"入射した光を第一偏光状態の第一偏光と第二偏光状態の第二偏光とに分離して射出する偏光分離部と、前記偏光分離部から射出された前記第一偏光を前記第二偏光に変換する位相差層とを備え、前記位相差層は、少なくとも前記第一偏光を透過する母材と、前記母材中に長軸方向が略一方向に配向するように分散された複数の針状粒子とを有する偏光変換装置。複数の前記位相差層と少なくとも一つの光学的等方層と、を備え、前記複数の前記位相差層と前記少なくとも一つの光学的等方層とは一体的に形成され、前記位相差層と前記光学的等方層とは、一方向に交互に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の偏光変換装置。前記光学的等方層は、無機材料を用いて形成されている請求項2に記載の偏光変換装置。前記針状粒子は、誘電体を用いて形成されている請求項1から請求項3のうちいずれか一項に記載の偏光変換装置。第一偏光状態の第一偏光を第二偏光状態の第二偏光に変換する位相差層と、光学的等方層とを備え、前記位相差層は、少なくとも前記第一偏光を透過する母材と、前記母材中に長軸方向が略一方向に配向するように分散された複数の針状粒子とを有する位相差フィルム。複数の前記位相差層と少なくとも一つの前記光学的等方層とを備え、前記複数の前記位相差層と前記少なくとも一つの光学的等方層とは一体的に形成され、前記位相差層と前記光学的等方層とは、一方向に交互に配置されている請求項5に記載の位相差フィルム。請求項1から請求項4のうちいずれか一項に記載の偏光変換装置を備えるプロジェクター。しかしながら、特許文献1に記載されているように、複数の位相差板を所定の位置に貼付けることは非常に煩雑であり、位相差板の位置が所定の位置からずれる虞がある。また、特許文献2に記載のように斜方蒸着法で位相補償素子を作製した場合、基板上に多数の誘電体のカラム結晶構造体が形成される。多数のカラムが露出したままであると、カラムの酸化、吸湿等の原因により偏光特性が劣化する虞があるため、信頼性に問題がある。以上のような事情に鑑み、本発明は、上記の課題の少なくとも一部が解決された偏光変換装置、位相差フィルム及びプロジェクターを提供することを目的とする。本発明に係る偏光変換装置は、入射した光を第一偏光状態の第一偏光と第二偏光状態の第二偏光とに分離して射出する偏光分離部と、前記偏光分離部から射出された前記第一偏光を前記第二偏光に変換する位相差層とを備え、前記位相差層は、少なくとも前記第一偏光を透過する母材と、前記母材中に長軸方向が略一方向に配向するように分散された複数の針状粒子とを有することを特徴とする。本発明によれば、位相差層が少なくとも第一偏光を透過する母材と、母材中に長軸方向が略一方向に配向するように分散された複数の針状粒子とを有することとしたので、偏光に寄与する針状粒子が母材に埋め込まれた状態となる。このため、斜方蒸着によって形成した場合のカラムが露出した状態の位相差層に比べて、偏光特性の劣化が低減されることになる。これにより、信頼性に優れた偏光変換装置を得ることができる。上記の偏光変換装置は、複数の前記位相差層と少なくとも一つの光学的等方層と、を備え、前記複数の前記位相差層と前記少なくとも一つの光学的等方層とは一体的に形成され、前記位相差層と前記光学的等方層とは、一方向に交互に配置されていることを特徴とする。本発明によれば、複数の位相差層と少なくとも一つの光学的等方層と、を備え、複数の位相差層と少なくとも一つの光学的等方層とが一体的に形成され、位相差層と光学的等方層とが一方向に交互に配置されているので、位相差層及び光学的等方層の位置合わせは、一方向において行えば済むことになる。これにより、偏光変換装置の製造コスト及び製造の手間を省くことができる。上記の偏光変換装置において、前記光学的等方層は、無機材料を用いて形成されていることが好ましい。本発明によれば、光学的等方層が無機材料を用いて形成されているため、光や熱に対する耐性に優れた偏光変換装置を得ることができる。上記の偏光変換装置において、前記針状粒子は、誘電体を用いて形成されていることが好ましい。本発明によれば、針状粒子が誘電体を用いて形成されているので、位相差層における光の吸収が抑制されることになる。これにより、光の利用効率が低減するのを防ぐことができる。本発明に係る位相差フィルムは、第一偏光状態の第一偏光を第二偏光状態の第二偏光に変換する位相差層と、光学的等方層とを備え、前記位相差層は、少なくとも前記第一偏光を透過する母材と、前記母材中に長軸方向が略一方向に配向するように分散された複数の針状粒子とを有することを特徴とする。本発明によれば、第一偏光状態の第一偏光を第二偏光状態の第二偏光に変換する位相差層と、光学的等方層とを備え、位相差層が少なくとも第一偏光を透過する母材と、母材中に長軸方向が略一方向に配向するように分散された複数の針状粒子と、を有することとしたので、斜方蒸着によって位相差層を形成する場合に比べて、偏光特性が均一に形成される。これにより、光の入射位置によらず均一な偏光特性を有する位相差フィルムを提供することができる。上記の位相差フィルムにおいて、複数の前記位相差層と少なくとも一つの前記光学的等方層とを備え、前記複数の前記位相差層と前記少なくとも一つの光学的等方層とは一体的に形成され、前記位相差層と前記光学的等方層とは、一方向に交互に配置されていることが好ましい。本発明によれば、複数の位相差層と少なくとも一つの光学的等方層とを備え、複数の位相差層と少なくとも一つの光学的等方層とが一体的に形成され、位相差層と光学的等方層とが、一方向に交互に配置されていることとしたので、位相差層及び光学的等方層の位置合わせは、一方向において行えば済むことになる。これにより、位相差フィルムを外部に装着する際のコスト及び手間を省くことができる。本発明に係るプロジェクターは、上記の偏光変換装置を備えることを特徴とする。本発明によれば、光の入射位置によらず均一な偏光特性を有する偏光変換装置を備えることとしたので、光をできるだけ多く表示に利用することができる。[第一実施形態]以下、図1~図5を参照しながら、本発明の第一実施形態に係る偏光変換装置及びプロジェクターについて説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせてある。図1は、プロジェクターPJを示す模式図である。図1に示すようにプロジェクターPJは、光源装置100、色分離光学系200、液晶ライトバルブ光変調素子400R,液晶ライトバルブ400G,液晶ライトバルブ400B、色合成素子500、投写光学系600を含んでいる。プロジェクターPJは、概略すると以下のように動作する。光源装置100から射出された光は、色分離光学系200により複数の色光に分離される。色分離光学系200により分離された複数の色光は、それぞれ対応する液晶ライトバルブ400R,液晶ライトバルブ400G,液晶ライトバルブ400Bに入射して変調される。液晶ライトバルブ400R,液晶ライトバルブ400G,液晶ライトバルブ400Bにより変調された複数の色光は、色合成素子500に入射して合成される。色合成素子500により合成された光は、投写光学系600により壁やスクリーン等のスクリーンSCRに拡大投写され、フルカラーの投写画像が表示される。以下、プロジェクターPJの各構成要素について説明する。光源装置100は、光源部110、レンズアレイ120,レンズアレイ130、偏光変換素子140、重畳レンズ150がこの順に配置された構成になっている。光源部110は、白色光を放射する光源ランプ113、及び回転放物面状の反射面を有するリフレクター114を備える。光源ランプ113から放射された白色光は、リフレクター114によって一方向に向って反射し、略平行な光線束となる。光源ランプ113は、例えばメタルハライドランプ、キセノンランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ等により構成される。リフレクター114は、レンズアレイ120へ入射する。リフレクター114は、反射面が回転楕円面状であってもよく、この場合には、リフレクターから射出された白色光を平行化する平行化レンズが用いられることがある。レンズアレイ120及びレンズアレイ130は、光源部110から射出された光の輝度分布を均一化するものである。レンズアレイ120は、複数の第一小レンズ122を含んでおり、レンズアレイ130は複数の第二小レンズ132を含んでいる。第一小レンズ122は、第二小レンズ132と1対1で対応している。光源部110から射出された光は、複数の第一小レンズ122に空間的に分かれて入射する。第一小レンズ122は、入射した光を対応する第二小レンズ132に結像させる。これにより、複数の第二小レンズ132の各々に、二次光源像が形成される。なお、第一小レンズ122,第二小レンズ132の外形形状は、液晶ライトバルブ400R,液晶ライトバルブ400G,液晶ライトバルブ400Bの画像形成領域の外形形状と略相似形となっている。偏光変換素子140は、レンズアレイ130と重畳レンズ150との間の光路に配置されている。偏光変換素子140は、レンズアレイ130から射出された光Lの偏光状態を揃えると共に、偏光状態の揃った光Lを重畳レンズ150へと射出する。本実施形態において、偏光変換素子140は、例えば光Lの偏光状態をS偏光に揃えることができる。重畳レンズ150は、偏光変換素子140から射出された光を被照明領域にて重畳させるものである。光源装置100から射出された光は、空間的に分割された後、重畳されることにより輝度分布が均一化されて光線軸100ax周りの軸対称性が高められる。色分離光学系200は、ダイクロイックミラー210、ダイクロイックミラー220、ミラー230、ミラー240、ミラー250、フィールドレンズ300R、フィールドレンズ300G,フィールドレンズ300B、リレーレンズ260、リレーレンズ270を含んでいる。ダイクロイックミラー210、ダイクロイックミラー220は、例えばガラス表面に誘電体多層膜を積層したものである。ダイクロイックミラー210、ダイクロイックミラー220は、所定の波長帯域の色光を選択的に反射させ、それ以外の波長帯域の色光を透過させる特性を有している。ここでは、ダイクロイックミラー210が緑色光と青色光とを反射させ、ダイクロイックミラー220が緑色光を反射させる。光源装置100から射出された光Lは、ダイクロイックミラー210に入射する。光Lのうちの赤色光Rは、ダイクロイックミラー210を通ってミラー230に入射し、ミラー230で反射してフィールドレンズ300Rに入射する。赤色光Rは、フィールドレンズ300Rにより平行化された後に、液晶ライトバルブ400Rに入射する。光Lのうちの緑色光Gと青色光Bとは、ダイクロイックミラー210で反射して、ダイクロイックミラー220に入射する。緑色光Gは、ダイクロイックミラー220で反射してフィールドレンズ300Gに入射する。緑色光Gは、フィールドレンズ300Gにより平行化された後に、液晶ライトバルブ400Gに入射する。ダイクロイックミラー220を通った青色光Bは、リレーレンズ260を通りミラー240で反射した後、リレーレンズ270を通りミラー250で反射してフィールドレンズ300Bに入射する。青色光Bは、フィールドレンズ300Bにより平行化された後に、液晶ライトバルブ400Bに入射する。液晶ライトバルブ400R,液晶ライトバルブ400G,液晶ライトバルブ400Bは、例えば透過型の液晶ライトバルブ等の光変調装置により構成される。液晶ライトバルブ400R,液晶ライトバルブ400G,液晶ライトバルブ400Bは、画像情報を含んだ画像信号を供給するPC等の信号源図示略と電気的に接続されている。液晶ライトバルブ400R,液晶ライトバルブ400G,液晶ライトバルブ400Bは、供給された画像信号に基づいて、入射光を画素ごとに変調して画像を形成する。液晶ライトバルブ400R,液晶ライトバルブ400G,液晶ライトバルブ400Bは、それぞれ赤色画像、緑色画像、青色画像を形成する。液晶ライトバルブ400R,液晶ライトバルブ400G,液晶ライトバルブ400Bにより変調された光形成された画像は、色合成素子500に入射する。色合成素子500は、ダイクロイックプリズム等により構成される。ダイクロイックプリズムは、4つの三角柱プリズムが互いに貼り合わされた構造になっている。三角柱プリズムにおいて貼り合わされる面は、ダイクロイックプリズムの内面になる。ダイクロイックプリズムの内面に、赤色光が反射し緑色光が透過するミラー面と、青色光が反射し緑色光が透過するミラー面とが互いに直交して形成されている。ダイクロイックプリズムに入射した緑色光は、ミラー面を通ってそのまま射出される。ダイクロイックプリズムに入射した赤色光、青色光は、ミラー面で選択的に反射あるいは透過して、緑色光の射出方向と同じ方向に射出される。このようにして3つの色光画像が重ね合わされて合成され、合成された色光が投写光学系600によってスクリーンSCRに拡大投写される。次に、本実施形態に係る偏光変換素子140の構成を説明する。図2aは、偏光変換素子140を光射出側から見たときの平面図である。図2bは、偏光変換素子140のAA’断面図である。図2bに示すように、偏光変換素子140は、複数の偏光変換セル141と位相差フィルム148を含んでいる。偏光変換セル141は、第二小レンズ132と1対1で対応している。第二小レンズ132に形成された二次光源像からの光Lは、この第二小レンズ132に対応する偏光変換セル141の入射領域142に入射する。位相差フィルム148は、複数の位相差層145及び複数の光学的等方層146が基板147上に交互に設けられた構成となっている。偏光変換セル141の各々には、入射領域142に対応させて、偏光ビームスプリッター膜143偏光分離部:以下、PBS膜143と表記する及び位相差層145が設けられている。位相差層145は、PBS膜143で分離された光の偏光方向を変換する。本実施形態では、位相差層145は、P偏光をS偏光に変換するように形成されている。光学的等方層146は、例えば無機材料などによって形成されている。光学的等方層146は、PBS膜143で分離された光の偏光方向を維持しつつ、当該光を透過させる。帯状の位相差層145及び帯状の光学的等方層146は、図2aに示したように、複数の偏光変換セル141が配列される方向例、図2の左右方向に交互に配置されている。位相差層145は反射部材144と平面視で重なり、光学的等方層146は偏光ビームスプリッター膜143と平面視で重なっている。位相差層145及び光学的等方層146は、一体的に形成されている。基板147は、例えば水晶など光透過可能な材料によって形成されている。入射領域142に入射した光Lは、PBS膜143により第一偏光L1と第二偏光L2とに分離される。第一偏光L1の偏光状態は、当該PBS膜143に対するP偏光であり、第二偏光L2の偏光状態は、当該PBS膜143に対するS偏光である。第二偏光L2と第一偏光L1のうち一方の偏光ここでは第一偏光L1は、反射部材144で反射された後、位相差層145に入射する。位相差層145に入射した第一偏光L1は、位相差層145により偏光状態が他方の偏光ここでは第二偏光L2の偏光状態に変換されて第二偏光L3になって射出される。また、PBS膜143で分離された第二偏光L2は、光学的等方層146に入射する。光学的等方層146に入射した第二偏光L2は、偏光方向を維持しつつ光学的等方層146を透過して射出される。図3及び図4は、本実施形態に係る位相差層145の構成を示す模式図である。図3及び図4に示すように、位相差層145は、母材2と、当該母材2中に分散した複数の誘電体ナノロッド3針状粒子と、を有する板状の光学部材である。誘電体ナノロッド3は針状粒子に相当する。母材2は、無機物を主原料とする透光性の材料で構成されており、例えばシリコン酸化物などで構成されている。母材2は少なくとも第一偏光L1を透過する。誘電体ナノロッド3は、短軸方向が例えば数nmから数十nm程度、長軸方向が例えば数十nmから数百nm程度の寸法を有する誘電体材料からなる針状の粒子である。本実施形態では、誘電体ナノロッド3は、例えば炭酸ストロンチウムなどの誘電体材料を用いて構成されている。図3及び図4において、母材2の主面2aをxy面とし、主面2aの法線方向をz軸方向とする。また、位相差層145の平面形状である長方形の長辺に平行な方向をX軸方向とする。複数の誘電体ナノロッド3は、図3に示すように、母材2の主面の法線方向から見たとき、誘電体ナノロッド3の長軸方向の方位角φが略所定の方向に揃うように配向している。ここでは、x軸方向を基準として、長軸方向のZ軸の回りの回転角を方位角φとして定義すると、方位角φは45°に設定されている。また、複数の誘電体ナノロッド3は、図4に示すように、長軸方向Cが母材2の主面2aに対して所定の角度だけ傾いて配向している。すなわち、複数の誘電体ナノロッド3は、長軸方向Cが母材2の主面2aに対して平行な方向には配向していない。炭酸ストロンチウムからなる誘電体ナノロッド3は、長軸方向に平行な振動方向を有する偏光成分に対する屈折率が短軸方向に平行な振動方向を有する偏光成分に対する屈折率とは異なることが知られている。互いに直交する3つの軸a軸、b軸、c軸ただし、c軸を誘電体ナノロッドの長軸方向とするを取り、a軸方向の偏光成分に対する屈折率をna、b軸方向の偏光成分に対する屈折率をnb、c軸方向の偏光成分に対する屈折率をncとする。このとき、炭酸ストロンチウムは、na=1.520、nb=1.666、nc=1.669、であり、誘電体材料の中でも複屈折性が比較的大きい。炭酸ストロンチウムの上記の複屈折性を屈折率楕円体で示したものが、図5である。符号Kで示した平面を母材2の主面2aとすると、屈折率楕円体Dの長軸方向C’は、一定の方位角を有するとともに、母材2の主面2aに対して所定の角度をなして傾いた状態となる。これにより、所定の方向に遅相軸もしくは進相軸を有する位相差層を実現できる。以下、位相差層145及び位相差フィルム148の製造方法について、図6~図11を用いて説明する。図6~図11においては、図2aのB-B’断面に相当する構成を示して説明する。まず、図6に示すように、水晶などの基板10上に隔壁22を形成する。隔壁22は、上記の位相差層145を形成する領域を区切るように形成する。当該隔壁22は、例えばフォトリソグラフィ法やエッチング法などにより、レジストをパターニングして形成することができる。勿論、他の方法により隔壁22を形成しても構わない。基板10上に隔壁22を形成した後、図7に示すように、基板10のうち隔壁22で囲まれた領域に、誘電体ナノロッド3を含有する素子材料7を塗布する塗布工程。なお、母材となるシリコン酸化物の原料であるポリシラザンを任意の有機溶媒に溶解したものを準備し、その溶液中に複数の誘電体ナノロッド3を分散させた素子材料7を予め作製しておく。この段階では、複数の誘電体ナノロッド3はランダムな方向を向いている。また、素子材料7は、基板10の上に薄膜状に形成されている。素子材料7の主面をxy面とし、素子材料7の主面の法線方向をz軸方向とする。素子材料7は、例えば公知の印刷技術やインクジェット法などを用いて形成することができる。次に、図8に示すように、薄膜状の素子材料7を挟むように一対の電極第一電極4及び第二電極5をそれぞれ複数組配置し、第一電極4と第二電極5とを用いて素子材料7に電界を印加する電界印加工程。また、素子材料7は、不図示の基板駆動部により、基板10に支持された状態で第一電極4と第二電極5との間を基板10とともに、z軸と直交する所定の方向矢印Dで示すに移動する構成となっている。上記の所定の方向とは、本実施例においてはx軸と45°をなす方向であるが、これに限定されない。z軸方向から見たとき、第一電極4および第二電極5は帯状の形状を有し、第一電極4と第二電極5は互いに平行に設けられている。具体的には、誘電体ナノロッド3の長軸方向の方位角φが45°であるため、第一電極4および第二電極5は、x軸に対して135°の角をなして延在するように配置されている。さらに、第一電極4は第二電極5に対して方位角45°の方向にずれた位置に配置されている。この電極配置により、電界Eは、素子材料7の主面7aに対して斜めに、かつ方位角45°の方向に印加される。素子材料7に含まれる複数の誘電体ナノロッド3は針状の形状をしており、各誘電体ナノロッド3には分極が生じている。そのため、電界を受けた誘電体ナノロッド3から順に、長軸方向が電界Eの方向に沿うように配向する。素子材料7の全体に電界Eが印加されると、複数の誘電体ナノロッド3は、その長軸方向の方位角が略所定の方向に揃い、かつ、長軸方向が素子材料7の主面7a、すなわち母材2の主面2aに対して傾くように配向する。次に、図9に示すように、例えばオーブン6等を用いて素子材料7を焼成する焼成工程。これにより、素子材料7中の有機溶媒が除去されるとともに、ポリシラザンが大気中の水分や酸素と反応して固化し、シリコン酸化物母材2に変化する。このとき、複数の誘電体ナノロッド3が略同一方向に配向した状態で固定され、位相差層145が形成される。次に、図10に示すように、例えばエッチングなどを行うことにより、隔壁22を除去するレジスト除去工程。隔壁22を除去した後、例えば洗浄液などによって基板10上を洗浄する。隔壁22が除去されることにより、基板10上において、各位相差層145の間にスペースが形成される。次に、図11に示すように、基板10上において位相差層145の間のスペースを埋めるように、無機材料を用いて光学的等方層146を形成する光学的等方層形成工程。光学的等方層146は、例えば蒸着法やスパッタリング法等によって形成することができる。光学的等方層146が形成されることにより、本実施形態の位相差フィルム148が完成する。次に、完成された位相差フィルム148と、偏光変換セル141との間で位置合わせを行い、位相差フィルム148を当該偏光変換セル141に貼り付ける。位置合わせを行う際には、偏光変換セル141のうち第一偏光が射出される部分に位相差層145が配置され、第二偏光が射出される部分に光学的等方層146が配置されるようにする。このようにして、本実施形態の偏光変換素子140が完成する。以上のように、本実施形態によれば、位相差層145が少なくとも例えば第一偏光を透過する母材2と、母材2中に長軸方向が略一方向に配向するように分散された複数の誘電体ナノロッド3とを有することとしたので、偏光変換に寄与する誘電体ナノロッド3が母材2に埋め込まれた状態となる。本実施形態の位相差層145は、複数の誘電体ナノロッド3が位相差を発生させ、母材2は位相差を発生させないため、複数の誘電体ナノロッド3の材料、形状、配向などの諸元を制御することによって、位相差層145の位相差を比較的容易に制御できる。さらに、母材2が無機物の一つであるシリコン酸化物で構成されているため、耐熱性に優れた位相差板を実現できる。したがって、高輝度の光が照射されるプロジェクターの液晶ライトバルブに用いて好適なものとなる。また、本実施形態の位相差層145の製造方法によれば、第一電極4に対する第二電極5の相対位置を変えて電界の方向を調整することで、母材2の主面2aに対する誘電体ナノロッド3の長軸方向Cの傾きを調整することができる。このようにして、位相差が制御された位相差層145を比較的容易に作製することができる。例えば斜方蒸着法等で位相差板を作製した場合、基板上に多数の誘電体のカラム結晶構造体が形成される。多数のカラムが露出したままであると、カラムの酸化、吸湿等の原因により特性が劣化する虞がある。これに対して、本実施形態の位相差層145では、多数の誘電体ナノロッド3が母材2中に埋め込まれた状態となるため、誘電体ナノロッド3の変質が生じることがない。これにより、位相差層145における偏光特性の劣化が低減されるため、信頼性に優れた偏光変換素子140を得ることができる。また、本実施形態によれば、ひとつの位相差フィルム148に、複数の位相差層145と複数の光学的等方層146とを一体的に備えることとしたので、複数の位相差層145と複数の光学的等方層146とを一の動作で偏光変換セル141の所定の位置に高い位置精度で装着することができる。これにより、偏光変換素子140の製造コスト及び製造の手間を大きく削減することができる。本実施形態によれば、位相差層145と光学的等方層146とが一方向に交互に配置されていることとしたので、位相差層145及び光学的等方層146と偏光変換セル141との間の位置合わせは、一方向において行えば済むことになる。これにより、位相差フィルム148を偏光変換セル141に装着する際のコスト及び手間を大きく削減することができる。[第二実施形態]次に、本発明の第二実施形態を説明する。図12a及び図12bを用いて第二実施形態に係る偏光変換素子340について説明するが、第1実施形態と共通する構成については、説明を省略する。図12aは本実施形態による偏光変換素子340を光射出側から見たときの平面図である。図12bは、偏光変換素子340のA-A’断面図である。偏光変換素子340は2個の偏光変換セル141を有している。図12bに示したように、2個の偏光変換セル141各々が備えるPBS膜143が互いに隣り合うように、2個の偏光変換セル141が組み立てられている。偏光変換素子340が備える位相差フィルム348は、二つの位相差層145及び一つの光学的等方層146を備えている。二つの位相差層145及び一つの光学的等方層146は一体的に形成されており、光学的等方層146は二つの位相差層145の間に設けられている。この場合であっても、上記第一実施形態と同様の効果を得ることができる。[第三実施形態]次に、本発明の第三実施形態を説明する。上記第一実施形態及び第二実施形態では、偏光変換素子として、位相差層141とPBS膜143とからなる偏光変換セル141を複数一方向に配列させた所謂PBSアレイ方式と呼ばれる構成を例に挙げて説明したが、本実施形態では、所謂プリズム方式と呼ばれる構成の偏光変換素子240が用いられた構成を例に挙げて説明する。図13は、本実施形態に係る偏光変換素子240の構成を示す図である。図13に示すように、当該偏光変換素子240は、プリズム241、透明基板242、PBS膜243、光反射膜244及び位相差フィルム248を有している。プリズム241は、光入射面241aと、光分離面241bと、光射出面241cとを有している。光分離面241bにはPBS膜243が形成されている。PBS膜243は、光分離面241bと透明基板242の第一面242aとによって挟まれている。透明基板242の第二面242bには、光反射膜244が形成されている。位相差フィルム248は、位相差層245及び光学的等方層246がレンズアレイ基板247に形成された構成を有している。この構成において、レンズアレイ130からの光Lは、光入射面241aからプリズム241に入射し、PBS膜243において第一偏光L1と第二偏光L2とに分離される。分離された第一偏光L1は、PBS膜243を透過し、光反射膜244によって光射出面241c側へ反射される。この第一偏光L1は、光射出面241cから射出され、位相差層245に入射される。位相差層245に入射した第一偏光L1は、第二偏光L3に変換されてレンズアレイ基板247から射出される。一方、分離された第二偏光L2は、PBS膜243によって光射出面241c側へ反射される。反射された第二偏光L2は、光射出面241cから射出され、光学的等方層246を通過してレンズアレイ基板247から射出される。この場合であっても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。例えば、上記実施形態においては、位相差層145に電界を印加する際、基板10を移動させつつ電界を印加する構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。図14は、電界印加工程の他の例を示す図である。図14に示すように、素子材料7を挟むように複数対ここでは3対の第一電極4a,第一電極4b,第一電極4c,第二電極5a,第二電極5b,第二電極5cが配置されている。第一電極4aと第二電極5aとが1つの対をなし、第一電極4bと第二電極5bとが1つの対をなし、第一電極4cと第二電極5cとが1つの対をなす。電界印加工程では、これら3対の電極を用いて素子材料7に電界を印加する。例えば、最初に第一電極4aと第二電極5aとを用いて、素子材料7の主面7aに対して斜め方向に電界Eを印加する。次に、第一電極4bと第二電極5bとを用いて、素子材料7の主面7aに対して斜め方向に電界Eを印加する。さらに、第一電極4cと第二電極5cとを用いて、素子材料7の主面7aに対して斜め方向に電界Eを印加する。この方法によれば、素子材料7を移動させなくても、上記の製造方法と同様、素子材料7の一端側の誘電体ナノロッド3から他端側の誘電体ナノロッド3に向けて順に配向が進行する。また、上記実施形態では、光学的等方層146として、無機材料を用いた層を形成する構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、図15に示すように、位相差層145の間に何も形成せず、光学的等方層146が空気の層となるような構成であっても構わない。この構成によれば、例えば上記実施形態における光学的等方層形成工程を省略することができるため、位相差フィルム148及び偏光変換素子140の製造工程を短縮することができ、低コスト化が可能となる。また、上記各実施形態では、偏光分離部から射出された第一偏光を第二偏光に変換し、偏光変換セルから第二偏光を射出するように位相差層と光学的等方層を配置したが、これに限られない。例えば、偏光分離部から射出された第二偏光を第一偏光に変換し、偏光変換セルから第一偏光を射出するように位相差層と光学的等方層を配置してもよい。また、第一偏光L1の偏光状態を、当該PBS膜143に対するS偏光とし、第二偏光L2の偏光状態を、当該PBS膜143に対するP偏光としてもよい。"