"走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルを、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを1フィールド内に複数設けて階調表示するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、特定の放電セルで強制初期化動作を行う初期化期間を有する特定セル初期化サブフィールドを設けるとともに、前記特定セル初期化サブフィールドの直前のサブフィールドには、前記維持期間の後にプレリセット期間を設け、前記プレリセット期間では、前記プレリセット期間の直前の維持期間に維持放電を発生した放電セルに第1の補助放電を発生した後、前記プレリセット期間の直後の前記特定セル初期化サブフィールドの前記初期化期間において前記強制初期化動作を行う放電セルに第2の補助放電を発生することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。前記第1の補助放電を発生するために前記放電セルに印加する電圧は、電圧0Vから負極性の電圧に向かって下降する第1の傾斜電圧であり、前記第2の補助放電を発生するために前記放電セルに印加する電圧は、電圧0Vから負極性の電圧に向かって下降する第2の傾斜電圧であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。前記第2の傾斜電圧を前記走査電極に印加するとともに、前記第2の傾斜電圧を前記走査電極に印加する期間は前記維持電極に正極性の電圧を印加することを特徴とする請求項2に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。前記第2の補助放電を発生する放電セルに前記第2の傾斜電圧を印加する期間に、前記第2の補助放電を発生しない放電セルには、所定の正極性の電圧から前記第2の傾斜電圧の最低電圧よりも高い電圧に向かって下降する第3の傾斜電圧を印加することを特徴とする請求項2に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。前記特定セル初期化サブフィールドを1フィールドの先頭サブフィールドとし、前記プレリセット期間を設けるサブフィールドを1フィールドの最終サブフィールドとすることを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備え、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを1フィールド内に複数設けるとともに特定セル初期化期間を有するサブフィールドを設けて階調表示するプラズマディスプレイパネルと、前記維持電極を駆動する維持電極駆動回路と、前記放電セルに初期化放電を発生する強制初期化波形と、直前のサブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルに初期化放電を発生する選択初期化波形とのいずれかを前記初期化期間に発生して前記走査電極に印加し、前記特定セル初期化期間においては特定の走査電極に前記強制初期化波形を印加する走査電極駆動回路とを備え、前記特定セル初期化期間を有するサブフィールドの直前のサブフィールドにおいては前記維持期間の後にプレリセット期間を設け、前記走査電極駆動回路は、前記プレリセット期間において、前記プレリセット期間の直前の維持期間に維持放電を発生した放電セルに第1の補助放電を発生する第1の傾斜電圧を前記走査電極に印加した後、前記プレリセット期間の直後の前記特定セル初期化期間において前記強制初期化波形を印加する走査電極に第2の傾斜電圧を印加し、前記維持電極駆動回路は、前記走査電極駆動回路が前記走査電極に前記第2の傾斜電圧を印加する期間、前記維持電極に正極性の電圧を印加することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。前記走査電極駆動回路は、前記第1の傾斜電圧および前記第2の傾斜電圧を、電圧0Vから負極性の電圧に向かって下降する傾斜電圧として発生することを特徴とする請求項6に記載のプラズマディスプレイ装置。前記走査電極駆動回路は、前記走査電極に前記第2の傾斜電圧を印加する期間、前記プレリセット期間の直後の前記特定セル初期化期間において前記選択初期化波形を印加する走査電極に、所定の正極性の電圧から前記第2の傾斜電圧の最低電圧よりも高い電圧に向かって下降する第3の傾斜電圧を印加することを特徴とする請求項7に記載のプラズマディスプレイ装置。以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。実施の形態図1は、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネル10の構造を示す分解斜視図である。ガラス製の前面基板21上には、走査電極22と維持電極23とからなる表示電極対24が複数形成されている。そして、走査電極22と維持電極23とを覆うように誘電体層25が形成され、その誘電体層25上に保護層26が形成されている。この保護層26は、2次電子放出係数が大きく、かつ耐久性に優れた酸化マグネシウムMgOを主成分とする材料で形成されている。ガラス製の背面基板31上にはデータ電極32が複数形成され、データ電極32を覆うように誘電体層33が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁34が形成されている。そして、隔壁34の側面および誘電体層33上には赤色R、緑色Gおよび青色Bの各色に発光する蛍光体層35が設けられている。これら前面基板21と背面基板31とを、微小な放電空間を挟んで表示電極対24とデータ電極32とが交差するように対向配置する。そして、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着する。そして、その内部の放電空間には、例えばネオンとキセノンの混合ガスを放電ガスとして封入する。なお、本実施の形態では、発光効率を向上するためにキセノン分圧を約10とした放電ガスを用いている。放電空間は隔壁34によって複数の区画に仕切られており、表示電極対24とデータ電極32とが交差する部分に放電セルが形成されている。こうして、パネル10には複数の放電セルが形成される。そして、これらの放電セルで放電を発生し、放電セルの蛍光体層35を発光放電セルを点灯することにより、パネル10にカラーの画像を表示する。なお、パネル10においては、表示電極対24が延伸する方向に配列された連続する3つの放電セル、すなわち、赤色Rに発光する放電セルと、緑色Gに発光する放電セルと、青色Bに発光する放電セルの3つの放電セルで1つの画素が構成される。なお、パネル10の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えば隔壁が垂直方向列方向にのみ配置されるストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。また、放電ガスの混合比率も上述した数値に限られるわけではなく、その他の混合比率であってもよい。図2は、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネル10の電極配列図である。パネル10には、水平方向行方向に延長されたn本の走査電極SC1~走査電極SCn図1の走査電極22およびn本の維持電極SU1~維持電極SUn図1の維持電極23が配列されており、垂直方向列方向に延長されたm本のデータ電極D1~データ電極Dm図1のデータ電極32が配列されている。そして、1対の走査電極SCii=1~nおよび維持電極SUiと1つのデータ電極Dkk=1~mとが交差した部分に放電セルが形成される。すなわち、1対の表示電極対24上には、m個の放電セルが形成され、m/3個の画素が形成される。そして、放電セルは放電空間内にm×n個形成され、m×n個の放電セルが形成された領域がパネル10の画像表示領域となる。例えば、画素数が1920×1080個のパネルでは、m=1920×3となり、n=1080となる。次に、パネル10を駆動するための駆動電圧波形とその動作の概要について説明する。なお、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置は、サブフィールド法によってパネル10に階調を表示する。サブフィールド法では、1フィールドを時間軸上で複数のサブフィールドに分割し、各サブフィールドにそれぞれ輝度重みを設定する。それぞれのサブフィールドは初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。各サブフィールドの維持期間においては、それぞれのサブフィールドの輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを表示電極対24のそれぞれに印加する。そして、各サブフィールドの書込み期間では、発光すべき放電セルに書込み放電を発生することで、サブフィールド毎に各放電セルの発光非発光を制御する。そして、サブフィールド毎に各放電セルの発光非発光を制御することによってパネル10に画像を表示する。輝度重みとは、各サブフィールドで表示する輝度の大きさの比を表すものであり、各サブフィールドでは輝度重みに応じた数の維持パルスを維持期間に発生する。そのため、例えば、輝度重み8のサブフィールドは、輝度重み1のサブフィールドの約8倍の輝度で発光し、輝度重み2のサブフィールドの約4倍の輝度で発光する。したがって、画像信号に応じた組み合わせで各サブフィールドを選択的に発光することによってパネル10に様々な階調を表示し、パネル10に画像を表示することができる。初期化期間では、放電セルに初期化放電を発生し、続く書込み期間における書込み放電に必要な壁電荷を各電極上に形成する初期化動作を行う。本実施の形態では、初期化期間において強制初期化動作と選択初期化動作との2つのうちのいずれかの初期化動作を行う。強制初期化動作とは、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する初期化動作のことである。また、選択初期化動作とは、直前のサブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルだけに初期化放電を発生する初期化動作のことである。そして、1フィールドの先頭サブフィールドサブフィールドSF1の初期化期間においては、特定セル初期化動作を行い、他のサブフィールドの初期化期間においては全ての放電セルで選択初期化動作を行う。特定セル初期化動作とは、特定の放電セルで強制初期化動作を行い、他の放電セルでは選択初期化動作を行う初期化動作のことである。したがって、1フィールドの先頭サブフィールドサブフィールドSF1の初期化期間においては、特定の放電セルには強制初期化動作を行うための強制初期化波形を印加し、他の放電セルには選択初期化動作を行うための選択初期化波形を印加する。以下、特定セル初期化動作を行う初期化期間を特定セル初期化期間と呼称し、特定セル初期化期間を有するサブフィールドを特定セル初期化サブフィールドと呼称する。また、全ての放電セルで選択初期化動作を行う初期化期間を選択初期化期間と呼称し、選択初期化期間を有するサブフィールドを選択初期化サブフィールドと呼称する。なお、本実施の形態では、1フィールドをサブフィールドSF1からサブフィールドSF8までの8つのサブフィールドで構成し、サブフィールドSF1からサブフィールドSF8までの各サブフィールドにはそれぞれ1、2、4、8、16、32、64、128の輝度重みを設定する例を説明する。そして、サブフィールドSF1を特定セル初期化サブフィールドとし、サブフィールドSF2からサブフィールドSF8を選択初期化サブフィールドとする。また、本実施の形態では、特定セル初期化サブフィールドにおいて強制初期化動作を行う放電セルが互いに異なる第1のフィールドと第2のフィールドとを交互に発生してパネル10を駆動するものとする。以下、強制初期化動作の発生パターンについて説明する。図3は、本発明の実施の形態における強制初期化動作と選択初期化動作の発生パターンの一例を示す図である。図3において、横軸はフィールドを表し、縦軸は走査電極22を表す。また、図3に示す○は、特定セル初期化サブフィールドであるサブフィールドSF1の初期化期間において強制初期化動作を行うことを表し、×は、その初期化期間において選択初期化動作を行うことを表す。図3に示すように、本実施の形態において、第1のフィールドにおける特定セル初期化サブフィールドでは、配置的に見て奇数番目の走査電極22上に形成される放電セルで強制初期化動作を行う。また、第2のフィールドにおける特定セル初期化サブフィールドでは、配置的に見て偶数番目の走査電極22上に形成される放電セルで強制初期化動作を行う。そして、第1のフィールドと第2のフィールドとを交互に発生する。こうすることで、本実施の形態では、各放電セルにおいて2フィールドに1回ずつ強制初期化動作を行う。本実施の形態においては、このようにパネル10を駆動することで、黒輝度を上昇させる要因となる発光を極力減らして黒輝度を低減し、表示画像のコントラスト比を向上する。これは次のような理由による。黒輝度を上昇させる要因の1つに、初期化放電による発光がある。ただし、選択初期化動作は、直前のサブフィールドで維持放電を発生しなかった放電セルでは放電が発生しないので、黒輝度の明るさに実質的に影響を与えない。しかし、強制初期化動作は、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電が発生するので、黒輝度の明るさに影響を与える。すなわち、強制初期化動作の発生頻度が大きくなるほど黒輝度は上昇する。したがって、各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を低減すれば、表示画像の黒輝度を低減し、コントラストを向上することができる。そこで、本実施の形態では、図3に示すように、第1のフィールドと、第2のフィールドとを交互に発生する。第1のフィールドは、配置的に見て奇数番目の走査電極22上に形成される放電セルで強制初期化動作を行う特定セル初期化サブフィールドを有する。第2のフィールドは、配置的に見て偶数番目の走査電極22上に形成される放電セルで強制初期化動作を行う特定セル初期化サブフィールドを有する。これにより、各放電セルで強制初期化動作を行う回数を、2フィールドに1回にすることができる。したがって、この構成では、フィールド毎に全ての放電セルで強制初期化動作を行う構成と比較して、各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を半分に低減して黒輝度を低減し、パネル10に表示される画像のコントラスト比を向上することができる。次に、第1のフィールド、第2のフィールドについて説明する。なお、上述したように、本実施の形態では、第1のフィールド、第2のフィールドをそれぞれサブフィールドSF1からサブフィールドSF8までの8つのサブフィールドで構成し、サブフィールドSF1からサブフィールドSF8までの各サブフィールドにそれぞれ1、2、4、8、16、32、64、128の輝度重みを設定する。しかし、本実施の形態は、サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重みが上記の値に限定されるものではない。また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切換える構成であってもよい。図4は、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネル10の各電極に印加する駆動電圧波形の一例を示す波形図である。図4には、書込み期間において最初に書込み動作を行う走査電極SC1、書込み期間において最後に書込み動作を行う走査電極SCn例えば、走査電極SC1080、維持電極SU1~維持電極SUn、およびデータ電極D1~データ電極Dmのそれぞれに印加する駆動電圧波形を示す。また、図4には、以下の駆動電圧波形を示す。すなわち、特定セル初期化サブフィールドである第1のフィールドのサブフィールドSF1と、第2のフィールドのサブフィールドSF1の初期化期間と、選択初期化サブフィールドであるサブフィールドSF2の初期化期間および書込み期間と、最終サブフィールドであるサブフィールドSF8の維持期間およびプレリセット期間とを図4に示す。したがって、サブフィールドSF1と、サブフィールドSF2からサブフィールドSF8とでは、初期化期間に走査電極22に印加する駆動電圧の波形形状が異なる。なお、サブフィールドSF2の書込み期間以降からサブフィールドSF8の書込み期間までは図示していないが、サブフィールドSF1を除く各サブフィールドは選択初期化サブフィールドであり、維持パルスの発生数を除き、各期間でほぼ同様の駆動電圧波形を発生する。また、第2のフィールドのサブフィールドSF1の書込み期間および維持期間を図示していないが、第1のフィールドのサブフィールドSF1の書込み期間および維持期間と、第2のフィールドのサブフィールドSF1の書込み期間および維持期間とは、ほぼ同様の駆動電圧波形を発生する。また、以下における走査電極SCi、維持電極SUi、データ電極Dkは、各電極の中からサブフィールドデータサブフィールド毎の発光非発光を示すデータにもとづき選択された電極を表す。まず、特定セル初期化サブフィールドである第1のフィールドのサブフィールドSF1について説明する。なお、上述したように、本実施の形態においては、第1のフィールドの特定セル初期化サブフィールドサブフィールドSF1では、配置的に見て上から奇数番目、すなわち12×N番目Nは0以上の整数の走査電極SC12×Nには、強制初期化動作を行うための強制初期化波形を印加する。また、配置的に見て上から偶数番目、すなわち22×N番目の走査電極SC22×Nには、選択初期化動作を行うための選択初期化波形を印加する。サブフィールドSF1の初期化期間前半部では、データ電極D1~データ電極Dm、維持電極SU1~維持電極SUnには、それぞれ電圧0Vを印加する。走査電極SC12×Nには、電圧Vi1を印加し、電圧Vi1から電圧Vi2に向かって緩やかに例えば、約1.3V/μsecの勾配で上昇する傾斜電圧以下、上りランプ電圧L1と呼称するを印加する。このとき、電圧Vi1は、維持電極SU12×Nに対して放電開始電圧未満の電圧に設定し、電圧Vi2は維持電極SU12×Nに対して放電開始電圧を超える電圧に設定する。この上りランプ電圧L1が上昇する間に、走査電極SC12×Nと維持電極SU12×Nとの間、および走査電極SC12×Nとデータ電極D1~データ電極Dmとの間に、それぞれ微弱な初期化放電が持続して発生する。そして、走査電極SC12×N上に負極性の壁電圧が蓄積され、走査電極SC12×Nと交差するデータ電極D1~データ電極Dm上および維持電極SU12×N上には正極性の壁電圧が蓄積される。この電極上の壁電圧とは、電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。サブフィールドSF1の初期化期間後半部では、走査電極SC12×Nに印加する電圧を電圧Vi2から電圧Vi2よりも低い電圧Vi3に下げる。また、維持電極SU1~維持電極SUnには正極性の電圧Veを印加し、データ電極D1~データ電極Dmには電圧0Vを印加する。そして、走査電極SC12×Nに、電圧Vi3から負極性の電圧Vi4に向かって緩やかに例えば、約-1.0V/μsecの勾配で下降する傾斜電圧以下、下りランプ電圧L2と呼称するを印加する。このとき、電圧Vi3は、維持電極SU12×Nに対して放電開始電圧未満の電圧に設定し、電圧Vi4は、維持電極SU12×Nに対して放電開始電圧を超える電圧に設定する。この下りランプ電圧L2を走査電極SC12×Nに印加する間に、走査電極SC12×Nと維持電極SU12×Nとの間、および走査電極SC12×Nとデータ電極D1~データ電極Dmとの間に、それぞれ微弱な初期化放電が発生する。そして、走査電極SC12×N上の負極性の壁電圧および維持電極SU12×N上の正極性の壁電圧が弱められ、走査電極SC12×Nと交差するデータ電極D1~データ電極Dm上の正極性の壁電圧は書込み期間での書込み動作に適した値に調整される。以上の電圧波形が、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する強制初期化波形である。そして、強制初期化波形を走査電極22に印加する動作が強制初期化動作である。一方、サブフィールドSF1の初期化期間前半部において、走査電極SC22×Nには、電圧Vi1を印加せず、電圧0Vから電圧Vi2’に向かって緩やかに上昇する上りランプ電圧L1’を印加する。この上りランプ電圧L1’は、上りランプ電圧L1と同じ勾配で、上りランプ電圧L1と同じ時間だけ上昇を続ける電圧波形である。したがって、電圧Vi2’は、電圧Vi2から電圧Vi1を引いた電圧に等しい電圧となる。このとき、電圧Vi2’は維持電極23に対して放電開始電圧未満の電圧となるように各電圧および上りランプ電圧L1’を設定する。これにより、上りランプ電圧L1’を印加した放電セルでは放電は実質的に発生しない。サブフィールドSF1の初期化期間後半部において、走査電極SC22×Nには、走査電極SC12×Nと同様に、下りランプ電圧L2を印加する。以上の電圧波形が、第1のフィールドのサブフィールドSF1において走査電極SC22×Nに印加する選択初期化波形である。以上により、第1のフィールドの特定セル初期化サブフィールドサブフィールドSF1における初期化動作が終了する。なお、詳細な説明は省略するが、第2のフィールドの特定セル初期化サブフィールドサブフィールドSF1では、初期化期間において、配置的に見て上から偶数番目、すなわち22×N番目の走査電極SC22×Nには、強制初期化動作のための強制初期化波形を印加する。そして、配置的に見て上から奇数番目、すなわち12×N番目の走査電極SC12×Nには、選択初期化動作のための選択初期化波形を印加する。すなわち、第2のフィールドの特定セル初期化サブフィールドでは、第1のフィールドの特定セル初期化サブフィールドにおいて選択初期化動作を行った放電セルでは強制初期化動作を行い、第1のフィールドの特定セル初期化サブフィールドにおいて強制初期化動作を行った放電セルでは選択初期化動作を行う。続く書込み期間では、走査電極22に走査パルスを印加するとともにデータ電極32に選択的に書込みパルスを印加し、発光するべき放電セルに選択的に書込み放電を発生して、続く維持期間で維持放電を発生するための壁電荷をその放電セル内に形成する書込み動作を行う。サブフィールドSF1の書込み期間では、維持電極SU1~維持電極SUnに電圧Veを印加し、走査電極SC1~走査電極SCnのそれぞれには電圧Vcc例えば、Vcc=VaVscを印加する。次に、配置的に見て上から1番目1行目の走査電極SC1に負極性の電圧Vaの走査パルスを印加する。そして、データ電極D1~データ電極Dmのうちの1行目において発光するべき放電セルのデータ電極Dkに正極性の電圧Vdの書込みパルスを印加する。電圧Vdの書込みパルスを印加した放電セルのデータ電極Dkと走査電極SC1との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差電圧Vd-電圧Vaにデータ電極Dk上の壁電圧と走査電極SC1上の壁電圧との差が加算されたものとなる。これによりデータ電極Dkと走査電極SC1との電圧差が放電開始電圧を超え、データ電極Dkと走査電極SC1との間に放電が発生する。また、維持電極SU1~維持電極SUnに電圧Veを印加しているため、維持電極SU1と走査電極SC1との電圧差は、外部印加電圧の差である電圧Ve-電圧Vaに維持電極SU1上の壁電圧と走査電極SC1上の壁電圧との差が加算されたものとなる。このとき、電圧Veを、放電開始電圧をやや下回る程度の電圧値に設定することで、維持電極SU1と走査電極SC1との間を、放電には至らないが放電が発生しやすい状態とすることができる。これにより、データ電極Dkと走査電極SC1との間に発生する放電を引き金にして、データ電極Dkと交差する領域にある維持電極SU1と走査電極SC1との間に放電を発生することができる。こうして、発光するべき放電セルに書込み放電が発生し、走査電極SC1上に正極性の壁電圧が蓄積され、維持電極SU1上に負極性の壁電圧が蓄積され、データ電極Dk上にも負極性の壁電圧が蓄積される。このようにして、1行目において発光するべき放電セルで書込み放電を発生して各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作を行う。一方、書込みパルスを印加しなかったデータ電極32と走査電極SC1との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作を、走査電極SC2、走査電極SC3、、走査電極SCnという順番で、n行目の放電セルに至るまで順次行い、サブフィールドSF1の書込み期間が終了する。このようにして、書込み期間では、発光するべき放電セルに選択的に書込み放電を発生し、その放電セルに壁電荷を形成する。維持期間では、それぞれのサブフィールドの輝度重みに所定の比例定数を乗じた数の維持パルスを走査電極22および維持電極23に交互に印加して、直前の書込み期間に書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生し、その放電セルを発光する維持動作を行う。この比例定数が輝度倍率である。例えば、輝度倍率が2倍のとき、輝度重み2のサブフィールドの維持期間では、走査電極22と維持電極23とにそれぞれ4回ずつ維持パルスを印加する。そのため、その維持期間で発生する維持パルスの数は8となる。サブフィールドSF1の維持期間では、維持電極SU1~維持電極SUnにベース電位となる電圧0Vを印加するとともに走査電極SC1~走査電極SCnに正極性の電圧Vsの維持パルスを印加する。書込み放電を発生した放電セルでは、走査電極SCiと維持電極SUiとの電圧差が、維持パルスの電圧Vsに走査電極SCi上の壁電圧と維持電極SUi上の壁電圧との差が加算されたものとなる。これにより、走査電極SCiと維持電極SUiとの電圧差が放電開始電圧を超え、走査電極SCiと維持電極SUiとの間に維持放電が発生する。そして、この放電により発生した紫外線により蛍光体層35が発光する。また、この放電により、走査電極SCi上に負極性の壁電圧が蓄積され、維持電極SUi上に正極性の壁電圧が蓄積される。さらに、データ電極Dk上にも正極性の壁電圧が蓄積される。書込み期間において書込み放電が発生しなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保たれる。続いて、走査電極SC1~走査電極SCnには電圧0Vを印加し、維持電極SU1~維持電極SUnには電圧Vsの維持パルスを印加する。維持放電を発生した放電セルでは、維持電極SUiと走査電極SCiとの電圧差が放電開始電圧を超える。これにより、再び維持電極SUiと走査電極SCiとの間に維持放電が発生し、維持電極SUi上に負極性の壁電圧が蓄積され、走査電極SCi上に正極性の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極SC1~走査電極SCnと維持電極SU1~維持電極SUnとに、輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを交互に印加する。こうして表示電極対24の電極間に電位差を与えることにより、書込み期間において書込み放電を発生した放電セルで維持放電が継続して発生する。そして、維持期間における維持パルスの発生後維持期間の最後に、維持電極SU1~維持電極SUnおよびデータ電極D1~データ電極Dmには電圧0Vを印加したまま、走査電極SC1~走査電極SCnには、ベース電位である電圧0Vから電圧Versまで緩やかに例えば、約10V/μsecの勾配で上昇する傾斜電圧以下、消去ランプ電圧L3と呼称するを印加する。電圧Versを放電開始電圧を超える電圧に設定することで、走査電極SC1~走査電極SCnへ印加する消去ランプ電圧L3が放電開始電圧を超えて上昇する間に、維持放電を発生した放電セルの維持電極SUiと走査電極SCiとの間に、微弱な放電が持続して発生する。この微弱な放電で発生した荷電粒子は、維持電極SUiと走査電極SCiとの間の電圧差を緩和するように、維持電極SUi上および走査電極SCi上に壁電荷となって蓄積されていく。これにより、データ電極Dk上の正極性の壁電圧を残したまま、走査電極SCi上の壁電圧および維持電極SUi上の壁電圧は、走査電極SCiに印加した電圧と放電開始電圧の差、例えば電圧Vers-放電開始電圧の程度まで弱められる。以下、この放電を消去放電と記す。走査電極SC1~走査電極SCnに印加する電圧が電圧Versに到達したら、走査電極SC1~走査電極SCnへの印加電圧を電圧0Vまで下降する。こうして、サブフィールドSF1の維持期間における維持動作が終了する。以上により、サブフィールドSF1の駆動動作が終了する。次に、選択初期化サブフィールドについてサブフィールドSF2を例に挙げて説明する。サブフィールドSF2の初期化期間では、選択初期化波形を全ての走査電極22に印加する。この選択初期化波形は、強制初期化波形の前半部を省略した駆動電圧波形である。具体的には、維持電極SU1~維持電極SUnには電圧Veを印加し、データ電極D1~データ電極Dmには電圧0Vを印加する。走査電極SC1~走査電極SCnには放電開始電圧未満となる電圧例えば、電圧0Vから放電開始電圧を超える負極性の電圧Vi4に向かって、下りランプ電圧L2と同じ勾配で下降する下りランプ電圧L4を印加する。これにより、直前のサブフィールド図4では、サブフィールドSF1の維持期間に維持放電を発生した放電セルでは微弱な初期化放電が発生する。そして、走査電極SCi上および維持電極SUi上の壁電圧が弱められる。また、データ電極Dk上には、直前の維持期間に発生した維持放電によって十分な正極性の壁電圧が蓄積されているので、この壁電圧の過剰な部分が放電され、データ電極Dk上の壁電圧は書込み動作に適した壁電圧に調整される。一方、直前のサブフィールド図4では、サブフィールドSF1の維持期間に維持放電を発生しなかった放電セルでは、初期化放電は発生せず、直前のサブフィールドの初期化期間終了時における壁電荷がそのまま保たれる。上述の波形が、直前のサブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルだけに初期化放電を発生する選択初期化波形である。そして、選択初期化波形を走査電極22に印加する動作が選択初期化動作である。以上により、選択初期化サブフィールドの初期化期間における選択初期化動作が終了する。サブフィールドSF1の初期化期間に発生する選択初期化波形と、サブフィールドSF2の初期化期間に発生する選択初期化波形とは、波形形状が互いに異なる。しかし、サブフィールドSF1の初期化期間に発生する選択初期化波形は、初期化期間前半部では放電が発生せず、初期化期間後半部の動作はサブフィールドSF2の初期化期間における選択初期化動作と実質的に同等である。したがって、本実施の形態では、サブフィールドSF1の初期化期間に発生する、上りランプ電圧L1’と下りランプ電圧L2とを有する初期化波形を、選択初期化波形としている。サブフィールドSF2の書込み期間では、サブフィールドSF1の書込み期間と同様の駆動電圧波形を各電極に印加し、発光するべき放電セルの各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作を行う。サブフィールドSF2の維持期間も、サブフィールドSF1の維持期間と同様に、輝度重みに応じた数の維持パルスを走査電極SC1~走査電極SCnと維持電極SU1~維持電極SUnとに交互に印加し、書込み期間において書込み放電を発生した放電セルに維持放電を発生する。サブフィールドSF3以降の各サブフィールドの初期化期間および書込み期間では、各電極に対してサブフィールドSF2の初期化期間および書込み期間と同様の駆動電圧波形を印加する。また、サブフィールドSF3以降の各サブフィールドの維持期間では、維持パルスの発生数を除き、サブフィールドSF2と同様の駆動電圧波形を各電極に印加する。そして、本実施の形態では、特定セル初期化サブフィールドの直前のサブフィールドにおいて、維持期間の後にプレリセット期間を設けるものとする。このサブフィールドは、本実施の形態では、1フィールドの最終サブフィールドであるサブフィールドSF8である。このプレリセット期間は、続くフィールドのサブフィールドSF1における初期化動作を安定にするための働きを有する。このプレリセット期間では、走査電極22に、第1の傾斜電圧以下、下りランプ電圧L5と記すを印加し、続いて、第2の傾斜電圧以下、下りランプ電圧L6と記すまたは第3の傾斜電圧以下、下りランプ電圧L6’と記すのいずれかを印加する。具体的には、走査電極22に消去ランプ電圧L3を印加した後、維持電極23およびデータ電極32に電圧0Vを印加する。そして、走査電極22に、電圧0Vから負極性の電圧Vi4に向かって下りランプ電圧L2と同じ勾配例えば、約-1.0V/μsecで下降する下りランプ電圧L5第1の傾斜電圧を印加する。電圧Vi4をデータ電極32に対して放電開始電圧を超える電圧に設定することで、プレリセット期間の直前の維持期間に維持放電を発生した放電セル、すなわちサブフィールドSF8の維持期間において維持放電を発生した放電セルには、走査電極22とデータ電極32との間に第1の補助放電となる微弱な放電が発生する。このとき、この放電は、向かい合う電極間に発生するので、対抗放電となる。下りランプ電圧L5を走査電極22に印加した後は、走査電極22への印加電圧を電圧0Vに戻し、維持電極23に正極性の電圧図4では、電圧Vsを印加する。そして、続くサブフィールドSF1の初期化期間において強制初期化波形を印加する走査電極22図4に示す例では、走査電極SC22×Nには、電圧0Vから負極性の電圧Vi4に向かって下りランプ電圧L2と同じ勾配例えば、約-1.0V/μsecで下降する下りランプ電圧L6第2の傾斜電圧を印加する。すなわち、プレリセット期間の直後の特定セル初期化サブフィールドの初期化期間において強制初期化動作を行う放電セルには、維持電極23に正極性の電圧Vsを印加し、走査電極22に下りランプ電圧L6を印加する。電圧Vi4を維持電極23に対して放電開始電圧を超える電圧に設定することで、走査電極SC22×N上に形成される放電セル内に第2の補助放電となる微弱な放電が発生する。これにより、それらの放電セル内にプライミング粒子を発生するとともに、走査電極SC22×N上には正極性の壁電圧を形成し、維持電極SU22×N上には負極性の壁電圧を形成することができる。なお、維持電極23に電圧Vsを印加することで、第1の補助放電が発生した放電セルであっても、第2の補助放電を発生することができる。なお、走査電極22に下りランプ電圧L6を印加する期間に維持電極23に印加する正極性の電圧図4では、電圧Vsは、選択初期化期間に維持電極23に印加する正極性の電圧図4では、電圧Veよりも高い電圧である。また、走査電極22に下りランプ電圧L5を印加する期間に維持電極23に印加する電圧図4では、電圧0Vは、走査電極22に下りランプ電圧L6を印加する期間に維持電極23に印加する正極性の電圧よりも低い電圧である。したがって、この電圧は、図4には電圧0Vとする例を示しているが、必ずしも電圧0Vに限定されるものではなく、例えば数ボルト程度の負極性の電圧例えば、-10V程度までであってもよい。一方、続くサブフィールドSF1の初期化期間において選択初期化波形を印加する走査電極22図4に示す例では、走査電極SC12×Nには、所定の正極性の電圧である電圧Vscを印加する。そして、電圧Vscから電圧Vi5に向かって、下りランプ電圧L6と同じ勾配で下りランプ電圧L6と同じ時間だけ電圧下降する下りランプ電圧L6’第3の傾斜電圧を印加する。電圧Vi5は、電圧Vscに負極性の電圧Vi4を重畳した電圧に等しい電圧となるため、下りランプ電圧L6の最低電圧である電圧Vi4よりも高い電圧となる。電圧Vi5が放電開始電圧未満の電圧となるように各電圧および下りランプ電圧L6’を設定することで、下りランプ電圧L6’を印加した放電セル図4に示す例では、走査電極SC22×N上に形成される放電セルでは実質的に放電は発生しない。以上が、本実施の形態においてパネル10の各電極に印加する駆動電圧波形の概要である。次に、本実施の形態において、プレリセット期間に下りランプ電圧L5と、下りランプ電圧L6または下りランプ電圧L6’を発生し走査電極22に印加する理由について説明する。プレリセット期間において、下りランプ電圧L5を発生し走査電極22に印加するのは、次のような理由による。例えば、第1のフィールドの最終サブフィールドにおける消去ランプ電圧L3による消去動作から、続く第2のフィールドのサブフィールドSF1の初期化期間までの時間が延びると、そのサブフィールドSF1の特定セル初期化期間で選択初期化動作を行う放電セルにおいて、下りランプ電圧L2による初期化放電が不安定になることが確認された。この現象は、第2のフィールドの最終サブフィールドにおける消去ランプ電圧L3による消去動作から、続く第1のフィールドのサブフィールドSF1の初期化期間までの時間が延びた場合も同様である。これは、消去放電により調整された壁電荷が時間の経過とともに減少して初期化放電が発生しにくくなるためと考えられる。そして、初期化放電が不安定になると、壁電荷が適正に初期化されず、続く書込み期間における書込み動作が不安定になる。ただし、強制初期化動作を行う放電セルには、上りランプ電圧L1による初期化放電が発生するので、この現象は生じない。例えば、第2のフィールドのサブフィールドSF1において選択初期化動作を行う放電セルに初期化放電を安定に発生するためには、第1のフィールドにおける消去ランプ電圧L3による消去動作から第2のフィールドのサブフィールドSF1における選択初期化動作までの時間をできるだけ短縮することが望ましい。同様に、第1のフィールドのサブフィールドSF1において選択初期化動作を行う放電セルに初期化放電を安定に発生するためには、第2のフィールドにおける消去ランプ電圧L3による消去動作から第1のフィールドのサブフィールドSF1における選択初期化動作までの時間をできるだけ短縮することが望ましい。しかし、本実施の形態においては、強制初期化動作を行うために上りランプ電圧L1を発生する時間、および、下りランプ電圧L6または下りランプ電圧L6’を発生する時間が必要となる。そこで、本実施の形態では、消去ランプ電圧L3による消去動作の後に、走査電極22に下りランプ電圧L5を印加するものとする。これにより、サブフィールドSF8の維持期間において維持放電を発生した放電セルには、走査電極22とデータ電極32との間に微弱な放電対抗放電が発生する。この放電は、初期化放電と同様の働きを有している。そのため、この放電により、データ電極32上の正極性の壁電圧は書込み動作に適した値に調整され、放電セル内の壁電荷は消去放電発生後の放電セル内と比較して安定した状態となる。また、放電セル内のプライミング粒子も放電の発生に適した状態に調整される。したがって、第1のフィールドのサブフィールドSF8に続く第2のフィールドのサブフィールドSF1の特定セル初期化期間において選択初期化動作を行う放電セル、および、第2のフィールドのサブフィールドSF8に続く第1のフィールドのサブフィールドSF1の特定セル初期化期間において選択初期化動作を行う放電セルでは、安定した初期化放電が発生する。ただし、下りランプ電圧L5による対抗放電がすでに発生しているため、この選択初期化動作では、対抗放電は発生せず、走査電極22と維持電極23との間の放電だけが発生する。このとき、この放電は、並行する電極間に発生するので、面放電となる。このように、消去ランプ電圧L3による消去動作の後に下りランプ電圧L5による放電を発生することで、消去ランプ電圧L3による消去動作からサブフィールドSF1における選択初期化動作までの時間が延びた場合でも、サブフィールドSF1の書込み期間における書込み動作を安定に発生することが可能となる。プレリセット期間において、下りランプ電圧L6を発生し、続くサブフィールドSF1の初期化期間に強制初期化動作を行う放電セルに印加するのは、次のような理由による。発光効率を高めるためにパネル10内の放電ガスのキセノン分圧を高めると、放電遅れが大きくなることが確認されている。放電遅れとは、放電セルに印加する電圧が放電開始電圧を超えてから実際に放電が発生するまでの時間のことである。例えば、上りランプ電圧L1を走査電極22に印加して強制初期化動作を行うとき、放電遅れが大きいと、放電セルに印加する電圧が放電開始電圧を超えてから実際に放電が発生するまでの間に上りランプ電圧L1の電圧が大きく上昇する。そのため、放電セル内に強い放電以下、強放電と記すが発生することがある。強放電が発生すると、放電セル内に過剰な壁電荷およびプライミング粒子を形成し、その結果、続く書込み期間において誤放電が誘発され、続く維持期間において、書込みがなされていないにもかかわらず維持放電が生じて発光する放電セルが生じることがある。下りランプ電圧L6により発生する放電は、この強放電の発生を防止する働きを有する。下りランプ電圧L6により発生する放電は、上述したように、放電セル内にプライミング粒子を発生するとともに壁電荷を適正な状態に調整することができる。これにより、続く強制初期化動作における放電遅れを改善することができる。すなわち、上りランプ電圧L1による初期化放電発生時に強放電の発生を防止することが可能となる。プレリセット期間において、下りランプ電圧L6’を発生し、続くサブフィールドSF1の初期化期間に選択初期化動作を行う放電セルに印加するのは、次のような理由による。サブフィールドSF1の初期化期間に選択初期化動作を行う放電セルにおいては、上りランプ電圧L1による初期化放電は発生しないので下りランプ電圧L6による放電は不要である。むしろ、不要な放電を発生せず、下りランプ電圧L5による放電で調整した壁電荷の状態を損なわないようにすることが望ましい。そこで、続くサブフィールドSF1の初期化期間において選択初期化波形を印加する走査電極22図4に示す例では、走査電極SC12×Nには電圧Vscを印加する。これにより、その走査電極22に印加する電圧は、電圧Vscから、維持電極23に対して放電開始電圧を超えない電圧Vi5まで電圧下降する下りランプ電圧L6’となる。したがって、その走査電極22上に形成される放電セルにおいては、放電が発生せず、下りランプ電圧L5による放電で調整した壁電荷の状態を維持することができる。このように、本実施の形態では、最終サブフィールドの維持期間終了後にプレリセット期間を設け、プレリセット期間では、下りランプ電圧L5を全ての放電セルに印加し、その後、続くフィールドのサブフィールドSF1の初期化期間において強制初期化動作を行う放電セルには下りランプ電圧L6を印加し、選択初期化動作を行う放電セルには下りランプ電圧L6’を印加する。これにより、サブフィールドSF1の初期化期間において、安定した初期化動作を行うことが可能となる。なお、本実施の形態において各電極に印加する電圧値は、例えば、電圧Vi1=147V、電圧Vi2=357V、電圧Vi2’=210V、電圧Vi3=210V、電圧Vi4=-160V、電圧Ve=125V、電圧Vers=210V、電圧Vsc=147V、電圧Vs=210V、電圧Va=-185V、電圧Vd=60Vである。また、電圧Vccは負極性の電圧Va=-185Vに正極性の電圧Vsc=147Vを重畳するVcc=VaVscことで発生することができ、その場合、電圧Vcc=-38Vとなる。電圧Vi5は、電圧Vsc=147Vに電圧Vi4=-160Vを重畳した電圧Vi5=VscVi4となるので、例えば、電圧Vi5=-13Vとなる。ただし、上述した電圧値や勾配の具体的な数値は単なる一例に過ぎず、本発明は、各電圧値や勾配が上述した数値に限定されるものではない。各電圧値や勾配等は、パネルの放電特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等にもとづき最適に設定することが望ましい。なお、本実施の形態では、プレリセット期間において、続くサブフィールドSF1の初期化期間に選択初期化波形を印加する走査電極22に対して印加する電圧を、下りランプ電圧L6’に限定するものではない。放電セルに放電が発生しない電圧であれば下りランプ電圧L6’でなくともよい。例えば、下りランプ電圧L6’に代えて電圧0Vを印加する構成であってもよい。次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の構成について説明する。図5は、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置1の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置1は、パネル10と駆動回路とを備えている。駆動回路は、画像信号処理回路41、データ電極駆動回路42、走査電極駆動回路43、維持電極駆動回路44、タイミング発生回路45、および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路図示せずを備えている。画像信号処理回路41は、パネル10の画素数および入力された画像信号sigにもとづき、各放電セルに階調値を割り当てる。そして、その階調値を、サブフィールド毎の発光非発光を示すサブフィールドデータ発光非発光をデジタル信号の1、0に対応させたデータのことに変換する。すなわち、画像信号処理回路41は、1フィールド毎の画像信号をサブフィールド毎の発光非発光を示すサブフィールドデータに変換する。例えば、入力された画像信号がR信号、G信号、B信号を含むときには、そのR信号、G信号、B信号にもとづき、各放電セルにR、G、Bの各階調値を割り当てる。あるいは、入力された画像信号が輝度信号Y信号および彩度信号C信号、またはR-Y信号およびB-Y信号、またはu信号およびv信号等を含むときには、その輝度信号および彩度信号にもとづきR信号、G信号、B信号を算出し、その後、各放電セルにR、G、Bの各階調値1フィールドで表現される階調値を割り当てる。そして、各放電セルに割り当てたR、G、Bの階調値を、サブフィールド毎の発光非発光を示すサブフィールドデータに変換する。タイミング発生回路45は、水平同期信号Hおよび垂直同期信号Vにもとづき、各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生する。そして、発生したタイミング信号を、それぞれの回路ブロック画像信号処理回路41、データ電極駆動回路42、走査電極駆動回路43、維持電極駆動回路44等へ供給する。データ電極駆動回路42は、サブフィールド毎のサブフィールドデータを、各データ電極D1~データ電極Dmに対応する信号に変換する。そして、その信号、およびタイミング発生回路45から供給されるタイミング信号にもとづき、各データ電極D1~データ電極Dmを駆動する。書込み期間では書込みパルスを発生し、各データ電極D1~データ電極Dmに印加する。走査電極駆動回路43は、初期化波形発生回路、維持パルス発生回路、走査パルス発生回路図には示さずを備え、タイミング発生回路45から供給されるタイミング信号にもとづいて駆動電圧波形を作成し、走査電極SC1~走査電極SCnのそれぞれに印加する。初期化波形発生回路は、初期化期間に、走査電極SC1~走査電極SCnに印加する初期化波形をタイミング信号にもとづいて発生する。維持パルス発生回路は、維持期間に、走査電極SC1~走査電極SCnに印加する維持パルスをタイミング信号にもとづいて発生する。走査パルス発生回路は、複数の走査電極駆動IC以下、走査ICと略記するを備え、書込み期間に、走査電極SC1~走査電極SCnに印加する走査パルスをタイミング信号にもとづいて発生する。維持電極駆動回路44は、維持パルス発生回路および電圧Veを発生する回路を備え図5には示さず、タイミング発生回路45から供給されるタイミング信号にもとづいて駆動電圧波形を作成し、維持電極SU1~維持電極SUnのそれぞれに印加する。維持期間では、タイミング信号にもとづいて維持パルスを発生し、維持電極SU1~維持電極SUnに印加する。次に、走査電極駆動回路43の詳細とその動作について説明する。図6は、本発明の実施の形態における走査電極駆動回路43の一構成例を示す回路図である。走査電極駆動回路43は、維持パルスを発生する維持パルス発生回路50と、初期化波形を発生する初期化波形発生回路51と、走査パルスを発生する走査パルス発生回路52とを備える。そして、走査パルス発生回路52の各出力端子は、パネル10の走査電極SC1~走査電極SCnのそれぞれに接続されている。なお、本実施の形態では、走査パルス発生回路52に入力される電圧を基準電位Aと記す。また、以下の説明においてスイッチング素子を導通させる動作をオン、遮断させる動作をオフと表記し、スイッチング素子をオンさせる信号をHi、オフさせる信号をLoと表記する。なお、図6では、各回路に入力される制御信号タイミング発生回路45から供給されるタイミング信号の信号経路の詳細は省略する。また、図6には、負極性の電圧Vaを用いた回路例えば、ミラー積分回路54が動作しているときに、その回路と、維持パルス発生回路50、電圧Vrを用いた回路例えば、ミラー積分回路53、および電圧Versを用いた回路例えば、ミラー積分回路55とを電気的に分離するためのスイッチング素子Q7を用いた分離回路を示している。また、電圧Vrを用いた回路例えば、ミラー積分回路53が動作しているときに、その回路と、電圧Vrよりも低い電圧の電圧Versを用いた回路例えば、ミラー積分回路55とを電気的に分離するためのスイッチング素子Q6を用いた分離回路を示している。維持パルス発生回路50は、電力回収回路56とクランプ回路57とを備えている。電力回収回路56は、電力回収用のコンデンサC11、スイッチング素子Q11、スイッチング素子Q12、逆流防止用のダイオードDi1、ダイオードDi2、共振用のインダクタL11を有している。なお、電力回収用のコンデンサC11は電極間容量Cpに比べて十分に大きい容量を持ち、電力回収回路56の電源として働くように、電圧値Vsの半分の約Vs/2に充電されている。クランプ回路57は、走査電極SC1~走査電極SCnを電圧Vsにクランプするためのスイッチング素子Q13、走査電極SC1~走査電極SCnを電圧0Vにクランプするためのスイッチング素子Q14を有している。そして、タイミング発生回路45から出力されるタイミング信号にもとづき各スイッチング素子を切り換えて維持パルスを発生する。例えば、維持パルスを立ち上げる際には、スイッチング素子Q11をオンにして電極間容量CpとインダクタL11とを共振させ、電力回収用のコンデンサC11に蓄えられた電力を、スイッチング素子Q11、ダイオードDi1、インダクタL11を介して走査電極SC1~走査電極SCnに供給する。そして、走査電極SC1~走査電極SCnの電圧が電圧Vsに近づいた時点で、スイッチング素子Q13をオンにして、走査電極SC1~走査電極SCnを電圧Vsにクランプする。維持パルスを立ち下げる際には、スイッチング素子Q12をオンにして電極間容量CpとインダクタL11とを共振させ、電極間容量Cpの電力を、インダクタL11、ダイオードDi2、スイッチング素子Q12を通して電力回収用のコンデンサC11に回収する。そして、走査電極SC1~走査電極SCnの電圧が電圧0Vに近づいた時点で、スイッチング素子Q14をオンにして、走査電極SC1~走査電極SCnを電圧0Vにクランプする。初期化波形発生回路51は、ミラー積分回路53と、ミラー積分回路54と、ミラー積分回路55とを有する。図6には、ミラー積分回路53の入力端子を入力端子IN1、ミラー積分回路54の入力端子を入力端子IN2、ミラー積分回路55の入力端子を入力端子IN3と示している。なお、ミラー積分回路53およびミラー積分回路55は上昇する傾斜電圧を発生し、ミラー積分回路54は下降する傾斜電圧を発生する。ミラー積分回路53は、スイッチング素子Q1とコンデンサC1と抵抗R1とを有し、初期化動作時に、走査電極駆動回路43の基準電位Aを電圧Vi2’までランプ状に緩やかに例えば、1.3V/μsecで上昇させて上りランプ電圧L1’を発生する。ミラー積分回路55は、スイッチング素子Q3とコンデンサC3と抵抗R3とを有し、維持期間の最後に、基準電位Aを上りランプ電圧L1’よりも急峻な勾配例えば、10V/μsecで電圧Versまで上昇させて消去ランプ電圧L3を発生する。ミラー積分回路54は、スイッチング素子Q2とコンデンサC2と抵抗R2とを有し、初期化動作時に、基準電位Aを電圧Vi4までランプ状に緩やかに例えば、-1.0V/μsecの勾配で下降させて下りランプ電圧L2、下りランプ電圧L4、下りランプ電圧L5および下りランプ電圧L6を発生する。走査パルス発生回路52は、n本の走査電極SC1~走査電極SCnのそれぞれに走査パルスを印加するためのスイッチング素子QH1~スイッチング素子QHnおよびスイッチング素子QL1~スイッチング素子QLnを備えている。スイッチング素子QHjj=1~nの一方の端子とスイッチング素子QLjの一方の端子とは互いに接続されており、その接続箇所が走査パルス発生回路52の出力端子となって、走査電極SCjに接続されている。また、スイッチング素子QHjの他方の端子は入力端子INbであり、スイッチング素子QLjの他方の端子は入力端子INaである。なお、スイッチング素子QH1~スイッチング素子QHn、スイッチング素子QL1~スイッチング素子QLnは複数の出力毎にまとめられ、IC化されている。このICが走査ICである。また、走査パルス発生回路52は、書込み期間において基準電位Aを負極性の電圧Vaに接続するためのスイッチング素子Q5と、電圧Vscを発生し基準電位Aに電圧Vscを重畳する電源VSCと、基準電位Aに電圧Vscを重畳して発生させた電圧Vcを入力端子INbに印加するためのダイオードDi31およびコンデンサC31とを備えている。そして、スイッチング素子QH1~スイッチング素子QHnの入力端子INbには電圧Vcを入力し、スイッチング素子QL1~スイッチング素子QLnの入力端子INaには基準電位Aを入力する。このように構成された走査パルス発生回路52では、書込み期間においては、スイッチング素子Q5をオンにして基準電位Aを負極性の電圧Vaに等しくし、入力端子INaには負極性の電圧Vaを印加し、入力端子INbには電圧Va電圧Vscとなった電圧Vc図4に示す電圧Vccを印加する。そして、サブフィールドデータにもとづき、走査パルスを印加する走査電極SCiに対しては、スイッチング素子QHiをオフ、スイッチング素子QLiをオンにすることで、スイッチング素子QLiを経由して走査電極SCiに負極性の走査パルス電圧Vaを印加する。走査パルスを印加しない走査電極SChhは、1~nのうちiを除いたものに対しては、スイッチング素子QLhをオフ、スイッチング素子QHhをオンにすることで、スイッチング素子QHhを経由して走査電極SChに電圧Va電圧Vsc図4に示す電圧Vccを印加する。次に、プレリセット期間において下りランプ電圧L5、下りランプ電圧L6および下りランプ電圧L6’を発生し、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間において強制初期化波形および選択初期化波形を発生する動作を、図7を用いて説明する。図7は、本発明の実施の形態におけるプレリセット期間および特定セル初期化期間の走査電極駆動回路43の動作の一例を説明するためのタイミングチャートである。なお、この図面では、強制初期化波形を印加する走査電極22を走査電極SCxと表し、選択初期化波形を印加する走査電極22を走査電極SCyと表す。なお、サブフィールドSF1を除く選択初期化サブフィールドにおいて選択初期化波形を発生するときの走査電極駆動回路43の動作については説明を省略するが、選択初期化波形である下りランプ電圧L4を発生する動作は、図7に示す下りランプ電圧L2を発生する動作と同様であるものとする。また、図7には、消去ランプ電圧L3を発生する動作もあわせて示す。また、図7では、プレリセット期間を期間T12~期間T16で示す5つの期間に分割し、特定セル初期化期間サブフィールドSF1の初期化期間を期間T1~期間T4で示す4つの期間に分割し、消去ランプ電圧L3を発生する期間については期間T11として示し、それぞれの期間について説明する。また、以下、電圧Vi1は電圧Vscに等しいものとし、電圧Vi2は電圧Vsc電圧Vrに等しいものとし、電圧Vi2’は電圧Vrに等しいものとし、電圧Vi3は維持パルスを発生するときに用いる電圧Vsに等しいものとし、電圧Vi4は負極性の電圧Vaに等しいものとして説明する。また、図面にはスイッチング素子をオンする信号をHi、オフする信号をLoと表記する。なお、図7には、電圧Vsを電圧Vscよりも高い電圧値に設定した例を示しているが、電圧Vsと電圧Vscとは互いに等しい電圧値であってもよく、あるいは、電圧Vsの方が電圧Vscよりも低い電圧値であってもかまわない。以下、特定セル初期化期間の動作、消去動作、プレリセット期間の動作の順で説明する。まず、期間T1に入る前に維持パルス発生回路50のクランプ回路57のスイッチング素子Q13をオフにし、スイッチング素子Q14をオンにして基準電位Aを電圧0Vにする。また、スイッチング素子QH1~スイッチング素子QHnをオフにし、スイッチング素子QL1~スイッチング素子QLnをオンにして、走査電極SC1~走査電極SCnに基準電位A、すなわち電圧0Vを印加する。また、スイッチング素子Q6をオフにし、ミラー積分回路55を基準電位Aから電気的に分離する。また、図示はしていないが、スイッチング素子Q7をオンにし、ミラー積分回路53を基準電位Aに接続しておく。期間T1期間T1では、走査電極SCxに接続されたスイッチング素子QHxをオンにし、スイッチング素子QLxをオフにする。これにより、強制初期化波形を印加する走査電極SCxには、基準電位Aこのとき、電圧0Vに電圧Vscを重畳した電圧Vcすなわち、電圧Vc=電圧Vscを印加する。一方、走査電極SCyに接続されたスイッチング素子QHyはオフの状態を維持し、スイッチング素子QLyはオンの状態を維持する。これにより、選択初期化波形を印加する走査電極SCyに、基準電位A、すなわち電圧0Vを印加する。期間T2期間T2では、スイッチング素子QH1~スイッチング素子QHn、スイッチング素子QL1~スイッチング素子QLnは、期間T1と同じ状態を維持する。すなわち、走査電極SCxに接続されたスイッチング素子QHxはオンの状態を維持し、スイッチング素子QLxはオフの状態を維持し、走査電極SCyに接続されたスイッチング素子QHyはオフの状態を維持し、スイッチング素子QLyはオンの状態を維持する。次に、上りランプ電圧L1’を発生するミラー積分回路53の入力端子IN1をHiにする。具体的には、入力端子IN1に所定の定電流を入力する。これにより、コンデンサC1に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Q1のソース電圧がランプ状に上昇し、基準電位Aが電圧0Vからランプ状に上昇し始める。この電圧上昇は、入力端子IN1をHiにしている期間、もしくは、基準電位Aが電圧Vrに到達するまで継続する。このとき、傾斜電圧の勾配が所望の値例えば、1.3V/μsecになるように、入力端子IN1に入力する定電流を発生する。こうして、電圧0Vから電圧Vi2’本実施の形態では、電圧Vrに等しいに向かって上昇する上りランプ電圧L1’を発生する。スイッチング素子QHyはオフであり、スイッチング素子QLyはオンなので、走査電極SCyには、この上りランプ電圧L1’がそのまま印加される。一方、スイッチング素子QHxはオンであり、スイッチング素子QLxはオフなので、走査電極SCxには、この上りランプ電圧L1’に電圧Vscを重畳した電圧、すなわち電圧Vi1本実施の形態では、電圧Vscに等しいから電圧Vi2本実施の形態では、電圧Vsc電圧Vrに等しいに向かって上昇する上りランプ電圧L1が印加される。期間T3期間T3では入力端子IN1をLoにする。具体的には、入力端子IN1への定電流入力を停止する。こうして、ミラー積分回路53の動作を停止する。また、スイッチング素子QH1~スイッチング素子QHnをオフにし、スイッチング素子QL1~スイッチング素子QLnをオンにして、基準電位Aを走査電極SC1~走査電極SCnに印加する。また、維持パルス発生回路50のクランプ回路57のスイッチング素子Q13をオンにし、スイッチング素子Q14をオフにして、基準電位Aを電圧Vsに接続する。これにより、走査電極SC1~走査電極SCnの電圧は電圧Vi3本実施の形態では、電圧Vsに等しいまで低下する。期間T4期間T4では、スイッチング素子QH1~スイッチング素子QHn、スイッチング素子QL1~スイッチング素子QLnは、期間T3と同じ状態を維持する。また、図示はしていないが、スイッチング素子Q7をオフにし、ミラー積分回路53および維持パルス発生回路50を基準電位Aから電気的に分離する。次に、下りランプ電圧L2を発生するミラー積分回路54の入力端子IN2をHiにする。具体的には、入力端子IN2に所定の定電流を入力する。これにより、コンデンサC2に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Q2のドレイン電圧がランプ状に下降し始め、走査電極駆動回路43の出力電圧も、負極性の電圧Vi4に向かってランプ状に下降し始める。この電圧下降は、入力端子IN2をHiにしている期間、もしくは、基準電位Aが電圧Vaに到達するまで継続する。このとき、傾斜電圧の勾配が所望の値例えば、-1.0V/μsecになるように、入力端子IN2に入力する定電流を発生する。そして、走査電極駆動回路43の出力電圧が負極性の電圧Vi4本実施の形態では、電圧Vaに等しいに到達したら、入力端子IN2をLoにする。具体的には、入力端子IN2への定電流入力を停止する。こうして、ミラー積分回路54の動作を停止する。こうして、電圧Vi3本実施の形態では、電圧Vsに等しいから負極性の電圧Vi4に向かって下降する下りランプ電圧L2を発生し、走査電極SC1~走査電極SCnに印加する。なお、入力端子IN2をLoにしてミラー積分回路54の動作を停止したら、スイッチング素子Q5をオンにして、基準電位Aを電圧Vaにする。また、スイッチング素子QH1~スイッチング素子QHnをオンにし、スイッチング素子QL1~スイッチング素子QLnをオフにする。こうして、基準電位Aに電圧Vscを重畳した電圧Vc、すなわち、電圧Vcc本実施の形態では、電圧Va電圧Vscに等しいを走査電極SC1~走査電極SCnに印加し、続く書込み期間に備える。本実施の形態では、このようにして、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間において、強制初期化波形および選択初期化波形を発生する。そして、スイッチング素子QHxとスイッチング素子QHy、およびスイッチング素子QLxとスイッチング素子QLyをそれぞれ制御することで、強制初期化波形を走査電極SCxに印加し、選択初期化波形を走査電極SCyに印加する。なお、下りランプ電圧L2、下りランプ電圧L4は、図7に示すように電圧Vaまで下降する構成であってもよいが、例えば、下降する電圧が、電圧Vaに電圧Vset2を重畳した電圧に到達した時点で、下降を停止する構成としてもよい。また、下りランプ電圧L2および下りランプ電圧L4は、あらかじめ設定された電圧に到達した後、直ちに上昇する構成であってもよいが、例えば、下降する電圧が、あらかじめ設定された電圧に到達したら、その後、その電圧を一定期間維持する構成であってもよい。次に、消去ランプ電圧L3を発生する動作を説明する。期間T11期間T11では、スイッチング素子QH1~スイッチング素子QHnはオフにし、スイッチング素子QL1~スイッチング素子QLnはオンにして、基準電位Aを走査電極SC1~走査電極SCnに接続する。また、スイッチング素子Q6をオンにして、消去ランプ電圧L3を発生するミラー積分回路55を基準電位Aに接続する。次に、ミラー積分回路55の入力端子IN3をHiにする。具体的には、入力端子IN3に所定の定電流を入力する。これにより、コンデンサC3に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Q3のソース電圧がランプ状に上昇し、基準電位Aが電圧0Vからランプ状に上昇し始める。この電圧上昇は、入力端子IN3をHiにしている期間、もしくは、基準電位Aが電圧Versに到達するまで継続する。このとき、傾斜電圧の勾配が所望の値例えば、10V/μsecになるように、入力端子IN3に入力する定電流を発生する。こうして、電圧0Vから電圧Versに向かって上昇する消去ランプ電圧L3を発生し、走査電極SC1~走査電極SCnに印加する。なお、電圧Versは電圧Vs以上の電圧であってもよく、あるいは電圧Vs以下の電圧であってもよい。次に、プレリセット期間における走査電極駆動回路43の動作を説明する。期間T12消去ランプ電圧L3が電圧Versに到達した後、入力端子IN3をLoにする。具体的には、入力端子IN3への定電流入力を停止する。こうして、ミラー積分回路55の動作を停止する。また、スイッチング素子Q6をオフにして、ミラー積分回路55を基準電位Aから電気的に分離する。また、スイッチング素子QH1~スイッチング素子QHn、スイッチング素子QL1~スイッチング素子QLnは、期間T11と同じ状態を維持する。そして、図示はしていないが、維持パルス発生回路50のクランプ回路57のスイッチング素子Q13をオフにし、スイッチング素子Q14をオンにして、基準電位Aを0Vに接続する。これにより、走査電極SC1~走査電極SCnの電圧はベース電位である電圧0Vまで低下する。期間T13期間T13では、スイッチング素子QH1~スイッチング素子QHn、スイッチング素子QL1~スイッチング素子QLnは、期間T12と同じ状態を維持する。また、図示はしていないが、スイッチング素子Q7をオフにし、ミラー積分回路53および維持パルス発生回路50を基準電位Aから電気的に分離する。次に、下りランプ電圧L5を発生するミラー積分回路54の入力端子IN2をHiにする。具体的には、入力端子IN2に所定の定電流を入力する。これにより、コンデンサC2に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Q2のドレイン電圧がランプ状に下降し始め、走査電極駆動回路43の出力電圧も、負極性の電圧Vi4に向かってランプ状に下降し始める。この電圧下降は、入力端子IN2をHiにしている期間、もしくは、基準電位Aが電圧Vaに到達するまで継続する。このとき、傾斜電圧の勾配が所望の値例えば、-1.0V/μsecになるように、入力端子IN2に入力する定電流を発生する。こうして、ベース電位である電圧0Vから負極性の電圧Vi4に向かって下降する下りランプ電圧L5を発生し、走査電極SC1~走査電極SCnに印加する。期間T14下りランプ電圧L5が負極性の電圧Vi4本実施の形態では、電圧Vaに等しいに到達したら、入力端子IN2をLoにする。具体的には、入力端子IN2への定電流入力を停止する。こうして、ミラー積分回路54の動作を停止する。また、図示はしていないが、スイッチング素子Q7をオンにし、維持パルス発生回路50のクランプ回路57のスイッチング素子Q13をオフにし、スイッチング素子Q14をオンにして基準電位Aを0Vに接続する。これにより、走査電極SC1~走査電極SCnの電圧はベース電位である電圧0Vまで上昇する。また、スイッチング素子QH1~スイッチング素子QHn、スイッチング素子QL1~スイッチング素子QLnは、期間T13と同じ状態を維持する。そして、期間T15が開始する前の時刻t1で、走査電極SCyに接続されたスイッチング素子QHyをオンにし、スイッチング素子QLyをオフにする。これにより、下りランプ電圧L6’を印加する走査電極SCyには、基準電位Aこのとき、電圧0Vに電圧Vscを重畳した電圧Vcすなわち、電圧Vc=電圧Vscを印加する。期間T15期間T15では、走査電極SCxに接続されたスイッチング素子QHxはオフの状態を維持し、スイッチング素子QLxはオンの状態を維持し、走査電極SCyに接続されたスイッチング素子QHyはオンの状態を維持し、スイッチング素子QLyはオフの状態を維持する。次に、下りランプ電圧L6を発生するミラー積分回路54の入力端子IN2をHiにする。具体的には、入力端子IN2に所定の定電流を入力する。これにより、コンデンサC2に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Q2のドレイン電圧がランプ状に下降し始め、基準電位Aが電圧0Vから負極性の電圧Vi4に向かってランプ状に下降し始める。この電圧下降は、入力端子IN2をHiにしている期間、もしくは、基準電位Aが電圧Vaに到達するまで継続する。このとき、傾斜電圧の勾配が所望の値例えば、-1.0V/μsecになるように、入力端子IN2に入力する定電流を発生する。こうして、ベース電位である電圧0Vから負極性の電圧Vi4に向かって下降する下りランプ電圧L6を発生する。スイッチング素子QHxはオフであり、スイッチング素子QLxはオンなので、走査電極SCxには、この下りランプ電圧L6がそのまま印加される。一方、スイッチング素子QHyはオンであり、スイッチング素子QLyはオフなので、走査電極SCyには、この下りランプ電圧L6に電圧Vscが重畳された電圧、すなわち電圧Vi1本実施の形態では、電圧Vscに等しいから電圧Vi5本実施の形態では、電圧Vsc-電圧Vaに等しいに向かって下降する下りランプ電圧L6’が印加される。期間T16下りランプ電圧L6が負極性の電圧Vi4本実施の形態では、電圧Vaに等しいに到達したら、入力端子IN2をLoにする。具体的には、入力端子IN2への定電流入力を停止する。こうして、ミラー積分回路54の動作を停止する。また、スイッチング素子QH1~スイッチング素子QHnをオフにし、スイッチング素子QL1~スイッチング素子QLnをオンにするとともに、図示はしていないが、スイッチング素子Q7をオンにし、維持パルス発生回路50のクランプ回路57のスイッチング素子Q13をオフにし、スイッチング素子Q14をオンにして基準電位Aを電圧0Vに接続する。これにより、走査電極SC1~走査電極SCnの電圧はベース電位である電圧0Vまで上昇する。本実施の形態ではこのようにして、電圧0Vから負極性の電圧Vi4に向かって下降する下りランプ電圧L6を発生して走査電極SCxに印加する。また、電圧Vscから電圧Vi5に向かって下降する下りランプ電圧L6’を発生して走査電極SCyに印加する。なお、下りランプ電圧L5、下りランプ電圧L6は、図7に示すように電圧Vaまで下降する構成であってもよいが、例えば、下降する電圧が、電圧Vaに電圧Vset2を重畳した電圧に到達した時点で、下降を停止する構成としてもよい。また、下りランプ電圧L5、下りランプ電圧L6および下りランプ電圧L6’は、あらかじめ設定された電圧に到達した後、直ちに上昇する構成であってもよいが、例えば、下降する電圧が、あらかじめ設定された電圧に到達したら、その後、その電圧を一定期間維持する構成であってもよい。以上説明したように、本実施の形態では、所定の走査電極22に強制初期化波形を印加し、他の走査電極22に選択初期化波形を印加する特定セル初期化期間を有する特定セル初期化サブフィールドと、全ての走査電極22に選択初期化波形を印加する選択初期化期間を有する選択初期化サブフィールドとを設ける。そして、特定セル初期化期間において配置的に見て奇数番目の走査電極12×N上に形成された放電セルに強制初期化波形を印加する第1のフィールドと、特定セル初期化期間において配置的に見て偶数番目の走査電極22上に形成された放電セルに強制初期化波形を印加する第2のフィールドとを交互に発生する。これにより、各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を2フィールドに1回にすることができるので、1フィールドに1回の割り合いで各放電セルに強制初期化動作を行う構成よりも、黒輝度例えば、階調値0の輝度を下げることができ、表示画像のコントラスト比を向上することができる。また、1フィールドの最終サブフィールドにおいて、維持期間の後にプレリセット期間を設ける。プレリセット期間では、走査電極22に下りランプ電圧L5を印加し、その後、続くサブフィールドSF1の初期化期間において強制初期化波形を印加する走査電極22には下りランプ電圧L6を印加し、続くサブフィールドSF1の初期化期間において選択初期化波形を印加する走査電極22には下りランプ電圧L6’を印加する。これにより、続くフィールドのサブフィールドSF1における初期化動作を安定にし、以降の書込み動作を安定に行うことが可能となる。したがって、本実施の形態によれば、パネル10に表示する画像の黒輝度を低減してコントラスト比を高めるとともに、書込み動作を安定してプラズマディスプレイ装置における画像表示品質を高めることが可能となる。なお、本実施の形態では、第1のフィールドの特定セル初期化期間では配置的に見て奇数番目の走査電極SC12×Nに強制初期化波形を印加し、第2のフィールドの特定セル初期化期間では配置的に見て偶数番目の走査電極SC22×Nに強制初期化波形を印加する構成を説明したが、第1のフィールドの特定セル初期化期間では配置的に見て偶数番目の走査電極SC22×Nに強制初期化波形を印加し、第2のフィールドの特定セル初期化期間では配置的に見て奇数番目の走査電極SC12×Nに強制初期化波形を印加する構成であってもよい。なお、本発明における強制初期化波形は、何ら実施の形態に示した波形に限定されるものではない。強制初期化波形は、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する波形であればどのような波形であってもかまわない。また、本実施の形態では、選択初期化期間に発生する選択初期化波形下りランプ電圧L4およびプレリセット期間に発生する下りランプ電圧L5を全て同じ勾配で発生する構成を説明したが、本発明は、下りランプ電圧L4および下りランプ電圧L5を何らこの波形形状に限定するものではない。下りランプ電圧L4および下りランプ電圧L5は、直前の維持期間に維持放電を発生した放電セルだけに初期化放電を発生する波形であればどのような波形形状であってもかまわない。例えば、下りランプ電圧L4および下りランプ電圧L5を複数の期間に分け、各期間で勾配を変えて下りランプ電圧L4および下りランプ電圧L5を発生してもよい。図8は、本発明の実施の形態における下りランプ電圧L5の他の波形形状の一例を示す図である。例えば、図8に示すように、走査電極22への印加電圧を、放電が発生するまで例えば、電圧0Vから-10電圧0Vまでは下りランプ電圧L5よりも急峻な勾配例えば、-8V/μsecで下降し、それ以降例えば、-10電圧0Vから-135Vまではやや緩やかに例えば、-2.5V/μsecの勾配で下降し、最後に例えば、-135Vから-16電圧0Vまでは下りランプ電圧L5と同じ勾配例えば、-1.0V/μsecで下降して下りランプ電圧L5’を発生してもよい。このような構成であっても、上述と同様の効果を得ることができる。また、この構成では、下りランプ電圧L5’および選択初期化波形の発生に要する期間を下りランプ電圧L5を発生するときと比較して短縮できるという効果も得ることができる。また、下りランプ電圧L5’を発生するのと同様の手順で選択初期化期間に下りランプ電圧L4’を発生する構成としてもよい。また、特定セル初期化期間に発生する選択初期化波形は、何ら実施の形態に示した波形形状に限定されるものではない。本実施の形態に示す特定セル初期化期間に発生する選択初期化波形は、特定セル初期化期間前半部に選択初期化動作を行う放電セルに初期化放電が発生しない波形の一例を示したものに過ぎず、初期化放電が発生しない波形であればどのような波形形状であってもよい。例えば、初期化期間前半部を電圧0Vに維持する波形であってもかまわない。なお、本実施の形態では、下りランプ電圧L6を、下りランプ電圧L5と同じ波形形状で発生する構成を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。下りランプ電圧L6を、下りランプ電圧L5とは異なる勾配または異なる最小電圧で発生する構成としてもかまわない。なお、本実施の形態では、第1のフィールドと第2のフィールドとを交互に繰り返して発生することで各放電セルに2フィールドに1回の頻度で強制初期化動作を行う構成を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば、走査電極SC13×Nに強制初期化波形を印加する特定セル初期化期間を有するフィールドと、走査電極SC23×Nに強制初期化波形を印加する特定セル初期化期間を有するフィールドと、走査電極SC33×Nに強制初期化波形を印加する特定セル初期化期間を有するフィールドとを順番に発生して、各放電セルで3フィールドに1回の頻度で強制初期化動作を行う構成としてもよい。あるいは、それ以下の頻度で各放電セルに強制初期化動作を行う構成としてもよい。このような構成では、表示画像の黒輝度をより低減することができる。また、上述した2種類のフィールド第1のフィールド、第2のフィールドに加えて新たなフィールドを設ける構成としてもよい。例えば、第1のフィールドと第2のフィールドとの間に、全てのサブフィールドを選択初期化サブフィールドとする第3のフィールドを設ける構成としてもよい。この構成でも、表示画像の黒輝度をより低減することができる。あるいは、全ての放電セルに強制初期化動作を行う全セル初期化サブフィールドをサブフィールドSF1とする第4のフィールドを、第1のフィールドと第2のフィールドとの間に設ける構成としてもよい。この構成では、初期化放電をより安定に発生することができる。ただし、これらのいずれの構成においても、本発明においては、サブフィールドSF1の初期化期間に強制初期化動作を行う放電セルに対しては、その直前のプレリセット期間において下りランプ電圧L6を印加して第2の補助放電を発生し、サブフィールドSF1の初期化期間に選択初期化動作を行う放電セルに対しては、その直前のプレリセット期間において、第2の補助放電を発生しない下りランプ電圧L6’を印加するものとする。なお、本実施の形態では、プレリセット期間において、下りランプ電圧L5を走査電極22に印加する期間、維持電極23に電圧0Vを印加する構成を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。プレリセット期間において、下りランプ電圧L5により発生する第1の補助放電は、選択初期化動作により発生する放電に実質的に等しい。したがって、最終サブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルだけに放電が発生する範囲であれば、下りランプ電圧L5を走査電極22に印加する期間に維持電極23に印加する電圧は、どのような電圧であってもよい。例えば、電圧0Vから電圧Veの間のいずれの電圧であってもよい。図9は、本発明の実施の形態におけるパネル10の各電極に印加する駆動電圧波形の他の一例を示す波形図である。図9に示す駆動電圧波形が図4に示した駆動電圧波形と異なる点は、走査電極22に、下りランプ電圧L4に代えて下りランプ電圧L4’を印加し、下りランプ電圧L5に代えて下りランプ電圧L5’を印加した点である。ただし、図4に示した駆動電圧波形と比較して、この変更点によりパネル10の動作に差は生じないので、説明は省略する。また、図9に示す駆動電圧波形では、下りランプ電圧L5’を走査電極22に印加する直前に維持電極23に電圧Veを印加し、下りランプ電圧L5’を走査電極22に印加する期間は維持電極23をハイインピーダンス状態フローティング状態にする。この構成では、最終サブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルには、走査電極22とデータ電極32との間に対抗放電が発生するとともに、走査電極22と維持電極23との間に面放電も発生する。したがって、この場合、サブフィールドSF1の初期化期間において選択初期化動作を行う放電セルには、初期化放電は発生しなくなる。しかし、下りランプ電圧L5’による放電が選択初期化動作による放電に実質的に等しくなるので、消去動作の直後に選択初期化動作を行う構成に実施的に等しくなる。したがって、上述と同様に、それ以降の書込み動作を安定にすることが可能となる。なお、本実施の形態では、放電セルにおける放電の発生の有無にかかわらず、選択初期化波形を放電セルに印加した場合には、その放電セルで選択初期化動作が行われたものと見なす。なお、本実施の形態では、1フィールドの先頭サブフィールドサブフィールドSF1を特定セル初期化サブフィールドとし、1フィールドの最終サブフィールド例えば、サブフィールドSF8にプレリセット期間を設ける構成を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。特定セル初期化サブフィールドはサブフィールドSF2、あるいはそれ以降のサブフィールドであってもよい。ただし、プレリセット期間を設けるサブフィールドは必ず特定セル初期化サブフィールドの直前のサブフィールドとする。例えば、サブフィールドSF2を特定セル初期化サブフィールドとする場合、サブフィールドSF1の維持期間の後にプレリセット期間を設けるものとする。なお、図4、図7、図9に示したタイミングチャートは本発明の実施の形態における一例を示したものに過ぎず、本発明は何らこれらのタイミングチャートに限定されるものではない。なお、本実施の形態においては、1つのフィールドを8つのサブフィールドで構成する例を説明した。しかし、本発明は1フィールドを構成するサブフィールドの数が何ら上記の数に限定されるものではない。例えば、サブフィールドの数を8よりも多くすることで、パネル10に表示できる階調の数をさらに増加することができる。また、本実施の形態においては、サブフィールドの輝度重みを2のべき乗とし、サブフィールドSF1からサブフィールドSF8の各サブフィールドの輝度重みを1、2、4、8、16、32,64,128に設定する例を説明した。しかし、各サブフィールドに設定する輝度重みは、何ら上記の数値に限定されるものではない。例えば、1、2、3、7、12、31,50,98等として階調を決めるサブフィールドの組合せに冗長性を持たせることにより、動画擬似輪郭の発生を抑制したコーディングが可能となる。1フィールドを構成するサブフィールドの数や、各サブフィールドの輝度重み等は、パネル10の特性やプラズマディスプレイ装置1の仕様等に応じて適宜設定すればよい。なお、本発明における実施の形態に示した各回路ブロックは、実施の形態に示した各動作を行う電気回路として構成されてもよく、あるいは、同様の動作をするようにプログラミングされたマイクロコンピュータ等を用いて構成されてもよい。なお、本実施の形態では、1画素をR、G、Bの3色の放電セルで構成する例を説明したが、1画素を4色あるいはそれ以上の色の放電セルで構成するパネルにおいても、本実施の形態に示した構成を適用することは可能であり、同様の効果を得ることができる。なお、上述した駆動回路は一例を示したものであり、駆動回路の構成は上述した構成に限定されるものではない。なお、本発明における実施の形態は、走査電極SC1~走査電極SCnを第1の走査電極グループと第2の走査電極グループとに分割し、書込み期間を、第1の走査電極グループに属する走査電極のそれぞれに走査パルスを印加する第1の書込み期間と、第2の走査電極グループに属する走査電極のそれぞれに走査パルスを印加する第2の書込み期間とで構成する、いわゆる2相駆動によるパネルの駆動方法にも適用させることができる。なお、本発明における実施の形態は、走査電極と走査電極とが隣り合い、維持電極と維持電極とが隣り合う電極構造、すなわち前面板に設けられる電極の配列が、、走査電極、走査電極、維持電極、維持電極、走査電極、走査電極、となる電極構造のパネルにおいても有効である。なお、本実施の形態において示した具体的な各数値、例えば、上りランプ電圧L1、下りランプ電圧L2、消去ランプ電圧L3、下りランプ電圧L4、下りランプ電圧L4’、下りランプ電圧L5、下りランプ電圧L5’、下りランプ電圧L6、下りランプ電圧L6’の各傾斜電圧の勾配等は、画面サイズが50インチ、表示電極対24の数が1024のパネル10の特性にもとづき設定したものであって、単に実施の形態における一例を示したものに過ぎない。本発明はこれらの数値に何ら限定されるものではなく、各数値はパネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等にあわせて最適に設定することが望ましい。また、これらの各数値は、上述した効果を得られる範囲でのばらつきを許容するものとする。また、サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重み等も本発明における実施の形態に示した値に限定されるものではなく、また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切り換える構成であってもよい。"