"マイクロリソグラフィ用の投影露光ツールの、反射コーティングを設けた少なくとも1つのミラー素子を備える光学系を検定する方法であって、少なくとも2つの異なる波長の電磁放射線を前記光学系に照射するステップであり、前記ミラー素子の前記コーティングへの前記放射線の侵入深さは個々の波長間で変わるステップと、前記波長それぞれに関して前記光学系の光学測定を行うステップと、各波長での前記ミラー素子の前記コーティングへの前記放射線の確定侵入深さを考慮して、前記異なる波長に関する測定結果を評価するステップとを含む方法。請求項1に記載の方法において、前記測定結果の評価時に、前記少なくとも1つのミラー素子の前記コーティングの所望の状態からの該コーティングの光学特性の層深さ依存偏差を判定する方法。請求項1又は2に記載の方法において、前記コーティングを多層構造として構成し、前記測定結果の評価時に、前記多層構造の個別層で生じた可能性のある表面変形の程度を判定する方法。請求項1~3のいずれか1項に記載の方法において、前記光学測定結果の評価時に、前記コーティングで生じた可能性のある汚染の程度を判定する方法。請求項1~4のいずれか1項に記載の方法において、前記光学測定及び前記測定結果の評価を、時間間隔を置いて複数回繰り返し、前記光学系の状態を、前記評価結果の比較により監視する方法。請求項1~5のいずれか1項に記載の方法において、前記光学系の前記光学測定は波面測定を含む方法。請求項1~6のいずれか1項に記載の方法において、前記光学系の前記光学測定は瞳透過測定を含む方法。請求項1~7のいずれか1項に記載の測定において、前記光学系の前記光学測定を行う際、前記異なる波長により発生する物体構造の像間の横方向オフセットを判定する方法。請求項1~8のいずれか1項に記載の方法において、前記異なる波長の1つは前記投影露光ツールの露光波長である方法。請求項1~9のいずれか1項に記載の方法において、前記光学系をEUV光学系として構成した方法。請求項1~10のいずれか1項に記載の方法において、前記異なる波長の少なくとも1つは100nmよりも大きい方法。請求項1~11のいずれか1項に記載の方法において、検定対象の前記光学系は前記投影露光ツールの投影対物系を含む方法。請求項1~12のいずれか1項に記載の方法において、検定対象の前記光学系は前記投影露光ツールの照明光学系を含む方法。請求項1~13のいずれか1項に記載の方法において、前記光学系は複数のミラー素子を備え、前記測定結果の評価時に判定した前記光学系の所望の特性からの前記光学系の光学特性の偏差の原因を、光線追跡により1つ又は複数のミラー素子に割り当てる方法。請求項1~14のいずれか1項に記載の方法において、前記光学測定は分光測定である方法。マイクロリソグラフィ用の投影露光ツールの光学系の干渉波面測定用のセンサモジュールであって、少なくとも2つの異なる波長の電磁放射線を検出するよう構成した局所分解検出器と、前記異なる波長それぞれの前記電磁放射線を回折させるようにした異なる格子周期を有する、少なくとも2つの回折格子とを備えるセンサモジュール。請求項16に記載のセンサモジュールにおいて、前記回折格子の1つをEUV放射線を回折させるよう構成し、第2回折格子を100nmよりも大きな波長を有する放射線を回折させるよう構成したセンサモジュール。マイクロリソグラフィ用の投影露光ツールの、反射コーティングを設けた少なくとも1つのミラー素子を備える光学系を検定する装置であって、前記投影露光ツールの露光波長とは異なる少なくとも1つの第1波長の電磁放射線を発生する測定放射線源と、前記第1波長及びさらに別の波長の前記電磁放射線を用いて前記光学系の光学測定を行うよう構成した測定デバイスと、各波長での前記ミラー素子の前記コーティングへの前記放射線の確定侵入深さを考慮して、前記異なる波長に関する前記測定デバイスの測定結果を評価するよう構成した評価デバイスとを備える装置。請求項18に記載の装置において、請求項16又は17に記載のセンサモジュールを備える装置。請求項18又は19に記載の装置を備えるマイクロリソグラフィ用の投影露光ツールであって、物体構造を露光放射線により基板に結像するよう構成し、前記さらに別の波長を有する電磁放射線を前記露光放射線とした投影露光ツール。請求項20に記載の投影露光ツールにおいて、EUV放射線で作動するよう構成した投影露光ツール。マイクロリソグラフィ用のEUV投影露光ツール用の投影対物系であって、該投影対物系を通る光路を画定するミラー素子と、前記光路内の最終ミラー素子の表面清浄度を観察する装置と、前記最終ミラー素子を洗浄又は交換する欠陥除去装置とを備える投影対物系。請求項22に記載の投影対物系において、前記表面清浄度を観察する装置を請求項18又は19に記載の装置として構成した投影対物系。請求項22に記載の投影対物系において、前記表面清浄度を観察する装置は、前記最終ミラー素子を測定する干渉計構成体を備え、該干渉計構成体は、測定放射線源、ビーム整形光学系、後方反射板、及び2次元局所分解検出器を備え、前記測定放射線源、前記ビーム整形光学系、前記後方反射板、及び前記2次元局所分解検出器を、前記投影対物系を通る前記光路の外部に配置し、前記測定放射線源が放出した測定放射線が、前記ビーム整形光学系を通って拡大光線束として前記最終ミラー素子の光学面の第1拡大領域に当たり、前記最終ミラー素子との第1相互作用後に、前記光学面に当たった前記測定放射線が、拡大光線束として前記後方反射板に当たり、該後方反射板で反射した前記測定放射線が、前記最終ミラー素子の前記光学面の第2拡大領域に当たり、前記光学面の前記第2拡大領域に当たった前記測定放射線が、前記最終ミラー素子との第2相互作用後に拡大光線束として前記ビーム整形光学系に入り、該ビーム整形光学系に入った前記測定放射線が、参照放射線と重なり合って前記2次元局所分解検出器に当たるよう構成した投影対物系。請求項22~24のいずれか1項に記載の投影対物系であって、前記欠陥除去装置は、前記最終ミラー素子を原子状水素で洗浄する洗浄装置の形態である投影対物系。本発明の目的は、上記課題を解決でき、特に少なくとも1つのミラーを有する投影露光ツールの結像挙動不良の原因を特定することができる、方法及び装置並びに投影露光ツールを提供することである。上記目的は、本発明によれば、例えば、マイクロリソグラフィ用の投影露光ツールの、反射コーティングを設けた少なくとも1つのミラー素子を備える光学系を検定する方法により達成される。本発明による方法は、少なくとも2つの異なる波長の電磁放射線を光学系に照射するステップであり、ミラー素子のコーティングへの放射線の侵入深さは個々の波長間で変わるステップと、波長それぞれに関して光学系の光学測定を行うステップと、各波長でのミラー素子のコーティングへの放射線の確定侵入深さを考慮して、異なる波長に関する測定結果を評価するステップとを含む。換言すると、本発明によれば、第1電磁放射線及び第2電磁放射線が検査対象の光学系に照射される。第1放射線及び第2放射線は、異なる波長、特に異なる平均波長を有し、ミラー素子のコーティングへの第1放射線の侵入深さが第2放射線の侵入深さとは異なるようになっている。2つの放射線は、狭帯域又は同じく広帯域の波長範囲を有し得る。高帯域波長範囲の場合、放射線は重なり合うこともできる。波長範囲が同一でなく、したがって異なる侵入深さが生じることが重要である。好ましくは、侵入深さは、2つの放射線間でコーティングの厚さの少なくとも2、特に少なくとも5、又は少なくとも50異なる。絶対値では、侵入深さが波長間で少なくとも10nm、好ましくは少なくとも50nm異なれば有利である。例えば、第1放射線はEUV放射線であり、第2放射線は、DUV波長範囲内の放射線、例えば193nm又は248nmの放射線等である。本発明によれば、第1放射線及び第2放射線の両方を用いて検査対象の光学系の光学測定を行う。この種の光学測定は、例えば、シアリング干渉による波面測定、瞳透過測定、及び/又は物体構造の撮像時の基板平面における像位置の場所の測定を含み得る。個々の光学測定の基礎を形成する放射線のコーティングへの侵入深さは、波長が異なることに起因して変わるので、測定結果も変わると予想される。例えば、特定の物体構造の像間の横方向像オフセットを、異なる波長を用いて通常は観察する。本発明によれば、異なる波長に関する測定結果を評価し、評価時に、各波長に関して確定侵入深さを考慮する。例えば、見込み画像オフセットに対する、又は以前に測定した像オフセットに対する横方向像オフセットの偏差を判定した場合、これは光学系の劣化を示唆する。しかしながら、光学系のコーティングへの放射線の各侵入深さは、個々の波長について既知であるので、本発明によれば、侵入深さを考慮して、劣化のある層深さを絞り込むことができる。したがって、本発明による評価は、例えば、多層コーティングの特定の個別層の劣化を特定することを可能にする。さらに、例えば、鏡面に存在する汚染も検出できる。このような汚染が明らかになるのは、例えば、可視波長を有する放射線が鏡面に強く吸収される一方で、例えばEUV放射線が吸収される程度はそれよりも弱いことによるものである。したがって、波長毎の光学測定の測定結果は特徴的な形で変化する。したがって、本発明による検定法は、層深さに応じて投影露光ツールの結像挙動不良の原因を特定することを可能にし、すなわち、例えば個別層の劣化又はミラー汚染も特定することができる。本発明による方法は、例えば、100nmよりも大きな波長での光学測定を用いたマニピュレータ調整をさらに可能にする。したがって、例えば、EUV放射線を用いずにEUV対物系を検定することができ、これにより得られ得る結果として、投影露光ツールを検定する際の時間が節約される。すでに上述したように、本発明による一実施形態では、測定結果の評価時に、少なくとも1つのミラー素子のコーティングの所望の状態からの当該コーティングの光学特性の層深さ依存偏差を判定する。層深さ依存偏差を判定できるコーティングの光学特性として、コーティングの反射率、層平面性、及び吸収レベルを考慮し得る。本発明によるさらに別の実施形態では、コーティングを多層構造として構成し、測定結果の評価時に、多層構造の個別層で生じた可能性のある表面変形の程度を判定する。換言すると、層スタック又は多層膜と呼ぶこともできる多層構造の個別層の劣化の可能性を判定することができる。本発明によるさらに別の実施形態では、すでに上述したように、光学測定結果の評価時に、コーティングで生じた可能性のある汚染の程度を判定する。この目的で、波長の1つは、この波長の放射線が汚染を貫通しないか、又はわずかにしか貫通せず、すなわち汚染により吸収又は反射されるよう選択することが好ましい。本発明によるさらに別の実施形態では、光学測定及び測定結果の評価を、時間間隔を置いて複数回繰り返し、光学系の状態を評価結果の比較により監視する。したがって、この実施形態では、検定法は光学系の状態を経時的に監視する方法である。本発明によるさらに別の実施形態では、光学系の光学測定は波面測定を含む。この種の波面測定は、特に、おそらくはシアリング干渉計を用いて偏光又は非偏光の干渉測定により行うことができる。本発明によるさらに別の実施形態では、光学系の光学測定は瞳透過測定を含む。こうした測定の実施に関するさらなる詳細は後述する。瞳透過測定では、マスク平面に入る露光放射線の強度分布を角度の関数として解析することができる。したがって、瞳透過測定は、照明系の検定を可能にする。特に、EUVリソグラフィシステムでは、高強度に起因して、ミラーコーティングの放射線誘発劣化及び汚染に関する問題が照明系で生じることが多い。同様にすでに述べたように、本発明によるさらに別に実施形態では、光学系の光学測定を行う際、異なる波長により発生する物体構造の像間の横方向オフセットを判定する。横方向オフセットは、像の平面すなわち投影露光ツールの基板平面における物体構造の像の変位であると理解される。本発明によるさらに別の実施形態では、異なる波長の1つは投影露光ツールの露光波長である。一変形形態によれば、光学系をEUV光学系として構成し、すなわちEUV波長範囲内の放射線を案内するよう構成する。有利には、異なる波長の少なくとも1つは100nmよりも大きく、例えばDUV波長範囲、可視波長範囲、又は赤外波長範囲内にあり得る。本発明によるさらに別の実施形態では、検定対象の光学系は投影露光ツールの投影対物系を含む。投影対物系は、リソグラフィマスクの構造をウェーハの形態の基板に結像するよう構成する。本発明によるさらに別の実施形態では、検定対象の光学系は投影露光ツールの照明光学系を含む。照明光学系は、投影露光ツールの放射線源が発生した放射線を均一性及び所望の角度分布に関して調節し、こうして調節した放射線をリソグラフィマスクへ指向させる。本発明によるさらに別の実施形態では、光学系は複数のミラー素子を備え、測定結果の評価時に判定した光学系の所望の特性からの光学系の光学特性の偏差の原因を、光線追跡により1つ又は複数のミラー素子に割り当てる。換言すると、これに関与するミラー素子に関する偏差の原因は、コンピュータ上のシミュレーションにより光線追跡として当業者に既知のものを用いて特定する。好ましくは、ミラー素子における原因の場所を、光線追跡によりさらに判定する。本発明によるさらに別の実施形態では、光学測定は分光測定である。この種の測定では、振動励起に基づき汚染のタイプに関して結論を出すことができ、これは、本発明による異なる波長の使用に基づく深さ方向分解を伴う。上記目的は、本発明によれば、マイクロリソグラフィ用の投影露光ツールの、反射コーティングを設けた少なくとも1つのミラー素子を備える光学系を検定する装置であって、投影露光ツールの露光波長とは異なる少なくとも1つの第1波長の電磁放射線を発生する測定放射線源と、第1波長及びさらに別の波長の電磁放射線を用いて光学系の光学測定を行うよう構成した測定デバイスと、各波長でのミラー素子のコーティングへの放射線の確定侵入深さを考慮して、異なる波長に関する測定デバイスの測定結果を評価するよう構成した評価デバイスとを備える装置により達成することができる。上記さらに別の波長は、当該さらに別の波長の放射線の侵入深さが第1波長の放射線の侵入深さから逸れるよう選択することが好ましい。本発明及びさらに他の実施形態による装置で達成できる利点に関しては、本発明による検定法に関する上記解説を参照されたい。さらに、本発明によれば、本発明による光学系を検定する装置を備えるマイクロリソグラフィ用の投影露光ツールが提供される。投影露光ツールは、物体構造を露光放射線により基板に結像するよう構成し、上記さらに別の波長を有する電磁放射線を露光放射線とする。一実施形態によれば、投影露光ツールは、EUV放射線で作動するよう構成する。さらに、本発明によれば、マイクロリソグラフィ用の投影露光ツールの光学系の干渉波面測定用のセンサモジュールが提供される。本発明によるセンサモジュールは、少なくとも2つの異なる波長の電磁放射線を検出するよう構成した局所分解検出器と、異なる波長それぞれの電磁放射線を回折させるようにした異なる格子周期を有する、少なくとも2つの回折格子とを備える。この種のセンサモジュールにより、上述の本発明による検定法に従って2つの異なる波長の放射線で投影露光ツールの光学系の波面測定を行うことができる。一実施形態によれば、回折格子の1つはEUV放射線を回折させるよう構成し、第2回折格子は100nmよりも大きな波長を有する放射線を回折させるよう構成する。本発明による一変形形態によれば、本発明によるセンサモジュールは、本発明による検定装置の一部である。さらに、本発明によれば、マイクロリソグラフィ用のEUV投影露光ツールで用いるよう構成した投影対物系が提供される。投影対物系は、投影対物系を通る光路を画定するミラー素子と、光路内の最終ミラー素子の表面清浄度を観察する装置と、最終ミラー素子を洗浄又は交換する欠陥除去装置とを備える。最終ミラー素子は、投影対物系の光路内で投影露光ツールの作動中にウェーハに最も近いミラー素子である。本発明の一実施形態によれば、上述の本発明による検定装置を、表面清浄度を観察する装置として用いる。本発明によるさらに別の実施形態によれば、表面清浄度を観察する装置は、最終ミラー素子を測定する干渉計構成体を備える。ここで、干渉計構成体は、測定放射線源、ビーム整形光学系、後方反射板、及び2次元局所分解検出器を備える。これらは、投影対物系を通る光路の外部に配置され、以下のように構成される。測定放射線源が放出した測定放射線が、ビーム整形光学系を通って拡大光線束として最終ミラー素子の光学面の第1拡大領域に当たり、最終ミラー素子との第1相互作用後に、光学面に当たった測定放射線が、拡大光線束として後方反射板に当たり、後方反射板で反射した測定放射線が、最終ミラー素子の光学面の第2拡大領域に当たり、光学面の第2拡大領域に当たった測定放射線が、最終ミラー素子との第2相互作用後に拡大光線束としてビーム整形光学系に入り、ビーム整形光学系に入った測定放射線が、参照放射線と重なり合って2次元局所分解検出器に当たる。第2拡大領域は、第1拡大領域と同一であり得るが、第1拡大領域とは異なることもできる。上述の干渉計構成体の基本原理は、独国特許第102005056914号明細書から当業者に既知である。代替的に、干渉計構成体は、本発明による投影対物系において独国特許第102005056914号明細書に記載の他の実施形態で用いることもできる。これらの実施形態を本願の開示に明示的に援用する。本発明によるさらに別の実施形態では、欠陥除去装置は、最終ミラー素子を原子状水素で洗浄する洗浄装置の形態である。上述の本発明による方法の実施形態に関して指定した特徴は、本発明による装置に対応して適用され得る。逆に、上述の本発明による装置の実施形態に関して指定した特徴は、本発明による方法に対応して適用され得る。本発明の上記及びさらに他の有利な特徴を、添付図面を参照して以下の本発明による例示的な実施形態の詳細な説明に示す。以下に記載する例示的な実施形態において、機能的又は構造的に相互に同様である要素には、可能な限り同一又は同様の参照符号を付けてある。したがって、特定の例示的な実施形態の個々の要素の特徴を理解するには、他の例示的な実施形態の説明又は本発明の概要を参照されたい。投影露光ツールの説明を容易にするために、図示のコンポーネントの各相対位置を得ることができる直交xyz座標系を図面中で指定する。図1において、x方向は右に延び、y方向は図平面に向かって垂直に延び、z方向は上に延びる。図1は、EUV波長範囲で作動するよう設計したマイクロリソグラフィ用の投影露光ツール10の例示的な実施形態を示す。この目的で、投影露光ツール10は、100nm未満の波長、この場合は13.5nmの波長を有する電磁放射線を発生するEUV放射線源12を備える。投影露光ツール10は、照明系14をさらに備え、照明系14を用いて、以下で露光放射線13と称する放射線源12が発生した放射線をマスクテーブル22が保持したマスク18へ指向させる。露光放射線13は、続いて、マスク18上の物体構造を基板平面24に結像するよう構成した投影対物系16を通過する。この目的で、ウェーハの形態の基板図1に示さないが、基板テーブル26上の基板平面24に配置される。投影露光ツール10は、製品マスクを基板に結像する際にマスク及び基板テーブル26の両方を異なる速度でx方向に同期移動させる、いわゆるスキャナの形態であり得る。放射線源12のコンポーネントと、照明系14及び投影対物系16を含む投影露光ツール10の残りのコンポーネントとの両方が、真空容器28及び30により包囲される。EUV放射線源12は、放電デバイス32、プラズマエミッタ34、コレクタミラー33、及び波長フィルタ35を備える。コレクタミラー33は、例えば、プラズマエミッタ34が等方的に放射したEUV放射線を本質的に集める球面ミラーにより形成される。波長フィルタ35は、望ましくない波長部分を保持する。当然ながら、図1に示すプラズマ放電源の代替として、他のEUV放射線源を用いることができる。プラズマエミッタ34が放出した放射線スペクトルは、DUV波長範囲例えば、193nm又は248nmも含む。したがって、波長フィルタ35を対応した構成にすれば、図1に示す放射線源もDUV源として用いることができる。さらに別の実施形態では、所望の測定波長構造に応じて波長フィルタを完全になくし、対応するサイズの構造をマスク18上で照明し、測定をロックイン法により評価する。図示の実施形態では、照明系14は、放射線源12が発生した露光放射線13を所望の角度分布でマスク18へ指向させるよう構成した7個のミラー14-1~14-7を備える。露光放射線13は、マスク18の表面で反射してから投影対物系16を通過し、投影対物系16は、本実施形態では6個のミラー素子16-1~16-1を備える。投影対物系16は、z方向に延びる光軸17を有する。本発明によれば、投影対物系16を検定する装置が、図1に示す投影露光ツール10に組み込まれる。この装置は、測定放射線源40及びセンサモジュール50を備える。図2は、マスクテーブル22、基板テーブル26、及び投影対物系16を備える投影露光ツール10の一部を拡大図で再度示す。EUV露光放射線13の光路は、ここでは破線で描き込まれている。さらに、測定放射線源40が放出した測定放射線42の光路を示す。測定放射線42は、EUV放射線の波長とは異なる波長を有する。好ましくは、測定放射線42の波長は、より詳細に後述するように、DUV波長範囲、可視波長範囲、又は赤外波長範囲内にある。測定放射線源40は、LED、レーザダイオード、レーザ、又は任意の他の適当な放射線源を含み得る。測定放射線源40は、マスクテーブル22に、特にマスクホルダに組み込まれ、測定放射線42がマスク18のうち投影対物系16に面しない裏側に当たるようにする。測定放射線源40とマスク18との間に光学中間素子44を位置決めすることができ、これは、図2の詳細図に示すように、例えば拡散ディスク、拡散スクリーン、又は結像光学系の形態である。図2に示す例示的な実施形態では、マスク18は、層19にピンホールの形態の孔構造21の配置を有し、層19のそれ以外の場所は放射線を透過させない。簡単のために図2に1つしか示さない孔構造21は、投影対物系16により基板平面24に結像される。ここには、基板テーブル26に組み込まれて基板平面24に入る放射線を検出するセンサモジュール50が位置付けられる。本発明によれば、投影対物系16は、2つの異なる波長を有する電磁放射線を放射されて通過させ、波長のそれぞれに関して光学測定が行われる。図2に示す実施形態では、第1波長を有する放射線は、EUV波長範囲の露光放射線13である。第2波長を有する放射線は、測定放射線源40が発生した、例えば可視波長範囲の測定放射線42である。代替的又は付加的に、測定放射線源40は、2つの異なる波長を有する放射線を提供することもでき、光学測定をこれに基づき行うことができる。光学測定の第1変形形態では、物体構造の結像時にマスク平面20から出て基板平面24に入る横方向オフセットを、用いた2つの波長間で測定する。図2に示す実施形態では、マスク18における孔構造21は、測定放射線42による結像時の物体構造として働く。露光放射線13による結像には、無反射マスク環境での類似の反射点構造が用いられ得る。図2の詳細図に示すように、波長が異なればΔxの横方向像オフセットが生じる。この像オフセットの原因は、電磁放射線が波長に応じてミラー16-1~16-6に設けた反射コーティング52に異なる深さで侵入することによる。これにより、鏡面反射毎に異なる波長の光路間にわずかな変位が生じることになる。図3は、投影対物系16のミラーの1つ、この場合はミラー16-6に対するEUV露光放射線13及び測定放射線42の反射を示す詳細図である。ミラーは、コーティング52を多層構造の形態で設けた凹面を有するミラー基板51を備える。一実施形態によれば、多層構造は、モリブデン層及びシリコン層を有し、EUV放射線を反射するよう設計される。図4は、放射線の波長に応じたコーティング52への照射放射線の侵入深さtを示す図を示す。EUV放射線が100nmを超える波長を有する放射線よりも実質的に深くコーティング52に侵入することが、ここから明らかである。さらに、100nmを超える範囲では、波長の増加に伴い侵入深さが再度いくらか増加することが、図から明らかである。したがって、近赤外波長範囲IRでは、侵入深さは可視波長範囲VISよりも大きく、可視波長範囲はさらに、例えば193nm、248nm、又は365nmの低いUV波長範囲DUVでの侵入深さを超える。侵入深さtは、入射放射線がその初期強度の1/eになった深さとして定義される。図3に当てはめると、この知識は、可視波長範囲の測定放射線42がコーティング52の外側個別層ですでに反射することを意味する。しかしながら、EUV放射線13は、多層構造の非常に深くまで侵入し、部分ビーム55が各個別層54で反射される。ミラー16-6の例に対する、図3に示す異なる侵入深さの効果は、図2に示すミラー16-1~16-6のそれぞれでの反射で生じる。評価デバイス46での本発明による検定法により、異なる波長に関して測定した光学測定の測定結果、先の例示的な実施形態では横方向像オフセットΔxが、用いた波長に関して確定したコーティング52への放射線の侵入深さを考慮してここで評価される。ここで、実測横方向像オフセットΔxを見込み像オフセットΔx0と比較する。見込み像オフセットは、例えば、用いた波長での個々のミラーのコーティング52への侵入深さtに基づき、光学シミュレーションプログラムにより計算され得る。代替的に、見込み像オフセットは、以前に測定した像オフセットでもあり得る。評価の結果として、適切な場合、変形したミラーコーティング52の個別層54を識別することができる。どの層深さで個別層の変形が本発明による方法により検出され得るかは、どの波長を光学測定に用いるかに応じて変わる。測定放射線42が可視波長を有する図3に示す例示的な実施形態では、例えば、約20nmの層深さでの層劣化を特に良好に検出できる。侵入深さが異なる波長を多く光学測定に用いるほど、より正確に既存の層劣化を検出できる。本発明による有利な一実施形態によれば、検定法は、規則的な時間間隔で実施され、層深さに応じてコーティング53に生じる劣化が、測定結果の比較により判定される。さらに、評価の結果として、ミラーコーティング52の表面で生じた可能性のある汚染を識別できる。このような汚染がある場合、可視測定放射線42はミラーコーティング52によりかなりの程度まで吸収されるが、EUV放射線13はあまり吸収されない。EUV放射線13は、表面効果及び層境界面劣化を捉える。他方、可視測定放射線42は、有効媒のみを捉える、すなわち境界面粗さの変化は検出されない。小さな侵入深さに関連して、可視測定放射線42の測定は、表面特性に敏感に反応する。汚染を診断するために、閾値との比較を行うことが好ましい。本発明によりミラー汚染を検出できることで、いずれは汚染源の識別及び停止が可能である。さらに、より詳細に後述するように、洗浄を開始することができる。多くの場合、投影対物系16の光路内の最終ミラー素子16-6は、水への近接に起因した、特に塗料層からの蒸気に起因した汚染により最も影響を受ける。これが当てはまる構成では、図1に示す検定装置を用いて、最終ミラー素子16-6の表面清浄度を観察することができる。評価時に判定された投影対物系16の汚染が、このとき最終ミラー素子16-6の汚染の測度として用いられ得る。代替的な実施形態によれば、測定放射線42は、最終ミラー素子16-6の前で投影対物系の光路に注入されるにすぎないので、最終ミラー素子16-1のみが汚染測定の影響を受ける。図1に示す実施形態又は最終ミラー素子16-6のみを監視する代替的な実施形態の発明による一変形形態では、制御ユニット82が評価デバイス46の下流に接続され、図1に示す洗浄装置84及び/又は交換装置86を制御する。洗浄装置84は、汚染が発見された場合に最終ミラー素子16-6を洗浄するよう構成される。これは、例えば、原子状水素88をミラー素子16-6の反射面に吹き付けることにより行われる。洗浄プロセスは、本発明による検定装置を用いた監視により効率的に準備することができる。代替的又は付加的に、制御ユニットは、交換装置86を制御し、交換装置86は、ミラー素子16-6の対応の汚染に関してミラー素子16-6を交換ミラー素子16-6’と交換する。投影露光ツールの作動中に本発明による検定装置を用いてミラー素子を監視することにより、交換が必要となるまでの残りの作動時間を確実に予測することができ、ミラー交換を事前に計画することができる。図5は、投影対物系16だけでなく照明系14の層劣化も検出できる検定装置の本発明によるさらに別の実施形態を示す。この実施形態では、検定装置は、光学測定を行うために、照明系14の第1ミラー素子14-1の前で露光放射線13の光路に導入され得る折り返しミラー56を備える。図2のマスク18に相当する測定マスク118が、折り返しミラー56の上方でマスク平面20と共役な平面120に位置決めされる。測定放射線源40は、測定マスク118の上方に位置付けられるので、上記放射線源は、測定マスク118を通して測定放射線42を放射する。マスク平面20には、鏡面58を有するマスク18が、測定放射線42を鏡面58で反射させるよう配置される。代替的に、無構造マスクをマスク18として用いることもできる。図2に示す測定と同様に、図5に示す実施形態では、光学測定を2つの異なる波長で行うことができる。例えば、孔構造21が少なくとも2つの異なる波長の測定放射線42で基板平面24に結像される際に生じる横方向像場所オフセットが測定される。異なる波長は、測定放射線源40によりそれぞれ発生させることができる。波長の1つがEUV範囲にある場合、本発明によれば、EUV透過レチクルを基板平面24と共役な照明系14の平面に測定マスク118として配置することができる。この用途に特によく適しているのは、場合によっては、図5に示す照明系14と比べて変更した光学設計であり、測定マスクに容易にアクセス可能な第1ミラー素子14-1の前に共役基板平面を設けた設計である。像場所オフセット測定の代替として又はそれに加えて、図6に示すように、図2又は図5に示す検定装置により各波長で瞳透過測定を行うこともできる。この目的で、図1に示すマスク平面20内のマスク18又は図5に示す共役平面120内のマスク118に、マスク表面にわたって均等に分配したいわゆるピンホールの形態のテスト構造60が設けられ、これは、照明波長に関して点状である。代替的に、基本的に放射線を透過させるマスクに、放射線を透過させない点状テスト構造60を設けて用いることもできる。実施形態に応じて、測定対象の光学系は、投影対物系16のみであってもよく、又は照明系14及び投影対物系16の組み合わせであってもよい。テスト構造60から出る放射線13及び42に関して広い放射線円錐を発生させるために、テスト構造60は、過照射で照明されることが好ましい。この目的で、図示しない拡散ディスクをマスクに設けることができる。拡散ディスクは、比較的インコヒーレントな形態の照明放射線例えば、σ0.8で概して照射される。投影露光ツール10を通る放射線13及び42の進路は以下の通りである。点状テスト構造60が放射した放射線は、光学系16及び1416それぞれの光軸17に関して大きな角度分布を有する。光学系の瞳62を通過する光線束64は、テスト構造60から出る放射線の一部のみを構成する。瞳透過を測定するために、この場合は局所分解検出器72により形成されたセンサモジュールが、基板平面24に関してz方向に変位した位置に配置される。ここで、局所分解検出器72は、例えば光学系に50μm近付いて変位した位置、ゆえに焦点内位置66、又は例えば光学系から50μm離れて変位した位置、ゆえに焦点外位置68に配置することができる。これらの位置で、テスト構造60は、基板平面24におけるテスト構造60の直径の少なくとも10倍である光点70を発生させる。これらの光点は、いわゆる瞳孔図pupillogramsでもあり、瞳照明又は瞳透過の像を構成する。瞳孔図の定義に関しては、ジョーカークJoeKirk及びクリストファープログラーChristopherProglerによる論文、ピンホール及び瞳充填量PinholesandPupilFillsマイクロリソグラフィワールド、1997年秋、25~34ページを参照されたい。この種の異なる波長を有する放射線での瞳透過測定を用いて、瞳に近い光学系16及び1416のミラーに生じた層劣化を特に識別することができる。図6に示す配置の代替として、瞳透過測定に関して、マスク18又は118をなくすこともでき、又はマスク18又は118を完全に透明に設計することにより、落射照明floodilluminationが測定対象の光学系に照射されるようにすることができる。この実施形態では、テスト構造をいわゆるピンホールの形態でマスク表面に分配したマスクが、基板平面24に配置される。局所分解検出器は、マスクの下に配置される。像オフセット測定及び/又は瞳透過測定の代替として又はそれに加えて、図7に示すように、測定対象の光学系16又は1416それぞれの光学測定は波面測定も含み得る。この目的で、図2に示すマスク18又は図5に示す測定マスク118は、コヒーレンスマスクの形態であり、これには、例えば米国特許第7,333,216号明細書に示す測定パターンの1つが設けられる。センサモジュール50には、投影対物系16の像平面又は基板平面24に配置した回折格子構成体76が設けられる。さらに、センサモジュール50は、局所分解検出器72を備える。測定中、コヒーレンスマスクの測定パターンは、回折格子構成体76に結像される。回折により発生した波の重畳により、局所分解検出器72の検出面74上にインターフェログラムの形態でパターンが生成される。回折格子構成体76を、光軸17に対して横方向に移動させ、このようにして生成された複数のインターフェログラムが、検出器72により検出される。評価デバイスにより、光学系16又は1416を通過した後の放射線13及び42の波面が、記録されたインターフェログラムから測定され、そこから所望の見込み波面からの実測波面の偏差が判定される。ここで行った測定は、シアリング干渉による測定であり、その機能原理は、例えば米国特許第7,333,216号明細書等から当業者に既知であるので、現時点では詳述しない。上記刊行物に記載されているように、干渉測定では、場合によっては参照放射線を放射波から分離してセンサモジュール50へ送ることもできる。図7に示す測定構成体では、測定チャネルが1つだけ示されている。代替的に、複数の測定チャネルを設けて、平行測定が同時に複数の視野点で可能であるようにすることもできる。図8は、本発明による実施形態における回折格子構成体76の上面図を示す。図示の回折格子構成体は、第1格子定数g1を有する第1回折格子78及び格子定数g2を有する第2回折格子80を含む。第1回折格子78の格子定数g1は、EUV露光放射線13を回折させるよう構成され、図示の例における第2回折格子80の格子定数g2は、193nmの波長を有する測定放射線42を回折させるよう構成される。したがって、格子定数g2は、格子定数g1よりも2オーダ以上大きい。局所分解検出器72は、測定中に用いた両波長、この場合はEUV及び193nmを検出するよう構成される。さらに、分光測定を異なる波長で光学系16及び1416に対して行うこともできる。この種の測定では、振動励起に基づき、本発明による異なる波長の使用に基づき層深さ分解された汚染のタイプに関して結論を出すことができる。ここで、層劣化を異なる波長の測定の比較から判定した場合、上述の種々の光学測定法、特に瞳透過測定及び波面測定を用いて得られた結果を比較することにより、生じている層劣化をミラー14-1~14-7又は16-1~16-6の1つ又は複数に割り当てることができる。この目的で、特に光線追跡による光路の解析が実施される。好ましくは、光線追跡により、対応のミラー素子の表面における層劣化の位置も判定される。図9は、図1に示す投影対物系16の最終ミラー素子16-6を観察する上述の検定装置の代替として、又はそれに加えて用いることができる干渉計構成体237を示す。干渉計構成体237は、測定放射線265を発生する放射線源263を備える。放射線源263は、ここでは例えば、632.8の波長を有する測定放射線265を放出するヘリウムネオンレーザであり得る。測定放射線265は、概略的に示すコリメーティング光学系266によりコリメートされ、ビームスプリッタ267で反射される。測定放射線265は、続いて部分反射面269を有する楔板268を通過し、部分反射面269は、楔板268を通過する測定放射線265のビーム方向に直交した向きであり、干渉計構成体237のフィゾー面を形成する。フィゾー面269で反射した測定放射線は、参照放射線として用いられ、ビームスプリッタ267を直線状に通過し、カメラ光学系295により2次元局所分解放射線検出器270へ投影される。放射線検出器270は、2次元パターンで配置した複数の画素271を有するCCD検出器であり得る。フィゾー面269を通過する測定放射線265の一部は、EUV投影対物系16のハウジング30に嵌め込んだ窓297を通過してハウジング30の内部に入る。ハウジング30の内部には、例えば真空、又は露光放射線13とほとんど干渉しない適当なガスのガス雰囲気が設けられ得る。窓297の内面には、計算機ホログラムCGH273の形態のビーム整形光学系が設けられ、CGH273は、平行ビームとしてコリメートされてCGH273に当たる測定放射線が、CGH273により例えば1次の回折で回折され、ここで拡大されて測定放射線が最終ミラー素子16-6の反射面235の拡大領域261に当たるように形成される。ここから測定放射線は反射され、さらに拡大光線束として後方反射板239のさらに別のCGH275に当たり、後方反射板239は、CGH275に当たる測定放射線ができる限り正確に元に反射し戻るよう構成される。したがって、CGH275で所与の回折次数未満、例えば1次の回折で反射した放射線に対して、CGH275は後方反射板の機能を果たす。後方反射された測定放射線は、続いてさらにミラー素子16-6の光学面235の拡大領域に当たる。正確な後方反射の条件が満たされれば、この拡大領域は、CGH273からの測定放射線が当たる拡大領域261と一致する。領域61に当たったCGH275からの測定放射線は、さらに光学面235で反射されてCGH273に当たり、CGH273により実質的に平行な測定放射ビームに形成され、フィゾー面269及び楔板268を通過してからビームスプリッタ267を通過し、カメラ光学系295により検出器270に投影される。それにより、フィゾー面269で反射した参照放射線とミラー素子16-6の表面235の領域261と2回相互作用した測定放射線との重畳をもたらす干渉に起因して、検出器270で干渉パターンが生成される。これが、検出器270により制御ユニット282に入力される。干渉計構成体237のコンポーネント及びミラー素子16-6を備える全体的構造は、数値シミュレーションにアクセス可能であるので、コンポーネントの幾何学的形状が既知であれば、生成される干渉パターンを例えば光線追跡等の方法により計算することができる。測定した干渉パターンと計算した干渉パターンとの比較により、干渉計構成体237のコンポーネントを適当に較正して、所望の形態からの領域261における光学面235の表面形態の偏差があるという、したがって光学面235に汚染があるという結論を下すことができる。生成された干渉パターンが数値計算により正確に予測できない場合でも、時間に応じて干渉パターンの変化を検出することが可能である。続いてこれらの変化から、領域261における光学面235の形態の変化に関する結論を出すことが可能である。例えば、領域261における面235の曲率の経時的な増減をここで確認することが可能である。図9は、CGH275へ照射し戻される測定放射線の位相シフトを発生させて、検出器270が検出した干渉パターンで位相シフトを発生させるために、図9に矢印292で示す方向にCGH275を変位させるよう構成した、別のアクチュエータ291を示す。したがって、位相シフト干渉法PSIの原理を利用すること、及び領域261における光学面245の測定に関して検出器270を用いてCGH275のそれぞれ異なる位置で複数のインターフェログラムを検出することが可能である。複数のインターフェログラムの評価は、行った測定の精度及び明確性に関して有利である。位相シフト干渉法に関する背景情報は、ダニエルマラカラDanielMalacaraによる教科書光学実験測定法OpticalShopTesting第2巻の第14章ワイリーインターサイエンスパブリケーション1992年から得ることができる。図9には、領域261の異なる位置に定めた3つの面法線289が描き込まれている。さらに、図9には、領域261に当たる測定ビーム束の部分ビームの3つの入射角αが描き込まれている。表面235の曲率及び入射測定放射線の発散に起因して、入射角は、領域261の全位置で等しくはない。しかしながら、領域261の表面にわたって入射角を平均化することで、表面235にわたる測定放射線の平均入射角を判定することが可能である。測定放射線が比較的大きな入射角で表面235に当たることも、図9の概略図から明らかである。この入射角は、特に30°よりも大きい。表面235の汚染増加が干渉計構成体237により観察された場合、図1に関してすでに説明した制御ユニット82により洗浄装置84が起動されて、原子状水素88を表面235に吹き付けて表面235を洗浄する。さらに、図9に示す制御ユニットは、ミラー素子16-6の対応の汚染がある場合にこのミラー素子16-6を交換ミラー素子16-6’と交換するために、図1に示す交換デバイス86も制御することができる。図9に示す干渉計構成体237の基本原理は、独国特許第102005056914号明細書から当業者に既知である。代替的に、干渉計構成体は、独国特許第102005056914号明細書に記載されている他の実施形態で本発明に従って用いることもできる。これらの実施形態を本願の開示に明示的に援用する。"