表面に凹部および凸部を有する凹凸パターンが形成された半導体ウェハを、前記凸部の表面が吸着ステージに当接するように配置し、前記凸部と、前記吸着ステージとで囲まれた凹部の気圧P1を、外部雰囲気の圧力P0に対して負圧P1<P0となるように減圧して、前記半導体ウェハを前記吸着ステージに吸着固定する吸着工程と、前記吸着工程により前記吸着ステージに固定された前記半導体ウェハにおいて、該半導体ウェハの表面と反対側の裏面を、所定の研削圧P2を以って、研削するバックグラインド工程と、バックグラインド工程後、所定のステージ上に、前記凸部の表面が前記ステージに当接するように配置して、前記凸部と前記ステージとで囲まれた凹部の気圧をP4としつつ、前記半導体ウェハの裏面を加工する裏面加工工程を備える半導体装置の製造方法であって、前記裏面加工工程においては、前記外部雰囲気を矯正圧Pとしつつ、前記半導体ウェハの裏面を加工し、前記矯正圧Pが、バックグラインド工程後の前記半導体ウェハの抗折強度P3に対して、0<P-P4<P3の関係を満たすことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記P、前記P0、前記P1、前記P2および前記P4が、P-P4=P2P0-P1の関係を満たすことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記裏面加工工程は、露光工程であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載に半導体装置の製造方法。前記露光工程は、プロキシミティ露光工程であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。前記裏面加工工程は、レーザーアニール工程であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記矯正圧Pは、前記半導体ウェハと、前記凹凸パターンおよび前記半導体ウェハの裏面に形成される裏面パターンに対して、不活性な気体により印加されることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。しかしながら、特許文献1のように、有限個数のチャックを用いて、各チャックに対応した有限個数の点の高さを補正する方法では、半導体ウェハ上に形成される素子の微細化に伴って凹凸パターンも微細化しつつある状況において、半導体ウェハの裏面に生じた裏面段差すべてを平坦化することは現実的に不可能である。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、バックグラインド工程により生じたウェハ裏面の段差を矯正して、ウェハ裏面の加工精度を向上させることを目的とする。上記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、表面に凹部および凸部を有する凹凸パターンが形成された半導体ウェハを、凸部の表面が吸着ステージに当接するように配置し、凸部と、吸着ステージとで囲まれた凹部の気圧P1を、外部雰囲気の圧力P0に対して負圧P1<P0となるように減圧して、半導体ウェハを吸着ステージに吸着固定する吸着工程と、吸着工程により吸着ステージに固定された半導体ウェハにおいて、該半導体ウェハの表面と反対側の裏面を、所定の研削圧P2を以って、砥石により研削するバックグラインド工程と、バックグラインド工程後、所定のステージ上に、凸部の表面がステージに当接するように配置して、凸部とステージとで囲まれた凹部の気圧をP4としつつ、半導体ウェハの裏面を加工する裏面加工工程を備える半導体装置の製造方法であって、裏面加工工程においては、外部雰囲気を矯正圧Pとしつつ、半導体ウェハの裏面を加工し、矯正圧Pが、バックグラインド工程後の半導体ウェハの抗折強度P3に対して、0<P-P4<P3の関係を満たすことを特徴としている。本発明では、バックグラインド工程後の裏面加工工程において、半導体ウェハに対し、外部雰囲気の圧力として矯正圧Pを印加する。そして、その矯正圧Pは、0<P-P4<P3を満たす。前記の関係式は、P4<P<P3P4のように変形することができる。すなわち、本発明では、P>P4を満たすので、凸状に突出した半導体ウェハの裏面段差は、半導体ウェハ、保護膜およびステージに囲まれた空間の外側から圧力を受け、吸着ステージに向かう方向に押し込まれる。したがって、半導体ウェハの裏面段差を矯正しつつ、裏面を加工することができ、これにより、裏面加工工程の精度を向上することができる。例えば、レジストへの露光工程において、マスク-半導体ウェハ間距離のばらつきを小さくすることができ、レジストパターンの解像度を向上することができる。これに加えて、本発明では、P-P4<P3を満たす。これによれば、裏面加工工程において、矯正圧Pが印加された場合に、半導体ウェハの裏面が、外部から受ける圧力P-P4、すなわち、半導体ウェハをステージ側に湾曲させる圧力、が半導体ウェハの抗折強度P3を超えないように設定される。したがって、半導体ウェハが割損することはない。請求項2に記載のように、P、P0、P1、P2およびP4が、P-P4=P2P0-P1の関係を満たすことが好適である。本発明では、裏面加工工程において、半導体ウェハの裏面が、外部から受ける圧力P-P4は、バックグラインド工程において、半導体ウェハの裏面が、外部から受ける圧力P2P0-P1と同一となるように設定される。これにより、半導体ウェハの裏面が裏面加工工程時に受ける圧力は、バックグラインド工程時と同一となるため、半導体ウェハの裏面を、ほぼ平面になるように矯正することができる。したがって、裏面加工工程の精度を向上することができる。請求項3に記載のように、裏面加工工程が、露光工程であると有効である。露光工程では、マスクを透過した光をレンズで集光して半導体ウェハの裏面に、レジストパターンを形成する。本発明では、裏面加工工程において、半導体ウェハの裏面段差を矯正しつつ、光を半導体ウェハ上のレジストに照射することができるため、マスク-半導体ウェハ間距離のばらつきを小さくすることができ、これにより、レジストパターンの解像度を向上することができる。請求項4に記載のように、露光工程が、プロキシミティ露光工程であると特に有効である。プロキシミティ露光工程は、露光工程のうち、マスク-半導体ウェハ間の距離をμmオーダー程度に設定して露光する方式であり、半導体ウェハの裏面段差が形成後のレジストパターンの精度に与える影響は、その他の露光方式に較べて大きい。したがって、プロキシミティ露光において、ウェハの裏面段差を矯正する方法を採用することにより、より効果的にレジストパターンの精度を向上することができる。また、請求項5に記載のように、裏面加工工程は、レーザーアニール工程であっても有効である。レーザーアニール工程では、レーザー光を用いて半導体ウェハの裏面をアニールする。本発明では、裏面加工工程において、半導体ウェハの裏面段差を矯正しつつ、レーザー光を半導体ウェハの裏面に照射することができるため、焦点深度が裏面段差の高さよりも浅いレーザー光を用いたレーザーアニールであっても、半導体ウェハの裏面段差を矯正しない場合に較べて、裏面の活性化領域を一様にすることができる。これにより、半導体ウェハの裏面のアニールのムラを抑制することができる。また、請求項6に記載のように、矯正圧Pは、半導体ウェハと、凹凸パターンおよび半導体ウェハの裏面に形成される裏面パターンに対して、不活性な気体により印加されることが好ましい。これによれば、矯正圧を印加するための気体が、半導体ウェハと、その半導体ウェハに形成される素子などの構造パターンに対して化学的な影響を与えることを回避することができる。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分に、同一符号を付与する。第1実施形態最初に、図1および図2を参照して本実施形態に係る半導体装置10の構成について説明する。本実施形態に係る半導体装置10は縦型素子、例えば縦型の絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBT等を有する。すなわち、電流が流れる一対の電極が半導体基板の表面とその裏面に分けて配置された両面電極素子を有する。図1および図2に示すように、この半導体装置10は、半導体ウェハ11の表面11a側に、図示しないエミッタ層やベース層といった不純物領域が形成されている。そして、図示しない層間絶縁膜を介して、エミッタ電極、ゲート電極、配線などが形成されている。また、これら表面側の構造を保護する目的で、ポリイミド等の有機樹脂膜からなる保護膜12が形成されている。すなわち、半導体ウェハ11の表面11aには、上記の構造物により構成された凹部と凸部を有する凹凸パターンが形成されている。この保護膜12は、半導体ウェハ11の表面11aから、保護膜12の表面12aまでの厚さが略5~20μmであり、半導体ウェハ11の表面11a上に形成された構造物の中で、最も厚い凸部を形成している。図2においては、凹凸パターンを形成する要素として、保護膜12のみを示している。また、図示しないが、半導体ウェハ11の裏面11bには、コレクタ層等の不純物領域のほか、コレクタ電極が形成されている。なお、スクライブ領域11cには、配線や外部との電気的な接続のためのパッド等が形成されないため、スクライブ領域11cにおける保護膜12は、半導体ウェハ11の表面11aからの高さが、最も高い部分12aに相当よりも低くなっている。すなわち、凹部が形成されている。また、スクライブ領域11cに保護膜12が形成されず、これにより、スクライブ領域11cにも凹部が形成されることもある。上記した構造は、半導体ウェハ11において、所定の周期性を持って形成されている。半導体装置10は、その半導体ウェハ11に複数形成された単位セルをダイシング工程により分割して得られる。なお、ダイシング工程については、一般的なダイシングの方法に準ずるため、詳細の説明を省略する。また、図1に示した単位セルのサイズ、半導体ウェハ11の表面11a上における形成位置、ならびに形成個数は一例であり、図1に示す例に限定されない。また、形成される素子に関しても、IGBTに限定されるものではない。次に、図3~図7を参照して本実施形態に係る半導体装置10の製造方法について説明する。本実施形態では、半導体ウェハ11の裏面11b上に、紫外線露光によりレジストパターンを形成する方法を例に説明する。先ず、図示しないが、半導体ウェハ11の表面11a上に、保護膜12を含む凹凸パターンを有する表面側の構造を形成する。この工程については、例えばIGBTを、半導体ウェハ11の表面11a上に形成する一般的な方法に準じるため、詳細の記載を省略する。本実施形態では、半導体ウェハ11として、例えば、直径200mm、厚さ725μmのシリコンウェハを用いる。次いで、図3aに示すように、凹凸パターンが形成された半導体ウェハ11を、保護膜12の表面12aが当接するように、吸着ステージ13上に配置する。すなわち、半導体ウェハ11の凹部は、半導体ウェハ11、保護膜12および吸着ステージ13に囲まれた状態となる。吸着ステージ13には真空ポンプ14が接続されており、吸着ステージ13のうち、保護膜12の表面12aが接する面には排気孔が複数設けられている。半導体ウェハ11の凹部は、排気孔を介して真空ポンプ14に繋がっている。真空ポンプ14を用いて凹部内の気圧P1を、外部雰囲気の圧力P0に対して、負圧P1<P0とすることにより、半導体ウェハ11を吸着ステージ13に吸着固定する。P0およびP1は特に限定されるものではないが、本実施形態においては、例えば、P0≒1.0×105Pa大気圧、P1≒1.0×102Paとすることができる。なお、この工程が、特許請求の範囲に記載の吸着工程に相当する。吸着工程により、半導体ウェハ11は、半導体ウェハ11、保護膜12および吸着ステージ13に囲まれた空間凹部の外側から圧力を受け、凹部の底面に対応する部分が吸着ステージ13側に湾曲する。これに伴って、湾曲した表面11aの部分に対応する裏面11bの部分も吸着ステージ13側に湾曲して、半導体ウェハ11の裏面11bに凹凸が生じる。次いで、図3bに示すように、砥石15により半導体ウェハ11の裏面11bを研削バックグラインドして、半導体ウェハ11を厚さ略100μmまで薄層化する。この工程が、特許請求の範囲に記載のバックグラインド工程に相当する。図3bにおいては、砥石15が紙面右側から、破線に沿って紙面左側に向かって移動しながら、半導体ウェハ11の裏面11bをバックグラインドするようになっている。図3cは、砥石15が裏面11b上を移動する途中の概略図である。バックグラインド工程において、裏面11bは、砥石15から研削圧P2を受けつつ平坦に研削される。このとき、砥石15により研削されている最中の半導体ウェハ11の裏面11bは、真空ポンプ14による排気で生じた裏面11b側から表面11a側に向かう圧力P0-P1と、バックグラインド時に裏面11bが砥石15から受ける研削圧P2との合力P2P0-P1を受ける。一方、研削された後、すなわち、砥石15が通過した後の裏面11bは、研削圧P2を失う。そして、裏面11bは、吸着ステージ13とは反対側の外部雰囲気側に向かって裏面段差16を生じる。本実施形態においては、半導体ウェハ11と砥石15とを、図4および図5に示すような構成にすることによりバックグラインド工程を実施する。すなわち、半導体ウェハ11と同一の直径を有する平板円形状の砥石15を、半導体ウェハ11の裏面11bに対して、鋭角となる所定の角度だけ傾斜させて配置し、半導体ウェハ11および砥石15を互いに回転させることにより、半導体ウェハ11の裏面11bを研削する。本実施形態では、半導体ウェハ11の裏面11bと砥石15とが、砥石15の円周の1/6、且つ、径方向の幅が略0.1mmの領域の切削面17をもって研削が行われる。なお、バックグラインド工程時に裏面11bが砥石15から受ける研削圧P2は、半導体ウェハ11が割損しない範囲において特に限定されない。本実施形態では、例えば、砥石15の自重例えば1.0kgにより切削圧P2を印加することができる。すなわち、砥石15の自重および切削面17の面積から、P2≒9.4×104Paとすることができる。なお、図4および図5において、吸着ステージ13や、半導体ウェハ11の表面11aおよび裏面11bに生じた凹凸は省略している。次いで、半導体ウェハ11の裏面11bを加工する裏面加工工程を実施する。本実施形態では、イオン注入などのマスキングに用いられるレジストパターンを形成する工程を例に説明する。なお、レジスト自体の形成は、一般的なレジスト形成の方法に準じるため、詳細の説明を省略し、レジストへ紫外線を露光する露光工程について説明する。先ず、露光工程を実現するための構成について説明する。図6に示すように、ステージ18が圧力チャンバ19内に配置されている。本実施形態において、ステージ18には、バックグラインド工程で用いられた吸着ステージ13のように、真空ポンプ20が接続されており、ステージ18のうち、保護膜12の表面12aが接する面には排気孔が複数設けられている。半導体ウェハ11の凹部は、排気孔を介して真空ポンプ20に繋がっている。本実施形態では、半導体ウェハ11、保護膜12およびステージ18に囲まれた空間凹部の圧力P4を、バックグラインド工程時と同一の圧力P1、すなわち、P4=P1≒1.0×102Paとして、バックグラインド工程後の半導体ウェハ11が、ステージ18に吸着固定される。圧力チャンバ19は、上面にガラス窓21を有しており、圧力チャンバ19内部には、ガラス窓21と半導体ウェハ11の間であって、半導体ウェハ11の裏面11bと対向するようにマスク22が配置されている。そして、圧力チャンバ19の外側であって、ガラス窓21に対して、マスク22と反対側に、紫外光源23が配置されている。また、圧力チャンバ19には図示しない圧力ボンベが接続されており、圧力チャンバ19内部の圧力を任意に調整できるようになっている。次に、露光工程の手順について説明する。図7に示すように、圧力ボンベから圧力チャンバ19内にアルゴンガス24を導入することにより、圧力チャンバ19内の圧力を矯正圧Pとする。本実施形態では、矯正圧Pが、バックグラインド工程時の外部雰囲気の圧力P0≒1.0×105Pa、すなわち大気圧と、バックグラインド工程において、砥石15により半導体ウェハ11の裏面11bが受ける切削圧P2≒9.4×104Paとの和と同一の圧力となるように設定する。すなわち、P=P2P0≒1.94×105Paとなるように設定する。そして、紫外光線23を点灯し、半導体ウェハ11の裏面11bに予め形成したレジストに対して、ガラス窓21およびマスク22を介して紫外線を照射する。このように、マスク22の形状に対応したレジストパターンを形成する。最後に、上述の方法を採用した場合の作用効果について説明する。本実施形態では、裏面加工工程において、外部雰囲気として矯正圧Pを印加しつつ、半導体ウェハ11の裏面11bを加工する。特に、本実施形態においては、半導体ウェハ11、保護膜12およびステージ18に囲まれた空間凹部の圧力P4を、バックグラインド工程時と同一の圧力P1、すなわち、P4=P1とし、矯正圧PをP=P2P0≒1.94×105Paとなるように設定している。このため、半導体ウェハ11の裏面11bが裏面加工工程時に外部から受ける圧力は、バックグラインド工程時と同一となる。したがって、半導体ウェハ11の裏面11bを、ほぼ平面になるように矯正しつつ、裏面11bを加工することができる。したがって、レジストへの露光工程において、マスク-半導体ウェハ間距離のばらつきを小さくすることができ、レジストパターンの解像度を向上することができる。なお、本実施形態では、マスク22と半導体ウェハ11の裏面11bとの距離は特に限定するものではないが、露光工程がプロキシミティ露光である場合には、上記説明した作用効果をより発揮することができる。すなわち、プロキシミティ露光は、マスク-半導体ウェハ間の距離をμmオーダー程度に設定して露光する方式であり、半導体ウェハ11の裏面段差16が形成後のレジストパターンの精度に与える影響は、その他の露光方式に較べて大きい。したがって、プロキシミティ露光において、半導体ウェハ11の裏面段差16を矯正する方法を採用することにより、より効果的にレジストパターンの精度を向上することができる。第2実施形態第1実施形態では、裏面加工工程として、イオン注入などのマスキングに用いられるレジストの露光工程の例を示した。これに対して、本実施形態では、裏面加工工程として、イオン注入後の不純物の活性化方法のうちレーザーアニールを用いる例を示す。なお、吸着工程およびバックグラインド工程は、第1実施形態と同様であるため、その記載を省略する。図8に示すように、レーザーアニール工程を実現するための構成は、第1実施形態に示した露光工程の構成に対して、マスク22と紫外光線23とが無く、紫外光線23の代わりとしてレーザー源25が配置される。本実施形態においても、第1実施形態と同様に、半導体ウェハ11、保護膜12およびステージ18に囲まれた空間凹部の圧力P4を、バックグラインド工程時に半導体ウェハ11を吸着ステージ13に固定する場合と同一の圧力P1、すなわち、P4=P1として、半導体ウェハ11をステージ18に吸着固定する。そして、圧力ボンベから圧力チャンバ19内にアルゴンガス24を導入して、矯正圧PがP=P2P0≒1.94×105Paとなるように設定する。そして、レーザー源25を点灯し、予め不純物イオンが注入された半導体ウェハ11の裏面11bに対し、ガラス窓21を介してレーザー光を照射することにより、裏面11bを活性化する。本実施形態における構成では、半導体ウェハ11の裏面11bがレーザーアニール工程時に外部から受ける圧力は、バックグラインド工程時と同一となる。したがって、半導体ウェハ11の裏面11bを、ほぼ平面になるように矯正することができる。したがって、図9に示すように、焦点深度26が裏面段差16の高さよりも浅いレーザー光を用いたアニールであっても、裏面11bの裏面段差16を矯正しない場合図9aまたは図9bに較べて、裏面11bの活性化領域27を一様にすることができる図9c。すなわち、裏面段差16を矯正しない場合においては、図9aに示すように、レーザー光の焦点深度26が裏面段差16の頂部に位置するようになる、または、図9bに示すように、焦点深度26が裏面段差16の凸部がない部分に位置するようになるため、裏面11bの活性化領域27を一様にすることができない。一方で、裏面段差16を矯正する場合においては、図9cに示すように、活性化領域27を裏面11bに一様に形成することができる。第3実施形態上記した各実施形態では、裏面加工工程において、矯正圧Pが、バックグラインド工程における外部雰囲気の圧力P0と、砥石15により半導体ウェハ11の裏面11bが受ける切削圧P2との和と同一の圧力となるように設定することにより、半導体ウェハ11の裏面11bに生じた裏面段差16をほぼ平坦に矯正する例を示した。これに対して、本実施形態では、矯正圧Pを、0<P-P4<P3の関係を満たす任意の圧力に設定する例を示す。ここで、P3は、本実施形態におけるバックグラインド工程後の半導体ウェハ11の抗折強度である。本実施形態では、P3は100μmの厚さを有するシリコンウェハの抗折強度であり、P3≒2.9×108Paである。これによれば、矯正圧PがP>P4を満たすので、凸状に突出した半導体ウェハ11の裏面段差16は、半導体ウェハ11、保護膜12およびステージ18に囲まれた空間の外側から圧力を受け、ステージ18に向かう方向に押し込まれる。したがって、半導体ウェハ11の裏面段差16を矯正することができる。これにより、裏面段差16を矯正しない場合に較べて、裏面加工の精度を向上させることができる。例えば、第2実施形態のようなレーザーアニール工程に、本発明を適用する場合には、裏面段差16の高さが、レーザー光の焦点深度26よりも小さくなるように、矯正圧Pを調整することにより、活性化領域27を裏面11b全体に形成することができる。さらに、P-P4<P3を満たすので、裏面加工工程において、矯正圧Pが印加された場合に、半導体ウェハ11の裏面11bが、外部から受ける圧力P-P4、すなわち、半導体ウェハ11をステージ18側に湾曲させる圧力、が半導体ウェハ11の抗折強度P3を超えないように設定される。したがって、半導体ウェハ11が割損することはない。その他の実施形態以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。上記した各実施形態では、吸着工程から裏面加工工程にわたって、半導体ウェハ11、保護膜12およびステージ18に囲まれた空間凹部の圧力をP1=P4≒1.0×102Paに設定したが、上記例に限定されない。吸着工程における凹部の圧力P1と裏面加工工程における凹部の圧力P4とは、互いに異なっていてもよい。換言すれば、裏面加工工程において、P4は任意に選ぶことができ、半導体ウェハ11が配置されるステージ18は、吸着する機構、例えば、真空ポンプ20等の設備を備えている必要はない。具体的には、P-P4=P2P0-P1の関係を満たすようにすれば、第1実施形態と同一の効果を奏することができる。すなわち、裏面加工工程において、半導体ウェハ11の裏面11bが、外部から受ける圧力P-P4は、バックグラインド工程において、半導体ウェハ11の裏面11bが、外部から受ける圧力P2P0-P1と同一となるように設定される。これにより、半導体ウェハ11の裏面11bが裏面加工工程時に受ける圧力は、バックグラインド工程時と同一となるため、半導体ウェハ11の裏面11bを、ほぼ平面になるように矯正することができる。あるいは、0<P-P4<P3の関係を満たすようにすれば、第2実施形態と同一の効果を奏することができる。すなわち、P>P4を満たすので、凸状に突出した半導体ウェハ11の裏面段差16は、半導体ウェハ11、保護膜12およびステージ18に囲まれた空間の外側から圧力を受け、ステージに向かう方向に押し込まれる。したがって、半導体ウェハ11の裏面段差16を矯正することができる。そして、P-P4<P3を満たすので、裏面加工工程において、矯正圧Pが印加された場合に、半導体ウェハ11の裏面11bが、外部から受ける圧力P-P4、すなわち、半導体ウェハ11をステージ18側に湾曲させる圧力、が半導体ウェハ11の抗折強度P3を超えないように設定される。したがって、半導体ウェハ11が割損することはない。また、上記した各実施形態では、矯正圧Pを印加するための気体として、アルゴンガス24を用いる例を示したが、この気体は、半導体ウェハ11と、凹凸パターンおよび半導体ウェハ11の裏面11bに形成される裏面パターンに対して、不活性な気体であればよく、例えば窒素ガスや乾燥大気を用いることもできる。また、矯正圧Pの印加方法として、上記した各実施形態では、圧力チャンバ19に接続された圧力ボンベから気体を導入する方法を採る例を示したが、この例に限定されるものではない。例えば、ピストンにより圧力チャンバ19内の矯正圧Pを印加することもできる。また、揮発性の液体例えばアルコール類を圧力チャンバ19内に導入し、圧力チャンバ19を、ヒータ等を用いて昇温することにより、揮発性の液体を蒸発させて圧力チャンバ19内の矯正圧Pを印加することもできる。なお、上記した各実施形態では、裏面加工工程として、レジストへの紫外線の露光工程およびレーザーアニール工程の例を示したが、上記例に限定されるものではない。半導体ウェハ11の裏面11bの加工において高真空を必要とするスパッタやイオン注入等、矯正圧を印加することができない工程を除く裏面加工工程に適用することができる。バックグラインド工程により半導体ウェハ11の裏面11bに発生した裏面段差16を矯正しつつ、裏面11bの加工を行うことによって、より設計値に近い形状に加工することができる。