Moを含む電極、及び、該電極に接続されたVI-A族元素を含む光電変換部を備え、前記電極は、受光面側の表面における、前記光電変換部が配置されていない部位に凹部を有し、前記凹部に、電子を外部へ導く導電性材料が接続されている、太陽電池モジュール。前記導電性材料に金属蒸着層が含まれる、請求項1に記載の太陽電池モジュール。前記金属蒸着層の厚さが、5nm以上150nm以下である、請求項2に記載の太陽電池モジュール。前記導電性材料に、導電性ペースト層が含まれる、請求項1~3のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。前記導電性材料に導電性ペースト層が含まれ、該導電性ペースト層と前記電極との間に前記金属蒸着層が存在している、請求項2又は3に記載の太陽電池モジュール。前記導電性ペースト層に、Ag、C、Cu、及び、Niからなる群より選択された少なくとも1種が含有されている、請求項4又は5に記載の太陽電池モジュール。前記VI-A族元素は、O、S、及び、Seからなる群より選択された少なくとも1種である、請求項1~6のいずれか1項に記載の太陽電池モジュール。Moを含む電極の表面に、VI-A族元素を含む光電変換部を形成する光電変換部形成工程と、前記電極の受光面側の表面における、前記光電変換部が配置されていない部位に、凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部に、電子を外部へ導く導電性材料を接続する接続工程と、を有する、太陽電池モジュールの製造方法。前記導電性材料に金属蒸着層が含まれ、前記接続工程に、前記金属蒸着層を形成する工程が含まれる、請求項8に記載の太陽電池モジュールの製造方法。前記金属蒸着層を形成する工程が、厚さ5nm以上150nm以下の前記金属蒸着層を形成する工程である、請求項9に記載の太陽電池モジュールの製造方法。前記導電性材料に導電性ペースト層が含まれ、前記接続工程に、前記導電性ペースト層を形成する工程が含まれる、請求項8~10のいずれか1項に記載の太陽電池モジュールの製造方法。前記導電性材料に導電性ペースト層が含まれ、前記接続工程に、前記凹部と接触するように前記金属蒸着層を形成する工程、及び、形成された前記金属蒸着層の表面に前記導電性ペースト層を形成する工程が含まれる、請求項9又は10に記載の太陽電池モジュールの製造方法。前記導電性ペースト層に、Ag、C、Cu、及び、Niからなる群より選択された少なくとも1種が含有されている、請求項11又は12に記載の太陽電池モジュールの製造方法。前記VI-A族元素は、O、S、及び、Seからなる群より選択された少なくとも1種である、請求項8~13のいずれか1項に記載の太陽電池モジュールの製造方法。薄膜太陽電池では、裏面電極にMoが用いられることがある。薄膜太陽電池の裏面電極にMoを用いた場合、裏面電極の表面にはMoSe2層が形成される。このMoSe2層は、裏面電極の厚さよりも十分に薄い高抵抗層である。それゆえ、特許文献1に開示されているように導電性ペーストを用いても、導電性ペーストと裏面電極との間には高抵抗層が介在しているため、太陽電池モジュールから電子を取り出す際の効率が低減しやすいという問題があった。そこで本発明は、電子を取り出す際の効率を高めることが可能な、太陽電池モジュール及びその製造方法を提供することを課題とする。上記課題を解決するために、本発明は以下の手段をとる。すなわち、本発明の第1の態様は、Moを含む電極、及び、該電極に接続されたVI-A族元素を含む光電変換部を備え、電極は、受光面側の表面における、光電変換部が配置されていない部位に凹部を有し、該凹部に、電子を外部へ導く導電性材料が接続されている、太陽電池モジュールである。ここに、本発明の第1の態様及び以下に示す本発明の第2の態様以下において、単に本発明という。において、Moを含む電極とは、電極表面に光電変換部が形成されると、光電変換部が形成されている側の電極表面に、Moを含有する高抵抗層例えば、MoSe2等が形成される形態で、Moを含んでいる電極をいう。また、本発明において、光電変換部とは、光を入射させることによって電子を生じさせることが可能な物質をいう。また、本発明において、外部とは、太陽電池モジュールの外部をいう。なお、以下において、VI-A族元素をVIb族元素と表記することがある。電極表面の凹部に導電性材料が接続されている形態とすることにより、高抵抗層を介することなく、電子を外部へ導く導電性材料とMoとを直接接触させることが可能になる。したがって、本発明の第1の態様によれば、電子を取り出す際の効率を高めることが可能な、太陽電池モジュールを提供することができる。また、上記本発明の第1の態様において、導電性材料に金属蒸着層が含まれていても良い。かかる形態とすることにより、電子を取り出す際の効率を高めやすくなる。また、導電性材料に金属蒸着層が含まれている上記本発明の第1の態様において、金属蒸着層の厚さが、5nm以上150nm以下であることが好ましい。かかる形態とすることにより、コストの増大を抑制しつつ電子を取り出す際の効率を高めやすくなる。また、上記本発明の第1の態様において、導電性材料に導電性ペースト層が含まれていても良い。かかる形態とすることにより、上記効果に加えて、太陽電池モジュールを薄型化しやすくなる。また、導電性材料に金属蒸着層が含まれている上記本発明の第1の態様において、導電性材料に導電性ペースト層が含まれる場合、該導電性ペースト層と電極との間に金属蒸着層が存在していることが好ましい。かかる形態とすることにより、電子を取り出す際の効率を高めやすくなる。また、導電性材料に導電性ペースト層が含まれている上記本発明の第1の態様において、導電性ペースト層に、Ag、C、Cu、及び、Niからなる群より選択された少なくとも1種が含有されていても良い。かかる形態であっても、電子を取り出す際の効率を高めることが可能になる。また、上記本発明の第1の態様において、VI-A族元素は、O、S、及び、Seからなる群より選択された少なくとも1種であっても良い。かかる形態であっても、電子を取り出す際の効率を高めることが可能になる。本発明の第2の態様は、Moを含む電極の表面に、VI-A族元素を含む光電変換部を形成する光電変換部形成工程と、電極の受光面側の表面における、光電変換部が配置されていない部位に、凹部を形成する凹部形成工程と、該凹部に、電子を外部へ導く導電性材料を接続する接続工程と、を有する、太陽電池モジュールの製造方法である。電極表面の凹部に電子を外部へ導く導電性材料を接続する形態とすることにより、高抵抗層を介することなく、電子を外部へ導く導電性材料とMoとを直接接触させることが可能になる。したがって、本発明の第2の態様によれば、電子を取り出す際の効率を高めることが可能な太陽電池モジュールを製造し得る、太陽電池モジュールの製造方法を提供することができる。また、上記本発明の第2の態様において、導電性材料に金属蒸着層が含まれ、上記接続工程に、金属蒸着層を形成する工程が含まれることが好ましい。かかる形態とすることにより、電子を取り出す際の効率を高めやすくなる。また、接続工程に金属蒸着層を形成する工程が含まれる上記本発明の第2の態様において、金属蒸着層を形成する工程が、厚さ5nm以上150nm以下の金属蒸着層を形成する工程であることが好ましい。かかる形態とすることにより、コストの増大を抑制しつつ電子を取り出す際の効率を高めやすくなる。また、上記本発明の第2の態様において、導電性材料に導電性ペースト層が含まれ、上記接続工程に、導電性ペースト層を形成する工程が含まれても良い。かかる形態とすることにより、上記効果に加えて、薄型化した太陽電池モジュールを製造しやすくなる。また、接続工程に金属蒸着層を形成する工程が含まれる上記本発明の第2の態様において、導電性材料に導電性ペースト層が含まれる場合、接続工程に、凹部と接触するように金属蒸着層を形成する工程、及び、形成された金属蒸着層の表面に導電性ペースト層を形成する工程が含まれることが好ましい。かかる形態とすることにより、電子を取り出す際の効率を高めやすくなる。また、接続工程に導電性ペースト層を形成する工程が含まれる上記本発明の第2の態様において、導電性ペースト層に、Ag、C、Cu、及び、Niからなる群より選択された少なくとも1種が含有されていても良い。かかる形態であっても、電子を取り出す際の効率を高めることが可能になる。また、上記本発明の第2の態様において、VI-A族元素は、O、S、及び、Seからなる群より選択された少なくとも1種であっても良い。かかる形態であっても、電子を取り出す際の効率を高めることが可能になる。本発明によれば、電子を取り出す際の効率を高めることが可能な、太陽電池モジュール及びその製造方法を提供することができる。以下、図面を参照しつつ、本発明について説明する。なお、以下に示す形態は本発明の例示であり、本発明は以下に示す形態に限定されない。1.太陽電池モジュール図1は、本発明の太陽電池モジュール10を説明する上面図である。図1に示したように、太陽電池モジュール10は、その端部に、太陽電池モジュール10で発生させた電子を外部へと導く導電性材料4、4が備えられている。図2は、図1のII-II断面を拡大して示す図である。図2では、裏面電極2及び光電変換部3を簡略化して示している。図2に示したように、太陽電池モジュール10は、基板ガラス1と、該基板ガラス1の表面に配設された裏面電極2と、該裏面電極2の表面に配設された光電変換部3と、該光電変換部3の外側且つ裏面電極2の端部に配置された導電性材料4と、光電変換部3及び導電性材料4、並びに、これらが配置されていない裏面電極2の表面間隔を開けて配置されている光電変換部3及び導電性材料4間の裏面電極2の表面を覆う充填材5と、充填材5を用いて光電変換部3等に接着された表面ガラス6と、を有している。裏面電極2にはMo薄膜が用いられている。また、光電変換部3は、CIGS系薄膜太陽電池に用いられる光電変換層半導体層を含んでおり、その厚さ図2の紙面上下方向の厚さは数μm程度である。太陽電池モジュール10は、表面ガラス6側から光が入射し、光電変換部3で光が吸収されることによって電子及び正孔が生成される。そして、生成した電子は、裏面電極2及び導電性材料4を介して取り出される。図3は、図2の点線で囲んだ領域を拡大して示す図である。図3では、繰り返される一部符号の記載を省略している。図3に示したように、裏面電極2の表面には、裏面電極2全体の厚さ図3の紙面上下方向の厚さと比較して十分に薄いMoSe2層以下において、高抵抗層ということがある。2x、2x、...が形成されている。太陽電池モジュール10では、高抵抗層の一部を除去することにより、裏面電極2の表面に凹部2y、2y、...が形成されており、当該凹部2y、2y、...を有する裏面電極2の表面に金属蒸着層4aが配置され、この金属蒸着層4aの表面に導電性ペースト層4bが配置されている。このように構成される太陽電池モジュール10は、金属蒸着層4aと裏面電極2とを、高抵抗層2x、2x、...を介さずに直接接触させることが可能になる。高抵抗層2x、2x、...は、電子を伝導させる際の抵抗が高い層なので、凹部2y、2y、...を有しないために裏面電極2と導電性材料との間に必ず高抵抗層が存在していた従来の薄膜太陽電池では、光電変換部で生成した電子を外部へ取り出す際の効率が低下しやすかった。これに対し、本発明の太陽電池モジュール10では、凹部2y、2y、...に配置した金属蒸着層4aと裏面電極2とを直接接触させることができるので、従来の薄膜太陽電池よりも電子を外部へ取り出す際の効率を高めることが可能になる。その結果、電流損失の低減や変換効率の向上にも寄与することが可能になる。太陽電池モジュール10において、金属蒸着層4aの厚さ図3の紙面上下方向の厚さは、特に限定されないが、光電変換部3で生成した電子を外部へ取り出す際の効率を高めやすい形態にする観点からは、5nm以上にすることが好ましい。また、厚さを厚くし過ぎても抵抗低減効果は飽和する傾向があり、厚くすると製造コストが増大しやすい。それゆえ、製造コストの増大を抑制しやすい形態にする観点からは、金属蒸着層4aの厚さを150nm以下にすることが好ましい。金属蒸着層4aは、厚さを20nm以上150nm以下とすることがより好ましい。また、導電性ペースト層4bに含有される導電性物質の大きさや形状は特に限定されないが、導電性材料4の厚さが厚くなり過ぎないようにする等の観点から、導電性物質として、例えば、粒径が10nm以上100μm以下の、フレーク状又は球状形状の微粒子を用いることが好ましい。また、導電性ペースト層4bに含有される導電性物質の組成は特に限定されないが、電子を取り出す効率を高めやすい形態にする等の観点から、Ag、C、Cu、及び、Niからなる群より選択された少なくとも1種が含有されていることが好ましい。なお、導電性ペースト層4bには、導電性物質と共にバインダー成分が含有されていても良い。導電性ペースト層4bに用いることが可能なバインダー成分としては、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリイミド、ポリオレフィン等の樹脂を例示することができる。また、太陽電池モジュール10において、基板ガラス1、充填材5、及び、表面ガラス6は特に限定されず、薄膜太陽電池に用いることが可能な公知の基板ガラス、充填材例えばエチレンビニルアセテートEVA樹脂等、及び、表面ガラスを適宜用いることができる。また、光電変換部3は、VI-A族元素VIb族元素とも言う。を含有していればその形態は特に限定されず、例えば、元素周期律表のIb族元素、IIIb族元素、及び、VIb族元素を含むp型半導体と、バッファ層と、透明電極層とが順に積層された積層体に所定のパターニングが施された形態とすることができる。光電変換部3に用いることが可能なp型半導体としては、CuIn、GaSe2CIGS、CuIn、GaSe、S2CIGSS、CuIn、AlSe2CIAS、Cu2ZnSnSe4、及び、Cu2ZnSnS、Se4等を例示することができる。また、光電変換部3に用いることが可能なバッファ層を構成し得る材料としては、CdS、ZnS、In2S3、ZnO、OH、ZnO、ZnO、OH、S、InO、OH、In2O3、InO、OH、S、ZnMgO等を例示することができる。また、光電変換部3に用いることが可能な透明電極層を構成し得る材料としては、Bが添加されたZnO等を例示することができる。本発明の太陽電池モジュールにおいて、裏面電極は、受光面側光電変換部が配設される側の表面に高抵抗層が形成される形態でMoを含んでいれば良く、その形態は、Mo薄膜によって構成される形態に限定されない。裏面電極は、例えば、基板ガラス側に形成された金属層等によって構成される導電層と、受光面側に形成されたMo層とによって構成される多層構造とすることも可能である。このような形態でMoを含む電極にVI-A族元素を含む光電変換部を接続する形成すると高抵抗層が形成され得る。本発明の太陽電池モジュールに関する上記説明では、導電性材料4に金属蒸着層4aが含まれている太陽電池モジュール10を例示したが、本発明の太陽電池モジュールは当該形態に限定されない。ただし、光電変換部で生成した電子の取り出し効率を高めやすい形態にする等の観点からは、導電性材料に金属蒸着層が含まれる形態とすることが好ましい。また、導電性材料に金属蒸着層が含まれる形態とする場合、光電変換部で生成した電子の取り出し効率を高めやすい形態にする等の観点からは、電極と金属蒸着層とが直接接触するように、電極表面の凹部に金属蒸着層を配置することが好ましい。また、本発明の太陽電池モジュールに関する上記説明では、導電性材料4に導電性ペースト層4bが含まれている太陽電池モジュール10を例示したが、本発明の太陽電池モジュールは当該形態に限定されない。ただし、導電性材料の厚さが厚くなり過ぎることに起因して太陽電池モジュールの厚さが厚くなる事態を回避可能にする等の観点からは、導電性材料に導電性ペースト層が含まれる形態とすることが好ましい。そして、導電性材料に導電性ペースト層が含まれる形態とする場合、電子の取り出し効率を高めやすい形態にする等の観点から、導電性ペースト層は、電極表面の凹部にも配置されることにより電極と直接接触可能なように配置された金属蒸着層の上面に、配置されることが好ましい。導電性材料としてリボンワイヤを用いた従来の太陽電池モジュール化合物薄膜太陽電池モジュール90の、端部の断面を図4に示す。図4では、裏面電極92の表面に形成された高抵抗層の記載を省略している。図4に示したように、化合物薄膜太陽電池モジュール90は、基板ガラス91と、該基板ガラス91の表面に配設された裏面電極92と、該裏面電極92の表面に配設された光電変換部93と、該光電変換部93の外側且つ裏面電極92の端部に配置された導電性材料94と、光電変換部93及び導電性材料94、並びに、これらが配置されていない裏面電極92の表面を覆う充填材95と、充填材95を用いて光電変換部93等に接着された表面ガラス96と、を有している。光電変換部93は、CIGS系薄膜太陽電池に用いられる光電変換層半導体層を含んでおり、その厚さ図4の紙面上下方向の厚さ。本段落において以下同じ。は、例えば2.5μm程度である。導電性材料94には、導電性ペースト層94a及びスズめっき銅等によって構成されるリボンワイヤ94bが含まれており、リボンワイヤ94bの厚さは、例えば80μm以上150μm以下程度である。リボンワイヤ94bの厚さが厚いため、リボンワイヤ94bを用いている化合物薄膜太陽電池モジュール90は、これ以上の薄膜化が困難であった。これに対し、本発明の太陽電池モジュール10は、導電性材料4にリボンワイヤが含まれていないので、導電性材料4の厚さを薄くしやすく、導電性材料4の厚さを50μm以下に制御することも可能である。したがって、本発明の太陽電池モジュールによれば、モジュール端部の厚さを大幅に低減することも可能になる。2.太陽電池モジュールの製造方法図5は、本発明の太陽電池モジュールの製造方法以下において、本発明の製造方法ということがある。を説明するフロー図であり、図6は、本発明の製造方法を説明する図である。図6では、各構成を簡略化して示しており、図3と同様に構成されるものには、図3で使用した符号と同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。また、図6では、繰り返される一部符号の記載を省略している。以下、図1乃至図3、図5、及び、図6を適宜参照しつつ、太陽電池モジュール10を製造する本発明の製造方法について、具体的に説明する。図5及び図6に示したように、本発明の製造方法は、光電変換部形成工程S1と、凹部形成工程S2と、接続工程S3と、充填材配置工程S4と、表面ガラス配設工程S5と、を有し、接続工程S3は、金属蒸着層形成工程S31及び導電性ペースト層形成工程S32を有している。光電変換部形成工程以下において、S1ということがある。は、基板ガラス1の上面に公知の方法で形成された裏面電極2の表面に、光電変換部3を形成する工程である。上述のように、光電変換部3は公知の薄膜太陽電池と同様の形態とすることができるので、S1は、公知の方法によって、裏面電極2の表面に光電変換部3を形成する工程、とすることができる。凹部形成工程以下において、S2ということがある。は、裏面電極2の、受光面側の表面における、光電変換部3が配置されていない部位に、凹部2y、2y、...を形成する工程である。S1において、裏面電極2の上面全てに光電変換部3を形成した場合、S2は、公知の方法例えば、メカニカルスクライビング装置やレーザースクライビング装置を用いる方法等によって、導電性材料4を配置すべき光電変換部3の端部を削って裏面電極2の上面より具体的には、表面に高抵抗層2xが形成されている裏面電極2の上面を露出させた後、公知の方法で例えば、100番以上2000番以下の粗さの砥石又は研磨紙等の研磨治具等で削り、高抵抗層2xの一部を除去することにより、凹部2y、2y、...を形成する工程、とすることができる。また、S1において、裏面電極2の端部を覆ったマスキングをした状態で光電変換部3を形成した場合、S2は、裏面電極2の端部を覆っているマスキング部材を除去した後、公知の方法で例えば、100番以上2000番以下の粗さの砥石又は研磨紙等の研磨治具等で削り、導電性材料4を配置すべき光電変換部3の外側に形成されている高抵抗層2xの一部を除去することにより、凹部2y、2y、...を形成する工程、とすることができる。金属蒸着層形成工程以下において、S31ということがある。は、S2の後に、凹部2y、2y、...が形成された裏面電極2の上面に金属蒸着層4aを形成する工程である。より具体的には、光電変換部3と間隔を開けて金属蒸着層4aを形成できるように、光電変換部3の上にマスキング材図6では不図示。以下において同じ。を配置した状態で、マスキング材が配置されていない裏面電極2の端部凹部2y、2y、...が形成されている部位に、金属蒸着層4aを形成する工程である。S31で金属蒸着層4aを形成することにより、凹部2y、2y、...に蒸着させた金属を配置することができるので、高抵抗層2x、2x、...を介することなく、金属蒸着層4aと裏面電極2とを直接接触させることが可能になる。導電性ペースト層形成工程以下において、S32ということがある。は、S31の後に、金属蒸着層4aの上面へ、導電性ペースト層4bを形成する工程である。より具体的には、例えば、金属蒸着層4aの上面にペースト状の導電性組成物を塗布することにより、金属蒸着層4aの上面に導電性ペースト層4bを形成する工程である。S31及びS32を経ることにより、金属蒸着層4a及び導電性ペースト層4bを有する導電性材料4を形成すること裏面電極2と導電性材料4とを接続することができる。充填材配置工程以下において、S4ということがある。は、S32の後に、光電変換部3、裏面電極2、及び、導電性材料4の上側へ、充填材を配置する工程である。表面ガラス配設工程以下において、S5ということがある。は、S4の後に、充填材の上に表面ガラス6を配置する工程である。こうして表面ガラス6を配置したら、例えば公知のラミネート装置を用いて、当該装置内を減圧しながら所定の温度で所定の時間に亘って加熱することにより、充填材を軟化させ、充填材が軟化している状態で厚さ方向図6の紙面上下方向にプレスする過程を経て、太陽電池モジュール10を製造することができる。製造した太陽電池モジュール10は、仕様に応じて、ガラス基板1の裏面に公知のバックシートを配設したり、端部に公知のシール材を配置したりした後、フレームを取り付けて使用される。以上説明したように、本発明の製造方法によれば、太陽電池モジュール10を製造することができる。したがって、本発明によれば、電子を取り出す際の効率を高めることが可能な太陽電池モジュールを製造し得る、太陽電池モジュールの製造方法を提供することができる。本発明の製造方法に関する上記説明では、導電性材料4に金属蒸着層4aが含まれている太陽電池モジュール10を製造する形態を例示したが、本発明の製造方法は当該形態に限定されない。ただし、光電変換部で生成した電子の取り出し効率を高めやすい形態にする等の観点からは、導電性材料に金属蒸着層が含まれる形態とすることが好ましく、かかる観点から、接続工程に金属蒸着層形成工程を有する形態とすることが好ましい。また、金属蒸着層形成工程を有する形態とする場合、光電変換部で生成した電子の取り出し効率を高めやすい形態にする等の観点からは、電極と金属蒸着層とが直接接触するように、電極表面の凹部に金属蒸着層を形成する金属蒸着層形成工程を有することが好ましい。また、本発明の製造方法に関する上記説明では、導電性材料4に導電性ペースト層4bが含まれている太陽電池モジュール10を製造する形態を例示したが、本発明の製造方法は当該形態に限定されない。ただし、導電性材料の厚さが厚くなり過ぎることに起因して太陽電池モジュールの厚さが厚くなる事態を回避可能にする等の観点からは、導電性材料に導電性ペースト層が含まれる形態とすることが好ましく、かかる観点から、接続工程に導電性ペースト層形成工程を有する形態とすることが好ましい。接続工程に導電性ペースト層形成工程を有する形態とする場合、電子の取り出し効率を高めやすい太陽電池モジュールを製造可能にする等の観点から、金属蒸着層形成工程に続いて導電性ペースト層形成工程を行うことが好ましい。スパッタ法により基板ガラスにMoを成膜した後、Arで希釈されたH2Seを3~15程度含むガス中で、基板温度400°Cで約30分間に亘って処理することにより、上層がMoSe2になっているMo薄膜裏面電極を基板ガラスの上面に形成した後、Mo薄膜の端部を500番研磨紙にて研磨することにより、MoSe2層高抵抗層を一部除去した。次いで、研磨していないMo薄膜の中央部分にマスキング材を配置した状態で、蒸着装置を用いて、Mo薄膜の端部にAuを蒸着させることにより、Au蒸着膜金属蒸着層を形成した。Au蒸着膜の厚さは、下記表1に示す3種類とした。その後、金属へらを使って、Au蒸着膜の上面にAgペーストを塗布し、85°Cで300分間に亘って焼結させることにより、導電性材料4に相当する層を形成した。用いたAgペーストは、下記表1に示す2種類とした。導電性材料4に相当する層の形成過程を、図7に示す。基板ガラスの上面に、上層がMoSe2になっているMo薄膜を形成した後の各過程において、デジタルマルチメータを用いて2点間の抵抗値を測定した。抵抗値測定時の様子を、簡略化して図8に示す。図8は、Agペースト塗布後における抵抗値測定の様子を簡略化して示している。抵抗値の測定は、1MoSe2層の除去前、2MoSe2層の除去後、3Au蒸着後、及び、4Agペースト塗布後の各段階で行った。下記表1に示した6種類のサンプルNo.1~No.6を試作し、それぞれのサンプルについて、抵抗値を測定した。下記表1において、D-550は、藤倉化成株式会社製のドータイトD-550ドータイトは藤倉化成株式会社の登録商標。以下において同じ。のことであり、D-723Sは、藤倉化成株式会社製のドータイトD-723Sのことである。以下においても同様である。AgペーストとしてD-550を用いたサンプルNo.1、3、5の抵抗値測定結果を表2に、AgペーストとしてD-723Sを用いたサンプルNo.2、4、6の抵抗値測定結果を表3に、それぞれ示す。表2及び表3に示したように、いずれのサンプルにおいても、Agペースト塗布後の抵抗は、MoSe2層除去前の抵抗の1/100未満になった。したがって、本発明によれば、電子の取り出し効率を高めることが可能であることが分かった。また、多くのサンプルにおいて、Agペースト塗布後の抵抗値が、Agペースト塗布前Au蒸着後の抵抗値以下となった。これは、Au蒸着膜の表面にAgペーストを塗布することにより、Au表面の酸化が抑制された結果、抵抗値が低下したと考えられる。したがって、本発明では、電子の取り出し効率を高めやすい形態にする観点から、金属蒸着層の上面に導電性ペースト層が配設された導電性材料を用いることが好ましい。一方、基板ガラスの上面に形成したMo薄膜裏面電極の上面に形成するAu蒸着膜の厚さを、0nm、1nm、5nm、10nm、20nm、50nm、100nm、及び、150nmの8通りに変化させたサンプルを作製し、図8に示した抵抗値測定と同様の方法で、2点間の抵抗値を測定した。その結果を図9に示す。図9より、Au蒸着膜の厚さを5nm以上とすることにより、抵抗を安定して低減することが可能になることが分かった。また、金属蒸着層の厚さを厚くするほど、抵抗が低減する傾向が認められるため、電子の取り出し効率を向上させやすい形態にする観点からは、金属蒸着層の厚さを厚くすることが好ましい。しかしながら、図9に示したように、金属蒸着層の厚さが一定以上になると、金属蒸着層の厚さ増大による抵抗低減の効果は飽和する。したがって、製造コストの増大を抑制しつつ電子の取り出し効率を向上させることが可能な形態にする観点からは、金属蒸着層の厚さを150nm以下とすることが好ましい。本発明において、金属蒸着層の好ましい厚さは、20nm以上150nm以下である。