"下記式1:式1中、R1及びR2はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシ基、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数2~10のアルケニル基、炭素原子数6~40のアリール基、又はエーテル結合、ケトン結合、若しくはエステル結合を含んでいても良いそれらの基の組み合わせを表す。R3は水素原子、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数2~10のアルケニル基、炭素原子数6~40のアリール基、又はエーテル結合、ケトン結合、若しくはエステル結合を含んでいても良いそれらの基の組み合わせを表す。R4は水素原子、又はハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基若しくはヒドロキシ基で置換されていても良い炭素原子数6~40のアリール基、又は複素環基を表し、R5は水素原子、又はハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、若しくはヒドロキシ基で置換されていても良い炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数6~40のアリール基、又は複素環基を表し、R4とR5は互いに環を形成していても良い。n1及びn2はそれぞれ1~3の整数を表す。で表される単位構造、及び式2:式2中、Arは炭素原子数6~20の芳香族環基を表し、R6はヒドロキシ基を表し、R7は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数2~10のアルケニル基、炭素原子数6~40のアリール基、又はエーテル結合、ケトン結合、若しくはエステル結合を含んでいても良いそれらの基の組み合わせを表す。R8は水素原子、又はハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基若しくはヒドロキシ基で置換されていても良い炭素原子数6~40のアリール基、又は複素環基を表し、R9は水素原子、又はハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、若しくはヒドロキシ基で置換されていても良い炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数6~40のアリール基、又は複素環基を表し、R8とR9は互いに環を形成していても良い。n6は1~pの整数を表し、n7はp-n6の整数を表す。ここでpは芳香族環基Arに置換しうる最大の数を表す。で表される単位構造を含み、式1で表される単位構造と式2で表される単位構造の割合がモル比で3~97:97~3であるポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物。式1中、R1、R2、R3、及びR5が水素原子を表し、R4がナフタレン環、又はピレン環を表す請求項1に記載のレジスト下層膜形成組成物。式2中、Arがナフタレン環を表し、R7、及びR9は水素原子を表し、R8がナフタレン環、又はピレン環を表す請求項1又は請求項2に記載のレジスト下層膜形成組成物。更に架橋剤を含む請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。更に酸及び/又は酸発生剤を含む請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成することによって得られるレジスト下層膜。請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成して下層膜を形成する工程を含む半導体の製造に用いられるレジストパターンの形成方法。半導体基板上に請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物により下層膜を形成する工程、その上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりパターン化されたレジスト膜を形成する工程、パターン化されたレジスト膜に従い該下層膜をエッチングする工程、及びパターン化された下層膜に従い半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。半導体基板に請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物により下層膜を形成する工程、その上にハードマスクを形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりパターン化されたレジスト膜を形成する工程、パターン化されたレジスト膜に従いハードマスクをエッチングする工程、パターン化されたハードマスクに従い該下層膜をエッチングする工程、及びパターン化された下層膜に従い半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。ハードマスクが無機物の蒸着によるものである請求項9に記載の製造方法。本発明の目的は、半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いるためのレジスト下層膜形成組成物を提供することにある。また本発明の目的は、レジスト層とのインターミキシングが起こらず、優れたレジストパターンが得られ、レジストに近いドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用レジスト下層膜、レジストに比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用レジスト下層膜や半導体基板に比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用レジスト下層膜を提供することにある。また本発明は、248nm、193nm、157nm等の波長の照射光を微細加工に使用する際に基板からの反射光を効果的に吸収する性能を付与することもできる。さらに、本発明の目的はレジスト下層膜形成組成物を用いたレジストパターンの形成法を提供することにある。そして、本発明の目的は、耐熱性も兼ね備えたレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物を提供することにもある。本発明は第1観点として、下記式1:式1中、R1及びR2はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシ基、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数2~10のアルケニル基、炭素原子数6~40のアリール基、又はエーテル結合、ケトン結合、若しくはエステル結合を含んでいても良いそれらの基の組み合わせを表す。R3は水素原子、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数2~10のアルケニル基、炭素原子数6~40のアリール基、又はエーテル結合、ケトン結合、若しくはエステル結合を含んでいても良いそれらの基の組み合わせを表す。R4は水素原子、又はハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基若しくはヒドロキシ基で置換されていても良い炭素原子数6~40のアリール基、又は複素環基を表し、R5は水素原子、又はハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、若しくはヒドロキシ基で置換されていても良い炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数6~40のアリール基、又は複素環基を表し、R4とR5は互いに環を形成していても良い。n1及びn2はそれぞれ1~3の整数を表す。で表される単位構造、及び式2:式2中、Arは炭素原子数6~20の芳香族環基を表し、R6はヒドロキシ基を表し、R7は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数2~10のアルケニル基、炭素原子数6~40のアリール基、又はエーテル結合、ケトン結合、若しくはエステル結合を含んでいても良いそれらの基の組み合わせを表す。R8は水素原子、又はハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基若しくはヒドロキシ基で置換されていても良い炭素原子数6~40のアリール基、又は複素環基を表し、R9は水素原子、又はハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、若しくはヒドロキシ基で置換されていても良い炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数6~40のアリール基、又は複素環基を表し、R8とR9は互いに環を形成していても良い。n6は1~pの整数を表し、n7はp-n6の整数を表す。ここでpは芳香族環基Arに置換しうる最大の数を表す。で表される単位構造を含み、式1で表される単位構造と式2で表される単位構造の割合がモル比で3~97:97~3であるポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物、第2観点として、式1中、R1、R2、R3、及びR5が水素原子を表し、R4がナフタレン環、又はピレン環を表す第1観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、第3観点として、式2中、Arがナフタレン環を表し、R7、及びR9は水素原子を表し、R8がナフタレン環、又はピレン環を表す第1観点又は第2観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、第4観点として、更に架橋剤を含む第1観点乃至第3観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物、第5観点として、更に酸及び/又は酸発生剤を含む第1観点乃至第4観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物、第6観点として、第1観点乃至第5観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成することによって得られるレジスト下層膜、第7観点として、第1観点乃至第5観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成して下層膜を形成する工程を含む半導体の製造に用いられるレジストパターンの形成方法、第8観点として、半導体基板上に第1観点乃至第5観点のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物により下層膜を形成する工程、その上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりパターン化されたレジスト膜を形成する工程、パターン化されたレジスト膜に従い該下層膜をエッチングする工程、及びパターン化された下層膜に従い半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法、第9観点として、半導体基板に第1観点乃至第5観点のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物により下層膜を形成する工程、その上にハードマスクを形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりパターン化されたレジスト膜を形成する工程、パターン化されたレジスト膜に従いハードマスクをエッチングする工程、パターン化されたハードマスクに従い該下層膜をエッチングする工程、及びパターン化された下層膜に従い半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法、及び第10観点として、ハードマスクが無機物の蒸着によるものである第9観点に記載の製造方法である。本発明のレジスト下層膜形成組成物により、レジスト下層膜の上層部とその上に被覆される層とのインターミキシングを起こすことなく、良好なレジストのパターン形状を形成することができる。本発明のレジスト下層膜形成組成物から得られるレジスト下層膜には基板からの反射を効率的に抑制する性能を付与することも可能であり、露光光の反射防止膜としての効果を併せ持つこともできる。本発明のレジスト下層膜形成組成物により、レジストに近いドライエッチング速度の選択比、レジストに比べて小さいドライエッチング速度の選択比や半導体基板に比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つ、優れたレジスト下層膜を提供することができる。本発明のレジスト下層膜形成組成物は、用いられるポリマーがカルバゾールノボラック系の単位構造を含むポリマーであるため、該組成物から得られるレジスト下層膜は極めて耐熱性が高いものである。また、本発明のレジストパターンの形成方法によると、レジスト下層膜として上記組成物から得られた膜を使用することにより良好な形状のレジストパターンを精度良く形成することができる。レジストパターンの微細化に伴いレジストパターンが現像後に倒れることを防止するためにレジストの薄膜化が行われている。そのような薄膜レジストでは、レジストパターンをエッチングプロセスでその下層膜に転写し、その下層膜をマスクとして基板加工を行うプロセスや、レジストパターンをエッチングプロセスでその下層膜に転写し、さらに下層膜に転写されたパターンを異なるガス組成を用いてその下層膜に転写するという行程を繰り返し、最終的に基板加工を行うプロセスがある。本発明のレジスト下層膜及びその形成組成物はこのプロセスに有効であり、本発明のレジスト下層膜を用いて基板を加工する時は、加工基板例えば、基板上の熱酸化ケイ素膜、窒化珪素膜、ポリシリコン膜等に対して十分にエッチング耐性を有するものである。そして、本発明のレジスト下層膜は、平坦化膜、レジスト下層膜、レジスト層の汚染防止膜、ドライエッチ選択性を有する膜として用いることができる。これにより、半導体製造のリソグラフィープロセスにおけるレジストパターン形成を、容易に、精度良く行うことができるようになる。本発明によるレジスト下層膜形成組成物によるレジスト下層膜を基板上に形成し、その上にハードマスクを形成し、その上にレジスト膜を形成し、露光と現像によりレジストパターンを形成し、レジストパターンをハードマスクに転写し、ハードマスクに転写されたレジストパターンをレジスト下層膜に転写し、そのレジスト下層膜で半導体基板の加工を行うプロセスがある。このプロセスでハードマスクは有機ポリマーや無機ポリマーと溶剤を含む塗布型の組成物によって行われる場合と、無機物の真空蒸着によって行われる場合がある。無機物例えば、窒化酸化ケイ素の真空蒸着では蒸着物がレジスト下層膜表面に堆積するが、その際にレジスト下層膜表面の温度が400°C前後に上昇する。本発明のレジスト下層膜形成組成物によるレジスト下層膜は、非常に耐熱性が高いため、蒸着物の堆積によっても熱劣化が生じにくくなるものである。本発明は式1で表される単位構造及び式2で表される単位構造を含み、式1で表される単位構造と式2で表される単位構造がモル比で3~97:97~3、または10~90:90~10の割合となるポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物である。本発明において上記のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物は上記ポリマーと溶剤を含む。そして、架橋剤と酸を含むことができ、必要に応じて酸発生剤、界面活性剤等の添加剤を含むことができる。この組成物の固形分は0.1~70質量、または0.1~60質量である。固形分はレジスト下層膜形成組成物から溶剤を除いた全成分の含有割合である。固形分中に上記ポリマーを1~100質量、または1~99.9質量、または50~99.9質量、または50~95質量、または50~90質量の割合で含有することができる。本発明に用いられるポリマーは、重量平均分子量が600~1000000、又は600~200000である。式1中、R1及びR2はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシ基、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数2~10のアルケニル基、又は炭素原子数6~40のアリール基とすることができ、またエーテル結合、ケトン結合、若しくはエステル結合を含んでいても良いそれら官能基の組み合わせとすることができる。R3は水素原子、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数2~10のアルケニル基、又は炭素原子数6~40のアリール基とすることができ、またエーテル結合、ケトン結合、若しくはエステル結合を含んでいても良いそれら官能基の組み合わせとすることができる。R4は水素原子とすることができ、またハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基若しくはヒドロキシ基で置換されていても良い炭素原子数6~40のアリール基、又は複素環基とすることができる。R5は水素原子とすることができ、またハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、若しくはヒドロキシ基で置換されていても良い炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数6~40のアリール基、又は複素環基とすることができる。R4とR5は互いに環を形成していても良い。これらの環としては例えばR4とR5がそれぞれフルオレンの9位に結合した構造を有することができる。n1及びn2はそれぞれ1~3の整数を表す。式2中、Arは炭素原子数6~20の芳香族環基を表し、R6はヒドロキシ基を表し、R7は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数2~10のアルケニル基、炭素原子数6~40のアリール基、又はエーテル結合、ケトン結合、若しくはエステル結合を含んでいても良いそれらの基の組み合わせを表す。R8は水素原子とすることができ、またハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基若しくはヒドロキシ基で置換されていても良い炭素原子数6~40のアリール基、又は複素環基とすることができる。R9は水素原子とすることができ、またハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、若しくはヒドロキシ基で置換されていても良い炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数6~40のアリール基、又は複素環基とすることができる。R8とR9は互いに環を形成していても良い。n6は1~pの整数を表し、n7はp-n6の整数を表す。ここでpは芳香族環基Arに置換しうる最大の数を表す。Arはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等を示し、特にナフタレン環が好ましい。Arがベンゼン環の場合はn6は1~4の整数を表し、n7は4-n6の整数を表す。ナフタレン環の場合はn6は1~6の整数を表し、n7は6-n6の整数を表す。アントラセン環の場合はn6は1~8の整数を表し、n7は8-n6の整数を表す。上記ハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。炭素原子数1~10のアルキル基としてはメチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、シクロプロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、シクロブチル基、1-メチル-シクロプロピル基、2-メチル-シクロプロピル基、n-ペンチル基、1-メチル-n-ブチル基、2-メチル-n-ブチル基、3-メチル-n-ブチル基、11-ジメチル-n-プロピル基、12-ジメチル-n-プロピル基、22-ジメチル-n-プロピル基、1-エチル-n-プロピル基、シクロペンチル基、1-メチル-シクロブチル基、2-メチル-シクロブチル基、3-メチル-シクロブチル基、12-ジメチル-シクロプロピル基、23-ジメチル-シクロプロピル基、1-エチル-シクロプロピル基、2-エチル-シクロプロピル基、n-ヘキシル基、1-メチル-n-ペンチル基、2-メチル-n-ペンチル基、3-メチル-n-ペンチル基、4-メチル-n-ペンチル基、11-ジメチル-n-ブチル基、12-ジメチル-n-ブチル基、13-ジメチル-n-ブチル基、22-ジメチル-n-ブチル基、23-ジメチル-n-ブチル基、33-ジメチル-n-ブチル基、1-エチル-n-ブチル基、2-エチル-n-ブチル基、112-トリメチル-n-プロピル基、122-トリメチル-n-プロピル基、1-エチル-1-メチル-n-プロピル基、1-エチル-2-メチル-n-プロピル基、シクロヘキシル基、1-メチル-シクロペンチル基、2-メチル-シクロペンチル基、3-メチル-シクロペンチル基、1-エチル-シクロブチル基、2-エチル-シクロブチル基、3-エチル-シクロブチル基、12-ジメチル-シクロブチル基、13-ジメチル-シクロブチル基、22-ジメチル-シクロブチル基、23-ジメチル-シクロブチル基、24-ジメチル-シクロブチル基、33-ジメチル-シクロブチル基、1-n-プロピル-シクロプロピル基、2-n-プロピル-シクロプロピル基、1-i-プロピル-シクロプロピル基、2-i-プロピル-シクロプロピル基、122-トリメチル-シクロプロピル基、123-トリメチル-シクロプロピル基、223-トリメチル-シクロプロピル基、1-エチル-2-メチル-シクロプロピル基、2-エチル-1-メチル-シクロプロピル基、2-エチル-2-メチル-シクロプロピル基及び2-エチル-3-メチル-シクロプロピル基等が挙げられる。炭素原子数2~10のアルケニル基としてはエテニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、1-メチル-1-エテニル基、1-ブテニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基、2-メチル-1-プロペニル基、2-メチル-2-プロペニル基、1-エチルエテニル基、1-メチル-1-プロペニル基、1-メチル-2-プロペニル基、1-ペンテニル基、2-ペンテニル基、3-ペンテニル基、4-ペンテニル基、1-n-プロピルエテニル基、1-メチル-1-ブテニル基、1-メチル-2-ブテニル基、1-メチル-3-ブテニル基、2-エチル-2-プロペニル基、2-メチル-1-ブテニル基、2-メチル-2-ブテニル基、2-メチル-3-ブテニル基、3-メチル-1-ブテニル基、3-メチル-2-ブテニル基、3-メチル-3-ブテニル基、11-ジメチル-2-プロペニル基、1-i-プロピルエテニル基、12-ジメチル-1-プロペニル基、12-ジメチル-2-プロペニル基、1-シクロペンテニル基、2-シクロペンテニル基、3-シクロペンテニル基、1-ヘキセニル基、2-ヘキセニル基、3-ヘキセニル基、4-ヘキセニル基、5-ヘキセニル基、1-メチル-1-ペンテニル基、1-メチル-2-ペンテニル基、1-メチル-3-ペンテニル基、1-メチル-4-ペンテニル基、1-n-ブチルエテニル基、2-メチル-1-ペンテニル基、2-メチル-2-ペンテニル基、2-メチル-3-ペンテニル基、2-メチル-4-ペンテニル基、2-n-プロピル-2-プロペニル基、3-メチル-1-ペンテニル基、3-メチル-2-ペンテニル基、3-メチル-3-ペンテニル基、3-メチル-4-ペンテニル基、3-エチル-3-ブテニル基、4-メチル-1-ペンテニル基、4-メチル-2-ペンテニル基、4-メチル-3-ペンテニル基、4-メチル-4-ペンテニル基、11-ジメチル-2-ブテニル基、11-ジメチル-3-ブテニル基、12-ジメチル-1-ブテニル基、12-ジメチル-2-ブテニル基、12-ジメチル-3-ブテニル基、1-メチル-2-エチル-2-プロペニル基、1-s-ブチルエテニル基、13-ジメチル-1-ブテニル基、13-ジメチル-2-ブテニル基、13-ジメチル-3-ブテニル基、1-i-ブチルエテニル基、22-ジメチル-3-ブテニル基、23-ジメチル-1-ブテニル基、23-ジメチル-2-ブテニル基、23-ジメチル-3-ブテニル基、2-i-プロピル-2-プロペニル基、33-ジメチル-1-ブテニル基1-エチル-1-ブテニル基、1-エチル-2-ブテニル基、1-エチル-3-ブテニル基、1-n-プロピル-1-プロペニル基、1-n-プロピル-2-プロペニル基、2-エチル-1-ブテニル基、2-エチル-2-ブテニル基、2-エチル-3-ブテニル基、112-トリメチル-2-プロペニル基、1-t-ブチルエテニル基、1-メチル-1-エチル-2-プロペニル基、1-エチル-2-メチル-1-プロペニル基、1-エチル-2-メチル-2-プロペニル基、1-i-プロピル-1-プロペニル基、1-i-プロピル-2-プロペニル基、1-メチル-2-シクロペンテニル基、1-メチル-3-シクロペンテニル基、2-メチル-1-シクロペンテニル基、2-メチル-2-シクロペンテニル基、2-メチル-3-シクロペンテニル基、2-メチル-4-シクロペンテニル基、2-メチル-5-シクロペンテニル基、2-メチレン-シクロペンチル基、3-メチル-1-シクロペンテニル基、3-メチル-2-シクロペンテニル基、3-メチル-3-シクロペンテニル基、3-メチル-4-シクロペンテニル基、3-メチル-5-シクロペンテニル基、3-メチレン-シクロペンチル基、1-シクロヘキセニル基、2-シクロヘキセニル基及び3-シクロヘキセニル基等が挙げられる。上記炭素原子数6~40のアリール基としてはフェニル基、o-メチルフェニル基、m-メチルフェニル基、p-メチルフェニル基、o-クロルフェニル基、m-クロルフェニル基、p-クロルフェニル基、o-フルオロフェニル基、p-フルオロフェニル基、o-メトキシフェニル基、p-メトキシフェニル基、p-ニトロフェニル基、p-シアノフェニル基、α-ナフチル基、β-ナフチル基、o-ビフェニリル基、m-ビフェニリル基、p-ビフェニリル基、1-アントリル基、2-アントリル基、9-アントリル基、1-フェナントリル基、2-フェナントリル基、3-フェナントリル基、4-フェナントリル基及び9-フェナントリル基が挙げられる。上記複素環基としては窒素、イオウ、酸素を含む5~6員環の複素環からなる有機基が好ましく、例えばピロール基、フラン基、チオフェン基、イミダゾール基、オキサゾール基、チアゾール基、ピラゾール基、イソオキサゾール基、イソチアゾール基、ピリジン基等が挙げられる。式1のR1、R2、R3、及びR5が水素原子を表し、R4がナフタレン環、又はピレン環を表す場合を好ましく用いることができる。式2のArがナフタレン環を表し、R7、及びR9は水素原子を表し、R8がナフタレン環、又はピレン環を表す場合を好ましく用いることができる。本発明に用いられるカルバゾール類としては、例えばカルバゾール、1,3,6,8-テトラニトロカルバゾール、3,6-ジアミノカルバゾール、3,6-ジブロモ-9-エチルカルバゾール、3,6-ジブロモ-9-フェニルカルバゾール、3,6-ジブロモカルバゾール、3,6-ジクロロカルバゾール、3-アミノ-9-エチルカルバゾール、3-ブロモ-9-エチルカルバゾール、4,4’ビス9H-カルバゾール-9-イルビフェニル、4-グリシジルカルバゾール、4-ヒドロキシカルバゾール、9-1H-ベンゾトリアゾール-1-イルメチル-9H-カルバゾール、9-アセチル-3,6-ジヨードカルバゾール、9-ベンゾイルカルバゾール、9-ベンゾイルカルバゾール-6-ジカルボキシアルデヒド、9-ベンジルカルバゾール-3-カルボキシアルデヒド、9-メチルカルバゾール、9-フェニルカルバゾール、9-ビニルカルバゾール、カルバゾールカリウム、カルバゾール-N-カルボニルクロリド、N-エチルカルバゾール-3-カルボキシアルデヒド、N-9-エチルカルバゾール-3-イルメチレン-2-メチル-1-インドリニルアミン等が挙げられ、これらを単独で用いることも2種以上組み合わせて用いることもできる。本発明のポリマーの製造に用いられるヒドロキシ基含有芳香族化合物は、フェノール、ジヒドロキシベンゼン、トリヒドロキシベンゼン、ナフトール、ジヒドロキシナフタレン、トリヒドロキシナフタレン、ヒドロキシアントラセン、ジヒドロキシアントラセン、トリヒドロキシアントラセン等が挙げられる。本発明のポリマーの製造に用いられるアルデヒド類としてはホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、ブチルアルデヒド、イソブチルアルデヒド、バレルアルデヒド、カプロンアルデヒド、2-メチルブチルアルデヒド、ヘキシルアルデヒド、ウンデカンアルデヒド、7-メトキシ-3、7-ジメチルオクチルアルデヒド、シクロヘキサンアルデヒド、3-メチル-2-ブチルアルデヒド、グリオキザール、マロンアルデヒド、スクシンアルデヒド、グルタルアルデヒド、グルタルアルデヒド、アジピンアルデヒド、等の飽和脂肪族アルデヒド類、アクロレイン、メタクロレイン等の不飽和脂肪族アルデヒド類、フルフラール、ピリジンアルデヒド等のヘテロ環式アルデヒド類、ベンズアルデヒド、ナフチルアルデヒド、アントリルアルデヒド、フェナントリルアルデヒド、サリチルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、3-フェニルプロピオンアルデヒド、トリルアルデヒド、N,N-ジメチルアミノベンズアルデヒド、アセトキシベンズアルデヒド等の芳香族アルデヒド類等が挙げられる。特に芳香族アルデヒドを好ましく用いることができるまた、本発明のポリマーの製造に用いられるケトン類としてはジアリールケトン類であり、例えばジフェニルケトン、フェニルナフチルケトン、ジナフチルケトン、フェニルトリルケトン、ジトリルケトン、9-フルオレノン等が挙げられる。本発明に用いられるポリマーはカルバゾール類及びヒドロキシ基含有芳香族化合物とアルデヒド類又はケトン類とを縮合して得られるノボラック樹脂である。この縮合反応ではカルバゾール類とヒドロキシ基含有芳香族化合物に含まれ反応に関与するフェニル基1当量に対して、アルデヒド類又はケトン類を0.1~10当量の割合で用いることができる。上記縮合反応で用いられる酸触媒としては、例えば硫酸、リン酸、過塩素酸等の鉱酸類、p-トルエンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸一水和物等の有機スルホン酸類、蟻酸、シュウ酸等のカルボン酸類が使用される。酸触媒の使用量は、使用する酸類の種類によって種々選択される。通常、カルバゾール類、又はカルバゾール類とヒドロキシ基含有芳香族化合物の合計の100質量部に対して、0.001~10000質量部、好ましくは、0.01~1000質量部、より好ましくは0.1~100質量部である。上記の縮合反応は無溶剤でも行われるが、通常溶剤を用いて行われる。溶剤としては反応を阻害しないものであれば全て使用することができる。例えばテトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類が挙げられる。また、使用する酸触媒が例えば蟻酸のような液状のものであるならば溶剤としての役割を兼ねさせることもできる。縮合時の反応温度は通常40°C~200°Cである。反応時間は反応温度によって種々選択されるが、通常30分~50時間程度である。以上のようにして得られる重合体の重量平均分子量Mwは、通常600~1000000、又は600~200000である。式1で表される単位構造と式2で表される単位構造を含むポリマーは例えば以下に例示することができる。上記ポリマーは他のポリマーを全ポリマー中に30質量以内で混合して用いることができる。それらポリマーとしてはポリアクリル酸エステル化合物、ポリメタクリル酸エステル化合物、ポリアクリルアミド化合物、ポリメタクリルアミド化合物、ポリビニル化合物、ポリスチレン化合物、ポリマレイミド化合物、ポリマレイン酸無水物、及びポリアクリロニトリル化合物が挙げられる。ポリアクリル酸エステル化合物の原料モノマーとしては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、ベンジルアクリレート、ナフチルアクリレート、アントリルアクリレート、アントリルメチルアクリレート、フェニルアクリレート、2-ヒドロキシエチルアクリレート、2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2,2,2-トリフルオロエチルアクリレート、4-ヒドロキシブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、tert-ブチルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、イソボルニルアクリレート、2-メトキシエチルアクリレート、メトキシトリエチレングリコールアクリレート、2-エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、3-メトキシブチルアクリレート、2-メチル-2-アダマンチルアクリレート、2-エチル-2-アダマンチルアクリレート、2-プロピル-2-アダマンチルアクリレート、2-メトキシブチル-2-アダマンチルアクリレート、8-メチル-8-トリシクロデシルアクリレート、8-エチル-8-トリシクロデシルアクリレート、及び5-アクリロイルオキシ-6-ヒドロキシノルボルネン-2-カルボキシリック-6-ラクトン等が挙げられる。ポリメタクリル酸エステル化合物の原料モノマーとしては、エチルメタクリレート、ノルマルプロピルメタクリレート、ノルマルペンチルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、ナフチルメタクリレート、アントリルメタクリレート、アントリルメチルメタクリレート、フェニルメタクリレート、2-フェニルエチルメタクリレート、2-ヒドロキシエチルメタクリレート、2-ヒドロキシプロピルメタクリレート、2,2,2-トリフルオロエチルメタクリレート、2,2,2-トリクロロエチルメタクリレート、メチルアクリレート、イソブチルメタクリレート、2-エチルヘキシルメタクリレート、イソデシルメタクリレート、ノルマルラウリルメタクリレート、ノルマルステアリルメタクリレート、メトキシジエチレングリコールメタクリレート、メトキシポリエチレングリコールメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、イソボルニルメタクリレート、tert-ブチルメタクリレート、イソステアリルメタクリレート、ノルマルブトキシエチルメタクリレート、3-クロロ-2-ヒドロキシプロピルメタクリレート、2-メチル-2-アダマンチルメタクリレート、2-エチル-2-アダマンチルメタクリレート、2-プロピル-2-アダマンチルメタクリレート、2-メトキシブチル-2-アダマンチルメタクリレート、8-メチル-8-トリシクロデシルメタクリレート、8-エチル-8-トリシクロデシルメタクリレート、5-メタクリロイルオキシ-6-ヒドロキシノルボルネン-2-カルボキシリック-6-ラクトン、及び2,2,3,3,4,4,4-ヘプタフルオロブチルメタクリレート等が挙げられる。アクリルアミド化合物としては、アクリルアミド、N-メチルアクリルアミド、N-エチルアクリルアミド、N-ベンジルアクリルアミド、N-フェニルアクリルアミド、及びN,N-ジメチルアクリルアミド等が挙げられる。ポリメタクリル酸アミド化合物の原料モノマーとしては、メタクリルアミド、N-メチルメタクリルアミド、N-エチルメタクリルアミド、N-ベンジルメタクリルアミド、N-フェニルメタクリルアミド、及びN,N-ジメチルメタクリルアミド等が挙げられる。ポリビニル化合物の原料モノマーとしては、ビニルエーテル、メチルビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、2-ヒドロキシエチルビニルエーテル、フェニルビニルエーテル、及びプロピルビニルエーテル等が挙げられる。ポリスチレン化合物の原料モノマーとしては、スチレン、メチルスチレン、クロロスチレン、ブロモスチレン、及びヒドロキシスチレン等が挙げられる。ポリマレイミド化合物の原料モノマーとしては、マレイミド、N-メチルマレイミド、N-フェニルマレイミド、及びN-シクロヘキシルマレイミド等が挙げられる。これらポリマーの製造は、有機溶剤に付加重合性モノマー及び必要に応じて添加される連鎖移動剤モノマーの質量に対して10以下を溶解した後、重合開始剤を加えて重合反応を行い、その後、重合停止剤を添加することにより製造することができる。重合開始剤の添加量としてはモノマーの質量に対して1~10であり、重合停止剤の添加量としては0.01~0.2質量である。使用される有機溶剤としてはプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、乳酸エチル、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、及びジメチルホルムアミド等が、連鎖移動剤としてはドデカンチオール及びドデシルチオール等が、重合開始剤としてはアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビスシクロヘキサンカルボニトリル等が、そして、重合停止剤としては4-メトキシフェノール等が挙げられる。反応温度としては30~100°C、反応時間としては1~48時間から適宜選択される。本発明のレジスト下層膜形成組成物は架橋剤成分を含むことができる。その架橋剤としては、メラミン系、置換尿素系、またはそれらのポリマー系等が挙げられる。好ましくは、少なくとも2個の架橋形成置換基を有する架橋剤であり、メトキシメチル化グリコールウリル、ブトキシメチル化グリコールウリル、メトキシメチル化メラミン、ブトキシメチル化メラミン、メトキシメチル化ベンゾグワナミン、ブトキシメチル化ベンゾグワナミン、メトキシメチル化尿素、ブトキシメチル化尿素、メトキシメチル化チオ尿素、またはメトキシメチル化チオ尿素等の化合物である。また、これらの化合物の縮合体も使用することができる。また、上記架橋剤としては耐熱性の高い架橋剤を用いることができる。耐熱性の高い架橋剤としては分子内に芳香族環例えば、ベンゼン環、ナフタレン環を有する架橋形成置換基を含有する化合物を好ましく用いることができる。この化合物は下記式4で表される部分構造を有する化合物や、下記式5で表される繰り返し単位を有するポリマー又はオリゴマーが挙げられる。式4中、R10及びR11はそれぞれ独立して水素原子、炭素原子数1~10のアルキル基、又は炭素原子数6~20のアリール基を表し、n10は1~4の整数を表し、n11は1~5-n10の整数を表し、n10n11は2~5の整数を表す。式5中、R12は水素原子又は炭素原子数1~10のアルキル基を表し、R13は炭素原子数1~10のアルキル基を表し、n12は1~4の整数を表し、n13は0~4-n12を表し、n12n13は1~4の整数を表す。オリゴマー及びポリマーは繰り返し単位構造の数が2~100、又は2~50の範囲で用いることができる。これらのアルキル基及びアリール基は、上記アルキル基及びアリール基を例示することができる。式4、式5で表される化合物、ポリマー、オリゴマーは以下に例示される。上記化合物は旭有機材工業株、本州化学工業株の製品として入手することができる。例えば上記架橋剤の中で式4-21の化合物は旭有機材工業株、商品名TM-BIP-Aとして入手することができる。架橋剤の添加量は、使用する塗布溶剤、使用する下地基板、要求される溶液粘度、要求される膜形状などにより変動するが、全固形分に対して0.001~80質量、好ましくは0.01~50質量、さらに好ましくは0.05~40質量である。これら架橋剤は自己縮合による架橋反応を起こすこともあるが、本発明の上記のポリマー中に架橋性置換基が存在する場合は、それらの架橋性置換基と架橋反応を起こすことができる。本発明では上記架橋反応を促進するための触媒としてとして、p-トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウムp-トルエンスルホン酸、サリチル酸、スルホサリチル酸、クエン酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、ナフタレンカルボン酸等の酸性化合物又は/及び2,4,4,6-テトラブロモシクロヘキサジエノン、ベンゾイントシレート、2-ニトロベンジルトシレート、その他有機スルホン酸アルキルエステル等の熱酸発生剤を配合する事が出来る。配合量は全固形分に対して、0.0001~20質量、好ましくは0.0005~10質量、好ましくは0.01~3質量である。本発明のリソグラフィー用塗布型下層膜形成組成物は、リソグラフィー工程で上層に被覆されるフォトレジストとの酸性度を一致させる為に、光酸発生剤を添加する事が出来る。好ましい光酸発生剤としては、例えば、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等のオニウム塩系光酸発生剤類、フェニル-ビストリクロロメチル-s-トリアジン等のハロゲン含有化合物系光酸発生剤類、ベンゾイントシレート、N-ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホネート等のスルホン酸系光酸発生剤類等が挙げられる。上記光酸発生剤は全固形分に対して、0.2~10質量、好ましくは0.4~5質量である。本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜材料には、上記以外に必要に応じて更なる吸光剤、レオロジー調整剤、接着補助剤、界面活性剤などを添加することができる。更なる吸光剤としては例えば、工業用色素の技術と市場CMC出版や染料便覧有機合成化学協会編に記載の市販の吸光剤、例えば、C.I.DisperseYellow1,3,4,5,7,8,13,23,31,49,50,51,54,60,64,66,68,79,82,88,90,93,102,114及び124;C.I.DisperseOrange1,5,13,25,29,30,31,44,57,72及び73;C.I.DisperseRed1,5,7,13,17,19,43,50,54,58,65,72,73,88,117,137,143,199及び210;C.I.DisperseViolet43;C.I.DisperseBlue96;C.I.FluorescentBrighteningAgent112,135及び163;C.I.SolventOrange2及び45;C.I.SolventRed1,3,8,23,24,25,27及び49;C.I.PigmentGreen10;C.I.PigmentBrown2等を好適に用いることができる。上記吸光剤は通常、リソグラフィー用レジスト下層膜材料の全固形分に対して10質量以下、好ましくは5質量以下の割合で配合される。レオロジー調整剤は、主にレジスト下層膜形成組成物の流動性を向上させ、特にベーキング工程において、レジスト下層膜の膜厚均一性の向上やホール内部へのレジスト下層膜形成組成物の充填性を高める目的で添加される。具体例としては、ジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジイソブチルフタレート、ジヘキシルフタレート、ブチルイソデシルフタレート等のフタル酸誘導体、ジノルマルブチルアジペート、ジイソブチルアジペート、ジイソオクチルアジペート、オクチルデシルアジペート等のアジピン酸誘導体、ジノルマルブチルマレート、ジエチルマレート、ジノニルマレート等のマレイン酸誘導体、メチルオレート、ブチルオレート、テトラヒドロフルフリルオレート等のオレイン酸誘導体、またはノルマルブチルステアレート、グリセリルステアレート等のステアリン酸誘導体を挙げることができる。これらのレオロジー調整剤は、リソグラフィー用レジスト下層膜材料の全固形分に対して通常30質量未満の割合で配合される。接着補助剤は、主に基板あるいはレジストとレジスト下層膜形成組成物の密着性を向上させ、特に現像においてレジストが剥離しないようにするための目的で添加される。具体例としては、トリメチルクロロシラン、ジメチルビニルクロロシラン、メチルジフエニルクロロシラン、クロロメチルジメチルクロロシラン等のクロロシラン類、トリメチルメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、ジメチルビニルエトキシシラン、ジフエニルジメトキシシラン、フエニルトリエトキシシラン等のアルコキシシラン類、ヘキサメチルジシラザン、N,N’ービストリメチルシリルウレア、ジメチルトリメチルシリルアミン、トリメチルシリルイミダゾール等のシラザン類、ビニルトリクロロシラン、γークロロプロピルトリメトキシシラン、γーアミノプロピルトリエトキシシラン、γーグリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のシラン類、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、インダゾール、イミダゾール、2ーメルカプトベンズイミダゾール、2ーメルカプトベンゾチアゾール、2ーメルカプトベンゾオキサゾール、ウラゾール、チオウラシル、メルカプトイミダゾール、メルカプトピリミジン等の複素環式化合物や、1,1ージメチルウレア、1,3ージメチルウレア等の尿素、またはチオ尿素化合物を挙げることができる。これらの接着補助剤は、リソグラフィー用レジスト下層膜材料の全固形分に対して通常5質量未満、好ましくは2質量未満の割合で配合される。本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜材料には、ピンホールやストレーション等の発生がなく、表面むらに対する塗布性をさらに向上させるために、界面活性剤を配合することができる。界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフエノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフエノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロツクコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトツプEF301、EF303、EF352株トーケムプロダクツ製、商品名、メガファックF171、F173、R-30大日本インキ株製、商品名、フロラードFC430、FC431住友スリーエム株製、商品名、アサヒガードAG710、サーフロンSー382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106旭硝子株製、商品名等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーKP341信越化学工業株製等を挙げることができる。これらの界面活性剤の配合量は、本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜材料の全固形分に対して通常2.0質量以下、好ましくは1.0質量以下である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また2種以上の組合せで添加することもできる。本発明で、上記のポリマー及び架橋剤成分、架橋触媒等を溶解させる溶剤としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2ーヒドロキシプロピオン酸エチル、2ーヒドロキシー2ーメチルプロピオン酸エチル、エトシキ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2ーヒドロキシー3ーメチルブタン酸メチル、3ーメトキシプロピオン酸メチル、3ーメトキシプロピオン酸エチル、3ーエトキシプロピオン酸エチル、3ーエトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル等を用いることができる。これらの有機溶剤は単独で、または2種以上の組合せで使用される。さらに、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等の高沸点溶剤を混合して使用することができる。これらの溶剤の中でプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル、及びシクロヘキサノン等がレベリング性の向上に対して好ましい。本発明に用いられるレジストとはフォトレジストや電子線レジストである。本発明におけるリソグラフィー用レジスト下層膜の上部に塗布されるフォトレジストとしてはネガ型、ポジ型いずれも使用でき、ノボラック樹脂と1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとからなるポジ型フォトレジスト、酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジスト、アルカリ可溶性バインダーと酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物と光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジスト、酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物と光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジスト、骨格にSi原子を有するフォトレジスト等があり、例えば、ロームアンドハーツ社製、商品名APEX-Eが挙げられる。また本発明におけるリソグラフィー用レジスト下層膜の上部に塗布される電子線レジストとしては、例えば主鎖にSi-Si結合を含み末端に芳香族環を含んだ樹脂と電子線の照射により酸を発生する酸発生剤から成る組成物、又はヒドロキシ基がN-カルボキシアミンを含む有機基で置換されたポリp-ヒドロキシスチレンと電子線の照射により酸を発生する酸発生剤から成る組成物等が挙げられる。後者の電子線レジスト組成物では、電子線照射によって酸発生剤から生じた酸がポリマー側鎖のN-カルボキシアミノキシ基と反応し、ポリマー側鎖がヒドロキシ基に分解しアルカリ可溶性を示しアルカリ現像液に溶解し、レジストパターンを形成するものである。この電子線の照射により酸を発生する酸発生剤は1,1-ビスp-クロロフェニル-2,2,2-トリクロロエタン、1,1-ビスp-メトキシフェニル-2,2,2-トリクロロエタン、1,1-ビスp-クロロフェニル-2,2-ジクロロエタン、2-クロロ-6-トリクロロメチルピリジン等のハロゲン化有機化合物、トリフェニルスルフォニウム塩、ジフェニルヨウドニウム塩等のオニウム塩、ニトロベンジルトシレート、ジニトロベンジルトシレート等のスルホン酸エステルが挙げられる。本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜材料を使用して形成したレジスト下層膜を有するレジストの現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n-プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジーn-ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第4級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。さらに、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。これらの中で好ましい現像液は第四級アンモニウム塩、さらに好ましくはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びコリンである。次に本発明のレジストパターン形成法について説明すると、精密集積回路素子の製造に使用される基板例えばシリコン/二酸化シリコン被覆、ガラス基板、ITO基板などの透明基板上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法によりレジスト下層膜形成組成物を塗布後、ベークして硬化させ塗布型下層膜を作成する。ここで、レジスト下層膜の膜厚としては0.01~3.0μmが好ましい。また塗布後ベーキングする条件としては80~350°Cで0.5~120分間である。その後レジスト下層膜上に直接、または必要に応じて1層乃至数層の塗膜材料を塗布型下層膜上に成膜した後、レジストを塗布し、所定のマスクを通して光又は電子線の照射を行い、現像、リンス、乾燥することにより良好なレジストパターンを得ることができる。必要に応じて光又は電子線の照射後加熱PEB:PostExposureBakeを行うこともできる。そして、レジストが前記工程により現像除去された部分のレジスト下層膜をドライエッチングにより除去し、所望のパターンを基板上に形成することができる。上記フォトレジストでの露光光は、近紫外線、遠紫外線、又は極端紫外線例えば、EUV、波長13.5nm等の化学線であり、例えば248nmKrFレーザー光、193nmArFレーザー光、157nmF2レーザー光等の波長の光が用いられる。光照射には、光酸発生剤から酸を発生させることができる方法であれば、特に制限なく使用することができ、露光量1~2000mJ/cm2、または10~1500mJ/cm2、または50~1000mJ/cm2による。また電子線レジストの電子線照射は、例えば電子線照射装置を用い照射することができる。本発明では、半導体基板にレジスト下層膜形成組成物により該レジスト下層膜を形成する工程、その上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、レジストパターンにより該レジスト下層膜をエッチングする工程、及びパターン化されたレジスト下層膜により半導体基板を加工する工程を経て半導体装置を製造することができる。今後、レジストパターンの微細化が進行すると、解像度の問題やレジストパターンが現像後に倒れるという問題が生じ、レジストの薄膜化が望まれてくる。そのため、基板加工に充分なレジストパターン膜厚を得ることが難しく、レジストパターンだけではなく、レジストと加工する半導体基板との間に作成されるレジスト下層膜にも基板加工時のマスクとしての機能を持たせるプロセスが必要になってきた。このようなプロセス用のレジスト下層膜として従来の高エッチレート性レジスト下層膜とは異なり、レジストに近いドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用レジスト下層膜、レジストに比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用レジスト下層膜や半導体基板に比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用レジスト下層膜が要求されるようになってきている。また、このようなレジスト下層膜には反射防止能を付与することも可能であり、従来の反射防止膜の機能を併せ持つことができる。一方、微細なレジストパターンを得るために、レジスト下層膜ドライエッチング時にレジストパターンとレジスト下層膜をレジスト現像時のパターン幅より細くするプロセスも使用され始めている。このようなプロセス用のレジスト下層膜として従来の高エッチレート性反射防止膜とは異なり、レジストに近いドライエッチング速度の選択比を持つレジスト下層膜が要求されるようになってきている。また、このようなレジスト下層膜には反射防止能を付与することも可能であり、従来の反射防止膜の機能を併せ持つことができる。本発明では基板上に本発明のレジスト下層膜を成膜した後、レジスト下層膜上に直接、または必要に応じて1層乃至数層の塗膜材料をレジスト下層膜上に成膜した後、レジストを塗布することができる。これによりレジストのパターン幅が狭くなり、パターン倒れを防ぐ為にレジストを薄く被覆した場合でも、適切なエッチングガスを選択することにより基板の加工が可能になる。即ち、半導体基板にレジスト下層膜形成組成物により該レジスト下層膜を形成する工程、その上にケイ素成分等を含有する塗膜材料によるハードマスク又は蒸着によるハードマスク例えば、窒化酸化ケイ素を形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、レジストパターンによりハードマスクをハロゲン系ガスでエッチングする工程、パターン化されたハードマスクにより該レジスト下層膜を酸素系ガス又は水素系ガスでエッチングする工程、及びパターン化されたレジスト下層膜によりハロゲン系ガスで半導体基板を加工する工程を経て半導体装置を製造することができる。本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物は、反射防止膜としての効果を考慮した場合、光吸収部位が骨格に取りこまれているため、加熱乾燥時にフォトレジスト中への拡散物がなく、また、光吸収部位は十分に大きな吸光性能を有しているため反射光防止効果が高い。本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物では、熱安定性が高く、焼成時の分解物による上層膜への汚染が防げ、また、焼成工程の温度マージンに余裕を持たせることができるものである。さらに、本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜材料は、プロセス条件によっては、光の反射を防止する機能と、更には基板とフォトレジストとの相互作用の防止或いはフォトレジストに用いられる材料又はフォトレジストへの露光時に生成する物質の基板への悪作用を防ぐ機能とを有する膜としての使用が可能である。合成例1200ml三口フラスコにカルバゾール東京化成工業株式会社製8.36g、1-ナフトール東京化成工業株式会社製7.21g、1-ナフトアルデヒド東京化成工業株式会社製15.62g、トルエン関東化学製124.75g、p-トルエンスルホン酸一水和物東京化成工業株式会社製0.48gを入れた。その後フラスコ内を窒素置換した後130°Cまで加熱し、約9時間還流撹拌した。反応終了後、テトラヒドロフラン関東化学製31.14gで希釈し、沈殿物をろ過により除去した。回収したろ液をメタノール/28アンモニア水389g/3g混合溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を85°Cで一晩減圧乾燥した。そして、肌色粉末のカルバゾール樹脂を17.45g得た。得られたポリマーは式3-1に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは、4,200であった。得られたポリマーは式1で表される単位構造を50モル、式2で表される単位構造を50モルの割合で含有していた。合成例2200ml三口フラスコにカルバゾール東京化成工業株式会社製11.70g、1-ナフトール東京化成工業株式会社製4.32g、1-ナフトアルデヒド東京化成工業株式会社製15.62g、トルエン関東化学製124.75g、p-トルエンスルホン酸一水和物東京化成工業株式会社製0.48gを入れた。その後フラスコ内を窒素置換した後130°Cまで加熱し、約9時間還流撹拌した。反応終了後、テトラヒドロフラン関東化学製32.06gで希釈し、沈殿物をろ過により除去した。回収したろ液をメタノール/28アンモニア水400g/3g混合溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を85°Cで一晩減圧乾燥した。そして、肌色粉末のカルバゾール樹脂を17.32g得た。得られたポリマーは式3-1に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは、4,500であった。得られたポリマーは式1で表される単位構造を70モル、式2で表される単位構造を30モルの割合で含有していた。合成例3200ml三口フラスコにカルバゾール東京化成工業株式会社製5.18g、1-ナフトール東京化成工業株式会社製10.43g、1-ナフトアルデヒド東京化成工業株式会社製16.14g、トルエン関東化学製127.00g、p-トルエンスルホン酸一水和物東京化成工業株式会社製0.49gを入れた。その後フラスコ内を窒素置換した後130°Cまで加熱し、約8時間還流撹拌した。反応終了後、テトラヒドロフラン関東化学製31.22gで希釈し、沈殿物をろ過により除去した。回収したろ液をメタノール/28アンモニア水390g/3g混合溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を85°Cで一晩減圧乾燥した。そして、茶色粉末のカルバゾール樹脂を9.24g得た。得られたポリマーは式3-1に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは、2,700であった。得られたポリマーは式1で表される単位構造を30モル、式2で表される単位構造を70モルの割合で含有していた。合成例4100ml三口フラスコにカルバゾール東京化成工業株式会社製0.50g、1-ナフトール東京化成工業株式会社製3.89g、1-ナフトアルデヒド東京化成工業株式会社製4.69g、トルエン関東化学製18.16g、p-トルエンスルホン酸一水和物東京化成工業株式会社製0.14gを入れた。その後フラスコ内を窒素置換した後130°Cまで加熱し、約8時間還流撹拌した。反応終了後、テトラヒドロフラン関東化学製13.18gで希釈し、沈殿物をろ過により除去した。回収したろ液をメタノール/28アンモニア水110g/1g混合溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を85°Cで一晩減圧乾燥した。そして、茶色粉末のカルバゾール樹脂を4.08g得た。得られたポリマーは式3-1に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは、2,400であった。得られたポリマーは式1で表される単位構造を10モル、式2で表される単位構造を90モルの割合で含有していた。合成例5カルバゾール東京化成工業株式会社製6.00gと1,6-ジヒドロキシナフタレン東京化成工業株式会社製3.83g、1-ナフトアルデヒド東京化成工業株式会社製9.43gを2-n-ブトキシエタノール47.18gに溶解させた後、窒素気流下100°Cに加熱して20時間反応させた。反応溶液を冷却後、メタノールに滴下して再沈殿を行い、得られた個体を加熱乾燥して式3-2で表されるポリマーを得た。得られたポリマーの重量平均分子量はポリスチレン換算で2600であった。得られたポリマーは式1で表される単位構造を60モル、式2で表される単位構造を40モルの割合で含有していた。合成例6カルバゾール東京化成工業株式会社製4.00gと1,6-ジヒドロキシナフタレン東京化成工業株式会社製8.94g、1-ナフトアルデヒド東京化成工業株式会社製12.58gを2-n-ブトキシエタノール50.05gに溶解させた後、窒素気流下130°Cに加熱して24時間反応させた。反応溶液を冷却後、メタノール/水8/2の混合溶媒に滴下して再沈殿を行い、得られた個体を加熱乾燥して式3-2で表されるポリマーを得た。得られたポリマーの重量平均分子量はポリスチレン換算で1300であった。得られたポリマーは式1で表される単位構造を30モル、式2で表される単位構造を70モルの割合で含有していた。合成例7カルバゾール東京化成工業株式会社製7.00gと1,5-ジヒドロキシナフタレン東京化成工業株式会社製6.99g、1-ピレンカルボキシアルデヒドアルドリッチ製20.66g、p-トルエンスルホン酸一水和物東京化成工業株式会社製0.83gをトルエン82.79gに入れた後、窒素気流下約1時間還流撹拌した。反応終了後、テトラヒドロフラン関東化学製55.80gで希釈した。反応溶液を冷却後、メタノール/28アンモニア水700g/7g混合溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、得られた粉末を85°Cで一晩減圧乾燥した。その後、式3-3で表されるポリマーを16.45g得た。得られたポリマーの重量平均分子量はポリスチレン換算で1400であった。得られたポリマーは式1で表される単位構造を50モル、式2で表される単位構造を50モルの割合で含有していた。合成例8カルバゾール東京化成工業株式会社製1.50gと1,5-ジヒドロキシナフタレン東京化成工業株式会社製5.60g、1-ピレンカルボキシアルデヒドアルドリッチ製10.63g、p-トルエンスルホン酸一水和物東京化成工業株式会社製0.91gを1,4-ジオキサン43.50gに入れた後、窒素気流下約5時間還流撹拌した。反応終了後、テトラヒドロフラン関東化学製27.42gで希釈した。反応溶液を冷却後、メタノール/28アンモニア水700g/7g混合溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、得られた粉末を85°Cで一晩減圧乾燥した。その後、式3-3で表されるポリマーを10.48g得た。得られたポリマーの重量平均分子量はポリスチレン換算で2800であった。得られたポリマーは式1で表される単位構造を20モル、式2で表される単位構造を80モルの割合で含有していた。合成例9カルバゾール東京化成工業株式会社製9.00gと1,5-ジヒドロキシナフタレン東京化成工業株式会社製2.16g、1-ピレンカルボキシアルデヒドアルドリッチ製15.63g、p-トルエンスルホン酸一水和物東京化成工業株式会社製0.54gをパラキシレン40.98gに入れた後、窒素気流下約5時間還流撹拌した。反応終了後、テトラヒドロフラン関東化学製66.15gで希釈した。反応溶液を冷却後、メタノール/28アンモニア水700g/7g混合溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、得られた粉末を85°Cで一晩減圧乾燥した。その後、式3-3で表されるポリマー21.41gを得た。得られたポリマーの重量平均分子量はポリスチレン換算で5900であった。得られたポリマーは式1で表される単位構造を80モル、式2で表される単位構造を20モルの割合で含有していた。実施例1合成例1で得た樹脂3gに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート12gに溶解させ、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。実施例2合成例2で得た樹脂3gに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート12gに溶解させ、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。実施例3合成例3で得た樹脂3gに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート12gに溶解させ、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。実施例4合成例4で得た樹脂3gに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート12gに溶解させ、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。実施例5合成例1で得た樹脂0.3gに、架橋剤としてテトラメトキシメチルグリコールウリル0.06g、触媒としてピリジニウムパラトルエンスルホネート0.006g、界面活性剤としてメガファックR-30を0.001g混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート2.53g、プロピレングリコールモノメチルエーテル0.84g、シクロヘキサノン0.84gに溶解させ、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。実施例6合成例2で得た樹脂0.3gに、架橋剤としてテトラメトキシメチルグリコールウリル0.06g、触媒としてピリジニウムパラトルエンスルホネート0.006g、界面活性剤としてメガファックR-30を0.001g混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート2.53g、プロピレングリコールモノメチルエーテル0.84g、シクロヘキサノン0.84gに溶解させ、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。実施例7合成例3で得た樹脂0.6gに、架橋剤としてテトラメトキシメチルグリコールウリル0.15g、触媒としてピリジニウムパラトルエンスルホネート0.015g、界面活性剤としてメガファックR-30を0.002g混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート7.06g、プロピレングリコールモノメチルエーテル1.76gに溶解させ、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。実施例8合成例5で得た樹脂1.0gに、架橋剤としてテトラメトキシメチルグリコールウリル0.20g、触媒としてピリジニウムパラトルエンスルホネート0.020g、界面活性剤としてメガファックR-30を0.003g混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート3.97g、プロピレングリコールモノメチルエーテル3.96g、シクロヘキサノン11.90に溶解させ、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。実施例9合成例6で得た樹脂1.0gに、架橋剤としてテトラメトキシメチルグリコールウリル0.25g、触媒としてピリジニウムパラトルエンスルホネート0.013g、界面活性剤としてメガファックR-30を0.003g混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート3.97g、プロピレングリコールモノメチルエーテル3.96g、シクロヘキサノン11.90に溶解させ、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。実施例10合成例7で得た樹脂2.0gに、界面活性剤としてメガファックR-30を0.006g混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート3.97g、プロピレングリコールモノメチルエーテル2.16g、シクロヘキサノン18.84に溶解させ、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。実施例11合成例8で得た樹脂2.0gに、界面活性剤としてメガファックR-30を0.006g混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート3.97g、プロピレングリコールモノメチルエーテル2.16g、シクロヘキサノン18.84に溶解させ、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。実施例12合成例9で得た樹脂2.0gに、界面活性剤としてメガファックR-30を0.006g混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート3.97g、プロピレングリコールモノメチルエーテル2.16g、シクロヘキサノン18.84に溶解させ、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。比較例1クレゾールノボラック樹脂市販品、重量平均分子量は4000の溶液を使用した。光学パラメータの測定実施例1~12、比較例1で調製したレジスト下層膜溶液を、スピンコーターを用いてシリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で240°C1分間実施例10~12は400°C2分間焼成し、レジスト下層膜膜厚0.05μmを形成した。これらのレジスト下層膜を、分光エリプソメーターを用いて波長193nmでの屈折率n値及び光学吸光係数k値、減衰係数とも呼ぶを測定した。結果を表1に示した。フォトレジスト溶剤への溶出試験実施例1~12、比較例1で調製したレジスト下層膜溶液を、スピンコーターを用いてシリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で240°C1分間実施例10~12は400°C2分間焼成し、レジスト下層膜膜厚0.20μmを形成した。これらのレジスト下層膜をレジストに使用する溶剤、例えば乳酸エチル、ならびにプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノンに対する浸漬試験を行った。実施例1~4の溶液を240°C1分間焼成した膜は、それらの溶剤に溶解した。また、実施例5~9の溶液および比較例1の溶液を240°C1分間焼成した膜、および実施例10~12の溶液を400°C2分間焼成した膜は、それらの溶剤に不溶であることを確認した。ドライエッチング速度の測定ドライエッチング速度の測定に用いたエッチャー及びエッチングガスは以下のものを用いた。RIE-10NRサムコ製:CF4実施例1~12で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液を、スピンコーターを用いてシリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で240°C1分間ただし実施例10~実施例12は400°C2分間焼成し、レジスト下層膜膜厚0.20μmを形成した。エッチングガスとしてCF4ガスを使用してドライエッチング速度を測定した。また、比較例1の溶液を、スピンコーターを用いてシリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で240°C1分間焼成し、レジスト下層膜膜厚0.20μmを形成した。エッチングガスとしてCF4ガスを使用してドライエッチング速度を測定し、実施例1~12のレジスト下層膜のドライエッチング速度との比較を行った。結果を表2に示した。速度比1は実施例で用いたレジスト下層膜/比較例1のレジスト下層膜のドライエッチング速度比である。"