被熱処理物の熱処理が行われる環状の熱処理ゾーン、前記熱処理ゾーンの内周側に配置された内周部熱源、および前記熱処理ゾーンの外周側に配置された外周部熱源を有する熱処理装置において、前記内周部熱源および前記外周部熱源は、それぞれ面状に形成され、さらに、前記熱処理ゾーンを挟んで対向するように配置されていることを特徴とする、熱処理装置。前記内周部熱源と前記外周部熱源により形成される図形は、平面的に見て、同一中心を持つ相似形であることを特徴とする、請求項1に記載の熱処理装置。前記内周部熱源は、高さ方向に分割された3段以上の内周部熱源部分を含み、前記外周部熱源は、前記内周部熱源の前記3段以上の内周部熱源部分に対向するように、高さ方向に分割された3段以上の外周部熱源部分を含み、前記3段以上の内周部熱源部分および前記3段以上の外周部熱源部分は、それぞれの段ごとに独立して温度制御される、請求項1または請求項2に記載の熱処理装置。特許文献1に開示されている上述の熱処理装置では、中央部ヒーターなどによって熱処理ゾーンにおいて単一空間での温度制御しかできないため、熱処理ゾーンにおいて周方向あたりの温度にばらつきが生じる。また、特許文献2に開示されている上述の熱処理装置では、炉内ヒーターの設置方向において加熱制御を行うようにしているが、炉内ヒーターとして棒状ヒーターを使い、部分的な加熱を行うことによって、熱処理ゾーンにおいて一空間の温度制御をしているため、熱処理ゾーンにおいて周方向あたりの温度にばらつきが生じる。このように、熱処理装置の熱処理ゾーンにおいて周方向あたりの温度にばらつきが生じると、熱処理装置で脱バインダや焼成などの熱処理されたセラミック素子を有するセラミック電子部品の特性にばらつきが生じてしまう場合がある。それゆえに、この発明の主たる目的は、熱処理ゾーンにおいて周方向あたりの温度のばらつきを低減することができる熱処理装置を提供することである。この発明にかかる熱処理装置は、被熱処理物の熱処理が行われる環状の熱処理ゾーン、熱処理ゾーンの内周側に配置された内周部熱源、および熱処理ゾーンの外周側に配置された外周部熱源を有する熱処理装置において、内周部熱源および外周部熱源は、それぞれ面状に形成され、さらに、熱処理ゾーンを挟んで対向するように配置されていることを特徴とする、熱処理装置である。この発明にかかる熱処理装置において、内周部熱源と外周部熱源により形成される図形は、平面的に見て、同一中心を持つ相似形であることが好ましい。さらに、この発明にかかる熱処理装置において、内周部熱源は、高さ方向に分割された3段以上の内周部熱源部分を含み、外周部熱源は、内周部熱源の3段以上の内周部熱源部分に対向するように、高さ方向に分割された3段以上の外周部熱源部分を含み、3段以上の内周部熱源部分および3段以上の外周部熱源部分は、それぞれの段ごとに独立して温度制御されることが好ましい。この発明にかかる熱処理装置では、熱処理ゾーンの内周側に配置された面状の内周部熱源と熱処理ゾーンの外周側に配置された面状の外周部熱源とが熱処理ゾーンを挟んで対向しているので、内周部熱源と外周部熱源との間に設けられた熱処理ゾーンの周方向における温度分布をほぼ均一にすることができる。すなわち、この発明にかかる熱処理装置では、熱処理ゾーンにおいて周方向あたりの温度のばらつきを低減することができる。そのため、この発明にかかる熱処理装置を用いれば、例えば積層セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品の多数のセラミック素子をほぼ均一の温度で脱バインダや焼成などの熱処理することができる。したがって、この発明にかかる熱処理装置を用いれば、セラミック素子を有するセラミック電子部品の特性のばらつきを低減することができる。また、この発明にかかる熱処理装置では、内周部熱源と外周部熱源により形成される図形は、平面的に見て、同一中心を持つ相似形であれば、熱処理ゾーンの半径方向における温度分布をほぼ均一にすることができる。すなわち、このようにすれば、熱処理ゾーンにおいて半径方向あたりの温度のばらつきを低減することができる。そのため、このような熱処理装置を用いれば、熱処理ゾーンにおいて半径方向に配置された多数のセラミック素子もほぼ均一の温度で脱バインダや焼成などの熱処理することができる。さらに、この発明にかかる熱処理装置では、内周部熱源が高さ方向に分割された3段以上の内周部熱源部分を含み、外周部熱源が内周部熱源の3段以上の内周部熱源部分に対向するように高さ方向に分割された3段以上の外周部熱源部分を含み、3段以上の内周部熱源部分および3段以上の外周部熱源部分がそれぞれの段ごとに独立して温度制御されるようにすれば、熱処理ゾーンの高さ方向における温度分布をほぼ均一にすることができる。すなわち、このようにすれば、熱処理ゾーンにおいて高さ方向あたりの温度のばらつきを低減することができる。そのため、このような熱処理装置を用いれば、熱処理ゾーンにおいて高さ方向に配置された多数のセラミック素子もほぼ均一の温度で脱バインダや焼成などの熱処理することができる。この発明によれば、熱処理ゾーンにおいて周方向あたりの温度のばらつきを低減することができる熱処理装置が得られる。さらに、この発明によれば、熱処理ゾーンにおいて周方向あたりの温度のばらつきを低減することができるとともに、熱処理ゾーンにおいて高さ方向あたりの温度のばらつきを低減することができる熱処理装置が得られる。この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。図1は、この発明にかかる熱処理装置の一例を示す平面図解図であって図2の線A-Aにおける断面の平面図解図であり、図2は、その熱処理装置の正面図解図である。図1および図2に示す熱処理装置10は、円板状の炉床12を含む。炉床12は、例えばアルミナファイバーや金属などの断熱材で形成される。炉床12の上部の周囲には、例えば円環状にくり抜かれた係合用凹部14が形成される。係合用凹部14は、炉床12を上昇した場合に後述の炉本体20の下端部と係合する箇所である。炉床12の上部において、係合用凹部14の内側には、円環状の載置部16が形成される。載置部16は、たとえばセラミック素子などの被熱処理物が入れられた熱処理用匣を載置する箇所である。炉床12において、載置部16の内側には、例えば円柱状にくり抜かれた非干渉用凹部18が形成される。非干渉用凹部18は、炉床12を上昇した場合に炉床12が後述の支持部材32および内周ヒーター34に接触しないようにする箇所である。炉床12において係合用凹部14、載置部16および非干渉用凹部18は、それらの中心軸が炉床12の中心軸と一致するように形成される。すなわち、係合用凹部14、載置部16および非干渉用凹部18を有する炉床12は、回転体形状に形成される。炉床12の下部には、例えば油圧シリンダなどを用いた昇降手段図示せずが設けられる。この昇降手段は、炉床12を高さ方向に昇降するためのものである。さらに、炉床12の下部には、例えばモータなどを用いた回転手段図示せずが設けられる。この回転手段は、炉床12を炉床12の中心軸を中心として回転するためのものである。炉床12の上方には、例えばアルミナファイバーや金属などの断熱材で形成された炉本体20が配置される。炉本体20は、円筒状の側部22を含む。側部22は、側部22の外側の直径が炉床12の最大の直径と同様な直径になるように形成される。また、側部22は、側部22の内側の直径が炉床12の上部において係合用凹部14で規定された直径よりやや大きい直径になるように形成される。側部22の上部には、円板状の天部24が形成される。また、天部24は、天部24の直径が側部22の外側の直径と同じ直径になるように形成される。この炉本体20は、炉本体20の中心軸が炉床12の中心軸と一致するように配置される。そのため、炉床12を昇降手段で上昇すれば、炉床12の係合用凹部14と炉本体20の側部22の下端部とが係合する。このように炉床12および炉本体20が係合することによって、炉床12および炉本体20内に、円筒状の熱処理ゾーン26が形成される。熱処理ゾーン26は、例えばセラミック素子などの被熱処理物の熱処理が行われるゾーンである。このように係合する炉床12の係合用凹部14および炉本体20の側部22の下端部間には、熱処理ゾーン26の密閉性をよくするためにシール部材図示せずが設けられている。炉本体20の側部22には、例えば8つのガス供給口28が炉本体20の外側から熱処理ゾーン26に通じるように形成される。これらのガス供給口28は、例えば側部22の高さ方向に間隔を隔てて形成される。また、これらのガス供給口28は、例えば側部22の前後左右に等間隔を隔てて放射状に形成される。これらのガス供給口28は、熱処理ゾーン26に熱処理用の雰囲気ガスを供給するために用いられる。炉本体20の天部24には、例えば1つの排出口30が熱処理ゾーン22から炉本体20の外部に通じるように形成される。排出口30は、例えば炉本体20の天部24の中央に形成される。この排出口30は、熱処理ゾーン26内で使用を終えた雰囲気ガスなどを外部に排出するために用いられる。炉本体20の天部24の下部には、例えばアルミナファイバーや金属などの断熱材で形成された円筒状の支持部材32が配置される。この場合、支持部材32は、内部の空間が排出口30に通じるように、かつ、高さ方向にのびるように配置される。この支持部材32は、後述の内周ヒーター34を支持するとともに、熱処理ゾーン26内で使用を終えた雰囲気ガスなどを排出口30側に排出するために用いられる。また、支持部材32は、炉床12を上昇し、支持部材32の下端部が炉床12の非干渉用凹部18に入った場合に炉床12に接触しない長さに形成される。炉床12および炉本体20内の熱処理ゾーン26の内周側には、内周部熱源としての内周ヒーター34が配置される。この場合、内周ヒーター34は、円筒状の支持部材32の表面に沿った曲面状に形成される。さらに、内周ヒーター34は、支持部材32の表面で支持される。この内周ヒーター34は、高さ方向に分割された3段の内周部熱源部分として、上段の内周ヒーター部分36a、中段の内周ヒーター部分36bおよび下段の内周ヒーター部分36cを含む。上段の内周ヒーター部分36aは、図3に示すように、例えば8個の内周ヒーター素子38を含む。これらの内周ヒーター素子38は、それぞれ、支持部材32の表面に沿った曲面状に形成される。この場合、各内周ヒーター素子38は、平面的に見て円弧状に形成される。内周ヒーター素子38としては、例えばミアンダライン状の加熱部を有する矩形平面状の金属ヒーター素子や非金属ヒーター素子を支持部材32の表面に沿って湾曲した曲面状のヒーター素子が用いられる。また、上段の内周ヒーター部分36aの8個の内周ヒーター素子38は、支持部材32の表面の上段において、互いに一定の間隔を隔てて支持部材32の表面を周回するように、平面的に見て1つの円上に配置される。この場合、支持部材32の表面を周回する方向に見て、各内周ヒーター素子38の長さは、各内周ヒーター素子38間の間隔よりも長い。すなわち、内周ヒーター素子38の占める領域は、内周ヒーター素子38が存在しない領域よりも広い範囲を占める。同様に、中段の内周ヒーター部分36bおよび下段の内周ヒーター部分36cも、図3に示すように、それぞれ、8個ずつの内周ヒーター素子38を含む。ただし、中段の内周ヒーター部分36bの8個の内周ヒーター素子38は、支持部材32の表面の中段において、互いに一定の間隔を隔てて支持部材32の表面を周回するように、平面的に見て上述の1つの円上に配置される。さらに、下段の内周ヒーター部分36cの8個の内周ヒーター素子38は、支持部材32の表面の下段において、互いに一定の間隔を隔てて支持部材32の表面を周回するように、平面的に見て上述の1つの円上に配置される。上段の内周ヒーター部分36aは、上側のガス供給口28の上方に配置される。また、中段の内周ヒーター部分36bは、上側のガス供給口28と下側のガス供給口28との間に配置される。さらに、下段の内周ヒーター部分36cは、下側のガス供給口28の下方に配置される。また、内周ヒーター34の上段、中段および下段の内周ヒーター部分36a、36bおよび36cの各内周ヒーター素子38は、高さ方向に一定の間隔を隔てて配列される。さらに、内周ヒーター34の各内周ヒーター素子38の引出線図示せずは、支持部材32を貫通し、支持部材32の内部の空間および排出口30を介して、炉本体20の外部に引き出される。炉床12および炉本体20内の熱処理ゾーン26の外周側には、外周部熱源としての外周ヒーター40が配置される。この場合、外周ヒーター40は、炉本体20の側部22の内面に沿った曲面状に形成される。さらに、外周ヒーター40は、炉本体20の側部22の内面で支持される。また、外周ヒーター40は、内周ヒーター34とともに、熱処理ゾーン26を挟んで対向するように配置される。この外周ヒーター40は、高さ方向に分割された3段の外周部熱源部分として、上段の外周ヒーター部分42a、中段の外周ヒーター部分42bおよび下段の外周ヒーター部分42cを含む。外周ヒーター40の3段の外周ヒーター部分42a、42b、42cは、内周ヒーター34の3段の内周ヒーター部分36a、36b、36cにそれぞれ対向するように配置される。上段の外周ヒーター部分42aは、図4に示すように、例えば8個の外周ヒーター素子44を含む。これらの外周ヒーター素子44は、それぞれ、炉本体20の側部22の内面に沿った曲面状に形成される。外周ヒーター素子44としては、例えばミアンダライン状の加熱部を有する矩形平面状の金属ヒーター素子や非金属ヒーター素子を炉本体20の側部22の内面に沿って湾曲した曲面状のヒーター素子が用いられる。また、外周ヒーター素子44の描く円弧は、対向する内周ヒーター素子38の描く円弧と相似形に形成される。この場合、外周ヒーター素子44および内周ヒーター素子38の描く円弧は、それぞれが配置される円の直径に比例して相似形に形成される。また、上段の外周ヒーター部分42aの8個の外周ヒーター素子44は、炉本体20の側部22の内面の上段において、互いに一定の間隔を隔てて炉本体20の側部22の内面を周回するように、平面的に見て1つの円上に配置される。外周ヒーター40により形成される図形本実施例の場合は円形は、内周ヒーター34により形成される図形本実施例の場合は円形と中心が同じであり、相似形である。この場合、炉本体20の側部22の内面を周回する方向に見て、各外周ヒーター素子44の長さは、各外周ヒーター素子44間の間隔よりも長い。すなわち、外周ヒーター素子44の占める領域は、外周ヒーター素子44が存在しない領域よりも広い範囲を占める。また、上段の外周ヒーター部分42aは、上側のガス供給口28の上方において、上段の内周ヒーター部分36aと同じ高さに配置される。上段の外周ヒーター部分42aの8個の外周ヒーター素子44は、上段の内周ヒーター部分36aの8個の内周ヒーター素子38にそれぞれ対向するように配置される。中段の外周ヒーター部分42bおよび下段の外周ヒーター部分42cも、図4に示すように、上段の外周ヒーター部分42aと同様に、それぞれ、8個ずつの外周ヒーター素子44を含む。中段の外周ヒーター部分42bの8個の外周ヒーター素子44は、炉本体20の側部22の内面の中段において、互いに一定の間隔を隔てて炉本体20の側部22の内面を周回するように、円上に配置される。平面的に見ると、上段および中段の外周ヒーターにより形成される円形は一致する。また、中段の外周ヒーター部分42bは、上側のガス供給口28と下側のガス供給口28との間において、中段の内周ヒーター部分36bと同じ高さに配置される。中段の外周ヒーター部分42bの8個の外周ヒーター素子44は、中段の内周ヒーター部分36bの8個の内周ヒーター素子38にそれぞれ対向するように配置される。下段の外周ヒーター部分42cの8個の外周ヒーター素子44は、炉本体20の側部22の内面の下段において、互いに一定の間隔を隔てて炉本体20の側部22の内面を周回するように、円上に配置される。平面的に見ると、下段および中段の外周ヒーターにより形成される円形は一致する。また、下段の外周ヒーター部分42cは、下側のガス供給口28の下方において、下段の内周ヒーター部分36cと同じ高さに配置される。さらに、下段の外周ヒーター部分42cの8個の外周ヒーター素子44は、下段の内周ヒーター部分36cの8個の内周ヒーター素子38にそれぞれ対向するように配置される。また、上段、中段および下段の外周ヒーター部分42a、42bおよび42cの各ヒーター素子44は、高さ方向に一定の間隔を隔てて配列される。さらに、それらの各ヒーター素子44の引出線46は、炉本体20の側部22を貫通して、炉本体20の外部に引き出される。この熱処理装置10では、内周ヒーター34の上段、中段、下段の内周ヒーター部分36a、36b、36cおよび外周ヒーター40の上段、中段、下段の外周ヒーター部分42a、42b、43cは、それぞれの段ごとに独立して温度制御される。上段の内周ヒーター部分36aの8個の内周ヒーター素子38は、温度コントローラ50aを介して制御装置52に接続される。同様に、中段の内周ヒーター部分36bの8個の内周ヒーター素子38は、他の温度コントローラ50bを介して制御装置52に接続される。また、下段の内周ヒーター部分36cの8個の内周ヒーター素子38は、さらに他の温度コントローラ50cを介して制御装置52に接続される。さらに、上段の外周ヒーター部分42aの8個の外周ヒーター素子44は、図5に示すように、温度コントローラ50dを介して制御装置52に接続される。同様に、中段の外周ヒーター部分42bの8個の内周ヒーター素子44は、他の温度コントローラ50eを介して制御装置52に接続される。また、下段の外周ヒーター部分42cの8個の内周ヒーター素子44は、さらに他の温度コントローラ50fを介して制御装置52に接続される。したがって、内周ヒーター34の上段、中段、下段の内周ヒーター部分36a、36b、36cおよび外周ヒーター40の上段、中段、下段の外周ヒーター部分42a、42b、43cは、制御装置52および温度コントローラ50a~50fによって、それぞれの段ごとに独立して温度制御することができる。次に、図1および図2に示す熱処理装置10の使用方法の一例について説明する。まず、熱処理装置10の炉床12が昇降手段で下降される。この場合、炉床12は、炉床12の載置部16に熱処理用匣を載置することができる高さまで下降される。そして、炉床12の載置部16には、多数の熱処理用匣が載置される。この場合、各熱処理用匣には、被熱処理物として熱処理前の多数のセラミック素子が予め入れられている。また、各熱処理用匣は、平面的に見てそれぞれ扇形に形成される。さらに、これらの熱処理用匣は、炉床12の載置部16に、円環状に配置されかつ上下に複数積み上げられる。それから、炉床12などは、昇降手段によって、炉床12が炉本体20に係合するまで上昇される。また、炉床12などは、回転手段によって、炉床12の中心軸を中心として回転される。そして、熱処理用の雰囲気ガスが、ガス供給口28を介して、熱処理ゾーン26に供給される。それから、内周ヒーター34および外周ヒーター40が、制御装置52および温度コントローラ50a~50fによって加熱制御される。それによって、熱処理用匣に入れられた被熱処理物は、1000°C以下の温度で脱バインダや焼成などの熱処理される。この場合、内周ヒーター34および外周ヒーター40は、炉内温度が均一になるようにするために、例えば、下段の外周ヒーター部分42cが一番高い設定温度に加熱制御され、さらに、下段の内周ヒーター部分36c、中段の外周ヒーター部分42b、上段の外周ヒーター部分42a、中段の内周ヒーター部分36b、上段の内周ヒーター部分36aの順に設定温度が低くなるように加熱制御される。図1および図2に示す熱処理装置10では、熱処理ゾーン26の内周側に配置された面状の内周ヒーター34と熱処理ゾーン26の外周側に配置された面状の外周ヒーター40とが熱処理ゾーン26を挟んで対向しているので、内周ヒーター34と外周ヒーター40との間に設けられた熱処理ゾーン26の周方向および半径方向における温度分布をほぼ均一にすることができる。すなわち、この熱処理装置10では、熱処理ゾーン26において周方向および半径方向あたりの温度のばらつきを低減することができる。そのため、この熱処理装置10を用いれば、例えば積層セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品の多数のセラミック素子をほぼ均一の温度で脱バインダや焼成などの熱処理することができる。したがって、この熱処理装置10を用いれば、セラミック素子を有するセラミック電子部品の特性のばらつきを低減することができる。また、この熱処理装置10では、内周ヒーター34が高さ方向に分割された3段の内周ヒーター部分36a、36b、36cを含み、外周ヒーター40が内周ヒーター34の3段の内周ヒーター部分36a、36b、36cに対向するように高さ方向に分割された3段の外周ヒーター部分42a、42b、42cを含み、3段の内周ヒーター部分36a、36b、36cおよび3段の外周ヒーター部分42a、42b、42cがそれぞれの段ごとに独立して温度制御されるので、熱処理ゾーン26の高さ方向における温度分布をほぼ均一にすることができる。すなわち、この熱処理装置10では、熱処理ゾーン26において高さ方向あたりの温度のばらつきを低減することができる。そのため、この熱処理装置10を用いれば、熱処理ゾーン26において高さ方向に配置された多数のセラミック素子もほぼ均一の温度で脱バインダや焼成などの熱処理することができる。図6は、この熱処理装置10を用いて被熱処理物を熱処理した場合の経過時間に対する被熱処理物の高さ方向における最大の温度差を示すグラフである。図6に示すグラフより、この熱処理装置10を用いれば、熱処理のために重要な時間であるピーク温度保持期間において、高さ方向における最大の温度差が、従来技術において主流とされている5°C程度よりも2°C程度まで大幅に低減され、すなわち、温度ばらつきが大幅に低減され、高精度の温度分布が実現されていることが分かる。さらに、この熱処理装置10では、内周ヒーター34と外周ヒーター40とが同心円上に配置されているので、この点でも、熱処理ゾーン26内の温度がばらつきにくい。また、この熱処理装置10では、内周ヒーター34の内周ヒーター素子38と外周ヒーター40の外周ヒーター素子44とが、それぞれが配置される円の直径に応じた大きさで相似形に形成されているので、この点でも、熱処理ゾーン26内の温度がばらつきにくい。さらに、この熱処理装置10では、熱処理ゾーン26の内周側を周回する方向に見て、内周ヒーター素子38が、内周ヒーター素子38が存在しない内周ヒーター素子38間の間隔より広い範囲を占めているので、この点でも、熱処理ゾーン26内の温度がばらつきにくい。同様に、この熱処理装置10では、熱処理ゾーン26の外周側を周回する方向に見て、外周ヒーター素子44が、外周ヒーター素子44が存在しない外周ヒーター素子44間の間隔より広い範囲を占めているので、この点でも、熱処理ゾーン26内の温度がばらつきにくい。また、この熱処理装置10では、内周ヒーター34を支持するための支持部材32が、熱修理ゾーン26内で使用を終えた雰囲気ガスなどを排出するための排出管や内周ヒーター34の内周ヒーター素子38の引出線を外部に引き出すための配管の作用を兼ねているので、そのような排出管や配管を別の部品として設ける必要がない。そのため、この熱処理装置10では、そのような排出管や配管を別の部品で設ける場合に比べて、部品点数を低減することができる。この熱処理装置10では、内周ヒーター素子38の引出線が、支持部材32など介して外部に引き出されるので、高さ方向に複数段の内周ヒーター素子38を配置するにもかかわらず、それぞれの内周ヒーター素子38が機械的な干渉をすることなく設置できる。上述の熱処理装置10では内周ヒーター34が3段の内周ヒーター部分36a、36b、36cを含んでいるが、内周ヒーター34は高さ方向に分割された4段以上の内周ヒーター部分を含んでもよい。同様に、外周ヒーター40は、高さ方向に分割された4段以上の外周ヒーター部分を含んでもよい。また、上述の熱処理装置10では、内周ヒーター34の内周ヒーター素子38が曲面状に形成されているが、内周ヒーター素子38は平面状に形成されてもよい。この場合、内周ヒーター34の各段の内周ヒーター部分36a、36b、36cは、それぞれ、平面的に見て略多角形状に形成されてもよい。同様に、外周ヒーター40の外周ヒーター素子44は平面状に形成されてもよい。この場合、外周ヒーター40の各段の外周ヒーター部分42a、42b、42cは、それぞれ、平面的に見て略多角形状に形成されてもよい。さらに、上述の熱処理装置10では、内周ヒーター34の各段の内周ヒーター部分36a、36b、36cは、それぞれ、8個ずつのヒーター素子38を含んでいるが、各内周ヒーター部分はそれぞれ8個以外の数のヒーター素子を含んでもよい。例えば、内周ヒーター部分は、平面的に見て熱処理ゾーン26の内周側に沿った平面的に見てC形である1つの曲面状かつ帯状のヒーター素子を含んでもよい。ただし、内周ヒーター部分は、1つの内周ヒーター素子を含むものより複数の内周ヒーター素子を含むもののほうが製造しやすい。同様に、外周ヒーター40の各段の外周ヒーター部分42a、42b、42cは、それぞれ、8個以外の数のヒーター素子を含んでもよい。例えば、外周ヒーター部分は、平面的に見て熱処理ゾーン26の外周側に沿った平面的に見てC形である1つの曲面状かつ帯状のヒーター素子を含んでもよい。なお、外周ヒーター部分は、1つの外周ヒーター素子を含むものより複数の外周ヒーター素子を含むもののほうが製造しやすい。