"陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻回したコンデンサ素子を形成する工程と、前記コンデンサ素子に修復化成処理を施す工程と、前記修復化成処理を施したコンデンサ素子をポリビニルアルコール溶液に浸漬する工程と、前記ポリビニルアルコールに浸漬したコンデンサ素子を130~190°Cの乾燥温度で乾燥処理する工程と、前記乾燥処理を施したコンデンサ素子に固体電解質層を形成する工程と、を有することを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。前記乾燥温度が、150°Cを超えかつ175°C以下であって、乾燥時間が10分以上であることを特徴とする請求項1記載の固体電解コンデンサの製造方法。前記ポリビニルアルコール溶液におけるポリビニルアルコール濃度は0.1wt~1.5wtであることを特徴とする請求項1又は2記載の固体電解コンデンサの製造方法。しかしながら、前記のような方法によって作製された固体電解コンデンサにおいては、静電容量が未だ十分ではなく、さらなる改良が望まれていた。本発明は、前述したような従来技術の課題を解決するために提案されたものであり、その目的は、静電容量の向上が可能な固体電解コンデンサの製造方法を提供することにある。本発明者等は、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、修復化成処理後にPVA溶液に浸漬し、所定の温度で乾燥することにより、静電容量を向上できることを見出し、本発明を完成するに至ったものである。すなわち、本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻回したコンデンサ素子を形成する工程と、前記コンデンサ素子に修復化成処理を施す工程と、前記修復化成処理を施したコンデンサ素子をPVA溶液に浸漬する工程と、前記PVAに浸漬したコンデンサ素子を130~190°Cの乾燥温度で乾燥処理する工程と、前記乾燥処理を施したコンデンサ素子に固体電解質層を形成する工程と、を有することを特徴とする。本発明によれば、固体電解コンデンサの静電容量を向上させることができる。固体電解コンデンサの製造方法以下、本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法の一例について、図1に従って説明する。S11:コンデンサ素子の形成まず、アルミニウム等の弁作用金属からなる陽極箔の表面を塩化物水溶液中での電気化学的なエッチング処理により粗面化して、多数のエッチングピットを形成した後、ホウ酸アンモニウム等の水溶液中で電圧を印加して誘電体となる酸化皮膜層を形成する化成。陽極箔と同様に、陰極箔もアルミニウム等の弁作用金属から形成するが、その表面にはエッチング処理を施すのみである。また、陽極箔及び陰極箔には、それぞれの電極を外部に接続するためのリード線をステッチ、超音波溶接等の公知の手段により接続する。次に、表面に酸化皮膜層が形成された陽極箔とエッチングピットのみが形成された陰極箔とを、セパレータを介して巻回してコンデンサ素子を形成する。S12:修復化成このコンデンサ素子を化成液に浸漬し、電圧印加して5~120分間修復化成を行う。修復化成は、前述した巻回等の製造工程中で電極箔に機械的ストレスがかかり、これが原因となって酸化皮膜に亀裂が発生する等の損傷を受けた場合に、再度化成液中で化成することによって、この亀裂の発生した部分に酸化皮膜を形成して損傷を修復するものである。修復化成の化成液としては、リン酸二水素アンモニウム、リン酸水素二アンモニウム等のリン酸系の化成液、ホウ酸アンモニウム等のホウ酸系の化成液、アジピン酸アンモニウム等のアジピン酸系の化成液を用いることができるが、なかでも、リン酸二水素アンモニウムを用いることが望ましい。S13:PVA溶液に浸漬続いて、修復化成を施したコンデンサ素子をPVA溶液に浸漬する。PVA溶液の溶媒は、PVAが溶解するものであれば良く、主として水が用いられる。また、PVA溶液の濃度は0.1wt~1.5wtが好ましい。0.1wt未満では後述する実施例の結果に基づき静電容量があまり向上しない。一方、PVA溶液の濃度が1.5wtを超えると、電極箔表面に形成されたエッチングピット内でPVAの厚い層又はPVAの固まりが形成され、その後のPEDTの重合工程でPEDTの形成状態が悪化すると考えられる。さらに、PVA溶液への浸漬温度は、PVAが溶媒に溶解し得る温度で良く、常温~100°C前後が好ましい。また、浸漬時間は5秒以上が好ましい。コンデンサ素子あるいは電極箔をPVA溶液に浸漬すると、表面張力によってPVA溶液が電極箔のエッチングピットに直ちに浸透していくからである。S14:乾燥次に、130~190°Cで10分以上乾燥する。130°C未満では結晶性が上がらずに耐熱性が向上せず、190°Cを超えるとリード線が焼けてしまうおそれがある。乾燥温度は、後述する実施例の結果を考慮すると、150°Cを超える温度~175°C程度が好ましく、170°Cが最も好ましい。乾燥時間は10分であれば特性が安定する。また、乾燥方法としては、通常、熱風、赤外線方式の乾燥炉等が用いられるが、PVA溶液の溶媒を蒸発させることができるものであれば良く、真空乾燥等を用いることもできる。S15:EDTと酸化剤の含浸続いて、このコンデンサ素子にEDT又はEDT溶液を含浸し、さらに、酸化剤を含浸して、20~180°C、30分以上加熱する。EDT、酸化剤EDTとしては、EDTモノマーを用いることができるが、EDTと揮発性溶媒とを1:1~1:3の体積比で混合したモノマー溶液を用いることもできる。前記揮発性溶媒としては、ペンタン等の炭化水素類、テトラヒドロフラン等のエーテル類、ギ酸エチル等のエステル類、アセトン等のケトン類、メタノール等のアルコール類、アセトニトリル等の窒素化合物等を用いることができるが、なかでも、メタノール、エタノール、アセトン等が好ましい。また、酸化剤としては、ブタノールに溶解したパラトルエンスルホン酸第二鉄を用いることができる。この場合、ブタノールとパラトルエンスルホン酸第二鉄の比率は任意で良いが、特に、30~60溶液が好ましい。なお、EDTと酸化剤の配合比は1:1~1:6の範囲が好適である。S16:重合前述のようにコンデンサ素子にEDTと酸化剤とを含浸させることにより、コンデンサ素子内で重合反応を促進し、PEDTの導電性ポリマーからなる固体電解質層を形成する。なお、EDTと酸化剤は、前述のように両者を別々にコンデンサ素子に含浸させるだけでなく、両者の混合液に浸漬させても良い。固体電解コンデンサの完成この後、コンデンサ素子を有底筒状の外装ケースに挿入し、開口端部に封口ゴムを装着して、加締め加工によって封止する。その後に、エージングを行ない、固体電解コンデンサを完成させる。作用効果以上説明したように、固体電解コンデンサの作製工程において、酸化皮膜の修復化成S12を行った後に、コンデンサ素子をPVA溶液に浸漬S13し、その後所定の温度で乾燥S14する順序で行うことにより、得られた固体電解コンデンサの静電容量が向上する結果が得られたものである。この理由について、本発明者らは以下のように考えている。すなわち、コンデンサ素子をPVA溶液に浸漬し、乾燥することにより、PVAが電極箔に付着する。ただし、PVAが電極箔に付着しただけでは、電極箔の静電容量は上昇しないが、その後、電極箔の表面にPEDTを形成すると、電極箔に付着したPVAが、PEDTの電極箔への付着、形成を促進し、また、セパレータ中に存在するPVAが、PEDTの酸化皮膜への形成性を含めた特性を向上させると考えられる。ここで、コンデンサ素子をPVA溶液に浸漬する工程S13を修復化成工程S12の後に行うことで、修復化成に悪影響を及ぼすおそれがあるPVAを含有しない状態で修復化成を行うことができる。また、PVA浸漬後の乾燥工程S14で乾燥温度を130°C以上としている為、PVAの結晶化度が上がり、親水性から疎水性、すなわち親油性に変化する。PVAが疎水性となることにより、ポリマーと電極箔との密着性が向上し、静電容量が向上するものと考えられる。以下、本発明に係る固体電解コンデンサの製造方法に従い、以下の実施例のように固体電解コンデンサを作製した。実施例1表面に酸化皮膜層が形成された陽極箔と陰極箔とを、セパレータを介して巻回してコンデンサ素子を形成した。そして、このコンデンサ素子をリン酸二水素アンモニウム水溶液に浸漬し、電圧印加して40分間修復化成を行った。続いて、1wtのPVA水溶液に25°Cで1分間浸漬し、その後、乾燥温度を170°Cとし、乾燥時間を10分とした。続いて、このコンデンサ素子に、注入法によりEDTモノマーを含浸し、さらに酸化剤溶液として40のパラトルエンスルホン酸第二鉄のブタノール溶液を含浸して、100°C、1時間加熱して、PEDTからなる固体電解質層を形成した。その後、固体電解コンデンサの表面を樹脂で被覆し、エージングを行って、固体電解コンデンサを作製した。実施例2乾燥温度を30分とした他は実施例1と同様にして固体電解コンデンサを作製した。実施例3乾燥温度を60分とした他は実施例1と同様にして固体電解コンデンサを作製した。比較例1乾燥温度を5分とした他は実施例1と同様にして固体電解コンデンサを作製した。比較例2PVA水溶液に浸漬後、修復化成を行なった以外は実施例1と同様にして固体電解コンデンサ作製した。実施例1~3及び比較例1,2の固体電解コンデンサについて、初期の静電容量及び漏れ電流を測定した結果を表1に示す。表1の結果より、乾燥温度を170°Cとした場合、乾燥時間は10分以上であれば、初期の静電容量がほぼ一定の静電容量が得られることが判明した。これに対して、乾燥時間を5分とした比較例1では実施例1から3と比較して静電容量が十分に得られないことが認められた。また、コンデンサ素子をPVA水溶液に浸漬後、修復化成を行なった比較例2は、修復化成後にPVA水溶液に浸漬を行なった実施例1から3比べ、漏れ電流が高いことが認められた。実施例4PVA濃度を1としたPVA水溶液を用い、乾燥時間を10分に固定し、乾燥温度を130°Cにした以外は実施例1と同様に固体電解コンデンサを作製した。実施例5乾燥温度を150°Cとした以外は実施例4と同様にして固体電解コンデンサを作製した。実施例6乾燥温度を155°Cとした以外は実施例4と同様にして固体電解コンデンサを作製した。実施例7乾燥温度を170°Cとした以外は実施例4と同様にして固体電解コンデンサを作製した。比較例3乾燥温度を100°Cとした以外は実施例4と同様にして固体電解コンデンサを作製した。実施例4~7及び比較例3の固体電解コンデンサについて、初期の静電容量を測定した結果を表2に示す。表2の結果より、乾燥温度が130°C以上でコンデンサの初期の静電容量が大幅に向上することが判明した。また、150°Cを超える温度で乾燥することによって、コンデンサの静電容量が更に向上し、さらに170°Cに至るまで静電容量が向上したまま安定して推移することが判明した。実施例8PVA濃度を0.1wtとしたPVA水溶液を用いた以外は実施例1と同様に作製した。実施例9PVA濃度を0.5wtとしたPVA水溶液を用いた以外は実施例8と同様に作製した。実施例10PVA濃度を1.0wtとしたPVA水溶液を用いた以外は実施例8と同様に作製した。実施例11PVA濃度を1.5wtとしたPVA水溶液を用いた以外は実施例8と同様に作製した。比較例4PVAを含まない水溶液に浸漬し、170°Cの乾燥温度で75分乾燥させた以外は実施例1と同様にして固体電解コンデンサを作製した。比較例5PVA濃度を0.05wtとしたPVA水溶液を用いた以外は実施例1と同様に作製した。比較例6PVA濃度を2.0wtとしたPVA水溶液を用いた以外は実施例1と同様に作製した。実施例8~11及び比較例4~6の固体電解コンデンサについて、初期の静電容量を測定した結果を表3に示す。表3の結果より、PVAを含有しない比較例4に比べ、PVAを含有した実施例8~11の方が静電容量が高いことが判明した。また、PVAの含有量も0.1wt以上が好ましく、1.5wtを境にその効果が低下することが判明した。以上説明したように、本発明の最も好ましい実施の形態等について説明したが、本発明は、上記記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載され、又は発明を実施するための形態に開示された発明の要旨に基づき、当業者において様々な変形や変更が可能であることは勿論であり、斯かる変形や変更が、本発明の範囲に含まれることは言うまでもない。例えば、本実施形態では、コンデンサ素子を外装ケースに挿入したが、これに限らず、コンデンサ素子を周囲に樹脂で外装樹脂層を形成し、封止する樹脂モールドタイプのチップ型コンデンサであってもよい。外装樹脂層の形成には、液状樹脂にコンデンサ素子を浸漬するいわゆる浸漬法や、金型にコンデンサ素子を配置した後、金型に樹脂を注入してコンデンサ素子の周囲に外装樹脂層を成型する成型法などを用いることができる。また、本実施形態では、コンデンサ素子を重合性モノマーに含浸した後、重合させて固体電解質層を形成しているが、重合性モノマーに換えて、可溶性ポリマーに含浸させた後、乾燥させることによって、固体電解質層を形成してもよい。また、固体電解質層を形成したコンデンサ素子に電解液を含浸させた後、コンデンサ素子を有底筒状の外装ケースに挿入し、開口端部に封口ゴムを装着して、加締め加工によって封止してもよい。"