"表面および裏面を有し、少なくとも絶縁性基板を含む基板本体と、上記基板本体の表面に形成され、少なくとも1つが上面に発光素子搭載部を有する複数の素子用端子と、を含む発光素子搭載用配線基板であって、上記基板本体の内部に上記搭載部に搭載される発光素子と電気的に接続される内蔵部品を内蔵している、ことを特徴とする発光素子搭載用配線基板。平面視において、前記発光素子搭載部と、前記内蔵部品との少なくとも一部が重複している、ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子搭載用配線基板。前記内蔵部品は、前記基板本体の内部に充填樹脂を介して埋設されている、ことを特徴とする請求項1または2に記載の発光素子搭載用配線基板。前記基板本体は、前記絶縁性基板と、該絶縁性基板の表面および裏面の少なくとも一方に積層され、且つ配線層と薄肉絶縁層とを含むビルドアップ層とからなり、前記複数の素子用端子と、前記内蔵部品における一対の部品端子とは、上記ビルドアップ層の薄肉絶縁層を貫通するビア導体を介して個別に接続されている、ことを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の発光素子搭載用配線基板。前記基板本体は、前記絶縁性基板と、該絶縁性基板の表面および裏面の少なくとも一方に形成された内部配線層と、該内部配線層の上方で且つ上記絶縁性基板の表面および裏面の少なくとも一方に積層された厚肉絶縁層とからなり、前記内蔵部品は、上記厚肉絶縁層の内部に埋設され、且つ該内蔵部品における一対の部品端子は、互いに離隔した複数の上記内部配線層に個別に接続されている、ことを特徴とする請求項1または2に記載の発光素子搭載用配線基板。前記基板本体の裏面には、一対の外部接続端子が形成され、かかる一対の外部接続端子と前記複数の素子用端子とは、上記基板本体の表面と裏面との間を貫通するスルーホール導体を介して導通されている、ことを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の発光素子搭載用配線基板。本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、表面および裏面を有する基板本体の表面に発光素子の搭載部と、該発光素子と電気的に接続される内蔵部品とを有し、該内蔵部品による発光素子から発光された光路に妨げや該発光に光の偏りが生じない発光素子搭載用配線基板を確実に提供する、ことを課題とする。以下において、本発明を実施するための形態について説明する。図1は、本発明による一形態の発素子搭載用配線基板1aと、これに搭載される発光ダイオード発光素子20とを示す垂直断面図である。かかる発素子搭載用配線基板1aは、図1に示すように、表面3および裏面4を有し且つ全体が板状を呈する基板本体2と、該基板本体2の表面3に形成された一対複数の素子用端子13,14と、上記基板本体2の裏面4に形成された一対の外部接続端子7,7と、上記基板本体2の内部に内蔵されたツェナーダイオード内蔵部品10とを備えている。前記基板本体2は、硬質樹脂製またはセラミック製で且つ厚みが約30~1000μmのコア基板絶縁性基板2aからなる。上記樹脂には、エポキシ系などの硬質樹脂が適用され、上記セラミックには、アルミナなどが適用される。かかる基板本体2の中央付近には、打ち抜き加工などによって、表面3と裏面4との間を貫通する平面視が矩形状の貫通孔5が形成されている。また、図1に示すように、前記基板本体2の平面視における貫通孔5の周囲には、内径が約50~300μmである複数のスルーホールvの内側に沿ってスルーホール導体8が複数貫通し、全体が円筒形状を呈する各スルーホール導体8の内側には、エポキシ樹脂などからなる円柱形状で且つ導電性の閉塞樹脂9が挿入されている。各スルーホール導体8は、上端で前記素子用端子13,17の何れかと接続され、且つ下端で互いに異極となる外部接続端子7,7の何れかと接続されている。更に、前記一対の素子用端子13,14は、互いに対の電極であって、基板本体2の表面3における中心側部分13a,14aの上面にそれぞれ発光素子搭載部faを有しており、該一対の発光素子搭載部faに跨って、追って発光ダイオード発光素子20が搭載される。即ち、図1に示すように、発光ダイオード20の底面21に形成された複数の外部端子23には、ハンダバンプ24が個別に予め接合されている。各ハンダバンプ24を素子用端子13,14の中心側部分13a,14aにハンダ付けして接合することで、発光ダイオード20を上記素子用端子13,14上に搭載することができる。そして、図1に示すように、一対の発光素子搭載部fa,faの外郭線と前記ツェナーダイオード10とは、平面視において重複している。加えて、上記ツェナーダイオード10は、搭載される発光ダイオード20への過電圧印可を防止するものであり、基板本体2の貫通孔5の内側において充填樹脂6に埋設された状態で基板本体2の内部に内蔵されている。該ツェナーダイオード10の上面には、一対の部品端子11,12が形成されており、かかる部品端子11,12は、基板本体2の表面3に形成された形成された素子用端子13,14の前記中心側部分13a,14aと個別に接続されている。尚、前記外部接続端子7、スルーホール導体8、素子用端子13,14は、例えば、Cu、Ag、Ni、あるいはAuなどの金属メッキからなる。前記のような発光素子搭載用配線基板1aを得るには、前記コア基板2aに打ち抜き加工あるいはルータ加工を施して貫通孔5を形成し、且つその周囲にドリル加工あるいはレーザ加工によりスルーホールvを複数個穿設した後、上記貫通孔5内にツェナーダイオード10を挿入した状態でその周囲に前記充填樹脂6を充填し、且つ各スルーホールvの内壁面に沿って公知の銅メッキ技術によりスルーホール導体8を形成し、その内側に前記閉塞樹脂9を充填した。そして、コア基板2aの表面3に露出する充填樹脂6を平坦に整面研磨して前記ツェナーダイオード10の部品端子11,12を露出させた後、コア基板2aの表面3と裏面4とに対して公知のフォトリソグラフィー技術を施し、前記素子用端子13,14および外部接続端子7,7をパターニングにて形成することにより、容易に製造することができる。尚、前記コア基板2aを多数個取り用の大判サイズとして、複数の前記配線基板1aを縦横に隣接して併有する多数個取りの配線基板とするこも可能である。前記のような発光素子搭載用配線基板1aによれば、発光ダイオード20の過電圧印可を防ぐツェナーダイオード内蔵部品10は、コア基板2aからなる基板本体2の貫通孔5に充填樹脂6を介して埋設されることで内蔵されている。その結果、基板本体2の表面3に搭載される発光ダイオード20から発光される光の光路の妨げとならず、且つかかる光に光の偏りが生じにくくなる。従って、追って基板本体2の表面3側に搭載される発光ダイオード20から発光される光を、効率良く基板本体2の外部へ放射することが可能となる。更に、発光ダイオード20を搭載する素子用端子13,14は、比較的太径である複数のスルーホール導体8を介して、基板本体2の裏面4に位置する一対の外部接続端子7,7に接続されているため、上記発光ダイオード20が発する熱をサーマルビアを兼ねる複数のスルーホール導体8を通じて、各外部接続端子7から基板本体2の外部に効果的に放熱することも可能である。しかも、素子用端子13,14の各発光素子搭載部faとツェナーダイオード10とは、平面視で後者の全体が前者の中央付近と重複し、且つツェナーダイオード10は、側面視において各発光素子搭載部faに比較的近接した基板本体2の表面3側の中央付近に内蔵されるため、両者間の導通経路が短かくなっている。そのため、ツェナーダイオード10による追って搭載される発光ダイオード20への過電圧印可の防止を確実に果たすことも可能となる。図2は、前記配線基板1aの応用形態である発光素子搭載用配線基板1bと、これに搭載される発光ダイオード20とを示す垂直断面図である。かかる発光素子搭載用配線基板1bは、図2に示すように、前記コア基板2aを含む基板本体2と、該基板本体2の表面3に前記同様に形成された一対の素子用端子13,14と、上記基板本体2の裏面4に前記同様に形成された一対の外部接続端子7,7と、上記基板本体2の内部に前記同様に内蔵されたツェナーダイオード10とを備えている。上記基板本体2は、図2に示すように、下層側のコア基板2aと、該コア基板2aの表面上層側に積層されたビルドアップ層bu1とからなる。該ビルドアップ層bu1は、コア基板2aの表面に離れて形成された一対の配線層15と、エポキシ系樹脂からなり且つ厚みが約100μmの薄肉絶縁層16とからなる。該薄肉絶縁層16には、素子用端子13,14と各配線層15とを個別に導通する複数のビア導体フィルドビア17が貫通して形成されている。尚、上記配線層15も、Cu、Ag、Ni、あるいはAuなどの金属メッキからなる。更に、素子用端子13,14の中央側部分13a,14aと、コア基板2aの貫通孔5内に充填樹脂6により埋設されて内蔵されたツェナーダイオード10の部品用端子11,12との間の薄肉絶縁層16にも、上記同様のビア導体17が貫通し、素子用端子13,14と部品用端子11,12との導通を確保している。かかる配線基板1bの平面視においても、ツェナーダイオード10の全体が、素子用端子13,14の発光素子搭載部fa,faの外郭線と重複している。以上のような発光素子搭載用配線基板1bを得るには、前記配線基板1aの製造方法に対し、更に、コア基板2aの表面側に配線層15のパターニング、薄肉絶縁層16の形成、ビア導体17の形成、および素子用端子13,14のパターニングをフォトグラフィー技術を含めて適用することで、容易に製造できる。以上のような発光素子搭載用配線基板1bによれば、前記配線基板1aによる効果に加え、配線層15を含むビルドアップbu1を更に有しているので、基板本体2に内蔵されるツェナーダイオード10や搭載される発光ダイオード20に対する制御用の信号配線や給電用の電源回路などを併設できる。従って、搭載すべき発光ダイオード20からの発光量などを精緻に制御することが可能となる。図3は、前記配線基板1bの応用形態である発光素子搭載用配線基板1cと、これに搭載される比較的小型の発光ダイオード30とを示す垂直断面図である。かかる発光素子搭載用配線基板1cは、図3に示すように、前記コア基板2aを含む基板本体2と、該基板本体2の表面3に形成された一対の素子用端子13,14と、上記基板本体2の裏面4に前記同様に形成された一対の外部接続端子7,7と、上記基板本体2の内部に前記同様に内蔵されたツェナーダイオード10とを備えている。上記基板本体2は、図3に示すように、中層のコア基板2aと、該コア基板2aの表面上層側および裏面下層側に個別に積層された一対のビルドアップ層bu1,bu2とからなる。該ビルドアップ層bu2も前記ビルドアップ層bu1と同様に、コア基板2aの裏面において離間して形成された一対の配線層18と、エポキシ系樹脂からなり且つ厚みが約100μmの薄肉絶縁層19とからなる。該薄肉絶縁層19には、裏面4の各外部接続端子7と各配線層18とを個別に導通する複数のビア導体フィルドビア17が貫通して形成されている。尚、上記配線層18も、Cu、Ag、Ni、Auなどの金属メッキからなる。更に、基板本体2の表面3に形成された一対の素子用端子13,14のうち、図3で右側に位置する素子用端子14の上面のみに発光素子搭載部faが位置し、図3で左側に位置する素子用端子13は、発光素子搭載部faを有していない。上記右側の素子用端子14の中央側部分14aにおける上面の上記搭載部faには、ロウ材33あるいは接着剤を介して、比較的小型の発光ダイオード30が追って搭載可能とされている。該発光ダイオード30の上面に位置する一対の外部端子31,31は、一対のボンディングワイヤwを介して、右側の素子用端子14の外周側部分および左側の素子用端子13の中央側部分13aと、個別に導通可能にして接続される。図3に示すように、平面視において、上記発光素子搭載部faと、基板本体2に内蔵されたツェナーダイオード10とは、互いの一部において重複している。以上のような発光素子搭載用配線基板1cを得るには、前記配線基板1bの製造方法に対し、更に、コア基板2aの裏面側にも配線層18のパターニング、樹脂フィルムの貼り付けによる薄肉絶縁層19の形成、ビア導体17の形成、および外部接続端子7,7のパターニングをフォトグラフィー技術を含めて適用することによって、容易に製造することが可能である。以上のような発光素子搭載用配線基板1cによれば、前記配線基板1aによる効果に加え、配線層15,18を含むビルドアップbu1,bu2を更に有しているので、搭載すべき発光ダイオード30からの発光量などを一層精緻に制御することなどが容易となる。図4は、異なる形態の発光素子搭載用配線基板1dと、これに搭載される前記発光ダイオード20とを示す垂直断面図である。かかる発光素子搭載用配線基板1dは、図4に示すように、表面3および裏面4を有し、且つ全体が板形状を呈する基板本体2と、該基板本体2の表面3に形成された一対の素子用端子13,14と、上記基板本体2の内部に内蔵されたツェナーダイオード10と、基板本体2の裏面4に形成された一対の外部接続端子7,7とを備えている。上記基板本体2は、図4に示すように、下層側に位置する前記同様のコア基板2aと、該コア基板2aの上層表面側に積層された厚肉絶縁層6aとからなる。コア基板2aの表面には、互いに離間した一対の内部配線層25,26が形成され、該内部配線層25,26は、コア基板2aと厚肉絶縁層6aとを貫通する前記同様の複数のスルーホール導体8を介して、基板本体2の表面3に形成された素子用端子13,14、および裏面4に形成された外部接続端子7に個別に接続されている。尚、内部配線層25,26も、CuまたはAgなどの金属メッキからなる。前記コア基板2aの表面上には、内部配線層25,26の中央側部分に跨ってハンダバンプ24を介して、ツェナーダイオード10が配置され、該ツェナーダイオード10を包囲するように、エポキシ系樹脂に対してSiO2フィラを約50~70質量を配合した厚肉樹脂6aがモールド操作あるいは複数回の塗布作業により形成されている。該厚肉樹脂6aには、下端で前記内部配線層25,26と個別に接続された前記スルーホール導体8が複数貫通している。また、基板本体2の表面3でもある厚肉樹脂6aの表面には、前記同様の一対の素子用端子13,14が形成されており、これらは、上記厚肉樹脂6aやコア基板2aを貫通する前記スルーホール導体8を介して、内部配線層25,26、ツェナーダイオード10、および外部接続端子7,7と個別に導通可能とされている。前記配線基板1dの平面視においても、ツェナーダイオード10の全体が、素子用端子13,14の発光素子搭載部fa,faの外郭線と重複している。以上のような発光素子搭載用配線基板1dによれば、前記配線基板1aによる効果に加え、コア基板2aの表面に形成された互いに離間する内部配線層25,26に一対の部品用端子11,12を個別に接合した状態で、ツェナーダイオード10が厚肉絶縁層6a内に埋設されるので、当該ダイオード10を確実に外力などから防護できると共に、前記発光素子搭載部fa,faに搭載される発光ダイオード20の過電圧印可を確実に防ぐことが可能となる。図5は、前記配線基板1dの応用形態である発光素子搭載用配線基板1eと、これに搭載される前記同様の発光ダイオード30とを示す垂直断面図である。かかる発光素子搭載用配線基板1eは、図5に示すように、表面3および裏面4を有し、且つ全体が厚板形状を呈する基板本体2と、該基板本体2の表面3に形成された一対の素子用端子13,14と、上記基板本体2の内部に内蔵されたツェナーダイオード10と、基板本体2の裏面4に形成された一対の外部接続端子7,7とを備えている。上記基板本体2は、図5に示すように、中層に位置する前記同様のコア基板2aと、該コア基板2aの上層側および下層側に積層された厚肉絶縁層6a,6bとからなる。上記コア基板2aの表面には、前記同様に離間した内部配線層25,26が形成されている。また、コア基板2aおよび厚肉絶縁層6a,6bの厚み方向に沿った複数のビアホールv内には、Cuメッキからなる円柱形状のビア導体8が個別に形成されている。該ビア導体8は、直径が約100~200μmと比較的太径で、前記素子用端子13,14、内部配線層25,26、ツェナーダイオード10、および外部接続端子7,7の相互間を導通可能としていると共に、発光ダイオード30の熱を裏面4側に放熱するサーマルビアも兼ねている。更に、図5に示すように、図示で左側の素子用端子13は、比較的小面積であり、その中心側部分13aに次述する一方のボンディングワイヤwの一端が接続されている。一方、図5で右側の素子用端子14は、比較的大面積であり、その中心部分14aの上面に位置する発光素子搭載部faには、追ってロウ材33を介して発光ダイオード30が搭載可能とされている。該発光ダイオード30の上面に位置する一対の外部端子31,31は、一対のボンディングワイヤwを介して、上記素子用端子13の中心側部分13aおよび右側の素子用端子14の中央付近と、個別に導通可能とされる。以上の本配線基板1eの平面視においても、素子用端子14の発光素子搭載部faの全体が、基板本体2に内蔵されたツェナーダイオード10と重複している。以上のような発光素子搭載用配線基板1eによれば、前記配線基板1a,1dによる効果に加え、発光素子30が発する熱を、金属CuまたはAgのみからなり、サーマルビアも兼ねる複数のビア導体8を介して、裏面4側の外部接続端子7から外部に効果的に放熱することが可能となる。図6は、更に異なる形態の発光素子搭載用配線基板1fと、これに搭載される前記同様の発光ダイオード30とを示す垂直断面図である。かかる発光素子搭載用配線基板1fは、図6に示すように、コア基板2aのみからなる基板本体2と、該基板本体2の表面3に形成された一対の素子用端子13,14と、上記基板本体2の裏面4に形成された一対の外部接続端子7,7と、上記基板本体2の内部に内蔵されたツェナーダイオード10とを備えている。基板本体2を構成するコア基板2aには、前記同様の貫通孔5が形成され、該貫通孔5内には、充填樹脂6を介してツェナーダイオード10が埋設されて内蔵され、該ツェナーダイオード10の上面に位置する部品端子11,12は、基板本体2の表面3と同じ平面に位置する充填樹脂6の表面において、素子用端子13,14の中心側部分13a,14aと個別に接続されている。更に、図6に示すように、基板本体2を構成するコア基板2aの表面3における左側には、中心側部分13aが前記貫通孔5に充填された充填樹脂6の上に達する比較的大面積の素子用端子13が形成され、その上面の中間に位置する発光素子搭載部faには、追ってロウ材33を介して発光ダイオード30が搭載される。該発光ダイオード30の上面に位置する一対の外部端子31,31は、一対のボンディングワイヤwを介して、右側の素子用端子14の中心側部分14aおよび左側の素子用端子13の外周側部分に個別に導通可能とされる。尚、本配線基板1fでは、図6に示すように、発光素子搭載部faと基板本体2に内蔵されたツェナーダイオード10とが平面視で重複していない。但し、図6に示すように、発光素子搭載部faを有する素子用端子13と、基板本体2の裏面4に位置する一方図6で左側の外部接続端子7との間には、前記同様の金属のみからなる比較的太径のビア導体8が複数接続されている。以上の発光素子搭載用配線基板1fによれば、発光ダイオード30が放射する光の光路がツェナーダイオード10によって妨げられず、且つ該光に光の偏りを生じないと共に、上記発光ダイオード30が発する熱を裏面4側の外部接続端子7から効果的に外部に放熱することが可能となる。尚、本配線基板1fは、前記配線基板1aと同様な工程によって製造することが可能である。本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。例えば、前記基板本体を構成する絶縁性基板には、金属板からなり、導体部分ごとに絶縁材を配設したメタルコア基板を適用しても良い。また、前記コア基板絶縁性基板2aに形成した前記貫通孔5に替えて、該コア基板2aの表面にのみ開口する凹部を座ぐり加工により形成し、該凹部内に充填樹脂6を介して内蔵部品を埋設して内蔵するようにしても良い。更に、前記発光ダイオードに替えて、半導体レーザーを発光素子搭載部に搭載することも可能である。また、前記発光素子搭載部faに発光ダイオードを搭載した後に、これらの上方に封止用樹脂をドーム形状にして形成するようにしても良い。更に、前記で配線基板1a~1fは、発光素子と内蔵部品との数を1:1としていたが、例えば、1個の内蔵部品により2個以上の発光素子のへ過電圧印可を並列で防止などを行えるようにしたり、1個の発光素子に対して2個予備を含む以上の内蔵部品を並列で導通可能とした構成としても良い。また、前記内蔵部品は、前記ツェナーダイオードに替えて、発光素子への電流を制御すめための抵抗素子、キャパシタ、インダクタンス素子などにして良い。加えて、前記配線基板1a~1fは、それぞれが同じ配線基板を平面視で縦横に隣接して併設した多数個取りの発光素子搭載用配線基板集合体としても良い。"