"基板の一面上に形成されるソース/ドレイン電極と、前記ソース/ドレイン電極上に形成される有機半導体層と、前記ソース/ドレイン電極及び有機半導体層と絶縁されるゲート電極と、前記ソース/ドレイン電極上の有機半導体層と前記ゲート電極との間に複数のゲート絶縁層と、を備え、前記ソース/ドレイン電極と前記ゲート電極との交差領域のうち少なくとも一部でのゲート絶縁層の厚さは、前記有機半導体層のチャンネル領域と前記ゲート電極との交差領域のうち少なくとも一部でのゲート絶縁層の厚さ以上であり、前記ゲート絶縁層の相異なる厚さを持つ領域間の少なくとも一部は、テーパ構造をとり、前記有機半導体層のチャンネル領域と前記ゲート電極との交差領域における前記複数のゲート絶縁層の前記テーパ構造は、前記ゲート電極に近いテーパ構造ほど前記基板表面に対する角度が大きいことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。前記ソース/ドレイン電極は、前記有機半導体層とオーミック接触をなすことを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜トランジスタ。前記ソース/ドレイン電極は、Au、Au/Ti、Au/Cr、Pt、Pt/Pd、Niのうち一つ以上を備えたことを特徴とする請求項2に記載の有機薄膜トランジスタ。前記複数のゲート絶縁層は、SiO2、SiNx、Al2O3、Ta2O5、BST、PZT、PMMA、PS、フェノール系高分子、アクリル系高分子、ポリイミドのようなイミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、p-キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、パリレン、及びこれらの一つ以上を備える化合物のうち一つ以上の材料を備える二層以上の層を備えることを特徴とする請求項1~3にいずれか1項に記載の有機薄膜トランジスタ。前記有機半導体層は、ペンタセン、テトラセン、アントラセン、ナフタレン、α-6-チオフェン、ペリレン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、コロネン及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリフロレン及びその誘導体、ポリチオフェンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン-ヘテロ環芳香族共重合体及びその誘導体、ナフタレンのオリゴアセン及びこれらの誘導体、α-5-チオフェンのオリゴチオフェン及びこれらの誘導体、含金属または非含金属のフタロシアニン及びこれらの誘導体、ピロメリト酸二無水物及びその誘導体、ピロメリト酸ジイミド及びこれらの誘導体、ペリレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体及びペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びこれらの誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド及びこれらの誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物及びこれらの誘導体のうち、少なくともいずれか一つを備えたことを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の有機薄膜トランジスタ。基板の一面上に、一つ以上の画素を備えるディスプレイ領域に形成される有機薄膜トランジスタ層と、画素層とを備える平板ディスプレイ装置において、前記有機薄膜トランジスタ層は、基板の一面上に形成されるソース/ドレイン電極と、前記ソース/ドレイン電極上に形成される有機半導体層と、前記ソース/ドレイン電極及び有機半導体層と絶縁されるゲート電極と、前記ソース/ドレイン電極上の有機半導体層と前記ゲート電極との間には複数のゲート絶縁層と、を備え、前記ソース/ドレイン電極と前記ゲート電極との交差領域のうち少なくとも一部でのゲート絶縁層の厚さは、前記有機半導体層のチャンネル領域と前記ゲート電極との交差領域のうち少なくとも一部でのゲート絶縁層の厚さ以上であり、前記ゲート絶縁層の相異なる厚さを持つ領域間の少なくとも一部は、テーパ構造をとり、前記有機半導体層のチャンネル領域と前記ゲート電極との交差領域における前記複数のゲート絶縁層の前記テーパ構造は、前記ゲート電極に近いテーパ構造ほど前記基板表面に対する角度が大きいことを特徴とする平板ディスプレイ装置。前記ソース/ドレイン電極は、前記有機半導体層とオーミック接触をなすことを特徴とする請求項6に記載の平板ディスプレイ装置。前記ソース/ドレイン電極は、Au、Au/Ti、Au/Cr、Pt、Pt/Pd、Niのうち一つ以上を備えることを特徴とする請求項7に記載の平板ディスプレイ装置。前記複数のゲート絶縁層は、SiO2、SiNx、Al2O3、Ta2O5、BST、PZT、PMMA、PS、フェノール系高分子、アクリル系高分子、ポリイミドのようなイミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、p-キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、パリレン、及びこれらの一つ以上を備える化合物のうち一つ以上の材料を備えた二層以上の層を備えることを特徴とする請求項6~8のいずれか1項に記載の平板ディスプレイ装置。前記有機半導体層は、ペンタセン、テトラセン、アントラセン、ナフタレン、α-6-チオフェン、ペリレン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、コロネン及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリフロレン及びその誘導体、ポリチオフェンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン-ヘテロ環芳香族共重合体及びその誘導体、ナフタレンのオリゴアセン及びこれらの誘導体、α-5-チオフェンのオリゴチオフェン及びこれらの誘導体、含金属または非含金属のフタロシアニン及びこれらの誘導体、ピロメリト酸二無水物及びその誘導体、ピロメリト酸ジイミド及びこれらの誘導体、ペリレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体及びペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びこれらの誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド及びこれらの誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物及びこれらの誘導体のうち少なくともいずれか一つを備えたことを特徴とする請求項6~9のいずれか1項に記載の平板ディスプレイ装置。基板の一面上にソース/ドレイン電極を形成する工程と、前記ソース/ドレイン電極上に、ソース/ドレイン領域及びチャンネル領域を持つ活性領域を備えた有機半導体層を形成する工程と、前記有機半導体層の一面上に第1ゲート絶縁層を形成する工程と、前記第1ゲート絶縁層一面上に第2ゲート絶縁層を形成するが、前記ソース/ドレイン電極と交差する領域のうち少なくとも一部の厚さが、前記チャンネル領域と交差する領域のうち少なくとも一部の厚さ以上であり、前記ソース/ドレイン電極と交差する領域のうち少なくとも一部においてテーパ構造をとり、前記有機半導体層のチャンネル領域と前記ゲート電極との交差領域において前記第2のゲート絶縁層のテーパ構造の前記基板表面に対する角度が第1のゲート絶縁層のテーパ構造の前記基板表面に対する角度に比べて大きくなるように第2ゲート絶縁層を形成する工程と、前記ソース/ドレイン電極と交差し、少なくとも前記チャンネル領域に対応するようにゲート電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。前記第2ゲート絶縁層の形成工程は、前記第2ゲート絶縁層をなす材料層を第1ゲート絶縁層の一面上に全面形成する工程と、前記第2ゲート絶縁層のうち、少なくとも前記有機半導体層のチャンネル領域に対応する領域を除去する工程と、を含むことを特徴とする請求項11に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。前記除去する工程は、レーザー光線を使用して行われることを特徴とする請求項12に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。基板の一面上にソース/ドレイン電極を形成する工程と、前記ソース/ドレイン電極上に、ソース/ドレイン領域及びチャンネル領域を持つ活性領域を備えた有機半導体層を形成する工程と、前記有機半導体層の一面上に複数のゲート絶縁層を形成するが、前記ソース/ドレイン電極と交差する領域のうち少なくとも一部の厚さが、前記チャンネル領域と交差する領域のうち少なくとも一部の厚さ以上になり、前記ソース/ドレイン電極と交差する領域のうち少なくとも一部においてテーパ構造をとるように、ゲート絶縁層を形成する工程と、前記ソース/ドレイン電極と交差し、少なくとも前記チャンネル領域に対応するようにゲート電極を形成する工程と、を含み、前記有機半導体層のチャンネル領域と前記ゲート電極との交差領域における前記複数のゲート絶縁層の前記テーパ構造は、前記ゲート電極に近いテーパ構造ほど前記基板表面に対する角度が大きいことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。前記ゲート絶縁層の形成工程は、前記ゲート絶縁層をなす材料層を前記有機半導体層の上部に全面形成する工程と、前記ゲート絶縁層のうち、少なくとも前記有機半導体層のチャンネル領域に対応する領域を除去する工程と、を含むことを特徴とする特徴とする請求項14に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。前記除去する工程は、レーザー光線を使用して行われることを特徴とする請求項15に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。本発明は、前記のような問題点を鑑みてなされたものであり、TFTの望ましくないキャパシタンスを除去すると同時に、正確な作動性能を維持できる構造の有機TFT及びこれを備える平板ディスプレイ装置、ならびにこれらの製造方法を提供することを目的とする。前記のような目的を達成するために、本発明の一面によれば、基板の一面上に形成されるソース/ドレイン電極と、前記ソース/ドレイン電極上に形成される有機半導体層と、前記ソース/ドレイン電極及び有機半導体層と絶縁されるゲート電極と、前記ソース/ドレイン電極上の有機半導体層と前記ゲート電極との間に一層以上のゲート絶縁層と、を備え、前記ソース/ドレイン電極と前記ゲート電極との交差領域のうち少なくとも一部でのゲート絶縁層の厚さは、前記有機半導体層のチャンネル領域と前記ゲート電極との交差領域のうち少なくとも一部でのゲート絶縁層の厚さ以上であり、前記ゲート絶縁層の相異なる厚さを持つ領域間の少なくとも一部は、テーパ構造をとり、前記有機半導体層のチャンネル領域と前記ゲート電極との交差領域における前記複数のゲート絶縁層の前記テーパ構造は、前記ゲート電極に近いテーパ構造ほど前記基板表面に対する角度が大きいことを特徴とする有機TFTを提供する。前記本発明の有機TFTによれば、前記ソース/ドレイン電極は、前記有機半導体層とオーミック接触をなすこともある。前記本発明の有機TFTによれば、前記ソース/ドレイン電極は、Au、Au/Ti、Au/Cr、Pt、Pt/Pd、Niのうち一つ以上を備える。前記本発明の有機TFTによれば、前記ゲート絶縁層は、SiO2、SiNx、Al2O3、Ta2O5、チタン酸バリウムストロンチウムBST、チタン酸ジルコン酸鉛PZT、PMMApolymethylMethacrylate、PSpolystyrene、フェノール系高分子、アクリル系高分子、ポリイミドのようなイミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、p-キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、パリレン、及びこれらの一つ以上を備える化合物のうち一つ以上の材料を備える一層以上の層を備える。前記本発明の有機TFTによれば、前記有機半導体層は、ペンタセン、テトラセン、アントラセン、ナフタレン、α-6-チオフェン、ペリレン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、コロネン及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリフロレン及びその誘導体、ポリチオフェンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン-ヘテロ環芳香族共重合体及びその誘導体、ナフタレンのオリゴアセン及びこれらの誘導体、α-5-チオフェンのオリゴチオフェン及びこれらの誘導体、含金属または非含金属のフタロシアニン及びこれらの誘導体、ピロメリト酸二無水物及びその誘導体、ピロメリト酸ジイミド及びこれらの誘導体、ペリレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体及びペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びこれらの誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド及びこれらの誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物及びこれらの誘導体のうち少なくともいずれか一つを備える。前記本発明の有機TFTによれば、前記ゲート絶縁層の相異なる厚さを持つ領域間の少なくとも一部は、テーパ構造をとることができる。本発明の一面によれば、基板の一面上に、一つ以上の画素を備えるディスプレイ領域に形成される有機TFT層と、画素層とを備える平板ディスプレイ装置において、前記有機TFT層は、基板の一面上に形成されるソース/ドレイン電極と、前記ソース/ドレイン電極上に形成される有機半導体層と、前記ソース/ドレイン電極及び有機半導体層と絶縁されるゲート電極と、前記ソース/ドレイン電極上の有機半導体層と前記ゲート電極との間には一層以上のゲート絶縁層と、を備え、前記ソース/ドレイン電極と前記ゲート電極との交差領域のうち少なくとも一部でのゲート絶縁層の厚さは、前記有機半導体層のチャンネル領域と前記ゲート電極との交差領域のうち少なくとも一部でのゲート絶縁層の厚さ以上であり、前記ゲート絶縁層の相異なる厚さを持つ領域間の少なくとも一部は、テーパ構造をとり、前記有機半導体層のチャンネル領域と前記ゲート電極との交差領域における前記複数のゲート絶縁層の前記テーパ構造は、前記ゲート電極に近いテーパ構造ほど前記基板表面に対する角度が大きいことを特徴とする平板ディスプレイ装置を提供する。前記本発明の平板ディスプレイ装置によれば、前記ソース/ドレイン電極は、前記有機半導体層とオーミック接触をなすこともある。前記本発明の平板ディスプレイ装置によれば、前記ソース/ドレイン電極は、Au、Au/Ti、Au/Cr、Pt、Pt/Pd、Niのうち一つ以上を備える。前記本発明の平板ディスプレイ装置によれば、前記ゲート絶縁層は、SiO2、SiNx、Al2O3、Ta2O5、BST、PZT、PMMA、PS、フェノール系高分子、アクリル系高分子、ポリイミドのようなイミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、p-キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、パリレン、及びこれらの一つ以上を備える化合物のうち一つ以上の材料を備えた一層以上の層を備える。前記本発明の平板ディスプレイ装置によれば、前記有機半導体層は、ペンタセン、テトラセン、アントラセン、ナフタレン、α-6-チオフェン、ペリレン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、コロネン及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリフロレン及びその誘導体、ポリチオフェンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン-ヘテロ環芳香族共重合体及びその誘導体、ナフタレンのオリゴアセン及びこれらの誘導体、α-5-チオフェンのオリゴチオフェン及びこれらの誘導体、含金属または非含金属のフタロシアニン及びこれらの誘導体、ピロメリト酸二無水物及びその誘導体、ピロメリト酸ジイミド及びこれらの誘導体、ペリレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体及びペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びこれらの誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド及びこれらの誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物及びこれらの誘導体のうち少なくともいずれか一つを備える。前記本発明の平板ディスプレイ装置によれば、前記ゲート絶縁層の相異なる厚さを持つ領域間の少なくとも一部は、テーパ構造をとることもある。本発明のさらに他の一面によれば、基板の一面上にソース/ドレイン電極を形成する工程と、前記ソース/ドレイン電極上に、ソース/ドレイン領域及びチャンネル領域を持つ活性領域を備えた有機半導体層を形成する工程と、前記有機半導体層の一面上に第1ゲート絶縁層を形成する工程と、前記第1ゲート絶縁層一面上に第2ゲート絶縁層を形成するが、前記ソース/ドレイン電極と交差する領域のうち少なくとも一部の厚さが、前記チャンネル領域と交差する領域のうち少なくとも一部の厚さ以上になり、前記ソース/ドレイン電極と交差する領域のうち少なくとも一部においてテーパ構造をとり、前記有機半導体層のチャンネル領域と前記ゲート電極との交差領域において前記第2のゲート絶縁層のテーパ構造の前記基板表面に対する角度が第1のゲート絶縁層のテーパ構造の前記基板表面に対する角度に比べて大きくなるように第2ゲート絶縁層を形成する工程と、前記ソース/ドレイン電極と交差し、少なくとも前記チャンネル領域に対応するようにゲート電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする有機TFTの製造方法を提供する。前記本発明の有機TFTの製造方法によれば、前記第2ゲート絶縁層の形成工程は、前記第2ゲート絶縁層をなす材料層を第1ゲート絶縁層の一面上に全面形成する工程と、前記第2ゲート絶縁層のうち、少なくとも前記有機半導体層のチャンネル領域に対応する領域を除去する工程と、を含む。前記本発明の有機TFTの製造方法によれば、前記除去する工程は、レーザー光線を使用して行われる。本発明のさらに他の一面によれば、基板の一面上にソース/ドレイン電極を形成する工程と、前記ソース/ドレイン電極上に、ソース/ドレイン領域及びチャンネル領域を持つ活性領域を備えた有機半導体層を形成する工程と、前記有機半導体層の一面上にゲート絶縁層を形成するが、前記ソース/ドレイン電極と交差する領域のうち少なくとも一部の厚さが、前記チャンネル領域と交差する領域のうち少なくとも一部の厚さ以上になり、前記ソース/ドレイン電極と交差する領域のうち少なくとも一部においてテーパ構造をとるように、ゲート絶縁層を形成する工程と、前記ソース/ドレイン電極と交差し、少なくとも前記チャンネル領域に対応するようにゲート電極を形成する工程と、を含み、前記有機半導体層のチャンネル領域と前記ゲート電極との交差領域における前記複数のゲート絶縁層の前記テーパ構造は、前記ゲート電極に近いテーパ構造ほど前記基板表面に対する角度が大きいことを特徴とする有機TFTの製造方法を提供する。前記本発明の有機TFTの製造方法によれば、前記除去する工程は、レーザー光線を使用して行われることも可能である。本発明によれば、次のような効果を得られる。第1に、有機半導体層の形成過程を単純に維持しつつも、追加的な簡単な工程を通じて近隣トランジスタと隔離させることによって、トランジスタ間のクロストークによる干渉を防止して誤作動を防止できる。第2に、絶縁貫通部の形成時、有機半導体層の一面上に形成された絶縁層をフォトレジスタ、特に、ネガティブフォトレジストを使用することによって、工程の迅速性及び高解像度を維持すると同時に、下部有機半導体層との密着性を向上ないし維持することによって、工程コスト及び製品性能を向上できる。第3に、有機TFTを備える平板ディスプレイ装置を通じて、画素間の誤作動を防止して、画面品質が改善された構造の平板ディスプレイ装置を提供できる。以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施形態についてさらに詳細に説明する。図2Aないし図2Gは、本発明の望ましい一実施形態による有機TFTの製造過程を示した断面図である。まず図2Aに示すように、基板110の一面上には導電層が形成された後、適切なパターン化過程を経てソース/ドレイン電極120a、120bを形成する。ここで、基板110はガラス材でもあれば、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリエーテルスルホンPES、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンスルフィドPPS、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネートPC、セルローストリアセテートTAC、セルロースアセテートプロピオネートCAPなどのようなプラスチック材でもある。ソース/ドレイン電極120a、120bは、多様な導電性材料で形成できるが、有機半導体とオーミック接触される材料、例えば、Au、Au/Ti、Au/Cr、Pt、Pt/Pd、Niのような材料を使用することが望ましい。場合によっては、ソース/ドレイン電極120a、120bを形成する過程で発生可能な下部基板110の損傷を防止するために、バッファ層図示せずがさらに備えられることもある。ソース/ドレイン電極120a、120bが形成された後、図2Bに示すように、ソース/ドレイン電極120a、120bの一面上には、有機半導体層130が全面形成される。有機半導体層130は、ペンタセン、テトラセン、アントラセン、ナフタレン、α-6-チオフェン、ペリレン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、コロネン及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリフロレン及びその誘導体、ポリチオフェンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン-ヘテロ環芳香族共重合体及びその誘導体、ナフタレンのオリゴアセン及びこれらの誘導体、α-5-チオフェンのオリゴチオフェン及びこれらの誘導体、含金属または非含金属のフタロシアニン及びこれらの誘導体、ピロメリト酸二無水物及びその誘導体、ピロメリト酸ジイミド及びこれらの誘導体、ペリレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体及びペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びこれらの誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド及びこれらの誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物及びこれらの誘導体のうち、少なくともいずれか一つを備えることが望ましい。有機半導体層130は、下部に配置されたソース/ドレイン電極120a、120bとの交差如何によるソース領域130a、ドレイン領域130b及びチャンネル領域130cを備える活性領域130’と、活性領域130’の外側に沿って配置される外郭部、すなわち、非活性領域130とを備える。有機半導体層130が形成された後、有機半導体層130の一面上には複数の絶縁層が形成される。まず、図2Cに示すように、有機半導体層130の一面上には、第1ゲート絶縁層140aが形成される。第1ゲート絶縁層140aは、多様な材料で構成できるが、下部の有機半導体層130との密着性及び工程容易性を考慮して、第1ゲート絶縁層140aは、スパッタリングなどの蒸着工程を通じたSiO2、SiNx、Al2O3、Ta2O5、BST、PZTのうち一つ以上を備える無機絶縁層で構成されることもあり、スピンコーティング工程などを通じたPMMA、PS、フェノール系高分子、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、p-キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、パリレン、及びこれらの一つ以上を備える高分子系有機絶縁層で構成されることもある。図2Dに示すように、第1ゲート絶縁層140aが形成された後には、その一面上に第2ゲート絶縁層140bが形成されるが、第2ゲート絶縁層140bを構成する材料は、前記第1ゲート絶縁層140aについて記述された材料とほぼ同じ材料が選択されることができる。但し、それぞれの絶縁層が形成する過程で発生可能な絶縁層でのピンホール及び/またはビアホールが均一かつ持続的に成長することによって、絶縁層の絶縁性を弱化させ、かつ絶縁破壊現象の発生を防止するために、例えば、第1ゲート絶縁層140aが有機高分子絶縁材料で構成される場合、第2ゲート絶縁層140bは、無機絶縁材料で構成するか、または互いに逆の場合で構成するなど、第1ゲート絶縁層140aと第2ゲート絶縁層140bとの構成を異ならせることが望ましい。図2Dに示すように、第1ゲート絶縁層140aの一面上に第2ゲート絶縁層140bを形成し、第2ゲート絶縁層の厚さは、領域によって異なるが、ソース/ドレイン電極とゲート電極との交差領域の少なくとも一部でのゲート絶縁層の厚さは、前記有機半導体層のチャンネル領域と前記ゲート電極との交差領域のうち、少なくとも一部での前記ゲート絶縁層の厚さ以上であることが望ましい。すなわち、図2Eに示すように、第2ゲート絶縁層140bは、一定のパターン化工程を経て、図面符号A及びBで表示されるソース/ドレイン電極120a、120bとゲート電極150図2Fとの交差領域A、Bのうち、少なくとも一部でのゲート絶縁層140a、140bの厚さta、tbは、図面符号Cで表示される有機半導体層130のチャンネル領域とゲート電極150との交差領域Cのうち、少なくとも一部でのゲート絶縁層140a、140bの厚さtc以上の値を持つ。一定領域A、Bでの第2ゲート絶縁層140bの厚さと、他の領域Cでの第2ゲート絶縁層140bの厚さとを差別化させる第2ゲート絶縁層140bのパターン化工程は、多様な方法が使われうる。工程上の便利性及び製造コストの低減側面で、第2ゲート絶縁層140bのパターン化工程は、エッチング工程を通じて行われることもあり、レーザー光線を通じたレーザーアブレーションを利用することもある。但し、今後、第2ゲート絶縁層140b及び第1ゲート絶縁層140aの一面上に形成される他の層の形成過程時、第1及び第2ゲート絶縁層140a、bの段差による形成過程の難点を解消するために、所望のパターンに対するレーザー光線の強度を調節して、第2ゲート絶縁層140bの厚さを適切に選択的に除去することによって、少なくとも第2ゲート絶縁層140bの除去された部分と除去されていない部分との間の領域がテーパ形状をなすように、テーパ加工処理しつつ第2ゲート絶縁層140bをパターン化させることが望ましい。図2Eに示すように、第2ゲート絶縁層140bに加えられるレーザー光線の強度を適切に調節することによって、テーパ部14、142を形成できる。前記本発明の実施形態で、第2ゲート絶縁層140bは、全面形成された後にパターン化過程のような除去工程を伴う場合について述べたが、本発明がこれに限定されるものではない。すなわち、適切なマスキング工程を通じて第2ゲート絶縁層140bの形成過程で、ゲート電極とソース/ドレイン領域との交差領域A、Bでのゲート絶縁層の厚さta、tbが、チャンネル領域とゲート電極との交差領域Cでのゲート絶縁層の厚さtc以上になるように構成することもあるなど、多様な変形が可能である。また、図2Gに示すように、複数のゲート絶縁層ではない単一のゲート絶縁層140を使用することもできるが、単一のゲート絶縁層を形成する場合には、適切なマスキング工程を通じて、ゲート電極とソース/ドレイン領域との交差領域でのゲート絶縁層の厚さを、チャンネル領域とゲート電極との交差領域でのゲート絶縁層の厚さ以上にすることもでき、または、単一のゲート絶縁層を有機半導体層の上部に全面形成した後、前記ゲート絶縁層のうち、少なくとも有機半導体層のチャンネル領域に対応する部分を除去する工程を通じて形成することもある。第2ゲート絶縁層140bのパターン化工程が行われた後、図2Fに示すように、少なくとも有機半導体層130のチャンネル領域に対応するように、ゲート電極150を形成する。ゲート電極150には、Al、Mo、W、Au、Crのような金属性材料だけでなく、導電性高分子物質のような多様な導電性材料が使われることもある。一方、前記のような構造の有機TFTは、多様な具現例をなしうる。図3には、本発明の一実施形態による平板ディスプレイ装置、特に、有機電界発光ディスプレイ装置が図示されている。ここで、一つの有機TFTと一つのディスプレイ画素とが図示されているが、これは本発明を説明するための一例であり、本発明がこれに限定されるものではない。電界発光ディスプレイ装置200のディスプレイ領域は、画素部200a及び有機TFT層200bで構成される。有機TFT層200bは、前記有機TFTの構造と同一である。基板210の一面には、ソース/ドレイン電極220a、220bが形成され、ソース/ドレイン電極220a、220bを覆うように、有機半導体層230が形成される。有機半導体層230の上部には、第1ゲート絶縁層240a及び第2ゲート絶縁層240bが形成され、第2ゲート絶縁層240bの上部には、ゲート電極250が配置され、これら有機TFT層を覆うように、絶縁層としての平坦化層260が配置される。図3で、ゲート電極250は、平坦化層260によって覆われると図示されたが、ゲート電極250と平坦化層260との間には無機絶縁層図示せずが追加的に形成されるなど多様な変形が可能である。図面中、220cは、ソース電極220aに連結されるキャパシタの下部電極を表し、250cは、キャパシタの上部電極を表す。平坦化層260の一面上には、第1電極層270が形成されるが、第1ゲート絶縁層240a、第2ゲート絶縁層240b及び平坦化層260に形成されたビアホール261を通じて、第1電極層270は、有機TFT層のドレイン電極220bと電気的に接続される。第1電極層270は、多様な構成が可能であるが、第1電極層270がアノード電極として作動し、かつ前面発光型である場合には、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及びこれらの化合物を備える反射電極と、その上に形成される透明電極とで構成されることもあり、背面発光型である場合、第1電極層270は、ITO、IZO、ZnOまたはIn2O3のような透明導電性物質から形成された透明電極でもあり、第1電極層270は、単一層、二重層に限定されず、多重層で構成されることもあるなど、多様な変形が可能である。平坦化層260の一面上には、画素定義層280が形成されるが、画素定義層280は、第1電極層270の一面に光を取出させるための画素開口部271を定義する。第1電極層270の一面上には、有機電界発光部290が形成される。有機電界発光部290としては、低分子または高分子有機膜が使われるが、低分子有機膜を使用する場合、ホール注入層HIL:HoleInjectionLayer、ホール輸送層HTL:HoleTransportLayer、発光層EML:EmissionLayer、電子輸送層ETL:ElectronTransportLayer、電子注入層EIL:ElectronInjectionLayerなどが単一あるいは複合の構造で積層されて形成され、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニンCuPc、N,N-ジナフタレン-1-イル-N,N’-ジフェニル-ベンジジンNPB、トリス-8-ヒドロキシキノリンアルミニウムtris-8-hydroxyquinolinealuminum:Alq3などをはじめとして多様に適用可能である。これら低分子有機膜は、真空蒸着の方法で形成される。高分子有機膜の場合には、大体HTL及びEMLで備えられた構造を持つことができ、この時、前記HTLとして、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPEDOTを使用し、EMLとしてPPVPoly-Phenylenevinylene系及びポリフルオレン系など、高分子有機物質を使用し、これをスクリーン印刷やインクジェット印刷方法で形成できる。前記のような有機電界発光部を構成する有機膜は、必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な実施形態が適用できるということは言うまでもない。第2電極層300も、第1電極層270の場合と同じく電極層の極性及び発光類型によって多様な構成が可能である。すなわち、第2電極層300がカソード電極として作動し、かつ発光類型が前面発光型である場合、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg、及びこれらの化合物で、有機電界発光部290の一面上に仕事関数を合わせるための電極を形成した後、その上にITO、IZO、ZnO、In2O3などの透明電極を形成することもあり、背面発光型の場合、第2電極層300は、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg、及びこれらの化合物のように、仕事関数の小さな材料から形成された一層以上の層で構成されることもあり、第2電極層300は、全面形成されることもあるが、これに限定されず、多様な構成にすることもできる。一方、前記実施形態では、第1電極層270がアノード電極として、そして第2電極層300がカソード電極として作動する場合について記述されたが、互いに逆の極性を備えることもあるなど、多様な構成が可能である。さらに一方、図面には図示されていないが、基板210上に形成された有機TFT層及び画素部で構成されるディスプレイ領域は、密封部材によって密封される。すなわち、第2電極層300の上部に密封基板が介在され、少なくともディスプレイ領域を密封でき、第2電極層の一面上に、一層以上の層を備える薄膜状の密封層が形成されることもあるなど、密封構造は、ある特定形態に限定されるものではない。前記実施形態は、本発明を説明するための一例であり、本発明はこれに限定されず、本発明による有機TFTが、隣接する有機TFTとの関係において、有機半導体層の少なくとも一部に有機半導体層の貫通部を備える範囲内で、多様な変形が可能である。すなわち、前記有機TFTは、有機電界発光ディスプレイ装置以外にも液晶ディスプレイ装置にも適用でき、平板ディスプレイ装置以外にも画像が具現されないドライバ回路にも装着できるなど、多様な変形例を考慮できる。以上、本発明の望ましい実施形態を参照して説明したが、当業者ならば、特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で、本発明を多様に修正及び変更できるということを理解できるであろう。"