"半導体ウェハを研磨するための方法であって、研磨パッドを用いて半導体ウェハの表面を研磨するステップを含み、第1のステップにおいては、研磨材を含む研磨スラリーを供給し、次いで研磨スラリーの供給を止め、第2のステップにおいては、固体を含まず12以上のpH値を有する研磨液を供給し、使用される研磨パッドは、半導体ウェハのうち研磨されるべき面と接触する側に隆起部を含む表面構造を有しており、研磨パッドは、研磨作用を有する物質を含んでいない、方法。第1のステップにおいて用いられる研磨スラリーは、アルミニウム、セリウムおよびシリコンといった要素の酸化物からなる群のうち1つ以上から選択される研磨材を含む、請求項1に記載の方法。第1のステップにおいて用いられる研磨スラリーはコロイド状シリカである、請求項1に記載の方法。使用される研磨パッドは多孔質基材を有する、請求項1から3のいずれかに記載の方法。使用される研磨パッドは、熱可塑性または耐熱性のポリマーからなる、請求項1から4のいずれかに記載の方法。使用される研磨パッドは、角錐状もしくはタイル状の構造、円形、楕円形もしくは六角形の隆起部または溝を含む、請求項1から5のいずれかに記載の方法。研磨パッドの表面は、化学エッチング、研削バフ研磨、焼結または溝加工によって構造化される、請求項1から6のいずれかに記載の方法。研磨液を供給しながら研磨する第2のステップにおいては、研磨パッドが半導体ウェハの表面上に押し当てられる研磨圧は、第1のステップにおいて用いられる研磨圧に対して低減される、請求項1から7のいずれかに記載の方法。本発明の目的は、先行技術において公知の方法の代替案を提供することであった。本発明の目的は、半導体ウェハを研磨するための方法によって達成される。当該方法は、研磨パッドを用いて半導体ウェハの表面を研磨するステップを含み、第1のステップにおいては、研磨材を含む研磨スラリーを供給し、次いで研磨スラリーの供給を止め、第2のステップにおいては、固体を含まず12以上のpH値を有する研磨液を供給する。使用される研磨パッドは、半導体ウェハのうち研磨されるべき面と接触する側に隆起部を含む表面構造を有している。研磨パッドは、研磨作用を行なう物質を含んでいない。好ましくは、第1のステップにおいて用いられる研磨スラリーは、アルミニウム、セリウムおよびシリコンといった要素の酸化物からなる群のうち1つ以上から選択される研磨材を含む。研磨物質の粒子の粒径分布は、好ましくは、本質的にモノモーダルである。平均粒径は5~300nmであり、特に好ましくは5~50nmである。研磨スラリー中の研磨物質の割合は、好ましくは、0.25~20重量パーセント、特に好ましくは0.25~1重量パーセントである。コロイド状シリカを研磨スラリーとして用いることが特に好ましい。一例として、水性研磨剤としてバイエルAGBayerAGによるLevasil登録商標200およびフジミFujimiによるGlanzox3900登録商標を用いることができる。研磨スラリーは、炭酸ナトリウムNa2CO3、炭酸カリウムK2CO3、水酸化ナトリウムNaOH、水酸化カリウムKOH、水酸化アンモニウムNH4OH、水酸化テトラメチルアンモニウムTMAHなどの添加剤を含み得る。しかしながら、研磨スラリーは、1つ以上のさらなる添加剤、たとえば、湿潤剤および界面活性剤などの表面活性添加剤、保護コロイドとして作用する安定剤、防腐剤、殺生物剤、アルコールおよび錯化剤を含み得る。第2のステップにおいて用いられる研磨液は、好ましくは、水であるか、または、炭酸ナトリウムNa2CO3、炭酸カリウムK2CO3、水酸化ナトリウムNaOH、水酸化カリウムKOH、水酸化アンモニウムNH4OH、水酸化テトラメチルアンモニウムTMAHといった化合物もしくはそれらのいずれかの所望の混合物の水溶液である。研磨液中の上述の化合物の割合は、好ましくは、0.01~10重量パーセントである。研磨液のpH値は12以上である。使用される研磨パッドは好ましくは多孔質基材を有する。研磨パッドは、好ましくは、熱可塑性または耐熱性のポリマーからなる。材料として、多種多様な材料、たとえば、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリアクリレート、ポリエステルなどが想定され得る。研磨パッドは、好ましくは、固形の微孔性ポリウレタンを含む。また、ポリマーを含浸させた発泡板もしくはフェルトまたは繊維基板からなる研磨パッドを用いることも好ましい。コーティングされた/含浸させた研磨パッドはまた、コーティングの場合と比べて基板における細孔分布および孔径が異なったものになるように構成することもできる。研磨パッドの気孔率を調整するために、充填剤を研磨パッドに投入することもできる。対応する表面トポグラフィの作製後に使用することのできる市販の研磨パッドとして、たとえば、ロデルRodelInc.社によるSPM3100、またはDCPシリーズのパッド、およびロームアンドハースRohmHaas社による商品名IC1000TM、PolytexTMもしくはSUBATMを有するパッドが挙げられる。しかしながら、硬質または非常に硬質の研磨パッドを用いることが好ましい。ショアーAに準じた硬度は少なくとも80°となるはずである。一例として、この目的のためには、ショアーAに準じた84°の硬度を有するロームアンドハース社によるSUBATM1200が適している。ニッタハースNittaHaasInc.社によるSUBATM800T2タイプの研磨パッドも同様に適しており、その代替例は、90を上回るASKERCSRIS0101に準じた硬度を有していなければならない。ショアーAに準じた80~100°の硬度を有する研磨パッドを用いることが特に好ましい。ニッタハース社によるMH-S24Aタイプのパッドについて規定される硬度は、たとえば最大で86JIS-AとなるJISK6253A。この場合、JIS-Aに準じた硬度はショアーAに準じた硬度に相当する。研磨パッドの硬度は、特に好ましくは、ショアーAに準じた92~100°となる非常に硬質の研磨パッド。研磨パッドは、好ましくは、角錐状またはタイル状の構造を有している。したがって、これらの微細構造は、たとえば、円筒形もしくは多角形の断面を有する柱の形状、または角錐もしくは角錐台の形状を有し得る。研磨パッドは、好ましくは、円形または楕円形の隆起部を有する。研磨パッドは、好ましくは、角度のある、たとえば六角形の隆起部を有する。構造または隆起部の高さは、好ましくは、10μm以上、最大で数mmである。隆起部の範囲は、好ましくは、少なくとも50μmから最大でも400μm、特に好ましくは50~200μmである。直径50~200μmの円形の隆起部を有する研磨パッドを用いることが特に好ましい。これらの隆起部は、好ましくは、研磨パッド上に規則的に配置される。2つの隣接する隆起部間の距離は、好ましくは、数μmから約500μmである。研磨パッドは、好ましくは溝または経路を有する。溝または経路の深さは好ましくは10~200μmである。2つの隣接する経路または溝の間の距離は、好ましくは、数μmから約500μmである。研磨パッドの表面は、好ましくは、このような構造、隆起部、経路または溝を設けるために化学エッチングによって処理される。研磨パッドの表面は、好ましくは、このような構造、隆起部、経路または溝を設けるために、機械的な研削またはフライス加工によって処理される。研磨パッドの表面は、好ましくは、このような構造、隆起部、経路または溝を設けるために焼結または溝加工によって処理される。好ましくは、研磨液を供給しながら研磨する第2のステップにおいては、研磨パッドが半導体ウェハの表面上に押し当てられる研磨圧は、第1のステップにおいて用いられる研磨圧に対して低減される。本発明は、12以上の高いpH値を有する研磨液を供給することによる無砥粒の研磨を提供する。研磨スラリーは、研磨の第1のステップにおいて供給される。この第1のステップは、研磨工程を開始させる役割を果たす。研磨工程が開始されると直ぐに、研磨スラリーの供給を終了させる。代わりに、次にアルカリ性の研磨液を供給する。好ましくは、研磨液を供給しながら研磨する第2のステップにおける研磨時間は、研磨時間全体のうち、少なくとも50、好ましくは少なくとも70、特に好ましくは少なくとも85に相当する。好ましくは、半導体ウェハの表面側だけが研磨される。この場合、除去される材料を合計すると、好ましくは1.0μm以下となる。研磨液を供給しながら研磨する第2のステップは、好ましくは、低い研磨圧で実施される。この場合、研磨圧は好ましくは約70~約200hPAであるのに対して、当該方法のうち研磨スラリーが供給される初めの段階においては、研磨圧は最大で560hPa、好ましくは250~400hPaである。従来の研磨機、たとえば、アプライドマテリアルズAppliedMaterials,Inc.社による反射型の研磨機などは、当該方法を実行するのに適している。この研磨機は、従来、特にCMP研磨において用いられてきたものであり、マルチプレート型の研磨機である。この研磨機は5つの区域を含む膜状キャリアを備えており、これにより、キャリアの圧力プロフィルを5つの区域において別々に設定することが可能となる。従来の化学機械研磨法では、研磨による除去を実現するために、DSPおよびCMPのどちらの場合にも、固定したpH値を有する研磨スラリーシリカゾルが供給される。FAPの場合、研磨材が研磨パッド自体に埋込まれている。この発明の文脈においては、研磨工程を開始させるためにのみ研磨材を追加することが必要となる。研磨による除去を開始した直後、研磨が終わるまで、研磨物質を追加したり研磨材を含む研磨パッドを用いたりすることなく、研磨が実施される。最初に追加された研磨スラリーは、除去研磨工程を開始させる触媒としてのみ作用するだけであり、その後、非活性化される。幾何学的形状およびトポグラフィを決定付ける研磨自体は、外部から供給されるシリカゾル粒子の形状を有していようと、研磨パッドに埋込まれた研磨粒子の形状を有していようとも、いずれの研磨材も使用することなく行なわれる。その他の場合、当該方法では従来のCMP工程パラメータが用いられる。研磨ヘッドおよびプレートの速度は、好ましくは、約30~150rpmである。研磨剤の体積流量は、好ましくは、100~1000ml/minである。内部でウェハが案内される研磨ヘッドを、研磨中に振動させた状態で研磨パッド上で移動させることも好ましい。半導体ウェハの局所的なトポグラフィが研磨パッド表面の局所的な隆起部と接触する箇所では特に、半導体ウェハの表面に対する局所的な研磨圧が大きくなる。無砥粒でトポグラフィ依存の除去研磨工程が、アルカリ性の研磨液を共に用いて、半導体ウェハ上で実施される。これは従来のCMP研磨と比べると有利である。というのも、特に、自由に移動可能なアルカリ性のシリカゾル粒子を軟質の研磨仕上げパッドと併用することにより、半導体ウェハの表面上にある窪みにおいてもさらに除去が施されるからである。これは、本発明に従った方法によって省くことができ、半導体ウェハの表面のトポグラフィの改善につながる。半導体ウェハの両面研磨と半導体ウェハの表面側の最終的な研磨との間に、中間ステップとして、すなわち、両面研磨-裏面側の無砥粒研磨-表面側の研磨という一連の工程として、本発明に従った方法を半導体ウェハの裏面側の研磨に適用することが特に好ましい。表面側の最終研磨を、本発明に記載の方法に従って無砥粒研磨として構成することもさらに好ましい。ここでクレームされている研磨方法が幾何学的形状およびナノトポロジーに関して有利であることが判明した。発明者は、主として無砥粒で行なわれる研磨の有利な特性の原因として、無砥粒での研磨により、DSPおよびCMPの場合に従来用いられてきた研磨スラリーの厄介な特性が排除されることに起因すると考えている。ウェハ、研磨パッドおよび研磨スラリーの3つの相互作用が、DSPおよびCMPの場合に起こる。これにより、ウェハ上で非選択的に材料が除去される。材料の除去は、DSPおよびCMPの場合にはウェハのトポグラフィには依存しない。アプライドマテリアルズ社による反射型の研磨機上でシリコンウェハに対して本発明に従った研磨を施す場合、シリコンウェハの最初の形状がわずかに窪んでいることにより、特に、局所的に得ることができる形状寸法値に関して良好な研磨結果が得られる。これを達成するために、研磨中、平均除去速度を約0.05~0.15μm/minに規定することが必要となった。これは、12よりも大きいpH値を有する研磨液によって確実にされる。FAPと比較すると、本発明に従った方法の結果として、ウェハの表面粗さに有意な改善を認めることができる。実験によれば、FAPと比較して、表面上の目に見えるひっかき傷および欠陥が著しく少なくなっていることが分かった。本発明について有利なことは、非常に硬い研磨パッドさえも使用可能になることである。CMPの場合と同様にシリカゾルを用いると、対照的に、使用可能なパッドの硬度がより高い値に制限される。というのも、CMPの場合、準拠した研磨パッド表面と、押圧されるよう水酸化物イオンが充填されたゾル粒子との相互作用として、可能な限り均一な除去が実現されるからである。この場合には、それがウェハ表面に軽く載っており、このため、同時に起こる薬品侵食により材料が静かに切り取られて、取り除かれる。対照的に、ここでクレームされている実質的に無砥粒の研磨の場合、水酸化物イオンOH-は、好ましくは非常に硬質の研磨パッドが有する特徴的な外形の表面構造によってウェハ表面を標的として接触させられる。これにより、たとえば、研磨パッド表面の局所的な隆起部がウェハ表面の隆起部に当たった場合に、局所的な圧力が最も高い位置において、局所的に限定された高い除去速度が得られる。これにより、結果として除去の挙動が理想的なものとなり、ウェハ表面の欠陥が防止されると同時に、ウェハ表面が最適に平坦化される。本発明に従った方法によって研磨される半導体ウェハは、好ましくは、シリコン、シリコンゲルマニウム、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ガリウムヒ素、およびさらには、いわゆるIII-V半導体からなるウェハに相当する。たとえば、チョクラルスキーCzochralskiまたは浮遊帯溶融プロセスによって結晶化される単結晶形のシリコンを用いることが好ましい。"