a半導体チップが搭載され、前記半導体チップが熱硬化性の樹脂で覆われた配線基板を、第1の温度で前記樹脂を熱硬化して第1の成型品を製造し、b前記第1の成型品の反りを測定し、c前記bの測定結果に基づき、前記反りが減少するような第2の温度を選定し、d半導体チップが搭載され、前記半導体チップが熱硬化性の樹脂で覆われた配線基板を、前記第2の温度で前記樹脂を熱硬化して第2の成型品を製造する、半導体装置の製造方法。前記cは、前記反りの向きが、前記基板の前記半導体チップを搭載した面が凹形状となるような向きである場合に、前記第2の温度として、前記第1の温度よりも低い温度を選定する、請求項1記載の半導体装置の製造方法。前記cは、前記反りの向きが、前記基板の前記半導体チップを搭載した面が凸形状となるような向きである場合に、前記第2の温度として、前記第1の温度よりも高い温度を選定する、請求項1記載の半導体装置の製造方法。前記第1の成型品は前記第2の温度を選定するための試作品であり、前記第2の成型品は、前記第2の温度で製造される量産品であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記aにおける前記熱硬化は、前記樹脂のモールド成型時の熱硬化と、前記モールド成型後のアフターキュア時の熱硬化と、を有することを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記dは、前記モールド成型時の熱硬化温度を第2の温度とし、前記アフターキュア時の熱硬化温度を第1の温度とする、請求項5記載の半導体装置の製造方法。前記dは、前記モールド成型時の熱硬化温度を第1の温度とし、前記アフターキュア時の熱硬化温度を第2の温度とする、請求項5記載の半導体装置の製造方法。前記dは、前記モールド成型時の熱硬化温度および前記アフターキュア時の熱硬化温度を第1の温度とする、請求項5記載の半導体装置の製造方法。前記第1の成型品と前記第2の成型品は同一であり、前記aにおける熱硬化は、前記第1の成型品のモールド成型時の熱硬化であり、前記dは前記第1の成型品の前記モールド成型後のアフターキュア時の熱硬化である、請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。e前記第2の成型品における前記基板の、前記半導体チップが設けられた面と反対側の面に外部端子を設ける、を有する、請求項1~9のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。ここで、BGA型の半導体装置では、配線基板、半導体チップ、封止樹脂の熱膨張係数の違いにより、半導体装置に反りが発生する場合がある。また近年、携帯機器等の小型化薄型化により、半導体装置も薄型化、マルチチップ化が進んでおり、同じ材料の配線基板と封止樹脂を用いた場合であっても、半導体チップの寸法やチップ積層配置等が変わることで、製品毎に半導体装置の反りの向きが変わる場合がある。このような半導体装置の反りは、製品毎に配線基板や封止樹脂の材料の組み合わせを選定することにより、ある程度は抑制可能である。しかしながら、このような選定には多大な時間を要する。さらに半導体装置の反りが大きい場合には、二次実装での接続不良を発生する恐れがある。本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的は、配線基板や封止樹脂の材料を変更することなく、反りを調整可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。前述した目的を達成するために、本発明は、a半導体チップが搭載され、前記半導体チップが熱硬化性の樹脂で覆われた配線基板を、第1の温度で前記樹脂を熱硬化して第1の成型品を製造し、b前記第1の成型品の反りを測定し、c前記bの測定結果に基づき、前記反りが減少するような第2の温度を選定し、d半導体チップが搭載され、前記半導体チップが熱硬化性の樹脂で覆われた配線基板を、前記第2の温度で前記樹脂を熱硬化して第2の成型品を製造する、半導体装置の製造方法である。本発明によれば、配線基板や封止樹脂の材料を変更することなく、反りを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。以下、図面に基づいて本発明に好適な実施形態を詳細に説明する。まず、図1を参照して、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法により製造される半導体装置700の概略構成を説明する。図1に示すように、半導体装置700は、平面形状が多角形ここでは四角形の板状の配線基板100と、配線基板100の一方の面に接着剤あるいはDAFDieAttachedFilm等の接着部701を介して搭載された多角形ここでは四角形の半導体チップ109とを有している。半導体チップ109は、シリコンやゲルマニウムなどの材料を有する基板の一面に、例えばマイクロプロセッサ等のような論理回路またはSRAMStaticRandomAccessMemoryやDRAMDynamicRandomAccessMemory等のような記憶回路等を備えており、表面接着面と反対側の面には、電極パッド112を有している。なお、電極パッド112を除く、半導体チップ109の表面には図示しないパッシベーション膜が形成され、回路形成面を保護している。配線基板100は、半導体チップ109が設けられた面側に設けられた接続パッド103、他の面側に設けられたランド104、および、接続パッド103とランド104を接続する内部配線105を有している。配線基板100は、例えばガラスエポキシ基材で構成されている。ランド104上には半導体装置700を他の装置と接続するための半田ボール500が外部端子バンプ電極として設けられており、接続パッド103と電極パッド112はワイヤ110によって電気的に接続されている。即ち、半導体チップ109は、電極パッド112、ワイヤ110、接続パッド103、内部配線105、ランド104を介して半田ボール500と接続されている。なお、配線基板100の表面には図示しない配線パターンが形成され、接続パッド103、ランド104が設けられた領域以外の領域はソルダーレジスト等の図示しない絶縁膜で覆われている。さらに、半導体装置700は、少なくとも半導体チップ109、接続パッド103、電極パッド112、ワイヤ110を覆うように封止体401が設けられている。封止体401は例えばエポキシ樹脂等の絶縁性の熱硬化樹脂であり、半導体チップ109や、電気的接続部位である接続パッド103、電極パッド112、ワイヤ110を保護している。以上が半導体装置700の構造の概略である。次に、半導体装置700の製造方法について、図2~図21を参照して説明する。まず、製造方法の概略について、図2を参照して説明する。まず、第1の成型品としての半導体装置700試作品を製造する図2のS1。なお、この際の封止体401の熱硬化時の温度を第1の温度と称する詳細は後述。次に、試作品の反りを測定する図2のS2。次に、S2で測定した反りを元に、反りの量の減少する好ましくは0になるような温度第2の温度を選定する図2のS3。次に、第2の成型品としての半導体装置700量産品を製造する図2のS4。この際、封止体401の熱硬化時の温度は第2の温度で行う。このように、先に製造した試作品の反りを元に、反りが減少するような温度にて量産品を製造することにより、量産品の反りを抑制できる。次に、図2の製造法の詳細について、図3~図21を参照して説明する。まず、S1の詳細について説明する。最初に、図3および図4に示すような配線基板100を準備する。図3および図4に示すように、配線基板100は、例えば0.2mm厚のガラスエポキシ配線基板であり、図3に示すようにマトリックス状に配置された複数の製品形成部101を有している。マトリックス状に配置された複数の製品形成部101は、図3では4×4で16個の2つのエリア102a、102bをそれぞれ構成している。複数の製品形成部101は、それぞれ図1に示す半導体装置700の1個分の配線基板100に相当する部分であり、前述した接続パッド103、ランド104、内部配線105図3および図4では図示せず等が形成されている。また、製品形成部101がマトリックス状に配置されたエリア102a、102bの周囲には枠部106が配置されている。枠部106には所定の間隔で位置決め孔107が設けられ、搬送位置決めが可能に構成されている。また、製品形成部101間はダイシングライン108となる。次に、配線基板100上に半導体チップ109を配置する。具体的には、まず、配線基板100を、接続パッド103が上になるように図示しないダイボンディング装置に載置する。配線基板100の載置が完了すると、図示しないダイボンディング装置を用いて接着部701の上に半導体チップ109を載置したのち、加熱等により接着部701を硬化させてダイボンディングを完了する。半導体チップ109の載置が完了すると、配線基板100を図示しないワイヤボンディング装置に載置する。配線基板100の載置が完了すると、図示しないワイヤボンディング装置により、ワイヤ110の一端を電極パッド112図1参照に超音波熱圧着により接続し、その後、所定のループ形状を描きながら他端を接続パッド103上に超音波熱圧着により接続する図5、図6参照。次に、半導体チップ109を載置した配線基板100を成型装置300に載置する。成型装置300は、図7に示すように、上型301と下型302を有する成形金型を有している。上型301の下型302との対向面にはキャビティ303が形成されており、下型302の上型301との対向面には配線基板100を搭載する凹部304が形成されている。ワイヤボンディングの完了した配線基板100図5参照は、図8に示すように、下型302の凹部304図7参照にセットされる。次に、図8に示すように、上型301と下型302で配線基板100を型閉めする。本実施形態では、MAP方式で構成されているため、キャビティ303は複数の製品形成部101を一括で覆う大きさで構成されている。また、本実施形態ではキャビティ303はエリア102a、102bに対応するように2つに分割して配置されている。次に、下型302のポットにタブレット306レジンタブレットが供給され、加熱溶融される。次に、図9に示すように、溶融された封止樹脂307をプランジャー308によりゲート305からキャビティ303図8参照内に注入し、キャビティ303内に封止樹脂307を充填し、第1の温度、例えば175°Cでモールド成型すると、封止樹脂307が硬化され、封止体401図2参照が形成される。このようにして、図10及び図11に示すように、配線基板100の製品形成部101の2つのエリア102a、102b図3参照に、2つの封止体401a、401bが形成される。次に、封止体401a、401bに接続されたゲート305とランナー309及びカル310の封止樹脂307を除去した後、配線基板100をベーク炉311内に載置する。その後、ベーク炉311内で、封止体401を第1の温度で所定の時間アフターキュアすることで封止体401が完全に硬化される。次に、図13及び図14に示すように、配線基板100のランド104上に、半田ボール500を搭載し、外部端子となるバンプ電極を形成する。具体的には、配線基板100上のランド104の配置に合わせて複数の吸着孔が形成された図示しない吸着機構を用いて、半田ボール500を吸着孔に保持し、保持された半田ボール500を、フラックスを介して配線基板100のランド104に一括搭載する。全ての製品形成部101への半田ボール500の搭載後、配線基板100をリフローすることでバンプ電極外部端子が形成される。次に、半田ボール500の搭載された配線基板100を図示しない基板ダイシング装置に載置する。配線基板100の載置が完了すると、図15及び図16に示すように、配線基板100をダイシングライン108図3参照で切断し、製品形成部101毎に分離する製品形成部101は図3参照。具体的には、配線基板100の封止体401a、401b側をダイシングテープ600に図示しない接着層を介して接着し、ダイシングテープ600によって配線基板100を支持する。その後、配線基板100を図示しないダイシング装置のダイシングブレードにより縦横にダイシングライン108を切断して製品形成部101毎に切断分離する。切断分離後、切断分離された個々の製品形成部101をダイシングテープ600からピックアップすることで、図1に示すような半導体装置700が得られる。以上が図2のS1の詳細である。次に、図2のS2の詳細について説明する。まず、図17に示すように、半導体装置700を、上下いずれかの面図17では下面、即ち半田ボール500が露出した側の面が露出するように適当な検査ステージ801に載置し、レーザー変位計802を用いて、当該露出面の複数箇所での高さを測定することで、対角線上の凹凸量を算出し、半導体装置の反りの向きと反りの量を測定する。なお、ここで測定される反りの向きには以下の2つの向きがある。1つは、図18に示すように、配線基板100の、半導体チップ109を搭載した面が凹形状となるような向きであり、本実施形態ではこの向きの反りを凹反りと称す。もう1つは、図19に示すように、配線基板100の、半導体チップ109を搭載した面が凸形状となるような向きであり、本実施形態ではこの向きの反りを凸反りと称す。以上が図2のS2の詳細である。次に、図2のS3の詳細について説明する。まず、S2で測定した半導体装置700の形状が凹反り形状である場合は、第2の温度として、第1の温度よりも低い温度を選択する。この理由を図20を参照して説明する。図20は、モールド成形時の温度を低温化した場合を示す図であって。横軸は温度、縦軸はモールド成形時の収縮を示しており、T1は第1の温度、例えば175°C、T21は第1の温度より温度を下げた場合の第2の温度、例えば155°C、Tgはガラス転移点、T3は常温、例えば27°C、また硬化収縮は、封止樹脂307が硬化する際の収縮、熱収縮は加熱により膨張した封止樹脂の、温度が降下することによる収縮を示している。まず、封止体401を第1の温度T1で硬化させた場合には、封止樹脂307が硬化する際にα3だけ硬化収縮し、その後、加熱されていたことで熱膨張していた封止樹脂307が、温度が下がることで、α2、α1だけさらに熱収縮する。次に、同じ封止樹脂307を用いて、モールド成形温度を第2の温度T21で封止した場合には、第1の温度T1で封止した場合と同程度の硬化収縮α3が起こる。しかしながら、第2の温度T21は、第1の温度より低く、第1の温度で封止した場合と比べて、加熱による熱膨張が小さいために、温度が下がることで発生する熱収縮α2、α1が小さくなる。この熱収縮が小さくなることで、第1の温度で封止した場合と比べて、半導体装置の反りは凸反り方向に変移される。そのため、半導体装置700の形状が凹反り形状である場合は、第2の温度として、第1の温度よりも低い温度を選択する。一方、S2で測定した半導体装置700の形状が凸反り形状である場合は、第2の温度として、第1の温度よりも高い温度を選択する。この理由を図21を参照して説明する。図21に示すように、第1の温度T1で封止した場合には、封止樹脂307が硬化する際にα3だけ硬化収縮し、その後、加熱されていたことで熱膨張していた封止樹脂307が、温度が下がることで、α2、α1だけ熱収縮する。次に、同じ封止樹脂307を用いて、モールド成形温度を第2の温度T22で封止した場合には、第1の温度T1で封止した場合と同程度の硬化収縮α3が起こる。しかしながら、第2の温度T22は、第1の温度より高く、第1の温度で封止した場合と比べて、加熱による熱膨張が大きいために、温度が下がることで発生する熱収縮α2、α1が大きくなる。この熱収縮が大きくなることで、第1の温度で封止した場合と比べて、半導体装置の反りは凹反り方向に変移される。そのため、半導体装置700の形状が凸反り形状である場合は、第2の温度として、第1の温度よりも高い温度を選択する。なお、具体的な第2の温度の値は、反りの量に応じて、例えば反りの量が90μm~-30μmの範囲にするように調整される。以上が図2のS3の詳細である。次に、図2のS4の詳細について説明する。S4ではS1と同様の手順で量産品第2の成型品としての半導体装置700を製造する。具体的な製造方法はS1と同様であるが、封止体401を熱硬化させる際の加熱温度を第2の温度としている点のみ異なる。なお、前述のように、封止体401を硬化させる際には、モールド成型時と、アフターキュア時の2回、封止体401を加熱するが、S2で測定した反り量と、要求値許容される反り量との差が小さい場合には、アフターキュアのみ第2の温度で封止樹脂307を熱硬化させモールド成型時は第1の温度、反り量と、要求値との差が中程度の場合には、モールド成形のみ第2の温度で封止樹脂307を熱硬化させアフターキュア時は第1の温度、反り量と、要求値との差が大きい場合には、モールド成形とアフターキュアの両方で第2の温度で封止樹脂307を熱硬化させることで、反り量を調整してもよい。以上が図2のS4の詳細である。このように、第1の実施形態によれば、配線基板100上に半導体チップ109を搭載し、半導体チップ109を封止体401で覆い、第1の温度で熱硬化して試作品を製造し、試作品の反りの向きと量から第2の温度を選定し、量産品の封止体401を第2の温度で熱硬化して製造している。そのため、配線基板100や封止体401の材料を変えることなく、反りを調整でき、半導体装置の反り調整期間を短縮できる。また封止樹脂307の品種数を削減することができ、製造工程での合理化効率化を図ることができる。さらに、半導体装置の反りを低減することで、半導体装置の二次実装の接続性信頼性を向上させることができる。次に、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図22~24を参照して説明する。第2の実施形態は、第1の実施形態と異なり、試作品の反りを元に第2の温度を設定するのではなく、量産品のモールド成型時の反りを元に第2の温度を設定し、第2の温度で当該量産品にアフターキュアを行って反りを抑制するものである即ち、第1の成型品と第2の成型品が同一。なお、第2の実施形態において、第1の実施形態と同様の機能を果たす要素については同一の番号を付し、主に第1の実施形態と異なる部分について説明する。まず、半導体装置700を途中まで製造する図22のS11。ここでは、樹脂封止の前図6の状態の状態まで製造する。次に、半導体チップ109を封止体401で覆い、モールド成型して第1の成型品を製造する図22のS12。次に、第1の成型品ここでは図23、24のような状態を示すを上下いずれかの面が露出するように適当な検査ステージに載置し、レーザー変位計を用いて、当該露出面の複数箇所での高さを測定することで、対角線上の凹凸量を算出し、第1の成型品の反りの向きと反りの量を確認する図22のS13。この際、第1の成型品が凹反りであれば図23に示すような形状となり、凸反りであれば、図24に示すような形状となる。次に、S13で測定した反りを元に、反りの量の減少する好ましくは0になるような温度第2の温度を選定する図22のS14。なお、具体的な選定方法は第1の実施形態と同様である。次に、第1の成型品を第2の温度でアフターキュアし、封止体401を完全に硬化させる図22のS15。この際、封止体401の熱硬化時の温度は第2の温度で行う。最後に、第1の成型品の状態からさらに製造を進行させ図13~図16参照、半導体装置700第2の成型品が完成する。このように、第2の実施形態によれば、配線基板100上に半導体チップ109を搭載し、半導体チップ109を封止体401で覆い、第1の温度で熱硬化し、反りの向きと量から第2の温度を選定し、封止体401を第2の温度で熱硬化して製造している。従って、第1の実施形態と同様の効果を奏する。また、第2の実施形態によれば、同一の製品について、まず第1の温度でモールド成型を行い、モールド成型時の反りから第2の温度を選定し、第2の温度でアフターキュアを行っている。そのため、第2の温度を選定するための試作品の製造が不要であり、また、量産工程において、反りの量を随時調整できるため、フレキシブルに反りを調整できる。