一対の基板間に挟持された液晶と、該基板の一方側に形成され横方向に延びる複数本のゲートバスライン及び縦方向に延びる複数本のドレインバスラインとを有し、複数の画素が前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとの交点の各々に対応してマトリックス状に配置され、前記画素の各々に、スイッチング素子と、画素電極と、前記液晶に対して斜め方向の電界を発生させて複数の配向領域を1画素内に形成するための制御電極とを備えるマルチドメイン液晶表示装置であって、前記制御電極は前記スイッチング素子の一つの端子に接続されて、前記画素電極は前記制御電極との間に結合容量を有し、前記制御電極には、対応する前記ゲートバスライン選択時に、対応する前記スイッチング素子を介して対応する前記ドレインバスラインから信号電圧が印加され、前記画素電極には前記結合容量を介して前記信号電圧の分圧が印加され、かつ、前記画素電極が四角形から成る複数の単位画素電極から形成され、該単位画素電極は、前記四角形の1辺に沿って制御電極が配置してあり、残りの3辺が開口部もしくは画素電極端部となっていることを特徴とするマルチドメイン液晶表示装置。一対の基板間に挟持された液晶と、該基板の一方側に形成され横方向に延びる複数本のゲートバスライン及び縦方向に延びる複数本のドレインバスラインとを有し、複数の画素が前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとの交点の各々に対応してマトリックス状に配置され、前記画素の各々に、スイッチング素子と、画素電極と、前記液晶に対して斜め方向の電界を発生させて複数の配向領域を1画素内に形成するための制御電極とを備えるマルチドメイン液晶表示装置であって、前記制御電極は前記スイッチング素子の一つの端子に接続されて、前記画素電極は前記制御電極との間に結合容量を有し、前記制御電極には、対応する前記ゲートバスライン選択時に、対応する前記スイッチング素子を介して対応する前記ドレインバスラインから信号電圧が印加され、前記画素電極には前記結合容量を介して前記信号電圧の分圧が印加され、かつ、前記画素電極が四角形から成る複数の単位画素電極から形成され、該単位画素電極は、前記四角形の2辺に沿って制御電極が配置してあり、残りの2辺が開口部もしくは画素電極端部となっていることを特徴とするマルチドメイン液晶表示装置。一対の基板間に挟持された液晶と、該基板の一方側に形成され横方向に延びる複数本のゲートバスライン及び縦方向に延びる複数本のドレインバスラインとを有し、複数の画素が前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとの交点の各々に対応してマトリックス状に配置され、前記画素の各々に、スイッチング素子と、画素電極と、前記液晶に対して斜め方向の電界を発生させて複数の配向領域を1画素内に形成するための制御電極とを備えるマルチドメイン液晶表示装置であって、前記制御電極は前記スイッチング素子の一つの端子に接続されて、前記画素電極は前記制御電極との間に結合容量を有し、前記制御電極には、対応する前記ゲートバスライン選択時に、対応する前記スイッチング素子を介して対応する前記ドレインバスラインから信号電圧が印加され、前記画素電極には前記結合容量を介して前記信号電圧の分圧が印加され、かつ、前記画素電極が三角形から成る複数の単位画素電極から形成されており、該単位画素電極は、前記三角形の2辺に沿って制御電極が配置してあり、残りの1辺が開口部もしくは画素電極端部となっていることを特徴とするマルチドメイン液晶表示装置。一対の基板間に挟持された液晶と、該基板の一方側に形成され横方向に延びる複数本のゲートバスライン及び縦方向に延びる複数本のドレインバスラインとを有し、複数の画素が前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとの交点の各々に対応してマトリックス状に配置され、前記画素の各々に、スイッチング素子と、画素電極と、前記液晶に対して斜め方向の電界を発生させて複数の配向領域を1画素内に形成するための制御電極とを備えるマルチドメイン液晶表示装置であって、前記制御電極は前記スイッチング素子の一つの端子に接続されて、前記画素電極は前記制御電極との間に結合容量を有し、前記制御電極には、対応する前記ゲートバスライン選択時に、対応する前記スイッチング素子を介して対応する前記ドレインバスラインから信号電圧が印加され、前記画素電極には前記結合容量を介して前記信号電圧の分圧が印加され、かつ、前記画素電極が三角形から成る複数の単位画素電極から形成されており、該単位画素電極は、前記三角形の1辺に沿って制御電極が配置してあり、残りの2辺が開口部もしくは画素電極端部となっていることを特徴とするマルチドメイン液晶表示装置。一対の基板間に挟持された液晶と、該基板の一方側に形成され横方向に延びる複数本のゲートバスライン及び縦方向に延びる複数本のドレインバスラインとを有し、複数の画素が前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとの交点の各々に対応してマトリックス状に配置され、前記画素の各々に、スイッチング素子と、画素電極と、前記液晶に対して斜め方向の電界を発生させて複数の配向領域を1画素内に形成するための制御電極とを備えるマルチドメイン液晶表示装置であって、前記制御電極は前記スイッチング素子の一つの端子に接続されて、前記画素電極は前記制御電極との間に結合容量を有し、前記制御電極には、対応する前記ゲートバスライン選択時に、対応する前記スイッチング素子を介して対応する前記ドレインバスラインから信号電圧が印加され、前記画素電極には前記結合容量を介して前記信号電圧の分圧が印加され、かつ、前記画素電極が五角形から成る複数の単位画素電極から形成されており、該単位画素電極は、前記五角形の2辺に沿って制御電極が配置してあり、残りの3辺が開口部もしくは画素電極端部となっていることを特徴とするマルチドメイン液晶表示装置。一対の基板間に挟持された液晶と、該基板の一方側に形成され横方向に延びる複数本のゲートバスライン及び縦方向に延びる複数本のドレインバスラインとを有し、複数の画素が前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとの交点の各々に対応してマトリックス状に配置され、前記画素の各々に、スイッチング素子と、画素電極と、前記液晶に対して斜め方向の電界を発生させて複数の配向領域を1画素内に形成するための制御電極とを備えるマルチドメイン液晶表示装置であって、前記制御電極は前記スイッチング素子の一つの端子に接続されて、前記画素電極は前記制御電極との間に結合容量を有し、前記制御電極には、対応する前記ゲートバスライン選択時に、対応する前記スイッチング素子を介して対応する前記ドレインバスラインから信号電圧が印加され、前記画素電極には前記結合容量を介して前記信号電圧の分圧が印加され、かつ、前記画素電極が複数の単位画素電極からなると共に、請求項1乃至5に記載の各種の前記単位画素電極のうち、2種類以上が組み合わされてなることを特徴とするマルチドメイン液晶表示装置。前記画素電極と前記制御電極とは絶縁膜を介して前記画素電極が下層となるように構成されていることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1に記載のマルチドメイン液晶表示装置。前記制御電極は前記開口部より前記液晶の配向状態を制御する電界を作用させることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1に記載のマルチドメイン液晶表示装置。前記画素電極に対し容量を付加するための共通容量ラインを備えたことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1に記載のマルチドメイン液晶表示装置。前記開口部に相当する位置に前記画素電極に対し容量を付加するための共通容量ラインが配置されていることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1に記載のマルチドメイン液晶表示装置。前記画素電極と前記共通容量ラインとの間に、所定容量の付加容量を備えていることを特徴とする請求項9又は10記載のマルチドメイン液晶表示装置。前記制御電極の少なくとも一部が透明電極から成ることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1に記載のマルチドメイン液晶表示装置。前記液晶の両側にそれぞれ四分の一波長板を有しており、該四分の一波長板の光軸が互いに直交するように配置されていることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1に記載のマルチドメイン液晶表示装置。前記スイッチング素子はボトムゲート構造のTFTであることを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1に記載のマルチドメイン液晶表示装置。前記スイッチング素子はトップゲート構造のTFTであることを特徴とする請求項1乃至13のいずれか1に記載のマルチドメイン液晶表示装置。前記スイッチング素子はボトムゲート構造のTFTであると共に、前記絶縁膜は前記TFTを保護する絶縁膜と一体的に形成されていることを特徴とする請求項7記載のマルチドメイン液晶表示装置。前記スイッチング素子はトップゲート構造のTFTであると共に、前記絶縁膜は前記TFTを保護する絶縁膜と一体的に形成されていることを特徴とする請求項7記載のマルチドメイン液晶表示装置。前記制御電極が前記TFTのソース端子と一体的に形成されていることを特徴とする請求項14、15、16又は17記載のマルチドメイン液晶表示装置。前記開口部が窓状に形成されていることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1に記載のマルチドメイン液晶表示装置。前記開口部が前記画素電極の片側あるいは両側から切り込みを入れるように形成されていることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1に記載のマルチドメイン液晶表示装置。前記画素電極と前記共通容量ラインとの間に、実質的に有限の抵抗値を有する抵抗素子を備えていることを特徴とする請求項9又は10記載のマルチドメイン液晶表示装置。前記液晶の動作モードが正の誘電率異方性を持つ液晶をねじれ配向させたTNモードであることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1に記載のマルチドメイン液晶表示装置。前記液晶が自発カイラル性であることを特徴とする請求項22記載のマルチドメイン液晶表示装置。前記液晶が非自発カイラル性であることを特徴とする請求項22記載のマルチドメイン液晶表示装置。前記液晶の動作モードが正の誘電率異方性を持つ液晶を一様に配向させたホモジニアスモードであることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1に記載のマルチドメイン液晶表示装置。前記液晶の動作モードが負の誘電率異方性を持つ液晶をホメオトロピック垂直配向させたVAモードであることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1に記載のマルチドメイン液晶表示装置。前記四角形は略正方形から成ることを特徴とする請求項1又は2記載のマルチドメイン液晶表示装置。前記基板の他方側に共通電極を備え、該共通電極の電圧を基準として、前記制御電極に印加される制御電極電圧の前記画素電極に印加される画素電極電圧に対する比が、1.1~1.4に設定されることを特徴とする請求項27記載のマルチドメイン液晶表示装置。しかしながらこれらの技術の内、特許文献1に開示されているような、共通電極に開口部を有する技術においては、通常の、モノドメインタイプのTN型液晶表示装置の製造工程では必要とされない、共通電極に対するフォトレジスト工程等の微細加工工程が必要となると共に、上下基板の高度な貼り合わせ術が必要とされるという問題がある。この問題は、薄膜トランジスタThinFilmTransistorTFT等のスイッチング素子を用いたアクティブマトリクス液晶表示装置の場合、特に大きな問題である。すなわち、通常のアクティブマトリクス液晶表示装置では、一方の透明基板TFT基板上に薄膜トランジスタ等のスイッチング素子能動素子を製造するため、フォトレジスト工程等の微細加工工程が必要とされるのは、スイッチング素子を製造する片側のTFT基板のみであり、通常共通電極と称される他の透明基板対向基板側の電極においては微細加工を施す必要はなく、全面に共通電極が形成されているのみである。ところが、共通電極に開口部を有する従来技術においては、通常は微細加工が必要とされていない共通電極についても、フォトレジスト工程等の微細加工工程が必要とされ、工程が増加すると共に、上下基板の高度な貼り合わせ技術が必要とされることになる。このような問題から、例えばTFT等のスイッチング素子が形成されたTFT基板の側にある画素電極に、開口部あるいはスリット等を設け、斜め電界を発生させて液晶の配向を制御しようという技術が考えつく。これは、TFT基板側の画素電極はもともとパターニングを必要とするため、この場合には付加工程を必要としないからである。しかしながら、この構成においては安定した液晶ドメインの制御はできない。なぜならば、特許文献1のように共通電極に開口部を設けた場合の開口部周辺での電界の傾斜は、画素電極の周辺における電界の傾斜方向と整合する図47参照のに対し、TFT基板側の画素電極に開口部を設けた場合には開口部周辺での電界の傾斜が画素電極周辺における電界の傾斜方向と整合しないからである。特許文献2に開示されているように、制御電極を画素電極の周辺に設けた場合には、画素電極周辺での電界の傾斜を強調することができるが、この場合にも反対側の基板において共通電極に開口部を設けなければならず、上述の問題を解決する必要がある。一方、特許文献3に記載されているように、画素電極上に制御電極を配置して、その制御電極の電位を適当に定めれば、斜め電界を発生させられる。しかしながら、画素電極電位の極性を一定の周期で反転させるいわゆる反転駆動時においては、画素電極電位の極性の変化によって斜め電界の発生状況も変化するため、安定で確実な液晶ドメインの制御はできない。また、この構成においては、制御電極がゲートバスラインと一体であるため、制御電極電位を画素の点灯非点灯に応じて変化させることはできず、すなわち、画素が非点灯暗表示の時にも制御電極電位には斜め方向の電界が発生してしまい、この電界によって制御電極周辺において光漏れが生じ、表示コントラストの低下を導く。この光漏れを遮蔽するために遮光層を設けた場合には大幅な開口率の低下につながる。さらには、通常、ゲートバスラインには、その選択期間を除く期間において、共通電極に対してDCの電圧が印加されているため、制御電極がゲートバスラインと一体である場合には、表示領域内の液晶層にDC電圧を印加し続けることになり、表示素子の信頼性を悪化させるという問題が生ずる。特許文献4に記載されている、画素電極に開口部を設けてその位置に制御電極を配置する技術においても、表示動作時に制御電極電位を画素毎に制御する手段を有さないため、特許文献3に記載の技術と同様に、安定で確実な液晶ドメインの制御ができないという問題がある。特許文献3及び特許文献4に記載された技術における上記のような問題を解決する手段として、例えば、各々の画素毎に個別に設けられた制御電極を、各々の画素に設けられた個別のスイッチング素子で制御する方法が考えられるが、この構成においては、画素電極と制御電極とに対応して個別のスイッチング素子及びドレインバスラインを設ける必要があり、したがって、素子構成が複雑化し、製造コストや製造歩留まりの点から現実的ではない。また、特許文献5に記載の配向膜に突起を設ける方法では、その突起による領域分割の効果は突起の近傍にしか働かない。よって、確実な領域分割を実現するためには、スイッチング素子が形成される片側のTFT基板の配向膜だけでなく、対向基板側の配向膜にも突起を設けなければならず、やはり大幅に工程が増加し、また両基板の正確な貼り合わせを要するという問題点があった。この発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、上記のような従来技術の問題、すなわち、共通電極の微細加工工程等の煩雑な工程を増加させたり、高度な貼り合わせ技術を要求することなく、高コントラストで、視角特性の優れたマルチドメイン液晶表示装置を提供することを目的としている。上記課題を解決するために、請求項1に係るこの発明の第1の構成は、一対の基板間に挟持された液晶と、該基板の一方側に形成され横方向に延びる複数本のゲートバスライン及び縦方向に延びる複数本のドレインバスラインとを有し、複数の画素が前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとの交点の各々に対応してマトリックス状に配置され、前記画素の各々に、スイッチング素子と、画素電極と、前記液晶に対して斜め方向の電界を発生させて複数の配向領域を1画素内に形成するための制御電極とを備えるマルチドメイン液晶表示装置に係り、前記制御電極は前記スイッチング素子の一つの端子に接続されて、前記画素電極は前記制御電極との間に結合容量を有し、前記制御電極には、対応する前記ゲートバスライン選択時に、対応する前記スイッチング素子を介して対応する前記ドレインバスラインから信号電圧が印加され、前記画素電極には前記結合容量を介して前記信号電圧の分圧が印加され、かつ、前記画素電極が四角形から成る複数の単位画素電極から形成され、該単位画素電極は、前記四角形の1辺に沿って制御電極が配置してあり、残りの3辺が開口部もしくは画素電極端部となっていることを特徴としている。また、請求項2に係るこの発明の第2の構成は、一対の基板間に挟持された液晶と、該基板の一方側に形成され横方向に延びる複数本のゲートバスライン及び縦方向に延びる複数本のドレインバスラインとを有し、複数の画素が前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとの交点の各々に対応してマトリックス状に配置され、前記画素の各々に、スイッチング素子と、画素電極と、前記液晶に対して斜め方向の電界を発生させて複数の配向領域を1画素内に形成するための制御電極とを備えるマルチドメイン液晶表示装置に係り、前記制御電極は前記スイッチング素子の一つの端子に接続されて、前記画素電極は前記制御電極との間に結合容量を有し、前記制御電極には、対応する前記ゲートバスライン選択時に、対応する前記スイッチング素子を介して対応する前記ドレインバスラインから信号電圧が印加され、前記画素電極には前記結合容量を介して前記信号電圧の分圧が印加され、かつ、前記画素電極が四角形から成る複数の単位画素電極から形成され、該単位画素電極は、前記四角形の2辺に沿って制御電極が配置してあり、残りの2辺が開口部もしくは画素電極端部となっていることを特徴としている。また、請求項3に係るこの発明の第3の構成は、一対の基板間に挟持された液晶と、該基板の一方側に形成され横方向に延びる複数本のゲートバスライン及び縦方向に延びる複数本のドレインバスラインとを有し、複数の画素が前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとの交点の各々に対応してマトリックス状に配置され、前記画素の各々に、スイッチング素子と、画素電極と、前記液晶に対して斜め方向の電界を発生させて複数の配向領域を1画素内に形成するための制御電極とを備えるマルチドメイン液晶表示装置に係り、前記制御電極は前記スイッチング素子の一つの端子に接続されて、前記画素電極は前記制御電極との間に結合容量を有し、前記制御電極には、対応する前記ゲートバスライン選択時に、対応する前記スイッチング素子を介して対応する前記ドレインバスラインから信号電圧が印加され、前記画素電極には前記結合容量を介して前記信号電圧の分圧が印加され、かつ、前記画素電極が三角形から成る複数の単位画素電極から形成されており、該単位画素電極は、前記三角形の2辺に沿って制御電極が配置してあり、残りの1辺が開口部もしくは画素電極端部となっていることを特徴としている。また、請求項4に係るこの発明の第4の構成は、一対の基板間に挟持された液晶と、該基板の一方側に形成され横方向に延びる複数本のゲートバスライン及び縦方向に延びる複数本のドレインバスラインとを有し、複数の画素が前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとの交点の各々に対応してマトリックス状に配置され、前記画素の各々に、スイッチング素子と、画素電極と、前記液晶に対して斜め方向の電界を発生させて複数の配向領域を1画素内に形成するための制御電極とを備えるマルチドメイン液晶表示装置に係り、前記制御電極は前記スイッチング素子の一つの端子に接続されて、前記画素電極は前記制御電極との間に結合容量を有し、前記制御電極には、対応する前記ゲートバスライン選択時に、対応する前記スイッチング素子を介して対応する前記ドレインバスラインから信号電圧が印加され、前記画素電極には前記結合容量を介して前記信号電圧の分圧が印加され、かつ、前記画素電極が三角形から成る複数の単位画素電極から形成されており、該単位画素電極は、前記三角形の1辺に沿って制御電極が配置してあり、残りの2辺が開口部もしくは画素電極端部となっていることを特徴としている。また、請求項5に係るこの発明の第5の構成は、一対の基板間に挟持された液晶と、該基板の一方側に形成され横方向に延びる複数本のゲートバスライン及び縦方向に延びる複数本のドレインバスラインとを有し、複数の画素が前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとの交点の各々に対応してマトリックス状に配置され、前記画素の各々に、スイッチング素子と、画素電極と、前記液晶に対して斜め方向の電界を発生させて複数の配向領域を1画素内に形成するための制御電極とを備えるマルチドメイン液晶表示装置に係り、前記制御電極は前記スイッチング素子の一つの端子に接続されて、前記画素電極は前記制御電極との間に結合容量を有し、前記制御電極には、対応する前記ゲートバスライン選択時に、対応する前記スイッチング素子を介して対応する前記ドレインバスラインから信号電圧が印加され、前記画素電極には前記結合容量を介して前記信号電圧の分圧が印加され、かつ、前記画素電極が五角形から成る複数の単位画素電極から形成されており、該単位画素電極は、前記五角形の2辺に沿って制御電極が配置してあり、残りの3辺が開口部もしくは画素電極端部となっていることを特徴としている。また、請求項6に係るこの発明の第6の構成は、一対の基板間に挟持された液晶と、該基板の一方側に形成され横方向に延びる複数本のゲートバスライン及び縦方向に延びる複数本のドレインバスラインとを有し、複数の画素が前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインとの交点の各々に対応してマトリックス状に配置され、前記画素の各々に、スイッチング素子と、画素電極と、前記液晶に対して斜め方向の電界を発生させて複数の配向領域を1画素内に形成するための制御電極とを備えるマルチドメイン液晶表示装置に係り、前記制御電極は前記スイッチング素子の一つの端子に接続されて、前記画素電極は前記制御電極との間に結合容量を有し、前記制御電極には、対応する前記ゲートバスライン選択時に、対応する前記スイッチング素子を介して対応する前記ドレインバスラインから信号電圧が印加され、前記画素電極には前記結合容量を介して前記信号電圧の分圧が印加され、かつ、前記画素電極が複数の単位画素電極からなると共に、請求項1乃至5に記載の各種の前記単位画素電極のうち、2種類以上が組み合わされてなることを特徴としている。この発明の構成によれば、各画素毎に設けられた制御電極を、各画素毎に設けられたスイッチング素子で駆動するため、その画素が明表示、暗表示、あるいは中間表示となっても、それに応じて制御電極電位が制御され、よって、制御電極から広がるように発生する斜め方向の電界により液晶のドメイン形成を確実に制御できる。さらに、画素電極には結合容量を介して制御電極電圧の分圧が印加されるため、1個のスイッチング素子だけで制御電極と画素電極との2つの電極電位を制御することができる。したがって、共通電極の微細加工工程等の煩雑な工程を増加させたり、高度な貼り合わせ技術を要求することなく、高コントラストで、視角特性の優れたマルチドメイン液晶表示装置を提供することができる。以下、図面を参照して、この発明の実施の形態について説明する。説明は、実施形態を用いて具体的に行う。◇第1実施形態図1は、この発明の第1実施形態であるマルチドメイン液晶表示装置の画素繰り返し単位の構成を示す模式的平面図、図2は図1のA-A’における模式的部分断面図、図3は図1のB-B’における模式的部分断面図、図4は図1のC-C’における模式的部分断面図、また、図5は同マルチドメイン液晶表示装置の画素の等価回路図、図6及び図7は同マルチドメイン液晶表示装置の製造方法を工程順に示す工程図である。この例のマルチドメイン液晶表示装置は、図1~図5に示すように、横方向に延びる複数本のゲートバスライン55と、縦方向に延びる複数本のドレインバスライン56とで囲まれる領域の単位によって1画素が構成されており、各画素は第1の基板11上に、上下左右方向にマトリックス状に繰り返されて配置されている。各画素はTFT54、画素電極71、制御電極73を有している。TFT54はゲートがソース及びドレインよりも下部位置に配置されたボトムゲート構造になっていて、活性層半導体層としてアモルファスシリコンやポリシリコン等の使用が可能であり、セルフアライン技術によって形成することができる。画素電極71は電気的にフローティングであり、制御電極73及び共通容量ライン72とそれぞれ層間絶縁膜63、ゲート絶縁膜61を介して結合容量126、付加容量127を形成している。TFT54は保護絶縁膜65で覆われている。層間絶縁膜63、ゲート絶縁膜61及び保護絶縁膜65は窒化シリコン等が使用される。ここで、共通容量ライン72は画素電極71に対して容量を付加するために設けられている。これら結合容量126、付加容量127の容量は層間絶縁膜63、ゲート絶縁膜61の材質、大きさ及び厚さ等のパラメータにより所望の値に設定することができる。画素電極71及び制御電極73は透明電極から成り、ITO等の材料が使用される。制御電極73はTFT54のソース端子57に接続されている。制御電極73はTFT54のソース端子と一体的に形成することも可能である。ゲートバスライン55、ソース端子57、ドレイン端子58、共通容量ライン72はクロム等の金属膜が使用される。第2の基板12上には共通電極81が形成されており、第1の基板11に対して所定の間隔をもって対向するように重ね合わされている。両基板11、12間には液晶20が挟持されている。TFT54はボトムゲート構造として示されているが、後述の第5実施形態のように、ゲートがソース及びドレインよりも上部位置に配置されたトップゲート構造でもよい。また、この例では画素電極71に対して容量を付加するための共通容量ライン72が設けられた構成となっているが、図5における画素電極71と制御電極73との間の結合容量126と、画素電極71と共通電極81との間の液晶容量125とで必要な電位差が得られれば、特に共通容量ライン72を設ける必要はない。この例においては、ゲートバスライン55が選択された瞬間に、ドレインバスライン56からTFT54を介して信号電圧が、ソース端子57に接続された制御電極73に書き込まれる。この時、フローティングである画素電極71の電位は、結合容量126と、付加容量127及び液晶容量125との容量比にしたがって、制御電極73と共通容量ライン72との間の所定電位に定まる。共通容量ライン72は例えば第2の基板12上の共通電極81と同電位となるように構成してもよく、また、前段のゲートバスライン等に接続してもよい。この例においては、制御電極73、画素電極71、共通電極81の電位の関係が、この列記の順あるいはその逆順となるため、画素電極71及び制御電極73と、共通電極81との間に発生する液晶駆動電界E1は、図3に示すように、制御電極73から外側に広がるように斜めに発生する。以下、誘電率異方性が負の液晶をホメオトロピック配向させたVAVerticalAlignmentモードの場合を例にとってその動作について説明する。第1の基板11と第2の基板12との間に介在する液晶20あるいは液晶分子21は液晶駆動電界E1によりその配向状態を変化させる。この例においては、上述のように液晶駆動電界E1が制御電極73から外側に広がるように発生するため、図3及び図4に示すように、液晶分子21は制御電極73の両側で異なる方向に配向方向を変化させる。このため、液晶分子21の傾く方向が異なる領域液晶ドメインが互いに視角特性を補償しあい、全体として対称で良好な視角特性を得ることができる。なお、ここの記述において、便宜上、バルクで見た液晶を液晶20とし、個々の液晶分子を液晶分子21と記述したが、この違いはこの発明においてはさほど重要ではない。上述のようにこの例においては、液晶20の動作モードは、負の誘電率異方性を有する液晶をホメオトロピック配向させたVAモードの場合の例で説明したが、これ以外の、正の誘電率異方性を持つ液晶ねじれ配向させたTNモードでも、正の誘電率異方性を持つ液晶を一様に配向させたホモジニアスモードでもよい。TNモードとした場合には、液晶が自発カイラル性でもよく、非自発カイラル性としてもよい。非自発カイラル性とした場合には、上述の液晶駆動電界E1により、カイラル方向が異なる複数の領域に分かれて動作させることができる。液晶ドメインを安定化するために、液晶に高分子化合物を混合させることも可能である。また、液晶にモノマーを加え、ドメインを作成した後、高分子化して、ドメインを安定化させることもできる。図4に示すように、画素電極71に適当な開口部74を設けることにより、液晶ドメインの形成をより確実にすることもできる。開口部74は、窓状に形成しても、画素電極71の片側あるいは両側から切り込みを入れるように形成してもよい。もちろん、開口部74を設けなくてもこの発明の目的を達成することができる。後述の第4実施形態のように第1の基板11あるいは第2の基板12上に色層図示せずや遮光層図示せずを設けることも可能である。なお、共通容量ライン72の一部あるいは全体を透明電極により構成することも可能である。次に、図6及び図7を参照して、この例のマルチドメイン液晶表示装置の製造方法について、工程順に説明する。まず、図6aに示すように、ガラスから成る第1の基板11の全面にクロムをスパッタ成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いて、クロムを所望の形状にパターニングして、ゲートバスライン55及び共通容量ライン72を形成した。続いて、CVD法により、全面に窒化シリコンを成膜してゲート絶縁膜61を形成した。次に、図6bに示すように、CVD法により全面にアモルファスシリコンを成膜した後、フォトリソグラフィ技術によりアモルファスシリコンを所望の形状にパターニングして活性層64を形成した。次に、全面にクロムをスパッタ成膜した後、フォトリソグラフィ技術によりクロムを所望の形状にパターニングして、ドレインバスライン56、ドレイン端子58、ソース端子57を形成した。次に、ITOを全面にスパッタ成膜した後、フォトリソグラフィ技術によりITOを所望の形状にパターニングして、開口部74を有する画素電極71を形成した。この画素電極71は、上述したようにフローティングとなる。以上により、第1の基板11上にTFT54を形成した。次に、図7cに示すように、CVD法により全面に窒化シリコンを成膜した後、フォトリソグラフィ技術により窒化シリコンを所望の形状にパターニングして、層間絶縁膜63及びTFT54の保護絶縁膜65を形成すると共に、ソース端子57を露出するようにコンタクトホール59を形成した。この場合、層間絶縁膜63及び保護絶縁膜65が一体となるように形成してもよい。次に、ITOを全面にスパッタ成膜した後、フォトリソグラフィ技術によりITOを所望の形状にパターニングして、制御電極73を形成した。この制御電極73は、コンタクトホール59を介してソース端子57に接続される。次に、図7dに示すように、ガラスから成る第2の基板12上に、印刷法等によりR、G、Bの色層及びブラックマトリクス図示せずを形成し、その上にITOをスパッタ成膜した後、フォトリソグラフィ技術によりITOを所望の形状にパターニングして共通電極81を形成した。以上のようにして用意した第1の基板11及び第2の基板12に、それぞれ垂直配向用の配向膜図示せずを形成した。配向膜材料としては日産化学社製SE-1211を使用した。次に、第1の基板11上にシール材図示せずを線状に塗布すると共に、第2の基板12上に球状スペーサー図示せずを散布し、両基板11、12を互いに貼り合わせ、加熱によりシール材を硬化させた。次に、シール材により第1の基板11と第2の基板12とが一体化された構造を、個々のパネルの形状に切断した後に、誘電率異方性が負のネマティック液晶を注入孔から注入した後、注入孔を光硬化樹脂で封止した。次に、パネルの両側に負の補償フィルムを貼り付けた後、さらに偏向板をその透過軸が互いに直交するように両面に貼り付け、周辺駆動回路を取り付けてモジュール化して、図1~図4に示したような、この例のマルチドメイン液晶表示装置を完成させた。以上のような製造方法により製造されたマルチドメイン液晶表示装置の各構成要素の平面形状は図1の通りであり、同画素のサイズは横略100μm×縦略300μmである。各構成要素の平面形状は図1の形状に限定されるものではなく、後述の図20に示すように種々の形状が考えられる。この例のマルチドメイン液晶表示装置において、偏向板をその透過軸を互いに直交させて配置した場合には、主要な液晶配向領域の各々において、液晶分子21の傾斜方向が両側の偏向板透過軸を2等分する方向、すなわち、上下左右の各方向と一致するために、液晶駆動電界E1の印加によって良好な明状態を表示できるが、各々の液晶配向領域の境界部分には、暗線を生じることがある。暗線の発生原因については、後述の第2実施形態で説明する。暗線の発生が問題となる場合においては、偏光板と液晶20との間に四分の一波長板と称される光学異方性媒体を挿入して、液晶層に円偏向が入射するように構成することにより暗線の発生を解消することもできる。また、この場合、制御電極73が透明電極から構成されていてもよい。このように、この例のマルチドメイン液晶表示装置によれば、制御電極73はスイッチング素子となるTFT54の一つの端子であるソース端子57に接続されて、開口部74が形成された画素電極71は制御電極73との間に結合容量126を有し、画素電極71には結合容量126を介して信号電圧の分圧が印加されるので、動作時に制御電極73の周辺及び画素電極71の周辺に発生する斜め方向の電界の作用により、液晶を複数の領域に分かれさせて動作させることができる。したがって、共通電極の微細加工工程等の煩雑な工程を増加させたり、高度な貼り合わせ技術を要求することなく、高コントラストで、視角特性の優れたマルチドメイン液晶表示装置を提供することができる。◇第2実施形態図8は、この発明の第2実施形態であるマルチドメイン液晶表示装置の構成を示す模式的平面図、図9は図8のD-D’における模式的部分断面図、図10は図8のE-E’における模式的部分断面図である。この例のマルチドメイン液晶表示装置の構成が、上述した第1実施形態の構成と大きく異なるところは、層間絶縁膜を介して制御電極が画素電極よりも下層となるように形成するようにした点である。すなわち、この例のマルチドメイン液晶表示装置は、図8~図10に示すように、第1の基板11上に、画素図8に示す構造が上下左右方向にマトリクス状に繰り返されて配置されていて、窒化シリコン等から成る層間絶縁膜63を介して、ITO等から成る制御電極73が同様にITO等から成る画素電極71よりも下層に形成されている。画素電極71は、第1実施形態と同様にフローティングになっている。制御電極73はTFT54のソース端子57と一体的に形成することも可能であり、この場合は製造工程上は有利となるが、通常ソース端子57は前述したようにクロム等の不透明金属により形成されるため、素子の光透過率が減少する欠点が避けられない。一方、制御電極73を上述のようにITO等の透明電極により構成した場合には、図8に示すように、例えば結合容量126の容量値が十分に大きくなるように画素電極71との重畳部を大きく取っても、十分な開口率を確保できる。この例では、上述したように制御電極73は画素電極71より下層にあるが、画素電極71には開口部74が設けられており、制御電極73からの電界は、開口部74を通して液晶に作用するので、液晶を複数の領域に分かれさせて動作させることができる。また、第1実施形態と同様にボトムゲート構造に限らず、トップゲート構造にも適用することができる。これ以外は、上述した第1実施形態と略同様である。それゆえ、図8~図10において、図1~図5の構成部分と対応する各部には、同一の番号を付してその説明を省略する。この例における画素電極71の開口部74は、第1実施形態と同様に、窓状に形成しても、画素電極71の片側あるいは両側から切り込みを入れるように形成してもよい。画素電極71には、制御電極73からの電界を作用させる部位以外にも、適当な開口部74を設けることにより、液晶ドメインの形成をより確実にすることができる。制御電極73からの電界を作用させる開口部74においては、液晶駆動電界E1が開口部74から広がるように作用するが、開口部74において制御電極73が存在しない場合、あるいは、図8あるいは図9に示すように開口部74において共通容量ライン72が存在する場合には、液晶駆動電界E1は開口部74の幅の中心に収束するように作用する。図11は、この例における、マルチドメイン状の液晶配向を模式的に示す図であり、図8の画素電極71及び制御電極73を含む部分の配向状態を示している。図11に示されるように、画素電極71の開口部74を境界としては液晶分子21の傾く方向が異なる領域が形成されており、各々の領域境界においては、液晶の弾性により液晶分子21の配向方位は連続的に変化している。この例においては、第1の基板11及び第2のそれぞれの外側に偏向板が配置される。両側の偏向板の透過軸方向の組み合わせは、種々可能であるが、なかでも、両側の偏向板透過軸を互いに直交させ、かつ、主要な液晶配向領域における液晶分子21の傾斜方位が直交する偏向板透過軸を2等分する方位と一致するように配置することにより、明るくコントラストの高い表示を実現することができる。さらに、負の補償板と称される、面内の屈折率が、面法線方向の屈折率よりも大きいタイプの光学補償板を液晶と偏向板との間に挿入することにより、黒表示時の視角特性をより良くすることができる。図12は、この例において、マルチドメイン状の配向状態に対応する、透過光の様子を模式的に示したものであり、図11と同様に、図8の画素電極71及び制御電極73を含む部分の透過光の様子を示している。ここで、画素電極71及び制御電極73は透明電極であるが、共通容量ライン72は、通常、前述したようにクロム等の不透明金属により形成されているため、共通容量ライン72上の領域については、実際には光が透過しないが、液晶配向状態と光透過との関係を説明するために、共通容量ライン72よる遮光を無視して示している。図12において、偏向板は、その透過軸が図の対角方向となるように互いに直交させて配置してある。このような配置とした場合には、主要な液晶配向領域の各々において、液晶分子21の傾斜方向が両側の偏向板透過軸を2等分する方向、すなわち、図の上下左右の各方向と一致するために、液晶駆動電界E1の印加によって良好な明状態を表示できるが、各々の液晶配向領域の境界部分には、図12に示されるような暗線25を生じる。この暗線25は、液晶分子21の傾斜方向が偏向板透過軸方向と一致する部位に対応する。偏向板透過軸の方向については、液晶がその方位に傾斜しても、光を透過させないため、図12に示されるような暗線25が生じるのである。上記のような暗線25は、表示上さほど大きな問題とならないが、例えば、電圧無印加の黒表示状態から電圧を印加して白表示状態へと変化させた際等に、一時的な配向変化すなわち、制御電極73からの電界に規定される方向に液晶分子21が傾く変化に引き続いて、液晶分子21がその傾斜方位を変化させる二次的な配向変化が生じることがあり、このようなケースでは問題となることがある。この場合には、暗線25が発生した後にその形状や幅の変化が見られる。この二次的な配向変化の時間スケールは一時的な配向変化と比較して進行が遅く、該当画素の経時的な光透過率変化を引き起こす。経時的な光透過率の変化には、大きく分けて2つのパターンが起こり得る。一つは、黒から白への変化を実質的に遅くする場合であり、残像の原因となる。また逆に、一度明るくなった後に徐々に暗くなるように変化する場合があり、この場合には定常状態での表示の明るさが不足する。上記のように、暗線25の発生が問題となる場合においては、偏向板と液晶20との間に四分の一波長板と称される光学異方性媒体を挿入して、液晶層に円偏向が入射するように構成することにより暗線25の発生を解消することもできる。この例においては、制御電極73が透明電極により形成されているので、この発明暗線25の解消はそのまま素子透過率や応答特性の向上につながる。四分の一波長板としては、ポリカーボネート等の延伸フィルムを単層で、あるいは積層して、用いることができ、液晶層の両側に、互いに光軸が直交するように配置するとよい。広帯域四分の一波長板と称される、複数枚の延伸フィルムを積層して構成したものを用いる場合には、液晶層の両側で、対応する各層が互いに直交するように配置するとよい。なお、通常の駆動方式において一度明るくなって後に徐々に暗くなるような透過率変化がみられる場合でも、動画表示時の画像をシャープにすることを目的として表示の各フレーム毎に黒表示を挿入する駆動を行った場合には、このような経時変化は問題とならない。この例においても、液晶20の動作は、第1実施形態と略同様に行われる。ここで、特にホモジニアスモードの場合に、負の屈折率異方性を有する光学軸の屈折率が小さい補償フィルムを、その光学軸が電圧無印加時の液晶の光学軸と一致するように配置したノーマリブラックモードで用いると、良好な視角特性が得られる。このとき補償フィルムのリタデーションと、液晶層のリタデーションとは符号が反対で絶対値が等しくなるようにするとよい。また、2軸性の補償フィルムを用いて表示コントラストや視角特性を向上させることも可能である。この例のマルチドメイン液晶表示装置の製造方法は、図6及び図7を参照して説明した第1実施形態におけるそれに準じて実施することができる。すなわち、図6bにおいて、画素電極71の形成に代えて制御電極73を形成し、図7cにおいて、制御電極73の形成に代えて画素電極71を形成するようにすればよい。なお、画素電極71のパターニング時には開口部74も形成する。以上のような製造方法により製造されたマルチドメイン液晶表示装置の各構成要素の平面形状は図6の通りであり、同画素のサイズは横略100μm×縦略300μmである。各構成要素の平面形状は図6の形状に限定されるものではなく、後述の図20に示すように種々の形状が考えられる。このように、この例の構成によっても、第1実施形態において述べたのと略同様な効果を得ることができる。◇第3実施形態図13は、この発明の第3実施形態であるマルチドメイン液晶表示装置の構成を示す模式的部分断面図第1実施形態の図2に対応、図14は同マルチドメイン液晶表示装置の画素の等価回路図である。この例のマルチドメイン液晶表示装置の構成が、上述した第1実施形態の構成と大きく異なるところは、画素電極を完全なフローティングとならないように形成するようにした点である。すなわち、この例のマルチドメイン液晶表示装置は、図13及び図14に示すように、画素電極71に何らかの原因で電荷が蓄積されるのを防ぐために、図14に示すように画素電極71と制御電極73との間に、結合容量126と並列して実質的に有限の抵抗値を有する結合抵抗135が接続されるように、例えば、第1実施形態の層間絶縁膜63の代わりにアモルファスシリコン等の半導体膜62が形成されている。そして、この半導体膜62に適当な不純物イオンをドープすることにより所望の抵抗値を得ることができる。また、図14の付加容量127に並列に抵抗を接続する場合は、共通容量ライン72と画素電極71との間に層間絶縁膜63の代わりに、上述と同様にアモルファスシリコン等の半導体膜62を形成することにより有限の結合抵抗を接続してもよい。結合抵抗135は、画素電極71に蓄積される電荷の影響により表示が焼きついたり、動画像を表示した時に液晶の応答時間を越えるような残像が生じたりすることが防げるように、蓄積された電荷の放電がなされるような値となるように設定される。その液晶表示装置の使用形態に応じて、1フレーム表示期間内で放電が完了するようにしたり、数秒から数分の動作休止により放電が完了するようにすることができる。これ以外は、上述した第1実施形態と略同様である。それゆえ、図13及び図14において、図1~図5の構成部分と対応する各部には、同一の番号を付してその説明を省略する。この例のマルチドメイン液晶表示装置の製造方法は、図6及び図7を参照して説明した第1実施形態におけるそれに準じて実施することができる。すなわち、図6b及び図7cに準じて工程において、CVD法により全面にアモルファスシリコンを成膜した後、フォトリソグラフィ技術によりアモルファスシリコンを所望の形状にパターニングして活性層64を形成する際に、同時に半導体膜62を所望の形状にパターニングして形成すればよい。図15は、この例のマルチドメイン液晶表示装置の変形例の画素を示す等価回路である。この変形例は、同図に示すように、各画素電極71と共通容量ライン72とを接続するようにTFT141を形成し、TFT141のゲートを前段のゲートバスライン55に接続することにより、前段のゲートバスライン55が選択された瞬間に共通容量ライン72の電位を画素電極71に書き込むことにより、画素電極71に蓄積された電荷を放電させることができるように構成したものである。このように、この例の構成によっても、第1実施形態において述べたのと略同様な効果を得ることができる。◇第4実施形態図16は、この発明の第4実施形態であるマルチドメイン液晶表示装置の構成を示す模式的部分断面図第1実施形態の図2に対応である。この例のマルチドメイン液晶表示装置の構成が、上述した第1実施形態の構成と大きく異なるところは、画素電極及び制御電極を色層及び遮光層の上に形成するようにした点である。すなわち、この例のマルチドメイン液晶表示装置は、図16に示すように、第1の基板11上に色層91及び遮光層93が形成されており、画素電極71と制御電極73とはその上に形成されて、画素電極71は容量端子75を介して共通容量ライン72と対向している。これ以外は、上述した第1実施形態と略同様である。それゆえ、図16において、図1~図5の構成部分と対応する各部には、同一の番号を付してその説明を省略する。この例のマルチドメイン液晶表示装置の製造方法は、図6及び図7を参照して説明した第1実施形態におけるそれに準じて実施することができる。すなわち、図6b及び図7cに準じた工程おいて、活性層64を形成した後、全面にクロムをスパッタ成膜した後、フォトリソグラフィ技術によりクロムを所望の形状にパターニングして、ドレインバスライン56、ドレイン端子58、ソース端子57を形成すると同時に容量端子75を形成した。さらに、窒化シリコンによりTFT54の保護絶縁膜65を形成し、ブラックレジストを用いて遮光層93を形成し、カラーレジストを用いてR、G、Bの色層91を形成した。続いて、オーバーコート層92を形成して平坦化し、画素電極71、層間絶縁膜63、制御電極73を形成した。制御電極73はソース端子57に、画素電極71は容量端子75に、それぞれコンタクトホールを通して接続されている。画素電極73は容量端子75に接続されている状態でフローティングとなっている。画素電極71と制御電極73との間に半導体膜62を形成することにより、第3実施形態と略同様に画素電極71を完全なフローティングとしないことも可能である。このように、この例の構成によっても、第1実施形態において述べたのと略同様な効果を得ることができる。◇第5実施形態図17は、この発明の第5実施形態であるマルチドメイン液晶表示装置の画素の構成を示す模式的平面図、図18は図17のF-F’における模式的部分断面図、図19は図17のG-G’における模式的部分断面図である。この例のマルチドメイン液晶表示装置の構成が、上述した第1実施形態の構成と大きく異なるところは、スイッチング素子としてのTFTをトップゲート構造に形成するようにした点である。すなわち、この例のマルチドメイン液晶表示装置は、図17~図19に示すように、TFT54は、ゲートバスライン55がソース端子57及びドレイン端子58よりも上部位置に配置されたトップゲート構造に形成されている。これ以外は、上述した第1実施形態と略同様である。それゆえ、図17~図19において、図1~図5の構成部分と対応する各部には、同一の番号を付してその説明を省略する。この例のマルチドメイン液晶表示装置の製造方法は、図6及び図7を参照して説明した第1実施形態におけるそれに準じて実施することができる。すなわち、図6a乃至図7cに準じた工程において、第1の基板11上に、クロムを成膜してパターニングすることにより、ドレインバスライン56、ドレイン端子58、ソース端子57、制御電極73を同時に形成し、続いてアモルファスシリコン層、絶縁層、クロムスパッタ膜を成膜し、これらをまとめてパターニングすることによりTFT54を形成した。さらに窒化シリコンから成る層間絶縁膜63を成膜し、続いてITOをスパッタ成膜してパターニングすることにより画素電極71を形成した。画素電極71はフローティングとし、また、制御電極73の位置に整合して開口部74を設けた。次に酸化シリコンとITOを連続的にスパッタ成膜してまとめてパターニングすることのよりゲート絶縁膜61と共通容量ライン72を形成した。この例によれば、TFT54の構造がボトムゲート構造からトップゲート構造に代わっただけで、図19に示すように、図10を参照して説明した第2実施形態と略同様のマルチドメインを形成することができる。ここでも、画素電極71と制御電極73との間の層間絶縁膜63あるいは画素電極71を共通容量ライン72との間のゲート絶縁膜61に代えて半導体膜62を形成することにより、第3実施形態と略同様に画素電極71を完全なフローティングとしないことも可能である。このように、この例の構成によっても、第1実施形態において述べたのと略同様な効果を得ることができる。◇第6実施例主たる実施例図20は、この発明の第6実施例主たる実施例であるマルチドメイン液晶表示装置の画素電極と制御電極との組合わせ例の平面形状を示す図、図21は同マルチドメイン液晶表示装置の画素電極と制御電極とからなる単位電極の平面形状を示す図、図22は同単位電極の組合せからなる基本的な構成の平面形状を示す図、図23は同基本的な構成を同マルチドメイン液晶表示装置に適用した例の平面形状を示す図である。すなわち、この例のマルチドメイン液晶表示装置の画素電極71及び制御電極73の組合せ例は、図20a~hに示したように、種々の例が考えられる。ここで、図21i~n及び図22o~rの基本的構成例、図23s~yの適用例の平面形状は、画素電極71及び制御電極73をある平面に射影した図であり、特に制御電極73は画素電極71上に設けられた開口部74から見える部分のみ描いたものである。この例においては、制御電極73、画素電極71上に設けられた開口部74及び画素電極71の端部の位置関係が重要である。これらの位置関係を説明するために平面図上でどのような位置関係にあるかを述べることにする。まず、図21i~nに示した単位電極を用いて、画素電極71、制御電極73、画素電極71端部の基本的な組合わせ例を図22o~rについて述べ、次にこれらの単位電極を実際の液晶表示装置に適用した適用例について、図23s~yを参照して述べる。説明上、画素電極71と制御電極73とが同一平面上にあるかのごとく述べるが、この例のマルチドメイン液晶表示装置では両電極71、73は異なった平面上に存在する。なおコンタクトホール等を通して導通を確保すればこれらの電極71、73の一部または全体が同一平面上にある構成も可能である。図21iの単位電極は、画素電極71が四角形でその画素電極71の1辺に沿って制御電極73が配置してあり、画素電極71の残りの3辺が開口部もしくは画素電極端部76となっていることを特徴とする。図21jの単位電極は、画素電極71が四角形でその画素電極71の2辺に沿って制御電極73が配置してあり、画素電極71の残りの2辺が開口部もしくは画素電極端部76となっていることを特徴とする。図21kの単位電極は、画素電極71が四角形でその画素電極71の3辺に沿って制御電極73が配置してあり、画素電極71の残りの1辺が開口部もしくは画素電極端部76となっていることを特徴とする。図21lの単位電極は、画素電極71は三角形でその画素電極71の2辺に沿って制御電極73が配置してあり、画素電極71の残りの1辺が開口部もしくは画素電極端部76となっていることを特徴とする。図21mの単位電極は、画素電極71は三角形でその画素電極71の1辺に沿って制御電極73が配置してあり、画素電極71の残りの2辺が開口部もしくは画素電極端部76となっていることを特徴とする。図21nの単位電極は、画素電極71は五角形でその画素電極71の2辺に沿って制御電極73が配置してあり、画素電極71の残りの3辺が開口部もしくは画素電極端部76となっていることを特徴とする。次に、図21i~nの単位電極を画素の繰り返し単位:横略100μm×縦略300μmのマルチドメイン液晶表示装置に適用した例について、図23s~yの適用例を参照して説明する。図23sの適用例は、図21iの単位電極をいくつか用いている。すなわち単位電極iと、単位電極iを制御電極73に対して線対称にした単位電極を、互いに制御電極73を共有するように配置して、図22の電極oのような電極を形成し、図22の電極oを2個用いてマルチドメイン液晶表示装置の一画素電極図23sとした。図22の電極oの構成とした理由は、制御電極73からの斜め電界と図22の電極oの左右の端部の斜め電界により、液晶の方向を略2方向に制御するためである。この図23sの適用例では、制御電極73が画素の長辺に対して平行になるようにした。なお、マルチドメイン液晶表示装置に適用するにあたって、図22の電極oに示すように画素電極71が制御電極73で分断されている構造ではなく、一画素上の画素電極71が等電位になるように接合部を設けてある。一画素上の画素電極71が等電位になるように接合部を設けてあるのは、図22の電極oを図23tの適用例に、図21の単位電極lを図23uの適用例に、図21の単位電極jを図23wの適用例に、単位電極k及び単位電極nを図23xの適用例に、単位電極i、単位電極l及び単位電極jを図23yの適用例にそれぞれ適用する場合も同様である。図23tの適用例は、図22の電極o5個を制御電極73が画素の短辺に対して平行になるよう配置してマルチドメイン液晶表示装置の一画素電極とした。図23uの適用例は、図21の単位電極lから構成されている。まず、4個の単位電極lを互いに制御電極73を共有するように配置して、図22の電極pのような電極を形成し、この電極pを2個用いてマルチドメイン液晶表示装置の一画素電極とした。単位電極l、電極pを用いた理由は、単位電極lの2つの制御電極73からの斜め電界と画素端部の斜め電界の3つの斜め電界により、単位電極l上の配向を略1方向に制御し、さらに単位電極lを電極pのように配置することで液晶の方向を略4方向に制御するためである。図23vの適用例は、図21の単位電極lと単位電極mとから構成されている。4個の単位電極mを制御電極73が外側となるように配置して、図22の電極qのような形状にした。図22の電極p2個の間に電極qを配置して用いてマルチドメイン液晶表示装置の一画素電極とした。ただし、図23vの適用例では電極pと電極qの間の配向の整合性を取るために、電極qの外側にある制御電極73のうち、電極pと接する部分を取り除いてある。このように基本的には単位電極i~nを用いて画素電極を形成するのであるが、上述のように配向の整合性を取るために、単位電極の形状を一部変更することも可能である。図23wの適用例は、図21の単位電極jから構成されている。単位電極jの形状を略正方形とし、4個の単位電極jを互いに制御電極73を共有するように配置して、図22の電極rのような形状にした。電極rを3個用いてマルチドメイン液晶表示装置の一画素電極とした。単位電極j、電極rを用いた理由は、単位電極jの2つの制御電極73からの斜め電界と2つの画素端部の斜め電界の4つの斜め電界により、電極r上の配向を略1方向に制御し、さらに単位電極jを電極rのように配置することで液晶の方向を略4方向に制御するためである。図23wの適用例では電極rの個数を3としたが、これに限定されることはなく、画素サイズ、用途に応じて任意に設計することができる。図23xの適用例は、図21の単位電極k2個と単位電極n2個とから構成されている。単位電極kの四角形を台形とした。台形の上底に制御電極73がくるようにし、二つの単位電極kを上底を共有するように配置した。このようにして形成した電極の斜辺の部分に単位電極nを、単位電極kと制御電極73を共有するように配置した。組合わせる際、配向の整合性を取るために、台形の上底すなわち制御電極73の一部分を隠すようにした。結果として長方形の画素電極71の上にY型とY型の上下反転した型の制御電極73が配置されているように見える電極が形成される。これをマルチドメイン液晶表示装置の一画素電極とした。図23yの適用例は、図21の単位電極i、単位電極l、単位電極jの3種類の単位電極から形成されている。この図23yの適用例では、単位電極iは台形とし、単位電極lは制御電極73で挟まれた角が直角である直角二等辺三角形とし、単位電極jは平行四辺形とした。単位電極lの斜辺と単位電極iの上底開口部となっているが接し、単位電極iの下底と単位電極jが制御電極73を共有している。このようにして形成された電極をいくつか用いてマルチドメイン液晶表示装置の一画素電極とした。なお、微小画素電極の一部に直角二等辺三角形を用いているので、画素電極71内部にある制御電極73、開口部74は画素の短辺に対して略45°または略135°の角度をなしている。図23s~yの適用例のいずれの場合においても、基本的には単位電極を用いて画素電極を形成するのであるが、画素全体での配向の整合性を取るために、単位電極の形状を一部変更することも可能である。以上のように設計した画素電極を持つマルチドメイン液晶表示装置を製造した。この制御電極の詳細は第2実施例のそれに準じて実施することができる。上述した図23s~yの適用例の配向状態を、図24~図30に顕微鏡写真で示す。なお、図24~図27、図29では、2枚の偏光板の配置方法は偏光板の吸収軸を互いに直交させ、かつ、そのうち1枚の偏光板の吸収軸を画素の長辺に対して略45°の方向になるようにしてある。また図28、図30では、2枚の偏光板の配置方法は偏光板の吸収軸を互いに直交させ、かつ、そのうち1枚の偏光板の吸収軸を画素の長辺に対して略0°の方向になるようにしてある。この例によれば、図23s~yの適用例のいずれの場合においても制御電極73の周辺部、開口部74の周辺部、画素電極71の周辺部からの斜め電界の効果により良好なマルチドメイン状の液晶配向が得られた。特に、図23wの適用例のパターンにおいては視角特性がよく、透過率が高く、安定性に優れた配向が得られた。この図23wの適用例においては、単位電極の形状は略正方形なので、液晶は対角線の方向にそろって倒れる。そのため隣り合う単位電極との間では、配向方向が略90°異なっている。電極上では型の制御電極73で区切られた4回対称な配向となっている。このように、この例の構成によっても、第1実施形態において述べたのと略同様な効果を得ることができる。◇第7実施形態この発明の第7実施形態では、第6実施形態に示した図23wの適用例において、制御電極電圧係数制御電極電圧/画素電極電圧を異ならせた場合の配向制御性への影響を比較検討した。ここで、画素電極電圧及び制御電極電圧とは、共通電極81の電圧を基準とした画素電極71及び制御電極73の電圧を示している。前述したように、画素電極電圧と制御電極電圧との電圧比は、画素電極71と制御電極73との間の結合容量126と、画素電極71と共通容量ライン72との間の付加容量127及び液晶容量125との比によって定まる。ここで、共通容量ライン72の電圧は、共通電極81と同電圧とした場合には、制御電極電圧係数={液晶容量125の容量値結合容量126の容量値付加容量127の容量値}/結合容量126の容量値で決定される。液晶容量125は配向状態の変化により変動するが、簡単のために、液晶容量125を最大値として考えた。すなわち、液晶容量125の容量値を計算する時には、液晶の比誘電率として、液晶分子軸に水平な方向に対応する比誘電率と垂直な方向に対応する比誘電率のうち、大きいほうの値を用いることとした。この例においては、結合容量126の容量値を変化させることによって、制御電極電圧係数を異ならせた。結合容量126は画素電極71と制御電極73との重畳部に形成されるので、この重畳部の面積及び両電極71、73間の層間膜の膜厚と比誘電率によって、結合容量126の容量値が定まるが、ここでは、以下の表1に示されるように制御電極73と画素電極71との重畳部の面積を変化させる例で示した。なお、両電極71、73間の層間膜はCVD成膜による膜厚が略200nmの窒化シリコンを用いた。窒化シリコン膜の比誘電率は略6.4である。次に、表1に示したように制御電極電圧係数を変化させたTFT-LCDLiquidCrystalDeviceを製造して表示動作を行ない、顕微鏡ならびに目視により観察した。表1の制御電極電圧係数の各値1.1、1.2、1.3、及び1.4、のそれぞれに対応する表示時の画素の顕微鏡写真を、図31、図32、図33及び図34に示した。図31~図34から明らかなように、制御電極電圧係数の異なる各々のTFT-LCDにおいて、この発明の原理に基づくマルチドメイン液晶配向制御を実現することができた。特に、制御電極電圧係数が1.2以上、より好ましくは1.3以上の場合において、より正確に配向制御を実現することができた。これに対して、制御電極電圧係数が1.1と値の小さいTFT-LCDにおいては、目視観察により若干のざらつき感が見られた。以上の結果から明らかなように、制御電極電圧係数については、その値が大きいほうが配向制御性が優れるが、これに伴って画素電極に印加される電圧は相対的に減少するため、駆動電圧あるいは明るさの点からは、制御電極電圧係数は大きくなり過ぎるのは望ましくない。これらのことを考慮すると、制御電極電圧係数は略1.3程度が最も好ましいと考えられる。このように、この例の構成によっても、第1実施形態において述べたのと略同様な効果を得ることができる。◇第8実施形態この発明の第8実施形態では、第6実施形態に示した図23wの適用例を基に、微小配向領域のサイズを異ならせた風数の実験用液晶セルを製造してそれぞれ比較検討した。ここで、微小配向領域とは、制御電極73、画素電極71の端部及び画素電極71に設けられた開口部74等の境界によって区切られる領域を示し、液晶が概ね単一の配向をとる領域を示している。この例における図23wの適用例においては、一つの微小配向領域のサイズは略40μm平方である。これを基に、微小配向領域サイズを略20μm平方とした実験用液晶セルを製造した。比較例として、微小配向領域サイズを略40μm平方とした実験用液晶セルも併せて製造した。これらの実験用液晶セルでは、TFTやゲートバスライン及びドレインバスライン等を省略し、制御電極73と画素電極72とのそれぞれに直接電圧を印加できる構造とした。図35はこの例の実験用液晶セルにおいて、暗状態から明状態に電圧を切り替えた後の顕微鏡写真を示している。図35aは暗状態から明状態に電圧を切り替えた後20ms放置した後の様子を示す写真、図35は暗状態から明状態に電圧を切り替えた後1秒以上放置したあとの様子を示す写真である。両写真を比較して明らかなように、この例では、電圧印加後、20ms以内に定常状態の配向状態とほぼ等しい配向状態が得られ、配向の安定性と電気光学的応答特性が優れていることがわかった。応答時間の具体的な測定値は、暗→明が約15ms、明→暗が約9msであった。一方、図36は比較例において、暗状態から明状態に電圧を切り替えた後の顕微鏡写真を示している。図36aは暗状態から明状態に電圧を切り替えた後20ms放置した後の様子を示す写真、図36は暗状態から明状態に電圧を切り替えた後1秒以上放置したあとの様子を示す写真である。両写真を比較して明らかなように、比較例では、電圧印加後、明るい定常状態の配向状態を得るまでに若干の時間を必要とすることがわかった。応答時間の具体的な測定値は、暗→明が約140ms、明→暗が約9msであった。上述したようにこの例では、電気光学的応答特性については、微小配向領域サイズを小さく20μm平方した方が、微小配向領域サイズを大きく40μm平方した場合よりも優れていること確認された。しかしながら、素子全体の光透過率については、各微小領域境界に見られる暗線の密度の違いにより、微小領域配向領域サイズが大きいほうが好ましいことがわかった。すなわち、微小配向領域サイズを大きく40μm平方とした方が、微小配向領域サイズを小さく20μm平方した場合よりも実験用液晶セル全体での光透過率は高くなることが確認された。微小配向領域サイズは、上記のような理由から、動画表示を行なうかどうかといった用途によって、また、目的とするTFT-LCDの画素ピッチとの兼ね合いを考慮して適宜選択できる。動画表示をおこなう場合には、略20μm平方程度あるいはそれ以下、動画表示を行なわない場合は略40μm平方程度あるいはそれ以上とすることが好ましい。もちろん用途によっては20μm~40μm平方の範囲に設定してもよい。このように、この例の構成によっても、第1実施形態において述べたのと略同様な効果を得ることができる。◇第9実施形態図37は、この発明の第9実施形態であるマルチドメイン液晶表示装置の画素の構成を示す模式的平面図、図38は図37のH-H’における模式的部分断面図、図39は図37のI-I’における模式的部分断面図である。この例のマルチドメイン液晶表示装置の構成が、上述した第1実施形態の構成と大きく異なるところは、制御電極をスイッチング素子としてのTFTのソース端子と一体的に形成するようにした点である。すなわち、この例のマルチドメイン液晶表示装置は、図37~図39に示すように、制御電極73はTFT54のソース端子57と一体的にクロム等の不透明金属により形成されている。このように構成すると、既に述べたように、結合容量126の容量値を大きく形成した場合に、開口率の低下を招くことが懸念されるが、この例においては、その点も考慮して十分な開口率を確保できる構成になっている。具体的には、ゲート絶縁膜61を介して制御電極73より下層に結合容量電極171を形成して、この結合容量電極171と、層間絶縁膜63を介して制御電極73より上層に形成した画素電極71とが、それぞれ制御電極73との重畳部を有しており、互いにコンタクトホール172を通じて接続されている。図37では、結合容量電極171の大部分が制御電極73の下に隠れているので分かりにくいが、図39から明らかなように、結合容量電極171は、略制御電極73の形状に沿ってこの下側に配置されている。この例によれば、制御電極73の上下両側に結合容量126を形成できるので、結合容量126の容量値を大きくする場合にも、制御電極73の面積をそれほど大きくしなくとも、十分な開口率を確保することができる。この例では、制御電極73を画素電極71よりも下層に形成した例を示したが、逆に画素電極71を制御電極73の下層に形成することもでき、画素電極71のさらに下層に配置した結合容量電極171と、上層の制御電極73とをコンタクトホール172を通じて接続することにより、画素電極71の上下両側に結合容量を形成することができる。さらに、この例によれば、付加容量127に関しても、小さな重畳面積により十分な容量値を得るための構成を採用している。すなわち、コンタクトホール177において、接続端子176により共通容量ライン72に接続された付加容量端子175、画素電極71との重畳部により付加容量127を形成している。ここで、共通容量ライン72はゲートバスライン55と同層の金属膜により形成されており、付加容量端子175はドレインバスライン56と同層の金属膜により形成されている。このように、付加容量端子175は共通容量ライン72よりも画素電極71に近い層に形成されているので、小さな重畳面積により十分な付加容量127の容量値を確保することができる。この例では、層間絶縁膜63を介して付加容量127を形成した例を示したが、ゲート絶縁膜61を介して付加容量127を形成する構成とした場合であっても、これら2つの絶縁膜63、61を介した付加容量127を形成する構成よりも大きな容量値を確保しやすい。なお、小さな重畳面積で十分な容量値を得て開口率を確保するためには、上記のような層構造における工夫の他、例えば、ゲート絶縁膜61あるいは層間絶縁膜63の膜厚を薄くしたり、誘電率を大きくする等でも効果がある。また、上記の開口率の確保に関する効果以外にも、この例においては、制御電極73を金属膜により構成することにより、制御電極73のパターニング精度を向上できるという効果もある。この理由は、通常、ITO等の透明電極よりもCr等の不透明金属のほうが、ウェットエッチングの精度が高いからである。この発明のマルチドメイン液晶表示装置においては、各々の電極の重畳部に形成される各容量の容量値が重要な設計パラメーターとなるため、重畳部の面積を決める各電極のパターニング精度の向上は重要である。次に、図41乃至図43を参照して、この例のマルチドメイン液晶表示装置の製造方法について工程順に説明する。まず、図41aに示すように、ガラスから成る第1の基板11上にクロムをスパッタ成膜した後、フォトリソグラフィ技術を用いてウェットエッチングによりクロムをパターニングして、ゲートバスライン55、共通容量ライン72、及び結合容量電極171を形成した。続いて、図41bに示すように、CVD法を用いて窒化シリコンを成膜して、ゲート絶縁膜61を一様に形成した。なお、ゲート絶縁膜61は、例えば二酸化シリコン等でも良く、また窒化シリコンと酸化シリコンとの積層膜等でも良い。もちろん有機膜等でも構わない。次にCVD法によりアモルファスシリコン層を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いてドライエッチングによりパターニングして、アイランド状にTFT54の活性層64を形成した。次に、図42cに示すように、クロムをスパッタ成膜した後、フォトグラフィ技術を用いてウェットエッチングによりパターニングして、ドレインバスライン56、ドレイン端子58、ソース端子57、制御電極73、付加容量端子175を形成した。続いて、図42dに示すように、窒化シリコンをCVD成膜して層間絶縁膜63を一体的に一様に形成し、さらにフォトリソグラフィ技術を用いてドライエッチングにより層間絶縁膜63及びゲート絶縁膜61を連続的にパターニングして、コンタクトホール172、177を形成した。続いて、図43に示すように、ITOをスパッタ成膜して、フォトリソグラフィ技術を用いてウェットエッチングによりパターニングして、フローティングの画素電極71と接続端子176を形成した。なお、画素電極71及び接続端子176を形成する工程において、ITOをウェットエッチングに代えてドライエッチングによりパターニングすることにより、パターニング精度を向上することができる。上述したように、全部で5回のフォトリソグラフィ技術を用いる5PR工程により第1の基板11を形成する。なお、詳しく説明しないが、この発明のマルチドメイン液晶表示装置において、表示領域周辺に設けられる、ゲートバスライン端子、ドレインバスライン端子、共通容量ライン接続部、静電保護トランジスタ等のすべての周辺素子についても、特にプロセスを追加することなく上記の工程と並行して同時に形成することができる。この詳細については、例えば、特許文献6等に記載されている。なお、第2の基板12の製造工程及び第1の基板11と第2の基板12との貼り合わせ工程等の、他のプロセスは、第1実施形態の製造方法に準じて実施することができる。このように、この例の構成によっても、第1実施形態において述べたのと略同様な効果を得ることができる。◇第10実施形態図44は、この発明の第10実施形態であるマルチドメイン液晶表示装置の画素の構成を示す模式的平面図、図45は図44のK-K’における模式的部分断面図、図46は図44のL-L’における模式的部分断面図である。この例のマルチドメイン液晶表示装置の構成が、上述した第1実施形態の構成と大きく異なるところは、着目する画素の前段に対応するゲートバスラインに、放電用のTFTを配置するようにした点である。すなわち、この例のマルチドメイン液晶表示装置は、図44~図46に示すように、特に図15を参照して説明した第3実施形態の変形例において、着目する画素の前段に対応するゲートバスライン55に、放電用のTFT141が配置されている。ここで、TFT141を構成するゲート端子、ドレイン端子、ソース端子、活性層等は、表示用のTFT54と同時に並行して形成することができる。TFT141は、そのドレイン端子がコンタクトホール142を通して共通容量ライン72に接続されており、ソース端子がコンタクトホール143を通して画素電極71に接続されている。この構成によって、前段のゲートバスライン55が選択された瞬間に共通容量ライン72の電位を画素電極71に書きこむことにより、画素電極71に蓄積された電荷を放電させることができるようになる。また、この例においては、画素電極71に設けられた開口部74のうち、下層に配置された制御電極73からの制御電界が作用する開口部74に対応する部位では、層間絶縁膜63が除去された構成になっている。このような構成とすることにより、制御電極73と液晶層との間にあった絶縁膜部分での電圧の損失がなくなり、制御電極73からの電界が直接液晶層に印加される効果が得られる。また、層間絶縁膜63の除去により形成される凹形状が、傾斜電界の作用による液晶分子の傾斜方向と整合するために、微小配向領域境界部における液晶の配向が安定する、といった効果が得られる。このような層間絶縁膜63の除去は、表示領域周辺の端子部を露出させる工程と同時に並行して実施できるので、特に付加的な工程は必要としない。このように、この例の構成によっても、第1実施形態において述べたのと略同様な効果を得ることができる。以上、この発明の実施形態を図面により詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更などがあってもこの発明に含まれる。例えばスイッチング素子として動作させる素子としてはTFTを使用する例で説明したが、これに限らずMIM素子等のダイオードを使用してもよい。また、画素電極及び制御電極を構成する透明電極としてはITOを使用する例で説明したが、これに限らずネサ膜酸化錫膜等の他の材料を使用することも可能である。また、制御電極を透明電極で構成する場合には、一部のみに透明電極を用いるようにしてもよい。また、ゲートバスライン、ソース端子、ドレイン端子等を構成する金属としてはクロムを使用する例で説明したが、これに限らずモリブデン、タンタルあるいはこれらの合金等の他の材料を使用することも可能である。