"赤外線発生源からの赤外線をショットキーバリアダイオードに入射せず、かつ、前記ショットキーバリアダイオードに逆バイアス電圧を印加した状態で、前記ショットキーバリアダイオードの電流値Aを測定する第1の電流値測定ステップと、前記赤外線発生源からの赤外線を前記ショットキーバリアダイオードに入射し、かつ、前記ショットキーバリアダイオードに逆バイアス電圧を印加した状態で、前記ショットキーバリアダイオードの電流値Bを測定する第2の電流値測定ステップと、前記赤外線発生源からの赤外線を前記ショットキーバリアダイオードに入射し、かつ、前記ショットキーバリアダイオードを短絡状態にして、前記ショットキーバリアダイオードの電流値Cを測定する第3の電流値測定ステップと、前記電流値Bから前記電流値Cを減算した差分値と前記電流値Aとに基づいて計算を行い、前記ショットキーバリアダイオードを用いた熱型センサの温度変化を推定する計算ステップとを含むことを特徴とする熱型赤外線検出方法。赤外線発生源からの赤外線をショットキーバリアダイオードに入射しない状態で、前記ショットキーバリアダイオードの順方向特性を測定する順方向特性測定ステップと、前記赤外線発生源からの赤外線を前記ショットキーバリアダイオードに入射せず、かつ、前記ショットキーバリアダイオードに逆バイアス電圧を印加した状態で、前記ショットキーバリアダイオードの電流値Aを測定する第1の電流値測定ステップと、前記赤外線発生源からの赤外線を前記ショットキーバリアダイオードに入射し、かつ、前記ショットキーバリアダイオードに逆バイアス電圧を印加した状態で、前記ショットキーバリアダイオードの電流値Bを測定する第2の電流値測定ステップと、前記赤外線発生源からの赤外線を前記ショットキーバリアダイオードに入射した状態で、前記ショットキーバリアダイオードの開放電圧を測定する開放電圧測定ステップと、前記開放電圧測定ステップで測定された前記開放電圧から推定した光電効果電流を電流値C’として測定する第3の電流値測定ステップと、前記電流値Bから前記電流値C’を減算した差分値と前記電流値Aとに基づいて計算を行い、前記ショットキーバリアダイオードを用いた熱型センサの温度変化を推定する計算ステップとを含むことを特徴とする熱型赤外線検出方法。ショットキーバリアダイオードを有する熱型センサと、外部の赤外線発生源からの赤外線を前記ショットキーバリアダイオードに照射し又は遮断する光制御手段と、前記ショットキーバリアダイオードにバイアス電圧を印加する電圧源と、前記ショットキーバリアダイオードに流れる電流を測定する電流計と、前記ショットキーバリアダイオードに対して、前記光照射制御手段を制御して前記赤外線発生源からの赤外線を入射せず、かつ、前記電圧源から逆バイアス電圧を印加した状態での前記ショットキーバリアダイオードの電流値Aと、前記光照射制御手段を制御して前記赤外線発生源からの赤外線を入射し、かつ、前記電圧源から逆バイアス電圧を印加した状態での前記ショットキーバリアダイオードの電流値Bと、前記赤外線発生源からの赤外線を入射し、かつ、前記ショットキーバリアダイオードを短絡状態としたときの前記ショットキーバリアダイオードの電流値Cとを、それぞれ前記電流計により測定して記憶する電流値測定制御手段と、前記電流値測定手段により測定し記憶された前記電流値Bから前記電流値Cを減算した差分値と前記電流値Aとに基づいて計算を行い、前記熱型センサの温度変化を推定する計算手段とを備えることを特徴とする熱型赤外線検出装置。ショットキーバリアダイオードを有する熱型センサと、外部の赤外線発生源からの赤外線を前記ショットキーバリアダイオードに照射し又は遮断する光制御手段と、前記ショットキーバリアダイオードにバイアス電圧を印加する電圧源と、前記ショットキーバリアダイオードに流れる電流を測定する電流計と、前記電圧源と前記ショットキーバリアダイオードとの間の経路を接続又は遮断するスイッチ手段と、前記光照射制御手段を制御して前記赤外線発生源からの赤外線を前記ショットキーバリアダイオードに入射しない状態で、前記ショットキーバリアダイオードの順方向特性を測定して記憶する順方向特性測定手段と、前記光照射制御手段を制御して前記赤外線発生源からの赤外線を前記ショットキーバリアダイオードに入射せず、かつ、前記電圧源から逆バイアス電圧を前記ショットキーバリアダイオードに印加した状態での前記ショットキーバリアダイオードの電流値Aと、前記光照射制御手段を制御して前記赤外線発生源からの赤外線を前記ショットキーバリアダイオードに入射し、かつ、前記電圧源から逆バイアス電圧を前記ショットキーバリアダイオードに印加した状態での前記ショットキーバリアダイオードの電流値Bとを前記電流計により測定する電流値測定制御手段と、前記光照射制御手段を制御して前記赤外線発生源からの赤外線を前記ショットキーバリアダイオードに入射した状態で、前記スイッチ手段を制御して前記電圧源と前記ショットキーバリアダイオードとの間の経路を遮断して前記ショットキーバリアダイオードの開放電圧を測定して記憶する開放電圧測定制御手段と、前記開放電圧測定制御手段で測定された前記開放電圧から前記順方向特性測定手段で測定された前記順方向特性に基づいて推定した光電効果電流を電流値C’として記憶する光電効果電流推定手段と、前記電流値Bから前記電流値C’を減算した差分値と前記電流値Aとに基づいて計算を行い、前記熱型センサの温度変化を推定する計算手段とを備えることを特徴とする熱型赤外線検出装置。従来、シリコン基板上に設けたショットキーバリアを熱型のショットキーバリアサーミスタとして使用する場合は、特許文献1に記載されたように光電変換が起こる波長と異なる波長で使用するのが基本である。通常はバンドパスフィルタを使い、目的とする波長を選択し、その波長のみを検出する。ところが、光電変換が起こる波長を含む波長領域を熱型で測定したい場合に、問題が生じる。熱型の場合、逆バイアスをかけてその電流値を検出し、その変化を見るのであるが、その電流の中に光電変換により生じた電流が混じってしまい、正確な電流値の変化が測定できなくなる。本発明は以上の点に鑑みなされたもので、ショットキーバリアダイオードを用いた熱型センサを使い、赤外線を検出して温度変化を測定するときに、光電変換で起こる誤差を除去でき、より正しい測定値を得ることが可能な熱型赤外線検出方法及び熱型赤外線検出装置を提供することを目的とする。上記の目的を達成するため、第1の発明の熱型赤外線検出方法は、赤外線発生源からの赤外線をショットキーバリアダイオードに入射せず、かつ、ショットキーバリアダイオードに逆バイアス電圧を印加した状態で、ショットキーバリアダイオードの電流値Aを測定する第1の電流値測定ステップと、赤外線発生源からの赤外線をショットキーバリアダイオードに入射し、かつ、ショットキーバリアダイオードに逆バイアス電圧を印加した状態で、ショットキーバリアダイオードの電流値Bを測定する第2の電流値測定ステップと、赤外線発生源からの赤外線をショットキーバリアダイオードに入射し、かつ、ショットキーバリアダイオードを短絡状態にして、ショットキーバリアダイオードの電流値Cを測定する第3の電流値測定ステップと、電流値Bから電流値Cを減算した差分値と電流値Aとに基づいて計算を行い、ショットキーバリアダイオードを用いた熱型センサの温度変化を推定する計算ステップとを含むことを特徴とする。また、上記の目的を達成するため、第2の発明の熱型赤外線検出方法は、赤外線発生源からの赤外線をショットキーバリアダイオードに入射しない状態で、ショットキーバリアダイオードの順方向特性を測定する順方向特性測定ステップと、赤外線発生源からの赤外線をショットキーバリアダイオードに入射せず、かつ、ショットキーバリアダイオードに逆バイアス電圧を印加した状態で、ショットキーバリアダイオードの電流値Aを測定する第1の電流値測定ステップと、赤外線発生源からの赤外線をショットキーバリアダイオードに入射し、かつ、ショットキーバリアダイオードに逆バイアス電圧を印加した状態で、ショットキーバリアダイオードの電流値Bを測定する第2の電流値測定ステップと、赤外線発生源からの赤外線をショットキーバリアダイオードに入射した状態で、ショットキーバリアダイオードの開放電圧を測定する開放電圧測定ステップと、開放電圧測定ステップで測定された開放電圧から推定した光電効果電流を電流値C’として測定する第3の電流値測定ステップと、電流値Bから電流値C’を減算した差分値と電流値Aとに基づいて計算を行い、ショットキーバリアダイオードを用いた熱型センサの温度変化を推定する計算ステップとを含むことを特徴とする。また、上記の目的を達成するため、第3の発明の熱型赤外線検出装置は、ショットキーバリアダイオードを有する熱型センサと、外部の赤外線発生源からの赤外線をショットキーバリアダイオードに照射し又は遮断する光制御手段と、ショットキーバリアダイオードにバイアス電圧を印加する電圧源と、ショットキーバリアダイオードに流れる電流を測定する電流計と、ショットキーバリアダイオードに対して、光照射制御手段を制御して赤外線発生源からの赤外線を入射せず、かつ、電圧源から逆バイアス電圧を印加した状態でのショットキーバリアダイオードの電流値Aと、光照射制御手段を制御して赤外線発生源からの赤外線を入射し、かつ、電圧源から逆バイアス電圧を印加した状態でのショットキーバリアダイオードの電流値Bと、赤外線発生源からの赤外線を入射し、かつ、ショットキーバリアダイオードを短絡状態としたときのショットキーバリアダイオードの電流値Cとを、それぞれ電流計により測定して記憶する電流値測定制御手段と、電流値測定手段により測定し記憶された電流値Bから電流値Cを減算した差分値と電流値Aとに基づいて計算を行い、熱型センサの温度変化を推定する計算手段とを備えることを特徴とする。また、上記の目的を達成するため、第4の発明の熱型赤外線検出装置は、ショットキーバリアダイオードを有する熱型センサと、外部の赤外線発生源からの赤外線をショットキーバリアダイオードに照射し又は遮断する光制御手段と、ショットキーバリアダイオードにバイアス電圧を印加する電圧源と、ショットキーバリアダイオードに流れる電流を測定する電流計と、電圧源とショットキーバリアダイオードとの間の経路を接続又は遮断するスイッチ手段と、光照射制御手段を制御して赤外線発生源からの赤外線をショットキーバリアダイオードに入射しない状態で、ショットキーバリアダイオードの順方向特性を測定して記憶する順方向特性測定手段と、光照射制御手段を制御して赤外線発生源からの赤外線をショットキーバリアダイオードに入射せず、かつ、電圧源から逆バイアス電圧をショットキーバリアダイオードに印加した状態でのショットキーバリアダイオードの電流値Aと、光照射制御手段を制御して赤外線発生源からの赤外線をショットキーバリアダイオードに入射し、かつ、電圧源から逆バイアス電圧をショットキーバリアダイオードに印加した状態でのショットキーバリアダイオードの電流値Bとを電流計により測定する電流値測定制御手段と、光照射制御手段を制御して赤外線発生源からの赤外線をショットキーバリアダイオードに入射した状態で、スイッチ手段を制御して電圧源とショットキーバリアダイオードとの間の経路を遮断してショットキーバリアダイオードの開放電圧を測定して記憶する開放電圧測定制御手段と、開放電圧測定制御手段で測定された開放電圧から順方向特性測定手段で測定された順方向特性に基づいて推定した光電効果電流を電流値C’として記憶する光電効果電流推定手段と、電流値Bから電流値C’を減算した差分値と電流値Aとに基づいて計算を行い、熱型センサの温度変化を推定する計算手段とを備えることを特徴とする。本発明によれば、ショットキーバリアダイオードを用いた熱型センサで赤外線を検出して温度変化を測定するときに、光電変換で起こる誤差を除去でき、より正しい測定値を得ることができる。次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。図1は、本発明になる熱型赤外線検出装置で用いる熱型センサの一実施の形態の全体構成図を示す。同図において、熱型センサ100は、SOI基板を用いて作られる。支持基板108上にシリコン酸化膜102があり、その上に薄膜のシリコン層SOI層104がある。SOI層104はエッチングされてセンサ部分だけが残され、その下には空洞101が形成されている。つまり、SOI層104は空中に浮かんでいる構造になっている。エッチングされたSOI層104の上部には金属薄膜105例えばモリブデンMoがあり、SOI層104とショットキーバリアを形成している。金属薄膜105の上には熱吸収材料106例えば、タングステンWなどの赤外線吸収の良い材料を重ね、赤外線の吸収を補助している。ここではSOI層104はn型であり、その表面にショットキーバリアダイオードのガードリングになるp不純物拡散領域やSOI層104へのコンタクト層となるn拡散層がある。配線103、107は例えばチタンTiでできており、SOI層104と金属薄膜105へ外部から電気接続するための配線である。この構造の熱型センサ100は、ショットキーバリアサーミスタを使った赤外線センサでもある。次に、この熱型センサ100の動作について説明する。まず、赤外線が金属薄膜105や熱吸収材料106に吸収されると、それが熱に変わり、SOI層104も温まる。その結果、SOI層104と金属薄膜105との界面にできているショットキーバリアダイオードの逆バイアス電流及び抵抗値が変化する。この抵抗値の変化から、SOI層104、金属薄膜105、熱吸収材料106の温度変化が分かる。その結果、例えば赤外線を発した赤外線発生源例えば人間の身体の温度を推定する、などという情報を得ることが可能になる。SOI層104、金属薄膜105、熱吸収材料106にたまった熱は、やがてシリコン酸化膜102を通して逃げていく。第1の実施の形態図2は、本発明になる熱型赤外線検出装置の第1の実施の形態の構成図を示す。図2において、本実施の形態の熱型赤外線検出装置31は、図1の熱型センサ100と、電圧源4、電流計5、制御手段6、測定データ処理手段7、出力手段10、光学フィルタ21及びシャッタ22を有し、赤外線発生源例えば人間の身体20から発せられる赤外線を精度良く検出するもので、熱型センサ100の温度変化から、赤外線発生源20の温度を算出する。ここで、図2において、図1の熱型センサ100は、SOI層3図1のSOI層104に相当と金属薄膜2図1の金属薄膜105に相当のみを模式的に描いてある。金属薄膜2とSOI層3とは、ショットキーバリアダイオード1を形成している。このショットキーバリアダイオード1は、図1に示した熱型センサ100に相当する。電圧源4はショットキーバリアダイオード1に逆バイアス電圧を印加する。電流計5は、SOI層3と電圧源4の負側端子との間に接続されており、ショットキーバリアダイオード1に流れる電流を測定する。制御手段6は、例えばパーソナルコンピュータパソコンの測定ソフトなどである。測定データ処理手段7は、メモリ8と計算手段9とからなり、電流計5が測定した電流値をメモリ8に記録し、計算手段9がメモリ8に記録された電流値に基づいて後述する計算処理を行い電流の変化などを計算する。出力手段10は例えばモニタからなり、計算手段9が計算した計算結果を出力する。制御手段6及びメモリ8は、第3の発明の電流値測定制御手段を構成している。赤外線発生源20は、例えば2000度のフィラメントランプであり、ショットキーバリアダイオード1の界面で光電変換が起こる波長領域の赤外線を含む光を出射する。光学フィルタ21は、赤外線発生源20が出射する光のうち可視光をカットして赤外線を透過する。シャッタ22は光学フィルタ21を透過した赤外線をオン、オフする。制御手段6は、電圧源4のバイアス値、電流計5の測定タイミング、測定データ処理手段7の処理方法、シャッタ22のオン、オフを制御する。なお、ここではシャッタ22を使用したが、赤外線発生源20の電源をオン、オフするようにしてもよい。次に、制御手段6及び測定データ処理手段7による動作について、図3のフローチャートと共に説明する。まず、制御手段6はシャッタ22を閉じてオフにして、赤外線発生源20から光がショットキーバリアダイオード1に当たっていない状態で、逆バイアスされているショットキーバリアダイオード1に流れる電流値Aを電流計5に測定させるステップS1。この電流値Aはメモリ8に記憶される。続いて、制御手段6はシャッタ22を開けてオンにして、赤外線発生源20から光がショットキーバリアダイオード1に当たっている状態で、逆バイアスされているショットキーバリアダイオード1に流れる電流値Bを電流計5に測定させるステップS2。この電流値Bはメモリ8に記憶される。ここで、赤外線がショットキーバリアダイオード1の金属薄膜2とSOI層3との界面部分に達すると、そこで光電変換が起き、金属薄膜2がモリブデンの場合は波長11~18μmの範囲の光の約3~5が電子ホール対となり、これが上記の逆バイアスの電流値Bに含まれている。この結果、抵抗が見かけ上減ることになり、実際以上に温度変化が起きていると誤測定される。なるべくショットキーバリアダイオード1の金属薄膜2とSOI層3との界面部分に光が到達しないような光学上の工夫により減らすことは可能だが、0にするのは困難である。そこで、これを補正するために、本実施の形態では、制御手段6はシャッタ22を開けて、赤外線発生源20から光がショットキーバリアダイオード1に当たっている状態としたまま、バイアス電圧を0Vにしてもしくは電源のない短絡状態にして、その時ショットキーバリアダイオード1に流れる電流値Cを電流計5に測定させるステップS3。この電流値Cは、光電変換による電流値に等しい。メモリ8はこの電流値Cも記憶する。続いて、計算手段9はメモリ8に記憶されている電流値A,B,Cを読み出して、次式の計算を行って電流の変化を計算するステップS4。電流の変化=電流値B-電流値C-電流値A1上記の電流値Cは光電変換による電流値に等しいから、この電流値Cを電流値Bから差し引けば、それが真の温度変化による電流値の変化となる。また、計算手段9は次式により電流の変化率も計算する。電流の変化率={電流値B-電流値C/電流値A}-12計算手段9は上記の電流の変化及び電流の変化率の計算結果を出力手段10に供給して出力させる。なお、ここでは、赤外線発生源20からの光が無い場合の電流値Aの測定の際に、光電効果の影響を無視した。赤外線発生源20からの光が無い場合でも、背景輻射として光がショットキーバリアダイオード1に届いているので、厳密には赤外線発生源20からの光が無い状態でも光電効果の分は存在する。しかしながら、背景輻射室温約300Kに含まれる波長11~18μmの範囲の光は非常に小さいので、ここでは無視している。勿論、この成分が無視できない場合例えば別の赤外線発生源が存在し、その影響を受ける場合はこの分も考慮に入れる必要がある。そのときの光電効果による電流値を電流値Dとすると、電流の変化及び電流の変化率はそれぞれ次式で計算される。電流の変化=電流値B-電流値C-電流値A-電流値D3電流の変化率={電流値B-電流値C/電流値A-電流値D}-1図4はショットキーバリアダイオード1に流れる電流を縦軸で、逆バイアス電圧を横軸に示す。図4は、逆バイアスをかけたショットキーバリアダイオード1に、逆バイアス電圧を変化させたときの、赤外線発生源20からの光が当たっている状態ランプONの電流値BをIで、光が当たっていない状態ランプOFFの電流値AをIIで示している。ただし、逆バイアス電圧なので、値はマイナスになっている。電流値A,Bを比較すると、光が当たっている方の電流値Bが、光が当たっていない方の電流値Aに比べて同じ逆バイアス電圧では多く電流が流れていることが分かる。なお、ここでは、金属薄膜2としてMoモリブデンを使用しているので、電流をMo電流、電圧をMo電圧としている。図5は、上記の電流値Bと電流値Aとの差分電流値B-電流値Aの逆バイアス電圧対電流特性を示す。このうち、逆バイアス0Vのときの差分の電流値は光電変換により発生した電流値であり、電流値Cである。さて、温度の変化は、電流の変化率に現れる。電流値Cにより補正しない場合の変化率と補正した場合の変化率を比べたのが図6である。図6は縦軸が電流変化率、横軸が逆バイアス電圧Vを示す。図6において、IIIは次式により計算された補正しないときの電流の変化率の特性を示す。電流の変化率=電流値B/電流値A-1一方、図6において、IVは次式により計算される補正したときの電流の変化率の特性を示す。電流の変化率={電流値B-電流値C/電流値A}-16なお、電流の変化率は同じバイアスで比較しているので、抵抗の変化率の逆数に等しい。図6に示す特性IIIとIVから分かるように、補正していないときの電流の変化率はIIIで示すように、逆バイアス電圧値により変化率が異なり、どの値が正しいのか分からない。一方、補正した電流の変化率はIVで示すように、逆バイアス電圧が-08V以下では4強でほぼ一定になっている。温度変化の抵抗値への影響はバイアスの値に関係なく一定のはずであるから、正しく補正が行われたことが分かる。なお、電流値Aは毎回測定しなくても、温度が変化したことが明らかな場合や決められた所定時間ごとに測定し、メモリ8に記憶しておくという方法でもよい。第2の実施の形態図7は、本発明になる熱型赤外線検出装置の第2の実施の形態の構成図を示す。同図中、図2と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する。本実施の形態の熱型赤外線検出装置32は、図2に示した熱型赤外線検出装置31の構成に、ショットキーバリアダイオード1の電圧を測定する電圧計11と、本発明のスイッチ手段を構成するスイッチ12とが追加されている。また、制御手段13は制御手段6の制御動作に加えて、スイッチ12のオン、オフの制御も行い、このときの電流値を測定データ処理手段7に伝える。電圧計11は、金属薄膜2とSOI膜3との間に接続されている。また、スイッチ12は、金属薄膜2と電圧源4の正側端子との間の経路を接続又は遮断するスイッチである。制御手段13とメモリ8とは、第4の発明の電流値測定制御手段、開放電圧測定制御手段、及び光電効果電流推定手段を構成している。次に、図7の制御手段13及び測定データ処理手段7の動作について、図8のフローチャートと共に説明する。まず、制御手段13はシャッタ22を閉じてオフにして、赤外線発生源20から光がショットキーバリアダイオード1に当たっていない状態で、順バイアスされているショットキーバリアダイオード1に流れる電流値を電流計5に測定させると共に、順バイアスの電圧値を電圧計11で測定させ、これらの電流値及び電圧値に基づいて順バイアスの電流電圧特性順方向のダイオード特性を計算手段9により計算させ、その計算結果をメモリ8に記憶するステップS11。続いて、制御手段13はシャッタ22を閉じて、赤外線発生源20から光がショットキーバリアダイオード1に当たっていない状態で、逆バイアスされているショットキーバリアダイオード1に流れる電流値Aを電流計5に測定させるステップS12。この電流値Aはメモリ8に記憶される。続いて、制御手段13はシャッタ22を開けてオンにして、赤外線発生源20から光がショットキーバリアダイオード1に当たっている状態で、逆バイアスされているショットキーバリアダイオード1に流れる電流値Bを電流計5に測定させるステップS13。この電流値Bはメモリ8に記憶される。なお、以上のステップS11~S13では、スイッチ12は閉じており、金属薄膜2と電圧源4の正側端子との間が接続されている。続いて、制御手段13はシャッタ22を引き続き開けて赤外線発生源20からの光がショットキーバリアダイオード1に当たっている状態とする一方、これと同時にスイッチ12を開いて金属薄膜2と電圧源4の正側端子との間の経路を遮断し、その時の電圧計11で測定される電圧値すなわち、ショットキーバリアダイオード1の開放電圧をメモリ8に記憶するステップS14。続いて、計算手段9はメモリ8から読み出した上記の開放電圧から光電効果電流を推定し、それを電流値C’として測定し、メモリ8に記憶するステップS15。そして、計算手段9はメモリ8に記憶されている電流値A,B,C’を読み出して、次式の計算を行って電流の変化を計算し、その計算結果を出力手段10へ出力するステップS16。電流の変化=電流値B-電流値C’-電流値A77式の電流値C’はショットキーバリアダイオード1の開放電圧から推定した光電効果電流値であるから、この電流値C’を電流値Bから差し引けば、それが真の温度変化による電流値の変化であるといえる。本実施の形態のポイントは、光電効果による電流値C’の推定の仕方が第1の実施の形態と異なることである。本実施の形態では、まず、光が当たっていない状態でのショットキーバリアダイオード1の順方向のダイオード特性を測定して記憶しておくステップS11。次に、光が当たっている状態、つまり光電変換が起きている状態で、ショットキーバリアダイオード1の開放電圧を測定するステップS14。本実施の形態では、ショットキーバリアダイオード1の界面部分の光電変換で起きたキャリアがたまると、電圧が発生し、その電圧で測定しておいた順方向特性から電流値を読み取ると、それが光電変換で発生している電流値と等しくなる性質を利用している。例えば、図9は、光が当たっていない状態ランプOFFで測定したショットキーバリアダイオード1の順方向特性を示す。光が当たった状態で、ショットキーバリアダイオード1の開放電圧を測ってみると17mVであった。測定しておいた図9に示すダイオード特性から17mVの値を読み取ると、ショットキーバリアダイオード1の電流値Mo電流値は117nAであった。この値は、第1の実施の形態のように短絡して測定した電流値と等しいただし、電流値は正負が逆になる。光電変換で起こる電流値が小さくなると、その電流値を測定するのが困難になることがある。電流よりも電圧を測定した方が楽な場合が多いので、そのような場合に本実施の形態が有効になる。なお、電流値A、ダイオードの順方向特性は毎回測定しなくても、温度が変化したことが明らかな場合や決められた所定時間ごとに測定し、メモリ8に記憶しておくという方法でもよい。また、電流値の測定順序は上記の各実施の形態における電流値A、B、C又はC’の順に限定されるものではない。ただし、電流値B、C又はC’を測定した後に電流値Aを測定する場合は、十分に時間をおいてショットキーバリアダイオード1が周囲温度になるまで待つ必要がある。また、ショットキーバリアダイオード1の開放電圧を測定するステップS14は図8のステップS13の前に実行してもよい。"