半導体層上に設けられ、互いに並列に配置された複数のソースフィンガーと、前記半導体層上に設けられ、前記複数のソースフィンガーと交互に配置された複数のドレインフィンガーと、前記半導体層上に設けられ、前記ソースフィンガーと前記ドレインフィンガーとの間にそれぞれ配置された複数のゲートフィンガーと、前記複数のゲートフィンガー同士、前記複数のソースフィンガー同士、および前記複数のドレインフィンガー同士のいずれかを共通に接続するバスラインと、前記複数のソースフィンガー、前記複数のドレインフィンガー、および前記複数のゲートフィンガーのいずれかに設けられ、前記バスライン上を跨ぐ複数の第1エアブリッジと、前記複数の第1エアブリッジ同士の間を接続し、前記半導体層との間に空隙を有する第2エアブリッジと、を備えることを特徴とする半導体装置。前記第2エアブリッジは、第1エアブリッジの延在方向における中央部同士を接続してなることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記複数の第1エアブリッジのうち最も外側に位置する第1エアブリッジの外側に設けられた固定部と、前記固定部と前記最も外側に位置する第1エアブリッジとの間を接続する第3エアブリッジと、を備えることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。前記第3エアブリッジは、前記最も外側に位置する第1エアブリッジの中央部に接続されてなることを特徴とする請求項3記載の半導体装置。前記第1エアブリッジの厚さと幅の積に対する長さの比は、0.1~0.6であることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の半導体装置。前記複数の第1エアブリッジは、前記複数のソースフィンガーあるいは前記複数のドレインフィンガーのいずれかに設けられ、前記複数の第1エアブリッジが設けられた前記複数のソースフィンガーあるいは前記複数のドレインフィンガーは、前記半導体層の活性領域においては、オーミック電極上に下層配線層と上層配線層とを備えた構造を有し、前記複数の第1エアブリッジは、前記下層配線層と前記上層配線層のうち、前記上層配線層のみで形成され、前記複数のゲートフィンガー同士を接続するゲートバスラインは、ゲート配線層と前記下層配線層とで構成されてなることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項記載の半導体装置。前記複数の第1エアブリッジは、前記複数のソースフィンガーあるいは前記複数のドレインフィンガーのいずれかに設けられ、前記複数の第1エアブリッジが設けられた前記複数のソースフィンガーあるいは前記複数のドレインフィンガーは、前記半導体層の活性領域において、オーミック電極上に配線層を備えた構造を有し、前記第1エアブリッジは、前記配線層と同じ厚みを有することを特徴とする請求項1から5のいずれか一項記載の半導体装置。マルチフィンガー型構造の電界効果トランジスタでは、複数のソースフィンガーを共通に接続するソースバスライン、複数のドレインフィンガーを共通に接続するドレインバスライン、及び複数のゲートフィンガーを共通に接続するゲートバスラインを有する。このため、複数のゲートフィンガーを互いに並列に配置し、ゲートフィンガーを挟んで対向するようにソースフィンガーとドレインフィンガーとを配置させると、ソースフィンガー、ドレインフィンガー、及びゲートフィンガーのいずれかが、ソースバスライン、ドレインバスライン、及びゲートバスラインのいずれかと交差することになる。例えば特許文献1では、図1のように、ドレインフィンガーとソースバスラインとが交差している。特許文献1では、ドレインフィンガーとソースバスラインとが接触することを回避するために、ドレインフィンガーとソースバスラインとが交差する領域において、ドレインフィンガーにエアブリッジを設けている。しかしながら、特許文献1に開示された構造では、エアブリッジの強度が弱く、エアブリッジに外部から力が加わった場合に、エアブリッジが潰れてしまう場合がある。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、エアブリッジの強度を向上させることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。本発明は、半導体層上に設けられ、互いに並列に配置された複数のソースフィンガーと、前記半導体層上に設けられ、前記複数のソースフィンガーと交互に配置された複数のドレインフィンガーと、前記半導体層上に設けられ、前記ソースフィンガーと前記ドレインフィンガーとの間にそれぞれ配置された複数のゲートフィンガーと、前記複数のゲートフィンガー同士、前記複数のソースフィンガー同士、および前記複数のドレインフィンガー同士のいずれかを共通に接続するバスラインと、前記複数のソースフィンガー、前記複数のドレインフィンガー、および前記複数のゲートフィンガーのいずれかに設けられ、前記バスライン上を跨ぐ複数の第1エアブリッジと、前記複数の第1エアブリッジ同士の間を接続し、前記半導体層との間に空隙を有する第2エアブリッジと、を備えることを特徴とする半導体装置である。本発明によれば、第1エアブリッジに外部から力が加わった場合でも、加わった力が分散され易くなり、第1エアブリッジの強度を向上させることができる。上記構成において、前記第2エアブリッジは、第1エアブリッジの延在方向における中央部同士を接続してなる構成とすることができる。この構成によれば、第1エアブリッジは、その延在方向における中央部で最も強度が弱くなることから、この位置に第2エアブリッジを接続させることで、第1エアブリッジの強度をより向上させることができる。上記構成において、前記複数の第1エアブリッジのうち最も外側に位置する第1エアブリッジの外側に設けられた固定部と、前記固定部と前記最も外側に位置する第1エアブリッジとの間を接続する第3エアブリッジと、を備える構成とすることができる。この構成によれば、最も外側に位置する第1エアブリッジの強度を、それよりも内側に位置する第1エアブリッジの強度と同等に向上させることができ、複数の第1エアブリッジ全体の強度をより向上させることができる。上記構成において、前記第3エアブリッジは、前記最も外側に位置する第1エアブリッジの中央部に接続されてなる構成とすることができる。この構成によれば、最も外側に位置する第1エアブリッジの強度をより向上させることができる。上記構成において、前記第1エアブリッジの厚さと幅の積に対する長さの比は、0.1~0.6である構成とすることができる。この構成によれば、強度が弱くて潰れ易い第1エアブリッジの強度を向上させることができる。上記構成において、前記複数の第1エアブリッジは、前記複数のソースフィンガーあるいは前記複数のドレインフィンガーのいずれかに設けられ、前記複数の第1エアブリッジが設けられた前記複数のソースフィンガーあるいは前記複数のドレインフィンガーは、前記半導体層の活性領域においては、オーミック電極上に下層配線層と上層配線層とを備えた構造を有し、前記複数の第1エアブリッジは、前記下層配線層と前記上層配線層のうち、前記上層配線層のみで形成され、前記複数のゲートフィンガー同士を接続するゲートバスラインは、ゲート配線層と前記下層配線層とで構成されてなる構成とすることができる。例えばゲートバスラインがゲート配線層のみで構成される場合は、断面積が小さいため抵抗が大きくなるが、この構成によれば、ゲートバスラインがゲート配線層と下層配線層とで構成されるため、ゲートバスラインの断面積を大きくして、ゲートバスラインの抵抗を下げることができる。上記構成において、前記複数の第1エアブリッジは、前記複数のソースフィンガーあるいは前記複数のドレインフィンガーのいずれかに設けられ、前記複数の第1エアブリッジが設けられた前記複数のソースフィンガーあるいは前記複数のドレインフィンガーは、前記半導体層の活性領域において、オーミック電極上に配線層を備えた構造を有し、前記第1エアブリッジは、前記配線層と同じ厚みを有する構成とすることができる。この構成によれば、オーミック電極上に設けられた配線層と第1エアブリッジとを、同一プロセスで形成することができる。本発明によれば、エアブリッジに外部から力が加わった場合でも、加わった力が分散され易くなり、エアブリッジの強度を向上させることができる。以下、図面を参照して、本発明の実施例を説明する。図1は、実施例1に係る半導体装置の上面模式図の例である。図2は、図1の破線領域Rの拡大図である。なお、フィンガーの本数は図1で図示されている本数に限られる訳ではなく、複数本設けられていればよい。図1のように、実施例1に係る半導体装置は、例えばGaAs電子走行層とAlGaAs電子供給層とからなる半導体層上に、複数のソースフィンガー10、複数のドレインフィンガー12、及び複数のゲートフィンガー14が設けられている。複数のソースフィンガー10は、第1方向図1においては上下方向に延在するソースバスライン16に接続し、ソースバスライン16から第1方向と交差する方向である第2方向図1においては左右方向に延伸して、互いに並列に配置されている。複数のドレインフィンガー12は、ソースフィンガー10と交互に配置されるように、互いに並列に設けられている。複数のドレインフィンガー12は、第1方向に延在するドレインバスライン18に接続し、ドレインバスライン18から第1方向と交差する方向である第2方向に延伸している。複数のゲートフィンガー14は、ソースフィンガー10とドレインフィンガー12との間にそれぞれ配置されるように、互いに並列に設けられている。複数のゲートフィンガー14は、第1方向に延在するゲートバスライン20に接続し、ゲートバスライン20から第1方向と交差する方向である第2方向に延伸している。ソースバスライン16とドレインバスライン18とは、半導体層が活性化された領域である活性領域22を挟んで互いに反対側に設けられている。ゲートバスライン20は、活性領域22に対してソースバスライン16と同じ側に設けられている。ソースバスライン16とゲートバスライン20とは、活性領域22側から、ゲートバスライン20、ソースバスライン16の順に位置している。このため、ソースバスライン16から第2方向に延伸するソースフィンガー10は、ゲートバスライン20と交差することとなる。ソースフィンガー10とゲートバスライン20とが交差する領域において、ソースフィンガー10に第1エアブリッジ24が設けられている。図2のように、第1エアブリッジ24の幅W1は、例えば8μmであり、長さL1は、例えば30μmである。第1エアブリッジ24は、ゲートバスライン20との間に空隙を有して、ゲートバスライン20を跨いでいる。これにより、ソースフィンガー10とゲートバスライン20との接触を回避できると共に、ソースフィンガー10とゲートバスライン20との間に例えば絶縁膜を設けて接触を回避させる場合に比べて、ソースフィンガー10とゲートバスライン20との間の容量即ち、ソース-ゲート間容量を低減できる。また、図1のように、最も外側に位置するソースフィンガー10はゲートバスライン20と交差していないが、後述する第2エアブリッジ26とゲートバスライン20及びゲートフィンガー14との間にある程度の間隔を生じさせるために、第1エアブリッジ24を設けている。隣接する第1エアブリッジ24それぞれの間には、一端が隣接する第1エアブリッジ24の一方で支持され、他端が他方で支持される第2エアブリッジ26が設けられている。第1エアブリッジ24および第2エアブリッジ26は、レジストを利用したリフトオフにより同時に形成される。第2エアブリッジ26は、第1エアブリッジ24の延在方向第2方向における第1エアブリッジ24の中央部で支持されている。即ち、第2エアブリッジ26は、第1エアブリッジ24の延在方向における中央部同士を接続している。図2のように、第2エアブリッジ26の幅W2は、例えば8μmであり、長さL2は、例えば18μmである。複数の第2エアブリッジ26によって、複数のソースフィンガー10それぞれに設けられた第1エアブリッジ24が全て互いに接続している。第2エアブリッジ26の端部が第1エアブリッジ24に支持されていることで、第2エアブリッジ26は、ゲートバスライン20やゲートフィンガー14との間に空隙を有して設けられている。即ち、第2エアブリッジ26は、隣接する第1エアブリッジ24の間を接続し、半導体層との間には空隙が設けられている。これにより、第2エアブリッジ26とゲートバスライン20及びゲートフィンガー14との接触を回避できると共に、第2エアブリッジ26とゲートバスライン20及びゲートフィンガー14との間の容量即ち、ソース-ゲート間容量を低減できる。ソースフィンガー10は、活性領域22に半導体層に接して設けられたオーミック電極であるソース電極36を有する。ドレインフィンガー12は、活性領域22に半導体層に接して設けられたオーミック電極であるドレイン電極44を有する。なお、ソースフィンガー10の詳細については後述する。ソースバスライン16の第1方向における両端部分28は、ソースパッドとして機能する。ドレインバスライン18の第1方向における中央部であって、活性領域22と反対側に引き出された部分30はドレインパッドとして機能する。ゲートバスライン20の第1方向における中央部であって、活性領域22と反対側にソースバスライン16と交差して引き出された部分32はゲートパッドとして機能する。ソースバスライン16とゲートバスライン20とが交差する領域には、ソースバスライン16にエアブリッジ25が設けられている。図3は、図1のA-A間の断面模式図の例である。なお、半導体層34下の半絶縁性基板については、図示を省略する。図3のように、例えばGaAs基板等の半絶縁性基板上に順次積層されたGaAs電子走行層とAlGaAs電子供給層とからなる半導体層34上に、第1方向に延在するソースバスライン16と第1方向に延在するゲートバスライン20とが設けられている。ソースバスライン16からは第2方向にソースフィンガー10が延伸していて、ソースフィンガー10とゲートバスライン20とは交差している。ソースフィンガー10とゲートバスライン20とが交差する領域において、ソースフィンガー10に第1エアブリッジ24が設けられている。第1エアブリッジ24は、ゲートバスライン20との間に空隙を有して跨ぐように設けられており、これにより、ソースフィンガー10とゲートバスライン20との接触を回避できると共に、ソース-ゲート間容量を低減できる。ソースフィンガー10は、半導体層34の活性領域22に設けられたソース電極36と、ソース電極36上に設けられた下層配線層38と、ソースバスライン16から下層配線層38上に延伸した上層配線層40と、で構成される。第1エアブリッジ24は、上層配線層40で形成されている。つまり、ソースフィンガー10は、半導体層34の活性領域22においてはオーミック電極であるソース電極36上に下層配線層38と上層配線層40とが設けられていると共に、第1エアブリッジ24は下層配線層38と上層配線層40のうちの上層配線層40のみで形成されている。また、隣接する第1エアブリッジ24の間に設けられた第2エアブリッジ26も上層配線層40のみで形成されている。つまり、第1エアブリッジ24と第2エアブリッジ26とは同時に形成されており、厚さは共に同じである。ソース電極36は、半導体層34側から例えばAuGe、Ni、Auが順に積層されており、厚さは例えば0.2μmである。下層配線層38は、ソース電極36側から例えばTiW、Auが順に積層されており、厚さは例えば3μmである。上層配線層40は、下層配線層38側から例えばTiW、Auが順に積層されており、厚さは例えば1.2μmである。ソースバスライン16は、下層配線層38と、下層配線層38上に設けられた上層配線層40と、で構成される。ゲートバスライン20は、ゲート配線層42と、ゲート配線層42上に設けられた下層配線層38と、で構成される。ゲート配線層42は、半導体層34側から例えばWSi、Auが順次積層されており、厚さは例えば0.5μmである。また、ゲートバスライン20から第2方向に延伸するゲートフィンガー14は、ゲート配線層42だけで構成されている。また、ソース電極36とゲート配線層42とは、別工程で形成される。ソースバスライン16の下層配線層38とゲートバスライン20のゲート配線層42は、半導体層34と接して設けられている。下層配線層38およびゲート配線層42が接して設けられた半導体層34の領域は、ボロンがイオン注入された高抵抗領域である。ソースフィンガー10、ソースバスライン16、及びゲートバスライン20それぞれに含まれる下層配線層38は同時に形成され、厚さは同じである。ソースフィンガー10、ソースバスライン16、及び第2エアブリッジ26それぞれに含まれる上層配線層40は同時に形成され、厚さは同じである。ここで、実施例1に係る半導体装置の効果を説明するための比較対象となる比較例1に係る半導体装置について説明する。図4は、比較例1に係る半導体装置の上面模式図の例である。図4のように、比較例1に係る半導体装置は、第2エアブリッジ26が設けられていない。その他の構成については、実施例1に係る半導体装置と同じであり、図1から図3に示しているため、ここでは説明を省略する。次に、実施例1に係る半導体装置と比較例1に係る半導体装置について、製造完了時点での第1エアブリッジ24の潰れ発生率について測定をした。潰れ発生率の測定は、1チップに180個の第1エアブリッジ24が含まれるチップを作製し、製造完了時点で第1エアブリッジ24が1個でも潰れているチップを潰れ発生チップとして、チップ単位で潰れ発生率を測定した。表1は、潰れ発生率の測定結果である。表1のように、比較例1に係る半導体装置では、潰れ発生率は46.2であるのに対し、実施例1に係る半導体装置では、潰れ発生率が16.0と改善している。このように、実施例1に係る半導体装置が、比較例1に係る半導体装置に比べて、潰れ発生率を改善できた理由を以下に説明する。比較例1に係る半導体装置では、第1エアブリッジ24に外部から力が加わった場合、図4に示す矢印のように、力は、第1エアブリッジ24の延在方向に分散されるだけである。一方、実施例1に係る半導体装置では、第1エアブリッジ24に外部から力が加わった場合、図1に示す矢印のように、力は、第1エアブリッジ24の延在方向に加えて、第2エアブリッジ26の延在方向にも分散される。このように、第1エアブリッジ24に外部から力が加わった場合に、実施例1に係る半導体装置では、比較例1に係る半導体装置に比べて、力が分散され易くなり、強度が向上し、潰れ発生率が改善できたと考えられる。以上説明してきたように、実施例1に係る半導体装置によれば、図1及び図3のように、半導体層34上に、複数のソースフィンガー10、複数のドレインフィンガー12、及び複数のゲートフィンガー14が設けられている。複数のソースフィンガー10は、互いに並列に配置されている。複数のドレインフィンガー12は、複数のソースフィンガー10と交互に配置されている。複数のゲートフィンガー14は、ソースフィンガー10とドレインフィンガー12との間にそれぞれ配置されている。複数のソースフィンガー10には、ソースフィンガー10とゲートバスライン20とが交差する領域に、ゲートバスライン20との間に空隙を有して跨ぐ複数の第1エアブリッジ24が設けられている。そして、複数の第1エアブリッジ24同士の間を接続し、半導体層34との間に空隙を有する第2エアブリッジ26が設けられている。このような構造により、上述したように、第1エアブリッジ24に外部から力が加わった場合に、力が分散され易くなり、第1エアブリッジ24の強度を向上させることができる。よって、第1エアブリッジ24の潰れ発生率を改善することができる。図1のように、第2エアブリッジ26は、隣接する第1エアブリッジ24それぞれの間に設けられている場合が好ましい。この場合、第1エアブリッジ24に外部から加わった力がより分散され易くなり、第1エアブリッジ24の強度をより向上させることができる。なお、第2エアブリッジ26が隣接する第1エアブリッジ24それぞれの間に設けられている場合に限られず、1つの第1エアブリッジ24に少なくとも1つの第2エアブリッジ26が接続されている場合であればよい。図1のように、第2エアブリッジ26は、第1エアブリッジ24の延在方向における第1エアブリッジ24の中央部で支持されている場合が好ましい。即ち、第2エアブリッジ26は、第1エアブリッジ24の延在方向における中央部同士を接続する場合が好ましい。第1エアブリッジ24は、その延在方向における中央部で強度が弱くなることから、この位置に第2エアブリッジ26を接続させて、外部から加わった力を分散させることで、第1エアブリッジ24の強度をより向上させることができる。なお、第2エアブリッジ26が、第1エアブリッジ24の延在方向における中央部からずれた部分同士を接続する場合でもよい。また、複数の第2エアブリッジ26のうち一部は、第1エアブリッジ24の延在方向における中央部同士を接続し、残りは中央部からずれた部分同士を接続する場合でもよい。また、隣接する第1エアブリッジ24の1つの間に、第2エアブリッジ26が2つや3つ等、複数設けられている場合でもよい。これらの場合でも、第1エアブリッジ24に外部から加わった力が分散され易くなり、第1エアブリッジ24の強度を向上させる効果は得られる。図3のように、第1エアブリッジ24が設けられたソースフィンガー10は、半導体層34の活性領域22においては、オーミック電極であるソース電極36上に下層配線層38と上層配線層40とが設けられると共に、第1エアブリッジ24は、下層配線層38と上層配線層40のうち、上層配線層40のみで形成され、ゲートバスライン20は、ゲート配線層42とゲート配線層42上に設けられた下層配線層38とからなる場合が好ましい。この場合、ゲートバスライン20は、ゲート配線層42と下層配線層38とで構成されるため、ゲート配線層42のみで構成される場合に比べて、抵抗を下げることができる。また、このようにゲートバスライン20が、ゲート配線層42と下層配線層38とで構成される場合、図3のように、第1エアブリッジ24は上層配線層40で形成されることとなる。この場合、ゲートバスライン20の抵抗を下げるために下層配線層38の厚さを厚くすると、アスペクト比等の製造上の点から、上層配線層40の厚さが薄くなることがある。例えば、上層配線層40の厚さは下層配線層38の厚さよりも薄くなる場合がある。上層配線層40が薄くなると、第1エアブリッジ24の強度が弱くなる。したがって、このような場合に、図1のように、第1エアブリッジ24の強度を向上させるために、第2エアブリッジ26を設ける構造を採用することが有効である。図5は、半導体層34の活性領域22に設けられた配線層と第1エアブリッジ24を形成する配線層とが同じ配線層からなる場合の断面模式図の例である。図5のように、半導体層34上に、第1方向に延在するソースバスライン16と第1方向に延在するゲートバスライン20とが設けられ、ソースバスライン16からは第2方向にソースフィンガー10が延伸している。ソースフィンガー10は、半導体層34の活性領域22に設けられたソース電極36と、ソースバスライン16からソース電極36上に延伸した配線層46と、で構成される。第1エアブリッジ24は、配線層46で形成されている。つまり、ソースフィンガー10は、半導体層34の活性領域22においてはオーミック電極であるソース電極36上に配線層46が設けられていると共に、第1エアブリッジ24は配線層46のみで形成されている。活性領域22に設けられた配線層46と第1エアブリッジ24を形成する配線層46とは同時に形成されるため、それぞれの厚さは同じである。ソース電極36は、半導体層34側から例えばAuGe、Ni、Auが順に積層されており、厚さは例えば0.2μmである。配線層46は、ソース電極36側から例えばTiW、Auが順に積層されており、厚さは例えば3μmである。ソースバスライン16は、配線層46で構成される。ゲートバスライン20は、ゲート配線層で構成される。ゲート配線層は、半導体層34側から例えばWSi、Auが順次積層されており、厚さは例えば0.5μmである。また、ゲートバスライン20から第2方向に延伸するゲートフィンガー14も、ゲート配線層で構成される。図5のように、第1エアブリッジ24が設けられたソースフィンガー10は、半導体層34の活性領域22においては、オーミック電極であるソース電極36上に配線層46が設けられていると共に、第1エアブリッジ24は配線層46のみで形成され、第1エアブリッジ24は、ソース電極36上に設けられた配線層46と同じ厚みとなる構造にすることができる。この場合、ソース電極36上に設けられた配線層46と第1エアブリッジ24とを、同一プロセスで形成することができ、製造工程が簡易となる。また、この場合でも、第1エアブリッジ24が外部からの力により潰れる場合があるため、図1のように、第2エアブリッジ26を設けて、第1エアブリッジ24の強度を向上させることが好ましい。実施例1では、第1エアブリッジ24の幅が8μmで、長さが30μmで、厚さが1.2μmで、厚さと幅の積に対する長さの比厚み×幅/長さが0.32である場合を例に示したが、これに限られる訳ではない。例えば、第1エアブリッジ24の幅が3μmで、長さが5~15μmで、厚さが1μmの場合でもよい。この場合、第1エアブリッジ24の厚さと幅の積に対する長さの比は、0.2~0.6となる。本発明者の知見により、第1エアブリッジ24の厚さと幅の積に対する長さの比は、0.1~0.6の範囲が好ましく、0.2~0.5の範囲がより好ましい。0.1~0.6の範囲が好ましい理由は、0.6より大きい場合は第1エアブリッジ24の強度が増すが、0.1~0.6の範囲内では、第1エアブリッジ24の強度が弱く潰れ易いためである。また、0.1は、第1エアブリッジ24において、幅の最小値が3μm、厚さの最小値が1μm、長さの最大値が30μmとした場合の値に対応したものである。したがって、第1エアブリッジ24の厚さと幅の積に対する長さの比が0.1~0.6の場合、図1のように、第1エアブリッジ24の強度を向上させるために、第2エアブリッジ26を設ける構造を採用することが有効である。実施例1では、ソースフィンガー10とゲートバスライン20とが交差し、ソースフィンガー10に第1エアブリッジ24が設けられている場合を例に示したが、これに限られる訳ではない。ソースフィンガー10とドレインバスライン18とが交差し、ソースフィンガー10に第1エアブリッジ24が設けられている場合でもよい。また、ドレインフィンガー12とソースバスライン16又はゲートバスライン20とが交差し、ドレインフィンガー12に第1エアブリッジ24が設けられている場合でもよい。さらに、ゲートフィンガー14とソースバスライン16又はドレインバスライン18とが交差し、ゲートフィンガー14に第1エアブリッジ24が設けられている場合でもよい。つまり、第1エアブリッジ24は、ソースフィンガー10、ドレインフィンガー12、及びゲートフィンガー14のいずれかに設けられ、ソースバスライン16、ドレインバスライン18、及びゲートバスライン20のうち、第1エアブリッジ24が設けられているフィンガー以外のいずれかのフィンガーを共通に接続するバスラインとの間に空隙を有して跨ぐように設けられていればよい。第1エアブリッジ24がドレインフィンガー12に設けられている場合、図3と同様に、ドレインフィンガー12は、半導体層34の活性領域22においてはオーミック電極であるドレイン電極44上に下層配線層38と上層配線層40とが設けられると共に、第1エアブリッジ24は上層配線層40のみで形成され、ゲートバスライン20は、ゲート配線層42とその上に設けられた下層配線層38とからなる場合が好ましい。これにより、上述したように、ゲートバスライン20の抵抗を下げることができると共に、強度が弱くなる場合がある第1エアブリッジ24の強度を向上させることができる。また、図5と同様に、ドレインフィンガー12は、半導体層34の活性領域22においてはオーミック電極であるドレイン電極44上に配線層46が設けられていると共に、第1エアブリッジ24は配線層46のみで形成されてもよい。この場合、第1エアブリッジ24は、ドレイン電極44上に設けられた配線層46と同じ厚さになる。図1のように、ソースバスライン16とドレインバスライン18とゲートバスライン20とは同じ方向第1方向に延在している場合を例に示したが、これに限られず、異なる方向に延在している場合でもよい。また、複数のソースフィンガー10は、互いに第2方向に平行に延伸している場合を例に示したが、これに限られず、異なる方向に延伸している場合でもよい。同様に、複数のドレインフィンガー12及び複数のゲートフィンガー14も、互いに平行に延伸している場合に限られず、異なる方向に延伸している場合でもよい。ソースフィンガー10とドレインフィンガー12とゲートフィンガー14とは、互いに平行となるように配置されている場合が好ましい。また、半導体層34は、GaAs電子走行層とAlGaAs電子供給層とからなる場合を例に示したが、これに限られる訳ではない。半導体層34は、GaN電子走行層とAlGaN電子供給層とからなる場合でもよい。また、その他に、半導体層34は、GaAs、InAs、AlAs、InGaAs、AlGaAs、InAlGaAs等の砒素を含むIII-V族化合物半導体を有する場合や、GaN、InN、AlN、AlGaN、InGaN、AlInGaN等の窒素を含むIII-V族化合物半導体を有する場合でもよい。図6は、実施例2に係る半導体装置の上面模式図の例である。なお、フィンガーの本数は図6で図示されている本数に限られる訳ではなく、複数本設けられていればよい。図6のように、実施例2に係る半導体装置は、複数のソースフィンガー10のうち、第1方向において最も外側に位置するソースフィンガー10aの外側に、一端がソースフィンガー10aに設けられた第1エアブリッジ24で支持され、他端が半導体層34上に設けられた固定部50で支持される第3エアブリッジ48が設けられている。つまり、第3エアブリッジ48は、固定部50と最も外側に位置する第1エアブリッジ24との間を接続している。第3エアブリッジ48の一端は、第1エアブリッジ24の延在方向における第1エアブリッジ24の中央部で支持されている。即ち、第3エアブリッジ48は、最も外側に位置する第1エアブリッジ24の中央部に接続している。固定部50は、ソースバスライン16と一体に設けられている。つまり、固定部50は、ソースバスライン16と同時に形成され、下層配線層38と上層配線層40とで構成される。第3エアブリッジ48は、第2エアブリッジ26と同様に、上層配線層40で形成される。つまり、第1エアブリッジ24と第2エアブリッジ26と第3エアブリッジ48とは、レジストを利用したリフトオフにより同時に形成され、厚さは同じとなる。その他の構成については、実施例1と同じであり、図1から図3に示しているので、ここでは説明を省略する。実施例1に係る半導体装置では、図1のように、第1エアブリッジ24に外部から力が加わった場合、力は、第1エアブリッジ24の延在方向と第2エアブリッジ26の延在方向に分散される。この場合、第1方向において最も外側に位置する第1エアブリッジ24よりも内側に位置する第1エアブリッジ24では、力が4方向に分散されるのに対し、最も外側に位置する第1エアブリッジ24では、力が3方向にしか分散されない。このため、最も外側に位置する第1エアブリッジ24は、それよりも内側に位置する第1エアブリッジ24よりも潰れ易くなってしまう。これに対して、実施例2に係る半導体装置によれば、図6のように、第1方向において最も外側に位置する第1エアブリッジ24の外側に設けられた固定部50と、最も外側に位置する第1エアブリッジ24と、の間が第3エアブリッジ48によって接続されている。第3エアブリッジ48が接続されたことで、第1方向において最も外側に位置する第1エアブリッジ24に外部から力が加わった場合でも、力を4方向に分散させることができる。つまり、第1方向において最も外側に位置する第1エアブリッジ24の強度を、それよりも内側に位置する第1エアブリッジ24の強度と同等に向上させることができる。よって、複数の第1エアブリッジ24全体の強度をより向上させることができる。図6のように、第3エアブリッジ48は、第1エアブリッジ24の延在方向における中央部と接続されている場合が好ましい。第1エアブリッジ24は中央部における強度が弱いことから、第3エアブリッジ48を最も外側に位置する第1エアブリッジ24の中央部に接続させることで、最も外側に位置する第1エアブリッジ24の強度をより向上させることができる。なお、第3エアブリッジ48が、第1エアブリッジ24の延在方向における中央部からずれた部分に接続されている場合でもよい。この場合でも、最も外側に位置する第1エアブリッジ24の強度を、それよりも内側に位置する第1エアブリッジ24の強度と同等に向上させる効果は得られる。また、最も外側に位置する第1エアブリッジ24の1つに、2つや3つ等の複数の第3エアブリッジ48が接続されている場合でもよい。実施例2に係る半導体装置では、固定部50は、ソースバスライン16と一体構造で、ソースバスライン16と同じく下層配線層38と上層配線層40とで構成される場合を例に示したが、これに限られる訳ではない。固定部50は、ソースバスライン16に接続していない場合や、ソースバスライン16とは異なる層構造、材料等で形成されている場合でもよい。固定部50は、第3エアブリッジ48を半導体層34に固定できるよう、半導体層34上に設けられている場合であればよい。第3エアブリッジ48の幅は、第2エアブリッジ26の幅と同じである場合が好ましい。また、第3エアブリッジ48の長さは、第1エアブリッジ24に外部から加わった力を分散させて第1エアブリッジ24の強度を向上させるべく、第1エアブリッジ24の長さの半分程度である場合が好ましい。以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。