"半導体素子と、前記半導体素子と電気的に接続される電極端子と、を含む積層部が複数配置された半導体モジュールであって、前記積層部を同一円周上に配置することを特徴とする半導体モジュール。前記積層部を等間隔に配置し、前記積層部を圧接する弾性部材を、前記積層部の前記円周の中心軸方向の延長上に設けることを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。前記弾性部材は、皿ばねであり、当該皿ばねを前記中心軸と同軸に設けることを特徴とする請求項2に記載の半導体モジュール。前記積層部を、前記皿ばねに蓄積された弾性力がかかる箇所の前記中心軸方向延長上に設けることを特徴とする請求項3に記載の半導体モジュール。前記積層部と前記皿ばねとの間に弾性力伝達部材を設けることを特徴とする請求項3または請求項4に記載の半導体モジュール。前記弾性力伝達部材をヒートシンクとして用いることを特徴とする請求項5に記載の半導体モジュール。前記皿ばねと前記弾性力伝達部材との間にへこみ防止部材を設けることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の半導体モジュール。前記積層部を固定する固定部材を、前記中心軸対称、且つ、前記皿ばねの外周より外側及び前記皿ばねの内周より内側にそれぞれ設けることを特徴とする請求項3から請求項7のいずれか1項に記載の半導体モジュール。前記中心軸と同軸に前記半導体モジュールを貫通する貫通孔を形成することを特徴とする請求項2から請求項8のいずれか1項に記載の半導体モジュール。前記貫通孔に、ヒートシンクを設けることを特徴とする請求項9に記載の半導体モジュール。前記半導体モジュールを、円柱状に形成することを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の半導体モジュール。上述のように、圧接により半導体素子の電極層と電極端子とを電気的に接続する半導体モジュールにおいて、半導体モジュールの動作信頼性の向上のために、半導体モジュールに設けられる各半導体素子に所定の圧接力を作用させることが求められている。例えば、各半導体素子に作用する圧接力の大きさの違いにより、半導体素子と電極端子との熱抵抗や接触抵抗にも差が生じ、その結果として半導体素子の動作に差が生じるおそれがある。上記事情に鑑み、本発明は、半導体素子の電極層と電極端子とを圧接して半導体素子の電極層と電極端子とを電気的に接続する半導体モジュールにおいて、各半導体素子に作用する圧接力の差を低減することに貢献する技術を提供することを目的としている。上記目的を達成する本発明の半導体モジュールの一態様は、半導体素子と、前記半導体素子と電気的に接続される電極端子と、を含む積層部が複数配置された半導体モジュールであって、前記積層部を同一円周上に配置することを特徴としている。また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールの他の態様は、上記半導体モジュールにおいて、前記積層部を等間隔に配置し、前記積層部を圧接する弾性部材を、前記積層部の前記円周の中心軸方向の延長上に設けることを特徴としている。また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールの他の態様は、上記半導体モジュールにおいて、前記弾性部材は、皿ばねであり、当該皿ばねを前記中心軸と同軸に設けることを特徴としている。また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールの他の態様は、上記半導体モジュールにおいて、前記積層部を、前記皿ばねに蓄積された弾性力がかかる箇所の前記中心軸方向延長上に設けることを特徴としている。また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールの他の態様は、上記半導体モジュールにおいて、前記積層部と前記皿ばねとの間に弾性力伝達部材を設けることを特徴としている。また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールの他の態様は、上記半導体モジュールにおいて、前記弾性力伝達部材をヒートシンクとして用いることを特徴としている。また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールの他の態様は、上記半導体モジュールにおいて、前記皿ばねと前記弾性力伝達部材との間にへこみ防止部材を設けることを特徴としている。また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールの他の態様は、上記半導体モジュールにおいて、前記積層部を固定する固定部材を、前記中心軸対称、且つ、前記皿ばねの外周より外側及び前記皿ばねの内周より内側にそれぞれ設けることを特徴としている。また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールの他の態様は、上記半導体モジュールにおいて、前記中心軸と同軸に前記半導体モジュールを貫通する貫通孔を形成することを特徴としている。また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールの他の態様は、上記半導体モジュールにおいて、前記貫通孔に、ヒートシンクを設けることを特徴としている。また、上記目的を達成する本発明の半導体モジュールの他の態様は、上記半導体モジュールにおいて、前記半導体モジュールを、円柱状に形成することを特徴としている。以上の発明によれば、半導体素子の電極層と電極端子とを押圧して、半導体素子の電極層と電極端子とを電気的に接続する半導体モジュールにおいて、各半導体素子に作用する圧接力の差を低減することに貢献することができる。本発明の実施形態に係る半導体モジュールについて、図を参照して詳細に説明する。なお、以下の各図面において示される上面透視図並び断面図は、いずれも本発明の実施形態に係る半導体モジュールを模式的に示したものであり、図面上の寸法比と実際の寸法比とは必ずしも一致するものではない。図1は、本発明の実施形態に係る半導体モジュール1の上面透視図であり、図2は、本発明の実施形態に係る半導体モジュール1の要部断面図である。なお、図2に示す半導体モジュール1の断面図は、図1に示した半導体モジュール1のA-A断面図である。図1に示すように、本発明の実施形態に係る半導体モジュール1は、単相の1アームのスイッチスイッチング素子であるIGBTと整流素子であるFWDFreeWheelingDiodeの組合せ2a,2bを2in1で構成した積層部2~4を120°おきに3箇所配置することで6in1の3相ブリッジインバータを構成するモジュールである。それぞれの積層部2~4は、各相U,V,Wの交流電流を出力するAC電極端子5、DC電源に接続されるDC電極端子P端子6、N端子7を有し、それぞれの電極端子は、半導体モジュール1の外周側面ケース17を貫通して外部の回路と接続される。図2に示すように、本発明の実施形態に係る半導体モジュール1は、積層部2~4と、皿ばね8とを備える。半導体モジュール1の外形は、円柱状であり、円柱の軸以後、半導体モジュール1の中心軸Bとすると同軸に、半導体モジュール1を貫通する貫通穴9が形成される。積層部2は、単相の1アームのスイッチ2a、2bと、AC電極端子5と、DC電極端子P端子6、N端子7とから構成される。以下、積層部2について詳細に説明するが、積層部2と同一円周上に等間隔に配置される他の積層部3,4ついても同様であるので、同じものには同じ符号を付し、繰り返しを避けるため説明を省略する。単相の1アームのスイッチ2aのスイッチング素子上面には、エミッタ電極層が形成され、単相の1アームのスイッチ2aのスイッチング素子底面には、コレクタ電極層が形成される図示せず。一方、単相の1アームのスイッチ2bのスイッチング素子上面には、コレクタ電極層が形成され、単相の1アームのスイッチ2bのスイッチング素子下面には、エミッタ電極層が形成される図示せず。なお、実施形態の説明では、便宜上、上面及び下面とするが上下方向は、本発明をなんら限定するものではない。P端子6は、単相の1アームのスイッチ2aの下面に設けられ、スイッチング素子のコレクタ及び整流素子のカソードと電気的に接続される。また、単相の1アームのスイッチ2aの上面には、AC電極端子5が設けられ、スイッチング素子のエミッタ及び整流素子のアノードとAC電極端子5が電気的に接続される。N端子7は、単相の1アームのスイッチ2bの下面に設けられ、スイッチング素子のエミッタ及び整流素子のアノードと電気的に接続される。また、単相の1アームのスイッチ2bの上面には、AC電極端子5が設けられ、スイッチング素子のコレクタ及び整流素子のカソードとAC電極端子5が電気的に接続される。これらAC電極端子5及びDC電極端子P端子6、N端子7は、半導体モジュール1の外周側面から取り出され、AC電極端子5は回転機などのAC負荷へ、DC電極端子P端子6、N端子7はバッテリー等のDC電源側へそれぞれ接続される。なお、各P端子6、N端子7にバッテリー等のDC電源のリップル直流の中に含まれている脈動成分を抑える目的で平滑コンデンサを配置してもよい。AC電極端子5の上面には、絶縁板10を介して力伝達ブロック11が設けられる。力伝達ブロック11の上面には、皿ばね8等の弾性部材が設けられる溝11aが形成されており、この溝11aに皿ばね8が設けられる。力伝達ブロック11は、例えば、アルミニウムより好ましくは、純度が99.99以上若しくはアルミニウム合金により形成される。力伝達ブロック11を、半導体モジュール1を構成する他の部材より剛性の低い材料を用いることで、力伝達ブロック11が応力緩和部材として機能する。その結果、皿ばね8の弾性力をより均一に積層部2~4に作用させることができる。皿ばね8は、積層部2~4が設けられる同一円周の中心軸C半導体モジュール1の中心軸Bと同軸に設けられる。図3aに示すように、皿ばね8は、一般的に中央部に穴が空いた形状を有し、皿ばね8の上端円周部8aと下端円周部8b間の距離が短くなることで弾性力が蓄積される。また、図3bに示すように、皿ばね8に蓄積された弾性力がかかる箇所は、上端円周部8a及び下端円周部8bであり、この上端円周部8a若しくは下端円周部8bと接する部分に皿ばね8に蓄積された弾性力が作用する。図2に示すように、積層部2~4を半導体モジュール1の中心軸Bの軸方向に積層し、皿ばね8の下端円周部8bが力伝達ブロック11と接する部分から半導体モジュール1の中心軸Bの軸方向延長上に積層部2~4が位置するように皿ばね8を設けると、皿ばね8の弾性力を積層部2~4に直接作用させることができる。よって、皿ばね8の弾性力を拡散させて積層部2~4に均一に作用させるために必要な物理的距離を短くすることができる。その結果、積層部2~4と皿ばね8との間の距離を短くすることができ、各積層部2~4にかかる皿ばね8の弾性力を均一化するだけでなく、半導体モジュール1を小型化することができる。なお、皿ばね8と力伝達ブロック11との間、若しくは、皿ばね11と後述するヒートシンク12との間にへこみ防止部材図示省略を設けることで、力伝達ブロック11やヒートシンク12が、皿ばね8の弾性力により変形することを防止できる。へこみ防止部材は、ステンレス鋼からなるワッシャー状や円盤状の板など、皿ばね8と同程度または、それ以上の強度を有する材料からなる厚さ0.5mm以上の板であればよい。へこみ防止部材の厚さが0.5mm以上であれば、このへこみ防止部材で皿ばね8の弾性力が分散され、力伝達ブロック11やヒートシンク12が変形しない圧力を力伝達ブロック11やヒートシンク12に作用させることができる。そして、DC電極端子P端子6、N端子7には、絶縁板13を介してヒートシンク14が設けられ、力伝達ブロック11上にはヒートシンク12が設けられる。このヒートシンク12,14は、フィン形状空冷を有するものでもよいし、冷媒を循環させる機構液冷を設けたものでも構わない。そして、ヒートシンク12,14及び、力伝達ブロック11等の端部外周端または内周端に雄ねじ部が形成されたボルト15固定部材が挿通され、ボルト15の雄ねじ部がヒートシンク14に形成された雌ねじ部14aに螺合される。このボルト15により、半導体モジュール1の上下の厚み方向ヒートシンク12,14間の距離を保って半導体モジュール1を構成する各部材が固定されるとともに、皿ばね8に所定の圧縮変位が与えられる。ヒートシンク12,14に挟持された積層部2~4や皿ばね8等を押圧するように、ヒートシンク12,14がボルト15で固定されることで、皿ばね8に弾性力が蓄積される。この弾性力により、積層部2及び、積層部3,4に圧接力が作用する。つまり、半導体モジュール1の中心軸B方向に積層部2及び、積層部3,4を積層し、この積層部2を圧接するように皿ばね8を設けることで、AC電極端子5、P端子6が単相の1アームのスイッチ2aに押圧されまたは、AC電極端子5、N端子7が単相の1アームのスイッチ2bに押圧され、AC電極端子5、P端子6と単相の1アームのスイッチ2aまたは、AC電極端子5、N端子7と単相の1アームのスイッチ2bとの電気的接続が行われる。また、半導体モジュール1の両端にヒートシンク12,14を設け、両面冷却構造とすることで、積層部2~4つまり、単相の1アームのスイッチ2a,2bを半導体モジュール1の両面から冷却することができる。図1に示すように、ボルト15は、皿ばね8より内側つまり、溝部11aの最内周側より内側と、皿ばね8より外側つまり、溝部11aの最外周より外側の位置に数か所設けられる。さらに、ボルト15に隣接する積層部2~4からの距離が等しくなるようにボルト15を設けることで、ボルト15によって締め付けられる力がそれぞれの積層部2~4に対して均等にかかるようになる。ボルト15は、例えば、120°間隔で3箇所、あるいは60°間隔で6箇所等、同心円上に均等に配置することでそれぞれの積層部2~4にかかる圧接力を均等にすることができる。図2に示すように、半導体モジュール1の中心軸Bと同軸に形成された貫通穴9の内周側面には、ヒートシンク12,14あるいは力伝達ブロック11と機械的に接続されたヒートシンク16が設けられる。このヒートシンク16は、フィン形状空冷を有するものでもよいし、冷媒を循環させる機構液冷を設けたものでも構わない。このヒートシンク16により、半導体モジュール1内部で発生した熱の放熱が促進されるとともに、半導体モジュール1の内周面の側面から大気への熱伝達が促進される。その結果、半導体モジュール1の放熱性が向上する。以上、具体的な実施形態を示して説明したように、本発明に係る半導体モジュールによれば、半導体素子を含む積層部を同一円周上に配置することで、それぞれの積層部の放熱条件が同じになり、各積層部を均一に冷却することができる。その結果、各積層部の熱膨張の影響による圧接力の変化を抑制し、各積層部に作用する圧接力が均一となる。また、複数の積層部を一つの皿ばねで押圧する際に、積層部を皿ばねの中心軸を中心とする同一円周上に配置することで、複数の積層部に均一な圧接力を加えることができる。その結果、積層部を並列に動作させる半導体モジュールにおいて、それぞれの積層部つまりは、半導体素子にかかる圧接力が均一となり、特定の積層部または、半導体素子に電流が集中するなどの不具合を防止することができる。また、半導体モジュールを構成する構成部材点数が低減し、半導体モジュールの組立て利便性が向上する。また、皿ばねに蓄積された弾性力が作用する箇所から半導体モジュールの中心軸の延長上例えば、皿ばねの下端円周部の直下に積層部を設けることにより、積層部と皿ばねとの間に弾性力を拡散するための物理的距離を確保しない場合でも、より均一な圧接力を積層部に作用させることができる。つまり、皿ばねを上下からボルト等の固定部材により垂直に押し付けた場合、皿ばねの弾性力は皿ばねの下端円周部または上端円周部では位置に依らず一定となる。そこで、皿ばねの弾性力が作用する場所の直下に積層部を配置することで、力伝達ブロックの厚さ中心軸方向の厚さを薄くして、皿ばねと積層部との距離が短い場合でも、すべての積層部に均一な圧接力を与えることができる。よって、力伝達ブロックの厚みを薄くすることができ、半導体モジュールの小型化特に、半導体モジュールの積層方向のサイズを小さくすることができる。さらに、半導体モジュールのサイズを小さくすることで、ヒートシンクと半導体素子との距離が短くなり、半導体モジュールの放熱性が向上する。また、力伝達ブロックに皿ばね等の弾性部材を設けるための溝部を形成することにより、皿ばねの位置決めが容易になるとともに、皿ばねの弾性力を各積層部に均一に作用させることができる。なお、この力伝達ブロックを当該力伝達ブロックに設けられるヒートシンクと一体に用いる若しくは、力伝達ブロックをヒートシンクとして用いることにより半導体モジュールの放熱性が向上するとともに、力伝達ブロックに設けられる皿ばねが常に冷却され、皿ばねの温度変化による弾性力の変化を低減することができる。さらに、皿ばねと力伝達ブロック間にへこみ防止部材を設けると、皿ばねの弾性力による力伝達ブロックの変形へこみを防止して、皿ばねの弾性力がより均一に積層部に作用する。半導体素子を半導体モジュールの両面から圧接、冷却する半導体モジュールを実現する場合、大電流モジュールを実現するために半導体素子を含む積層部の並列化が必要であること、また、フルブリッジの3相インバータを実現するために2in1の単相インバータを3個並列に配置する必要があること等の理由から、半導体モジュール全体では部品点数が多数となる。そのため、それぞれの積層部に対し1:1で圧接するような構成と、圧接力を付加するための機構例えば、ねじやばねが多数必要となり、部品点数が増加する。そして、部品点数の増加により、半導体モジュールの信頼性の低下や半導体モジュールの大型化、高コスト化が懸念される。これらの懸念を避けるために、複数の積層部をできるだけ少ない機械的機構ばねやねじで行う場合、それぞれの積層部にかかる圧接力のばらつきを抑えるためには、ばねを配置する場所、ばねのばね定数、ねじで締め付ける場所、締め付ける力等、精密な機械的な設計が必要となる。また、1つのばねが発する力を複数の積層部に均一に伝えるためには、ばねの直下で発生する局所的な強い力を複数の積層部に均一に分散して伝達させる必要があるため、その力を圧接方向に対して垂直な方向に広げるために一定の物理的な距離が必要となる。上記課題に対して、本発明に係る半導体モジュールは、一つの皿ばねで各積層部を押圧するので、半導体モジュールを構成する部品点数を少なくすることができる。さらに、各積層部は、皿ばねの圧接力がかかる部分の圧接方向の延長上に設けられることとなるので、皿ばねと積層部との間の距離を短くした場合でも、各積層部にかかる圧接力が等しくなる。その結果、皿ばねと積層部との距離を短くして、全体の半導体モジュールを小型化することができる。すなわち、半導体モジュールの小型化と半導体素子の均一圧接とを同時に実現することができる。また、半導体モジュールの外形を円柱状とすることにより、同じく円柱形の回転機やモーターにそのまま直付けできる。その結果、駆動装置と電力変換装置を一体に構成することによる装置の小型化や駆動装置に近接して電力変換装置を設けることによる半導体モジュールの低インダクタンス化を実現することができる。半導体モジュールの低インダクタンス化は、スイッチング時のサージ電圧の低減につながる。なお、半導体モジュールの外形は、必ずしも円柱状に限定されるものではなく、外形の形状は角柱状に形成する等適宜設計変更が可能である。また、本発明の半導体モジュールは、SiCチップのように1チップ当たりの大きさが小さく複数の半導体素子を含む積層部を並列して電力変換器を構成するパワーモジュールにおいて、モジュールサイズを大きくすることなく、すべての半導体素子積層部を均一に圧接することができる。さらに、各積層部及び各半導体素子にかかる圧接力のばらつきが小さくなることで、半導体素子とヒートシンクとの間の熱抵抗及び接触抵抗が略等しくなり、半導体素子のスイッチング動作時や定常動作時の動作特性を等しくすることができる。また、半導体モジュールの放熱性だけでなく組立て利便性も向上するので、半導体モジュールの高信頼性、利便性を同時に実現することができる。また、皿ばねの弾性力により半導体モジュールに備えられる各部材を接続するので、はんだ接合あるいはワイヤーボンドを用いず、かつ使い勝手の良い絶縁形パワー半導体モジュールを得ることができる。よって、SiC、GaN等の高温で使用可能な半導体素子の性能を生かす半導体モジュールにおいて、温度サイクル、パワーサイクル等の信頼性が向上する。また、本発明の半導体モジュールは、ばね等の機械的な機構のみで、接合剤、封止材の使用をできるだけ抑えつつ、同時に信頼性のあるモジュールを構成できるので、材料面での制約や半導体モジュールの信頼性を毀損する要因が減り、高温対応が可能な信頼性の高いモジュールを構成することができる。本発明の半導体モジュールは、半導体モジュールの放熱性を向上させることができるので、この半導体モジュールを高温動作が要求される絶縁形パワー半導体モジュール、インバータ等の電力変換装置に用いることで、絶縁形パワー半導体モジュールの放熱性を向上させることができる。なお、本発明の半導体モジュールは、上述した実施形態に限らず、本発明の特徴を損なわない範囲で適宜設計変更が可能であり、そのように変更された形態も本発明に係る半導体モジュールである。例えば、実施形態に係る半導体モジュールの説明では、本発明に係る半導体モジュールの技術的特徴を複数組み合わせて形成される半導体モジュールを例示して説明したが、本発明の技術的特徴の一部を備えた半導体モジュールであっても、本発明の効果を部分的に得ることができる。また、実施形態ではスイッチング素子と整流素子を1つずつ設けた単相の1アームのスイッチを2つ備えた積層部を例示して説明したが、半導体素子の種類や数及び、積層部の数や積層部の構成は適宜半導体モジュールの用途に応じて適宜変更が可能である。つまり、半導体モジュールは、インバータやコンバータ等の電力変換装置として用いることができ、それぞれの用途に応じて適宜半導体素子、例えば、IGBT、サイリスタGTOサイリスタ等、トランジスタMOSFET等、ダイオードFWD等が選択される。具体的には、半導体モジュールをインバータとして用いる場合には、スイッチング素子とダイオードが並列に複数組み込まれたインバータ回路が形成される。一方、半導体モジュールをコンバータとして用いる場合には、整流素子ダイオードのみでコンバータ回路が構成される。また、実施形態の説明では、単相の1アームのスイッチを2つ用いて2in1の積層部を構成し、この積層部を120°おきに3箇所配置して6in1の3相ブリッジインバータになる構成を例示して説明したが、本発明の半導体モジュールはこの例に限定されるものではなく、例えば、インバータの電流容量を稼ぐために、60°おきに同定格の積層部を6個並列化して半導体モジュールを構成する等、積層部の数は半導体モジュールの用途に応じて設定することができる。すなわち、各相例えば、U,V,Wに対応する積層部が等間隔で配置されていればよい。また、積層部の隙間や積層部とケースとの間の空間に樹脂等の封止材を充填すると、積層部を構成する部材の相互位置関係を一定に保つことができるとともに、各電極端子及びヒートシンク間の電位差を確保することができる。また、積層部積層部を構成する各部材、絶縁板、ヒートシンク、力伝達ブロック等の半導体モジュールを構成する各部材の表面に凹凸面を形成してもよい。この場合、お互いに接触する部材表面に形成された凹凸面同士が機械的に嵌合することで、モジュール全体に振動負荷がかかった場合においても、半導体モジュールを構成する各部材の相互の位置関係の過大な変位や半導体モジュール内での電気的なショートを防止することができる。また、実施形態の説明では、皿ばねの下端円周部の下方に半導体チップを設ける形態を例示したが、皿ばねの上端円周部が電極端子を単相の1アームのスイッチ半導体素子方向に押圧する形態であってもよい。また、皿ばねが好ましいが、波板ばね、凸ばね、メッシュばね等の弾性部材を用いて積層部を圧接してもよい。なお、弾性部材を設ける位置は、実施形態に限定されるものではなく、DC電極端子を半導体素子方向に押圧するように設ける例えば、図2の半導体モジュール1において、絶縁板13とヒートシンク14との間に設ける等、積層部に圧接力を作用させることができる箇所に設ければよい。また、単相の1アームのスイッチの配置方向は、図1に示した半導体モジュールのように、同一円周の接線に対して直交するように単相の1アームのスイッチを配置する形態の他に、例えば、同一円周の接線方向に単相の1アームのスイッチが並ぶように配置する形態であってもよい。また、積層部を、圧接力発生源である弾性部材の真下若しくは、真上に配置すると、積層部と弾性部材との距離を短くすることができるので好ましいが、積層部は、必ずしも、弾性部材の真下に配置する必要はなく、弾性部材の弾性力が各積層部に均一にかかるのであれば、弾性部材の真下でない部分の同一円周上に配置する形態であってもよい。また、固定部材は、ボルトをヒートシンクに螺合させることに限定されるものではなく、ボルトとナットで締結する等、適宜弾性部材の上下面間の距離が所定の値となるように締結できるものであればよく周知の固定方法を用いればよい。そして、固定部材の本数や、配置は、それぞれの積層部にかかる圧接力が等しくなる形態であれば、任意に設定可能である。"