"電子アセンブリ用インターポーザパネルにおいて、前記インターポーザパネルが、イオン交換可能なガラスで形成されたガラス基板コアであって、第1の表面、前記第1の表面と表裏をなす第2の表面、及び厚さT、前記ガラス基板コアの前記第1の表面から前記ガラス基板コアの前記厚さTに第1の層深さD1まで延び込む、圧縮応力をもつ第1の層、前記圧縮応力をもつ第1の層から隔てられ、前記ガラス基板コアの前記第2の表面から前記ガラス基板コアの前記厚さTに第2の層深さD2まで延び込む、圧縮応力をもつ第2の層、及び前記ガラス基板コアの前記厚さTを貫通する複数のスルーホール、を有し、前記複数のスルーホールのそれぞれのスルーホールが、前記それぞれのスルーホールの側壁に接し、前記圧縮応力をもつ第1の層から前記圧縮応力をもつ第2の層にかけて拡がる、圧縮応力をもつ中間帯によって囲まれる、ガラス基板コア、を含むことを特徴とするインターポーザパネル。前記ガラス基板コアがアルカリアルミノケイ酸ガラスまたはアルミノホウケイ酸ガラスであることを特徴とする請求項1に記載のインターポーザパネル。前記第1の層深さD1が前記第2の層深さD2に等しく、前記圧縮応力をもつ中間帯が前記スルーホールの前記側壁からの径方向厚Rを有し、前記径方向厚Rは前記第1の層深さD1及び前記第2の層深さD2に等しい、ことを特徴とする請求項1に記載のインターポーザパネル。前記第1の層深さD1、前記第2の層深さD2、及び前記径方向厚Rが約5μmから約100μmであることを特徴とする請求項3に記載のインターポーザパネル。前記圧縮応力をもつ第1の層、前記圧縮応力をもつ第2の層、及び前記圧縮応力をもつ中間帯の、圧縮応力が約200MPaから約1000MPaであることを特徴とする請求項1に記載のインターポーザパネル。前記ガラス基板コアの前記厚さTが約50μmから約1mmであることを特徴とする請求項1に記載のインターポーザパネル。電子アセンブリ用インターポーザパネルを作製する方法において、前記方法が、ガラス基板コアに複数のスルーホールを形成する工程、及び圧縮応力をもつ第1の層、圧縮応力をもつ第2の層、及び圧縮応力をもつ複数の中間帯を前記ガラス基板コアにつくり込む工程、を含み、前記圧縮応力をもつ第1の層は、前記ガラス基板コアの第1の表面から前記ガラス基板コアの厚さTに第1の層深さD1まで延び込み、前記圧縮応力をもつ第2の層は、前記ガラス基板コアの第2の表面から前記ガラス基板コアの厚さTに第2の層深さD2まで延び込み、前記圧縮応力をもつ第1の層から隔てられ、前記複数のスルーホールのそれぞれのスルーホールの側壁は、圧縮応力をもつ複数の中間帯の1つによって囲まれる、前記圧縮応力をもつ複数の中間帯の圧縮応力をもつそれぞれの中間帯は、前記それぞれのスルーホールの側壁に接し、前記圧縮応力をもつ第1の層から前記圧縮応力をもつ第2の層にかけて拡がる、ことを特徴とする方法。前記ガラス基板コアはイオン交換可能である、及び前記圧縮応力をもつ第1の層、前記圧縮応力をもつ第2の層、及び前記圧縮応力をもつ複数の中間帯は前記ガラス基板コアのイオン交換強化によってつくり込まれる、ことを特徴とする請求項7に記載の方法。前記ガラス基板コアをエッチングする工程をさらに含み、前記エッチング工程後の前記ガラス基板コアの強度は前記エッチング工程前の前記ガラス基板コアの強度より高いことを特徴とする請求項7に記載の方法。前記ガラス基板コアの前記第1の表面、前記ガラス基板コアの前記第2の表面、前記それぞれのスルーホールの前記側壁、またはこれらの組合せの上にバリア層を被着する工程をさらに含み、前記バリア層は前記ガラス基板コアからのアルカリイオンの拡散を防止することを特徴とする請求項7に記載の方法。したがって、強度及び耐久性が改善され、適する熱特性を有する、代わりのインターポーザパネルが必要とされている。一実施形態にしたがえば、電子アセンブリ用のインターポーザパネルは、イオン交換可能なガラスで形成されたガラス基板コアを含む。ガラス基板コアは第1の表面、第1の表面と表裏をなす第2の表面、及び厚さTを有する。圧縮応力をもつ第1の層がガラス基板コアの第1の表面からガラス基板コアの厚さT内に第1の層深さD1まで延び込むことができる。圧縮応力をもつ第2の層が、圧縮応力をもつ第1の層から隔てられ、ガラス基板コアの第2の表面からガラス基板コアの厚さT内に第2の層深さD2まで延び込むことができる。複数のスルーホールがガラス基板コアを貫通することができる。複数のスルーホールのそれぞれのスルーホールは、それぞれのスルーホールの側壁に接して、圧縮応力をもつ第1の層から圧縮応力をもつ第2の層にわたって拡がる、圧縮応力をもつ中間帯によって囲まれる。別の実施形態において、電子アセンブリ用インターポーザパネルを作製するための方法は、ガラス基板コアに複数のスルーホールを形成する工程を含む。その後、圧縮応力をもつ第1の層、圧縮応力をもつ第2の層、及び圧縮応力をもつ複数の中間帯をガラス基板コアにつくり込むことができる。圧縮応力をもつ第1の層はガラス基板コアの第1の表面からガラス基板コアの厚さT内に第1の層深さD1まで延び込むことができる。圧縮応力をもつ第2の層はガラス基板コアの第2の表面からガラス基板コアの厚さT内に第2の層深さD2まで延び込むことができる。圧縮応力をもつ第1の層は圧縮応力をもつ第2の層から隔てられる。複数のスルーホールのそれぞれのスルーホールは圧縮応力をもつ複数の中間帯の内の1つによって囲まれる。複数の圧縮応力をもつ中間帯の圧縮応力をもつそれぞれの中間帯は、それぞれのスルーホールの側壁に接し、圧縮応力をもつ第1の層から圧縮応力をもつ第2の層にかけて拡がる。また別の実施形態において、電子アセンブリ用インターポーザパネルを作製するための方法は、イオン交換可能なガラスからなるガラス基板コアに複数のスルーホールを形成する工程を含む。その後、ガラス基板コアはガラス基板コアから傷を除去するためにエッチングされ、よってガラス基板コアの強度はエッチング前より高くなる。ガラス基板コアは次いで、ガラス基板コアの第1の表面からガラス基板コアの厚さT内に延び込む、圧縮応力をもつ第1の層を形成するためにイオン交換によって強化することができる。圧縮応力をもつ第1の層は第1の層深さD1を有することができる。圧縮応力をもつ第2の層がガラス基板コアの第2の表面からガラス基板コアの厚さT内に延び込むことができる。圧縮応力をもつ第2の層は第2の層深さD2を有し、圧縮応力をもつ第1の層から隔てられる。圧縮応力をもつ複数の中間帯は一般に、複数のスルーホールのそれぞれのスルーホールが圧縮応力をもつ複数の中間帯の内の対応する1つによって囲まれるように、複数のスルーホールに対応することができる。本発明のさらなる特徴及び利点は以下の詳細な説明に述べられ、ある程度は、当業者にはその説明から容易に明らかであろうし、以下の詳細な説明及び添付される特許請求の範囲を含み、添付図面も含む、本明細書に説明される実施形態を実施することによって認められるであろう。上記の全般的説明及び以下の詳細な説明がいずれも様々な実施形態を説明し、特許請求される主題の本質及び特質を理解するための概要または枠組みの提供が目的とされていることは当然である。添付図面は様々な実施形態のさらに深い理解を提供するために含められ、本明細書に組み入れられて本明細書の一部をなす。図面は本明細書に説明される様々な実施形態を示し、記述とともに、特許請求される主題の原理及び動作の説明に役立つ。添付図面にそれらの例が示される、ガラスインポーザパネル及びその作製方法の様々な実施形態をここで詳細に参照する。ガラスインターポーザパネルの一実施形態が図1に簡略に示される。ガラスインターポーザパネルは一般にイオン交換可能なガラスで形成されたガラス基板コアを含む。複数のスルーホールがガラス基板コアの厚さを貫通する。圧縮応力をもつ第1の層がガラス基板コアの第1の表面から層深さD1まで延びる。圧縮応力をもつ第2の層がガラス基板コアの第2の表面から層深さD2まで延びる。複数のスルーホールのそれぞれのスルーホールは、それぞれのスルーホールの側壁に接し、圧縮応力をもつ第1の層から圧縮応力をもつ第2の層にかけて拡がる、圧縮応力をもつ中間帯で囲まれる。ガラスインターポーザパネル及びガラスインターポーザパネルを形成するための方法は添付図面を参照して本明細書でさらに詳細に説明される。図1をここで参照すれば、本明細書に示され、説明される、1つ以上の実施形態にしたがう、ガラスインターポーザパネル100が簡略に示されている。ガラスインターポーザパネル100は一般に、複数のスルーホール104が形成されているガラス基板コア102を含む。本明細書に説明される実施形態において、ガラス基板コア102は、イオン交換処理によるような、化学強化を施すことができるガラス組成で形成される。例えば、ガラス基板コア102は、ソーダ石灰ガラスバッチ組成物、アルカリアルミノホウケイ酸ガラスバッチ組成物または、形成後のイオン交換によって強化され得る、その他のガラスバッチ組成物で形成することができる。特定の例の1つにおいて、ガラス基板コア102はコーニング社によって製造されるGorilla商標ガラスで形成される。一実施形態において、ガラス基板コアは高い熱膨張係数CTEを有するガラス組成で形成される。例えば、ガラス基板コアのCTEは、半導体材料、金属材料等を含むがこれらには限定されない、ガラス基板コアに適用され得る回路材料のCTEと同等とすることができる。一実施形態において、ガラス基板コアのCTEは約45×10-7°Cから約100×10-7°Cとすることができる。しかし、他の実施形態において、ガラス基板コアのCTEを約45×10-7°Cより小さくし得ることは当然である。ガラス基板コア102は概ね、平坦な第1の表面106及び、第1の表面と表裏をなして配され、平坦な第1の表面と平行な、平坦な第2の表面108を有する。ガラス基板コア102は概ね、第1の表面106と第2の表面108の間にわたる厚さT図2を有する。本明細書に説明される実施形態において、ガラス基板コアの厚さTは約50μmから約1mmである。例えば、一実施形態においてガラス基板コア102は約100μmから約150μmの厚さを有する。別の実施形態においてガラス基板コア102は約150μmから約500μmの厚さを有する。また別の実施形態においてガラス基板コア102は約300μmから約700μmの厚さを有する。ガラス基板コア102は、スルーホール104がガラス基板コア102の厚さTを貫通して形成される前の板引きされた状態ですなわちイオン交換による強化処理の前に、初めに提供される。その後、ガラスインターポーザパネル100を作製するため、未強化ガラス基板コア102にスルーホール104が形成される。未強化ガラス基板コア102におけるスルーホール104の形成により、本明細書に説明されるように、ガラス基板コアの、特にイオン交換強化後では機械加工中にガラス基板コア102が損傷を受け易いスルーホール104に隣接する領域における、クラックまたは欠けの発生が低減される。一実施形態において、スルーホール104を形成する前にガラス基板コア102をアニールすることができる。ガラス基板コア102をアニールすることで、スルーホール104の形成中にガラス基板コアに存在しているとスルーホールの形成中にガラス基板コアのクラックまたは欠けを発生させ得る、ガラス基板コア内の残留応力が低減または除去される。ガラスコア基板102がアニールされる実施形態において、アニールプロセスはガラス基板コアをガラスの焼なまし点まですなわちガラスの動粘度が約1×1013ポアズ1×1012Pa秒である温度まで加熱する工程を含むことができる。しかし、アニール工程は必要に応じて実施され、いくつかの工程において、先にアニール工程を受けていないガラス基板コアにスルーホールが形成され得ることは当然である。スルーホール104は未強化ガラス基板コア102に様々な形成手法のいずれを用いても形成することができる。例えば、スルーホール104は、機械的穴開け、エッチング、レーザ援用プロセス、研磨材噴射、研磨水ジェット加工、集束電子-熱エネルギーまたは他のいずれか適する形成手法によって形成することができる。特定の実施形態の1つにおいて、スルーホール104は、名称を透明体に少なくとも1つの穴を形成する方法及びこの方法でつくられたデバイスとし、コーニング社に譲渡されている、米国特許第6990285号の明細書に説明されているような、レーザアブレーション法を用いて形成される。この明細書はその全体が本明細書に参照として含められる。次に図1及び2を参照すれば、一実施形態において、スルーホール104はガラス基板コア102の平面において実質的に円形の断面及び約10μmから約1mmの範囲にある直径IDを有する。図2に示される実施形態において、スルーホール104は、それぞれのスルーホール104の直径IDがガラス基板コア102の第1の表面106とガラス基板コア102の第2の表面102において同じであるように、実質的に円筒形の側壁122を有する。図2に示される実施形態において、それぞれのスルーホール104はほぼ同じ直径IDを有する。しかし、他の実施形態図示せずにおいて、スルーホールは様々な直径をもって形成され得る。例えば、第1の複数のスルーホールを第1の直径で形成することができ、第1の複数のスルーホールを第2の直径で形成することができる。次に図1及び3を参照すれば、別の実施形態において、スルーホール104は、図3に示されるように、スルーホール104が実質的に円錐形であるように形成され得る。例えば、スルーホール104は、ガラス基板コア102の第1の表面106からガラス基板コア102の第2の表面108にかけてスルーホール104の側壁122が先細りに傾斜するように形成され得る。この実施形態において、スルーホール104は、ガラス基板コア102の第1の表面において第1の直径ID1を有し、ガラス基板コア102の第2の表面に108において第2の直径ID2を有することができる。また別の実施形態図示せずにおいて、スルーホール104は、スルーホールの側壁がガラス基板コアの第1の表面からガラスコア基板の中央面にかけて先細りに傾斜し、ガラス基板コアの中央面からガラスコア基板の第2の表面にかけて末広がりに傾斜するすなわち、スルーホールがガラスコア基板102の厚さTにわたって概ね砂時計の形状を有するように、形成され得る。この実施形態において、スルーホール104は、ガラスコア基板の第1の表面において第1の直径、ガラス基板コアの第2の表面において第2の直径及びガラス基板コアの中央面において、第1の直径及び第2の直径より小さいような、第3の直径を有する。一実施例において、第1の直径と第2の直径は等しくすることができる。ガラス基板コアの厚さにわたり異なる断面形状をもつスルーホールを特に参照したが、スルーホールが別の様々な断面形状をとることができ、したがって本明細書に説明される実施形態がスルーホールの特定の断面形状のいずれにも限定されないことは当然である。図2及び3は実質的に円筒形の側壁をもつスルーホールの実施形態及び実質的に円錐形の側壁をもつスルーホールの実施形態を示すが、一枚のガラスインターポーザパネル100にいずれのタイプのスルーホールも形成され得ることは当然である。さらに、図1に示されるガラスインターポーザパネル100の実施形態においては、スルーホール104が未強化ガラス基板コアに規則的なパターンで形成されている。しかし、他の実施形態において、スルーホール104は不規則パターンで形成され得る。さらに、図1に示されるガラスインターポーザパネル100の実施形態においてスルーホール104はガラス基板コア102の平面において円形断面を有するとして示されるが、スルーホールが他の平面断面形状を有し得ることは当然である。例えば、スルーホールはガラス基板コアの平面において、楕円形断面、正方形断面、長方形断面、三角形断面、等を含むがこれらには限定されない他の様々な断面形状を有することができる。さらに、相異なる断面をもつスルーホール104が一枚のインターポーザパネルに形成され得ることは当然である。本明細書に示され、説明される、ガラスインターポーザパネル100の実施形態において、ガラスインターポーザパネル100は複数のスルーホール100をもって形成される。しかし、他の実施形態図示せずにおいて、ガラスインターポーザパネル100は、ホールがガラス基板コア102の厚さTを貫通していない場合のような盲孔を1つ以上有することもできる。そのような実施形態において、盲孔はスルーホールと同じ手法を用いて形成することができ、スルーホールと同様の直径及び平面断面形状を有することができる。一実施形態において、ガラスインターポーザパネル100はスルーホール104の形成後にアニールすることができる。この実施形態において、アニール工程は、スルーホール104の形成中にガラスインターポーザパネル100に発現する応力を低減するために用いることができる。例えば、スルーホール104を形成するためにレーザ援用プロセスが用いられる場合、スルーホールの形成後に熱応力がガラス基板コア内に残り得る。アニール工程はガラスインターポーザパネル100が実質的に無応力であるように、残留応力を解放するために用いることができる。しかし、スルーホールの形成後に実施されるアニール工程は必要に応じて実施されることは当然であり、したがって、いくつかの実施形態において、スルーホール形成後にガラスインターポーザパネル100はアニールされない。別の実施形態において、ガラス基板コア102はスルーホールの形成後に化学的にエッチングすることができる。例えば、ガラス基板コアは、ガラスコア基板の表面から及びスルーホールの内側から欠陥を除去する酸溶液にガラス基板コアを浸漬することによって、化学的にエッチングすることができる。エッチングによって欠陥を除去することにより、インターポーザパネル内のクラック開始部位の数が減じられ、この結果、ガラスインターポーザパネルの強度が向上する。一実施形態において、ガラスインターポーザパネルがGorillaガラスで形成されている場合、HF:HCl:20H2Oの溶液内で15分間ガラスインターポーザパネルをエッチングして、ガラスインターポーザパネルの表面から及びスルーホールの内側から、欠陥を除去することができる。しかし、スルーホールの形成後の化学エッチングは必要に応じて実施されることは当然であり、いくつかの実施形態において、スルーホールの形成後にガラスインターポーザパネルは化学的にエッチングされない。ガラス基板コア102にスルーホール104が形成された後、ガラスインターポーザパネルは、ガラスの外表面に近いガラスの層内において、ガラス内の小さい金属イオンが、同じ原子価の、大きな金属イオンと置換または交換される、イオン交換プロセスにより化学的に強化される。小さいイオンの大きなイオンとの置換により、層深さDOLまで延びるガラスの表面内に圧縮応力が生成される。一実施形態において、金属イオンは一価のアルカリ金属イオン例えば、Na,K,Rb,等であり、イオン交換は、ガラス内の小さな金属イオンを置換することになる大きな金属イオンの少なくとも1つの溶融塩例えば、KNO3,K2SO4,KCl,等を含む浴内に基板を浸浸漬することによって達成される。あるいは、Ag,Tl,Cu,等のような他の一価の陽イオンを、ガラス内のアルカリ金属陽イオンに対して置換させることができる。ガラスインターポーザパネルを強化するために用いられる1つまたは複数のイオン交換プロセスには、単一の浴内のガラスの浸漬あるいは、同様のまたは異なる組成の複数の浴内の、浸漬の間に洗浄工程及び/またはアニール工程を含む、ガラスの浸漬を含めることができるが、これらには限定されない。例として、ガラスインターポーザパネル100がGorillaガラスからなるガラス基板コア102で形成される、本明細書に説明される実施形態において、ガラスインターポーザパネルは、410°Cの温度を有するKNO3溶融塩浴内にガラス基板コアを浸漬することによってイオン交換強化することができる。ガラス基板コアが塩浴に浸漬されると、未強化ガラス基板コア内のNaイオンがKイオンと交換され、よってガラス基板コア内に圧縮応力がつくり込まれる。ガラス基板コア102内につくり込まれる圧縮応力の大きさ及び層深さDOLは一般に、ガラス基板コアが塩浴内に浸漬されている時間長に依存する。例えば、07mm厚Gorillaガラスで形成されたガラス基板コアを410°Cの温度のKNO3塩浴内に7時間浸漬すると、ほぼ720MPaの圧縮応力及び50μmの層深さが生じる。本明細書では特定のガラス組成とともに用いられる特定のイオン交換強化プロセスを参照したが、他のイオン交換プロセスも用いられ得ることは当然である。さらに、ガラスインターポーザパネルを強化するために用いられるイオン交換プロセスは、ガラスインターポーザパネルが形成されるガラス基板コアの特定の組成に依存して変わり得ることは当然である。次に図4を参照すれば、ガラスインターポーザパネル100の化学強化によって、ガラス基板コア102の第1の表面106から層深さD1までガラス基板コア102の厚さ内に延び込む、圧縮応力をもつ第1の層110がつくり込まれる。同様に、ガラスインターポーザパネル100の化学強化により、ガラス基板コア102の第2の表面106から層深さD2までガラス基板コア102の厚さ内に延び込む、圧縮応力をもつ第2の層112がつくり込まれる。圧縮応力をもつ第1の層110及び圧縮応力をもつ第2の層は中央引張応力層113によって相互に隔てられる。本明細書に説明される一実施形態において、圧縮応力は約200MPaから約1000MPaになり得る。別の実施形態において、圧縮応力は約500MPaから約800MPaになり得る。また別の実施形態において、圧縮応力は約650MPaから約900MPaになり得る。本明細書に説明される実施形態において、第1の層深さD1は第2の層深さD2に実質的に等しい。一実施形態において、第1及び第2の層深さはそれぞれ約5μmから約100μmになり得る。別の実施形態において、第1及び第2の層深さはそれぞれ約30μmから約60μmになり得る。また別の実施形態において、第1及び第2の層深さはそれぞれ約40μmから約60μmになり得る。さらに、ガラス基板コア102にスルーホール104が形成された後のガラスインターポーザパネル100の化学強化によって、スルーホール104のそれぞれを囲み、スルーホール104の側壁122からガラス基板コアに延び込む、複数の圧縮応力をもつ中間帯114が形成される。例えば、圧縮応力をもつそれぞれの中間帯114は、ガラス基板コア102の第1の表面106からガラス基板コアの第2の表面108にかけて拡がる圧縮応力をもつ円筒でスルーホール104が囲まれるように、対応するスルーホール104の側壁を囲み、側壁に直接に接して、形成される。本明細書に説明される実施形態において、圧縮応力をもつそれぞれの中間帯114は、スルーホールを囲むガラス円筒がガラス基板コア102の厚さにわたって圧縮下にあるように、圧縮応力をもつ第1の層110から圧縮応力をもつ第2の層112にかけて拡がる。圧縮応力をもつそれぞれの中間帯114は径方向厚Rを有する。本明細書に説明される一実施形態において、径方向厚Rは第1の層深さD1及び第2の層深さD2と実質的に等しい。したがって、いくつかの実施形態において、それぞれのスルーホール104を囲む、圧縮応力をもつ中間帯114は約5μmから約100μmの径方向厚Rを有し得るが、他の実施形態において径方向厚Rは約30μmから約60μmになり得ることは当然である。また別の実施形態において、径方向厚Rは約40μmから約60μmになり得る。本明細書に説明される実施形態において、圧縮応力をもつそれぞれの中間帯における圧縮応力は約200MPaから約1000MPaになり得る。例えば、一実施形態において、圧縮応力をもつそれぞれの中間帯における圧縮応力は約500MPaから約800MPaになり得る。また別の実施形態において、圧縮応力をもつそれぞれの中間帯における圧縮応力は約650MPaから約900MPaになり得る。それぞれのスルーホール104の周りにつくり込まれた圧縮応力をもつ中間帯114はスルーホール104の側壁から始まるクラックにより破壊するガラスインターポーザパネルの傾向を弱める。したがって、スルーホール104の周りにつくり込まれた圧縮応力をもつ中間帯114はガラスインターポーザパネル100の全体強度を向上させる。さらに、スルーホール104の周りにつくり込まれた圧縮応力をもつ中間帯114は、特定の実施例を参照して本明細書にさらに詳細に説明されるように、実際にスルーホールを形成する前のガラス基板コアの強度をこえるレベルまでガラスインターポーザパネル100の強度を高める。次に図1及び12~13を参照すれば、いくつかの実施形態において、スルーホール104を形成し、ガラスインターポーザパネル100を化学的に強化した後、ガラスインターポーザパネル100を、さらに処理を行う前に、サブパネルに分割することができる。一実施形態において、ガラスインターポーザパネル100は、図1に示されるように、スルーホール104の列にかけて延びる少なくとも1本の分割線131に沿って分割される。ガラスインターポーザパネル100がこの手法で分割されると、少なくとも1つのスカラップ形に仕上げられた縁辺142を有する、サブパネル140図12がつくられ得る。スカラップ仕上縁辺142のスカラップ形部分144は、イオン交換強化によりサブパネル140の厚さにわたって延びる圧縮層を有することができる。したがって、スカラップ仕上げ縁辺142はさらなる縁辺強化及び向上した耐破断性を有することができる。この実施形態において、スカラップ仕上げ縁辺142のスカラップ形部分144はフィラー材で埋めることができる。例えば、図13に示される実施形態において、スカラップ形部分144は、スカラップ仕上げ縁辺に沿う一連の金属パッドを提供するため、金属化するかまたは金属材料120のような導電材料で埋めることができる。金属パッドはサブパネル140への及びサブパネル140からの、電気接続部として用いることができる。スカラップ形部分144の金属化に適する材料には、銅及び銅合金、金及び金合金、銀及び銀合金、白金及び白金合金またはアルミニウム及びアルミニウム合金を含めることができるがこれらには限定されない。別の実施形態において、スカラップ形部分144は、パネルの絶縁またはパネル縁辺への保護の提供のような他の機能を提供するため、高分子材、フリット材等を含むがこれらには限定されない、他のフィラー材で埋めることができる。他の実施形態において、スルーホール104を形成し、ガラスインターポーザパネル100を化学的に強化した後、電子アセンブリ用ガラスインターポーザパネル100を作製するため、ガラスインターポーザパネル100にさらに材料層及び/またはコンポーネントを付加することができる。例えば、図5を参照すれば、ガラスインターポーザパネル100をイオン交換によって強化した後、バリア層116をガラス基板コア102に施すことができる。本明細書に説明される実施形態において、バリア層116は、図5に示されるように、ガラス基板コア102の第1の表面106,ガラス基板コア102の第2の表面108及びスルーホール104の側壁122をバリア層116が被覆するように、ガラス基板コア102に施される。他の実施形態図示せずにおいて、バリア層116は第1の表面106及び/または第2の表面108に施すことができる。バリア層116はガラス基板コア102からガラス基板コア102上に配置された材料及び/またはコンポーネントへのアルカリイオンの拡散を防止する。したがって、ガラス基板コア102からのアルカリイオンの拡散の防止に適するいかなる組成物でもバリア層116を形成できることは当然である。例えば、一実施形態において、バリア層は基板に数nmから数μmの範囲の厚さで施された窒化ケイ素で形成される。別の実施形態において、バリア層は、一酸化ケイ素、二酸化ケイ素または炭化ケイ素を含むがこれらには限定されない、窒化ケイ素以外の材料で形成することができる。次に図6を参照すれば、別の実施形態において、ガラスインターポーザパネル100上にバリア層116を覆って接着材層118が施される。本明細書に説明される実施形態において、接着材層118は、接着材層118がバリア層116に被せて施されるように、ガラスインターポーザパネル100に施される。本明細書に説明される実施形態において、接着材層118は、図6に示されるように、ガラス基板コア102の第1の表面103,ガラス基板コア102の第2の表面108及びスルーホール104の側壁を被覆する。しかし、他の実施形態図示せずにおいては、スルーホール104の側壁上に、及び第1の表面及び/または第2の表面108上のスルーホール104を囲む環状領域内に、接着材層118を施すことができる。接着材層118は一般に、金属、誘電体材料、半導体材料、等を含むがこれらには限定されない、ガラスインターポーザパネル100に引き続いて与えられる別の材料の接着を促進する材料で形成される。本明細書に説明される実施形態において、接着材層118は、チタン、チタン合金、クロム、クロム合金、銅または銅合金を含むがこれらには限定されない様々な材料で形成することができる。例えば、一実施形態において、接着材層は1nm未満の厚さに基板に施された銅で形成される。例えば、一実施形態において、接着材層は数原子層すなわち、接着材層の材料の数原子の厚さを有する層のオーダーの厚さを有する。別の実施形態において、接着材層は、シラン類を含むがこれには限定されない、他の材料で形成することができる。接着材層118はバリア層116に被せて施されるが、他の実施形態において、ガラス基板コアの第1の表面、ガラス基板コアの第2の表面、スルーホールのそれぞれの側壁、またはこれらの組合せに直接に接着材層が施され得ることは当然である。次に図7を参照すれば、ガラスインターポーザパネル100に接着材層118が施された後、導電金属材料のような導電材料120でスルーホール104を埋めることによって、スルーホールを金属化することができる。例えば、一実施形態において、スルーホール内に銅または銅合金のような導電材料を堆積させることによってスルーホール104を金属化することができ、よってガラスインターポーザパネル100の厚さを貫通する導電経路を設けることができる。スルーホールの金属化に適する材料には、銅または銅合金、金または金合金、銀または銀合金、白金または白金合金、あるいはアルミニウムまたはアルミニウム合金を含めることができるがこれらには限定されない。スルーホールの金属化後、三次元電子アセンブリを形成するため、1つ以上の誘電体層図示せず及び/または、集積回路部品、アナログ回路部品、半導体材料、等のような電気コンポーネント図示せずをガラスインターポーザパネル100上に配置することができる。図8を参照すれば、いくつかの実施形態において、誘電体層及び/または電気コンポーネントをガラスインターポーザパネル100に付加する前に、分割線130に沿ってガラスインターポーザパネル100を複数枚の小寸パネル150に分割することができる。分割線130に沿ってガラスインターポーザパネル100を分割するため、レーザ罫書き/割断法、機械的罫書き/割断法、レーザ全切断法、等を含むがこれらには限定されない、様々な分割手法を用いることができる。ガラスインターポーザパネル100の中央引張応力がほぼ20MPa未満である実施形態において、分割を容易にするため、CO2レーザを用いるレーザ罫書き/割断法を、あるいは機械的罫書き/割断法でさえも、用いることができる。しかし、ガラスインターポーザパネルがさらに高レベルの中央引張応力を有する実施形態においては、分割を容易にするため、レーザ全切断法を用いることができる。本明細書に説明される実施形態は以下の実施例によってさらに明解にされる。以下の実施例のそれぞれにおいては、ガラス基板及びガラスインターポーザパネルを、ASTMC199-09:周囲温度における高性能セラミックの単調等二軸曲げ強度のための標準試験方法に説明されるリングオンリング試験法を用いる、破壊試験にかけた。それぞれの試料セットは10の試料からなり、セットの個々の試料のそれぞれについての破壊応力を平均することで、10試料のセットについての平均破壊応力を決定した。以下の実施例のそれぞれに対するベースライン基準を確立するため、スルーホールがなく、イオン交換強化が施されていない、50mm×50mm×07mm厚Gorillaガラス基板をリングオンリング試験法を用いて機械的破壊試験にかけた。試験に基づいて破壊応力をほぼ450MPaと決定した。さらに、スルーホールのない50mm×50mm×07mm厚Gorillaガラス基板を410°Cの溶融KNO3内で7時間イオン交換強化して、50μmの層深さまで伸びる、720MPaの圧縮応力層を形成した。このガラス基板をリングオンリング試験法を用いて機械的破壊試験にかけた。破壊応力をほぼ615MPaと決定した。実施例13セットの50mm×50mmガラスインターポーザパネルをGorillaアルカリアルミノケイ酸ガラスで形成した。それぞれのガラスインターポーザパネルの厚さは07mmであった。この実施例においては、図9に示されるように、それぞれのガラスインターポーザパネルの中心に直径が01mmのスルーホールを1つ、機械的に穴開けした。次いで、第1のセットのガラスインターポーザパネルを穴開け後未処理の状態ですなわち、さらに処理することなくリングオンリング試験法を用いて機械的破壊試験にかけた。破壊時印加応力すなわち破壊応力を記録した。第2のセットのガラスインターポーザパネルを、ガラスインターポーザパネルの表面及びスルーホールから欠陥を除去するため、HF:HCl:20H2O溶液内で15分間、化学的にエッチングした。次いで、第2のセットのガラスインターポーザパネルのそれぞれのガラスインターポーザパネルをリングオンリング試験法を用いて機械的破壊試験にかけた。それぞれのガラスインターポーザパネルについての破壊時印加応力を記録した。第3のセットの直径1mmのスルーホールを1つもつガラスインターポーザパネルを、ガラスインターポーザパネルの表面及びスルーホールから欠陥を除去するため、HF:HCl:20H2O溶液内で15分間、化学的にエッチングした。その後、ガラスインターポーザパネルのそれぞれを410°Cの溶融KNO3内で7時間イオン交換強化した。得られた圧縮応力層はガラスインターポーザパネルのそれぞれの表面からほぼ50μmの層深さまで延びていた。イオン交換強化により、スルーホールの側壁を囲み、スルーホールの側壁からガラスインターポーザパネル内に延び込む、圧縮応力をもつ中間帯も形成され、圧縮応力をもつ中間帯はほぼ50μmの径方向厚を有していた。圧縮応力をもつ第1の層、圧縮応力をもつ第2の層、及び圧縮応力をもつ中間帯の圧縮応力はほぼ720MPaであった。その後、第3のセットのガラスインターポーザパネルをリングオンリング試験法を用いて機械的破壊試験にかけた。それぞれのガラスインターポーザパネルの破壊応力を記録した。図9をここで参照すれば、実施例1のガラスインターポーザパネルの強度が、破壊応力x軸と信頼性y軸のワイブルプロットにグラフで示されている。図9に示されるように、穴開け後未処理のガラスインターポーザパネルはほぼ100MPaの平均破壊応力を有し、したがって、穴開けされていないガラス基板に対してスルーホール形成後にガラスが有意に弱化したことを示した。しかし、化学エッチングによって処理した試料の平均破壊応力は、穴開けされ、化学エッチングされていないガラスインターポーザパネルの4倍の強度向上を示し、穴開けされたままのインターポーザパネルの強度が化学エッチング処理によってスルーホールがない対照ガラス基板の強度のほぼ90まで回復したことを示す、ほぼ400MPaであった。さらに、化学エッチングに続くイオン交換強化によって処理された試料の平均破壊応力は、穴開けされ、化学エッチングされていないガラスインターポーザパネルの20倍の強度向上及び、穴開けされ、化学エッチングされた、ガラスインターポーザパネルの5倍の強度向上を示す、ほぼ2000MPaであった。実施例23セットの50mm×50mmガラスインターポーザパネルをGorillaアルカリアルミノケイ酸ガラスで形成した。それぞれのガラスインターポーザパネルの厚さは07mmであった。この実施例においては、図10に示されるように、ガラスインターポーザパネル5つのスルーホールを十字形状で機械的に穴開けした。それぞれのスルーホールの直径は1mmであり、エッジ-エッジ間隔は300μmとした。第1のセットのガラスインターポーザパネルを穴開け後未処理の状態ですなわち、さらに処理することなくリングオンリング試験法を用いて機械的破壊試験にかけた。破壊時印加応力すなわち破壊応力を記録した。第2のセットのガラスインターポーザパネルを、上述したように、ガラスインターポーザパネルの表面及びスルーホールから欠陥を除去するため、HF:HCl:20H2O溶液内で15分間、化学的にエッチングした。第2のセットのガラスインターポーザパネルのそれぞれのガラスインターポーザパネルをリングオンリング試験法を用いて機械的破壊試験にかけた。それぞれのガラスインターポーザパネルについての破壊時印加応力を記録した。第3のセットのスルーホールを5つもつガラスインターポーザパネルを、上述したように、HF:HCl:20H2O溶液内で15分間、化学的にエッチングし、その後、ガラスインターポーザパネルのそれぞれを410°Cの溶融KNO3内で7時間イオン交換強化して、ほぼ50μmの層深さまで延びるほぼ720MPaの圧縮応力を得た。イオン交換強化により、スルーホールの側壁を囲み、スルーホールの側壁からガラスインターポーザパネル内に延び込む、圧縮応力をもつ中間帯が形成され、圧縮応力をもつ中間帯はほぼ50μmの径方向厚を有していた。その後、第3のセットのガラスインターポーザパネルをリングオンリング試験法を用いて機械的破壊試験にかけた。それぞれのガラスインターポーザパネルの破壊応力を記録した。図10をここで参照すれば、実施例2のガラスインターポーザパネルの強度が、破壊応力x軸と信頼性y軸のワイブルプロットにグラフで示されている。図10に示されるように、穴開け後未処理のガラスインターポーザパネルはほぼ100MPaの平均破壊応力を有し、したがってスルーホール形成後にガラスが有意に弱化したことを示した。しかし、化学エッチングによって処理した試料の平均破壊応力は、穴開けされ、化学エッチングされていない、ガラスインターポーザパネルのほぼ3倍の、ほぼ300MPaであった。さらに、化学エッチングに続くイオン交換強化によって処理された試料の平均破壊応力は、穴開けされ、化学エッチングされていない、ガラスインターポーザパネルの10倍の強度向上を示す、ほぼ1000MPaであった。実施例33セットの50mm×50mmガラスインターポーザパネルをGorillaアルカリアルミノケイ酸ガラスで形成した。それぞれのガラスインターポーザパネルの厚さは07mmであった。この実施例においては、それぞれのガラスインターポーザパネルの中心にフェムト秒レーザトレパン法を用いて直径が1mmのスルーホールを1つレーザ穴開けした。次いで、第1のセットのガラスインターポーザパネルを穴開後未処理の状態ですなわち、さらに処理することなくリングオンリング試験法を用いて機械的破壊試験にかけた。破壊時印加応力すなわち破壊応力を記録した。第2のセットのガラスインターポーザパネルを、ガラスインターポーザパネルの表面及びスルーホールから欠陥を除去するため、HF:HCl:20H2O溶液内で15分間、化学的にエッチングした。次いで、第2のセットのガラスインターポーザパネルのそれぞれのガラスインターポーザパネルをリングオンリング試験法を用いて機械的破壊試験にかけた。それぞれのガラスインターポーザパネルについての破壊時印加応力を記録した。第3のセットの直径1mmのスルーホールを1つもつガラスインターポーザパネルを、ガラスインターポーザパネルの表面及びスルーホールから欠陥を除去するため、HF:HCl:20H2O溶液内で15分間、化学的にエッチングした。その後、ガラスインターポーザパネルのそれぞれを410°Cの溶融KNO3内で7時間イオン交換強化した。得られた圧縮応力層はガラスインターポーザパネルのそれぞれの表面からほぼ50μmの層深さまで延びていた。イオン交換強化により、スルーホールの側壁を囲み、スルーホールの側壁からガラスインターポーザパネル内に延び込む、圧縮応力をもつ中間帯も形成され、圧縮応力をもつ中間帯はほぼ50μmの径方向厚を有していた。圧縮応力をもつ第1の層、圧縮応力をもつ第2の層、及び圧縮応力をもつ中間帯の圧縮応力はほぼ720MPaであった。その後、第3のセットのガラスインターポーザパネルをリングオンリング試験法を用いて機械的破壊試験にかけた。それぞれのガラスインターポーザパネルの破壊応力を記録した。図11をここで参照すれば、実施例3のガラスインターポーザパネルの強度が、破壊応力x軸と信頼性y軸のワイブルプロットにグラフで示されている。図11に示されるように、実施例3のガラスインターポーザパネルの強度は、機械的に穴開けされたスルーホールをもつ実施例1及び2のガラスインターポーザパネルと同様の傾向にしたがっていた。詳しくは、化学エッチング後のガラスインターポーザパネルの強度は穴開けされたままの状態のガラスインターポーザパネルの強度に対して向上した。さらに、化学エッチング及びイオン交換強化後のガラスインターポーザパネルの強度は、化学エッチングしただけのガラスインターポーザパネルの強度に対して向上した。実施例1~3ではイオン交換強化前に化学的にエッチングされるガラスインターポーザパネルが説明されているが、別の実施形態において、イオン交換強化前に化学エッチングせずに、ガラスインターポーザパネルをイオン交換強化できることは当然である。上述に基づけば、強度が高められたガラスインターポーザパネルを形成するため、本明細書に説明される方法が用いられ得ることは当然である。詳しくは、本明細書に説明されるガラスインターポーザパネルは、ガラスインターポーザパネルに形成されたスルーホールから伝搬するクラックによる破壊を受け難く、したがって、クラックによる破壊のリスクを高めずに、三次元電子アセンブリに容易に組み込むことができる。さらに、本明細書に説明されるガラスインターポーザパネルの熱特性は集積回路の製造に普通に用いられる材料と同等である。さらに、本明細書に説明されるガラスインターポーザパネルは広い動作温度範囲にわたって寸法が安定している。特許請求される主題の精神及び範囲を逸脱することなく、本明細書に説明される実施形態に様々な改変及び変形がなされ得ることが当業者には明らかであろう。したがって、本明細書に説明される実施形態の改変及び変形が添付される特許請求項及びそれらの等価形態の範囲内に入れば、本明細書はそのような改変及び変形を包含するとされる。"