発光ダイオードLEDのウェハレベルパッケージングアッセンブリであって、複数の個別の搭載ユニットであって、個別の搭載ユニットがワイヤボンド領域、前記ワイヤボンド領域にある第1ビア、LED取付部位、及び前記LED取付部位にある第2ビアを含む、複数の個別の搭載ユニットを含むパターンニングされた基板と、前記パターンニングされた基板に取りつけられたアライメント基板であって、前記アライメント基板は、前記パターンニングされた基板の対応する搭載ユニットと整合した複数の個別のアライメントユニットであり、前記個別のアライメントユニットは、個別のLED取付部位及び個別の前記ワイヤボンド領域の少なくとも一部を露出する空洞を有する、アライメント基板と、複数のLEDであって、少なくとも1つが各空洞に配置され、各LEDは、前記ワイヤボンド領域にある対応する前記第1ビアにワイヤボンドされる第1電気リード、及び前記LED取付部位にある対応する前記第2ビアにワイヤボンドされる第2電気リードを有する複数のLEDと、を含むパッケージングアッセンブリ。前記パターンニングされた基板及び前記アライメント基板は、シリコン基板を含む請求項1に記載のパッケージングアッセンブリ。前記パターンニングされた基板及び前記アライメント基板は、ガラス基板を含む請求項1に記載のパッケージングアッセンブリ。前記パターンニングされた基板及び前記アライメント基板は、一般的に同様の熱膨張係数を有する請求項1に記載のパッケージングアッセンブリ。さらに、前記空洞で前記LEDの少なくとも一部の上を覆う変換材料を含む請求項1に記載のパッケージングアッセンブリ。前記変換材料は、蛍光体を含む請求項5に記載のパッケージングアッセンブリ。さらに、前記パターンニングされた基板と前記アライメント基板との間に接合材料を含む請求項1に記載のパッケージングアッセンブリ。前記接合材料は金属化層を含む請求項7に記載のパッケージングアッセンブリ。前記接合材料は接着材料を含む請求項7に記載のパッケージングアッセンブリ。前記ワイヤボンド領域は、前記搭載ユニットの表面の前記第1ビアに形成される第1導電性材料を含み、前記LED取付部位は、前記搭載ユニットの表面の前記第2ビアに形成される第2導電性材料を含む請求項1に記載のパッケージングアッセンブリ。前記第1または第2導電性材料の少なくとも1つは、金属化銅構造を含む請求項10に記載のパッケージングアッセンブリ。前記LEDの近くに、静電散逸ESDチップをさらに含む請求項1に記載のパッケージングアッセンブリ。前記第2電気リードは、前記LEDのベース上に金属化層を含む請求項1に記載のパッケージングアッセンブリ。前記第2電気リードは、前記LEDのベースにN型GaN材料を含むパッケージングアッセンブリ。発光ダイオードLEDのパッケージを製造するための方法であって、パターンニングされた基板をアライメントウェハに取り付け、前記パターンニングされたウェハのLED取付部位が一般的に前記アライメントウェハの対応する空洞に整合するようにすることと、複数のLEDを、前記空洞の少なくとも1つの表面を使用して前記LED取付部位にある空洞に配置し、前記LEDを前記LED取付部位に整合させることと、前記LEDを、前記パターンニングされたウェハのワイヤボンド領域とワイヤボンドを介して接続することとを含む方法。さらに、前記空洞中、個別の前記LEDの少なくとも一部の上に蛍光変換材料を形成することを含む請求項15に記載の方法。さらに、前記LEDを前記LED取付部位に表面実装することを含む請求項15に記載の方法。前記パターンニングされたウェハと前記アライメントウェハを複数の個別の前記LEDパッケージ内で単体化することをさらに含む請求項15に記載の方法。前記LEDは、前記LED取付部位を介して前記ビアに電気的に接続される請求項15に記載の方法。前記パターンニングされたウェハを前記アライメントウェハに取り付けることは、前記パターンニングされたウェハまたは前記アライメントウェハの少なくとも1つに、金属化層または接着層の少なくとも1つの接合材料を形成することを含む請求項15に記載の方法。前記パターンニングされたウェハを前記アライメントウェハに取り付けることは、前記パターンニングされた基板を前記アライメント基板にアノード接合することを含む請求項15に記載の方法。前記複数のLEDを前記空洞に配置することは、機械的ストップとして、前記空洞の少なくとも1つの表面を用いて、前記LEDを前記LED取付部位上の位置に案内することを含む請求項15に記載の方法。前記パターンニングされたウェハ及び前記アライメントウェハは、一般的に同様の熱膨張係数を有する請求項15に記載の方法。前記パターンニングされたウェハ及び前記アライメントウェハは、シリコンまたはガラスの少なくとも1つから作製される請求項15に記載の方法。パッケージングされる発光ダイオードLEDを形成する方法であって、複数の搭載ユニットを有する第1基板を複数のアライメントユニットを有する第2基板に隣接して配置することであって、個別の搭載ユニットは、ワイヤボンド領域に接続される第1ビア及びLED取付部位に接続される第2ビアを有し、前記個別のアライメントユニットは、一般的に前記搭載ユニットの前記ワイヤボンド領域に対応する第1空洞と、一般的に前記LED取付部位に対応する第2空洞とを有することと、前記第1空洞が、個別のワイヤボンド領域の少なくとも一部を露出し、前記第2空洞が個別の前記LED取付部位の少なくとも一部を露出するよう、前記第1基板を前記第2基板に取り付けることと、少なくとも1つのLEDを、前記LED取付部位に表面実装される前記LEDのカソード導電性ベース表面、及び前記ワイヤボンド領域にワイヤボンドされるアノードリードと共に個別の第2空洞に配置することと、前記LED上、前記第2空洞に蛍光変換材料を形成することと、を含む方法。さらに、前記第1及び第2基板を個別にパッケージングされたLEDに単体化することを含む請求項25に記載の方法。前記第1基板及び前記第2基板は、同一の熱膨張係数を有する請求項25に記載の方法。前記第1基板及び前記第2基板は、同一の材料から作製される請求項25に記載の方法。前記ワイヤボンド領域は、前記第1基板の表面に形成される導電性構造を含み、前記導電性構造は、銅、アルミニウム、タングステン、ステンレス鋼、または炭化ケイ素の少なくとも1つを含む請求項25に記載の方法。前記LED取付部位は、前記第1基板の表面に形成される導電性構造を含み、前記導電性構造は、銅、アルミニウム、タングステン、ステンレス鋼、または炭化ケイ素の少なくとも1つを含む請求項25に記載の方法。固体照明SSL装置であって、N型GaN材料と、前記N型GaN材料上にInGaN材料と、前記InGaN材料上にP型Gan材料とを含み、前記N型GaN材料は、電気信号を前記LEDに届けることを介する導電性ベースを有するLEDと、取付部位に接続されるビアを有する搭載ユニットであって、前記LEDは、前記取付部位に接続される導電性ベースを有する前記取付部位の少なくとも一部に表面実装され、前記搭載ユニット上に配置され、前記搭載ユニットに取り付けられ、前記取り付け部位に対応する空洞を有するアライメントユニットであって、前記LEDは、前記空洞の少なくとも一部に突出し、前記搭載ユニット及び前記アライメント部材は、一般的に同様の熱膨張係数を有し、前記空洞に前記LEDの少なくとも一部上を覆う上形成される蛍光体変換材料とを含むSSL装置。前記導電性ベースは、前記N型材料上に金属化材料を含む請求項31に記載のSSL装置。前記LEDはさらに、前記N型GaN材料の下に、シリコンSi、窒化ガリウムGaN、窒化アルミニウムAlN、銅Cu、アルミニウムAl、タングステンW、ステンレス鋼Fe、及び炭化ケイ素SiCの少なくとも1つを含み、前記N型GaN材料の下にある基板を含み、前記変換材料は、ポリイミド、溶剤溶解熱可塑性ポリイミド、セラミック材料、及びガラスの少なくとも1つを含む担体材料を含み、前記変換材料は、セリウムIIIをドープしたイットリウムアルミニウムガーネットYAG、ネオジムをドープしたYAG、ネオジム―クロミウムをダブルドープしたYAG、エルビウムをドープしたYAG、イットビウムをドープしたYAG、ネオジム-セリウムをダブルドープしたYAG、ホルミウム-クロミウム-ツリウムをトリプルドープしたYAG、ツリウムをドープしたYAG、クロミウムIVをドープしたYAG、ジスプロシウムをドープしたYAG、サマリウムをドープしたYAG、及びテルビウムをドープしたYAGの少なくとも1つをさらに含む、請求項31に記載のSSL装置。そのようなLEDのパッケージの欠点の1つは、分割ダムまたは他の構造が、一般的に変換材料6を含有される必要があることである。別の懸念は、各LEDダイ4が、時間を要し、より的確な扱いが要求される分割基板2に搭載されることがあることである。加えて、LEDは、一般的に、大量の熱を生成し、LEDダイ4と基板2間で異なる熱膨張係数は、パッケージングされた装置に離層や他の損傷を引き起こし得る。SSL装置及び関連するパッケージング方法の様々な実施形態を以下に記載する。用語LEDは、一般的に、電気エネルギーを、可視、紫外線、赤外線、及び/または他のスペクトルの電磁放射に変換する半導体ダイオードに関する。用語蛍光体は、一般的に、励起された粒子例えば、電子及び/または光子にさらされた後、光を発し続けることができる材料を指す。当業者は、技術がさらなる実施形態を有し得ること、及び技術が図2A~5を参照して、以下に記載される実施形態のいくつかの詳細なく、実践され得ることをも理解するであろう。図2は、新規技術の複数のパッケージ化ユニット101を有するウェハレベルパッケージングアッセンブリ100を示す。ウェハレベルパッケージングアッセンブリ100は、150mm、200mm、または300mmの直径を有する通常サイズの半導体ウェハであり得り、ウェハアッセンブリ100における特定の製造工程が完了した後、ウェハアッセンブリ100から単体化され得るいくつかの個別のパッケージ化ユニット101を含み得る。図3A及び4Aは、本技術の様々な実施形態に記載の少数のパッケージ化ユニット101の、図2Aにおける線1-1に沿った断面図である。図3Aは、パターンニングされた基板102、及びパターンニングされた基板102上に重なったアライメント基板104を含む、パッケージングアッセンブリ100のいくつかの実施形態を示す。パターンニングされた基板102は、いくつかの個別の搭載ユニット103を有し、アライメント基板104は、一般的に、搭載ユニットに対応する、いくつかの個別のアライメントユニット105を有する。以下に説明するように、各パーケージ化ユニット101は、搭載ユニット103とアライメントユニット105を含む。パターンニングされた基板102及びアライメント基板104の材料は、一般的に、基板102、104が加熱または冷却された際に、それらがおおよそ同一の度合で膨張または収縮するように、同様または同一の熱膨張係数CTEを有し得る。これは、基板102、104間の熱応力を軽減する。同じことは、パッケージアッセンブリ100の単体化後のパッケージ化ユニット101に対しても真である。つまり、搭載ユニット103は、アライメントユニット105とおおよそ同一のCTEを有する。簡単な説明として、新規技術の構造及び工程を、少数のパッケージ化ユニット101に関してのみを記載するが、互いからパッケージ化ユニット101を単体化する前にウェハレベルで工程が一般的に行われる。搭載ユニット103は、それぞれ、パターンニングされた基板102上、及び/またはパターンニングされた基板102に形成される第1及び第2ビア113a、113b、LED取付部位118、及びワイヤボンド領域116等の導電性の特徴を含み得る。いくつかの実施形態において、ワイヤボンド領域116及びLED取付部位118は、それぞれビア113a及び113bの上部にあり得り、一般的に、搭載ユニット103の上面と同じ高さである。ビア113a、113bは、銅、アルミニウム、またはその他の適切な材料の相互接続を形成する既知の金属被覆工程を用いて作製され得る。ワイヤボンド領域116は、1及び第2ビア113a、113bは、互いに絶縁されるように、LED取付部位118からある距離だけ離され、且つLED取付部位118からの絶縁され得る。いくつかの実施形態において、ビアは、図2bに示すものより大きい及び/または数が多くあり得る。一般的に、ビア113a、113bが作製される材料は、搭載ユニット103の材料に比べ、熱伝導がより効率的である。従って、より多くの及び/または大きなビア113a、113bを使用することは、パッケージ100の熱効率を改善し得る。個別のパッケージ化ユニット101は、さらに、LED取付部位118にLED106を含み得る。LED106は、図1Bに示すLEDダイ4と同一であり得る。他の実施形態において、LED106は、ワイヤボンド115によって第1ビア113aに電気的に接合される第1接点111、LED106の基部にあり、はんだ、金Au、導電性ペースト、または他の導電性接合型の接続、または他の表面型の接続によって、第2ビア113bに電気的に接合される第2接点112を有し得る。第1及び第2接点111、112は、銅Cu、アルミニウムAl、タングステンW、ステンレス鋼、他の適切な金属合金、または最終接合及び電気的接続に適切な最終金属を有する卑金属であり得る。第1及び第2接点111、112は、また、他の導電性材料例えば、SiCから作製され得る。他の実施形態において、LED106の下部にあるN型GaN材料は、第2リード112であり得る。第1リード111は、カソードリードであり得り、第2リード117は、アノードリードであり得り、またはその逆でもよい。LED106は、可視スペクトル例えば、約565nm~約660nmで、赤外スペクトル例えば、約680nm~約970nmで、近赤外スペクトル例えば、約1050nm~約1550nmで、及び/または他の適切なスペクトルで光を発するよう構成され得る。個別のアライメントユニット105は、一般的に搭載ユニット103のある部分に対応する空洞108を有し得る。空洞108は、各パッケージユニット101が単一のLED106を有するか、複数のLED106を有するかに応じて、1つまたは複数の個別のLED106を収容し得る。いくつかの実施形態において、空洞108は、アライメントウェハ104を完全に通過するよう延在する側壁114を有する。空洞108は、円形、四角形、または1つまたは複数のLED106を収容する他の形状を有し得る。空洞108はまた、ワイヤボンド領域116及びLED取付部位118を収容する形状であり得るか、または空洞108が、さらにLED取付部位118をワイヤボンド領域116から分離するために2つの別の区画を含み得る。パッケージングアッセンブリ100は、空洞108の側壁114が、LED106をパターンニングされた基板102上の正しい場所に導くために使用され得るため、LEDの効率的なパッケージングを提供する。上述のように、LED106の第2リード112は、金属化層、またはN型GaN材料のいずれかの導電性ベース構造であり得る。第2リード112が少なくとも第2ビアbの一部を覆うため、LED106は、空洞108内に表面実装され得る。従って、LED106は、第2ビア113bに比べ、高い位置公差を有する。精密さ、高価さ、位置決め手順に費やされる時間が要求される非常に小さなリードを有する他の構成に比べ、LED106は、わずかなアライメント要求で空洞108内に配置され得り、少なくとも1つのリードはワイヤボンドされる必要がない。いくつかの実施形態において、アッセンブリ100は、LED106が空洞108内に設置され、パターンニングされた基板102に接している場合、さらなるアライメントが要求されないように構築される。パターンニングされた基板102及びアライメント基板104は、互いに、LED106の取付部位118への搭載前、または後に取り付けられ得るが、一般的に、パターンニングされた基板、アライメント基板102、104は、共に、LED106の搭載前に接合される。基板102、104は、共に、個別の搭載ユニット103が対応するアライメントユニット105と整合するようにアラインするように接合される。基板102、104は、基板102、104の1つまたは両方に適用される接合材料110を使用して、互いに接合され得る。接合材料110は、銅、はんだ、金または他の材料のような金属を含み得る。例えば、銅の接合材料110は、銅の熱圧着接合を形成するよう、基板102、104間に高温で押圧され得る。他の実施形態において、接合材料110は、シールを形成するよう、共に押圧されるテープまたはペーストのような接着剤である。またさらなる実施形態において、パターンニングされた基板102は、その間に接合材料110を有さない、アノード接合を使用して、アライメント基板104に接合され得る。アノード接合は、基板102、104を2つの金属電極間に高温例えば、およそ400°Cでスランプすることにより形成され得る。電位は電極間に印加され、基板102、104に浸透する電界を生じ得る。アノード接合を形成するために、パターンニングされたまたはアライメント基板102、104のうち1つは、ナトリウムイオンを含むガラス製であり、他の基板は、シリコン製である。電界は、ナトリウムイオンを高温に移行させ、ナトリウムイオンは、固体化学結合を形成するために他の基板のシリコン表面と反応する。担体材料内に埋込される蛍光体のような変換材料119は、パターンニングされた基板102状に分割ダムを形成する必要なく、LED106の少なくとも一部を覆い、空洞108内に、蒸着され得る。変換材料119は、刺激下で所望の波長の光を発する組成物を有し得り、LED106及び変換材料119からの発光の組み合わせは白色光に比類し得る。例えば、一実施形態において、変換材料119は、イットリウムアルミニウムガーネットYAGを、フォトルミネセンス下で緑色から黄色、及び赤色の範囲の色を発する特定の濃度で、ドープしたセリウムIIIを含む蛍光体を含み得る。他の実施形態において、変換材料119は、ネオジムをドープしたYAG、ネオジム―クロミウムをダブルドープしたYAG、エルビウムをドープしたYAG、イットビウムをドープしたYAG、ネオジム-セリウムをダブルドープしたYAG、ホルミウム-クロミウム-ツリウムをトリプルドープしたYAG、ツリウムをドープしたYAG、クロミウムIVをドープしたYAG、ジスプロシウムをドープしたYAG、サマリウムをドープしたYAG、テルビウムをドープしたYAG、及び/または他の適切な蛍光化合物を含み得る。LED106からの光及び/または励起粒子が変換材料119を照射する際、蛍光体は、励起され、所望の特性の光を発する。レンズ不図示は、また、焦点を合わせる、あるいは、光を変更するため、変換材料119及び/またはLED106の少なくとも一部を覆うように構築され得る。変換材料119及び/またはレンズは互いからパッケージ化ユニット101を単体化する前にウェハレベルで形成され得る。図3Bは、ウェハレベルアッセンブリ100に関連する単一パッケージ化ユニット101の拡大上面図を示す。ここに記載されるパッケージ化ユニット101の特徴は、図3Aに関して上記に示し、記載されたパッケージ化ユニット101と一般的に同様である。従って、図3A及び3Bの特徴と類似のものには、類似の参照番号を付与する。搭載ユニット103の一部は、アライメントユニット105の下で、空洞108を介して、見ることができる。LED106は、LED取付部位118の上で、かつ第2ビア113bと接続される第2接点112図2Bを有する第2ビア113b見かけ上の上の空洞108中に示されている。パッケージ化ユニット101は、LED106にまたは周囲に発生する静電気を散逸させるため、LED106の近くに、静電散逸ESDチップ121を含み得る。アライメントユニット105は、ESDチップ121のためのポケットまたは溝slotを有し得るか、ESDチップ121は、搭載ユニット103に統合され得るか、またはアライメントユニット105内に成型され得る。ESDチップ121は、ワイヤボンド領域116でワイヤボンド115を介して、LED106に、または第1ビア113aに接続され得る。図4Aは、新規技術のさらなる実施形態の、図2のハッチング1-1に沿った、パッケージングされたLEDユニット101の部分的な概略断面図である。パッケージ化ユニット101の多くの構成要素は、一般的に、図2、3A及び3Bに関して、上述の特徴と類似している。従って、類似の特徴には類似の参照番号を付与する。本実施形態におけるワイヤボンド領域116は、第1ビア113aに形成される第1導電性材料116aを含む。ワイヤボンド115は、ワイヤボンド領域116に、第1導電性材料116aを介して、接続され得る。LED取付部位118は、第2ビア113b上に形成される第2導電性材料118aを含み得る。1つ以上の第1及び第2導電性材料は、銅cu、アルミニウムAl、金Au、銀Ag、タングステンW、または、それらか別の材料の合金、または他の適切な導電性材料の金属化構造を含み得る。第1及び第2導電性材料116a、118aは、パターンニングされ得るか、あるいは分割され得て、それらが互いに絶縁し、それぞれアノード及びカソードLEDリード、またはその逆としての役割を担い得る。第2導電性材料118aは、おおよそLED106と同一の大きさ及び形状であり得るか、またはLED106よりも小さくてもまたは大きくても良い。加えて、接合材料110、第1導電性材料116a、および第2導電性材料118aは、全て、それら特徴を形成するためにパターンニングされる共通の金属構造から作製され得る。いくつかの実施形態において、LEDの第2接点112は、LED106の搭載面の全て、またはかなりの部分に延在する導電性ベース層であり得る。例えば、第2接点112は、LED106のN型GaN材料14図1Bを含み得る。第2接点112はまた、N型GaN材料14の下に、導電性材料12図1Bを含み得る。いずれの場合においても、LED106は、空洞108の側壁114及びLED取付部位118の比較的大きな領域を使用して、第2導電性材料118aに容易に表面実装され、LED106を搭載部位103の上部に配置し得る。図4Bは、新規技術のさらなる実施形態のウェハレベルアッセンブリ100に関する個別の搭載部位103の拡大上面図を示す。ワイヤボンド領域116は、破線で示されている第1ビア113aの上に第1導電性材料116aを含み、LED取付部位118は、破線で示されている第2ビア113bの上に第2導電性材料118aを含み得る。ワイヤボンド領域116及びLED取付部位118の大きさ及び位置は、異なるLED構成及びパッケージの大きさを収容するため変化し得る。例えば、複数のLED106を含むパッケージ化ユニット101は、LED106アレイの形状及び配列に応じて構成されるより大きなLED取付部位118を有し得る。接合材料110は、上述のように、搭載ユニット103の表面に形成され得る。接合材料110は、第1導電性材料116aと第2導電性材料118a間の望まれない電気接続を形成することを避けるためLED取付部位118とワイヤボンド領域116から離され得る。他の実施形態において、接合ユニットは、アライメントユニット105に、または搭載ユニット103とアライメントユニット105の両方に形成される。図5は、新規技術のアライメント基板104から単体化された後などの、個別のアライメントユニット105の部分的な概略上面図を示す。いくつかの実施形態において、空洞108は、一般的に搭載ユニット103のLED取付部位118に対応する大きな空洞129と、一般的に接触領域116に対応する小さな空洞130とを含む。空洞129、130は、エッチング処理または別の適切な手順を使用して、アライメント基板104に形成され得る。空洞129、130の大きさ及び形状は、必要に応じて、調整され得る。例えば、大きな空洞129は、複数のLEDまたはより大きなLEDを収容するパッケージ100で使用され得る。いくつかの実施形態において、大きな空洞129は、小さな空洞130から分割される。図3に示すような、空洞129、130の大きさ及び形状は、図解目的であり、これに限定はしない。前述から、本発明の特定の実施形態は例示目的のために本明細書に記載されており、本発明の実施形態の説明を不必要に不明確にすることを避けるため、周知の構造及び機能を、詳細に示したり、記載してはいないことが認識されるであろう。上部下部及び側部のような参照の用語は、説明目的で使用され、主に、図面に示す全体像を明確にするために用いられ、限定的ではない。本明細書に記載の構造及び構成要素は、動作では図面に示す方向と異なる方向を有するかもしれない。文脈が許容するのであれば、単数または複数の用語は、それぞれ、複数または単数の用語を含み得る。単語またはは、その単語は、2つ以上の項目のリストを参照して、他の項目から排他的な単一の項目のみを意味することに限定されるべきであるということを指し示す表現句に関連しない限りは、結果として、そのようなリストにおけるまたはの使用は、aリスト中のいずれかの単一な項目、bリスト中の全ての項目、またはcリスト中の項目の組み合わせを含むよう解釈されるだろう。また、上述の特定の実施形態が、例示を目的としたものであり、様々な変形が、本発明から逸脱することなく作製され得ることが認識されるであろう。特定の実施形態の内容に記載の本開示の概要は、他の実施形態で、組み合わせ、または除外され得る。さらに本開示の特定の実施形態に関連する利点がそれら実施形態の内容に記載されている一方、他の実施形態はそのような利点をも表し得るが、全ての実施形態が、本開示の範囲内にあるそのような利点を必ず表す必要はない。従って、本発明は、上述の実施形態に限定されることなく、容易に理解するために提供される。むしろ、本発明は、特許請求の範囲によって定義されるいずれかの及び全ての他の実施形態を含む。