"半導体レーザと、前記半導体レーザと光結合された半導体光増幅器とを備える光半導体装置の制御方法であって、前記半導体光増幅器の出力光強度を検知し、前記半導体光増幅器からなされる光出力の強度の検知結果が目標値を超えた場合に、前記半導体光増幅器の制御量を維持しつつ、前記半導体レーザの発光量を低下させる制御をなすことを特徴とする光半導体装置の制御方法。前記半導体レーザの発光量を低下させる制御を実施した後、前記半導体光増幅器からなされる光出力の強度が前記目標値を下回った場合に、前記半導体光増幅器の利得を増加させる制御をなすことを特徴とする請求項1記載の光半導体装置の制御方法。前記半導体レーザの発光量を低下させる制御を実施した後、前記半導体光増幅器からなされる光出力の強度が前記目標値を下回った場合に、前記半導体レーザの発光量を増加させる制御をなすことを特徴とする請求項1記載の光半導体装置の制御方法。前記半導体光増幅器の利得を増加させる制御をなした結果、前記半導体光増幅器からなされる光出力の強度が前記目標値を上回った場合には、前記半導体光増幅器の利得を低下させる制御をなすことを特徴とする請求項2記載の光半導体装置の制御方法。前記半導体レーザの発光量を増加させる制御は、前記半導体レーザの発光量を低下させる制御における制御量よりも小さい制御量によってなされることを特徴とする請求項3記載の光半導体装置の制御方法。前記半導体光増幅器の利得を低下させる制御は、前記半導体光増幅器の利得を増加させる制御における制御量よりも小さい制御量によってなされることを特徴とする請求項4記載の光半導体装置の制御方法。前記目標値は所定の許容幅を有しており、前記半導体レーザの発光量を低下させる制御は、前記所定の許容幅の中心値と境界値との差よりも小さい制御量によってなされることを特徴とする請求項1記載の光半導体装置の制御方法。前記目標値は所定の許容幅を有しており、前記半導体光増幅器の利得を増加させる制御は、前記所定の許容幅の中心値と境界値との差よりも小さい制御量によってなされることを特徴とする請求項2記載の光半導体装置の制御方法。前記レーザチップは、前記半導体レーザと前記半導体光増幅器との間に、前記半導体レーザの出力光を変調する光変調器を備えることを特徴とする請求項1~8のいずれかに記載の光半導体装置の制御方法。半導体レーザと、前記半導体レーザの出力光を増幅する半導体光増幅器と、前記半導体光増幅器からなされる光出力の強度を検出する受光素子と、前記半導体光増幅器の光出力強度が目標値を超えた場合に、前記半導体レーザの発光量を低下させる制御をなすコントローラと、を備えることを特徴とする光半導体装置。前記コントローラは、前記半導体光増幅器の光出力強度が目標値を下回った場合に、前記半導体光増幅器の利得を増加させる制御をなすことを特徴とする請求項10記載の光半導体装置。前記コントローラは、前記半導体光増幅器の光出力強度が目標値を下回った場合に、前記半導体レーザの発光量を増加させる制御をなすことを特徴とする請求項10記載の光半導体装置。このような、レーザモジュールは、半導体レーザの出力が大きくなりすぎると、SOAの効率が低下するため、半導体レーザの出力は低く抑えられていた。すなわち、このようなレーザモジュールの光出力の大きさは、SOAの利得によって制御されていた。しかし、このようなレーザモジュールの光出力をさらに増大させるには、SOAの利得を増大するだけでは不十分である。さらに光出力を増大するには、SOAだけでなく、半導体レーザの出力を増大することが考えられる。しかし、上記したように半導体レーザの出力を増大しすぎるとSOAの効率が低下するため、半導体レーザの出力を増大するには、その光出力強度を綿密に制御しなければならない。このためには、半導体レーザの光出力をたとえばバックモニタによって検知する必要がある。しかし、半導体レーザの出力を検知するためにバックモニタを導入すると、受光素子および受光素子を担持するキャリアなどを収容する必要があり、レーザモジュールのサイズを小さくできないという問題がある。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、バックモニタを利用しないで、半導体レーザの出力を制御することで、小さいサイズのレーザモジュールで高い出力を得ることができる光半導体装置およびその制御方法を提供することを目的とする。本発明に係る光半導体装置の制御方法は、半導体レーザと、前記半導体レーザと光結合された半導体光増幅器とを備える光半導体装置の制御方法であって、前記半導体光増幅器の出力光強度を検知し、前記半導体光増幅器からなされる光出力の強度の検知結果が目標値を超えた場合に、前記半導体光増幅器の制御量を維持しつつ、前記半導体レーザの発光量を低下させる制御をなすことを特徴とする。本発明に係る光半導体装置の制御方法によれば、バックモニタを利用しないで、半導体レーザの出力を制御することで、小さいサイズのレーザモジュールで高い出力を得ることができる。前記半導体レーザの発光量を低下させる制御を実施した後、前記半導体光増幅器からなされる光出力の強度が前記目標値を下回った場合に、前記半導体光増幅器の利得を増加させる制御をなしてもよい。前記半導体レーザの発光量を低下させる制御を実施した後、前記半導体光増幅器からなされる光出力の強度が前記目標値を下回った場合に、前記半導体レーザの発光量を増加させる制御をなしてもよい。前記半導体光増幅器の利得を増加させる制御をなした結果、前記半導体光増幅器からなされる光出力の強度が前記目標値を上回った場合には、前記半導体光増幅器の利得を低下させる制御をなしてもよい。前記半導体レーザの発光量を増加させる制御は、前記半導体レーザの発光量を低下させる制御における制御量よりも小さい制御量によってなされてもよい。前記半導体光増幅器の利得を低下させる制御は、前記半導体光増幅器の利得を増加させる制御における制御量よりも小さい制御量によってなされてもよい。前記目標値は所定の許容幅を有しており、前記半導体光増幅器の利得を増加させる制御は、前記所定の許容幅の中心値と境界値との差よりも小さい制御量によってなされてもよい。前記レーザチップは、前記半導体レーザと前記半導体光増幅器との間に、前記半導体レーザの出力光を変調する光変調器を備えていてもよい。本発明に係る光半導体装置は、半導体レーザと、前記半導体レーザの出力光を増幅する半導体光増幅器と、前記半導体光増幅器からなされる光出力の強度を検出する受光素子と、前記半導体光増幅器の光出力強度が目標値を超えた場合に、前記半導体レーザの発光量を低下させる制御をなすコントローラと、を備えることを特徴とする。本発明に係る光半導体装置によれば、バックモニタを利用しないで、半導体レーザの出力を制御することで、小さいサイズのレーザモジュールで高い出力を得ることができる。前記コントローラは、前記半導体光増幅器の光出力強度が目標値を下回った場合に、前記半導体光増幅器の利得を増加させる制御をなしてもよい。前記コントローラは、前記半導体光増幅器の光出力強度が目標値を下回った場合に、前記半導体レーザの発光量を増加させる制御をなしてもよい。本発明によれば、バックモニタを利用しないで、半導体レーザの出力を制御することで、小さいサイズのレーザモジュールで高い出力を得ることができる光半導体装置およびその制御方法を提供することができる。以下、本発明を実施するための形態を説明する。図1は、実施例1に係る光半導体装置100の全体構成を説明するための模式図である。図1に示すように、光半導体装置100は、レーザチップ10、レンズ20、ビームスプリッタ30、受光素子40、およびコントローラ50を備える。レーザチップ10は、半導体レーザ11、変調器12、および半導体光増幅器13が集積化された構成を有する。本実施例においては、半導体レーザ11のフロント側に変調器12および半導体光増幅器13がこの順に集積化されている。変調器12は、例えば電界吸収型の変調器であり、半導体レーザ11から出力されるCW光を変調することによって変調光を出力する。半導体光増幅器13は、変調器12が出力する変調光を増幅する。それにより、レーザチップ10は、高出力の変調光を出力することができる。レンズ20は、コリメート用のレンズであり、レーザチップ10のフロント側に配置されている。ビームスプリッタ30は、レンズ20よりもさらにフロント側に配置されている。ビームスプリッタ30は、レーザチップ10から出力される光信号を2つの光信号に分岐する。ビームスプリッタ30の一方の分岐光は、出力信号として外部に出力される。ビームスプリッタ30から出力される他方の分岐光は、受光素子40で受光される。受光素子40は、入射光を電流信号に変換する素子であり、ビームスプリッタ30から出力される他方の分岐光を受光する位置に配置されている。コントローラ50は、CPU中央演算装置、RAMランダムアクセスメモリ、ROMリードオンリメモリなどから構成されている。コントローラ50は、半導体レーザ11、変調器12、および半導体光増幅器13に電気信号を入力することによって、これら各機器を制御する。また、受光素子40が光電変換によって出力する電流モニタ値は、コントローラ50に入力される。コントローラ50は、レーザチップ10が光出力を開始した後に、レーザチップ10の光出力強度を所望の目標値にフィードバック制御する。この制御を、以下、APCAutoPowerControl制御と称する。APC制御においては、コントローラ50は、受光素子40のモニタ値が所望の目標値になるように半導体レーザ11および半導体光増幅器13をフィードバック制御する。本実施例においては、コントローラ50から半導体レーザ11に入力され、半導体レーザ11の発光量を制御するための電流をLD電流Iopと称する。コントローラ50から半導体光増幅器13に入力され、半導体光増幅器13の利得を制御するための電流をSOA電流Isoaと称する。本実施例においては、半導体レーザ11のフロント側に配置された半導体光増幅器13で半導体レーザ11の出力光を増幅させるため、レーザチップ10のフロント側発光量とリア側発光量との間に相関関係が得られない。したがって、半導体光増幅器が備わっていないレーザチップの場合のように、レーザチップ10のリア側発光量をモニタしてもレーザチップ10のフロント側発光量をモニタしていることにならないので、半導体レーザ11のフロント側の発光量をモニタする必要がある。ここで、半導体光増幅器の特性について説明する。半導体光増幅器に入力される光量を増加させていくと、半導体光増幅器の光出力強度も比例して増加する。しかしながら、半導体光増幅器の光出力強度が所定値を超えると、半導体光増幅器の利得増幅率が徐々に低下する現象が生じる光出力飽和。この飽和光出力は、例えば3dBの利得飽和が生じる出力で定義される。この飽和光出力は、SOA電流Isoaに依存する。例えば、SOA電流Isoaを増加させると、飽和光出力および利得が共に増加する。次に、図2を参照して、光出力飽和について具体的に説明する。図2は、半導体光増幅器13の利得Gainと、光出力強度OutputPowerと、SOA電流Isoaとの関係を示す図である。図2において、光出力強度とは、半導体光増幅器13から出力される光のパワーである。図2に示すように、SOA電流Isoaが増加すると、実線a~dのように半導体光増幅器13の利得が増加するとともに、光出力強度が増加する。なお、SOA電流Isoaが一定で光出力強度が変化することは、半導体レーザ11から半導体光増幅器13に入力される光の強度が変化することを意味している。また、図2に示すように、同一のSOA電流Isoaに対し、半導体光増幅器13に入力される光出力強度が過度に大きくなると、利得が低下する。このように、一定値を保つ利得が低下する現象が上述した光出力飽和である。光出力飽和が生じる領域を、以下、飽和領域と称する。飽和領域で変調光を半導体光増幅器13で増幅した場合、パターン効果と呼ばれる現象に起因して変調光信号の波形劣化が生じる。この場合、通信品質が著しく劣化する。したがって、本実施例のように半導体レーザ11、変調器12、および半導体光増幅器13が集積化されたレーザチップ10を対象とする場合、光出力が飽和していない条件でレーザチップ10を駆動させることが好ましい。図3は、飽和領域における波形劣化について説明するための図である。図3に示すように、飽和領域以外の領域非飽和領域においては、波形が劣化していない。これに対して、飽和領域においては、アイパターンが崩れ、波形が劣化している。したがって、非飽和領域においてレーザチップ10を駆動させることが好ましい。続いて、受光素子40のモニタ値の変化について説明する。レーザチップ10に起因して受光素子40のモニタ値が変化する原因として、以下の2つの場合が想定される。1半導体光増幅器13の利得増幅率が変化して半導体光増幅器13の光出力強度が変動した場合。2半導体レーザ11の発光量が変化して半導体光増幅器13の光出力強度が変動した場合。受光素子40のモニタ値だけでは、上記1および2のいずれの場合が生じているのか判断することができない。いずれの場合においても、SOA電流IsoaまたはLD電流Iopを調整することによって、レーザチップ10の光出力強度を調整することができ、上述した飽和領域を回避するようにAPC制御を実施することができる。そこで、本実施例においては、受光素子40のモニタ値を用いて飽和領域を回避することができるAPC制御について説明する。図4は、本実施例に係るAPC制御を説明するためのフローチャートの一例である。まず、コントローラ50は、目標とする光出力強度および伝送波形を満たすレーザチップ10の駆動条件を選定するステップS1。駆動条件には、SOA電流IsoaおよびLD電流Iopに加えて、変調器12に対する駆動信号が含まれる。次に、コントローラ50は、上記駆動条件に対応する受光素子40の目標値を設定するステップS2。次に、コントローラ50は、レーザチップ10の駆動を開始するステップS3。次に、コントローラ50は、受光素子40のモニタ値と目標値の差の絶対値を検知するステップS4。次に、コントローラ50は、光出力強度の調整を実施する。具体的には、ステップS4の検知結果に基づいて、モニタ値が目標値を上回ればLD電流Iopを調整する。モニタ値が目標値を下回ればSOA電流Isoaを調整するステップS5。このような制御により、レーザチップ10の光出力強度を調整することができ、飽和領域を回避するようにAPC制御を実施することができる。モニタ値が目標値を上回った場合、半導体光増幅器13の光出力強度を低下させる必要がある。例えば、SOA電流Isoaを低下させることによって、半導体光増幅器13の光出力強度を低下させることができる。しかしながら、制御点が半導体光増幅器13の非飽和領域と飽和領域との境界付近に存在する場合、SOA電流Isoaを低下させると、半導体光増幅器13の飽和領域で光出力されることになる。すなわち、半導体光増幅器13の非飽和領域と飽和領域との境界となる入力光強度の条件は、SOA電流Isoaの低下に従って低くなる。このため、光出力強度を低下させるために、SOA電流Isoaを低下させた場合、光出力強度が増加した原因が、半導体レーザ11の発光量増加である場合においては、半導体光増幅器13が飽和領域で出力するおそれがある。この場合、波形劣化が生じるおそれがある。そこで、本実施例においては、モニタ値が目標値を上回った場合には、LD電流Iopを低下させることによって、半導体光増幅器13の光出力強度を低下させる。この場合、飽和光出力が低下しないため、飽和領域での出力を抑制することができる。以上のことから、モニタ値の増加原因が半導体光増幅器13および半導体レーザ11のどちらに起因する場合においても、半導体光増幅器13の飽和領域での出力を抑制することができる。図5は、この場合の制御について具体的に説明するための模式図である。図5に示すように、モニタ値が目標値に制御されている状態を点0P0,G0とし、半導体光増幅器13起因の光出力増加状態を点AP1,G1とし、半導体レーザ11起因の光出力増加状態を点BP1,G2とする。なお、P0<P1であり、G2<G0<G1である。点Aは非飽和領域に位置し、点Bは飽和領域に位置しているとする。点Bの状態からSOA電流Isoaを低下させた場合、飽和光出力が低下する。したがって、飽和領域を回避することができない。これに対して、点Aおよび点Bのいずれの場合においても、LD電流Iopを低下させて半導体光増幅器13への入力光強度を低下させれば、飽和光出力が低下しない。したがって、飽和領域に移行することを回避しつつ、光出力強度をP0に戻すことができる。一方、受光素子40のモニタ値が目標値を下回った場合、半導体光増幅器13の光出力強度を増加させる必要がある。例えば、LD電流Iopを増加させることによって、半導体光増幅器13の光出力強度を増加させることができる。しかしながら、半導体光増幅器13の光出力強度が低下した原因が、半導体光増幅器13の利得低下である場合においては、半導体レーザ11の発光量を増加させると、半導体光増幅器13が光出力飽和の状態になるおそれがあり、波形劣化が生じるおそれがある。そこで、本実施例においては、モニタ値が目標値を下回った場合には、SOA電流Isoaを増加させることによって、半導体光増幅器13の光出力強度を増加させる。この場合、モニタ値の低下原因が半導体光増幅器13および半導体レーザ11のどちらに起因する場合においても、半導体光増幅器13からの光出力強度が飽和領域に調整されない。図6は、この場合の制御について具体的に説明するための模式図である。図6に示すように、モニタ値が目標値に制御されている状態を点0P0,G0とし、半導体光増幅器13起因の光出力低下状態を点CP2,G3とし、半導体レーザ11起因の光出力低下状態を点DP2,G0とする。なお、P2<P0であり、G3<G0である。点Cは非飽和領域の限界付近に位置し、点Dは飽和領域に位置しているとする。点Cの状態から半導体レーザ11の発光量を増加させた場合、半導体光増幅器13の光出力強度が飽和領域に移行する。したがって、飽和領域を回避することができない。これに対して、点Cおよび点Dのいずれの場合においても、SOA電流Isoaを増加させれば、非飽和領域と飽和領域との境界となる飽和光出力が増加する。したがって、飽和領域に移行することを回避しつつ、光出力強度をP0に戻すことができる。図4のフローチャートに従った制御によって、半導体光増幅器13の光出力強度が飽和領域で制御されることを回避することができる。なお、上記ステップS5の後にステップS4およびステップS5を繰り返し実施することによって、半導体光増幅器13の光出力強度が飽和領域で制御されることを回避しつつ、半導体光増幅器13からの光出力強度をフィードバック制御することができる。以上のことから、本実施例に係る光半導体装置100によれば、適切にAPC制御することができる。また、バックモニタを利用しないで、半導体レーザの出力を制御することで、小さいサイズのレーザモジュールで高い出力を得ることができる。また、一度目標値に設定された後、チップの状態が変化することでモニタ値が変動し、目標値からずれた場合であっても、上述のステップS4、ステップS5を実施しているので、レーザチップ10の光出力強度を調整することができ、飽和領域を回避するようにAPC制御を実施することができる。受光素子40のモニタ値が目標値に対して変動した否かは、モニタ値と目標値との差の絶対値が所定のしきい値を上回ったか否かを検出することによって判断することができる。図4のフローチャートに従ってAPC制御した場合において、光出力強度の調整量が多すぎた場合について考察する。図7は、光出力強度の調整量が多すぎた場合について説明するための図である。モニタ値が目標値に制御されている状態である点0P0,G0からモニタ値が増加して点AP1,G-1に変化していたとするP0<P1、G-1<G0。図4のフローチャートに従えば、LD電流Iopが低下してモニタ値が低下する。この場合において調整量が多すぎると、目標値に制御されている状態の点0P0,G0を通り過ぎてモニタ値が目標値よりも低い状態の点BP-1,G0に調整されるP-1<P0。この場合、目標値よりもモニタ値が低下しているので、図4のフローチャートに従えば、SOA電流Isoaが増加してモニタ値が増加する。この場合においても調整量が多すぎると、モニタ値がP0を通り過ぎて目標値よりも高い状態の点CP1,G2に調整されるP-1<P0<P1、G0<G2。この場合、目標値よりもモニタ値が増加しているので、図4のフローチャートに従えば、LD電流Iopが低下してモニタ値が低下する。この場合において調整量が多すぎると、モニタ値がP0を通り過ぎて目標値よりも低い状態の点DP-1,G2に調整されるP-1<P0。この場合、さらにSOA電流Isoaが増加することになる。このように、図4のフローチャートに従ったAPC制御において調整量が多すぎると、SOA電流IsoaとLD電流Iopとが階段状に調整されて、SOA電流Isoaが過剰に増加し、LD電流Iopが過剰に低下し、最終的に調整不可能または半導体レーザ11の発光量低下による変調光信号の波形劣化が生じるおそれがある。そこで、実施例2では、例えばモニタ値が目標値を上回ってLD電流Iopを調整する場合にLD電流Iopを低下し過ぎてモニタ値が目標値よりも低下してしまった場合でも、SOA電流Isoaを増加させるのではなくLD電流Iopを増加させることによってモニタ値をフィードバック制御する。一方、モニタ値が目標値を下回ってSOA電流Isoaを調整する場合も同様に、SOA電流Isoaを増加し過ぎてモニタ値が目標値よりも増加してしまった場合でも、LD電流Iopを低下させるのではなくSOA電流Isoaを低下させることによってモニタ値をフィードバック制御する。図8は、実施例2に係るAPC制御を表すフローチャートの一例である。図8に示すように、実施例2では、ステップS5 ́において、最初に選択したパラメータSOA電流IsoaまたはLD電流Iopのみを用いてモニタ値をフィードバック制御する。例えば、モニタ値が目標値を上回って増加した場合においては、LD電流Iopのみを用いてモニタ値をフィードバック制御し、モニタ値が目標値を下回って低下した場合においては、SOA電流Isoaのみを用いてモニタ値をフィードバック制御する。このように制御することで、SOA電流Isoaが過剰に増加し、LD電流Iopが過剰に低下することを抑制することができる。図4および図8のフローチャートに従ってモニタ値をフィードバック制御する場合において、光出力強度の調整量が多すぎないように調整幅に制限を設けてもよい。具体的には、前記目標値は所定の許容幅を有しており、半導体光増幅器13の光出力強度が目標値を超えた場合に、前記所定の許容幅の中心値と境界値との差よりも小さい制御量で半導体レーザ11の発光量を低下させる制御をなすことで半導体光増幅器13の光出力強度が目標値を下回ることを抑制することができる。また、半導体光増幅器13の光出力強度が目標値を下回った場合に、前記所定の許容幅の中心値と境界値との差よりも小さい制御量で半導体光増幅器13の利得を増加させる制御をなすことで半導体光増幅器13の光出力強度が目標値を超えることを抑制することができる。このように制御することで、SOA電流Isoaが過剰に増加し、LD電流Iopが過剰に低下することを抑制することができる。また、モニタ値のフィードバック制御の際に、SOA電流IsoaまたはLD電流Iopの変化量を最適量フィードバック制御に要する時間を考慮しなくてもよければ、最も増減率の小さい量にすればよい。この場合、SOA電流IsoaまたはLD電流Iopが少しずつ変化するため、調整量が多すぎることが抑制される。または、モニタ値の調整量が、ステップS4で受光素子40のモニタ値が変動するか否かを判定する際に用いるしきい値よりも小さくなるように、SOA電流IsoaまたはLD電流Iopの調整幅を設定すれば、この場合も、SOA電流IsoaまたはLD電流Iopが少しずつ変化するため、調整量が多すぎることが抑制される。以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。"