光半導体層、および、前記光半導体層の上に形成される電極部を備える発光積層体を用意する工程、前記光半導体層の上に、前記電極部を被覆するように、光反射成分を含有する封止樹脂層を形成する工程、前記封止樹脂層を、前記電極部の上面が露出されるように、部分的に除去することにより、発光ダイオード素子を製造する工程、および、前記発光ダイオード素子と、端子が設けられたベース基板とを対向配置させ、前記電極部と前記端子とを電気的に接続して、前記発光ダイオード素子を前記ベース基板にフリップチップ実装する工程を備えることを特徴とする、発光ダイオード装置の製造方法。前記発光積層体を用意する工程において、前記発光積層体を、支持基板の上に形成し、前記封止樹脂層を形成する工程の後、前記発光ダイオード素子を製造する工程の前に、前記支持基板を、前記光半導体層から除去するか、あるいは、前記支持基板の下側部分を除去する工程を備えることを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオード装置の製造方法。しかし、特許文献1に記載の方法では、拡散膜を、光半導体層や封止樹脂層とは別に設ける必要があるため、その分、手間がかかるという不具合がある。本発明の目的は、光の取出効率を十分に向上させながら、発光ダイオード装置を簡便に製造することのできる、発光ダイオードの製造方法を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明の発光ダイオード装置の製造方法は、光半導体層、および、前記光半導体層の上に形成される電極部を備える発光積層体を用意する工程、前記光半導体層の上に、前記電極部を被覆するように、光反射成分を含有する封止樹脂層を形成する工程、前記封止樹脂層を、前記電極部の上面が露出されるように、部分的に除去することにより、発光ダイオード素子を製造する工程、および、前記発光ダイオード素子と、端子が設けられたベース基板とを対向配置させ、前記電極部と前記端子とを電気的に接続して、前記発光ダイオード素子を前記ベース基板にフリップチップ実装する工程を備えることを特徴としている。また、本発明の発光ダイオード装置の製造方法では、前記発光積層体を用意する工程において、前記発光積層体を、前記光半導体層の下に形成される支持基板を備えるように、用意し、前記封止樹脂層を形成する工程の後、前記発光ダイオード素子を製造する工程の前に、前記支持基板を、前記光半導体層から除去するか、あるいは、前記支持基板の下側部分を除去する工程を備えることが好適である。本発明の方法により得られる発光ダイオード装置では、封止樹脂層は、光反射成分を含有するので、光反射作用を発現することができ、そのため、特許文献1に記載されるような拡散膜を封止樹脂層と別に設ける手間を省略することができる。その結果、発光ダイオード装置の光の取出効率を向上させながら、かかる発光ダイオード装置を簡便に製造することができる。さらに、光半導体層の上に、電極部を被覆するように、封止樹脂層を形成し、かかる封止樹脂層を、電極部の上面が露出されるように、部分的に除去するので、電極部の上面以外の面を、封止樹脂層によって封止することができる。つまり、電極部の上面以外の面を封止樹脂層によって封止しながら、電極部の上面を露出させることができる。そのため、電極部の上面を露出させる際の電極部の損傷を有効に防止することができる。図1および図2は、本発明の発光ダイオード装置の製造方法の一実施形態を示す製造工程図を示す。この方法では、図1aに示すように、まず、発光積層板1を用意する。発光積層板1は、支持基板2、その上に形成される光半導体層3、および、その上に形成される電極部4を備えており、複数の発光積層体5が整列配置された板状図1において図示しないが、略円板状に形成されている。すなわち、各発光積層体5は、それに対応する領域において、支持基板2、光半導体層3および電極部4をそれぞれ備えている。支持基板2は、発光積層板1の外形形状に対応するように形成されており、例えば、平面視略円板状に形成されている。支持基板2は、次に説明する光半導体層3および電極部4を支持する。支持基板2を形成する支持材料としては、例えば、Al2O3サファイア、SiC、Si、GaNなどが挙げられる。好ましくは、サファイアが挙げられる。支持基板2の厚みは、例えば、100~1000μm、好ましくは、200~800μmである。光半導体層3は、緩衝層6、その上に形成されるN形半導体層7、その上に形成される発光層8、および、その上に形成されるP形半導体層9を備えている。緩衝層6は、支持基板2の上面全面に形成されている。緩衝層6は、支持基板2と、次に説明するN形半導体層7との格子定数の不正を緩衝する。緩衝層6を形成する緩衝材料としては、例えば、元素半導体単元素半導体、酸化物半導体、化合物半導体酸化物半導体を除くなどの半導体が挙げられる。元素半導体としては、例えば、Si、Ge、Snなどの4B元素長周期型周期表における4B元素、以下同様が挙げられる。酸化物半導体としては、例えば、Al2O3、ZnO、SnO2などの典型元素の酸化物、例えば、TiO2、V2O5、Cr2O3、MnO2、Fe2O3、NiO、Cu2Oなどの遷移元素の酸化物などが挙げられる。これらは、単独使用または併用することができる。化合物半導体は、Oを除く複数の元素が結合する化合物であって、例えば、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlGaN、InGaN、AlInN、AlGaInNなどの3B元素と5B元素との化合物、例えば、ZnS、SnSe、ZnTeなどの2B元素と6B元素との化合物などが挙げられる。好ましくは、3B元素と5B元素との化合物が挙げられる。上記した半導体のうち、好ましくは、化合物半導体が挙げられる。緩衝層6の厚みは、例えば、0.5~200nm、好ましくは、1~100nmである。N形半導体層7は、緩衝層6の上面全面に形成されている。N形半導体層7を形成するN形半導体としては、特に限定されず、公知のN形半導体が挙げられ、上記した半導体に、例えば、5B元素、さらには、4B元素などの不純物が微量ドープ添加された不純物半導体が挙げられる。発光層8は、緩衝層6の上面に、各発光積層体5に対応するパターンに形成されている。具体的には、発光層8は、発光積層板1に沿う方向厚み方向に直交する方向、面方向、詳しくは、図1における紙面左右方向および紙面奥行き方向に互いに間隔を隔てて配置されている。つまり、各発光層8は、その間において、N形半導体層7の上面を露出している。発光層8を形成する発光材料としては、上記した緩衝層6で例示した半導体と同様の半導体が挙げられ、好ましくは、化合物半導体が挙げられる。発光層8の厚みは、例えば、20~300nm、好ましくは、30~200nmである。P形半導体層9は、発光層8の上面全面に、発光層8と同一パターンに形成されている。P形半導体層9を形成するP形半導体としては、特に限定されず、公知のP形半導体が挙げられ、例えば、上記した半導体に、3B元素、2A元素などの不純物が微量ドープ添加された不純物半導体が挙げられる。2A元素としては、例えば、Be、Mgなどのアルカリ土類金属が挙げられる。電極部4は、アノード電極10およびカソード電極11を備えている。アノード電極10は、P形半導体層9の上に、透明電極12を挟むように形成されており、透明電極12を介してP形半導体層9と電気的に接続されている。透明電極12は、P形半導体層9の上面に形成され、厚み方向に投影したときに、P形半導体層9に含まれるように、配置されている。透明電極12を形成する電極材料としては、例えば、インジウム錫酸化物ITO、酸化亜鉛ZnO、酸化錫SnO2などの金属酸化物が挙げられ、その厚みは、例えば、10~200nmである。アノード電極10は、厚み方向に投影したときに、透明電極12に含まれるパターンに形成されている。アノード電極10を形成する電極材料としては、例えば、金、アルミニウムなどが挙げられる。好ましくは、金が挙げられる。アノード電極10の厚みは、例えば、10~300nm、好ましくは、20~200nmである。カソード電極11は、N形半導体層7の上に形成され、具体的には、P形半導体層9および発光層8から露出するN形半導体層7の上面に形成されている。カソード電極11は、N形半導体層7と電気的に接続されている。カソード電極11を形成する電極材料としては、例えば、金、アルミニウムなどが挙げられる。好ましくは、金が挙げられる。カソード電極11の厚みは、例えば、10~300nm、好ましくは、20~200nmである。また、この電極部4には、バンプ13が設けられている。バンプ13は、アノード電極10の上面と、カソード電極11の上面とに形成されている。各バンプ13は、それぞれ、平面視において、アノード電極10およびカソード電極11に含まれるパターンに形成されている。バンプ13を形成する材料としては、例えば、金、銅、銀、鉛、錫、それらの合金具体的には、はんだなどなどの導体が挙げられる。好ましくは、金が挙げられる。各バンプ13の厚みは、アノード電極10の上面に形成されるバンプ13の上面と、カソード電極11の上面に形成されるバンプ13の上面とが同じ高さとなるように、調整される。すなわち、バンプ13の厚みは、面方向厚み方向に直交する方向に投影したときに、それらが同じ位置となるように、調整されている。この発光積層板1を用意するには、まず、支持基板2を用意し、その上に、光半導体層3を、例えば、エピタキシャル成長法などの公知の成長法によって積層し、その後、電極部4を、公知のパターンニング法によって積層する。なお、光半導体層3における発光層8およびP形半導体層9は、上記した成長法の後に、例えば、マスクを用いるエッチング後述によって、上記したパターンに形成される。次いで、図1bに示すように、この方法では、封止樹脂層14を、光半導体層3の上に、電極部4を被覆するように形成する。封止樹脂層14を形成する封止樹脂としては、例えば、封止材料と、光反射成分とを含有している。封止材料は、特に限定されず、例えば、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられ、好ましくは、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられる。光反射成分としては、例えば、白色の化合物であって、具体的には、白色顔料が挙げられる。そのような白色顔料としては、例えば、白色無機顔料が挙げられ、そのような白色無機顔料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウムなどの酸化物、例えば、鉛白炭酸亜鉛、炭酸カルシウムなどの炭酸塩、例えば、カオリンカオリナイトなどの粘度鉱物などが挙げられる。白色無機顔料として、好ましくは、酸化物、さらに好ましくは、酸化チタンが挙げられる。酸化チタンであれば、高い白色度、高い光反射性、優れた隠蔽性隠蔽力、優れた着色性着色力、高い分散性、優れた耐候性、高い化学的安定性などの特性を得ることができる。そのような酸化チタンは、具体的には、TiO2、酸化チタンIV、二酸化チタンである。酸化チタンの結晶構造は、特に限定されず、例えば、ルチル、ブルッカイト板チタン石、アナターゼ鋭錐石などであり、好ましくは、ルチルである。また、酸化チタンの結晶系は、特に限定されず、例えば、正方晶系、斜方晶系などであり、好ましくは、正方晶系具体的には、ルチル構造である。酸化チタンの結晶構造および結晶系が、ルチルおよび正方晶系であれば、封止樹脂層14が長期間高温に曝される場合でも、光とりわけ、波長450nm付近の光に対する反射率が低下することを有効に防止することができる。光反射成分は、粒子状であり、その形状は限定されず、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。光反射成分の最大長さの平均値球状である場合には、その平均粒子径は、例えば、1~1000nmである。最大長さの平均値は、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定される。光反射成分の配合割合は、封止樹脂に対して、例えば、5~90質量、好ましくは、着色性および光反射性の観点から、10~60質量である。上記した光反射成分は、封止材料中に均一に分散混合される。また、封止樹脂には、さらに、充填剤を添加することもできる。つまり、充填剤を、光反射成分具体的には、白色顔料と併用することができる。充填剤は、上記した白色顔料を除く、公知の充填剤が挙げられ、具体的には、無機質充填剤が挙げられ、そのような無機質充填剤としては、例えば、シリカ粉末、タルク粉末、アルミナ粉末、窒化アルミニウム粉末、窒化ケイ素粉末などが挙げられる。充填剤として、好ましくは、封止樹脂層14の線膨張率を低減する観点から、シリカ粉末が挙げられる。シリカ粉末としては、例えば、溶融シリカ粉末、結晶シリカ粉末などが挙げられ、好ましくは、溶融シリカ粉末すなわち、石英ガラス粉末が挙げられる。充填剤の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、優れた充填性および流動性の観点から、球状が挙げられる。従って、シリカ粉末として、好ましくは、球状溶融シリカ粉末が挙げられる。充填剤の最大長さの平均値球状である場合には、平均粒子径は、例えば、5~60μm、好ましくは、15~45μmである。最大長さの平均値は、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定される。充填剤の添加割合は、充填剤および光反射成分の総量が、例えば、封止樹脂に対して、10~80質量となるように、調整され、線膨張率の低減および流動性の確保の観点から、封止樹脂に対して、好ましくは、25~75質量、さらに好ましくは、40~60質量となるように、調整される。封止樹脂は、上記した封止材料と、光反射成分と、必要により添加される充填剤とを配合して、均一混合して、封止樹脂組成物として調製される。なお、封止樹脂組成物は、ペースト状、あるいは、シート状に形成される。封止樹脂層14を形成するには、上記した封止樹脂組成物を、電極部4を含む光半導体層3の上に、例えば、ラミネータやアプリケータを用いた塗布方法により塗布して、皮膜を形成する。その後、封止材料が熱硬化性樹脂である場合には、皮膜を、加熱により硬化させる。また、封止樹脂組成物が、シート状に形成されている場合には、かかる封止樹脂組成物を、光半導体層3の上に載置し、加熱により硬化させることによって、封止層14を成形することもできる。さらには、封止樹脂組成物が、粉末状の熱硬化性樹脂を含有している場合には、封止樹脂組成物を、圧縮成形機によって、加熱しながら圧縮成形することによって、硬化させて、封止層14を成形することもできる。これによって、封止樹脂層14が形成される。そして、アノード電極10に対応するバンプ13の上面および側面と、かかるバンプ13から露出するアノード電極10の上面および側面と、アノード電極10から露出する透明電極12の上面および側面と、透明電極12から露出するP形半導体層9の上面および側面と、発光層8の側面とが、封止樹脂層14によって被覆される。また、カソード電極11に対応するバンプ13の上面および側面と、かかるバンプ13から露出するカソード電極11の上面および側面とが、封止樹脂層14によって被覆される。さらに、N形半導体層7の上面発光層8およびカソード電極11から露出するN形半導体層7の上面も、封止樹脂層14によって被覆される。このようにして形成される封止樹脂層14は、その上面が、電極部4の上面、つまり、バンプ13の上面よりも、上側に形成される。封止樹脂層14の上面と、バンプ13の上面との間の長さL1は、例えば、2000μm以下、好ましくは、10~1000μmである。次いて、図1cに示すように、支持基板2を、光半導体層3から除去する。支持基板2の除去には、例えば、ドライエッチング、ウエットエッチングなどのエッチング、例えば、グラインド加工研磨などの機械加工などが採用される。好ましくは、研磨が採用される。次いで、図2dに示すように、封止樹脂層14を、電極部4の上面が露出されるように、部分的に除去する。具体的には、封止樹脂層14において、バンプ13の上面より上側にある上側部分を除去する。封止樹脂層14の上側部分の除去には、例えば、上記したエッチング、機械加工などが採用される。上側部分が除去された封止樹脂層14は、バンプ13の上面を露出するとともに、その周囲の上面が、バンプ13の上面と面一に形成される。これにより、複数の発光積層体5に対応し、光半導体層3、電極部4および封止樹脂層14を備える、複数の発光ダイオード素子20が一体的に形成される。その後、図2dの1点破線で示すように、封止樹脂層14が形成された発光積層板1を、各発光ダイオード素子20に対応するように、切断加工ダイシングする。つまり、発光積層板1から、各発光ダイオード素子20を切り分ける。具体的には、電極部4、発光層8およびP形半導体層9の周囲の緩衝層6およびN形半導体層7を、図2dの1点破線で示す厚み方向に沿って、ダイシングする。これにより、各発光ダイオード素子20が得られる。次いで、この方法では、図2eに示すように、各発光ダイオード素子20を上下反転させる裏返すとともに、ベース基板16を用意し、それらを対向配置させる。ベース基板16は、略平板状をなし、具体的には、絶縁基板の上に、導体層が回路パターンとして積層された積層板から形成されている。絶縁基板は、例えば、シリコン基板、セラミックス基板、ポリイミド樹脂基板などから形成され、好ましくは、セラミックス基板から形成されている。導体層は、例えば、金、銅、銀、ニッケルなどの導体から形成されている。また、導体層は、端子15を含んでいる。端子15は、絶縁基板の表面において、上記した発光ダイオード素子20のバンプ13に対応するパターンに形成されている。つまり、端子15は、反転後のバンプ13と、実質的に同一パターンに形成されている。端子15は、例えば、金、銅、銀、ニッケルなどの導体から形成されている。これら導体は、単独使用または併用することができる。その後、この方法では、図2fに示すように、電極部4のバンプ13と、端子15とを電気的に接続して、発光ダイオード素子20をベース基板16にフリップチップ実装する。フリップチップ実装では、発光ダイオード素子20を、ベース基板16の上に、バンプ13と端子15とが厚み方向に隣接するように載置し、続いて、バンプ13を、例えば、加熱または超音波などによって、リフローさせる。これにより、バンプ13が端子15と接触し、これにより、発光ダイオード素子20がベース基板16にフリップ実装され、発光ダイオード素子20およびベース基板16を備える発光ダイオード装置21を得ることができる。そして、この発光ダイオード装置21では、封止樹脂層14は、光反射成分を含有するので、光反射作用を発現することができ、そのため、拡散膜を封止樹脂層14と別に設ける手間を省略することができる。その結果、発光ダイオード装置21の光の取出効率を向上させながら、かかる発光ダイオード装置21を簡便に製造することができる。さらに、光半導体層3の上に、電極部4を被覆するように、封止樹脂層14を形成し、かかる封止樹脂層14を、電極部4の上面が露出されるように、部分的に除去するので、電極部4において、上面以外の面を、封止樹脂層14によって封止することができる。すなわち、アノード電極10に対応するバンプ13の側面と、バンプ13から露出するアノード電極10の上面および側面と、アノード電極10から露出する透明電極12の上面および側面と、透明電極12から露出するP形半導体層9の上面および側面と、発光層8の側面とを、封止樹脂層14によって封止することができる。また、カソード電極11に対応するバンプ13の側面と、バンプ13から露出するカソード電極11の上面および側面とを、封止樹脂層14によって封止することができる。さらに、発光層8およびカソード電極11から露出するN形半導体層7の上面を、封止樹脂層14によって封止することができる。つまり、電極部4における上記した各面を封止樹脂層14によって封止しながら、電極部4の上面、つまり、バンプ13の上面を露出させることができる。そのため、電極部4の上面を露出させる際に生ずる応力による電極部4の損傷、具体的には、機械加工グラインド加工などにおいて発生する振動による電極部4の損傷などを有効に防止することができる。なお、図1cの実線で示す実施形態では、支持基板2の全部を、光半導体層3から除去しているが、例えば、図1cの仮想線で示すように、支持基板2の下側部分のみを除去することもできる。支持基板2の下側部分の除去には、上記したエッチングが採用される。なお、下側部分の除去後の支持基板2の厚みは、除去前の厚みに対して、例えば、80以下、好ましくは、30以下であり、通常、1以上であり、具体的には、例えば、320μm以下、好ましくは、10~120μmである。上記した範囲を超えると、光の取出効率が低下する場合があり、一方、上記した範囲に満たないと、次に説明する、光半導体層3を支持して、電極部4の損傷防止効果を十分に発現することができない場合がある。図1cの仮想線で示すように、支持基板2の下側部分のみを除去すれば、図2dに示す封止樹脂層14の上側部分の除去において、電極部4にかかる応力を、残存する支持基板2の上側部分によって、光半導体層3を介して確実に支持することができる。そのため、電極部4の損傷をより一層防止することができる。一方、図1cの実線で示すように、支持基板2の全部のみを除去すれば、図2fに示す発光ダイオード装置21において、発光ダイオード素子20から発光され、上方に向かう光を遮ることがないので、光の取出効率を向上させることができる。以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、それらに限定されない。実施例1支持基板、その上に形成される光半導体層、および、その上に形成される電極部を備える発光積層板を用意した図1a参照。発光積層板を用意するには、まず、サファイアからなる厚み450μmの支持基板を用意し、エピタキシャル成長法によって、支持基板の上に、GaNからなる厚み30nmの緩衝層、SiがドープされたN形GaNn-GaN:Si、以下同様に示すからなる厚み5μmのN形半導体層、InGaNからなる厚み120nmの発光層、および、n-GaN:Mgからなる厚み50nmのP形半導体層を、上記したパターンで順次積層した。なお、発光層およびP形半導体層は、それぞれ、エピタキシャル成長の後、エッチングによって上記したパターンに形成した。その後、ITOからなる厚み50nmの透明電極を、P形半導体層の上に形成し、続いて、透明電極の上に、金からなる厚み50nmのアノード電極を形成した。同時に、金からなる厚み50nmのカソード電極を、N形半導体層の上に形成した。続いて、金からなるバンプを、アノード電極およびカソード電極の上に、それぞれ、形成した。なお、アノード電極の上のバンプの厚みと、カソード電極の上のバンプの厚みとを、それらバンプの上面が、面方向に投影した時に、同じ高さとなるように、調整した。次いで、封止樹脂層を、光半導体層の上に、電極部を被覆するように形成した図1b参照。具体的には、まず、熱硬化性シリコーン樹脂100質量部、および、球状で、平均粒子径300nmの酸化チタンTiO2、:ルチルの正方晶系粒子20質量部を均一に混合することにより、ペースト状の封止樹脂組成物を調製した。続いて、調製した封止樹脂組成物を、電極部を含む光半導体層の上に塗布することにより、皮膜を形成した。その後、皮膜を、加熱により硬化させた。封止樹脂層の上面は、バンプの上面よりも、30μmL1、上側に形成した。その後、支持基板を、エッチングにより、光半導体層から除去した図1c実線参照。次いで、封止樹脂層の上側部分厚み30μmを、電極部の上面が露出されるように、グラインド加工研磨によって、除去した。なお、封止樹脂層の上側部分を、電極部の上面とその周囲の封止樹脂層の上面とが面一となるように、除去した図2d参照。これにより、複数の発光ダイオード素子を一体的に形成した。その後、発光積層板をダイシングして、発光積層板から各発光ダイオード素子を切り分けた図2d1点破線参照。その後、各発光ダイオード素子を裏返すとともに、サファイアAl2O3からなる絶縁基板の表面に、銅、ニッケルおよび金からなる端子を含む導体層が積層された、厚み1mmのベース基板を用意し、発光ダイオード素子とベース基板とを対向配置させた図2e参照。その後、バンプを、加熱によりリフローさせて、バンプと端子とを接触させて、それらを電気的に直接接続して、発光ダイオード素子をベース基板にフリップチップ実装した図2f参照。これにより、発光ダイオード装置を作製した。実施例2支持基板の全部を光半導体層から除去すること図1c実線参照に代えて、支持基板の下側部分厚み420μmのみを除去した図1c仮想線参照以外は、実施例1と同様にして、発光ダイオード素子を得、続いて、それをベース基板にフリップチップ実装することにより、発光ダイオード装置を作製した図2f仮想線参照。つまり、図1cの仮想線が参照されるように、支持基板の上側部分は、残存しており、その上側部分の厚みは30μmであった。比較例1支持基板を光半導体層から除去する工程図1c実線参照を実施しなかった以外は、実施例1と同様にして、発光ダイオード素子を得、続いて、それをベース基板にフリップチップ実装することにより、発光ダイオード装置を作製した図2f仮想線参照。つまり、図1bが参照されるように、支持基板は、全部残存していた。評価1.電極部の検査実施例1および2の発光ダイオード装置を厚み方向に沿って切断してサンプルを作製し、サンプルの電極部を、電子顕微鏡SEMによって観察したところ、電極部に損傷がないことを確認した。2.光の取出効率の測定実施例1、2および比較例1の発光ダイオード装置について、光の取出効率を、放射束から算出することによって求めた。その結果、実施例1および2の発光ダイオードの光の取出効率は、比較例1のそれに比べて、10および3、それぞれ、高いことを確認した。