"それぞれの初期数の電力クレジットが割り当てられる、少なくとも第1の計算ユニットCUおよび第2のCUと、電力マネージャと、を備え、前記第1のCUによって引き込まれる電流の量が、所与の電流制限を超えるという検出に応じて、前記電力マネージャは、前記第1のCUに現在割り付けられている電力クレジットの数を削減するように構成される、マイクロプロセッサ。前記第1のCUに現在割り付けられている前記電力クレジットの数は、前記第1のCUに割り付けられる初期数の電力クレジットを所与の数の電力クレジットだけ超えており、前記所与の数の電力クレジットは前記第2のCUから借用されている、請求項1に記載のマイクロプロセッサ。前記所与の電流制限は、前記第1のCUによって利用される電圧調整器の熱設計電流TDC値である、請求項1に記載のマイクロプロセッサ。前記電力マネージャは、前記第1のCUに現在割り付けられている電力クレジットの数を削減するために、前記所与の数の電力クレジットを前記第2のCUに戻すように構成される、請求項2に記載のマイクロプロセッサ。前記第1のCUは、前記第2のCUから借用された電力クレジットがないよりも高い電力性能状態P状態で、前記第2のCUから借用された電力クレジットを伴って動作し、少なくとも2つの異なる動作電圧間で交番させることによって、変化する作業負荷にもかかわらず、前記より高いP状態を維持するように構成される、請求項1に記載のマイクロプロセッサ。前記第1のCUに現在割り付けられている前記電力クレジットの数は、前記第2のCUから借用された電力クレジットの数だけ、前記第1のCUに割り付けられる初期数の電力クレジットを超え、前記第1のCUによって引き込まれる前記電流の量が前記制限を超えるという検出に応じて、前記電力マネージャは、前記第2のCUから借用された、全てよりも少ない電力クレジットを、前記第2のCUに戻すように構成される、請求項1に記載のマイクロプロセッサ。前記第2のCUの活動レベルが所与の閾値を下回るという検出に応じて、前記電力マネージャはさらに、少なくとも部分的に前記第1のCUの活動レベルに基づいて、前記第1のCUに寄付する電力クレジットの数を判定し、前記第1のCUによって使用するために、前記第2のCUから、それぞれの数の電力クレジットを借用するように構成される、請求項4に記載のマイクロプロセッサ。前記第2のCUの活動レベルが所与の閾値を越えて上昇したという検出に応じて、前記電力マネージャはさらに、少なくとも部分的に前記第2のCUの前記活動レベルに基づいて、前記第1のCUが前記第2のCUに戻すための電力クレジットの数を判定し、前記第1のCUに、以前に借用した電力クレジットを前記第2のCUへ返させるように構成される、請求項7に記載のマイクロプロセッサ。ダイ上の効率的な電力伝達のための方法であって、それぞれの初期数の電力クレジットが割り当てられる、第1の計算ユニットCUおよび第2のCUのうちの少なくとも1つの活動レベルを測定することと、所与の前記第1のCUによって引き込まれる電流の量が、所与の電流制限を超えるという検出に応じて、前記第1のCUに現在割り付けられている電力クレジットの数を削減することと、を含む、方法。前記第1のCUに現在割り付けられている前記電力クレジットの数は、前記第1のCUに割り付けられる初期数の電力クレジットを所与の数の電力クレジットだけ超え、前記所与の数の電力クレジットは、前記第2のCUから借用されている、請求項9に記載の方法。前記所与の電流制限は、前記第1のCUによって利用される電圧調整器の熱設計電流TDC値である、請求項9に記載の方法。前記電力マネージャは、前記第1のCUに現在割り付けられている電力クレジットの数を削減するために、前記所与の数の電力クレジットを前記第2のCUに戻すように構成される、請求項10に記載の方法。前記第1のCUがそれぞれの初期数の電力クレジットのみを使用した場合に利用されるP状態よりも高いP状態で、前記第1のCUを動作させることと、少なくとも2つの異なる動作電圧間で交番させることによって、変化する作業負荷にもかかわらず、前記より高いP状態を維持することと、をさらに含む、請求項12に記載の方法。前記第1のCUに現在割り付けられている前記電力クレジットの数は、前記第2のCUから借用されている電力クレジットの数だけ、前記第1のCUに割り付けられる初期数の電力クレジットを超え、前記第1のCUによって引き込まれる前記電流の量が前記制限を超えるという検出に応じて、前記方法は、前記第2のCUから借用された、全てよりも少ない電力クレジットを、前記第2のCUに戻すことを含む、請求項9に記載の方法。第1のCUの活動レベルが所与の閾値を下回るという検出に応じて、前記方法はさらに、少なくとも部分的に前記第1のCUの活動レベルに基づいて、前記第1のCUに寄付する電力クレジットの数を判定することと、前記第1のCUによって使用するために、前記第2のCUから、それぞれの数の電力クレジットを借用することと、を含む、請求項12に記載の方法。前記第2のCUの活動レベルが所与の閾値を越えて上昇したという検出に応じて、前記方法はさらに、少なくとも部分的に前記第2のCUの前記活動レベルに基づいて、前記第1のCUが前記第2のCUに戻すための電力クレジットの数を判定することと、前記第1のCUに、以前に借用した電力クレジットを前記第2のCUへ返させることと、を含む、請求項15に記載の方法。ダイの上で電力を効率的に伝達するように動作可能である、プログラム命令を記憶する、コンピュータ可読記憶媒体であって、前記プログラム命令は、それぞれの初期数の電力クレジットが割り当てられる、第1の計算ユニットCUおよび第2のCUのうちの少なくとも1つの活動レベルを測定し、所与の前記第1のCUによって引き込まれる電流の量が、所与の電流制限を超えるという検出に応じて、前記第1のCUに現在割り付けられている電力クレジットの数を削減するように実行可能である、コンピュータ可読記憶媒体。前記第1のCUに現在割り付けられている前記電力クレジットの数は、前記第1のCUに割り付けられる初期数の電力クレジットを所与の数の電力クレジットだけ超え、前記所与の数の電力クレジットは、前記第2のCUから借用されている、請求項17に記載の記憶媒体。前記所与の電流制限は、前記第1のCUによって利用される電圧調整器の熱設計電流TDC値である、請求項18に記載の記憶媒体。前記プログラム命令はさらに、前記第1のCUに現在割り付けられている電力クレジットの数を削減するために、前記所与の数の電力クレジットを前記第2のCUに戻すように実行可能である、請求項18に記載の記憶媒体。以下の説明では、本発明の徹底的な理解を提供するように、多数の具体的詳細が記載される。しかしながら、当業者であれば、本発明は、これらの具体的詳細なしで実践される場合があることを認識するべきである。場合によっては、本発明を曖昧にすることを回避するように、周知の回路、構造、および技法は、詳細に示されていない。図1を参照すると、半導体チップ100の一般化したブロック図の一実施形態が示されている。メモリコントローラ、ネットワークインターフェースカードNIC、周辺デバイス等の他の構成要素と通信するために使用される、ダイ102用のインターフェースは、図示を容易にするために示されている。ダイ102は、電力管理ユニット130に連結された処理ブロック160を備えてもよい。処理ブロック160は、計算ユニット120a~120dを備えてもよい。本明細書で使用されるように、文字が後に続く参照数字は、数字のみによって集合的に参照されてもよい。例えば、計算ユニット120a~120dは、集合的に計算ユニット120と呼ばれてもよい。任意のトランジスタ群が、ダイ102を実装するために使用されてもよい。例としては、金属酸化物半導体電界効果トランジスタMOSFET、およびバイポーラ接合トランジスタBJTが挙げられる。各計算ユニット120は、別個の電圧面上で動作してもよい。したがって、各計算ユニット120は、別個の電圧調整器110に連結されてもよい。例えば、計算ユニット120aは、電圧調整器110aに連結される。計算ユニット120dは、電圧調整器110dに連結される。一実施形態では、計算ユニット120は、プロセッサであってもよい。各計算ユニット120は、汎用プロセッサ、グラフィックプロセッサ、専用コプロセッサ等のうちの1つであってもよい。代替として、各計算ユニット120は、特定用途向け集積回路ASICであってもよい。電力標的が、ダイ102に割り当てられてもよい。電力標的は、ダイ102の熱設計電力値である。熱設計点とも呼ばれてもよい、熱設計電力TDPは、コンピュータの中の冷却システムが放散させることができる、電力の最大量を表す。例えば、ラップトッププロセッサ用の冷却システムは、20ワットTDPのために設計されてもよい。したがって、冷却システムは、プロセッサ内のトランジスタに対する最高接合部温度を超えることなく、20ワットを放散させることができると決定されている。一実施形態では、ダイ102のプレシリコンモデル上で実行される電力モデルが、電力測定を行ってもよい。設計サイクルの後期に、電力測定は、試験段階およびデバッギング段階中の実際の製造されたシリコンダイで行われてもよい。ダイ102のピーク電力値は、コア上で高出力ウイルスアプリケーションを実行する、ダイ102の機能的故障によって定義されてもよい。軽減した形態の高出力ウイルスアプリケーションが、ダイ102の熱設計電力TDPを設定するために使用されてもよい。この軽減したコード、およびその対応する電力消費は、ビニング目的で、各計算ユニット120の動作電圧および周波数を設定するために使用されてもよい。電力管理ユニット130は、ダイ102に対する電力クレジットの総数を、ダイ102に対する所与のTDP値に関連付けてもよい。電力管理ユニット130は、別個の所与の数の電力クレジットを、各計算ユニット120に割り付けてもよい。関連電力クレジットの合計は、ダイ102に対する電力クレジットの総数に等しい。電力管理ユニット130は、経時的に、計算ユニット120のうちのそれぞれに対する電力クレジットの数を調整するように構成されてもよい。これらの調整は、計算ユニット120のうちのそれぞれから電力管理ユニット130に伝達される、電力プロファイルに基づいてもよい。例えば、計算ユニット120のうちのそれぞれは、各所与の時間間隔中の対応する電力消費数を判定してもよい。種々の技法のうちのいずれかが、所与の計算ユニットの電力消費を判定するために利用されてもよく、以下でさらに論議される。いくつかの実施形態では、所与の計算ユニットは、所与の計算ユニット120に対応するダイ102の部分の全体を通して配置される、アナログまたはデジタル熱センサを利用してもよい。熱センサは、増大した計算活動により、ダイが特定の領域中で熱くなる時に関する情報を提供する。しかしながら、これらのセンサは、所与の計算ユニット120の中の電力消費の計算関連上昇によって駆動されようと、周囲温度の上昇等の外部環境因子によって駆動されようと、熱の各変化に応答する。所与の計算ユニット内のスイッチング静電容量の量が、ある時間間隔にわたって変化していない時でさえも、センサは、周囲温度の上昇により、より高い熱的条件を報告する場合がある。加えて、概して、電力消費の計算関連上昇と温度上昇との間には、時間遅延がある。その結果として、熱センサは、電力消費の正確な尺度ではない場合がある。種々の実施形態では、所与の計算ユニット120が、電流センサを利用してもよい。いくつかの実施形態では、そのような電流センサは、ユニット内の回路によって引き込まれる電流の量を測定してもよいが、測定値と関連付けられる比較的大きな誤差を有する場合がある。また、これらのセンサは、各個別構成要素に対する電流利用よりもむしろ、一式の複数のコアまたは論理ブロックに対する電流利用を報告する場合がある。したがって、もしあれば、構成要素のうちのどれが、電力消費の計算関連上昇になったかを知ることが困難な場合がある。他の実施形態では、所与の計算ユニットは、いくつかの事前選択された信号をサンプリングし、サンプリングされた信号から電力利用値を判定してもよい。特定のクロックサイクル中にどの信号をサンプリングするかという選択は、選択が所与の計算ユニット120内のスイッチングノード静電容量の量にどれだけ良く相関するかに対応してもよい。例えば、一実施形態では、ローカルクロック分配ブロックに送られるクロックイネーブル信号が、サンプリングされるように、かつ信頼できる正確な電力利用値を提供するように選択される信号であってもよい。サンプリングされた信号に対応する、サンプリングされたデータ点は、各所与の間欠サイクル中に得られてもよい。使用する間欠サイクルの数の判定は、サンプリングされたデータの所望の精度および信頼に依存してもよい。アプリケーションの実際の電力消費およびサンプリングからの推定電力消費の両方の統計分析および測定の両方を使用して、スプレッドシート、または参照テーブルが生成されてもよい。信頼レベルおよび誤差率が、統計分析をさらに発展させるように選択されてもよい。リアルタイム電力推定方法の実施例としては、その全体が参照することにより本明細書に組み込まれる、SamplingChipActivityforRealTimePowerEstimationと題された、2008年4月11日出願の出願第12/101,598号が挙げられる。所与の計算ユニット120が、対応する電力利用値を判定する時に、この値は、電力管理ユニット130へ伝えられる。この値は、上記で説明される方法のうちのいずれか、または任意の他の利用可能な方法によって判定されてもよい。電力管理ユニット130は、電力利用値の受信に応じて、計算ユニット120のうちのそれぞれに割り付けられる電力クレジットの数を改変する能力を有してもよい。一実施形態では、熱クレジットの値が、シミュレーションおよび試験中に判定される所与の単位の値として表されてもよい。例えば、ダイ102が、3つの計算ユニット120を備え、それぞれが、高作業負荷中に同様の量の熱エネルギーを産生する場合に、各計算ユニットには、10の熱的電力クレジットが割り付けられてもよい。上記の実施例とは対照的に、3つの計算ユニットが、高作業負荷中に、異なる熱エネルギーレベルを産生してもよい。第1の計算ユニットは、高作業負荷を受けて、第3の計算ユニットによって産生される熱エネルギーの3倍を産生してもよい。第2の計算ユニットは、高作業負荷を受けて、第3の計算ユニットによって産生される熱エネルギーの2倍を産生してもよい。したがって、電力管理ユニット130は、最初に、15の熱的電力クレジットを第1の計算ユニットに、10の熱的電力クレジットを第2の計算ユニットに、5の熱的電力クレジットを第3の計算ユニットに割り当てまたは割り付けてもよい。代替として、ダイ102の熱エネルギーが、その所与の全体的TDP値に到達するが、それを超えないように、計算ユニット120のうちのそれぞれが、対応する割り当てられたTDP値で同時に動作する時に、電力管理ユニット130は、別個のTDP値を各計算ユニットに割り当ててもよい。所与の計算ユニットが高または中等度作業負荷を持たない時に、その活動レベルは、所与の閾値以下に減少してもよい。したがって、その測定された電力利用値が減少する。結果として生じる、低減した電力利用値は、電力管理ユニット130へ伝えられる。低減した電力利用値に応じて、電力管理ユニット130は、ダイ102の電力クレジットを再分配してもよい。例えば、電力管理ユニット130は、判定された活動していない計算ユニットの電力クレジットを、高度に活動中であると判定される計算ユニットに貸し出してもよい。一実施形態では、電力管理ユニット130は、高度に活動中の計算ユニットのTDPを増加させ、それにその高い活動レベルを維持させ、または増大させてもよい。この高度に活動中の計算ユニットによって生成される余分な熱エネルギーは、ダイのバルクシリコンにわたって、ダイの裏面の金属にわたって、ヒートシンクを通して、およびシステムファンによって冷却されている周囲環境を通して放散させられてもよい。比較的活動していない計算ユニットは、余分に生成された熱エネルギーの放散に役立ち、高度に活動中の計算ユニットが高い性能を維持することを可能にする。現代のマイクロプロセッサ内のコアを計算ユニット120の実施例として取ると、これらのコアは、その動作モードに関する融通性を可能にする。動作周波数および動作電圧の組み合わせは、コアが作業負荷ソフトウェアアプリケーションの命令を処理するにつれて、リアルタイムで選択されてもよい。このリアルタイム調整の理由は、マイクロプロセッサの各生成のために増加している電力消費を制限しながら、高い性能を維持しようとする試行である。現代の相補型金属酸化物半導体CMOSチップ等の集積回路ICの電力消費は、式αfCV2に比例する。記号αは、スイッチング因数であり、またはノードがクロックサイクル中に充電または放電する確率である。記号fは、チップの動作周波数である。記号Cは、クロックサイクルで充電または放電される、等価の静電容量またはスイッチング静電容量である。記号Vは、チップの動作電圧である。チップの電力消費を削減し、およびトランジスタ内の静電界を低減しようとして、電力供給電圧Vが動作中に減少させられてもよい。しかしながら、電力供給電圧低減への制限がある。この低減は、トランジスタを通って流れてもよい電流の量を減少させ、したがって、トランジスタを通した伝搬遅延を増加させる。より早い時間にトランジスタをオンにし、性能を維持するのに役立つために、閾値電圧が低減された場合に、トランジスタ漏洩電流が増加する。トランジスタ漏洩電流の増加は、電力消費および論理故障の可能性の両方を増加させる。電力消費を削減しようとして、リアルタイムで動作電圧を調整することに加えて、電力表現における他の要因が考慮される。例えば、コアの各生成時のデバイスおよび金属ルートの幾何学的寸法が減少している。スーパースカラ設計が、複数のパイプライン、より大容量のキャッシュ、およびより複雑な論理を伴うダイ上の集積回路の密度を増加させる。したがって、クロックサイクルにつき切り替わってもよいノードの数が、有意に増加する。動作周波数も、各生成とともに増加している。スイッチング因数αは、不使用の期間中に、チップの中のあるブロックまたはユニットへのクロック信号を無効にすることによって、これらの領域について減少してもよい。したがって、動作電圧およびスイッチング因数は、ICの各生成とともに減少するように調整されてもよいが、IC電力消費式の中の他の項が増加しており、電力消費の全体的な増加を引き起こす。この電力消費の増加に対するいくつかの解決法は、マイクロアーキテクチャおよび回路レベル技法の両方を含む。電力消費および性能の平衡を保つためのマイクロアーキテクチャおよび回路レベル設計技法は、リアルタイムで電力消費を推定する努力によって補助される。リアルタイムで電力消費を推定するためのいくつかの方法を以前に説明した。1つまたは複数のアプリケーションを実行しながら、計算ユニット120内のコアのリアルタイム電力消費が知られるまたは推定されるとともに、電力管理ユニット130へ伝えられる場合には、一実施形態では、電力管理ユニット130は、いくつかの所与の離散電力性能状態P状態から1つの離散P状態を選択してもよい。選択されたP状態は、最大性能状態と最小電力状態との間であってもよい。最大性能状態は、最大動作周波数を含み、最小電力状態は、最小動作周波数を含む。中間の離散電力性能状態P状態は、動作周波数および動作電圧の組み合わせに対する所与の尺度値を含む。P状態間の移行の例証が、以下で提供される。計算ユニット120のうちの1つ以上が、活動レベルまたは電力消費推定値を測定しなくてもよいことに留意されたい。したがって、これらの計算ユニットは、対応する値を電力管理ユニット130に報告しない。しかしながら、2つ以上の計算ユニットが、これらの値を測定するとともに、計算ユニットに報告する場合に、電力管理ユニットは、ダイ102上の計算ユニット間で電力を伝達するように構成される。ここで図2を参照すると、半導体チップの電力性能状態移行200の一実施形態が示されている。2つの曲線が、電力対電圧と周波数対電圧との間の非線形例えば、三次または二次関係を示す略図で示されている。5つの離散電力性能状態P状態が、P0からP4として表されて、略図で示されている。略図を簡略化するように、少数の離散P状態が示されている。5つだけの離散P状態が示されているが、別の数の離散P状態がサポートされてもよいことが周知である。示された略図では、P状態P4は、全てのサポートされた離散状態のうちの最低性能を伴う離散状態に対応してもよく、最低動作周波数を備える。加えて、P状態P4は、全てのサポートされた離散状態のうちの最低電力消費を伴う離散状態に対応してもよく、最低動作電圧を備える。一方では、P状態P0は、全てのサポートされた離散状態のうちの最高性能を伴う離散状態に対応してもよく、最高動作周波数を備える。加えて、P状態P0は、全てのサポートされた離散状態のうちの最高電力消費を伴う離散状態に対応してもよく、最高動作電圧を備える。典型的には、P状態P0およびP4によって表される終点離散状態は、予測可能な性能の領域を画定する。したがって、非線形周波数対電圧曲線に沿って、複数のP状態または動作点をサポートするようにプロセッサを構成することにより、プロセッサ等の半導体チップに対する電力の安定した最適な利用および性能の実現を提供してもよい。P状態の管理は、IntelCorp.、MicrosoftCorp.、およびToshibaCorp.によって当初開発された、AdvancedConfigurationandPowerInterfaceACPI標準等の業界標準に適合してもよいが、開発は現在、Hewlett-PackardCorp.およびPhoenixCorpも含む。標準は、最後に2010年4月5日に改訂版4.0aとして発表された。略図で示されるように、電力標的1が、チップに対して選択されてもよく、電力標的1は、チップのTDPの初期値を表す。以前に説明されたように、熱設計電力TDPは、チップ内のトランジスタに対する最大接合部温度を超えることなく、冷却システムが放散させることができる電力の量を表してもよい。図2の電力標的1の値は、現在割り当てられているTDP値を表してもよい。図2に示されるように、電力標的1は、電力対電圧の非直線曲線上のデータ点Aに対応する。データ点Aは、動作電圧V2に対応する。動作電圧V2に関して、非線形周波数対電圧曲線上にデータ点Aを投影することは、データ点A’を提供する。データ点A’は、動作周波数F2に対応する。動作電圧V2および動作周波数F2の組み合わせによって表される動作点は、チップに対する電力の最適な利用および性能の実現を提供してもよい。上記で説明され、略図で示されるように、電力標的1の動作点は、データ点A’によって識別される。しかしながら、この動作点は、電力対周波数曲線上の離散P状態によって表されない。データ点A’は、P状態P1およびP2の間に位置する。電力消費を削減するために、P状態P2は、対応するチップに対する初期データ点として選択されてもよい。動作電圧V1および動作周波数F1の対応する組み合わせは、結果として生じる選択された動作点であってもよい。プロセッサ等のチップは、i作業負荷が有意に変化して、報告された活動レベルの有意な変化を引き起こす、ii電力消費追跡値が所与の閾値に達する、またはiii初期TDP値が変化して、略図に示される電力標的値を変化させるまで、最初に割り当てられたP状態を利用して、作業負荷を処理し続けてもよい。例えば、プロセッサが、経時的に一貫した活動レベルを引き起こす作業負荷に対する命令を実行している場合、作業負荷の蓄積した効果が、プロセッサ内の電力検出システムを所与の高い閾値に到達させる場合がある。この閾値は、プロセッサが有意な熱を生成しており、電力が低減されるべきであることを示している。一実施形態では、プロセッサ内に位置し得る電力マネージャが、この状態を検出し、したがって、より低い電力性能動作点に対応する、異なるP状態を選択してもよい。P状態の抑制は、現在選択されているP状態を、1つのP状態だけ、より低い電力消費P状態に減少させることを含む。対照的に、P状態の上昇は、現在選択されているP状態を、1つのP状態だけ、より高い電力消費P状態に増分することを含む。P状態P2を抑制することは、現在選択されているP状態P2を、より低い電力性能状態P3に移行させることを含む。P状態P2等の所与のP状態を上昇および抑制することの単純な説明図が、図2に示されている。いくつかの実施形態では、各上昇動作および各抑制動作は、論理がこの追加複雑性をサポートする時に、2つ以上のP状態によって、現在選択されているP状態を移行させてもよい。P状態移行は、プロセッサ内の論理によって制御されてもよく、それにより、内蔵型システムである。しかしながら、電力管理ユニット130等の外部ユニットが、プロセッサのTDP値を改変してもよく、それは、ダイ102上の各計算ユニット120からの電力消費フィードバックに基づいて、略図中の電力標的値を変化させる。P状態の移行を続けると、計算ユニット120から電力消費推定値を受信した後に、電力管理ユニット130は、新しいTDP値等のパラメータを計算ユニット120に伝えてもよい。新しいTDP値は、新しい数の割り付けられた電力クレジットに対応してもよい。比較的活動していない計算ユニットは、その割り付けられたクレジットの現在の値よりも少ない電力クレジットが割り付けられてもよい。本質的に、比較的活動していない計算ユニットは、電力クレジットを寄付している。逆に、高度に活動中である計算ユニットは、その割り付けられたクレジットの現在の値よりも多くの電力クレジットが割り付けられてもよい。本質的に、高度に活動中である計算ユニットは、寄付された電力クレジットを受信している。電力管理ユニット130から新しいTDP値を受信した後に、計算ユニット120のうちのそれぞれは、それに従って、新しい対応するP状態を選択してもよい。一実施形態では、選択は、所与の数のサポートされた離散P状態のうちのいずれか1つを選択することを含んでもよい。別の実施形態では、選択は、現在選択されているP状態を上昇させる、抑制する、または維持するかどうかを判定することを含んでもよい。一実施形態では、所与の計算ユニットが、各所与の時間間隔の終わりに、測定された活動レベルを捕捉してもよい。測定された活動レベルは、時間間隔中にサンプリングされるように選択される、所与の信号と関連付けられる値に対応してもよい。例えば、一実施形態では、ローカルクロック分配ブロックに送られるクロックイネーブル信号が、サンプリングされるように選択される信号であってもよい。特定のクロックサイクル中にどの信号をサンプリングするかという選択は、選択がスイッチングノード静電容量の量にどれだけ良く相関するかに対応してもよい。複数のサンプルは、所与の時間間隔中に得られてもよい。活動レベルを計算する前に使用する間欠クロックサイクルの数の判定は、サンプリングされたデータの所望の精度および信頼に依存してもよい。アプリケーションの実際の電力消費およびサンプリングからの推定電力消費の両方の統計分析および測定の両方を使用して、スプレッドシート、または参照テーブルが生成されてもよい。信頼レベルおよび誤差率が、統計分析をさらに発展させるように選択されてもよい。リアルタイム電力推定方法の実施例としては、SamplingChipActivityforRealTimePowerEstimationと題された、2008年4月11日出願の出願第12/101,598号が挙げられる。一実施形態では、所与の時間間隔の終わりに、所与の計算ユニットが、測定された活動レベルと電力標的との間の符号付き連続蓄積差を計算してもよい。再度、電力標的は、熱設計点TDPであってもよい。蓄積差は、AccTdpDelta=AccTdpDeltaTDP-RcvdActLevel軽減BrrwValueとして、各所与の時間間隔の終わりに計算されてもよい。ここで、変数AccTdpDeltaは、符号付き連続蓄積差である。変数TDPは、割り当てられた熱設計電力、または同等数の電力クレジットである。変数RcvdActLevelは、計算ユニットの機能ブロックの中のサンプリングされた信号から判定される活動レベルである。変数軽減BrrwValueは、電力管理ユニットによって判定されるように、計算ユニットが借用することが許可される、電力クレジットの数の軽減値である。この電力クレジットの数を軽減することは、少なくとも、電力クレジットを借用する計算ユニットの活動レベルに基づく。この過程は、以降でさらに詳細に説明される。代替として、電力管理ユニットは、上記で論議される軽減BrrwValueの値よりもむしろ、新しいTDP値を計算ユニットに送信してもよい。新しいTDP値は、計算ユニットの初期TDP値、および計算ユニットが借用することを可能にする電力クレジットの数の軽減値を組み込んでもよい。したがって、電力管理ユニットは、値TDPnewを送信してもよく、蓄積差は、AccTdpDelta=AccTdpDeltaTDPnew-RcvdActLevelとして、各所与の時間間隔の終わりに計算されてもよい。変数RcvdActLevelによって表される、測定された活動レベルは、TDPまたはTDPnewよりも高く、次いで、蓄積値AccTdpDeltaは、負の値へと向かう。測定された活動レベルがTDPよりも低い場合には、蓄積値AccTdpDeltaは、正の値へと向かう。蓄積値が正の所与の閾値に達する時に、計算ユニットは、現在のP状態を抑制することを決定してもよい。蓄積値が負の所与の閾値に達する時に、計算ユニットは、現在のP状態を上昇させることを決定してもよい。ここで図3を参照すると、半導体チップの電力性能状態移行300の別の実施形態が示されている。図2に示される略図と同様に、2つの非直線曲線は、電力対電圧と周波数対電圧との間のチップの関係を図示する。同じ5つの離散電力性能状態P状態が、略図に示されており、P0からP4として表される。図2に関する上記の実施例を続けると、電力管理ユニット130は、ダイ102上の計算ユニット120のうちのそれぞれからの電力消費推定値に基づいて、1つ以上の計算ユニットに対するTDP値を変化させることを判定してもよい。例えば、現在のTDP値が、所与の計算ユニットに対して、より高いTDP値に増加させられてもよく、所与のユニットは、異なる活動していない計算ユニットから寄付されている、寄付された電力クレジットを受信している。TDPの増加は、現在の電力標的1よりも高い値を有する、新しい電力標的2として示されている。図3に示されるように、電力標的2は、電力対電圧の非直線曲線上のデータ点Bに対応する。データ点Bは、動作電圧V4に対応する。動作電圧V4に関して、非線形周波数対電圧曲線上にデータ点Bを投影することは、データ点B’を提供する。データ点B’は、動作周波数F4に対応する。動作電圧V4および動作周波数F4の組み合わせによって表される動作点は、チップに対する電力の最適な利用および性能の実現を提供してもよい。動作電圧V4および動作周波数F4の組み合わせによって表される動作点は、電力対周波数曲線上の離散P状態によってサポートされなくてもよい。データ点B’は、P状態P0およびP1の間に位置する。電力消費を削減するために、P状態P1は、対応するチップに対する新しい動作点として選択されてもよい。動作電圧V3および動作周波数F3の対応する組み合わせは、結果として生じる選択された動作点であってもよい。計算ユニットの活動レベルに加えて、電力標的2の値を判定するために、ある基準が使用されてもよいことに留意されたい。例えば、電圧調整器は、熱設計電流TDCよりも大きいピーク電流を供給することができる。しかしながら、TDCは、所与の通常から高までの動作条件のために供給される電流の量である。TDC値に対する設計制約もまた、プラットフォーム費用を最小限化してもよい。電力クレジットを所与の計算ユニットに寄付し、事前チェックなしで電力標的1を電力標的2に増加させる時に、TDCの値は、所与の計算ユニットに対する増大した活動をサポートするためには不十分となり得る。計算ユニット間の電力伝達を可能にすることによって、オンチップ性能が増大してもよい一方で、より高いTDCをサポートするように電圧調整器を修正する費用は有意である。したがって、直接的に、またはいくつかの電力クレジットを介して新しいTDP値を計算ユニット120に割り付ける前に、電力管理ユニット130がチェックを行ってもよい。これらのチェックは、いずれの計算ユニットも、それぞれの電圧調整器の対応するTDCによって表される量よりも多くの電流を引き込まないことを判定してもよい。増加したTDP値が課せられ得る、設計制約に対する他のチェックが可能であり、検討される。上記と同様の論議が、電力クレジットを寄付する計算ユニットに対して存在することに留意されたい。そのような場合において、電力標的3図示せずによって表されてもよい、電力管理ユニットによって割り当てられる新しいTDP値は、電力標的1よりも低い値を有する。結果として生じる動作点を見つけるステップは、上記で説明されるステップに従う。上記で説明される過程は、電力管理ユニット130が、所与の時間間隔で計算ユニット120から新しい電力消費推定値を受信し、新しいTDP値を判定した後に、繰り返してもよい。新しいTDP値および/または対応する電力クレジットを判定する時に、電力管理ユニットは、所与の受信計算ユニットに割り当てられる最終値の基礎を、各計算ユニットの活動レベルに置いてもよい。ここで図4を参照すると、電力借用軽減表400の一実施形態が示されている。計算ユニットは、活動レベルを電力管理ユニットに報告してもよい。代替として、計算ユニットは、ワットまたは内部測定単位で測定される電力消費推定値、温度測定、引き込み電流測定等を報告してもよい。各選択は、ダイ102の設計中に設計者が検討してもよい、費用および報告精度におけるトレードオフを含む。この論議については、活動レベルは、電力借用値を選択することを説明するために使用されるが、他の測定値が可能であり、検討される。表400の1つの列には、活動レベルの範囲が記憶される。所与の計算ユニットからの報告された活動レベルは、表にインデックスを付け、表内の行を選択するために使用されてもよい。示された実施形態では、受信した活動レベルが3つの閾値と比較される。3つの閾値が表400に示されているが、より多くの、またはより少ない閾値の選択が可能であり、検討される。表400中の第2の列は、所与の電力借用値の値を記憶する。電力借用値は、報告された活動レベルおよび閾値の比較に基づく。所与の電力借用値は、電力クレジット、TDP値に関係するワット数、または他のものとして表されてもよい。電力借用値は、比較的動作していないと判定される、寄付計算ユニットのTDP値および活動レベルの両方に基づいてもよい。一実施形態では、計算ユニットは、そうでなければ計算ユニットが使用する資格があり得る、または潜在的に使用し得る、現在使用されていない電力の量に基づく、所与の電力借用値を寄付のために利用可能にしてもよい。所与の計算ユニットの電力消費が、上記で論議されるように報告または推定されてもよい。代替として、表400と同様の表が、2つ以上の閾値と比較した受信ユニットの活動レベルの比較に基づいて、計算ユニットから寄付する軽減電力値を判定するために使用されてもよい。さらに、電力管理ユニット130は、ダイ102上の各計算ユニットに対する対応列を伴う1つの大きな表を有してもよい。この大きな表は、各計算ユニットの報告された活動レベルを追跡し、報告された活動レベルを対応する閾値と比較し、どの計算ユニットが電力クレジットを寄付することができるかを判定し、各有資格寄付計算ユニットが寄付することができる電力クレジットの量を判定し、どの計算ユニットが電力クレジットを受信することができるかを判定し、各有資格受信計算ユニットが受信することができる電力クレジットの量を判定するように構成されてもよい。表の詳細の複雑性および粒度は、少なくとも、判定のために割り付けられる合計時間、ならびに情報を記憶するため、および組み合わせ論理のためのオンダイ土台等の設計トレードオフによって判定されてもよい。各有資格受信計算ユニットが受信することができる電力クレジットの量は、温度制限および電気制限の両方に依存してもよいことに留意されたい。例えば、前述のような定格熱設計点TDPが、温度制限を設定してもよい。前述のような対応する電圧調整器の定格熱設計電流TDCは、電気制限を設定してもよい。再度、直接的に、またはいくつかの電力クレジットを介して新しいTDP値を計算ユニット120に割り付ける前に、電力管理ユニット130がチェックを行ってもよい。これらのチェックは、電力クレジットを受信する計算ユニットが、それぞれの電圧調整器の対応するTDCによって表される量よりも多くの電流を引き込まないことを判定してもよい。増加したTDP値が課せられ得る、設計制約に対する他のチェックが可能であり、検討される。これらのチェックは、表400に記憶される値を設定してもよい。ここで図5を参照すると、電力管理システムに対応する、測定された電気特性500の一実施形態が示されている。描写した値は、正確となることを目的としていないことに留意されたい。むしろ、図5のチャートは、描写された種々の値の間の相対的関係を概して示すように、論議の目的で提供されている。示された実施例では、経時的な動作電圧210および測定された活動レベル220への変化が描写されている。加えて、電力230が経時的に示されている。図5に示されるように、活動レベルが有意な変化を受ける時および活動レベルが一定である時の両方で、P状態移行があってもよい。略図では、P状態移行は、動作電圧210の変化と相関する。いくつかのP状態値が、略図で標識されている。例えば、一定の活動レベル220では、略図で示されるように、P状態P1は、より低い動作電圧を有するP状態P2に移行する。電力230は、例えば、第1の電力標的PT1を追跡するために、P状態移行によって調整されてもよい。一実施形態では、チップは、電力標的に対応する仮想動作点を維持するためにP状態ディザリングを利用してもよい。ディザリングは、チップが、より高いまたは低い離散P状態の間の中間値に対応する平均値を達成するために、より高いまたは低い離散P状態間で交番させてもよい、方法である。ディザリングを行うための方法および機構は、その全体が参照することにより本明細書に組み込まれる、出願第未定号でさらに説明されている。図5では、経時的にチップによって引き込まれる電流240が示されている。電流240は、動作電圧が同じ電力消費値I=P/Vについて減少するにつれて増加する。この同じ電力消費値は、経時的にP状態を切り替えることによって得られる平均値であってもよい。P状態ディザリングは、チップ上で消費される平均電力とPT1値等の電力標的との間の統一に近い比率を維持するために使用されてもよい。一実施形態では、熱設計点TDP値が、PT1値に対して選択されてもよい。そのような統一に近い比率を維持することによって、チップは、所望量の電力例えば、対応する冷却システムによって放散させられる電力の量を依然として消費しながら、性能を最大限化しようとしてもよい。しかしながら、たとえP状態ディザリングが例えば、定常状態上昇中に起こっていなくても、作業負荷変化が、以下で説明されるように引き込まれる電流の過剰な量につながる場合がある。第1のオンダイ構成要素から第2のオンダイ構成要素への電力伝達は、最大または増大した全体的チップ性能を提供するために、いくつかの利用可能な電力クレジットを伝達してもよい。いくつかの実施形態では、第1のオンダイ構成要素は、第1の電圧面、したがって、第1の電圧調整器を利用してもよい。第2のオンダイ構成要素は、別個の第2の電圧面、したがって、別個の第2の電圧調整器を利用してもよい。図3を再び参照すると、最大数の電力クレジットが、最大の新しい電力標的値に対応してもよい。したがって、受信する第2の構成要素の動作点は、図3に示されるように増加してもよく、点B’は、A’よりも高い性能の動作点である。新しくてより高い動作点の平均動作電圧は、伝達される電力および受信する第2の構成要素の作業負荷の両方の関数である。一般的に言えば、所与の受信構成要素に伝達される電力クレジットの量は、受信構成要素の現在の活動レベルで軽減表400にインデックスを付けることによって求められてもよい。少なくとも、受信構成要素に対する温度制限および電気制限が、軽減表の入力値を導入するために使用されてもよい。例えば、所与の受信構成要素は、図3に示されるように、P状態P4で動作していてもよい。動作電圧は、P状態P4については低い。P状態P4は、高い活動レベルにより、受信構成要素に対して選択されていてもよい。したがって、受信構成要素によって引き込まれる電流の量は、高くI=P/V、対応するTDC制限に近くてもよい。したがって、受信構成要素の高い活動レベルが、軽減表400にインデックスを付けるために使用される時に、最大電力借用値が軽減されてもよい4で割る、2で割る、0に設定する。受信構成要素が電力クレジットの軽減値を受信する時に、電力消費が増加してもよく、動作電圧が増加してもよく、引き込まれる電流の量が増加してもよい。しかしながら、これらの増加は、受信される電力クレジットの数の軽減によって制限される。よって、最大数の電力クレジットが伝達されなかったため、受信構成要素は、対応するTDC制限を超えなくてもよい。電力クレジットの数の軽減は、対応するTDC制限を超える可能性を防ぐために使用されてもよい。図5を再び参照すると、上記で説明されるような電力伝達後に、第2の構成要素が、より高い動作点で動作する一方で、第2の構成要素に対する作業負荷が、ある期間にわたって、その現在の活動レベルを維持してもよい。例えば、図5に示されるように、第2の構成要素は、PT1によって表される動作点で動作していてもよい。動作点PT1は、以前の電力伝達後の新しくてより高い動作点であってもよい図示せず。第2の構成要素は、図5に示されるように、この期間中の離散的なサポートされたP状態の間のディザリングであってもよい。動作電圧は、ディザリングが起こっている間に移行することが示されている。ディザリング中に達する、P1、P2、P0、およびP3等のいくつかのP状態値が、印付けられる。第2の構成要素の動作中に、ソフトウェアアプリケーションを実行する命令は、第2の構成要素が実行するための動作の種類を変更してもよく、第2の構成要素が実行するための特定の種類の動作の数を変更してもよく、第2の構成要素が実行するための動作の総数を変更してもよく、または変更の組み合わせを実行してもよい。したがって、第2の構成要素に対する作業負荷は、電力クレジットの伝達からは独立しているが、実行ソフトウェアアプリケーションに基づいて、経時的に変化してもよい。図5に示されるように、活動レベルは、第1のレベルから始まり、第1の期間にわたって第1のレベルを維持する。その後、活動レベルは、新しいレベルに漸減し、第2の期間にわたって新しくてより低いレベルを維持する。その後、活動レベルは、新しい増大したレベルに漸増する。減少した作業負荷よりも増加した作業負荷が、次にさらに説明されるように、設計の問題を引き起こす場合がある。実行ソフトウェアアプリケーション内の変化に起因する、第2の構成要素に対する増加した作業負荷の説明を続けると、チップによって引き込まれる電流240が増加してもよい。チップによって引き込まれる電流240の増加は、より高い作業負荷と関連付けられる、より高い活動レベルおよびさらなるスイッチング静電容量の両方によるものであってもよい。第2の構成要素による、より高い引き込まれた電流240は、対応する電圧調整器の熱設計電流TDC制限に違反する場合がある。典型的には、チップによって引き込まれる電流240の量は、TDC制限に達しない。しかしながら、現在、第2の構成要素は、作業負荷増加前のより古くて小さい作業負荷と関連付けられるP状態で動作している。チップはさらに、同じ平均電力性能レベルを維持しようとしてもよい。作業負荷が増加するにつれて、チップによって引き込まれる電流240の量が増加し、電力消費が増加する。したがって、チップは、動作周波数および動作電圧を減少させるようにP状態を抑制する。図5に示されるように、動作電圧は、活動レベルが漸増するにつれて、P状態抑制により漸減する。上述のように、チップによって引き込まれる電流240は、所与の制限を超えてもよい。チップは、別のオンダイチップまたは構成要素から寄付された電力クレジットを受信することにより、より高い性能P状態で動作していてもよい。チップがより高い性能P状態で動作している時に、電力消費および引き込まれる電流の量が増加する。軽減表400は、伝達される電力クレジットの数を制限するために使用されてもよい。したがって、電力消費および引き込まれる電流の量の両方の増加量が、安全に保護されてもよい。後に、活動レベルは、用途による新しい要求により、有意に増大してもよい。比較的安定した電力消費を維持している間の動作電圧の後続の降下は、チップによって引き込まれる電流240に、制限を超えさせてもよい。チップによって引き込まれる電流240は、図5に示されるような制限を超える。一実施形態では、電流制限は、対応する電圧調整器に対する熱設計電流TDCであってもよい。動作電圧は、図2、図3、および図5に示されるようなP状態の抑制中に減少してもよい。図5で見られるように、電力クレジットを伝達することは、チップに対する全体的な性能上昇をもたらしてもよいが、設計制約を超えることを回避するように、特定の条件を監視することが行われてもよい。例えば、以降で、所与の構成要素が電力クレジットを受信した後に、作業負荷は、ソフトウェアアプリケーションによって引き起こされる変更により、変化してもよい。増加した作業負荷は、所与の構成要素が増加するための電力消費式の中の2つの項α、Cを引き起こしてもよい。周知であるように、集積回路の電力消費は、αfCV2に比例し、式中、αは、スイッチング因数を表し、fは、周波数を表し、Cは、静電容量を表し、Vは、電圧を表す。一般的に言えば、より高い作業負荷は、スイッチング因数αおよび静電容量Cを増加させる。したがって、所与の構成要素は、増加した電力消費に応じて、P状態抑制を開始してもよい。概して、電力消費が所与の閾値を超えて増加した場合、P状態は、比較的安定した電力消費値を維持するために抑制されてもよい。P状態抑制は順に、動作周波数fおよび動作電圧Vの減少と関連付けられてもよい。電力クレジットを受信する所与の構成要素の上記の実施例を続けると、P状態抑制は、所与の構成要素が減少するための上記の電力消費式の中の2つの項f、Vを引き起こしてもよい。ここで、所与の構成要素によって引き込まれる電流240は、iスイッチング因数αおよび静電容量Cの増加、およびii動作電圧の減少の両方により、増加するI=P/V。チップによって引き込まれる電流240の量の増加は、TDC制限を超えてもよい。このシナリオは、図5に図示されている。したがって、TDC制限に違反することを回避するために、この条件が監視され、検出されてもよい。この条件が検出された時に、電力伝達の後続の変調が起こってもよい。一実施例では、TDC制限の違反の検出に応じて、寄付された電力クレジットの一部分が、第2の構成要素から寄付する第1の構成要素へ戻されてもよい。例えば、図3を参照すると、一実施形態では、寄付された電力クレジットの一部分の返還は、略図中の電力標的1と電力標的2との間に位置する電力標的3図示せずである、第3の電力標的をもたらしてもよい。第1の構成要素から第2の構成要素に寄付する電力クレジットの数の判定中に、許容最大数の利用可能な電力クレジットが使用されてもよい。しかしながら、後の監視は、受信する第2の構成要素上の高出力作業負荷が、引き込まれた電流240の平均値に、対応するTDC制限等の制限を超えさせる時に、寄付された電流クレジットの一部分または全ての後続の返還を示してもよい。寄付された電流クレジットの一部分または全ての後続の返還は、新しくてより低い第2の電力標的PT2によって図示されてもよい。図5に示されるように、チップによって引き込まれる電流240の量は、寄付された電流クレジットの一部分または全ての返還後にTDC制限を超えない。ここで図6を参照すると、電力管理ユニット130の一実施形態が示されている。入出力I/Oインターフェース550が、ダイ102上の各計算ユニット120と通信してもよい。新しい活動レベルが報告された時に、電力伝達表500内の入力510が更新されてもよい。表500は、ダイ102上の各計算ユニット120のそれぞれに対する別個の入力510を備えてもよい。各入力510は、図5に示されるように、いくつかのフィールドを備えてもよい。計算ユニット識別子IDフィールド520は、ダイ102上の計算ユニット120のうちのどれが、特定の入力510に対応するかを識別してもよい。初期TDP値フィールド522は、それぞれの計算ユニットについて評定される、対応するTDP値を記憶してもよい。現在のTDP値フィールド524は、それぞれの計算ユニットに対する現在のTDP値を記憶してもよい。フィールド524に記憶される現在のTDP値は、ダイ上の電力伝達により、フィールド522に記憶される初期TDP値とは異なってもよい。代替として、表500は、フィールド522および524の中に、電力クレジットを表す対応値を記憶してもよい。表500の中のフィールド526および528は、対応する計算ユニットが電力クレジットを受信しているか、または電力クレジットを寄付しているかどうかという判定を記憶してもよい。加えて、これらのフィールドは、受信または寄付される対応電力クレジットの数を記憶してもよい。表500の中のフィールド530および532は、それぞれ低および高使用量に対応する、1つ以上の閾値を記憶してもよい。これらの閾値は、表500の中のフィールド534に記憶されてもよい、報告された活動レベル値と比較されてもよい。活動レベルは、所与の時間間隔ごとに電力管理ユニット130に報告されてもよい。表500の中のフィールド536は、電力クレジットを受信および寄付するための優先順位の値を記憶してもよい。例えば、第1の計算ユニットは、3の電力クレジットを寄付できることが検出される。第2および第3の計算ユニットはそれぞれ、2の電力クレジットを受信できてもよい。第2の計算ユニットまたは第3の計算ユニットが単一の熱的クレジットのみを受信するかどうかを判定するために、優先順位スキームが使用されてもよい。複数の計算ユニットのそれぞれが、どのようにして電力クレジットを寄付してもよいかを判定するために、同様の優先順位スキームが使用されてもよい。表500の中のフィールド538は、各オンダイ電圧調整器に対するTDC制限を記憶してもよい。記憶したTDC値は、各電圧調整器から引き込まれている電流の推定値と比較されてもよい。一実施形態では、オンダイ電流センサ、または各電圧調整器内のセンサが、引き込まれた電流の推定値を電力管理ユニット130に提供してもよい。別の実施形態では、各オンダイ計算ユニットは、引き込まれた電流の推定値を提供してもよい。任意の測定された推定値が、記憶した対応TDC制限を超える時に、電力管理ユニット130は、オンダイ計算ユニットへの電力クレジットの割付を調整してもよい。電力クレジットの割付は、違反している計算ユニットの電流消費を削減してもよい。例えば、計算ユニットは、寄付された電力クレジットを受信していてもよい。以降で、より高い出力の作業負荷が、計算ユニット上で実行されてもよく、平均の引き込まれた電流に、対応するTDC制限を超えさせる。電力管理ユニット130が超過条件を検出した時に、寄付された電力クレジットのうちの一部分または全てが、寄付している計算ユニットに戻されてもよい。フィールド520~538は、この特定の順序で示されているが、他の組み合わせが可能であり、他のフィールドまたは付加的なフィールドも利用されてもよい。フィールド520~538に対する情報を記憶するビットは、連続的であってもなくてもよい。回路540は、報告された活動レベルを対応する閾値に比較すること等の比較動作を行う論理を備えてもよい。加えて、回路540は、寄付するための熱的クレジット量を判定し、どのようにして利用可能な電力クレジットを分配するかを判定してもよい。また、回路540は、各計算ユニットの状態を監視し、寄付する計算ユニットがいつ電力クレジットを返させるべきか、および受信する計算ユニットのうちのどれが電力クレジットを戻すために選択されるかを判定してもよい。ここで図7を参照すると、ダイ上の効率的な電力伝達のための方法600の一実施形態が示されている。論議の目的で、以降で説明される方法のこの実施形態および後続の実施形態におけるステップは、起こった順序で示されている。しかしながら、いくつかのステップは、示されたのとは異なる順序で起こってもよく、いくつかのステップは、同時に行われてもよく、いくつかのステップは、他のステップと組み合わせられてもよく、いくつかのステップは、別の実施形態では欠けていてもよい。ブロック602では、1つ以上のソフトウェアアプリケーションが、1つ以上の計算ユニットを備えるダイ上で実行されている。一実施形態では、電力管理ユニットが、オンダイ計算ユニットの電気特性を監視する。例えば、活動レベル、引き込まれる電流の量等が、電力管理ユニットに報告されてもよい。これらの値は、図6に示される表500等の表の中の記憶した対応値と比較されてもよい。各計算ユニットは、それぞれの活動レベルを測定してもよい。これらの活動レベルは、電力管理ユニット等の制御ユニットに報告されてもよい。加えて、各計算ユニットは、対応する電圧調整器から引き込まれる電流の量を測定または推定してもよい。代替として、外部電流センサが、引き込まれる電流の量を測定してもよい。各計算ユニットに対する引き込まれる電流の量の値は、以降の比較のために、電力管理ユニットへ伝えられてもよい。再度、図5を参照すると、計算ユニットが、i対応するP状態をより高い性能P状態に変化させる、電力クレジットを受信する、および/またはii計算ユニットが後に、より高い出力の作業負荷を受信する時に、所与の計算ユニットによって引き込まれる電流240の平均値が、TDC制限を超えてもよい。1つ以上の計算ユニットがTDC制限等の対応する制限よりも大きい電流を引き込むことを、電力管理ユニットが検出する場合条件ブロック604に、ブロック606で、電力管理ユニットが、違反している計算ユニットのうちのそれぞれから、1つ以上の以前の寄付する計算ユニットへ、それぞれの数の電力クレジットを戻してもよい。再度、図6に示される表500等の表が、伝達する電力クレジットの量を判定するために使用されてもよい。代替として、電力管理ユニットは、違反している計算ユニットから除去された電力クレジットが、依然として活動していない場合がある、以前の寄付する計算ユニット以外の他の適格な活動中の計算ユニットに伝えられてもよいことを判定する、論理を含んでもよい。例えば、他の的確な計算ユニットが、作業負荷を受けて動作していてもよい一方で、寄付する計算ユニットは、依然としてアイドル状態であってもよい。電力管理ユニット130は、ダイ上の計算ユニットにわたる電力クレジットの割り付けの記録を管理するために、表500および回路540を利用してもよい。ダイ上の受信する計算ユニットが所与の閾値を下回る活動レベルを有することを、電力管理ユニットが検出した場合条件ブロック608に、ブロック610で、電力管理ユニットは、寄付する計算ユニットから受信する計算ユニットへ、それぞれの数の電力クレジットを伝える。寄付する電力クレジットの量を判定することは、前述のような表を利用することを含んでもよい。例えば、図6に示される表500等の表が使用されてもよい。ダイが電力クレジットを再び割り当て、寄付する計算ユニットがその活動レベルを大幅に増加させることを電力管理ユニットが検出する条件ブロック612、または別様に付加的な電力を必要とする場合に、ブロック614で、電力管理ユニットが、オンダイ計算ユニットにわたって電力クレジットを再び割り付けてもよい。電力管理ユニットは、以前にそれぞれの閾値を下回った、寄付する計算ユニットのそれぞれの活動レベルが、現在閾値を上回っているかどうかを判定するように、表等を通して、寄付する計算ユニットを監視してもよい。それぞれの活動レベルを閾値を超えるように上昇した場合に、電力管理ユニットは、以前に受信していた計算ユニットのうちのそれぞれから以前に寄付していた計算ユニットへ、それぞれの数の電力クレジットを伝えてもよい。伝達する電力クレジットの量を判定するために、表が使用されてもよい。ここで図8を参照すると、例示的なプロセッサ700の一実施形態が示されている。プロセッサ700は、メモリコントローラ122と、インターフェース論理140と、1つ以上のプロセッサコア112および対応するキャッシュメモリサブステム114を含み得る、1つ以上の処理ユニット115と、パケット処理論理116と、共有キャッシュメモリサブシステム118とを含んでもよい。加えて、プロセッサ700は、1つ以上のグラフィックス処理ユニットGPU170を含んでもよい。GPU170は、単一命令複数データSIMDコア等の並列アーキテクチャを伴うプロセッサコア172を備えてもよい。SIMDコアの例としては、グラフィックス処理ユニットGPU、デジタル信号処理DSPコア等が挙げられる。一実施形態では、GPU170は、1つ以上のグラフィックスプロセッサコア172と、データ記憶バッファ174とを含む。GPUは、パーソナルコンピュータ、ワークステーション、またはビデオゲームコンソール用の専用グラフィックスレンダリングデバイスであってもよい。一実施形態では、プロセッサ700の図示した機能性は、単一のデバイス上の単一の集積回路上に組み込まれる。プロセッサコア112は、所定の命令セットに従って命令を実行するための回路を含む。例えば、SPARC登録商標命令セットアーキテクチャISAが選択されてもよい。代替として、x86、x86-64登録商標、Alpha登録商標、PowerPC登録商標、MIPS登録商標、PA-RISC登録商標、または任意の他の命令セットアーキテクチャが選択されてもよい。概して、プロセッサコア112は、それぞれ、データおよび命令のために、キャッシュメモリサブステム114にアクセスする。要求されたブロックが、キャッシュメモリサブシステム114の中、または共有キャッシュメモリサブシステム118の中で見つからない場合には、読み取り要求が生成され、欠落しているブロックがマップされるノード内のメモリコントローラに伝送されてもよい。現代のGPU170は、コンピュータグラフィックスを操作および表示するのに非常に効率的であり、それらの高度並列構造が、一連の複雑なアルゴリズムに対して、処理ユニット115等の汎用中央処理ユニットCPUよりも、それらを効果的にする。GPUは、典型的には、グラフィックスおよびビデオに必要とされる計算を実行し、CPUは、グラフィック単独よりもはるかに多くのシステムプロセスに対する計算を実行する。従来のGPU170は、画像レンダリングアプリケーションにおいて高スループットを達成するために、非常に幅広い単一命令複数データSIMDアーキテクチャを使用する。そのようなアプリケーションは、概して、多数のオブジェクト頂点またはピクセルに、頂点シェーダまたはピクセルシェーダ等の同じプログラムを実行することを伴う。各オブジェクトが他のオブジェクトから独立して処理されるが、同じ一連の動作が使用されるため、SIMDアーキテクチャは、かなりの性能強化を提供する。一実施形態では、CPU115およびGPU170は、異なる設計センターからの独自仕様のコアであってもよい。また、GPU170は、ここでは、インターフェース140を介して、チップ外でメモリアクセスを行うよりもむしろ、メモリコントローラ122を介して、ローカルメモリ114および118とメインメモリとの両方に直接アクセスできてもよい。この実施形態は、GPU170に対するメモリアクセスの待ち時間を削減してもよく、それは、より高い性能に変換してもよい。プロセッサ700の構成要素を続けると、キャッシュサブシステム114および118は、データのブロックを記憶するように構成される、高速キャッシュメモリを備えてもよい。キャッシュメモリサブシステム114は、それぞれのプロセッサコア112内で統合されてもよい。代替として、キャッシュメモリサブシステム114は、所望に応じて、裏面キャッシュ構成またはインライン構成でプロセッサコア114に連結されてもよい。なおもさらに、キャッシュメモリサブシステム114は、キャッシュの階層として実装されてもよい。階層内でプロセッサコア112のより近くに位置するキャッシュは、所望の場合、プロセッサコア112に統合されてもよい。一実施形態では、キャッシュメモリサブシステム114はそれぞれ、L2キャッシュ構造を表し、共有キャッシュサブシステム118は、L3キャッシュ構造を表す。キャッシュメモリサブシステム114および共有キャッシュメモリサブシステム118の両方は、対応するキャッシュコントローラに連結されるキャッシュメモリを含んでもよい。概して、パケット処理論理116は、処理ノード110が連結されるリンク上で受信される制御パケットに応答するように、プロセッサコア112および/またはキャッシュメモリサブシステム114に応じて、制御パケットを生成するように、サービスのためにメモリコントローラ120によって選択されるトランザクションに応じて、探査コマンドおよび応答パケットを生成するように、およびノード110がインターフェース論理140を通した他のノードへの中間ノードである、パケットを送るように構成される。インターフェース論理140は、パケットを受信し、パケットをパケット処理論理116によって使用される内部クロックに同期させる論理を含んでもよい。図8に示されるように、CPU115は、同じ電圧調整器110aを共有する。代替として、1つ以上のCPU115は、別個の電圧調整器に連結されてもよい。GPU170は、CPU115から別個の電圧調整器110dに連結される。各CPU115内のコア112のうちのそれぞれ、およびGPU170内のコア172のうちのそれぞれは、対応する活動レベルを監視し、測定してもよい。各CPU115およびGPU170は、それぞれの活動レベルを集約し、結果を電力管理ユニット130へ報告してもよい。この報告は、各所与の時間間隔の終わりに起こってもよい。電力管理ユニット130は、前述の方法を使用して、CPU115とGPU170との間で電力を伝達することを判定してもよい。上記の実施形態は、ソフトウェアを備えてもよいことに留意されたい。そのような実施形態では、方法および/または機構を実装するプログラム命令が、コンピュータ可読媒体上で伝えられ、または記憶されてもよい。プログラム命令を記憶するように構成される多数の種類の媒体が利用可能であり、ハードディスク、フロッピー登録商標ディスク、CD-ROM、DVD、フラッシュメモリ、プログラマブルROMPROM、ランダムアクセスメモリRAM、および種々の他の形態の揮発性または不揮発性記憶装置を含む。一般的に言えば、コンピュータアクセス可能記憶媒体は、命令および/またはデータをコンピュータに提供するように、使用中にコンピュータによってアクセス可能な任意の記憶媒体を含んでもよい。例えば、コンピュータアクセス可能記憶媒体は、磁気または光学媒体等の記憶媒体、例えば、ディスク固定または可撤性、テープ、CD-ROM、またはDVD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-R、DVD-RW、またはBlu-Rayを含んでもよい。記憶媒体はさらに、RAM例えば、同期型ダイナミックRAMSDRAM、ダブルデータレートDDR、DDR2、DDR3等SDRAM、低出力DDRLPDDR2等SDRAM、RambusDRAMRDRAM、スタティックRAMSRAM等、ROM、フラッシュメモリ、ユニバーサルシリアルバスUSBインターフェース等の周辺インターフェースを介してアクセス可能な不揮発性メモリ例えば、フラッシュメモリ等の揮発性または不揮発性メモリ媒体を含んでもよい。記憶媒体は、微小電気機械システムMEMS、ならびにネットワークおよび/または無線リンク等の通信媒体を介してアクセス可能な記憶媒体を含んでもよい。加えて、プログラム命令は、C等の高水準プログラミング言語、またはVerilog、VHDL等の設計言語HDL、またはGDSIIストリーム形式GDSII等のデータベース形式で、ハードウェア機能性の行動レベル記述またはレジスタ転送レベルRTL記述を含んでもよい。場合によっては、記述は、合成ライブラリからのゲートのリストを備えるネットリストを生成するように記述を同期させ得る、合成ツールによって読み取られてもよい。ネットリストは、システムを備えるハードウェアの機能性も表す、一式のゲートを備える。次いで、ネットリストは、マスクに適用される幾何学的形状を表すデータセットを生成するように、配置され、送られてもよい。次いで、マスクは、システムに対応する、1つまたは複数の半導体回路を生産するために、種々の半導体製造ステップで使用されてもよい。代替として、コンピュータアクセス可能記憶媒体上の命令は、所望に応じて、ネットリスト合成ライブラリを伴う、または伴わないまたはデータセットであってもよい。加えて、命令は、Cadence登録商標、EVE登録商標、およびMentorGraphics登録商標等のベンダからのハードウェアベース型エミュレータによるエミュレーションの目的で利用されてもよい。上記の実施形態は、かなり詳細に説明されているが、いったん上記の開示が完全に理解されると、多数の変化例および修正が当業者に明白となるであろう。以下の請求項は、全てのそのような変化例および修正を包含することが意図される。"