"厚み方向に上下に貫通した貫通孔を有する基板と、少なくとも一部が前記貫通孔の内部に位置しており、前記貫通孔の内部に前記厚み方向に貫通する光導波孔を有し、且つ上面が前記基板の上面よりも表面粗さの小さいクラッド部材と、前記光導波孔の内部に位置しているコア部材と、前記クラッド部材の上面に位置している導電体と、該導電体に電気的に接続された、前記コア部材の上面と対向する受光面または発光面を持つ光素子とを備える光伝送基板。前記クラッド部材は、前記貫通孔の内部から連続して前記基板の上面の一部を覆う第1延在部をさらに有する請求項1に記載の光伝送基板。前記導電体は、上面視したときに、一部が前記貫通孔と重なっている請求項1または2に記載の光伝送基板。前記基板は、前記上面に位置している配線をさらに有し、前記クラッド部材は、前記貫通孔の内部から連続して前記配線の一部を覆う第2延在部をさらに有しており、該第2延在部は前記基板の厚み方向に上下に貫通するクラッド貫通孔を有し、前記導電体は、前記クラッド貫通孔を通って前記配線に接続されている貫通導体をさらに有する請求項1~3のいずれかに記載の光伝送基板。前記クラッド部材の上面は、前記コア部材の上面と同一面をなす請求項1~4のいずれかに記載の光伝送基板。前記クラッド部材は、前記光導波孔を複数備え、複数の該光導波孔の内部にそれぞれ対応して複数の前記コア部材が位置しており、複数の該コア部材にそれぞれ対応して複数の前記導電体が設けられているとともに、複数の該導電体にそれぞれ電気的に接続された複数の光素子を有する請求項1~5のいずれかに記載の光伝送基板。厚み方向に上下に貫通した貫通孔を有する基板と、少なくとも一部が前記貫通孔の内部に位置しており、前記貫通孔の内部に前記厚み方向に貫通する光導波孔を有するクラッド部材と、前記光導波孔の内部に位置している第1コア部材と、前記クラッド部材の上面に位置し、且つ上面が前記基板の上面よりも表面粗さの小さい中間層と、該中間層の上面に位置している導電体と、該導電体に電気的に接続された、前記第1コア部材の上面と対向する受光面または発光面を持つ光素子とを備える光伝送基板。前記中間層は、前記クラッド部材の上面から連続して前記基板の上面の一部を覆う第3延在部をさらに有する請求項7に記載の光伝送基板。前記中間層は、透光性の材料からなるとともに、前記クラッド部材の上面から連続して前記第1コア部材の上面を覆う第4延在部をさらに有する請求項7または8に記載の光伝送基板。前記中間層は、前記クラッド部材と同一の材料からなる請求項7~9のいずれかに記載の光伝送基板。前記中間層は、前記基板の厚み方向に上下に貫通するとともに前記光導波孔に連続した第2光導波孔を有する請求項7~10のいずれかに記載の光伝送基板。前記中間層は、前記第2光導波孔の内部に位置している第2コア部材をさらに有する請求項11に記載の光伝送基板。前記第2コア部材は、前記第1コア部材と同一の材料からなる請求項12に記載の光伝送基板。前記クラッド部材は、前記光導波孔を複数備え、複数の該光導波孔の内部にそれぞれ対応して複数の前記第1コア部材が位置しており、複数の該第1コア部材にそれぞれ対応して複数の前記導電体が設けられているとともに、複数の該導電体にそれぞれ接続された複数の光素子を有する請求項7~13のいずれかに記載の光伝送基板。請求項1~14のいずれかに記載の光伝送基板と、前記導電体に電気的に接続された回路素子とを備える光伝送モジュール。厚み方向に上下に貫通した貫通孔、および上面に位置している配線を有する基板を準備する工程と、感光性材料を、前記貫通孔の内部に充填するとともに前記配線上に塗布する工程と、第1遮光部および第2遮光部を有する遮光板を、前記第2遮光部が前記配線と重なるように配置する工程と、前記感光性材料のうち前記第1遮光部および前記第2遮光部と重なる領域以外の領域に対応する露光部を露光することによって、前記感光性材料を前記第1遮光部および前記第2遮光部と重なる領域に対応する未露光部を有するクラッド部材に変化させる工程と、前記感光性材料の前記未露光部を前記厚み方向に上下に貫通するように除去することによって、前記第1遮光部に対応する光導波孔および前記第2遮光部に対応するクラッド貫通孔を形成する工程と、前記光導波孔の内部に、前記クラッド部材の屈折率よりも屈折率が大きい透光性材料からなるコア部材を充填する工程と、前記クラッド貫通孔の内部にかけて導電材料を充填して貫通導体を形成する工程とを備える光伝送基板の製造方法。<光伝送基板の第1の実施形態>以下、本発明に係る第1の実施形態の光伝送基板、および本発明に係る実施形態の光伝送モジュールとして、光伝送モジュール10および光伝送基板20を例示し、図面を参照しつつ説明する。図1および図2に示した光伝送モジュール10は、光伝送基板20および回路素子12を備えている。図3および図4に示した光伝送基板20は、光素子11および回路素子12を取り外した平面図であり、基板30、クラッド部材40、コア部材50、導電体60を備えている。基板30は、クラッド部材40、コア部材50を支持する機能を担っている。基板30の厚みは、例えば01mm以上2mm以下の範囲が挙げられる。この基板30は、例えば、ガラス基材からなるエポキシ樹脂基板、ガラス基材からなる銅張基板、ポリイミド樹脂基板およびセラミック基板などを使用することができる。基板30は、単層の基板、または複数の基板を積層した積層体によって構成されている。本実施形態では、複層のセラミック基板を採用している。本実施形態の基板30は、複数の副基板31が積層されて構成されている。基板30は、図4に示すように、厚み方向に上下に貫通している貫通孔30aを有している。貫通孔30aは、副基板31に設けられている副貫通孔31aが連なって構成されている。副貫通孔31aは、副基板31の各々に設けられており、副基板31を厚み方向に貫通している。この厚み方向を図4ではD1、D2方向として示している。貫通孔30aの内部には、少なくともクラッド部材40の一部が位置している。すなわち、クラッド部材40は、貫通孔30の内部全体を埋めるように位置していてもよいし、貫通孔30の内部全体を埋めないように位置していてもよい。また、クラッド部材40は、貫通孔30の内部のみに位置していなくてもよく、例えば、貫通孔30aの内部および当該内部から基板30の表面の一部に延在するように位置していてもよい。本実施形態では、クラッド部材40が、貫通孔30aの内部に位置している場合について説明する。クラッド部材40は、当該クラッド部材40の内部に設けられるコア部材50を支持する機能を有している。クラッド部材40は、厚み方向に貫通している複数の貫通孔を有している。この貫通孔を光導波孔40aとしている。光導波孔40aは、厚み方向と直交する1つの方向に沿って並んでいる。この1つの方向を本実施形態では第1方向としている。この第1方向を図2~図4ではD3,D4方向として示している。また、この第1方向は、基板30の面方向に延びている。光導波孔40aの内部には、コア部材50が設けられている。コア部材50の第1方向における間隔としては、例えば625μm以上250μm以下の範囲が挙げられる。クラッド部材40は、上面40Aの表面粗さが、基板30の上面30Aの表面粗さよりも小さくなっている。表面粗さは、例えば十点平均高さRzなどを用いることができる。ここで、十点平均高さRzは、例えばJISB0601-2001などを用いることができる。クラッド部材40の上面40Aおよび基板30の上面30Aにおいて、表面粗さの測定結果が場所によって大きく異なる場合には、表面粗さとして最大高さRyを用いてもよい。最大高さRyは、例えばJISB0601-2001を用いることができる。クラッド部材40の表面粗さ十点平均高さRzは、基板30の表面粗さ十点平均高さRzよりも小さく設定されていればよい。そのため、クラッド部材40の表面粗さ十点平均高さRzは、例えば05μm以下となるように設定することができる。クラッド部材40が、基板30の表面と比較して、表面粗さが小さくなっているのは、クラッド部材40が例えばエポキシ樹脂などの樹脂材料によって構成されている点が挙げられる。後述する通り、樹脂材料がベークされることによって、樹脂材料は表面粗さが小さい状態で硬化されると考えられるからである。コア部材50は、光伝送基板20の光導波路20aとしての機能を有している。コア部材50の屈折率は、クラッド部材40の屈折率に比べて大きくなっている。このように、クラッド部材40の屈折率に比べてコア部材50の屈折率を大きくすることで、コア部材50が光導波路20aとして機能することができるようになる。つまり、クラッド部材40は光導波路20aのいわゆるクラッドとして機能し、コア部材50は光導波路20aのコアとして機能している。コア部材50の屈折率としては、クラッド部材40の屈折率に対しての比屈折率差として、例えば08以上4以下の範囲となるように設定することができる。光導波体20aは、クラッド部材40の上面40Aが、コア部材50の端面と同一面をなしていてもよい。このようにクラッド部材40の上面40Aが配置されていることにより、精度よく光電変換素子11を実装することができる。導電体60は、クラッド部材40の上面40Aに位置している。導電体60には、光電変換素子11が電気的に接続される。導電体60は、少なくとも一部がクラッド部材40の上面40Aに位置していればよい。具体的には、導電体60は、全体がクラッド部材40の上面40Aに位置していてもよいし、クラッド部材40の上面40Aから基板30の上面30Aに渡って連続して位置していてもよい。導電体60は、導電材料を用いればよく、例えば金属材料または透明導電材料を積層したもの、半田などの導電ペースト、または導電性接着材などを用いることができる。導電体60は、配線61によって基板30上に引き出されている。配線61は、導電体60と同じ材料で構成されていてもよいし、導電体60と異なる材料で構成されていてもよい。配線60は、副基板31を貫通して形成されている貫通導体、および2つの副基板31の間に形成される中間配線層が含まれていてもよい。この貫通導体としては、中央が中空となった形状でも、また中央が導電ペーストなどによって埋められた構成でもかまわない。この貫通導体は、めっき法、金属膜の蒸着法および導電性樹脂の注入法などの方法を用いて形成できる。本実施形態においては、導電体60全体がクラッド部材40の上面40Aに設けられ、配線61がクラッド部材40の上面40Aから基板30の上面30Aにかけて連続して設けられている。光電変換素子11は、導電体40に電気的に接続されるように、実装されている。また、光電変換素子11は、受光面または発光面以下、受発光面11Aというが、コア部材50の上面50Aと対向するように位置している。光電変換素子11の受発光面11Aは、例えば、平面視してコア部材50の上面50Aと重なるように配置されていればよい。光電変換素子11は、入力された電気信号に応じて光を発する機能、または入射された光に応じて電気信号に変換する機能を有している。光電変換素子11は、光導波路20aに光学的に結合している。本実施形態の光電変換素子11は、導電体60および配線61を介して入力された電気信号に応じて光導波路20aに光信号を伝送する機能、または光導波路20aを介して入力された光信号に応じて配線60に電気信号を伝送する機能を担っている。光電変換素子11としては、種々の発光素子が適用できる。光電変換素子11としては、例えば垂直共振器面発光レーザVCSEL:VerticalCavitySurfaceEmittingLaserなどを用いることができる。また、光電変換素子11としては、例えばフォトダイオードPD:PhotoDiodeなど種々の受光素子が適用できる。この受光素子としてPDを採用する場合は、応答速度の速い素子が好ましく、例えばPIN-PDなどが挙げられる。光電変換素子11は、1つの素子に1つの受発光面11Aを有していてもよいし、1つの素子に複数の受発光面11Aを有していてもよい。本実施形態の光電変換素子11は、1つの素子に1つの受発光面11Aを有している。1つの受発光面11Aは、1つのコア部材50光導波路20aに対応して配置されている。本実施形態の光伝送基板20は、導電体60がクラッド部材40の上面40Aに位置している。そのため、コア部材50に対してクラッド部材50の位置および導電体60の位置などを調整することによって、コア部材50に対する光電変換素子11の位置を調整することができ、光伝送基板の設計の自由度を高くすることができる。さらに、導電体60が、基板30の上面30Aよりも表面粗さの小さいクラッド部材40の上面40Aに位置している構成を有していてもよい。この構成を有していることによって、光伝送基板20は、導電体60が基板30の上面30Aに位置している場合と比較して、導電体60の電気抵抗値を小さくすることができる。また、表面粗さの小さいクラッド部材40の上面40Aに導電体60が位置していることから、導電体60を通る電気信号の高周波特性を向上させることができる。これにより、光電変換素子11が、例えば発光素子であった場合、発光素子から発光される光の光強度の変動を抑制することができる。また、光電変換素子11が、例えば受光素子であった場合、受光した光の電気信号の変動を抑制することができる。このようにクラッド部材40の上面40Aが、基板30の主面30Aよりも表面粗さが低くなっている理由としては、クラッド部材40が例えばエポキシ樹脂などの樹脂材料によって構成されている点が挙げられる。これは、樹脂材料がベークされることによって、樹脂材料は表面粗さが小さい状態で硬化されると考えられるからである。一方、基板上に導電体を形成した光伝送基板では、光素子を実装する導電体を基板上に設けていた。そのため、基板の上面の表面粗さが大きいことから、導電体を流れる電流の電流密度が基板との界面で変動しやすくなり、電気特性および高周波特性を向上させることが難しかった。また、基板の上面の表面粗さが大きいことから、配線を細くすることが難しく、小型化を行なうにつれて電気抵抗がさらに高くなるおそれがあった。光伝送基板の変形例1クラッド部材40は、図5に示すように、貫通孔30aの内部から連続して基板30の上面30Aの一部を覆う第1延在部40’aをさらに有していてもよい。第1延在部40’aは、平面視して、基板30の貫通孔30aと重ならない領域のクラッド部材40を指す。本実施形態では、クラッド部材40が、貫通孔30aの内部から連続して上面30Aの一部を覆うように設けられている場合について示しているが、貫通孔30aの内部から連続しておらず上面30Aの一部に島状に設けられていてもよい。導電体60は、平面視して、貫通孔30aと重なる領域の上面40Aから第1延在部40’aの上面40aAにかけて連続して設けられていてもよいし、第1延在部40’aの上面40aAにのみに設けられていてもよい。このようにクラッド部材40が第1延在部40’aを有することによって、平面視して、貫通孔30aと重ならない領域にも導電体60を配置することができる。その結果、貫通孔30aと重ならない領域に位置する導電体60の電気特性を向上させることができる。光伝送基板の変形例2導電体60は、図6に示すように、上面視したときに、一部が貫通孔30aと重なっていてもよい。このように導電体60が、貫通孔30aと重なるように位置している場合には、光電変換素子11を効率よく導電体60に実装することができる。具体的には、光電変換素子11において、受発光面11Aと実装位置との距離が近接した素子を用いた場合には、格別の実装容易性を有している。これについて、図6を参照しつつ説明する。図6は、光導波体20a、基板30、および光電変換素子11などの一部を拡大した断面図である。ここで、光電変換素子を基板上に実装していた従来の光伝送基板だと、光電変換素子の受発光面と実装位置との距離によってコア部材の位置を調整する必要があり、光導波体の設計の自由度が低かった。すなわち、コア部材の位置が、光電変換素子の受発光面と実装位置との距離によって制限されていた。これに対して、本実施形態の光伝送基板20では、クラッド部材40上に形成する導電体60をコア部材に近づけることができるため、光電変換素子11における受発光面11Aと実装位置との距離Spが近接している場合でも、コア部材50の位置を調整する必要性を低くすることができる。そのため、光電変換素子11で用いる発光素子および受光素子の選択性、または光伝送基板の設計の自由度を高めることができる。その結果、光伝送基板20を汎用性の高いものとすることができる。光伝送基板の変形例3基板20は、図7~9に示すように、上面20Aに位置している配線61を有し、クラッド部材40は、貫通孔30aの内部から連続して配線61の一部を覆う第2延在部40bをさらに有していてもよい。さらに、当該第2延在部40bは、基板30の厚み方向に上下に貫通するクラッド貫通孔40cを有し、導電体60は、クラッド貫通孔40cを通って配線61に接続されている貫通導体60aをさらに有している。第2延在部40bは、基板20の上面20上に位置する配線61の一部と重なるように配置されたクラッド部材40の一部第1延在部40’aである。第2延在部40bは、貫通孔30aの内部から連続して配線61の一部を覆うように位置していてもよいし、貫通孔30aの内部から連続していなくてもよい。第2延在部40bは、配線61の上面からの厚みが、例えば01μm以上50μm以下となるように設定することができる。クラッド貫通孔40cは、平面視して、配線61と一部が重なるように位置していればよい。、クラッド貫通孔40cは、その径が、例えば05μm以上100μm以下となるように設定することができる。クラッド貫通孔40cは、第2延在部40bから配線61が露出するように配置されている。クラッド貫通孔40cは、例えば円柱形状、四角柱などの多角柱形状、円錐形状、または多角錐形状などを用いることができる。クラッド貫通孔40cとして、底面が配線61側に位置している円錐形状または多角錐形状を用いた場合、当該クラッド貫通孔40cに貫通導体60aを設けると貫通導体60aを抜けにくくすることができる。導電体60は、クラッド貫通孔40cを通って配線61に接続されている。具体的に、図9を参照して説明する。導電体60は、クラッド部材40の上面40Aの一部に設けられているとともに、クラッド貫通孔40cを通って配線61と電気的に接続されている。ここで、クラッド部材40の上面40Aに設けられた導電体とは、クラッド部材40上に位置する導電体部60aである。貫通導体60bは、導電体部60aと配線61とを電気的に接続するものであり、クラッド貫通孔40cの内部に位置している。貫通導体60bは、クラッド貫通孔40cを埋めるように位置していてもよいし、一部空間があるように位置していてもよい。導電体部60aおよび貫通導体60bは、同じ導電材料で構成されていてもよいし、異なる導電材料で構成されていてもよい。導電体部60aおよび貫通導体60bを同じ導電材料で構成する場合には、例えばクラッド貫通孔40cの内部に導電材料をあふれるように充填して一部がクラッド部材40の上面40Aに形成されるようにすればよい。本実施形態では、導電体部60aが第2延在部40’bの上面に位置している。そのため、導電体全体を配線に設ける場合と比較して、配線61よりも第2延在部40’bの上面の表面粗さが小さいことから、導電体部60aの電気特性を向上させることができる。光伝送基板の変形例4クラッド部材40は、光導波孔40aを複数備え、複数の光導波孔40aの内部にそれぞれ対応して複数のコア部材50が位置しており、複数のコア部材50にそれぞれ対応して複数の導電体60が設けられていてもよい。さらに、複数の導電体60は、それぞれ電気的に接続された複数の光電変換素子11を有する。図10に示すように、基板30の貫通孔30a内に、複数のコア部材50を備えた、複数の光導波体20aを有している。そのため、コア部材50の配列方向D5,D6方向に、それぞれのコア部材50と光結合する光電変換素子11が複数個配置される。このように光導波体20a内にコア部材50を複数有する構成であっても、クラッド部材40の上面40Aが基板30の主面30Aよりも表面粗さが小さくなっている。そのため、光電変換素子11を配列方向に複数個配置する場合でも、配列方向に複数の光電変換素子11を基板30に実装することができ、それぞれの光電変換素子11において高い実装精度を維持することができる。フォトリソグラフィ技術を採用して光導波孔20aを形成する場合には、例えば、次の利点がある。第1の利点としては、複数の光導波孔20aの間での相対的な位置ずれを極めて小さくすることができる点が挙げられる。複数の光導波孔20aを一度の露光によって同時に形成することができるからである。光導波孔20aの位置ずれを小さくすると、光伝送基板20よりも外に配置された他の光導波路に光学的に接続する際に、当該他の光導波路に対して光導波孔20aの内部を伝わる光を良好に伝送することができる。フォトリソグラフィ技術を採用する場合のずれは、光導波孔20aに相当するフォトマスクにおけるマスク部分の位置ずれに依存することになる。このフォトマスクの製造誤差は、一般的に1μm未満とすることができるので、光導波孔20aの位置ずれをコア部材50の径よりも小さくすることが容易に可能である。第2の利点としては、光導波孔40aの内壁を滑らかにすることができる点が挙げられる。これは、直進性の高い光を利用して光導波孔20aを形成するからである。光導波孔20aの内壁面を滑らかにすることによって、光導波孔20aの内部を伝わる光の損失を小さくすることができる。当業者の間では、内部を伝わる光の波長に対して、光導波孔40aの内壁面の粗さが十分に小さいことが好ましいとされている。光伝送基板の変形例5光伝送基板20は、図11に示すように、コア部材50を挟んで導電体60と反対側のクラッド部材40の上面40Aに第2導電体60aを設けてもよい。図11は、光導波体20a、基板30、および光電変換素子11の一部を拡大した断面図である。第2導電体60aは、どこの端子にも接続されず、電気的に孤立したものでもよい。第2導電体60aには、接続体62によって、光電変換素子11が実装される。なお、この場合、導電体60および第2導電体60aとしては、例えば導電層などを用いればよい。このように、D3,D4方向にコア部材50を挟んで、光電変換素子11が固定されることから、光電変換素子11の実装精度を向上させることができる。その結果、光電変換素子11とコア部材50とを効率よく光結合させることができる。第2導電体60aの厚みは、導電体60と同じ厚みに設定してもよい。これにより、光電変換素子11を、受発光面11Aおよびクラッド部材40の表面同士が向かい合うようにした状態で実装しやすくすることができる。すなわち、受発光面11Aとコア部材50の上面50Aとが略水平となった状態で、光電変換素子11を実装することができる。また、第2導電体60aは、光電変換素子11を駆動させるための電気信号を流す配線に接続していてもよいし、グラウンド端子であってもよい。これにより、光電変換素子11に接続される導電体の数を維持しつつ、光電変換素子11の実装精度を向上させることができる。光伝送基板の変形例6光伝送基板20は、図12に示すように、光導波体20aの端面の一部コア部材50を含むクラッド部材40の一部領域と、光電変換素子11の受発光面11Aとの距離を調整してもよい。図12は、光導波路20aの端面の一部が、光電変換素子11の受発光面11A側に近づくよう、突出して設けられている場合を示す。このように光電変換素子11は、受発光面11Aとコア部材50の上面とが近づくことにより、例えば光電変換素子11からコア部材50へ光結合した際に、光電変換素子11から出射した光がコア部材50から漏れることを抑制することができる。また、図12に示すように、光導波体20aの上面から突出した光導波体20aの一部の側面と、導電体60とが離隔して配置することにより、光導波体20aの側面と導電体60との間に溝を有するようにしてもよい。この場合、例えば半田などの融解しやすい金属部材を接続体62に用いて光電変換素子11を実装する場合に、当該金属部材がコア部材50に付着することを、光導波体20aと導電体60との間に形成される溝によって抑制することができる。第1の実施形態に係る光伝送基板の製造方法以下、本発明に係る第1の光伝送基板の製造方法の一例として光伝送基板20の製造方法を例示し、図面を参照しつつ説明する。まず、厚み方向D1,D2方向に上下に貫通した貫通孔30aを有する基板30を準備する。本実施形態の基板30は、次の工程を経て製造される。まず、図13aに示したように、焼成することで副基板31となる複数のグリーンシート31Xを準備する。次に、図13bに示したように、このグリーンシート31Xに副貫通孔31aとなるシート孔31Xaを開ける。シート孔31Xaの形成と併せて、配線60の貫通導体に用いられる貫通孔が必要に応じて形成される。これらの孔開けは、種々の方法で形成でき、例えば、ピンおよび金型でシートを打ち抜いたり、レーザ光で削ったりして形成できる。次に、グリーンシート31Xに配線60となる金属ペーストを配置する。この金属ペーストは、例えばスクリーン印刷技術を利用したり、インクジェット印刷技術を採用したりして形成することができる。配線60となる金属ペーストとしては、例えばタングステンW、モリブデンMo、マンガンMn、銀Agおよび銅Cuなどの金属を含有させたものを用いることができる。次に、図13cに示したように、シート孔31Xaが連なるようにグリーンシート31Xを積層する。次に、積層したグリーンシート31Xを焼成して、図13dに示したように、貫通孔30aを有する基板30を形成する。グリーンシート31Xの焼成と併せて金属ペーストを焼成し、上面30Aに配線60を形成する。次に、図14aに示したように、基板30の貫通孔30aの内部に、硬化させることによってクラッド部材40となる感光性材料40Xを充填する。さらに、感光性材料40Xを基板30の貫通孔30aの内部に充填する際に、配線61を被覆するように塗布する。この感光性材料としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂およびポリイミド樹脂などを基材としたものが挙げられる。本実施形態では、露光することで現像液に対しての溶解性が低下するネガ型のフォトレジストを採用する。その後、感光性材料40Xを加熱プリベークした後に、当該プリベークされた感光性材料40Xを露光する。この露光の際には、光導波孔40aとなる領域に光が照射されないように遮光する複数の遮光部を持つフォトマスクなどの遮光板45を用いる。このようなフォトマスクを採用いることによって、プリベークされた感光性材料40Xの前述した遮光部と重なる領域以外を露光する。その後、感光性材料40Xを加熱プリベークした後に、図14bに示すように、当該プリベークされた感光性材料40Xを露光する。この露光の際には、光導波孔20aとなる領域に光Lhが照射されないように遮光する複数の遮光部を持つフォトマスクなどの透光板45を用いる。遮光板45は、具体的に、貫通孔30aの一部と重なる第1遮光部45aおよび第1の遮光部45aから離れて位置した第2遮光部45bを有している。第1遮光部45aおよび第2遮光部45bは、光導波孔40aおよびクラッド貫通孔40cにそれぞれ対応して配置すればよい。第1遮光部45aおよび第2遮光部45bは、厚みおよび材料を適宜選択することができ、光Lhが透過しにくくなればよく、例えば、透過率が05以上20以下となるように設定すればよい。このような遮光板45を通して光をプリベークされた感光性材料40Xに当てることによって、充填された感光性材料40Xの第1遮光部45aおよび第2遮光部45bが重なる領域以外を露光する。これによって、感光性材料40Xを第1遮光部45aおよび第2遮光部45bに対応する未露光部を有するクラッド部材に変化させることができる。この露光の際の光源としては、例えば、各種ランプ、レーザおよび電子線などの種々のものが採用できる。光源は、感光性材料40Xの材料の特性によって選択すればよい。遮光板45を通る光Lhとして平行光基板30の厚み方向に平行な光を用いることによって、遮光部によって回折されにくくすることができ、光導波孔40aおよびクラッド貫通孔40cとなる未露光部を精度よく形成することができる。次に、露光された感光性材料40Xを加熱ポストベークする。次に、ポストベークされた感光性材料40Xを現像液で現像して、露光された感光性材料40Xをクラッド部材40に変化させた後、図15aに示したように、光導波孔40aおよびクラッド貫通孔40cを有するクラッド部材40を形成する。その後、クラッド部材40に変化した部分以外の感光性材料40X未露光部の感光性材料40Xを除去して、厚み方向に貫通した光導波孔40a、および配線60の上面を露出させるクラッド貫通孔40cを有するクラッド部材40に形成することができる。なお、光導波孔40aは第1遮光部45a、およびクラッド貫通孔40cは第2遮光部45bにそれぞれ対応した位置に形成される。このように感光性材料40Xを硬化させることによってクラッド部材40を形成することから、クラッド部材40の上面40Aが基板30よりもよい平坦性となる。なお、クラッド部材40の上面40Aを化学機械研磨法などの研磨を行なうことによって、上面40Aの平坦性をさらに向上させてもよい。次に、クラッド部材40の光導波孔40aにコア部材50となる透光性材料を充填する。その後、この充填した透光性材料を、例えば特定の波長を有する光照射またはベークなどの手段を用いて硬化させることによって、図15bに示したように、コア部材50を形成する。さらに、クラッド貫通孔40cの内部に導電材料を充填する。これによって、クラッド貫通孔40cの内部に貫通導体60bを形成する。貫通導体60bを充填する方法としては、例えばスクリーン印刷技術またはインクジェット印刷技術などを用いることができる。このように、クラッド貫通孔40cの内部に導電材料を充填することによって導電体60を設けることから、導電体60を確実に配線61と電気的に接続することができる。その後、光電変換素子11が、導電体60上に、導電体60または接続体62を介して実装される。接続体62は光電変換素子11に予め形成されていてもよく、接続体62を導電体60に当接するように光電変換素子11が導電体60上に実装される。接続体62の横幅は、例えば3μm以上60μm以下となるように設定することができる。なお、導電体60上には、接続体62と密着性の良いフラックス等を予め形成していてもよい。光電変換素子11は、例えば、基板30の主面30Aに形成された位置合わせマーカーなどを用いたパッシブアライメントによって位置合わせしつつ、実装される。この位置合わせマーカーとして、例えば導電体60を用いてもよい。導電体60は、コア部材50の位置に合わせて形成することができるため、コア部材50に対する位置精度を高いものとすることができる。接続体62は、光電変換素子11と導電体60とが電気的に接続されるとともに、両者を固定するためのものであり、例えば半田を含む材料などを用いることができる。このような工程を経て、光伝送基板20を製造することができる。<光伝送モジュール>本発明に係る実施形態の光伝送モジュール10は、図1および図2に示すように、光伝送基板20が、導電体60に電気的に接続された回路素子12を有している。光伝送基板20と回路素子12とは、導電体60および配線61を介して電気的に接続されている。回路素子12は、配線61を介して光電変換素子11と電気的に接続されている。この回路素子12は、光電変換素子11の担う機能によって、担う機能が異なっている。光電変換素子11が光を発する場合に、回路素子12は、光電変換素子11に変調された電気信号変調電圧を入力して、光電変換素子11の発光強度を制御している。また、光電変換素子11が光を受ける場合には、回路素子12は、光電変換素子11で受光する光信号強度に応じて出力される電流信号を電圧信号に変換して出力している。回路素子12は、信号の波形を制御したり、ノイズ成分を除去したりする機能を併せ持っていてもよい。なお、光電変換素子11で発する電気信号の出力が小さい場合であれば、信号を増幅する機能を担っていてもよい。この信号増幅機能は、光電変換素子11自体が有していてもよい。また、この回路素子12は、論理演算および数値計算を行なう機能を有していてもよい。光伝送モジュールの変形例図16aに示すように、回路素子12が、基板30と光導波体20aとを跨ぐように配置されていてもよい。具体的には、導電体60および配線61がクラッド部材40の上面40Aに設けられており、回路素子12の一部を実装する実装電極63が基板30の主面30A上に設けられている。この場合、図16bに示すように、導電体60および配線61がクラッド部材40の上面40Aに配置されるように、基板30の貫通孔30aが大きく形成される。このようにして、回路素子12が基板30と光導波体20aのクラッド部材40とを跨ぐように配置されていることによって、導電体60および配線61が熱膨張熱収縮などを繰り返した場合であっても、導電体60および配線61がクラッド部材40上にのみ形成されている基板30の主面30A上には形成されていないことから、導電体60および配線61と、基板30との間で熱応力が発生することを抑制することができる。<光伝送基板および光伝送モジュールの第2の実施形態>以下、本発明に係る光伝送モジュールの第2の実施形態として光伝送モジュール10’を例示し、図面を参照しつつ説明する。図17に示した光伝送モジュール10’は、光伝送基板20、光素子としての光電変換素子11および回路素子12を備えている。光電変換素子11および回路素子12は、先に詳述したものと同様の構成であるので説明を省略する。図17に示した光伝送基板20’は、クラッド部材40の上面40Aに位置し、且つ上面40Aが基板30の上面30Aよりも表面粗さの小さい中間層を有している点、および導電体60が中間層70の上面70に位置している点が大きく異なっている。また、本実施形態に係る光伝送基板20’は、第1の実施形態に係る光伝送基板20’と比較して、クラッド部材40の上面40Aの表面粗さが基板30の上面30Aよりも小さくなっていなくてもよい。光伝送基板20’の他の構成は、光伝送基板20と同様であるので説明を省略する。中間層70は、図17に示すように、クラッド部材40の上面40Aから基板30の主面30Aにわたって設けられていてもよい。中間層70は、基板30の主面30Aからの厚みが、例えば1μm以上100μm以下となるように設定されている。中間層70は、クラッド部材40の上面40Aにのみ位置していてもよいし、クラッド部材40の上面40Aから連続して基板30の上面30Aの一部を覆う第3延在部40’cをさらに有するように位置していてもよい。ここで、第3延在部70’aは、基板30の貫通孔30aと重ならない領域の中間層70を指す。本実施形態では、第3延在部70’aを有している場合について説明する。中間層70は、その上面70Aが、基板30の主面30Aよりも表面粗さが小さくなっている。中間層70の十点平均高さRzは、基板30の主面30Aの十点平均高さRzよりも低く設定すればよく、例えば05μm以下となるように設定することができる。このように中間層70が、基板30の主面30Aよりも表面粗さが低くなっている理由としては、中間層70が例えばエポキシ樹脂などの樹脂材料によって構成されている点が挙げられる。これは、樹脂材料がベークされることによって、樹脂材料は表面粗さが小さい状態で硬化されると考えられるからである。中間層70は、例えばエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などを用いることができる。中間層70としてエポキシ樹脂を用いることにより、クラッド部材40がエポキシ樹脂系の材料で形成される場合、クラッド部材40との間で発生する熱応力を抑制することができる。一方、中間層70としてポリイミド樹脂を用いることにより、ポリイミド樹脂の金属材料に対する親和性が高いことから、中間層70上に導電体60を良好に形成することができ、配線導体60の剥がれを抑制することができるため、光伝送基板20’の信頼性を高めることができる。本実施形態の光伝送基板20’は、導電体60がクラッド部材40の上面40Aに位置している。そのため、コア部材50に対してクラッド部材50の位置および導電体60の位置などを調整することによって、コア部材50に対する光電変換素子11の位置を調整することができ、光伝送基板の設計の自由度を高くすることができる。さらに、導電体60が中間層70の上面70Aに位置している構成を有していてもよい。この構成を有していることによって、中間層70の上面70Aの表面粗さが基板30の上面30Aの表面粗さよりも小さくなっていることから、中間層70の上面70Aに位置する導電体60の電気特性および高周波特性を向上させることができる。一方、基板上に導電体を形成した光伝送基板では、光素子を実装する導電体を基板上に設けていた。そのため、基板の上面の表面粗さが大きいことから、導電体を流れる電流の電流密度が基板との界面で変動しやすくなり、電気特性および高周波特性を向上させることが難しかった。また、基板の上面の表面粗さが大きいことから、配線を細くすることが難しく、小型化を行なうにつれて電気抵抗がさらに高くなるおそれがあった。本実施形態において、光伝送基板20’は、クラッド部材40に光導波孔40aを複数備え、複数の光導波孔40aの内部にそれぞれ対応して複数の第1コア部材50が位置しており、複数の第1コア部材50にそれぞれ対応して複数の導電体60が設けられているとともに、複数の導電体60にそれぞれ接続された複数の光電変換素子11を有していてもよい。第2の実施形態に係る光伝送基板の変形例1中間層70は、図18に示すように、透光性の材料からなるとともに、クラッド部材40の上面40Aから連続して第1コア部材50の上面50Aを覆う第4延在部70’bをさらに有していてもよい。ここで第4延在部70’は、第1コア部材50と重なる領域の中間層70を指す。このように中間層70を透光性材料で構成することによって、第1コア部材50の上面50Aを覆ったとしても光電変換素子11と第1コア部材50とを光接続させることができるため、中間層70を容易に形成することができる。また、配線61全体を中間層70に容易に設けることができる。配線61全体が中間層70上に位置する場合には、配線61の高周波特性を向上させることができる。中間層70は、例えば、基板30の上面30A、クラッド部材40の上面40Aおよび第1コア部材50の上面50Aを被覆するように、中間層70の材料を塗布すればよい。このように容易に中間層70を設けることができるため、設計自由度を高めることができる。第2の実施形態に係る光伝送基板の変形例2中間層70は、図19に示すように、クラッド部材40と同一の材料で構成されていてもよい。図19では、中間層70は光導波孔40aと連続した第2光導波孔70aを有しており、当該第2光導波孔70aの内部には第2コア部材50’が充填されている。第2コア部材50’は、コア部材50と同じ材料で構成されていていてもよいし、コア部材50’と異なる材料で構成されていてもよい。第2コア部材50’がコア部材50と同じ材料で構成されている場合には、光導波孔40aにコア部材50を充填する工程の際に第2コア部材50’を第2光導波孔70aに充填することができるため、生産性を向上させることができる。また、第2コア部材50’がコア部材50と異なる材料で構成されている場合には、光電変換素子11とコア部材50に入射する光を調整することができるため、設計自由度を高めることができる。本実施形態では、コア部材50および第2コア部材50’が同じ材料で構成されている場合を示している。このように中間層70がクラッド部材40と同じ材料によって構成されていることによって、中間層70を容易に形成することができる。すなわち、中間層70は、光導波体20aを形成する際に一体的に製造されるため、中間層70を形成する場合でも、工程数の増加を抑制して光伝送基板20’を作製することができる。第2の実施形態に係る光伝送基板の変形例3中間層70は、図20に示すように、基板30の厚み方向に上下に貫通するとともに、光導波孔40aに連続した第2光導波孔70aを有していてもよい。中間層30は、光導波体40aの上面40A全体に形成されているとともに、厚み方向に貫通する、光導波孔40aに連続した第2光導波孔70aを有していてもよい。ここで連続したとは、光導波孔40aと第2光導波孔70aとが一部でも連続して貫通していればよいものである。本実施形態では、第2光導波孔70aは、内側面が、光導波孔40aの内側面と連続するように設けられている。このように第2光導波孔70aの内側面を設定することにより、クラッド部材40に光導波孔40aを形成する際に、中間層70に第2光導波孔70aも一括して形成することができ、第2光導波孔70aを形成する場合でも工程数が増えることを抑制することができる。なお、中間層70を、光導波体20aを形成した後に設けてもよい。その場合には、光導波路20aの直径と第2光導波路20bの直径とを容易に異なるものとすることができる。このような第2光導波路70aの内部には、図21に示すように、第2コア部材50’が配置されていてもよい。第2コア部材50’は、屈折率が、中間層70の屈折率に対しての比屈折率差が例えば08以上4以下の範囲内に設定することができる。このように第2コア部材50’が第2光導波路20b内に配置されていることにより、第2コア部材50’と中間層70との界面で光を反射されやすくすることができ、コア部材50または受発光面11Aに光が入射されやすくすることができる。また、第2コア部材50’は、コア部材50と同じ材料で形成されていてもよい。このような材料によって第2コア部材50’が構成されていることによって、第2コア部材50’とコア部材50との界面で反射されにくくすることができる。これにより、光電変換素子11が例えば発光素子である場合、発光した光が受発光面11Aに戻りにくくすることができる。第2の実施形態に係る光伝送基板の変形例4光伝送基板20’は、図22に示すように、中間層70がコア部材50と同じ材料によって構成されていてもよい。このような中間層70は、基板30の貫通孔30a内に、光導波孔40aを形成したクラッド部材40を形成した後、コア部材50を光導波孔40a内に充填しつつ、クラッド部材40上および基板30の主面30A上に中間層70となる薄膜を形成する。そして、当該薄膜を硬化させることにより、コア部材50および中間層70を形成する。その為、クラッド部材40を硬化させた後、コア部材50および中間層70となる薄膜を形成し硬化させることとなる。そのため、中間層70となる薄膜がクラッド部材40で支持されながら硬化するため、中間層70が変形するのを抑制することができる。なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等差し支えない。上述の光伝送基板20の製造方法では、ネガ型のフォトレジストを採用しているが、露光することで現像液に対しての溶解性が増加するポジ型のフォトレジストを採用してもよい。ポジ型を採用する場合には、露光する領域も併せて変更する。上述の光伝送基板20の製造方法では、基板30としてセラミック基板を採用した製造方法を記載しているが、有機基板を採用して光伝送基板を製造してもよい。有機基板を採用して光伝送基板を製造する場合は、副基板の積層後に、基体を打ち抜き加工して、基板に貫通孔を形成してもよい。このようにして副基板を一括で打ち抜く場合は、副貫通孔の位置ずれを低減することができる。"