"下記式1式中、Rはn個のフェノール性水酸基を有するフェノール類の残基であり、nは1~3の整数を示すで表される、フェノール性水酸基の水素原子がビニロキシエチル基で置換された構造を有する芳香族ビニルエーテル1を、無溶媒又は非プロトン性極性溶媒中、アルカリ金属化合物の存在下で加熱することにより、下記式2{式中、R及びnは式1と同義である}で表される、フェノール性水酸基の水素原子がビニル基で置換された構造を有する芳香族ビニルエーテル2に変換することを特徴とする芳香族ビニルエーテルの製造方法。Rが、フェノール残基、アルキルフェノール類の残基、フェニルフェノール類の残基、ビフェノール類及びその誘導体の残基、ビスヒドロキシフェニルアルカン類及びその誘導体の残基、ビスヒドロキシフェニルフェニルアルカン類及びその誘導体の残基、シクロアルキリデンビスフェノール類及びその誘導体の残基、フルオレンビスフェノール類及びその誘導体の残基から選択されるフェノール類の残基である請求項1に記載の芳香族ビニルエーテルの製造方法。前記アルカリ金属化合物が、アルカリ金属水酸化物又はアルカリ金属アルコラートである請求項1又は2に記載の芳香族ビニルエーテルの製造方法。芳香族ビニルエーテルの変換反応を、80~150°Cの温度範囲で行う請求項1~3の何れか一項に記載の芳香族ビニルエーテルの製造方法。芳香族ビニルエーテルの変換反応を、ジメチルスルホキシド、N-メチル-2-ピロリドン、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、トリエチレングリコールジメチルエーテルから選択される1種又は2種以上の非プロトン性極性溶媒中で行う請求項1~4の何れか一項に記載の芳香族ビニルエーテルの製造方法。前記芳香族ビニルエーテル1が、下記式3{式中、R及びnは式1と同義である}で表される芳香族アルコール3とアセチレンとの付加反応により得られたものである請求項1~5の何れか一項に記載の芳香族ビニルエーテルの製造方法。本発明は、芳香族基におけるフェノール性水酸基の水素原子がビニル基で置換された構造を有する芳香族ビニルエーテルの製造方法であって、高価な触媒を用いることなく、簡便な装置で安全に、さまざまな種類の当該芳香族ビニルエーテルを製造することが可能な芳香族ビニルエーテルの製造方法を提供すること目的とする。上記目的を達成するために本発明が採用した芳香族ビニルエーテルの製造方法は、下記式1式中、Rはn個のフェノール性水酸基を有するフェノール類の残基であり、nは1~3の整数を示すで表される、フェノール性水酸基の水素原子がビニロキシエチル基で置換された構造を有する芳香族ビニルエーテル1を、無溶媒又は非プロトン性極性溶媒中、アルカリ金属化合物の存在下で加熱することにより、下記式2{式中、R及びnは式1と同義である}で表される、フェノール性水酸基の水素原子がビニル基で置換された構造を有する芳香族ビニルエーテル2に変換することを特徴とする。本発明によれば、従来の方法では製造が困難であった、フェノール性水酸基の水素原子がビニル基で置換された構造を有する種々の芳香族ビニルエーテルを、高価な触媒を用いることなく、簡便な装置で安全に製造することができる。以下、本発明の好適な一実施形態について説明する。本発明の芳香族ビニルエーテルの製造方法において、原料となる、フェノール性水酸基の水素原子がビニロキシエチル基で置換された構造を有する芳香族ビニルエーテル1は、上記式1で表される。式1において、フェノール性水酸基を有するフェノール類の残基とは、フェノール類のフェノール性水酸基から水素を除いた構造を示し、又、nは1から3の整数を示すので、Rで示されるn個のフェノール性水酸基を有するフェノール類の残基としては、例えば、下記式I又は式IIで示される1価フェノールの残基、下記式III、IV又はVで示される2価フェノールの残基、或いは、下記式VI、VII、VIII又はIXで示される3価フェノールの残基が挙げられる。尚、2価フェノール及び3価フェノールにあっては、フェノール性水酸基は同一の芳香環に結合していても、異なる芳香環に結合していてもよい。式I、III、VI及びVIII中、Xは、単結合、-O-、-CR5R6-、-O-CR7R8-、-CR9R10-O-但し、R5、R6、R7、R8、R9、R10はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数6~24のアリール基である、-O-R11-O-但し、R11はメチレン又は炭素数2~6のアルキレン基である、炭素数2~12のα,ω-アルキレン基、炭素数5~12のシクロアルキレン基、炭素数5~12のシクロアルキリデン基、又は、9,9-フルオレニリデン基であり、R1及びR2はフェニレン基の置換基であって、それぞれ独立にハロゲン原子、トリフルオロメチル基、炭素数1~12のアルキル基、炭素数6~12のアリール基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~12のアリールオキシ基又は炭素数7~20のアラルキル基であり、a及びbはそれぞれ独立に0~4の整数であり、繰り返し単位数mは0~3であり、複数あるX、R1及びaはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。又、式II、IV、V及びVII中、R3はナフチレン基の置換基であって、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、炭素数1~12のアルキル基、炭素数6~12のアリール基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~12のアリールオキシ基又は炭素数7~20のアラルキル基であり、cは0~6の整数である。更に、式IX中、Yは炭素数1~6の3価のアルキル基、炭素数5~15の3価の脂環式炭化水素基又は炭素数6~20の3価の芳香族炭化水素基であり、R4はフェニレン基の置換基であって、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、炭素数1~12のアルキル基、炭素数6~12のアリール基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~12のアリールオキシ基又は炭素数7~20のアラルキル基であり、dは0~4の整数であり、複数あるR4及びdはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。式I、III、VI及びVIII中のXにおいて、R5、R6、R7、R8、R9及びR10における炭素数1~12のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、ネオペンチル基、イソアミル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、n-デシル基、n-ドデシル基等が挙げられる。又、R5、R6、R7、R8、R9及びR10における炭素数6~24のアリール基としては、例えば、フェニル基、2-トリル基、3-トリル基、4-トリル基、2,3-キシリル基、2,4-キシリル基、2,5-キシリル基、2,6-キシリル基、3,4-キシリル基、3,5-キシリル基、2,3,4-トリメチルフェニル基、2,3,5-トリメチルフェニル基、2,3,6-トリメチルフェニル基、2,4,6-トリメチルフェニル基、3,4,5-トリメチルフェニル基、2,3,4,5-テトラメチルフェニル基、2,3,4,6-テトラメチルフェニル基、2,3,5,6-テトラメチルフェニル基、ペンタメチルフェニル基、エチルフェニル基、n-プロピルフェニル基、イソプロピルフェニル基、n-ブチルフェニル基、sec-ブチルフェニル基、tert-ブチルフェニル基、n-ペンチルフェニル基、ネオペンチルフェニル基、n-ヘキシルフェニル基、n-オクチルフェニル基、n-デシルフェニル基、n-ドデシルフェニル基、n-テトラデシルフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等が挙げられる。同じく式I、III、VI及びVIII中のXにおいて、R11における炭素数2~6のアルキレン基としては、例えば、エチレン、エタン-1,1-ジイル、プロピレン、プロパン-2,2-ジイル、1-メチルエチレン、ブチレン、1-メチルプロピレン、2-メチルプロピレン、2,2-ジメチルプロピレン、1,3-ジメチルプロピレン、ブチレン、1-メチルブチレン、2-メチルブチレン、3-メチルブチレン、4-メチルブチレン、2,4-ジメチルブチレン、1,3-ジメチルブチレン、ペンチレン、へキシレン等が挙げられる。更に、Xにおける炭素数2~12のα,ω-アルキレン基としては、例えば、エチレン、プロピレン、1-メチルエチレン、ブチレン、1-メチルプロピレン、2-メチルプロピレン、2,2-ジメチルプロピレン、1,3-ジメチルプロピレン、ブチレン、1-メチルブチレン、2-メチルブチレン、3-メチルブチレン、4-メチルブチレン、2,4-ジメチルブチレン、1,3-ジメチルブチレン、ペンチレン、へキシレン、ヘプチレン、オクチレン等が挙げられる。Xにおける炭素数5~12のシクロアルキレン基としては、例えば、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基、シクロオクチレン基、シクロノニレン基、シクロデシレン基等のモノシクロアルキレン基やそのアルキル置換体;ビシクロペンチレン基、ビシクロヘキシレン基、ビシクロヘプチレン基、ビシクロオクチレン基、ビシクロノニレン基、ビシクロデシレン基、トリシクロデシレン基等のポリシクロアルキレン基やそのアルキル置換体等が挙げられる。シクロアルキレン基に付加するアルキル基としては、炭素数1~6のアルキル基を挙げることができ、具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、ネオペンチル基、イソアミル基、n-ヘキシル基等が挙げられる。置換基の数は1に限られず、複数の置換基を有する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Xにおける炭素数5~12のシクロアルキリデン基としては、例えば、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカン、シクロドデカン等に由来するモノシクロアルキリデン基やそのアルキル置換体;アダマンタン、トリシクロデカン、ジシクロペンタジエン、ノルボルネン等に由来するポリシクロアルキリデン基やそのアルキル置換体等が挙げられる。シクロアルキリデン基に付加するアルキル基としては、炭素数1~6のアルキル基を挙げることができ、具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、ネオペンチル基、イソアミル基、n-ヘキシル基等が挙げられる。置換基の数は1に限られず、複数の置換基を有する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。又、式IX中のYにおける炭素数1~6の3価のアルキル基としては、例えば、メタン、エタン、プロパン、n-ブタン、イソブタン、n-ペンタン、イソペンタン、ネオペンタン、n-ヘキサン等の炭素数1~6の直鎖又は分岐鎖状アルカンから3個の水素原子を除いた基が挙げられる。Yにおける炭素数5~15の3価の脂環式炭化水素基としては、炭素数5~15の単環又は多環のシクロアルカンもしくはそのアルキル置換体から3個の水素原子を除いた基が挙げられる。除かれる水素原子は、シクロアルカンのものであっても付加されたアルキル基のものであってもよい。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンやそのアルキル置換体から3個の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンやそのアルキル置換体から3個の水素原子を除いた基等が挙げられる。シクロアルカンに付加するアルキル基としては、炭素数1~6のアルキル基を挙げることができ、具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、ネオペンチル基、イソアミル基、n-ヘキシル基等が挙げられる。置換基の数は1に限られず、複数の置換基を有する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Yにおける炭素数6~20の3価の芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレンなどの芳香族化合物もしくはそのアルキル置換体から3個の水素原子を除いた基等が挙げられる。除かれる水素原子は、芳香族化合物のものであっても付加されたアルキル基のものであってもよい。芳香族化合物に付加するアルキル基としては、炭素数1~6のアルキル基を挙げることができ、具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、ネオペンチル基、イソアミル基、n-ヘキシル基等が挙げられる。置換基の数は1に限られず、複数の置換基を有する場合はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。更に、式I~IX中、R1、R2、R3及びR4における炭素数1~12のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、ネオペンチル基、イソアミル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、n-デシル基、n-ドデシル基等が挙げられる。又、R1、R2、R3及びR4における炭素数6~12のアリール基としては、例えば、フェニル基、2-トリル基、3-トリル基、4-トリル基、2,3-キシリル基、2,4-キシリル基、2,5-キシリル基、2,6-キシリル基、3,4-キシリル基、3,5-キシリル基、2,3,4-トリメチルフェニル基、2,3,5-トリメチルフェニル基、2,3,6-トリメチルフェニル基、2,4,6-トリメチルフェニル基、3,4,5-トリメチルフェニル基、2,3,4,5-テトラメチルフェニル基、2,3,4,6-テトラメチルフェニル基、2,3,5,6-テトラメチルフェニル基、ペンタメチルフェニル基、エチルフェニル基、n-プロピルフェニル基、イソプロピルフェニル基、n-ブチルフェニル基、sec-ブチルフェニル基、tert-ブチルフェニル基、n-ペンチルフェニル基、ネオペンチルフェニル基、n-ヘキシルフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。R1、R2、R3及びR4における炭素数1~12のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペントキシ基、ネオペントキシ基、n-ヘキソキシ基、n-オクトキシ基、n-ドデソキシ基等が挙げられる。R1、R2、R3及びR4における炭素数6~12のアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、2-メチルフェノキシ基、3-メチルフェノキシ基、4-メチルフェノキシ基、2,3-ジメチルフェノキシ基、2,4-ジメチルフェノキシ基、2,5-ジメチルフェノキシ基、2,6-ジメチルフェノキシ基、3,4-ジメチルフェノキシ基、3,5-ジメチルフェノキシ基、2,3,4-トリメチルフェノキシ基、2,3,5-トリメチルフェノキシ基、2,3,6-トリメチルフェノキシ基、2,4,5-トリメチルフェノキシ基、2,4,6-トリメチルフェノキシ基、3,4,5-トリメチルフェノキシ基、2,3,4,5-テトラメチルフェノキシ基、2,3,4,6-テトラメチルフェノキシ基、2,3,5,6-テトラメチルフェノキシ基、ペンタメチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、n-プロピルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、n-ブチルフェノキシ基、sec-ブチルフェノキシ基、tert-ブチルフェノキシ基、n-ヘキシルフェノキシ基、ナフトキシ基等が挙げられる。R1、R2、R3及びR4における炭素数7~20のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、2-メチルフェニルメチル基、3-メチルフェニルメチル基、4-メチルフェニルメチル基、2,3-ジメチルフェニルメチル基、2,4-ジメチルフェニルメチル基、2,5-ジメチルフェニルメチル基、2,6-ジメチルフェニルメチル基、3,4-ジメチルフェニルメチル基、3,5-ジメチルフェニルメチル基、2,3,4-トリメチルフェニルメチル基、2,3,5-トリメチルフェニルメチル基、2,3,6-トリメチルフェニルメチル基、3,4,5-トリメチルフェニルメチル基、2,4,6-トリメチルフェニルメチル基、2,3,4,5-テトラメチルフェニルメチル基、2,3,4,6-テトラメチルフェニルメチル基、2,3,5,6-テトラメチルフェニルメチル基、ペンタメチルフェニルメチル基、エチルフェニルメチル基、n-プロピルフェニルメチル基、イソプロピルフェニルメチル基、n-ブチルフェニルメチル基、sec-ブチルフェニルメチル基、tert-ブチルフェニルメチル基、n-ペンチルフェニルメチル基、ネオペンチルフェニルメチル基、n-ヘキシルフェニルメチル基、n-オクチルフェニルメチル基、n-デシルフェニルメチル基、ナフチルメチル基、アントラセニルメチル基等が挙げられる。前記式I~式IXで示されるフェノール残基のなかでも好ましいフェノール残基は、式I又は式IIで示されるモノフェノール残基、式IIIにおいてmが1~3で示されるビスフェノール残基、及び、式VIII又は式IXで示されるトリスフェノール残基である。これらの式で示されるフェノール残基を含む芳香族ビニルエーテル1は、フェノール構造由来の1個の芳香環に反応部位ビニロキシエトキシ基を1つのみ有しており、1個の芳香環に反応部位を2以上有する化合物と比べてより安定に反応を行うことができる。更に、好ましい残基としては、式Iで示されるモノフェノール残基、式IIIにおいてmが1~3で示されるビスフェノール残基が挙げられる。これらのフェノール残基を含む芳香族ビニルエーテル1は、分子中にビニロキシエトキシフェニル基を1乃至2個有しており、反応性の点でより好ましい。前記式Iで示される好適なモノフェノール残基としては、具体的には、フェノール残基フェノキシ基;o-クレゾール、m-クレゾール、p-クレゾール、3,5-キシレノール、o-エチルフェノール、m-エチルフェノール、p-エチルフェノール、o-プロピルフェノール、m-プロピルフェノール、p-プロピルフェノール、o-ブチルフェノール、m-ブチルフェノール、p-ブチルフェノール、チモール5-メチル-2-イソプロピルフェノール、カルバクロール2-メチル-5-イソプロピルフェノール、2,6-ジイソプロピルフェノール、3,5-ジイソプロピルフェノール等のアルキルフェノール類の残基;o-フェニルフェノール、m-フェニルフェノール、p-フェニルフェノール等のフェニルフェノール類の残基などが挙げられる。前記式IIで示される好適なモノフェノール残基としては、具体的には、1-ナフトール、2-ナフトールなどのナフトール残基;2-メチル-1-ナフトール、3-メチル-1-ナフトール、4-メチル-1-ナフトール、5-メチル-1-ナフトール、6-メチル-1-ナフトール、7-1-ナフトール、8-メチル-1-ナフトール、2,3-ジメチル-1-ナフトール、2,4-ジメチル-1-ナフトール、2,5-ジメチル-1-ナフトール、2,6-ジメチル-1-ナフトール、5,7-ジメチル-1-ナフトール、6,7-ジメチル-1-ナフトール、2,5,8‐トリメチル‐1‐ナフトール、1-メチル-2-ナフトール、6-メチル-2-ナフトール、7-メチル-2-ナフトール、1,3-ジメチル-2-ナフトール、1,4-ジメチル-2-ナフトール、3,4-ジメチル-2-ナフトール、5-イソプロピル-8-メチル-2-ナフトール、7-イソプロピル-1-メチル-2-ナフトール、3-ブチル-4-メチル-2-ナフトール等のアルキル置換ナフトール類の残基などが挙げられる。前記式IIIにおいて、mが1~3で示される好適なビスフェノール残基としては、式IIIにおいて、Xが単結合、-O-、-CR5R6-、-O-R11-O-、炭素数2~12のα,ω-アルキレン基、炭素数5~12のシクロアルキリデン基又は9,9-フルオレニリデン基であるものが挙げられる。Xが単結合であるビスフェノール残基としては、具体的には、4,4’-ビフェノール、3,3’-ジメチル-4,4’-ビフェノール、3,3’,5,5’-テトラメチル-4,4’-ビフェノール、3,3’,5,5’-テトラtert-ブチル-4,4’-ビフェノール、3,3’-ジフルオロ-4,4’-ビフェノール、3,3’,5,5’-テトラフルオロ-4,4’-ビフェノール、2,2’,3,3’,5,5’-ヘキサメチル-4,4’-ビフェノール、2,2’-ビフェノール、3,3’,5,5’-テトラtert-ブチル-2,2’-ビフェノール等のビフェノール類及びその誘導体の残基が挙げられる。尚、ここで言う誘導体とは、芳香環にアルキル基、ハロゲン原子等が置換したものを意味する以下、本明細書において同じである。。Xが-O-であるビスフェノール残基としては、具体的には、4,4’-ジヒドロキシジフェニルエーテル4,4’-オキシジフェノール、ビス3-メチル-4-ヒドロキシフェニルエーテル、ビス3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルエーテル等のオキシジフェノール類及びその誘導体の残基が挙げられる。Xが-CR5R6-但し、R5、R6はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数6~24のアリール基であるで示されるビスフェノール類の残基としては、具体的には、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニルメタン、1,1-ビス3-メチル-4-ヒドロキシフェニルメタン、1,1-ビス3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルメタン、1,1-ビス3,5-ジtert-ブチル-4-ヒドロキシフェニルメタン、1,1-ビス3,5-ジsecブチル-4-ヒドロキシフェニルメタン、1,1-ビス3-ノニル-4-ヒドロキシフェニルメタン、1,1-ビス3-フルオロ-4-ヒドロキシフェニルメタン、1,1-ビス3,5-ジブロモ-4-ヒドロキシフェニルメタン、1,1-ビス2-メチル-4-ヒドロキシ-5-シクロヘキシルフェニルメタン、1,1-ビス2-ヒドロキシフェニルメタン、1,1-ビス2-ヒドロキシフェニルメタン、1,1-ビス4-メチル-2-ヒドロキシフェニルメタン、1,1-ビス2-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニルメタン、1,1-ビス2-ヒドロキシ-3-tert-ブチル-5-メチルフェニルメタン、1,1-ビス2-ヒドロキシ-3,5-ジtert-ブチル-6-メチルフェニルメタン、1,1-ビス2-ヒドロキシ-5-フルオロフェニルメタン、ビス2-ヒドロキシ-5-フェニルフェニルメタン、ビス2-ヒドロキシ-3,5-ジtert-ブチルフェニルメタン、2,2-ビス4-ヒドロキシフェニルプロパン、2,2-ビス3-メチル-4-ヒドロキシフェニルプロパン、2,2-ビス3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルプロパン、2,2-ビス3-フェニル-4-ヒドロキシフェニルプロパン、2,2-ビス3-イソプロピル-4-ヒドロキシフェニルプロパン、2,2-ビス3-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロパン、2,2-ビス3-secブチル-4-ヒドロキシフェニルプロパン、2,2-ビス3-シクロヘキシル-4-ヒドロキシフェニルプロパン、2,2-ビス3,5-ジtert-ブチル-4-ヒドロキシフェニルプロパン、2,2-ビス4-ヒドロキシ-3-フェニルフェニルプロパン、2,2-ビス3-フルオロ-4-ヒドロキシフェニルプロパン、2,2-ビス3-クロロ-4-ヒドロキシ-5-メチルフェニルプロパン、2,2-ビス3,5-ジクロロ-4-ヒドロキシフェニルプロパン、2,2-ビス3-クロロ-4-ヒドロキシフェニルプロパン、2,2-ビス3,5-ジブロモ-4-ヒドロキシフェニルプロパン、2,2-ビス2-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニルプロパン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニルエタン、1,1-ビス2-ヒドロキシ-5-メチルフェニルエタン、1,1-ビス2-ヒドロキシ-3,5-ジtert-ブチルフェニルエタン、1,1-ビス2-ヒドロキシ-5-tert-ブチルフェニルエタン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニルプロパン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニル-2-メチルプロパン、1,1-ビス4-ヒドロキシ-5-tert-ブチルフェニル-2-メチルプロパン1,1-ビス2-メチル-4-ヒドロキシ-5-tert-ブチルフェニル-2-メチルプロパン、1,1-ビス2-メチル-4-ヒドロキシ-5-シクロヘキシルフェニル-2-メチルプロパン、1,1-ビス2-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニル-2-メチルプロパン、1,1-ビス2-メチル-4-ヒドロキシ-5-tert-ブチルフェニルブタン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニル-3-メチルブタン、1,1-ビス2-メチル-1,1-ビス4-ヒドロキシフェニル-2-エチルヘキサン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニルデカン、2,2-ビス4-ヒドロキシフェニルブタン、2,2-ビス4-ヒドロキシフェニル-4-メチルペンタン、2,2-ビス4-ヒドロキシフェニルオクタン、2,2-ビス4-ヒドロキシフェニルノナン、2,2-ビス4-ヒドロキシフェニルデカン、2,2-ビス4-ヒドロキシフェニルドデカン、2,2-ビス3-メチル-4-ヒドロキシフェニルドデカン、2,2-ビス3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルドデカン、3,3-ビス4-ヒドロキシフェニルペンタン、3,3-ビス3-メチル-4-ヒドロキシフェニルペンタン、3,3-ビス3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルペンタン、2-4-ヒドロキシフェニル-2-2-ヒドロキシフェニルプロパン等のビスヒドロキシフェニルアルカン類及びその誘導体の残基;2,2-ビス4-ヒドロキシフェニル-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン等のビスヒドロキシフェニルパーフルオロアルカン類及びその誘導体の残基;1,1-ビス4-ヒドロキシフェニル-1-フェニルメタン、1,1-ビス3-フルオロ-4-ヒドロキシフェニル-1-フェニルメタン、1,1-ビス2,3,5-トリメチル-4-ヒドロキシフェニル-1-フェニルメタン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニルジフェニルメタン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニル-1-p-フルオロフェニルメタン、1,1-ビス3-フルオロ-4-ヒドロキシフェニル-1-p-フルオロフェニルメタン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニル-1-フェニルエタン、1,1-ビス3-メチル-4-ヒドロキシフェニル-1-フェニルエタン、1,1-ビス3-フェニル-4-ヒドロキシフェニル-1-フェニルエタン、1,1-ビス3-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニル-1-フェニルエタン、1,1-ビス3,5-ジtert-ブチル-4-ヒドロキシフェニル-1-フェニルエタン等のビスヒドロキシフェニルフェニルアルカン類及びその誘導体の残基;α,α-ビス4-ヒドロキシフェニル-1,3-ジイソプロピルベンゼン、α,α-ビス4-ヒドロキシフェニル-1,4-ジイソプロピルベンゼン、4,4’-1,4-フェニレン-ビス2-プロピリデン-ビス2-メチルフェノール、4,4’-1,4-フェニレン-ビス2-プロピリデン-ビス2,6-ジメチルフェノール等のα,α’-ビスヒドロキシフェニルジイソプロピルベンゼン類及びその誘導体の残基が挙げられる。Xが炭素数2~12のα,ω-アルキレン基であるビスフェノール類としては、1,2-ビス4-ヒドロキシフェニルエタン、1,2-ビス2-ヒドロキシフェニルエタン、1,2-ビス3,5-ジtert-ブチル-4-ヒドロキシフェニルエタン等のエチレンビスフェノール類及びその誘導体が挙げられる。Xが-O-R11-O-但し、R11はメチレン又は炭素数2~6のアルキレン基であるで示されるビスフェノール類としては、具体的には、3,3’-エチレンジオキシジフェノール、2,2’-エチレンジオキシジフェノール、エチレングリコールビス3-ヒドロキシ-5-メチルフェニルエーテル、エチレングリコールビス2-ヒドロキシ-5-メチルフェニルエーテル、エチレングリコールビス2-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニルエーテル等のオキシアルキレンビスフェノール類及びその誘導体の残基が挙げられる。Xが炭素数5~12のシクロアルキリデン基であるビスフェノール残基としては、具体的には、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニルシクロペンタン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニルシクロヘキサン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニルシクロヘプタン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニルシクロオクタン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニルシクロデカン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニルシクロドデカン、1,1-ビス3-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニルシクロヘキサン、1,1-ビス3-メチル-4-ヒドロキシフェニルシクロペンタン、1,1-ビス3-メチル-4-ヒドロキシフェニルシクロヘキサン、1,1-ビス3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルシクロヘキサン、1,1-ビス3-シクロヘキシル-4-ヒドロキシフェニルシクロヘキサン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニル-3,3,5-トリメチル-シクロヘキサン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニル-3,3,5,5-テトラメチル-シクロヘキサン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニル-3,3,4-トリメチル-シクロヘキサン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニル-3,3-ジメチル-5-エチル-シクロヘキサン、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニル-3,3,5-トリメチル-シクロペンタン、1,1-ビス3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル-3,3,5-トリメチル-シクロヘキサン、1,1-ビス3,5-ジフェニル-4-ヒドロキシフェニル-3,3,5-トリメチル-シクロヘキサン、1,1-ビス3-メチル-4-ヒドロキシフェニル-3,3,5-トリメチル-シクロヘキサン、1,1-ビス3-フェニル-4-ヒドロキシフェニル-3,3,5-トリメチル-シクロヘキサン、1,1-ビス3,5-ジクロロ-4-ヒドロキシフェニル-3,3,5-トリメチル-シクロヘキサン、1,1-ビス3-フェニル-4-ヒドロキシフェニルシクロヘキサン、等のシクロアルキリデンビスフェノール類及びその誘導体の残基が挙げられる。Xが9,9-フルオレニリデン基であるビスフェノール残基としては、具体的には、9,9-ビス4-ヒドロキシフェニルフルオレン、9,9-ビス3-メチル-4-ヒドロキシフェニルフルオレン、9,9-ビス3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルフルオレン、9,9-ビス2-フェニル-4-ヒドロキシフェニルフルオレン等のフルオレンビスフェノール類及びその誘導体の残基が挙げられる。前記式VIIIで示される好適なトリスフェノール残基としては、具体的には、α,α-ビス4-ヒドロキシフェニル-2,6-ジイソプロピルフェノール、α,α-ビス4-ヒドロキシフェニル-3,4-ジイソプロピルフェノール、α,α-ビス4-ヒドロキシフェニル-3,5-ジイソプロピルフェノール等の、α,α’-ビスヒドロキシフェニルジイソプロピルフェノール類の残基が挙げられる。前記式IXで示される好適なトリスフェノール残基としては、具体的には、1,1,1-トリス4-ヒドロキシフェニルメタン、1,1,1-トリス4-ヒドロキシフェニルエタン、1,1,3‐トリス4‐ヒドロキシフェニルプロパン、1,1,1-トリス2‐ヒドロキシフェニルメタン、1,1,1-トリス2‐ヒドロキシフェニルエタン、2,2’,4’’-メチリジントリスフェノール等のトリスヒドロキシフェニルアルカン類の残基;4,4’,4’’-アダマンタン-1,3,5-トリイルトリスフェノール等のトリスヒドロキシフェニルシクロアルカン類の残基;3,3’,3’’-[ベンゼン-1,3,5-トリイルトリスメチレン]トリスフェノール、3,3’,3’’-[2,4,6-トリメチルベンゼン-1,3,5‐トリイルトリスメチレン]トリスフェノール、3,3’,3’’-[2,4,6-トリエチルベンゼン-1,3,5-トリイルトリスメチレン]トリスフェノール等のベンゼントリイルトリスメチレントリスフェノール類の残基などが挙げられる。これらのフェノール残基の中でも、フェノール残基、アルキルフェノール類の残基、フェニルフェノール類の残基、ビフェノール類及びその誘導体の残基、ビスヒドロキシフェニルアルカン類及びその誘導体の残基、ビスヒドロキシフェニルフェニルアルカン類及びその誘導体の残基、シクロアルキリデンビスフェノール類及びその誘導体の残基、及び、フルオレンビスフェノール類及びその誘導体の残基が好ましく、フェノール残基、アルキルフェノール類の残基、ビスヒドロキシフェニルアルカン類及びその誘導体の残基、及び、フルオレンビスフェノール類及びその誘導体の残基がより好ましい。上記式1で表される原料芳香族ビニルエーテル1としては、具体的には、下記式1-1~1-28に示される化合物等が挙げられる。上記式1で表される芳香族ビニルエーテル1を原料として用いた場合、得られるフェノール性水酸基の水素原子がビニル基で置換された構造を有する芳香族ビニルエーテル2は、ビニロキシエトキシ基がビニロキシ基に変換された以外は芳香族ビニルエーテル1と同じ構造を有し、上記式2で表される。このような芳香族ビニルエーテル2としては、具体的には、下記式2-1~2-28に示される化合物等が挙げられる。原料となる芳香族ビニルエーテル1は、市販のものを用いてもよいし、公知の方法により製造してもよい。公知の方法としては、対応する芳香族アルコールとアセチレンとの付加反応、アリールアルコールとビニルアセテートとのビニル交換反応、α-ブロモエーテルからのHBrの脱離反応などが挙げられるが、経済性、安全性及び種々のビニルエーテルの合成が可能な点において、アセチレンと芳香族アルコールとの反応がより好ましい。具体的には、アセチレンと、下記式3{式中、R及びnは式1と同義である}で示される芳香族アルコール3を、アルカリ金属水酸化物やアルカリ金属アルコラート等を触媒として、低アセチレン圧下通常0.3MPa以下で反応させる方法が好ましい。当該方法によれば、得られた芳香族ビニルエーテルを単離することなしに本発明の原料芳香族ビニルエーテル1として使用することが可能であり、芳香族アルコール3から原料芳香族ビニルエーテル1を得る反応と、原料芳香族ビニルエーテル1から目的とする芳香族ビニルエーテル2を得る本発明の反応とを、同一ポット内で行うことが可能である。原料芳香族ビニルエーテル1から目的とする芳香族ビニルエーテル2への変換反応において、触媒として用いられるアルカリ金属化合物アルカリ触媒としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物、ナトリウムエチラート、ナトリウムメチラート、tert-ブトキシナトリウム、tert-ブトキシカリウム等のアルカリ金属アルコラートが挙げられる。これらのアルカリ触媒の中でも、反応性の点で、水酸化カリウム及びカリウムアルコラートが好ましく、水酸化カリウム及びtert-ブトキシカリウムが特に好ましい。アルカリ触媒の使用量は、原料となる芳香族ビニルエーテル1に対して通常0.2~2モル倍量の範囲、好ましくは0.5~1モル倍量の範囲である。反応の温度は、原料である芳香族ビニルエーテル1の種類や触媒との接触時間によっても異なるが、通常50~200°Cの範囲、好ましくは80~150°Cの範囲である。又、反応時間は、通常2~24時間程度、好ましくは5~12時間程度である。反応は、無溶媒又は溶媒の存在下で行うことができる。反応に溶媒を用いる場合、溶媒としては、原料となる芳香族ビニルエーテルと混和し、且つ、アルカリ触媒を溶解する非プロトン性極性溶媒等が好ましい。具体的には、ジメチルアセトアミド、2-ピロリドン、N-メチル-2-ピロリドン、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン等のアミド系溶媒;スルホラン、ジメチルスルホキシド等の含イオウ化合物系溶媒;ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル等のグリコールジアルキルエーテル等が用いられる。これらの中でも、反応速度の点においてジメチルスルホキシド、N-メチル-2-ピロリドン、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、トリエチレングリコールジメチルエーテル等が好ましい。これらの溶媒は単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。以上の方法によって、得られた反応生成物は、反応終了後、例えば、濾過、濃縮、蒸留、抽出、晶析、再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの分離手段や、これらを組み合わせた分離手段により分離精製することができる。以下に実施例を挙げて詳細に説明するが、本発明は、その要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。実施例1:フェニルビニルエーテルの製造<1>1.2-フェノキシエチルビニルエーテルの製造下記反応により、原料となる2-フェノキシエチルビニルエーテルを合成した。即ち、攪拌器、圧力計、ガス導入ライン、ガスパージライン、サンプリングラインを備えた内容量1LのSUS製耐圧容器に2-フェノキシエタノール100.0g0.72mol、ジメチルスルホキシド400.0g5.11mol、水酸化カリウム8.8g0.14molを入れ、回転数600rpmで攪拌しながら系内を窒素ガスで置換した。続けて、反応液温度を100°Cにした後、系内をアセチレンガスで置換し、圧力0.04MPaで一定になるように連続的にアセチレンを供給しながら、100°Cで3時間反応させた。反応液のガスクロマトグラフィー分析の結果、原料の転化率は99.1、2-フェノキシエチルビニルエーテルの収率は87.7、フェニルビニルエーテルの収率は5.3であった。2.フェニルビニルエーテルの製造下記反応により、原料の2-フェノキシエチルビニルエーテルをフェニルビニルエーテルに変換した。即ち、上記反応の系内を再度窒素ガスで置換し、水酸化カリウム75.3g1.30molを加えて反応液温度を135°Cに上げ、4時間加熱し、上記反応により得られた2-フェノキシエチルビニルエーテルをフェニルビニルエーテルに変換した。反応液のガスクロマトグラフィー分析の結果、フェニルビニルエーテルの収率は20.9であった。実施例2:フェニルビニルエーテルの製造<2>1.2-フェノキシエチルビニルエーテルの製造攪拌器、圧力計、ガス導入ライン、ガスパージライン、サンプリングラインを備えた内容量1LのSUS製耐圧容器に2-フェノキシエタノール100.0g0.72mol、ジメチルスルホキシド400.0g5.11mol、水酸化カリウム8.8g0.14molを入れ、回転数600rpmで攪拌しながら系内を窒素ガスで置換した。続けて、反応液温度を100°Cにした後、系内をアセチレンガスで置換し、圧力0.04MPaで一定になるように連続的にアセチレンを供給しながら、100°Cで3時間反応させた。反応液のガスクロマトグラフィー分析の結果、原料の転化率は99.1、2-フェノキシエチルビニルエーテルの収率は87.7、フェニルビニルエーテルの収率は5.3であった。2.フェニルビニルエーテルの製造上記反応の系内を再度窒素ガスで置換し、反応液温度を120°Cに上げ、10時間加熱した。更に、水酸化カリウムを12.5g0.22mol加えて反応液内温を130°Cに上げ、2時間加熱した。反応液のガスクロマトグラフィー分析の結果、フェニルビニルエーテルの収率は19.1であった。実施例3フェニルビニルエーテルの製造<3>1.2-フェノキシエチルビニルエーテルの製造攪拌器、圧力計、ガス導入ライン、ガスパージライン、サンプリングラインを備えた内容量1LのSUS製耐圧容器に2-フェノキシエタノール100.0g0.72mol、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン400.0g3.50mol、水酸化カリウム8.8g0.14molを入れ、回転数600rpmで攪拌しながら系内を窒素ガスで置換した。その後、反応液温度を120°Cにして1時間保持した。更に、ガスパージラインに冷却器を介して真空ポンプを接続し、常圧から2.5kPaまで緩やかに減圧して脱水反応をおこない、アルコラート触媒を調整した。アルコラート触媒調整後、系内をアセチレンガスで置換し、圧力0.04MPaで一定になるように連続的にアセチレンを供給しながら、120°Cで3.5時間反応させた。反応液のガスクロマトグラフィー分析の結果、原料の転化率は100、2-フェノキシエチルビニルエーテルの収率は79.9、フェニルビニルエーテルの収率は8.1であった。2.フェニルビニルエーテルの製造上記反応の系内を再度窒素ガスで置換し、水酸化カリウム75.3g1.30molを加えて反応液温度を130°Cに上げ、2時間加熱した。反応液のガスクロマトグラフィー分析の結果、フェニルビニルエーテルの収率は20.3であった。実施例4フェニルビニルエーテルの製造<4>1.2-フェノキシエチルビニルエーテルの製造攪拌器、圧力計、ガス導入ライン、ガスパージライン、サンプリングラインを備えた内容量1LのSUS製耐圧容器に2-フェノキシエタノール50.0g0.36mol、1-メチル-2-ピロリドン450.0g4.54mol、tert-ブトキシカリウム8.1g0.07molを入れ、回転数600rpmで攪拌しながら系内を窒素ガスで置換した。その後、反応液温度を100°Cにして系内をアセチレンガスで置換し、圧力0.04MPaで一定になるように連続的にアセチレンを供給しながら、100°Cで2時間反応させた。反応液のガスクロマトグラフィー分析の結果、原料の転化率は95.4、2-フェノキシエチルビニルエーテルの収率は76.1、フェニルビニルエーテルの収率は5.1であった。2.フェニルビニルエーテルの製造上記反応の系内を再度窒素ガスで置換し、tert-ブトキシカリウム8.1g0.07molを加えて反応液温度を120°Cに上げ、1時間加熱した。さらにtert-ブトキシカリウム8.1g0.07molを1時間後、2時間後、3時間後、3.5時間後に加えた。反応液のガスクロマトグラフィー分析の結果、フェニルビニルエーテルの収率は38.7であった。比較例1:フェニルビニルエーテルの製造攪拌器、圧力計、ガス導入ライン、ガスパージライン、サンプリングラインを備えた内容量1LのSUS製耐圧容器にフェノール50.0g0.53mol、ジメチルスルホキシド450.7g5.76mol、水酸化カリウム6.0g0.11molを入れ、回転数600rpmで攪拌しながら系内を窒素ガスで置換した。続けて、反応液温度を140°Cにした後、系内をアセチレンガスで置換し、圧力0.04MPaに保ちながら、140°Cで10時間保持した。反応液をガスクロマトグラフィーで分析し、原料が全く減少していないことを確認した。比較例1で示されるように、フェノールのフェノール性水酸基はアセチレンによるビニル化が困難であり、フェノールを原料としてフェニルビニルエーテルを得ることはできない。一方、実施例1乃至4で示されるように、アセチレンを用いて2-フェノキシエタノールをビニル化し、更に本発明方法によりビニロキシエトキシ基をビニロキシ基に変換することにより、フェニルビニルエーテルを得ることができる。実施例5:9,9-ビス-4-ビニロキシフェニルフルオレンの製造攪拌器、圧力計、ガス導入ライン、ガスパージライン、サンプリングラインを備えた内容量1LのSUS製耐圧容器に9,9-ビス-4-2-ヒドロキシエトキシフェニルフルオレン100.1g0.23mol、ジメチルスルホキシド400.9g5.13mol、水酸化カリウム2.7g0.05molを入れ、回転数600rpmで攪拌しながら系内を窒素ガスで置換した。続けて、反応液温度を100°Cにした後、系内をアセチレンガスで置換し、圧力0.04MPaで一定になるように連続的にアセチレンを供給しながら、100°Cで6時間反応させた。続けて、上記反応の系内を再度窒素ガスで置換し、反応液温度100°Cで3時間、水酸化カリウム10.5g0.19mol加えて10時間加熱した。更に、水酸化カリウムを13.2g0.24mol加え、反応液内温を120°Cにして7時間加熱した。反応溶液を1L分液ロートに入れ、トルエン100g、イオン交換水100gを加えて、抽出操作をおこなった。上層-1を取分け、下層に再びトルエン100g、イオン交換水100gを加えて抽出操作をおこなった。上層-2をとりわけ、上層-1とあわせて500mL分液ロートに入れ、イオン交換水100gを加えて、洗浄操作をおこなった。得られた上層を取分け、エバポレータを用いて濃縮し、黄褐色粘稠液体22.8gを得た。黄褐色粘稠液体をカラムクロマトグラフィーシリカゲル、展開溶媒:トルエンで精製し、生成物淡黄色固体9.0gを得た。NMRおよびIR測定を行い、得られた化合物が、下記式で示される9,9-ビス-4-ビニロキシフェニルフルオレンであることを確認した純度90.8、収率8.8。得られた9,9-ビス-4-ビニロキシフェニルフルオレンの1H-NMR測定結果アセトン-d6、400MHzを表1及び図1に、13C-NMR測定結果アセトン-d6、100MHzを表1及び図2に示す。又、得られた9,9-ビス-4-ビニロキシフェニルフルオレンのIRチャートを図3に示す。比較例2:9,9-ビス-4-ビニロキシフェニルフルオレンの製造<2>攪拌器、圧力計、ガス導入ライン、ガスパージライン、サンプリングラインを備えた内容量1LのSUS製耐圧容器に9,9-ビス4-ヒドロキシフェニルフルオレン49.5g0.14mol、ジメチルスルホキシド450.7g5.76mol、水酸化カリウム1.6g0.03molを入れ、回転数600rpmで攪拌しながら系内を窒素ガスで置換した。続けて、反応液温度を100°Cにした後、系内をアセチレンガスで置換し、圧力0.04MPaに保ちながら、100°Cで5時間保持した。更に、120°Cで4時間、反応130°Cで3時間保持した。反応液をガスクロマトグラフィーで分析し、原料が全く減少していないことを確認した。比較例2で示されるように、9,9-ビス4-ヒドロキシフェニルフルオレンのフェノール性水酸基はアセチレンによるビニル化が困難であり、9,9-ビス4-ヒドロキシフェニルフルオレンを原料として9,9-ビス-4-ビニロキシフェニルフルオレンを得ることはできない。一方、実施例5で示されるように、アセチレンを用いて9,9-ビス-4-ヒドロキシエトキシフェニルフルオレンをビニル化し、更に本発明方法によりビニロキシエトキシ基をビニロキシ基に変換することにより、9,9-ビス-4-ビニロキシフェニルフルオレンを得ることができる。尚、9,9-ビス-4-ビニロキシフェニルフルオレンに関しては、CAS番号が付与されておらず、本発明者等の知るかぎりでは文献に記載が見当たらないので、この化合物は新規化合物であると考えられる。9,9-ビスフェニルフルオレン骨格は剛直な構造であると共に、共役構造を有し、かつ高炭素密度を有する構造であるため、9,9-ビスフェニルフルオレン骨格を有する重合性化合物は、耐熱性、光学特性、密着性、エッチング耐性等において優れた硬化物を与えることが知られている。本発明で得られる9,9-ビス-4-ビニロキシフェニルフルオレンも、レジスト、インキ、塗料、接着剤、光学材料の原料等に用いられる耐熱性、光学特性、密着性、エッチング耐性等において優れた重合性組成物原料として、或いは種々の合成試薬として有用である。"