"主成分が、化学式Nd1-xMxyBazMn2O6Mは希土類元素であるSm、Gd、Eu、Tb、Dy、Ho、ErおよびYから選ばれる少なくとも1種で示されるMn化合物で構成され、前記化学式において、x、yおよびzは、それぞれ、0.05≦x≦0.4、0.80≦y≦1.2および0.80≦z≦1.2の条件を満たす、半導体セラミック。素子本体と、前記素子本体の少なくとも一部を挟んで形成される少なくとも1対の電極とを備える、抵抗素子であって、前記素子本体が請求項1に記載の半導体セラミックから構成される、抵抗素子。突入電流を抑制するためのサーミスタ素子として用いられる、請求項2に記載の抵抗素子。前記素子本体はチップ状をなし、前記電極は、互いに対向するように、前記素子本体の各端面上に形成される、請求項2または3に記載の抵抗素子。前記素子本体はチップ状をなし、前記電極は、互いに対向するように、前記素子本体の内部に形成される、請求項2または3に記載の抵抗素子。そこで、この発明の目的は、SMD対応可能な小型の抵抗素子であっても、優れた突入電流耐性を与えることができるサーミスタ材料としての半導体セラミック、およびこの半導体セラミックを用いて構成される抵抗素子を提供しようとすることである。この発明は半導体セラミックにまず向けられる。この発明に係る半導体セラミックは、主成分が、化学式Nd1-xMxyBazMn2O6Mは希土類元素であるSm、Gd、Eu、Tb、Dy、Ho、ErおよびYから選ばれる少なくとも1種で示されるMn化合物で構成され、上記化学式において、x、yおよびzは、それぞれ、0.05≦x≦0.4、0.80≦y≦1.2および0.80≦z≦1.2の条件を満たすことを特徴としている。この発明は、また、素子本体と、素子本体の少なくとも一部を挟んで形成される少なくとも1対の電極とを備える、抵抗素子にも向けられる。この発明に係る抵抗素子は、素子本体がこの発明に係る半導体セラミックから構成されることを特徴としている。この発明に係る抵抗素子は、好ましくは、突入電流を抑制するためのサーミスタ素子として用いられる。この発明に係る抵抗素子において、素子本体はチップ状をなすことが好ましい。この場合、電極は、互いに対向するように、素子本体の各端面上に形成されても、素子本体の内部に形成されてもよい。この発明に係る半導体セラミックによれば、比抵抗が比較的小さく、B定数が大きいという2つの条件を満足させることができる。したがって、この半導体セラミックを用いると、体積が小さいSMD対応の抵抗素子を実現することができる。また、素子本体の体積を小さくしても、既存のサーミスタ材料を用いた抵抗素子と比較して、圧倒的に高い突入電流耐性を実現することができる。これは、以下の理由によるものと推測される。この発明に係る半導体セラミックは、主成分が、化学式Nd1-xMxyBazMn2O6で示されるMn化合物で構成されている。このようなMn化合物は、従来から知られているように、ある特定の温度で急激に抵抗が変化するCTRCriticalTemperatureResistance特性を示す、すなわち、B定数が大きい。これに加えて、この発明において規定される組成範囲とすることにより、CTR特性を低下させることなく、突入電流印加時の素子発熱および素子放熱の良好なバランスを実現し、突入電流を抑制しながら素子破壊を抑制することができる。つまり、この発明に係る半導体セラミックを用いれば、定常状態室温近傍では電荷整列型絶縁体といわれる高い比抵抗を示し、突入電流抑制素子として機能し、突入電流が印加され素子が発熱した際には電荷整列型絶縁体から金属状態へと変化し、急激に比抵抗が低下して、大きな突入電流を流すことが可能となり、突入電流を吸収し、たとえば体積が20mm3以下の素子本体を備える小型の抵抗素子であっても、高い突入電流耐性および突入電流抑制効果を実現することができる。図1を参照して、この発明の第1の実施形態による抵抗素子1について説明する。抵抗素子1は、半導体セラミックからなるチップ状の素子本体2と、互いに対向するように素子本体2の相対向する端面上に形成される1対の電極3および4とを備えている。次に、図2に示した第2の実施形態による抵抗素子5について説明すると、抵抗素子5は、半導体セラミックからなるチップ状の素子本体6と、互いに対向するように素子本体6の内部に形成される1対の内部電極7および8と、内部電極7および8にそれぞれ電気的に接続されるように素子本体6の相対向する端面上に形成される1対の外部電極9および10とを備えている。これら抵抗素子1および5は、図示しない配線基板上に表面実装され、突入電流を抑制するためのサーミスタ素子、すなわちパワーサーミスタとして有利に用いられる。好ましくは、素子本体2および6は、その体積が20mm3以下とされる。なお、図2に示した構造は、通常、図1に示した構造では素子抵抗が所望の値より高くなりすぎた場合に素子抵抗を下げるために採用される。上記の抵抗素子1または5における素子本体2または6を構成する半導体セラミックは、その主成分が、化学式Nd1-xMxyBazMn2O6Mは希土類元素であるSm、Gd、Eu、Tb、Dy、Ho、ErおよびYから選ばれる少なくとも1種で示されるMn化合物で構成される。そして、上記化学式において、x、yおよびzは、それぞれ、0.05≦x≦0.4、0.80≦y≦1.2および0.80≦z≦1.2の条件を満たすように選ばれる。図1に示した抵抗素子1に備える素子本体2を製造するため、出発原料の準備、仮焼、シート成形、積層、脱脂、本焼成、再酸化の各工程が実施され、図2に示した抵抗素子5に備える素子本体6の場合には、さらに内部電極印刷工程が実施されるが、特に、本焼成工程では、酸素分圧が1×10-6MPa~5×10-12MPaに制御されることが好ましい。これによって、本焼成工程の比較的低温時に酸素欠陥が生じ、その結果、比較的短時間で効率良く、AサイトでのNd,MとBaとの整列を実現できることが本件発明者によって見出されている。また、その後に実施される再酸化処理についても、短時間化が図れることもわかっている。次に、素子本体2または6の所定の面上に、たとえば、Agを導電成分とする導電性ペーストを焼き付けることによって、電極3および4または外部電極9および10が形成され、抵抗素子1または5が完成される。以下、この発明を実験例に基づいて、より具体的に説明する。[実験例1]出発原料として、高純度3N以上の炭酸バリウムBaCO3および酸化マンガンMn3O4を準備するとともに、希土類元素Ndを含む化合物である水酸化ネオジウムNdOH3、ならびに他の希土類元素Mの酸化物である、酸化サマリウムSm2O3、酸化ユウロビウムEu2O3、酸化ガドリニウムGd2O3、酸化テルビウムTb4O7、酸化ジスプロシウムDy2O3、酸化ホルミウムHo2O3、酸化エルビウムEr2O3および酸化イットリウムY2O3を準備した。次に、これら出発原料が、焼成後において表1~表8に示す組成となるように秤量し、純水および分散剤を加え、直径2mmのPSZボールを用いて24時間粉砕混合処理を行なった。次に、上記の出発原料を含む粉砕混合処理後のスラリーを乾燥させ、造粒を行なった後、大気中において、800°Cの温度で2時間仮焼した。次に、得られた仮焼粉に、トルエン、エキネンおよび分散剤を加え、直径5mmのPSZボールを用いて24時間粉砕処理を行ない、次いで、可塑剤およびバインダを添加して、さらに12時間混合処理を行ない、シート成形用のスラリーを作製した。次に、上記スラリーにドクターブレード法を適用して、厚み25μmおよび50μmのグリーンシートを作製し、積層、圧着、カットの各工程を経て、未焼成の素子本体を得た。なお、後述する工程を経て得られた素子抵抗が8Ωを超える場合には、図2に示した構造を得るため、積層工程において、Pd内部電極を印刷したグリーンシートを積層するようにした。次に、上記未焼成の素子本体を、大気中において、450°Cの温度で2時間脱脂処理した後、H2/H2O/N2雰囲気中において、1300°Cの温度で12時間本焼成した。次いで、直径0.5mmのPSZ粉、研磨粉および水を用いて、バレル処理を行なった後、酸素雰囲気中において、600°Cの温度で24時間再酸化熱処理し、素子本体を得た。次に、上記素子本体の両端面に、Agペーストを塗布し、大気中において800°Cの温度で焼付け処理を行なうことによって、電極を形成し、各試料となる抵抗素子を得た。ここで、各試料となる抵抗素子は、3225サイズ3.2mm×2.5mm×2.5mmのものと、2012サイズ2.0mm×1.2mm×1.2mmのものとの2種類であった。なお、セラミックの収縮率の違いにより、試料によっては素子サイズが若干異なる±0.5mm程度が、突入電流耐性にはほとんど影響がないことを確認している。このようにして得られた抵抗素子について、抵抗測定器ケースレー2430と温度槽Despatch製とを使用して、4端子法で抵抗の温度依存性評価を行なった。10°C刻みで測定した抵抗の温度依存性から、次式を用いて、温度が変化した際にどれくらい抵抗が変化したかを示す指標であるB定数を算出した。B定数=lnR1/R2/1/T1-1/T2ただし、R1、R2は、それぞれ、T1、T2の温度[K]で測定した抵抗値[Ω]である。この実験例で得られた試料を代表して、試料1についての抵抗の温度依存性およびB定数が、図3に示されている。図3に示すように、主成分がAサイトにおいてNd,MとBaとが整列したダブルペロブスカイト構造を有するMn化合物で構成された半導体セラミックは、ある温度にて急激に抵抗が低下するCTR特性を示す。これは、転移温度以下では、電荷整列絶縁体という特殊な状態にあって、キャリアが凍結された状態であるが、温度上昇に伴い、電荷整列状態が崩れ、一気にキャリアが動けるようになるため、急激な抵抗変化を示すことによる。図示しないが、試料1以外の試料であっても、図3に示したものと実質的に同様の傾向が現れることが確認されている。なお、試料1はこの発明の範囲外の試料である。表1~表8において、転移温度は、B定数が最も高くなる温度を示している。次に、各試料について、まず、室温で初期抵抗を測定し、その後、AC240V、位相90°、保護抵抗1300Ωの条件にて、突入電流耐性試験を実施した。突入電流耐性試験では、上記条件で試料に突入電流を後述する各負荷容量条件で5回印加し、印加後1分間放置して再度抵抗を測定し、この抵抗が初期抵抗の±25以内であった場合は合格と判定し、初期抵抗の±25を超えた場合は不合格と判定とした。負荷容量については、15μF、22μF、33μF、47μF、68μF、100μF、150μF、220μFと次第に大きくして、合格判定であった最大負荷容量を、突入電流耐性の指標となる最大許容負荷容量とした。この最大許容負荷容量が表1~表8に示されている。また、150μFの負荷容量時に、試料に流れる突入電流をオシロスコープで計測し、回路を短絡した場合に流れる120Aの電流に対してどの程度の抑制効果が得られたかを、突入電流抑制効果[]=試料に流れる突入電流[A]/120[A]×100の式に基づいて求めた。その結果が表1~表8に示されている。なお、表1~表8において、突入電流抑制効果の欄に記入された-は、最大許容負荷容量が小さくて、突入電流抑制効果を測定できなかったことを意味している。この発明では、最大許容負荷容量が100μF以上、かつ突入電流抑制効果が20以上を合格と判定とし、それ以外を不合格と判定とした。なお、従来から知られているMn系スピネル化合物によれば、2012サイズでは最大許容負荷容量は47μF以下であることを確認している。表1~表8において、を付した試料は、この発明の範囲外のものである。この発明の範囲内の試料は、Nd1-xMxyBazMn2O6において、y=1、z=1であり、xに関して、0.05≦x≦0.4の条件を満足している。表1~表8から明らかなように、この発明の範囲内の試料であれば、3225サイズおよび2012サイズのいずれでも、最大許容負荷容量が100μF以上、かつ突入電流抑制効果が20以上といった特性を得ることができる。代表して、この発明の範囲内の試料17とこの発明の範囲外の試料20とについての2012サイズ素子の突入電流試験結果を、それぞれ、図4および図5に示す。まず、図4からわかるように、試料17では、負荷容量を大きくして大きな突入電流を加えても、ほとんど抵抗変化をせず、優れた耐性を実現できている。他方、図5に示すように、試料20では、小さな負荷容量でも、抵抗が大きく変化し、極度に抵抗が上昇する。この試料20の耐性は、従来から知られているMn系スピネル化合物と同程度である。上記のことから、この発明を適用すれば、従来の大きな単板形状のサーミスタ素子と同等の突入電流耐性および抑制効果を、3225サイズまたは2012サイズといったSMD化が可能な小型チップで実現することが可能となり、抵抗素子を用いた電子機器の小型化および低背化が可能となることがわかる。表1に示した試料1は、この発明の範囲外であるx=0の試料である。試料1によれば、最大許容負荷容量が220μFを実現しているものの、突入電流抑制効果が10未満と非常に小さくなっている。これは、抵抗が急激に低下する温度、すなわち転移温度が10°Cと低いために、突入電流印加時の初期段階で低抵抗化して突入電流を素通りさせてしまうためであると考えられる。また、x>0.4の試料では、抵抗値は8Ωと調整されているものの、従来から知られているMn系スピネル化合物と同等程度の突入電流耐性しか得ることができなかった。原因は明らかではないが、抵抗が急峻に変化する転移温度が高いため、突入電流をまともに吸収してしまい、素子発熱により素子破壊が引き起こされたものと推測される。ただし、転移温度が同じものでも、突入電流耐性が異なることもあり、転移温度だけで突入電流耐性が決まっているわけではなく、転移温度および比抵抗、さらに熱伝導率のすべてが合わさって、突入電流耐性に影響しているものと考えられる。以上のことから、この発明によれば、SMD化が可能な小型チップにおいて、大きな単板形状のサーミスタ素子と同等の突入電流耐性および抑制効果を実現することが可能となるが、これは、前述のとおり、主として、この発明に係る半導体セラミックが有する材料系に起因するCTR特性が寄与しているものと考えられ、それを適切な組成、転移温度、抵抗へと制御することにより、一層優れた特性が実現されたものと考えられる。[実験例2]実験例2では、半導体セラミックの主成分組成を示す化学式Nd1-xMxyBazMn2O6におけるyおよびzを変えた試料を作製し、実験例1の同様の評価を行なった。この実験例2において作製した試料についての上記化学式におけるMおよびその量xが表9に示されている。xは、すべての試料について、この発明の範囲内の0.05≦x≦0.4という条件を満たしている。また、実験例2において作製した試料についての上記化学式におけるyおよびzについては、図9において○または×が位置する座標y,zによって示されている。この実験例2においても、実験例1の場合と同様、2012サイズ試料において、突入電流耐性が100μF以上かつ突入電流抑制効果が20以上を合格と判定とし、それ以外を不合格と判定した。図6、図7および図8には、作製した試料を代表する3つの試料についての抵抗の温度依存性およびB定数が示されている。図6は、M:Gd、x=0.30、y=0.75、z=0.75の試料のものを示し、図7は、M:Gd、x=0.30、y=1.00、z=1.00の試料のものを示し、図8は、M:Gd、x=0.30、y=1.25、z=1.25の試料のものを示している。図6~図8を比較すると、図7に示したy=1.00、z=1.00の試料が最も大きなB定数を示し、温度に対して急峻に抵抗が変化する特性を示している。他方、図6に示した試料または図8に示した試料のように、この発明の範囲を規定する0.80≦y≦1.2および0.80≦z≦1.2の条件から外れるy,z=0.75、またはy,z=1.25としても、B定数は9000に達し、一般的なMn系スピネルNTCサーミスタ材料のB定数の倍以上の大きなB定数を実現している。しかし、突入電流耐性が100μF以上かつ突入電流抑制効果が20以上を実現できる、yおよびzの範囲を調べてみると、図9に示すような結果となった。図9において、○は突入電流耐性が100μF以上かつ突入電流抑制効果が20以上の条件を満たした試料を示し、×は上記条件を満たさなかった試料を示している。図9に示すように、0.80≦y≦1.2および0.80≦z≦1.2の条件を満たす組成範囲の試料において、突入電流耐性が100μF以上かつ突入電流抑制効果が20以上を実現することができた。それ以外の試料では、B定数は大きな値を示しても、突入電流耐性が極度に低下した。この実験例2からわかるように、この発明の範囲内であれば、希土類元素Mの種類および量xに関係なく、0.80≦y≦1.2および0.80≦z≦1.2の条件で高い突入電流耐性と突入電流抑制効果とを実現できる。この理由については、未だ明確になっていないが、yまたはzが1から離れるに従って異相がより多く偏析したり、Aサイトの整列性が起こり、局部に電流が集中したりすることによって、耐性が低下した可能性が考えられる。このことは、希土類元素Mの種類および量xが変わることによる、転移温度の変化や、図6~図8に示したようなB定数の変化が、突入電流耐性にあまり影響していないことからも強く窺える。"