温度検出デバイスの製造方法であって、前記方法は、サーミスタ構造を定義するように、少なくとも1つのシリコン層と少なくとも1つの電極又は接点を形成することを含み、少なくとも前記シリコン層は、印刷することにより形成され、及び前記シリコン層を印刷している間、前記シリコン層と前記少なくとも1つの電極又は接点のうち少なくとも1つが基板により支持されている。前記少なくとも1つの電極又は接点は、印刷により形成される、請求項1に記載の方法。前記少なくとも1つのシリコン層と少なくとも2つの伝導電極又は接点は、温度が測定されるべき対象物に直接当てられ、前記対象物自体が前記サーミスタ構造の前記基板を形成するようになっている、請求項1又は2に記載の方法。前記基板は、導電性本体を備え、前記基板は前記サーミスタ構造の電極又は接点を形成する、請求項1又は2に記載の方法。前記基板は、フレキシブルシートを備える、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の方法。前記フレキシブルシートは、固体薄膜、繊維材料又は織物を含む、請求項5に記載の方法。前記基板は、硬いシートを備える、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の方法。前記硬いシートは、固体材料、繊維又は粒子材料を有する合成物、又は織物を有する合成物を含む、請求項7に記載の方法。前記基板は、製造中において前記サーミスタ構造のための一時的な支持又はテンプレートを形成する、請求項1又は2に記載の方法。前記基板は、前記サーミスタ構造を印刷した後、犠牲とされて、そして化学的手段、熱的手段又は機械的手段によって取り除かれる、請求項9に記載の方法。前記基板は、再利用可能なテンプレートを形成する、請求項9に記載の方法。前記シリコン層は、シリコン粒子を有するインクと、バインダー及び適切な溶媒を含む液体溶媒と、から形成され、前記シリコン粒子は、10ナノメートルから100マイクロメートルの範囲内の大きさを有し、及び粒子間の電荷の輸送を許容する面を有している、請求項1乃至11のいずれか一項に記載の方法。バインダーに対する前記シリコンの比を変化させることによる、インク組成物の変更によって、前記シリコン粒子層に少なくとも1つの更なる伝導経路を追加すること、又はシリカあるいは他のセラミックナノ粒子などの絶縁層か伝導層又は半導体層を前記インクに追加すること、それによって効果的に前記サーミスタ構造の温度依存抵抗と並列に相対的な非温度依存の内部抵抗を追加すること、を含む、請求項13に記載の方法。印刷された温度センサの公称抵抗を減少させるため、前記サーミスタ構造の前記温度依存抵抗と並列に、導電性インクを用いて、内部の略非温度依存抵抗を印刷することを含む、請求項13に記載の方法。前記印刷された温度センサの前記公称抵抗を増大させるため、前記サーミスタ構造の前記温度依存抵抗と直列に、導電性インクを用いて、内部の略非温度依存抵抗を印刷することを含む、請求項13に記載の方法。前記インクの前記シリコン粒子の画分は、5~95の範囲内である、請求項12乃至15のいずれか一項に記載の方法。シリコン粒子を容量で25~60の範囲内で前記インク内の前記シリコン粒子の画分を変更することにより、前記印刷された温度センサの前記抵抗を調整することを含む、請求項16に記載の方法。前記インクは、60を超えて、好ましくは80を超えてシリコン粒子画分を有する、請求項16に記載の方法。厚膜堆積処理によって、又は電気メッキ若しくは無電解メッキによって、導電性インクを用いて、印刷することにより少なくとも前記伝導電極又は接点の1つを形成すること、を含む、請求項1乃至18のいずれか一項に記載の方法。前記少なくとも1つの接点を、所望の形状に形成するため、化学的エッチング又は電気化学的エッチング、レーザースクライビング若しくは別の方法で材料を除去することによって正確な形状にパターニングするステップを含む、請求項19に記載の方法。前記接点は、前記サーミスタ構造の径方向の電気経路が、測定される抵抗を前記印刷する方向に対して全方向にわたって平均化するように、円形の幾何学形状を有しており、前記印刷処理におけるいかなる横方向の異方性の影響を排除することを確実にしている、請求項1乃至20のいずれか一項に記載の方法。サーミスタデバイスに電流を供給するために使用される任意の2つの接点との間の距離が前記接点との間の半導体経路の幅と比べて小さくなるように、前記サーミスタデバイスのアスペクト比が低く、好ましくは1/30より低く、そしてより好ましくは1/1000より低い、請求項1乃至21のいずれか一項に記載の方法。並んで延設される2つの細長い並列の接点は、比較的広い領域を覆うように、螺旋を定義するか又は経路を蛇行するパターンで堆積させて、それによって、前記基板の対応する形状の領域の平均温度を監視できる、請求項1乃至20又は22のいずれか一項に記載の方法。蛇行隙間を定義するように、互いに平行に延び、隣接する複数の細長いストリップ又は複数のフィンガーをそれぞれ有する、2つの互いに組み合わせた電気接点は、印刷された粒状シリコン層によって接続又はブリッジされている、請求項1乃至20又は22のいずれか一項に記載の方法。前記印刷された粒状シリコン層は、前記電極間の前記蛇行隙間に続くように構成された、請求項24に記載の方法。前記印刷された粒状シリコン層は、前記電極間の前記蛇行隙間の上に連続層を形成する、請求項24に記載の方法。4つの電気接点であって、前記4つの電気接点のうち2つの電気接点が電流を前記温度検出デバイスに供給するために使用され、前記4つの電気接点のうち2つの電気接点が使用中の電圧を監視するために使用され、前記4つの電気接点は、より高い精度を得るために従来の線形4点幾何学形状又は通常使用されるファンデルポー形状のいずれかで堆積される、請求項1乃至22のいずれか一項に記載の方法。図1は、本発明の一実施形態に係る基本的な多層サーミスタ構造の概略側断面図を示している。サーミスタ構造は、基板上に形成されており、第1の金属層12、第1の金属層14上に印刷された粒状シリコン層14、及び粒状シリコン層14上に堆積された第2の金属層16を備える。上記で示したように、基板10は、多くの形態をとることができるが、一般的には、例えば、金属箔又はポリマーシートなどの固体膜;紙及びフェルト材料などの繊維材料;又は織物から構成することができるフレキシブルシートを含んでいる。これらの実施例は、例示の目的のためにのみ提供され、限定されることを意図するものではない。金属層と粒状シリコン層は、好ましくは上記で定義された印刷により堆積される。図1の実施形態において、基板10は、非導通であるか、又は導通している場合でも、サーミスタ構造の電気接点としての機能を持たない。この実施形態において、第1の金属層12と第2の金属層16は、それぞれにワイヤ又は他の導体18及び20を接続することができ、伝導電極又は接点として機能する。本発明の方法により製造されたサーミスタのいくつかの例示的な実施形態が図2~図8を参照して説明される。図2に示されるように、第1の実施形態は、ボトム接点二端子サーミスタである。この実施形態は、基板26上に形成された、並んで延設される2つの細長い伝導接点22、24を備えており、それぞれが広範囲を覆うように螺旋状などのパターンで配設されてもよい。接点は、細長い螺旋形状を有して印刷された粒状シリコン層28によって、それぞれの接点を部分的に覆うように接続又はブリッジされ、基板によって全体構造が支持されている。電気接点は、必要に応じて接点22と24に対して作ることができる。図示される四角にされた螺旋形状の代わりに、粒状シリコン層の接点層とブリッジ層が、別の平行な曲がりくねった経路又は曲線の螺旋状の経路に続いてもよい。サーミスタ構造は、基板26又は基板26が接触するための対象物の広くて、不規則になり得る形状の領域の平均温度を監視できるように、相対的に広い領域を覆ってもよい。粒状シリコンの層が最初に印刷されて、当該粒状シリコンの層に接点が堆積されると、堆積シーケンスを単に反転することによって、同様のトップ接点が製造されてもよい。代替的なアプローチにおいて、シリコンストリップが接点ストリップの上に又は下に堆積された連続層を形成してもよい。図3は、印刷された粒状シリコン層34によって接続又はブリッジされた2つの互いに組み合わせた電気接点30と32を含む互いに組み合わせた2つの端子サーミスタの図である。シリコンインクの層が層34を形成して、2組の電極と接続するように印刷された蛇行隙間を定義するため、接点30と32は、それぞれ互いに平行かつ隣接して延設する複数の細長いストリップ又はフィンガー36と38を有する。接点又は電極と、それらのフィンガーの数や長さは、任意の所望の領域を覆うように変更することができる。サーミスタは、基板40上に印刷される。このシリコン層34は、図に示されるように、電極間の隙間に続くように構成してもよいし、連続層を形成することもできる。デバイスは、上述したような材料の堆積順序に応じて、ボトム接点デバイス又はトップ接点デバイスであってもよい。図4は、サーミスタの電気経路が内部電気接点42と同心円形状の外部接点又は電極44を有する円形構造の径方向にある実施形態を示している。接点は、印刷された粒状シリコンの環状層46によって接続されている。サーミスタは、基板48上に印刷される。図5は、図4と同様の実施形態を示しており、2つの接点が、固体の内部円50を含み、同心円状の外輪52が同軸形状に堆積している。印刷された粒状シリコン層54は、2つの接点をブリッジする、第2の同心環を形成する。しかしながら、図5のデバイスにおいて、内部電極接点50は、外部接点52の隙間を通って第1の電気接点パッドに径方向外側に延びている。外部接点はまた、第2の電気接点パッド58に対して外側に延びている。構造は、基板60上に印刷されている。2つの接点間の環状隙間をブリッジする、印刷されたシリコン層54によって画定された同心環は、完全につながっているか又は図に示すように分断されているかどちらでもよい。図4と図5の例示の実施形態は、トップ接点デバイス又はボトム接点デバイスのどちらかとして製造され得、特に印刷プロセスに適合される。これらのサーミスタ構造の径方向の電気経路は、測定された抵抗を印刷する方向に対して全方向にわたって平均化して、そして堆積処理におけるいかなる横方向の異方性の影響を排除することを確実にしている。より高い精度を得るために、既知の4点抵抗測定法での使用に適したサーミスタデバイスが望ましい。これは、図6に示すように、4つの同一平面上の電極を有するデバイスによって達成することができる。このデバイスは、電位差が決定されて、電流が供給される2つの追加の電極66と68との間に微細構造を持つ2つの内部電極62と64を有する。すべての4つの電極が、印刷された粒状シリコンのオーバー印刷層70によって接続されている。デバイスは、基板72上に形成されている。内部電極62と64のそれぞれは、その各端部に拡大された接点パッドを有する。2つの内部電極62と64は、粒状シリコン層における電位差を測定するように使用され、そして非常に微細に印刷し得る。外部電極66と68は、励磁電流を供給するように使用され、内部電極に比べて相対的に大きくてもよい。この形状の最も簡単なバリエーションでは、図示するように、シリコン層70が、デバイスの中央部に4つの電極をブリッジする厚いストリップとして単に印刷されているのみである。4点抵抗法に代わるものは、図7に示される円形のデザイン又は図8に示されるギリシャ十字形状などの、既知のファンデルポー形状のいずれかを使用することである。図7の印刷されたサーミスタデバイスにおいて、4つの等間隔の楔形電気接点74、76、78及び80が提供されており、固体円形形状を有する印刷された粒状シリコンの層82によって接続される。デバイスは、基板84上に印刷される。4つの接点は、印刷されたシリコンの層で充填されたパターンの中央の空間で円形状に対称に配置されている。最高の精度を得るためには、この後者の層は、円形状を有している必要があり、中心に位置する。しかしながら、これは必須ではなく、適切なデバイスは、電極の上に又は真下にシリコンの連続層を印刷することによって製造することができる。図8のデバイスにおいて、4つの電極86、88、90及び92は、基板94上に対称的に堆積される。粒状シリコンの層96は、接点間のデバイスの中央領域に堆積される。層96は、十字のアームの先端が部分的にそれぞれの電極の上を覆って電極の間に2つの垂直なシリコン経路を定義する、ギリシャ十字の形状を有する。本発明のサーミスタによって定義することができるファンデルポー形状のさらによく知られたバリエーションは、そのようなクローバーリーフ又はマルタ十字など、これらの2つの基本的な形態の幾何学的特徴を組み合わせた構造を含む。デバイスを製造するための印刷の使用を可能にする、温度依存抵抗を決定する新規な方法は、トップ接点とボトム接点を形成する同一の対称的な電極構造を有することによって、ファンデルポー手法の原理を拡張することである。上述した2つの接点のデザインのいずれかが、標準的な4点ファンデルポー手法と類似の方法において、シリコン層のバルクを介して抵抗を決定するために使用され得る。同様に、トップ接点とボトム接点の両方に適用された4つの電極構成は、さらなる高い精度と安定性を有する抵抗測定を提供する。さらに、上記のデザインのいずれか、又は電極の類似の配置は、特定の領域上の温度分布をマッピングすることを可能にするピクセル化されたセンサを形成するように基板上の広い領域にわたって並べるように配置することができる。実施例1第1の実施例では負温度係数サーミスタは、図6に示すデザインに従って製造された。4つの銀電極又は接点が、デュポン社の5000銀導体を用いたスクリーン印刷により80g/m2の上質紙のシート基板上に堆積された。任意の2つの隣接する電極間の距離は、2mmであった。銀インクを周囲条件下で約1日乾燥させた後、シリコンインクが、デバイスのすべての4つの電極間の接続を形成するためにドロップキャストされた。インクに使用されるシリコンナノ粒子は、国際公開第2009/125370号に開示された方法によれば、ホウ素ドープされたp型シリコンウェーハから製粉された。これらの粒子は、95重量のシリコンの割合で市販されているアクリル系スクリーン印刷塩基と混合し、インクの濃度をプロピレングリコールで薄くすることにより調整した。完成したデバイスは、約15mm×10mmのサイズの小さい柔軟なデバイスを形成するために紙の大きいシートから切り出された。予備試験では、室温電流/電圧特性は、4点手法と2点技法の両方により決定された。その温度応答をテストするために、本デバイスは、紙基材が印刷されたサーミスタ素子とガラスとの間にあるように、及びデバイスの軸がガラスの外周に続くように、直径65mmのガラスビーカーの外側に粘着テープで固定された。抵抗の温度依存性を較正するために、デジタル温度計で水の温度を測定しながら、ビーカーを氷水で満たして、電気ホットプレートで加熱した。便宜上、抵抗は単にデジタルマルチメータで測定した。図9は、アレニウススケールのサーミスタの抵抗温度応答を示す。示された温度範囲において、デバイスは、2210±30Kのβ値と通常呼ばれる対数の温度係数を示す。実施例2第2の実施例において、図5に示されたデザインに従って負温度係数サーミスタが製造された。銀接点は、80g/m2の上質紙のシートを有する基板上にデュポン社の5000銀導体を用いたスクリーン印刷により堆積された。内部電極の直径は、5mmであり、2つの電極間の間隔は0.5mmであった。銀インクを周囲条件下で約1日乾燥させた後、シリコン層は、国際公開第2009/125370号に開示された方法に従って2503グレードの金属シリコンから粉砕されたシリコンナノ粒子を用いて、電極間の隙間を覆ってスクリーン印刷された。これらのナノ粒子は、88重量のシリコンの割合で市販されているアクリル系スクリーン印刷塩基と混合し、インクの濃度をプロピレングリコールで薄くすることにより調整した。完成したデバイスは、約20mm×15mmのサイズの小さい柔軟なデバイスを形成するために紙の大きいシートから切り出された。銀線は、安全な固定接続を形成するために、接点パッドに半田付けされた。ゼロ磁場条件下で、レイクショア社の7700ホール測定システム、及び関連する低温保持装置を用いて、50Kから350Kの温度範囲において、デバイスのために電流/電圧特性が測定された。図10の一例として示されている抵抗温度特性は、低励磁電流の電流電圧特性の傾きから決定した。拡張された温度範囲では、液体窒素温度で通常1000Kであって、室温付近で2000Kの少なくとも2つのアレニウス係数がある。同様のデバイスのさらなる研究は、350Kを超えた温度で明らかとなる約10000Kの3つ目のベータ値を示す。異なる範囲内のこれらの異なるβ値の組み合わせは、印刷されたシリコンサーミスタを、広い温度範囲にわたって適用することができる。実施例3図11は、図3に示されたデザインに係る負温度係数のサーミスタの写真である。この場合において、シリコンは互いに組み合わせた銀接点の上に固体ブロックとして印刷されるが、接点間のシリコンの領域だけが温度依存抵抗に寄与する。抵抗が低いために、シリコン半導体の長さと幅のアスペクト比は、理想的には1/1000より低くなるべきである。この例において、銀接点は、隣接する電極間に24の間隙を有する、25の個々の電極を備え、各隙間は16mmの長さを有し、各間隙の幅隣接する電極間の間隔は、0.25mmである。高い抵抗のデバイスであって、図5における導体間の隙間を定義する円の外周に対する導体間の横方向の隙間の比によって与えられる長さと幅のアスペクト比が約1/30である、実施例2のデバイスとは対照的に、本実施例のデザインは、1/1600のアスペクト比を有し、それに対応して同一のシリコン層の厚さでより低い抵抗を有する。銀接点は、デュポン社の5000銀導体を使用して、160gsmの板紙状の基板上にスクリーン印刷することによって堆積される。銀インクを周囲条件下で約1日乾燥させた後、シリコン層は、国際公開第2009/125370号に開示された方法に従って2503グレードの金属シリコンから粉砕されたシリコンナノ粒子を用い、電極間の隙間を覆ってスクリーン印刷された。これらのナノ粒子は、80重量のシリコンの割合で市販のアクリル系スクリーン印刷塩基と混合し、インクの濃度をプロピレングリコールで薄くすることにより調整した。南アフリカ仮特許第2010/06533号明細書に開示された方法に従って、最後のサーミスタは、プラスチック積層から突出され得る銀接点を有する、個別部品としてパッケージングされた。多くのこのようなデバイスのテストは、20°C~60°Cの温度範囲にわたってボックスオーブン内で実施され、±200Kの統計的変動を有する2000Kの一定のβ値を得た。シリコン層の厚さに応じた、このデザインの通常の抵抗は、100kΩである。15Kから350Kまでの拡張された温度範囲にわたって、レイクショア社の7700システムを用いた低温度測定からのコンダクタンスの詳細な分析は、約20K、650K、および1900Kの3つの固有のβ値を示した。実施例4図12は、より大きな領域にわたって延長され、かつグラフィックデザインとしての形をとる、図3の基本デザインに係る、実施例3に記載の互いに組み合わせたサーミスタの変形例の写真である。例として実物大の人間の手形をデザインとして選んだが、手形のデザインに限定されず、他のいくつかの抽象的な絵またはデザインが選択され得る。複数の銀トラックは、手の輪郭を形成するそれらの共通接続を有し、互いに組み合わせた電極を形成するために、180gsmの板紙の様々なカラーにデュポン社の5000銀導体を用いて、スクリーン印刷される。電極間の隙間は、0.5mm~1mmの範囲でデザインの形状に適合するように調整される。国際公開第2009/125370号に開示された方法に従って2503グレードのシリコンから粉砕された80重量のナノ粒子を有するシリコンインクは、グラフィックデザインと、並列に接続された1組のサーミスタの両方を形成するために、異なる位置に印刷される。同じように手の全領域は、シリコンで印刷することができるが、これはサーミスタの構成および動作の原理の説明を可能にするために行われなかった。印刷した後、プラスチック積層から突出され得る銀接点を備えた、南アフリカ仮特許第2010/06533号明細書に開示された方法に従って、個別部品としてパッケージングされた。このデザインの通常の抵抗は、シリコン層の厚さに応じて、20~40kΩの間であり、そしてβ値は2000±100Kで一定である。