ウエハを処理する急速熱処理チャンバであって、複数のハロゲンランプと、第1のスイッチと第2のスイッチとをもつ交流電源を含む電源であり、前記複数のハロゲンランプに接続されて、前記複数のハロゲンランプに電力を供給する電源と、前記ウエハの温度を測定する温度センサと、前記温度センサと前記電源の前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチとに接続される温度コントローラであり、前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチに対し、共に前記ウエハ温度と所望の温度との関数である第1の制御信号および第2の制御信号をそれぞれ供給する温度コントローラとを備えており、前記第1の制御信号が前記第1のスイッチを前記交流電力の半サイクル当たり複数回オン/オフし、前記第2の制御信号が前記第2のスイッチを前記交流電力の半サイクル当たり複数回オン/オフする、急速熱処理チャンバ。前記第2のスイッチがオフにされる間前記第1のスイッチがオンにされる、請求項1に記載の急速熱処理チャンバ。前記第2のスイッチがオンにされる間前記第1のスイッチがオフにされる、請求項2に記載の急速熱処理チャンバ。前記温度コントローラが、前記第1の制御信号と前記第2の制御信号とを前記交流電力のパルスバージョンとして形成する、請求項3に記載の急速熱処理チャンバ。前記複数のハロゲンランプに供給される電力の力率が0.9と1との間にあり、前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチがトランジスタである、請求項3に記載の急速熱処理チャンバ。前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチが、MOSFETトランジスタ、バイポーラトランジスタ、および絶縁ゲートバイポーラトランジスタからなる群から選択される、請求項4に記載の急速熱処理チャンバ。ウエハを処理する急速熱処理チャンバを制御する方法であって、前記ウエハの温度を感知するステップと、所望の温度を決定するステップと、温度コントローラが、前記ウエハの温度および前記所望の温度に従って第1の制御信号および第2の制御信号を生成するステップと、前記第1の制御信号が、前記第1のスイッチを、前記温度コントローラに供給される交流電力の半サイクル当たり複数回オン/オフするステップと、前記第2の制御信号が、前記第2のスイッチを、前記温度コントローラに供給される交流電力の半サイクル当たり複数回オン/オフするステップと、前記第1および第2のスイッチが複数のハロゲンランプに電力を供給するステップとを含む方法。前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチが異なる時間にオンにされる、請求項7に記載の方法。前記温度コントローラが、前記第1の制御信号と前記第2の制御信号とを前記交流電力のパルスバージョンとして形成する、請求項7に記載の方法。前記複数のハロゲンランプに供給される電力の力率が0.9と1との間にあり、前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチがトランジスタである、請求項8に記載の方法。前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチが、MOSFETトランジスタ、バイポーラトランジスタ、および絶縁ゲートバイポーラトランジスタからなる群から選択される、請求項9に記載の方法。交流電力が供給される、ウエハを処理する急速熱処理チャンバであって、複数のハロゲンランプと、第1のダイオードおよび第1のトランジスタと第2のダイオードおよび第2のトランジスタとの並列接続を含むランプドライバであり、交流電力源と前記複数のハロゲンランプとに接続されて、前記複数のハロゲンランプに電力を供給するランプドライバと、ウエハ温度を測定する温度センサと、前記温度センサと前記ランプドライバとに接続された温度コントローラであり、前記第1のトランジスタおよび前記第2のトランジスタに対し、共に前記ウエハ温度と所望の温度との関数である第1の制御信号および第2の制御信号をそれぞれ供給する温度コントローラとを備えており、前記第1のトランジスタが前記第2のトランジスタと異なる時間にオンにされる、急速熱処理チャンバ。前記第1および第2のトランジスタが、MOSFET、バイポーラトランジスタ、および絶縁ゲートバイポーラトランジスタからなる群から選択される、請求項12に記載の急速熱処理チャンバ。前記第1および第2のトランジスタが、供給される交流電圧の半周期当たり2回以上オン/オフされる、請求項12に記載の急速熱処理チャンバ。前記複数のハロゲンランプに供給される電力の力率が0.9と1との間にある、請求項14に記載の急速熱処理チャンバ。図1は急速熱処理RTPチャンバ10を示す。RTPチャンバ10は、ハロゲンランプ12のいくつかのグループ、いくつかのランプドライバ14、および処理されるウエハ16を含む。ランプドライバ14はハロゲンランプ12に接続され、ハロゲンランプ12に供給される電力を制御する。ハロゲンランプ12は熱をウエハ16に供給し、それにより、ウエハ16は既知の方法で処理できるようになる。ウエハ温度コントローラ18は、温度センサ20に接続される入力部と、ランプドライバ14に接続される出力部とを有する。温度センサ20は、本発明の1つの態様による非接触温度センサであり、ウエハ16の温度を測定する。その温度は、温度センサ20から温度コントローラ18に提供される。ウエハ16での所要温度が、さらに、温度コントローラ18に提供される。温度コントローラ18は、測定された温度および所要温度に基づく制御信号をランプドライバ14に送ってハロゲンランプ12を制御する。ランプドライバ14はハロゲンランプ12での所要ランプ電力を維持し、それにより、赤外線放出を引き起こしてウエハ16を加熱する。1つの先行技術のランプドライバ14が図2に示される。ランプドライバ14は電源30に接続される。電源30は配電線とすることができる。ランプドライバ14は電力制御要素からなる。先行技術では、例えば、SCRコントローラ36を有するバイポーラシリコン制御整流器SCR34が設けられる。最初、SCRは電流を伝導しない。コントローラ18からの外部命令に基づいて、SCRコントローラ36はSCR34をオン/オフし、それにより、電流がランプ12を通って流れる。SCR34に供給される制御信号の極性が反転されると、SCR34は伝導を停止し、ランプ12はオフになる。図3は、電源30からの電圧40を左側に示す。SCR34が使用される場合、SCR34からのドライバ出力電圧42が右側に示される。注目すべきことに、SCR34は、一般に、電源30の交流サイクルの半分当たり1回オン/オフされる。図4は、本発明の1つの態様によるランプドライバを示す。ランプドライバは電子スイッチ46およびコントローラ48を有する。電子スイッチ46は、本発明の1つの態様によれば、第1のトランジスタ50、第2のトランジスタ52、第1のダイオード54、および第2のダイオード56を含む。図4に示されるように、第1のダイオード54は、第1のトランジスタ50の第1の端子に接続されるカソードを有する。第2のダイオード56は、第2のトランジスタ52の第1の端子に接続されるカソードを有する。第1のダイオード54と第1のトランジスタ50との直列接続は、第2のダイオード56と第2のトランジスタ52との直列接続に並列に接続される。第1のダイオード54のアノードおよび第2のトランジスタ52の第2の端子は複数のハロゲンランプ12の1つまたは複数に接続される。第2のダイオード56のアノードおよび第1のトランジスタ50の第2の端子は交流電力供給装置に接続される。トランジスタ50および52はほとんどのタイプのトランジスタで実施することができる。例えば、トランジスタ50および52は、本発明の1つの態様によればMOSFETトランジスタで実施することができる。トランジスタ50および52は、本発明の他の態様によればバイポーラトランジスタで実施することもできる。さらに、トランジスタ50および52は絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBTで実施することができる。図4では、トランジスタ50および52はMOSFETトランジスタとして示される。ダイオード56およびトランジスタ52は入力正弦波の正の部分の間導通する。ダイオード54およびトランジスタ50は、入力正弦波の負の部分の間導通する。図4を参照すると、コントローラ48は温度コントローラ18からの命令を受け取る。温度コントローラ18は、所望の温度ならびに温度センサ20からの感知温度を受け取る。コントローラ48は感知温度および所望の温度を分析し、トランジスタ50および52の制御入力部に制御信号を出し、それにより、トランジスタ50および52をオン/オフしてランプ12の両端の所望の電圧を維持し、その結果、所望の温度が維持される。図5に示されるように、コントローラ48は、入力交流電圧の半周期当たり数回、トランジスタ50および52をオン/オフすることができる。コントローラ48は、入力電圧60の正弦波形をパルス電圧62にチョップすることによってこれを達成する。したがって、温度コントローラ18は、入力交流電圧の周期の間、トランジスタ50および52を入力交流電圧源の1周期当たり2回以上オン/オフすることによってランプ12の両端の電圧を正確に調整することができる。図6は、本発明の一態様による2つのドライバ回路90および92を含むランプヒータ回路を示す。ドライバ回路90および92の各々は1つまたは複数のランプのグループを制御する。本発明の別の態様によれば、コントローラ94は、ドライバ90の切替えフェーズを交互に配置し、交流電圧の周期の間にわたり導電性フェーズを広げる。出力電圧96および98は50のデューティサイクルで示されている。抵抗器またはランプなどの能動負荷の場合には、入力電流99および100は出力電圧96および98と同じ形状を有する。入力ヒータ電流27は多数のドライバの出力電流の重ね合わせである。したがって、入力電流は多数のドライバの出力電流の重ね合わせである。所与の例では、入力電流の得られる形状は正弦波である。ヒータ入力電圧26と入力電流27とは互いの間に位相ずれがなく、力率は約1である。本発明のランプドライバは、シリコン制御整流器を利用した以前のランプ回路よりもはるかに高い制御速度を有することができる。これは、トランジスタが、遅い応答時間を有するSCRよりも非常に速くオン/オフすることができるからである。したがって、ハロゲンランプ12のはるかにより正確な制御が本発明を使用して可能である。ウエハを処理する急速熱処理チャンバを制御する方法がさらに提供される。急速熱処理チャンバは、交流電力が供給され、既に説明したように、複数のハロゲンランプを有し、その出力はランプドライバによって制御される。説明したように、ランプドライバは、第2のトランジスタの第1の端子に接続されたカソードを有する第2のダイオードと並列に第1のトランジスタの第1の端子に接続されたカソードを有する第1のダイオードを含み、第1のダイオードのアノードおよび第2のトランジスタの第2の端子は複数のハロゲンランプの1つまたは複数に接続され、第2のダイオードのアノードおよび第1のトランジスタの第2の端子は交流電力供給装置に接続される。本発明の1つの態様によるプロセスは、温度センサによりウエハの温度を感知することと、感知したウエハ温度および所要温度を温度コントローラに送出することと、温度コントローラが制御信号を生成し、それを第1のトランジスタの制御入力部および第2のトランジスタの制御入力部に送り、第1のトランジスタおよび第2のトランジスタをオン/オフすることと、信号を複数のハロゲンランプに供給して放出される熱を制御することとを含む。ランプドライバの各々の第1および第2のトランジスタが共にMOSFETである場合、第1および第2のトランジスタの制御入力部はMOSFETゲートである。バイポーラトランジスタが使用される場合、第1および第2のトランジスタの制御入力部はベース端子である。本発明の別の態様によれば、温度コントローラは、第1および第2のトランジスタを供給された交流電圧の半周期当たり2回以上オン/オフする第1および第2のトランジスタのための制御信号を生成するために供給される交流電圧をチョップする。本発明のドライバ回路は3つの利点を提供する。このドライバ回路は、出力電圧のより速い整定時間を可能にし、プロセス温度制御のより良好な動的精度を可能にする。本発明の実施形態によるドライバは、開ループモードに働くので最大達成可能速度を有する。開ループモードは、内部閉ループに関連する悪影響のすべて、すなわち、整定時間の増加とオーバーシューティングとを排除する。ドライバの静的誤差は外部ウエハ温度制御閉ループで補償される。さらに、このドライバ回路は、低温でのプロセス温度制御の精度の向上を可能にする。位相角制御法を利用する一般に用いられているSCRベースのドライバと異なり、このドライバは、事実上、最小出力電圧を有していないが、先行技術のSCRベースのドライバの最小制御可能出力電圧は5である。さらに、本発明の実施形態のドライバは低い出力電圧でより良好な精度を有する。したがって、新しいドライバはより良好な力率を有し、したがって、中間および低い電力領域でより低いエネルギーコストを有する。これは、急速熱処理の間の平均電力が27~35の範囲になるので有利である。SCRドライバを使用している従前の急速熱プロセスシステムの典型的な力率は0.4である。新しいドライバはいかなる制御電力レベルでも0.9よりも良好な力率を有する。ほとんどの場合、力率はほぼ1である。本発明の好ましい実施態様に適用されるような本発明の基本的な新規な特徴が示され、説明され、指摘されたが、例証されたデバイスの形態および詳細と、その動作とにおける様々な省略、置換、および変更を、本発明の趣旨から逸脱することなく、当業者なら行うことができることが理解されよう。したがって、本発明は、本明細書に添付された特許請求の範囲によって示されるようにのみ限定されるものである。