"両面のそれぞれに少なくとも1つの電極面を有する半導体素子と、前記半導体素子の一方の面に設けられる電極面に半田により接合される第1導体部材と、前記半導体素子の他方の面に設けられる電極面に半田により接合される第2導体部材とを備え、前記半導体素子の一方の面に設けられる電極面の少なくとも1つが両櫛歯状とされていることを特徴とする半導体装置。請求項1に記載の半導体装置において、前記両櫛歯状の電極面は、主半田広がり電極面と、前記主半田広がり電極面から両側方に櫛状に延在する副半田広がり電極面とを有していることを特徴とする半導体装置。請求項1または2に記載の半導体装置において、前記両櫛歯状の電極面の周縁にはゲート配線が配設され、前記ゲート配線は絶縁性を有し、前記両櫛歯状の電極面に比べて半田の濡れ性が低い保護膜によって覆われていることを特徴とする半導体装置。請求項1ないし3のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記第1導体部材および前記第2導体部材は銅材からなり、前記第1導体部材および前記第2導体部材における前記半田との接合面には表面加工が施されていないことを特徴とする半導体装置。IGBTチップおよびダイオードチップと、IGBTチップの一方の面に少なくとも1つ設けられるエミッタ電極面およびダイオードチップの一方の面に設けられるアノード電極面に半田により接合される第1導体板と、IGBTチップの他方の面に設けられるコレクタ電極面およびダイオードチップの他方の面に設けられるカソード電極面に半田により接合される第2導体板とを備え、前記IGBTチップの一方の面に設けられるエミッタ電極面の少なくとも1つは両櫛歯状とされ、前記両櫛歯状の電極面は、主半田広がり電極面と、前記主半田広がり電極面から両側方に櫛状に延在する副半田広がり電極面とを有し、前記エミッタ電極面の周縁にはゲート配線が配設され、前記ゲート配線は、前記エミッタ電極面に比べて半田の濡れ性が低い絶縁性保護膜によって覆われていることを特徴とする半導体装置。インバータ回路の上下アームを構成する上アーム用IGBTチップおよび上アーム用ダイオードチップならびに下アーム用IGBTチップおよび下アーム用ダイオードチップと、前記上アーム用IGBTチップの一方の面に少なくとも1つ設けられるエミッタ電極面および上アーム用ダイオードチップの一方の面に設けられるアノード電極面に半田により接合される第2交流電極リードフレームと、前記上アーム用IGBTチップの他方の面に設けられるコレクタ電極面および上アーム用ダイオードチップの他方の面に設けられるカソード電極面に半田により接合される直流正極電極リードフレームと、前記下アーム用IGBTチップの一方の面に少なくとも1つ設けられるエミッタ電極面および下アーム用ダイオードチップの一方の面に設けられるアノード電極面に半田により接合される直流負極電極リードフレームと、前記下アーム用IGBTチップの他方の面に設けられるコレクタ電極面および下アーム用ダイオードチップの他方の面に設けられるカソード電極面に半田により接合される第1交流電極リードフレームとを備え、前記上アーム用IGBTチップおよび前記下アーム用IGBTチップの一方の面のそれぞれに設けられるエミッタ電極面の少なくとも1つは両櫛歯状とされ、前記両櫛歯状の電極面は、主半田広がり電極面と、前記主半田広がり電極面から両側方に櫛状に延在する副半田広がり電極面とを有し、前記エミッタ電極面の周縁にはゲート配線が配設され、前記ゲート配線は、前記エミッタ電極面に比べて半田の濡れ性が低い絶縁性保護膜によって覆われていることを特徴とする半導体装置。請求項1ないし6のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記両櫛歯状の電極面には、半田の濡れ性を向上させるニッケルめっきが施されていることを特徴とする半導体装置。請求項2ないし4のいずれか1項に記載の半導体装置を製造する方法であって、前記両櫛歯状の電極面を少なくとも1つ有する半導体素子と、前記第1導体部材と、前記第2導体部材とを準備する工程と、半田により前記半導体素子の他方の面に設けられる電極面を前記第2導体部材に接合する工程と、前記半導体素子の両櫛歯状の電極面を構成する前記主半田広がり電極面の一部を含む所定領域、または、前記第1導体部材における前記所定領域に対向する領域に溶融状態の半田を滴下する工程と、前記第1導体部材と前記半導体素子の一方の面に設けられる電極面との距離を近づけることで前記溶融状態の半田を前記主半田広がり電極面から前記副半田広がり電極面に広がらせて、半田により前記半導体素子の一方の面に設けられる電極面を前記第1導体部材に接合する工程と、前記第1導体部材と前記第2導体部材とを封止部材により封止する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項2ないし4のいずれか1項に記載の半導体装置を製造する方法であって、前記両櫛歯状の電極面を少なくとも1つ有する半導体素子と、前記第1導体部材と、前記第2導体部材とを準備する工程と、半田により前記半導体素子の他方の面に設けられる電極面を前記第2導体部材に接合する工程と、前記第1導体部材の滴下領域に溶融状態の半田を滴下する工程と、前記滴下領域に滴下された半田が前記半導体素子の一方の面に設けられた両櫛歯状の電極面を構成する前記主半田広がり電極面の一部を含む所定領域に対向して配置されるように位置決めする工程と、前記第1導体部材に前記半導体素子の一方の面を近づけ、前記溶融状態の半田を前記主半田広がり電極面から前記副半田広がり電極面に広がらせて、半田により前記半導体素子の一方の面に設けられる電極面を前記第1導体部材に接合する工程と、前記第1導体部材と前記第2導体部材とを封止部材により封止する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項5に記載の半導体装置を製造する方法であって、前記両櫛歯状のエミッタ電極面を少なくとも1つ有するIGBTチップと、前記ダイオードチップと、前記第1導体板と、前記第2導体板とを準備する工程と、前記IGBTチップのコレクタ電極面および前記ダイオードチップのカソード電極面のそれぞれの中央位置、または、前記それぞれの中央位置に対向する第2導体板の所定位置に溶融状態の半田を滴下する工程と、前記第2導体板に前記IGBTチップのコレクタ電極面および前記ダイオードチップのカソード電極面を同時に近づけ、前記溶融状態の半田を前記コレクタ電極面および前記カソード電極面に広がらせて、半田により前記IGBTチップのコレクタ電極面および前記ダイオードチップのカソード電極面のそれぞれを前記第2導体板に接合する工程と、前記IGBTチップのエミッタ電極面を構成する前記主半田広がり電極面の一部を含む所定領域および前記ダイオードチップのアノード電極面の中央位置、または、前記所定領域および前記アノード電極面の中央位置に対向する第1導体板の所定位置に溶融状態の半田を滴下する工程と、前記第1導体板に前記IGBTチップのエミッタ電極面および前記ダイオードチップのアノード電極面を同時に近づけ、前記溶融状態の半田を前記エミッタ電極面における前記主半田広がり電極面から前記副半田広がり電極面に広がらせるとともに、前記溶融状態の半田を前記アノード電極面に広がらせて、半田により前記IGBTチップのエミッタ電極面および前記ダイオードチップのアノード電極面のそれぞれを前記第1導体板に接合する工程と、前記第1導体板と前記第2導体板とを封止部材により封止する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項2ないし4のいずれか1項に記載の半導体装置を製造する方法であって、前記両櫛歯状の電極面を少なくとも1つ有する半導体素子と、前記第1導体部材と、前記第2導体部材とを準備する工程と、半田により前記半導体素子の他方の面に設けられる電極面を前記第2導体部材に接合する工程と、前記半導体素子の両櫛歯状の電極面を構成する前記主半田広がり電極面の一部を含む所定領域、または、前記第1導体部材における前記所定領域に対向する領域に半田を設置する工程と、前記半田を加熱して溶融させ、前記第1導体部材と前記半導体素子の一方の面に設けられる電極面との距離を近づけることで前記溶融状態の半田を前記主半田広がり電極面から前記副半田広がり電極面に広がらせて、半田により前記半導体素子の一方の面に設けられる電極面を前記第1導体部材に接合する工程と、前記第1導体部材と前記第2導体部材とを封止部材により封止する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。特許文献1に記載の半導体装置のように、一般的な半導体装置では、ポリシリコン配線に比べて電気抵抗の小さいアルミゲート配線により、エミッタ電極が複数に分割されている。アルミゲート配線は、半田との濡れ性が低いポリイミド樹脂などの絶縁性を有する保護膜によって覆われている。このため、半田によってエミッタ電極面と導体部材とを接続する場合、IGBTチップのエミッタ電極面での半田の広がりが保護膜によって制限され、半田が不均等に流れることによりボイド率が高くなってしまうといった問題があった。さらに、半田の広がり方向が所定方向に制限されるため、その方向に半田が過剰に流れ、IGBTチップのエミッタ電極面を越えて流れる半田流れが発生するおそれもある。請求項1に係る発明は、両面のそれぞれに少なくとも1つの電極面を有する半導体素子と、半導体素子の一方の面に設けられる電極面に半田により接合される第1導体部材と、半導体素子の他方の面に設けられる電極面に半田により接合される第2導体部材とを備え、半導体素子の一方の面に設けられる電極面の少なくとも1つが両櫛歯状とされていることを特徴とする半導体装置である。請求項2に係る発明は、請求項1に記載の半導体装置において、両櫛歯状の電極面は、主半田広がり電極面と、主半田広がり電極面から両側方に櫛状に延在する副半田広がり電極面とを有していることを特徴とする。請求項3に係る発明は、請求項1または2に記載の半導体装置において、両櫛歯状の電極面の周縁にはゲート配線が配設され、ゲート配線は絶縁性を有し、両櫛歯状の電極面に比べて半田の濡れ性が低い保護膜によって覆われていることを特徴とする。請求項4に係る発明は、請求項1ないし3のいずれか1項に記載の半導体装置において、第1導体部材および第2導体部材は銅材からなり、第1導体部材および第2導体部材における半田との接合面には表面加工が施されていないことを特徴とする。請求項5に係る発明は、IGBTチップおよびダイオードチップと、IGBTチップの一方の面に少なくとも1つ設けられるエミッタ電極面およびダイオードチップの一方の面に設けられるアノード電極面に半田により接合される第1導体板と、IGBTチップの他方の面に設けられるコレクタ電極面およびダイオードチップの他方の面に設けられるカソード電極面に半田により接合される第2導体板とを備え、IGBTチップの一方の面に設けられるエミッタ電極面の少なくとも1つは両櫛歯状とされ、両櫛歯状の電極面は、主半田広がり電極面と、主半田広がり電極面から両側方に櫛状に延在する副半田広がり電極面とを有し、エミッタ電極面の周縁にはゲート配線が配設され、ゲート配線は、エミッタ電極面に比べて半田の濡れ性が低い絶縁性保護膜によって覆われていることを特徴とする半導体装置である。請求項6に係る発明は、インバータ回路の上下アームを構成する上アーム用IGBTチップおよび上アーム用ダイオードチップならびに下アーム用IGBTチップおよび下アーム用ダイオードチップと、上アーム用IGBTチップの一方の面に少なくとも1つ設けられるエミッタ電極面および上アーム用ダイオードチップの一方の面に設けられるアノード電極面に半田により接合される第2交流電極リードフレームと、上アーム用IGBTチップの他方の面に設けられるコレクタ電極面および上アーム用ダイオードチップの他方の面に設けられるカソード電極面に半田により接合される直流正極電極リードフレームと、下アーム用IGBTチップの一方の面に少なくとも1つ設けられるエミッタ電極面および下アーム用ダイオードチップの一方の面に設けられるアノード電極面に半田により接合される直流負極電極リードフレームと、下アーム用IGBTチップの他方の面に設けられるコレクタ電極面および下アーム用ダイオードチップの他方の面に設けられるカソード電極面に半田により接合される第1交流電極リードフレームとを備え、上アーム用IGBTチップおよび下アーム用IGBTチップの一方の面のそれぞれに設けられるエミッタ電極面の少なくとも1つは両櫛歯状とされ、両櫛歯状の電極面は、主半田広がり電極面と、主半田広がり電極面から両側方に櫛状に延在する副半田広がり電極面とを有し、エミッタ電極面の周縁にはゲート配線が配設され、ゲート配線は、エミッタ電極面に比べて半田の濡れ性が低い絶縁性保護膜によって覆われていることを特徴とする半導体装置である。請求項7に係る発明は、請求項1ないし6のいずれか1項に記載の半導体装置において、両櫛歯状の電極面には、半田の濡れ性を向上させるニッケルめっきが施されていることを特徴とする。請求項8に係る発明は、請求項2ないし4のいずれか1項に記載の半導体装置を製造する方法であって、両櫛歯状の電極面を少なくとも1つ有する半導体素子と、第1導体部材と、第2導体部材とを準備する工程と、半田により半導体素子の他方の面に設けられる電極面を第2導体部材に接合する工程と、半導体素子の両櫛歯状の電極面を構成する主半田広がり電極面の一部を含む所定領域、または、第1導体部材における所定領域に対向する領域に溶融状態の半田を滴下する工程と、第1導体部材と半導体素子の一方の面に設けられる電極面との距離を近づけることで溶融状態の半田を主半田広がり電極面から副半田広がり電極面に広がらせて、半田により半導体素子の一方の面に設けられる電極面を第1導体部材に接合する工程と、第1導体部材と第2導体部材とを封止部材により封止する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。請求項9に係る発明は、請求項2ないし4のいずれか1項に記載の半導体装置を製造する方法であって、両櫛歯状の電極面を少なくとも1つ有する半導体素子と、第1導体部材と、第2導体部材とを準備する工程と、半田により半導体素子の他方の面に設けられる電極面を第2導体部材に接合する工程と、第1導体部材の滴下領域に溶融状態の半田を滴下する工程と、滴下領域に滴下された半田が半導体素子の一方の面に設けられた両櫛歯状の電極面を構成する主半田広がり電極面の一部を含む所定領域に対向して配置されるように位置決めする工程と、第1導体部材に半導体素子の一方の面を近づけ、溶融状態の半田を主半田広がり電極面から副半田広がり電極面に広がらせて、半田により半導体素子の一方の面に設けられる電極面を第1導体部材に接合する工程と、第1導体部材と第2導体部材とを封止部材により封止する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。請求項10に係る発明は、請求項5に記載の半導体装置を製造する方法であって、両櫛歯状のエミッタ電極面を少なくとも1つ有するIGBTチップと、ダイオードチップと、第1導体板と、第2導体板とを準備する工程と、IGBTチップのコレクタ電極面およびダイオードチップのカソード電極面のそれぞれの中央位置、または、それぞれの中央位置に対向する第2導体板の所定位置に溶融状態の半田を滴下する工程と、第2導体板にIGBTチップのコレクタ電極面およびダイオードチップのカソード電極面を同時に近づけ、溶融状態の半田をコレクタ電極面およびカソード電極面に広がらせて、半田によりIGBTチップのコレクタ電極面およびダイオードチップのカソード電極面のそれぞれを第2導体板に接合する工程と、IGBTチップのエミッタ電極面を構成する主半田広がり電極面の一部を含む所定領域およびダイオードチップのアノード電極面の中央位置、または、所定領域およびアノード電極面の中央位置に対向する第1導体板の所定位置に溶融状態の半田を滴下する工程と、第1導体板にIGBTチップのエミッタ電極面およびダイオードチップのアノード電極面を同時に近づけ、溶融状態の半田をエミッタ電極面における主半田広がり電極面から副半田広がり電極面に広がらせるとともに、溶融状態の半田をアノード電極面に広がらせて、半田によりIGBTチップのエミッタ電極面およびダイオードチップのアノード電極面のそれぞれを第1導体板に接合する工程と、第1導体板と第2導体板とを封止部材により封止する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。請求項11に係る発明は、請求項2ないし4のいずれか1項に記載の半導体装置を製造する方法であって、両櫛歯状の電極面を少なくとも1つ有する半導体素子と、第1導体部材と、第2導体部材とを準備する工程と、半田により半導体素子の他方の面に設けられる電極面を第2導体部材に接合する工程と、半導体素子の両櫛歯状の電極面を構成する主半田広がり電極面の一部を含む所定領域、または、第1導体部材における所定領域に対向する領域に半田を設置する工程と、半田を加熱して溶融させ、第1導体部材と半導体素子の一方の面に設けられる電極面との距離を近づけることで溶融状態の半田を主半田広がり電極面から副半田広がり電極面に広がらせて、半田により半導体素子の一方の面に設けられる電極面を第1導体部材に接合する工程と、第1導体部材と第2導体部材とを封止部材により封止する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明によれば、ボイドの発生と半田流れを抑制し、半田接合部の長寿命化を図ることができるため、高い信頼性の半導体装置と、その製造方法を提供することができる。以下、図を参照して本発明を実施するための形態について説明する。図1はパワーモジュール300の外観を示す斜視図であり、図2はパワーモジュール300の断面模式図である。パワーモジュール300は、スイッチング素子を含みトランスファーモールドされたパワー半導体ユニット330図2参照を、金属製のモジュールケース310内に収納したものである。パワーモジュール300は、たとえば、電気自動車やハイブリッド自動車等の電気車両に搭載される電力変換装置に用いられる。モジュールケース310は、複数の放熱フィン305が立設された1対の放熱板を有している。放熱板は、熱伝導率の高いアルミニウムなどの金属により形成される。図2に示すように、一方の放熱板には、複数の放熱フィン305が立設された厚肉部303と、その周囲に設けられた薄肉部302とが設けられ、薄肉部302を塑性変形させることで、内部に収納されたパワー半導体ユニットの放熱面と厚肉部303の内周面とを密着させている。図1に示すように、モジュールケース310の一面からは、パワー半導体ユニット330に設けられた直流正極端子315B、直流負極端子319Bおよび交流端子321と信号端子325L,325U,326L,326Uとが突出している。図3はパワー半導体ユニット330の分解斜視図であり、図4はパワー半導体ユニット330の回路図である。なお、図3では、トランスファーモールドの図示を省略した。本実施形態では、パワー半導体素子としてIGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタチップ155,157とダイオードチップ156,158とが設けられている。図3に示す例では、IGBTチップ155,157およびダイオードチップ156,158がそれぞれ並列に2つ設けられているが、図4の回路図では、説明を簡単にするために、それらの一方のみを示した。パワー半導体素子を挟んで一方の側に直流正極電極リードフレーム315と第1交流電極リードフレーム316とが略同一平面状に配置されており、他方の側には第2交流電極リードフレーム318と直流負極電極リードフレーム319とが略同一平面状に配置されている。各パワー半導体素子は板状の扁平構造であり、各電極は表裏面に形成されている。直流正極電極リードフレーム315の素子固着部322には、上アーム用IGBTチップ155のコレクタ電極と上アーム用ダイオードチップ156のカソード電極とが半田160により固着されている。一方、第1交流電極リードフレーム316の素子固着部322には、下アーム用IGBTチップ157のコレクタ電極と下アーム用ダイオードチップ158のカソード電極とが、半田160により固着されている。第2交流電極リードフレーム318の素子固着部322には、上アーム用IGBTチップ155のエミッタ電極と上アーム用ダイオードチップ156のアノード電極とが半田160により固着されている。一方、直流負極電極リードフレーム319の素子固着部322には、下アーム用IGBTチップ157のエミッタ電極と下アーム用ダイオードチップ158のアノード電極とが半田160により固着されている。図3に示すように、直流正極電極リードフレーム315と第2交流電極リードフレーム318とは、各IGBTチップ155およびダイオードチップ156を挟むようにして略平行に対向している。同様に、第1交流電極リードフレーム316と直流負極電極リードフレーム319とは、各IGBTチップ157およびダイオードチップ158を挟むようにして略平行に対向している。図4に示すように、第1交流電極リードフレーム316と第2交流電極リードフレーム318とは、中間電極159を介して接続されている。中間電極159で接続することにより、上アーム回路と下アーム回路が電気的に接続され、図4に示すような上下アーム直列回路が形成される。図3に示すように、直流正極配線315Aは直流正極電極リードフレーム315に一体で形成され、直流正極配線315Aの先端には直流正極端子315Bが形成されている。同様に、直流負極配線319Aは直流負極電極リードフレーム319に一体で形成され、直流負極配線319Aの先端には直流負極端子319Bが形成されている。また、第1交流電極リードフレーム316には交流配線320が一体で形成されており、交流配線320の先端には交流端子321が形成されている。直流正極配線315Aと直流負極配線319Aの間には、熱可塑性樹脂端子ブロック600が介在するように設けられている。図1に示すように、直流正極配線315Aと直流負極配線319Aは、略平行に対向した状態でモジュールケース310から突出するように延在している。また、信号端子325L,325U,326L,326Uは、熱可塑性樹脂端子ブロック600に一体成型されており、直流正極配線315Aおよび直流負極配線319Aと同様の方向に、モジュールケース310から突出するように延在している。そのため、直流正極配線315Aと直流負極配線319A間の絶縁性と信号用配線と各配線板との絶縁性が確保でき、高密度配線が可能となる。熱可塑性樹脂端子ブロック600に用いる樹脂材料には、トランスファーモールドの金型温度以上たとえば、180°C以上の耐熱性と絶縁性とを有する熱可塑性樹脂が適しており、ポリフェニレンサルファイドPPSや液晶ポリマーLCPなどが用いられる。図5はパワー半導体ユニット330の断面模式図である。図6はIGBTチップ1のエミッタ電極11の電極面11aおよびダイオードチップ2のアノード電極21の電極面21aを示す模式図であって、図5のA-A断面図である。図6において封止部材20および半田5,7は図示を省略している。なお、図6で示すように、IGBTチップ1、ダイオードチップ2が1列に並べられる方向をy方向とし、y方向に直交する方向をx方向とする。上アーム用IGBTチップ、上アーム用ダイオードチップおよび上アーム用各種配線等の上アーム用の構成部材と、下アーム用IGBTチップ、下アーム用ダイオードチップおよび下アーム用各種配線等の下アーム用の構成部材とは、ほぼ同じ構成であるため、上アーム用または下アーム用の構成部材を以下のように定義して説明する。上アーム用IGBTチップ155および下アーム用IGBTチップ157は単にIGBTチップ1とし、上アーム用ダイオードチップ156および下アーム用ダイオードチップ158は単にダイオードチップ2と称す。さらに、第2交流電極リードフレーム318および直流負極電極リードフレーム319は単に第1バスバー3と称し、直流正極電極リードフレーム315および第1交流電極リードフレーム316は単に第2バスバー4と称す。信号端子325U,325L,326L,326Uを含む信号用配線は、それぞれゲートピン9と称す。図5および図6に示すように、IGBTチップ1は、一方の面にエミッタ電極11の電極面11aと、端子電極13、すなわちエミッタ端子電極13aおよびゲート端子電極13bとが設けられ、他方の面にコレクタ電極12の電極面12aが設けられている。ゲート端子電極13bには、パワーモジュールに接続されるドライバ回路不図示からの駆動信号が入力される。エミッタ端子電極13aからは、IGBTチップ1のエミッタ電極11に流れる電流の情報がドライバ回路不図示に出力される。なお、本実施の形態に係るIGBTチップ1は、10mm×10mm程度のサイズである。エミッタ電極11の電極面11aは、第1バスバー3に半田5により接合されている。コレクタ電極12の電極面12aは、第2バスバー4に半田6により接合されている。エミッタ端子電極13aおよびゲート端子電極13bのそれぞれは、アルミワイヤー10でゲートピン9と接合されている。ダイオードチップ2は、一方の面にアノード電極21の電極面21aが設けられ、他方の面にカソード電極22の電極面22aが設けられている。アノード電極21の電極面21aは、第1バスバー3のIGBTチップ1が接合された面と同一の面上に半田7により接合されている。カソード電極22の電極面22aは、第2バスバー4のIGBTチップ1が接合された面と同一の面上に半田8により接合されている。エミッタ電極面11a、アノード電極面21a、コレクタ電極面12aおよびカソード電極面22aのそれぞれには、半田が接合可能な、たとえば、ニッケルめっきなどの表面加工が施されている。一方、第1バスバー3および第2バスバー4は銅材からなり、第1バスバー3および第2バスバー4における半田との接合面にはめっきなどの表面加工は施されておらず、表面は銅材無垢である。図5に示すように、第1バスバー3および第2バスバー4の間に挟持されたIGBTチップ1およびダイオードチップ2と、IGBTチップ1とゲートピン9とを接続するアルミワイヤー10は、エポキシ樹脂などの絶縁性有機材料の封止部材20により封止されている。ゲートピン9のアルミワイヤー10との接続部の反対側は、封止部材20の外側に突き出し、駆動信号の外部インターフェイスに用いられる。図2に示すように、第1バスバー3318,319および第2バスバー4315,316におけるIGBTチップ1155,157およびダイオードチップ2156,158が接続された面と反対側の面は、樹脂封止されずに露出している。この露出面は、モジュールケース310の内面と絶縁シート333などを介して接している。したがって、IGBTチップ1とダイオードチップ2から発生した熱は、第1バスバー3318,319および第2バスバー4315,316や絶縁シート333を介してモジュールケース310の放熱フィン305やモジュールケース310の表面に伝わり、放熱フィン305やモジュールケース310の表面に接する冷媒不図示によって放熱される。図6に示すように、エミッタ電極11の電極面11aは、平面視でx方向に延びる電極面からy方向および-y方向に4対の帯状の電極面が突き出した両櫛歯状とされている。具体的には、エミッタ電極11の電極面11aは、図示するようにその中央部にx方向に延在する主半田広がり電極面11a1を有し、主半田広がり電極面11a1から両側方であるy方向および-y方向に櫛状に延在する副半田広がり電極面11a2とを有している。なお、ダイオードチップ2のアノード電極21の電極面21aの形状は、図示するように平面視で矩形状とされ、図示しないがIGBTチップ1のコレクタ電極12の電極面12aおよびダイオードチップ2のカソード電極22の電極面22aの形状も平面視で矩形状とされている。図7aは図6のB-B線で切断したパワー半導体ユニット330の断面模式図であり、図7bは図7aのD部拡大図である。図8は図6のC-C線で切断したパワー半導体ユニット330の断面模式図である。図7および図8において封止部材20は省略している。図6および図7に示すように、副半田広がり電極面11a2間には、IGBT各セルのゲート不図示と、ゲート端子電極13bとを接続するためのアルミゲート配線15が配設されている。図示しないが、アルミゲート配線15とIGBT各セルのゲートとは、たとえばポリシリコン配線を介して接続されている。ポリシリコン配線の電気抵抗値は、アルミゲート配線15の電気抵抗値に比べて数十~数百倍程度高い。したがって、ポリシリコン配線が長くなるとIGBT各セルまでの電気抵抗が増えるため、IGBT各セルの応答性が悪くなる。本実施の形態では、アルミゲート配線15を副半田広がり電極面11a2間を含むエミッタ電極面11aの周縁に配設することで、ポリシリコン配線を短くしている。図6~図8に示すように、アルミゲート配線15は、絶縁性を有する保護膜14によって覆われている。保護膜は各電極面を含むIGBTチップ1の面全体に塗布され、乾燥後、電極面上の保護膜をエッチング処理により除去することで、図7および図8に示すように、アルミゲート配線15を覆う保護膜14のみがチップ電極面上に形成され、櫛歯状のエミッタ電極11の電極面11aには保護膜14が形成されない。なお、図6に示すように、ダイオードチップ2のアノード電極21の電極面21aの周縁にも絶縁性を有する保護膜24が形成されている。保護膜14,24としては、ポリイミド樹脂やポリアミド樹脂などを用いることができる。保護膜14は、IGBTチップ1のエミッタ電極面11aに比べて半田の濡れ性が低い。したがって、図7bに示すように、IGBTチップ1の副半田広がり電極面11a2間に形成される保護膜14の上に、半田5が濡れ広がらない空間で半田5が存在しない未濡れ空間16が形成されている。なお、未濡れ空間16は、図7aの破線Xで示すように、第1バスバー3まで貫通する場合もある。図8に示すように、図6のC-C断面には、保護膜14が存在せず、ボイド微細な空洞などの半田欠陥不図示を除き未濡れ空間16は存在しない。このように、未濡れ空間16は副半田広がり電極面11a2間に形成される保護膜14上に存在している図7参照。本発明に係る半導体装置の製造方法の実施形態を図9および図10を参照して説明する。図9はパワー半導体ユニット330の製造方法を示す工程図であり、図10は半田5a,7aの設定位置と半田5a,7aの広がり方向を示す模式図である。まず、IGBTチップ1およびダイオードチップ2と、第1バスバー3と、第2バスバー4とを準備し、図9aに示すように第2バスバー4の表面の半田滴下領域、すなわち、IGBTチップ1のコレクタ電極面12aおよびダイオードチップ2のカソード電極面22aのそれぞれの中央位置に対向する領域に溶融状態の半田6aおよび半田8aを滴下する。続いて、図9bに示すように、溶融状態の半田6aおよび半田8aのそれぞれが、IGBTチップ1のコレクタ電極面12aおよびダイオードチップ2のカソード電極面22aのそれぞれの中央位置に対向して配置されるよう、第2バスバー4のチップ実装面上においてIGBTチップ1とダイオードチップ2を位置決めする。位置決めを行った後、第2バスバー4にIGBTチップ1のコレクタ電極面12aおよびダイオードチップ2のカソード電極面22aを溶融状態の半田6aおよび半田8aに同時に押し付け、溶融状態の半田6aをコレクタ電極面12aで広がらせるとともに、溶融状態の半田8aをカソード電極面22aで広がらせる。これにより、図9cに示すように、半田6,8によりIGBTチップ1のコレクタ電極面12aおよびダイオードチップ2のカソード電極面22aが一括して第2バスバー4に接合される。このようにして形成されたものを第2バスバー組み30と称す。なお、上述したようにIGBTチップ1のコレクタ電極面12aおよびダイオードチップ2のカソード電極面22aは平面視矩形状とされている。したがって、それぞれの電極面中央に設置された溶融状態の半田6a,8aは、外方に向かって放射状に均等に流れ、それぞれの電極面全体に広がる。図9dに示すように、第1バスバー3の表面の滴下領域、すなわち、IGBTチップ1のエミッタ電極面11aの半田設定領域50図10参照およびダイオードチップ2のアノード電極面21aの半田設定領域70図10参照に対向する領域に溶融状態の半田5aおよび半田7aを滴下する。図9eに示すように、半田5aがIGBTチップ1のエミッタ電極面11aを構成する主半田広がり電極面11a1の一部を含む半田設定領域50図10参照に対向して配置され、かつ、半田7aがダイオードチップ2のアノード電極面21aの中央の半田設定領域70図10参照に対向して配置されるよう、図9cに示す第2バスバー組30を裏返しにし、第1バスバー3のチップ実装面上においてIGBTチップ1とダイオードチップ2を位置決めする。位置決めを行った後、裏返しにした第2バスバー組み30のIGBTチップ1のエミッタ電極面11aおよびダイオードチップ2のアノード電極面21aを第1バスバー3上の溶融半田5a,7aに同時に押し付ける。各電極面11a,21aを溶融状態の半田5a,7aに押し当てることで、図10中の矢印で模式的に示すように、溶融状態の半田5aおよび半田7aは、それぞれエミッタ電極面11aの半田設定領域50およびアノード電極面21aの半田設定領域70から外方に向かって放射状に広がる。なお、上述したようにダイオードチップ2のアノード電極面21aは平面視矩形状とされている。したがって、溶融半田7aは、アノード電極面21aの中央の半田設定領域70から外方に向かって放射状に均等に流れ、アノード電極面21a全体に広がる。第2バスバー組み30を溶融状態の半田5aに押し当てたときの半田5aの広がりについて、図11を参照して説明する。図11は、IGBTチップ1のエミッタ電極面11aにおいて溶融状態の半田5aが広がる様子を示す模式図である。エミッタ電極面11aを溶融状態の半田5aに押し当てると、図11a~図11cに示すように、半田5aは主半田広がり電極面11a1の中央からx方向および-x方向に流れる。さらに半田5aは主半田広がり電極面11a1から副半田広がり電極面11a2に進出して、副半田広がり電極面11a2の先端に向かって、すなわちy方向および-y方向に流れる。このとき、溶融状態の半田5aは保護膜14を跨ぐ方向には広がらない。これは、上述したように、副半田広がり電極面11a2相互間を含む両櫛歯状のエミッタ電極面11aの周囲に設けられた保護膜14の半田の濡れ性がエミッタ電極面11aに比べて低く、エミッタ電極面11aの半田との濡れ性の方が優れているためである。つまり、溶融状態の半田5aは、第1バスバー3とIGBTチップ1との距離を近づけることで、両櫛歯状のエミッタ電極11に沿って、主半田広がり電極面11a1から副半田広がり電極面11a2に広がり図11aおよび図11b参照、最終的にエミッタ電極面11a全体に広がる図11c参照。このように、半田5aをエミッタ電極面11a上においても均等に広がらせることができるため、半田5aの食み出しの抑制と、ボイドの低減効果が期待できる。その後、半田5a,7aが電極面11a,21a全体に広がった状態で冷えると、図9fに示すように半田5によりIGBTチップ1のエミッタ電極面11aに第1バスバー3が接合され、半田7によりダイオードチップ2のアノード電極面21aに第1バスバー3が接合される。さらに、図示していないが、IGBTチップ1の端子電極1313a,13bの電極面のそれぞれとゲートピン9とをアルミワイヤー10により電気的に接続し、封止部材20によって第1バスバー3および第2バスバー4を含む各部材を封止することによってパワー半導体ユニット330が完成する図5参照。図12は、従来のIGBTチップ101のエミッタ電極面111aにおいて溶融状態の半田105aが広がる様子を示す模式図である。従来のIGBTチップ101は、図12に示すように、帯状のエミッタ電極面111aが複数形成されている。なお、帯状のエミッタ電極面111a相互間に介在する保護膜114は、半田105aとの濡れ性が低い。図9と同様の方法でエミッタ電極面111を溶融状態の半田105aに押し当てると、図12aに示すように、溶融半田105aは保護膜114によって広がりが制限されるため、エミッタ電極面111a上の半田105aの広がり方向は主にy方向となる。よって、図12bに示すように、半田105aはy方向に過剰に流れる。この結果、図12cに示すように、エミッタ電極面111aの全体に半田105aが広がらずに半田105aがエミッタ電極面111a上に存在しない半田未濡れエリア105bが形成されてしまったり、半田105aがエミッタ電極面111aを越えて流れる半田流れ105cが生じてしまったりすることがある。なお、従来技術たとえば、特開2006―210519号公報として、ポリイミド膜絶縁性保護膜に金属箔を設けて半田との接合性を向上させる技術がある。この従来技術によれば、チップ上で半田を均等に広げることができる。しかしながら、この従来技術は、ポリイミド膜に金属箔を設けることで高コストとなり、さらに、金属箔と半田、および、金属箔とポリイミド膜の新たな接合部位が生じるため、接合部の寿命の低下が懸念される。以上説明した本実施の形態によれば、以下のような作用効果を奏することができる。1エミッタ電極面11aは、主半田広がり電極面11a1から両側方に櫛状に副半田広がり電極面11a2が延在する両櫛歯状とされている。エミッタ電極面11aの周縁にはアルミゲート配線15を覆うように半田濡れ性の低い保護膜14が形成されている。エミッタ電極面11aの中央部に滴下された溶融半田5aは放射状に流れ、主半田広がり電極面11a1と副半田広がり電極面11a2上に満遍なく流れるとともに、エミッタ電極11aの周縁に形成した保護膜は半田濡れ性が悪いので、エミッタ電極面11aを越えた半田流れを防止できる。2さらに、半田が電極面において放射状に均等に広がるため、ボイドを電極外周側に排出してボイドを低減することができる。31および2により、半田接合部の寿命、および、製造歩留りが向上する。これにより、半導体装置の高信頼性、低コストが実現できる。4なお、上述した従来技術特開2006―210519号公報のように、保護膜の上に新たに金属箔を設ける必要がないため、コスト高とならない。5本実施の形態のように半田を用いてバスバーと半導体素子とを接合する場合、バスバーの半田濡れ性が、半導体素子と半田の接合に影響する。バスバーの半田濡れ性が良すぎると、半田は主にバスバー側に広がり、半導体素子側に広がりにくくなる。逆に、バスバーの半田濡れ性が悪いと、半田はバスバー側に広がりにくくなり、半導体素子側に広がりすぎてしまう。本実施の形態では、第1バスバー3および第2バスバー4は銅材からなり、半田との接合面にはめっきなどの表面加工が施されていない。このため、半田を接合する時に、たとえば、バスバーを加熱するなどしてバスバーの温度を変えることで、バスバーの半田との濡れ性を調整することが可能となるため、容易に半導体素子と半田との接合性を向上することができる。6IGBTチップ1とダイオードチップ2とを一括して第1バスバー3に接合し、さらに、IGBTチップ1とダイオードチップ2とを一括して第2バスバー4に接合する方法を採用した。これにより、接合時間を短く、すなわち生産工程を短縮することができるため、生産コストを低減できる。7両櫛歯状のエミッタ電極面11aには、ニッケルめっきが施されているため、半田の濡れ性を向上させることができる。次のような変形も本発明の範囲内であり、変形例の一つ、もしくは複数を前述の実施形態と組み合わせることも可能である。1本発明による半導体装置の電極面の形状は、上述した実施の形態に限定されない。たとえば、図13aに示すように、IGBTチップ201に複数の両櫛歯状の電極面211a,211bを設けてもよい。図13aに示すIGBTチップ201では、x方向に2分割された電極面211a,211bが設けられ、一方の電極面211aはx方向に延びる主半田広がり電極面211a1を有し、主半田広がり電極面211a1から両側方であるy方向および-y方向に櫛状に延在する副半田広がり電極面211a2を有している。他方の電極面211bも同様に、x方向に延びる主半田広がり電極面211b1を有し、主半田広がり電極面211b1から両側方であるy方向および-y方向に櫛状に延在する副半田広がり電極面211b2を有している。半田設定領域250は、図示するように主半田広がり電極面211a1,211b1の一部を含むようにIGBTチップ201のほぼ中央に設定される。一方の電極面211aに設定される溶融状態の半田は、バスバーが押し当てられると、電極面211aの形状に沿って、すなわち主半田広がり電極面211a1から副半田広がり電極面211a2に向かうようにx方向ならびにy方向および-y方向に流れて電極面211aの全体に広がる。同様に、他方の電極面211bに設定される溶融状態の半田は、バスバーが押し当てられると、電極面211bの形状に沿って、すなわち主半田広がり電極面211b1から副半田広がり電極面211b2に向かうように-x方向ならびにy方向および-y方向に流れて電極面211bの全体に広がる。これにより、溶融半田が電極面211a,211bから食み出して流れてしまう半田の食み出しが抑制され、さらに、ボイドが低減される。2本発明は、IGBTチップの一方の面に形成されるエミッタ電極面の全てを両櫛歯状とする場合に限定されない。半導体素子の一方の面にエミッタ電極面が複数形成される場合、少なくとも1つの電極面が両櫛歯状に形成される。たとえば、図13bに示すように、IGBTチップ301の一方の面に、両櫛歯状の電極面311a,311bと短冊形状の電極面311cを形成してもよい。図13bに示すIGBTチップ301では、半田設定領域350が図示するように電極面311a,311bの一部を含むようにIGBTチップ301のほぼ中央に設定される。一方の電極面311aに設定される溶融状態の半田は、バスバーが押し当てられると、電極面311aの形状に沿って、すなわち主半田広がり電極面311a1から副半田広がり電極面311a2に向かうようにx方向ならびにy方向および-y方向に流れて電極面311aの全体に広がる。同様に、他方の電極面311bに設定される溶融状態の半田は、バスバーが押し当てられると、電極面311bの形状に沿って、すなわち主半田広がり電極面311b1から副半田広がり電極面311b2に向かうように-x方向ならびにy方向および-y方向に流れて電極面311bの全体に広がる。これにより、溶融半田が電極面311a,311bから食み出して流れてしまう半田の食み出しが抑制され、さらに、ボイドが低減される。3上述した実施の形態では、図6に示したように10mm×10mmのIGBTチップにおいて、主半田広がり電極面から延在する帯状電極面を4対設けたが、本発明はこれに限定されない。IGBTチップのサイズが大きい場合には、5対以上の帯状電極面を設けてもよい。半導体素子のサイズが小さい場合には2対あるいは3対の帯状電極面を設けることとしてもよい。なお、帯状電極面の数は、IGBTチップのサイズに応じて設定される。帯状電極面の形状も平面視矩形状に限定されない。4上述した実施の形態では、半導体素子の電極面のほぼ中央の1カ所に溶融半田を滴下することとしたが、本発明はこれに限定されない。電極面の形状に合わせて、複数カ所に溶融半田を滴下してもよい。たとえば、図14aに示すように2対の帯状電極面を有するエミッタ電極面が4つ並設されている場合や、図14bに示すように8対の帯状電極面を有するエミッタ電極面が1つ設けられている場合、主半田広がり電極面の一部を含む半田設定領域450aおよび半田設定領域450bや主半田広がり電極面の一部を含む半田設定領域550aおよび半田設定領域550bの2カ所に溶融状態の半田を滴下し押し広げることで、半田が主半田広がり電極面から副半田広がり電極面に向かうように半田設定領域から放射状に流れるため、半田を電極面の全体に広がらせることができる。半田設定領域の位置や数、面積は、IGBTチップの大きさや電極面の数、電極面の形状等に応じて適宜決定される。5本発明に係る半導体装置の電極面は、主半田広がり電極面と、主半田広がり電極面から両側方に櫛状に延在する副半田広がり電極面とを有する様々な形状に形成することができる。電極面の形状の他の例について、図15a~cを参照して説明する。図15aに示す電極面611aは、x方向に延在する主半田広がり電極面611a1と、主半田広がり電極面611a1からy方向に櫛状に延在する副半田広がり電極面611a2と、主半田広がり電極面611a1から-y方向に櫛状に延在する副半田広がり電極面611a3を有している。y方向に延在する副半田広がり電極面611a2は帯状の電極面を4つ有し、-y方向に延在する副半田広がり電極面611a3は帯状の電極面を3つ有している。図15bに示す電極面711aは、x方向に延在する主半田広がり電極面711a1と、主半田広がり電極面711a1からy方向に櫛状に延在する副半田広がり電極面711a2と、主半田広がり電極面711a1から-y方向に櫛状に延在する副半田広がり電極面711a3とを有している。y方向に延在する副半田広がり電極面711a2は帯状の電極面を4つ有し、-y方向に延在する副半田広がり電極面711a3は帯状の電極面を6つ有している。さらに、副半田広がり電極面711a2,711a3の帯状の電極面は、x方向の幅がそれぞれ異なっている。図15cに示す電極面811aは、幅狭の3対の帯状の電極面と、幅広の2対の帯状の電極面とが主半田広がり電極面811a1から両側方y方向および-y方向に延在している。図15a~cに示すように、主半田広がり電極面から両側方に櫛状に延在する副半田広がり電極面とを有することで、主半田広がり電極面を含む半田設定領域に滴下した溶融状態の半田を電極面全体に広がらせることができる。6本発明によるパワー半導体ユニット330の製造方法は、図9に示した場合に限定されない。たとえば、溶融状態の半田6a,8aをIGBTチップ1およびダイオードチップ2に滴下して、IGBTチップ1およびダイオードチップ2を下に配置した状態で第2バスバー4を溶融半田6a,8aに上方から押し当てて、第2バスバー4とIGBTチップ1およびダイオードチップ2を半田6,8により接合し、第2バスバー組み30を形成する。その後、第2バスバー組み30を裏返して配置し、溶融状態の半田5a,7aをIGBTチップ1およびダイオードチップ2に滴下して、第2バスバー組み30を下に配置した状態で第1バスバー3を溶融半田5a,7aに上方から押し当てて、第1バスバー3とIGBTチップ1およびダイオードチップ2とを半田5,7により接合してもよい。7さらに、本発明はIGBTチップ1とダイオードチップ2を第2バスバー4に同時に近づけて一括して接合する場合に限定されることもない。また、第2バスバー4とIGBTチップ1およびダイオードチップ2との接合と第1バスバー3とIGBTチップ1およびダイオードチップ2との接合は逆の順序であってもよい。8上述した実施の形態では、溶融した半田を滴下して、半導体素子の電極面とバスバーとを半田により接合する滴下法を採用したが、本発明はこれに限定されない。クリーム半田を半田設定領域に配置させた後、加熱炉などに入れて半田をリフローさせる方法を採用してもよい。この方法を採用した場合の工程について説明する。第1工程では、両櫛歯状の電極面を一方の面に少なくとも1つ有する半導体素子と、第1導体部材と、第2導体部材とを準備する。第2工程では、半田により半導体素子の他方の面に設けられる電極面を第2導体部材に接合する。第3工程では、半導体素子の両櫛歯状の電極面を構成する主半田広がり電極面の一部を含む所定領域、たとえば図10の半田設定領域50、または、その所定領域に対向する第1導体部材における領域にクリーム半田を設置する。第4工程では、クリーム半田を加熱して溶融させ、第1導体部材と半導体素子の一方の面に設けられる電極面との距離を近づけることで溶融状態の半田を主半田広がり電極面から副半田広がり電極面に広がらせて、半田により半導体素子の一方の面に設けられる電極面を第1導体部材に接合する。第5工程では、第1導体部材と第2導体部材とを封止部材により封止する。このように、クリーム半田を所定領域に設定した後、半田を加熱して溶融させ、導体部材と半導体素子の電極面とを近づけることで、溶融した半田を電極面に広がらせることができる。9上述した実施の形態では、スイッチング半導体素子としてIGBTを採用したが、必要な周波数や電圧によって、金属酸化物半導体型電界効果トランジスタMOSFETなどの他の半導体素子を採用してもよい。スイッチング半導体素子としては、IGBTは直流電圧が比較的高い場合に適していて、MOSFETは直流電圧が比較的低い場合に適している。10上述した実施の形態では、エミッタ電極の電極面を両櫛歯状としたが、本発明はこれに限定されない。11上述した実施の形態では、ハイブリッド自動車や電気自動車に搭載される電力変換装置に組み込まれる半導体装置について説明したが本発明はこれに限定されない。他の電動車両、たとえばハイブリッド電車などの鉄道車両、バスなどの乗合自動車、トラックなどの貨物自動車、バッテリ式フォークリフトトラックなどの産業車両などの車両用電源装置に利用可能な電力変換装置に搭載する半導体装置に本発明を適用してもよい。本発明の特徴を損なわない限り、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の形態についても、本発明の範囲内に含まれる。"