"シリコン基板を搬入して収納するためのロードロック室と、該ロードロック室から前記シリコン基板を搬入して、気相成長させるためのチャンバーとを備えた気相成長装置を用いて、前記シリコン基板上にエピタキシャル層を気相成長させてシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法であって、前記ロードロック室に前記シリコン基板を搬入した後、前記ロードロック室を真空引きして不活性ガスで置換する工程を複数回行い、その後、前記ロードロック室から前記シリコン基板を前記チャンバー内に搬入して、前記シリコン基板上にエピタキシャル層を気相成長させることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。前記ロードロック室を真空引きして不活性ガスで置換する工程を、2回又は3回行うことを特徴とする請求項1に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。上記のような、用いるシリコン単結晶基板やプロセスガスからの金属不純物に対しては高純度化等の対策が行われているが、これらの対策を実施しても改善効果は十分でなく、更なる改善が必要とされる。ロードロック室からの不純物持ち込みの対策として、従来は、1回のロードロック室の真空引きと不活性ガス置換を行っていた。しかし、上記した白傷と呼ばれる撮像素子特有のデバイス特性不良が生じることがあり、特に気相成長装置を用いた気相成長における金属不純物の低減が十分ではなかった。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、エピタキシャル層への金属不純物による汚染を十分に低減できるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、シリコン基板を搬入して収納するためのロードロック室と、該ロードロック室から前記シリコン基板を搬入して、気相成長させるためのチャンバーとを備えた気相成長装置を用いて、前記シリコン基板上にエピタキシャル層を気相成長させてシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法であって、前記ロードロック室に前記シリコン基板を搬入した後、前記ロードロック室を真空引きして不活性ガスで置換する工程を複数回行い、その後、前記ロードロック室から前記シリコン基板を前記チャンバー内に搬入して、前記シリコン基板上にエピタキシャル層を気相成長させることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。このようにロードロック室を真空引きして不活性ガスで置換する工程を複数回行うことで、ロードロック室にシリコン基板を搬入する際に大気とともに持ち込まれた金属不純物を十分に排出することができ、その後チャンバー内に金属不純物が持ち込まれることを防止できる。従って、エピタキシャル層の金属不純物濃度を十分に低減でき、白傷等のデバイス特性不良がほとんど生じないシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる。このとき、前記ロードロック室を真空引きして不活性ガスで置換する工程を、2回又は3回行うことが好ましい。このように上記工程を2,3回行うことで、金属不純物を効果的に低減しながら、シリコンエピタキシャルウェーハの生産性の低下を抑制できる。以上のように、本発明によれば、金属不純物濃度が十分に低減され、白傷等のデバイス特性不良がほとんど生じないシリコンエピタキシャルウェーハを効率的に製造することができる。以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明の製造方法では、気相成長装置を用いてシリコン基板上にエピタキシャル層を気相成長させる。この際、図1に示すような例えば枚葉式の気相成長装置を用いることができる。図1の気相成長装置1は、搬送ロボット6が配置された搬送室7の周りに、サセプタ4,5が配置された気相成長のためのチャンバー2,3と、ウェーハ12,13を収納可能なカセット8,9が配置されたロードロック室10,11と、ウェーハを冷却するためのクーリングチャンバー14とが接続されている。また、搬送室7とロードロック室10,11、チャンバー2,3との間には開閉するゲートバルブ15,16が設けられている。このような気相成長装置1を用いてシリコンエピタキシャルウェーハを製造するには、先ず、ロードロック室10,11内のカセット8,9に、気相成長用のシリコン基板12,13を搬入して収納する。そして、ゲートバルブ16を閉じた状態で、ロードロック室10,11を密閉して、真空ポンプ等で真空引き真空排気することで減圧する。その後、窒素等の不活性ガスをロードロック室10,11内に導入することで不活性ガスで置換する。そして、本発明では、上記のように真空引き、不活性ガスで置換した後、さらに、真空引き、不活性ガス置換を一回以上行う。このようなロードロック室を真空引きして不活性ガスで置換する工程を行うことにより、基板搬入の際にロードロック室内に入った大気やパーティクル等の不純物を排出することができる。そして、真空引きして不活性ガスで置換する工程を複数回行うことで、気相成長を行うチャンバー内に持ち込まれる金属不純物を十分に低減することができる。このため、気相成長させるエピタキシャル層への汚染を効果的に防止することができる。このようなロードロック室10,11の真空引き、不活性ガス置換の工程は、2回又は3回行うことが好ましい。上記工程を2,3回実施することで十分に金属不純物の排出が可能であり、また3回を超える回数で実施してもこれ以上の改善効果は小さいため、生産性、コストの観点から2,3回実施することが好ましい。次に、ゲートバルブ16を開けて、ロードロック室10,11からシリコン基板11,12を搬送ロボット6で搬出して、投入温度例えば650°Cに調整したチャンバー2,3に搬入し、サセプタ4,5上にシリコン基板11,12を載置する。そして、ゲートバルブ15を閉じて、水素熱処理温度例えば1050~1200°Cまで加熱する。その後、シリコン基板11,12を所望の成長温度例えば950~1180°Cにして、シリコン基板11,12の表面上に、原料ガス例えばトリクロロシラン:SiHCl3及びキャリアガス例えば水素をそれぞれ略水平に供給することによって、シリコン基板11,12の表面上にエピタキシャル層を気相成長させてシリコンエピタキシャルウェーハを製造する。その後、シリコンエピタキシャルウェーハを、搬送ロボット6でチャンバー2,3から搬出し、クーリングチャンバー14内で冷却した後、装置外へ搬出される。このような本発明であれば、例えば撮像素子に用いても白傷が発生せず、デバイス歩留まりを向上できるシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる。以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例1-3、比較例図1に示す気相成長装置を用いて、以下のように気相成長を行った。まず、シリコン単結晶ウェーハをロードロック室内に搬入し、ロードロック室を真空引きした後不活性ガスで置換する工程を1-4回実施した。次に、ロードロック室からチャンバー内にウェーハを搬送し、1100°Cまで加熱し、原料ガスとしてSiHCl3、ドーパントガスとしてPH3を用い、厚さ10μm、N型、抵抗率10Ωcmのエピタキシャル層を気相成長させ、シリコンエピタキシャルウェーハを製造した。上記のように製造したシリコンエピタキシャルウェーハからウェーハ片を切り出し、HF/HNO3にて全て溶解し、蒸発乾固させた後、再度HNO3に溶解させ、ICP-MS分析装置にて元素毎の定量分析を行った。実施した条件を表1に、分析結果を図2に示す。図2に示すように、実施例1-3置換回数2~4回では、比較例置換回数1回に比べ、Fe,Ni,Moの3元素で検出量が小さかった。ロードロック室の真空引き、不活性ガス置換工程の3回実施実施例2と4回実施実施例3では、金属不純物濃度に大きな差は見られなかった。従って、上記工程は生産性の観点から2又は3回実施することが好ましいことがわかる。また、実施例1-3で得られたシリコンエピタキシャルウェーハでは、撮像素子として用いた場合、白傷の発生が抑制され、歩留まりが向上した。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。"