酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をX線回折したとき、Zn2SnO4相を主相とし、ZnSnO3にInおよび/またはIn2O3が固溶したIn/In2O3-SnO3固溶体を有し、ZnxInyOz相x、y、zは任意の正の整数であるは検出されないものであることを特徴とする酸化物焼結体。前記酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[Sn]、[In]としたとき、[Zn][Sn][In]に対する[In]の比、[Zn][Sn]に対する[Zn]の比、[Zn][Sn]に対する[Sn]の比は、それぞれ下式を満足するものである請求項1に記載の酸化物焼結体。[In]/[Zn][Sn][In]=0.01~0.30[Zn]/[Zn][Sn]=0.50~0.75[Sn]/[Zn][Sn]=0.25~0.50[Zn][Sn][In]に対する[In]の比、[Zn][Sn]に対する[Zn]の比、[Zn][Sn]に対する[Sn]の比は、それぞれ下式を満足するものである請求項2に記載の酸化物焼結体。[In]/[Zn][Sn][In]=0.10~0.30[Zn]/[Zn][Sn]=0.50~0.67[Sn]/[Zn][Sn]=0.33~0.50前記酸化物焼結体をX線回折したとき、Zn2SnO4相の311面の最大ピークI1と、In2O3相の104面の最大ピークI2との強度比I2/I1は、I2/I1≦0.5を満足するものである請求項1~3のいずれかに記載の酸化物焼結体。相対密度90以上、比抵抗1Ωcm以下である請求項1~4のいずれかに記載の酸化物焼結体。請求項1~5のいずれかに記載の酸化物焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲットであって、相対密度90以上、比抵抗1Ωcm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。表示装置用酸化物半導体膜の製造に用いられるスパッタリングターゲットおよびその素材である酸化物焼結体は、導電性に優れ、且つ高い相対密度を有することが望まれている。また上記スパッタリングターゲットを用いて得られる酸化物半導体膜は、高いキャリア移動度を有することが望まれている。更に生産性や製造コストなどを考慮すると、高周波RFスパッタリング法でなく、高速成膜が容易な直流スパッタリング法で製造可能なスパッタリングターゲットの提供が望まれている。しかしながら、前述した特許文献1は高密度化という観点から検討されたものではなく、直流放電を安定継続して実施するには不十分であった。また特許文献2は、酸化物焼結体の導電性を向上するという観点から検討されたものではなく、やはり、直流放電を安定継続して実施するには不十分であった。一方、前述した特許文献3は、高密度化および高導電性の観点から検討されたものであるが、絶縁性の高いGa2O3相をスパッタリングターゲット中に含有しており、薄膜の半導体特性が損なわれるため、スパッタリングターゲット面内での均質性、および膜質安定性を確保するには不十分であった。また、特許文献4は、生産性に劣るRFスパッタリング法を前提としたものであり、大型ガラス基板上などの大量生産への適用は困難である。また、用途との関係でいえば、前述した特許文献1~4、更には上記特許文献5に記載のスパッタリングターゲットはいずれも、透明導電膜の成膜に用いられるものであり、TFTの酸化物半導体薄膜の成膜への適用を考慮したものではない。そのため、例えば上記特許文献5では、透明導電膜に要求される特性耐熱性や導電性などの観点からスパッタリングターゲット中の金属の組成比を制御しており、スパッタリングターゲット中のIn比を高い領域好ましくは0.31~0.49、Zn比を低い領域好ましくは0.21~0.45、Sn比を低い領域好ましくは0.15~0.3に制御しているが、このようなスパッタリングターゲットを用いても、キャリア移動度が高く、TFTスイッチング特性に優れた酸化物半導体薄膜を得ることは容易でない。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供することにある。上記課題を解決し得た本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をX線回折したとき、Zn2SnO4相を主相とし、ZnSnO3にInおよび/またはIn2O3が固溶したIn/In2O3-ZnSnO3固溶体を有し、ZnxInyOz相x、y、zは任意の正の整数であるは検出されないものであるところに要旨を有するものである。本発明の好ましい実施形態において、前記酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[Sn]、[In]としたとき、[Zn][Sn][In]に対する[In]の比、[Zn][Sn]に対する[Zn]の比、[Zn][Sn]に対する[Sn]の比は、それぞれ下式を満足するものである。[In]/[Zn][Sn][In]=0.01~0.30[Zn]/[Zn][Sn]=0.50~0.75[Sn]/[Zn][Sn]=0.25~0.50本発明の好ましい実施形態において、[Zn][Sn][In]に対する[In]の比、[Zn][Sn]に対する[Zn]の比、[Zn][Sn]に対する[Sn]の比は、それぞれ下式を満足するものである。[In]/[Zn][Sn][In]=0.10~0.30[Zn]/[Zn][Sn]=0.50~0.67[Sn]/[Zn][Sn]=0.33~0.50本発明の好ましい実施形態において、前記酸化物焼結体をX線回折したとき、Zn2SnO4相の311面の最大ピークI1と、In2O3相の104面の最大ピークI2との強度比I2/I1は、I2/I1≦0.5を満足するものである。本発明の好ましい実施形態において、前記酸化物焼結体の相対密度は90以上であり、比抵抗は1Ωcm以下である。また、上記課題を解決し得た本発明のスパッタリングターゲットは、上記のいずれかに記載の酸化物焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲットであって、相対密度は90以上であり、比抵抗は1Ωcm以下であるところに要旨を有するものである。本発明によれば、低い比抵抗と、高い相対密度を有する酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを、希少金属のIn量を低減しても得られるため、原料コストを大幅に削減できる。また、本発明によれば、直流放電安定性に優れ、面内の均質性および膜質安定性に優れたスパッタリングターゲットが得られる。本発明のスパッタリングターゲットを用いれば、キャリア移動度の高い酸化物半導体膜を、高速成膜が容易な直流スパッタリング法により、安価に且つ安定して成膜できるため、生産性が向上する。本発明者らは、酸化亜鉛と;酸化スズと;酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、高い導電性低い比抵抗と高い相対密度を有しており、直流スパッタリング法を適用可能であり、しかもキャリア移動度が高い酸化物半導体薄膜を成膜するのに適したスパッタリングターゲット用酸化物焼結体を提供するため、検討を重ねてきた。その結果、上記酸化物焼結体をX線回折したとき、Zn2SnO4相を主相とし、ZnSnO3にInおよび/またはIn2O3が固溶したIn/In2O3-ZnSnO3固溶体を有し、ZnxInyOz相x、y、zは任意の正の整数であるは検出されないような構成としたときに所期の目的が達成されることを見出した。詳細には、上記酸化物焼結体をX線回折したときの相構成について、アZnとSnは、これらが結合したZn2SnO4化合物主相、およびZnSnO3化合物として存在し、更にZnとSnの配合比によってはSnO2化合物またはZnO化合物として存在しても良く、イ一方、Inおよび/またはIn2O3は、ZnSnO3にInおよび/またはIn2O3が固溶したIn/In2O3-ZnSnO3固溶体を有しており、更にIn2O3の組成によっては、Zn2SnO4にInおよび/またはIn2O3が固溶したIn/In2O3-Zn2SnO4固溶体を形成していても良く、ウZnxInyOz相x、y、zは任意の正の整数であるは存在しないような相構成としたときに上記目的を達成し得ること、エそして、このような相構成を有する酸化物焼結体を得るためには、所定の焼結条件好ましくは非還元性雰囲気下にて、1350~1650°Cの温度で5時間以上焼成するを行なえば良いこと、を突き止めた。更に、直流電源によるプラズマ放電などの、直流スパッタリング法の適用を可能にするためには、オ上記焼結後の熱処理条件を、例えば還元性雰囲気下にて、1000°C以上で8時間以上に制御して行なうことが好ましく、これにより、酸化物焼結体の導電性が一層向上することも見出し、本発明を完成した。上記酸化物焼結体スパッタリングターゲットの組成に関して言えば、ZnOとSnO2を原料として用いたZTO系の酸化物半導体用酸化物焼結体に、In2O3を所定量加えることにより、酸化物焼結体の相対密度が向上し、且つ、比抵抗が低下するようになり、その結果、安定した直流放電が継続して得られることが判明した。更に、上記スパッタリングターゲットを用いて成膜された酸化物半導体薄膜を有するTFTは、キャリア密度が15cm2/Vs以上と、非常に高い特性が得られることも分かった。具体的には、酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量原子をそれぞれ、[Zn]、[Sn]、[In]としたとき、[Zn][Sn][In]に対する[In]の比は、[In]比=0.01~0.30、[Zn][Sn]に対する[Zn]の比、[Sn]の比は、[Zn]比=0.50~0.75、[Sn]比=0.25~0.50であることが好ましく;より好ましくは、[In]比=0.10~0.30、[Zn][Sn]に対する[Zn]の比、[Sn]の比は、[Zn]比=0.50~0.67、[Sn]比=0.33~0.50である。前述した特許文献5では、透明導電膜の成膜に適したスパッタリングターゲットの組成とするため、[In]比を上記範囲よりも多く、[Zn]比を上記範囲よりも低く、[Sn]比を上記範囲よりも低く設定しており、酸化物半導体薄膜の成膜に適した酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する本発明とは、好ましい組成比が相違している。以下、本発明に係る酸化物焼結体の構成要件について、詳しく説明する。まず、上記酸化物焼結体の相構成について説明する。上述したように本発明の酸化物焼結体は、上記酸化物焼結体をX線回折したとき、Zn2SnO4相を主相とし、In/In2O3-ZnSnO3固溶体を有し、ZnxInyOz相x、y、zは任意の正の整数であるは検出されないものであるところに特徴がある。本発明におけるX線回折条件は、以下のとおりである。分析装置:理学電機製X線回折装置RINT-1500分析条件ターゲット:Cu単色化:モノクロメートを使用Kαターゲット出力:40kV-200mA連続焼測定θ/2θ走査スリット:発散1/2°、散乱1/2°、受光0.15mmモノクロメータ受光スリット:0.6mm走査速度:2°/minサンプリング幅:0.02°測定角度2θ:5~90°次に上記X線回折によって検出される化合物、または検出されない化合物について詳しく説明する。ここで検出されないとは、上記のX線回折を行なったとき、検出限界以下であることを意味する。Zn2SnO4化合物についてZn2SnO4化合物相は、本発明の酸化物焼結体を構成するZnOとSnO2が結合して形成されるものである。この化合物は所謂スピネル型化合物であり、電子材料として物性に富み、結晶構造の変化に伴って物性が変化するといった特徴を持つ。本発明において上記化合物は、酸化物焼結体の相対密度の向上と比抵抗の低減に大きく寄与するものである。本発明では、上記Zn2SnO4化合物を主相として含んでいる。ここで主相とは、上記X線回折によって検出される全化合物中、最も比率の多い化合物を意味している。本発明では、更にZnSnO3化合物相を含んでいても良い。この化合物は、ZnとSnの組成比などによって生成する場合があるが、酸化物焼結体の特性高い相対密度と低い比抵抗、更には成膜後の薄膜の半導体特性高いキャリア移動度などには悪影響を及ぼさない。更に本発明では、上記化合物のほかに、SnO2やZnOが若干含まれていても良い。ZnとSnの組成比によっては、Zn2SnO4化合物だけでなく、SnO2やZnOの化合物が検出される場合もあるが、上記のSnO2やZnOは、微量であればスパッタリングの直流放電安定性などに悪影響を及ぼさず、また、成膜後の薄膜の半導体特性にも悪影響を及ぼさないからである。例えば、2×[Zn]=[Sn]の場合、全てのZnとSnが複合化合物を形成すれば、理論上はZn2SnO4相のみ検出される筈であるが、現実にはZnSnO3相も形成され、このZnSnO3相は、上述したとおりスパッタリングターゲットの特性発現に悪影響を及ぼさない。これに対し、2×[Zn]>[Sn]の場合は、上記化合物の形成に寄与しなかった微量のZnOが検出され、一方、2×[Zn]<[Sn]の場合は微量のSnO2が検出される場合があるが、いずれも、酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットの特性発現には悪影響を及ぼさないものである。In/In2O3-ZnSnO3固溶体、およびZnxInyOz化合物について本発明の酸化物焼結体は、In/In2O3-ZnSnO3固溶体を有している。ここでIn/In2O3-ZnSnO3固溶体とは、ZnSnO3にInおよび/またはIn2O3が固溶していることを意味する。固溶体とは、母相内に異なる原子が溶け込む侵入か、母相原子と入れ替わって異なる原子が入る置換ことによって一つの固体が形成されたものであり、本発明では、主に、InまたはIn2O3がZnSnO3中に侵入してIn/In2O3-ZnSnO3固溶体を形成していると推察される。なお、In2O3の組成によっては、一部のIn2O3は前述した主相であるZn2SnO4に固溶した状態で存在しても良い。このように本発明の酸化物焼結体では、Inおよび/またはIn2O3は、ZnSnO3更には、Zn2SnO4に固溶して存在することによって高密度化を達成することができる。なお、固溶体として存在しているかどうかは、上述した条件でX線回折XRDを行なったとき、純粋な化合物相に比べてピークが低角度側にシフトしているかどうかによって判断することができる。例えばIn/In2O3-ZnSnO3固溶体の場合、XRDと組織のSEM-EDXによる定量分析を比較することによってInおよび/またはIn2O3がZnSnO3と固溶体を形成しているかどうかを確認することができる。例えば、XRDで使用しているICDDInternationalCentreforDiffractionDataカードではIn2O3とZnSnO3の配向をそれぞれ回折角度2θで示しているが、若干ピーク位置がシフトしている。これは、純粋な化合物ではなく、他の原子が粒内に入って格子定数が変化しているためと考えられる。さらにSEMEDXでも、ZnSnO3中からInが検出されており、In2O3単体の組織とは異なる。以上のことから、ZnSnO3中にInまたはIn2O3との固溶体を形成していると判断することができる。ただし、本発明の酸化物焼結体は、ZnxInyOz相x、y、zは任意の正の整数であるを含んでいない。ZnxInyOz相は、InおよびZnが酸素Oと結合した複合酸化物スピネル型化合物であるが、絶縁性が高いため、酸化物焼結体中に含まれると、抵抗が大きくなって異常放電が生じるほか、高密度化を阻害する恐れがある。また、クラスター状に飛び出したZnxInyOzが膜に混入して、薄膜の半導体特性が劣化し、キャリア移動度が低下する場合がある。このようにZnxInyOz相の存在により、低抵抗化および高密度化が阻害される恐れがあり、また異常放電が生じる恐れがあるが、これらに及ぼす影響は、ZnxInyOz相の量によっても相違し得、ZnxInyOz相が多く含まれる場合は、上記特性の全てに大きな悪影響を及ぼすことが懸念されるが、ZnxInyOz相が微量しか含まれない場合は、異常放電のみが生じると考えられる。異常放電は、高抵抗の化合物が極く微量存在するだけでも発生し得る可能性があるからである。例えば後記する比較例2では、ZnxInyOz相に相当するZn5In2O8が少量しか含まれず、Zn4In2O7は含まれない検出されない図6を参照ため、密度や全体的な抵抗に及ぼす影響は小さく、相対密度および比抵抗は良好であり、キャリア移動度も良好であったが、局所的な異常放電が生じた。本発明では、上記の相構成とすることによって、少ないIn量後記するように、本発明では[In]比の好ましい範囲は0.01~0.30であり、より好ましくは0.10~0.30であっても、低い比抵抗1Ωcm以下と、高い相対密度90以上を実現することができる。なお、本発明に係るIn-Zn-Sn-O系酸化物焼結体において、主相であるZn2SnO4相のほかにZnxInyOz相が混在すると相対密度が低下し易くなるが、In/In2O3-ZnSnO3固溶相更には、必要に応じて形成され得るIn/In2O3-Zn2SnO4固溶相が存在すると、むしろスパッタリングターゲットが高密度化するようになるメカニズムは詳細には不明であるが、In2O3およびInは、原料酸化物の粒子間を埋めるようにして存在するために、酸化物焼結体の密度向上に寄与しているのではないかと推察される。また、本発明の酸化物焼結体を上記条件でX線回折したとき、Zn2SnO4相の311面の最大ピークI1と、In2O3相の104面の最大ピークI2との強度比I2/I1は、I2/I1≦0.5を満足することが好ましい。上記強度比を0.5以下に制御することにより、スパッタリングによって得られた薄膜のバンドギャップが縮退せず、高い半導体特性が得られる。より好ましい強度比は、0.25以下である。なお、その下限は特に限定されないが、In比の好ましい下限を考慮すると、0.01以上であることが好ましい。上記強度比は、上記X線回折によって得られるチャートに基づき、任意の範囲例えば、2θ=15~65°の範囲に存在する最大ピーク強度から計算により求めることができる。なお、本発明において、Zn2SnO4相の311面、およびIn2O3相の104面の最大ピークに着目したのは、各酸化物の添加量の比率に比べ、スパッタリングターゲットのスパッタ面における上記化合物の比率が、より適正に薄膜の特性に影響すると考えたからである。次に、本発明に係る酸化物焼結体を構成する金属元素の好ましい組成比原子比について説明する。以下では、[Zn][Sn][In]に対する[In]の比を[In]比、[Zn][Sn]に対する[Zn]の比を[Zn]比、[Zn][Sn]に対する[Sn]の比を[Sn]比と呼ぶ。まず、[In]比は0.01~0.30の範囲内であることが好ましい。[In]比が0.01未満の場合、酸化物焼結体の相対密度向上および比抵抗の低減を達成できず、成膜後の薄膜のキャリア移動度も低くなる。一方、[In]比が0.30を超えると、薄膜としたときのTFTスイッチング特性が劣化する。より好ましい[In]比は、0.05以上0.25以下である。また、[Zn]比は0.50~0.75であることが好ましい。[Zn]比が0.50未満の場合、スパッタリング法によって形成した薄膜の微細加工精度良く加工することが難しく、エッチング残渣が生じ易い。一方、[Zn]比が0.75を超えると、成膜後の薄膜の薬液耐性に劣るものとなり、微細加工の際に酸による溶出速度が速くなって高精度の加工を行なうことができない。より好ましい[Zn]比は、0.50~0.67である。また、[Sn]比は0.25~0.50であることが好ましい。[Sn]比が、上記範囲を外れると、TFTのスイッチング特性が劣化してしまい、高性能の表示装置が得られない。より好ましい[Sn]比は、0.33~0.50である。本発明の酸化物焼結体は、相対密度90以上、比抵抗1Ωcm以下を満足するものである。相対密度90以上本発明の酸化物焼結体は、相対密度が非常に高く、好ましくは90以上であり、より好ましくは95以上である。高い相対密度は、スパッタリング中での割れやノジュールの発生を防止し得るだけでなく、安定した放電をターゲットライフまで連続して維持するなどの利点をもたらす。比抵抗1Ωcm以下本発明の酸化物焼結体は、比抵抗が小さく、1Ωcm以下であることが好ましく、より好ましくは0.1Ωcm以下である。これにより、直流電源を用いたプラズマ放電などによる直流スパッタリング法による成膜が可能となり、スパッタリングターゲットを用いた物理蒸着スパッタリング法を表示装置の生産ラインで効率よく行うことができる。次に、本発明の酸化物焼結体を製造する方法について説明する。本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末を混合および焼結して得られるものであり、原料粉末からスパッタリングターゲットまでの基本工程を図1に示す。図1には、酸化物の粉末を混合粉砕→乾燥造粒→成形→常圧焼結→熱処理して得られた酸化物焼結体を、加工→ボンディグしてスパッタリングターゲットを得るまでの基本工程を示している。上記工程のうち本発明では、以下に詳述するように焼結条件およびその後の熱処理条件を適切に制御したところに特徴があり、それ以外の工程は特に限定されず、通常用いられる工程を適宜選択することができる。以下、各工程を説明するが、本発明はこれに限定する趣旨ではない。まず、酸化亜鉛粉末、酸化スズ粉末、および酸化インジウム粉末を所定の割合に配合し、混合粉砕する。用いられる各原料粉末の純度はそれぞれ、約99.99以上が好ましい。微量の不純物元素が存在すると、酸化物半導体膜の半導体特性を損なう恐れがあるためである。各原料粉末の配合割合は、Zn、Sn、およびInの比率が上述した範囲内となるように制御することが好ましい。混合および粉砕はポットミルを使い、原料粉末を水と共に投入して行うことが好ましい。これらの工程に用いられるボールやビーズは、例えばナイロン、アルミナ、ジルコニアなどの材質のものが好ましく用いられる。次に、上記工程で得られた混合粉末を乾燥し造粒した後、成形する。成形に当たっては、乾燥造粒後の粉末を所定寸法の金型に充填し、金型プレスで予備成形した後、CIP冷間静水圧プレスなどによって成形することが好ましい。焼結体の相対密度を上昇させるためには、予備成形の成形圧力を約0.2tonf/cm2以上に制御することが好ましく、成形時の圧力は約1.2tonf/cm2以上に制御することが好ましい。次に、このようにして得られた成形体に対し、常圧にて焼成を行う。本発明では、所望の化合物相構成とし、相対密度を高めるためには、焼成温度:約1350°C~1650°C、保持時間:約5時間以上で焼結を行なうことが好ましい。焼成温度が高いほど焼結体の相対密度が向上し易く、かつ短時間で処理できるため好ましいが、温度が高くなり過ぎると焼結体が分解し易くなるため、焼成条件は上記の範囲とするのが好ましい。より好ましくは、焼成温度:約1450°C~1600°C、保持時間:約8時間以上である。なお、焼成雰囲気は非還元性雰囲気が好ましく、例えば炉内に酸素ガスを導入することによって雰囲気を調整することが好ましい。上記焼結処理により、比抵抗は、例えば約100Ωcm焼結処理前から0.1Ωcm焼結後まで向上するようになる。次に、このようにして得られた焼結体に対して熱処理を行い、本発明の酸化物焼結体を得る。本発明では、直流電源によるプラズマ放電を可能にするため、熱処理温度:約1000°C以上、保持時間:約8時間以上に制御することが好ましい。より好ましくは、焼成温度:約1100°C以上、保持時間:約10時間以上である。一方、上記焼成温度が1300°Cを超えると、Znが蒸発し、成分変動が発生するため、1300°C以下に設定することが好ましい。また、上記保持時間は、コスト低減などを考慮すると、おおむね、30時間以下に制御することが好ましい。熱処理雰囲気は還元性雰囲気が好ましく、例えば炉内に窒素ガスを導入することによって雰囲気を調整することが好ましい。上記のようにして酸化物焼結体を得た後、常法により、加工→ボンディングを行なうと本発明のスパッタリングターゲットが得られる。このようにして得られるスパッタリングターゲットの相対密度および比抵抗も、酸化物焼結体と同様、非常に良好なものであり、好ましい相対密度はおおむね90以上であり、好ましい比抵抗はおおむね1Ωcm以下である。以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は、下記実施例に限定されず、本発明の趣旨に適合し得る範囲で適切に変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。実験例1酸化亜鉛粉末JIS1種、純度99.99、純度99.99の酸化スズ粉末、および純度99.99の酸化インジウム粉末を[Zn]:[Sn]:[In]=40.0:40.0:20.0の比率で配合し、ナイロンボールミルで20時間混合した。次に、上記工程で得られた混合粉末を乾燥、造粒し、金型プレスにて成形圧力0.5tonf/cm2で予備成形した後、CIPにて成形圧力3tonf/cm2で本成形を行った。このようにして得られた成形体を、常圧にて1500°Cで7時間保持して焼結を行なった。焼結炉内には酸素ガスを導入し、酸素雰囲気下で焼結した。次いで熱処理炉内に導入し、1200°Cで10時間熱処理した。熱処理炉内には窒素ガスを導入し、還元性雰囲気で熱処理した。このようにして得られた実験例1の酸化物焼結体について、前述した条件でX線回折による解析を行った結果を図2および表1のNo.2に示す。図2および表1に示すように、上記酸化物焼結体にはZn2SnO4、ZnSnO3、およびIn/In2O3-ZnSnO3固溶体が含まれていたが、ZnxInyOzは検出されなかった。また、この酸化物焼結体を上記条件でX線回折したとき、Zn2SnO4相の311面の最大ピークI1と、In2O3相の104面の最大ピークI2との強度比I2/I1は0.44であり、本発明の好ましい範囲0.5以下を満足していた。更に、上記の焼結体を4インチφ、5mmtの形状に加工し、バッキングプレートにボンディングしてスパッタリングターゲットを得た。このようにして得られたスパッタリングターゲットをスパッタリング装置に取り付け、DC直流マグネトロンスパッタリングを行なった。スパッタリング条件は、DCスパッタリングパワー150W、Ar/0.1体積O2雰囲気、圧力0.8mTorrとした。その結果、異常放電アーキングの発生は見られず、安定して放電することが確認された。また、このようにして得られたスパッタリングターゲットの相対密度をアルキメデス法で測定したところ97であった。また上記スパッタリングターゲットの比抵抗を四端子法によって測定したところ、6mΩcmであり、いずれも良好な結果が得られた。また、上記のスパッタリング条件で成膜した薄膜を用い、チャネル長10μm、チャネル幅100μmの薄膜トランジスタを作製してキャリア移動度を測定したところ、15cm2/Vsの高いキャリア移動度が得られた。実験例2前述した実験例1において、[Zn]:[Sn]:[In]=48.0:32.0:20.0の比率で配合し、成形体を1550°Cで5時間保持して焼結した後、1150°Cで14時間熱処理したこと以外は、上記実験例1と同様にして実験例2の酸化物焼結体を得た。これらの結果を図3および表1のNo.3に示す。図3および表1に示すように、上記酸化物焼結体にはZn2SnO4、ZnSnO3、およびIn/In2O3-ZnSnO3固溶体が含まれていたが、ZnxInyOzは検出されなかった。また、この酸化物焼結体を上記条件でX線回折したとき、Zn2SnO4相の311面の最大ピークI1と、In2O3相の104面の最大ピークI2との強度比I2/I1は0.24であり、本発明の好ましい範囲0.5以下を満足していた。更に上記の焼結体を、上記実験例1と同様にしてスパッタリングを行なったところ、安定して放電することが確認された。また、このようにして得られたスパッタリングターゲットの相対密度および比抵抗を、上記実験例1と同様にして測定したところ、相対密度93、比抵抗5mΩcmであり、良好な結果が得られた。また、上記のスパッタリング条件で成膜した薄膜を用い、実験例1と同様にしてキャリア移動度を測定したところ、15cm2/Vsの高いキャリア移動度が得られた。実験例3前述した実験例1において、[Zn]:[Sn]:[In]=53.0:27.0:20.0の比率で配合し、成形体を1600°Cで8時間保持して焼結した後、1200°Cで16時間熱処理したこと以外は、上記実験例1と同様にして実験例3の酸化物焼結体を得た。これらの結果を図4および表1のNo.4に示す。図4および表1に示すように、上記酸化物焼結体にはZn2SnO4、ZnSnO3、およびIn/In2O3-ZnSnO3固溶体が含まれていたが、ZnxInyOzは検出されなかった。また、この酸化物焼結体を上記条件でX線回折したとき、Zn2SnO4相の311面の最大ピークI1と、In2O3相の104面の最大ピークI2との強度比I2/I1は0.15であり、本発明の好ましい範囲0.5以下を満足していた。更に上記の焼結体を、上記実験例1と同様にしてスパッタリングを行なったところ、安定して放電することが確認された。また、このようにして得られたスパッタリングターゲットの相対密度および比抵抗を、上記実験例1と同様にして測定したところ、相対密度96、比抵抗3mΩcmであり、良好な結果が得られた。また、上記のスパッタリング条件で成膜した薄膜を用い、実験例1と同様にしてキャリア移動度を測定したところ、15cm2/Vsの高いキャリア移動度が得られた。比較例1前述した実験例1において、酸化インジウム粉末の代わりに純度99.99の酸化アルミニウム粉末を用い、[Zn]:[Sn]:[Al]=43.3:21.735.0の比率で配合し、炉内に成形体を1300°Cで5時間保持して焼結し、1200°Cで10時間熱処理したこと以外は、上記実験例1と同様にして比較例1の酸化物焼結体を得た。これらの結果を図5および表1のNo.5に示す。図5に示すように、上記酸化物焼結体には、Zn2SnO4とZnOのほかに、ZnAl2O4が検出された。更に上記の焼結体を、上記実験例1と同様にしてスパッタリングを行なったところ、スパッタリング中に異常放電が発生した。また、このようにして得られたスパッタリングターゲットの相対密度および比抵抗を、上記実験例1と同様にして測定したところ、相対密度は67と低く、比抵抗は100Ωcmと高かった。また、上記のスパッタリング条件で成膜した薄膜を用い、実験例1と同様にしてキャリア移動度を測定したところ、キャリア移動度は、3.0cm2/Vsと低かった。上記の結果より、上記比較例1のように、Inの代わりにAlを添加すると、In添加による効果酸化物焼結体の相対密度向上および比抵抗の低減、薄膜のキャリア移動度の向上が有効に発揮されないことが確認された。比較例2前述した実験例1において、[In]:[Zn]:[Sn]=20.0:64.0:16.0の比率で配合し、炉内に成型体を1400°Cで2時間保持して焼結し、1200°Cで10時間熱処理したこと以外は、上記実験例1と同様にして比較例2の酸化物焼結体を得た。これらの結果を図6および表1のNo.6に示す。図6に示すように、上記酸化物焼結体には、Zn2SnO4以外に、Zn5In2O8が少量検出された表1中、ZnxInyOzあり。更に上記焼結体を、上記実施例1と同様にしてスパッタリングを行ったところ、スパッタリング中に異常放電が発生した。なお、このようにして得られたスパッタリングターゲットの相対密度および比抵抗を、上記実験例1と同様にして測定したところ、相対密度は91、比抵抗は1Ωcm以下と、いずれも良好であった。また上記のスパッタリング条件で製膜した薄膜を用い、実験例1と同様にしてキャリア移動度を測定したところ、キャリア移動度は12cm2/Vsであり、前述したNo.1~5に比べて、やや低下したものの、良好であった。上記の結果より、上記比較例2のように、[In]比および[Zn]比が本発明の好ましい範囲を外れるため、ZnxInyOzを少量含む場合は、相対密度、比抵抗およびキャリア密度はいずれも、良好であったが、異常放電が生じた。参考例本参考例では、In酸化物を含まないZTO焼結体を以下の方法により製造した。まず、前述した実験例1と同じ酸化亜鉛粉末および酸化スズ粉末を、[Zn]:[Sn]=66.7:33.3の比率で配合し、成形体を1500°Cで7時間保持して焼結した後、1200°Cで10時間熱処理したこと以外は、上記実験例1と同様にしてZTO焼結体を得た。これらの結果を表1のNo.1に示す。表1に示すように、上記酸化物焼結体には、Zn2SnO4が含まれていたが、ZnSnO3、In/In2O3-ZnSnO3固溶体、およびZnxInyOzは全て検出されなかった。更に上記の焼結体を、上記実験例1と同様にしてスパッタリングを行なったところ、安定して放電することが確認された。また、このようにして得られたスパッタリングターゲットの相対密度および比抵抗を、上記実験例1と同様にして測定したところ、相対密度90以上、比抵抗1Ωcm以下であり、良好な結果が得られた。また、上記のスパッタリング条件で成膜した薄膜を用い、実験例1と同様にしてキャリア移動度を測定したところ、10cm2/Vs以上の高いキャリア移動度が得られた。以上の実験結果より、本発明で規定する化合物相で構成されており、酸化物焼結体を構成する金属の組成比も本発明の好ましい要件を満足する実験例1~3の酸化物焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲットは、高い相対密度および低い比抵抗を有しており、極めて良好な特性を有することが分かった。また上記スパッタリングターゲットを用いて得られる薄膜は、高いキャリア移動度を有するため、酸化物半導体薄膜として極めて有用であることが分かった。