真空排気が可能になされた処理容器内で被処理体の表面に不純物含有のシリコン膜を形成する薄膜の形成方法において、前記処理容器内へシリコンと水素とよりなるシラン系ガスを該シラン系ガスが前記被処理体の表面に吸着するような状態で供給する第1のガス供給工程と前記処理容器内へ不純物含有ガスを供給する第2のガス供給工程とを交互に繰り返し行うことによりアモルファス状態で前記不純物含有のシリコン膜を形成するようにしたことを特徴とする薄膜の形成方法。前記第1及び第2のガス供給工程におけるプロセス温度は、それぞれ350~600°Cの範囲内であることを特徴とする請求項1記載の薄膜の形成方法。前記第1及び第2のガス供給工程におけるプロセス圧力は、それぞれ27~6665Pa0.2~50Torrの範囲内であることを特徴とする請求項1又は2記載の薄膜の形成方法。前記第1のガス供給工程と前記第2のガス供給工程との間には、前記処理容器内の残留ガスを排除するためのパージ工程が行われることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の薄膜の形成方法。前記パージ工程の全期間又は一部の期間では、残留ガスの排除を促進するためのパージガスを供給するようにしていることを特徴とする請求項4記載の薄膜の形成方法。前記第1のガス供給工程及び前記第2のガス供給工程の内の少なくともいずれか一方のガス供給工程では、圧力調整用ガスが供給されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の薄膜の形成方法。前記シラン系ガスは、モノシラン及び高次シランよりなる群から選択される1以上のガス種よりなることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の薄膜の形成方法。前記不純物含有ガスは、BCl3、PH3、PF3、AsH3、PCl3、B2H6よりなる群から選択される1以上のガス種よりなることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の薄膜の形成方法。真空排気が可能になされた処理容器内で被処理体の表面に不純物含有のシリコン膜を形成する薄膜の形成方法において、前記処理容器内へシリコンと水素とよりなるシラン系ガスとゲルマニウムと水素とよりなるゲルマニウム系ガスを前記シラン系ガスと前記ゲルマニウム系ガスとが前記被処理体の表面に吸着するような状態で供給する第1のガス供給工程と前記処理容器内へ不純物含有ガスを供給する第2のガス供給工程とを交互に繰り返し行うことによりアモルファス状態で前記不純物含有のシリコンゲルマニウム膜を形成するようにしたことを特徴とする薄膜の形成方法。前記第1及び第2のガス供給工程におけるプロセス温度は、それぞれ350~600°Cの範囲内であることを特徴とする請求項9記載の薄膜の形成方法。前記第1及び第2のガス供給工程におけるプロセス圧力は、それぞれ27~6665Pa0.2~50Torrの範囲内であることを特徴とする請求項9又は10記載の薄膜の形成方法。前記第1のガス供給工程と前記第2のガス供給工程との間には、前記処理容器内の残留ガスを排除するためのパージ工程が行われることを特徴とする請求項9乃至11のいずれか一項に記載の薄膜の形成方法。前記パージ工程の全期間又は一部の期間では、残留ガスの排除を促進するためのパージガスを供給するようにしていることを特徴とする請求項12記載の薄膜の形成方法。前記第1のガス供給工程及び前記第2のガス供給工程の内の少なくともいずれか一方のガス供給工程では、圧力調整用ガスが供給されることを特徴とする請求項9乃至13のいずれか一項に記載の薄膜の形成方法。前記シラン系ガスは、モノシラン及び高次シランよりなる群から選択される1以上のガス種よりなることを特徴とする請求項9乃至14のいずれか一項に記載の薄膜の形成方法。前記ゲルマニウム系ガスは、GeH4ガスとGeH6ガスとGe2H6ガスとよりなる群から選択される1以上のガスを含むことを特徴とする請求項9乃至15のいずれか一項に記載の薄膜の形成方法。前記不純物含有ガスは、BCl3、PH3、PF3、AsH3、PCl3、B2H6よりなる群から選択される1以上のガス種よりなることを特徴とする請求項9乃至16のいずれか一項に記載の薄膜の形成方法。請求項1乃至8のいずれか一項に記載の薄膜の形成方法を行った後に請求項9乃至17のいずれか一項に記載の薄膜の形成方法を行うことを特徴とする薄膜の形成方法。全ての前記薄膜が形成された後に、アニール工程を行うことを特徴とする請求項18記載の薄膜の形成方法。被処理体の表面に不純物含有の薄膜を形成する成膜装置において、前記被処理体を収容することができる処理容器と、前記処理容器内で前記被処理体を保持する保持手段と、前記被処理体を加熱する加熱手段と、前記処理容器内へ必要なガスを供給するガス供給手段と、前記処理容器内の雰囲気を排気する真空排気系と、請求項1乃至18のいずれか一項に記載の薄膜の形成方法を実行するように装置全体の動作を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置。ところで、上述したような各成膜方法は、微細化の要請がそれ程厳しくなくて設計ルールが比較的緩い場合には、上記したような凹部の埋め込みは良好に行われて、ステップカバレジも良好で高い埋め込み特性を得られていた。しかしながら、最近のように更に微細化の要請が高まって設計ルールがより厳しくなると、十分な埋め込み特性が得られなくなってきた。また、例えば図12Bに示すように、膜中に発生するボイド8の存在が無視できなくなってきている。これは、コンタクト抵抗の増大を引き起こす要因となる。特に、最近にあっては、上記したような凹部4のホール径が40nm以下で、且つアスペクト比が10以上の厳しい設計ルールも要請されており、上記したような問題点の早期の解決が望まれている。本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明は、比較的低温でも埋め込み特性が良好なアモルファス状態の不純物含有のシリコン膜やシリコンゲルマニウム膜のような薄膜を形成することが可能な薄膜の形成方法及び成膜装置である。請求項1に係る発明は、真空排気が可能になされた処理容器内で被処理体の表面に不純物含有のシリコン膜を形成する薄膜の形成方法において、前記処理容器内へシリコンと水素とよりなるシラン系ガスを該シラン系ガスが前記被処理体の表面に吸着するような状態で供給する第1のガス供給工程と前記処理容器内へ不純物含有ガスを供給する第2のガス供給工程とを交互に繰り返し行うことによりアモルファス状態で前記不純物含有のシリコン膜を形成するようにしたことを特徴とする薄膜の形成方法である。このように、真空排気が可能になされた処理容器内で被処理体の表面に不純物含有のシリコン膜を形成する薄膜の形成方法において、処理容器内へシリコンと水素とよりなるシラン系ガスを該シラン系ガスが被処理体の表面に吸着するような状態で供給する第1のガス供給工程と処理容器内へ不純物含有ガスを供給する第2のガス供給工程とを交互に繰り返し行うことによりアモルファス状態で不純物含有のシリコン膜を形成するようにしたので、比較的低温でも埋め込み特性が良好なアモルファス状態の不純物含有のシリコン膜を形成することが可能となる。請求項9に係る発明は、真空排気が可能になされた処理容器内で被処理体の表面に不純物含有のシリコン膜を形成する薄膜の形成方法において、前記処理容器内へシリコンと水素とよりなるシラン系ガスとゲルマニウムと水素とよりなるゲルマニウム系ガスを前記シラン系ガスと前記ゲルマニウム系ガスとが前記被処理体の表面に吸着するような状態で供給する第1のガス供給工程と前記処理容器内へ不純物含有ガスを供給する第2のガス供給工程とを交互に繰り返し行うことによりアモルファス状態で前記不純物含有のシリコンゲルマニウム膜を形成するようにしたことを特徴とする薄膜の形成方法である。このように、真空排気が可能になされた処理容器内で被処理体の表面に不純物含有のシリコンゲルマニウム膜を形成する薄膜の形成方法において、処理容器内へシリコンと水素とよりなるシラン系ガスとゲルマニウムと水素とよりなるゲルマニウム系ガスをシラン系ガスとゲルマニウム系ガスとが被処理体の表面に吸着するような状態で供給する第1のガス供給工程と処理容器内へ不純物含有ガスを供給する第2のガス供給工程とを交互に繰り返し行うことによりアモルファス状態で不純物含有のシリコンゲルマニウム膜を形成するようにしたので、比較的低温でも埋め込み特性が良好なアモルファス状態の不純物含有のシリコンゲルマニウム膜を形成することが可能となる。請求項18に係る発明は、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の薄膜の形成方法を行った後に請求項9乃至17のいずれか一項に記載の薄膜の形成方法を行うことを特徴とする薄膜の形成方法である。請求項20に係る発明は、被処理体の表面に不純物含有の薄膜を形成する成膜装置において、前記被処理体を収容することができる処理容器と、前記処理容器内で前記被処理体を保持する保持手段と、前記被処理体を加熱する加熱手段と、前記処理容器内へ必要なガスを供給するガス供給手段と、前記処理容器内の雰囲気を排気する真空排気系と、請求項1乃至18のいずれか一項に記載の薄膜の形成方法を実行するように装置全体の動作を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置である。本発明に係る薄膜の形成方法及び成膜装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。請求項1及びこれを引用する請求項に係る発明によれば、真空排気が可能になされた処理容器内で被処理体の表面に不純物含有のシリコン膜を形成する薄膜の形成方法において、処理容器内へシリコンと水素とよりなるシラン系ガスを該シラン系ガスが被処理体の表面に吸着するような状態で供給する第1のガス供給工程と処理容器内へ不純物含有ガスを供給する第2のガス供給工程とを交互に繰り返し行うことによりアモルファス状態で不純物含有のシリコン膜を形成するようにしたので、比較的低温でも埋め込み特性が良好なアモルファス状態の不純物含有のシリコン膜を形成することができる。請求項9及びこれを引用する請求項に係る発明によれば、真空排気が可能になされた処理容器内で被処理体の表面に不純物含有のシリコンゲルマニウム膜を形成する薄膜の形成方法において、処理容器内へシリコンと水素とよりなるシラン系ガスとゲルマニウムと水素とよりなるゲルマニウム系ガスをシラン系ガスとゲルマニウム系ガスとが被処理体の表面に吸着するような状態で供給する第1のガス供給工程と処理容器内へ不純物含有ガスを供給する第2のガス供給工程とを交互に繰り返し行うことによりアモルファス状態で不純物含有のシリコンゲルマニウム膜を形成するようにしたので、比較的低温でも埋め込み特性が良好なアモルファス状態の不純物含有のシリコンゲルマニウム膜を形成することができる。以下に、本発明に係る薄膜の形成方法及び成膜装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。<第1実施例>図1は本発明方法を実施するための成膜装置の第1実施例の一例を示す構成図である。図示するように、この成膜装置12は下端が開放された筒体状になされたバッチ式の縦型の処理容器14を有している。この処理容器14は、例えば耐熱性の高い石英を用いることができる。この処理容器14の天井部には、開口された排気口16が設けられると共に、この排気口16に例えば直角に横方向へ屈曲された排気ノズル18が連設されている。そして、この排気ノズル18には、途中に圧力制御弁20や真空ポンプ22等が介設された真空排気系24が接続されており、上記処理容器14内の雰囲気を真空引きして排気出来るようになっている。上記処理容器14の下端は、例えばステンレススチール製の筒体状のマニホールド26によって支持されており、このマニホールド26の下方より複数枚の被処理体としての半導体ウエハWを多段に所定のピッチで載置した保持手段としての石英製のウエハボート28が昇降可能に挿脱自在になされている。上記処理容器14の下端と上記マニホールド26の上端との間には、Oリング等のシール部材30が介在されて、この部分の気密性を維持している。本実施例の場合において、このウエハボート28には、例えば50~100枚程度の直径が300mmのウエハWを略等ピッチで多段に支持できるようになっている。尚、上記マニホールド26の部分を石英により上記処理容器14側と一体成形する装置例もある。このウエハボート28は、石英製の保温筒32を介してテーブル34上に載置されており、このテーブル34は、マニホールド26の下端開口部を開閉する蓋部36を貫通する回転軸38の上端部に支持される。そして、この回転軸38の上記蓋部36に対する貫通部には、例えば磁性流体シール40が介設され、この回転軸38を気密にシールしつつ回転可能に支持している。また、蓋部36の周辺部とマニホールド26の下端部には、例えばOリング等よりなるシール部材42が介設されており、処理容器14内のシール性を保持している。上記した回転軸38は、例えばボートエレベータ等の昇降機構44に支持されたアーム46の先端に取り付けられており、ウエハボート28及び蓋部36等を一体的に昇降できるようになされている。尚、上記テーブル34を上記蓋部36側へ固定して設け、ウエハボート28を回転させることなくウエハWの処理を行うようにしてもよい。上記処理容器14の側部には、これを取り囲むようにしてカーボンワイヤ製のヒータよりなる加熱手段48が設けられており、この内側に位置する上記半導体ウエハWを加熱し得るようになっている。またこの加熱手段48の外周には、断熱材50が設けられており、この熱的安定性を確保するようになっている。そして、上記マニホールド26には、各種のガスをこの処理容器14内へ導入して供給するための各種のガス供給手段が設けられている。具体的には、このマニホールド26には、上記処理容器14内へシリコンと水素とよりなる成膜用のシラン系ガスを供給するシラン系ガス供給手段52と、処理容器14内へ不純物含有ガスを供給する不純物含有ガス供給手段54とがそれぞれ設けられている。また、ここでは、必要に応じてパージガスや圧力調整用ガスを処理容器14内へ供給する支援ガス供給手段56も設けられている。ここではパージガスや圧力調整用ガスとしてN2ガスを用いる。尚、このN2ガスに替えてArやHe等の希ガスを用いることができる。上記シラン系ガス供給手段52、不純物含有ガス供給手段54及び支援ガス供給手段56は、上記マニホールド26の側壁を貫通させてその先端部を処理容器14内に臨ませて設けたガスノズル52A、54A及び56Aをそれぞれ有している。上記各ガスノズル52A、54A、56Aには、それぞれガス通路62、64、66が接続されると共に、各ガス通路62、64、66には、それぞれ開閉弁62A、64A、66A及びマスフローコントローラのような流量制御器62B、64B、66Bが順次介設されており、シラン系ガスや不純物含有ガスやN2ガスをそれぞれ流量制御しつつ流すようになっている。ここでシラン系ガスとしては上述したようにシリコンと水素とよりなるシラン系ガス、すなわちシリコンと水素のみよりなるシラン系ガス、例えばモノシランを用い、不純物含有ガスとしてはBCl3ガスを用い、パージガスや圧力調整用ガスとしてはN2ガスを用いている。そして、この成膜装置には、各ガスの供給開始や供給停止、プロセス温度、プロセス圧力等を制御したり、この成膜装置の全体の動作を制御するために例えばマイクロコンピュータ等よりなる制御手段70が設けられている。この制御手段70は、この成膜装置12の動作を制御する時に用いるプログラムを記憶するために記憶媒体72を有している。この記憶媒体72は、例えばフレキシブルディスク、CDCompactDisc、ハードディスク、フラッシュメモリ或いはDVD等よりなる。次に、上述のように構成された第1実施例の成膜装置12を用いて行われる本発明の成膜方法の第1実施例について説明する。以下に説明する各動作は、前述したようにコンピュータよりなる制御手段70の制御のもとに行われれる。図2は本発明方法の第1実施例における各ガスの供給態様の一例を示すタイミングチャート、図3は本発明方法の第1実施例の各工程の一例を示すフローチャート、図4はSiH4とBCl3との反応過程を模式的に示す図である。本発明方法は、上記処理容器14内へシリコンと水素とよりなるシラン系ガスをこのシラン系ガスが上記被処理体Wの表面に吸着するような状態で供給する第1のガス供給工程と上記処理容器14内へ不純物含有ガスを供給する第2のガス供給工程とを交互に繰り返し行うことによりアモルファス状態で上記不純物含有のシリコン膜を形成するようにしている。図2のタイミングチャートにおいてパルスが立っている部分はガスを供給している状態を示している。具体的には、まずシラン系ガスとして例えばSiH4モノシランガスを処理容器14内へ供給することにより第1のガス供給工程S1を行う図2A参照。この第1のガス供給工程では、被処理体である半導体ウエハWの表面にモノシランガスが吸着するような状態で上記モノシランガスを供給する。次に、処理容器14内に残留するガスを排除するパージ工程S2を行う図2C参照。尚、このパージ工程は省略してもよい。次に、不純物含有ガスとして例えばBCl3ガスを処理容器14内へ供給することにより第2のガス供給工程S3を行う図2B参照。これにより、BCl3ガスが上記ウエハWの表面に吸着していたSiH4と反応して非常に薄い、例えば1原子レベルの厚さのボロンBがドープされたシリコン膜が形成される。次に再度、処理容器14内に残留するガスを排除するパージ工程S4を行う図2C参照。尚、このパージ工程は省略してもよい。そして、上記した各工程S1~S4よりなる1サイクルを所定のサイクル数だけ繰り返したか否かが判断されるS5。ここで、1サイクルとは、第1のガス供給工程S1を行った後に次の第1のガス供給S1を行うまでの期間として定義される。上記ステップS5で所定のサイクル数に達していない場合にはS5のNO、ステップS1に戻って所定のサイクル数に達するまでステップS1~S4が繰り返し行われることになり、ボロンがドープされたアモルファス状態のシリコン膜が積層されて行く。そして、上記繰り返しが所定のサイクル数に達した場合にはS5のYES、成膜処理が終了することになる。このような成膜方法は、いわゆるALDAtomicLayerDepositionとも称される。実際の処理では、まず、ウエハボート28に未処理の半導体ウエハWが多段に支持されており、この状態で予め加熱されている処理容器14内にその下方より搬入されて密閉状態で収容されている。この半導体ウエハWの直径は、例えば300mmであり、ここでは50~100枚程度収容される。この半導体ウエハWの表面には、前工程において例えば先に図12を参照して説明したように、絶縁層2が形成され、この絶縁層2にコンタクトホールや配線溝のような凹部4が形成されている。上記処理容器14内の雰囲気は、この成膜処理中は真空排気系24によって常時真空引きされて圧力調整されている。また、半導体ウエハWは、ウエハボート28を回転することによって成膜処理中は所定の回転数で回転されている。そして、上述したように各種のガスが順次繰り返し処理容器14内へ供給されて成膜処理が行われる。第1のガス供給工程S1では、上記モノシランガスはシラン系ガス供給手段52のガスノズル52Aから流量制御されつつ供給される。このモノシランガスは処理容器14内を上昇しつつ回転されているウエハWの表面に吸着することになり、そして、余分なガスは上部の排気口16及び排気ノズル18を介して真空排気系24によって排気されて行く。この時のプロセス条件は、モノシランガスの流量は例えば100~4000sccmの範囲内で例えば1200sccm程度、プロセス圧力は27~6665Pa0.2~50Torrの範囲内で例えば533Pa4Torr程度、プロセス温度は350~600°Cの範囲内で例えば400°C程度、ガスの供給期間T1は1~300secの範囲内で例えば60sec程度である。ここで、プロセス温度が350°Cよりも低いと、ウエハWの表面にモノシランが吸着し難くなるので好ましくなく、また600°Cよりも温度が高い場合にはモノシランが熱分解してシリコン膜が堆積してしまうので好ましくない。また、プロセス圧力が27Paよりも低いと、圧力が低過ぎてモノシランの吸着が生じ難くなり好ましくない。また6665Paよりも高いと、複数層のモノシランが吸着して膜中のボロンの濃度制御が難しくなるので好ましくない。この第1のガス供給工程の直後のパージ工程S2では、支援ガス供給手段56のガスノズル56AよりN2ガスが流量制御されつつ供給される。ここではN2ガスはパージガスとして用いられ、処理容器14内に残留するモノシランガスを排除するために用いられる。ここでは、このN2ガスはパージ工程の全期間に亘って供給するのではなく、一部の期間、例えば前半の半分の期間だけ供給して後半の半分の期間には供給しないで真空引きのみを継続的に行うようにしている。この時のプロセス条件に関しては、N2ガスの流量は例えば最大5slm程度である。プロセス圧力は27~6665Paの範囲内、プロセス温度は350~600°Cの範囲内、パージ期間T2は0~300secの範囲内で例えば30sec程度である。このパージ工程の後の第2のガス供給工程S3では、上記BCl3ガスは不純物含有供給手段54のガスノズル54Aから流量制御されつつ供給される。これと同時に圧力調整用ガスとしてN2ガスが支援ガス供給手段56のノズル56Aが流量制御されつつ供給される図2C参照。このBCl3ガスとN2ガスは処理容器14内を上昇し、BCl3ガスはウエハWの表面に吸着しているモノシランと反応してボロンが含有されたアモルファスのシリコン膜が形成されることになる。そして、余分なガスは上部の排気口16及び排気ノズル18を介して真空排気系24によって排気されて行く。この時のプロセス条件は、BCl3ガスの流量は例えば1~500sccmの範囲内で例えば100sccm程度、N2ガスの流量は最大5slm程度、プロセス圧力は27~6665Pa0.2~50Torrの範囲内で例えば533Pa4Torr程度、プロセス温度は350~600°Cの範囲内で例えば400°C程度、ガスの供給期間T3は1~300secの範囲内で例えば60sec程度である。ここで、プロセス温度が350°Cよりも低いと、ウエハWの表面に吸着しているモノシランとBCl3との反応が生じ難くなるので好ましくなく、また600°Cよりも温度が高い場合には昇温に時間を要するので好ましくない。この第2のガス供給工程の直後のパージ工程S4では、ステップS2のパージ工程と同様に支援ガス供給手段56のガスノズル56AよりN2ガスが流量制御されつつ供給される。実際には、N2ガスは第2のガス供給工程から連続して供給されている。ここではN2ガスはパージガスとして用いられ、処理容器14内に残留するBCl3ガスを排除するために用いられる。ここでは、このN2ガスはパージ工程の全期間に亘って供給するのではなく、一部の期間、例えば前半の半分の期間だけ供給して後半の半分の期間には供給しないで真空引きのみを継続的に行うようにしている。この時のプロセス条件に関しては、先のステップS2のパージ工程と同じである。すなわち、N2ガスの流量は例えば最大5slm程度である。プロセス圧力は27~6665Paの範囲内、プロセス温度は350~600°Cの範囲内、パージ期間T4は0~300secの範囲内で例えば30sec程度である。以上のようなステップS1~S4の各工程よりなる1サイクルが、所定の回数だけ繰り返し行われる。このサイクル数は、成膜すべき目標の膜厚に依存するが、1サイクルで例えば0.2~0.7nm程度の膜厚の成膜が行われるので、例えば60nm程度の膜厚を必要とするならば、100サイクル程度実行されることになる。以上のようにして、不純物としてBボロンがドープされた非常に薄い原子レベルの厚さのアモルファスのシリコン膜よりなる薄膜が積層形成されることになり、半導体ウエハWの表面に形成されている凹部4図12参照内を埋め込み性が良好な状態で埋め込むことができる。ここで上記成膜で生じているボロンドープのアモルファスシリコン膜の成膜過程を図4に示す模式図を参照して説明する。図4はボロンドープのアモルファスシリコン膜の成膜過程を量子化学計算を用いてシミュレーションした時の結果を示す模式図である。各図の下には活性化エネルギーeVが記載してある。ここでは特にSiH4とBCl3とを用いた交互供給ALD法による低温成膜の可能性をシミュレーションによって検証した。まず、外部から導入されたSiH4が、半導体ウエハの表面に既に形成されているSi-B結合に接近すると図4A参照、B原子による触媒作用が働き、図4Bに示すようにSiH4からH2が除去されることによりSiH2が生じ、このSiH2がB吸着サイトに容易に取り込まれることになる。具体的には、SiH2のB吸着サイトへの活性化エネルギーは1.2eV程度に低下する。尚、Bボロンがない場合には活性化エネルギーは2.4eV程度である。その後は、図4Cに示すように、Si-Si結合が連鎖的に形成されて行くことになる。以上のことから、従来行われていたようなSiH4だけの単独供給では実用的な成膜が不可能であった350°C程度の低温下においても成膜が可能となり、且つガスを交互に供給するALD成膜することによりステップカバレジの良好な薄膜が得られるものと考えられる。一方、SiH4のみを用いて行う通常のCVD法では、実用的な成膜を行うことはほとんど不可能であった。またSi2H6のみを用いたCVD法ではプロセス温度が400°Cでも成膜は可能であったが、そのステップカバレジは約80程度に過ぎず、良好な結果が得られなかった。このように、真空排気が可能になされた処理容器14内で被処理体Wの表面に不純物含有のシリコン膜を形成する薄膜の形成方法において、処理容器14内へシリコンと水素とよりなるシラン系ガスを該シラン系ガスが被処理体Wの表面に吸着するような状態で供給する第1のガス供給工程と処理容器14内へ不純物含有ガスを供給する第2のガス供給工程とを交互に繰り返し行うことによりアモルファス状態で不純物含有のシリコン膜を形成するようにしたので、比較的低温でも埋め込み特性が良好なアモルファス状態の不純物含有のシリコン膜を形成することができる。<本発明方法の評価>ここで本発明方法を実際に実施して、ボロンがドープされたアモルファスのシリコン膜を形成したので、その評価結果について説明する。ここで半導体ウエハとしてシリコン基板を用い、この表面に下地層としてシリコン酸化膜を形成し、このシリコン膜にホール径が50nmで、アスペクト比が7の凹部を形成した。そして、このシリコン酸化膜上に不純物としてボロンがドープされたアモルファスのシリコン膜を形成した。成膜方法としては、先に図2A~図2C参照して説明した成膜方法を用いた。シラン系ガスとしてSiH4を用い、不純物含有ガスとしてBCl3を用いた。プロセス条件は、SiH4ガスの流量は2000sccm、BCl3ガスの流量は200sccm、N2ガスの流量はパージガスとして用いた時は2slm、圧力調整用ガスとして用いた時は1slmである。プロセス温度は全体を通して400°Cに設定し、第1のガス供給工程及び第2のガス供給工程におけるプロセス圧力は共に533Pa4Torrである。各工程の時間は、T1が30sec、T2が30sec、T3が30sec、T4が30secである。このようにして、表面がトレンチ構造になされたウエハに対して成膜した結果、60cycleで180Åのボロンドープのアモルファス状態のシリコン膜が得られた。この時の結果を図5に示す。図5は上記のようにALD法によりボロンドープのアモルファス状態のシリコン膜を凹部に形成した時の電子顕微鏡写真の模式図を示す。ここでは凹部の直径は50nmであり、また、凹部のアスペクト比A/Rは7である。図中には、凹部内に沿って膜厚の寸法が記載されている。この図5から判断すると、ステップカバレジは95以上であって優れた結果が得られた。尚、上記成膜方法の第1実施例では、図2Cに示すようにN2ガスを、パージ工程T2、T4ではパージガスとして供給し、第2のガス供給工程では圧力調整用ガスとして供給したが、これに限定されず、以下に説明するように供給するようにしてもよい。図2D~図2FはN2ガスの供給形態の変形実施例を示す。図2Dに示す場合は、図2Cに示す場合とは異なり、第2のガス供給工程の前後における両パージ工程において前半の部分でN2ガスを供給せず、後半の部分でN2ガスを供給するようにしている。そして、第2のガス供給工程では図2Cの場合と同様にN2ガスを圧力調整用ガスとして供給している。図2Eに示す場合は、第2のガス供給工程の前後の両パージ工程におけるN2ガスの供給形態は図2Cに示す場合と同じであり、第2のガス供給工程ではN2ガス圧力調整用ガスを供給しないようにしている。尚、図2Dに示す場合において、第2のガス供給工程でN2ガスを供給しないようにしてもよい。図2Fに示す場合は、上記とは異なり、第2のガス供給工程の前後の両パージ工程では全部の期間に亘ってN2ガスパージガスを供給しないようにし、第2のガス供給工程ではN2ガス圧力調整用ガスを図2Cに示す場合と同様に供給するようにしている。このように、パージガスや圧力調整用ガスの供給は種々の態様をとることができる。上述のように第2のガス供給工程において圧力調整用ガスを供給する理由は、第1及び第2のガス供給工程間において圧力が大幅に変化するとシリコンのマイグレーションが生じ易くなるためである。<第2実施例>次に本発明の成膜装置及び薄膜の形成方法の第2実施例について説明する。先の第1実施例ではアモルファス状態で不純物含有のシリコン膜を形成する場合について説明したが、この第2実施例ではアモルファス状態で不純物含有のシリコンゲルマニウム膜を形成することになる。図6はこのような成膜装置の第2実施例の一例を示す構成図、図7は本発明方法の第2実施例における各ガスの供給態様の一例を示すタイミングチャート、図8は本発明方法の第2実施例の各工程の一例を示すフローチャートである。尚、図6乃至図8において、それぞれ図1乃至図3に示す部分と同一部分については同一参照符号を付して、その説明を省略する。図6に示すように、この第2実施例に係る成膜装置12では、上述のように薄膜としてアモルファス状態で不純物含有のシリコンゲルマニウム膜を形成することから、ガス供給手段には、先に説明したシラン系ガス供給手段52、不純物含有ガス供給手段54及び支援ガス供給手段50に加えてゲルマニウム系ガス供給手段80を設けている。このゲルマニウム系ガス供給手段80は、上記他のガス供給系と同様に、上記マニホールド26の側壁を貫通させてその先端部を処理容器14内に臨ませて設けたガスノズル80Aを有している。このガスノズル80Aには、ガス通路82が接続されると共に、このガス通路82には、開閉弁82A及びマスフローコントローラのような流量制御器82Bが順次介設されており、ゲルマニウム系ガスを流量制御しつつ流すようになっている。このゲルマニウム系ガスとしては、GeH4ガスとGeH6ガスとGe2H6ガスとよりなる群から選択される1以上のガスを含むことができ、ここではGeH4ガスを用いている。この第2実施例の成膜装置12を用いて行われる成膜方法の第2実施例では、図7及び図8に示すように、GeH4ガス図7D及び図8のS1参照は、シラン系ガスであるSiH4ガスと同時に且つ同期させて処理容器14内へ供給するようにしている。すなわち、このGeH4ガスは、図7に示す各サイクルの内の第1のガス供給工程T1で供給されることになり、第1実施例の場合と同様にALD法により成膜される。これにより、シリコンとゲルマニウムとよりなる膜中に不純物としてボロンBが取り込まれ、ボロン含有のアモルファス状態のシリコンゲルマニウム膜が形成されることになる。この場合、パージ工程は、図2等を参照して第1実施例で説明したと同様な態様で行われる。また、第1のガス供給工程、第2のガス供給工程及びパージ工程におけるプロセス条件、例えばプロセス圧力、プロセス温度、各ガスの流量は、第1実施例で説明した場合と同じである。この場合、第1のガス供給工程におけるゲルマニウム系ガスの流量は、100~2000sccmの範囲内であり、例えば500sccm程度である。また、この先の第1実施例でN2ガスの供給態様について図2D乃至図2Fを参照して種々説明したが、この種々の供給態様についてもこの第2実施例に対して適用できるのは勿論である。このように、真空排気が可能になされた処理容器14内で被処理体の表面に不純物含有のシリコンゲルマニウム膜を形成する薄膜の形成方法において、処理容器14内へシリコンと水素とよりなるシラン系ガスとゲルマニウムと水素とよりなるゲルマニウム系ガスをシラン系ガスとゲルマニウム系ガスとが被処理体Wの表面に吸着するような状態で供給する第1のガス供給工程と処理容器14内へ不純物含有ガスを供給する第2のガス供給工程とを交互に繰り返し行うことによりアモルファス状態で不純物含有のシリコンゲルマニウム膜を形成するようにしたので、比較的低温でも埋め込み特性が良好なアモルファス状態の不純物含有のシリコンゲルマニウム膜を形成することができる。<本発明方法の第3実施例>次に、本発明方法の第3実施例について説明する。先に説明した成膜方法では、第1実施例においては薄膜としてアモルファス状態のボロンドープのシリコン膜を形成し、第2実施例においては薄膜としてアモルファス状態のボロンドープのシリコンゲルマニウム膜を形成する場合を例にとって説明したが、これらを組み合わせるようにしてもよい。図9はこのような本発明方法の第3実施例の工程を説明するための説明図である。ここでは、導電膜上に上記各薄膜を形成し、更に最後にアニール処理を行う場合を例にとって説明する。まず、図9Aに示すように、被処理体よりなる半導体ウエハWの表面には、導電膜90が形成されている。この導電膜90としては、例えば電極として多用されるTiN膜等が適用される。そして、この導電膜90上に、成膜方法の上記第1実施例又はこの変形実施例を用いて薄膜としてアモルファス状態のボロンドープのシリコン膜92を形成する。次に、図9Bに示すように、このシリコン膜92上に成膜方法の上記第2実施例又はこの変形例を用いて薄膜としてアモルファス状態のボロンドープのシリコンゲルマニウム膜94を形成する。ここで上記シリコン膜92の厚さは、例えば2nm以下であり、上記シリコンゲルマニウム膜94の厚さは、例えば90nm以下である。この場合、図6に示す第2実施例の成膜装置を用いれば、1つの成膜装置で上記シリコン膜92と上記シリコンゲルマニウム膜94とを連続的に形成することができる。次に、図9Cに示すように、これらの各薄膜に対してアニール処理アニール工程を施して上記シリコンゲルマニウム膜94中のゲルマニウムを両薄膜92、94中に拡散させて混合させて混合膜96を形成する。このアニール工程の温度は、例えば410~500°Cの範囲内である。尚、このアニール工程は必要に応じて行えばよく、このアニール工程を行わない場合もある。ここで、上記シリコンゲルマニウム膜94の厚さは例えば90nmと厚いので、このシリコンゲルマニウム膜94を形成する際に、成膜方法の第2実施例を用いて途中の厚さ、例えば10nm程度までシリコンゲルマニウム膜94を形成し、残りの80nmの厚さは従来の成膜方法であるCVDChemicalVaporDeposition法によりボロンドープのシリコンゲルマニウム膜を形成するようにしてもよい。この場合にも、最後にはアニール処理を行うのが好ましい。このようにして、混合膜96を形成することにより、例えばトレンチ部分のような凹部を埋め込む場合、シート層としてボロンドープのB-Si膜を形成した後にボロンドープのB-SiGe膜を成膜するようにすれば、低温成膜でもステップカバレジが良好で、且つ優れた埋め込み特性を得ることができる、という利点を有することができる。<半導体素子への応用例>次に、本発明方法により形成した薄膜を適用した半導体素子の応用例について説明する。図10は本発明方法により形成した薄膜を用いた半導体素子の一例を示す拡大断面図である。この半導体素子100は、例えばシリンダ構造のキャパシタ102よりなる。具体的には、このキャパシタ102は、例えばシリコン基板よりなる半導体ウエハWの表面に凹部状に窪ませて形成された微細なシリンダ溝104内に形成されている。すなわち、このキャパシタ102は、上記凹部状のシリンダ溝104の内壁に沿って形成された下部電極106を有しており、この下部電極106上に、高誘電率膜108及び上部電極110を順次積層して形成されている。上記下部電極106及び上部電極110としては、それぞれ例えばTiN膜を用いることができ、上記高誘電率膜108としては、例えば酸化ジルコニウムZrOを用いることができる。そして、上記上部電極110上に導電膜112を形成することにより、上記シリンダ溝104内を埋め込み、この導電膜112上に例えばタングステン膜よりなる配線膜114をスパッタ等により形成することになる。ここで、上記シリンダ溝104内の埋め込み用の導電膜112として、前述した本発明方法で形成されたシリコン膜92やシリコンゲルマニウム膜94や混合膜96図9参照を用いる。上記シリンダ構造のキャパシタ102のシリンダ溝104内を埋め込むに際して、例えばCVD法によりボロンドープのシリコンゲルマニウム膜を成膜するような従来用いられていた成膜方法では十分なステップカバレジが得られなくて実用的ではなかったが、上述したような本発明方法による成膜方法を採用することにより、高いステップカバレジでシリンダ溝104内を埋め込むことができる。また、上述したような本発明方法により形成した薄膜、すなわちシリコン膜92やシリコンゲルマニウム膜94や混合膜96により、スパッタを用いて形成した配線膜114とTiN膜よりなる上部電極110との間の機械的ストレスの耐性を向上させることが可能となる。<本発明方法の第4実施例>次に本発明方法の第4実施例について説明する。図10に示す半導体素子への応用例においては、例えばTiN膜よりなる上部電極110上にアモルファスのボロンドープのシリコン膜92等を形成しているが、ここで上記上部電極110として、TiN膜とアモルファスのボロンドープのシリコン膜92とを交互に複数回積層させた積層構造を採用するようにしてもよい。これによれば、この上部電極110自体のストレスを緩和させることができる。図11はこのような本発明方法の第4実施例を説明するための上部電極の近傍を示す断面図である。ここでは膜の積層順序のみを示してシリンダ溝は示されていない。また図10に示す積層構造と同一構成部分については同一参照符号を付してある。この第4実施例では、上述したように上記上部電極110として、厚いTiN膜に替えて、図11に示すように薄いTiN膜120と本発明方法で形成される薄いアモルファスのボロンドープのシリコン膜92とを交互に複数回繰り返して成膜してなる積層膜122を用いている。図示例では、TiN膜120とシリコン膜92の成膜処理を3回繰り返した状態を示しているが、この繰り返し回数は特に限定されない。この時の上部電極110におけるシリコン膜92の一層の厚さは、例えば5~15nm程度であり、TiN膜120の一層の厚さは、例えば5~20nm程度である。このようなTiN膜120を形成するためには、図1や図6に示す成膜装置に、チタン含有ガス供給手段と窒化ガス供給手段とを設け、これらのガスを流量制御しつつ供給するようにすればよい。このチタン含有ガスとしては例えばTiCl4ガスを用いることができ、また窒化ガスとしてはNH3ガスを用いることができるが、これらのガス種に限定されない。TiN膜120の成膜時には上記両ガスを同時に処理容器に供給してCVD法により成膜してもよいし、上記両ガスを交互に繰り返して処理容器に供給してALD法により成膜してもよい。これによれば、前述したように上部電極110自体のストレスを緩和することができる。また、この積層膜122よりなる上部電極110と導電膜112とを連続して同一の成膜装置内で形成することができる。また、上記した積層膜122よりなる上部電極110上には、図10において説明したように、導電膜112としてシリコン膜92やシリコンゲルマニウム膜94や混合膜96が積層されることになるのは勿論である。尚、上記成膜方法の各実施例では、N2ガスを間欠的に供給するようにしているが、これに限定されず、成膜処理の全体に亙ってN2ガスを連続的に供給して圧力が大きく変動しないようにしてもよい。また、上記成膜方法の各実施例では、各パージ工程のパージガスや第2のガス供給工程の圧力調整用ガスとしてN2ガスを用いるようにしたが、これに替えてArやHe等の希ガスを用いてもよい。更には、上記各実施例では、各パージ工程のパージガスや第2のガス供給工程の圧力調整用ガスとしてN2ガスを用いるようにしたが、上記N2ガスや希ガスに替えて、或いはこれらのガスと共に混合させてH2水素ガスを用いるようにしてもよい。特にH2ガスを用いると、このH2ガスはシリコンに対してマイグレーションを抑制するように作用するので、シリコン膜が微粒化して付着することを防止して、埋め込み特性を一層向上させることが可能となる。また、上記成膜方法の各実施例では、主に第2のガス供給工程において圧力調整用ガスを供給するようにしたが、これに替えて、或いはこれと共に第1のガス供給工程においても圧力調整用ガスを供給するようにしてもよい。また、上記成膜方法の各実施例では、シリコンと水素とよりなるシラン系ガスとしてモノシランを用いた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、モノシラン及びジシランやトリシランやテトラシラン等の高次シランとよりなる群から選択される1以上のガス種を用いることができる。また、上記成膜方法の各実施例では、アモルファスのシリコン膜又はシリコンゲルマニウム膜に不純物ドーパントを含有させるためにBCl3ガスを用いたが、これに限定されず、上記不純物含有ガスは、BCl3、PH3、PF3、AsH3、PCl3、B2H6よりなる群から選択される1以上のガス種を用いることができ、種々の不純物をドープさせるようにしてもよい。また、ここでは図1及び図6に示すように、処理容器14が一重となっている単管式のバッチ型の成膜装置を例にとって説明したが、これに限定されず、処理容器14が内筒と外筒とよりなる二重管式のバッチ型の成膜装置にも本発明を適用することができる。更には、ガスノズル52A、54A、56A、80Aはその先端のみからガスを放出する直管式のガスノズルを用いているが、これに限定されず、処理容器14の長さ方向に沿って配置したガス管に対して所定のピッチで複数のガス噴射孔を設けて各ガス噴射孔からガスを噴射するようにした、いわゆる分散型のガスノズルを用いてもよい。更には、ここでは上述のように一度に複数枚の半導体ウエハWを処理するバッチ式の成膜装置を例にとって説明したが、これに限定されず、半導体ウエハWを1枚ずつ処理する、いわゆる枚葉式の成膜装置にも本発明を適用することができるのは勿論である。また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、この半導体ウエハにはシリコン基板やGaAs、SiC、GaNなどの化合物半導体基板も含まれ、更にはこれらの基板に限定されず、液晶表示装置に用いるガラス基板やセラミック基板等にも本発明を適用することができる。