"a.半導体基板の表面でドープコンタクト層を形成するステップと、b.それぞれの選択的コンタクトグリッドの少なくとも一部に対応する2次元パターンを有する前記ドープコンタクト層の一部を、レーザビームでアニールするステップとを含む、光電池用選択的コンタクトを形成する方法において、前記レーザビームをパルス化し、2次元パターンに成形することを特徴とする方法。請求項1に記載の方法において、前記選択的コンタクトグリッドが複数の平行なコンタクトを含み、前記複数の平行なコンタクトの少なくとも一部に対応する2次元パターンを有する部分を各パルスで照射することを特徴とする方法。請求項1または2に記載の方法において、少なくとも1cm2の部分を各パルスで照射することを特徴とする方法。請求項1乃至3の何れか1項に記載の方法において、前記レーザアニーリングを、0.1から10J/cm2の投影ビームエネルギー密度で行うことを特徴とする方法。請求項1乃至4の何れか1項に記載の方法において、前記パルスレーザビームのパルス持続時間が100から200ナノ秒であることを特徴とする方法。請求項1乃至5の何れか1項に記載の方法において、アニーリングをエキシマレーザによって行うことを特徴とする方法。請求項1乃至6の何れか1項に記載の方法において、前記ドープコンタクト層の上部に反射防止膜および/または不動態化誘電体を形成するステップと、前記ドープコンタクト層の前記一部に対応する前記反射防止膜および/または前記不動態化誘電体の少なくとも一部をレーザ除去するステップとを含むことを特徴とする方法。請求項1乃至6の何れか1項に記載の方法において、前記ドープコンタクト層の上部に反射防止膜および/または不動態化誘電体を形成するステップと、前記反射防止膜および/または前記不動態化誘電体を通して前記レーザアニーリングを行うステップとを含むことを特徴とする方法。請求項8に記載の方法において、前記レーザアニーリングと同時に、前記反射防止膜および/または前記不動態化誘電体の一部を、前記ドープコンタクト層の前記一部に対応してレーザ除去することを特徴とする方法。請求項1乃至6の何れか1項に記載の方法において、前記半導体基板の表面で前記ドープコンタクト層を形成するステップが、前記半導体基板上にドープ反射防止膜および/またはドープ不動態化誘電体を形成するステップと、前記反射防止膜および/または前記ドープ不動態化誘電体をレーザアニールするステップとを含むことを特徴とする方法。請求項10に記載の方法において、前記レーザアニーリングと同時に、前記反射防止膜および/または前記不動態化誘電体の一部を、前記ドープコンタクト層の前記一部に対応してレーザ除去することを特徴とする方法。請求項1乃至11の何れか1項に記載の方法において、前記ドープコンタクト層がエミッタ層であり、前記選択的コンタクト層が選択的エミッタコンタクトであることを特徴とする方法。請求項1乃至12の何れか1項に記載の方法によって形成した選択的コンタクトを含むことを特徴とする光電池。本発明の第1の実施形態により、a.半導体基板の表面でドープコンタクト層を形成するステップと、b.それぞれの選択的コンタクトグリッドの少なくとも一部に対応する2次元パターンを有するドープコンタクト層の一部を、レーザビームでアニールするステップとを含む、光電池用選択的コンタクトを形成する方法において、レーザビームをパルス化し、2次元パターンに成形することを特徴とする方法を提供する。パルス化し、それぞれの選択的コンタクトグリッドの少なくとも一部に対応する2次元パターンに成形したレーザビームを使用することによって、ドープコンタクト層の複数部分を同時に照射可能とするために複数のレーザビームを使用することはもはや必要ない。明らかに、このことにより、レーザ装置はより簡単で安価になる。本発明の別の利点は、ドープコンタクト層の大部分を1つのパルスでアニールできるため、処理能力は工業生産レベルまで向上し、その結果、光電池の製造コストは従来の方法と比較して低減できる。さらに、ドープコンタクト層の大部分を1つのパルスでアニールできることと、2次元パターンは形状が制限されていないこととを組み合わせることによって、重なり効果を低減するかまたは最小化さえすることができる。本発明において、ドープコンタクト層は、バルク基板のドーパントタイプと異なるドーパントタイプを有する例えば、エミッタコンタクトの場合、または、バルク基板中のドーパント濃度より著しく高いドーパント濃度を有する例えば、裏面電界BSFの場合の、バルク光電池基板のドーパントタイプの前面または後面のあらゆる種類のドープ層として理解される。両方の場合において、ドープコンタクト層は、バルク基板と接合を形成しまたはそのような挙動をする、バルク基板とコンタクト電極との間の導電層としての機能を果たす。本発明において、選択的コンタクトは、ドープコンタクト層が、2次元パターンに応じて特定位置で異なるドーピングレベルおよび接合深さを示す、光起電用途のあらゆる種類のコンタクトとして理解される。例えば、フロントコンタクトセルの選択的エミッタコンタクト、背面局所拡散不活性化エミッタ太陽電池PERL上の裏面電界、および、リアコンタクトセルRCC、バックコンタクトセルBCC、交差指型バックコンタクトセルIBC、または不活性エミッタ背面コンタクトセルPERCの後面上の選択的エミッタコンタクトがある。2次元パターンは、あらゆるタイプの光電池のそれぞれの選択的コンタクトグリッドにおける、少なくとも一部の配置に対応するいかなる形状を有してもよく、アニール後、ドープコンタクト層は、特定位置で異なるドーピングレベルおよび接合深さを示す。特に、2次元パターンは、例えば選択的エミッタコンタクトグリッドの指電極などの複数の平行なコンタクトを含んでもよい。本発明によるさらなる実施形態では、選択的コンタクトグリッドが複数の平行なコンタクトを含んでもよく、複数の平行なコンタクトの少なくとも一部に対応する2次元パターンを有する部分を、各パルスで照射できる方法を提供する。レーザビームを2次元パターンに成形することは、例えば2次元パターンに対応するアパーチャを有するマスクのような、いかなる種類のビーム成形システムで達成してもよい。そのようなマスクは、中にアパーチャが作られている固体板であってもよい。本質的に、次いで、そのようなアパーチャは穴部または開口部であり、その中をレーザビームが通過し、ビームスポットの形状および/または寸法を画定する。あるいは、ビーム成形システムは、より低い透過率領域に囲まれた、2次元パターンに対応するより高い透過率領域を有する、部分的に透過する塗膜を含むミラーまたはレンズのアセンブリを含んでもよい。別の実施形態では、ビーム成形システムは、米国特許出願公開第2009231718号明細書で開示されているような、単一のレーザパルスの中で単一の細長い領域をアニールし、それによって、多数の細長いコンタクトを含むそれぞれの選択的コンタクトグリッドの少なくとも一部をアニールするように構成された光学システムを含んでもよい。あるいは、ビーム成形システムは、ビームを複数の平行な線に成形し、それによって、単一のレーザパルスの中で、多数の平行なコンタクトを含むそれぞれの選択的コンタクトグリッドの少なくとも一部をアニールするための回折光学素子を含んでもよい。レーザは、固体レーザまたはエキシマレーザのような、波長、エネルギーおよびパルス持続時間が工程に適している、いかなるレーザであってもよい。レーザは、エキシマ層が好ましく、塩化キセノンエキシマレーザがより好ましい。レーザの波長は、シリコンのエネルギー吸収が高い190nmから600nm、190nmから550nm、190nmから480nmの範囲であってもよく、好ましくは308nmである。レーザエネルギーは、1ジュールから25ジュールの範囲にあってもよい。これらのエネルギーを達成するために、レーザ放電体積は、典型的に、10cm電極間間隔×7から10cm放電幅×100から200cm放電長に最適化する。本発明の実施形態では、レーザは、エネルギー密度が0.1から10J/cm2、好ましくは1から10J/cm2の投影レーザビームを作るのに適していてもよい。好ましい実施形態では、レーザは、エネルギー密度が0.1から10J/cm2で、典型的に少なくとも1cm2、少なくとも5cm2、最大10cm2の投影ビームスポットを有する、60cm2を超える、80cm2を超える、好ましくは100cm2の、広面積出力ビームを作るのに適したエキシマレーザであってもよい。本発明による特定の実施形態では、少なくとも1cm2、少なくとも5cm2、少なくとも8cm2または少なくとも10cm2の部分を各パルスで照射してもよく、このことによって、本発明は高い処理能力で光電池を工業的に製造するのに適する。パルス持続時間は、ドーパントの拡散を低下させるための高速加熱と、欠陥の形成を低減するための比較的遅い冷却との間の最適条件に対応し、100nsから1000ns、または100nsから300nsの範囲、もしくは、好ましくは100から200ナノ秒の間であってもよい。そのような長いパルスを用いることにより、材料中の十分深いところにあるドーピング元素を活性化しながら、ドープコンタクト層の除去を最小化してもよい。また、パルス持続時間をより長くすることにより、全コンタクト領域のコンタクト接合深さの制御範囲をより良好にできる。さらに、長いパルスでは、より短いパルスよりも、アニールされた材料中にできる欠陥が少なく、かつ、より短いパルスでみられる液滴または材料損失をほとんど生成しない。本発明の好ましい実施形態では、レーザは、308nmの波長、100から200ナノ秒のパルス持続時間、および、0.5から10J/cm2の投影ビームエネルギー密度を有してもよい。半導体基板表面は、光起電用途に適したいかなる材料でもよく、例えば、結晶シリコン、ドープされていないシリコンまたはドープされたシリコン、多結晶シリコン、打ち込みシリコン、炭化ケイ素、アモルファスシリコン、シリコンゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒化アルミニウム、窒化ガリウムなどのIII-V化合物半導体、テルル化カドミウム、銅インジウムジセレニドCuInSe2または銅インジウムガリウムジセレニドCuIn,GaSe2などのようなII-VI化合物半導体、多重接合半導体スタックなどがあるが、それらに限定されない。本発明による実施形態では、ドープコンタクト層の上部に反射防止膜および/または不動態化誘電体を形成するステップと、反射防止膜および/または不動態化誘電体を通してドープコンタクト層をアニールするステップとをさらに含む、選択的コンタクトを形成する方法を提供してもよい。そのような反射防止膜または不動態化誘電体は、例えば、窒化ケイ素および/または酸化シリコンおよび/または両者の組合せなどの、光電池製造で使用されるいかなる反射防止材料または不動態化誘電体であってもよい。本発明により、ドープコンタクト層の一部に対応する反射防止膜および/または不動態化誘電体の少なくとも一部分をレーザ除去する、選択的コンタクトを形成する方法を提供してもよい。金属コンタクト電極を形成する前に、それぞれの選択的コンタクトグリッドに対応する少なくとも一部から、反射防止膜および/または不動態化誘電体を除去することにより、除去した層の真下のドープコンタクト層と、続いて蒸着する金属電極との間のコンタクト抵抗が減少し、電池効率が高くなる。さらにコンタクト電極は、反射防止膜および/または不動態化誘電体に少なくとも部分的に埋め込まれるため、より薄く作ってもよい。加えて、反射防止膜および/または不動態化誘電体は、自己整合金属メッキ用のパターンとしての機能を果たすことができる非常に限定された幅の線状にレーザ除去できるため、コンタクト電極は幅を狭くして形成してもよい。コンタクト電極がより薄く、および/または、より幅が狭いと、陰影損が少なくなり、より高い短絡電流密度Jscが得られる。さらにコンタクト形成は、現在、より低い温度でコンタクトせずに、すなわち、自己整合金属メッキによって行うことができるため、ウェハ厚みを薄くする傾向を考慮して、ウェハ破損のリスクを低減する。本発明による好ましい方法では、ドープコンタクト層の少なくとも一部に対応する反射防止膜および/または不動態化誘電体の一部を、レーザアニーリングと同時にレーザ除去してもよい。同時にドープコンタクト層をアニールし、反射防止膜および/または不動態化誘電体を除去することにより、全体的な工程ステップの数は従来の方法と比較して減少する。当業者に知られているように、従来ドープコンタクト層は、高ドープコンタクト層を得るために、リンあるいはホウ素の高温拡散、または、高温炉アニーリングを後に行う他のドーピング工程ステップによって形成される。しかしながら、本発明によれば、後に選択的レーザアニーリングを行うため、低ドープコンタクト層のみが必要となる。したがって、ドープコンタクト層の形成は、例えば、イオン注入、プラズマドーピング、リン前駆体のより低温での拡散から得られるリンケイ酸塩ガラスPSG形成、ホウ素前駆体のより低温での拡散から得られるホウケイ酸ガラスBSG形成、ドープスピンオンガラス形成およびドープ誘電体蒸着などのドーピング工程ステップで、バルク半導体基板の前面または後面を処理することにより行ってもよい。あるいは、本発明による別の実施形態では、ドープコンタクト層を半導体基板の表面に形成するステップが、ドープ反射防止膜および/またはドープ不動態化誘電体を半導体基板上に形成するステップと、反射防止膜および/または不動態化誘電体をレーザアニールするステップとを含んでもよい、選択的コンタクトを形成する方法を提供する。好ましくはレーザアニーリングと同時に、反射防止膜および/または不動態化誘電体の一部を、ドープコンタクト層の部分に対応してレーザ除去してもよい。後者の場合では、選択的ドープコンタクト層は、反射防止膜および/または不動態化誘電体をアニールおよび同時に除去することにより形成し、そのようにドープコンタクト層の形成を別々に行う必要がない。これにより明らかに、選択的コンタクトを形成するための全体的な工程ステップの数は、従来の方法と比較するとなおさら減少する。本発明による方法は、XYZ方向の投影レーザビームを、照射すべき部分に整合させるステップをさらに含んでもよい。本発明による方法は、対物レンズによって、2次元パターンの画像を照射されるべき領域に合わせるステップをさらに含んでもよい。本発明による方法は、2次元パターンの画像の寸法を、照射すべき部分の寸法に一致させるステップをさらに含んでもよい。これは、可変画像拡大システムによって得てもよい。さらに調整は、カメラを使用して、半導体材料層上のビームスポットを視覚化し、その寸法を測定して、拡大を調整することにより行ってもよい。本発明の方法は、パターン認識をさらに含んでもよい。これは、半導体材料を保持するためのステージに機械的に連結され、かつ材料層表面の上に位置したカメラを含むパターン認識システムによって達成してもよい。特定の実施形態では、カメラからの画像を、エッチングまたはレーザ除去したいくつか典型的に3つの位置合わせマークが半導体材料上に位置するように処理してもよい。位置合わせマークにより、半導体材料をレーザ装置の座標系に正確に位置づけすることができる。さらに本発明は、上記請求項の何れか1項による方法によって形成した選択的コンタクトを含む光電池を提供する。そのような光電池は、例えば、標準単結晶および多結晶太陽電池、n型およびp型太陽電池、異なるタイプの基板上で成長したエピタキシャルシリコン太陽電池、ヘテロ接合太陽電池、背面局所拡散不活性化エミッタ太陽電池PERL、不活性エミッタ背面コンタクトセルPERC、バックコンタクト太陽電池またはリアコンタクト太陽電池RCC、BCC、および、交差指型バックコンタクトセルIBCであってもよい。実施例1従来のエミッタコンタクト形成工程:1高ドープn型エミッタ層を形成するための、p型バルクシリコン上への高温でのPOCl3炉拡散2リンケイ酸塩ガラスエッチング3SiNxARC/不動態化層の蒸着4スクリーン印刷による整合前面の金属化例えば国際公開第2009/128679号パンフレットに記載されているような従来技術の選択的エミッタ形成工程:1低ドープn型エミッタ層を形成するための、p型バルクシリコン上へのより低い温度でのPOCl3炉拡散2エミッタ層の選択的レーザアニーリング3リンケイ酸塩ガラスエッチング4SiNxARC/不動態化層の蒸着5スクリーン印刷による整合前面の金属化本発明による選択的エミッタ形成工程1低ドープn型エミッタ層を形成するための、p型バルクシリコン上へのより低い温度でのPOCl3炉拡散2選択的エミッタコンタクトグリッドの2次元パターンに成形したパルスレーザビームによる選択的レーザアニーリング;3リンケイ酸塩ガラスエッチング4SiNxARC/不動態化層の蒸着5スクリーン印刷による整合前面の金属化本発明による代替の選択的エミッタ形成工程1低ドープn型エミッタ層を形成するための、p型バルクシリコン上へのより低い温度でのPOCl3炉拡散2選択的エミッタコンタクトグリッドの2次元パターンに成形したパルスレーザビームによる選択的レーザアニーリング;3リンケイ酸塩ガラスエッチング4SiNxARC/不動態化層の蒸着5選択的エミッタコンタクトグリッドの2次元パターンに成形したパルスレーザビームによるレーザ除去;6自己整合金属メッキによる前面の金属化本発明による別の代替の選択的エミッタ形成工程1低ドープn型エミッタ層を形成するための、p型バルクシリコン上へのより低い温度でのPOCl3炉拡散2リンケイ酸塩ガラスエッチング3SiNxARC/不動態化層の蒸着4選択的エミッタコンタクトグリッドの2次元パターンに成形したパルスレーザビームによる選択的レーザアニーリングおよびレーザ除去;5自己整合金属メッキによる前面の金属化本発明による別の代替の選択的エミッタ形成工程1ドープSiNxARC/不動態化層の蒸着2選択的エミッタコンタクトグリッドの2次元パターンに成形したパルスレーザビームによる選択的レーザアニーリングおよびレーザ除去;3自己整合金属メッキによる前面の金属化実施例2従来の交差指型バックコンタクトセルIBC太陽電池の製造工程フローを、6ステップのフォトリソグラフィと、最終の焼結およびアニーリングステップPracticalHandbookofPhotovoltaics,FundamentalsandApplications,TomMarkvartLuisCastaner,Elsevierに記載されているようなとを用いて以下に記述する。1高寿命<100>FZシリコンウェハの初期酸化2Nエミッタのフォトリソグラフィ3開口Nエミッタ領域の酸化物エッチング4リンの前蒸着5Pエミッタのフォトリソグラフィ6開口Pエミッタ領域の酸化物エッチング7ホウ素の前蒸着8ウェハ裏面のテクスチャ処理太陽電池前面9薄い酸化物または誘電体の成長10コンタクトのフォトリソグラフィ11開口コンタクト領域の酸化物または誘電体エッチング12レベル1の金属化13金属1のフォトリソグラフィ14金属1のエッチング15金属間誘電体の蒸着16フォトリソグラフィによって17金属間誘電体のエッチング18レベル2の金属化19金属2のフォトリソグラフィ20金属2のエッチング21反射防止膜の蒸着22焼結およびアニーリング23ダイシングおよび検査本発明による交差指型バックコンタクトセルIBC太陽電池の製造工程フローにおいて、Nエミッタ領域もしくはPエミッタ領域のどちらか、またはその両方を形成するために、フォトリソグラフィを使用する代わりに、2次元パターンに成形したパルスレーザビームによる選択的レーザアニーリングを使用してもよい。"