"第1筺体に設けられた第1放射体と、第1筺体に連結された第2筺体に設けられた第2放射体と、第1放射体及び第2放射体のそれぞれに接続された給電回路と、前記給電回路と第1放射体との間に設けられ、第1放射体及び第2放射体から送信され、及び/又は第1放射体及び第2放射体にて受信する高周波信号の周波数を安定化するための周波数安定化回路と、を備えたことを特徴とするアンテナ装置。前記周波数安定化回路は複数の受動素子を含み、該受動素子は誘電体又は磁性体からなる素体に一体的に形成されていること、を特徴とする請求項1に記載のアンテナ装置。前記素体は誘電体又は磁性体からなる複数の基材層を積層してなる積層体にて構成され、前記受動素子は該積層体に内蔵されていること、を特徴とする請求項2に記載のアンテナ装置。第1放射体と第2放射体とは接続線を介して接続されており、前記給電回路及び前記周波数安定化回路は該接続線と並列に、第1放射体と第2放射体との間に配置されていること、を特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のアンテナ装置。前記周波数安定化回路は、前記給電回路に接続された一次側リアクタンス回路と、該一次側リアクタンス回路と電界又は磁界を介して結合する二次側リアクタンス回路とを含むこと、を特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のアンテナ装置。一次側リアクタンス回路は、第1リアクタンス素子及び該第1リアクタンス素子に直列接続された第2リアクタンス素子を含む一次側直列回路にて構成されており、二次側リアクタンス回路は、第1リアクタンス素子と結合する第3リアクタンス素子及び該第3リアクタンス素子に直列接続されて第2リアクタンス素子と結合する第4リアクタンス素子を含む二次側直列回路にて構成されていること、を特徴とする請求項5に記載のアンテナ装置。第1リアクタンス素子と第2リアクタンス素子とは互いに逆相で結合しており、第3リアクタンス素子と第4リアクタンス素子とは互いに逆相で結合していること、を特徴とする請求項6に記載のアンテナ装置。第1リアクタンス素子と第3リアクタンス素子とは互いに逆相で結合しており、第2リアクタンス素子と第4リアクタンス素子とは互いに逆相で結合していること、を特徴とする請求項6又は請求項7に記載のアンテナ装置。第1リアクタンス素子と第3リアクタンス素子とは互いに同相で結合しており、第2リアクタンス素子と第4リアクタンス素子とは互いに同相で結合していること、を特徴とする請求項6又は請求項7に記載のアンテナ装置。第1、第2、第3及び第4リアクタンス素子はそれぞれインダクタンス素子であること、を特徴とする請求項6ないし請求項9のいずれかに記載のアンテナ装置。そこで、本発明の目的は、放射体や筺体の形状、近接部品の配置状況などに影響されることなく、高周波信号の周波数を安定化させることのできるアンテナ装置を提供することにある。本発明の一形態であるアンテナ装置は、第1筺体に設けられた第1放射体と、第1筺体に連結された第2筺体に設けられた第2放射体と、第1放射体及び第2放射体のそれぞれに接続された給電回路と、前記給電回路と第1放射体との間に設けられ、第1放射体及び第2放射体から送信され、及び/又は第1放射体及び第2放射体にて受信する高周波信号の周波数を安定化するための周波数安定化回路と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、給電回路と第1放射体との間に設けられた周波数安定化回路が送信/受信信号の周波数を安定化させるため、第1放射体や第2放射体の形状、第1筺体や第2筺体の形状、近接部品の配置状況などに影響されることなく、高周波信号の周波数が安定化する。以下、本発明に係るアンテナ装置の実施例について、添付図面を参照して説明する。なお、各図面において、同じ部材、部分には共通する符号を付し、重複する説明は省略する。携帯通信端末、図1参照本発明に係るアンテナ装置を備えた携帯通信端末1は、ワンセグ受信用470~770MHzの端末であって、図1に示すように、概略、蓋体部である第1筺体10と本体部である第2筺体20とを備え、第1筺体10は第2筺体20に対して折りたたみ式あるいはスライド式で連結されている。第1筺体10にはグランド板としても機能する第1放射体11が設けられ、第2筺体20にはグランド板としても機能する第2放射体21が設けられている。第1及び第2放射体11,21は金属箔などの薄膜あるいは導電ペーストなどの厚膜からなる導電体膜で形成されている。この第1及び第2放射体11,21は給電回路30から差動給電することでダイポールアンテナとほぼ同等の性能を得ている。給電回路30はRF回路やBB回路のような信号処理回路を有している。なお、第2放射体21は、必ずしも放射体として十分に機能するものではなくてもよく、第1放射体11がいわゆるモノポールアンテナのように振る舞うものであってもよい。給電回路30は一端が第2放射体21に接続され、他端が周波数安定化回路35を介して第1放射体11に接続されている。また、第1及び第2放射体11,21は接続線33によって互いに接続されている。この接続線33は第1及び第2筺体10,20のそれぞれに搭載されている電子部品図示省略の接続線として機能するもので、高周波信号に対してはインダクタンス素子として振る舞うがアンテナの性能に直接的に作用するものではない。周波数安定化回路35は、給電回路30と第1放射体11との間に設けられ、第1及び第2放射体11,21から送信される高周波信号、あるいは、第1及び第2放射体11,21にて受信する高周波信号の周波数特性を安定化させる。それゆえ、第1放射体11や第2放射体21の形状、第1筺体10や第2筺体20の形状、近接部品の配置状況などに影響されることなく、高周波信号の周波数特性が安定化する。特に、折りたたみ式やスライド式の携帯通信端末にあっては、蓋体部である第1筺体10の本体部である第2筺体20に対する開閉状態に応じて、第1及び第2放射体11,21のインピーダンスが変化しやすいが、周波数安定化回路35を設けることによって高周波信号の周波数特性を安定化させることができる。以下に、周波数安定化回路35の詳細について第1~第4実施例として説明する。第1実施例、図2~図8参照第1実施例であるアンテナ装置に用いられている周波数安定化回路スタビライザー回路とも称する35は、図2Aに示すように、給電回路30に接続された一次側リアクタンス回路と、該一次側リアクタンス回路と電界又は磁界を介して結合する二次側リアクタンス回路とで構成されている。一次側リアクタンス回路は、第1リアクタンス素子及び該第1リアクタンス素子に直列接続された第2リアクタンス素子を含む一次側直列回路36にて構成されている。二次側リアクタンス回路は、第1リアクタンス素子と結合する第3リアクタンス素子及び該第3リアクタンス素子に直列接続されて第2リアクタンス素子と結合する第4リアクタンス素子を含む二次側直列回路37にて構成されている。具体的には、第1リアクタンス素子は第1インダクタンス素子L1で構成されており、第2リアクタンス素子は第2インダクタンス素子L2で構成されており、第3リアクタンス素子は第3インダクタンス素子L3で構成されており、第4リアクタンス素子は第4インダクタンス素子L4で構成されている。一次側直列回路36の一方端第1インダクタンス素子L1の一端は給電回路30に接続され、二次側直列回路37の一方端第3インダクタンス素子L3の一端は第1放射体11に接続されている。一次側直列回路36の他方端第2インダクタンス素子L2の他端及び二次側直列回路37の他方端第4インダクタンス素子L4の他端は、第2放射体21に接続されている。図2Bに示すように、第1インダクタンス素子L1と第2インダクタンス素子L2とは互いに逆相で結合しており、第3インダクタンス素子L3と第4インダクタンス素子L4とは互いに逆相で結合している。つまり、第1及び第2インダクタンス素子L1,L2並びに第3及び第4インダクタンス素子L3,L4は、それぞれ閉磁路を形成し、主に電磁界を介して結合している。また、第1インダクタンス素子L1と第3インダクタンス素子L3とは互いに逆相で結合しており、第2インダクタンス素子L2と第4インダクタンス素子L4とは互いに逆相で結合している。つまり、第1及び第3インダクタンス素子L1,L3並びに第2及び第4インダクタンス素子L2,L4は、それぞれ閉磁路を形成し、これらの閉磁路どうしが、つまり、一次側直列回路36と二次側直列回路37とが主に電磁界を介して結合している。なお、電磁界を介して結合とは、電界を介しての結合、磁界を介しての結合、又は、電界磁界の両者を介しての結合を意味する。以上の構成からなる周波数安定化回路35において、給電回路30から一次側直列回路36に流れ込んだ高周波信号電流は、第1インダクタンス素子L1に導かれるとともに、各インダクタンス素子がコイルパターンで形成されている場合、誘導磁界を介して二次電流として第3インダクタンス素子L3に導かれる。また、第2インダクタンス素子L2に導かれた高周波信号電流は誘導磁界を介して二次電流として第4インダクタンス素子L4に導かれる。その結果、高周波信号電流は図2Bに矢印で示す方向に流れることになる。前記周波数安定化回路35では、主に、一次側直列回路36にて給電回路30側とのインピーダンスマッチングが図られ、二次側直列回路37にて第1放射体11側とのインピーダンスマッチングが図られるため、即ち、一次側直列回路36のインピーダンスと二次側直列回路37のインピーダンスをそれぞれ独立して設計できるようになるため、インピーダンスの整合が容易である。図2Bに示した等価回路をフィルタとしての視点で描くと図2Cのようになる。キャパシタンス素子C1は第1及び第2インダクタンス素子L1,L2で形成される線間容量であり、キャパシタンス素子C2は第3及び第4インダクタンス素子L3,L4で形成される線間容量である。また、キャパシタンス素子C3は一次側直列回路36と二次側直列回路37で形成される線間容量寄生容量である。即ち、一次側直列回路36にてLC並列共振回路R1が形成され、二次側直列回路37にてLC並列共振回路R2が形成されることになる。そして、LC並列共振回路R1における共振周波数をF1、LC並列共振回路R2における共振周波数をF2とすると、F1=F2の場合で給電回路30からの高周波信号は図3Aに示す通過特性を示す。第1及び第2インダクタンス素子L1,L2、第3及び第4インダクタンス素子L3,L4をそれぞれ逆相で結合させることにより、それぞれのインダクタンス素子L1~L4のインダクタンス値を大きくすることができるので、広帯域な通過特性を得ることができる。そして、第1放射体11からの高周波信号は、図3Bに示すように、曲線Aで示す広帯域な通過特性が得られる。このメカニズムは必ずしも明らかではないが、LC並列共振回路R1,R2が結合しているので、縮退が解けるためと思われ、ΔFは共振回路R1,R2の結合度によって決まる。即ち、結合度に比例して広帯域化が可能である。一方、F1≠F2の場合で給電回路30からの高周波信号は図3Cに示す通過特性を示す。第1放射体11からの高周波信号は、図3Dに示すように、曲線Bで示す広帯域な通過特性が得られる。これもLC並列共振回路R1,R2が結合しているので、縮退が解けるためと思われる。共振回路R1,R2の結合度が大きければブロードで広帯域の通過特性となる。このように、周波数安定化回路35自身が持つ共振特性を利用して周波数特性を決めているので、周波数のずれが生じにくい。また、広帯域な通過特性を得ることで、多少インピーダンスが変化しても、通過帯域を確保することができる。即ち、放射体のサイズや形状、さらには放射体の環境によらずに、送受信される高周波信号の周波数特性を安定化させることができる。前記周波数安定化回路35は、図4に示すチップ型の積層体40として構成することができる。この積層体40は誘電体又は磁性体からなる複数の基材層を積層したもので、その裏面には給電回路30に接続される給電端子41、第2放射体21に接続されるグランド端子42、第1放射体11に接続されるアンテナ端子43が設けられている。裏面には、それ以外に、実装のために用いられるNC端子44も設けられている。ここで、前記積層体40に内蔵された周波数安定化回路35の第1例を図5を参照して説明する。この第1例は、最上層の基材層51aに導体61が形成され、2層目の基材層51bに第1及び第2インダクタンス素子L1,L2となる導体62が形成され、3層目の基材層51cに第1及び第2インダクタンス素子L1,L2となる二つの導体63,64が形成されている。4層目の基材層51dに第3及び第4インダクタンス素子L3,L4となる二つの導体65,66が形成され、5層目の基材層51eに第3及び第4インダクタンス素子L3,L4となる導体67が形成されている。さらに、6層目の基材層51fにグランド導体68が形成され、7層目の基材層51gの裏面に給電端子41、グランド端子42、アンテナ端子43が形成されている。なお、最上層の基材層51a上には図示しない無地の基材層が積層される。導体61~68としては、銀や銅などの導電性材料を主成分として形成することができる。基材層51a~51gとしては、誘電体であればガラスセラミック材料、エポキシ系樹脂材料などを用いることができ、磁性体であればフェライトセラミック材料やフェライトを含有する樹脂材料などを用いることができる。基材層用の材料としては、特に、UHF帯用の周波数安定化回路を作製する場合、誘電体材料を用いることが好ましく、HF帯用の周波数安定化回路を作製する場合、磁性体材料を用いることが好ましい。前記基材層51a~51gを積層することで、それぞれの導体61~68及び端子41,42,43は層間接続導体ビアホール導体を介して接続され、図2Aに示す等価回路を形成する。即ち、給電端子41は、ビアホール導体45a、導体61及びビアホール導体45bを介して、コイルパターン63の一端に接続され、コイルパターン63の他端は、ビアホール導体45cを介してコイルパターン62aの一端に接続されている。また、コイルパターン62aの他端はコイルパターン62bの一端に接続されており、コイルパターン62bの他端は、ビアホール導体45dを介してコイルパターン64の一端に接続されている。コイルパターン64の他端は、ビアホール導体45eを介してグランド導体68に接続され、グランド導体68はビアホール導体45fを介してグランド端子42に接続されている。つまり、コイルパターン63及びコイルパターン62aにて第1コイルパターン、つまりインダクタンス素子L1が構成されており、コイルパターン62b及びコイルパターン64にて第2コイルパターン、つまりインダクタンス素子L2が構成されている。また、アンテナ端子43は、ビアホール導体45gを介してコイルパターン65の一端に接続され、コイルパターン65の他端は、ビアホール導体45hを介してコイルパターン67aの一端に接続されている。また、コイルパターン67aの他端はコイルパターン67bの一端に接続されており、コイルパターン67bの他端は、ビアホール導体45iを介してコイルパターン66の一端に接続されている。コイルパターン66の他端は、ビアホール導体45jを介してグランド導体68に接続され、グランド導体68はビアホール導体45fを介してグランド端子42に接続されている。つまり、コイルパターン65及びコイルパターン67aにて第3コイルパターン、つまりインダクタンス素子L3が構成されており、コイルパターン67b及びコイルパターン66にて第4コイルパターン、つまりインダクタンス素子L4が構成されている。そして、図5に示すように、第1及び第2コイルパターンは、第1コイルパターンの巻回軸と第2コイルパターンの巻回軸とが平行になるように隣接配置されており、第3及び第4コイルパターンは、第3コイルパターンの巻回軸と第4コイルパターンの巻回軸とが平行になるように隣接配置されている。さらに、第1及び第3コイルパターンは、第1コイルパターンの巻回軸と第3コイルパターンの巻回軸とがほぼ同一直線になるように配置されており、第2及び第4コイルパターンは、第2コイルパターンの巻回軸と第4コイルパターンの巻回軸とがほぼ同一直線上になるように配置されている。なお、各コイルパターンは1ターンのループ状導体にて構成されているが、複数ターンのループ状導体にて構成されていてもよい。また、第1及び第3コイルパターンは、各コイルパターンの巻回軸が厳密に同一直線になるように配置されている必要はなく、平面視したときに、第1及び第3コイルパターンのコイル開口が互いに重なるように、つまり、各コイルパターンに共通の磁束が通過するように、巻回されていればよい。同様に、第2及び第4コイルパターンは、各コイルパターンの巻回軸が厳密に同一直線になるように配置されている必要はなく、平面視したときに、第2及び第4コイルパターンのコイル開口が互いに重なるように、つまり、各コイルパターンに共通の磁束が通過するように、巻回されていればよい。以上のごとく、インダクタンス素子L1~L4を誘電体や磁性体からなる積層体40に内蔵すること、特に、一次側直列回路36と二次側直列回路37との結合部となる領域を積層体40の内部に設けることによって、周波数安定化回路35を構成する素子の素子値、さらには一次側直列回路36と二次側直列回路37の結合度が、積層体40に隣接して配置される他の電子素子からの影響を受けにくくなる。その結果、周波数特性の一層の安定化を図ることができる。ところで、前記積層体40を搭載するプリント配線基板図示せずには各種の配線が設けられており、これらの配線と周波数安定化回路35とが干渉するおそれがある。本実施例のように、積層体40の底部にグランド導体68を導体61~67によって形成されるコイルパターンの開口を覆うように設けることにより、コイルパターンにて生じる磁界がプリント配線基板上の各種配線からの磁界に影響されにくくなる。換言すれば、インダクタンス素子L1~L4のL値にばらつきが生じにくくなる。第1例である周波数安定化回路35では、図6に示すように、給電端子41から入力された高周波信号電流は、矢印a,bに示すように流れ、第1インダクタンス素子L1導体62,63に矢印c,dで示すように導かれ、さらに、第2インダクタンス素子L2導体62,64に矢印e,fで示すように導かれる。一次電流矢印c,dにて生じる磁界Cによって、第3インダクタンス素子L3導体65,67に矢印g,hに示すように高周波信号電流が励起され、誘導電流二次電流が流れる。同様に、一次電流矢印e,fにて生じる磁界Cによって、第4インダクタンス素子L4導体66,67に矢印i,jに示すように高周波信号電流が励起され、誘導電流二次電流が流れる。その結果、アンテナ端子43には矢印kで示す高周波信号電流が流れ、グランド端子42には矢印lで示す高周波信号電流が流れる。なお、給電端子41に流れる電流矢印aが逆向きであれば、他の電流も逆向きに流れる。一次側直列回路36では、第1及び第2インダクタンス素子L1,L2が互いに逆相で結合し、二次側直列回路37では、第3及び第4インダクタンス素子L3,L4が互いに逆相で結合し、それぞれ閉磁路を形成している。そのため、第1インダクタンス素子L1と第2インダクタンス素子L2との間、並びに、第3インダクタンス素子L3と第4インダクタンス素子L4との間のエネルギーの損失を小さくすることができる。なお、第1及び第2インダクタンス素子L1,L2のインダクタンス値、第3及び第4インダクタンス素子L3,L4のインダクタンス値を実質的に同じ素子値にすると、閉磁路の漏れ磁界が少なくなり、エネルギーの損失をより小さくすることができる。また、一次側直列回路36における一次電流によって励起される磁界Cと、二次側直列回路37における二次電流によって励起される磁界Dは、誘導電流によって互いの磁界を打ち消すように生じている。誘導電流を用いることによってエネルギーの損失が小さくなり、第1及び第3インダクタンス素子L1,L3並びに第2及び第4インダクタンス素子L2,L4は、高い結合度で結合する。即ち、一次側直列回路36と二次側直列回路37とは高い結合度にて結合する。なお、周波数安定化回路35のインダクタンス値は、二つの放射体を結ぶ接続線33のインダクタンス値よりも小さいことが好ましい。なぜなら、周波数特性に対する接続線33のインダクタンス値の影響を小さくすることができるからである。第1及び第2インダクタンス素子L1,L2、第3及び第4インダクタンス素子L3,L4を逆相で結合させることにより、周波数安定化回路35のインダクタンス値を小さくすることができる。以上のように本実施例によれば、一次側直列回路36と二次側直列回路37は、閉磁路と閉磁路との間の結合電磁界結合を利用しているため、一次側直列回路36にて給電回路30側とのインピーダンスマッチングを図り、二次側直列回路37にて第1放射体11側とのインピーダンスマッチングを図ることにより、一次側と二次側とで独立してインピーダンスを整合させることができる。しかも、高周波信号エネルギーの伝達効率が向上するため、放射体11,21や筺体10,20の形状、開閉状態などに大きく影響されることなく、広い帯域で、高周波信号の周波数特性を安定化させることができる。次に、周波数安定化回路35の第2例を図7を参照して説明する。この第2例は、前記第1例と基本的には同じ構成であり、第1例とは、基材層51aを省略して導体61を基材層51b上に形成した点と、グランド導体68を省略し、基材層51hに接続用導体69を形成した点が異なっている。本第2例では、グランド導体68を省略しているため、この積層体40を搭載するプリント配線基板にグランド導体68に相当するシールド用の導体を設けることが好ましい。第2実施例、図8~図10参照第2実施例であるアンテナ装置を図8に示す。ここで用いられている周波数安定化回路35は前述した一次側直列回路36と二次側直列回路37に加えて、いま一つの二次側直列回路38二次側リアクタンス回路を設けたものである。二次側直列回路38を構成する第5インダクタンス素子L5と第6インダクタンス素子L6とは互いに逆相で結合している。第5インダクタンス素子L5は第1インダクタンス素子L1と逆相で結合しており、第6インダクタンス素子L6は第2インダクタンス素子L2と逆相で結合している。第5インダクタンス素子L5の一端は第1放射体11に接続され、第6インダクタンス素子L6の一端は第2放射体21に接続されている。この周波数安定化回路35を積層体40として構成した第3例を図9を参照して説明する。この第3例は、前記第1例で示した積層体40の上に、さらに二次側直列回路38の第5及び第6インダクタンス素子L5,L6となる導体71,72,73を形成した基材層51i,51jを積層したものである。即ち、前述した第1~第4のリアクタンス素子と同様、第5及び第6リアクタンス素子をそれぞれ第5及び第6インダクタンス素子L5,L6で構成し、これらの第5及び第6インダクタンス素子L5,L6を構成するコイルパターンを、これらのインダクタンス素子L5,L6に生じる磁界が閉磁路を形成するように巻回することができる。本第2実施例及び積層体40の第3例の動作は前記第1実施例及び前記第1例と基本的には同様である。本第2実施例においては、一次側直列回路36を二つの二次側直列回路37,38で挟み込むことによって、一次側直列回路36から二次側直列回路37,38への高周波信号のエネルギー伝達ロスが少なくなる。次に、周波数安定化回路35を積層体40として構成した第4例を図10を参照して説明する。この第4例は、前記第3例の積層体40の上に、さらにグランド導体74を設けた基材層51kを積層したものである。グランド導体74は底部に設けたグランド導体68と同様に、導体71,72,73によって形成されるコイルの開口を覆う面積を有している。それゆえ、本第4例では、グランド導体74を設けることによって、コイルによって形成される磁界が積層体40の直上に配置される各種配線からの磁界に影響されにくくなる。このように、第1及び第3インダクタンス素子L1,L3、第2及び第4インダクタンス素子L2,L4がそれぞれ同相で結合しても、一次側直列回路36と二次側直列回路37を結合させることができる。第3実施例、図11参照第3実施例であるアンテナ装置を図11に示す。ここで用いられている周波数安定化回路35は基本的には前記第1実施例と同様の構成を備えている。異なるのは、第1インダクタンス素子L1と第3インダクタンス素子L3とが互いに同相で結合しており、第2インダクタンス素子L2と第4インダクタンス素子L4とが互いに同相で結合している点である。即ち、第1及び第3インダクタンス素子L1,L3は主に磁界を介して結合し、第2及び第4インダクタンス素子L2,L4は主に磁界を介して結合している。本第3実施例の作用効果は第1実施例と基本的に同様である。各インダクタンス素子L1~L4を構成するコイルパターンをこのように巻回することで、インダクタンス素子L1とインダクタンス素子L2との間で形成される閉磁路第1閉磁路、インダクタンス素子L3とインダクタンス素子L4との間で形成される閉磁路第2閉磁路、これら第1閉磁路及び第2閉磁路にて形成される閉磁路第3閉磁路が形成されるため、各インダクタンス素子L1~L4における高周波信号の損失を最小限に抑えることができる。第4実施例、図12参照第4実施例であるアンテナ装置を図12に示す。ここで用いられている周波数安定化回路35は第1実施例と同様であり、その作用効果は第1実施例と同様である。第1実施例と異なるのは、周波数安定化回路35と第2放射体21との間にキャパシタンス素子C4を配置した点である。キャパシタンス素子C4は直流成分、低周波成分をカットするためのバイアスカット用として機能し、ESD対策素子としても機能する。他の実施例なお、本発明に係るアンテナ装置は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更できる。例えば、本発明はワンセグ用だけではなく、GSMやCDMAのような移動体無線通信システム800MHz帯、900MHz帯、1800MHz帯、1900MHz帯など、BluetoothやW-LANのような近距離無線システム2.4GHz帯、GPSシステム1.5GHz帯など、各種の通信システムに利用できる。また、周波数安定化回路の形態は、チップ型の積層体として構成する以外に、ストリップ線路など他の素子と一体化されたモジュールや、放射体を設けたプリント配線基板に搭載あるいは内蔵したモジュールとして構成することもできる。また、周波数安定化回路は、一次側直列回路と二次側直列回路とをワンセット設ける以外に、複数セットを組み合わせて多段化してもよい。第2実施例で示したように一次側直列回路を二次側直列回路で挟んだ構造をワンセットとして多段化してもよい。多段化することで、高周波信号のエネルギー伝達ロスを少なくでき、リターンロスの減衰が急峻になる。給電方式としては、第1放射体及び第2放射体をそれぞれ放射素子とみなした場合は平衡給電型であり、第1放射体を放射素子、第2放射体をグランドとみなした場合は不平衡給電型である。"