"S原子又はSe原子を含む化合物を含有するバインダおよび金属化合物粒子を有機溶媒に分散させてなることを特徴とする化合物半導体薄膜形成用インク。前記S原子又はSe原子を含む化合物は、下記化学式で表されることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体薄膜形成用インク。式中、XはS原子又はSe原子、R1、R2、R3、及びR4は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数1~10のアルキル基又はアリール基を表す。前記金属化合物粒子の平均粒径は1nm以上200nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体薄膜形成用インク。前記金属化合物粒子は少なくとも1つのVIB族元素を含むことを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体薄膜形成用インク。前記金属化合物粒子は、CuInxGa1-xSe20≦x≦1粒子、AgInxGa1-xSe20≦x≦1粒子、CuInxGa1-xSeyS1-y20≦x≦1、0≦y≦1粒子、Cu2ZnSnSxSe1-x40≦x≦1粒子、及びCuAlSexS1-x20≦x≦1粒子からなる群から選ばれた1種であることを特徴とする請求項1記載の化合物半導体薄膜形成用インク。前記金属化合物粒子は、Cu2-xSe1-ySy0≦x≦1、0≦y≦1粒子、InxGa1-x2Se1-ySy30≦x≦1、0≦y≦1粒子、及びInxGa1-xSe1-ySy0≦x≦1、0≦y≦1粒子からなる群の少なくとも1種であることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体薄膜形成用インク。前記金属化合物粒子は、Cu2-xSe0≦x≦1粒子とIn2SexS1-x30≦x≦1粒子の混合物であることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体薄膜形成用インク。前記金属化合物粒子は、Cu2-xSn2-ySe1-zSz20≦x≦2、0≦y≦2、0≦z≦1粒子、及びCu2-xZn2-ySe1-zSz20≦x≦2、0≦y≦2、0≦z≦1粒子からなる群から選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体薄膜形成用インク。前記金属化合物粒子は、Cu2-xSe1-ySy0≦x≦1、0≦y≦1粒子、Zn2xSe1-xSx0≦x≦1、0≦y≦1粒子、及びSn2-xSe1-ySy0≦x≦1、0≦y≦1粒子からなる群から選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体薄膜形成用インク。前記S原子又はSe原子を含む化合物を含有するバインダおよび金属化合物粒子の混合物のS/SSeモル比が0.05~0.9であることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体薄膜形成用インク。請求項1~10のいずれかに記載の化合物半導体薄膜形成用インクを塗布または印刷し、熱処理して形成されたことを特徴とする化合物半導体薄膜。請求項11に記載の化合物半導体薄膜からなる光吸収層を具備することを特徴とする太陽電池。基板上に形成された電極上に、請求項1~10のいずれかに記載の化合物半導体薄膜形成用インクを塗布または印刷し、化合物半導体塗膜を形成する工程と、前記化合物半導体塗膜を熱処理して化合物半導体薄膜からなる光吸収層を形成する工程とを具備することを特徴とする太陽電池の製造方法。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、低コストの太陽電池の製造を可能とする化合物半導体薄膜作製用インク、その製造方法、そのインクを用いて得た化合物半導体薄膜、その化合物半導体薄膜を備える太陽電池、およびその製造方法を提供することを目的とする。本発明の第1の態様によると、S原子又はSe原子を含む化合物を含有するバインダおよび金属化合物粒子を有機溶媒に分散させてなることを特徴とする化合物半導体薄膜形成用インクが提供される。本発明の第2の態様によると、第1の態様に係る化合物半導体薄膜形成用インクを塗布または印刷し、熱処理して形成されたことを特徴とする化合物半導体薄膜が提供される。本発明の第2の態様によると、第2の態様に係る化合物半導体薄膜からなる光吸収層を具備することを特徴とする太陽電池が提供される。本発明の第2の態様によると、基板上に形成された電極上に、第1の態様に係る化合物半導体薄膜形成用インクを塗布または印刷し、化合物半導体塗膜を形成する工程と、前記化合物半導体塗膜を熱処理して化合物半導体薄膜からなる光吸収層を形成する工程とを具備することを特徴とする太陽電池の製造方法が提供される。以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。まず、本発明の第1の実施形態について説明する。本発明の第1の実施形態に係る化合物半導体薄膜作製用インクは、S原子又はSe原子を含む化合物を含有するバインダおよび金属化合物粒子を有機溶媒に分散させてなる。化合物半導体薄膜作製用インクにこのようなバインダを使用することにより、化合物半導体薄膜作製用インクの塗布過程における金属化合物粒子の凝集を防げ、バインダにより金属化合物粒子間の隙間を埋め込むことにより、結晶化した後の化合物半導体薄膜の隙間を低減することができる。また、バインダの表面スムージング効果により、形成された化合物半導体薄膜の表面が平らとなり、欠陥数を少なくすることもできる。さらに、S原子又はSe原子を含む化合物を含有するバインダは、金属化合物粒子、特にCIS粒子やCZTS粒子と相性が良いため、S原子又はSe原子がCISやCZTSの結晶成長の促進効果もあり、緻密な結晶層を得ることができる。S原子又はSe原子を含む化合物を含有するバインダとして、下記化学式で表されるものを用いることができる。式中、XはS原子又はSe原子、R1、R2、R3、及びR4は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数1~10のアルキル基又はアリール基を表す。R1、R2、R3、及びR4は全て同一の基であっても、互いに異なっていてもよい。チオ尿素基を有する化合物を含有するバインダは、有機溶媒に溶かしやく、調液しやすいというメリットがある。また、チオ尿素基が加熱分解しやく、結晶化した後の膜に残りにくいというメリットがある。なお、上式中のR1、R2、R3、及びR4の炭素数は1~10のアルキル基又はアリール基に限るものではなく、炭素数は11以上であってもよいが、炭素数が11以上になると後の熱処理工程において分解しにくくなり、膜中にバインダが残存して光電変換効率が低下する恐れがある。また、アルキル基は直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、アリール基はフェニル基上に置換基を有していてもよい。上記化学式で表される化合物の具体例としては、チオ尿素の他に、テトラメチルチオ尿素、テトラエチルチオ尿素、フェニルチオ尿素、イソプロピルチオ尿素、セレノ尿素、ジメチルセレノ尿素、ジエチルセレノ尿素、1-フェニルセレノ尿素等を挙げることが出来る。また、これらの化合物は既知の合成法により合成できる。また、これらのS原子又はSe原子を含む化合物を含有するバインダは、1種類を単独で使用することも出来るが、2以上の種類を組み合わせ、混合して使用することもできる。金属化合物粒子の平均粒径は、1nm以上200nm以下であることが好ましい。金属化合物粒子の平均粒径が200nmより大きくなると、化合物半導体薄膜の熱処理工程において、化合物半導体薄膜に隙間ができやすく、表面粗さが高く、光電変換効率が低下する傾向となる。一方、金属化合物粒子の平均粒径が1nm未満であると、微粒子が凝集しやすくなり、インクの調製が困難となる。なお、金属化合物粒子の平均粒径は、5nm以上100nm以下であることがより好ましい。なお、平均粒径とは、SEM走査型電子顕微鏡またはTEM透過型電子顕微鏡を用いて観察した金属化合物粒子の最短径を平均したものである。金属化合物粒子を構成する金属化合物は、少なくとも1つのVIB族元素を含むものとすることが出来る。そのような金属化合物として、例えば、Cu2O、CuSe、Cu2S、CuTe、In2S3、In2Se3等を挙げることができる。金属化合物粒子としては、目的の化合物半導体材料あるいは反応により化合物半導体となる材料の粒子を用いることができ、そのようなものとして、CuInxGa1-xSe20≦x≦1粒子、AgInxGa1-xSe20≦x≦1粒子、CuInxGa1-xSeyS1-y20≦x≦1、0≦y≦1粒子、Cu2ZnSnSxSe1-x40≦x≦1粒子等を挙げることができる。これらの中では、CuInxGa1-xSe20≦x≦1やCu2ZnSnSxSe1-x40≦x≦1粒子が好ましい。InとGaの割合を調整することにより、CIS結晶における禁制帯幅を適宜変更することができる。SeとSの割合を調整することにより、CZTS結晶における禁制帯幅を適宜変更することができる。反応のギブス自由エネルギの観点から、CIS系においてはCu2-xSe2-ySy0≦x≦1、0≦y≦2粒子、InxGa1-x2Se1-ySy30≦x≦1、0≦y≦1粒子、InxGa1-xSe1-ySy0≦x≦1、0≦y≦1粒子からなる群の少なくとも1種以上の物質を混合し、使用することもできる。これらの中では、Cu2-xSe0≦x≦1粒子とIn2SexS1-x30≦x≦1粒子とを混合した混合物が好ましい。また、CZTS系においてはCu2-xSn2-ySe1-zSz20≦x≦2、0≦y≦2、0≦z≦1粒子、Cu2-xZn2-ySe1-zSz20≦x≦2、0≦y≦2、0≦z≦1粒子からなる群の少なくとも1種以上の物質を混合し、使用することもできる。これらの中では、Cu2-xSe1-ySy0≦x≦1、0≦y≦1粒子、Zn2-xSe1-xSx0≦x≦1、0≦y≦1粒子、Sn2xSe1-ySy0≦x≦1、0≦y≦1粒子とを混合した混合物が好ましい。S原子又はSe原子を含む化合物を含有するバインダは1種類を単独で使用することも出来るが、複数種類を混合して使用することもできる。バインダと上記の金属化合物粒子の混合物のS/SSeモル比は、0.05~0.9であることが望ましい。S/SSeモル比が0.05未満であると、バインダの量が少ないため、隙間ができやすくなる。また、モル比が0.9より大きくなると、熱処理後、金属性のCu2Sができ易いため、キャリア濃度が高くなり、光吸収層に用いるのが困難な傾向となる。以上説明した第1の実施形態に係る化合物半導体薄膜形成用インクは、S原子又はSe原子を含む化合物を含有するバインダおよび金属化合物粒子を有機溶媒に分散させることにより製造することができる。使用される有機溶媒としては、特に制限はなく、たとえば、アルコール、エーテル、エステル、脂肪族炭化水素、脂環族炭化水素、芳香族炭化水素などを使用することができる。好ましい有機溶媒は、メタノール、エタノール、プタノール等の炭素数10未満のアルコール、ジエチールエーテル、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、トルエンであり、特に好ましい有機溶媒は、メタノール、ピリジン、トルエンである。本実施形態に係るインクには、S原子又はSe原子を含む化合物を含有するバインダおよび金属化合物粒子を有機溶媒中に効率よく分散させるために、分散剤を配合することができる。分散剤としては、チオール類、セレノール類、炭素数10以上のアルコール類等を挙げることができる。また、本実施形態に係るインクには、強度の高い化合物半導体薄膜を得るために、シリカバインダ等の他のバインダを更に配合することも可能である。なお、有機溶媒中の粒子の濃度は、特に制限されないが、通常は、1~20重量である。次に、本発明の第2の実施形態について説明する。本発明の第2の実施形態に係る化合物半導体薄膜は、上述した化合物半導体薄膜形成用インクを基体上に塗布または印刷し、乾燥して有機溶媒を除去し、次いで熱処理することにより形成されたものである。塗布方法としては、ドクタ法、スピンコーティング法、スリットコーティング法、スプレ法等が挙げられ、印刷方法としては、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、反転オフセット印刷法、凸版刷法等が挙げられる。塗布または印刷により形成された塗膜の膜厚は、乾燥および熱処理後の化合物半導体薄膜の膜厚が0.5~10μm、たとえば、2μm程度になるような膜厚であるのが好ましい。熱処理は、加熱炉によるアニールのほか、ラピッドサーマルアニールRTAによっても行うことができる。熱処理温度は、化合物半導体の結晶化に必要な温度であり、400°C以上であるのが望ましい。基板としてガラス基板を用いた場合には、ガラス基板に耐え得る温度である必要があるため、600°C以下、特に550°C以下であるのが望ましい。以上のように、本発明の第2の実施形態によると、化合物半導体薄膜の形成を、S原子又はSe原子を含む化合物を含有するバインダおよび金属化合物粒子を有機溶媒に分散させてなる化合物半導体薄膜形成用インクを塗布または印刷し、乾燥および熱処理することにより行っているため、従来の方法のように金属化合物粒子のみを有機溶媒に分散させたインクを使用した場合のように、空隙ができ易いという欠点が克服され、この化合物半導体薄膜を光吸収層として用いた太陽電池の変換効率の向上が可能である。次に、本発明の第3の実施形態について説明する。図1は、本発明の第3の実施形態に係る太陽電池の構成を模式的に示す縦断側面図である。図1に示す太陽電池では、基板101上に裏面電極102が形成されている。基板101としては、ソーダライムガラス、金属板、プラスチックフィルムなどを用いることができる。裏面電極102としては、モリブデンMo、ニッケルNi、銅Cuなどの金属を用いることができる。裏面電極102上に、前述した第2の実施形態に係る化合物半導体薄膜が、光吸収層103として形成されている。すなわち、光吸収層103は、前述した第1の実施形態に係る化合物半導体薄膜形成用インクを裏面電極102上に塗布し、乾燥し、熱処理することにより形成される。光吸収層103上には、バッファ層104、i層105、およびn層106が順次形成されている。バッファ層104としては、公知のCdS、ZnS,O,OH、In2S3を用いることができる。i層105としては、公知のZnOなどの金属酸化物を用いることができる。また、n層106としては、公知のAl、Ga、Bなどを添加したZnOを用いることができる。そして、n層106上に表面電極107を形成して、太陽電池が完成する。表面電極107としては、公知のAl、Agなどの金属を用いることができる。なお、図示していないが、n層106上に、光の反射を抑え、より多い光を光吸収層で吸収させる役割を有する反射防止膜を設けることも可能である。反射防止膜の材質は特に制限されないが、たとえば、フッ化マグネシウムMgF2を用いることができる。反射防止膜の膜厚は、100nm程度が適当である。以上のように構成される第3の実施形態に係る太陽電池は、化合物半導体を形成可能なS原子又はSe原子を含む化合物を含有するバインダおよび金属化合物粒子を分散した化合物半導体薄膜形成用インクを塗布または印刷し、乾燥および熱処理することにより形成された化合物半導体薄膜を光吸収層として用いているため、従来の方法のように金属化合物粒子のみを有機溶媒に分散させたインクを使用して得た化合物半導体薄膜のように、空隙ができ易いという欠点が克服され、この化合物半導体薄膜を光吸収層として用いた太陽電池の変換効率の向上が可能である。以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。Cu-Seナノ粒子の合成CuIをピリジンに溶解した溶液を、Na2Seをメタノールに溶解した溶液と混合し、不活性ガス雰囲気下において0°Cで反応させ、Cu-Seナノ粒子を合成する。反応溶液を濾過し、メタノールで洗浄した後、得られたCu-Seナノ粒子をメタノールに分散させた。In-Seナノ粒子の合成InI3をピリジンに溶解した溶液を、Na2Seをメタノールに溶解した溶液と混合し、不活性ガス雰囲気下において0°Cで反応させ、In-Seナノ粒子を合成する。反応溶液を濾過し、メタノールで洗浄した後、得られたIn-Seナノ粒子をメタノールに分散させた。インクの作製以上のようにして得たCu-Seナノ粒子分散液とIn-Seナノ粒子分散液を混合し、S原子を含むバインダとしてチオ尿素を加え、Cu/In/Se/Sのモル比を0.9/1/2.4/0.6になるように調製した。この混合物の固形分が5重量になるように、更にメタノールを加え、インクを調製した。次に、図1に示す構造の太陽電池セルを以下のようにして製造した。裏面電極102の形成ソーダライムガラス101の上に、スパッタ法を用いて、厚さが0.6μmのMo層からなる裏面電極102を形成した。光吸収層103の形成裏面電極102の上に、前述のようにして得た化合物半導体薄膜形成用インクをドクタ法により塗布し、250°Cのオーブンで溶剤を蒸発した後、550°Cで10分間加熱することにより、膜厚2μmのCISからなる光吸収層103を形成した。バッファ層104の形成光吸収層103を形成した構造体を、それぞれのモル濃度が0.0015M、0.0075M、および1.5Mの硫酸カドミウムCdSO4、チオ尿素NH2CSNH2、アンモニア水NH4OHを加えた70°Cの混合水溶液中に浸漬し、光吸収層103上に膜厚50nmのCdSからなるバッファ層104を形成した。i層105の形成バッファ層104の上に、ジエチル亜鉛と水を原料として、MOCVD法を用いて、厚さ50nmのZnOからなるi層105を形成した。n層106の形成i層105の上に、ジエチル亜鉛、水、およびジボランを原料として、MOCVD法を用いて厚さが1μmのZnO:Bからなるn層106を形成した。表面電極107の形成n層106上に、蒸着法を用いて、厚さが3μmのAlからなる表面電極107を形成した。以上により、CIS太陽電池セルが完成した。光吸収層103の形成に、バインダとしてのチオ尿素を含まないCu-Se、In-Seナノ粒子のみを5重量含むメタノール分散液からなるインクを用いたことを除いて、実施例と同様にして、CIS太陽電池セルを得た。上記実施例および比較例の太陽電池セルについて、走査型電子顕微鏡SEMと標準太陽光シミュレータ光強度:100mW/cm2、エアマス:1.5による評価を行った。図2Aに実施例のSEM断面写真を示し、図2Bに比較例のSEM断面写真を示す。これらの図から明らかなように、実施例に係るCIS層の粒径が大きく、隙間が殆どないことに対し、比較例に係るCIS層の粒径が小さく、隙間が多数存在している。また、光電変換効率において、実施例に係る太陽電池セルの光電変換効率が3.2であるのに対し、比較例に係る太陽電池セルの光電変換効果が僅か0.3である。これは、実施例に係る太陽電池セルでは、塗布による光吸収層の形成に、バインダを使用することにより、CIS膜中の隙間が減少し、表面が平らとなり、変換効率向上に繋がっているものと考えられる。"