"人間の接近に応答して被制御のデバイスを制御するように調整された電気的スイッチ装置であって、タッチパッドと、前記タッチパッドにつながれた集積回路であって、前記集積回路がスタートアップおよびバイアス部、パルス発生器および論理部、決定部、およびセルフホールディングラッチ部を含む前記集積回路と、前記集積回路につながれたコントロールラインであって、更に前記被制御のデバイスにつながれた前記コントロールラインを含み、前記集積回路は前記タッチパッドと近接して前記装置の全体のサイズと比較して小さい前記電気的スイッチ装置。前記タッチパッド、前記パルス発生器および論理部、および前記決定部につながれた少なくとも1つの第1能動素子を更に含む請求項1記載の装置。前記タッチパッドが少なくとも1つの第1電極を含み、前記第1能動素子が前記第1電極、前記パルス発生器および論理部、および前記決定部につながれている請求項2記載の装置。1つの第2電極を更に含み、前記第2能動素子が前記タッチパッド、前記パルス発生器および論理部、および前記決定部につながれている請求項2または3記載の装置。前記タッチパッドが1つの第2電極を更に含み、前記第2能動素子が前記第2電極、前記パルス発生器および論理部、および前記決定部につながれている請求項4記載の装置。前記コントロールラインが前記決定部へつながれている請求項1乃至5のいずれかに記載の装置。前記コントロールラインが前記セルフホールディングラッチ部へつながれている請求項1乃至5のいずれかに記載の装置。第1電極、信号ソース、およびコントロール回路を含む電子センサー装置であって、前記コントロール回路は、前記第1電極に近接して前記装置の全体のサイズと比較して小さく、第1入力チャネルと第2入力チャネルを有する入力部、第1入力、第2入力、および出力を有する決定部、および出力部を含み、前記第1入力チャネルは前記信号ソース、前記第1電極、および前記決定部の第1入力へつながれ、前記第1入力チャネルは少なくとも1つの第1入力チャネル電気的構成要素を含み、前記第2入力チャネルは前記信号ソースおよび前記決定部の前記第2入力へつながれ、前記第2入力チャネルは少なくとも1つの第2入力チャネル電気的構成要素を含み、前記第2入力チャネル電気的構成要素の各々は、前記第1入力チャネル電気的構成要素の1つに対応し、そして前記決定部の前記出力は前記出力部へつながれ、前記第2入力チャネル電気的構成要素の各々は、対応する前記第1入力チャネル電気的構成要素の1つに電気的に整合されている、前記電子センサー装置。前記第1入力チャネル電気的構成要素の第1のものは、入力ターミナル、出力ターミナルおよび制御ターミナルを有する第1トランジスタを含み、前記第1トランジスタの前記入力ターミナルは、前記信号ソースおよび前記第1電極へつながれ、前記第1トランジスタの前記出力ターミナルは、前記決定部の前記第1入力へつながれ、また、前記第2入力チャネル電気的構成要素の第1のものは、入力ターミナル、出力ターミナルおよび制御ターミナルを有する第2トランジスタを含み、前記第2トランジスタの前記入力ターミナルは、前記信号ソースへつながれ、前記第2トランジスタの前記出力ターミナルは、前記決定部の前記第2入力へつながれている請求項8記載の装置。前記第1入力チャネルは更に第1ピーク検出器回路を含む請求項9記載の装置。前記第1ピーク検出器回路は、前記第1トランジスタの前記出力ターミナルおよび前記決定部の前記第1入力へつながれた第1整流器、および前記第1整流器および前記決定部の前記第1入力へつながれた第1キャパシターを含む、請求項10記載の装置。前記第1整流器が第1ダイオードを含む請求項11記載の装置。前記第1ピーク検出器回路は、前記第1トランジスタの前記出力ターミナルおよび前記決定部の前記第1入力へつながれた第3トランジスタ、および前記第3トランジスタおよび前記決定部の前記第1入力へつながれた第1キャパシターを含む、請求項10記載の装置。前記第2入力チャネルは更に第2ピーク検出器回路を含む請求項10記載の装置。前記第1ピーク検出器回路は、前記第1トランジスタの前記出力ターミナルおよび前記決定部の前記第1入力へつながれた第1整流器、および前記第1整流器および前記決定部の前記第1入力へつながれた第1キャパシターを含み、前記第2ピーク検出器回路は、前記第2トランジスタの前記出力ターミナルおよび前記決定部の前記第2入力へつながれた第2整流器、および前記第2整流器および前記決定部の前記第2入力へつながれた第2キャパシターを含む、請求項14記載の装置。前記第1整流器と前記第2整流器のうちの少なくとも1がダイオードを含む請求項15記載の装置。前記第1ピーク検出器回路は、前記第1トランジスタの前記出力ターミナルおよび前記決定部の前記第1入力へつながれた第3トランジスタ、および前記第3トランジスタおよび前記決定部の前記第1入力へつながれた第1キャパシターを含み、前記第2ピーク検出器回路は、前記第2トランジスタの前記出力ターミナルおよび前記決定部の前記第2入力へつながれた第4トランジスタ、および前記第4トランジスタおよび前記決定部の前記第2入力へつながれた第2キャパシターを含む、請求項14記載の装置。前記出力部が出力ラインを含む請求項8記載の装置。前記出力ラインが被制御のデバイスへつながれている請求項18記載の装置。前記出力部がドライブトランジスタを含む請求項18記載の装置。前記ドライブトランジスタが入力ターミナル、出力ターミナル、および制御ターミナルを含み、前記決定回路の前記出力が前記ドライブトランジスタの前記制御ターミナルにつながれている請求項20記載の装置。前記ドライブトランジスタの前記出力ターミナルが被制御のデバイスへつながれている請求項21記載の装置。前記出力部がラッチを含む請求項8記載の装置。前記ラッチがセルフホールディングラッチを含む請求項23記載の装置。前記ラッチが被制御のデバイスへつながれている請求項24記載の装置。前記コントロール回路が集積回路上に実施されている請求項8記載の装置。前記第1電極の近くに前記集積回路がある請求項26記載の装置。前記信号ソースが周期的出力信号を供給する請求項8記載の装置。前記信号ソースが発振器を含む請求項8記載の装置。前記信号ソースおよび前記第1電極につながれた第1抵抗を更に含む請求項8記載の装置。前記信号ソース、前記第1電極および前記第1トランジスタにつながれた第1抵抗を更に含む請求項9記載の装置。前記第1電極に前記信号ソースが電気信号を供給する請求項8記載の装置。第2の電極を更に含み、前記第2入力チャネルは更に前記第2の電極につながれている請求項8乃至32のいずれかに記載の装置。第2の電極と、前記第2の電極に更につながれている前記第2入力チャネルと、前記信号ソースと前記第2の電極そして前記第2トランジスタにつながれているは第2の抵抗と、を含む請求項9乃至17、31のいずれかに記載の装置。前記第2の電極は参照電位に更につながれている請求項33、34のいずれかに記載の装置。前記参照電位はグラウンドである請求項35記載の装置。請求項1乃至7、8乃至32のいずれかに記載の装置を複数含むパネル。発明の実施の形態様々な特徴,利点および本発明の他の用途は、次の詳細な説明および図面を参照することによりもっと明白になる。様々な図の同様の参照番号は同様の要素を示す。本発明は、1つ以上の電極があるタッチパッド、およびコントロール回路を含むタッチスイッチ装置に関係する。分かり易くするため、制御回路を示す図面の多くはタッチパッドに関して大きめに描いている。代表的アプリケーションでは、しかしながら、タッチパッドと比較して、コントロール回路が小さい場合があり、1つ以上の集積回路チップの形をむしろしている。図1は本発明のタッチスイッチ装置20の1つの好ましい実施例の斜視図である。タッチスイッチ装置20はタッチパッド22と、8個の出力端子PIN1~PIN8を備える集積回路ICチップ26を含むコントロール回路24と、第1と第2の抵抗R1およびR2を有する。示された実施例では、タッチパッド22は第1の電極Elおよび第2の電極E2を備えるが、2つの以上または2つ以下の電極を備えてもよい。個別の電子部品を使用して、コントロール回路24を作り上げることができる場合があるが、コントロール回路24をICチップ26のような単一の集積回路チップで実施例することは望ましい。コントロール回路24は、ICチップ26のターミナルPIN1PIN8によって、電気的に連結され、そして第2の抵抗R1およびR2、第1と第2の電極E1およびE2、そして制御およびまたは遠隔装置示されていないからの力信号を供給するために形成される入力線30と通信する。コントロール回路24は、さらに最初の出力ライン32を使用して、遠隔装置示されていないと通信する。いくつかの実施例では、別の出力ライン34も遠隔装置とのコミュニケーションのために使用される。図2は、正面の前表面36および反対する後部表面37がある、誘電性の基板35にタッチスイッチ装置20を含むコンポーネントがマウントされる本発明の典型的なタッチスイッチ20の部分的な横断面図である。示された実施例の中で第1そして第2の電極、E1及びE2が基板35の後部表面37にマウントされる。ICチップ26も基板35の後部表面37にマウントされる、近似、第1と第2の電極E1およびE2。図1および図2から分かるように、好ましい実施例では、コントロール回路24を有するICチップ26がタッチパッド22の極く近傍にマウントされることが考えられる。基板35は典型的にはグラスのような比較的固い誘電性の材料で構成される、プラスチック、陶器、あるいは他の適切な誘電材料。しかしながら、基板35は、さらに柔軟な材料を含む他の適切な誘電材料も含む場合がある。強化統合状グラフィックスNoHS500、Type561レベル2による、0005インチの厚いポリエステル材料は適切な柔軟な基板の例である。タッチスイッチ装置コンポーネントが柔軟な基板にマウントされる実施例では、柔軟なキャリヤーが、別の一般に更に固い基板に適用される。好ましい実施例では、基板35が、約3mmの一定の厚さがあるグラスで作られている。他の実施例では、基板35の厚さが、使用される資料、その機械的および電気的性質のタイプ、およびある用途のために必要な物理的強度および電気的な感度に依存して変わる場合がある。グラスおよびプラスチック基板用の最大の機能的な厚さは数インチのオーダである。しかしながら、最も実際的なアプリケーションでは、プラスチック基板がさらに薄くなりうるが、ガラスサブストレートは約11mmから約5mmまで厚さで変動する。好ましい実施例では、図1および図2に示されているように、第2の電極E2は実質的に第1の電極E1を囲む。スペース28は、第1の電極E1と第2の電極E2の間で位置する。第1の電極E1は測定される場合がある、ユーザーが基板35の正面の前表面36の対応する部分に触れるとき、ユーザーの指先あるいは他の人間の付属物によってカバーされ得る。1つの好ましい実施例では、第1の電極E1が正方形である。また、第2の電極E2は正方形配列の中でほぼ配列され、第1の電極E1の形に一致している。図1および図2に示されたタッチパッド幾何学は第1および第2の電極E1およびE2の好ましい配置を表わすが、種々様々のアプリケーションを提供するために電極配置が広範囲に変えられる場合があることが認識されるものとする。例えば、電極サイズ、形および配置はタッチスイッチ20を始動させるために熟考された付属物あるいは他の刺激のサイズを提供するために変えられる場合がある。例えば、ある用途は、指ではなく、タッチスイッチ20を始動させるために手が刺激を提供することを必要とする場合がある。そのようなアプリケーションでは、第1と第2の電極E1およびE2がはるかに大きく、更に別々に間隔を置いた。第1の電極E1は、任意の数の異なる幾何学的な形もとる場合があり、例えば、長方形、台形、円、楕円、三角形、六角形、また八辺形。第1の電極E1の形にかかわらず、第2の電極E2は、間隔を置かれた関係で第1の電極E1を少なくとも部分的に囲むために形成できる。しかしながら、発明の利点を得るために第1の電極を部分的にさえ囲むことは第2の電極E1に必ずしも必要ではない。例えば、図3の中で示されるように、第1及び第2の電極E1およびE2は互いに隣接している場合がある。代替実施例では第2の電極E2が省略される場合がある。更に、電極構成は共平面コプラナーである必要がないが、球、立方体あるいは他の幾何学的な形に一致するに三次元でありえる。この設計柔軟性は、発明が種々様々のアプリケーションの中で使用されることを形と構成を変える基板で可能にする。いくつかのアプリケーションでは、現実に基板35に触れることが必要ではない場合がある、そこにはパッド22およびコントロール回路24が位置している。例えば、図8は、そこで第1と第2の電極E1およびE2がサーモペインthermopaneウィンドー110の最初の窓ガラス111の外表面113にマウントされるタッチスイッチ装置20を示し、ウィンドーの反対する窓ガラス112の外表面114に近接する適切な刺激115をもたらすユーザーにより駆動できる。上述したように、第1と第2の電極E1およびE2は共面である必要がないそれらは、基板の異なる横あるいは表面に、あるいは異なる基板にすべてマウントすることが可能である。例えば、図9は、そこで第1の電極Elが基板35の最初の表面38にマウントされるタッチスイッチ装置20を例示する、また、第2の電極E2およびICチップ26が、基板35の第2の対向表面37にマウントされる。第1と第2の電極E1およびE2が基板の同じ側にあるアプリケーションでは、ICチップ28は、基板の電極と同じ横、あるいは基板の別の側にマウントすることが可能である。第1と第2の電極が、基板の異なる表面あるいは異なる基板にすべてマウントされる場合、ICチップ26は、電極のどちらかと同じ表面、あるいは異なる表面か又は基板にすべてマウントすることが可能である。しかしながら、ICチップ26が電極のすぐ近くにマウントされることは好まれる。むしろ、第1の電極E1は堅実な導体である。しかしながら、第1の電極E1はさらに多くのアパーチャーを持っている場合があるし、あるいはメッシュまたはグリッドのパターンがある場合がある。いくつかの実施例では、第2の電極E2が、部分的に第1の電極E2を囲む狭いリボンの形式をとる。第1と第2の電極E1およびE2がどこで、単に互いに隣接するような他の実施例では、第2の電極E2がさらに堅実な導体である場合があり、あるいはメッシュまたはグリッドのパターンがある場合がある。コントロール回路24は様々な方法で設計される場合がある。また、それはAC、周期的に変わるDC、連続的なDCあるいは他のもののような様々な電源と共に使用されてもよい。図4から図7は、様々な操作のモードで、様々な電源を備えた使用に容易に適応される場合がある好ましいコントロール回路設計を例証する。図4の実施例は、差入力回路、ストローブされた動作モードの中で方形波直流電源を使用する図5の実施例は差入力回路、連続的なDCモードの中で連続的な直流電源を使用する図6の実施例はシングルエンド入力、ストローブされたモードの中で方形波直流電源を使用するまた、図7の実施例は、シングルエンド入力、連続的なDCモードの中で連続的な直流電源を使用する。コントロール回路24が容易に様々な異なるオペレーティングモードに適応できることは図4から図7から明白である。先の4つのオペレーティングモードは発明によって許可された設計柔軟性を実証するために詳細に記述される。しかしながら、発明がこれらの4つのオペレーティングモードに制限されとは決して認識されるべきものではない。特定のアプリケーションの中で使用される特別のオペレーティングモードおよび電源は、第1に被制御のデバイスの必要条件および仕様に依存する。図4から図7のボックスされたエリアB1およびB2は、電極E1およびE2のような1Cチップ28に位置した、ICチップ26およびコンポーネント、抵抗R1およびR2に置かれるために熟考されたコンポーネントと被制御のデバイス示されていない、入出力ライン30および32の間の境界設定をそれぞれ示す。ボックスされたエリアB1およびB2の外側である図4から図7の部分は、ICチップ26に配置され、そこに描かれた4つの図およびオペレーティングモードのすべてについて同一であると考えられる。図4から図7は、スタートアップとバイアスのセクション40、パルス発生器および論理部分50、決定回路区間60およびセルフホールディングラッチセクション70を含むコントロール回路24それらの機能は下に記述されるを例証する。電子回路設計の技術に熟練している人々に知られていたように、先の回路区間40、50、60および70の各々は、多くの異なる方法で設計される場合がある。コントロール回路24はさらに第一及び第2、第三トランジスターP1、P2、またP3を含む。実施例の中で、ここに記述した、トランジスター、P1P3は、NMOSデバイス、バイポーラデバイスあるいは他のトランジスタータイプを使用できるが、PMOSデバイスである。コントロール回路24はさらにインバータI1、第1、第2および第三ダイオードD1乃至D3、第1と第2のキャパシターコンデンサーC1およびC2、第一、第二、第三および第四トランジスタースイッチ、SW1SW4および第三および第四抵抗R3R4を含む。第三および第四抵抗R3およびR4が電流源と取り替えられる場合があることが認識されるものとする。図4から図7に示された実施例の各々では、第3のトランジスターP3のソースターミナル77と、スタートアップおよびバイアスセクション40,パルス発生器および論理部分50,決定回路60およびセルフホールディングラッチセクション70の電力入力ターミナル41、51、61および71はそれぞれ、ICチップ26のターミナルのPIN8に電気的につながれている。ターミナルのPIN8は、コントロール回路24電力入力線30それらは電源25につながれて、順番に電気的にあるに順番に電気的につながれている。典型的には、電源25は被制御のデバイス示されていないに位置する。ゲート端子G2、および第2および第四トランジスターのG4に電気的につながれたスタートアップとバイアスのセクション40からのバイアスをかける出力端子43は、SW2とSW4をそれぞれ切り替える。好ましい実施例の中で、また、ここに記述されるように、第1乃至第四トランジスターSW1SW4は、他のトランジスタータイプは同様に使用されてもよいが、NMOSデバイスである。スタートアップとバイアスのセクション40からのパワーオンリセット出力44は、パルス発生器と論理部分の50でパワーオンリセット入力54に電気的につながれる。スタートアップとバイアスのセクション40のパワーオンリセット出力44も、ゲート端子G1およびG3に電気的につながれる。スタートアップおよびバイアスセクション40からの内部接地基準出力42は、ソースターミナルS1、S2、S3、S4、第1と第2のキャパシターコンデンサーの低電位プレート102および103、パルス発生器および論理部分50のうちの内部接地基準52、決定回路60のうちの内部接地基準出力62および第三ダイオードD3のアノード98、第3および第4の抵抗R3、およびR4の低電位端96および97、およびICチップのターミナルのPIN6へ接続される。かく記述されたノードは以下の幾つかの箇所で内部接地基準CHIPVSSとして参照される。パルス発生器と論理部分の出力50からのパルス出力53は、第1と第2のトランジスターP1およびP2のターミナル80および81をそれぞれIC26のターミナルのPIN2に電気的に連結される。第1のトランジスターPTのゲート端子82は、IC26のターミナルのPIN1に電気的につながれる。第2のトランジスターP2のゲート端子83は、IC26のターミナルのPIN3に電気的につながれる。第1のトランジスターP1のドレーンターミナル84は、第1のダイオードD1のアノード90および第三抵抗R3の高電位端94に電気的につながれる。第2のトランジスターP2のドレーンターミナル85は、第2のダイオードD2のアノード91および第四抵抗R4の高電位端95に電気的につながれる。第1のダイオードD1の陰極92は、第1と第2のトランジスタースイッチSW1およびSW2のドレイン端子86及び87、第1のキャパシターコンデンサーC1の高電位プレート100、決定回路60のPLUS入力端子64に電気的につながれる。第2のダイオードD2の陰極93は、第3および第4トランジスタースイッチSW3およびSW4のドレイン端88及び89、および第2のキャパシターコンデンサーC2の高電位プレート101、決定回路60のMINUS入力端子66に電気的につながれる。決定回路60の論理出力63は、インバータI1の入力75、かつセルフホールディングラッチセクション70のラッチトリガー入力73に電気的に連結される。セルフホールディングラッチセクション70の出力72は、IC26のターミナルのPIN4に電気的につながれる。図示された実施例では、そのPLUSおよびMINUS入力64と66がそれぞれ等しい電位の場合、あるいは、MINUS入力66がPLUS入力64より本質的に高電位にある場合その出力63が低電位にあるように、決定回路区間60は設計されている決定回路区間60出力63は、PLUS入力64がMINUS入力66より本質的に高電位にある場合に限り、高電位にある。セルフホールディングラッチセクション70は設計の結果、決定回路セクション60論理63が低電位にあるときにはコントロール回路24電源25から内部接地基準CHIPVSSまでのラッチセクション70による、および、第三ダイオードD3による電流は流れない、しかしながら、決定回路60セクション論理出力63が高電位にあるときには、ラッチトリガー入力73は、それぞれ、ラッチ回路70をトリガーし、かつ、ラッチ70電力入力及び出力端子71および72経由で、コントロール回路24電源25から内部接地基準CHIPVSSまでのラッチセクション70によって、および第三ダイオードD3によって電流が流れることを可能にするように、高電位にある。一旦ラッチ70がトリガーされたならば、力がコントロール回路24から取り除かれるまで、それはトリガされ続けるあるいは中へ密閉される。この方法で作動するラッチセクションの設計と構成は、技術に熟練している人々に知られており、詳細にここに記述される必要がない。インバータ11のA端子76は、第三トランジスターP3のゲート端子78に電気的につながれる。第3のトランジスターP3のドレーンターミナル79は、IC26のターミナルのPIN7に電気的につながれる。タッチスイッチ装置20が多重アプリケーションの中で使用される場合第3のダイオードD3はコントロール回路24バック-バイアスをかけることを防ぐために提供される、単一のタッチパッド22だけが使用されるか多数、パッド22が使用されるが多重化されないアプリケーションで省略される場合がある。コントロール回路24の基本設計の先の記述は、図4から図7に描かれた4つのオペレーティングモードの各々には同一である。詳細に下に記述されるとともに、4つのオペレーティングモード中の全面的な装置構成中の区別は、第1に1C26の外部端末ターミナル接続にある。図4は、下に記述されるように、差入力ストローブモードのオペレーションのために形成されたタッチスイッチ装置20を例証する。図47のために上記に一般に記述されるように、このモードにおけるオペレーションのためのコントロール回路24が形成される。IC26のターミナルのPIN2は、第1と第2の抵抗R1およびR2の高電位端104および105に電気的にそれぞれつながれる。IC26のターミナルのPIN1は、第1の抵抗R1の両方の低電位端106および第1の電極E1に電気的につながれる。IC26のターミナルのPIN3は、第2の抵抗R2の低電位端107及び電極E2に電気的につながれる。図4から図7でC3とC4として表わされる回路素子は個別の電気的なコンポーネントではない。もっと正確に言えば、参照文字C3およびC4は、第1と第2の電極E1およびE2の接地へのキャパシタンスをそれぞれ表わす。IC26のターミナルのPIN8は、入力線30で電力信号ソース25に電気的につながれる。IC26のターミナルのPIN4は、IC26のターミナルのPIN6に電気的につながれ、そのために、ラッチ70の出力端子72を内部接地基準CHIPVSSおよび第三ダイオードD3のアノード98に電気的に連結する。ICチップ26のターミナルのPIN7は、外部的にこの実施例の中で終端しない。IC26のターミナルのPIN5は出力線32に電気的に連結される、それが第5の抵抗R5の高電位端108につながれて、順番に電気的にあるか、そして出力線に接続され120それは被制御のデバイス示されていないに接続されるを直接あるいはプロセッサあるいは他の中間のデバイス示されていない経由でのいずれかにより接続れる。抵抗R5の低電位端109は、システム接地に電気的につながれる。代表的アプリケーションでは、抵抗R5が、タッチスイッチ装置20を含む他のコンポーネントからの実質的な距離にある。すなわち好ましい実施例では、抵抗R5が、タッチパッド22およびコントロール回路24に近くないために熟考される。図5は、下に記述されるように、差入力連続DCモードにおけるオペレーションのために形成された典型的なタッチスイッチコントロール回路24を例証する。全面的なコントロール回路および装置は3つの例外を除いて図4のために記述されたそれと同一である。第1に、図5の実施例の中で、IC26のターミナルPIN7は、抵抗R5の高電位端108に電気的につながれる、また、出力線120に接続され、それは被制御のデバイスに直接あるいはプロセッサあるいは他の中間のデバイス経由でのいずれかで接続される、ターミナルPIN7は図4の実施例の中で外部的に終端しない。第2に、図5の実施例では、ターミナルPIN4およびIC28のPIN6は、終端し、かつ、それらが図4の実施例にあって、互いに、あるいはそうでなければ外部的に電気的につながれない。第3に、図5実施例では、IC26のターミナルのPIN5が抵抗R5の低電位端109に電気的に連結される第4図の実施例中では接続される、IC26のターミナルのPIN5は、第5の抵抗の高電位端108および被制御のデバイスに電気的につながれる。図4実施例でのように、第5の抵抗R5は、タッチスイッチ装置20を含む他のコンポーネントからの実質的な距離に典型的にはある。図6は、下に記述されるように、シングルエンド状入力ストローブモードでのオペレーションのために形成された典型的なタッチスイッチコントロール回路が図解する。一般に図4から図7のために上記に記述されるように、コントロール回路24が形成される。IC26のターミナルのPIN2は、第1と第2の抵抗RIおよびR2の高電位端104および105に電気的にそれぞれつながれる。IC26のターミナルのPINIは、第1の抵抗RIの両方の低電位端106および第1の電極Elに電気的につながれる。IC26のターミナルのPIN3は、第2の抵抗R2の両方の低電位端107に電気的につながれる、また第6の抵抗電極R6の高電位端110へ接続され、その第2の抵抗R2および第6の抵抗R6は、分圧器を形成する。第6の抵抗R6の低電位端111は、IC26のターミナルPIN5付近のポイントで内部接地基準CHIPVSSに電気的に典型的につながれる。図6では、内部接地基準CHIPVSSへの第6の抵抗R6の電気接続が、破線によって表わされるAA。IC26のターミナルのPIN8は、入力線30に電気的につながれる。IC26のターミナルのPIN5は出力線32に電気的に連結される。それは、第5の抵抗R5の高電位端108および出力線120に電気的につながれる。出力線120は、被制御のデバイスに電気的に直接あるいはプロセッサあるいは他の中間のデバイス経由でのいずれかでつながれる。IC26のターミナルのPIN4は、IC26のターミナルのPIN6に電気的につながれる。IC26のターミナルのPIN7は、外部的にこの実施例の中で終端しない。代表的アプリケーションでは、第5の抵抗R5が、タッチスイッチ装置20を含む他のコンポーネントからの実質的な距離にある。図7は、シングルエンド状入力連続DCモードのオペレーションのために形成された典型的なタッチスイッチコントロール回路を図解する。一般に図4から図7のために上記に記述されるように、コントロール回路24が形成される。全面的なコントロール回路および装置は3つの例外を除いて図6のために上記に記述されたそれと同一である。第一に、図7の実施例では、IC26のターミナルのPIN7は、第5の抵抗R5の高電位端108に電気的につながれる、そして線120を出力するために、それはマイクロプロセッサあるいは他の制御装置示されていない経由で被制御のデバイス示されていないに典型的に接続される。IC26のターミナルPIN7は、外部的に図6実施例中では終端しない。第二に、図7の実施例では、ターミナルP1N4およびIC26のPIN6は電気的に連結されないか或いはそうでなければ外部的に終端しない。しかし、それらは図6の実施例にある。第三に、図7の実施例では、IC26のターミナルのPIN5が、第5の抵抗R5の低電位端109に電気的につながれる、図6の実施例では、IC26のターミナルのP1N5は、第5の抵抗の高電位端108に電気的につながれる、また出力線120につながれる。代表的アプリケーションでは、第5の抵抗R5が、タッチスイッチ装置20を含む他のコンポーネントからの実質的な距離にある。図7では、内部接地基準CHIPVSSへの第6の抵抗R6の電気接続は、破線によって表わされるAA。差入力回路ストローブモードのために形成されたタッチスイッチ装置20は、以下のように作動する。図4を参照して、電力制御信号25はIC26のターミナルのPIN8、スタートアップ及びバイアスセクション40の電力入力ターミナル41、51、61および71に供給される、またパルス発生器および論理部分50、決定回路セクション60およびそれぞれセルフホールディングラッチセクション70にも供される。動力が供給されるようになる際、および安定化のために許可するべき適切な遅延間隔の後に、開始する、また、バイアスセクション40は、出力端子44から第1及び第3のトランジスタースイッチゲート端子GI及びG3まで短い持続期間パワーオンリセット信号を出力する、その結果第1および第三トランジスターSW1とSW3をオンに切り替える、そして第1と第2のキャパシターコンデンサーClおよびC2の高電位プレート100および101から内部接地基準CHIPVSSに、それぞれ至る電流パスを提供する。パワーオンリセット信号持続は、第1と第2のキャパシターコンデンサーClおよびC2の上で存在する任意のチャージが、内部接地基準CHIPVSSに本質的に完全に放出されることを可能にすることが十分である。この方法では、が決定回路セクション60へのPLUSとMINUS入力64と66が初期の低電位状態に到達する。実質的に、同時に、スタートアップおよびバイアス回路40は、それを初期化するために、出力44からパルス発生器と論理部分の50の入力54パワーオンリセット信号を送る。パルス発生器と論理部分の50が安定することを可能にする適切な遅延で、パルス発生器および論理部分50が、パルスを生成し、パルス出力ターミナル53から第1と第2の抵抗RIおよびR2経由の第1と第2の電極ElおよびE2へ出力し、また第1と第2のトランジスターP1およびP2のソースターミナル80および81へ出力する。パルスは、方形波パルスのような任意の適切な波形である。それぞれ、スタートアップおよびバイアス回路40は、さらに、バイアス出力43からゲート端子G2およびG4までバイアス電圧を出力する。バイアス電圧は第1と第2の電極ElおよびE2へのパルス出力と逆位相である。すなわち、パルス出力がハイ状態にある場合、バイアス電圧出力はロー状態にある、またパルス出力がロー状態にある場合、バイアス電圧出力はハイ状態にある。パルスは第1と第2の抵抗RIおよびR2によって第1および第2の電極ElおよびE2にそれぞれ適用されると、第1と第2のトランジスターP1とP2のゲート端子82および83の電圧は初めは、P1およびP2にバイアスをかけて、かつ、それらオンさせて、第1と第2のトランジスタP1ソースターミナル80および81でのそれより低電位にある。第1と第2のトランジスターP1およびP2をオンしたまま、電流は、第三および第四抵抗R3、およびR4によって流れて、それにより、第1と第2のダイオードD1およびD2の陽極端子90および91でピーク電位をそれぞれ作成する。第1と第2のダイオードのアノード90および91のピーク電位、DlとD2は、第1と第2のキャパシターコンデンサーClおよびC2を横切った電位より高い、ピーク電流は第1と第2のキャパシターコンデンサーClおよびC2にチャージされるために第1と第2のダイオードDIおよび02によって確立される、決定回路区間60への入力64と68各々のPLUSおよびMINUSでピーク電位を確立する。第1と第2のキャパシターコンデンサーCIおよびC2が上に記述されるように、スタートアップで放電されるようになったので、コントロール回路24が初期化された後の第1のパルスに続いて、上記状況が生じる。当業者には明らかなように、第1と第2のトランジスターをP1およびP2バイアスをかけること、第三と第四の抵抗R3およびR4による電流、ピーク電位、第1と第2のダイオードのアノード90および91で作成されたピーク電位DlおよびD2、また、決定回路60へ各々のPLUSおよびMINUS入力64と66で作成されたピーク電位は、第1及び第2の電極、ElとE2での電界の状態に比例する。電極近くの電界の状況は付近に存在する刺激に応じて変わる活性化されたコントロール回路24では、上に記述されるように、そして第1と第2の電極ElおよびE2のいずれかの付近の刺激なしで、PLUSおよびMINUS64と66での電位は中立状態と名付けられ得る状態ににある。中立状態では、各々のPLUSとMINUS入力64および66の電位が、本質的に等しい場合がある。しかしながら、意図しない起動を防ぐために、MINUS入力66の中立状態が、PLUS入力64の中立状態より多少高電位にあるように、コントロール回路24を調節することが望ましい場合がある。この調整は、希望の中立状態電位を達成するために第1と第2の電極ElおよびE2の構成、および第1と第2の抵抗R1およびR2の値を変えることにより達成される場合がある。中立状態電位にかかわらず、次のように熟考される、もしPLUS入力64がMINUS入力66より実質的に高電位になければ、決定回路60出力63は低電位にある。低電位の決定回路60出力63で、インバータI1はある第三トランジスターP3のゲート端子78の電位をハイレベルにし、これはソースターミナル77での電位と実質的に等しい。この状態で、バイアスは第三トランジスターP3にかけられない。また、そのP3はオフのままである。しかしながら、この実施例では、IC26のターミナルのPIN7は終端しない。第3のトランジスターP3のドレーンターミナル79は、したがって開回路の状態である。また、第三トランジスターP3の状態は装置の機能に重要ではない。決定回路60出力63と共に、さらに、そして従ってラッチトリガー入力73、ロー状態では、セルフホールディングラッチ回路70がトリガされない、また、電流は電源25から内部接地基準CHIPVSSまでのラッチ70によって流れず、および第三ダイオードD3によっても流れない。或る期間において、それはパルス電圧、第1と第2の抵抗RIおよびR2の値、および第1と第2の電極ElおよびE2の接地へのキャパシタンスによって決定される期間において、第1及び第2電極ElとE2の電位はパルス電圧に等しくなるよう上昇し、第1と第2のトランジスターP1およびP2のソースターミナル80および81でのパルス電圧と等しい、したがって非バイアスの第1と第2のトランジスターP1およびP2を生じる。この状態に達すると、また、P1とP2トランジスターがオフし、およびDlとD2ダイオードのアノード90および91の電位は、内部接地基準CHIPVSSレベルへの本質的に等しい割合で減少する。結局、各々の第1と第2のダイオードD1およびD2のアノード電位は、それぞれの陰極電位以下に落ちるだろう。このポイントでは、ダイオードD1およびD2が、逆バイアスがかけられて、第1と第2のキャパシターコンデンサーC1およびC2が放電するのを防ぐ。出力53中のパルスがロー状態に行く場合、バイアス電圧出力は、内部接地基準CHIPVSSに対してハイ状態に行きゲート端子G2およびG4に高いバイアス電圧を印加する。この状態で、第2および第4のトランジスタースイッチSW2、およびSW4は、バイアスがわずかにかけられるようになり、内部接地基準CHIPVSSへの第1と第2のキャパシターコンデンサーClおよびC2の遅くコントロールされた放電を達成するために十分にオフする。パルスが次にハイ状態になると、バイアス電圧はロー状態、第2および第4のトランジスターSW2とSW4をオフに切り替える、また、最初に記述されるように、回路は応答する。パルス発生器および論理部分の50からのパルスが高電位に行く場合、刺激が第2の電極E2に、あるいはE2の近くで存在すれば、上記に記述されるように、第1のトランジスターP1は作動する。すなわち、バイアスは最初に第1のトランジスターP1にかけられて、ある電流が第1のダイオードDIのアノード90でピーク電位を作成し、かつ、ピーク電流が第1のダイオードDlによって流れることを可能にするべく、第三抵抗R3によって流れることを可能にする、そのために第1のキャパシターコンデンサーClを充電しPLUS入力決定回路60への64でピーク電位を確立する。電極Elでの電圧が入って来るパルスに応じて安定されると、第1のトランジスターP1はバイアス解除されてオフする。第2のトランジスターP2は次のこと以外は、ほとんど同じ方法で作動する、すなわち近似の第2の電極E2の近くのRC時定数を変更する刺激の存在がその回路セグメントのRC時定数を変えて、安定させるべき第2の電極E2での電位のために必要な時間をしたがって延長すること。結果として、第1のトランジスターP1より長い期間のために第2のトランジスターP2はオンに、バイアスはかけられており、第三抵抗R3によって流れるより第四抵抗R4によって流れるより大きなピーク電流を可能にし、したがって、第2のダイオードD2のアノード91のピーク電位を生成し、これは、第1のダイオードDlのアノード90のピーク電位より大きい。従って、ピーク電流は、第2のキャパシターコンデンサーC2に充電し、MINUS入力決定回路へのPLUS入力64のピーク電位より大きな決定回路60への66でのピーク電位に結局帰着するように、第2のダイオードD2によって流れる。MINUS入力66の電位がPLUS入力64の電位と本質的に等しいか又はより大きな場合、その出力が低電位にあるように、決定回路60が形成されるので、決定回路60出力端子63は低電位にある。決定回路60出力端子63そして従ってラッチトリガー入力端子73の低電位では、セルフホールディングラッチ70がトリガーされない。インバータ11および第3のトランジスターP3以前に記述されるように動作されるが、再び、第3のトランジスターP3の状態はこの構成において重要でないが。汚染物質か異物あるいは他の刺激が第1および第2の電極ElおよびE2の両方を実質的にカバーするかそれらに適用される場合には、システムは、刺激が第1の電極あるいは第2の電極のいずれかに存在しない場合、それがするのと同じ方法で多く応答する。しかしながら、汚染物質あるいは異物が、両方の電極ElおよびE2の近くに存在すると、回路のそれらのセグメントのためのRC時定数は変更されて、第1と第2の電極ElおよびE2の両方でそれぞれ電圧はより長くなって実質的にパルス電圧と等しくなる。従って、第1と第2のトランジスターP1およびP2の両方オンして、第1、第2の電極Elか、E2もが刺激によって影響されない状態におけるよりも第三および第四抵抗R3、およびR4を通る更に大きな電流を生じる。しかしながら、バイアスは第1と第2のトランジスターP1およびP2に本質的に等しくかけられる。したがって、実質的に等しいピーク電位が、第1および第2の両方ダイオードのアノード90および91で開発される、DlおよびD2のダイオードによって本質的に等しいピーク電流を流れさせること、第1と第2のキャパシターコンデンサーClおよびC2を充電すること、また決定回路60へ両方のPLUSおよびMINUS64と66に本質的に等しいピーク電位を確立することを生じる。この状態で、決定回路セクション60出力端子63は低電位にあり、セルフホールディングラッチ70のラッチトリガー入力端子73は低電位にあり、ラッチ70はトリガーされていないままである。以前に記述されるように、インバータ11および第三トランジスターP3の状態はこの実施例において重要でない。第2の電極ではなく第1の電極Elの近くで、刺激が適用される状況で、バイアスは最初に第2のトランジスターP2にかけられてオンし、第四抵抗R4によって電流を確立し、かつ、第2のダイオードD2の陽極端子90でピーク電位を生成する。ピーク電流は、第2のキャパシターコンデンサーC2を充電し、かつ、決定回路セクション60のMINUS入力66でピーク電位を確立するべく、第2のダイオードD2によって流れる。第2のトランジスターP2のゲート端子81の電圧がパルス電圧のレベルに上昇するとともに、第2のトランジスターP2はバイアス解除されてオフする。第2のダイオードD2はバイアスが逆になり、第2のキャパシターコンデンサーC2が放電するのを防ぐ。当業者には明らかなように、第1の電極Elの近くの刺激の存在はE1の電位の安定のために必要な時間を長くする。結果として、第1のトランジスターP1は第2のトランジスターP2より長い期間オンバイアスされて、第四抵抗R4によるよりも第三抵抗R3によって流れるより大きなピーク電流を生じる。したがって、第1のダイオードD1のアノード90のピーク電位の生成し、これは第2のダイオードD2のアノード91の電位より大きい。従って、より大きな大きさのピーク電流及びまたは、その持続時間は第1のダイオードDlによって流れる電流を、第2のダイオードD2によって流れる電流よりも大きくしキャパシターコンデンサーClを充電し、結局、決定回路60へのPLUS入力64のピーク電位を決定回路60へのMINUS入力66のピーク電位よりも大きくすることに帰着する。PLUS入力64の電位がMINUS入力66の電位より大きな場合、出力端子63がハイ状態にあるように、決定回路60が形成されるので、決定回路60出力63は高電位にある。高電位の決定回路60出力63で、第三トランジスターP3にバイアスをかけてオンさせるべく、ソースターミナル77での電位に対して第三トランジスターP3のゲート端子78での電位をインバータIiは低くさせる。しかしながら、IC26のターミナルのPIN7がこの実施例中で終端しないので、第三トランジスターP3の状態は重要ではない。高電位の決定回路60出力端子63で、セルフホールディングラッチ回路70トリガー入力端子73は、ラッチ70をトリガさせるべく、高電位にある。セルフホールディングラッチ70がトリガされる場合、電流パスは、スタートアップとバイアスのセクション40、、パルス発生器および論理部分50および決定回路セクション60含むコントロール回路24の残りを有効に短絡させるべく、電源25から内部接地基準CHIPVSSまで、および第三ダイオードD3を通して確立される。この状態で、コントロール回路24のそれらのセクションは、実質的に電源を切られるようになり、機能は中止する。一旦トリガーされると、セルフホールディングラッチ70が電極ElおよびE2のいずれか又は両方の近傍の刺激の後の状態にかかわらずトリガーされたままである。近似、どちらかあるいは電源25からの電力がこの例の電源25からの方形波ストローブ信号が、0になるときにのような近いゼロ状態に行く場合ラッチ70はリセットする。セルフホールディングラッチ70がトリガーされた状態である間、定常状態信号は、第5の抵抗R5によって、および被制御のデバイスに供給される。この方法では、維持された接触の機械的なスイッチに関連した状態変化にスイッチ装置20はエミュレートする。図5を参照すると、差入力連続DCモードのために形成されたタッチスイッチ装置20のオペレーションは以下のとおりである。図4に関して上に記述されるように、差入力回路ストローブ動作モードのために形成された時として、コントロール回路24は決定回路60に至るまで、実質同じ方法を実行する。すなわち、第1あるいは第2ののいずれかの電極ElおよびE2の近くの、刺激なしで、又は第1と第2の電極ElおよびE2の両方の近くに刺激を有して、あるいは第1の電極Elではなく第2の電極E2の近くで刺激を有して、決定回路60出力63は低電位にある。刺激プレゼントで、第2の電極E2ではなく第1の電極Elの近くに刺激を有すると、決定回路60出力63はハイレベルにある。図5で容易に分かるように、セルフホールディングラッチ回路70出力72はこの実施例では終端しない、回路70は差入力回路DCモードで不動作である。しかしながら、第三トランジスターP3のドレーンターミナル79は、内部接地基準CHIPVSSおよびこの実施例中の出力線32に電気的につながれる。また、それはしたがってコントロール回路24の動作部になる。決定回路60出力63が低電位電位にある場合、インバータ11は、高電位に、第三トランジスターP3のゲート端子78の電位を生じる。この状態で、バイアスは第三トランジスターP3にかけられない。また、そのP3はオンしない。決定回路60出力63が高電位にある場合、インバータI1はソースターミナル77の電位と比較して低電位に、第三トランジスターP3のゲート端子78の電位を生じる。この状態で、バイアスは第三トランジスターP3にかけられてオンされて、そのP3は、第三トランジスターP3および第5の抵抗R5によって電流が確立されることを可能する。出力ライン抵抗R5は第三トランジスターP3を通る電流を制限しコントロール回路24のバランスが短絡せず、動作可能である。図5で示されるDCモードにおいて、コントロール回路24は、さらに、第1の電極Elの付近からの刺激の除去に応答する。第2の電極E2ではなく第1の電極El付近で刺激が現在のままである限り、パルスがハイ状態に行くごとに、ピーク電位は第2のダイオードD2のアノード91のピーク電位より高く第1のダイオードDlのアノード90で作成される。従って、決定回路60PLUS入力64のピーク電位は、M1NUS入力66のピーク電位より高いレベルにある。また、上に記述されるように、コントロール回路24は作用する。しかしながら、刺激が削除され、第1の電極Elあるいは第2の電極E2のいずれか付近に刺激が存在しない場合、第1のキャパシターコンデンサーClのチャージは、結局第2のトランジスターのバイアス機能によって中立状態に放電する。このポイントでは、決定回路60のPLUS入力64の電位が、もはやMINUS入力66の電位より高いか、又は実質的にそれほど高くなくならないで、決定回路60出力63はロー状態に返る。この方法では、差入力DCモードで作動するスイッチ装置20は、瞬間接触型またリリースする開く機械的なスイッチに匹敵する。小さな修正で、開くプッシュおよび閉じるリリースの機械的なスイッチをエミュレートするためにコントロール回路を形成することができる場合があらんことが、認識されるものとする。図6を参照すると、シングルエンド入力ストローブモード動作のために形成されたスイッチ装置20は、以下のように作動する。パルスが第1の電極Elおよび第1と第2の抵抗RIおよびP2に適用される場合、第2の抵抗R2および第6の抵抗R6に電流が流る。第2と第6の抵抗R2およびR6は分圧器として形成されるすなわち、パルス出力がハイ状態にある時、第2のトランジスターP2のゲート端子83は、第2のトランジスターP2のソースターミナル81より低電位にある。したがって、パルス出力53がハイ状態にある時、バイアスは連続的に第2のトランジスターP2にかけられる、それにより、第2のダイオードD2のアノード91の参照電位を作成するようにそのP2は、一定の電流が第四抵抗R4によって流れることを可能にする。第2のダイオードD2のアノード91の参照電位は、第2のキャパシターコンデンサーC2を充電させ、かつ、したがって、入力決定回路60への66で参照電位を作成するように、第2のダイオードD2を通る電流を確立する。MINUS入力66の参照電位が第2のダイオードD2のアノード91の参照電位と実質的に等しくなる場合、第2のダイオードD2による電流は中止する。同時に、刺激が第1の電極Elにないと、第1のトランジスターP1のソース端子80、および第1の電極E1への印加パルスにより、最初に第1のトランジスターP1にバイアスがかけられてオンする。電流は、第三抵抗R3によって確立されるてピーク電位が第1のダイオードDlのアノード90で作成される。ピーク電位は、第1のキャパシターコンデンサーCIを充電し、かつ、決定回路のPLUS入力64でピーク電位を作成して、第1のダイオードDlを通るピーク電流を確立する。抵抗RI、R2、R3、R4およびR6が選択されて、そのE1付近に刺激が存在しない場合、決定回路60のMINUS入力66の参照電位は、決定回路60のPLUSターミナル64ピーク電位以上である。この状態で、決定回路60の出力63は低電位にある。また、セルフホールディングラッチ70はトリガーされない。さらに、インバータI1は、第三トランジスターP3がバイアスされずオフに留まるように、ハイ状態に第三トランジスターのゲート端子78の電位を生じる。しかしながら、第三トランジスターP3のドレーンターミナル79がこの実施例中の開回路の状態であるので、これは重要ではない。2電極タッチパッドはこのモードでの使用に適応される場合があるが、この実施例は第2の電極を要求しない。2電極タッチパッドがこの動作モードでの使用に改造される場合には、第2の電極の近くの刺激の有無は回路の動作に影響を与えない。刺激が第1の電極Elの近くに存在する場合、第2のトランジスターP2の動作はこの実施例のために上記に記述されるのと同じである。第1の電極El付近の刺激の存在はソースターミナル80の電位と等しくなるようになる第1のトランジスターP1のゲート端子82の電圧にはより大きな時間を必要にさせる。従って、第1のトランジスターP1はオンして、比較的より大きな電流が、第2のトランジスターP2が第四抵抗R4によって流れることを可能にする電流と比較して、第三抵抗R3によって流れることを可能にする。その結果、第1のダイオードD1のアノード90のピーク電位は、第2のダイオードD2のアノード91の参照電位より大きい。その結果、決定回路60のPLUS入力64のピーク電位は、決定回路60のMINUS入力66の参照電位より大きい。また、決定回路60からの出力63はしたがってハイ状態にある。ハイ状態の決定回路60の出力63で、インバータ11はロー状態に、第三トランジスターP3のゲート端子78の電位を生じる、それにより、トランジスターP3をオンにする。しかしながら、第三トランジスターP3のドレーンターミナル79が有効に終端しないので、これは重要ではない。ハイ状態の決定回路60の出力63で、ラッチトリガー入力73はハイ状態であり、セルフホールディング回路70はトリガーされる。したがって、電源25から内部接地基準CHIPVSSへのラッチセクション70を介しておよび第3のダイオードD3を介して電流路が確立され、したがって、コントロール回路24のバランスを有効に短絡させる。ラッチ入力端子71への電力が取り除されるまで、セルフホールディングラッチ70はこの状態でのままである。ラッチ70がこのようにリセットされるまで、連続的なデジタル制御信号は被制御のデバイス示されていないに出力される。この方法では、機械的なスイッチに関連した状態変化にタッチスイッチ装置20はエミュレートする。図7を参照すると、シングルエンド入力連続DCモードのオペレーションのために形成されたタッチスイッチ装置20が以下のように動作する。コントロール回路24のオペレーションおよび機能性は、実質的にシングルエンド入力ストローブモードのために図6に関して上記に記述されたのと同じである。しかしながら、シングルエンドDCモード入力では、セルフホールディングラッチ出力72はオープンサーキットされ、したがって、セルフホールディングラッチ70は動作しない。第1の電極Elに刺激を適用しない場合は、決定回路60の出力63は低電位にある。従って、第三トランジスターP3のゲート端子78へのインバータ11出力76は、高電位にある。高電位の第三トランジスターP3のゲート端子78で、ソースターミナル77での電位に似ている、したがって第三トランジスターP3はバイアスされずオンされないで、P3又は第5の抵抗R5を通る電流はない。第1の電極Elの近くの刺激で、決定回路60の出力63、従ってインバータ11への入力75はハイ状態である。インバータ11はローレベル出力にハイレベル入力を変更し、出力76を第三トランジスターP3のゲート端子78電位へ供給する。ソースターミナル77に比して低電位のゲート端子78で、バイアスは第三トランジスターP3にかけられてオンし、また第三トランジスターP3および第5の抵抗R5を通る電流が流れる。これは、出力線120によって被制御のデバイスへの入力として使用される場合がある第5の抵抗R5のアノード108で高電位を作成する。図7の連続的なDCモードでは、コントロール回路は第1の電極Elの付近からの刺激の除去に応答する。刺激が第1の電極Elの付近に存在するかぎり、パルスがハイ状態に行くごとに、ピーク電位が第2のダイオードD2のアノード91の参照電位より高く第1のダイオードD1のアノード90に作成される。従って、PLUS入力決定回路60への64のピーク電位は、MINUS入力66の参照電位より高いレベルにある。また、上に記述されるように、コントロール回路24は作用する。刺激が第1の電極Elから取り除かれる時、第1のキャパシターコンデンサーC1に対する電荷は結局、第2のトランジスタースイッチSW2のバイアスをかける機能によって中立状態に放電する。このポイントでは、決定回路60のPLUS入力64のピーク電位が、もはやMINUS入力66の参照電位より高いか、実質的にそれほど高くならない。また、決定回路60出力63はロー状態に返る。この方法では、シングルエンド状入力DCモードで作動するタッチスイッチ装置20は、瞬間接触型機械的なスイッチに匹敵する。小さな修正で、開く押しおよび閉じるリリースの機械的なスイッチをエミュレートするためにコントロール回路を形成することができる場合があらん。これまでのところ、本明細書は、単一のタッチスイッチの物理的な構成およびオペレーションを説明した。典型的なタッチスイッチアプリケーションは、デバイスに対するコントロールを実行するために使用される多くのタッチスイッチを頻繁に含んでいる。図10は、スイッチパネルを示し、9つのタッチスイッチ20が3×3のマトリックスに配列される。箱B4が被制御のデバイスでコンポーネントを表わしている一方、箱B3はタッチパネルでコンポーネントを表わす。任意の方法で理論上タッチスイッチのどんな数もレイアウトすることができる場合があるが、このような行列レイアウトは、被制御のデバイスからの必要な入出力ラインの数を縮小して、容易に多重化することが可能であるということで好まれる。本発明のいくつかの実施例が示されていた一方、ここに追加された請求項の精神から外れることは、多数の修正がなされる場合がある技術に熟練している人々にとって明白である。"