"第1配線層に形成されており、第1方向に延びる第1配線と、前記第1配線層の上層または下層の配線層に形成されており、前記第1配線と重なるように前記第1方向に延びる接続対象配線と、前記第1配線の第1端部と前記接続対象配線との間に設けられており、前記第1配線と前記接続対象配線とを電気的に接続する第1のビアと、前記第1配線の第2端部と前記接続対象配線との間に設けられており、前記第1配線と前記接続対象配線とを電気的に接続する第2のビアと、前記第1配線層に形成されており、前記第1配線の前記第1端部から、前記第1方向に直交する第2方向において延びるように配置された第2配線と、前記第1配線層に形成されており、前記第1配線の前記第2端部から、前記第2方向において延びるように配置された第3配線と、前記第1配線層に形成されており、前記第3配線から、前記第1方向において、前記第1配線と反対の向きに延びるように形成された第4配線とを備え、前記第3配線の配線幅は、前記第1配線における前記第1端部と前記第2端部とに挟まれた部分の配線幅以上であることを特徴とする半導体装置。請求項1記載の半導体装置において、前記第2配線と前記第3配線とは、前記第2方向において同じ向きに延びていることを特徴とする半導体装置。請求項2記載の半導体装置において、前記第1配線の前記第1端部から前記第2配線の先端部までの距離は、前記第1配線の前記第2端部から前記第3配線における前記第4配線の基部までの距離以上であることを特徴とする半導体装置。請求項1記載の半導体装置において、前記第2配線と前記第3配線とは、前記第2方向において反対の向きに延びていることを特徴とする半導体装置。請求項1記載の半導体装置において、前記第2の配線は、前記第1配線の前記第1端部から、前記第2方向において両方の向きに延びていることを特徴とする半導体装置。請求項1記載の半導体装置において、前記第3配線は、前記第1配線の前記第2端部から、前記第2方向において、前記第4配線が存在する方と反対の向きにも延びていることを特徴とする半導体装置。請求項1~6のうちのいずれか1項記載の半導体装置において、前記第1配線層において前記第1~第4配線のいずれとも分離されて形成されており、前記第2配線を先端部から仮想的にさらに延ばした領域に重なるように、かつ、前記第2方向において延びるように、配置されている第5配線を備えたことを特徴とする半導体装置。請求項1~6のうちのいずれか1項記載の半導体装置において、前記第1配線層において前記第1~第4配線のいずれとも分離されて形成されており、前記第1配線を前記第2端部から仮想的にさらに延ばした領域と重なるように、かつ、前記第2方向において延びるように配置されている第5配線を備え、前記第5配線を仮想的にさらに延ばした領域と、前記第4配線とが重なっていることを特徴とする半導体装置。請求項1~6のうちのいずれか1項記載の半導体装置において、前記第1ビアと前記第2ビアとの間に配置されており、前記第1配線と前記接続対象配線とを電気的に接続する第3ビアを備えたことを特徴とする半導体装置。請求項1~6のうちのいずれか1項記載の半導体装置において、前記第1ビアおよび前記第2ビアが、単一のビアとして一体に構成されていることを特徴とする半導体装置。請求項1~10のうちのいずれか1項記載の半導体装置において、前記第1配線における前記第1端部と前記第2端部とに挟まれた部分の長さと、前記第2配線の配線幅と、前記第3配線の配線幅とが、互いに等しいことを特徴とする半導体装置。請求項1~10のうちのいずれか1項記載の半導体装置において、前記第1~第4配線は、信号配線として用いられていることを特徴とする半導体装置。図10はホットスポットの発生について説明するための図であり、クランク状の配線構造の設計パターンと仕上がり形状との関係を示す図である。図10において、実線は配線構造の元の設計パターン、破線はOPC補正後の設計パターン、太実線は実際の仕上がり形状である。第2の配線112に対して、第1の配線111と第3の配線113とが互いに逆向きに延びるよう接続されており、いわゆるクランク状の配線が形成されている。そして、第1の配線111の配線幅W11は、第2の配線112の配線幅W12よりも大きい。このような配線構造において、OPC処理を行わないと、光の干渉により最終仕上がり形状が設計パターンから大きく変化する。すなわち、点線矢印で示すように、第1の配線111と第2の配線112とに挟まれた凹部が外側に膨らみ向きa1、また別の配線121による光の干渉の影響を受け、第2の配線112の一部も外側に膨らむ向きa2。このため、OPC処理では、実線矢印で示すように、向きa1,a2とは逆の向きb1,b2に設計パターンを補正する必要がある。ところが、OPC補正後の設計パターンから得られた実際の仕上がり形状では、第2の配線112の配線幅が元の設計パターンと比べて細くなっている。すなわちホットスポットが生じている。特に、第2の配線112の配線幅W12に対して第1の配線111の配線幅W11が大きい場合、第1の配線111と第2の配線112との間に挟まれた部分の内側への補正b1が大きくなるため、ホットスポットがより顕著となり、最終仕上がり形状の配線が細る。最終仕上がりの配線が細ることにより、配線抵抗が大きくなり、半導体集積回路の遅延故障の原因になる。図11は配線接続のために2個のビアを配置した場合の配線構造の一例を示す図である。図11において、第1の配線131、第2の配線132および第3の配線133は同一配線層で接続されており、いわゆるクランク状になっている。また配線150が、第1の配線131の上層または下層に形成されている。そして、第1の配線131と配線150とが2個のビア141,142によって電気的に接続されている。ここで、配線とビアを同時に製造するデュアルダマシン方法等では、ビアを構成するために配線の埋め込みを利用するため、ビアの上下の配線層においてビア周辺の配線領域が大きいほど、製造が容易になる。このため図11の構成においても、ビアの製造を容易にするために、第1の配線131の配線幅を大きくしている。この結果、図11の配線構造は、図10で示したようなホットスポットが生じやすい配線構造と等価になっている。つまり、ビアの製造工程での歩留まり向上を目的として2個のビアを配置した配線接続構造を採用することによって、ホットスポットが形成されやすい配線構造となってしまい、このことが逆に、リソグラフィ工程での歩留まり低下の要因となる。加えて、従来では、設計パターン中にホットスポットとなる配線形状を検出した場合、このような配線形状を作らないように再度レイアウト設計をやり直していた。つまり、半導体集積回路のレイアウトにホットスポットが存在すると、半導体集積回路設計のTATTurnAroundTimeが長くなる、という問題があった。前記の問題に鑑み、本発明は、2個のビアを用いた配線接続構造を、ホットスポットが生じにくい構造によって実現し、ビア製造工程での歩留まり向上とホットスポット回避とを両立することを目的とする。本発明の一態様では、半導体装置は、第1配線層に形成されており、第1方向に延びる第1配線と、前記第1配線層の上層または下層の配線層に形成されており、前記第1配線と重なるように前記第1方向に延びる接続対象配線と、前記第1配線の第1端部と前記接続対象配線との間に設けられており、前記第1配線と前記接続対象配線とを電気的に接続する第1のビアと、前記第1配線の第2端部と前記接続対象配線との間に設けられており、前記第1配線と前記接続対象配線とを電気的に接続する第2のビアと、前記第1配線層に形成されており、前記第1配線の前記第1端部から、前記第1方向に直交する第2方向において延びるように配置された第2配線と、前記第1配線層に形成されており、前記第1配線の前記第2端部から、前記第2方向において延びるように配置された第3配線と、前記第1配線層に形成されており、前記第3配線から、前記第1方向において、前記第1配線と反対の向きに延びるように形成された第4配線とを備え、前記第3配線の配線幅は、前記第1配線における前記第1端部と前記第2端部とに挟まれた部分の配線幅以上であるものである。この態様によると、第1配線層において第1方向に延びる第1配線と、第1配線層の上層または下層の配線層に形成された接続対象配線とを電気的に接続するために、第1および第2のビアが設けられている。そして、第1配線から第1方向と直交する第2方向に第3配線が延びており、さらに第3配線から第1方向において第1配線と反対の向きに第4配線が延びている。すなわち、第1、第3、第4配線によって、クランク状の配線が形成されている。そして、第3配線の配線幅は、第1配線における端部間の部分の配線幅以上であるので、ホットスポットの発生が回避される。しかも、第1配線においてビアが設けられる第1端部および第2端部から、第2方向に第2配線および第3配線がそれぞれ延びているため、ビア周辺の配線領域が大きく確保されており、これによりビアの製造が容易になっている。本発明によると、高歩留まりが期待できる、2個のビアを用いた配線接続構造を、ホットスポットの発生を回避しつつ、実現することができる。したがって、配線の細りによる断線を未然に防止でき、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができるとともに、半導体集積回路設計のTATを短縮することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。第1の実施形態図1は第1の実施形態に係る半導体装置を示す図であり、配線およびビアの構造を模式的に示している。同図中、aは平面図、bはaの線A-Aにおける断面図、cはaの線B-Bにおける断面図である。図1において、第1配線11、第2配線12、第3配線13および第4配線14は同一の配線層第1配線層に形成されており、接続対象配線30がその下層の配線層に形成されている。第1配線11は図面縦方向第1方向に延びている。第1配線11と接続対象配線30とは、その間に形成された第1および第2のビア21,22によって電気的に接続されている。第1のビア21は第1配線11の第1端部11aと接続対象配線30との間に設けられており、第2のビア22は第1配線11の第2端部11bと接続対象配線30との間に設けられている。第2配線12は、第1配線11の第1端部11aから、図面横方向第1方向に直交する第2方向において延びるように配置されている。第3配線13は、第1配線11の第2端部11bから、図面横方向において延びるように配置されている。図1の構成では、第2配線12および第3配線13はともに、図面横方向において右向きに延びている。すなわち本実施形態では、第2配線12および第3配線13は同じ向きに延びている。第4配線14は、第3配線13のある部分を基部14aとして、図面縦方向において下向きに延びている。すなわち、第4配線14は、第3配線13を基準とすると、第1配線11と反対の向きに延びている。そして、第3配線13の配線幅W3が、第1配線11における第1端部11aと第2端部11bとの間の部分の配線幅W1と、等しくなっている。図1に示すように、第1配線11から第3配線13、第4配線14までの配線形状がいわゆるクランク状になっており、ホットスポットが生じやすい形状になっている。ところが本実施形態では、第3配線13の配線幅W3が、第1配線11における第1端部11aと第2端部11bとの間の部分の配線幅W1と同じであるため、ホットスポットの発生が回避される。これにより配線の細りによる断線の発生を防止することができる。かつ、第1配線11と接続対象配線30とが、2つのビアすなわち第1および第2ビア21,22によって電気的に接続されているので、ビアの製造起因による歩留まり低下を抑えることができる。しかも、第2配線12および第3の配線13の存在によって、ビア21,22の周辺の配線領域が大きくなっているため、ビアの製造が容易である。図2および図3は本実施形態の変形例に係る半導体装置を示す図であり、図1と共通の構成要素には図1と同一の符号を付しており、ここではその詳細な説明を省略する。図1の構成では、図面横方向に延びている第2配線12の先端部は、第4配線14の基部14aよりも第1配線11に近い位置にある。これに対して図2の構成では、第2配線12Aは図1の第2配線12よりも長く延びており、第3配線13Aも第4配線14の基部14aからさらに長く延びている。そして、第1配線11の第1端部11aから第2配線12Aの先端部までの距離D1は、第1配線11の第2端部11bから第4配線14の基部14aまでの距離D2よりも長くなっている。このような構成であっても、ホットスポットの発生を回避しつつ、2つのビア21,22を形成することができ、上述した図1の構成と同様の効果が得られる。なお、距離D1と距離D2とが等しくてもかまわない。また、図1の構成では、第3配線13の配線幅W3は第1配線11の配線幅W1と等しくなっている。これに対して図3の構成では、第3配線13Bの配線幅W3Bは第1配線11の配線幅W1よりも大きくなっている。ホットスポットは第3配線13Bの最終仕上がり形状が細ることにより発生するので、第3配線13Bを太くすることによって、ホットスポットをより確実に回避することができる。なお、図3の構成では、第3配線13Bの第1配線11側の端が第1配線11の側端に合っていないが、これらが揃っていてももちろんかまわない。第2の実施形態図4は第2の実施形態に係る半導体装置を示す図であり、配線およびビアの構造を模式的に示している。同図中、aは平面図、bはaの線A-Aにおける断面図、cはaの線B-Bにおける断面図である。なお、図1と共通の構成要素には図1と同一の符号を付している。図4において、第1配線11、第2配線12B、第3配線13および第4配線14は同一の配線層第1配線層に形成されており、接続対象配線30がその下層の配線層に形成されている。第1配線11は図面縦方向第1方向に延びている。第1配線11と接続対象配線30とは、その間に形成された第1および第2のビア21,22によって電気的に接続されている。第1のビア21は第1配線11の第1端部11aと接続対象配線30との間に設けられており、第2のビア22は第1配線11の第2端部11bと接続対象配線30との間に設けられている。第2配線12Bは、第1配線11の第1端部11aから、図面横方向第1方向に直交する第2方向において延びるように配置されている。第3配線13は、第1配線11の第2端部11bから、図面横方向において延びるように配置されている。図1の構成では、第2配線12Bは図面横方向において左向きに延びており、第3配線13は図面横方向において右向きに延びている。すなわち本実施形態では、第2配線12Bと第3配線13とは反対の向きに延びており、この点で第1の実施形態と異なっている。第4配線14は、第3配線13のある部分を基部14aとして、図面縦方向において下向きに延びている。すなわち、第4配線14は、第3配線13を基準にすると、第1配線11と反対の向きに延びている。そして、第3配線13の配線幅W3が、第1配線11における第1端部11aと第2端部11bとの間の部分の配線幅W1と、等しくなっている。図4に示すように、第1配線11から第3配線13、第4配線14までの配線形状がいわゆるクランク状になっており、ホットスポットが生じやすい形状になっている。ところが本実施形態では、第3配線13の配線幅W3が、第1配線11における第1端部11aと第2端部11bとの間の部分の配線幅W1と同じであるため、ホットスポットの発生が回避される。これにより配線の細りによる断線の発生を防止することができる。かつ、第1配線11と接続対象配線30とが、2つのビアすなわち第1および第2ビア21,22によって電気的に接続されているので、ビアの製造起因による歩留まり低下を抑えることができる。しかも、第2配線12Bおよび第3の配線13の存在によって、ビア21,22の周辺の配線領域が大きくなっているため、ビアの製造が容易である。また、図3の構成と同様に、第3配線13の配線幅W3を第1配線11の配線幅W1よりも大きくしてもよい。第3の実施形態図5は第3の実施形態に係る半導体装置を示す図であり、配線およびビアの構造を模式的に示している。同図中、aは平面図、bはaの線A-Aにおける断面図、cはaの線B-Bにおける断面図である。なお、図1と共通の構成要素には図1と同一の符号を付している。図5において、第1配線11、第2配線12C、第3配線13Cおよび第4配線14は同一の配線層第1配線層に形成されており、接続対象配線30がその下層の配線層に形成されている。第1配線11は図面縦方向第1方向に延びている。第1配線11と接続対象配線30とは、その間に形成された第1および第2のビア21,22によって電気的に接続されている。第1のビア21は第1配線11の第1端部11aと接続対象配線30との間に設けられており、第2のビア22は第1配線11の第2端部11bと接続対象配線30との間に設けられている。第2配線12Cは、第1配線11の第1端部11aから、図面横方向第1方向に直交する第2方向において延びるように配置されている。第3配線13Cは、第1配線11の第2端部11bから、図面横方向において延びるように配置されている。図1の構成では、第2配線12Cは図面横方向において右向きおよび左向きの両方に延びており、第3配線13もまた図面横方向において右向きおよび左向きの両方に延びている。すなわち本実施形態では、第2配線12Cおよび第3配線13Cは第1配線11から両方の向きに延びており、この点で第1および第2の実施形態と異なっている。第4配線14は、第3配線13のある部分を基部14aとして、図面縦方向において下向きに延びている。すなわち、第4配線14は、第3配線13を基準にすると、第1配線11と反対の向きに延びている。そして、第3配線13の配線幅W3が、第1配線11における第1端部11aと第2端部11bとの間の部分の配線幅W1と、等しくなっている。図5に示すように、第1配線11から第3配線13C、第4配線14までの配線形状がいわゆるクランク状になっており、ホットスポットが生じやすい形状になっている。ところが本実施形態では、第3配線13Cの配線幅W3が、第1配線11における第1端部11aと第2端部11bとの間の部分の配線幅W1と同じであるため、ホットスポットの発生が回避される。これにより配線の細りによる断線の発生を防止することができる。かつ、第1配線11と接続対象配線30とが、2つのビアすなわち第1および第2ビア21,22によって電気的に接続されているので、ビアの製造起因による歩留まり低下を抑えることができる。しかも、第2配線12Cおよび第3の配線13Cの存在によって、ビア21,22の周辺の配線領域が大きくなっているため、ビアの製造が容易である。また、図3の構成と同様に、第3配線13Cの配線幅W3を第1配線11の配線幅W1よりも大きくしてもよい。なお、図5では、第2配線12Cと第3配線13Cの両方が、図面横方向における両方の向きに延びているものとしたが、いずれか一方のみが、図面横方向における両方の向きに延びている構成としてもかまわない。適用例以下、上述の各実施形態に係る半導体装置の適用例を示す。なお、以下の各図面は図1の構成を基にしているが、上述した他の構成についても同様の適用が可能である。図6は第1の適用例の構成を示す図である。図6の構成では、第1配線11、第2配線12、第3配線13および第4配線14と同一配線層に、第5配線41が形成されている。第5配線41は、第2配線12をその先端部から仮想的にさらに延ばした領域と重なるように、かつ、図面横方向において延びるように、配置されており、同一配線層において、第1配線11、第2配線12、第3配線13および第4配線14のいずれとも接続されていない。図6の構成では、第5配線41の下縁が、第2配線12の下縁から延ばした補助線L1と一致している。図7は第2の適用例の構成を示す図である。図7の構成では、第1配線11、第2配線12、第3配線13および第4配線14と同一配線層に、第5配線42が形成されている。第5配線42は、第1配線11を第2端部11bから仮想的にさらに延ばした領域と重なるように、かつ、図面横方向において延びるように、配置されており、同一配線層において、第1配線11、第2配線12、第3配線13および第4配線14のいずれとも接続されていない。そして、第5配線42を仮想的にさらに延ばした領域と、第4配線14とが重なっている。図7の構成では、第5配線42の上縁から延ばした補助線L2が、第4配線14と交わっている。図8は第3の適用例の構成を示す図である。図8の構成では、第1ビア21と第2ビア22との間に、第1配線11と接続対象配線30とを電気的に接続する第3ビア23が設けられている。図9は第4の適用例の構成を示す図である。図9の構成では、図1の構成における第1ビア21および第2ビア22が一体に構成されており、ビア25として形成されている。なお、上述の各実施形態では、接続対象配線30は、第1配線11等が形成された配線層の下層に形成されているものとしたが、その上層に形成されている場合でも、同様に構成することによって同様の作用効果が得られる。また、上述の各実施形態では、第1配線11における第1端部11aと第2端部11bとに挟まれた部分の長さと、第2配線12,12A,12B,12Cの配線幅と、第3配線13,13A,13Cの配線幅とが、互いに等しくなっている。ただし、これに限られるものではない。また、上述の各実施形態において、第1~第4配線は例えば信号配線として用いられている。"