"ホスト基板に挿抜可能な光通信モジュールであって、前記光通信モジュールを監視し、前記ホスト基板から前記ホスト基板の状態に関するログ情報を繰り返し受ける制御部と、不揮発性メモリとを備え、前記ホスト基板の異常を示すハザード信号を検出した場合、前記制御部は、前記光通信モジュールの監視結果と前記ホスト基板からの前記ログ情報とを前記不揮発性メモリに書き込む、光通信モジュール。電源監視部をさらに備え、前記電源監視部は、前記ホスト基板から前記光通信モジュールへの電源供給に関する異常を検知したときに前記ハザード信号を出力し、前記電源供給に関する前記異常は、前記光通信モジュールの稼動時において前記ホスト基板から供給される電源電圧が所定の範囲を外れる場合を含む、請求項1に記載の光通信モジュール。前記光通信モジュールは、揮発性メモリをさらに備え、前記制御部は、前記ハザード信号が検出されない場合には、前記光通信モジュールの前記監視結果と前記ホスト基板からの前記ログ情報とを前記揮発性メモリに書き込んでおいて、前記ハザード信号が検出されると、前記揮発性メモリから前記不揮発性メモリに、前記光通信モジュールの前記監視結果と前記ホスト基板からの前記ログ情報とを転送する、請求項1または2に記載の光通信モジュール。前記制御部は、前記ホスト基板から前記ログ情報を受け取った場合に、当該受け取ったログ情報とともに、前記光通信モジュールの前記監視結果を前記揮発性メモリに書き込む、請求項3に記載の光通信モジュール。ホスト基板に挿抜可能な光通信モジュールが自己監視を実行するステップと、前記光通信モジュールが、前記ホスト基板から、前記ホスト基板の状態に関するログ情報を受け取るステップと、前記ホスト基板から前記光通信モジュールへの電源供給の異常を検知した場合に、前記光通信モジュールに実装された不揮発性メモリに、前記光通信モジュールの前記自己監視の結果と前記光通信モジュールが受け取った前記ログ情報とを書き込むステップとを備える、光通信モジュールのログ記録方法。ホスト基板と、各々が前記ホスト基板に挿抜可能であり、不揮発性メモリを含む複数の光通信モジュールとを備え、前記複数の光通信モジュールの各々は、自己監視を実行し、前記ホスト基板から前記ホスト基板の状態に関するログ情報を繰り返し受け、前記ホスト基板から前記光通信モジュールへの電源供給に関する異常が生じた場合に、前記複数の光通信モジュールの各々は、前記自己監視の結果と前記ホスト基板からの前記ログ情報とを前記不揮発性メモリに書き込み、前記ホスト基板は、前記複数の光通信モジュールに対して互いに異なるタイミングでログ情報を送信する、光通信装置。前記光通信装置は、前記光通信装置内のいずれかに電源切換部をさらに含み、前記電源切換部は、前記ホスト基板の前記電源供給に関する異常を検知した場合には、少なくとも前記不揮発性メモリへの書込みが終わるまで、前記ホスト基板に代わり前記光通信モジュールへの電源供給を実行する、請求項6に記載の光通信装置。光通信に異常が生じた場合に、光通信システムの運用者にとって重要なことは光通信を速やかに正常な状態へと復帰させることである。多くの場合、1つのホスト基板には複数の光通信モジュール多くの場合には光トランシーバが実装される。あるホスト基板が光通信の異常の原因であった場合、通常、運用者はホスト基板を交換することを検討する。したがって、ホスト基板に実装された複数の光通信モジュールに異常の原因があると推定される場合であっても、ホスト基板が交換されることがある。このような運用を考慮して、ホスト基板には、そのホスト基板の全体の状態に関するログ情報を記憶するためのメモリたとえば不揮発性メモリが実装されていることがある。光通信モジュールのメーカーの技術者は、光通信モジュール自体を試験することで、その光通信モジュールが故障しているかどうかを判断することが可能である。しかし、その光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況を把握するためには、ホスト基板のメモリに保持されているログ情報を解析しなければならない。したがって、故障した光通信モジュールのみがメーカーの技術者に返却された場合には、メーカーの技術者は、その光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況を知ることができない。このような課題を解決するために、上記の特開2004-222927号公報特許文献1あるいは国際公開公報WO2005/107105特許文献2に開示されたような、光トランシーバの内部に情報を保持するという方法を採用して光通信モジュールを構成することが考えられる。しかしながら、光通信モジュールの故障の原因の解析には、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況に関する情報が重要であると考えられる。上記の特許文献1、2のいずれも、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況に関する情報を光通信モジュールの内部に残すための方法を記載していない。さらに、光通信モジュールの故障がホスト基板の異常に起因する可能性があるため、光通信モジュールの故障直前におけるホスト基板の状態に関する情報も、光通信モジュールの故障原因の解析にとって重要であると考えられる。しかし特許文献1、2は、光通信モジュールが実装されるホスト基板を詳細に説明していない。このため、特許文献1、2のいずれも、ホスト基板の状態に関する情報を光通信モジュールに残すための技術を記載していない。ここで、特開2004-222927号公報特許文献1は、故障に関する情報を記憶するためのメモリとして、揮発性記憶装置あるいは不揮発性記憶装置のいずれを用いてもよいと記載している。しかしながら、揮発性記憶装置を用いた場合、光通信モジュールへの電源電圧の供給が停止されると、揮発性記憶装置に記憶された情報が消失する。したがって、たとえばホスト基板自体に異常が生じたことにより光通信モジュールへの電源電圧への供給が不能になった場合、あるいは、ホスト基板を光通信装置から取り外した場合に、光通信モジュールに記憶された情報が消失する可能性がある。すなわち特許文献1の技術は、光通信モジュールの故障の状況、あるいは、故障した光通信モジュールのみが返却されるという状況を十分に考慮したものではない。このような理由により、従来の技術によれば、故障した光通信モジュールのみがメーカーの技術者に返却された場合に、メーカーの技術者は、その光通信モジュールが故障する直前における光通信モジュールの状態およびホスト基板の状態を知ることができなかった。本発明の目的は、ホスト基板に異常が生じた場合に、そのホスト基板に実装される光通信モジュールに、当該光通信モジュールに関する情報だけでなく、ホスト基板に関する情報も残すことを可能にすることである。本発明のある局面に係る光通信モジュールは、ホスト基板に挿抜可能な光通信モジュールであって、制御部と、不揮発性メモリとを備える。制御部は、光通信モジュールを監視し、ホスト基板からホスト基板の状態に関するログ情報を繰り返し受ける。ホスト基板の異常を示すハザード信号を検出した場合、制御部は、光通信モジュールの監視結果とホスト基板からのログ情報とを不揮発性メモリに書き込む。この構成によれば、ホスト基板に異常が生じた場合に、そのホスト基板に実装される光通信モジュールに、当該光通信モジュールに関する情報だけでなく、ホスト基板に関する情報を残すことができる。これらの情報は、不揮発性メモリに記憶されている。したがって、たとえばホスト基板に生じた異常により、光通信モジュールへの電源供給が異常となる場合でも、その異常の発生する直前のホスト基板の状態および光通信モジュールの状態に関する情報を光通信モジュールの内部に残すことができる。なお、ハザード信号によって示されるホスト基板の異常は、たとえばホスト基板から光通信モジュールへの電源供給に関する異常が挙げられるが、これに限定されるものではない。光通信モジュールは、光トランシーバのように送信および受信の両方の機能を有するものでもよく、あるいは、送信機能および受信機能のいずれか一方のみを有するもの例としては光レシーバあるいは光トランスミッタであってもよい。好ましくは、光通信モジュールは、電源監視部をさらに備える。電源監視部は、ホスト基板から光通信モジュールへの電源供給に関する異常を検知したときにハザード信号を出力する。電源供給に関する異常は、光通信モジュールの稼動時においてホスト基板から供給される電源電圧が所定の範囲を外れる場合を含む。この構成によれば、電源供給に関する異常の検知に応じてハザード信号が出力される。これにより、光通信モジュールが自己監視結果およびホスト基板のログ情報の不揮発性メモリへの書き込みを行なう。したがって、電源供給に関する異常によって光通信モジュールが最終的に停止する前に、ホスト基板の状態および光通信モジュールの状態に関する情報が不揮発性メモリに記憶される可能性を高めることができる。電源供給に関する異常は、光通信モジュールの稼動時においてホスト基板から供給される電源電圧が所定の範囲を外れる場合を含むが、これに限定されるものではない。好ましくは、光通信モジュールは、揮発性メモリをさらに備える。制御部は、ハザード信号が検出されない場合には、光通信モジュールの監視結果とホスト基板からのログ情報とを揮発性メモリに書き込んでおいて、ハザード信号が検出されると、揮発性メモリから不揮発性メモリに、光通信モジュールの監視結果とホスト基板からのログ情報とを転送する。この構成によれば、ハザード信号が検出されない場合、すなわちホスト基板が正常である場合には、揮発性メモリに情報が書き込まれる。したがって、揮発性メモリに情報を残すことができる。ハザード信号が検出された場合に初めて不揮発性メモリに、光通信モジュールの監視結果とホスト基板からのログ情報とが書き込まれる。これにより、不揮発性メモリへの頻繁な書き込みを防ぐことができる。したがって、不揮発性メモリの書き込み許容回数が大幅に低減することを防ぐことができる。不揮発性メモリの寿命が大幅に短縮されるのを防ぐことによって、光通信モジュールの寿命が不揮発性メモリの寿命に依存して短縮されることを防ぐことができる。好ましくは、制御部は、ホスト基板からログ情報を受け取った場合に、当該受け取ったログ情報とともに、光通信モジュールの監視結果を揮発性メモリに書き込む。この構成によれば、ホスト基板のログ情報と、光通信モジュールの監視結果との間のタイムラグを小さくすることができる。したがって、たとえば故障した光通信モジュールがメーカーの技術者に返却された場合、ホスト基板のログ情報により示されるホスト基板の状態と、光通信モジュールの監視結果により示される光通信モジュールの状態とを照合することによって、技術者は、光通信モジュールの故障の原因を詳細に解析することができる。本発明の別の局面に係る光通信モジュールのログ記録方法は、ホスト基板に挿抜可能な光通信モジュールが自己監視を実行するステップと、光通信モジュールが、ホスト基板から、ホスト基板の状態に関するログ情報を受け取るステップと、ホスト基板から光通信モジュールへの電源供給の異常を検知した場合に、光通信モジュールに実装された不揮発性メモリに、光通信モジュールの自己監視の結果と光通信モジュールが受け取ったログ情報とを書き込むステップとを備える。この構成によれば、ホスト基板から光通信モジュールへの電源供給の異常が生じた場合に、そのホスト基板に実装される光通信モジュールに、当該光通信モジュールに関する情報だけでなく、ホスト基板に関する情報を残すことができる。電源供給の異常は、たとえばホスト基板から光通信モジュールに供給される電源電圧が所定範囲外であることを含む。たとえば光通信モジュールの稼働時において電源電圧が所定範囲外である場合には、ホスト基板の電源供給の異常として検知される。電源電圧が所定範囲外であるとは、たとえば電源電圧が正の場合に、その電源電圧が判定レベルを下回る場合を含む。本発明のさらに別の局面に係る光通信装置は、ホスト基板と、複数の光通信モジュールとを備える。複数の光通信モジュールの各々は、ホスト基板に挿抜可能であり、不揮発性メモリを含む。複数の光通信モジュールの各々は、自己監視を実行し、ホスト基板からホスト基板の状態に関するログ情報を繰り返し受ける。ホスト基板から光通信モジュールへの電源供給に関する異常が生じた場合に、複数の光通信モジュールの各々は、自己監視の結果とホスト基板からのログ情報とを不揮発性メモリに書き込む。ホスト基板は、前記複数の光通信モジュールに対して互いに異なるタイミングでログ情報を送信する。この構成によれば、ホスト基板から光通信モジュールへの電源供給に関する異常が生じた場合に、そのホスト基板に実装される光通信モジュールに、当該光通信モジュールに関する情報だけでなく、ホスト基板に関する情報を残すことができる。さらに、複数の光通信モジュールの各々に、異なるタイミングでログ情報が送られる。したがって複数の光通信モジュールの間では、互いに異なる時刻に生成されたログ情報が保持される。故障した光通信モジュールの台数が複数である場合には、それら故障した光通信モジュールに記憶されるログ情報を解析することによって、ホスト基板の状態の時間変化逆に、ホスト基板の状態が変化していないことでもよいを知ることができる。したがって、光通信モジュールの故障の原因をより詳細に解析することができる。なお、電源供給の異常とは、上記の定義と同様である。好ましくは、光通信装置は、光通信装置内のいずれかに電源切換部をさらに含む。電源切換部は、ホスト基板の電源供給に関する異常を検知した場合には、少なくとも不揮発性メモリへの書き込みが終わるまで、ホスト基板に代わり光通信モジュールへの電源供給を実行する。この構成によれば、電源切換部により、複数の光通信モジュールの各々が、自己監視の結果およびホスト基板のログ情報を不揮発性メモリに書き込む動作を保証することができる。したがって、光通信モジュールの自己監視の結果およびホスト基板のログ情報を、より確実に光通信モジュールの内部に残すことができる。電源切換部は、不揮発性メモリの書き込み動作に必要な電源電圧を光通信モジュールに供給すればよい。したがって、電源切換部が光通信モジュールに供給する電源電圧は、ホスト基板が異常になる前にホスト基板から供給される電源電圧と同じであるように限定されない。本発明によれば、ホスト基板に異常が生じた場合に、そのホスト基板に実装される光通信モジュールに、当該光通信モジュールに関する情報だけでなく、ホスト基板に関する情報も残すことができる。以下、この発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。図1は、本発明の実施の形態に係る光通信装置の概略的構成図である。図1を参照して、光通信装置101は、複数の光トランシーバ1と、ホスト基板2と、筐体5と、ファン10とを備える。光トランシーバ1は、本発明に係る光通信モジュールの1つの具体的な形態として図1に示されている。複数の光トランシーバ1は、ホスト基板2に実装される。複数の光トランシーバ1の各々は、プラガブル光トランシーバである。すなわち、光トランシーバ1は、ホスト基板2に対して挿抜可能に構成される。光トランシーバ1は、ホスト基板2から送られた電気信号を光信号に変換して、その光信号を光ネットワークに出力する。また、光トランシーバ1は、光ネットワークを通じて送られた光信号を電気信号に変換して、その電気信号をホスト基板2に送る。図1では詳細に示されていないが、光通信ケーブルの端部に設けられたコネクタ図示せずが光トランシーバ1の前面1aに着脱可能なように、光トランシーバ1の前面1aが構成される。ホスト基板2は、筐体5に設置される。筐体5は、たとえばラックでもよい。また、ホスト基板2の向きは特に限定されるものではない。複数の光トランシーバ1およびホスト基板2を分かりやすく示すために、図1は、ホスト基板2の表面を水平方向に平行にした配置を示す。図1に示すようにホスト基板2が配置されてもよく、ホスト基板2が縦置きホスト基板2が垂直方向に立てられるであってもよい。また、光通信装置101に実装されるホスト基板2の枚数は1枚でもよく、複数枚であってもよい。ホスト基板2には、ホストCPUCentralProcessingUnit3と、不揮発性メモリ4とが実装される。ホストCPU3と不揮発性メモリ4とは、ホスト基板2に実装される素子として代表的に示されたものである。ホストCPU3は、複数の光トランシーバ1の各々と通信する。ホストCPU3は、さらに、ホストCPU3によるホスト基板2の状況の監視に関するログ情報を生成する。そのログ情報は不揮発性メモリ4に記憶される。不揮発性メモリ4に記憶されるログ情報は、たとえばホスト基板2の状況をホストCPU3が監視したときの時刻、その時刻におけるホスト基板2の状況に関する情報を含む。不揮発性メモリ4は、情報の書き込みが可能であるとともに、その情報を不揮発的に保存可能なメモリである。不揮発性メモリ4は、たとえばEEPROMによって実現される。ホストCPU3と不揮発性メモリ4とが集積化されていてもよい。電源切換回路6は、複数の光トランシーバ1の各々に、ホスト基板2から供給される電源電圧を供給する。ホスト基板2には、ホスト基板2の外部から電源電圧が供給される。電源切換回路6の構成例については後述する。ホスト基板2の電源が落ちた場合に、電源切換回路6は、予め蓄積していた電力を複数の光トランシーバ1の各々に供給する。すなわち電源切換回路6は、複数の光トランシーバ1のバックアップ電源としての機能を有する。電源切換回路6は、ホスト基板2の電源供給の異常を示すハザード信号を出力する。この実施の形態では、ホスト基板2の電源供給の異常の一例として、光トランシーバ1の稼働中にホスト基板2から光トランシーバ1に供給される電源電圧が低下するという異常を示す。電源電圧が低下するという異常は、具体的には、ホスト基板2から光トランシーバ1の各々に供給される電源電圧が判定レベルを下回ることである。判定レベルは、ホスト基板2および光トランシーバ1の仕様に応じて適切に定められうる。たとえば光トランシーバ1の通常の電源電圧が3.3V±5の範囲に定められた場合、判定レベルは、たとえば3Vこの値は本実施の形態の理解のために提示した例であって、判定レベルはこの値に限定されるものではないに設定される。なお、以下では、電源電圧が低下するという異常をホスト基板2の電源が落ちると表現することもある。また、ホスト基板2に異常が生じた場合、ホスト基板2から複数の光トランシーバ1の各々に供給される電源電圧は、正常の電圧たとえば上記の3.3Vから0Vへと瞬間的に低下することが多いと考えられる。しかしながら、上記のホスト基板2の電源が落ちるという異常は、電源電圧が判定レベルを下回るという状況を含むものであり、電源電圧の低下速度を限定するものではない。また、電源電圧が判定レベルを下回った場合の最終的な電源電圧の値も0Vに限定されるものではない。ホスト基板2の電源が落ちるという異常が生じる事態の具体例としては、光通信装置101全体の故障により、ホスト基板2への電源電圧の供給が不能となる場合を含む。また、たとえばホスト基板2の温度が異常に高くなることにより、ホスト基板2への電源電圧の供給が遮断される場合を含む。ただし、これらの例に限定されず、他の例も想定することができる。ホスト基板2の電源が落ちた場合、各々の光トランシーバ1は、その異常を示すハザード信号を受ける。これにより、各々の光トランシーバ1は、自己の状態に関するログ情報、およびホスト基板2のログ情報を、当該光トランシーバ1の内部に不揮発的に記録する。この処理については、後に詳細に説明する。ファン10は、ホスト基板2で発生する熱を光通信装置101の外部に放出する。図1に示された構成ではファン10が筐体5の背面に設けられている。ファン10が動作することによって、光通信装置101の前面から光通信装置101の内部に外気が導入されるとともに、ホスト基板2で発生する熱が光通信装置101の背面から外部に放出される。ファン10は、筐体5の背面に設けられるものと限定されず、筐体5の任意の面上面、下面、前面、側面などに設けられていてもよく、ホスト基板2に設けられていてもよい。図2は、図1に示した光トランシーバ1の構成例を示したブロック図である。図2を参照して、光トランシーバ1は、光デバイス11と、送信回路14と、受信回路17と、コントローラ20とを備える。光デバイス11は、レーザダイオードLD12と、フォトダイオードPD13とを含む。レーザダイオード12は、送信回路14から供給された電源電圧および制御電圧を受ける。レーザダイオード12は、送信回路14から送られた電気信号送信信号を光信号に変換して、その光信号を、図示しない光ケーブルを介して光ネットワークに出力する。フォトダイオード13は、受信回路17から供給された電源電圧および制御電圧を受ける。フォトダイオード13は、図示しない光ケーブルを介して光ネットワークから光信号を受信して、その光信号を電気信号に変換する。フォトダイオード13は、その電気信号を受信信号として受信回路17に出力する。送信回路14は、レーザダイオード12に電源電圧および制御電圧を供給するためのドライバ15を含む。さらに、送信回路14は、D/AコンバータDAC16を含む。D/Aコンバータ16は、ホストCPU3から送られたデジタルの送信信号を、アナログ信号に変換する。ドライバ15は、そのアナログ信号をレーザダイオード12に供給する。さらに送信回路14は、送信回路14あるいはレーザダイオード12の状態を表わすモニタ電圧を、コントローラ20に出力する。このモニタ電圧は、たとえばレーザダイオード12の出力光強度を示す電圧である。受信回路17は、フォトダイオード13に電源電圧および制御電圧を供給する。受信回路17は、アンプ18およびA/DコンバータADC19を含む。アンプ18は、フォトダイオード13から送られた受信信号アナログ信号を増幅する。A/Dコンバータ19は、その増幅されたアナログ信号をデジタル信号に変換する。受信回路17は、そのデジタル信号をホストCPU3に出力する。さらに受信回路17は、受信回路17あるいはフォトダイオード13の状態を表わすモニタ電圧をコントローラ20に出力する。このモニタ電圧は、たとえばフォトダイオード13の受信光強度を示す電圧である。コントローラ20は、光トランシーバ1を統括的に制御する。このために、コントローラ20は、送信回路14および受信回路17の各々に制御信号および制御電圧を供給する。さらにコントローラ20は、送信回路14および受信回路17の各々からのモニタ電圧に基づいて、光トランシーバ1の状態を監視する。さらにコントローラ20は、ホストCPU3からの要求に応じて、光トランシーバ1の状態に関する情報をホストCPU3に送信する。さらにコントローラ20は、ホストCPU3から送られるログ情報を繰り返し受信する。コントローラ20は、そのログ情報を一時的に保持する。コントローラ20はログ情報を定期的にたとえば1秒間隔で受信してもよく、不定期に受信してもよい。コントローラ20は、電源切換回路6から電源電圧を受ける。さらに、ホスト基板2の電源が落ちた場合には、コントローラ20は、ハザード信号を受ける。ハザード信号に応答して、コントローラ20は、ホスト基板2のログ情報および光トランシーバ1の状態に関するログ情報を不揮発的に記憶する。図3は、図1および図2に示した電源切換回路6の機能ブロック図である。図3を参照して、電源切換回路6は、蓄電装置7と、比較部8と、切換回路9とを備える。この実施の形態では、蓄電装置7は、充電および放電を行なうように構成された装置、たとえば二次電池、コンデンサなどにより実現される。蓄電装置7は、ホスト基板2から供給される電源電圧により充電される。ホスト基板2の電源が落ちた場合には、蓄電装置7は、蓄えられた電力を放出する。蓄電装置7の容量は、少なくとも、複数の光トランシーバ1の各々が自己監視の結果とホスト基板からのログ情報とを、当該光トランシーバ1の内部の不揮発性メモリに書き込む動作が終わるまで、複数の光トランシーバ1に電源供給を行なうことができるように定められる。比較部8は、ホスト基板2の電源電圧の低下を検知するための回路である。ホスト基板2の電源電圧が判定レベルを下回った場合、比較部8はハザード信号を出力する。ハザード信号は切換回路9および光トランシーバ1のコントローラ20に送られる。すなわち比較部8は、ホスト基板2の電源電圧を監視する電源監視部として機能する。切換回路9はハザード信号を受けた場合には、光トランシーバ1に蓄電装置7の電圧を供給する。切換回路9はハザード信号を受けていない場合には、光トランシーバ1にホスト基板2の電源電圧を供給する。図4は、図3に示した電源切換回路6の1つの具体的な構成例を示した図である。図4を参照して、抵抗素子R1,R2は、蓄電装置7の電圧を分割して、判定レベルに相当する基準電圧を生成する。比較部8は、上記のように生成された基準電圧とホスト基板からの電源電圧とを比較する。通常の場合、すなわちホスト基板の電源が落ちていない場合には、蓄電装置7の電圧はホスト基板2の電源電圧に等しい。このため、ホスト基板2の電源電圧は基準電圧よりも高くなる。この場合には、比較部8は、ハザード信号を出力しない。一方、ホスト基板からの電源電圧が基準電圧を下回る場合には、比較部8はハザード信号を出力する。ハザード信号は、コントローラ20の入力ポートに入力される。比較部8を動作させるための電源電圧は、たとえばホスト基板から供給される。たとえばハザード信号を出力するとは、ハザード信号のレベルがLローレベルである状態であり、ハザード信号を出力しないとは、ハザード信号のレベルがHハイレベルである状態である。この構成によれば、通常では、ホスト基板からの電源電圧が基準電圧を上回るため、ハザード信号はHレベルとなる。すなわち、ハザード信号は比較部8から出力されない。一方、ホスト基板の電源電圧が正常レベルを下回った場合、ハザード信号はLレベルとなる。すなわちハザード信号が比較部8から出力される。ホスト基板2の電源が落ちた場合には、ホスト基板2から比較部8へ電源電圧を供給することはできないと考えられる。この場合にもハザード信号はLレベルになる。すなわち比較部8からハザード信号が出力される。上記の構成によって、ホスト基板2の電源が落ちた場合に比較部8からハザード信号を出力することが可能となる。切換回路9は、ダイオードD1~D3によって構成される。ダイオードD1は、蓄電装置7からコントローラ20の電源入力端子へと電流が流れるように配置される。ダイオードD2は、ホスト基板2から蓄電装置7へと電流が流れるように配置される。ダイオードD3は、ホスト基板2からコントローラ20の電源入力端子へと電流が流れるように配置される。通常では、ダイオードD3によって、ホスト基板2からコントローラ20の電源入力端子へと電流が流れる。さらに、ダイオードD2によって、ホスト基板2からコントローラ20の電源入力端子へと電流が流れ、蓄電装置7が充電される。一方、ホスト基板2の電源電圧が低下すると、ダイオードD3によって、ホスト基板2からコントローラ20への電源電圧の供給が遮断される。さらに、ダイオードD1によって、蓄電装置7からコントローラ20へ電源電圧が供給される。図4に示された構成によれば、蓄電装置7から供給される電源電圧は、ホスト基板2の電源が落ちる前にホスト基板2から光トランシーバ1に供給される電源電圧にほぼ等しい。しかしながら蓄電装置7から供給される電源電圧と、ホスト基板2から光トランシーバ1に供給される電源電圧とが同じであるように限定される必要はない。蓄電装置7から供給される電源電圧は、光トランシーバ1の電源電圧として予め定められた範囲内に収まっていればよい。また、蓄電装置7は、ホスト基板2の電源供給の異常時特に、光トランシーバ1の稼動時にホスト基板2の電源電圧が判定レベルを下回った場合に、光トランシーバ1への電源供給を実行できるものであればよい。したがって、蓄電装置7は、二次電池などのように充電および放電の両方が可能なものに限定されず、一次電池を用いてもよい。一次電池の電圧は、光トランシーバ1の電源電圧として予め定められた範囲内に収まっていればよく、ホスト基板2から光トランシーバ1に供給される電源電圧と同じであると限定される必要はない。また、図3および図4に示された形態では、電源切換回路6は、光トランシーバ1とは別個にホスト基板2に実装されている。しかしながら電源切換回路6の一部またはすべての構成要素が光トランシーバ1に内蔵されていてもよい。1つの実施形態によれば、電源監視部である比較部8が光トランシーバ1に内蔵される。この構成によれば光トランシーバ1が電源電圧の監視機能を有するので、光トランシーバ1の高機能化を図ることができる。なお、電源切換回路6は、光トランシーバ1の内部あるいはホスト基板2に設けるように限定されず、光通信装置101のいずれかに設けられていればよい。図5は、図2に示したコントローラ20の構成を示したブロック図である。図5に示された構成は複数の半導体集積回路、または単一の半導体集積回路のいずれでも実現可能である。図5を参照して、コントローラ20は、制御部21と、不揮発性メモリ22と、揮発性メモリ23と、バス24と、A/Dコンバータ25と、D/Aコンバータ26と、データバスインタフェース27と、ロジックポート28と、データバスインタフェース29と、温度センサ30とを備える。制御部21は、コントローラ20の全体の動作を制御する。不揮発性メモリ22は、情報の書き込みおよび情報の読出しが可能なだけでなく、書き込まれた情報を不揮発的に記憶することが可能なメモリである。不揮発的に記憶するとは、不揮発性メモリ22への電源電圧の供給がない場合にも、情報を保持することができることを意味する。不揮発性メモリ22は、たとえばEEPROMによって実現される。揮発性メモリ23は、情報の書き込みおよび読出しが可能である。揮発性メモリ23への電源電圧の供給が停止した場合、揮発性メモリ23に記憶された情報が消失する。揮発性メモリ23は、たとえばDRAMDynamicRandomAccessMemoryあるいはSRAMStaticRandomAccessMemoryなどによって実現される。バス24は、たとえば制御部21と不揮発性メモリ22との間、あるいは制御部21と揮発性メモリ23との間で情報を伝送するためのものである。A/Dコンバータ25は、たとえば図2に示された送信回路14あるいは受信回路17から送られたモニタ電圧をデジタル信号に変換する。A/Dコンバータ25は、そのデジタル信号を制御部21へ出力する。D/Aコンバータ26は、たとえば制御部21から送られるデジタルの制御信号をアナログの制御信号に変換する。D/Aコンバータ26は、そのアナログの制御信号を、図2に示された送信回路14あるいは受信回路17へと出力する。データバスインタフェース27は、たとえば図2に示された送信回路14あるいは受信回路17と制御部21との間でデータを授受するための回路である。ロジックポート28は、たとえば制御部21が送信回路14あるいは受信回路17に対してデジタルの制御信号を送信するための回路である。データバスインタフェース27は、たとえば図2に示された送信回路14あるいは受信回路17と制御部21との間でデータを授受するための回路である。データバスインタフェース29は、たとえば制御部21がホストCPU3あるいはホスト基板2に実装された他の素子たとえば、別の光トランシーバとの間でデータを授受するための回路である。制御部21はデータバスインタフェース29を介してホスト基板からログ情報を受ける。あるいは、制御部21はホスト基板2ホストCPU3からの要求に応じて、揮発性メモリ23に記憶するログ情報をデータバスインタフェース29に出力する。温度センサ30は、光トランシーバ1の温度を検出して、その温度を示す信号を制御部21へと出力する。温度センサ30は光トランシーバ1の内部に配置されていればよいので、温度センサ30はコントローラ20とは別に設けられていてもよい。制御部21は、光トランシーバ1の状態を繰り返し監視する。すなわち制御部21は、光トランシーバ1の自己監視機能を実現する。さらに、ホスト基板2から光トランシーバ1へとログ情報が送られた場合に、制御部21は、光トランシーバ1の状態の監視に関する情報を、ホスト基板2からのログ情報に追加して、それらのログ情報を揮発性メモリ23へと書き込む。ハザード信号は、たとえばロジックポート28を介して制御部21に入力される。制御部21がハザード信号を受けた場合には、制御部21は、通常のルーチン処理を停止して、揮発性メモリ23に記憶されたログ情報を不揮発性メモリ22に転送する。すなわち制御部21は揮発性メモリ23からログ情報を読み出して、不揮発性メモリ22にそのログ情報を書き込む。上述のように、このときの制御部21、揮発性メモリ23および不揮発性メモリ22の動作のための電源電圧は、電源切換回路6に含まれる蓄電装置7図3、図4を参照により供給される。上記の動作によって、不揮発性メモリ22は、ホスト基板2の電源が落ちる直前の光トランシーバ1の状態およびホスト基板2の状態に関するログ情報を不揮発的に記憶する。図5に示されたログ情報42は、不揮発性メモリ22に記憶されるログ情報を示している。図6は、図5に示された不揮発性メモリ22に記憶されるログ情報の構成例を説明した図である。図5および図6を参照して、ログ情報42は、光トランシーバステータス42a以下、単にステータス42aと呼ぶと、アラーム情報42bと、温度モニタ情報42cと、時刻情報42dと、ホスト基板ログ42eとを含む。ステータス42aにはアドレスA1が割り当てられる。アラーム情報42bにはアドレスA2が割り当てられる。温度モニタ情報42cにはアドレスA3が割り当てられる。時刻情報42dにはアドレスA4が割り当てられる。ホスト基板ログ42eにはアドレスA5が割り当てられる。アドレスA1~A5はログ情報42の各項目のサイズに応じて決定される。ステータス42aは、制御部21が光トランシーバを監視したときの光トランシーバ1の状態を示すコードである。アラーム情報42bは、光トランシーバ1の異常が生じたことを示す情報である。たとえば光トランシーバ1の温度が基準値を超えた場合に、そのことを示すフラグたとえば1がアラーム情報42bとして生成される。温度モニタ情報42cは、光トランシーバ1の温度が基準値を超えたときのその温度を示す情報である。制御部21は温度センサ30の出力に基づいて温度測定値を生成し、その温度測定値を温度モニタ情報42cとしてログ情報に含める。時刻情報42dは、ホスト基板から提供された時刻情報である。この時刻は、たとえばホスト基板2ホストCPU3がログ情報を生成したときの時刻でもよく、ホストCPU3がホスト基板2を監視したときの時刻でもよい。ホスト基板ログ42eは、ホスト基板2から送られたログ情報である。ホスト基板ログ42eは、たとえばホスト基板2の温度に関する情報を含む。ホスト基板2の温度に関する情報に加えて、あるいはホスト基板2の温度に関する情報に代えて別の情報がホスト基板ログ42eに含まれていてもよい。このような別の情報として、たとえばファン10図1を参照が正常かどうかを示す情報を含む。また、ホスト基板ログ42eに含まれる情報は、これらに限定されるものではなく、ホスト基板2に関する他の情報を含んでいてもよい。図6に示されたログ情報42は、揮発性メモリ23に一旦記憶される。制御部21は、ホスト基板2から送られた時刻情報42dおよびホスト基板ログ42eを揮発性メモリ23に一時的に格納し、その時刻情報42dおよびホスト基板ログ42eを不揮発性メモリ22に書き込む際に、ステータス42aと、アラーム情報42bと、温度モニタ情報42cとを生成して不揮発性メモリ22に書き込んでもよい。さらに、揮発性メモリ23には、複数のログ情報42が記憶されていてもよい。各ログ情報42は、図6に示される構成を有する。制御部21は、ハザード信号の受信に応じて、複数のログ情報42を、不揮発性メモリ22に一括して転送する。図7は、本発明の実施の形態に係る光トランシーバの通常動作時の1つの処理を示したフローチャートである。図7を参照して、メインルーチンの処理が開始される。ステップS1において、制御部21は、温度センサ30の測定値を受けることにより、光トランシーバ1の温度を監視する。さらにステップS1において、制御部21は、ステータスステータス42aに相当を更新する。たとえば制御部21は、ステータスを制御部21の内部に保持し、そのステータスを更新する。ステップS1は、光トランシーバ1が自己監視を実行するステップに相当する。ステップS2において、制御部21は、ホスト基板2より通信があるかどうかを判断する。たとえばホスト基板2から制御部21に送信要求あるいは受信要求が送られた場合に、制御部21はホスト基板からの通信ありと判断する。ホスト基板2より通信がある場合ステップS2においてYES、処理はステップS3に進む。ホスト基板2より通信がない場合ステップS2においてNO、処理はステップS1に戻される。つまり、ホスト基板2より通信がない場合には、ステップS1およびS2の処理が繰り返される。ステップS3において、制御部21は、ホスト基板2からのログ情報があるかどうかを判断する。ホスト基板2がログ情報を制御部21に送りこんだ場合、制御部21は、ホスト基板2からのログ情報があると判断する。この場合ステップS3においてYES、処理はステップS4に進む。一方、制御部21とホスト基板2との間で通信が行なわれたものの、ホスト基板2から制御部21にログ情報が送られていない場合ステップS3においてNO、処理はステップS1に戻される。ステップS4において、制御部21は、ホスト基板2からログ情報を取得する。ステップS5において、制御部21は、揮発性メモリ23上で、ログ情報ホスト基板ログを更新する。具体的には、制御部21は、光トランシーバ1の状態の監視に関する情報を、ホスト基板2からのログ情報に追加して、そのログ情報を揮発性メモリ23へと書き込む。ログ情報の構成は、図6に示した構成である。ステップS5の処理が終了すると、処理はステップS1に戻される。図8は、ホスト基板の電源が落ちたときの光トランシーバの処理を示したフローチャートである。図8を参照して、ステップS11において、制御部21はホスト基板2の電源断を検知したかどうかを判断する。具体的には、制御部21は、ハザード信号を検知することによってホスト基板2の電源断すなわちホスト基板2の電源が落ちたことを検知する。ホスト基板2の電源断の検知は割り込み処理で実行されてもよい。あるいは、ポーリングによる状態の変化を検知することによりホスト基板2の電源断が検知されてもよい。ステップS11の処理によって、ホスト基板2から光トランシーバ1への電源供給の異常が検知される。ステップS12において、制御部21は、ホスト基板2からシャットダウン指示を受けたかどうかを判断する。たとえば光通信装置101の省電力を図るために、光トランシーバ1の電源電圧の供給を間欠的に停止する場合がある。このような場合には、たとえば光トランシーバ1はホスト基板2からのシャットダウン指示に応じて、その動作を停止させる。ホスト基板2からシャットダウン指示があった場合ステップS12においてYES、図8に示した処理は終了する。一方、ホスト基板2からシャットダウン指示がない場合ステップS12においてNO、処理はステップS13に進む。シャットダウン指示がないにもかかわらずホスト基板2の電源断が検知されたということは、ホスト基板2に異常が生じた可能性が高い。したがってステップS13において、制御部21はログ情報の記録条件が発生したと判断する。ステップS14において、制御部21は、揮発性メモリ23に記憶されたログ情報を不揮発性メモリ22に転送して、ログ情報を不揮発性メモリ22に書き込む。これにより不揮発性メモリ22にログ情報42図6を参照が記憶される。ステップS14の処理が終了すると全体の処理が終了する。ホスト基板2は、図1に示された複数の光トランシーバ1の各々に、同じログ情報を転送してもよい。複数の光トランシーバ1のどれが故障するかは、通常では予測できない。同じログ情報を複数の光トランシーバ1に記憶させることにより、故障した光トランシーバ1の中にホスト基板2のログ情報を残すことができる確率を高めることができる。別の方法として、ホスト基板2は、複数の光トランシーバ1へのログ情報の転送を、時間をずらして行なってもよい。たとえばホスト基板2は、複数の光トランシーバ1の間でサイクリックにログ情報の転送を行なってもよい。すなわち光トランシーバ1の台数がNNは2以上の整数である場合に、ホスト基板2は、1番目の光トランシーバ、2番目の光トランシーバ、、N番目の光トランシーバ、1番目の光トランシーバ、2番目の光トランシーバ、の順にログ情報を転送する。この場合、N台の光トランシーバ1の間では、互いに異なる時刻に生成されたログ情報が保持される。故障した光トランシーバ1の台数が複数である場合には、それら故障した光トランシーバ1に記憶されるログ情報を解析することによって、ホスト基板2の状態の時間変化逆に、ホスト基板2の状態が変化していないことでもよいを知ることができる。したがって、光トランシーバの故障の原因をより詳細に解析することができる。この実施の形態によれば、ホスト基板2に挿抜可能な光トランシーバ1に、ホスト基板のログ情報が繰り返し送られる。さらに、光トランシーバ1は、自己監視を実行する。光トランシーバ1コントローラ20の制御部21は、ホスト基板のログ情報と、光トランシーバ1の自己監視の結果とを揮発性メモリに格納する。ホスト基板2の電源供給の異常光トランシーバ1の稼動時に光トランシーバ1に供給される電源電圧が正常レベルよりも低下したことを示すハザード信号の検出により、揮発性メモリに記憶されたログ情報と光トランシーバの自己監視の結果とが不揮発性メモリ22に書き込まれる。図1に示されるように、ホスト基板2に複数の光トランシーバ1が接続され、その複数の光トランシーバ1のうちの1つが故障した場合、光通信装置101からホスト基板2ごと取り外して返却しなくてもよく、故障した光トランシーバ1のみを返却すればよい。したがって、光通信システムの運用者にとって、故障した光トランシーバ1の返却に要する手間を小さくすることができる。さらに、光通信に異常が生じた場合、その原因が光トランシーバにあるのか、上位装置ホスト基板にあるのかを容易に判別できる。たとえば、光通信の運用者は、故障した光トランシーバを新しい正常な光トランシーバに交換する。これにより光通信が復旧すれば、異常の原因が光トランシーバにあることを容易に判断できる。さらに、光トランシーバ1の内部に、光トランシーバの情報だけでなく、ホスト基板の情報も不揮発的に記憶される。ログ情報が揮発性メモリ23に記憶されたままの場合、ホスト基板2の電源が落ちることによって、揮発性メモリ23に記憶されたログ情報が消失する。この実施の形態では、制御部21はハザード信号を検出すると、揮発性メモリ23に記憶されたログ情報を不揮発性メモリ22に転送する。したがって、ホスト基板2の電源が落ちるような異常によって光トランシーバが故障した場合、故障した光トランシーバ1から、故障直前の光トランシーバ1の状態に関する情報だけでなく、異常の直前のホスト基板の状態に関するログ情報を取り出すことができる。この結果、光トランシーバ1の故障の原因を詳細に解析することが可能となる。たとえばホスト基板2の温度が高くなりすぎたために、ホスト基板2の電源が落ちるだけでなく、光トランシーバも故障したとする。ログ情報に含まれる温度モニタ情報では、通常よりも高い温度値が示されている。たとえばログ情報ホスト情報ログに、ホスト基板の温度の情報に加え、ファン10の異常を示す情報が含まれていた場合には、ホスト基板2の放熱が悪くなったことが光トランシーバ1の故障の原因であると推定することができる。さらにこの実施の形態では、ホスト基板2の電源電圧が落ちた場合に備えて、電源切換回路6が設けられる。電源切換回路6は、光トランシーバ1内の不揮発性メモリ22へのログ情報の書き込みが完了するまで、光トランシーバ1に電源電圧を供給することができる。したがって光トランシーバ1の内部に、光トランシーバの状態およびホスト基板の状態に関するログ情報を不揮発的に記憶させることができる。また、EEPROMなどの不揮発性メモリには、一般に書き込み回数に限界がある。不揮発性メモリ22に頻繁にログ情報が書き込まれると不揮発性メモリ22の寿命が縮まる可能性がある。この実施の形態によれば、揮発性メモリ23にログ情報が一時的に格納される。不揮発性メモリ22へのログ情報の書き込みは、ホスト基板の電源が落ちたときにのみ実行される。これにより不揮発性メモリ22の書込回数を少なくすることができる。したがって、不揮発性メモリ22の寿命に起因して光トランシーバ1の寿命が短くなることを防ぐことができる。なお、上記の実施の形態では、光トランシーバでは、光トランシーバの温度が監視される。しかしながら、光トランシーバ1が異常となる原因には様々なものが考えられる。したがって、光トランシーバ1は、温度モニタ値に加えて、あるいは温度モニタ値に代えて、他のモニタ値を監視してもよい。この場合、制御部21は、その監視したモニタ値を揮発性メモリ23に格納し、ホスト基板2の電源が落ちたときに不揮発性メモリ22へと転送する。図9は、光トランシーバのモニタ値の候補の例と、モニタ値から分かることが可能な異常の種類とを示した図である。図9を参照して、光トランシーバ1の温度、レーザダイオード12の出力光強度、フォトダイオード13の受信光強度、および光トランシーバ1に供給される電源電圧がモニタ値として考えられる。光トランシーバ1の温度を監視する方法は、上述の通りであるので、詳細な説明は以後繰り返さない。レーザダイオード12の出力光強度およびフォトダイオード13の受信光強度の監視は、たとえば以下のように実行される。送信回路14は、レーザダイオード12の出力光強度を示すモニタ電圧をコントローラ20に出力する。受信回路17は、フォトダイオード13の受信光強度を示すモニタ電圧をコントローラ20に出力する。コントローラ20は、送信回路14から出力されたモニタ電圧および受信回路17から出力されたモニタ電圧を、A/Dコンバータ25によってAD変換する。A/Dコンバータ25から出力されたデジタル信号は、出力光強度を示すモニタ値、あるいは受信光強度を示すモニタ値である。制御部21は、これらのモニタ値を受信する。これにより、制御部21は、レーザダイオード12の出力光強度およびフォトダイオード13の受信光強度を監視する。温度が高い場合、光トランシーバの構成部品たとえばレーザダイオード12が損傷する可能性がある。また、通常では、出力光強度が一定になるように、たとえばペルチェ素子などによってレーザダイオード12の温度が管理されている。しかし、レーザダイオード12の温度と、その周囲の温度との間の差が大きくなりすぎると、レーザダイオード12の温度を一定に管理することが困難になる。このためレーザダイオード12の出力光強度を一定に保つことが難しくなる。したがって上記の通り、温度を監視してもよい。また、出力光強度が高すぎることは、たとえば安全性たとえば人間の目に対する安全性の観点から好ましくない。逆に、出力光強度が下限値よりも低い場合には、レーザダイオード12が寿命に達した可能性がある。したがって出力光強度を監視してもよい。また、光通信には高感度を有するフォトダイオードが用いられる。光通信用のフォトダイオードに入力される光信号の強度が大きすぎると、フォトダイオードが損傷する可能性がある。したがって受信光強度を監視してもよい。なお、図9に示された例に限定されず、光トランシーバは、当該光トランシーバに関する他の項目を監視してもよい。また、この実施の形態では、ホスト基板2の異常として、ホスト基板2の電源供給の異常を示した。しかしながら、検出されるホスト基板の異常の種類は、特に限定されるものではない。その異常を示すハザード信号が制御部21に送出されるように構成されていればよい。また、この実施の形態では、ホスト基板2の電源供給の異常の一例として、光トランシーバの稼働時において、ホスト基板2から光トランシーバ1に供給される電源電圧が判定レベルを下回る場合を示した。しかしながら、異常の検出の対象となる電源電圧は、光トランシーバの稼働時の電源電圧に限定されるものではない。また、ホスト基板2から光トランシーバ1に供給される電源電圧が判定レベルを下回る場合だけでなく、その電源電圧が予め定められた範囲の上限値を上回る場合を、ホスト基板2の電源供給の異常として検出してもよい。すなわち、ホスト基板2の電源供給の異常として検出される異常は、光トランシーバ1に供給される電源電圧が予め定められた範囲を外れるという異常であってもよい。さらに、この実施の形態では、光トランシーバ1の電源電圧が正電圧である場合を示した。しかし光トランシーバ1に供給される電源電圧が予め定められた範囲を外れるという異常を検出すればよいので、光トランシーバ1の電源電圧が負電圧であってもよい。さらに、上記の実施の形態では、図1に示された複数の光トランシーバのすべてがログ情報を不揮発的に記憶する機能を有するものであるとした。しかしながら複数の光トランシーバの一部が、この実施の形態で説明したログ情報記憶機能を備え、残りの光トランシーバはログ情報記憶機能を備えていなくてもよい。また、本明細書では、本発明に係る光通信モジュールの1つの具体的な形態として光トランシーバを示した。しかしながら、本発明に係る光通信モジュールは、光トランシーバのように送信機能および受信機能の両方を備えるものと限定されるものではない。本発明に係る光通信モジュールは、送信機能および受信機能のうちのいずれか一方のみを有するものでもよい。したがって、本発明に係る光通信モジュールは、光レシーバあるいは光トランスミッタであってもよい。今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内で全ての変更が含まれることが意図される。"