半導体センサチップと、上記半導体センサチップを搭載するための半導体センサチップ搭載領域を有し、樹脂の射出成形物であるパッケージ本体とを備え、上記半導体センサチップが搭載された面と反対側の裏面に上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲むように溝が形成されたセンサパッケージであって、上記裏面には、上記溝の内側の樹脂部分と上記溝の外側の樹脂部分とを連結する連結部が形成されていることを特徴とするセンサパッケージ。上記連結部は、上記溝を構成する側壁同士を架橋する架橋部として形成されていることを特徴とする請求項1に記載のセンサパッケージ。上記溝は、上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む矩形形状に形成され、上記連結部は、上記矩形形状の各辺の溝に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のセンサパッケージ。上記連結部は、上記半導体センサチップ搭載領域の中央部分から、射出成形時の樹脂射出方向下流側に偏って形成されていることを特徴とする請求項1に記載のセンサパッケージ。上記連結部における上記溝の底面からの高さは、上記溝の深さよりも小さくなっていることを特徴とする請求項1に記載のセンサパッケージ。上記連結部は、上記溝の伸長方向の両端から中央部へ向かうに従い、上記溝の底面からの高さが大きくなるように形成されていることを特徴とする請求項1に記載のセンサパッケージ。上記溝は、上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む矩形形状に形成されているとともに、この矩形の角部から外側に延びていることを特徴とする請求項1に記載のセンサパッケージ。上記溝は、上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む矩形の角部を除く部分に形成されており、溝が形成されていない上記角部の樹脂部分が上記連結部を構成することを特徴とする請求項1に記載のセンサパッケージ。上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む矩形の4辺のうち少なくとも1辺には上記溝が形成されておらず、残りの辺に上記溝が形成され、上記溝が形成されていない辺の樹脂部分が上記連結部を構成することを特徴とする請求項1に記載のセンサパッケージ。上記溝は、上記パッケージ本体における上記半導体センサチップが搭載された底部を貫通するように形成されていることを特徴とする請求項1に記載のセンサパッケージ。上記溝は、上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む多重の矩形形状で形成されていることを特徴とする請求項1に記載のセンサパッケージ。上記多重の矩形形状の溝のうち少なくとも1つの矩形形状の溝は、上記半導体センサチップ搭載領域の真下に形成されていることを特徴とする請求項11に記載のセンサパッケージ。上記溝は、上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む渦形状に形成されており、上記渦の入口から出口までの樹脂部分が上記連結部を構成することを特徴とする請求項1に記載のセンサパッケージ。上記半導体センサチップは、ダイアフラム型のセンサチップであることを特徴とする請求項1に記載のセンサパッケージ。しかしながら、特許文献1~3に開示された従来技術には、以下の問題がある。まず、特許文献1に開示された技術では、応力緩和のために、半導体チップ101を実装する部分102の底面103を逆V字型に底上げし、樹脂モールドパッケージ100と実装基板との間に空間を設けている。このため、この空間の分だけ樹脂モールドパッケージ100の高さ寸法が高くなってしまう。それゆえ、特許文献1の構成では、応力を緩和し、かつパッケージを低背化することが困難である。また、半導体チップ101を実装する部分102の底面103を逆V字型としているので、樹脂モールドパッケージ100は実装基板と点接触することになる。それゆえ、樹脂モールドパッケージ100と実装基板との接続信頼性の低下や応力集中による樹脂モールドパッケージ100の破損のおそれがある。また、特許文献2に開示された技術では、半導体チップ201と反対側の面における溝204間にもBGAはんだボール203が形成されている。それゆえ、フリップチップBGAパッケージをマザーボードに部品実装するに際し、溝204間のBGAはんだボール203もマザーボードと接続することになる。このため、マザーボードからの応力がフリップチップBGA基板202における半導体チップ201の搭載領域に伝達するおそれがある。さらに、特許文献2のパッケージでは、半導体チップ201が実装される実装位置の裏面には、半導体チップ201の外形と同じか、または外側外周に沿って溝204が形成されている。同様に、特許文献3のセンサパッケージにおいても、半導体センサチップ301の4辺に沿って溝304が形成されている。このようにパッケージに半導体素子の搭載領域の4辺に沿って溝が形成された構造を射出成形する場合、射出成形が困難であるという問題がある。図18は、半導体素子の搭載領域の4辺に沿って溝が形成された構造を射出成形する場合に生じる問題を説明するための上面図である。一般的に、半導体素子の搭載領域の4辺に沿った溝を射出成形する場合、使用される金型は、4辺に沿った溝に対応する4つの凸部を有する。この4つの凸部により角柱筒が形成される。図18では、この角柱筒の内部に相当する部分を点線305aで示している。図18に示されるように、金型に方向Lに樹脂を流して4辺に沿った溝の構造を形成する場合、金型における角柱筒近傍の流路が狭いため、樹脂が溝4に相当する角柱筒の内部点線305aで囲まれた部分に流れにくくなる。それゆえ、射出成形によって形成したパッケージは、溝に囲まれた内側の部分に樹脂が十分充填されず、ショートモールドによる不良が発生する。よって、特許文献2及び3に開示された従来の実装パッケージの応力緩和構造では、射出成形が困難であるという問題がある。本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、射出成形が困難な溝を有する応力緩和構造に対し、応力緩和効果を保ちながら容易に射出成形できるセンサパッケージを提供することにある。本発明のセンサパッケージは、上記の課題を解決するために、半導体センサチップと、上記半導体センサチップを搭載する半導体センサチップ搭載領域を有し、樹脂の射出成形物であるパッケージ本体とを備え、上記半導体センサチップが搭載された面と反対側の裏面に上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲むように溝が形成されたセンサパッケージであって、上記裏面には、上記溝の内側の樹脂部分と上記溝の外側の樹脂部分とを連結する連結部が形成されていることを特徴としている。上記の構成によれば、上記半導体センサチップが搭載された面と反対側の裏面に上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲むように溝が形成されているので、センサパッケージが実装されるときに発生する外側からの応力は上記溝で緩和される。それゆえ、上記の構成によれば、センサパッケージ実装による半導体センサチップ搭載領域の変形が抑えられるので、半導体センサチップにかかる外力の影響を小さくすることできる。また、上記の構成によれば、上記裏面には、上記溝の内側の樹脂部分と上記溝の外側の樹脂部分とを連結する連結部が形成されているので、上記溝の構造の射出成形に用いられる金型は、上記連結部に対応する切欠部を有するものとなる。それゆえ、樹脂の射出成形時に、この切欠部が溝の内側の領域へ樹脂を流すための流入口の役割を果たし、溝の内側の領域に樹脂が流れ易くなり十分充填される。よって、上記の構成によれば、ショートモールドがないパッケージを実現することができる。以上より、上記の構成によれば、射出成形が困難な溝を有する応力緩和構造に対し、応力緩和効果を保ちながら容易に射出成形できるセンサパッケージを提供することが可能になる。本発明のセンサパッケージでは、上記連結部は、上記溝を構成する側壁同士を架橋する架橋部として形成されていてもよい。本発明のセンサパッケージでは、上記溝は、上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む矩形形状に形成され、上記連結部は、上記矩形形状の各辺の溝に形成されていることが好ましい。これにより、溝の構造の射出成形時に、溝の内側の領域に樹脂がより流れ易くなり、確実に樹脂を充填することができる。本発明のセンサパッケージでは、上記連結部は、上記半導体センサチップ搭載領域の中央部分から、射出成形時の樹脂射出方向下流側に偏って形成されていることが好ましい。射出成形において、樹脂を射出する圧力は、射出成形時の樹脂射出方向の下流であるほど不足し、ショートモールドが発生し易くなる。上記の構成によれば、上記連結部は、上記半導体センサチップ搭載領域の中央部分から、上記射出成形時の樹脂射出方向下流側に偏って形成されているので、射出成形時に十分な射出圧力を得ることができる。それゆえ、上記の構成によれば、確実にショートモールドを改善することができ、センサパッケージの射出成形の歩留まりを向上させることができる。本発明のセンサパッケージでは、上記連結部における上記溝の底面からの高さは、上記溝の深さよりも小さくなっていることが好ましい。これにより、応力緩和効果を向上させることができる。本発明のセンサパッケージでは、上記連結部は、上記溝の伸長方向の両端から中央部へ向かうに従い、上記溝の底面からの高さが大きくなるように形成されていることが好ましい。これにより、連結部の寸法を大きく確保することができる。上記溝の構造の射出成形に用いられる金型の切欠部は、上記連結部に対応して大きな寸法となる。それゆえ、上記溝の構造を射出成形により形成する場合、樹脂が溝の内側の領域へ流れやすくなる。よって、上記の構成によれば、より確実に、溝に囲まれた内側の領域に樹脂を充填することができる。本発明のセンサパッケージでは、上記溝は、上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む矩形形状に形成されているとともに、この矩形の角部から外側に延びていることが好ましい。上記の構成によれば、上記溝は、上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む矩形形状に形成されているとともに、この矩形の角部から外側に延びているので、矩形の角部で発生する応力が緩和される。よって、上記の構成によれば、センサパッケージ実装による半導体センサチップ搭載領域の変形が抑えられ、半導体センサチップの外力に対する耐性が増す。本発明のセンサパッケージでは、上記溝は、上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む矩形の角部を除く部分に形成されており、溝が形成されていない上記角部の樹脂部分が上記連結部を構成することが好ましい。上記の構成によれば、半導体センサチップ搭載領域を取り囲む矩形の4つの角部から4方向に樹脂を射出することで、さらに応力緩和効果が高い構造を実現することができる。本発明のセンサパッケージでは、上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む矩形の4辺のうち少なくとも1辺には上記溝が形成されておらず、残りの辺に上記溝が形成され、上記溝が形成されていない辺の樹脂部分が上記連結部を構成することが好ましい。これにより、、確実に、溝に囲まれた内側の領域に樹脂を充填することができ、射出成形がより容易になる。本発明のセンサパッケージでは、上記溝は、上記パッケージ本体における上記半導体センサチップが搭載された底部を貫通するように形成されていることが好ましい。これにより、、半導体センサチップ搭載領域がパッケージ本体から完全に切り離される。それゆえ、上記の構成によれば、半導体センサチップ搭載領域にかかる応力を低減することができる。本発明のセンサパッケージでは、上記溝は、上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む多重の矩形形状で形成されていることが好ましい。これにより、センサパッケージ実装時の外部応力に対する半導体センサチップ領域の変形を抑えることができる。本発明のセンサパッケージでは、上記多重の矩形形状の溝のうち少なくとも1つの矩形形状の溝は、上記半導体センサチップ搭載領域の真下に形成されていることが好ましい。これにより、これにより、半導体センサチップ搭載領域の下部に残留する応力を除去することができ、応力緩和効果が増大する。本発明のセンサパッケージでは、上記溝は、上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲む渦形状に形成されており、上記渦の入口から出口までの樹脂部分が上記連結部を構成することが好ましい。これにより、射出成形するに際し、半導体センサチップ搭載領域へ樹脂を流入するための流路を確保することができる。それゆえ、上記の構成によれば、確実に、溝に囲まれた内側の領域に樹脂を充填することができ、射出成形がより容易になる。本発明のセンサパッケージでは、上記半導体センサチップは、ダイアフラム型のセンサチップであることが好ましい。ダイアフラム型のセンサチップは、パッケージ実装時に発生する応力の影響を受け易いので、本発明のセンサパッケージへの格納に適したセンサチップである。本発明のセンサパッケージは、以上のように、半導体センサチップと、上記半導体センサチップを搭載するための半導体センサチップ搭載領域を有するパッケージ本体とを備え、樹脂の射出成形により、上記半導体センサチップと反対側の裏面に上記半導体センサチップ搭載領域を取り囲むように溝が形成されたセンサパッケージであって、上記裏面には、上記溝の内側の樹脂部分と上記溝の外側の樹脂部分とを連結する連結部が形成されている構成である。それゆえ、射出成形が困難な溝を有する応力緩和構造に対し、応力緩和効果を保ちながら容易に射出成形できるという効果を奏する。以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。センサパッケージの構成図1は、本実施形態のセンサパッケージ以下、本センサパッケージと記すの概略構成を示し、図1aは平面図であり、図1bは図1aにおけるAA線断面図であり、図1cは図1aにおけるBB線断面図であり、図1dは図1aにおけるCC線断面図である。本センサパッケージは、図1a~dに示されるように、半導体センサチップ1と、半導体センサチップ1を固定する半導体センサチップ搭載領域固定面2aを有するパッケージ本体2とを備えている。パッケージ本体2は、樹脂からなり、半導体センサチップ1の主表面側が開放された矩形箱形状になっている。このパッケージ本体2は、射出成形により成形される。なお、図1a~dには示されていないが、本センサパッケージは、パッケージ本体2の開口部分を閉塞する蓋部を備えている。また、パッケージ本体2の内底面には、半導体センサチップ1と電気接続する接続パッド3aが形成された端子台3が複数設けられている。端子台3の接続パッド3aは、ワイヤWと介して半導体センサチップ1と電気的に接続している。また、パッケージ本体2における半導体センサチップ1が搭載された面と反対側の裏面2bには、溝4が形成されている。溝4は、裏面2bにおいて、半導体センサチップ搭載領域2aを取り囲むように形成されている。この溝4は、本センサパッケージが基板に実装されるに際し、応力を緩和する応力緩和部として機能する。本センサパッケージが実装されるときに発生する外側からの応力は溝4で緩和される。換言すれば、本センサパッケージが実装されるときに発生するパッケージ本体2底部の歪みが半導体センサチップ搭載領域2aに伝達しにくくなる。それゆえ、センサパッケージ実装による半導体センサチップ搭載領域2aの変形が抑えられるので、半導体センサチップ1にかかる外力の影響を小さくすることできる。また、溝4には架橋部5が形成されている。この架橋部5は、溝4を構成する2つの側壁4a4bを架橋するように形成されている。そして、この架橋部5は、溝4により囲まれた内側の樹脂部分半導体センサチップ搭載領域2aを含む裏面2b側の樹脂部分と溝4の外側の樹脂部分とを連結する連結部となっている。このように架橋部5が形成された溝4の構造を射出成形により形成する場合、射出成形に用いる金型は、溝4に相当する角柱筒の側壁の一部に切欠部が設けられた構成になる。図1eは、図1dの断面構造に対応する金型の構造を示した断面図である。図1eに示されるように、金型6は、溝4に相当する角柱筒の側壁6aと、架橋部5に相当する切欠部6bとを有している。この切欠部6bは、溝4に相当する角柱筒の内部へ樹脂を流すための流入口の役割を果たす。本センサパッケージの効果について、図2を参照してさらに詳述する。図2は、本センサパッケージの効果を説明するための図であり、図2aは、パッケージ本体2の成形容易性を説明するための上面図であり、図2bは、応力緩和の効果を示すグラフである。なお、図2bは、溝4が形成されていないパッケージ本体2及び深さ0.1mmの溝4が形成されたパッケージ本体2について、半導体センサチップ搭載領域2aの変形を比較した結果を示す。図1eに示す金型を用いて、架橋部5が形成された溝4の構造を射出成形により形成する場合、架橋部5に相当する切欠部6bを介して、樹脂が溝4に相当する角柱筒の内側の領域に流れることになる図2aでは樹脂の流れをLで示している。このため、射出成形によって形成したパッケージ本体2は、溝4に囲まれた内側の領域に樹脂が流れ易くなり十分充填されるので、ショートモールドがないパッケージを実現することができる。また、図2bのグラフから、溝4を設けることにより、半導体センサチップ搭載領域2aの変形が有意に抑えられることがわかる。それゆえ、本センサパッケージによれば、本センサパッケージが実装されるときに発生する外側からの応力は溝4で緩和される。以上のように、本センサパッケージによれば、射出成形が困難な溝を有する応力緩和構造に対し、応力緩和効果を保ちながら容易に射出成形できるセンサパッケージを実現することができる。また、本センサパッケージによれば、溝4は、パッケージ本体2における半導体センサチップ1が搭載された面ではなく、反対側の裏面2bに形成されている。溝4がパッケージ本体2における半導体センサチップ1が搭載された面に形成されている場合、半導体センサチップ搭載領域2aの変形を抑えることができない。図3aは、溝4が半導体センサチップ1が搭載された面に形成されている構成、及び溝4が半導体センサチップ1が搭載された面と反対側の裏面に形成されている構成について、応力緩和効果を比較した結果を示すグラフである。図3に示されるように、溝4が半導体センサチップ1が搭載された面に形成されている構成IIIは、溝4を備えていない構成IIよりも応力緩和効果が小さく、半導体センサチップ搭載領域2aの変形しやくなっている。すなわち、構成IIIは、応力緩和効果の観点で逆効果である。それゆえ、溝4がパッケージ本体2における半導体センサチップ1が搭載された面に形成されている場合、半導体センサチップ搭載領域2aの変形を抑えることができない。一方、溝4が半導体センサチップ1が搭載された面と反対側の裏面に形成されている構成Iは、構成II及び構成IIIよりも有意に応力緩和効果が大きく、半導体センサチップ搭載領域2aの変形が抑えられている。次に、図3bを参照して、本センサパッケージを実装したときに生じる応力について、さらに詳細に説明する。図3bは、図3aおける構成I及びIIIのセンサパッケージについて、実装したときに生じる応力を説明するための模式図である。図3bに示されるように、センサパッケージを基板7に実装したとき、外力により発生する応力は、基板7とパッケージ本体2とのパッド接続部分であるパッケージ本体2の底面にかかる図3bの矢印参照。構成Iは、溝4が半導体センサチップ1が搭載された面と反対側の裏面すなわち底面に形成されている。このため、構成Iでは、半導体センサチップ1と反対側の裏面における溝4近傍の領域の剛性が、局所的に低くなっている変形し易くなっている。それゆえ、構成Iでは、底面にかかる応力が溝4で吸収されることになり、応力緩和効果が大きくなる。一方、構成IIIは、溝4が半導体センサチップ1が搭載された面に形成されているので、半導体センサチップ1と反対側の裏面における溝4近傍の領域の剛性が、局所的に高くなっている変形しにくくなっている。それゆえ、構成IIIでは、底面にかかる応力が溝4で吸収されず残留するため、応力を緩和することができない。以上より、溝4が半導体センサチップ1が搭載された面ではなく反対側の裏面2bに形成されていることにより、応力緩和効果が大きくなることがわかる。それゆえ、本センサパッケージによれば、半導体センサチップ搭載領域2aの変形を抑えることが可能になる。なお、本センサパッケージに格納される半導体センサチップ1は、図1b~dに示されるように、ダイアフラム1aを備えたダイアフラム型のセンサチップである。小型の圧力センサや振動センサ等では、圧力や振動を検出するためのダイアフラム半導体薄膜の感応領域1aを有している。このようなダイアフラム型のセンサチップは、パッケージ実装時に発生する応力の影響を受け易いので、本センサパッケージへの格納に適したセンサチップである。なお、半導体センサチップ1は、ダイアフラムを備えていればよく、圧力センサに限らず振動センサ、マイクロフォン、流量センサなどであってもよい。変形例1本センサパッケージの構成において、図1a~dに示す構成の変形例について説明する。図4は、この変形例1としてのセンサパッケージを示し、図4aは平面図であり、図4bは図4aにおけるAA線断面図であり、図4cは図4aにおけるBB線断面図であり、図4dは図4aにおけるCC線断面図である。なお、図4aでは、図面を簡潔化するため、半導体センサチップ1を省略している。図4a~dに示されるように、変形例のセンサパッケージでは、溝4に4つの架橋部5a~5dが形成されている。これら架橋部5a~5dはそれぞれ、半導体センサチップ搭載領域2aを取り囲む矩形状の溝4の各辺に形成されている。それゆえ、金型を用いて、4つの架橋部5a~5dを有する溝4の構造を射出成形により形成する場合、架橋部5a~5dに相当する4つの切欠部を介して、樹脂が溝4の内側部分へ流れることになる。このため、確実に、溝4に囲まれた内側の領域に樹脂を充填することができる。変形例2本センサパッケージの構成において、図1a~dに示す構成の他の変形例について説明する。図5は、この変形例2としてのセンサパッケージを示し、図5aは平面図であり、図5bは図5aにおけるAA線断面図であり、図5cは図5aにおけるBB線断面図であり、図5dは図5aにおけるCC線断面図である。なお、図5aでは、図面を簡潔化するため、半導体センサチップ1を省略している。図5a~dに示されるように、変形例2のセンサパッケージでは、裏面2bにおいて、架橋部5b5dは、半導体センサチップ搭載領域2aの中心線Xから樹脂流れ方向射出方向L下流側に偏って形成されている。射出成形において、樹脂を射出する圧力は、樹脂流れの方向射出成形時の樹脂射出方向の下流であるほど不足し、ショートモールドが発生し易くなる。変形例2のセンサパッケージでは、架橋部5b5dを射出する圧力が低くなる樹脂流れ方向射出方向L下流側に形成するので、射出成形時に十分な射出圧力を得ることができる。それゆえ、確実にショートモールドを改善することができる。その結果、センサパッケージの射出成形の歩留まりを向上させることができる。変形例3本センサパッケージの構成において、図1a~dに示す構成のさらに他の変形例について説明する。図6は、この変形例3としてのセンサパッケージを示し、図6aは平面図であり、図6bは図6aにおけるAA線断面図であり、図6cは図6aにおけるBB線断面図であり、図6dは図6aにおけるCC線断面図である。なお、図6aでは、図面を簡潔化するため、半導体センサチップ1を省略している。図6a~dに示されるように、変形例3のセンサパッケージでは、溝4に4つの架橋部5a~5dが形成されている。これら架橋部5a~5dにおける溝4の底面からの高さhは、溝4の深さdよりも小さくなっている。変形例3のセンサパッケージでは、架橋部5a~5dの高さhが溝4の深さdよりも小さいので、変形例1、2のセンサパッケージよりも成形容易性が劣る。その反面、変形例3のセンサパッケージは、変形例1、2のセンサパッケージよりも応力緩和効果が高い構成になっている。変形例4本センサパッケージの構成において、図1a~dに示す構成のさらに他の変形例について説明する。図7は、この変形例4としてのセンサパッケージを示し、図7aは平面図であり、図7bは図7aにおけるAA線断面図であり、図7cは図7aにおけるBB線断面図であり、図7dは図7aにおけるCC線断面図である。なお、図7aでは、図面を簡潔化するため、半導体センサチップ1を省略している。図7dに示されるように、変形例4のセンサパッケージにおける架橋部5eは、溝4の伸長方向の両端から中央部へ向かうに従い、溝4の底面からの高さhが大きくなるように形成されている。この架橋部4eは、半導体センサチップ搭載領域2aを取り囲む矩形状の溝4の各辺に形成されている。これにより、架橋部5eの寸法を大きく確保することができる。それゆえ、金型を用いて、架橋部5eを有する溝4の構造を射出成形により形成する場合、架橋部4eに相当する切欠部の寸法が大きくなるので、樹脂が溝4の内側部分へ流れやすくなる。よって、より確実に、溝4に囲まれた内側の領域に樹脂を充填することができる。なお、架橋部5eの形状は、溝4の伸長方向の両端から中央部へ向かうに従い高さhが大きくなる形状であれば、特に限定されない。架橋部5eの形状は、線形形状であっても、非線形形状であってもよい。変形例5本センサパッケージの構成において、図1a~dに示す構成のさらに他の変形例について説明する。図8は、この変形例5としてのセンサパッケージを示し、図8aは平面図であり、図8bは図8aにおけるAA線断面図であり、図8cは図8aにおけるBB線断面図であり、図8dは図8aにおけるCC線断面図である。なお、図8aでは、図面を簡潔化するため、半導体センサチップ1を省略している。変形例5のセンサパッケージでは、半導体センサチップ搭載領域2aを取り囲む溝4の形状が、変形例1~4と異なる。図8aに示されるように、溝4は、半導体センサチップ搭載領域2aを取り囲む矩形形状になっているとともに、矩形形状の角部から外側に延びる溝4cを有している。溝4が半導体センサチップ搭載領域2aを取り囲む矩形形状に形成されている場合、この矩形形状の角部に応力が集中するおそれがある。変形例5のセンサパッケージでは、矩形形状の角部に溝4cが形成されているので、矩形形状の角部で発生する応力が緩和される。よって、変形例5のセンサパッケージは、センサパッケージ実装による半導体センサチップ搭載領域2aの変形が抑えられ、半導体センサチップ1の外力に対する耐性が増す。変形例6本センサパッケージの構成において、図1a~dに示す構成のさらに他の変形例について説明する。図9は、この変形例6としてのセンサパッケージを示し、図9aは平面図であり、図9bは図9aにおけるAA線断面図であり、図9cは図9aにおけるBB線断面図であり、図9dは図9aにおけるCC線断面図であり、図9eは、射出成形時の樹脂の流れと樹脂成形物のヤング率との関係を模式的に示した模式図である。なお、図9aでは、図面を簡潔化するため、半導体センサチップ1を省略している。図9aに示されるように、溝4は、半導体センサチップ搭載領域2aを取り囲む矩形の角部を除く部分に形成されている。そして、溝4が形成されていない角部の樹脂部分5が、溝4により囲まれた内側の樹脂部分と溝4の外側の樹脂部分とを連結する連結部を構成している。金型を用いて変形例6のセンサパッケージを射出成形する場合、樹脂部分5に相当する構造物が内部へ樹脂を流すための流入口となる。一般的に、図9eに示されるように、射出成形により作製された樹脂成形物では、材料樹脂繊維の配向によって、樹脂の流れ方向射出方向Lのヤング率は、流れ方向に対し垂直な方向のヤング率よりも大きい特性がある。この特性を利用し、図9aに示されるように、半導体センサチップ搭載領域2aを取り囲む矩形の4つの角部から4方向に樹脂を射出することで、さらに応力緩和効果が高い構造を実現することができる。変形例7本センサパッケージの構成において、図1a~dに示す構成のさらに他の変形例について説明する。図10は、この変形例7としてのセンサパッケージを示し、図10aは平面図であり、図10bは図10aにおけるAA線断面図であり、図10cは図10aにおけるBB線断面図であり、図10dは図10aにおけるCC線断面図である。なお、図10aでは、図面を簡潔化するため、半導体センサチップ1を省略している。図10a~dに示されるように、変形例7のセンサパッケージでは、溝4は、半導体センサチップ搭載領域2aを取り囲む矩形における平行な2辺に形成されている。そして、溝4が形成されていない残りの2辺の樹脂部分5が、溝4により囲まれた内側の樹脂部分と溝4の外側の樹脂部分とを連結する連結部を構成している。また、半導体センサチップ搭載領域2aにおける溝4が形成されていない残りの2辺側には、半導体センサチップ1と電気接続する端子台3が設けられていない。このように半導体センサチップ搭載領域2aを取り囲む矩形の4辺のうち2辺に溝4を形成することにより、残りの2辺を射出成形時の樹脂の流入口として確保することができる。それゆえ、確実に、溝4に囲まれた内側の領域に樹脂を充填することができ、射出成形がより容易になる。なお、変形例7のセンサパッケージにおいて、溝4は、半導体センサチップ搭載領域2aを取り囲む矩形における少なくとも2辺に形成されていればよい。変形例8本センサパッケージの構成において、図1a~dに示す構成のさらに他の変形例について説明する。図11は、この変形例8としてのセンサパッケージの概略構成を示す断面図である。図11に示されるように、変形例8のセンサパッケージでは、溝4は、パッケージ本体2における半導体センサチップが搭載された底部を貫通するように形成されている。これにより、半導体センサチップ搭載領域2aがパッケージ本体2から完全に切り離される。それゆえ、半導体センサチップ搭載領域2aにかかる応力を低減することができる。なお、変形例8のセンサパッケージの構造は、図1a~dに示されるセンサパッケージ及び変形例1~7のセンサパッケージに適用可能である。変形例9本センサパッケージの構成において、図1a~dに示す構成のさらに他の変形例について説明する。図12は、この変形例9としてのセンサパッケージを示し、図12aは平面図であり、図12bは図12aにおけるAA線断面図であり、図12cは図12aにおけるBB線断面図であり、図12dは図12aにおけるCC線断面図である。なお、図12aでは、図面を簡潔化するため、半導体センサチップ1を省略している。図12a~dに示されるように、変形例9のセンサパッケージでは、溝4は、半導体センサチップ搭載領域2aを取り囲む2重の矩形形状で形成されている。これにより、センサパッケージ実装時の外部応力に対する半導体センサチップ搭載領域2aの変形を抑えることができる。また、架橋部5a~5dはそれぞれ、2重の矩形の各辺の溝4を構成する側壁を架橋する。これにより、射出成形が容易になる。変形例10本センサパッケージの構成において、図1a~dに示す構成のさらに他の変形例について説明する。図13は、この変形例10としてのセンサパッケージを示し、図13aは平面図であり、図13bは図13aにおけるAA線断面図であり、図13cは図13aにおけるBB線断面図であり、図13dは図13aにおけるCC線断面図である。なお、図13aでは、図面を簡潔化するため、半導体センサチップ1を省略している。図13a~dに示されるように、変形例10のセンサパッケージでは、溝4は、半導体センサチップ搭載領域2aを取り囲む渦形状に形成されている。そして、溝4により形成される渦の入口5aから出口5bまでの樹脂部分5が、溝4により囲まれた内側の樹脂部分と溝4の外側の樹脂部分とを連結する連結部を構成している。このように溝4を半導体センサチップ搭載領域2aを取り囲む渦形状に形成することにより、半導体センサチップ搭載領域2aへ樹脂を流入するための流路を確保することができる。それゆえ、確実に、溝4に囲まれた内側の部分半導体センサチップ搭載領域2aに樹脂を充填することができ、射出成形がより容易になる。変形例11本センサパッケージの構成において、図1a~dに示す構成のさらに他の変形例について説明する。図14は、この変形例11としてのセンサパッケージを示し、図14aは平面図であり、図14bは図14aにおけるAA線断面図であり、図14cは図14aにおけるBB線断面図であり、図14dは図14aにおけるCC線断面図である。なお、図14aでは、図面を簡潔化するため、半導体センサチップ1を省略している。図14a~dに示されるように、変形例11のセンサパッケージでは、溝4は、半導体センサチップ搭載領域2aを取り囲む2重の矩形形状で形成されている。そして、この2重の矩形形状のうち1つの矩形形状の溝4は、半導体センサチップ搭載領域2aの真下の領域に形成されている。これにより、半導体センサチップ搭載領域2aの下部に残留する応力を除去することができ、応力緩和効果が増大する。また、架橋部5a~5dはそれぞれ、2重の矩形の各辺の溝4を構成する側壁を架橋する。これにより、射出成形が容易になる。本発明は上述した各変形例に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる変形例にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。