"第一級アミンの製造法であって、以下の工程段階:A液体の、気体ではない相でアルコールの溶液を準備する工程;B該相を、遊離アンモニア及び/又は少なくとも1つのアンモニア放出性化合物並びに一般式1[式中、R1、R2、R3及びR4は、互いに無関係に、同じであるか又は異なっており、フェニル、t-ブチル及びイソプロピルを含む群から選択されており、かつAは、-CCH32-、-CH2CH2-、-SiCH32-、-S-、-O-、-CCCH32-及びを含む群から選択されている]の少なくとも1つのキサントホス配位子及び少なくとも1つの遷移金属化合物を含む均一触媒系と接触させる工程;並びに場合によりC工程段階Bで形成された第一級アミンを単離する工程を包含する第一級アミンの製造法。工程段階Bにおいて、R1=R2=R3=R4=フェニル及びA=-CCH32-のキサントホス配位子を用いることを特徴とする、請求項1記載の方法。工程段階Bにおいて、キサントホス配位子カルボニルクロロヒドリド-[9,9-ジメチル-4,5-ビスジフェニルホスフィノ-キサンテノ]ルテニウムII]を用いることを特徴とする、請求項1又は2記載の方法。工程段階Aで用いられる前記アルコールを、少なくとも8個の炭素原子を包含する炭素鎖を有する脂肪族の直鎖ω-ヒドロキシカルボン酸の群から選択していることを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。前記アルコールを、前記液相を基準として0.1~1000mmol/L、有利には0.1~100mmol/L、特に有利には0.1~10mmol/Lの濃度で用いることを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。工程段階Bで、液体若しくは超臨界のアンモニア及び/又は溶媒に溶かしたアンモニウム塩の溶液を用いることを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。工程段階Bにおける前記アンモニアと、前記アルコール中のヒドロキシル基とを、少なくとも5対1、有利には50対1、特に有利には500対1のモル比で用いることを特徴とする、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。工程段階Bを、1~1000bar、有利には5~500bar、特に有利には5~20barの範囲の圧力で実施することを特徴とする、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。工程段階Bを、80~220°C、有利には100~200°C、特に有利には120~170°Cの温度範囲内で実施することを特徴とする、請求項1から8までのいずれか1項記載の方法。工程段階Bでの気相の体積に対する液相の体積の比の値が0.05以上であること、有利には0.1より大きいこと、殊に0.2より大きいことを特徴とする、請求項1から9までのいずれか1項記載の方法。水素の不在下で実施することを特徴とする、請求項1から10までのいずれか1項記載の方法。"