COPが存在するシリコンウェーハを研磨する方法において、少なくとも水、シリカ、及びテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを含む研磨剤であって、前記研磨剤の全質量に対して前記テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの濃度が0.01以上0.3質量未満であり、前記研磨剤の全質量に対して前記シリカの濃度が0.1以上1.2質量以下であり、前記シリカの一次粒子径が18nm以上である研磨剤を用いて、前記COPが存在するシリコンウェーハを研磨することを特徴とする研磨方法。前記研磨剤として、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムからなる群から選ばれる少なくとも1種類の添加剤を含むものを用いることを特徴とする請求項1に記載の研磨方法。前記研磨剤として、該研磨剤の全質量に対して前記添加剤の濃度が0.01以上0.1質量以下であるものを用いることを特徴とする請求項2に記載の研磨方法。前記COPが存在するシリコンウェーハとして、抵抗率が0.1Ωcm以上のシリコンウェーハを研磨することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の研磨方法。研磨剤中に第4級アンモニウム水酸化物であるテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド以下、TMAHともいう。を添加すると、研磨能力が向上することが知られている。しかしながら、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを添加した研磨剤を使用して、結晶起因の欠陥COPが存在するシリコンウェーハを研磨すると、研磨後のシリコンウエーハのCOP数が増加することが分かってきた。また、COP数とシリコンウェーハの酸化膜耐圧特性には相関があり、COP数が少ないほど酸化膜耐圧が優れていることが知られている。特に電子デバイス作製用のポリッシュドウェーハには抵抗率が0.1Ωcm以上のものが使われており、この抵抗率のシリコンウェーハでは酸化膜耐圧がデバイスの歩留に影響する。そのため、研磨によりCOP数が増加すると酸化膜耐圧が悪化し、延いてはデバイスの歩留を低下することとなっていた。そのため、研磨時の結晶欠陥COP数の増加を防止することができるシリコンウェーハの研磨方法の開発が望まれていた。さらに、TMAHを添加してシリコンウエーハを研磨するとウエーハ外周部での平坦度が低下することがあった。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、COPが存在するシリコンウェーハを研磨する方法であって、研磨加工能率が高く、研磨時の結晶欠陥COP数の増加を防止することができ、且つウェーハの平坦度を改善可能な研磨方法を提供することを目的とする。本発明では、COPが存在するシリコンウェーハを研磨する方法において、少なくとも水、シリカ、及びテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを含む研磨剤であって、前記研磨剤の全質量に対して前記テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの濃度が0.01以上0.3質量未満であり、前記研磨剤の全質量に対して前記シリカの濃度が0.1以上1.2質量以下であり、前記シリカの一次粒子径が18nm以上である研磨剤を用いて、前記COPが存在するシリコンウェーハを研磨することを特徴とする研磨方法を提供する。COPが存在するシリコンウェーハを上記のような研磨剤で研磨することで、研磨加工能率が高く、研磨時の結晶欠陥COP数の増加を防止することができ、且つウェーハの平坦度を改善可能な研磨方法となる。ここで、上記濃度のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドは、研磨加工能率の向上と、研磨時の結晶欠陥COP数の増加の防止に寄与し、上記濃度及び上記粒径のシリカは、研磨加工能率の向上と、ウェーハの平坦度の改善に寄与し、これらの条件を満たす研磨剤でCOPが存在するシリコンウェーハを研磨することで本発明の目的を達成することができる。また、前記研磨剤として、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムからなる群から選ばれる少なくとも1種類の添加剤を含むものを用いることが好ましい。これにより、ウェーハの平坦度をより改善することができる研磨方法となる。さらに、前記研磨剤として、該研磨剤の全質量に対して前記添加剤の濃度が0.01以上0.1質量以下であるものを用いることが好ましい。これにより、ウェーハの平坦度を更に改善することができる研磨方法となる。また、前記COPが存在するシリコンウェーハとして、抵抗率が0.1Ωcm以上のシリコンウェーハを研磨することが好ましい。このようなシリコンウェーハを研磨することで、COP数の増加を抑制でき、酸化膜耐圧を改善することができ、延いてはデバイスの歩留を改善できる研磨方法となる。以上説明したように、本発明のCOPが存在するシリコンウェーハを研磨する方法であれば、研磨加工能率が高く、研磨時の結晶欠陥COP数の増加を防止することができ、且つウェーハの平坦度を改善可能な研磨方法となる。以下、本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。前述の通り研磨時の結晶欠陥COP数の増加を防止することができるシリコンウェーハの研磨方法の開発が望まれていた。まず、本発明に想到するための実験例について説明する。TMAHの濃度とCOPの増加防止効果の関係TMAHの濃度とCOPの増加防止効果の関係を調べるために図1に示すようなスラリー供給循環方式の片面研磨装置を用いCOPが存在するシリコンウェーハを研磨した。なお、本発明においてウェーハの研磨装置及び研磨条件等については特に限定されるものではない。図1に示される片面研磨装置はバッチ式で、研磨装置10は回転軸7により所定の回転速度で回転させられる研磨定盤1を有している。該研磨定盤1の上面には研磨布8が貼設されている。ワーク保持盤2は上部荷重3を介して回転シャフト4によって回転させられる。複数枚のウェーハWはワックス等の接着手段によってワーク保持盤2の下面に保持された状態で上記研磨布8の表面に押し付けられ、同時に研磨剤供給装置不図示より研磨剤供給配管5を通して所定の流量で、研磨剤6スラリーを研磨布8上に供給し、この研磨剤6を介してウェーハWの被研磨面が研磨布8の表面と摺擦されてウェーハWの研磨が行われる。なお、枚葉式の研磨装置でも、基本的な研磨機構の構成はバッチ式とほぼ同じである。バッチ式の研磨と大きく異なる点は、ウェーハを保持する部分に枚葉式のヘッドを有し、1ヘッド当たり1枚のウェーハを保持して研磨するという点である。ここで、被研磨物であるCOPが存在するシリコンウェーハは、CZ法チョクラルスキー法で作製した単結晶シリコンインゴットをスライスして、ラッピング、エッチング、1次研磨、洗浄して準備した。この1次研磨後の直径300mmのシリコンウェーハを1バッチ2枚として、複数バッチ研磨した。この際、不織布タイプの研磨布を用い、研磨圧130g/cm2で研磨取代が0.5μmになるように研磨を行った。これらの研磨条件は2次研磨といわれる研磨条件に相当する研磨である。研磨剤全体に対し一次粒子径が35nmのコロイダルシリカSiO2を0.4質量、添加剤としてKOHを0.05質量含有させたものをベースとなる研磨剤とし、TMAHを各研磨剤全体に対しそれぞれ0.1、0.2、0.3、0.4質量添加して研磨剤を調製した。なお、本発明において一次粒子径とは平均一次粒子径を意味するものとする。調製した各研磨剤を用いて、結晶起因の欠陥COPが存在する300mmシリコンウェーハ表面を研磨した。各研磨剤を使用した際の研磨前後のCOPの個数変化量の結果を図2に示す。図2に示されるように、0.1~0.2質量のTMAHを含む研磨剤を用いた場合と比較して、0.3質量以上のTMAHを含む研磨剤を用いて研磨を行った場合、研磨後のCOP数が急増した。この結果から、COPが存在するシリコンウェーハを研磨する際にはTMAHの濃度が0.3質量未満であることが重要であることが明らかとなった。TMAHの濃度と研磨加工能率の関係次に、TMAHの濃度と研磨加工能率の関係を示すために、研磨剤全体に対し一次粒子径が35nmのコロイダルシリカSiO2を0.2質量、添加剤としてKOHを0.01質量含有させたものをベースとなる研磨剤とし、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを研磨剤全体に対し0無添加、0.01、0.02、0.05、0.1、0.2、0.3質量添加して研磨剤を調製した。また、被研磨物であるCOPが存在するシリコンウェーハは前記TMAHの濃度とCOPの増加防止効果の関係で用いた物と同一の物を用いた。調製した各研磨剤を用いて、300mmシリコンウェーハ表面を同じ条件で研磨し研磨前後の厚さ変化より研磨加工能率を求めた。各研磨剤を使用した際のTMAHの濃度と研磨加工能率との関係を図3に示す。なお、研磨加工能率とは、厚さ測定器でウェーハ中心部の研磨前後の厚さを測り、その差分値を研磨時間あたりに換算した値μm/minである。図3に示されるように、研磨剤全体に対しTMAHの濃度が0.1質量までは、無添加の場合と比較して研磨加工能率が大幅に増加した。一方、0.3質量となるとシリカ表面を溶解させやすく、研磨加工能率が低くなった。よって、高い研磨加工能率を得るためにはTMAHの濃度が0.01質量以上0.3質量未満であることが重要であることが明らかとなった。なお、TMAHが0.01質量未満では、研磨加工能率の変動が大きく、安定した研磨取代とするのが難しかった。シリカ濃度と平坦度の関係シリカ濃度と平坦度の関係を示すために、研磨剤全体に対し一次粒子径が35nmのコロイダルシリカSiO2を0.1、0.2、0.4、1.2、2.1質量含有させ、TMAHを0.05質量添加した研磨剤を調製した。また、被研磨物であるCOPが存在するシリコンウェーハは前記TMAHの濃度とCOPの増加防止効果の関係で用いた物と同一の物を用いた。調製した各研磨剤を用いて、300mmシリコンウェーハの表面を研磨し、研磨後のウエーハ外周部中心から116mm~149mmの研磨取代変位を図4に示す。図4では中心から116mmの研磨取代変位を0基準として各変位を示している。なお研磨取代変位とは、研磨前後のシリコンウェーハの厚さの差をいう。図4に示されるように、研磨剤中のシリカの濃度がウェーハ外周部の研磨取代変位に影響を及ぼすことが明らかになった。特にシリカの濃度が1.2質量より高くなると、ウェーハの外周部の取代が増加し外周ダレが生じ、平坦度悪化の原因になることがわかる。シリカ濃度と研磨加工能率の関係シリカ濃度と研磨加工能率の関係を示すために、研磨剤全体に対し一次粒子径が35nmのコロイダルシリカSiO2を0.04、0.07、0.1、0.14、0.22、0.43、1.0質量含有させ、TMAHを0.05質量添加した研磨剤を調製した。また、被研磨物であるCOPが存在するシリコンウェーハは前記TMAHの濃度とCOPの増加防止効果の関係で用いた物と同一の物を用いた。調製した各研磨剤を用いて、300mmシリコンウェーハの表面を研磨し、研磨前後の厚さ変化より研磨加工能率を求めた。各研磨剤を使用した際のTMAHの濃度と研磨加工能率との関係を図5に示す。図5に示されるように、シリカの濃度が0.1質量未満であると研磨加工能率を著しく減少させることがわかる。よって、研磨加工能率を著しく減少させないで、かつ研磨後の平坦度を改善するためにはシリカの濃度が0.1以上1.2質量以下であることが重要であることが明らかとなった。シリカの一次粒子径と研磨加工能率の関係シリカの一次粒子径と研磨加工能率の関係を示すために、研磨剤全体に対し一次粒子径が12、18、35、70nmのコロイダルシリカSiO2を0.4質量含有させ、TMAHを0.1質量添加した研磨剤、および無砥粒の0.1質量TMAH水溶液を研磨剤として調製した。また、被研磨物であるCOPが存在するシリコンウェーハは前記TMAHの濃度とCOPの増加防止効果の関係で用いた物と同一の物を用いた。調製した各研磨剤を用いて、300mmシリコンウェーハ表面を研磨し研磨前後のウエーハ中心の厚さ変化より研磨加工能率を求めた。各研磨剤を使用した際の研磨剤中のコロイダルシリカの一次粒子径と研磨加工能率の関係を図6に示す。図6に示されるように、一次粒子径が18、35、70nmでは研磨加工能率に差が見られなかったが、18nmより小さく、12nmになると研磨加工能率が低下することが明らかになった。よって、研磨加工能率を減少させないためにはシリカの一次粒子径が18nm以上であることが重要であることが明らかとなった。さらに、研磨加工能率を高く維持しながら、かつ研磨ダメージ等を大きくしないためには、シリカの一次粒子径が150nm以下であることが好ましい。本発明者らは、以上の結果から、所定の濃度のTMAHは、研磨加工能率の向上と、研磨時の結晶欠陥COP数の増加の防止に寄与することを見出し、所定の濃度及び粒径のシリカは、研磨加工能率の向上と、ウェーハの平坦度の改善に寄与することを見出し、これらを適切な条件で含む研磨剤でCOPが存在するシリコンウェーハを研磨することで研磨加工能率が高く、研磨時の結晶欠陥COP数の増加を防止することができ、且つウェーハの平坦度を改善可能な研磨方法となることを見出して、本発明を完成させた。以下、より詳細に説明する。[COPが存在するシリコンウェーハの研磨方法]本発明は、COPが存在するシリコンウェーハを研磨する方法において、少なくとも水、シリカ、及びテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを含む研磨剤であって、前記研磨剤の全質量に対して前記テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの濃度が0.01以上0.3質量未満であり、前記研磨剤の全質量に対して前記シリカの濃度が0.1以上1.2質量以下であり、前記シリカの一次粒子径が18nm以上である研磨剤を用いて、前記COPが存在するシリコンウェーハを研磨することを特徴とする研磨方法である。COPが存在するシリコンウェーハ本発明では、COPが存在するシリコンウェーハを研磨する。COPが存在するシリコンウェーハを研磨する際に問題となる研磨時の結晶欠陥COP数の増加を防止することができる。特に、抵抗率が0.1Ωcm以上のシリコンウェーハを研磨することが好ましい。このようなシリコンウェーハを研磨することで、COP数の増加を抑制でき、酸化膜耐圧特性を改善することができ、延いてはデバイスの歩留を改善できる研磨方法となる。本発明において研磨されるCOPが存在するシリコンウェーハは、CZ法チョクラルスキー法で育成した単結晶シリコンインゴットをスライスして、ラッピング、エッチング等して準備したものである。CZ法は磁場を印加するいわゆるMCZ法であっても、磁場を印加しない通常のCZ法であってもよい。また、本発明の研磨方法は1次研磨、2次研磨及びその他の研磨工程で実施することができる。研磨剤本発明では、水、シリカ、及びTMAHを含む研磨剤を用いて、COPが存在するシリコンウェーハを研磨する。研磨剤の全質量に対してTMAHの濃度は0.01以上0.3質量未満である。TMAHの濃度が0.01以上0.3質量未満であれば研磨加工能率を向上でき、研磨時の結晶欠陥COP数の増加を防止できる研磨が可能となる。また、TMAHの濃度は0.01以上0.2質量以下であることが好ましい。TMAHの濃度が0.01以上0.2質量以下であればシリカ表面の溶解を一層抑制できより高い研磨加工能率を得ることができる。また、研磨剤の全質量に対してシリカの濃度は0.1以上1.2質量以下であり、シリカの一次粒子径は18nm以上である。シリカがこの濃度及び粒径であれば研磨加工能率の向上と、ウェーハの平坦度の改善ができる研磨が可能となる。また、シリカの濃度は0.1以上0.5質量以下であることが好ましい。シリカの濃度が0.1以上0.5質量以下であれば平坦度がより改善する研磨が可能となる。また、前記研磨剤として、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムからなる群から選ばれる少なくとも1種類の添加剤を含むものを用いることが好ましい。これにより、ウェーハの平坦度をより改善することができる研磨方法となる。さらに、前記研磨剤として、該研磨剤の全質量に対して前記添加剤の濃度が0.01以上0.1質量以下であるものを用いることが好ましい。これにより、ウェーハの平坦度を更に改善することができる研磨方法となる。研磨本発明において研磨は、研磨剤を介してCOPが存在するウェーハの被研磨面が研磨布表面と摺擦されることで行われる。なお、研磨は両面研磨方式と片面研磨方式のいずれで行ってもよい。また、このような研磨をする研磨装置としてはバッチ式と枚葉式のいずれも用いることができる。以下、本発明の実施例および比較例をあげてさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。実施例1CZ法で作製した単結晶シリコンインゴットをスライスして、ラッピング、エッチング、1次研磨、洗浄して、COPが存在するシリコンウェーハを準備した。この1次研磨後の直径300mmのシリコンウェーハを図1に示す研磨装置を用い、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを0.2質量含み、一次粒子径が35nmのコロイダルシリカSiO2を0.4質量含み、添加剤KOHを0.05質量含む研磨剤を用いて、研磨圧130g/cm2で研磨取代が0.5μmになるように研磨を行った。その後、以下の評価基準に従いこのシリコンウェーハのΔCOPを測定した。その結果を表1に示す。評価ΔCOP個数...研磨前後のCOPの個数変化量研磨加工能率μm/min...厚さ測定器でウェーハ中心部の研磨前後の厚さを測りその差分値を研磨時間あたりに換算した値グローバル取代平坦度nm/研磨取代1μm...ウェーハ全面エッジ除外2mmの取代最大厚みから最小厚みを引いた量を研磨取代1μmあたりに換算した値取代のGBIRに相当外周取代平坦度nm/研磨取代1μm...ウェーハ中心から外周方向への研磨取代厚み変位量を研磨取代1μmあたりに換算した値取代のSFQRに相当比較例1TMAHを0.3質量含み、一次粒子径が35nmのシリカを0.4質量含み、添加剤KOHを0.05質量含む研磨剤を用いて研磨した以外は実施例1と同様にしてCOPが存在するシリコンウェーハを研磨した。このシリコンウェーハのΔCOPを測定した結果を表1に示す。表1に示されるように、TMAH濃度が0.3質量である比較例1は研磨によりCOPが大幅に増大した。これに対して、本発明の実施例1ではTMAH濃度が0.3質量未満であるため、比較例1に比べΔCOPが小さく研磨によるCOPの増大を抑制できていることが示された。実施例2TMAHを0.2質量含み、一次粒子径が35nmのシリカを0.2質量含み、添加剤KOHを0.01質量含む研磨剤を用いて研磨した以外は実施例1と同様にしてCOPが存在するシリコンウェーハを研磨した。この条件の研磨加工能率の結果を表2に示す。実施例3TMAHを0.01質量含み、一次粒子径が35nmのシリカを0.2質量含み、添加剤KOHを0.01質量含む研磨剤を用いて研磨した以外は実施例1と同様にしてCOPが存在するシリコンウェーハを研磨した。この条件の研磨加工能率の結果を表2に示す。比較例2TMAHを0.3質量含み、一次粒子径が35nmのシリカを0.2質量含み、添加剤KOHを0.01質量含む研磨剤を用いて研磨した以外は実施例1と同様にしてCOPが存在するシリコンウェーハを研磨した。この条件の研磨加工能率の結果を表2に示す。比較例3TMAHを含まず、一次粒子径が35nmのシリカを0.2質量含み、添加剤KOHを0.01含む研磨剤を用いて研磨した以外は実施例1と同様にしてCOPが存在するシリコンウェーハを研磨した。この条件の研磨加工能率の結果を表2に示す。表2に示されるように、TMAH濃度が0.3質量である比較例2及びTMAHを含まない研磨剤を用いた比較例3では研磨加工能率が低かった。これに対して、本発明の実施例2及び実施例3に示されるように、TMAH濃度が0.01以上0.3質量未満であれば、研磨加工能率が高くなることが示された。実施例4TMAHを0.05質量含み、一次粒子径が35nmのシリカを1.2質量含み、添加剤KOHを含まない研磨剤を用いて研磨した以外は実施例1と同様にしてCOPが存在するシリコンウェーハを研磨した。この条件の研磨加工能率と、シリコンウエーハの外周取代平坦度を測定した結果を表3に示す。実施例5TMAHを0.05質量含み、一次粒子径が35nmのシリカを0.1質量含み、添加剤KOHを含まない研磨剤を用いて研磨した以外は実施例1と同様にしてCOPが存在するシリコンウェーハを研磨した。この条件の研磨加工能率と、シリコンウエーハの外周取代平坦度を測定した結果を表3に示す。比較例4TMAHを0.05質量含み、一次粒子径が35nmのシリカを2.1質量含み、添加剤KOHを含まない研磨剤を用いた以外は実施例1と同様にしてCOPが存在するシリコンウェーハを研磨した。この条件の研磨加工能率と、シリコンウエーハの外周取代平坦度を測定した結果を表3に示す。比較例5TMAHを0.05質量含み、一次粒子径が35nmのシリカを0.07質量含み、添加剤KOHを含まない研磨剤を用いた以外は実施例1と同様にしてCOPが存在するシリコンウェーハを研磨した。この条件の研磨加工能率と、シリコンウエーハの外周取代平坦度を測定した結果を表3に示す。表3に示されるように、シリカ濃度が1.2質量より大きい比較例4では、実施例4と比べ外周取代平坦度が悪くなることが示された。また、シリカ濃度が0.1質量より小さい比較例5では、実施例5と比べ研磨加工能率が悪くなることが示された。これにより、シリカ濃度が0.1以上1.2質量以下であれば、研磨加工能率が高く、かつ研磨後の外周取代平坦度に優れた研磨方法となることが示された。実施例6TMAHを0.1質量含み、一次粒子径が18nmのシリカを0.4質量含み、添加剤KOHを含まない研磨剤を用いて研磨した以外は実施例1と同様にしてCOPが存在するシリコンウェーハを研磨した。この条件の研磨加工能率の結果を表4に示す。比較例6TMAHを0.1質量含み、一次粒子径が12nmのシリカを0.4質量含み、添加剤KOHを含まない研磨剤を用いて研磨した以外は実施例1と同様にしてCOPが存在するシリコンウェーハを研磨した。この条件の研磨加工能率の結果を表4に示す。表4に示されるように、一次粒子径が18nmより小さいシリカを含む比較例6では、研磨加工能率が低かった。これに対して、本発明の実施例6のようにシリカの一次粒子径が18nm以上であれば、比較例6に比べ研磨加工能率が高くなることが示された。実施例7TMAHを0.05質量含み、一次粒子径が35nmのシリカを0.2質量含み、添加剤KOHを含まない研磨剤を用いて研磨した以外は実施例1と同様にしてCOPが存在するシリコンウェーハを研磨した。このシリコンウェーハのグローバル取代平坦度を測定した結果を表5に示す。実施例8TMAHを0.05質量含み、一次粒子径が35nmのシリカを0.2質量含み、添加剤KOHを0.01含む研磨剤を用いて研磨した以外は実施例1と同様にしてCOPが存在するシリコンウェーハを研磨した。このシリコンウェーハのグローバル取代平坦度を測定した結果を表5に示す。表5に示されるように、本発明の研磨方法では、添加剤としてKOHを含まない研磨剤を用いた実施例7よりも、KOHを含む研磨剤を用いた実施例8の方が研磨後のグローバル取代平坦度が向上することが示された。以上説明したように、本発明のCOPが存在するシリコンウェーハを研磨する方法であれば、研磨加工能率が高く、研磨時の結晶欠陥COP数の増加を防止することができ、且つウェーハの外周取代平坦度及びグローバル取代平坦度を改善して、ウエーハ全体を高平坦度とすることが可能な研磨方法となることが示された。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。