"ルミネセンスダイオードチップの製造方法において、該ルミネセンスダイオードチップは、活性帯域19とn-ドーピング層4とp-ドーピング層5とを有し放射線を放出するGaNベースのエピタキシー連続層3と、放射線透過性接触層15および反射層16を有し前記p-ドーピング層5に配属された反射性接触金属被覆6とを備え、前記放射線透過性接触層15は、前記p-ドーピング層5と前記反射層16との間に配置されており、a成長基板2の上にエピタキシー連続層4,5,19を成長させ、p-ドーピング層5を前記成長基板2とは反対側に配置させ、b前記p-ドーピング層5の上に反射性接触金属被覆6を取り付け、c前記成長基板2を薄くする、または前記成長基板2を除去することを特徴とする、ルミネセンスダイオードチップの製造方法。前記接触層15はPt、PdおよびCrの金属のうち少なくとも1種を有するか、これらの金属の1種から成るか、またはこれらの金属のうち少なくとも2種の合金から成る、請求項1記載の方法。前記接触層15の厚さは10nmと等しいかまたはそれより小さい、請求項1記載の方法。前記接触層15は閉鎖されていない層であり、該層は特に島状または網状の構造体を有するかまたはこの種の構造体から組み合わされた構造体を有する、請求項1から3のいずれか1項記載の方法。前記接触層15は実質的に材料インジウム-錫-酸化物ITOおよびZnOを含む材料群からの少なくとも1種の材料を有する、請求項1から4のいずれか1項記載の方法。前記接触層の厚さは10nmと等しいかまたはそれより大きい、請求項5記載の方法。前記反射層16はAgを含有する、請求項1から6のいずれか1項記載の方法。前記反射層16は少なくとも部分的に材料PtAg合金およびPdAg合金を含む材料群からの1種の材料から成る、請求項7記載の方法。前記反射層16は、前記p-ドーピング層5の活性帯域19から離れた主要平面9の50より多くを覆う、請求項1から8のいずれか1項記載の方法。前記反射層16は、前記p-ドーピング層5の活性帯域19から離れた主要平面9の全部を覆う、請求項9記載の方法。前記反射性接触金属被覆6は、放射線を放出するエピタキシー連続層3から離れた側に他の金属層20を有し、該金属層は特に実質的にAuまたはAlを有する、請求項1から10のいずれか1項記載の方法。前記n-ドーピング層4はp-導電性層5から離れた主要平面8にn-接触層7を有し、該接触層7は前記主要平面の一部のみを覆い、チップ1からの光の減結合をn-ドーピング層4の主要平面8の自由な領域にわたっておよびチップ側面14にわたって行う、請求項1から11のいずれか1項記載の方法。前記チップ1は反射性接触金属被覆6および他の接触金属被覆7を有するエピタキシー連続層4,5,19のみを有する、請求項1から12のいずれか1項記載の方法。前記エピタキシー連続層の厚さは30μmに等しいかまたはそれより小さい、請求項13記載の方法。ルミネセンスダイオードチップを備えたルミネセンスダイオード素子において、該ルミネセンスダイオードチップは、活性帯域19とn-ドーピング層4とp-ドーピング層5とを有し放射線を放出するGaNベースのエピタキシー連続層3と、放射線透過性接触層15および反射層16を有し前記p-ドーピング層5に配属された反射性接触金属被覆6とを備え、前記放射線透過性接触層15は、前記p-ドーピング層5と前記反射層16との間に配置されており、前記エピタキシー連続層3;4,5,19は前記反射性接触金属被覆6を介して、ヒートシンクと導電接続されていることを特徴とする、ルミネセンスダイオードチップを備えたルミネセンスダイオード素子。前記ヒートシンクは、LEDケーシングの熱伝導性チップ取り付け領域12に取り付けられており、該チップ取り付け領域12の上に前記反射性接触金属被覆6が配置されている、請求項15記載のルミネセンスダイオード素子。前記熱伝導性チップ取り付け領域12は前記LEDケーシング22のリードフレーム11または導体路22である、請求項16記載のルミネセンスダイオード素子。前記接触層15はPt、PdおよびCrの金属の少なくとも1種を有するか、これらの金属の1種から成るかまたはこれらの金属の少なくとも2種の合金から成る、請求項15記載のルミネセンスダイオード素子。前記接触層15の厚さは10nmに等しいかまたはそれより小さい、請求項15記載のルミネセンスダイオードチップ素子。前記接触層15は閉鎖されていない層であり、該層は特に島状または網状の構造体を有するかまたはこの種の構造体から組み合わされた構造体を有する、請求項15から19のいずれか1項記載のルミネセンスダイオード素子。前記接触層15は実質的に材料インジウム-錫-酸化物ITOおよびZnOを含む材料群からの少なくとも1種の材料を有する、請求項15から20のいずれか1項記載のルミネセンスダイオード素子。前記接触層の厚さは10nmに等しいかまたはそれより大きい、請求項21記載のルミネセンスダイオード素子。前記反射層16はAgを含有する、請求項15から22のいずれか1項記載のルミネセンスダイオード素子。前記反射層16は少なくとも部分的に材料PtAg合金およびPdAg合金を含む材料群からの1種の材料から成る、請求項23記載のルミネセンスダイオード素子。前記反射層16はp-ドーピング層5の活性帯域19から離れた主要平面9の50より多くを覆う、請求項15から24のいずれか1項記載のルミネセンスダイオード素子。前記反射層16はp-ドーピング層5の活性帯域19から離れた主要平面9の全部を覆う、請求項25記載のルミネセンスダイオード素子。前記反射性接触金属被覆6は、放射線を放出するエピタキシー連続層3から離れた側に他の金属層20を有し、該金属層は特に本質的にAuまたはAlを有する、請求項15から26のいずれか1項記載のルミネセンスダイオード素子。前記n-ドーピング層4はp-導電性層5から離れた主要平面8にn-接触層7を有し、該接触層はこの主要平面の一部のみを覆い、チップ1からの光の減結合をn-ドーピング層4の主要平面8の自由な領域にわたっておよびチップ側面14にわたって行う、請求項15から27のいずれか1項記載のルミネセンスダイオード素子。前記チップ1は反射性接触金属被覆6および他の接触金属被覆7を有するエピタキシー連続層4,5,19のみを有する、請求項15から28のいずれか1項記載のルミネセンスダイオード素子。前記エピタキシー連続層の厚さは30μmに等しいかまたはそれより小さい、請求項29記載のルミネセンスダイオード素子。本発明の課題は、第1に、付加的な製造費用を少なく維持して、改良された電流の拡大を有する冒頭に記載の形式のルミネセンスダイオードチップを開発することである。更に活性帯域からの熱の排出が改良されたルミネセンスダイオード構造素子を提供することである。本発明によればこの課題は、以下の特徴を有するルミネセンスダイオードチップの製造方法により解決される。すなわち、該ルミネセンスダイオードチップは、活性帯域とn-ドーピング層とp-ドーピング層とを有し放射線を放出するGaNベースのエピタキシー連続層と、放射線透過性接触層および反射層を有し前記p-ドーピング層に配属された反射性接触金属被覆とを備え、前記放射線透過性接触層は、前記p-ドーピング層と前記反射層との間に配置されており、a成長基板の上にエピタキシー連続層を成長させ、p-ドーピング層を前記成長基板とは反対側に配置させ、b前記p-ドーピング層の上に反射性接触金属被覆を取り付け、c前記成長基板を薄くする、または前記成長基板を除去する。さらに上記の課題は、以下の特徴を有するルミネセンスダイオードチップを備えたルミネセンスダイオード素子により解決される。すなわち、該ルミネセンスダイオードチップは、活性帯域とn-ドーピング層とp-ドーピング層とを有し放射線を放出するGaNベースのエピタキシー連続層と、放射線透過性接触層および反射層を有し前記p-ドーピング層に配属された反射性接触金属被覆とを備え、前記放射線透過性接触層は、前記p-ドーピング層と前記反射層との間に配置されており、前記エピタキシー連続層は前記反射性接触金属被覆を介して、ヒートシンクと導電接続されている。本発明によるルミネセンスダイオードにおいてはp-ドーピング層が活性層から離れた主要平面に反射性接触金属被覆を備えている。適当な反射性金属層は例えばAgを基礎とする金属層である。Agを基礎とするとは、電気的特性および光学的特性が本質的にAgにより決定されるすべての金属が該当する。特に大部分がAgを有する金属である。接触金属被覆は、有利には一方でエピタキシー連続層のための低い電気的遷移抵抗を有する良好な抵抗の接触を生じる。他方でこの金属被覆は有利には高い反射能力および前記のスペクトル領域で低い吸収を示す。これから金属被覆に当たる電磁線のチップへの高い逆反射が生じる。この逆反射された電磁線は引き続きチップの自由な側面でチップから減結合することができる。反射性接触金属被覆は、有利な構成においては少なくとも部分的にPtAg合金および/またはPdAg合金からなる。反射性接触金属被覆は有利にはp-ドーピング層の活性層から離れた主要平面の50より多く、特に有利には100を覆う。これにより活性帯域の全部の側面の断面の電流の供給が達成される。p-ドーピング層への反射性接触金属被覆の付着を促進するために、有利にはこの2つの層の間に、例えば本質的にPt、Pd、Crの群からなる少なくとも1種の金属を有する放射線透過性接触層を備える。これにより反射性接触金属被覆を電気的特性および反射特性に関して簡単なやり方で最適にすることができる。前記形式の接触層の厚さは、有利には10nmに等しいかまたはこれより小さい。これによりこの層の光学的損失を有利なやり方で特に少なく保つことができる。特に有利には接触層は、閉鎖されていない、特に島状および/または網状の構造体を有する。これによりAgを基礎とする反射層が少なくとも部分的にp-ドーピング層との直接的接点を有することが有利なやり方で達成され、これにより電気的特性および光学的特性に有利に影響する。他の有利な構成においては接触層は本質的にインジウム-錫-酸化物ITOおよび/またはZnOからなり、有利には10nm以上の厚さを有する。この接触層を使用して有利にはきわめて良好な電流の拡大、同時にきわめて少ない放射線の吸収を達成することができる。更に有利には反射層に、特に本質的にTi/PtまたはTiWNおよびAuまたはAlからなる拡散バリアからなる接合可能な層が存在し、これにより反射性接触金属被覆の接合能力の改良が達成される。本発明による他のルミネセンスダイオードチップにおいてはチップがエピタキシー層のみを有し、その全部の厚さは合わせて30μmに等しいかまたはこれより小さい。そのためにエピタキシー連続層のエピタキシャル成長の後に成長基板を除去する。p-ドーピングエピタキシー層はn-ドーピングエピタキシー層から離れた主要平面に本質的に全面に反射性接触金属被覆を備えている。p-ドーピングエピタキシー層から離れたn-ドーピングエピタキシー層の主要平面にn-接触金属被覆が存在し、この金属被覆はこの主要平面の一部のみを覆っている。チップからの光の減結合はn-導電性エピタキシー層の主要平面の自由な領域にわたっておよびチップ側面にわたって実施する。成長基板は、この種のルミネセンスダイオードチップにおいては電気的に絶縁されていてもよく、放射線不透過性であってもよく、それゆえ有利には最適な成長条件に関して単独に選択されてもよい。この種のいわゆる薄膜ルミネセンスダイオードチップの特別の利点は、基板内で光の損失が生じることがなく、改良された放射線の減結合が達成されることである。本発明によるルミネセンスダイオードチップは、運転中にチップに導かれる大部分の電気エネルギーが熱エネルギーに変換する、放射線を放出する活性帯域をヒートシンクのきわめて近くに設置する可能性が存在するという他の利点と結びついている。エピタキシー連続層は事実上ヒートシンクに直接熱的に結合することができ、p-ドーピングエピタキシー層のみが中間に配置されている。これによりチップをきわめて効果的に冷却することができ、これにより放出される放射線の波長の安定性が高まる。本発明によるルミネセンスダイオードチップにおいては全面の接触により有利に流れ-応力Fluss-Spannungが減少する。本発明によるルミネセンスダイオードチップを有する本発明によるルミネセンスダイオード構造素子においてはチップがp側で、すなわち反射性接触金属被覆を使用して発光ダイオードケーシング、特に発光ダイオードケーシングの電気的リードフレームまたは導体路のチップ取り付け面に載置されて取り付けられる。本発明の更に有利な実施態様は以下に図1a~図2に関して記載される実施例から得られる。異なる実施例の図において同じかまたは同じ作用をする部品はそれぞれ同じ参照符号が付けられる。図1aのルミネセンスダイオードチップ1においてSiC基板2上に放射線を放出するエピタキシー連続層3が付着している。これはn-導電性ドーピングGaNエピタキシー層またはAlGaNエピタキシー層4およびp-導電性ドーピングGaNエピタキシー層またはAlGaNエピタキシー層5からなる。同様に二重ヘテロ構造、単一量子井戸SQW構造または多重量子井戸MQW構造を有する、例えばGaNを基礎とするエピタキシー連続層3は、例えばInGaNまたはInGaAlNからなる1個以上のドーピングされない層19を備えていてもよい。SiC基板2は導電性であり、エピタキシー連続層3の活性帯域19から放出される放射線を透過する。SiC基板2から離れたp側9に、エピタキシー連続層3に、本質的に全面に反射性の接合可能なAgを基礎とする接触金属被覆6が付着している。これは、例えば本質的にAg、PtAg合金および/またはPdAg合金からなる。接触金属被覆6は、図1bに示されるように、エピタキシー連続層3から出発して放射線透過性の第1の層15および反射性の第2の層16から構成されていてもよい。第1の層15は、例えば本質的にPt、Pdおよび/またはCrからなり、放射線の吸収を少なく保つために、10nmに等しいかまたはこれより小さい厚さを有する。第1の層は選択的にインジウム-錫-酸化物ITOおよび/またはZnOからなっていてもよい。この場合はこの層は有利には10nmに等しいかまたはこれより大きい厚さを有し、それはこの材料がきわめて少ない放射線の吸収を示すからである。電流の拡大のためにこれより大きい厚さが有利である。第2の層16は、例えば本質的にAg、PtAg合金および/またはPdAg合金からなる。接合能力を改良するために、Agを基礎とする層に他の金属層20を付着する。これは、例えばAuまたはAlからなる。第2の層16と他の金属層20の間の拡散バリア24としてTi/PtまたはTiWNからなる層が備えられていてもよい。SiC基板2はエピタキシー連続層3から離れた主要平面10に接触金属被覆7を有し、この金属被覆はこの主要平面10の一部のみを覆い、ワイヤボンディングのための接合パッドとして形成される。接触金属被覆7は、例えばAu層に続くSiC基板2に付着されたNi層からなる。チップ1はダイボンディングによりp側で、すなわち反射性接触金属被覆6により発光ダイオードLEDケーシングの電気的接続フレーム11リードフレームのチップ取り付け面12に取り付けられている。n-接触金属被覆7はボンディングワイヤ17を介して接続フレーム11の接続部品18と接続されている。チップ1からの光の減結合はSiC基板2の主要平面10の自由な領域にわたっておよびチップの側面14にわたって行う。場合により放射線の吸収および放射線の減結合に関して基板2の厚さを最適にするために、チップ1はエピタキシー連続層3の成長後に薄くされたSiC基板2を有する。図2に示された実施例は、一方ではチップ1がエピタキシー層のみを有し、従ってエピタキシー連続層3を有するが、基板層を有しないことにより図1aに示された実施例と異なる。基板層はエピタキシー層の成長後に、例えばエッチングおよび/または研磨により除去する。チップの高さは約25μmである。この種のいわゆる薄膜LEDチップの利点に関しては発明の詳細な説明の一般的な部分に示される。他方でエピタキシー連続層3は、例えばInGaNまたはInGaAlNからなる1個以上のドーピングされない層19を有する、二重ヘテロ構造、単一量子井戸SQW構造または多重量子井戸MQW構造を有する。チップ1はダイボンディングによりp側で、すなわち反射性接触金属被覆6により発光LEDダイオードケーシング21の導体路22のチップ取り付け面12に取り付けられる。n-接触金属被覆7はボンディングワイヤ17を介して他の導体路23と接続されている。前記実施例による本発明の説明はもちろんこれに制限されないことが理解される。本発明はむしろ特に成長基板を除去して存在するエピタキシー層が不十分な導電性を有する、すべてのルミネセンスダイオードチップに利用できる。"