対向する一対の主面を有する基板と、前記基板の一方の主面に形成され、機能部およびパッド電極を含む導電パターンと、前記導電パターンを被覆し、前記パッド電極に達する貫通孔を有する第1の絶縁層と、前記貫通孔に充填され、前記パッド電極に接続される第1のビア電極と、前記第1のビア電極の上部と接続されるように前記第1の絶縁層上に形成され、前記第1のビア電極の上部内側に位置するように設けられた穴部を有する配線下地層と、前記第1のビア電極と一体に前記配線下地層上に形成された配線層と、前記配線層を被覆する第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層を貫通して前記配線層と接続された第2のビア電極と、前記第2のビア電極上に設けられた外部端子とを備えた、電子部品。前記配線下地層は、前記貫通孔の開口の外周を覆うように形成される、請求項1に記載の電子部品。前記基板は圧電基板を含み、前記機能部は弾性表面波装置を構成するIDT電極を含み、前記第1の絶縁層は、前記IDT電極の封止空間を構成する中空部を含む、請求項1または請求項2に記載の電子部品。対向する一対の主面を有する基板を準備する工程と、前記基板の一方の主面に機能部およびパッド電極を含む導電パターンを形成する工程と、前記導電パターンを被覆し、前記パッド電極に達する貫通孔を有する第1の絶縁層を形成する工程と、前記貫通孔に充填され、前記パッド電極に接続される第1のビア電極を形成する工程と、前記第1のビア電極の上部内側に位置するように設けられた穴部を有する配線下地層を前記第1の絶縁層上に形成する工程と、前記第1のビア電極と一体となるように配線下地層上に配線層を形成する工程と、前記配線層を被覆する第2の絶縁層を形成する工程と、前記第2の絶縁層を貫通して前記配線層と接続される第2のビア電極を形成する工程と、前記第2のビア電極上に外部端子を形成する工程とを備えた、電子部品の製造方法。前記第1のビア電極および前記配線層は、電解メッキにより形成される、請求項4に記載の電子部品の製造方法。前記配線下地層は、リフトオフ法により形成される、請求項4または請求項5に記載の電子部品の製造方法。しかしながら、上記貫通孔は、レーザーなどで形成されるため、その開口部周縁にはバリが発生し、滑らかな形状になっていない。そのため、貫通孔から成長するメッキが配線層14に接触できない部分が存在し、配線層14上で成長するメッキ膜の厚みにバラツキが生じる。本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、絶縁層に設けた貫通孔にメッキ膜を形成することにより形成される配線を強固なものにするとともに、貫通孔よりも上部に形成されるメッキ層の厚みを均一にすることが可能な電子部品およびその製造方法を提供することにある。本発明に係る電子部品は、対向する一対の主面を有する基板と、基板の一方の主面に形成され、機能部およびパッド電極を含む導電パターンと、導電パターンを被覆し、パッド電極に達する貫通孔を有する第1の絶縁層と、貫通孔に充填され、パッド電極に接続される第1のビア電極と、第1のビア電極の上部と接続されるように第1の絶縁層上に形成され、第1のビア電極の上部内側に位置するように設けられた穴部を有する配線下地層と、第1のビア電極と一体に配線下地層上に形成された配線層と、配線層を被覆する第2の絶縁層と、第2の絶縁層を貫通して配線層と接続された第2のビア電極と、第2のビア電極上に設けられた外部端子とを備える。1つの実施態様では、上記電子部品において、配線下地層は、貫通孔の開口の外周を覆うように形成される。1つの実施態様では、上記電子部品において、基板は圧電基板を含み、機能部は弾性表面波装置を構成するIDT電極を含み、第1の絶縁層は、IDT電極の封止空間を構成する中空部を含む。本発明に係る電子部品の製造方法は、対向する一対の主面を有する基板を準備する工程と、基板の一方の主面に機能部およびパッド電極を含む導電パターンを形成する工程と、導電パターンを被覆し、パッド電極に達する貫通孔を有する第1の絶縁層を形成する工程と、貫通孔に充填され、パッド電極に接続される第1のビア電極を形成する工程と、第1のビア電極の上部内側に位置するように設けられた穴部を有する配線下地層を第1の絶縁層上に形成する工程と、第1のビア電極と一体となるように配線下地層上に配線層を形成する工程と、配線層を被覆する第2の絶縁層を形成する工程と、第2の絶縁層を貫通して配線層と接続される第2のビア電極を形成する工程と、第2のビア電極上に外部端子を形成する工程とを備える。1つの実施態様では、上記電子部品の製造方法において、第1のビア電極および前記配線層は、電解メッキにより形成される。1つの実施態様では、上記電子部品の製造方法において、配線下地層は、リフトオフ法により形成される。本発明によれば、絶縁層に設けた貫通孔にメッキ膜を形成するにあたり、貫通孔の開口部の内側に位置する穴部を有する配線下地層を形成することにより、配線下地層が開口部周縁を覆い、貫通孔内のメッキ膜と十分に接触するため、メッキ膜を配線下地層上で均一に成長させることができる。また、上記穴部を通って、メッキ膜は一体に形成されるので、該メッキ層は、強固な配線となり、断線しにくく、信頼性が高い。以下に、本発明の実施の形態について説明する。なお、同一または相当する部分に同一の参照符号を付し、その説明を繰返さない場合がある。なお、以下に説明する実施の形態において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。また、以下の実施の形態において、各々の構成要素は、特に記載がある場合を除き、本発明にとって必ずしも必須のものではない。図1~図3は、本発明の1つの実施の形態に係るWL-CSP型弾性表面波装置の製造方法である。まず、図1aに示すように、圧電基板1の一方の主面以下、上面という。にIDT電極2を含む第1の導電パターンを形成する第1工程。次に、図1bに示すように、圧電基板1の上面にパッド電極3を含む第2の導電パターンを形成する第2工程。パッド電極3は、IDT電極2と電気的に接続される。また、パッド電極3は、後述する電解メッキに係る工程において用いられる給電ライン図示しないにも電気的に接続されている。なお、給電ラインは、第1の導電パターンまたは第2の導電パターンに含まれている。図1cに示すように、圧電基板1の上面に、スピーンコート法により、ポリイミドなどの感光性樹脂が塗布される第3工程。そして、IDT電極2が露出し、パッド電極3が被覆されるように、感光性樹脂をフォトリソグラフィ法でパターニングして、絶縁性の支持層4を形成する。さらに、図1dに示すように、支持層4上に、ロールラミネート法などでポリイミドなどからなる非感光性樹脂シートを貼り合わせることにより、絶縁性の第1のカバー層5が形成される第4工程。これにより、IDT電極2上に封止空間4Aが形成される。図2eに示すように、パッド電極3の一部が露出するように、レーザーやドライエッチングなどにより、支持層4および第1のカバー層5を貫通する貫通孔5Aが形成される第5工程。なお、支持層4は感光性樹脂からなるため、予め貫通孔5Aを形成しておいてもよい。また、必要に応じて、貫通孔5Aの内部は清浄化処理される。図2fに示すように、CuまたはNiからなるビア電極6が形成される第6工程。ビア電極6は、電解メッキによって、貫通孔5Aの底部であるパッド電極3から貫通孔5Aの開口部までメッキ層を成長させることによって形成される。ここで、ビア電極6は、その上部が第1のカバー層5の上面を超えないように形成されている。図2gに示すように、第1のカバー層5の上面に、所望の形状にパターニングされた配線下地層7が形成される第7工程。配線下地層7は、レジストで形成したパターンに金属を蒸着した後にレジストを除去し、レジストがない部分にのみ金属パターンを残すことリフトオフ法によって形成される。図4に示すように、配線下地層7には、ビア電極6の上部が一部露出するように、円形状の穴部が形成されている。すなわち、配線下地層7の穴部は、ビア電極6の上部よりも直径が小さくなるように形成され、ビア電極6の上部内側に位置している。これにより、配線下地層7の穴部外周は貫通孔5Aの開口部周縁を超えて、ビア電極6に接触している。次に、図2hに示すように、配線下地層7の穴部から露出するビア電極6上から配線下地層7上に配線層8が形成される第8工程。配線層8は、ビア電極6と同様、電解メッキによりメッキ層を成長させることによって形成される。したがって、ビア電極6と配線層8とはメッキ層によって一体に形成される。また、上述したように、配線下地層7の穴部外周がビア電極6と十分に接触しているため、配線層8は膜厚にバラツキが生じることなく形成される。さらに、図3iに示すように、印刷法などを用いて、第1のカバー層5の上面および配線層8を感光性の熱硬化樹脂で被覆することにより、第2のカバー層9が形成される第9工程。そして、フォトリソグラフィ法で、配線層8の一部が露出するように第2のカバー層9に貫通孔が設けられる。図3jに示すように、電解メッキあるいは無電解メッキを用いて、第2のカバー層9の貫通孔内にメッキ層が充填され、アンダーバンプメタル10が形成される第10工程。アンダーバンプメタル10は、下からCu/Ni/Auの順に形成されたメッキ層から構成されてもよいし、Ni/Auの順に形成されたメッキ層で構成されてもよい。いずれの場合も、AuはNiの酸化を防止するために設けられる。したがって、Auは、0.1~0.3μm程度の厚みがあればよい。図3kに示すように、アンダーバンプメタル10上にSn-Ag-Cuなどの半田ペーストを印刷し、リフローすることで、外部端子としてのバンプ11が形成される第11工程。図1~図4を用いた以上の説明では、便宜上、1つのWL-CSP型弾性表面波装置を作製する過程を説明したが、実際には、圧電基板に複数の弾性表面波素子を形成し、圧電基板をダイシングすることにより、複数のWL-CSP型弾性表面波装置を作製する。これにより作製されたWL-CSP型弾性表面波装置の構造は、図5に示す通りである。すなわち、対向する一対の主面を有する圧電基板1と、圧電基板の一方主面に形成され、IDT電極2機能部およびパッド電極3を含む導電パターンと、IDT電極2が露出するように圧電基板の一方主面および導電パターンを被覆する支持層4と、支持層4を被覆する第1のカバー層5支持層4およびカバー層5とを合わせて第1の絶縁層と、支持層4および第1のカバー層5を貫通してパッド電極3の一部に接続されるビア電極6第1のビア電極と、ビア電極6の上部と接続するように第1のカバー層5上に所望の形状で形成され、ビア電極6の上部内側に位置するように配線下地層7に設けられた穴部を有する配線下地層7と、ビア電極6と一体に配線下地層7上に形成されている配線層8と、第1のカバー層5および配線層8を被覆する第2のカバー層9第2の絶縁層と、第2のカバー層9を貫通して配線層8と接続しているアンダーバンプメタル10第2のビア電極と、アンダーバンプメタル10上に設けられているバンプ11外部端子とを備えた弾性表面波装置である。本実施の形態に係る弾性表面波装置によれば、圧電基板に設けられている導電パターンの形状を問わず、自由に外部端子の位置を決めることができる。また、ビア電極と配線層とを一体に形成することができるため、強固な配線となり、断線しにくく、信頼性が向上する。ところで、本実施の形態では電子部品の一例としての弾性表面波素子について説明したが、本発明に係る電子部品は、弾性境界波素子やバルク弾性波素子などの圧電素子や、半導体素子などの他の電気素子であってもよい。また、弾性表面波素子は、機能部であるIDT電極上に封止空間が必要であるが、機能部上に封止空間が必要ない電気素子の場合は、支持層4は第1のカバー層5と一体であってもよい。以上、本発明の実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。