連続的または断続的に基板を搬送しながら、気相状態にある材料を用いて該基板上に薄膜の形成を行う成膜方法であって、回転ドラムの周囲に基板を配置する工程と、該回転ドラムを第一の速度で回転させる工程と、該回転ドラムに少なくとも2つの前記材料をそれぞれ供給する工程と、前記基板を第二の速度で搬送する工程とを含み、前記第一の速度と該第二の速度とが異なることを特徴とする成膜方法。前記回転ドラムの周囲において、前記回転ドラムの回転方向が、前記基板の進行方向と反対向きであることを特徴とする請求項1記載の成膜方法。前記基板がフレキシブル基板であることを特徴とする請求項1または2記載の成膜方法。前記2つの材料が、それぞれ異なる材料であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の成膜方法。成膜法が、原子層堆積法であり、前記回転ドラムを用い、前記回転ドラムの第一の部位から第一の前駆体を供給し、前記回転ドラムの第二の部位から第二の前駆体を供給することを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の成膜方法。前記第一の部位と前記第二の部位との間に第三の部位を設け、当該第三の部位から、薄膜形成材料でない第三のガスを導入することを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の成膜方法。前記第三のガスが、不活性ガスであることを特徴とする請求項6記載の成膜方法。前記不活性ガスが、アルゴンであることを特徴とする請求項7記載の成膜方法。前記第三のガスが、窒素ガスであることを特徴とする請求項6記載の成膜方法。前記回転ドラムは、その一部にプラズマを発生または照射させる機構を有し、発生または照射された前記プラズマを用いて前記前駆体を変化させて成膜を行うことを特徴とする請求項1~9のいずれか1項に記載の成膜方法。前記回転ドラムは、その一部にフラッシュランプを有し、当該フラッシュランプから供給される熱を用いて前記前駆体を変化させて成膜を行うことを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載の成膜方法。しかしながら、基板を搬送しながら上記した多層膜またはALDにおける多サイクルの成膜を行う際には、従来の方法では、層数またはサイクル数が増えるに従って設備が大型化し、生産コストおよび設備占有面積が増大するという問題がある。本発明は、かかる従来の問題に鑑みてなされたものであり、ロールツーロールによる成膜であっても、多層膜の形成を効率的に行うことができ、ALDによる成膜では単位時間当たりのサイクル数を増やすことができ、多層化や多サイクル化に伴う設備の大型化や占有面積の増大を抑制することのできる成膜方法を提供することを目的とする。本発明の成膜方法は、連続的または断続的に基板を搬送しながら、気相状態にある材料を用いて該基板上に薄膜の形成を行う成膜方法であって、回転ドラムの周囲に基板を配置する工程と、該回転ドラムを第一の速度で回転させる工程と、該回転ドラムに少なくとも2つの上記材料をそれぞれ供給する工程と、上記基板を第二の速度で搬送する工程とを含み、上記第一の速度と該第二の速度とが異なることを特徴とする。本発明は、かかる構成を有することにより、ロールツーロールによる成膜であっても、多層膜の形成を効率的に行うことができ、ALDによる成膜では単位時間当たりのサイクル数を増やすことができ、多層化や多サイクル化に伴う設備の大型化や占有面積の増大を抑制することのできる成膜方法を提供することができる。また、高品質の膜をより低コストで製造することができる成膜方法を提供することができる。回転ドラムの周囲において、上記回転ドラムの回転方向が、上記基板の進行方向と反対向きであることが好ましい。これにより、成膜速度をより向上させることが可能となる。上記基板がフレキシブル基板であることが好ましい。これにより、回転ドラムと基板との隙間を最小限にすることができ、基板の搬送をスムーズに行うことができる。上記2つの材料が、それぞれ異なる材料であることが好ましい。これにより、異なる材料からなる薄膜を形成し、多層化することができる。成膜法が、原子層堆積法であり、上記回転ドラムを用い、上記回転ドラムの第一の部位から第一の前駆体を供給し、上記回転ドラムの第二の部位から第二の前駆体を供給することが好ましい。これにより、回転ドラムを1回回転させることで少なくとも一層一サイクルの成膜を行うことができる。上記第一の部位と上記第二の部位との間に第三の部位を設け、当該第三の部位から、薄膜形成材料でない第三のガスを導入することが好ましい。これにより、膜の構成成分には寄与しないが、第一の前駆体放出と第二の前駆体放出の間を隔てるガスとして有効利用することができる。上記第三のガスが、不活性ガスであり、中でもアルゴンであることが好ましい。これにより、使用可能な前駆体の種類の幅が広がり、多彩な前駆体の中から最適な前駆体を選定することができる。不活性ガスの中でもアルゴンは比較的低コストで導入することができるため、生産性を高めることができる。また、上記第三のガスとして窒素ガスを用いることにより、より低コストで製造することができる。上記回転ドラムは、その一部にプラズマを発生または照射させる機構を有し、発生または照射された上記プラズマを用いて上記前駆体を変化させて成膜を行うことが好ましい。これにより、効率的に成膜が行えることから成膜時間が短縮できるとともに、膜の品質も高めることができる。上記回転ドラムは、その一部にフラッシュランプを有し、当該フラッシュランプから供給される熱を用いて上記前駆体を変化させて成膜を行うことが好ましい。これにより、前駆体が吸着した基板を加熱できるとともに、比較的容易に温度制御ができる。また、輻射熱を利用することができるため効率的である。本発明によれば、回転ドラムが一回転するごとに少なくとも一層の成膜が行えるため、基板の搬送速度よりも速い速度で回転ドラムを回転させることで、ロールツーロールによる成膜であっても、多層膜の形成を効率的に行うことができる。また、ALDによる成膜では単位時間当たりのサイクル数を増やすことができ、多層化や多サイクル化に伴う設備の大型化や占有面積の増大を抑制するができる。以下、本発明の成膜方法について、図1および図2を参照しながら具体的に説明する。ここではALDによる成膜装置を主として詳細な説明を行うが、CVD、スパッタ法その他の方法による成膜装置においても同様に、本発明の成膜方法を採用することができる。また基板103としてフレキシブル性を有するフレキシブル基板を例示し、当該フレキシブル基板としてはフィルムを代表に用いているが、ガラスやウェハーなどフレキシブル性のないものであっても、回転ドラムに沿って搬送できる形態であれば本発明を適用することができる。たとえば小さな基板を搬送用シートに固定して搬送する場合などにも適用することができる。ただし、フレキシブル基板を使用する場合に、本発明を最も効果的に実施することができる。ALDによる成膜では、成膜は真空中で行われることが多い。しかしながら、大気圧で行うことも可能であり、特に限定されない。本発明では、反応性の高い前駆体を用いるため、実施にはガスを囲うための何らかのチャンバーが必要であり、少なくとも回転ドラムはその中に収められる。図1は、本発明の成膜方法に用いる前駆体および第三のガスパージガスの供給源と、回転ドラムおよびフィルムの位置関係の一例を示す概略断面図であり、図2は、本発明の成膜方法に用いる回転ドラムおよびフィルムの位置関係の一例を示す概略図である。図2のうち、図2aは、回転ドラムおよびフィルムの位置関係の一例を示す概略図であり、図2bは、図2aの構成に加えて、基板103が配置されている。図1および図2aおよび図2bに示されるように、本発明に用いる回転ドラム100は、少なくとも、成膜源、すなわち材料を放出する機構を含む。たとえばALD成膜装置にあっては第一の前駆体を放出する機構および第二の前駆体を放出する機構を、一つの回転ドラム100内に含む。さらに、回転ドラム100は、第三のガスを放出する機構を含んでもよい。また、余剰分の材料または第三のガスを排気する機構を回転ドラム100に含んでもよい。前駆体としては、使用時に気相になっているものであればよく、成膜種および成膜温度によって適宜選択される。前駆体は、使用時に気相となっていればよいため、前駆体の保管状態は気相以外にも液相あるいは固相であってもよい。たとえば前駆体が液相の場合は、加熱やバブリングなどの方法によって気相化された後、回転ドラム100に導入される。また第三のガスは膜の構成成分には寄与しないが、第一の前駆体放出と第二の前駆体放出の間を隔てるガスとして用いられることが好ましい。第三のガスの種類としては、成膜により得られる薄膜を構成する成分とならない限り、特に制限されない。第三のガスとして、窒素ガスを使用すると、高品質の膜をより低コストで製造することができ好ましい。また、第三のガスとして、不活性ガスである希ガスを用いると、使用できる前駆体の種類の幅が広がり、多彩な前駆体の中から最適な前駆体を選定することができる。中でもアルゴンは不活性ガスとしては比較的低コストで導入できるため、生産性を高める観点から好ましい。なお、本発明では、上記のとおり、窒素ガスを不活性ガスと区別して定義している。回転ドラム100の、前駆体またはバージガス放出部には、凹部101が設けられていてもよい。凹部101を設けることにより、放出したガスの濃度を凹部101に沿って均一に分散させることができる。図1に示される回転ドラム100では、複数の凹部101が設けられ、該凹部101の底面から第一の前駆体201、第二の前駆体または第三のガス202が供給されるように設計されている。第一の前駆体201、第三のガス202、第二の前駆体203、第三のガス202以下、この繰り返しの順に各凹部101にそれぞれの気体が充填されるように構成されている。また回転ドラム100は加熱機構図示せずを含んでいてもよい。回転ドラム100が加熱機構を備える場合には、前駆体が吸着した基板103を加熱することによって前駆体と基板103との反応を促進し、基板103の表面における薄膜の成長を促すことができる。熱源としては、フラッシュランプ図示せずを用いると、温度制御が比較的容易であり、また輻射熱を利用することができるため効率的である。なお、熱を伝えたくない部分には、水冷機構を設けて温度を制御してもよい。また回転ドラム100はプラズマを発生または照射させる機構図示せずを含んでいてもよい。回転ドラム100が当該機構を備える場合には、前駆体の反応を促進し薄膜の成長を促すことができる。なお、プラズマの発生方法として特に制限されず、高周波RF放電やDC放電のほか、誘導結合によるプラズマ生成ICPなど、公知の方法を採用することができる。また、プラズマを発生または照射させる機構は、上記した凹部101に組み込むこともできる。ALDにおいて、第一の前駆体201が基板103に吸着し、第二の前駆体203が先の基板103に吸着した第一の前駆体201と反応して薄膜を形成する場合には、基板103が、第二の前駆体203に曝露された後または曝露中に、その基板103がプラズマに曝露されることが望ましい。基板103は、回転ドラム100に沿って搬送されるため、成膜装置はこれに即した基板搬送機構102を有する。基板搬送機構102は回転ドラム100とは独立に回転できるように設計される。回転ドラム100と基板103との間の隙間クリアランスは、できる限り狭いすなわち基板103が回転ドラム100にできるだけ近い方が好ましい。また、基板を搬送するために、基板103の一部は基板搬送機構102に接触するようにする。基板103の成膜面に傷が入ることを避けるため、基板103が接触する基板搬送機構102は回転ドラム100の両端となることが好ましいが、基板103の大きさによっては基板搬送機構102を回転ドラム100の中央にも配置して基板103が撓むのを防止するなどの方法を採ることもできる。回転ドラム100は、基板103の搬送速度と異なる速さで回転させる。具体的には、回転ドラム100の回転速度が基板103の搬送速度よりも速くなるように両者の速度を調整することが好ましい。これにより、成膜速度を上げることができる。基板103の搬送速度とは、基板搬送機構102の回転速度である。なお、回転ドラム100の回転速度および基板103の搬送速度に関する最適な速度は、前駆体やガスの圧力、温度などによって左右されるため、定量的に定めることはできない。成膜は次の手順で行う。図1および図2bに示されるように、基板103を、回転ドラム102の周囲を覆うように配置する。この時、基板103は、基板搬送機構102に接触する。基板103への傷を避けるため、基板103は回転ドラム100には接触しないようにすることが望ましい。成膜のために加熱が必要な前駆体を使用する場合において、回転ドラム100に加熱機構を設けた場合は、加熱機構を使用して回転ドラム100の一部を加熱し、回転ドラム100の外部チャンバー壁面などに加熱機構を設けた場合は、加熱機構を使用して加熱を開始する。前駆体および第三のガスを回転ドラム100に供給する。回転ドラム100に供給された前駆体および第三のガスのうち、余剰分は排気する。基板103の搬送を開始するとともに、回転ドラム100の回転を開始する。この時、上記したとおり、回転ドラム100の回転速度が基板103の搬送速度よりも速くなるように両者の速度を調整する。これにより、成膜速度を上げることができる。回転ドラム100の回転方向と基板搬送機構102の回転方向は、同一方向であってもよく、また相対的に反対方向であってもよい。両者の回転方向が相対的に反対方向である場合、成膜速度を上げることができ、好適である。なお、回転ドラム100の回転速度と基板搬送機構102の回転速度が同一である場合、回転方向も同一であると、成膜できない。基板103の搬送は、連続的であっても、あるいは断続的であってもよい。本発明により、たとえば図1に示される構成を使用して、たとえば回転ドラム100を100回転させる間に、基板103が回転ドラムの周囲を1回通過するすなわち基板搬送機構102が1回転する場合には、基板103が回転ドラム100の周囲を通過する間に基板上には200層分200サイクル分の成膜が進行する。