被処理物へのイオンビームによるイオン注入処理を制御するための制御システムと、イオンビーム経路に向けて放射された測定電磁波の反射または透過を検出することにより、前記イオンビームに関連する出力を前記制御システムに提供するイオンビーム計測装置と、を備えることを特徴とするイオン注入装置。前記イオンビーム計測装置は、走査による前記イオンビームの通過領域を前記測定電磁波が横断するように前記測定電磁波を前記イオンビームに放射することを特徴とする請求項1に記載のイオン注入装置。前記イオンビームの入射を受けて前記イオンビームを計測するためのイオンビーム検出器をさらに備え、前記制御システムは、前記イオンビーム検出器を前記イオンビームが経由する第1走査と、前記イオンビーム検出器を経由せずに前記イオンビームが被処理物を走査する第2走査と、を含む走査シーケンスを実行することを特徴とする請求項1または2に記載のイオン注入装置。前記制御システムは、前記イオンビームの走査範囲が前記被処理物の幅に一致するよう、前記走査範囲の変更を前記被処理物の機械的走査中に許容することを特徴とする請求項1または2に記載のイオン注入装置。前記制御システムは、前記被処理物の最大幅に基づいて前記イオンビームの走査範囲を固定値に設定することを特徴とする請求項1または2に記載のイオン注入装置。前記制御システムは、前記イオンビームと前記被処理物との相対位置情報と前記イオンビーム計測装置の出力とに基づいて前記イオンビームに変動が生じた位置を特定することを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のイオン注入装置。前記イオンビームは、長手方向に延びる断面形状をもつイオンビームであり、前記イオンビーム計測装置は、前記イオンビームの前記長手方向の複数位置に前記測定電磁波を照射し、該複数位置に照射された前記測定電磁波を検出することにより、前記イオンビームの前記長手方向分布を前記制御システムに提供することを特徴とする請求項1に記載のイオン注入装置。前記イオンビームは、長手方向に延びる断面形状をもつイオンビームであり、前記制御システムは、前記イオンビームの前記長手方向の幅が前記被処理物の幅に一致するよう、前記イオンビームの前記長手方向の幅の変更を前記被処理物の機械的走査中に許容することを特徴とする請求項1に記載のイオン注入装置。前記イオンビームは、長手方向に延びる断面形状をもつイオンビームであり、前記制御システムは、前記被処理物の最大幅に基づいて前記イオンビームの前記長手方向の幅を固定値に設定することを特徴とする請求項1に記載のイオン注入装置。イオンビームの経路に向けて電磁波を放射するための電磁波源と、前記イオンビームによって反射された前記電磁波、または前記イオンビームを透過した前記電磁波を検出するための検出器と、を備えることを特徴とするイオンビーム計測装置。前記検出器の検出結果に基づいて前記イオンビームのプラズマ周波数を演算する演算部をさらに備えることを特徴とする請求項10に記載のイオンビーム計測装置。前記電磁波源は、前記電磁波の周波数を変更可能であることを特徴とする請求項10または11に記載のイオンビーム計測装置。前記電磁波源は、周波数幅をもつ前記電磁波を放射するよう構成されていることを特徴とする請求項10から12のいずれかに記載のイオンビーム計測装置。請求項10から13のいずれかに記載のイオンビーム計測装置を備えることを特徴とするイオン注入装置。イオンビームに電磁波を放射することと、前記イオンビームによって反射された前記電磁波、または前記イオンビームを透過した前記電磁波を検出することと、を含むことを特徴とするイオンビーム計測方法。こうしたイオンビームの入射を直に受ける方式のいわば接触式のビーム計測は、計測中に計測器がビームを占有することになるから、計測中は被処理物にイオンビームを照射することはできない。同様に、被処理物にイオンビームを照射しているときに計測をすることもできない。そのため、被処理物への照射処理のスループットを高めることとイオンビームの高頻度の計測によるビーム品質の保証とがトレードオフの関係となってしまう。また、被照射物への照射という本来の目的以外に計測のためにイオン材料が余分に消費されてしまう。本発明のある態様の例示的な目的のひとつは、イオンビームを被処理物に照射しながらイオンビームの計測をすることを可能とする、いわば非接触式の計測を提供すること、あるいはそうした計測を適用したイオン注入装置を提供することにある。本発明のある態様は、イオン注入装置である。この装置は、被処理物へのイオンビームによるイオン注入処理を制御するための制御システムと、イオンビーム経路に向けて放射された測定電磁波の反射または透過を検出することにより、前記イオンビームに関連する出力を前記制御システムに提供するイオンビーム計測装置と、を備える。本発明の別の態様は、イオンビーム計測装置である。この装置は、イオンビームの経路に向けて電磁波を放射するための電磁波源と、前記イオンビームによって反射された前記電磁波、または前記イオンビームを透過した前記電磁波を検出するための検出器と、を備える。本発明の別の態様は、イオンビームの計測方法である。この方法は、イオンビームに電磁波を放射することと、前記イオンビームによって反射された前記電磁波、または前記イオンビームを透過した前記電磁波を検出することと、を含む。なお、以上の構成要素の任意の組み合わせや本発明の構成要素や表現を、方法、装置、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。本発明によれば、非接触式のイオンビーム計測が提供される。図1乃至図3は、本発明の第1実施形態に係るイオンビーム計測装置10の一構成例を模式的に示す図である。イオンビームの入射を直接受ける検出面をもつ接触式の計測器とは異なり、イオンビーム計測装置10は、イオンビーム14に測定ビーム12を放射することにより非接触式のイオンビーム計測を提供する。言い換えれば、イオンビーム計測装置10は、イオンビーム14に作用した測定ビーム12を検出することにより間接的にイオンビーム14を計測する。イオンビーム14自体の照射を受ける検出器は、イオンビーム計測装置10の必須の構成要素ではない。その測定原理を図1乃至図3を参照して説明する。イオンビーム計測装置10は、イオンビーム14を照射するためのイオンビーム照射システム例えばイオン注入装置に、イオンビーム14を計測するためのサブシステムとして組み込まれて構成されていてもよい。または、イオンビーム計測装置10は、独立型のいわゆるスタンドアローン型の計測装置として構成されてもよい。図1並びに以下で参照する各図において説明の便宜上、イオンビーム14の進行方向をz方向とし、z方向に垂直な面をxy面と定義する。なお図1はyz面を示すのに対し、図3はxy面を示していることに留意されたい。後述するようにイオンビーム14を被処理物16に対し走査する場合には走査方向をy方向とし、z方向及びy方向に垂直な方向をx方向と定義する。イオンビーム14を走査したときにイオンビーム14の中心軸の描く軌跡によって、イオンビーム14の走査面例えばyz面が定義される。イオンビーム14は実際にはある大きさのビーム断面をもつから、その大きさの範囲で上下例えばx方向に走査面から離れた位置にもイオンビームは照射される。それを考慮に入れると、走査によるイオンビーム14の通過領域は走査面の上下に広がる立体的な領域であると言える。イオンビーム14は被処理物16への照射のために処理室18へと導かれる。一実施例においては、イオンビーム14は被処理物16に連続的に照射される。すなわち、イオンビーム14は、図示しないイオンビーム生成部により生成される。イオンビーム14は、所望の目標プロファイル例えば目標ビーム電流に従って所望の照射期間連続して被処理物16に照射される。他の一実施例においては、イオンビーム14は、パルスイオンビームであってもよい。イオンビーム計測装置10がイオン注入装置に適用される一実施例においては、被処理物16は半導体基板例えばシリコンウェーハであり、xy面内でイオンビーム14に対し移動可能にまたは静止状態に支持されて処理室18に収容されている。イオンビーム処理のために処理室18は所望の真空状態に保たれており、そのための真空排気装置例えばクライオポンプまたはその他の真空ポンプ図示せずが付設されている。処理室18は例えば真空チャンバまたはプロセスチャンバ等とも呼ばれる。イオン注入装置の場合には処理室18はエンドステーションと呼ばれ、被処理物16はターゲットと呼ばれることもある。なお処理室18に必ずしも被処理物16が収容されていなくてもよく、処理室18は被処理物16に入射すべきイオンビーム14に測定ビーム12を放射するための計測室として構成されていてもよい。その場合、イオンビーム14の経路に沿って処理室18の下流に被処理物16が配され、処理室18に進入したイオンビーム14は測定ビーム12を経由して処理室18を出射し、被処理物16へと入射してもよい。イオンビーム計測装置10は、電磁波源の一例である測定ビーム源20を備える。測定ビーム源20は、測定ビーム12を放射する。測定ビーム12は、イオンビーム14との間に相互作用を生じる波長または波長域をもつ電磁波である。効果的にイオンビーム14に作用させるために、測定ビーム12は好ましくは、指向性をもつ電磁波である。しかし、イオンビーム計測装置10で使用される測定のための電磁波は、必ずしも指向性をもたなくてもよい。よって、測定ビーム源20に代えて、イオンビーム計測装置10は、イオンビーム14との間に相互作用を生じる波長または波長域をもつ電磁波を放射する電磁波源を備えてもよい。イオンビーム計測装置10で使用される測定のための電磁波を、以下では、測定電磁波と呼ぶことがある。測定ビーム12は、測定電磁波の一例である。イオンビーム計測装置10は、測定ビーム12を検出するための測定ビーム検出器22を備える。測定ビーム検出器22は、測定ビーム源20からイオンビーム14に放射され、イオンビーム14を反射または透過した測定ビーム12を検出するために設けられている。測定ビーム検出器22は、その検出面に測定ビーム12の入射を受けて検出信号S1を出力するよう構成されている。一実施例においては、測定ビーム検出器22は、測定ビーム12を受光または受信するための受光面または受信機を備える。測定ビーム検出器22は、受光または受信した測定ビーム12の例えば強度に関連する検出信号S1を生成する。一実施例においては、測定ビーム源20は、測定ビーム12がイオンビーム14の経路に交差して測定ビーム検出器22に入射するよう配置されている。例えば、測定ビーム12が測定ビーム源20からイオンビーム14を通過して測定ビーム検出器22へと直線的なビーム経路をとるように、測定ビーム源20と測定ビーム検出器22とは、イオンビーム14の入射経路を挟んで互いに向き合って配置されている。イオンビーム計測装置10は、検出信号S1を含む入力信号に基づき計測結果を与えるための演算処理ユニット26を備えてもよい。演算処理ユニット26は、測定ビーム検出器22とは別体に測定ビーム検出器22から検出信号S1を受信可能に設けられていてもよく、例えば公知のパソコン等の演算装置であってもよい。あるいは演算処理ユニット26は、測定ビーム検出器22に一体に搭載されていてもよい。演算処理ユニット26は例えば、検出信号S1に基づきイオンビーム量例えばビーム電流または注入ドーズ量を演算してもよい。演算処理ユニット26は、検出信号S1に基づきイオンビーム量の相対変化量を演算してもよい。演算処理ユニット26は例えば、予め記憶されているイオンビーム量と検出信号S1との関係を表すマップを参照することによりイオンビーム量を求めてもよい。演算処理ユニット26は、検出信号S1またはそこから演算して得た値が、予め定められている許容範囲に含まれるか否かを判定してもよい。許容範囲外にあると判定された場合には、演算処理ユニット26は、その判定結果を記憶するか、または警告を出力してもよい。イオンビーム14がプラズマ状態にあるとき、イオンビーム14はその電子密度に応じた固有のプラズマ周波数ω0をもつ。電気素量をe、電子密度をN、電子質量をm、真空の誘電率をεと表すとき、プラズマ周波数ω0は、次式で表すことができる。電気素量e、電子質量m、及び真空の誘電率εは既知である。よって、イオンビーム14のプラズマ周波数ω0が取得された場合には、そのイオンビーム14の電子密度Nを求めることができる。イオンビーム14の電子密度Nは、後述するように、イオンビーム14の電流密度に換算することができる。イオンビーム14はプラズマ状態にあるとき、電離層による電波反射と同様の現象により、測定電磁波を吸収、屈折、反射、または透過する。測定電磁波の周波数がイオンビーム14のプラズマ周波数ω0より小さい場合にはその電磁波の少なくとも一部がイオンビーム14により反射される。逆に測定電磁波の周波数がイオンビーム14のプラズマ周波数ω0より大きい場合にはその電磁波の少なくとも一部がイオンビーム14を透過する。よって、測定ビーム源20は、イオンビーム14のプラズマ周波数ω0に応じてイオンビーム14を反射または透過する電磁波を放射する電磁波源、例えばミリ波源またはマイクロ波源であってもよい。測定電磁波の周波数は、イオンビームのイオン密度に依存し、例えば10MHz乃至10GHzの範囲から選択される。測定ビーム検出器22は、測定ビーム源20の放射する電磁波を受信するための受信機であってもよい。こうした受信機は、図1乃至図3に示されるように、測定ビーム12がイオンビーム14に反射して到達する位置及び透過して到達する位置の少なくとも一方に配置される。測定ビーム検出器22は、イオンビーム14によって反射された測定ビーム12と、イオンビーム14を透過した測定ビーム12とのうち少なくとも一方を受信し、測定ビーム12の強度を検出する。測定ビーム源20と測定ビーム検出器22との間に適切な光学系または中継器が設けられていてもよい。イオンビーム計測装置10は、イオンビーム14の電荷を中和するための中和器50を備えてもよい。中和器50は、イオンビーム14の陽イオンの電荷を中和するために低エネルギー電子をイオンビーム14に供給する構成要素である。中和器50は例えば、プラズマブリッジまたはプラズマシャワーである。中和器50は、イオンビーム14のビームラインにおいて測定ビーム12のイオンビーム照射位置34よりも上流に設けられていてもよい。中和器50は、空間電荷効果を抑えるために、イオンビーム14のイオンによる電場を中和するに足りうる電子を供給することができる。中和器50を設けることにより、イオンビーム14がプラズマ状態にあることを保証することが可能となる。よって、物理量例えばビーム電流密度の絶対測定にイオンビーム計測装置10を使用するためには、イオンビーム計測装置10は中和器50を備えることが好ましい。一方、イオンビーム14の物理量の相対測定にイオンビーム計測装置10を使用する場合例えば、ビーム電流密度の初期値または基準値に対する変動量を測定する場合には、イオンビーム計測装置10は中和器50を備えなくてもよい。イオンビーム14の電荷が必ずしも完全に中和されていなくてもイオンビーム14は上述のように測定ビーム12の少なくとも一部を反射または透過する作用をもつため、イオンビーム14の相対的な変動量の測定は可能である。測定ビーム12はイオンビーム14に直交する方向に放射されてもよいし、あるいは図示されるように、斜めに交差するように放射されてもよい。直交放射の場合にはイオンビーム14の進行方向に比較的コンパクトにイオンビーム計測装置10を配置することが可能となる点で好ましく、斜め放射の場合には測定ビーム12のイオンビーム14への交差長さを大きくすることができるという点で好ましい。交差長さが大きいことにより測定ビーム12のイオンビーム14との相互作用を大きくすることができる。測定ビーム12のイオンビーム14への入射角度は、イオンビーム14により測定ビーム12の全反射が生じるよう定めることが好ましい。図1は測定ビーム12がイオンビーム14を透過する状態を示し、図2は測定ビーム12がイオンビーム14に反射される状態を示す。図1に示すように、測定ビーム源20から放射された測定ビーム12は、イオンビーム14に斜めに入射する。イオンビーム14のプラズマ周波数ω0よりも測定電磁波の周波数が大きい場合には、イオンビーム14は測定電磁波にとって分散性媒質である。この場合、図示されるように、測定ビーム12はイオンビーム14を透過して測定ビーム検出器22に到達する。測定ビーム検出器22は測定ビーム12の受信強度に応じた検出信号S1を出力する。また、イオンビーム14のプラズマ周波数ω0よりも測定電磁波の周波数が小さい場合には、イオンビーム14は測定電磁波にとってリアクティブ媒質であり、測定電磁波はイオンビーム14によって全反射される。この場合、図2に示すように、測定ビーム12はイオンビーム14により反射され、測定ビーム12は測定ビーム検出器22に到達しない。よって、測定ビーム検出器22の出力する検出信号S1は図1の状態に比べて大きく低下する。図4は、本発明の一実施形態に係る測定電磁波の周波数と検出信号S1の強度との関係の一例を示す図である。図4に示す検出信号S1は、図1に示す測定ビーム検出器22によって取得される。測定ビーム検出器22はイオンビーム14に対し測定ビーム源20とは反対側にあり、イオンビーム14を透過した測定ビーム12の強度を測定する。図示されるように、プラズマ周波数ω0を境界として、検出信号S1の強度が大きく変化する。上述のように、測定電磁波は、その周波数がプラズマ周波数ω0よりも小さい場合にイオンビーム14で反射され、周波数がプラズマ周波数ω0よりも大きい場合にイオンビーム14を透過する。そのため、測定電磁波の周波数がプラズマ周波数ω0よりも小さい場合に検出信号S1は第1レベルB1にあり、測定電磁波の周波数がプラズマ周波数ω0よりも大きい場合に検出信号S1は第2レベルB2へと増加する。この第1信号レベルB1は十分に低く、信号が検出されない状態とみなされる。第2信号レベルB2は第1信号レベルB1よりも十分に大きい。第1信号レベルB1と第2信号レベルB2との切り替えは、プラズマ周波数ω0を含むごく狭い帯域Δω0において生じる。本発明の一実施形態においては、演算処理ユニット26は、測定ビーム検出器22の検出結果に基づいてイオンビーム14のプラズマ周波数ω0を演算するよう構成されている。そのために、測定ビーム源20は、イオンビーム14への計測放射を行う。計測放射は例えば、イオンビーム14に放射する測定電磁波の周波数を掃引することを含む。演算処理ユニット26は、検出信号S1の変化量がしきい値より大きい周波数を特定し、その特定周波数からプラズマ周波数ω0を決定する。ここで、検出信号S1の変化量は、例えば、ある測定周波数ωのイオンビーム14への放射によって得られた検出信号S1ωと、その測定周波数に隣接する測定周波数ωΔωの放射によって得られた検出信号S1ωΔωとの差である。しきい値は例えば、上記の第1レベルB1と第2レベルB2との強度差を検出するために、当該強度差よりも小さく、かつ信号のノイズよりも大きい値に設定される。こうしたしきい値は、実験的にまたは経験的に適宜設定することができる。図5は、本発明の一実施形態に係るイオンビーム14の計測方法を説明するためのフローチャートである。イオンビーム計測装置10は、測定ビーム源20からイオンビーム14に測定ビーム12を放射する計測放射を行う。それとともに、イオンビーム計測装置10は、イオンビーム14によって反射された測定ビーム12、またはイオンビーム14を透過した測定ビーム12を測定ビーム検出器22によって検出するS10。検出信号S1は測定ビーム検出器22から演算処理ユニット26に入力される。演算処理ユニット26は、検出信号S1からイオンビーム14のプラズマ周波数ω0を決定するS12。演算処理ユニット26は、式1に示される関係を使用して、プラズマ周波数ω0からイオンビーム14の電子密度を演算するS14。演算処理ユニット26は、イオンビーム14の価数分布を使用して、イオンビーム14の電子密度からイオン密度を求めるS16。イオンビーム14の価数分布は事前に取得されて演算処理ユニット26に記憶されている。計測されるイオンビーム14に含まれるイオン種は通常既知であるため、その価数分布を事前に取得することができる。例えばイオンビーム14がM価のイオンのみを含む場合には、イオン密度は電子密度の1/Mとなる。演算処理ユニット26は、イオン密度からイオンビーム14のビーム電流密度を演算するS18。イオン密度、電気素量及びイオンの速度がビーム電流密度を与える。演算処理ユニット26は、ビーム電流密度を必要に応じて出力するS20。演算処理ユニット26は、イオンビーム14の電流密度が所望の水準にあるか否かを判定し、その水準から外れている場合には警告を出力してもよい。イオンビーム計測装置10は、こうした計測処理を連続的に反復してもよいし、間欠的に適時に実行してもよい。このようにして、測定ビーム12を検出することによりイオンビーム14の非接触計測が可能となる。物理的な検出素子でイオンビーム14を受光することなく、イオンビーム14を計測することができる。ビーム電流密度が所望の水準から外れる原因には例えば、イオンビーム14中のイオンの個数が減少したことや、個数が減少していなくてもイオンビーム14のビーム断面積が広がったことが想定される。いずれにしても、所望のまたは正常な状態から乖離していることに変わりはなく、どちらの現象が生じたのかを必ずしも厳密に区別する必要はない。ビーム電流密度を計測することにより、イオンビーム14が所望のまたは正常な状態にあるか否かを判定することができる。上述の計測放射のために、測定ビーム源20は、複数の異なる周波数をもつ電磁波を放射するよう構成されていてもよい。例えば、測定ビーム源20は、電磁波の周波数を変更可能である電磁波源を含んでもよい。測定ビーム源20は、第1周波数を有する第1測定電磁波と、第1周波数とは異なる第2周波数を有する第2測定電磁波と、を含む複数の電磁波を、切り替えて放射するよう構成されていてもよい。測定ビーム源20は、互いに周波数の異なる更に多数の測定電磁波を切り替えて放射するよう構成されていてもよい。測定ビーム源20は、現在の測定周波数に周波数増分を加えて得られる周波数を次の測定周波数としてもよい。周波数増分は一定であってもよいし、例えば測定周波数に応じて異なっていてもよい。また、測定ビーム源20は、周波数幅をもつ電磁波を放射する電磁波源を含んでもよい。測定ビーム源20は、少なくとも第1測定電磁波と第2測定電磁波とを含む電磁波を放射するよう構成されていてもよい。測定ビーム源20は、その周波数幅にわたってスペクトルが既知である電磁波を放射するよう構成されていてもよい。測定ビーム源20は、電磁波の周波数幅を変更可能である電磁波源を含んでもよい。測定周波数が可変である場合には、イオンビーム計測装置10は、第1測定電磁波を放射して反射または透過電磁波を検出し、第2測定電磁波を放射して反射または透過を検出する。イオンビーム計測装置10は、こうした放射及び検出を測定周波数を異ならせて繰り返す。イオンビーム計測装置10は、検出信号S1の変化有意な増加または減少の認められた周波数からプラズマ周波数ω0を求める。演算処理ユニット26は、検出信号S1に変化の認められた測定周波数をプラズマ周波数ω0と特定してもよい。あるいは、検出信号S1が変化する測定周波数は帯域Δω0の上限または下限であると考えられるから図4参照、演算処理ユニット26は、検出信号S1が変化した測定周波数を補正して、プラズマ周波数ω0を求めてもよい。例えば、演算処理ユニット26は、検出信号S1の変化が増加または減少である場合には、検出信号S1が変化した測定周波数にω0/2を加えたまたは、差し引いた値をプラズマ周波数ω0としてもよい。また、演算処理ユニット26は、検出信号S1に増加が認められた測定周波数と、検出信号S1に減少が認められた測定周波数との平均値をプラズマ周波数ω0と特定してもよい。測定電磁波が周波数幅をもつ場合には、演算処理ユニット26は、検出した反射または透過電磁波の周波数幅の上限または下限周波数からプラズマ周波数ω0を求めることができる。上限下限周波数は、測定ビーム源20から放射した既知のビーム強度に対する検出信号強度の乖離がしきい値を超える周波数である。演算処理ユニット26は、その上限下限周波数をプラズマ周波数ω0と特定してもよい。演算処理ユニット26は、上限下限周波数を補正してプラズマ周波数ω0を求めてもよい。演算処理ユニット26は、上限周波数と下限周波数との平均値をプラズマ周波数ω0と特定してもよい。計測放射に使用される周波数帯域は、効率的にプラズマ周波数ω0を探索するために、特定の帯域に制限されていてもよい。この特定帯域Tは図4参照、プラズマ周波数ω0が含まれると予測される帯域であってもよい。例えば、イオンビーム14が目標とする状態に制御される用途においては、その目標状態からプラズマ周波数ω0の含まれうる範囲を予測することが可能である。特定帯域Tは、検出信号S1の強度レベルが切り替わる狭帯域Δω0よりも広くてもよい。計測放射は、特定帯域Tを走査することを含んでもよい。また、計測放射は、特定帯域Tを含む周波数幅をもつ測定電磁波を放射することを含んでもよい。計測放射に使用される周波数帯域は、測定ビーム源20の提供する全帯域であってもよい。つまり、計測放射の周波数帯域は制限されていなくてもよい。この場合、計測放射は、相対的に大きい周波数増分で測定周波数を走査する第1段階初期段階と、相対的に小さい周波数増分で測定周波数を走査する第2段階と、を含んでもよい。第2段階は、第1段階に続いて実行される。演算処理ユニット26は、検出信号S1の変化を検知したときに第1段階から第2段階へと切り替える。第1段階と第2段階とは逆方向に周波数が走査される。こうした検出信号S1の変化検知と走査段階の切り替えとを更に繰り返してもよい。このようにすれば、粗い周波数走査から細かい周波数走査へと往復しながら段階的にプラズマ周波数ω0へと比較的効率的に達することができる。一実施例においては、イオンビーム14のビームスポットよりも広範囲に、例えば被処理物16の表面全域または所望のイオンビーム照射領域にイオンビーム14を照射するために、イオンビーム14は少なくとも一方向に走査されてもよい。イオンビーム14の走査のために、イオンビーム走査制御部図示せずが設けられていてもよい。例えば図1に矢印28で示されるように、イオンビーム14はy方向に往復移動されてもよい。なおイオンビーム14を走査するとともに、またはそれに代えて、被処理物16がイオンビーム14に対し移動されてもよい。イオンビーム14が走査される一実施例においては、測定ビーム12は、イオンビーム14の走査方向図1においてはy方向とイオンビーム14の進行方向z方向とにより定まる走査面yz面に沿ってイオンビーム14に照射されることが好ましい。測定ビーム12の照射方向が正確に走査面に沿うことは必ずしも要求されない。通常は、測定ビーム12の経路は、走査によるイオンビーム14の通過領域を横断するように定められれば十分である。このようにすれば、イオンビーム14がいずれの走査位置にあるときにもつまり走査範囲全体にわたってイオンビーム14に測定ビーム12を照射することができる。すなわち、イオンビーム14の走査移動中に継続してイオンビーム14を計測することができる。図3には、被処理物16へのイオンビーム照射エリア42が示されている。イオンビーム照射エリア42は例えばイオンビーム14図1参照の走査範囲を示す。またはイオンビーム照射エリア42は、長手方向図3においてはy方向に延びるビーム断面をもつリボン状イオンビームまたは長尺ビームとも呼ばれるであってもよい。被処理物16は例えば円形の基板であり、その輪郭を破線で図示する。被処理物16は円形基板には限られず、その他の形状例えば矩形の基板であってもよいし、必ずしも板状の部材でなくてもよく任意の三次元形状のイオンビーム照射対象であってもよい。なお、以下ではリボンビームとの対比のために通常のイオンビーム14をスポットビームと呼ぶこともあるが、これはリボンビームとの比較においてビーム断面がスポット状であることを意味するにすぎず、イオンビーム14が特定のビーム断面形状を有することを限定するものではない。図示されるように、測定ビーム源20から放射された測定ビーム12は、イオンビーム14の立体的な通過領域を経由して、測定ビーム検出器22へと直線的に入射する。イオンビーム14の立体的な通過領域は、イオンビーム進行方向であるz方向とイオンビーム照射エリア42とにより定まる。イオンビーム14が走査されるスポットビームである場合、イオンビーム14の立体的な通過領域は、スポットビームのビーム径に応じた厚さをもつ。図示されるように、イオンビーム照射エリア42の長手方向の寸法を被処理物16の当該方向の幅に収めることが可能である。例えば典型的なイオン注入装置においては被処理物16の片側または両側に接触式検出器例えばファラデーカップが設けられており、この接触式検出器にイオンビームを照射することが事実上必須とされている。そのため、イオンビームの照射エリアは被処理物16の幅よりも長くする必要がある。ところが、本発明の一実施例によればそうした制約を受けずにイオンビーム照射エリア42を被処理物16の照射されるべき領域に合わせて小さくすることができる。こうして、本発明の一実施例によればスループットの向上及びイオン材料の消費量低減が実現される。イオンビーム14が走査される一実施例においては、演算処理ユニット26は、イオンビーム14の走査のためのイオンビーム走査制御部図示せずからイオンビーム14の走査位置を表す走査位置情報の入力を受けるよう構成されていてもよい。演算処理ユニット26は、ある時点におけるイオンビーム走査位置情報とその時点の検出信号S1とを関連付けることにより、検出信号S1の得られたイオンビーム走査位置を特定してもよい。このようにすれば、イオンビーム14に変動が生じた走査位置を求めることができる。なお、測定ビーム源20及び測定ビーム検出器22の少なくとも一方は、処理室18の外部に設けられていてもよい。この場合、測定ビーム12を透過する窓部が処理室18に設けられていてもよい。測定ビーム12は窓部を通じて測定ビーム源20からイオンビーム14へと入射してもよい。測定ビーム12は窓部を通じて測定ビーム検出器22へと出射してもよい。図1に示す実施例においては測定ビーム源20と測定ビーム検出器22とがイオンビーム14の入射経路を挟んで互いに向き合って配置されているが、それは必須ではない。図2に破線で示されるように、測定ビーム検出器22は反射されたイオンビーム14を受ける位置に配置されていてもよい。この場合にイオンビーム14が走査されると、イオンビーム14と測定ビーム12との交差位置34が変化する。測定ビーム検出器22が反射測定ビームを受けるべき位置も変化する。よって、測定ビーム検出器22は、反射測定ビームを受けるようにイオンビーム14の走査に同期して移動するよう構成されていてもよい。あるいは、イオンビーム14と測定ビーム12との交差位置34の移動を抑えるように、イオンビーム計測装置10は、イオンビーム14の走査に同期して測定ビーム12を走査するよう構成されていてもよい。そのために例えば、測定ビーム源20がイオンビーム14の走査に同期して移動するよう構成されていてもよい。図6は、イオンビーム計測装置10に係る他の一例を示す図である。イオンビーム計測装置10は、イオンビーム14の入射を受けてイオンビームを計測する接触式の計測器、例えばイオンビーム14のビーム電流を表すビーム電流信号S2を出力するファラデーカップ48を備えてもよい。ファラデーカップ48は例えば、被処理物16の片側または両側に配置される。ファラデーカップ48の出力するビーム電流信号S2は例えば、検出信号S1と同様に演算処理ユニット26に入力されてもよい。そのために、矢印28で示されるように、イオンビーム14はファラデーカップ48の検出面へと走査されてもよい。接触式の計測器例えばファラデーカップ48は、本明細書に記載する他の実施例にも適用してもよい。演算処理ユニット26はビーム電流信号S2を用いて、検出信号S1に基づく計測結果を校正してもよい。校正処理は例えば、あるビーム電流範囲にわたってビーム電流信号S2と検出信号S1とを関連付けることを含んでもよい。演算処理ユニット26はその関係を使用して、検出信号S1からイオンビーム14のビーム電流を求めてもよい。図7は、本発明の第2実施形態に係るイオン注入装置100の全体構成を概略的に示す図である。図7にはイオン注入装置100の有する代表的な構成要素を示す。また、図8は、第2実施形態に係るイオン注入装置100の処理室112を示す図である。図8には、ビームラインアセンブリ110からビーム入射方向に処理室112を見たときの概略構成を示す。第2実施形態は、第1実施形態に係るイオンビーム計測装置10をイオン注入装置100に適用した例である。イオン注入装置100は、元素をイオン化してイオンビーム102を生成し基板例えば半導体基板104へと照射することにより、基板104にその元素を注入するイオン注入処理を行うための装置である。図1と同様に説明の便宜上、イオンビーム102の基板104への入射方向をz方向とし、z方向に垂直な面をxy面と定義する。z方向は、ビームラインにおけるイオンビーム102の大局的な進行方向を指すものとする。また、後述するようにイオンビーム102を基板104に対し走査する場合には走査方向をy方向とし、z方向及びy方向に垂直な方向をx方向と定義する。一実施例においてはyz面は水平面であり、x方向は鉛直方向である。イオン注入装置100は、第1実施形態に係るイオンビーム計測装置10と共通の測定原理を使用してビームモニタ出力を与えるための非接触式のイオンビーム計測装置106を備える。イオンビーム計測装置106は、第1実施形態及びその変形例に係る各種のイオンビーム計測装置10のうちいずれかであってもよい。イオン注入装置100は、イオン源108、ビームラインアセンブリ110、及び処理室112を備える。イオン源108は、注入する元素をイオン化するよう構成されている。ビームラインアセンブリ110は、イオン源108にてイオン化されたイオンのうち基板104に注入すべきイオンを質量によって選別するための質量分析器114と、イオンビーム102を輸送し、加速し、整形し、または走査するためのビーム輸送系116と、を備える。質量分析器114の下流側には所定の質量のイオンからなるイオンビーム102をビーム輸送系116へと通過させるための質量分析スリット118が設けられている。また、ビーム輸送系116は、イオンビーム102を少なくとも一方向例えばy方向に走査するためのビームスキャナ120を備える。ビームスキャナ120によるイオンビーム102のy方向の走査可能範囲を矢印138で図示する。処理室112は、イオンビーム102をモニタするためのイオンビーム計測装置106を備える。イオンビーム計測装置106は、イオンビーム102に測定ビーム130を作用させ、測定ビーム130を検出することによりイオンビーム102をモニタする。イオンビーム計測装置106は、イオンビーム102に関連するモニタ出力を制御システム128に提供する。ビームモニタ出力は検出信号S1を含む。イオンビーム計測装置106は、イオンビーム102に測定ビーム130を放射するための測定ビーム源134と、イオンビーム102に照射された測定ビーム130を検出するための測定ビーム検出器136と、を含む。イオンビーム計測装置106は、イオンビーム102の経路に向けて放射された測定電磁波を検出することにより、イオンビーム102に関連する出力を制御システム128に提供する。測定電磁波は例えば測定ビーム130である。イオンビーム計測装置106は、測定電磁波の反射電磁波または透過電磁波を検出することにより、イオンビーム102のイオン密度またはビーム電流密度を表す出力を制御システム128に提供する。処理室112は、接触式のイオンビーム検出器例えばファラデーカップ122を備えてもよい。イオンビーム検出器122はビーム電流信号S2を制御システム128に出力してもよい。こうした接触式の検出器を設けることは必須ではない。イオンビーム検出器122は、イオンビーム走査方向に基板104に隣接する位置に配置することが好ましい。イオンビーム検出器122は、基板104の片側図示の場合または両側に配置してもよい。イオンビーム検出器122は、計測の必要に応じてビームラインに出し入れされる進退可能な検出器であってもよい。また、イオン注入装置100のイオンビーム計測系は、イオンビーム計測装置106及びイオンビーム検出器122に加えて、任意の計測器をさらに備えてもよい。なお、イオン注入装置100は、制御システム128からの制御指令に応じて、またはイオンビーム計測装置106を含むイオンビーム計測系の計測結果に基づいて、イオンビーム102をビームラインの中途で遮断するためのビームシャッタ図示せずを備えてもよい。また、処理室112は、基板104を支持するための基板支持部124を備える。基板104は基板支持部124に支持されて処理室112に収容されている。基板支持部124は、基板104をイオンビーム102に対し移動させるためのいわゆるメカニカルスキャン系として構成され、基板104を保持するためのテーブルまたはプラテンと、そのテーブルまたはプラテンを移動するための駆動機構と、を含む。メカニカルスキャン系は例えば、イオンビーム進行方向z方向及び走査方向y方向に垂直な方向x方向の走査範囲に基板104を往復移動させるよう構成されている。こうした一方向のビームスキャンとその垂直方向へのメカニカルスキャン以下では機械的走査ともいうとを組み合わせるスキャン方式はハイブリッドスキャンと呼ばれることもある。図8に示されるように、基板104には断面がスポット状のイオンビーム102が照射される。上述のようにイオンビーム102はy方向に走査され、基板104はx方向に機械的に走査される。イオンビーム102の走査範囲138において基板104の両側にイオンビーム検出器122が設けられている。イオンビーム検出器122は、基板104の周縁部外方に走査によって照射されたイオンビーム102に計測が制限される。これに対して、イオンビーム計測装置106は、イオンビーム102が基板104の中心部にあるときにもイオンビーム102を計測することができるという点で有利である。図7及び図8に示されるように、イオンビーム計測装置106は、イオンビーム102の走査方向とイオンビーム102の進行方向とにより定まる走査面に沿って測定ビーム130をイオンビーム102に照射する。測定ビーム130の照射方向が正確に走査面に沿うことは必ずしも要求されない。測定ビーム130の経路はイオンビーム102の走査範囲138を横断するように定められていればよい。図示されるように、測定ビーム源134から放射された測定ビーム130は、測定ビーム検出器136へと直線的に入射する。このようにして、イオンビーム102の走査位置にかかわらず連続的にイオンビーム102をモニタすることができる。なおイオン注入装置100はハイブリッドスキャン方式には限られない。イオン注入装置100は例えば、一軸方向にビーム断面が延びるいわゆるリボンビームとその直交方向へのメカニカルスキャンとを組み合わせる走査方式を採用してもよい。あるいは、イオン注入装置100は、スポットビームに対しビーム進行方向に垂直面内で2次元にメカニカルスキャンを行う方式を採用してもよい。いずれの走査方式であってもイオンビーム計測装置106は適用可能である。図9は、第2実施形態に係るイオンビーム計測装置106の一変形例を示す図である。イオンビーム計測装置106は、複数の測定ビーム源134と複数の測定ビーム検出器136とを備えてもよい。複数の測定ビーム源134はイオンビーム照射エリア139の長手方向に沿って配列されている。イオンビーム照射エリア139は例えばリボン状のイオンビームのビーム断面に相当する領域である。複数の測定ビーム検出器136は、イオンビーム照射エリア139を挟んで複数の測定ビーム源134に対向してイオンビーム照射エリア139の長手方向に沿って配列されている。複数の測定ビーム検出器136の各々は、対応する測定ビーム源134からの測定ビーム130を受ける位置に配列されている。これにより、イオンビーム照射エリア139に交差する複数の測定ビーム130がイオンビーム照射エリア139の長手方向に沿って配列されている。イオンビーム計測装置106は、イオンビーム照射エリア139の複数の位置に測定ビーム130を照射する。それら複数の照射位置は、イオンビーム照射エリア139の長手方向に並んでいる。各照射位置へは、複数の測定ビーム源134のそれぞれから測定ビーム130が照射される。イオンビーム計測装置106は、それら複数位置に照射された測定ビーム130を複数の測定ビーム検出器136により検出する。複数の測定ビーム検出器136はそれぞれ検出信号S1を制御システム128に出力する。このようにして、イオンビーム照射エリア139におけるイオンビームの長手方向分布を得ることができる。複数の測定ビーム130は、図示の例ではスポット状の測定ビームであるがこれに限られず、イオンビーム照射エリア139の長手方向の長さに相当する幅を持つリボン状または長尺の測定ビームであってもよい。それに対応して、互いに分離された複数の測定ビーム検出器136に代えて、リボン状または長尺の測定ビームを包含する検出領域をもつ一次元検出器アレイを設けてもよい。また、計測対象はリボン状のイオンビームには限られず、イオンビーム照射エリア139を走査するスポットビームの計測のために図9に示すイオンビーム計測装置106の構成を採用してもよい。複数の測定ビーム源134及び複数の測定ビーム検出器136は、イオンビーム照射エリア139の長手方向に沿って可動式である測定ビーム源134及び測定ビーム検出器136であってもよい。この場合、可動式の測定ビーム源134及び測定ビーム検出器136は、測定ビーム130とスポットビームとの交差を継続するようにスポットビームの走査に同期して移動されてもよい。図7及び図8に示すイオン注入装置100はいわゆる枚葉式に構成されている。すなわち、イオン注入装置100は、基板支持部124に一度に一枚の基板104が保持され、一枚ずつイオン注入処理が行われる形式である。なお必ずしも一枚ずつの処理に限られるわけではなく、基板支持部124は2枚以上を同時に保持して少なくとも一方向にメカニカルスキャンを提供するよう構成されていてもよい。また、イオン注入装置100は、多数の基板を回転可能なテーブルに載置して回転させながらイオン注入を多数の基板に同時に行ういわゆるバッチ式に構成されていてもよい。図7に示されるように、イオン注入装置100は、イオン源108、ビームラインアセンブリ110、及び処理室112をイオン注入処理のための所望の真空環境に保つための真空排気系126を備える。真空排気系126は例えば、クライオポンプ等の高真空ポンプと、高真空ポンプの作動圧力まで粗引きをするための粗引きポンプとを備える。また、イオン注入装置100は、例えばイオン源108、質量分析器114、ビーム輸送系116、基板支持部124、及び真空排気系126を制御してイオン注入処理を実行するための制御システム128を備える。制御システム128は、検出信号S1及びビーム電流信号S2を含むビーム計測系からの入力信号、メモリに保存されている各種データ、及び操作者からの入力指令等に従って、イオン注入装置100を統括的に制御する。制御システム128は、イオンビーム計測装置106のための専用の制御装置であってもよい。制御システム128は例えば、各種演算処理を実行するCPU、各種制御プログラムを格納するROM、データ格納やプログラム実行のためのワークエリアとして利用されるRAM等を含む任意のハードウエアと、各種演算または制御を実行するためのプログラム等のソフトウエアと、を含んで構成される。制御システム128は、操作者からの入力を受け付けるためのマウスやキーボード等の入力手段や、他の装置との通信をするための通信手段、ディスプレイやプリンタ等の出力手段を含んでもよい。制御システム128は、ビームスキャンを制御するためのビームスキャン制御部140と、基板104の機械的走査を制御するためのメカニカルスキャン制御部142と、イオンビームモニタ演算部144と、を含んでもよい。ビームスキャン制御部140、メカニカルスキャン制御部142、及びイオンビームモニタ演算部144の少なくとも1つの要素例えばイオンビームモニタ演算部144が他の要素とは別個の制御部を構成していてもよい。ビームスキャン制御部140、メカニカルスキャン制御部142、及びイオンビームモニタ演算部144は、任意のコンピュータのCPU、メモリ、その他のLSI等のハードウエア、またはメモリにロードされたプログラム等のソフトウエアによって実現される機能ブロックを示す。これらの機能ブロックがハードウエアのみ、ソフトウエアのみ、またはそれらの組合せによっていろいろな形で実現できることは、当業者には理解されるところである。イオンビームモニタ演算部144は、検出信号S1及びビーム電流信号S2を含むビーム計測系からの入力信号に基づいて、ビームモニタ出力を演算する。ビームモニタ出力は例えば、イオンビーム102のビーム電流、または基板104に注入されるドーズ量である。制御システム128は、イオンビームモニタ演算部144によるビームモニタ出力を保存する。あるいは、制御システム128は必要に応じて、ビームモニタ出力を使用してもよいし、外部に出力してもよい。制御システム128は、ビームモニタ出力に基づいて、基板104へのイオン注入処理中にイオンビーム102に変動が生じたか否かを判定してもよい。当該判定結果に基づいて、制御システム128は、当該基板104へのイオン注入処理について警告を出力してもよい。あるいは、制御システム128は、ビームモニタ出力に基づいて、イオンビーム102のビーム電流または基板104に注入されるドーズ量に変動が生じたビーム照射位置を特定してもよい。イオン注入処理は、処理室112へと入射するイオンビーム102の進行方向に垂直な面内の方向のイオンビーム102と基板104との相対移動を含む。この相対移動は上述のように、イオンビーム102及び基板104の少なくとも一方の走査を含む。よって、制御システム128は例えば、ビームスキャン制御部140とメカニカルスキャン制御部142とを協調して動作させることにより、所与の走査シーケンスに従ってイオンビーム102のビームスキャンと基板104の機械的走査とを制御する。こうしてイオンビーム断面よりも一般には広いイオンビーム照射領域にわたってイオンビーム102を照射することができる。ここで、走査シーケンスとは基板104上の表面全域またはその一部であるイオンビーム照射領域をイオンビーム102により走査するための手順をいう。走査シーケンスは、制御システム128に操作者により直接入力されて与えられてもよいし、所与のイオン注入処理を実現するよう制御システム128により設定されてもよい。図10は、第2実施形態に係る走査シーケンス150の一実施例を説明するための図である。この走査シーケンス150は、以下に詳述するように、本来的には基板104の外側にイオンビーム102を照射する必要のない枚葉式のイオン注入装置100に好適な走査法を表す。例えばハイブリッドスキャン方式の場合、走査シーケンス150のうち一方向例えばx方向の走査はイオンビーム102に対する基板104の移動により行われ、他の一方向例えばy方向の走査はイオンビーム102のビームスキャンにより行われる。走査シーケンス150は、走査開始位置152から開始され、走査終了位置154で終了する。走査開始位置152から走査終了位置154まで走査シーケンス150が制御システム128により実行されることにより、基板104上のイオン注入領域例えば基板104の全域、または、基板104の周縁部を除く領域の全体またはその一部へのイオンビーム照射が完了する。一実施例においては、制御システム128は、基板104上のイオン注入領域の輪郭または境界の内側をイオンビーム照射領域が占めるように設定された例えば蛇行状の走査シーケンス150を実行してもよい。走査シーケンス150の実行中、イオンビーム102はイオンビーム計測装置106により継続してまたは間欠的にモニタされることが好ましい。走査シーケンス150は典型的には、第1方向への少なくとも1回の走査移動とその垂直方向である第2方向への少なくとも1回の走査移動とを含む。通常は図示されるように、走査シーケンス150は、第1方向への複数回の走査移動と第2方向への複数回の走査移動とを含み、第1方向への走査移動と第2方向への走査移動とを交互に含む。その結果として、走査開始位置152から走査終了位置154へと蛇行状の走査経路となる。ハイブリッドスキャンの場合、第1方向のビームスキャンと第2方向の基板104の機械的走査とが交互に繰り返されることになる。一実施例においては、制御システム128は、イオンビーム102のビームスキャンによる走査範囲を基板104の機械的走査中に変更してもよい。すなわち、あるビームスキャンによる走査範囲と、それに続く次回のビームスキャンによる走査範囲と、を異ならせてもよい。各回のビームスキャンの走査範囲は例えば、基板104上のイオン注入領域の走査方向の幅に基づいて設定されてもよい。イオン注入領域は、イオンが注入されるべき基板104の領域をいう。イオン注入領域は、基板104の表面全域であってもよいし、基板104の表面の一部であってもよい。イオン注入領域が基板104の表面全域である場合には、制御システム128は、基板104の走査方向の幅に一致させるようビーム走査範囲を機械的走査中に変更してもよい。イオン注入領域が基板104の表面の一部である場合には、制御システム128は、イオン注入領域の走査方向の幅に一致させるようビーム走査範囲を機械的走査中に変更してもよい。また、制御の簡単のために、制御システム128は、ビームスキャンの走査範囲を、基板104上のイオン注入領域の走査方向の最大幅に基づいて固定値に設定してもよい。イオン注入領域が基板104の表面全域である場合には、制御システム128は、ビームスキャンの走査範囲を基板104の最大幅例えば円形基板の場合、直径に固定してもよい。イオン注入領域が基板104の表面の一部である場合には、制御システム128は、ビームスキャンの走査範囲をイオン注入領域の最大幅に固定してもよい。図10には比較のために、典型的なイオン注入処理におけるイオンビームの照射領域160を示す。照射領域160は矩形領域となる。図示されるように、基板104に比べてすなわち走査シーケンス150の占める領域に比べて、かなり広い範囲にわたってイオンビームが照射されることがわかる。基板104の外側は、イオン注入という本来の目的からすればイオンビームを照射する必要のない区域である。典型的な構成においてこうした区域にも照射されるのは、毎回のビームスキャンでファラデーカップによりビーム電流を計測するために、ビームスキャン長さがファラデーカップの配置に制約され固定されているからである。よって、第2実施形態に係る走査シーケンス150によれば、必ずしもイオン注入を要しない領域を最小化することができる。好ましくは、イオンビームの照射領域をイオン注入領域に一致させることができる。走査シーケンス150の総走査距離を短くすることができるので、イオン注入処理のスループットを改善することができる。イオン注入不要領域への照射が最小化され、イオン材料の消費も抑制される。走査シーケンス150は、イオンビーム検出器122をイオンビーム102が経由する第1走査と、イオンビーム検出器122を経由せずにイオンビーム102が基板104を走査する第2走査と、を含んでもよい。図10においては第1走査の例を破線で示し、第2走査の例を実線で示す。第1走査はビームスキャン及びメカニカルスキャンの少なくとも一方、またはそれら両方を含んでもよい。第2走査もまた上述のように、ビームスキャン及びメカニカルスキャンの少なくとも一方、またはそれら両方を含んでもよい。そのために、走査シーケンス150は例えば、イオンビーム検出器122を走査範囲に含む相対的に長距離のビームスキャン156と、イオンビーム検出器122を走査範囲に含まない相対的に短距離のビームスキャン158と、を含んでもよい。長いビームスキャン156は、基板104上のイオン注入領域とイオンビーム検出器122とを走査範囲に含むよう走査距離が定められ、短いビームスキャン158は、基板104上のイオン注入領域のみを走査範囲に含むよう走査距離が定められてもよい。走査シーケンス150は、長いビームスキャン156を少なくとも1回含むようにしてもよい。このようにすれば、イオンビーム計測装置106とイオンビーム検出器122とを併用してイオンビーム102を監視しながらイオン注入処理を行うことができる。なお、他の一実施例においては、走査シーケンス150と同様にして、制御システム128は、リボン状のイオンビームのビーム幅を、基板に照射される位置に応じて変化させてもよい。このようにしても、イオン注入が不要な領域への照射を最小化して、イオン材料の不必要な消費を抑制することができる。すなわち、イオンビーム102は、長手方向基板104の表面を横断する方向に延びる断面形状をもつイオンビームであってもよい。制御システム128は、イオンビーム102の長手方向のビーム幅を基板104の機械的走査中に変更してもよい。イオンビーム102のビーム幅は、基板104上のイオン注入領域の当該長手方向の幅に基づいて設定されてもよい。イオン注入領域が基板104の表面全域である場合には、制御システム128は、基板104の幅に一致させるようビーム幅を変更してもよい。イオン注入領域が基板104の表面の一部である場合には、制御システム128は、イオン注入領域の幅に一致させるようビーム幅を変更してもよい。また、制御の簡単のために、制御システム128は、イオンビーム102のビーム幅を、基板104上のイオン注入領域の走査方向の最大幅に基づいて固定値に設定してもよい。イオン注入領域が基板104の表面全域である場合には、制御システム128は、基板104の最大幅にビーム幅を固定してもよい。イオン注入領域が基板104の表面の一部である場合には、制御システム128は、イオン注入領域の最大幅にビーム幅を固定してもよい。更なる一実施例においては、制御システム128は、イオンビーム102と基板104との相対位置情報とイオンビーム計測装置106の出力とに基づいてイオンビーム102の強度に変動が生じた位置を特定してもよい。制御システム128は、ある時点におけるビームスキャン位置情報とその時点のビームモニタ出力とを関連付けることにより、そのビームモニタ出力が得られたビームスキャン位置を特定してもよい。制御システム128は、ある時点におけるメカニカルスキャン位置情報とその時点のビームモニタ出力とを関連付けることにより、そのビームモニタ出力が得られたメカニカルスキャン位置を特定してもよい。こうして得られたビームスキャン位置情報とメカニカルスキャン位置情報とを総合することにより、制御システム128は、ビームモニタ出力に対応する基板104上のイオンビーム照射位置を特定してもよい。このようにすれば、イオンビーム102に変動が生じたイオンビーム照射位置を求めることができる。以上、本発明を実施例にもとづいて説明した。本発明は上記実施形態に限定されず、種々の設計変更が可能であり、様々な変形例が可能であること、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは、当業者に理解されるところである。