-1次コイル2を通して1次電流1を送り、-クエンチする能力を有する超電導体を含み、前記クエンチが、前記超電導体を、低抵抗の超電導状態から高抵抗のクエンチされた状態へ遷移させる2次コイル3を、共通磁束を介して前記1次コイル2に結合し、および-前記2次コイル3の前記低抵抗の超電導状態において、前記1次コイル2と前記2次コイル3の前記共通磁束のうちの主となる部分8を、強磁性媒質5aの内部に導く電流調節法において、-前記超電導体の前記高抵抗のクエンチされた状態において、前記共通磁束のうちの主となる部分17が、前記強磁性媒質5aの外部に導かれるように、クエンチするとき前記共通磁束を切り替えることを特徴とする電流調節法。-前記2次コイル3の前記低抵抗状態では、前記強磁性媒質5aを飽和させず、-前記2次コイル3の前記高抵抗状態では、前記強磁性媒質5aを飽和させることを特徴とする請求項1記載の方法。前記2次コイル3の前記低抵抗状態における全共通磁束が、前記2次コイル3の前記高抵抗状態において前記強磁性媒質5aの外部に導かれる前記共通磁束よりも小さいことを特徴とする請求項1又は2記載の方法。前記1次電流1が、-交流電流、-または、直流電流が重ね合せられた交流電流であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の方法。前記1次コイル2および/または前記2次コイル3の内側であって前記強磁性媒質5aの外側に冷却剤を配置することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の方法。前記2次コイル3の前記高抵抗状態において前記2次コイル3に誘導される2次電流4の電流量の絶対値が、前記1次電流1の電流量の絶対値に前記1次コイル2の巻線の数Nを掛けたものの1/100以上、好ましくは1/50以上であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の方法。特に請求項1乃至6のいずれか1項に記載の方法を実行するのに適し、-1次コイル2と、-クエンチする能力を有する超電導体を含む2次コイル3と、-前記1次コイル2と前記2次コイル3の両方を貫いて延びる強磁性媒質5aのコア5とを備える障害電流制限器20において、前記コア5、前記1次コイル2および前記2次コイル3が、クエンチするときに、前記1次コイル2と前記2次コイル3の共通磁束のうちの相当な割合を、前記コア5の内側から前記コア5の外側へ切り替える能力を有することを特徴とする障害電流制限器20。前記1次コイル2の断面の過半数および前記2次コイル3の断面の過半数が、強磁性媒質5aで満たされていないことを特徴とする請求項7記載の障害電流制限器20。前記コア5が閉じた形状を有することを特徴とする請求項7又は8記載の障害電流制限器20。前記コア5が開いた形状を有し、特に、前記1次コイル2と前記2次コイル3が同軸に配置されていることを特徴とする請求項7又は8記載の障害電流制限器20。前記2次コイル3が、1回巻きの短絡されたコイルであることを特徴とする請求項7乃至10のいずれか1項に記載の障害電流制限器20。前記1回巻きの短絡されたコイルが、互いに結合された多数の環を備えることを特徴とする請求項11記載の障害電流制限器20。遮蔽渦電流を維持するための第3のコイルをさら含み、特に、前記第3のコイルが、常電導性の1回巻きの短絡されたコイルであることを特徴とする請求項7乃至12のいずれか1項に記載の障害電流制限器20。前記2次コイル3が、高温超電導体、好ましくは被覆導体型の高温超電導体を含むことを特徴とする請求項7乃至13のいずれか1項に記載の障害電流制限器20。請求項1乃至6のいずれか1項に記載の方法における請求項7乃至14のいずれか1項に記載の障害電流制限器20の使用。本発明の目的は、高調波ひずみを低減させる経済的で効率的な電流調節法を提供することにある。本発明によれば、この目的は、冒頭に紹介した方法であって、-超電導体の高抵抗のクエンチされた状態において、共通磁束のうちの主となる部分が、強磁性媒質の外部に導かれるように、クエンチするとき共通磁束を切り替えることを特徴とする電流調節法よって達成される。本発明の発明者らは、強磁性媒質の外部に導かれる磁束の割合を増大させると、2次コイルのクエンチ可能な超電導体が高抵抗クエンチされた状態にあるときの全高調波ひずみTHDが急速に低下することを見出した。使用する強磁性材料とは無関係に、このTHDの低下は、共通磁束のうちの主となる部分が強磁性媒質の外部にあるときに起こる。したがって、クエンチ時に、共通磁束のうちのある割合百分率を、強磁性媒質に関して内部空間から外部空間へ切り替える再分配すると、高調波ひずみの少なくとも一部分を抑制することができる。本発明によれば、超電導体の低抵抗超電導状態においては、共通磁束のうちの主となる部分が強磁性媒質の内部を通して導かれ、これにより、通常動作中、および主に通常動作モード低抵抗状態から高抵抗状態への遷移の初期段階中の第1のコイルと第2のコイルの良好な結合が保証されることに留意されたい。したがって、本発明の方法を実行するための機器を比較的小さく保つことができる。また、強磁性媒質はさらに、1次コイルのインダクタンスを増大させることにより、超電導体の高抵抗クエンチされた状態における電流制限効果を向上させる。ここで、共通磁束とは、閉じた磁力線が、1次コイルと2次コイルの両方を通り抜けることを意味する。ここで、主となる部分とは、50超、好ましくは少なくとも75を意味するこのことは、クエンチ前に強磁性媒質の内部を通る束の割合とクエンチ後に強磁性媒質の外部を通る束の割合の両方に適用可能であり、これらの2つの束の割合は互いに独立であることができ、一般に異なる値を有することができることに留意されたい。この磁束は、面積Aにわたって磁束密度Bμ0×μ×Hにより導出されるを積分することによって計算することができる。ここで、μ0およびμはそれぞれ絶対透磁率および比透磁率を表す。ここでは、比透磁率μ非飽和の場合が1.1以上、好ましくは100以上の場合に、媒質は強磁性とみなされる一般に、一般的な鉄材料の比透磁率は1000程度、またはそれ以上である。強磁性媒質の外側には、真空、気体例えば空気、非磁性液体例えば液体窒素、非磁性固体例えば黄銅、非磁性ステンレス鋼などなどの、一般に0.99から1.01までの間の比透磁率を有する非磁性媒質が置かれる。クエンチするときの切替えは、強磁性媒質の内部を通して導かれる共通磁束の割合百分率を、全共通束に関して少なくとも25、好ましくは少なくとも50、最も好ましくは少なくとも75引き下げることを含む。言い換えると、非磁性媒質に導かれる共通磁束の割合百分率を増大させるクエンチするときに全共通磁束は増大することに留意されたい。その結果、クエンチ後、1次コイルと2次コイルの共通磁束のうちの主となる部分が強磁性媒質の外側へ導かれる。本発明の好ましい変型実施形態本発明の方法の有利な変型実施形態は、-2次コイルの低抵抗状態では、強磁性媒質を飽和させず、-2次コイルの高抵抗状態では、強磁性媒質を飽和させることを特徴とする。低抵抗状態において強磁性媒質を飽和させないことによって、1次コイルと2次コイルの良好な結合を確立することができる。ここで、飽和していないという表現は、強磁性媒質が平均して不飽和であり、場合により、局所的な磁気効果縁領域、コーナーなどによって飽和される可能性がある領域が非常に小さい例えば<1体積ことを意味する。高抵抗状態において強磁性媒質を飽和させると、クエンチするときに、共通束のうちの相当な割合を強磁性媒質の外部へ切り替えることが容易になる。他の好ましい変型実施形態では、2次コイルの低抵抗状態における全共通磁束非平衡束が、2次コイルの高抵抗状態において強磁性媒質の外部に導かれる共通磁束よりも小さい。したがって、高調波ひずみが低減した良好な電流制限効果を達成することができる。1次電流が、-交流電流、-または、直流電流が重ね合せられた交流電流である変型実施形態も好ましい。一般に、この交流電流は正弦型である。このような1次電流回路電流は、本発明の方法によって容易に調節することができる。有利な一変型実施形態は、1次コイルおよび/または2次コイルの内側の冷却剤を強磁性媒質の外側に配置することを特徴とする。この冷却剤は、超電導体特に臨界温度が40K以上、好ましくは85K以上のHTS材料を含む超電導体を冷却することを目的とする。一般に、1次コイルおよび/または2次コイルの内側の空間は、冷却剤で部分的にしか満たされない。冷却剤は、クライオスタット、トロイダルデュワーなどの容器内に配置することができる。この容器内に2次コイルを配置することが可能である。冷却剤は例えばLN2またはLHe2またはLNe2とすることできる。この容器は、構造をよりコンパクトにし、補充と補充の間の動作時間をより長くすることを可能にする。コイルの外側で冷却剤を使用し、これらの冷却剤へ金属熱結合を適用する方法、直接冷却特に高温超電導体が使用されるときなど、2次コイルを冷却する別の方法を使用することもできることに留意すべきである。2次コイルの高抵抗状態において2次コイルに誘導される2次電流の電流量の絶対値が、1次電流の電流量の絶対値に1次コイルの巻線の数を掛けたものの1/100以上、好ましく1/50以上である他の変型実施形態も好ましい。この場合、2次コイルによって抵抗損失が導入されるため、2次コイルは、電流制限/調節効果にさらに寄与することができる。共通磁束のある種の抑制にもかかわらず、全体として非常に好ましい効果が維持される。特に上記の本発明の方法を実行するのに適し、-1次コイルと、-クエンチする能力を有する超電導体を含む2次コイルと、-1次コイルと2次コイルの両方を貫いて延びる強磁性媒質のコアとを備える障害電流制限器であって、コア、1次コイルおよび2次コイルが、クエンチするときに、1次コイルと2次コイルの共通磁束のうちの相当な割合を、コアの内側からコアの外側へ切り替える能力を有することを特徴とする障害電流制限器も、本発明の範囲に含まれる。本発明の障害電流制限器によって、中電圧または高電圧の高電流を、わずかな労力で制御することができ、高抵抗クエンチされた状態において高調波ひずみが導入されない。コア、1次コイル特にその配置および2次コイル特にその配置は、2次コイルがクエンチするときに共通磁束の切替えが達成されるように設計される。ここで、相当な割合を切り替えるという表現は、超電導体の低抵抗の超電導状態において強磁性媒質の内部を通して導かれる共通磁束の割合百分率が、超電導体の高抵抗のクエンチされた状態よりも全共通磁束に関して少なくとも25、好ましくは少なくとも50、最も好ましくは少なくとも75高いことを意味する。本発明の障害電流制限器の好ましい一実施形態では、1次コイルの断面の過半数および2次コイルの断面の過半数が、強磁性媒質で満たされていない。このことは、共通磁束のうちの相当な割合をコアの外部へ切り替えることを容易にする。ここで、断面の過半数とは、50超、好ましくは75以上であり、本発明によれば90以上とすることも可能である。磁性強磁性コアは一般に、1次コイルおよび2次コイルの断面積の、2から40、好ましくは3から30、最も好ましくは5から20を占める。この断面積に関する百分率は一般に、コイル内部の体積の百分率にも当てはまることに留意されたい。コアが閉じた形状を有する実施形態も好ましい。こうすると漂遊磁界が低減する。また、コアが開いた形状を有し、特に、1次コイルと2次コイルが同軸に配置される実施形態も好ましい。開いた形状にすると、強磁性材料がより少なくてすむ。ここで、同軸には、これらのコイルが共通の回転対称軸を有することを意味しコイルの断面は円形とすることができるが、円形である必要は必ずしもなく、例えば4つ折軸を有する矩形~方形とすることもできることに留意されたい、一般に、一方のコイルの内側にもう一方のコイルが置かれる一般に2次コイルが内側のコイルとして配置される。さらに、コイルは、軸方向にずらさずに配置されるすなわち一方のコイルの上方にもう一方のコイルが配置されないことが好ましい。他の有利な実施形態では、2次コイルが、1回巻きの短絡されたコイルである。このような2次コイルは製造が特に単純である。この実施形態の他の好ましい発展実施形態では、この1回巻きの短絡されたコイルが、互いに結合された多数の環を備える。複数の環を使用することにより、2次コイルの絶対臨界電流を定格値に調整することができる。この結合は、共通磁束を介して、または/かつガルバニックにすなわち電気的に実施される。障害電流制限器がさらに、遮蔽渦電流を維持するための第3のコイルを含み、特に、この第3のコイルが、常電導性の1回巻きの短絡されたコイルである実施形態も好ましい。このコイルは、調節されまたは制限された電流を定格値に適合させ、そして、公称電流と調節された電流の必要な比調節率または制限率とすることを可能にする。この第3のコイルが1回巻き型である場合には、製造が特に単純になる。1回巻き型の第3のコイルは、互いに結合された多数の環、特に、共通磁束を介して、または/かつガルバニックにすなわち電気的に結合された多数の環を備えることができることに留意されたい。他の有利な実施形態では、2次コイルが、高温超電導体HTS、好ましくは被覆導体型の高温超電導体を含む。したがって、第2のコイルの超電導体を冷却するコストを低く保つことができる。この高温超電導体の臨界温度Tcは一般に40K超、好ましくは85K超である。HTS材料として、YBCO材料を使用することができる。上記の本発明の方法において、上記の本発明の障害電流制限器を使用することも、本発明の範囲に含まれる。この説明および添付の図面から、追加の利点を抽出することができる。上記の諸特徴および後述する諸特徴を、本発明に従って、個別に、または任意の組合せでひとまとめにして使用することができる。記載された実施形態を、網羅的な列挙として理解するべきではなく、本発明を説明するための例示としての性格を有する。本発明は図面に示されている。図1aは、本発明の電流調節法を実施する目的に使用することができる本発明の障害電流制限器20を示す。障害電流制限器20は、1次電流または回路電流1を運ぶ送る1次コイル2と、2次電流4を運ぶすなわち送る2次コイル3と、強磁性媒質5aのコア5とを備える。この例では、1次コイル2が、複数の巻線を備え図1aには5つの巻線が示されている、2次コイル3が、1回巻きの短絡されたタイプのコイルである。2次コイル3は、2次コイル3内の2次電流4が、低抵抗状態図1aに示された状態では超電導電流経路上を流れることができるか、または高抵抗クエンチされた状態では常電導電流経路上を流れることができるように、クエンチ可能な超電導体を含む。2次コイルを超電導体の臨界温度TcまでまたはTcよりも低い温度まで冷却するため、2次コイル3は一般に、極低温流体、例えば液体窒素で満たされた容器単純にするためこの図には示されていないの中に配置される。2次コイル3またはその2次電流4それぞれは、1次コイル2またはその1次電流1それぞれに、磁束の共通部分共通磁束を介して誘導結合される。破線の磁力線を比較されたい。1次電流1は、1次コイル2の内側と外側の両方に磁束密度を生じさせる。この磁束のうち、1次コイル2の内側にあり、かつ2次コイル3の内側にある部分は、共通部分とみなされる。1次コイル2と2次コイル3は同軸に配置され、図1aではこの対応する軸が垂直に延びている。コア5は、強磁性媒質強磁性材料、一般に鉄、好ましくは軟鉄でできており、磁気的に閉じていてもよく、または磁気的に開いていてもよい図1aではコアを破断表示している。コア5の周囲であって2次コイル3の内側にある残りの空間は、非磁性媒質、ここでは空気で満たされている。図示の例では、コア5が、2次コイル3の縦軸に垂直な断面積の約5を占めている。図1aに示されている通常動作では、2次コイル3の超電導体のクエンチを引き起こすしきい値よりも1次電流1回路電流が小さいときすなわち超電導体が低抵抗の超電導状態にあるときに、超電導体が、2次コイル3の内部体積10を遮蔽シールドする。次いで、ごくわずかな磁束だけがこの内部体積10に侵入する破線の磁力線を参照されたい。この侵入磁束共通磁束のうち主となる部分8ここでは約90が、強磁性媒質5aの内部に、すなわち強磁性コア5を通るように導かれる。この方法では、強磁性媒質5aが磁気的に飽和されておらず、したがって比較的に高い透磁率例えば100から4000、またはそれ以上を示すことがある。共通磁束のうちの主ではない部分7ここでは約10は、強磁性媒質5aの外部に導かれる。しかしながら、この状態において、漏れインダクタンスの原因となる侵入磁束は、シールドされていない状態下記参照の侵入磁束に比べてかなり小さい。漏れインダクタンスのある部分は、1次コイル2と2次コイル3の間に生じる磁束9に由来する。これらの束7、8の和は時に非平衡束と呼ばれる。図1bに示されている障害電流動作では、1次電流回路電流1が、クエンチしきい値よりも大きい2次電流4を第2のコイル3内に生じさせるすなわち超電導体が高抵抗状態へ急速に移行する。その結果、クエンチされた超電導体は、2次コイル3の内部体積10を磁束に対してそれ以上または少なくとも完全には遮蔽シールドしない。磁束の多くは、この内部体積10内を通り始め破線の磁力線を参照されたい、束の割合の再分配または言い換えると再切替えを引き起こす。この時点で、侵入磁束のうちの主となる部分17ここでは約70が、強磁性媒質5aの外部に導かれ、束のうちの主ではない部分18ここでは約30は依然として強磁性媒質5aの内部に導かれる。これらの条件下で強磁性媒質5aは飽和する。図示の例では、強磁性媒質5aの内部に導かれる共通磁束の割合が、クエンチするときに、対応するそれぞれの全共通束に関して約90から約30に低下し、このことは、共通磁束の約90-30=60が、強磁性媒質5aの内部から、強磁性媒質5aの外部へ切り替えられたことを意味する。一般に、クエンチ可能な超電導体が高抵抗状態にあるときに現れる磁束のうちの主となる部分17は、クエンチ可能な超電導体が低抵抗状態にあるときに現れる非平衡束束割合7と8の和を絶対的に上回る。この絶対磁束全体の増加束7と8の和と比較した束17と18の和がかなり大きいため、1次コイル2のインダクタンスが増大し、その結果、1次電流1が受けるインピーダンスが増大する。これにより、1次電流回路電流1の調節が開始する。さらに、クエンチ可能な超電導体が高抵抗状態にあるときには、第2のコイル3に、相当な2次電流4が誘導され、これが1次コイル2のインピーダンスにさらに寄与する。この電流4は主に、クエンチ可能な超電導体に取り付けられた分路の導電率に基づく。強磁性媒質5aが磁気的に飽和すると、透磁率は実質的に、時間/磁界に依存するようになる。このことが、1次コイル2に供給される電圧の正弦サイクル中に非線形性を生じさせることがあり、その結果、潜在的に高調波が生成される可能性があり、最終的に、1次電流1の正弦波の全高調波ひずみがかなり大きくなる可能性がある。最も一般的には、THDは、基本周波数よりも高い全ての高調波周波数の電力の和と基本的周波数の電力の比として定義される。本発明により、束の割合の再切替えが適正に実行されたときには、THDを十分に低いレベルに維持することできる。本発明の束の割合の切替えを用いると、強磁性媒質が一般に飽和したときに、超電導体の高抵抗状態において強磁性媒質の内部に導かれる共通磁束の寄与が制限される。したがって、飽和した強磁性媒質によって導入される非線形性も制限される。その代わりに、共通磁束は、大半が、強磁性媒質の外部、すなわち非磁性媒質に由来し、そこでは、非線形性効果によって共通磁束が劣化しない。したがって、障害電流動作において、1次電流の高調波ひずみがより小さくなる。したがって、送配電網および1次コイルに取り付けられた電気機器が直面する、比較的低い電流強度であっても非常に危険である高い周波数のピークがより低くなる。図2は、2次コイルの超電導体の高抵抗状態において、磁性媒質の外部に導かれる共通磁束の割合frをさまざまに変えたときの図1a、1bに示した障害電流制限器と同等の障害電流制限器内における1次電流の全高調波ひずみTHD値を示す。この図から、この例では、磁性媒質の外部に導かれる磁束の割合frが約65以上であるときにTHDが低下することが分かる。この計算され、実験によって確かめられた例では、巻数N=40、長さ0.5m、半径20cmの1次コイルに対して、U0=5000Vおよび周波数50Hzの正弦波電圧を選択し、さらに、1次コイルの直列抵抗を0.2Ωとし、さらに、Siをドープした変圧器鋼でできた円形の鉄コアを使用した。鉄コア内の渦電流は、通常動作モードと電流調節モードのいずれにおいても無視できるものであることが分かった。図3は、図1aに示した障害電流制限器と同等の障害電流制限器について、2次コイルが高抵抗状態にあるときの1次コイルの電圧V正弦形、破線および結果として生じる1次コイルの1次電流Aを、時間tの関数として示しており、磁性媒質の外部に導かれる共通磁束の割合frは0太実線および90細実線であり、電圧Vおよび1次電流Aの単位はいずれも任意の単位a.u.である。どちらの場合も、電流Aは、電圧Vに比べ、約1/4繰返し周期だけ移相されている。fr=0に対する1次電流は、ゼロ交差付近の領域で水平に推移しており、このことは重大な高調波ひずみがあることを示している。fr=90に対する1次電流は、ゼロ交差のところに水平の推移を示さず、正弦型の繰返し周期全体にわたって非常に良好な近似をなしており、このことは、重大な高調波ひずみがないことを示している。図4aは、強磁性材料5aの閉じた環状コア5を備える本発明の障害電流制限器20の一実施形態の垂直断面を示す。コア5は、8つの巻線を有する1次コイル2および短絡された1回巻き型の同軸に配置された2次コイル3の中心を貫いて延びており、2次コイル3は、極低温流体で満たされた容器21の中に配置されている。図4bは、図4aの障害電流制限器の線Bで切った水平断面を示す。2次コイル3の断面積の約20がコア5によって占められている。図5aは、図4aに示した障害電流制限器によく似ているが、開いた棒状のコア5を備える点が異なる、本発明の障害電流制限器20の一実施形態の垂直断面を示す。また、図5aの線Bで切った水平断面を示す。図5bから分かるように、この障害電流制限器は、水平面の形状が長円形である。