"式Iで表される塩。[式I中、R1及びR2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。X1は、2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよく、前記2価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。R3は、下記式bで表される基である。式b中、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12及びR13は、互いに独立に、水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表すか、R4とR5、R5とR6、R6とR7、R6とR13、R7とR8、R8とR11、R11とR12又はR12とR13が一緒になって、環を形成してもよく、該環に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。但し、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12及びR13のいずれか1つはX1との結合手を表す。は、単結合又は二重結合を表す。n1は、1又は2を表す。n2は、0又は1を表す。n1n2は2である。Z1は、有機対イオンを表す。]前記式bで表される基が、式cで表される基である請求項1記載の塩。式c中、R14、R15、R16及びR17は、互いに独立に、水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表す。但し、R14、R15、R16及びR17のいずれか1つはX1との結合手を表す。前記式cが、下記式dで表される基である請求項2記載の塩。式d中、は、X1との結合手を表す。Z1が、トリアリールスルホニウムカチオンである請求項1~3のいずれかに記載の塩。請求項1~4のいずれか記載の塩を含有する酸発生剤。請求項5記載の酸発生剤と樹脂と溶剤とを含有するレジスト組成物。樹脂が、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸と作用してアルカリ水溶液で溶解しえる樹脂である請求項6記載のレジスト組成物。さらに、塩基性化合物を含有する請求項6又は7記載のレジスト組成物。1請求項6~8のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。微細加工技術のさらなる進歩に伴い、例えば、半導体の製造に用いられるレジスト組成物には、解像が良好であることが要望されている本発明は、以下の発明を含む。1式Iで表される塩。[式I中、R1及びR2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。X1は、2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよく、前記2価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。R3は、下記式bで表される基である。式b中、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12及びR13は、互いに独立に、水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表すか、R4とR5、R5とR6、R6とR7、R6とR13、R7とR8、R8とR11、R11とR12又はR12とR13が一緒になって、環を形成してもよく、該環に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。但し、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12及びR13のいずれか1つはX1との結合手を表す。は、単結合又は二重結合を表す。n1は、1又は2を表す。n2は、0又は1を表す。n1n2は2である。Z1は、有機対イオンを表す。]2前記式bで表される基が、式cで表される基である1記載の塩。式c中、R14、R15、R16及びR17は、互いに独立に、水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表す。但し、R14、R15、R16及びR17のいずれか1つはX1との結合手を表す。3前記式cが、下記式dで表される基である2記載の塩。式d中、は、X1との結合手を表す。4Z1が、トリアリールスルホニウムカチオンである1~3のいずれかに記載の塩。5上記1~4のいずれか記載の塩を含有する酸発生剤。6上記1記載の酸発生剤と樹脂と溶剤とを含有するレジスト組成物。7樹脂が、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸と作用してアルカリ水溶液で溶解しえる樹脂である6記載のレジスト組成物。8さらに、塩基性化合物を含有する6又は7記載のレジスト組成物。91上記6~8のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。本発明の塩によれば、この塩を含むレジスト組成物を用いることにより、優れた解像度を有するレジストパターンを形成することができる。本明細書では、特に断りのない限り、化合物の構造式の説明において、炭素数を適宜選択しながら、以下の置換基の例示は、同様の置換基を有するいずれの構造式においても適用される。直鎖状、分岐状又は環状をとることができるものは、そのいずれをも含み、かつそれらが混在していてもよい。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を包含する。炭化水素基とは、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を包含する。脂肪族炭化水素基は、鎖式及び環式の双方を含み、特に定義しない限り、鎖式及び環式の脂肪族炭化水素基が組み合わせられたものをも包含する。また、これら脂肪族炭化水素基は、その一部に炭素-炭素二重結合を含んでいてもよいが、飽和の基が好ましい。鎖式の脂肪族炭化水素基のうち1価のものとしては、典型的にはアルキル基が挙げられる。アルキル基としては、メチル基C1、エチル基C2、プロピル基C3、ブチル基C4、ペンチル基C5、ヘキシル基C6、ヘプチル基C7、オクチル基C8、デシル基C10、ドデシル基C12、ヘキサデシル基C14、ペンタデシル基C15、ヘキシルデシル基C16、ヘプタデシル基C17及びオクタデシル基C18などが挙げられる。鎖式の脂肪族炭化水素基のうち2価のものとしては、アルキル基から水素原子を1個取り去ったアルカンジイル基が挙げられる。アルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基、メチリデン基、エチリデン基、プロピリデン基、2-プロピリデン基、1-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,2-プロピレン基、1-メチル-1,4-ブチレン基、2-メチル-1,4-ブチレン基等が挙げられる。環式の脂肪族炭化水素基以下、場合により脂環式炭化水素基というは、典型的には、シクロアルキル基を意味し、以下に示す単環式及び多環式のいずれをも包含する。脂環式炭化水素基のうち1価のものとして、単環式の脂肪族炭化水素基は、以下の式KA-1~KA-7で表されるシクロアルカンの水素原子を1個取り去った基である。多環式の脂肪族炭化水素基は、以下の式KA-8~KA-20で表されるシクロアルカンの水素原子を1個取り去った基である。脂環式炭化水素基のうち2価のものとしては、式KA-1~式KA-20の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基が挙げられる。なお、単環式及び多環式の脂肪族炭化水素基のうち、特に飽和の基を、場合により飽和環状炭化水素基という。脂肪族炭化水素基は置換基を有していてもよい。このような置換基としては、特に限定されない限り、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基が挙げられる。ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。アルコキシ基としては、メトキシ基C1、エトキシ基C2、プロポキシ基C3、ブトキシ基C4、ペンチルオキシ基C5、ヘキシルオキシ基C6、ヘプチルオキシ基C7、オクチルオキシ基C8、デシルオキシ基C10及びドデシルオキシ基C12などが挙げられる。アルキルチオ基としては、アルコキシ基の酸素原子が硫黄原子に置き換わったものが挙げられ、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基及びドデシルチオ基などが挙げられる。アシル基としては、アセチル基C2、プロピオニル基C3、ブチリル基C4、バレイル基C5、ヘキシルカルボニル基C6、ヘプチルカルボニル基C7、オクチルカルボニル基C8、デシルカルボニル基C10及びドデシルカルボニル基C12などのアルキル基とカルボニル基とが結合したもの並びにベンゾイル基C7などのアリール基とカルボニル基とが結合したものが包含される。アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基等が挙げられる。アラルキル基としては、ベンジル基C7、フェネチル基C8、フェニルプロピル基C9、ナフチルメチル基C11及びナフチルエチル基C12などが挙げられる。アリールオキシ基としては、フェニルオキシ基C6、ナフチルオキシ基C10、アントニルオキシ基C14、ビフェニルオキシ基C12、フェナントリルオキシ基C14及びフルオレニルオキシ基C13などのアリール基と酸素原子とが結合したものが挙げられる。芳香族炭化水素基としては、典型的には、アリール基が挙げられる。アリール基としては、フェニル基C6、ナフチル基C10、アントニル基C14、ビフェニル基C12、フェナントリル基C14及びフルオレニル基C13などが挙げられる。芳香族炭化水素基は置換基を有していてもよい。このような置換基は、特に限定されない限り、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルキル基及びアリールオキシ基が挙げられる。飽和炭化水素基とは、上述した脂肪族炭化水素基のうち飽和のもの、つまり、上述した鎖式及び環式の脂肪族炭化水素基のうち飽和のものを意味する。また、飽和炭化水素基も、脂肪族炭化水素基と同様の置換基を有していてもよい。また、メタアクリル系モノマーとは、CH2=CH-CO-又はCH2=CCH3-CO-の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様にメタアクリレート及びメタアクリル酸とは、それぞれアクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種及びアクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種を意味する。式Iで表される塩本発明の塩は、式Iで表される。[式I中、R1及びR2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。X1は、2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよく、前記2価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。R3は、下記式bで表される基である。式b中、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12及びR13は、互いに独立に、水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表すか、R4とR5、R5とR6、R6とR7、R6とR13、R7とR8、R8とR11、R11とR12又はR12とR13が一緒になって、環を形成してもよく、該環に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。但し、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12及びR13のいずれか1つはX1との結合手を表す。は、単結合又は二重結合を表す。n1は、1又は2を表す。n2は、0又は1を表す。n1n2は2である。Z1は、有機対イオンを表す。]ペルフルオロアルキル基としては、例えば、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。式Iにおいては、R1及びR2は、互いに独立に、好ましくはペルフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。X1においてメチレン基が酸素原子又はカルボニル基で置き換わったものとしては、好ましくは式X1-A~式X1-F、より好ましくは式X1-A又は式X1-B、さらに好ましくは式X1-Aで表される基が挙げられる。なお、式X1-A~式X1-Fで表される基は、左側でCR1R2と結合し、右側で酸素原子と結合する。[式中、X11は、炭素数1~15の飽和炭化水素基を表す。X12は、炭素数1~14の飽和炭化水素基を表す。X13~X17は、互いに独立に、炭素数1~13の飽和炭化水素基を表す。]X11~X17は-CH2-、-CH22-、-CH24-、-CH28-、-CH212-であることが好ましい。式X1-Bで表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式X1-Cで表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式X1-Dで表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式X1-Eで表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式X1-Fで表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。R3は、下記式bで表される基である。式b中、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12及びR13は、互いに独立に、水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表すか、R4とR5、R5とR6、R6とR7、R6とR13、R7とR8、R8とR11、R11とR12又はR12とR13が一緒になって、環を形成してもよく、該環に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。但し、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12及びR13のいずれか1つはX1との結合手を表す。破線と下線との組み合わせは、単結合又は二重結合を表す。n1は、1又は2を表す。n2は、0又は1を表す。n1n2は2である。n1が2であるとき、2つのR7は、互いに同一でも異なってもよい。式bにおいては、R4とR5、R5とR6、R6とR7、R6とR13、R7とR8、R8とR11、R11とR12又はR12とR13が一緒になって形成する環としては、例えば、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素及び複素環が挙げられ、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素が好ましい。ただし、n1が2の場合には、2つのR7が一緒になって環を形成してもよい。環、特に、脂環式炭化水素又は芳香族炭化水素に含まれるメチレン基が酸素原子又はカルボニル基で置き換わったものとしては、例えば、オキサノルボルナン環等が挙げられる。式bで表される基としては、例えば以下の基が挙げられる。式中、R9及びR10は、上記と同義である。R14、R15、R16及びR17は、互いに独立に、水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表す。但し、R9、R10、R14~R19のいずれか1つはX1との結合手を表す。なかでも、R3は、上記式c’のうち、R9及びR10が水素原子である下記式cであることがより好ましい。式c中、R14、R15、R16及びR17は、互いに独立に、水素原子、水酸基、アルコキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表す。但し、R14、R15、R16及びR17のいずれか1つはX1との結合手を表す。式bで表される基としては、例えば、以下のものが挙げられる。式中、はX1との結合手を表す。なかでも、式dで表される基が好ましい。式Iで表される塩としては、例えば以下の塩が挙げられる。Z1としては、オニウムカチオン、例えば、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、ホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。Z1は、好ましくは式b2-1~式b2-4のいずれかで表される。これらの式b2-1~式b2-4において、Rb4~Rb6は、互いに独立に、炭素数1~30の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。前記脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、前記飽和環状炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基で置換されていてもよい。Rb7及びRb8は、互いに独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、互いに独立に、0~5の整数を表す。Rb9及びRb10は、互いに独立に、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数3~18の飽和環状炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9~Rb11の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~12であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数3~18、より好ましくは炭素数4~12である。Rb12は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。前記芳香族炭化水素基は、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。Rb9とRb10と、及びRb11とRb12とは、互いに独立に、一緒に結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、これらの環のメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Rb13~Rb18は、互いに独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、-S-又は-O-を表す。o2、p2、s2、及びt2は、互いに独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、互いに独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2~t2のいずれかが2であるとき、それぞれ、複数のRb13~Rb18のいずれかは互いに同一でも異なってもよい。アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基、sec-ブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2-エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。好ましい脂肪族炭化水素基は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2-エチルヘキシル基である。好ましい飽和環状炭化水素基は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2-アルキル-2-アダマンチル基、1-1-アダマンチル-1-アルキル基、及びイソボルニル基である。好ましい芳香族炭化水素基は、フェニル基、4-メチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、4-シクロへキシルフェニル基、4-メトキシフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基である。置換基が芳香族炭化水素基である脂肪族炭化水素基アラルキル基としては、ベンジル基などが挙げられる。Rb9及びRb10が形成する環としては、例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環、1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11及びRb12が形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環などが挙げられる。カチオンb2-1~カチオンb2-4の中でも、カチオンb2-1が好ましく、式b2-1-1で表されるカチオンがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19~Rb21は、互いに独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~12であり、飽和環状炭化水素基は、好ましくは炭素数4~18である。前記脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。前記飽和環状炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよい。v2~x2は、互いに独立に、0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2~x2のいずれかが2以上のとき、それぞれ、複数のRb19~Rb21のいずれかは、互いに同一でも異なってもよい。なかでも、Rb19~Rb21は、互いに独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基である。カチオンとしては、具体的には、特開2010-204646号公報に記載されたカチオンが挙げられる。式Iで表される塩は、上述のアニオン及びカチオンの組合せである。上述のアニオンとカチオンとは任意に組み合わせることができるが、以下で表される塩が好ましい。式Iで表される塩のうち、式b1で表される塩の製造方法を下記に示す。式中、R1、R2、R3及びZ1は、それぞれ上記と同義である。まず、式b1-aで表される塩と式b1-bで表される化合物とを反応させることにより、式b1-cで表される塩を得る。式b1-aで表される塩は、例えば、特開2008-13551号公報に記載された方法で合成することができる。得られた式b1-cで表される塩を、式b1-dで表される化合物と、溶剤中で反応させることにより、式b1で表される塩を得ることができる。ここでの溶媒としては、アセトニトリル等が挙げられる。式b1-dで表される化合物としては、以下で表される化合物等が挙げられる。酸発生剤本発明の酸発生剤以下、酸発生剤Bということがあるは、塩Iを含有する。塩Iは、単独でも複数種を同時に用いてもよい。よって、本発明の酸発生剤Bは、さらに、塩I以外の公知の塩を含んでいてもよい。塩I以外の公知の塩としては、例えば、塩Iに含まれる有機カチオン及び公知のアニオン塩Iに含まれるスルホン酸アニオン以外のアニオンからなる塩並びに塩Iに含まれるスルホン酸アニオン及び公知のカチオン塩Iに含まれる有機カチオン以外のカチオンからなる塩等が挙げられる。塩Iと併用する塩としては、例えば、式B1-1~式B1-17で表されるものが挙げられる。中でもトリフェニルスルホニウムカチオンを含むものが好ましく、式B1-1、式B1-2、式B1-6、式B1-11、式B1-12、式B1-13及び式B1-14でそれぞれ表される塩がさらに好ましい。塩Iの含有量は、酸発生剤全量100質量部に対して、好ましくは10質量部以上より好ましくは30質量部以上、好ましくは100質量部以下より好ましくは90質量部以下、さらに好ましくは70質量部以下である。レジスト組成物本発明のレジスト組成物は、式Iで表される塩を含有する酸発生剤と樹脂とを含有する。酸発生剤としては、上述したように、式Iで表される塩以外の塩を酸発生剤として含有していてもよい。レジスト組成物において、酸発生剤Bを用いる場合、塩Iと酸発生剤Bとの合計含有量は、後述する樹脂A100質量部に対して、好ましくは1質量部以上より好ましくは3質量部以上、好ましくは40質量部以下より好ましくは35質量部以下、さらに好ましくは30質量部以下、特に好ましくは25質量部以下である。樹脂以下樹脂Aという場合がある樹脂Aは、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂である。樹脂Aは、酸に不安定な基を有するモノマー以下酸に不安定な基を有するモノマーa1という場合があるを重合することによって製造することができ、得られた樹脂は、酸の作用によりアルカリ可溶となる。酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得るとは、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。酸に不安定な基を有するモノマーa1は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。酸に不安定な基を有するモノマーa1酸に不安定な基とは、酸と接触すると脱離基が開裂して、親水性基例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基を形成する基を意味する。酸に不安定な基としては、例えば、式1で表される基、式2で表される基などが挙げられる。[式1中、Ra1~Ra3は、互いに独立に、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基を表すか、Ra1及びRa2は互いに結合して炭素数2~20の2価の炭化水素基を形成する。は結合手を表す。][式2中、Ra1及びRa2は、互いに独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、Ra3は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、Ra2及びa3が互いに結合して炭素数2~20の2価の炭化水素基を形成し、前記炭化水素基及び2価の基に含まれるメチレン基は、酸素原子又は硫黄原子で置き換わっていてもよい。式1では、脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは炭素数1~16である。Ra1及びRa2が互いに結合して2価の炭化水素基を形成する場合、-CRa1Ra2Ra3基としては、下記の基が挙げられる。2価の炭化水素基の炭素数は、好ましくは炭素数3~12である。式1で表される酸に不安定な基としては、例えば、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3がアルキル基である基、好ましくはtert-ブトキシカルボニル基、2-アルキル-2-アダマンチルオキシカルボニル基式1中、Ra1、Ra2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-1-アダマンチル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。式2では、好ましくは、Ra1’及びRa2’のうち少なくとも1つが水素原子である。式2で表される基の具体例としては、以下の基が挙げられる。酸に不安定な基を有するモノマーa1は、好ましくは、酸に不安定な基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸に不安定な基を有するメタアクリル系モノマーである。酸に不安定な基を有するメタアクリル系モノマーのうち、好ましくは、炭素数5~20の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマーa1を重合して得られる樹脂を使用すれば、レジストの解像度を向上させることができる。酸に不安定な基と脂環式炭化水素基とを有するメタアクリル系モノマーとして、好ましくは式a1-1で表されるモノマー又は式a1-2で表されるモノマーが挙げられる。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。[式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2は、互いに独立に、-O-又は-O-CH2k1-CO-O-を表し、k1は1~7の整数を表し、は-CO-との結合手を表す。Ra4及びRa5は、互いに独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、互いに独立に、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。n1は0~10の整数を表す。n2は0又は1の整数を表す。]La1及びLa2は、好ましくは、-O-又は-O-CH2k1-CO-O-であり、より好ましくは-O-である。k1は、好ましくは1~4の整数、より好ましくは1である。Ra4及びRa5は、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7のアルキル基は、好ましくは炭素数6以下である。脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下、より好ましくは6以下である。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。式a1-1で表されるモノマーとしては、例えば、特開2010-204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式a1-1-1~a1-1-6で表されるモノマーが好ましく、下式a1-1-1~a1-1-3で表されるモノマーがより好ましい。式a1-2で表されるモノマーとしては、例えば、1-エチル-1-シクロペンチルメタアクリレート、1-エチル-1-シクロヘキシルメタアクリレート、1-エチル-1-シクロヘプチルメタアクリレート、1-メチル-1-シクロペンチルメタアクリレート、1-イソプロピル-1-シクロペンチルメタアクリレート等が挙げられる。下式a1-2-1~a1-2-6で表されるモノマーが好ましく、下式a1-2-3~a1-2-4で表されるモノマーがより好ましく、下式a1-2-3で表されるモノマーがさらに好ましい。樹脂における式a1-1で表されるモノマー又は式a1-2で表されるモノマーに由来する構造単位の含有率は、樹脂の全単位において、通常10~95モルであり、好ましくは15~90モルであり、より好ましくは20~85モルである。酸に安定な基を有するモノマー樹脂Aは、好ましくは、酸に不安定な基を有するモノマーa1と、酸に不安定な基を有さないモノマー以下酸安定モノマーという場合があるとの共重合体である。酸安定モノマーは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。樹脂Aが酸に不安定な基を有するモノマーa1と酸安定モノマーとの共重合体である場合、酸に不安定な基を有するモノマーa1に由来する構造単位は、全構造単位100モルに対して、好ましくは10~80モル、より好ましくは20~60モルである。また、アダマンチル基を有するモノマー特に酸に不安定な基を有するモノマーa1-1に由来する構造単位の含有率は、好ましくは酸に不安定な基を有するモノマーa1に対して15モル以上である。アダマンチル基を有するモノマーの比率が増えると、レジストのドライエッチング耐性が向上する。酸安定モノマーとしては、好ましくは、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するモノマーが挙げられる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー以下ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2という又はラクトン環を含有する酸安定モノマー以下ラクトン環を有する酸安定モノマーa3というに由来する構造単位を有する樹脂を使用すれば、レジストの解像度及び基板への密着性を向上させることができる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2レジスト組成物をKrFエキシマレーザ露光248nm、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線露光に用いる場合、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2として、好ましくは、ヒドロキシスチレン類であるフェノール性水酸基を有する酸安定モノマーa2-0を使用する。短波長のArFエキシマレーザ露光193nmなどを用いる場合は、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2として、好ましくは、式a2-1で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用する。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。フェノール性水酸基を有するモノマーa2-0として、式a2-0で表されるp-又はm-ヒドロキシスチレンなどのスチレン系モノマーが挙げられる。[式a2-0中、Ra30は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。Ra31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31は同一であっても異なってもよい。]Ra30におけるアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~4のアルキル基であり、より好ましくは、炭素数1又は2のアルキル基であり、特に好ましくは、メチル基である。アルコキシ基としては、好ましくは、炭素数1~4のアルコキシ基であり、より好ましくは、炭素数1又は2のアルコキシ基であり、特に好ましくは、メトキシ基である。maは、好ましくは、0~2であり、より好ましくは、0又は1であり、特に好ましくは、0である。このようなフェノール性水酸基を有するモノマーに由来する構造単位を有する共重合樹脂を得る場合は、該当するメタアクリル酸エステルモノマーとアセトキシスチレン、及びスチレンをラジカル重合した後、酸によって脱アセチルすることによって得ることができる。フェノール性水酸基を有するモノマーとしては、例えば、特開2010-204634号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式a2-0-1及びa2-0-2で表されるモノマーが好ましい。樹脂Aを製造する際には、これらにあるフェノール性水酸基が適当な保護基で保護したものを用いることもできる。樹脂における式a2-0で表されるモノマーに由来する構造単位の含有率は、樹脂の全単位において、通常5~90モルであり、好ましくは10~85モルであり、より好ましくは15~80モルである。ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーとして、式a2-1で表されるモノマーが挙げられる。式a2-1中、La3は、-O-又は-O-CH2k2-CO-O-を表し、k2は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、互いに独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。式a2-1では、La3は、好ましくは、-O-、-O-CH2f1-CO-O-であり前記f1は、1~4の整数である、より好ましくは-O-である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーa2-1としては、例えば、特開2010-204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式a2-1-1~a2-1-6で表されるモノマーが好ましく、下式a2-1-1~a2-1-4で表されるモノマーがより好ましく、下式a2-1-1又はa2-1-3で表されるモノマーがさらに好ましい。樹脂における式a2-1で表されるモノマーに由来する構造単位の含有率は、樹脂の全単位において、通常3~40モルであり、好ましくは5~35モルであり、より好ましくは5~30モルである。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3酸安定モノマーa3が有するラクトン環は、例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環、δ-バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、好ましくは、γ-ブチロラクトン環、又は、γ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が挙げられる。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3は、好ましくは、式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表される。これらの1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。式a3-1~式a3-3中、La4~La6は、互いに独立に、-O-又は-O-CH2k3-CO-O-を表す。k3は1~7の整数を表す。は-CO-との結合手を表す。Ra18~Ra20は、互いに独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra21は、炭素数1~4のアルキル基を表す。p1は0~5の整数を表す。Ra22及びRa23は、互いに独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4のアルキル基を表す。q1及びr1は、互いに独立に、0~3の整数を表す。p1、q1又はr1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa21、Ra22又はRa23は、互いに同一でも異なってもよい。式a3-1~式a3-3では、La4~La6としては、La3で説明したものが挙げられる。La4~La6は、互いに独立に、-O-又は-O-CH2k3-CO-O-であることが好ましく、より好ましくは-O-である。k3は、好ましくは1~4の整数であり、より好ましくは1である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、互いに独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1~r1は、互いに独立に、好ましくは0~2、より好ましくは0又は1である。ラクトン環を有する酸安定モノマーa3としては、特開2010-204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。下式a3-1-1~a3-1-4、a3-2-1~a3-2-4、a3-3-1~a3-3-4で表されるモノマーが好ましく、下式a3-1-1~a3-1-2、a3-2-3~a3-2-4で表されるモノマーがより好ましく、下式a3-1-1又はa3-2-3で表されるモノマーがさらに好ましい。樹脂におけるラクトン環を有する酸安定モノマーa3に由来する構造単位の含有率は、樹脂の全単位において、通常5~50モルであり、好ましくは10~45モルであり、より好ましくは15~40モルである。その他のモノマーa4樹脂は、上記のモノマー以外のその他の公知のモノマーa4に由来する構造単位を有していてもよい。好ましくは、樹脂Aは、少なくとも、酸に不安定な基を有するモノマーa1、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2及び/又はラクトン環を有する酸安定モノマーa3を重合させた共重合体である。該共重合体において、酸に不安定な基を有するモノマーa1は、より好ましくはアダマンチル基を有するモノマーa1-1及びシクロへキシル基を有するモノマーa1-2の少なくとも1種さらに好ましくはアダマンチル基を有するモノマーa1-1であり、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーa2は、好ましくはヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーa2-1であり、ラクトン環を有する酸安定モノマーa3は、より好ましくはγ-ブチロラクトン環を有する酸安定モノマーa3-1及びγ-ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマーa3-2の少なくとも1種である。樹脂Aは、公知の重合法例えばラジカル重合法によって製造できる。樹脂Aの重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上より好ましくは3,000以上、50,000以下より好ましくは30,000以下である。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものであり、該分析の詳細な分析条件は、本願の実施例で詳述する。樹脂Aの含有率は、好ましくは、組成物の固形分中80質量以上である。組成物中の固形分とは、後述する溶剤Eを除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。組成物中の固形分及びこれに対する樹脂Aの含有率は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。塩基性化合物以下塩基性化合物Cという場合がある本発明のレジスト組成物は、塩基性化合物Cを含むことが好ましい。塩基性化合物Cはクエンチャーとして作用する。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、1級アミン、2級アミン及び3級アミンが挙げられる。塩基性化合物Cとして、好ましくは、式C1で表される化合物~式C8で表される化合物が挙げられ、より好ましくは式C1-1で表される化合物が挙げられる。[式C1中、Rc1、Rc2及びRc3は、互いに独立に、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~10の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。][式C1-1中、Rc2及びRc3は、上記と同じ意味を表す。Rc4は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表す。m3は0~3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4は、互いに同一でも異なってもよい。][式C2、式C3及び式C4中、Rc5、Rc6、Rc7及びRc8は、互いに独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc9は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数3~6の脂環式炭化水素基又は炭素数2~6のアルカノイル基を表す。n3は0~8の整数を表し、n3が2以上のとき、複数のRc9は、互いに同一でも異なってもよい。]アルカノイル基としては、アセチル基、2-メチルアセチル基、2,2-ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2-ジメチルプロピオニル基等が挙げられる。[式C5及び式C6中、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、互いに独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc14、Rc15及びRc17は、互いに独立に、Rc4と同じ意味を表す。o3及びp3は、互いに独立に、0~3の整数を表し、o3又はp3が2以上であるとき、それぞれ、複数のRc14及びRc15は互いに同一でも異なってもよい。Lc1は、炭素数1~6のアルカンジイル基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。][式C7及び式C8中、Rc18、Rc19及びRc20は、互いに独立に、Rc4と同じ意味を表す。q3、r3及びs3は、互いに独立に、0~3の整数を表し、q3、r3及びs3が2以上であるとき、それぞれ、複数のRc18、Rc19及びRc20は互いに同一でも異なってもよい。Lc2は、単結合又は炭素数1~6のアルカンジイル基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。]式C1で表される化合物としては、1-ナフチルアミン、2-ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは2,6-ジイソプロピルアニリンが挙げられる。式C2で表される化合物としては、ピペラジン等が挙げられる。式C3で表される化合物としては、モルホリン等が挙げられる。式C4で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。式C5で表される化合物としては、2,2’-メチレンビスアニリン等が挙げられる。式C6で表される化合物としては、イミダゾール、4-メチルイミダゾール等が挙げられる。式C7で表される化合物としては、ピリジン、4-メチルピリジン等が挙げられる。式C8で表される化合物としては、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン、2,2’-ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられる。アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。塩基性化合物Cの含有率は、レジスト組成物の固形分量を基準に、好ましくは、0.01~5質量程度であり、より好ましく0.01~3質量程度であり、特に好ましく0.01~1質量程度である。溶剤以下溶剤Eという場合がある本発明のレジスト組成物は、溶剤Eを含んでいてもよい。溶剤Eの含有率は、例えばレジスト組成物中90質量以上、好ましくは92質量以上、より好ましくは94質量以上であり、例えば99.9質量以下、好ましくは99質量以下である。溶剤Eの含有率は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。溶剤Eとしては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ-ブチロラクトンのような環状エステル類;等を挙げることができる。溶剤Eは、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。その他の成分以下その他の成分Fという場合がある本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分Fを含有していてもよい。成分Fに特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。<レジスト組成物の調製>レジスト組成物は、樹脂A、酸発生剤B及び溶剤E又は樹脂A、酸発生剤B、塩基性化合物C及び溶剤Eを混合することによって調製することができる。その混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10~40°Cの範囲から、樹脂などの種類や樹脂等の溶剤Eに対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5~24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合などを用いることができる。樹脂A、酸発生剤B及び溶剤E並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物C又は成分Fの各々を好ましい含有量で混合した後、孔径0.2μm程度のフィルターを用いてろ過等することが好ましい。レジストパターンの製造方法本発明のレジストパターンの製造方法は、1本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、3組成物層に露光機を用いて露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を、現像装置を用いて現像する工程を含む。レジスト組成物の基体上への塗布は、スピンコーター等、通常、用いられる装置によって行うことができる。塗布後の組成物を乾燥させて溶剤を除去する。溶剤の除去は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させる又は減圧装置を用いて行うことができる。溶剤が除去され、組成物層を形成することができる。この場合の温度は、例えば、50~200°C程度が例示される。また、圧力は、1~1.0×105Pa程度が例示される。得られた組成物層は、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2レーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。露光後の組成物層は、脱保護基反応を促進するための加熱処理が行われる。加熱温度としては、通常50~200°C程度、好ましくは70~150°C程度である。加熱後の組成物層を、現像装置を用いて、通常、アルカリ現像液を利用して現像する。ここで用いられるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液等が挙げられる。現像後、超純水でリンスし、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。用途本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、EB用のレジスト組成物又はEUV露光機用のレジスト組成物として好適である。以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。実施例及び比較例中、含有量及び使用量を表す及び部は、特記ないかぎり質量基準である。重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー東ソー株式会社製HLC-8120GPC型、カラムはTSKgelMultiporeHXL-M3本、溶媒はテトラヒドロフランにより求めた値である。カラム:TSKgelMultiporeHXLMx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:1.0mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μl分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製化合物の構造は、質量分析LCはAgilent製1100型、MASSはAgilent製LC/MSD型を用い、分子ピークを測定することで確認した。以下の実施例ではこの分子ピークの値をMASSで示す。実施例1:式I1で表される塩の合成式I1-aで表される塩を、特開2008-127367号公報に記載された方法で合成した。式I1-aで表される塩5.00部及びクロロホルム25部を仕込み、30°Cで30分間攪拌し、式I1-bで表される化合物1.83部を仕込み、60°Cで1時間攪拌することにより、式I1-cで表される化合物を含む溶液を得た。式I1-eで表される化合物5.00部、触媒K2CO31.33部、DMF12部を仕込み、40°Cで20分間攪拌し、式I1-dで表される化合物2.00部加え、60°Cで2時間攪拌した。水洗後、得られた有機層にMgSO3を加え、30分攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、上澄み液を除去した。得られた濃縮物にプロピレングリコールモノエーテルアセテートを加え、攪拌した。上澄液を除去し、式I1-fで表される化合物を得た。得られた式I1-cで表される化合物を含む溶液に、式I1-fで表される化合物1.51部を仕込み、23°Cで3時間攪拌した。得られた反応マスに、イオン交換水10部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を5回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23°Cで30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、tert-ブチルメチルエーテル20部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をアセトニトリルに溶解し、濃縮した。その後、得られた濃縮物に、tert-ブチルメチルエーテル20部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮することにより、式I1で表される塩0.84部を得た。MSESISpectrum:M263.1MSESI-Spectrum:M-463.0合成例1樹脂A1の合成メタクリル酸2-メチル-2-アダマンチル10.54部、p-アセトキシスチレン14.60部及びメタクリル酸3-ヒドロキシ-1-アダマンチル3.55部を混合し、この混合物に、1,4-ジオキサン47.09部を加えて溶液とした。この溶液を87°C程度まで昇温し、アゾビスイソブチロニトリル2.96部を添加し、同温度で6時間保温した。冷却し、反応液をメタノール285.67部及びイオン交換水122.43部の混合液に注いで重合物を沈殿させ、沈殿した重合物をろ過した。得られた重合物の全量と、4-ジメチルアミノピリジン2.93部とを、重合物と同質量のメタノールに加えて15時間加熱還流した。冷却し、得られた反応液に氷酢酸2.16部を加えて中和し、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別した。得られた重合物をアセトンに溶解させ、大量の水に注いで、重合物を沈殿させ、これをろ過するという操作を3回繰り返して精製し、重量平均分子量が約3.7×103の樹脂28.15部を得た。これを樹脂A1とする。合成例2樹脂A2の合成メタクリル酸2-メチル-2-アダマンチル14.06部、p-エトキシエチルスチレン27.26部及びメタクリル酸3-ヒドロキシ-1-アダマンチル4.73部を混合し、この混合物に、1,4-ジオキサン62.78部を加えて溶液とした。この溶液を87°C程度まで昇温し、アゾビスイソブチロニトリル2.96部を添加し、同温度で6時間保温した。冷却し、反応液をメタノール389.89部及びイオン交換水163.24部の混合液に注いで重合物を沈殿させ、沈殿した重合物をろ過した。得られた重合物の全量と、4-ジメチルアミノピリジン4.10部とを、重合物と同質量のメタノールに加えて15時間加熱還流した。冷却し、得られた反応液に氷酢酸2.16部を加えて中和し、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別した。得られた重合物をアセトンに溶解させ、大量の水に注いで沈殿させ、これをろ過するという操作を3回繰り返して精製し、乾燥することで重量平均分子量4.8×103の共重合体32.15部を得た。これを樹脂A2とする。実施例1~4及び参考例1以下の表1の各成分を混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。<樹脂>合成例1~2で得られた樹脂A1、樹脂A2<酸発生剤>酸発生剤I1:式I-1で表される塩酸発生剤B1<塩基性化合物>塩基性化合物C1:2,6-ジイソプロピルアニリン塩基性化合物C2:テトラ-n-ブチルアンモニウムサリチラート<溶剤E>D1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート400.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル150.0部γ-ブチロラクトン5.0部電子線用レジスト組成物としての評価シリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて90°Cで60秒処理した。その後、表1のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が0.04μmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物を塗布した後、ダイレクトホットプレート上にて、表1の温度で60秒間プリベークPBした。得られた各ウェハに、電子線描画機株日立製作所製のHL-800D50keVを用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後、ホットプレート上にて表1の温度で60秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行い、さらに2.38重量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。各レジスト膜において、50nm幅のラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量を実効感度とした。解像度評価:実効感度において、レジストパターンを走査電子顕微鏡で観察し、50nmを解像しているものを○、50nmを解像していいない、もしくは、解像しているが、トップが丸いか、裾引きがあるか、パターン倒れが観察されるものは×とした。これらの結果を表2に示す。"