"薄膜トランジスタが形成されたTFT基板と、該TFT基板に対向する対向基板との間に液晶層を挟持し、前記TFT基板に画素電極と共通電極とが絶縁層を介して積層され、前記画素電極と前記共通電極のうち、前記液晶層から離れた電極は平面状に形成され、前記液晶層に近い電極は、複数のスリットを形成され、該複数のスリットの長手方向の端部が閉じている液晶表示パネルと、該液晶表示パネルの光源となる照明手段と、を有する液晶表示装置において、前記液晶表示パネルは、平面視で前記スリットの長手方句の端部、及びその近傍や、該スリットの内側領域と一部が重なる前記照明装置側の面に形成された光を反射する反射手段を有してなることを特徴とする液晶表示装置。前記反射手段は、金属層であり、該反射手段を形成する金属層とは別の金属層と離れて形成されてなることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記反射手段は、前記スリットの長手方向の端部からの距離が、0より大きく4μm以下の範囲で形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置。前記反射手段は、前記スリットの長手方向の端部からの距離が、2μm以上4μm以下の範囲で形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置。前記スリットの長手方向の端部は、該スリットの短手方向の幅を形成する一対の辺の一方の辺が他方の辺に向けて傾斜して先細りした形状であり、前記反射手段は、前記一対の辺のうち、傾斜した辺とは別の辺側から前記スリットの短手方向幅のほぼ中心位置まで形成されることを特徴とする1、2、3または4に記載の液晶表示装置。前記反射手段は、平面状に形成された基部と、前記基部から突出して形成された複数の突出部と、を有し、前記複数の突出部の各突出部は、前記スリット端部を形成する辺のうち、傾斜した辺とは別の辺側から前記スリットの短手方向の幅のほぼ中心位置まで重なって形成されることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。前記スリットは、長手方向の端部近傍で屈曲し、先細りした形状であり、前記反射手段は、平面状に形成された基部と、前記基部から突出して形成された複数の突出部と、を有し、前記複数の突出部の各突出部は、前記スリットの短手方向の幅のほぼ中心に先端が位置する楔形に形成されていることを特徴とする請求項1、2、3または4に記載の液晶表示装置。前記スリットは、屈曲して形成され、前記反射手段は、前記スリットの屈曲した部分に重なって形成されることを特徴とする1、2、3、4、5、6または7に記載の液晶表示装置。前記液晶表示パネルは、前記液晶表示パネルの表示面側に配置される表面側偏光板と、前記液晶表示パネルの前記照明手段側の面に配置される背面側偏光板と、前記背面側偏光板の前記照明手段側の面に配置され、前記背面側偏光板の透過軸方向の直線偏光を透過し、前記背面側偏光板の吸収軸方向の直線偏光を反射する反射型偏光板と、を有することを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7または8に記載の液晶表示装置。前記液晶表示パネルは、これを構成する透明な絶縁基板と反射手段の間に屈折率の異なる層が積層された積層構造である下地層をさらに有してなることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、8または9に記載の液晶表示装置。前記反射手段は、前記液晶表示パネルの走査信号線が形成される層と同一の層に形成されることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9または10に記載の液晶表示装置。前記反射手段は、前記液晶表示パネルのソース電極と同一の層に形成され、画素電極と電気的に接続していることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9または10に記載の液晶表示装置。前記反射手段は、前記別の金属層と異なる層に形成されてなることを特徴とする請求項2、3、4、5、6、7、8、9または10に記載の液晶表示装置。前記反射手段は、前記液晶表示パネルの映像信号線と重なる部分にさらに形成されてなることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11または13に記載の液晶表示装置。特許文献1に記載された液晶表示装置では、非開口部へ設ける光反射膜を偏光板の内側に配置する場合、照明装置バックライトに戻った光は照明装置バックライトで反射して再び液晶表示パネルに戻る際に偏光状態が変化するためその大部分が偏光板に吸収されて輝度向上効果が小さくなる。また、光反射膜を偏光板の外側に配置する場合には、視差により光反射膜と非開口部の位置関係がずれるため輝度向上効果が小さくなる。さらに、ドメインのような開口部内の透過率が低い領域については何ら考慮していない。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、同じ輝度であればより低消費電力な、或いは、同じ消費電力であればより高輝度な液晶表示装置を提供することを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる液晶表示装置は、画素開口部において液晶分子の配向方向が所望の方向と異なり透過率が低くなる領域に光を反射する反射手段を有することを特徴とする。本発明にかかる液晶表示装置は、薄膜トランジスタTFTが形成されたTFT基板と、該TFT基板に対向する対向基板との間に液晶層を挟持し、前記TFT基板に画素電極と共通電極とが絶縁層を介して積層され、前記画素電極と前記共通電極のうち、前記液晶層から離れた電極は平面状に形成され、前記液晶層に近い電極は、複数のスリットが形成されており、液晶表示パネルと、該液晶表示パネルの光源となる照明手段と、を有する液晶表示装置において、前記液晶表示パネルは、平面視で前記スリットの長手方向における端部及びその近傍、かつ該スリットの内側領域に重なる前記照明装置バックライト側の面に形成された光を反射する反射手段を有してなることを特徴とする。本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記反射手段は、金属層であり、該反射手段を形成する金属層とは別の金属層と離れて形成されてなることを特徴とする。本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記反射手段は、スリットの長手方向の端部からの距離が、0より大きく4μm以下の範囲で形成されることを特徴とする。本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記反射手段は、スリットの長手方向の端部からの距離が、透過率向上率の最大値を得ることができる2μm以上4μm以下の範囲で形成されることを特徴とする。本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、スリットの長手方向の端部は、該スリットの短手方向の幅を形成する一対の辺の一方の辺が他方の辺に向けて傾斜して先細りした形状であり、前記反射手段は、前記一対の辺のうち、傾斜した辺とは別の辺側から前記スリットの短手方向幅のほぼ中心位置まで形成されることを特徴とする。本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記反射手段は、平面状に形成された基部と、前記基部から突出して形成された複数の突出部と、を有し、前記複数の突出部の各突出部は、前記傾斜した辺とは別の辺側から前記スリットの短手方向の幅のほぼ中心位置まで重なって形成されることを特徴とする。本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、スリットの長手方向の端部近傍で屈曲して先細りした形状であり、前記反射手段は、平面状に形成された基部と、前記基部から突出して形成された複数の突出部と、を有し、前記複数の突出部の各突出部は、前記スリットの短手方向の幅のほぼ中心に先端が位置する楔形に形成されていることを特徴とする。本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記スリットは、屈曲して形成され、前記反射手段は、前記スリットの屈曲した部分に重なって形成されることを特徴とする。本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記液晶表示パネルは、前記液晶表示パネルの表示面側に配置される表面側偏光板と、前記液晶表示パネルの前記照明手段側の面に配置される背面側偏光板と、前記背面側偏光板の前記照明手段側の面に配置され、前記背面側偏光板の透過軸方向の直線偏光を透過し、前記背面側偏光板の吸収軸方向の直線偏光を反射する反射型偏光板と、を有することを特徴とする。本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記液晶表示パネルは、前記照明手段側に屈折率の異なる層が積層された積層構造である下地層をさらに有してなることを特徴とする。本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記反射手段は、前記液晶表示パネルの走査信号線が形成される層と同一の層に形成されることを特徴とする。本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記反射手段は、前記液晶表示パネルの画素電極と一体的に形成されてなることを特徴とする。本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記反射手段は、前記別の金属層と異なる層であって、なおかつ、照明装置バックライト側となる位置に形成されてなることを特徴とする。本発明にかかる液晶表示装置は、上記の発明において、前記反射手段は、前記液晶表示パネルの映像信号線と重なる部分であって、なおかつ、照明装置バックライト側となる位置にさらに形成されてなることを特徴とする。本発明にかかる液晶表示装置は、これを構成する液晶表示パネルにおいて、液晶分子の配向方向が所望の方向と異なることに起因して透過率が低くなる領域ドメインの照明装置バックライト側の面に光を反射する反射手段を有する。このため、従来、十分に利用できなかったドメイン領域に入射していた照明光を有効に利用することができるため、より高い輝度、もしくは、より低消費電力な液晶表示装置を実現できる。以下、図面を参照して、本発明にかかる液晶表示装置の好適な実施の形態を詳細に説明する。実施の形態1図1は、本発明の実施の形態1にかかる液晶表示装置1の構成を示した模式図である。液晶表示装置1は、液晶表示パネル10と、データ駆動回路11と、走査駆動回路12と、バックライト20と、制御部30とを有する。液晶表示パネル10は、図中Y方向に延びる複数本の映像信号線DLDL1,...,DLi,...,DLn:ただしi,nは自然数と、図中X方向に延びる複数本の走査信号線GLGL1,...,GLj,...,GLm:ただしj,mは自然数とを有する。液晶表示パネル10は、中央部を含む領域に表示領域ARが設けられている。データ駆動回路11は、複数本の映像信号線DLのそれぞれに入力する映像信号階調電圧を生成するものである。走査駆動回路12は、複数本の走査信号線GLに走査信号を順次入力するものである。データ駆動回路11および走査駆動回路12は、例えば、液晶表示パネル10上に設けられ、液晶表示パネル10と電気的に接続されている。バックライト20は、発光ダイオード等によって実現され、照明手段として液晶表示パネル10の背面側から光を照射するものである。また、バックライト20は、図示しない反射シートを有する。この反射シートは、発光ダイオード等が発した光を効率よく液晶表示パネル10に向けて反射するものである。制御部30は、半導体集積回路等によって実現され、データ駆動回路11、走査駆動回路12、およびバックライト20を含む液晶表示装置1の各部と電気的に接続され、液晶表示装置1全体の動作を制御する。次に、液晶表示パネル10の画素PIXの構成を説明する。図2は、図1に示した液晶表示パネル10の表示領域ARの等価回路図である。液晶表示パネル10は、図2に示すように、隣接する一対の走査信号線GLと隣接する一対の映像信号線DLとで囲まれる領域に画素PIXがある。各画素PIXには、薄膜トランジスタTFTが設けられている。また、各画素PIXは、画素電極MITと、共通電極CTCT1,...,CTj,...,CTm:ただしj,mは自然数と、これら電極に挟まれた絶縁層により形成される蓄積容量である容量素子Cstと、液晶層により形成される容量素子Clcと、を有する。ここで、図3および図4を用いて液晶表示パネル10について詳細に説明する。図3は、液晶表示パネル10のTFT基板40を画素電極MITが形成された面からみた平面図である。図4は、図3に示したTFT基板のA-A’線にそった液晶表示パネル10の断面図である。液晶表示パネル10は、図4に示すように、TFT基板40および対向基板50と、TFT基板40および対向基板50に挟持される液晶層60と、一対の偏光板である表面側偏光板70および背面側偏光板80と、反射型偏光板90とを有する。TFT基板40は、ガラス基板等の絶縁基板SUB1の液晶層60側の面上に走査信号線GLおよび反射手段13,100が形成されている。走査信号線GLは、導電性の金属材料からなる。反射手段13,100は、走査信号線GLと同層の金属材料からなり、バックライト20から照射された光をバックライト20側に向けて反射するものである。後述する輝度向上効果を高めるため、反射手段13,100は反射率が高い金属材料が好ましい。具体的には、反射手段としてアルミニウム、もしくはアルミニウムと銅、またはアルミニウムとネオジウムとの合金が適用できる。さらに反射率が高い反射手段を実現するため銀やその合金を用いることができる。反射手段13は、図3に示すように、映像信号線DLに平面視で重なる部分に設けられている。ここで図3に示すように、電極に形成されたスリットがその長手方向の端部において閉じている領域を便宜上、電極の連結部CONと称する。反射手段100は、平面視で連結部CON側、すなわちスリットSLの長手方向の端部及びその近傍や、該スリットSLの長手方向の端部近傍であって、なおかつ、該スリットSLの内側領域に重なるバックライト20側の面に形成され、反射手段として光を反射する。この反射手段100は、矩形状に形成された金属層であり、反射手段100と別の金属層、例えば、同層に形成されている走査信号線GLとは離れて配置されている。また、反射手段100は、必要に応じて遮光膜BM、図示しないスペーサ等が配置される非開口部に相当する位置に、平面視で重なる位置にも配置される。このため、液晶表示パネルに入射する照明光のうち、反射手段13,100に入射する光はバックライト20側に反射する。バックライト20側に反射した光は、バックライト20の図示しない反射シート等の構成部材によって、液晶表示パネル10に向けて反射されて再利用される。絶縁基板SUB1の表面には、走査信号線GLを被って絶縁膜GIが形成され、この絶縁膜GIは後述の薄膜トランジスタTFTの形成領域においてゲート絶縁膜として機能するようになっている。絶縁膜GIの表面であって走査信号線GLの一部に重畳する薄膜トランジスタTFTの形成領域に、例えば、アモルファスSiからなる半導体層ASが島状に形成されている。薄膜トランジスタTFTは半導体層ASの表面に、互いに対向配置されたドレイン電極DT、ソース電極STが形成されることにより、走査信号線GLの一部をゲート電極とするトランジスタが構成されるようになっている。絶縁基板SUB1の表面には映像信号線DLが形成され、この映像信号線DLの一部を半導体層ASの表面に延在させることにより、延在部を薄膜トランジスタTFTのドレイン電極DTとするようになっている。また、ドレイン電極DLの形成の際に、薄膜トランジスタTFTのソース電極STが形成され、このソース電極STは半導体層ASの形成領域を超えて画素領域に延在するパッド部PDを具備して構成されている。このパッド部PDは、後述の画素電極MITと電気的に接続される部分として構成される。絶縁基板SUB1の表面には映像信号線DL等を被って絶縁膜PASが形成されている。この絶縁膜PASは、例えば、無機絶縁膜からなる保護膜PAS1および有機絶縁膜からなる保護膜PAS2の積層構造である。絶縁膜PASの表面には、各共通電極CTが形成される。この共通電極CTは、例えば、ITOIndIiumTinOxideからなる透光性導電膜から構成されている。共通電極CTは、隙間のない一様の平面状、いわゆるベタ状に形成される。絶縁基板SUB1の表面には、共通電極CTをも被って、無機絶縁膜からなる絶縁膜LIが形成され、この絶縁膜LIの上面には各画素領域毎に画素電極MITが形成されている。絶縁膜LIは画素電極MITと共通電極CTとの層間絶縁を図る機能を有する。画素電極MITの一部は、絶縁膜LIおよび絶縁膜PASに形成されたスルーホールTHを介してソース電極STのパッド部PDに電気的に接続されるようになっている。画素電極MITは、例えばITOからなる透光性導電膜からなり、両端部が閉じたスリットSLが形成されている。この、画素電極MITのスリットSL形状は、透過率が低くなる領域ドメインが小さくなること、及び、外力によってドメインが移動、発達しにくい構造にすることが望ましい。例えばスリットSLの長手方向の端部形状を、スリットSLの短手方向の幅を形成する一対の辺の一方の辺が他方の辺に向けて傾斜し、先細りする傾斜先細り形状とすることが有効である。なお、ドメインに対する有効なスリットSLの形状は、傾斜先細り形状に限定されず、例えば、スリットSLの長手方向の端部近傍で屈曲し、さらに先細りする形状以下、クラブレッグcrableg形状という。がある。また、画素電極MITの表面、すなわちTFT基板40の液晶層60に接する面には、図示しない配向膜が形成されている。対向基板50は、ガラス基板等の絶縁基板SUB2の表面にブラックマトリクスと呼ばれる遮光膜BMおよびカラーフィルタCFが設けられる。遮光膜BMは、例えば、光透過率がほぼゼロの導体膜または絶縁膜をフォトリソグラフィ技術などによって加工し、各画素PIXの間に選択的に形成する。また、カラーフィルタCFは、フォトリソグラフィ技術、或いは印刷技術などを用いて、R赤色の表示を担うフィルタ、G緑色の表示を担うフィルタ、B青色の表示を担うフィルタが周期配列するように形成する。遮光膜BMおよびカラーフィルタCFの上には必要に応じてオーバーコート層OCを形成し、さらにオーバーコート層OCの上には図示しない配光膜が形成されている。表面側偏光板70は、絶縁基板SUB2の液晶層60とは反対側の面に配置されている。表面側偏光板70は、所定方向の直線偏光を吸収し、これと振動面が直交する直線偏光を透過する。すなわち、表面側偏光板は、所定の直線偏光を吸収する吸収軸と、この吸収される直線偏光に対して振動面が直交する直線偏光を透過する透過軸とを有する。背面側偏光板80は、絶縁基板SUB1の液晶層60とは反対側の面、すなわち液晶表示パネル10の背面側に配置されている。背面側偏光板80は、所定方向の直線偏光を吸収し、これと振動面が直交する直線偏光を透過する。すなわち、背面側偏光板80は、所定の直線偏光を吸収する吸収軸と、この吸収される直線偏光に対して振動面が直交する直線偏光を透過する透過軸とを有する。反射型偏光板90は、背面側偏光板80の液晶層60側の面とは反対側の面に貼り付けられている。反射型偏光板90は、背面側偏光板80の透過軸方向の直線偏光を透過し、背面側偏光板80の吸収軸方向の直線偏光を反射するものである。次に、反射手段100について詳細に説明する。反射手段100は、スリットSLの長手方向の端部からの距離Leが、所定の範囲となるように形成されてなる。ここで、図5および図6を用いて反射手段100が、スリットSLの長手方向の端部からの距離Leが所定の範囲となるように形成する理由について説明する。図5は、長手方向の寸法Sが37.5μmであるスリットSLの形状毎の透過率向上率と、スリットSLの長手方向の端部から反射手段100端部までの距離Leとの関係を示したグラフである。図6は、スリットSLの長手方向の寸法Sが75μmであるスリットSLの形状毎の透過率向上率と、スリットSLの長手方向の端部から反射手段100端部までの距離Leとの関係を示したグラフである。なお、図5および図6は、反射手段100の反射率が88の場合の計算値である。また、図5および図6において、縦軸が透過率向上率を示し、横軸がスリットSLの長手方向の端部から反射手段100端部までの距離Leを示している。また、図中のL1がスリットの形状が傾斜先細り形状のものを示し、L2がスリットの形状がクラブレッグ形状のものを示している。なお、図中のL3は、後述する本発明の実施の形態2の反射手段101を用いた場合を示したものである。図5および図6に示すように、スリットSLの長手方向の端部からの距離Leで規定すると、スリットSLが傾斜先細り形状の場合、スリットSL端部に形成した反射手段100による実効的な透過率向上効果が得られる距離Leの範囲T1は、0<Le≦4μmとなる。一方、スリットSLがクラブレッグ形状の場合、スリットSL端部に形成した反射手段100による実効的な透過率向上効果が得られる距離Leの範囲T2は、傾斜先細り形状の場合の範囲T1に比して広い範囲である。従って、距離Leが0<Le≦4μmの範囲であれば、スリットSL端部の形状によらず反射手段100による実効的な透過率向上効果を得ることができる。また、図5および図6に示すように、スリットSL端部に配置した反射手段100による透過率向上効果が高くなる範囲Tb透過率向上効果が最大となる距離Leを含む範囲は、2μm≦Le≦3μmであるので、この範囲にすることが望ましい。また、図5と図6とを比較すると、スリットSLの長手方向の寸法が長いほど、すなわち画素PIXサイズが大きいほどその効果が得られる距離Leの範囲が広くなる。しかしながら、より広い範囲で効果が得られるクラブレッグ形状のものであっても、距離Leが6μmより大きくなると効果が得られなくなる。このため、反射手段100が複数のスリットSL端部を一様に覆う場合には、距離Leを少なくとも6μm以下にすることが必要である。また、スリットSLの長手方向の寸法が長いほど、透過率向上率自体は低くなるのでこれを考慮した最適設計を施すと良い。本発明の実施の形態1の液晶表示装置1では、液晶表示パネル10が、平面視でスリットSLの長手方向の端部及びその近傍や、スリットSLの内側領域に重なるバックライト20側の面に反射手段100を有する。つまり、液晶分子の配向方向が所望の方向と異なることに起因して透過率が低くなる領域ドメインの照明装置バックライト側の面に光を反射する反射手段を有する。このため、従来、ドメイン領域に入射し、損失していた照明光をバックライト側へ反射し、再利用することで有効利用できるため、より高い輝度、もしくは、より低消費電力な液晶表示装置を実現できる。また、本発明の実施の形態1の液晶表示装置1では、反射手段100が、該反射手段100を形成する金属層とは別の金属層と分離して形成される。つまり、反射手段100は他の電極を形成する金属層とは電気的に分離されているため、液晶の駆動などに悪影響を与えることがない。また、本発明の実施の形態1の液晶表示装置1では、反射手段100が、液晶表示パネルを構成する絶縁基板SUB1上において最もバックライト20に近い位置に形成される。つまり、バックライト20から照射された光は液晶表示パネル10のバックライト20により近い位置でバックライト20側に反射させることができる。このため、より減衰の少ない光をバックライト20側に反射し、再利用することでより高い輝度を実現できる。また、本発明の実施の形態1の液晶表示装置1では、反射手段100が、走査信号線GLを形成する層、すなわち既存の金属層によって形成できる。このため、走査信号線GLと同一工程で、反射手段100形成することができ、結果的に製造コストを増加させることなく反射手段100を形成することができる。実施の形態2次に、本発明の実施の形態2について図7および図8を用いて説明する。図7は、本発明の実施の形態2の液晶表示装置2のTFT基板41を画素電極MITが形成された面からみた平面図である。図8は、スリットSLの長手方向の端部の形状と等透過率線図を併記した図である。なお、図8における等透過率線図は、駆動時の液晶の配向状態で決まる表示の効率、すなわち、偏光板等の部材での吸収を一切考慮せず、液晶の配向状態のみで決まる透過率液晶の配向状態が理想状態の場合を100とするを示す。この実施の形態2の液晶表示装置2のTFT基板41は、反射手段100に代わって、反射手段101が設けられている点で実施の形態1の液晶表示装置1と構成が異なる。この反射手段101は、傾斜先細り形状のスリットSLによって定まる透過率分布に対応させて形成されてなる。なお、上述した実施の形態と同一構成部分には同一符号を付している。図8に示すように、スリットSLの長手方向の端部およびその周辺では液晶の配向状態が不均一であることを反映して透過率の分布が不均一である。このため、反射手段101の形状をスリットSL端部の形状に応じて適切な形状にすることで、透過率の低い領域を効果的に被覆することが可能となる。スリットSLの長手方向の端部形状は、図7に示すように、実施の形態1と同様の形状である。すなわち、スリットSLの長手方向の端部形状は、スリットSLの短手方向の幅W1を形成する一対の辺の一方の辺が他方の辺に向けて傾斜した先細りした形状である。反射手段101は、図示のようにスリットの端部を形成する辺のうち、傾斜した辺とは別の辺側からスリットSLの短手方向の幅W1のほぼ中心位置まで形成されている。より具体的には、反射手段101は、平面状に形成された矩形状の基部101aと、基部101aから矩形状に突出して形成された矩形突出部101bと、を有する。矩形突出部101bは、傾斜した辺とは別の辺側からスリットSLの短手方向の幅W1のほぼ中心位置まで形成されている。すなわち、矩形突出部101bは、スリット内においてスリット幅W1の半分程度と重なるように形成される。この反射手段101は、図8に示した透過率の低い領域を効率良く被覆している。具体的には、スリットSLの短手方向における矩形突出部101bの幅W2は、透過率が30以下となる領域を被覆する幅、すなわちスリットSLの幅W1と同程度、あるいはスリットSLの幅W1よりやや小さい幅にすると良い。このような反射手段101を設けた場合、図5および図6のL3に示すように、スリットSLの長手方向の形状が同じ傾斜先細り形状であるL1と比較すると、透過率向上効果が得られる反射手段の大きさ、すなわち、反射手段のスリットSL端部からの距離Leの範囲が2μm以上広がる。例えば、図5によると、0<Le≦6.8μmの範囲T3であれば効果が得られる。換言すると本実施の形態では反射手段とスリットSL端部の位置ずれに対する尤度が広がるという効果が得られる。この実施の形態2の液晶表示装置2は、反射手段101が、図8に示した透過率分布に対応した形状に形成されてなるので、すなわちスリットSLの形状により変化する透過率分布に対応した形状に形成されてなるので、より高い透過率向上効果が得られる。実施の形態3次に、本発明の実施の形態3について図9および図10を用いて説明する。図9は、本発明の実施の形態3の液晶表示装置3のTFT基板42を画素電極MITが形成された平面からみた平面図である。図10は、スリットSL端部の形状と等透過率線図を併記した図である。なお、図10における等透過率線図は、駆動時の液晶の配向状態で決まる表示の効率、すなわち、偏光板等の部材での吸収を一切考慮せず、液晶の配向状態のみで決まる透過率液晶の配向状態が理想状態の場合を100とするを示すものである。この実施の形態3の液晶表示装置3のTFT基板42は、クラブレッグ形状のスリットSLを有してなり、反射手段100に代わって、反射手段102が設けられている点で実施の形態1の液晶表示装置1と構成が異なる。この反射手段102は、クラブレッグ形状のスリットSLによって定まる透過率分布に対応させて形成されてなる。なお、上述した実施の形態と同一構成部分には同一符号を付している。反射手段102は、図9に示すように、平面状に形成された矩形状の基部102aと、基部102aから楔形状に突出して形成された楔形突出部101bと、を有する。楔形突出部101bは、スリットSLの短手方向の幅W1のほぼ中心に先端が位置する楔形に形成されている。この実施の形態3の液晶表示装置3は、反射手段102が、図10に示した透過率分布に対応した形状に形成されてなるので、すなわちスリットSLの形状により変化する透過率分布に対応した形状に形成されてなるので、より高い透過率向上効果が得られる。実施の形態4次に、本発明の実施の形態4について図11を用いて説明する。図11は、本発明の実施の形態4の液晶表示装置4のTFT基板43を画素電極MITが形成された平面からみた平面図である。この実施の形態4の液晶表示装置4は、マルチドメイン方式を採用したものである。この液晶表示装置4は、画素電極MITのスリットSLを画素電極MITの中央部で分離させて異なる方向に向けることで、電界印加時の液晶の配向変化を変化させるものである。なお、この実施の形態4の液晶表示装置4は、スリットSL端部の形状が半円形状である。図11に示すように、画素電極MITのスリットSLは画素PIXの中央部で分離しており、画素PIXの中央部の線S1に対して線対称となるような方向にそれぞれ傾いている。スリットSLの傾き角度は、映像信号線DLの延在方向に対し、それぞれ±5°~15°である。この実施の形態4の液晶表示装置4のTFT基板43では、画素PIXの中央部の線S1を覆う位置に反射手段103が設けられている。なお、上述した実施の形態と同一構成部分には同一符号を付している。反射手段103は、スリットSLの分離部分である画素PIXの中央部で、線S1に略対称となるように形成されてなる。この反射手段103は、平面視で画素PIXの中央部の線S1を覆い、なおかつ、隣接するスリットの長手方向の端部近傍、かつ該両スリットの内側領域の一部に重なる照明装置バックライト側の面に形成された金属層である。また、反射手段103は反射手段103とは別の金属層、例えば、同層に形成されている走査信号線GLとは分離して配置されている。この反射手段103は、実施の形態1の反射手段100と同様に矩形状に形成されている。この実施の形態4の液晶表示装置4では、スリットSLの長手方向の端部や画素中央部のスリットSLが分離されている部分に液晶分子が所望の方向に配向せず、透過率が低くなる領域ドメインが生じる。本実施の形態においても透過率が低くなってしまう領域ドメインに反射手段を形成する。このため、従来、ドメイン領域に入射し、損失となっていた照明光を照明装置バックライト側へ反射し、再利用することで有効利用できるため、より高い輝度、もしくは、より低消費電力な液晶表示装置を実現できる。なお、この実施の形態4の液晶表示装置4は、スリットSLの端部の形状が半円形状であるものを例示したが、スリットSLの端部の形状が半円形状の場合、傾斜先細り形状のスリットSLによって定まる透過率分布と略等しい分布を示すため、反射手段103のスリットSLの端部からの距離Leは、反射手段100と同様に設定すればよいだろう。実施の形態5次に、本発明の実施の形態5について図12を用いて説明する。図12は、本発明の実施の形態5の液晶表示装置5のTFT基板44を画素電極MITが形成された平面からみた平面図である。この実施の形態5の液晶表示装置5は、実施の形態4の液晶表示装置4と同様に画素電極MITのスリットを画素PIXの中央部で分離させたマルチドメイン方式を採用したものである。実施の形態5の液晶表示装置5のTFT基板44には、反射手段104が設けられている。なお、上述した実施の形態と同一構成部分には同一符号を付している。反射手段104は、スリットSLの分離部分である画素PIXの中央部を覆う位置に形成されてなる。この反射手段104は、平面視で画素PIXの中央部の線S1を覆い、なおかつ、隣接するスリットの長手方向の端部近傍、かつ該両スリットの内側領域の一部に重なる照明装置バックライト側の面に形成された金属層である。また、反射手段104は反射手段104とは別の金属層、例えば、同層に形成されている走査信号線GLとは分離して配置されている。この反射手段104は、反射手段101と同様の形状が線S1に対し、略線対称に形成されてなる。このため、反射手段104のスリットSLの端部からの距離Leは、反射手段101と同様に設定される。この実施の形態5の液晶表示装置5は、上記実施の形態4と同様にスリットSLの長手方向の端部や画素中央部のスリットSLが分離されている部分に液晶分子が所望の方向に配向せず、透過率が低くなる領域ドメインを生じるが、反射手段104や反射手段101が透過率が低くなる領域ドメインに形成される。このため、従来、ドメイン領域に入射し、損失となっていた照明光を照明装置バックライト側へ反射し、再利用することで有効利用できるため、より高い輝度、もしくは、より低消費電力な液晶表示装置を実現できる。実施の形態6次に、本発明の実施の形態6について図13を用いて説明する。図13は、本発明の実施の形態6の液晶表示装置6のTFT基板45を画素電極MITが形成された平面からみた平面図である。この実施の形態6の液晶表示装置6は、マルチドメイン方式を採用したものである。すなわち、液晶表示装置6は、画素電極MITのスリットSLが画素PIX中央部で屈曲した形状である。このように、スリットSLが画素PIX中央部で屈曲した形状の場合、スリットSLの端部だけでなく、スリットSLの屈曲部でもドメイン透過率が低くなる領域が生じる。この実施の形態6の液晶表示装置6のTFT基板45は、反射手段105が設けられている。なお、上述した実施の形態と同一構成部分には同一符号を付している。反射手段105は、画素電極MITのスリットSLが屈曲する位置線S2上を含む領域であって、なおかつ、照明装置バックライト側の面に形成された金属層である。反射手段105は反射手段105とは別の金属層、例えば、同層に形成されている走査信号線GLと分離して配置されている。この反射手段105は、スリットSLの屈曲部分である画素PIXの中央部で、線S2に略対称に形成されてなる。この実施の形態6の液晶表示装置6では、スリットSLが屈曲する位置及びその近傍において液晶分子が所望の方向に配向せず、透過率が低くなる領域ドメインを生じる。反射手段105は透過率が低くなる領域ドメインに形成されるため、従来、ドメイン領域に入射し、損失となっていた照明光を照明装置バックライト側へ反射し、再利用することで有効利用できるため、より高い輝度、もしくは、より低消費電力な液晶表示装置を実現できる。なお、反射手段105の大きさは、スリットSLの屈曲部、すなわち線S2からの距離Lcで規定することができる。この距離Lcは、例えば0<Lc≦4μmの範囲から選択することで輝度向上の効果が得られる。実施の形態7次に、本発明の実施の形態7について図14および図15を用いて説明する。図14は、本発明の実施の形態7の液晶表示装置7のTFT基板46を画素電極MITが形成された平面からみた平面図である。図15は、図14に示したTFT基板46のB-B’線にそった液晶表示パネル16の断面図である。この実施の形態7の液晶表示装置7の液晶表示パネル16は、コモントップ構造と称される構造である。より具体的には、液晶表示パネル16は、画素電極MITとソース電極STとがスルーホールTHを介さず直接接続し、画素電極MITよりも共通電極CTが液晶層60の近くに形成されてなる構造である。また、コモントップ構造では、画素電極MITが平面状に形成され、共通電極CTにはスリットが形成される。この実施の形態7の液晶表示装置7のTFT基板46は、反射手段106が設けられている。なお、上述した実施の形態と同一構成部分には同一符号を付している。反射手段106は、平面視で共通電極のスリットSLの長手方向の端部及びその近傍や該スリットSLの内側領域に一部重なるバックライト20側の面に形成された金属層である。反射手段106は反射手段106と別の金属層、例えば、同層に形成されている走査信号線GLと離れて配置されている。この実施の形態7の液晶表示装置7においても、液晶分子の配向方向が所望の方向と異なることに起因して透過率が低くなる領域ドメインの照明装置バックライト側に光を反射する反射手段106を有する。このため、従来、ドメイン領域に入射し、損失となっていた照明光をバックライト側へ反射し、再利用することで有効利用できる。つまり本実施の形態の様なコモントップ構造においても、実施の形態1の液晶表示装置1と同様、より高い輝度、もしくは、より低消費電力な液晶表示装置を実現できる。実施の形態8次に、本発明の実施の形態8について図16を用いて説明する。図16は、本発明の実施の形態8の液晶表示装置8の液晶表示パネル17の要部断面図である。この実施の形態8の液晶表示装置8は、実施の形態1の液晶表示装置1にさらに下地層200を有してなる。なお、上述した実施の形態と同一構成部分には同一符号を付している。下地層200は、絶縁基板SUB1と反射手段100との間、すなわち、液晶表示パネル10のバックライト20側の表面に形成されている。この下地層200は、屈折率の異なる層が積層された積層構造である。より具体的には、下地層200は、バックライト20側から液晶層60に向けて高屈折率層201、低屈折率層202の順で積層された2層構造である。高屈折率層201は、絶縁基板SUB1に比して高屈折率な層である。また、低屈折率層202は、高屈折率層201に比して屈折率が低い層である。ここで、反射手段100が、アルミニウム材からなり、例えば、高屈折率層201が厚さ100nmのSiNx窒化シリコンであり、低屈折率層202が厚さ50nmのSiОx酸化シリコンである場合、反射手段100の反射率は下地層200がない場合と比較して約5向上する。より具体的には、反射手段100が、アルミニウム材からなり、下地層200が無い場合、反射手段100の反射率が88.5であったものが、反射手段100が、アルミニウム材からなり、下地層200がある場合、反射手段100の反射率が92.7に向上する。この実施の形態8の液晶表示装置8は、下地層200によって液晶表示パネル17の裏面反射率が高くなり、より大きな輝度向上効果が得られる。また、この下地層200は、高屈折率層201としてSiNxを用いる場合、薄膜トランジスタTFTがLTPSポリシリコンを半導体層とする場合に絶縁基板SUB1からしみ出すイオンの抑制手段としている下地層と兼用することができるので、製造コストを増加させることなく、より大きな輝度向上効果を得ることができる。なお、この実施の形態8でが下地層200がバックライト20側から液晶層60に向けて高屈折率層201、低屈折率層202の順で積層された2層構造であるものを例示したが、これに限らない。すなわち、下地層200は、屈折率の異なる層が積層された積層構造であれば、その他の積層構造であってもよい。実施の形態9次に、この発明の実施の形態9について図17および図18を用いて説明する。図17は、本発明の実施の形態9の液晶表示装置9の液晶表示パネル18のTFT基板47を画素電極MITが形成された平面からみた平面図である。図18は、図17に示したTFT基板47のC-C’線にそった液晶表示パネル18の断面図である。この実施の形態9の液晶表示パネル18は、実施の形態7の液晶表示パネル16と同様に、コモントップ構造と称される構造である。この実施の形態9の液晶表示装置7のTFT基板47は、反射手段107が設けられている。なお、上述した実施の形態と同一構成部分には同一符号を付している。反射手段107は、ソース電極STと同層の金属層を利用して形成し、平面視で共通電極のスリットSLの長手方向の端部及びその近傍と該スリットSLの内側領域の一部に重なるように形成されてなる。すなわち、反射手段107は、画素電極MITと電気的に接続されており、その一部TFT側の反射手段107はソース電極STと一体的に形成されてなる。この実施の形態9の液晶表示装置9も、液晶分子の配向方向が所望の方向と異なることに起因して透過率が低くなる領域ドメインの照明装置バックライト側には光を反射する反射手段107を備える。このため、従来、ドメイン領域に入射し、損失となっていた照明光を照明装置バックライト側へ反射し、再利用することで有効利用できる。つまり本実施の形態の様なコモントップ構造においても、実施の形態1の液晶表示装置1と同様、より高い輝度、もしくは、より低消費電力な液晶表示装置を実現できる。しかも、ソース電極STと同一工程で、反射手段107を形成することができるので、製造コストを増加させることなく反射手段107を形成することができる。さらに、本実施の形態では、反射手段の電位が画素電極と同電位となるため、液晶の駆動に悪影響を与えることがないという利点がある。実施の形態10次に、本発明の実施の形態10について図19および図20を用いて説明する。図19は、本発明の実施の形態10の液晶表示装置14のTFT基板48を画素電極MITが形成された平面からみた平面図である。図20は、図19に示したTFT基板48のD-D’線にそった液晶表示パネル19の断面図である。この実施の形態10の液晶表示装置14のTFT基板48は、反射手段108が走査信号線GLや映像信号線DLなどの金属層とは異なる層に形成されてなる。すなわち、TFT基板48には、反射手段108のみを形成する層が設けられている。なお、上述した実施の形態と同一構成部分には同一符号を付している。より具体的には、反射手段108は、図20に示すように、平面視でスリットSLの長手方向の端部及びその近傍やスリットSLの内側領域に一部が重なるようにバックライト20側の面に形成された層であり、反射手段108と別の金属層とは異なる層に形成されてなる。この実施の形態10では、反射手段108は、絶縁膜PAS3を介して、最も照明装置バックライトに近い位置に層に形成されてなる。また、反射手段108は、遮光膜BMや図示しないスペーサが配置される非開口部に相当する位置に、平面視で重なる位置にも形成される。この実施の形態10の液晶表示装置14では、反射手段108として金属層を用いた場合、別の金属層とは電気的に分離されているため、液晶の駆動などに悪影響を与えることがない。また、上記実施の形態と同様、液晶分子の配向方向が所望の方向と異なることに起因して透過率が低くなる領域ドメインの照明装置バックライト側に光を反射する反射手段を備えることになる。このため、従来、ドメイン領域に入射し、損失となっていた照明光を照明装置バックライト側へ反射し、再利用することで有効利用できる。つまり、実施の形態1の液晶表示装置1と同様、より高い輝度、もしくは、より低消費電力な液晶表示装置を実現できる。しかも、反射手段108として独立した層を備えるため反射手段108の形成領域の自由度が増してより効率よく透過率が低い領域に反射手段を配置することができる。このためより高い輝度向上効果を得ることができる。尚、本発明の実施の形態1-10の液晶表示装置1-10では、スリットSLの長手方向の両端部が閉じている電極MIT,CTの場合を例示したが、本発明はこれに限定されない。すなわち、スリットSLの両端部のうち一端が閉じ、他端が開いている櫛歯状の電極MIT,CTを用いてもよい。さらに、共通電極と画素電極が同層に形成された横電界方式の液晶表示装置であってもよい。また、本発明の実施の形態1-10の液晶表示装置1-10では、例示したように反射型偏光板90を有するものが好ましい。これは、以下の理由による。反射手段で反射した光は照明装置バックライトへ戻り、再び液晶表示パネルへ向かう際、その偏光状態が変化する。このため、再び液晶表示パネルへ向かった光は反射型偏光板90が無い場合にはその一部が背面側偏光板80で吸収され損失となる。これに対し、反射型偏光板90を設けると照明装置バックライトから再び液晶表示パネルへ向かう光はその偏光状態が変化していても、背面側偏光板80で吸収される前に反射型偏光板90で反射して再利用されるからである。ただし、これに限らず、反射型偏光板90を有しないものであってもよい。また、本発明の実施の形態1-10の液晶表示装置1-10では、平面視で映像信号線DLに重なるバックライト20側の面に反射手段13を形成するものを例示した。しかし本発明は、平面視で、電極のスリットSLの長手方向の端部及びその近傍やスリットSLの内側領域に一部重なる位置に反射手段を形成すればよく、映像信号線DLに重なる部分には必要に応じて反射手段13を形成しなくてもよい。また、本発明の実施の形態1-10の液晶表示装置1-10では、反射手段100-108が、矩形状、矩形突出部101bを有する形状、あるいは楔形突出部102bを有する形状であるものを例示したが、これに限らず、透過率が低い領域に効果的に重なるような形状であれば、その他の形状であってもよい。また、本発明の実施の形態1-10の液晶表示装置1-10では、反射手段100-108が金属層であるものを例示したが、これに限らず、光を反射することが可能なものであればその他の材料からなる層を形成するようにしてもよい。例えば、反射手段100-108が誘電体多層膜からなるものであってもよい。以上、本発明者によってなされた発明を、上述した発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、上述した発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。"