO220面のXRDピーク間隔4MgO-AlNssの200面の積分幅表4の注:1A:2θ=47~49°のMg-Al-O-Nピーク強度、B:2θ=62.3~65.2°のMgOピーク強度と定義2Mg-Al-O-Nの2θ=47~49°のXRDピーク面積をa、MgO-AlNssの220面の2θ=62.3~65.2°のXRDピーク面積をb、MgAl2O4の400面の2θ=45.0°近傍のXRDピーク面積をc、AlNの002面の2θ=36.0°近傍のXRDピーク面積をdと定義3鏡面研磨試料を40°C90RHの水蒸気雰囲気下に28日暴露した前後の微構造変化で判定。変化なしを○、表面の40以上に析出物が生じたものを×、その中間を△とした。4鏡面研磨試料をRTで水中に浸漬し、15日暴露した前後の微構造変化で判定。変化のないものを○、表面の40以上に溶出した痕跡が見られるものを×、その中間を△とした。5破壊靱性の単位:MPam1/26-は未測定[評価結果]表1~4に示すように、実験例1~3,7~17,21,24~28のセラミックス材料は、結晶相評価の結果、111面、200面及び220面のXRDピークが酸化マグネシウムの立方晶のピークと窒化アルミニウムの立方晶のピークとの間である2θ=36.9~39°,42.9~44.8°,62.3~65.2°に現れるMgO-AlN固溶体MgO-AlNssを主相として含み、少なくとも2θ=47~49°にXRDのピークを有するマグネシウム-アルミニウム酸窒化物Mg-Al-O-NやスピネルMgAl2O4を副相として含んでいたが、AlNは含まれていなかった。代表例として図1に実験例1のXRD解析チャート、図2に実験例1のMgO-AlN固溶体のXRDピーク拡大図、表1,3に実験例1~28のMgO-AlN固溶体の111、200、220面ピークトップ、MgO-AlN固溶体220面のXRDピークトップと酸化マグネシウムピークトップとの間隔ピークシフト、及びMgO-AlN固溶体の200面のXRDピークの積分幅を示す。なお、実験例6~11,13,16,17,19~21では、スピネルピークとMgO-AlN固溶体の111面のピークとの重なりが著しく、111面のピークトップが判別できなかったため、これらの111面のピークトップの値は、表3に記載していない。ピークシフトが大きいほど固溶量が多く、積分幅が小さいほど固溶状態が均質と考えられる。なお、実験例2,3,7~17,20,21,24~28のXRD解析チャートは、実験例1に含まれるMgO-AlN固溶体、マグネシウム-アルミニウム酸窒化物、スピネルの含有量が変化したものであり、図示を省略する。ここで、主相とは、体積割合において50以上を有する成分をいい、副相とは、主相以外でXRDピークが同定された相をいう。断面観察における面積比は体積割合を反映すると考えられるため、主相はEPMA元素マッピング像で50以上の面積を有する領域とし、副相は主相以外の領域とする。実験例20は、実験例1などと同様にMgO-AlN固溶体、マグネシウム-アルミニウム酸窒化物及びスピネルの三成分を含んでいたが、各成分の量に偏りがなく、どの成分も主相とならない複合材であった。このため、表3の主相、副相の欄には上記三成分を記載した。図3に実験例1のEPMA元素マッピング像を示す。図3より、実験例1の主相部は主としてMgとOで構成されるが、Al、Nも同時に検出されるため図1、2に示したMgO-AlN固溶体であることが示される。また、副相としてスピネル部と少量のマグネシウム-アルミニウム酸窒化物部が認められる。図3のMgO-AlN固溶体の面積比は約86であり、実験例1はMgO-AlN固溶体が主相であることがわかった。その他の実験例についても同様の解析を行い、例えば実験例15,26,28のMgO-AlN固溶体の面積比はそれぞれ約75、約91、約99であり、MgO-AlN固溶体が主相であることがわかった。なお、ここでは、一例として、主相と副相との判定をEPMA元素マッピングにて行うものとしたが、各相の体積割合を識別できる方法であれば、他の方法を採用してもよい。なお、EPMA元素マッピング像は、濃度に応じて、赤橙黄黄緑緑青藍に色分けされており、赤が最も高濃度、藍が最も低濃度、黒はゼロを表す。しかし、図3はモノクロで表示されているため、以下に図3の本来の色について説明する。実験例1低倍では、Mgは地色が橙で点部分が青、Alは地色が青で点部分が橙、Nは地色が青で点部分が藍、Oは地色が橙で点部分が赤だった。実験例1高倍では、Mgは地色MgO-AlNssが橙で島部分MgAl2O4が青で線状部分Mg-Al-O-Nが緑、Alは地色が青で島部分と線状部分が橙、Nは地色が青で島部分が藍で線状部分が緑、Oは地色が橙で島部分が赤で線状部分が緑だった。実験例5低倍はMg及びOは赤、Al及びNは黒だった。また、実験例4,23のセラミックス材料は、結晶相評価の結果、共に前出のMgO-AlN固溶体を主相として含むものであったが、実験例23はAlNを副相として含み、実験例4はスピネルやAlNを副相として含んでいた。表1に実験例4,23のMgO-AlN固溶体のXRDピークと酸化マグネシウムのXRDピークとの間隔ピークシフトを示す。実験例4のように、焼成温度が1650°Cでは反応が十分起こらず、固溶量が少ないと推察された。焼成温度1600°Cでは反応がほとんど起こらないため、実験例18、19のセラミックス材料では、MgO-AlN固溶体は生成されなかった。更に、実験例5のセラミックス材料は、MgOを主相として含むものであり、実験例6のセラミックス材料は、スピネルを主相として含み、MgOを副相として含むものであった。また、実験例22のセラミックス材料は、MgOを主相、スピネルを副相として含むものであった。したがって、原料中にAlN成分が含まれていないとホットプレス、常圧焼成のいずれでもMgOへAl成分が固溶しないことがわかった。そして、実験例1~3,7~13,17,20,21のセラミックス材料は、水分減少率TG-DTAによる40~500°Cの質量減少率が2以下、実験例4,6,14~16のセラミックス材料は、水分減少率が3以下であり、MgOセラミックスつまり実験例5のセラミックス材料に比べて格段に高い耐湿性を有していた。バルク材耐湿性、耐水性試験の代表例として実験例2左側、5右側の微構造写真を図4に示し、実験例8左側、9右側の微構造写真を図5に示す。バルク材の耐湿性は固溶量が多い方がよく、MgO-AlN固溶体220面の、酸化マグネシウムからのピークシフトが0.2°以上である実験例1~3,7~14,17,20,21,26は、バルク材耐湿試験40°C,90RH雰囲気下で28日間暴露で表面状態に変化がなく、良好であった。また、実験例4,15,16,23~25,27,28はバルク材耐湿試験で表面状態が変化したが、表面の40以上にわたって針状、粒状の析出物が形成される実験例5,6,18,19,22と比べて変化が小さかった。この結果から、バルク材の耐湿性は、MgOへのAl、N成分固溶量に依存することがわかった。すなわち、MgO-AlN固溶体の220面の酸化マグネシウムからのピークシフトが0.03°未満のものは表面の40以上で変化が生じ耐湿性が低く、ピークシフトが0.03°以上0.2°未満では耐湿性がよく、ピークシフトが0.2°以上あると耐湿性が更によかった。即ち、MgO-AlN固溶体の220面のXRDピークが、酸化マグネシウムの立方晶のピークと窒化アルミニウムの立方晶のピークとの間である、62.33°以上62.50°未満2θに現れると耐湿性がよく、62.50°以上に現れると耐湿性が更によかった。また、MgO-AlN固溶体の200面のXRDピークが、酸化マグネシウムの立方晶のピークと窒化アルミニウムの立方晶のピークとの間である42.92°以上43.04°未満に現れると耐湿性がよく、43.04°以上に現れると耐湿性が更によかった。またバルク材の耐水性は、ピークシフトが大きく、積分幅が小さい材料ほど、良好であることがわかった。すなわち、220面のXRDピークシフトが0.42°以上であり、積分幅が0.35°以下である、実験例1,2,7,8,10~13,17,20はバルク材耐水性試験で表面状態に変化がなかった。実験例3,9,14,15,23~28はバルク材の耐水試験で溶出による穴部が少数認められたが、実験例4~6,16,18,19,22や積分幅が0.50°より大きい実験例21では表面の40以上で溶出した様子が認められた。この結果から、バルク材の耐水性は、MgOへのAl、N成分の固溶量が多く、且つ均質なものがよいことがわかった。すなわち、MgO-AlN固溶体の220面の酸化マグネシウムからのピークシフトが0.05°以下の材料は表面の40以上が溶出し耐水性が低く、ピークシフトが0.05°以上0.42°未満の材料、又はピークシフトが0.42°以上であるがMgO-AlN固溶体の200面の積分幅が0.35°を超える材料は、耐水性がよく、ピークシフトが0.42°以上、且つ積分幅が0.35°以下の材料は耐水性が更によかった。即ち、MgO-AlN固溶体の220面のXRDピークが、酸化マグネシウムの立方晶のピークと窒化アルミニウムの立方晶のピークとの間である、62.35°以上62.72°未満2θに現れる材料、又は220面のXRDピークが62.72°以上であるが200面の積分幅が0.35°を超える材料は、耐水性がよく、220面のXRDピークが62.72°以上、且つ積分幅が0.35°以下の材料は耐水性が更によかった。また、MgO-AlN固溶体の200面のXRDピークが酸化マグネシウムの立方晶のピークと窒化アルミニウムの立方晶のピークとの間である42.95°以上43.17°未満に現れると耐水性がよく、2θ=43.17°以上の材料は、耐水性が更によかった。また、実験例1~3,12,14~16のセラミックス材料は、エッチングレートの結果から、実験例5のMgOセラミックスと匹敵する高い耐食性を有していることがわかった。実験例4,7~11,13,21のセラミックス材料は、エッチングレートの結果から、耐食性は実験例5のMgOと比べてやや劣るものの、実験例6のセラミックス材料、つまりスピネルを主相とする材料や表に示さなかったイットリアエッチングレート約240nm/hよりも高い耐食性を有していることがわかった。実験例1~3,7~15は、副相としてマグネシウム-アルミニウム酸窒化物Mg-Al-O-N相を含むが、Mg-Al-O-N相の含有量が多いほど機械特性が向上していた。マグネシウム-アルミニウム酸窒化物相の2θ=47~49°のXRDピーク強度をA、2θ=62.3~65.2°のMgO-AlN固溶体の220面のXRDピーク強度をBとしたときのA/B値を表2,4に示す。A/Bが大きいほどMg-Al-O-N量が多いことを意味し、A/Bが増加するにつれて破壊靱性、曲げ強度ともに向上した。A/Bが0.03以上である実験例7~11,13,15,17,20,21は、破壊靱性2.5以上であり、曲げ強度180MPa以上の高い曲げ強度を有することがわかった。また、実験例7~10,13,15、17,20,21は、曲げ強度200MPa以上の高い曲げ強度を有することがわかった。例えば、実験例8のAは4317カウント、Bは83731カウントであり、A/B値は0.039となり、破壊靱性は2.5、強度は222MPaであった。また、実験例15のAは13566カウント、Bは108508カウントであり、A/B値は0.125となり、破壊靱性は4.4、強度は350MPaであった。しかし、マグネシウム-アルミニウム酸窒化物Mg-Al-O-Nの量の増加に伴って高耐食なMgO-AlN固溶体の含有量が低下するため、耐食性は低下した。例えば、A/Bが0.3以上の実験例17ではエッチングレートが181nm/hに達し、A/Bが0.4を超える実験例20ではスピネルと同レベルの耐食性となった。この結果から、A/B値が0.03以上0.14以下とすることで耐食性と機械強度を同時に発現することがわかった。なお、実験例13の曲げ強度は、当初測定した結果は188MPaであったが、再測定して再現性を検討したところ251MPaであった。なお、ピーク面積a、bを用いて計算したa/b値も表2,4に示す。実験例2,3,8,10,15,23,26の室温での体積抵抗率は全て1×1017Ωcm以上と実験例5のMgOと同等であり、高抵抗が必要となる静電チャックやヒーターなどの半導体製造装置用に好適であることがわかった。また、実験例5と実験例12の600°Cでの体積抵抗率はそれぞれ2×1012Ωcm、2×1010Ωcmであり、実験例12のセラミックス材料はMgO実験例5に比べて低い電気抵抗を有することがわかった。このほか、実験例1,3,23~28のセラミックス材料についても実験例12と同様に、実験例5に比べて低い電気抵抗を有することがわかった。また、前述のマグネシウム-アルミニウム酸窒化物相の2θ=47~49°のXRDピーク面積をa、2θ=62.3~65.2°のMgO-AlN固溶体の220面のXRDピーク面積をb、2θ=45.0°近傍のスピネルMgAl2O4の400面のXRDピーク面積をc、2θ=36.0°近傍の窒化アルミニウムAlNの002面のXRDピーク面積をdとしたときの、acd/abcd値を表2,4に示す。acd/abcd値が小さいほど、セラミックス材料にしめるMgO-AlN固溶体の割合が大きく、異相となる可能性があるマグネシウム-アルミニウム酸窒化物相、スピネルMgAl2O4、および窒化アルミニウムAlNの合計量が少ないことを示す。実験例1~3,5,12,14,23~28ではacd/abcd値が0.1以下であることから、異相が少ないこれらセラミックス材料は、スパッタリングターゲット部材に用いることが好適であることがわかった。例えば、実験例14のaは782カウント、bは123644カウント、cは2613カウント、dは0カウントであり、acd/abcd値は0.027と異相が少ないことがわかった。同様に実験例23のaは0カウント、bは109166カウント、cは0カウント、dは2775カウント、acd/abcd値は0.025と異相が少ないことがわかった。このように、作製したセラミックス材料は、酸化マグネシウムの結晶構造を維持し酸化マグネシウムより低い電気抵抗を有する。これは酸化マグネシウム結晶にアルミニウムや窒素が固溶することにより、酸化マグネシウム中のキャリアが増加したためと思われる。このため、本材料をスパッタリングターゲットとして、例えば、ハードディスクの磁気ヘッド及び磁気抵抗ランダムアクセスメモリなどの磁気トンネル接合素子を作製した場合において、電気抵抗及び/又は磁気抵抗比の特性向上が予測される。[静電チャックの製造と評価]図6aのタイプの静電チャックを、図9を参照しつつ述べた製法によって作製した。ただし、具体的には以下のように実施した。aMgO原料、Al2O3原料、AlN原料を、前記表1の各実験例1に示す質量になるように秤量し、イソプロピルアルコールを溶媒とし、ナイロン製のポット、直径5mmのアルミナ玉石を用いて4時間湿式混合した。混合後スラリーを取り出し、窒素気流中110°Cで乾燥した。その後30メッシュの篩に通し、調合粉末とした。次いで、調合粉末を、200kgf/cm2の圧力で一軸加圧成形し、円盤状成形体を得た。この成形体をホットプレス焼結することによりセラミック焼結体2Aを得た。ホットプレス焼結は、プレス圧力を200kgf/cm2とし、表1に示す各温度で焼成し、焼成終了までAr雰囲気とした。焼成温度での保持時間は4時間とした。工程aでは平均粒径1μm以下の市販品を使用した。b焼結体2Aの主面2aを、表面平坦度が10μmとなるように研磨する。c平均粒径0.2μmのタングステンカーバイド粉末とアルミナ粉末とを混合し、テルピネオールを加えてペーストとする。このペーストを研磨面2a上に印刷する。d焼結体2Aの主面2a上に、平均粒径0.2μmのアルミナ粉末を成型して、アルミナ成型体14とする。軸方向に加圧しながら、アルゴンガス雰囲気中で、1250~1350°Cで焼結する。また、最高温度までは、昇温速度100°C/時間で昇温し、最高温度では2時間保持する。圧力は20MPaとする。e焼結体2Aの主面12を研磨して吸着面1aを形成することにより、厚み変動度が100μm以下のサセプターを得る。得られたサセプターの板状支持部3の背面中央に電極4に至る挿通穴をあけ、その挿通穴に円筒状の端子8を取り付け、この端子を介して電極4に電圧を印加できる様にする。表3の実験No.1、2、3において誘電体層表面耐食層を形成した材質は、前記実施例表1における実験例1のものである。実験No.4実験No.4として、上述の誘電体層2を、前記工程dのアルミナ焼結体と同じ材質とした。他は実験No.1~3と同様にして静電チャックを製造した。[試験条件]耐食試験:ICP:800W,バイアス:450W,導入ガス:NF3/O2/Ar=75/35/100sccm,0.05Torr,暴露時間:100hrs.,試料温度:500°C評価特性:上記の耐食試験前後における、ウエハ上温度均一性、吸着力、表面粗度を測定する。均熱性測定Siウエハを静電チャックの載置面に置き、±500Vの直流電圧を静電電極に印加してSiウエハを吸着させた。チャンバー真空度:1E-4Torrに設定し、抵抗発熱体にパワーを印加することにより昇温速度10°C/minで評価温度100°Cまで加熱した。入熱パワーが一定になったことを確認し、IRカメラ日本電子製:6100,21ptsにて温度を確認し、ウエハ上の温度の最大値と最小値の差ΔTを均熱性単位:°Cとした。均熱性ΔTの値が小さい方が良好な均熱性を示し、例えば、ウエハのエッチング処理などにおいて均質なエッチングを可能とする。吸着力Siプローブ5cm2を製品上にセッティングし、真空状態1E-4Torrで±500Vの直流電圧を静電電極に印加してSiプローブを吸着させた。1min後プローブを引き上げて離脱時の力を測定した。測定ポイントは面内の4箇所-40,40-40,-4040-4040,40である。このとき、製品外径の任意の3点を通る円の中心を0,0とする。表面粗度製品表面の粗さをテーラーホブソン粗さ測定器にて測定した。測定箇所は面内の内側と外側の任意の二箇所である。実験No.1、2、3では、耐食試験前のウエハ上温度均一性が比較的良好であり、耐食試験後におけるウエハ上温度均一性の劣化が非常に少なく、かつ吸着力の低下が非常に少ない。実験No.4では、初期のウエハ上温度均一性は非常に良好であるが、耐食試験後のウエハ上温度均一性、吸着力ともに著しく劣化していた。これらの作用効果は、半導体処理装置分野において画期的であり、産業上多大な利用を期待できることが明らかである。本発明の特定の実施形態を説明してきたけれども、本発明はこれら特定の実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲の範囲から離れることなく、種々の変更や改変を行いながら実施できる。"