"基板支持領域上で基板を支持する基板テーブルであって、前記基板支持領域の少なくとも一部分の下の熱伝達流体チャネルと、前記チャネル内の熱伝達流体を熱的に制御するための、前記基板支持領域の下の場所にある少なくとも1つのヒータおよび/または冷却器とを備える、基板テーブル。前記チャネル内の熱伝達流体を熱的に制御するための、前記基板支持領域の下の場所にある複数のヒータおよび/または冷却器を備える、請求項1に記載の基板テーブル。前記複数のヒータおよび/または冷却器のそれぞれが個々に制御可能である、請求項2に記載の基板テーブル。前記基板支持領域の周辺部の少なくとも一部の周りに延在する熱制御エレメントをさらに備える、請求項1から3までのいずれかに記載の基板テーブル。前記熱制御エレメントが、前記基板支持領域の周辺部の周りに延在する複数の熱制御エレメントを含む、請求項4に記載の基板テーブル。複数の熱制御エレメント温度センサをさらに備え、前記熱制御エレメントのそれぞれが、前記複数の熱制御エレメント温度センサの少なくとも1つと連係している、請求項5に記載の基板テーブル。複数のチャネル温度センサをさらに備え、前記ヒータおよび/または冷却器のそれぞれが前記複数のチャネル温度センサの少なくとも1つと連係している、請求項2から6までのいずれかに記載の基板テーブル。前記複数のチャネル温度センサが、前記基板支持領域の下の場所にあり、および/または連係されたそれぞれのチャネル温度センサが、その連係されているヒータおよび/または冷却器の下流にある、請求項7に記載の基板テーブル。前記複数の温度センサの少なくとも1つが前記基板テーブルの材料中に埋め込まれ、および/または前記チャネル温度センサの少なくとも1つが電気アセンブリに接続されて、前記チャネル温度センサが貼り付けられた構成要素上の導電性コーティングを介して間接的に前記チャネル温度センサから測定値が読み出される、請求項7または8に記載の基板テーブル。少なくとも1つのヒータおよび/または冷却器に供給される電力を、温度センサによって測定された温度に基づくフィードバックに基づいて制御するように構成されたコントローラをさらに備え、および/または少なくとも1つのヒータおよび/または冷却器に供給される電力をフィードフォワード制御に基づいて制御するように構成されたコントローラをさらに備える、請求項1から9までのいずれかに記載の基板テーブル。請求項1から10までのいずれかに記載の基板テーブルを備える液浸リソグラフィ投影装置。基板支持領域上で基板を支持するように構成された基板テーブルを備えるリソグラフィ投影装置において局部熱負荷を補償する方法であって、前記基板支持領域の下の場所で少なくとも1つのヒータおよび/または冷却器を制御して、前記基板支持領域の少なくとも一部分の下で熱伝達流体チャネル内の熱伝達流体を熱的に制御することを含む、方法。基板を保持する基板テーブルと、基準フレームと、前記基板テーブルと基準フレームのうちの一方に取り付けられた回折格子と、前記基板テーブルと基準フレームのうちのもう一方に取り付けられたセンサとを備えるリソグラフィ装置であって、前記センサが、前記基板テーブルと前記基準フレームの間の相対位置を測定するために、前記回折格子によって回折および/または反射された放射を検出するように構成され、基板テーブルおよび/または基準フレームが、回折格子および/またはセンサの上または下に、回折格子および/またはセンサを熱的に制御するための熱伝達流体チャネルを備える、リソグラフィ装置。基準フレームおよび/または基板を保持するための基板テーブルと、前記基板テーブルまたは前記基準フレームに取り付けられた回折格子とを備えるリソグラフィ装置であって、前記回折格子が、前記基板テーブルと前記基準フレームの間の相対位置を測定するために検出される放射を回折および/または反射するように構成され、さらに前記回折格子の表面の少なくとも一部分を覆うように構成された光学的に透明なプレートと、前記プレートを適切な位置に保持するために前記回折格子と前記プレートの間の隙間を周囲圧力よりも低い圧力に維持するように構成された真空ポンプとを備える、リソグラフィ装置。基板支持領域上で基板を保持するための基板テーブルと、前記基板テーブルに取り付けられた回折格子またはセンサとを備えるリソグラフィ装置であって、前記回折格子またはセンサが位置決めシステムの一部分であり、前記基板テーブルが、前記基板支持領域および前記回折格子またはセンサの温度を熱的に制御するために、前記基板支持領域の下で前記回折格子またはセンサに隣接する熱伝達流体チャネルを備える、リソグラフィ装置。0010液浸リソグラフィ装置では、結像性能を改善するために、投影システムと基板例えばウェハの間に液体例えば水が存在する。液体が存在することが、非液浸ドライシステムと比較して付加的な熱負荷例えば冷却負荷をまねくことがある。このような熱負荷は、基板に直接加わり例えば、基板近くの液体供給システムからの熱負荷、基板上の液体の蒸発による熱負荷など、および/または主に基板テーブル例えば、基板テーブルの凹部に基板が保持されている場合に、基板に隣接する基板テーブル縁部に影響を及ぼすことがある。良好な性能主にオーバーレイおよびフォーカスを得るには、このような熱負荷の影響を低減または除去して基板および/または基板テーブルの変形例えば、膨張または収縮を回避できる基板テーブルを得ることが望ましい。0011したがって、例えば、熱膨張/熱収縮効果の発生が低減または除去される装置を提供することが望ましい。特に、基板および/または基板テーブルに液浸流体を供給する液体供給システムが使用される液浸システムにおいて、熱膨張/収縮効果を低減するように構成されたシステムを提供することが望ましい。0012本発明の一態様によれば、基板支持領域上で基板を支持するための基板テーブルが提供され、この基板テーブルは、基板支持領域の少なくとも一部分の下の熱伝達流体チャネルと、チャネル内の熱伝達流体を熱的に制御するための、基板支持領域の下の場所にある少なくとも1つのヒータおよび/または冷却器とを備える。0013本発明の一態様によれば、本明細書で説明されている基板テーブルを備える液浸リソグラフィ投影装置が提供される。0014本発明の一態様によれば、基板支持領域上で基板を支持するように構成された基板テーブルを備えるリソグラフィ投影装置の局部的な熱負荷を補償する方法が提供され、この方法は、基板支持領域の下の場所で少なくとも1つのヒータおよび/または冷却器を制御して、少なくとも基板支持領域の下の熱伝達流体チャネル内の熱伝達流体を熱的に制御するステップを含む。0015本発明の一態様によれば、基板を保持するための基板テーブル、基準フレーム、回折格子、およびセンサを備えるリソグラフィ装置が提供され、回折格子は基板テーブルと基準フレームのうちの一方に取り付けられ、センサは基板テーブルと基準フレームのうちのもう一方に取り付けられ、センサは、基板テーブルと基準フレームの間の相対位置を測定するために、回折格子によって回折および/または反射された放射を検出するように構成され、基板テーブルおよび/または基準フレームは、回折格子および/またはセンサを熱的に制御するために、回折格子および/またはセンサの上または下に熱伝達流体チャネルを備える。0016本発明の一態様によれば、基準フレームおよび/または基板を保持するための基板テーブルと、基板テーブルと基準テーブルのうちの一方に取り付けられた回折格子とを備えるリソグラフィ装置が提供され、回折格子は、基板テーブルと基準フレームの間の相対位置を測定するために検出される放射を回折および/または反射するように構成され、リソグラフィ装置はさらに、回折格子の表面の少なくとも一部分を覆うための光学的に透明なプレートと、プレートを適切な位置に保持するために回折格子とプレートの間の隙間を周囲圧力よりも低い圧力に維持する真空ポンプとを備える。0017本発明の一態様によれば、基板支持領域上で基板を保持するための基板テーブルと、基板テーブルに取り付けられた回折格子またはセンサとを備えるリソグラフィ装置が提供され、回折格子またはセンサは、位置決めシステムの一部分であり、基板テーブルは、基板支持領域および回折格子またはセンサの温度を熱的に制御するために、基板支持領域の下で回折格子またはセンサに隣接する熱伝達流体チャネルを備える。0041図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、0042放射ビームB例えばUV放射またDUV放射を条件付けるように構成された照明システムイルミネータILと、0043パターニングデバイス例えばマスクMAをサポートするように構築されたサポート構造例えばマスクテーブルMTであって、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに接続されたサポート構造例えばマスクテーブルMTと、0044基板例えばレジストコートウェーハWを保持するように構築された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTであって、特定のパラメータに従って基板Wを正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに接続された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTと、0045パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば1つまたは複数のダイが含まれているに投影するように構成された投影システム例えば屈折投影レンズシステムPSとを備えている。0046この照明システムILは、放射を導くか、整形するか、または制御するために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気など様々なタイプの光学コンポーネント、または他のタイプのコンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せを含んでよい。0047サポート構造MTはパターニングデバイスMAを保持する。サポート構造MTは、パターニングデバイスMAの方向、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスMAが真空環境中で保持されるかどうかなど他の条件によって決まる形でパターニングデバイスMAを保持する。サポート構造MTは、パターニングデバイスMAを保持するために、機械クランプ技法、真空クランプ技法、静電クランプ技法、または他のクランプ技法を用いることができる。サポート構造MTは、例えばフレームまたはテーブルでよく、必要に応じて固定式または可動式でよい。サポート構造MTは、パターニングデバイスMAが、例えば投影システムPSに対して確実に所望の位置にあるようにすることができる。本明細書における用語レチクルまたはマスクのいかなる使用も、より一般的な用語パターニングデバイスと同義と見なされてよい。0048本明細書に使用される用語パターニングデバイスは、基板のターゲット部分内にパターンを作成するなど、その横断面内にパターンを備えた放射ビームを与えるために使用することができるあらゆるデバイスを指すものと広義に解釈されたい。例えばパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含むと、放射ビームに与えられたパターンが、基板のターゲット部分内の所望のパターンと正確に一致しない可能性があることに留意されたい。一般に、放射ビームに与えられたパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイス内の特定の機能の層に相当することになる。0049パターニングデバイスMAは、透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの諸例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクはリソグラフィで周知であり、バイナリ、レベンソン型alternating位相シフト、ハーフトーン型attenuated位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、小さな鏡の行列構成を使用し、鏡のそれぞれは、入来放射ビームを様々な方向で反射するように個別に傾けることができる。傾斜式鏡は、鏡行列によって反射される放射ビーム内にパターンを与える。0050本明細書に用いられる用語投影システムは、屈折システム、反射システム、反射屈折システム、磁気システム、電磁気システム、および静電気光学システムあるいはそれらの任意の組合せを含むあらゆるタイプの投影システムを包含し、使用される露光放射あるいは液浸液の使用または真空の使用など他の要因に適切なものとして、広義に解釈されたい。本明細書における用語投影レンズのいかなる使用も、より一般的な用語投影システムと同義と見なされてよい。0051本明細書で記述されるように、装置は透過タイプ例えば透過性マスクを使用するタイプである。あるいは、装置は反射タイプ例えば上記で言及されたプログラマブルミラーアレイを使用するタイプまたは反射性マスクを使用するタイプでよい。0052リソグラフィ装置は、2つデュアルステージまたはそれより多い基板テーブルおよび/または2以上のパターニングデバイステーブルを有したタイプのものとすることができる。そのようなマルチステージの機械では、追加のテーブルを同時に使用することができる、または1つまたは複数のテーブルを露光のために使用しながら、1つまたは複数の他のテーブル上で準備ステップを実施することができる。0053図1を参照すると、イルミネータILが、放射源SOから放射ビームを受け取る。放射源およびリソグラフィ装置は、例えば、放射源がエキシマレーザであるとき、別々のものとすることができる。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームが、例えば適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムBDを用いて、放射源SOからイルミネータILに渡される。別の場合には、例えば放射源が水銀ランプであるとき、放射源をリソグラフィ装置の一部とすることができる。放射源SOおよびイルミネータILは、必要ならビームデリバリシステムBDと共に、放射システムと呼ぶことができる。0054イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタADを含むことができる。一般に、イルミネータILの瞳面における強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるを調整することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOなどの様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータILを使用して、放射ビームをその断面において所望の均一性および強度分布を有するように調整することができる。0055放射ビームBは、サポート構造例えばマスクテーブルMTに保持されるパターニングデバイス例えばマスクMAに入射し、パターニングデバイスMAによってパターン付けされる。放射ビームBはパターニングデバイスMAを通過した後、投影システムPSを通過し、投影システムPSはビームを基板Wのターゲット部分C上に合焦する。第2のポジショナPWおよび位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサを用いて、例えば放射ビームBの経路中に様々なターゲット部分Cを位置決めするように基板テーブルWTを正確に移動することができる。同様に、第1のポジショナPMおよび別の位置センサ図1に明確には示されていないを使用して、例えばマスクライブラリからの機械的抽出の後にまたはスキャン中に、パターニングデバイスMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、サポート構造MTの移動は、第1のポジショナPMの一部を形成するロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めを用いて実現することができる。同様に、基板テーブルWTの移動は、第2のポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合スキャナとは対照的に、サポート構造MTはショートストロークアクチュエータにのみ接続することができ、または固定することができる。パターニングデバイスMAおよび基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1、M2および基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占めるが、それらはターゲット部分間の空間に配置することができるこれらはスクライブラインアライメントマークとして知られている。同様に、1つよりも多いダイがパターニングデバイスMA上に設けられている状況では、パターニングデバイスアライメントマークはダイ間に配置することができる。0056図示された装置は、以下のモードのうち少なくとも1つで使用されうる。00571.ステップモードでは、サポート構造MTおよび基板テーブルWTを本質的に静止したままにしながら、放射ビームBに付与されたパターン全体がターゲット部分C上に一度に投影されるすなわち単一静的露光。次に、基板テーブルWTは、異なるターゲット部分Cを露光することができるようにXおよび/またはY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズは、単一静的露光で結像されたターゲット部分Cのサイズを制限する。00582.スキャンモードでは、サポート構造MTと基板テーブルWTとが同期してスキャンされるとともに、放射ビームBに付与されたパターンがターゲット部分C上に投影されるすなわち単一動的露光。サポート構造MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの拡大縮小および像反転特性によって決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが単一動的露光におけるターゲット部分Cの幅を非スキャン方向で制限するが、スキャン運動の長さがターゲット部分Cの高さをスキャン方向で決定する。00593.別のモードでは、サポート構造MTは本質的に静止したままでプログラマブルパターニングデバイスを保持し、基板テーブルWTが移動またはスキャンされるとともに、放射ビームBに付与されたパターンがターゲット部分C上に投影される。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、基板テーブルWTの各移動の後にまたはスキャン中の連続する放射パルス間に必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この操作モードは、上述したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0060前述の使用モードまたは全く異なった使用モードの組合せおよび/または変形形態も用いられてよい。0061投影システムPSの最終エレメントと基板の間に液体を供給するための各構成は、2つのカテゴリに分類することができる。これらは、基板Wの全体、および任意選択で基板テーブルWTの一部が浴槽の液体に浸漬される浴槽型構成と、液体が基板の局部領域のみに供給される液体供給システムを使用する、いわゆる局部液浸システムである。後者のカテゴリでは、液体で充填された空間は、平面視で基板の上面よりも小さく、液体で充填された領域は、基板Wがその領域の下で移動する間、投影システムPSに対してほぼ静止したままである。別の構成は、液体が閉じ込められないオールウェット解決策である。この構成では、基板の上面のほぼ全体と、基板テーブルの全部または一部とが液浸液で覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深度は浅い。液体は、基板上の液体の、薄膜などの膜でよい。このようなシステムには、図2~5の液体供給デバイスのいずれも使用することができるとはいえ、封止機能が存在せず、作動せず、通常ほど有効ではなく、さもなければ液体を局部領域のみに封止する効果がない。図2~5には4つの異なるタイプの局部液体供給システムが示されている。図2~4に示されている液体供給システムについては、上で説明した。0062提案された別の構成は、液体供給システムに液体閉じ込め部材を設けるものであり、この部材は、投影システムの最終エレメントと基板テーブルの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。このような構成が図5に示されている。液体閉じ込め部材は、Z方向光軸の方向にいくらかの相対移動が存在する可能性はあるが、投影システムに対してXY平面内に実質的に静止している。液体閉じ込めと基板の表面の間にシールが形成される。一実施形態では、シールが液体閉じ込め構造体と基板の表面の間に形成され、このシールは、ガスシールなどの非接触シールでよい。このようなシステムは、米国特許出願公開第US2004-0207824号に開示されている。0063図5は、流体閉じ込め構造体12を備えた局部液体供給システムを概略的に示す。流体閉じ込め構造体12は、投影システムPSの最終エレメントと基板テーブルWTまたは基板Wの間の空間11の境界の少なくとも一部に沿って延在する。以下のテキストにおける基板Wの表面の参照は、特に明確に言及されていない限り、追加または別法として基板テーブルWの表面を同じく意味していることにどうか留意されたい。流体閉じ込め構造体12は、Z方向光軸の方向の若干の相対移動が存在する可能性はあるが、投影システムPSに対してXY平面内に実質的に静止している。一実施形態では、流体閉じ込め構造体12と基板Wの表面の間に、望ましくはガスシールである、流体シールなどの非接触シールであってもよいシールが形成される。0064流体閉じ込め構造体12の少なくとも一部は、投影システムPSの最終エレメントと基板Wの間の空間11に液体を含有している。基板Wの表面と投影システムPSの最終エレメントとの間の空間11に液体が閉じ込められるよう、投影PSシステムのイメージフィールドの周りに基板Wに対する、ガスシール16などの非接触シールを形成することができる。この空間11は、少なくとも部分的に、投影システムPSの最終エレメント下方に、該投影システムPSの最終エレメントを取り囲んで配置された流体閉じ込め構造体12によって形成されている。液体は、流体閉じ込め構造体12の内側の投影システムPSの下方の空間11に、液体入口13によってもたらされる。この液体は、液体出口13によって除去することができる。流体閉じ込め構造体12は、投影システムPSの最終エレメントの少し上まで延在させることができる。液体のレベルは、液体のバッファが提供されるよう、最終エレメントの上まで上昇している。一実施形態では、流体閉じ込め構造体12は、その上端部分の形状が投影システムPSまたは投影システムの最終エレメントの形状と緊密に合致する、例えば丸い形状であってもよい内側周囲を有している。内側周囲の底部は、イメージフィールドの形状と緊密に合致しており、必ずしもそうである必要はないが、例えば長方形である。0065一実施形態では、液体は、使用中、流体閉じ込め構造体12の底部と基板Wの表面の間に形成されるガスシール16によって空間11の中に含有される。このガスシール16は、ガス、例えば空気または合成空気によって形成されるが、一実施形態ではN2または他の不活性ガスである。ガスシール16中のガスは、入口15を介して加圧下で流体閉じ込め構造体12と基板Wの間の隙間に提供される。このガスは、出口14を介して抽出される。ガス入口15部分の超過圧力、出口14部分の真空レベルおよび隙間の幾何構造は、液体を閉じ込める内側に向かう高速ガス流が存在するようになされている。流体閉じ込め構造体12と基板Wの間の液体に対するガスの力によって、空間11の中に液体が含有される。入口/出口は、空間11を取り囲む環状の溝であってもよい。この環状の溝は、連続していても、あるいは不連続であってもよい。ガスの流れは、液体を空間11の中に含有するのに有効である。このようなシステムは、米国特許出願第US2004-0207824号に開示されている。0066別の構成が実現可能であり、以下の説明から明らかになるように、本発明の一実施形態は、任意のタイプの液体供給システムと共に使用することができる。0067液浸リソグラフィ装置では、基板が基板テーブル内の凹部に配置されることが多い。基板の幅例えば直径のばらつきに対処するために、凹部は通常、最大と思われる基板のサイズよりも少し大きく作られる。したがって、基板の縁部と基板テーブルの間には隙間が存在する。図6は、このような構成の基板テーブルWTおよび基板Wの断面の概略図である。基板Wの縁部と基板テーブルWTの縁部の間に隙間5が存在する。隙間5は、結像時に基板Wが置かれる凹部の外側領域または縁部にある。基板Wは、基板テーブルWTの基板支持領域上で支持することができる。局部領域液体供給システムを使用する液浸リソグラフィ機では、基板Wの縁部が結像されているときあるいは、上述のように、基板Wが投影システムPSの下で最初に移動するときなど別の時間に、基板Wの縁部と基板テーブルWTの縁部との間の隙間5が、例えば、液体供給システム12によって液体で充填された空間11の下を通過する。これにより、空間11からの液体が隙間5に入ることになりうる。他の液体供給システムでは、液体はいつでも空間5に入りうる。0068液体が隙間5に入ることに対処するために、少なくとも1つのドレイン10、17を、隙間5に入る液体を除去するように基板Wの縁部に設けることができる。図6の実施形態では、2つのドレイン10、17が示されているが、1つだけドレインがあることもあり、2つよりも多いドレインもありうる。ドレイン10、17は、基板Wの周辺全体が取り囲まれるように、例えば環状である。0069第1のドレイン10の主要な機能は、気泡が液体供給システム12の液体11に入らないようにすることである。そのような泡がもしあれば、基板Wの結像に有害な影響を及ぼす可能性がある。第2のドレインは、隙間5から基板Wの下に液体が少しも侵入しないように設けることができる。基板Wの下のこのような液体は、例えば、結像の後に基板Wを基板テーブルWTから効率的に解放することの妨げになることがある。従来のように、基板Wは、複数の突起32を備えるピンプルテーブル30によって保持される。ピンプルテーブル30によって基板Wと基板テーブルWTの間に加えられる減圧により、基板Wが適切な位置にしっかり保持されることが保証される。しかし、液体が基板Wとピンプルテーブル30の間に入った場合には、これが、特に基板Wを取り外すときに問題になる可能性がある。ピンプルテーブル30の下に第2のドレイン17を設けることで、基板Wの下に侵入する液体により生じうる問題が低減または除去される。第1のドレイン10は、チャンバを隙間5との流体連通の状態にする入口110連続溝または複数の個別貫通孔でよいを備えることができる。0070液体が投影システムPSと基板テーブルWTの間の空間に供給されるとき、液体は、例えば基板Wおよび基板テーブルWTを含む、リソグラフィ装置のいくつかの構造体と接触する可能性がある。しばしば、この液体は蒸発することがある。液体の蒸発は局部的な冷却を引き起こす。局部的な冷却により、基板Wおよび/または基板テーブルWTが機械的に収縮することになる可能性があり、これが次にオーバーレイエラーを引き起こしうる。一例として、入口110を通してガスおよび/または液体を引き出すことが、隙間5に入っている、および/または基板Wの上にある液体の蒸発を引き起こしうる。別の例として、露光時に基板Wが液体供給システム12に対して移動することが、基板Wおよび/または基板テーブルWTの上に液が残留することになる可能性があり、この残留液は蒸発しうる。0071この局部冷却の現象に対処できる1つの方法は、基板テーブルWTの中に熱伝達流体例えば、熱伝達液のチャネルを設けることである。基板テーブルの温度は、この方法でほぼ一定に維持することができる。加えて、米国出願第US2008-0137055号に開示されているように、別の熱制御デバイス例えば、ヒータおよび/または冷却器を使用して、隙間近くの基板テーブルおよび/または基板の温度を制御することもできる。したがって、隙間またはその近くで発生する特定の熱負荷は、この別の熱制御デバイスを使用することによって補償することができる。0072図7は、そのような構成の1つを示す。図7は、基板テーブルWTの基板支持領域の平面図である。入口110が示されている。熱伝達流体の中心チャネル200が設けられている。中心チャネル200は、基板Wの位置の下の経路をたどる。中心チャネル200の経路は、熱伝達流体をチャネル200の中に通すことによって、均一な加熱および/または冷却を加えることができるような経路である。チャネル200に入る熱伝達流体の温度は、第1の温度センサ210によって検出される。チャネル200を出る熱伝達流体の温度は、第2の温度センサ220によって検出される。ある局部的な点で温度を検出するために、第3のセンサ230がチャネル200の中に設けられることもある。コントローラに温度センサ210、220、230からのデータを供給することができ、コントローラは、ヒータ/冷却器240を使用して熱伝達流体の温度を制御することができる。ヒータ/冷却器240は、熱伝達流体がチャネル200に入る前に熱伝達流体を制御するために使用される。0073例えば、第1のドレイン10によって発生しうる過度の冷却に対処するために、熱制御エレメント250例えばヒータを設けることができる。一実施形態では、熱制御エレメント250は、入口110に隣接し、入口110の周辺部例えば周縁を囲んで延在する単一のエレメントであってもよい。一実施形態では、熱制御エレメント250は、基板テーブルWT上に保持されたときの基板Wの縁部に近い場所で、ピンプルテーブル30の周辺部を囲んで延在することができる。一実施形態では、ピンプルテーブル30は、例えば200mmまたは300mmウェハとサイズが厳密に一致する。熱制御エレメント250は、図6に示されたように、チャンバ140の下、またはチャンバ140のどちらかの側面に配置することができる。熱制御エレメント250には、他にも適切な位置がありうる。0074第4の温度センサ260を設けることができる。第4の温度センサ260は、入口110の近くに設けられる。コントローラ261は、第4の温度センサ260から得られた情報を使用して、熱制御エレメント250に加えられる電力を制御することができる。0075図8は、別の基板テーブルWTを示す。熱制御エレメント250と類似の複数の熱制御エレメント310、322、324、330、342、344、350、360が設けられている。複数の熱伝達エレメント310、322、324、330、342、344、350、360のうちの少なくとも2つが、基板サポート領域の縁部の別々のセグメントに沿って配置される。すなわち、注入口110および/またはピンプルテーブル30の周辺部がセグメント化され、それぞれのセグメントが、それに付随する少なくとも1つの熱伝達エレメント310、322、324、330、342、344、350、360を有する。これは、図7と同様に基板支持領域を平面図で示す図8を参照すると最も明確に分かる。図7と対照的に、周辺部全体を囲んで単一の熱制御エレメント250を設ける代わりに、周辺部は6つの区域またはセグメントに分割されている。各区域またはセグメントは、少なくとも1つの熱伝達エレメント310、322、324、330、342、344、350、360を備える。説明が目的の図8では、各区域は、熱伝達エレメント310、322、324、330、342、344、350、360のそれぞれ異なる組合せを備える。しかし、熱伝達エレメントの任意の組合せを使用することができ、実のところ区域のすべてが同じ熱伝達エレメント構成を有することもでき、あるいは区域のいくつかだけが同じ熱伝達エレメント構成を有することもできることを理解されたい。0076第1のセグメント91には、単一の熱伝達エレメント310だけが存在する。第2のセグメント92には、3つの熱伝達エレメント322、324が示されている。第3のセグメント93には、2つの熱制御エレメント330が設けられている。0077第4のセグメント94では、熱制御エレメント342がセグメント94の全長に及ぶ。図8で、第5のセグメント95は単一の制御エレメント350を有し、制御エレメント350は、セグメント95の全長に沿っては延在していない。第6のセグメント96では、2つの熱制御エレメント360が存在し、これらは、第3のセグメント93の場合と反対にセグメント96の全長に沿って延在する。0078理解されるように、各熱制御エレメントは、一群として、隣り合う熱制御エレメントの間に隙間がありうるにしても、基板サポート領域の縁部をほぼ取り囲んで延在する。少なくとも2つの熱制御エレメントが非並行であることになり、こうなることは、基板サポート領域の縁部の向かい合う側の一部分だけが、付随する熱制御エレメントを有することのないように保証する助けになる例えば、米国特許第7,304,715号の並行熱制御エレメントの配置と同様に。0079熱制御エレメントのそれぞれは、それが付随する基板サポート領域の縁の部分に平面視で厳密に一致するように形づくられる。すなわち、熱制御エレメントは、平面視でまっすぐではなく湾曲している基板が湾曲している場合。熱制御エレメントのそれぞれは、図8に示されるように、周辺の方に細長くするだけでなく、垂直または水平の方向に細長くすることができる。水平と垂直の熱制御エレメント1つまたは複数の任意の組合せ、および/または任意の数の熱制御エレメント1つまたは複数、および/または任意の場所を各セグメントで用いることができる。0080一実施形態では、複数の熱制御エレメントが、複数の熱制御エレメントのうちの少なくとも2つが互いに独立して制御可能であるという意味で、独立して制御可能である。しかし、同じセグメント内の2つの熱制御エレメントが同調して制御される場合もある。例えば、図8の第3のセグメント93および第6のセグメント96では、熱制御エレメント330、360を同じように制御することができる。0081一実施形態では、熱制御エレメントの制御は、セグメント内に配置された温度センサの結果に基づいて行われる。図8から分かるように、各セグメントは、第1のセグメント91に示されるように、単一のセンサ410を備えることができる。別法として、または加えて、1つのセグメントにつき複数の温度センサを設けることもできる。このような例の1つが第2のセグメント92に示されており、セグメント92の長手方向に沿って配置された3つの温度センサ420がある。各温度センサの正確な位置は変わる可能性があり、特に、基板テーブル内の温度センサの高さ、およびその温度センサの、第1のドレイン10および/またはピンプルテーブル30の構成要素に対する径方向の位置は変わる可能性がある。0082独立して制御可能な複数の熱制御エレメントを設けることによって、局部熱変化に対応することが可能である。例えば、注入口110が局部液体供給システムの下を通る場合、冷却は、液体で覆われた領域の下を通る注入口110の長手方向に沿ってだけ行われる可能性がある。図8のシステムでは、その領域だけを熱的に制御し、そうして基板テーブルWTをより一定の温度に維持し、それによってオーバーレイエラーを低減することが可能である。熱制御エレメントをセグメントの群として設けることによって、局部温度を慎重に制御することが可能である。0083チャネル200および熱制御エレメントのそれぞれによって加えられる熱出力を制御するために、コントローラ201を設けることができる。このコントローラは、チャネル200および/または各熱制御エレメント310、322、324、330、342、344、350、360に供給される電力量が、1つまたは複数の温度センサから受け取る信号に基づくようにすることができる。別法として、または加えて、チャネル200および/または各熱制御エレメントによって加えられる熱出力は、液体ハンドリングシステムの下の基板テーブルWTの位置に基づくことができる。したがって、例えば、基板テーブルWTが、ある特定の位置に熱負荷がかけられている可能性があることを示す位置のとき、その位置の熱制御エレメントに通電して補償することができる。コントローラ201は、コンピュータソフトウェアの形とすることができる。コントローラ201は、単一セグメントの複数の熱制御エレメントを一群として制御でき、あるいはこれらの熱制御エレメントを個々に制御することができる。0084コントローラ201は、測定温度を所与の設定点に維持しようとする。その応答が早いほど、期待できる性能はよくなる。熱時定数が急速であるほど、熱負荷がかかることによって生じる正味の最大温度変化は小さくなる。コントローラ201は、熱制御エレメントのところの温度センサ、ならびに任意選択でセンサ220、230、260のうちの少なくとも1つからのフィードバックに基づいて、チャネル200および/または熱制御エレメントを制御することができる。液体ハンドリングシステム12の位置に基づくフィードフォワード制御が可能である。0085上で論じた温度センサは、基板テーブルWTの材料の上または中にあってよい。例えば、温度センサは、そのような2つの部分の間の結合部に配置し、それによって基板テーブルWT内に埋め込むことができるが、必ずしもそうではない場合もある。温度センサを埋め込むと、センサをチャネル200内に配置するよりもずっと良好な熱応答性を得ることができる。温度センサは点センサとすることもできるが、この場合、セグメントごとに複数の温度センサが必要になる可能性がある。特定のどんな構成でも、熱応答性は、1つのセグメント内の1つだけの温度センサからではなく3つの温度センサからの信号によって応答が制御される場合に、より良好になりうる。各センサの平均が取られるべきである。センサは、並列または直列に接続することができるが、これはセンサの性能に実際には影響を及ぼさない。どちらの方法でも、温度測定値の平均が得られる。別法として、温度センサはリボンセンサとすることもでき、これはその性質によって、ある領域にわたり温度を平均する。センサは、例えば、表面実装されるNTCセンサ負温度係数センサとすることもできる。0086チャネル200および熱制御エレメント250、310、322、324、330、342、344、350、360の位置は、基板テーブルの正確な設計に従って選択される。例えば、基板および/または基板テーブルの1つの特定の部分に、他の領域よりも高い熱負荷がかかると分かることがある。その場合、例えば、チャネル200および/または熱制御エレメント250、310、322、324、330、342、344、350、360をその領域近くに置くことができる。0087図9は、図7および図8に示されたものと似ている基板テーブルWTの基板支持領域の平面図である。熱伝達流体の中心チャネル200が設けられている。中心チャネル200は、基板Wの位置の下の経路をたどる。チャネル200に入る熱伝達流体の温度は、第1の温度センサ210によって検出される。チャネル200を出る熱伝達流体の温度は、第2の温度センサ220によって検出される。ある局部点で温度を検出するために、第3のセンサ230がチャネル200の中に設けられることもある。コントローラ211に温度センサ210、220、230からのデータを供給することができ、コントローラは、ヒータ/冷却器240を使用して熱伝達流体の温度を制御することができる。ヒータ/冷却器240は、熱伝達流体がチャネル200に入る前に熱伝達流体を制御するために使用される。0088複数の熱制御エレメント101例えば、ヒータまたは冷却器が設けられる。これらの熱制御エレメントのそれぞれは、図8の熱制御エレメント310と類似しており、すなわち、それぞれが周辺部を取り囲んで延在している。6つの熱制御エレメントが示されているが、他の個数または構成を設けることもできる。0089さらに、複数の温度センサシステム102が設けられる。これらの温度センサシステムのそれぞれは、図8のセグメント92に設けられた3つの温度センサ420と類似している。一実施形態では、各温度センサシステムは3つの温度センサ102を有するが、別の個数で設けることもできる。コントローラ105は、それぞれ異なる温度センサ102から得られた情報を用いて、チャネル200および/または熱制御エレメント101によって加えられる熱負荷を制御することができる。0090少なくとも1つの第1のドレイン温度センサ103を第1のドレイン10の下に設けることができる。少なくとも1つの第2のドレイン温度センサ104を第2のドレイン17の下に設けることができる。0091この構成では、熱制御エレメント101は応答時間が速い例えば3~5秒程度。これは、例えば、熱制御エレメント101の温度センサ102がそれらのエレメントに非常に近接しているので、および/または熱制御エレメント101が、それらの印加熱負荷を迅速に変えることができるので、実現可能である。0092反対に、チャネル200は、応答時間が非常に遅い例えば、15~20秒程度。これは、基板Wの下のチャネル200の位置から非常に遠くにヒータ/冷却器240を置くことができるからである。例えば、ヒータ/冷却器240は、基板テーブルWTと別個の、基板テーブルWTより熱制御されることが少ない基板ステージの一部分の上に置くことができる。したがって、ヒータ/冷却器240と熱伝達流体の間で熱が伝達された後に、熱伝達流体は、基板Wの下のチャネル200の位置に到達するには時間がかかり、その後さらに、基板テーブルWTの中を移動してすべての温度センサ220、230に到達するには時間がかかる。温度センサ位置は変えることもできるが、こうすることは最善ではない。というのは、センサ220、230は、これらの温度センサに温度負荷が見えるように、しかし基板Wと基板テーブルWTの間の隙間には近づきすぎないようにして、その場所にありそうなより大きい熱負荷によって妨害されないようするためには、基板Wおよび/または基板テーブルWTの上で作用する温度負荷の下流になければならないからである。0093上で論じた長い応答時間には欠点がありうる。例えば、応答時間が長いシステムは、制御するのがより困難である。温度振幅は、遅いシステムではより大きい。加えてまたは別に、遅い制御は高い基板露光スループットに対しては不利になる。基板を露光するのに必要な時間は、ヒータ/冷却制御の時定数と同じ程度の長さである。これは、基板サイクルの間の熱擾乱が後続の基板に影響を及ぼしうることを意味する。加えてまたは別に、単一のヒータ/冷却器で非常に大きい表面領域例えば、基板支持領域を制御すると、その表面上で温度傾斜が非常に大きくなる可能性がある。0094大きい温度傾斜の欠点、ならびに次の基板に及ぼす影響の欠点についての説明を行う。図10を参照すると、裸基板が、液浸リソグラフィ装置の液体供給システム12の閉鎖基板として実験的に試験された。裸基板では、典型的な生産基板よりも液体供給システムからの基板上の残留液が多く、したがって蒸発がより多く発生しやすかった。図10を参照すると、基板テーブルの上の傾斜は、負荷が増大したときに増大する。-基板テーブルWTに入る熱伝達流体の温度例えばセンサ210を表す線500を、基板テーブルWTの内部の温度例えばセンサ230を表す線510と比較。この傾斜は、第1の試験または熱コンディショニング基板CTC基板で非常に大きいが、その後の各基板Wでも継続する。基板テーブル内部の温度例えばセンサ230は、別々の基板について、通常は目標温度に制御される。基板のランの中で、第1の基板は、図10のCTC基板に生じるものが難点になる。-顕著な傾斜が生じる。これらの効果は、オーバーレイに悪影響を及ぼすおそれがある。0095図11は、本発明の一実施形態を示す。基板テーブルWTは、基板支持領域の少なくとも一部分の下に熱伝達流体チャネル200を備える。熱伝達流体チャネル200は、基板テーブルWTのピンプルテーブル30の中、または基板テーブルWTの別の区域にあってよい。少なくとも1つのヒータおよび/または冷却器530が、基板支持領域の下の場所に設けられる。0096ヒータおよび/または冷却器530は、熱伝達流体チャネル200内の熱伝達流体を熱的に制御するために設けられる。ヒータおよび/または冷却器530は、チャネル200に熱伝達流体が入る前に熱伝達流体を制御するために使用されるヒータ/冷却器240に追加されている。ヒータ/冷却器240が基板支持領域の下にないのに対して、ヒータおよび/または冷却器530は基板支持領域の下にある。一実施形態では、ヒータ/冷却器240は存在しない。0097基板支持領域の下のヒータおよび/または冷却器530の目的は、熱伝達流体チャネル200内の熱伝達流体の温度を正確に制御することである。基板支持領域の下の熱伝達流体の温度は、基板支持領域の下の場所にヒータまたは冷却器が何もない熱伝達流体チャネル200を有する図9に示された基板テーブルWTと比べて、より速く変えることができる。0098さらに、チャネル200に熱伝達流体が入る前に熱伝達流体の温度を制御するために使用されるヒータ/冷却器240と、チャネル200内の熱伝達流体の温度を制御するためのヒータおよび/または冷却器530とを少なくとも有することによって、チャネル200内の熱伝達流体の温度傾斜が、チャネル200に流体が入る前に熱伝達流体の温度を制御するためのヒータ/冷却器240だけを有するチャネル200と比べて、低減される。0099ヒータおよび/または冷却器530は、チャネル200の内部にあってよい。ヒータおよび/または冷却器530は、チャネル200の内面に配置することができる。加えてまたは別に、ヒータおよび/または冷却器530は、チャネル200の外面に配置すること、またはチャネル200から離れた基板テーブルWT内に埋め込むことができる。00100本発明の一実施形態によれば、図11を参照すると、複数のヒータおよび/または冷却器530を設けて、基板支持領域の下の様々な場所でチャネル200内の熱伝達流体を熱的にコンディショニングし、それによって基板テーブルWTの温度を制御することができる。00101さらに、複数の温度センサ540を設けて熱制御を実施することができる。複数の温度センサ540のそれぞれを、ヒータおよび/または冷却器530のそれぞれと連係させることができる。例えば、各ヒータおよび/または冷却器530は、その下流の温度センサ540によって制御される。ヒータ/冷却器530とセンサ540の特定の一構成が図11に示されているが、異なる個数および/または場所のセンサおよびヒータ/冷却器を用いた別の設計を使用することもできる。複数の温度センサ540は、図9に示された構造体と関連して上で説明された第3の温度センサ230を含むことができる。00102一実施形態では、ヒータおよび/または冷却器530は、温度センサ540の少なくとも1つからの読取値により制御される。例えば、基板支持領域の温度をある目標値に維持することが望ましいことがある。コントローラ211が、チャネル200内の熱伝達流体の温度が目標値よりも低いという温度センサ210からの測定値を読み取った場合、コントローラ211は、熱伝達流体の温度を上昇させるようにヒータおよび/または冷却器530を制御する。コントローラ211が、チャネル200内の熱伝達流体の温度が目標値よりも高いという温度センサ540からの測定値を読み取った場合、コントローラ211は、熱伝達流体の温度を低減させるようにヒータおよび/または冷却器530を制御する。このようにして、ヒータおよび/または冷却器530は、温度センサ540の少なくとも1つと対をなす。00103ヒータおよび/または冷却器530と温度センサ540からなる対の中で、温度センサ540がヒータおよび/または冷却器530の下流にあることが望ましい。この目的は、温度センサ540へ引き続き流れる熱伝達流体の温度をヒータおよび/または冷却器530で変えることである。このようにして、ヒータおよび/または冷却器530と温度センサ540は、フィードバックループを形成する。00104一実施形態では、基板テーブルWTに複数のそのような対が設けられ、各対は、ヒータおよび/または冷却器530と温度センサ540を含む。各対は、下流の一対のヒータおよび/または冷却器530が上流の一対の温度センサ540の下流になるように、チャネル200に沿って順次配置することができる。各対は、コントローラ211を含むことができる。あるいは、コントローラ211が複数の対に共通になるすなわち共有されることもある。00105一実施形態では、各対は、上流の一対の温度センサ540が下流の一対のヒータおよび/または冷却器530の上流になるように重なり合う。各対が順次配置されていようと重なり合っていようと、1つの対の温度センサと下流の対のヒータおよび/または冷却器530との間のチャネル間隔は、同じ対の温度センサ540とヒータおよび/または冷却器530との間のチャネル間隔よりも小さい。この目的は、一対のヒータおよび/または冷却器530と温度センサ540の間の十分なチャネル間隔により、順次の対の間のチャネル間隔を低減または最少にあるいは、重なり合う構成の場合には実質的に負の間隔にさえもしながら、チャネル200内の熱伝達流体の温度を十分正確に制御するために使用される対の数を低減できるようにすることである。この目的は、各対のフィードバックループの外側にある熱伝達流体の領域を低減または最小化しておくことである。00106温度センサ540とヒータおよび/または冷却器530の隣り合う対は、互いに非常に近接している。一実施形態では、コントローラ211は、上流の対すなわち、互いに近接するヒータおよび/または冷却器530と温度センサ540の温度センサ540から読み出された測定値により、下流の対のヒータおよび/または冷却器530を制御する。この目的は、チャネル200の1つの特定の部分すなわち、温度センサ540が配置されているところの温度を正確かつ非常に高速に制御できるようにすることである。この形の制御では、温度センサ540とヒータおよび/または冷却器530との間の距離が低減されるので、その位置の温度をより高速に制御することが可能になりうる。この形の制御は、対を重ね合わせる構成の場合に特に効果的である。00107チャネル200は、蛇行した経路をたどることができる。この蛇行した経路は、一連のヘアピンカーブを含みうる。一実施形態では、温度センサ540とヒータおよび/または冷却器530は、ヘアピンカーブのすぐ下流に配置される。00108一実施形態では、ヒータおよび/または冷却器530は、温度センサ540と対にならない。複数のヒータおよび/または冷却器530を、単一の温度センサから読み取られた温度測定値に応じて制御することができる。こうすることには、チャネル200内に設けられる温度センサが少なくなるという利点がある。一実施形態では、チャネル200内に単一の温度センサ230があることも、基板支持領域の下のチャネル200内には全く温度センサがないこともある。この場合、ヒータおよび/または冷却器530は、温度センサ210および220から取得された読取値に応じて制御される。この場合、ヒータおよび/または冷却器530の目的は、熱伝達チャネル200内の熱伝達流体の温度傾斜を平らにすることである。00109一実施形態では、ヒータおよび/または冷却器530は基板テーブルWT内に埋め込まれ、または取り付けられる。例えば、基板テーブルWTは、ヒータおよび/または冷却器530が入れられる凹部および/または穴を有することがある。同様に、一実施形態では、温度センサ540は基板テーブルWT内に埋め込まれる。一実施形態では、ヒータ/冷却器および/またはセンサは、基板テーブルの下面に例えば孔をあけて空洞を作り出すことによって、基板テーブルWTの中に置かれる。ヒータ/冷却器530および/またはセンサ540は、現場で接着剤を用いて密封することができる。00110一実施形態では、ヒータおよび/または冷却器530は、熱伝達流体だけを熱的に制御し、基板テーブルWT自体は直接制御しないことがある。例えば、ヒータおよび/または冷却器530は、流体の流れの中にあってよい。一実施形態では、ヒータおよび/または冷却器530は、流体の流れに直接接触するとともにそれを取り囲む。例えば、ヒータおよび/または冷却器530は、円筒形のヒータおよび/または冷却器とすることができる。こうすると、熱伝達流体と接触するヒータおよび/または冷却器530の表面積が増大し、それによって熱伝達の効率が改善される。00111一実施形態では、センサ210のところの温度は、ほぼ固定の設定点温度に対して制御されて、基板テーブルWTに供給される流入熱伝達流体に生じる温度ドリフトが補償される。基板支持領域では、熱負荷は、ヒータおよび/または冷却器530によって制御され、その負荷は、ほとんどまたは全部が、例えば液浸液および/または液体供給システム12に起因しうる。00112したがって、上述のヒータ/冷却器530の構成、および任意選択でセンサ540の構成を有することにより、熱変化の検出に対する応答時間を低減することができる。例えば、ヒータ/冷却器530を熱負荷に近づけることによって応答を速くすることができ、次の基板Wに及ぼす熱変化の悪影響を回避/大幅に低減することができる。さらに、温度センサ540がヒータ/冷却器530に近いほどヒータ/冷却器530の応答時間が速くなり、したがって、ヒータ/冷却器530がより適切に制御可能になる。複数のヒータ/冷却器530を有するとまた、温度傾斜を低減することができすなわち、表面にわたって温度がより均一になる、必要なところに熱制御を適用することができる。00113一実施形態では、複数のヒータ/冷却器530の代わりに、少なくとも基板テーブルWTの基板支持領域の下に二相熱制御システムが設けられることがある。この二相熱制御システムでは、所望の基板テーブル温度例えば22°Cで相を変えるように設計された冷却剤を使用することができる。このようなシステムは応答時間が速く温度センサに近接して置かれたと仮定して、表面の局部温度変化に対し効果的である。00114別の実施形態では、上面コアヒータ例えば薄膜ヒータがチャネル200に取って代わる、またはチャネル200の上に配置されることがある。一実施形態では、上面ヒータは、少なくとも基板支持領域の上に貼り付けられた1つまたは複数の金属膜を含み、これは、ヒータ/冷却器530と同様に制御することができる。一実施形態では、複数の膜を設けることができ、それぞれが基板支持領域の別々の領域の温度を制御し、それぞれが個々に制御可能である。このようなシステムは応答時間が速く温度センサに近接して置かれたと仮定して、表面の局部温度変化に対して効果的である。00115別の実施形態では、ヒータ/冷却器240は、チャネル200内の熱伝達流体を熱的に制御するための唯一のヒータ/冷却器であり、さらなるヒータ/冷却器がないことがある。熱伝達流体流量は、応答時間が3~5秒程度に低減されるように、あるレベルまで増大させることができる。しかし、物理的な制限事項により、この解決策の有効性が妨げられる、または限定されることがある。一実施形態では、ヒータ/冷却器240は、基板テーブルWTに可能な限り近接している。00116図12は、本発明の一実施形態の一部分を示す。図12は、温度センサ540をチャネル200または基板テーブルWTにどのようにして取り付けることができるかを示す。温度センサ540が取り付けられる部分は、参照数字131で示されている。温度センサ540は、部分131の温度を測定するように構成されている。部分131は、例えば、チャネル200または基板テーブルWTでありうる。00117温度センサ540は、サーミスタ、または他の温度計機器を含むことができる。図12に示された構造によれば、温度センサ540は、部分131に直接押し付けられる。熱伝導ペースト132が、温度センサ540と部分131の間に介在するように与えられることがある。このペーストは、熱伝導性接着剤とすることができる。温度センサ540は、少なくとも1本の電線133を介して電気アセンブリ134に接続される。電気アセンブリ134は、温度センサ540から温度読取値を取得する。電気アセンブリ134は、プリント回路基板とすることができる。一実施形態では、温度センサ540は、電気アセンブリ134の上に直接装着することができ、電線133を必要としない。00118図12に示された構造の欠点は、温度を測定することが望まれる正確な場所に温度センサ540を配置することが困難なことがあるということである。これは一部には、温度センサ540を上に装着した電気アセンブリ134が存在すること、あるいは、温度センサ540を電気アセンブリ134に接続する電線133が存在することによる。別の欠点は、電線133が温度センサ540に圧力をかけることである。これは、温度センサによって取得される温度測定値に望ましくない影響を及ぼす可能性がある。00119温度センサ540は、半導体材料で作られていることがある。温度センサ540は、単一の場所の温度を測定するように構成されている。00120図13および図14は、温度センサ540を部分131に取り付けるための、図12の構造の一代替実施形態を示す。図13は、構造の側面図を示す。図14は、構造の平面図を示す。00121サーミスタでよい温度センサ540は、温度が測定されるべき場所の部分131に取り付けられる。この場所で部分131は、導電性コーティング141でコーティングされる。この導電性コーティングは熱伝導性であることが望ましい。図14で最も明確に分かるように、導電性コーティング141はパターンの形を取る。コーティング141のパターンの目的は、導電性コーティング141を電気アセンブリ134に適切な位置で接続できるようにすることである。例えば、適切な位置とは、電気アセンブリ134のための、または電線133が電気アセンブリ134につながるための、より大きい空間があるところでありうる。この目的のためにコーティング141は、少なくとも1つの細長い部分を含むことがある。00122導電性コーティング141はまた、部分131および/または温度センサ540に対する電気的遮蔽も行う。このように、追加の製造ステップを何も伴わずに電気的遮蔽を行うことができる。温度センサ540からの測定信号は、電気アセンブリ134を介して読み出すことができ、電気アセンブリ134は、コーティング141に直接接続されることも、電線133を介して間接的に接続されることもある。00123温度センサ540は、コーティング141に直接付着させることがある。温度センサ540は、コーティング141内に埋め込まれることもある。一実施形態では、温度センサ540は、熱伝導性の粘着剤すなわち接着剤132を介してコーティング141に接続される。接着剤132の層は、厚さ10μm未満が望ましい。00124隙間142が温度センサ540とコーティング141の間に設けられることがある。隙間142の目的は、短絡を防止することである。コーティング141は、2つのコーティング区域から形成される。各区域は、温度センサ500に電力を供給するための電極、および/または温度センサ500から信号を受け取るための電極として機能する。隙間142は、2つのコーティング区域を互いに分離する。隙間142は、電気絶縁材料で充填されることがある。00125コーティングの厚さは、10μm未満、5μm未満、3ミクロン未満、または1μm未満である。00126導電性コーティング141は、例えば、白金または白金を主とする合金で作ることができる。コーティング141は、銅、アルミニウム、銀および金のうちの少なくとも1つを含むこともある。00127図15は、本発明の一実施形態の断面の概略図である。上記では、基板テーブルWTの特に基板支持領域の下の温度を制御するために、熱伝達流体チャネル200をどのように使用できるかについて説明した。しかし、このような熱伝達流体チャネルを使用することは、基板テーブルWTの基板支持領域の温度を制御することに限定されない。このような熱伝達流体チャネル200の別の使用法が図15に示されている。図15に示された熱伝達流体チャネル200は、図11に示され上記で説明された熱伝達流体チャネル200と類似の概念に基づく。基板テーブルWT上の回折格子50またはセンサ20の温度を制御するための、図15に示された熱伝達流体チャネル200は、基板支持領域の温度を制御するための、図11に示された熱伝達流体チャネル200と共通しているところがありうる。チャネル200は、同じチャックまたは支持テーブルの中にありうる。チャネル200は、同じ液流システムを備えることができる。チャネル200は、相互接続された流れシステムを形成することができる。00128図15は、基板テーブルWT、基準フレームRF、回折格子50およびセンサ20を備えるリソグラフィ装置を示す。回折格子50は、基板テーブルWTと基準フレームRFのうちの一方に取り付けられる。センサ20は、基板テーブルWTと基準フレームRFのうちのもう一方に取り付けられる。図15は、回折格子50が基板テーブルWTに取り付けられ、センサ20が基準フレームRFに取り付けられた場合を示す。00129センサ20は、基板テーブルWTと基準フレームRFの間の相対位置を測定するために、回折格子50によって回折および/または反射された放射を検出する。これは、リソグラフィ装置に使用される位置測定デバイスの一種であり、回折格子50およびセンサ20は、互いに移動可能でその相対位置を測定することが望まれる別々の物体上に装着されている。00130図15に示されたように、基板テーブルWTおよび/または基準フレームRFは、回折格子50またはセンサ20の表面を熱的に制御するために、回折格子50またはセンサ20の上または下に熱伝達流体チャネル200を備える。図15は、基板テーブルWTに取り付けられた回折格子50の上に熱伝達流体チャネル200が配置されている場合を示す。図15はまた、基準フレームRFに取り付けられたセンサ20の下に熱伝達流体チャネル200が配置されている実施形態も示す。1つまたは複数のヒータおよび/または温度センサを回折格子50またはセンサ20に隣接するチャネル200の中に配置して、チャネル200内部の流体を熱的に制御することができる。一実施形態では、1つまたは複数のヒータおよび/または温度センサは、回折格子50またはセンサ20に隣接していない。チャネル200は、図9に示され上記で説明されたチャネルと類似でありうる。00131水などの比較的熱容量の高い流体が、回折格子50および/またはセンサ20に隣接するチャネル200を通って流れる。これにより、回折格子50またはセンサ20の温度が安定化される。回折格子50またはセンサ20の温度の安定化が、安定化しなければオーバーレイエラーになる位置エラーを低減する助けになる。位置エラーは、回折格子50またはセンサ20の表面の熱変形によって引き起こされる。このような熱変形は、表面の熱負荷によって生じる。熱負荷は、表面と温度が同じではない液体が表面と接触した場合にその表面に加わる。例えば、液体は蒸発することがあり、あるいはどんな場合でも表面と熱的に釣り合う。00132このことは、図15に示された回折格子50で問題になる。というのは、回折格子50は、流体閉じ込め構造体12が上に置かれた基板テーブルWTの上面に置かれているからである。流体閉じ込め構造体12は、リソグラフィ装置の通常の動作中に、回折格子50の全部または一部の上に置かれることになりうる。この場合、液浸液が流体閉じ込め構造体12から漏れ、回折格子50の上に膜または滴として取り残される可能性がある。もちろん、同じ問題は、センサ20が基板テーブルWTの上面に配置され、格子50が基準フレームRF上に配置された場合にも生じる可能性がある。回折格子50は、グリッドプレートと、グリッドプレートの下側に形成された回折格子面とを備えうる。この目的は、回折格子表面自体が液浸液と接触しないようにすることである。回折格子50またはセンサ20に対する熱負荷は、その表面の液浸液以外の原因によって生じうる。例えば、熱負荷は、回折格子50またはセンサ20の上または近くの暖かいガスによって生じることがある。00133リソグラフィ装置はさらに、回折格子50またはセンサ20の表面の少なくとも一部を覆うように構成された光学的に透明なプレート262を備えることができる。図15に示されたように、プレート262は、回折格子50のほぼ全部の上面を覆う。プレート262は、光学的に透明な任意の材料で作ることができる。特に、プレート262は、例えばガラスまたはガラスセラミックで作ることができる。00134図15に示されたように、熱伝達流体チャネル200は、プレート262と回折格子50またはセンサ20の間に配置することができる。したがって、チャネル200内の流体例えば水は、回折格子50とプレート262の間の細い隙間を流れる。00135プレート262は、熱伝達流体で覆われる回折格子50と、基板支持領域を取り囲む基板テーブルWTの表面とを覆うことができる。熱伝達流体の温度は、流体閉じ込め構造体12によって閉じ込められた液浸液の温度と一致するように、熱的にコンディショニングすることができる。滴が回折格子50の上方のプレート262上に付着した場合、蒸発する滴の熱負荷は、プレート262と回折格子50の間の熱伝達流体によって吸収される。したがって、吸収されなければ回折格子50に加わるはずの熱負荷が、プレート262の下の熱伝達流体の流れにより少なくとも低減し、あるいは取り除かれることもありうる。熱伝達流体の流れにより、回折格子50が熱的にコンディショニングされる。00136上記の説明は回折格子50に焦点を当てているが、同じ利点および機構がセンサ20の温度制御に当てはまる。さらにチャネル200は、回折格子50またはセンサ20の下に配置されてもよい。チャネル200は、回折格子50またはセンサ20の上に配置されてもよい。チャネル200内の1つまたは複数のヒータおよび/または温度センサの構成は、図11に示されたチャネル200について上述したものでよい。00137プレート262は、疎液性例えば疎水性表面を有することができる。疎液性表面は、光学的に透明なコーティングの形を取りうる。このコーティングは、米国特許出願公開第US2009/206304号に記載されているようなものでよい。プレート262は、容易に取り替えることができる。00138熱伝達流体チャネル200は、基板テーブルWTの下の別の熱コンディショニングシステムに接続することができる。1つまたは複数の薄膜センサおよび/またはヒータなど、1つまたは複数の熱センサおよび/またはヒータは、伝達流体チャネル200の中に組み込むことができる。例えば、このようなセンサおよび/またはヒータは、熱コンディショニングを容易にするためにチャネル200の表面に組み込むことができる。チャネル200は、基板テーブルWTの基板支持領域の温度を制御するための、図9または図11に示されたチャネル200と一体化することができる。回折格子および/またはセンサ用のチャネル200、および基板支持領域用のチャネル200は、同じ熱コンディショニングシステムに接続することができる。チャネル内のヒータおよび/または温度センサは、図11に関して説明された、または米国特許出願第US61/416,142号に記載された、1つまたは複数の薄膜ヒータおよび/または温度センサでよい。00139図16は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の断面の概略図である。図16に示されたように、基板テーブルWTは、基板支持領域上で基板Wを支持するように構成されている。光学的に透明なプレート262は、基板支持領域を取り囲む基板テーブルの上面を覆うように構成された一体プレートである。したがって、単一の光学的に透明なプレート262は、回折格子50またはセンサ20と、基板Wの周りの基板テーブルWTの表面の両方を覆うことができる。プレート262は、真空によって基板テーブルWTに当てておくことができる。プレート262は、容易に取り替えることができる。プレート262は、水晶で作ることができる。熱伝達流体チャネル200は、図15に示されたチャネル200に関連して上述されたものと同じでよい。00140図17は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の断面の概略図である。図17に示されたように、回折格子50は基準フレームRFに取り付けることができ、センサ20は基板テーブルWTに取り付けることができる。このようにして、回折格子50は、基板テーブルWTの上方につり下げられる。このようなセンサ20および/または回折格子50には、その表面に付着する滴によりその表面に加わる熱負荷の同じ問題が起こりうる。センサ20は、基板テーブルWTの角部に配置することができる。00141図17に示されたように、熱伝達流体チャネル200は、回折格子50の下に配置することができる。チャネル200は、基板テーブルWTのセンサ20の上に配置することができる。00142図18は、回折格子50がプレート262と熱伝達流体チャネル200の間に配置される一実施形態を示す。この実施形態は、回折格子50の代わりにセンサ20にも同様に適用可能である。この実施形態は、回折格子50またはセンサ20が基板テーブルWTの上面に配置されている状況に適用可能である。この実施形態では、熱伝達流体は、回折格子50の後面を熱的にコンディショニングすることができる。この目的は、回折格子50で回折および/または反射され、センサ20で検出される放射が熱伝達流体を通過しないことである。後面すなわち、測定放射が通り抜けるプレート262の反対側に熱伝達流体チャネルを有することによって回折格子50の温度をこのように制御することは、回折格子50またはセンサ20が基準フレームRFに取り付けられる場合にも同様に適用可能である。00143図19は、光学的に透明なプレート262の厚さのむらを補償する一実施形態を示す。プレート262の厚さは、プレート262の異なる場所での光学的安定性および整合性を確保するために均一であることが望ましい。必要な厚さ均一性を備えたプレート262を製造することは困難なことがある。厚さのむらは、プレート262の表面にマーカ191を使用することによって補償することができる。図19に示されたように、マーカ191は、プレート262の上面およびまたは下面両方が望ましいに配置することができる。このようにして、プレート262の厚さのむらを少なくとも部分的に補償することが可能である。マーカ191はプレート262の表面に、例えばエッチングすることができる。00144回折格子50および/またはセンサ20の表面の温度は、1つまたは複数の電気ヒータおよび/またはペルチェ冷却器を回折格子50および/またはセンサ20の反対側に使用することによって制御することができる。1つまたは複数の透明な薄膜ヒータをプレート262および/または回折格子50に取り付けることができる。このような薄膜ヒータは、プレート262および/または回折格子50のどちらか一方の側に配置することができる。00145図23は、回折格子50が、図16の回折格子50とカバープレート262を組み合わせたものの寸法を有する一実施形態を示す。この場合、カバープレートは、基板テーブルWTの一部分を含まないことがある。回折格子50は、回折格子パターンが1つの面に形成されたプレートを含む。このプレートは、回折格子パターンを液浸液から保護する機能を果たすことができる。回折格子50は、基板Wの縁部から延在することができ、これらの間には隙間だけがある。熱伝達流体チャネル200は、上述のように構成することができる。チャネル200は回折格子50内に埋め込むことができる。00146図20は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の断面の概略図である。このリソグラフィ装置は、基板Wを保持するための基板テーブルWT、および/または基準フレームRFを備える。回折格子50は、基板テーブルWTと基準フレームRFのうちの一方に取り付けられる。回折格子50は、基板テーブルWTと基準フレームRFの間の相対位置を測定するために検出される放射を回折および/または反射する。光学的に透明なプレート262が、回折格子50の表面の少なくとも一部分を覆うように構成されている。真空ポンプ201が、回折格子50とプレート262の間の隙間202を雰囲気圧よりも低い圧力に維持して、プレート262を適切な位置に保持するように構成されている。真空ポンプ201は、プレート262を基板テーブルWTに当てておく。プレート262は、回折格子50と接触しない。真空ポンプ201は、ベンチュリ管など、真空を生成する別の構成と置き換えることができる。00147この目的は、プレート262と回折格子50の間の熱伝導を低減することである。隙間202は、回折格子50とプレート262の間で排気される。隙間202の熱伝導を低減するだけでなく、真空ポンプ201はまた、プレート262を固定するためにも使用される。図20は、基板テーブルWT上の回折格子50を示し、低圧領域が回折格子50に隣接している。一実施形態では、基板テーブルWT上のセンサ20は、それに隣接する低圧領域を有する。回折格子50またはセンサ20は、基準フレームRFに取り付けることができる。00148プレート262は外被のように、すなわち損傷および汚損に対して保護する保護カバーのように作用することができる。これにより、測定の頑健性がプレート262の表面の汚染に関して改善される。00149真空ポンプ201の力を受けて、プレート262が変形する、すなわち弓形に変形する可能性がある。プレート262の変形は、経時的に徐々に変化しうる。このことは、回折格子50およびセンサ20によって行われる測定に悪影響を及ぼしうる。回折格子50が基板Wの表面と同じ高さではない場合、測定は、アッベ鋭角エラーの影響を受けやすくなりうる。この問題は、図16に示された一体プレート262によって克服することができる。この場合、回折格子50と、基板テーブルWTの内部との両方を覆うプレート262を有することによって、真空ポンプ201の力によるプレート262の変形は低減される。これは、プレート262がその内側でカンチレバーとして支持されているからである。さらに、基板支持領域を取り囲む一体プレート262により、液浸液が隙間202の中に漏れ出る可能性が低減する。00150図16の一体プレート262が使用されない場合、基板支持領域を取り囲む基板テーブルWTの上面を覆うための別個の内部カバー222が設けられることがある。そのため、内部カバー222とプレート262の間に隙間がある。この隙間は、可撓材料および/または上に重なるシールを用いて封止することができる。内部カバー222とプレート262の間の隙間から液体を抜き取るために、抽出器が設けられることがある。00151図21は、本発明の一実施形態を断面図で示す。このリソグラフィ装置は、回折格子50を基板テーブルWTまたは基準フレームRFに固定するように構成された真空クランプ211を備える。真空ポンプ201は、回折格子50とプレート262の間の隙間202を、回折格子50と基板テーブルWTまたは基準フレームRFとの間の圧力よりも高い圧力に維持するように構成される。この目的は、回折格子50を基板テーブルWTまたは基準フレームRFに確実に当てておくことである。隙間202は、部分的な真空に維持することができる。00152図22は、本発明の一実施形態の変形形態を断面図で示す。図22に示されたように、回折格子50とプレート262の間の隙間202の中にガスの流れを供給するように構成されたパージ開口221がある。この目的は、隙間202の中に捕捉された粒子を除去することである。このような粒子は、特に装置の組立て中に隙間202の中に捕捉されることがある。清浄なガスが、回折格子50の表面を覆って流れることができる。このガスは、真空ポンプ201で使用されるチューブを介して除去することができる。したがって、汚染は、回折格子50の表面を覆う清浄なガスの流れによって除去することができる。00153図21および図22は、基板テーブルWT上の回折格子50を示し、低圧領域が回折格子50に隣接している。一実施形態では、基板テーブルWT上のセンサ20は、それに隣接する低圧領域を有する。回折格子50またはセンサ20は、基準フレームRFに取り付けることができる。00154本発明の一実施形態では、リソグラフィ装置のオーバーレイ性能が改善されることになる。これは、液浸液の蒸発による冷却の、回折格子50および/またはセンサ20に対する冷却効果が小さくなり、したがって、回折格子50および/またはセンサ20を変形させる程度が少なくなるからである。本発明の一実施形態では、装置の維持がより簡単になる。これは、プレート262の疎液性コーティングが劣化した場合に、プレート262全体を取り替えることができるからである。00155本発明の一実施形態を1つの液浸リソグラフィ装置に関して上記で説明してきたが、必ずしも実状がこうである必要はない。他のタイプのリソグラフィ装置では、基板の縁部周りで不均一な冷却または加熱をこうむることがある。例えば、EUV装置極端紫外線装置では、投影ビームが当たることによる加熱が起こりうる。このことが、局部液体供給システムの下の基板縁部の通路が冷却効果を与えうるのとある程度同様に、基板に局部加熱を与えることがある。チャネル200内の熱伝達流体が、通常動作状態での所望の温度に対して小さな負の温度オフセットを与えられる場合には、すべてのヒータをオンにして所望の温度を得ることができる。次に、ヒータをオフに切り替えることによって局部冷却負荷をかけることができる。この状況では、基板の縁部だけのヒータの局在化はあまりに限定されているといえ、ヒータを基板支持領域の中心から異なる径方向距離のところに付加的または代替的に配置できることがある。しかし、上述と同じ原理がこの場合にも当てはまる。00156したがって、理解されるように、本発明の一実施形態は、多くのタイプの液浸リソグラフィ装置で実施することができる。例えば、本発明の一実施形態は、Iラインリソグラフィ装置で実施することができる。00157ICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に対して本説明に特定の参照がなされてもよいが、本明細書に説明されたリソグラフィ装置が、磁気ドメインメモリ、平面パネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなど向けの集積光学システム、誘導パターンおよび検出パターンの製造など他の用途を有しうることを理解されたい。熟練工なら、そのような代替用途の文脈では、本明細書における用語ウェハまたはダイのいかなる使用も、それぞれ、より一般的な用語基板またはターゲット部分と同義なものと見なしてよいことを理解するであろう。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック一般に基板にレジストの層を与え、露出したレジストを現像するツール、メトロロジーツールおよび/またはインスペクションツール内で処理されてよい。適用可能であれば、本開示は、そのようなものおよび他の基板処理ツールに適用されてよい。その上、基板は、例えば多層ICを作成するために複数回処理されてよく、そのため、本明細書に用いられる用語の基板は、既に複数の処理層を含む基板も意味してよい。00158本明細書において使用されている放射およびビームという用語には、紫外線UV放射例えば365nm、248nm、193nm、157nmまたは126nmの波長を有する放射またはその近辺の波長を有する放射を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。00159用語レンズは、背景が許す場合、屈折および反射光学コンポーネントを含めて様々な型の光学コンポーネントのいずれか1つまたは組合せを意味することができる。00160以上、本発明の特定の実施形態について説明したが、本発明は、説明されている方法以外の方法で実践することも可能であることは理解されよう。例えば、本発明の実施形態は、上で開示した方法を記述した1つまたは複数の機械読取可能命令を含んだコンピュータプログラムの形態を取ることができ、あるいはこのようなコンピュータプログラムを記憶したデータ記憶媒体例えば半導体記憶装置、磁気ディスクまたは光ディスクの形態を取ることができる。さらに、機械読取可能命令は、複数のコンピュータプログラムの中で具体化することができる。これらの複数のコンピュータプログラムは、1つまたは複数の異なるメモリおよび/またはデータ記憶媒体上に記憶することができる。00161上述のコントローラは、信号を受け取り、処理し、送出するための任意の適切な構成を有することができる。例えば、各コントローラは、上述の方法の機械可読命令が含まれるコンピュータプログラムを実行する1つまたは複数のプロセッサを含むことができる。コントローラはまた、このようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体、および/またはこのような媒体を収容するハードウェアを含むこともできる。00162本発明の1つまたは複数の実施形態は、液浸液が槽の形態で提供されるものであれ、基板の局部表面領域にのみ提供されるものであれ、あるいは液浸液が基板および/または基板テーブルの上に閉じ込められないものであれ、任意の液浸リソグラフィ装置に適用することができ、詳細には、それには限定されないが、上で言及したタイプの液浸リソグラフィ装置に適用することができる。非閉じ込め構造の場合、液浸液は、基板および/または基板テーブルの表面を流れることができ、したがって覆われていない基板テーブルおよび/または基板の表面の実質的に全体を濡らすことができる。このような非閉じ込め液浸システムの場合、液体供給システムは、液浸液を閉じ込めることができないか、あるいは一部分の液浸液閉じ込めを実現することができるが、液浸液を実質的に完全に閉じ込めることはできない。00163本明細書において企図されている液体供給システムは、広義に解釈すべきである。特定の実施形態では、液体供給システムは、投影システムと基板および/または基板テーブルの間の空間に液体を提供する機構であっても、あるいはそのような構造体の組合せであってもよい。液体供給システムは、1つまたは複数の構造体、1つまたは複数の液体入口、1つまたは複数のガス入口、1つまたは複数のガス出口、および/または、空間に液体を供給する1つまたは複数の液体出口を備えることができる。一実施形態では、この空間の表面は、基板および/または基板テーブルの一部であってもよく、あるいはこの空間の表面は、基板および/または基板テーブルの表面を完全に覆うことも可能であり、あるいはこの空間は、基板および/または基板テーブルを包絡することも可能である。液体供給システムは、任意選択により、さらに、位置、量、品質、形状、流量または他の任意の液体の特徴を制御するための1つまたは複数のエレメントを含むことも可能である。00164上述の説明は例示として意図され、限定的なものではない。したがって、以下に述べられる特許請求の範囲から逸脱することなく、説明される発明に変更をなし得ることが、当業者には明らかになろう。"