荷電粒子検知装置であって、荷電粒子の供給源と、前記荷電粒子の供給源から前記荷電粒子の第1の部分を受け取るための複数のコレクタ電極と、前記複数のコレクタ電極の周りに形成され、且つ、これらのコレクタ電極から離隔したグリッドであって、前記荷電粒子の供給源から前記荷電粒子の第2の部分を受け取り、且つ、前記第2部分に応答して生成される後方散乱荷電粒子を隣接するコレクタ電極に導くグリッドと、を有する装置。前記グリッドは、導電性材料から形成される請求項1に記載の荷電粒子検知装置。前記グリッドは、前記複数のコレクタ電極から電気的に隔離される請求項2に記載の荷電粒子検知装置。前記複数のコレクタ電極は、異なる厚さを有するコレクタ電極の第1及び第2の組を含み、且つ、前記コレクタ電極の第1の組は、前記コレクタ電極の第2の組と交互に配置される請求項1に記載の荷電粒子検知装置。それぞれのコレクタ電極は、不均一な形状において形成される請求項1に記載の荷電粒子検知装置。前記供給源と前記複数のコレクタ電極の間に配設されたマイクロチャンネルプレートを更に有する請求項1に記載の荷電粒子検知装置。それぞれのコレクタ電極は、前記荷電粒子の第1の部分を受け取るための入射表面を含み、前記入射表面は、井戸を形成する凹入表面を含む請求項1に記載の荷電粒子検知装置。前記井戸は、矩形形状及び台形形状のうちの1つにおいて形成される請求項7に記載の荷電粒子検知装置。前記井戸は、前記荷電粒子の第1の部分に応答して生成される後方散乱荷電粒子を対応するコレクタ電極に導く請求項7に記載の荷電粒子検知装置。それぞれのコレクタ電極は、前記荷電粒子の第1の部分を受け取るための入射表面を含み、前記入射表面は、複数の井戸を含む請求項1に記載の荷電粒子検知装置。前記複数のコレクタ電極は、誘電体層上に配設されており、前記誘電体層は、個々のコレクタ電極内の前記複数の井戸に対応した複数の井戸を含む請求項10に記載の荷電粒子検知装置。前記複数の井戸のうちの1つの井戸は、矩形形状又は倒立ピラミッド形状のうちの1つにおいて形成される請求項10に記載の荷電粒子検知装置。荷電粒子検知装置であって、荷電粒子の供給源と、前記荷電粒子の供給源から前記荷電粒子を受け取るための荷電粒子収集表面と、を有し、前記荷電粒子収集表面は、複数のコレクタ電極と、前記複数のコレクタ電極の周りに形成され、且つ、これらのコレクタ電極から離隔したグリッドと、を含み、前記グリッド及び前記複数のコレクタ電極のうちの1つは、前記荷電粒子収集表面から離隔した隆起エッジを含む、装置。それぞれのコレクタ電極は、前記荷電粒子を受け取るための入射表面を含み、前記入射表面は少なくとも1つの井戸を含む請求項13に記載の荷電粒子検知装置。前記グリッドは、前記隆起エッジを含む請求項13に記載の荷電粒子検知装置。前記グリッドの前記隆起エッジは、前記荷電粒子収集表面との関係においてコレクタ電極に隣接して上方に配設される請求項15に記載の荷電粒子検知装置。前記グリッドの前記隆起エッジは、前記荷電粒子収集表面に対して垂直の方向において対応するコレクタ電極とオーバーラップしている請求項16に記載の荷電粒子検知装置。それぞれのコレクタ電極が前記隆起エッジを含む請求項13に記載の荷電粒子検知装置。前記複数のコレクタ電極は、異なる厚さを有するコレクタ電極の第1及び第2の組を含み、且つ、前記コレクタ電極の第1の組は、前記コレクタ電極の第2の組と交互に配置される請求項18に記載の荷電粒子検知装置。前記第1の組の前記隆起エッジは、前記荷電粒子収集表面に対して垂直の方向において前記第2の組の前記隆起エッジとオーバーラップしている請求項19に記載の荷電粒子検知装置。荷電粒子検知装置を形成する方法であって、荷電粒子収集表面上に複数のコレクタ電極を配設するステップと、前記荷電粒子収集表面上にグリッドを配設するステップであって、前記グリッドは、前記複数のコレクタ電極の周りにおいて形成され、且つ、これらのコレクタ電極から離隔している、ステップと、を有する方法。前記荷電粒子収集表面から離隔した隆起エッジを有するようにそれぞれのコレクタ電極を形成するステップを更に有する請求項21に記載の方法。前記荷電粒子収集表面から離隔した隆起エッジを有するように前記グリッドを形成するステップを更に有する請求項21に記載の方法。前記グリッドの前記隆起エッジは、前記荷電粒子収集表面に対して垂直の方向において対応するコレクタ電極とオーバーラップしている請求項23に記載の方法。それぞれのコレクタ電極における前記荷電粒子収集表面とは反対側の表面内に少なくとも1つの井戸を形成するステップを更に有する請求項21に記載の方法。前記少なくとも1つの井戸を形成する前記ステップは、複数の井戸を形成するステップを含み、且つ、前記方法は、前記複数のコレクタ電極を配設する前に、個々の前記複数のコレクタ電極の前記複数の井戸の場所に対応する場所において前記荷電粒子収集表面内に複数の井戸を形成するステップを含む請求項25に記載の方法。前記複数のコレクタ電極を配設する前記ステップは、前記荷電粒子収集表面上に異なる厚さを有するコレクタ電極の第1及び第2の組を配設するステップを含み、前記コレクタ電極の第1の組は、前記コレクタ電極の第2の組と交互に配置される請求項21に記載の方法。高エネルギー荷電粒子を使用する帰結として、検出器の表面に衝突した際に、荷電粒子の一部が後方散乱する可能性が生じる。後方散乱した粒子により、信号及び空間分解能の損失が生じることになろう。固体能動ピクセルセンサの場合には、コレクタ電極は、通常、誘電材料などによって相互に電気的に隔離されている。電気的な隔離の帰結として、コレクタ電極の間に露出した誘電材料が、荷電粒子の衝突の際に電荷を収集すると共にピクセル間のクロストークを生成することになろう。電気的な隔離の別の帰結として、固体ピクセルセンサの充填率即ち、ピクセルアレイによって占有されている連続した面積の合計に対する荷電粒子収集表面の面積の合計の比率が低減され、通常は、約90未満となることになろう。本発明は、荷電粒子検知装置に関する。この荷電粒子装置は、荷電粒子の供給源と、供給源から荷電粒子の第1の部分を受け取るための複数のコレクタ電極と、複数のコレクタ電極の周りに形成され、且つ、これらのコレクタ電極から離隔したグリッドと、を含む。グリッドは、供給源から荷電粒子の第2の部分を受け取り、且つ、この第2の部分に応答して生成される後方散乱荷電粒子を隣接するコレクタ電極に導く。又、本発明は、荷電粒子の供給源と、供給源から荷電粒子を受け取るための荷電粒子収集表面と、を含む荷電粒子検知装置にも関する。荷電粒子収集表面は、複数のコレクタ電極と、複数のコレクタ電極の周りに形成され、且つ、これらのコレクタ電極から離隔したグリッドと、を含む。グリッドと複数のコレクタ電極のうちの一方は、荷電粒子収集表面から離隔した隆起エッジを含む。本発明は、更に、荷電粒子検知装置を形成する方法にも関する。この方法は、複数のコレクタ電極を荷電粒子収集表面上に配設するステップと、グリッドを荷電粒子収集表面上に配設するステップと、を含む。グリッドは、複数のコレクタ電極の周りに形成され、且つ、これらのコレクタ電極から離隔している。本発明については、添付図面との関連において参照された際に以下の詳細な説明から理解することができよう。添付図面には、次の図が含まれている。本発明の態様は、荷電粒子収集構造を有する荷電粒子検知装置と、荷電粒子を収集する方法と、に関する。例示用の一実施形態によれば、荷電粒子収集構造は、複数のコレクタ電極と、これらのコレクタ電極の周りに形成され、且つ、これらのコレクタ電極から離隔したグリッドと、を含む。グリッドは、コレクタ電極の間の隔離領域に対する遮蔽を提供してもよい。コレクタ電極は、入射荷電粒子の一部分を収集する。グリッドは、入射荷電粒子の更なる部分を受け取る。グリッドによって受け取られた荷電粒子は、コレクタ電極の間の隔離領域から運び去られる。グリッドによって生成される後方散乱荷電粒子は、グリッドに又は近隣のコレクタ電極に導かれる。例示用のコレクタ電極は、後方散乱荷電粒子の収集を提供するために、不均一な形状を有するように形成してもよく、且つ、1つ又は複数の井戸を含んでもよい。本発明の収集構造は、後方散乱荷電粒子の収集を提供し、且つ、入射及び/又は後方散乱荷電粒子に対するコレクタ電極とグリッドの間の誘電材料の露出を低減することになろう。又、本発明の収集構造は、90を上回るように、センサの充填率を増大させることにもなろう。本発明の荷電粒子検知装置は、例えば、二次イオン質量分析SecondaryIonMassSpectrometry:SIMSを含む質量分析、電子顕微鏡法、暗視、医療及び生命科学の計測、及び低光量の撮像エリアを伴うその他の用途などに使用してもよい。図1を参照すれば、荷電粒子検知装置は、100として総合的に表記された状態において示されている。装置100は、例えば、画像増強装置として使用してもよい。装置100は、入力側102aと、出力側102bと、を有するフォトカソード102を含む。又、装置100は、荷電粒子収集表面106aを含む撮像素子106をも含む。又、装置100は、入力側104aと、出力側104bと、を含むマイクロチャンネルプレートMicro-ChannelPlate:MCP104を含んでもよい。MCP104は、フォトカソード102及び撮像素子106を内蔵するハウジング図示されてはいない内に形成された負圧間隙118内に配設される。MCP104は、フォトカソード102と撮像素子106の間に配設された状態において示されているが、MCP104は、省略してもよいことを理解されたい。フォトカソード102が示されているが、フォトカソード102は、カソードによって置換してもよく、この場合には、カソードが荷電粒子の供給源を提供することを理解されたい。撮像素子106は、荷電粒子を検出する能力を有する任意のタイプの固体センサであってよい。例えば、撮像素子106は、CMOSComplementaryMetalOxideSemiconductorセンサを含んでもよい。図2A~図7Kとの関係において更に後述するように、荷電粒子収集表面106aは、複数の収集構造を含み、これらの収集構造は、入射荷電粒子を収集し、且つ、後方散乱した電極のための電気的な帰還路を提供する。動作の際には、像110からの光112がフォトカソード102の入力側102aを通じて装置100に進入する。フォトカソード102は、進入光112を電子などの荷電粒子114に変化させ、これらの荷電粒子は、フォトカソード102の出力側102bから出力される。フォトカソード102から出た荷電粒子114は、MCP104の入力表面104aを通じてチャネル104cに進入する。荷電粒子114がMCP104の入力表面104aに衝突した後に、2次荷電粒子がMCP104の複数のチャネル104c内に生成される。MCP104は、入力表面104aを通じて進入したそれぞれの荷電粒子ごとに、チャネル104cのそれぞれのチャネル内に数百個の荷電粒子を生成することになろう。従って、チャネル104cから出る荷電粒子116の数は、チャネル104cに進入する荷電粒子114の数を格段に上回ることになろう。増強された数の荷電粒子116がMCP104の出力側104bを通じてチャネル104cから出て撮像素子106の荷電粒子収集表面106aに衝突する。撮像素子106の出力は、レジスタ内に保存し、次いで、読出しレジスタに転送し、増幅し、且つ、ビデオディスプレイ108上に表示してもよい。図2A及び図2Bを参照すれば、粒子収集構造200を有する撮像素子106が示されている。具体的には、図2Aは、撮像素子106の一部分の断面図であり、且つ、図2Bは、粒子収集構造200の一部分の断面図であって、入射及び後方散乱荷電粒子の収集を示している。撮像素子106は、基板202内に形成されたピクセル回路204と、荷電粒子収集表面106a上に形成された粒子収集構造200と、を含む。又、撮像素子106は、基板202と粒子収集構造200の間に形成された誘電体層206を含んでもよい。粒子収集構造200は、個々のピクセル回路204と関連付けられた荷電粒子コレクタ電極210と、グリッド212と、を含む。コレクタ電極210は、コネクタ208により、個々のピクセル回路204に電気的に接続されている。それぞれのピクセル回路204は、個々のコレクタ電極210から受け取った荷電粒子を検出すると共に電荷を集積するように構成された1つ又は複数のトランジスタ図示されてはいないを含んでもよい。グリッド212は、コレクタ電極210上に入射しない荷電粒子を収集すると共にこれらの荷電粒子のための電気的な帰還路を提供するように機能する。隔離領域がグリッド212と誘電体層206の間に形成されており、この場合に、グリッド212は、この隔離領域に対する入射荷電粒子の遮蔽を提供してもよい。それぞれのコレクタ電極210は、入射表面を含み、この入射表面は、凹入表面リセス表面210aと、隆起表面210bと、側壁210eと、を含む。更には、コレクタ電極210は、荷電粒子収集表面106aから離隔した隆起エッジ210cをも含む。更には、更に後述するように、コレクタ電極210は、グリッド212からの後方散乱した電極を収集するために使用される側部表面210dをも含む。従って、コレクタ電極210は、不均一な形状において形成されていることを理解されたい。入射表面210a、210b、210cは、矩形形状の井戸を形成するように使用されているが、側壁210eは、入射表面210a、210b、210cが台形形状の井戸を形成するように、傾斜を含んでもよいことを理解されたい。台形形状の井戸の場合には、底部表面即ち、凹入表面210aの寸法が上部表面即ち、隆起表面210bの寸法を下回っていてもよい。グリッド212は、コレクタ電極210を取り囲み、且つ、間隙214水平間隙及び垂直間隙の両方を含むにより、コレクタ電極210の側壁210d及び隆起エッジ210cから離隔しており、隆起エッジ210cは、グリッド212の上方に形成されている。コレクタ電極210とグリッドが、誘電体層206上に形成されており、且つ、間隙214によって離隔しているため、コレクタ電極210及びグリッド212は、相互に電気的に隔離されている。グリッド212がコレクタ電極210の間に配置されているため。少ない数の後方散乱荷電粒子が誘電体層206に導かれることになろう。この結果、ピクセル間のクロストークが低減されることになろう。基板202は、限定を伴うことなしに、シリコンなどの任意の適切な半導体基板を含んでもよい。誘電体層206は、限定を伴うことなしに、ガラス、セラミック、及び金属酸化物を含む任意の適切な電気的に絶縁性の材料を含んでもよい。コレクタ電極210及びグリッド212は、限定を伴うことなしに、アルミニウム、銅、及び金を含む任意の適切な導電性材料を含んでもよい。動作の際には、到来する荷電粒子の一部220が、コレクタ210の入射表面例えば、凹入表面210a、隆起表面210b、又は側壁210eに衝突し、且つ、収集粒子222としてコネクタ208を通じて収集されることにより、個々のピクセル回路204のトランジスタを通じて信号が生成される。到来した荷電粒子の更なる部分224は、コレクタ電極210の間を通過し、且つ、間隙214内においてグリッド212に衝突することになろう。この部分224がグリッド212と衝突することにより、後方散乱荷電粒子226が生成されることになろう。後方散乱荷電粒子226は、間隙214を通じて移動し、且つ、側壁210d及び/又は隆起エッジ210cを介して、近隣のコレクタ電極210によって収集されることになろう。一般に、側壁210d及び/又は隆起エッジ210cによって収集される後方散乱荷電粒子226の量は、隆起エッジ210cの水平方向におけるオーバーラップと、側壁210dとグリッド212の間の垂直方向の間隙と、により、制御されることになろう。到来した荷電粒子の更なる部分228は、凹入表面210aと衝突し、且つ、後方散乱荷電粒子230を生成することになろう。コレクタ電極210が井戸を含んでいるため、後方散乱荷電粒子230は、コレクタ電極210の側壁210eによって収集されることになろう。一般に、部分224及び228からの後方散乱などの後方散乱の確率は、コレクタ電極210の材料特性、荷電粒子の衝突エネルギー、及び荷電粒子の入射角度に関係している。又、コレクタ電極210の分離によって充填率を制御してもよいことを理解されたい。コレクタ電極210が隆起エッジ210cを含んでいるため、コレクタ電極210の離隔を更に近接したものにしてもよい。この結果、例えば、90を上回るように、充填率を増大させてもよい。次に図3A~図3Cを参照すれば、粒子収集構造200を製造するためのプロセスを示す撮像素子106の部分断面図が示されている。図3Aに示されているように、基板202内において、それぞれのピクセルごとに、ピクセル回路204を形成する。基板202上に誘電体層206を形成してもよい。誘電体層206及び基板202を貫通するように、コネクタ208を形成してもよく、且つ、コネクタ208は、信号を個々のピクセル回路204に供給してもよい。次いで、ピクセル回路204の間に位置するように、グリッド212を誘電体層206上に形成する。図3Bを参照すれば、グリッド212を封入するように、犠牲材料320を形成し、且つ、パターン化する。犠牲材料302は、限定を伴うことなしに、ポリマー、金属、又は半導体材料を含む任意の材料であってよい。導電性層を堆積させると共にパターン化することにより、コレクタ電極210を形成し、且つ、グリッド212に対応した領域内の犠牲材料302を露出させる。コレクタ電極210は、コネクタ208を介して個々のピクセル回路204に電気的に接続されるように、形成される。図3Cを参照すれば、例えば、乾式又は湿式エッチングプロセスを使用することにより、犠牲材料302を除去する。犠牲材料302を除去することにより、コレクタ電極210とグリッド212の間に間隙214が生成され、これにより、撮像素子106の粒子収集構造200が形成される。当業者は、本明細書における説明から、ピクセル回路204、誘電体層206、コネクタ208、グリッド212、及びコレクタ電極210の形成について理解することができよう。次に図4A及び図4Bを参照すれば、撮像素子106’を製造するためのプロセスを示す粒子収集構造400を含む撮像素子106’の部分断面図が示されている。図4Aに示されているように、誘電体層206を基板202上に形成した後に、誘電体層206の上部表面内に複数の井戸402をエッチング又はパターン化する。更には、図3Aとの関係において上述したように、ピクセル回路204の間において、誘電体層206上にグリッド212を形成する。図4Aは、矩形の井戸として成形された井戸402を示しているが、井戸402は、倒立ピラミッドなどのその他の形状として成形してもよい。この場合には、倒立ピラミッドの基部は、誘電体層206内に形成された壁が基部から延在して倒立ピラミッドの頂点を形成するように、誘電体層206の上部表面において正方形をなしてもよい。本発明の例示用の一実施形態によれば、井戸402は、約1~2μmだけ、横断方向において離隔してもよく、且つ、約1~2μmの深さを有してもよい。一般に、井戸402の離隔及び深さは、コレクタ電極210’の形状によって左右されることになることを理解することができる。図4Bを参照すれば、導電性層を誘電体層206上に配設してコレクタ電極210’を形成している。井戸402が誘電体層206内に形成されているため、この後に、井戸402にその位置及び形状との関係において対応した井戸404がコレクタ電極210’内に形成される。従って、井戸404は、コレクタ電極210’のなんらかの大幅な更なるエッチングを伴うことなしに、コレクタ電極210’内に形成されることになろう。又、例えば、井戸402が倒立ピラミッドとして形成される場合には、後続の井戸404も、倒立ピラミッドとして形成されることになろう。ピラミッドによって提供される傾斜により、後方散乱荷電粒子の多くの部分がコレクタ電極210’内に偏向することになろう。井戸402、404は、後方散乱荷電粒子のためのトラップを提供することになることを理解されたい。図4A及び図4Bには示されていないが、図3B及び図3Cとの関係において上述したように犠牲材料をグリッド210上に形成して間隙214を形成することにより、撮像素子106’の粒子収集構造400を形成してもよい。又、図4Bには示されていないが、コレクタ電極210’は、上部表面上に図2Aに示されている凹入表面210aなどの凹入領域を含んでもよい。次に図5A~図5Cを参照すれば、粒子収集構造500を製造するためのプロセスを示す粒子収集構造500を有する撮像素子106’’の部分断面図が示されている。図5Aに示されているように、個々のピクセル回路204に対応するように、コレクタ電極510を誘電体層206上に形成する。更には、コレクタ電極510を取り囲むと共にこれらのコレクタ電極から離隔するように、グリッド212を誘電体層206上に形成する。図5Bを参照すれば、犠牲材料502をコレクタ電極510上に形成している。そして、犠牲材料502をエッチング又はパターン化し、グリッド212に対応した領域503を形成する。図5Cを参照すれば、導電性層504がグリッド212に接続されるように、導電性層504を領域503内に形成している。そして、導電性層504をパターン化又はエッチングし、コレクタ電極510に対応した領域内において犠牲材料502を露出させる。次いで、犠牲材料502を除去し、撮像素子106’’の粒子収集構造500を形成する。撮像素子106’’においては、導電性層504及びグリッド212が障壁512を形成しており、間隙514が障壁512とコレクタ電極510の間に形成されている。障壁512は、障壁512がコレクタ電極510の上方において離隔するように、コレクタ電極510の厚さを上回る厚さを有するように形成されている。導電性層504の幅がグリッド212を上回っているため、導電性層504は、コレクタ電極410とオーバーラップしている。粒子収集構造500は、上方に延在すると共に収集表面106aに対して垂直の方向においてコレクタ510とオーバーラップする隆起エッジを障壁512が含んでいることを除いて、粒子収集構造200図3Cに類似している。図5Cには示されていないが、コレクタ電極510は、凹入表面図2Aに示されている凹入表面210aなど及び/又は井戸図4Bに示されている井戸404などを含んでもよい。次に図6A~図6Dを参照すれば、粒子収集構造600を製造するためのプロセスを示す粒子収集構造600を含む撮像素子106’’’の部分断面図が示されている。図6Aに示されているように、ピクセル回路204の間の領域内において、誘電体層206上にグリッド212を形成する。図6Bに示されているように、犠牲材料302を、図3Bにおいて説明したように、グリッド212上に形成する。更には、ピクセル回路204に対応した領域内において、誘電体層206上に導電性層を配設し、且つ、パターン化又はエッチングすることにより、凹入表面210aを有するコレクタ電極210を形成する。図6Cを参照すれば、コレクタ電極210の間において、犠牲材料302上に更なる犠牲材料602を配設している。次いで、1つ飛ばしのコレクタ電極210上に導電性層604を形成する。導電性層604をパターン化又はエッチングして凹入表面604Aを形成してもよい。図6Dを参照すれば、犠牲材料302及び602を除去し、撮像素子106’’’の粒子収集構造600を形成している。構造600は、グリッド212と、コレクタ電極210及び610と、を含む。コレクタ電極210及び610は、互いに交互に変化しており、この場合に、コレクタ電極610は、コレクタ電極210よりも大きな厚さを有する。犠牲材料302及び602を除去することにより、個々のコレクタ電極210及び610の間に間隙214及び614が形成されている。コレクタ電極210及び610は、交互に変化する厚さ即ち、交互に変化する高さを有しているため、コレクタ電極210及び610を実質的にオーバーラップさせることにより、荷電粒子が電極の間において即ち、間隙214及び614内において収集されることになるエリアの大部分を除去することができる。更には、このコレクタ電極210及び610の間のオーバーラップの増大により、約100の充填率を生成してもよい。次に図7A~図7Kを参照すれば、粒子収集構造722を製造するためのプロセスを示す粒子収集構造722を含む撮像素子700の部分断面図が示されている。図7Aに示されているように、層702として総合的に表記された複数の交互に変化する金属及び誘電体の層を基板701上に配設することにより、撮像素子700を形成する。層702は、個々のコレクタ電極722図7Kから個々のピクセル回路703に信号を供給するために、例えば、V1、V2、及びV3などのビアVと、例えば、M1及びM2などの導電性コネクタMと、を含んでもよい。例示用の一実施形態においては、層702内の誘電材料は、二酸化珪素を含む。一般に、誘電材料は、限定を伴うことなしに、二酸化珪素、窒化珪素、又はBEOLBackEndOfLineプロセスに適した任意の誘電材料を含んでもよい。グリッド704及び導電性層706を層702上において規定すると共に形成する。導電性層706は、個々のピクセル回路703に対応した領域内に形成される。グリッド704は、導電性層706を取り囲むと共にこれから離隔するように、形成される。図7Bを参照すれば、電気的な隔離のために、グリッド704及び導電体層706上に誘電体層708堆積させている。この結果、グリッド704は、誘電体層708により、導電性層706から離隔している。例示用の一実施形態によれば、誘電体層708は、層702及び誘電体層708の上方に配設される任意の誘電体層図7Dに示されている誘電体層710など内の誘電材料とは異なる誘電材料から構成してもよい。例えば、層702及び710の誘電材料は、二酸化珪素を含んでもよく、層708の誘電材料は、窒化珪素を含んでもよい。図7Cを参照すれば、誘電体層708をエッチング又は平坦化し、グリッド704及び導電性層706を露出させる。この結果、グリッド704と導電性層706の間の領域内に誘電体層708が形成される。図7Dを参照すれば、グリッド704、導電性層706、及び誘電体層708上に誘電体層710を堆積させている。図7Eを参照すれば、誘電体層710が傾斜した又は階段状のプロファイルを有する側壁をコレクタ領域712内に含むように、コレクタ領域712内において誘電体層710の一部分を除去している。図7Fを参照すれば、コレクタ領域712内において、誘電体層710上に導電性層714を堆積させ、且つ、導電性層706に結合させている。又、導電性層714をパターン化又はエッチングし、コレクタ領域713を生成している。更には、誘電体層710を露出させるように、誘電体層710の領域715を規定している。図7Gを参照すれば、導電性層714及び誘電体層710上に誘電体層716を堆積させている。次いで、図7Hを参照すれば、誘電体層716が傾斜した又は階段状のプロファイルを有する側壁をコレクタ領域712’内に含むように、コレクタ領域712’内において誘電体層716の一部分を除去している。図7Hにおいては、誘電体層710及び716の組合せを誘電体層718として示している。図7Iを参照すれば、コレクタ領域712’内において、誘電体層718上に導電性層720を堆積させ、且つ、導電性層714に結合させている。又、導電性層720をパターン化又はエッチングし、コレクタ領域713’を生成している。更には、誘電体層718を露出させるように、導電性層720の領域717を規定している。図7Jを参照すれば、例えば、乾式又は湿式エッチングプロセスを使用することにより、誘電体層718を除去領域724内において除去し、グリッド704を露出させている。例示用の一実施形態においては、乾式エッチングプロセスが使用されている。図7Jに示されているように、導電性層706、714、及び720の組合せがコレクタ電極722を形成している。図7Kを参照すれば、例えば、乾式又は湿式エッチングプロセスを使用することにより、残りの誘電体層718を除去している。例示用の一実施形態においては、湿式エッチングプロセスが使用されている。誘電体層718を除去することにより、コレクタ電極722とグリッド704の間に間隙726が生成され、これにより、粒子収集構造728が生成される。本明細書においては、特定の実施形態を参照して本発明について図示及び説明したが、本発明は、図示の詳細内容に限定されるものと解釈してはならない。むしろ、請求項の均等物の範囲及び/又はレンジ内において、且つ、本発明を逸脱することなしに、詳細内容の様々な変更を実施してもよい。