イオンガイドであって、複数の電極と、第1のRF電圧を前記電極の少なくとも一部に印加するように配置及び構成される第1の装置と、1つ以上の電極に1つ以上の直流電圧及び/又は交流電圧又はRF電圧を印加することにより、1つ以上の軸方向直流電圧障壁及び/又は交流電圧障壁又はRF電圧障壁を形成して、前記イオンガイド内で軸方向に少なくとも一部のイオンを閉じ込めるように配置及び構成される第2の装置と、を備え、さらに、第2のRF電圧を前記電極の少なくとも一部に印加するように配置及び構成される第3の装置であって、2つ以上の隣接する電極が前記第2のRF電圧の同一の第1のRF位相に維持されるとともに、次の2つ以上の隣接する電極が、前記第2のRF電圧の前記第1のRF位相と異なる位相である、又は、逆の位相である前記第2のRF電圧の同一の第2のRF位相に維持される、第3の装置と、前記イオンの少なくとも一部が、前記1つ以上の軸方向直流電圧障壁及び/又は交流電圧障壁又はRF電圧障壁を乗り越えて、前記イオンガイドから軸方向に放出されるように、前記第1のRF電圧及び/又は前記第2のRF電圧のいずれかの振幅、高さ又は深さ、及び/又は周波数を漸増させる、漸減させる、漸次変化させる、スキャンする、直線的に増大させる、直線的に減少させる、段階的、漸次、又はその他の方法で増大させる、又は、段階的、漸次、又はその他の方法で減少させるように配置及び構成される第4の装置と、を備えるイオンガイド。請求項1に記載のイオンガイドであって、前記第4の装置は、前記第1のRF電圧及び/又は前記第2のRF電圧のいずれかを傾斜させる、増大させる、減少させる、変化させる又は変更することにより、前記イオンガイド内で少なくとも一部のイオンが不安定になって、前記1つ以上の軸方向直流電圧障壁及び/又は交流電圧障壁又はRF電圧障壁を乗り越えるのに十分な軸方向運動エネルギーを前記少なくとも一部のイオンが得られるように配置及び構成される、イオンガイド。請求項1または請求項2のいずれかに記載のイオンガイドであって、前記第1の装置は、i隣接する電極が逆のRF位相に維持される、又は、ii2つ、3つ、4つ又はそれ以上の隣接する電極が前記第1のRF電圧の同一の第1のRF位相に維持されるとともに、次の2つ、3つ、4つ又はそれ以上の隣接する電極が、前記第1のRF電圧の前記第1のRF位相と異なる位相である、又は、逆の位相である前記第1のRF電圧の同一の第2のRF位相に維持され、また、2つ、3つ、4つ又はそれ以上の隣接する電極が前記第2のRF電圧の前記同一の第1のRF位相に維持されるとともに、次の2つ、3つ、4つ又はそれ以上の隣接する電極が、前記第2のRF電圧の前記同一の第2のRF位相に維持される、のいずれかを満たすような前記第1のRF電圧を印加するように配置及び構成される、イオンガイド。請求項1、請求項2または請求項3のいずれかに記載のイオンガイドであって、前記第1の装置は、第1のRF反復単位、パターン又は長さで、前記電極の少なくとも一部に前記第1のRF電圧を印加し、前記第3の装置は、前記第1のRF反復単位、パターン又は長さよりも大きな第2のRF反復単位、パターン又は長さで、前記電極の少なくとも一部に前記第2のRF電圧を印加する、イオンガイド。請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のイオンガイドであって、前記第4の装置は、質量対電荷比の順に、又は、質量対電荷比依存的に、前記イオンガイドからイオンが軸方向に放出されるように配置及び構成される、イオンガイド。請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のイオンガイドであって、さらに、i使用時にイオンを透過させる孔を各々有する複数の電極を備えるイオントンネル型イオンガイド、又はiiセグメント化多重極ロッドセット型イオンガイドのいずれかを備える、イオンガイド。請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のイオンガイドであって、さらに、前記イオンガイドの軸方向の長さの少なくとも一部に沿ってイオンを駆動する又は駆り立てるように構成される装置を備える、イオンガイド。請求項7に記載のイオンガイドであって、前記イオンを駆動する又は駆り立てる装置は、前記電極の少なくとも一部又は少なくとも1、5、10、20、30、40、50、60、70、80、90、95又は100に1つ以上の過渡直流電圧又は電位又は1つ以上の直流電圧波形又は電位波形を印加する装置を備える、イオンガイド。請求項1から請求項8のいずれか一項に記載のイオンガイドであって、動作モードにおいて、M1以上の質量対電荷比を有するイオンが前記イオンガイドから放出される一方で、M2以下の質量対電荷比を有するイオンが前記1つ以上の直流電圧障壁及び/又は交流電圧障壁又はRF電圧障壁によって前記イオンガイド内で軸方向にトラップされ、又は、閉じ込められ、M1は、i<100、ii100~200、iii200~300、iv300~400、v400~500、vi500~600、vii600~700、viii700~800、ix800~900、x900~1000及びxi>1000からなる群から選択される第1の範囲内の値であり、M2は、i<100、ii100~200、iii200~300、iv300~400、v400~500、vi500~600、vii600~700、viii700~800、ix800~900、x900~1000及びxi>1000からなる群から選択される第2の範囲内の値である、イオンガイド。請求項1から請求項9のいずれか一項に記載のイオンガイドを備える、質量分析計。請求項10に記載の質量分析計であって、さらに、前記イオンガイドからの質量対電荷比選択的なイオン放出に同期してスキャンされる質量分析器又はその他の装置を備える、質量分析計。イオンを誘導する方法であって、複数の電極を備えるイオンガイドを準備する工程と、第1のRF電圧を前記電極の少なくとも一部に印加する工程と、1つ以上の電極に1つ以上の直流電圧及び/又は交流電圧又はRF電圧を印加することにより、1つ以上の軸方向直流電圧障壁及び/又は交流電圧障壁又はRF電圧障壁を形成して、前記イオンガイド内で軸方向に少なくとも一部のイオンを閉じ込める工程と、を備え、さらに、第2のRF電圧を前記電極の少なくとも一部に印加する工程であって、2つ以上の隣接する電極が前記第2のRF電圧の同一の第1のRF位相に維持されるとともに、次の2つ以上の隣接する電極が、前記第2のRF電圧の前記第1のRF位相と異なる位相である、又は、逆の位相である前記第2のRF電圧の同一の第2のRF位相に維持される工程と、前記イオンの少なくとも一部が、前記1つ以上の軸方向直流電圧障壁及び/又は交流電圧障壁又はRF電圧障壁を乗り越えて、前記イオンガイドから軸方向に放出されるように、前記第1のRF電圧及び/又は前記第2のRF電圧のいずれかの振幅、高さ又は深さ、及び/又は周波数を漸増させる、漸減させる、漸次変化させる、スキャンする、直線的に増大させる、直線的に減少させる、段階的、漸次、又はその他の方法で増大させる、又は、段階的、漸次、又はその他の方法で減少させる工程と、を備える方法。請求項12に記載のイオンを誘導する方法を備える質量分析の方法。質量分析計であって、複数の電極と、前記電極の少なくとも一部に一次RF電圧と補助RF電圧とを印加するように配置及び構成される装置であって、前記一次RF電圧の軸方向反復単位、パターン又は長さよりも大きな軸方向反復単位、パターン又は長さで、前記補助RF電圧を前記電極に印加する装置と、前記質量分析計に沿った位置で軸方向電圧障壁を維持するように配置及び構成される装置と、前記補助RF電圧の振幅を漸増させることにより、前記軸方向電圧障壁を漸次イオンが乗り越えるように配置及び構成される装置と、を備える質量分析計。イオンを質量分析する方法であって、複数の電極を備える質量分析計を準備する工程と、前記電極の少なくとも一部に一次RF電圧と補助RF電圧とを印加する工程であって、前記一次RF電圧の軸方向反復単位、パターン又は長さよりも大きな軸方向反復単位、パターン又は長さで、前記補助RF電圧を前記電極に印加する工程と、前記質量分析計に沿った位置で軸方向電圧障壁を維持する工程と、前記補助RF電圧の振幅を漸増させることにより、前記軸方向電圧障壁を漸次イオンに乗り越えさせる工程と、を備える方法。図1を参照して、本発明の好適な実施形態を説明する。好適な実施形態において、複数の電極101、102、103、104を備える積層リング型イオンガイドを提供する。積層リング型イオンガイドを形成する各電極101、102、103、104は、使用時にイオンが透過される穴を有することが好ましい。イオンガイドを形成する電極101、102、103、104に一次RF電圧を印加することが望ましい。隣接する電極間の位相が180度異なるように、逆位相の一次RF電圧を隣接する電極に印加することが好ましい。電極101、102、103、104に一次RF電圧を印加することにより、イオンガイド内で径方向にイオンを閉じ込めるように働く径方向の疑似電位ポテンシャル障壁が形成される。図1は、直流電圧波形を示し、また、電極101、102、103、104に印加することが望ましい直流電位を示す。図1に示すように、一つの実施形態において、イオンガイドの入口に面する一対のプレート又は電極101に直流電圧を印加して、イオンガイドの入口に直流電位障壁ポテンシャル障壁を形成することが望ましい。直流ポテンシャル障壁は、イオンガイドの入口を介して、すなわち、負の軸方向に、イオンがイオンガイドから放出されることを防ぐことが望ましい。イオンガイドの入口に配置される電極101の下流側に、中間イオンガイド領域102を備える。1つ以上の過渡直流電圧又は電位を含む進行波直流電圧パルスを、中間イオンガイド領域102を形成する電極に印加することが望ましい。この結果、イオンガイド内部のイオンが、イオンガイドの入口領域からイオンガイドの出口領域に向かって、イオンガイドの長さに沿って移動することが望ましい。直流電圧進行波は、図1に矢印で示すように、イオンガイドの出口に向かって正の軸方向に移動することが望ましい。電極102に1つ以上の過渡直流電圧を印加することにより、イオンガイドの出口に向かってイオンガイドの長さに沿ってイオンを駆動する又は駆り立てることが望ましい。イオンガイドの出口領域において、第2のプレート又は電極対103に直流電圧又は電位を供給して、第2の直流電圧又は電位障壁を形成することが望ましい。イオンガイドの出口領域において、直流障壁電圧又は電位は、直流進行波のみの影響下でイオンが正の軸方向にイオンガイドから放出されることを防ぐように働くことが望ましい。直流進行波とイオンガイドの出口における直流障壁電圧とを組み合わせることにより、イオンガイドの出口領域近傍にイオンを集中させることが望ましい。一つの実施形態において、イオンガイドの出口領域の下流側に出口/冷却領域104を備えるようにしてもよい。好適な実施形態において、イオンガイドの入口領域101に備えられるプレート又は電極、及び/又は、イオンガイドの中間領域102に備えられるプレート又は電極、及び/又は、イオンガイドの出口領域103に備えられるプレート又は電極に補助RF電圧をさらに印加することが望ましい。一次RF電圧よりも大きな軸方向反復単位、パターン又は長さで、補助RF電圧をプレート又は電極に印加することが望ましい。図2は、一次RF電圧201と、イオンガイドの電極にさらに印加することが望ましい補助RF電圧202との様々な軸方向反復単位、パターン又は長さを示す。図2に示すように、イオンガイド内で径方向にイオンを閉じ込めるように、逆位相の一次RF電圧201を隣接する電極に印加することが望ましい。図2に示す例では、一次RF電圧201とは異なる軸方向の反復単位、パターン又は長さで、補助RF電圧202を電極に印加する。マイナス-記号は、プラス記号で示される電極に印加されるRF電圧と位相が180度異なるRF電圧を示す。図2に示す例では、補助RF電圧202の反復単位、パターン又は長さは、/----であるすなわち、4つの連続する電極を同じ位相に維持するとともに、次の4つの電極を最初の4つの電極の位相と180度異なる位相に維持する。補助RF電圧202の軸方向の反復単位、パターン又は長さが大きくなると、印加RF電圧の径方向成分に対して、印加RF電圧からの有効電位の軸方向成分が増大する。この結果、イオンガイドは、放出領域として機能し、イオンガイドから質量対電荷比依存的にイオンを放出させることができる。好適な実施形態において、電極に印加される補助RF電圧202の振幅を時間とともに上向きに傾斜させる又は増大させることによって、一部のイオンがその質量に依存して、又は、質量対電荷比に依存して、不安定になる。イオンは、その質量順に、又は、質量対電荷比順に不安定になる。すなわち、比較的低質量のイオン又は比較的低質量対電荷比のイオンは、比較的高質量のイオン又は比較的高質量対電荷比のイオンより先に、イオンガイド内で不安定になる。イオンは、不安定になると、補助RF電圧202から軸方向のエネルギーを得る。不安定になったイオンにより得られる軸方向のエネルギーは、イオンガイドの出口に備えられる軸方向の直流障壁をイオンが乗り越えるのに十分な大きさのエネルギーである。この結果、イオンガイドが質量分析器として機能し、補助RF電圧202の振幅が増大するにつれて、イオンの質量対電荷比の順にイオンガイド又は質量分析器からイオンが漸次放出される。イオンが得る軸方向のエネルギーは、イオンガイド内で径方向にイオンを閉じ込めるように働く径方向の疑似電位障壁ポテンシャル障壁をイオンが乗り越えるのには不十分な大きさであることが望ましい。この結果、イオンガイドの出口領域に備えられる出口障壁103をイオンが乗り越えて逃げる又は通り越す。出口/冷却領域104が設けられる場合には、イオンがさらにこの領域に入るようにしてもよい。出口/冷却領域104に入ったイオンが、例えば四重極質量分析器又はその他の装置を備える下流側装置にさらに入るようにしてもよい。一実施形態において、衝突セルをイオンガイドの上流側に備えるようにしてもよい。質量選択的なスキャン又は質量対電荷比選択的なスキャンを所望のイオンガイド内で実行する間、イオンが衝突セル内に蓄積されるものでもよい。一実施形態において、電極に一つおきに逆の位相が印加されるようにして電極に一次RF電圧201を印加するようにしてもよい。一次RF電圧201は、400Vのピークピーク値の振幅と2.65MHzの周波数を有するものでもよい。補助RF電圧は、1.3MHzの周波数を有するものでもよく、25V/msの速度でスキャンされるものでもよい。補助RF電圧は、/---の反復単位、パターン又は長さを有するものでもよいすなわち、3つの連続する電極を同じ位相に維持するとともに、次の3つの電極を最初の3つの電極の位相と180度異なる位相に維持する。イオンガイドの入口における軸方向直流障壁101及び/又はイオンガイドの出口における軸方向直流障壁103を3Vに設定するようにしてもよい。直流進行波の最適な進行波パルス速度及び振幅を、イオンガイド内のガス圧に応じて設定するようにしてもよい。図3は、積層型リング装置の中心軸に沿った軸方向の位置の関数として、本発明の一実施例におけるイオンガイド又は質量分析器内の有効軸方向電位を示す。補助RF電圧のさまざまな反復単位、パターン又は長さに対して、有効軸方向電位を示す。図3は、/-、/--及び/---に対応するRFの反復単位、パターン又は長さに対する有効電位を示す。図3に示すように、RF反復単位、パターン又は長さが大きくなる又は長くなるにつれて、有効電位の軸方向RF電圧成分の大きさが増大する。図4は、/-、/--及び/---に対応する補助RFの反復単位、パターン又は長さに対して、積層型リング装置における径方向の位置の関数として、対応する有効径方向電位を示す。図4から明らかなように、RF反復単位、パターン又は長さが大きくなる又は長くなるにつれて、有効電位の径方向成分の大きさが減少する。図5は、本発明の一実施形態において、4つの反復単位進行波パルスに関して、イオンガイドの電極に印加可能な直流電圧パルスの時間変化を示す。図6は、/--のRF反復単位、パターン又は長さで補助RF電圧をイオンガイドの電極に印加した場合に所望のイオンガイド又は質量分析器からイオンが放出されるまでの時間に関するSIMIONRTMモデル化の結果を示す。100、200、300、400、500、600、700、800、900及び1000Daの質量を持つイオンをモデル化した。また、軸方向のポテンシャル障壁を3Vとしてモデル化するとともに、200V0pの振幅と2.7MHzの周波数を持つように主RF電圧をモデル化した。さらに、700kHzの周波数で供給されるように補助RF電圧をモデル化し、0.05トール0.06mbarの窒素圧力に維持されるように緩衝ガスをモデル化した剛体球衝突モデル。図6に示すイオンピークは、イオン放出時間の平均及び標準偏差の算出値がガウス分布を形成する。ピークの高さは、透過率、すなわち、装置からの放出できたイオンの割合を示す。図7は、図6を参照して上述した例よりも大きな/---の反復単位、パターン又は長さで、補助RF電圧を電極に印加した場合における所望のイオンガイドのSIMIONRTMモデル化の結果を示す。イオンガイド内に最初に備えられるものとして100、200、300、400、500、600、700、800、900及び1000Daの質量を持つイオンをモデル化した。また、軸方向のポテンシャル障壁を3Vとしてモデル化するとともに、主RF電圧を200V0p及び2.7MHzの周波数に維持した。さらに、補助RF電圧の周波数を1.3MHzの周波数まで増大するようにモデル化した。また、0.05トール0.06mbarのアルゴン圧力に維持されるように緩衝ガスをモデル化した剛体球衝突モデル。図7に示すイオンピークは、イオン放出時間の平均及び標準偏差の算出値がガウス分布を形成する。ピークの高さは、透過率、すなわち、装置から放出できたイオンの割合を示す。図8及び図9に本発明の一実施形態において得られた実験データを示す。/--のRF反復単位、パターン又は長さで、所望のイオンガイドの電極に補助RF電圧を印加した。イオンガイド内で軸方向にイオンを閉じ込めるように、出口側電極に5Vの障壁を印加した。補助RF電圧を、570kHzの周波数で電極に印加し、約2300Da/秒のスキャン速度に対応する500ミリ秒にわたって傾斜させた。イオンガイドの中間領域102の電極には、進行波パルスを印加しなかった。緩衝ガスとしてヘリウムを用いて、約3×103mbarの圧力に維持した。既知の質量又は質量対電荷比のイオンを含有する所定の溶液をイオンガイド内に供給し、イオンガイドから下流側の四重極にイオンを放出させて、放出されたイオンの同定を行なった。図8は、既知の質量に対する放出時間の線形フィッティングにより算出された見かけの質量対電荷比に対する正規化ピーク強度のプロットを示す。図9は、m/Δmとして算出されるピークの分解能を示す。ここで、ΔmはピークのFWHM半値全幅を表わす。本発明は様々に変更可能である。一つの実施形態において、補助RF電圧を傾斜させる代わりに、一次RF電圧を傾斜させるようにしてもよい。さらに/あるいは、/--等の異なる反復単位、パターン又は長さで、一次RF電圧を電極に印加するようにしてもよい。補助RF電圧の反復単位、パターン又は長さ及び周波数は、一次RF電圧の反復単位、パターン又は長さ及び周波数と異なるものでもよい。1つ以上のプレート又は電極に印加されるように、直流及び/又は交流又はRF電圧障壁を配置するようにしてもよい。一つの実施形態において、補助RF電圧の反復単位、パターン又は長さに対する直流及び/又は交流又はRF電圧障壁の位置を変更するようにしてもよい。一つの実施形態において、直流障壁電圧によって、及び/又は、RF障壁電圧によって、イオンガイド内で軸方向にイオンを保持するようにしてもよい。一つの実施形態において、電極に直流進行波を印加するのに加えて、又は、その代わりに、イオンガイドの長さに沿って又は長さを通じてイオンを駆動するようにしてもよい。たとえば、軸方向の直流電圧勾配をイオンガイドの長さの少なくとも一部に沿って維持するようにしてもよい。さらに、ガスフロー効果を利用して、イオンガイドの長さに沿ってイオンを駆動するようにしてもよい。一つの実施形態において、補助RF電圧を障壁プレート又は電極の一部にだけ印加するようにしてもよい。一つの実施形態において、補助RF電圧を異なる振幅で装置の異なる領域に印加するようにしてもよい。一つの実施形態において、一次RF電圧とは異なる物理的な手段で補助RF電圧を印加するようにしてもよい。たとえば、1つ以上のベーン電極に補助RF電圧を印加するようにしてもよい。一つの実施形態において、進行波パルス又は直流電圧をイオンガイドの出口領域に印加して、イオンガイドの出口領域において直流及び/又はRFポテンシャル障壁を乗り越えたイオンのデバイスからの放出を促進するようにしてもよい。一つの実施形態において、イオンガイドは、セグメント化された多重極ロッドセット型イオンガイドを備えるものでもよい。以上、本発明をその好適な実施形態を参照して詳述したが、当業者には自明のことであるが、特許請求の範囲に記載される本発明の要旨を逸脱しない範囲において、形態や詳細において、種々の変形や変更が可能である。