"発光層の発光波長に対して透明な基板と、互いに第1ピッチp1を空けて前記基板の表面に離散して配置された複数の凸部の集合体からなる凸パターンと、前記凸パターンを覆うように前記基板の前記表面に形成されたn型窒化物半導体層と、前記n型導体層上に形成された前記発光層と、前記発光層上に形成されたp型窒化物半導体層とを含み、前記凸部は、互いに前記第1ピッチp1よりも小さい第2ピッチp2を空けて当該凸部の頂部に離散して形成された複数の微細凸部の集合体からなる微細凸パターンと、当該微細凸パターンを支持するベース部とを含む、発光素子。前記基板の前記表面の一定の領域における前記凸パターンの占有率は、50~55である、請求項1に記載の発光素子。前記n型窒化物半導体層は、互いに隣り合う前記微細凸部の間に入り込まず、当該微細凸部の頂部の間に跨るように形成されていて、前記発光素子は、前記微細凸部の前記頂部の間に跨る前記n型窒化物半導体層と、当該微細凸部とによって区画された空間を含む、請求項1または2に記載の発光素子。前記n型窒化物半導体層は、互いに隣り合う前記凸部の間に入り込み、当該凸部の間を満たすように形成されている、請求項1~3のいずれか一項に記載の発光素子。前記凸パターンは、前記ベース部がミクロンオーダの幅w1を有するマイクロパターンであり、前記微細凸パターンは、前記微細凸部がナノオーダの幅w2を有するナノパターンである、請求項1~4のいずれか一項に記載の発光素子。前記ベース部の前記幅w1は2μm~5μmであり、前記微細凸部の前記幅w2は前記ベース部の前記幅w1の15~40である、請求項5に記載の発光素子。前記基板の前記表面を基準に測定された前記凸部の高さHは、1.0μm~2.0μmである、請求項1~6のいずれか一項に記載の発光素子。前記基板の前記表面を基準に測定された前記ベース部の高さh1は、前記凸部の高さHの10~95である、請求項7に記載の発光素子。前記ベース部の頂部を基準に測定された前記微細凸部の高さh2は、前記凸部の高さHの5~90である、請求項7または8に記載の発光素子。前記ベース部は、直方体形状に形成されている、請求項1~9のいずれか一項に記載の発光素子。前記微細凸部は、円柱形状に形成されている、請求項1~10のいずれか一項に記載の発光素子。前記凸パターンの前記第1ピッチp1は、前記ベース部の前記幅w1の1.1倍~1.3倍である、請求項1~11のいずれか一項に記載の発光素子。前記微細凸パターンの前記第2ピッチp2は、前記微細凸部の前記幅w2の1.1倍~1.3倍である、請求項1~12のいずれか一項に記載の発光素子。前記複数の凸部は、行列状に配列されている、請求項1~13のいずれか一項に記載の発光素子。前記複数の凸部は、千鳥状に配列されている、請求項1~13のいずれか一項に記載の発光素子。前記凸部は、SiNからなる、請求項1~15のいずれか一項に記載の発光素子。前記発光素子は、前記基板の前記表面を上方に向けたフェイスアップ姿勢で用いられるものであり、前記基板の裏面に形成され、前記基板を透過した光を反射させる反射メタルをさらに含む、請求項1~16のいずれか一項に記載の発光素子。前記発光素子は、前記基板の前記表面を下方に向けたフェイスダウン姿勢で用いられるものであり、前記p型窒化物半導体層上に形成され、前記p型窒化物半導体層を透過した光を反射させる反射メタルをさらに含む、請求項1~16のいずれか一項に記載の発光素子。樹脂パッケージと、前記樹脂パッケージに覆われた請求項17または18に記載の発光素子とを含む、発光素子パッケージ。本発明の目的は、凸パターンを覆うn型窒化物半導体層を良好に形成できながら、外部量子効率を向上させることができる発光素子およびこれを含む発光素子ユニットを提供することである。本発明の発光素子は、発光層の発光波長に対して透明な基板と、互いに第1ピッチを空けて前記基板の表面に離散して配置された複数の凸部の集合体からなる凸パターンと、前記凸パターンを覆うように前記基板の前記表面に形成されたn型窒化物半導体層と、前記n型導体層上に形成された前記発光層と、前記発光層上に形成されたp型窒化物半導体層とを含み、前記凸部は、互いに前記第1ピッチよりも小さい第2ピッチを空けて当該凸部の頂部に離散して形成された複数の微細凸部の集合体からなる微細凸パターンと、当該微細凸パターンを支持するベース部とを含む。この構成によれば、凸パターンを構成する凸部の頂部に微細凸パターンが形成されているため、頂部が平面状に形成された凸部の集合体である従来の凸パターンに比べて、より高い光散乱効果を発現することができる。その結果、従来に比べて外部量子効率を向上させることができ、輝度を向上させることができる。一方、高い光散乱効果を得ることができる程度の占有率で微細凸パターンが基板の表面に直接形成されていると、互いに隣り合う微細凸部の間が狭すぎて基板の表面がほとんど露出しないため、基板上にn型窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる際に、微細凸部の間に窒化物半導体が十分に核成長できないおそれがある。そこで、本発明の構成では、微細凸パターンを基板の表面に直接形成するのではなく、窒化物半導体が十分に核成長できるだけのピッチ第1ピッチで配列された複数の凸部のベース部に支持させている。これにより、窒化物半導体を十分に核成長させることができ、複数の凸部の各間を窒化物半導体で確実に埋め込むことができる。その結果、凸パターンを覆うn型窒化物半導体を良好に形成することができる。すなわち、n型窒化物半導体層を、互いに隣り合う凸部の間に入り込ませ、当該凸部の間を満たすように形成することができる。すなわち、本発明によれば、凸パターンを覆うn型窒化物半導体層を良好に形成できながら、従来に比べて外部量子効率を向上させることができる。また、前記基板の前記表面の一定の領域における前記凸パターンの占有率は、50~55であることが好ましい。凸パターンの占有率が上記範囲であれば、微細凸パターンの光散乱効果を増大させることができるので、外部量子効率を一層向上させることができる。また、前記n型窒化物半導体層は、互いに隣り合う前記微細凸部の間に入り込まず、当該微細凸部の頂部の間に跨るように形成されていて、前記発光素子は、前記微細凸部の前記頂部の間に跨る前記n型窒化物半導体層と、当該微細凸部とによって区画された空間を含むことが好ましい。この構成によれば、屈折率が限りなく1に近い空気の層空間が微細凸部の間に存在するので、微細凸パターンにより光散乱効果を一層向上させることができる。また、本発明の発光素子において、前記凸パターンは、前記ベース部がミクロンオーダの幅w1を有するマイクロパターンであり、前記微細凸パターンは、前記微細凸部がナノオーダの幅w2を有するナノパターンであることが好ましく、具体的には、前記ベース部の前記幅w1は2μm~5μmであり、前記微細凸部の前記幅w2は、前記ベース部の前記幅w1の15~40であることが好ましい。この構成によれば、頂部が平面状に形成されたつまり、微細凸パターンが形成されていない凸部の集合体である従来の凸パターンに比べて、輝度を5~10程度向上させることができる。また、本発明の発光素子において、前記基板の前記表面を基準に測定された前記凸部の高さHは、1.0μm~3.0μmであることが好ましい。また、前記基板の前記表面を基準に測定された前記ベース部の高さh1は、前記凸部の高さHの10~95であることが好ましい。また、前記ベース部の頂部を基準に測定された前記微細凸部の高さh2は、前記凸部の高さHの5~90であることが好ましい。また、前記ベース部および前記微細凸部は相似形であってもなくてもよく、たとえば、ベース部が直方体形状に形成されていて、微細凸部が円柱形状に形成されていてもよい。また、前記凸パターンの前記第1ピッチは、前記ベース部の前記幅w1の1.1倍~1.3倍であることが好ましく、前記微細凸パターンの前記第2ピッチは、前記微細凸部の前記幅w2の1.1倍~1.3倍であることが好ましい。また、前記複数の凸部は、行列状に配列されていてもよく、千鳥状に配列されていてもよい。さらに、前記凸部は、SiNからなることが好ましい。また、本発明の発光素子は、前記基板の前記表面を上方に向けたフェイスアップ姿勢で用いられるものであってもよく、その場合、前記基板の裏面に形成され、前記基板を透過した光を反射させる反射メタルをさらに含むことが好ましい。一方、本発明の発光素子は、前記基板の前記表面を下方に向けたフェイスダウン姿勢で用いられるものであってもよく、その場合には、前記p型窒化物半導体層上に形成され、前記p型窒化物半導体層を透過した光を反射させる反射メタルをさらに含むことが好ましい。そして、本発明の発光素子を、樹脂パッケージで覆うことにより、本発明の発光素子パッケージを構成することができる。以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る発光素子1の模式的な平面図である。図2は、図1の発光素子1の模式的な底面図である。図3は、図1の発光素子1の模式的な断面図であって、図1の切断線A-Aでの断面を示している。図4Aは、図3の凸パターン20の一例を示す図である。図4Bは、図3の凸パターン20の他の例を示す図である。発光素子1は、たとえば、長辺および短辺を有する平面視長方形のチップ状である。チップ状の発光素子1の長辺は0.16mm~2.0mm、短辺は0.16mm~2.0mmである。発光素子1は、表面3および裏面4を有する基板2と、基板2の表面3に順に積層されたn型窒化物半導体層としてのn型GaN層6、発光層7たとえばInGaNおよびp型窒化物半導体層としてのp型GaN層8からなる窒化物半導体積層構造部9とを含む。この実施形態では、基板2の表面3が光取出し面34後述側の面となっており、発光層7が発光すると、ほとんどの光は、p型GaN層8を透過して、発光層7に対して基板2の反対側光取出し面34側から取り出される。基板2は、発光層7の発光波長λたとえば450nmに対して透明な材料たとえばサファイア、GaNまたはSiCからなる。基板2の厚さは、たとえば、200μm~300μmである。基板2の裏面4には、透明接着層10、反射メタル11、バリアメタル12および接合メタル13がこの順に積層されている。透明接着層10は、その側面14外郭が基板2の側面5と面一に揃うように基板2の裏面4全面に形成されている。この透明接着層10上の反射メタル11、バリアメタル12および接合メタル13は、それらの側面15,16,17外郭が互いに面一に揃っており、揃った側面15,16,17が透明接着層10の側面14に対して内側において、個々のメタル11,12,13を区画している。したがって、図2に示すように、反射メタル11、バリアメタル12および接合メタル13は、透明接着層10の裏面に収まる大きさで形成されていて、発光素子1を光取出し面34の反対側基板2の裏面4側から見たときに、反射メタル11、バリアメタル12および接合メタル13を取り囲む透明接着層10の周縁部18透明接着層10の裏面が露出している。また、それぞれの厚さの一例として、たとえば、透明接着層10は160nm程度、反射メタル11は100nm程度、バリアメタル12は100nm程度、接合メタル13は2μm程度の厚さをそれぞれ有している。なお、これらの数値はあくまでも一例であって、適宜変更することができる。透明接着層10は、たとえば、発光層7の発光波長λに対して透明な材料たとえばITO酸化インジウム錫、ZnO酸化亜鉛からなる。反射メタル11は、たとえば、AgとPdとCuとを含む合金AdPdCu合金からなるが、Pdに代えてPtを用いたAdPtCu合金であってもよい。各金属の配合比率は、Agが99程度であり、Pdが0.6、Cuが0.2であることが好ましい。PdおよびCuをこの割合で含有させることにより、Ag単体で発生し易い硫化を抑制することができる。バリアメタル12は、たとえば、TiW合金チタンタングステン合金からなり、接合メタル13は、たとえば、Ag、半田またはAuSn合金からなる。これらの組み合わせのうち、TiW合金からなるバリアメタル12と、AuSn合金からなる接合メタル13との組み合わせが好ましい。これにより、反射メタル11AgPdCu合金と接合メタル13AuSn合金との間に、TiW合金からなるバリアメタル12が介在することになるので、反射メタル11の成分が接合メタル13へ拡散することを良好に抑制することができる。一方、基板2の表面3には、互いに間隔を空けて基板2の表面3に離散して配置され、n型GaN層6へ向かって突出する複数の凸部19の集合体からなる凸パターン20が形成されている。凸パターン20の配列形態は、たとえば、図4Aに示すような行列状であってもよいし、図4Bに示すような千鳥状であってもよい。凸パターン20を構成する各凸部19は、SiN窒化シリコンからなる。SiNからなる凸部19が基板2の表面3に形成されているので、反射メタル11で反射して、基板2とn型GaN層6との界面に対して様々な角度で入射する光が、当該界面において光取出し面34の反対側反射メタル11側に全反射することを抑制することができる。その結果、光の取り出し効率を向上させることができる。窒化物半導体積層構造部9は、平面視で発光素子1とほぼ相似な長方形となるようにp型GaN層8からn型GaN層6が露出する深さまでエッチングされている。そして、n型GaN層6は、窒化物半導体積層構造部9から、基板2の表面3に沿う横方向に引き出された引き出し部21を有している。すなわち、引き出し部21は、n型GaN層6の延長部で構成されている。引き出し部21は、その側面22が基板2の側面5と面一に揃う位置まで窒化物半導体積層構造部9の側面から外側に引き出され、窒化物半導体積層構造部9を取り囲む環状の外周部23と、当該外周部23から窒化物半導体積層構造部9を横切る方向に直線状に延びる直線部24とを含む。引き出し部21の外周部23は、この実施形態では、基板2の厚さ方向において反射メタル11と対向しない程度の幅で形成されている。これにより、外周部23の上に電極などの部材が形成されても、その部材が反射メタル11と対向することにならないのでつまり、部材が光取り出しの際の障害物にならないので、反射メタル11で反射した光の取り出し効率を向上させることができる。引き出し部21の直線部24は、窒化物半導体積層構造部9の周縁部に配置されたパッドスペース25たとえば、円形のスペースと、当該周縁部に囲まれた窒化物半導体積層構造部9の中央部に配置され、パッドスペース25よりも幅が狭い配線スペース26とを含む。この実施形態では、パッドスペース25は、窒化物半導体積層構造部9の長手方向一端部に配置され、配線スペース26は、パッドスペース25から当該長手方向にパッドスペース25の反対側に延びている。また、パッドスペース25の幅直径は、90μm~120μm程度であり、配線スペース26の幅は、20μm~30μm程度である。この引き出し部21の表面に、n側電極27が接触して形成されている。n側電極27は、引き出し部21上に敷設されたn側メタル配線28と、パッドスペース25においてn側メタル配線28上に形成されたn側パッド29とを含む。n側メタル配線28は、たとえば、AlやCrからなる。この実施形態では、Alを引き出し部21n型GaN層6に接するように形成し、そのAl上にCrを形成することでn側メタル配線28を構成している。n側メタル配線28の厚さは、たとえば、700nm程度である。n側メタル配線28は、この実施形態では、引き出し部21の直線部24、およびパッドスペース25に近い側の窒化物半導体積層構造部9の短辺に沿う外周部23の一部に敷設されており、このn側メタル配線28により、n型GaN層6に対するn側電極27のコンタクトが形成されている。また、n側メタル配線28は、パッドスペース25においては、パッドスペース25の幅よりもやや小さい幅の板状に形成されており、パッドスペース25以外の直線部24つまり配線スペース26および外周部23においては細線状に形成されている。n側パッド29は、パッドスペース25からp型GaN層8よりも上方に突出する柱状この実施形態では、円柱状に形成されており、その厚さは、たとえば、1μm~2μm程度である。n側パッド29は、たとえば、Ag、半田またはAuSn合金からなる。n側電極27に関しては、n側メタル配線28が、平面視で反射メタル11を長手方向に横切って、基板2の厚さ方向に反射メタル11と対向することになるが、n側メタル配線28が細線状に形成されているため、反射メタル11で反射した光の取り出し効率に与える影響が少なくて済む。一方、n側メタル配線28よりも幅が広いn側パッド29も反射メタル11に対向することになるが、このn側パッド29は反射メタル11の周縁部にしか対向していないので、n側メタル配線28と同様に、反射メタル11で反射した光の取り出し効率に与える影響が少ない。p型GaN層8の表面には、透明電極層30が形成されており、この透明電極層30により、p型GaN層8に対するp側電極31後述のコンタクトが形成されている。透明電極層30は、たとえば、発光層7の発光波長λに対して透明な材料たとえばITO、ZnOからなる。また、透明電極層30の厚さは、たとえば、100nm~200nm程度である。この透明電極層30の表面34に、p側電極31が形成されている。p側電極31は、たとえば、Ag、半田またはAuSn合金からなり、窒化物半導体積層構造部9の周縁部に配置されたp側パッド32と、p側パッド32から窒化物半導体積層構造部9の側面に沿って延びるp側メタル配線33とを一体的に含む。この実施形態では、p側パッド32は、窒化物半導体積層構造部9の長手方向におけるn側パッド29の反対側に配置され、p側メタル配線33は、平面視において反射メタル11の外側を、直線部24上のn側メタル配線28と平行に敷設されている。とりわけ、p側メタル配線33は、直線部24上のn側メタル配線28を挟むように、当該n側メタル配線28に対して一方側および他方側に1本ずつ設けられ、それぞれのp側メタル配線33が、p側パッド32におけるn側パッド29から遠い側の端部に一体的に接続されている。p側電極31に関しては、p側メタル配線33が、平面視で反射メタル11を避けるように反射メタル11の外側に敷設されているので、反射メタル11で反射した光の取り出し効率に与える影響がほとんどない。一方、p側パッド32は反射メタル11に対向することになるが、このp側パッド32は、窒化物半導体積層構造部9の長手方向におけるn側パッド29の反対側に配置され、反射メタル11の周縁部にしか対向していない。そのため、n側パッド29と同様に、反射メタル11で反射した光の取り出し効率に与える影響が少ない。この発光素子1では、p側電極31p側パッド32とn側電極27n側パッド29との間に順方向電圧を印加すると、発光層7から、発光波長λ=440nm~480nmの光が発生する。この光は、p型GaN層8および透明電極層30を透過して、透明電極層30の表面34光取出し面から取り出される。発光層7からn型GaN層6側に向かった光は、n型GaN層6、基板2および透明接着層10をこの順で透過して、反射メタル11で反射する。反射した光は、透明接着層10、基板2、n型GaN層6、発光層7、p型GaN層8および透明電極層30をこの順で透過して、光取出し面34から取り出される。発光層7からチップ側面に向かった光は、チップ側面から発光素子1の外部に取り出される。次に、凸パターン20を構成する凸部19の具体的な形状を、図4Bの千鳥状パターンの場合を例に挙げて説明する。まず、複数の凸部19は、互いに第1ピッチp1たとえば、4.5μm~5.5μmを空けて、基板2の表面3に千鳥状に配列されていて、たとえば、基板2の表面3の一定の領域における凸パターン20の占有率は、50~55である。凸パターン20の占有率は、この実施形態では、互いに隣り合う3つの凸部19の中心を結んでできる三角形図6の破線参照からなる基本格子の内側に収まる凸パターン20の平面面積の割合を示している。各凸部19は、互いに第1ピッチp1よりも小さい第2ピッチp2たとえば、600nm~800nmを空けて当該凸部19の頂部に離散して形成された複数の微細凸部35の集合体からなる微細凸パターン36と、当該微細凸パターン36を支持するベース部37とを含む。ベース部37は、直方体形状に形成されており、その高さ基板2の表面3を基準に測定された高さh1は、たとえば、1.0μm~1.5μmである。また、ベース部37は、ミクロンオーダの幅w1を有している。ミクロンオーダとは、幅w1の値がμmとの単位で表すことが適当である場合を示し、たとえば、数μmから1000μm未満のことである。ベース部37の幅w1は、具体的には、2.0μm~5.0μmである。そして、ベース部37の頂部としての表面38に、当該表面38から上方に突出する微細凸部35が離散して配列されている。微細凸部35の配列形態は、たとえば、この実施形態のように千鳥状であってもよく、また、行列状であってもよい。各微細凸部35は、円柱形状に形成されており、その高さベース部37の表面38を基準に測定された高さh2は、たとえば、0.5nm~1.0nmである。また、ベース部37の高さh1と微細凸部35の高さh2とを合わせた凸部19の高さ基板2の表面3を基準に測定された高さHは、たとえば、1.0μm~2.0μmである。また、各微細凸部35は、ナノオーダの幅w2直径を有している。ナノオーダとは、幅w2の値がnmとの単位で表すことが適当である場合を示し、たとえば、数nmから1000nm未満のことである。微細凸部35の幅w2は、具体的には、400nm~600nmである。そして、このような凸パターン20を覆うn型GaN層6は、互いに隣り合う微細凸部35の間に入り込まない一方、互いに隣り合う凸部19の間には入り込み、凸部19の間を満たしている。これにより、各凸部19には、微細凸部35の頂部の間に跨るn型GaN層6と、微細凸部35とによって区画された空間39屈折率nAir≒1が形成されている。図8A~図8Kは、図3の発光素子1の製造工程の一部を工程順に示す図である。発光素子1を製造するには、たとえば、図8Aに示すように、基板ウエハ41たとえば、350μm~900μmのウエハを準備する。次に、図8Bに示すように、基板ウエハ41の表面3全面に、凸パターン20に加工される、SiNからなる加工膜42を形成する。なお、加工膜42は、SiN以外に、たとえば、SiO2、SiON、Al2O3などであってもよい。次に、図8Cに示すように、加工膜42上にレジスト43を形成する。次に、図8Dに示すように、ナノインプリント技術に適用するナノインプリントモールド44を準備する。ナノインプリントモールド44の材料としては、Cuなどの金属、あるいは石英などを適用することができる。ナノインプリントモールド44のパターンは、電子線描画法によって形成され、ナノメータスケールである。次に、図8Eに示すように、ナノインプリント技術を適用して、ナノインプリントモールド44をレジスト43に圧着して、レジスト43に凹部を形成する。ここで、ナノインプリント技術としては、たとえば、熱サイクルナノインプリント技術、光ナノインプリント技術などを用いることができる。次に、図8Fに示すように、RIEなどのエッチング技術を用いて、レジスト43を加工して加工膜42を露出させた後、図8Gに示すように、当該加工されたレジスト43を用いて、RIEなどのエッチング技術を用いて、加工膜42を膜厚方向途中まで除去し、微細凸パターン36を形成する。次に、図8Hに示すように、レジスト45を形成し、当該加工されたレジスト45をマスクとするエッチングにより、この加工膜42を複数の凸部19に分離して各凸部19のベース部37を成形し、凸パターン20を形成する。これにより、凸パターン20の間から基板2の表面3が露出することとなる。次に、図8Iに示すように、露出された基板2上に、たとえば、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition:有機金属気相成長法などにより、n型GaN層6となるGaN層を成長させる。たとえば、基板2をサーマルクリーニングした後、基板温度を1000°C程度に設定して、基板2上に、n型不純物を添加したn型GaN層6を1μm~5μm程度成長させる。n型GaN層6には、たとえばn型不純物としてSiを3×1018cm-3程度の濃度で添加したGaN膜が採用可能である。Siを不純物添加する場合は、トリメチルガリウムTMG、アンモニアNH3およびシランSiH4を原料ガスとして供給して、n型GaN層6を形成する。図8Iに示すように、n型GaN層6となるGaN層中には、貫通転位46が発生している。次に、図8Jに示すように、ELOEpitaxialLateralOvergrowthによって、n型GaN層6を形成する。横方向選択エピタキシャルの成長面上に横方向選択エピタキシャル成長層が形成されて、図8J中のベクトルLA、LB方向にn型GaN層6が、横方向に選択エピタキシャル成長される。結果として、貫通転位46も曲げられて、各凸部19の中央部LO近傍において左右からの選択エピタキシャル成長面が合体し、同時に貫通転位46もつながる。ここで、前述のように、基板2の表面3に形成されるものが、ナノオーダの微細凸部35が配列された微細凸パターン36ではなく、ミクロンオーダの凸部19が占有率50~55で配列された凸パターン20であるため、これにより、GaN層を十分に核成長させることができ、複数の凸部19の各間をGaN層で確実に埋め込むことができる。具体的には、ミクロンオーダの凸パターン20占有率小:50~55程度の場合には、図9に示すように、互いに隣り合う凸部19の間に適当な間隔が設けられているので、核成長を十分に行うことができる。これに対し、ミクロンオーダの凸パターン20であっても、占有率大:85~90程度の場合や、ナノオーダの微細凸パターン36が形成される場合は、図10に示すように、互いに隣り合う凸部19の間が狭すぎて基板2の表面3がほとんど露出しないため、核成長が不十分になりやすい。その結果、図11に示すように、形成後のn型GaN層6の一部に空洞エピ空洞が発生するおそれがあり、n型GaN層6の品質がよいとは言えない。そして、この実施形態では、凸パターン20がGaN層6で完全に隠れるようにするため、エピタキシャル成長の途中から、横方向成長を促進させる条件にエピタキシャル成長条件を変えてもよい。横方向成長を促進させるためには、たとえば、結晶成長時のガス系の圧力を変化させると良い。第1のステップとして、たとえば約1050°Cで、約100Torrで約1μm程度成長後、第2のステップとして、たとえば約1050°Cで、約200Torrで約1.5μm程度成長させることができる。このようにn型GaN層6を形成することによって、ELOによる貫通転位密度の低減効果と共に、横方向成長を促進させることができる。これにより、凸パターン20を覆うように、横方向選択エピタキシャル成長ELOさせるため、結晶の貫通転位を曲げることができ、結晶性も向上する。次に、図8Kに示すように、発光層7をn型GaN層6上に形成した後、発光層7上に、p型GaN層8を形成して、窒化物半導体積層構造部9が形成される。その後は、たとえばスパッタ法により、透明電極層30の材料ITO等を窒化物半導体積層構造部9上に堆積させることにより、透明電極層30を形成する。次に、所定の形状のマスクを介して、透明電極層30および窒化物半導体積層構造部9をエッチングする。これにより、窒化物半導体積層構造部9が所定の形状平面視長方形に成形され、同時に、n型GaN層6の延長部からなる引き出し部21が形成される。次に、透明電極上にp側電極31を形成し、また、引き出し部21n型GaN層6上にn側電極27を形成する。また、基板2の裏面4に、透明接着層10、反射メタル11、バリアメタル12および接合メタル13を形成する。そして、基板ウエハ41に外力を加えることにより、基板ウエハ41を各発光素子1の個片チップに分割する。これにより、図3の発光素子1の個片が得られる。図13は、発光素子パッケージ51フェイスアップタイプの模式的な断面図である。発光素子パッケージ51は、発光素子1と、支持基板52と、樹脂パッケージ53とを含む。発光素子1は、基板2の表面3が上を向くようなフェイスアップ姿勢で接合メタル13が支持基板52に接合されることにより、支持基板52に配置されている。支持基板52は、発光素子1を支持する絶縁基板54と、絶縁基板54の両端から露出するように設けられて、発光素子1と外部とを電気的に接続する金属製の一対の電極外部n側電極55および外部p側電極56とを有している。そして、発光素子1のn側電極27n側パッド29と外部n側電極55とが、n側ワイヤ57によって接続されている。また、発光素子1のp側電極31p側パッド32と外部p側電極56とが、p側ワイヤ58によって接続されている。樹脂パッケージ53は、樹脂が充填されたケースであり、その内側に発光素子1を収容して覆って保護した状態で、支持基板52に固定されている。樹脂パッケージ53は、側方発光素子1に向かい合う部分に反射部59を有し、発光素子1から出射された光を反射させて外部へ取り出す。樹脂パッケージ53を構成する樹脂には、蛍光体や反射剤が含有されているものがある。たとえば発光素子1が青色光を発光する場合、当該樹脂に黄色蛍光体を含有させることで発光素子パッケージ51は白色光を発光することができる。発光素子パッケージ51は、多数が集まることによって、電球などの照明機材に用いることもでき、また液晶テレビのバックライトや自動車等のヘッドランプに用いることもできる。以上のように、発光素子1によれば、発光層7が発光すると、ほとんどの光は、p型GaNを透過して、透明電極層30の表面34光取出し面から取り出されるが、一部の光は、n型GaN層6、基板2および透明接着層10を順に透過してから、透明接着層10と反射メタル11との界面で反射し、その後、光取出し面34から取り出される。そして、この発光素子1によれば、凸パターン20を構成する各凸部19の頂部に微細凸パターン36が形成されているため、頂部が平面状に形成された凸部の集合体である従来の凸パターンに比べて、より高い光散乱効果を発現することができる。その結果、従来に比べて外部量子効率を向上させることができ、輝度を向上させることができる。このような効果を実証するため、1ミクロンオーダw1=3μmピッチp1=4.0μmの凸パターンの各凸部ベース部の頂部にナノオーダw2=600nmピッチp2=800nmの微細凸パターンが形成された本発明のタイプハイブリッドタイプ、2頂部が平坦なミクロンオーダw1=3μmピッチp1=4.0μmの凸パターンが形成されたタイプ標準凹凸構造および3ナノオーダw2=600nmピッチp2=800nmの微細凸パターンが形成されたタイプナノ微細凹凸構造の3タイプについて、凸パターンの占有率と輝度との関係を調べた。結果は図13の通りとなった。図13に示すように、ハイブリッドタイプの構造では、従来の標準凹凸構造やナノ微細構造に比べて、5程度輝度を向上できることを確認できた。一方、高い光散乱効果を得ることができる程度の占有率で微細凸パターン36が基板2の表面3に直接形成されていると、互いに隣り合う微細凸部35の間が狭すぎて基板2の表面3がほとんど露出しないため、基板2上にn型GaN層6をエピタキシャル成長させる際に、微細凸部35の間にGaNが十分に核成長できないおそれがある図10参照。そこで、発光素子1では、微細凸パターン36を基板2の表面3に直接形成するのではなく、GaNが十分に核成長できるだけのピッチp1たとえば、4.5μm~5.5μmで配列された複数の凸部19のベース部37に支持させている。これにより、GaNを十分に核成長させることができ、複数の凸部19の各間をGaNで確実に埋め込むことができる。その結果、凸パターン20を覆うn型GaN層6を良好に形成することができる。このような効果を実証するため、前述の実験のハイブリッドタイプの凸パターン付近のSEM画像を撮影し、n型GaN層の埋め込み状態を確認した。SEM画像を図14に示す。図14によると、互いに隣り合う凸部19の間がGaNでしっかりと埋め込まれていることが確認でき、また、そのn型GaN層6が微細凸部35の頂部の間に跨っていて、それにより、n型GaN層6と微細凸部35とによって区画された空間39が形成されていることが確認できた。図14に現れたような空間39屈折率nAir≒1が微細凸部35の間に存在していれば、微細凸パターン36により光散乱効果を一層向上させることができる。すなわち、発光素子1によれば、凸パターン20を覆うn型GaN層6を良好に形成できながら、従来に比べて外部量子効率を向上させることができる。さらに、前述の実験のハイブリッドタイプの凸部19の高さHの変化に応じて、輝度がどのように変化するかを調べたところ、図15に示す結果となった。すなわち、高さHが大きくなるほど輝度が向上することが確認できた。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はさらに他の形態で実施することもできる。たとえば、本発明の発光素子は、図16に示すようなフェイスダウンタイプフリップチップタイプの発光素子61に適用することもできる。発光素子61は、フェイスアップタイプの発光素子1と異なる構成として、基板2の裏面4に反射メタル11等のメタルが形成されておらず、代わりに、反射メタル62が、p型GaN層8の表面に、透明電極層63を介して形成されている。これにより、発光素子パッケージ64では、発光層7が発光すると、ほとんどの光は、n型GaN層6を透過して基板2から取り出されるが、一部の光は、p型GaN層8および透明電極層63を順に透過してから透明電極層63と反射メタル62との界面で反射され、その後、基板2から取り出される。その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。"