"導電体層と誘電体層との周期構造体からなる第1の薄片の一方の面の少なくとも上記導電体層のエッジ上に複数のナノ要素を導入する工程と、上記第1の薄片の上記ナノ要素が導入された上記面に対し、導電体層と誘電体層との周期構造体からなる第2の薄片の一方の面を、上記第1の薄片の上記導電体層と上記第2の薄片の上記導電体層とが互いに交差するように、かつ上記第1の薄片の上記面に対して平行に保ちながら接近させる工程と、上記第1の薄片の上記導電体層と上記第2の薄片の上記導電体層との間に電圧を印加することにより発生する電場により、上記導電体層の上記交差部において互いに対向する上記第1の薄片の上記導電体層のエッジと上記第2の薄片の上記導電体層のエッジとの間に上記ナノ要素を引き込む工程と、上記第1の薄片と上記第2の薄片との間隔を狭めることにより上記交差部における上記第1の薄片の上記導電体層のエッジと上記第2の薄片の上記導電体層のエッジとの間に上記ナノ要素を挟む工程とを有する量子装置の製造方法。上記ナノ要素が量子ドットであることを特徴とする請求項1記載の量子装置の製造方法。上記導電体層の厚さが0.2nm以上100nm以下、上記誘電体層の厚さが上記ナノ要素の大きさと同程度以上10mm以下であることを特徴とする請求項1または2記載の量子装置の製造方法。上記導電体層が金属層であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項記載の量子装置の製造方法。上記ナノ要素が分散された溶液中に上記第1の薄片を浸漬することにより上記第1の薄片の上記面に上記ナノ要素を導入することを特徴とする請求項1~4のいずれか一項記載の量子装置の製造方法。上記ナノ要素が分散された溶液中において上記第2の薄片の上記面を上記第1の薄片の上記面に接近させることを特徴とする請求項5記載の量子装置の製造方法。上記ナノ要素が分散された溶液中において上記第1の薄片の上記導電体層と上記第2の薄片の上記導電体層との間に電圧を印加することにより発生する電場により、上記交差部における上記第1の薄片の上記導電体層のエッジと上記第2の薄片の上記導電体層のエッジとの間に上記ナノ要素を引き込むことを特徴とする請求項6記載の量子装置の製造方法。上記ナノ要素が分散された溶液中に上記第1の薄片を浸漬することにより上記第1の薄片の上記面に上記ナノ要素を導入した後、上記溶液から上記第1の薄片を取り出し、上記第1の薄片の上記面に付着した上記溶液の溶媒を蒸発させることを特徴とする請求項5記載の量子装置の製造方法。粉末状またはナノ粒子状の上記ナノ要素を上記第1の薄片の上記面に散布することにより上記第1の薄片の上記面に上記ナノ要素を導入することを特徴とする請求項1~4のいずれか一項記載の量子装置の製造方法。上記第1の薄片の上記面に対し、上記第2の薄片の上記面を、上記第1の薄片の上記導電体層と上記第2の薄片の上記導電体層とが互いに90度の角度で交差するように、かつ上記第1の薄片の上記面に対して平行に保ちながら接近させることを特徴とする請求項1~9のいずれか一項記載の量子装置の製造方法。上記第1の薄片と上記第2の薄片との間隔を狭めることにより上記交差部における上記第1の薄片の上記導電体層のエッジと上記第2の薄片の上記導電体層のエッジとの間に上記ナノ要素を挟んだ後、上記第1の薄片および上記第2の薄片を上記導電体層の上記交差部を通り、かつ上記導電体層の交差角度を分割する分割面に沿って切断することにより切断面に沿って上記交差部を半無限空間に露出させることを特徴とする請求項1~10のいずれか一項記載の量子装置の製造方法。上記第1の薄片の上記面に対し、上記第2の薄片の上記面を、上記第1の薄片の上記導電体層と上記第2の薄片の上記導電体層とが互いに交差するように、かつ上記第1の薄片の上記面に対して平行に保ちながら接近させた後、上記第1の薄片および上記第2の薄片を上記導電体層の上記交差部を通り、かつ上記導電体層の交差角度を分割する分割面に沿って切断することにより切断面に沿って上記交差部を半無限空間に露出させ、その後、切断された上記第1の薄片の上記導電体層と切断された上記第2の薄片の上記導電体層との間に電圧を印加することにより発生する電場により、上記導電体層の上記交差部において互いに対向する上記第1の薄片の上記導電体層のエッジと上記第2の薄片の上記導電体層のエッジとの間に上記ナノ要素を引き込むことを特徴とする請求項1~10のいずれか一項記載の量子装置の製造方法。しかしながら、上述の従来の機能素子においては、2枚の薄片の互いに対向する導電体層のエッジ間に正確に量子ドットを挟むことは必ずしも容易ではなかった。そこで、この発明が解決しようとする課題は、互いに対向する導電体層のエッジ同士の間に量子ドットなどのナノ要素を正確にかつ容易に挟むことができる量子ドット装置などの量子装置の製造方法を提供することである。上記課題を解決するために、この発明は、導電体層と誘電体層との周期構造体からなる第1の薄片の一方の面の少なくとも上記導電体層のエッジ上に複数のナノ要素を導入する工程と、上記第1の薄片の上記ナノ要素が導入された上記面に対し、導電体層と誘電体層との周期構造体からなる第2の薄片の一方の面を、上記第1の薄片の上記導電体層と上記第2の薄片の上記導電体層とが互いに交差するように、かつ上記第1の薄片の上記面に対して平行に保ちながら接近させる工程と、上記第1の薄片の上記導電体層と上記第2の薄片の上記導電体層との間に電圧を印加することにより発生する電場により、上記導電体層の上記交差部において互いに対向する上記第1の薄片の上記導電体層のエッジと上記第2の薄片の上記導電体層のエッジとの間に上記ナノ要素を引き込む工程と、上記第1の薄片と上記第2の薄片との間隔を狭めることにより上記交差部における上記第1の薄片の上記導電体層のエッジと上記第2の薄片の上記導電体層のエッジとの間に上記ナノ要素を挟む工程とを有する量子装置の製造方法である。ナノ要素は、量子装置に持たせる機能に応じて適宜選ばれる。ナノ要素の大きさは、具体的には、例えば0.2nm以上300nm以下であるが、これに限定されるものではない。ナノ要素は、例えば、量子ドット、取り分け半導体量子ドット、ナノ結晶、ナノ粒子、分子などである。量子装置は、例えば、量子ドット装置であるが、これに限定されるものではない。典型的な一つの例では、量子ドットなどのナノ要素が分散された溶液中に第1の薄片を浸漬することにより第1の薄片の面にナノ要素を導入する。この溶液の溶媒としては、好適には無極性溶媒が用いられる。また、典型的な一つの例では、ナノ要素が分散された溶液中において第2の薄片の面を第1の薄片の面に接近させる。また、典型的な一つの例では、ナノ要素が分散された溶液中において第1の薄片の導電体層と第2の薄片の導電体層との間に電圧を印加することにより発生する電場により、交差部における第1の薄片の導電体層のエッジと第2の薄片の導電体層のエッジとの間にナノ要素を引き込むあるいは自己整合させる。この際には、必要に応じて、第1の薄片および第2の薄片の全体に、横方向の振動横揺れや超音波振動などを加える。こうすることで、交差部における第1の薄片の導電体層のエッジと第2の薄片の導電体層のエッジとの間にナノ要素を引き込みやすくなる。また、他の例では、ナノ要素が分散された溶液中に第1の薄片を浸漬することにより第1の薄片の面にナノ要素を導入した後、この溶液から第1の薄片を取り出し、第1の薄片の面に付着した溶液の溶媒を蒸発させる。第1の薄片をナノ要素が分散された溶液に浸漬する代わりに、粉末状またはナノ粒子状のナノ要素を第1の薄片の面に散布することにより、第1の薄片の面にナノ要素を導入するようにしてもよい。この場合、例えば、粉末状またはナノ粒子状のナノ要素を第1の薄片の面に散布した後、この第1の薄片に例えば超音波振動を加えることなどにより、第1の薄片上にナノ要素が一層だけ、導入されるようにする。典型的には、第1の薄片の面に対し、第2の薄片の面を、第1の薄片の導電体層と第2の薄片の導電体層とが互いに90度の角度で交差するように、かつ第1の薄片の面に対して平行に保ちながら接近させる。必要に応じて、第1の薄片と第2の薄片との間隔を狭めることにより交差部における第1の薄片の導電体層のエッジと第2の薄片の導電体層のエッジとの間にナノ要素を挟んだ後、第1の薄片および第2の薄片を導電体層の交差部を通り、かつ導電体層の交差角度を分割する分割面に沿って切断することにより切断面に沿って上記の交差部を半無限空間に露出させる。また、必要に応じて、第1の薄片の面に対し、第2の薄片の面を、第1の薄片の導電体層と第2の薄片の導電体層とが互いに交差するように、かつ第1の薄片の面に対して平行に保ちながら接近させた後、第1の薄片および第2の薄片を導電体層の交差部を通り、かつ導電体層の交差角度を分割する分割面に沿って切断することにより切断面に沿って交差部を半無限空間に露出させ、その後、切断された第1の薄片の導電体層と切断された第2の薄片の導電体層との間に電圧を印加することにより発生する電場により、導電体層の交差部において互いに対向する第1の薄片の導電体層のエッジと第2の薄片の導電体層のエッジとの間にナノ要素を引き込むようにしてもよい。ここで、上記の導電体層の交差角度を分割する分割面は、典型的には、上記の導電体層の交差角度の二等分面であるが、これに限定されるものではない。第1の薄片および第2の薄片の導電体層は、典型的には金属層であり、金属としては、例えば金、パラジウム、白金、チタン、ニッケルなどの各種の金属のほか、互いに異なる二種類以上の金属からなる各種の合金を用いることもでき、これらの中から必要に応じて選ばれる。また、第1の薄片および第2の薄片の誘電体層は、有機または無機の誘電体からなり、有機誘電体としては高分子を用いることができ、無機誘電体としては例えば二酸化シリコン、酸化アルミニウムなどを用いることができる。導電体層の厚さ第1の薄片および第2の薄片の面内方向の厚さは必要に応じて選ばれるが、典型的には0.2nm以上100nm以下である。また、誘電体層の厚さ第1の薄片および第2の薄片の面内方向の厚さも必要に応じて選ばれるが、一般的にはナノ要素の大きさと同程度以上10mm以下、典型的には0.2nm以上50μm以下である。量子ドットは、各種の半導体からなるものであってよく、コアとその周りのシェルとからなるコア-シェル構造のものであってもよい。量子ドットの形状は、典型的には球形であるが、球形から少しずれた形状であってもよい。量子ドットの直径あるいは平均径は典型的には数nm例えば3nm~20nmであるが、これに限定されるものではない。量子ドット装置は、典型的には量子ドット、取り分け半導体量子ドットの発光を利用する量子ドット発光装置であるが、量子ドットの特性を利用するものであればどのようなものであってもよい。導電体層と誘電体層との周期構造体からなる第1の薄片または第2の薄片を製造する方法は特に限定されるものではないが、例えば、ロールツーロールプロセスにより、半径方向に導電体層と誘電体層とが交互に周期的に形成された円板状のロールを作製し、このロールから薄片を切り出すことにより製造することができる。第1の薄片または第2の薄片は典型的には正方形または長方形であるが、これに限定されるものではない。また、第1の薄片または第2の薄片の大きさや厚さも必要に応じて選ばれる。また、第1の薄片または第2の薄片は互いに同一のものであってもよいし、互いに異なるものであってもよく、例えば、第1の薄片または第2の薄片の導電体層の間隔や材料などが互いに異なってもよい。必要に応じて、第1の薄片と第2の薄片とをそれらの導電体層の交差部にナノ要素を挟んで積層した後に、第1の薄片側または第2の薄片側にさらに1層または2層以上の薄片を積層してもよい。第1の薄片または第2の薄片とこれらの薄片との間、あるいは、これらの薄片の間には、それらの導電体層の交差部にナノ要素を挟んでもよいし、挟まなくてもよい。この発明によれば、第1の薄片の導電体層と第2の薄片の導電体層との間に電圧を印加することにより発生する電場により、導電体層の交差部において互いに対向する第1の薄片の導電体層のエッジと第2の薄片の導電体層のエッジとの間にナノ要素を引き込むことができ、第1の薄片の導電体層のエッジと第2の薄片の導電体層のエッジとの間のエネルギーが最小の位置にナノ要素を位置決めすることができる。そして、この状態で第1の薄片と第2の薄片との間隔を狭めることにより交差部における第1の薄片の導電体層のエッジと第2の薄片の導電体層のエッジとの間にナノ要素を挟むことができる。こうして、互いに対向する導電体層のエッジ同士の間にナノ要素を正確にかつ容易に挟むことができ、第1の薄片の選択された導電体層と第2の薄片の選択された導電体層との間に電圧を印加することにより、選択されたナノ要素に電圧を印加することができ、あるいは電流を流すことができる量子装置を容易に製造することができる。以下、この発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施の形態においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。まず、この発明の第1の実施の形態について説明する。この第1の実施の形態においては、量子ドット装置の製造方法について説明する。図1AおよびBは真空蒸着装置の真空チェンバー11の正面図および側面図である。図1AおよびBに示すように、この第1の実施の形態においては、ローラ12に、例えば幅が狭くて薄い平坦なテープ状の樹脂製ベースフィルムなどの誘電体層13を巻き付けておき、この誘電体層13の一方の面に、蒸着源14から金属などの導電体を蒸発させて薄く導電体層図示せずを形成した後、この導電体層付き誘電体層13を巻き取りローラ15で巻き取る。符号16は誘電体層13を両側から保持する支持板を示す。ここで、誘電体層13の厚さは例えば0.2nm以上50μm以下、導電体層の厚さは例えば0.2nm以上100nm以下とするが、これに限定されるものではない。上述のようにして導電体層付き誘電体層13が巻き取りローラ15で巻き取られることにより、図2に示すように、誘電体層13と導電体層17とが半径方向に交互に積層されたスパイラル構造体が形成される。ただし、図1においては、図示の都合上、スパイラル構造を同心円構造で代用している。次に、必要に応じて、この円板状のスパイラル構造体の両面を化学機械研磨CMP法などにより研磨して平坦化する。次に、こうして両面が研磨された円板状のスパイラル構造体の一部を図2の一点鎖線の四角形長方形または正方形で示されるように切り出す。図3に、こうして切り出された薄片18を示す。図3に示すように、この薄片18においては、面内方向にストライプ状の誘電体層13および導電体層17が交互に周期的に形成されている。ここで、薄片18の誘電体層13および導電体層17は厳密にはスパイラル構造を有し、湾曲しているが、導電体層17の周期を十分に小さく、例えば10nm~1μmに選ぶことにより、これらの誘電体層13および導電体層17は直線状に延在しているとみなすことができる。図3においては、一例として薄片18における導電体層17の数が7である場合が図示されているが、これに限定されるものではない。次に、この薄片18の各導電体層17に外部リード線図示せずを接続する。次に、図4Aに示すように、無極性溶媒に直径Dの半導体量子ドットなどの量子ドット19を分散させた量子ドット溶液20が入れられた容器21を振動台22の上に置く。量子ドット溶液20の無極性溶媒としては従来公知の各種のものを用いることが、必要に応じて選ばれるが、具体的には、例えば、エチルエーテル、イソフタル酸、アマニ油不飽和脂肪酸系オイル、キシレン、クロロホルム、四塩化炭素、二硫化炭素、ヘキサン、ベンゼンなどを用いることができる。この振動台22は、横方向の振動横揺れや超音波振動などを起こすことができるように構成されている。横揺の振幅や超音波振動の強度は必要に応じて選択することができるようになっている。容器21の底の上には支持台23が設置されている。次に、図4Bに示すように、容器21中の量子ドット溶液20の中に上記の薄片18を浸漬し、この薄片18を支持台23上に固定する。この状態で放置すると、量子ドット溶液20中の量子ドット19がこの薄片18の面に堆積し、分散される。この量子ドット19は、少なくとも、後にこの薄片18に別の薄片を重ねた時にこれらの薄片の導電体層17の交差部となる部分の導電体層17のエッジ上に存在するようにする。そのためには、好適には薄片18上の交差部の面密度の例えば1~100倍程度になるように量子ドット19を堆積させる必要があるが、最も好適には、薄片18の面全体を埋め尽くすように高密度で堆積させる。図5に、薄片18の面に量子ドット19が高密度に分散された様子の一例を示す。次に、図6に示すように、図3に示すものと同様な構成を有し、各導電体層17に外部リード線図示せずが接続されたもう一つの薄片24を量子ドット溶液20中に浸漬し、この薄片24の一方の面を、量子ドット19が分散された薄片18の面に対し、それらの誘電体層13および導電体層17が互いに交差するように、典型的には90度の角度で交差するように、かつ薄片18の面と平行に保持しながら接近させる。こうして、これらの薄片18、24間の間隔を量子ドット19の直径Dより少し大きい値に設定する。この際、必要に応じて、LCRメータなどを用いて薄片18、24間の静電容量をモニターすることにより、薄片18、24のアラインメント状況、具体的には薄片18、24間の間隔を把握する。薄片18、24間の静電容量はこれらの薄片18、24間の間隔が小さくなるのに伴い増加することから、薄片18、24間の静電容量が十分に大きくなったことを確認して薄片18、24間の間隔を容易に直径Dより少し大きい値に設定することができる。図7はこの状態の薄片18、24の斜視図を示す。次に、振動台22により容器21に振動を与えながら、薄片18の各導電体層17に接続された外部リード線と薄片24の各導電体層17に接続された外部リード線との間に図示省略した電源により所定の電圧を印加することにより電場を発生させ、この電場によりこれらの薄片18、24の各導電体層17の交差部におけるエッジの間に引き込む。この印加電圧については後述する。容器21に与える振動は、例えば、比較的振幅の大きい横揺れや弱い超音波振動などである。次に、薄片18と薄片24との間隔を狭めることにより、交差部における薄片18の導電体層17のエッジと薄片24の導電体層17のエッジとの間に量子ドット19を挟む。この際、必要に応じて、LCRメータなどを用いて薄片18、24間の静電容量をモニターすることにより、薄片18、24のアラインメント状況、具体的には薄片18、24間の間隔を把握する。薄片18、24間の静電容量はこれらの薄片18、24間の間隔が小さくなるのに伴い増加することから、薄片18、24間の静電容量が十分に大きくなったことを確認して薄片18、24間の間隔を容易に直径Dより少し大きい値に設定することができる。以上により、図8に示すように、薄片18上に、この薄片18と全く同様な構造を有するもう一つの薄片24が、それらの誘電体層13および導電体層17が互いに90度の角度で交差し、かつこの交差部において導電体層17のエッジ間に量子ドット19を挟んで対向するように積層された積層構造体が形成される。その状態で、薄片18、24同士を固定する。例えば、薄片18、24の積層構造体の四つの側面端面に例えばエポキシ系接着剤などの接着剤により、例えばポリメチルメタクリレートPMMAなどからなる透明な支持板を貼り付ける。次に、薄片18、24の積層構造体の両面および積層構造体の側面に貼り付けられた支持板に、例えばエポキシ系接着剤などの接着剤により、例えばPMMAなどからなる透明な支持板を貼り付ける。こうすることで、薄片18、24同士が密着した積層構造体が形成され、量子ドット装置が製造される。ここでは、薄片18、24の平面形状は正方形であるとする。この積層構造体の平面図を図9に示す。図10AおよびBは、薄片18の一つの導電体層17と薄片24の一つの導電体層17との交差部を、誘電体層13の図示を省略した上で拡大して示した斜視図および平面図である。図10Bに示すように、薄片18の一つの導電体層17と薄片24の一つの導電体層17との交差部の大きさは辺の長さがdの正方形である。図10AおよびBに示すように、薄片18の一つの導電体層17と薄片24の一つの導電体層17との交差部には量子ドット19が挟まれている。ここで、薄片18、24の各導電体層17の交差部におけるエッジ間に量子ドット19引き込むために、薄片18の各導電体層17と薄片24の各導電体層17との間に印加する電圧について説明する。薄片18の各導電体層17と薄片24の各導電体層17との間に電圧を印加すると、薄片18の導電体層17と薄片24の導電体層17との交差部に電場が生じる。導電体層17の厚さは例えば0.2nm以上100nm以下と十分に小さいので、交差部において互いに対向する導電体層17のエッジ間に発生する電場は、図11に示すように、薄片18の導電体層17のエッジに置かれたこの導電体層17の厚さと同等の直径を有する微小半径のワイヤーW1と、同じく薄片24の導電体層17のエッジに置かれたこの導電体層17の厚さと同等の直径を有する微小半径のワイヤーW2とによる電場で近似することができる。これらのワイヤーW1、W2の単位長さ当たりの電荷量をqとすると、これらのワイヤーW1、W2の周りの電場はで与えられる。今、図11に示すようにx-y-z座標軸を取り、薄片18の導電体層17と薄片24の導電体層17との交差がx,y=0,0で起きるとする。式1より、z軸上では、電場の強さEはとなる。ワイヤーW1とワイヤーW2との間の電位差をVとすると、ワイヤーW1、W2の半径をaとしてとなる。式3よりであり、微小電荷をワイヤーW1からワイヤーW2まで移動させる時のエネルギーE0はであり、これを積分することで、交差部において互いに対向する導電体層17のエッジ間に発生する電場の持つエネルギーは、単位長さ当たりと近似的に求まる。他方、交差部において互いに対向する導電体層17のエッジ間に、誘電率εの量子ドット19が挟まると、単位長さ当たりなるエネルギーが、交差部において互いに対向する導電体層17のエッジ間に蓄えられる。従って、交差部において互いに対向する導電体層17のエッジ間の間隔がbである場合、これらの導電体層17のエッジ間に、導電体層17の厚さと同じオーダーないしはその数倍の大きさの直径Dを有する量子ドット19が挟まれるとなるエネルギー差ΔEnが発生する。量子ドット19を例えばSi、Geなどの元素半導体やGaAs、CdTe、ZnSeなどの化合物半導体により形成するとすると、これらの半導体の誘電率εは10ε0ε0は真空の誘電率程度であるので、ε0-ε<0であり、導電体層17のエッジ間に量子ドット19が挟まれることで、交差部において互いに対向する導電体層17のエッジ間に蓄えられるエネルギーは安定化する。以上は、薄片18、24が真空あるいは空気中に置かれた場合の比較であるが、薄片18、24が、上述のように無極性溶媒を用いた量子ドット溶液20中に置かれた場合に対する比較でも、無極性溶媒の誘電率はε~3~5ε0であるので、ε0-ε<0になり得る。次に、エネルギー差ΔEnの大きさを見積もる。上記のような量子ドット19と無極性溶媒とを用いた場合にはε0-ε~5ε0と置くことができる。典型的な状況で、薄片18の各導電体層17と薄片24の各導電体層17との間に印加する電圧Vが1V、b~10nm、a~1nm、D~2nmとすると、ε0~8.9×1012F/mであるので、となり、熱エネルギーを十分に凌駕できる値である。従って、無極性溶媒を用いた量子ドット溶液20中のように量子ドット19が自由に動ける状態で、薄片18の導電体層17と薄片24の導電体層17との交差部の近傍に量子ドット19が存在する場合には、量子ドット19はこの交差部に引き込まれてくる。これにより、薄片18の導電体層17と薄片24の導電体層17との交差部に量子ドット19を選択的に配置することができる。薄片18、24の具体例を挙げると次の通りである。誘電体層13として帝人デュポン株式会社製の幅5mm、厚さ100μmのポリエチレンナフタレートPENフィルム商品名:T15EONEXQ65を用い、これをクリーンな環境下でフィルムロールシステムによりスリッターを用いて切断して幅を2mmとした。こうして作製した幅2mm、厚さ100μmのPENフィルム上に真空蒸着法により導電体層13としてニッケル薄膜を成膜しながら巻き取り用のロールにより巻き取る。ニッケル薄膜の成膜は、例えば、国際公開第09/041239号に記載されたものと同様な真空蒸着装置により同様な手順で行った。ニッケル薄膜の厚さは17nmとした。次に、ニッケル薄膜を成膜したPENフィルムを巻き取ったロールから、図2において一点鎖線で示す四角形の形状の薄片状の積層体を切り出す。こうして、薄片18、24が得られる。一例として、PENフィルム上に真空蒸着法により厚さ20nmのニッケル薄膜を成膜した試料の断面透過型電子顕微鏡像断面TEM像を図12に示す。図12において、ニッケル薄膜の表面を覆っている接着剤は、断面TEM観察用試料の作製時にニッケル薄膜側に支持基板図示せずを接着する際に用いた接着剤を示す。図12より、ニッケル原子はPENフィルムに潜り込んでおらず、明瞭なニッケル/PEN界面が形成されていること、このニッケル/PEN界面は極めて平坦であることが分かる。量子ドット19は従来公知の方法によって形成することができるが、ここでは一例としてCdTeナノ結晶を水性合成法により形成する方法について説明するJPhysChemC20071111462814637参照。典型的な標準の合成方法では、0.985g2.35mmolのCdClO426H2OAlfaAesar社製を125mLの水に溶解し、攪拌下、チオール安定剤を加え、NaOHの1M溶液を滴下することによりpHを調整する。この溶液を、隔壁とバルブとを備えた三つ口フラスコ内に入れ、窒素N2ガスを30分間バブリングして脱気する。その後、攪拌下、遅い窒素ガス流と一緒にH2Teガスをこの溶液中に通す。CdTeナノ結晶の前駆体が、この段階下記の反応式1を参照のことで形成される。CdTeナノ結晶の形成および成長は、オープンエアの条件の下、100°Cでの還流で下記の反応式2により進行する。この際、配管は、H2Teガスの高い反応性のため、ゴムや一般的なポリマーチューブではなく、ガラス材による接続が強く推奨される。この合成手順は、簡単にスケールアップできることに留意されたい。実際、実験室の条件下においても、反応式2は、一定して数gのCdTeナノ結晶粉末が得られる。H2Teガスは、CdTeナノ結晶の合成だけでなく、HgTeまたはZnTeのような他のテルル化合物のナノ結晶の合成に対しても、反応式3に従ったAl2Te3の粉末や粒の化学分解反応、あるいは、反応式4に従ってのTe電極の電気化学的還元など、少なくとも二つの異なる方法にも用いられる。CdTeナノ結晶の標準的な水性合成はチオール/Cd比およびpHの最適化により改善できる。2.45と1.1との間の異なるTGAチオグリコール酸、thioglycolicacid/Cd比のもとで調べたところ、TGA/Cd比を減少させるとCdTeナノ結晶のフォトルミネッセンスPL量子効率の大幅な増加につながることが分かった。CdTeナノ結晶の品質への影響を理解すべく、溶液組成の数値シミュレーションの結果と実験データとを比較したところ、TGA濃度の減少に伴うCdTeナノ結晶のPL量子効率の増加は、Cd-SR複合体CdとTGAとの電荷を帯びない1:1の複合体の相対的な濃度増加に起因することが判った。この傾向は、TGA/Cd比の非常に低い値に対しては1に近づくと、この系における安定剤の量が、CdTeナノ結晶が凝集しないようする上で不十分となるため、自然に制限される。合成中に少なくとも二つの異なる要因の競合がある。一つは、TGA濃度の低下に伴い、溶液内の他の可能な複合体に対する1:1Cd-SRの複合体の相対濃度が上昇するため、CdTeナノ結晶の表面の品質が改善する点である。もう一つは、成長するCdTeナノ結晶の安定性および表面パッシベーションを提供するために、安定剤として十分な量のTGAが、溶液中に存在しなければならない点である。この競合の結果、合成時点ですでに室温にて40~60の良好なPL量子効率で発光するCdTeナノ結晶を生成する最適のTGA/Cd比は1よりもわずかに高くなっている。実験的に得られた最適値は1.30、1.32および1.20である。pH値は、合成後の、チオールに覆われたCdTeナノ結晶のPL量子効率に強い影響を与えるもう一つの重要な要素である。同様にpHは、合成中にCdTeナノ結晶の品質に影響を及ぼすと考えられる。異なるキャップ配位子を用いる合成に対する最適なpH値は安定剤の性質に強く依存する。TGAの場合には、推奨されるpH値は11.2~11.8である。この安定剤に対しては、溶液の初期のpH値が増えると、CdTeナノ結晶の成長速度が増加することがわかった。この速度増加の結果、粒径分布を狭くする合成条件に特化することができるようになった。例えば、pH値12.0、TGA/Cd比1.3で合成したCdTeナノ結晶は、直径が約3nm、PLのピークが約600nmにあるとき、PL半値幅FWHMは39nm、PL量子効率は45、ストークスシフトは100meVと小さいことがわかった。水中で合成されたCdTeナノ結晶は、アセトンの存在下で長鎖チオール1-ドデカンチオールと部分的な配位子交換をして、トルエンのような非極性有機溶媒中に転送することができる。転送効率は90に達するが、1-ドデカンチオール/トルエン/アセトン混合物の成分比典型的には1:1:4の比に依存し、またこの成分比は、CdTeナノ結晶の濃度およびその平均サイズに依存することがわかった。好ましい成分比は、1:1:3から1:1:8の間である。以上のように、この第1の実施の形態によれば、薄片18上に、この薄片18と全く同様な構造を有するもう一つの薄片24が、それらの誘電体層13および導電体層17が互いに90度の角度で交差し、かつこの交差部において導電体層17のエッジ間に正確に位置合わせされて量子ドット19が挟まれて対向するように積層された積層構造体からなる量子ドット装置を容易に実現することができる。また、この量子ドット装置は2枚の薄片18、24を積層した積層構造体からなるため、機械的強度が高く、寿命が長いだけでなく、取り扱いが容易である。この量子ドット装置は、例えば、量子ドット発光装置として用いることができる。この量子ドット発光装置においては、所定の電源により、薄片18の選択された導電体層17と薄片20の選択された導電体層17との間に電流を流すことにより、これらの導電体層17の交差部に挟まれた単一の量子ドット19から発光を起こさせることができ、単一光子光源が縦横に配列された集積型単一光子光源を実現することができる。この場合、薄片18の導電体層17と薄片20の導電体層17のエッジ同士が対向した構造を有するため、この導電体層17のエッジ間に挟まれた量子ドット19に電流を高密度に集中させることができ、効率よく電流を流すことができる。次に、この発明の第2の実施の形態による量子ドット装置の製造方法について説明する。この第2の実施の形態においては、第1の実施の形態と同様にして薄片18、24を量子ドット19の直径Dより少し大きい間隔に接近させた後、図13に示すように、薄片18、24の全体が支持板により囲まれた積層構造体をこれらの薄片18、24の誘電体層13および導電体層17の交差部を通り、かつ誘電体層13および導電体層17の交差角度を二等分する二等分面25薄片18、24の誘電体層13および導電体層17の延在方向に対して45度の角度をなすに沿って切断し、二分割する。切断には種々の方法を用いることができ、必要に応じて選ばれるが、例えば、フェムト秒レーザによるパルスレーザ光を用いて切断することができる。こうして二分割されて三角柱状に断片化された薄片18、24の一方を図14に示す。次に、第1の実施の形態と同様にして、この三角柱状の断片化された薄片18、24において、振動台22により容器21に振動を与えながら、薄片18の各導電体層17に接続された外部リード線と薄片24の各導電体層17に接続された外部リード線との間に所定の電圧を印加することにより電場を発生させ、この電場によりこれらの薄片18、24の各導電体層17の交差部におけるエッジ間に量子ドット19を引き込む。この後、第1の実施の形態と同様にして、薄片18、24間の間隔を狭めことにより、交差部における薄片18の導電体層17のエッジと薄片24の導電体層17のエッジとの間に量子ドット19を挟む。以上により、図15に示すように、三角柱状に断片化された薄片18、24の互いに90度の角度で交差し、互いに対向する導電体層17のエッジ間に量子ドット19が挟まれた積層構造体が形成される。この後、この積層構造体の両面および積層構造体の側面に支持板を貼り付け、この支持板に、例えばエポキシ系接着剤などの接着剤により、例えばPMMAなどから支持板を貼り付ける。こうすることで、薄片18、24同士が密着した積層構造体が形成され、量子ドット装置が製造される。この量子ドット装置の側面図を図16に、切断面からなる底面を図17に示す。図15~図17図に示すように、この量子ドット装置においては、表面に露出した切断面からなる底面に、量子ドット19を挟んで薄片18の導電体層17と薄片24の導電体層17とがその幅方向にエッジ同士が対向し、かつ互いに90°の角度で交差している。この量子ドット装置における導電体層17の形状の詳細を示すため、図18に、一例として量子ドット装置を構成する一対の導電体層17の形状を示す。図18においては、他の導電体層17の図示を省略してある。この第2の実施の形態によれば、第1の実施の形態と同様な利点を得ることができるほか、次のような利点を得ることもできる。すなわち、この第2の実施の形態によれば、薄片18の導電体層17と薄片24の導電体層17とのエッジ間に量子ドット19が挟まれた構造が表面に露出しているため、例えば、この表面に露出した量子ドット19にだけ電流を流すことにより、この量子ドット19から発光を起こさせることができ、こうして量子ドット19から発生した光を被照射物の極微領域だけに照射することができる。以上、この発明の実施の形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の実施の形態において挙げた数値、材料、形状、配置などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれらと異なる数値、材料、形状、配置などを用いてもよい。具体的には、例えば、量子ドットを構成する半導体材料として間接遷移型のもの例えば、シリコンを用いてもよい。この場合も、量子ドットのサイズの有限性からくる運動量保存則の緩和から発光素子として機能させることができる。また、勿論、この発明は、半導体量子ドットなどを用いて、この発明の量子装置の構造や構成方法を以て、電子あるいはホール正孔による電荷あるいはスピンの輸送を利用した量子装置に適用することもできることは言うまでもない。また、第2の実施の形態において、薄片18、24の積層構造体を、図13に示すように、二点鎖線で示す方向に沿って切断するようにしてもよい。"