"プラズマ処理装置の処理容器内に、窒素ガスと希ガスを含む処理ガスの流量を、処理容器の容積1L当りの処理ガスの合計流量[mL/minsccm]として1.5mL/min/L以上13mL/min/L以下の範囲内になるように導入し、前記処理容器内に窒素含有プラズマを生成させ、該窒素含有プラズマにより、酸素含有膜を有する被処理体を交換しながら、複数の被処理体の酸素含有膜に対して窒化処理を行うプラズマ窒化処理方法。前記窒素ガスと希ガスとの体積流量比窒素ガス/希ガスが、0.05以上0.8以下の範囲内である請求項1に記載のプラズマ窒化処理方法。前記窒素ガスの流量が、4.7mL/minsccm以上225mL/minsccm以下の範囲内であり、かつ、前記希ガスの流量が、95mL/minsccm以上275mL/minsccm以下の範囲内である請求項2に記載のプラズマ窒化処理方法。前記処理容器内の圧力が1.3Pa以上133Pa以下の範囲内である請求項1に記載のプラズマ窒化処理方法。前記プラズマ窒化処理における1枚の被処理体に対する処理時間が10秒以上300秒以下である請求項1に記載のプラズマ窒化処理方法。前記プラズマ処理装置は、上部に開口を有する前記処理容器と、前記処理容器内に配置され、被処理体を載置する載置台と、前記載置台に対向して設けられ、前記処理容器の開口を塞ぐとともにマイクロ波を透過させる透過板と、前記透過板より外側に設けられ、前記処理容器内にマイクロ波を導入するための複数のスロットを有する平面アンテナと、前記処理容器内にガス供給装置から窒素ガスと希ガスを含む処理ガスを導入するガス導入部と、前記処理容器内を減圧排気する排気装置と、を備えており、前記窒素プラズマは、前記処理ガスと、前記平面アンテナにより前記処理容器内に導入されるマイクロ波と、によって形成されるマイクロ波励起プラズマである請求項1に記載のプラズマ窒化処理方法。前記マイクロ波のパワー密度が、前記透過板の面積あたり0.6W/cm2以上2.5W/cm2以下の範囲内である請求項6に記載のプラズマ窒化処理方法。処理温度が、前記載置台の温度として、25°C室温以上600°C以下の範囲内である請求項6に記載のプラズマ窒化処理方法。上部に開口を有する前記処理容器と、前記処理容器内に配置され、被処理体を載置する載置台と、前記載置台に対向して設けられ、前記処理容器の開口を塞ぐとともにマイクロ波を透過させる透過板と、前記透過板より外側に設けられ、前記処理容器内にマイクロ波を導入するための複数のスロットを有する平面アンテナと、前記処理容器内にガス供給装置から窒素ガスと希ガスを含む処理ガスを導入するガス導入部と、前記処理容器内を減圧排気する排気装置と、前記処理容器内で被処理体に対してプラズマ窒化処理を行うように制御する制御部と、を備えたプラズマ窒化処理装置であって、前記制御部は、前記処理容器内を前記排気装置により排気して所定の圧力に減圧するステップ、前記処理容器内に前記ガス供給装置から前記窒素ガスと希ガスを含む処理ガスを、前記処理容器の容積1L当りの処理ガスの合計流量[mL/minsccm]として1.5mL/min/L以上13mL/min/L以下の範囲内で前記ガス導入部を介して導入するステップ、前記処理容器内に前記マイクロ波を前記平面アンテナ及び前記透過板を介して導入して、前記処理容器内に窒素含有プラズマを生成させるステップ、及び前記窒素含有プラズマにより、酸素含有膜を有する被処理体の該酸素含有膜を窒化処理するステップ、を実行させるものであるプラズマ窒化処理装置。本発明は、同一の処理容器内で複数の被処理体に対して連続的にプラズマ窒化処理を行っても、窒素ドーズ量の面間均一性が維持され、かつ処理装置からのパーティクルの発生を抑制できるプラズマ窒化処理方法を提供する。本発明者らは、プラズマ処理装置において、複数の被処理体に対してプラズマ窒化処理を繰返す間に面間均一性が悪くなると共に処理装置からのパーティクル数が増加していく現象について、その原因究明を行った。その結果、処理条件によってプラズマ処理装置内の部材例えば石英部材の表面状態が変化し、それが面間均一性の悪化とパーティクルの発生に深く関与しているとの知見を得た。本発明は、このような知見に基づいて完成されたものである。すなわち、本発明のプラズマ窒化処理方法は、プラズマ処理装置の処理容器内に、窒素ガスと希ガスを含む処理ガスの流量を、処理容器の容積1L当りの処理ガスの合計流量[mL/minsccm]として1.5mL/min/L以上13mL/min/L以下の範囲内になるように導入し、前記処理容器内に窒素含有プラズマを生成させ、該窒素含有プラズマにより、酸素含有膜を有する被処理体を交換しながら、複数の被処理体の酸素含有膜に対して窒化処理を行うものである。本発明のプラズマ窒化処理方法は、前記窒素ガスと希ガスとの体積流量比窒素ガス/希ガスが、0.05以上0.8以下の範囲内であることが好ましい。この場合、前記窒素ガスの流量が、4.7mL/minsccm以上225mL/minsccm以下の範囲内であり、かつ、前記希ガスの流量が、95mL/minsccm以上275mL/minsccm以下の範囲内であることがより好ましい。また、本発明のプラズマ窒化処理方法は、前記処理容器内の圧力が1.3Pa以上133Pa以下の範囲内であることが好ましい。また、本発明のプラズマ窒化処理方法は、前記プラズマ窒化処理における1枚の被処理体に対する処理時間が10秒以上300秒以下であることが好ましい。また、本発明のプラズマ窒化処理装置方法において、前記プラズマ処理装置は、上部に開口を有する前記処理容器と、前記処理容器内に配置され、被処理体を載置する載置台と、前記載置台に対向して設けられ、前記処理容器の開口を塞ぐとともにマイクロ波を透過させる透過板と、前記透過板より外側に設けられ、前記処理容器内にマイクロ波を導入するための複数のスロットを有する平面アンテナと、前記処理容器内にガス供給装置から窒素ガスと希ガスを含む処理ガスを導入するガス導入部と、前記処理容器内を減圧排気する排気装置と、を備えており、前記窒素プラズマは、前記処理ガスと、前記平面アンテナにより前記処理容器内に導入されるマイクロ波と、によって形成されるマイクロ波励起プラズマであることが好ましい。また、本発明のプラズマ窒化処理方法は、前記マイクロ波のパワー密度が、前記透過板の面積あたり0.6W/cm2以上2.5W/cm2以下の範囲内であることが好ましい。また、本発明のプラズマ窒化処理方法は、処理温度が、前記載置台の温度として、25°C室温以上600°C以下の範囲内であることが好ましい。また、本発明のプラズマ処理装置は、上部に開口を有する前記処理容器と、前記処理容器内に配置され、被処理体を載置する載置台と、前記載置台に対向して設けられ、前記処理容器の開口を塞ぐとともにマイクロ波を透過させる透過板と、前記透過板より外側に設けられ、前記処理容器内にマイクロ波を導入するための複数のスロットを有する平面アンテナと、前記処理容器内にガス供給装置から窒素ガスと希ガスを含む処理ガスを導入するガス導入部と、前記処理容器内を減圧排気する排気装置と、前記処理容器内で被処理体に対してプラズマ窒化処理を行うように制御する制御部と、を備えたプラズマ窒化処理装置であって、前記制御部は、前記処理容器内を前記排気装置により排気して所定の圧力に減圧するステップ、前記処理容器内に前記ガス供給装置から前記窒素ガスと希ガスを含む処理ガスを、前記処理容器の容積1L当りの処理ガスの合計流量[mL/minsccm]として1.5mL/min/L以上13mL/min/L以下の範囲内で前記ガス導入部を介して導入するステップ、前記処理容器内に前記マイクロ波を前記平面アンテナ及び前記透過板を介して導入して、前記処理容器内に窒素含有プラズマを生成させるステップ、及び前記窒素含有プラズマにより、酸素含有膜を有する被処理体の該酸素含有膜を窒化処理するステップ、を実行させるものである。本発明のプラズマ窒化処理方法は、窒素ガスと希ガスを含む処理ガスの総流量を1.5mL/min/L以上13mL/min/L以下の範囲内になるように処理容器に導入する。これにより、被処理体の間での処理の均一性面間均一性を向上させることができ、且つ、処理容器内の石英部材の酸化を抑制し、処理容器内でのパーティクルの発生を効果的に抑制できる。また、上記総流量で処理することによって、異なる種類のウエハ間でのメモリ効果による窒素ドーズ量の変動も抑制できる。従って、パーティクル発生が少なく、信頼性の高いプラズマ窒化処理を実現できる。以下、本発明の一実施の形態に係るプラズマ窒化処理方法について図面を参照して詳細に説明する。まず、図1~3を参照しながら、本発明のプラズマ窒化処理方法に利用可能なプラズマ窒化処理装置の構成について説明する。図1はプラズマ窒化処理装置100の概略構成を模式的に示す断面図である。また、図2は、図1のプラズマ窒化処理装置100の平面アンテナを示す平面図であり、図3はプラズマ窒化処理装置100の制御系統の構成を説明する図面である。プラズマ窒化処理装置100は、複数のスロット状の孔を有する平面アンテナ、特にRLSARadialLineSlotAntenna;ラジアルラインスロットアンテナにて処理容器にマイクロ波を導入して処理容器内でプラズマを発生させるRLSAマイクロ波プラズマ処理装置として構成されている。これにより、プラズマ窒化処理装置100においては、高密度かつ低電子温度のマイクロ波励起プラズマを発生させ得る。プラズマ窒化処理装置100では、例えば1×1010~5×1012/cm3のプラズマ密度で、かつ0.7~2eVの低電子温度を有するプラズマによる処理が可能である。従って、プラズマ窒化処理装置100は、各種半導体装置の製造過程において、酸化珪素膜やシリコンを窒化して窒化酸化珪素膜SiON膜や窒化珪素膜SiN膜等を形成する目的で好適に利用できる。プラズマ窒化処理装置100は、主要な構成として、被処理体である半導体ウエハ以下、単にウエハと記すWを収容する処理容器1と、処理容器1内でウエハWを載置する載置台2と、処理容器1内にガスを導入するガス供給装置18に接続されたガス導入部15と、処理容器1内を減圧排気するための排気装置24と、処理容器1の上部に設けられ、処理容器1内にマイクロ波を導入してプラズマを生成するプラズマ生成手段としてのマイクロ波導入装置27と、これらプラズマ窒化処理装置100の各構成部を制御する制御部50と、を備えている。なお、被処理体ウエハWというときは、その表面に成膜された各種薄膜、例えばポリシリコン層や、酸化珪素膜等も含む意味で用いる。また、ガス供給装置18は、プラズマ窒化処理装置100の構成部分に含めてもよいし、構成部分に含めずに外部のガス供給装置をガス導入部15に接続して使用する構成としてもよい。処理容器1は、接地された略円筒状の容器により形成されている。処理容器1の容積は適宜調整可能であるが、本実施の形態では例えば55Lの容積を有している。なお、処理容器1は角筒形状の容器により形成してもよい。処理容器1は、上部が開口しており、アルミニウム等の材質からなる底壁1aと側壁1bとを有している。側壁1bの内部には、熱媒体流路1cが設けられている。処理容器1の内部には、被処理体であるウエハWを水平に載置するための載置台2が設けられている。載置台2は、例えばAlN、Al2O3等のセラミックスにより構成されている。その中でも特に熱伝導性の高い材質例えばAlNが好ましく用いられる。この載置台2は、排気室11の底部中央から上方に延びる円筒状の支持部材3により支持されている。支持部材3は、例えばAlN等のセラミックスにより構成されている。また、載置台2には、その外縁部または全面をカバーし、かつウエハWをガイドするためのカバー部材4が設けられている。このカバー部材4は、環状に形成され、載置台2の載置面及び/または側面をカバーしている。カバー部材4によって、載置台2とプラズマの接触を遮断し、載置台2がスパッタリングされることを防止して、ウエハWへの不純物の混入防止を図ることができる。カバー部材4は、例えば石英、単結晶シリコン、ポリシリコン、アモルファスシリコン、窒化珪素等の材質で構成され、これらの中でもプラズマとの相性がよい石英がもっとも好ましい。また、カバー部材4を構成する前記材質は、アルカリ金属、金属などの不純物の含有量が少ない高純度のものが好ましい。また、載置台2には、抵抗加熱型のヒータ5が埋め込まれている。このヒータ5は、ヒータ電源5aから給電されることにより載置台2を加熱して、その熱で被処理体であるウエハWを均一に加熱する。また、載置台2には、熱電対TC6が配備されている。この熱電対6によって温度計測を行うことにより、ウエハWの加熱温度を例えば室温から900°Cまでの範囲で制御可能になっている。また、載置台2には、ウエハWを処理容器1内に搬入する際にウエハWの受け渡しに用いるウエハ支持ピン図示せずが設けられている。各ウエハ支持ピンは、載置台2の表面に対して突没可能に設けられている。処理容器1の内周には、石英からなる円筒状のライナー7が設けられている。また、載置台2の外周側には、処理容器1内で均一な排気を実現するため、多数の排気孔8aを有する石英製の環状のバッフルプレート8が設けられている。このバッフルプレート8は、複数の支柱9により支持されている。処理容器1の底壁1aの略中央部には、円形の開口部10が形成されている。底壁1aにはこの開口部10と連通し、下方に向けて突出する排気室11が設けられている。この排気室11には、排気管12が接続されており、この排気管12は排気装置24に接続されている。このようにして、処理容器1内を真空排気できるように構成されている。処理容器1の上部は開口している。処理容器1の上部には、開閉機能Lidとしての機能を有し、枠状をしたプレート13が配置されている。枠状をなすプレート13の内周は、内側処理容器1内の空間へ向けて突出し、環状の支持部13aを形成している。この支持部13aと処理容器1との間は、シール部材14を介して気密にシールされている。処理容器1の側壁1bには、プラズマ窒化処理装置100と、これに隣接する搬送室図示せずとの間で、ウエハWの搬入出を行うための搬入出口16と、この搬入出口16を開閉するゲートバルブ17とが設けられている。また、処理容器1の側壁1bには、環状をなすガス導入部15が設けられている。このガス導入部15は、希ガスや窒素ガスを供給するガス供給装置18に接続されている。なお、ガス導入部15はノズル状またはシャワー状に設けてもよい。ガス供給装置18は、ガス供給源と、配管例えば、ガスライン20a、20b、20cと、流量制御装置例えば、マスフローコントローラ21a、21bと、バルブ例えば、開閉バルブ22a、22bとを有している。ガス供給源としては、例えば希ガス供給源19a及び窒素ガス供給源19bを有している。なお、ガス供給装置18は、上記以外の図示しないガス供給源として、例えば処理容器1内の雰囲気を置換する際に用いるパージガス供給源等を有していてもよい。図1では、希ガス供給源19aからArガスが供給される構成となっている。希ガスとしては、他に例えばKrガス、Xeガス、Heガスなどを用いることができる。希ガスの中でも、Arガスは、経済性に優れている点で特に好ましい。希ガス及び窒素ガスは、ガス供給装置18の希ガス供給源19a及び窒素ガス供給源19bから、それぞれガスライン配管20a,20bを介して供給される。ガスライン20a及び20bは、ガスライン20cにおいて合流し、このガスライン20cに接続されたガス導入部15から処理容器1内に導入される。各ガス供給源に接続する各々のガスライン20a,20bには、それぞれマスフローコントローラ21a,21bおよびその前後に配備された一組の開閉バルブ22a,22bが設けられている。このようなガス供給装置18の構成により、供給されるガスの切替えや流量等の制御が出来るようになっている。排気装置24は、例えばターボ分子ポンプなどの高速真空ポンプを備えている。前記のように、排気装置24は、排気管12を介して処理容器1の排気室11に接続されている。処理容器1内のガスは、排気室11の空間11a内へ均一に流れ、排気装置24を作動させることにより、さらに空間11aから排気管12を介して外部へ排気される。これにより、処理容器1内を所定の真空度、例えば0.133Paまで高速に減圧することが可能となっている。処理容器1の側壁1b内に形成された熱媒体流路1cが形成されている。この熱媒体流路1cには、熱媒体導入管25a及び熱媒体排出管25bを介して、チラーユニット26が接続されている。チラーユニット26は、所定の温度に調節した熱媒体を熱媒体流路1cに流通させることにより、処理容器1の側壁1bを温度調節している。次に、マイクロ波導入装置27の構成について説明する。マイクロ波導入装置27は、主要な構成として、透過板28、平面アンテナ31、遅波材33、金属製カバー部材34、導波管37、マッチング回路38およびマイクロ波発生装置39を備えている。マイクロ波導入装置27は、処理容器1内に電磁波マイクロ波を導入してプラズマを生成させるプラズマ生成手段である。マイクロ波を透過させる機能を有する透過板28は、プレート13において内周側に突出した支持部13a上に配備されている。透過板28は、誘電体、例えば石英等の材質で構成されている。この透過板28と支持部13aとの間は、Oリング等のシール部材29を介して気密にシールされている。したがって、処理容器1内は気密に保持される。平面アンテナ31は、透過板28の上方処理容器1の外側において、載置台2と対向するように設けられている。平面アンテナ31は、円板状をなしている。なお、平面アンテナ31の形状は、円板状に限らず、例えば四角板状でもよい。この平面アンテナ31は、プレート13の上端に係止されている。平面アンテナ31は、例えば表面が金または銀メッキされた銅板、アルミニウム板、ニッケル板およびそれらの合金などの導電性部材で構成されている。平面アンテナ31は、マイクロ波を放射する多数のスロット状のマイクロ波放射孔32を有している。マイクロ波放射孔32は、所定のパターンで平面アンテナ31を貫通して形成されている。個々のマイクロ波放射孔32は、例えば図2に示すように、細長い長方形状スロット状をなしている。そして、典型的には隣接するマイクロ波放射孔32がL字状に配置されている。また、このように所定の形状例えばL字状に組み合わせて配置されたマイクロ波放射孔32は、さらに全体として同心円状に配置されている。マイクロ波放射孔32の長さや配列間隔は、マイクロ波の波長λgに応じて決定される。例えば、マイクロ波放射孔32の間隔は、λg/4~λgとなるように配置される。図2においては、同心円状に形成された隣接するマイクロ波放射孔32どうしの間隔をΔrで示している。なお、マイクロ波放射孔32の形状は、円形状、円弧状等の他の形状であってもよい。さらに、マイクロ波放射孔32の配置形態は特に限定されず、同心円状のほか、例えば、螺旋状、放射状等に配置することもできる。平面アンテナ31の上面平面アンテナ31と金属製カバー部材34との間で形成される偏平導波路には、真空よりも大きい誘電率を有する遅波材33が設けられている。この遅波材33は、真空中ではマイクロ波の波長が長くなることから、マイクロ波の波長を短くしてプラズマを調整する機能を有している。遅波材33の材質としては、例えば石英、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリイミド樹脂などを用いることができる。なお、平面アンテナ31と透過板28との間、また、遅波材33と平面アンテナ31との間は、それぞれ接触させても離間させてもよいが、接触させることが好ましい。処理容器1の上部には、これら平面アンテナ31および遅波材33を覆うように、金属製カバー部材34が設けられている。金属製カバー部材34は、例えばアルミニウムやステンレス鋼等の金属材料によって構成されている。金属製カバー部材34と平面アンテナ31によって、偏平導波路が形成され、マイクロ波を処理容器1内に均一に供給できるようになっている。プレート13の上端と金属製カバー部材34とは、シール部材35によりシールされている。また、金属製カバー部材34の壁体の内部には、流路34aが形成されている。この流路34aは、図示しない配管によってチラーユニット26に接続されている。流路34aにチラーユニット26から冷却水などの熱媒体を通流させることにより、金属製カバー部材34、遅波材33、平面アンテナ31および透過板28を冷却できるようになっている。なお、金属製カバー部材34は接地されている。金属製カバー部材34の上壁天井部の中央には、開口部36が形成されており、この開口部36には導波管37が接続されている。導波管37の他端側には、マッチング回路38を介してマイクロ波を発生するマイクロ波発生装置39が接続されている。導波管37は、上記金属製カバー部材34の開口部36から上方へ延出する断面円形状の同軸導波管37aと、この同軸導波管37aの上端部にモード変換器40を介して接続された水平方向に延びる矩形導波管37bとを有している。モード変換器40は、矩形導波管37b内をTEモードで伝播するマイクロ波をTEMモードに変換する機能を有している。同軸導波管37aの中心には内導体41が延在している。この内導体41は、その下端部において平面アンテナ31の中心に接続固定されている。このような構造により、マイクロ波は、同軸導波管37aの内導体41を介して平面アンテナ31と金属製カバー部材34とにより形成される偏平導波路へ放射状に効率よく均一に伝播される。以上のような構成のマイクロ波導入装置27により、マイクロ波発生装置39で発生したマイクロ波が導波管37を介して平面アンテナ31へ伝播され、さらにマイクロ波放射孔32スロットから透過板28を介して処理容器1内に導入されるようになっている。なお、マイクロ波の周波数としては、例えば2.45GHzが好ましく用いられ、他に8.35GHz、1.98GHz等を用いることもできる。プラズマ窒化処理装置100の各構成部は、制御部50に接続されて制御される構成となっている。制御部50は、典型的にはコンピュータであり、例えば図3に示したように、CPUを備えたプロセスコントローラ51と、このプロセスコントローラ51に接続されたユーザーインターフェース52および記憶部53を備えている。プロセスコントローラ51は、プラズマ窒化処理装置100において、例えば温度、圧力、ガス流量、マイクロ波出力などの処理条件に関係する各構成部例えば、ヒータ電源5a、ガス供給装置18、排気装置24、マイクロ波発生装置39などを統括して制御する制御手段である。ユーザーインターフェース52は、工程管理者がプラズマ窒化処理装置100を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、プラズマ窒化処理装置100の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を有している。また、記憶部53には、プラズマ窒化処理装置100で実行される各種処理をプロセスコントローラ51の制御にて実現するための制御プログラムソフトウエアや処理条件データ等が記録されたレシピなどが保存されている。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース52からの指示等にて任意のレシピを記憶部53から呼び出してプロセスコントローラ51に実行させることで、プロセスコントローラ51による制御のもとでプラズマ窒化処理装置100の処理容器1内で所望の処理が行われる。また、前記制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体、例えばCD-ROM、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリ、DVD、ブルーレイディスクなどに格納された状態のものを利用できる。さらに、前記レシピを他の装置から例えば専用回線を介して伝送させて利用することも可能である。このように構成されたプラズマ窒化処理装置100では、例えば室温25°C程度以上600°C以下の低温でウエハWへのダメージフリーなプラズマ処理を行うことができる。また、プラズマ窒化処理装置100は、プラズマの均一性に優れていることから、大口径のウエハWに対しても良好な面内均一性及び面間均一性を実現できる。次に、RLSA方式のプラズマ窒化処理装置100を用いたプラズマ窒化処理の一般的な手順について説明する。まず、ゲートバルブ17を開にして搬入出口16からウエハWを処理容器1内に搬入し、載置台2上に載置する。次に、処理容器1内を減圧排気しながら、ガス供給装置18の希ガス供給源19aおよび窒素ガス供給源19bから、希ガスおよび窒素ガスを所定の流量でそれぞれガス導入部15を介して処理容器1内に導入する。このようにして、処理容器1内を所定の圧力に調節する。また、チラーユニット26により、所定の温度に調節した熱媒体を熱媒体流路1cに流通させて処理容器1の側壁1bを所定の温度に温度調節する。次に、マイクロ波発生装置39から所定の周波数、例えば2.45GHzのマイクロ波を、マッチング回路38を介して導波管37に導く。導波管37に導かれたマイクロ波は、矩形導波管37bおよび同軸導波管37aを順次伝播し、内導体41を介して平面アンテナ31に供給される。マイクロ波は、矩形導波管37b内ではTEモードで伝播し、このTEモードのマイクロ波はモード変換器40でTEMモードに変換されて、同軸導波管37a内を平面アンテナ31に向けて伝播されていく。そして、マイクロ波は、平面アンテナ31に貫通形成されたスロット状のマイクロ波放射孔32から透過板28を介して処理容器1内においてウエハWの上方空間に放射される。平面アンテナ31から透過板28を経て処理容器1内に放射されたマイクロ波により、処理容器1内で電磁界が形成され、希ガスおよび窒素ガス等の処理ガスがプラズマ化する。このようにして生成するマイクロ波励起プラズマは、マイクロ波が平面アンテナ31の多数のマイクロ波放射孔32から放射されることにより、略1×1010~5×1012/cm3の高密度で、かつウエハW近傍では、略1.2eV以下の低電子温度プラズマとなる。プラズマ窒化処理装置100で実施されるプラズマ窒化処理の条件は、制御部50の記憶部53にレシピとして保存しておくことができる。そして、プロセスコントローラ51がそのレシピを読み出してプラズマ窒化処理装置100の各構成部、例えばガス供給装置18、排気装置24、マイクロ波発生装置39、ヒータ電源5aなどへ制御信号を送出することにより、所望の条件でのプラズマ窒化処理が実現する。<プラズマ窒化処理の条件>ここで、プラズマ窒化処理装置100において行なわれるプラズマ窒化処理の好ましい条件について説明を行う。本実施の形態のプラズマ窒化処理では、下記の条件の中で、特に処理ガスの流量と流量比率が重要であり、これらを考慮することによって処理容器1内の酸素を効率よく排除し、窒素ドーズ量の面間均一性及びパーティクルの発生原因を除去できる。[処理ガス]処理ガスとしては、N2ガスとArガスを使用することが好ましい。窒素ガスと希ガスを含む処理ガスの流量を処理容器1の容積1L当りの処理ガスの合計流量[mL/minsccm]として1.5mL/min/L以上13mL/min/L以下の範囲内になるようにする。これにより処理容器1内の酸素を効率よく排除し、プラズマ窒化処理装置100における窒素ドーズ量の面間均一性及びパーティクルの発生原因を除去できる。処理ガスの総流量が1.5mL/min/Lより少ないと、処理容器1内からの酸素の排出が進まず、ウエハWを繰り返し処理する間に処理容器1内のパーツ特に天板等の石英部材が酸化されて応力剥離してパーティクル発生原因となる。一方、処理ガスの総流量が13mL/minLを超えると、同様に酸素の排出が出来ないので石英部材が酸化されてパーティクル発生の原因になる。なお、総流量の単位[mL/min/L]は、処理容器1の容積1L当りの処理ガスの合計流量[mL/minsccm]を意味している。例えば、処理容器1の容積が55Lである場合、処理ガスの合計流量は、82.5mL/minsccm以上715mL/minsccm以下となる。この場合、N2ガスの流量は、例えば4.7mL/minsccm以上225mL/minsccm以下の範囲内であることが好ましい。また、Arガスの流量は、例えば95mL/minsccm以上275mL/minsccm以下の範囲内であることが好ましい。全処理ガス中に含まれるN2ガスとArガスとの体積流量比N2ガス/Arガスは、プラズマの窒化力を強くして処理容器1内のパーツ特に石英部材の酸化を抑制し、パーティクル原因となることを防止する観点から、例えば0.05以上0.8以下の範囲内が好ましく、0.2以上0.8以下の範囲内がより好ましい。[処理圧力]処理圧力は、プラズマの窒化力を強くする観点から、1.3Pa以上133Pa以下の範囲内に設定することが好ましく、1.3Pa以上53.3Pa以下の範囲内がより好ましい。処理圧力が1.3Pa未満では、下地膜へのダメージがあり、133Paを超えると、十分な窒化力が得られず、処理容器1内の石英部材の酸化を抑制してパーティクル原因を排除する効果が低くなる。[処理時間]処理時間は、例えば10秒以上300秒以下に設定することが好ましく、30秒以上180秒以下に設定することがより好ましい。処理容器1の容積1L当りの処理ガスの合計流量[mL/minsccm]として1.5mL/min/L以上13mL/min/L以下の範囲内で生成した窒素含有プラズマによる酸素の除去効果はある程度の時間までは処理時間に比例して大きくなるが、処理時間が長くなりすぎると頭打ちになり、スループットが低下する。従って、所望の酸素排出効果が得られる範囲で、出来るだけ処理時間を短く設定することが好ましい。[マイクロ波パワー]プラズマ窒化処理におけるマイクロ波のパワー密度は、安定かつ均一に窒素プラズマを生成させるとともに、処理容器1内の温度を低めに誘導して熱応力により生じる石英部材例えば透過板28からのパーティクルを低減する観点から、例えば0.6W/cm2以上2.5W/cm2以下の範囲内とすることが好ましい。なお、本発明においてマイクロ波のパワー密度は、透過板28の面積1cm2あたりのマイクロ波パワーを意味する。[処理温度]処理温度ウエハWの加熱温度は、処理容器1内の温度を低めに誘導して熱応力により生じる石英部材例えば透過板28からのパーティクルを低減する観点から、載置台2の温度として、例えば25°C室温程度以上600°C以下の範囲内とすることが好ましく、100°C以上500°C以下の範囲内に設定することがより好ましい。処理温度を低くすると、窒素ドーズ量は低下する。しかし、処理ガスの流量を、処理容器1の容積1L当りの処理ガスの合計流量[mL/minsccm]として1.5mL/min/L以上13mL/min/L以下の範囲内と大流量にすることによって、温度低下による窒化ドーズの低下を抑制して高ドーズで窒化処理することができる。[チラー温度]プラズマ窒化処理の間、プラズマによるチャンバの熱の増加をチラーユニット26から処理容器1の側壁1b及び金属製カバー部材34の流路34aへ供給する熱媒体により冷却する。その温度は、処理容器1内の温度を低めに誘導して熱応力により生じる石英部材例えば透過板28表面からのパーティクルを低減する観点から、例えば5°C以上25°C以下の範囲内に設定することが好ましく、10°C以上15°C以下の範囲内に設定することがより好ましい。以上のプラズマ窒化処理の条件は、制御部50の記憶部53にレシピとして保存しておくことができる。そして、プロセスコントローラ51がそのレシピを読み出してプラズマ窒化処理装置100の各構成部、例えばガス供給装置18、排気装置24、マイクロ波発生装置39、ヒータ電源5aなどへ制御信号を送出することにより、所望の条件でのプラズマ窒化処理が実現する。<作用>図4~図7は、プラズマ窒化処理装置100の処理容器1内で、プラズマ窒化処理を行った際の石英部材例えば透過板28の表面の状態変化を示している。プラズマ窒化処理装置100の処理容器1内で、プラズマ窒化処理を行なうと、透過板28などの石英部材の表面が窒素プラズマに曝される。そのため、石英部材の表面でSiO2が窒化されてSiONとなり、さらに窒化が進み、図4に示すように、石英部材の表面に薄いSiN層101が形成される。図4の状態で、多数枚のウエハWに対して連続的にプラズマ窒化処理を続けていくと、例えば図5に示したように、プラズマ窒化処理装置100の処理容器1内に存在する酸素が励起されて原子状酸素Oとなり、その原子状酸素Oが処理容器1内に拡散し、透過板28などの石英部材の表面を酸化する。処理容器1内で酸素が増加していく要因としては、処理対象のウエハWの表面に、酸素を放出しやすい酸素含有膜例えば二酸化珪素膜、金属酸化膜、金属シリコン酸化膜等が存在している場合を挙げることができる。酸素含有膜、例えばSiO2膜を窒素プラズマで窒化すると酸素と窒素が置換し、該膜中から酸素原子Oが追い出され、それが処理容器1内に放出され、石英部材の表面が酸化される。また、ウエハWに付着した大気中の水分など、処理容器1の外部から持ち込まれた酸素によっても、同様に石英部材の表面の酸化が生じる。また、1枚のウエハWに対する処理時間が短い場合、ウエハWから放出された酸素が排気ガスとともに排出されず、少しずつ処理容器1内に残留し、ウエハWの処理枚数が増えるに従い、処理容器1内に蓄積しやすくなる。上記のような機構の酸化が進むと、図6に示すように、処理容器1内の透過板28などの石英部材の表面に形成されたSiN層101の表面が酸化されて窒化酸化珪素層SiON層102が形成される。つまり、石英部材の表面付近は、内部から表面側へ、SiO2/SiN/SiONの層構成となる。なお、プラズマ励起のためのマイクロ波パワーが小さい場合は、窒化力が低下するので、相対的に酸素の影響力が強まり、酸素による石英部材の酸化が進みやすくなる。図6に示すようにSiON層102が形成された状態で、多数のウエハWに対してプラズマ窒化処理を続けていく間に、熱応力が加わると、SiON層102とSiN層101との熱膨張率の違いによりSiON層102にクラックが生じ、図7に示すようにSiON層102が剥離する。これが、パーティクルPの原因であると考えられる。本実施の形態のプラズマ窒化処理方法では、処理容器1の容積1L当りの処理ガスの合計流量[mL/minsccm]として、1.5mL/min/L以上13mL/min/L以下の範囲内になるように大流量の処理ガスを処理容器1に導入し、排気装置24によって排気しながらプラズマ窒化処理を行う。これにより、ウエハWから放出された酸素原子酸素ラジカル、酸素イオンや、処理容器1内に付着若しくは滞留している酸素源を速やかに処理容器1外へ排出させることができる。その結果、処理容器1内でプラズマ窒化処理を繰り返し実施しても、常に石英部材の表面を図4に示す状態SiN層101が形成された状態に維持することができる。つまり、大流量の処理ガスの導入と排気により、処理容器1内から石英部材等の表面の酸化の原因となる、酸素原子酸素ラジカル、酸素イオンや、処理容器1内に存在する酸素源を排出し、SiON層102の形成を抑制することで、熱応力による剥離が生じ難い状態を維持する。従って、上記のように石英部材の表面が剥離してパーティクル原因となる現象を未然に防止できる。また、上記石英部材からのSiON層102の剥離は、主に熱応力によって生じるため、処理容器1内の温度を低めに誘導することにより、パーティクル発生をより確実に低減できる。このような観点から、例えば処理温度載置台2のヒータ5によるウエハWの加熱温度、マイクロ波発生装置39で発生させるマイクロ波のパワー、チラーユニット26のよる熱媒体の温度を低めに設定することが有効である。この場合、処理容器1内の温度が低下すると、窒化レートも低下する傾向があるが、上記のとおり処理ガスの流量を大流量にしておくことによって、窒化レートの極端な低下を回避できる。すなわち、処理容器1の温度低下による窒化レートの低下を処理ガスの流量増加によって補うことができる。また、処理容器1内で、処理ガスの流量を、処理容器1の容積1L当りの処理ガスの合計流量[mL/minsccm]として、1.5mL/min/L以上13mL/min/L以下の範囲内の大流量にすることによって、処理されたウエハWから発生したガスが、1枚の処理毎に処理容器1内から排出されやすくなる。そのため、次に処理されるウエハWに、前のウエハWから発生したガスが影響することを排除できるので、ウエハW間の処理の均一性が大幅に改善する。次に、本発明の基礎となった実験結果について説明する。実験例1:図1のプラズマ窒化処理装置100と同様の構成の装置を用い、下記の小総流量の窒化条件1-A、大総流量の窒化条件1-B及び1-Cで、それぞれ25枚のウエハWに対して繰り返しプラズマ窒化処理を実施した。ウエハWは表面にシリコン酸化膜を有するものを使用した。プラズマ窒化処理後の酸化膜付ウエハに対して、シリコン酸化膜中の窒素ドーズ量を測定し、ウエハ間での窒素ドーズ量の均一性を評価した。小総流量の窒化条件1-Aの結果を図8に、大総流量の窒化条件1-Bの結果を図9に、大総流量の窒化条件1-Cの結果を図10に示した。図8~図10において、横軸はウエハ番号を示しており、向かって左側の縦軸は、ウエハW上の9箇所の平均窒素ドーズ量を示しており、向かって右側の縦軸は、均一性の指標であるRange/2Ave.[すなわち、窒素ドーズ量の最大値-窒素ドーズ量の最小値/2×平均窒素ドーズ量、の百分率]を示している。<窒化条件1-A>処理圧力;20PaArガス流量;60mL/minsccmN2ガス流量;20mL/minsccm総流量;80mL/minsccmマイクロ波の周波数:2.45GHzマイクロ波パワー:1500Wパワー密度0.76W/cm2処理温度:500°C処理時間:90秒ウエハ径:300mm処理容器容積:55L小総流量:1.45mL/min/L<窒化条件1-B>処理圧力;20PaArガス流量;255mL/minsccmN2ガス流量;70mL/minsccm総流量;325mL/minsccmマイクロ波の周波数:2.45GHzマイクロ波パワー:1500Wパワー密度0.76W/cm2処理温度:500°C処理時間:90秒ウエハ径:300mm処理容器容積:55L大総流量:5.91mL/min/L<窒化条件1-C>処理圧力;20PaArガス流量;195mL/minsccmN2ガス流量;130mL/minsccm総流量;325mL/minsccmマイクロ波の周波数:2.45GHzマイクロ波パワー:2000Wパワー密度1.01W/cm2処理温度:500°C処理時間:90秒ウエハ径:300mm処理容器容積:55L大総流量:5.91mL/min/L図8~図10に示したように、平均窒素ドーズ量黒ひし形のプロットは、小総流量の条件1-A図8よりも、大総流量の条件1-B図9、条件1-C図10の方が上回っていた。また、Range/2Ave.白四角のプロットに関しては、ウエハ間の比較で、小総流量の条件1-A図8が3.800、大総流量の条件1-B図9が2.338であり、大総流量の条件1-C図10が1.596であった。大総流量の条件1-B図9、条件1-C図10の方がウエハ間での窒素ドーズ量のばらつきが少なく、ウエハ間での処理の均一性面間均一性が高いことが確認された。従って、プラズマ窒化処理において、小総流量の条件1-Aに比べ、大総流量の条件1-B、1-Cの方が窒素ドーズ量のウエハ間での均一性が優れていることが確認された。実験例2:図1のプラズマ窒化処理装置100と同様の構成の装置を用い、下記の窒化条件2-A及び窒化条件2-Bでそれぞれ約30000枚のダミーウエハに対して繰り返しプラズマ窒化処理を行うランニング試験を実施した。ダミーウエハとしては、表面にシリコン酸化膜を有するものを使用した。プラズマ窒化処理後のダミーウエハに対して、パーティクルカウンタでパーティクル数を計測した。その結果を図11に示した。なお、窒化条件2-Aは、相対的に処理ガスの流量が小流量であり、窒化条件2-Bは、相対的に処理ガスの流量が大流量である。<窒化条件2-A>処理圧力;20PaArガス流量;48mL/minsccmN2ガス流量;32mL/minsccm総流量;80mL/minsccmマイクロ波の周波数:2.45GHzマイクロ波パワー:1500Wパワー密度0.76W/cm2処理温度:500°C処理時間:90秒ウエハ径:300mm処理容器容積:55L小総流量:1.45mL/min/L<窒化条件2-B>処理圧力;20PaArガス流量;271mL/minsccmN2ガス流量;54mL/minsccm総流量;325mL/minsccmマイクロ波の周波数:2.45GHzマイクロ波パワー:1500Wパワー密度0.76W/cm2処理温度:500°C処理時間:90秒ウエハ径:300mm処理容器容積:55L大総流量:5.91mL/min/L図11に示したように、小総流量の窒化条件2-Aでは、プラズマ窒化処理を実施することによって、15000枚前後からパーティクル数が大幅に増加した。一方、大総流量の窒化条件2-Bでは、約30000枚の処理が終了した時点でもパーティクル数の増加はほとんど生じなかった。これは、大総流量の窒化条件2-Bでは、処理容器内で発生する酸素が速やかに排出されて処理容器内にとどまらないため、石英部材等の酸化が抑制され、パーティクル原因となるSiON層が形成されにくいためであると考えられる。従って、大総流量のプラズマ窒化処理によって、処理容器内で発生するパーティクルを効果的に低減できることが確認できた。実験例3:次に、マイクロ波パワーを1000W透過板1cm2当りのパワー密度以下、パワー密度と記す;0.5W/cm2から2000Wパワー密度;1.0W/cm2まで100Wずつ段階的に変化させた以外は実験例2の条件2-Bと同様にして、表面に6nmのSiO2膜を有するウエハ25枚に対して、それぞれプラズマ窒化処理を行った。そして、SiO2膜中への窒素ドーズ量と、そのウエハ面内でのRange/2Ave.を評価した。その結果を図12に示した。マイクロ波パワーが1200Wパワー密度0.6W/cm2以上2000Wパワー密度;1.0W/cm2以下の範囲内では、窒素ドーズ量のウエハ内の均一性面内均一性が良好であった。実験例4:図1のプラズマ窒化処理装置100と同様の構成の装置を用い、実験例2と同様の条件2-A、条件2-Bで、表面にSiO2膜を有する多数のウエハに対して、連続してプラズマ窒化処理を行うランニング試験を実施した。条件2-Aで約30,000枚弱、条件2-Bで約85,000枚弱のウエハWを処理した。その後、透過板28の表面付近の断面を電子顕微鏡により確認するとともに、エネルギー分散型X線分析装置EDSにより同部位の元素存在比を分析した。その結果を図13に示した。図13から、小総流量の条件2-Aの場合、EDS分析による窒素の存在深さが0.2μmであった。この深さ範囲には酸素を含むため、約30,000枚弱の処理枚数で透過板28の表面にSiON層が形成されていることが確認された。これは、酸化膜を窒化した際、膜から放出された酸素が透過板28の表面を酸化させたためであると考えられる。一方、条件2-Bの場合、EDS分析による窒素の存在深さが1μmであった。この深さ範囲には酸素を含まないため、約85,000枚弱のウエハを処理した後でも、SiN層が維持されていることが確認された。従って、大総流量の条件2-Bによるプラズマ窒化処理を行うことにより、処理枚数が85,000枚に達しても、処理容器1内の石英部材表面にパーティクル発生原因となるSiON層の形成を抑制できることが確認できた。以上のように、本実施の形態のプラズマ窒化処理方法によれば、窒素ガスと希ガスを含む処理ガスを、処理容器1の容積1L当りの処理ガスの合計流量[mL/minsccm]として1.5mL/min/L以上13mL/min/L以下の範囲内になるように処理容器1内に導入する。これによって、処理容器1内の石英部材表面の酸化を抑制し、処理容器1内でのパーティクルの発生を効果的に抑制できるとともに、ウエハWの間での処理の均一性を確保することができる。従って、プラズマ窒化処理装置100において、パーティクル発生の少ない信頼性の高いプラズマ窒化処理を実現できる。次に、本発明のプラズマ窒化処理方法と組み合わせて実施することが可能な前処理としてのプラズマコンディショニング方法について説明する。このプラズマコンディショニング方法は、パーティクルや、コンタミネーション金属元素、アルカリ金属元素などによる汚染を低減するために、プラズマ窒化処理装置100の処理容器1内のコンディショニングを行う方法に関する。従来、プラズマ窒化処理装置100の立ち上げスタートアップ時や、分解、パーツ交換等のメンテナンスを行った後には、共通の条件によるプラズマコンディショニングを実施していた。従来のプラズマコンディショニングでは、処理容器1内で酸素プラズマ及び窒素プラズマを生成させていた。このプラズマコンディショニングには、例えば13~14時間程度を要していた。しかし、処理容器1内の状態にかかわらず、一律に同じ条件、同じ時間でプラズマコンディショニングを行っていたため、装置のダウンタイムが長くなり、また、長時間のプラズマ照射によって、処理容器1内のパーツ例えば透過板28の寿命を縮めるという弊害もあった。そこで、プラズマコンディショニングのレシピを見直し、処理容器1内の状態特に、コンタミネーションレベルに応じて、3段階のプラズマコンディショニングレシピ第1~第3のレシピを準備した。第1のレシピは、プラズマ窒化処理装置100の立ち上げスタートアップに実施するものである。第2のレシピは、比較的大掛かりなメンテナンス後に実施するものである。ここで、比較的大掛かりなメンテナンスとしては、例えば載置台2の交換や、載置台2の取り外しを伴うメンテナンスを行った場合を挙げることができる。第3のレシピは、比較的軽微なメンテナンスを実施した後に行うものである。ここで、比較的軽微なメンテナンスとしては、例えば透過板28の交換、排気装置24のターボ分子ポンプの交換、ゲートバルブ17のOリングや弁体の交換等を挙げることができる。第1から第3のレシピの内容を例示する。第1のレシピ>第2のレシピ>第3のレシピの順にプラズマコンディショニングの程度が高く、第1のレシピによれば、従来のプラズマコンディショニングと同じ内容で最も徹底した内容でプラズマコンディショニングが行われる。[第1のレシピ]以下の高圧酸化コンディショニング、低圧酸化コンディショニング、ウエハレス直射コンディショニング、及び窒化コンディショニングの順に実施される。プラズマコンディショニングに要する時間は、合計で13~14時間程度である。なお、本明細書において、高圧、低圧の語は、あくまでも真空条件での圧力の違いを区別するために相対的な意味で用いる。以下に各コンディショニングのプロセス条件を示す。<高圧酸化コンディショニング>処理圧力;400Paマイクロ波の周波数:2.45GHzマイクロ波パワー:3800Wパワー密度;1.95W/cm2Arガス流量;200mL/minsccmH2ガス流量;20mL/minsccmO2ガス流量;80mL/minsccm処理温度:500°C処理時間回数:60秒×10サイクル使用ウエハ:3枚<低圧酸化コンディショニング>処理圧力;67Paマイクロ波の周波数:2.45GHzマイクロ波パワー:3200Wパワー密度;1.64W/cm2Arガス流量;200mL/minsccmH2ガス流量;20mL/minsccmO2ガス流量;80mL/minsccm処理温度:500°C処理時間回数:60秒×30サイクル使用ウエハ:10枚<ウエハレス直射コンディショニング>処理圧力;67Paマイクロ波の周波数:2.45GHzマイクロ波パワー:3200Wパワー密度;1.64W/cm2Arガス流量;200mL/minsccmH2ガス流量;20mL/minsccmO2ガス流量;80mL/minsccm処理温度:500°C処理時間回数:60秒×10サイクル使用ウエハ:なし<窒化コンディショニング>処理圧力;20Paマイクロ波の周波数:2.45GHzマイクロ波パワー:2000Wパワー密度;1.0W/cm2Arガス流量;48mL/minsccmN2ガス流量;32mL/minsccm処理温度:500°C処理時間回数:60秒×10サイクル使用ウエハ:5枚[第2のレシピ]以下のウエハレス直射コンディショニングを実施した後、高圧酸化コンディショニングと低圧酸化コンディショニングとを交互に繰り返し、その後、窒化コンディショニングを実施する。プラズマコンディショニングに要する時間は、合計で7~8時間程度である。以下に各コンディショニングのプロセス条件を示す。<ウエハレス直射コンディショニング>処理圧力;67Paマイクロ波の周波数:2.45GHzマイクロ波パワー:3200Wパワー密度;1.64W/cm2Arガス流量;200mL/minsccmH2ガス流量;20mL/minsccmO2ガス流量;80mL/minsccm処理温度:500°C処理時間回数:60秒×30サイクル使用ウエハ:なし<高圧酸化コンディショニング>処理圧力;400Paマイクロ波の周波数:2.45GHzマイクロ波パワー:3800Wパワー密度;1.95W/cm2Arガス流量;200mL/minsccmH2ガス流量;20mL/minsccmO2ガス流量;80mL/minsccm処理温度:500°C処理時間:60秒/1サイクル<低圧酸化コンディショニング>処理圧力;67Paマイクロ波の周波数:2.45GHzマイクロ波パワー:3200Wパワー密度;1.64W/cm2Arガス流量;200mL/minsccmH2ガス流量;20mL/minsccmO2ガス流量;80mL/minsccm処理温度:500°C処理時間回数:60秒/1サイクル高圧酸化コンディショニングと低圧酸化コンディショニングは、1枚のウエハを使用して30サイクルを交互に繰返す。<窒化コンディショニング>処理圧力;20Paマイクロ波の周波数:2.45GHzマイクロ波パワー:2000Wパワー密度;1.0W/cm2Arガス流量;48mL/minsccmN2ガス流量;32mL/minsccm処理温度:500°C処理時間回数:60秒×50サイクル使用ウエハ:1枚[第3のレシピ]以下のウエハレス直射コンディショニングを実施した後、窒化コンディショニングのみを実施する。プラズマコンディショニングに要する時間は、合計で2~3時間程度である。以下に各コンディショニングのプロセス条件を示す。<ウエハレス直射コンディショニング>処理圧力;20Paマイクロ波の周波数:2.45GHzマイクロ波パワー:2000Wパワー密度;1.0W/cm2Arガス流量;48mL/minsccmN2ガス流量;32mL/minsccm処理温度:500°C処理時間回数:60秒×30サイクル使用ウエハ:なし<窒化コンディショニング>処理圧力;20Paマイクロ波の周波数:2.45GHzマイクロ波パワー:2000Wパワー密度;1.0W/cm2Arガス流量;48mL/minsccmN2ガス流量;32mL/minsccm処理温度:500°C処理時間回数:60秒×50サイクル使用ウエハ:1枚次に、上記の第1~第3のレシピによってプラズマコンディショニングを行い、プラズマコンディショニングの前後のウエハWのコンタミネーション量を測定した。コンタミネーション量の測定は、Al、Cu、Na、Cr、Fe、Kについて行った。図14及び図15は、第1のレシピの場合であり、図14はウエハWの表面、図15はウエハWの裏面についてのコンタミネーション量の測定結果を示している。同様に、図16及び図17は、第2のレシピの場合であり、図16はウエハWの表面、図17はウエハWの裏面についてのコンタミネーション量の測定結果を示している。さらに、図18は、第3のレシピの場合であり、プラズマコンディショニング後のウエハWの表面及び裏面のコンタミネーション量の測定結果を示している。この実験では、コンタミネーション量の基準値を、10×1010[atoms/cm2]に設定した。図14~図18を参照すると、第2のレシピ図16及び図17、第3のレシピ図18によるプラズマコンディショニングによって、ウエハWの表面並びに裏面のコンタミネーション量が、いずれも基準値を下回っていた。つまり、第2のレシピ、第3のレシピによるプラズマコンディショニングによって、第1のレシピのプラズマコンディショニングの場合図14及び図15と同レベルまでコンタミネーション量を低減できていることが確認できた。プラズマコンディショニングに必要な時間は、第1のレシピのプラズマコンディショニングの時間を100とすると、第2のレシピでは41つまり、1/2以下、第3のレシピでは19約1/5まで短縮することができた。つまり、処理容器1内のコンタミネーションレベルに応じて第1~第3のレシピのいずれかを選択することによって、プラズマコンディショニング時間を短縮できるため、プラズマ窒化処理装置100のダウンタイムを短くし、生産効率を高めることが可能になった。また、プラズマコンディショニング時間を短縮できることにより、処理容器1内の消耗パーツに対するプラズマ照射時間を削減できるので、例えば透過板28等の石英部材の寿命を長期化できるようになった。以上のプラズマコンディショニング方法を、前処理方法として、本発明のプラズマ窒化処理方法と組み合わせて実施することにより、パーティクル量及びコンタミネーション量の低減を図ることが可能になる。従って、パーティクル汚染やコンタミネーションが極力抑制された半導体プロセスが実現し、信頼性の高い半導体装置の提供が可能なる。また、プラズマ処理装置において、本プラズマコンディショニングを行った後、プラズマ窒化処理をすることによってスループットの向上が可能である。以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはない。当業者は本発明の思想及び範囲を逸脱することなく多くの改変を成し得、それらも本発明の範囲内に含まれる。例えば、上記実施の形態では、RLSA方式のプラズマ窒化処理装置100を使用したが、他の方式のプラズマ処理装置を用いてもよく、例えば平行平板方式、電子サイクロトロン共鳴ECRプラズマ、マグネトロンプラズマ、表面波プラズマSWP等の方式のプラズマ処理装置を利用してもよい。また、上記実施の形態では、半導体ウエハを被処理体とするプラズマ窒化処理を例に挙げて説明したが、被処理体としての基板は、例えばFPDフラットパネルディスプレー用の基板や太陽電池用基板などでもよい。本国際出願は、2010年3月31日に出願された日本国特許出願2010-81989号に基づく優先権を主張するものであり、当該出願の全内容をここに援用する。"