基板と、前記基板の表面に配置される第1ドーピング領域及び第2ドーピング領域と、前記第1ドーピング領域及び前記第2ドーピング領域の上に配置される保護層とを有し、前記第1ドーピング領域及び前記第2ドーピング領域は、前記基板の表面上に、格子状GridPatternをなして、互いに交互に配列されることを特徴とする太陽電池。前記保護層上に配置される第1電極及び第2電極をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記保護層は、複数の第1コンタクトホール及び複数の第2コンタクトホールを含み、前記複数の第1コンタクトホールを通じて前記第1電極と前記第1ドーピング領域とが接続され、前記複数の第2コンタクトホールを通じて前記第2電極と前記第2ドーピング領域とが接続されることを特徴とする請求項2に記載の太陽電池。前記第1ドーピング領域及び前記第2ドーピング領域は、第1方向及び第2方向に沿って互いに交互に配列され、前記第1方向と前記第2方向は互いに直交することを特徴とする請求項3に記載の太陽電池。前記第1電極は、第3方向に沿って直線状に延びており、前記第3方向は前記第1方向または前記第2方向と45度の角度を形成することを特徴とする請求項4に記載の太陽電池。前記第1電極及び前記第2電極は、それぞれジグザグ形状にて延長している部分を含むことを特徴とする請求項4に記載の太陽電池。前記第1ドーピング領域及び前記第2ドーピング領域は、平面的に見て、四角形形状であることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記基板は、前面frontside及び後面backsideを含み、前記第1ドーピング領域及び前記第2ドーピング領域は、前記基板の後面に配置されるうに形成することを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記基板の前面を通じて光が吸収されることを特徴とする請求項8に記載の太陽電池。前記第1ドーピング領域と前記第2ドーピング領域は、互いに異なる導電型の不純物を含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。そこで、本発明は上記従来の太陽電池における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、キャリアの移動距離を最小化して、太陽電池の効率を増加させる太陽電池を提供することにある。上記目的を達成するためになされた本発明による太陽電池は、基板と、前記基板の表面に配置される第1ドーピング領域及び第2ドーピング領域と、前記第1ドーピング領域及び前記第2ドーピング領域の上に配置される保護層とを有し、前記第1ドーピング領域及び前記第2ドーピング領域は、前記基板の表面上に、格子状GridPatternをなして、互いに交互に配列されることを特徴とする。前記保護層上に配置される第1電極及び第2電極をさらに有することが好ましい。前記保護層は、複数の第1コンタクトホール及び複数の第2コンタクトホールを含み、前記複数の第1コンタクトホールを通じて前記第1電極と前記第1ドーピング領域とが接続され、前記複数の第2コンタクトホールを通じて前記第2電極と前記第2ドーピング領域とが接続されることが好ましい。前記第1ドーピング領域及び前記第2ドーピング領域は、第1方向及び第2方向に沿って互いに交互に配列され、前記第1方向と前記第2方向は互いに直交することが好ましい。前記第1電極は、第3方向に沿って直線状に延びており、前記第3方向は前記第1方向または前記第2方向と45度の角度を形成することが好ましい。前記第1電極及び前記第2電極は、それぞれジグザグ形状にて延長している部分を含むことが好ましい。前記第1ドーピング領域及び前記第2ドーピング領域は、平面的に見て、四角形形状であることが好ましい。前記基板は、前面frontside及び後面backsideを含み、前記第1ドーピング領域及び前記第2ドーピング領域は、前記基板の後面に配置されるうに形成することが好ましい。前記基板の前面を通じて光が吸収されることが好ましい。前記第1ドーピング領域と前記第2ドーピング領域は、互いに異なる導電型の不純物を含むことが好ましい。本発明に係る太陽電池によれば、光によって発生したキャリアの移動距離を最小化して、同一の光量でより高い光効率を得ることができるという効果がある。次に、本発明に係る太陽電池を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る太陽電池におけるドーピング領域のパターン構造を示す平面図であり、図2は、図1の切断線II-II’に沿った断面図である。図1及び図2を参照すると、基板100の表面に第1ドーピング領域150及び第2ドーピング領域160が配置される。基板100は、N型のシリコンウエハとすることができる。以下の実施形態において、不純物及びドーピング領域の極性は、P型のウエハに適用されるように変更することも可能である。第1ドーピング領域150と第2ドーピング領域160は、格子状GridPatternに互いに交互に配列されている。具体的には、互いに隣接する一つの第1ドーピング領域150と一つの第2ドーピング領域160とを第1単位とするとき、第1単位が、第1方向d1だけでなく、第2方向d2に沿って反復的に配列されている。第1方向d1と第2方向d2は互いに直交するものである。第1ドーピング領域150及び第2ドーピング領域160は、平面的に見るとき、四角形形状とすることができる。本発明の実施形態によって製造された太陽電池において、第1ドーピング領域150と第2ドーピング領域160はPN接合を形成する図3は、図1の本発明の第1の実施形態に係る太陽電池で電極が追加されたものを示す平面図であり、図4は、図3の切断線IV-IV’に沿った断面図である。図3及び図4を参照すると、基板100の上に第1ドーピング領域150及び第2ドーピング領域160を覆うように保護層170が配置される。保護層170は、複数の第1コンタクトホールCH1及び複数の第2コンタクトホールCH2を有する。複数の第1コンタクトホールCH1は第1ドーピング領域150と対応して配置され、複数の第2コンタクトホールCH2は第2ドーピング領域160と対応して配置される。保護層170の上に第1電極及び第2電極が位置する。第1電極は、第1グリッド電極180及び第1グリッド電極180から延長される第1グリッド電極線181を含む。第2電極は、第2グリッド電極190及び第2グリッド電極190から延長される第2グリッド電極線191を含む。第1グリッド電極線181は、複数の第1コンタクトホールCH1を充填しながら配置され、第2グリッド電極線191は、複数の第2コンタクトホールCH2を充填しながら配置される。ここで、第1グリッド電極線181は、複数の第1コンタクトホールCH1を通じて第1ドーピング領域150と接続されており、第2グリッド電極線191は、複数の第2コンタクトホールCH2を通じて第2ドーピング領域160と接続されている。第1グリッド電極180は、少なくとも2つ以上の第1グリッド電極線181を連結し、第2グリッド電極190は、少なくとも2つ以上の第2グリッド電極線191を連結する。第1グリッド電極180と第2グリッド電極190は互いに対向する位置に配置され、第3方向d3と直交する方向に沿って延びている。第1グリッド電極線181は、第1方向d1または第2方向d2とほぼ45度の角度を形成する第3方向d3に沿って延びている。第2グリッド電極線191は、第3方向d3と反対方向に第1グリッド電極線181と実質的に平行に延びている。第1グリッド電極線181と第2グリッド電極線191は、実質的に直線状に延びている。図5及び図6は、ドーピング領域のパターン構造によるキャリアの移動距離を比較するための平面図である。図5は、ウエハー基板の表面に縞状StripePatternにn領域とp領域を有するドーピング領域を示す。縞状のP領域はWAの幅を有する。このようなドーピング領域を有する太陽電池において、光によって発生した電子キャリアはp領域とn領域のポテンシャルPotentialによって移動する。即ち、図5に表した電子Eは、矢印方向に沿ってn領域に向かって移動し、移動距離はDAとなる。このとき、寿命LifeTimeの短い電子は、DAほど移動する前に再結合Recombinationされて、光効率に寄与できなくなる。図6は、本発明の第1の実施形態に係る太陽電池におけるドーピング領域のパターン構造を示す。即ち、p領域第1ドーピング領域とn領域第2ドーピング領域が格子状に互いに交互に配列されている。ここで、p領域は第2方向d2にWBの幅を有する。第1方向d1への幅もWBと同一にすることができる。図6に表した電子Eはn領域に移動しなければならない。このとき、図5に示したように、縞状のドーピング領域を有する場合には、一方向にだけ最短距離を有して移動するが、一方、本実施形態のように格子状に互いに交互にドーピング領域が配列されている場合には、第2方向d2への距離DAよりもさらに短い第1方向d1への最短距離DBを有して移動することができる。言い換えると、ドーピング領域が縞状に配列された場合よりも格子状に互いに交互に配列された場合に、確率的にキャリアの移動距離が短くなるので、寿命LifeTimeが短いキャリアも収集が可能になって、同一の光照射条件下でも高い光効率を有することができる。図7及び図8は、ドーピング領域のパターン構造によるキャリアに作用する電界を比較するための帯域図banddiagramである。図7は、図5で説明したパターン構造を有する場合に光によって発生した電子キャリアが受ける電界を示し、図8は、図6で説明したパターン構造を有する場合に光によって発生した電子キャリアが受ける電界を示す。図7における電子キャリアは、一方向にだけ電界が作用する。しかしながら、図8における電子キャリアは四方に電界が作用するため、さらに効率的なキャリア収集が可能である。図9は、本発明の第2の実施形態に係る太陽電池における電極構造を示す平面図である。図9を参照すると、図3及び図4を参照して説明した実施形態と大部分同一である。ただし、コンタクトホールCH3、CH4を通じてドーピング領域210、220と接続されているグリッド電極線271、281の形状に相違がある。第3グリッド電極270から第3グリッド電極線271が延び、第4グリッド電極280から第4グリッド電極線281が延びている。第3グリッド電極線271及び第4グリッド電極線281はジグザグ状に延長される部分を含む。本実施形態において、第3ドーピング領域210と第4ドーピング領域220が互いに交互に配列されている方向である第1方向d1と実質的に平行に第3グリッド電極270が延びているため、実質的にジグザグ状のような構造が形成できる。図10は、本発明の第3の実施形態に係る太陽電池におけるドーピング領域のパターン構造を示す平面図である。図10を参照すると、基板の表面に、広い面積を占める第5ドーピング領域370と、第5ドーピング領域370によって囲まれており、実質的に島型に形成されている第6ドーピング領域380とが配置される。基板上に第5ドーピング領域370及び第6ドーピング領域380を覆うように保護層350が配置され、保護層350は複数の第5コンタクトホールCH5、及び複数の第6コンタクトホールCH6を有する。複数の第5コンタクトホールCH5は、一定の間隔を有して第5ドーピング領域370に対応する位置に形成されており、複数の第6コンタクトホールCH6は、第6ドーピング領域380に対応する位置に形成されている。第5コンタクトホールCH5を通じて第5ドーピング領域370と第5グリッド電極線図示せずとが接続され、第6コンタクトホールCH6を通じて第6ドーピング領域380と第6グリッド電極線図示せずとが接続される。図11~図21は、図1の第1の実施形態に係る太陽電池を製造する方法を説明するための平面図又は断面図である。図11及び図12を参照すると、基板100の上に第1ドーピング膜110を蒸着し、第1ドーピング膜110の上に拡散防止膜120を蒸着する。第1ドーピング膜110及び拡散防止膜120をパターニングして、基板100の表面を部分的に露出させる。この場合、露出した基板100の表面に該当する部分と、パターニングを行って残存している第1ドーピング膜110及び拡散防止膜120部分を平面的に見るとき、格子状に互いに交互に配列されるように形成する図11参照。第1ドーピング膜110及び拡散防止膜120のパターニングには、フォトエッチング工程、エッチングペーストを利用したスクリーンプリンティング方法、又はインクジェットプリンティング方法等を含む。しかし、このような方法に制限されず、多様な方法でパターニングすることができる。第1ドーピング膜110は、P型の不純物がドーピングされたシリコン酸化物で形成することができる。このシリコン酸化物は、例えば、シリコンダイオキシドSiO2とすることができる。また、P型の不純物は、ボロンB、ガリウムGa、インジウムIn等とすることができる。基板100は、前面frontside及び前面の反対面に該当する後面backsideを含む。第1ドーピング膜110は基板100の後面に形成する。基板100の前面は、外部から光が吸収される面に該当する。拡散防止膜120は、ドーピングされないシリコン酸化物で形成することができる。図13及び図14を参照すると、基板100の露出した部分と拡散防止膜120上を覆うように基板100上全体に第2ドーピング膜140を形成する。第2ドーピング膜140は、N型の不純物がドーピングされたシリコン酸化物で形成することができる。このシリコン酸化物は、例えば、シリコンダイオキシドSiO2とすることができる。N型の不純物は、リンP、砒素Asまたは類似する特性を有する他の物質とすることができる。図16を参照すると、熱処理工程を行って第1ドーピング膜110から不純物を拡散させて、第1ドーピング領域150を形成する。このとき、基板100と接触している第2ドーピング膜140から不純物を拡散させて、第2ドーピング領域160を形成する。第1ドーピング領域150と第2ドーピング領域160は同時に形成できる。図13、図14、及び図16を参照して説明した方法とは異なって、第2ドーピング膜140を形成しないで、第1ドーピング膜110及び拡散防止膜120をマスクとして用い、基板100の表面に不純物イオンを注入することができる。図15及び図17を参照すると、第1ドーピング膜110及び拡散防止膜120をマスクとして用いて、基板100の表面に不純物イオンを注入する。不純物イオンは、リンP、砒素Asまたは類似する特性を有する他の物質とすることができる。そして、熱処理工程を行って第1ドーピング膜110から不純物を拡散させて、第1ドーピング領域150を形成し、イオン注入方法で基板100に注入された不純物が、熱処理工程によって活性化して、第2ドーピング領域160を形成することができる。図18及び図19を参照すると、基板100上に形成された第1ドーピング膜110、拡散防止膜120、及び第2ドーピング膜140を除去する。この時、基板100に対してエッチング選択比が大きいフッ化水素HFを用いて第1ドーピング膜110、拡散防止膜120、及び第2ドーピング膜140をエッチングすることができる。第1ドーピング領域150と第2ドーピング領域160は格子状に互いに交互に配列されている。具体的には、互いに隣接する一つの第1ドーピング領域150と一つの第2ドーピング領域160とを第1単位とするとき、第1単位が、第1方向d1だけでなく、第2方向d2に沿って反復的に配列されている。第1方向d1と第2方向d2は直交することができる。本実施形態によって製造された太陽電池において、第1ドーピング領域150と第2ドーピング領域160はPN接合を形成する。図20及び図21を参照すると、第1ドーピング領域150及び第2ドーピング領域160の上に、第1コンタクトホールCH1及び第2コンタクトホールCH2を有する保護層170を形成する。図3を再度参照すると、第1グリッド電極180及び第1グリッド電極線181を含む第1電極と、第2グリッド電極190及び第2グリッド電極線191を含む第2電極とを保護層170の上に形成する。ここで、第1グリッド電極線181は、第1コンタクトホールCH1を通じて第1ドーピング領域150と接続するために、第3方向d3に沿って直線状に延長するように形成する。また、第2グリッド電極線191は、第2コンタクトホールCH2を通じて第2ドーピング領域160と接続するために、第3方向d3に沿って直線状に延長するように形成する。尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。