熱影響を嫌う嫌熱性部分を有する基板に対して、前記嫌熱性部分の近傍領域にレーザ光を照射して加工を行う、レーザ加工方法であって、前記近傍領域の内、前記嫌熱性部分に近い領域部分に、アブレーション加工条件でレーザ光を照射するアブレーション加工工程と、前記近傍領域の内、前記嫌熱性部分から遠い領域部分に、熱加工条件でレーザ光を照射する熱加工工程と、を有することを特徴とするレーザ加工方法。前記アブレーション加工工程を実施した後に、前記熱加工工程を実施する、請求項1記載のレーザ加工方法。前記アブレーション加工工程と前記熱加工工程とを同時に実施する、請求項1記載のレーザ加工方法。前記熱加工工程を実施した後に、前記アブレーション加工工程を実施する、請求項1記載のレーザ加工方法。前記アブレーション加工工程を、100フェトム秒~100ピコ秒のパルス幅のレーザ光を出力する超短パルスレーザ発振器を用いて実施する、請求項1~4のいずれか一つに記載のレーザ加工方法。熱影響を嫌う嫌熱性部分を有する基板に対して、前記嫌熱性部分の近傍領域にレーザ光を照射して加工を行う、レーザ加工装置であって、アブレーション加工条件でレーザ光を出力する第1レーザ発振器と、熱加工条件でレーザ光を出力する第2レーザ発振器と、前記第1レーザ発振器から出力されるレーザ光の照射位置を、前記近傍領域の内、前記嫌熱性部分に近い領域部分に、設定し、且つ、前記第2レーザ発振器から出力されるレーザ光の照射位置を、前記近傍領域の内、前記嫌熱性部分から遠い領域部分に、設定する、位置制御部と、前記第1レーザ発振器と前記第2レーザ発振器とを、同時に作動するように、又は、時間的に前後して作動するように、制御する、タイミング制御部と、を備えていることを特徴とするレーザ加工装置。前記第1レーザ発振器が、100フェトム秒~100ピコ秒のパルス幅のレーザ光を出力する超短パルスレーザ発振器である、請求項6記載のレーザ加工装置。ところで、前記ウエハのニッケル薄膜は、熱影響を嫌う嫌熱性部分である。したがって、前記加工をレーザ加工によって行う場合には、ニッケル薄膜への熱影響をできるだけ小さくすることが要求される。また、生産性を高めるために、できるだけ高速で加工することも要求される。本発明は、基板における嫌熱性部分への熱影響をできるだけ小さくできるとともに、基板を高速で加工することができる、レーザ加工方法及びレーザ加工装置を、提供することを目的とする。本発明の第1態様は、熱影響を嫌う嫌熱性部分を有する基板に対して、前記嫌熱性部分の近傍領域にレーザ光を照射して加工を行う、レーザ加工方法であって、前記近傍領域の内、前記嫌熱性部分に近い領域部分に、アブレーション加工条件でレーザ光を照射するアブレーション加工工程と、前記近傍領域の内、前記嫌熱性部分から遠い領域部分に、熱加工条件でレーザ光を照射する熱加工工程と、を有することを特徴としている。なお、前記嫌熱性部分に近い領域部分とは、仮に熱加工を行うと前記嫌熱性部分に熱影響が及んでしまう部分である。このレーザ加工方法は、更に、次のような具体的構成を適宜採用するのが好ましい。a前記アブレーション加工工程を実施した後に、前記熱加工工程を実施する。b前記アブレーション加工工程と前記熱加工工程とを同時に実施する。c前記熱加工工程を実施した後に、前記アブレーション加工工程を実施する。d前記アブレーション加工工程を、100フェトム秒~100ピコ秒のパルス幅のレーザ光を出力する超短パルスレーザ発振器を用いて実施する。本発明の第2態様は、熱影響を嫌う嫌熱性部分を有する基板に対して、前記嫌熱性部分の近傍領域にレーザ光を照射して加工を行う、レーザ加工装置であって、アブレーション加工条件でレーザ光を出力する第1レーザ発振器と、熱加工条件でレーザ光を出力する第2レーザ発振器と、前記第1レーザ発振器から出力されるレーザ光の照射位置を、前記近傍領域の内、前記嫌熱性部分に近い領域部分に、設定し、且つ、前記第2レーザ発振器から出力されるレーザ光の照射位置を、前記近傍領域の内、前記嫌熱性部分から遠い領域部分に、設定する、位置制御部と、前記第1レーザ発振器と前記第2レーザ発振器とを、同時に作動するように、又は、時間的に前後して作動するように、制御する、タイミング制御部と、を備えていることを特徴としている。このレーザ加工装置は、更に、次のような具体的構成を適宜採用するのが好ましい。e前記第1レーザ発振器が、100フェトム秒~100ピコ秒のパルス幅のレーザ光を出力する超短パルスレーザ発振器である。本発明の第1態様のレーザ加工方法によれば、嫌熱性部分の近傍領域に対して、熱加工条件でレーザ光を照射するので、作業性良く加工を実施でき、しかも、近傍領域の内の嫌熱性部分に近い領域部分に対しては、アブレーション加工条件でレーザ光を照射するので、嫌熱性部分に熱影響が及ぶのを抑制できる。したがって、本発明のレーザ加工方法によれば、基板における嫌熱性部分への熱影響をできるだけ小さくできるとともに、基板を高速で加工することができる。本発明の第2態様のレーザ加工装置によれば、本発明のレーザ加工方法を確実に実施できる。[第1実施形態]図1は、本実施形態に係るレーザ加工装置を示す側面略図である。このレーザ加工装置5は、第1レーザ発振器51Aと第2レーザ発振器51Bと加工ステージ52と作動制御部53とを備えている。第1レーザ発振器51Aは、レンズ519Aを通して鉛直下方に向けて、アブレーション加工条件で、レーザ光9Aを出力するように、設定されている。第1レーザ発振器51Aは、具体的には、100フェトム秒~100ピコ秒のパルス幅のレーザ光を出力する超短パルスレーザ発振器である。第2レーザ発振器51Bは、レンズ519Bを通して鉛直下方に向けて、熱加工条件で、レーザ光9Bを出力するように、設定されている。加工ステージ52は、加工対象である基板1をステージ本体521上に保持するように、構成されている。加工ステージ52は、駆動機構522を備えている。駆動機構522は、ステージ本体521を上下方向及び水平方向に移動できるようになっている。すなわち、駆動機構522は、ステージ本体521を動かすことにより、照射されるレーザ光9A、9Bの各々に対する基板1の加工位置を任意に設定できるようになっている。なお、加工ステージ52は、更に、反転機構523を備えるのが好ましい。反転機構523は、ステージ本体521上の基板1を、把持し、持ち上げて裏返し、ステージ本体521上に載置できるように、構成されている。作動制御部53は、位置制御部及びタイミング制御部を有している。位置制御部は、駆動機構522を制御して、レーザ光9Aによって加工する基板1の第1加工位置と、レーザ光9Bによって加工する基板1の第2加工位置と、を設定するようになっている。タイミング制御部は、第1レーザ発振器51Aと第2レーザ発振器51Bとの作動タイミングを制御するようになっている。基板1は、タンタル酸リチウムのウエハであり、多数の赤外線センサチップからなっている。タンタル酸リチウムは、脆性材料である。基板1は、平面部分図である図2に示されるように、貫通溝2Aによって赤外線センサチップ10毎に切り分けられることが予定されている。更に、赤外線センサチップ10においては、平面図である図3に示されるように、基板1の表面に赤外線受光部100が設けられており、断熱のために、赤外線受光部100の3辺に沿って貫通溝2Bが形成されることが予定されている。赤外線受光部100は、ニッケル薄膜からなっており、熱影響を嫌う嫌熱性部分であり、基板1の両表面に形成されている。すなわち、図4に示されるように、基板1においては、一方の表面11にニッケル薄膜31が形成されており、他方の表面12にニッケル薄膜32が形成されている。本実施形態のレーザ加工装置5によって基板1に形成する貫通溝2は、貫通溝2A及び貫通溝2Bの一方又は両方である。ここでは、貫通溝2Bを形成する場合について説明する。なお、図4においては、貫通溝2Bが形成される予定の領域を、赤外線受光部100の近傍領域200として、示している。本実施形態のレーザ加工装置5を用いたレーザ加工方法による貫通溝2Bの形成は、次のように行う。1まず、駆動機構522が、位置制御部によって制御されて、ステージ本体521を動かして、基板1を第1加工位置に設定する。第1加工位置とは、図5に示されるように、レーザ光9Aが近傍領域200の内の赤外線受光部100に近い領域部分201を照射する位置である。2次に、タイミング制御部による制御によって、第1レーザ発振器51Aが、作動して、図5の状態で、レーザ光9Aの照射を続行するアブレーション加工工程。レーザ光9Aはアブレーション加工条件で照射されるので、領域部分201はアブレーション加工され、領域部分201には、図6に示されるように、貫通溝21Bが形成される。3次に、駆動機構522が、位置制御部によって制御されて、ステージ本体521を動かして、基板1を第2加工位置に設定する。第2加工位置とは、図6に示されるように、レーザ光9Bが近傍領域200の内の赤外線受光部100から遠い領域部分202を照射する位置である。4そして、タイミング制御部による制御によって、第2レーザ発振器51Bが、作動して、図6の状態で、レーザ光9Bの照射を続行する熱加工工程。レーザ光9Bは熱加工条件で照射されるので、領域部分202は熱加工され、領域部分202には、貫通溝が形成され、その貫通溝が貫通溝21Bと合わさって、図7に示されるように、貫通溝2Bが形成される。このように本実施形態のレーザ加工方法では、近傍領域200に対して、熱加工条件でレーザ光9Bを照射しているので、作業性良く加工を実施でき、しかも、近傍領域200の内の赤外線受光部100に近い領域部分201に対しては、アブレーション加工条件でレーザ光9Aを照射しているので、赤外線受光部100に熱影響が及ぶのを抑制できる。したがって、本実施形態のレーザ加工方法によれば、基板における嫌熱性部分への熱影響をできるだけ小さくできるとともに、基板1を高速で加工することができる。また、本実施形態のレーザ加工方法では、第1レーザ発振器51Aを先に作動させて、貫通溝21Bを形成しているので、その後の第2レーザ発振器51Bによる加工の際に、貫通溝21Bが赤外線受光部100に対する断熱空間として機能する。それ故、第2レーザ発振器51Bによって熱加工条件でレーザ光9Bを照射する際においても、赤外線受光部100に熱影響が及ぶのを抑制できる。したがって、本実施形態のレーザ加工方法によれば、基板における嫌熱性部分への熱影響をより小さくできる。更に、本実施形態のレーザ加工方法によれば、第1レーザ発振器51Aとして、100フェトム秒~100ピコ秒のパルス幅のレーザ光を出力する超短パルスレーザ発振器を用いているので、アブレーション加工を良好に実施できる。また、本実施形態のレーザ加工装置5は、前述したように、第1レーザ発振器51Aと第2レーザ発振器51Bと位置制御部とタイミング制御部とを、備えているので、本実施形態のレーザ加工方法を確実に実施できる。しかも、第1レーザ発振器51Aが、100フェトム秒~100ピコ秒のパルス幅のレーザ光を出力する超短パルスレーザ発振器であるので、本実施形態のレーザ加工方法におけるアブレーション加工工程を良好に実施できる。[第2実施形態]本実施形態は、第1実施形態に比して、アブレーション加工工程と熱加工工程とを実施するタイミングが異なるだけである。すなわち、本実施形態では、熱加工工程を実施した後に、アブレーション加工工程を実施している。本実施形態のレーザ加工方法による貫通溝2Bの形成は、次のように行う。1まず、駆動機構522が、位置制御部によって制御されて、ステージ本体521を動かして、基板1を第2加工位置に設定する。第2加工位置とは、図8に示されるように、レーザ光9Bが近傍領域200の内の赤外線受光部100から遠い領域部分202を照射する位置である。2次に、タイミング制御部による制御によって、第2レーザ発振器51Bが、作動して、図8の状態で、レーザ光9Bの照射を続行する熱加工工程。レーザ光9Bは熱加工条件で照射されるので、領域部分202は熱加工され、図9に示されるように、領域部分202には、貫通溝22Bが形成される。3次に、駆動機構522が、位置制御部によって制御されて、ステージ本体521を動かして、基板1を第1加工位置に設定する。第1加工位置とは、図9に示されるように、レーザ光9Aが近傍領域200の内の赤外線受光部100に近い領域部分201を照射する位置である。4そして、タイミング制御部による制御によって、第1レーザ発振器51Aが、作動して、図9の状態で、レーザ光9Aの照射を続行するアブレーション加工工程。レーザ光9Aはアブレーション加工条件で照射されるので、領域部分201はアブレーション加工され、領域部分201には、貫通溝が形成され、その貫通溝が貫通溝22Bと合わさって、図7に示されるように、貫通溝2Bが形成される。本実施形態のレーザ加工方法によっても、第1実施形態の場合と同様の効果を発揮できる。但し、本実施形態のレーザ加工方法では、熱加工工程を先に行っているので、図9に示されるように、貫通溝22Bが形成された状態でアブレーション加工を行っている。それ故、アブレーション加工において基板1の材料が蒸発したり飛散したりするための表面積が、第1実施形態に比して大きい。したがって、本実施形態のレーザ加工方法によれば、アブレーション加工工程の作業性を向上でき、基板1をより高速で加工することができる。[第3実施形態]本実施形態は、第1実施形態に比して、アブレーション加工工程と熱加工工程とを実施するタイミングが異なるだけである。すなわち、本実施形態では、アブレーション加工工程と熱加工工程とを同時に実施している。本実施形態のレーザ加工方法による貫通溝2Bの形成は、次のように行う。1まず、駆動機構522が、位置制御部によって制御されて、ステージ本体521を動かして、基板1を第1加工位置及び第2加工位置の両方に設定する。なお、この設定においては、必要に応じて、レーザ光9A及び/又はレーザ光9Bの照射位置を加工位置となるように移動させる。第1加工位置とは、図10に示されるように、レーザ光9Aが近傍領域200の内の赤外線受光部100に近い領域部分201を照射する位置である。第2加工位置とは、図10に示されるように、レーザ光9Bが近傍領域200の内の赤外線受光部100から遠い領域部分202を照射する位置である。2次に、タイミング制御部による制御によって、第1レーザ発振器51A及び第2レーザ発振器51Bが、同時に作動して、図10の状態で、レーザ光9A及びレーザ光9Bの照射を続行するアブレーション加工工程及び熱加工工程。レーザ光9Aはアブレーション加工条件で照射されるので、領域部分201はアブレーション加工され、領域部分201には貫通溝が形成され、また、レーザ光9Bは熱加工条件で照射されるので、領域部分202は熱加工され、領域部分202には貫通溝が形成され、その結果、両貫通溝が合わさって、図7に示されるように、貫通溝2Bが形成される。本実施形態のレーザ加工方法によっても、第1実施形態の場合と同様の効果を発揮できる。但し、本実施形態のレーザ加工方法では、アブレーション加工工程と熱加工工程とを同時に実施しているので、第1実施形態及び第2実施形態に比して、作業時間が短い。したがって、本実施形態のレーザ加工方法によれば、基板1を更により高速で加工することができる。なお、本発明における嫌熱性部分は、熱影響を嫌う部分すなわち熱影響を受けるのが好ましくない部分であれば、赤外線受光部100に限るものではない。また、本発明における加工は、貫通溝を形成する加工に限るものではなく、非貫通溝や穴等を形成する加工でもよい。また、本発明のレーザ加工装置は、2台のレーザ発振器を備えたものに限るものではなく、1台のレーザ発振器を備えたものでもよい。1台のレーザ発振器を備えたレーザ加工装置の場合には、当該レーザ発振器として、アブレーション加工条件と熱加工条件とを任意に切り替えて設定できるものを用いればよい。