"両端部にボルト部が形成されたシリンダーと、前記シリンダー内に設けられた一対のアンビルと、前記一対のアンビルの間に高圧発生空間を形成するために設けられたガスケットと、前記一対のアンビルの両端から押さえるピストンと、前記ピストンを介して前記一対のアンビルを加圧する加圧棒と、前記加圧棒で加圧した後に前記一対のアンビルを加圧した状態で前記ピストンを固定するために前記ボルト部でねじ締めするクランプナットと、を備え、前記シリンダーと前記アンビルと前記ガスケットと前記ピストンと前記クランプナットは、非磁性物質により形成されていることを特徴とする高圧発生装置。前記シリンダーと前記ガスケットと前記ピストンと前記クランプナットは、銅ベリリウムCuBe合金により形成され、前記アンビルは、非磁性セラミックにより形成されていることを特徴とする請求項1記載の高圧発生装置。前記非磁性セラミックは、アルミナとジルコニアを含む混合物からなるセラミックであることを特徴とする請求項2記載の高圧発生装置。前記非磁性セラミックは、2~3molのイットリアで準安定化させたジルコニアに、20~30molのアルミナを複合化させたセラミックであることを特徴とする請求項2又は3記載の高圧発生装置。請求項1~4のいずれか1項に記載の高圧発生装置をSQUID超伝導量子干渉計磁束計に設置することにより構成されることを特徴とする磁化測定装置。本発明の課題は、1.5GPa以上の超高圧を容易に発生させることが可能で、高圧発生空間の体積がインデンタ型高圧発生装置とダイヤモンドアンビル型高圧発生装置のそれらの中間程度0.01mm3~1mm3の0.1mm3程度あり、高圧発生装置の磁化のバックグラウンドがインデンタ型高圧発生装置のそれより大幅に小さく、磁化の小さな反強磁性物質にも適用可能な高圧発生装置及び磁化測定装置を提供することである。また、アンビル材料として、磁化の小さな非磁性材料で機械強度が大きな材料を用いた高圧発生装置及び磁化測定装置を提供することである。さらに、ダイヤモンドのような高価でない廉価な材料で、磁化の小さな非磁性材料をアンビルとして使用する高圧発生装置及び磁化測定装置を提供することである。本発明の目的は、上記課題を解決するため、SQUID磁束計で用いられる1.5GPa以上の超高圧が発生可能で磁化の小さな物質の磁化測定も可能で高圧発生空間が比較的大きく廉価な高圧発生装置及び磁化測定装置を提供することにある。本発明に係る高圧発生装置及び磁化測定装置は、上記の目的を達成するため、次のように構成される。第1の高圧発生装置請求項1に対応は、両端部にボルト部が形成されたシリンダーと、前記シリンダー内に設けられた一対のアンビルと、前記一対のアンビルの間に高圧発生空間を形成するために設けられたガスケットと、前記一対のアンビルの両端から押さえるピストンと、前記ピストンを介して前記一対のアンビルを加圧する加圧棒と、前記加圧棒で加圧した後に前記一対のアンビルを加圧した状態で前記ピストンを固定するために前記ボルト部でねじ締めするクランプナットと、を備え、前記シリンダーと前記アンビルと前記ガスケットと前記ピストンと前記クランプナットは、非磁性物質により形成されていることを特徴とする。第2の高圧発生装置請求項2に対応は、上記の構成において、好ましくは、前記シリンダーと前記ガスケットと前記ピストンと前記クランプナットは、銅ベリリウム合金により形成され、前記アンビルは、非磁性セラミックにより形成されていることを特徴とする。第3の高圧発生装置請求項3に対応は、上記の構成において、好ましくは、前記非磁性セラミックは、アルミナとジルコニアを含む混合物からなるセラミックであることを特徴とする。第4の高圧発生装置請求項4に対応は、上記の構成において、好ましくは、前記非磁性セラミックは、2~3molのイットリアで準安定化させたジルコニアに、20~30molのアルミナを複合化させたセラミックであることを特徴とする。第1の磁化測定装置請求項5に対応は、上記第1~第4のいずれかの高圧発生装置をSQUID超伝導量子干渉計磁束計に設置することにより構成されることを特徴とする。本発明によれば、SQUID磁束計で用いられる1.5GPa以上の超高圧が発生可能で磁化の小さな物質の磁化測定も可能で高圧発生空間が比較的大きく廉価な高圧発生装置及び磁化測定装置を提供することができる。以下に、本発明の好適な実施形態実施例を添付図面に基づいて説明する。図1は、本発明の本実施形態に係る高圧発生装置の全体構成図である。高圧発生装置10は、両端部にボルト部11が形成されたシリンダー12と、シリンダー12内に設けられた一対のアンビル13と、一対のアンビル13の間に高圧発生空間14を形成するために設けられたガスケット15と、一対のアンビル13の両端から押さえるピストン16と、ピストン16を介して一対のアンビル13を加圧する加圧棒17と、加圧棒17で加圧した後に一対のアンビル13を加圧した状態でピストン16を固定するためにボルト部11でねじ締めするクランプナット18と、を備えている。上記高圧発生装置10では、シリンダー12及びクランプナット18の直径Xが例えば8.7mmであり、シリンダー12の長さが例えば70mmに形成することにより、SQUID磁束計の内径9mm未満の試料空間に設置させることが可能である。シリンダー12とアンビル13とガスケット15とピストン16とクランプナット18は、非磁性物質により形成されている。好ましくは、シリンダー12とガスケット15とピストン16とクランプナット18は、銅ベリリウムCuBe合金により形成される。図2は、高圧発生装置10の試料部分の拡大図であり、図3は、アンビル13の図である。アンビル13は、非磁性セラミックにより形成されている。好ましくは、アンビル13は、アルミナAl2O3とジルコニアZrO2を含む混合物からなる非磁性セラミックにより形成されている。より好ましくは、アンビル13は、2~3molのイットリアで準安定化させたジルコニアに、20~30molのアルミナを複合化させた非磁性セラミックにより形成されている。アンビル13は、例えば、アルミナAl2O3とジルコニアZrO2を混合させ複合させたセラミック冨士ダイス株式会社製、商品名:FCY20Aを用いて作成することができる。このセラミックは非磁性物質であり、その磁化率-1×10-7emu/g:室温はアンビル材料として一般に用いられる炭化カーバイドWCのそれ2×10-6emu/g:室温と比較して一桁小さく磁化測定に適切な材料である。また、上記構成の高圧発生装置10は、後述の実施例で示されるように、5GPa以上の超高圧発生が可能なことが初めて明らかにされた。また、上記セラミックアンビル13は、価格もダイヤモンドと比較して大幅に安い。カラット0.2グラムあたりの値段~5000円:加工代金含はダイヤモンドのそれ~800000円:加工代金含と比較して大幅に低い。大型のアンビルが安い価格で作成可能で、大きな体積を持つ高圧発生空間14を準備することが出来た。このセラミックを用いることで、本発明の目的が達成可能となった。2つのアンビル13は、試料空間高圧発生空間14が設けられた厚さZのガスケット15を挟み込む構成となっており、対向型の構成となっている。アンビル13の大きさは、例えば、符号Bで示す長さが5mmであり、符号Aで示す直径が0.6~1.8mmのものを用いることができる。符号Aで示す直径は、ガスケット15とで形成される試料空間の大きさによって、適切に選択することができる。すなわち、先端直径A=0.06,0.08,0.10,0.12,0.14,0.16,0.18mmのセラミックアンビル13が使用可能である。同じ先端直径をもつ2つのセラミックアンビル13を組み合わせて使用する。好ましくは、ガスケット15の厚さZと試料空間高圧発生空間14の直径は、セラミックアンビル先端直径Aの半分である。図4は、セラミックアンビル先端直径A、高圧発生空間14の体積、最高圧力についてまとめた表である。図4の表から分かるように、高圧発生空間の体積は、0.0141mm3から0.572mm3まで得ることができ、また、最高圧力は、2.41GPaから7.58GPaまで得ることができる。図5は、本発明の本実施形態に係る高圧発生装置をSQUID超伝導量子干渉計磁束計に配置した磁化測定装置30の図である。符号20は、SQUID磁束計であり、符号21は、SQUID磁束計において、高圧発生装置10を配置する空間である。符号Dは、SQUID磁束計において、高圧発生装置10を配置させる空間の直径を示す。SQUID磁束計は、超伝導ピックアップコイル22と、超伝導量子干渉素子SQUID22cと、超伝導ピックアップコイル22の外側に安定磁場の発生と磁気シールドの両面の役割を担う外部磁場発生用マグネット23が備えられている。また、冷却するための液体ヘリウムを入れた冷却槽24を備えている。加熱は、図示しないヒーターにより行われる。符号25は、高圧発生装置10を固定し移動させるためのロッドであり、符号26は、高圧発生装置10が装着されたロッド25を振動させる動作方向を示す。試料は、図示しない駆動機構により超伝導ピックアップコイル22中を上下し、このときSQUID出力の振幅から磁化を求めることができる。このSQUID磁束計20に高圧発生装置10を設置することで、温度1.8Kから350K、磁場0Tから7T、セラミックアンビル先端直径Aに依存する最高圧力の範囲内で高圧下磁化測定が可能である。次に、本発明の本実施形態に係る高圧発生装置及び磁化測定装置のSQUID磁束計を用いての操作手順を説明する。ステップ1図2に示すような圧力発生部セラミックアンビル13、ガスケット15を構成し、液体圧力媒体、試料、圧力決定用の鉛を高圧発生空間14に配置する。図1に示す通り、上部から加圧棒17を通して油圧プレス等を使用して、高圧発生装置10に垂直方向図1中の符号19で示すに荷重を加える。荷重が加えられることにより、ピストン16を介してセラミックアンビル13の上の部分が垂直に押される。セラミックアンビル13同士は互いまっすぐに向き合い、ガスケット15が変形されてセラミックアンビル13間の距離が縮まり、高圧発生空間14に圧力が発生する。なお、高圧発生空間14に加えられた荷重は、円筒状で両端部内側にネジ加工された圧力セルシリンダー12とクランプナット18とのネジ組み合わせにより保持される。荷重を加えて圧力が発生した後、クランプナット18を締めることで荷重が保持され、発生した圧力セルをそのまま保持する。ステップ2圧力が発生し保持された高圧発生装置10をSQUID磁束計20に配置させる。これを概念的に示したのが図5である。図中のSQUID磁束計20には、温度領域1.8Kから350K、磁場領域0Tから7Tの環境下における磁化測定に必要な装置一式が備わっている。SQUID磁束計20内部に設置された2つの超伝導ピックアップコイル22の中間の位置に試料が配置される。SQUID磁束計20の内訳代表的なものは、液体ヘリウムを用いた冷凍機24と温度制御システム図示せず、磁場発生に必要な超伝導マグネット23とその制御システム図示せず、磁化測定に必要な超伝導ピックアップコイル22と超伝導ピックアップコイル22に発生する誘導起電圧を増幅し検出するSQUID22c、試料この場合は高圧下磁化測定装置10を振動させるシステムと、磁化測定を自動制御するためのコンピューター図示せずである。SQUID磁束計20内部に設置された動作システムにより、高圧発生装置10が図5の符号26に示される方向に振動させる。その際、超伝導ピックアップコイル22に発生する電圧から高圧発生装置10の磁化を求める。ステップ3SQUID磁束計20に配置された、高圧発生装置10の磁場と温度を制御し、目的の温度、磁場で安定させる。図5中の矢印符号26で示すで示す通り、高圧発生装置10を上下に振動させる。SQUID磁束計20内部の磁化測定検出用コイル超伝導ピックアップコイル22に発生する電圧が制御系により検出され、磁化の値に換算される。これらの作業は、SQUID磁束計20の制御系をパソコンでコントロールして自動的に行う。試料を入れない高圧発生装置10の磁化の値と、試料を入れた高圧発生装置10の磁化の両方を測定し、両者を差し引くことで試料の磁化を求める。ステップ4高圧発生空間14に発生する圧力を決定するために、0.001T程度の弱い磁場を加え、鉛の磁化の温度依存を測定する。鉛は常圧において7.2Kで超伝導転移し、マイスナー効果のため大きな負の磁化が発生する。磁化の温度依存から超伝導転移温度を求める。鉛の超伝導転移温度の圧力に依存し、その関係式は確定している文献aAEilingandJSSchillingJPhysFMetalPhys11623文献bBBireckovenandJWittigJPhysESciInstrum21841。得られた鉛の超伝導転移温度から高圧発生空間14に発生している圧力を決定する。具体的には、圧力が5GPa以下の場合、上記文献aに記載される次の関係式1を使用する。TcP=Tc0-0.365±0.003P1上記式1で、Pは圧力GPaを示し、Tc0は、圧力がゼロのときの超伝導転移温度Kを示し、TcPは、圧力がPのときの超伝導転移温度Kを示す。また、圧力が5GPa以上の場合、文献bに記載される鉛の超伝導の超伝導転移温度の30GPaまでの圧力依存性を示す図文献b中のFigure7をデータとしてパソコンに読み取り、その関係から圧力を決定する。次に、本発明による高圧発生装置とSQUID磁束計を用いた磁化測定装置の実施例を示す。実施例1鉛の高圧下磁化測定の実施例図6aは、先端直径A=1.8mmのセラミックアンビル13を用いて行った高圧下磁化測定の結果である。外部磁場0.001Tを加えている。図6aの丸○で表示したのは、高圧発生装置10に荷重を加えない状態:常圧下大気圧下で測定された鉛の磁化の温度依存のグラフである。鉛の磁化は超伝導転移温度7.2Kで急激に減少する。これはマイスナー効果に起因した減少である。図6a、三角△で表示したのは、高圧発生装置10に950kgfの荷重を加えてこれを保持し磁化測定を行った結果である。超伝導転移温度は6.3Kと決定された。鉛の超伝導転移温度の圧力効果は過去の研究から明らかにされている。その関係式1を用いて、低温で高圧発生空間14に2.41GPaの圧力が発生していることが決定された。図6bは、先端直径A=0.6mmのセラミックアンビル13を用いて行った高圧下磁化測定の結果である。外部磁場0.001Tを加えている。図6bの丸○で表示したのは、常圧下で測定された鉛の磁化の温度依存のグラフである。鉛の磁化は超伝導転移温度7.2Kで急激に減少する。図6b、三角△で表示したのは、高圧発生装置10に350kgfの荷重を加えて保持し、磁化測定した結果である。超伝導転移温度は4.8Kと決定された。鉛の超伝導転移温度の圧力効果は過去の研究から明らかにされている。上記の文献b中のFigure7に基づいて、低温で高圧発生空間14に7.58GPaの圧力が発生していることが決定された。実施例2MgB2の高圧下磁化測定の実施例図7は、超伝導物質MgB2の高圧下磁化測定の結果である。外部磁場0.001Tを加えている。先端直径A=0.06mmのセラミックアンビル13を用いて高圧下磁化測定を行った。高圧発生装置10に荷重を加えない常圧では38K近辺で、超伝導転移に対応するマイスナー信号が観測された。6.8GPaでは超伝導転移温度は31Kとなった。MgB2の超伝導転移温度の圧力依存は過去電気抵抗測定で調べられておりSDeemyadJSSchillingJDJorgensenDGHinksPhysicaC361227、その結果とも一致する。反強磁性物質は磁化が一般的に小さく、高圧下磁化測定には不向きである。ダイヤモンドアンビル型高圧発生装置では感度の問題があり、インデンタ型高圧発生装置ではNiCrAlガスケットの磁化バックグラウンドが大きく、高圧下磁化測定が事実上不可能である。本高圧発生装置10は磁化のバックグランドも小さく反強磁性物質に適用可能であることが明らかにされた。なお、反強磁性物質CePd5Al2の試料の磁化と、バックグラウンド試料以外の高圧発生装置に起因する磁化に対する比率は常圧で2K-20Kの温度領域で90-110程度である。つまり両者は同程度である。もし、この反強磁性物質CePd5Al2の試料をそのままインデンタ型高圧発生装置にセットして高圧磁化測定すると仮定して比率を求めると、2K-20Kの温度領域で7-13程度となり、バックグラウンドの方が10倍弱大きいことになり、精密測定は不可能であることがわかる。次に、本発明の本実施形態に係る高圧発生装置10の特徴点と長所を説明する。図9は、本装置と他のSQUID磁束計用高圧発生装置の特徴を比較した表である。以下個別に議論する。磁化バックグラウンドの低さ本発明の本実施形態に係る高圧発生装置10の特徴として磁化測定におけるバックグラウンド測定目的の試料以外の装置の部品に起因する磁化がインデンタ型高圧発生装置より大幅に小さいことが挙げられる。この違いはガスケット15の材質の違いに起因する。インデンタ型高圧発生装置のNiCrAlガスケットと本発明による高圧発生装置10のCuBeガスケットの磁化の測定結果を比較したものが図10である。本発明による高圧発生装置10のCuBeガスケットの磁化はインデンタ型高圧発生装置のNiCrAlガスケットよりも二桁以上小さく、磁化のバックグラウンドが大幅に低いため、遥かに精度の良い磁化測定が可能である。実際の磁化測定の際には、ガスケットだけでなく、高圧発生装置のシリンダー、アンビル、ピストンの寄与が全て含まれる。本高圧発生装置10のバックグラウンド試料以外の高圧発生装置に起因する磁化の値はインデンタ型高圧発生装置のそれの約10程度である。圧力発生効率の良さ本高圧発生装置10はSQUID磁束計20の試料空間21に配置させる。この空間は狭く、内径は9mm程度しかない。高圧発生装置10は小型であることが要求される。加えることが出来る荷重には限界がある。本高圧発生装置10の場合、対荷重限界は1.1ton1100kgfである。よって、少ない荷重で高い圧力を発生させる必要がある。背景技術課題で記述した通り、ピストンシリンダー型高圧発生装置の場合、高圧発生空間の体積は大きく、配置させることができる試料の体積磁化が大きいため、信頼できる磁化測定が可能である。しかし、大きな荷重を加えることができないため最高圧力は1.0-1.5GPaにとどまる。少ない荷重で高い圧力を発生させることが要求される。図11は、本高圧発生装置10に加えた荷重と高圧発生空間14における圧力の関係である。先端直径Aが1.8mmから0.06mmのセラミックアンビル13についてそれぞれ表示した。インデンタ型高圧発生装置と比較して圧力発生効率が良く、1ton1000kgf未満の荷重で目的の圧力を発生させることが可能になった。図4の表に示した通り、セラミックアンビル13の先端直径Aに最高圧力は依存する。A=0.06mmのセラミックアンビル13を使用した場合、7.58GPaの圧力の発生が確認された。強度が強く磁化測定に適切なセラミックアンビルの選定本発明によるSQUID磁束計用の最大の特徴は、複合セラミック冨士ダイス株式会社製、商品名:FCY20Aをアンビル材料として選定したことである。高圧発生装置のアンビル材料として一般に用いられる炭化タングステンWCは強度も強く圧縮強度4GPa、5GPa以上の超高圧発生には最も適切な材料である。しかし、磁化率は一般的に大きく磁化測定には不適である。また、ダイヤモンドアンビル型高圧発生装置で使用されるダイヤモンドアンビルは強度も強く超高圧発生に適切な材料である。しかし、ダイヤモンドは高価であり、本発明の目的である、大きな体積をもつ高圧発生空間14を準備するためには、大型のダイヤモンドアンビルを準備する必要があり、費用の観点でも非現実的である。本発明で採用されたセラミックアンビル13は廉価であり加工も容易である。また非磁性材料であり磁化率も大幅に小さいため、本発明の目的に最も適切なアンビル材料である。試料空間の体積と最高圧力ダイヤモンドアンビル型高圧発生装置の高圧発生空間の体積は0.01mm3程度のため磁化の小さな反強磁性物質などの磁化測定は不可能である。本装置は様々な先端直径をもつセラミックアンビル13を組み合わせて使用する。アンビル先端直径Aにより高圧発生空間の体積と最高圧力の関係は異なる。これを表したグラフが図12である。本発明の目的である、インデンタ型高圧発生装置とダイヤモンドアンビル型高圧発生装置の高圧発生空間の体積の中間程度の体積を持ち、SQUID磁束計を使用して、信頼できる高圧下磁化測定が可能になった。操作性の容易さダイヤモンドアンビル型高圧発生装置では、2つのダイヤモンドアンビルの平行度を厳密に調節することが必要である。この平行度が悪いと低い荷重でもダイヤモンドアンビルは容易に破壊される。しかし、靭性に優れた複合セラミックスを材料として作成されたセラミックアンビル13はこのような問題は存在せず、背景技術課題の図15aに記載された、アンビル平行度調節ネジなどは必要としない。よって、操作は容易でインデンタ型高圧発生装置とピストンシリンダー型高圧発生装置と同程度である。装置作成に必要な費用の少なさ本発明による高圧発生装置10は構造が単純であり、その材料も廉価であり、作成に必要な価格は10万円程度である。インデンタ型高圧発生装置とピストンシリンダー型高圧発生装置と同程度である。本発明による効果:目的の達成本発明の本実施形態に係る高圧発生装置10の特徴や基本的仕様について図4と図9の表にまとめる。本発明の目的は、1.5GPa以上の超高圧発生が可能な圧力セルを開発することである。また高圧発生空間の体積がインデンタ型高圧発生装置とダイヤモンドアンビル型高圧発生装置のそれらの中間程度0.01mm3-1mm3となる装置である。本発明の目的を達成するためには、廉価な磁化測定に適した非磁性アンビルの材料の選定が重要な点となる。本発明ではジルコニアZrO2にアルミナAl2O3を混合させ複合化させたセラミック冨士ダイス株式会社製、商品名:FCY20Aを用いて作成されたセラミックアンビル13を使用した。このセラミックアンビル13の採用により本発明の目的が達成された。以下本発明による効果について個別に記述する。最高圧力本発明の本実施形態に係る高圧発生装置10の最高圧力は7.58GPaであることが確認された。高圧発生空間の体積セラミックアンビル13は廉価であり、大型のアンビルの作成が可能である。よって、ダイヤモンドアンビル型セルでは不可能な大きな体積をもつ高圧発生空間14をガスケット15に形成させることが可能となった。高圧発生空間の体積は、0.0141-0.572mm3である。磁化のバックグラウンドの低減化ガスケット15として磁化率の小さなCuBe合金を用いるため、NiCrAl合金をガスケットとして使用するインデンタ型高圧発生装置と比較してバックグラウンドが大幅に小さい。よって、磁化の大きな超伝導物質/強磁性物質だけでなく、磁化の小さな反強磁性物質も磁化測定が可能になった。作成経費の低さ、操作性の容易さセラミックアンビル13は廉価一個一万円程度であり、本発明による高圧発生装置10を作成するために必要な費用は約10万円程度である。ダイヤモンドアンビル型高圧下磁化測定装置と比較して大幅に低い。さらに、構造が単純のため操作性も容易である。以上の実施例でも示したように、本発明によれば、SQUID磁束計で用いられる1.5GPaの超高圧が発生可能で磁化の小さな物質の磁化測定も可能で高圧発生空間が比較的大きく廉価な高圧発生装置及び磁化測定装置を提供することができる。以上の実施形態で説明された構成、形状、大きさおよび配置関係については本発明が理解実施できる程度に概略的に示したものにすぎず、また数値および各構成の組成材質等については例示にすぎない。従って本発明は、説明された実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に示される技術的思想の範囲を逸脱しない限り様々な形態に変更することができる。"