"プラズマ化したエッチングガスを用いて、処理チャンバ内に配置された基台上に載置されるワイドギャップ半導体基板をエッチングし、該ワイドギャップ半導体基板にテーパ状のエッチング構造を形成するプラズマエッチングする方法であって、前記ワイドギャップ半導体基板の表面に開口部を有するマスクを形成する工程と、前記ワイドギャップ半導体基板を前記処理チャンバ内の基台上に載置して、該ワイドギャップ半導体基板を200°C以上に加熱する工程と、前記エッチングガス及び保護膜形成ガスを前記処理チャンバ内に供給し、該エッチングガス及び保護膜形成ガスをプラズマ化する工程と、前記ワイドギャップ半導体基板が載置された基台にバイアス電位を印加して、前記ワイドギャップ半導体基板をエッチングする工程とを行うプラズマエッチング方法において、前記保護膜形成ガスの供給流量を調整することにより、形成されるエッチング構造のテーパ状態を制御することを特徴とするプラズマエッチング方法。前記ワイドギャップ半導体基板は、炭化ケイ素から構成された基板であることを特徴とする請求項1記載のプラズマエッチング方法。前記エッチングガスはフッ素系ガスであり、前記保護膜形成ガスは酸素系ガスであることを特徴とする請求項1又は2記載のプラズマエッチング方法。前記エッチングガスは六フッ化硫黄ガスであり、前記保護膜形成ガスは酸素ガスであり、前記六フッ化硫黄ガスを100~1000sccmの流量で処理チャンバ内に供給するとともに、前記酸素ガスを、六フッ化硫黄ガスの流量に対して50~100の流量で処理チャンバ内に供給するようにしたことを特徴とする請求項1乃至3記載のいずれかのプラズマエッチング方法。前記マスクは、ニッケル、或いは、二酸化ケイ素から構成されてなることを特徴とする請求項1乃至4記載のいずれかのプラズマエッチング方法。ところで、ワイドギャップ半導体基板から半導体素子を製造する際は、基板表面にエッチング処理を施して溝や穴など以下、凹部というを形成し、この凹部に金属を充填して回路を形成させているが、この際、凹部に金属が密に充填されないと、回路に欠陥が生じ、導通不良などの問題を生じる。したがって、凹部の形状は、金属を密に充填し易い形状、例えば、開口幅が広く、底部幅が狭いテーパ形状であることが好ましい。しかしながら、上記従来のプラズマエッチング方法によってワイドギャップ半導体基板にエッチング処理を施した場合、ワイドギャップ半導体基板に形成する凹部はテーパ形状でなく、側壁上部が円弧状にえぐれたボウイング形状となる。このように凹部がボウイング形状となるのは以下の理由によるものと考えられる。上記従来のプラズマエッチング方法によって、炭化ケイ素基板にエッチング処理を施した場合、上述したように、各原子間の結合が切断され易くなるため、ラジカルなどの反応種との化学反応による等方的なエッチングが進行し易くなり、炭化ケイ素基板に形成される凹部の形状は、上述した所謂ボウイング形状になるものと考えられる。このように凹部がボウイング形状である場合には、例えば、半導体素子の製造工程において、凹部に金属を充填した際に金属が密に充填されず、上述したような問題が生じる。また、この他にも、CVD化学気相蒸着法によって基板に成膜処理を施す際には、ボウイング形状の凹部には薄膜が形成し難くなるという問題なども生じる。更に、近年、半導体素子の微細化に伴い、テーパ角度の制御などといったより緻密にエッチング形状を制御することが要求されている。また、パワーデバイス製造工程における金属の埋め込みの容易化を図る上でもテーパ角度を制御することは重要である。そこで、本願発明者らは、テーパ状の凹部を形成することができ、且つ、その凹部のテーパ角度を制御することができるプラズマエッチング方法について、鋭意研究を重ねた結果、エッチングガスと保護膜形成ガスとを所定の割合で混合したガスを用いてワイドギャップ半導体基板にエッチング処理を施すことによって、テーパ角度を制御しつつ、良好なテーパ状の凹部が形成できることを知見するに至った。本発明は、本願発明者らが、鋭意研究を重ねた結果なされたものであり、ワイドギャップ半導体基板にテーパ状凹部を形成させることができるとともに、形成するテーパ状凹部のテーパ角度を制御することができるプラズマエッチング方法の提供をその目的とする。上記目的を達成するための本発明は、プラズマ化したエッチングガスを用いて、処理チャンバ内に配置された基台上に載置されるワイドギャップ半導体基板をエッチングし、該ワイドギャップ半導体基板にテーパ状のエッチング構造を形成するプラズマエッチングする方法であって、前記ワイドギャップ半導体基板の表面に開口部を有するマスクを形成する工程と、前記ワイドギャップ半導体基板を前記処理チャンバ内の基台上に載置して、該ワイドギャップ半導体基板を200°C以上に加熱する工程と、前記エッチングガス及び保護膜形成ガスを前記処理チャンバ内に供給し、該エッチングガス及び保護膜形成ガスをプラズマ化する工程と、前記ワイドギャップ半導体基板が載置された基台にバイアス電位を印加して、前記ワイドギャップ半導体基板をエッチングする工程とを行うプラズマエッチング方法において、前記保護膜形成ガスの供給流量を調整することにより、形成されるエッチング構造のテーパ状態を制御することを特徴とするプラズマエッチング方法に係る。この発明によれば、まず、ワイドギャップ半導体基板をプラズマエッチングするに当たり、ワイドギャップ半導体基板の表面に開口部を有するマスクを形成する。ついで、表面にマスクが形成されたワイドギャップ半導体基板を前記基台上に載置して200°C以上に加熱する。尚、ワイドギャップ半導体基板の加熱温度は、精度良くエッチング構造を形成するために200°C~1000°Cであることが好ましい。その後、前記エッチングガスを処理チャンバ内に供給するとともに、保護膜形成ガスをその供給流量を調整して処理チャンバ内に供給し、当該エッチングガス及び保護膜形成ガスをプラズマ化する。しかる後、ワイドギャップ半導体基板が載置された基台にバイアス電位を印加し、プラズマ化された保護膜形成ガスによってワイドギャップ半導体上に保護膜を形成しつつ、プラズマ化されたエッチングガスによってワイドギャップ半導体基板をエッチングする。このように、本発明に係るプラズマエッチング方法においては、ワイドギャップ半導体基板に対して、エッチングと保護膜の形成とが並行して行われるとともに、保護膜形成ガスの供給流量を調整するようになっている。このようにすることで、炭化ケイ素基板に側壁全体が直線的なテーパ状の凹部を形成することができ、テーパ角度の異なるテーパ状凹部を形成することができる。これは、プラズマ化された保護膜形成ガスによる凹部側壁への保護膜形成と、プラズマ化されたエッチングガスによる等方性エッチングとのバランスがとれ、マスク直下部やその近傍側壁上部の形状が改善することによって、凹部側壁が直線的になり、凹部がテーパ形状になるものと考えられる。以下、図1及び図2を参照しつつ、これについて具体的に説明する。尚、図1及び図2における符号K、符号M及び符号Hは、それぞれワイドギャップ半導体基板、マスク及び保護膜を表している。図1は、エッチングガスの供給流量に対する保護膜形成ガスの供給流量が適当であり、上述した保護膜Hの形成と等方性エッチングとのバランスがとれた状態における凹部の形成過程を示した図である。ここで、保護膜Hはエッチングによりワイドギャップ半導体基板Kから解離した反応種と供給された保護膜形成ガス由来の反応種とが化学反応することで生成するため、エッチングされている箇所の近傍で保護膜Hの形成が進行する。したがって、エッチング処理が進行するにつれ、凹部の側壁上部マスク直下部やその近傍は、イオンによるスパッタリングによってエッチングが行われる箇所凹部の底部との距離が離れ、ワイドギャップ半導体基板Kから解離した反応種が供給され難くなって保護膜Hの形成が進行し難くなる。また、形成した保護膜Hもラジカルなどの反応種との化学反応によってエッチングもされていく。このため、図1aに示すように、凹部の側壁上部は、保護膜Hがほとんどなくなる、或いは、形成されているが膜厚が薄くなる。一方、側壁上部以外の部位では、保護膜Hが形成される。したがって、側壁上部以外の部位が、保護膜Hによって保護されつつエッチングが進行することでテーパ形状になるとともに、側壁上部が、エッチングガスをプラズマ化することで生成した反応種との化学反応によって、同図中のA部位保護膜Hがほとんど形成されていない、或いは、形成されているが膜厚が薄い部位が選択的に等方性エッチングされて側壁上部の円弧状にえぐれた形状が改善され、図1bに示すように、側壁全体が直線的なテーパ状凹部が形成するものと考えられる。また、保護膜Hの形成とエッチングとのバランスをとりつつ、保護膜形成ガスの流量を調整することで、保護膜Hの形成具合が変化するため、前記A部位のエッチング速度が若干変化し、テーパ角度の異なるテーパ状凹部が形成するものと考えられる。一方、エッチングガスの供給流量に対する保護膜形成ガスの供給流量が多すぎ、保護膜Hの形成と等方性エッチングとのバランスがとれておらず、保護膜Hの形成が起こり易い状態における凹部の形成過程を示したものが図2である。この場合、図2aに示すように、エッチング処理が進行しても、側壁上部以外の部位だけでなく、側壁上部でも保護膜Hが形成し易く、上記バランスがとれた状態と比較して、側壁上部の大部分が保護膜Hに覆われるため、同図中のB部位保護膜Hがほとんど形成されていない、或いは、形成されているが膜厚が薄い部分が図1a中のA部位よりも少なく、側壁上部の等方性エッチングが進行し難くなり、当該側壁上部の形状が改善しきらず、図2bに示すように、側壁が直線的でない凹部が形成するものと考えられる。尚、本願でいうテーパ形状とは、凹部における、底部幅よりも開口幅の方が広く、側壁全体が直線であるものをいい、また、水平面と凹部の側壁面とがなす角度をθと称し、これをテーパ角度と定義する。前記ワイドギャップ半導体基板としては、炭化ケイ素基板が一例として挙げられるが、これに限られるものではなく、例えば、酸化亜鉛、或いは、窒化ガリウム,窒化アルミニウム,窒化ホウ素,リン化ホウ素などの所謂III-V族化合物などであっても良い。また、前記エッチングガスは、ワイドギャップ半導体基板が炭化ケイ素である場合にはフッ素系ガスであることが好ましく、前記保護膜形成ガスは、酸素系ガスであることが好ましい。尚、フッ素系ガスとしては、SF6ガスやCF4四フッ化炭素ガスなどが挙げられ、酸素系ガスとしては、O2酸素ガスやN2O亜酸化窒素ガスなどが挙げられる。また、エッチングガスとしてSF6ガスを用い、保護膜形成ガスとしてO2ガスを用いる場合は、SF6ガスを100~1000sccmの流量で処理チャンバ内に供給するとともに、O2ガスは、SF6ガスの流量に対して50~100の流量で処理チャンバ内に供給するのが好ましい。因みに、本願発明者らの実験結果によると、エッチングガスとしてSF6ガスを用い、当該SF6ガスを200sccmの流量で処理チャンバ内に供給するとともに、保護膜形成ガスとしてO2ガスを用い、当該O2ガスを80~220sccm内の流量で処理チャンバ内に供給した場合、O2ガスの流量に応じて、70~75°内の所望のテーパ角度を有するテーパ状凹部を形成できる。また、この場合、炭化ケイ素基板を加熱し、その温度を200°C以上にしているため、3~4μm/min程度の比較的早いエッチング速度で凹部の形成が進行する。更に、マスクの構成成分はニッケル、或いは、二酸化ケイ素であることが好ましい。この場合、マスクのエッチングが抑えられ、マスク幅の後退が起こり難くなるため、マスク幅通りの底部幅を有する凹部を形成することができる。また、本願発明者らによれば、エッチングガスとしてSF6ガス、保護膜形成ガスとしてO2ガスを用い、高温下で炭化ケイ素基板にエッチング処理を行う場合には、イオンによるスパッタリング主体のエッチングよりも、反応種との化学反応が主体のエッチングの方が起こり易く、イオンによるスパッタリング主体のエッチングの度合いが少なくなり、ニッケルがエッチングされ難くなるため、Niマスクに対する炭化ケイ素基板のエッチング選択比が200~1000と高い値を示す。尚、本発明のプラズマエッチング方法は、底部幅が10~500μm、深さが10~200μmの凹部を形成する場合に用いることが好ましい。以上のように、本発明のプラズマエッチング方法によれば、ワイドギャップ半導体基板に形成される凹部の形状がボウイング形状になるのを防止できるとともに、その形状をテーパ形状にすることができ、更に、テーパ角度を制御した凹部を形成することができる。以下、本発明の具体的な実施形態について、添付図面に基づき説明する。尚、本実施形態においては、エッチング装置1によって、ワイドギャップ半導体基板の1つである炭化ケイ素基板Kをプラズマエッチングする場合を一例に挙げて説明する。また、この炭化ケイ素基板Kは、例えば、4H-SiCの結晶構造を持つものであるものとする。まず、図3を参照しつつ、前記エッチング装置1について説明する。このエッチング装置1は、閉塞空間を有する処理チャンバ11と、処理チャンバ11内に昇降自在に配設され、前記炭化ケイ素基板Kが載置される基台15と、当該基台15を昇降させる昇降シリンダ18と、処理チャンバ11内にエッチングガス、保護膜形成ガス及び不活性ガスを供給するガス供給装置20と、処理チャンバ11内に供給されたエッチングガス、保護膜形成ガス及び不活性ガスをプラズマ化するプラズマ生成装置25と、基台15に高周波電力を供給する高周波電源30と、処理チャンバ11内の圧力を減圧する排気装置35とを備える。前記処理チャンバ11は、相互に連通した内部空間を有する上チャンバ12及び下チャンバ13から構成され、上チャンバ12は、下チャンバ13よりも小さく形成される。また、前記基台15は、炭化ケイ素基板Kが載置される上部材16と、昇降シリンダ18が接続される下部材17とから構成され、下チャンバ13内に配置されている。前記ガス供給装置20は、エッチングガスとして、例えば、SF6ガスなどを供給するエッチングガス供給部21と、保護膜形成ガスとして、例えば、O2ガスなどを供給する保護膜形成ガス供給部22と、不活性ガスとして、例えば、Heガスなどを供給する不活性ガス供給部23と、一端が上チャンバ12の上面に接続し、他端が分岐して前記エッチングガス供給部21、保護膜形成ガス供給部22及び不活性ガス供給部23にそれぞれ接続した供給管24とを備え、エッチングガス供給部21、保護膜形成ガス供給部22及び不活性ガス供給部23から供給管24を介して処理チャンバ11内にそれぞれエッチングガス、保護膜形成ガス及び不活性ガスを供給する。前記プラズマ生成装置25は、所謂誘導結合プラズマICPを生成する装置であって、上チャンバ12の外周部に上下に並設される、複数の環状をしたコイル26と、当該各コイル26に高周波電力を供給する高周波電源27とから構成され、高周波電源27によってコイル26に高周波電力を供給することで、上チャンバ12内に供給されたエッチングガス、保護膜形成ガス及び不活性ガスをプラズマ化する。また、前記高周波電源30は、前記基台15に高周波電力を供給することで、基台15とプラズマとの間にバイアス電位を与え、エッチングガス、保護膜形成ガス及び不活性ガスのプラズマ化により生成されたイオンを、基台15上に載置された炭化ケイ素基板Kに入射させる。前記排気装置35は、気体を排気する真空ポンプ36と、一端が前記真空ポンプ36に接続し、他端が下チャンバ13の側面に接続した排気管37とからなり、当該排気管37を介して真空ポンプ36が前記処理チャンバ11内の気体を排気し、処理チャンバ11内部を所定圧力に維持する。次に、以上のように構成されたエッチング装置1を用いて炭化ケイ素基板Kをプラズマエッチングする方法について説明する。まず、炭化ケイ素基板Kをプラズマエッチングするに当たり、炭化ケイ素基板Kにマスク形成処理を施す。このマスク形成処理によって、炭化ケイ素基板Kの表面に、例えば、蒸着法などを用いてマスクMを形成させた後、当該マスクMに開口部を備えた所定のマスクパターンを形成する。尚、本実施形態においては、マスクMはニッケルから構成されるものとするが、これに限られるものではなく、例えば、二酸化ケイ素のようにエッチングされ難い成分から構成されていれば良い。次に、マスクMを形成させた炭化ケイ素基板Kに対してプラズマエッチング処理を行う。まず、炭化ケイ素基板Kをエッチング装置1内に搬入して基台15上に載置し、この炭化ケイ素基板Kの温度を200°C~1000°Cの温度範囲内の所定のエッチング温度にまで加熱する。具体的には、不活性ガス供給部23から処理チャンバ11内に不活性ガスを供給するとともに、高周波電源27,30によってコイル26及び基台15に高周波電力を印加する。これにより、処理チャンバ11内に供給した不活性ガスはプラズマ化され、このプラズマ化により生成したイオンが、基台15に高周波電力を印加することで生じたバイアス電位によって、基台15上に載置された炭化ケイ素基板Kに入射、衝突する。そして、炭化ケイ素基板Kは衝突したイオンのエネルギーを吸収して温度が上昇し、やがてエッチング処理温度で平衡状態に達する。尚、処理チャンバ11内の圧力は、排気装置35によって所定の圧力に維持される。ついで、炭化ケイ素基板Kの温度がエッチング処理温度で平衡状態に達すると、当該炭化ケイ素基板Kをエッチングする。具体的には、エッチングガス供給部21から処理チャンバ11内にエッチングガスを供給するとともに、保護膜形成ガス供給部22から処理チャンバ11内に保護膜形成ガスを供給し、高周波電源27,30によってコイル26及び基台15に高周波電力を印加する。これにより、処理チャンバ11内に供給したエッチングガス及び保護膜形成ガスはプラズマ化される。そして、エッチングガスのプラズマ化により生成したイオンや反応種によって炭化ケイ素基板Kがエッチングされるとともに、保護膜形成ガスのプラズマ化により生成したイオンや反応種が炭化ケイ素基板K中のケイ素原子と化学反応して炭化ケイ素基板Kの表面に保護膜が形成される。このようにして、炭化ケイ素基板Kのエッチングと、保護膜の形成とが並行して行われ、保護膜によって保護されつつ、炭化ケイ素基板Kのエッチングが進行し、炭化ケイ素基板Kにテーパ状の凹部が形成する。尚、処理チャンバ11内の圧力は、排気装置35によって所定の圧力に維持される。因みに、本例のプラズマエッチング方法を適用してエッチングガスであるSF6ガスを200sccm、保護膜形成ガスであるO2ガスを80~220sccm内の所定の流量で処理チャンバ内に供給し、コイル印加電力2000W、バイアス電力300W、処理チャンバ内圧力10Paの条件にて、NiマスクMが形成された炭化ケイ素基板Kをエッチングしたところ、図4a及びbに示すように、側壁全体が直線的なテーパ状の凹部が形成した。具体的には、図4aは、O2ガスを100sccmの流量で処理チャンバ内に供給した場合実施例1に炭化ケイ素基板Kに形成した凹部の形状を示した図であり、図4bは、O2ガスを177sccmの流量で供給した場合実施例2に形成した凹部の形状を示した図である。実施例1においては、テーパ角度θ1が70.8°、底部幅が215.8μm、深さが62μmのテーパ状凹部が形成し、実施例2においては、テーパ角度θ2が73.4°、底部幅が215.8、深さが73.9μmのテーパ状凹部が形成した。ここで、実施例1と実施例2のテーパ角度θを比較すると、O2ガスの流量が多い実施例2の方がテーパ角度θが大きくなっており、O2ガスの流量を増加させることによってテーパ角度θは大きくなる傾向を示している。尚、本願発明者らによれば、O2ガスの流量を調整することで、70~75°の間でテーパ角度を制御することができる。また、形成する凹部の寸法は、上記各実施例で形成した凹部の寸法に限られるものではなく、底部幅が10~500μm、深さが10~200μmの凹部を形成することができる。また、上記実施例において、NiマスクMに対する炭化ケイ素基板Kのエッチング選択比は200~1000という高い値を示す。これは、高温化でSF6ガス及びO2ガスを用いることで、イオンによるスパッタリングが主体のエッチングではなく、ラジカルなどの反応種との化学反応が主体のエッチングとなり、スパッタリングが主体のエッチングの度合いが少ないため、化学反応が主体のエッチングが起こらないNiマスクMはエッチングされ難いの対して、化学反応が主体のエッチングが起こる炭化ケイ素基板Kはエッチングされ易くなり、選択比が高くなるものと考えられる。また、NiマスクMがエッチングされ難いため、マスクとしての役割を果たすために必要なNiマスクMの成膜量が少なくても済む。また、スパッタリング主体のエッチングの度合いが少ないため、Ni以外の材料に対する選択比も高く、例えば、Niより成膜及びエッチング後の除去が容易なSiO2をマスクとして使用できる。更に、Niマスクがエッチングされ難いことにより、マスク幅の後退が起き難いため、マスク幅通りの底部幅を有する凹部を形成することができる。このように、凹部がテーパ形状となるのは、以下の理由によるものだと考えられる。上例においては、プラズマ化されたO2ガスによる凹部側壁への保護膜の形成と、プラズマ化されたSF6ガスによる等方性エッチングとのバランスがとれた状態で、凹部を形成するようにしており、凹部の側壁上部には、ほとんど保護膜が形成していない、或いは、形成しているが膜厚が薄い。したがって、側壁上部とそれ以外の部位とでは、前者の方が選択的に等方性エッチングされ易く、側壁上部の形状が改善され、凹部側壁が直線的になるとともに、側壁上部以外の部位は、保護膜によって保護されつつエッチングされテーパ状になり、凹部は側壁全体が直線的なテーパ形状となる。また、O2ガスの供給流量が多い方が、テーパ角度θが大きくなる傾向を示しているが、これは、以下の理由によるものだと考えられる。O2ガスの供給流量が多い方が保護膜の形成が進行し易く、側壁上部へも保護膜の形成が進行し易いため、側壁上部における等方性エッチングが進行し難くなる。したがって、側壁上部のエッチング速度が若干変化し、テーパ角度の異なるテーパ状凹部を形成することができる。尚、図4a及びbにおいては、エッチング処理前とエッチング処理後とでマスク幅に大きな変化が見られず、凹部の底部幅がマスク幅通りにエッチングされている。一方、エッチングガスであるSF6ガスを200sccmの流量で供給し、保護膜形成ガスであるO2ガスを80~220sccm外の所定の流量で処理チャンバ内に供給し、コイル印加電力2000W、バイアス電力300W、処理チャンバ内圧力10Paの条件にて炭化ケイ素基板Kをエッチングしたところ、図5a及びbに示すように、側壁が直線的なテーパ状の凹部は形成しなかった。具体的には、図5aは、20sccmの流量で処理チャンバ内に供給した場合に炭化ケイ素基板Kに形成した凹部の形状を示したものであり、同図から見て取れるように、マスク直下部やその近傍がえぐれたボウイング形状になっている。また、図5bは、SF6ガスを200sccm、O2ガスを400sccmの流量で処理チャンバ内に供給した場合に形成した凹部の形状を示したものであり、同図より、側壁が丸みを帯びた凹部が形成する。O2ガスの供給流量を20sccmとした場合に、炭化ケイ素基板Kにボウイング形状の凹部が形成した理由としては、O2ガスの供給流量が少なすぎるため、側壁全体に対して保護膜の形成が進行し難くなるため、マスク直下部やその近傍である側壁上部を選択的に等方性エッチングすることができなくなり、側壁が全体的に等方性エッチングされたためだと考えられる。また、O2ガスの供給流量を400sccmとした場合に、側壁が丸みを帯びた凹部が形成した理由としては、O2ガスの供給流量が多すぎるため、側壁上部の大部分が保護膜に覆われて等方性エッチングが進行し難くなり、側壁上部の一部のみしか等方的にエッチングされず、形状が改善しきらなかったためだと考えられる。以上のように、本発明に係るプラズマエッチング方法は、エッチングガスとともに保護膜形成ガスを供給するようにし、保護膜形成ガスの供給流量を調整することによって、炭化ケイ素基板に側壁全体が直線的なテーパ状の凹部を形成することができる。また、テーパ状凹部のテーパ角度を制御することもできる。以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の採り得る具体的な態様は、何らこれに限定されるものではない。上例において、プラズマ発生装置25は、コイル26が上チャンバ12の外周部に上下に並設されているが、これに限られるものではなく、例えば、上チャンバ12の外部例えば上チャンバ12の天板上方に配設した構成の誘導結合プラズマICP発生装置としても良い。"