ビーム電流を向上させるイオン注入システムであって、炭素含有ソースガス及び関連するガス流制御装置、水素補助ガス及び関連するガス流量制御装置、及びイオン源チャンバを備えるイオン源アセンブリと、上記イオン源からイオンビームを受け取り、当該イオンビームを処理するビームラインアセンブリと、上記ビームラインアセンブリからのイオンビームを受け取るターゲット部位とを含み、上記水素補助ガスからの水素イオンが、上記ソースガスからの酸素原子と反応することにより、上記イオン源チャンバの汚染を減らし、上記イオン源の寿命を増加させることを特徴とするイオン注入システム。上記炭素含有ソースガスは、二酸化炭素または一酸化炭素を含むことを特徴とする請求項1に記載のイオン注入システム。上記炭素含有ソースガス及び上記水素補助ガスは、同時に上記イオン源チャンバに注入されることを特徴とする請求項1に記載のイオン注入システム。上記炭素含有ソースガス及び上記水素補助ガスは、順番に上記イオン源チャンバに注入されることを特徴とする請求項1に記載のイオン注入システム。上記炭素含有ソースガス及び上記水素補助ガスは、上記イオン源チャンバに注入される前に混合されることを特徴とする請求項2に記載のイオン注入システム。水分子及び水酸化物を、上記イオン源チャンバから除去する真空ポンプシステムをさらに備えていることを特徴とする請求項1に記載のイオン注入システム。イオン注入装置におけるイオン源のパフォーマンスを向上させる装置であって、イオン源チャンバへの炭素含有ソースガスの供給と割合とを制御するソースガス制御装置と、上記イオン源チャンバへの水素ガス源の供給と割合とを制御する補助ガス制御装置とを備え、上記水素補助ガスからの水素イオンが、上記ソースガスからの酸素原子と反応することにより、上記イオン源チャンバの汚染を減らし、上記イオン源の寿命を増加させることを特徴とするイオン源の動作を向上させる装置。上記ソースガス制御装置及び上記補助ガス制御装置は、別々の制御装置であることを特徴とする請求項7に記載の装置。上記ソースガス制御装置及び上記補助ガス制御装置は、同じ制御装置であることを特徴とする請求項7に記載の装置。上記ソースガス及び上記水素補助ガスは、別々の注入口より上記イオン源チャンバへ供給されることを特徴とする請求項7に記載の装置。上記ソースガス及び上記水素補助ガスは、共通の注入口より上記イオン源チャンバへ供給されることを特徴とする請求項7に記載の装置。上記ソースガス及び上記水素補助ガスは、1つの供給源より上記イオン源チャンバへ供給されることを特徴とする請求項11に記載の装置。イオン注入装置におけるイオン源の寿命を増加させる方法であって、上記イオン注入装置のイオン源チャンバに、炭素含有種を含む気体状の物質を注入する工程と、水素補助ガスを上記イオン注入装置のイオン源チャンバに注入する工程と、上記炭素を含む気体状の種を上記チャンバ内で励起し、解離及びイオン化された炭素及び酸素の成分のプラズマを生成する工程と、上記解離及びイオン化された、上記炭素を含む気体状の種の酸素成分と、上記水素補助ガスとを反応させることにより、上記イオン源チャンバの汚染を減らし、上記イオン源の寿命を増加させることを特徴とするイオン源の寿命増加方法。炭素含有種を含む上記気体状の物質は、二酸化炭素または一酸化炭素を含むことを特徴とする請求項13に記載のイオン源の寿命増加方法。上記水素補助ガスは、水または水酸化物を生成するために酸素と反応することを特徴とする請求項13に記載のイオン源の寿命増加方法。上記気体状の物質と上記水素補助ガスとが同時に上記イオン源チャンバに注入されることを特徴とする請求項13に記載のイオン源の寿命増加方法。上記炭素含有ソースガスと上記水素補助ガスとが順番に上記イオン源チャンバに注入されることを特徴とする請求項13に記載のイオン源の寿命増加方法。上記気体状の物質及び上記水素補助ガスは、上記イオン源チャンバに注入される前に混合されることを特徴とする請求項162に記載のイオン源の寿命増加方法。上記水または水酸化物は、真空ポンプシステムによって上記イオン源チャンバより除去されることを特徴とする請求項15に記載のイオン源の寿命増加方法。