"互いの間に介在するパワーローラを介して回転力を所定の変速比で伝達し合うトロイダル型無段変速機のディスクであって、変速機の運転時にディスク表面に発生する応力が相対的に低くなる低応力部位と相対的に高くなる高応力部位とを有し、高周波焼入れによってディスクに生じる硬化層同士の間の境界部が前記低応力部位に設定されるように硬化層が形成されて成ることを特徴とするトロイダル型無段変速機のディスク。ディスクの径方向最も外側の外周面、または、ディスクの径方向最も内側の内周面のうち回転力の伝達に関与する力伝達面と反対側の背面の近傍に位置する背面側部位、のうちの少なくとも一方に前記境界部が存在することを特徴とする請求項1に記載のトロイダル型無段変速機のディスク。ディスクの前記力伝達面と前記背面側部位を除く前記内周面とに対して最初に高周波焼入れが施された後、ディスクの前記背面に対して高周波焼入れが施され、前記背面が焼入れされている最中に焼入れ済みの前記力伝達面と前記背面側部位を除く前記内周面とが冷却されることにより前記硬化層が形成されることを特徴とする請求項2に記載のトロイダル型無段変速機のディスク。ディスクの前記背面に対して最初に高周波焼入れが施された後、ディスクの前記力伝達面と前記背面側部位を除く前記内周面とに対して高周波焼入れが施され、前記力伝達面と前記背面側部位を除く前記内周面とが焼入れされている最中に焼入れ済みの前記背面が冷却されることにより前記硬化層が形成されることを特徴とする請求項2に記載のトロイダル型無段変速機のディスク。互いの間に介在するパワーローラを介して回転力を所定の変速比で伝達し合うトロイダル型無段変速機のディスクを製造する方法であって、ディスクの表面に高周波焼入れによって所定の深さの硬化層を形成する製造方法において、ディスクの径方向最も外側の外周面、または、ディスクの径方向最も内側の内周面のうち回転力の伝達に関与する力伝達面と反対側の背面の近傍に位置する背面側部位、のうちの少なくとも一方に硬化層同士の間の境界部が存在するように硬化層を形成することを特徴とする製造方法。ディスクの前記力伝達面と前記背面側部位を除く前記内周面とに対して最初に高周波焼入れを施した後、ディスクの前記背面に対して高周波焼入れを施し、前記背面が焼入れされている最中に焼入れ済みの前記力伝達面と前記背面側部位を除く前記内周面とを冷却することを特徴とする請求項5に記載の製造方法。ディスク2,3の硬化層深さ範囲については、ディスク全面に所定以上の硬化層深さを持たせることが理想的ではあるが、高周波焼入れを行なう場合、ディスク2,3の全周の加熱終了と冷却開始とをほぼ同時に行なって所定の硬化層を得ることは、ディスク2,3を高周波焼入れ装置へ取り付ける必要があることそのため、ディスク2,3には装置側への取り付け支持部が必要となるおよびコイル形状を考慮すると、技術的に困難である。また、このように高周波焼入れではディスク2,3の全面の同時硬化が困難であるため、高周波焼入れを2回に分けて行なうか、あるいは、硬化させない部位を高周波焼入れ装置への取り付け支持部に設定して1回で高周波焼入れを終了させるなど、幾つかの方法がなされる。これらの方法では、必然的に硬化層同士の間に境界部が生じるが、この境界部は、焼入れがなされないため、硬度が低く、また、残留引張応力が発生するという問題を伴う。本発明は、前記事情に鑑みて為されたもので、高周波焼入れが施されるべき部位が確実に焼入れ処理されて成る残留引張応力を伴わない適正な硬度分布を有するトロイダル型無段変速機のディスクおよびその製造方法を提供することを目的とする。前記目的を達成するために、本発明は、互いの間に介在するパワーローラを介して回転力を所定の変速比で伝達し合うトロイダル型無段変速機のディスクであって、変速機の運転時にディスク表面に発生する応力が相対的に低くなる低応力部位と相対的に高くなる高応力部位とを有し、高周波焼入れによってディスクに生じる硬化層同士の間の境界部が前記低応力部位に設定されるように硬化層が形成されて成ることを特徴とする。上記構成によれば、高周波焼入れによってディスクに生じる硬化層同士の間の境界部がディスクの低応力部位に設定されるように硬化層が形成されるので、ディスクの高応力部位が焼入れ不足硬化処理不足或いは焼入れされない硬化処理されないといった事態を回避できる。すなわち、高周波焼入れが施されるべきディスクの高応力部位が確実に焼入れ処理され、残留引張応力を伴わない適正な硬度分布を実現できる。なお、上記構成では、ディスクの径方向最も外側の外周面、または、ディスクの径方向最も内側の内周面のうち回転力の伝達に関与する力伝達面と反対側の背面の近傍に位置する背面側部位、のうちの少なくとも一方に前記境界部が存在することが好ましい。この場合、ディスクの前記力伝達面と前記背面側部位を除く前記内周面とに対して最初に高周波焼入れが施された後、ディスクの前記背面に対して高周波焼入れが施され、前記背面が焼入れされている最中に焼入れ済みの前記力伝達面と前記背面側部位を除く前記内周面とが冷却されることにより前記硬化層が形成されることが好ましい。あるいは、ディスクの前記背面に対して最初に高周波焼入れが施された後、ディスクの前記力伝達面と前記背面側部位を除く前記内周面とに対して高周波焼入れが施され、前記力伝達面と前記背面側部位を除く前記内周面とが焼入れされている最中に焼入れ済みの前記背面が冷却されることにより前記硬化層が形成されてもよい。なお、本発明において、硬化層とは、Hv550以上の部位を意味する。また、本発明は、互いの間に介在するパワーローラを介して回転力を所定の変速比で伝達し合うトロイダル型無段変速機のディスクを製造する方法であって、ディスクの表面に高周波焼入れによって所定の深さの硬化層を形成する製造方法において、ディスクの径方向最も外側の外周面、または、ディスクの径方向最も内側の内周面のうち回転力の伝達に関与する力伝達面と反対側の背面の近傍に位置する背面側部位、のうちの少なくとも一方に硬化層同士の間の境界部が存在するように硬化層を形成することを特徴とする。この製造方法によれば、高周波焼入れが施されるべき部位が確実に焼入れ処理されて成る残留引張応力を伴わない適正な硬度分布を有するトロイダル型無段変速機のディスクを提供できる。なお、上記方法では、ディスクの前記力伝達面と前記背面側部位を除く前記内周面とに対して最初に高周波焼入れを施した後、ディスクの前記背面に対して高周波焼入れを施し、前記背面が焼入れされている最中に焼入れ済みの前記力伝達面と前記背面側部位を除く前記内周面とを冷却することが好ましい。本発明によれば、高周波焼入れによってディスクに生じる硬化層同士の間の境界部がディスクの低応力部位に設定されるように硬化層が形成されるため、高周波焼入れが施されるべき部位が確実に焼入れ処理されて成る残留引張応力を伴わない適正な硬度分布を有するトロイダル型無段変速機のディスクおよびその製造方法を提供できる。以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。なお、本発明の特徴は、ディスクの高周波焼入れ形態にあり、その他の構成および作用は前述した従来の構成および作用と同様であるため、以下においては、本発明の特徴部分についてのみ言及し、それ以外の部分については、図7および図8と同一の符号を付して簡潔に説明するに留める。図1は、トロイダル型無段変速機のディスクの一例である出力側ディスク3を示しているなお、以下では、一例として出力側ディスク3について説明するが、以下の説明が入力側ディスク2にも同様に適用できることは言うまでもない。図示のように、出力側ディスク3は、変速機の運転時にディスク表面に発生する応力が相対的に低くなる低応力部位100100a,100bと相対的に高くなる高応力部位102102a,102bとを有する。本実施形態において、低応力部位100は、ディスク3の径方向最も外側の外周面100a、および、ディスク3の径方向最も内側の内周面のうち回転力の伝達に関与する凹面である内側面力伝達面3aと反対側の背面3bの近傍に位置する背面側部位100bである。一方、高応力部位102は、回転力の伝達に関与する凹面である内側面力伝達面3a102a、ディスク3の径方向最も内側の内周面のうち回転力の伝達に関与する凹面である内側面力伝達面3aの近傍に位置する部位102b、および、背面3b102cである。なお、このような低応力部位100および高応力部位102は、ディスクが使用される場所入力側、出力側、キャビティの前後などや形式別体式または一体式によって異なるため、それぞれの運転時の応力を計算して設定されることが好ましい。ここで、本実施形態の出力側ディスク3は、図2に示すように、高周波焼入れによって高応力部位102a,102b,102cに所定の深さの硬化層Hv550以上130A,130B,130Cが形成され、低応力部位100a,100bに硬化層が形成されない。すなわち、本実施形態の出力側ディスク3においては、図3および図4に示す製造方法により、硬化層130A,130B,130C同士の間の境界部120A,120Bが低応力部位100a,100bに設定されるように硬化層130A,130B,130Cが形成される。なお、境界部120A,120Bによって互いに隔てられる硬化層同士の間隔は1mm以上であることが好ましい。図3および図4は、出力側ディスク3に硬化層を形成する処理工程を段階的に示している。図2に示される硬化層形態を得るためには、まず、図3に示されるように、出力側ディスク3の内側面3aと背面側部位100bを除く内周面102bとに対して最初に高周波焼入れを施す1回目の焼入れ。この場合、加熱コイル160をディスク3の内側面3aと内周面102bとに対向させた状態で高周波焼入れを行なう。その後、ディスク3の背面3bに対して高周波焼入れを施す2回目の焼入れ。この場合も、加熱コイル160をディスク3の背面3bに対向させた状態で高周波焼入れを行なう。また、このとき、すなわち、背面3bに高周波焼入れを施している最中に、同時に、焼入れ済みのディスク3の内側面3aと内周面102bとを冷却する。この冷却は、例えば、冷却ノズル170をディスク3の内側面3aと内周面102bとに対向させた状態で冷却液171を噴射することにより行なう。このように2回目の焼入れと同時に1回目の焼入れの冷却を行なう目的は、1回目の焼入れ部位が加熱されて焼戻るのを防止するためである。また、1回目の焼入れ範囲と2回目の焼入れ範囲とが重なり合うと、重なり合う部位で割れが発生する可能性があるため、少なくとも重なり合う部位の近傍に冷却を行なうことが好ましい。また、このような2回目の焼入れ時における1回目の焼入れ範囲の冷却は、1回目の焼入れ時に使用する加熱コイル160を兼ねた冷却装置をそのまま使用してもよいが、冷却装置を別途用意しても構わない。このようにして、図2に示されるような硬化層形成形態が得られる。図5および図6は、出力側ディスク3に硬化層を形成する他の処理工程図3および図4の処理工程と逆の順序で行なわれるを段階的に示している。図2に示される硬化層形態を得るためには、まず、図5に示されるように、出力側ディスク3の背面3bに対して最初に高周波焼入れを施す1回目の焼入れ。この場合、加熱コイル160をディスク3の背面3bに対向させた状態で高周波焼入れを行なう。その後、出力側ディスク3の内側面3aと背面側部位100bを除く内周面102bとに対して高周波焼入れを施す2回目の焼入れ。この場合も、加熱コイル160をディスク3の内側面3aと内周面102bとに対向させた状態で高周波焼入れを行なう。また、このとき、すなわち、ディスク3の内側面3aと背面側部位100bを除く内周面102bとに対して高周波焼入れを施している最中に、同時に、焼入れ済みのディスク3の背面3bを冷却する。この冷却は、例えば、冷却ノズル170をディスク3の背面3bに対向させた状態で冷却液171を噴射することにより行なう。このように2回目の焼入れと同時に1回目の焼入れの冷却を行なう目的は、前述したように1回目の焼入れ部位が加熱されて焼戻るのを防止するためである。また、このような2回目の焼入れ時における1回目の焼入れ範囲の冷却は、1回目の焼入れ時に使用する加熱コイル160を兼ねた冷却装置をそのまま使用してもよいが、冷却装置を別途用意しても構わない。このようにして、図2に示されるような硬化層形成形態が得られる。なお、一体型ディスクの場合にも基本的には同様の硬化層形勢形態がとられる。以上説明したように、本実施形態によれば、高周波焼入れによってディスク3に生じる硬化層130A,130B,130C同士の間の境界部120A,120Bがディスク3の低応力部位100a,100bに設定されるように硬化層130A,130B,130Cが形成されるため、ディスク3の高応力部位102a,102b,102cが焼入れ不足硬化処理不足或いは焼入れされない硬化処理されないといった事態を回避できる。すなわち、高周波焼入れが施されるべきディスク3の高応力部位102a,102b,102cが確実に焼入れ処理され、残留引張応力を伴わない適正な硬度分布を実現できる。"