"フェノール樹脂及び溶剤を含むフェノール樹脂組成物であって、該組成物をシリコンウエハー上にスピンコートして、ホットプレート上において該シリコンウエハー及びスピンコート膜を100°Cで3分間加熱して、窒素雰囲気下において該スピンコート膜を250°Cで1時間硬化して厚さ10μmの硬化物を得て、該硬化物を3mm幅でダイシングソーにより切断して、23質量フッ酸水溶液で処理することにより該シリコンウエハーを剥離して、温度23°C湿度50の雰囲気に24時間以上静置して20本のサンプルを得て、該20本のサンプルを引っ張り試験機により測定したときに該サンプルの引っ張り伸度の上位5点の平均値が25以上であることを特徴とする、前記フェノール樹脂組成物。前記引っ張り伸度の上位5点の平均値が40以上である、請求項1に記載のフェノール樹脂組成物。前記サンプルのヤング率の下位5点の平均値が4.0GPa未満である、請求項1又は2に記載のフェノール樹脂組成物。前記フェノール樹脂の繰り返し単位において、炭素原子の数に対する酸素原子及び窒素原子の数の割合が0.1以下である、請求項1~3のいずれか1項に記載のフェノール樹脂組成物。さらに架橋剤を含む、請求項1~4のいずれか1項に記載のフェノール樹脂組成物。さらに感光剤を含む、請求項1~5のいずれか1項に記載のフェノール樹脂組成物。請求項1~5のいずれか1項に記載のフェノール樹脂組成物を基板に塗布してレリーフパターンを形成する工程、及び該レリーフパターンを加熱して硬化レリーフパターンを形成する工程を含む、硬化レリーフパターンの製造方法。請求項6に記載のフェノール樹脂組成物を基板に塗布する工程、該フェノール樹脂組成物を露光する工程、露光したフェノール樹脂組成物を現像してレリーフパターンを形成する工程、及び該レリーフパターンを加熱して硬化レリーフパターンを形成する工程を含む、硬化レリーフパターンの製造方法。請求項7又は8に記載の製造方法により得られる硬化レリーフパターンを有して成る半導体装置。本発明の課題は、半導体装置に適用して、250°C以下の熱で硬化させた際でも、信頼性が高く、かつポリイミド樹脂及びポリベンゾオキサゾール樹脂の代替材料となり得るフェノール樹脂組成物、該組成物を用いた硬化レリーフパターンの製造方法、及び該硬化レリーフパターンを有して成る半導体装置を提供することである。本発明者は、半導体装置に適用したときに、250°C以下などの低い熱硬化温度であっても、信頼性の高い膜を形成できる材料であるためには、熱硬化した膜の引っ張り伸度が特定の値以上であることが必要であることを見出し、本発明を為すに至った。[1]フェノール樹脂及び溶剤を含むフェノール樹脂組成物であって、該組成物をシリコンウエハー上にスピンコートして、ホットプレート上において該シリコンウエハー及びスピンコート膜を100°Cで3分間加熱して、窒素雰囲気下において該スピンコート膜を250°Cで1時間硬化して厚さ10μmの硬化物を得て、該硬化物を3mm幅でダイシングソーにより切断して、23質量フッ酸水溶液で処理することにより該シリコンウエハーを剥離して、温度23°C湿度50の雰囲気に24時間以上静置して20本のサンプルを得て、該20本のサンプルを引っ張り試験機により測定したときに該サンプルの引っ張り伸度の上位5点の平均値が25以上であることを特徴とする、前記フェノール樹脂組成物。[2]前記引っ張り伸度の上位5点の平均値が40以上である、[1]に記載のフェノール樹脂組成物。[3]前記サンプルのヤング率の下位5点の平均値が4.0GPa未満である、[1]又は[2]に記載のフェノール樹脂組成物。[4]前記フェノール樹脂の繰り返し単位において、炭素原子の数に対する酸素原子及び窒素原子の数の割合が0.1以下である、[1]~[3]のいずれか1項に記載のフェノール樹脂組成物。[5]さらに架橋剤を含む、[1]~[4]のいずれか1項に記載のフェノール樹脂組成物。[6]さらに感光剤を含む、[1]~[5]のいずれか1項に記載のフェノール樹脂組成物。[7]前記[1]~[5]のいずれか1項に記載のフェノール樹脂組成物を基板に塗布してレリーフパターンを形成する工程、及び該レリーフパターンを加熱して硬化レリーフパターンを形成する工程を含む、硬化レリーフパターンの製造方法。[8]前記[6]に記載のフェノール樹脂組成物を基板に塗布する工程、該フェノール樹脂組成物を露光する工程、露光したフェノール樹脂組成物を現像してレリーフパターンを形成する工程、及び該レリーフパターンを加熱して硬化レリーフパターンを形成する工程を含む、硬化レリーフパターンの製造方法。[9]前記[7]又は[8]に記載の製造方法により得られる硬化レリーフパターンを有して成る半導体装置。本発明によれば、半導体装置の表面保護膜又は層間絶縁膜を形成するための熱硬化温度を比較的低い温度例えば、250°C以下にすることができる。また、本発明によれば、表面保護膜又は層間絶縁膜のクラックを減らして、それの信頼性を高めるだけでなく、それを有して成る半導体装置の信頼性を高めることもできる。本発明のフェノール樹脂組成物は、フェノール樹脂と溶剤を含むフェノール樹脂組成物であって、該組成物をシリコンウエハー上にスピンコートして、ホットプレート上において該シリコンウエハー及びスピンコート膜を100°Cで3分間加熱して、窒素雰囲気下において該スピンコート膜を250°Cで1時間硬化して厚さ10μmの硬化物を得て、該硬化物を3mm幅でダイシングソーにより切断して、23質量フッ酸水溶液で処理することにより該シリコンウエハーを剥離して、温度23°C湿度50の雰囲気に24時間以上静置して20本のサンプルを得て、該20本のサンプルを引っ張り試験機により測定したときに該サンプルの引っ張り伸度の上位5点の平均値が20以上であることを特徴とする、前記フェノール樹脂組成物である。本発明のフェノール樹脂組成物を特徴づける、前記引っ張り伸度について、以下に説明する。<引っ張り伸度>半導体装置に適用される表面保護膜又は層間絶縁膜の信頼性とは、半導体装置作製の後工程における、スパッタ、アニーリング、エッチング、表面保護膜の硬化キュア、ダイアタッチフィルムとの接着、半導体チップ間の接続、半導体チップとインターポーザーとの接続、ワイヤーボンディング、アンダーフィルの注入、封止樹脂によるモールディング、半田リフロー、バーンインなどの一連の工程を経ても半導体装置として正常に作動することであり、信頼性は表面保護膜又は層間絶縁膜の総合的な性能であると考えられている。しかしながら、本発明者らは、前述した一連の様々な段階で熱の履歴がかかり、半導体装置の異種材料間での熱膨張率の差により応力が発生し、半導体装置のそりとなり、この時に、表面保護膜又は層間絶縁膜等がそりに堪えられないと、膜にクラックなどの欠陥が生じ、元来、表面保護膜又は層間絶縁膜等に期待されていた封止樹脂のフィラーによる応力の低減、絶縁性、α線遮蔽効果等が発揮できなくなるのではないかと考えた。そこで本発明者らは、表面保護膜又は層間絶縁膜等として存在する膜の引っ張り伸度について検討したところ、上記のような特定条件で測定した引っ張り伸度の平均値が、特定の値すなわち、約20以上であると、そりが発生しても、膜にクラックなどの欠陥を発生させることがなく、期待されていた機能が保持されることを見出した。この引っ張り伸度の平均値は、信頼性の観点から、25以上であることが好ましく、更には30以上、更には40以上、更には50以上であることが好ましく、54以上であることが最も好ましい。上限値は数値が大きいほど好ましいが、例えば100である。前記引っ張り伸度の測定方法及び測定条件は、以下の通りである。フェノール樹脂組成物をシリコンウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上において該シリコンウエハー及びスピンコート膜を100°Cで3分間加熱して、窒素雰囲気下において該スピンコート膜を250°Cで1時間硬化して厚さ10μmの硬化物を得る。この硬化物を3mm幅でダイシングソーにより切断して、23質量フッ酸水溶液で処理することによりシリコンウエハーを剥離して、さらに温度23°C湿度50の雰囲気に24時間以上静置して、20本のサンプルを得て、引っ張り試験機例えば、テンシロン登録商標、オリンテック社製にて各サンプルの引っ張り伸度を測定し、20本のサンプルの結果のうち、上位5点のサンプルの平均値を得る。引っ張り試験機の測定条件は以下の通りとする。温度:23°C湿度:50初期試料長さ:50mm試験速度:40mm/min.ロードセル定格:2kgf<ヤング率>また、本発明のフェノール樹脂組成物を熱硬化した膜のヤング率は、より低い方がより小さな応力でも膜が変形し始めることができ、応力緩和機能を発揮できるため好適であり、ヤング率が4.0GPa未満であることが好ましく、3.5GPa未満であることがより好ましく、3.0GPa未満であることが最も好ましい。一方、膜の耐熱性等を考慮するとヤング率が1.0GPa以上であることが好ましく、1.5GPa以上であることがより好ましい。前記ヤング率の測定方法及び測定条件は、以下の通りである。<ヤング率測定法>上記、引っ張り伸度測定法と同条件で、製膜、サンプル作製、測定を行い、得られたS-S曲線よりJISK7161に従って求め、20本の試料の値の中の下位5点のサンプルの平均値を採用する。<フェノール樹脂組成物>本発明のフェノール樹脂組成物以下、本組成物ともいう。とは、組成物中に含まれる重量平均分子量が1,500以上の樹脂のうち、フェノール樹脂を55質量以上、好ましくは75質量以上、より好ましくは95質量以上、最も好ましくは100質量含むものをいう。本発明のフェノール樹脂組成物を構成する成分について、以下に説明する。<フェノール樹脂>本組成物に用いられるフェノール樹脂は、その繰り返し単位にフェノール誘導体を含む高分子化合物である。フェノール樹脂としては、具体的には、フェノール誘導体に対し、アルデヒド化合物、ケトン化合物、メチロール化合物、又はアルコキシメチル化合物を重合させて得られる樹脂;フェノール-ジエン系重合樹脂;ポリヒドロキシスチレン系樹脂;及びこれらの樹脂の誘導体が挙げられる。また、本組成物に用いられるフェノール樹脂の重量平均分子量は、1,500以上である。前記フェノール誘導体に対し、アルデヒド化合物、ケトン化合物、メチロール化合物、又はアルコキシメチル化合物を重合させて得られる樹脂について、以下説明する。フェノール誘導体としては例えば、フェノール、クレゾール、エチルフェノール、プロピルフェノール、ブチルフェノール、アミルフェノール、ベンジルフェノール、アダマンタンフェノール、ベンジルオキシフェノール、キシレノール、カテコール、レゾルシノール、エチルレゾルシノール、ヘキシルレゾルシノール、ハイドロキノン、ピロガロール、フロログルシノール、1,2,4-トリヒドロキシベンゼン、パラロゾール酸、ビフェノール、ビスフェノールA、ビスフェノールAF、ビスフェノールB、ビスフェノールF、ビスフェノールS、ジヒドロキシジフェニルメタン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニルシクロヘキサン、1,4-ビス3-ヒドロキシフェノキシベンゼン、2,2-ビス4-ヒドロキシ-3-メチルフェニルプロパン、α,α’-ビス4-ヒドロキシフェニル-1,4-ジイソプロピルベンゼン、9,9-ビス4-ヒドロキシ-3-メチルフェニルフルオレン、2,2-ビス3-シクロヘキシル-4-ヒドロキシフェニルプロパン、2,2-ビス2-ヒドロキシ-5-ビフェニルイルプロパン、ジヒドロキシ安息香酸などが挙げられる。アルデヒド化合物としてはホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ピバルアルデヒド、ブチルアルデヒド、ペンタナール、ヘキサナール、トリオキサン、グリオキザール、シクロヘキシルアルデヒド、ジフェニルアセトアルデヒド、エチルブチルアルデヒド、ベンズアルデヒド、グリオキシル酸、5-ノルボルネン-2-カルボキシアルデヒド、マロンジアルデヒド、スクシンジアルデヒド、グルタルアルデヒド、サリチルアルデヒド、ナフトアルデヒド、テレフタルアルデヒドなどが挙げられる。ケトン化合物としてはアセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、ジシクロヘキシルケトン、ジベンジルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、ビシクロヘキサノン、シクロヘキサンジオン、3-ブチン-2-オン、2-ノルボルナノン、アダマンタノン、2,2-ビス4-オキソシクロヘキシルプロパンなどが挙げられる。メチロール化合物としては1,3-ビスヒドロキシメチル尿素、リビトール、アラビトール、アリトール、2,2-ビスヒドロキシメチル酪酸、2-ベンジルオキシ-1,3-プロパンジオール、シクロヘキサンジメタノール、2,2-ジメチル-1,3-プロパンジオール、2,2-ジエチル-1,3-プロパンジオール、モノアセチン、2-メチル-2-ニトロ-1,3-プロパンジオール、5-ノルボルネン-2,2-ジメタノール、5-ノルボルネン-2,3-ジメタノール、ペンタエリスリトール、2-フェニル-1,3-プロパンジオール、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、3,6-ビスヒドロキシメチルデュレン、2,6-ビスヒドロキシメチル-p-クレゾール、2,3-ビスヒドロキシメチルナフタレン、2,2’-ビスヒドロキシメチルジフェニルエーテル、1,8-ビスヒドロキシメチルアントラセン、2,6-ビスヒドロキシメチル-1,4-ジメトキシベンゼン、4,4’-ビフェニルジメタノール、1,4-ベンゼンジメタノール、2-ニトロ-p-キシリレングリコール、1,3-ベンゼンジメタノール等が挙げられる。アルコキシメチル化合物としては1,4-ビスメトキシメチルベンゼン、4,4’-ビスメトキシメチルビフェニル、1,3,4,6-テトラキスメトキシメチルグリコールウリル、2,4,6-トリス[ビスメトキシメチルアミノ]-1,3,5-トリアジン等が挙げられる。前記フェノール-ジエン系重合樹脂は、フェノール誘導体とジエン系化合物とを重合させて得ることができる。フェノール誘導体としては上述したものと同じものを用いることができ、ジエン系化合物としては、ブタジエン、ペンタジエン、ヘキサジエン、ヘプタジエン、オクタジエン、3-メチル-1,3-ブタジエン、1,3-ブタンジオール-ジメタクリラート、2,4-ヘキサジエン-1-オール、メチルシクロヘキサジエン、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、シクロヘキサジエン、シクロオクタジエン、ジシクロペンタジエン、1-ヒドロキシジシクロペンタジエン、1-メチルシクロペンタジエン、メチルジシクロペンタジエン、ジアリルエーテル、ジアリルスルフィド、アジピン酸ジアリル、2,5-ノルボルナジエン、テトラヒドロインデン、5-エチリデン-2-ノルボルネン、5-ビニル-2-ノルボルネン、シアヌル酸トリアリル、イソシアヌル酸ジアリル、イソシアヌル酸トリアリル、イソシアヌル酸ジアリルプロピル等が挙げられる。前記ポリヒドロキシスチレン系樹脂は、不飽和結合をもつフェノール誘導体を付加重合させて得ることができる。不飽和結合をもつフェノール誘導体を付加重合させた樹脂を合成する際のフェノール誘導体としてはヒドロキシスチレン、ジヒドロキシスチレン、アリルフェノール、クマル酸、ヒドロキシカルコン、N-ヒドロキシフェニル-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸イミド、レスベラトロール、ヒドロキシスチルベン等が挙げられる。上述のフェノール誘導体を脱水、若しくは脱アルコール、又は不飽和結合を開裂させながら重合させることにより樹脂化することができるが、重合時に触媒を用いてもよい。酸性の触媒としては塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、亜リン酸、メタンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、ジメチル硫酸、ジエチル硫酸、酢酸、シュウ酸、1-ヒドロキシエチリデン-1,1’-ジホスホン酸、酢酸亜鉛、三フッ化ホウ素、三フッ化ホウ素フェノール錯体、三フッ化ホウ素エーテル錯体等が挙げられる。一方で、アルカリ性の触媒としては水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、炭酸ナトリウム、トリエチルアミン、ピリジン、4-N,N-ジメチルアミノピリジン、ピペリジン、ピペラジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン、アンモニア、ヘキサメチレンテトラミン等が挙げられる。フェノール樹脂は複数の成分の共重合でもよく、その共重合の際に、フェノール誘導体の一部にフェノール性水酸基を有さない化合物を用いてもよい。フェノール樹脂の重量平均分子量は1,500~200,000が好ましく、1,500~100,000がより好ましく、2,000~50,000が最も好ましい。本発明のフェノール樹脂組成物は硬化膜とした際の引っ張り伸度が高いことが特徴である。そのためには、水素結合又はベンゼン環同士のπ電子の相互作用、ファンデルワールス力等を統合したポリマー間の相互作用が適度であることが重要で、特に水素結合を弱めるためにフェノール樹脂の繰り返し単位において、炭素原子の数に対する酸素原子及び窒素原子の数の割合が、0.1以下であることが好ましく、0.08以下であることがさらに好ましく、0.06以下であることが最も好ましい。また、フェノール樹脂の繰り返し単位において、炭素原子の数に対する水素原子及び窒素原子の数の割合が、0.01以上であれば、水素結合を含めたポリマー間の相互作用が適度な範囲に入る。<溶剤>本組成物に用いられる溶剤としては、アミド類、スルホキシド類、ウレア類、ケトン類、エステル類、ラクトン類、エーテル類、ハロゲン化炭化水素類、炭化水素類等が挙げられ、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、シュウ酸ジエチル、乳酸エチル、乳酸メチル、乳酸ブチル、γ-ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ベンジルアルコール、フェニルグリコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、モルフォリン、ジクロロメタン、1,2-ジクロロエタン、1,4-ジクロロブタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン、アニソール、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等を使用することができる。中でも、樹脂の溶解性、樹脂組成物の安定性、基板への接着性の観点から、N-メチル-2-ピロリドン、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、酢酸ブチル、乳酸エチル、γ-ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ベンジルアルコール、フェニルグリコール、テトラヒドロフルフリルアルコールが好ましい。本発明のフェノール樹脂組成物において、溶剤の添加量は、フェノール樹脂100質量部に対して100~1000質量部であり、好ましくは120~700質量部であり、さらに好ましくは150~500質量部の範囲である。<架橋剤>本発明のフェノール樹脂組成物には架橋剤が含有されていることが好ましい。架橋剤としては、1,1,2,2-テトラp-ヒドロキシフェニルエタンテトラグリシジルエーテル、グリセロールトリグリシジルエーテル、オルソセカンダリーブチルフェニルグリシジルエーテル、1,6-ビス2,3-エポキシプロポキシナフタレン、ジグリセロールポリグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールグリシジルエーテル、イソシアヌル酸トリグリシジル、エピクロン830、850、1050、N-680、N-690、N-695、N-770、HP-7200、HP-820、EXA-4850-1000商品名、DIC社製、デナコールEX-201、EX-313、EX-314、EX-321、EX-411、EX-511、EX-512、EX-612、EX-614、EX-614B、EX-731、EX-810、EX-911、EM-150商品名、ナガセケムテックス社製等のエポキシ化合物、キシリレンビスオキセタン、3-エチル-3{[3-エチルオキセタン―イルメトキシ]メチル}オキセタン等のオキセタン化合物、2,2’-ビス2-オキサゾリン、2,2’-イソプロピリデンビス4-フェニル-2-オキサゾリン、1,3-ビス4,5-ジヒドロ-2-オキサゾリルベンゼン、1,4-ビス4,5-ジヒドロ-2-オキサゾリルベンゼン、エポクロスK-2010E、K-2020E、K-2030E、WS-500、WS-700、RPS-1005商品名、日本触媒社製等のオキサゾリン化合物、カルボジライトSV-02、V-01、V-02、V-03、V-04、V-05、V-07、V-09、E-01、E-02、LA-1商品名、日清紡ケミカル社製等のカルボジイミド化合物、ホルムアルデヒド、グルタルアルデヒド、ヘキサメチレンテトラミン、トリオキサン、グリオキザール、マロンジアルデヒド、スクシンジアルデヒド等のアルデヒド及びアルデヒド変性体、4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアナート、1,3-フェニレンビスメチレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン―4,4’-ジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、タケネート500、600、コスモネートNBDI、ND商品名、三井化学社製デュラネート17B-60PX、TPA-B80E、MF-B60X、MF-K60X、E402-B80T商品名、旭化成ケミカル社製等のイソシアネート系架橋剤、アセチルアセトンアルミニウムIII塩、アセチルアセトンチタンIV塩、アセチルアセトンクロムIII塩、アセチルアセトンマグネシウムII塩、アセチルアセトンニッケルII塩、トリフルオロアセチルアセトンアルミニウムIII塩、トリフルオロアセチルアセトンチタンIV塩、トリフルオロアセチルアセトンクロムIII塩、トリフルオロアセチルアセトンマグネシウムII塩、トリフルオロアセチルアセトンニッケルII塩等の金属キレート剤、ニカラックMW-30MH、MW-100LH、BL-60、MX-270、MX-280、MX-290商品名、三和ケミカル社製、サイメル300、303、1123、マイコート102、105商品名、日本サイテック社製等のN-メチロール系化合物、1,4-ビスメトキシメチルベンゼン、4,4’-ビスメトキシメチルビフェニル等のC-メチロール系化合物、酢酸ビニル、トリメチロールプロパントリメタクリレート、1,3,5-ベンゼントリカルボン酸トリアリル、トリメリット酸トリアリル、ピロメリット酸テトラアリルエステル、ペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、NKエステル1G、2G、3G、4G、9G、14G、NPG、BPE-100、BPE-200、BPE-500、BPE-1400、A-200、A-400、A-600、TMPT、A-TMM-3商品名、新中村化学工業社製、BANI-M、BANI-X商品名、丸善石油化学株式会社製等の不飽和結合含有化合物等が挙げられる。上述の架橋剤の中でも、得られた熱硬化膜の伸度及び耐熱性の観点から、エピクロン830、850、1050、N-680、N-690、N-695、N-770、HP-7200、HP-820、EXA-4850-1000、デナコールEX-201、EX-313、EX-314、EX-321、EX-411、EX-511、EX-512、EX-612、EX-614、EX-614B、EX-731、EX-810、EX-911、EM-150、キシリレンビスオキセタン、3-エチル-3{[3-エチルオキセタン―イルメトキシ]メチル}オキセタン、1,3-ビス4,5-ジヒドロ-2-オキサゾリルベンゼン、ニカラックMW-30MH、MW-100LH、BL-60、MX-270、MX-280、MX-290、サイメル300、303、1123、マイコート102、105、1,4-ビスメトキシメチルベンゼン、4,4’-ビスメトキシメチルビフェニル、酢酸ビニル、トリメチロールプロパントリメタクリレート、1,3,5-ベンゼントリカルボン酸トリアリル、トリメリット酸トリアリル、ピロメリット酸テトラアリルエステル、ペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、BANI-M、及びBANI-Xが好ましい。架橋剤を使用する場合の配合量としては、フェノール樹脂100質量部に対して、0.1~30質量部が好ましい。<感光剤>本発明のフェノール樹脂組成物には、感光剤が含有されていることが好ましい。感光剤の種類を選択することにより、本発明のフェノール樹脂組成物をポジ型にすることもできるし、ネガ型とすることもできる。本発明のフェノール樹脂組成物をポジ型にする場合は、感光剤として光酸発生剤を選ぶことが必要である。光酸発生剤としてはナフトキノンジアジドNQD化合物、オニウム塩、ハロゲン含有化合物等を用いることができるが、溶剤溶解性及び保存安定性の観点から、後述のNQD構造を有する光活性化合物が好ましい。上記オニウム塩としては、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、アンモニウム塩、ジアゾニウム塩等が挙げられ、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、及びトリアルキルスルホニウム塩から成る群から選ばれるオニウム塩が好ましい。上記ハロゲン含有化合物としては、ハロアルキル基含有炭化水素化合物等が挙げられ、トリクロロメチルトリアジンが好ましい。上記ナフトキノンジアジド化合物としては、1,2-ベンゾキノンジアジド構造又は1,2-ナフトキノンジアジド構造を有する化合物が挙げられ、これらは例えば米国特許第2,772,972号明細書、米国特許第2,797,213号明細書、及び米国特許第3,669,658号明細書等に記述されている。該ナフトキノンジアジド構造は、以下に詳述する特定構造を有するポリヒドロキシ化合物の1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、及び該ポリヒドロキシ化合物の1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステルから成る群から選択される少なくとも1種の化合物以下、NQD化合物ともいう。である。該NQD化合物は、常法に従って、ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物を、クロルスルホン酸又は塩化チオニルでスルホニルクロライドとし、得られたナフトキノンジアジドスルホニルクロライドと、ポリヒドロキシ化合物とを縮合反応させることにより得られる。例えば、ポリヒドロキシ化合物と、所定量の1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホニルクロリド又は1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホニルクロリドとを、ジオキサン、アセトン、テトラヒドロフラン等の溶媒中において、トリエチルアミン等の塩基性触媒の存在下で反応させてエステル化を行い、得られた生成物を水洗、乾燥することによりNQD化合物を得ることができる。好ましいNQD化合物の例としては、例えば、下記のものが挙げられる。{式中、Qは水素原子又は下記:のナフトキノンジアジドスルホン酸エステル基であり、すべてのQが同時に水素原子であることはない。}また、同一分子中に4-ナフトキノンジアジドスルホニル基及び5-ナフトキノンジアジドスルホニル基を併用した、ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物を用いることもできるし、4-ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物と5-ナフトキノンジアジドスルホニルエステル化合物とを混合して使用することもできる。本発明において、フェノール樹脂100質量部に対する感光剤の配合量は、1~50質量部であることが好ましく、5~30質量部であることがより好ましい。感光剤の上記配合量が1質量部以上である場合、樹脂のパターニング性が良好であり、50質量部以下である場合、硬化後の膜の引張り伸び率が良好であり、かつ露光部の現像残さスカムが少ない。<その他>本発明のフェノール樹脂組成物には、必要に応じて、染料、界面活性剤、基板との密着性を高めるための接着助剤、溶解促進剤、架橋促進剤等を含有させることが可能である。上記染料としては、例えば、メチルバイオレット、クリスタルバイオレット、マラカイトグリーン等が挙げられる。染料の配合量としては、フェノール樹脂100質量部に対して、0.1~30質量部が好ましい。上記界面活性剤としては、例えば、ポリプロピレングリコール、ポリオキシエチレンラウリルエーテル等のポリグリコール類又はその誘導体から成る非イオン系界面活性剤の他、例えばフロラード登録商標、商品名、住友3M社製、メガファック登録商標、商品名、大日本インキ化学工業社製、ルミフロン登録商標、商品名、旭硝子社製等のフッ素系界面活性剤、例えばKP341商品名、信越化学工業社製、DBE商品名、チッソ社製、グラノール商品名、共栄社化学社製等の有機シロキサン界面活性剤が挙げられる。界面活性剤を使用する場合の配合量としては、フェノール樹脂100質量部に対して、0.01~10質量部が好ましい。上記接着助剤としては、例えば、アルキルイミダゾリン、酪酸、アルキル酸、ポリヒドロキシスチレン、ポリビニルメチルエーテル、t-ブチルノボラック、エポキシシラン、エポキシポリマー等、及び各種アルコキシシランが挙げられる。アルコキシシランの好ましい例としては、例えば、テトラアルコキシシラン、ビストリアルコキシシリルメタン、ビストリアルコキシシリルエタン、ビストリアルコキシシリルエチレン、ビストリアルコキシシリルヘキサン、ビストリアルコキシシリルオクタン、ビストリアルコキシシリルオクタジエン、ビス[3-トリアルコキシシリルプロピル]ジスルフィド、N-フェニル-3-アミノプロピルトリアルコキシシラン、3-メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、2-トリアルコキシシリルエチルピリジン、3-メタクリロキシプロピルトリアルコキシシラン、3-メタクリロキシプロピルジアルコキシアルキルシラン、ビニルトリアルコキシシラン、3-ウレイドプロピルトリアルコキシシラン、3-イソシアネートプロピルトリアルコキシシラン、3-トリアルコキシシリルプロピルコハク酸無水物、N-3-トリアルコキシシリルプロピル-4,5-ジヒドロイミダゾール、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリアルコキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリアルコキシシラン、3-グリシドキシプロピルジアルコキシアルキルシラン、3-アミノプロピルトリアルコキシシラン及び3-アミノプロピルジアルコキシアルキルシラン並びに酸無水物又は酸二無水物の反応物、3-アミノプロピルトリアルコキシシラン又は3-アミノプロピルジアルコキシアルキルシランのアミノ基をウレタン基又はウレア基に変換したもの等を挙げることができる。なお、上記した化合物中のアルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられ、酸無水物としてはマレイン酸無水物、フタル酸無水物、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物等が挙げられ、酸二無水物としてはピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、4,4’-オキシジフタル酸二無水物等が挙げられ、ウレタン基としてはt-ブトキシカルボニルアミノ基等が挙げられ、ウレア基としてはフェニルアミノカルボニルアミノ基等が挙げられる。接着助剤を使用する場合の配合量としては、フェノール樹脂100質量部に対して、0.1~30質量部が好ましい。上記溶解促進剤としては、水酸基又はカルボキシル基を有する化合物が好ましい。水酸基を有する化合物の例としては、前述のナフトキノンジアジド化合物に使用しているバラスト剤、並びにパラクミルフェノール、ビスフェノール類、レゾルシノール類、及びMtrisPC、MtetraPC等の直鎖状フェノール化合物、TrisP-HAP、TrisP-PHBA、TrisP-PA等の非直鎖状フェノール化合物全て本州化学工業社製、ジフェニルメタンの2~5個のフェノール置換体、3,3-ジフェニルプロパンの1~5個のフェノール置換体、2,2-ビス-3-アミノ-4-ヒドロキシフェニルヘキサフルオロプロパンと5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物との1対2反応物、ビス-3-アミノ-4-ヒドロキシフェニルスルホンと1,2-シクロヘキシルジカルボン酸無水物との1対2反応物、N-ヒドロキシコハク酸イミド、N-ヒドロキシフタル酸イミド、N-ヒドロキシ5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸イミド等が挙げられる。カルボキシル基を有する化合物の例としては、3-フェニル乳酸、4-ヒドロキシフェニル乳酸、4-ヒドロキシマンデル酸、3,4-ジヒドロキシマンデル酸、4-ヒドロキシ-3-メトキシマンデル酸、2-メトキシ-2-1-ナフチルプロピオン酸、マンデル酸、アトロラクチン酸、アセチルマンデル酸、α-メトキシフェニル酢酸、3-フェニル乳酸、4-ヒドロキシフェニル乳酸、4-ヒドロキシマンデル酸、3,4-ジヒドロキシマンデル酸、4-ヒドロキシ-3-メトキシマンデル酸、2-メトキシ-2-1-ナフチルプロピオン酸、マンデル酸、アトロラクチン酸、O-アセチルマンデル酸、α-メトキシフェニル酢酸、4-ヒドロキシマンデル酸、3,4-ジヒドロキシマンデル酸、4-ヒドロキシ-3-メトキシマンデル酸、マンデル酸、アトロラクチン酸、O-アセチルマンデル酸、α-メトキシフェニル酢酸、O-アセチルマンデル酸、α-メトキシフェニル酢酸等を挙げることができる。溶解促進剤を使用する場合の配合量としては、フェノール樹脂100質量部に対して、0.1~30質量部が好ましい。上記架橋促進剤としては、熱又は光により酸、塩基、ラジカルを発生するものが好ましい。熱又は光により酸を発生するものとしては、TPS-105、1000、DTS-105、NDS-105、165商品名、みどり化学社製、DPI-DMAS、TTBPS-TF、TPS-TF、DTBPI-TF商品名、東洋合成社製等のオニウム塩、メタンスルホン酸メチル、メタンスルホン酸エチル、ベンゼンスルホン酸メチル、p-トルエンスルホン酸メチル、p-トルエンスルホン酸メトキシエチルなどのスルホン酸エステル、NAI-100、101、105、106、PAI-101商品名、みどり化学社製、イルガキュアPAG-103、108、121、203、CGI-1380、725、NIT、1907、PNBT商品名、BASFジャパン社製等のオキシムスルホネート等を挙げることができる。熱又は光により塩基を発生するものとしては、U-CATSA-1、102、506、603、810商品名、サンアプロ社製、CGI-1237、1290、1293商品名、BASFジャパン社製等のアミン塩、2,6-ピペリジン又はブチルアミン、ジエチルアミン、ジブチルアミン、N,N’-ジエチル-1,6-ジアミノヘキサン、ヘキサメチレンジアミンなどのアミノ基をウレタン基又はウレア基に変換したものなどが挙げられる。ウレタン基としてはt-ブトキシカルボニルアミノ基等が挙げられ、ウレア基としてはフェニルアミノカルボニルアミノ基等が挙げられる。熱又は光によりラジカルを発生するものとしては、イルガキュア651、184、2959、127、907、369、379商品名、BASFジャパン社製等のアルキルフェノン、イルガキュア819商品名、BASFジャパン社製等のアシルフォスフィンオキサイド、イルガキュア784商品名、BASFジャパン社製等のチタノセン、イルガキュアOXE01、02商品名、BASFジャパン社製等のオキシムエステル等を挙げることができる。<硬化レリーフパターンの形成方法>本発明におけるフェノール樹脂組成物として、感光剤を含有する組成物を用いた場合における基板上に硬化レリーフパターンを形成する方法の一例を以下に示す。まず感光剤を含有する本組成物を適当な支持体又は基板、例えばシリコンウエハー、セラミック、アルミ基板などに塗布する。この時、形成するパターンと支持体との耐水接着性を確保するため、あらかじめ支持体又は基板にシランカップリング剤などの接着助剤を塗布しておいてもよい。該組成物の塗布方法はスピンナーを用いた回転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等で行う。次に、80~140°Cでプリベークして塗膜を乾燥後、フェノール樹脂組成物を露光する。露光する化学線としては、X線、電子線、紫外線、可視光線などが使用できるが、200~500nmの波長のものが好ましい。パターンの解像度及び取り扱い性の点で、その光源波長は水銀ランプのg線、h線又はi線が好ましく、単独でも混合していてもよい。露光装置としてはコンタクトアライナー、ミラープロジェクション、及びステッパ-が特に好ましい。次に現像が行われるが、浸漬法、パドル法、回転スプレー法等の方法から選択して行うことができる。現像により、塗布されたフェノール樹脂組成物から、露光部又は未露光部を溶出除去され、レリーフパターンを得ることができる。現像液としては、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン等の有機アミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド等の4級アンモニウム塩類等の水溶液、及び必要に応じてメタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒又は界面活性剤を適当量添加した水溶液を使用することができる。これらの中で、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液が好ましく、その濃度は、好ましくは、0.5~10質量であり、さらに好ましくは、1.0~5質量である。現像後、リンス液により洗浄を行い現像液を除去することにより、パターンフィルムを得ることができる。リンス液としては、蒸留水、メタノール、エタノール、イソプロパノール等を単独又は組み合わせて用いることができる。最後に、このようにして得られたレリーフパターンを加熱することで硬化レリーフパターンを得ることができる。加熱温度は150°C以上280°C以下が好ましい。一般的に使われているポリイミド又はポリベンゾオキサゾール前駆体組成物を用いた硬化レリーフパターンの形成方法においては、300°C以上に加熱して脱水環化反応を進行させることにより、ポリイミド又はポリベンズオキサゾール等に変換する必要があるが、本発明の硬化レリーフパターンの製造方法においてはその必要性がないので、熱に弱い半導体装置等にも好適に使用することが出来る。一例を挙げるならば、プロセス温度に制約のある高誘電体材料又は強誘電体材料、例えばチタン、タンタル、又はハフニウムなどの高融点金属の酸化物から成る絶縁層を有する半導体装置に好適に用いられる。半導体装置がこのような耐熱性上の制約を持たない場合であれば、もちろん、本方法においても300~400°Cに加熱処理をしてもよい。このような加熱処理は、ホットプレート、オーブン、又は温度プログラムを設定できる昇温式オーブンを用いることにより行うことが出来る。加熱処理を行う際の雰囲気気体としては空気を用いてもよく、窒素、アルゴン等の不活性ガスを用いることもできる。また、より低温にて熱処理を行う必要が有る際には、真空ポンプ等を利用して減圧下にて加熱を行ってもよい。一方で、フェノール樹脂組成物が非感光性である場合は、本発明のフェノール樹脂組成物の塗布工程においてレリーフパターンを形成するか、塗布工程の後にレーザー等で加工することによりレリーフパターンを形成することができる。塗布工程においてレリーフパターンを形成する場合は、スクリーン印刷、凸版印刷、平版印刷等によりレリーフパターン状にフェノール樹脂組成物を印刷塗布することができる。インクジェット方式、ディスペンサー方式による吹き付け、又はプロッターなどによる直接描画によってノズルからフェノール樹脂組成物を含む溶液を吐出させレリーフパターンを形成することもできる。塗布工程の後にレーザー等で加工することによりレリーフパターンを形成する場合には、スピンコート等で塗布した後にレーザー、例えば、エキシマレーザー又はUV-YAGレーザーを用いて、レリーフパターン以外の部分をレーザーで焼き飛ばすことにより、レリーフパターンを形成することができる。その後、上述の感光性フェノール樹脂組成物の場合と同様に、得られたレリーフパターンを加熱することで硬化レリーフパターンを得ることができる。<半導体装置>また、本発明のフェノール樹脂組成物を用いて製造した硬化レリーフパターンを有して成る半導体装置も本発明の一態様である。本発明の半導体装置は、上述の硬化レリーフパターンを、表面保護膜、層間絶縁膜、再配線用絶縁膜、フリップチップ装置用保護膜、又はバンプ構造を有する装置の保護膜として、公知の半導体装置の製造方法と組み合わせることで製造することができる。以下、実施例及び比較例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。<参考例1>1Lのセパラブルフラスコにフェノール141.2g1.5molを入れ、窒素気流下で撹拌しながら、オイルバスで80°Cに加熱し、三フッ化ホウ素フェノール錯体3.0gを添加し、さらに130°Cに昇温して、ジシクロペンタジエン132.2g1.0molを2時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに130°Cで5時間撹拌した。反応終了後、水酸化カルシウムで酸触媒を中和した後、減圧蒸留し、未反応のフェノールを蒸留除去し、フェノール-ジシクロペンタジエン樹脂P-1203gを得た。P-1のGPCによる重量平均分子量Mw、ポリスチレン換算は10200であった。<参考例2>1LのセパラブルフラスコにEP4080Gクレゾールノボラック樹脂、商品名、旭有機材工業社製75g、ピリジン19.8g0.25mol及びガンマブチロラクトンGBL125gを入れ、撹拌しながらプロピオニルクロリド23.1g0.25molを10分間かけて滴下した。滴下終了後、室温で8時間撹拌した。反応終了後、反応液を500gの水中に滴下し、析出物を濾過して、濾滓をGBL150gに溶解する操作を3回繰り返した後、減圧下乾燥し、クレゾールノボラックの水酸基の38をブロックした樹脂P-2を得た。P-2において水酸基の38がブロックされていることは、1H-NMRにおいて、9ppm付近の水酸基のピーク強度が、未処理のEP4080Gと比較して38減少していることで確認した。P-2のGPCによる重量平均分子量Mw、ポリスチレン換算は4900であった。<参考例3>参考例2のピリジン、及びプロピオニルクロリドの量を各々39.6g0.50mol、46.3g0.50molとした以外は同様の操作を行い、クレゾールノボラックの水酸基の76をブロックした樹脂P-3を得た。P-3で水酸基の76がブロックされていることは、1H-NMRにおいて、9ppm付近の水酸基のピーク強度が、未処理のEP4080Gと比較して76減少していることで確認した。P-3のGPCによる重量平均分子量Mw、ポリスチレン換算は5100であった。<参考例4>500mLのセパラブルフラスコに二炭酸ジ-t-ブチル43.7g0.2mol、4-N,N-ジメチルアミノピリジン0.25g0.002molを入れ、撹拌しながらN,N’-ジエチル-1,6-ジアミノヘキサン17.2g0.1molを10分間かけて滴下した。滴下終了後、50°Cに昇温して8時間撹拌した。反応終了後、反応液に水200gを加えた後、有機層を酢酸エチルで抽出し、炭酸水素ナトリウム水溶液、及び飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥してから溶媒を減圧留去して、アミノ基をウレタン基に変換した熱塩基発生剤TBG-129.5gを得た。<フェノール樹脂組成物の調製>表1に示す各成分を混合して均一溶液とした後、孔径1μmのメンブレンフィルターでろ過して、フェノール樹脂組成物溶液を調製した。ここで、各実施例及び比較例において使用した物質で、参考例で示したもの以外は以下の通りである。ポリマーMEH-7851-4Hフェノール-ビフェニレン樹脂、商品名、明和化成社製MEH-7851-Mフェノール-ビフェニレン樹脂、商品名、明和化成社製MEH-7851-SSフェノール-ビフェニレン樹脂、商品名、明和化成社製MEH-7500フェノール-サリチルアルデヒド樹脂、商品名、明和化成社製EP4020Gクレゾールノボラック、商品名、旭有機材工業社製EP4080Gクレゾールノボラック、商品名、旭有機材工業社製架橋剤MX-270ニカラックMX-270、商品名、三和ケミカル社製EX-321デナコールEX-321、商品名、ナガセケムテックス社製感光剤TPPA{以下:に構造を示す。}表1の中のポリマーに関しての記載は以下のように求めた。<Mw>ゲルパーミエイションクロマトグラフィーGPCにより、標準ポリスチレン換算で算出した。使用したGPC装置及び測定条件は以下の通りである。ポンプ:JASCOPU-980検出器:JASCORI-930カラムオーブン:JASCOCO-96540°Cカラム:ShodexKD-806M直列に2本移動相:0.1mol/lEtBr/NMP流速:1ml/min.<酸素原子窒素原子/炭素原子>フェノール樹脂の繰り返し単位の化学構造式を書き、各々の数を数えて計算する。この時、フェノールユニットの反応位置が3つ以上あっても、そのうちの2つしか反応しないと仮定する。例えば、MEH-7851の場合、フェノールはアルデヒド化合物と主に2,4,6‐位で反応する可能性があるが、そのうちの2,6-位のみで反応しているとすると、繰り返し単位の化学構造式は、以下:の通りとなる。従って、酸素原子窒素原子/炭素原子=1/20=0.050フェノール樹脂を混合した場合は、各々について、上記計算をした後、混合比に応じてその加重平均を取った。表1の中の評価項目は以下のように試験を行った。<サーマルサイクルTC試験>フェノール樹脂組成物をシリコンウエハー上にスピンコートし、100°Cのホットプレートで3分間加熱した後、窒素雰囲気下で250°Cで1時間硬化を行い、厚さ10μmの硬化膜を得た。これをサーマルサイクルチャンバーTSE-11エスペック社製を使用して、-65°C~135°Cで30分ずつ、1000サイクル、及び2000サイクルの試験を行った後、膜表面を光学顕微鏡で観察した。膜にクラックがないものを○、あるものを×とした。<伸度、ヤング率>フェノール樹脂組成物をシリコンウエハー上にスピンコートし、100°Cのホットプレートで3分間加熱した後、窒素雰囲気下で250°Cで1時間硬化を行い、厚さ10μmの硬化膜を得た。これをダイシングソーで3mm幅にカットした後に、23フッ酸水溶液を用いてシリコンウエハーから剥離して得られる20本の試料を温度23°C、湿度50の雰囲気に24時間以上静置後、万能試験機テンシロンUTM-II-20オリエンテック社製にて測定し、上位5点の平均値を採用した。引っ張り試験機の測定条件は以下の通りである。温度:23°C湿度:50初期試料長さ:50mm試験速度:40mm/min.ロードセル定格:2kgfヤング率は得られたS-S曲線からJISK-7161の方法に従い、弾性領域での傾きを求めることにより算出し、下位5点の平均値を採用した。表1の結果より明らかなように、引っ張り伸度が20以上であるものは、TC試験でクラックが生じない。また、そのような結果が出るフェノール樹脂は酸素原子窒素原子/炭素原子の割合が小さく、これは引っ張り伸度を向上させるための一般的な手法である分子量の大きさとは相関しない。"