"導電性支持体と、該導電性支持体の導電性表面を被覆する、色素により増感した半導体微粒子層と、電荷移動体と、対極とを有する光電変換素子であって、該半導体微粒子層の半導体微粒子の表面に下記式1で表される金属錯体色素が担持された光電変換素子。ML1L2XmXYmY式1式1中、MはFe、Ru又はOsを示す。L1は酸性基を有する含窒素芳香族ヘテロ環骨格を有する二座、三座又は四座の配位子を示す。L2は下記式2又は下記式3で表される配位子を示す。Xは単座または二座の配位子を示す。mXは0~3の整数を示す。Yは電荷を中和させるのに対イオンが必要な場合の該対イオンを示す。mYは式1の金属錯体色素全体の電荷をゼロとするために必要なYの数を示し、0~2の整数から選ばれる。式2中、Aは、ヘテロアリーレン基又はアリーレン基を示し、金属原子に配位するための窒素原子又は炭素原子を有する。n1は1~3の整数を示す。p1は0~4の整数を示すが、すべてのp1が0であることはない。構造単位DEは、-Dm-Elを表す。Dはアリーレン基、ヘテロアリーレン基、エテニレン基及びエチニレン基から選択される少なくとも1つの原子団を含む2価以上の基である。mは0~10の整数を示すが、すべてのmが0であることはない。Eは炭化水素基または水素原子である。lは1~6の整数を示す。式3中、DEは上記式2と同義である。p2は1~3の整数を示す。GはO、O-、NR、またはNR-を示し、Rは水素原子または炭化水素基を示す。但し、上記式中の構造単位DEは下記a~cのいずれかの条件を満たす:aDEのClogP値が7.5以上であり、かつ、Eの少なくとも1つはTaftの立体パラメータが-0.33以下となる炭素数6~30の分岐を有する炭化水素である。bEの少なくとも1つが、Taftの立体パラメータが-0.90以下となる炭素数6~30の分岐を有する炭化水素である。cDEのClogP値が12.5以上である。前記L1が、下記式5で表される2座または3座の配位子である請求項1に記載の光電変換素子。式5中、R2~R4は酸性基を示す。R5~R7は置換基を示す。b1~b3及びc1~c3はそれぞれ独立に0~4の整数を示す。但し、b1~b3のすべてが0になることはない。cは0又は1を示す。前記L2が、下記式6で表される2座または3座の配位子である請求項1又は2に記載の光電変換素子。式6中、DEは上記式2と同義である。Jは窒素原子又は炭素原子を示す。R8は置換基を示す。c4は0~3の整数を示す。n2は2又は3を示す。ここで、構造単位にDE含まれるEは分岐を有する炭化水素基を示す。前記Xが、NCS-、Cl-、Br-、I-、CN-、NCO-、H2O又はNCN2-を示す、請求項1~3のいずれかに記載の光電変換素子。前記Yが、ハロゲン陰イオン、置換アリールスルホン酸イオン、アリールジスルホン酸イオン、アルキル硫酸イオン、硫酸イオン、チオシアン酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、酢酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、アンモニウムイオン、アルカリ金属イオン又は水素イオンを示す、請求項1~4のいずれかに記載の光電変換素子。前記炭化水素基Eが不斉中心を有する請求項1~5のいずれかに記載の光電変換素子。前記金属錯体色素の炭素の原子組成が55以上である請求項1~6のいずれかに記載の光電変換素子。請求項1~7のいずれかに記載の光電変換素子を具備する色素増感太陽電池。電解液の含水率が0.1質量以下である、請求項8に記載の色素増感太陽電池。下記式1で表される金属錯体色素。ML1L2XmXYmY式1式1中、MはFe、Ru又はOsを示す。L1は酸性基を有する含窒素芳香族ヘテロ環骨格を有する二座、三座又は四座の配位子を示す。L2は下記式2又は下記式3で表される配位子を示す。Xは単座または二座の配位子を示す。mXは0~3の整数を示す。Yは電荷を中和させるのに対イオンが必要な場合の該対イオンを示す。mYは式1の金属錯体色素全体の電荷をゼロとするために必要なYの数を示し、0~2の整数から選ばれる。式2中、Aは、ヘテロアリーレン基又はアリーレン基を示し、金属原子に配位するための窒素原子又は炭素原子を有する。n1は1~3の整数を示す。p1は0~4の整数を示すが、すべてのp1が0であることはない。構造単位DEは、-Dm-Elを表す。Dはアリーレン基、ヘテロアリーレン基、エテニレン基及びエチニレン基から選択される少なくとも1つの原子団を含む2価以上の基である。mは0~10の整数を示すが、すべてのmが0であることはない。Eは炭化水素基または水素原子である。lは1~6の整数を示す。式3中、DEは上記式2と同義である。p2は1~3の整数を示す。GはO、O-、NR、またはNR-を示し、Rは水素原子または炭化水素基を示す。但し、上記式中の構造単位DEは下記a~cのいずれかの条件を満たす:aDEのClogP値が7.5以上であり、かつ、Eの少なくとも1つはTaftの立体パラメータが-0.33以下となる炭素数6~30の分岐を有する炭化水素である。bEの少なくとも1つが、Taftの立体パラメータが-0.90以下となる炭素数6~30の分岐を有する炭化水素である。cDEのClogP値が12.5以上である。請求項10に記載の金属錯体色素0.001~0.1質量と、水0~0.1質量とを含有する、光電変換素子に用いる半導体電極が備える半導体の表面修飾用組成液。請求項11に記載の組成液を用いて、半導体電極が備える半導体表面に金属錯体色素を担持させることを含む、色素増感太陽電池の製造方法。請求項11に記載の組成液を用いて、半導体電極が備える半導体表面に金属錯体色素を担持させた、色素増感太陽電池用の半導体電極。光電変換素子に用いる金属錯体色素の配位子を形成するための剤であって、下記式2又は3で表される化合物からなる金属錯体色素合成用の中間体。式2中、Aは、ヘテロアリーレン基又はアリーレン基を示し、金属原子に配位するための窒素原子又は炭素原子を有する。n1は1~3の整数を示す。p1は0~4の整数を示すが、すべてのp1が0であることはない。構造単位DEは、-Dm-Elを表す。Dはアリーレン基、ヘテロアリーレン基、エテニレン基及びエチニレン基から選択される少なくとも1つの原子団を含む2価以上の基である。mは0~10の整数を示すが、すべてのmが0であることはない。Eは炭化水素基または水素原子である。lは1~6の整数を示す。式3中、DEは上記式2と同義である。p2は1~3の整数を示す。GはO、O-、NR、またはNR-を示し、Rは水素原子または炭化水素基を示す。但し、上記式中の構造単位DEは下記a~cのいずれかの条件を満たす:aDEのClogP値が7.5以上であり、かつ、Eの少なくとも1つはTaftの立体パラメータが-0.33以下となる炭素数6~30の分岐を有する炭化水素である。bEの少なくとも1つが、Taftの立体パラメータが-0.90以下となる炭素数6~30の分岐を有する炭化水素である。cDEのClogP値が12.5以上である。本発明の課題は、高光電変換効率と高耐久性とを高いレベルで両立しながら、しかも水分による性能低下を抑え、さらに性能のバラつきをも抑制した光電変換素子及び色素増感太陽電池を提供することにある。本発明者等は、従来の金属錯体色素を詳細に検討した結果、金属錯体色素を用いた色素増感太陽電池は、微量の水分が混入することにより耐久性が著しく低下することに着目した。その原因としては、水による配位子交換反応が進行してしまうことや、半導体表面に担持された色素が脱離しやすくなること等が考えられる。この水分の混入を防ぐために、耐湿性の電極用基板を用いて水分の混入を抑える工夫もなされているが、コストが高くなる問題がある。このため、配位子の置換基をこのような観点で種々検討し、疎水性や立体効果が特に関係していることを見出し、本発明を完成するに至った。また、その詳細な作用機構は不明であるが、その特定配位子を有する色素を光電変換素子に用いることで、その性能のバラつきを効果的に抑えることができた。すなわち、本発明の課題は、以下の手段によって達成された。<1>導電性支持体と、該導電性支持体の導電性表面を被覆する、色素により増感した半導体微粒子層と、電荷移動体と、対極とを有する光電変換素子であって、該半導体微粒子層の半導体微粒子の表面に下記式1で表される金属錯体色素が担持された光電変換素子。ML1L2XmXYmY式1式1中、MはFe、Ru又はOsを示す。L1は酸性基を有する含窒素芳香族ヘテロ環骨格を有する二座、三座又は四座の配位子を示す。L2は下記式2又は下記式3で表される配位子を示す。Xは単座または二座の配位子を示す。mXは0~3の整数を示す。Yは電荷を中和させるのに対イオンが必要な場合の該対イオンを示す。mYは式1の金属錯体色素全体の電荷をゼロとするために必要なYの数を示し、0~2の整数から選ばれる。式2中、Aは、ヘテロアリーレン基又はアリーレン基を示し、金属原子に配位するための窒素原子又は炭素原子を有する。n1は1~3の整数を示す。p1は0~4の整数を示すが、すべてのp1が0であることはない。構造単位DEは、-Dm-Elを表す。Dはアリーレン基、ヘテロアリーレン基、エテニレン基及びエチニレン基から選択される少なくとも1つの原子団を含む2価以上の基である。mは0~10の整数を示すが、すべてのmが0であることはない。Eは炭化水素基または水素原子である。lは1~6の整数を示す。式3中、DEは上記式2と同義である。p2は1~3の整数を示す。GはO、O-、NR、またはNR-を示し、Rは水素原子または炭化水素基を示す。但し、上記式中の構造単位DEは下記a~cのいずれかの条件を満たす:aDEのClogP値が7.5以上であり、かつ、Eの少なくとも1つはTaftの立体パラメータが-0.33以下となる炭素数6~30の分岐を有する炭化水素である。bEの少なくとも1つが、Taftの立体パラメータが-0.90以下となる炭素数6~30の分岐を有する炭化水素である。cDEのClogP値が12.5以上である。<2>前記L1が、下記式5で表される2座または3座の配位子である<1>に記載の光電変換素子。式5中、R2~R4は酸性基を示す。R5~R7は置換基を示す。b1~b3及びc1~c3はそれぞれ独立に0~4の整数を示す。但し、b1~b3のすべてが0になることはない。cは0又は1を示す。<3>前記L2が、下記式6で表される2座または3座の配位子である<1>又は<2>に記載の光電変換素子。式6中、DEは上記式2と同義である。Jは窒素原子又は炭素原子を示す。R8は置換基を示す。c4は0~3の整数を示す。n2は2又は3を示す。ここで、構造単位にDE含まれるEは分岐を有する炭化水素基を示す。<4>前記Xが、NCS-、Cl-、Br-、I-、CN-、NCO-、H2O又はNCN2-を示す、<1>~<3>のいずれかに記載の光電変換素子。<5>前記Yが、ハロゲン陰イオン、置換アリールスルホン酸イオン、アリールジスルホン酸イオン、アルキル硫酸イオン、硫酸イオン、チオシアン酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、酢酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、アンモニウムイオン、アルカリ金属イオン又は水素イオンを示す、<1>~<4>のいずれかに記載の光電変換素子。<6>前記炭化水素基Eが不斉中心を有する<1>~<5>のいずれかに記載の光電変換素子。<7>前記金属錯体色素の炭素の原子組成が55以上である<1>~<6>のいずれかに記載の光電変換素子。<8><1>~<7>のいずれかに記載の光電変換素子を具備する色素増感太陽電池。<9>電解液の含水率が0.1質量以下である、<8>に記載の色素増感太陽電池。<10>下記式1で表される金属錯体色素。ML1L2XmXYmY式1式1中、MはFe、Ru又はOsを示す。L1は酸性基を有する含窒素芳香族ヘテロ環骨格を有する二座、三座又は四座の配位子を示す。L2は下記式2又は下記式3で表される配位子を示す。Xは単座または二座の配位子を示す。mXは0~3の整数を示す。Yは電荷を中和させるのに対イオンが必要な場合の該対イオンを示す。mYは式1の金属錯体色素全体の電荷をゼロとするために必要なYの数を示し、0~2の整数から選ばれる。式2中、Aは、ヘテロアリーレン基又はアリーレン基を示し、金属原子に配位するための窒素原子又は炭素原子を有する。n1は1~3の整数を示す。p1は0~4の整数を示すが、すべてのp1が0であることはない。構造単位DEは、-Dm-Elを表す。Dはアリーレン基、ヘテロアリーレン基、エテニレン基及びエチニレン基から選択される少なくとも1つの原子団を含む2価以上の基である。mは0~10の整数を示すが、すべてのmが0であることはない。Eは炭化水素基または水素原子である。lは1~6の整数を示す。式3中、DEは上記式2と同義である。p2は1~3の整数を示す。GはO、O-、NR、またはNR-を示し、Rは水素原子または炭化水素基を示す。但し、上記式中の構造単位DEは下記a~cのいずれかの条件を満たす:aDEのClogP値が7.5以上であり、かつ、Eの少なくとも1つはTaftの立体パラメータが-0.33以下となる炭素数6~30の分岐を有する炭化水素である。bEの少なくとも1つが、Taftの立体パラメータが-0.90以下となる炭素数6~30の分岐を有する炭化水素である。cDEのClogP値が12.5以上である。<11><10>に記載の金属錯体色素0.001~0.1質量と、水0~0.1質量とを含有する、光電変換素子に用いる半導体電極が備える半導体の表面修飾用組成液。<12><11>に記載の組成液を用いて、半導体電極が備える半導体表面に金属錯体色素を担持させることを含む、色素増感太陽電池の製造方法。<13><11>に記載の組成液を用いて、半導体電極が備える半導体表面に金属錯体色素を担持させた、色素増感太陽電池用の半導体電極。<14>光電変換素子に用いる金属錯体色素の配位子を形成するための剤であって、下記式2又は3で表される化合物からなる金属錯体色素合成用の中間体。式2中、Aは、ヘテロアリーレン基又はアリーレン基を示し、金属原子に配位するための窒素原子又は炭素原子を有する。n1は1~3の整数を示す。p1は0~4の整数を示すが、すべてのp1が0であることはない。構造単位DEは、-Dm-Elを表す。Dはアリーレン基、ヘテロアリーレン基、エテニレン基及びエチニレン基から選択される少なくとも1つの原子団を含む2価以上の基である。mは0~10の整数を示すが、すべてのmが0であることはない。Eは炭化水素基または水素原子である。lは1~6の整数を示す。式3中、DEは上記式2と同義である。p2は1~3の整数を示す。GはO、O-、NR、またはNR-を示し、Rは水素原子または炭化水素基を示す。但し、上記式中の構造単位DEは下記a~cのいずれかの条件を満たす:aDEのClogP値が7.5以上であり、かつ、Eの少なくとも1つはTaftの立体パラメータが-0.33以下となる炭素数6~30の分岐を有する炭化水素である。bEの少なくとも1つが、Taftの立体パラメータが-0.90以下となる炭素数6~30の分岐を有する炭化水素である。cDEのClogP値が12.5以上である。本明細書において、炭素-炭素二重結合については、分子内にE型及びZ型が存在する場合、そのいずれであってもよい。特定の符号で表示された置換基や連結基、配位子等以下、置換基等というが複数あるとき、あるいは複数の置換基等を同時もしくは択一的に規定するときには、それぞれの置換基等は互いに同一でも異なっていてもよい。このことは、置換基等の数の規定についても同様である。また、複数の置換基等が近接するときにはそれらが互いに連結したり縮環したりして環を形成していてもよい。本発明により、高光電変換効率と高耐久性とを高いレベルで両立しながら、水分による性能低下も抑え、しかも性能のバラつきをも抑制した光電変換素子及び色素増感太陽電池を提供することができる。また、本発明の製造方法によれば上述した高い性能の色素増感太陽電池を製造することができる。さらに、本発明の、金属錯体色素合成用の中間体、これを用いて形成した金属錯体色素を含有する表面修飾用組成液、これにより作製した半導体電極は、上記本発明の高性能の光電変換素子及び太陽電池用の材料として有用である。以下、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。[金属錯体色素]本発明に用いることができる金属錯体色素としては、下記式1で表される化合物からなる色素を含むことが好ましい。式1で表される色素本発明の金属錯体色素は、下記式1で表される。ML1L2XmXYmY式1以下、式1における個々の原子、配位子、化合物等を詳細に説明する。なお、L1、L2、Xは互いに異なった構造の配位子である。MMはRu、Fe及びOsから選ばれる金属原子を示す。Mは好ましくはRuである。L1L1は、酸性基を有する含窒素芳香族ヘテロ環骨格を有する二座、三座又は四座の配位子を示す。L1は好ましくは下記式5で表される。R2~R4式中、R2~R4はいずれも酸性基を示す。酸性基AC本発明において酸性基とは、解離性のプロトンを有する置換基であり、例えば、カルボキシ基、ホスホニル基、ホスホリル基、スルホ基、ホウ酸基など、あるいはこれらのいずれかを有する基が挙げられ、好ましくはカルボキシ基あるいはこれを有する基である。また酸性基はプロトンを放出して解離した形を採っていてもよく、塩であってもよい。酸性基としては、カルボキシ基、スルホ基、ホスホニル基、若しくはホスホリル基、又はこれらの塩のいずれかであることが好ましい。酸性基とは、連結基を介して結合した基でもよく、例えば、カルボキシビニレン基、ジカルボキシビニレン基、シアノカルボキシビニレン基、カルボキシフェニル基などを好ましいものとして挙げることができる。なお、ここで挙げた酸性基及びその好ましい範囲を酸性基Acということがある。なお、上述のとおり、酸性基Acは酸性を示す基を有する基であればよく、換言すれば、酸性を示す基は所定の連結基を介して導入されていてもよい。なお、酸性基はその塩として存在していてもよい。塩となるとき対イオンとしては特に限定されないが、例えば、下記対イオンYにおける正のイオンの例が挙げられる。連結基としては、炭素数1~4のアルキレン基、炭素数2~4のアルケニレン基、炭素数2~4のアルキニレン基、カルボニル基、カルボニルオキシ基等が挙げられる。本発明においては、連結基を介さないものが好ましい。R5~R7式中、R5~R7は置換基を表す。R5~R7としては例えば後述する置換基Tが挙げられる。R5~R7として好ましくはアルキル基、ヘテロアリール基、アリール基、ビニル基を介したヘテロアリール基、ビニル基を介したアリール基である。b1~b3、c1~c3b1~b3及びc1~c3はそれぞれ独立に0~4の整数を表す。ただし、b1~b3のすべてが0であることはない。c式中、cは0又は1を示す。L1は下記式L1-2で表されることがさらに好ましい。R8~R10式中、R8、R9及びR10は水素原子、アルキル基、ヘテロアリール基、アリール基又は酸性基を表す。R8、R9及びR10のうち少なくとも1つは酸性基であり、好ましくは前記酸性基Acが挙げられる。L2L2は下記式2又は下記式3で表される。[式2について]A式中、Aは、金属原子に配位するための窒素原子を有するヘテロアリーレン基、又は金属原子に配位するための炭素原子を有するアリーレン基を示す。金属原子に配位するための窒素原子を有するヘテロアリーレン基Aがヘテロアリーレン基である場合、5または6員環の基が好ましく、環構成原子として少なくとも窒素原子を有するものがさらに好ましく、例えば、ヘテロアリーレン基のヘテロ環としては、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール等の5員環の芳香族ヘテロ環、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン等の6員環の芳香族ヘテロ環等が挙げられる。これらの環は縮合環を形成してもよい。金属原子に配位するための炭素原子を有するアリーレン基芳香族炭化水素から2つの水素原子を除いた基であり、フェニレン基を好適に採用することができる。金属原子と配位するために、芳香環アニオンが好ましい。n1式中、n1は1~3の整数を示す。n1は2であることが好ましい。DE構造単位DEは、-Dm-Elを表す。D式中、Dは、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、エテニレン基及びエチニレン基から選択される1種又は2種以上の基を含む2価以上の基であって、全体として共役系を形成する基である。ヘテロアリーレン基としては、前記Aにおけるヘテロアリーレン基が挙げられ、好ましい範囲も同じである。また、アリーレン基としては、フェニレン基を好適に採用することができる。Dは、エテニレン基及びアリーレン基、又は、エテニレン基及びヘテロアリーレン基を含むことが好ましい。また、Dがエテニレン基を有する場合、少なくとも1つのエテニレン基を介してAと連結していることが好ましい。Dは1又は2以上のエテニレン基を有することができ、1又は2以上のアリーレン基又Dはヘテロアリーレン基を有してもよい。また、Dはアリーレン基とヘテロアリーレン基の双方を有してもよい。Dがアリーレン基又はヘテロアリーレン基を介して後述するEと連結する場合において、Eが2以上である場合には、アリール基又はヘテロアリール基から3つ以上の水素原子を除いた構造によってEと連結することとなるが、本発明におけるアリーレン基又はヘテロアリーレン基は、このような構造のものを含む概念として用いる。Dは、-3価もしくは5価のリン原子-例えば、-P=ORA2-、-PRA-でRAは水素原子、アルキル基、アルコキシ基を表す、-C=O-O-、-O-C=O-、-C=O-、-C=ONRB-RBは水素原子、アルキル基、アリール基またはヘテロ環基を表す、-NRB-C=O-RBは水素原子、アルキル基、アリール基またはヘテロ環基を表す、-SO2NRB-RBは水素原子、アルキル基、アリール基またはヘテロ環基を表す、-NRBSO2-RBは水素原子、アルキル基、アリール基またはヘテロ環基を表す-O-、-S-、-SO-、-SO2-、-NRB-RBは水素原子、アルキル基、アリール基またはヘテロ環基を表すから選ばれる2価の連結基を1種又は2種以上含んでもよい。また、Dは、窒素原子を介して、Eと連結してもよい。DとEとの区分は特に限定されず適宜設定されればよいが、必要により、金属錯体に配位する部位から共役構造が連続している部分まであるいはそれとヘテロ原子までを連結基Dとし、その先の炭化水素基をEとして定義すればよい。ここで、共役構造が連続している部分とは、隣接原子上に必ずp軌道または非共有電子対を有する部分を指す。mmは0~10の整数を示す。mは0~5の整数であることが好ましく、1~3の整数であることがより好ましく、1又は2であることがさらに好ましい。すべてのmが0であることはない。E式中、Eは炭化水素基または水素原子である。Eは置換基にハロゲン原子を有してもよい。Eは芳香環、エテニレン基、あるいは、エチニレン基を含んでいてもよいが、この芳香環、エテニレン基、あるいは、エチニレン基上の原子を介してDと連結することはない。Eが炭化水素基である場合、アルキル基が好ましい。アルキル基は直鎖でもよく、分岐を有してもよく、環状構造を有してもよいが、少なくとも1つの分岐を有するアルキル基であることが好ましい。また、本発明の効果を損ねない範囲で、Eは任意の置換基を有していてもよく、その例としては後記置換基Tが挙げられる。さらに、この炭化水素基は、本発明の効果を損ねない範囲で、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等を介在した構造であってもよい。l式中、lは1~6の整数である。lは1~4の整数であることが好ましく、1~3の整数であることがより好ましく、2であることがさらに好ましい。p1式中、p1は0~4の整数を示すが、すべてのp1が0であることはない。p1は1~3であることが好ましい。p1の総数とn1との関係は、n1≧p1であることが好ましい。[式6について]上記式2で表されるL2は、下記式6で表される2座または3座の配位子であることが好ましい。式6中、DEは上記式1と同義である。ここでのEは、少なくとも1つの分岐を有する炭化水素基であることが好ましい。Eは、上述のように、芳香環、エテニレン基、あるいは、エチニレン基を含んでいてもよいが、この芳香環、エテニレン基、あるいは、エチニレン基上の原子を介してDと連結することはない。Jは窒素原子または炭素原子を示す。式6で表されるL2は、Jを介して金属原子に配位する。R8式中R8は置換基を表す。当該置換基としては後述する置換基Tが挙げられ、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基が好ましく、アルキル基、アリール基が特に好ましい。c4式中、c4は0~3の整数を示す。c4は0又は1であることが好ましい。n2式中、n2は2又は3を示す。[式3について]式3中、DEは上記式2と同義である。D,Eの規定及び好ましい範囲も同様である。p2式中、p2は1~3の整数を示す。p2は1又は2であることが好ましい。なお、G-C=C-C=Gの基本構造において、-Dm-Elが置換しない部分は置換基が置換してもよい。このような置換基としては、後述の置換基Tが挙げられるが、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基が好ましい。G式中、Gは酸素原子又はNRを示し、Rは水素原子又は炭化水素基を示す。2つのGのうち単結合で連結されたGはアニオンにチャージすることで金属原子に配位する。[構造単位DEにおける特定条件]上記式中の構造単位DEは、下記a~cのいずれかを満たす。なお、分子内に複数のDEないしEが存在する場合、下記のClogP及び立体パラメータはDEないしEの少なくも1つがその条件を満たしていればよい。aDEのClogP値が7.5以上であり、かつ、Eの少なくとも1つは立体パラメータが-0.33以下となる炭素数6~30の分岐を有する炭化水素である。bEの少なくとも1つが、立体パラメータが-0.90以下となる炭素数6~30の分岐を有する炭化水素である。cDEのClogP値が12.5以上である。ここで、上記構造単位DEのClogP値は、末端に水素原子が付加した化合物DEH[H-Dm-El]の構造における化合物としてその値を評価する。なお、化合物DEH中、D、E、m、lは式2の意味と同義である。ClogPオクタノール-水分配係数logP値の測定は、一般にJIS日本工業規格Z7260-1072000に記載のフラスコ浸とう法により実施することができる。また、オクタノール-水分配係数logP値は実測に代わって、計算化学的手法あるいは経験的方法により見積もることも可能である。計算方法としては、Crippen’sfragmentation法J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,211987、Viswanadhan’sfragmentation法J.Chem.Inf.Comput.Sci.,29,1631989、Broto’sfragmentation法Eur.J.Med.Chem.-Chim.Theor.,19,711984などを用いることが知られている。本発明では、Crippen’sfragmentation法J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,211987を用いる。ClogP値とは、1-オクタノールと水への分配係数Pの常用対数logPを計算によって求めた値である。ClogP値の計算に用いる方法やソフトウェアについては公知の物を用いることができるが、本発明ではDaylightChemicalInformationSystems社のシステム:PCModelsに組み込まれたClogPプログラムを用いた。Taftの立体パラメータ通常、Es値として表現される。Taftによって定義された置換基定数であり、その詳細は薬物の構造活性相関、化学の領域増刊122号1979年、南江堂株発行に記載されている。本発明におけるEs値はメチル基を基準としたEsCH3=0である。条件a上記条件aにおいて、ClogP値は8.0~12.5であることが好ましく、8.5~10.0であることがより好ましい。Eの少なくとも1つはTaftの立体パラメータが-3.5~-0.5となる炭素数6~22の分岐を有する炭化水素であることが好ましく、Taftの立体パラメータが-2.5~-0.7となる炭素数8~18の分岐を有する炭化水素であることがより好ましい。条件b上記条件bにおいて、Eの少なくとも1つは、Taftの立体パラメータが-3.5~-0.95となる炭素数6~22の分岐を有する炭化水素であることが好ましく、Taftの立体パラメータが-2.5~-0.95となる炭素数8~18の分岐を有する炭化水素であることがより好ましい。条件c上記条件cにおいて、ClogP値は12.5~20であることが好ましく、12.5~15であることがより好ましい。X式1中のXは単座又は二座の配位子を示す。Xはアシルオキシ基、アシルチオ基、チオアシルオキシ基、チオアシルチオ基、アシルアミノオキシ基、チオカルバメート基、ジチオカルバメート基、チオカルボネート基、ジチオカルボネート基、トリチオカルボネート基、アシル基、チオシアネート基、イソチオシアネート基、シアネート基、イソシアネート基、シアノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシ基及びアリールオキシ基からなる群から選ばれた基で配位する1座の配位子、又はハロゲン原子、カルボニル、ジアルキルケトン、カルボンアミド、チオカルボンアミド、チオ尿素及び水からなる群より選ばれる1座の配位子であることが好ましい。なお配位子Xがアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキレン基等を含む場合、それらは直鎖状でも分岐状でもよく、置換されていても無置換でもよい。またアリール基、ヘテロ環基、シクロアルキル基等を含む場合、それらは置換されていても無置換でもよく、単環でも縮環していてもよい。Xはより好ましくは、NCS-、Cl-、Br-、I-、CN-、NCO-、H2O又はNCN2-である。mX配位子Xの数を表すmXは0~3の整数である。mXは好ましくは1又は2である。Y式1中のYは電荷を中和させるのに対イオンが必要な場合の対イオンを表す。一般に、色素が陽イオン又は陰イオンであるか、あるいは正味のイオン電荷を有するかどうかは、色素中の金属、配位子および置換基に依存する。置換基が解離性基を有することなどにより、式1の色素は解離して負電荷を持ってもよい。この場合、式1の色素全体の電荷はYにより電気的に中性とされる。対イオンYが正の対イオンの場合、例えば、対イオンYは、無機又は有機のアンモニウムイオン例えばテトラアルキルアンモニウムイオン、ピリジニウムイオン等、ホスホニウムイオン例えばテトラアルキルホスホニウムイオン、アルキルトリフェニルホスホニウムイオン等、アルカリ金属イオン又はプロトンである。対イオンYが負の対イオンの場合、例えば、対イオンYは、無機陰イオンでも有機陰イオンでもよい。例えば、ハロゲン陰イオン例えば、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン等、置換アリールスルホン酸イオン例えばp-トルエンスルホン酸イオン、p-クロロベンゼンスルホン酸イオン等、アリールジスルホン酸イオン例えば1,3-ベンゼンジスルホン酸イオン、1,5-ナフタレンジスルホン酸イオン、2,6-ナフタレンジスルホン酸イオン等、アルキル硫酸イオン例えばメチル硫酸イオン等、硫酸イオン、チオシアン酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、ピクリン酸イオン、酢酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン等が挙げられる。さらに電荷均衡対イオンとして、イオン性ポリマーあるいは色素と逆電荷を有する他の色素を用いてもよく、金属錯イオン例えばビスベンゼン-1,2-ジチオラトニッケルIII等も使用可能である。mYmYは0~2の整数である。式1で表される構造を有する色素の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、下記例において、点線で囲った部分がDに該当する。本発明の金属錯体色素は、炭素の原子組成、すなわち、色素に含まれる元素の総原子量に占める炭素原子の総原子量の割合が55以上であることが好ましい。式1で表される化合物からなる色素の合成は、常法により行うことができる。[共吸着剤]本発明の光電変換素子においては、本発明の金属錯体色素または併用する色素とともに共吸着剤を使用することが好ましい。このような共吸着剤としてはカルボキシル基もしくはその塩の基を有する共吸着剤が好ましく、該共吸着剤としては、脂肪酸やステロイド骨格を有する化合物が挙げられる。脂肪酸は、飽和脂肪酸でも不飽和脂肪酸でもよく、例えばブタン酸、ヘキサン酸、オクタン酸、デカン酸、ヘキサデカン酸、ドデカン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸等が挙げられる。ステロイド骨格を有する化合物として、コール酸、グリココール酸、ケノデオキシコール酸、ヒオコール酸、デオキシコール酸、リトコール酸、ウルソデオキシコール酸等が挙げられる。好ましくはコール酸、デオキシコール酸、ケノデオキシコール酸であり、さらに好ましくはケノデオキシコール酸である。好ましい共吸着剤は、下記式Aで表される化合物である。式中、Raは置換基を表す。置換基としては、下記置換基Tの例が挙げられる。Acは酸性基を表し、先に示したものと同義である。nは0以上の整数を表し、nが2以上の時、複数のRbは互いに同一でも異なっていてもよい。nは2~4であることが好ましい。これらの具体的化合物は、上述のステロイド骨格を有する化合物として例示した化合物が挙げられる。本発明の共吸着剤は、半導体微粒子に吸着させることにより、色素の非効率な会合を抑制する効果及び酸化物半導体表面から電解質中のレドックス系への逆電子移動を防止する効果がある。共吸着剤の使用量は特に限定されないが、上記増感色素1モルに対して、好ましくは1~200モル、さらに好ましくは10~150モル、特に好ましくは20~50モルであることが上記の作用を効果的に発現させられる観点から好ましい。なお、本明細書において化合物錯体、色素を含むの表示については、当該化合物そのもののほか、その塩、錯体、そのイオンを含む意味に用いる。また、所望の効果を奏する範囲で、所定の一部を変化させた誘導体を含む意味である。また、本明細書において置換無置換を明記していない置換基連結基及び配位子についても同様については、その基に任意の置換基を有していてもよい意味である。これは置換無置換を明記していない化合物についても同義である。好ましい置換基としては、下記置換基Tが挙げられる。置換基Tとしては、下記のものが挙げられる。アルキル基好ましくは炭素原子数1~20のアルキル基、例えばメチル、エチル、イソプロピル、t-ブチル、ペンチル、ヘプチル、1-エチルペンチル、ベンジル、2-エトキシエチル、1-カルボキシメチル等、アルケニル基好ましくは炭素原子数2~20のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、オレイル等、アルキニル基好ましくは炭素原子数2~20のアルキニル基、例えば、エチニル、ブタジイニル、フェニルエチニル等、シクロアルキル基好ましくは炭素原子数3~20のシクロアルキル基、例えば、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、4-メチルシクロヘキシル等、アリール基好ましくは炭素原子数6~26のアリール基、例えば、フェニル、1-ナフチル、4-メトキシフェニル、2-クロロフェニル、3-メチルフェニル等、ヘテロ環基好ましくは炭素原子数2~20のヘテロ環基、好ましくは、少なくとも1つの酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有する5または6員環のヘテロ環基が好ましく、例えば、2-ピリジル、4-ピリジル、2-イミダゾリル、2-ベンゾイミダゾリル、2-チアゾリル、2-オキサゾリル等、アルコキシ基好ましくは炭素原子数1~20のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロピルオキシ、ベンジルオキシ等、アリールオキシ基好ましくは炭素原子数6~26のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、1-ナフチルオキシ、3-メチルフェノキシ、4-メトキシフェノキシ等、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素原子数2~20のアルコキシカルボニル基、例えば、エトキシカルボニル、2-エチルヘキシルオキシカルボニル等、アミノ基好ましくは炭素原子数0~20のアミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基を含み、例えば、アミノ、N,N-ジメチルアミノ、N,N-ジエチルアミノ、N-エチルアミノ、アニリノ等、スルファモイル基好ましくは炭素原子数0~20のスルホンアミド基、例えば、N,N-ジメチルスルファモイル、N-フェニルスルファモイル等、アシルオキシ基好ましくは炭素原子数1~20のアシルオキシ基、例えば、アセチルオキシ、ベンゾイルオキシ等、カルバモイル基好ましくは炭素原子数1~20のカルバモイル基、例えば、N,N-ジメチルカルバモイル、N-フェニルカルバモイル等、アシルアミノ基好ましくは炭素原子数1~20のアシルアミノ基、例えば、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノ等、スルホンアミド基好ましくは炭素原子数0~20のスルファモイル基、例えば、メタンスルホンアミド、ベンゼンスルホンアミド、N-メチルメタンスルスルホンアミド、N-エチルベンゼンスルホンアミド等、ヒドロキシル基、シアノ基、ハロゲン原子例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等であり、より好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アミノ基、アシルアミノ基、シアノ基又はハロゲン原子であり、特に好ましくはアルキル基、アルケニル基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アミノ基、アシルアミノ基又はシアノ基が挙げられる。化合物ないし置換基等がアルキル基、アルケニル基等を含むとき、これらは直鎖状でも分岐状でもよく、置換されていても無置換でもよい。またアリール基、ヘテロ環基等を含むとき、それらは単環でも縮環でもよく、置換されていても無置換でもよい。[表面修飾用組成液]本発明の金属錯体色素を0.001~0.1質量含有させた溶液中に後述する半導体電極を浸漬させることで、当該半導体電極が備える半導体表面に本発明の金属錯体色素を担持吸着させることができる。すなわち、本発明の金属錯体色素を0.001~0.1質量含有する組成液は、太陽電池に用いる半導体電極が備える半導体の表面を、本発明の金属錯体色素で修飾するために用いることができる。当該溶液の溶媒はアルコールであることが好ましく、エタノールであることがより好ましい。通常の増感色素を用いる場合には、組成液の溶媒は脱水処理を施したものを用いる必要がある。水分を含む溶媒を用いると電極に水分が入り込み、配位子交換反応が進行したり、半導体表面に担持された色素が脱離されやすくなるなどして太陽電池の耐久性が低下してしまう。しかし、本発明の色素を用いる場合には、組成液の溶媒が少量の水を含有しても性能低下が抑えられる。具体的には、本発明の金属錯体色素0.001~0.1質量と水0~0.1質量とを含有する組成液を本発明の表面修飾用組成液として好適に用いることができる。[光電変換素子及び色素増感型太陽電池]図1に示されるように、本発明の光電変換素子10は、導電性支持体1、その上に設置される色素21により増感した半導体層半導体膜である感光層2、電荷移動体層3、及び対極4からなる。半導体層半導体膜を設置した導電性支持体は光電変換素子において作用電極として機能する。本実施形態においては、この光電変換素子10を外部回路6で動作手段Mに仕事をさせる電池用途に使用できるようにした色素増感太陽電池を利用したシステム100として示している。本実施形態において受光電極5は、導電性支持体1、およびその上に塗設される色素化合物21の吸着した半導体微粒子22の層半導体層である感光層2よりなる。本実施形態においては受光電極5に電荷移動層3を含みうるものとして示しているが、これを含まないものとしてみてもよい。半導体層である感光層2は目的に応じて設計され、単層構成でも多層構成でもよい。一層の感光層中の色素化合物21は一種類でも多種の混合でもよいが、そのうちの少なくとも1種は、上述した本発明の金属錯体色素を用いる。半導体層である感光層2に入射した光は色素を励起する。励起色素はエネルギーの高い電子を有しており、この電子が色素化合物21から半導体微粒子22の伝導帯に渡され、さらに拡散によって導電性支持体に到達する。このとき金属錯体色素は酸化体となっているが、電極上の電子が外部回路で仕事をしながら色素酸化体に電解質3に戻ることで太陽電池として働く。図1は説明のために模式的に示したものであり、色素の吸着形態などの本発明の構成がそこに示した構成によって限定して解釈されるものではない。本発明において光電変換素子及び色素増感型太陽電池に用いられる材料及び各部材の作成方法については、この種のものにおける通常のものを採用すればよく、例えば米国特許第4927721号明細書、米国特許第4684537号明細書、米国特許第5084365号明細書、米国特許第5350644号明細書、米国特許第5463057号明細書、米国特許第5525440号明細書、特開平7-249790号公報、特開2004-220974号公報、特開2008-135197号公報を参照することができる。以下、主たる部材について概略を説明する。導電性支持体は、金属のように支持体そのものに導電性があるものか、または表面に導電膜層を有するガラスもしくはプラスチックの支持体である。支持体としては、ガラス及びプラスチックの他、セラミック特開2005―135902号公報、導電性樹脂特開2001―160425号公報を用いてもよい。支持体上には、表面に光マネージメント機能を施してもよく、例えば、特開2003―123859号公報記載の高屈折膜及び低屈性率の酸化物膜を交互に積層した反射防止膜、特開2002―260746号公報記載のライトガイド機能が挙げられる。導電膜層の厚さは0.01~30μmであることが好ましく、0.03~25μmであることが更に好ましく、特に好ましくは0.05~20μmである。導電性支持体は実質的に透明であることが好ましい。実質的に透明であるとは光の透過率が10以上であることを意味し、50以上であることが好ましく、80以上が特に好ましい。透明導電性支持体としては、ガラスもしくはプラスチックに導電性の金属酸化物を塗設したものが好ましい。このときの導電性の金属酸化物の塗布量は、ガラスもしくはプラスチックの支持体1m2当たりの0.1~100gが好ましい。透明導電性支持体を用いる場合、光は支持体側から入射させることが好ましい。半導体微粒子は、好ましくは金属のカルコゲニド例えば酸化物、硫化物、セレン化物等またはペロブスカイトの微粒子である。金属のカルコゲニドとしては、好ましくはチタン、スズ、亜鉛、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、もしくはタンタルの酸化物、硫化カドミウム、セレン化カドミウム等が挙げられる。ペロブスカイトとしては、好ましくはチタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム等が挙げられる。これらのうち酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化タングステンが特に好ましい。チタニアの結晶構造としては、アナターゼ型、ブルッカイト型、または、ルチル型があげられ、アナターゼ型、ブルッカイト型が好ましい。チタニアナノチューブナノワイヤーナノロッドをチタニア微粒子に混合するか、または半導体電極として用いてもよい。半導体微粒子の粒径は、投影面積を円に換算したときの直径を用いた平均粒径で1次粒子として0.001~1μm、分散物の平均粒径として0.01~100μmであることが好ましい。半導体微粒子を導電性支持体上に塗設する方法として、湿式法の他、乾式法、その他の方法が挙げられる。透明導電膜と半導体層酸化物半導体層の間には、電解液と電極が直接接触することによる逆電流を防止する為、短絡防止層を形成することが好ましい。光電極と対極の接触を防ぐ為に、スペーサーやセパレータを用いることが好ましい。半導体微粒子は多くの色素を吸着することができるように表面積の大きいものが好ましい。例えば半導体微粒子を支持体上に塗設した状態で、その表面積が投影面積に対して10倍以上であることが好ましく、100倍以上であることがより好ましい。この上限には特に制限はないが、通常5000倍程度である。一般に、半導体微粒子の層の厚みが大きいほど単位面積当たりに担持できる色素の量が増えるため光の吸収効率が高くなるが、発生した電子の拡散距離が増すため電荷再結合によるロスも大きくなる。半導体微粒子層半導体層の好ましい厚みは素子の用途によって異なるが、典型的には0.1~100μmである。色素増感太陽電池として用いる場合は1~50μmであることが好ましく、3~30μmであることがより好ましい。半導体微粒子は、支持体に塗布した後に粒子同士を密着させるために、100~800°Cの温度で10分~10時間焼成してもよい。支持体としてガラスを用いる場合、製膜温度は400~60°Cが好ましい。なお、半導体微粒子の支持体1m2当たりの塗布量は0.5~500g、さらには5~100gが好ましい。色素の使用量は、全体で、支持体1m2当たり0.01~100ミリモルが好ましく、より好ましくは0.1~50ミリモル、特に好ましくは0.1~10ミリモルである。この場合、本発明の色素の使用量は5モル以上とすることが好ましい。また、色素の半導体微粒子に対する吸着量は半導体微粒子1gに対して0.001~1ミリモルが好ましく、より好ましくは0.1~0.5ミリモルである。このような色素量とすることによって、半導体における増感効果が十分に得られる。これに対し、色素量が少ないと増感効果が不十分となり、色素量が多すぎると、半導体に付着していない色素が浮遊し増感効果を低減させる原因となる。前記色素が塩である場合、前記特定の金属錯体色素の対イオンは特に限定されず、例えばアルカリ金属イオン又は4級アンモニウムイオン等が挙げられる。色素を吸着した後に、アミン類を用いて半導体微粒子の表面を処理してもよい。好ましいアミン類としては4-tert-ブチルピリジン、ポリビニルピリジン等が挙げられる。これらは液体の場合はそのまま用いてもよいし有機溶媒に溶解して用いてもよい。電荷移動層体は、色素の酸化体に電子を補充する機能を有する層であり、受光電極と対極との間に設けられる。代表的な例としては、酸化還元対を有機溶媒に溶解した液体、酸化還元対を有機溶媒に溶解した液体をポリマーマトリクスに含浸したいわゆるゲル電解質、酸化還元対を含有する溶融塩などが挙げられる。本発明の光電変換素子10に用いられる電解質組成物には、酸化還元対として、例えばヨウ素とヨウ化物例えばヨウ化リチウム、ヨウ化テトラブチルアンモニウム、ヨウ化テトラプロピルアンモニウム等との組み合わせ、アルキルビオローゲン例えばメチルビオローゲンクロリド、ヘキシルビオローゲンブロミド、ベンジルビオローゲンテトラフルオロボレートとその還元体との組み合わせ、ポリヒドロキシベンゼン類例えばハイドロキノン、ナフトハイドロキノン等とその酸化体との組み合わせ、2価と3価の鉄錯体例えば赤血塩と黄血塩の組み合わせ、2価と3価のコバルト錯体の組み合わせ等が挙げられる。これらのうちヨウ素とヨウ化物との組み合わせ、2価と3価のコバルト錯体の組み合わせが好ましい。ヨウ化物のカチオンは5員環又は6員環の含窒素芳香族カチオンであるのが好ましい。前記コバルト錯体はなかでも下記式7で表されるものであることが好ましい。CoLL2m2Qm3CI:式7式7において、LL2は下記式LL2で表される2座又は3座の配位子を表す。Qは1座又は2座の配位子を表す。m2は0~3の整数を表す。m3は0~6の整数を表す。CIは電荷を中和させるのに対イオンが必要な場合の対イオンを表す。式LL2において、Za、Zb及びZcは5又は6員環を形成しうる原子群を表す。ZaZbZcは置換基を有していてもよく、置換基を介して隣接する環と閉環していてもよい。cは0又は1を示す。Qはハロゲン原子であることが好ましい。一般式7中のLL2は下記式14-1~14-3で表されることがより好ましい。R’a~R’iは置換基を表す。na~nbは0~4の整数を表す。nc、neは0~3の整数を表す。ndは0~2の整数を表す。nf、niは0~4の整数を表す。式14-1~14-3において、R’a~R’iの置換基としては例えば、脂肪族基、芳香族基、複素環基等が挙げられる。置換基の具体的な例としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、ヘテロ環等を挙げることができる。好ましい例としては、アルキル基例えばメチル、エチル、n-ブチル、n-ヘキシル、イソブチル、sec-ブチル、t-ブチル、n-ドデシル、シクロヘキシル、ベンジル等、置換アリール基例えばフェニル、トリル、ナフチル等、アルコキシ基例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ブトキシ等を挙げることができる。置換基の数は、独立に0以上の整数である。置換基の数は好ましくは、好ましくは、0又は1である。式14-1~14-3の具体的な例としては例えば以下が挙げられる。電解質の水分含有率は、0.1質量以下であることが好ましい。以上の液体電解質及び擬固体電解質の代わりにp型半導体あるいはホール輸送材料などの固体電荷輸送系を用いても良い。固体電荷輸送層として有機ホール輸送材料を用いても良い。酸化還元対は、電子のキャリアになるので、ある程度の濃度が必要である。好ましい濃度としては合計で0.01モル/l以上であり、より好ましくは0.1モル/lであり、特に好ましくは0.3モル/l以上である。この場合の上限には特に制限はないが、通常5モル/l程度である。対向電極は、光電気化学電池の正極として働くものである。対向電極は、通常前述の導電性支持体と同義であるが、強度が十分に保たれるような構成では支持体は必ずしも必要でない。対極の構造としては、集電効果が高い構造が好ましい。感光層に光が到達するためには、前述の導電性支持体と対向電極との少なくとも一方は実質的に透明でなければならない。本発明の光電気化学電池においては、導電性支持体が透明であって太陽光を支持体側から入射させるのが好ましい。この場合、対向電極は光を反射する性質を有することがさらに好ましい。光電気化学電池の対向電極としては、金属もしくは導電性の酸化物を蒸着したガラス、またはプラスチックが好ましく、白金を蒸着したガラスが特に好ましい。光電気化学電池では、構成物の蒸散を防止するために、電池の側面をポリマーや接着剤等で密封することが好ましい。このようにして得られる本発明の光電気化学電池の特性は、一般的にはAM1.5Gで100mW/cm2のとき、開放電圧0.01~1.5V、短絡電流密度0.001~20mA/cm2、形状因子0.1~0.9、変換効率0.001~25である。本発明は、特許第4260494号公報、特開2004-146425号公報、特開2000-340269号公報、特開2002-289274号公報、特開2004-152613号公報、特開平9-27352号公報等に記載の光電変換素子、色素増感太陽電池に適用することができる。また、特開2004152613号公報、特開200090989号公報、特開2003-217688号公報、特開2002-367686号公報、特開2003-323818号公報、特開2001-43907号公報、特開2000-340269号公報、特開2005-85500号公報、特開2004-273272号公報、特開2000-323190号公報、特開2000-228234号公報、特開2001-266963号公報、特開2001-185244号公報、特表2001-525108号公報験、特開2001-203377号公報、特開2000-100483号公報、特開2001-210390号公報、特開2002-280587号公報、特開2001-273937号公報、特開2000-285977号公報、特開2001-320068号公報等に記載の光電変換素子、色素増感太陽電池に適用することができる。以下に実施例に基づき本発明について更に詳細に説明するが、本発明がこれに限定して解釈されるものではない。合成例[色素1の合成]下記のスキームの方法に従って色素1を調製した。1化合物1-aの調製窒素雰囲気下、テトラヒドロフラン脱水溶媒150mLに水素化ナトリウム60、流動パラフィンに分散15.5gを加え、室温で攪拌した。アニリンを15.0g導入し、続いて1-ブロモ-2-エチルヘキサン74.7g導入し、5時間加熱還流した。その後、0°Cに冷却後、水300mLをゆっくり滴下し、酢酸エチル480mLで抽出した。有機層を濃縮して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで化合物1-aを43.1g得た。2化合物1-bの調製窒素雰囲気下、N,N-ジメチルホルムアミド9.19gを0°Cに冷却後、オキシ塩化リン12.0gを滴下した。室温で30分攪拌後、1-a14.7gを滴下し、60°Cで30分攪拌した。その後室温まで冷却後、水50mlを添加し、水酸化ナトリウム16.6gを80mLに溶解した水溶液を添加し15分攪拌した。水100mLと酢酸エチル100mLで抽出分液し、得られた有機層を濃縮した。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで化合物1-bを14.3gを得た。3化合物1-cの調製窒素雰囲気下、テトラヒドロフラン12.5mLにジイソプロピルアミン2.4gを溶解し、-20°Cに冷却した。ここにn-ブチルリチウム1.6mol/Lヘキサン溶液13mLを滴下し、-20°Cで30分間攪拌した。4,4’-ジメチル-2,2’-ビピリジル1.86gのテトラヒドロフラン溶液50mLを滴下し、0°Cで75分間攪拌した。この懸濁液に1-b6.51gのテトラヒドロフラン溶液10mLを滴下し、室温で90分間攪拌した。その後、飽和塩化アンモニウム水溶液50mlを添加後、分液を行い、有機層をを濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで化合物1-c3.4gを得た。4化合物1-dの調製窒素雰囲気下、トルエン15mLに化合物1-c1.0gとPPTSピリジニウムパラトルエンスルホン酸0.6gを加え、4時間加熱還流を行った。飽和重曹水15mL及び酢酸エチル20mLで分液を行い、有機層を濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで化合物1-dを0.6gを得た。5色素1の調製窒素雰囲気下、p-シメンルテニウムジクロロダイマー115mg、および、化合物1-d315mgをN,N-ジメチルホルムアミド15mLに溶解し、80°Cで1時間半攪拌した。その後,4,4’-ジカルボキシ-2,2’-ビピリジル94mgを加え、140°Cで4時間攪拌した。続いて、チオシアン酸アンモニウム1.1gを加え、140°Cで3時間攪拌した。この溶液を室温に冷却後、水を90mL加え、析出した固体化合物1-eを濾過により回収した。この固体をテトラブチルアンモニウムヒドロキシドのメタノール溶液10に溶解し、SephadexLH-20カラムで精製した。主層の分画を回収し濃縮後硝酸0.1M水溶液を添加して、沈殿物をろ過後、水及びジエチルエーテルで洗い、色素1を313mgを得た。得られた色素1の構造はMS測定により確認した。MS-ESIm/z=1299.6M-H[色素2の合成]色素1の合成スキームにおいて、化合物1-aの合成原料である1-ブロモ-2-エチルヘキサンを1-ヨード-3,5,5-トリメチルヘキサンに変更することで、色素2を合成した。この1-ヨード-3,5,5-トリメチルヘキサンは下記のスキームに従って合成した。得られた色素2の構造はMS測定により確認した。MS-ESIm/z=1355.6M-H61-ヨード-3,5,5-トリメチルヘキサンの調製窒素雰囲気下、4-メチルピリジン30mLに3,5,5-トリメチル-1-ヘキサノール14.4gを溶解させ、0°Cに冷却した。p-トルエンスルホニルクロリド19.1gをゆっくりと導入し,室温で3時間半攪拌した。その後、2.6mol/L塩酸70mLと酢酸エチル115mLで抽出分液し、有機層を濃縮した。得られた黄色液体を、窒素雰囲気下、アセトン50mLに溶解させ、ヨウ化ナトリウム14.5gを加え、50°Cで3時間攪拌した。反応後の懸濁液から白色固体を濾過により除去し、黄色溶液を回収し、濃縮した。22.5gの黄褐色液体が得られ、更なる精製をせず、次の反応に用いた。[色素3の合成]チオフェン上のアルキル基の異なる錯体の合成法が、特許第4676970号公報に記載されており、これに準ずる方法で合成した。配位子の原料となる2,4-ビス2-エチルヘキシルチオフェンは下記のスキームに従って合成した。得られた色素3の構造はMS測定により確認した。MS-ESIm/z=1225.4M-H7化合物3-aの調製窒素雰囲気下、ジエチルエーテル100mLに3-ブロモチオフェン55gとNidpppCl21.7gを加え、0°Cに冷却した。2-エチルヘキシルブロミド78gとマグネシウム9.8gから常法により調製した2-エチルヘキシルマグネシウムブロミドのジエチルエーテル溶液を滴下し、室温で8時間攪拌した。1mol/L希塩酸100mLを加え、分液後、有機層を濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで化合物3-a62.5gを得た。8化合物3-bの調製窒素雰囲気下、テトラヒドロフラン1.5Lに化合物3-a62.5gを溶解させ、-78°Cに冷却した。n-ブチルリチウム1.6mol/Lヘキサン溶液200mLを滴下し、-78°Cで90分間攪拌した。ここに、臭素52.2gのテトラヒドロフラン溶液150mLをゆっくりと滴下し、さらに20分間攪拌した。その後、チオ硫酸ナトリウム水溶液を数滴加え、室温に昇温した。水1.5Lを加え、分液し、有機層を濃縮して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで化合物3-bを70.5g得た。92,4-ビス2-エチルヘキシルチオフェンの調製窒素雰囲気下、テトラヒドロフラン200mLに化合物3-b70.5gを溶解させ、-78°Cで攪拌した。n-ブチルリチウム1.6mol/Lヘキサン溶液160mLを滴下し、-78°Cで90分間攪拌した。ここに,1-ブロモ-2-エチルヘキサン50.2gを滴下し、室温で7時間攪拌した。水200mLと酢酸エチル300mLで抽出分液し、有機層を濃縮しして得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで2,4-ビス2-エチルヘキシルチオフェンを72.3g得た。、[色素4の合成]比較色素2の合成法WO2007/091525号パンフレットに準ずる方法で合成した。配位子の原料となる4-t-ブチル-2-2-エチルヘキシルチオフェンは、4-t-ブチル-2-ブロモチオフェンを原料として、色素3の合成で用いた2,4-ビス2-エチルヘキシルチオフェンと同様の方法で合成した。得られた色素4の構造はMS測定により確認した。MS-ESIm/z=1169.4M-H[色素5の合成]比較色素4の合成法Chem.Commun.,2009,5844に準ずる方法で合成した。この合成原料となる3-t-ブチル-5-2-エチルヘキシルチオフェン-2-カルバルデヒドは、色素4の原料でもある4-t-ブチル-2-2-エチルヘキシルチオフェンを特開2011-37788号公報に記載の方法でホルミル化することで得られた。得られた色素5の構造はMS測定により確認した。MS-ESIm/z=1040.2M-H[色素6の合成]フェニルピリジン上の置換基の異なる錯体の合成法が、特開2009-51999号公報に記載されており、これに準ずる方法で合成した。配位子である化合物6-eは、下記のスキームに従って合成した。得られた色素6の構造はMS測定により確認した。MS-ESIm/z=1072.3M-H10化合物6-aの調製窒素雰囲気下、アセトン45mLと水50mLの混合溶媒中に、4-イソプロピルフェニルボロン酸3.7g、1-ブロモー3-ヨードベンゼン4.2g、炭酸ナトリウム3.2g、酢酸パラジウム20mgを導入し、35°Cで12時間攪拌した。その後、酢酸エチル100mLで抽出分液し、有機層を濃縮して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで化合物6-aを3.6g得た。11化合物6-bの調製窒素雰囲気下、テトラヒドロフラン25mLに化合物6-aを3.6g溶解させ、-78°Cに冷却した。n-ブチルリチウム1.6mol/Lヘキサン溶液9.0mLを滴下し、-78°Cで30分間攪拌した。ここに,ホウ酸トリメチル2.7gを滴下し、室温で5時間攪拌した。減圧により溶媒を留去した後、トルエン25mL、ピナコール1.7g、塩化アンモニウム1.4gを加え、8時間加熱還流した。水35mLと酢酸エチル50mLで抽出分液し、有機層を濃縮しして得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで化合物6-bを4.1g得た。12化合物6-cの調製窒素雰囲気下、テトラヒドロフラン500mLと水100mLの混合溶媒に、化合物6-b4.1g、2-ブロモ-4-メチルピリジン1.4g、炭酸カルシウム2.9g、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0.5gを加え、5時間加熱還流した。0.1mol/L希塩酸200mLと酢酸エチルで抽出分液し、有機層を濃縮しして得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで化合物6-cを2.2g得た。13化合物6-dの調製窒素雰囲気下、テトラヒドロフラン6mLにジイソプロピルアミン0.9gを溶解し、-20°Cに冷却した。ここにn-ブチルリチウム1.6mol/Lヘキサン溶液5.5mLを滴下し、-20°Cで30分間攪拌した。化合物6-c2.2gのテトラヒドロフラン溶液25mLを滴下し、0°Cで75分間攪拌した。この懸濁液に3-t-ブチル-5-2-エチルヘキシルチオフェン-2-カルバルデヒド2.2gのテトラヒドロフラン溶液5mLを滴下し、室温で90分間攪拌した。その後、飽和塩化アンモニウム水溶液25mlを添加後、分液を行い、有機層をを濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで化合物6-d4.2gを得た。14化合物6-eの調製窒素雰囲気下、トルエン40mLに化合物6-d4.2gとPPTSピリジニウムパラトルエンスルホン酸1.9gを加え、4時間加熱還流を行った。飽和重曹水35mL及び酢酸エチル60mLで分液を行い、有機層を濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで化合物6-eを3.4gを得た。[色素7の合成]配位子を下記のスキームに従って合成し、これを原料として、色素6と同様の方法により色素7を合成した。配位子の原料である、3,5-ビス2-エチルヘキシルフェノールは、文献AngewChem.,Int.,Ed.,50,48762011記載の3,5-ジドデシルフェノールの合成法に準じて、3,5-ジブロモフェノールと1-ブロモ-2-エチルヘキサンとから合成した。得られた色素7の構造はMS測定により確認した。MS-ESIm/z=974.3M-H15化合物7-aの調製窒素雰囲気下、4-メチルピリジン30mLに3,5-ビス2-エチルヘキシルフェノール32.0gを溶解させ、0°Cに冷却した。p-トルエンスルホニルクロリド19.3gをゆっくりと導入し,室温で3時間半攪拌した。その後、2.6mol/L塩酸70mLと酢酸エチル115mLで抽出分液した。有機層を濃縮して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで化合物7-aを4.3gを得た。16化合物7-bの調製窒素雰囲気下、ジオキサン100mLに、化合物7-a4.3g、3-2-ピリジニルフェニルボロン酸2.7g、炭酸カルシウム2.5g、トリシクロヘキシルホスフィン306mg、ビストリシクロヘキシルホスフィンジクロロニッケル188mgを加え、130°Cで48時間攪拌した。2.6mol/L塩酸100mLと酢酸エチル300mLで抽出分液した。有機層を濃縮して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することで化合物7-bを2.3gを得た。[比較色素1~4]下記構造の色素を常法により合成した。下記比較色素1~4は、本発明で規定するa~cのいずれの条件も満足しない。色素の溶解速度上記で合成した各色素の室温におけるエタノールへの溶解速度SRを測定した。2分以内に完全に溶解したものをA、2分以内に完全に溶解しなかったものをBとし、結果を下表に示した。実施例1光電極を構成する半導体電極の半導体層又は光散乱層形成するための種々のペーストを調製し、このペーストを用いて、色素増感太陽電池を作製した。[ペーストの調製]ペーストA球形のTiO2粒子アナターゼ、平均粒径;25nm、以下、球形TiO2粒子Aというとを硝酸溶液に入れて撹拌することによりチタニアスラリーを調製した。次に、チタニアスラリーに増粘剤としてセルロース系バインダーを加え、混練してペーストを調製した。ペースト1球形TiO2粒子Aと、球形のTiO2粒子アナターゼ、平均粒径;200nm、以下、球形TiO2粒子Bというとを硝酸溶液に入れて撹拌することによりチタニアスラリーを調製した。次に、チタニアスラリーに増粘剤としてセルロース系バインダーを加え、混練してペーストTiO2粒子Aの質量:TiO2粒子Bの質量=30:70を調製した。ペースト2ペーストAに、棒状TiO2粒子アナターゼ、直径;100nm、アスペクト比;5、以下、棒状TiO2粒子Cというを混合し、棒状TiO2粒子Cの質量:ペーストAの質量=30:70のペーストを調製した。以下に示す手順により、特開2002-289274号公報に記載の図5に示した光電極12と同様の構成を有する光電極を作製し、更に、光電極を用いて、同公報図3の光電極以外は色素増感型太陽電池20と同様の構成を有する10×10mmのスケールの色素増感型太陽電池1を作製した。具体的な構成は添付の図2に示した。41が透明電極、42が半導体電極、43が透明導電膜、44が基板、45が半導体層、46が光散乱層、40が光電極,20が色素増感型太陽電池、CEが対極、Eが電解質、Sがスペーサーである。ガラス基板上にフッ素ドープされたSnO2導電膜膜厚;500nmを形成した透明電極を準備した。そして、このSnO2導電膜上に、上述のペースト1をスクリーン印刷し、次いで乾燥させた。その後、空気中、450°Cの条件のもとで焼成した。更に、ペースト2を用いてこのスクリーン印刷と焼成とを繰り返すことにより、SnO2導電膜上に図2に示す半導体電極42と同様の構成の半導体電極受光面の面積;10mm×10mm、層厚;10μm、半導体層の層厚;6μm、光散乱層の層厚;4μm、光散乱層に含有される棒状TiO2粒子Cの含有率;30質量を形成し、増感色素を含有していない光電極を作製した。次に、半導体電極に色素を以下のようにして吸着させた。先ず、マグネシウムエトキシドで脱水した無水エタノールを溶媒として、これに下記表に記載の金属錯体色素3×10-4モル/L、0.059質量を溶解し、表面修飾用組成液を調製した。次に、この溶液に半導体電極を浸漬し、これにより、半導体電極に色素が約1.5×10-7mol/cm2、吸着させ、光電極40を完成させた。次に、対極として上記の光電極と同様の形状と大きさを有する白金電極Pt薄膜の厚さ;100nm、電解質Eとして、ヨウ素及びヨウ化リチウムを含むヨウ素系レドックス溶液を調製した。更に、半導体電極の大きさに合わせた形状を有するデュポン社製のスペーサーS商品名:サーリンを準備し、光電極40と対極CEとスペーサーSを介して対向させ、内部に上記の電解質を充填して色素増感型太陽電池を完成させた。この太陽電池の性能を下記のようにして試験を行い、下記の評価項目に対して評価を行った。すべてにおいてA以上であると市場において高い評価を得ることができる。初期の変換効率初期の光電変換効率電池特性試験を行い、色素増感太陽電池について、Jsc短絡電流密、Voc開放電圧、FFフィルファクター、光電変換効率ηiを測定した。電池特性試験は、ソーラーシミュレーターWACOM製、WXS-85Hを用い、AM1.5フィルターを通したキセノンランプから1000W/m2の疑似太陽光を照射することにより行った。I-Vテスターを用いて電流-電圧特性を測定し、光電変換効率ηiを求め、下記評価基準に従い評価した。AA:ηiが7以上のものA:ηiが5以上7未満のものB:ηiが4以上5未満のものC:ηiが4未満のもの暗所保存後の光電変換効率の降下率80°C、300時間暗所経時後の光電変換効率ηfを測定した。前記初期の変換効率ηiに対する降下率Rd下式を求め、下記評価基準に従い評価した。式:Rd=100×ηi-ηf/ηiAA:Rdが5未満のものA:Rdが5以上10未満のものB:Rdが10以上20未満のものC:Rdが20以上のもの照射後の光電変換効率の降下率500時間連続光照射後の光電変換効率の光電変換効率ηgを測定した。前記初期の光電変換効率ηiに対する降下率Ri下式を求め、下記評価基準に従い評価した。式:Ri=100×ηi-ηg/ηiAA:Riが5未満のものA:Riが5以上10未満のものB:Riが10以上15未満のものC:Riが15以上のもの性能のバラつきの評価同一の方法で10個の色素増感太陽電池を作製し、これらの光電変換効率の標準誤差SEを求め、下記評価基準により評価した。AA:SEが6未満のものA:SEが6以上10未満のものB:SEが10以上20未満のものC:SEが20以上のもの耐水性の評価マグネシウムエトキシドを用いた脱水処理を施していない無水エタノールを溶媒として表面修飾用組成液を調製し、これを用いて金属錯体色素を吸着させた場合における初期の光電変換効率ηhを測定した。脱水処理を施した無水エタノールを用いた場合に比べてηiが低下した場合にその低下率Rdeを下式より求め、下記評価基準に従い評価した。式:Rde=100×ηi-ηh/ηiAA:光電変換効率が低下しないものA:Rdeが5未満のものB:Rdeが5以上10未満のものC:Rdeが10以上のもの上記の結果から、本発明の金属錯体色素は、表面修飾用組成液の調製に使用しうる溶媒に対してより高い溶解性を示すことがわかる。したがって、本発明の金属錯体色素を用いることで、溶解性に起因するロット間差をより抑えた太陽電池を高効率で製造できる。また、本発明の金属錯体色素を用いて製造した色素増感太陽電池は、初期の光電変換効率が高められているだけでなく、暗所保存や連続照射によっても性能が維持されることがわかったRd、Ri。また、ロット間の性能のバラつきがより抑えられることもわかったSE。さらに、水分を含む溶媒を用いて半導体表面に色素を担持させた場合であっても、当該水分による性能低下は実質的に認められなかったRde。実施例2特開2004152613号公報の図1に示された光電極を利用した太陽電池、特開200090989号公報の実施例1と同様に作成したタンデムセルを利用した太陽電池、特開2003-217688号公報の図1に示した色素増感型太陽電池を作製して実施例1と同様の試験を行った。その結果、本発明の金属錯体色素は、いずれも良好な性能が得られることを確認した。"