"パッド部と、前記パッド部に囲まれた凹部または貫通穴の少なくともいずれか一方を備えた窪み部が備えられた実装電極部が形成され、前記窪み部の内面に金属膜が形成されたリードフレームを用意するステップと、前記リードフレームに電子部品を接続するステップと、前記パッド部の表面および前記窪み部を露出するように、封止材により前記電子部品と前記実装電極部の側面を覆い、封止部を形成するステップと、前記パッド部、前記窪み部および前記封止部を切断するステップと、を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。請求項1に記載の電子デバイスの製造方法において、前記封止部を形成するステップに先立って、前記パッド部の表面および前記窪み部を型で覆うことを特徴とする電子デバイスの製造方法。請求項2に記載の電子デバイスの製造方法において、前記封止部を形成するステップでは、前記パッド部の表面および前記窪み部を弾性部材で覆い、前記弾性部材に前記パッド部が食い込むように押圧しながら前記封止部を形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法。請求項1に記載の電子デバイスの製造方法において、前記窪み部は、エッチング加工によって形成されることを特徴とする電子デバイスの製造方法。パッド部と、四方のうち三方が前記パッド部に囲まれ残る一方が開放した凹部が備えられた実装電極部が形成され、前記凹部の内面に金属膜が形成されたリードフレームを用いた電子デバイスであって、前記実装電極部に接続された電子部品と、前記パッド部の表面および前記凹部を露出させつつ、前記電子部品と前記実装電極部の側面を覆う封止部と、を有し、前記凹部の内面と下地金属板の断面とが露出していることを特徴とする電子デバイス。請求項5に記載の電子デバイスにおいて、前記凹部は、前記パッド部に複数並んで設けられていることを特徴とする電子デバイス。請求項5または6記載の電子デバイスにおいて、圧電振動子と、前記圧電振動子を発振させる機能を少なくとも有した回路素子とを有することを特徴とする圧電デバイス。請求項5または6に記載の電子デバイスを用いていることを特徴とする電子機器。上述のいずれの製造方法においても、リードフレームに半導体素子、圧電振動子などの素子を搭載した後、全体を樹脂で封止して成形固化し、その後ダイシングブレードなどによってリードフレームおよび樹脂の切断を行う。このため、リードフレーム切断面はリードフレームの素材下地金属が露出することになる。リードフレームの素材が露出した切断面露出面は、その後空気中の酸素などと反応し、その表面に酸化膜などの変質層が形成されてしまう。このリードフレームの切断面露出面は、電子デバイスなどを実装基板にハンダ付けする際のハンダフィレットハンダの裾引き形状を形成する面となる。しかしながら、変質層が形成された面はハンダの濡れ性が悪いため、ハンダ付け強度を高めるためのハンダフィレットが形成し難く、電子デバイスなどの実装基板に対するハンダ付け強度が弱くなってしまう虞があった。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例に係る電子デバイスの製造方法は、パッド部と、前記パッド部に囲まれた凹部または貫通穴の少なくともいずれか一方を備えた窪み部が備えられた実装電極部が形成され、前記窪み部の内面に金属膜が形成されたリードフレームを用意するステップと、前記リードフレームに電子部品を接続するステップと、前記パッド部の表面および前記窪み部を露出するように、封止材により前記電子部品と前記実装電極部の側面を覆い、封止部を形成するステップと、前記パッド部と前記窪み部および前記封止部を切断するステップと、を有することを特徴とする。本適用例の電子デバイスの製造方法によれば、パッド部と、パッド部に囲まれた凹部または貫通穴の少なくともいずれか一方を備えた窪み部が備えられた実装電極部が形成され、窪み部の内面に金属膜が形成されたリードフレームを用意した後、電子部品を接続する。なお、上述のパッド部の表面とは、電子デバイスの実装電極部が実装基板にハンダ付けされる際に実装基板と対向する面のことであり、以下ではパッド面ともいう。また、凹部とは有底の穴形状の窪みであり、貫通穴とはパッド面から実装電極部の裏面まで貫通した形状の窪みである。上記窪み部は、凹部または貫通穴のどちらでもよく、または双方を組み合わせて備えてもよい。その後、その電子部品を内包するとともに、実装電極部のパッド面および窪み部を露出するように封止材により電子部品と実装電極部の側面を覆い、封止部を形成した後、パッド面に形成された窪み部とパッド部および封止部を切断する。パッド部と窪み部および封止部の切断は、窪み部の内面がパッド面と交差する方向側面に露出するように行うことにより、窪み部の四方を囲むパッド部のうちの一方が切除される。その結果、電子デバイスの側面には、リードフレームを形成する際に形成された金属膜がそのまま備えられた窪み部の内面と下地金属板の断面が露出している。そして、電子デバイスなどを実装基板にハンダ付けする際には、この窪み部の内面に設けられている金属膜がハンダ付け面となり、換言すれば、ハンダフィレットハンダの裾引き形状を形成する面となる。したがって、本適用例の電子デバイスの製造方法によって得られた電子デバイスは、実装電極部の表面に設けられた窪み部の内面には切断されることによる変質層は存在しない。また、窪み部の内面には、予め金属膜が形成されているためハンダの濡れ性もよくハンダフィレットを容易に形成することが可能となる。これにより、電子デバイスの実装基板に対するハンダ付け強度を向上するとともに、ハンダ付けの安定性を高めることが可能となる。[適用例2]上記適用例に記載の電子デバイスの製造方法において、前記封止部を形成するステップに先立って、前記パッド部の表面および窪み部を型で覆うことを特徴とする。本適用例によれば、パッド部の表面および窪み部に型を密着させるように覆った後に封止部を形成するため、封止材がパッド部の表面および窪み部に流れ込むことを防止することができる。これにより、パッド部の表面の露出を確保できるため、電子デバイスの実装基板へのハンダ付けをより安定的に行うことが可能となる。[適用例3]上記適用例に記載の電子デバイスの製造方法において、前記封止部を形成するステップでは、前記パッド部の表面および窪み部を弾性部材で覆い、前記弾性部材に前記パッド部が食い込むように押圧しながら前記封止部を形成することを特徴とする。本適用例によれば、パッド部の表面を被った弾性部材にパッド部が食い込むように押圧しながら封止部を形成する。これにより、封止材がパッド部の表面および窪み部に流れ込むことをより確実に防止することができる。また、パッド部の表面を被った弾性部材にパッド部が食い込んだ状態で封止部を形成するため、パッド部の表面と封止部との間に段差を生じさせることができ、パッド部に、所謂スタンドオフの機能を持たせることが可能となる。これらにより、電子デバイスの実装基板へのハンダ付けをより確実、安定的に行うことが可能となる。[適用例4]上記適用例に記載の電子デバイスの製造方法において、前記窪み部は、エッチング加工によって形成されることを特徴とする。本適用例によれば、窪み部の形成がエッチング加工によってなされる。エッチング加工は、例えば、プレス加工などと比較して加工応力の発生が少なく、パッド部の表面の平坦度を維持しつつ、窪み部の加工を行うことができる。これにより、封止部を形成するステップでパッド部の表面と型との密着度を高めることができるため、パッド部の表面への封止材の流れ込みをより確実に防止することが可能となる。[適用例5]本適用例に記載の電子デバイスは、パッド部と、四方のうち三方が前記パッド部に囲まれ残る一方が開放した凹部が備えられた実装電極部が形成され、前記凹部に金属膜が形成されたリードフレームを用いた電子デバイスであって、前記実装電極部に接続された電子部品と、前記パッド部の表面および前記凹部を露出させつつ、前記電子部品と前記実装電極部の側面を覆う封止部と、を有し、前記凹部の内面と下地金属板の断面とが露出していることを特徴とする。本適用例の電子デバイスは、その側面に、リードフレームを形成する際に形成された金属膜がそのまま備えられた凹部の内面と下地金属板の断面が露出している。そして、電子デバイスを実装基板にハンダ付けする際には、この凹部の内面の設けられている金属膜がハンダ付け面となり、換言すれば、ハンダフィレットハンダの裾引き形状を形成する面となる。したがって、実装電極部の表面に設けられた凹部の内面には、切断されることによる変質層は存在しないため、ハンダの濡れ性もよくハンダフィレットを容易に形成することが可能となる。これにより、電子デバイスの実装基板に対するハンダ付け強度を向上するとともに、ハンダ付けの安定性を高めることが可能となる。また、本適用例の電子デバイスは、凹部内面の金属膜がリードフレーム形成時に、リードフレーム外表面と同時に形成されるため、改めて凹部内面に金属膜を形成する工程が不要となり、コスト低減を図ることが可能である。[適用例6]上記適用例に記載の電子デバイスにおいて、前記凹部は、前記パッド部に複数並んで設けられていることを特徴とする。本適用例によれば、一つのパッド部に凹部が複数存在するため、その表面積が大きくなりハンダ付け性をさらに向上させることが可能となる。[適用例7]本適用例の圧電デバイスは、上記適用例に記載の電子デバイスにおいて、圧電振動子と、前記圧電振動子を発振させる機能を少なくとも有した回路素子とを有することを特徴とする。本適用例の圧電デバイスの側面には、リードフレームを形成する際に形成された金属膜がそのまま備えられた凹部の内面と下地金属板の断面が露出している。そして、圧電デバイスを実装基板にハンダ付けする際には、この凹部の内面の設けられている金属膜がハンダ付け面となり、換言すれば、ハンダフィレットハンダの裾引き形状を形成する面となる。したがって、実装電極部の表面に設けられた凹部の内面には、切断されることによる変質層は存在しないため、ハンダの濡れ性もよくハンダフィレットを容易に形成することが可能となる。これにより、圧電デバイスの実装基板に対するハンダ付け強度を向上するとともに、ハンダ付けの安定性を高めることが可能となる。また、本適用例の圧電デバイスは、凹部内面の金属膜がリードフレーム形成時に、リードフレーム表面と同時に形成することが可能なため、改めて凹部内面に金属膜を形成する工程が不要となり、コスト低減を図ることが可能である。また、圧電振動子の一面に回路素子と実装電極部とを接続し、封止体で覆う構造であるため、小型薄型化の圧電デバイスを提供することができる。[適用例8]本適用例に記載の電子機器は、上述の電子デバイスを用いていることを特徴とする。本適用例に記載の電子機器によれば、実装電極部の側面凹部内面に、予め設けられた金属膜が存在しているため、ハンダ付けによって回路基板に実装される場合にハンダフィレットが形成され易く、ハンダ付け強度が向上するとともに接続の信頼性も向上することができる。従って、上述の電子デバイス、あるいは圧電デバイスを用いている電子機器は、安定した接続信頼性を有するとともに、耐衝撃特性を向上させることが可能となる。以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。第1実施形態では、電子デバイスとしての半導体装置の構成、およびその製造方法について説明し、第2実施形態では、圧電デバイスとしての水晶発振器の構成、およびその製造方法について説明する。なお、実施形態においては、窪み部として凹部を備えた構成であるが、これに限定されず、窪み部として貫通穴、または凹部と貫通穴を組み合わせた構成でもよい。第1実施形態図1~図4を用いて第1実施形態について説明する。図1は、電子デバイスとしての半導体装置の概略構成を示し、aは平面図、bはaのA-A断面図である。図2は、半導体装置に用いるリードフレームの概略を示し、aは平面図、bはaのA1-A1断面図である。図3a~図3cは、半導体装置の製造方法の概略を示す工程説明図であり、それぞれ図2bのA1-A1断面図に対応した断面図で示している。図4は、半導体装置の製造方法の内の個片化ステップ切断工程を説明する図であり、aは平面図、bはaのA2-A2断面図である。[構成]先ず、図1を用いて電子デバイスとしての半導体装置の概略構成について説明する。半導体装置10は、実装電極部11と、実装電極部11に接続された電子部品としての半導体素子14と、実装電極部11の一部および半導体素子14を内包するように設けられた封止材として例えば樹脂による封止部16を有している。なお、封止材としては、樹脂の他に、ガラスなど絶縁性の材料であればよい。実装電極部11は、後述するリードフレームの一部であり、本例では4箇所に設けられている。なお、リードフレームは、銅Cu或いは銅を主成分とする銅合金などの厚さ0.25mm程度の板から構成される下地金属板を備えている。実装電極部11は、その一面が封止部16から露出するパッド部12を有している。パッド部12は、後に半導体装置10が実装される実装基板図示せずにハンダ付けなどで接続される際に、実装基板と対峙してハンダ付けなどが行われる機能を有している。実装電極部11には、パッド部12の平面視略中央部から水晶発振器50の側面にかけて凹部17が設けられている。凹部17は、パッド部12の表面から0.18mm程度の段差を有し、その内側には封止部16が設けられていない、換言すれば、内表面が外部に露出している。さらに、実装電極部11には、平面視で凹部17よりパッド部12を介した反対側にパッド部12の表面から0.18mm程度の段差を有する段部18が設けられている。実装電極部11は、段部18或いは凹部17も含む表面に、金属膜13を備える。金属膜13は、下地金属よりも長期間ハンダ濡れ性を維持できる材料が表層に形成されたものが好ましく、例えば、金などが考えられる。具体的には、下地金属板の表面に、下地層としてニッケルNiが、下地層の表面に中間層としてパラジウムPdが、更に中間層の表面に表面層として金Auが、それぞれ無電界メッキにて形成されたメッキ層として構成されている。なお、ここで示した金属膜13の構成は一例であり、電極層、ハンダ付け層などとしての機能を有していれば他の金属を用いてもよい。なお、本例では実装電極部11の厚さを0.25mm、凹部17および段部18の段差を0.18mmの例で説明したが、この寸法値は一例であり、リードフレームの剛性を保持できる寸法値であれば他の寸法値を用いることも可能である。半導体素子14は、実装電極部11のパッド部12となる一面と反対側の面に接続されている。半導体素子14は、その一面である能動面の内部に電子回路図示せずが構成されている。半導体素子14の能動面には、その電子回路と電気的に接続された金属バンプ15が設けられている。金属バンプ15は、金Auなどで形成されている。半導体素子14は、金属バンプ15と実装電極部11の表面に設けられている金属膜13とが接合されることによって実装電極部11と電気的に接続される。封止部16は、前述のパッド部12詳細に説明すれば、パッド部12の表面に形成された金属膜13であるが、以下の説明では特に断りの無い場合はパッド部12の表面と記載すると凹部17を露出させ、実装電極部11、半導体素子14などを封止している。本例の封止部16は、略直方体形状をなしており、例えば、トランスファーモールド法を用いた熱硬化性の樹脂などによって形成されている。次に、図2~図4を用いて半導体装置の製造方法の概略を説明する。[リードフレームの構成]製造方法の説明に先立って、図2を用いてリードフレームの構成について説明する。なお、図2aでは、構成を解り易くするため、図2bで示す金属膜13の記載を省略している。図2a、bに示すように、リードフレーム20は、銅Cu或いは銅を主成分とする銅合金などの薄板厚さ0.25mm程度から抜き出された、パッド部12と、パッド部12の表面と段差を有する段部18、および凹部17と、を含む実装電極部11が、配列形成されている。なお、段部18および凹部17は、パッド部12の表面から0.18mm程度の段差を持って形成される。したがって、段部18および凹部17の厚さは、0.07mm程度となっている。本例では、4つの実装電極部11が1セットとして図1に示す半導体装置10の構成部材を形成し、本例のリードフレーム20は、一つのリードフレーム20上に、1120個の半導体装置10が形成できるセットが配列形成されたシート状になっている。隣り合う実装電極部11は、継ぎリード19で互いに繋がっている。継ぎリード19は、段部18から延在されており、段部18と同じ厚さで形成されている。本例では、Y方向に隣り合う一対の実装電極1111a,11bが2本の継ぎリード19で互いに繋がっており、X方向に隣り合う実装電極部1111a,11c、および11b,11dがそれぞれ1本の継ぎリード19で繋がっている。なお、継ぎリード19の厚さは、必ずしも段部18の厚さと同じでなくてもよく、実装電極部11の配列が維持できる厚さであればよい。前述した半導体装置10は、4つの実装電極部1111a,11b,11c,11dが1セットとして構成されている。なお、図示しないが、リードフレーム20の外周部分にはフレーム枠が設けられており、そのフレーム枠を介することも含めて、継ぎリード19によって全ての実装電極部11が繋がっている。また、本例では実装電極部11の厚さを0.25mm、凹部17および段部18の段差を0.18mmの例で説明したが、この寸法値は一例であり、リードフレーム20の剛性を保持できる寸法値であれば他の寸法値を用いることも可能である。[製造方法]図3および図4を用いて半導体装置10の製造方法について説明する。<リードフレームを用意するステップ>図3aを用いてリードフレーム20を用意するステップについて説明する。先ず、銅Cu或いは銅合金などの薄板を用意し、後に実装電極部11が形成される部位の中央部に凹部17、凹部17を挟んだ両側に段部18を形成する。なお、同時に継ぎリード19に相当する部分も形成されるが、ここでの説明は省略する。凹部17および段部18は、底部と、底部と交差する方向の側面底部と側面を含め内面ということもあるとを含み構成され、その底部と、底部と対向する面リードフレーム素材の裏面との厚さが、パッド部12の表面と、表面と対向する面リードフレーム素材の裏面との厚さより薄くなるように形成する。すなわち、凹部17および段部18は、パッド部12の表面と段差を有するように、ハーフエッチング加工により形成される。このハーフエッチング加工エッチング加工は、他の加工方法、例えばプレス加工などと比較して加工応力の発生が少なく、パッド部12の表面の平坦度を維持しつつ、凹部17および段部18の加工を行うことができる。これにより、後述する封止部16を形成するステップで、パッド部12の表面と型との密着度を高めることができるため、パッド部12の表面への樹脂の流れ込みをより確実に防止することが可能となる。その後、実装電極部11、継ぎリード19、および図示しないフレーム枠などを残す、いわゆる外形エッチング加工を行いリードフレーム素材の外形形状を形成する。外形形状が形成されたリードフレーム素材には、その外表面に、例えば下地層としてニッケルNiを、下地層の表面に中間層としてパラジウムPdを、更に中間層の表面に表面層として金Auで構成される金属膜13を無電解メッキ法などによって形成する。このような構成の金属膜13は、半導体素子などとの接続に用いられる金バンプとの接合性、あるいは実装時のハンダ付け性の双方に優れていて好ましい。これらによって、図3aに示すリードフレーム20を形成する。なお、この金属膜13は、この金属膜13を必要とする部位、例えばパッド部12の表面、凹部17の底部と側面を含む内表面、段部18の表面、および実装電極部11の半導体素子14図1参照との接続部位などに少なくとも設けられていればよい。<半導体素子接続ステップ>図3bを用いて、電子部品としての半導体素子14をリードフレーム20に形成された実装電極部11に接続するステップについて説明する。半導体素子14と実装電極部11との接続は、半導体素子14の能動面に形成された金バンプ15を、パッド部12の裏面の実装電極部11に形成された金属膜13に、例えば金と金との共晶接合などを用いて接合する。本例の半導体素子14は、4つの実装電極部11に跨って接合したものを用いて説明したが、用いられる実装電極部11の数は特に問わず幾つであってもよい。<封止部形成ステップ>図3cを用いて、樹脂による封止部16を形成するステップについて説明する。本例では、リードフレーム接続された素子も含む20を金型で挟み込んで形成された空間に樹脂を押し込んで成形するトランスファーモールド法による成形を説明する。先ず、前述したステップで半導体素子14が所定の部位に配列接続されたリードフレーム20を、加熱された下型25と上型27とによって挟み込む。下型25には、リードフレーム20を挟み込んだ際に凹部17の中央部に対向する位置の実装電極部11の裏面に当接するようにリードフレーム受け部26が設けられている。また、図示しないが、窪み部を凹部ではなく貫通穴で形成した場合、実装電極部11の裏面側の貫通穴の開口部を、リードフレーム受け部26で覆うように、リードフレーム受け部26の受け面の面積を調整し、貫通穴に樹脂が流れ込まないようにして形成する。リードフレーム20は、パッド部12の表面が上型27に接し、実装電極部11の裏面が下型25のリードフレーム受け部26によって、押圧された状態となる。なお、リードフレーム20の他の部位、例えば図示しないフレーム枠なども下型25と上型27とによって押圧しながら挟み込まれるが、ここでの説明は省略する。また、図示しないが、下型25としてリードフレーム受け部26が無く封止面が平面状の金型を使用することもできる。そして、下型25と上型27とによって挟み込まれて形成された空間に、加熱されて液状となった熱硬化性の樹脂を加圧しながら注入し硬化させた後、下型25と上型27とを離脱させモールド樹脂16Mを形成する。このとき、パッド部12の表面は上型27と密着している。これにより、凹部17の内部には樹脂が流入しないため、凹部17の内面の金属膜13が露出した状態となっている。また、パッド部12の表面を上型27で被った後に樹脂を注入し、モールド樹脂16Mを形成するため、注入された樹脂がパッド部12の表面に流れ込むことを防止することができる。すなわち、パッド部12の表面は、金属膜13が露出した状態となる。これらにより、実装電極部11のパッド部12の表面および凹部17を露出させつつ、半導体素子14、実装電極部11の段部18、継ぎリード19などがモールド樹脂16Mによって被われたシート状の封止部形成リードフレーム21図4参照が形成される。なお、モールド樹脂16Mは、封止部16と同じ構成部位であるが説明を解り易くするため、モールド樹脂16Mが個片化されたものを封止部16と呼ぶ。<切断個片化ステップ>図4a、bを用いて、リードフレーム20およびモールド樹脂16M封止部16を切断して個片化するステップ、換言すれば、電子デバイスとしての半導体装置10が配列形成されたシート状の封止部形成リードフレーム21を切断し、個片の半導体装置10とするステップを説明する。前述したように、本例のリードフレーム20は、1120個の半導体装置10が配列形成されたシート状である。このリードフレーム20にモールド樹脂16Mを形成した封止部形成リードフレーム21を切断して、1120個の個片の半導体装置10とする。先ず、図4aに示す縦方向第1切断部22axに沿って、図4bに示す切断砥石であるダイヤモンドホイール23を回転させながら移動して縦方向一番目の切断部位を切断する。次に、縦方向第2切断部22bxに沿ってダイヤモンドホイール23を回転させながら移動して縦方向二番目の切断部位を切断する。この後同様に実装電極部11の配列に沿って縦方向の切断を継続する。このとき、縦方向の切断位置、例えば縦方向第1切断部22axは、凹部17の内面がパッド部12の表面と交差する方向側面に露出するように、凹部17の中央部を横断し、パッド部12などを含むリードフレーム20およびモールド樹脂16Mを切断する。この縦方向の切断によって、個片化された半導体装置10の側面に、パッド部12の表面と繋がった状態で凹部17の内面と下地金属板の切断面が露出することになる。続いて、X方向に延在する継ぎリード19図2a参照に重なる横方向第1切断部22ayに沿って同様に横方向一番目の切断を行い、引き続き横方向第2切断部22byから順次横方向の切断を行う。これらの切断処理によって、パッド部12の表面と凹部17の内面が封止部16から露出された半導体装置10が形成される。本実施形態の半導体装置10によれば、半導体装置10を個片化する際の縦方向の切断が凹部17の内面がパッド部12の表面と交差する方向側面に露出するように行われるため、半導体装置10の側面には、リードフレーム20を形成する際にその表面に形成された金属膜13がそのまま備えられた凹部17の内面と、下地金属板の切断面とが露出している。そして、半導体装置10を実装基板にハンダ付けする際には、この凹部17の内面に設けられている金属膜13がハンダ付け面となり、換言すれば、ハンダフィレットハンダの裾引き形状を形成する面となる。したがって、上述の製造方法によって得られた半導体装置10は、例え上述した下地金属板の切断面が酸化等の影響によってハンダ濡れ性が低下しても、金属膜13によってハンダの濡れ性の良い面を確保できるので、ハンダフィレットを確実かつ容易に形成することが可能となる。これにより、電子デバイスとしての半導体装置10の実装基板に対するハンダ付け強度を向上するとともに、ハンダ付けの安定性を高めることが可能となる。上述の第1実施形態では、電子デバイスの一例として半導体装置を用いて説明したがこれに限らず、同様な構成を有する、例えばセンサー装置、制御回路装置、電源装置などであってよい。第2実施形態図5および図6を用いて第2実施形態について説明する。図5は、圧電デバイスとしての水晶発振器の概略構成を示し、aは平面図、bはaのB-B断面図である。図6a~図6dは、水晶発振器の製造方法の概略を示す工程説明図であり、それぞれ図2bのA1-A1断面線に対応した位置の断面図で示している。なお、前述の第1実施形態と同様な構成、および製造方法については説明および図示を省略することもある。[構成]先ず、図5を用いて圧電デバイスとしての水晶発振器の概略構成について説明する。水晶発振器50は、実装電極部51と、実装電極部51に接続された圧電振動子としての水晶振動子60と、水晶振動子60を発振させる機能を少なくとも有する回路素子としての半導体素子54と、実装電極部51の一部および水晶振動子60の一面を露出し、当該露出部を除く実装電極部51および水晶振動子60、半導体素子54などを内包するように設けられた樹脂による封止部56を有している。実装電極部51は、前述した第1実施形態の実装電極部11と同じ構成であるため詳細な説明は省略し、概略を説明する。実装電極部51は、その一面が封止部56から露出するパッド部52と、パッド部52の平面視略中央部から水晶発振器50の側面にかけて設けられた凹部57と、平面視で凹部57とパッド部52を介した反対側にパッド部52の表面と段差を有する段部58とが設けられている。そして、実装電極部51は、段部58或いは凹部57も含む表面に、金属膜53が形成されている。水晶振動子60は、パッケージ側壁62を含むパッケージ61と、パッケージ側壁62に気密に接続された蓋体65とで形成された空間内に、パッケージ61に導電性接着剤64によって接続された水晶振動片63を有する構成となっている。そして、水晶振動子60は、パッケージ61の裏面66に設けられた図示しない外部電極と、実装電極部51のパッド部52と反対側の面と、が接続されている。半導体素子54は、能動面の裏面が水晶振動子60のパッケージ61の裏面66に接続されている。そして、半導体素子54の能動面に設けられた図示しないボンディングパッドと、パッケージ61の裏面66に設けられた図示しない外部電極と、がボンディングワイヤー55によって電気的に接続されている。また、半導体素子54の図示しない別のボンディングパッドと段部58と、がボンディングワイヤー55によって電気的に接続されている。封止部56は、前述のパッド部52詳細に説明すれば、パッド部52の表面に形成された金属膜53であるが、以下の説明では特に断りの無い場合はパッド部52の表面と記載する、凹部57、および水晶振動子60の蓋体65の一面を露出させ、実装電極部51、半導体素子54、水晶振動子60などを内包するように封止している。本例の封止部56は、略直方体形状をなしており、例えば、トランスファーモールド法を用いた熱硬化性の樹脂などによって形成されている。次に、図6を用いて半導体装置の製造方法の概略を説明する。[リードフレームの構成]図6aに示すリードフレーム70は、前述した第1実施形態のリードフレーム20と同じ構成であるため説明は省略する。[製造方法]<リードフレームを用意するステップ>先ず、図6aに示すリードフレーム70を用意するが、このステップは、前述した第1実施形態のリードフレーム20を用意するステップと同じであるため説明を省略する。<水晶振動子接続ステップ>図6bを用いて、水晶振動子60をリードフレーム70に形成された実装電極部51に接続するステップについて説明する。なお、水晶振動子60は、パッケージ61の内部に水晶振動片63を内蔵して蓋体65によって気密に封止されたものを用意する。水晶振動子60と実装電極部51との接続は、パッケージ61の裏面66に設けられた図示しない外部電極と、実装電極部51のパッド部52と反対側の面と、に接続する。なお、水晶振動子60は、2つの実装電極部51に跨って接合されても良いし、3つ以上の実装電極部51に跨って接合されても良い。<半導体素子接続ステップ>図6cを用いて、半導体素子54を水晶振動子60の裏面66に接続するステップについて説明する。半導体素子54と水晶振動子60のパッケージ61の裏面66との接続は、半導体素子54の裏面に接着剤などを用いて行う。そして、半導体素子54の能動面に設けられた図示しないボンディングパッドと、パッケージ61の裏面66に設けられた図示しない外部電極とをボンディングワイヤー55によって電気的に接続する。また、半導体素子54の図示しない別のボンディングパッドと段部58と、がボンディングワイヤー55によって電気的に接続されている。<封止部形成ステップ>図6dを用いて、樹脂による封止部モールド樹脂56Mを形成するステップについて説明する。本例では、リードフレーム接続された素子も含む70を金型で挟み込んで形成された空間に樹脂を押し込んで成形するトランスファーモールド法による成形を説明する。先ず、前述したステップで水晶振動子60、半導体素子54などが所定の部位に配列接続されたリードフレーム70を、加熱された下型75と上型77とによって押圧加圧しながら挟み込む。下型75には、リードフレーム70を挟み込んだ際に凹部57の中央部に対向する位置の実装電極部51の裏面に当接するようにリードフレーム受け部76が設けられている。また、図示しないが、窪み部を凹部ではなく貫通穴で形成した場合、実装電極部51の裏面側の貫通穴の開口部を、リードフレーム受け部76で覆うように、リードフレーム受け部76の受け面の面積を調整し、貫通穴に樹脂が流れ込まないようにして形成する。リードフレーム70は、パッド部52の表面が上型77に接し、実装電極部51の裏面が下型75のリードフレーム受け部76によって、押圧された状態となる。なお、リードフレーム70の他の部位、例えば図示しないフレーム枠なども下型75と上型77とによって押圧しながら挟み込まれるが、ここでの説明は省略する。また、図示しないが、下型75としてリードフレーム受け部76が無く封止面が平面状の金型を使用することもできる。そして、下型75と上型77とによって挟み込まれて形成された空間に、加熱されて液状となった熱硬化性の樹脂を加圧しながら注入し、硬化させた後、下型75と上型77とを離脱させモールド樹脂56Mを形成する。このとき、パッド部52の表面は上型77と密着している。このことにより、パッド部52の表面、および凹部57の内部には樹脂が流入しないため、パッド部52の表面、および凹部57の内面の金属膜53が露出した状態となっている。また、水晶振動子60の蓋体65は下型75と密着している。これらにより、水晶振動子60の蓋体65と実装電極部51のパッド部52の表面および凹部57とを露出させつつ、半導体素子54、実装電極部51の段部58、図示しない継ぎリードなどがモールド樹脂56Mによって被われたシート状の部材封止部材形成リードフレームが形成される。なお、モールド樹脂56Mは、封止部56と同じ構成部位であるが説明を解り易くするため、モールド樹脂56Mが個片化されたものを封止部56と呼ぶ。本実施例においては、型として金型を使用したが、ある程度の剛性があれば型の材質は問わず、例えば、シリコーン樹脂、耐熱性ゴム、ポリイミド樹脂、フッ素系樹脂などから形成されるテープ状の弾性部材を使用することもできる。<切断個片化ステップ>このステップでは、リードフレーム70およびモールド樹脂56M封止部56を切断して個片化するステップ、換言すれば、圧電デバイスとしての水晶発振器50が配列形成されたシート状の部材封止部材形成リードフレームを切断し、個片の水晶発振器50とする。このステップは、前述した第1実施形態の封止部を切断して個片化するステップと同じであるため説明を省略する。本実施形態の水晶発振器50によれば、水晶発振器50を個片化する際の縦方向の切断が凹部17の内面がパッド部12の表面と交差する方向側面に露出するように行われるため、水晶発振器50の側面には、リードフレーム70を形成する際にその表面に形成された金属膜53がそのまま備えられ凹部17の内面と下地金属板の切断面が露出している。そして、水晶発振器50を実装基板にハンダ付けする際には、この凹部57の内面に設けられている金属膜53がハンダ付け面となり、換言すれば、ハンダフィレットハンダの裾引き形状を形成する面となる。したがって、上述の製造方法によって得られた水晶発振器50は、ハンダの濡れ性が向上し、ハンダフィレットを容易に形成することが可能となる。これにより、圧電デバイスとしての水晶発振器50の実装基板に対するハンダ付け強度を向上するとともに、ハンダ付けの安定性を高めることが可能となる。上述の第2実施形態では、圧電デバイスの一例として水晶発振器50を用いて説明したがこれに限らず、同様な構成を有する、例えば電圧制御水晶発振器VCXO、温度補償水晶発振器TCXO、恒温槽付水晶発振器OCXO等の圧電発振器、ジャイロセンサー、圧力センサー、加速度センサーなどの物理量センサー、回路素子が内包されない水晶振動子、SAWデバイスなどに適用することが可能である。図7に、前述の第2実施形態の態様で形成された水晶発振器50の、実装基板へのハンダ付け強度を示すグラフを示す。図7は、第2実施形態の態様で形成された水晶発振器50図中において実施例と示すと、前述の背景技術で説明した圧電発振器以下、従来例の圧電発振器図中において従来品と示すという。と、の実装基板へのハンダ付け固着強度および引き剥がし強度を比較するグラフである。図7に示すように、第2実施形態の態様で形成された水晶発振器50の実装基板へのハンダ付け強度は、固着強度では従来例の圧電発振器の2倍強の強度Ave:約60ニュートンNを得ることができた。また、引き剥がし強度においても、20強の強度Ave:約45ニュートンNを得ることができた。図7に示すように、本第2実施形態の態様の水晶発振器50の実装基板へのハンダ付け強度を向上させる効果は明らかであり、同様な態様の第1実施形態の半導体装置10においても同様な効果を得ることが可能であると推測できる。封止部形成ステップの変形例ここで、前述した実施形態の封止部形成ステップの変形例について、図8~図10を用いて説明する。図8は、変形例1の封止工程に用いる押圧型を示し、aは上型を2層構造にした正断面図、bは上型および下型をそれぞれ2層構造にした正断面図である。図9は、封止工程の変形例2を示す正断面図である。図10は、変形例1、変形例2によって形成された封止部を説明する図であり、aは押し圧状態を示す正断面図、bは形成された封止部と実装電極部との相関を示す正断面図である。<変形例1>変形例1の封止工程に用いる押圧型について図8a、bおよび図10aを用いて説明する。なお、本変形例1では、前述の第1実施形態の構成を例示して説明するが、第2実施形態の構成にも適用可能である。図8aおよび図10aに示すように、本変形例1の押圧型は、上型27の構成が前述の実施形態と異なっている。下型25は、前述の実施形態と同様のリードフレーム受け部26を有した構成である。変形例1に示す押圧型の上型27は、2層構成になっており、ベース金型27aと、ベース金型27aのパッド部12金属膜13の表面に当接する側に設けられたパッド押さえ部27bとを有している。ベース金型27aは、加圧されても変形しないように金属で形成されている。パッド押さえ部27bは、加圧された際に変形し、加圧が解除された際には元の形状に戻る弾性部材、いわゆる可撓性を有する材料、例えばシリコーン樹脂、耐熱性ゴム、ポリイミド樹脂、フッ素系樹脂などで形成されることが望ましい。また、これらの材料からなるテープ状の弾性部材、例えば、ポリイミドテープ等を使用することもできる。本変形例1の押圧型を用いて封止部モールド樹脂16Mを形成する際には、モールド樹脂16Mを形成するステップに先立って、実装電極部11のパッド部12金属膜13の表面を押圧型としての上型27を構成するパッド押さえ部27bで圧力図10aに示す矢印Pの方向をかけながら覆う。この際、パッド押さえ部27bが弾性部材で形成されているため、パッド部12金属膜13の表面が、パッド押さえ部27bに食い込む状態となる。その後、樹脂を注入しモールド樹脂16Mを形成する、換言すれば、パッド部12金属膜13の表面が、押圧型としてのパッド押さえ部27bに食い込んだ状態で樹脂を注入し、モールド樹脂16Mを形成する。また、図8bに示すように、下型25についても、ベース金型25aと、半導体素子と当接する側に設けられた弾性部材からなる型25bとから構成される2層構造としてもよい。あるいは、弾性部材にある程度の剛性があれば、ベース金型27a、25aは必要なく、弾性部材から形成される型27b、25bのみで押圧型を形成することもできる。<変形例2>変形例2の封止工程に用いる押圧型について図9を用いて説明する。なお、本変形例2では、変形例1と同様に前述の第1実施形態の構成を例示して説明するが、第2実施形態の構成にも適用可能である。図9に示すように、本変形例2の押圧型は、第1実施形態と同様な上型27とリードフレーム受け部26を有する下型25とを有する構成である。本変形例2では、樹脂を注入するに先立って、パッド部12金属膜13の表面を、テープ状の弾性部材としてのポリイミドテープ28で覆う。このポリイミドテープ28は、パッド部12金属膜13の表面と当接する側に粘着材図示せずが付着されており、この粘着材によってポリイミドテープ28がパッド部12金属膜13の表面に貼り付けられる。なお、ポリイミドテープ28は、粘着材の設けられていないものでもよい。粘着材の設けられていないポリイミドテープ28を用いる場合は、上型27と下型25との間にパッド部12金属膜13が挟まれる前に、ポリイミドテープ28をパッド部12金属膜13の表面を覆うように載置すればよい。また、前述では弾性部材としてポリイミドテープ28を例に説明したがこれに限らず、例えば、シリコーン樹脂テープ、耐熱性ゴムシート、フッ素系樹脂シートなどを用いてもよい。本変形例2の構成を用いて封止部モールド樹脂16Mを形成する際には、モールド樹脂16Mを形成するステップに先立って、弾性部材としてのポリイミドテープ28でパッド部12金属膜13の表面を覆う。その後、押圧型としての上型27と下型25によってリードフレームを加圧する。この際、パッド部12金属膜13の表面にポリイミドテープ28があるため、パッド部12金属膜13の表面が、上型27で押されたポリイミドテープ28に食い込む状態となる。その後、樹脂を注入してモールド樹脂16Mを形成する、換言すれば、パッド部12金属膜13の表面が、ポリイミドテープ28に食い込んだ状態で樹脂を注入し、モールド樹脂16Mを形成する。変形例1、変形例2によれば、モールド樹脂16Mを形成するために注入された樹脂が凹部17には注入されず、且つパッド部12金属膜13の表面に流れ込むことをより確実に防止することができる。また、パッド部12金属膜13の表面を被ったパッド押さえ部27bまたはポリイミドテープ28にパッド部12金属膜13が食い込んだ状態でモールド樹脂16Mが形成されるため、図10bに示すように、パッド部12金属膜13の表面とモールド樹脂16Mの表面16aとの間に段差dを生じさせることができる。この段差dは、パッド部12金属膜13に、所謂スタンドオフの機能を持たせることが可能となり、よりハンダ付け性を向上させることができる。これらにより、モールド樹脂の表面に多少の凹凸があったとしても、スタンドオフ機能によりパッド部がモールド樹脂の表面よりも突出しているため、電子デバイスの実装基板へのハンダ付けをより確実、安定的に行うことが可能となる。凹部の応用例前述の実施形態で説明した実装電極部11,51に形成された凹部17,57の応用例について図11を用いて説明する。図11は、実装電極部11,51に形成される凹部17,57の応用例を示す平面図である。図11に示す凹部の応用例は、実装電極部11のパッド部12の表面から段差を有した3つの凹部17a,17b,17cが、切断個片化ステップにおける切断方向に並んで設けられた構成である。切断個片化ステップでは、3つの凹部17a,17b,17cのそれぞれの中央部を横切ってパッド部12などを含むリードフレームおよびモールド樹脂同図では図示せずを切断する。なお、本例では3つの凹部17a,17b,17cが設けられた例で説明したが、設けられる凹部の数は限定されず、いくつであってもよい。本応用例のように凹部を複数存在させることにより、その表面積が大きくなりハンダ付け性をさらに向上させることが可能となる。リードフレームの変形例次に、リードフレームの変形例について、図12~図13を用いて説明する。図12は、変形例3の実装電極部間を接続する実装電極接続リードの一例を示す平面図であり、図13は、変形例4の実装電極部間を接続する実装電極接続リードの一例を示す平面図である。なお、前述の実施形態と同様な構成については同一符号を付けて説明を省略することもある。<変形例3>本変形例3は、前述の実施形態で説明した電子デバイスとしての半導体装置10が個片化された際に、一つの半導体装置10に構成される複数の実装電極部11を図示Y方向に接続する実装電極接続リード29aをリードフレーム20に設けた構成である。なお、本変形例3では、2つの実装電極部11a,11bで説明する。図12に示すように、リードフレーム20に設けられた実装電極部11aと実装電極部11bとが、図示Y方向に実装電極接続リード29aによって接続されている。同図で示すY方向とは、切断個片化ステップにおいて、凹部17の中央部を横切って切断する方向を示している。実装電極接続リード29aは、実装電極11bの実装電極部11aと向かい合う側の辺から一旦Y方向に延伸した後、Y方向に直交する方向であるX方向に延伸し、再びY方向に延伸して実装電極部11aに繋がっている。なお、実装電極接続リード29aの厚さは、凹部17と同程度の厚さで形成されている。本変形例3のような実装電極接続リード29aを有するリードフレーム20を用いれば、図示Y方向に設けられた複数の実装電極部11a,11bが接続されるため、Y方向のリードフレーム20の剛性を高めることができる。また、切断個片化ステップにおいて、凹部17の中央部を横切って切断する際に、狭い幅の実装電極接続リード29aを切断することから、切断に用いるダイヤモンドホイールの目詰まりなどに対する影響を抑制することが可能となる。<変形例4>本変形例4は、前述の実施形態で説明した電子デバイスとしての半導体装置10が個片化された際に、一つの半導体装置10に構成される複数の実装電極部11を図示Y方向に接続する実装電極接続リード29bをリードフレーム20に設けた構成である。なお、本変形例4では、2つの実装電極部11a,11bで説明する。図13に示すように、リードフレーム20に設けられた実装電極部11aと実装電極部11bとが、図示Y方向に実装電極接続リード29bによって接続されている。同図で示すY方向とは、切断個片化ステップにおいて、凹部17の中央部を横切って切断する方向を示している。実装電極接続リード29bは、それぞれの実装電極部11a,11bが向かい合う辺からY方向に直線的に延出して接続する。また、実装電極接続リード29bの厚さは、凹部17と同程度の厚さで形成され、その幅は、後の切断時における切断代よりも小さいことが望ましい。換言すれば、切断に用いるダイヤモンドホイールの幅より実装電極接続リード29bの幅の方が小さく形成されることが望ましい。本変形例4のような実装電極接続リード29bを有するリードフレーム20を用いれば、図示Y方向に設けられた複数の実装電極部11a,11bが接続されるため、Y方向のリードフレーム20の剛性を高めることができる。また、切断個片化ステップにおいて、凹部17の中央部を横切って切断する際に、実装電極接続リード29bの幅が、後の切断時における切断代よりも小さいことから、実装電極接続リード29bが全て切り落とされてしまうため、実装電極接続リード29bが封止部に露出することがなく、水分浸入防止を高めることが可能となる。電子機器上記で説明した各実施形態の電子デバイスまたは圧電デバイスは、各種の電子機器に適用することができ、得られる電子機器は、信頼性の高いものとなる。図14、および図15は、本発明にかかる電子機器の一例としての携帯電話機を示す。図14は、携帯電話機の外観の概略を示す斜視図であり、図15は、携帯電話機の回路部を説明する回路ブロック図である。この携帯電話機300は、上述の電子デバイスまたは圧電デバイスを使用することができる。本例では、圧電デバイスを用いた例で説明する。また、圧電デバイスの構成、作用については、同一符号を用いるなどして、その説明を省略する。図14に示すように携帯電話機300は、表示部であるLCDLiquidCrystalDisplay301、数字等の入力部であるキー302、マイクロフォン303、スピーカー311、図示しない回路部などが設けられている。これらの構成部材の一部および回路部などは、回路配線パターンが形成された実装基板に、例えばハンダ付けを用いて接続される。図15に示すように、携帯電話機300で送信する場合は、使用者が、自己の声をマイクロフォン303に入力すると、信号はパルス幅変調符号化ブロック304と変調器/復調器ブロック305を経てトランスミッター306、アンテナスイッチ307を開始アンテナ308から送信されることになる。一方、他の電話機から送信された信号は、アンテナ308で受信され、アンテナスイッチ307、受信フィルターアンプ309を経て、レシーバー310から変調器/復調器ブロック305に入力される。そして、変調又は復調された信号がパルス幅変調符号化ブロック304を経てスピーカー311に声として出力されるようになっている。このうち、アンテナスイッチ307や変調器/復調器ブロック305等を制御するためのコントローラー312が設けられている。このコントローラー312は、上述の他に表示部であるLCD301や数字等の入力部であるキー302、更にはRAM313やROM314等も制御するため、高精度であることが求められる。また、携帯電話機300の小型化の要請もある。このような要請に合致するものとして上述の圧電デバイスが用いられている。なお、携帯電話機300は、他の構成ブロックとして、温度補償水晶発振器315、レシーバー用シンセサイザー316、トランスミッター用シンセサイザー317などを有しているが説明を省略する。この携帯電話機300に用いられている上記圧電デバイスは、実装電極部の側面に予め設けられた金属膜が存在しているため、ハンダ付けによって回路基板に実装される場合にハンダフィレットが形成され易く、ハンダ付け強度が向上するとともに接続の信頼性も向上することができる。従って、上記圧電デバイスを用いている電子機器携帯電話機300は、安定した接続信頼性を有するとともに、耐衝撃特性を向上させることが可能となる。本発明にかかる電子デバイスまたは圧電デバイスを備える電子機器としては、図16に示すパーソナルコンピューターモバイル型パーソナルコンピューター400も挙げられる。パーソナルコンピューター400は、表示部401、入力キー部402などを備えており、その電気的制御のための電子デバイス、あるいは基準クロックとして上述の圧電デバイスが用いられている。また、本発明の電子デバイスまたは圧電デバイスを備える電子機器としては、前述に加え、例えばディジタルスチールカメラ、インクジェット式吐出装置例えばインクジェットプリンター、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳通信機能付も含む、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡、魚群探知機、各種測定機器、計器類例えば、車両、航空機、船舶の計器類、フライトシミュレーター等が挙げられる。以上、本発明の電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。"