基板と、前記基板に形成され、入射した光の光量に応じた信号電荷を生成、蓄積する光電変換部と、前記光電変換部の深さに応じて前記基板の一方の面側から深さ方向に形成された溝部に埋め込まれて形成された縦型の転送ゲート電極と、前記転送ゲート電極の底部に形成され、前記光電変換部に蓄積された信号電荷をオーバーフローさせるオーバーフローパスと、を備える固体撮像装置。前記転送ゲート電極に隣接する領域に、前記光電変換部からの信号電荷が転送されるフローティングディフュージョン領域を備え、前記オーバーフローパスは、前記光電変換部と前記フローティングディフュージョン領域とを接続する請求項1に記載の固体撮像装置。前記転送ゲート電極が形成された前記溝部の周囲は、界面準位調整用の第1導電型、又は第2導電型の不純物イオン注入領域が形成されている請求項2に記載の固体撮像装置。前記光電変換部は、単位画素内において前記基板の深さ方向に複数層形成され、各光電変換部の電荷蓄積領域となる第2導電型半導体領域は接続され、前記オーバーフローパスに接続されている請求項3に記載の固体撮像装置。前記光電変換部は、単位画素内において、前記基板の深さ方向に複数層形成され、各光電変換部に対応して前記転送ゲート電極が複数形成されている請求項3に記載の固体撮像装置。基板に、フォトダイオードからなる光電変換部を形成する工程と、前記基板の光電変換部が形成された領域に隣接する領域に、前記光電変換部の電荷蓄積領域となる第2導電型の半導体領域に接続可能な深さに、第2導電型の半導体領域からなるオーバーフローパスを形成する工程と、前記光電変換部に隣接し、前記オーバーフローパスとなる第2導電型の半導体領域上部に、溝部を形成する工程と、前記溝部に、ゲート絶縁膜を介して電極材料を埋め込み、縦型の転送ゲート電極を形成する工程と、前記転送ゲート電極に隣接する領域に、前記オーバーフローパスとなる第2導電型半導体領域に接続する、第2導電型の半導体領域からなるフローティングディフュージョン領域を形成する工程と、を含む固体撮像装置の製造方法。前記溝部に転送ゲート電極を形成する前の工程において、前記溝部の側面及び底面に、第1導電型、又は第2導電型の半導体領域からなる界面準位調整用の不純物イオン注入領域を形成する工程を含む請求項6に記載の固体撮像装置の製造方法。基板に、フォトダイオードからなる光電変換部を形成する工程と、前記基板上に、前記基板の光電変換部が形成された領域に隣接する所望の領域を開口する開口部を有するマスクを形成し、前記マスクを介してエッチングすることにより、所望の深さの溝部を形成する工程と、前記マスクを介して第2導電型の不純物をイオン注入することにより、オーバーフローパスとなる第2導電型の半導体領域をセルフアラインで形成する工程と、前記溝部内にゲート絶縁膜を介して電極材料を埋め込み、縦型の転送ゲート電極を形成する工程と、前記転送ゲート電極に隣接する領域に、第2導電型の半導体領域からなるフローティングディフュージョン領域を、前記オーバーフローパスと接続するように形成する工程と、を含む固体撮像装置の製造方法。前記溝部に転送ゲート電極を形成する前の工程において、前記溝部の側面及び底面に、第1導電型、又は第2導電型の半導体領域からなる界面準位調整用の不純物イオン注入領域を形成する工程を含む請求項8に記載の固体撮像装置の製造方法。光学レンズと、前記光学レンズに集光された光が入射される固体撮像装置と、前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路を備え、前記固体撮像装置は、基板と、前記基板に形成され、入射した光の光量に応じた信号電荷を生成、蓄積する光電変換部と、前記光電変換部の深さに応じて前記基板の一方の面側から深さ方向に形成された溝部に埋め込まれて形成された縦型の転送ゲート電極と、前記転送ゲート電極の底部に形成され、前記光電変換部に蓄積された信号電荷をオーバーフローさせるオーバーフローパスとを備える電子機器。ところで、従来の裏面照射型の固体撮像装置や、P型の半導体基板を用いて構成される表面型の固体撮像装置では、フォトダイオードの飽和電荷量を越えて生成された信号電荷は、基板の光入射面側と反対側に排出できない。このため、このような固体撮像装置では、フォトダイオードの飽和電荷量を超えた信号電荷を、フローティングディフュージョンにオーバーフローするラテラルオーバーフロー構造が採られる。そして、特許文献1のような縦型の転送トランジスタを備える固体撮像装置では、強い光により、飽和電荷量を超えた信号電荷は、転送トランジスタの転送チャネルを通ってフローティングディフュージョンに排出される構成とされている。特許文献1のように、オーバーフローする信号電荷が縦型の転送トランジスタの転送チャネルを通る構成では、基板に掘り込んで形成された縦型ゲート電極の側周部を通る。このため、縦型ゲート電極の形状や形成位置のばらつきがある場合、オーバーフローする信号電荷の経路が変化してしまうため飽和電荷量のばらつき、ダイナミックレンジの減少、歩留まりの低下が引き起こされる可能性が高い。また、このような構造では、信号電荷の転送時の転送経路と、オーバーフローさせる場合の経路とがほぼ同一となり、設計が困難と成り得る。上述の点に鑑み、本開示は、縦型の転送トランジスタを備える固体撮像装置において、飽和電荷量のばらつきが低減され、歩留まりの向上が図られた固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。本開示の固体撮像装置は、基板と、基板に形成され、入射した光の光量に応じた信号電荷を生成、蓄積する光電変換部と、光電変換部の深さに応じて前記基板の一方の面側から深さ方向に形成された溝部に埋め込まれて形成された縦型の転送ゲート電極を備える。また、転送ゲート電極の底部に形成され、光電変換部に蓄積された信号電荷をオーバーフローさせるオーバーフローパスを備える。本開示の固体撮像装置では、オーバーフローパスが縦型の転送ゲート電極の底部を通るように形成されるため、画素内において、通常の信号電荷の転送経路と、信号電荷をオーバーフローさせる場合の経路を別に設計できる。本開示の固体撮像装置の製造方法は、基板に、フォトダイオードからなる光電変換部を形成する工程を有する。また、基板の光電変換部が形成された領域に隣接する領域に、光電変換部の電荷蓄積領域となる第2導電型の半導体領域に接続可能な深さに、第2導電型の半導体領域からなるオーバーフローパスを形成する工程を有する。また、光電変換部に隣接し、オーバーフローパスとなる第2導電型の半導体領域上部に、溝部を形成する工程と、溝部にゲート絶縁膜を介して電極材料を埋め込み、縦型の転送ゲート電極を形成する工程を有する。また、転送ゲート電極に隣接する領域に、オーバーフローパスとなる第2導電型の半導体領域に接続する、第2導電型の半導体領域からなるフローティングディフュージョン領域を形成する工程を有する。本開示の固体撮像装置の製造方法では、溝部を形成する前にオーバーフローパスが形成される。そして、転送ゲート電極底部に位置するオーバーフローパスと、フローティングディフュージョン領域の下層に位置するオーバーフローパスとを同時に形成することができる。本開示の他の固体撮像装置の製造方法は、基板に、フォトダイオードからなる光電変換部を形成する工程を有する。また、基板上に、光電変換部が形成された領域に隣接する所望の領域を開口する開口部を有するマスクを形成し、マスクを介してエッチングすることにより、所望の深さの溝部を形成する工程を有する。また、マスクを介して第2導電型の不純物をイオン注入することにより、オーバーフローパスとなる第2導電型の半導体領域をセルフアラインで形成する工程を有する。また、溝部内にゲート絶縁膜を介して電極材料を埋め込み、縦型の転送ゲート電極を形成する工程を有する。また、転送ゲート電極に隣接する領域に、第2導電型の半導体領域からなるフローティングディフュージョン領域をオーバーフローパスと接続するように形成する。本開示の他の固体撮像装置の製造方法では、オーバーフローパスとなる第1の第2導電型半導体領域を、溝部を形成する際のマスクと同一のマスクにより形成する。これにより、転送ゲート電極の底部に、オーバーフローパスとなる第1の第2導電型半導体領域がセルフアラインで形成される。本開示の電子機器は、光学レンズと、光学レンズに集光された光が入射される、上述した本開示の固体撮像装置と、固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路を備える。本開示の電子機器では、固体撮像装置において、オーバーフローパスが転送ゲート電極の底部に形成されるので、画素内において、通常の信号電荷の転送経路と、信号電荷をオーバーフローさせる場合の経路を別に設計できる。これにより、画質の向上が図られる。本開示によれば、縦型の転送トランジスタを備える固体撮像装置において、飽和電荷量のばらつきが低減され、歩留まりの向上が図られる。以下に、本開示の実施形態に係る固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器の一例を、図1~図15を参照しながら説明する。本開示の実施形態は以下の順で説明する。なお、本開示は以下の例に限定されるものではない。1.第1の実施形態:固体撮像装置1-1固体撮像装置全体の構成1-2要部の構成1-3製造方法1-4動作説明1-5変形例11-6変形例22.第2の実施形態:固体撮像装置の製造方法3.第3の実施形態:固体撮像装置の製造方法4.第4の実施形態:固体撮像装置5.第5の実施形態:電子機器1.第1の実施形態:固体撮像装置[1-1固体撮像装置全体の構成]図1は、本開示の第1の実施形態に係るCMOS型の固体撮像装置の全体を示す概略構成図である。本実施形態例の固体撮像装置1は、シリコンからなる基板11上に配列された複数の画素2から構成される画素領域3と、垂直駆動回路4と、カラム信号処理回路5と、水平駆動回路6と、出力回路7と、制御回路8等を有して構成される。画素2は、フォトダイオードからなる光電変換部と、複数の画素トランジスタとから構成され、基板11上に2次元アレイ状に規則的に複数配列される。画素2を構成する画素トランジスタは、転送トランジスタ、リセットトランジスタ、選択トランジスタ、アンプトランジスタで構成される4つのMOSトランジスタであってもよく、また、選択トランジスタを除いた3つのトランジスタであってもよい。画素領域3は、2次元アレイ状に規則的に複数配列された画素2から構成される。画素領域3は、実際に光を受光し光電変換によって生成された信号電荷を増幅してカラム信号処理回路5に読み出す有効画素領域と、黒レベルの基準になる光学的黒を出力するための黒基準画素領域図示せずとから構成されている。黒基準画素領域は、通常は、有効画素領域の外周部に形成されるものである。制御回路8は、垂直同期信号、水平同期信号及びマスタクロックに基づいて、垂直駆動回路4、カラム信号処理回路5、及び水平駆動回路6等の動作の基準となるクロック信号や制御信号などを生成する。そして、制御回路8で生成されたクロック信号や制御信号などは、垂直駆動回路4、カラム信号処理回路5及び水平駆動回路6等に入力される。垂直駆動回路4は、例えばシフトレジスタによって構成され、画素領域3の各画素2を行単位で順次垂直方向に選択走査する。そして、各画素2のフォトダイオードにおいて受光量に応じて生成した信号電荷に基づく画素信号を、垂直信号線を通してカラム信号処理回路5に供給する。カラム信号処理回路5は、例えば、画素2の列毎に配置されており、1行分の画素2から出力される信号を画素列毎に黒基準画素領域図示しないが、有効画素領域の周囲に形成されるからの信号によって、ノイズ除去や信号増幅等の信号処理を行う。カラム信号処理回路5の出力段には、水平選択スイッチ図示せずが水平信号線10とのあいだに設けられている。水平駆動回路6は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路5の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路5の各々から画素信号を水平信号線10に出力させる。出力回路7は、カラム信号処理回路5の各々から水平信号線10を通して、順次に供給される信号に対し信号処理を行い出力する。[1-2要部の構成]図2に、本実施形態例の固体撮像装置1の単位画素2におけるフォトダイオードPDと転送トランジスタTrを含む領域の平面構成を示し、図3に、図2のA-A線上の沿う断面構成を示す。また、以下の説明では、第1導電型をp型、第2導電型をn型として説明する。本実施形態例の固体撮像装置1は、n型、又はp型のシリコンからなる半導体基板30に形成されたp型のウェル領域21に、フォトダイオードPD及び複数の画素トランジスタTrからなる画素2が形成されている。図2及び図3では、複数の画素トランジスタのうち、縦型トランジスタで構成された転送トランジスタTrのみ図示し、他の画素トランジスタは図示を省略する。各画素2は、p型半導体領域からなる画素分離領域22により区画された領域内に形成されている。単位画素2では、半導体基板30内の深さ方向に複数層図3では2層に形成された第1及び第2フォトダイオードPD1、PD2を備える。第1及び第2フォトダイオードPD1、PD2は、光電変換素子を構成するものであり、半導体基板30の深さ方向に順に形成されたp型半導体領域23、n型半導体領域24、p型半導体領域25、n型半導体領域26で構成されている。半導体基板30の表面側に形成された第1フォトダイオードPD1は、主に、半導体基板30の最表面に形成されたp型半導体領域23とその下層に形成されたn型半導体領域24との間のpn接合jaで構成されている。そして、第1フォトダイオードPD1のn型半導体領域24は電荷蓄積領域とされ、第1フォトダイオードPD1で生成された信号電荷はn型半導体領域24に蓄積される。第2フォトダイオードPD2は、主に、第1フォトダイオードPD1の電荷蓄積領域となるn型半導体領域24の下層に形成されたp型半導体領域25と、その下層に形成されたn型半導体領域26との間のpn接合jbで構成されている。そして、第2フォトダイオードPD2のn型半導体領域26は電荷蓄積領域とされ、第2フォトダイオードPD2で生成された信号電荷は、n型半導体領域26に蓄積される。縦型の転送トランジスタTrは、半導体基板30の表面側から深さ方向に垂直に延びる転送ゲート電極20と、転送ゲート電極20に近接して形成されたフローティングディフュージョン領域FDとで構成されている。転送ゲート電極20は、半導体基板30の深さ方向に形成された溝部29内に形成された柱状の埋め込み電極20aと、埋め込み電極20a上部において、半導体基板30表面に張り出すように形成された表面電極20bとで構成されている。これらの埋め込み電極20a及び表面電極20bは例えばポリシリコンで構成されており、それぞれ、溝部29内、及び半導体基板30表面に、例えば酸化膜で構成されるゲート絶縁膜28を介して形成されている。フローティングディフュージョン領域FDは、半導体基板30の表面側に形成された高濃度のn型半導体領域で構成されており、転送ゲート電極20の表面電極20bに近接するように形成されている。そして、転送トランジスタTrは、図2に示すように単位画素2の端、すなわち、フォトダイオードPDが形成された領域の端に形成されている。半導体基板30の深さ方向に形成された縦型の転送ゲート電極20を形成するための溝部29の内周面には、ゲートの界面準位調整用の不純物イオン注入領域33が形成される。本実施形態例では、不純物イオン注入領域33として、暗電流を抑制するための高濃度のp型半導体領域が形成されている。p型半導体領域からなる不純物イオン注入領域33は、溝部29を選択エッチングなどで形成したときの結晶欠陥や歪みに起因してゲート絶縁膜28と半導体基板30との界面から発生する暗電流、白傷となる電荷電子を再結合させて消滅させる機能を有する。さらに、第1及び第2フォトダイオードPD1、PD2の転送ゲート電極20側の領域では、それぞれのフォトダイオードのn型半導体領域24、26とを電気的に接続するn型半導体領域からなる転送路32が形成されている。転送路32を形成するために、第2フォトダイオードPD2を構成するp型半導体領域25が転送ゲート電極20の埋め込み電極20aから所要の距離だけオフセットして形成されている。つまり、p型半導体領域25は、転送路32の幅の分だけ埋め込み電極20aから離れて形成されている。転送路32が形成されることにより、第1フォトダイオードPD1のn型半導体領域24と第2フォトダイオードPD2のn型半導体領域26との間で信号電荷が移動可能となる。そして、本実施形態例の固体撮像装置1では、第1及び第2フォトダイオードPD1、PD2とフローティングディフュージョン領域FDとの間にオーバーフローパス27が形成されている。このオーバーフローパス27は、埋め込み電極20aの底部に形成された第1のn型半導体領域27aとフローティングディフュージョン領域FDの下層に形成された第2のn型半導体領域27bとで構成される。また、オーバーフローパス27を構成する第1及び第2のn型半導体領域27a、27bは、転送路32を構成するn型半導体領域よりも低濃度に形成されている。そして、オーバーフローパス27は、転送路32、不純物イオン注入領域33、及びフローティングディフュージョン領域FDに接するように形成されている。このオーバーフローパス27により、フォトダイオードPDから溢れた信号電荷eは、図3に示すように、埋め込み電極20aの底部を通り、フローティングディフュージョン領域FDに排出される。また、本実施形態例では、図示を省略するが、半導体基板30の表面側に、他の画素トランジスタを構成するリセットトランジスタ、増幅トランジスタ、選択トランジスタ等が画素毎に形成されている。さらに、図示しないが、半導体基板30の表面側には、層間絶縁膜を介して複数層の配線を配置した多層配線層が形成されている。また、本実施形態例の固体撮像装置1は、光Lを半導体基板30の裏面側から照射する裏面照射型の固体撮像装置として構成されている。このため、図示を省略するが、半導体基板30の裏面側には、n型半導体領域26に接するように暗電流抑制のためのp型半導体領域が高濃度に形成される。さらに、半導体基板30の裏面側には、図示を省略するが、平坦化膜を介してカラーフィルタ層、及びオンチップレンズが画素毎に形成される。[1-3動作説明]次に、本実施形態例の固体撮像装置1の動作を説明する。電荷蓄積時には、半導体基板30の裏面側から入射した光が第1及び第2フォトダイオードPD1、PD2に吸収され、光電変換されることにより、光量に応じた信号電荷が生成される。生成された信号電荷本実施形態例では電子は、ポテンシャル勾配にしたがってn型半導体領域24、26に移動し、ポテンシャルエネルギーが最小となるところで蓄積される。すなわち、第1フォトダイオードPD1ではn型半導体領域24に蓄積され、第2フォトダイオードPD2ではn型半導体領域26に蓄積される。各n型半導体領域24、26は完全に空乏化しており、そのポテンシャルに信号電荷が蓄積される。そして、強い光が入射された場合、生成される信号電荷は多くなり、第1及び第2フォトダイオードPD1、PD2のいずれかの飽和電荷量を超える。そうすると、その飽和電荷量を超えた信号電荷は、転送路32のポテンシャルを越えて、他の飽和に達していないフォトダイオードのn型半導体領域に蓄積される。一例として、最初に第1フォトダイオードPD1のn型半導体領域24が飽和電荷量に達すると、その飽和電荷量を超えた信号電荷は、転送路32を通り隣接する第2フォトダイオードPD2のn型半導体領域24に蓄積される。第2フォトダイオードPD2のn型半導体領域26が飽和電荷量に達すると、その飽和電荷量を超えた信号電荷eは転送ゲート電極20の底部に形成されたオーバーフローパス27を通ってフローティングディフュージョン領域FDに移動する。本実施形態例の固体撮像装置1では、半導体基板30の深さ方向に複数のフォトダイオードPDPD1、PD2を積層し転送路32を介して各n型半導体領域24、26を接続している。そして、電荷蓄積時に、いずれかのフォトダイオードPDPD1、PD2で飽和電荷量に達すると、その飽和電荷量を越えた信号電荷は転送路32を介して他の飽和していないフォトダイオードPDPD1、PD2に蓄積される。この構成により、画素サイズを微細化した場合でも、単位画素当たりの実効的な飽和電荷量が増加し、ダイナミックレンジを大きくでき、コントラストを向上することができる。一方、電荷転送時には、転送ゲート電極20に所望の転送パルスが印加されることにより、転送ゲート電極20の周囲に形成された転送路32の電位が深くなる。これにより、第1及び第2フォトダイオードPD1、PD2に蓄積された信号電荷は、主に、半導体基板30の表面側の転送路32を通り、縦型の転送ゲート電極20を回り込んでフローティングディフュージョン領域FDに読み出される。すなわち、本実施形態例では、通常の信号電荷の転送経路とオーバーフローパス27が分離されるので、信号電荷の転送とオーバーフローパス27の設計自由度が増加し、独立に最適化することができる。さらに、転送トランジスタTrを縦型トランジスタとして構成すると共に、転送トランジスタTrを画素2の端に形成することにより、フォトダイオードPDの面積を大きくとることができ、単位体積当たりの飽和電荷量を増加することができる。縦型の転送ゲート電極20の全体を覆ってp型半導体領域からなる不純物イオン注入領域33を形成したことにより、埋め込み電極20aの側面及び底部に存在する欠陥などに起因する暗電流の発生を抑制し、白傷の発生を抑制することができる。図4に比較例に係る固体撮像装置の単位画素の平面構成を示し、図5に図4のB-B線上に沿う断面構成を示す。図4及び図5において、図2及び図3に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。図4及び図5は、図2及び図3のオーバーフローパス27が形成されておらず、図4及び図5に示す固体撮像装置では、半導体基板30表面の埋め込み電極20aを囲む領域がオーバーフローパス80を構成する。比較例では、電荷蓄積時において、第1及び第2フォトダイオードPD1、PD2の飽和電荷量を超えた信号電荷eは、図4及び図5の矢印で示すように、埋め込み電極20aを回り込んでフローティングディフュージョン領域FDに排出される。比較例における固体撮像装置は、オーバーフローパス80は、通常の信号電荷の転送路としても用いられる経路である。図5では、オーバーフローパス80は図示されないが、図4に示すように、オーバーフローパス80は埋め込み電極20aの周りに形成されるため、埋め込み電極20aの径よりも大きい範囲に形成する必要がある。そして、比較例の固体撮像装置では、埋め込み電極20aの形状や形成位置がばらつくと、オーバーフローパス80の領域内での電位の印加状態にばらつきが発生してしまう。そうすると、飽和電荷量のばらつきや、ダイナミックレンジの減少、歩留まりの低下が引き起こされる。また、比較例の固体撮像装置において、オーバーフローパス80に対して埋め込み電極20aの位置が変動すると、オーバーフローが加速される可能性があり、飽和電荷量の低下を引き起こす。このように、比較例の固体撮像装置では、埋め込み電極20aの形状や形成位置のばらつきが品質に直接的に影響しやすい構成である。これに対し、本実施形態例では、オーバーフローパス27は、埋め込み電極20aの底部に形成されればよく、転送路32とフローティングディフュージョン領域FDを接続する範囲に形成されればよい。したがって、本実施形態例では、オーバーフローパス27の埋め込み電極20a底部における形成領域は、図2に示すように、半導体基板30に柱状に形成された転送ゲート電極20の埋め込み電極20aの外径とほぼ同じ程度にまで縮小して形成することができる。これにより、余分な領域にオーバーフローパス用のn型半導体領域を形成する必要がなく、埋め込み電極20aの製造ばらつきに対してロバストな構造となる。[1-4製造方法]図6~図8は、本実施形態例の固体撮像装置1の製造工程図である。図6~図8を用いて、本実施形態例の固体撮像装置1の製造方法について説明する。まず、図6Aに示すように、半導体基板30のp型のウェル領域21に、表面側からのイオン注入により第1及び第2フォトダイオードPD1、PD2のn型半導体領域24、26、及び転送路32を構成するn型半導体領域を形成する。その後、半導体基板30の表面側からp型の不純物をイオン注入することにより、第2フォトダイオードPD2のp型半導体領域25を所要の位置に形成する。また、画素分離領域22は、半導体基板30の各画素2を区画する位置には、p型の不純物領域を高濃度にイオン注入することにより形成する。次に、図6Bに示すように、半導体基板30の表面に、例えばCVDChemicalVaporDeposition法で形成されたSiNからなる絶縁膜31を成膜し、転送ゲート電極20を形成する部分に対応して、半導体基板30表面を露出する開口部31aを形成する。そして、その開口部31aが形成された絶縁膜31をマスクとして、半導体基板30を所望の深さにまでエッチング除去する。これにより、半導体基板30の転送ゲート電極20が形成される領域に溝部29を形成する。続いて、同じく開口部31aが形成された絶縁膜31をマスクとし、p型の不純物をイオン注入することにより、図6Cに示すように、溝部29の側面及び底面に界面準位調整用の不純物イオン注入領域33を形成する。このとき、溝部29の側面には、チルト角をつけた斜めイオン注入によりp型半導体領域からなる不純物イオン注入領域33を形成する。次に、同じく開口部31aが形成された絶縁膜31をマスクとして、n型の不純物をイオン注入することにより、図7Dに示すように、不純物イオン注入領域33よりも下層にオーバーフローパス27を構成する第1のn型半導体領域27aを形成する。このとき、イオン注入されたn型不純物の拡散により、第1のn型半導体領域27aは絶縁膜31の開口部31aよりも大きい領域に形成される。また、第1及び第2フォトダイオードPD1、PD2側では、転送路32を構成するn型半導体領域に接するようにオーバーフローパス27を構成する第1のn型半導体領域27aを形成する。オーバーフローパス27を構成する第1のn型半導体領域27aは、そのポテンシャルが、第1及び第2フォトダイオードPD1、PD2を構成するn型半導体領域24、26や転送路32を構成するn型半導体領域のポテンシャルよりも浅くなるように形成する。本実施形態例では、オーバーフローパス27を構成する第1のn型半導体領域27aは、転送ゲート電極20を埋め込む溝部29を形成するための絶縁膜31からなるマスクを用いて形成することができる。この結果、転送ゲート電極20が形成される部分の直下にセルフアラインで形成することができる。また、溝部29の形成後にオーバーフローパス27を構成する第1のn型半導体領域27aを形成するため、オーバーフローパス27を、溝部29の底部から一定の距離に精度良く形成できる。次に、図7Eに示すように、マスクとして用いた絶縁膜31を除去し、その後、溝部29の内周面を含む半導体基板30の表面にゲート絶縁膜28を形成する。ゲート絶縁膜28としては、例えばシリコン酸化膜を用いることができる。次に、溝部29内に埋め込むように、かつ、半導体基板30の表面を被覆するように、例えばポリシリコン膜からなるゲート電極材料を形成し、パターニングする。これにより、図7Fに示すように、半導体基板30表面に張り出す表面電極20bと溝部29内に埋め込まれた柱状の埋め込み電極20aからなる転送ゲート電極20を形成する。このとき、図示を省略するが、半導体基板30の表面側には、他の画素トランジスタを構成するゲート電極も形成する。次に、図8Gに示すように、第1及び第2フォトダイオードPD1、PD2が形成された領域と、転送ゲート電極20を介して隣接する領域であって、フローティングディフュージョン領域FDが形成される領域を開口するフォトレジスト膜34を形成する。続いて、先に形成したオーバーフローパス27を構成する第1のn型半導体領域27aとほぼ同じ深さに、n型の不純物をイオン注入することで第2のn型半導体領域27bを形成する。この第2のn型半導体領域27bと、転送ゲート電極20の底部に形成された第1のn型半導体領域27aとにより、オーバーフローパス27が構成される。その後、表面側に、n型の不純物を、オーバーフローパス27を構成する不純物濃度よりも高濃度にイオン注入することで、フローティングディフュージョン領域FDを形成する。フローティングディフュージョン領域FDの深さは、転送ゲート電極20の埋め込み電極20aの深さに応じて調整すればよく、任意に設定することができる。なお、本実施形態例では、フローティングディフュージョン領域FDの下層にオーバーフローパス27を構成する第2のn型半導体領域27bを形成したが、第2のn型半導体領域27bは必ずしも形成しなくてもよい。例えば、フローティングディフュージョン領域FDを埋め込み電極20aの深さまで形成し、オーバーフローパス27を構成する第1のn型半導体領域27aとフローティングディフュージョン領域FDを接続する構成としてもよい。本実施形態例では、フローティングディフュージョン領域FDの形成時において、オーバーフローパス27を構成する第2のn型半導体領域27bを形成している。このオーバーフローパス27を構成する第2のn型半導体領域27bは、ある程度基板表面から深い位置に形成するため、フォトレジスト膜34は、転送ゲート電極20を全て覆うように形成するのが好ましい。次に、図8Hに示すように、第1及び第2フォトダイオードPD1、PD2が形成される領域を開口するフォトレジスト膜35を形成し、そのフォトレジスト膜35を介して半導体基板30表面に、p型の不純物を高濃度にイオン注入する。これにより、暗電流を抑制すると共に、第1フォトダイオードPD1を構成するp型半導体領域23が形成される。本実施形態例では、p型半導体領域23は、転送ゲート電極20に接する側において、セルフアラインで形成される。その後、通常の方法を用いて多層配線層を形成し、半導体基板30の裏面側に、平坦化膜、カラーフィルタ層、オンチップレンズを順に形成することで本実施形態例の固体撮像装置が完成する。本実施形態例の固体撮像装置1の製造方法では、オーバーフローパス27を構成する第1のn型半導体領域27aを、転送ゲート電極20を形成する溝部29を形成するためのマスクと同一のマスクを介して形成する。このため、転送ゲート電極20の底部にセルフアラインで第1のn型半導体領域27aを形成することができ、転送ゲート電極20との位置を精度良く合わせることができる。このため、オーバーフローパス27に対する転送ゲート電極20の形成位置がばらつくことがない。これにより、画素毎のオーバーフローパス27の変動や飽和電荷量のばらつきを低減することができる。また、本実施形態例の固体撮像装置1では、転送ゲート電極20をオンしたときの通常の信号電荷の転送経路と、電荷蓄積時において信号電荷をオーバーフローさせるためのオーバーフローパス27を、それぞれ独立に形成している。このため、それぞれの領域を最適に形成することができる。これにより、図4及び図5に示した比較例に係る固体撮像装置に比べ、電荷転送効率の改善や飽和電荷量の増加を図ることができる。[1-5変形例1]次に、本実施形態例の変形例1に係る固体撮像装置について説明する。図9は、変形例1に係る固体撮像装置の単位画素におけるフォトダイオードPDと転送トランジスタTrを含む領域の平面構成を示した図である。変形例1に係る固体撮像装置は、本実施形態例の固体撮像装置と、縦型の転送ゲート電極の埋め込み電極20cの形状のみが異なる例である。図9において、図2に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。変形例1では、埋め込み電極20cを、フォトダイオードPDが形成される領域からフローティングディフュージョン領域FDにかけて長く形成している。そして、この場合も、埋め込み電極20cの底部に形成されるオーバーフローパス27は、埋め込み電極20cを形成する溝部を形成する際に、セルフアラインで形成する。変形例1のように、転送ゲート電極の埋め込み電極20cを、フォトダイオードPDが形成される領域からフローティングディフュージョン領域FDにかけて長く形成することにより、オーバーフローパス27も長く形成することができる。このように、本実施形態例の転送ゲート電極20の埋め込み電極20cの形状が変形した場合にもそれに合わせたオーバーフローパス27が形成することができ、画素毎のばらつきも低減できる。そして、変形例1に示すように、フォトダイオードPDからフローティングディフュージョン領域FDの間の領域においてオーバーフローパス27を長く保つことができるので、フローティングディフュージョン領域FDとオーバーフローパス27の接続が容易になる効果がある。[1-6変形例2]次に、本実施形態例の変形例2に係る固体撮像装置について説明する。図10は、変形例2に係る固体撮像装置の要部の断面構成図である。図10において、図3に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する。変形例2では、転送ゲート電極20の埋め込み電極20aの周りの界面準位調整用の不純物イオン注入領域36を、n型の不純物を低濃度にイオン注入したn-領域で構成する例である。縦型の転送ゲート電極20を形成するために、半導体基板30に溝部29を形成するが、溝部29を彫り込む影響による欠陥の発生が少ない場合、溝部29から発生する暗電流は少なくなる。このような場合には、図10に示すように、溝部29の周りの不純物イオン注入領域36を、オーバーフローパス27を構成する第1のn型半導体領域27a、及び第2のn型半導体領域27bよりも濃度の薄いn-領域とすることができる。このように、転送ゲート電極29の埋め込み電極20aの周りの不純物イオン注入領域36をn-領域とすることにより、信号電荷の転送が改善される効果がある。2.第2の実施形態:固体撮像装置次に、本開示の第2の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法について説明する。図11及び図12は、本実施形態例の固体撮像装置の製造方法を示す工程図である。なお、本実施形態で形成される最終的な固体撮像装置の構成は、図3と同様であるから説明を省略し、その製造方法についてのみ説明する。まず、図6Aと同様にして、半導体基板30に第1及び第2フォトダイオードPD1、PD2を構成するn型半導体領域24、26、及びp型半導体領域25を形成し、画素分離領域22を形成する。その後、図11Aに示すように、オーバーフローパス27を形成する領域が開口されたフォトレジスト膜40を形成する。そして、そのフォトレジスト膜40を介して半導体基板30の表面からn型の不純物をイオン注入することにより、オーバーフローパス27を構成するn型半導体領域27cを形成する。このオーバーフローパス27を構成するn型半導体領域27cは、第1及び第2フォトダイオードPD1、PD2のn型半導体領域24、26や、転送路32を構成するn型半導体領域よりもポテンシャルが浅くなるように形成する。次に、オーバーフローパス27を形成するためのフォトレジスト膜40を除去した後、図11Bに示すように、半導体基板30上に、転送ゲート電極20の埋め込み電極20aを形成する領域よりもやや大きい領域を開口するフォトレジスト膜41を形成する。そして、そのフォトレジスト膜41を介してp型の不純物を高濃度にイオン注入することにより、界面準位調整用の不純物イオン注入領域33となるp型不純物領域33aを形成する。このとき、不純物イオン注入領域33となるp型不純物領域33aは、オーバーフローパス27を構成するn型半導体領域27cよりも浅い位置に形成する。これにより、p型不純物領域33aの下層、及びフォトダイオードPDが形成される側とは反対側に隣接する領域に、オーバーフローパス27を構成する第1のn型半導体領域27aと第2のn型半導体領域27bが残る。次に、フォトレジスト膜41を除去した後、図11Cに示すように、半導体基板30の表面に例えばCVD法でSiNからなる絶縁膜42を成膜し、転送ゲート電極20を形成する部分に対応して、半導体基板30表面を露出する開口部42aを形成する。ここでは、不純物イオン注入領域33が形成された領域の範囲内を開口する絶縁膜42を形成する。そして、その開口部42aが形成された絶縁膜42をマスクとして、半導体基板30を所望の深さにまでエッチング除去する。これにより、半導体基板30の転送ゲート電極20が形成される領域に溝部29を形成する。次に、マスクとして用いた絶縁膜42を除去し、図12Dに示すように、溝部29の内周面を含む半導体基板30の表面にゲート絶縁膜28を形成する。ゲート絶縁膜28としては、例えばシリコン酸化膜を用いることができる。次に、溝部29内に埋め込むように、かつ、半導体基板30の表面を被覆するように、例えばポリシリコン膜からなるゲート電極材料を形成し、パターニングする。これにより、一部半導体基板30表面に張り出すと共に、溝部29内に埋め込まれた柱状の転送ゲート電極20を形成する。このとき、図示を省略するが、半導体基板30の表面側には、他の画素トランジスタを構成するゲート電極も形成する。次に、図12Fに示すように、第2のn型半導体領域27bの上部の、フローティングディフュージョン領域FDが形成される領域が開口されたフォトレジスト膜43を形成する。そして、そのフォトレジスト膜43を介してn型の不純物を高濃度にイオン注入することにより、フローティングディフュージョン領域FDを形成する。このフローティングディフュージョン領域FDは、前段で形成されたオーバーフローパス27を構成するn型半導体領域27bに接続される。本実施形態例では、フローティングディフュージョン領域FDは、半導体基板30の表面側へのイオン注入によって形成することができるので、フォトレジスト膜43で転送ゲート電極を全て被覆しなくてもよい。このため、フォトレジスト膜43の開口が転送ゲート電極20上部に重なるように形成することで、フローティングディフュージョン領域FDの転送ゲート電極20側の位置あわせをセルフアラインで行うことができる。その後、図8と同様の工程で暗電流抑制のためのp型半導体領域23を形成する。そして、通常の方法を用いて多層配線層を形成し、半導体基板30の裏面側に、平坦化膜、カラーフィルタ層、オンチップレンズを順に形成することで本実施形態例の固体撮像装置が完成する。本実施形態例における固体撮像装置でも、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。3.第3の実施形態:固体撮像装置の製造方法次に、本開示の第3の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法について説明する。図13A及びBは、本実施形態例の固体撮像装置の製造方法を示す工程図である。なお、本実施形態で形成される最終的な固体撮像装置の構成は、図3と同様であるから説明を省略し、その製造方法についてのみ説明する。本実施形態例の固体撮像装置の製造方法では、第2の実施形態に係る図11Aの工程と同様にしてオーバーフローパス27となるn型半導体領域27cを形成する。その後、図13Aに示すように、半導体基板30の表面に、例えばCVD法で形成されたSiNからなる絶縁膜44を成膜する。そして、絶縁膜44において、転送ゲート電極20を形成する部分に対応する領域に半導体基板30表面を露出する開口部44aを形成する。続いて、その開口部44aが形成された絶縁膜44をマスクとして、半導体基板30を所望の深さにまでエッチング除去する。これにより、半導体基板30の転送ゲート電極20が形成される領域に溝部29を形成する。続いて、図13Bに示すように、前工程と同じく開口部44aが形成された絶縁膜44をマスクとし、p型の不純物をイオン注入することにより、溝部29の側面及び底面に、界面準位調整用の不純物イオン注入領域33となるp型不純物領域を形成する。このとき、溝部29の側面には、チルト角をつけた斜めイオン注入により不純物イオン注入領域33を形成する。その後の工程は、第2の実施形態と同様であるから重複説明を省略する。本実施形態例では、溝部29の形成と、界面準位調整用の不純物イオン注入領域33の形成とを同一のマスク絶縁膜44で形成することができるので、工程数の削減が可能となる。4.第4の実施形態:固体撮像装置次に、本開示の第4の実施形態に係る固体撮像装置について説明する。図14は、本実施形態例の固体撮像装置50の要部の断面構成図である。本実施形態例の固体撮像装置50は、半導体基板30の深さ方向でR、G、Bの分光を行う例である。図14において、図3に対応する部分には同一符号を付し、重複説明を省略する。図14に示すように、本実施形態例の固体撮像装置50では、画素分離領域22で囲まれる単位画素内において、半導体基板30の表面側から3層のフォトダイオードPD第1~第3フォトダイオードPD1、PD2、PD3が形成されている。半導体基板30の一番表面側に形成された第1フォトダイオードPD1は、半導体基板30の最表面に形成されたp型半導体領域70とその下層のn型半導体領域71との間のpn接合j1により構成されている。また、半導体基板30の中腹に形成された第2フォトダイオードPD2は、第1フォトダイオードPD1を構成するn型半導体領域71の下層に形成されたp型半導体領域72と、その下層に形成されたn型半導体領域73との間のpn接合j2により構成されている。また、半導体基板30の裏面側、すなわち、光照射面側に形成された第3フォトダイオードPD3は、第2フォトダイオードPD2を構成するn型半導体領域73の下層に形成されたp型半導体領域74と、その下層に形成されたn型半導体領域75との間のpn接合j3により構成されている。そして、第1フォトダイオードPD1が形成された領域の端部には、第1フォトダイオードPD1のn型半導体領域71に達する深さに形成された縦型の第1転送ゲート電極51が形成されている。第1転送ゲート電極51は、半導体基板30の表面から深さ方向に柱状に埋め込まれて形成された埋め込み電極51aと、埋め込み電極51a上部において、半導体基板30の表面に張り出すように形成された表面電極51bとで構成されている。埋め込み電極51aは、半導体基板30の表面から第1フォトダイオードPD1を構成するn型半導体領域に達する深さに形成された溝部54内に埋め込まれている。そして、埋め込み電極51a及び表面電極51bは、ゲート絶縁膜を28介して溝部54内及び半導体基板30表面に形成されている。また、溝部54を囲む半導体基板30の領域では、界面準位調整用のp型不純物領域からなる不純物イオン注入領域62が形成されている。さらに、第1転送ゲート電極51の第1フォトダイオードPD1に面する側とは反対側の領域には、n型の高濃度不純物領域で構成された第1フローティングディフュージョン領域FD1が形成されている。そして、第1転送ゲート電極51の底部に形成された不純物イオン注入領域62の下層から第1フローティングディフュージョン領域FD1の下層にかけて、n型半導体領域からなるオーバーフローパス59が形成されている。このオーバーフローパス59は、第1フォトダイオードPD1を構成するn型半導体領域71と第1フローティングディフュージョン領域FD1を電気的に接続するように形成される。また、オーバーフローパス59を構成するn型半導体領域におけるポテンシャルは、第1フォトダイオードPD1を構成するn型半導体領域71や、第1フローティングディフュージョン領域FD1のポテンシャルよりも浅く構成されている。また、第2フォトダイオードPD2が形成された領域の端部には、第2フォトダイオードPD2のn型半導体領域73に達する深さに形成された縦型の第2転送ゲート電極52が形成されている。第2転送ゲート電極52は、半導体基板30の表面から深さ方向に柱状に埋め込まれて形成された埋め込み電極52aと、埋め込み電極52a上部において、半導体基板30の表面に張り出すように形成された表面電極52bとで構成されている。埋め込み電極52aは、半導体基板30の表面から第2フォトダイオードPD2を構成するn型半導体領域73に達する深さに形成された溝部55内に埋め込まれている。そして、埋め込み電極52a及び表面電極52bは、ゲート絶縁膜28を介して溝部55内及び半導体基板30表面に形成されている。また、溝部55を囲む半導体基板30の領域では、界面準位調整用のp型不純物領域からなる不純物イオン注入領域57が形成されている。さらに、第2転送ゲート電極52の第2フォトダイオードPD2に面する側とは反対側の領域には、n型の高濃度不純物領域で構成された第2フローティングディフュージョン領域FD2が形成されている。そして、第2転送ゲート電極52の底部に形成された不純物イオン注入領域57の下層から第2フローティングディフュージョン領域FD2の下層にかけて、n型半導体領域からなるオーバーフローパス60が形成されている。このオーバーフローパス60は、第2フォトダイオードPD2を構成するn型半導体領域と第2フローティングディフュージョン領域FD2を電気的に接続するように形成される。また、オーバーフローパス60を構成するn型半導体領域におけるポテンシャルは、第2フォトダイオードPD2を構成するn型半導体領域73や、第2フローティングディフュージョン領域FD2のポテンシャルよりも浅く構成されている。また、第3フォトダイオードPD3が形成された領域の端部には、第3フォトダイオードPD3のn型半導体領域75に達する深さに形成された縦型の第3転送ゲート電極53が形成されている。第3転送ゲート電極53は、半導体基板30の表面から深さ方向に柱状に埋め込まれて形成された埋め込み電極53aと、埋め込み電極53a上部において、形成された半導体基板30の表面に張り出すように形成された表面電極53bとで構成されている。埋め込み電極53aは、半導体基板30の表面から第3フォトダイオードPD3を構成するn型半導体領域75に達する深さに形成された溝部56内に埋め込まれている。そして、埋め込み電極53a及び表面電極53bは、ゲート絶縁膜28を介して溝部56内及び半導体基板30表面に形成されている。また、溝部56を囲む半導体基板30の領域では、界面準位調整用のp型不純物領域からなる不純物イオン注入領域58が形成されている。さらに、第3転送ゲート電極53の第3フォトダイオードPD3に面する側とは反対側の領域には、n型の高濃度不純物領域で構成された第3フローティングディフュージョン領域FD3が形成されている。そして、第3転送ゲート電極53の底部に形成された不純物イオン注入領域58の下層から第3フローティングディフュージョン領域FD3の下層にかけて、n型半導体領域からなるオーバーフローパス61が形成されている。このオーバーフローパス61は、第3フォトダイオードPD3を構成するn型半導体領域75と第3フローティングディフュージョン領域FD3を電気的に接続するように形成される。また、オーバーフローパス61を構成するn型半導体領域におけるポテンシャルは、第3フォトダイオードPD3を構成するn型半導体領域75や、第3フローティングディフュージョン領域FD3のポテンシャルよりも浅く構成されている。また、本実施形態例では、第1フォトダイオードPD1と第2フォトダイオードPD2は、第2フォトダイオードPD2を構成するp型半導体領域72により電気的に分離されている。そして、第2フォトダイオードPD2と第3フォトダイオードPD3とは、第3フォトダイオードPD3を構成するp型半導体領域74により電気的に分離されている。以上の本実施形態例の固体撮像装置50では、半導体基板30の光入射側に形成された第3フォトダイオードPD3では波長は短い青色Bの光が吸収され、光電変換される。これにより、第3フォトダイオードPD3のn型半導体領域75では、青色の光による信号電荷が蓄積される。また、第2フォトダイオードPD2では、中波長の緑色Gの光が吸収され、光電変換される。これにより、第2フォトダイオードPD2のn型半導体領域73では、緑色の光による信号電荷が蓄積される。また、第1フォトダイオードPD1では、波長が長い赤色Rの光が吸収され、光電変換される。これにより、第1フォトダイオードPD1のn型半導体領域71では、赤色の光による信号電荷が蓄積される。本実施形態例においても、第1フォトダイオードPD1で蓄積され、飽和電荷量を超えた分の信号電荷は、第1転送ゲート電極51の底部に形成されたオーバーフローパス59を通って、第1フローティングディフュージョン領域FD1に排出される。また、第2フォトダイオードPD2で蓄積され、飽和電荷量を超えた分の信号電荷は、第2転送ゲート電極52の底部に形成されたオーバーフローパス60を通って、第2フローティングディフュージョン領域FD2に排出される。また、第3フォトダイオードPD3で蓄積され、飽和電荷量を超えた分の信号電荷は、第3転送ゲート電極53の底部に形成されたオーバーフローパス61を通って、第3フローティングディフュージョン領域FD3に排出される。また、第1~第3転送ゲート電極51~53をオンした場合には、それぞれ第1~第3フォトダイオードPD1~PD3に蓄積された信号電荷が、半導体基板30表面近くを通って、第1~第3フローティングディフュージョン領域FD1~FD3に転送される。本実施形態例の固体撮像装置50は、半導体基板30の深さ方向で分光することにより、単位画素内でR、G、Bの信号電荷を取得することができる。その他、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。以上の第1~第4の実施形態に係る固体撮像装置では、CMOS型の固体撮像装置を例に説明したが、裏面照射型のCCD型固体撮像装置に本技術を適用することもできる。この場合も、光電変換部を電気的に分離する絶縁分離部を、光入射面とは反対側の面から形成した溝部に絶縁膜を埋め込んで形成することにより、上述した第1~第4の実施形態における効果と同様の効果を得ることができる。さらに、第1~第4の実施形態に係る固体撮像装置では、裏面照射型の固体撮像装置について説明したが、半導体基板の光照射面側とは反対側の基板方向に信号電荷をオーバーフローさせない構造の表面型固体撮像装置に本技術を適用することができる。また、上述の第1~第4の実施形態に係る固体撮像装置では、主としてnチャネルMOSトランジスタを構成とした場合であるが、pチャネルMOSトランジスタを構成とすることもできる。pチャネルMOSトランジスタとする場合は、各図において、その導電型を反転した構成となる。また、本開示では、可視光の入射光量の分布を検知して画像として撮像する固体撮像装置への適用に限らず、赤外線やX線、あるいは粒子等の入射量の分布を画像として撮像する固体撮像装置にも適用可能である。広義の意味として、圧力や静電容量など、他の物理量の分布を検知して画像として撮像する指紋検出センサ等の固体撮像装置物理量分布検知装置全般に対して適用可能である。さらに、本開示は、画素領域の各単位画素を行単位で順に走査して各単位画素から画素信号を読み出す固体撮像装置に限られるものではない。画素単位で任意の画素を選択して、当該選択画素から画素単位で信号を読み出すX-Yアドレス型の固体撮像装置に対しても適用可能である。なお、固体撮像装置はワンチップとして形成された形態であってもよいし、画素領域と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。また、本開示は、固体撮像装置への適用に限られるものではなく、撮像装置にも適用可能である。ここで、撮像装置とは、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、携帯電話機などの撮像機能を有する電子機器のことを言う。なお、電子機器に搭載される上記モジュール状の形態、即ちカメラモジュールを撮像装置とする場合もある。5.第5の実施形態:電子機器次に、本開示の第5の実施形態に係る電子機器について説明する。図15は、本開示の第5の実施形態に係る電子機器91の概略構成図である。本実施形態に係る電子機器91は、固体撮像装置92と、光学レンズ93と、シャッタ装置94と、駆動回路95と、信号処理回路96とを有する。本実施形態例の電子機器91は、固体撮像装置92として上述した本開示の第1の実施形態における固体撮像装置1を電子機器カメラに用いた場合の実施形態を示す。光学レンズ93は、被写体からの像光入射光を固体撮像装置92の撮像面上に結像させる。これにより固体撮像装置92内に一定期間当該信号電荷が蓄積される。シャッタ装置94は、固体撮像装置92への光照射期間および遮光期間を制御する。駆動回路95は、固体撮像装置92の転送動作およびシャッタ装置94のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路95から供給される駆動信号タイミング信号により、固体撮像装置92の信号転送を行なう。信号処理回路96は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶され、あるいはモニタに出力される。本実施形態例の電子機器91では、固体撮像装置92においてブルーミングの抑制や飽和特性の向上が図られるため、画質の向上が図られる。固体撮像装置92を適用できる電子機器91としては、カメラに限られるものではなく、デジタルスチルカメラ、さらには携帯電話機等のモバイル機器向けカメラモジュールなどの撮像装置に適用可能である。本実施形態例においては、固体撮像装置92として、第1の実施形態における固体撮像装置1を電子機器に用いる構成としたが、前述した第2~第4の実施形態で製造した固体撮像装置を用いることもできる。なお、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。1基板と、前記基板に形成され、入射した光の光量に応じた信号電荷を生成、蓄積する光電変換部と、前記光電変換部の深さに応じて前記基板の一方の面側から深さ方向に形成された溝部に埋め込まれて形成された縦型の転送ゲート電極と、前記転送ゲート電極の底部に形成され、前記光電変換部に蓄積された信号電荷をオーバーフローさせるオーバーフローパスと、を備える固体撮像装置。2前記転送ゲート電極に隣接する領域に、前記光電変換部からの信号電荷が転送されるフローティングディフュージョン領域を備え、前記オーバーフローパスは、前記光電変換部と前記フローティングディフュージョン領域とを接続する1に記載の固体撮像装置。3前記転送ゲート電極が形成された前記溝部の周囲は、界面準位調整用の第1導電型、又は第2導電型の不純物イオン注入領域が形成されている2に記載の固体撮像装置。4前記光電変換部は、単位画素内において前記基板の深さ方向に複数層形成され、各光電変換部の電荷蓄積領域となる第2導電型半導体領域は接続され、前記オーバーフローパスに接続されている3に記載の固体撮像装置。5前記光電変換部は、単位画素内において、前記基板の深さ方向に複数層形成され、各光電変換部に対応して前記転送ゲート電極が複数形成されている3に記載の固体撮像装置。6基板に、フォトダイオードからなる光電変換部を形成する工程と、前記基板の光電変換部が形成された領域に隣接する領域に、前記光電変換部の電荷蓄積領域となる第2導電型の半導体領域に接続可能な深さに、第2導電型の半導体領域からなるオーバーフローパスを形成する工程と、前記光電変換部に隣接し、前記オーバーフローパスとなる第2導電型の半導体領域上部に、溝部を形成する工程と、前記溝部に、ゲート絶縁膜を介して電極材料を埋め込み、縦型の転送ゲート電極を形成する工程と、前記転送ゲート電極に隣接する領域に、前記オーバーフローパスとなる第2導電型半導体領域に接続する、第2導電型の半導体領域からなるフローティングディフュージョン領域を形成する工程と、を含む固体撮像装置の製造方法。7前記溝部に転送ゲート電極を形成する前の工程において、前記溝部の側面及び底面に、第1導電型、又は第2導電型の半導体領域からなる界面準位調整用の不純物イオン注入領域を形成する工程を含む6に記載の固体撮像装置の製造方法。8基板に、フォトダイオードからなる光電変換部を形成する工程と、前記基板上に、前記基板の光電変換部が形成された領域に隣接する所望の領域を開口する開口部を有するマスクを形成し、前記マスクを介してエッチングすることにより、所望の深さの溝部を形成する工程と、前記マスクを介して第2導電型の不純物をイオン注入することにより、オーバーフローパスとなる第2導電型の半導体領域をセルフアラインで形成する工程と、前記溝部内にゲート絶縁膜を介して電極材料を埋め込み、縦型の転送ゲート電極を形成する工程と、前記転送ゲート電極に隣接する領域に、第2導電型の半導体領域からなるフローティングディフュージョン領域を、前記オーバーフローパスと接続するように形成する工程と、を含む固体撮像装置の製造方法。9前記溝部に転送ゲート電極を形成する前の工程において、前記溝部の側面及び底面に、第1導電型、又は第2導電型の半導体領域からなる界面準位調整用の不純物イオン注入領域を形成する工程を含む8に記載の固体撮像装置の製造方法。10光学レンズと、前記光学レンズに集光された光が入射される固体撮像装置と、前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路を備え、前記固体撮像装置は、基板と、前記基板に形成され、入射した光の光量に応じた信号電荷を生成、蓄積する光電変換部と、前記光電変換部の深さに応じて前記基板の一方の面側から深さ方向に形成された溝部に埋め込まれて形成された縦型の転送ゲート電極と、前記転送ゲート電極の底部に形成され、前記光電変換部に蓄積された信号電荷をオーバーフローさせるオーバーフローパスとを備える電子機器。