シリコンウェハーの時間分解フォトルミネッセンス画像を生成するための撮像検査モジュールであって、パルス光源及び電子衝撃型アクティブ画素センサを具えた撮像検査モジュールと;前記シリコンウェハーを処理して光電池にするための複数の処理モジュールとを具えていることを特徴とするシステム。前記撮像検査モジュールが、ウェハーセンサと、前記電子衝撃型アクティブ画素センサを具えたカメラ及び前記パルス光源と通信するコントローラとを、さらに具えていることを特徴とする請求項1に記載のシステム。前記複数の処理モジュールが、エッチングモジュール、拡散モジュール、ウェットエッチングモジュール、パシベーション兼ARCモジュール、スクリーン印刷モジュール、焼成モジュール、及びこれらの組合せから成るグループから選択したモジュールであることを特徴とする請求項1に記載のシステム。前記撮像検査モジュールが第1撮像検査モジュールであり、前記システムが、前記複数の処理モジュールのうち2つの間にある第2撮像検査モジュールをさらに具えていることを特徴とする請求項1に記載のシステム。ウェハー内にフォトルミネッセンスを発生させるためのパルス光源と;前記ウェハーからフォトルミネッセンス露光データを捕捉するための電子衝撃型アクティブ画素センサを具えたカメラと;前記フォトルミネッセンス露光データから時間分解フォトルミネッセンス減衰曲線を生成するためのコンピュータとを具えていることを特徴とする検査モジュール。ウェハーセンサと、前記パルス光源及び前記カメラと通信するコントローラとを、さらに具えていることを特徴とする請求項5に記載の検査モジュール。前記ウェハーが光電池であることを特徴とする請求項5に記載の検査モジュール。前記ウェハーがシリコンを含むことを特徴とする請求項5に記載の検査モジュール。前記カメラが、少なくとも約950nm~少なくとも約1250nmの発光波長を検出するように構成されていることを特徴とする請求項5に記載の検査モジュール。前記カメラがInGaAsP焦点アレイを具えていることを特徴とする請求項5に記載の検査モジュール。第1光パルスをウェハーに指向させて、フォトルミネッセンスを発生させるステップと;第1時刻に、第1フォトルミネッセンス露光データを捕捉するステップと;前記第1時刻後の第2時刻に、第2フォトルミネッセンス露光データを捕捉するステップと;前記第2時刻後の第3時刻に、第3フォトルミネッセンス露光データを捕捉するステップと;第2光パルスを前記ウェハーに指向させて、フォトルミネッセンスを発生させるステップと;前記第1時刻に、第4フォトルミネッセンス露光データを捕捉するステップと;前記第2時刻に、第5フォトルミネッセンス露光データを捕捉するステップと;前記第3時刻に、第6フォトルミネッセンス露光データを捕捉するステップと;前記第1時刻における前記第1フォトルミネッセンス露光データと前記第4フォトルミネッセンス露光データとを組み合わせて、前記第1時刻における第1フォトルミネッセンス画像を生成するステップと;前記第2時刻における前記第2フォトルミネッセンス露光データと前記第5フォトルミネッセンス露光データとを組み合わせて、第2フォトルミネッセンス画像を生成するステップと;前記第3時刻における前記第3フォトルミネッセンス露光データと前記第6フォトルミネッセンス露光データとを組み合わせて、第3フォトルミネッセンス画像を生成するステップと;前記ウェハーの前記第1フォトルミネッセンス画像と、前記第2フォトルミネッセンス画像と、前記第3フォトルミネッセンス画像とを組み合わせて、前記ウェハーのフォトルミネッセンス減衰曲線を生成するステップとを含むことを特徴とする方法。前記第3時刻後の第4時刻に、第4フォトルミネッセンス露光データを捕捉するステップをさらに含み、前記組み合わせるステップが、前記第1フォトルミネッセンス露光データと、前記第2フォトルミネッセンス露光データと、前記第3フォトルミネッセンス露光データと、前記第4フォトルミネッセンス露光データとを組み合わせて、前記ウェハーのフォトルミネッセンス減衰曲線を生成することを含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。前記第4時刻後の第5時刻に、第5フォトルミネッセンス露光データを捕捉するステップをさらに含み、前記組み合わせるステップが、前記第1フォトルミネッセンス露光データと、前記第2フォトルミネッセンス露光データと、前記第3フォトルミネッセンス露光データと、前記第4フォトルミネッセンス露光データと、前記第5フォトルミネッセンス露光データとを組み合わせて、前記ウェハーのフォトルミネッセンス減衰曲線を生成することを含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。前記第1光パルスを前記ウェハーに指向させるステップの前に、前記ウェハーを検出するステップをさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。前記フォトルミネッセンス減衰曲線に基づいて、前記ウェハーのキャリア寿命を測定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。光をウェハーにパルス照射して、フォトルミネッセンスを発生させるステップと;第1時刻に第1フォトルミネッセンス露光データを捕捉するステップと;前記第1時刻後の第2時刻に、第2フォトルミネッセンス露光データを捕捉するステップと;前記第2時刻後の第3時刻に、第3フォトルミネッセンス露光データを捕捉するステップとを含み、前記第2フォトルミネッセンス露光データを捕捉するステップが、前記第1フォトルミネッセンス露光データを捕捉するステップ及び前記第3フォトルミネッセンス露光データを捕捉するステップの少なくとも一方に重複し、前記第1フォトルミネッセンス露光データと、前記第2フォトルミネッセンス露光データと、前記第3フォトルミネッセンス露光データとを組み合わせて、前記ウェハーのフォトルミネッセンス減衰曲線を生成するステップをさらに含むことを特徴とする方法。前記光をパルス照射するステップの前に、前記ウェハーを検出するステップをさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。前記フォトルミネッセンス減衰曲線に基づいて、前記ウェハーのキャリア寿命を測定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。第1の複数の光パルスをウェハーに指向させて、フォトルミネッセンスを発生させるステップと;第1時間遅延後に、前記第1の複数の光パルスにおける光パルス毎に、フォトルミネッセンス露光データを捕捉するステップと;第2の複数の光パルスを前記ウェハーに指向させて、フォトルミネッセンスを発生させるステップと;前記第1時間遅延とは異なる第2時間遅延後に、前記第2の複数の光パルスにおける光パルス毎に、フォトルミネッセンス露光データを捕捉するステップと;第3の複数の光パルスを前記ウェハーに指向させて、フォトルミネッセンスを発生させるステップと;前記第1時間遅延及び前記第2時間遅延とは異なる第3時間遅延後に、前記第3の複数の光パルスにおける光パルス毎に、フォトルミネッセンス露光データを捕捉するステップと;前記フォトルミネッセンス露光データから、前記ウェハーのフォトルミネッセンス減衰曲線を生成するステップとを含むことを特徴とする方法。前記第1の複数の光パルスを前記ウェハーに指向させるステップの前に、前記ウェハーを検出するステップをさらに含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。前記フォトルミネッセンス減衰曲線に基づいて、前記ウェハーのキャリア寿命を測定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。本発明のいくつかの態様及び特徴の基本的理解をもたらすために、以下の発明の概要を含める。この概要は、本発明の広範囲の概説ではなく、このため、本発明の主要または重要な要素を特に識別すること、あるいは、本発明の範囲を線引きすることを意図したものではない。その唯一の目的は、本発明のいくつかの概念を、以下に提示するより詳細な簡略化形式で提示することにある。本発明の態様によれば、シリコンウェハーの時間分解フォトルミネッセンス画像を生成するための撮像検査モジュールと、このシリコンウェハーを処理して光電池にするための複数の処理モジュールとを含むシステムが提供される。この撮像検査モジュールは、パルス光源及びカメラを含むことができる。この撮像検査モジュールはさらに、ウェハーセンサ、及びこれらのパルス光源及びカメラと通信するコントローラを含むことができる。上記複数の処理モジュールは、エッチング、拡散、ウェットエッチング、パシベーション及びARCantireflectioncoating:反射防止コーティング、スクリーン印刷スクリーンプリント、焼成、及びこれらの組合せから成るグループから選択することができる。上記撮像検査モジュールは第1撮像検査モジュールとすることができ、上記システムはさらに、上記複数の処理モジュールのうち2つの間に第2撮像検査モジュールを含むことができる。本発明の他の態様によれば、ウェハー内にフォトルミネッセンスを発生させるためのパルス光源と、このウェハーからフォトルミネッセンス露光データを捕捉するための電子衝撃型アクティブ画素センサを具えたカメラと、上記フォトルミネッセンス露光データから時間分解フォトルミネッセンス減衰曲線を生成するためのコンピュータとを含む検査モジュールが提供される。この検査モジュールは、ウェハーセンサと、上記パルス光源及び上記カメラと通信するコントローラとを含むこともできる。上記カメラは、少なくとも約950nm~少なくとも約1250nmの発光波長を検出するように構成することができる。上記カメラは、InGaAsP焦点アレイを含むことができる。本発明の他の態様によれば、光をウェハーにパルス照射してフォトルミネッセンスを発生させるステップと、第1時刻に第1フォトルミネッセンス露光データを捕捉するステップと、第1時刻後の第2時刻に第2フォトルミネッセンス露光データを捕捉するステップと、第2時刻後の第3時刻に第3フォトルミネッセンス露光データを捕捉するステップと、第1、第2、及び第3フォトルミネッセンス露光データを組み合わせて、上記ウェハーのフォトルミネッセンス減衰曲線を生成するステップとを含む。この方法は、第3時刻後の第4時刻に第4フォトルミネッセンス露光データを捕捉するステップを含むこともでき、上記組み合わせるステップは、第1、第2、第3、及び第4フォトルミネッセンス露光データを組み合わせて、上記ウェハーのフォトルミネッセンス減衰曲線を生成することを含むことができる。この方法は、第4時刻後の第5時刻に第5フォトルミネッセンス露光データを捕捉するステップを含むこともでき、上記組み合わせるステップは、第1、第2、第3、第4、及び第5フォトルミネッセンス露光データを組み合わせて、上記ウェハーのフォトルミネッセンス減衰曲線を生成することを含むことができる。光をパルス照射するステップは、第1時刻に光をパルス照射することを含み、上記方法は、第2時刻に光をウェハーにパルス照射してフォトルミネッセンスを発生させるステップを含むこともできる。上記方法は、上記第1時刻に第4フォトルミネッセンス露光データを捕捉するステップと、上記第2時刻に第5フォトルミネッセンス露光データを捕捉するステップと、上記第3時刻に第6フォトルミネッセンス露光データを捕捉するステップと、上記第1時刻における第1フォトルミネッセンス露光データと第4フォトルミネッセンス露光データとを組み合わせて、上記第1時刻における第1フォトルミネッセンス画像を生成するステップと、上記第2時刻における第2フォトルミネッセンス露光データと第5フォトルミネッセンス露光データとを組み合わせて、第2フォトルミネッセンス画像を生成するステップと、上記第3時刻における第3フォトルミネッセンス露光データと第6フォトルミネッセンス露光データとを組み合わせて、第3フォトルミネッセンス画像を生成するステップと、上記ウェハーの第1、第2及び第3フォトルミネッセンス画像を組み合わせて、このウェハーのフォトルミネッセンス減衰曲線を生成するステップとを含むこともできる。上記方法は、光をパルス照射する前に、上記ウェハーを検出するステップを含むこともできる。上記方法は、フォトルミネッセンス減衰曲線に基づいて、上記ウェハーのキャリア寿命を測定するステップを含むこともできる。上記ウェハーは光電池とすることができる。上記ウェハーはシリコンを含むことができる。本明細書に含まれ、本明細書の一部をなす以下の図面は、本発明の実施形態を例示するものであり、その説明と共に、本発明の原理を説明し例示する役割をする。これらの図面は、好適な実施形態の主要な特徴を、略図様式で例示することを意図したものである。これらの図面は、実際の実施形態のすべての特徴を表現することも、表現した要素の相対寸法を表現することも意図しておらず、原寸に比例していない。光電池を撮像して検査するための時間分解フォトルミネッセンス技術を開示する。フォトルミネッセンス強度はキャリア寿命に正比例し:即ち-IPL=cΔn=cTであり、ここに、nはキャリア電荷密度であり、cは定数であり、Tは寿命である。パルス光源がウェハーを点滅照射し、シリコン中に過剰キャリアを生成して、フォトルミネッセンスを発生させる。キャリア再結合の速度は、高速応答を有する光検出器を用いて、長時間にわたってフォトルミネッセンス減衰を撮像することによって監視する。フォトルミネッセンス減衰曲線を生成し、この曲線から有効寿命を抽出する。その結果、有効寿命が直接、測定される。以下、本発明の実施形態を、図1を参照しながら詳細に説明する。図1に、代表的な光電池100を例示する。この光電池は一般に、太陽光からのエネルギーを電気エネルギーに変換する半導体ウェハー104を含む。半導体ウェハー104は一般にシリコンであるが、他の材料を用いることができることは明らかである。金属接点108、112アノード陽極/カソード陰極リードを、半導体ウェハー104の一方の端に設けて、電気エネルギー120を収集する。電流源116を設けることもできる。図2Aは、レーザーパルス208に続いて、代表的なシリコンウェハーのフォトルミネッセンス減衰曲線200を示すグラフである。図2Aに示すように、レーザーパルスは、フォトルミネッセンスの寿命よりずっと短い即ち、フォトルミネッセンスの寿命約1μsに比べて、レーザーパルスは約50nsである。図2Bは、図2Aのフォトルミネッセンス減衰曲線200についての、代表的な露光シーケンスの強度プロットである。図2Bに示す線212の傾きは、上記寿命が約1μsであることを示している。図2Bの線212は、200ns間の露光を250ns毎に収集するカメラで捕捉したものである。図2Cは、図2Bのフォトルミネッセンス減衰の露光シーケンスを対数尺ログスケールに当てはめたものである。図2Cの線220の傾きは、上記寿命の逆数に等しい。図3に、本発明の実施形態による検査システム300を例示する。検査システム300は、コントローラ304、カメラ308、パルス光源312、及び光電池またはウェハー316を含む。システム300は、ウェハーセンサ320を含むこともできる。図4に示すように、システム300は、高効率の光学系400、筐体404、及び試験中のデバイス316用の支持部412を含むこともできる。再び図3を参照すれば、コントローラ304は、プロセッサ324及びメモリ328を含むことができる。コントローラ304は、タイミング回路を含むことができる。カメラ308をパルス光源312と共に用いて、光電池316のフォトルミネッセンス減衰を直接、監視する。一実施形態では、支持部412は静電チャックである。他の実施形態では、支持部412はコンベヤである。一実施形態では、検査システム300は、10×10cmまたは15×15cmの光電池を、約50~75cmの距離を隔てて撮像するように設計されている即ち、支持部412とカメラ308との間の距離は約50~75cmである。カメラ308は、システム300内で検査を受けている光電池からフォトルミネッセンス画像を捕捉する。カメラ308は、これらのフォトルミネッセンス画像を捕捉するように最適化することができ、そして、特定種類の光電池例えば、シリコン光電池から画像を捕捉するように最適化することができる。カメラ308は、微光に感応し、急速に即ち、1~2μs毎にオン/オフ切り換えすることができ、そして、シリコン発光の波長例えば、約950nm~1250nmに感応することを特徴とする。一実施形態では、カメラ308は電子衝撃型アクティブ画素センサEBAPS:electronbombardedactivepixelsensorである。EBAPSセンサを有する代表的なカメラは、米国特許第6657178号明細書特許文献2に開示され、その全文を参照する形で本明細書に含める。図5に、EBAPSセンサの詳細図を示す。図5に示すように、EBAPSセンサ500は、フェースプレート前面板504、フォトダイオード508、CCDまたはCMOS512裏面照射型CCD/CMOSとすることができる、及びパッケージ516を含む。フォトダイオード508とCCD/CMOSアノード512との間に、真空520が形成される。使用中には、フォトダイオード508によって形成された光子が電子を生成し、これらの電子は、フォトカソードによって放出され、高電圧によって加速される。加速された電子は、CCD/CMOSアノード512に衝突する。この電子はアノード512内で減速して、多数の二次電子を生成する。これらの一次電子、及び二次電子の大群は記録されて、CCD/CMOS512によって測定される。1つの特定実施形態では、カメラ308は、電子衝撃型EBの裏面照射型13メガ130万画素CMOSカメラであり、1秒当たり30フレームを捕捉することができる。一実施形態では、EBCMOSカメラがInGaAsP焦点アレイを使用し、これは、固有の暗電流を100倍以上低減し、InGsAs焦点アレイカメラに比べて、ずっと低い読出しノイズを有する。カメラ308は、電子衝撃ゲインを有して、光子毎の信号を拡大することもできる。図6は、シリコンについてのフォトルミネッセンススペクトル600即ち、約950nm~1250nm、約1150nmの所にピークを有する、従来技術のセンサの感度604、及び本発明の実施形態によるカメラの感度608を示すグラフである。図6に示すように、カメラ308は、線608によって証明されるように、線600で示すフォトルミネッセンススペクトルの全強度範囲を収集することができるのに対し、線604で示す従来型のシリコンセンサの感度は、1未満の範囲しか有しない。再び図3を参照すれば、パルス光源312が光を発生して、この光が光電池セル316内でフォトルミネッセンスを発生させる。一実施形態では、パルス光源312はパルスLEDまたはフラッシュランプ閃光電球である。一実施形態では、光源312は、約100ns未満の任意値または任意値域内でオン/オフ切り換えすることができ、パルス間の時間は約100kHz~5kHzである。パルス光源312は、光電池/ウェハー316に向けて光を指向させ、この光は可視光だけでなく、赤外光及び紫外光も含むことは明らかである。光電池316の寿命よりずっと短いパルスを使用する。このことは、カメラ308がウェハー316を、フォトルミネッセンス減衰に沿った複数時点で撮像することを可能にする。カメラ308は、調査中の材料の寿命と同じオーダーかそれより短い露光を捕捉する。シリコンの少数キャリアの寿命は、1μs弱から数msまで変化し得る。従って、カメラ308は、光パルスとほぼ同じ速度例えば、約100kHz~5kHzで露光を集積することができる。使用中には、光電池またはウェハー316は、カメラの視野内に位置決めされる。一実施形態では、センサ320を用いて、光電池/ウェハー316がカメラの視野内に位置決めされた時点を検出する。コントローラ304が、光電池/ウェハー316が適切な位置にあることの信号を受信すると、トリガ信号を、カメラ308及び光源312に送信することができる。次に、光電池/ウェハー316がカメラ308の視野内にある間に、パルス光源が点滅して、光電池/ウェハー316を2、3マイクロ秒間照射する。短い光バーストがウェハー316を照射し、フォトルミネッセンスグローが何マイクロ秒かの間に、明るくぼやけた状態から薄暗くくっきりした状態になる。適切な時間遅延後に、カメラの内部タイミング発生器が、第2トリガパルスをフォトカソード光電陰極のゲートに送信して、ウェハー316からのフォトルミネッセンスを捕捉する。カメラ308は、何十または何百マイクロ秒間か持続する薄暗いグローを捕捉する。光パルス、及びこれに遅延する露光は、1ミリ秒未満存在する。画像の読出しは33msを要し、プロセス全体を1秒当たり少なくとも20回の頻度で容易に行うことができる。次に、カメラ308が記録した画像を、コンピュータコントローラ304、あるいはカメラ308と通信する他のコンピュータに送信して分析する。次に、この情報をプロセス制御システムにフィードバックし、プロセスを何回か反復して、複数回の時間遅延後に、そして複数個のパルス後に、例えば図2Bに示すような露光データを収集する。次に、上記コンピュータは、露光データに線を当てはめて、例えば図2Cに示すようなフォトルミネッセンス減衰曲線を生成する。一実施形態では、上記コンピュータが、複数回のパルスに続く露光データどうしを組み合わせて、時間遅延毎の画像を生成する。上記コンピュータは、上記曲線の傾きを計算して、有効寿命を計算することもできる。上記コンピュータは、上記光電的曲線及び寿命情報を表示することができ、そして、光電池/ウェハー316についての情報、例えば全体効率、均一性、暗欠陥、等を提供することもできる。上記コンピュータは、光電池/ウェハー316の画像を表示することもできる。そして、この情報を用いて、光電池/ウェハー316を合格/不合格にし、グループ分けすることができ、これにより、太陽電池パネルを一貫した速度で製造することができる。上記コンピュータは、上記寿命情報を用いて、プロセス監視及び/または光電池/ウェハーの等級付けを提供することもできる。レーザーパルス幅及びカメラ露光時間がフォトルミネッセンス寿命と同じオーダーであれば、この寿命を抽出することもできることは明らかである。この場合は、最小二乗反復リコンボリューション再畳み込みを用いて、フォトルミネッセンス寿命を測定することができる。測定される減衰プロファイルは、レーザーパルス、カメラ露光プロファイル、及びフォトルミネッセンス寿命のコンボリューション畳み込みである。レーザーパルス及びカメラ露光プロファイルを測定し、そして、測定した減衰プロファイルに最も近い減衰プロファイルを生成する寿命が見つかるまで、これらの測定値を種々の寿命と共に畳み込むことができる。検査モジュール300を他の既知の検査技術と組み合わせて、光電池/ウェハー316についての追加的情報を収集することができることも明らかである。図7は、本発明の一実施形態による、フォトルミネッセンス寿命を測定するための時間分解プロセスを示す流れ図である。以下に説明するプロセス700は単なる例示であり、より少数またはより多数のステップを含むことができ、少なくとも一部のステップの順序を、以下に説明する順序から変更することができることは明らかである。図7に示すように、プロセス700は、ウェハーまたは光電池を検出することブロック702によって開始することができる。例えば、センサ320が、ウェハー/光電池316がカメラ308の下の定位置にあることを検出して、信号をコントローラ304に送信することができる。光源をパルス発光させてブロック704ウェハーを照射し、これによりウェハーをグロー発光させるブロック708。例えば、コントローラ304がトリガ信号304をパルス光源312に送信して、ウェハー/光電池316に向けてパルス発光することができる。次に、カメラが露光を捕捉するブロック712。例えば、上述したように、カメラ308がフォトルミネッセンスデータを露光として捕捉する。複数個の光パルスを発生させ、各光パルスに後続する露光データを捕捉することによって、このプロセスを何回か反復して、特定時点で画像を生成するのに十分な露光を生成することができる。一旦、十分な露光データを捕捉するとブロック716、時間遅延を発生させてブロック724、上記プロセスを再度反復する。例えば、上述したように、光源を1回以上パルス発光させて、カメラが露光データを捕捉する。フォトルミネッセンス減衰曲線を生成するのに十分な露光データが得られるまで、時間遅延に続く上記プロセスの再度の反復を複数回行う。一実施形態では、フォトルミネッセンス減衰曲線を生成するために、約5回~約50回の範囲内の時間遅延が発生する。5回より少ない時間遅延、あるいは50回より多い時間遅延を発生させることもできることは明らかである。一実施形態では、これらの時間遅延を2、3ナノ秒または2、3マイクロ秒だけ異ならせることができ、一実施形態では、これらの時間遅延を、約10ns~約200μsの間の任意の値または値の範囲で発生させることができる。この時間遅延は、10ns未満、あるいは200μs以上にすることができることは明らかである。一実施形態では、上記プロセスを、約10回~約2000回の範囲内で反復することができる。上記プロセスを、10回未満、あるいは2000回以上反復することができることは明らかである。一実施形態では、所定の時間遅延に対して、露光データを捕捉する回数を変化させる。例えば、減衰曲線の初めに信号が強い際には、上記プロセスを約10回~約100回反復するが、信号が弱い際には、上記プロセスを約100回~約2000回反復する。データ点または時間遅延毎に露光を収集することによって、信号対雑音比が改善される。例えば、図7A及び7Bに、上述したように、複数個のパルス750に対する複数回の露光の捕捉を例示する。図7Bでは、カメラ露光756に先行する時間遅延754は、時間遅延752より大きい。図7A及び7Bに示すように、好適なパルス間の時間は1ms以下である。再び図7を参照すれば、一旦、カメラが、フォトルミネッセンス減衰曲線を生成するのに十分な露光を捕捉するとブロック728、コンピュータにおいて、これらの露光を組み合わせて画像にし、種々の時間遅延における異なる画像に基づいてフォトルミネッセンス減衰曲線を生成するブロック732。上述したように、このフォトルミネッセンス減衰曲線を用いて、ウェハーの寿命を測定することができるブロック736。次に、この寿命を用いてウェハーを合格/不合格にする。一実施形態では、上記コンピュータが、ウェハーが合格であるか否かを判定する。他の実施形態では、上記コンピュータがこの寿命をディスプレイに出力して、人間のオペレータ操作員が、ウェハーが合格であるか否かを判定する。減衰曲線の測定が直接的であるので、較正を必要としない。データ収集は2、3秒間で行われ、その結果は、高い分解能のウェハー/光電池の寿命である。寿命の画像は、フォトルミネッセンスの輝度とは無関係であり、吸収または反射効果は存在しない。図8に示すように、試料の寿命が、照射源のパルス時間、あるいは撮像装置の最小露光時間より短い場合が存在する。照射と露光との間の遅延を、寿命よりも精密に制御することができれば、照射パルスより短いフォトルミネッセンス減衰からでさえも、正しい寿命を抽出することができる。この実施形態用には、EBAPSカメラが有利である、というのは、EBAPSカメラは固有のフィルタを有し、短波長の光には応答せず、このため、互いに重複する照射と露光を実行することができる。従って、光源312とカメラ308とが同時に動作することができる。図9Aに示すように、露光が照射パルスに時間的に重複するようなパルス列パルスチェーンを用いて、フォトルミネッセンス減衰曲線を生成する。図9Aに示すパルス列では、所定遅延時間をおいた単一回の露光を示すが、有用な画像を作り上げるための、特定遅延時間をおいた何十回~何千回の露光があり得る。重複する露光から構成した例示的な減衰曲線を図9Bに示す。最小二乗反復リコンボリューションのような統計的方法、あるいはモーメント法を用いて、図9Bに示す測定した減衰曲線からフォトルミネッセンス寿命を抽出することができる。図10に、検査システム1000の概略図を例示し、これは、コンベヤ1000を有する検査システム300を示す。図10に示すように、複数個の光電池316a~eを、コンベヤ1000上で、カメラ308及びパルス光源312の下に搬送する。パルス化されるフォトルミネッセンスは、ストロボ照射を使用するので、コンベヤベルトを停止する必要はない。最大処理能力を制限する要因は、もはや撮像サブシステムではなく、システムがウェハーを物理的に処理して搬送する能力であり、このことは、この検査システムを、インラインプロセス監視システムにおいて使用することを可能にする。図11に、好適なインラインプロセス監視システム1100を例示する。図11に示すように、ウェハー処理時間を増加させることなしに、モニターをプロセスライン中のどこにでも配置することができる、というのは、材料処理が速度を制限するステップである撮像はもはや、速度を制限するステップではないからである。好適なインライン処理システム1100では、システム1100が、検査システム300/1000、エッチング兼テクスチャモジュール1104、拡散モジュール1108、ウェットエッチングモジュール1112、パシベーション兼ARCモジュール1116、スクリーン印刷モジュール1120、焼成モジュール1124、及びテスト兼ソート並べ替えモジュール1128を含む。一実施形態では、コンベヤ1000がウェハー/光電池を、インライン処理システム1100を通して、検査モジュール300/1000からテスト兼ソートモジュール1128まで搬送する。図11に示すように、検査システム300/1000は、プロセスの始点に、結晶欠陥及びエッチング残留物を検査するためにエッチング兼テクスチャモジュール1104と拡散モジュール1108との間に、ドーパントの均一性及びクラックを監視するために拡散モジュール1108とウェットエッチングモジュール1112との間に、膜のパシベーション均一性及びクラックを監視するためにパシベーション兼ARCモジュール1116とスクリーン印刷モジュール1120との間に、金属化の欠陥及びクラックを監視するためにスクリーン印刷モジュール1120と焼成モジュール1124との間に、そしてソート及び分類用のテスト兼ソートモジュール1128として配置することができる。このことは、処理が始まる前にウェハーを除去すること、及び欠陥ウェハーをラインから除去することを可能にし、これにより、インライン検査全体を通して迅速に光電池を送る高効率が可能になり、かつ誤処理が回避される。一実施形態では、処理中の材料及び完成品の光電池のフォトルミネッセンス画像を、1時間当たり3600枚のウェハーについて収集する。その利点は、歩留まりの増加、より厳密なプロセス制御による光電池効率の改善、及び処理コストの低減を含む。図12に、マシンの概略的表現を、例示的なコンピュータシステム1200の形式で示し、このシステム内で一組の命令を実行して、本明細書で説明する方法の1つ以上をこのマシンに実行させることができる。代案の実施形態では、マシンが独立型スタンドアロン装置として動作するか、マシンを他のマシンと接続例えばネットワーク接続することができる。ネットワーク化の展開では、上記マシンがサーバー-クライアントネットワーク環境内のサーバーまたはクライアントマシンとして、あるいは、ピアツーピアまたは分散環境内のピアマシンとして動作することができる。上記マシンは、サーバー、パーソナルコンピュータPC:personalcomputer、タブレットPC、セットトップボックスSTB:settopbox、ウェブ機器、ネットワークルータ、スイッチまたはブリッジ、あるいは、当該マシンが行う動作を指定した一組の順序的であるか、そうでない命令を実行することのできる他のあらゆるマシンとすることができる。さらに、単一のマシンを図示しているが、マシンとは、本明細書で説明する方法の1つ以上を実行するための一組または複数組の命令を、個別に、あるいは連帯して実行するマシンの任意の集合を含むものと解釈することもできる。好適なコンピュータシステム1200は、プロセッサ1202例えば、中央処理装置CPU:centralprocessingunit、グラフィック処理装置GPU:graphicsprocessingunit、または両者、メインメモリ主記憶装置1204例えば、リードオンリー読出し専用メモリROM:readonlymemory、フラッシュメモリ、ダイナミックランダムアクセスメモリDRAM:dynamicrandomaccessmemory、例えば同期型DRAMSDRAM:synchronousDRAMまたはランバスDRAMRDRAM:RambusDRAM等を含み、これらはバス1208を介して互いに通信する。コンピュータシステム1200はさらに、ビデオ表示装置1210例えば液晶ディスプレイLCD:liquidcrystaldisplayまたは陰極線管CRT:cathoderaytubeを含むことができる。コンピュータシステム1200は、英数字入力装置1212例えばキーボード、カーソル制御装置1214例えばマウス、ディスク駆動装置1216、信号発生装置1220例えばスピーカ、及びネットワークインタフェース装置1222も含む。ディスク駆動装置1216はコンピュータ可読媒体1224を含み、この媒体上に、本明細書で説明する方法または機能の1つ以上を具現するための一組以上の命令例えばソフトウェア1226が記憶されている。ソフトウェア1226は、コンピュータシステム1200によるその実行中に、全体的に、あるいは少なくとも部分的に、メインメモリ1204内、及び/またはプロセッサ1202内に駐在することもでき、メインメモリ1204及びプロセッサ1202も、コンピュータ可読媒体を構成する。ソフトウェア1226はさらに、ネットワークインタフェース装置を1222介して、ネットワーク1228上で送信または受信することができる。好適な実施形態では、コンピュータ可読媒体1224を単一媒体として示しているが、コンピュータ可読媒体とは、一組以上の命令を記憶する単一媒体または複数媒体例えば、集中型または分散型データベース、及び/またはこれに関連するキャッシュ及びサーバーを含むものとして解釈すべきである。コンピュータ可読媒体とは、上記マシンによって実行されて、本発明の方法の1つ以上を上記マシンに実行させるための一組の命令を記憶、符号化、または搬送することのできる、あらゆる有形媒体を含むものとしても解釈すべきである。従って、コンピュータ可読記憶媒体とは、これらに限定されないが、固体メモリ、光媒体、及び磁気媒体を含むものとして解釈される。なお、上記コンピュータは、特定機能を実行し、互いに相互作用する種々のモジュールを有するものとして、本明細書に例示して説明している。なお、これらのモジュールは、説明のため、単にそれらの機能を基に分けており、コンピュータのハードウェア、及び/または、適切なコンピュータハードウェア上での実行用にコンピュータ可読媒体上に記憶された実行可能なソフトウェアコードを表す。異なるモジュール及び装置の種々の機能は、ハードウェア、及び/または上記のようなコンピュータ可読媒体上に記憶されたソフトウェアとして、任意様式のモジュールとして組み合わせるか分離することができ、そして、別個に、あるいは組み合わせて使用することができる。本明細書で説明したプロセス及び技術は、特定装置に本質的に関係するものではなく、あらゆる適切な構成要素の組合せによって実現することができる。さらに、各種の汎用装置を、本明細書に記載した教示に従って使用することができる。本明細書で説明した方法のステップを実行すべく特化した装置を構成することが、有利であることも分かっている。本発明は、特定の例に関連して説明してきたが、これらの例は、あらゆる点で、限定的でなく例示的なものであることを意図している。多数の異なるハードウェア、ソフトウェア、及びファームウェアの組合せが、本発明を実施するのに適していることは、当業者にとって明らかである。これらのコンピュータ装置は、PC、ハンドセット、サーバー、PDApersonaldigitalassistant:個人用携帯情報端末、あるいは、媒体上に記録されているコンピュータ可読の命令に応答して、開示した機能を実行することのできる他のあらゆる装置または装置の組合せとすることができる。従って、本明細書で用いるコンピュータシステムとは、こうした装置または装置の組合せのあらゆるものを称する。さらに、本明細書を検討して、開示された発明を実施することにより、本発明の他の実現も、当業者にとって明らかである。説明した実施形態の種々の態様及び/または構成要素は、単独でも、任意の組み合わせでも用いることができる。本明細書で説明したプロセス及び技術は、特定装置に本質的に関係するものではなく、構成要素のあらゆる適切な組合せによって実現することができる。本発明は、特定の例に関連して説明してきたが、これらの例は、あらゆる点で、限定的でなく例示的なものであることを意図している。多数の異なる組合せが、本発明を実施するのに適していることは、当業者にとって明らかである。本明細書及び上記の例は好適なものに過ぎず、本発明の真の範囲は、以下の特許請求の範囲に示されていることを意図している。