"半導体レーザ素子であって、基準軸に沿って延在する活性領域と主面とを有する半導体積層と、前記基準軸に交差する第1及び第2の端面と、前記主面に設けられた第1及び第2の溝と、を備え、前記第1の溝及び前記第2の溝は、前記基準軸に沿って延在し、前記活性領域は、前記基準軸の方向から見て前記第1の溝と前記第2の溝との間に設けられ、前記第1の溝における基準軸方向の二つの端面は前記第1の端面及び前記第2の端面の間にあり、前記第2の溝における基準軸方向の二つの端面は前記第1の端面及び前記第2の端面の間にあることを特徴とする、半導体レーザ素子。前記第1の溝における前記第1の端面側にある一の端面から前記第1の端面までの距離は、前記第1の端面と前記第2の端面との間の距離の1/30以上1/20以下の範囲内にあり、前記第1の溝における前記第2の端面側にある他の端面から前記第2の端面までの距離は、前記範囲内にあり、前記第2の溝における前記第1の端面側にある一の端面から前記第1の端面までの距離は、前記範囲内にあり、前記第2の溝における前記第2の端面側にある他の端面から前記第2の端面までの距離は、前記範囲内であることを特徴とする請求項1に記載された半導体レーザ素子。ところで、埋め込み型半導体光素子には、活性領域を挟むようにトレンチ溝が設けられている。この溝は、埋め込み領域において発生する静電容量の抑制のために設けられている。さらに、この溝は、埋め込み領域において発生する漏れ電流の抑制のために設けられている。しかし、エッチング等により溝を形成したとき、エッチングにより溝の壁面がダメージを受ける場合がある。この場合、溝に接する埋め込み領域には非発光再結合準位が生成される。また、半導体光素子をチップ化したとき、半導体素子の端面が大気に晒されて酸化する場合がある。この場合、半導体光素子の端面には非発光再結合準位が生成される。非発光再結合準位が生成された半導体光素子に逆ESDが印加されると、非発光再結合準位を介して電流が集中的に流れるので、埋め込み領域が劣化する場合がある。本発明は、上記の事情を鑑みてなされたものであり、逆方向ESDに対する耐性を十分に向上させる半導体レーザ素子を提供することを目的とする。本発明の半導体レーザ素子は、主面と基準軸に沿って延在する活性領域とを有する半導体積層と、基準軸に交差する第1及び第2の端面と、主面に設けられた第1及び第2の溝と、を備え、第1の溝及び第2の溝は、基準軸に沿って延在し、活性領域は、基準軸の方向から見て第1の溝と第2の溝との間に設けられ、第1の溝の端面は第1の端面及び第2の端面の間にあり、第2の溝の端面は第1の端面及び第2の端面の間にある。このように、半導体レーザ素子の第1の溝が有する端面は第1の端面及び第2の端面の間にある。すなわち、第1の溝が有する端面は、第1の端面及び第2の端面から離間している。同様に、半導体レーザ素子の第2の溝が有する端面は第1の端面及び第2の端面の間にある。すなわち、第2の溝が有する端面は、第1の端面及び第2の端面から離間している。半導体レーザ素子の端面に溝の端部が含まれると、逆ESDに応じて、溝の側面のうち端面側の領域に形成された非発光再結合準位を介して電流が集中的に流れる。よって、この領域の格子欠陥が増大する場合がある。これに対し、本発明の半導体レーザ素子によれば、活性領域基準軸に沿って延びている溝の二つの端面は、基準軸の方向にある半導体レーザ素子の二つの端面から離間しているので、半導体レーザ素子の端面は溝の端部を含まず、よって、逆ESDに対する耐性が向上される。本発明の半導体レーザ素子において、第1の溝における第1の端面側にある一の端面から第1の端面までの距離は、第1の端面と第2の端面との間の距離の1/30以上1/20以下の範囲内にあり、第1の溝における第2の端面側にある他の端面から第2の端面までの距離は、上述した範囲内にあり、第2の溝における第1の端面側にある一の端面から第1の端面までの距離は、上述した範囲内にあり、第2の溝における第2の端面側にある他の端面から第2の端面までの距離は、上述した範囲内であってもよい。このような構成を有する半導体レーザ素子は、十分な長さの溝を有するので埋め込み領域において発生する静電容量を抑制すると共に、埋め込み領域において発生する漏れ電流を抑制することができる。従って、本発明の半導体レーザ素子は、第1及び第2の溝を第1の端面から第2の端面まで形成した従来の半導体光素子が有するレーザ特性と同等のレーザ特性を実現できる。本発明の半導体レーザ素子は、逆方向ESDに対する耐性を十分に向上させることができる。以下、添付図面を参照しながら本発明による半導体レーザ素子の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。図1は本実施形態の半導体レーザ素子1を示す斜視図である。半導体レーザ素子1は、基準軸Aの方向に沿って延在している。半導体レーザ素子1は、第1の端面E1と第2の端面E2とを有している。第1の端面E1及び第2の端面E2は、それぞれ基準軸Aと交差している。また、半導体レーザ素子1は、第1の端面E1から第2の端面E2まで延在する側面S1を有し、側面S1の反対側にある側面S2を有している。半導体レーザ素子1は、基板11と、半導体積層10と、絶縁層21と、第1の電極22と、第2の電極23とを含んでいる。基板11は、例えばシリコンをドープしたn型InP基板等のIII-V族化合物半導体からなり、例えば1×1018cm-3以上2×1018cm-3以下の不純物濃度を有する。半導体レーザ素子1の基準軸Aに沿った長さD1は、例えば300μmである。長さD1は、第1の端面E1から第2の端面E2までの長さにより規定される。半導体レーザ素子1の幅D2は、例えば250μmである。幅D2は側面S1から側面S2までの長さにより規定される。半導体レーザ素子1の厚さD3は、例えば100μmである。厚さD3は第1の電極22から第2の電極23までの長さにより規定される。半導体積層10は、基板11の上に形成された複数のエピタキシャル半導体層を含んでいる。エピタキシャル半導体層には、第1クラッド層12と、活性領域13と、第2クラッド層14とを含む半導体メサ15がある。半導体メサ15は、基板11の上に第1クラッド層12が形成され、第1クラッド層12の上に活性領域13が形成され、活性領域13の上に第2クラッド層14が形成されて成る。第1クラッド層12はシリコンをドープしたn型InP等のIII-V族化合物半導体からなる。活性領域13は、基準軸Aが指し示す方向に沿って延在する。側面S1から側面S2に沿った活性領域13の幅は、例えば1μmである。活性領域13は多重量子井戸構造を含み、例えばGaInAsP等のIII-V族化合物半導体からなる。第2クラッド層14は例えば亜鉛Znをドープしたp型InP等のIII-V族化合物半導体からなる。半導体積層10に含まれるエピタキシャル半導体層には、埋め込み領域18がある。埋め込み領域18は、半導体メサ15を挟むように形成されている。埋め込み領域18と半導体メサ15の側面15sとは互いに接している。半導体メサ15の側面15sは、埋め込み領域18に覆われている。埋め込み領域18は、基板11と接している。埋め込み領域18は、第1ブロック層16と第2ブロック層17とを含んでいる。第1ブロック層16は、半導体メサ15の側面15sを覆うように形成されると共に、基板11の上に形成されている。第2ブロック層17は、第1ブロック層16の上に形成されている。第1ブロック層16は、例えば亜鉛Znをドープしたp型InP基板等のIII-V族化合物半導体からなり、例えば5×1017cm-3以上1×1018cm-3以下の不純物濃度を有する。第2ブロック層17は、例えばシリコンをドープしたn型InP基板等のIII-V族化合物半導体からなり、例えば5×1017cm-3以上10×1017cm-3以下の不純物濃度を有する。半導体積層10に含まれるエピタキシャル半導体層には、第2クラッド層19がある。第2クラッド層19は、埋め込み領域18の上に形成されると共に、半導体メサ15の上に形成されている。第2クラッド層19は、例えば亜鉛Znをドープしたp型InP等のIII-V族化合物半導体からなり、例えば5×1017cm-3以上10×1017cm-3以下の不純物濃度を有する。コンタクト層20は、第2クラッド層19の上に形成されている。半導体積層10の主面P1は、絶縁層21と互いに接するコンタクト層20の面である。コンタクト層20は、例えばp型InGaAs等のIII-V族化合物半導体からなり、例えば1×1018cm-3以上1×1019cm-3以下の不純物濃度を有する。絶縁層21は、コンタクト層20の上に形成されている。絶縁層21は開口H1を有している。絶縁層21は例えば窒化シリコンまたは酸化シリコン等の誘電体からなる。半導体レーザ素子1には、第1の溝24と第2の溝25とが形成されている。第1の溝24と第2の溝25とは、基準軸Aに沿って延在している。第1電極22は絶縁層21の上に形成され、さらに第1電極22は開口H1により露出されたコンタクト層20の上に形成されている。第1電極22は絶縁層21の開口H1を介してコンタクト層20と電気的に接続されている。第1電極22は、p側のオーミック電極であり、例えばTi/Pt/Auからなる積層の構成を有している。基板11の裏面の上に第2電極23が形成されている。第1の溝24と第2の溝25とについて詳細に説明する。図2は本実施形態の半導体レーザ素子1を示す平面図である。図2を参照すると、半導体レーザ素子1は、基準軸Aに沿って延在する第1の溝24と第2の溝25とを有している。第1の溝24と第2の溝25とはZ方向から見て第1電極22の一部を挟んで形成されている。第1の溝24と第2の溝25との間の距離D4は、例えば6μm以上12μm以下である。第1の溝24は基準軸方向の二つの端面である、一の端面E3及び他の端面E4を有している。他の端面E4は、一の端面E3の反対側にある。一の端面E3及び他の端面E4は、第1の端面E1及び第2の端面E2の間にある。第1の溝24の一の端面E3は第1の端面E1から離間しており、一の端面E3と第1の端面E1との間の距離は距離D5である。第1の溝24の他の端面E4は第2の端面E2から離間しており、一端E4と第2の端面E2との間の距離は距離D6である。第2の溝25は基準軸方向の二つの端面である、一の端面E5及び他の端面E6の二つの端面を有している。他の端面E6は一の端面E5の反対側にある。一の端面E5と他の端面E6とは、第1の端面E1及び第2の端面E2の間にある。第2の溝25の一の端面E5は第1の端面E1から離間しており、一の端面E5と第1の端面E1との間の距離は距離D7である。第2の溝25の他の端面E6は第2の端面E2から離間しており、他の端面E6と第2の端面E2との間の距離は距離D8である。距離D5~D8は、半導体レーザ素子1の長さD1の1/30以上1/20以下の範囲内にあることが好ましい。半導体レーザ素子1は、長さD1が300μmであるので、距離D5~D8は10μmである。また、第1の溝24の幅D9及び第2の溝25の幅D10は、例えば10μm以上14μm以下である。図3は、図1に示された半導体レーザ素子1のI-I断面を示す図面である。図3を参照すると、第2の溝25は、コンタクト層20と、第2クラッド層19と、埋め込み領域18とを貫通している。第2の溝25の深さD11は、例えば4μm以上6μm以下である。深さD11は半導体レーザ素子1の主面P2から第2の溝25の底面P3までの長さで規定される。底面P3及び壁面P4の上には、絶縁層21が形成されている。図4のa部は図2に示された半導体レーザ素子1のII-II断面を示す図面であり、図4のb部は図2に示された半導体レーザ素子1の第2の端面E2を示す図面である。図4のa部は、第1の溝24及び第2の溝25に挟まれた領域の断面を示す。半導体積層10に含まれた活性領域13は、基準軸Aの方向から見て第1の溝24と第2の溝25との間に設けられている。図4のb部は、第2の端面E2の構成を示す。半導体レーザ素子1の第1の端面E1及び第2の端面E2には、図4のb部に示されるように第1の溝24及び第2の溝25は形成されていない。次に、図5~図7を参照して、第1の溝24及び第2の溝25を形成する工程S1~S3について説明する。工程S2は工程S1の後に行われ、工程S3は工程S2の後に行われる。まず図5を参照して、工程S1を説明する。図5のa部は基板生産物1Hの側面を示す図面であり、図5のb部は図5のa部のIII-III断面を示す図面であり、図5のc部は図5のa部のIV-IV断面を示す図面である。工程S1では、基板11bの上に、第1クラッド層と、活性領域と、第2クラッド層とをこの順に形成する。次に、第2クラッド層の上にマスクを形成する。第2クラッド層の上に形成されたマスクを用いたエッチングにより、半導体メサ15bを形成する。半導体メサ15bは、エッチングされた第1クラッド層12bと、エッチングされた活性領域13bと、エッチングされた第2クラッド層14bとを含む。続いて、基板11bの上に第1ブロック層16bを形成する。第1ブロック層16bは半導体メサ15bの側面15sを覆うように形成される。第1ブロック層16bの上に第2ブロック層17bを形成する。そして、第2ブロック層16bの上に、第2クラッド層19b及びコンタクト層20bをこの順に形成して、基板生産物1Hを得る。図6を参照して、工程S2を説明する。図6のa部は基板生産物1Kの側面を示す図面であり、図6のb部は図6のa部のV-V断面を示す図面であり、図6のc部は図6のa部のVI-VI断面を示す図面である。工程S2では、コンタクト層20bの上にマスク31bを形成する。図6のb部を参照すると、マスク31bには、第1の溝及び第2の溝に対応する位置に開口32b,33bが形成されている。開口32bからエッチングされる領域が図1に示された第1の溝24に対応し、開口33bからエッチングされる領域が図1に示された第2の溝25に対応する。マスク31bは、絶縁層及びレジスト層のいずれか一方により形成される。絶縁層として、例えば酸化シリコンなどの酸化物を用いることができる。図6のcを参照すると、マスク31bの端面E1bを含む領域には、開口32b,33bが形成されていない。図7を参照して、工程S3を説明する。図7のa部は基板生産物1Lの側面を示す図面であり、図7のb部は図7のa部のVII-VII断面を示す図面であり、図7のc部は図7のa部のVIII-VIII断面を示す図面である。工程S3では、工程S2において形成されたマスク31bを用いたエッチングにより、第1の溝24b及び第2の溝25bを形成する。図7のb部を参照すると、開口32b,33bから露出された半導体積層10の一部がエッチングされて第1の溝24b及び第2の溝25bが形成される。工程S3では、基板11bの一部がエッチングされるまでエッチングが継続される。第1の溝24b及び第2の溝25bの深さD12,D13は、例えば6μmである。第1の溝24b及び第2の溝25bの壁面には、基板11b、第1ブロック層16b、第2ブロック層17b及び第2クラッド層19bが露出している。基板11bはn型半導体からなり、第1ブロック層16bはp型半導体からなる。さらに第2ブロック層17bはn型半導体からなり、第2クラッド層19bはp型半導体からなる。従って、第1の溝24b及び第2の溝25bの壁面にはn-p-n-p接合が形成されている。第1の溝24bと第2の溝25bとは、半導体メサ15bを挟むように形成される。第1の溝24bと第2の溝25bとの間の距離D14は、例えば6μmである。図7のc部を参照すると、端面E1bを含む領域には第1の溝24b及び第2の溝25bは形成されていない。工程S3において実施されるエッチングには、ドライエッチング及びウエットエッチングの何れか一方を用いることができる。例えば、Brメタノール液をエッチング液として用いたウエットエッチングを用いてもよいし、H2及びCH4の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングRIEであるドライエッチングを用いてもよい。工程S3を実施した後、マスク31bを除去する。次にコンタクト層20bの上に絶縁層を形成し、第1の溝24b及び第2の溝25bの壁面に絶縁層を形成する。この絶縁層は図1の絶縁層21に対応する。絶縁層は半導体メサ15bの上に形成された開口を有する。この開口によりコンタクト層20bが露出される。そして、絶縁層の上に第1電極が形成され、さらに開口から露出されたコンタクト層20bの上に第1電極が形成される。基板11の裏面には第2電極が形成される。最後にチップ化されることにより、図1に示される半導体レーザ素子1を得る。本実施形態の半導体レーザ素子1の効果について説明する。逆方向ESDにより半導体レーザ素子の埋め込み領域が劣化する形態では、埋め込み領域の溝に接した領域において埋め込み領域の劣化が生じる。この劣化が生じる領域は、活性領域の端面を含む半導体レーザ素子の端面付近の領域である。即ち、半導体レーザ素子の端面と溝の壁面とが接する領域にある埋め込み領域において劣化が生じる場合がある。半導体レーザ素子の端面と溝の壁面とが接する領域において埋め込み領域が劣化する要因の一つとして、以下のような要因が考えられる。埋め込み領域の溝に接した領域には、非発光再結合準位が存在する。この非発光再結合準位は例えば溝を形成するときに実施されるエッチングにより生成される。また、エッチングにより形成された溝の壁面が大気に晒されて酸化されることにより、非発光再結合準位が生成される。さらに、半導体レーザ素子をチップ化したときに、半導体レーザ素子の端面が大気に晒されて酸化されることにより、非発光再結合準位が生成される。半導体レーザ素子に逆方向ESDが印加されると、非発光再結合準位を形成する格子欠陥にキャリアが吸収され、格子欠陥が増大する。半導体レーザ素子の端面と溝の壁面とが接する領域にある埋め込み領域では、非発光再結合準位が多く形成されているので非発光再結合準位を介して集中的に電流が流れる可能性が高い。さらに、半導体レーザ素子の端面と溝の壁面とが接する領域にある埋め込み領域では、増大した非発光再結合準位が拡散する領域が制限される。従って、非発光再結合準位の密度が高まり、非発光再結合準位を介して電流が集中的に流れるので、埋め込み領域が劣化する。特に、埋め込み領域と埋め込み領域の上に形成されている第2クラッド層との境界に形成されているpn接合部の近傍において劣化が生じやすい。本実施形態の半導体レーザ素子1によれば、半導体レーザ素子1の第1の溝24が有する端面E3,E4は第1の端面E1及び第2の端面E2の間にある。すなわち、第1の溝24が有する端面E3,E4は、第1の端面E1及び第2の端面E2から離間している。同様に、半導体レーザ素子1の第2の溝25が有する端面E5,E6は第1の端面E1及び第2の端面E2の間にある。すなわち、第2の溝25が有する端面E5,E6は、第1の端面E1及び第2の端面E2から離間している。半導体レーザ素子の端面に溝の端部が含まれると、逆ESDに応じて、溝の側面のうち端面側の領域に形成された非発光再結合準位を介して電流が集中的に流れる。よって、この領域の格子欠陥が増大する場合がある。これに対し、半導体レーザ素子1によれば、活性領域13基準軸Aに沿って延びている第1の溝24の二つの端面E3,E4及び第2の溝25の二つの端面E5,E6は、基準軸Aの方向にある半導体レーザ素子1の二つの端面E1,E2から離間しているので、半導体レーザ素子1の端面E1,E2は第1の溝24の端面E3,E4及び第2の溝25の端面E5,E6を含まない。よって、半導体レーザ素子1は逆ESDに対する耐性が向上される。より詳細には、本実施形態の半導体レーザ素子1では、第1の端面E1と第1の溝24の壁面とが接する領域が形成されず、第1の端面E1と第2の溝25の壁面とが接する領域が形成されない。また、第2の端面E2と第1の溝24の壁面とが接する領域が形成されず、第2の端面E2と第2の溝25の壁面とが接する領域が形成されない。これ故、半導体レーザ素子1には、非発光再結合準位の密度の高い領域が存在せず、且つ非発光再結合準位が増大したときでも非発光再結合準位が拡散する領域を確保できる。これにより、非発光再結合準位を介して電流が集中的に流れることを抑制できるので、半導体レーザ素子1は逆ESDに対する耐性が向上される。また、本実施形態の半導体レーザ素子1によれば、第1の溝24の一の端面E3から第1の端面E1までの距離D5及び第1の溝24の他の端面E4から第2の端面E2までの距離D6は、第1の端面E1と第2の端面E2との間の距離の1/30以上1/20以下の範囲内にある。また、第2の溝25の一の端面E5から第1の端面E1までの距離D7及び第2の溝25の他の端面E6から第2の端面E2までの距離D8は、第1の端面E1と第2の端面E2との間の距離の1/30以上1/20以下の範囲内にある。このような構成を有する半導体レーザ素子1は、十分な長さを有する第1の溝24と、第2の溝25とを有するので埋め込み領域18において発生する静電容量を抑制すると共に、埋め込み領域18において発生する漏れ電流を抑制することができる。従って、半導体レーザ素子1は、第1の溝及び第2の溝を第1の端面から第2の端面まで形成した従来の半導体光素子が有するレーザ特性と同等のレーザ特性を実現できる。なお、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではなく、他に様々な変形が可能である。図8及び図9を参照して、半導体レーザ素子1の変形例を説明する。図8は、半導体レーザ素子1の変形例である半導体レーザ素子50を示す図面である。図8を参照すると、半導体レーザ素子50の第1の溝64は段部66を有していてもよく、第2の溝65は段部67を有していてもよい。半導体レーザ素子50のその他の構成は、半導体レーザ素子1と同様である。図9は、図8に示された半導体レーザ素子のIX-IX断面を示す図面である。図9を参照すると、段部67では第2クラッド層59の上に絶縁層61が形成されている。即ち、第2の溝65を形成するエッチングにおいて、第2の溝65のコンタクト層がサイドエッチングされていてもよい。"