IV族元素を含むβ-Ga2O3系結晶からβ-Ga2O3系基板を切り出す工程を含み、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気の少なくともいずれか一方を含む雰囲気下でのアニール処理が、前記β-Ga2O3系基板を切り出す前の前記β-Ga2O3系結晶、又は切り出された前記β-Ga2O3系基板に施される、β-Ga2O3系基板の製造方法。前記還元雰囲気はH2雰囲気である、請求項1に記載のβ-Ga2O3系基板の製造方法。前記不活性ガス雰囲気は、N2雰囲気、Ar雰囲気、Ne雰囲気、及びHe雰囲気のうちの少なくとも1つを含む雰囲気である、請求項1又は2に記載のβ-Ga2O3系基板の製造方法。前記IV族元素はSiである、請求項1~3のいずれか1項に記載のβ-Ga2O3系基板の製造方法。IV族元素を含むβ-Ga2O3系結晶からβ-Ga2O3系基板を切り出す工程と、第1の還元雰囲気及び第1の不活性ガス雰囲気の少なくともいずれか一方を含む第1の雰囲気下で前記β-Ga2O3系基板上に結晶膜をエピタキシャル成長させる工程と、を含み、第2の還元雰囲気及び第2の不活性ガス雰囲気の少なくともいずれか一方を含む第2の雰囲気下でのアニール処理が、前記β-Ga2O3系基板を切り出す前の前記β-Ga2O3系結晶、又は前記結晶膜をエピタキシャル成長させる前の前記β-Ga2O3系基板に施される、結晶積層構造体の製造方法。前記第1及び第2の還元雰囲気はH2雰囲気である、請求項5に記載の結晶積層構造体の製造方法。前記第1及び第2の不活性ガス雰囲気は、N2雰囲気、Ar雰囲気、Ne雰囲気、及びHe雰囲気のうちの少なくとも1つを含む雰囲気である、請求項5又は6に記載の結晶積層構造体の製造方法。前記IV族元素はSiである、請求項5~7のいずれか1項に記載の結晶積層構造体の製造方法。しかし、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法によるエピタキシャル結晶成長等の、還元雰囲気や不活性ガス雰囲気下にドーパントを含むβ-Ga2O3系基板を曝すと、基板自体が還元されてドナー濃度が増加するおそれがある。また、ドナー濃度が増加することにより、主に近赤外よりも長波長側の領域における光吸収特性に変化が生じ、MOCVD等の主に輻射を利用して加熱を行う方法により結晶をエピタキシャル成長させる際に、β-Ga2O3系基板の温度がエピタキシャル成長中に変化する。エピタキシャル結晶成長にとって、基板の温度は結晶品質を左右する非常に重要なパラメータであるため、基板の光吸収特性の変化に伴う温度特性の変化が生じた場合、成長させる結晶品質にばらつきが生じるおそれがある。したがって、本発明の目的は、還元雰囲気や不活性ガス雰囲気下におけるドナー濃度の変化が抑えられたβ-Ga2O3系基板の製造方法、及び還元雰囲気や不活性ガス雰囲気下において品質のばらつきの小さい高品質な結晶膜をエピタキシャル成長させることのできる結晶積層構造体の製造方法を提供することにある。本発明の一態様は、上記目的を達成するために、[1]~[4]のβ-Ga2O3系基板の製造方法、及び[5]~[8]の結晶積層構造体の製造方法を提供する。[1]IV族元素を含むβ-Ga2O3系結晶からβ-Ga2O3系基板を切り出す工程を含み、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気の少なくともいずれか一方を含む雰囲気下でのアニール処理が、前記β-Ga2O3系基板を切り出す前の前記β-Ga2O3系結晶、又は切り出された前記β-Ga2O3系基板に施される、β-Ga2O3系基板の製造方法。[2]前記還元雰囲気はH2雰囲気である、前記[1]に記載のβ-Ga2O3系基板の製造方法。[3]前記不活性ガス雰囲気は、N2雰囲気、Ar雰囲気、Ne雰囲気、及びHe雰囲気のうちの少なくとも1つを含む雰囲気である、前記[1]又は[2]に記載のβ-Ga2O3系基板の製造方法。[4]前記IV族元素はSiである、前記[1]~[3]のいずれか1つに記載のβ-Ga2O3系基板の製造方法。[5]IV族元素を含むβ-Ga2O3系結晶からβ-Ga2O3系基板を切り出す工程と、第1の還元雰囲気及び第1の不活性ガス雰囲気の少なくともいずれか一方を含む第1の雰囲気下で前記β-Ga2O3系基板上に結晶膜をエピタキシャル成長させる工程と、を含み、第2の還元雰囲気及び第2の不活性ガス雰囲気の少なくともいずれか一方を含む第2の雰囲気下でのアニール処理が、前記β-Ga2O3系基板を切り出す前の前記β-Ga2O3系結晶、又は前記結晶膜をエピタキシャル成長させる前の前記β-Ga2O3系基板に施される、結晶積層構造体の製造方法。[6]前記第1及び第2の還元雰囲気はH2雰囲気である、前記[5]に記載の結晶積層構造体の製造方法。[7]前記第1及び第2の不活性ガス雰囲気は、N2雰囲気、Ar雰囲気、Ne雰囲気、及びHe雰囲気のうちの少なくとも1つを含む雰囲気である、前記[5]又は[6]に記載の結晶積層構造体の製造方法。[8]前記IV族元素はSiである、前記[5]~[7]のいずれか1つに記載の結晶積層構造体の製造方法。本発明によれば、還元雰囲気や不活性ガス雰囲気下におけるドナー濃度の変化が抑えられたβ-Ga2O3系基板の製造方法、及び還元雰囲気や不活性ガス雰囲気下において品質のばらつきの小さい高品質な結晶膜をエピタキシャル成長させることのできる結晶積層構造体の製造方法を提供することができる。実施の形態本実施の形態の要点の一つは、β-Ga2O3系基板上のエピタキシャル結晶成長等の、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気の少なくともいずれか一方を含む雰囲気下での工程を行う前に、β-Ga2O3系基板のドナー濃度を予め増加させておくことにより、上記工程におけるドナー濃度の増加に起因する問題を解消することにある。以下、実施の形態の具体的な一例について述べる。β-Ga2O3系基板の製造以下に、β-Ga2O3系基板の製造について説明する。酸化ガリウムが透明性及び導電性を有することから、β-Ga2O3系基板は、電極構造が垂直型の発光素子の基板として有用であり、近年注目されている。まず、EFGEdgedefinedfilmfedgrowth法やFZFloatingZone法等の結晶成長法により、Siをドーパントとして含むβ-Ga2O3系結晶を形成する。β-Ga2O3系結晶中のSi濃度は、β-Ga2O3系基板の所望の電気抵抗率に応じて制御する。EFG法によりβ-Ga2O3系結晶を成長させる場合は、例えば、Ga2O3粉末とドーパントとしてのSiの材料であるSiO2粉末を溶かした融液を種結晶を用いて引き上げることにより結晶成長させ、平板状のβ-Ga2O3系結晶を得る。FZ法を用いる場合は、例えば、鉛直に保持したGa2O3粉末とドーパントとしてのSiの材料であるSiO2粉末からなる試料棒の一部を加熱して溶融部をつくり、その溶融部を表面張力によって支えながら上あるいは下方に移動させることにより結晶成長させ、円柱状のβ-Ga2O3系結晶を得る。β-Ga2O3系結晶は、β-Ga2O3単結晶、又は、Al、In等の元素が添加されたβ-Ga2O3単結晶であり、ドーパントとしてSiを含む。この段階では、育成したβ-Ga2O3系結晶中のSi濃度よりもドナー濃度が低いことが多く、また、Si濃度に対するドナー濃度は育成した結晶によってばらつきがある。そこで、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気の少なくともいずれか一方を含む雰囲気下でのアニール処理を育成したβ-Ga2O3系結晶に施し、育成したβ-Ga2O3系結晶中のドナー濃度を育成したβ-Ga2O3系結晶中のSi濃度に近づけ、Si濃度に対するドナー濃度のばらつきを減少させる。このアニール処理に用いる還元雰囲気は、例えば、H2雰囲気である。また、不活性ガス雰囲気は、例えば、N2雰囲気、Ar雰囲気、Ne雰囲気、He雰囲気、又はこれらのうちの2つ以上を含む混合雰囲気である。アニール処理の温度は、例えば、800°C以上であり、酸化ガリウムの融点である1725°C以下である。図1は、上記のアニール処理前後のβ-Ga2O3系結晶中のSi濃度とドナー濃度の関係を表すグラフである。図1の縦軸はドナー濃度/cm3を表し、横軸はSi濃度atoms/cm3を表す。図1中のマーク△及び●は、それぞれアニール処理前の測定値、アニール処理後の測定値を表す。図1に示された測定値は、Si濃度の異なる複数のβ-Ga2O3系結晶を用意し、それぞれの結晶に対して、アニール処理の前後にドナー濃度を測定することにより得られたものである。このアニール処理は、N2が100を占める雰囲気下で、19分間で1000°Cまで昇温し、1時間1000°Cで保持し、19分間で室温まで降温することにより実施された。なお、ドナー濃度はC-V測定装置を用いて測定し、Si濃度はSIMS分析により測定した。図1に示されるように、アニール処理前は、β-Ga2O3系結晶中のSi濃度とドナー濃度の差が大きい場合があり、Si濃度に対するドナー濃度のばらつきが大きい。一方、アニール処理後は、全てのβ-Ga2O3系結晶においてドナー濃度がSi濃度に近づき、Si濃度に対するドナー濃度のばらつきが減少する。その後、平板状や円柱状のβ-Ga2O3系結晶からβ-Ga2O3系基板を切り出す。なお、上記のアニール処理は、β-Ga2O3系結晶からβ-Ga2O3系基板を切り出した後に、β-Ga2O3系基板に対して実施されてもよい。また、上記のアニール処理は、研磨工程を経たβ-Ga2O3系基板に対して実施されてもよい。β-Ga2O3系結晶中のドナー濃度と近赤外よりも長波長側の領域における光吸収特性には相関があるため、β-Ga2O3系結晶ごとのドナー濃度のばらつきが大きい場合、光吸収特性のばらつきも大きくなる。このため、例えば、β-Ga2O3系結晶から切り出したβ-Ga2O3系基板上に結晶膜をエピタキシャル成長させる場合、結晶成長時の基板温度が基板ごとに異なり、エピタキシャル結晶膜の品質にばらつきが生じるおそれがある。図2は、β-Ga2O3系基板のドナー濃度と光吸収特性の関係を表すグラフである。図2の縦軸はβ-Ga2O3系基板の波長750nmにおける光吸収係数を表し、横軸はドナー濃度/cm3を表す。図2に示されるように、β-Ga2O3系基板のドナー濃度と波長750nmにおける光吸収係数はほぼ比例し、ドナー濃度の増加に伴って光吸収係数が増加する。結晶積層構造体の製造β-Ga2O3系基板を形成した後、β-Ga2O3系基板上に結晶膜をエピタキシャル成長させて、β-Ga2O3系基板及びエピタキシャル結晶膜を含む結晶積層構造体を形成する。例えば、MOCVD法により、β-Ga2O3系基板上にGaN系結晶膜をエピタキシャル成長させる。MOCVD法では水素雰囲気、アンモニア雰囲気、又は水素とアンモニアの混合雰囲気等の還元雰囲気下で結晶が成長する。本実施の形態においては、上記のアニール処理によりβ-Ga2O3系基板中のドナー濃度を予め増加させているため、結晶成長中の基板温度の変化はほとんどなく、品質にばらつきの小さい高品質なエピタキシャル結晶膜を形成することができる。図3は、本実施の形態に係る結晶積層構造体の一例の垂直断面図である。結晶積層構造体1は、β-Ga2O3系結晶膜2と、β-Ga2O3系結晶膜2上のエピタキシャル結晶膜3を有する。図4は、アニール処理を実施する場合及び実施しない場合の、エピタキシャル結晶成長の雰囲気に曝す前後のβ-Ga2O3系基板のドナー濃度の変化を表すグラフである。図4の縦軸はドナー濃度/cm3を表し、横軸の左側は雰囲気に曝す前、横軸の右側は雰囲気に曝す後を表す。図4中のマーク●は、本実施の形態のアニール処理が施されたβ-Ga2O3系基板の測定値、マーク△、◇、□は、アニール処理が施されていないβ-Ga2O3系基板の測定値である。図4に示された測定値は、アニール処理が施されたβ-Ga2O3系結晶から得られた1枚のβ-Ga2O3系基板と、アニール処理が施されていないβ-Ga2O3系結晶から得られた3枚のβ-Ga2O3系基板を用意し、それぞれの基板に対して、エピタキシャル結晶成長の雰囲気に曝す前後にドナー濃度を測定することにより得られたものである。この4枚のβ-Ga2O3系基板のSi濃度は、いずれもおよそ7.5×1018/cm3である。1枚のβ-Ga2O3系結晶へのアニール処理は、N2雰囲気下で、9時間で1450°Cまで昇温し、6時間1450°Cで保持し、12時間で室温まで降温することにより実施された。図4に示されるように、アニール処理が施されたβ-Ga2O3系基板においては、エピタキシャル結晶成長の雰囲気に曝す前後でドナー濃度がほとんど変化しない。これは、アニール処理によりβ-Ga2O3系基板のドナー濃度が予め増加し、β-Ga2O3系基板中のSi濃度に近づいているためである。一方、アニール処理が施されていないβ-Ga2O3系基板は、エピタキシャル結晶成長前のドナー濃度のばらつきが大きく、ドナー濃度が低い基板においては、エピタキシャル結晶成長の雰囲気に曝す前後でドナー濃度がSi濃度に近づくように増加する。エピタキシャル結晶成長の雰囲気に曝す前のドナー濃度のばらつきが大きいため、結晶成長中の基板温度の変化の度合いも基板ごとに異なり、基板ごとのエピタキシャル成長結晶の品質にばらつきが生じるおそれがある。図5aは、アニール処理が施されたβ-Ga2O3系基板のエピタキシャル結晶成長後の状態を示す写真であり、図5bは、アニール処理が施されていないβ-Ga2O3系基板のエピタキシャル結晶成長後の状態を示す写真である。図5aに示されるβ-Ga2O3系基板上のエピタキシャル結晶成長と、図5bに示されるβ-Ga2O3系基板上のエピタキシャル結晶成長は、同じ条件下で実施された。図5bに示されるように、アニール処理が施されていないβ-Ga2O3系基板において、結晶膜の剥がれ基板の左側の領域が生じている。これは、エピタキシャル結晶成長の際に基板の温度が変化し、品質のよい結晶が得られなかったことによると考えられる。一方、図5aに示されるように、アニール処理が施されたβ-Ga2O3系基板上のエピタキシャル成長膜には剥がれが生じておらず、品質のよい結晶が得られていることがわかる。なお、エピタキシャル結晶成長以外にも、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気の少なくともいずれか一方を含む雰囲気下での工程を、本実施の形態のアニール処理が施されていないβ-Ga2O3系基板を用いて行う場合、β-Ga2O3系基板のドナー濃度及び光吸収特性のばらつきに起因する問題が生じるおそれがある。実施の形態の効果本実施の形態によれば、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気の少なくともいずれか一方を含む雰囲気下でのアニール処理により、ドナー濃度のばらつき、ひいては近赤外よりも長波長側の領域における光吸収特性のばらつきが抑えられたβ-Ga2O3系基板を得ることができる。また、このようなβ-Ga2O3系基板は、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気の少なくともいずれか一方を含む雰囲気下におけるドナー濃度の変化が小さく、β-Ga2O3系基板上に結晶膜をエピタキシャル成長させる場合、品質にばらつきの小さいエピタキシャル結晶膜を形成し、高品質な結晶積層構造体を得ることができる。さらに、エピタキシャル結晶成長以外にも、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気の少なくともいずれか一方を含む雰囲気下での工程を、本実施の形態のβ-Ga2O3系基板を用いて行う場合、β-Ga2O3系基板のドナー濃度及び光吸収特性のばらつきに起因する問題を抑えることができる。また、例えば、本実施の形態のβ-Ga2O3系基板又は結晶積層構造体を含むデバイスを形成する場合、電気的特性や光学的特性のばらつきが小さい高性能なデバイスを得ることができる。なお、ドナー濃度を変化させることにより、β-Ga2O3系基板の電気抵抗を制御することができる。β-Ga2O3系基板を電流経路の一部として用いることができるため、β-Ga2O3系基板を電極構造が垂直型の発光素子の基板として用いることができる。図6は、本実施の形態のβ-Ga2O3系基板のドナー濃度と電気抵抗率との関係を表すグラフである。ここで、電気抵抗率は、β-Ga2O3系基板の表面及び裏面にそれぞれ電極を接続して測定される厚さ方向の電気抵抗率である。図6に示されるように、ドナー濃度が増加すると抵抗率が低下する。なお、上記実施の形態においては、β-Ga2O3系結晶のドーパントとしてSiを用いたが、Si、Hf、Ge、Sn、TiまたはZr等の他のIV族元素を用いてもよい。また、2種以上のIV族元素を用いてもよい。以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。