調理容器を上面に置く結晶化ガラスからなるトッププレートと、該トッププレートの下に設けられ、前記調理容器を加熱するために誘導磁界を発生させる加熱コイルと、該加熱コイルの下に設けられ、前記調理容器などの底から放射される赤外線を検出する赤外線検出手段と、前記加熱コイルの支持部に設けられ、前記加熱コイルから放射される赤外線を遮断し、前記調理容器の底から放射される赤外線を前記赤外線検出手段に導く導光筒と、前記導光筒の下に配置され調理容器の底が放射する赤外線量に比例する直流電圧を出力する赤外線センサとから構成される誘導加熱調理器において、前記赤外線センサの出力を直流増幅する第1の直流増幅器と前記第1の直流増幅器の出力を直流増幅する第2の直流増幅器で鍋温度検出手段を構成し、前記第1および第2の直流増幅器の出力のいずれかを選択して鍋温度を検出することを特徴とする誘導加熱調理器。請求項1に記載の誘導加熱調理器において、前記第1の直流増幅器に第1のバイアス回路を設け、前記第2の直流増幅器に第2のバイアス回路を設け各直流増幅回路に独立したバイアス電圧を与えることを特徴とする誘導加熱調理器。請求項2に記載の誘導加熱調理器において、第1のバイアス回路の出力電圧は前記赤外線センサの温度出力特性を補償するものであることを特徴とする誘導加熱調理器。請求項1に記載の誘導加熱調理器において、前記赤外線センサの出力が調理容器の底の温度T絶対温度のべき乗nに比例し、前記第1の直流増幅器が第1の温度T1絶対温度で飽和する時、前記第2の直流増幅器が第2の温度T2絶対温度で飽和するようにT1>T2、第2の直流増幅器の増幅率をT1/T2のべき乗nとすることを特徴とする誘導加熱調理器。請求項4に記載の誘導加熱調理器において、べき乗nが4から9であることを特徴とする誘導加熱調理器。請求項1に記載の誘導加熱調理器において、前記赤外線センサがサーモパイルであることを特徴とする誘導加熱調理器。請求項6に記載の誘導加熱調理器において、前記赤外線センサ筺体内部あるいは近傍に温度検出素子を内蔵し、前記第1のバイアス回路の出力電圧を前記温度検出素子の検出温度で制御することを特徴とする誘導加熱調理器。請求項1に記載の誘導加熱調理器において、前記第1の直流増幅器は、調理容器が内部の調理油の自然発火温度より高温の時飽和する増幅率を有し、前記第2の直流増幅器は調理容器が調理温度の上限で飽和する増幅率を有することを特徴とする誘導加熱調理器。請求項1に記載の誘導加熱調理器において、前記加熱コイルへ高周波電力を供給する高周波電力供給手段と、前記高周波電力供給手段の出力電力を制御する電力制御手段とを備え、前記鍋温度検出手段の出力に基づいて前記加熱コイルへの供給電力を制御することを特徴とする誘導加熱調理器。特許文献1ではセンサ自身は焦電形薄膜熱検出素子であり、また、この出力信号を増幅する信号増幅手段の詳細には言及されていない。周知のように焦電形熱検出素子は微分出力すなわち素子への入力赤外線入力に変化が生じた場合に素子出力が生ずる。このため素子の入力面には一般的に機械的な光学シャッター機構を設け、素子への入力光線赤外線を断続させて、交流出力信号を取り出す。このためシャッター機構の寿命信頼性、価格の点で近年では焦電形素子が使用されることは少ない。また、この出力信号を増幅する信号増幅手段は交流増幅器が用いられる。この交流増幅のため増幅回路の直列接続を簡単に行うことができる。直流増幅では入力オフセット電圧の関係で直列接続が困難であるため、赤外線センサとしてフォトダイオードなどの量子型あるいはサーモパイルなどの熱型センサのように入力赤外線量に比例する直流電圧が出力されるセンサには文献1の技術は適用できない。特許文献2では、赤外線センサの受光面にスリット円盤を設け、そのモータによる円盤回転で赤外線受光を断続している。つまり、特許文献1と同様に微分出力の赤外線センサを利用する技術である。このため前述説明のように交流増幅手段を直列に接続し、各増幅手段の出力を切り替えることで増幅率を可変している。前述同様、直流増幅では入力オフセット電圧の関係で直列接続が困難であるため、赤外線センサとしてフォトダイオードなどの量子型あるいはサーモパイルなどの熱型センサのように入力赤外線量に比例する直流電圧が出力されるセンサには文献1の技術は適用できない。特許文献3では、赤外線センサとしてサーモパイルを使用し、増幅回路に切り替え回路を設け増幅率の切り替えを行っている。しかし明細書ではセンサ入射面にシャッターとそれを駆動するステップモータを設け、入射赤外線を断続することでセンサ出力信号を交流とし、これを増幅率が切り替えられる交流増幅回路で増幅していることが記述される。あえてサーモパイル出力を交流信号としている。つまり、前述文献1、2と同様であり、赤外線センサとしてフォトダイオードなどの量子型あるいはサーモパイルなどの熱型センサのように入力赤外線量に比例する直流電圧が出力されるセンサには文献3の技術は適用できない。特許文献4では、赤外線センサとしてサーモパイル直流電圧出力を使用し、内蔵される温度補償素子サーミスタ等と第2増幅器で周囲温度変化を補償する電圧を作成し加算器でサーモパイル出力と加算することで周囲温度影響分を除去する。そして加算器および増幅器ユニットあるいは第3増幅器では周囲温度に影響されない温度計測を可能にしている。また、加算器および増幅器ユニットの各段出力あるいは第3増幅器の出力のいずれかを選択して電子レンジ内の飲食物の有無、料理の種類、加熱手段の種類に拘わらず飲食物の温度測定範囲を可変し高精度-10°Cから200°Cの広範囲で1°C単位の計測を達成している。温度補償を行うため第2増幅器と加算器を使用するため複雑高価である。簡略に増幅器のオフセットバイアス電圧Vrefに温度補償素子出力を重畳する技術も開示されている。しかし増幅器、加算器は図示されるようにオペレーションアンプ以下OPアンプと略称するで構成し直接直流接続している。周知のようにOPアンプには入力オフセット電圧が内在し、これが増幅率倍された電圧が出力される。つまり、増幅器、加算器への入力信号サーモパイル出力、温度補償素子出力入力オフセット電圧が増幅率倍されて出力されるため、オフセット電圧が誤差の要因になり、多段直流増幅を困難にしている。増幅器ユニットのように段数が多く、トータル増幅率が1000を超えるようになると、たとえば初段の入力オフセット電圧が1mVとすれば、1000倍の1Vが入力信号サーモパイル出力ゼロでも出力される。文献4では入力オフセット電圧に対する配慮はされておらず、トータル増幅率が30倍ほどですむ電子レンジで成り立つものである。一方鍋の放射する赤外線エネルギーが1/100に減少するトッププレートを介して温度を計測する誘導加熱調理器では同じサーモパイルを用いても増幅器の全増幅率は30×100=3000必要になり入力オフセット電圧に対する対策が必要になる。サーモパイル等の赤外線入射量に比例して直流電圧を出力する赤外線センサを誘導加熱調理器での鍋底温度検出に用いる場合問題となるのは、調理温度100から250°Cでの鍋からの赤外線放射が少ないのと、この赤外線放射が天板に用いられる結晶化ガラスで1/100程度に減衰されて前記サーモパイルに入射する点である。このため、サーモパイル出力電圧を3000倍程度の直流増幅器で増幅し、マイコン等に取り込み鍋温度を検出する必要がある。さらに、出力信号は温度絶対温度のべき乗に比例するため低い調理温度~250°Cで所定の出力電圧を得るように増幅回路を設計すると、高い調理温度あるいは異常加熱による油の発火温度約330°Cでは出力電圧が増幅回路の電源電圧でクリップすることになる。つまり、広い温度範囲すべてを一つの直流増幅回路でカバーすることが困難となる。さらに、直流増幅回路では入力オフセット電圧の問題があり、1段目の直流増幅器で生じたオフセット電圧は接続される2段目の直流増幅器で増幅率倍され、これが鍋底温度検出での誤差要因となる。上記特許文献1、2、3では直流電圧を出力する赤外線センサでの赤外線センサへ直流増幅器の直列接続には言及されていないセンサの出力する交流信号を多段の交流増幅器にして広範囲の温度検出に対応することにしか言及していない。また、特許文献4では直流増幅器での入力オフセット電圧への対応に言及されていない。本発明は赤外線センサとしてサーモパイルを用いた鍋温度検出手段において、トッププレート上に置かれる鍋の鍋底温度を、サーモパイルの接続される直流増幅器を2段とし、直流増幅器の入力オフセット電圧の影響をなくし、広範囲の鍋底温度を安定して精度良く検出することを可能にし、安全性、使い勝手の向上した誘導加熱調理器を提供することを目的とする。上記課題は、調理容器である鍋を上面に置く結晶化ガラスからなるトッププレートと、トッププレートの下に設けられ前記鍋を加熱するために誘導磁界を発生させる加熱コイルと、加熱コイルの下に設けられ、前記鍋底などから放射される赤外線を検出するサーモパイルからなる赤外線検出手段と、前記加熱コイルの支持部に設けられ、前記加熱コイルから放射される赤外線を遮断し、前記鍋底から放射される赤外線を前記赤外線検出手段に導く導光筒と、前記赤外線検出手段の出力信号を増幅する第1の直流増幅手段と、第1の直流増幅手段に直流接続されこの出力を直流増幅する第2の直流増幅手段と、前記第1および第2の直流増幅手段の出力信号のいずれかを選択して鍋底の温度を検出する鍋温度検出手段と、前記加熱コイルへ高周波電力を供給する高周波電力供給手段と、高周波電力供給手段の出力電力を制御する電力制御手段とを備える誘導加熱調理器によって解決できる。本発明によれば、フォトダイオードなどの量子型あるいはサーモパイルなどの熱型センサのように入力赤外線量に比例する直流電圧を出力する赤外線検出手段と直流増幅手段で構成される鍋温度検出手段を持つ誘導加熱調理器において、調理温度例えば140°Cから250°Cでは高い増幅率の直流増幅手段第1の直流増幅手段とそれに直流接続される第2の直流増幅手段で高精度に温度検出が可能となる一方、275°Cを超える温度では低い増幅率の直流増幅手段第1の直流増幅手段のみで、増幅手段の飽和を避けて油の自然発火温度約330°Cを含む高い温度までも検出可能とする。つまり、誘導加熱調理器で広い温度範囲の温度検出を提供することができる。そして加熱コイルへの高周波電力を制御することで安全かつ最適な調理を可能にする誘導加熱調理器を提供できる。本発明の実施例を図面に基づいて説明する。図1は実施例1の誘導加熱調理器の本体1の斜視図であり、図2は図1中に一点鎖線AA′で示される部分に調理鍋6を載せたときの概略縦断面図である。以下では、誘導加熱が可能な鍋置き場所が2口、ラジエントヒータやハロゲンヒータ等のヒーター加熱源の放射熱で加熱可能な鍋置き場所が1口ある3口の誘導加熱調理器を例に挙げ説明を行うが、本発明の適用対象はこれに限られず例えば誘導加熱が可能な鍋置き場所を3口設けた誘導加熱調理器であっても良い。なお、調理鍋6は、誘導加熱に適した磁性体の鉄鍋であっても良いし、非磁性体のアルミ鍋、銅鍋であっても良い。図1および図2に示すように、本体1の上面には、結晶化ガラス等の非磁性体によって形成されたトッププレート2が装着されている。また、トッププレート2の手前には、各口の加熱開始あるいは加熱コースを指示するスイッチ、各口の加熱状態温度等を表示する表示器が配置される操作表示部3が装着されている。トッププレート2の上面には、その下に配置される加熱コイル7あるいはラジエントヒータの最外半径におよそ一致する半径の円表示4が加熱可能な鍋置き場所を示すために印刷されている。また、トッププレート2は普通可視光に対して透明であるため、上面にはフリットガラスに耐熱塗料を混入した耐熱耐久性の衣装印刷、下面には耐熱面塗装を施し、機器内部が見えないようにしてある。誘導加熱が可能な鍋置き場所2口の円表示4の中央から約50mmずれた位置に後述する鍋温度検出のために印刷、塗装を行っていない赤外線透過窓5が設けられている。この赤外線透過窓5は赤外光を透過させるためであり、この部分だけ赤外光に対しては透明な可視光カット部材耐熱フィルムまたはガラスを下面に装着しても良い。トッププレート2の上面の各口円表示4に、調理鍋6を置き加熱調理を行う。図2に示すように、加熱コイル7にインバータ回路8高周波電流供給手段からの高周波電流を供給すると、外周側の第1のコイル7aと内周側の第2のコイル7bに分割された加熱コイル7が高周波磁界9図中破線で示すを発生し、この高周波磁界が調理鍋6と鎖交して、渦電流を発生し、そのジュール熱により調理鍋6自身が誘導加熱され発熱する。従って、調理鍋6内の調理物は、調理鍋6自身の発熱によって加熱調理される。このとき、調理鍋6の下にあるトッププレート2も、発熱した調理鍋6からの伝熱あるいは放射熱により高温になる。図3に加熱コイル7周辺の断面を詳しく示す。図3に示すようにトッププレート2下面には第1のコイル7aと第2のコイル7bの間にコイル間隙7cを備えて分割された加熱コイル7が耐熱プラスチックで構成されるコイルベース10内に同心円状渦巻き状に巻かれて配置される。加熱コイル7の下側にはコイルベース10内にコ字状のフェライト11が凸部を上にして放射状に配置されている。このフェライト11は加熱コイル7が発生する磁束をトッププレート2上の調理容器である調理鍋6に効率良く導くために配置される。また、磁束がコイルベース10下部に漏洩するのを防止する。フェライト11は透磁率が高く磁束はほとんどフェライト11内を通過するからである。コイルベース10の下には加熱コイル7を冷却するためのコイル冷却風路15が設置される。コイル冷却風路15は二つに分けられ、一つは第1のコイル7aの内周側に接続され、第2のコイル7bおよび第1のコイル7a上面を冷却するコイル上面冷却風路15a、他の一つは第1のコイル7aの下面を冷却するコイル下面冷却風路15bである。コイルベース10の中心部分下に位置するコイル上面冷却風路15aの上面には円形上のコイル上面冷却風送出孔15cが開口している。コイルベース10の中心部は円筒状の内空洞14aになっており、第1のコイル7aの内周側にはフェライト11を内蔵する放射上梁に繋がる円筒状の外空洞壁14bになっている。この外空洞壁14bの下部に、コイル上面冷却風路15aのコイル上面冷却風送出孔15cが接続される。コイル上面冷却風送出孔15cの周囲にはグラスウール等のシール材16が設けられ先の外空洞壁14bに接続されている。コイル冷却風路15の下にはインバータ回路8等の回路基板を内蔵する回路冷却風路17a、17bが2段重ねて設けられ、夫々には左右の加熱コイル7L、7Rのインバータ回路8等が内蔵されている。これらの冷却風路は本体1に固定される。コイルベース10はコイル下面冷却風路15bまたは回路冷却風路17aに固定される3個のコイルベース受け12からバネ13で押され、トッププレート2の下面に押し付けられる。コイル上面冷却風送出孔15c下のコイル上面冷却風路15a中には鍋温度検出装置18が配置される。鍋温度検出装置18は誘導加熱された調理鍋6の底面温度をトッププレート2の赤外線透過窓5を透過する赤外線から検出する。加熱調理中にはコイル上面冷却風路15a、コイル下面冷却風路15b、回路冷却風路17a、17bには本体1に内蔵されるファン図示せずから外気が導入される。コイル上面冷却風路15a内を流れる冷却風は鍋温度検出装置18を冷却しながらコイル上面冷却風送出孔15cから円筒状の外空洞壁14b内のコイル間隙7cおよび内空洞14aを上昇し、コイル間隙7cおよび内空洞14a上部から、トッププレート2に遮られトッププレート2と加熱コイル7の間をコイル径方向外側に流れ、加熱コイル7の上面およびトッププレート2下面を冷却する。コイル下面冷却風路15bの第1のコイル7aの下面にあたる部分には小さな孔が複数開けられ、コイル下面冷却風路15b内を流れる冷却風は、ここから第1のコイル7a下面に向かって噴流してこれを冷却する。図4にトッププレート2を除いた図3の上面図の詳細を示す。加熱コイル7、コイルベース10、コイル上面冷却風路15aの詳細構成図である。加熱コイル7および内空洞14aと鍋温度検出装置18の水平面での位置関係を示す。加熱コイル7は、テフロン登録商標等で絶縁被膜されるリッツ線で同心円状に同一方向に巻回され、外周側の第1のコイル7aと内周側の第2のコイル7bに分割される。そのコイル間隙7cは幅およそ15mmの同心帯状をなし、第1のコイル7aの巻き終わりはコイル間隙7cを架橋し第2のコイル7bの巻き始めとなり、第1のコイル7aと架橋線7dと第2のコイル7bで加熱コイル7を構成する。コイルベース10には第1のコイル7aの内周側に円筒状の外空洞壁14bが設けられ、その内側がコイル間隙7cとなっている。また、第2のコイル7bの内周側に内空洞14aが設けられる。さらに、コイル間隙7cの一部、放射状に配置される二つのフェライト11間に円筒状のセンサ視野筒19内径約12mmが設けられ、このセンサ視野筒19の下に鍋温度検出装置18が設置される。実施例の同心円状に巻かれた加熱コイル7では巻き幅中央近傍の誘導磁界が一番強く、鍋を誘導加熱した場合この巻き幅中央部分の温度が一番高くなる。加熱コイル7を二つに分割したのは、分割隙間の下に鍋温度検出装置18を設け、この高温部分の鍋温度を検出するためである。センサ視野筒19の上部横にはトッププレート2の赤外線透過窓5の横下面に接触するようにサーミスタ20が設置される。誘導加熱された鍋底面からの赤外線はトッププレート2の赤外線透過窓5を透過し、センサ視野筒19から後で詳細に説明する鍋温度検出装置18に内蔵されるサーモパイル25に入射する。図5は先の図4を裏から見た図を示す。コイルベース10には低電圧端子21aと高電圧端子21bが設けられ、低電圧端子21aには第1のコイル7aの巻き始めが接続され、高電圧端子21bには第2のコイルの巻き終わりが接続される。この端子にはインバータ回路8の出力線22a、22bがねじで固定される。銅やアルミニウム等の非磁性体の鍋では4~5kVの高電圧が出力される高電圧出力線22bは高電圧端子21bに接続される。図4、図5で説明したように鍋温度検出装置18は、架橋線7dの近傍をさけ、かつ高電圧出力線22bが接続される高電圧端子21bから離れた位置にあるコイル間隙7cに設けられたセンサ視野筒19の下にそのケース窓30が位置するように設置される。図6に鍋温度検出装置18の詳細を示す。図6aは、鍋温度検出装置18の平面図を示す。鍋温度検出装置18は、ヒートシンク55を被せた赤外線検出センササーモパイル25と反射型フォトインタラプタ26を中心に構成される。サーモパイル25と反射型フォトインタラプタ26はサーモパイルの出力信号を増幅するサーモパイル温度検出回路72後で詳細を説明すると反射率検出回路73後で詳細を説明するが実装される電子回路基板27に配置され、このサーモパイル25と反射型フォトインタラプタ26および電子回路基板27は、全体をプラスチック部材の赤外線センサケース29一点鎖線で示す内に密封される。この赤外線センサケース29には赤外線を透過させるためにケース窓30が開けられ、このケース窓30にはトッププレート2を構成する結晶化ガラスとほぼ同じ光学特性但し図15に細線で示すように1μm以上の長波長側の光学特性はほぼ同じだが、短波長側でトッププレート2に比べて透過率小の領域が400nmほどあり、この部分の可視光がカットされるため目には赤黒く見えるを持つ結晶化ガラスを薄く正方形に切り出したものを結晶化ガラス光学フィルタ31として嵌め込んである。そして、結晶化ガラス光学フィルタ31の下にヒートシンク55を被せたサーモパイル25と反射型フォトインタラプタ26が電子回路基板27上に実装されている。この赤外線センサケース29は、周りをアルミニウム等の透磁率がほぼ1の金属ケース32二点鎖線で示すで覆っている。当然、先のケース窓30の所は開口されている。そして、更にアルミニウム金属ケース32は、周りをプラスチック部材の赤外線センサ外側ケース33で覆っている。当然先のケース窓30の所は開口されている。つまり、サーモパイル25は3重のケースで覆われた形になっている。そして、鍋温度検出装置18はそのケース窓30がコイルベース10のセンサ視野筒19内を望むようにコイル上面冷却風路15a内に設置される。図6a中のA-A′線に沿った断面図を図6bに示す。これは、赤外線センサケース29内に設置される電子回路基板27に装着されるサーモパイル25および反射型フォトインタラプタ26と赤外線センサケース29のケース窓30、結晶化ガラス光学フィルタ31との位置関係を示す断面図である。図7に反射型フォトインタラプタ26の詳細を示す。反射型フォトインタラプタ26は赤外線発光素子としての赤外線LED50と赤外線受光素子としての赤外線フォトトランジスタ51を同一プラスチック部材に並べてモールドしたものである。赤外線LEDの発光面上にはプラスチックでレンズが構成され細いビームで930nm付近の赤外光を上方に照射する。赤外線フォトトランジスタ51の受光面上には可視光阻止のプラスチックでレンズが構成され、先の照射赤外光の物体鍋底面での反射赤外光を狭い視野角で受光し、その受光量に比例した電流を出力する。この反射型フォトインタラプタ26は赤外線発光素子と受光素子の対で構成されるものでトッププレート2上に置かれた調理鍋6底面の反射率を計測するものである。反射フォトインタラプタ26前面の発光、受光部を結晶化ガラス光学フィルタ31の下面直下に配置している。これは赤外線発光が直上の結晶化ガラス光学フィルタ31で反射され、受光されるのを防止するためである。赤外線LED50の赤外線発光は結晶化ガラス光学フィルタ31を85以上透過するが、残り15は反射され後述図15の光学特性を参照、すぐ横の赤外線フォトトランジスタ51で受光される。反射型フォトインタラプタ26のトップ発光、受光面と赤外線発光は結晶化ガラス光学フィルタ31の間に数mmの隙間があると、前述の反射が受光され、本来目的であるトッププレート2上にある鍋底面での反射光の受光に影響する。このため、本実施例では、図示するように結晶化ガラス光学フィルタ31と反射型フォトインタラプタ26赤外線LED50および赤外線フォトトランジスタ51の発光受光面との距離を500μm以内程度にまで接近させ、発光赤外線の結晶化ガラス光学フィルタ31での反射が赤外線フォトトランジスタ51で受光されないようにしている。理想的には結晶化ガラス光学フィルタ31下面と反射フォトインタラプタ26の上面を接触させたほうが望ましい。図8にサーモパイル25の詳細を示す。図8aはヒートシンク55とサーモパイル25の斜視図を示す。図8bはヒートシンク55を除いた図8a中B-B′で示す線でのサーモパイル25の断面図であり、図8cは図8b中C-C′で示す線での断面の平面図である。なお、熱電対が見えるように、赤外線吸収膜を省略して示してある。サーモパイル25は熱電対サーモカップルを多数縦列接続したパイリングしたもので、ニッケルめっき鋼板等の金属キャン25-1と金属ステム25-2からなる金属ケース25-3内にこれが内蔵されている。およそ300μm厚のシリコン基材25-4表面に電気的および熱的に絶縁するためシリコン酸化膜25-5を形成し、この上にポリシリコン、アルミを順次パターン蒸着しポリシリコン蒸着膜25-6、アルミ蒸着膜25-7で熱電対を多数作成し、これを縦列接続する。ポリシリコン、アルミ接合点測温接点のあるシリコン基材25-4中央部には、黒体に近い酸化ルビジウム膜あるいはポリイミド膜等の赤外線吸収膜25-9を保護皮膜として形成する。ポリシリコン蒸着膜40およびアルミ蒸着膜41の一端は冷接点部25-10であり、これはシリコン基材25-4の周囲に配置する。シリコン基材25-4の裏面を周囲冷接点部を残して290μmまでエッチングし、測温接点部分のあるシリコン基材25-4の厚みを10μmに形成する。これは熱電導の良好なシリコンを薄くすることで、測温接点部25-8と冷接点部25-10の熱伝導を少なくし測温接点部と冷接点部を熱的に絶縁するためである。このシリコン基材25-4を金属ステム25-2にボンド等で固定する。同時に金属ステム25-2にはセラミック上に膜形成したNTCサーミスタ25-11を同様に配置する。これは金属ケース25-3内にある熱電対の雰囲気温度を検出し、熱電対の熱起電力を補正するためである。詳細は後述する。金属ステム25-2には絶縁シールされた4本の金属ピン25-12が貫通配置されており、この金属ピン25-12に先の熱電対の出力とNTCサーミスタ25-11がワイヤ接続される。金属ステム25-2には、筒状の金属キャン25-1が窒素などの不活性ガス中で被せられ溶着される。この金属キャン25-1の上面には小穴の窓25-13が開けられ、ここに内側からガラス凸レンズ25-14が装着されている。この小穴の垂直下に先の測温接点部25-8赤外線吸収膜25-9の下にあるが位置するようにシリコン基材25-4が固定される。このガラス凸レンズ25-14は赤外線透過窓5の視野範囲が赤外線吸収膜25-9に結像するように設計される。このガラス凸レンズ25-14は一般電子レンジ、体温計等にはシリコンガラス板が使用されるが本実施例では凸レンズを用いている。これはサーモパイル25の視野特性を狭め、集光効率を高めるためである。また、この部材の光学特性は一般のシリコンガラス板の場合15μmショートパス特性図15に一点鎖線で示す、本実施例のガラス凸レンズ25-14は5μmショートパス特性図15に破線で示すを与えている。これは測定対象物以外の放射する赤外線外乱を除去するためである。サーモパイル25内の熱電対測温接点部25-8赤外線吸収膜25-9の下にあるにはこの小穴の窓25-13を通過しガラス凸レンズ25-14で集光された赤外線で加熱され、この加熱温度上昇は通過した赤外線エネルギーに比例し、熱電対の冷接点部25-10と測温接点部25-8の温度差に比例した電圧が熱電対出力の金属ピン25-12に出力される。前述したようにサーモパイル25は金属ケース25-3が熱的には熱電対の冷接点と同じであり、この温度変動がそのままサーモパイル25の出力変動となってしまう。そのため、ヒートシンク55を熱バッファ熱容量を大きくするとして装着して周囲温度変化に対する出力変動を減少させる。図9に本実施例の誘導加熱調理器の制御ブロック図を示す。マイクロコンピュータ60が誘導加熱調理器の動作を制御する。以下記号Rは図1の手前右にあるに誘導加熱口に関するブロックを表し、記号Lは図1の手前左にある誘導加熱口に関するブロックを表す。2つのインバータ回路8Rおよび8Lは加熱コイル7R及び7Lに高周波電流を供給する。このインバータ回路8R、8Lの動作周波数及びコイルへの供給電力を調整するのが周波数制御回路61R、61L及び電力制御回路62R、62Lである。動作周波数を変化させるのは、鍋の金属種類によって高周波電流の周波数で誘導加熱効率が変化するためである。一般に鉄では20kHz、これより抵抗率の低い銅、アルミでは70kHz以上の周波数が用いられる。この周波数切り替えは図示しない鍋種類判別手段の判断に基づいてマイクロコンピュータ60が周波数制御回路を制御して行う。各インバータ回路8R、8Lには整流回路63から直流電圧が供給される。この整流回路63には電源スイッチ64を介して3端子200Vの商用電源65が接続されている。商用電源の接地端子は本体1の金属部に接地線で接続される。ラジエントヒータ66にはラジエントヒータ回路67を介して商用電源65が接続され、ラジエントヒータ回路67がラジエントヒータ66に供給する電力を制御する。マイクロコンピュータ60には、操作表示部3の操作スイッチ68、表示回路69が接続され使用者の操作指示を受け付け、機器の動作状態表示を行う。また、ブザー70が接続され使用者の操作ボタン押しあるいはエラー等の警告などを報知する。マイクロコンピュータ60は使用者の指示に従い、周波数制御回路61R、61Lと電力制御回路62R、62L及びラジエントヒータ回路67を制御して、トッププレート2上の調理鍋6を加熱する。サーモパイル25はサーモパイル温度検出回路72に接続され出力が増幅され、マイクロコンピュータ60のAD端子に入力される。反射型フォトインタラプタ26は反射率検出回路73に接続され、マイクロコンピュータ60のポート出力で発光素子の発光を制御され、調理鍋6で反射された赤外光は受光素子で受光され、その出力信号は増幅されマイクロコンピュータ60のAD端子に入力される。サーモパイル温度検出回路72および反射率検出回路73の動作の詳細は後述する。更にサーミスタ20Rはサーミスタ温度検出回路74Rに接続され、その出力はマイクロコンピュータ60のAD端子に入力される。同様にサーミスタ20Lもサーミスタ温度検出回路74Lに接続され、その出力もマイクロコンピュータ60のAD端子に入力される。マイクロコンピュータ60は、加熱される鍋底の放射赤外線量と鍋底からの熱伝導で加熱されるトッププレート2の放射赤外線量の和でサーモパイル温度検出回路72が出力する電圧を得る。また、マイクロコンピュータ60は、加熱される鍋下のトッププレート2の温度を知り、その温度での放射赤外線量に相等する電圧を得る。これは後述するように予め温度と電圧の関係をテーブルの形で記憶し、ソフトウエアで行う。先のサーモパイル温度検出回路72の出力電圧からトッププレート2温度による電圧を減算し、トッププレート2が放射する赤外線量の影響を除く減算手段とトッププレート温度補正の動作。また、マイクロコンピュータ60は反射率検出回路73の出力から調理鍋6の赤外線反射率を知り、先の減算結果を反射率で補正して調理鍋6の温度を検出する。この処理もマイクロコンピュータ60のソフトウエアで行われる反射率補正手段の動作。そして、減算後の値を予め作成してある温度変換テーブルサーモパイル温度検出回路72の出力電圧と鍋温度の関係で鍋温度に変換する。そして、マイクロコンピュータ60はこの鍋温度をもとに、電力制御回路62を介して、調理鍋6の加熱を制御する。この処理法の詳細は後述する。図10にサーモパイル温度検出回路72の詳細を示す。サーモパイル25の熱電対出力熱起電力図中、-記号間の電圧はOPアンプ72-1で約3000倍に増幅され出力端子72-5に出力される。また、この電圧はOPアンプ72-2で約4倍に増幅され出力端子72-4に出力される。これら二つの出力電圧はマイクロコンピュータ60のAD端子に入力される。OPアンプ72-1の増幅率R2/R11は抵抗R1と抵抗R2で決まる。OPアンプ72-2の増幅率R4/R31は抵抗R3と抵抗R4の比で決まる。したがって出力端子72-4に出力される電圧はサーモパイル25の起電力の3000×4=1200倍の電圧となる。また、サーモパイル内のNTCサーミスタ25-11は、回路電源電圧Vcc=5Vを抵抗R5、R6、R7で分圧された電圧源抵抗R6の両端に抵抗R8と直列接続された状態で接続される。この抵抗R8との接続点aはOPアンプ72-3で構成されるバッファアンプ電圧フォロアーの入力に接続され、接続点aの電圧はそのままOPアンプ72-3の出力に現れる。この電圧はOPアンプ72-1のバイアス電圧Vbiasとして抵抗R1と熱電対出力端子-に接続されている。OPアンプ72-3で構成されるバッファアンプの出力インピーダンスがほぼゼロであり理想的な電圧源として接続点aすなわちバイアス電圧VbiasをOPアンプ72-1に与える。OPアンプ72-1はこのVbiasを基準にサーモパイル25の熱電対出力図中、-記号間の直流電圧をR2/R11倍して出力する。このVbiasはNTCサーミスタ25-11の温度25°Cでの抵抗値で05Vに設計され、このゼロ電圧からオフセットしたバイアス電圧はサーモパイル温度検出回路72の故障検出に利用する。OPアンプ72-2は抵抗R9とR10で電源電圧を分圧して温度で変化しないバイアス電圧としている。このバイアス電圧は先のVbiasにほぼ等しい値に設計する。普通直流増幅器を2段接続する場合には回路上同一バイアス点に接続、つまり、図10の場合、2段目のバイアス点R3の一端はVbiasOPアンプ72-3の出力、R1の一端にするが、本実施例では抵抗R9、R10で独立した固定電圧を作成し、これを2段目のバイアス電圧にしている。これは、後述するように、Vbiasが周囲温度変動への補償を行う電圧であり、1、2段目のバイアスを同一にすると、2段目出力には温度補償が2重にかかることになる。これを防止するためである。図10に示す回路図においてR6両端を短絡してNTCサーミスタ25-11の温度抵抗値変化がVbiasに影響しないようにし、OPアンプ72-1の増幅率を2700に設定した電子回路基板を用い、図8の鍋温度検出装置18を恒温槽に投入し温度を可変してOPアンプ72-1の出力を測定した。図11に槽内温度25°Cから60°Cでの結果の一例を示す。これはサーモパイル25の熱電対出力図中、-記号間の電圧を2700倍して測定したことになる。ここでサーモパイル25には恒温槽上壁面からの放射赤外線が入射されるが壁面はステンレス製放射率03以下かつ低温60°C以下であり、後述のように図17参照その放射赤外線エネルギーは無視できる。また、各温度点での観測は十分時間経過後に行っているため、測温接点部25-8赤外線エネルギーで加熱される点と冷接点部25-10の温度差はなく、熱電対の起電力ゼロの状態である。つまり、この測定はサーモパイル25の温度特性を測定したものである。なお、OPアンプ72-1の入力オフセット電圧は1μVであり、この温度係数は005nV/°Cで上記観測では入力オフセット電圧は一定である。図11からサーモパイル25の出力は負の温度特性を持つ。温度係数は5つのサーモパイルについてほぼ同一で入力換算値図の値を1/2700した値で022μV/°Cである。この温度係数のため鍋の温度放射するエネルギーが一定でも、サーモパイル25の周囲温度が上昇するとサーモパイル25の出力が減少することになり鍋温度の正確な検出ができない。NTCサーミスタ25-11は負の温度特性を持った抵抗素子であり温度上昇で抵抗値が低下する。このため、サーモパイル25内の温度が上昇すると先の接続点aの電圧は上昇する。この上昇係数を前述022μV/°Cに設計すれば、サーモパイル出力の減少をキャンセルできる。つまり、前述サーモパイル25出力の減少を接続点aの電圧すなわちVbias上昇で補償する。すなわち、NTCサーミスタ25-11はサーモパイル25の出力すなわち測定対象の放射赤外線エネルギーによる出力が周囲温度で変化するのを防ぐために使用される。つまり、サーモパイル25の周囲温度が変化しても、測定対象の温度すなわち入射する赤外線エネルギーが変化しなければ出力変化を起こさないという温度補償を行っている。図11中に破線でサーモパイルE-0の温度補償後の出力を示す。周囲サーモパイル温度が変化しても出力が一定になっていることがわかる。図12に反射率検出回路73の詳細を示す。図13に反射率検出回路73の動作タイミングチャートを示す。反射型フォトインタラプタ26の発光素子である赤外線LED50はトランジスタ73-1で駆動される。この駆動はマイクロコンピュータ60の出力ポートから駆動信号端子73-2に入力される信号で制御される。図13aにこの信号を示す。デューティ50の矩形波信号を駆動信号端子73-2に入力すると、赤外線LED50は信号が5Vのとき発光し、0Vのときは消灯する。この発光強度は赤外線LED50に流す電流に比例し、この電流は抵抗R11の値で決められる。本実施例では抵抗値を固定して発光強度は一定である。この赤外発光がトッププレート2及び調理鍋6の底面で反射され、受光素子である赤外線フォトトランジスタ51で受光されると光電流により抵抗R12に電圧が発生する。この電圧を図13bに示す。反射が大きく受光量が多くなれば電圧は比例して大きくなる。この信号電圧はコンデンサC1で直流分がカットされ、交流信号図13cに示すとしてOPアンプ73-3で構成される正転直流増幅器に入力される。ここで交流信号のプラス側成分のみが増幅される。図13dにこれを示す。この増幅されたデューティ50の信号は充放電回路R13とC2で構成される73-4で直流の平均値電圧に変換され、出力端子73-8から出力される。この出力はマイクロコンピュータ60のAD端子に入力される。このように反射率検出回路73は発光強度が一定のキャリア変調された赤外光を鍋底面に放射し、鍋で反射される赤外光を受光してその平均値電圧を反射電圧として得ることで反射率に相当する値を検出する。調理鍋6が置かれていない場合にはトッププレート2のみでの反射でありこれは一定の値を示す。これからの増加分が鍋からの反射分であり、この量が鍋の反射率に相当するものである。赤外発光をキャリア変調し、受光経路で直流成分をカットしているのは、自然光あるいは白熱電灯、蛍光灯などの照明機器に含まれる一定の赤外光が鍋の反射率検出に影響するのを防止するためである可視光は受光素子の光学フィルタでカットされる。。また、赤外線フォトトランジスタ51の暗電流の影響も防止している。以下本実施例1の動作を説明する。トッププレート2上に置かれた調理鍋6は誘導加熱により発熱する。この加熱により調理鍋6底面からは赤外線が放射される。この全放射エネルギーEは鍋温度Tの4乗に比例したものであるE=σT4;ステファンボルツマンの法則。図14にプランクの分布則から算出される黒体温度の分光放射エネルギーを示す。この分光放射エネルギーを全波長域で積分すれば、全放射エネルギーEが求まり、これは温度絶対温度の4乗に比例する。これが前述のステファンボルツマンの法則であり、この係数σがステファンボルツマン係数である。分光放射エネルギーのピーク波長はウィーンの変移則から、調理温度100~300°Cで5μm~8μmである。誘導加熱された鍋底は、黒体温度の全放射エネルギーEに鍋底の放射率εを乗じた全放射エネルギーを温度に応じて放出する。すなわち、黒体温度の全放射エネルギーEと鍋底温度のそれE′=εσT4との比が放射率εである。一方、非磁性体である結晶化ガラストッププレート2の光学特性を図15に太線で示す。図15中太線で示すように、結晶化ガラスは、02μm~29μmの波長の光を80以上透過し、3~45μmの波長の光を30程度透過し、45μmよりも長い波長、及び、02μmよりも短い波長の光をほとんど透過しない。この光学特性のため鍋から放射される赤外線放射エネルギー図14参照の大部分波長4μm以上の大部分はトッププレート2を通過できない。通過できるのは鍋から放射される全赤外線放射エネルギーの約1程度である。図16に黒体とサーモパイル一般的な15μmショートパスフィルタのサーモパイルの間には空気のみの場合と図3に示すように黒体とサーモパイルの間にトッププレート2および結晶化ガラス光学フィルタ31が挿入される場合のサーモパイルの熱電対面に入射する入射エネルギーと黒体温度の関係を比較して示す。これは図14の分光放射エネルギーに図15の光学特性透過率を掛け合わせ、全波長域で積分したものである。空気のみの場合は全波長域で透過率=1として算出している。図から本実施例誘導加熱調理器ではトッププレート2、結晶化ガラス光学フィルタ31が介在するため、介在しない場合空気のみに比較して100°C付近で約2桁、300°Cでも約1桁もサーモパイルに入射するエネルギーは減少している。低温側で入射エネルギー減少が大きいのは低温放射分光エネルギーのより多くがトッププレート2で除去フィルタリングされるためである。赤外線センサとしては周知のように、赤外線フォトダイオード、赤外線フォトトランジスタのような量子型とサーモパイル、焦電素子のような熱型とがある。量子型センサは量子効果で赤外線を検出するため狭い波長帯域で高い感度を持ち、熱型は広い波長帯域で低い感度を持つのが特徴である。量子型は半導体の種類で感度波長が決められ、シリコンのように安価に購入できるものは実用感度波長が可視光外08μmから1μm以下のため、検出温度の範囲が300°C以上となる。更に低温側に検出感度波長2μmを持たせた赤外線フォトトランジスタは化合物半導体たとえばInGaAs等となるためシリコンに比べ1~2桁ほど高価になる。一方熱型は量子型に比べ、可視光から20μm以下の広い波長帯域で均一の低い感度を持つ原理的には波長依存性を持たない。このため、センサへの赤外線受光面の前に光学フィルタを設け、検出温度範囲波長を狭めて外乱を防ぐ。本実施例では、検出温度範囲が140から380°Cであるため、赤外線センサとして熱型であるサーモパイルを用いる。同じ熱型の焦電素子は微分型のセンサであるため、先行文献のように赤外線入射を断続する必要があり、普通機械的なチョッパ機構が使われる。このため、信頼性の点で誘導加熱調理器のような家電品に用いるのは不向きである。一方サーモパイルはこのような機構を必要とせず、また、近年MEMS等の技術により半導体プロセスを用い構成する熱電対を微小化し多数堆積パイリングして感度を向上させたものが安価に供給されている。近年多くの体温計に用いられるサーモパイルの光学フィルタとしては前述図15一点鎖線したように透過波長が1~15μmのものが使われる。これはウィーンの変移則から人体の赤外線放射エネルギーのピーク波長が約10μm体温36°Cであり、上記光学フィルタを用いるのが最適なためである。前述したように、従来の体温計や電子レンジに用いるサーモパイルへの入射エネルギーは多く、サーモパイル自身の感度はあまり問題とならず、サーモパイル出力を増幅する増幅回路の増幅率も100倍以下で良い。しかし誘導加熱調理器に用いられる本実施例の鍋温度検出装置18では、サーモカップル熱電対を半導体プロセスで比較的容易に作成できるポリシリコンアルミニウム金属対とし、これを50ほど堆積したサーモパイル25を用い、更にガラス凸レンズでの集光で一般的なものに比べ感度を10倍程度高めている。また、その出力を2段増幅回路で3000~12000倍に増幅し前述した微小な入射赤外線エネルギーを検出できるようにしている。サーモカップルで物体の温度を計測する場合には、冷接点を氷点0°Cに固定して測温接点を物体に接触させて計測する。サーモパイルは図8で説明したように、サーモカップルが多数堆積されたものであり、入射赤外線で加熱される多数の測温接点とシリコン基材25-4上にある多数の冷接点で構成される。そして、冷接点は金属ケース25-3の金属ステム25-2にボンドで固定されるため、熱的にはサーモパイルの金属ケース25-3金属キャン25-1と金属ステム25-2が冷接点となっている。そして、この金属ケース25-3は通常のサーモカップルのように氷点に固定することができない。仮に、一つのサーモカップルの熱起電力が5μV/°C、パイル数50、直流増幅器の増幅度を2000とすると、金属ケース25-3の温度が1°C変化すると、直流増幅器の出力では500mVの電圧変動になる。つまり、サーモパイル25周囲の温度変動を押さえることが必要になる。本実施例の鍋温度検出装置18は、加熱調理中の鍋底高温部を検出可能にするために、分割された加熱コイル7が発生する高周波磁界の磁束密度が最も強いコイル間隙7c直下に配置される。この位置は、加熱コイル7の下に放射状に配置される棒状フェライト11の間であり、磁束はほとんどフェライト11中を通過するため漏れ磁束の少ない場所ではある。しかし、加熱コイル7下面からの距離は20mm程度であるため漏れ磁束は大きく、ここに位置する金属を誘導加熱しその温度を上昇させる。例えば3kWの高周波電力を加熱コイル7に入力してトッププレート2上に載置される調理容器である鍋を誘導加熱する場合には、この場所にある磁性体の鋼板では約30°Cも温度上昇する。非磁性体のアルミニウムでも約5°Cも温度上昇する。調理中、誘導加熱される鍋底は100~300°Cの高温になる。そして、トッププレート2および下面の加熱コイル7も鍋底からの熱伝導、熱輻射で高温となる。さらに、加熱コイル7には十数アンペアの高周波電流を流すためコイル自身もジュール発熱する。これらトッププレート2、加熱コイル7を冷却するため、コイル上面冷却風路15a、コイル下面冷却風路15bには外気が導入され、前述のように加熱コイル7に風を当てて冷却する。また、鍋温度検出装置18の配置される下には加熱コイル7に高周波電力を供給するインバータ回路8が冷却風路17a、17b中に配置される。このインバータ回路は20~90kHz、十数アンペアの電流をスイッチングする回路から構成される。このため、大きな電磁波を輻射することになる。このように、鍋温度検出装置18、特に内蔵されるサーモパイル25は、1加熱コイル7からの漏れ磁束、2コイル冷却のための冷却風による温度変化、3インバータ回路から輻射される電磁波ノイズ、に晒されることになる。これら外乱に対応して、鍋温度検出装置18は加熱調理中の鍋底高温部を検出しなければならない。サーモパイル25が内蔵される鍋温度検出装置18はなるべく一定温度雰囲気におくのが望ましい。このため、本実施例では、外気が導入されるコイル上面冷却風路15a内に鍋温度検出装置18を設置し調理中には外気でサーモパイル25とサーモパイル温度検出回路72を冷却しこれらの温度上昇を防止している。また、コイル上面冷却風路15a内の気流がサーモパイル25の金属ケース25-3およびサーモパイル温度検出回路72の半導体、抵抗等に直接当たり熱ゆらぎを起こすのを防ぐため、防風ケースである赤外線センサケース29でこれを覆っている。また、サーモパイル25とサーモパイル温度検出回路72は赤外線センサケース29内の空気で空気断熱されることにもなる。温度変化に対して安定にサーモパイル25の出力を直流増幅した後低い出力インピーダンスの信号電圧として、後述するマイクロコンピュータ60のAD端子に出力している。さらに、この赤外線センサケース29をアルミニウム等の透磁率がほぼ1である金属ケース32で覆い、加熱コイル7が発生する交流磁場を遮蔽することでサーモパイル25の金属ケース25-3が加熱コイル7の発生する高周波交流磁界で誘導加熱され温度上昇しないようにしている。また、この金属ケース32は、鍋温度検出装置18の下部に配置されるインバータ回路からのパルス雑音放射電磁波に対しての電磁シールドにもなっている。この金属ケース32は、加熱調理中には周囲雰囲気温度および加熱コイル7からの漏れ磁束で誘導加熱され、アルミニウムの場合5~10°C温度上昇する。この温度上昇がおさまる前に続けて調理を行う場合、外気を急速に導入して金属ケース32に当てると金属ケース32が急速に冷え、結果赤外線センサケース29内のサーモパイル25の周囲温度が急に低下することになる。この逆の場合、例えば冬朝一番に調理を行う場合、機体内の金属ケース32は夜十分に冷却され5°C程度にあり、使用者が20°Cに暖房された調理室で調理を開始した場合には、この暖気がコイル上面冷却風路15aに導入され、20°Cの暖気が5°Cの金属ケース32に当てられることになる。本実施例では、このような外気による金属ケース32の急激な温度変化を防止するために、この金属ケース32を更にプラスチックの赤外線センサ外側ケース33で覆っている。これで金属ケース32に直接冷却風をあてずに風による温度急変を防止している。さて、トッププレート2は誘導加熱された調理鍋6から赤外線放射を吸収することおよび接触熱伝導とで加熱される。図15太線に示すように、トッププレート2は02μm~29μmの波長の光を80以上透過し、3~45μmの波長の光を30程度透過し、45μmよりも長い波長、及び、02μmよりも短い波長の光をほとんど透過しない。放射エネルギーが物質表面に入射すると、その一部ρは反射され、一部αは吸収され、残りτは透過する。これらの量の間には、エネルギー保存則からρατ=1が成立する。トッププレート2上に調理鍋6が置かれた状態では、調理鍋6の赤外線放射エネルギーのトッププレート2での反射はほとんどゼロとみなせるため、トッププレート2では吸収率α透過率τ=1が成立していると見てよい。キルヒホフの法則より吸収率α=放射率εであるため、トッププレート2は調理鍋6からの赤外線放射エネルギーのうち、02μm~29μmの波長では80以上透過し、残り20を吸収しこれを放射する。また、3~45μmの波長では30程度透過し、残り70を吸収しこれを放射する。45μmよりも長い波長、及び、02μmよりも短い波長ではほとんど透過せず、すべてを吸収してこれを放射する。熱伝導で加熱された分も同様である。波長45μm以上では熱伝導加温の赤外線エネルギーはほとんどトッププレート2表面から放射される。このため、サーモパイル25を使用して、トッププレート2上の調理鍋6の温度を検出する場合にはトッププレート2自身の加熱が放射する赤外線が問題となる。例えばサーモパイル25に付属するガラス凸レンズ25-14の透過波長が1~15μmであれば、トッププレート2が放射する45μmよりも長い波長の赤外線によってサーモパイル25の出力が大きく影響を受け、トッププレート2上の調理鍋6の鍋底の温度を正確に検出できないことになる。トッププレート2を透過する鍋の放射赤外線エネルギーは1μm~29μmの約2μmの帯域、これに対しトッププレート2自身が放射する赤外線エネルギーは45μm~15μmの約10μmの帯域であり、同じ温度であればサーモパイル出力のうち、調理鍋6の温度による分の5倍がトッププレート2の温度によることになる。本実施例では、上記を防止するためサーモパイル25で構成される鍋温度検出装置18の赤外線センサケース29に、赤外線を透過させるためのケース窓30を開け、このケース窓30にトッププレート2を構成する結晶化ガラスを薄く正方形に切り出したものを結晶化ガラス光学フィルタ31として嵌め込んである。そして、サーモパイル25に入射する赤外線の内トッププレート2が放射する分を除去する。トッププレート2が放射する波長29μm以上の部分はトッププレート2と同じ透過特性を持つ結晶化ガラス光学フィルタ31の光学特性によってサーモパイル25への入射が阻止される。結晶化ガラス光学フィルタ31をトッププレート2以外の材料で作成しても良いが、図15で実線に示すような急峻で特殊な特性を示す光学フィルタを作成するのは非常に困難で高価なものになる。また、結晶化ガラス光学フィルタ31は、その下に配置されるサーモパイル25や反射型フォトインタラプタ26等がトッププレート2の赤外線透過窓5から見えなくする効果をもたせている。前述したように図15の細線で示すように1μm以上の長波長側の光学特性はトッププレート2とほぼ同じだが、短波長側でトッププレート2に比べて透過率小の領域が400nmほどあり、この部分の可視光がカットされるため目には赤黒く見え、下に配置される基板上の部品を見えなくしている。更に、サーモパイル25のガラス凸レンズ25-14として波長5μm以上を透過させない5μmショートパスフィルタを有するガラス図15に破線で示すを用いている。これは周囲温度で暖められる結晶化ガラス光学フィルタ31自身および赤外線センサケース29が放射する赤外線をも波長5μm以上は透過させないようにするためである。というのは先に述べたように鍋から放射される1~29μmの赤外線エネルギーはトッププレート2で通過を制限されているため非常に微小であり、サーモパイル25の出力増幅を大きくせざるを得ないため周囲温度での5μm以上の赤外線放射に敏感であり、徹底的に鍋底以外からの45μm以上の赤外線がサーモパイルの赤外線吸収膜25-9に入射するのを防止する必要があるためである。なお、このガラス凸レンズ25-14をトッププレート2や結晶化ガラス光学フィルタ31と同じ結晶化ガラスで作成してもよい。こうすれば前述した理由で結晶化ガラス光学フィルタ31の温度による赤外線放射をよりよく遮断することができるので好適である。しかし、前述光学的な対策でも十分ではなく以下述べるように、トッププレート2からの放射赤外線が鍋温度検出の誤差要因となる。調理中にサーモパイル25の検出する赤外線エネルギーは、検出対象である1調理鍋6からの赤外線エネルギーの他に、2トッププレート2からの赤外線エネルギー、3センサ視野筒19内壁からの赤外線エネルギー、4結晶化ガラス光学フィルタ31からの赤外線エネルギー、5その他部材からの赤外線エネルギーが重畳されたものであり、サーモパイル25はこの赤外線エネルギーに比例した電圧を生じる。そして、正確に鍋温度を検出するためには特に2トッププレート2からの赤外線エネルギーによる電圧を減算する必要がある。3項はサーモパイル25の視野特性を半値角10度に狭め、内壁の温度は冷却風で動作中60°C以下に保たれ、かつ赤外放射ベクトルがサーモパイルの受光ベクトルと直交するのでサーモパイルに入射する赤外線エネルギーは問題とならない。4項は鍋温度検出装置18を冷却風路内に配置しているため、その温度は40°C以下に抑えられサーモパイルに入射する赤外線エネルギーとしてはあまり問題とならない。5項も4項同様である。図17に本実施例における、各部の温度と各部が放射しサーモパイル25の赤外線吸収膜25-9に入射する赤外線エネルギー計算結果の関係をまとめて示す。これは図14の分光放射エネルギーと各部材の透過特性図15に示すを用いて計算したものである。各部の温度は調理中に到達する温度範囲のみ図示している。調理中の各部材の代表的温度、例えば300°Cの鍋黒体からの入射エネルギーを1とすると、200°C300°C長時間加熱中でもトッププレート2ガラスの熱伝達率が低く200°C程度までしか上がらない。短時間では更に低い温度である。のトッププレート2からのそれは1/6、80°Cのセンサ視野筒からのそれは1/120、40°Cの結晶化ガラス光学フィルタ31からのそれは1/60となる。鍋の放射率が例えば025となれば、前述鍋からの入射エネルギー1は1/4となり、他の部材特にトッププレート2からの入射エネルギーとあまりかわらなくなる。つまり、鍋温度検出に対する外乱として無視できなくなることがわかる。図18に部屋が常温25°Cの状態で鍋底として黒体を図3の実施例の赤外線透過窓5に置いた場合の、黒体温度Tとサーモパイル温度検出回路72の出力端子72-5および72-4の出力電圧V1、V2の関係を示す。黒体はトッププレート2が加熱されない程度の短時間戴置した場合であり、センサ視野筒19、結晶化ガラス光学フィルタ31の温度上昇もない。つまり、これは前述1の調理鍋6からの入射赤外線エネルギーのみをサーモパイル25で電圧に変換しサーモパイル温度検出回路72で増幅出力したものである。出力電圧V1は常温から100°Cまではほぼ05Vであり、100°Cを超えると温度絶対温度のべき乗nに比例した電圧が出力される。375°Cで回路電源電圧5Vに達し飽和する。出力電圧V2は常温から60°Cまではほぼ05Vでありこれを超えるとほぼ先のV1の4倍の出力となり、275°Cで回路電源電圧5Vに達し飽和する。2段目の増幅率は、飽和する温度のべき乗nの比R=n/nとなる。出力が前述ステファンボルツマン則に従うならばn=4であるが、本実施例のように鍋の放射赤外線エネルギーがトッププレート2、結晶化ガラス光学フィルタ31で波長制限されるとn>4となる。本実施例ではn≒83で増幅率4に設計している。05Vはサーモパイル温度検出回路72の電源電圧5Vを抵抗R5、R6、R7で分圧した電圧図10中a点=Vbiasで示す05VがOPアンプ72-1のバイアス電圧として与えてあるためである。出力端子72-5の出力電圧値からこの05Vを引いた値05Vからの電圧上昇値が鍋底面温度に比例したものである。マイクロコンピュータ60はサーモパイル温度検出回路72の出力端子72-5、72-4の出力電圧V1、V2をAD変換して読み込むが、この電圧から05Vを引いた値である鍋温度検出電圧Vt1=V1-05あるいはVt2=V2-05をもとに後述処理し鍋温度を得る。図18の関係は予めマイクロコンピュータ60のROMにテーブルデータTBLn1、TBLn2として記憶しておく。これがサーモパイル25出力すなわちサーモパイル温度検出回路72出力電圧から鍋温度を求めるデータテーブルである。図19にトッププレート2のみを加熱したときのトッププレート温度Ttとサーモパイル温度検出回路72の出力端子72-5、72-4の出力電圧V1、V2の関係を示す。但し前述の05Vを引いた値で示してある。鍋が置かれていないトッププレート2のセンサ窓5近傍を熱風で加熱した時のトッププレート温度Ttとサーモパイル温度検出回路72の出力端子72-5の出力電圧の関係を示す。このとき、センサ視野筒19、結晶化ガラス光学フィルタ31が加熱されないようにする。つまり、これはトッププレート2からの放射赤外線エネルギーを電圧に変換したものである。図19の関係は予めマイクロコンピュータ60のROMにテーブルデータTBLt1、TBLt2として記憶しておく。図6に示す鍋温度検出装置18に内蔵される反射型フォトインタラプタ26を図3に示すように配置するとトッププレート2上に調理鍋6がない場合、赤外線LED50の放射した赤外光波長930nmは大部分が結晶化ガラス光学フィルタ31およびトッププレート2を透過し赤外線フォトトランジスタ51には戻ってこない。しかし、一部は結晶化ガラス光学フィルタ31およびトッププレート2で反射される。これは結晶化ガラス光学フィルタ31およびトッププレート2の透過率が波長930nmで85および90であり、残り15および10の赤外光は反射されるためである。特に結晶化ガラス光学フィルタ31で反射される分はすぐ横にある赤外線フォトトランジスタ51に直接戻るため、本実施例では図6に示すように、反射型フォトインタラプタ26前面を結晶化ガラス光学フィルタ31下面に接するように配置してこの反射光が赤外線フォトトランジスタ51に入射するのを防止している。また、赤外線LEDの放射角度のため、トッププレート下面に到達せず経路途中にある物体センサ視野筒19内面で反射される赤外光もある。このため、図20に示すように反射率検出回路73の出力は、トッププレート上に鍋がある場合aVr1となり、鍋がない場合bVr2となる。正味の鍋での反射電圧VrはVr=Vr2-Vr1となる。トッププレート上に反射率が既知の金属板を配置したときの反射率検出回路73の出力から得られる先の反射電圧Vrと反射率の関係を図22に示す。図中に近似線も示す。この関係を用いれば、反射率検出回路73の出力電圧から反射率が得られる。そして、この関係をテーブルデータにあるいは近似式の係数値をあらかじめマイクロコンピュータ60のROMに記憶しておく。調理鍋6のような金属物質ではキルヒホフの法則により温度Tの物質表面から放射される赤外線エネルギーE=εσT4の放射率εと表面の反射率ρの間にはερ=1の関係が成立する透過率α=0とする。調理鍋6では放射率の違いにより同じ鍋底温度でありながら、放射される赤外線エネルギーが異なる。このため、サーモパイル出力すなわち鍋温度検出装置18の出力が異なるという問題が生じる。そこで調理鍋6の鍋底の反射率を検出して放射率を求め鍋温度検出装置18の出力を補正してから温度に換算する必要がある。これを行うために先に説明した反射率に相当する量である反射電圧Vrを求め、これから反射率を得るのが反射率検出回路73である。この反射率を1から引いて放射率を得る。図22にトッププレート2に置かれた放射率の異なる数種の鍋について、鍋温度検出装置18の出力サーモパイル温度検出回路72の出力V1から前述した05Vのオフセット電圧Vbiasを引いた値Vt1鍋温度検出電圧と鍋底面温度Tとの関係の一例を示す。図中に各鍋底面の放射率も示す。図22に示すように放射率によって鍋温度検出装置18の出力と鍋底温度の関係が異なることがわかる。図22のaで示す鍋は放射率が09と黒体に近い。bは放射率が057、cは043、dは024である。b、c、dの電圧値を放射率で除算すると、図中に破線で示すものとなり、ほぼ1本の曲線に集約することができることが分かる。各出力Vt1は各鍋の全放射エネルギーE′=εσT4に比例し、これを放射率で除算するのは、前述したように黒体の全放射エネルギーE=σT4に換算することを意味する。そして、各鍋の放射率が分かれば、各鍋の鍋温度を黒体の放射温度に還元できることを意味している。図23に、各鍋において放射温度計を用いて計測した放射率と図3で反射率検出回路73を用いて得た反射率図22の関係の近似式を適用の関係を示す。鍋によってキルヒホフの法則からはずれるものもあるが、放射率と反射率の間には強い相関がある。キルヒホフの法則から外れるのは反射率の検出において、鍋表面での散乱による反射赤外線の全てを受光していないためである。反射率を求める際には、赤外線LED50の放射光がトッププレート2になるべく垂直に入射させ、鍋での反射光をなるべく垂直に赤外線フォトトランジスタ51に導くのが望ましい。本実施例では鍋温度検出装置18内のサーモパイル25のトッププレート2上位置での視野面とこの反射率検出発光のトッププレート2上での反射面は同一面である。このため、図6に示すように鍋温度検出装置18内にサーモパイル25と反射型フォトインタラプタ26を並べて配置している。以下では、本実施例の動作について、手前右側の円表示4に調理鍋6を置き、所定温度で所定時間調理鍋6を加熱して調理調理温度250°C以下を行う場合として説明する。図24にこの動作のフローチャートを示す。図示していない電源を投入し、調理鍋6を置いた誘導加熱口の操作スイッチで所定の温度および調理時間を設定しステップS1調理開始を指示するとステップS2、マイクロコンピュータ60はまず反射率検出回路73を制御して載置された鍋の反射データ反射率に相当を取り込み、反射率放射率を検出するステップS3。同時に加熱コイル7およびインバータ回路8等を冷却するため、図示しないファンを駆動してコイル上面冷却風路15a、コイル下面冷却風路15bに外気を導入する。ここで反射率を検出するステップS3を図25に示すフローチャートを用いて詳細に説明する。マイクロコンピュータ60は反射率検出回路73の端子73-2にポートから図13aの赤外線LED駆動信号を出力するステップS3-1。所定時間例えば200ms出力した後ステップS3-2、端子73-8に出力される電圧Vr2をAD端子より読み込むステップS3-3。そして、赤外線LED駆動信号を停止するステップS3-4。次に、予め記憶されている鍋が置かれていない時の電圧Vr1を先に読み込んだ電圧Vr2から引き反射電圧Vrを算出するステップS3-5。そして、予め記憶されている反射電圧と反射率の関係図21に示すから反射率ρから放射率ε=1-反射率を得るステップS3-6。反射率検出ステップS3に続いて、電力制御回路62、周波数制御回路61、インバータ回路8を制御して加熱コイル7に電力を供給し誘導加熱を開始するステップS4。加熱コイル7に電力が供給されると、加熱コイル7から誘導磁界が発せられ、トッププレート2上の調理鍋6が誘導加熱される。この誘導加熱によって調理鍋6の温度が上昇し、調理鍋6内の被加熱物の調理が開始される。マイクロコンピュータ60は誘導加熱を開始すると、一定時毎に鍋温度検出装置18の出力を読み込み、鍋温度を検出するステップS5A。ここで、鍋温度検出動作ステップS5Aを詳細に説明する。図26に鍋温度検出のフローチャートを示す。マイクロコンピュータ60は鍋温度検出装置18サーモパイル温度検出回路72の出力端子72-5の出力電圧V11段目増幅出力および出力端子72-4の出力電圧V22段目増幅出力を読み込みステップS5-1、この値からVbias=05Vを引きこれを鍋温度検出電圧Vt1、Vt2とするステップS5-2。同時にサーミスタ20とサーモパイル温度検出回路72からトッププレート2の温度Taを読み込むステップS5-3。そして、前述した予めテーブルTBLt1、TBLt2として記憶してあるトッププレート温度Ttとサーモパイル温度検出回路72の出力V1出力端子72-2、V2出力端子72-4の関係から温度Taでの出力電圧Va1、Va2を得るステップS5-4、トッププレート温度補正電圧取得の動作。続いて先の鍋温度検出電圧Vt1、Vt2から前記Va1、Va2を減算するステップS5-5。この処理により外乱としてのトッププレート2からの赤外線量を除去する。この減算後の電圧をVt1、Vt2とする減算によるトッププレート温度補正の動作。そして、誘導加熱直前に得ておいた放射率ε=1-反射率で、この減算後の鍋温度検出電圧Vt2を除算するステップS5-6反射率補正の動作。除算後のVt1、Vt2に前述Vbias=05Vを加算しステップS5-7、予め温度変換テーブルTBLn1、TBLn2として記憶してあるVt1、Vt2と鍋温度T1、T2の関係であるデータテーブルを引いてステップS5-8、鍋温度に変換し鍋温度T1、T2を得る。もしT2が270°Cを超えていたらステップS5-9、T1を鍋温度Tとして出力するステップS5-10。超えていなければ、T2を鍋温度Tとして出力するステップS5-11。鍋温度検出動作ステップS5Aで検出した鍋温度Tが所定温度に達していなかったら、更に鍋温度検出動作ステップS5Aを行いながら誘導加熱を続けるステップS6A。続いて鍋温度Tが所定温度に達したら、異常加熱のチェックを行うステップS7A。これは空焚き等で鍋温度が急上昇し、油の発火温度に達したら危険であるので鍋温度が330°Cを超えた場合は誘導加熱を停止するステップS12。鍋温度Tが所定温度に達したら、誘導加熱の電流を低減しステップS8A、調理時間タイマーをセットステップ9する。続いて一定時毎の鍋温度検出ステップS5Bを行い、鍋温度をチェックしながらステップS6B、異常加熱のチェックステップS7Bも行い、加熱コイル7に供給する電流を所定量増減させてステップS8B、S10、鍋温度を一定Tcに保つ。そして、所定の調理時間が経過したらステップS11、調理終了をブザーで使用者に報知して、加熱コイル7への電力投入を停止するステップS12。こうして、調理鍋6の被調理物は設定された温度および時間で調理される。ここでも、調理中に空焚き水分がなくなりとなり、鍋温度が急上昇し、油の発火温度に達したら危険であるので異常加熱チェックステップS7Bを行い、熱鍋温度が330°Cを超えた場合は誘導加熱を停止するステップS12。以上の説明では鍋温度検出をサーモパイル温度検出回路72の出力V1、V2双方を用い、各出力に対してそれぞれ鍋温度T1、T2を同時平行して得、最後にT1、T2を選択し、鍋温度Tを検出した。これでは同様処理例えばオフセット加減算、トッププレートの影響除去、放射率補正、各テーブル引きが2重となって処理量が倍となりマイクロコンピュータの能力が足らなくなる恐れがある。出力V2のレベルを監視しV2が飽和していなければ、出力V2から鍋温度Tを得、これが飽和したら、飽和していない出力V1から鍋温度Tを得るようにしても良い。この鍋温度検出の詳細フローを図27に示す。出力電圧V2の監視を行いステップS5-12、V2が49V飽和電圧5V直前の値、温度では270°C付近以下であればV2を用いた温度検出破線内処理2を行い、以上ではV1を用いた温度検出破線内処理1を行う。しきい値49Vはこれに限ることはない。処理内容は図26での説明と重複するので省略する。また、図27フローでは切り替え温度を270°C切替しきい値49Vとして説明したが、この場合、鍋温度を270°C近傍に制御しようとすると、V1を用いた温度検出処理1とV2を用いた温度検出処理2を頻繁に切り替えることになる。V2を用いた温度検出ではサーモパイル温度検出回路72の出力が大きく、鍋温度を正確に検出できるがV1を用いた温度検出では鍋温度検出回路の出力は4分の1となり鍋温度検出精度は劣化する。これを避けるため、図28フローに示すように鍋温度が上昇する場合には270°Cで処理V1に切り替え、温度が下降するときは、270°Cよりある幅低い温度例えば260°Cで切り替えるようにする。つまり、切り替え温度に処理を切り替えない不感帯をつくり、処理1、2にヒステリシスを持たせる。こうすれば、前述頻繁に処理を切り替える現象を防止することができる。V1電圧の変化でステップS5-13、温度の上昇下降を検知しステップS5-14、上昇の間は処理1と処理2の切り替えをしきい値49V270°C相当で行いステップS5-12、下降の場合は同様の切り替えをしきい値46V260°C相当で行うステップS5-15。他の動作は前述したので省略する。なお、放射率を算出する過程ステップS5-6と鍋温度検出電圧Vt1を放射率で除算する過程ステップS5-7の代わりに、予め倍率a=1/放射率a=1/εの値1以上の値になると反射率あるいは反射電圧Vrの関係をテーブルとして記憶し、反射率あるいは反射電圧Vrから前記テーブルで倍率aを得て、Vt1、Vt2に倍率を乗算したのち、データテーブルTBLn1、TBLn2を引いて鍋温度を出力してもよい。こうすれば、マイクロコンピュータの処理時間を要する除算を使用しなくてすみ処理の高速化が図れる。また、鍋温度変換テーブルTBLn1、TBLn2はVbias電圧05Vがある状態であるが、トッププレート補正テーブルのようにVbiasを除いたものとするのが望ましい。これを図11に破線で示す。この破線のテーブルをTBLn1′、TBLn2′とする。図11に示したように出力端子72-5でのVbiasの値図11の23°C近傍の値はサーモパイル毎に変わる。これは、サーモパイル自身の出力値赤外線入力がない状態バラツキ、OPアンプ72-1の入力オフセット電圧のバラツキ、Vbiasを作成する回路定数抵抗値およびNTCサーミスタ25-11のバラツキによる。また、出力端子72-4でのバイアス電圧はVbiasに設計しても同様にバラツクことになる。そこで、鍋温度変換装置毎に予め、常温25°Cで鍋が戴置されていない状態赤外線入力がない状態での出力端子72-5および72-4の出力値Vbias値に相当をVbias1、Vbias2として記憶しておく。そして図29フローに示すようにこの記憶したVbias1、Vbias2の値をV1、V2から引き、Vt1、Vt2として処理に用いるステップS5-2′。そして鍋温度変換にはデータテーブルTBLn1′、TBLn2′を用いるステップS5-8′。その他の処理は図26と同様なため説明を省略する。以上の説明では反射率検出を誘導加熱直前に1度だけ行う例を示したがこれに限ることはない。通常の鍋では誘導加熱中温度が高温になっても反射率は変化しない。また、赤外線発光LEDでは長時間連続発光において寿命の問題がある。本説明ではこれらの点を考慮して1調理につき誘導加熱直前の1回の反射率検出に限定した。当然、発光電流を低減して調理中に一定周期例えば2秒毎に反射率検出を行っても良い。温度検出は直前の反射率放射率を用いて補正処理ステップS5-5を行う。特に薄手の鍋では高温による鍋底変形で反射率が変化することもある。さらに、色塗装を底面に施した鍋では、高温で塗装が変性し反射率が変化することもある。この場合には加熱中でも定期的に反射率検出を行うのが望ましい。この場合当然磁場の影響を避けるために、実施例のように非磁性金属体で反射型フォトインタラプタ26および反射率検出回路73を囲うのが望ましい。また、調理中に鍋を別の鍋に交換する場合もある。この時反射率は当然変化する。この場合には今ある鍋を退かした時点で鍋温度検出装置18の検出する電圧が急激に低下する。そして、別温度の鍋を置いた時点で鍋温度検出装置18の検出する電圧はこの鍋底面温度に対応する値に復帰する。この変化を捉え再度反射率を検出するのが望ましい。なお、温度補償素子として、サーモパイル25に内蔵されるNTCサーミスタ25-11を用いたがこれに限ることはない。ヒートシンク55に接するあるいは基板上に設けたNTCサーミスタであっても良いのは明らかである。また、NTCサーミスタに限らず、半導体素子例えばダイオードの順方向電圧の変化を用いる温度検出素子でも良い。ただ温度補償回路が複雑になる。図30にサーモパイル温度検出回路72の他の実施例を示す。図10と同一記号は同一物を示す。図30では図10でのOPアンプ72-3で構成されるバッファアンプを削除、接続点aを抵抗R1に直結している。このためVbiasは出力インピーダンスを持つ電圧源電圧となり、理想的な定電圧源のバイアス電圧とはならず、OPアンプ72-1の入力バイアス電流の影響を受ける。実施例2でのその他の動作は前述した実施例1と同様であるので説明を省略する。以上説明した本実施例の誘導加熱調理器によれば、サーモパイル温度検出回路72の出力を2つ増幅率3000倍の出力端子72-5に出力されるV1と左記を更に4倍する増幅率12000倍の出力端子72-4に出力されるV2とし、この双方出力をマイクロコンピュータ60でAD変換して読み込み、これらをソフトウエアで処理することで、先行技術で課題となる直流増幅器ハードウエアでの増幅率切り替えを回避している。また各直流増幅器のバイアス電圧を独立することでサーモパイルへの温度補償が後段に影響するのを防いでいる。またOPアンプの電源電圧5Vが制限される中、調理温度250°Cまででは高出力V2を用いて精度良く鍋温度検出を行い、より高い温度250°Cから330°CまでではV2が飽和して温度検出不可となっても低出力V1で異常高温の検出を可能にしている。この結果、調理温度の140°Cから250°Cはもちろん、更に安全のための異常加熱温度330°Cまでの広い温度範囲において、鍋の材質、鍋底の形状、鍋底の状態によらず調理鍋6の加熱温度を正確に安定して検出できる。特に低温調理温度140°Cから250°Cでは大きな出力で正確な温度検出が可能となる。そして適切に加熱コイルへの高周波電力を制御することで最適な調理が可能となる。