III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法であって、六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面を有する基板と、前記半極性主面の上に形成され活性層を有する半導体領域とを含む基板生産物を用意する工程と、前記基板生産物の第1の面をスクライブして、前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に延在する複数のスクライブマークを形成する工程と、劈開装置を用いて、レーザバーと他の基板生産物とを前記基板生産物から形成する工程と、を備え、前記劈開装置は、前記基板生産物を支持する支持部材と、前記基板生産物が前記支持部材に支持される場合に前記支持部材に面する前記基板生産物の前記第1の面を保護するための伸長可能な保護シートと、前記基板生産物が前記支持部材に支持される場合に前記第1の面の反対側にある前記基板生産物の第2の面から前記基板生産物を前記支持部材の側に押圧するためのブレードと、前記支持部材に対し可動であり前記保護シートの張力を調整するための可動部材と、を有し、前記保護シートは、基準軸の方向に延在しており、前記基準軸の方向にある両端が前記支持部材に対して固定され、前記基板生産物と前記支持部材との間に設けられ、前記基板生産物は、前記a軸が前記基準軸と交差するように前記保護シートと前記支持部材との上に配置され、第1領域及び第2領域から成り、前記第1領域及び前記第2領域は、前記a軸に交差する方向に順に配置され、前記第1領域と前記第2領域との境界面は、前記a軸に沿って延在し、前記第1領域は、前記複数のスクライブマークの中で最も端にある一のスクライブマークを含み、前記レーザバーと前記他の基板生産物とを形成する工程は、前記第1領域が前記支持部材の縁から突出すると共に前記第2領域が前記支持部材の上に位置するように、前記基板生産物を前記支持部材に保持する工程と、前記第2の面のうち前記第1領域に含まれる領域に対して前記基板の前記半極性主面の法線軸に沿った法線ベクトルの向きに前記ブレードを押し当てる工程と、前記ブレードを前記第1領域に押し当てて、前記第1領域の端面における前記半極性主面が前記第2領域における前記半極性主面から撓み角THETAの傾きを成すまで、前記第1領域を、前記保護シートに含まれ前記第1領域に接している部分と共に、前記支持部材と前記可動部材との間に押し込んだ状態を維持しつつ、当該状態において、前記可動部材を用いて前記保護シートの前記部分に生じる張力を増加させ、前記ブレードが前記第1領域に押し当てられる方向と逆向きの作用を前記第1領域に生じさせる工程と、を含み、前記レーザバーは、前記第1の面から前記第2の面にまで延在し、分離により形成される第1の端面及び第2の端面を有し、前記第1の端面及び前記第2の端面は、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成し、前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸の方向を示すc軸ベクトルは、前記基板の前記半極性主面の法線ベクトルに対して角度ALPHAの傾斜角を成しており、前記ブレードが前記第1領域に接する部分は、前記a軸に沿って延在し、前記撓み角THETAは、前記c軸と前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸とによって規定されるc-m面内において生じる角度であり、前記基板生産物が前記m軸から前記c軸に向かう方向に撓む場合に正の値となり、前記基板生産物が前記c軸から前記m軸に向かう方向に撓む場合に負の値となり、前記角度ALPHAが71度以上79度以下の範囲にある場合に11度以上19度以下の範囲であり、角度ALPHAが101度以上109度以下の範囲にある場合に-19度以上-11度以下の範囲であり、前記第1及び第2の端面は、前記c-m面に交差する、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。前記スクライブマークは、前記a軸の方向と前記法線軸とによって規定されるa-n面に沿って、前記第1の面から前記第2の面の方向に延在する、請求項1に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。前記基板生産物を用意する工程において、前記基板は当該基板の厚さが50μm以上100μm以下になるように加工が施され、前記加工はスライス又は研削であり、前記第2の面は、前記加工により形成された加工面と、前記加工面の上に形成された電極を含む面との何れかである、請求項1又は請求項2に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。前記スクライブは、レーザスクライバを用いて行われ、前記スクライブマークはスクライブ溝を含む、請求項1~請求項3の何れか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。前記半極性主面は、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかの半極性面から、前記m面の方向に-4度以上4度以下の範囲の傾斜を有する、請求項1~請求項4の何れか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。前記半極性主面は、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかである、請求項1~請求項5の何れか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。前記基板の材料は、GaN、AlGaN、AlN、InGaN及びInAlGaNの何れかを含む、請求項1~請求項6の何れか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。前記第1の端面及び前記第2の端面の各々における前記活性層の端面は、前記m軸に直交するm面に対して、前記c-m面においてALPHA-5度以上ALPHA5度以下の範囲の角度を成す、請求項1~請求項7の何れか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。前記活性層の端面は、前記c-m面と前記法線軸とに直交する基準面において、前記c-m面と前記基準面との交線に直交する面から、-5度以上5度以下の範囲のずれ角を有している請求項8に記載されたIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法。特許文献1のように、半極性面を用いたIII族窒化物半導体レーザ素子のレーザ導波路が、c面からm軸に向けてオフした半極性面に沿って形成されている場合、このレーザ導波路に直交する共振器ミラーの形成は、従来の劈開によって形成されることは困難であり、割断によって形成される。しかしながら、割断によって共振器ミラーを形成する場合、この共振器ミラーが、レーザ素子の共振器ミラーとして十分な機能を有する、すなわち、発振しきい値電流の低減が可能な共振器ミラーを安定して供給できることが望まれている。そこで、本発明の目的は、上記の事項を鑑みてなされたものであり、半極性面を用いたIII族窒化物半導体レーザ素子の作製方法であって、発振しきい値電流の低減が可能な共振器ミラーを安定して供給可能な方法を提供することである。III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法であって、六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面を有する基板と、前記半極性主面の上に形成され活性層を有する半導体領域とを含む基板生産物を用意する工程と、前記基板生産物の第1の面をスクライブして、前記六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に延在する複数のスクライブマークを形成する工程と、劈開装置を用いて、レーザバーと他の基板生産物とを前記基板生産物から形成する工程とを備え、前記劈開装置は、前記基板生産物を支持する支持部材と、前記基板生産物が前記支持部材に支持される場合に前記支持部材に面する前記基板生産物の前記第1の面を保護するための伸長可能な保護シートと、前記基板生産物が前記支持部材に支持される場合に前記第1の面の反対側にある前記基板生産物の第2の面から前記基板生産物を前記支持部材の側に押圧するためのブレードと、前記支持部材に対し可動であり前記保護シートの張力を調整するための可動部材と、を有し、前記保護シートは、基準軸の方向に延在しており、前記基準軸の方向にある両端が前記支持部材に対して固定され、前記基板生産物と前記支持部材との間に設けられ、前記基板生産物は、前記a軸が前記基準軸と交差するように前記保護シートと前記支持部材との上に配置され、第1領域及び第2領域から成り、前記第1領域及び前記第2領域は、前記a軸に交差する方向に順に配置され、前記第1領域と前記第2領域との境界面は、前記a軸に沿って延在し、前記第1領域は、前記複数のスクライブマークの中で最も端にある一のスクライブマークを含み、前記レーザバーと前記他の基板生産物とを形成する工程は、前記第1領域が前記支持部材の縁から突出すると共に前記第2領域が前記支持部材の上に位置するように、前記基板生産物を前記支持部材に保持する工程と、前記第2の面のうち前記第1領域に含まれる領域に対して前記基板の前記半極性主面の法線軸に沿った法線ベクトルの向きに前記ブレードを押し当てる工程と、前記ブレードを前記第1領域に押し当てて、前記第1領域の端面における前記半極性主面が前記第2領域における前記半極性主面から撓み角THETAの傾きを成すまで、前記第1領域を、前記保護シートに含まれ前記第1領域に接している部分と共に、前記支持部材と前記可動部材との間に押し込んだ状態を維持しつつ、当該状態において、前記可動部材を用いて前記保護シートの前記部分に生じる張力を増加させ、前記ブレードが前記第1領域に押し当てられる方向と逆向きの作用を前記第1領域に生じさせる工程と、を含み、前記レーザバーは、前記第1の面から前記第2の面にまで延在し、分離により形成される第1の端面及び第2の端面を有し、前記第1の端面及び前記第2の端面は、当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器を構成し、前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸の方向を示すc軸ベクトルは、前記基板の前記半極性主面の法線ベクトルに対して角度ALPHAの傾斜角を成しており、前記ブレードが前記第1領域に接する部分は、前記a軸に沿って延在し、前記撓み角THETAは、前記c軸と前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸とによって規定されるc-m面内において生じる角度であり、前記基板生産物が前記m軸から前記c軸に向かう方向に撓む場合に正の値となり、前記基板生産物が前記c軸から前記m軸に向かう方向に撓む場合に負の値となり、前記角度ALPHAが71度以上79度以下の範囲にある場合に11度以上19度以下の範囲であり、角度ALPHAが101度以上109度以下の範囲にある場合に-19度以上-11度以下の範囲であり、前記角度ALPHAは、71度以上79度以下の範囲と、101度以上109度以下の範囲との何れかの範囲内にあり、前記撓み角THETAは、11度以上19度以下の範囲内にあり、前記第1及び第2の端面は、前記c軸と前記六方晶系III族窒化物半導体のm軸とによって規定されるc-m面に交差することを特徴とする。本発明によれば、ブレードを第1領域に押し当てて、第1領域の端面における半極性主面が第2領域における半極性主面から撓み角THETAの傾きを成すまで、第1領域を、保護シートに含まれ第1領域に接している部分と共に、支持部材と可動部材との間に押し込んだ状態を維持しつつ、当該状態において、可動部材を用いて、保護シートに含まれ第1領域に接している部分に生じる張力を増加させ、ブレードが第1領域に押し当てられる方向と逆向きの作用を第1領域に生じさせる。角度ALPHAが71度以上79度以下の範囲にあって基板生産物がm軸からc軸に向かう方向に撓み、撓み角THETAが11度以上19度以下の範囲にある状態と、角度ALPHAが101度以上109度以下の範囲にあって基板生産物がc軸からm軸に向かう方向に撓み、撓み角THETAが-19度以上-11度以下の範囲にある状態との何れかの状態において、ブレードが第1領域に押し当てられる方向は、基板生産物が撓むことによって、基板生産物の第1領域におけるc面に沿った方向になる。この状態において、保護シートの張力を増加させ、ブレードが第1領域に押し当てられる方向と逆向きの作用が第1領域に生じることにより、半極性主面の基板生産物をレーザバーに分離することが、容易となる。そして、この分離によって生じる面は、共振器ミラーとして十分な平坦性及び垂直性を有することができる。よって、発振しきい値電流を低減できる共振器ミラーが安定して供給される。本発明において、前記スクライブマークは、前記a軸の方向と前記法線軸とによって規定されるa-n面に沿って、前記第1の面から前記第2の面の方向に延びている、ことが好ましい。スクライブマークが、a-n面に沿って形成されるので、ブレードによるレーザバーの分離によって生じる面もa-n面に添って延在する。従って、共振器ミラーとして用いられる面を、c-m面に直交する面として形成できる。本発明において、前記基板生産物を用意する工程において、前記基板は当該基板の厚さが50μm以上100μm以下になるように加工が施され、前記加工はスライス又は研削であり、前記第2の面は、前記加工により形成された加工面と、前記加工面の上に形成された電極を含む面との何れかである、ことが好ましい。従って、基板の剛性は高い。基板はスライス又は研削によって加工されるので、加工面に十分な平坦性が実現できる。本発明において、前記スクライブは、レーザスクライバを用いて行われ、前記スクライブマークはスクライブ溝を含む、ことが好ましい。従って、レーザスクライバが用いられるので、スクライブマークが正確に形成される。スクライブマークがスクライブ溝を含むので、レーザバーの分離が容易となる。本発明において、前記半極性主面は、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかの半極性面から前記m面の方向に-4度以上4度以下の範囲の傾斜を有する、ことが好ましい。従って、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかの面から前記m面の方向に-4度以上4度以下の範囲の傾斜を有する半極性面を有する基板生産物に対し、本発明に係る作製方法が適用できる。本発明において、前記半極性主面は、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかである、ことが好ましい。従って、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかの半極性面を有する基板生産物に対し、本発明に係る作製方法が適用できる。本発明において、前記基板の材料は、GaN、AlGaN、AlN、InGaN及びInAlGaNの何れかを含む、ことが好ましい。このように、窒化物系の半導体が基板に利用される。本発明において、前記第1の端面及び前記第2の端面の各々における前記活性層の端面は、前記m軸に直交するm面に対して、前記c-m面においてALPHA-5度以上ALPHA5度以下の範囲の角度を成す、ことが好ましい。従って、第1の端面及び第2の端面に対し、共振器ミラーに必要な平坦性と垂直性とが実現できる。本発明において、前記活性層の端面は、前記c-m面と前記法線軸とに直交する基準面において、前記c-m面と前記基準面との交線に直交する面から、-5度以上5度以下の範囲のずれ角を有している、ことが好ましい。従って、共振器ミラーに必要な平坦性と垂直性とを有する活性層の端面が実現できる。本発明によれば、半極性面を用いたIII族窒化物半導体レーザ素子の作製方法において、発振しきい値電流の低減が可能な共振器ミラーを安定して供給できる。以下、図面を参照して、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、可能な場合には、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。実施形態に係る作製方法は、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法である。図2は、実施形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子の作製方法の主要な工程を示す図である。図1は、III族窒化物半導体レーザ素子の製造に用いる基板生産物とレーザバーとを示す図である。ステップSp1まず、図1のA部に示す基板生産物5を用意する。基板生産物5は、六方晶系III族窒化物半導体のレーザ構造体と、このレーザ構造体に設けられたp側の絶縁膜、p側電極及びn側電極とを有する。p側とは、基板生産物5の六方晶系III族窒化物半導体のレーザ構造体においてp型の半導体領域が設けられている側を意味し、n側とは、基板生産物5の六方晶系III族窒化物半導体のレーザ構造体においてn型の半導体領域が設けられている側を意味する。基板生産物5から、後述の図7に示すIII族窒化物半導体レーザ素子11が、分離されて形成される。基板生産物5の六方晶系III族窒化物半導体のレーザ構造体は、基板SubIII族窒化物半導体レーザ素子11の支持基体17に対応と半導体領域LyIII族窒化物半導体レーザ素子11の半導体領域19に対応とを含むウェハである。基板Subの材料は、GaN、AlGaN、AlN、InGaN及びInAlGaNの何れかを含む。基板Subは、六方晶系III族窒化物半導体の半極性面である半極性主面SFIII族窒化物半導体レーザ素子11の半極性主面17aに対応を有する。半極性主面SFは、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかの半極性面から、基板Subの六方晶系III族窒化物半導体のm面の方向に-4度以上4度以下の範囲の傾斜を有する。半極性主面SFは、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかであることができる。半導体領域Lyは、基板Subの半極性主面SFの上にエピタキシャル成長によって形成され、半極性主面SFに接している。基板生産物5は、p側の絶縁膜III族窒化物半導体レーザ素子11の絶縁膜31に対応と、p側電極III族窒化物半導体レーザ素子11のp側電極15に対応と、n側電極III族窒化物半導体レーザ素子11のn側電極41に対応とを有する。基板生産物5のp側の表面5a第1の面であり、p側の絶縁膜の表面に、p側電極が設けられている。基板Subの表面に、この表面を覆うようにn側電極が設けられている。このn側電極の表面は、基板生産物5の裏面5e第2の面となる。なお、基板Subは、この基板Subの厚さが50μm以上100μm以下になるように加工が施される。この加工はスライス又は研削である。基板生産物5の裏面5eは、この加工により形成された加工面と、この加工面の上に形成されたn側電極を含む面との何れかであることができる。法線軸NXは、半極性主面SFの法線であり、基板生産物5の表面5aに対しても垂直である。法線ベクトルNVは、基板Subの半極性主面SFにおける法線軸NXの方向を向くベクトルであり、法線軸NXに沿って半極性主面SFから半導体領域Lyの側に向いている。法線ベクトルNVは、表面5aと半極性主面SFとに対して垂直である。法線軸NXと法線ベクトルNVとは、直交座標系Sのz軸に平行である。法線ベクトルNVは、z方向を向いている。表面5aと半極性主面SFとは、x-y平面に平行である。図1のA部に、結晶座標系CRが記載されている。基板Subの六方晶系III族窒化物半導体のc軸方向を示すc軸ベクトルVCは、半極性主面SFの法線ベクトルNVに対して角度ALPHAの傾斜角を成している。角度ALPHAは、71度以上79度以下の範囲と、101度以上109度以下の範囲との何れかの範囲内にある。なお、図1のA部に示す角度ALPHAは、一例として、71度以上79度以下の範囲内にある。基板Subの六方晶系III族窒化物半導体のa軸は、y軸を示す方向と逆向きである。基板Subの六方晶系III族窒化物半導体のc軸と、c軸の方向を示すc軸ベクトルVCと、基板Subの六方晶系III族窒化物半導体のm軸と、m軸の方向を示すm軸ベクトルVMと、法線軸NXと、法線軸NXの方向を示す法線ベクトルNVとは、何れも、y軸a軸に直交しており、z-x面内に含まれることができる。ステップSp2ステップSp1の後に、表面5aをスクライブする。このスクライブは、レーザスクライバを用いて行われる。スクライブにより、スクライブマーク5bが形成される。スクライブマーク5bは、a軸の方向と法線軸NXとによって規定されるa-n面に沿って、基板生産物5の表面5aから基板生産物5の裏面5eの方向に延びる。スクライブマーク5bは、a軸方向に延在しており、表面5aから半導体領域Lyに到達している。スクライブマーク5bは、例えば、基板生産物5の一のエッジに形成されることができる。スクライブマーク5bは、スクライブ溝を含む。レーザビームLBの照射により、スクライブマーク5bが表面5aに形成される。図1のA部の場合、二つのスクライブマーク5bが既に形成されており、レーザビームLBを用いてスクライブマーク5cの形成が進められている。スクライブマーク5bの長さは、a-n面と表面5aとの交差線よりも短く、この交差線の一部分にレーザビームLBの照射が行われる。ステップSp3ステップSp2の後、基板生産物5を割断し、この割断によって、レーザバー5dと、他の基板生産物51とを作製する。ステップSp3は、ステップSp3-1~ステップSp3-5を含む。基板生産物5の割断は、劈開装置を用いて行う。劈開装置は、図1のB部、図3、及び、図4に示すように、支持板H、ブレード5g、モニタカメラ6a、表示装置6c、保護シートTF、粘着テープUF、及び、テープフレームFLを備える。モニタカメラ6aは、レンズ6bを有する。図4は、図1のB部のI-I線に沿ってとられた断面の構成を示す。なお、図1のB部は、レーザバー5dが分離された状態を示し、図4は、レーザバー5dが分離される前の状態を示す。また、図1のB部及び図4には、説明を容易にするため、図3に示す粘着テープUF及びテープフレームFLの記載が省略されている。支持板Hは、可動部材H1と支持部材H2とを有する。可動部材H1と支持部材H2とによって離間部HLが形成されている。可動部材H1の端面EG1と支持部材H2の端面EG2とが離間部HLを形作る。端面EG1は端面EG2に平行である。支持部材H2は、例えば室内に対して動かないように固定されており、基板生産物5を支持する。可動部材H1は、支持部材H2に対して可動であり保護シートTFの張力を調整するために用いられる。可動部材H1が移動することによって、端面EG1と端面EG2とが平行に配置された状態で、離間部HLの幅端面EG1と端面EG2との間隔が変更される。可動部材H1の表面と支持部材H2の表面とは、基板生産物5、保護シートTF及び粘着テープUFを載置する支持板Hの表面を構成する。支持部材H2に対して可動部材H1を移動しても、可動部材H1の表面と支持部材H2の表面とは、一の平面内支持板Hの表面内にある。ブレード5gは、離間部HL上にあり、基板生産物5を置く支持部材H2の表面に垂直に移動できる。ブレード5gは、離間部HLに近づく、又は、離間部HLから離れる、ことができる。保護シートTFは、基板生産物5が支持部材H2に支持される場合に支持部材H2に面する基板生産物5の表面5aを保護するためのシートであり、伸長可能である。保護シートTFは、基準軸具体的には、x軸方向a-n面に垂直な方向に延在しており、この基準軸の方向にある両端が例えば室内及び支持部材H2に対して動かないように固定され、基板生産物5と支持部材H2との間に挟まれて設けられる。保護シートTFは、例えば25μm程度の厚みを有する基材PETからなるものを利用できる。ブレード5gは、支持部材H2に表面5aが面するように、支持部材H2に基板生産物5が支持されている場合に、表面5aの反対側にある基板生産物5の裏面5eから基板生産物5を支持部材H2の側に押圧する。図4に示すように、離間部HLを挟んで、ブレード5gとモニタカメラ6aとが設置されている。ブレード5gの中心軸の方向を示す軸方向ベクトルVXは、モニタカメラ6aのレンズ6bからブレード5gのエッジ5hに向かう方向と同一である。軸方向ベクトルVXは、エッジ5hの面から、この面の反対側にあるブレード5gの端面5iに向かう方向を表すベクトルであり、エッジ5hの面と端面5iとに直交する。エッジ5hは、一の方向図1、図3及び図4の場合、y軸方向であり、基板生産物5のa軸の方向に延びている。エッジ5hは、基板生産物5の裏面5eに面しており、ブレード5gは、裏面5eを介して基板生産物5に押し当てられる。モニタカメラ6aには、表示装置6cが接続されている。表示装置6cは、ディスプレイを有し、モニタカメラ6aがレンズ6bを介して取得する画像を、このディスプレイに表示する。ブレード5gとモニタカメラ6aとの位置は、例えば室内及び支持部材H2に対して動かないように固定されており、基板生産物5が支持部材H2の上に搭載されていない場合離間部HLの上に基板生産物5が配置されていない場合には、表示装置6cのディスプレイの中心には、離間部HLを介してブレード5gのエッジ5hが常に表示される。支持板Hの操作者は、表示装置6cのディスプレイを見ながら、エッジ5hが表示されるべきディスプレイ内の表示位置に、表面5aとスクライブマーク5bとの交差部P1が表示されるように、支持部材H2の上に搭載されている基板生産物5の配置を調整する。ステップSp3-1まず、基板生産物5の裏面5eを粘着テープUFに向けて、図3のA部に示すように、基板生産物5を粘着テープUFに貼り付ける。基板生産物5は、粘着テープUFと保護シートTFとの間に挟まれる。粘着テープUFの縁部は、テープフレームFLに固定されている。テープフレームFLが、例えば室内及び支持部材H2に対して動かないように固定されると、粘着テープUFも、例えば室内及び支持部材H2に対して動かないように固定される。そして、図3のA部に示すように、基板生産物5の表面5aを保護シートTFで覆う。保護シートTFの縁部は、粘着テープUFに貼り付けられており、更に、テープフレームFLに固定されている。テープフレームFLが、例えば室内及び支持部材H2に対して動かないように固定されると、粘着テープUFと共に、保護シートTFも、例えば室内及び支持部材H2に対して動かないように固定される。粘着テープUFと保護シートTFとは、何れも伸長が可能な材料から成る。このように、基板生産物5は、粘着テープUFと保護シートTFとの間に配置される。基板生産物5は、粘着テープUFと保護シートTFとによって挟まれている。基板生産物5は、粘着テープUFと保護シートTFとに密着している。ステップSp3-2ステップSp3-1の後、図1のB部及び図3のB部に示すように、基板生産物5の表面5aを支持部材H2に向け、基板生産物5を、テープフレームFL、粘着テープUF及び保護シートTFと共に、支持部材H2に置く。基板生産物5は、a軸が基準軸Abと交差するように保護シートTFと支持部材H2との上に配置される。基準軸Abは、端面EG1と端面EG2とに直交している。テープフレームFLを、例えば室内及び支持部材H2に対して動かないように固定する。基板生産物5に設けられている複数のスクライブマーク5bのうち、最も端に設けられているスクライブマーク5b以下、特に、スクライブマーク5b1というのみが離間部HLの上に位置するように、基板生産物5を、支持部材H2に置く。基板生産物5に設けられている複数のスクライブマーク5bのうち、スクライブマーク5b1以外の全てのスクライブマーク5bは、支持部材H2の上に配置される。基板生産物5は、第1領域ER1と第2領域ER2とから成る。第1領域ER1と第2領域ER2とは、以下の説明の便宜上、仮想的に設けた領域である。第1領域ER1と第2領域ER2とは、a軸y軸と交差する方向に並んでいる。第1領域ER1は、第2領域ER2に接している。第1領域ER1は、スクライブマーク5b1を含み、基板生産物5に設けられている他のスクライブマーク5bを含まない。第2領域ER2は、基板生産物5に設けられている複数のスクライブマーク5bのうち、スクライブマーク5b1以外の全てのスクライブマーク5bを含む。第1領域ER1は、基板生産物5の六方晶系III族窒化物半導体のa軸方向y軸方向に、スクライブマーク5b1と共に延びている。第1領域ER1と第2領域ER2との境界面は、a軸に沿って延在する。第1領域ER1と第2領域ER2との境界面は、スクライブマーク5b1と共にa軸に対し更には、a-n面に対し平行であり、c軸とm軸とによって規定されるc-m面に対し直交する。支持部材H2は、第2領域ER2を支持するが、第1領域ER1を支持しない。第1領域ER1の全体は、離間部HLの上に位置する。可動部材H1は、保護シートTFと粘着テープUFとを支持するが、基板生産物5を支持しない。可動部材H1の上には、基板生産物5のどの部分も配置されていない。保護シートTFは、可動部材H1と支持部材H2とに密着している。第1領域ER1が支持部材H2の縁端面EG2から離間部HL上に突出すると共に、第2領域ER2が支持部材H2の上に位置するように、基板生産物5が支持部材H2に保持される。第2領域ER2の全体は、支持部材H2のみによって支持されると共に、第1領域ER1の全体は、離間部HLの上に配置される。なお、基板生産物5から一又は複数のレーザバー5dが分離された後には、残余の基板生産物51が形成されるが、スクライブマーク5b1、第1領域ER1及び第2領域ER2に対する上述の規定は、このような残余の基板生産物51に対しても適用される。そして、テープフレームFLを、例えば室内及び支持部材H2に対して動かないように固定し、保持する。よって、基板生産物5、粘着テープUFの縁部、及び、保護シートTFの縁部も、例えば室内及び支持部材H2に対して動かないように固定される。なお、可動部材H1は、上述したように、支持部材H2に対し可動であり、可動部材H1の移動によって、離間部HLの幅端面EG1と端面EG2の間隔が変更される。可動部材H1は、基板生産物5の表面5aに沿った方向であって離間部HLの幅を変化させる方向に移動できる。ステップSp3-3ステップSp3-2の後、裏面5eに含まれる第1領域ER1の領域に対し、基板Subの半極性主面SFの法線ベクトルNVの向きに、ブレード5gを押し当てる。ステップSp3-4ステップSp3-3の後、図4のA部に示すように、ブレード5gのエッジ5hを、裏面5eに含まれる第1領域ER1の領域に押し当て、ブレード5gを軸方向ベクトルVXと逆向きに移動させ、第1領域ER1を離間部HLに向けて押し込む。この場合、基板生産物5は、第1領域ER1と第2領域ER2との境界において屈曲し、第1領域ER1はブレード5gによって離間部HLに押し込まれる。この状態において、ブレード5gの中心を通る面SHと端面EG1との間の距離L1は、例えば、2000μm程度であり、面SHと端面EG2との間の距離L2は、例えば、375μm程度である。端面EG1と端面EG2との間の距離L3は、距離L1と距離L2との和である。面SHは、端面EG1と端面EG2とに平行であり軸方向ベクトルVXに沿って延びる。面SHは、基準軸Abに直交する。第1領域ER1がブレード5gによって離間部HLに押し込まれることによって、支持部材H2の上の基板生産物5の半極性主面SFは、撓み角THETAだけ撓む。撓み角THETAは、第2領域ER2における半極性主面SFを含む平面と、第1領域ER1の端面における半極性主面SFを含む平面との成す角度である。撓み角THETAは、c軸とm軸とによって規定されるc-m面内において生じる角度であり、基板生産物5がm軸からc軸に向かう方向に撓む場合に正の値となり、基板生産物5がc軸からm軸に向かう方向に撓む場合に負の値となる。また、撓み角THETAは、軸方向ベクトルVXと法線ベクトルNV1との成す角度と同一である。法線ベクトルNV1は、第1領域ER1の端面における法線ベクトルNVに対応するベクトルの逆ベクトルである。第2領域ER2における法線ベクトルNVの方向は、軸方向ベクトルVXの方向と同一であるが、図4に示すように、第1領域ER1が離間部HLに向けて押し込まれている場合、第1領域ER1における法線ベクトルNV1は、第2領域ER2における法線ベクトルNVの逆ベクトルと軸方向ベクトルVXとに対して撓み角THETAだけ傾斜している。法線ベクトルNV1と軸方向ベクトルVXとによって規定される面は、c-m面とz-x面とに平行であり、a軸とy軸とに直交する。角度ALPHAが71度以上79度以下の範囲にあり、基板生産物がm軸からc軸に向かう方向に撓む場合、撓み角THETAは、11度以上19度以下の範囲にある。角度ALPHAが101度以上109度以下の範囲にあり、基板生産物がc軸からm軸に向かう方向に撓む場合、撓み角THETAは、-19度以上-11度以下の範囲にある。撓み角THETAが生じた状態において、ブレード5gの位置を固定し、図4のB部に示すように、可動部材H1を支持部材H2に向けて方向DS1に移動させる。可動部材H1を、例えば、距離L1が505μm程度になるまで、支持部材H2の側に移動させる。保護シートTFに含まれている離間部HLの上の領域には、張力が方向DS2に生じ、第1領域ER1には、この弾性力によって、離間部HLから押し上げる方向DS3軸方向ベクトルVXの向きであり、第1領域ER1が離間部HLから離れる方向の力が作用する。ブレード5gが裏面5eに押圧する向きは、軸方向ベクトルVXと逆向きである。ブレード5gの軸方向ベクトルVXが第1領域ER1の法線ベクトルNV1に対し撓み角THETAだけ傾いた状態で、第1領域ER1が、軸方向ベクトルVXと逆方向にブレード5gによって離間部HLの側に押し込まれると共に、保護シートTFによって軸方向ベクトルVXの方向方向DS3の力を受けることによって、基板生産物5が割断される。このように、ブレード5gを第1領域ER1に押し当てて、第1領域ER1の端面における半極性主面SFが第2領域ER2における半極性主面SFから撓み角THETAの傾きを成すまで、第1領域ER1を、保護シートTFに含まれ第1領域ER1に接している部分と共に、離間部HLの側に押し込んだ状態を維持しつつ、当該状態において、可動部材H1を用いて保護シートTFの第1領域ER1に接している部分に生じる張力を増加させ、ブレード5gが押し当てられる方向と逆向きの作用を第1領域ER1に生じさせる。この作用によって、基板生産物5からレーザバー5dが割断によって分離される。この分離によって形成されるレーザバー5dの端面5f第1及び第2の端面を示しており、割断面27及び割断面29に対応が、半導体レーザの共振器ミラーとなる。端面5fは、III族窒化物半導体レーザ素子11のレーザ共振器を提供する。レーザバー5dは、割断によって形成された端面5fを有する。端面5fは、c面、m面及びa面といった、これまでのへき開面とは異なる。端面5fは、スクライブマーク5bに沿って形成される。端面5fは、a-n面に沿って延在する。端面5fは、割断前の表面5aから裏面5eにまで延在する。端面5fは、c-m面に交差する。このように形成された端面5fは、共振器ミラーに必要な十分な垂直性及び平坦性を有する。レーザバー5dの半導体領域の活性層の端面図5に示す端面SEを提供する面は、基板Subのm軸に直交するm面に対して、c-m面においてALPHA-5度以上ALPHA5度以下の範囲の角度を成す。レーザバー5dの半導体領域の活性層の端面図5に示す端面SEを提供する面は、c-m面と法線軸NXとに直交する基準面図5に示す平面S2を提供する面において、この平面とc-m面との交線交差線LIXに対応に直交する面図5に示す面Siを提供する面から、-5度以上5度以下の範囲の角度ずれBETAを有している。図5は、実施形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法の効果を、端面の角度ずれによって説明するための図である。ステップSp4そして、レーザバー5dの端面5fに誘電体多層膜を形成してレーザバー生産物を形成し、このレーザバー生産物を個々のIII族窒化物半導体レーザ素子III族窒化物半導体レーザ素子11に対応に分離する。このようにして、III族窒化物半導体レーザ素子がレーザバー5dから形成される。次に、撓み角THETAについて説明する。図8に、基板生産物5の撓み角THETAと、共振器ミラーの角度ずれBETAの平均値との間の関係を示す。図8を参照すると、撓み角THETAが、およそ11.3度の時に、共振器ミラーの角度ずれBETAが極小値となる。図8に示す測定値は以下の通りである。撓み角THETA度角度ずれBETAの平均値度。9.10.53。11.30.03。13.50.62。15.60.75。19.80.89。23.71.98。次に、基板生産物5の撓み角THETAがおよそ11.3度の時に、共振器ミラーの角度ずれBETAが小さくなる理由を、結晶学的観点から考察する。図6のB部は、基板生産物5にブレード5gを押し込む前の状態を示しており、図6のC部は、図4と同様の状態を示しており、基板生産物5にブレード5gを押し込んで基板生産物5が撓んだ状態を示している。例えば、基板生産物5の半極性主面SF及び、基板生産物5の表面5aが20-21面の場合に撓み角THETAが15度を成すと、ブレード5gの軸方向ベクトルVXが第1領域ER1におけるc面に平行となる。撓み角THETAが15度の場合に、可動部材H1を支持部材H2の側に移動させて、割断を行えば、c面の劈開がスムーズに進行するので、共振器ミラーの角度ずれBETAが低減できる。ここで、材料力学において用いられる片持ちはりモデルK1によって、撓み角THETAの評価を行う。図6のA部に、片持ちはりモデルK1を示す。片持ちはりモデルK1は、基板生産物5に対応する。片持ちはりモデルK1を用いれば、レーザバー5dの形成が開始する時の基板生産物5の撓み角THETAを近似的に計算することができる。片持ちはりモデルK1は、壁面K2に対して垂直に突出している。片持ちはりモデルK1は、壁面K2の固定点P3において、壁面K2に固定されている。片持ちはりモデルK1の端面P4寄りの作用点P2に、作用P1が加えられると、片持ちはりモデルK1の端面P4は、作用P1の方向に押され、片持ちはりモデルK1が撓む。作用P1は、壁面K2に平行であり、固定点P3における片持ちはりモデルK1の表面図中符号P5に示す部分に垂直である。端面P4は、固定点P3の反対側に位置する。片持ちはりモデルK1の撓む様子は、基板生産物5がブレード5gの押し込みよって撓む様子と類似する。壁面K2から作用点P2までの距離壁面K2と、壁面K2に平行であり作用点P2を含む平面との間隔をL4とし、作用点P2から、片持ちはりモデルK1の端面P4までの距離壁面K2に平行であり作用点P2を含む平面と、壁面K2に平行であり端部P4と交わる平面との間隔をL5とする。固定点P3における片持ちはりモデルK1の表面図中符号P5に示す部分と、端面P4における片持ちはりモデルK1の表面図中符号P6に示す部分との間の角は、撓み角θ1である。すなわち、片持ちはりモデルK1は、作用P1によって、撓み角θ1だけ撓む。壁面K2の法線方向からみた固定点P3と作用点P2との間隔Yすなわち、固定点P3を含み作用P1と壁面K2とに垂直な平面と、作用点P2を含み作用P1と壁面K2とに垂直な平面との間隔は、Y=2×距離L4×撓み角θ1/3と近似される。この近似によれば、撓み角θ1の計算値は、11.3度となる。L4の値は、例えば、375μmであり、Yの値は、例えば、50μmである。また、L5の値は、例えば、500μmである。片持ちはりモデルK1を基板生産物5に対応させる場合、撓み角THETAは、撓み角θ1に対応する。この場合、撓み角THETAは、片持ちはりモデルK1を用いて計算すると、近似的に11.3度程度になる。実際の実験誤差と片持ちはりモデルK1の近似精度とを考慮すれば、撓み角THETAの計算値11.3度が15度に十分近い値であると考えられるので、ステップSp3の方法において条件を最適化することによって、高品質の共振器ミラーが形成できることがわかる。実際の実験誤差と片持ちはりモデルK1の近似精度とを鑑みたうえ、図8に示す結果において、共振器ミラーの角度ずれBETAの平均値が1度以下になる撓み角THETAの範囲に注目すれば、本実施形態における撓み角THETAは、11度以上19度以下の範囲において有効であると考えられる。以上説明したように、ブレード5gを第1領域ER1に押し当てて、第1領域ER1の端面EG1における半極性主面SFが第2領域ER2における半極性主面SFから撓み角THETAの傾きを成すまで、第1領域ER1を、保護シートTFに含まれ第1領域ER1に接している部分と共に、支持部材H2と可動部材H1との間離間部HLに押し込んだ状態を維持しつつ、当該状態において、可動部材H1を用いて、保護シートTFに含まれ第1領域ER1に接している部分に生じる張力を増加させ、ブレード5gが第1領域ER1に押し当てられる方向と逆向きの作用軸方向ベクトルVXの向きを第1領域ER1に生じさせる。角度ALPHAが71度以上79度以下の範囲にあって基板生産物5がm軸からc軸に向かう方向に撓み、撓み角THETAが11度以上19度以下の範囲にある状態と、角度ALPHAが101度以上109度以下の範囲にあって基板生産物5がc軸からm軸に向かう方向に撓み、撓み角THETAが-19度以上-11度以下の範囲にある状態との何れかの状態において、ブレード5gが第1領域ER1に押し当てられる方向は、基板生産物5が撓むことによって、第1領域ER1におけるc面に沿った方向又はこの方向の近傍になる。この状態において、保護シートTFの張力を増加させ、ブレード5gが第1領域ER1に押し当てられる方向と逆向きの作用が第1領域ER1に生じることにより、半極性主面SFを有する基板生産物5をレーザバー5dに分離することが、容易となる。そして、この分離によって生じる面は、共振器ミラーとして十分な平坦性及び垂直性を有することができる。よって、発振しきい値電流を低減できる共振器ミラーが安定して供給される。また、スクライブマーク5bが、a-n面に沿って形成されるので、ブレード5gによるレーザバー5dの分離によって生じる端面5fもa-n面に添って延在する。従って、共振器ミラーとして用いられる端面5fを、c-m面に直交する面として形成できる。スクライブマーク5bが表面5aから裏面5eの方向に延びているので、レーザバー5dの分離が容易に行える。また、基板Subの厚さDSUBが50μm以上100μm以下なので、基板Subの剛性は高い。基板Subはスライス又は研削によって加工されるので、加工面に十分な平坦性が実現できる。また、スクライブはレーザスクライバを用いて行われるので、スクライブマークが正確に形成される。スクライブマークはスクライブ溝を含むので、レーザバー5dの分離が容易となる。また、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかの面からm面の方向に-4度以上4度以下の範囲の傾斜を有する半極性主面SFを有する基板生産物5に対し、本実施形態に係る作製方法を適用できる。また、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかの半極性主面SFを有する基板生産物5に対し、本実施形態に係る作製方法を適用できる。また、基板Subの材料が、GaN、AlGaN、AlN、InGaN及びInAlGaNの何れかを含むので、窒化物系の半導体が基板Subに利用される。また、端面5fにおける活性層の端面は、m面に対して、c-m面においてALPHA-5度以上ALPHA5度以下の範囲の角度を成す。従って、端面5fに対し、共振器ミラーに必要な平坦性と垂直性とが実現できる。また、基板生産物5の活性層の端面図5に示す端面SEを提供する面は、c-m面と法線軸NXとに直交する基準面において、c-m面と基準面との交線に直交する面図5に示す面Siを提供する面から、-5度以上5度以下の範囲のずれ角を有している、ことが好ましい。従って、共振器ミラーに必要な平坦性と垂直性とを有する活性層の端面端面SEを提供する面が実現できる。次に、上述のステップSp1~ステップSp4によって作製されるIII族窒化物半導体レーザ素子の構成を説明する。図7は、本実施形態に係る作製方法によって作製されるIII族窒化物半導体レーザ素子11の構造を概略的に示す図面である。III族窒化物半導体レーザ素子11は、利得ガイド型の構造を有するが、利得ガイド型の構造に限定されるものではない。法線軸NXは、レーザ構造体13のp側の面13aの法線支持基体17の半極性主面17aの法線であり、z軸の方向に向く。III族窒化物半導体レーザ素子11の支持基体17の半極性主面17aは、x-y面に平行に延在する。また、図7には、代表的なc面SCが描かれている。支持基体17の六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、軸CXに対応している。c軸軸CXは、支持基体17の六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に、法線軸NXに対して有限な角度ALPHAで傾斜している。c軸ベクトルVCと法線ベクトルNVとの間の角度は、角度ALPHAである。c軸ベクトルVCは、c軸の方向を示すベクトルである。法線ベクトルNVは、法線軸NXに沿ってレーザ構造体13のp側の面13a上に向かうベクトルであり、面13aと半極性主面17aとに対して垂直である。角度ALPHAは、71度以上79度以下の範囲内と101度以上109度以下の範囲内との何れかにあることができる。図7に示す角度ALPHAは、71度以上79度以下の範囲内にあるが、101度以上109度以下の範囲内であってもよい。レーザバー5dの端面5fに対応する割断面27及び割断面29は、c-m面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子11のレーザ共振器は、割断面27及び割断面29を含み、割断面27及び割断面29の一方から他方に、レーザ導波路が延在している。III族窒化物半導体レーザ素子11のレーザ共振器の共振器長は、例えば、500μm程度である。レーザ構造体13は、面13a及び裏面13bを含み、面13aは裏面13bの反対側の面である。割断面27及び割断面29は、面13aのエッジ13cから裏面13bのエッジ13dまで延在する。割断面27及び割断面29は、c面、m面又はa面といった、これまでのへき開面とは異なる。III族窒化物半導体レーザ素子11によれば、レーザ共振器を構成する割断面27及び割断面29がc-m面に交差する。これ故に、c-m面と半極性主面17aとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を設けることができる。従って、III族窒化物半導体レーザ素子11は、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有することになる。III族窒化物半導体レーザ素子11は、レーザ構造体13、絶縁膜31、n側電極41及びp側電極15を備える。レーザ構造体13は、支持基体17及び半導体領域19を含む。支持基体17は、六方晶系III族窒化物半導体からなる。支持基体17は、半極性主面17a及び裏面17bを有する。支持基体17は、50μm以上100μm以下の厚さDSUBを有する。支持基体17の材料は、GaN、AlGaN、AlN、InGaN及びInAlGaNの何れかを含む。半極性主面17aは、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかの半極性面からm面方向に-4度以上4度以下の範囲の傾斜を有する。半極性主面17aは、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかであることができる。半導体領域19は、支持基体17の半極性主面17aの上に設けられている。半導体領域19は、半導体層20、n側クラッド層21、n側光ガイド層35a、n側光ガイド層35b、活性層25、p側光ガイド層37、p側ブロック層39、p側光ガイド層38、クラッド層23及びコンタクト層33を含む。半導体層20は、支持基体17の半極性主面17aの上に設けられている。半導体層20は、n型窒化ガリウム系半導体からなり、例えばn型GaN等からなる。n側クラッド層21は、半導体層20の上に設けられている。n側クラッド層21は、n型窒化ガリウム系半導体からなり、例えばn型AlGaN、n型InAlGaN等からなる。n側光ガイド層35aは、n側クラッド層21の上に設けられている。n側光ガイド層35bは、n側光ガイド層35aの上に設けられている。n側光ガイド層35a及びn側光ガイド層35bは、例えばGaN、InGaN等からなる。活性層25は、n側クラッド層21とクラッド層23との間に設けられる。活性層25は、特に、n側光ガイド層35bとp側光ガイド層37との間に設けられている。活性層25は窒化ガリウム系半導体層を含み、この窒化ガリウム系半導体層は例えば井戸層25aである。活性層25は窒化ガリウム系半導体からなる障壁層25bを含み、井戸層25a及び障壁層25bは交互に配列されている。井戸層25aは、例えばInGaN等からなり、障壁層25bは例えばGaN、InGaN等からなる。活性層25は、波長360nm以上600nm以下の光を発生するように設けられた量子井戸構造を含むことができる。半極性面の利用により、波長430nm以上550nm以下の光の発生に好適である。p側光ガイド層37は、活性層25の上に設けられている。p側光ガイド層37は、活性層25とp側ブロック層39との間に設けられている。p側光ガイド層37は、アンドープの窒化ガリウム系半導体からなり、例えば、GaN、InGaN等からなる。p側ブロック層39は、p側光ガイド層37とp側光ガイド層38との間に設けられる。p側ブロック層39は、p型窒化ガリウム系半導体からなり、例えば、p型AlGaN等からなる。p側光ガイド層38は、p側ブロック層39の上に設けられている。p側光ガイド層38は、p側ブロック層39とクラッド層23との間に設けられている。p側光ガイド層38は、p型窒化ガリウム系半導体からなり、例えば、p型GaN、p型InGaN等からなる。クラッド層23は、p側光ガイド層38の上に設けられている。クラッド層23は、p側光ガイド層38とコンタクト層33との間に設けられている。クラッド層23は、p型窒化ガリウム系半導体からなり、例えば、p型AlGaN、p型InAlGaN等からなる。コンタクト層33は、クラッド層23の上に設けられている。コンタクト層33は、p型窒化ガリウム半導体からなり、例えば、p型GaN等からなる。半導体層20、n側クラッド層21、n側光ガイド層35a、n側光ガイド層35b、活性層25、p側光ガイド層37、p側ブロック層39、p側光ガイド層38、クラッド層23及びコンタクト層33は、半極性主面17aレーザ構造体13のp側の面13aの法線軸NXに沿って順に配列されている。絶縁膜31及びp側電極15は、半導体領域19のp側の表面19aレーザ構造体13のp側の面13aに設けられている。絶縁膜31は、半導体領域19の表面19aを覆っており、半導体領域19は絶縁膜31と支持基体17との間に位置する。絶縁膜31は開口31aを有し、開口31aは半導体領域19の表面19aとc-m面との交差線LIXの方向に延在し、例えばストライプ形状を成す。p側電極15は、開口31aを介して半導体領域19の表面19aコンタクト層33に接触を成しており、交差線LIXの方向に延在する。n側電極41は、レーザ構造体13のn側の裏面13b支持基体17の裏面17bに設けられており、裏面13b裏面17bを覆っている。絶縁膜31は、例えば、SiO2の絶縁膜であり、n側電極41は、例えば、Ti/Al/Ti/Auからなり、p側電極15は、例えば、Ni/Auからなる。また、III族窒化物半導体レーザ素子11は、パッド電極を有する。このパッド電極は、p側電極15に接続されており、例えば、Ti/Alからなる。III族窒化物半導体レーザ素子11において、レーザ構造体13は、c-m面に交差する割断面27及び割断面29を含む。III族窒化物半導体レーザ素子11のレーザ導波路は、n側クラッド層21、クラッド層23及び活性層25を含み、交差線LIXの方向に延在する。割断面27及び割断面29の各々における活性層25の端面SE図5を参照は、支持基体17のm軸に直交するm面に対し、c-m面においてALPHA-5度以上ALPHA5度以下の範囲の角度を成す。活性層25の端面SEは、図5に示すように、c-m面と法線軸NXとに直交する平面S2基板生産物5の基準面によって与えられる面において、この平面S2とc-m面との交線交差線LIXに直交する面Siから、-5度以上5度以下の範囲の角度ずれBETAを有している。III族窒化物半導体レーザ素子11では、支持基体17の厚さDSUBは400μm以下であることが、レーザ共振器のための良質な割断面を得るために良い。特に、III族窒化物半導体レーザ素子11では、支持基体17の厚さDSUBは50μm以上100μm以下であることが良く、この場合、ハンドリングが容易になり、生産歩留まりを向上させることができる。半極性主面17aは、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかであることができる。更に、{20-21}面と{20-2-1}面との何れかの面から-4度以上4度以下の範囲で微傾斜した面も半極性主面17aとして良い。これら典型的な半極性主面17aにおいて、III族窒化物半導体レーザ素子11のレーザ共振器を構成できる程度の十分な平坦性及び垂直性の割断面27及び割断面29を提供できる。また、これらの典型的な面方位にわたる角度の範囲において、十分な平坦性及び垂直性を示す端面が得られる。支持基体17の積層欠陥密度は、1×104cm-3以下であることができる。積層欠陥密度が1×104cm-3以下であるので、偶発的な事情により割断面の平坦性及び/又は垂直性が乱れる可能性が比較的に低い。また、支持基体17の材料は、GaN、AlN、AlGaN、InGaN及びInAlGaNの何れかの窒化ガリウム系半導体を含む。これらの窒化ガリウム系半導体からなる基板を用いるとき、共振器として利用可能な割断面27及び割断面29を得ることができる。AlN又はAlGaN基板を用いるとき、偏光度を大きくでき、また低屈折率により光閉じ込めを強化できる。InGaN基板を用いるとき、基板と発光層との格子不整合率を小さくでき、結晶品質を向上できる。実施例以下の通り有機金属気相成長法により図9に示すレーザダイオードを作製した。図9に示すレーザダイオードは、図7に示すIII族窒化物半導体レーザ素子11に対応する。原料にはトリメチルガリウムTMGa、トリメチルアルミニウムTMAl、トリメチルインジウムTMIn、アンモニアNH3、シランSiH4を用いた。基板には、HVPE法で厚く成長した0001GaNインゴットからm軸方向に75度の角度で切り出した20-21面を主面とするGaN基板基板Sub及び支持基体17に対応を用いた。この基板を反応炉内のサセプタ上に配置した後に、以下の成長手順でエピタキシャル層半導体領域Ly及び半導体領域19に対応を成長した。まず、厚さ1000nm程度のn型GaN半導体層20に対応を成長した。次に、n型の第1のクラッド層である厚さ1200nm程度のn型InAlGaN層n側クラッド層21に対応を成長した。引き続き、厚さ200nm程度のn型GaN層n側光ガイド層35aに対応と厚さ65nm程度のアンドープInGaNn側光ガイド層35bに対応とを成長した後に、15nm程度の厚みの複数のGaN層と3nm程度の厚みの複数のInGaN層とが一層ずつ交互に設けられた3周期MQW活性層25に対応を成長した。続いて、厚さ65nm程度のアンドープInGaNp側光ガイド層37に対応と、厚さ20nm程度のp型AlGaNp側ブロック層39に対応と、厚さ200nm程度のp型GaNp側光ガイド層38に対応とを成長した。次に、p型の第2のクラッド層である厚さ400nm程度のp型InAlGaNクラッド層23に対応を成長した。最後に、厚さ50nm程度のp型GaNコンタクト層33を成長した。SiO2の絶縁膜絶縁膜31に対応を、この厚さ50nm程度のp型GaN層の上に成膜した後に、フォトリソグラフィを用いて幅10μm程度のストライプ窓をウェットエッチングにより形成した。ストライプ窓を形成した後に、Ni/Auから成るp側電極p側電極15に対応とTi/Alから成るパッド電極とを蒸着した。次いで、GaN基板基板Sub及び支持基体17に対応の裏面裏面17bに対応をダイヤモンドスラリーを用いて研磨し、この裏面をミラー状態とした。このミラー状態の裏面研磨面に、Ti/Al/Ti/Auから成るn側電極を、蒸着により形成した。以上のようにして、基板生産物基板生産物5に対応を作製した。共振器ミラーの形成には、レーザスクライバを用いた。波長355nmのYAGレーザを用い、レーザの出力は100mW、レーザの走査速度は5mm/sとした。スクライブマークスクライブマーク5bに対応は400μmピッチで形成した。スクライブマークを施した後、実施形態に係る劈開装置を用いて、基板生産物基板生産物5に対応を割断し、レーザバーレーザバー5dに対応を作製した。この割断によって共振器ミラーを形成した。以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。