基板を載置することが可能な基板載置部と、前記基板を前記基板載置部に保持させる保持手段と、前記基板載置部を冷却する冷却手段と、前記基板載置部と前記冷却手段を同軸上で回転させる回転手段と、を備えた処理装置であって、前記冷却手段は、前記同軸上に弾性体を有し、この弾性体の回転軸のまわりに防振部材が配置されていることを特徴とする処理装置。前記弾性体は円板状であって、その周縁部に防振部材が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の処理装置。前記弾性体は前記回転軸の周りに切り欠き部が形成されていることを特徴とする請求項2に記載の処理装置。前記防振部材は、等間隔に配置されていることを特徴とする請求項2に記載の処理装置。しかしながら、上記のようなスパッタリングやエッチング等の真空処理において、有用性の高い低温プロセスを真空処理装置で実行するために、被処理物を載置する基板載置部にフリーピストン型スターリングサイクルを利用した冷凍機を直結して100K以下のような極低温に基板支持台をすることから、冷凍機から生じて伝わる振動から基板載置部を保護する必要が生じていた。つまり、基板載置部の振動は、基板を機械的に基板載置部へ押さえる安定性を低下させて、低温プロセス中の基板載置部からの基板の落下に至らないまでも、基板載置部での基板の回転方向での位置ずれを生じさせる可能性があり、その結果、低温プロセス後に続く真空処理装置内での搬送中に搬送トラブル基板の落下等を招くおそれがあった。さらに、冷凍機とともに基板載置部を回転させた場合、冷凍機の回転による周期的なもしくは不規則な横ブレ冷凍機の回転軸の中心から径方向への揺れが発生する可能性があり、基板載置部上の基板保持の不安定性はさらに増してくる。すなわち、基板載置部上の基板における搬送の信頼性を損なわないために、低温に維持される基板載置部の防振対策が必要とされていた。また、横ブレは、冷凍機内で周期的に行われるディスプレーサとピストンの連動的な往復運動に影響を与え、冷凍機の冷凍能力自身の低下にもつながりかねない問題でもあった。本発明の目的は、処理装置内で回転可能な基板載置部の上の基板を極低温まで冷却することができるフリーピストン型スターリングサイクル冷凍機を冷却手段として利用した処理装置を提供することにあり、特に、その冷凍機から生じる振動を簡略な調整で低減できる処理装置を提供することにある。本発明の請求項1にかかる処理装置によれば、基板を載置することが可能な基板載置部と、基板を基板載置部に保持させる保持手段と、基板載置部を冷却する冷却手段と、基板載置部と冷却手段を同軸上で回転させる回転手段と、を備えた処理装置であって、冷却手段は、同軸上に弾性体を有し、この弾性体の回転軸のまわりに防振部材が配置されていることを特徴としている。また、弾性体は円板状であって、その周縁部に防振部材が配置されていることを特徴としている。さらに、防振部材は等間隔に配置されていることを特徴としている。このように、冷凍機を基板載置部に接続させる構成をとることで、基板載置部の基板を100K以下のような極低温に冷却することができ、さらに冷凍機のディスプレーサの径方向冷凍機本体の回転軸の半径方向に防振部材を配置したため、回転時の弾性体の径方向の剛性をさらに高めることができ、冷凍機の回転により増大する横ブレを低減させることができる。この発明に係る処理装置を用いることで、基板載置部が回転している間も、または、例えばスパッタリングによる成膜等の処理を行っている間でも基板載置部に接続する冷凍機により、十分な冷却能力基板の温度を100K以下を実現することができ、さらに、冷凍機の回転により高まる横ブレの発生を抑え、基板を位置ずれさせないように保持し、又は、位置ずれを防ぐことで搬送の安定性を維持することができる。図1は、本実施形態に係る処理装置の一実施例として、スパッタリング装置の一例を示す図である。スパッタリング装置100は真空容器101内にカソード103、ターゲット104、カソードマグネット102そして基板載置部122を備えている。真空容器101には、流量制御器マスフローコントローラー110を介して不図示のガスボンベ等よりプロセスガス配管111を経由して導入されるプロセスガススパッタリングガス等が導入可能で、不純物ガスを排気するためのターボ分子ポンプ等の排気機構112を備えている。カソード103は、例えば、整合器106を介して高周波電源107ならびに直流電源108に接続されている。これにより、カソード103には、高周波電源107のみの電力供給、高周波電源107と直流電源108の重畳による電力供給、そして、直流電源108のみの電力供給のいずれかが可能になっている。もちろん、整合器106と高周波電源107を省いて直流電源108のみの電力供給にしてもかまわない。基板載置部122には、保持手段である基板保持リング120が設けられ、基板Wを基板載置部122に押し付けて固定することができる。基板載置部122の下部には、冷凍ヘッド130を介して冷却手段である冷凍機132が接続されている。冷凍機132は、例えば、スターリングstirlingサイクルを利用したタイプである。さらに、冷凍機132の下部には、本発明に係る防振部180が接続されている。防振部180についての説明は後述する。スターリングサイクルを利用した冷凍機132は、冷凍機132に内蔵されたヘリウムガスとピストン運動により断熱膨張させることで極低温を発生させる。このため、冷凍機132には冷凍機の内部にヘリウムガスを送り込むための配管類は接続されておらず、冷凍機132の駆動電源ピストン運動のリニアモータ用などと温度調整用の電気配線のみを接続させればよい。なお、温度調整用等の電気配線は、例えば、基板載置部122の裏面に接続される抵抗発熱体である。これらの配線は、集電環スリップリング134を用いて簡単に供給できるため、構造が非常に簡単になる。このようなことから、回転可能な基板載置部122にスターリングサイクルを利用した冷凍機132を設置することで、回転動作を行いながら基板載置部122並びに基板載置部122に固定された基板Wを冷却することが可能になる。一方、冷凍機132は、回転ベースアセンブリ133に固定されている。この回転ベースアセンブリ133は磁性流体シール142に挿入され、磁性流体シール142は、上下駆動ベース141に固定されている。また、冷凍機132には冷凍機自身が発する熱を冷凍機本体の外に排出するための排熱機構として、環状の金属からなる放熱体131を備えている。放熱体131は、冷凍機132に固定されその内部を、回転ベースアセンブリ133の下部に配置される大気側の冷媒用外部配管144を介して水等の冷媒が導入され、冷媒用内部配管150、放熱体131、冷媒用内部配管151の順にそれらの中を流動することができる回転ベースアセンブリ133内での流動方向を、符号172、173、174、175の順で示す。冷媒用外部配管144より導入された放熱体131内部を流動した水等の冷媒は、回転ベースアセンブリ133の下部に配置される冷媒用外部配管145から大気側へ放出される。この冷凍機132と共に回転する放熱体131に水等の冷媒を流動させて冷媒を介して排熱することで冷凍機132内に熱を溜め込むことなくその冷凍能力を維持することができる。従がって、基板載置部122、冷凍ヘッド130、冷凍機132、放熱体131、及び、回転ベースアセンブリ133は互いに固定されており、回転ベースアセンブリ133を回転させるための回転手段であるモータ143が配置され、基板載置部122上に載置される基板Wを含めて、これらはモータ143により回転ベースアセンブリ133等は同軸上、つまり、共通の回転軸160の回りを回転することができる回転方向を符号161で示す。そして、上下駆動ベース141は、ベローズ140を介して真空容器101に固定されていることから、ベローズ140の伸縮機能を用いて基板載置部122の回転と同時に上下運動も必要に応じて可能になっている。なお、冷凍ヘッド130を介して基板載置部122と冷凍機132とが直接熱交換を行うのではなく、例えば、冷凍機132が冷却用のガスを冷却して隙間121に溜めて、そのガスで基板載置部122を冷却する場合、真空容器101の外からのガス導入が必要となるが、それらのガス配管不図示の接続、については、磁性流体シール142を介して行われてもよい。また、基板載置部122と冷凍機132の間に冷凍ヘッド130を配置したが、直接、基板載置部122に冷凍機132を接続させる構成でもかまわない。これらの構成は、基板載置部に載置される基板をどのような温度分布で冷却するか、その目的に応じた構成を選択することができる。次に、本発明に係る処理装置に配置される冷凍機の防振部180図1図示について図2を用いて説明する。図2は、図3で既に説明したフリーピストン型スターリングサイクル利用の冷凍機200図1では符号132である。なお、図3で説明した冷凍機の構成の同じ部分については同一の符号を用いる。上述のとおり、ピストン312とディスプレーサ313を軸314方向に連動させることにより、作動ガスの圧力変化による等温圧縮、及び、等温膨張、並びに、作動ガスの流動時の等容積変化による吸熱及び排熱とからなる可逆サイクルが行われ、これによって吸熱部322の周辺が低温に冷却される。すなわち、上述のとおり、弾性体である板ばね360で保持されているピストン312は、板ばね350で保持されている軸314及びディスプレーサ313とは別体で、矢印a方向に移動可能に設けられている。これにより、高圧の作動ガスが圧縮空間320~放熱部321~再生部323~吸熱部322~膨張空間324を移動する間に、吸熱部322による吸熱と放熱部321による放熱とを行うことにより等容積変化スターリングサイクルが形成される。そして、吸熱部322は被冷却物不図示から吸熱を行うことにより、被冷却物不図示を冷却する。吸熱部322には、冷凍ヘッド240を接続させて被冷却物不図示との接触面積を増やしてもかまわない。このように、板ばね350は、コイル310と筒状永久磁石311等から構成されるリニアモータによる駆動機構の駆動方向と逆方向に弾性反発力を付勢することにより、矢印a方向のディスプレーサ313とピストン312の往復運動を安定させる。しかし、本発明に係る処理装置の冷凍機200は、さらに、基板載置部122の直下に配置されることによりそれ自身、軸314の周りを不図示の回転手段により回転する。このため、冷凍能力に影響を及ぼすピストン312及びディスプレーサ313の軸314方向に対する径方向に横ブレのない円滑な動きを実現させるために、弾性体である板ばね350に防振部材210を周縁部に配置する図2Aに図示。弾性体350の形状は円板状が好ましい。また、弾性体には回転軸の周りには切り欠き部211が形成されていてもよい。しかも、冷凍機200の回転軸220回転方向を符号230で図示でもある軸314に対して重量配分が均等図2では回転軸220を中心に45度の角度になるように等間隔に配置されることが好ましいが、回転軸220を中心にした角度間隔に限定されるものではなく、さらに、冷凍機を含めた回転体全体のバランスを調整するため、重量の僅かずつ異なる防振部材を用いて微調整を行うこともできる。防振部材210は、例えば、効果的に径方向に力を発生させる重量と機械的強度を備えた鉄を含む合金等の金属が好適であり、板ばねに配置する取り外し方法はねじ止め等いくつかの従来方法から採用することができる。図2Bは回転軸220方向の冷凍機200の下部を矢印250からみた図である。防振部材210は板ばね350の周縁部に等間隔で配置されている。このように、板ばね350の周縁部に均等に配置された防振部材210は、軸314の周りを回転して径方向に遠心力を受けることにより板ばね350の剛性を高め、かつ、ディスプレーサ313の固有振動数を安定に維持することができるため、冷凍機200の回転による横ブレの発生を防ぐことができる。また、基板の回転にともなう基板載置部上での位置ずれの発生を低減させて、安定した冷凍能力が維持することができる。本発明を適用できる図1と同様の構造で基板冷却実験を行った。図4は全体を説明したものである。なお、図4で示されている図1で説明した同じ構成物については、図1で使用した同じ符号で示す。ここで、実用上、基板の冷却効果においてその均一性も求められるため、基板載置部122の内部で隙間121を構成する空間に一旦ヘリウムガスを導入し、このヘリウムガスを冷凍ヘッド130に接触している基板載置部122を冷却することで冷却し、冷却されたヘリウムガスを基板Wの裏面全面と接触させることで冷凍機132の冷却効果を確認した。そこで、冷却したヘリウムガスが基板Wに効率よく触れるように基板載置部122と基板Wは、シリコンゴム製Oリング不図示によって密閉される構造となっている。なお、基板押えリング120はSUS製、基板載置部122は例えば銅製である。冷却されたヘリウムガスの導入孔不図示は基板載置部122の中心から90度ずつ4箇所均等配置させた。また、冷却されたヘリウムガスの排出孔不図示は基板載置部122の中心から90度ずつ4箇所均等配置させた。基板Wと基板載置部122の温度測定について説明する。熱電対405を基板Wの中心部、熱電対404を基板W中心から90mm離れた箇所に、例えばセラミック系接着剤を用いて貼り付けた。熱電対404、405は接続部品402によって中継され、集電環134に接続されている。集電環134からは温度表示手段不図示に接続されている。一方、基板載置部122には、白金抵抗体素子403が固定され、これも集電環134をとおり温度表示手段不図示に接続されている。これにより、基板Wが固定されていても回転していても温度を測定することが可能である。隙間121における基板Wとの距離は0.5mm程度である。基板載置部122には、スターリングサイクルタイプの冷凍機132が接続され、基板載置部122の温度が-200±2°Cになるように制御されている。基板Wは、基板載置部122から遠ざかった位置で待機され、実験開始とともに不図示の基板上下駆動機構により基板載置部122に設置され、基板押えリング120によって把持される。基板押え力は、例えば19.6Nとし、基板Wと基板載置部122との間の隙間121には、ヘリウムガスを不図示のガス流量制御器MFCによって5sccm流し続けた。基板載置部の回転数を例えば59rpmで回転させながら冷却動作を行った。放熱体131は60°C以下に抑えることができ、基板Wの把持から40分後の熱電対405の表示値は-184.2°C、熱電対404の表示値は-186.3°Cと放熱体131からの熱を抑えることで基板温度を100K以下の温度領域まで基板を回転させながらでも冷却が可能であることが確認された。また、基板Wは基板載置部122で回転にともなう位置ずれが起きていないことが確認され、その結果、良好な温度分布が測定された。以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、これは本発明の説明のための例示であり、本発明の範囲をこの実施形態にのみ限定する趣旨ではない。例えば、実施例では、減圧可能な処理装置としてスパッタリング装置を例にとったが、電位を印加する対象を変えたり、また、スパッタリングガスをエッチングガスに変更するなどを行うことによりエッチング装置にも適用することが可能である。また、減圧可能な処理装置に限定されるものではなく、基板を載置することが可能な保持手段を具備した基板載置部とそれを冷却する冷却手段を有する処理装置であれば適用することが可能である。したがって、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で、上記実施形態とは異なる種々の態様で実施することができ、また、基板サイズや基板の種類が異なるものであっても、本発明が有効であることは明白である。