"被処理体をマイクロ波プラズマにより処理するプラズマ処理装置において、複数のプラズマ処理装置間に生じるマイクロ波の実効パワーのずれ量を求める方法であって、前記プラズマ処理装置は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生部と、上面が開口した、プラズマ処理を行うための処理容器と、前記処理容器内の圧力を測定する圧力測定機構と、前記処理容器の開口部を気密に塞ぐ誘電体窓と、前記誘電体板の上面に配置されたアンテナと、前記マイクロ波発生部で発生させたマイクロ波を前記アンテナへ伝播させる前記処理容器に導入する導波管と、前記処理容器内にガスを供給するガス供給部と、前記処理容器内を排気する排気部と、を有し、前記プラズマ処理装置を用い、排気した前記処理容器内に所定の圧力でガスを供給して密閉し、前記処理容器内に所定の電力でマイクロ波を導入して前記ガスのプラズマを生成し、前記プラズマ処理装置におけるプラズマ生成前の処理容器内の圧力とプラズマ生成後の処理容器内の圧力との変化幅を測定し、予め求められた、基準となる他のプラズマ処理装置における圧力の変化幅とマイクロ波供給電力との相関関係に基づいて、当該プラズマ処理装置と前記他のプラズマ処理装置との間のマイクロ波の実効パワーのずれ量を求めることを特徴とする、プラズマ処理装置におけるマイクロ波の実効パワーのずれ量検出方法。前記基準となる他のプラズマ処理装置は、製品の生産に既に使用されているプラズマ処理装置であることを特徴とする、請求項1に記載のプラズマ処理装置におけるマイクロ波の実効パワーのずれ量検出方法。被処理体をマイクロ波プラズマにより処理するプラズマ処理装置であって、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生部と、上面が開口した、プラズマ処理を行うための処理容器と、前記処理容器内に前記マイクロ波を透過させて導入する誘電体窓と、前記誘電体窓を支持し、前記処理容器の開口を塞ぐ蓋部材と前記誘電体板の上面に配置されたアンテナと、前記アンテナの上面に配置された誘電体板と、誘電体板の上方を覆うように配置されたカバープレートと、前記カバープレートに接続し、マイクロ波を前記アンテナへ伝播させて前記処理容器に導入する導波管と、を有し、前記カバープレートは、その下面に形成された前記誘電体板を収容する窪み部を備え、且つ前記カバープレートの外周縁部には、その外周方向に突出して形成された外周突出部と、当該外周突出部の下方に突出して形成された下方突出部と、を備え、前記蓋部材に支持され、前記カバープレートの前記外周突出部を支持するL字型の環状の固定部材と、前記カバープレートの前記外周突出部の上面を押さえる環状の押え部材と、前記押え部材と前記カバープレートの外周突出部を挿通して前記固定部材に固定する第1の接合部材と、前記固定部材を挿通して前記蓋部材に固定する第2の接合部材と、をさらに有し、前記押え部材の垂直部は、内周面が前記カバープレートの前記外周突出部と当接し、且つ当該押さえ部材の垂直部の外周面が前記固定部材の垂直部と当接するように形成されていることを特徴とする、プラズマ処理装置。前記接合部材よりも処理容器の内側の位置、前記冷却プレートの外周突出部の上面と押え部材の水平部の下面との間の位置、前記下方突出部の下面と前記固定部材の上面との間の位置、及び固定部材の下面と処理容器の上面部との間の位置に、それぞれ円環状のマイクロ波の遮蔽部材が設けられていることを特徴とする、請求項3に記載のプラズマ処理装置。前記カバープレートの前記下方突出部の外周面と前記固定部材の内周面とに形成する隙間を有することを特徴とする、請求項3または4に記載のプラズマ処理装置。ところで、上述のようなプラズマ処理装置では、同一条件下でプラズマ処理を行っても、基板表面に形成される酸化膜の膜厚や窒素濃度等が、複数のプラズマ処理装置間でばらつくという事象が確認されている。このように、装置間でプラズマ処理後の膜厚等がばらつくと、製品の品質上問題となる。このような装置間での差異の要因の一つとして、処理容器内にマイクロ波を供給する場合に、そのマイクロ波の経路、プラズマ生成手段の部材、処理容器等の接合等の差異により、処理容器内でプラズマの生成に消費されるマイクロ波の電力、即ちマイクロ波の実効パワーに、何らかの原因でずれが生じているものと推察される。処理容器内に供給されるマイクロ波の電力については、プラズマ処理装置の有する制御部で監視を行うことが可能であり、通常はこの監視に基づいてマイクロ波の供給電力が制御される。ところが、制御部で監視しても、実際に処理容器内にマイクロ波が導入されてプラズマが生成されるとプラズマの微妙な変化状態、例えば、マイクロ波の電力の差異等は検出できていない。そのため、この装置間で生じるプラズマ処理の差異は、導波管以降のアンテナ部や誘電体窓といったマイクロ波の伝播経路における寸法公差や、装置組み立て時の組み付け誤差により、マイクロ波の伝播過程における損失に機差が生じ、それによりマイクロ波の実効パワーに差が生じていることが原因であると考えられる。しかしながら、マイクロ波の実効パワーそのものを定量的に検出する方法がないため、実効パワーの機差を求めることができない。そのため、複数の処理装置間の実効パワーの機差を解消するためのオフセット調整をすることができず、プラズマ処理装置間でのプラズマ処理のばらつきを解消できないのが現状である。本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、プラズマ処理装置間でのマイクロ波の実効パワーのずれ量を求めることを目的としている。上記目的を達成するため、本発明は、被処理体をマイクロ波プラズマにより処理するプラズマ処理装置において、複数のプラズマ処理装置間に生じるマイクロ波の実効パワーのずれ量を求める方法であって、前記プラズマ処理装置は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生部と、上面が開口した、プラズマ処理を行うための処理容器と、前記処理容器内の圧力を測定する圧力測定機構と、前記処理容器の開口部を気密に塞ぐ誘電体窓と、前記誘電体板の上面に配置されたアンテナと、前記マイクロ波発生部で発生させたマイクロ波を前記アンテナへ伝播させる前記処理容器に導入する導波管と、前記処理容器内にガスを供給するガス供給部と、前記処理容器内を排気する排気部と、を有し、前記プラズマ処理装置を用い、排気した前記処理容器内に所定の圧力でガスを供給して密閉し、前記処理容器内に所定の電力でマイクロ波を導入して前記ガスのプラズマを生成し、前記前記プラズマ処理装置におけるプラズマ生成前の処理容器内の圧力とプラズマ生成後の処理容器内の圧力との変化幅を測定し、予め求められた、基準となる他のプラズマ処理装置における圧力の変化幅とマイクロ波供給電力との相関関係に基づいて、当該プラズマ処理装置と前記他のプラズマ処理装置との間のマイクロ波の実効パワーのずれ量を求めることを特徴としている。本発明によれば、処理ガスを供給して密閉した処理容器でプラズマを生成した際に、処理容器内に生じる圧力変化の幅を測定するので、基準となる他のプラズマ処理装置における圧力の変化幅とマイクロ波供給電力との相関関係に基づいて、複数のプラズマ処理装置間のマイクロ波の実効パワーのずれ量を求めることができる。その結果、各処理装置間に生じるマイクロ波の実効パワーのずれを解消するためのオフセット調整が可能となり、プラズマ処理装置間の機差を解消することができる。なお、前記基準となる他のプラズマ処理装置は、製品の生産に既に使用されているプラズマ処理装置であってもよい。また、別な観点による本発明は、被処理体をマイクロ波プラズマにより処理するプラズマ処理装置であって、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生部と、上面が開口した、プラズマ処理を行うための処理容器と、前記処理容器内に前記マイクロ波を透過させて導入する誘電体窓と、前記誘電体窓を支持し、前記処理容器の開口を塞ぐ蓋部材と、前記誘電体板の上面に配置されたアンテナと、前記アンテナの上面に配置された誘電体板と、誘電体板の上方を覆うように配置されたカバープレートと、前記カバープレートに接続し、マイクロ波を前記アンテナへ伝播させて前記処理容器に導入する導波管と、を有し、前記カバープレートは、その下面に形成された前記誘電体板を収容する窪み部を備え、且つ前記カバープレートの外周縁部には、その外周方向に突出して形成された外周突出部と、当該外周突出部の下方に突出して形成された下方突出部と、を備え、前記蓋部材に支持され、前記カバープレートの前記外周突出部を支持するL字型の環状の固定部材と、前記カバープレートの前記外周突出部の上面を押さえる環状の押え部材と、前記押え部材と前記カバープレートの外周突出部を挿通して前記固定部材に固定する第1の接合部材と、前記固定部材を挿通して前記蓋部材に固定する第2の接合部材と、をさらに有し、前記押え部材の垂直部は、内周面が前記カバープレートの前記外周突出部と当接し、且つ当該押さえ部材の垂直部の外周面が前記固定部材の垂直部と当接するように形成されていることを特徴としている。前記接合部材よりも処理容器の内側の位置、前記冷却プレートの外周突出部の上面と押え部材の水平部の下面との間の位置、前記下方突出部の下面と前記固定部材の上面との間の位置、及び固定部材の下面と処理容器の上面部との間の位置に、それぞれ円環状のマイクロ波の遮蔽部材が設けられていてもよい。前記カバープレートの前記下方突出部の外周面と前記固定部材の内周面とに形成する隙間を有していてもよい。本発明によれば、プラズマ処理マイクロ波の実効パワーの異なるプラズマ処理装置において、基準のプラズマ処理装置の圧力とマイクロ波のパワーを予め測定して置き、その結果から、そのマイクロ波パワーのオフセットを算出し、プラズマ処理装置間でのマイクロ波の実効パワーのずれ量を検出を求めることができる。この結果、機差のあるプラズマ処理装置の圧力マイクロ波パワーを測定し、その測定結果に対するオフセット値を設定して用いることで、機差のないプラズマ処理が可能となる。以下、本発明の実施の形態の一例について、図を参照して説明する。図1は、本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置1の概略構成を示す。プラズマ処理装置1は、シリコン基板であるウェハWを保持するウェハ保持台11が設けられた処理容器12を有している。ウェハ保持台11の内部にはヒータ図示せずが設けられ、ウェハWを所定の温度に加熱することができる。処理容器12の底部には、処理容器12の内部を均一に一旦排気する排気部としての排気室13が設けられている。排気室13には、真空ポンプなどの排気装置14に通じる排気管15が接続されている。排気管15には、弁体16が設けられ、例えば制御部17からの信号により開閉操作が可能となっている。処理容器12の上方は、ウェハ保持台11上のウェハWに対応して開口する開口部を有している。この開口部には、当該開口部を塞ぎ、処理容器内にマイクロ波を供給するマイクロ波供給部2を配置している。マイクロ波供給部2は、気密性を確保するためのOリングなどのシール材18を介して、石英やAl2O3からなる誘電体窓19を支持し、処理容器12を開閉する機能を有する蓋部材Lid50によって気密に塞がれている。誘電体窓19の上外側には、アンテナ20が配置されている。このアンテナ20は、導電性を有する材質、たとえば銅、アルミニウム、ニッケル等の金属製の薄い円板からなり、アンテナ20の表面には、例えば図2に示すように複数の対のスロット20a、20bが同心円状に形成されている、いわゆるラジアルラインスロットアンテナである。各スロット20a、20bは略方形の貫通した溝であり、隣接するスロット20a、20b同士は互いに直交して略アルファベットのTの文字を形成するように配設されている。スロット20a、20bの長さや配列間隔は、供給されるマイクロ波の波長に応じて決定されている。アンテナ20の上面には、図1に示すように、石英、アルミナ、窒化アルミニウム等からなる誘電体板21が配置されている。この誘電体板21は、遅波板として機能する。誘電体板21の上方には、アルミニウム等の導電性のカバープレート22が誘電体板21を覆うように配置されている。また、アンテナ20は、その外周部をカバープレート22に系止されて設置されている。カバープレート22の内部には、冷媒が流れる冷媒路22aが設けられている。また、カバープレート22の中央には同軸導波管24が接続されている。同軸導波管24の上端部には、矩形導波管27およびモード変換機28を介して、マイクロ波発生部としてのマイクロ波発生装置23が接続されている。マイクロ波発生装置23は、処理容器12の外部に設置されており、例えば2.45GHzのマイクロ波を発生させることができる。また、マイクロ波発生装置23は、モード変換機28を介してインピーダンス整合器25が設けられており、マイクロ波のインピーダンスのマッチングが行われる。同軸導波管24は、外側導体24aと内側導体24bとからなり、内側導体24bはアンテナ20に接続されている。かかる構成により、マイクロ波発生装置23から発生したマイクロ波は、インピーダンス整合器25、矩形導波管27、モード変換機28及び同軸導波管24内を伝播し、遅波板としての誘電体板21で圧縮されて短波化された後、アンテナ20から円偏波状のマイクロ波が誘電体窓19から処理容器12内に導入される。またインピーダンス整合器25の上流側には、マイクロ波発生装置23から供給されるマイクロ波の電力を測定するための電力測定機構26が設けられている。電力測定機構26は制御部17に電気的に接続されており、測定結果が制御部17に入力される。処理容器12の上部の内周面には、プラズマ生成用のガスを供給するためのガス供給口30が形成されている。ガス供給口30は、例えば処理容器12の内周面に沿って複数箇所に形成されている。ガス供給口30には、例えば処理容器12の外部に設置されたガス供給部31に連通するガス供給管32が接続されている。本実施の形態におけるガス供給部31は、不活性ガス供給部33と窒素ガス供給部34を有し、各々バルブ33a、34a、マスフローコントローラ33b、34bを介して,ガス供給口30に接続されている。ガス供給口30から供給されるガスの流量は,マスフローコントローラ33b、34bによって制御される。また、処理容器12の内周面には、ガス供給口30のほかに、当該処理容器12内の圧力を測定する圧力測定機構35が設けられている。圧力測定機構35は制御部17に電気的に接続されており、測定結果が制御部17に入力される。なお、本実施の形態においては、ガス供給部31に、希ガスであるアルゴンArガスや、ウェハWのプラズマ窒化処理に用いる窒素ガスが貯留されている場合を例にして説明する。処理容器12内のウェハ保持台11の周囲には、例えば石英からなるガスバッフル板40と、石英製のガスバッフル板40を支持するアルミニウムなどの金属製の支持部材41が設けられている。以上のプラズマ処理装置1には、既述のように制御部17が設けられている。制御部17は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部図示せずを有している。プログラム格納部には、マイクロ波発生装置23や弁体16などを制御して、プラズマ処理装置1を動作させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスクHD、フレキシブルディスクFD、コンパクトディスクCD、マグネットオプティカルデスクMO、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御部17にインストールされたものであってもよい。<第1の実施形態>本実施の形態にかかるプラズマ処理装置1は以上のように構成されており、次に、本実施の形態にかかるプラズマ処理装置1におけるマイクロ波の実効パワーのずれ量検出方法について、その原理を説明する。既述のように、同一の構成のプラズマ処理装置1に同一の電力でマイクロ波を供給してプラズマ処理を行った場合でも、複数のプラズマ処理装置1間で基板表面に形成される窒化膜の膜厚や窒素濃度等にばらつきが生じる。このばらつきについて、プラズマ処理装置1と同一の構成の2台のプラズマ処理装置100、200を用いて、以下の2種類の確認試験を行った。先ず、第1の確認試験として、2台のプラズマ処理装置100、200でのプラズマ窒化処理のばらつきについて確認した。確認にあたって、ウェハ保持台11にシリコン基板のウェハWを載置して、アルゴンガスと窒素ガスを供給した処理容器12内にマイクロ波を1400W~1700Wの電力の範囲で供給してウェハWをプラズマ窒化処理した。このプラズマ窒化処理を2台のプラズマ処理装置100、200それぞれで行った。図3にプラズマ窒化処理の結果を示す。図3は、横軸をマイクロ波発生装置23から供給するマイクロ波の電力、縦軸をプラズマ窒化処理によりウェハWの表面に形成されたシリコン窒化膜における窒素濃度とし、2台のプラズマ処理装置100、200におけるプラズマの供給電力と窒素濃度との相関関係をそれぞれA、Bで表したグラフである。図3に示すように、シリコン窒化膜の窒素濃度は、プラズマ電力1400W~1700Wの範囲の全域で、プラズマ処理装置100によるもの図3のグラフAの方が、プラズマ処理装置200によるもの図3のグラフBよりも高いことが確認された。次に、第2の確認試験として、2台のプラズマ処理装置100、200において、プラズマ電力と処理容器12内の圧力との関係について確認した。第2の確認試験においては、排気した状態の処理容器12にアルゴンガスを供給し、処理容器12を内部の圧力240Paとした状態で密閉した後に、当該処理容器12内にマイクロ波を1400W~1700Wの電力の範囲で供給してプラズマを生成した。その後、プラズマ生成により処理容器12内に生じる圧力変化の値を測定した。図4に第2の確認試験の結果を示す。図4は、横軸をマイクロ波発生装置23から供給するマイクロ波の電力、縦軸を処理容器12内におけるプラズマ生成前の圧力とプラズマ生成後の圧力との変化幅とし、2台のプラズマ処理装置100、200におけるプラズマの電力と圧力の変化幅との相関関係をそれぞれC、Dで表したグラフである。図4に示すように、処理容器12内の圧力の変化幅は、プラズマ電力1400W~1700Wの範囲の全域で、プラズマ処理装置100図4のグラフCの方が、プラズマ処理装置200図4のグラフDよりも高いことが確認された。一般に、プラズマ生成時の処理容器12内の圧力は、マイクロ波の実効パワーに依存する。したがって、2台のプラズマ処理装置100、200の間に同一の電力でマイクロ波を供給しても処理容器12内の圧力の変化幅が異なる図4の結果からは、プラズマ処理装置100、200間でマイクロ波の実効パワーにずれが生じていることがわかる。次に、圧力の変化幅とシリコン窒化膜の窒素濃度との相関を調べるために、図3及び図4の結果から、図5に示すような、横軸を圧力の変化幅、縦軸をシリコン窒化膜における窒素濃度としたグラフを作成した。図5に示すように、プラズマ処理装置100によるプラズマ処理図5のグラフEか、プラズマ処理装置200によるプラズマ処理図5のグラフFかによらず、圧力の変化幅と窒素濃度とはほぼ一致することが確認された。したがって、図4に示されるマイクロ波の供給電力と処理容器12内の圧力の変化幅との相関関係から、2台のプラズマ処理装置100、200間の実効パワーのずれ量を求めれば、ずれ量に応じてマイクロ波の供給電力にオフセットを設定することができる。その結果、2台のプラズマ処理装置100、200間の機差を実質的になくすことができる。本発明は、このような点に着目したものであり、次に、本実施の形態にかかる、マイクロ波の実効パワーのずれ量を求める方法について具体的に説明する。図6は、本実施の形態にかかる、マイクロ波の実効パワーのずれ量検出方法のプロセスを示すフロー図である。複数のプラズマ処理装置100、200において、マイクロ波の実効パワーのずれ量を求めるにあたっては、先ず、例えばプラズマ処理装置100において、プラズマの供給電力と圧力の変化幅との相関関係を求める。相関関係を求めるにあたっては、先ず処理容器12の内部を排気する図6の工程S1。次いで、処理容器12内にガス供給口30を介してアルゴンガスを供給する図6の工程S2。その後、処理容器12内の圧力を、例えば240Paにしてアルゴンガスの供給を停止し、それと共に弁体16を閉止して、アルゴンガスの圧力を240Paにした状態で処理容器12を密閉する図6の工程S3。続いて、処理容器12内にマイクロ波を、例えば1400W~1700Wの電力の範囲で供給してプラズマを生成する図6の工程S4。なお、マイクロ波の供給電力の監視は、電力測定機構26により行われる。その後、プラズマ生成により処理容器12内に生じる圧力変化の幅を測定し、図4にグラフCで示すような、プラズマの供給電力と処理容器12内の圧力の変化幅との相関関係を求める図6の工程S5。次に、プラズマ処理装置200についても、プラズマ処理装置100と同様に、マイクロ波の供給電力と処理容器12内の圧力の変化幅との相関関係を求める。この場合、上述のプラズマ処理装置100の場合と同様に、処理容器12の内部を排気し図6の工程S6、次いで、処理容器12内にアルゴンガスを供給し図6の工程S7、処理容器12内にアルゴンガスを240Paの圧力で密閉する図6の工程S8。そして、密閉した処理容器12内に、やはり1400W~1700Wの電力でマイクロ波を供給してプラズマを生成し図6の工程S9、その後、プラズマの生成により処理容器12内に生じる圧力変化の幅を測定する。これにより、図4にグラフDで示すような、プラズマの供給電力と処理容器12内の圧力の変化幅との相関関係を求める図6の工程S10。そして、プラズマ処理装置100における相関関係と、プラズマ処理装置200における相関関係とに基づいて、プラズマ処理装置100とプラズマ処理装置200との間に生じるマイクロ波の実行パワーのずれ量を求める図6の工程S11。具体的には、図4のDから、プラズマ処理装置200においてマイクロ波の供給電力を例えば1600Wとした場合の圧力の変化幅を求める。この場合の変化幅は概ね60.7Paである。そして、図4のグラフCから、プラズマ処理装置100において圧力の変化幅が、同じく60.7Paとなる場合の電力を求めると、約1480Wとなる。このことから、プラズマ処理装置200を基準とすると、プラズマ処理装置100におけるマイクロ波の実効パワーは、マイクロ波の供給電力120Wに相当する分だけプラズマ処理装置200よりも高いことがわかる。したがって、プラズマ処理装置100において、マイクロ波発生装置23から供給するマイクロ波の設定を120Wだけオフセットさせることで機差を解消し、プラズマ処理装置1100により、プラズマ処理装置200と同じプラズマ処理を行うことができる。以上の実施の形態によれば、プラズマ処理装置100の処理容器12にアルゴンガスを供給して密閉し、その状態で処理容器12内にマイクロ波を供給してプラズマを生成した際に、処理容器12内に生じる圧力変化の幅を測定するので、予め求められた、基準となるプラズマ処理装置200における圧力の変化幅とマイクロ波供給電力との相関関係に基づいて、プラズマ処理装置100、200の間に生じるマイクロ波の実効パワーのずれ量を求めることができる。それにより、プラズマ処理装置100、200間に生じるマイクロ波の実効パワーのずれを解消するためのマイクロ波のパワーのオフセット調整が可能となり、プラズマ処理の機差を解消することができる。以上の実施の形態においては、プラズマ処理装置100とプラズマ処理装置200の両方について、例えば1400W~1700Wのマイクロ波電力の範囲で圧力の変化幅を測定したが、プラズマ処理装置100については、1400W~1700Wの任意の範囲で、1点のみ圧力変化幅を測定すれば足りる。なぜなら、プラズマ処理装置100については、例えばマイクロ波の電力を1600Wとした場合についてのみ圧力変化を測定すれば、基準となるプラズマ処理装置200との間のマイクロ波の実効パワーのずれ量が、マイクロ波の供給電力の120W分に相当することが求められるからである。なお、プラズマ処理装置100、200のいずれを基準とするかは、当然ながら任意に決定が可能である。実際は、例えば、製品の生産に既に使用されているプラズマ処理装置を用いる、即ち既に処理後の窒素濃度が分かっている装置を基準にすることがより好ましい。また、以上の実施の形態においては、プラズマ処理装置100で所定のマイクロ波電力でプラズマを生成し、それにより処理容器12に生じる圧力の変化幅を測定して、基準となるプラズマ処理装置200における電力と圧力との相関関係から機差を求めたが、例えばプラズマ窒化処理を行うにあたり、予め所望の窒素濃度が決定している場合は、図5のグラフEから当該所望の窒素濃度に対応するマイクロ波の供給電力を直接求めてもよい。具体的には、例えばプラズマ窒化処理における窒素濃度を13とする場合、図5のグラフEからその際の処理容器12内の圧力変化幅を概ね62Paとすればよいことがわかる。したがって、プラズマ処理装置100において処理容器12内に240Paでアルゴンガスを封入し、次いで供給するマイクロ波の電力を変化させて圧力測定機構34における測定値が62Paとなった場合の電力を求めれば、プラズマ処理装置100において窒素濃度を13とするためのマイクロ波電力を直接求めることができる。かかる場合、目標とする窒素濃度を得るためのマイクロ波の電力を直接求めるので、より厳密にプラズマ処理装置100、200間の処理結果を一致させることができる。<第2の実施形態>なお、以上の実施の形態においては、複数のプラズマ処理装置100、200間のマイクロ波の実効パワーのずれを解消する方法について説明したが、単一のプラズマ処理装置1であっても、メンテナンス等でプラズマ処理装置1を分解、組み立てした場合は、組み付け誤差によりメンテナンスの前後でマイクロ波の実効パワーにずれが生じる場合がある。かかる組み付け誤差を低減するには、メンテナンスの前後で、処理容器12に対するアンテナ20や誘電体窓21の相対的な位置が変わらないようにプラズマ処理装置1を構成することが有効である。以下、具体的な構成について説明する。図7は、プラズマ処理装置1の処理容器12の上部に蓋部材50、誘電体窓19、アンテナ20、誘電体板21及びカバープレート22近傍の構成の部分的な概略を示す縦断面図である。なお、以下の説明以外の構成については、上記の説明と同様であるので、説明は省略する。誘電体窓19は、蓋部材50の内周面から内側に段差状に突出して設けられた支持部50aの上面に、Oリングなどのシール材18を介して気密に支持されている。誘電体窓19の上面には、アンテナ20が配置されている。アンテナ20の上面には、誘電体板21が配置されている。アンテナ20及び遅波板である誘電体板21を覆うように対応するカバープレート22の下面位置には、カバープレート22の外周部が下方へ突出する下方突出部22bが形成され、且つ、上方に窪んだ窪み部22cが形成されており、誘電体板21はこの窪み部22cに密着して収容されている。また、カバープレート22の外周縁部における高さ方向の中央付近には、外周方向に突出する外周突出部22dが形成されている。蓋部材50の上面50bには、断面形状が略L字型をした円環状の固定部材51が、当該固定部材51の垂直部51aを鉛直方向に貫通するボルトなどの接合部材52により固定されている。カバープレート22の外周突出部22dの下面は、固定部材51の上面に支持され、外周突出部22dの上面外周部には断面形状がL字を90度左に回転させた略L字型の円環状の押え部材53が密着し、押え部材53の水平部53aの上面から押さえ部材53、外周突出部22dを貫通して、ボルトなどの接合部材54で誘電体窓19、アンテナ20、誘電体板21がカバープレート22と共に固定される。また、押え部材53の垂直部53bは、内周面がカバープレート22の外周突出部22dと当接し、且つ当該垂直部53bの外周面が固定部材51の垂直部51aと当接するように構成されている。また、カバープレート22の下方突出部22bの外周面と固定部材51の内周面の間に環状の隙間クリアランスを形成することで、メンテナンスする際センタリングをし易くする事ができる。このため、固定部材51の垂直部51aにより、カバープレート22及び押え部材53が水平方向へ移動することを防止できると共に、誘電体窓19、アンテナ20、誘電体板21及び冷却プレート22をセルフアライメントすることができる。このため、メンテナンスの前後で処理容器12とアンテナ20等との相対的な位置が変わることがない。したがって、プラズマ装置10の処理容器12の上端部近傍を、図7のように構成することで、メンテナンスの前後でマイクロ波の実効パワーにずれが生じるのを最小限にすることができる。なお、同軸導波管24から鉛直方向に伝播するマイクロ波は、アンテナ20へ導入した際、誘電体板21内を外周方向に向かっても伝播する。そのため、マイクロ波供給部2の外周部の固定部材51の接合部より漏洩してマイクロ波の損失が生じる。これらの損失は最小限に抑えることが好ましい。かかる場合、例えば図7に示すように、接合部材54よりも処理容器12の内側の位置、カバープレート22の外周突出部22dの上面と押え部材53の下面との接合面、外周突出部22dの下面と固定部材51の上面との接合面、及び固定部材51の下面と蓋部材50の上面部との接合面に、それぞれ金属製で円環状のマイクロ波の遮蔽部材60を設けることで、誘電体板21内を外周方向に伝播するマイクロ波が外部に漏洩することを防止できる。遮蔽部材60としては、金属製のスパイラルシールリングなどが用いられる。なお、図7に示すように、遮蔽部材60は、接合部材54よりも処理容器の外側の位置に設けられていてもよい。かかる場合、カバープレート22、固定部材51、押え部材53及び接合部材54が接する面からマイクロ波が漏洩することを防止するために、接合部材54よりも外側であって外周突出部22dの上面と押え部材53の水平部53aの下面との接合面、及び押え部材53の垂直部53bの下端部と固定部材51の上面との接合面に遮蔽部材60をそれぞれ配置することが好ましい。以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。他のマイクロ波プラズマ装置、例えば、ECRプラズマ装置、表面はプラズマ装置などに適用可能である。また、業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。"