適当なドライバ手段で共振させられる、共振周波数を有する素子を備えた慣性センサであって、前記センサは可変周波数での発振を可能とする発振器を含む電子的制御手段をさらに有し、前記センサは前記素子の出力周波数を前記発振器の周波数と比較し、所定の周波数が得られたときに前記発振器の周波数をロックするコンパレータ手段をさらに備えた慣性センサ。所定の周波数が前記素子の共振周波数とほぼ等しいことを特徴とする請求項1に記載の慣性センサ。センサの周波数は適当なフェーズロックループ手段によりロックさせることを特徴とする請求項1または2に記載の慣性センサ。前記素子は既知の共振周波数を有するリング型MEMSセンサ素子であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の慣性センサ。前記コンパレータは閾値検出器であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の慣性センサ。前記コンパレータはピーク検出器であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の慣性センサ。慣性センサがジャイロスコープ、加速度計あるいは他の感度速度センサであることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の慣性センサ。添付図面を参照して記載されたセンサ。これを達成するため、MEMS共振器は制御電子回路により発生される適当なドライバ信号により共振させられる。しかし、制御電子回路の周波数は、適当な許容誤差をもって、MEMS共振器の共振周波数に整合matchされなければならない。MEMS共振器のQ値のため、共振周波数から離れているときに得られる信号は非常に小さい。MEMSセンサおよび制御電子回路ASICの両方の製造上の許容誤差は制御電子回路の発振器の周波数と比較して、MEMS共振器周波数内での重大な相違に至るには十分に大きい。したがって、電力あるいは印加されたリセット信号が加えられると、レートセンサの電子回路が短い時間内500ms以内にMEMSデバイスの共振周波数へのロックに成功することを確実にするために、デバイス上の制御回路を個々のデバイス毎devicebydevicebasisにMEMS共振周波数に一致するように調整することが典型的である。このことは、MEMSレートセンサの製造に対して時間とコストを増加させる最終的なレートセンサ調整プロセスを必要とする。本発明によれば、適当なドライバ手段により共振させられる、共振周波数を有する素子を備えた慣性センサであって、前記センサは可変周波数での発振を可能とする発振器を含む電子制御手段をさらに備え、前記センサは前記素子の出力周波数を前記発振器の周波数と比較し、所定の周波数に達したら、前記前記発振器の周波数をロックするコンパレータ手段をさらに備えた慣性センサが提供される。以下、添付図面を参照して本発明を説明する。図1に示されるように、MEMS共振器1は適当なドライブ信号により、共振状態にされる。ドライブ信号は、発振器を含む適当な制御電子回路3の制御のもとで、適当なドライブ手段2により発生される。MEMS共振器1の出力信号は、しきい値検出器4及び制御電子回路3に入力される。MEMS共振器1には、システムの動きを表すデータを与えるために、適当な処理手段図示せずにより処理される、他の多くの出力があることが理解される。電力を印加又は印加されているリセット信号の解除すると、制御電子回路3の共振器はMEMS共振器周波数MEMSと制御回路のすべての関連する許容誤差を考慮してより常に低い周波数に強制される。制御回路3は次にMEMSトランスジューサ信号の大きさをモニタしながら、適当な速度で共振器周波数を強制的に直線的な増減ランプをさせる。MEMS共振器の周波数がMEMSトランスジューサ信号における増加に達したことが検出されたとき、制御電子回路は、共振器周波数の直線的増減を止め、PLLフェーズロックループモードに変更する。今や発振器の周波数は、システムをMEMSに短時間内にロックさせるようなMEMS共振器周波数に適切に近くなっている。この方法を用いることにより、制御電子回路の発振器をMEMS共振器周波数に整合させるという要求が取り除かれるとともに、電子回路発振器の周波数を較正する必要性なしに、電子制御回路がMEMSに結合されることを許容する。あるいは制御電子回路の許容誤差が依然として大き過ぎるときには、整合された個々のMEMS周波数よりは典型的な値genericvalueにウェハ状態のままで発振器が調節されることを許容する。回路が、デモジュレーション後のdcレベルを検出し、ある閾値を探すことを理解されるべきである。閾値に達すると、システムはPLLモードにラッチする。PLループはその後システムを最終的な正しい共振周波数に引き込む。ピーク検出器が閾値検出器の代わりに使用されても良いが、上述した実施例に特別に必要なわけではない。さらに、共振周波数に達したことによるピックオフ信号を検出した場所は、種々の場所で実行され得るすなわち、デモジュレーション前。上述された実施例はリング形式のMEMSセンサに言及しているが、本発明はセンサの如何なる適当な形式にも適用されることが理解されるべきである。例えば、本発明はPLL形式のループを用いて共振周波数にロックする要求のあるいかなる形式のセンサにも適用され得る。図1に表された図は開示を容易にするために簡略化されたものであることが理解されるべきであるが、コンパレータは閾値検出器となっている。検出されたレベルはチャンネル適用およびdcレベルへのデモジュレーション後のものである。