250mm以上の厚みを有し真空チャンバ用の要素の製造を目的とするアルミニウムブロックの製造方法であって、連続的に、a重量でSi:0.5~1.5、Mg:0.5~1.5、Fe<0.3、Cu<0.2、Mn<0.8、Cr<0.10、Ti<0.15、他の元素各<0.05かつ合計<0.15、残分はアルミニウムという組成の合金ブロックを半連続鋳造により鋳造し、b任意にて、鋳造されたブロックの500°C~590°Cの温度での均質化を実施し、c溶体化前に熱間または冷間変形ステップを実施することなく、鋳造されかつ任意に均質化されたブロックに対して直接450~560°Cの温度で溶体化熱処理を実施し、dこのように溶体化したブロックを、溶体化温度と200°Cとの間において200°C/h以上の冷却速度で焼入れし、e任意にて、このように焼入れしたブロックを応力除去し、fこのように焼入れし任意に応力除去したブロックの焼戻しを実施するという製造方法。マンガン含有量が0.6重量未満、好ましくは0.05重量未満である、請求項1に記載の方法。クロム含有量が0.05重量未満、好ましくは0.03重量未満である、請求項1または請求項2に記載の方法。Cr、MnおよびZrの含有量が同時に0.05重量未満、そして好ましくは0.03重量未満である、請求項1~3のいずれか一つに記載の方法。鉄含有量が少なくとも0.1重量である、請求項1~4のいずれか一つに記載の方法。ケイ素含有量が0.5~0.8重量であり、マグネシウム含有量が0.8~1.2重量である、請求項1~5のいずれか一つに記載の方法。ケイ素含有量が、0.8~1.2重量であり、マグネシウム含有量が0.6~1.0重量である、請求項1~5のいずれか一つに記載の方法。ケイ素含有量が0.8~1重量、好ましくは0.85~0.95重量であり、マグネシウム含有量が0.6~0.8重量、好ましくは0.65~0.75重量である、請求項7に記載の方法。溶体化温度と200°Cとの間の前記冷却速度が200°C/h~400°C/hである、請求項1~8のいずれか一つに記載の方法。溶体化温度と200°Cとの間の前記冷却速度が800°C/h以上である、請求項1~8のいずれか一つに記載の方法。応力除去が1~5の永久変形率で冷間圧縮によって実施される、請求項1~10のいずれか一つに記載の方法。250mm以上の厚みを有し、重量でSi:0.5~1.5、Mg:0.5~1.5、Fe<0.3、Cu<0.2、Mn<0.8、Cr<0.10、Ti<0.15、他の元素各<0.05かつ合計<0.15、残分はアルミニウムという組成を有し、かつ状態T6またはT652で、1/4厚みでの破壊強度Rmが280MPa以上で、1/4厚みでの弾性限界Rp0.2が240MPa以上であるブロックであって、半連続鋳造、500°C~590°Cの温度での鋳造されたブロックの任意の均質化、溶体化前に熱間または冷間変形ステップを実施することのない、鋳造されかつ任意にて均質化されたブロックに対する直接の、450~560°Cの温度での溶体化、溶体化温度と200°Cとの間における200°C/h以上の冷却速度での焼入れ、任意の応力除去および焼戻しによって得られるブロック。請求項1~11のいずれか一つに記載の方法により得られる、請求項12に記載のブロック。組成が、重量でSi:0.5~1.2、Mg:0.6~1.0、Fe0.1~0.3、Cu<0.2、Mn<0.05、Cr<0.05、Ti<0.15、他の元素各<0.05かつ合計<0.15であること、および状態T6またはT652で、1/4厚みでの破壊強度Rmが300MPa以上で、1/4厚みでの弾性限界Rp0.2が270MPa以上であることを特徴とする、請求項12または請求項13に記載のブロック。半導体で構成された電子集積回路、フラットディスプレイスクリーンおよび/または太陽電池パネルの製造用の真空チャンバの製作における、請求項12~14のいずれか一つに記載のブロックの使用。これらの文書において使用される方法は、高いコストを導く使用されるアルミニウムの純度、方法のステップ数。高い機械的特性を有し、残留応力が低く、かつ機械加工の後、反応性ガスに対して耐性を有する陽極酸化被膜を形成することが可能な、真空チャンバの製作において使用することを目的としたアルミニウム合金ブロックの、低コストで改良された製造方法に対するニーズが存在する。本発明の第一の目的は、250mm以上の厚みを有し、真空チャンバ用の要素の製造を目的とする、アルミニウムブロックの製造方法であり、連続的に、a重量で、Si:0.5~1.5、Mg:0.5~1.5、Fe<0.3、Cu<0.2、Mn<0.8、Cr<0.10、Ti<0.15、他の元素各<0.05かつ合計<0.15、残分はアルミニウム、という組成の合金ブロックを半連続鋳造により鋳造し、b任意にて、鋳造されたブロックの500°C~590°Cの温度での均質化を実施し、c溶体化前に熱間または冷間変形ステップを実施することなく、鋳造されかつ任意にて均質化されたブロックに対して直接450°C~560°Cの温度で溶体化熱処理を実施し、dこのように溶体化したブロックを、溶体化温度と200°Cとの間において200°C/h以上の冷却速度で焼入れし、e任意にて、このように焼入れしたブロックを応力除去し、fこのように焼入れし任意にて応力除去したブロックの焼戻しを実施するという製造方法にある。本発明の別の目的は、250mm以上の厚みを有し、重量で、Si:0.5~1.5、Mg:0.5~1.5、Fe<0.3、Cu<0.2、Mn<0.8、Cr<0.10、Ti<0.15、他の元素各<0.05かつ合計<0.15、残分はアルミニウムという組成を有し、かつ状態T6またはT652で、1/4厚みでの破壊強度Rmが280MPa以上で、1/4厚みでの弾性限界Rp0.2が240MPa以上であるブロックであって、該ブロックは、半連続鋳造、500°C~590°Cの温度での鋳造されたブロックの任意の均質化、溶体化前に熱間または冷間変形ステップを実施することのない、鋳造されかつ任意にて均質化されたブロックに対する直接の、450°C~560°Cの温度での溶体化、溶体化温度と200°Cとの間における200°C/時以上の冷却速度での焼入れ、任意の応力除去および焼戻しによって得られる。本発明のさらに別の目的は、半導体で構成された電子集積回路、フラットディスプレイスクリーンおよび/または太陽電池パネルの製造用の真空チャンバの製作における、本発明に係るブロックの使用にある。合金の呼称は、当業者にとっては公知であるアルミニウム協会AAの規則に準じたものである。冶金学的状態の定義は、欧州規格EN515中に示されている。別段の記載のないかぎり、静的機械的特性、換言すると破壊強度Rm、従来の0.2伸長時弾性限界Rp0.2および破壊伸びAは、EN10002-1規格にしたがって引張り試験により判定され、試料採取および試験の方向は、EN485-1規格により規定される。硬度は、ENISO6506規格にしたがって測定される。真空チャンバ用の要素は、特に真空チャンバの本体、仕切り弁本体、フランジ、連結用要素、気密性要素、通路、たわみ管である。本発明に係る方法において、6xxx系の合金が、溶体化前に熱間または冷間変形ステップを実施することなく、真空チャンバ用の要素の製作のために利用可能なブロックへと加工される。こうして、本発明によると、重量でSi:0.5~1.5、Mg:0.5~1.5、Fe<0.3、Cu<0.2、Mn<0.8、Cr<0.10、Ti<0.15、他の元素各<0.05かつ合計<0.15、残分はアルミニウムという組成の合金製の厚み250mm以上のブロックが、半連続鋳造、500°C~590°Cの温度での鋳造されたブロックの任意の均質化、溶体化前に熱間または冷間変形ステップを実施することのない、鋳造されかつ任意にて均質化されたブロックに対する直接の、450~560°Cの温度での溶体化、溶体化温度と200°Cとの間における200°C/h以上の冷却速度での焼入れ、任意の応力除去、および焼戻しによって得られる。溶体化前に熱間または冷間変形ステップを実施することのない、鋳造されたブロックに対する直接の溶体化とは、本発明の枠内では、溶体化の前に熱間または冷間変形ステップが実施されないことを意味するが、それでも、表面機械加工または端部切断などの従来のステップを、特に均質化の前または後に実施することが可能である。鉄含有量は0.3重量未満でなければならないが、これは、この値を超えると、反応性ガスから金属を保護するために得られる陽極酸化被膜が所望の強度に達しないからである。しかしながら、当該発明者らは、本発明に係る方法を用いて所望の特徴を示す陽極酸化被膜を得るために非常に高い純度レベルを達成する必要はないということを確認した。したがって、鉄含有量は、有利には少なくとも0.1重量であり、これにより本発明に係る方法はきわめて経済的なものになる。銅含有量は、0.2重量未満でなければならないが、これは、銅含有量が過度に高い場合、焼入れに対する感受性が高まるからである。しかしながら、一部の場合において、特に溶体化後の冷却速度が800°C/h超である場合には、機械的特性を改善するために限られた量の銅を添加するのが有利である。本発明の一実施形態においては、0.03~0.15重量の銅含有量が好ましい。当該発明者らは、クロム含有量が0.10重量以上である場合、所望の機械的特性、特に最小の機械的強度が達成されないということを確認した。6xxx系合金製の真空チャンバのための鍛錬された加工素片製品の製作には、粒径を制御するためにクロムおよび/またはマンガンの存在が必要であるということが一般に認められている。当該発明者らは、本発明の枠内では、逆に、クロムの不在が有利であることを確認したのであるが、これは、クロムの不在により、粒状構造を劣化することなく、焼入れに対する感受性を制限し、また、厚みのある製品の機械的特性を改善することができるからである。本発明の有利な一実施形態においては、クロム含有量は0.05重量未満、そして好ましくは0.03重量未満である。一方、マンガン含有量は0.8重量未満でなければならず、0.8重量超の含有量は特に陽極酸化被膜の特性および真空チャンバの汚染に関して不利である。有利には、マンガン含有量は、陽極酸化被膜の特性に対して有害となり得る粗粒相の形成を回避するために、0.6重量未満である。本発明の有利な実施形態においては、マンガン含有量は0.05重量未満でさえある。当該発明者らは、驚くべきことに、Cr、MnおよびZrの不在下でさえ、本発明に係る方法によって得られた粒状構造は制御されており、機械的特性および反応性ガスに対する耐性の観点からみて充分な特性を得ることが可能であることを確認した。こうして、Cr、MnおよびZrが同時に不在であることで、合金の焼入れに対する感受性を極めて有意に低下させること、ひいては厚みのある製品の機械的特性を改善することが可能となり、しかもそのために粒状特性および陽極酸化被膜の特性が劣化することはない。本発明の有利な一実施形態において、Cr、MnおよびZrの含有量は、同時に0.05重量未満であり、好ましくは0.03重量未満である。ケイ素およびマグネシウムの含有量は、0.5~1.5重量である。有利には、0.5~0.8重量のケイ素と0.8~1.2重量のマグネシウムとの組合せ、または0.8~1.2重量のケイ素と0.6~1.0重量のマグネシウムとの組合せが実現される。特に高い機械的特性を達成できるようにする本発明の好ましい一実施形態においては、ケイ素含有量は0.8~1重量、好ましくは0.85~0.95重量であり、マグネシウム含有量は0.6~0.8重量、好ましくは0.65~0.75重量である。合金の鋳造は、直接冷却を用いた半連続鋳造によってブロックの形で実施される。典型的には、300~450mmの厚みを有するブロック型を利用する。鋳造されたブロックは、任意に、少なくとも一時間500°C~590°Cの温度で均質化されてよい。均質化の実施は、一般により有利な機械的特性およびより優れた陽極酸化被膜の特性を達成し、その上溶体化時間を削減できるようにすることから、有利である。均質化は、別の熱処理中か、あるいは溶体化熱処理の間に実施可能である。鋳造と溶体化熱処理との間で、均質化が行なわれる場合にはその前または後に、一般に一面あたり少なくとも5mm程度の表面の機械加工スカルピングとも呼ばれるを実施して、表面の偏析層を除去し亀裂の存在を回避する。次に、予め熱間または冷間変形ステップを行なうことなく直ちに、450~560°C、好ましくは520~550°Cの温度で、鋳造され、任意にて均質化されたブロックに対して直接溶体化熱処理が実施される。先行技術の方法の従来の熱間変形は、一般に圧延および/または鍜造および/または押出し加工によって実施される。したがって、ブロックは、鋳造と溶体化との間で、鍛錬による有意な変形ステップを受けない。鍛錬とは、典型的には圧延および/または鍜造および/または押出し加工の作業を意味する。したがって、本発明によると、鋳造されたブロックの寸法長さ、幅、厚みのいずれも、鋳造と溶体化との間の鍛錬による有意な、すなわち典型的には少なくとも約10の変化をこうむることがない。溶体化時間は、好ましくは一時間超である。溶体化前の熱間または冷間変形を回避できるようにする本発明に係る方法は、この変形ステップのコストが高いことから、経済的観点から見てきわめて有利である。先行技術によると、このタイプの方法は、6xxx合金製の真空チャンバのための要素の製作を目的としたブロックについては特に企図されてこなかったが、その理由は、恐らく、真空チャンバ用の要素を製造するために必要な機械的特性、陽極酸化被膜の強度および多孔性レベルが熱間変形無しでは達成されないことが懸念されたためである。その上、きわめて厚い一部の製品は、先行技術に係る方法によっては入手できなかった。驚くべきことに、当該発明者らは、このように単純化された方法が、先行技術に係る方法によって得られるものと同等の特性を達成できるようにするばかりでなく、一部の場合においてはそれらを凌ぐことができるようにするということを確認した。溶体化の後の焼入れステップはきわめて重要であり、溶体化温度と200°Cとの間で200°C/h以上という冷却速度で実施されなければならない。冷却速度は、ブロックの半厚みで計算される。冷却速度が過度に低い場合、当該発明者らは、求められる機械的特性が達成されないことを確認した。本発明の有利な第一の実施形態において、冷却速度は、200°C/h~400°C/hである。実際、驚くべきことに、冷却速度が200°C/h~400°C/hである場合、充分な機械的特性と、圧縮による応力除去ステップの回避を可能にする低い残留エネルギーとが同時に得られる。このような冷却速度は、霧による散水を用いて得ることができる。本発明の有利な第二の実施形態においては、冷却速度は800°C/h以上である。このような冷却速度は、散水または浸水により得ることができる。過度に高い冷却速度は、ブロック内で過度に大きな内部応力を生成し得ることから、好ましくは、冷却のためには少なくとも50°Cの温度の水が使用される。任意にて、このように焼入れされたブロックは、好ましくは1~5の永久変形率で冷間圧縮により応力除去される。冷却速度が800°C/h超である第二の実施形態においては、応力除去はきわめて有利であることがわかっている。応力除去は、金属内の残留応力を減少させ、機械加工の際の変形を回避できるようにする。最後に、このように焼入れされ、任意にて応力除去されたブロックの焼戻しが実施される。焼戻し温度は、好ましくは150~190°C、より好ましくは165~185°Cであり、焼戻し時間は5~40時間そして好ましくは8~20時間である。有利には、静的機械的特性RmおよびRp0.2のピークに対応する状態T6またはT652を達成するために焼戻しが実施される。本発明に係る方法によって得られるブロックは、高い機械的特性を特徴とする。したがって、本発明に係る方法によって得られた製品の、状態T6またはT652での、1/4厚みでの破壊強度Rmは280MPa以上であり、1/4厚みでの弾性限界Rp0.2は240MPa以上である。有利な実施形態においては、組成が、Si:0.5~1.2、Mg:0.6~1.0、Fe:0.1~0.3、Cu<0.2、Mn<0.05、Cr<0.05、Ti<0.15、他の元素各<0.05かつ合計<0.15である合金が使用され、状態T6またはT652で、300MPa以上の1/4厚みでの破壊強度Rmが達成され、1/4厚みでの弾性限界Rp0.2は270MPa以上であり、その上ケイ素含有量が0.8~1重量、好ましくは0.85~0.95重量で、マグネシウム含有量が0.6~0.8重量、好ましくは0.65~0.75重量である場合には、状態T6またはT652で、1/4厚みでの破壊強度Rmは320MPa以上であり、1/4厚みでの弾性限界Rp0.2は、300MPa以上である。状態T6またはT652で、本発明に係る製品により、少なくとも0.5の伸びの最小値が達成される。一部の場合においては、少なくとも4の伸びの最小値が、本発明に係る製品によって達成される。本発明に係る製品の粒状構造は、溶体化前の鍛錬の不在の特徴をなしている。したがって、単純な冶金学的検査により、溶体化前に熱間または冷間変形が実施される先行技術に係る製品と本発明に係る製品とを区別することが可能である。典型的には、本発明に係る製品の粒状構造は、平均粒径が200μm以上を有する、等方性である。本発明に係る方法によって得られるブロックは、半導体で構成された電子集積回路、フラットディスプレイパネルおよび/または太陽電池パネル製造用の真空チャンバの製作において使用可能である。したがって、機械加工に対するブロックの挙動は、とりわけ、高い機械的特性および低い残留応力レベルにより、有利である。その上、通常の陽極処理方法による、機械加工されたブロック上に得られる陽極酸化被膜は、真空チャンバ内で使用される反応性ガスに対する耐性を有する。本発明に係る方法によって得られるブロックは、同様に、得られる特性が好適である他のすべての利用分野のためにも有利に使用可能である。この実施例では、本発明に係る方法を、基準例に係る方法と比較した。本発明に係る方法を、二つの異なる合金に適用した。直接冷却式半連続鋳造により、表1に示された組成を有する四つの合金ブロックを鋳造した。410mmの厚みまで、ブロックをスカルピングした。ブロックを540~590°Cの温度で、少なくとも4時間均質化した。次に、ブロックを540°Cで溶体化した。溶体化の後、ブロック11、21および31を60°Cの水で焼入れし540°C~200°Cの間の計算上の平均冷却速度は約1500°C/hであった、一方ブロック12は、空気で焼入れし、540°C~200°Cの間の平均冷却速度は約90°C/hであった。異なる複数のブロックはその後1.5~2.5の冷間圧縮を受け、次に状態T652を得るように165°Cでの焼戻しを受けた。得られた製品の粒状構造は、図1aブロック11、1bブロック21および2aブロック31に示されている。比較のため、先行技術に係る方法溶体化前に鍜造による製品の粒状構造を図2bに示す。得られた機械的特性は表2に提供されている。本発明に係る方法により得られたブロック11および21は、基準インゴットで得られたものに比べて高い機械的強度Rm、Rp0.2を示し、インゴット11で得られた機械的強度がきわめて有利である。本発明にしたがって得られたブロックは、わずかな残留応力を有し、このため、機械加工の際のブロックの変形を回避することができる。本発明に係るブロック内に観察される多孔性レベルは非常に低く、高真空を達成するのに充分低いものであった。