半導体素子と、当該半導体素子に設けられる応力緩衝部材と、を備える半導体モジュールであって、前記応力緩衝部材の主面であって、前記半導体素子と接触する面には複数の溝が形成され、前記複数の溝は、前記半導体素子の側端からの距離が近い溝ほど深く形成されることを特徴とする半導体モジュール。半導体素子と、当該半導体素子に設けられる応力緩衝部材と、を備える半導体モジュールであって、前記応力緩衝部材の主面であって、前記半導体素子と接触する面には複数の溝が形成され、前記複数の溝の幅は、前記半導体素子の側端からの距離が近い溝ほど広く形成されることを特徴とする半導体モジュール。前記溝には、前記応力緩衝部材より熱伝導が高い材料からなる充填材が充填されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体モジュール。前記充填材の熱伝導率は、20W/mK以上であることを特徴とする請求項3に記載の半導体モジュール。前記充填材は、グラファイトシートであり、前記グラファイトシートのグラファイト層と前記溝とが略平行になるように前記グラファイトシートが前記溝に嵌入されることを特徴とする請求項3に記載の半導体モジュール。前記溝は、前記半導体素子の外周形状に沿って形成される溝が同心状に複数形成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体モジュール。前記半導体素子を挟装するように、前記応力緩衝部材を1対設け、前記応力緩衝部材の前記半導体素子が設けられる面は、当該応力緩衝部材と前記半導体素子との接触面よりも大きく、前記1対の応力緩衝部材の前記半導体素子が設けられる面であって、前記半導体素子と接触していない面には溝が形成され、前記1対の応力緩衝部材の前記半導体素子と接触していない面に形成されたそれぞれの溝に絶縁部材を嵌挿して、前記絶縁部材を前記応力緩衝部材間に設けることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体モジュール。前記絶縁部材は、窒化ホウ素、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムを含有する焼結体であることを特徴とする請求項7に記載の半導体モジュール。半導体素子に設けられる応力緩衝部材であって、前記応力緩衝部材の主面であって、前記半導体素子と接触する面には複数の溝が形成され、前記複数の溝は、前記半導体素子の側端からの距離が近い溝ほど深く形成されることを特徴とする応力緩衝部材。半導体素子に設けられる応力緩衝部材であって、前記応力緩衝部材の主面であって、前記半導体素子と接触する面には複数の溝が形成され、前記複数の溝の幅は、前記半導体素子の側端からの距離が近いほど広く形成されることを特徴とする応力緩衝部材。前記溝には、前記応力緩衝部材より熱伝導が高い材料からなる充填材が充填されることを特徴とする請求項9または請求項10に記載の応力緩衝部材。半導体モジュールを構成する各部材半導体素子や電極端子等を圧接により接続する半導体モジュールにおいて、温度サイクルやパワーサイクルにおける動作信頼性の向上が求められている。圧接により半導体素子や電極端子等を電気的に接続する半導体モジュールの信頼性を高めるには、半導体モジュールを構成する部材同士の接触面全体に対してできるだけ均一な接触圧力を確保する必要がある。なぜなら、接触圧が低い箇所は電気伝導度が低下し、その結果良好な接触が保たれている箇所に電流が集中し、また通電によるジュール発熱を放熱するパスも狭くなり、特定の部材が局所的に温度上昇する結果となる場合があるからである。特定の部材が局所的に温度上昇すると、局所的に部材が熱膨張して、複雑な形状に熱変形し、部材間の接触面において均一な接触圧を維持することが困難になるおそれがある。このような場合、局所的に応力が集中して半導体モジュールの信頼性が低下する要因になるおそれがある。上記課題を解決する本発明の半導体モジュール及びこの半導体モジュールに備えられる応力緩衝部材は、応力緩衝部材の半導体素子が設けられる面に複数の溝を形成したことを特徴としている。すなわち、本発明の半導体モジュールは、半導体素子と、当該半導体素子に設けられる応力緩衝部材と、を備える半導体モジュールであって、前記応力緩衝部材の主面であって、前記半導体素子と接触する面には複数の溝が形成され、前記複数の溝は、前記半導体素子の側端からの距離が近い溝ほど深く形成されることを特徴としている。また、本発明の半導体モジュールは、半導体素子と、当該半導体素子に設けられる応力緩衝部材と、を備える半導体モジュールであって、前記応力緩衝部材の主面であって、前記半導体素子と接触する面には複数の溝が形成され、前記複数の溝の幅は、前記半導体素子の側端からの距離が近い溝ほど広く形成されることを特徴としている。また、本発明の半導体モジュールは、上記の半導体モジュールにおいて、前記溝には、前記応力緩衝部材より熱伝導が高い材料からなる充填材が充填されることを特徴としている。また、本発明の半導体モジュールは、上記の半導体モジュールにおいて、前記充填材の熱伝導率が、20W/mK以上であることを特徴としている。また、本発明の半導体モジュールは、上記の半導体モジュールにおいて、前記充填材が、グラファイトシートであり、前記グラファイトシートのグラファイト層と前記溝とが略平行になるように前記グラファイトシートが前記溝に嵌入されることを特徴としている。また、本発明の半導体モジュールは、上記の半導体モジュールにおいて、前記溝は、前記半導体素子の外周形状に沿って形成される溝が同心状に複数形成されることを特徴としている。また、本発明の半導体モジュールは、上記の半導体モジュールにおいて、前記半導体素子を挟装するように、前記応力緩衝部材を1対設け、前記応力緩衝部材の前記半導体素子が設けられる面は、当該応力緩衝部材と前記半導体素子との接触面よりも大きく、前記1対の応力緩衝部材の前記半導体素子が設けられる面であって、前記半導体素子と接触していない面には溝が形成され、前記1対の応力緩衝部材の前記半導体素子と接触していない面に形成されたそれぞれの溝に絶縁部材を嵌挿して、前記絶縁部材を前記応力緩衝部材間に設けることを特徴としている。また、本発明の半導体モジュールは、上記の半導体モジュールにおいて、前記絶縁部材が、窒化ホウ素、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムのいずれかを含有する焼結体であることを特徴としている。また、本発明の応力緩衝部材は、半導体素子に設けられる応力緩衝部材であって、前記応力緩衝部材の主面であって、前記半導体素子と接触する面には複数の溝が形成され、前記複数の溝は、前記半導体素子の側端からの距離が近い溝ほど深く形成されることを特徴としている。また、本発明の応力緩衝部材は、半導体素子に設けられる応力緩衝部材であって、前記応力緩衝部材の主面であって、前記半導体素子と接触する面には複数の溝が形成され、前記複数の溝の幅は、前記半導体素子の側端からの距離が近いほど広く形成されることを特徴としている。また、本発明の応力緩衝部材は、上記応力緩衝部材において、前記溝には、前記応力緩衝部材より熱伝導が高い材料からなる充填材が充填されることを特徴としている。以上の発明によれば、半導体モジュールの信頼性の向上に貢献することができる。図面を参照して、本発明の実施形態に係る半導体モジュール及び本発明の実施形態に係る応力緩衝部材について詳細に説明する。実施形態1図1に示すように、本発明の実施形態1に係る半導体モジュール1は、半導体素子2と、この半導体素子2の電極層図示省略と接続されるコンタクト材3、3応力緩衝部材と、半導体素子2の電極層と電気的に接続される電極端子4、4とを備える。半導体素子2は、例えば、IGBTやMOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor:金属酸化物半導体電界効果トランジスタ等の絶縁ゲート型の半導体素子2やフリーホイールダイオードFWD等の半導体素子2が挙げられる。例えば、半導体素子2をIGBT素子として説明すると、半導体素子2には、図示省略するが、上面にエミッタ、ゲート制御電極が形成され、底面にコレクタが形成される。半導体素子2のエミッタ、コレクタ以後、電極層とするには、コンタクト材3を介して電極端子4が電気的に接続される。なお、実施形態の説明では、便宜上、上面及び底面とするが上下方向は、本発明をなんら限定するものではない。また、ゲート制御電極と制御回路との接続については、従来の接続方法を用いればよいので図示省略する。コンタクト材3は、例えば、平板状であり、熱伝導率ができるだけ高く例えば、熱伝導率100W/mK以上、熱膨張係数はできるだけ半導体素子2に近い材料例えば10ppm/°C以下を適宜選択して用いる。コンタクト材3としては、熱膨張係数が5ppm/°C程度であるモリブデンMoやタングステンW、若しくはそのいずれかの成分と銅CuまたはアルミニウムAlを含む合金を例示することができる。なお、コンタクト材3の材質は、これらに限定するものではなく、一般的に半導体モジュールのコンタクト材として用いられる銅合金等を適宜選択して用いる。コンタクト材3を構成する低熱膨張材料は、一般的にヤング率が大きい300GPa以上。コンタクト材3を構成する材料がヤング率の大きい材料であった場合、コンタクト材3と半導体素子2との接触面において、応力が蓄積しやすい。特に、半導体素子2周辺部やコンタクト材3周辺部に応力が集中しやすい。そこで、図2に示すように、本発明の実施形態1に係る半導体モジュール1では、半導体素子2と接するコンタクト材3の表面に溝3a~3dを形成した。図2aに示すように、コンタクト材3の半導体素子2すなわち、半導体素子2の電極層2aと接する面に形成される溝3a~3cは、半導体素子2の角部2b周辺部からの距離が近い位置に形成される溝ほど深い溝が形成される。例えば、コンタクト材3の表面には、図2bに示すように、半導体素子2の外周に沿うように形成された複数の溝3a~3dが同心状に形成される。つまり、コンタクト材3の主面であって半導体素子2が設けられる面には、半導体素子2の外周に沿った溝3a~3dが2重以上形成される。なお、コンタクト材3の半導体素子2と接する面に形成される溝3a~3cの幅を、半導体素子2の角部2bの近傍に形成される溝ほど広くしてもよい。コンタクト材3の主面に形成される溝3a~3dの上面からみた形状は、上記実施形態のように半導体素子2の外周形状に沿って形成する形態に限定されるものではなく、円、楕円、矩形、コンタクト材3の外周形状に沿って形成する等適宜選択して形成すればよい。また、溝3a~3dの断面形状も図2aに例示した矩形に限定されるものではく、三角形状、半楕円状でもよい。また、溝3a~3dの配置形態も特に限定するものではなく、適宜半導体素子2の角部2bにかかる応力が低減するように配置すればよい。コンタクト材3の半導体素子2が接触する面の中心点に対して対称となるように溝3a~3dを形成すると、コンタクト材3が半導体素子2を押圧する圧力が略均一になる。さらに、コンタクト材3の半導体素子2が設けられる面であって、半導体素子2と接触しない面に溝3dを形成してもよい。このような溝3dを設ける場合は、溝の幅、溝の深さ等は、コンタクト材3の中心部付近に形成された溝3a~3cと比較して、溝の幅や深さは、小さく形成してもよい。つまり、コンタクト材3の半導体素子2と接している面に形成された溝3a~3cにおいて、半導体素子2の角部2bからの距離が最も近い位置に形成された溝3aの溝幅若しくは、溝の深さが最大となるように溝を形成する。図1に示すように、本発明の実施形態1に係る半導体モジュール1は、コンタクト材3、3を介して1対の電極端子4、4が半導体素子2を挟持し、この半導体素子2を挟持した電極端子4、4が、絶縁材5、5を介してケース6、6に収納されることにより構成される。ケース6は、コンタクト材3及び電極端子4を半導体素子2方向に押圧するように備えられる。そして、電極端子4及び、コンタクト材3が半導体素子2を押圧する力が所定の圧力となるように、ケース6、6間にばね7、7等の弾性部材が設けられる。なお、ケース6はヒートシンクを兼ねる場合があり、その場合には、半導体素子2で発生した熱はコンタクト材3及び電極端子4を介してケース6により放熱される。図1に示した半導体モジュール1は、押圧により半導体素子2と電極端子4とを電気的に接続する半導体モジュール1の一般的な構造を例示したものである。よって、本発明の半導体モジュール1の圧接方法は、この圧接方法に限定するものではなく、周知の方法を適宜選択して用いればよい。そして、電極端子4についても、一般的に半導体モジュールに設けられる電極端子を適宜選択して用いればよい。また、コンタクト材3と電極端子4が一体に形成された形態としてもよい。本発明の実施形態1に係る半導体モジュール1は、コンタクト材3が半導体素子2を押圧して備えられているので、この押圧により半導体素子2に応力がかかる。そこで、半導体素子2にかかる応力を、図3、図4に例示する。図3に示すように、半導体素子2において、半導体素子2の角部2bチップエッジに応力が集中する傾向がある。コンタクト材3に溝を形成しない場合図3の1に示すと比較して、コンタクト材3の半導体素子2と接触する面に半導体素子2の外周に沿うような溝を1周形成した場合図3の2に示す、半導体素子2の角部2bにかかる応力が低減されている。さらに、コンタクト材3の半導体素子2と接触する面に半導体素子2の外周に沿うような溝を2周形成した場合図3の3に示す、図3の2で示した場合と比較してさらに半導体素子2の角部2bにかかる応力が低下されていることがわかる。同様に、図4から明らかであるように、コンタクト材3に、図2に例示した溝3a~3dを形成することで図4のbに示す、コンタクト材に溝を形成しない場合図4のaに示すと比較して、半導体素子2の角部2bにかかる応力が緩和される。特に、コンタクト材に溝を形成しない場合において、半導体素子2の4隅にみられる応力集中部が、コンタクト材3に溝3a~3dを形成することで消失している。以上のように、本発明の実施形態1に係るコンタクト材3によれば、半導体素子2の角部2bに集中する応力を緩和することができる。このコンタクト材3は半導体素子2と接触する範囲において、コンタクト材2の外周側ほどコンタクト材3の代表的な径肉厚が薄くなるように溝3a~3cの深さが形成されている。その結果、コンタクト材3は、コンタクト材3にかかる一定の力に対し変形しやすくなる。また、コンタクト材3に溝3a~3cを設けることで、半導体素子2の最外周近傍の位置において、半導体素子2とコンタクト材3との接触領域を制限し、両者の界面に係る応力を低減することができる。また、コンタクト材3の半導体素子2と接する面に形成される溝3a~3cの幅を、半導体素子2の角部2bからの距離が近い溝ほど広く形成することで、コンタクト材3の外周側にいくほどコンタクト材3と半導体素子2の水平方向の連続した接触距離が短くなる。その結果、コンタクト材3の実効的なヤング率が低下するので、半導体素子2の中央部と比較して半導体素子2の角部2bに集中しやすい応力を緩和することができる。半導体素子2の角部2bを除き、半導体素子2にかかる半導体素子2の主面に対して水平方向の応力は、コンタクト材3と半導体素子2の熱膨張係数の差に比例する。本発明の実施形態1に係るコンタクト材3は、コンタクト材3の材質を変化させることなく実効的なヤング率を低減している。よって、コンタクト材3と半導体素子2の接触面での応力接触面と水平方向の応力は、従来のように低減させることができ、さらに、実効的なヤング率を低減させることでコンタクト材3が圧接方向の応力を緩和する役目を担う。その結果、半導体素子2にかかる応力をさらに低減することができる。また、コンタクト材3に溝3a~3dを形成することで、コンタクト材3において、コンタクト材3の主面と平行方向の熱の伝導を抑制し、コンタクト材3の厚み方向に熱が伝わるようになる。さらに、コンタクト材3において、半導体素子2の中央部近傍と接するコンタクト材3に溝を形成しないため、コンタクト材3中央部ではコンタクト材3の厚み方向において高い放熱性を維持できる。半導体素子2の周辺部は、放電や電流集中が起きないよう、またスイッチングデバイスではゲート端子を取り出すための領域が半導体素子2の周辺部にあるため、半導体素子2においては、通電領域は半導体素子2の中央部側が主となるように設計されている。よって、半導体素子2中央側の温度が周辺と比較して上がり易い。ゆえに、コンタクト材3の構造を、コンタクト材3の厚み方向に熱伝導するような構造とすることで、半導体素子2の放熱を効率よく行うことが可能となる。なお、本発明の実施形態1に係るコンタクト材3は、コンタクト材3の半導体素子2が設けられる面に溝3a~3dを形成する加工を行うだけなので、製造に大幅な手間がかからない。さらに、コンタクト材3に溝3a~3dを形成することで、コンタクト材3の材料費を低減することができる。なお、コンタクト材3にモリブデンやタングステン等の硬い材料を用いず、安価で加工しやすい材料を用い、半導体素子2周辺部と接触するコンタクト材3の表面に溝形成加工を行うと、さらに製造の手間がかからず、材料コストを低減させることができる。以上のように、本発明の実施形態1に係る半導体モジュール1によれば、コンタクト材3を備えることで、半導体素子2とコンタクト材3との界面において、半導体素子の角部2b近傍にかかる応力を軽減することができる。その結果、半導体モジュール1の放熱性を落とすことなく半導体素子2にかかる応力を略均一にでき、半導体モジュール1の信頼性を向上させることができる。つまり、圧接型半導体モジュール1を構成する部材の点数を増やすことなく、圧接型半導体モジュール1の放熱性及び信頼性を向上部材間の応力緩和させることができる。圧接により半導体素子や電極端子等を接続する半導体モジュールは、はんだを使わないため放熱性が低下するおそれがあるが、本発明の実施形態1に係る半導体モジュール1によれば、放熱性を高く維持するために部材間の接触圧力を一定圧力例えば、1MPa以上としても、半導体素子2にかかる応力を略均一にすることができる。また、本発明の実施形態1に係る半導体モジュール1によれば、半導体素子2表裏面において適切な接触圧を維持することができるので、半導体素子2への圧接力が過大になることを防止し、コンタクト材3が半導体素子2表面に蒸着等により膜付けされたアルミニウム等の電極層2a表面を傷つけることを防止する。また、本発明の実施形態1に係る半導体モジュール1において、コンタクト材3を半導体素子2を構成する材料の熱膨張係数と近い材質のものを用いると、熱膨張係数の異なる部材間の接触領域でのせん断応力の蓄積を防止する。さらに、コンタクト材3がクリープ上下面の部材の反り、部材間の界面に発生する応力を緩和する材料として作用することで、部材間における接触面の上下の反り歪み量が異なる場合においても、部材間の接触状態の変化を緩和することができる。なお、半導体素子2を挟み込むコンタクト材3の大きさは、大きいほど半導体モジュール1の放熱性が向上するので大きい設計とした方がよい。一方で、コンタクト材3の大きさが半導体素子2の大きさに比べて大きい場合、半導体素子2の角部2bに強い応力がかかる。本発明の実施形態1に係るコンタクト材3は、半導体素子2の角部2bにかかる応力を低減できるので、コンタクト材3を大きく設計することができる。その結果、半導体モジュール1の放熱性が向上し、半導体モジュール1の動作信頼性が向上する。実施形態2本発明の実施形態2に係る半導体モジュールについて図5を参照して詳細に説明する。本発明の実施形態2に係る半導体モジュール10は、半導体モジュール10に備えられるコンタクト材8応力緩衝部材が異なること以外は、図1で示した実施形態1に係る半導体モジュール1と同じである。よって、実施形態2に係る半導体モジュール10については、コンタクト材8についてのみ詳細に説明する。なお、その他の構成については、図1を例示して説明した実施形態1に係る半導体モジュール1と同じであるので図示省略する。図5に示すように、本発明の実施形態2に係る半導体モジュール10に備えられるコンタクト材8は、コンタクト材本体8eの半導体素子2が設けられる面に溝8a~8dが形成され、この溝8a~8dにコンタクト材本体8eを構成する材料より熱伝導が大きい充填材9が充填される。コンタクト材本体8eは、例えば、実施形態1で説明したコンタクト材3と同様のものを用いる。なお、コンタクト材本体8eに形成される溝8a~8dは、図5に示した例に限定されるものではなく、適宜コンタクト材8の放熱性と半導体素子2にかかる応力を考慮して各々の溝8a~8dの深さを決める。つまり、溝8a~8dの深さが深い方が、コンタクト材8の厚み方向の放熱性が向上するので、コンタクト材8の中心部付近に形成される溝8cを深く形成し、この溝8cに熱伝導性の高い充填材9を充填することで、厚み方向の放熱性をより向上させることができる。一方で、実施形態1で述べたように、半導体素子2の端部2bにかかる応力を低減するためには、半導体素子2の角部2bに形成される溝8aほど深く形成することが求められる。よって、コンタクト材8の厚み方向の放熱性と、半導体素子2の角部2bにかかる応力とのバランスを考えて、コンタクト材8の溝8a~8dの深さを決める。充填材9は、コンタクト材本体8eに形成された溝8a~8dに充填される。充填材9は、コンタクト材8を構成する材料より熱伝導が大きい材料から構成される。例えば、グラファイトシートが挙げられる。グラファイトシートは、低熱膨張、高熱伝導、低ヤング率のシート材であり、近年、はんだを用いるタイプの半導体モジュールにおいて、このグラファイトシートをはんだの代わりの応力変位緩和層として用いる試みが行われている。しかしながら、圧接により半導体素子の電極層と電極端子とを電気的に接続する半導体モジュールにおいては、半導体素子を均等に圧接するため、または、半導体素子の温度を必要以上に高くしないために、半導体モジュール内で用いる部材点数は特に圧接方向にできるだけ減らした方がよい。つまり、半導体モジュールを構成する部材間の界面の数が多いほど、界面での接触熱、電気抵抗など、信頼性を損なう可能性がある要因が増大してしまう。実施形態2に係る半導体モジュール10では、肉厚1mm程度以下で柔軟性を有するグラファイトシート9を用いた例を示して説明する。実施形態2に係るコンタクト材8は、図5に示すように、コンタクト材本体8eに、半導体素子2の外周形状に沿って溝8a~8dが形成される。そして、この溝8a~8dの形状、幅に合わせて形成されたグラファイトシート9が嵌挿される。特に、グラファイトシート9の平面方向がコンタクト材8の溝8a~8d深さ方向となるように、グラファイトシート9が溝8a~8dに嵌挿される。すなわち、グラファイトシート9の厚み方向が溝8a~8dの幅方向となるように、グラファイトシート9が溝8a~8dに嵌挿される。グラファイトシート9は、層状の化合物であるグラファイトから構成される。そこで、本発明の実施形態の説明では、グラファイト層の積層方向を厚み方向、グラファイト層の層に対して平行な方向を平面方向とする。グラファイトシート9は、平面方向の熱伝導率が厚み方向に比べて2桁程度熱伝導率が高いことが知られている代表的な熱伝導率は、グラファイトシート9の場合、平面方向:400W/mK、厚み方向:4W/mK。そこで、グラファイトシート9の平面方向がコンタクト材本体8eに形成された溝8a~8dの深さ方向と略平行となるようにグラファイトシート9を溝8a~8dに充填する。その結果、半導体素子2が発する熱をコンタクト材8の厚み方向に放熱する能力を高めることができる。なお、グラファイトシート9の平面方向における電気抵抗は金属並に低いので例えば、電気抵抗率:105Ωm以下、ジュール熱の低減にも寄与しうる。また、グラファイトシート9及びコンタクト材本体8eは、温度上昇と共に熱膨張するため、両部材が高温になればなるほど、熱膨張により、グラファイトシート9とコンタクト材本体8eとの接触がよくなりコンタクト材8の放熱性が向上する。すなわち、半導体モジュール10の内部温度が上昇するほど、コンタクト材8の放熱性が向上する。[実施例]実施形態2に係るコンタクト材8の具体的な実施例を示す。図5に示すように、Mo製のコンタクト材本体8eに半導体素子2の外周形状に沿った溝8a~8dを形成し、この溝8a~8dにグラファイトシート9を嵌挿して、コンタクト材8を構成した。溝8a~8dの深さは、半導体素子2と接触する面の最外周に形成される溝8aの深さを3mmとし、半導体素子2と接触する面の最内周に形成される溝8cの深さを1mm、その他の溝8b、8dの深さを2mmとした。そして、それぞれの溝8a~8dの幅は1mmとし、それぞれの溝8a~8dに厚さ1mmのグラファイトシート9を嵌挿した。上記構成からなるコンタクト材8の熱抵抗を測定すると、Mo製のコンタクト材本体に同様の溝を形成し、グラファイトシートを嵌挿しない場合と比較して、コンタクト材の上下面間の熱抵抗が30低下した。以上のように、本発明の実施形態2に係るコンタクト材8によれば、実施形態1のコンタクト材3の効果に加えて、コンタクト材8の厚み方向の放熱性を向上させることができる。よって、本発明の実施形態2に係るコンタクト材8を備えた半導体モジュール10の放熱性が向上する。なお、コンタクト材本体8eに形成された溝8a~8dすべてに充填材9を充填する必要はないが、すべての溝8a~8dに充填材9を充填すれば、コンタクト材8の厚み方向に対して高い放熱性を得ることができる。なお、半導体素子2の外周部と接するコンタクト材8の表面近傍に、半導体素子2の外周に沿って溝8aを形成し、この溝8aにヤング率の低い充填材9を充填することで、充填材9が半導体素子2の押圧方向にかかる応力を緩和する役目を担い、半導体素子2にかかる応力を低下させることができる。実施形態3本発明の実施形態3に係る半導体モジュールについて図6を参照して詳細に説明する。本発明の実施形態3に係る半導体モジュール11は、半導体モジュール11に半導体素子2を挟装して備えられる1対のコンタクト材8、8応力緩衝部材間に絶縁部材12を設けること以外は、実施形態2に係る半導体モジュール10と同様である。よって、実施形態3に係る半導体モジュール11については、絶縁部材12が設けられる部分のみ詳細に説明し、実施形態2と同様のものについては同じ符号を付しその詳細な説明は省略する。また、半導体モジュール11のその他の構成については、図1を例示して説明した実施形態1に係る半導体モジュール1と同じであるので図示省略する。なお、実施形態3に係る半導体モジュール11の他例として、実施形態1に係る半導体モジュール1において、1対のコンタクト材3、3間に絶縁部材12を設ける形態としてもよい。図6に示すように、本発明の実施形態3に係る半導体モジュール11には、1対のコンタクト材8、8が半導体素子2を挟装した状態で備えられる。コンタクト材8は、半導体素子2の外周形状に沿って溝8a~8dが形成されたコンタクト材本体8eと、この溝8a~8dのうち半導体素子2と接触する面に形成された溝8a~8cに充填されたグラファイトシート9充填材より構成される。半導体素子2が設けられるコンタクト材8の主面であって半導体素子2と接していない面に形成される溝8dは、各コンタクト材8、8に対して対となるように設けられる。そして、それぞれの溝8d、8dに半導体素子2を囲むように板状の絶縁部材12を嵌入することで、コンタクト材8、8間に絶縁部材12が設けられる。絶縁部材12は、例えば、溝8d、8dと嵌合する嵌合部が形成された板状の部材である。この絶縁部材12として、高熱伝導性例えば、熱伝導率:20W/mK以上であり、高絶縁性例えば、抵抗率:1013Ωcm以上の部材を用いると、コンタクト材8、8間の絶縁性を維持するとともに半導体素子2の放熱性が向上する。絶縁部材12としては、例えば、窒化ホウ素BN、窒化アルミニウムAlN、あるいは酸化アルミニウムAl2O3粒子等を含有し、これらを焼結して得られるシート状の絶縁部材12が挙げられる。なお、絶縁部材12の形状は、実施形態に限定するものではなく、筒状、棒状等、コンタクト材8、8間に設けることができるものであればその形状は特に限定されるものではない。[実施例]本発明の実施形態3に係る半導体モジュール11の具体的な実施例を示す。図6に示すように、半導体素子2Si製サイズ7×7mmの周囲から1mm離れた位置に半導体素子2を囲むように肉厚2mmの酸化アルミニウムAl2O3製の絶縁部材12を配置した。コンタクト材8及び充填材9の形状等は、図5を参照して説明した実施形態2の半導体モジュール10と同様であるので、詳細な説明は省略する。このようにコンタクト材8、8間に絶縁部材12を配置することで、実施形態2の半導体モジュール10と比較して、半導体モジュール11の熱抵抗がさらに10低減した。以上のように、本発明の実施形態3に係る半導体モジュール11によれば、コンタクト材8、8の間に高熱伝導性の絶縁部材12を設けることで、実施形態1または実施形態2に係る半導体モジュール1、10の効果に加えて、さらに放熱性が向上する。また、各々のコンタクト材8、8に形成された溝8d、8dに絶縁部材12を設けることで、各コンタクト材8、8の相互の位置関係が固定されるため、半導体素子2の圧接方向と垂直な方向に過大な力が作用した場合でも、半導体モジュール11内でコンタクト材8の位置が変化する滑り移動することが防止される。さらに、半導体素子2の近傍若しくは半導体素子2と接するように絶縁部材12を設けると、絶縁部材12が半導体素子2の外部ガイドとなり、半導体素子2の圧接方向と垂直な方向に過大な力が作用した場合でも、半導体素子2の位置が変化する滑り移動することが防止される。なお、この絶縁部材12を多数配置することで、半導体素子2にかかる圧接方向の応力の一部をこの絶縁部材12が受け止め緩和することができ、半導体素子2の角部2bにかかる応力を軽減することができる。その結果、半導体素子2にかかる応力を均―化することができる。以上のように、本発明のコンタクト材及び半導体モジュールによれば、半導体素子にかかる応力を略均一化できる。また、コンタクト材の放熱性を向上させることができる。その結果、半導体モジュールの動作信頼性温度サイクル、パワーサイクル等の信頼性が向上する。特に、SiCやGaNのようなワイドバンドギャップ半導体素子のように高温での動作が期待される半導体素子を本発明に係る半導体モジュールに適用すると、温度サイクル、パワーサイクル等の信頼性が向上し、半導体モジュールの長寿命化を図ることができる。