"非磁性酸化物:0.5~15モル、Cr:4~20モル、Pt:5~25モルを含有し、残部:Coおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、その組織が、少なくともCoとCrとPtとを含む非磁性合金相中に非磁性酸化物が分散した第1相と、少なくともCoを含む強磁性合金相中に非磁性酸化物が分散した第2相との複合組織からなることを特徴とする磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。請求項1に記載の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、非磁性酸化物中の金属を除いた前記第1相に含有される金属成分の合計に対するCoのモル比が0.35~0.5であり、非磁性酸化物中の金属を除いた前記第2相に含有される金属成分の合計に対するCoのモル比が0.9を超えていることを特徴とする磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。請求項1または2に記載の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、さらにB:0.5~8モルを含有し、前記第1相が、CoCrPtB合金相であることを特徴とする磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット。請求項1から3のいずれか一項に記載の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法であって、単体金属粉および/または合金粉と、非磁性酸化物粉末とを予め粉砕混合してCoとCrとPtとを含む第1相用混合粉末を作製する工程と、単体金属粉および/または合金粉と、非磁性酸化物粉末とを予め粉砕混合してCoを含む第2相用混合粉末を作製する工程と、前記第1相用混合粉末と前記第2相用混合粉末とを、それぞれ仮焼し、解砕し、分級により造粒する工程と、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程とを有していることを特徴とする磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。請求項4に記載の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、前記造粒後の前記第1相用混合粉末は、含有される金属成分の合計に対するCoのモル比が0.35~0.5の合金相中に、非磁性酸化物が分散しており、前記造粒後の前記第2相用混合粉末は、含有される金属成分の合計に対するCoのモル比が0.9を超えている金属相中に、非磁性酸化物が分散していることを特徴とする磁気記録媒体膜形成用スパッタリングタ-ゲットの製造方法。請求項4または5に記載の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、前記仮焼し、解砕し、分級により造粒する工程で、前記第1相用混合粉末および前記第2相用混合粉末の平均粒径を20~100μmとすることを特徴とする磁気記録媒体膜形成用スパッタリングタ-ゲットの製造方法。請求項4から6のいずれか一項に記載の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法において、前記第1相用混合粉末を作製する工程で、Bの単体金属粉および/またはBを含む合金粉を添加して、前記粉砕混合を行うことを特徴とする磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。上記従来の技術には、以下の課題が残されている。すなわち、上記従来の技術では、漏洩磁束密度の向上効果が十分でないため、特にスパッタ効率の向上、すなわち、ターゲットの厚みを厚くすることによるスパッタ成膜の生産性の向上効果が十分でないという不都合があった。また、上記従来の技術では、いずれも単体金属の粉末Co粉,Cr粉,Pt粉、あるいは合金粉末CoCr粉、CoPt粉などと非磁性酸化物の粉末とを所定割合で混合し、混合粉末をホットプレスにより加圧焼結しているが、図4に示すように、前記混合方法では非磁性酸化物3が凝集しやすく、その結果、パーティクルの発生原因になってしまい、製品歩留まりが低下するなどの不都合があった。さらに、全ての原料粉末をまとめて粉砕混合する前記混合方法では、金属相が一様に合金化する結果、ターゲット面内方向に磁束が透過し易くなり、漏洩磁束密度が低くなってしまう問題もあった。本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、高い漏洩磁束密度が得られてスパッタ効率の向上を図ることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは、CoCrPt-SiO2グラニュラ磁気記録膜を成膜する磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットについて研究を進めたところ、予め第1相となる金属原料粉末と第2相となる金属原料粉末とを分けてそれぞれの金属原料粉末に対し、個別に非磁性酸化物を粉砕しながら混合することにより以下、粉砕混合と呼ぶ、焼結時に非磁性酸化物を十分に分散させることができると共に、第1相と第2相との複合組織を有する漏洩磁束密度が高いターゲットを形成することができることを突き止めた。したがって、本発明は、上記知見から得られたものであり、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットは、非磁性酸化物:0.5~15モル、Cr:4~20モル、Pt:5~25モルを含有し、残部:Coおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、その組織が、少なくともCoとCrとPtとを含む非磁性合金相中に非磁性酸化物が分散した第1相と、少なくともCoを含む強磁性合金相中に非磁性酸化物が分散した第2相との複合組織からなることを特徴とする。この磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットでは、組織が、少なくともCoとCrとPtとを含む非磁性合金相中に非磁性酸化物が分散した第1相と、少なくともCoを含む強磁性合金相中に非磁性酸化物が分散した第2相とからなり、第2相が第1相によって互いに分断された複合組織とすることによりターゲット面内方向の透磁率を低減することができ、被スパッタ面上における漏洩磁束を増大させることができる。すなわち、ターゲットの組織が、非磁性相と強磁性相との2相に分かれると共に、Coを主とする強磁性相を非磁性相が取り囲んで強磁性相を互いに分断、孤立させることで、非磁性相を介して透過する磁束が増え、高い漏洩磁束密度を得ることが可能になる。併せて、それぞれの相中に非磁性酸化物が分散していることにより、非磁性酸化物の凝集を防止し、その結果、パーティクルの発生を抑えることができる。また、本発明の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットは、非磁性酸化物中の金属を除いた前記第1相に含有される金属成分の合計に対するCoのモル比が0.35~0.5であり、非磁性酸化物中の金属を除いた前記第2相に含有される金属成分の合計に対するCoのモル比が0.9を超えていることを特徴とする。すなわち、この磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットでは、非磁性酸化物中の金属を除いた第1相に含有される金属成分の合計に対するCoのモル比が0.35~0.5であり、非磁性酸化物中の金属を除いた第2相に含有される金属成分の合計に対するCoのモル比が0.9を超えているので、良好な漏れ磁束密度を維持できる。なお、本発明において、上記金属成分にはBホウ素などの半金属は含まない。上記第1相におけるCoのモル比を上記範囲に設定した理由は、上記モル比が0.35未満であると、Cr比率が多くなり、Crと酸化物との反応が原因と思われるターゲット組織中での酸化物の凝集が多くなり、スパッタリングターゲットとしてスパッタ中のパーティクルが起こり易くなる問題が発生するためである。また、上記Coのモル比が0.5を超えると、透磁率の増加によりターゲット表面での漏れ磁束密度が低下するためである。また、上記第2相におけるCoのモル比が0.9以下であると、タ-ゲット組織中の2相の分散性が低下し、その結果として漏洩磁束密度の低下が起こるためである。なお、上記範囲に設定した場合、第1相が76~84質量となる。また、本発明の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットは、さらにB:0.5~8モルを含有し、前記第1相が、CoCrPtB合金相であることを特徴とする。すなわち、この磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットでは、第1相が、CoCrPtB相であるので、CoCrPt主相への添加物とされたBにより、CoCrPt合金相中の結晶粒径の微細化の効果があり、また垂直磁気記録媒体とした際に、その記録再生特性においてノイズを低減することができる。なお、Bの含有量添加量を上記範囲に設定した理由は、Bが0.5モル未満であると、上述した効果の発現が十分でないためであり、8モルを超えると、垂直磁気記録膜の飽和磁化が低下し、再生出力信号が低下するためである。本発明の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法は、上記本発明の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法であって、単体金属粉および/または合金粉と、非磁性酸化物粉末とを予め粉砕混合してCoとCrとPtとを含む第1相用混合粉末を作製する工程と、単体金属粉および/または合金粉と、非磁性酸化物粉末とを予め粉砕混合してCoを含む第2相用混合粉末を作製する工程と、前記第1相用混合粉末と前記第2相用混合粉末とを、それぞれ仮焼し、解砕し、分級により造粒する工程と、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程とを有していることを特徴とする。すなわち、この磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法では、単体金属粉および/または合金粉と、非磁性酸化物粉末とを予め粉砕混合してCoとCrとPtとを含む第1相用混合粉末を作製する工程と、単体金属粉および/または合金粉と、非磁性酸化物粉末とを予め粉砕混合してCoを含む第2相用混合粉末を作製する工程とを有しているので、非磁性酸化物粉末が微細に分散した第1相と非磁性酸化物粉末が微細に分散した第2相との複合組織を有するターゲットを得ることができる。なお、本発明に係る磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法の一例として、単体金属粉を用いる場合のフローを図1に示す。また、本発明の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法は、前記造粒後の前記第1相用混合粉末において、含有される金属成分の合計に対するCoのモル比が0.35~05の合金相中に、非磁性酸化物が分散しており、前記造粒後の前記第2相用混合粉末において、含有される金属成分の合計に対するCoのモル比が0.9を超えている金属相中に、非磁性酸化物が分散していることを特徴とする。すなわち、この磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法では、造粒後の第1相用混合粉末において、含有される金属成分の合計に対するCoのモル比が0.35~05の合金相中に、非磁性酸化物が分散しており、造粒後の第2相用混合粉末において、含有される金属成分の合計に対するCoのモル比が0.9を超えている金属相中に、非磁性酸化物が分散しているので、スパッタ中のパーティクル発生が抑制され、良好な漏れ磁束密度を有するターゲットを作製することができる。また、本発明の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法は、前記仮焼し、解砕し、分級により造粒する工程で、前記第1相用混合粉末および前記第2相用混合粉末の平均粒径を20~100μmとすることを特徴とする。すなわち、この磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法では、第1相用混合粉末および第2相用混合粉末の平均粒径が、20~100μmであるので、ホットプレスによる焼結時に金属原子の拡散により生成するCoCrPt磁性相またはCoCrPtB磁性相の割合を低く保ち、その結果、漏洩磁束密度を高く保つことができる。なお、第1相用混合粉末および第2相用混合粉末の平均粒径が、20μm未満であると、ホットプレス時に拡散によって生成する第2相の割合が大きくなるため漏洩磁束密度が低下し、100μmを超えると、スパッタリング時において、被スパッタ部の表面にて凹凸が激しくなり、異常放電が生じやすくなる。また、本発明の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法は、前記第1相用混合粉末を作製する工程で、Bの単体金属粉および/またはBを含む合金粉を添加して、前記粉砕混合を行うことを特徴とする。すなわち、この磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法では、Bの単体金属粉および/またはBを含む合金粉を添加して粉砕混合を行うので、Bが添加されたCoCrPtB相の第1相を得ることができる。なお、本発明に係る磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法の一例として、単体金属粉を用いる場合のフローを図2に示す。また、この磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法では、第1相用粉末を仮焼し、解砕後、分級して造粒する工程と、第2相用混合粉末を仮焼し、解砕後、分級して造粒する工程とを有しているので、仮焼により第1相用混合粉末中および第2相用混合粉末中に非磁性酸化物粉末を微細に分散させることができると共に、造粒により各相が形成する領域の粒径を揃えることができる。本発明によれば、以下の効果を奏する。すなわち、本発明に係る磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットによれば、組織が、少なくともCoとCrとPtとを含む非磁性合金相中に非磁性酸化物が分散した第1相と、少なくともCoを含む強磁性合金相中に非磁性酸化物が分散した第2相との複合組織からなるので、漏洩磁束密度が増大し、安定なスパッタリングが可能になると共にスパッタ効率を高めることができ、生産性を向上させ、厚いターゲットの採用によりターゲット交換頻度も低減することができる。また、それぞれの相中に非磁性酸化物が粗大な凝集を生ずることなく分散していることにより、パーティクルの発生を抑えることができる。したがって、本発明の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを用いてマグネトロンスパッタリングにより磁気記録媒体膜を成膜することで、高い生産性をもってHDD用の高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される良好な磁気記録膜を得ることができる。以下、本発明に係る磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法の一実施形態を、説明する。本実施形態の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットは、非磁性酸化物:0.5~15モル、Cr:4~20モル、Pt:5~25モルを含有し、残部:Coおよび不可避不純物からなる成分組成を有するターゲットであって、図3および図4に示すように、その組織が、少なくともCoとCrとPtとを含む非磁性合金相中に非磁性酸化物が分散した第1相1と、少なくともCoを含む強磁性合金相中に非磁性酸化物が分散した第2相2とを含んでいる。なお、図3は、CoとCrとPtとを含む非磁性合金相中に非磁性酸化物が分散した第1相1と、Coを含む強磁性合金相中に非磁性酸化物が分散した第2相2とを含んでいるターゲットの組織写真である。なお、この組織写真中の微細な黒点が非磁性酸化物である。また、非磁性酸化物中の金属を除いた第1相1に含有される金属成分の合計に対するCoのモル比が0.7~0.9であり、非磁性酸化物中の金属を除いた第2相2に含有される金属成分の合計に対するCoのモル比が0.9を超えていると共に、第2相2にPtが含有されている場合にPtのモル比が0.15以下であることが好ましい。また、第1相1は、非磁性酸化物が相中に微細に分散したCoCrPt合金相であるが、ターゲット全体としてさらにB:0.5~8モルを含有し、第1相1が、CoCrPt相にBが添加されたCoCrPtB合金相とされていることが好ましい。上記非磁性酸化物としては、具体的には、SiO、SiO2、TiO2、Ta2O5、Al2O3、MgO、CaO、Cr2O3、ZrO2、B2O3、Sm2O3、HfO2、Gd2O3が挙げられ、なかでもSi、Cr、Ti、Taより選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物であるのが好ましい。この磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法は、単体金属粉および/または合金粉と、非磁性酸化物粉末とを予め粉砕混合してCoとCrとPtとを含む第1相用混合粉末を作製する工程と、単体金属粉および/または合金粉と、非磁性酸化物粉末とを予め粉砕混合してCoを含む第2相用混合粉末を作製する工程と、第1相用混合粉末と第2相用混合粉末とを、それぞれ仮焼し、解砕し、分級により造粒する工程と、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程とを有している。また、造粒後の第1相用混合粉末は、含有される金属成分の合計に対するCoのモル比が0.35~05の合金相中に、非磁性酸化物が分散しており、造粒後の第2相用混合粉末は、含有される金属成分の合計に対するCoのモル比が0.9を超えている金属相中に、非磁性酸化物が分散していることが好ましい。例えば、図1に示すように、Co、CrおよびPtの各単体金属粉である第1原料粉と、非磁性酸化物粉末とを予め粉砕混合して第1相用混合粉末を作製する工程と、Coの単体金属粉である第2原料粉と、非磁性酸化物粉末とを予め粉砕混合して第2相用混合粉末を作製する工程と、第1相用混合粉末を仮焼し、分級によって造粒する工程と、第2相用混合粉末を仮焼し、分級によって造粒する工程と、仮焼し造粒した第1相用混合粉末と第2相用混合粉末とをそれぞれ混合し、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程とを有している。ここで、第1相用混合粉末と第2相用混合粉末との混合比としては、例えば、両者の合計を100質量としたときに第1相用混合粉末が70~90質量とすることができる。なお、第1相用混合粉末が76~84質量であることが、本願の効果を得るためにより好ましい。なお、本発明に係る磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法は、図1に限定されず、第1相用混合粉末および/または第2相用混合粉末を、合金粉末のみを原料として作製してもよいし、また、1種または2種の単体金属粉と合金粉とを原料として作製してもよい。また、仮焼し、解砕し、分級により造粒する工程で、第1相用混合粉末および第2相用混合粉末の平均粒径を20~100μmとすることが好ましい。さらに、第1相用混合粉末を作製する工程で、第1原料粉にBの単体金属粉、CoとBとの合金粉、CrとBとの合金粉、CoとCrとBとの合金粉、CoとCrとPtとBとの合金粉の一種以上をさらに混合して、粉砕混合を行うことが好ましい。上記製法について詳述すれば、例えば、まず原料粉末として、Co粉末第1原料粉、Cr粉末第1原料粉、Pt粉末第1原料粉、B粉末第1原料粉およびSiO2粉末非磁性酸化物粉末を、モルでCo:41.0、でCr:27.4、Pt:23.2、B1.4、SiO2:7.0となるように配合し、Ar雰囲気に保持したボールミル、遊星ボールミル、またはアトライタにより20時間混合粉砕する。次に、この混合粉砕した粉末をAr雰囲気中または真空中において500°C、1時間の熱処理を施すことにより、仮焼体弱く焼結した塊を作製する。さらに、この仮焼体をメノウ乳鉢にて解砕し、目開き100μmのふるいの上で振動させることにより分級して、直径100μm以下の第1仮焼造粒粉を作製する。これとは別に、原料粉末として、Co粉末第2原料粉およびSiO2粉末非磁性酸化物粉末を、モルでCo:93.0、SiO2:7.0となるように配合し、Ar雰囲気に保持したボールミル、遊星ボールミル、またはアトライタにより20時間混合粉砕する。次に、この混合粉砕した粉末をAr雰囲気中または真空中において500°C、1時間の熱処理を施すことにより、仮焼体弱く焼結した塊を作製する。さらに、この仮焼体をメノウ乳鉢にて解砕し、目開き100μmのふるいの上で振動させることにより分級して、直径100μm以下の第2仮焼造粒粉を作製する。次に、これら第1仮焼造粒粉の第1相用混合粉末と第2仮焼造粒粉の第2相用混合粉末とを、質量で第1仮焼造粒粉:80.2、第2仮焼造粒粉:19.8モルでは第1仮焼造粒粉:73.1、第2仮焼造粒粉:26.9となるように配合し、これら仮焼造粒粉が粉砕されないようにロッキングミキサーにより30分間混合することにより、ホットプレス原料粉末を作製する。このホットプレス原料粉末の組成は、モルで、Co:55.0、Cr:20.0、Pt:17.0、B:1.0、SiO2:7.0となる。このホットプレス原料粉末を、真空ホットプレスの黒鉛型に充填し、真空雰囲気中で温度950°C、圧力35MPa、3時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより、本実施形態の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが作製される。なお、原料粉末としては、Co粉末、Cr粉末、Pt粉末、B粉末のような単体金属粉の代わりに、その全部または一部をCoCrPtB合金粉末、CoCrB合金粉末、CoPtB合金粉末を始めとする任意の組合せの合金粉に置き換えて、第1原料粉末とすることができる。このように本実施形態の組織が、非磁性酸化物が第1相中に分散し少なくともCoとCrとPtとを含む第1相1と、非磁性酸化物が第2相中に分散したCo相である第2相2と、からなるので、透磁率が約1である第1相1と保磁力の大きな第2相2との複合組織によりターゲット面内方向の透磁率を低減することができ、漏洩磁束を増大させることができる。併せて、それぞれの相中に非磁性酸化物が粗大な凝集を生ずることなく分散していることにより、パーティクルの発生を抑えることができる。また、第1相1が、CoCrPtB合金相であるので、CoCrPt合金相への添加物とされたBにより、CoCrPt合金相中の結晶粒径の微細化の効果があり、垂直磁気記録媒体とした際に、その記録再生特性においてノイズを低減することができる。さらに、第1相用混合粉末および第2相用混合粉末の平均粒径が、20~100μmであるので、ホットプレス時に金属原子の拡散により生成するCoCrPt合金相またはCoCrPtB合金相の割合を低く保ち、かつスパッタリングにより製造される磁気記録膜の均一性を高く保つことができる。他の製法例あるいは他の製法の例としては、まず原料粉末として、Co、Cr、PtおよびBを、モルでCo:44.1、Cr:29.5、Pt:24.9、B:1.5含むCo-Cr-Pt-B合金粉末第1原料粉とSiO2粉末非磁性酸化物粉末とを準備し、このCo-Cr-Pt-B合金粉末とSiO2粉末とを、質量でCo-Cr-Pt-B合金粉末:95.2、SiO2粉末SiO2:4.8モルではCo-Cr-B合金粉末:93.0、SiO2粉末SiO2:7.0となるように配合し、Ar雰囲気に保持したボールミル、遊星ボールミル、またはアトライタにより20時間混合粉砕する。次に、この混合粉砕した粉末をAr雰囲気中または真空中において800°C、1時間の熱処理を施すことにより、仮焼体弱く焼結した塊を作製する。さらにこの仮焼体をメノウ乳鉢にて解砕後、目開き100μmのふるいの上で振動させることにより分級し、直径100μm以下の第1仮焼造粒粉として第1相用混合粉末を作製する。これとは別に、原料粉末として、Co粉末第2原料粉とSiO2粉末非磁性酸化物粉末とを準備し、このCo粉末とSiO2粉末とを、質量でCo粉末:92.9、SiO2粉末:7.1モルではCo粉末:93.0、SiO2粉末:7.0となるように配合し、Ar雰囲気に保持したボールミル、遊星ボールミル、またはアトライタにより20時間混合粉砕する。次に、この混合粉砕した粉末をAr雰囲気中または真空中において800°C、1時間の熱処理を施すことにより、仮焼体弱く焼結した塊を作製する。さらにこの仮焼体をメノウ乳鉢にて解砕後、目開き100μmのふるいの上で振動させることにより分級し、直径100μm以下の第2仮焼造粒粉として第2相用混合粉末を作製する。次に、これら第1仮焼造粒粉の第1相用混合粉末と第2仮焼造粒粉の第2相用混合粉末とを、質量で第1仮焼造粒粉:80.2、第2仮焼造粒粉:19.8モルでは第1仮焼造粒粉:73.1、第2仮焼造粒粉:26.9となるように配合し、これら仮焼造粒粉が粉砕されないようにロッキングミキサーにより30分間混合することにより、ホットプレス原料粉末を作製する。このホットプレス原料粉末の組成は、モルで、Co:55.0、Cr:20.0、Pt:17.0、B:1.0、SiO2:7.0となる。このホットプレス原料粉末を、真空ホットプレスの黒鉛型に充填し、真空雰囲気中で温度950°C、圧力35MPa、3時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより、本実施例の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが作製される。上記実施形態に基づいて実際に作製した磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの実施例について、評価を行った結果を説明する。<実施例1>本発明の実施例1として、まず原料粉末としてモルでCo粉末:41.36、Cr粉末:24.81、Pt粉末:25.73、SiO2粉末:8.1になるように配合し、Ar雰囲気中にてアトライタで回転数350rpmにより10時間混合粉砕を行った。次に、この混合粉砕した粉末を1100°Cで1時間、真空中の仮焼を行った後、メノウ乳鉢にて解砕し、目開き100μmの篩で分級した第1粉末を作製した。これとは別に、原料粉末としてモルでCo粉末:93、SiO2粉末:7になるように配合し、Ar雰囲気中にてボールミルで回転数100rpmにより20時間混合粉砕を行った。次に、この混合粉砕した粉末を1100°Cで1時間、真空中の仮焼を行った後、メノウ乳鉢にて解砕し、目開き100μmの篩で分級した第2粉末を作製した。次に、これら第1粉末と第2粉末とをそれぞれ重量で80と20とで配合し、粉末が粉砕されないようにロッキングミキサ-で30分間混合し、ホットプレス原料を作製した。この原料粉末を真空ホットプレスの黒鉛型に充填し、真空雰囲気で温度1100°C、圧力35MPa、3時間の条件にて、実施例1の磁気記録媒体成膜用スパッタリングタ-ゲットを作製した。<実施例2~9>まず、原料粉末として表1に示す第1粉末になるように配合し、Ar雰囲気中にてアトライタで回転数350rpmにより10時間混合粉砕を行った。次に、この混合粉砕した粉末を950~1100°Cで1時間、真空中の仮焼を行った後メノウ乳鉢にて解砕し、目開き100μmの篩で分級した第1粉末を作製した。これとは別に、原料粉末として表1に示すモルで第2粉末になるように配合し、Ar雰囲気中にてボールミルで回転数100rpmにより20時間混合粉砕を行った。次に、この混合粉砕した粉末を950~1100°Cで1時間、真空中の仮焼を行った後、メノウ乳鉢にて解砕し、目開き100μmの篩で分級した第2粉末を作製した。次に、これら第1粉末と第2粉末とをそれぞれ重量で80と20とで配合し、粉末が粉砕されないようにロッキングミキサ-で30分間混合し、ホットプレス原料を作製した。この原料粉末を真空ホットプレスの黒鉛型に充填し、真空雰囲気で温度1100°C、圧力35MPa、3時間の条件にて、実施例2~9の磁気記録媒体成膜用スパッタリングタ-ゲットを作製した。<従来例>従来例として、まず実施例1の第1粉末と第2粉末とをそれぞれ重量で80と20とに配合した組成と同じモルで、Co粉末:51.69、Cr粉末:19.85、Pt粉末:20.58、SiO2粉末:7.88になるように配合し、Ar雰囲気中にてボールミルで回転数100rpmにより20時間混合粉砕を行い、混合粉末を作製した。この原料粉末を真空ホットプレスの黒鉛型に充填し、真空雰囲気で温度1100°C、圧力35MPa、3時間の条件にて、従来例の磁気記録媒体成膜用スパッタリングタ-ゲットを作製した。上記実施例、比較例および従来例の各ターゲットについて、ASTMF2086-1の規格に基づきPTF測定を行った。この測定では、作製した各タ-ゲットの一方の面側に測定専用冶具にてDexer製アルニコ磁石5K215をセットし、ターゲットの反対面でガウスメ-タで計測した最大磁束平均値をタ-ゲットを介さない場合の前記アルニコ磁石の磁束値で割ることにより算出した。この測定結果を表1に示す。この結果から判るように、上記従来例では、PTFが41と低いのに対し、本発明の実施例1~6では、いずれもPTFが約60もしくは60以上で高い漏洩磁束密度が得られている。また実施例7から9は望ましい組成範囲ではないが従来例よりもPTFが良好である。また、本発明の実施例1について、電子顕微鏡による第1相の画像とEPMAによる第1相のSi分布を示す画像とを、図5および図6に示す。また、電子顕微鏡による第2相の画像とEPMAによる第2相のSi分布を示す画像とを、図7および図8に示す。なお、Si分布は、SiO2の分布に相当するものである。また、EPMAの測定は、日本電子製JXA-8530Fを用いて行った。これらの画像から判るように、本実施例では、CoCr酸化物部である第1相およびPtCo酸化物部である第2相のいずれも、SiSiO2が相中に均一に分散している。なお、本発明の技術範囲は上記実施形態および上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。"