第1導電型の炭化珪素基板と、前記炭化珪素基板の主面上に設けられた第2導電型の炭化珪素半導体層と、前記炭化珪素半導体層に設けられた溝と、前記炭化珪素半導体層に設けられた第1導電型のボディ領域と、少なくとも前記溝の側壁面を覆う絶縁膜と、を備え、前記溝の前記側壁面は、{0001}面に対するオフ角が50°以上65°以下である表面であって、前記溝の前記側壁面は、前記ボディ領域の表面を含み、前記絶縁膜は、少なくとも前記溝の前記側壁面における前記ボディ領域の前記表面に接しており、前記ボディ領域における第1導電型不純物濃度が、5×1016cm3以上である、IGBT。前記ボディ領域の前記炭化珪素基板側と反対側の領域に設けられた第2導電型のソース領域と、前記ソース領域上に設けられたソース電極と、前記絶縁膜上に設けられたゲート電極と、前記炭化珪素基板の前記主面と反対側に設けられたドレイン電極と、を備え、前記溝の前記側壁面は、前記炭化珪素半導体層まで到達しており、前記溝の前記側壁面は、前記ソース領域と、前記ボディ領域と、前記炭化珪素半導体層とを含み、前記ゲート電極の少なくとも一部が、前記溝の前記側壁面における前記ボディ領域の前記表面と前記絶縁膜を挟んで対向している、請求項1に記載のIGBT。前記ソース電極の表面の平面形状は、ストライプ状またはハニカム状である、請求項2に記載のIGBT。前記ゲート電極は、第1導電型または第2導電型のポリシリコンから形成されている、請求項2または3に記載のIGBT。前記溝の前記側壁面の<01-10>方向における{03-38}面に対するオフ角が-3°以上5°以下である、請求項1~4のいずれか1項に記載のIGBT。前記主面のオフ方位と<01-10>方向との為す角が5°以下である、請求項1~5のいずれか1項に記載のIGBT。前記主面のオフ方位と<-2110>方向とのなす角が5°以下である、請求項1~5のいずれか1項に記載のIGBT。前記主面は、前記炭化珪素基板を構成する炭化珪素のカーボン面側の主面である、請求項1~7のいずれか1項に記載のIGBT。前記ボディ領域における前記第1導電型不純物濃度が、1×1020cm3以下である、請求項1~8のいずれか1項に記載のIGBT。前記ボディ領域における前記第1導電型不純物濃度が、8×1016cm3以上3×1018cm3以下である、請求項1~9のいずれか1項に記載のIGBT。前記絶縁膜の厚さが、25nm以上70nm以下である、請求項1~10のいずれか1項に記載のIGBT。前記第1導電型がp型であり、前記第2導電型がn型である、請求項1~11のいずれか1項に記載のIGBT。ノーマリーオフ型となっている、請求項1~12のいずれか1項に記載のIGBT。前記絶縁膜が接する前記ボディ領域の前記表面に反転層が形成される閾値電圧が、27°C以上100°C以下の温度範囲において、2V以上である、請求項1~13のいずれか1項に記載のIGBT。前記閾値電圧が、100°Cにおいて、3V以上である、請求項14に記載のIGBT。前記閾値電圧が、200°Cにおいて、1V以上である、請求項14または15に記載のIGBT。前記閾値電圧の温度依存性が、-10mV/°C以上である、請求項14~16のいずれか1項に記載のIGBT。25°Cにおける電子のチャネル移動度が、30cm2/Vs以上である、請求項1~17のいずれか1項に記載のIGBT。100°Cにおける電子のチャネル移動度が、50cm2/Vs以上である、請求項1~18のいずれか1項に記載のIGBT。150°Cにおける電子のチャネル移動度が、40cm2/Vs以上である、請求項1~19のいずれか1項に記載のIGBT。電子のチャネル移動度の温度依存性が、-0.3cm2/Vs°C以上である、請求項1~20のいずれか1項に記載のIGBT。前記ボディ領域と前記絶縁膜との界面におけるバリアハイトが、2.2eV以上2.6eV以下である、請求項1~21のいずれか1項に記載のIGBT。オン状態において、前記ボディ領域に形成されるチャネル領域の抵抗値であるチャネル抵抗が、前記チャネル領域以外の前記炭化珪素半導体層の抵抗値であるドリフト抵抗よりも小さい、請求項1~22のいずれか1項に記載のIGBT。たとえば、NチャネルのIGBTにおいては、p型の導電型を有するpボディ領域が形成され、pボディ領域内にチャネル領域が形成される。そして、pボディ領域におけるp型不純物たとえばB硼素、Alアルミニウムなどの濃度ドーピング濃度を高くすることにより、閾値電圧をプラス側にシフトさせ、ノーマリーオフ型に近づける、あるいはノーマリーオフ型とすることができる。一方、PチャネルのIGBTにおいては、上記Nチャネルの場合とは逆にnボディ領域におけるn型不純物の濃度を高くすることにより、閾値電圧をマイナス側にシフトさせ、ノーマリーオフ型に近づける、あるいはノーマリーオフ型とすることができる。しかしながら、pボディ領域におけるp型不純物濃度またはnボディ領域におけるn型不純物濃度を高濃度にすることによって閾値電圧を調整した場合には、チャネル移動度が大幅に低下するという問題があった。チャネル移動度が大幅に低下する理由としては、p型不純物濃度またはn型不純物濃度を高濃度にすることにより、p型不純物またはn型不純物による電子の散乱や界面にトラップされた電子による散乱などのチャネル電子に対する散乱が顕著になるためである。そのため、たとえば、pボディ領域におけるp型不純物濃度は、1×1016cm3~4×1016cm3程度とされる。その結果、従来のIGBTにおいては、十分なチャネル移動度を確保しつつ閾値電圧を自由に設定すること、特にノーマリーオフ型に近づける、あるいは十分にノーマリーオフ型とすることは難しいという問題があった。上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、チャネル移動度の低下を抑制しつつ、閾値電圧の設定の自由度を高めることが可能なIGBTを提供することにある。本発明は、第1導電型の炭化珪素基板と、炭化珪素基板の主面上に設けられた第2導電型の炭化珪素半導体層と、炭化珪素半導体層に設けられた溝と、炭化珪素半導体層に設けられた第1導電型のボディ領域と、少なくとも溝の側壁面を覆う絶縁膜と、を備え、溝の側壁面は{0001}面に対するオフ角が50°以上65°以下である表面であって、溝の側壁面はボディ領域の表面を含み、絶縁膜は少なくとも溝の側壁面におけるボディ領域の表面に接しており、ボディ領域における第1導電型不純物濃度が5×1016cm3以上であるIGBTである。ここで、本発明のIGBTは、ボディ領域の炭化珪素基板側と反対側の領域に設けられた第2導電型のソース領域と、ソース領域上に設けられたソース電極と、絶縁膜上に設けられたゲート電極と、炭化珪素基板の主面と反対側に設けられたドレイン電極と、を備え、溝の側壁面は炭化珪素半導体層まで到達しており、溝の側壁面はソース領域と、ボディ領域と、炭化珪素半導体層とを含み、ゲート電極の少なくとも一部が溝の側壁面におけるボディ領域の表面と絶縁膜を挟んで対向していることが好ましい。また、本発明のIGBTにおいて、ソース電極の表面の平面形状は、ストライプ状またはハニカム状であることが好ましい。また、本発明のIGBTにおいて、ゲート電極は、第1導電型または第2導電型のポリシリコンから形成されていることが好ましい。また、本発明のIGBTにおいて、溝の側壁面の<01-10>方向における{03-38}面に対するオフ角は-3°以上5°以下であることが好ましい。また、本発明のIGBTにおいて、炭化珪素基板の主面のオフ方位と<01-10>方向との為す角が5°以下であることが好ましい。また、本発明のIGBTにおいて、炭化珪素基板の主面のオフ方位と<-2110>方向とのなす角が5°以下であることが好ましい。また、本発明のIGBTにおいて、炭化珪素基板の主面は、炭化珪素基板を構成する炭化珪素のカーボン面側の主面であることが好ましい。また、本発明のIGBTにおいて、ボディ領域における第1導電型不純物濃度は、1×1020cm3以下であることが好ましい。また、本発明のIGBTにおいて、ボディ領域における第1導電型不純物濃度は、8×1016cm3以上3×1018cm3以下であることが好ましい。また、本発明のIGBTにおいて、絶縁膜の厚さは、25nm以上70nm以下であることが好ましい。また、本発明のIGBTにおいて、第1導電型はp型であり、第2導電型はn型であることが好ましい。また、本発明のIGBTは、ノーマリーオフ型となっていることが好ましい。また、本発明のIGBTにおいては、絶縁膜が接するボディ領域の表面に反転層が形成される閾値電圧が、27°C以上100°C以下の温度範囲において、2V以上であることが好ましい。また、本発明のIGBTにおいては、閾値電圧が、100°Cにおいて、3V以上であることが好ましい。また、本発明のIGBTにおいては、閾値電圧が、200°Cにおいて、1V以上であることが好ましい。また、本発明のIGBTにおいては、閾値電圧の温度依存性が、-10mV/°C以上であることが好ましい。また、本発明のIGBTにおいては、25°Cにおける電子のチャネル移動度が、30cm2/Vs以上であることが好ましい。また、本発明のIGBTにおいては、100°Cにおける電子のチャネル移動度が、50cm2/Vs以上であることが好ましい。また、本発明のIGBTにおいては、150°Cにおける電子のチャネル移動度が、40cm2/Vs以上であることが好ましい。また、本発明のIGBTにおいては、電子のチャネル移動度の温度依存性が、-0.3cm2/Vs°C以上であることが好ましい。また、本発明のIGBTにおいては、ボディ領域と絶縁膜との界面におけるバリアハイトが、2.2eV以上2.6eV以下であることが好ましい。また、本発明のIGBTにおいては、オン状態において、ボディ領域に形成されるチャネル領域の抵抗値であるチャネル抵抗が、チャネル領域以外の炭化珪素半導体層の抵抗値であるドリフト抵抗よりも小さいことが好ましい。上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、チャネル移動度の低下を抑制しつつ、閾値電圧の設定の自由度を高めることが可能なIGBTを提供することにある。以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。また、結晶面および方向を表わす場合に、本来であれば所要の数字の上にバーを付した表現をするべきであるが、表現手段に制約があるため、本明細書においては、所要の数字の上にバーを付す表現の代わりに、所要の数字の前に-を付して表現している。<実施の形態1>図1に、本発明のIGBTの一例である実施の形態1のIGBTの模式的な断面図を示す。実施の形態1のIGBTは、p型の炭化珪素からなるp型炭化珪素基板1と、p型炭化珪素基板1上に設けられたn型の炭化珪素からなるn型電界停止層2と、n型電界停止層2上に設けられたn型の炭化珪素からなるn型ドリフト層3と、n型ドリフト層3に設けられたp型の炭化珪素からなる一対のpボディ領域4と、pボディ領域4にそれぞれ設けられたn型の炭化珪素からなる一対のnソース領域5と、pボディ領域4のそれぞれにおいてnソース領域5に隣り合うようにして設けられたp型の炭化珪素からなる一対のp領域6とを備えている。n型ドリフト層3には溝16が設けられており、溝16は、n型ドリフト層3まで到達する側壁面16aと、n型ドリフト層3からなる底面16bとから構成されている。溝16の側壁面16aには、nソース領域5と、pボディ領域4と、n型ドリフト層3とがこの順序で含まれている。溝16の側壁面16a、底面16bおよびnソース領域5の上面の一部に接するようにして絶縁膜91が設けられている。また、絶縁膜91は、IGBTの両端のそれぞれにおいて、p領域6、pボディ領域4、およびn型ドリフト層3のそれぞれの上面にも接するようにして設けられている。溝16の側壁面16a、底面16bおよびnソース領域5の上面を覆う絶縁膜91上には、絶縁膜91に接するようにしてゲート電極93が設けられている。ゲート電極93は、溝16の側壁面16aにおけるpボディ領域4の表面と絶縁膜91を挟んで対向するようにして設けられている。また、nソース領域5の上面の一部およびp領域6の上面の一部にそれぞれ接するようにしてソース電極92が設けられている。さらに、p型炭化珪素基板1の主面と反対側にはドレイン電極96が設けられている。さらに、ゲート電極93を覆うようにして層間絶縁膜94が設けられており、ソース電極92および層間絶縁膜94を覆うようにしてソース配線95が設けられている。なお、絶縁膜91上のソース電極92の端部に接する位置にも層間絶縁膜94が設けられている。実施の形態1のIGBTにおいては、溝16の側壁面16aは、{0001}面に対するオフ角が50°以上65°以下である表面であり、pボディ領域4におけるp型不純物濃度が5×1016cm3以上とされている。これにより、実施の形態1のIGBTにおいては、チャネル移動度の低下を抑制しつつ、閾値電圧の設定の自由度を高めることができる。本発明者は、チャネル移動度の低下を抑制しつつ閾値電圧の設定の自由度を高める方策について詳細な検討を行なった結果、以下のような知見を得て本発明に想到した。すなわち、炭化珪素を半導体材料として用いた従来のトレンチ型のIGBTは、{0001}面に対するオフ角が8°以下程度のp型炭化珪素基板の主面上にn型電界停止層やn型ドリフト層などのエピタキシャル成長層を形成し、そのエピタキシャル成長層にp型炭化珪素基板の主面に対して垂直な側壁面を有する溝を形成することによって作製されていた。このような従来のトレンチ型のIGBTにおいては、溝の側壁面のpボディ領域がチャネル領域となる。しかしながら、従来のトレンチ型のIGBTにおいては、閾値電圧を自由に設定するために、pボディ領域のp型不純物濃度を上昇させていた。そのため、高濃度のp型不純物濃度を有するpボディ領域においては、十分なチャネル移動度を確保することができなかった。しかしながら、本発明者の検討によれば、実施の形態1のIGBTのように、チャネル領域となる溝16の側壁面16aにおけるpボディ領域4の表面を{0001}面に対するオフ角が50°以上65°以下の表面とした場合には、pボディ領域4のp型不純物濃度を5×1016cm3以上といった高濃度としたときでも、閾値電圧をより自由に調節することができるとともに、チャネル移動度の大幅な低下を抑制することができることを見い出した。これにより、実施の形態1のIGBTにおいては、閾値電圧をプラス側にシフトさせた場合でも、チャネル移動度の低下を抑制することができる。その結果、実施の形態1のIGBTによれば、チャネル移動度の低下を抑制しつつ、閾値電圧の設定の自由度を高めることが可能なIGBTを提供することができる。なお、上述の不純物は、炭化珪素中に導入されることにより多数キャリアを生成する不純物を意味する。n型電界停止層2およびn型ドリフト層3は、たとえば、p型炭化珪素基板1の一方の主面上にこの順序でエピタキシャル成長させることにより形成されており、n型不純物を含むことにより導電型がn型となっている。n型電界停止層2およびn型ドリフト層3にそれぞれ含まれるn型不純物としては、たとえばN窒素などが用いられる。n型ドリフト層3のn型不純物濃度はn型電界停止層2のn型不純物濃度よりも低くなっている。一対のpボディ領域4は、n型ドリフト層3に形成された溝16を挟んで互いに向かい合うようにして分離して形成されており、p型不純物を含むことにより導電型がp型となっている。p型ボディ領域4に含まれるp型不純物としてはたとえば、アルミニウムAlおよび/または硼素Bなどが用いられる。pボディ領域4のp型不純物濃度は、上述のように、5×1016cm3以上とされる。pボディ領域4のp型不純物濃度を5×1016cm3以上といった高濃度として閾値電圧をプラス側にシフトさせた場合でも、チャネル移動度の低下を抑制することができる。なお、閾値電圧をさらにプラス側にシフトさせる観点から、p型ボディ領域4におけるp型不純物密度を、1×1017cm-3以上とすることが好ましく、5×1017cm3以上とすることがより好ましい。pボディ領域4のp型不純物濃度は、1×1020cm3以下であることが好ましい。pボディ領域4のp型不純物濃度を1×1020cm3以下とした場合にはpボディ領域4の結晶性の悪化を抑制することができる傾向にある。pボディ領域4のp型不純物濃度は、8×1016cm3以上3×1018cm3以下であることが好ましい。pボディ領域4のp型不純物濃度が8×1016cm3以上3×1018cm3以下である場合には、通常の動作温度において0~5V程度の閾値電圧を得ることが可能となる傾向にある。これにより、実施の形態1のIGBTを、珪素を半導体材料として用いた従来のIGBTと置き換えて使用することができるとともに、実施の形態1のIGBTを安定してノーマリーオフ型とすることができる傾向にある。また、p型不純物濃度が高くなることによる大幅なチャネル移動度の低下を回避することができる傾向にある。一対のp領域6は、一対のpボディ領域4において、それぞれ、p領域6の上面がnソース領域5の上面と隣り合うようにして形成されている。p領域6は、nソース領域5から見て、溝16とは反対側の領域に形成されている。p領域6のp型不純物濃度は、pボディ領域4のp型不純物濃度よりも高濃度となっている。一対のnソース領域5は、それぞれ、一対のpボディ領域4のそれぞれp型炭化珪素基板1側とは反対側の領域に上面が露出するようにして設けられている。一対のnソース領域5は、n型ドリフト層3に形成された溝16を挟んで互いに向かい合うようにして分離して形成されており、n型不純物を含むことにより導電型がn型となっている。nソース領域5に含まれるn型不純物としては、たとえばPリンなどが用いられる。溝16の側壁面16aの<01-10>方向における{03-38}面に対するオフ角は-3°以上5°以下であることが好ましい。この場合には、チャネル移動度を一層向上させることができる傾向にある。ここで、面方位03-38に対するオフ角を-3°以上5°以下としたのは、チャネル移動度と上記オフ角との関係を調査した結果、この範囲内で特に高いチャネル移動度が得られたことに基づいている。また、<01-10>方向における03-38面に対するオフ角とは、<01-10>方向および<0001>方向を含む平面への溝16の側壁面16aの法線の正射影と、03-38面の法線とのなす角度であり、その符号は、上記正射影が<01-10>方向に対して平行に近づく場合が正であり、上記正射影が<0001>方向に対して平行に近づく場合が負である。なお、溝16の側壁面16aは、実質的に03-38面であることがより好ましく、完全に03-38面であることがさらに好ましい。この場合には、チャネル移動度をより一層向上させることができる傾向にある。ここで、実質的に03-38面であるとは、実質的に03-38面とみなせるオフ角の範囲に溝16の側壁面16aが含まれていることを意味し、この場合のオフ角の範囲はたとえば03-38面に対するオフ角が±2°の範囲である。また、完全に03-38面であるとは、溝16の側壁面16aが、完全に03-38面に一致することを意味する。絶縁膜91は、一方のnソース領域5の上面から、溝16の側壁面16a、底面16bおよび側壁面16aを通って、他方のnソース領域5の上面にまで延在するように形成されている。絶縁膜91は、たとえば二酸化珪素SiO2からなっている。絶縁膜91の厚さは、25nm以上70nm以下であることが好ましい。絶縁膜91の厚さが25nm以上70nm以下である場合には、実施の形態1のIGBTの動作中における絶縁破壊の発生を抑制することができるとともに、ゲート電極93に印加されるゲート電圧を小さく抑えることができる傾向にある。ゲート電極93は、一方のnソース領域5の上面から、溝16の側壁面16a、底面16bおよび側壁面16aを通って、他方のnソース領域5の上面まで延在する絶縁膜91に接触するようにして形成されている。ゲート電極93は、たとえば、n型不純物またはp型不純物が添加されたポリシリコン、またはAlなどの導電体から形成されるが、なかでも、p型ポリシリコンから形成されていることが好ましい。ゲート電極93がp型ポリシリコンから形成されている場合には、閾値電圧をプラス側にシフトさせやすくなって、実施の形態1のIGBTをノーマリーオフ型とすることができる傾向にある。なお、p型ポリシリコンとしては、たとえば、多数キャリアが正孔であるポリシリコンを用いることができる。なお、ゲート電極93にn型不純物またはp型不純物が添加されたポリシリコンを用いる場合には、ゲート電極93は、たとえば、ポリシリコンにリンやヒ素などのn型不純物を1×1018cm3以上1×1021cm3以下、望ましくは5×1019cm3以上5×1020cm3以下の濃度に添加した後にn型不純物を活性化することによって、またはポリシリコンにボロンなどのp型不純物を1×1018cm3以上1×1021cm3以下、望ましくは5×1019cm3以上5×1020cm3以下の濃度に添加した後にp型不純物を活性化することによって作製することができる。ソース電極92は、nソース領域5の上面から、溝16から離れる向きに延在し、p領域6の上面を通って、p領域6の上面に設けられた絶縁膜91の上面まで達している。ソース電極92は、たとえば、NixSiyニッケルシリサイドなどのnソース領域5とオーミックコンタクト可能な材料から形成される。ソース電極92の表面の平面形状は、ストライプ状またはハニカム状であることが好ましい。ソース電極92の表面の平面形状がストライプ状またはハニカム状である場合には、チャネル電子やバルク中の電子移動度の異方性の影響を受けにくく安定した動作特性が得られることや、チャネル充填を高くすることによる低損失化が得られる傾向にある。ドレイン電極96は、p型炭化珪素基板1のn型ドリフト層3が形成される側とは反対側の主面に接触して形成されている。ドレイン電極96は、たとえばNixSiyまたはTiAlSi合金などのp型炭化珪素基板1とオーミックコンタクト可能な材料から形成されており、p型炭化珪素基板1と電気的に接続されている。次に、実施の形態1のIGBTの動作について説明する。図1を参照して、ゲート電極93に印加される電圧が閾値電圧未満の状態、すなわちオフ状態では、ドレイン電極96に電圧を印加した場合でも、絶縁膜91の直下に位置するp型ボディ領域4とnソース領域5との間のpn接合が逆バイアスとなり、非導通状態となる。一方、ゲート電極93に閾値電圧以上の電圧を印加した場合には、絶縁膜91と接触するp型ボディ領域4の領域であるチャネル領域において、反転層が形成される。これにより、nソース領域5と、pボディ領域4と、n型ドリフト層3とが電気的に接続され、ソース電極92とドレイン電極96との間に電流が流れる。実施の形態1のIGBTにおいては、チャネル領域となる溝16の側壁面16aのpボディ領域4の表面は{0001}面に対するオフ角が50°以上65°以下である表面とされている。これにより、pボディ領域4のp型不純物濃度を5×1016cm3以上と高濃度にして閾値電圧をプラス側にシフトさせた場合でもチャネル領域におけるキャリア電子の移動度チャネル移動度の低下を抑制することができる。そのため、実施の形態1のIGBTにおいては、チャネル移動度の低下を抑制しつつ、閾値電圧をプラス側にシフトさせ、ノーマリーオフ型に近づいた、あるいはノーマリーオフ型のIGBTとされている。ここで、絶縁膜91が接するpボディ領域4の表面に反転層が形成される閾値電圧は、25°C以上100°C以下の温度範囲において、2V以上であることが好ましい。この場合には、IGBTが通常の動作温度において、より確実にノーマリーオフの状態を維持することができる傾向にある。また、閾値電圧は、100°Cの温度において3V以上であることが好ましい。この場合には、IGBTの動作温度が高温であるときでも、より確実にノーマリーオフの状態を維持することができる傾向にある。また、閾値電圧は、200°Cの温度において1V以上であることが好ましい。この場合には、IGBTの動作温度が高温であるときでも、より確実にノーマリーオフの状態を維持することができる傾向にある。また、閾値電圧の温度依存性は、-10mV/°C以上であることが好ましい。この場合には、IGBTをより安定してノーマリーオフの状態を維持することができる傾向にある。なお、本明細書において、閾値電圧の温度依存性は、IGBTの動作温度の変化量に対する閾値電圧の変化量の割合閾値電圧の変化量/IGBTの動作温度の変化量を意味する。また、25°Cにおける電子のチャネル移動度は、30cm2/Vs以上であることが好ましい。この場合には、IGBTのオン抵抗を十分に抑制することができる傾向にある。また、100°Cにおける電子のチャネル移動度は、50cm2/Vs以上であることが好ましい。この場合には、IGBTの動作温度が高温である場合でも、IGBTのオン抵抗を十分に抑制することができる傾向にある。また、150°Cにおける電子のチャネル移動度は、40cm2/Vs以上であることが好ましい。この場合には、IGBTの動作温度がさらに高温である場合でも、IGBTのオン抵抗を十分に抑制することができる傾向にある。また、電子のチャネル移動度の温度依存性は、-0.3cm2/Vs°C以上であることが好ましい。この場合には、IGBTのオン抵抗をより安定して抑制することができる傾向にある。なお、本明細書において、電子のチャネル移動度の温度依存性は、IGBTの動作温度の変化量に対する電子のチャネル移動度の変化量の割合電子のチャネル移動度の変化量/IGBTの動作温度の変化量を意味する。また、pボディ領域4と絶縁膜91との界面におけるバリアハイトは、2.2eV以上2.6eV以下であることが好ましい。この場合には、リーク電流を抑制しつつ、高いチャネル移動度を確保することができる傾向にある。なお、本明細書において、バリアハイトとは、pボディ領域4の伝導帯と絶縁膜91の伝導帯との間のバンドギャップの大きさのことである。また、チャネル抵抗は、ドリフト抵抗よりも小さいことが好ましい。この場合には、IGBTのオン抵抗を十分に抑制することができる傾向にある。なお、本明細書において、チャネル抵抗とは、オン状態において、pボディ領域4に形成されるチャネル領域の抵抗値のことである。また、本明細書において、ドリフト抵抗は、オン状態において、チャネル領域以外のn型ドリフト層3の抵抗値のことである。以下、図2~図7の模式的断面図を参照して、実施の形態1のIGBTの製造方法の一例について説明する。まず、図2に示すように、p型炭化珪素基板1の主面上に、n型電界停止層2およびn型ドリフト層3をこの順序でエピタキシャル成長させる。ここで、p型炭化珪素基板1の主面は、{0001}面に対するオフ角が50°以上65°以下となる表面に対して垂直となる面方位の表面が選択される。次に、図3に示すように、n型ドリフト層3の一部を除去することによって溝16を形成する。ここで、溝16は、図3に示すように、n型ドリフト層3の上面において溝16が形成されない領域にレジストなどのマスク層17を形成した後に、n型ドリフト層3の一部をその厚さ方向にエッチングすることによって形成される。これにより、溝16の側壁面16aが、{0001}面に対するオフ角が50°以上65°以下となる表面となる。エッチングの方法としては、たとえば、反応性イオンエッチングRIEを用いることでき、特に誘導結合プラズマICPRIEを用いることが好ましい。エッチングとしては、たとえば、反応ガスとしてSF6またはSF6とO2との混合ガスを用いたICP-RIEを用いることができる。このようなエッチングにより、溝16が形成されるべき領域に、側壁面16aがp型炭化珪素基板1の主面に対してほぼ垂直な側壁面16aを有する溝16を形成することができる。次に、図4に示すように、n型ドリフト層3に、pボディ領域4、nソース領域5およびp領域6を形成する。ここで、pボディ領域4、nソース領域5およびp領域6は、それぞれ、たとえば以下のようにして製造することができる。まず、pボディ領域4を形成するためのイオン注入が実施される。具体的には、たとえばAlアルミニウムイオンがn型ドリフト層3に注入されることにより、pボディ領域4が形成される。次に、nソース領域5を形成するためのイオン注入が行なわれる。具体的には、たとえばPリンイオンがpボディ領域4に注入されることにより、p型ボディ領域4内にnソース領域5が形成される。さらに、p領域6を形成するためのイオン注入が実施される。具体的には、たとえばAlイオンがpボディ領域4に注入されることにより、pボディ領域4内にp領域6が形成される。上記のイオン注入は、たとえば、マスク層17を除去した後に、n型ドリフト層3の主面上に二酸化珪素SiO2からなり、イオン注入を実施すべき所望の領域に開口を有するマスク層を形成して実施することができる。次に、上記のpボディ領域4、nソース領域5およびp領域6について熱処理を行なう。ここで、熱処理は、たとえば、pボディ領域4、nソース領域5およびp領域6の形成後のp型炭化珪素基板1をアルゴンなどの不活性ガス雰囲気中において1700°Cに加熱し、30分間保持することなどにより行なうことができる。これにより、pボディ領域4、nソース領域5およびp領域6に注入された不純物が活性化する。次に、図5に示すように、絶縁膜91を形成する。ここで、絶縁膜91は、たとえば、上記の熱処理後のp型炭化珪素基板1を酸素雰囲気中において1300°Cに加熱して60分間保持することにより行なうことができる。次に、絶縁膜91の形成後のp型炭化珪素基板1を一酸化窒素NOガス雰囲気中において熱処理する。この熱処理の条件としては、たとえば、NOガス雰囲気中において、1100°C以上1300°C以下の温度で、p型炭化珪素基板1を1時間程度保持する条件を用いることができる。このNOガス雰囲気中における熱処理により、絶縁膜91とpボディ領域4との界面領域に窒素原子を導入することができる。これにより、絶縁膜91とpボディ領域4との界面領域における界面準位の形成を抑制することができるため、IGBTのチャネル移動度を向上させることができる。なお、上記においては、NOガス雰囲気中において熱処理を行なう場合について説明したが、絶縁膜91とpボディ領域4との界面領域に窒素原子を導入することができれば、NOガスに限らず、他のガスを用いてもよいことは言うまでもない。次に、上記の熱処理後のp型炭化珪素基板1をArアルゴンガス雰囲気中において熱処理する。この熱処理の条件としては、たとえば、Arガス雰囲気中において、NOガス雰囲気中における熱処理の温度よりも高い温度であって、絶縁膜91の融点未満の温度で1時間程度保持する条件を用いることができる。これにより、絶縁膜91とpボディ領域4との界面領域における界面準位の形成をさらに抑制することができるため、IGBTのチャネル移動度を向上させることができる。なお、上記においては、雰囲気ガスとしてArガスを用いる場合について説明したが、Arガスに代えて窒素ガスなどの他の不活性ガスを用いてもよいことは言うまでもない。特に、Arガス雰囲気中における熱処理は、NOガス雰囲気中における熱処理の温度よりも高い温度であることが好ましい。これにより、絶縁膜91とpボディ領域4との界面領域に残存した格子間原子としての炭素原子を、n型ドリフト層3の内部に有効に拡散することができる。そのため、IGBTのチャネル移動度を一層向上することができる。たとえば、NOガス雰囲気中における熱処理の温度を900°C以上1400°C以下とし、Arガス雰囲気中における熱処理の温度をNOガス雰囲気中における熱処理の温度よりも高く、かつ1000°C以上1500°C以下とすることができる。次に、ゲート電極93、ソース電極92、層間絶縁膜94、ソース配線95およびドレイン電極96を形成する工程が行なわれる。この工程では、まず、たとえば、CVD法、フォトリソグラフィおよびエッチングなどにより、p型ポリシリコンからなるゲート電極93を形成する。そして、p型炭化珪素基板1の裏面に蒸着法によりニッケルNi膜を形成した後に、Ni膜を加熱してシリサイド化することによりドレイン電極96を形成する。次に、図6に示すように、ゲート電極93および絶縁膜91を覆うようにして、層間絶縁膜94を形成する工程が行なわれる。ここで、層間絶縁膜94を形成する工程は、たとえば、プラズマCVD法により二酸化珪素SiO2膜を約1μmの厚さに形成することにより行なうことができる。次に、図7に示すように、ソース電極92を形成する工程が行なわれる。ここで、ソース電極92を形成する工程は、たとえば、フォトリソグラフィおよびエッチングにより層間絶縁膜94の一部に開口部を設けた後に、蒸着法によりニッケルNi膜を形成し、その後、Ni膜を加熱してシリサイド化することにより行なうことができる。次に、ソース電極92および層間絶縁膜94を覆うようにしてソース配線95を形成する工程が行なわれる。ここで、ソース配線95は、たとえば、ソース電極92および層間絶縁膜94を覆うようにAl膜を形成することにより行なうことができる。これにより、実施の形態1のIGBTを作製することができる。<実施の形態2>図8に、本発明のIGBTの他の一例である実施の形態2のIGBTの模式的な断面図を示す。実施の形態2のIGBTは、p型炭化珪素基板1の主面上にn型電界停止層2が設けられていない点で実施の形態1のIGBTと異なっている。実施の形態2のIGBTにおいても、チャネル領域となる溝16の側壁面16aにおけるpボディ領域4の表面は、{0001}面に対するオフ角が50°以上65°以下の表面であって、pボディ領域4のp型不純物濃度が5×1016cm3以上であることから、閾値電圧の設定の自由度を高めることができるとともに、チャネル移動度の大幅な低下を抑制することができる。本実施の形態における上記以外の説明は、実施の形態1と同様であるため、その説明については省略する。<実施の形態3>図9に、本発明のIGBTの他の一例である実施の形態3のIGBTの模式的な断面図を示す。実施の形態3のIGBTは、溝16の側壁面16aがp型炭化珪素基板1の主面に対して傾斜していることを特徴としている。実施の形態3のIGBTにおいても、チャネル領域となる溝16の側壁面16aにおけるpボディ領域4の表面は、{0001}面に対するオフ角が50°以上65°以下の表面であって、pボディ領域4のp型不純物濃度が5×1016cm3以上であることから、閾値電圧の設定の自由度を高めることができるとともに、チャネル移動度の大幅な低下を抑制することができる。ここで、p型炭化珪素基板1の主面のオフ方位と<01-10>方向との為す角が5°以下であることが好ましい。<01-10>方向はp型炭化珪素基板1の主面の代表的なオフ方位であるため、p型炭化珪素基板1の製造工程におけるスライス加工のばらつき等によるオフ方位のばらつきを<01-10>方向に対して5°以下とすることによりp型炭化珪素基板1の主面上へのn型電界停止層2およびn型ドリフト層3をエピタキシャル成長により容易に形成することができる傾向にある。また、p型炭化珪素基板1の主面のオフ方位と<-2110>方向との為す角が5°以下であることが好ましい。<-2110>方向は、<01-10>方向と同様にp型炭化珪素基板1の主面の代表的なオフ方位であるため、p型炭化珪素基板1の製造工程におけるスライス加工のばらつき等によるオフ方位のばらつきを<01-10>方向に対して5°以下とすることによりp型炭化珪素基板1の主面上へのn型電界停止層2およびn型ドリフト層3をエピタキシャル成長により容易に形成することができる傾向にある。また、p型炭化珪素基板1の主面は、p型炭化珪素基板1を構成する炭化珪素のカーボン面側の主面であることが好ましい。p型炭化珪素基板1の主面をカーボン面側の主面とすることによって、n型電界停止層2およびn型ドリフト層3をそれぞれエピタキシャル成長させたときのp型炭化珪素基板1の主面の傾きオフ角を小さくすることができる。そのため、p型炭化珪素基板1の主面に対して傾斜している溝16の側壁面16aのたとえば断面において対向している2つの面の面方位差を小さくすることができる傾向にある。なお、六方晶の単結晶炭化珪素の0001面はシリコン面と定義され、000-1面はカーボン面と定義される。以下、図10~図15の模式的断面図を参照して、実施の形態3のIGBTの製造方法の一例について説明する。まず、図10に示すように、p型炭化珪素基板1の主面上にn型電界停止層2およびn型ドリフト層3をこの順序でエピタキシャル成長させた後にマスク層17を形成する。ここで、マスク層17は、溝16の形成箇所に相当する箇所に、傾斜面17aを有するように形成される。マスク層17の傾斜面17aは、後述するn型ドリフト層3の表面のエッチングによって溝16の傾斜する側壁面16a{0001}面に対するオフ角が50°以上65°以下である表面が現れるように形成される。次に、上記のような形状を有するマスク層17をマスクとしてn型ドリフト層3のエッチングを行なうことによって、図11に示すように、n型ドリフト層3の表面に側壁面16aを有する溝16を形成する。その後、マスク層17は除去される。ここで、n型ドリフト層3のエッチングは、たとえば、異方性の高いドライエッチングまたは熱エッチングなどにより行なうことができる。次に、図12に示すように、n型ドリフト層3に、pボディ領域4、nソース領域5およびp領域6を形成する。そして、pボディ領域4、nソース領域5およびp領域6について熱処理を行なうことによって、pボディ領域4、nソース領域5およびp領域6のそれぞれにおける不純物の活性化を行なう。次に、図13に示すように、絶縁膜91を形成する。そして、絶縁膜91の形成後のp型炭化珪素基板1をNOガス雰囲気中において熱処理し、その後、p型炭化珪素基板1をArアルゴンガス雰囲気中において熱処理する。次に、ゲート電極93、ソース電極92、層間絶縁膜94、ソース配線95およびドレイン電極96を形成する工程が行なわれる。そして、p型炭化珪素基板1の裏面に蒸着法によりニッケルNi膜を形成した後に、Ni膜を加熱してシリサイド化することによりドレイン電極96を形成する。次に、図14に示すように、ゲート電極93および絶縁膜91を覆うようにして、層間絶縁膜94を形成する工程が行なわれる。ここで、層間絶縁膜94を形成する工程は、たとえば、プラズマCVD法により二酸化珪素SiO2膜を約1μmの厚さに形成することにより行なうことができる。次に、図15に示すように、ソース電極92を形成する工程が行なわれる。ここで、ソース電極92を形成する工程は、たとえば、フォトリソグラフィおよびエッチングにより層間絶縁膜94の一部に開口部を設けた後に、蒸着法によりニッケルNi膜を形成し、その後、Ni膜を加熱してシリサイド化することにより行なうことができる。次に、ソース電極92および層間絶縁膜94を覆うようにしてソース配線95を形成する工程が行なわれる。ここで、ソース配線95は、たとえば、ソース電極92および層間絶縁膜94を覆うようにAl膜を形成することにより行なうことができる。これにより、実施の形態3のIGBTを作製することができる。本実施の形態における上記以外の説明は、実施の形態1および実施の形態2と同様であるため、その説明については省略する。<実施の形態4>図16に、本発明のIGBTの他の一例である実施の形態4のIGBTの模式的な断面図を示す。実施の形態4のIGBTは、p型炭化珪素基板1の主面上にn型電界停止層2が設けられていない点で実施の形態3のIGBTと異なっている。実施の形態4のIGBTにおいても、チャネル領域となる溝16の側壁面16aにおけるpボディ領域4の表面は、{0001}面に対するオフ角が50°以上65°以下の表面であって、pボディ領域4のp型不純物濃度が5×1016cm3以上であることから、閾値電圧の設定の自由度を高めることができるとともに、チャネル移動度の大幅な低下を抑制することができる。本実施の形態における上記以外の説明は、実施の形態1~3と同様であるため、その説明については省略する。<実施の形態5>図17に、本発明のIGBTの他の一例である実施の形態5のIGBTの模式的な断面図を示す。実施の形態5のIGBTは、溝16の側壁面16aがp型炭化珪素基板1の主面に対して傾斜しているとともに、側壁面16aから延在する底面16bを有していることを特徴としている。実施の形態5のIGBTにおいても、チャネル領域となる溝16の側壁面16aにおけるpボディ領域4の表面は、{0001}面に対するオフ角が50°以上65°以下の表面であって、pボディ領域4のp型不純物濃度が5×1016cm3以上であることから、閾値電圧の設定の自由度を高めることができるとともに、チャネル移動度の大幅な低下を抑制することができる。以下、図2および図18~図24の模式的断面図を参照して、実施の形態4のIGBTの製造方法の一例について説明する。まず、図2に示すように、p型炭化珪素基板1の主面上にn型電界停止層2およびn型ドリフト層3をこの順序でエピタキシャル成長させる。次に、図18に示すように、n型ドリフト層3に、pボディ領域4、nソース領域5およびp領域6を形成する。次に、図19に示すように、溝16の形成領域に対応する領域に開口部を設けたマスク層17を形成した後に、n型ドリフト層3の一部をその厚さ方向にエッチングすることによって溝16を形成する。次に、図20に示すように、マスク層17をマスクとして用いて、溝16の側壁面16aに{0001}面に対するオフ角が50°以上65°以下である表面が現れる熱エッチング工程を行なう。ここで、熱エッチング工程は、たとえば、酸素ガスと塩素ガスとの混合ガスを反応ガスとして用い、熱処理温度を、たとえば700°C以上1000°C以下として図20に示す溝16の側壁面16aのエッチング。ここでは、実験結果より、ΔVQeff=-1.9Vとした。図26に示すように、実験により得られたデータ点は理論曲線に沿って分布している。そして、図26に示す結果から、pボディ領域におけるp型不純物濃度を8×1016cm3以上とすることにより、安定してプラスの閾値電圧が得られるため、ノーマリーオフを達成できると考えられる。pボディ領域のp型不純物濃度とチャネル移動度との関係を調査する実験を行なった。実験の手順は以下の通りである。まず、実施例1と同様にして、NOアニール工程およびArアニール工程を含むプロセスにより、溝の側壁面の面方位が03-3-8である実験用のIGBTサンプルを作製した。このとき、pボディ領域におけるp型不純物濃度を2×1016cm3~1×1017cm3の範囲で変化させた複数のサンプルを作製した。なお、絶縁膜の形成は、酸素雰囲気中で1200~1300°Cに加熱し、約60分間保持することにより行なった。その後、NO雰囲気中で1100~1200°Cに加熱し、約60分間保持することによりNOアニール処理を実施した。さらにその後、Ar雰囲気中で1200~1300°Cに加熱し、約60分間保持することによりArアニール処理を実施した実施例のIGBT。一方、比較のため、溝の側壁面の面方位が0001であるIGBTを作製した比較例のIGBT。そして、実施例のIGBTと、比較例のIGBTのそれぞれのチャネル移動度を測定した。図27に、実施例のIGBTのpボディ領域のp型不純物濃度とチャネル移動度との関係を示し、図28に、比較例のIGBTのpボディ領域のp型不純物濃度とチャネル移動度との関係を示す。図27および図28において、横軸はp型ボディ領域のp型不純物のp型不純物濃度NAcm3を示し、縦軸はチャネル移動度cm2/Vsを示している。図27に示すように、溝の側壁面の面方位が03-3-8である実施例のIGBTにおいては、pボディ領域のp型不純物濃度が2×1016cm3から1×1017cm3に上昇した場合でも、チャネル移動度はほとんど低下していないことが確認された。一方、図28に示すように、溝の側壁面の面方位が0001である比較例のIGBTにおいては、pボディ領域のp型不純物濃度が2×1016cm3から1×1017cm3に上昇した場合には、チャネル移動度が25程度低下していることが確認された。さらに、図27の縦軸および図28の縦軸に示されるように、実施例のIGBTのチャネル移動度は、比較例のIGBTのチャネル移動度と比べて、その絶対値が大幅に高くなっていることが確認された。したがって、実施例のIGBTは、比較例のIGBTと比較してチャネル移動度が大きく、pボディ領域におけるp型不純物濃度が高くなるにつれて、実施例のIGBTのチャネル移動度と比較例のIGBTのチャネル移動度との差が大きくなることがわかる。以上の実験結果より、実施例のIGBTによれば、チャネル移動度の低下を抑制しつつ閾値電圧をプラス側にシフト可能であることが確認された。実施例のIGBTの閾値電圧について調査する実験を行なった。具体的には、まず、上記の実施例1と同様にして、溝の側壁面の面方位が03-3-8である実験用のIGBT実施例のIGBTを作製した。そして、実施例のIGBTについて、ゲート電圧を変化させたときのドレイン電流量の値を測定した。このとき、同一の測定結果について、ドレイン電流量をlogスケールとリニアスケールとの2通りでプロットし、閾値電圧を求めた。そのプロットにより作製されたグラフを図29に示す。なお、図29の横軸はゲート電圧VGを示し、左縦軸はlogスケールのドレイン電流logId量Aを示し、右縦軸はリニアスケールのドレイン電流linearId量Aを示している。また、図29において、太線はlogスケールのドレイン電流logId量Aを示し、細線はリニアスケールのドレイン電流linearId量Aを示している。図29に示すように、リニアスケールのドレイン電流量を示す曲線の直線部分を延長して得られる閾値電圧図29のB点に比べて、logスケールのドレイン電流量を示す曲線から得られる閾値電圧図29のA点は小さくなっていることが確認された。ここで、上記のlogスケールのドレイン電流量を示す曲線から得られた閾値電圧は、ゲート電圧を上昇させていった場合にpボディ領域の絶縁膜に接する領域に最初に薄いチャネル領域弱反転層が形成される電圧を示している。本明細書においては、この弱反転層が形成されるゲート電圧を閾値電圧として取り扱う。実施例のIGBTの閾値電圧の温度依存性について調査する実験を行なった。具体的には、まず、上記の実施例1と同様にして、溝の側壁面の面方位が03-3-8である実験用のIGBT実施例のIGBTを作製した。このとき、pボディ領域におけるp型不純物Al濃度が1×1018cm3実施例Aおよび5×1017cm3実施例Bの2種類のIGBTを作製した。一方、比較のため、溝の側壁面の面方位を0001としたこと以外は、実施例のIGBTと同様にして、実験用のIGBT比較例AのIGBTを作製した。比較例AのIGBTのpボディ領域におけるp型不純物Al濃度は2×1016cm3とした。そして、室温25°C~200°Cの温度範囲内において、実施例A、Bおよび比較例AのそれぞれのIGBTの閾値電圧と温度との関係を調査した。その結果を図30に示す。なお、図30において、丸印は実施例AのIGBTの各温度°Cにおける閾値電圧Vを示し、四角印は実施例BのIGBTの各温度°Cにおける閾値電圧Vを示し、三角印は比較例AのIGBTの各温度°Cにおける閾値電圧Vを示している。図30に示すように、実施例Aおよび実施例BのIGBTの閾値電圧は比較例AのIGBTに比べて高く、室温25°C以上100°C以下の温度範囲においてはすべて2V以上となっており、安定してノーマリーオフの状態を維持することが可能となっていることが確認された。特に、実施例AのIGBTの閾値電圧は100°Cにおいて3V以上、かつ200°Cにおいて1V以上となっており、より高温においても安定してノーマリーオフの状態を維持することが可能となっていることが確認された。また、実施例AのIGBTおよび実施例BのIGBTにおいては、閾値電圧の温度依存性図中の近似直線の傾きがそれぞれ-7mV/°Cおよび-6mV/°Cとなっており、それぞれ-10mV/°C以上となっていることが確認された。別の観点から説明すると、実施例AのIGBTおよび実施例BのIGBTにおいては、それぞれ、閾値電圧の温度依存性図中の近似直線の傾きの絶対値が7mV/°Cおよび6mV/°Cとなっており、それぞれ10mV/°C以下となっていることから、安定してノーマリーオフの状態を維持することが可能となっていることが確認された。実施例のIGBTの電子のチャネル移動度の温度依存性について調査する実験を行なった。具体的には、まず、上記の実施例1と同様にして、溝の側壁面の面方位が03-3-8である実験用のIGBT実施例CのIGBTを作製した。一方、比較のため、溝の側壁面の面方位を03-3-8としたこと以外は、実施例のIGBTと同様にして、実験用のIGBT比較例BのIGBTを作製した。そして、室温25°C~200°Cの温度範囲内において、実施例Cおよび比較例BのそれぞれのIGBTの電子のチャネル移動度と温度との関係を調査した。その結果を図31に示す。なお、図31において、丸印は実施例CのIGBTの各温度°Cにおける電子のチャネル移動度cm2/Vsを示し、四角印は比較例BのIGBTの各温度°Cにおける電子のチャネル移動度cm2/Vsを示している。図31に示すように、実施例CのIGBTのチャネル移動度は比較例BのIGBTのチャネル移動度に比べて高く、室温25°Cにおいて30cm2/Vs以上となっているだけでなく、100°Cにおいて50cm2/Vs以上となっていることが確認された。また、図31に示す結果からは、実施例CのIGBTのチャネル移動度は、150°Cにおいて40cm2/Vs以上になっていると考えられる。また、図31に示すように、実施例CのIGBTのチャネル移動度の温度依存性は-0.14cm2/Vs°C程度であり、-0.3cm2/Vs°C以上となっていることが確認された。別の観点から説明すると、実施例CのIGBTの電子のチャネル移動度の温度依存性の絶対値が0.3cm2/Vs°C以下となっているため、安定してIGBTのオン抵抗を抑制することが可能となっていることが確認された。実施例のIGBTのpボディ領域におけるp型不純物Al濃度cm3と閾値電圧Vとの関係を調査する実験を行なった。具体的には、まず、上記の実施例1と同様にして、溝の側壁面の面方位が03-3-8である実験用のIGBT実施例のIGBTを作製した。また、pボディ領域におけるp型不純物Alの濃度の異なる5種類のサンプルを作製した。そして、5種類のサンプルのそれぞれの閾値電圧を調査した。その結果を図32に示す。なお、図32の横軸はpボディ領域におけるp型不純物Al濃度cm3を示し、縦軸は閾値電圧Vを示している。図32に示すように、p型ボディ領域におけるp型不純物濃度を高くするにしたがって、閾値電圧が上昇することが確認された。図32に示す結果からは、pボディ領域におけるp型不純物濃度が8×1016cm3以上3×1018cm3以下である領域においては閾値電圧が0~5V程度になると考えられる。また、上述のように、実施例のIGBTにおいては、チャネル移動度の低下を抑制しつつpボディ領域におけるp型不純物濃度を上昇させることが可能であるため、pボディ領域におけるp型不純物濃度が8×1016cm3~3×1018cm3程度であっても十分なチャネル移動度を確保することができると考えられる。したがって、実施例のIGBTにおいては、pボディ領域におけるp型不純物濃度を8×1016cm3以上3×1018cm3以下とすることにより、珪素を半導体材料として用いた従来のIGBTと置き換えて使用することが容易であるとともに、安定してノーマリーオフ型である状態を維持することができることが確認された。また、pボディ領域におけるp型不純物濃度が高くなることによる大幅なチャネル移動度の低下を回避することも可能であると考えられる。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。