"透明な支持基板と、この支持基板上に形成された透明導電層とを有する導電性基板であって、前記透明導電層の表面には凹溝が形成されていることを特徴とする導電性基板。前記支持基板の表面から前記透明導電層の表面までの距離のうち最大となる部分が、前記支持基板の表面から前記凹溝の底面までの距離の2倍以上であることを特徴とする請求項1に記載の導電性基板。前記透明導電層の厚みが、その部位によって異なることを特徴とする請求項1又は2に記載の導電性基板。前記透明導電層の表面と凹溝の側面とは、なだらかなR形状により連続しており、また、凹溝の側面と底面もなだらかなR形状により連続していることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の導電性基板。前記透明導電層が、導電性金属酸化物であることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の導電性基板。前記透明導電層の表面の表面抵抗率が5Ω/sq以下であることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の導電性基板。前記凹溝の底面における透過率が80以上であることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載の導電性基板。対向する2枚の導電性基板と、その間に設けられる光電変換層とを有する太陽電池であって、前記2枚の導電性基板のうちの少なくとも一方の導電性基板が、透明な支持基板と、この支持基板上に形成された透明導電層とを有し、該透明導電層の表面には凹溝が形成されていることを特徴とする、太陽電池。対向する2枚の導電性基板と、その間に設けられる発光層とを有する表示装置であって、前記2枚の導電性基板のうちの少なくとも一方の導電性基板が、透明な支持基板と、この支持基板上に形成された透明導電層とを有し、該透明導電層の表面には凹溝が形成されていることを特徴とする、表示装置。本発明はこのような状況においてなされたものであり、大型化した場合であってもその比抵抗が問題となることがなく、光を効率的に透過させることができ、且つ機能層の選定が容易な導電性基板を提供するとともに、これを用いた太陽電池および表示装置を提供することを主たる課題とする。上記課題を解決するための本発明は、透明な支持基板と、この支持基板上に形成された透明導電層とを有する導電性基板であって、前記透明導電層の表面には凹溝が形成されていることを特徴とする。また、前記支持基板の表面から前記透明導電層の表面までの距離のうち最大となる部分が、前記支持基板の表面から前記凹溝の底面までの距離の2倍以上であってもよい。また、前記透明導電層の厚みが、その部位によって異なっていてもよい。また、前記透明導電層の表面と凹溝の側面とは、なだらかなR形状により連続していてもよく、また、凹溝の側面と底面もなだらかなR形状により連続していてもよい。また、前記透明導電層が、導電性金属酸化物であってもよい。また、前記透明導電層の表面の表面抵抗率が5Ω/sq以下であってもよい。また、前記凹溝の底面における透過率が80以上であってもよい。また、上記課題を解決するための本発明は、対向する2枚の導電性基板と、その間に設けられる光電変換層とを有する太陽電池であって、前記2枚の導電性基板のうちの少なくとも一方の導電性基板が、透明な支持基板と、この支持基板上に形成された透明導電層とを有し、該透明導電層の表面には凹溝が形成されていることを特徴とする。また、上記課題を解決するための本発明は、対向する2枚の導電性基板と、その間に設けられる発光層とを有する表示装置であって、前記2枚の導電性基板のうちの少なくとも一方の導電性基板が、透明な支持基板と、この支持基板上に形成された透明導電層とを有し、該透明導電層の表面には凹溝が形成されていることを特徴とする。本発明によれば、大型化した場合であってもその比抵抗が問題となることとがなく、光を効率的に透過させることができ、且つ機能層の選定が容易な導電性基板を提供するとともに、これを用いた太陽電池および表示装置を提供することができる。以下、本発明の導電性基板について、図面を用いて具体的に説明する。なお、図1~図3は、本発明の導電性基板の一例を示す概略断面図である。<導電性基板>図1に示すように、本発明の導電性基板10は、透明な支持基板1と、この支持基板上に形成された透明導電層2とから構成されている。そして、本発明では、透明導電層2の表面に凹溝5が形成されている点に特徴を有する。つまり、本発明の導電性基板10は、一つの透明導電層によって、従来の導電性基板に形成された金属の補助電極としての機能を発揮させている。したがって、透明導電層を透過する光が遮光されることがなく、その上部に形成される各種機能層に効率よく照射させることができ、高透過率化と、透明導電層2の低抵抗化を達成することができる。さらに、各種の機能層と接する界面が、同一の材料であることから、機能層の材料の選択の幅を広げることができる。以下に、導電性基板10の各構成について詳細に説明する。<<支持基板>>支持基板1は、上記の透明導電層2を支持するための基板であり、透明性を有するとの条件を満たす各種基板を適宜選択して用いることができ、その材料について特に限定はないが、例えば、ガラス基板等のリジッドな基板や、ポリエチレンテレフタレートPET樹脂、ポリプロピレンPP樹脂、ポリエチレンナフタレートPEN樹脂、ポリカーボネートPC樹脂等の可撓性を有する樹脂材料を有する基板を好適に使用することができる。支持基板1の厚みについても特に限定はないが、耐久性を考慮すると、10μm~500μm程度であることが好ましく、50μm~300μm程度であることが特に好ましい。<<透明導電層>>図1に示すように、支持基板1上には透明導電層2が形成されており、透明導電層2の表面には凹溝5が形成されている。透明導電層2の材料については、特に限定されることはなく、従来から太陽電池や各種表示装置などで用いられてきた透明導電層、いわゆる透明電極を適宜用いることができる。透明導電層2の材料としては、透明性を有する導電性金属酸化物であることが好ましい。導電性金属酸化物としては、例えば、In-Zn-OIZO、In-Sn-OITO、ZnO-Al、Zn-Sn-O等を挙げることができる。透明導電層2の表面には凹溝5が形成されている。本発明では、透明導電層2の表面に凹溝5を形成することで、透明導電層2には、支持基板1の表面から透明導電層の表面までの距離に相当する厚膜部2Aと、支持基板1の表面から凹溝5の底面までの距離に相当する薄膜部2Bが存在することとなる。そして、この厚膜部2Aによって透明導電層2の低抵抗化を図っている。以下、本願明細書において、支持基板1の表面から透明導電層の表面までの距離に相当する部分を厚膜部2Aと、支持基板1の表面から凹溝5の底面までの距離に相当する部分を薄膜部2Bと区別する場合がある。凹溝5の開口形状、すなわち凹溝5の底面の形状については特に限定はなく、透明導電層2の表面を網目状やストライプ状とすることができる、任意の形状を適宜選択することができる。例えば、図4~図8に例示される開口形状の凹溝5とすることができる。なお、図4a,bでは三角形の開口部がストレートに配列され、図4cでは三角形の開口部がジグザグに配列されている。図5aでは矩形の開口部がストレートに配列され、図5bでは矩形の開口部がジグザグに配列され、図5cでは菱形角度≠90°の開口部が配列され、図5dでは菱形正方形の開口部が配列されている。また、図6aでは六角形の開口部がストレートに配列され、図6bでは六角形の開口部がジグザグに、すなわちいわゆるハニカム状に配列されている。また、図7aでは円形の開口部がストレートに配列され、図7bでは円形の開口部がジグザグに配列されている。図8aでは、透明導電層2の表面がストライプ状となるように、矩形の開口部が配列され、図8bに示すように凹溝5によって透明導電層2の表面はストライプ状となっている。なお、図8bは、図8aの斜視図である。また、本願明細書において、多角形や円形の格子状とは、多角形や円形が周期的に配列されている形状をいう。中でも、凹溝5の開口形状は、六角形の格子状または平行四辺形の格子状であることが好ましい。この形状とすることで、透明導電層2を流れる電流が局所的に集中するのを効果的に防止することができる。六角形の格子状の場合、特に、図6bに例示するように六角形の開口部がハニカム状に配列されていることが好ましい。一方、平行四辺形の格子状の場合、平行四辺形の鋭角が40°~80°の範囲内であることが好ましく、より好ましくは50°~70°の範囲内、さらに好ましくは55°~65°の範囲内である。また、平行四辺形の4辺の長さは、太陽電池の外形形状に合わせて適宜設定される。すなわち、平行四辺形が鋭角60°、鈍角120°で4辺の長さが等しい菱形である場合、電流分布が比較的均一になる均電流エリアの形状は平行四辺形の鋭角の頂点を結ぶ対角線方向に電流が流れやすい楕円形状となる。そのため、導電性基板10の中心部から外周部電極となり得る透明導電層2の外周部までの距離を勘案して、平行四辺形の4辺の長さは適宜設定される。本発明では、透明導電層2の全領域で光を透過させることができ、凹溝5の開口部全体の面積について特に限定はないが、凹溝5の底面における光の透過率と、透明導電層2の光の透過率とを比較すると、支持基板1からの距離が近い分だけ、凹溝5の光の透過率は高い。換言すれば、薄膜部2Bの方が光の透過率は高い。この点を考慮すると、凹溝5の開口形状や、凹溝5によって形成される透明導電層2の表面形状、例えば、透明導電層2の表面形状が格子状であるかストライプ状であるかにかかわらず、凹溝5の開口面積は比較的大きいことが好ましい。具体的には、凹溝5が形成されていないとした場合の透明導電層2の全表面積を100としたときに、凹溝5の開口部の比率は、50~98程度であることが好ましく、より好ましくは70~98の範囲内、さらに好ましくは80~98の範囲内である。中でも、透明導電層2の厚み、すなわち、支持基板1の表面から透明導電層2の表面までの距離が、200nm~300nmの場合、凹溝5の開口部の比率は80~98の範囲内であることが好ましく、より好ましくは85~98の範囲内である。一方、透明導電層2の厚みが100nm~200nmの場合、凹溝5の開口部の比率は70~80の範囲内であることが好ましく、より好ましくは75~80の範囲内である。また、凹溝5の開口部の形状が六角形の格子状である場合、開口部の比率は70~80の範囲内であることが好ましく、より好ましくは75~80の範囲内である。一方、凹溝5の開口部の形状が平行四辺形の格子状である場合、開口部の比率は80~98の範囲内であることが好ましく、より好ましくは85~98の範囲内である。凹溝5の開口部の比率が上述の範囲未満であると、透明導電層2全体としての抵抗を小さくすることができるものの、厚膜部2Aが多くなり、その分透明導電層2全体としての光の透過率が低下するおそれがあるからである。また、凹溝5の開口部の比率が上述の範囲を超えると、透明導電層2全体としての光の透過率は向上するものの、透明導電層2全体としての抵抗が大きくなるおそれがあるからである。また、透明導電層2の厚みは、支持基板1の表面から凹溝5の底面までの距離の2倍以上であることが好ましい。換言すれば、厚膜部2Aの厚みは、薄膜部2Bの2倍以上であることが好ましい。このような厚みの関係を満たす透明導電層2とすることで、透明導電層2全体としての低抵抗化をさらに向上させることができる。透明導電層2である厚膜部2Aの厚みは、100nm以上1500nm以下であることが好ましく、100nm以上1000nm以下であることがさらに好ましい。一方、支持基板1の表面から凹溝5の底面までの距離である薄膜部2Bの厚みは10nm以上300nm以下であることが好ましく、50nm以上200nm以下であることが特に好ましい。さらに好ましくは、厚膜部2Aと薄膜部2Bとが当該好ましい厚みの範囲内であるとともに、厚膜部2Aと薄膜部2Bとの厚みの関係が上記で説明した範囲内であることが好ましい。また、透明導電層2の表面抵抗率、すなわち厚膜部2Aの表面抵抗率は、5Ω/sq以下であることが好ましく、中でも3Ω/sq以下、特に1Ω/sq以下であることが好ましい。透明導電層2の表面抵抗率をこの範囲内に調整することで、例えば、本発明の導電性基板10を太陽電池に適用した場合に、高い発電効率を得ることができる。また、透明導電層2の表面抵抗率を上記の好ましい範囲とした場合には、透明導電層2全体として上記のように、太陽電池に適用した場合などに高い発電効率を得ることができ、凹溝5の底面の表面抵抗率、すわなち薄膜部2Bの表面抵抗率について、特に限定されることはないが、凹溝5の底面の表面抵抗率が500Ω/sqを超えると、透明導電層2全体としての低抵抗化の妨げとなるおそれがある。したがって、この点を考慮すると、凹溝5の底面の表面抵抗率は500Ω/sq以下であることが好ましい。なお、透明導電層2の表面抵抗率は、三菱化学株式会社製表面抵抗計ロレスタMCP:四端子プローブを用い、JISR1637ファインセラミックス薄膜の抵抗率試験方法:4探針法による測定方法に基づき、測定した値である。凹溝5の底面における全光線透過率、すなわち薄膜部2Bの全光透過率は、80以上であることが好ましく、中でも90以上、特に92以上であることが好ましい。凹溝5の底面における全光線透過率が上記範囲である場合には、透明導電層2にて光を十分に透過することができ、例えば太陽電池において用いられる場合には、光電変換層にて光を効率的に吸収することができるからである。また、透明導電層2の表面における全光線透過率、すなわち厚膜部2Aの全光透過率は、10以上であることが好ましく、中でも30以上、特に50以上であることが好ましい。10未満である場合には、凹溝5の底面の全光透過率を上記範囲とした場合であっても、透明導電層2全体としての全光透過率が低下し、例えば太陽電池に用いられる場合に、光電変換層における光の吸収効率が低下する傾向となるからである。なお、上記全光線透過率は、可視光領域において、スガ試験機株式会社製SMカラーコンピュータ型番:SM-Cを用いて測定した値である。また、本発明では、図1に示すように透明導電層2の厚みを一定としてもよいが、図2に示すようにその部位によって透明導電層2の厚みが異なるようにすることもできる。以下、導電性基板上に光電変換層が形成され、導電性基板の外周部に外部回路との接点が設置される太陽電池に、本発明の導電性基板を適用した場合を例に挙げ、透明導電層2の厚みと集電効率との関係について説明する。太陽電池において発電した電量を熱損失なく集電するためには、透明導電層2の低抵抗化が重要である。ここで、図1に示すように透明導電層2の厚みが一定である場合の、外部回路との接点から最も遠い位置にある中央部と、外部回路との接点から近い位置にある外周部における集電効率についてみると、外部回路との接点から遠い位置にある中央部ほど、発熱による損失の影響は大きく、外部回路との接点に近い位置である外周部ほど、発熱による損失の影響は小さい。つまり、中央部に近づくほど熱損失によって集電効率が低下することとなる。かかる点を考慮すると、透明導電層2の厚みを一定とする場合には、中央部での熱損失の影響を受けないところまで厚くし低抵抗化を図ることが好ましい。ところで、透明導電層2の厚み、つまり厚膜部2Aの厚みを厚くしていった場合には、低抵抗化の向上は図れるものの、厚膜部2Aにおける透明性は徐々に低下していき、厚膜部2Aにおける光透過度は低下する傾向となる。したがって、透明導電層2の厚みは必要以上に厚くすることは好ましくなく、低抵抗化が必要とされる位置についてのみ透明導電層2の厚みを厚くする、つまり、部位によって透明導電層2の厚みを異ならせ、光透過度と低抵抗化とのバランスをとることが好ましい。つまり、熱損失の影響が少ない位置では、透明導電層2の厚みを厚くすることによる低抵抗化の向上よりも、厚みを薄くすることによる光透過率の向上を図ることが好ましく、熱損失の影響が大きい位置では、透明導電層2の厚みを薄くすることによる光透過率の向上よりも、透明導電層2の厚みを厚くすることによる低抵抗化を図ることが好ましい。つまり、上記の例では、図2に示すように、熱損失の影響が大きい中央部から熱損失の影響が少ない外周部にわたって、段階的に透明導電層2の厚みが薄くなるように設定することが好ましい。このように、熱損失の影響を考慮して、透明導電層2の厚みを部位によって異ならせることで、例えば、大面積の太陽電池に適用した場合であっても、高い出力電流を示す良好な太陽電池特性を得ることができる。さらに、本発明においては、図3に示すように透明導電層2の表面と凹溝5の側面、さらには凹溝5の側面と底面をなだらかなR形状により連続させることもできる。このような形状とすることにより、当該透明導電層2上に光電交換層に代表される各種機能層を形成した場合において、透明導電層の表面と凹溝5の側面、および凹溝5の側面と底面のそれぞれで形成されるエッジ部分によって各種機能層が損傷することを防止することができる。ここで、R形状の曲率半径や当該R形状の形成方法については特に限定することはなく、曲率半径については透明導電層の厚さや凹溝5のピッチや深さなど各部分の寸法を考慮して適宜設計可能であり、形成方法にあっても所望のR形状を形成可能な方法を選択して採用すればよい。また、透明導電層2の形成方法としては、透明導電層2の表面に所望の凹溝5を形成することができる一般的な形成方法を適宜選択して用いることができる。このような方法としては、例えば、一般的な蒸着方法等により凹溝5が形成されていない透明導電層を支持基板1上に形成したのちに、凹溝5の開口部形状で薄膜部の厚みとなるようにハーフエッチングすることにより形成することができる。また、これ以外の方法としては、支持基板1上に厚膜部に相当する透明電極膜をパターンニングしたのちに、この上から薄膜部に相当する透明電極膜を蒸着する方法や、支持基板1上に薄膜部に相当する透明電極膜を形成した後に、厚膜部に相当する透明電極膜をパターン状に形成する方法を挙げることができる。<太陽電池>以上で説明した導電性基板10は、たとえば、対向する2枚の導電性基板と、その間に設けられる光電変換層とを有する太陽電池において、前記2枚の導電性基板のうちの少なくとも一方の導電性基板として好適に用いることができる。<表示装置>また、以上で説明した導電性基板10は、対向する2枚の導電性基板と、その間に設けられる発光層とを有する表示装置において、前記2枚の導電性基板のうちの少なくとも一方の導電性基板としても好適に用いることができる。以上、本発明の導電性基板、太陽電池、及び表示装置について説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。また、本発明の導電性基板10の利用分野についていかなる限定もされることはなく、上記で説明した太陽電池以外にも、例えば、OLEDディスプレイ、タッチパネル等のディスプレイや、OLED照明等にも適用可能である。次に、実施例を挙げて、本発明を更に具体的に説明する。なお、文中のは特に断りのない限り質量基準である。実施例1外形サイズ50mm□膜厚125μmのPENフィルム基材の片面全面に、圧力勾配型プラズマガンを用いた反応性イオンプレーティング法パワー:3.7kW、酸素分圧:73、製膜圧力:0.3Pa、製膜レート:150nm/min、基板温度:20°Cにより透明電極であるITO膜を成膜した。次に、ポジ型フォトレジスト東京応化社製;OFPR-800を用い、ITOエッチャント塩酸:硝酸=3:1の液によりハーフエッチングを行い、厚膜部の膜厚が800nm、薄膜部の膜厚が150nmであり、厚膜部の平面形状が所定の開口部を有するメッシュ形状となるようにパターニングを行ない実施例1の導電性基板を得た。次に、実施例1の導電性基板上に、導電性高分子ペーストポリ-3,4-エチレンジオキシチオフェン分散品をスピンコート法にて製膜した後に、150°Cで30分間乾燥させ、正孔取出し層膜厚:100nmを形成した。次に、ポリチオフェンP3HT:poly3-hexylthiophene-25-diylとC60PCBM[6,6]-phenyl-C61-butyricacidmethylesterをブロモベンゼンに溶解させ、固形分濃度1.4wtの光電変換層用塗工液を準備した。次いで、光電変換層用塗工液を正孔取出し層上にスピンコート法にて回転数600rpmの条件で塗布して、光電変換層を形成した。次に、光電変換層上にCa/Al厚み:30nm/200nmを真空蒸着法にて形成して、実施例1の導電性基板を備えた有機薄膜太陽電池を作製した。実施例2外形サイズ50mm□膜厚125μmのPENフィルム基材の片面全面に、圧力勾配型プラズマガンを用いた反応性イオンプレーティング法パワー:3.7kW、酸素分圧:73、製膜圧力:0.3Pa、製膜レート:150nm/min、基板温度:20°Cにより透明電極であるITO膜を成膜した。始めの2分間は基板全体にITO膜を成膜し、後の4分間は基板の中央部に相当する位置に所定の形状で開口部を有するシャドウマスクを用いて、基板の中央部にのみITO膜を成膜した。これにより、基板中央部では膜厚900nmでシート抵抗1Ω/sq、基板外周部では膜厚300nmでシート抵抗3Ω/sqのITO膜を得た。次に、上記ITO膜の表面にポジ型フォトレジスト東京応化社製;OFPR-800を塗布し、ITO膜の中央部のみに露光および現像処理を実施し、ITOエッチャント塩酸:硝酸=3:1の液によりハーフエッチングを行い、厚膜部の膜厚が900nm、薄膜部の膜厚が150nmであり、厚膜部の平面形状が所定の開口部を有するメッシュ形状となるようにパターニングを行なった。次に、上記パターニング済みITO膜の表面に再びポジ型フォトレジスト東京応化社製;OFPR-800を塗布し、ITO膜の外周部のみに露光および現像処理を実施し、ITOエッチャント塩酸:硝酸=3:1の液によりハーフエッチングを行い、厚膜部の膜厚が300nm、薄膜部の膜厚が150nmであり、厚膜部の平面形状が所定の開口部を有するメッシュ形状となるようにパターニングを行ない実施例2の導電性基板を得た。次に、実施例2の導電性基板上に、導電性高分子ペーストポリ-3,4-エチレンジオキシチオフェン分散品をスピンコート法にて製膜した後に、150°Cで30分間乾燥させ、正孔取出し層膜厚:100nmを形成した。次に、ポリチオフェンP3HT:Poly3-Hexylthiophene-2,5-diylとC60PCBM[6,6]-phenyl-C61-butyricacidmethylesterをブロモベンゼンに溶解させ、固形分濃度1.4wtの光電変換層用塗工液を準備した。次いで、光電変換層用塗工液を正孔取出し層上にスピンコート法にて回転数600rpmの条件で塗布して、光電変換層を形成した。次に、光電変換層上にCa/Al厚み:30nm/200nmを真空蒸着法にて形成して、実施例2の導電性基板を備えた有機薄膜太陽電池を作製した。実施例3外形サイズ50mm□膜厚125μmのPENフィルム基材の片面全面に、圧力勾配型プラズマガンを用いた反応性イオンプレーティング法パワー:3.7kW、酸素分圧:73、製膜圧力:0.3Pa、製膜レート:150nm/min、基板温度:20°Cにより透明電極であるITO膜を成膜した。次に、上記ITO膜の表面にレジストを塗布し、比較的低エネルギーで矩形状のマスクを使って露光し、現像後のレジストをガラス転移点以上の温度でベーキングしてレジストを軟化させて波形状とした後に、低圧力高密度プラズマエッチングをレジスト面に行うことで、レジストとITO膜が削られて断面形状が角を有さない波形状である凹凸構造の表面を有する実施例3の導電性基板を得た。次に、実施例3の導電性基板上に、導電性高分子ペーストポリ-3,4-エチレンジオキシチオフェン分散品をスピンコート法にて製膜した後に、150°Cで30分間乾燥させ、正孔取出し層膜厚:100nmを形成した。次に、ポリチオフェンP3HT:Poly3-Hexylthiophene-2,5-diylとC60PCBM[6,6]-phenyl-C61-butyricacidmethylesterをブロモベンゼンに溶解させ、固形分濃度1.4wtの光電変換層用塗工液を準備した。次いで、光電変換層用塗工液を正孔取出し層上にスピンコート法にて回転数600rpmの条件で塗布して、光電変換層を形成した。次に、光電変換層上にCa/Al厚み:30nm/200nmを真空蒸着法にて形成して、実施例3の導電性基板を備えた有機薄膜太陽電池を作製した。実施例1~実施例3の導電性基板を備える有機薄膜太陽電池をソーラーシミュレーターにより100mW/cm2、AM1.5Gの条件で太陽電池性能を評価したところ、実施例1~実施例3の導電性基板を備える有機薄膜太陽電池の変換効率はいずれも2.5であり、良好な電池特性を示した。"