ピンが取り付けられたピン付き基板と、ピン接続用のパッドが形成された配線基板とを備え、前記ピン付き基板は、樹脂成形によって形成された樹脂基板に一体に前記ピンが立設されて形成され、前記樹脂基板の一方の面から前記ピンの一端部が露出し、前記樹脂基板の他方の面から前記ピンの他端部が延出しており、前記配線基板の外形形状が前記ピン付き基板の外形形状よりも大きく、前記ピンの一端部と前記ピン接続用のパッドとが接合して前記ピン付き基板と前記配線基板とが接合されて、前記配線基板の外側面が前記ピン付き基板の外側面よりも外側に延出していることを特徴とする半導体パッケージ。前記ピンの一端部には、ヘッド部が形成されており、前記ヘッド部の端面が、前記樹脂基板の一方の面に面一に露出しており、前記ヘッド部の端面と前記ピン接続用のパッドとが接合して前記ピン付き基板と前記配線基板とが接合されていることを特徴とする請求項2記載の半導体パッケージ。前記ピン付き基板は、前記他端部を摺入し、前記一端部の端面を被覆して前記ピンがセットされたモールド用の金型のキャビティに樹脂を充填して、前記樹脂基板に一体に前記ピンが立設されて形成されたものであることを特徴とする請求項1または2記載の半導体パッケージ。ピンが取り付けられたピン付き基板と、ピン接続用のパッドが形成された配線基板とを有する半導体パッケージと、前記半導体パッケージが収容されるセット凹部および前記セット凹部の下側に前記ピンと電気的に接続されるコンタクトが設けられたソケットとを備え、前記ピン付き基板は、樹脂成形によって形成された樹脂基板に一体に前記ピンが立設されて形成され、前記樹脂基板の一方の面から前記ピンの一端部が露出し、前記樹脂基板の他方の面から前記ピンの他端部が延出しており、前記半導体パッケージは、前記配線基板の外形形状が前記ピン付き基板の外形形状よりも大きく、前記ピンの一端部と前記ピン接続用のパッドとが接合して前記ピン付き基板と前記配線基板とが接合されて、前記配線基板の外側面が前記ピン付き基板の外側面よりも外側に延出しており、前記セット凹部の内側面に前記配線基板の外側面がガイドされて挿入された前記半導体パッケージが前記ソケットに装着されていることを特徴とする半導体パッケージの実装構造。前記ピンの一端部には、ヘッド部が形成されており、前記ヘッド部の端面が、前記樹脂基板の一方の面に面一に露出しており、前記ヘッド部の端面と前記ピン接続用のパッドとが接合して前記ピン付き基板と前記配線基板とが接合されていることを特徴とする請求項4記載の半導体パッケージの実装構造。前記ピン付き基板は、前記一端部の端面を被覆し、前記他端部を摺入して前記ピンがセットされたモールド用の金型のキャビティに樹脂を充填して、前記樹脂基板に一体に前記ピンが立設されて形成されたものであることを特徴とする請求項4または5記載の半導体パッケージの実装構造。ところで、PGA型の半導体パッケージをソケットに装着する際には、ソケットに設けられている枠形のセット部に半導体パッケージを挿入するようにして装着する。セット部の下側には、ピンと接触するコンタクトがピンの平面配置に合わせて配置されたベースプレートが設けられている。半導体パッケージをセット部に装着する際には、セット部の内側面で半導体パッケージの外形位置をガイドするようにして装着する。セット部の内側面に、半導体パッケージの外側面に接して位置合わせするガイド突起が設けられている場合もある。このように、半導体パッケージをソケットに装着する際には、セット部の内側面に半導体パッケージを外形合わせして装着するから、PGA型の半導体パッケージでは、パッケージ本体の外形形状外形寸法を正確に形成する必要がある。配線基板自体が厚く形成され、配線基板に貫設したピン装着孔にピンを差し込んで形成した従前のPGA型の半導体パッケージでは、配線基板自体の外形寸法を規定することによって半導体パッケージを位置決めすることができる。これに対して、図7に示す半導体パッケージ30では、配線基板10とピン付き基板20の外形形状を一致させ、配線基板10とピン付き基板20とを位置合わせして接合し、半導体パッケージをソケットに装着する際には、配線基板10の外側面とピン付き基板20の外側面をガイド位置位置決め位置として装着される。配線基板10とピン付き基板20とをはんだ接合する際には、配線基板10とピン付き基板20とを支持治具に支持し、支持治具により配線基板10とピン付き基板20とを位置合わせした状態ではんだリフロー装置中を移送させて接合する。このはんだ接合操作では、配線基板10とピン付き基板20とは位置ずれしないとは限らないから、配線基板10とピン付き基板20の外形寸法を高精度に形成したとしても、半導体パッケージ30の外形寸法がばらつくことが避けられない。半導体パッケージ30の外形寸法のばらつきは、はんだ付けによる位置ずれと、配線基板10およびピン付き基板20の製造公差が重畳されたものとなる。また、近年はきわめて薄型の半導体パッケージが提供されるようになっており、配線基板にピン付き基板を接合して形成される半導体パッケージにおいては、厚さが1mm以下といったきわめて薄い配線基板が用いられるようになってきた。このように配線基板が薄くなると、配線基板自体の強度が低下し、配線基板が反ってしまうといった問題が生じることから、ピン付き基板によって配線基板を補強して半導体パッケージの反りを抑えるといったことが検討されている。本発明は、反りが抑制された薄型の半導体パッケージおよびそれを備えた半導体パッケージの実装構造を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は次の構成を備える。すなわち、ピンが取り付けられたピン付き基板と、ピン接続用のパッドが形成された配線基板とを備え、前記ピン付き基板は、樹脂成形によって形成された樹脂基板に一体に前記ピンが立設されて形成され、前記樹脂基板の一方の面から前記ピンの一端部が露出し、前記樹脂基板の他方の面から前記ピンの他端部が延出しており、前記配線基板の外形形状が前記ピン付き基板の外形形状よりも大きく、前記ピンの一端部と前記ピン接続用のパッドとが接合して前記ピン付き基板と前記配線基板とが接合されて、前記配線基板の外側面が前記ピン付き基板の外側面よりも外側に延出していることを特徴とする半導体パッケージである。また、ピンが取り付けられたピン付き基板と、ピン接続用のパッドが形成された配線基板と有する半導体パッケージと、前記半導体パッケージが収容されるセット凹部および前記セット凹部の下側に前記ピンと電気的に接続されるコンタクトが設けられたソケットとを備え、前記ピン付き基板は、樹脂成形によって形成された樹脂基板に一体に前記ピンが立設されて形成され、前記樹脂基板の一方の面から前記ピンの一端部が露出し、前記樹脂基板の他方の面から前記ピンの他端部が延出しており、前記半導体パッケージは、前記配線基板の外形形状が前記ピン付き基板の外形形状よりも大きく、前記ピンの一端部と前記ピン接続用のパッドとが接合して前記ピン付き基板と前記配線基板とが接合されて、前記配線基板の外側面が前記ピン付き基板の外側面よりも外側に延出しており、前記セット凹部の内側面に前記配線基板の外側面がガイドされて挿入された前記半導体パッケージが前記ソケットに装着されていることを特徴とする半導体パッケージの実装構造である。ここで、前記ピンの一端部には、ヘッド部が形成されており、前記ヘッド部の端面が、前記樹脂基板の一方の面に面一に露出しており、前記ヘッド部の端面と前記ピン接続用のパッドとが接合して前記ピン付き基板と前記配線基板とが接合されている。また、前記ピン付き基板は、前記他端部を摺入し、前記一端部の端面を被覆して前記ピンがセットされたモールド用の金型のキャビティに樹脂を充填して、前記樹脂基板に一体に前記ピンが立設されて形成されたものである。本発明によれば、反りが抑制された薄型の半導体パッケージおよびそれを備えた半導体パッケージの実装構造を提供することができる。配線基板の外側面を位置決めに利用することによって、配線基板とピン付き基板を接合する際の位置ずれ量に関わりなく正確に位置決めすることができる。すなわち、配線基板の外形精度によって半導体パッケージを位置決めしてソケットに挿入することができる。なお、半導体パッケージをガイドしてセットするセット凹部の内側面は半導体パッケージを位置決めする作用をなすものであり、単に平坦面に形成する他に、半導体パッケージの外形位置を位置決めするガイド突起などのガイド部が形成されている場合を含む。以下、本発明に係る半導体パッケージの実装構造および半導体パッケージの好適な実施の形態について添付図面とともに詳細に説明する。半導体パッケージ図1は、本発明に係る半導体パッケージの第1の実施の形態の構成を示す断面図である。図1に示す半導体パッケージ40は、図7bに示す半導体パッケージ30と同様に、配線基板10とピン付き基板25とを接合して形成されている。本実施の形態の半導体パッケージ40において特徴的な構成は、ピン付き基板25の外形寸法を配線基板10の外形寸法よりも大きく設定し、ピン付き基板25の外側面外周側面ともいうが配線基板10の外側面外周側面ともいうよりも外側に位置する平面位置関係としたことにある。配線基板10の構成は図7に示す配線基板10と同様であり、複数層に積層して絶縁層13と配線パターン12配線層が形成され、絶縁層13に層間で配線パターン12を電気的に接続するビア14が形成されている。配線基板10のピン付き基板25が接合される一方の面は、ピン22のヘッド部22aが接合されるピン接続用のパッド16を露出させてソルダーレジスト層15aによって被覆され、配線基板10の他方の面は半導体素子と電気的に接続されるパッド17を露出させてソルダーレジスト層15bによって被覆されている。本実施形態の配線基板10はビルドアップ法によって形成したコアレス基板であるが、配線基板10の製造方法や配線基板10に形成する配線パターン12の積層数等が限定されるものではない。ピン付き基板25も図7に示したピン付き基板20と同様に、配線基板10に形成されたパッド16と同一の平面配置にピン22を配列したものである。本実施の形態のピン付き基板25は、両面を平坦面として樹脂成形によって形成された樹脂基板26と一体にピン22を立設して形成されている。ピン22は一端部に形成されたヘッド部22aの端面頂部面が配線基板10に対向する側の樹脂基板26の面に面一に露出するように取り付けられ、ピン22の他端部は樹脂基板26から下方に延出する。図1に示す半導体パッケージ40は、配線基板10に形成されたピン接続用のパッド16にはんだ18を供給し、配線基板10とピン付き基板25とを位置合わせし、はんだリフロー工程により、配線基板10とピン付き基板25とをはんだ接合して形成される。もちろん、配線基板10とピン付け基板25とを接合する接合材としてははんだ以外の導電シート等を含む導電材を使用することができる。半導体パッケージの実装構造図2、3は、半導体パッケージ40に半導体素子100を搭載した半導体装置をソケット50に装着する半導体パッケージの実装構造の例を示す。半導体装置は半導体パッケージ40に半導体素子100をフリップチップ接続によって搭載した例を示す。ソケット50は、半導体パッケージ40の本体部分を収容するセット部52とコンタクト54が形成されたベースプレート56とを備える。セット部52には半導体パッケージ40の配線基板10とピン付き基板25とを収容するセット凹部52aと、ピン22を挿通するピン挿通孔52bが設けられている。ピン挿通孔52bは半導体パッケージ40に取り付けられたピン22と同一の平面配置に設けられ、ピン22の外径よりも若干大径に形成されている。ベースプレート56に設けられたコンタクト54はセット凹部52aに半導体パッケージ40を挿入した状態でピン22の先端が接触して電気的導通がとられる。図2は、ソケット50に半導体パッケージ40を挿入開始した状態を示す。ソケット50のセット部52に形成されているセット凹部52aは半導体パッケージ40を外形合わせして位置決めする作用をなす。本実施形態の半導体パッケージ40においてはピン付き基板25が配線基板10よりも外形寸法が大きく、ピン付き基板25の外側面が配線基板10の外側面よりも外側に延出する形態に形成されているから、セット凹部52aはピン付き基板25の外側面の寸法に合わせて形成される。すなわち、ソケット50のセット凹部52aは、ピン付き基板25の外形形状に合わせた平面形状に形成され、半導体パッケージ40をソケット50に装着する際に、ピン付き基板25の外側面がセット凹部52aの内側面52cによってガイドされて装着されるように設けられる。ソケット50に半導体パッケージ40を装着する際には、図2に示すように、セット凹部52aの内側面52cにピン付き基板25の外側面を摺接させるようにして挿入してセットする。セット凹部52aにピン付き基板25を挿入開始した時点では、ピン22の先端がピン挿通孔52bにまで達しないようにし、ピン付き基板25の外側面がセット凹部52aの内側面52cにガイドされて位置決めされてさらに挿入されたところでピン挿通孔52bにピン22の先端が挿入されるようにする。これによって、セット凹部52aにピン付き基板25が確実に位置決めされたところでピン22がピン挿通孔52bに挿入される。ピン挿通孔52bはピン22の位置精度のばらつきを考慮してピン22の外径よりも若干大径に形成されているから確実にピン22をピン挿通孔52bに挿入することができる。図3は、ソケット50のセット凹部52aにピン付き基板25の下面が当接した状態で、ソケット50に半導体パッケージ40が装着された状態を示す。ピン22はピン挿通孔52bを通過して、ベースプレート56に設けられたコンタクト54に接触する位置まで挿入されている。ピン付き基板25がセット凹部52aの内側面52cにガイドされることにより、半導体パッケージ40の位置ずれが防止され、半導体パッケージ40のピン22をコンタクト54に確実に接触させることができる。配線基板10はピン付き基板25よりも外形寸法が小さく形成され、外側面はピン付き基板25の外側面よりも内側に位置しているから、セット凹部52aの内側面52cと配線基板10とが干渉することはない。このように本実施形態の半導体パッケージ40をソケット50に実装する実装構造においては、ピン付き基板25の外形形状、具体的にはピン付き基板25を構成する樹脂基板26の外側面を位置決め位置としてソケット50に装着される。ピン付き基板25の外側面の位置をソケット50に対する位置決め位置ガイド位置として半導体パッケージ40をソケット50に装着する方法によれば、半導体パッケージ40のピン位置のずれ量は、ピン付き基板25を製造する際の公差ピン付き基板25の外形形成精度、ピン位置精度のみによって規定され、従来のような、配線基板10とピン付き基板20とを接合する際の位置ずれや、配線基板10とピン付き基板20の製造公差が重畳的に位置ずれに作用するという問題が解消される。なお、本実施形態の半導体パッケージ40では、ピン付け基板25の外側面を半導体パッケージ40の位置決めに利用するから、配線基板10とピン付け基板25を接合した際に位置ずれしても、配線基板10の外側面がピン付け基板25の外側面よりも外側に突出しないようにする必要がある。このため、ピン付き基板25と配線基板10の外形寸法の差分を設定する際には、配線基板10とピン付き基板25とを接合する際に生じ得る最大の位置ずれ量よりも差分が大きくなるように設定する必要がある。本実施形態の半導体パッケージ40のように、ピン付き基板25よりも配線基板10を小型に形成する場合には、ピン付き基板25の大きさには拘わらずに配線基板10の小型化を図ることができるという利点もある。ピン付き基板の製造方法図4は、本実施形態で使用しているピン付き基板25の製造方法を示す。ピン付き基板25は前述したように樹脂成形によって形成した樹脂基板26にピン22を一体的に立設して形成されている。樹脂成形によってピン付き基板25を形成するには、図4aに示すように、モールド用の金型の下型60にピン22をセットし、図4bに示すように、上型62と下型60とでピン22をクランプし、キャビティ66に樹脂を充填して樹脂成形すればよい図4c。図4aに示すように、下型60には、ピン付き基板25におけるピン22の平面配置に合わせてピン22をセットするセット穴60aを形成する。セット穴60aはピン22の軸部が摺入される内径に形成され、ピン22をセットした状態でヘッド部22aが下型60の平坦面に形成された成形面60bから上方に突出するようにセット穴60aの深さを設定する。下型60の成形面60bから上方に突出するピン22の突出部分が樹脂基板26の厚さに相当する部分となる。図4bに示すように、上型62には樹脂が充填されるキャビティ66を構成するための凹部が形成され、凹部の内底面62a下型60の成形面60bに対向する面は平坦面に形成されている。上型62の凹部内面はモールド用のフィルム64によって被覆され、上型62と下型60とでピン22をクランプすることによってキャビティ66が形成され、その際にピン22のヘッド部22aの端面頂部面がフィルム64に接触するように設定する。モールド用のフィルム64には、モールド金型の加熱温度に耐えられる耐熱性を有し、金型面および樹脂から容易に剥離し、樹脂成形用の凹部の内面にならって容易に変形する柔軟性および伸展性を有する材料、たとえばPTFE、ETFE、PET、FEPフィルム、フッ素含浸ガラスクロス、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニリジン等が用いられる。また、フィルム64を凹部の内面にならうように上型62にエア吸着して支持した後、キャビティ66を減圧して樹脂70を充填することによって、樹脂中にボイドが混入することを防止して樹脂成形することができる。図4cは、キャビティ66に樹脂70を充填して樹脂成形している状態である。樹脂70は上型62に設けられたゲート62bからキャビティ66に充填され、熱硬化される。ピン22のヘッド部22aの端面がモールド用のフィルム64によって被覆され、樹脂成形時にヘッド部22aの端面に樹脂70が侵入することが防止され、樹脂成形によって形成される樹脂基板26の上面と面一にヘッド部22aの端面が露出した状態で樹脂成形される。本実施形態のピン付き基板25のように、樹脂成形によって形成する樹脂基板26は、配線基板10と同等もしくはそれ以上に外形寸法外形精度を高精度に規定することが可能であり、本実施形態の半導体パッケージ40のように、ピン付き基板25の外形位置を基準としてソケット50に装着して実装する製品に好適に利用することができる。また、樹脂成形方法を利用してピン付き基板25を製造する方法は、所定の強度を有する樹脂材、たとえばエポキシ系の樹脂あるいはエポキシ系の樹脂に補強用にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を使用することによって、配線基板10を補強する効果的な作用を得ることができる。また、樹脂基板26の厚さを選択することによってピン付き基板25の強度を調節することも可能である。また、樹脂基板26の外面に面一にヘッド部22aの端面を露出させる形態に形成することによって、ピン付き基板25の薄形化を図ることができる。半導体パッケージの他の構成例図5に、本発明に係る半導体パッケージの第2の実施の形態の構成を示す。本実施形態の半導体パッケージ41も図1に示す半導体パッケージ40と同様に、配線基板にピン付き基板を接合して構成される。第1の実施の形態の半導体パッケージは配線基板10の外形寸法にくらべてピン付き基板25の外形寸法を大きく設定し、配線基板10とピン付き基板25とを接合した状態で、ピン付き基板25の外側面が配線基板10の外側面よりも外側に延出する形態としたのに対して、本実施形態の半導体パッケージ41では配線基板10の外形寸法をピン付き基板25の0外形寸法よりも大きく設定し、配線基板10とピン付き基板25とを接合した状態で、配線基板10の外側面がピン付き基板25の外側面よりも外側に延出するように構成したことを特徴とする。本実施形態の半導体パッケージ41における配線基板10およびピン付き基板25の構成は第1の実施の形態における配線基板10およびピン付き基板25の構成と変わらないので、各部の構成についての説明は省略する。半導体パッケージ41では、配線基板10の外側面がピン付き基板25の外側面よりも外側に延出しているから、図6に示すように、半導体パッケージ41に半導体素子100を搭載して形成した半導体装置をソケット50に装着する際には、配線基板10のみが半導体パッケージ41をソケット50に対して位置決めする作用をなす。図6では、配線基板10の外側面がソケット50のセット凹部52aの内側面52cに摺接して挿入されることによって、半導体パッケージ41がソケット50に位置決めされることを示す。この場合に、ピン付き基板25の外側面はセット凹部52aの内側面52cからは離間し、内側面52cとは干渉しない位置にある。半導体パッケージ41はセット凹部52aに配線基板10を位置決めして挿入されることにより、セット部52に形成されたピン挿通孔52bにピン22が位置決めされて挿入され、ベースプレート56に設けられたコンタクト54にピン22が挿入されて電気的な導通がとられる。配線基板10の製造工程においては、大判のワークについて所要の配線パターンを形成する等の工程の後に、スライサーによってワークから個片の製品として切り出しする。ワークを切り出しする際の切り出し位置は、ワークに設けられたマーキング位置を基準としてなされ、個片に形成された配線基板10の側面位置外形寸法は100μm以下といった高精度の単位で設定することが可能である。第1の実施の形態における場合と同様に、本実施形態では、配線基板10の外形位置を基準位置として半導体パッケージ41がソケット50に位置決めされて装着されるから、半導体パッケージ41の位置決め精度は配線基板10の精度によって規定され、ピン付き基板25との相互位置による位置ずれを解消して装着することができる。なお、ソケット50に半導体パッケージ40、41を装着する場合に、ピン付き基板25を基準として装着する第1の実施の形態においては、ピン22の位置精度はピン付き基板25の製造公差によるのに対して、配線基板10の外形位置を基準として位置出しする際には、配線基板10とピン付き基板25とを接合する際に生じる位置ずれによってピン22の位置ずれが生じる。この点で、第1の実施の形態の半導体パッケージ40の方が本実施形態の半導体パッケージ41よりも、より高精度にソケット50に装着させることができる。しかしながら、本実施形態の半導体パッケージ41においては、ピン付き基板25の製造公差が問題にならない点、配線基板10はきわめて高精度に外形加工できる点で、配線基板10とピン付き基板25から構成される半導体パッケージをソケットに位置決めして装着する構成として有効である。なお、上記実施形態では、配線基板10に接合するピン付き基板25として、樹脂成形によって樹脂基板26とピン22とを一体成形したものを使用した例を示したが、本発明はピン付き基板として樹脂成形によって形成したものを使用する場合に限られるものではない。たとえば、図7に示した、基板24にピン22を貫通させて形成したピン付き基板20についても同様に適用される。また、樹脂成形によって形成したピン付き基板25を使用する場合も、ピン22のヘッド部22aを樹脂基板26の外面から突出させて樹脂成形する等、種々の形態に形成することが可能である。以上、本発明を実施の形態に基づき具体的に説明した。樹脂成形によって形成された樹脂基板26に一体にピン22が立設されてなるピン付き基板25を用いることで、薄型化により強度が低下した配線基板10であっても補強され、反りが抑制された薄型の半導体パッケージ40、41を提供することができる。