"ダイオード領域とIGBT領域が同一半導体基板に形成されている半導体装置であって、ダイオード領域は、半導体基板の表面に露出している第1導電型のアノード層と、アノード層の裏面側に形成されている第2導電型のダイオードドリフト層と、ダイオードドリフト層の裏面側に形成されている第2導電型のカソード層と、を備えており、IGBT領域は、半導体基板の表面に露出している第2導電型のエミッタ層と、エミッタ層の裏面側に形成されている、第1導電型のIGBTボディ層と、IGBTボディ層の裏面側に形成されている第2導電型のIGBTドリフト層と、IGBTドリフト層の裏面側に形成されている第1導電型のコレクタ層と、エミッタ層とIGBTドリフト層を分離している範囲のIGBTボディ層に絶縁膜を介して対向しているIGBTゲート電極と、を備えており、カソード層の第2導電型の不純物濃度は、少なくとも2以上のピークを有する曲線状に分布しており、カソード層のいずれの深さにおいても、第2導電型の不純物濃度は第1導電型の不純物濃度よりも高くなっている、半導体装置。ダイオード領域とIGBT領域が同一半導体基板に形成されている半導体装置であって、ダイオード領域は、半導体基板の表面に露出している第1導電型のアノード層と、アノード層の裏面側に形成されている第2導電型のダイオードドリフト層と、ダイオードドリフト層の裏面側に形成されている第2導電型のカソード層と、を備えており、IGBT領域は、半導体基板の表面に露出している第2導電型のエミッタ層と、エミッタ層の裏面側に形成されている、第1導電型のIGBTボディ層と、IGBTボディ層の裏面側に形成されている第2導電型のIGBTドリフト層と、IGBTドリフト層の裏面側に形成されている第1導電型のコレクタ層と、エミッタ層とIGBTドリフト層を分離している範囲のIGBTボディ層に絶縁膜を介して対向しているIGBTゲート電極と、を備えており、コレクタ層の第1導電型の不純物濃度は、少なくとも2以上のピークを有する曲線状に分布しており、コレクタ層のいずれの深さにおいても、第1導電型の不純物濃度は第2導電型の不純物濃度よりも高くなっている、半導体装置。ダイオード領域とIGBT領域が同一半導体基板に形成されている半導体装置であって、ダイオード領域は、半導体基板の表面に露出している第1導電型のアノード層と、アノード層の裏面側に形成されている第2導電型のダイオードドリフト層と、ダイオードドリフト層の裏面側に形成されている第2導電型のカソード層と、を備えており、IGBT領域は、半導体基板の表面に露出している第2導電型のエミッタ層と、エミッタ層の裏面側に形成されている、第1導電型のIGBTボディ層と、IGBTボディ層の裏面側に形成されている第2導電型のIGBTドリフト層と、IGBTドリフト層の裏面側に形成されている第1導電型のコレクタ層と、エミッタ層とIGBTドリフト層を分離している範囲のIGBTボディ層に絶縁膜を介して対向しているIGBTゲート電極と、を備えており、カソード層の第1導電型の不純物濃度は、半導体基板の裏面から第1深さまで一定の濃度で分布しており、カソード層の第2導電型の不純物濃度は、半導体基板の裏面から第2深さまで一定の濃度で分布しており、第2深さは、第1深さよりも深くなっており、カソード層のいずれの深さにおいても、第2導電型の不純物濃度は第1導電型の不純物濃度よりも高くなっている、半導体装置。ダイオード領域とIGBT領域が同一半導体基板に形成されている半導体装置であって、ダイオード領域は、半導体基板の表面に露出している第1導電型のアノード層と、アノード層の裏面側に形成されている第2導電型のダイオードドリフト層と、ダイオードドリフト層の裏面側に形成されている第2導電型のカソード層と、を備えており、IGBT領域は、半導体基板の表面に露出している第2導電型のエミッタ層と、エミッタ層の裏面側に形成されている、第1導電型のIGBTボディ層と、IGBTボディ層の裏面側に形成されている第2導電型のIGBTドリフト層と、IGBTドリフト層の裏面側に形成されている第1導電型のコレクタ層と、エミッタ層とIGBTドリフト層を分離している範囲のIGBTボディ層に絶縁膜を介して対向しているIGBTゲート電極と、を備えており、コレクタ層の第1導電型の不純物濃度は、半導体基板の裏面から第3深さまで一定の濃度で分布しており、コレクタ層の第2導電型の不純物濃度は、半導体基板の裏面から第4深さまで一定の濃度で分布しており、第3深さは、第4深さよりも深くなっており、コレクタ層のいずれの深さにおいても、第1導電型の不純物濃度は第2導電型の不純物濃度よりも高くなっている、半導体装置。半導体ウェハから請求項1に記載の半導体装置を製造する方法であって、半導体装置のカソード層を形成する工程は、半導体ウェハの裏面に第1導電型の不純物イオンを注入する工程と、半導体ウェハの裏面に第2導電型の不純物イオンを注入深さを変えて少なくとも2回注入する工程と、第1導電型の不純物イオンおよび第2導電型の不純物イオンが注入された半導体ウェハをアニールする工程とを含む、方法。半導体ウェハから請求項2に記載の半導体装置を製造する方法であって、半導体装置のコレクタ層を形成する工程は、半導体ウェハの裏面に第2導電型の不純物イオンを注入する工程と、半導体ウェハの裏面に第1導電型の不純物イオンを注入深さを変えて少なくとも2回注入する工程と、第1導電型の不純物イオンおよび第2導電型の不純物イオンが注入された半導体ウェハをアニールする工程とを含む、方法。半導体ウェハから請求項3に記載の半導体装置を製造する方法であって、半導体装置のカソード層を形成する工程は、半導体ウェハの裏面に第2導電型の不純物イオンを注入する工程と、第2導電型の不純物イオンを注入した後に、半導体ウェハの第2深さまでレーザーアニールする工程と、半導体ウェハの裏面に第1導電型の不純物イオンを注入する工程と、第1導電型の不純物イオンを注入した後に、半導体ウェハの第1深さまでレーザーアニールする工程とを含む、製造方法。半導体ウェハから請求項4に記載の半導体装置を製造する方法であって、半導体装置のコレクタ層を形成する工程は、半導体ウェハの裏面に第1導電型の不純物イオンを注入する工程と、第1導電型の不純物イオンを注入した後に、半導体ウェハの第3深さまでレーザーアニールする工程と、半導体ウェハの裏面に第2導電型の不純物イオンを注入する工程と、第2導電型の不純物イオンを注入した後に、半導体ウェハの第4深さまでレーザーアニールする工程とを含む、製造方法。特許文献1および特許文献2では、カソード層とコレクタ層のいずれか一方が他方に対して窪み、半導体基板の裏面に段差が生じる。半導体基板の裏面の段差は、裏面電極等を形成する際に不具合が生じる要因となり得る。また、半導体基板の裏面に段差を形成する工程が増えて、製造工程が複雑する。本明細書が開示する第1の半導体装置は、ダイオード領域とIGBT領域が同一半導体基板に形成されている。ダイオード領域は、半導体基板の表面に露出している第1導電型のアノード層と、アノード層の裏面側に形成されている第2導電型のダイオードドリフト層と、ダイオードドリフト層の裏面側に形成されている第2導電型のカソード層と、を備えている。IGBT領域は、半導体基板の表面に露出している第2導電型のエミッタ層と、エミッタ層の裏面側に形成されている、第1導電型のIGBTボディ層と、IGBTボディ層の裏面側に形成されている第2導電型のIGBTドリフト層と、IGBTドリフト層の裏面側に形成されている第1導電型のコレクタ層と、エミッタ層とIGBTドリフト層を分離している範囲のIGBTボディ層に絶縁膜を介して対向しているIGBTゲート電極と、を備えている。カソード層の第2導電型の不純物濃度は、少なくとも2以上のピークを有する曲線状に分布しており、カソード層のいずれの深さにおいても、第2導電型の不純物濃度は第1導電型の不純物濃度よりも高くなっている。上記の第1の半導体装置では、カソード層の第2導電型の不純物濃度が、少なくとも2以上のピークを有する曲線状に分布している。2以上のピークを有する不純物濃度の分布は、2回以上のイオン注入を注入深さを変えて行うことによって形成できる。これによって、より確実に、カソード層のいずれの深さにおいても第2導電型の不純物濃度は第1導電型の不純物濃度よりも高い状態を実現できる。上記の半導体装置は、半導体装置のVI特性の悪化や、スナップバック発生が抑制されており、かつ、半導体基板の裏面の形状を変える必要がなく、簡易な製造工程で製造することができる。また、上記の第1の半導体装置に係る技術カソード層の不純物濃度分布に関する技術は、コレクタ層に用いることもできる。すなわち、本明細書は、ダイオード領域とIGBT領域が同一半導体基板に形成されており、コレクタ層の第1導電型の不純物濃度は、少なくとも2以上のピークを有する曲線状に分布しており、コレクタ層のいずれの深さにおいても、第1導電型の不純物濃度は第2導電型の不純物濃度よりも高くなっている半導体装置についても開示する。本明細書が開示する第2の半導体装置は、ダイオード領域とIGBT領域が同一半導体基板に形成されている。ダイオード領域は、半導体基板の表面に露出している第1導電型のアノード層と、アノード層の裏面側に形成されている第2導電型のダイオードドリフト層と、ダイオードドリフト層の裏面側に形成されている第2導電型のカソード層と、を備えている。IGBT領域は、半導体基板の表面に露出している第2導電型のエミッタ層と、エミッタ層の裏面側に形成されている、第1導電型のIGBTボディ層と、IGBTボディ層の裏面側に形成されている第2導電型のIGBTドリフト層と、IGBTドリフト層の裏面側に形成されている第1導電型のコレクタ層と、エミッタ層とIGBTドリフト層を分離している範囲のIGBTボディ層に絶縁膜を介して対向しているIGBTゲート電極と、を備えている。カソード層の第1導電型の不純物濃度は、半導体基板の裏面から第1深さまで一定の濃度で分布しており、カソード層の第2導電型の不純物濃度は、半導体基板の裏面から第2深さまで一定の濃度で分布しており、第2深さは、第1深さよりも深くなっており、カソード層のいずれの深さにおいても、第2導電型の不純物濃度は第1導電型の不純物濃度よりも高くなっている。上記の第2の半導体装置では、カソード層の第1導電型の不純物濃度と、第2導電型の不純物濃度の双方が半導体基板の裏面から一定の濃度で分布している。不純物濃度が一定の濃度で分布しているので、第2深さを第1深さよりも深くすることによって、より確実に、カソード層のいずれの深さにおいても第2導電型の不純物濃度は第1導電型の不純物濃度よりも高い状態を実現できる。上記の半導体装置は、半導体装置のVI特性の悪化や、スナップバック発生が抑制されており、かつ、半導体基板の裏面の形状を変える必要がなく、簡易な製造工程で製造することができる。また、上記の第2の半導体装置に係る技術カソード層の不純物濃度分布に関する技術は、コレクタ層に用いることもできる。すなわち、本明細書は、ダイオード領域とIGBT領域が同一半導体基板に形成されており、コレクタ層の第1導電型の不純物濃度は、半導体基板の裏面から第3深さまで一定の濃度で分布しており、コレクタ層の第2導電型の不純物濃度は、半導体基板の裏面から第4深さまで一定の濃度で分布しており、第3深さは、第4深さよりも深くなっており、コレクタ層のいずれの深さにおいても、第1導電型の不純物濃度は第2導電型の不純物濃度よりも高くなっている半導体装置についても開示する。本明細書は、第1の半導体装置の製造方法についても開示する。本明細書が開示する第1の半導体装置の製造方法では、半導体装置のカソード層を形成する工程は、半導体ウェハの裏面に第1導電型の不純物イオンを注入する工程と、半導体ウェハの裏面に第2導電型の不純物イオンを注入深さを変えて少なくとも2回注入する工程と、第1導電型の不純物イオンおよび第2導電型の不純物イオンが注入された半導体ウェハをアニールする工程とを含む。第1の半導体装置に係る技術がコレクタ層に用いられている場合には、半導体装置のコレクタ層を形成する工程は、半導体ウェハの裏面に第2導電型の不純物イオンを注入する工程と、半導体ウェハの裏面に第1導電型の不純物イオンを注入深さを変えて少なくとも2回注入する工程と、第1導電型の不純物イオンおよび第2導電型の不純物イオンが注入された半導体ウェハをアニールする工程とを含む。本明細書は、第2の半導体装置の製造方法についても開示する。本明細書が開示する第2の半導体装置の製造方法では、半導体装置のカソード層を形成する工程は、半導体ウェハの裏面に第2導電型の不純物イオンを注入する工程と、第2導電型の不純物イオンを注入した後に、半導体ウェハの第2深さまでレーザーアニールする工程と、半導体ウェハの裏面に第1導電型の不純物イオンを注入する工程と、第1導電型の不純物イオンを注入した後に、半導体ウェハの第1深さまでレーザーアニールする工程とを含む。第2の半導体装置に係る技術がコレクタ層に用いられている場合には、半導体装置のコレクタ層を形成する工程は、半導体ウェハの裏面に第1導電型の不純物イオンを注入する工程と、第1導電型の不純物イオンを注入した後に、半導体ウェハの第3深さまでレーザーアニールする工程と、半導体ウェハの裏面に第2導電型の不純物イオンを注入する工程と、第2導電型の不純物イオンを注入した後に、半導体ウェハの第4深さまでレーザーアニールする工程とを含む。本明細書が開示する第1の半導体装置および第2の半導体装置は、ダイオード領域とIGBT領域が同一半導体基板に形成されている。ダイオード領域は、半導体基板の表面に露出している第1導電型のアノード層と、アノード層の裏面側に形成されている第2導電型のダイオードドリフト層と、ダイオードドリフト層の裏面側に形成されている第2導電型のカソード層と、を備えている。IGBT領域は、半導体基板の表面に露出している第2導電型のエミッタ層と、エミッタ層の裏面側に形成されている、第1導電型のIGBTボディ層と、IGBTボディ層の裏面側に形成されている第2導電型のIGBTドリフト層と、IGBTドリフト層の裏面側に形成されている第1導電型のコレクタ層と、エミッタ層とIGBTドリフト層を分離している範囲のIGBTボディ層に絶縁膜を介して対向しているIGBTゲート電極と、を備えている。第1の半導体装置および第2の半導体装置は、ダイオード領域とIGBT領域の表面構造が同じであり、裏面構造のみが相違する半導体装置であってもよい。また、第1の半導体装置および第2の半導体装置は、ダイオード領域の表面構造と、IGBT領域の表面構造が相違する半導体装置であってもよい。さらに、ダイオード領域とIGBT領域の間に、分離領域が形成されていてもよい。分離領域は、例えば、表面電極と接していない不活性領域であり、半導体基板内には、例えば、半導体基板内の表面側に、ダイオードボディ層およびIGBTボディ層よりも深い第1導電型の半導体層が形成されていてもよい。また、例えば、半導体基板内の表面側に、ダイオードボディ層およびIGBTボディ層よりも深い分離トレンチが形成されていてもよい。また、ドリフト層の裏面に接してバッファ層を備えており、バッファ層の裏面に接してコレクタ層、カソード層が形成されていてもよい。第1の半導体装置に係る技術は、半導体装置のカソード層とコレクタ層のいずれか一方または双方に用いることができる。第1の半導体装置に係る技術がカソード層に用いられている場合には、第1の半導体装置では、カソード層の第2導電型の不純物濃度は、少なくとも2以上のピークを有する曲線状に分布しており、カソード層のいずれの深さにおいても、第2導電型の不純物濃度は第1導電型の不純物濃度よりも高くなっている。第1の半導体装置に係る技術がコレクタ層に用いられている場合には、コレクタ層の第1導電型の不純物濃度は、少なくとも2以上のピークを有する曲線状に分布しており、コレクタ層のいずれの深さにおいても、第1導電型の不純物濃度は第2導電型の不純物濃度よりも高くなっている。また、第1の半導体装置では、カソード層およびコレクタ層の双方が上記の構成を有していてもよい。同様に、第2の半導体装置に係る技術は、半導体装置のカソード層とコレクタ層のいずれか一方または双方に用いることができる。第2の半導体装置に係る技術がカソード層に用いられている場合には、第2の半導体装置では、カソード層の第1導電型の不純物濃度は、半導体基板の裏面から第1深さまで一定の濃度で分布しており、カソード層の第2導電型の不純物濃度は、半導体基板の裏面から第2深さまで一定の濃度で分布しており、第2深さは、第1深さよりも深くなっており、カソード層のいずれの深さにおいても、第2導電型の不純物濃度は第1導電型の不純物濃度よりも高くなっている。第2の半導体装置に係る技術がコレクタ層に用いられている場合には、コレクタ層の第1導電型の不純物濃度は、半導体基板の裏面から第3深さまで一定の濃度で分布しており、コレクタ層の第2導電型の不純物濃度は、半導体基板の裏面から第4深さまで一定の濃度で分布しており、第3深さは、第4深さよりも深くなっており、コレクタ層のいずれの深さにおいても、第1導電型の不純物濃度は第2導電型の不純物濃度よりも高くなっている。また、第2の半導体装置では、カソード層およびコレクタ層の双方が上記の構成を有していてもよい。なお、本明細書において、不純物濃度が一定の濃度で分布するとは、略一定の濃度で分布していればよく、熱拡散によって得られるガウス分布形状のように明確なピークを有する分布形状ではなく、レーザーアニール処理によって得られるような略一定の分布形状であればよいことを意味する。コレクタ層を形成するために、半導体ウェハの裏面全体に第1導電型の不純物イオンを照射する製造工程を行う場合に、第1および第2の半導体装置に係る技術をカソード層に用いることが有効である。この場合、コレクタ層を形成するために照射された第1導電型の不純物イオンが、カソード層にも注入される。すなわち、カソード層を形成する工程において、半導体ウェハの裏面に第1導電型の不純物イオンを注入する工程は、半導体装置のコレクタ層を形成するために第1導電型の不純物イオンを注入する工程と同一工程である。第1および第2の半導体装置に係る技術によれば、カソード層において、第2導電型の不純物濃度が、第1導電型の不純物濃度よりも半導体基板の深さ方向に広い範囲に分布するようにできる。このため、第1導電型の不純物イオンおよび第2導電型の不純物イオンの注入位置や半値幅に誤差やずれが生じた場合であっても、より確実に、カソード層のいずれの深さにおいても第2導電型の不純物濃度は第1導電型の不純物濃度よりも高い状態を実現できる。また、カソード層を形成するために、半導体ウェハの裏面全体に第2導電型の不純物イオンを照射する製造工程を行う場合に、第1および第2の半導体装置に係る技術をコレクタ層に用いることが有効である。この場合、カソード層を形成するために照射された第2導電型の不純物イオンが、コレクタ層にも注入される。すなわち、コレクタ層を形成する工程において、半導体ウェハの裏面に第1導電型の不純物イオンを注入する工程は、半導体装置のカソード層を形成するために第2導電型の不純物イオンを注入する工程と同一工程である。第1および第2の半導体装置に係る技術によれば、コレクタ層において、第1導電型の不純物濃度が、第2導電型の不純物濃度よりも半導体基板の深さ方向に広い範囲に分布するようにできる。このため、第1導電型の不純物イオンおよび第2導電型の不純物イオンの注入位置や半値幅に誤差やずれが生じた場合であっても、より確実に、コレクタ層のいずれの深さにおいても第1導電型の不純物濃度は第2導電型の不純物濃度よりも高い状態を実現できる。本明細書が開示する第1および第2の半導体装置の製造方法では、第1導電型の不純物イオンおよび第2導電型の不純物イオンとして、従来公知の不純物イオンを用いることができる。また、カソード層、コレクタ層を形成する順序については、適宜変更することができる。第1の半導体装置の製造方法において、不純物イオンが注入された半導体ウェハをアニールする工程では、従来公知のアニール方法を用いることができる。限定されないが、例えば、アニール炉内で半導体ウェハ全体を加熱する方法を用いてもよいし、レーザーアニール等の局所的なアニールが可能な方法を用いてもよい。第2の半導体装置の製造方法では、不純物イオンが注入された半導体ウェハのカソード層またはコレクタ層をアニールする工程では、レーザーアニール法が用いられる。レーザーアニール法を用いることによって、不純物濃度の分布を一定にすることができる。レーザーアニール法を用いるに際して、マスクを用いることによって、半導体ウェハの裏面を選択的にアニールする例えば、ダイオード領域のみをアニールすることも可能である。レーザーアニールに用いるレーザーのエネルギー強度を調整することによって、照射面である半導体ウェハの裏面から所望の深さまでアニールを行うことができる。なお、半導体ウェハの裏面からより深い深さまでレーザーアニールを行う工程は、より浅い深さまでレーザーアニールを行う工程よりも先に行うことが好ましい。第1の半導体装置実施例1では、図1および図2に示す第1の半導体装置10を例示して説明する。半導体装置10は、ダイオードとIGBTが同一基板上に形成されたRC-IGBTである。半導体装置10は、半導体基板100と、半導体基板100の表面側に形成された絶縁ゲート137および表面絶縁膜128,138と、半導体基板100の表面に接する表面電極101,102と、半導体基板100の裏面に接する裏面電極103とを備えている。半導体基板100は、ダイオード領域11と、IGBT領域13とを備えている。表面電極101は、ダイオード領域11の表面に形成されており、表面電極102は、IGBT領域13の表面に形成されている。半導体基板100は、n型のカソード層111およびp型のコレクタ層131と、n型のバッファ層112と、n型のドリフト層113と、p型のダイオードボディ層114およびIGBTボディ層134と、p型のアノード層115と、p型のボディコンタクト層135と、n型のエミッタ層136とを備えている。IGBT領域13では、半導体基板100の表面側からIGBTボディ層134を貫通し、ドリフト層113に達する絶縁ゲート137が形成されている。カソード層111とコレクタ層131との境界に対して、半導体基板の表面側にp型の分離層121が形成されている。図2は、半導体基板100のダイオード領域11の裏面側の不純物濃度分布を示している。参照番号311a,311bおよび312は、ガウス分布形状のn型の不純物濃度分布を示しており、参照番号331は、ガウス分布形状のp型の不純物濃度分布を示している。分布312のピークは、バッファ層112内に位置している。分布311aおよび311bのピークは、カソード層111内に位置している。分布331のピークは、カソード層111内に位置している。分布331のピーク位置は、分布311aのピーク位置よりも裏面から深い位置にあり、分布311bよりも裏面から浅い位置にある。次に、半導体装置10の動作について説明する。IGBT動作時裏面電極103の電位Vaを表面電極101の電位Vbおよび表面電極102の電位Vcよりも高電位としVa>Vb,Vc、絶縁ゲート137に正電圧正バイアスを印加すると、IGBTボディ層134において、絶縁ゲート137の近傍にチャネルが形成される。このチャネルを通って、多数キャリアである電子がエミッタ層136からドリフト層113に注入される。また、コレクタ層131からドリフト層113へ正孔が注入される。少数キャリアである正孔がドリフト層113に注入されると、ドリフト層113において伝導率変調が起こり、ドリフト層113の抵抗が低くなる。このように電子と正孔が移動することによって、半導体基板100の裏面側コレクタ層131側から表面側エミッタ層136側に向かうIGBT電流が流れる。ダイオード動作時次に、裏面電極103の電位Vaを表面電極101の電位Vbおよび表面電極102の電位Vcよりも低くするとVa<Vb,Vc、ダイオード領域11では、アノード層115から、ダイオードボディ層114を介して、ドリフト層113に正孔が注入される。これによって、アノード層115側からカソード層111側へダイオード電流還流電流が流れる。半導体装置10では、カソード層111内の全域において、分布311aのn型の不純物濃度が分布331のp型の不純物濃度よりも高くなっていることが好ましいが、図2に示すように、分布331のp型の不純物濃度が、分布311aのn型の不純物濃度より高くなる領域350が形成されることがある。カソード層111内に分布311bが存在しない場合には、領域350では、p型の不純物濃度は、n型の不純物濃度よりも高くなり、半導体装置10のダイオード動作時のVI特性が悪化し、スナップバックが発生し易くなる。図3の参照番号367は、半導体装置10のダイオード領域11のVI特性を概念的に示した図である。縦軸のIFは電流値を示しており、横軸のVFは電圧値を示している。比較のため、カソード層内に、p型の不純物濃度がn型の不純物濃度よりも高くなる領域を有する半導体装置のVI特性を参照番号365および366に例示する。カソード層内に、p型の不純物濃度がn型の不純物濃度よりも高くなる領域を有していると、参照番号365および366に示すように、VI特性が悪化する。さらには、参照番号365に示すように、スナップバックが発生する場合がある。スナップバックが発生すると、参照番号365に示すように、半導体装置のオン時に、印加電圧の上昇に伴い、その初期には電流が増加するものの、印加電圧が特定のスイッチング電圧に達すると、印加電圧の上昇に対して電流値が減少する現象負性抵抗を一旦示す。そして、この後に印加電圧が更に上昇して特定のホールディング電圧に達すると、電流が再び増加する。半導体装置10では、領域350に分布311bが存在しており、領域350において、分布311bのn型の不純物濃度は、分布331のp型の不純物濃度よりも高い。カソード層111内に、分布311aのピークと分布311bのピークが位置していることにより、カソード層111において、n型の不純物濃度が、p型の不純物濃度よりも半導体基板100の深さ方向に広い範囲に分布するようにできる。このため、分布311a,311b,331のドーズ量を適切に設計しておけば、分布311a,311b,331のピーク位置や半値幅に誤差やずれが生じた場合であっても、確実に、カソード層111内のいずれの深さにおいてもp型の不純物濃度がn型の不純物濃度よりも高い状態を容易に実現することが可能となる。半導体装置10によれば、VI特性の悪化およびスナップバック発生の抑制を容易に実現することができる。第1の半導体装置の製造方法次に、半導体装置10の製造方法について説明する。図4に示すように、半導体基板100の表面側の構造が形成されたn型の半導体ウェハ500を準備し、半導体ウェハ500の裏面カソード層111およびコレクタ層131を形成する面にn型の不純物イオンを注入し、バッファ層112となるn型イオン注入層512を形成する。次に、半導体ウェハ500の裏面にp型の不純物イオンを注入し、その一部がコレクタ層131となるp型イオン注入層531を形成する。図7は、p型イオン注入層531とn型イオン注入層512の不純物濃度分布を示している。p型イオン注入層531のピーク位置は、n型イオン注入層512のピーク位置よりも、裏面から浅い領域に位置している。なお、上記に説明した順序とは逆に、p型イオン注入層531を形成した後に、n型イオン注入層512を形成してもよい。また、半導体基板100の表面側の構造を形成する工程は、裏面側の構造を形成する工程の後に行ってもよい。次に、図5に示すように、フォトエッチングを行って、半導体ウェハ500のIGBT領域の裏面に選択的にマスク701を形成する。マスク701を介して半導体ウェハ500のダイオード領域の裏面のp型イオン注入層531に選択的にn型の不純物イオンを注入する。これによって、p型イオン注入層531にn型イオン注入層511bを形成する。図8に示すように、n型イオン注入層511bのピーク位置は、p型イオン注入層531のピーク位置よりも、裏面から深い領域に位置するように、n型の不純物イオンの注入が行われる。次に、図6に示すように、マスク701が存在したままの状態で、半導体ウェハ500のダイオード領域の裏面のp型イオン注入層531に、さらにn型の不純物イオンを注入する。これによって、p型イオン注入層531にn型イオン注入層511aを形成する。図9に示すように、n型イオン注入層511aのピーク位置は、p型イオン注入層531のピーク位置よりも、裏面から浅い領域に位置するように、n型の不純物イオンの注入が行われる。また、ダイオード領域の裏面において、n型イオン注入層511aおよび511bのn型の不純物濃度が、p型イオン注入層531のp型の不純物濃度よりも高くなるように、p型およびn型のイオン注入の条件が調整される。なお、上記に説明した順序とは逆に、n型イオン注入層511aを形成した後に、n型イオン注入層511bを形成してもよい。また、n型の不純物イオンを2回注入することによって、カソード層111となるn型イオン注入層を2つ形成したが、これに限定されない。n型の不純物イオンを3回以上注入することによって、カソード層111となるn型イオン注入層を3つ以上形成してもよい。次に、アッシング等によってマスク701を除去した後の半導体ウェハ500を、アニール炉を用いる等によってアニールする。これによって、半導体基板100の裏面側の構造を形成することができる。さらに、表面電極101および102、裏面電極103等のその他の半導体装置10の構造を形成することによって、半導体装置10を製造することができる。なお、p型イオン注入層531とn型イオン注入層512は、n型イオン注入層511aおよび511bを形成し、マスク701を除去した後に形成してもよい。上記のとおり、半導体装置10は、日本国特許公表公報2011-507299号および日本国特許公表公報2011-507300号のような複雑な製造工程を行って半導体基板の裏面に凹凸を設けることなく、製造することができる。n型の不純物イオンを注入する回数を増やすことは容易であり、複雑な製造工程を行う必要がない。上記の製造方法によれば、VI特性の悪化およびスナップバック発生が抑制された半導体装置を容易に製造することができる。第2の半導体装置実施例2では、図10および図11に示す第2の半導体装置20を例示して説明する。半導体装置20の断面構造は、図1に示す半導体装置10と同様の構造であるので、説明を省略する。半導体装置20は、ダイオード領域11の裏面近傍の不純物濃度分布において、半導体装置10と相違している。図11に示すように、半導体装置20では、カソード層111のn型の不純物濃度の分布411と、p型の不純物濃度の分布431の双方が半導体基板100の裏面から一定の深さまで一定の濃度で分布している。バッファ層112のn型の不純物濃度の分布412は、曲線状に分布している。分布431は、半導体基板100の裏面から第1深さd1まで一定の濃度を有している。分布411は、半導体基板100の裏面から第2深さd2まで一定の濃度を有している。深さd1は、深さd2よりも浅いd1<d2。レーザーアニールを行うことによって、不純物濃度分布を一定にすることが可能である。図12に示すように、レーザーアニールに用いるレーザーエネルギー強度が大きいほど、第1深さd1および第2深さd2を深くすることができる。レーザーエネルギー強度を調整して、レーザーアニールを行うことによって、第1深さd1および第2深さd2の深さを調整することができる。上記の第2の半導体装置20では、カソード層111のn型の不純物濃度と、p型の不純物濃度の双方が半導体基板100の裏面から一定の深さまで一定の濃度で分布している。不純物濃度が一定の濃度で分布しているので、第2深さd2を第1深さd1よりも深くすることによって、カソード層111において、n型の不純物濃度が、p型の不純物濃度よりも半導体基板100の深さ方向に広い範囲に分布するようにできる。このため、n型の不純物およびp型の不純物のドーズ量を適切に設計すれば、確実に、カソード層111のいずれの深さにおいてもn型の不純物濃度をp型の不純物濃度よりも高い状態を容易に実現することが可能となる。半導体装置20によれば、図3に示すように、VI特性の悪化およびスナップバック発生の抑制を容易に実現することができる。なお、半導体装置20の動作については、半導体装置10と同様であるため、説明を省略する。第2の半導体装置の製造方法半導体装置20の製造方法について説明する。図13に示すように、半導体基板100の表面側の構造が形成されたn型の半導体ウェハ600を準備し、半導体ウェハ600の裏面カソード層111およびコレクタ層131を形成する面にn型の不純物イオンを注入し、バッファ層112となるn型イオン注入層612aを形成する。次に、図14に示すように、フォトエッチングを行って、半導体ウェハ600のIGBT領域の裏面に選択的にマスク702を形成する。なお、マスク702は、後述するレーザーアニールにおけるマスクとして利用するために、酸化膜等のマスク材を用いる。マスク702を介して半導体ウェハ600のダイオード領域の裏面のn型イオン注入層612aに選択的にn型の不純物イオンを注入する。これによって、n型イオン注入層612aにn型イオン注入層611aを形成する。図18に示すように、n型イオン注入層612aのピーク位置は、n型イオン注入層611aのピーク位置よりも、裏面から深い領域に位置するように、n型の不純物イオンの注入が行われる。なお、n型の不純物イオンを1回注入することによって、カソード層111となるn型イオン注入層を1つ形成したが、これに限定されない。n型の不純物イオンを2回以上注入することによって、カソード層111となるn型イオン注入層を2つ以上形成してもよい。また、n型イオン注入層612aを形成する工程をn型イオン注入層611aを形成する工程の後に行ってもよい。次に、マスク702が存在したままの状態で、半導体ウェハ600のダイオード領域の裏面のn型イオン注入層612aおよび611aにレーザーを照射し、レーザーアニールを行う。照射するレーザーのエネルギー強度は、図12に示す関係を利用して、第2深さd2までアニールできるように調整する。これによって、図15に示すように、n層611bおよびn層612bを形成する。図19に示すように、n層611bのn型の不純物濃度分布は、半導体基板100の裏面から第2深さd2まで一定の濃度を有している。なお、上記においてはマスク702が存在した状態でレーザー照射を行ったが、マスク702を除去した後に、半導体ウェハ600の裏面全体のn型イオン注入層621aおよび611aにレーザーを照射してもよい。次に、図16に示すように、アッシング等によってマスク702を除去した後で、半導体ウェハ600に、p型の不純物イオンを注入する。これによって、ダイオード領域11内ではn層611b内に、IGBT領域13内ではn層612b内に、p型イオン注入層631aを形成する。図20に示すように、p型イオン注入層631aのp型の不純物濃度は、n層611bおよび612bにおいて、n型の不純物濃度よりも低い濃度になっている。なお、n型イオン注入層611aを形成する工程を、p型イオン注入層631aを形成する工程の前n型イオン注入層611aにレーザーを照射する工程の後もしくは後に行ってもよい。この場合、n型イオン注入層611aのアニールは、p型イオン注入層631aのアニールと同時に行ってもよい。次に、半導体ウェハ600のダイオード領域の裏面のp型イオン注入層631aにレーザーを照射し、レーザーアニールを行う。照射するレーザーのエネルギー強度は、図12に示す関係を利用して、第1深さd1までアニールできるように調整する。これによって、図17に示すように、p層631、n層611およびn層612を形成する。図20に示すように、n層611のp型の不純物濃度分布は、半導体基板100の裏面から第1深さd1まで一定の濃度を有している。さらに、表面電極101および102、裏面電極103等のその他の半導体装置20の構造を形成することによって、半導体装置10を製造することができる。上記のとおり、半導体装置20は、日本国特許公表公報2011-507299号および日本国特許公表公報2011-507300号のような複雑な製造工程を行って、半導体基板の裏面に凹凸を設けることなく、製造することができる。また、レーザ強度を変えてレーザーアニールを複数回行うことは容易であり、複雑な製造工程を行う必要がない。上記の製造方法によれば、VI特性の悪化およびスナップバック発生が抑制された半導体装置を容易に製造することができる。なお、上記の実施例では、コレクタ層を形成するために、半導体ウェハの裏面全体に第1導電型の不純物イオンを照射する製造工程を行うに際し、第1および第2の半導体装置に係る技術をカソード層に用いる場合について説明したが、これに限定されない。カソード層を形成するために、半導体ウェハの裏面全体に第2導電型の不純物イオンを照射する製造工程を行うに際し、第1および第2の半導体装置に係る技術をコレクタ層に用いる場合においても、上記の実施例を適宜変更して同様に実施することができる。実施例1および2におけるカソード層の第2導電型の不純物濃度分布を、コレクタ層の第1導電型の不純物濃度分布に置き換え、カソード層の第1導電型の不純物濃度分布を、コレクタ層の第2導電型の不純物濃度分布に置き換えることによって、同様に実施が可能であり、本願に係る作用効果が得られることは、当然に理解できる。以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。"