薄膜トランジスタを備えた半導体装置であって、基板上に形成された前記薄膜トランジスタのゲート電極および酸素供給層と、前記ゲート電極および前記酸素供給層の上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上に形成された前記薄膜トランジスタの酸化物半導体層と、前記ゲート絶縁層および前記酸化物半導体層の上に配置された、前記薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極と、を備えた半導体装置。前記酸素供給層が、水H2O、OR基、またはOH基を含む材料からなる層である、請求項1に記載の半導体装置。前記酸素供給層が、シリコーン樹脂、あるいはシラノール基またはSi-OH基を含む樹脂材料からなる、請求項1または2に記載の半導体装置。前記酸素供給層が、エステル重合樹脂、またはCO-OR基を含む樹脂材料からなる、請求項1または2に記載の半導体装置。前記酸素供給層が、アクリル樹脂またはSOG材料を含む材料からなる、請求項1または2に記載の半導体装置。前記ゲート電極と同じ材料で形成された下部配線と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と同じ材料で形成された上部配線と、前記上部配線と前記下部配線とが接続された接続部と、を備え、前記接続部において、前記上部配線と前記下部配線とが、前記酸素供給層および前記ゲート絶縁層を貫通するコンタクトホールを介して接続されている、請求項1から5のいずれかに記載の半導体装置。前記ゲート電極と同じ材料で形成された下部配線と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と同じ材料で形成された上部配線と、前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に形成された保護層と、前記保護層の上に形成された導電層と、前記上部配線と前記下部配線とが接続された接続部と、を備え、前記接続部において、前記上部配線と前記下部配線とが、前記酸素供給層、前記ゲート絶縁層、および前記保護層を貫通するコンタクトホール内に形成された前記導電層を介して接続されている、請求項1から5のいずれかに記載の半導体装置。前記ゲート電極と同じ材料で形成された下部配線と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と同じ材料で形成された上部配線と、前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に形成された保護層と、前記保護層の上に形成された導電層と、前記上部配線と前記下部配線とが接続された接続部と、を備え、前記接続部において、前記上部配線と前記導電層とが、前記保護層を貫通する第1コンタクトホールを介して接続されており、前記導電層と前記下部配線とが、前記保護層、前記ゲート絶縁層、および前記酸素供給層を貫通する第2コンタクトホールを介して接続されている、請求項1から5のいずれかに記載の半導体装置。前記ゲート電極と同じ材料で形成された補助容量電極と、前記補助容量電極に対向するように、前記ソース電極および前記ドレイン電極と同じ材料で形成された補助容量対向電極と、を含む補助容量を備えた、請求項1から8のいずれかに記載の半導体装置。前記酸化物半導体層、前記ソース電極、および前記ドレイン電極の上部に形成された第2酸素供給層を備えた、請求項1から5のいずれかに記載の半導体装置。前記酸化物半導体層、前記ソース電極、および前記ドレイン電極と前記第2酸素供給層との間に形成された保護層を備えた、請求項10に記載の半導体装置。前記第2酸素供給層が、水H2O、OR基、またはOH基を含む材料からなる層である、請求項10または11に記載の半導体装置。薄膜トランジスタを備えた半導体装置であって、基板上に形成された前記薄膜トランジスタのゲート電極と、前記ゲート電極の上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上に形成された酸素供給層と、前記酸素供給層の上に形成された前記薄膜トランジスタの酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層の上に配置された、前記薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極と、を備えた半導体装置。前記酸素供給層に開口が形成されており、前記酸化物半導体層が、前記酸素供給層の前記開口の中で前記ゲート絶縁層と接している、請求項13に記載の半導体装置。前記酸素供給層が、水H2O、OR基、またはOH基を含む材料からなる層である、請求項13または14に記載の半導体装置。前記酸素供給層が、シリコーン樹脂、あるいはシラノール基またはSi-OH基を含む樹脂材料からなる、請求項13から15のいずれかに記載の半導体装置。前記酸素供給層が、エステル重合樹脂、またはCO-OR基を含む樹脂材料からなる、請求項13から15のいずれかに記載の半導体装置。前記酸素供給層が、アクリル樹脂またはSOG材料を含む材料からなる、請求項13から15のいずれかに記載の半導体装置。請求項1から18のいずれかに記載の半導体装置を備えた表示装置。しかしながら、酸化物半導体TFTでは、TFTの製造プロセス中、例えば熱処理工程等において酸素欠損が生じ、キャリア電子が生じて不要なOFF電流が発生するなどの問題が発生し得る。また、ソースドレイン電極のエッチング工程やその上部の絶縁層の形成工程において、下方にある酸化物半導体膜が、還元作用等のダメージを受けるという問題も生じ得る。本願発明者が検討した結果、酸化物半導体層がその下部のゲート絶縁層、またはその上部の保護層等と接する構成の酸化物半導体TFTにおいては、酸化物半導体層内部、または酸化物半導体層と絶縁層、保護層等との界面近傍に酸素欠損等による欠陥準位が発生し易く、それにより、TFTの特性低下、信頼性低下、品質のばらつき増加等の問題が発生することがわかった。上記特許文献3には、特性の優れたトランジスタを得るために、非晶質酸化物を形成した後に、非晶質酸化物の成膜温度よりも高い温度で熱処理を行なうことなどが記載されているが、このような方法によっても、酸素欠損に起因する欠陥準位の低減を行なうことはできず、良好なTFT特性を得ることは難しい。本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、酸化物半導体TFTの酸化物半導体層に発生する欠陥を低減して、TFT特性の優れた半導体装置を製造することを目的とする。また本発明は、そのような半導体装置をTFT基板として備えた高性能の表示装置を提供することを目的とする。本発明による半導体装置は、薄膜トランジスタを備えた半導体装置であって、基板上に形成された前記薄膜トランジスタのゲート電極および酸素供給層と、前記ゲート電極および前記酸素供給層の上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上に形成された前記薄膜トランジスタの酸化物半導体層と、前記ゲート絶縁層および前記酸化物半導体層の上に配置された、前記薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極と、を備えている。ある実施形態では、前記酸素供給層が、水H2O、OR基、またはOH基を含む材料からなる層である。ある実施形態では、前記酸素供給層が、シリコーンsilicone樹脂、あるいはシラノール基またはSi-OH基を含む樹脂材料からなる。ある実施形態では、前記酸素供給層が、エステル重合樹脂、またはCO-OR基を含む樹脂材料からなる。ある実施形態では、前記酸素供給層が、アクリル樹脂またはSOG材料を含む材料からなる。ある実施形態では、半導体装置が、前記ゲート電極と同じ材料で形成された下部配線と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と同じ材料で形成された上部配線と、前記上部配線と前記下部配線とが接続された接続部と、を備え、前記接続部において、前記上部配線と前記下部配線とが、前記酸素供給層および前記ゲート絶縁層を貫通するコンタクトホールを介して接続されている。ある実施形態では、半導体装置が、前記ゲート電極と同じ材料で形成された下部配線と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と同じ材料で形成された上部配線と、前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に形成された保護層と、前記保護層の上に形成された導電層と、前記上部配線と前記下部配線とが接続された接続部と、を備え、前記接続部において、前記上部配線と前記下部配線とが、前記酸素供給層、前記ゲート絶縁層、および前記保護層を貫通するコンタクトホール内に形成された前記導電層を介して接続されている。ある実施形態では、半導体装置が、前記ゲート電極と同じ材料で形成された下部配線と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と同じ材料で形成された上部配線と、前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に形成された保護層と、前記保護層の上に形成された導電層と、前記上部配線と前記下部配線とが接続された接続部と、を備え、前記接続部において、前記上部配線と前記導電層とが、前記保護層を貫通する第1コンタクトホールを介して接続されており、前記導電層と前記下部配線とが、前記保護層、前記ゲート絶縁層、および前記酸素供給層を貫通する第2コンタクトホールを介して接続されている。ある実施形態では、半導体装置が、前記ゲート電極と同じ材料で形成された補助容量電極と、前記補助容量電極に対向するように、前記ソース電極および前記ドレイン電極と同じ材料で形成された補助容量対向電極と、を含む補助容量を備えている。ある実施形態では、半導体装置が、前記酸化物半導体層、前記ソース電極、および前記ドレイン電極の上部に形成された第2酸素供給層を備えている。ある実施形態では、半導体装置が、前記酸化物半導体層、前記ソース電極、および前記ドレイン電極と前記第2酸素供給層との間に形成された保護層を備えている。ある実施形態では、前記第2酸素供給層が、水H2O、OR基、またはOH基を含む材料からなる層である。本発明による他の半導体装置は、薄膜トランジスタを備えた半導体装置であって、基板上に形成された前記薄膜トランジスタのゲート電極と、前記ゲート電極の上に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上に形成された酸素供給層と、前記酸素供給層の上に形成された前記薄膜トランジスタの酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層の上に配置された、前記薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極と、を備えている。ある実施形態では、前記酸素供給層に開口が形成されており、前記酸化物半導体層が、前記酸素供給層の前記開口の中で前記ゲート絶縁層と接している。ある実施形態では、前記酸素供給層が、水H2O、OR基、またはOH基を含む材料からなる層である。ある実施形態では、前記酸素供給層が、シリコーン樹脂、あるいはシラノール基またはSi-OH基を含む樹脂材料からなる。ある実施形態では、前記酸素供給層が、エステル重合樹脂、またはCO-OR基を含む樹脂材料からなる。ある実施形態では、前記酸素供給層が、アクリル樹脂またはSOG材料を含む材料からなる。本発明による表示装置は、上述した半導体装置を備えた表示装置である。本発明によれば、酸素供給層から酸化物半導体層にH2O、OR基、またはOH基が供給されるため、より欠陥の修復された酸化物半導体層を有する、高性能の半導体装置を得ることができる。また、本発明によれば、TFT特性毎にばらつきの少ない、高信頼性の半導体装置を得ることができる。また、本発明によれば、特性の優れた酸化物半導体TFTを有する表示装置によって、高品質な表示を提供することが可能となる。以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態による表示装置、半導体装置を説明する。ただし、本発明の範囲は以下の実施形態に限られるものではない。本発明の半導体装置は、酸化物半導体TFTが形成されたTFT基板であり、各種表示装置や電子機器などのTFT基板を広く含むものとする。本実施形態の説明においては、半導体装置を、酸化物半導体TFTをスイッチング素子として備えた表示装置のTFT基板として説明する。実施形態1図1は、本発明の実施形態による液晶表示装置1000の構成を模式的に示す斜視図である。図1に示すように、液晶表示装置1000は、液晶層を挟んで互いに対向するTFT基板半導体装置100および対向基板200と、TFT基板100および対向基板200のそれぞれの外側に配置された偏光板210および220と、表示用の光をTFT基板100に向けて出射するバックライトユニット230とを備えている。TFT基板100には、複数の走査線ゲートバスラインを駆動する走査線駆動回路240、および複数の信号線データバスラインを駆動する信号線駆動回路250が配置されている。走査線駆動回路240および信号線駆動回路250は、TFT基板100の内部または外部に配置された制御回路260に接続されている。制御回路260による制御に応じて、走査線駆動回路240からTFTのオン-オフを切り替える走査信号が複数の走査線に供給され、信号線駆動回路250から表示信号図3に示す画素電極20への印加電圧が、複数の信号線に供給される。対向基板200は、カラーフィルタおよび共通電極を備えている。カラーフィルタは、3原色表示の場合、それぞれが画素に対応して配置されたR赤フィルタ、G緑フィルタ、およびB青フィルタを含む。共通電極は、液晶層を挟んで複数の画素電極20を覆うように形成されている。共通電極と各画素電極20との間に与えられる電位差に応じて両電極の間の液晶分子が画素毎に配向し、表示がなされる。図2は、TFT基板100の構成を模式的に示す平面図であり、図3は、TFT基板100の表示領域DAの構成を模式的に示す平面図である。図2に示すように、TFT基板100は、表示部DAと表示部DAの外側に位置する周辺部FAを有する。周辺部FAには、走査線駆動回路240、信号線駆動回路250、電圧供給回路等の電気素子がCOGChiponGlass方式で配置されている。周辺部FAにおけるTFT、ダイオード等の電気素子は、表示部DAのTFTと同じ製造工程にて形成され得る。また、周辺部FAの外端部付近にはFPCFlexiblePrintedCircuits等の外部素子を取り付けるための端子部30が配置されている。さらに、周辺部FAには、信号線等の上部配線と走査線等の下部配線とを電気的に接続する接続部25が形成されている。図示してはいないが、表示領域DAと周辺領域FAとの境界には複数の接続配線が形成されている。各信号線12は、それに対応して形成された接続部を介して接続配線に電気的に接続されている。接続部によって、上部配線である信号線12が下部配線である接続配線に接続される。図3に示すように、表示部DAには、複数の画素50がマトリックス状に配置されており、複数の走査線14と複数の信号線12とが互いに直交するように配置されている。走査線14の一部はTFT10のゲート電極を構成する。複数の走査線14と複数の信号線12との交点それぞれの付近には、能動素子である薄膜トランジスタTFT10が画素50毎に形成されている。各画素50には、TFT10のドレイン電極に電気的に接続された、例えばITOIndiumTinOxideからなる画素電極20が配置されている。また、隣り合う2つの走査線14の間には補助容量線Csラインとも呼ぶ16が走査線14と平行に延びている。各画素10内には補助容量Cs18が形成されており、補助容量線16の一部が補助容量18の補助容量電極下部電極となっている。この補助容量電極と、補助容量対向電極上部電極と、両電極の間に配置された層により補助容量18が構成される。TFT10のドレイン電極は補助容量対向電極に接続されており、補助容量対向電極は層間絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して画素電極20に接続されている。TFT10のゲート電極、走査線14、補助容量線16、および補助容量電極は、同一の材料によって、同一の工程で形成される。TFT10のソース電極とドレイン電極、信号線12、補助容量対向電極は、同一の材料によって、同一の工程で形成される。図4は、実施形態1によるTFT基板100半導体装置100と呼ぶこともあるにおけるTFT10の構成を模式的に表した断面図である。図4に示すように、TFT10は、ガラス基板等の基板60の上に形成されたゲート電極62と、基板60の上にゲート電極62の一部を覆うように形成された酸素供給層64と、酸素供給層64の上に形成されたゲート絶縁層66単に絶縁層66と呼ぶこともあると、ゲート絶縁層66の上に形成された酸化物半導体層68と、ゲート絶縁層66および酸化物半導体層68の上に形成されたソース電極70sおよびドレイン電極70dと、ソース電極70sおよびドレイン電極70dの上に形成された保護層72とを備えている。後に図8hに示すように、保護層72の上には透明導電材料による画素電極20が形成されている。画素電極20の下の保護層72にはコンタクトホール74hが形成されており、画素電極20は、コンタクトホール74hの底でTFT10のドレイン電極70dと接している。なお、保護層72と画素電極20との間に層間絶縁層を配置する構成もあり得る。ゲート電極62は、例えばチタンTiからなる下層ゲート電極の上に、例えば銅Cuからなる上層ゲート電極が形成された2層構造を有し得る。ゲート電極を、Ti/Alアルミニウム/Ti等の3層構成としてもよい。酸素供給層64は、水H2O、OR基、またはOH基を含む材料からなる層である。本実施形態では、酸素供給層64は、例えばシリコーンsilicone樹脂を含むスピンオングラスSOG材料をスピンコート法によって塗布することで形成されている。SOG材料には、他にシラノールSiOH4、アルコキシシラン、シロキサン樹脂等を含む材料を用いることができる。酸素供給層64を、シラノール基またはSi-OH基を含む他の樹脂材料から形成してもよい。また、酸素供給層64は、アクリル樹脂、エステル重合樹脂、またはCO-OR基を含む樹脂材料によって形成してもよい。ゲート絶縁層66は、窒化シリコンによって形成されている。ゲート絶縁層66を、酸化シリコンで形成してもよく、窒化シリコン層と酸化シリコン層との2層構成に形成してもよい。ゲート絶縁層66は酸素供給層64に形成された開口の中でゲート電極62に接している。酸化物半導体層68は、In-Ga-Zn-O系半導体IGZOからなる層である。酸化物半導体層68の上に形成されたソース電極70sおよびドレイン電極70dは、Ti/Al/Tiの3層構成からなる導電層である。ソース電極70sおよびドレイン電極70dをAl/Ti、Cu/Ti、Cu/Moモリブデン等の2層構成としてもよい。保護層72は、酸化シリコンSiO2または窒化シリコンSiNxにより形成されている。保護層72を設けない構成もあり得る。図5に示すように、酸素供給層64がH2O、OR基、またはOH基を含むことから、アニール等の熱処理工程において、酸素供給層64からゲート絶縁層66を介して酸化物半導体層68に、H2O、OH基、またはOR基が拡散され、酸化物半導体層68中の酸素欠損等に起因する欠陥が補われる。したがって、TFTの特性が向上し、TFT毎にばらつきの少ない、高品質の半導体装置を提供することができる。また、TFT10では、酸化物半導体層64の端部からその外側の酸素供給層64の上にソース電極70sおよびドレイン電極70dが形成されているため、酸素供給層64からゲート絶縁層66に移動したH2O、OR基、またはOH基が、ソース電極70sおよびドレイン電極70dの底面にて反射され、その一部が酸化物半導体層68に向けて移動する。このように、ソース電極70sおよびドレイン電極70dを形成した後に熱処理を行なう場合、ソース電極70sおよびドレイン電極70dが拡散防止層の役割を果たすため、酸化物半導体層68により多くのH2O、OR基、またはOH基の供給がなされ、より多くの欠陥が修復される。図6aは、実施形態1のTFT10の電圧-電流特性を表したグラフであり、bは酸素供給層を有しないTFTの電圧-電流特性を表したグラフである。両グラフにおいて、横軸はゲート電圧値を表し、縦軸はソース-ドレイン電流値を表しており、ドレイン電圧が10Vである場合の特性を実線で、ドレイン電圧が0.1Vである場合の特性を破線で、それぞれ表してる。図6aに示されるように、実施形態1のTFT10では、ドレイン電圧によらず、ゲート電圧0V付近での電流の立ち上がり特性S値が一定であり、TFTのON時から印加電圧に応じた適切な電流値が得られている。一方、図6bに示されるように、酸素供給層を有しないTFTでは、ドレイン電圧毎にS値が異なり、ON電流の立ち上がり位置、およびOFF電流値にばらつきが生じている。これらの比較から、実施形態1の酸素供給層54を有するTFT10によれば、よりTFT特性の安定した高性能の半導体装置が得られることがわかる。次に、図7および図8を参照しながらTFT基板100の製造方法を説明する。図7a~fおよび図8g~hは、TFT基板100の製造工程を示す模式的な断面図である。工程A:まず、基板60の上にスパッタ法などにより、Ti層およびCu層をこの順に積層する。Ti層の厚さは30~150nmであり、Cu層の厚さは200~500nmである。次に、積層した2層を公知のフォトリソグラフィ法およびウェットエッチング法を用いてパターニングして第1マスク工程、図7aに示すゲート電極62を得る。このとき、ここでは図示しない走査線14、補助容量線16、補助容量電極、下部配線等も同時に形成される。その後、残ったレジストの剥離および基板の洗浄が行われる。工程B:次に、図7bに示すように、基板60の上に、ゲート電極62を覆うように酸素供給材料64mをスピンコートにより塗布する。ここでは、酸素供給材料64mにはシリコーン樹脂、SOG材料を用いる。SOG材料には、他にシラノール例えばSiOH4、アルコキシシラン、シロキサン樹脂等を含む材料を用いることができる。酸素供給層64を、シラノール基またはSi-OH基を含む他の樹脂材料から形成してもよい。また、酸素供給層64は、アクリル樹脂、エステル重合樹脂、またはCO-OR基を含む樹脂材料によって形成してもよい。工程C:次に、図7cに示すように、ゲート電極62の上の酸素供給材料64mに、フォトリソグラフィ法によって開口を設け第2マスク工程、酸素供給層64を形成する。工程D:次に、図7dに示すように、開口を覆うように酸素供給層64の上にゲート絶縁層66を積層する。ゲート絶縁層66は、プラズマCVD法によって厚さ100~700nmに積層された窒化シリコン層である。窒化シリコンの変わりに酸化シリコンSiO2を積層してもよく、窒化シリコンと酸化シリコンの両方を積層してもよい。酸素供給層64の開口内で、ゲート絶縁層66はゲート電極62に接している。工程E:次に、ゲート絶縁層66の上に酸化物半導体を積層する。酸化物半導体は、スパッタ法を用いて、例えばIn-Ga-Zn-O系半導体IGZOを厚さ10~100nm積層して形成される。酸化物半導体を塗布法またはインクジェット法によって積層してもよい。その後、積層した酸化物半導体を、フォトリソグラフィ法、例えばシュウ酸を用いたウェットエッチング法でパターニングして第3マスク工程、図7eに示すように、TFT10のチャネル層となる酸化物半導体層68を得る。その後、残ったレジストの剥離および基板の洗浄が行われる。酸化物半導体には、IGZOの代わりに他の種類の酸化物半導体膜を用いてもよい。工程F:次に、スパッタ法により、ゲート絶縁層66の上に酸化物半導体層68を覆うように、Ti、Al、およびTiをこの順番に積層する。次に、フォトリソグラフィ法およびウェットエッチング法によって、これら3層をパターニングして、図7fに示すように、ソース電極70sおよびドレイン電極70dを得る第4マスク工程。その後、残ったレジストの除去、および基板洗浄がなされる。ウェットエッチングの代わりにドライエッチングを用いることも可能である。Ti、Al、およびTiを積層する代わりに、Al/Ti、Cu/Ti、またはCu/Moを積層してもよい。この工程では、ここでは図示しない信号線12、補助容量対向電極、上部配線等も同時に形成される。工程G:次に、CVD法により酸化シリコンを基板全体に積層する。酸化シリコンの代わりに、窒化シリコンを積層してもよく、また、酸化シリコンおよび窒化シリコンの両方を積層してもよい。このようにして形成した層をPAS膜と呼ぶ。その後、PAS膜に対して、大気雰囲気中で、200°C~400°Cの温度でアニール処理を行った。アニール処理の際に、ソース電極70sおよびドレイン電極70dの下面と酸化物半導体層68との間に反射層が形成される。この低反射層は、ソース電極70sおよびドレイン電極70dの下層を構成するチタンと酸化物半導体層68との間に酸化還元反応が生じて、チタンが酸化されると同時に酸化物半導体68中のインジウムが還元されることにより形成されたものである。低反射層が存在しない場合、TFT基板10に入射したバックライトユニットからの光や太陽光等の外光が、ソース電極70sおよびドレイン電極70d下面とゲート電極62上面との間で反射を繰り返し、その多くが酸化物半導体層68のチャネル部に到達し、TFT特性を悪化させる。本実施形態のTFT10によれば、上述したように低反射層が形成されるため、入射光の反射が防止され、チャネル部へ入射する光量を低減させることができる。これにより、特性のばらつきが抑えられた信頼性の高いTFT基板を提供することが可能となる。その後、積層したPAS膜をフォトリソグラフィ法によってパターニングして第5マスク工程、図8gに示す保護層72を得る。パターニングによって、保護層72には開口72hが形成される。工程H:次に、保護層72の上に、例えばスパッタ法により透明導電材料を堆積する。このとき、透明導電材料はコンタクトホール74h内でドレイン電極70dに接する。透明導電材料としては、ITOを用いる。透明導電材料にIZO、ZnO等を用いてもよい。次いで、公知のフォトリソグラフィ法によって、透明電極層のパターニングを行って第6マスク工程、図8hに示すように、画素電極20が形成される。以上の工程により、TFT10を有するTFT基板100が完成する。次に、図9~図11を参照して、TFT基板100における接続部25の第1~第3構成例を説明する。図9~図11は、それぞれ、接続部25の第1~第3構成例の断面を模式的に表している。第1構成例:第1構成例による接続部25は、図9に示すように、基板60の上に形成された下部配線62dと、下部配線62dの上に形成された酸素供給層64と、酸素供給層64の上に形成されたゲート絶縁層66と、ゲート絶縁層66の上に形成された上部配線70uとを備えている。下部配線62dは、ゲート電極62と同時に同じ材料で形成された金属層である。上部配線70uは、ソース電極70sおよびドレイン電極70dと同時に同じ材料で形成された金属層である。接続部25において、酸素供給層64およびゲート絶縁層66のそれぞれには、互いに重なる位置に開口が設けられており、これら2層を貫通するようにコンタクトホール25haが形成されている。ゲート絶縁層66の開口は酸素供給層64の開口よりも大きく、コンタクトホール25haにおいて、ゲート絶縁層66および酸素供給層64の側面は階段状に形成されている。上部配線70uと下部配線62dとは、コンタクトホール25haを介して接続されている。つまり、コンタクトホール25ha内に形成された上部配線70uが、コンタクトホール25haの底部で下部配線62dと接続されている。上部配線70uの金属層を積層する場合、コンタクトホール25haの側面が急斜面であると、側面において金属層の切断が生じやすく、接続部における断線が発生する恐れがある。本構成例では、上部配線70uが、急傾斜の側面ではなく、ゲート絶縁層66および酸素供給層64の階段状の側面の上に形成されるため、上部配線70uの切断が生じにくい。よって、信頼性の高い接続部25を形成することができる。第2構成例:第2構成例による接続部25は、図10に示すように、基板60の上に形成された下部配線62dと、下部配線62dの上に形成された酸素供給層64と、酸素供給層64の上に形成されたゲート絶縁層66と、ゲート絶縁層66の上に形成された上部配線70uと、上部配線70uの上に形成された保護層72と、保護層72の上に形成された導電層20tとを備えている。下部配線62dは、ゲート電極62と同時に同じ材料で形成された金属層であり、上部配線70uは、ソース電極70sおよびドレイン電極70dと同時に同じ材料で形成された金属層である。導電層20tは、画素電極20と同時に同じ材料で形成される。接続部25において、酸素供給層64、ゲート絶縁層66、上部配線70u、および保護層72のそれぞれには、互いに重なる位置に開口が設けられている。開口は、下層から上層に向けて大きくなるように形成されており、これらの層を貫通するようにコンタクトホール25hbが形成されている。コンタクトホール25hbにおいて、各層の端部は、より上層になるに従ってより外側に位置するように、階段状に形成されている。上部配線70uと下部配線62dとは、コンタクトホール25hb内の導電層20tを介して接続されている。つまり、コンタクトホール25hb内には、酸素供給層64、ゲート絶縁層66、上部配線70u、および保護層72の側面を覆うように導電層20tが形成されており、その側面において導電層20tと上部配線70uが接続され、コンタクトホール25haの底部で導電層20tと下部配線62dとが接続される。コンタクトホール25hb内に導電層20tを形成する場合、ITO、IZO等の金属がスパッタ法によって積層されるが、コンタクトホール25haの側面が急斜面であると、金属層の切断や金属層と上部配線70uとの接触不良が発生し易い。また、各層の端部が同じ位置となるように形成しようとすると、フォトリソグラフィにおけるマスクの位置ずれ、エッチングシフトのばらつき、オーバーハング等により、下層の端部が上層の端部よりも外側に形成されることが生じ得る。これは導電層20tに断線を引き起こす原因となる。本構成例では、各層の側面が、より上層になるに従ってより外側に位置するように形成されるため、コンタクトホール25hbの側面が階段状に形成され、導電層20tの断線および導電層20tと上部配線70uとの接触不良が防止される。また、多層構成部位における接続を一つのコンタクトホールを介して行なうため、接続部の面積を小さく抑えることができる。これにより、TFT基板の高密度化、小型化が可能となる。また、コンタクトホール25hbを、各層のエッチングをハーフトーン露光、レジストアッシング等を利用して、一括して行なって形成することもできる。この場合、製造効率が向上し、TFT基板を低コストで製造することが可能となる。第3構成例:第3構成例による接続部25は、図11に示すように、基板60の上に形成された下部配線62dと、下部配線62dの上に形成された酸素供給層64と、酸素供給層64の上に形成されたゲート絶縁層66と、ゲート絶縁層66の上に形成された上部配線70uと、上部配線70uの上に形成された保護層72と、保護層72の上に形成された導電層20tとを備えている。下部配線62dは、ゲート電極62と同時に同じ材料で形成された金属層であり、上部配線70uは、ソース電極70sおよびドレイン電極70dと同時に同じ材料で形成された金属層である。導電層20tは、画素電極20と同時に同じ材料で形成される。接続部25には、保護層72を貫通する第1コンタクトホール25hc、ならびに、保護層72、ゲート絶縁層66、および酸素供給層64を貫通する第2コンタクトホール25hdが形成されている。上部配線70uと導電層20tとは、第1コンタクトホール25hc内で接続されている。つまり、コンタクトホール25hc内には、保護層72の側面を覆うように導電層20tが形成されており、コンタクトホール25hcの底部で導電層20tと上部配線70uとが接続される。導電層20tと下部配線62dとは、第2コンタクトホール25hd内で接続されている。つまり、コンタクトホール25hd内には、保護層72、ゲート絶縁層66、および酸素供給層64の側面を覆うように導電層20tが形成されており、コンタクトホール25hdの底部で導電層20tと下部配線62dとが接続される。このようにして、上部配線70uと下部配線62dとが、導電層20tを介して電気的に接続されている。第1および第2構成例同様、コンタクトホール25hcおよび25hdの側面を階段状に形成してもよく、それによって、導電層20tの断線を防止することができる。次に、本発明による他の実施形態実施形態2~5を説明する。以下の説明においては、実施形態1と同じ構成要素には同じ参照番号を付け、その詳細な説明を省略する。同様の構成を有する構成要素からは同様の効果を得ることができる。実施形態2図12は、実施形態2によるTFT10の構成を模式的に示す断面図である。本実施形態によるTFT基板の基本的構成は、以下に説明する以外、実施形態1のTFT基板100と同じである。図12に示すように、TFT10は、実施形態1同様、基板60の上に順次積層されたゲート電極62、酸素供給層64、ゲート絶縁層66、酸化物半導体層68、ソース電極70sおよびドレイン電極70d、並びに保護層72を備えている。さらに、本実施形態のTFT10は、保護層72の上に形成された第2酸素供給層78を備えている。保護層72を形成しない形態も本実施形態のTFT10に含まれる。第2酸素供給層78は、実施形態1における層間絶縁層74の代わりに形成される。第2酸素供給層78の上に、層間絶縁層74を形成することもあり得る。第2酸素供給層78は、実施形態1の工程Hにおいて、例えばスピンコート法によってアクリル樹脂を塗布して形成される。アクリル樹脂の代わりに、シリコーンsilicone樹脂等を含むSOG材料を塗布してもよい。第2酸素供給層78は、酸素供給層64同様、H2O、OR基、またはOH基を含む材料からなる層であり、実施形態1で説明した酸素供給層64用の材料によって形成され得る。実施形態2のTFT10によれば、酸化物半導体層68のチャネル部に、酸素供給層64のみならず第2酸素供給層78からもH2O、OR基、またはOH基を供給することができる。よって、実施形態1よりもさらに欠陥の修復された酸化物半導体層68を得ることができ、よりTFT特性の優れた信頼性の高い半導体装置が得られる。実施形態3図13は、実施形態3によるTFT基板100の構成を模式的に示す断面図である。本実施形態によるTFT基板100の基本的構成は、以下に説明する以外、実施形態1のTFT基板100と同じであり、図1および図2に示したTFT基板100として用いられ得る。図13に示すように、TFT基板100は、コンタクト部85と、配線クロス部87と、TFT部80と、Cs部88とを有している。コンタクト部85には接続部25が形成され、TFT部80にはTFT10が形成され、Cs部88には補助容量18が形成されている。配線クロス部87は、上層配線である信号線12と下層配線である走査線14が交差する部位である。コンタクト部85における接続部25の構成は、基本的に実施形態1の第2構成例の接続部25と同じである。ただし、第2構成例における層間絶縁層74の代わりに第2酸素供給層78が積層されている。本実施形態の接続部25においても、コンタクトホール25hb側面において、複数の層がより上層になるに従ってより外側に位置するように形成されるため、コンタクトホール25hbの側面が階段状に形成され、導電層20tの断線および導電層20tと上部配線70uとの接触不良が防止される。また、配線接続を一つのコンタクトホールを介して行なうため、接続部の面積を小さく抑えることができる。コンタクト部85に、実施形態1の第1および第3構成例の接続部25を形成してもよい。配線クロス部87は、基板60と、基板60の上に形成された走査線14と、走査線を覆うよう積層された酸素供給層64と、酸素供給層64の上に形成されたゲート絶縁層66と、ゲート絶縁層66の上に形成された信号線12と、信号線12を覆って形成された保護層72と、保護層の上に形成された第2酸素供給層78とを備えている。走査線14と信号線12との間に酸素供給層64を配置することにより、両配線間に形成される寄生容量を低減させることができる。TFT部80には、実施形態2のTFT10が形成されている。TFT10のドレイン電極70dと画素電極20は、保護層72および第2酸素供給層78に形成されたコンタクトホールを介して接続されている。Cs部88には、補助容量電極62c、酸素供給層64、ゲート絶縁層66、補助容量対向電極70c、保護層72、および第2酸素供給層78が、この順に積層されている。補助容量電極62cと、それに対向する補助容量対向電極70cと、両電極の間に挟まれたゲート絶縁層66とによって、補助容量18が構成される。両電極の間には酸素供給層64の開口が形成され、その開口を埋めるようにゲート絶縁層66が形成されている。これにより、両電極の間隔を狭めることができるので、酸素供給層64を含む多層構成のTFT基板100においても、狭い領域に大きな容量を有する補助容量18を形成することができる。実施形態4図14は、実施形態4によるTFT10の構成を模式的に示す断面図である。本実施形態によるTFT基板の基本的構成は、以下に説明する以外、実施形態1のTFT基板100と同じである。図14に示すように、TFT10は、基板60の上に形成されたゲート電極62と、ゲート電極62を覆うように積層されたゲート絶縁層66と、ゲート絶縁層66の上に形成された酸素供給層64と、酸素供給層64の上に形成された酸化物半導体層68と、酸化物半導体層68の上に形成されたソース電極70sおよびドレイン電極70dと、これらの電極の上に積層された保護層72とを備えている。本実施形態のTFT10では、酸素供給層64はゲート絶縁層66と酸化物半導体層68との間に配置されている。酸素供給層64は、ゲート電極62の上方のゲート絶縁層66の上に開口を有し、その開口の中で酸化物半導体層64がゲート絶縁層66と接している。ゲート絶縁層66と接する酸化物半導体層64の部分は、TFT10のチャネル部CHに相当する部分である。それ以外の部分の酸化物半導体層64は、酸素供給層64と直接接している。TFT10の製造においては、実施形態1で説明した工程Bにおいて、ゲート電極62を覆うように基板60上に、CVD法によってゲート絶縁層66が積層される。次に、ゲート絶縁層66の上に酸素供給材料がスピンコート法等によって塗布される。酸素供給材料64mには実施形態1で説明したものと同様の材料が用いられる。次に、工程Cにおいて、酸素供給材料がフォトリソグラフィ法によってパターニングされ第2マスク工程、酸素供給層64が完成する。パターニング時には、ゲート電極62の上部に開口が設けられる。本実施形態では、酸化物半導体層68が、酸素供給層64と直接接する部分を有しているため、酸素供給層64から酸化物半導体層68に高効率で酸素が供給される。よって、より欠陥の修復された高性能のTFTを提供することが可能となる。また、酸化物半導体層68のチャネル部CHに酸素供給層64が直接接する構成においては、酸素供給層64に多くの不純物が存在するため、その不純物の拡散によりTFTの信頼性が低下する懸念がある。そのため、チャネル部CHに接する部位には、シリコン酸化膜など不純物が少ない材料による層を配置することが好ましい。本実施形態によれば、チャネル部CHの酸化物半導体層68が酸素供給層64と直接接することなく、シリコン酸化膜等によるゲート絶縁層66と接しているため、TFTの信頼性をより高めることができる。さらに、酸素供給層64の酸化物半導体層68とは反対側に酸化シリコン、窒化シリコン等によるゲート絶縁層66が形成されている。このような材料によるゲート絶縁層66はH2O等の拡散を制限する機能を有する。よって、酸素供給層64から酸化物半導体層68により多くのH2O、OR基、またはOH基を移動させることができるため、より欠陥の修復された酸化物半導体層68を得ることができる。実施形態5次に、本発明の実施形態5による有機EL表示装置1002を説明する。図15は、有機EL表示装置1002単に表示装置1002とも呼ぶの構成を模式的に示す断面図である。図に示すように、表示装置1002は、TFT基板140と、TFT基板140の上に設けられたホール輸送層144と、ホール輸送層144の上に設けられた発光層146と、発光層146の上に設けられた対向電極148を備えている。ホール輸送層144と発光層146は有機EL層を構成する。有機EL層は絶縁性突起147によって区分されており、区分された有機EL層が1つの画素の有機EL層となる。TFT基板140は、実施形態1から4のTFT基板100と基本的に同じ構成を有しており、基板60の上に形成されたTFT10を備えている。TFT10には、実施形態1から4で説明したTFT10が用いられ得る。TFT基板140は、TFT10を覆って積層された層間絶縁層74および層間絶縁層74の上に形成された画素電極109を有している。画素電極109は、層間絶縁層74に形成されたコンタクトホール内でTFT10のドレイン電極に接続されている。TFT基板140の平面構成は、図2および3に示したものと基本的に同じであるので、その説明を省略する。なお、TFT基板140として、補助容量を有しない形態を用いてもよい。画素電極109および対向電極148によって有機EL層に電圧が印加されると、ホール輸送層144を介して画素電極109から発生したホールが発光層146に送られる。また同時に、発光層146には対向電極148から発生した電子が移動し、そのようなホールと電子が再結合されることにより発光層146内で発光が起こる。発光層146での発光を、アクティブマトリクス基板であるTFT基板140を用いて画素毎に制御することにより、所望の表示がなされる。ホール輸送層144、発光層146、および対向電極148の材料、ならびにこれらの層構造には、公知の材料および構造を用いてよい。ホール輸送層144と発光層146との間に、ホール注入効率を上げるために、ホール注入層を設けることもあり得る。光の出射効率を上げるとともに、有機EL層への高い電子注入効率を達成するため、対向電極148には、透過率が高く、且つ仕事関数の小さな材料を用いることが好ましい。本実施形態の有機EL表示装置1002は、実施形態1~4で説明したTFT10を用いているため、実施形態1~4で説明したものと同様の効果を得ることができる。本実施形態によれば、高性能な表示を行うことができる有機EL表示装置1002を製造効率よく提供することが可能となる。