井戸層、前記井戸層の両主面側に設けられた一対の第1の障壁層、ならびに前記井戸層および前記第1の障壁層の間にそれぞれ設けられ、前記井戸層に隣接する第2の障壁層から構成される多重量子井戸層と、前記多重量子井戸層を挟み込むように設けられた一対のコンタクト層と、を備え、前記第2の障壁層の障壁高さが前記第1の障壁層の障壁高さよりも高いことを特徴とする量子型赤外線検出器。前記第2の障壁層の障壁高さは、前記井戸層において少なくとも1つのサブバンドエネルギー準位を有し、前記井戸層内の基底準位に位置するキャリアの励起準位よりも高いことを特徴とする請求項1記載の量子型赤外線検出器。前記第1および第2の障壁層は、それぞれAl組成比の異なるAlxGa1-xAsと、AlyGa1-yAsとで構成され、前記第2の障壁層のAl組成比yは、前記第1の障壁層のAl組成比xより高いことを特徴とする請求項1または請求項2記載の量子型赤外線検出器。前記井戸層はGaAs層であり、前記第1の障壁層はAl組成比xが0.45以下であるAlxGa1-xAsで構成され、前記第2の障壁層はAlAs層であることを特徴とする請求項3記載の量子型赤外線検出器。前記第1の障壁層の障壁高さは、前記井戸層内の基底準位に位置するキャリアの励起準位よりも低いことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の量子型赤外線検出器。しかしながら、従来の量子井戸型赤外線検出器によれば、トンネル電流が支配的な低温状態での暗電流を低減することはできるが、熱励起電流が支配的な室温近傍での暗電流を低減することはできない。一般に、熱励起電流による暗電流を低減するためには、検出器の温度を低下させる対応がとられるが、従来の量子井戸型赤外線検出器の構造では、十分な特性を得るために、例えば、液体窒素により77K程度まで検出器を冷却する必要がある。冷却のためには、大がかりな装置、例えば、クライオスタットやスターリングクーラーなどが必要となり、検出器のコスト、小型化などの点で問題がある。さらには、冷却剤の補充など定期的なメンテナンスが必要なことから、連続運転可能時間が短くなるといった問題がある。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、冷却装置を要することなく熱励起に起因する暗電流を低減し、室温近傍で検出器を動作させた場合に十分な特性を発揮し得る量子型赤外線検出器を提供することを目的とする。本発明の量子型赤外線検出器は、井戸層、前記井戸層の両主面側に設けられた一対の第1の障壁層、ならびに前記井戸層および前記第1の障壁層の間にそれぞれ設けられ、前記井戸層に隣接する第2の障壁層から構成される多重量子井戸層と、前記多重量子井戸層を挟み込むように設けられた一対のコンタクト層と、を備え、前記第2の障壁層の障壁高さが前記第1の障壁層の障壁高さよりも高いことを特徴とする。この構成によれば、井戸層を挟み込むように障壁高さの高いポテンシャル障壁が形成されるので、井戸層での電子キャリアの閉じ込め状態が改善され、熱励起により井戸層から抜け出す電子キャリアを低減することができる。これにより、例えば室温近傍の高温状態で量子型赤外線検出器を動作させた場合における、暗電流の主要な構成要素である熱励起電流を低減することができ、十分な特性を発揮し得る量子型赤外線検出器を実現することが可能となる。上記量子型赤外線検出器においては、前記第2の障壁層の障壁高さは、前記井戸層において少なくとも1つのサブバンドエネルギー準位を有し、前記井戸層内の基底準位に位置するキャリアの励起準位よりも高いことが好ましい。この場合には、井戸層内の電子キャリアが、熱励起によって第2の障壁層のポテンシャルを超え、井戸層から抜け出すことによって生じる熱励起電流を抑制することができる。上記量子型赤外線検出器においては、前記第1および第2の障壁層は、それぞれAl組成比の異なるAlxGa1-xAsと、AlyGa1-yAsとで構成され、前記第2の障壁層のAl組成比yは、前記第1の障壁層のAl組成比xより高いことが好ましい。この場合には、井戸層を挟み込むように形成された障壁層の障壁高さを大きくすることができ、井戸層での電子キャリアの閉じ込めを改善することが可能となる。上記量子型赤外線検出器においては、前記井戸層はGaAs層であり、前記第1の障壁層はAl組成比xが0.45以下であるAlxGa1-xAsで構成され、前記第2の障壁層はAlAs層であることが好ましい。この場合には、井戸層を挟み込むように形成された障壁層の障壁高さを非常に大きくすることができ、井戸層での電子キャリアの閉じ込めをさらに改善することが可能となる。上記量子型赤外線検出器においては、前記第1の障壁層の障壁高さは、前記井戸層内の基底準位に位置するキャリアの励起準位よりも低いことが好ましい。この場合には、光電流を低減させることなく、トンネル電流の発生を抑制することができる。本発明によれば、冷却装置を要することなく熱励起に起因する暗電流を低減し、室温近傍で検出器を動作させた場合に十分な特性を発揮し得る量子型赤外線検出器を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の実施の形態に係る量子井戸型赤外線検出器の構造を示す断面模式図である。この量子井戸型赤外線検出器10は、基板11上に形成された下部コンタクト層12と、多重量子井戸層16と、上部コンタクト層17と、を順に積層した素子構造を有する。すなわち、量子井戸型赤外線検出器10は、一対のコンタクト層下部コンタクト層12および上部コンタクト層17で多重量子井戸層16を挟み込んだ素子構造である。多重量子井戸層16は、井戸層13と、井戸層13に対するポテンシャル障壁をもつ第1の障壁層14と、第1の障壁層14に対するポテンシャル障壁をもつ第2の障壁層15と、から構成される二重障壁量子井戸層を複数周期例えば、10周期繰り返し積層して構成される。第1の障壁層14は井戸層13に隣接せず、第2の障壁層15のみが井戸層13に隣接する。すなわち、第2の障壁層15は、井戸層13の上側および下側に、井戸層13を挟み込むように設けられている。また、第2の障壁層15は、井戸層13と第1の障壁層14との間に設けられている。したがって、図1に示す多重量子井戸層16は、第1の障壁層14/第2の障壁層15/井戸層13/第2の障壁層15/第1の障壁層14の順で積層される。なお、図1においては、下部コンタクト層12および上部コンタクト層17に第1の障壁層14が接しているが、この構成に限られず、多重量子井戸層16を形成するいずれの層が下部コンタクト層12および上部コンタクト層17に接していてもよい。量子井戸型赤外線検出器10は、図1に示すように、下部コンタクト層12および上部コンタクト層17間に、所定のバイアス電圧を印加した状態で用いられる。量子井戸型赤外線検出器10では、井戸層13において、少なくとも1つのサブバンドエネルギー準位を有し、井戸層13内の基底準位に位置する電子キャリアが、外部から照射された赤外線によって励起準位あるいは連続準位に励起される。一対のコンタクト層間には所定のバイアス電圧が印加されているため、励起された電子キャリアは、一対のコンタクト層間を移動し、電流光電流を生じる。量子井戸型赤外線検出器10においては、この電流光電流を検知することで、赤外線を検出することができる。図2は、量子井戸型赤外線検出器10の多重量子井戸層16を構成する量子井戸を示す模式的なエネルギーバンド図である。なお、図2における図示左右方向は、図1における多重量子井戸層16の積層方向図1における図示上下方向に一致する。図2に示すように、第1の障壁層14と第2の障壁層15とは、障壁高さが異なるように構成されており、第2の障壁層15の障壁高さが第1の障壁層14の障壁高さよりも高くなるよう構成されている。すなわち、第1の障壁層14と第2の障壁層15とは、第2の障壁層15の伝導帯のエネルギーレベルと第1の障壁層14の伝導帯のエネルギーレベルとが不連続となるように図2に示すように、第1の障壁層14の伝導帯のエネルギーレベルよりも第2の障壁層15の伝導帯のエネルギーレベルが高くなるように構成されている。第2の障壁層15の障壁高さは、井戸層13において少なくとも1つのサブバンドエネルギー準位を有し、井戸層13内の基底準位に位置する電子キャリアの励起準位よりも高くなるように設定されている。これにより、井戸層13内の電子キャリアが、熱励起によって第2の障壁層15のポテンシャルを超え、井戸層13から抜け出すことによって生じる熱励起電流を抑制することができる。第1の障壁層14の障壁高さは、井戸層13内の基底準位に位置する電子キャリアの励起準位よりも低くなるように設定されている。これにより、光電流を低減させることなく、トンネル電流の発生を抑制することができる。第2の障壁層15の厚さは、十分に薄膜化されていることが好ましい。例えば、第2の障壁層15の厚さは、3nm以下であることが望ましい。これにより、第2の障壁層15の厚みによって電子キャリアの透過確率が低下してしまい、熱励起電流に起因する暗電流だけでなく、光電流まで低下してしまう事態を防ぐことができる。第1の障壁層14の厚さは、井戸層13内に閉じ込められた電子キャリアが障壁層をトンネルして外部に流れ出すことを防ぐために、トンネル電流を抑制するために十分な厚さを有することが好ましい。例えば、第1の障壁層14の厚さは、20~80nmであることが望ましい。量子井戸型赤外線検出器10の多重量子井戸層16を構成する量子井戸を、このような構成にすることにより、井戸層13を挟み込むように障壁高さの高いポテンシャル障壁が形成されるため、井戸層13での電子キャリアの閉じ込め状態が改善される。したがって、熱励起によって井戸層13から抜け出す電子キャリアを低減することができる。また、第2の障壁層15は薄膜化されているため、第2の障壁層15があることによる光電流の低下コンタクト層間を移動するキャリア量の減少を抑制することができる。これにより、例えば、室温近傍で量子井戸型赤外線検出器10を駆動させた場合の、暗電流の主要な構成要素である熱励起電流を低減することができ、検出感度が良好な量子井戸型赤外線検出器10を実現できる。図2に示すようなエネルギーバンド図をもつ第1の障壁層14および第2の障壁層15の材料について説明する。第1の障壁層14と第2の障壁層15とは、異なる材料によって構成され、これらの材料は、第2の障壁層15の伝導帯のエネルギーレベルと第1の障壁層14の伝導帯のエネルギーレベルとが不連続となるように図2に示すように、第1の障壁層14の伝導帯のエネルギーレベルよりも第2の障壁層15の伝導帯のエネルギーレベルが高くなるように選択される。例えば、第1の障壁層14と第2の障壁層15とは、第2の障壁層15の障壁高さを第1の障壁層14の障壁高さよりも高くするために、それぞれAl組成比の異なるAlxGa1-xAsと、AlyGa1-yAsとで構成することができる。ここで、井戸層13に隣接する第2の障壁層15のAl組成比yは、井戸層13に隣接しない井戸層14のAl組成比xよりも高く設定する。この組成により、第1の障壁層14は、井戸層13に対するポテンシャル障壁をもち、第2の障壁層15は、第1の障壁層14に対するポテンシャル障壁をもつように構成される。続いて、量子井戸型赤外線検出器10の製造方法の一例について説明する。量子井戸型赤外線検出器10における各層の成膜は、膜厚や材料組成比などを高度に制御可能な化学気相成長CVD;ChemicalVaporDeposition法あるいは分子線エピタキシーMBE;MolecularBeamEpitaxy法などの成膜法により行うことができる。量子井戸型赤外線検出器10の基板11としては、例えば、半絶縁性GaAs基板を用いることができる。この基板11上に、例えば、シリコンSiを7×1017cm-3の濃度となるようにドーピングした、n-GaAsで構成される下部コンタクト層12を、膜厚100nmに成膜する。続いて、下部コンタクト層12上に、多重量子井戸層16を成膜する。最後に、多重量子井戸層16上に、下部コンタクト層12と同じ条件の上部コンタクト層17を成膜することで、図1に示す量子井戸型赤外線検出器10が完成する。多重量子井戸層16を構成する井戸層13は、例えば、シリコンSiを3×1017cm-3の濃度となるようにドーピングしたn-GaAsを、膜厚4.8nmに成膜して形成する。多重量子井戸層16を構成する第1の障壁層14は、例えば、シリコンSiを4×1016cm-3の濃度となるようにドーピングしたn-AlGaAsを成膜して形成する。多重量子井戸層16を構成する第2の障壁層15は、例えば、シリコンSiを4×1016cm-3の濃度となるようにドーピングしたn-AlGaAsを成膜して形成する。なお、第1の障壁層14と第2の障壁層15とは、アルミニウムAlの組成比が異なる値のn-AlGaAsを用いて成膜する。これにより、2つの障壁層間にポテンシャル障壁が形成される。また、第2の障壁層15の膜厚は、10nm以下、特に3nm以下となるように成膜することが好ましい。第2の障壁層15の膜厚が10nmを超えると、キャリアの透過確率の低下に起因して光電流が低下し、結果として量子井戸型赤外線検出器10の検出感度が低下する。一方、第2の障壁層15を薄膜化することにより量子井戸型赤外線検出器10の感度特性は改善される傾向にあるが、第2の障壁層15の膜厚が3nm程度となると、それ以上薄膜化してもこの特性にほとんど差異が認められない。そのため、第2の障壁層15は、膜厚3nm以下に成膜することが好ましい。続いて、このように作製された量子井戸型赤外線検出器10のデバイス特性計算のシミュレーション結果について説明する。図3~図5は、量子井戸型赤外線検出器10のデバイス特性計算のシミュレーション結果を示すグラフである。各グラフにおける◇マーカーのグラフは、従来の単純な単一障壁層SBQW;SingleBarrierQuantumWellを備えた量子井戸型赤外線検出器を示す比較例である。なお、このシミュレーションでは、多重量子井戸層16を備えた量子井戸型赤外線検出器10であって、この多重量子井戸層16を構成する井戸層13がGaAs層で構成され、かつ、第1の障壁層14を構成するAlxGa1-xAs層のAl組成比xが0.27に固定されたモデルにおいて、第2の障壁層15を構成するAlyGa1-yAs層のAl組成比yを0.3から1.0の範囲で変化させた場合の計算を実施している。井戸層13に隣接しない第1の障壁層14が形成するコンダクションバンドの下端は、Al組成比xを0.45以下とすることでΓ谷となり、Al組成比xを0.45より大きくすることでX谷となる。X谷は、Γ谷に比べて非常に電子移動度が低いため、第1の障壁層14が形成するコンダクションバンドの下端がX谷である場合には、十分な電気伝導性を確保できなくなり、素子特性の低下を引き起こすおそれがある。また、電子移動度が低いために、応答速度の低下も懸念される。したがって、第1の障壁層14のAl組成比xは、0.45以下とすることが好ましい。図3のグラフは、横軸が温度[K]、縦軸が比検出能力[cmHz1/2/W]の値を示している。図3に示すように、第2の障壁層15のAl組成比yを第1の障壁層14のAl組成比xより高めた多重量子井戸層16を備えたモデルを示すグラフは、いずれも単純な単一障壁層を備えたモデルを示すグラフより縦軸の値が大きく、比検出能力の値が高いことがわかる。すなわち、このシミュレーション結果より、第2の障壁層15のAl組成比yを、第1の障壁層14のAl組成比xより高めることで、熱励起により井戸層13から抜け出すキャリア電子による熱雑音を低減し、量子井戸型赤外線検出器10の感度特性を高めることが可能となることがわかる。なお、図3より、第2の障壁層15は、Al組成比y=1.0であるAlAs層で構成される場合に最も比検出能力の値が高くなるため、この場合に井戸層13を挟み込むように形成された障壁層の障壁高さが最大となることがわかる。また、このモデルの構造においては、中赤外線、すなわち4.6~7.9μmの範囲で感度波長ピークを有する。これは、量子井戸型赤外線検出器10が、光電流を減らすことなく、暗電流を効果的に抑制できることに起因する効果である。図4のグラフは、横軸が温度[K]、縦軸が暗電流[a.u.]を示している。図4に示すように、第2の障壁層15のAl組成比yを第1の障壁層14のAl組成比xより高めた多重量子井戸層16を備えたモデルを示すグラフは、いずれも単純な単一障壁層を備えたモデルを示すグラフより縦軸の値が小さく、300K室温における暗電流を2桁以上少なくできることがわかる。なお、図4より、第2の障壁層15は、Al組成比y=1.0であるAlAs層で構成される場合に最も暗電流が小さくなるため、この場合に井戸層13を挟み込むように形成された障壁層の障壁高さが非常に大きくなることがわかる。図5のグラフは、横軸が温度[K]、縦軸が光電流[a.u.]を示している。図5に示すように、第2の障壁層15のAl組成比yを第1の障壁層14のAl組成比xより高めた多重量子井戸層16を備えたモデルを示すグラフは、いずれも単純な単一障壁層を備えたモデルを示すグラフと比較して、光電流がほとんど低下することがないことがわかる。なお、図5より、第2の障壁層15は、Al組成比y=1.0であるAlAs層で構成される場合に最も光電流が大きくなるため、この場合に井戸層13を挟み込むように形成された障壁層の障壁高さが非常に大きくなることがわかる。これらのシミュレーション結果より、量子井戸型赤外線検出器10は、井戸層13がGaAs層であり、井戸層13に隣接しない第1の障壁層14がAl組成比x=0.45以下のAlxGa1-xAsで構成され、さらに、第2の障壁層15がAlAs層である場合に、第2の障壁層15の障壁高さが第1の障壁層14の障壁高さよりも高く、井戸層13を挟み込むように形成された障壁層の障壁高さが非常に大きくなり、井戸層13での電子キャリアの閉じ込めを大きく改善することが可能となることがわかる。なお、上記多重量子井戸層16を備えたモデルにおいては、井戸層13の膜厚を調整することにより、量子井戸型赤外線検出器10に感度波長を、3~15μmの範囲内で制御することが可能となる。なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、さまざまに変更して実施可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更が可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施可能である。