実質的に亜鉛、チタン、酸素および窒素からなる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料であって、チタンが原子数比でTi/ZnTi=0.02超0.1以下、窒素とチタンが原子数比でN/Ti=0.1~0.6となるよう含有されている酸化物混合体または酸化物焼結体である、ことを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜形成材料。前記酸化物混合体が、酸化亜鉛相、酸化チタン相および窒化チタン相から構成され、前記酸化物焼結体が、酸化亜鉛相、チタン酸亜鉛相、窒化チタン相から構成される、請求項1に記載の透明導電膜形成材料。前記酸化チタン相が、一般式TiO2XX=0.1~1で表される低原子価酸化チタンである、請求項2に記載の透明導電膜形成材料。前記低原子価酸化チタンが、酸化チタンIIIまたは酸化チタンIIである請求項3に記載の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料。請求項1~4のいずれかに記載の酸化物混合体である酸化亜鉛系透明導電膜形成材料を製造する方法であって、酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉と、窒化チタン粉との混合粉を含む原料粉末を成形した後、得られた成形体を還元雰囲気中600°C未満で加熱する、ことを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜形成材料の製造方法。請求項1~4のいずれかに記載の酸化物焼結体である酸化亜鉛系透明導電膜形成材料を製造する方法であって、酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉と、窒化チタン粉との混合粉を含む原料粉末を成形した後、得られた成形体を還元雰囲気中600~1500°Cで加熱する、ことを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜形成材料の製造方法。前記加熱処理の還元雰囲気は、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、真空および水素からなる群より選ばれる少なくとも1種からなる雰囲気である、請求項5または6に記載の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料の製造方法。スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積法PLD法またはエレクトロンビームEB蒸着法による成膜に用いられるターゲットであって、請求項1~4のいずれかに記載の酸化物混合体または酸化物焼結体である透明導電膜形成材料を加工してなる、ことを特徴とするターゲット。スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積法PLD法またはエレクトロンビームEB蒸着法により酸化亜鉛系透明導電膜を形成する方法であって、請求項8記載のターゲットを成膜に用いる、ことを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法。透明基材上に、請求項9記載の透明導電膜の形成方法により成膜された酸化亜鉛系透明導電膜を備える、ことを特徴とする透明導電性基板。しかしながら、これまでの酸化亜鉛系透明導電膜は、導電性の点では優れるものの、耐熱性、耐湿性、耐薬品性耐アルカリ性、耐酸性などの化学的耐久性に劣るといった欠点があった。そこで、本発明の課題は、優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の成膜を可能にする酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供することにある。本発明者は、前記課題を解決するべく鋭意検討を行った。すなわち、酸化亜鉛にチタンをドープさせたチタンドープ酸化亜鉛からなる膜において、チタンのドープ量含有量を、これまで低抵抗を実現するうえで最適とされていたドープ量よりも増量し、亜鉛に比べ化学的耐久性に優れるチタンをより多く含有させるようにすれば、化学的耐久性を向上させることができるのではないかと考えるとともに、その際、チタンのドープ量が従来報告されている最適値から外れることで膜の抵抗率は高くなってしまうであろうことも予測した。ところが、検討を重ねたところ、この予測に反し、酸化チタンと酸化亜鉛の酸化物混合体または酸化物焼結体におけるチタンのドープ量を従来の最適値よりも多い特定範囲に設定し、窒素をある一定の割合でドープさせ、得られたチタンおよび窒素ドープ酸化亜鉛の酸化物混合体または酸化物焼結体をターゲットとして用いて成膜したところ、得られる膜の導電性低抵抗と化学的耐久性を両立させることが可能になることを見出した。それに加えてチタンがn型ドーパントであるのに対し、p型ドーパントである窒素をn型ドーパントであるチタンに対して、ある一定の比率でドープすることにより、得られる膜をさらに低抵抗化できることを見出した。すなわち、酸化亜鉛にn型およびp型ドーパントの両方をドープすることで、各々の不純物準位が相互作用によって浅くなる効果をうまく活かす方法である。両方のドーパント間の相互作用によって、n型不純物の活性化率が上昇するので、少ないドープ量でより多くのキャリア濃度を保持することができる。そのため、ドーパントによるイオン化不純物散乱を減少させることができ、結果的にキャリア電子の移動度の増大に寄与し、低抵抗化には有利な方向に働く、と考えられる。具体的には、以下のように考えられる。すなわち、p型ドーパントとして適切である窒素のイオン半径は酸素のイオン半径より大きいので、窒素の導入によって酸化亜鉛は結晶格子が部分的に大きくなる方向に歪む作用を受ける。そして、n型ドーパントであるチタンは、亜鉛のイオン半径よりも小さいので、チタンの導入によって、酸化亜鉛は結晶格子が部分的に小さくなる方向にひずむ作用を受ける。p型ドーパントとn型ドーパントによる格子歪みの緩和作用によって、いずれのドーパントも酸化亜鉛の格子間隙に入ったりせずに、チタンは亜鉛サイトに、窒素は酸素サイトにそれぞれ置換固溶することができ、ドーパントとしての活性化率が向上すると考えている。そのため、ドナー源にならないドナー中性のまま電子放出に寄与しないまま散乱要因となるをできるだけ低減することが可能になる。すなわち、ドーパントを添加することにより、マトリックスである酸化亜鉛の結晶構造ウルツ鉱の歪みは通常は避けられないが、n型およびp型ドーパントとしてチタンおよび窒素を用いればドーパントを添加しても酸化亜鉛の結晶構造の歪みは最小限に抑えられ、キャリア電子の移動度の向上に繋がる。本発明は上記知見に基づき完成されたものであり、以下の構成からなる。1実質的に亜鉛、チタン、酸素および窒素からなる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料であって、チタンが原子数比でTi/ZnTi=0.02超0.1以下、窒素とチタンが原子数比でN/Ti=0.1~0.6となるよう含有されている酸化物混合体または酸化物焼結体である、ことを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜形成材料。2前記酸化物混合体が、酸化亜鉛相、酸化チタン相および窒化チタン相から構成され、前記酸化物焼結体が、酸化亜鉛相、チタン酸亜鉛相、窒化チタン相から構成される、前記1に記載の透明導電膜形成材料。3前記酸化チタン相が、一般式TiO2XX=0.1~1で表される低原子価酸化チタンである、前記2に記載の透明導電膜形成材料。4前記低原子価酸化チタンが、酸化チタンIIIまたは酸化チタンIIである前記3に記載の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料。5前記1~4のいずれかに記載の酸化物混合体である酸化亜鉛系透明導電膜形成材料を製造する方法であって、酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉と、窒化チタン粉との混合粉を含む原料粉末を成形した後、得られた成形体を還元雰囲気中600°C未満で加熱する、ことを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜形成材料の製造方法。6前記1~4のいずれかに記載の酸化物焼結体である酸化亜鉛系透明導電膜形成材料を製造する方法であって、酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉と、窒化チタン粉との混合粉を含む原料粉末を成形した後、得られた成形体を還元雰囲気中600~1500°Cで加熱する、ことを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜形成材料の製造方法。7前記加熱処理の還元雰囲気は、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、真空および水素からなる群より選ばれる少なくとも1種からなる雰囲気である、前記5または6に記載の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料の製造方法。8スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積法PLD法またはエレクトロンビームEB蒸着法による成膜に用いられるターゲットであって、前記1~4のいずれかに記載の酸化物混合体または酸化物焼結体である透明導電膜形成材料を加工してなる、ことを特徴とするターゲット。9スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積法PLD法またはエレクトロンビームEB蒸着法により酸化亜鉛系透明導電膜を形成する方法であって、前記8記載のターゲットを成膜に用いる、ことを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法。10透明基材上に、前記9記載の透明導電膜の形成方法により成膜された酸化亜鉛系透明導電膜を備える、ことを特徴とする透明導電性基板。本発明によれば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、PLD法またはEB蒸着法によって、酸化亜鉛に対して、亜鉛よりもイオン半径が小さいチタン及び酸素よりもイオン半径が大きい窒素を適切な濃度範囲内でドープすることで、優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜を形成することができる。しかも、このようにして形成された透明導電膜は、希少金属であり毒性を有するインジウムを必須としないという利点も有するので、工業的に極めて有用である。酸化物混合体、酸化物焼結体本発明の透明導電膜形成材料を構成する酸化物混合体または酸化物焼結体は、実質的に亜鉛、チタン、酸素、及び窒素からなるチタン、窒素ドープ酸化亜鉛の混合体、焼結体である。ここで、実質的とは、酸化物混合体、酸化物焼結体を構成する全原子の99以上が亜鉛、チタン、酸素、および窒素からなることを意味する。本発明における酸化物混合体、酸化物焼結体は、チタンが原子数比でTi/ZnTi=0.02超0.1以下となるよう含有されていることが重要である。このTi/ZnTiの値が0.02以下となるチタン含有量であると、この酸化物混合体、酸化物焼結体をターゲットとして形成された膜の耐薬品性などの化学的耐久性が不充分となる。一方、Ti/ZnTiの値が0.1を超えるチタン含有量であると、酸化物焼結体、酸化物混合体中に含まれないことが望まれる酸化チタン結晶相の形成が避けられなくなり、酸化物混合体、酸化物焼結体をターゲットとして形成された膜の導電性や透明性が低下する。好ましくは、チタンの含有量は、原子数比でTi/ZnTi=0.03~0.09となる量であり、より好ましくは、原子数比でTi/ZnTi=0.04~0.08となる量である。本発明における酸化物混合体、酸化物焼結体は、窒素のドープ量が原子数比でN/Ti=0.1~0.6となるように含有されていることが重要である。これにより、酸化物混合体または酸化物焼結体をターゲットとして形成された膜のさらなる低抵抗化が期待できる。窒素のチタンに対する原子数比が、0.1未満であると、窒素ドープによるチタンドープによる不純物準位を浅くする効果が小さくなり、逆に窒素のドープ量が0.6を超えると、p型である窒素によるチタンドープn型の補償効果が大きくなってしまい、キャリア電子数を逆に低下させて、抵抗が増大してしまう。本発明における酸化物混合体は、酸化亜鉛相、酸化チタン相および窒化チタン相から構成されるのが好ましい。酸化亜鉛相とは、具体的には、ZnOのほか、これにチタン元素および/または窒素元素が固溶されたものや、酸素欠損が導入されているものや、亜鉛欠損により非化学量論組成となったものも含むものとする。なお、酸化亜鉛相は、通常、ウルツ鉱型構造をとる。窒化チタン相とは、具体的には、TiNである。酸化チタンの結晶相とは、具体的には、TiO2、Ti2O3、TiOのほか、これらの結晶にZnなど他の元素が固溶された物質も含むものであり、好ましくは一般式TiO2XX=0.1~1で表される低原子価酸化チタンであるもの、さらに好ましくはTi2O3、TiOであるものである。本発明における酸化物焼結体は、酸化亜鉛相、チタン酸亜鉛相および窒化チタン相から構成されるのが好ましい。酸化亜鉛相とは、具体的には、ZnOのほか、これにチタン元素および/または窒素元素が固溶されたものや、酸素欠損が導入されているものや、亜鉛欠損により非化学量論組成となったものも含むものとする。なお、酸化亜鉛相は、通常、ウルツ鉱型構造をとる。窒化チタン相とは、具体的には、TiNである。チタン酸亜鉛相とは、具体的には、ZnTiO3、Zn2TiO4のほか、これらの亜鉛サイトにチタン元素および/または窒素元素が固溶されたものや、酸素欠損が導入されているものや、Zn/Ti比がこれらの化合物から僅かにずれた非化学量論組成のものも含むものとする。本発明における酸化物混合体、酸化物焼結体は、ガリウム、アルミニウム、錫、シリコン、ゲルマニウム、ジルコニウム、ハフニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素以下、これらを添加元素と称することもあるをも含有することが好ましい。このような添加元素を含有することによって、形成される透明導電膜の比抵抗が低下し、導電性を向上させることができる。添加元素を含有する場合、その全含有量は、原子数比で、酸化物混合体を構成する全金属元素の総量に対して0.05以下であることが好ましい。添加元素の含有量が前記範囲よりも多いと、酸化物混合体をターゲットとして形成される膜の比抵抗が増大するおそれがある。前記添加元素は、酸化物の形態で酸化物混合体中または酸化物焼結体中に存在していてもよいし、前記酸化亜鉛相の亜鉛サイトに置換した固溶した形態で存在していてもよいし、前記酸化チタン相のチタンサイトに置換した固溶した形態で存在していてもよい。本発明における酸化物混合体、酸化物焼結体は、必須元素である亜鉛およびチタンや前記添加元素のほかに、例えば、インジウム、イリジウム、ルテニウム、レニウムなどの他の元素を、不純物として含有していてもよい。不純物として含有される元素の合計含有量は、原子比で、酸化物混合体、酸化物焼結体を構成する全金属元素の総量に対して0.5以下であることが好ましい。酸化物混合体の製造方法本発明における酸化物混合体の製造方法は、酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉と、窒化チタン粉との混合粉を含む原料粉末を成形し、所定の条件下で加熱処理することにより、上述した酸化物混合体を得る方法である。前記原料粉末としては、酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉と、窒化チタン粉との混合粉であればよい。前記酸化チタン粉としては、TiO2、Ti2O3、TiO等の粉末を用いることができ、TiO2を含まない低原子価酸化チタンの粉末、特に、Ti2O3の粉末を用いるのが好ましい。なぜなら、Ti2O3の結晶構造は三方晶であり、これと混合する酸化亜鉛は六方晶のウルツ鉱であるため、結晶構造の対称性が一致し、固相焼結する際に置換固溶しやすいからである。前記した低原子価酸化チタンとは、TiOII、Ti2O3IIIという整数の原子価を有するものばかりでなく、Ti3O5、Ti4O7、Ti6O11、Ti5O9、Ti8O15等も含む、一般式TiO2XX=0.1~1で表される範囲のものである。本発明における低原子価酸化チタンは、一般式TiO2Xの化学式で表される新規な低原子価酸化チタンである。この低原子価酸化チタンの構造は、X線回折装置X-raydiffraction、XRD、X線光電子分光装置X-rayPhotoelectronSpectroscopy、XPSなどの機器分析の結果によって確認することができる。前記一般式TiO2XX=0.1~1は単成分を作製するのは難しく、混合物として得られる。通常、酸化チタンTiO2を水素雰囲気等の還元雰囲気にて、還元剤としてカーボン等を用いて、加熱することにより作製することができる。水素濃度、還元剤としてカーボン量、加熱温度を調製することにより、低原子価酸化チタンの混合物の割合を制御することができる。前記酸化亜鉛粉としては、通常、ウルツ鉱構造のZnO等の粉末が用いられ、さらにこのZnOを予め還元雰囲気で焼成して酸素欠損を含有させたものを用いてもよい。前記水酸化亜鉛粉としては、アモルファスもしくは結晶構造のいずれであってもよい。前記窒化チタン粉としては、TiNである。原料粉末として各々用いる化合物粉の平均粒径は、それぞれ5μm以下であることが好ましい。前記原料粉末として酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉と、窒化チタン粉との混合粉を用いる場合の各粉の混合割合は、各々用いる化合物粉の種類に応じて、最終的に得られる酸化物混合体において原子数比でTi/ZnTiおよびN/Tiの値が上述した範囲となるように適宜設定すればよい。なお、原料粉末として各々用いる化合物粉は、それぞれ1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。前記原料粉末を成形する際の方法は、特に制限されるものではないが、例えば、原料粉末と水系溶媒とを混合し、得られたスラリーを充分に湿式混合により混合した後、固液分離乾燥造粒し、得られた造粒物を成形すればよい。湿式混合は、例えば、硬質ZrO2ボール等を用いた湿式ボールミルや振動ミルにより行なえばよく、湿式ボールミルや振動ミルを用いた場合の混合時間は、12~78時間程度が好ましい。なお、原料粉末をそのまま乾式混合してもよいが、湿式混合の方がより好ましい。固液分離乾燥造粒については、それぞれ公知の方法を採用すればよい。得られた造粒物を成形する際には、例えば、造粒物を型枠に入れ、冷間プレスや冷間静水圧プレスなどの冷間成形機を用いて1ton/cm2以上の圧力をかけて成形することができる。このとき、ホットプレスなどを用いて熱間で成形を行うと、製造コストの面で不利となるとともに、大型成形体が得にくくなる。得られた成形体の加熱処理以下、アニールということがあるは、大気雰囲気、還元雰囲気例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、真空、水素等および酸化雰囲気大気よりも酸素濃度が高い雰囲気のいずれかの雰囲気中、50°C以上600°C未満、好ましくは400°C以下で行なう。そして、酸化雰囲気中でアニールした場合、さらに還元雰囲気中で400°C以下でアニール処理を行うことが望ましい。TiO、Ti2O3がTiO2に酸化されてしまうからである。酸化チタンとしてTiO2を用いた場合、600°C未満であれば、大気雰囲気、還元雰囲気どちらでも構わない。このようにアニールすることにより、混合成形体の機械的強度を高めることができる。いずれの雰囲気中でアニールする際も、アニール時間すなわち、アニール温度での保持時間は、1時間~15時間とすることが好ましい。アニール時間が1時間未満であると、酸化物混合体の機械的強度の向上が十分ではない。アニールを行なう際の方法は、特に制限されるものではなく、例えば、常圧アニール法、ホットプレス法、熱間静水圧プレスHIP法など公知の方法を採用することができる。前記アニール処理を施す際の還元雰囲気としては、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、真空および水素からなる群より選ばれる少なくとも1種からなる雰囲気が挙げられる。前記アニール処理の方法としては、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、水素などの非酸化性ガスを導入しながら常圧で加熱する方法や、真空好ましくは、2Pa以下下で加熱する方法等により行うことができるが、製造コストの観点からは、前者の常圧で行う方法が有利である。酸化物焼結体の製造方法本発明における酸化物焼結体の製造方法は、酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉と、窒化チタン粉との混合粉またはチタン酸亜鉛化合物粉と窒化チタン粉を含む原料粉末を成形した後、得られた成形体を所定の条件下で焼結することにより、上述した本発明における酸化物焼結体を得る方法である。前記原料粉末としては、酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉と、窒化チタン粉との混合粉か、またはチタン酸亜鉛化合物粉と窒化チタン粉を含むものであればよく、酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉と、窒化チタン粉と、チタン酸亜鉛化合物粉との混合粉であってもよい。好ましくは、酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉と、窒化チタン粉との混合粉を含むものがよい。例えば、チタン金属と、酸化亜鉛粉と窒化チタン粉もしくは水酸化亜鉛粉と窒化チタン粉を組み合わせたものや、酸化チタンと亜鉛金属と窒化チタンを組み合わせたものを原料粉末としても、本発明における酸化物焼結体は得られるが、その場合、酸化物焼結体中にチタンや亜鉛の金属粒が存在しやすくなり、これをターゲットとして成膜すると、成膜中にターゲット表面の金属粒が溶融してしまいターゲットから放出されず、得られる膜の組成とターゲットの組成とが大きく異なる傾向がある。前記酸化チタン粉としては、TiO2、Ti2O3、TiO等の粉末を用いることができ、TiO2を含まない低原子価酸化チタンの粉末、特に、Ti2O3の粉末を用いるのが好ましい。なぜなら、Ti2O3の結晶構造は三方晶であり、これと混合する酸化亜鉛は六方晶のウルツ鉱であるため、結晶構造の対称性が一致し、固相焼結する際に置換固溶しやすいからである。前記した低原子価酸化チタンとは、TiOII、Ti2O3IIIという整数の原子価を有するものばかりでなく、Ti3O5、Ti4O7、Ti6O11、Ti5O9、Ti8O15等も含む、一般式TiO2XX=0.1~1で表される範囲のものである。本発明における低原子価酸化チタンは、一般式TiO2Xの化学式で表される新規な低原子価酸化チタンである。この低原子価酸化チタンの構造は、X線回折装置X-raydiffraction、XRD、X線光電子分光装置X-rayPhotoelectronSpectroscopy、XPSなどの機器分析の結果によって確認することができる。前記一般式TiO2XX=0.1~1は単成分を作製するのは難しく、混合物として得られる。通常、酸化チタンTiO2を水素雰囲気等の還元雰囲気にて、還元剤としてカーボン等を用いて、加熱することにより作製することができる。水素濃度、還元剤としてカーボン量、加熱温度を調製することにより、低原子価酸化チタンの混合物の割合を制御することができる。前記酸化亜鉛粉としては、通常、ウルツ鉱構造のZnO等の粉末が用いられ、さらにこのZnOを予め還元雰囲気で焼成して酸素欠損を含有させたものを用いてもよい。前記水酸化亜鉛粉としては、アモルファスもしくは結晶構造のいずれであってもよい。前記窒化チタン粉としては、TiNである。前記チタン酸亜鉛化合物としては、ZnTiO3、Zn2TiO4等の粉末を用いることができ、特に、Zn2TiO4の粉末を用いるのが好ましい。原料粉末として各々用いる化合物粉の平均粒径は、それぞれ5μm以下であることが好ましい。前記原料粉末として酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉と、窒化チタン粉との混合粉を用いる場合、あるいは酸化チタン粉と、酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉と、チタン酸亜鉛化合物粉と、窒化チタン粉との混合粉を用いる場合の各粉の混合割合は、各々用いる化合物粉の種類に応じて、最終的に得られる酸化物焼結体において原子数比でTi/ZnTiの値およびN/Tiの値がそれぞれ上述した範囲となるように適宜設定すればよい。その際、亜鉛はチタンに比べて蒸気圧が高く焼結した際に揮散しやすいことを考慮して、所望する酸化物焼結体の目的組成ZnとTiとの原子数比Ti/ZnTiよりも、予め亜鉛の量が多くなるように混合割合を設定しておくことが好ましい。具体的には、亜鉛の揮散のしやすさは、焼結する際の雰囲気によって異なり、例えば、酸化亜鉛粉を用いた場合、大気雰囲気や酸化雰囲気では酸化亜鉛粉自体の揮散しか起こらないが、還元雰囲気で焼結すると、酸化亜鉛が還元されて、酸化亜鉛よりもさらに揮散しやすい金属亜鉛となるので、亜鉛の消失量が増すことになるのであるただし、後述のように、一旦焼結した後、還元雰囲気中でアニール処理を施す場合には、アニール処理を施す時点で既に複合酸化物となっているので、亜鉛が揮散しにくい。したがって、目的組成に対してどの程度亜鉛の量を増やしておくかについては、焼結の雰囲気などを考慮して設定すればよく、例えば、大気雰囲気や酸化雰囲気で焼結する場合には所望する原子数比となる量の1.0~1.05倍程度、還元雰囲気で焼結する場合には所望する原子数比となる量の1.1~1.3倍程度とすればよい。なお、原料粉末として各々用いる化合物粉は、それぞれ1種のみであってもよいし、2種以上であってもよい。前記原料粉末は成形される前に、粉砕処理が施されてもよい。粉砕処理が施されることで、原料粉末は幅の狭い粒度分布に整えられ、後述する焼結において、均一に固相焼結させることができ、密度の高い酸化物焼結体を得ることができる。粉砕処理する方法としては、特に限定されず、例えば、メディアを使用する場合、ビーズミル、ボールミル、遊星ミル、サンドグラインダー、振動ミルまたはアトライター等の装置を備えた粉砕機による方法、メディアを使用しないジェットミル、ナノマイザー、スターバースト等の湿式超高圧微粒化装置による方法などが挙げられる。前記原料粉末を成形する際の方法は、特に制限されるものではないが、例えば、原料粉末と水系溶媒とを混合し、得られたスラリーを充分に湿式混合により混合した後、固液分離乾燥造粒し、得られた造粒物を成形すればよい。水系溶媒は、水を主成分とし、水単独であってもよいし、水とメタノール、エタノールなどのアルコールなどとの混合物であってもよい。湿式混合は、例えば、硬質ZrO2ボール等を用いた湿式ボールミルや振動ミルにより行なえばよく、湿式ボールミルや振動ミルを用いた場合の混合時間は、12~78時間程度が好ましい。なお、原料粉末をそのまま乾式混合してもよいが、湿式混合の方がより好ましい。固液分離乾燥造粒については、それぞれ公知の方法を採用すればよい。得られた造粒物を成形する際には、例えば、造粒物を型枠に入れ、冷間プレスや冷間静水圧プレスなどの冷間成形機を用いて1ton/cm2以上の圧力をかけて成形することができる。このとき、ホットプレスなどを用いて熱間で成形を行うと、製造コストの面で不利となるとともに、大型焼結体が得にくくなる。なお、成形体として造粒物を得る際には、乾燥後、公知の方法で造粒すればよいのであるが、その場合、原料粉末とともにバインダーも混合することが好ましい。バインダーとして、例えば、ポリビニルアルコール、酢酸ビニル等を用いることができる。得られた成形体の焼結は、大気雰囲気、還元雰囲気例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、真空、水素等および酸化雰囲気大気よりも酸素濃度が高い雰囲気のいずれかの雰囲気中、600~1500°Cで行なう。そして、酸化雰囲気中で焼結した場合には、その後さらに還元雰囲気中でアニール処理を施すようにする。この酸化雰囲気中で焼結した後に施す還元雰囲気中でのアニール処理は、酸化物焼結体に酸素欠損を生じさせ、比抵抗を低下させるために行なうものである。したがって、大気雰囲気中または還元雰囲気中で焼結した際にも、さらなる比抵抗の低下を所望する場合には、焼結後、前記アニール処理を施すのが好ましいことは言うまでもない。いずれの雰囲気中で焼結する際も、焼結温度は600~1500°C、好ましくは1000~1300°Cとする。焼結温度が600°C未満であると、焼結が充分に進行しないので、ターゲット密度が低くなる。一方、1500°Cを超えると、酸化亜鉛自体が分解して消失してしまうこととなる。なお、成形体を前記焼結温度まで昇温する際には、昇温速度を、600°Cまでは5~10°C/分とし、600°Cを超え1500°Cまでは1~4°C/分とすることが、焼結密度を均一にするうえで好ましい。いずれの雰囲気中で焼結する際も、焼結時間すなわち、焼結温度での保持時間は、3~15時間とすることが好ましい。焼結時間が3時間未満であると、焼結密度が不充分となりやすく、得られる酸化物焼結体の強度が低下する傾向があり、一方、15時間を超えると、酸化物焼結体の結晶粒成長が著しくなるとともに、空孔の粗大化、ひいては最大空孔径の増大化を招く傾向があり、その結果、酸化物焼結体の焼結密度が低下するおそれがある。焼結を行なう際の方法は、特に制限されるものではなく、常圧焼成法、ホットプレス法、HIP法、放電プラズマ焼結SPS法、ミリ波焼結法、マイクロ波焼結法など公知の方法を採用することができる。前記アニール処理を施す際の還元雰囲気としては、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、真空および水素からなる群より選ばれる少なくとも1種からなる雰囲気が挙げられる。前記アニール処理の方法としては、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、二酸化炭素、水素などの非酸化性ガスを導入しながら常圧で加熱する方法や、真空好ましくは、2Pa以下下で加熱する方法等により行うことができるが、製造コストの観点からは、前者の常圧で行う方法が有利である。前記アニール処理を施すに際し、アニール温度加熱温度は、1000~1400°Cとするのが好ましく、より好ましくは1100~1300°Cとするのがよい。アニール時間加熱時間は、7~15時間とするのが好ましく、より好ましくは8~12時間とするのがよい。アニール温度が1000°C未満であると、アニール処理による酸素欠損の導入が不充分になるおそれがあり、一方、1400°Cを超えると、亜鉛が揮散しやすくなり、得られる酸化物焼結体の組成ZnとTiとの原子数比が所望の比率と異なってしまうおそれがある。ターゲット本発明のターゲットは、スパッタリング法、イオンプレーティング法、PLD法またはEB蒸着法による成膜に用いられるターゲットである。なお、このような成膜の際に用いる固形材料のことをタブレットと称する場合もあるが、本発明においてはこれらを含めターゲットと称することとする。本発明のターゲットは、上述した本発明における酸化物混合体あるいは酸化物焼結体を加工してなる。加工方法は、特に制限されず、例えば、研削、研磨などの適宜公知の方法を採用すればよい。例えば、酸化物焼結体に平面研削等を施した後、所定の寸法に切断してから、支持台に貼着することにより、本発明のターゲットを得ることができる。また、必要に応じて、複数枚の酸化物焼結体を分割形状にならべて、大面積のターゲット複合ターゲットとしてもよい。本発明の酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法は、スパッタリング法、イオンプレーティング法、PLD法またはEB蒸着法により成膜を行うものであるが、その際の具体的手法や条件などについては、上述したターゲットを用いること以外、特に制限はなく、公知のスパッタリング法、イオンプレーティング法、PLD法またはEB蒸着法の手法や条件を適宜採用すればよい。さらには、窒素の添加方法として、窒化チタン粉を含むターゲットを用いることなく、雰囲気ガスとしてN2O等の窒素を含むガスを用いることで、一種の反応性スパッタリングにより、膜に窒素を含ませる方法を取ることもできる。さらには、窒素ラジカルを供給するといった方法によって窒素を供給しても良い。本発明はこれらの方法の全てを包含するものである。本発明のターゲットを用いて形成された透明導電膜は、優れた導電性と化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐薬品性耐アルカリ性、耐酸性などとを兼ね備えたものであるので、例えば、液晶ディスプレイプラズマディスプレイ無機ELエレクトロルミネセンスディスプレイ有機ELディスプレイ電子ペーパーなどの透明電極、太陽電池の光電変換素子の窓電極、透明タッチパネル等の入力装置の電極、電磁シールドの電磁遮蔽膜等の用途に好適に用いられる。さらに、本発明の酸化物焼結体、酸化物混合体またはターゲットを用いて形成された透明導電膜は、透明電波吸収体、紫外線吸収体、さらには透明半導体デバイスとして、他の金属膜や金属酸化膜と組み合わせて活用することもできる。本発明の酸化亜鉛系透明導電膜の膜厚は、用途に応じて適宜設定すればよく、特に制限されないが、好ましくは50~600nm、より好ましくは100~500nmである。50nm未満であると、充分な比抵抗が確保できないおそれがあり、一方、600nmを超えると膜に着色が生じてしまうおそれがある。透明導電性基板本発明の透明導電性基板は、透明基材上に、上述した酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法により成膜された酸化亜鉛系透明導電膜を備えるものである。前記透明基材は、スパッタリング法、イオンプレーティング法、PLD法またはEB蒸着法による成膜条件において形状を維持しうるものであれば、特に限定されない。例えば、各種ガラス等の無機材料、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂例えば、エポキシ樹脂、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルスルホン、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、ポリイミドなどのプラスチック類等の樹脂などで形成された板状物、シート状物、フィルム状物等を用いることができるが、特に、ガラス板、樹脂フィルム又は樹脂シートのいずれかであるのが好ましい。透明基材の可視光透過率は、通常、90以上、好ましくは95以上であるのがよい。なお、前記透明基材として樹脂フィルムや樹脂シートを用いる場合、スパッタリング法、イオンプレーティング法、PLD法またはEB蒸着法による成膜で受けるダメージを分散均一化するために、工業的に行われているロールツーロールの成膜方法で、巻き出し速度と巻取り速度をコントロールしながら引張応力をかけた状態で成膜することが好ましい。さらに、あらかじめ樹脂フィルムまたは樹脂シートを加熱した状態で成膜してもよいし、成膜最中に樹脂フィルムまたは樹脂シートを冷却するようにしてもよい。また、スパッタリング法、イオンプレーティング法、PLD法またはEB蒸着法による成膜でダメージを受ける時間を短縮するため、樹脂フィルムまたは樹脂シートの搬送速度の高速化例えば1.0m/分以上でを図ることも効果的であり、この場合は、例えば成膜する樹脂フィルムまたは樹脂シートとターゲットとの距離が短くても成膜が可能となり、工業的プロセスとしては有利である。前記透明基材には、必要に応じて、単層または多層からなる絶縁層、半導体層、ガスバリア層または保護層のいずれかが形成されていてもよい。絶縁層としては、酸化珪素膜や窒化酸化珪素膜などが挙げられる。半導体層としては、薄膜トランジスターTFTなどが挙げられ、主にガラス基板に形成される。ガスバリア層としては、酸化珪素膜、窒化酸化珪素膜、アルミニウム酸マグネシウム膜などが挙げられ、水蒸気バリア膜などとして樹脂板もしくは樹脂フィルムに形成される。保護層は、基材の表面を傷や衝撃から守るためのものであり、Si系、Ti系、アクリル樹脂系など各種コーティング層が挙げられる。本発明の酸化亜鉛系透明導電性基板の比抵抗は、通常2×103Ωcm以下、好ましくは8×104Ωcm以下である。また、その表面抵抗シート抵抗は、用途によって異なるが、通常5~10000Ω/□、好ましくは10~300Ω/□であるのが好ましい。なお、比抵抗および表面抵抗は、例えば実施例で後述する方法によって測定することができる。本発明の酸化亜鉛系透明導電性基板の透過率は、可視光領域で、通常85以上、好ましくは90以上である。また、その全光線透過率は、好ましくは80以上、より好ましくは85以上であり、そのヘイズ値は、好ましくは10以下、より好ましくは5以下であるのがよい。なお、透過率は、例えば実施例で後述する方法によって測定することができる。本発明の透明導電性基板における酸化亜鉛系透明導電膜の膜厚は、50~600nmであることが好ましい。この膜厚の範囲では、用途によって異なるが、可撓性が保たれた連続的な膜を得る事ができる。さらに、本発明の透明導電膜の膜厚は用途に応じて100~500nmとすることが望ましい。本発明の透明導電性基板には、必要に応じて、最外層として、保護膜、反射防止膜、フィルター等の役割や、液晶の視野角の調整、曇り止め等の機能を発揮する任意の樹脂または無機化合物の層を、1層または2層以上積層することができる。本発明の透明導電性基板は、上述したように、良好な透明性を有し、かつ、上述したように優れた導電性と化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐薬品性耐アルカリ性、耐酸性などを兼ね備えたものである。そのため、例えば、液晶ディスプレイプラズマディスプレイ無機ELエレクトロルミネセンスディスプレイ有機ELディスプレイ電子ペーパーなどの透明電極、太陽電池の光電変換素子の窓電極、透明タッチパネル等の入力装置の電極、電磁シールドの電磁遮蔽膜、透明電波吸収体、紫外線吸収体、さらには透明半導体デバイスとして他の金属膜/金属酸化膜と組み合わせて活用することができる。以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明は、かかる実施例により限定されるものではない。なお、得られた透明導電性基板の評価は以下の方法で行なった。<比抵抗>比抵抗は、抵抗率計三菱化学株製LORESTA-GP、MCP-T610を用いて、四端子四探針法により測定した。詳しくは、サンプルに4本の針状の電極を直線上に置き、外側の二探針間に一定の電流を流し、内側の二探針間に一定電流を流し、内側の二探針間に生じる電位差を測定し、抵抗を求めた。<表面抵抗>表面抵抗Ω/□は、比抵抗Ωcmを膜厚cmで除することにより算出した。<透過率>透過率は、紫外可視近赤外分光光度計日本分光株製V-670を用いて測定した。<耐湿性>透明導電性基板を、温度60°C、相対湿度90の雰囲気中に1000時間保持する耐湿試験に付した後、表面抵抗を測定した。耐湿試験後の表面抵抗が、耐湿試験前の表面抵抗の2倍以下であると、耐湿性に優れると言える。<耐熱性>透明導電性基板を、温度200°Cの大気中に5時間保持する耐熱試験に付した後、表面抵抗を測定した。耐熱試験後の表面抵抗が、耐熱試験前の表面抵抗の1.5倍以下であると、耐熱性に優れると言える。<耐アルカリ性>透明導電性基板を、3のNaOH水溶液40°C中に10分間浸漬し、浸漬前後の基板上の膜質の変化の有無を目視にて確認した。<耐酸性>透明導電性基板を、3のHCl水溶液40°C中に10分間浸漬し、浸漬前後の基板上の膜質の変化の有無を目視にて確認した。実施例1酸化亜鉛粉ZnO粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、和光純薬工業株製および酸化チタン粉Ti2O3粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、株高純度化学研究所製および窒化チタン粉TiN粉末純度99.9、平均粒径0.9μm、新日本金属株製を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が94:6Ti/ZnTi=0.06となる割合で、かつN:Ti=23:77N/Ti=0.30となる割合で樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミル混合法により湿式混合した。湿式混合は、ボールとして硬質ZrO2ボールを用い、混合時間を18時間として行った。次いで、混合後の原料粉末スラリーを取り出し、乾燥、造粒した後、冷間静水圧プレスにて1ton/cm2の圧力をかけて成形し、直径100mm、厚さ8mmの円盤状成形体を得た。次に、得られた成形体を、大気雰囲気中、300°Cにて1時間アニールして、成形体酸化物混合体1を得た。得られた酸化物混合体1をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=94:6であったTi/ZnTi=0.06。この酸化物混合体1の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnO、酸化チタンTi2O3、窒化チタンTiNの結晶相の混合物であった。次に、得られた酸化物混合体1を50mmΦの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いてスパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。すなわち、スパッタリング装置キャノンアネルバエンジニアリング株製E-200内に、上記スパッタリング用ターゲットおよび膜形成用基板石英ガラス基板を設置し、Arガス純度99.9995以上、Ar純ガス=5Nを12sccmで導入して、圧力0.5Pa、電力75W、基板温度250°Cの条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚500nmの透明導電膜を形成した。形成した透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、波長分散型蛍光X線装置株島津製作所製XRF-1700WSを用い蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=94:6であった。また、この透明導電膜について、X線回折装置理学電機株製RINT2000を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したX線回折を行うとともに、エネルギー分散型X線マイクロアナライザーTEM-EDXを用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡FE-SEMを用いて結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は5.4×104Ωcmであり、表面抵抗は10.8Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~2700nmで平均60であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域380nm~780nmにおける透過率は平均94であり、赤外領域780nm~2700nmにおける透過率は平均94であった。得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐熱性に優れることがわかった。得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。実施例2酸化亜鉛粉ZnO粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、和光純薬工業株製および酸化チタン粉Ti2O3粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、株高純度化学研究所製および窒化チタン粉TiN粉末純度99.9、平均粒径0.9μm、新日本金属株製を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が95:5となる割合で樹脂製ポットに入れ、かつN:Ti=30:70N/Ti=0.43となる割合で湿式ボールミル混合法により湿式混合した。湿式混合は、ボールとして硬質ZrO2ボールを用い、混合時間を18時間として行った。次いで、混合後の原料粉末スラリーを取り出し、乾燥、造粒した後、冷間静水圧プレスにて1ton/cm2の圧力をかけて成形し、直径100mm、厚さ8mmの円盤状成形体を得た。次に、得られた成形体を、還元雰囲気100Ar雰囲気中、500°Cで1時間保持することにより、成形体酸化物混合体2を得た。得られた酸化物混合体2をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=95:5であったTi/ZnTi=0.05。この酸化物混合体2の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOと酸化チタンTi2O3と窒化チタンTiNの結晶相の混合物であった。次に、得られた酸化物混合体2を50mmΦの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いて、実施例1と同様にして、スパッタリング法により膜厚500nmの透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。形成した透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、実施例1と同様にして、蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=95:5であった。また、この透明導電膜について、実施例1と同様にして、X線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態および結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は4.5×104Ωcmであり、表面抵抗は9.0Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~2700nmで平均60であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の透過率は、可視領域、赤外領域とも実施例1と同じである。得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐熱性に優れることがわかった。得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。実施例3酸化亜鉛粉ZnO粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、和光純薬工業株製および酸化チタン粉Ti2O3粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、株高純度化学研究所製および窒化チタン粉TiN粉末純度99.9、平均粒径0.9μm、新日本金属株製を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が96:4となる割合で樹脂製ポットに入れ、かつN:Ti=30:70N/Ti=0.43となる割合で湿式ボールミル混合法により湿式混合した。湿式混合は、ボールとして硬質ZrO2ボールを用い、バインダーとしてポリビニルアルコール原料粉末全量に対して1質量に相当する量を使用を用い、混合時間を18時間として行った。次いで、混合後の原料粉末スラリーを取り出し、乾燥、造粒した後、冷間静水圧プレスにて1ton/cm2の圧力をかけて成形し、直径100mm、厚さ8mmの円盤状成形体を得た。次に、得られた成形体を、還元雰囲気中、1000°Cまでを5°C/分で、1000°Cを超え1300°Cまでを1°C/分で昇温し、焼結温度である1300°Cで5時間保持することにより焼結し、酸化物焼結体1を得た。得られた酸化物焼結体1をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=96:4であったTi/ZnTi=0.04。この酸化物焼結体1の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOとチタン酸亜鉛Zn2TiO4と窒化チタンの各結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。次に、得られた酸化物焼結体1を50mmΦの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いてスパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。すなわち、スパッタリング装置キャノンアネルバエンジニアリング株製E-200内に、上記スパッタリング用ターゲットおよび膜形成用基板石英ガラス基板を設置し、Arガス純度99.9995以上、Ar純ガス=5Nを12sccmで導入して、圧力0.5Pa、電力75W、基板温度250°Cの条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚500nmの透明導電膜を形成した。形成した透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、波長分散型蛍光X線装置株島津製作所製XRF-1700WSを用い蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=96:4であった。また、この透明導電膜について、X線回折装置理学電機株製RINT2000を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したX線回折を行うとともに、エネルギー分散型X線マイクロアナライザーTEM-EDXを用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡FE-SEMを用いて結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は4.4×104Ωcmであり、表面抵抗は8.8Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~2700nmで平均60であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域380nm~780nmにおける透過率は平均94であり、赤外領域780nm~2700nmにおける透過率は平均94であった。得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐熱性に優れることがわかった。得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。比較例1酸化亜鉛粉ZnO粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、和光純薬工業株製および酸化チタン粉Ti2O3粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、株高純度化学品研究所製を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が99:1となる割合で樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミル混合法により湿式混合した。湿式混合は、ボールとして硬質ZrO2ボールを用い、混合時間を18時間として行った。次いで、混合後の原料粉末スラリーを取り出し、乾燥、造粒した後、冷間静水圧プレスにて1ton/cm2の圧力をかけて成形し、直径100mm、厚さ8mmの円盤状成形体を得た。次に、得られた成形体を、還元雰囲気100Ar雰囲気中、500°Cで1時間保持することにより、酸化物混合体C1を得た。得られた酸化物混合体C1をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=99:1であったTi/ZnTi=0.01。次に、得られた酸化物混合体C1を50mmΦの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いてスパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。すなわち、スパッタリング装置キャノンアネルバエンジニアリング株製E-200内に、上記スパッタリング用ターゲットおよび膜形成用基板石英ガラス基板を設置し、Arガス純度99.9995以上、Ar純ガス=5Nを12sccmで導入して、圧力0.5Pa、電力100W、基板温度250°Cの条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚200nmの透明導電膜を形成した。形成した透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、実施例1と同様にして、蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=99:1であった。また、この透明導電膜について、実施例1と同様にして、X線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態および結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は1.2×103Ωcmであり、表面抵抗は24.0Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均90、赤外領域780nm~2700nmで平均70であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域380nm~780nmにおける透過率は平均94であり、赤外領域780nm~2700nmにおける透過率は平均94であった。得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の2.3倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の2.0倍であり、耐熱性に優れることがわかった。得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬後には膜は完全に溶解し、消失していた。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、膜は完全に溶解し、消失していた。以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗ではあるが、化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性に劣る透明導電膜であることが明らかである。実施例4酸化亜鉛粉ZnO粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、和光純薬工業株製および酸化チタン粉TiOII粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、株高純度化学研究所製および窒化チタン粉TiN粉末純度99.9、平均粒径0.9μm、新日本金属株製を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が94:6Ti/ZnTi=0.06となる割合で、かつN:Ti=23:77N/Ti=0.30となる割合で樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミル混合法により湿式混合した。湿式混合は、ボールとして硬質ZrO2ボールを用い、混合時間を18時間として行った。次いで、混合後の原料粉末スラリーを取り出し、乾燥、造粒した後、冷間静水圧プレスにて1ton/cm2の圧力をかけて成形し、直径100mm、厚さ8mmの円盤状成形体を得た。次に、得られた成形体を、還元雰囲気中、1000°Cまでを5°C/分で、1000°Cを超え1300°Cまでを1°C/分で昇温し、焼結温度である1300°Cで5時間保持することにより焼結し、酸化物焼結体2を得た。得られた酸化物焼結体2をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=94:6であったTi/ZnTi=0.06この酸化物焼結体2の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOとチタン酸亜鉛Zn2TiO4と窒化チタンの各結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。次に、得られた酸化物焼結体2を50mmΦの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いてスパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。すなわち、スパッタリング装置キャノンアネルバエンジニアリング株製E-200内に、上記スパッタリング用ターゲットおよび膜形成用基板石英ガラス基板を設置し、Arガス純度99.9995以上、Ar純ガス=5Nを12sccmで導入して、圧力0.5Pa、電力75W、基板温度250°Cの条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚500nmの透明導電膜を形成した。形成した透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、波長分散型蛍光X線装置株島津製作所製XRF-1700WSを用い蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=94:6であった。また、この透明導電膜について、X線回折装置理学電機株製RINT2000を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したX線回折を行うとともに、エネルギー分散型X線マイクロアナライザーTEM-EDXを用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡FE-SEMを用いて結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は5.2×104Ωcmであり、表面抵抗は10.4Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~2700nmで平均60であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域380nm~780nmにおける透過率は平均94であり、赤外領域780nm~2700nmにおける透過率は平均94であった。得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐熱性に優れることがわかった。得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。実施例5酸化亜鉛粉ZnO粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、和光純薬工業株製および酸化チタン粉TiOII粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、株高純度化学研究所製および窒化チタン粉TiN粉末純度99.9、平均粒径0.9μm、新日本金属株製を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が95:5Ti/ZnTi=0.05となる割合で、かつN:Ti=30:70N/Ti=0.43となる割合で湿式ボールミル混合法により湿式混合した。湿式混合は、ボールとして硬質ZrO2ボールを用い、混合時間を18時間として行った。次いで、混合後の原料粉末スラリーを取り出し、乾燥、造粒した後、冷間静水圧プレスにて1ton/cm2の圧力をかけて成形し、直径100mm、厚さ8mmの円盤状成形体を得た。次に、得られた成形体を、還元雰囲気中、1000°Cまでを5°C/分で、1000°Cを超え1300°Cまでを1°C/分で昇温し、焼結温度である1300°Cで5時間保持することにより焼結し、酸化物焼結体3を得た。得られた酸化物焼結体3をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=95:5であったTi/ZnTi=0.05。この酸化物焼結体3の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOとチタン酸亜鉛Zn2TiO4と窒化チタンの各結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。次に、得られた酸化物焼結体3を50mmΦの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いてスパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。すなわち、スパッタリング装置キャノンアネルバエンジニアリング株製E-200内に、上記スパッタリング用ターゲットおよび膜形成用基板石英ガラス基板を設置し、Arガス純度99.9995以上、Ar純ガス=5Nを12sccmで導入して、圧力0.5Pa、電力75W、基板温度250°Cの条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚500nmの透明導電膜を形成した。形成した透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、波長分散型蛍光X線装置株島津製作所製XRF-1700WSを用い蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=95:5であった。また、この透明導電膜について、X線回折装置理学電機株製RINT2000を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したX線回折を行うとともに、エネルギー分散型X線マイクロアナライザーTEM-EDXを用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡FE-SEMを用いて結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は4.3×104Ωcmであり、表面抵抗は8.6Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~2700nmで平均60であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域380nm~780nmにおける透過率は平均94であり、赤外領域780nm~2700nmにおける透過率は平均94であった。得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐熱性に優れることがわかった。得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。実施例6酸化亜鉛粉ZnO粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、和光純薬工業株製および酸化チタン粉TiOII粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、株高純度化学研究所製および窒化チタン粉TiN粉末純度99.9、平均粒径0.9μm、新日本金属株製を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が96:4となる割合で樹脂製ポットに入れ、かつN:Ti=30:70N/Ti=0.43となる割合で湿式ボールミル混合法により湿式混合した。湿式混合は、ボールとして硬質ZrO2ボールを用い、バインダーとしてポリビニルアルコール原料粉末全量に対して1質量に相当する量を使用を用い、混合時間を18時間として行った。次いで、混合後の原料粉末スラリーを取り出し、乾燥、造粒した後、冷間静水圧プレスにて1ton/cm2の圧力をかけて成形し、直径100mm、厚さ8mmの円盤状成形体を得た。次に、得られた成形体を、還元雰囲気中、1000°Cまでを5°C/分で、1000°Cを超え1300°Cまでを1°C/分で昇温し、焼結温度である1300°Cで5時間保持することにより焼結し、酸化物焼結体4を得た。得られた酸化物焼結体4をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=96:4であったTi/ZnTi=0.04。この酸化物焼結体4の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOとチタン酸亜鉛Zn2TiO4と窒化チタンの各結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。次に、得られた酸化物焼結体4を50mmΦの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いてスパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。すなわち、スパッタリング装置キャノンアネルバエンジニアリング株製E-200内に、上記スパッタリング用ターゲットおよび膜形成用基板石英ガラス基板を設置し、Arガス純度99.9995以上、Ar純ガス=5Nを12sccmで導入して、圧力0.5Pa、電力75W、基板温度250°Cの条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚500nmの透明導電膜を形成した。形成した透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、波長分散型蛍光X線装置株島津製作所製XRF-1700WSを用い蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=96:4であった。また、この透明導電膜について、X線回折装置理学電機株製RINT2000を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したX線回折を行うとともに、エネルギー分散型X線マイクロアナライザーTEM-EDXを用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡FE-SEMを用いて結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は4.2×104Ωcmであり、表面抵抗は8.4Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~2700nmで平均60であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域380nm~780nmにおける透過率は平均94であり、赤外領域780nm~2700nmにおける透過率は平均94であった。得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐熱性に優れることがわかった。得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。比較例2酸化亜鉛粉ZnO粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、和光純薬工業株製および酸化チタン粉TiOII粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、株高純度化学研究所製を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が88:12となる割合で樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミル混合法により湿式混合した。湿式混合は、ボールとして硬質ZrO2ボールを用い、混合時間を18時間として行った。次いで、混合後の原料粉末スラリーを取り出し、乾燥、造粒した後、冷間静水圧プレスにて1ton/cm2の圧力をかけて成形し、直径100mm、厚さ8mmの円盤状成形体を得た。次に、得られた成形体を、還元雰囲気中、1000°Cまでを5°C/分で、1000°Cを超え1300°Cまでを1°C/分で昇温し、焼結温度である1300°Cで5時間保持することにより焼結し、酸化物焼結体C2を得た。得られた酸化物焼結体C2をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=88:12であったTi/ZnTi=0.12。この酸化物焼結体C2の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOとチタン酸亜鉛Zn2TiO4の各結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。次に、得られた酸化物焼結体C2を20mmΦの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いてスパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。すなわち、スパッタリング装置キャノンアネルバエンジニアリング株製E-200内に、上記スパッタリング用ターゲットおよび膜形成用基板石英ガラス基板を設置し、Arガス純度99.9995以上、Ar純ガス=5Nを12sccmで導入して、圧力0.5Pa、電力100W、基板温度250°Cの条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚500nmの透明導電膜を形成した。形成した透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、実施例1と同様にして、蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=88:12であった。また、この透明導電膜について、実施例1と同様にして、X線回折を行うとともに、亜鉛へのチタンのドープ状態および結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は2.1×102Ωcmであり、表面抵抗は420Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~2700nmで平均66であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域380nm~780nmにおける透過率は平均94であり、赤外領域780nm~2700nmにおける透過率は平均94であった。得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の1.1倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の1.1倍であり、耐熱性に優れることがわかった。得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性をも兼ね備えているが、高抵抗であることが明らかである。実施例7ホットプレス実施例酸化亜鉛粉ZnO粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、和光純薬工業株製および酸化チタン粉TiOII粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、株高純度化学研究所製および窒化チタン粉TiN粉末純度99.9、平均粒径0.9μm、新日本金属株製を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が97:3Ti/ZnTi=0.03となる割合で、かつN:Ti=23:77N/Ti=0.30となる割合で樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミル混合法により湿式混合した。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型ダイスに入れ、黒鉛からなるパンチにて40MPaの圧力で真空加圧し、1000°C、4時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体5を得た。得られた酸化物焼結体5をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=97:3Ti/ZnTi=0.03であった。この酸化物焼結体5の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOとチタン酸亜鉛Zn2TiO4と窒化チタンの各結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。次に、得られた酸化物焼結体5を50mmΦの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いてスパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。すなわち、スパッタリング装置キャノンアネルバエンジニアリング株製E-200内に、上記スパッタリング用ターゲットおよび膜形成用基板石英ガラス基板を設置し、Arガス純度99.9995以上、Ar純ガス=5Nを12sccmで導入して、圧力0.5Pa、電力75W、基板温度250°Cの条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚500nmの透明導電膜を形成した。形成した透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、波長分散型蛍光X線装置株島津製作所製XRF-1700WSを用い蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=97:3であった。また、この透明導電膜について、X線回折装置理学電機株製RINT2000を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したX線回折を行うとともに、エネルギー分散型X線マイクロアナライザーTEM-EDXを用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡FE-SEMを用いて結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は3.9×104Ωcmであり、表面抵抗は7.8Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~2700nmで平均60であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域380nm~780nmにおける透過率は平均94であり、赤外領域780nm~2700nmにおける透過率は平均94であった。得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐熱性に優れることがわかった。得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。実施例8ホットプレス実施例酸化亜鉛粉ZnO粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、和光純薬工業株製および酸化チタン粉Ti2O3III粉末;純度99.9、平均粒径1μm以下、株高純度化学研究所製および窒化チタン粉TiN粉末純度99.9、平均粒径0.9μm、新日本金属株製を原料粉末とし、これらをZn:Tiの原子数比が97:3Ti/ZnTi=0.03となる割合で、かつN:Ti=23:77N/Ti=0.30となる割合で樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミル混合法により湿式混合した。混合操作後、ボールとエタノールを除去して得られた混合粉末を黒鉛からなる金型ダイスに入れ、黒鉛からなるパンチにて40MPaの圧力で真空加圧し、1000°C、4時間、加熱処理を行い円盤型の酸化物焼結体6を得た。得られた酸化物焼結体6をエネルギー分散型蛍光X線装置株島津製作所製EDX-700Lにて分析したところ、ZnとTiの原子数比はZn:Ti=97:3Ti/ZnTi=0.03であった。この酸化物焼結体6の結晶構造をX線回折装置理学電機株製RINT2000により調べたところ、酸化亜鉛ZnOとチタン酸亜鉛Zn2TiO4と窒化チタンの各結晶相の混合物であり、酸化チタンは全く存在していなかった。次に、得られた酸化物焼結体6を50mmΦの円盤状に加工して、スパッタリング用ターゲットを得、これを用いてスパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を作製した。すなわち、スパッタリング装置キャノンアネルバエンジニアリング株製E-200内に、上記スパッタリング用ターゲットおよび膜形成用基板石英ガラス基板を設置し、Arガス純度99.9995以上、Ar純ガス=5Nを12sccmで導入して、圧力0.5Pa、電力75W、基板温度250°Cの条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚500nmの透明導電膜を形成した。形成した透明導電膜中の組成Zn:Tiについて、波長分散型蛍光X線装置株島津製作所製XRF-1700WSを用い蛍光X線法により検量線を用いて定量分析を行ったところ、Zn:Ti原子数比=97:3あった。また、この透明導電膜について、X線回折装置理学電機株製RINT2000を用い薄膜測定用のアタッチメントを使用したX線回折を行うとともに、エネルギー分散型X線マイクロアナライザーTEM-EDXを用いて亜鉛へのチタンのドープ状態を調べ、さらに電界放射型電子顕微鏡FE-SEMを用いて結晶構造を調べたところ、C軸配向したウルツ鉱型の単相であり、チタンが亜鉛に置換固溶していることがわかった。得られた透明導電性基板上の透明導電膜の比抵抗は4.1×104Ωcmであり、表面抵抗は8.2Ω/□であった。なお、透明基板上の比抵抗の分布は面内均一であった。得られた透明導電性基板の透過率は、可視領域380nm~780nmで平均89、赤外領域780nm~2700nmで平均60であった。なお、成膜前の石英ガラス基板の可視領域380nm~780nmにおける透過率は平均94であり、赤外領域780nm~2700nmにおける透過率は平均94であった。得られた透明導電性基板の耐湿性を評価したところ、耐湿試験後の表面抵抗は、耐湿試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐湿性に優れることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐熱性を評価したところ、耐熱試験後の表面抵抗は、耐熱試験前の表面抵抗の1.2倍であり、耐熱性に優れることがわかった。得られた透明導電性基板の耐アルカリ性を評価したところ、浸漬前後で膜質に変化はなく耐アルカリ性に優れていることがわかった。また、得られた透明導電性基板の耐酸性を評価したところ、浸漬後、膜厚が薄くなっており溶解していたが、浸漬前後で膜質に変化はなく耐酸性に優れていることがわかった。以上のことから、得られた透明導電性基板上の膜は、透明かつ低抵抗であるとともに、化学的耐久性耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性、耐酸性をも兼ね備えた透明導電膜であることが明らかである。