"クロマトグラフィーシステムと直列配置され且つ流体連通している質量分析計から得た質量電荷比測定値を校正する方法であって、i分析実行中に、イオン源を備えた質量分析計に校正物質を導入することであって、前記質量分析計の前記イオン源において校正物質と試料物質とが同時にほぼ存在しないように、当該分析実行のために試料をクロマトグラフィーシステムに導入した後で且つ前記試料の分析が完了する前に前記導入を行うようにし、ii前記分析実行中に、前記校正物質の多数の質量スペクトルを取得し、iii前記分析実行中に導入した前記校正物質から得た質量スペクトルに基づいて、多数の質量校正を計算することを含む方法。請求項1に記載の方法において、前記クロマトグラフィーシステムは、包括的二次元ガスクロマトグラフを備え、前記校正物質は、多数の二次カラム不感帯中に前記質量分析計のイオン源にパルス導入されることを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記クロマトグラフィーシステムはガスクロマトグラフを備え、キャリアガス流を用いることにより前記校正物質を前記質量分析計に送出することを含む方法。請求項1に記載の方法において、前記分析実行中に、少なくとも2つの質量校正パラメータの一時的なドリフトを補償することをさらに含む方法。請求項1に記載の方法において、前記校正物質は前記イオン源にパルス導入される方法。請求項1に記載の方法において、前記導入は、前記校正物質をヘリウムガス流に注入することを含む方法。請求項1に記載の方法において、前記質量分析計は飛行時間型質量分析計を備える方法。イオン源を備える飛行時間型質量分析計と、前記飛行時間型質量分析計に操作可能に接続されたクロマトグラフィーシステムと、前記飛行時間型質量分析計と遮断可能に流体連通する校正物質源と、制御部とを備え、当該制御部は、前記クロマトグラフィーシステムに試料を導入し、前記飛行時間型質量分析計の前記イオン源に校正物質と試料物質とが同時に存在しないように、前記試料が前記クロマトグラフィーシステムに導入された後で且つ前記試料の分析が完了する前に、前記校正物質源から前記校正物質を前記飛行時間型質量分析計に導入し、前記分析実行中に前記校正物質の多数の質量スペクトルを取得し、前記分析実行中に導入した前記校正物質から得た質量スペクトルに基づいて、多数の質量校正を計算するよう構成されているシステム。請求項8に記載のシステムにおいて、前記制御部は、キャリアガス源と、弁を備え且つ前記キャリアガス源と前記校正物質源との間を流体連通させる第1の流路と、弁を備え且つ前記キャリアガス源と前記飛行時間型質量分析計との間を流体連通させる第2の流路と、前記校正物質源と前記飛行時間型質量分析計との間を流体連通させる第3の流路とを備えるシステム。請求項9に記載のシステムにおいて、前記キャリアガス源はヘリウムガス源を備えるシステム。請求項9に記載のシステムにおいて、前記キャリアガス源は水素ガス源を備えるシステム。請求項8に記載のシステムにおいて、前記校正物質源は、ペルフルオロケロシンPFK、ペルフルオロトリブチルアミンPFTBA、ペルフルオロメチルデカリンPFD、又はこれらの組み合わせの物質源であるシステム。請求項8に記載のシステムにおいて、前記クロマトグラフィーシステムは、包括的二次元ガスクロマトグラフを備え、前記制御部は、多数の二次カラム不感帯中に、前記校正物質源からの校正物質を前記質量分析計の前記イオン源にパルス導入するように構成されるシステム。請求項8に記載のシステムにおいて、前記クロマトグラフィーシステムに操作可能に接続された試料源をさらに備えるシステム。請求項8に記載のシステムにおいて、前記クロマトグラフィーシステムに操作可能に接続されたキャリアガス源をさらに備えシステム。請求項8に記載のシステムにおいて、メモリを有し且つ前記制御部が計算した多数の質量校正を格納及び表示するよう構成されているプロセッサをさらに備えるシステム。様々な実施形態によれば、例えばガスクロマトグラフの流出物をさらに分析するために質量分析計を用いる際などに、クロマトグラフと直列で流体連通して配置した質量分析計を用いて得た質量電荷比測定値を校正する方法が提供される。校正物質は、試料のクロマトグラフィーシステムへの導入後で且つ試料分析の完了前に、飛行時間型質量分析計に導入可能である。本願教示に従って、校正物質と試料物質とは、質量分析計のイオン源に同時には存在しない。前記方法は、分析実行中に、校正物質の多数の質量スペクトルの取得をさらに含んでもよい。いくつかの実施形態において、分析実行中に導入した校正物質から得た質量スペクトルに基づいて、多数の質量校正を計算してもよい。前記方法を実行するためのシステムも提供する。様々な実施形態によれば、上記システムは、イオン源を備える飛行時間型質量分析計と、飛行時間型質量分析計に操作可能に接続されたクロマトグラフィーシステムと、飛行時間型質量分析計と流体連通した校正物質源と、制御部とを備えていてもよい。いくつかの実施形態において、クロマトグラフィーシステムは包括的二次元ガスクロマトグラフを備えていてもよく、上記方法では、多数の二次カラム不感帯中に、前記質量分析計のイオン源に校正物質をパルス導入してもよい。いくつかの実施形態において、さらに上記方法では、分析実行中に、少なくとも2つの質量校正パラメータの一時的なドリフトを補償してもよい。制御部は、クロマトグラフィーシステムに試料を導入するように構成し、且つ試料がクロマトグラフィーシステムに導入された後で且つ試料の分析が完了する前に、校正物質源から校正物質を飛行時間型質量分析計に導入するように構成してもよい。校正物質の導入は、校正物質と試料物質とが飛行時間型質量分析計のイオン源に同時に存在しないような条件下で行ってもよい。また、制御部は、分析実行中に校正物質の多数の質量スペクトルを取得するように構成し、且つ分析実行中に導入した校正物質から得た質量スペクトルに基づいて多数の質量校正を計算するように構成してもよい。いくつかの実施形態において、制御部は、キャリアガス源、第1の流路を備えていてもよく、及び/又はキャリアガス源、第1の流路を制御するように構成されていてもよく、この第1の流路は、弁を備え、キャリアガス源と校正物質源との間を流体連通させてもよい。制御部はまた、第2の流路を備えていてもよく、及び/又は第2の流路を制御するように構成されていてもよく、この第2の流路は、第2の弁を備え、キャリアガス源と飛行時間型質量分析計との間を流体連通させてもよい。制御部はまた、第3の流路を備えていてもよく、及び/又は第3の流路を制御するように構成されていてもよく、この第3の流路は、校正物質源と飛行時間型質量分析計との間を流体連通させてもよい。キャリアガス源は、ヘリウム源、水素源、窒素源、又は、不活性ガス源など他のキャリアガス源を備えてもよい。校正物質源は、ペルフルオロケロシンPFK、ペルフルオロトリブチルアミンPFTBA、ペルフルオロメチルデカリンPFD、他の校正物質、それらの組み合わせなどの物質源であってもよい。いくつかの実施形態において、クロマトグラフィーシステムは、包括的二次元ガスクロマトグラフを備えていてもよく、また制御部は、多数の二次カラム不感帯中に校正物質源からの校正物質を質量分析計のイオン源にパルス導入するように構成されていてもよい。いくつかの実施形態において、本願教示の様々な特徴が、GC×GC×HRTOFMSプラットフォームにおいて有用である。本願教示は、以下の刊行物等において記載される様々なデバイス、システム、及び方法と共に、そしてそれらによって使用可能であり、以下の刊行物は、各々の全体が参照により本明細書に組み込まれる。1992年8月4日発行の米国特許第5,135,549号、1993年3月23日発行の米国特許第5,196,039号、欧州特許第0522150号、日本特許第3320065号として発行された日本特許出願第506281/4号、1999年12月28日発行の米国特許第6,007,602号、2003年4月15日発行の米国特許第6,547,852号B2、2001年1月12日出願の国際公開第WO01/51170PCT/US01/01065号、2002年3月19日出願のPCT出願第PCT/US02/08488号、2009年7月1日発行の中国特許第ZL02828596.4号、2009年7月9日発行の欧州特許出願第02725251.9号、2008年12月12日発行の日本特許第4231793号、及び2007年8月21日発行の米国特許第7,258,726B2号。様々な実施形態によれば、例えばそれぞれ約8秒間継続する一連のいわゆる二次クロマトグラムを生成するGC×GCモジュレーション法が提供される。各二次ガスクロマトグラムの始めにおいては、いわゆる不感帯が存在し、その不感帯は、典型的には10分の数秒から1秒又は2秒継続する短い時間間隔を有し、その間には検体材料が質量分析計のイオン源に到着することは出来ない。この不感帯は、GCカラムを流れるキャリアガスより速くは、検体分子が同GCカラムを移動できないという事実に起因する。結果として、検体材料は、キャリアガスが少なくとも一度カラム体積分を一掃するまではGCカラムから抽出させることが出来ない。キャリアガスがカラム体積分をこのように第1の一掃することにより、不感帯が発生する。いくつかの実施形態において、各々数秒の持続時間を有する二次クロマトグラムを数百個取得するGC×GCシステムを使用してもよい。結果として、典型的な一回の分析中に、数百の二次カラム不感帯が生じる。様々な実施形態によれば、システムは、不感帯の持続時間よりも短い期間で校正物質の濃度が上下するように、ペルフルオロケロシンPFK、ペルフルオロトリブチルアミンPFTBA、ペルフルオロメチルデカリンPFDなどの校正物質を、イオン源にパルス導入するように構成された弁構成を備える。この手順は、数秒毎に質量校正スペクトルを供給することにより、HRTOFMSの頻繁な質量校正を可能にし、そして、多重パラメータのドリフト補償を可能にする。いくつかの実施形態において、本願教示は従来のシステムが直面する上記問題点を克服する。様々な実施形態によれば、校正物質は、試料をクロマトグラフに入れた後で且つ分析が完了する前に質量分析計のイオン源に導入されるが、試料物質が存在する時にはいつでも、その校正物質は仮に存在したとしても、イオン源にほんのわずかな濃度でしか存在しない。これは、例えば、校正物質の導入を二次カラム不感帯に同期させることにより達成可能である。結果として、質量スペクトル干渉も感度損失も、それほど生じない。なお、周知のラップアラウンド効果により、試料が二次カラムの不感時間の間にイオン源に時折現れることがある。ほとんどの場合において、この効果は希であり、これを本願の教示にしたがって排除する方法として、例えば、当該分野で公知の方法を使用してGC×GC器具を適切に調整すればよい。本発明は、添付の図面を参照してより良く理解される。図1は、質量分析計の真空システムに校正物質のパルスを導入するための装置を説明する。同装置は、校正物質槽2と、飛行時間型質量分析計TOFに通じるT字連結部4と、校正物質槽2及びT字連結部4と連通するバルブ付き導管に通じるT字連結部6と、複数の弁8とを備える。校正物質オフ状態においては、単純なオン/オフ弁が開閉し、順次TOFに連通するT字連結部6及び4からのヘリウムガス等のキャリアガスの流れが確立される。図1に図示するように、T字連結部6を校正物質槽2に連通させる導管又はチューブには、弁8が閉位置非連通位置で設けられている。従って、このように確立されたヘリウム流により、校正物質はTOFから押し流され、排気口から出る。校正物質オン状態においては、ヘリウム流は、校正物質槽2にT字連結部6を連通させる導管又はチューブの内容物を一掃し、導管又はチューブは、弁8が開位置連通位置で設けられている。また、校正物質オン状態において、排気口は、図示の通り、弁によって回路から遮断され、閉位置非連通位置にある。モジュレーションピリオドと同期して弁をパルス化することによって、システムは、二次カラム不感帯中に校正物質を送出することが出来る。いくつかの実施形態において、モジュレーションピリオドと同期して弁をパルスにすることによって、システムは、二次カラム不感帯中に校正物質を送出するだけに構成してもよい。いくつかの実施形態において、T字連結部4及び/又は6からTOFまでの管を加熱してもよい。いくつかの実施形態において、T字連結部と、校正物質槽にT字連結部を接続するチューブとを加熱してもよい。いくつかの実施形態において、弁は室温で動作させてもよい。いくつかの実施形態において、約1.1バールから約3.0バールの圧力で、約1.25バールから約1.75バールの圧力で、約1.4バールから約1.6バールの圧力で、又は約1.5バールの圧力で、キャリアガスをクロマトグラフィー用キャピラリーカラムに通してもよい。キャピラリーは、約0.05mmから約0.2mm、約0.075mmから約0.125mm、又は約0.1mmの内径idを有する第1のステージを具備してもよい。キャピラリーは、約0.1mmから約0.5mm、約0.2mmから約0.4mm、又は約0.32mmの内径を有する第2のステージを具備してもよい。弁制御されたT字連結部から飛行時間型質量分析計までの距離は、T字連結部から排気口までの距離の約2倍、例えば、約15cmに対して約30cm、又は約20cmに対して約40cmであってよい。図2には、ディーゼル燃料のGC×GC分析全体を通して、校正物質のパルス導入が図示されている。二次クロマトグラム1つ当たり数百の校正物質パルスは、一体化して画像の底部に沿った連続帯になったように見える。校正物質が各二次カラム分離の不感帯垂直方向に制約されることは明らかである。従って、変調期間画像の垂直高さを8秒とすると、校正物質の全走査スペクトルに対して8秒毎に質量分析計を校正することが可能である。質量校正モデルを頻繁に求めることにより、HRTOFMS校正パラメータにおけるドリフトを長い期間、すなわち一時間にわたって、効率的に補償する。あるイオンの飛行時間tと質量電荷比Mとの間の関係は、以下の方程式1となり、このときaとbとは定数であり、iは質量校正に使用されるイオンの指数である。いくつかの実施形態において、既知の質量電荷比を有する多くのイオンを提供する校正物質が導入されると、方程式1は、データ配列[ti,Mi]に適合する。次に、校正物質が除去され、単一のロックマスの飛行時間が、分析実行の全体を通して測定される。測定した飛行時間は、ドリフトに対する定数aを補正するために使用する。図3は、この単一パラメータのドリフト補償の典型的な結果を説明する。しかしながら、本明細書に記載の方法で校正物質を質量分析計にパルス導入する際には、分析実行の全体を通して数秒毎に、多数のイオンを質量校正に利用可能である。そのような実施形態では、多重パラメータのドリフト補償が可能である。図4は、本願教示による2つのパラメータのドリフト補償に対する典型的な結果を表している。単一パラメータのドリフト補償と比較して、質量校正の正確さと精度との両方が明らかに改善している。方程式1における定数a及びbの最良の推定値を演算した後に、システムは、残余誤差に対する高次適合を行ってもよい、すなわち、εiが誤差である配列[εi,Mi]を通るよう曲線を適合させてもよい。例えば、メモリを備えるプロセッサを、最良の推定値を演算させる、及び/又は誤差残差に二次適合を適用させるためのシステムの構成要素として設けてもよい。このメモリ付きプロセッサは、制御部が計算した多数の質量校正を格納及び/又は表示するように構成してもよい。図5は、2パラメータ適合から得た残余誤差に適用した二次適合の結果を表している。2パラメータ適合と比較して、精度は顕著には改善しない一方で、正確さは顕著に改善することが明らかである。2パラメータ適合を用いて見られた質量測定の精度が、単一パラメータ適合の精度よりもかなり改善されたという事実は、ある分析実行中に少なくとも2つの物理パラメータがドリフトすることを示している。単一パラメータ適合の比較的低い精度は、適合パラメータaにおいてドリフトが補償されないことが原因である。放物線に対する適合残余誤差は精度にはほとんど影響がないという事実は、放物線適合に伴う高次適合パラメータが、分析実行の全体を通して安定していることを示す。これは、それぞれが時間の関数である様々な適合パラメータをプロットしたものにより裏付けられる。図6は、時間の関数としてのドリフトパラメータをプロットした図である。図6に示したパラメータp1及びp2は、方程式1のパラメータb及びaにそれぞれ対応する。図6に示したパラメータp3、p4、及びp5は、2パラメータ適合から得た残余誤差を経た二次適合パラメータである。図6において、方程式1のパラメータa及びbだけが、記載のある実験中、顕著にドリフトしていることは明らかである。本願教示の様々な実施形態によれば、また図7の例示的なシステムを参照して、システムは、例えば、二次元ガスクロマトグラフ18と図1に図示した装置とを含むクロマトグラフィーシステム10を備えていてもよい。二次元ガスクロマトグラフ18と図1に図示した装置は、共に筐体内に収容しても、あるいは別個に配置してもよい。試料と校正物質とは、分析のために、クロマトグラフィーシステム10から、飛行時間型質量分析計などの質量分析計22に供給してもよい。質量分析計22は、電気信号伝達ケーブル26を介して、図示したプロセッサなどの演算デバイスなどの制御部との通信するよう構成してもよい。また、ディスプレイとキーボードとを設けて、プログラミングやデータ入力、及び/又は結果や、校正、クロマトグラムなどの表示をさせてもよい。クロマトグラフィーシステム10は、電気信号伝達ケーブル24を介して、制御部と通信してもよい。ケーブル24及び26は、USBケーブル、FireWireケーブル、CAT5ケーブル等でもよい。制御部は、分析の前、間、及び/又は後に書き込み可能なメモリを備えていてもよい。一構成において、制御部の演算部分にプログラムをインストールし、クロマトグラフィーシステム及び質量分析計が生成するデータを、収集及び分析することも可能である。データ収集プログラムデータ収集により、情報の生成と共に情報を処理し、且つ分析実行中に時間の経過と共に異なる信号をプロットさせるようにしてもよい。各分析実行が終了した後に、データ収集プログラムは、分析プログラムを実行してもよい。分析プログラムは、未処理データを統合し、データの複数の側面を正規化、データ及び/又は信号を増強し、その情報を用いてパラメータを画定して結果を提示することが可能である。分析したデータは、異なる化学種を表す一連のピーク、クラスタ、又は点例えば、クロマトグラムとして一緒に再プロットしてもよい。結果は、未処理データ、クロマトグラム、質量分析データ、及びユーザが入力したファイル情報を含めた試料ファイルに格納してもよい。ファイルのうちの任意のものを、制御部のメモリ領域に書き込んでもよい。なお、メモリは、様々な種類の情報を格納可能であり、その情報は、演算可能な処理ステーション又はデスクトップコンピュータなどの演算機器にロードしたり、同演算機器が実行したりできるソフトウェアアプリケーション及び/又は操作命令等を含む。再書き込み可能な格納媒体を採用した実施形態においては、格納した情報は、例えば、1つ以上の試料、試料系列、試料ロギング、位置管理などの変化、又はそれらにおいて行われる処理ステップを反映したものであってもよい。図8は、本願教示のさらに別の実施形態を示している。非常に高感度な質量分析計もあるため、弁に漏れがあれば、それが非常にわずかな漏れであっても、校正物質の定常状態のバックグラウンドレベルを引き起こす可能性がある。弁に漏れがあるシステムにおけるこの問題を回避するには、本願教示による、図8に図示する弁とバックフラッシュのスキームを用いてもよい。図示の通り、システムは、校正物質槽30と、飛行時間型質量分析計TOFに通じるT字連結部32と、校正物質槽30及びT字連結部32と連通する弁付き導管に通じるT字連結部34と、複数の弁36、38、40、及び42と、T字連結部44及び46と、バックフラッシュライン48とを備える。見ての通り、T字連結部32は、例えば約200°Cまで加熱するよう構成された加熱ブロックに接して、あるいはその内部に又は隣接して設置してもよい。弁36、38、40、及び42は、各々個別に磁気マイクロ弁を備えていてもよい。システムの導管又は管は、ガラス、プラスチック、あるいはステンレス鋼SS、ニッケルNi、アルミニウム等の金属を含んでいてもよい。見ての通り、バックフラッシュライン48の内径は、TOFに通じて連通する導管の内径よりも小さくてもよく、例えば、大きい方の内径の90以下、大きい方の内径の75以下、大きい方の内径の60以下、又は大きい方の内径の50以下であってもよい。バックフラッシュライン48の内径は、校正物質槽30に通じて校正物質槽30から離れる導管の内径よりも小さくてもよく、例えば、大きい方の内径の50以下、大きい方の内径の40以下、大きい方の内径の30以下、又は大きい方の内径の10以下であってもよい。図8に示した校正物質オン状態において、ヘリウム流が、校正物質槽30にT字連結部34を連通させる導管又はチューブの内容物を一掃し、同導管又はチューブは、開位置連通位置にある弁36及び38を備えるが、閉位置非連通位置にある弁40及び42を備える。校正物質オン状態において、排気口又は真空源本明細書においては真空は、閉位置非連通位置にある弁40によって回路から遮断される。図8に示された校正物質オフ状態において、弁36及び38は閉位置非連通位置にあるが、弁40及び42は開位置連通位置にある。これらの弁の開閉は、TOFと順次連通するT字連結部34、32からのヘリウムガス等のキャリアガスの流れを確立するように行うことが可能である。図8が示すように、バックフラッシュライン48は、図示した例示的なシステムにおいて長さを約20cmとしてもよく、内径を50ミクロンとしてもよい。図面の右側に描かれている通り、弁36及び38がオフ位置において閉じられると、バックフラッシュライン48は、校正物質オン状態の間に校正物質槽30と連通していた導管キャピラリー又は管の全てを通る逆流を設定する。この逆流すなわちバックフラッシュは、TOFと連通するT字連結部32から離れるように、残余校正物質及び/又は漏れている校正物質を一掃する。このように確立されたヘリウム流は、校正物質をTOFから押し流し、排気口から出す。結果として、校正物質の存在による定常状態のバックグラウンドを抑制又は排除することができ、校正物質パルスはずっと鮮明に、校正物質オン状態から校正物質オフ状態にシステムを変更するよう弁が切り替わった瞬間から約0.3秒以下内で微々たるレベルにまで減衰する。このパルスシステムの動作により、校正物質パルスを単一の二次カラム不感帯内で上下させることが可能になる。モジュレーションピリオドと同期して弁をパルスにすることによって、システムは二次カラム不感帯中に校正物質を送出することが出来る。いくつかの実施形態において、モジュレーションピリオドと同期して弁をパルスにすることによって、システムは二次カラム不感帯中に校正物質だけを送出するよう構成することが出来る。いくつかの実施形態において、T字連結部34及び/又は36からTOFまでの管を加熱してもよい。いくつかの実施形態において、T字連結部44及び/又は46と、校正物質槽30に通じて離れていく導管とは、加熱してもよい。いくつかの実施形態において、全ての弁を室温で稼働させてもよい。従って、試料物質との質量スペクトル干渉を作り出さないように飛行時間型質量分析計に校正物質を入れる手順によって、質量分析計を頻繁に質量校正することが可能になることは明らかである。頻繁な質量校正は、ひいては、少なくとも2つの質量校正パラメータにおける一時的なドリフトを補償し、これにより、分析実行の全体を通して質量電荷比測定の正確さと精度との両方を改善する。本願教示の他の実施形態は、本明細書を検討し、本明細書に開示された本願教示を実施すれば、当業者には明らかになるであろう。本願の明細書と各例は、例示にすぎずこれらに限定されないと考えられるべきである。"