"銅箔の光沢面側にニッケル-コバルト合金めっき層が施されたフレキシブルプリント配線板用銅箔において、前記ニッケル-コバルト合金めっき層の{011}面方位を有する結晶粒の占める面積の割合が、80以上であることを特徴とするフレキシブルプリント配線板用銅箔。前記ニッケル-コバルト合金めっき層の平均結晶粒径が、5μm以下であることを特徴とする請求項1に記載のフレキシブルプリント配線板用銅箔。前記ニッケル-コバルト合金めっき層のめっき量が、60μg/cm2以下であることを特徴とする請求項1または2に記載のフレキシブルプリント配線板用銅箔。銅箔の光沢面側にニッケル-コバルト合金めっき層を施したフレキシブルプリント配線板用銅箔の製造方法において、前記ニッケル-コバルト合金めっき層の{011}面方位を有する結晶粒の占める面積の割合が、80以上であることを特徴とするフレキシブルプリント配線板用銅箔の製造方法。請求項1ないし3のいずれかに記載のフレキシブルプリント配線板用銅箔を用いて作成されたフレキシブルプリント配線板。特許文献1および特許文献2の方法で示されるように、銅箔の光沢面にニッケルめっき層又はニッケル-コバルト合金めっき層を付与することで、裾引きの発生は軽減される。すなわち、銅よりもエッチング速度が遅く、かつ銅と同じエッチング液でエッチング可能な皮膜を設け、この皮膜と共にエッチングすることにより、銅箔のエッチングレジスト側の横方向へのエッチングの進行を抑制し、裾引きの発生を抑えることが出来る。しかし、ニッケルめっき層又はニッケル-コバルト合金めっきにおいても条件によってエッチング速度が異なるめっき皮膜が形成されるため、同じエッチング条件では配線の形状にバラツキが発生する問題があり、フレキシブルプリント配線板への実用化にあたり未だ充分とは言えない。そこで、本発明は、銅箔とポリイミドなどのフィルム基材を貼り合わせたCCLに対して回路形成を行う工程において、エッチングによる裾引きを防止し、回路幅の均一な回路を形成できるフレキシブルプリント配線板用銅箔及びフレキシブルプリント配線板を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明は、銅箔の光沢面側にニッケル-コバルト合金めっき層が施されたフレキシブルプリント配線板用銅箔において、前記ニッケル-コバルト合金めっき層の{011}面方位を有する結晶粒の占める面積の割合が、80以上であることを特徴とするフレキシブルプリント配線板用銅箔を提供する。また、前記ニッケル-コバルト合金めっき層の平均結晶粒径が、5μm以下であることが好ましい。さらに、前記ニッケル-コバルト合金めっき層のめっき量が、60μg/cm2以下であることが好ましい。また、銅箔の光沢面側にニッケル-コバルト合金めっき層を施したフレキシブルプリント配線板用銅箔の製造方法において、前記ニッケル-コバルト合金めっき層の{011}面方位を有する結晶粒の占める面積の割合が、80以上であることを特徴とするフレキシブルプリント配線板用銅箔の製造方法を提供する。また、前記フレキシブルプリント配線板用銅箔を用いて作成されたフレキシブルプリント配線板を提供する。本発明によれば、CCLのエッチング工程における裾引きの発生を防止し、回路幅の均一な回路を形成できるフレキシブルプリント配線板用銅箔、その製造方法及びフレキシブルプリント配線板を提供することができる。本発明のニッケル-コバルト合金めっき層の概要図1は、本発明の実施の形態に係るフレキシブルプリント配線板用銅箔の断面図である。光沢面にニッケル-コバルト合金めっき層4が施された銅箔2と、その銅箔2のマット面にポリイミドなどのフィルム基材3を貼り合わせて作製したCCLに対して、回路形成を行う工程において、ニッケル-コバルト合金めっき層4の表面にエッチングレジスト1を形成する。CCLに加工された状態において、光沢面表面に結晶配向の規定されたニッケル-コバルト合金めっき層4が存在することにより、配線形成のためのエッチング工程においてニッケル-コバルト合金めっき層近傍の銅箔2のエッチング速度が抑制され、良好な配線形状が得られる。従来においても、光沢面にニッケル-コバルト合金めっき層4が施された銅箔2は使用されていたが、従来はニッケル-コバルト合金めっき層4の結晶配向を特に意識しておらず、めっき層の効果が顕著ではなかった。本発明では、銅箔2の光沢面に対して結晶粒の結晶配向を{011}に揃える=面積率80以上ことにより効果が格段に顕著となった。ここで、{011}面方位を有する結晶粒とは、銅箔2の厚み方向に対して{011}面の法線が15°以内にある結晶粒を指す。{011}面積率が80未満であると、銅箔表面の場所によってエッチング速度が異なる領域が増加し、場所によって配線形状の劣る領域が発生する。また、CCLに加工された状態におけるニッケル-コバルト合金めっき層4の平均結晶粒径は5μm以下であることが望ましい。平均結晶粒径が5μmより大きい場合、エッチングによって形成される配線の直線性が低下するからであり、場所により配線形状に変化が生じる。また、ニッケル-コバルト合金めっき層4のめっき量は、60μg/cm2以下であることが望ましい。めっき量が60μg/cm2より大きい場合、ニッケル-コバルト合金めっき層をエッチングで除去するためにかかるエッチング時間が長くなり、実用的ではないからである。また、場合によってはエッチング量が不足し、エッチング残りによる配線不良が発生する可能性もある。ここで、実施の形態では、CCLに加工される前の銅箔について、ニッケル-コバルト合金めっき層の面方位については規定しない。すなわち、CCL加工時に与えられる熱による再結晶によって{011}面方位を発生させても良いし、めっき処理の時点で{011}面方位のめっき層を作成し、CCL加工時に安定して存在させても良い。これら{011}面方位の割合および平均結晶粒径は、SEM-EBSPScanningElectronMicroscope-ElectronBackScatteringPattern法により求められる。また、めっき量は、ICP-OESInductivelyCoupledPlasma-OpticalEmissionSpectroscopyにより求められる。以下、上記の特徴を有するニッケル-コバルト合金めっき層が施された銅箔について、実施例を用いてさらに具体的に説明する。本実施の形態では、光沢面にニッケル-コバルト合金めっき層4を施した銅箔2のマット面にポリイミドなどのフィルム基材3を貼り合わせたCCLに対して、回路形成を行う工程において、ニッケル-コバルト合金めっき層4の表面にエッチングレジスト1を貼り付け、塩化第二鉄エッチングにより直線回路を形成した。エッチング条件は、温度40°C、スプレー圧0.75kg/cm2、時間30秒である。この回路の断面を観察し、図5のように銅箔の配線上部幅aと下部幅bを測定した。この測定値と銅箔厚みhよりエッチング率を以下の数式数1のように求める。エッチング状態は、このエッチング率で評価する。すなわち、この値が高いほど、配線の形状は良好と言うことになる。表1は、実施例及び比較例におけるニッケル-コバルト合金めっき4の{011}面積率、めっき量、平均結晶粒径、銅箔の配線上部幅a及び下部幅b、銅箔厚みh、エッチング率を示した表である。まず、厚み18μmの圧延銅箔を用意した。この銅箔の光沢面に対し、ニッケル40g/L、コバルト5g/L、pH4、温度40°Cのニッケル-コバルト合金めっき液を用いて電流密度5A/dm2、時間4秒のめっき条件でニッケル-コバルト合金めっきを施した。この時のニッケルとコバルトをあわせためっき量は40μg/cm2であった。この銅箔を用いてマット面にポリイミドワニス宇部興産U-ワニスAを塗布、270°C×15分加熱硬化させることでCCLを作成した。この時のSEM-EBSP法による{011}面積率および平均結晶粒径はそれぞれ81と5μmだった。SEM-EBSP法は日立ハイテクノロジーズ製SU-70およびTSL製OIMを用い、SEM倍率5000倍、傾斜70°、測定領域10μm×10μm、測定ステップ0.01μmで実施した。このCCLに前述の方法でエッチングを行い、エッチング率数1を求めると、配線の配線上部幅aと下部幅bの幅はほぼ同じであり、9.7と高い数値が得られ、良好な銅箔回路を得ることが出来た。実施例2実施例1と同様に18μmの銅箔の光沢面に対し、ニッケル-コバルト合金めっき処理を施した。めっき条件はニッケル40g/L、コバルト5g/L、pH4、温度40°Cで電流密度10A/dm2、時間2秒とした。この時のニッケルとコバルトをあわせためっき量は60μg/cm2であった。この銅箔を用いて実施例1と同様の方法でCCLを作成した。この時のめっき層の{011}面積率と平均結晶粒径は85と3μmだった。このCCLを用い、前述の方法でエッチングを行い、配線上部幅と下部幅を測定した。これにより、配線上部幅と下部幅がほぼ同じであり、エッチング率10.6と高い数値が得られ、良好な銅箔回路が得られることを確認した。実施例3実施例1、2と同様に18μmの銅箔の光沢面に対し、平滑な銅めっき処理を施し、続いてニッケル-コバルト合金めっき処理を施した。銅めっき条件は、銅50g/L、硫酸100g/L、温度40°C、電流密度8A/dm2、時間4秒とした。ニッケル-コバルト合金めっきはニッケル40g/L、コバルト5g/L、pH4、温度40°Cで電流密度5A/dm2、時間4秒とした。この時のニッケルとコバルトをあわせためっき量は45μg/cm2であった。この銅箔を用いて同様にCCLを作成した。この時のめっき層の{011}面積率と平均結晶粒径は82と5μmだった。このCCLを用いて前述の方法でエッチングを行い、配線の上部幅と下部幅を測定した。実施例1,2と同様に配線の上部幅と下部幅がほぼ同じであり、エッチング率10.9という高い数値が得られ、良好な銅箔回路が得られることを確認した。比較例1実施例1~3と同様に18μmの銅箔の光沢面に対し、ニッケル-コバルト合金めっき処理を施した。めっき条件はニッケル40g/L、コバルト5g/L、pH4、温度40°Cで電流密度5A/dm2、時間6秒とした。この時のニッケルとコバルトをあわせためっき量は60μg/cm2であった。この銅箔を用いて同様にCCLを作成した。この時のめっき層の{011}面積率と平均結晶粒径は75と5μmだった。このCCLを用いて同様にエッチングを行い、配線の上部幅と下部幅を測定した。測定した結果、配線の上部幅と下部幅の差が大きく、エッチング率は5.7と実施例1~3に比べて低い数値になり、エッチング不良の配線が形成された。比較例2同様に18μmの銅箔の光沢面に対し、ニッケル-コバルト合金めっき処理を施した。めっき条件はニッケル40g/L、コバルト5g/L、pH4、温度40°Cで電流密度10A/dm2、時間3秒とした。この時のニッケルとコバルトをあわせためっき量は80μg/cm2であった。この銅箔を用いて実施例1と同様の方法でCCLを作成した。この時のめっき層の{011}面積率と平均結晶粒径は75と3μmだった。このCCLを用いて同様にエッチングを行ったところ、実施例1のエッチング条件ではエッチング残りが多く発生した。そのため、配線上部幅と下部幅を測定できず、エッチング率も計算できなかった。比較例3同様に18μmの銅箔の光沢面に対し、ニッケル-コバルト合金めっき処理を施した。めっき条件はニッケル40g/L、コバルト5g/L、pH4、温度40°Cで電流密度1A/dm2、時間20秒とした。この時のニッケルとコバルトをあわせためっき量は60μg/cm2であった。この銅箔を用いて同様にCCLを作成した。この時のめっき層の{011}面積率と平均結晶粒径は80と10μmだった。このCCLを用いて同様にエッチングを行い、配線の上部幅と下部幅を測定した。測定した結果、配線の上部幅と下部幅の差が大きくなり、エッチング率は5.5と実施例1~3に比べて低い数値になり、エッチング不良の配線が形成された。上記の実施例と比較例から、配線板の良好な銅箔回路を得るためには、実施例1~3の条件を満たすことが望ましいことがわかる。すなわち、ニッケル-コバルト合金めっき層の{011}面積率は80以上、平均結晶粒径は5μm以下、めっき量は60μg/cm2以下であることが望ましい。以上、本発明の実施の形態及び実施例を説明したが、上記に記載した実施の形態及び実施例は、本発明を何ら制限するものではない。例えば、図4に本発明の他の実施形態であるプリント配線板用銅箔の断面模式図を示す。このプリント配線板用銅箔は、電解銅箔または圧延銅箔である銅箔基材2の表面にニッケル-コバルト合金めっき層4を付与した後、その表層側に防錆、耐食、耐酸化などの効果を付するために、亜鉛めっき層5、クロメート処理層6を形成した積層構造となっている。このニッケル-コバルト合金めっき層は、上記と同様にCCLに加工された状態で{011}面方位が面積率として80以上を占める。また、銅箔基材2とニッケル-コバルト合金めっき層4の間に銅めっき層を設けても良い。また、銅箔基材2の樹脂基材ポリイミド基材3との接着面においても、粗化めっき層を形成し、さらに、ニッケル-コバルト合金めっき層、亜鉛めっき層、クロメート層、シランカップリング処理層を形成しても良い図示せず。以上のように本実施の形態に係るフレキシブルプリント配線板用銅箔は、ニッケル-コバルト合金めっき層の{011}面積率を80以上、平均結晶粒径を5μm以下、めっき量を60μg/cm2以下とすることで、ニッケル-コバルト合金めっき層の効果が格段に顕著となり、従来問題になっていたCCLのエッチング工程における裾引きの発生を防止し、均一な回路幅のフレキシブルプリント配線板を提供することができる。"