塗布剤が塗布された基板を載置して前記基板を加熱する加熱手段の上方に設けられると共に、前記加熱手段による加熱によって気化された塗布剤が付着することで液化し、液化した塗布剤が縁部に向かって流れるように頂部を上とする傘状に形成された天板と、前記縁部まで流れた塗布剤が前記加熱手段による加熱によって再度気化され、再度気化された塗布剤が排気されるように前記天板の縁部の近傍に設けられる排気口と、を有する熱処理装置の排気構造。前記天板は、上面視において前記基板から張り出すように設けられている請求項1に記載の熱処理装置の排気構造。前記天板には、前記頂部側から前記周縁部側に向かう溝が形成されている請求項1または請求項2に記載の熱処理装置の排気構造。さらに、前記天板の縁部を下方から覆う部材と、を有する請求項1~3のいずれかに記載の熱処理装置の排気構造。本発明は、基板を加熱する加熱手段の上方に設けられる天板に気化された塗布剤が付着し固化してそのまま残留してしまうのを抑制するようにした熱処理装置の排気構造を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の請求項1に記載の熱処理装置の排気構造は、塗布剤が塗布された基板を載置して前記基板を加熱する加熱手段の上方に設けられると共に、前記加熱手段による加熱によって気化された塗布剤が付着することで液化し、液化した塗布剤が縁部に向かって流れるように頂部を有する天板と、前記縁部まで流れた塗布剤が前記加熱手段による加熱によって再度気化され、再度気化された塗布剤が排気されるように前記天板の縁部の近傍に設けられる排気口と、を有している。本発明の請求項1に記載の熱処理装置の排気構造によれば、天板に付着した塗布剤が排気されず、固化してそのまま天板に残留するのを抑制することができる。以下、本発明に係る熱処理装置の排気構造の実施形態について、添付の図面に基づいて説明する。当該熱処理装置は、半導体製造装置の一部を構成する、塗布剤の一例としてのレジストを塗布する塗布装置レジストコータにおける熱処理装置であり、基板の一例としての半導体ウエハに塗布されたレジストを焼き固めるベークするための装置である。図1に示すように、本発明に係る熱処理装置10は、加熱手段の一例としての加熱板12と、加熱板12の上方に設けられる天板14と、加熱板12と天板14とを覆って処理室16を形成するためのカバー部材18と、カバー部材18に貫通して設けられる排気ユニット20とを備えている。加熱板12は、基台22に設置されており、内部に例えば電熱ヒータ図示省略からなる熱源を有しており、その上面12Uが所定の温度となるように温度コントロールされている。この加熱板12の上面12Uに円盤状を呈する半導体ウエハ1を載置し、半導体ウエハ1をその下面1Lから加熱することで上面1Uに塗布されたレジストが焼き固められるベークされる。天板14は、図1と図2に示すように、頂部24を有する円錐状に形成されている。また、図2と図3に示すように、天板14の内面側には、頂部24側から周縁部26側に向う溝28が複数本、具体的には8本形成されている。また、天板14は上面視において加熱板12に載置された半導体ウエハ1から張り出すように設けられている図1参照。図1に示すように、排気ユニット20は、カバー部材18の片側の側壁18Sを貫通して処理室16に入り込み他側の側壁18S近傍まで延びるメインダクト30を備えている。処理室16内におけるメインダクト30の下面30Lには、円形状の開口32が設けられている。天板14は、その大部分がこの開口32からメインダクト30の内部に入り込むようにして設けられている。排気ユニット20は、メインダクト30の下面30Lであって開口32の周囲を基端として下方に延び、次いで内側に曲げられ、先端部34が開口32の大外部および天板の周縁部26を覆う位置まで延びるように形成される環状のサブダクト36を有している。この環状のサブダクト36の先端部34と天板14の周縁部26との間には、全周360°に渡る排気口38が形成されている。排気ユニット20には排気ファン図示省略が設けられており、図中の矢印Aで示す排気流が生じている。排気ファンの動作に応じてこの排気口38を通じて吸気される。半導体ウエハ1の上面1Uに塗布されたレジストは、加熱板12によって加熱されて気化する。気化したレジストの一部は排気流によってそのまま排気されるが、残部は天板14の方に上昇し天板14に付着することで冷却され液化する。図4は、本実施形態の熱処理装置10に対する比較例としての熱処理装置100を示す断面図である。熱処理装置100においては、天板102が平状に形成されている。尚、その他の構成は熱処理装置10と同一である。熱処理装置100においては、天板102が平状であるため、天板102に付着した液状のレジストは排気されず、処理を重ねるたびに除々に増加し、半導体ウエハ1の上面1Uに落下付着することがある。また、液化したレジストが排気流により排気されないと、固化して昇華物となりそのまま天板102に残留する。そうすると、排気口38が固化したレジストで詰まってしまい、排気に不具合が生じる。排気に不具合が生じると、天板102で固化したレジストが粉状となり、半導体ウエハ1の上面1Uへ落下付着し半導体ウエハ1の品質劣化の要因となる。従って、定期的にカバー部材18および排気ユニット20を分解してクリーニングする必要がある。これに対し、本実施形態の熱処理装置10においては、天板14が頂部24を有する円錐状に形成されている。このため、天板14で液化したレジストは、自重によって図1中の矢印Bで示すように周縁部26に向かって流れる。このため、天板14に付着した液状のレジストが半導体ウエハ1の上面1Uに落下付着することが抑制される。そして、天板14の周縁部26まで流れたレジストは、加熱板12に接近していることから熱せられ、再度気化して周縁部26近傍の排気口38から排気される。このため、天板14に付着した液状のレジストが固化して昇華物となりそのまま天板14に残留することが抑制される。従って、排気口38が固化したレジストで詰まることが抑制される。また、天板14で固化したレジストが粉状となり、半導体ウエハ1の上面1Uへ落下付着することも抑制される。結果として、定期的にカバー部材18および排気ユニット20を分解してクリーニングする必要がない。また、天板14は上面視において半導体ウエハ1から張り出すように設けられているので、天板14の周縁部26まで流れたレジストが再度気化されない場合でも、レジストは半導体ウエハ1の外方に落ちる。このため、半導体ウエハ1にレジストが落下付着することが抑制される。また、サブダクト36が天板14の周縁部26を下方から覆うように形成されているので、天板14の周縁部26まで流れたレジストが再度気化されない場合でも、サブダクト36の先端部34に落ち、サブダクト36上に留まる。また、天板14の内面側には、頂部24側から周縁部26側に向う溝28が複数形成されているので、天板14に付着したレジストの周縁部26に向かう流れを促進させられる。従って、天板14に付着したレジストが排気されず、固化してそのまま天板14に残留するのを一層抑制させられる。ここで、溝28の数を増加させるほどより効果的である。また、天板14においてレジストを一旦液化させ、天板14の周縁部26まで流れてきたレジストの一部を再度気化させてメインダクト30の方へ排気するようにしているので、メインダクト30におけるレジストの付着を減少させられる。尚、本実施形態の熱処理装置10においては、天板14を円錐状に形成したが、円錐状に近い多角錐状例えば二十角錐状に形成しても良い。