半導体基板を薄型化する際に、前記半導体基板に張り合わせることにより前記半導体基板を補強するサポート基板であって、単結晶シリコン基板からなることを特徴とするサポート基板。表面の少なくとも一部がシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜で覆われていることを特徴とする請求項1に記載のサポート基板。表面の少なくとも一部がフッ素樹脂で覆われていることを特徴とする請求項1に記載のサポート基板。前記サポート基板の外径が、前記半導体基板の外径よりも大きいことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のサポート基板。前記サポート基板の厚み方向に貫通する複数の貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載のサポート基板。半導体基板を薄型化する際に、前記半導体基板に張り合わせることにより前記半導体基板を補強するサポート基板の製造方法であって、単結晶シリコン基板の厚み方向に貫通する複数の貫通孔を形成する工程を有することを特徴とするサポート基板の製造方法。前記単結晶シリコン基板表面の少なくとも一部にシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項6に記載のサポート基板の製造方法。前記単結晶シリコン基板表面の少なくとも一部にフッ素樹脂を塗布する工程をさらに有することを特徴とする請求項6に記載のサポート基板の製造方法。半導体基板を薄型化する際の前記半導体基板の加工方法であって、半導体チップが形成された半導体基板の表面に請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のサポート基板を張り合わせる工程と、前記半導体基板の裏面を研削して前記半導体基板を薄型化する工程と、前記サポート基板を前記半導体基板の表面から剥離する工程とを有することを特徴とする半導体基板の加工方法。特許文献1では、サポート基板の熱膨張係数をウェハの熱膨張係数に近いものとするため、サポート基板をNi-Fe合金、セラミックス、ガラス等の材料から形成することが提案されている。しかしながら、サポート基板を、Ni-Fe合金やパイレックスガラスパイレックスは登録商標で形成した場合には、Ni-Fe合金に含まれる金属やパイレックスガラスに含まれるNaナトリウム等の不純物によりウェハや装置が汚染される虞がある。また、サポート基板をセラミックで形成した場合、材料費や加工費が高価となる。本発明の実施形態は、不純物による汚染を抑制できるサポート基板、該サポート基板の製造方法及び該サポート基板を用いた半導体基板の加工方法を提供することを目的とする。実施形態に係るサポート基板は、半導体基板を薄型化する際に、半導体基板に張り合わせることにより半導体基板を補強するサポート基板であって、単結晶シリコン基板からなることを特徴とする。以下、図面を参照して、実施形態について詳細に説明する。実施形態図1は、実施形態に係るサポート基板1の図である。図1aは、サポート基板1の上面図である。図1bは、図1aにおける線分A-Aでのサポート基板1の断面図である。以下、図1を参照して、サポート基板1の構成について説明する。サポート基板1の構成サポート基板1は、単結晶シリコンSi基板からなる。サポート基板1の材質を単結晶シリコンとすることで、半導体基板W以下、ウェハWと称するへの不純物による汚染コンタミネーションを抑制することができる。また、サポート基板1の熱膨張率をサポート対象であるウェハWの熱膨張率と略同じにすることができるため、熱膨張率の差によりウェハWに生じるストレスを低減することができる。さらに、サポート基板1の材質を単結晶シリコンとすることで安価に作成することが可能となる。サポート基板1には、その厚み方向に表面第1主面Hから裏面第2主面Rへ貫通する貫通孔スルーホールTが複数形成されている。貫通孔Tは、孔径φが400μm、貫通孔T同士の間隔ピッチLが800μmとなるようにサポート基板1に形成されている。サポート基板1に複数の貫通孔Tを形成することにより、サポート基板1とウェハWとを接着する粘着剤を溶解する溶剤剥離液を、サポート基板1とウェハWとの間の接着層に効率よくいきわたらせることができる。このため、ウェハWからサポート基板1を剥離する際に必要な時間を短縮することができ生産性が向上する。サポート基板1の表面は、厚み1000Å程度のシリコン酸化膜SiO2膜Sにより覆われている。ウェハWを研削した後、ウェハWの研削面裏面は、フッ硝酸フッ酸HFと硝酸HNO3を混ぜ、酢酸で希釈した液を用いてエッチングされる。本実施形態では、サポート基板1が単結晶シリコン基板からなるため、このままでは、サポート基板1もフッ硝酸によりエッチングされる。このため、サポート基板1を繰り返し使用することができない。そこで、本実施形態では、サポート基板1の表面をシリコン酸化膜Sで覆うことでフッ硝酸によるエッチングを抑制して、繰り返し使用できるようにしている。なお、サポート基板1の表面をシリコン酸化膜Sで覆う代わりにシリコン窒化膜Si3N4や、フッ素樹脂例えば、ポリテトラフルオロエチレン等の耐酸性、耐有機性に優れた樹脂で覆うようにしてもよい。サポート基板1の外径直径Dは、ウェハWの外径よりも1mm程度大きいことが好ましい。例えば、ウェハWの外径が6インチ150mmであれば、サポート基板1の外径Dは151mm±0.1mmであることが好ましい。また、ウェハWの外径が8インチ200mmであれば、サポート基板1の外径Dは201mm±0.1mmであることが好ましく、ウェハWの外径が12インチ300mmであれば、サポート基板1の外径Dは301mm±0.1mmであることが好ましい。サポート基板1の外径DをウェハWの外径よりも大きくすることで、ウェハWの搬送時や加工時にウェハWの周辺部が、搬送装置や加工装置に接触することによるチッピングやクラックの発生を抑制することができる。サポート基板1の厚みは、研削後のウェハWを張り合わせた後の総厚みサポート基板1の厚みと、ウェハWの厚みとの合計が、特定の規格例えば、SEMISemiconductorEquipmentandMaterialsInternationalで規定された厚みとなるように調整されている。例えば、ウェハWの外形が6インチの場合、SEMIでは、ウェハWの厚みは675±20μmとなるように規定されている。そこで、ウェハWの厚みを100μmまで研削する場合、サポート基板1の厚みを575μmとする。研削後のウェハWを張り合わせた後の総厚みが、SEMIで規定された厚みとなるようにサポート基板1の厚みを調整することで、その後の搬送ハンドリングや加工を容易に行うことができる。次に、サポート基板1の製造工程について説明する。工程1所定の外形例えば、151mm、201mm、301mmに加工された単結晶シリコンのインゴットをワイヤソーやブレードソーにより、所望の厚み切り出す。切り出した基板Xは、スラリー等で表面研磨を行う。工程2研磨後の基板に、厚み方向に表面第1主面から裏面第2主面へ貫通する貫通孔Tスルーホールを複数形成する。貫通孔は、孔径φが400μm、貫通孔T同士の間隔ピッチLが800μmとなるように形成する。貫通孔Tは、例えば、露光現像フォトリソ技術により、基板上に径φが400μm、ピッチLが800μmとなる複数の孔を有するマスクを形成し、サンドブラスト等で基板を加工することで形成することができる。工程3マスクを除去した後、基板を拡散炉に入れて熱酸化を行い、基板の表面に厚み1000Å程度のシリコン酸化膜を形成する。なお、このシリコン酸化膜はCVDChemicalVaporDepositionにより形成してもよい。また、シリコン酸化膜の代わりにシリコン窒化膜や、フッ素樹脂例えば、ポリテトラフルオロエチレン等の耐酸性、耐有機性に優れた樹脂で覆うようにしてもよい。上記工程1~工程3を実施することで、この実施形態に係るサポート基板1が製造される。図2~図4は、実施形態に係るサポート基板1を用いたウェハWの加工工程の説明図である。以下、図2~図4を参照して、サポート基板1を用いたウェハWの加工工程について説明する。工程1:図2a参照サポート基板1の裏面第2主面に粘着剤を用いて半導体チップCが形成されたウェハWを貼り付ける。このとき、サポート基板1は、ウェハWの表面、すなわち半導体チップCが形成された面に貼り付ける。工程2:図2b参照サポート基板1の表面第1主面にBGバックグラインド用のテープYを貼り付ける。工程3:図2c参照ウェハWの裏面半導体チップCが形成されていない面を研削し、ウェハWの厚みを所定の厚み例えば、100μm以下まで薄くする。工程4:図3d参照基板Xの裏面を研削した後、研削した基板Xの裏面をフッ硝酸でウェットエッチングする。工程5:図3e参照BG用のテープYをサポート基板1の表面第1主面Hから剥離する。工程6:図3f参照ウェハWの前処理を行い、ウェハWの裏面に蒸着によりメタル層を形成する。工程7:図4g参照サポート基板1を表面に貼り付けた状態で、ウェハWの裏面をダイシングシートZに貼り付ける。工程8:図4h参照剥離液を用いて粘着剤を溶解し、サポート基板1をウェハWの表面から剥離する。工程9:図4i参照ウェハWの表面を洗浄後、ダイシング装置で、ウェハWを表面に形成されている半導体チップCごとに切り分ける。以上のように、この実施形態に係るサポート基板1は、材質を単結晶シリコンとしているのでウェハWへの不純物による汚染コンタミネーションを抑制することができる。また、サポート基板1の熱膨張率をサポート対象であるウェハWの熱膨張率と略同じにすることができるため、熱膨張率の差によりウェハWに生じるストレスを低減することができる。さらに、サポート基板1の材質を単結晶シリコンとすることで安価に作成することが可能となる。サポート基板1には、その厚み方向に表面第1主面Hから裏面第2主面Rへ貫通する貫通孔スルーホールTが複数形成されている。このため、剥離液を、サポート基板1とウェハWとの間の接着層に短時間でいきわたらせることができ、ウェハWからサポート基板1を剥離する際に必要な時間を短縮することができる。その結果、生産性が向上する。また、サポート基板1の表面は、厚み1000Å程度のシリコン酸化膜SiO2膜、シリコン窒化膜Si3N4膜又はフッ素樹脂例えば、ポリテトラフルオロエチレン等の耐酸性、耐有機性に優れた樹脂により覆われている。このため、フッ硝酸によるエッチングが抑制され、繰り返し使用することができる。さらに、サポート基板1の外径Dは、ウェハWの外径よりも大きい。このため、ウェハWの搬送時や加工時にウェハWの周辺部が搬送装置や加工装置に接触することによるチッピングやクラックの発生を抑制することができる。さらに、サポート基板1の厚みは、研削後のウェハWを張り合わせた後の総厚みサポート基板1の厚みと、ウェハWの厚みとの合計が、特定の規格例えば、SEMIで規定された厚みとなるように調整されている。このため、研削後の搬送ハンドリングや加工を容易に行うことができる。その他の実施形態以上のように、本発明のいくつかの実施形態について説明したが、上記実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図するものではない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を変更しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態や変形が、発明の範囲や要旨に含まれるのと同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。