第1の信号線及び第2の信号線と、第1の走査線、第2の走査線、第3の走査線、及び第4の走査線と、第1の画素及び第2の画素と、前記第1の走査線及び前記第3の走査線に選択信号を供給する機能を有する第1のシフトレジスタ、並びに前記第2の走査線及び前記第4の走査線に選択信号を供給する機能を有する第2のシフトレジスタと、を有し、前記第1の画素は、ゲートが前記第1の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記第1の信号線に電気的に接続された第1のトランジスタと、ゲートが前記第2の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記第2の信号線に電気的に接続された第2のトランジスタと、一方の電極が前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方並びに前記第2のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続された第1の液晶素子と、を有し、前記第2の画素は、ゲートが前記第3の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記第1の信号線に電気的に接続された第3のトランジスタと、ゲートが前記第4の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記第2の信号線に電気的に接続された第4のトランジスタと、一方の電極が前記第3のトランジスタのソース及びドレインの他方並びに前記第4のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続された第2の液晶素子と、を有し、前記第1のトランジスタ乃至前記第4のトランジスタのチャネル形成領域に非晶質半導体又は微結晶半導体が含まれ、前記第1の信号線は、第1のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第1の画像信号が供給され、且つ第2のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第2の画像信号が供給され、第2の信号線は、前記第1のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第3の画像信号が供給され、且つ前記第2のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第4の画像信号が供給され、前記第1のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において、前記第1の走査線と前記第4の走査線に選択信号が供給され、且つ前記第2の走査線と前記第3の走査線に非選択信号が供給され、前記第2のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において、前記第2の走査線と前記第3の走査線に選択信号が供給され、且つ前記第1の走査線と前記第4の走査線に非選択信号が供給される液晶表示装置。第1の信号線、第2の信号線、及び第3の信号線と、第1の走査線、第2の走査線、第3の走査線、第4の走査線、第5の走査線、第6の走査線、第7の走査線、第8の走査線、及び第9の走査線と、第1の画素、第2の画素、及び第3の画素と、前記第1の走査線、前記第4の走査線、及び前記第7の走査線に選択信号を供給する機能を有する第1のシフトレジスタ、前記第2の走査線、前記第5の走査線、及び前記第8の走査線に選択信号を供給する機能を有する第2のシフトレジスタ、並びに、前記第3の走査線、前記第6の走査線、及び前記第9の走査線に選択信号を供給する機能を有する第3のシフトレジスタと、を有し、前記第1の画素は、ゲートが前記第1の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記第1の信号線に電気的に接続された第1のトランジスタと、ゲートが前記第2の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記第2の信号線に電気的に接続された第2のトランジスタと、ゲートが前記第3の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記第3の信号線に電気的に接続された第3のトランジスタと、一方の電極が前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方、前記第2のトランジスタのソース及びドレインの他方並びに前記第3のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続された第1の液晶素子と、を有し、前記第2の画素は、ゲートが前記第4の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記第1の信号線に電気的に接続された第4のトランジスタと、ゲートが前記第5の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記第2の信号線に電気的に接続された第5のトランジスタと、ゲートが前記第6の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記第3の信号線に電気的に接続された第6のトランジスタと、一方の電極が前記第4のトランジスタのソース及びドレインの他方、前記第5のトランジスタのソース及びドレインの他方並びに前記第6のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続された第2の液晶素子と、を有し、前記第3の画素は、ゲートが前記第7の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記第1の信号線に電気的に接続された第7のトランジスタと、ゲートが前記第8の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記第2の信号線に電気的に接続された第8のトランジスタと、ゲートが前記第9の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記第3の信号線に電気的に接続された第9のトランジスタと、一方の電極が前記第7のトランジスタのソース及びドレインの他方、前記第8のトランジスタのソース及びドレインの他方並びに前記第9のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続された第3の液晶素子と、を有し、前記第1のトランジスタ乃至前記第9のトランジスタのチャネル形成領域に非晶質半導体又は微結晶半導体が含まれ、前記第1の信号線は、第1のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第1の画像信号が供給され、且つ第2のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第2の画像信号が供給され、且つ第3のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第3の画像信号が供給され、前記第2の信号線は、前記第1のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第4の画像信号が供給され、且つ前記第2のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第5の画像信号が供給され、且つ前記第3のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第6の画像信号が供給され、第3の信号線は、前記第1のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第7の画像信号が供給され、且つ前記第2のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第8の画像信号が供給され、且つ前記第3のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第9の画像信号が供給され、前記第1のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において、前記第1の走査線、前記第5の走査線、及び前記第9の走査線に選択信号が供給され、且つ前記第2の走査線、前記第3の走査線、前記第4の走査線、前記第6の走査線、前記第7の走査線、及び前記第8の走査線に非選択信号が供給され、前記第2のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において、前記第3の走査線、前記第4の走査線、及び前記第8の走査線に選択信号が供給され、且つ前記第1の走査線、前記第2の走査線、前記第5の走査線、前記第6の走査線、前記第7の走査線、及び前記第9の走査線に非選択信号が供給され、前記第3のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において、前記第2の走査線、前記第6の走査線、及び前記第7の走査線に選択信号が供給され、且つ前記第1の走査線、前記第3の走査線、前記第4の走査線、前記第5の走査線、前記第8の走査線、及び前記第9の走査線に非選択信号が供給される液晶表示装置。第1の信号線及び第2の信号線と、第1の走査線及び第2の走査線と、第1の画素及び第2の画素と、前記第1の走査線に選択信号を供給する機能を有する第1のシフトレジスタ、及び前記第2の走査線に選択信号を供給する機能を有する第2のシフトレジスタと、を有し、前記第1の画素は、ゲートが前記第1の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記第1の信号線に電気的に接続された第1のトランジスタと、一方の電極が前記第1のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続された第1の液晶素子と、を有し、前記第2の画素は、ゲートが前記第2の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が前記第2の信号線に電気的に接続された第2のトランジスタと、一方の電極が前記第2のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続された第2の液晶素子と、を有し、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタのチャネル形成領域に非晶質半導体又は微結晶半導体が含まれ、前記第1の信号線は、第1のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第1の画像信号が供給され、且つ第2のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第2の画像信号が供給され、前記第2の信号線は、前記第1のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第3の画像信号が供給され、且つ前記第2のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第4の画像信号が供給され、前記第1のサンプリング期間に含まれる水平走査期間及び前記第2のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において、前記第1の走査線及び前記第2の走査線に選択信号が供給される液晶表示装置。請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記第1のシフトレジスタ及び前記第2のシフトレジスタが、チャネル形成領域に非晶質半導体又は微結晶半導体が含まれるトランジスタを用いて構成される液晶表示装置。チャネル形成領域に非晶質半導体又は微結晶半導体が含まれる第1のトランジスタ及び第2のトランジスタを有する画素がマトリクス状に配設された画素部に対して、異なる色を呈する光を発光する複数の光源が順次発光し、且つ前記画素毎にそれぞれの色を呈する光の透過を制御することで前記画素部に画像を形成する液晶表示装置の駆動方法であって、第1の走査線を起点として第nの走査線nは、3以上の自然数までに対して順次選択信号をシフトすることで1行目乃至n行目に配設された複数の画素の各々に設けられた第1のトランジスタを介して前記1行目乃至n行目に配設された複数の画素の各々に画像信号を入力し且つ第n1の走査線を起点として第2nの走査線までに対して順次選択信号をシフトすることでn1行目乃至2n行目に配設された複数の画素の各々に設けられた第2のトランジスタを介して前記n1行目乃至2n行目に配設された複数の画素に画像信号を入力するサンプリング期間内において、前記第1の走査線乃至第kの走査線kは、2以上n未満の自然数及び前記第n1の走査線乃至第nkの走査線に対する選択信号のシフトが終了した後に1行目乃至k行目用光源及びn1行目乃至nk行目用光源を発光させ、1行目乃至k行目に配設された複数の画素のそれぞれにおいて前記1行目乃至k行目用光源から発光される光の透過を制御し且つn1行目乃至nk行目に配設された複数の画素のそれぞれにおいて前記n1行目乃至nk行目用光源から発光される光の透過を制御する液晶表示装置の駆動方法。前記サンプリング期間内において、前記1行目乃至k行目用光源が呈する光の色と、前記n1行目乃至nk行目用光源が呈する光の色とが異なる請求項5に記載の液晶表示装置の駆動方法。フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置は、各画素に対する画像信号の入力頻度を増加させる必要がある。例えば、R赤、G緑、B青の3色を呈する光を発光する光源を備えたフィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置は、カラーフィルター方式によって表示を行う液晶表示装置と比較し、各画素に対する画像信号の入力頻度を少なくとも3倍にする必要がある。具体的に述べると、フレーム周波数が60Hzである場合、カラーフィルター方式によって表示を行う液晶表示装置では各画素に対する画像信号の入力を1秒間に60回行う必要があるのに対し、R赤、G緑、B青の3色を呈する光を発光する光源を備えたフィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置では各画素に対する画像信号の入力を1秒間に180回行う必要がある。ただし、画像信号の入力頻度の増加に付随して、各画素に設けられる素子の高速応答性が要求される。具体的には、各画素に設けられるトランジスタの移動度の向上などが要求される。しかしながら、トランジスタなどの特性を向上させることは容易ではない。そこで、本発明の一態様は、設計の観点から画像信号の入力頻度の増加を図ることを課題の一とする。上述した課題は、液晶表示装置の画素部において、マトリクス状に配設された画素のうち、複数行に配設された画素に対して同時に画像信号を供給することによって解決することができる。すなわち、本発明の一態様は、第1の信号線及び第2の信号線と、第1の走査線、第2の走査線、第3の走査線、及び第4の走査線と、第1の画素及び第2の画素と、第1の走査線及び第3の走査線に選択信号を供給する機能を有する第1のシフトレジスタ、並びに第2の走査線及び第4の走査線に選択信号を供給する機能を有する第2のシフトレジスタと、を有し、第1の画素は、ゲートが第1の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第1の信号線に電気的に接続された第1のトランジスタと、ゲートが第2の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第2の信号線に電気的に接続された第2のトランジスタと、一方の電極が第1のトランジスタのソース及びドレインの他方並びに第2のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続された第1の液晶素子と、を有し、第2の画素は、ゲートが第3の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第1の信号線に電気的に接続された第3のトランジスタと、ゲートが第4の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第2の信号線に電気的に接続された第4のトランジスタと、一方の電極が第3のトランジスタのソース及びドレインの他方並びに第4のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続された第2の液晶素子と、を有し、第1のトランジスタ乃至第4のトランジスタのチャネル形成領域に非晶質半導体又は微結晶半導体が含まれる液晶表示装置である。さらに、第1の信号線には、第1のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第1の画像信号が供給され、第2のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第2の画像信号が供給されている。また、第2の信号線には、第1のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第3の画像信号が供給され、第2のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第4の画像信号が供給されている。さらに、第1のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において、第1の走査線及び第4の走査線に選択信号が供給され、第2の走査線及び第3の走査線に非選択信号が供給されている。また、第2のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において、第2の走査線及び第3の走査線に選択信号が供給され、第1の走査線及び第4の走査線に非選択信号が供給されている。また、本発明の一態様は、第1の信号線、第2の信号線、及び第3の信号線と、第1の走査線、第2の走査線、第3の走査線、第4の走査線、第5の走査線、第6の走査線、第7の走査線、第8の走査線、及び第9の走査線と、第1の画素、第2の画素、及び第3の画素と、第1の走査線、第4の走査線、及び第7の走査線に選択信号を供給する機能を有する第1のシフトレジスタ、第2の走査線、第5の走査線、及び第8の走査線に選択信号を供給する機能を有する第2のシフトレジスタ、並びに、第3の走査線、第6の走査線、及び第9の走査線に選択信号を供給する機能を有する第3のシフトレジスタと、を有し、第1の画素は、ゲートが第1の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第1の信号線に電気的に接続された第1のトランジスタと、ゲートが第2の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第2の信号線に電気的に接続された第2のトランジスタと、ゲートが第3の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第3の信号線に電気的に接続された第3のトランジスタと、一方の電極が第1のトランジスタのソース及びドレインの他方、第2のトランジスタのソース及びドレインの他方、並びに第3のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続された第1の液晶素子と、を有し、第2の画素は、ゲートが第4の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第1の信号線に電気的に接続された第4のトランジスタと、ゲートが第5の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第2の信号線に電気的に接続された第5のトランジスタと、ゲートが第6の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第3の信号線に電気的に接続された第6のトランジスタと、一方の電極が第4のトランジスタのソース及びドレインの他方、第5のトランジスタのソース及びドレインの他方、並びに第6のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続された第2の液晶素子と、を有し、第3の画素は、ゲートが第7の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第1の信号線に電気的に接続された第7のトランジスタと、ゲートが第8の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第2の信号線に電気的に接続された第8のトランジスタと、ゲートが第9の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第3の信号線に電気的に接続された第9のトランジスタと、一方の電極が第7のトランジスタのソース及びドレインの他方、第8のトランジスタのソース及びドレインの他方、並びに第9のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続された第3の液晶素子と、を有し、第1のトランジスタ乃至第9のトランジスタのチャネル形成領域に非晶質半導体又は微結晶半導体が含まれる液晶表示装置である。さらに、第1の信号線には、第1のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第1の画像信号が供給され、第2のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第2の画像信号が供給され、第3のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第3の画像信号が供給されている。また、第2の信号線には、第1のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第4の画像信号が供給され、第2のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第5の画像信号が供給され、第3のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第6の画像信号が供給されている。また、第3の信号線には、第1のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第7の画像信号が供給され、第2のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第8の画像信号が供給され、第3のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第9の画像信号が供給されている。さらに、第1のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において、第1の走査線、第5の走査線、及び第9の走査線に選択信号が供給され、第2の走査線、第3の走査線、第4の走査線、第6の走査線、第7の走査線、及び第8の走査線に非選択信号が供給されている。また、第2のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において、第3の走査線、第4の走査線、及び第8の走査線に選択信号が供給され、第1の走査線、第2の走査線、第5の走査線、第6の走査線、第7の走査線、及び第9の走査線に非選択信号が供給されている。また、第3のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において、第2の走査線、第6の走査線、及び第7の走査線に選択信号が供給され、第1の走査線、第3の走査線、第4の走査線、第5の走査線、第8の走査線、及び第9の走査線に非選択信号が供給されている。また、本発明の一態様は、第1の信号線及び第2の信号線と、第1の走査線及び第2の走査線と、第1の画素及び第2の画素と、第1の走査線に選択信号を供給する機能を有する第1のシフトレジスタ、及び第2の走査線に選択信号を供給する機能を有する第2のシフトレジスタと、を有し、第1の画素は、ゲートが第1の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第1の信号線に電気的に接続された第1のトランジスタと、一方の電極が第1のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続された第1の液晶素子と、を有し、第2の画素は、ゲートが第2の走査線に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第2の信号線に電気的に接続された第2のトランジスタと、一方の電極が第2のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続された第2の液晶素子と、を有し、第1のトランジスタ及び第2のトランジスタのチャネル形成領域に非晶質半導体又は微結晶半導体が含まれる液晶表示装置である。さらに、第1の信号線には、第1のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第1の画像信号が供給され、第2のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第2の画像信号が供給されている。また、第2の信号線には、第1のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第3の画像信号が供給され、第2のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において第4の画像信号が供給されている。さらに、第1のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において、第1の走査線及び第2の走査線に選択信号が供給されている。また、第2のサンプリング期間に含まれる水平走査期間において、第1の走査線及び第2の走査線に選択信号が供給されている。また、本発明の一態様に係る液晶表示装置では、シリコンまたはゲルマニウムなどの非晶質半導体または微結晶半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを用いる。非晶質半導体または微結晶半導体を用いたトランジスタを画素部に有する液晶表示装置は、第5世代横1100mm×縦1300mm以上のガラス基板に対応できるため、生産性が高く、コストが低いという利点を有する。具体的に、本発明の一態様に係る液晶表示装置は、非晶質半導体または微結晶半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを画素部に用い、駆動回路は単結晶半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを用いることができる。なお、微結晶半導体とは、非晶質と結晶構造単結晶、多結晶を含むの中間的な構造の半導体である。微結晶半導体は、自由エネルギー的に安定な第3の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な半導体であり、結晶粒径が2nm以上200nm以下、好ましくは10nm以上80nm以下、より好ましくは、20nm以上50nm以下の柱状結晶または針状結晶が基板表面に対して法線方向に成長している。このため、柱状結晶または針状結晶の界面には、結晶粒界が形成される場合もある。微結晶半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタは、非晶質半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタに比べて移動度が高く、液晶表示装置の画素部とその周辺の駆動回路の一部を同一基板上に一体形成できるという利点を有している。したがって、本発明の一態様に係る液晶表示装置は、微結晶半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを用いて、画素部と共に駆動回路の一部を、一の基板に形成することもできる。駆動回路の一部を画素部と同じ基板上に形成することで、外部に設ける駆動回路等の部品の数が減るので、液晶表示装置の小型化のみならず、組立工程や検査工程の削減によるコストダウンを図ることができる。また、駆動回路と画素部の間を接続する端子数を減らすことができるので、駆動回路と画素部の接続不良に起因する歩留まり低下を防ぎ、接続箇所における機械的強度の低さにより信頼性が低下するのを防ぐことができる。本発明の一態様の液晶表示装置は、マトリクス状に配設された画素のうち、複数行に配設された画素に対して同時に画像信号を供給することが可能である。これにより、当該液晶表示装置が有するトランジスタなどの応答速度を変化させることなく、各画素に対する画像信号の入力頻度を増加させることが可能になる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態では、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置の一例について図1~図5を参照して説明する。<液晶表示装置の構成例>図1Aは、液晶表示装置の構成例を示す図である。図1Aに示す液晶表示装置は、画素部10と、走査線駆動回路11と、信号線駆動回路12と、各々が平行又は略平行に配設され、且つ走査線駆動回路11によって電位が制御される、3n本nは、2以上の自然数の走査線131、3n本の走査線132、及び3n本の走査線133と、各々が平行又は略平行に配設され、且つ信号線駆動回路12によって電位が制御される、m本mは、2以上の自然数の信号線141、m本の信号線142、及びm本の信号線143と、を有する。さらに、画素部10は、マトリクス状3n行m列に配設された複数の画素15を有する。なお、各走査線131、132、133は、マトリクス状3n行m列に配設された複数の画素15のうち、いずれかの行に配設されたm個の画素15に電気的に接続される。また、各信号線141、142、143は、マトリクス状3n行m列に配設された複数の画素15のうち、いずれかの列に配設された3n個の画素15に電気的に接続される。なお、走査線駆動回路11には、外部から走査線駆動回路用スタート信号GSP1~GSP3、走査線駆動回路用クロック信号GCK、及び高電源電位VDD、低電源電位VSSなどの駆動用電源が入力される。また、信号線駆動回路12には、外部から信号線駆動回路用スタート信号SSP、信号線駆動回路用クロック信号SCK、画像信号DATA1~DATA3などの信号、及び高電源電位、低電源電位などの駆動用電源が入力される。図1Bは、画素15の回路構成例を示す図である。図1Bに示す画素15は、ゲートが走査線131に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が信号線141に電気的に接続されたトランジスタ151と、ゲートが走査線132に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が信号線142に電気的に接続されたトランジスタ152と、ゲートが走査線133に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が信号線143に電気的に接続されたトランジスタ153と、一方の電極がトランジスタ151~153のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、他方の電極が容量電位を供給する配線に電気的に接続された容量素子154と、一方の電極がトランジスタ151~153のソース及びドレインの他方並びに容量素子154の一方の電極に電気的に接続され、他方の電極が対向電位を供給する配線に電気的に接続された液晶素子155と、を有する。<走査線駆動回路11の構成例>図2は、図1Aに示す液晶表示装置が有する走査線駆動回路11の構成例を示す図である。図2に示す走査線駆動回路11は、3n個の出力端子を有する3つのシフトレジスタ111~113を有する。なお、シフトレジスタ111が有する出力端子のそれぞれは、画素部10に配設された3n本の走査線131のいずれかに電気的に接続され、シフトレジスタ112が有する出力端子のそれぞれは、画素部10に配設された3n本の走査線132のいずれかに電気的に接続され、シフトレジスタ113が有する出力端子のそれぞれは、画素部10に配設された3n本の走査線133のいずれかに電気的に接続される。すなわち、シフトレジスタ111は、走査線131を駆動するシフトレジスタであり、シフトレジスタ112は、走査線132を駆動するシフトレジスタであり、シフトレジスタ113は、走査線133を駆動するシフトレジスタである。具体的には、シフトレジスタ111は、外部から入力される第1の走査線駆動回路用スタート信号GSP1をきっかけとして、1行目に配設された走査線131を起点として順次選択信号をシフト走査線131を走査線駆動回路用クロック信号GCK1/2周期毎に順次選択する機能を有し、シフトレジスタ112は、外部から入力される第2の走査線駆動回路用スタート信号GSP2をきっかけとして、1行目に配設された走査線132を起点として順次選択信号をシフトする機能を有し、シフトレジスタ113は、外部から入力される第3の走査線駆動回路用スタート信号GSP3をきっかけとして、1行目に配設された走査線133を起点として順次選択信号をシフトする機能を有する。<走査線駆動回路11の動作例>上述した走査線駆動回路11の動作例について図3を参照して説明する。なお、図3には、走査線駆動回路用クロック信号GCK、シフトレジスタ111が有する3n個の出力端子から出力される信号SR111out、シフトレジスタ112が有する3n個の出力端子から出力される信号SR112out、及びシフトレジスタ113が有する3n個の出力端子から出力される信号SR113outを示している。ここで、サンプリング期間とは、全ての行1行目乃至3n行目に配設された全ての画素に対して何らかの画像信号が入力されるのに要する期間である。サンプリング期間t1において、シフトレジスタ111では、1行目に配設された走査線131を起点としてn行目に配設された走査線131までハイレベルの電位が1/2クロック周期水平走査期間毎に順次シフトし、シフトレジスタ112では、n1行目に配設された走査線132を起点として2n行目に配設された走査線132までハイレベルの電位が1/2クロック周期水平走査期間毎に順次シフトし、シフトレジスタ113では、2n1行目に配設された走査線133を起点として3n行目に配設された走査線133までハイレベルの電位が1/2クロック周期水平走査期間毎に順次シフトする。そのため、走査線駆動回路11は、走査線131を介して1行目に配設されたm個の画素15からn行目に配設されたm個の画素15を順次選択するとともに、走査線132を介してn1行目に配設されたm個の画素15から2n行目に配設されたm個の画素15を順次選択し、走査線133を介して2n1行目に配設されたm個の画素15から3n行目に配設されたm個の画素15を順次選択することになる。すなわち、走査線駆動回路11は、水平走査期間毎に異なる3行に配設された3m個の画素15に対して選択信号を供給することが可能である。サンプリング期間t2において、シフトレジスタ111~113のそれぞれの出力信号はサンプリング期間t1と異なるが、シフトレジスタ111~113のいずれか一サンプリング期間t2においては、シフトレジスタ113が1行目に配設されたm個の画素15からn行目に配設されたm個の画素15を順次選択し、前述のシフトレジスタ111~113のいずれか一と異なるシフトレジスタ111~113のいずれか一サンプリング期間t2においては、シフトレジスタ111がn1行目に配設されたm個の画素15から2n行目に配設されたm個の画素15を順次選択し、シフトレジスタ111~113のうち前述の2つと異なる一サンプリング期間t2においては、シフトレジスタ112が2n1行目に配設されたm個の画素15から3n行目に配設されたm個の画素15を順次選択する点は、同じである。すなわち、走査線駆動回路11は、サンプリング期間t1と同様に、水平走査期間毎に特定の3行に配設された3m個の画素15に対して選択信号を供給することが可能である。<信号線駆動回路12の構成例>図4Aは、図1Aに示す液晶表示装置が有する信号線駆動回路12の構成例を示す図である。図4Aに示す信号線駆動回路12は、m個の出力端子を有するシフトレジスタ120と、m個のトランジスタ121と、m個のトランジスタ122と、m個のトランジスタ123と、を有する。なお、トランジスタ121のゲートは、シフトレジスタ120が有するj番目jは、1以上m以下の自然数の出力端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第1の画像信号DATA1を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が画素部10においてj列目に配設された信号線141に電気的に接続される。また、トランジスタ122のゲートは、シフトレジスタ120が有するj番目の出力端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第2の画像信号DATA2を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が画素部10においてj列目に配設された信号線142に電気的に接続される。また、トランジスタ123のゲートは、シフトレジスタ120が有するj番目の出力端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第3の画像信号DATA3を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が画素部10においてj列目に配設された信号線143に電気的に接続される。なお、ここでは、第1の画像信号DATA1として、赤Rの画像信号赤Rを呈する光の透過を制御するための画像信号を信号線141に供給し、第2の画像信号DATA2として、青Bの画像信号赤Rを呈する光の透過を制御するための画像信号を信号線142に供給し、第3の画像信号DATA3として、緑Gの画像信号緑Gを呈する光の透過を制御するための画像信号を信号線143に供給することとする。<バックライトの構成例>図4Bは、図1Aに示す液晶表示装置の画素部10の後方に設けられるバックライトの構成例を示す図である。図4Bに示すバックライトは、赤R、緑G、青Bの3色を呈する光源を備えたバックライトユニット16を複数有する。なお、複数のバックライトユニット16は、マトリクス状に配設されており、且つ特定の領域毎に点灯を制御することが可能である。ここでは、3n行m列に配設された複数の画素15に対するバックライトとして、少なくともk行m列毎ここでは、kは、n/4とするにバックライトユニット群が設けられ、それらのバックライトユニット群の点滅を独立に制御できることとする。すなわち、当該バックライトが、少なくとも1行目乃至k行目用バックライトユニット群~3n-k1行目乃至3n行目用バックライトユニット群を有し、それぞれのバックライトユニット群の点滅を独立に制御できることとする。<液晶表示装置の動作例>図5は、上述した液晶表示装置において、バックライトが有する1行目乃至k行目用バックライトユニット群~3n-k1行目乃至3n行目用バックライトユニット群において点灯される光のタイミング、及び画素部10において1行目に配設されたm個の画素乃至3n行目に配設されたm個の画素に対する画像信号の供給が行われるタイミングを示す図である。具体的には、図5において、1乃至3nは、行数を表し、実線は、該当する行において画像信号が入力されるタイミングを表している。当該液晶表示装置は、サンプリング期間t1において、1行目に配設されたm個の画素15からn行目に配設されたm個の画素15を順次選択し、且つn1行目に配設されたm個の画素15から2n行目に配設されたm個の画素15を順次選択し、且つ2n1行目に配設されたm個の画素15から3n行目に配設されたm個の画素15を順次選択することで、各画素に画像信号を入力することが可能である。具体的に述べると、当該液晶表示装置は、サンプリング期間t1において、走査線131を介して1行目に配設されたm個の画素15が有するトランジスタ151からn行目に配設されたm個の画素15が有するトランジスタ151を順次オン状態とすることで、信号線141を介して赤Rの画像信号を各画素に順次入力することが可能であり、走査線132を介してn1行目に配設されたm個の画素15が有するトランジスタ152から2n行目に配設されたm個の画素15が有するトランジスタ152を順次オン状態とすることで、信号線142を介して青Bの画像信号を各画素に順次入力することが可能であり、走査線133を介して2n1行目に配設されたm個の画素15が有するトランジスタ153から3n行目に配設されたm個の画素15が有するトランジスタ153を順次オン状態とすることで、信号線143を介して緑Gの画像信号を各画素に順次入力することが可能である。さらに、当該液晶表示装置では、サンプリング期間t1内において、1行目に配設されたm個の画素15からk行目に配設されたm個の画素15に対して赤Rの画像信号の入力が終了した後に1行目乃至k行目用バックライトユニット群において赤Rを点灯させ、且つn1行目に配設されたm個の画素15からnk行目に配設されたm個の画素15に対して青Bの画像信号の入力が終了した後にn1行目乃至nk行目用バックライトユニット群において青Bを点灯させ、且つ2n1行目に配設されたm個の画素15から2nk行目に配設されたm個の画素15に対して緑Gの画像信号の入力が終了した後に2n1行目乃至2nk行目用バックライトユニット群において緑Gを点灯させることが可能である。すなわち、当該液晶表示装置では、領域1行目乃至n行目、n1行目乃至2n行目、及び2n1行目乃至3n行目毎に、選択信号の供給と、特定色を呈する光の供給とを並行して行うことが可能である。<本明細書で開示される液晶表示装置について>本明細書で開示される液晶表示装置は、マトリクス状に配設された画素のうち、複数行に配設された画素に対して同時に画像信号を供給することが可能である。これにより、当該液晶表示装置が有するトランジスタなどの応答速度を変化させることなく、各画素に対する画像信号の入力頻度を増加させることが可能になる。具体的に述べると、上述した液晶表示装置では、走査線駆動回路のクロック周波数などを変化させることなく、各画素に対する画像信号の入力頻度を3倍にすることが可能である。すなわち、当該液晶表示装置は、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置、又は倍速駆動を行う液晶表示装置として好適である。さらに、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置として本明細書で開示される液晶表示装置を適用することは、以下の点で好ましい。上述したように、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置では特定色を呈する光毎に表示期間が時間分割される。そのため、利用者の瞬きなど短時間の表示の遮りに起因して特定の表示情報が欠落することによって、当該利用者に視認される表示が本来の表示情報に基づく表示から変化劣化することカラーブレイク、色割れともいうがある。ここで、カラーブレイクの抑制には、フレーム周波数を高くすることが効果的である。一方、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行うためには、フレーム周波数よりも高い頻度で各画素に対して画像信号を入力する必要がある。そのため、従来の液晶表示装置においてフィールドシーケンシャル方式且つ高フレーム周波数駆動によって表示を行う場合、当該液晶表示装置を構成する素子の性能高速応答性に対する要求が非常に厳しくなる。これに対し、本明細書で開示される液晶表示装置は、素子の特性に制約されることなく各画素に対する画像信号の入力頻度を増加させることが可能である。そのため、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置におけるカラーブレイクの抑制を容易に行うことが可能である。加えて、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う場合、図5に示すように領域毎に異なる色を呈する光を供給することは、以下の点で好ましい。全画面共通で同一の光を供給する場合、特定の瞬間において画素部には特定の色に関する色情報のみが存在することになる。そのため、利用者の瞬きなどによる特定の期間の表示情報の欠落が特定の色情報の欠落とイコールになる。これに対し、領域毎に異なる色を呈する光を供給する場合、特定の瞬間において画素部にはそれぞれの色に関する色情報が存在することになる。そのため、利用者の瞬きなどによる特定の期間の表示情報の欠落が特定の色情報の欠落とイコールにはならない。つまり、領域毎に異なる色を呈する光を供給することで、カラーブレイクを軽減することが可能である。さらに、図5に示すようにバックライトユニット群を点灯する場合、隣接するバックライトユニット群が異なる色を呈することがない。具体的には、サンプリング期間t1内において、n1行目に配設されたm個の画素15からnk行目に配設されたm個の画素15に対して青Bの画像信号の入力が終了した後にn1行目乃至nk行目用バックライトユニット群において青Bを点灯させる際に、3k1行目乃至n行目用バックライトユニット群及びnk1行目乃至n2k行目用バックライトユニット群においては、青Bが点灯される又は点灯自体が行われない赤R、緑Gが点灯されることがない。そのため、特定の色の画像情報が入力された画素を、当該特定の色と異なる色を呈する光が透過する確率を低減することが可能である。<変形例>上述した構成を有する液晶表示装置は、本発明の一態様であり、当該液晶表示装置と異なる点を有する液晶表示装置も本発明には含まれる。例えば、上述した液晶表示装置においては、画素部10の特定の3行に配設された3m個の画素に対して同期間内に並行して画像信号を供給する構成について示したが、本発明の液晶表示装置は、当該構成に限定されない。すなわち、本発明の液晶表示装置では、画素部10の特定の複数行に配設された複数の画素に対して同期間内に並行して画像信号を供給する構成とすることが可能である。なお、自明ではあるが、当該行数を変化させる場合、当該行数と同数のシフトレジスタなどを設ける必要があることを付記する。また、上述した液晶表示装置においては、等間隔に配設された特定の3行に配設された画素に対して同期間内に並行して画像信号を供給する構成画像信号が供給される行の間隔が、画素n行分について示したが、本発明の液晶表示装置は、当該構成に限定されない。すなわち、本発明の液晶表示装置は、非等間隔に配設された特定の3行に配設された画素に対して同期間内に並行して画像信号を供給する構成とすることが可能である。具体的には、1行目に配設されたm個の画素、a1行目aは、自然数に配設されたm個の画素、及びab1行目bは、aと異なる自然数に配設されたm個の画素に同期間内に並行して画像信号を供給する構成とすることが可能である。また、上述した液晶表示装置においては、走査線駆動回路がシフトレジスタを用いて構成される液晶表示装置について示したが、当該シフトレジスタを同等の機能を有する回路に置換することが可能である。例えば、当該シフトレジスタをデコーダに置換することが可能である。また、上述した液晶表示装置においては、複数の光源として赤R、緑G、青Bの3色を呈する光を発光する光源を用いる構成について示したが、本発明の液晶表示装置は、当該構成に限定されない。すなわち、本発明の液晶表示装置では、任意の色を呈する光を発光する光源を組み合わせて用いることが可能である。例えば、赤R、緑G、青B、白Wの4種の光源を組み合わせて用いること、又はシアン、マゼンタ、イエローの3種の光源を組み合わせて用いることなどが可能である。さらに、淡色の赤R、緑G、及び青B、並びに濃色の赤R、緑G、及び青Bの6種の光源を組み合わせて用いること、又は赤R、緑G、青B、シアン、マゼンタ、イエローの6種の光源を組み合わせて用いることなども可能である。このように、より多種の色を呈する光を発光する光源を組み合わせることで、当該液晶表示装置において表現できる色域を拡大し、画質を向上させることが可能である。また、上述した液晶表示装置においては、液晶素子に印加される電圧を保持するための容量素子が設けられる構成図1B参照について示したが、当該容量素子を設けない構成とすることも可能である。また、上述した液晶表示装置においては、バックライトユニットとして赤R、緑G、青Bの3色を呈する光を発光する光源を横に直線的に並べる構成図4B参照について示したが、バックライトユニットの構成は、当該構成に限定されない。例えば、当該3色を呈する光を発光する光源を3角配置しても良いし、当該3色を呈する光を発光する光源を縦に直線的に並べてもよいし、赤Rを呈する光を発光する光源、緑Gを呈する光を発光する光源、及び青Bを呈する光を発光する光源を別途設けても良い。また、上述した液晶表示装置においては、バックライトとして直下型方式のバックライトを適用する構成図4B参照について示したが、当該バックライトとしてエッジライト方式のバックライトを適用することも可能である。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1とは異なる構成を有する、フィールドシーケンシャル方式によって表示を行う液晶表示装置の一例について図6~図8を参照して説明する。<液晶表示装置の構成例>図6Aは、液晶表示装置の構成例を示す図である。図6Aに示す液晶表示装置は、画素部30と、走査線駆動回路31と、信号線駆動回路32と、各々が平行又は略平行に配設され、且つ走査線駆動回路31によって電位が制御される3n本nは、2以上の自然数の走査線33と、各々が平行又は略平行に配設され、且つ信号線駆動回路32によって電位が制御される、m本mは、2以上の自然数の信号線341、m本の信号線342、及びm本の信号線343と、を有する。さらに、画素部30は、3つの領域領域301~領域303に分割され、領域毎にマトリクス状3n行m列に配設された複数の画素を有する。なお、各走査線33は、画素部30においてマトリクス状3n行m列に配設された複数の画素のうち、いずれかの行に配設されたm個の画素に電気的に接続される。また、各信号線341は、領域301においてマトリクス状n行m列に配設された複数の画素のうち、いずれかの列に配設されたn個の画素に電気的に接続される。また、各信号線342は、領域302においてマトリクス状n行m列に配設された複数の画素のうち、いずれかの列に配設されたn個の画素に電気的に接続される。また、各信号線343は、領域303においてマトリクス状n行m列に配設された複数の画素のうち、いずれかの列に配設されたn個の画素に電気的に接続される。なお、走査線駆動回路31には、外部から走査線駆動回路用スタート信号GSP、走査線駆動回路用クロック信号GCK、及び高電源電位、低電源電位などの駆動用電源が入力される。また、信号線駆動回路32には、外部から信号線駆動回路用スタート信号SSP、信号線駆動回路用クロック信号SCK、画像信号data1~data3などの信号、及び高電源電位、低電源電位などの駆動用電源が入力される。図6B~Dは、画素の回路構成例を示す図である。具体的には、図6Bは、領域301に配設された画素351の回路構成例を示す図であり、図6Cは、領域302に配設された画素352の回路構成例を示す図であり、図6Dは、領域303に配設された画素353の回路構成例を示す図である。図6Bに示す画素351は、ゲートが走査線33に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が信号線341に電気的に接続されたトランジスタ3511と、一方の電極がトランジスタ3511のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、他方の電極が容量電位を供給する配線に電気的に接続された容量素子3512と、一方の電極がトランジスタ3511のソース及びドレインの他方並びに容量素子3512の一方の電極に電気的に接続され、他方の電極が対向電位を供給する配線に電気的に接続された液晶素子3514と、を有する。図6Cに示す画素352及び図6Dに示す画素353も回路構成自体は、図6Bに示す画素351と同一である。ただし、図6Cに示す画素352では、トランジスタ3521のソース及びドレインの一方が信号線341ではなく信号線342に電気的に接続される点が図6Bに示す画素351と異なり、図6Dに示す画素353では、トランジスタ3531のソース及びドレインの一方が信号線341ではなく信号線343に電気的に接続される点が図6Bに示す画素351と異なる。<走査線駆動回路31の構成例>図7Aは、図6Aに示す液晶表示装置が有する走査線駆動回路31の構成例を示す図である。図7Aに示す走査線駆動回路31は、n個の出力端子を有するシフトレジスタ311~313を有する。なお、シフトレジスタ311が有する出力端子のそれぞれは、領域301に配設されたn本の走査線33のいずれかに電気的に接続され、シフトレジスタ312が有する出力端子のそれぞれは、領域302に配設されたn本の走査線33のいずれかに電気的に接続され、シフトレジスタ313が有する出力端子のそれぞれは、領域303に配設されたn本の走査線33のいずれかに電気的に接続される。すなわち、シフトレジスタ311は、領域301において選択信号を供給するシフトレジスタであり、シフトレジスタ312は、領域302において選択信号を供給するシフトレジスタであり、シフトレジスタ313は、領域303において選択信号を供給するシフトレジスタである。具体的には、シフトレジスタ311は、外部から入力される走査線駆動回路用スタート信号GSPをきっかけとして、1行目に配設された走査線33を起点として順次選択信号をシフト走査線33を走査線駆動回路用クロック信号GCK1/2周期毎に順次選択する機能を有し、シフトレジスタ312は、外部から入力される走査線駆動回路用スタート信号GSPをきっかけとして、n1行目に配設された走査線33を起点として順次選択信号をシフトする機能を有し、シフトレジスタ313は、外部から入力される走査線駆動回路用スタート信号GSPをきっかけとして、2n1行目に配設された走査線33を起点として順次選択信号をシフトする機能を有する。<走査線駆動回路31の動作例>上述した走査線駆動回路31の動作例について図7Bを参照して説明する。なお、図7Bには、走査線駆動回路用クロック信号GCK、シフトレジスタ311が有するn個の出力端子から出力される信号SR311out、シフトレジスタ312が有するn個の出力端子から出力される信号SR312out、及びシフトレジスタ313が有するn個の出力端子から出力される信号SR313outを示している。サンプリング期間T1において、シフトレジスタ311では、1行目に配設された走査線33を起点としてn行目に配設された走査線33までハイレベルの電位が1/2クロック周期水平走査期間毎に順次シフトし、シフトレジスタ312では、n1行目に配設された走査線33を起点として2n行目に配設された走査線33までハイレベルの電位が1/2クロック周期水平走査期間毎に順次シフトし、シフトレジスタ313では、2n1行目に配設された走査線33を起点として3n行目に配設された走査線33までハイレベルの電位が1/2クロック周期水平走査期間毎に順次シフトする。そのため、走査線駆動回路31は、走査線33を介して、1行目に配設されたm個の画素351からn行目に配設されたm個の画素351を順次選択するとともに、n1行目に配設されたm個の画素352から2n行目に配設されたm個の画素352を順次選択し、2n1行目に配設されたm個の画素353から3n行目に配設されたm個の画素353を順次選択することになる。すなわち、走査線駆動回路31は、水平走査期間毎に異なる3行に配設された3m個の画素に対して選択信号を供給することが可能である。サンプリング期間T2及びサンプリング期間T3において、シフトレジスタ311~313の動作は、サンプリング期間T1と同じである。すなわち、走査線駆動回路31は、サンプリング期間T1と同様に、水平走査期間毎に特定の3行に配設された3m個の画素に対して選択信号を供給することが可能である。<信号線駆動回路32の構成例>図8は、図6Aに示す液晶表示装置が有する信号線駆動回路32の構成例を示す図である。図8に示す信号線駆動回路32は、m個の出力端子を有するシフトレジスタ320と、m個のトランジスタ321と、m個のトランジスタ322と、m個のトランジスタ323と、を有する。なお、トランジスタ321のゲートは、シフトレジスタ320が有するj番目jは、1以上m以下の自然数の出力端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第1の画像信号data1を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が画素部30においてj列目に配設された信号線341に電気的に接続される。また、トランジスタ322のゲートは、シフトレジスタ320が有するj番目の出力端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第2の画像信号data2を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が画素部30においてj列目に配設された信号線342に電気的に接続される。また、トランジスタ323のゲートは、シフトレジスタ320が有するj番目の出力端子に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方が第3の画像信号data3を供給する配線に電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が画素部30においてj列目に配設された信号線343に電気的に接続される。なお、ここでは、第1の画像信号data1として、サンプリング期間T1において、赤Rの画像信号赤Rを呈する光の透過を制御するための画像信号を信号線341に供給し、サンプリング期間T2において、緑Gの画像信号緑Gを呈する光の透過を制御するための画像信号を信号線341に供給し、サンプリング期間T3において、青Bの画像信号青Bを呈する光の透過を制御するための画像信号を信号線341に供給することとする。また、第2の画像信号data2として、サンプリング期間T1において、青Bの画像信号を信号線342に供給し、サンプリング期間T2において、赤Rの画像信号を信号線342に供給し、サンプリング期間T3において、緑Gの画像信号を信号線342に供給することとする。また、第3の画像信号data3として、サンプリング期間T1において、緑Gの画像信号を信号線343に供給し、サンプリング期間T2において、青Bの画像信号を信号線343に供給し、サンプリング期間T3において、赤Rの画像信号を信号線343に供給することとする。<バックライトの構成例>本実施の形態の液晶表示装置のバックライトとして、実施の形態1に示したバックライトを適用することが可能である。そのため、ここでは前述の説明を援用することとする。<液晶表示装置の動作例>本実施の形態の液晶表示装置は、実施の形態1に示した液晶表示装置と同様の動作図5参照を行うことが可能である。すなわち、本実施の形態の液晶表示装置は、サンプリング期間T1において、1行目に配設されたm個の画素351からn行目に配設されたm個の画素351を順次選択し、且つn1行目に配設されたm個の画素352から2n行目に配設されたm個の画素352を順次選択し、且つ2n1行目に配設されたm個の画素353から3n行目に配設されたm個の画素353を順次選択することで、各画素に画像信号を入力することが可能である。また、本実施の形態の液晶表示装置では、実施の形態1に示した液晶表示装置と同様に、領域1行目乃至n行目、n1行目乃至2n行目、及び2n1行目乃至3n行目毎に、選択信号の供給と、特定色を呈する光の供給とを並行して行うことが可能である。<本実施の形態の液晶表示装置について>本実施の形態の液晶表示装置は、実施の形態1に示した液晶表示装置と同様の作用を有する液晶表示装置である。さらに、本実施の形態の液晶表示装置は、実施の形態1に示した液晶表示装置と比較して、画素部に配設される走査線の本数及び各画素に設けられるトランジスタの数を低減することができ、開口率をさらに向上させることが可能である。また、画素部に配設される走査線の本数が低減されることで信号線と走査線とが重畳することによって生じる寄生容量を低減することができるため、信号線を高速駆動することが可能である。また、走査線駆動回路の回路面積を縮小すること、及び走査線駆動回路の動作に必要とされる信号を低減すること複数のシフトレジスタに別々の走査線駆動回路用スタート信号を入力する必要がないが可能である。<変形例>本実施の形態の液晶表示装置は、本発明の一態様であり、当該液晶表示装置と異なる点を有する液晶表示装置も本発明には含まれる。例えば、本実施の形態の液晶表示装置の構成を、実施の形態1の変形例に示した構成に変更することが可能である。具体的には、本実施の形態の液晶表示装置が有するシフトレジスタを同等の機能を有する回路デコーダなどに置換することなどが可能である。また、本実施の形態の液晶表示装置においては、画素部30を3つの領域に分割する構成について示したが、本実施の形態の液晶表示装置は、当該構成に限定されない。すなわち、本実施の形態の液晶表示装置では、画素部30を任意の複数領域に分割する構成とすることが可能である。なお、自明ではあるが、当該領域数を変化させる場合、当該領域数と同数のシフトレジスタなどを設ける必要があることを付記する。また、本実施の形態の液晶表示装置においては、3つの領域に含まれる画素数が同一である構成全ての領域においてn行m列の画素が含まれる構成について示したが、本実施の形態の液晶表示装置では、領域毎に含まれる画素数を変化させることが可能である。具体的には、第1の領域にはc行m列cは、自然数の画素が含まれ、第2の領域にはd行m列dは、cと異なる自然数の画素が含まれる構成とすることが可能である。実施の形態3本実施の形態では、実施の形態1又は2に示した液晶表示装置の具体的な構成について、説明する。<画素の断面の具体例>図9に、本発明の一態様に係る液晶表示装置の、画素の断面図を一例として示す。ただし、図9では、微結晶半導体を用いたトランジスタを一例として挙げているが、非晶質半導体を用いたトランジスタであっても良い。図9に示すトランジスタ1401は、絶縁表面上に形成されたゲート層1402と、ゲート層1402上のゲート絶縁層1403と、ゲート絶縁層1403上においてゲート層1402と重なっている、微結晶半導体を含む半導体層1404と、半導体層1404上に積層するように形成され、ソース層またはドレイン層として機能する導電膜1405及び導電膜1406とを有する。さらに、トランジスタ1401は、半導体層1404上に形成された絶縁層1407を、その構成要素に含めても良い。絶縁層1407は、ゲート層1402と、ゲート絶縁層1403と、半導体層1404と、導電膜1405及び導電膜1406とを覆うように形成されている。絶縁層1407上には絶縁層1408が形成されている。絶縁層1407、絶縁層1408の一部には開口部が設けられており、該開口部において導電膜1406と接するように、画素電極1410が形成されている。また、絶縁層1408上には、液晶素子のセルギャップを制御するためのスペーサ1417が形成されている。スペーサ1417は絶縁層を所望の形状にエッチングすることで形成することが可能であるが、球状スペーサを絶縁層1408上に散布することでセルギャップを制御するようにしても良い。そして、画素電極1410上には、配向膜1411が形成されている。また、対向基板1420には、画素電極1410と対峙する対向電極1413が設けられており、対向電極1413の画素電極1410に近い側には配向膜1414が形成されている。配向膜1411、配向膜1414は、ポリイミド、ポリビニルアルコールなどの有機樹脂を用いて形成することができ、その表面には、液晶分子を一定方向に配列させるためのラビングなどの配向処理が施されている。ラビングは、配向膜に接して、ナイロンなどの布を巻いたローラーを回転させて、上記配向膜の表面を一定方向に擦ることで行うことができる。なお、酸化珪素などの無機材料を用い、配向処理を施すことなく蒸着法などの方法で配向特性を有する配向膜1411、配向膜1414を直接形成することも可能である。そして、画素電極1410と、対向電極1413の間においてシール材1416に囲まれた領域には、液晶1415が設けられている。液晶1415の注入は、ディスペンサ式滴下式を用いても良いし、ディップ式汲み上げ式を用いていても良い。なお、シール材1416にはフィラーが混入されていても良い。また、画素間における液晶1415の配向の乱れに起因するディスクリネーションが視認されるのを防ぐために、画素間に、光を遮蔽することができる遮蔽膜を形成しても良い。遮蔽膜には、カーボンブラック、低原子価酸化チタンなどの黒色顔料を含む有機樹脂を用いることができる。または、クロムを用いた膜で、遮蔽膜を形成することも可能である。画素電極1410と対向電極1413は、例えば、酸化珪素を含む酸化インジウムスズITSO、酸化インジウムスズITO、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム亜鉛IZO、ガリウムを添加した酸化亜鉛GZOなどの透明導電材料を用いることができる。なお、ここでは、液晶表示装置として、TNTwistedNematic型を示したが、VAVerticalAlignment型、OCBOpticallyCompensatedBirefringence型、IPSIn-PlaneSwitching型、MVAMulti-domainVerticalAlignment型等の、その他の液晶表示装置であっても良い。また、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、カイラル剤や紫外線硬化樹脂を添加して温度範囲を改善する。具体的には、5重量以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶1415に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答時間が10μsec.以上100μsec.以下と短く、これを用いた液晶表示装置では配向膜が不要であり、視野角依存性が小さい。このような特性を有する液晶は、上述した液晶表示装置画像を形成するために複数回の画像信号を各画素に入力することが必要な液晶表示装置が有する液晶として特に好ましい。なお、図9では、画素電極1410と対向電極1413の間に液晶1415が挟まれている構造を有する液晶素子を例に挙げて説明したが、本発明の一態様に係る液晶表示装置はこの構成に限定されない。IPS型の液晶素子やブルー相を示す液晶を用いた液晶素子のように、一対の電極が共に一の基板に形成されていても良い。<画素部と駆動回路間の接続の具体例>次いで、画素部の形成された基板に、駆動回路が形成された基板を直接実装する場合の、端子間の接続の仕方について説明する。図10Aに、ワイヤボンディング法を用いた場合の、駆動回路が形成された基板900と、画素部が形成された基板901の接続部分の断面図を示す。基板900は基板901上に、接着剤903により貼り付けられている。基板900には、駆動回路を構成するトランジスタ906が設けられている。そして、トランジスタ906は、基板900において表面に露出するように形成された、端子として機能するパッド907と電気的に接続されている。そして、図10Aに示す基板901上には端子904が形成されており、ワイヤ905によってパッド907と端子904とが接続されている。次に、図10Bに、フリップチップ法を用いた場合の、画素部の形成された基板911と、駆動回路が形成された基板910の、接続部分の断面図を示す。図10Bでは、基板910において表面に露出するよう形成されたパッド912に、ソルダーボール913が接続されている。よって、基板910に形成された駆動回路を構成するトランジスタ914は、パッド912を介してソルダーボール913と電気的に接続されている。そして、ソルダーボール913は、基板911上に形成された端子916と接続されている。なお、ソルダーボール913と、端子916との接続は、熱圧着や、超音波による振動を加えた熱圧着等様々な方法を用いることができる。なお、基板910と基板911との間にアンダーフィルを設け、圧着後のソルダーボール間の隙間を埋めるようにし、接続部分の機械的強度や、基板911において発生した熱の拡散などの効率を高めるようにしても良い。アンダーフィルは必ずしも用いる必要はないが、基板910と基板911の熱膨張係数のミスマッチから生ずる応力により、接続不良が起こるのを防ぐことができる。超音波を加えて圧着する場合、単に熱圧着する場合に比べて接続不良を抑えることができる。フリップチップ法の場合、接続するべきパッドの数が増加しても、ワイヤボンディング法に比べて、比較的パッド間のピッチを広く確保することができるので、端子数の多い場合の接続に向いている。なお、ソルダーボールの形成に、金属のナノ粒子が分散された分散液を吐出する液滴吐出法を用いていても良い。次に、図10Cに、異方性の導電性樹脂を用いた場合の、画素部の形成された基板921と、駆動回路が形成された基板920の、接続部分の断面図を示す。図10Cでは、基板920において表面に露出するよう形成されたパッド922が、基板920に形成された駆動回路を構成するトランジスタ924と電気的に接続されている。そして、パッド922は、基板921上に形成された端子926と、異方性の導電性樹脂927を介して接続されている。なお、接続方法は図10に示した方法に限定されない。ワイヤボンディング法とフリップチップ法を組み合わせて、接続を行うようにしても良い。<画素部を有する基板に実装される駆動回路の具体例1>次いで、駆動回路を有する基板ICチップともいうの実装方法について説明する。図11Aに示す液晶表示装置は、基板6301に画素部6302が形成されている。対向基板6306は、画素部6302を覆うように、基板6301と重なっている。そして、走査線駆動回路が形成された基板6303と、信号線駆動回路が形成された基板6304とが、基板6301に直接実装されている。具体的には、基板6303に形成された走査線駆動回路と、基板6304に形成された信号線駆動回路とが、基板6301に貼り合わされ、画素部6302と電気的に接続されている。また、画素部6302と、基板6303に形成された走査線駆動回路と、基板6304に形成された信号線駆動回路とに、それぞれ電源電位、各種信号等が、FPC6305またはFPC6307を介して供給される。図11Bに示す液晶表示装置は、基板6401に画素部6402が形成されている。対向基板6406は、画素部6402を覆うように、基板6401と重なっている。そして、走査線駆動回路が形成された基板6403が、基板6401に接続されたFPC6407に実装されている。信号線駆動回路が形成された基板6404が、基板6401に接続されたFPC6405に実装されている。また、画素部6402と、基板6403に形成された走査線駆動回路と、基板6404に形成された信号線駆動回路とに、それぞれ電源電位、各種信号等が、FPC6405またはFPC6407を介して供給される。基板の実装方法は、特に限定されるものではなく、公知のCOG方法やワイヤボンディング方法、或いはTAB方法などを用いることができる。また、ICチップを実装する位置は、電気的な接続が可能であるならば、図11に示した位置に限定されない。また、コントローラ、CPU、メモリ等をICチップで形成し、画素部の形成された基板に実装するようにしても良い。<画素部を有する基板に実装される駆動回路の具体例2>次いで、図11に示した駆動回路を有する基板の実装方法とは異なる駆動回路を有する基板の実装方法について図23を参照して説明する。具体的には、画素部と、走査線駆動回路、又は走査線駆動回路及び信号線駆動回路の一部とが形成される基板上に、信号線駆動回路又はその一部が形成された基板を実装する方法について図23を参照して説明する。端的に述べると、図23に示す構成は、画素部が形成されている基板上に、走査線駆動回路、又は走査線駆動回路及び信号線駆動回路の一部が形成されている点が図11に示す構成とは異なる。この場合、製造工程の観点から画素部に含まれるトランジスタと、走査線駆動回路、又は走査線駆動回路及び信号線駆動回路の一部に含まれるトランジスタとが同一構成を有するトランジスタであることが好ましい。また、走査線駆動回路、又は走査線駆動回路及び信号線駆動回路の一部に含まれるトランジスタとしては、高速応答性が要求される。したがって、図23に示す構成においては、画素部に含まれるトランジスタ及び走査線駆動回路、又は走査線駆動回路及び信号線駆動回路の一部に含まれるトランジスタとして、微結晶半導体を用いたトランジスタを適用することが好ましい。図23Aに示す液晶表示装置は、基板6001に、画素部6002と、走査線駆動回路6003とが形成されている。対向基板6006は、画素部6002と走査線駆動回路6003を覆うように、基板6001と重なっている。そして、信号線駆動回路が形成されている基板6004が、基板6001に直接実装されている。具体的には、基板6004に形成された信号線駆動回路が、基板6001に貼り合わされ、画素部6002と電気的に接続されている。また、画素部6002と、走査線駆動回路6003と、基板6004に形成された信号線駆動回路とには、それぞれ電源電位、各種信号等が、FPC6005を介して供給される。図23Bに示す液晶表示装置は、基板6101に、画素部6102と、走査線駆動回路6103とが形成されている。対向基板6106は、画素部6102と走査線駆動回路6103を覆うように、基板6101と重なっている。そして、信号線駆動回路が形成された基板6104は、基板6101に接続されたFPC6105に実装されている。また、画素部6102と、走査線駆動回路6103と、基板6104に形成された信号線駆動回路とに、それぞれ電源電位、各種信号等が、FPC6105を介して供給される。図23Cに示す液晶表示装置は、基板6201に、画素部6202と、走査線駆動回路6203と、信号線駆動回路の一部6207が形成されている。対向基板6206は、画素部6202、走査線駆動回路6203、及び信号線駆動回路の一部6207を覆うように、基板6201と重なっている。そして、信号線駆動回路の別の一部が形成された基板6204は、基板6201に直接実装されている。具体的には、基板6204に形成された信号線駆動回路の別の一部が、基板6201に貼り合わされ、信号線駆動回路の一部6207と電気的に接続されている。また、画素部6202と、走査線駆動回路6203と、信号線駆動回路の一部6207と、基板6204に形成された信号線駆動回路の別の一部とに、それぞれ電源電位、各種信号等が、FPC6205を介して供給される。基板の実装方法は、特に限定されるものではなく、公知のCOG方法やワイヤボンディング方法、或いはTAB方法などを用いることができる。また、ICチップを実装する位置は、電気的な接続が可能であるならば、図23に示した位置に限定されない。また、コントローラ、CPU、メモリ等をICチップで形成し、画素部の形成された基板に実装するようにしても良い。<液晶表示装置の具体例>次いで、本発明の一態様に係る液晶表示装置のパネルの外観について、図12を用いて説明する。図12Aは、基板4001と対向基板4006とをシール材4005によって接着させたパネルの上面図であり、図12Bは、図12Aの破線A-A’における断面図に相当する。基板4001上に設けられた画素部4002を囲むように、シール材4005が設けられている。また、画素部4002上に対向基板4006が設けられている。よって、画素部4002は、基板4001とシール材4005と対向基板4006とによって、液晶4007と共に封止されている。また、基板4001上のシール材4005によって囲まれている領域とは異なる領域に、信号線駆動回路4003が形成された基板4021と、走査線駆動回路が形成された基板4004とが、実装されている。図12Bでは、信号線駆動回路4003に含まれるトランジスタ4009を例示している。また、基板4001上に設けられた画素部4002は、トランジスタを複数有している。図12Bでは、画素部4002に含まれるトランジスタ4010、トランジスタ4022を例示している。トランジスタ4010、トランジスタ4022は、非晶質半導体または微結晶半導体をチャネル形成領域に含んでいる。また、液晶素子4011が有する画素電極4030は、トランジスタ4010と電気的に接続されている。そして、液晶素子4011の対向電極4031は、対向基板4006に形成されている。画素電極4030と対向電極4031と液晶4007とが重なっている部分が、液晶素子4011に相当する。また、スペーサ4035が、画素電極4030と対向電極4031との間の距離セルギャップを制御するために設けられている。なお、図12Bでは、スペーサ4035が、絶縁膜をパターニングすることで形成されている場合を例示しているが、球状スペーサを用いていても良い。また、信号線駆動回路4003、走査線駆動回路、画素部4002に与えられる各種信号及び電位は、引き回し配線4014及び4015を介して、接続端子4016から供給されている。接続端子4016は、FPC4018が有する端子と、異方性導電膜4019を介して電気的に接続されている。なお、基板4001、対向基板4006、基板4021には、ガラス、セラミックス、プラスチックを用いることができる。プラスチックには、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics板、PVFポリビニルフルオライドフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムなどが含まれる。但し、液晶素子4011を透過した光の取り出し方向に位置する基板には、ガラス板、プラスチック、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透光性を有する材料を用いる。図24は、図12に示した液晶表示装置とは異なるパネルの外観を示す図である。なお、図24Aは、基板5001と対向基板5006とをシール材5005によって接着させたパネルの上面図であり、図24Bは、図24Aの破線B-B’における断面図に相当する。図24に示す液晶表示装置は、基板5001上に画素部5002のみならず走査線駆動回路5004が形成されている点が図12に示す液晶表示装置と異なる。図24に示す液晶表示装置においては、基板5001上に設けられた画素部5002と、走査線駆動回路5004とを囲むように、シール材5005が設けられている。また、画素部5002、走査線駆動回路5004の上に対向基板5006が設けられている。よって、画素部5002と走査線駆動回路5004は、基板5001とシール材5005と対向基板5006とによって、液晶5007と共に封止されている。また、基板5001上のシール材5005によって囲まれている領域とは異なる領域に、信号線駆動回路5003が形成された基板5021が、実装されている。図24Bでは、信号線駆動回路5003に含まれるトランジスタ5009を例示している。また、基板5001上に設けられた画素部5002、走査線駆動回路5004は、トランジスタを複数有している。図24Bでは、画素部5002に含まれるトランジスタ5010、トランジスタ5022を例示している。トランジスタ5010、トランジスタ5022は、微結晶半導体をチャネル形成領域に含んでいる。また、液晶素子5011が有する画素電極5030は、トランジスタ5010と電気的に接続されている。そして、液晶素子5011の対向電極5031は、対向基板5006に形成されている。画素電極5030と対向電極5031と液晶5007とが重なっている部分が、液晶素子5011に相当する。また、スペーサ5035が、画素電極5030と対向電極5031との間の距離セルギャップを制御するために設けられている。なお、図24Bでは、スペーサ5035が、絶縁膜をパターニングすることで形成されている場合を例示しているが、球状スペーサを用いていても良い。また、信号線駆動回路5003、走査線駆動回路5004、画素部5002に与えられる各種信号及び電位は、引き回し配線5014及び5015を介して、接続端子5016から供給されている。接続端子5016は、FPC5018が有する端子と、異方性導電膜5019を介して電気的に接続されている。なお、基板5001、対向基板5006、基板5021には、ガラス、セラミックス、プラスチックを用いることができる。プラスチックには、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics板、PVFポリビニルフルオライドフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムなどが含まれる。但し、液晶素子5011を透過した光の取り出し方向に位置する基板には、ガラス板、プラスチック、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透光性を有する材料を用いる。図13は、本発明の一態様に係る液晶表示装置の構造を示す、斜視図の一例である。図13に示す液晶表示装置は、画素部を有するパネル1601と、第1の拡散板1602と、プリズムシート1603と、第2の拡散板1604と、導光板1605と、バックライトパネル1607と、回路基板1608と、信号線駆動回路の形成された基板1611とを有している。パネル1601と、第1の拡散板1602と、プリズムシート1603と、第2の拡散板1604と、導光板1605と、バックライトパネル1607とは、順に積層されている。バックライトパネル1607は、複数のバックライトユニットで構成されたバックライト1612を有している。導光板1605内部に拡散されたバックライト1612からの光は、第1の拡散板1602、プリズムシート1603及び第2の拡散板1604によって、パネル1601に照射される。なお、ここでは、第1の拡散板1602と第2の拡散板1604とを用いているが、拡散板の数はこれに限定されず、単数であっても3以上であっても良い。そして、拡散板は導光板1605とパネル1601の間に設けられていれば良い。よって、プリズムシート1603よりもパネル1601に近い側にのみ拡散板が設けられていても良いし、プリズムシート1603よりも導光板1605に近い側にのみ拡散板が設けられていても良い。また、プリズムシート1603は、図13に示した断面が鋸歯状の形状に限定されず、導光板1605からの光をパネル1601側に集光できる形状を有していれば良い。回路基板1608には、パネル1601に入力される各種信号を生成する回路、またはこれら信号に処理を施す回路などが設けられている。そして、図13では、回路基板1608とパネル1601とが、COFテープ1609を介して接続されている。また、信号線駆動回路の形成された基板1611が、COFChipOnFilm法を用いてCOFテープ1609に接続されている。図13では、バックライト1612の駆動を制御する制御系の回路が回路基板1608に設けられており、該制御系の回路とバックライトパネル1607とがFPC1610を介して接続されている例を示している。ただし、上記制御系の回路はパネル1601に形成されていても良く、この場合はパネル1601とバックライトパネル1607とがFPCなどにより接続されるようにする。<タッチパネルを用いた液晶表示装置の具体例>本発明の一態様に係る液晶表示装置は、タッチパネルと呼ばれる位置入力装置を有していても良い。図14Aに、タッチパネル1620と、パネル1621とを重ね合わせている様子を示す。タッチパネル1620は、透光性を有する位置検出部1622において、指またはスタイラスなどが触れた位置を検出し、その位置情報を含む信号を生成することができる。よって、位置検出部1622がパネル1621の画素部1623に重なるようにタッチパネル1620を設けることで、液晶表示装置のユーザーが画素部1623のどの位置を指し示したかを情報として得ることができる。位置検出部1622における位置の検出は、抵抗膜方式、静電容量方式など、様々な方式を用いて行うことができる。図14Bに、抵抗膜方式を用いた位置検出部1622の斜視図を示す。抵抗膜方式の位置検出部1622は、複数の第1電極1630と複数の第2電極1631とが、間隔をおいて対峙するように設けられている。指などで複数の第1電極1630のいずれかに押圧が加えられると、当該第1電極1630が複数の第2電極1631のいずれかに接触する。そして、複数の各第1電極1630の両端の電圧の値と、複数の各第2電極1631の両端の電圧の値とをモニターすると、いずれの第1電極1630と第2電極1631が接触したのかを特定することができるので、指が触れた位置を検出することができる。第1電極1630と第2電極1631は、透光性を有する導電材料、例えば、酸化珪素を含む酸化インジウムスズITSO、酸化インジウムスズITO、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム亜鉛IZO、ガリウムを添加した酸化亜鉛GZOなどで、形成することができる。また、図15Aに、静電容量方式のうち、投影静電容量方式を用いた位置検出部1622の斜視図を示す。投影静電容量方式の位置検出部1622は、複数の第1電極1640と複数の第2電極1641とが重なるように設けられている。各第1電極1640は、矩形状の導電膜1642が複数接続された構成を有しており、各第2電極1641は、矩形状の導電膜1643が複数接続された構成を有している。なお、第1電極1640と第2電極1641の形状はこの構成に限定されない。また、図15Aでは、複数の第1電極1640と複数の第2電極1641の上に、誘電体として機能する絶縁層1644が重なっている。図15Bに、図15Aに示した複数の第1電極1640と、複数の第2電極1641と、絶縁層1644とが重なり合っている様子を示す。図15Bに示すように、複数の第1電極1640と複数の第2電極1641は、矩形状の導電膜1642と矩形状の導電膜1643の位置が互いにずれるように、重なり合っている。絶縁層1644に指などが接触すると、複数の第1電極1640のいずれかと、指との間に容量が形成される。また、複数の第2電極1641のいずれかと、指との間にも容量が形成される。よって、静電容量の変化をモニターすることで、いずれの第1電極1640と第2電極1641に指が最も近づいたのかを特定することができるので、指が触れた位置を検出することができる。<フォトセンサを有する液晶表示装置の具体例>本発明の一態様に係る液晶表示装置は、フォトセンサを画素部に有していても良い。図16Aに、フォトセンサを有する画素部の構造の一例を、模式的に示す。図16Aに示す画素部1650は、画素1651と、該画素1651に対応したフォトセンサ1652とを有する。フォトセンサ1652は、フォトダイオードなど、受光することで電気信号を発する機能を有する受光素子と、トランジスタとを有する。なお、フォトセンサ1652が受光する光は、バックライトからの光が被検出物に照射された際の反射光を利用することができる。図16Bに、フォトセンサ1652の構成を一例として示す。図16Bに示すフォトセンサ1652は、フォトダイオード1653、トランジスタ1654及びトランジスタ1655を有する。フォトダイオード1653は、一方の電極がリセット信号線1656に、他方の電極がトランジスタ1654のゲートに接続されている。トランジスタ1654は、ソース及びドレインの一方が、基準信号線1657に、他方がトランジスタ1655のソース及びドレインの一方に接続されている。トランジスタ1655は、ゲートがゲート信号線1658に、ソース及びドレインの他方が出力信号線1659に接続されている。<トランジスタの一例>次いで、トランジスタの構造について、図17を参照して説明する。ここでは、微結晶半導体と非晶質半導体を共に半導体層に含んでいるn型のトランジスタを例に挙げて、その構成について説明する。図17に、トランジスタの断面図の一例を示す。図17Aに示すトランジスタは、基板601上に、ゲート層603と、半導体層633と、ゲート層603及び半導体層633の間に設けられるゲート絶縁層605と、半導体層633に接するソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体層631a、631bと、不純物半導体層631a、631bに接する配線629a、629bとを有する。また、トランジスタの半導体層633、不純物半導体層631a、631b、配線629a、629bを覆う絶縁層637が形成される。半導体層633は、微結晶半導体領域633a及び一対の非晶質半導体領域633bを有する。微結晶半導体領域633aは、第1の面においてゲート絶縁層605に接し、第1の面と対向する第2の面において一対の非晶質半導体領域633b及び絶縁層637に接する。非晶質半導体領域633bは絶縁層637で分離されており、第1の面において微結晶半導体領域633aに接し、第1の面と対向する第2の面において、一対の不純物半導体層631a、631bに接する。即ち、半導体層633のゲート層603と重畳する領域において、微結晶半導体領域633aがゲート層603に接するゲート絶縁層605、及び絶縁層637に接する。図17Bに示すトランジスタは、デュアルゲート型のトランジスタであり、図17Aに示すトランジスタを覆う絶縁層637と、絶縁層637上において、半導体層633と重畳する電極とを有する。なお、ここでは、絶縁層637を介して半導体層633と対向する電極をバックゲート層639と示す。デュアルゲート型のトランジスタは、ゲート層603と、バックゲート層639との各々に印加する電位を変えることができる。このため、トランジスタのしきい値電圧を制御することができる。または、ゲート層603及びバックゲート層639に同じ電位を印加することができる。このため、微結晶半導体領域633aの第1の面及び第2の面にチャネルが形成される。図17Bに示すデュアルゲート型のトランジスタは、チャネル形成領域が微結晶半導体領域633aのゲート絶縁層605側の界面近傍と、絶縁層637側の界面近傍との2箇所となるため、キャリアの移動量が増加し、オン電流及び電界効果移動度を高めることができる。このため、トランジスタの面積を小さくすることが可能であり、駆動回路の高集積化が可能である。よって、液晶表示装置の駆動回路に図17Bに示すトランジスタを用いることで、駆動回路の面積を低減できるため、狭額縁化が可能である。次に、トランジスタの各構成について、以下に説明する。基板601としては、ガラス基板、セラミック基板の他、処理温度に耐えうる程度の耐熱性を有するプラスチック基板等を用いることができる。ガラス基板としては、例えば、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス若しくはアルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板を用いるとよい。また、基板601として、第3世代例えば、550mm×650mm、第3.5世代例えば、600mm×720mm、または620mm×750mm、第4世代例えば、680mm×880mm、または730mm×920mm、第5世代例えば、1100mm×1300mm、第6世代例えば、1500mm×1800mm、第7世代例えば、1900mm×2200mm、第8世代例えば、2160mm×2460mm、第9世代例えば、2400mm×2800mm、第10世代例えば、2850mm×3050mm等のガラス基板を用いることができる。ゲート層603は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム、ニッケル等の金属材料またはこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層でまたは積層して形成することができる。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコンに代表される半導体、AgPdCu合金、Al-Nd合金、Al-Ni合金などを用いてもよい。例えば、ゲート層603の二層の積層構造としては、アルミニウム層上にモリブデン層が積層した二層構造、または銅層上にモリブデン層を積層した二層構造、または銅層上に窒化チタン層若しくは窒化タンタル層を積層した二層構造、窒化チタン層とモリブデン層とを積層した二層構造、銅-マグネシウム-酸素合金層と銅層とを積層した二層構造、銅-マンガン-酸素合金層と銅層とを積層した二層構造、銅-マンガン合金層と銅層とを積層した二層構造などとすることが好ましい。三層の積層構造としては、タングステン層または窒化タングステン層と、アルミニウムとシリコンの合金層またはアルミニウムとチタンの合金層と、窒化チタン層またはチタン層とを積層した三層構造とすることが好ましい。電気的抵抗が低い層上にバリア層として機能する金属層が積層されることで、電気的抵抗を低く、且つ金属層から半導体層への金属元素の拡散を防止することができる。ゲート絶縁層605は、CVD法またはスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層または窒化酸化シリコン層を単層でまたは積層して形成することができる。また、ゲート絶縁層605を酸化シリコン層または酸化窒化シリコン層により形成することで、トランジスタの閾値電圧の変動を低減することができる。なお、ここでは、酸化窒化シリコンとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものであって、好ましくは、ラザフォード後方散乱法RBS:RutherfordBackscatteringSpectrometry及び水素前方散乱法HFS:HydrogenForwardscatteringSpectrometryを用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が50~70原子、窒素が0.5~15原子、シリコンが25~35原子、水素が0.1~10原子の範囲で含まれるものをいう。また、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであって、好ましくは、RBS及びHFSを用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が5~30原子、窒素が20~55原子、シリコンが25~35原子、水素が10~30原子の範囲で含まれるものをいう。ただし、酸化窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンを構成する原子の合計を100原子としたとき、窒素、酸素、シリコン及び水素の含有比率が上記の範囲内に含まれるものとする。半導体層633は、微結晶半導体領域633aと、非晶質半導体領域633bとが積層されることを特徴とする。また、ここでは、微結晶半導体領域633aが凹凸状であることを特徴とする。ここで、半導体層633の詳細な構造について説明する。ここでは、図17Aに示すトランジスタのゲート絶縁層605と、ソース領域またはドレイン領域として機能する不純物半導体層631aとの間の拡大図を、図17C及び図17Dに示す。図17Cに示すように、微結晶半導体領域633aは凹凸状であり、凸部はゲート絶縁層605から非晶質半導体領域633bに向かって、先端が狭まる凸部の先端が鋭角である凸状錐形状である。なお、ゲート絶縁層605から非晶質半導体領域633bに向かって幅が広がる凸状逆錐形状であってもよい。微結晶半導体領域633aは、微結晶半導体で形成される。微結晶半導体の代表例である微結晶シリコンは、そのラマンスペクトルのピークが単結晶シリコンを示す520cm-1よりも低波数側に、シフトしている。即ち、単結晶シリコンを示す520cm-1と非晶質シリコンを示す480cm-1の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークがある。また、未結合手ダングリングボンドを終端するため水素またはハロゲンを少なくとも1原子またはそれ以上含んでいる。さらに、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、またはネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで、安定性が増し良好な微結晶半導体が得られる。微結晶半導体領域633aの厚さ、即ち、ゲート絶縁層605との界面から、微結晶半導体領域633aの突起凸部の先端までの距離を、3nm以上410nm以下、好ましくは20nm以上100nm以下とすることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。また、半導体層633に含まれる酸素及び窒素の二次イオン質量分析法によって計測される濃度を、1×1018atoms/cm3未満とすることで、微結晶半導体領域633aの結晶性を高めることができるため好ましい。非晶質半導体領域633bは、窒素を有する非晶質半導体で形成される。窒素を有する非晶質半導体に含まれる窒素は、例えばNH基またはNH2基として存在していてもよい。非晶質半導体としては、非晶質シリコンを用いて形成する。窒素を含む非晶質半導体は、従来の非晶質半導体と比較して、CPMConstantPhotocurrentMethodやフォトルミネッセンス分光測定で測定されるUrbach端のエネルギーが小さく、欠陥吸収スペクトル量が少ない半導体である。即ち、窒素を含む非晶質半導体は、従来の非晶質半導体と比較して、欠陥が少なく、価電子帯のバンド端における準位のテール裾の傾きが急峻である秩序性の高い半導体である。窒素を含む非晶質半導体は、価電子帯のバンド端における準位のテール裾の傾きが急峻であるため、バンドギャップが広くなり、トンネル電流が流れにくい。このため、窒素を含む非晶質半導体を不純物半導体層631a、631b側に設けることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。また、窒素を含む非晶質半導体を設けることで、オン電流と電界効果移動度を高めることが可能である。さらに、窒素を含む非晶質半導体は、低温フォトルミネッセンス分光によるスペクトルのピーク領域が、1.31eV以上1.39eV以下である。なお、微結晶半導体、代表的には微結晶シリコンを低温フォトルミネッセンス分光により測定したスペクトルのピーク領域は、0.98eV以上1.02eV以下であり、窒素を含む非晶質半導体は、微結晶半導体とは異なるものである。また、非晶質半導体領域633bの他に、微結晶半導体領域633aにも、NH基またはNH2基を有してもよい。また、図17Dに示すように、非晶質半導体領域633bに、粒径が1nm以上10nm以下、好ましくは1nm以上5nm以下の分散した半導体結晶粒633cを含ませることで、オン電流と電界効果移動度を高めることが可能である。ゲート絶縁層605から非晶質半導体領域633bに向かって、先端が狭まる凸状錐形状の微結晶半導体領域633a、または幅が広がる凸状の微結晶半導体領域633aは、微結晶半導体が堆積する条件で微結晶半導体層を形成した後、結晶成長を低減する条件で当該微結晶半導体層を結晶成長させると共に、非晶質半導体を堆積することで、形成することができる。図17に示すトランジスタの微結晶半導体領域633aは、錐形状または逆錐形状であるため、オン状態でソース層及びドレイン層の間に電圧が印加されたときの縦方向膜厚方向における抵抗、即ち、半導体層633の抵抗を下げることが可能である。また、微結晶半導体領域633aと不純物半導体層631a、631bとの間に、欠陥が少なく、価電子帯のバンド端における準位のテール裾の傾きが急峻である秩序性の高い、窒素を含む非晶質半導体を有するため、トンネル電流が流れにくくなる。以上のことから、図17に示すトランジスタは、オン電流及び電界効果移動度を高めるとともに、オフ電流を低減することができる。不純物半導体層631a、631bは、リンが添加された非晶質シリコン、リンが添加された微結晶シリコン等で形成する。また、リンが添加された非晶質シリコン及びリンが添加された微結晶シリコンの積層構造とすることもできる。なお、トランジスタとして、pチャネル型トランジスタを形成する場合は、不純物半導体層631a、631bは、ボロンが添加された微結晶シリコン、ボロンが添加された非晶質シリコン等で形成する。なお、半導体層633と、配線629a、629bとがオーミックコンタクトをする場合は、不純物半導体層631a、631bを形成しなくともよい。また、不純物半導体層631a、631bを、リンが添加された微結晶シリコン、またはボロンが添加された微結晶シリコンで形成する場合は、半導体層633と、不純物半導体層631a、631bとの間に、微結晶半導体層、代表的には微結晶シリコン層を形成することで、界面の特性を向上させることができる。この結果、不純物半導体層631a、631bと、半導体層633との界面に生じる抵抗を低減することができる。この結果、トランジスタのソース領域、半導体層、及びドレイン領域を流れる電流量を増加させ、オン電流の増加及び電界効果移動度の向上が可能となる。配線629a、629bは、アルミニウム、銅、チタン、ネオジム、スカンジウム、モリブデン、クロム、タンタル若しくはタングステン等により単層で、または積層して形成することができる。または、ヒロック防止元素が添加されたアルミニウム合金ゲート層603に用いることができるAl-Nd合金等により形成してもよい。ドナーとなる不純物元素を添加した結晶性シリコンを用いてもよい。ドナーとなる不純物元素が添加された結晶性シリコンと接する側の層を、チタン、タンタル、モリブデン、タングステンまたはこれらの元素の窒化物により形成し、その上にアルミニウムまたはアルミニウム合金を形成した積層構造としてもよい。更には、アルミニウムまたはアルミニウム合金の上面及び下面を、チタン、タンタル、モリブデン、タングステンまたはこれらの元素の窒化物で挟んだ積層構造としてもよい。絶縁層637は、ゲート絶縁層605と同様に形成することができる。また、絶縁層637は、有機樹脂層を用いて形成することができる。有機樹脂層としては、例えばアクリル、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテンなどを用いることができる。また、シロキサンポリマーを用いることができる。図17Bに示すバックゲート層639は、配線629a、629bと同様に形成することができる。また、バックゲート層639は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、または酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物等を用いて形成することができる。また、バックゲート層639は、透光性を有する導電性高分子導電性ポリマーともいうを含む導電性組成物を用いて形成することができる。バックゲート層639は、シート抵抗が10000Ω/□以下であって、且つ波長550nmにおける透光率が70以上であることが好ましい。シート抵抗は、より低いことが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率が0.1Ωcm以下であることが好ましい。導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、またはアニリン、ピロール及びチオフェンの2種以上の共重合体若しくはその誘導体等が挙げられる。なお、図17では、半導体層633が、微結晶半導体領域633aと非晶質半導体領域633bを含んでいるトランジスタの構成を示しているが、本発明の一態様に係る液晶表示装置が有するトランジスタは、上記構成に限定されない。半導体層が非晶質半導体で構成されていても良い。例えば、珪素を有する非晶質半導体は、珪素を含む気体をグロー放電分解することにより得ることができる。珪素を含む気体としては、SiH4、Si2H6が挙げられる。珪素を含む気体を、水素、水素及びヘリウムで希釈して用いても良い。具体的には、モノシラン、水素を、それぞれ25sccm、25sccmの流量とし、反応圧力40Pa、基板温度250°C、高周波60MHzとして、プラズマCVD法で、珪素を有する非晶質半導体を用いた半導体層を形成することができる。次に、トランジスタの平面図である図18を用いて、バックゲート層の形状について説明する。図18Aに示すように、バックゲート層639は、ゲート層603と平行に形成することができる。この場合、バックゲート層639に印加する電位と、ゲート層603に印加する電位とを、それぞれ任意に制御することが可能である。このため、トランジスタのしきい値電圧を制御することができる。また、図18Bに示すように、バックゲート層639は、ゲート層603に接続させることができる。即ち、ゲート絶縁層605及び絶縁層637に形成した開口部650において、ゲート層603及びバックゲート層639が接続する構造とすることができる。この場合、バックゲート層639に印加する電位と、ゲート層603に印加する電位とは、等しい。この結果、半導体層において、キャリアが流れる領域、即ちチャネルが、微結晶半導体領域のゲート絶縁層605側、及び絶縁層637側に形成されるため、トランジスタのオン電流を高めることができる。さらには、図18Cに示すように、バックゲート層639は、絶縁層637を介して配線629a、629bと重畳してもよい。ここでは、図18Aに示す構造のバックゲート層639を用いて示したが、図18Bに示すバックゲート層639も同様に配線629a、629bと重畳してもよい。次に、図17に示す半導体層と異なる構造の半導体層を有するトランジスタについて、図19を用いて説明する。図19Aに示すトランジスタは、基板601上に、ゲート層603と、半導体層643と、ゲート層603及び半導体層643の間に設けられるゲート絶縁層605と、半導体層643に接するソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体層631a、631bと、不純物半導体層631a、631bに接する配線629a、629bとを有する。また、トランジスタの半導体層643、不純物半導体層631a、631b、配線629a、629bを覆う絶縁層637が形成される。半導体層643は、微結晶半導体領域643a及び非晶質半導体領域643bを有する。微結晶半導体領域643aは、第1の面においてゲート絶縁層605に接し、第1の面と対向する第2の面において非晶質半導体領域643bに接する。非晶質半導体領域643bは、第1の面において微結晶半導体領域643aに接し、第1の面と対向する第2の面において、一対の不純物半導体層631a、631b及び絶縁層637に接する。図19Bに示すトランジスタは、デュアルゲート型のトランジスタであり、図19Aに示すトランジスタを覆う絶縁層637と、絶縁層637上において、半導体層643と重畳するバックゲート層639とを有する。即ち、半導体層643において、ゲート層603と重畳する領域において、微結晶半導体領域643aがゲート層603に接するゲート絶縁層605に接し、非晶質半導体領域643bがバックゲート層639に接する絶縁層637に接する。微結晶半導体領域643aは、図17に示す微結晶半導体領域633aと同様の材料で形成される。また、非晶質半導体領域643bは図17に示す非晶質半導体領域633bと同様の材料で形成される。図17に示すトランジスタと比較して、図19に示すトランジスタでは、非晶質半導体領域643bが分離されておらず、微結晶半導体領域643aの一方の面がゲート絶縁層605に接し、他方の面が非晶質半導体領域643bに接する点が異なる。図19に示すトランジスタは、ゲート絶縁層605に接する微結晶半導体領域643aと、欠陥が少なく、価電子帯のバンド端における準位のテール裾の傾きが急峻である秩序性の高い窒素を含む非晶質半導体領域643bとで構成され、絶縁層637側が非晶質半導体領域643bである半導体層643を有する。このため、図17に示すトランジスタと比較してオフ電流が低く、オン電流及び電界効果移動度が高い。よって、液晶表示装置において当該トランジスタを画素に設けられるトランジスタとして適用することで、コントラストが高く、画質の良好な液晶表示装置を得ることができる。また、図17及び図19に示すトランジスタにおいて、半導体層633、643は、ゲート層603より面積が狭く、且つ全ての領域がゲート層603と重畳してもよい。更には、半導体層633、643の側壁、即ち、半導体層633、643と配線629a、629bの間に障壁領域である絶縁領域を有してもよい。障壁領域である絶縁領域は、半導体層633、643の一部を窒化または酸化して形成される領域であり、代表的には、半導体窒化物または半導体酸化物で形成される。半導体窒化物としては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン等があり、半導体酸化物としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン等がある。なお、絶縁領域を構成する半導体窒化物及び半導体酸化物は、必ずしも化学量論比を満たす必要はない。半導体層633、643の側壁、即ち、半導体層633、643と配線629a、629bの間に障壁領域である絶縁領域を有することで、配線629a、629bから半導体層633、643へのホールの注入を抑制することが可能であり、トランジスタのオフ電流を低減することができる。以上のことから、光リーク電流が小さく、且つオフ電流が小さいトランジスタを得ることができる。<トランジスタの作製方法の一例>次に、トランジスタの作製方法の一例について述べる。ここでは、図17に示すトランジスタを例に挙げて、その作製方法について、図20及び図21を用いて示す。ここでは、n型のトランジスタの作製方法について説明する。図20Aに示すように、基板601上にゲート層603を形成する。次に、ゲート層603を覆うゲート絶縁層605、微結晶半導体層607を形成する。ゲート層603は、上述した材料を適宜用いて形成する。ゲート層603は、基板601上に、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて上記した材料により導電層を形成し、該導電層上にフォトリソグラフィ法またはインクジェット法等によりマスクを形成し、該マスクを用いて導電層をエッチングして形成することができる。また、銀、金または銅等の導電性ナノペーストをインクジェット法により基板上に吐出し、焼成することで形成することもできる。なお、ゲート層603と、基板601との密着性向上を目的として、上記の金属材料の窒化物層を、基板601と、ゲート層603との間に設けてもよい。ここでは、基板601上に導電層を形成し、フォトマスクを用いて形成したレジストマスクを用いて導電層をエッチングしてゲート層603を形成する。なお、ゲート層603の側面は、テーパー形状とすることが好ましい。後の工程で、ゲート層603上には、絶縁層、半導体層及び配線層を形成するので、これらに段差箇所において断線を生じさせないためである。ゲート層603の側面をテーパー形状にするためには、レジストマスクを後退させつつエッチングを行えばよい。また、ゲート層603を形成する工程によりゲート配線走査線及び容量配線も同時に形成することができる。なお、走査線とは画素を選択する配線をいい、容量配線とは画素の保持容量の一方の電極に接続された配線をいう。ただし、これに限定されず、ゲート配線及び容量配線の一方または双方と、ゲート層603とは別に設けてもよい。ゲート絶縁層605は、CVD法またはスパッタリング法等を用いて、上述した材料を用いて形成することができる。ゲート絶縁層605のCVD法による形成工程においてグロー放電プラズマの生成は、3MHzから30MHz、代表的には13.56MHz、27.12MHzのHF帯の高周波電力、または30MHzより大きく300MHz程度までのVHF帯の高周波電力、代表的には60MHzを印加することで行われる。また、1GHz以上のマイクロ波の高周波電力を印加することで行われる。VHF帯やマイクロ波の高周波電力を用いることで、成膜速度を高めることが可能である。なお、高周波電力がパルス状に印加されるパルス発振や、連続的に印加される連続発振とすることができる。また、HF帯の高周波電力と、VHF帯の高周波電力を重畳させることで、大面積基板においてもプラズマのムラを低減し、均一性を高めることができると共に、堆積速度を高めることができる。また、周波数が1GHz以上であるマイクロ波プラズマCVD装置を用いてゲート絶縁層605を形成すると、ゲート層と、ドレイン層及びソース層との間の耐圧を向上させることができるため、信頼性の高いトランジスタを得ることができる。また、ゲート絶縁層605として、有機シランガスを用いたCVD法により酸化シリコン層を形成することで、後に形成する半導体層の結晶性を高めることが可能であるため、トランジスタのオン電流及び電界効果移動度を高めることができる。有機シランガスとしては、珪酸エチルTEOS:化学式SiOC2H54、テトラメチルシランTMS:化学式SiCH34、テトラメチルシクロテトラシロキサンTMCTS、オクタメチルシクロテトラシロキサンOMCTS、ヘキサメチルジシラザンHMDS、トリエトキシシランSiHOC2H53、トリスジメチルアミノシランSiHNCH323等のシリコン含有化合物を用いることができる。微結晶半導体層607としては、微結晶半導体層、代表的には、微結晶シリコン層、微結晶シリコンゲルマニウム層、微結晶ゲルマニウム層等を用いて形成する。微結晶半導体層607の厚さは、3~100nmとすることが好ましく、より好ましくは5~50nmとする。これは、微結晶半導体層607の厚さが薄すぎると、トランジスタのオン電流が低減し、また、微結晶半導体層607の厚さが厚すぎると、トランジスタが高温で動作する際に、オフ電流が上昇してしまうためである。微結晶半導体層607の厚さを3~100nm、好ましくは5~50nmとすることで、トランジスタのオン電流及びオフ電流を制御することができる。微結晶半導体層607は、プラズマCVD装置の反応室内において、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素とを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。または、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、ヘリウム、ネオン、クリプトン等の希ガスとを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対して、水素の流量を10~2000倍、好ましくは10~200倍にして堆積性気体を希釈して、微結晶シリコン、微結晶シリコンゲルマニウム、微結晶ゲルマニウム等を形成する。このときの堆積温度は、室温~300°Cとすることが好ましく、より好ましくは200~280°Cとする。シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の代表例としては、SiH4、Si2H6、GeH4、Ge2H6等がある。なお、ゲート絶縁層605を窒化シリコン層で形成すると、微結晶半導体層607の堆積初期において非晶質半導体領域が形成されやすく、微結晶半導体層607の結晶性が低く、トランジスタの電気特性が悪い。このため、ゲート絶縁層605を窒化シリコン層で形成する場合は、微結晶半導体層607を、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の希釈率の高い条件、または低温条件で堆積することが好ましい。代表的には、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積気体の流量に対して、水素の流量を200~2000倍、好ましくは250~400倍とする高希釈率条件が好ましい。また、微結晶半導体層607の堆積温度を200~250°Cとする低温条件が好ましい。高希釈率条件または低温条件により、初期核発生密度が高まり、ゲート絶縁層605上に形成される非晶質成分が低減し、微結晶半導体層607の結晶性が向上する。また、窒化シリコン層で形成したゲート絶縁層605の表面を酸化処理することで、微結晶半導体層607の密着性が向上する。酸化処理としては、酸化気体への暴露、酸化ガス雰囲気でのプラズマ処理等がある。微結晶半導体層607の原料ガスとして、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン等の希ガスを用いることで、微結晶半導体層607の成膜速度が高まる。また、成膜速度が高まることで、微結晶半導体層607に混入される不純物量が低減するため、微結晶半導体層607の結晶性を高めることができる。このため、トランジスタのオン電流及び電界効果移動度が高まると共に、スループットを高めることができる。微結晶半導体層607を形成する際の、グロー放電プラズマの生成は、3MHzから30MHz、代表的には13.56MHz、27.12MHzのHF帯の高周波電力、または30MHzより大きく300MHz程度までのVHF帯の高周波電力、代表的には、60MHzを印加することで行われる。また、1GHz以上のマイクロ波の高周波電力を印加することで行われる。なお、高周波電力がパルス状に印加されるパルス発振や、連続的に印加される連続発振とすることができる。また、HF帯の高周波電力と、VHF帯の高周波電力を重畳させることで、大面積基板においてもプラズマのムラを低減し、均一性を高めることができると共に、堆積速度を高めることができる。次に、図20Bに示すように、微結晶半導体層607上に半導体層611を形成する。半導体層611は、微結晶半導体領域611a及び非晶質半導体領域611bで構成される。次に、半導体層611上に、不純物半導体層613を形成する。次に、不純物半導体層613上にレジストマスク615を形成する。微結晶半導体層607を種結晶として、部分的に結晶成長させる条件結晶成長を低減させる条件で、微結晶半導体領域611a及び非晶質半導体領域611bを有する半導体層611を形成することができる。半導体層611は、プラズマCVD装置の処理室内において、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、窒素を含む気体とを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。窒素を含む気体としては、アンモニア、窒素、フッ化窒素、塩化窒素、クロロアミン、フルオロアミン等がある。グロー放電プラズマの生成は、微結晶半導体層607と同様にすることができる。このとき、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素との流量比は、微結晶半導体層607と同様に微結晶半導体層を形成する流量比を用い、さらに原料ガスに窒素を含む気体を用いる条件とすることで、微結晶半導体層607の堆積条件よりも、結晶成長を低減することができる。具体的には、半導体層611の堆積初期においては、原料ガスに窒素を含む気体が含まれるため、部分的に、結晶成長が抑制され、錐形状の微結晶半導体領域が成長すると共に、非晶質半導体領域が形成される。さらに、堆積中期または後期では、錐形状の微結晶半導体領域の結晶成長が停止し、非晶質半導体領域のみが堆積される。この結果、半導体層611において、微結晶半導体領域611a、及び欠陥が少なく、価電子帯のバンド端における準位のテール裾の傾きが急峻である秩序性の高い半導体層で形成される非晶質半導体領域611bを形成することができる。ここでは、半導体層611を形成する条件の代表例は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量が10~2000倍、好ましくは10~200倍である。なお、通常の非晶質半導体層を形成する条件の代表例は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量は0~5倍である。また、半導体層611の原料ガスに、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、またはクリプトン等の希ガスを導入することで、成膜速度を高めることができる。半導体層611の厚さは、厚さ50~350nmとすることが好ましく、さらに好ましくは120~250nmとする。ここでは、半導体層611の原料ガスに窒素を含む気体を含ませて、微結晶半導体領域611a及び非晶質半導体領域611bを有する半導体層611を形成したが、他の半導体層611の形成方法として、窒素を含む気体に微結晶半導体層607の表面を曝して、微結晶半導体層607の表面に窒素を吸着させた後、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体及び水素を原料ガスとして半導体層611を形成することで、微結晶半導体領域611a及び非晶質半導体領域611bを有する半導体層611を形成することができる。不純物半導体層613は、プラズマCVD装置の反応室内において、シリコンを含む堆積性気体と、水素と、ホスフィン水素希釈またはシラン希釈とを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。シリコンを含む堆積性気体を水素で希釈して、リンが添加された非晶質シリコン、またはリンが添加された微結晶シリコンを形成する。なお、p型のトランジスタを作製する場合は、不純物半導体層613として、ホスフィンの代わりに、ジボランを用いて、グロー放電プラズマにより形成すればよい。レジストマスク615はフォトリソグラフィ工程により形成することができる。次に、レジストマスク615を用いて、微結晶半導体層607、半導体層611、及び不純物半導体層613をエッチングする。この工程により、微結晶半導体層607、半導体層611、及び不純物半導体層613を素子毎に分離し、半導体層617、不純物半導体層621を形成する。なお、半導体層617は、微結晶半導体層607及び半導体層611の一部であり、微結晶半導体領域617a、及び非晶質半導体領域617bを有する図20C参照。この後、レジストマスク615を残存させたまま、酸化ガスまたは窒化ガス雰囲気でプラズマを発生させて、半導体層617をプラズマに曝してもよい。酸化ガスまたは窒化ガス雰囲気でプラズマを発生させることで、酸素ラジカルまたは窒素ラジカルが発生する。当該ラジカルは半導体層617と反応し、半導体層617の側面に障壁領域である絶縁領域を形成することができる。次に、不純物半導体層621上に導電層627を形成する図21A参照。導電層627は、図17、図18、及び図19に示す配線629a、629bと同様の材料を適宜用いることができる。導電層627は、CVD法、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて形成する。また、導電層627は、銀、金または銅等の導電性ナノペーストを用いてスクリーン印刷法またはインクジェット法等を用いて吐出し、焼成することで形成しても良い。次に、フォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成し、当該レジストマスクを用いて導電層627をエッチングして、ソース層及びドレイン層として機能する配線629a、629bを形成する図21B参照。導電層627のエッチングはドライエッチングまたはウエットエッチングを用いることができる。なお、配線629a、629bの一方は、ソース層またはドレイン層のみならず信号線としても機能する。ただし、これに限定されず、信号線とソース層及びドレイン層とは別に設けてもよい。次に、不純物半導体層621及び半導体層617の一部をエッチングして、ソース領域及びドレイン領域として機能する一対の不純物半導体層631a、631bを形成する。また、微結晶半導体領域633a及び一対の非晶質半導体領域633bを有する半導体層633を形成する。このとき、微結晶半導体領域633aが露出されるように半導体層617をエッチングすることで、配線629a、629bで覆われる領域では微結晶半導体領域633a及び非晶質半導体領域633bが積層され、配線629a、629bで覆われず、かつゲート層603と重なる領域においては、微結晶半導体領域633aが露出する半導体層633となる図21C参照。ここでは、エッチングにおいてドライエッチングを用いているため、配線629a、629bの端部と、不純物半導体層631a、631bの端部とが揃っているが、導電層627をウエットエッチングし、不純物半導体層621をドライエッチングすると、配線629a、629bの端部と、不純物半導体層631a、631bの端部とがずれ、断面において、配線629a、629bの端部が、不純物半導体層631a、631bの端部より内側に位置する。次に、ドライエッチングを行ってもよい。ドライエッチングの条件は、露出している微結晶半導体領域633a及び非晶質半導体領域633bにダメージが入らず、且つ微結晶半導体領域633a及び非晶質半導体領域633bに対するエッチングレートが低い条件を用いる。つまり、露出している微結晶半導体領域633a及び非晶質半導体領域633b表面にほとんどダメージを与えず、且つ露出している微結晶半導体領域633a及び非晶質半導体領域633bの厚さがほとんど減少しない条件を用いる。エッチングガスとしては、代表的にはCl2、CF4、またはN2等を用いる。また、エッチング方法については特に限定はなく、誘導結合型プラズマICP:InductivelyCoupledPlasma方式、容量結合型プラズマCCP:CapacitivelyCoupledPlasma方式、電子サイクロトン共鳴プラズマECR:ElectronCyclotronResonance方式、反応性イオンエッチングRIE:ReactiveIonEtching方式等を用いることができる。上記したように、微結晶半導体領域633a及び非晶質半導体領域633bを形成した後に、微結晶半導体領域633a及び非晶質半導体領域633bにダメージを与えない条件で更なるドライエッチングを行うことで、露出した微結晶半導体領域633a及び非晶質半導体領域633b上に存在する残渣などの不純物を除去することができる。次に、微結晶半導体領域633a及び非晶質半導体領域633bの表面にプラズマ処理、代表的には水プラズマ処理、酸素プラズマ処理、アンモニアプラズマ処理、窒素プラズマ処理等を行ってもよい。水プラズマ処理は、水蒸気H2O蒸気に代表される、水を主成分とするガスを反応空間に導入し、プラズマを生成して、行うことができる。この後、レジストマスクを除去する。なお、当該レジストマスクの除去はドライエッチング前に行ってもよい。上記したように、ドライエッチングに続けて水プラズマ処理を行うことで、レジストマスクの残渣を除去することができる。また、プラズマ処理を行うことで、ソース領域とドレイン領域との間の絶縁を確実なものにすることができ、完成するトランジスタのオフ電流を低減し、電気的特性のばらつきを低減することができる。以上の工程により、図17Aに示すような、チャネル形成領域が微結晶半導体層で形成されるトランジスタを作製することができる。また、オフ電流が低く、オン電流及び電界効果移動度が高いトランジスタを生産性高く作製することができる。次に、絶縁層637を形成する。絶縁層637は、ゲート絶縁層605と同様に形成することができる。次に、フォトリソグラフィ工程により形成したレジストマスクを用いて絶縁層637に開口部を形成した後、バックゲート層639を形成する図21D参照。バックゲート層639は、スパッタリング法により、上述した材料を用いた薄膜を形成した後、フォトリソグラフィ工程によって形成したレジストマスクを用いて上記薄膜をエッチングすることで、形成できる。また、透光性を有する導電性高分子を含む導電性組成物を塗布または印刷した後、焼成して形成することができる。以上の工程により、図17Bに示すようなデュアルゲート型のトランジスタを作製することができる。なお、図21Cにおける半導体層617及び不純物半導体層621のエッチング量を制御することで、図19A及び図19Bに示すトランジスタを作製することができる。<液晶表示装置を搭載した各種電子機器について>以下では、本明細書で開示される液晶表示装置を搭載した電子機器の例について図22を参照して説明する。図22Aは、ノート型のパーソナルコンピュータを示す図であり、本体2201、筐体2202、表示部2203、キーボード2204などによって構成されている。図22Bは、携帯情報端末PDAを示す図であり、本体2211には表示部2213と、外部インターフェイス2215と、操作ボタン2214等が設けられている。また、操作用の付属品としてスタイラス2212がある。図22Cは、電子ペーパーの一例として、電子書籍2220を示す図である。電子書籍2220は、筐体2221および筐体2223の2つの筐体で構成されている。筐体2221および筐体2223は、軸部2237により一体とされており、該軸部2237を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、電子書籍2220は、紙の書籍のように用いることが可能である。筐体2221には表示部2225が組み込まれ、筐体2223には表示部2227が組み込まれている。表示部2225および表示部2227は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部図22Cでは表示部2225に文章を表示し、左側の表示部図22Cでは表示部2227に画像を表示することができる。また、図22Cでは、筐体2221に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体2221は、電源ボタン2231、操作キー2233、スピーカー2235などを備えている。操作キー2233により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子イヤホン端子、USB端子、またはACアダプタおよびUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍2220は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。また、電子書籍2220は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。なお、電子ペーパーは、情報を表示するものであればあらゆる分野に適用することが可能である。例えば、電子書籍以外にも、ポスター、電車などの乗り物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示などに適用することができる。図22Dは、携帯電話機を示す図である。当該携帯電話機は、筐体2240および筐体2241の二つの筐体で構成されている。筐体2241は、表示パネル2242、スピーカー2243、マイクロフォン2244、ポインティングデバイス2246、カメラ用レンズ2247、外部接続端子2248などを備えている。また、筐体2240は、当該携帯電話機の充電を行う太陽電池セル2249、外部メモリスロット2250などを備えている。また、アンテナは筐体2241内部に内蔵されている。表示パネル2242はタッチパネル機能を備えており、図22Dには映像表示されている複数の操作キー2245を点線で示している。なお、当該携帯電話は、太陽電池セル2249から出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路を実装している。また、上記構成に加えて、非接触ICチップ、小型記録装置などを内蔵した構成とすることもできる。表示パネル2242は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネル2242と同一面上にカメラ用レンズ2247を備えているため、テレビ電話が可能である。スピーカー2243およびマイクロフォン2244は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体2240と筐体2241はスライドし、図22Dのように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。外部接続端子2248はACアダプタやUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、充電やデータ通信が可能になっている。また、外部メモリスロット2250に記録媒体を挿入し、より大量のデータの保存および移動に対応できる。また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。図22Eは、デジタルカメラを示す図である。当該デジタルカメラは、本体2261、第1の表示部2267、接眼部2263、操作スイッチ2264、第2の表示部2265、バッテリー2266などによって構成されている。図22Fは、テレビジョン装置を示す図である。テレビジョン装置2270では、筐体2271に表示部2273が組み込まれている。表示部2273により、映像を表示することが可能である。なお、ここでは、スタンド2275により筐体2271を支持した構成を示している。テレビジョン装置2270の操作は、筐体2271が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機2280により行うことができる。リモコン操作機2280が備える操作キー2279により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部2273に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機2280に、当該リモコン操作機2280から出力する情報を表示する表示部2277を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置2270は、受信機やモデムなどを備えた構成とするのが好適である。受信機により、一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことが可能である。