"露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法であって、二回の露光によるパターニングプロセスによって、少なくとも一対の所定位置関係を有する導電測定マークを形成する工程と、少なくとも一対の導電測定マークに対して電気的特性の測定を行い、測定された電気的特性が前記所定位置関係に合わない場合、二回の露光による露光領域間の露光パターンシフト量が不合格であると確定し、電気的特性が前記所定位置関係に合う場合、二回の露光による露光領域間の露光パターンシフト量が合格であると確定する工程と、を含むことを特徴とする露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。前記二回の露光によるパターニングプロセスを介して、少なくとも一対の所定位置関係を有する導電測定マークを形成する工程は、基板に導電薄膜及びフォトレジスト層を順次形成する工程と、前記フォトレジスト層における第1の領域及びその周辺領域に対して第1回目の露光を行い、前記第1の領域の周辺領域において少なくとも第1の測定マークに対応する第1のフォトレジスト露光パターンを形成する工程と、前記フォトレジスト層における第2の領域及びその周辺領域に対して第2回目の露光を行って、前記第2の領域の周辺領域において、少なくとも一つの第2の測定マークに対応する第2のフォトレジスト露光パターンを形成し、前記第1のフォトレジスト露光パターンと第2のフォトレジスト露光パターンを対を成して配置されるとともに、設計の要求によって所定の間隔を空ける工程と、前記基板における露光されたフォトレジスト層を現像してフォトレジストマスクを形成し、前記フォトレジストマスクを利用して前記導電薄膜に対してエッチングを行った後、フォトレジストマスクを剥離することで、前記導電薄膜により形成された導電する第1の測定マーク及び第2の測定マークを形成る工程と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。少なくとも一対の導電測定マークに対して電気的特性の測定を行う工程は、導電する第1の測定マーク及び第2の測定マークに電流を印加して測定を行い、前記第1の測定マークと前記第2の測定マークとの間に電流が流す場合、前記第1の領域と前記第2の領域との間のパターンシフト量が不合格であると確定し、前記第1の測定マークと前記第2の測定マークとの間が絶縁される場合、前記第1の領域と前記第2の領域との間のパターンシフト量が合格であると確定する工程を含むことを特徴とする請求項2に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。複数の第1の測定マークを形成するとともに、それぞれの前記第1の測定マークを電気的に接続させることを特徴とする請求項2に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。複数の第2の測定マークを形成するとともに、それぞれの前記第2の測定マークを電気的に接続させることを特徴とする請求項4に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。複数の第1の測定マークを形成するとともに、前記基板における前記第1の測定マークの一部を電気的に接続させることを特徴とする請求項2に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。複数の第2の測定マークを形成するとともに、電気的に接続された前記第1の測定マークの一部に対応する第2の測定マークを電気的に接続させることを特徴とする請求項6に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。前記第2の測定マークの全体又は一部が前記第1の測定マークに囲まれたことを特徴とする請求項2に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。前記二回の露光によるパターニングプロセスを介して、少なくとも一対の所定位置関係を有する導電測定マークを形成する工程は、基板に第1の導電薄膜及び第1のフォトレジスト層を順次形成する工程と、前記基板における第1の領域及びその周辺領域の前記フォトレジスト層に対して露光を行った後、当該基板における露光された第1のフォトレジスト層を現像して第1のフォトレジストマスクを形成し、前記第1のフォトレジストマスクにより第1の導電薄膜に対してエッチングを行い、前記第1のフォトレジストマスクを剥離させて、前記第1の領域の周辺領域において、前記第1の導電薄膜により形成された少なくとも一つの導電する第1の測定マークを形成する工程と、前記基板の他方の層に第2の導電薄膜及び第2のフォトレジスト層を順次形成する工程と、前記基板における第1の領域及びその周辺領域の第2のフォトレジスト層に対して露光を行った後、当該基板における露光された第2のフォトレジスト層を現像して第2のフォトレジストマスクを形成し、前記第2のフォトレジストマスクにより第2の導電薄膜に対してエッチングを行い、前記第2のフォトレジストマスクを剥離させて、前記第1の領域の周辺領域において、前記第2の導電薄膜により形成されるとともに前記第1の測定マークと対を成して配置された導電する少なくとも一つの第2の測定マークを形成する工程と、を含み、前記第2の測定マークと第1の測定マークとの間に絶縁層が配置されていることをを特徴とする請求項1に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。前記少なくとも一対の導電測定マークに対して電気的特性の測定を行う工程は、前記第1の測定マークと前記第2の測定マークとによる容量に対して測定し、当該容量と所定値との差が所定範囲にある場合、二層の第1の領域間におけるパターンシフト量が合格であり、当該容量と所定値との差が所定範囲から外れる場合、二層の第1の領域間におけるパターンシフト量が不合格であることを特徴とする請求項2に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。複数の第1の測定マークを形成するとともに、それぞれの前記導電する第1の測定マークを電気的に接続させることを特徴とする請求項9に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。複数の第2の測定マークを形成するとともに、それぞれの前記導電する第2の測定マークを電気的に接続させることを特徴とする請求項11に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。複数の第1の測定マーク及び複数の第2の測定マークを形成するとともに、前記導電する第1の測定マークの一部を電気的に接続させ、電気的に接続された前記導電する第1の測定マークの一部に対応する、導電する前記第2の測定マークの一部を電気的に接続させることを特徴とする請求項9に記載の露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法。露光領域間におけるパターンシフト量を測定する測定マークであって、露光領域の周辺領域に対を成して配置された導電する第1の測定マーク及び第2の測定マークを備え、前記第1の測定マーク及び前記第2の測定マークは同一層に位置され、前記第1の測定マークと前記第2の測定マークとの間は、形成する際設計の要求によって所定間隔を空けることを特徴とする露光領域間におけるパターンシフト量を測定する測定マーク。前記第1の測定マーク及び前記第2の測定マークのそれぞれは電流を印可する接続端を含むことを特徴とする請求項14に記載の露光領域間におけるパターンシフト量を測定する測定マーク。前記第2の測定マークの全体又は一部は前記第1の測定マークに囲まれていることを特徴とする請求項14に記載の露光領域間におけるパターンシフト量を測定する測定マーク。露光領域間におけるパターンシフト量を測定する測定マークであって、露光領域の周辺領域に対を成して配置された導電する第1の測定マーク及び第2の測定マークを備え、前記第1の測定マーク及び前記第2の測定マークは所定の相対的位置関係で異なる層に位置され、前記第1の測定マークと前記第2の測定マークはとの間に絶縁層が形成されていることを特徴とする露光領域間におけるパターンシフト量を測定する測定マーク。前記第1の測定マーク及び前記第2の測定マークのそれぞれは電圧を印可する接続端を含むことを特徴とする請求項17に記載の露光領域間におけるパターンシフト量を測定する測定マーク。本発明の一実施例によると、露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法が提供され、当該方法は、二回の露光によるパターニングプロセスによって、少なくとも一対の所定位置関係を有する導電測定マークを形成する工程と、少なくとも一対の導電測定マークに対して電気的特性の測定を行い、測定された電気的特性が前記所定位置関係に合わない場合、二回の露光による露光領域間の露光パターンシフト量が不合格であると確定し、電気的特性が前記所定位置関係に合う場合、二回の露光による露光領域間の露光パターンシフト量が合格であると確定する工程と、を含む。本発明の他の実施例によると、露光領域間におけるパターンシフト量を測定する測定マークが提供され、露光領域の周辺領域に対を成して配置された導電する第1の測定マーク及び第2の測定マークを備え、前記第1の測定マーク及び前記第2の測定マークは同一層に位置され、前記第1の測定マークと前記第2の測定マークとの間は、形成する際設計の要求によって所定間隔を空ける。本発明のさらに他の実施例によると、露光領域間におけるパターンシフト量を測定する測定マークが提供され、露光領域の周辺領域に対を成して配置された導電する第1の測定マーク及び第2の測定マークを備え、前記第1の測定マーク及び前記第2の測定マークは所定の相対的位置関係で異なる層に位置され、前記第1の測定マークと前記第2の測定マークはとの間に絶縁層が形成されている。本発明の実施例又は従来技術における技術案をさらに明瞭に説明するため、実施例又は従来技術の記載に必要な図面に対して紹介する。なお、以下の図面は本発明の一実施例の例示に過ぎないことはもちろんのことである。また、当業者は創造的労働をしなくてもそれらの図面によって他の図面を獲得することは勿論のことである。以下、図面を参照しながら、本発明の実施例に対して詳細に説明する。なお、記載した実施例は本発明に係る実施例の一部のみであり、実施例の全部ではない。また、当業者は本発明の実施例に基づき、創造的労働をしない状況で獲得できるあらゆる他の実施例も本発明に含まれる。本発明の一実施例により提供される露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法は以下の工程を含む。即ち、S201:二回の露光によるパターニング工程によって、少なくとも一対の所定位置関係を有する導電測定マークを形成する。S202:当該少なくとも一対の導電測定マークに対して電気的特性の測定を行い、測定された電気的特性が当該所定位置関係に合わない場合、二回の露光による露光領域間の露光パターンシフト量が不合格であると確定し、電気的特性が当該所定位置関係に合う場合、二回の露光による露光領域間の露光パターンシフト量が合格であると確定する。本発明の実施例により提供される露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法は、電気的特性を利用して速く且つリアルタイム的に数回の露光によるパターンシフト量を測定することができる。さらに、基板に対する全般の検定が行うことができ、不良検出率と歩留まりを向上することができる。また、パターニング工程は、通常、薄膜堆積、フォトレジストの塗布、フォトレジストの露光及び現像、フォトレジストマスクによる薄膜に対するエッチング、及びフォトレジストの剥離などの工程を含む。以下、本発明の実施例により提供される露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法について、同層における複数の露光領域間のパターンシフト量に対する測定を例として説明する。当該例示の方法は以下の工程を含む。即ち、S301:基板に導電薄膜及びフォトレジスト層を順次形成する。当該フォトレジスト層は需要する回路パターンなどを形成するように、当該導電薄膜に対してパターニングするために用いられる。S302:フォトレジスト層における第1の領域及びその周辺領域に対して露光を行い、当該第1の領域の周辺領域において露光されなかったフォトレジストパターンは、少なくとも一つの第1の測定マークに対応するパターンを含む。図2に示しているように、第1の領域1に対して露光する場合、当該領域の周辺本例には右側のみを例示するの上、中、下の三つの位置において、露光されなかったフォトレジストパターンはそれぞれ三つの鋸歯状の第1の測定マーク6に用いられるパターン部分を含む。それぞれの第1の測定マーク6はさらに互いに離れて左右対向配置された二つの部分を備え、当該測定マーク6はさらに電流を印加して測定を行う接続端8を含む。S303:当該フォトレジスト層における第2の領域及びその周辺領域に対して露光を行い、当該第2の領域の周辺領域において露光されなかったフォトレジストパターンは、少なくとも一つの第2の測定マークに対応するパターンを含む。その中で、第1の測定マークのパターンと第2の測定マークのパターンは対を成して配置され、設計の要求によってそれらの間に所定の距離を設ける。図2に続いて、図3に示しているように、同一のフォトレジスト層における第2の領域3に対して露光する場合、当該第2の領域の周辺領域において露光されなかったフォトレジストパターンは、すがた字状の第2の測定マーク7に用いられるパターンを含む。それは第1の測定マーク6に用いられるパターンに対応し、設計の要求によってそれらの間に所定の距離を設ける。これによって、すがた字状の第2の測定マーク7が形成される。図面に示している例示において、第2の測定マーク7に用いられるパターンも上、中、下の三つ部分を含み、それぞれは第1の測定マーク6に用いられるフォトレジストパターンのそれぞれと対をなすとともに、第1の測定マーク6に用いられるパターンのそれぞれの左右対向配置された二つ部分の間に位置される。これによって形成されたそれぞれの第2の測定マーク7は相応する第1の測定マーク6に囲まれる。当該第2の測定マーク7もさらに電流を印加して測定するための接続端8を含むことができる。ここで、設計の要求によって、第2の測定マーク7のパターンと第1の測定マーク6のパターンは接しないとともに、両者の横方向及び縦方向における所定間隔aとbはともに工程の標準に従って決まられる。実際の操作において、二回の露光によるパターンシフト量が要求に合わないと、第2の測定マーク7のパターンと第1の測定マーク6のパターンは接している。S304:当該基板に対して、フォトレジストの現像、導電薄膜のエッチング、フォトレジストの剥離処理を実施して、導電薄膜より形成された導電する第1の測定マークと第2の測定マークが得られる。また、測定マークについて、まず、露光した後のフォトレジスト層に対して現像処理することで、露光されたフォトレジスト部分を除去し、露光されなかった測定マークに用いられるフォトレジストパターンのみが保留される。次に、保留されたフォトレジストパターンをエッチング用のマスクとし、下面の導電薄膜に対してエッチング処理して、フォトレジストに覆われなかった導電薄膜をエッチングし、フォトレジストに覆われた測定マークに用いられる導電薄膜部分のみが保留される。最後に、フォトレジストパターンの剥離処理を行うことで、エッチングされた導電薄膜を覆ったフォトレジストを剥離し、これによって、導電する第1の測定マークと第2の測定マークが得られる。なお、設計の要求によって、第1の測定マークと第2の測定マークは互いに絶縁される。ところが、二回の露光によるパターンシフト量が設計要求に合わないと、第1の測定マークと第2の測定マークは互いに接する。S305:導電する第1の測定マーク及び第2の測定マークに電流を印加して測定を行い、第1の測定マークと前記第2の測定マークとの間に電流が流す場合、当該第1の領域と第2の領域との間のパターンシフト量が不合格であると確定し、当該第1の測定マークと第2の測定マークとの間が絶縁される場合、当該第1の領域と前記第2の領域との間のパターンシフト量が合格であると確定する。具体的に、異なる領域に対する前後二回の露光工程によるパターンシフト量が標準範囲内にある場合、第1の測定マーク6と第2の測定マーク7との間が絶縁される。この場合、第1の測定マーク6の接続端8に電流を印加すると、第2の測定マーク7の接続端8で電流を測定できないはずである。反対に、第2の測定マーク7の接続端8に電流を印加すると、第1の測定マーク6の接続端8においても電流を測定できないはずである。しかし、二回の露光工程によるパターンシフト量が不合格で標準範囲から外れる場合、得られた第1の測定マーク6と第2の測定マーク7はある方向において部分的に重なり、第1の測定マーク6と第2の測定マーク7が電気的に導通される。この場合、第1の測定マーク6の接続端8に電流を印加すると、第2の測定マーク7の接続端8で電流が測定でき、反対に、第2の測定マーク7の接続端8に電流を印加すると、第1の測定マーク6の接続端8においても電流が測定できる。本例示が提供する露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法によると、基板の異なる領域に対して二回の露光を行い、そして、現像と、エッチングと、剥離との処理を介して、所定の互いに絶縁され且つ対を成す導電測定マークが得られる。そして、当該一対の測定マークに電流を印加して測定し、互いに絶縁されるようにした測定マークが互いに導電する場合、二つの露光領域間のパターンシフト量が不合格であることを説明し、互いに絶縁されるようにした測定マークが確かに互いに絶縁されると、二つの露光領域間のパターンシフト量が合格であることを説明する。このように、同一層におけるそれぞれの露光領域間のパターンシフト量に対して電流を利用して、速く且つリアルタイム的に測定でき、さらに基板に対する全般の検定が実現でき、不良検出率と歩留まりが向上される。また、上記例示において、フォトレジストはポジティブフォトレジストであり、露光されたフォトレジストは現像工程において除去され、露光されなかったフォトレジストは現像工程において保留される。ところが、本発明の実施例において、フォトレジストはネガティブフォトレジストであり、露光されたフォトレジストは現像工程において保留され、露光されなかったフォトレジストは現像工程において除去される。よって、第1及び第2の測定マークに対応するフォトレジストパターンは露光され、上述したポジティブフォトレジストを採用する例示の場合と反対となる。また、図4に示しているように、第1の領域1と第2の領域3の間本例において右側のみ例示するに形成されたそれぞれの導電する第1の測定マーク6を電気的に接続し、これと対応してそれぞれの導電する第2の測定マーク7も電気的に接続する。このように、いずれか一対の第1の測定マーク6と第2の測定マーク7に対して電流による測定することで、当該第1の領域1と第2の領域3の間のパターンシフト量の状況を把握することができ、上記実施例におけるそれぞれ測定する場合に対して、さらに時間が短縮されて便利になれる。さらに、ガラス基板の全体において、その上の全部又は一部の第1の測定マークを電気的接続するとともに、リードを介して当該基板のエッジへ引き出すことができ、これと対応して、全部又は一部の第2の測定マークを電気的接続し、リードを介して当該基板のエッジへ引き出すことができる。図5に示しているように、ガラス基板12の横方向及び縦方向におけるそれぞれの測定マーク11の接続端を電気的に接続するとともに、当該ガラス基板12のエッジへ引き出す。第1の検束マーク6の全部を電気的接続するとともに、ガラス基板12のエッジのパッド9へ引き出すことができ、それぞれを個別的にガラス基板12のエッジのパッド10へ引き出すこともでき、実現される測定機能は同じである。そして、ガラス基板12のエッジのパッドへ電流を輸入して、横方向及び縦方向における露光領域間のパターンシフト量の状況に対して便利に測定でき、さらに速く測定でき、もっと便利になれる。本実施例はガラス基板の一部の測定マークに対して接続する場合を例に説明したが、全部の測定マークに対しても接続することができる。即ち、全部の第1の測定マーク6を集めて接続するとともに基板のエッジへ引き出し、同時に、全部の第2の測定マーク7も集めて接続するとともに基板のエッジへ引き出し、電流を印加して測定を行う。なお、本実施例における測定マーク6,7のパターンは一つの例示に過ぎ、測定マークの形状は上記の形状に限定することはない。本発明の旨を脱しない限り、いろいろの形状に変形することができる。例えば、図6aに所定距離を空けている凸凹的に対向するパターンを示し、第2の測定マークの一部は第1の測定マークに囲まれる。又は、図6bに円環が円環を囲む形状を示し、第2の測定マークの全部は第1の測定マークに囲まれる。さらに、本発明の実施例により提供される露光領域間のパターンシフト量に対する測定方法ついて、異なる層に対して数回の露光によるパターンシフト量の測定を例に説明する。当該例示の方法は以下の工程を含む。即ち、S901:基板に第1の導電薄膜及び第1のフォトレジスト層を順次形成する。当該第1のフォトレジスト層は回路パターンなどを形成するように、当該第1の導電薄膜に対してパターニングために用いられる。S902:基板における第1の領域及びその周辺領域の第1のフォトレジスト層に対して露光を行った後、当該基板に対して、フォトレジストの現像、第1の導電薄膜のエッチング、フォトレジストの剥離処理を実施し、そして、当該第1の領域の周辺領域に少なくとも一つの導電する第1の測定マークを形成する。測定マークが存在する領域について、上記実施例と同じに、まず、露光した後のフォトレジスト層に対して現像処理することで、露光されたフォトレジスト部分を除去し、露光されなかった測定マークのパターン部分のフォトレジストのみが保留される。次に、保留されたフォトレジストマスクを利用して、第1の導電薄膜に対してエッチング処理し、フォトレジストに覆われなかった導電薄膜に対してエッチングし、測定マークに使用されるフォトレジストに覆われる導電薄膜部分のみを保留する。最後に、フォトレジストの剥離処理をすることで、エッチングされた導電薄膜を覆うフォトレジストパターンを剥離し、これにより少なくとも一つの導電する第1の測定マークを得る。S903:基板の他方の層に第2の導電薄膜及び第2のフォトレジスト層を順次形成する。当該第2のフォトレジスト層は回路パターンなどを形成するように、当該第2の導電薄膜に対してパターニングために用いられる。S904:第1の領域及びその周辺領域の第2のフォトレジスト層に対して露光を行った後、当該基板に対して、フォトレジストの現像、第2の導電薄膜のエッチング、フォトレジストの剥離処理を実施し、当該第1の領域の周辺領域に、第1の測定マークと対をなして配置される第2の測定マークを形成する。その中で、第2の測定マークと第1の測定マークとの間に絶縁層が配置される。当該第2の測定マークの具体的形成過程は、第1の測定マークの形成過程と同じであるため、ここで説明を略する。ここで、第2の測定マークと第1の測定マークは以下のような二つの対応関係がある。即ち、第1種の対応関係を図7に示す。第2層における第1の領域201の第2の測定マーク1002は、第1層における第1の領域101の第1の測定マーク1001と完全に重なる。即ち、初めは二つの測定マークの重なる面積が最大になっている。第2種の対応関係を図8に示す。第2層における第1の領域201の第2の測定マーク1102は、第1層における第1の領域101の第1の測定マーク1101と完全に重ならない。即ち、初めは二つの測定マークの重なる面積はゼロである。なお、図7及び図8において、説明の便利のために二つの測定マーク間の絶縁層を略した。S905:第1の測定マークと第2の測定マークとによる容量に対して測定し、当該容量と所定値との差が所定範囲にある場合、二層の第1の領域間のパターンシフト量が合格である確定し、当該容量と所定値との差が所定範囲から外れる場合、二層の第1の領域間のパターンシフト量が不合格であると確定する。ここで、異なる層における数回の露光によるパターンシフト量に対して測定を行い、異なる層におけるそれぞれの導電薄膜間に絶縁層が配置されて互いに隔離されているため、上記実施例に記載の方式によって電流測定を行うことができない。しかし、各層間における露光領域の位置合わせに偏差が出る場合、第1の測定マークと第2の測定マークとの相対的位置に変化が生じ、相応して二つの測定マークの重なる面積が増えたり、減少したりする。よって、容量を利用して二つのフォトレジスト層の露光領域間のパターンシフト量を測定することができる。具体的に、容量値は以下の数式によって計算される。即ち、C=AS/dただし、Aは誘電体の特性に関するパラメータである誘電率であり、Sは重なった部分の面積であり、dは第1及び第2の測定マークの導電薄膜間の距離である。そして、各層の導電薄膜間に重なる部分がない場合、容量は非常に小さくなり、基本的に無視してもよい。層との間に位置合わせの偏差があって面積Sが出る重なる部分が形成した場合、その時の容量変化を測定できる。これに基づき、位置合わせの偏差が生じているか否か、及びその偏差の大きさを判断する。例えば、図7に示している第1種の対応関係について、初めに第1の測定マーク1001と第2の測定マーク1002との重なる面積が最大になる。即ち、数式中のSが最大になり、初めに生じた容量が最大になる所定値をAとする。両層の露光領域間のパターンシフト量がない又は微小である場合、両測定マークの重なる面積の変化がない又は大きくなく、測定された容量と所定値Aは非常に近接する。即ち、測定された容量と所定値Aとの差が規定範囲内にあり、これによって両層における露光領域間のパターンシフト量が合格であると判断される。また、両層における露光領域間のパターンシフト量が大きい場合、二つの測定マークの重なる面積の変化が大きく、測定された容量値と所定値Aとの差が大きくて、その差が規定範囲から外れると、これにより両層における露光領域間のパターンシフト量が不合格であると判断される。図8に示している第2種の対応関係について、初めの両測定マークの重なる面積が最小であり、その原理は第1種の対応関係と同じであるため、ここでその説明を略する。なお、各層間の測定マークはビアーホールを介して接続されている。また、第1層における第1の領域周辺のそれぞれの導電する第1の測定マークを電気的に接続し、同時に、それと対応して、第2層における第1の領域周辺のそれぞれの導電する第2の測定マークを電気的に接続することができる。このように、いずれかの一対の測定マークに対して容量測定を行うことで、当該第1層と第2層との間のパターンシフト量の状況を把握することができ、それぞれ測定する場合に比べ、時間を短縮でき、且つ、便利になれる。さらに、ガラス基板の全体において、第1層の全部又は一部の第1の測定マークを電気的接続するとともに、リードを介して当該基板のエッジへ引き出することができ、同時に、これと対応して、第2層の全部又は一部の第2の測定マークを電気的接続するとともに、リードを介して当該基板のエッジへ引き出すことができる。このように、測定の速さと便利性をさらに向上させることができる。なお、本実施例における測定マーク1001,1002,1101,1102は一つの例示に過ぎなく、測定マークはこれに限定することはない。本発明の旨を脱しない限り、いろいろの形状に変形することができる。例えば、図6a及び図6bに示しているように、所定距離を空けている凸凹的に対向するパターン、又は円環が円環を囲む形状であってもよい。上記例示において、依然としてポジティブフォトレジストを採用する場合を例に説明したが、ネガティブフォトレジストを採用してもよい。また、実施例に係る両層における数回の露光によるパターンシフト量に対する測定は個別的に行うことができる。即ち、もっぱらに本測定のために特別に測定マークを設け、測定マーク間は上記第1種の対応関係を選択してもよいし、第2種の対応関係を選択してもよい。又は、同一層において電流によりパターンシフト量を測定する時使用した測定マークを繰り返して利用してもよい。即ち、各層ごとに同じである電流測定に用いられる測定マークを形成し、同一層に対して測定した後、異なる層に対する測定を行う。この場合、両層間の測定マークは上記第1種の対応関係である。相関する測定マークは上記の測定マーク6,7と相似してもよいし、同じ原理を具備する図4のパターンと類似してもよい。本発明の実施例に係る露光領域間のパターンシフト量に関する測定マークは、図3に示しているように、露光領域1,3の周辺領域に位置する対を成して配置された導電する第1の測定マーク6と第2の測定マーク7を含み、当該第1の測定マーク6と第2の測定マーク7は同一層に位置され、且つ、設計の要求に従って、制作工程において、第1の測定マーク6と第2の測定マーク7との間の間隔を所定距離a,bとして互いに絶縁されるようにする。さらに、第1の測定マーク6と第2の測定マーク7のそれぞれはさらに電流印加用の接続端8を備える。第2の測定マーク7の全部又は一部は第1の測定マーク6に囲まれる。本発明の実施例に係る露光領域間のパターンシフト量に関する測定マークは、第1の測定マークと第2の測定マークに電流を印加することで、露光領域間のパターンシフト量を測定できる。元の絶縁されるようにした両測定マークが依然として絶縁されると、露光領域間のパターンシフト量が合格であることを説明し、両測定マークが導電されると、露光領域間のパターンシフト量が不合格であることを説明する。このように、電気的特性を利用して数回の露光によるパターンシフト量を測定すると、測定の速さとリアルタイムが実現でき、さらに基板に対する全般の検定を図ることができ、不良検出率及び歩留まりが向上される。本発明の実施例に係る露光領域間のパターンシフト量に関する測定マークは、図7に示しているように、露光領域101,201の周辺領域に位置する対を成して配置された導電する第1の測定マーク1001と第2の測定マーク1002を含み、当該第1の測定マーク1001と第2の測定マーク1002は所定の相対的位置関係で異なる層に位置され、且つ、第1の測定マーク1001と第2の測定マーク1002との間に絶縁層図示していないが配置される。さらに、第1の測定マーク1001と第2の測定マーク1002のそれぞれはさらに電圧印加用の接続端8図示していないを備える。本発明の実施例に係る露光領域間のパターンシフト量に関する測定マークは、第1の測定マークと第2の測定マークに電圧を印加して、両測定マーク間の容量の変化を判断し、これによって露光領域間のパターンシフト量を測定できる。容量値と所定値の差が規定の範囲内にある場合、両層間のパターンシフト量が合格であると判断し、容量値と所定値の差が規定の範囲内から外れる場合、両層間のパターンシフト量が不合格であると確定する。このように、電気的特性を利用して数回の露光によるパターンシフト量を測定すると、測定の速さとリアルタイムが実現でき、さらに基板に対する全般の検定を図ることができ、不良検出率及び歩留まりが向上される。上記の実施例は本発明の具体的実施の形態に過ぎ、本発明の保護範囲はこれらに限られない。当業者であれば、本発明が公開した技術範囲内で、変化と変更を容易に想到するべきであり、それらも本発明の保護範囲内に属する。よって、本発明の保護範囲は特許請求の範囲によって確定すべきである。"