信号を増幅するための高周波又はマイクロ波トランジスタと、前記トランジスタへ入力信号を提供する、及び/又は前記トランジスタからの信号を受信する少なくとも1つの回路基板と、前記トランジスタとヒートパイプ式ヒートシンク又は循環液によるヒートシンクとの間の機械的及び熱的接続を容易にするように構成されたサーマルインターフェースデバイスと、を備えている、増幅器として用いる装置。前記ヒートシンクは、マイクロプロセッサのヒートシンクを含む、請求項1に記載の装置。前記トランジスタは、1W~10000Wの範囲、随意的に1W~1000Wの範囲、更に随意的に20W~200Wの範囲の出力電力を有する高出力トランジスタを含む、請求項1又は2に記載の装置。前記トランジスタは、単位表面積当たり1W/cm2~100W/cm2の範囲、随意的に80W/cm2~100W/cm2の範囲の出力電力を有する、請求項1~3の何れか一項に記載の装置。前記インターフェースデバイスは、前記トランジスタに直接結合するように構成された、請求項1~4の何れか一項に記載の装置。前記インターフェースデバイスは、使用時に、前記トランジスタと前記ヒートシンクとの間に2つの熱接合部を提供するように、前記トランジスタに直接結合される、請求項4に記載の装置。前記インターフェースデバイスは、前記トランジスタに間接的に結合するよう構成される、請求項1~4の何れか一項に記載の装置。前記トランジスタと前記インターフェースデバイスとの間にセプタムを更に備えている、請求項1~7の何れか一項に記載の装置。前記インターフェースデバイスは、使用時に、前記トランジスタと前記ヒートシンクとの間に3つの熱接合部を提供するように、前記トランジスタに間接的に結合される、請求項7又は8に記載の装置。前記インターフェースデバイスは、ヒートシンクの一部と係合するよう構成された少なくとも1つの幾何学的特徴、例えば、ヒートシンクに設けた雄部及び雌部の一方と結合するように構成された他方の雄部及び雌部を備えている、請求項1~9の何れか一項に記載の装置。ハウジングを更に備えている、請求項1~10の何れか一項に記載の装置。前記インターフェースデバイスは、前記ハウジングとの熱的接触が最小限となるように構成される、請求項11に記載の装置。前記ハウジングと前記インターフェースデバイスとの間にエアギャップが設けられる、請求項11又は12に記載の装置。前記インターフェースデバイスは、複数のヒートシンク要素を収容するように構成される、請求項1~13の何れか一項に記載の装置。前記インターフェースデバイスは、マイクロプロセッサのヒートシンクを複数収容するように構成される、請求項1~14の何れか一項に記載の装置。前記インターフェースデバイスは、少なくとも1つのヒートパイプ式ヒートシンクと、少なくとも1つの標準的なフィン付き対流式ヒートシンクとを収容するように構成される、請求項1~15の何れか一項に記載の装置。前記インターフェースデバイスの少なくとも一部は、前記トランジスタを電気的に接地する材料からなる、請求項1~16の何れか一項に記載の装置。前記インターフェースデバイスの少なくとも一部は、導電性の材料を含む、請求項1~17の何れか一項に記載の装置。前記インターフェースデバイスの少なくとも一部は、熱伝導性の材料を含む、請求項1~18の何れか一項に記載の装置。前記インターフェースデバイスの少なくとも一部は、一方向性の熱伝導特性を有する材料を含む、請求項19に記載の装置。前記インターフェースデバイスの少なくとも一部は、熱分解炭素系の材料、ポリエチレンポリマーのナノファイバー材料、及び/又はカーボンナノチューブ複合材料の群から選択される材料を含む、請求項1~20の何れか一項に記載の装置。前記インターフェースデバイスの少なくとも一部は、電気メッキされる、請求項1~21の何れか一項に記載の装置。熱分解炭素系の材料が、前記トランジスタの上、及び/又は下に設けられる、請求項1~22の何れか一項に記載の装置。前記トランジスタは、パッケージ化されたトランジスタを含み、前記インターフェースデバイスは、使用時に、前記トランジスタのパッケージと前記ヒートシンクとを接続し易くするように構成される、請求項1~23の何れか一項に記載の装置。ヒートパイプ式ヒートシンク又は循環液によるヒートシンクと組み合わせる、請求項1~24の何れか一項に記載の装置。高周波又はマイクロ波トランジスタと係合し、且つ、前記トランジスタとヒートパイプ式ヒートシンク又は循環液によるヒートシンクとの間の機械的及び熱的接続を容易にするように構成された、サーマルインターフェースデバイス。増幅器用のトランジスタとヒートシンクのサーマルインターフェースをとる方法であって、信号を増幅するトランジスタを提供するステップと、前記トランジスタへ入力信号を提供し、且つ前記トランジスタから信号を受信する少なくとも1つの回路基板を提供するステップと、前記トランジスタとヒートパイプ式ヒートシンク又は循環液によるヒートシンクとの間の機械的及び熱的接続を容易にするように構成されたサーマルインターフェースデバイスを提供するステップと、を含む、サーマルインターフェースをとる方法。どんなヒートシンクでも、トランジスタからヒートシンクへ熱を効率的に伝え易くするためには、トランジスタとヒートシンクとの間の熱接合部の数は、各接合部がヒートシンクの効率を下げる絶縁層として機能するから、最小限にすることが望ましい。従って、単一の熱接合部を提供するために、トランジスタをヒートシンクの上に直接位置させるのが望ましい。しかしながら、上述した設計によるヒートパイプや水流をベースとしたヒートシンクは、このタイプの直接接続に適合させることはできない。特に、これらのヒートシンクに関連する1つの問題は、トランジスタをヒートシンクに固定するのに必要とされる取り付けフランジボルトに適合させるため、ヒートパイプとトランジスタデバイスとの間に限られた大きさの金属があることである。更に、高出力増幅器に使用されるトランジスタから、熱を極めて正確な方法で引き出す必要がある。その上、トランジスタは、絶縁性のサーマルペーストを用いて結合される場合には設けなくてもよいものの、取り付けフランジに良好に電気的に接地する必要がある。本発明の第1の態様によれば、信号を増幅するためのトランジスタと、トランジスタへの入力信号、及び/又はトランジスタからの出力信号を含む少なくとも1つの回路基板と、前記トランジスタとヒートシンクとの間の機械的及び熱的接続を容易にするように構成されたサーマルインターフェースデバイスと、を備えている増幅器として用いる装置が提供される。ヒートシンクは、ヒートパイプ式ヒートシンク又は循環液によるヒートシンクを含む。ヒートシンクは、マイクロプロセッサのヒートシンクを含むことができる。使用時において、本発明の実施形態による装置は、トランジスタからヒートシンクへ、そして大気へ熱を伝え易くするために、トランジスタ、例えば高周波RF又はマイクロ波トランジスタを、ヒートパイプ又は循環液によるヒートシンク、例えばヒートパイプをベースとするマイクロプロセッサのヒートシンクに接続するのに使用することができる。ヒートパイプ又は循環液によるヒートシンクの技術をマイクロ波又は高周波パワートランジスタに組み入れることで、熱の消散を改善し、また増幅デバイスの重量及びサイズを大幅に減らすことができる。トランジスタは、1W~10000Wの範囲、随意的に1W~1000Wの範囲、更に随意的に20W~200Wの範囲の出力電力を有する出力トランジスタとすることができる。トランジスタは、単位面積当たり1W/cm2~100W/cm2の範囲、随意的に80W/cm2~100W/cm2の範囲の出力電力を有する。インターフェースデバイスは、任意の適切な形態のものとすることができる。特定の実施態様では、インターフェースデバイスは、トランジスタとヒートシンクとの間に位置させる、プレートのような機械的な本体を備えることができる。インターフェースデバイスは、ヒートシンクと組み合わせるように形成してもよい。例えば、インターフェースデバイスは、ヒートシンクの一部に係合させる、又は結合させるように構成した少なくとも1つの幾何学的、及び/又は機械的特徴を含むことができる。インターフェースデバイスは、ヒートシンクに設けた対応雌部に結合するように構成された雄部、又はその逆を備えてもよい。インターフェースデバイスは、CPUソケット又はCPUスロットの少なくとも1つの幾何学的特徴と実質的に同一である少なくとも1つの幾何学的特徴を含んでもよく、それによりマイクロプロセッサのヒートシンクとの係合が容易となる。トランジスタとヒートシンクとの間のインターフェースデバイスの質量を減らす、又は最小限に抑えることにより、熱を効果的にヒートシンクに移動させ、そして大気へ放出することができる。動作中、トランジスタとサーマルインターフェースデバイスとの間に少なくとも1つの熱経路が存在し、それらの熱経路の主の熱経路は、トランジスタからサーマルインターフェースデバイスへ、他の熱経路よりも多くの熱を導くことができ、また、主の熱経路は、回路基板を経由しなくてもよい。動作中、サーマルインターフェースデバイスをヒートシンクと係合させると、トランジスタとヒートシンクとの間に少なくとも1つの熱経路が存在し、それらの熱経路の主の熱経路は、トランジスタからヒートシンクへ、他の熱経路よりも多くの熱を導くことができ、また、主の熱経路は、回路基板を経由しなくてもよい。インターフェースデバイスは、トランジスタに直接結合させることができる。使用時に、トランジスタとヒートシンクとの間に2つの熱接合部を提供するよう、インターフェースデバイスをトランジスタに直接結合させることができる。例えば、熱は、第1の熱接合部トランジスタとインターフェースデバイスとの間の材料界面を経てトランジスタからインターフェースデバイスに直接伝わり、次に、第2の熱接合部インターフェースデバイスとヒートシンクとの間の材料界面を経て、インターフェースデバイスからヒートシンクに直接伝わる。インターフェースデバイスは、任意の適切な手段でトランジスタに直接結合させことができる。例えばインターフェースデバイスは、ねじのような機械的な留め具により、及び/又は接着剤によりトランジスタに結合させることができる。代案又は加えて、インターフェースデバイスは、トランジスタの一部に係合する、及び/又は結合させるよう構成された少なくとも1つの幾何学的、及び又は機械的特徴を含むことができる。例えば、インターフェースデバイスは、トランジスタに設けられた対応雄部に結合するように構成された雌部、又はその逆を備えてもよい。代案として、インターフェースデバイスは、トランジスタに間接的に結合させることもできる。例えば、セプタム又は壁によって、トランジスタとインターフェースデバイスとの間を画成することができる。特定の実施態様では、セプタムは装置のハウジングの一部で構成することができる。代案として、セプタムは、装置とは別の構成部品で構成してもよい。使用時に、トランジスタとヒートシンクとの間に少なくとも3つの熱接合部を提供するよう、インターフェースデバイスは、トランジスタに間接的に結合させることができる。例えば、熱は、第1の熱接合部トランジスタとセプタムとの間の材料界面を経てトランジスタからセプタムに伝わることができ、第2の熱接合部セプタムとインターフェースデバイスとの間の材料界面を経て、セプタムからインターフェースデバイスに伝わることができ、第3の熱接合部インターフェースデバイスとヒートシンクとの間の材料界面を経て、インターフェースデバイスからヒートシンクに伝わることができる。装置は、更に、トランジスタ、回路基板及びインターフェースデバイスの少なくとも1つを収容、又はこれらを装着するように構成されたハウジングを備えてもよい。ハウジングは、任意の適切な形態のものとすることができる。特定の実施形態では、ハウジングは、機械加工したアルミニウム製の担体又は箱を含むことができる。トランジスタは、パッケージ化したトランジスタとすることができ、使用時において、インターフェースデバイスは、トランジスタのパッケージとヒートシンクとを接続し易くするように構成することができる。サーマルインターフェースデバイスは、ハウジングとの熱的な接触が最小限となるように構成することができ、これにより、トランジスタから大気へ熱を効果的に除去する。例えば、インターフェースデバイスはハウジングからずらして、このインターフェースデバイスがハウジングに直接接触しないようにして、インターフェースデバイスとハウジングとの間の熱の伝導を減らすのに役立てることができる。熱が優先的にトランジスタから直接インターフェースデバイスへ伝わるように、エアギャップをハウジングとインターフェースデバイスとの間に設けてもよい。インターフェースデバイスは、複数の部品や場所から熱を伝達するように構成してもよい。例えば、インターフェースデバイスは、高出力のトランジスタデバイスの直列又は並列配置によって生成される多数の熱点から熱を伝達するように構成してもよい。代案として、マイクロ波サーキュレータや高電力負荷を、増幅器の保護に使用してもよく、これはインターフェースデバイスを経て伝達することもできる熱を発生する。インターフェースデバイスは、放熱容量を増やすために複数のヒートシンク要素を収容するように構成してもよい。例えば、ヒートシンク要素は、マイクロプロセッサの複数のヒートシンクを含んでもよい。代案又は加えて、ヒートシンク要素は、少なくとも1つの標準的なフィン付きの対流式ヒートシンクを含んでもよい。従って、インターフェースデバイスは、マイクロプロセッサの多数のヒートシンク又はその組み合わせ、及び標準的なフィン付きの対流式ヒートシンクとともに使用するのに適している。少なくともインターフェースデバイスの一部は、1つの材料、又は1つ以上の材料の組み合わせを含んでもよく、これによりトランジスタを電気的に接地させる。デバイスの材料は、導電性の材料を含んでもよい。任意の適切な材料を用いることが可能である。特定の実施形態では、その材料は、銅、銀、及び/又はアルミニウムの少なくとも1つを含んでもよい。インターフェースデバイスの少なくとも一部は、1つの材料、又は1つ以上の材料の組み合わせを含んでもよく、これにより熱伝導性が生じる。任意の適切な材料を用いることが可能である。特定の実施形態では、その材料は、例えば銅、銀、及び/又はアルミニウムのような高い熱伝導性を有する材料を含んでもよい。少なくともインターフェースデバイスの一部は、1つの材料、又は1つ以上の材料の組み合わせを含んでもよく、また、実質的に一方向性の熱伝導特性を有していてもよい。任意の適切な材料、又は材料の組み合わせを用いることが可能である。特定の実施形態として、その材料は、1つ以上の熱分解炭素系の材料、例えばモンティブパフォーマンスマテリアルズ社製のTC1050登録商標や、ポリエチレンポリマーのナノファイバー材料、及び/又はカーボンナノチューブ複合材料を含んでもよい。少なくともインターフェースデバイスの一部は、導電性を高め、且つ表面酸化を防ぐために電気メッキするか、そうでなければコーティングするのがよい。例えば、インターフェースデバイスの少なくとも一部は、銀Ag又は金Auでコーティングするのがよい。サーマルインターフェースデバイスの熱伝導性を高めるために、極めて高い熱伝導特性を有する材料を、トランジスタの上、及び/又は下に設けることができる。高い熱伝導性材料は、例えば、熱分解炭素系の材料を含むことができ、特に具体的にはTC1050登録商標を含むことができる。電気的性能を維持するために、熱伝導性の材料又は組み合わせ材料の少なくとも一部は電気メッキするか、そうでなければコーティングして、導電性を高めるのがよい。例えば、材料の少なくとも一部は、銀Ag又は金Auでコーティングすることができる。従って、本発明の実施形態に従う装置は、トランジスタからヒートシンクへ、そして大気へ熱を伝え易くするために、トランジスタ、例えば高周波RFやマイクロ波トランジスタを、ヒートパイプ又は循環液によるヒートシンク、例えばヒートパイプをベースとするマイクロプロセッサのヒートシンク又は循環液によるマイクロプロセッサのヒートシンクに接続するのに使用することができる。本発明の第2の実施態様によれば、第1の態様による装置とヒートパイプ式ヒートシンクとの組み合わせが提供される。更に、本発明の独立した態様によれば、第1及び第2の態様によるサーマルインターフェースデバイスが提供される。更に、本発明の独立した態様によれば、信号を増幅するトランジスタを提供するステップと、トランジスタへの入力信号、及びトランジスタからの出力信号を含む少なくとも1つの回路基板を提供するステップと、トランジスタとヒートパイプ式ヒートシンクとの間の機械的及び熱的接続を容易にするように構成されたサーマルインターフェースデバイスを提供するステップとを含む、増幅器用のトランジスタとヒートシンクのサーマルインターフェーズをとる方法が提供される。上記で規定した本発明の任意の態様に従う特徴は、単独で又は規定された他の特徴と組み合わせて、本発明の他の態様に適用することができることが理解されよう。本発明に従うこれらの及び他の態様を、例示に過ぎない添付の図面を参照しながら説明する。まず、図面の図1a、b及びcを参照すると、高出力トランジスタ1の上面図、側面図及び端面図が示されている。トランジスタ1は、クリー社の製品番号CGH25120Fの窒化ガリウムGaN高電子移動度トランジスタHEMTのような、高周波RF、マイクロ波の高出力トランジスタを含み、電気信号接続タブ2と、取り付けベースフランジ3と、トランジスタのカプセル4とを備える。トランジスタ1は、回路基板図示せずに取り付けることができ、またシールドボックス図示せず内に収納されて、図2a、b及び図3中、参照番号5で概略的に示される増幅器を形成する。上述したように、高出力増幅器は、典型的には、効率の悪さが原因で、動作エネルギーを比較的高い割合で熱として消散する。増幅器5へのダメージを防止するために、図2a及び図2bに示すように、フィン付きのヒートシンク6を、既知の配置で設けて、増幅器5からの熱を除去し、この熱を周囲へ消散させることができる。ヒートシンク6の作用は、温風をヒートシンク6から離れる方向へ向かわせる1以上のファン7によっても助長される。しかしながらこのような配置では、放熱要件が、熱エネルギーを周囲へ消散させるのに必要とされる表面領域や空気の流れを決定づけることになるので、一般的にはかなりかさばるものになる。ヒートパイプ式の代替ヒートシンク8を図3bに示す。比較として、図3aに、フィン付きの対流式ヒートシンク6を示していて、これは、図2a及び図2bに示されたヒートシンク6と類似又は同一のものである。相対的な大きさが理解できるように、図3a及び図3bのそれぞれにも増幅器5を示す。図4aは、本発明の実施形態による装置20の構成部品を示し、参照し易くするためにこれらの構成部品を分離して示す。図に示すように、装置20は、ヒートパイプによるマイクロプロセッサのヒートシンク22と、プレートのサーマルインターフェースデバイス24と、高出力トランジスタ26とを備えている。ヒートシンク22は、上掲の図3bに示すヒートパイプ式のヒートシンク8と類似又は同一のものとすることができる。代替実施形態では、ヒートシンクは、図4bに示すような、循環液によるヒートシンク23とすることができ、これは通常、ポンプ図示せずによって循環路25の周りに冷却液を通す。高出力トランジスタ26は、図1a~図1cに示すトランジスタ1と類似又は同一の、クリー社の製品番号CGH25120Fの窒化ガリウムGaN高電子移動度トランジスタHEMTのような、高周波RF、又はマイクロ波の高出力トランジスタで構成することができる。このトランジスタは、100MHzから100GHzまでの範囲内の少なくとも1つの周波数で動作する、他の任意のパッケージ化されたRF/マイクロ波高出力トランジスタとすることができる。RF/マイクロ波高出力トランジスタは、1~1000W又はそれ以上の範囲の飽和出力電力を発生するトランジスタとすることができる。製品番号CGH40120FEの窒化ガリウムGaN高電子移動度トランジスタHEMTの例では、その出力電力は120Wであり、約50Wの熱が生じる。マイクロ波トランジスタは、GaN、LDMOS、シリコン、GaAs、又は他の半導体材料を含む任意の半導体化合物に基づくものであってもよい。使用中、トランジスタ26からヒートシンク22への熱エネルギーの効率的な伝達を促進するように、プレート24をヒートシンク22とトランジスタ26の間に設ける。プレート24は、シートシンク22をトランジスタ26に接続し、これらの間に熱ルートを提供する。図5a及び図5bは、本発明の第1実施形態の概略斜視断面図であって、図6は、図5a及び図5bに示した実施形態の概略断面図である。図示したように、プレート24と高出力トランジスタ26は、増幅回路ハウジング28に取り付けられる。サーマルインターフェースプレート24は、エアギャップ30によって回路ハウジング28との接触が最小となるように構成され、エアギャップ30は、高出力トランジスタ26から回路ハウジング28への熱伝導を下げるように作用する。この実施形態では、図4も参照するに、高出力トランジスタ26は、このトランジスタのフランジマウント36における穴34を経て、インターフェースプレート24に設けられたねじ穴38に挿入されるねじ32よってサーマルインターフェースプレート24に直接取り付けられる。しかしながら、トランジスタをプレート24に固定又は結合する他の適切な手段を用いることもできる。この実施形態では、高出力トランジスタ26とマイクロプロセッサのヒートシンク22との間に2つの熱接合部があり、第1の接合部はトランジスタ26とインターフェースプレート24との間の材料界面によって提供され、第2の接合部は、インターフェースプレート24とヒートシンク22との間の材料界面によって提供される。インターフェースプレート24は、高出力トランジスタ26とマイクロプロセッサのヒートシンク22との相互接続を可能とし、プレート24は、トランジスタ26とヒートシンク22との間の機械的なインターフェースや熱ルートを提供する。これらの接合部全域の熱伝導性を高めるために、ヒートシンク化合物、例えばArcticSilver5を、高出力トランジスタ26とサーマルインターフェースプレート24との間、及び/又はサーマルインターフェースプレート24とマイクロプロセッサのヒートシンク22との間に付着するのがよい。高出力トランジスタ26、サーマルインターフェースプレート24、マイクロプロセッサのヒートシンク22及びハウジング28を組み立てたものが、図7a及び図7bに示されていて、これらの図は、図4~6の装置20の概略断面図を、装置20に接続したザルマン社のVF2000登録商標VGA/CPUファン内蔵ヒートシンク22と一緒に示している。図8及び9を参照すると、本発明の代替実施形態による装置の概略断面図と概略斜視断面図が示されており、第1と第2の実施形態間の同様の構成要素には、同様な参照番号に100を増やして示してある。図示のように、装置120は、増幅回路ハウジング128内に取り付けた、インターフェースプレート124の形態のサーマルインターフェースデバイスを有する。高出力トランジスタ126は、回路ハウジング128の上に取り付けられ、薄いセプタム領域140によってサーマルインターフェースプレート124から分離されている。第1実施形態と同様に、サーマルインターフェースプレート124は、エアギャップ130によって回路ハウジング128との接触が最小となるように構成され、エアギャップ130は、高出力トランジスタ126から回路ハウジング128への熱伝導を減らすように作用する。セプタム140は、トランジスタ126/増幅装置120の内側に電気接地面を維持し、またギャップを経て外側に漏れるのを防止する。このようなギャップは、望ましくない寄生インダクタンス又は寄生容量を誘起することにより、トランジスタ126/増幅装置120の性能にも影響を及ぼす。この第2実施形態では、高出力トランジスタ126とマイクロプロセッサのヒートシンク122との間に3つの熱接合部があり、第1の接合部は、トランジスタ126とセプタム140との間の材料界面によって提供され、第2の接合部は、セプタム140とインターフェースプレート124との間の材料界面によって提供され、第3の接合部は、インターフェースプレート124とヒートシンク122の間の材料界面によって提供される。この実施形態では、ヒートシンク化合物として、例えばArcticSilver5を、出力トランジスタ126と回路ハウジングにおけるセプタム140の内側面との間、及び/又は回路ハウジングにおけるセプタム140の外側面とサーマルインターフェースプレート124との間、及び/又はサーマルインターフェースプレート124とマイクロプロセッサのヒートシンク122との間に塗布するのがよい。高出力トランジスタ126、サーマルインターフェースプレート124及びマイクロプロセッサのヒートシンク122を含む完成した配置を図10及び図11に示す。図12は、図10及び図11に示す配置での試験結果を示すグラフである。そのグラフは、X軸の時間に対し、左側のY軸に2.45GHzでの増幅効率を示している。またそのグラフは、X軸の時間に対し、右側のY軸に増幅器の温度も示している。本明細書に示した実施形態は、インターフェースデバイスとヒートパイプ式ヒートシンクとの係合について説明したが、インターフェースデバイスは同様に、循環液によるヒートシンクに係合させるように配置してもよく、このような配置は代替実施形態で提供される。インターフェースデバイスは、任意の適切な材料で形成することが可能であり、例えば、銅、銀、及び/又はアルミニウムの少なくとも1つで形成することができる。通常、インターフェースデバイスにおいては高い熱伝導性を有することが望ましい。ある実施形態では、インターフェースデバイスの少なくとも一部は、実質的に一方向性の熱伝導特性を有する1つの材料又は1つ以上の材料の組み合わせを含む。任意の適切な材料、又は材料の組み合わせを用いることができる。ある実施形態では、デバイス材料は、1つ以上の熱分解炭素系の材料、例えばモンティブパフォーマンスマテリアルズ社製のTC1050登録商標や、ポリエチレンポリマーのナノファイバー材料、及び/又はカーボンナノチューブ複合材料を含むことができる。実質的に一方向性の熱伝導性を有する材料は、他の方向よりも1つの方向の熱伝導性がより大きい材料とすることができる。インターフェースデバイスの少なくとも一部は、導電性を高め、且つ表面酸化を防ぐために電気メッキするか、そうでなければコーティングするのがよい。例えば、インターフェースデバイスの少なくとも一部は、銀Ag又は金Auでコーティングするのがよい。サーマルインターフェースデバイスの熱伝導性を高めるために、極めて高い熱伝導特性を有する材料を、トランジスタの上、及び/又は下に設けることができる。高い熱伝導性材料は、例えば、熱分解炭素系の材料を含むことができ、特に具体的にはTC1050登録商標を含むことができる。電気的性能を維持するために、熱伝導性の材料又は組み合わせ材料の少なくとも一部は電気メッキするか、そうでなければコーティングして、導電性を高めるのがよい。例えば、材料の少なくとも一部を、銀Ag又は金Auでコーティングすることができる。ここに記載した実施形態は単に例示であり、本発明の範囲から逸脱することなく、種々の変更が可能であることは理解されるであろう。例えば、トランジスタとヒートシンクとの間の熱接合部の数は、最小限に抑えるのが望ましいが、本発明の装置は、トランジスタとヒートシンクとの間の適当な箇所に熱接合部を3つ以上設けるように構成してもよい。