"Si-O-Si結合を含む固体状化合物に、被接合透明材料を接触させ、前記化合物と前記被接合透明材料との界面に波長266nm以上の紫外光を照射することを特徴とするSi-O-Si結合を含む化合物を用いた光化学接合法。前記被接合透明材料が、前記波長266nm以上の紫外光を透過させる板状透明材料であり、前記化合物と前記板状透明材料との界面に、前記板状透明材料を通して前記波長266nm以上の紫外光を照射することを特徴とする請求項1記載のSi-O-Si結合を含む化合物を用いた光化学接合法。前記被接合透明材料が、前記波長266nm以上の紫外光を透過させる多角柱状透明材料であり、前記化合物と前記多角柱状透明材料との界面に、前記多角柱状透明材料を通して前記波長266nm以上の紫外光を照射することを特徴とする請求項1記載のSi-O-Si結合を含む化合物を用いた光化学接合法。前記被接合透明材料が、前記波長266nm以上の紫外光を透過させる円柱状透明材料であり、前記化合物と前記円柱状透明材料との界面に、前記円柱状透明材料を通して前記波長266nm以上の紫外光を照射することを特徴とする請求項1記載のSi-O-Si結合を含む化合物を用いた光化学接合法。前記被接合透明材料が、前記波長266nm以上の紫外光を透過させる球状透明材料であり、前記化合物と前記球状透明材料との界面に、前記球状透明材料を通して前記波長266nm以上の紫外光を照射することを特徴とする請求項1記載のSi-O-Si結合を含む化合物を用いた光化学接合法。前記被接合透明材料が、前記波長266nm以上の紫外光を透過させるレンズ状透明材料であり、前記化合物と前記レンズ状透明材料との界面に、前記レンズ状透明材料を通して前記波長266nm以上の紫外光を照射することを特徴とする請求項1記載のSi-O-Si結合を含む化合物を用いた光化学接合法。前記被接合透明材料が、前記波長266nm以上の紫外光を透過させる中空透明材料であり、前記化合物と前記中空透明材料との界面に、前記中空透明材料を通して波長266nm以上の紫外光を照射することを特徴とする請求項1記載のSi-O-Si結合を含む化合物を用いた光化学接合法。請求項1、2、3、4、5、6又は7記載の光化学接合法により接合されたSi-O-Si結合を含む前記固体状化合物と被接合透明材料との界面が、炭素層として機能することを特徴とするデバイス。材料接合の際に、熱による局所的な変質や変形等の欠陥を生じさせず、かつ接合層が受光性など電気的あるいは光学的機能性を有するような、新規接合法の確立を課題とする。そこで、本発明は、上記の点に鑑み、熱による材料の変質、変形が皆無な非熱的接合を可能とし、かつ接合層が機能性を有するSi-O-Si結合を含む化合物を用いた光化学接合法及びデバイスを提供することを目的とする。本発明のその他の目的や新規な特徴は後述の実施の形態において明らかにする。上記目的を達成するために、本発明の第1の態様に係るSi-O-Si結合を含む化合物を用いた光化学接合法は、Si-O-Si結合を含む固体状化合物に、被接合透明材料を接触させ、前記化合物と前記被接合透明材料との界面に波長266nm以上の紫外光を照射することを特徴としている。前記態様において、前記被接合透明材料が、前記波長266nm以上の紫外光を透過させる板状透明材料であり、前記化合物と前記板状透明材料との界面に、前記板状透明材料を通して前記波長266nm以上の紫外光を照射することを特徴としている。前記態様において、前記被接合透明材料が、前記波長266nm以上の紫外光を透過させる多角柱状透明材料であり、前記化合物と前記多角柱状透明材料との界面に、前記多角柱状透明材料を通して波長266nm以上の紫外光を照射することを特徴としている。前記態様において、前記被接合透明材料が、前記波長266nm以上の紫外光を透過させる円柱状透明材料であり、前記化合物と前記円柱状透明材料との界面に、前記円柱状透明材料を通して波長266nm以上の紫外光を照射することを特徴としている。前記態様において、前記被接合透明材料が、前記波長266nm以上の紫外光を透過させる球状透明材料であり、前記化合物と前記球状透明材料との界面に、前記球状透明材料を通して波長266nm以上の紫外光を照射することを特徴としている。前記態様において、前記被接合透明材料が、前記波長266nm以上の紫外光を透過させるレンズ状透明材料であり、前記化合物と前記レンズ状透明材料との界面に、前記レンズ状透明材料を通して波長266nm以上の紫外光を照射することを特徴としている。前記態様において、前記被接合透明材料が、前記波長266nm以上の紫外光を透過させる中空透明材料であり、前記化合物と前記中空透明材料との界面に、前記中空透明材料を通して波長266nm以上の紫外光を照射することを特徴としている。本発明の第2の態様に係るデバイスは、前記第1の態様の光化学接合法により接合されたSi-O-Si結合を含む化合物と被接合材料との界面が、炭素層として機能することを特徴としている。本発明によれば、熱による局所的な変質や変形等の欠陥を材料に生じさせず、かつ接合層が受光性など電気的あるいは光学的機能性を有するような、新規光化学接合法が確立でき、受光素子など光部品をチップ上に高度に集積化できる等、光回路製作のための必要不可欠な技術となる。また本発明は、これら光エレクトロニクスの分野にとどまらず、マイクロ分析チップやその他マイクロナノデバイス製作技術等、今後接合技術を利用して発展するデバイス製作のあらゆる分野に多大に利用可能である。以下、本発明を実施するための最良の形態として、Si-O-Si結合を含む化合物を用いた光化学接合法及びデバイスの実施の形態を図面に従って説明する。図1Aは第1の参考例に用いる実験の装置概略であって、Si-O-Si結合を含む化合物としての固体状シリコーン1に、波長190nm以上266nm未満の光を透過させるシリカガラス製微小球を例とする球状透明材料2を被接合材料として接触させ、固体状シリコーン1と球状透明材料2との界面接触面に、マスク3の隙間及び球状透明材料2を通して波長190nm以上266nm未満の光L1を照射する。このとき、波長190nm以上266nm未満の光照射により、固体状シリコーン1と被接合材料としての球状透明材料2とが両者の界面に生じた光化学接合層により光化学接合され、接合層としてSiOX但し、X<2が得られる。この接合層は、白色のフォトルミネセンスを示す白色発光層としても機能する。波長190nm以上266nm未満の光L1の照射には、例えばレーザー光の波長193nmのArFエキシマレーザーを用いることができ、光L1の照射は大気中で行えばよい。熱による局所的な変質や変形等の欠陥を材料に生じさせないために、光源がArFエキシマレーザーの場合、レーザー光照射部分でのエネルギー密度フルエンスは100mJ/cm2未満が望ましい。球状透明材料2の材料としては、シリカガラスの他に、石英、サファイア、あるいはプラスチック等がある。図1Bは第2の参考例に用いる実験の装置概略であって、Si-O-Si結合を含む化合物としての固体状シリコーン1に、波長190nm以上266nm未満の光を透過させるシリカガラス製光ファイバーを例とする円柱状透明材料5を被接合材料として接触させ、固体状シリコーン1と円柱状透明材料5との界面接触面に、マスク3の隙間及び円柱状透明材料5を通して波長190nm以上266nm未満の光L1を照射する。このとき、波長190nm以上266nm未満の光照射によって、固体状シリコーン1と被接合材料としての円柱状透明材料5とが両者の界面に生じた光化学接合層により光化学接合され、接合層としてSiOX但し、X<2が得られる。この接合層は、白色のフォトルミネセンスを示す白色発光層としても機能する。円柱状透明材料5の材料としては、シリカガラスの他に、石英、サファイア、あるいはプラスチック等がある。図1Cは第3の参考例に用いる実験の装置概略であって、Si-O-Si結合を含む化合物としての固体状シリコーン1に、波長190nm以上266nm未満の光を透過させるシリカガラス製中空ファイバーを例とする中空透明材料6を被接合材料として接触させ、固体状シリコーン1と中空透明材料6との界面接触面に、マスク3の隙間及び中空透明材料6を通して波長190nm以上266nm未満の光L1を照射する。このとき、波長190nm以上266nm未満の光照射により、固体状シリコーン1と被接合材料としての中空透明材料6とが両者の界面に生じた光化学接合層により光化学接合され、接合層としてSiOX但し、X<2が得られる。この接合層は、白色のフォトルミネセンスを示す白色発光層としても機能する。中空透明材料6の材料としては、シリカガラスの他に、石英、サファイア、あるいはプラスチック等がある。図1Dは第4の参考例に用いる実験の装置概略であって、Si-O-Si結合を含む化合物としての固体状シリコーン1に、波長190nm以上266nm未満の光を透過させるシリカガラス製板を例とする板状透明材料7を被接合材料として接触させ、固体状シリコーン1と板状透明材料7との界面接触面に、マスク3の隙間及び板状透明材料7を通して波長190nm以上266nm未満の光L1を照射する。このとき、波長190nm以上266nm未満の光照射により、固体状シリコーン1と被接合材料としての板状透明材料7とが両者の界面に生じた光化学接合層により光化学接合され、接合層としてSiOX但し、X<2が得られる。この接合層は、白色のフォトルミネセンスを示す白色発光層としても機能する。板状透明材料7の材料としては、シリカガラスの他に、石英、サファイア、あるいはプラスチック等がある。図1Eは第5の参考例に用いる実験の装置概略であって、Si-O-Si結合を含む化合物としての固体状シリコーン1に、波長190nm以上266nm未満の光を透過させるシリカガラス製角柱を例とする多角柱状透明材料8を被接合材料として接触させ、固体状シリコーン1と多角柱状透明材料8との界面接触面に、マスク3の隙間及び多角柱状透明材料8を通して波長190nm以上266nm未満の光L1を照射する。このとき、波長190nm以上266nm未満の光照射により、固体状シリコーン1と被接合材料としての多角柱状透明材料8とが両者の界面に生じた光化学接合層により光化学接合され、接合層としてSiOX但し、X<2が得られる。この接合層は、白色のフォトルミネセンスを示す白色発光層としても機能する。多角柱状透明材料8の材料としては、シリカガラスの他に、石英、サファイア、あるいはプラスチック等がある。図1Fは第6の参考例に用いる実験の装置概略であって、Si-O-Si結合を含む化合物としての固体状シリコーン1に、波長190nm以上266nm未満の光を透過させるシリカガラス製レンズを例とするレンズ状透明材料9を被接合材料として接触させ、固体状シリコーン1とレンズ状透明材料9との界面接触面に、マスク3の隙間及びレンズ状透明材料9を通して波長190nm以上266nm未満の光L1を照射する。このとき、波長190nm以上266nm未満の光照射により、固体状シリコーン1と被接合材料としてのレンズ状透明材料9とが両者の界面に生じた光化学接合層により光化学接合され、接合層としてSiOX但し、X<2が得られる。この接合層は、白色のフォトルミネセンスを示す白色発光層としても機能する。レンズ状透明材料9の材料としては、シリカガラスの他に、石英、サファイア、あるいはプラスチック等がある。これらの第1乃至第6の参考例によれば、次の通りの効果を得ることができる。1波長190nm以上266nm未満の光照射により、Si-O-Si結合を含む化合物としての固体状シリコーン1と被接合材料とが光化学接合される。このとき、光L1の照射エネルギー密度を適切値に保つことで、熱による局所的な変質や変形等の欠陥を材料に生じさせずに光化学接合が可能である。2前記光化学接合法により接合された固体状シリコーン1と被接合材料との界面に形成された接合層が、白色のフォトルミネセンスを示す白色発光層として機能するデバイスを得ることができる。図2Aは本発明の第1の実施の形態に用いる実験の装置概略であって、Si-O-Si結合を含む化合物としての固体状シリコーン1に、波長266nm以上の紫外光波長266nm以上400nm以下の光を透過させるシリカガラス製微小球を例とする球状透明材料2を被接合材料として接触させ、固体状シリコーン1と球状透明材料2との界面接触面に、マスク3の隙間及び球状透明材料2を通して波長266nm以上の紫外光L2を照射する。このとき、波長266nm以上の紫外光の光照射により、固体状シリコーン1と被接合材料としての球状透明材料2とが両者の界面に生じた光化学接合層により光化学接合される。接合層としては炭素層が得られる。この炭素層は、受光性を示し、光入射により電気を発生する。波長266nm以上の紫外光の光L2の照射には、例えばNd:YAGレーザーの第4高調波波長266nmを用いることができ、光L2の照射は大気中で行えばよい。熱による局所的な変質や変形等の欠陥を材料に生じさせないために、光源がYAGレーザーの第4高調波波長266nmの場合、レーザー光照射部分でのエネルギー密度フルエンスは200mJ/cm2未満が望ましい。球状透明材料2の材料としては、シリカガラスの他に、石英、サファイア、あるいはプラスチック等がある。図2Bは本発明の第2の実施の形態に用いる実験の装置概略であって、Si-O-Si結合を含む化合物としての固体状シリコーン1に、波長266nm以上の紫外光を透過させるシリカガラス製光ファイバーを例とする円柱状透明材料5を被接合材料として接触させ、固体状シリコーン1と円柱状透明材料5との界面接触面に、マスク3の隙間及び円柱状透明材料5を通して波長266nm以上の紫外光L2を照射する。このとき、波長266nm以上の紫外光の光照射により、固体状シリコーン1と被接合材料としての円柱状透明材料5とが両者の界面に生じた光化学接合層により光化学接合される。接合層としては炭素層が得られる。この炭素層は、受光性を示し、光入射により電気を発生する。円柱状透明材料5の材料としては、シリカガラスの他に、石英、サファイア、あるいはプラスチック等がある。図2Cは本発明の第3の実施の形態に用いる実験の装置概略であって、Si-O-Si結合を含む化合物としての固体状シリコーン1に、波長266nm以上の紫外光を透過させるシリカガラス製中空ファイバーを例とする中空透明材料6を被接合材料として接触させ、固体状シリコーン1と中空透明材料6との界面接触面に、マスク3の隙間及び中空透明材料6を通して波長266nm以上の紫外光L2を照射する。このとき、波長266nm以上の紫外光の光照射により、固体状シリコーン1と被接合材料としての中空透明材料6とが両者の界面に生じた光化学接合層により光化学接合される。接合層としては炭素層が得られる。この炭素層は、受光性を示し、光入射により電気を発生する。中空透明材料6の材料としては、シリカガラスの他に、石英、サファイア、あるいはプラスチック等がある。図2Dは本発明の第4の実施の形態に用いる実験の装置概略であって、Si-O-Si結合を含む化合物としての固体状シリコーン1に、波長266nm以上の紫外光を透過させるシリカガラス製板を例とする板状透明材料7を被接合材料として接触させ、固体状シリコーン1と板状透明材料7との界面接触面に、マスク3の隙間及び板状透明材料7を通して波長266nm以上の紫外光L2を照射する。このとき、波長266nm以上の紫外光の光照射により、固体状シリコーン1と被接合材料としての板状透明材料7とが両者の界面に生じた光化学接合層により光化学接合される。接合層としては炭素層が得られる。この炭素層は、受光性を示し、光入射により電気を発生する。板状透明材料7の材料としては、シリカガラスの他に、石英、サファイア、あるいはプラスチック等がある。図2Eは本発明の第5の実施の形態に用いる実験の装置概略であって、Si-O-Si結合を含む化合物としての固体状シリコーン1に、波長266nm以上の紫外光を透過させるシリカガラス製角柱を例とする多角柱状透明材料8を被接合材料として接触させ、固体状シリコーン1と多角柱状透明材料8との界面接触面に、マスク3の隙間及び多角柱状透明材料8を通して波長266nm以上の紫外光L2を照射する。このとき、波長266nm以上の紫外光の光照射により、固体状シリコーン1と被接合材料としての多角柱状透明材料8とが両者の界面に生じた光化学接合層により光化学接合される。接合層としては炭素層が得られる。この炭素層は、受光性を示し、光入射により電気を発生する。多角柱状透明材料8の材料としては、シリカガラスの他に、石英、サファイア、あるいはプラスチック等がある。図2Fは本発明の第6の実施の形態に用いる実験の装置概略であって、Si-O-Si結合を含む化合物としての固体状シリコーン1に、波長266nm以上の紫外光を透過させるシリカガラス製レンズを例とするレンズ状透明材料9を被接合材料として接触させ、固体状シリコーン1とレンズ状透明材料9との界面接触面に、マスク3の隙間及びレンズ状透明材料9を通して波長266nm以上の紫外光L2を照射する。このとき、波長266nm以上の紫外光の光照射により、固体状シリコーン1と被接合材料としてのレンズ状透明材料9とが両者の界面に生じた光化学接合層により光化学接合される。接合層としては炭素層が得られる。この炭素層は、受光性を示し、光入射により電気を発生する。レンズ状透明材料9の材料としては、シリカガラスの他に、石英、サファイア、あるいはプラスチック等がある。これらの第1乃至第6の実施の形態によれば、次の通りの効果を得ることができる。1波長266nm以上の紫外光L2の光照射により、Si-O-Si結合を含む化合物としての固体状シリコーン1と被接合材料とが光化学接合される。このとき、光L2の照射エネルギー密度を適切値に保つことで、熱による局所的な変質や変形等の欠陥を材料に生じさせずに光化学接合が可能である。2前記光化学接合法により接合された固体状シリコーン1と被接合材料との界面に形成された接合層が、受光性を示す炭素層として機能するデバイスを得ることができる。以下、参考例に係るSi-O-Si結合を含む化合物を用いた光化学接合法を具体例で詳述する。図1Aの実験概略構成において、レーザー光源として、レーザー光の波長193nmのArFレーザーを用いた。レーザー光照射部分でのエネルギー密度フルエンスは、約10~30mJ/cm2/pulse一定とした。また、パルス繰り返し周波数は10Hz一定とした。被接合材料となる球状透明材料2にはシリカガラス製微小球直径2.5μmを用い、固体状シリコーン1としてシリコーンゴム厚さ2mmを用い、シリカガラス製微小球をシリコーンゴム上に接触させた。レーザー光照射実験は大気中で行った。図3は、微小球の接合率レーザー光照射前後の微小球の残留数割合とレーザー光照射時間との関係を示している。フルエンス20mJ/cm2のとき、60秒の照射を行うと接合率は1、つまりほぼ100の微小球が接合されることがわかった。図4は、フルエンス20mJ/cm2、照射時間をそれぞれ10秒上段に図示及び300秒下段に図示とした場合の、エタノールでの超音波クリーニング前後クリーニング前、クリーニング後の試料表面の光学顕微鏡写真である。クリーニング前においてはシリコーンゴム上の30μm角領域にシリカガラス微小球が2次元的に整列されている。図中下段に示す300秒照射後は微小球のほとんどが強く接合されていることがわかる。試料の赤外吸収スペクトルを測定すると、ArFレーザーで改質されたシリコーン表面は、CH3基の開裂とそれに伴う化学結合状態の変化が認められ、SiOX但し、X<2層が得られた。このような光化学的な表面改質が、微小球接合の機構に寄与しているものと考えられる。ArFレーザー光をより長い時間照射すると、微小球の接合は強く維持したまま、微小球下の接合層が白色のフォトルミネセンスを示すことが認められた。図5は、照射時間を30分とし、その後試料シリコーンゴム上の30μm角領域にシリカガラス微小球が2次元的に整列されているに別の紫外レーザー光を照射したときの写真である。図中、シリコーンゴム上に穴あき金属円板のマスクが置かれ、マスクの各穴の内側において多数の微小球とシリコーンゴムとの界面が接合層となって光っている。このように、ArFレーザーで改質された微小接合領域から、強い白色のフォトルミネセンスが確認できた。ArFレーザーに代えて、図2AのようにNd:YAGレーザーの第4高調波波長266nmを用いると、光化学接合層となる改質層は炭素となることがラマンスペクトル測定よりわかった照射条件はArFレーザー光と同様にした。そして、シリコーンゴムとシリカガラス微小球とが光化学接合されることが判明した。以上本発明の実施の形態及び実施例について説明してきたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当業者には自明であろう。以下、変形例について触れる。参考例及び実施の形態における光L1,光L2は所望の波長、強度が得られればよく、レーザー光に限定されない。"