バイアス電圧を生成するバイアス生成部と、前記バイアス生成部に接続され、前記バイアス電圧に基づいて基準電圧を生成する基準電圧生成部と、前記バイアス電圧及び前記基準電圧に基づいて定電圧を生成する定電圧生成部と、前記定電圧生成部のバイアスを切り替えるバイアススイッチと、前記定電圧又は電源電圧に応じた検出電圧を取得し、前記基準電圧と前記検出電圧との差に応じて、前記定電圧生成部の動作状態を、イネーブル状態又はディスエーブル状態に設定する定電圧制御信号と、前記バイアススイッチを制御するスイッチ制御信号と、を生成する定電圧制御部と、を備え、前記バイアススイッチは、前記スイッチ制御信号により、前記定電圧生成部のバイアスを切り替える、定電圧電源回路。前記定電圧制御部は、前記基準電圧が前記検出電圧未満の場合には、前記動作状態をイネーブル状態に設定する定電圧制御信号と、前記定電圧生成部を前記バイアス生成部と接続するスイッチ制御信号と、を生成し、前記基準電圧が前記検出電圧以上の場合には、前記動作状態をディスエーブル状態に設定する定電圧制御信号と、前記定電圧生成部に、前記バイアス電圧より低い低バイアス電圧を供給するスイッチ制御信号と、を生成する、請求項1に記載の定電圧電源回路。前記バイアススイッチは、前記定電圧生成部に、前記バイアス電圧を供給するか否かを切り替える第1バイアススイッチと、前記定電圧生成部に、前記バイアス電圧より低い低バイアス電圧を供給するか否かを切り替える第2バイアススイッチと、を備える、請求項1又は2に記載の定電圧電源回路。前記定電圧制御部は、前記動作状態をイネーブル状態からディスエーブル状態に変更する場合には、前記定電圧生成部への前記バイアス電圧の供給を遮断した後に、前記定電圧生成部に前記バイアス電圧より低い低バイアス電圧を供給し、前記動作状態をディスエーブル状態からイネーブル状態に変更する場合には、前記低バイアス電圧の前記定電圧生成部への供給を遮断した後に、前記定電圧生成部に前記バイアス電圧を供給するように、前記スイッチ制御信号を生成する、請求項1乃至3のいずれか一に記載の定電圧電源回路。前記基準電圧生成部、前記定電圧生成部、及び前記定電圧制御部のバイアスを切り替える動作モードスイッチと、前記基準電圧生成部、前記定電圧生成部、及び前記定電圧制御部の動作モードを通常モード又は省電力モードに設定する電源制御信号に基づいて、前記動作モードスイッチを制御する動作モードスイッチ制御信号を生成する動作モード制御部と、をさらに備える、請求項1乃至4のいずれか一に記載の定電圧電源回路。前記動作モード制御部は、前記動作モードを前記通常モードに設定する電源制御信号を受け付けると、前記基準電圧生成部、前記定電圧生成部、及び前記定電圧制御部に前記バイアス電圧が供給されるように前記動作モードスイッチ制御信号を生成し、前記動作モードを前記省電力モードに設定する電源制御信号を受け付けると、前記基準電圧生成部、前記定電圧生成部、及び前記定電圧制御部に、前記バイアス電圧より低い低バイアス電圧が供給されるように、前記動作モードスイッチ制御信号を生成する、請求項5に記載の定電圧電源回路。定電圧で動作する負荷と、バイアス電圧を生成するバイアス生成部と、前記バイアス生成部に接続され、前記バイアス電圧に基づいて基準電圧を生成する基準電圧生成部と、前記バイアス電圧及び前記基準電圧に基づいて前記定電圧を生成する定電圧生成部と、前記定電圧生成部のバイアスを切り替えるバイアススイッチと、前記定電圧又は電源電圧に応じた検出電圧を取得し、前記基準電圧と前記検出電圧との差に応じて、前記定電圧生成部の動作状態を、イネーブル状態又はディスエーブル状態に設定する定電圧制御信号と、前記バイアススイッチを制御するスイッチ制御信号と、を生成する定電圧制御部と、を備え、前記バイアススイッチは、前記スイッチ制御信号により、前記定電圧生成部のバイアスを切り替える、半導体集積回路。本発明が解決しようとする課題は、定電圧電源回路の消費電力を低減し、且つ、定電圧電源回路の動作を安定させることである。本発明の実施形態の定電圧電源回路は、バイアス生成部と、基準電圧生成部と、定電圧生成部と、バイアススイッチと、定電圧制御部と、を備える。バイアス生成部は、バイアス電圧を生成する。基準電圧生成部は、バイアス生成部に接続され、バイアス電圧に基づいて基準電圧を生成する。定電圧生成部は、バイアス電圧及び基準電圧に基づいて定電圧を生成する。バイアススイッチは、定電圧生成部のバイアスを切り替える。定電圧制御部は、定電圧又は電源電圧に応じた検出電圧を取得し、基準電圧と検出電圧との差に応じて、定電圧生成部の動作状態を、イネーブル状態又はディスエーブル状態に設定する定電圧制御信号と、バイアススイッチを制御するスイッチ制御信号と、を生成する。バイアススイッチは、スイッチ制御信号により、定電圧生成部のバイアスを切り替える。本実施形態について、図面を参照して説明する。第1実施形態第1実施形態について説明する。第1実施形態では、インバータを用いて定電圧生成部のバイアスを切り替える例を説明する。第1実施形態の定電圧電源回路10について説明する。図1は、第1実施形態の図1の定電圧電源回路10の構成を示すブロック図である。定電圧電源回路10は、バイアス生成部11、基準電圧生成部13、定電圧生成部14、定電圧制御部15、及びバイアススイッチ16等の構成要素を備える。各構成要素には、電源電位を与える電源電圧Vddが供給され、且つ、グラウンド電位を与えるグラウンドGNDが接続される。また、定電圧電源回路10の出力端子即ち、定電圧生成部14の出力端子には、負荷20が接続される。バイアス生成部11は、基準電圧生成部13と、定電圧生成部14と、定電圧制御部15と、に供給すべきバイアス電圧Vbiasを生成する。基準電圧生成部13は、バイアス生成部11に接続され、バイアス電圧Vbiasに基づいて基準電圧Vrefを生成する。定電圧生成部14は、バイアス電圧Vbias及び基準電圧Vrefに基づいて、定電圧Voutを生成する。バイアススイッチ16は、定電圧制御部15が生成するスイッチ制御信号により、定電圧生成部14のバイアスを切り替える。例えば、バイアススイッチ16は、第1バイアススイッチ161と、第2バイアススイッチ162と、を備える。第1バイアススイッチ161は、バイアス生成部11と定電圧生成部14との間の配線の導通及び非導通即ち、定電圧生成部14にバイアス電圧Vbiasを供給するか否かを切り替える。第2バイアススイッチ162は、グラウンドGNDと定電圧生成部14との間の配線の導通及び非導通即ち、定電圧生成部14に、バイアス電圧Vbiasより低い低バイアス電圧グラウンドGNDの電圧0[V]を供給するか否かを切り替える。定電圧制御部15は、定電圧Vout又は電源電圧Vddに応じた検出電圧Vdxを取得する。検出電圧Vdxは、定電圧Vout又は電源電圧Vddを所定割合に分圧した電圧値を有する。例えば、検出電圧Vdxの電圧値は、定電圧Voutを半分に分圧した電圧値Vout/2又は電源電圧Vddを半分に分圧した電圧値Vdd/2である。また、定電圧制御部15は、基準電圧Vrefと検出電圧Vdxとの差に応じて、定電圧生成部14の動作状態を、イネーブル状態又はディスエーブル状態に設定するための定電圧制御信号CCVENを生成する。例えば、定電圧制御部15は、基準電圧Vrefが検出電圧Vdx未満の場合には、動作状態をイネーブル状態に設定するための定電圧制御信号CCVENを生成し、基準電圧Vrefが検出電圧Vdx以上の場合には、動作状態をディスエーブル状態に設定するための定電圧制御信号CCVDISを生成する。なお、定電圧生成部14は、イネーブル状態の場合即ち、定電圧制御信号CCVENが生成された場合には、定電圧Voutを生成するが、ディスエーブル状態の場合即ち、定電圧制御信号CCVDISが生成された場合には、定電圧Voutを生成しない。また、定電圧制御部15は、基準電圧Vrefと検出電圧Vdxとの差に応じて、バイアススイッチ16を制御するためのスイッチ制御信号を生成する。例えば、定電圧制御部15は、基準電圧Vrefが検出電圧Vdx未満の場合には、第1バイアススイッチ161をオンにするための第1スイッチ制御信号SW1ONと、第2バイアススイッチ162をオフにするための第2スイッチ制御信号SW2OFFと、を生成する。即ち、定電圧制御部15は、基準電圧Vrefが検出電圧Vdx未満の場合には、定電圧生成部14をバイアス生成部11と接続する第1スイッチ制御信号SW1ON及び第2スイッチ制御信号SW2OFFを生成する。一方、定電圧制御部15は、基準電圧Vrefが検出電圧Vdx以上の場合には、第1バイアススイッチ161をオフにするための第1スイッチ制御信号SW1OFFと、第2バイアススイッチ162をオンにするための第2スイッチ制御信号SW2ONと、を生成する。即ち、定電圧制御部15は、基準電圧Vrefが検出電圧Vdx以上の場合には、定電圧生成部14に低バイアス電圧を供給する例えば、定電圧生成部14をグラウンドGNDと接続する第1スイッチ制御信号SW1OFF及び第2スイッチ制御信号SW2ONを生成する。基準電圧Vrefが検出電圧Vdx未満の場合には、バイアススイッチ16は、第1スイッチ制御信号SW1ON及び第2スイッチ制御信号SW2OFFにより、バイアス生成部11と定電圧生成部14との間の配線を導通状態にし、グラウンドGNDと定電圧生成部14との間の配線を非導通状態にする。その結果、定電圧生成部14には、バイアス電圧Vbiasが供給され、バイアス電圧Vbiasに応じたバイアス電流が流れる。そして、定電圧生成部14は、基準電圧Vrefとバイアス電圧Vbiasとの差に応じた定電圧Voutを生成する。一方、基準電圧Vrefが検出電圧Vdx以上の場合には、バイアススイッチ16は、第1スイッチ制御信号SW1OFF及び第2スイッチ制御信号SW2ONにより、バイアス生成部11と定電圧生成部14との間の配線を非導通状態にし、グラウンドGNDと定電圧生成部14との間の配線を導通状態にする。その結果、定電圧生成部14には、バイアス電圧Vbiasが供給されず、バイアス電流は流れない。従って、イネーブル状態に比べて、ディスエーブル状態の定電圧生成部14の消費電力は低い。ここで、第1スイッチ制御信号SW1OFF及び第2スイッチ制御信号SW2ONが生成されたとしても、バイアス生成部11と基準電圧生成部13との間の配線、及びバイアス生成部11と定電圧制御部15との間の配線は導通状態であるので、定電圧制御部15の誤作動を防ぐことができる。なお、定電圧制御部15は、基準電圧Vrefが検出電圧Vdx以下の場合には、動作状態をイネーブル状態に設定する定電圧制御信号CCVENと、定電圧生成部14をバイアス生成部11と接続する第1スイッチ制御信号SW1ON及び第2スイッチ制御信号SW2OFFと、を生成し、基準電圧Vrefが検出電圧Vdxより大きい場合には、動作状態をディスエーブル状態に設定する定電圧制御信号CCVDISと、定電圧生成部14に低バイアス電圧を供給する例えば、定電圧生成部14をグラウンドGNDと接続する第1スイッチ制御信号SW1OFF及び第2スイッチ制御信号SW2ONと、を生成しても良い。即ち、定電圧制御部15は、基準電圧Vrefと検出電圧Vdxとが等しい場合には、定電圧生成部14に低バイアス電圧を供給するための第1スイッチ制御信号SW1及び第2スイッチ制御信号SW2を生成しても良いし、定電圧生成部14にバイアス電圧Vbiasを供給するための第1スイッチ制御信号SW1及び第2スイッチ制御信号SW2を生成しても良い。第1実施形態の定電圧制御部15の構成について説明する。図2は、第1実施形態の図1の定電圧制御部15の構成を示すブロック図である。定電圧制御部15は、制御信号生成部150と、バイアス制御部152と、インバータ153と、を備える。制御信号生成部150は、基準電圧Vrefと検出電圧Vdxとを比較することにより、基準電圧Vrefと検出電圧Vdxとの差に応じた定電圧制御信号CCVを生成する。バイアス制御部152は、基準電圧Vrefと検出電圧Vdxとを比較することにより、基準電圧Vrefと検出電圧Vdxとの差に応じた信号レベルを有する信号Naを生成する。インバータ153は、信号Naの信号レベルを反転させる。即ち、第1スイッチ制御信号SW1の信号レベルは、信号Naの信号レベルと等しいが、第2スイッチ制御信号SW2の信号レベルは、信号Naの信号レベルと逆である。第1実施形態の定電圧制御信号CCV、第1スイッチ制御信号SW1、及び第2スイッチ制御信号SW2の信号レベルについて説明する。図3は、第1実施形態の定電圧制御信号CCV、第1スイッチ制御信号SW1、及び第2スイッチ制御信号SW2の信号レベルを示す表である。基準電圧Vrefが検出電圧Vdx未満の場合には、定電圧制御信号CCVENが生成され、信号Na及び第1スイッチ制御信号SW1の信号レベルはハイHになり、第2スイッチ制御信号SW2の信号レベルはロウLになる。即ち、第1スイッチ制御信号SW1ONと、第2スイッチ制御信号SW2OFFと、が生成される。この場合には、定電圧生成部14には、第1バイアススイッチ161を介してバイアス生成部11が接続されるので、バイアス電圧Vbiasが供給され、バイアス電圧Vbiasに応じたバイアス電流が流れる。一方、基準電圧Vrefが検出電圧Vdx以上の場合には、定電圧制御信号CCVDISが生成され、信号Na及び第1スイッチ制御信号SW1の信号レベルはロウLになり、第2スイッチ制御信号SW2の信号レベルはハイHになる。即ち、第1スイッチ制御信号SW1OFFと、第2スイッチ制御信号SW2ONと、が生成される。この場合には、定電圧生成部14には、第2バイアススイッチ162を介してグラウンドGNDと接続されるので、バイアス電圧Vbiasが供給されず、バイアス電流は流れない。第1実施形態によれば、定電圧制御部15が、基準電圧Vrefが検出電圧Vdx未満の場合には、定電圧生成部14にバイアス電圧Vbiasが供給され、基準電圧Vrefが検出電圧Vdx以上の場合には、定電圧生成部14にバイアス電圧Vbiasが供給されないように、バイアススイッチ16を制御する。これにより、定電圧電源回路10の消費電力を低減し、且つ、定電圧電源回路10の動作を安定させることができる。第2実施形態第2実施形態について説明する。第2実施形態では、所定の条件下で定電圧制御部に流れる貫通電流を防ぐ例を説明する。なお、上述の実施形態と同様の説明は省略する。特に、第2実施形態の定電圧電源回路10の構成は、第1実施形態と同様である。第2実施形態の定電圧制御部15の構成について説明する。図4は、第2実施形態の図1の定電圧制御部15の構成を示すブロック図である。図5は、第2実施形態の図4の遅延回路154の構成例を示す概略図である。定電圧制御部15は、第1実施形態と同様の構成制御信号生成部150及びバイアス制御部152に加えて、遅延回路154並びに論理ゲートANDゲート155及びNORゲート156の組み合わせを備える。遅延回路154は、信号Naを所定の遅延時間Δtだけ遅延させる。ANDゲート155は、遅延回路154の出力である信号Nbと信号Naとを用いて、AND演算を行う。ANDゲート155の出力が第1スイッチ制御信号SW1である。NORゲート156は、信号Naと信号Nbとを用いて、NOR演算を行う。NORゲート156の出力が第2スイッチ制御信号SW2である。第1スイッチ制御信号SW1の信号レベルは、信号Na及びNbの信号レベルと等しいが、第2スイッチ制御信号SW2の信号レベルは、信号Na及びNbの信号レベルと逆である。例えば、遅延回路154は、図5Aに示すように、偶数段のインバータで構成されても良いし、図5Bに示すように、1段のRC回路で構成されても良いし、図5Cに示すように、複数段NNは2以上の整数段のRC回路で構成されても良い。図5Cの場合には、抵抗R1~Rnnは2~Nの整数の抵抗値は、互いに等しくても良いし、異なっていても良い。また、キャパシタC1~Cnのキャパシタンスも、互いに等しくても良いし、異なっていても良い。第2実施形態の定電圧制御信号CCV、第1スイッチ制御信号SW1、及び第2スイッチ制御信号SW2の信号レベルについて説明する。図6は、第2実施形態の定電圧制御信号CCV、第1スイッチ制御信号SW1、及び第2スイッチ制御信号SW2の信号レベルを示す表である。基準電圧Vrefが検出電圧Vdx未満の場合には、定電圧制御信号CCVENが生成され、信号Na及びNb、並びに第1スイッチ制御信号SW1の信号レベルはハイHになり、第2スイッチ制御信号SW2の信号レベルはロウLになる。その結果、第1実施形態と同様に、第1スイッチ制御信号SW1ONと、第2スイッチ制御信号SW2OFFと、が生成される。この場合には、定電圧生成部14には、第1バイアススイッチ161を介してバイアス生成部11が接続されるので、バイアス電圧Vbiasが供給され、バイアス電圧Vbiasに応じたバイアス電流が流れる。一方、基準電圧Vrefが検出電圧Vdx以上の場合には、定電圧制御信号CCVDISが生成される。また、信号Na及びNb、並びに第1スイッチ制御信号SW1の信号レベルはロウLになり、第2スイッチ制御信号SW2の信号レベルはハイHになる。その結果、第1実施形態と同様に、第1スイッチ制御信号SW1OFFと、第2スイッチ制御信号SW2ONと、が生成される。この場合には、定電圧生成部14には、第2バイアススイッチ162を介してグラウンドGNDが接続されるので、バイアス電圧Vbiasが供給されず、バイアス電流は流れない。第2実施形態の定電圧制御信号CCV、第1スイッチ制御信号SW1、及び第2スイッチ制御信号SW2のタイミングについて説明する。図7は、第2実施形態の信号Na、信号Nb、第1スイッチ制御信号SW1、及び第2スイッチ制御信号SW2のタイミングを示す概略図である。信号Nbは、信号Naに対して遅延時間Δtだけ遅延する。第1スイッチ制御信号SW1の信号レベルは、信号Naの立ち下がりエッジでハイHからロウLに変化し、信号Nbの立ち上がりエッジでロウLからハイHに変化する。第2スイッチ制御信号SW2の信号レベルは、信号Nbの立ち下がりエッジでロウLからハイHに変化し、信号Naの立ち上がりエッジでハイHからロウLに変化する。従って、第1スイッチ制御信号SW1の信号レベルがハイHからロウLに変化してから遅延時間Δtだけ経過した後に、第2スイッチ制御信号SW2の信号レベルはロウLからハイHに変化する。これは、第1バイアススイッチ161がオフになった後即ち、定電圧生成部14がバイアス生成部11から切り離された後に、第2バイアススイッチ162がオンになる即ち、定電圧生成部14がグラウンドGNDに接続されることを意味する。換言すると、定電圧制御部15は、動作状態をイネーブル状態からディスエーブル状態に変更する場合には、定電圧生成部14へのバイアス電圧Vbiasの供給を遮断した後に、定電圧生成部14に低バイアス電圧を供給するように、第1スイッチ制御信号SW1及び第2スイッチ制御信号SW2を生成する。また、第2スイッチ制御信号SW2の信号レベルがハイHからロウLに変化してから遅延時間Δtだけ経過した後に、第1スイッチ制御信号SW1の信号レベルはロウLからハイHに変化する。これは、第2バイアススイッチ162がオフになった後即ち、定電圧生成部14がグラウンドGNDから切り離された後に、第1バイアススイッチ161がオンになること即ち、定電圧生成部14がバイアス生成部11に接続されることを意味する。換言すると、定電圧制御部15は、動作状態をディスエーブル状態からイネーブル状態に変更する場合には、低バイアス電圧の定電圧生成部14への供給を遮断した後に、定電圧生成部14にバイアス電圧Vbiasを供給するように、第1スイッチ制御信号SW1及び第2スイッチ制御信号SW2を生成する。仮に、第1バイアススイッチ161及び第2バイアススイッチ162の一方がオフになる前に、他方がオンになると、定電圧制御部15に貫通電流が流れる場合がある。これに対して、第2実施形態によれば、定電圧制御部15が、第1バイアススイッチ161及び第2バイアススイッチ162の一方がオフになった後に、他方がオンになるように、第1スイッチ制御信号SW1及び第2スイッチ制御信号SW2を生成する。これにより、定電圧制御部15に貫通電流が流れることを防ぐことができる。第3実施形態第3実施形態について説明する。第3実施形態では、第1実施形態と比較して、定電圧電源回路の消費電力をさらに低減する例を説明する。なお、上述の実施形態と同様の説明は省略する。第3実施形態の定電圧電源回路10について説明する。図8は、第3実施形態の図1の定電圧電源回路10の構成を示すブロック図である。定電圧電源回路10は、第1実施形態と同様の構成バイアス生成部11、基準電圧生成部13、定電圧生成部14、定電圧制御部15、及びバイアススイッチ16に加えて、動作モード制御部18と、動作モードスイッチ17と、を備える。動作モード制御部18には、電源電圧Vddが供給され、且つ、グラウンドGNDが接続される。また、定電圧電源回路10の出力端子即ち、定電圧生成部14の出力端子には、負荷20が接続される。また、動作モード制御部18には、定電圧電源回路10の外部に設けられた電源管理部が生成した電源制御信号PCSが供給される。電源制御信号PCSは、バイアス生成部11、基準電圧生成部13、定電圧生成部14、及び定電圧制御部15の動作モードを、通常モード又は省電力モードに設定するための信号である。定電圧電源回路10は、通常モードでは、定電圧Voutを生成し、省電力モードでは、動作を停止する。電源制御信号PCSの信号レベルに関しては、ロウLは、定電圧電源回路10を通常モードに設定することを意味し、ハイHは、定電圧電源回路10を省電力モードに設定することを意味する。動作モードスイッチ17は、基準電圧生成部13、定電圧生成部14、及び定電圧制御部15のバイアスを切り替える。例えば、動作モードスイッチ17は、バイアス生成部11と第1バイアススイッチ161との間の配線と、グラウンドGNDと基準電圧生成部13との間の配線と、グラウンドGNDと定電圧生成部14との間の配線と、グラウンドGNDと定電圧制御部15との間の配線と、の導通及び非導通を切り替える。動作モード制御部18は、電源制御信号PCSに応じた信号レベルに応じて、動作モードスイッチ17のオン又はオフが切り替わるように、動作モードスイッチ17を制御するための動作モードスイッチ制御信号SW3を生成する。即ち、動作モード制御部18は、電源制御信号PCSに基づいて、動作モードスイッチ制御信号SW3を生成する。第3実施形態の定電圧制御部15の構成について説明する。図9は、第3実施形態の図8の定電圧制御部15の構成を示すブロック図である。定電圧制御部15は、第1実施形態と同様の構成制御信号生成部150、バイアス制御部152、及びインバータ153に加えて、インバータ157と、NANDゲート158と、を備える。インバータ157は、信号Naの信号レベルを反転させる。NANDゲート158は、動作モードスイッチ制御信号SW3とインバータ157の出力とを用いて、NAND演算を行う。NANDゲート158の出力が信号Nbである。インバータ153は、信号Nbを反転させる。即ち、第1スイッチ制御信号SW1の信号レベルは、信号Nbの信号レベルと等しいが、第2スイッチ制御信号SW2の信号レベルは、信号Nbの信号レベルと逆である。第3実施形態の電源制御信号PCS、定電圧制御信号CCV、第1スイッチ制御信号SW1、第2スイッチ制御信号SW2、及び動作モードスイッチ制御信号SW3の信号レベルについて説明する。図10は、第3実施形態の電源制御信号PCS、定電圧制御信号CCV、第1スイッチ制御信号SW1、第2スイッチ制御信号SW2、及び動作モードスイッチ制御信号SW3の信号レベルを示す表である。電源制御信号PCSがロウLである場合には、基準電圧Vrefと検出電圧Vdxとの差にかかわらず、動作モードスイッチ制御信号SW3の信号レベルはロウLになる。即ち、動作モードスイッチ制御信号SW3OFFが生成される。この場合には、第1実施形態と同様に、基準電圧Vrefと検出電圧Vdxとの差に応じた第1スイッチ制御信号SW1及び第2スイッチ制御信号SW2が生成される。即ち、動作モード制御部18は、動作モードを通常モードに設定する電源制御信号PCSを受け付けると、基準電圧生成部13、定電圧生成部14、及び定電圧制御部15にバイアス電圧Vbiasが供給されるように、動作モードスイッチ制御信号SW3を生成する。一方、電源制御信号PCSがハイHである場合には、基準電圧Vrefと検出電圧Vdxとの差にかかわらず、動作モードスイッチ制御信号SW3の信号レベルはハイHになる。即ち、動作モードスイッチ制御信号SW3ONが生成される。この場合には、基準電圧生成部13、定電圧生成部14、及び定電圧制御部15には、動作モードスイッチ17を介してグラウンドGNDが接続されるので、バイアス電圧Vbiasが供給されず、バイアス電流は流れない。即ち、動作モード制御部18は、動作モードを省電力モードに設定する電源制御信号PCSを受け付けると、基準電圧生成部13、定電圧生成部14、及び定電圧制御部15に、低バイアス電圧が供給されるように、動作モードスイッチ制御信号SW3を生成する。第3実施形態によれば、動作モード制御部18が、電源制御信号PCSに基づいて、バイアス生成部11、基準電圧生成部13、定電圧生成部14、及び定電圧制御部15の動作モードを、通常モード又は省電力モードに設定する。省電力モードでは、バイアス生成部11がグラウンドGNDに接続されるので、定電圧生成部14だけでなく、基準電圧生成部13及び定電圧制御部15へのバイアス電圧Vbiasの供給も遮断される。これにより、第1実施形態に比べて、定電圧電源回路10の消費電力をさらに低減できる。第4実施形態第4実施形態について説明する。第4実施形態では、第2実施形態と比較して、定電圧電源回路の消費電力をさらに低減する例を説明する。なお、上述の実施形態と同様の説明は省略する。特に、第4実施形態の定電圧電源回路10の構成は、第3実施形態と同様である。第4実施形態の定電圧制御部15の構成について説明する。図11は、第4実施形態の図8の定電圧制御部15の構成を示すブロック図である。定電圧制御部15は、第2実施形態と同様の構成制御信号生成部150、バイアス制御部152、ANDゲート155、及びNORゲート156に加えて、第3実施形態と同様の構成インバータ157及びNANDゲート158を備える。遅延回路154は、信号Nbを所定の遅延時間Δtだけ遅延させる。ANDゲート155は、遅延回路154の出力である信号Ncと信号Nbとを用いて、AND演算を行う。ANDゲート155の出力が第1スイッチ制御信号SW1である。NORゲート156は、信号Nbと信号Ncとを用いて、NOR演算を行う。NORゲート156の出力が第2スイッチ制御信号SW2である。第1スイッチ制御信号SW1の信号レベルは、信号Nb及びNcと等しいが、第2スイッチ制御信号SW2の信号レベルは、信号Nb及びNcの信号レベルと逆である。第4実施形態の電源制御信号PCS、定電圧制御信号CCV、第1スイッチ制御信号SW1、第2スイッチ制御信号SW2、及び動作モードスイッチ制御信号SW3の信号レベルについて説明する。図12は、第4実施形態の電源制御信号PCS、定電圧制御信号CCV、第1スイッチ制御信号SW1、第2スイッチ制御信号SW2、及び動作モードスイッチ制御信号SW3の信号レベルを示す表である。電源制御信号PCSがロウLである場合には、基準電圧Vrefと検出電圧Vdxとの差にかかわらず、動作モードスイッチ制御信号SW3の信号レベルはロウLになる。即ち、動作モードスイッチ制御信号SW3OFFが生成される。この場合には、第2実施形態と同様に、基準電圧Vrefと検出電圧Vdxとの差に応じた第1スイッチ制御信号SW1及び第2スイッチ制御信号SW2が生成される。一方、電源制御信号PCSがハイHである場合には、基準電圧Vrefと検出電圧Vdxとの差にかかわらず、動作モードスイッチ制御信号SW3の信号レベルはハイHになる。即ち、動作モードスイッチ制御信号SW3ONが生成される。この場合には、基準電圧生成部13、定電圧生成部14、及び定電圧制御部15には、動作モードスイッチ17を介してグラウンドGNDが接続されるので、バイアス電圧Vbiasが供給されず、バイアス電流は流れない。第4実施形態によれば、動作モード制御部18が、電源制御信号PCSに基づいて、バイアス生成部11、基準電圧生成部13、定電圧生成部14、及び定電圧制御部15の動作モードを、通常モード又は省電力モードに設定する。省電力モードでは、バイアス生成部11がグラウンドGNDに接続されるので、定電圧生成部14だけでなく、基準電圧生成部13及び定電圧制御部15へのバイアス電圧Vbiasの供給も遮断される。これにより、第2実施形態に比べて、定電圧電源回路10の消費電力をさらに低減できる。第5実施形態第5実施形態について説明する。第5実施形態では、第1~第4実施形態の定電圧電源回路10を含む半導体集積回路の例について説明する。第5実施形態の半導体集積回路1について説明する。図13は、第5実施形態の半導体集積回路1の構成を示すブロック図である。半導体集積回路1は、定電圧電源回路10と、負荷20と、電源管理部30と、を備える。電源管理部30は、定電圧電源回路10の電源を制御するための電源制御信号PCSを生成する。定電圧電源回路10は、電源制御信号PCSに従って、負荷20に供給すべき定電圧Voutを生成する。定電圧電源回路10は、第1~第4実施形態のいずれかの構成を備える。負荷20は、定電圧電源回路10が生成した定電圧Voutで動作する。例えば、電源管理部30は、半導体集積回路1の電源を管理するプロセッサであり、負荷20は、フラッシュメモリ等の半導体記憶装置用のシフトレジスタである。第5実施形態によれば、定電圧電源回路10の消費電力を低減し、且つ、定電圧電源回路10の動作を安定させることができる。その結果、負荷20への定電圧Voutの供給が保証され、且つ、半導体集積回路1の消費電力が低減する。なお、上述の実施形態では、第2バイアススイッチ162が、定電圧生成部14をグラウンドGNDに接続するか否かを切り替える例について説明したが、本発明の範囲はこれに限られるものではない。本発明は、第2バイアススイッチ162が、定電圧生成部14を低バイアス生成部に接続するか否かを切り替える場合にも適用可能である。この低バイアス生成部は、バイアス生成部11が生成するバイアス電圧Vbiasより低い低バイアス電圧を生成する。また、第3実施形態及び第4実施形態では、動作モードスイッチ17が、バイアス生成部11、基準電圧生成部13、定電圧生成部14、及び定電圧制御部15をグラウンドGNDに接続するか否かを切り替える例について説明したが、本発明の範囲はこれに限られるものではない。本発明は、動作モードスイッチ17が、バイアス生成部11、基準電圧生成部13、定電圧生成部14、及び定電圧制御部15を低バイアス生成部に接続するか否かを切り替える場合にも適用可能である。なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化される。また、上述した実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明が形成可能である。例えば、上述した実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。