"上面に半導体部品を搭載する搭載領域が設けられた回路基板において、第1の樹脂シートと、前記第1の樹脂シートの下面に密着し、前記搭載領域の直下に開口を有する第1の銅箔と、前記開口内に形成され、前記第1の樹脂シートを上下に貫通する複数のビアと、前記ビアの下端に接続されて、前記第1の樹脂シートの下面に配置された電子部品と、前記第1の樹脂シートの上面に密着して設けられた第2の銅箔をパターニングして形成された、前記ビアの上端に接続する電極と、前記第1の樹脂シートの下面に密着しかつ前記電子部品を封止するようにモールド成形され、平面視したとき前記搭載領域を内側に含む平面形状を有するモールド樹脂成形体と、前記モールド樹脂成形体が嵌挿される貫通孔が設けられた剛性を有するコア板と、前記貫通孔に前記モールド樹脂成形体を嵌挿した前記コア板を、前記第1の樹脂シートの下面に貼着する接着材と、を備えたコア部材を有することを特徴とする回路基板。前記開口は、前記モールド樹脂成形体の平面形状の内側に含まれることを特徴とする請求項1記載の回路基板。前記コア部材は、前記コア板および前記モールド樹脂成形体の下面に、上下面にそれぞれ密着する銅箔が設けられた第2の樹脂シートが貼着されていることを特徴とする請求項1または2記載の回路基板。前記コア部材の上面に形成され、上面に前記搭載領域が設けられた第1の多層配線層と、前記第1の多層配線層を貫通して設けられ、下端が前記電極の上端に接続し、上端が前記搭載領域に表出するスタックドビアと、前記コア部材の下面に形成された第2の多層配線層と、前記コア部材を貫通し、前記第1及び第2の多層配線層内の配線を接続するスルービアと、前記第2の多層配線層内の配線に接続し、前記第2の多層配線層の下面に設けられた外部接続用電極と、を有することを特徴とする請求項1~3の何れかに記載の回路基板。請求項1~4の何れかに記載の回路基板の前記搭載領域に搭載され、前記スタックドビアの上端に接続された端子を備えた半導体素子、を有することを特徴とする半導体装置。下面に第1の銅箔が、上面に第2の銅箔が設けられた第1の樹脂シートの前記第1の銅箔をパターニングして、前記第1の銅箔に開口を形成する工程と、前記開口内に表出する前記第1の樹脂シートを貫通して、上面に前記第2の銅箔を表出するビアホールを形成する工程と、前記ビアホールを導電材料で埋め込み、上端が前記第2の銅箔に接続し、下端が前記第1の樹脂シートの下面に突出する複数のビアを形成する工程と、電子部品を前記ビアの下端に接続する工程と、前記第1の樹脂シートの下面に、前記電子部品を封止するモールド樹脂成形体を成形する工程と、貫通孔が開設された剛性を有するコア板を、前記モールド樹脂成形体を前記貫通孔に嵌挿させて前記第1の樹脂シートの下面に貼着し、前記第1の銅箔、前記第1の樹脂シート、前記第2の銅箔、前記コア板、および、前記電子部品を封止するモールド樹脂成形体を一体化したコア部材を形成する工程と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法。前記コア板を貼着する工程と同時に、上下面にそれぞれ第3および第4の銅箔が設けられた第2の樹脂シートを前記コア板の下面に貼着して、前記第1の銅箔、前記第1の樹脂シート、前記第2の銅箔、前記コア板、前記第3の銅箔、前記第2の樹脂シート、前記第4の銅箔、および、前記モールド樹脂成形体を一体化したコア部材を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項6記載の回路基板の製造方法。前記コア部材を貫通するスルービアを形成する工程と、上面に半導体素子を搭載する搭載領域と、前記スルービアの上端に接続する第1の配線と、下端が前記ビアの上端に接続し、上端が前記搭載領域に表出するスタックドビアとを備える第1の多層配線層を、ビルドアップ工法を用いて前記コア部材の上面に形成する工程と、前記スルービアの下端に接続する第2の配線と、下面に前記第2の配線に接続された外部接続用電極とを備える第2の多層配線層を、ビルドアップ工法を用いて前記コア部材の下面に形成する工程と、を有することを特徴とする請求項6又は7記載の回路基板の製造方法。近年、高性能コンピータHPCを搭載する回路基板は、複数の半導体素子を搭載するために大型化している。また、信号遅延およびノイズ抑制の観点から,より薄いものが要求されている。このため、回路基板の剛性が不足して湾曲し、半導体素子あるいはマザーボードとの接触不良を招来するおそれがある。上述した電子部品を多層配線に設けられたキャビティ内に収容し、多層配線上面に絶縁基板を載置したのちキャビティ内に樹脂を充填して製造される従来の回路基板では、充填される樹脂と周囲の熱膨張率差が大きい。即ち、充填用には例えばエポキシ樹脂が用いられ、多層配線および絶縁基板には剛性を有する例えばイミド系の樹脂が用いられ、電子部品のパッケージにはモールド樹脂が用いられる。しかし、イミド系樹脂およびモールド樹脂との熱膨張率はほぼ等しいのに対して、これらの樹脂とエポキシ系樹脂との熱膨張率差は大きい。このため、回路基板の製造工程および半導体装置の搭載工程での加熱処理により、回路基板が湾曲して平坦性が損なわれる。また、絶縁基板の下面に半導体素子を封止したモールド樹脂成形体を形成し、これを柔軟な樹脂層中に押し込んで埋込むことで製造される従来の回路基板では、埋め込む際の反力がモールド樹脂成形体とその周囲外側とで異なるため、絶縁基板が湾曲することがある。また、柔軟な樹脂層と絶縁基板およびモールド樹脂との熱膨張率の差が大きく、上述した樹脂を充填する回路基板と同様の問題を生ずる。本発明は、薄くかつ平坦な部品内蔵型の回路基板およびその製造方法、並びにその回路基板を用いた半導体装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するための本発明は、その一態様によれば,上面に半導体部品を搭載する搭載領域が設けられた回路基板において、第1の樹脂シートと、前記第1の樹脂シートの下面に密着し、前記搭載領域の直下に開口を有する第1の銅箔と、前記開口内に形成され、前記第1の樹脂シートを上下に貫通する複数のビアと、前記ビアの下端に接続されて、前記第1の樹脂シートの下面に配置された電子部品と、前記第1の樹脂シートの上面に密着して設けられた第2の銅箔をパターニングして形成された、前記ビアの上端に接続する電極と、前記第1の樹脂シートの下面に密着しかつ前記電子部品を封止するようにモールド成形され、平面視したとき前記搭載領域を内側に含む平面形状を有するモールド樹脂成形体と、前記モールド樹脂成形体が嵌挿される貫通孔が設けられた剛性を有するコア板と、前記貫通孔に前記モールド樹脂成形体を嵌挿した前記コア板を、前記第1の樹脂シートの下面に貼着する接着材と、を備えたコア部材を有することを特徴とする回路基板として提供される。本発明によれば、第1の樹脂シートの下面に密着してモールド樹脂成形体が形成される。このため、モールド樹脂成形体の直上に設けられる搭載領域は、高剛性のモールド樹脂整形体により平坦に保持される。また、第1の樹脂シート、モールド樹脂およびコア板は、充填されるまたは柔軟な樹脂に比べて熱膨張率の差が少なく、加熱による変形が少ない。従って、薄くかつ平坦な部品内蔵型の回路基板が実現される。本発明の第1実施形態は、樹脂シートの下面に剛性を有するコア板を貼着したコア部材と、そのコア部材を用いて製造される回路基板に関する。図1は本発明の第1実施形態の回路基板の断面図であり、回路基板120の構造と、回路基板120をインターポーザとして用いた半導体装置130を表している。図2は本発明の第1実施形態のコア部材の断面図であり、図1に示した第1実施形態の回路基板120に用いられるコア部材20の構造を表している。なお、図2中の円Aに示す図は、円A部分の拡大図である。図1を参照して、本第1実施形態の回路基板120は、コア部材20と、コア部材20の上面にビルドアップ工法により製造された多層配線層31とを有する。この多層配線層31の上面に、半導体素子1を搭載するための搭載領域60が設けられる。半導体素子は、下面に接続端子を有する半導体素子1、例えばグリッドアレイ型パッケージの半導体素子1であり、例えば、辺長23mmの正方形の平面形状を有する。回路基板120は、例えば辺長55mmの正方形の平面形状を有し、その上面の中央部に半導体素子1とほぼ同一平面形状の平坦面からなる搭載領域60が形成されている。多層配線層31は、配線33uパターンおよびビアが形成された可撓性を有する樹脂シート、例えばエポキシ樹脂からなる厚さ40μmの樹脂シート31a~31dを多層に、例えば4~6層に積層して形成される。ここでは、樹脂シート31a~31dとして、厚さ40μmの味の素ファインテクノ株製の商品名ABF-GX-13Fを用い、6層に積層した。搭載領域60内には、多層配線層31を貫通するスタックドビア34が形成されている。このスタックドビア34の上端は、最上層の樹脂シート31dの上面に表出し、その上に載置、押止される半導体素子1の接続端子に接続する。また,下端はコア部材20の上面に形成された電極28aに接続する。なお、その他に、多層配線層31内の上下の配線33u間を接続する図示しないビアが設けられている。図2を参照して、本第1実施形態のコア部材20は、貫通孔21aを有するコア板21と、コア板21の上面に貼着された両面銅貼りシート22と、両面銅貼りシート22の下面に両面銅貼りシート22と一体に成形されたモールド樹脂成形体25とを備える。両面銅貼りシート22は、可撓性を有する第1の樹脂シート22bの上面に第2の銅箔22uが、下面に第1の銅箔22dがラミネートされたシートを、その銅箔をパターニングして作製される。第1の樹脂シート22bとして、例えば厚さ50μmのポリイミド系樹脂からなる樹脂シート例えば、パナソニック電工株製の商品名MEGTRONGX-R1515Aが用いられる。また、第1および第2の銅箔22u、22dは、第1の樹脂シート22bに水平に張持することができる剛性を付与する厚さとすることが好ましく、例えば厚さ9μmとした。両面銅貼りシート22の下面に設けられた第1の銅箔22dには、開口22d-1が開設されている。この開口22d-1は、搭載領域60の直下に形成され、平面視したとき搭載領域60の内部に完全に含まれる平面形状、例えば辺長17mmの正方形の平面形状を有する。即ち、搭載領域60の外周を内側に3mm幅で狭めた平面形状を有する。開口22d-1内には、第1の樹脂シート22bを貫通するビア28が形成されている。このビア28は、上端が第1の樹脂シート22bの上面に形成された電極28aランドの下面に接続し、下端が第1の樹脂シート22bの下面に突出する。この電極28aは、銅箔22uをランド状にパターニングして形成される。なお、第1の樹脂シート22b上面の銅箔22uは、電極28a形成に必要な除去部分例えばエッチングにより除去される領域以外を可能な限り残すことが、剛性を保持するために好ましい。ビア28の下端には、電子部品24、例えばチップコンデンサが接続される。従って、電子部品24は、ビア28を介して電極28aに接続され、第1の樹脂シート22bの下面に固定される。さらに、両面銅貼りシート22の下面に、モールド樹脂成形体25が両面銅貼りシート22と一体になるように形成されている。このモールド樹脂成形体25は、電子部品24を完全に被覆して封止する。モールド樹脂成形体25は、搭載領域60直下に形成され、平面視したとき搭載領域と同一又は搭載領域60を完全に含むように搭載領域60と同一又はより大きな平面形状を有する。ここでは、モールド樹脂成形体25を、辺長27mmの正方形状とした。これら開口22d-1、搭載領域60およびモールド樹脂成形体25は、互いに同心状に重ねて形成される。従って、モールド樹脂成形体25は、搭載領域60より大きく、搭載領域60の外側に2mm幅だけ広げられている。なお、モールド樹脂成形体25の厚さは、コア板21の厚さとほぼ同じにすることが、回路基板120の剛性を保持する観点から好ましい。このとき、モールド樹脂成形体25の外周は、開口22d-1の外周より5mm外側に位置する。即ち、開口22d-1外側の第1の樹脂シート22b下面に延在する銅箔22dは、モールド樹脂成形体25の外周から5mm幅まで開口22d-1内に入り込む。銅とモールド樹脂との接着強度は、ポリイミド系樹脂からなる第1の樹脂シート22bとモールド樹脂との接着強度に比べて大きい。従って、このようにモールド樹脂成形体25の外周から銅箔22dを入り込ませることで、第1の樹脂シート22bないし両面銅貼りシート22とモールド樹脂成形体25との接着強度を高めることができる。コア板21は、剛性を有する絶縁性の基板、例えばガラスエポキシ材料日立化成工業株の商品名MCL-E-679シリーズからなり、回路基板120と同じ平面形状を有し、回路基板120に要求される剛性を保持するに必要な厚さ、例えば1.5mmの厚さを有する。コア板21の中央部には、上下に貫通する貫通孔21aが開設されている。この貫通孔21aは、モールド樹脂成形体25が緩く嵌挿されるように形成される。このコア板21は、貫通孔21aに第1の樹脂シート22b下面に形成されたモールド樹脂成形体25を嵌挿させて、第1の樹脂シート22b下面に接着材26を介して貼着され固定される。接着材26として、熱可塑性のエポキシ樹脂を用いることができる。なお、接着材26は、モールド樹脂成形体25の側面と貫通孔21aの壁面との間をも充填することが強度の観点から好ましい。上述したコア部材20には、さらにコア部材20を上下に貫通するスルービア27が、モールド樹脂成形体25の外側に形成されている。図2中の円Aに示す図を参照して、スルービア27は、コア板21上に積層された両面銅貼りシート22を貫通するスルーホール27aと、スルーホール27aの内面から両面銅貼りシート22の上面に延在する絶縁層27b、および絶縁層27b上に形成された導電層27cとを有する。さらに、導電層27cに囲まれたスルーホール27aの中空部は、充填材により充填されている。導電層27cは、スルーホール27aの内面から両面銅貼りシート22の上面に延在して設けられる。なお、スルービア27の下端も同様に、スルーホール27aの内面からコア板21の下面に延在して設けられる。これら上下面に延在する導電層27cは、それぞれコア部材20の上下面に突出して、ランド状の電極を構成する。再び図1及び図2を参照して、本第1実施形態の回路基板120では、コア部材20下面に、スルービア27の下端の導電層27cに接続された外部接続用電極35を設けた。なお、スルービア27下端の導電層27cのみで外部、例えばマザーボードに接続可能ならば、この外部接続用電極35は形成しなくてもよい。また、スルービア27の上端の導電層27cは、多層配線層31内の第1の配線33uに接続されている。この本第1実施形態の回路基板120では、下面にモールド樹脂成形体25が形成された第1の樹脂シート22bが、コア板21の上面に貼着されたコア部材20が用いられる。このコア部材20を構成する材料、即ち、モールド樹脂成形体25のモールド樹脂、第1の樹脂シート22bのポリイミド系樹脂並びに銅箔22u、22dおよびコア板21のガラスエポキシ樹脂は、貼着又は充填に用いられる樹脂、例えばエポキシ樹脂と比較して、いずれも熱膨張率の相違が小さい。即ち、これらの材料の熱膨張率線膨張率は、銅が約17ppm/°C、ポリイミド系樹脂が約12ppm/°C、ガラスエポキシ樹脂ガ約12ppm/°Cとほぼ同じ程度であるのに対し、エネキシ性樹脂は約60ppm/°Cと大きく異なる。このため、コア部材21あるいは多層配線層31の製造工程、さらには半導体素子1又は回路基板120をマザーボードに搭載する際の熱処理工程において、構成部材の熱膨張率の相違に起因して生ずる回路基板120の変形が抑制される。とくに、搭載領域60の直下に、モールド樹脂成形体25が第1の樹脂シート22bと一体となるように密着して設けられるので、搭載領域60の変形は硬質のモールド樹脂成形体25により抑制される。このため、搭載領域60の平坦度が保持され、平坦度の劣化による半導体素子1との接続不良が少ない。さらに、本第1実施形態の回路基板120では、搭載領域60に搭載された半導体素子1の端子と、その直下のコア部材20内に収容された電子部品とが、スタックドビア34およびビア28を介して接続される。このようにビアで接続されるため、接続距離が短くなり、ノイズが有効に抑制される。一方、高い剛性を有するモールド樹脂成形体25およびコア板21が、両面銅貼りシート22の下面に密着して設けられるので、コア部材20は高い剛性を有する。このため、搭載領域60の平坦性を損なうことなく、コア部材を薄くすることができるので、薄くかつ平坦な部品内蔵型の回路基板が実現される。以下、本発明の第1実施形態の回路基板120の製造方法を説明する。図3は本発明の第1実施形態のコア部材の製造工程断面図その1、図4は本発明の第1実施形態のコア部材の製造工程断面図その2であり、第1実施形態の回路基板120に用いられるコア部材20の製造工程を表している。図3aを参照して、まず、ポリイミド系樹脂からなり柔軟性および絶縁性を有する第1の樹脂シート22bの上下面に第2及び第1の銅箔22u、22dが設けられた両面銅貼りシート22を準備する。第2及び第1の銅箔22u、22dは、ラミネート又はめっきにより形成することができる。次いで、第1の樹脂シート22bの下面に設けられた第1の銅箔22dを、例えばエッチングによりパターニングして、開口22d-1を形成する。次いで、図3bを参照して、開口22d-1の内部に、第1の樹脂シート22bを貫通するビアホール22b-1を形成する。このビアホール22b-1は、第1の樹脂シート22bの下面からのエッチングにより形成することができる。また、レーザ加工により形成してもよい。次いで、図3cを参照して、ビアホール22b-1の上面に表出する第2の銅箔22uをシード層とする電気めっきにより、ビアホール22b-1を導電材料、例えばめっき銅により埋め込み、第2の銅箔22uに接続し、第1の樹脂シート22bを貫通するビア28を形成する。なお、ビア28の下端が、第1の樹脂シート22bの下面に突出ないしその下面上に延在するように形成することが、電子部品24の接続を容易にするために好ましい。次いで、図3dを参照して、第1の樹脂シート22bの下面にモールド樹脂成形体25を形成する。まず、両面銅貼りシート22を上下から、金型50の上型50uおよび下型50dの間に挟持する。上型50uは、下面が平坦面をなし、下面が両面銅貼りシート22の上面第2の銅箔22uの上面に密接する。下型50dは、その上面にモールド樹脂成形体25を画定するキャビティ51が形成され、キャビティ51外側の上面は両面銅貼りシート22の下面に密接する。このキャビティ51は、開口22d-1を内部に含み、外周が第1の銅箔22dの下面上に在るような大きさおよび形状を有することが望ましい。これにより、モールド樹脂成形体25の上面外周部分が、第1の銅箔22dを介して第1の樹脂シート22bと接合するため、モールド樹脂成形体25と第1の樹脂シート22bとの密着強度が高くなる。次いで、キャビティ51内にモールド樹脂を圧入して、図3eを参照して、電子部品24を内部に包含し、第1の樹脂シート22bの下面に密着するモールド樹脂成形体25が形成される。上記工程を通して、可撓性を有する第1の樹脂シート22bの上面に、常に第2の銅箔22uが密着して設けられている。このため、第1の樹脂シート22bの剛性が第2の銅箔22uにより維持されるので、これらの工程の途中で発生し得る第1の樹脂シート22bの湾曲等の変形が防止される。さらに、モールド成形の際には、第1の樹脂シート22b上面に設けられた第2の銅箔22uの上面が、上型50uの平坦な下面に密接するので、第1の樹脂シート22bの変形は抑えられる、また、ポリイミド系の第1の樹脂シート22bおよびモールド樹脂の熱膨張率は、容易に銅とほぼ等しくすることができるので、冷却時の第1の樹脂シート22bの変形も小さい。このため、第1の樹脂シート22bを平坦に保持したまま、モールド樹脂成形体25を形成することができる。次いで、図4fを参照して、モールド樹脂成形体25が緩く嵌挿する貫通孔21aが開設されたコア板21を準備する。コア板21として、剛性を有しかつ銅に近い熱膨張率を有する板、例えばガラスエポキシ板を用いることが好ましい。なお、コア板21の厚さは、モールド樹脂成形体25とほぼ同じにする。次いで、モールド樹脂成形体25を緩挿する開口26u-1を有するシート状接着材26uを、コア板21上に載置する。その上に、下面にモールド樹脂成形体25が形成された両面銅貼りシート22を、モールド樹脂成形体25を開口26u-1及び貫通孔21に挿入させて、コア板21上に載置する。次いで、図4gを参照して、真空加熱プレス機を用いて、両面銅貼りシート22上面およびコア板21下面から押圧、加熱して、両面銅貼りシート22とコア板21、およびモールド樹脂成形体25とコア板21とを接着剤26を介して貼着し、一体とされたコア部材20Aを形成する。この貼着工程において、両面銅貼りシート22上面およびコア板21の下面は、プレス機の平坦な押圧部材に密接した状態で挟持、押圧されるから、変形のない平坦なコア部材20Aが製造される。また、両面銅貼りシート22の下面に突出するモールド樹脂成形体25は、貫通孔21aに嵌挿されるので、この嵌挿によっては両面銅貼りシート22を変形させる応力は生じない。次いで、図4hを参照して、ドリル加工により、モールド樹脂成形体25が形成されていない領域に、コア部材20Aを上下に貫通するスルーホール27aを形成する。次いで、図2の円Aに示す図を参照して、スルーホール27aの内面及び第2の銅箔22uの上面を被覆する絶縁層27bを形成する。ついで、例えば無電解めっきにより、スルーホール27aの内面から第2の銅箔22u上面に延在する導電層27cを形成する。さらに、スルーホール27aの中空部分を充填材で埋込み、スルービア27が形成される。次いで、両面銅貼りシート22上面の第2の銅箔22uをパターニングして、ビア28の上端にランド状に残る電極28aを形成する。なお、この第2の銅箔22uは、電極28aの外側に可能な限り残すことが、両面銅貼りシート22の剛性を高めるために好ましい。以上の工程を経て、上下にスルービア27が貫通する第1実施形態のコア部材20が製造される。次に、第1実施形態の回路基板120および半導体装置の製造方法を説明する。再び図1を参照して、まず、上述の工程により製造されたコア部材20を準備する。また、可撓性を有する樹脂シート、例えばエポキシ樹脂からなる厚さ40μmの樹脂シート31a~31dを準備する。次いで、樹脂シート31a~31dをエッチングしてビアホールを形成し、そのビアホールを導電体で埋め込んだビアおよび樹脂シート31a~31d上面に形成される配線33uを、例えば印刷法を用いて形成する。このビアは、スタックドビア34の一層を構成するビアの他、層間の配線33u間を接続するビア図示しないを含む。次いで、ビアおよび配線33uパターンが形成された樹脂シート31a~31dを、コア部材20の上面に順次積層し、熱プレスしてコア部材20上に多層に例えば4~6層に積層された多層配線層31を形成する。なお、最上層上面の一部モールド樹脂成形体25の直上の平坦面が搭載領域60とされる。この多層配線層31の製造工程は、通常のビルドアップ工法と同様である。これにより、第1実施形態の回路基板120が製造される。この回路基板120をマザーボード上に例えばリフローにより固定する。さらに、半導体素子1を搭載領域60に載置し、その底面に設けられた端子がスタックドビアに接続されるように押止して、本第1実施形態の半導体装置130が製造される。本発明の第2実施形態は、剛性を有するコア板の上下両面に樹脂シートが貼着されたコア部材と、そのコア部材を用いた回路基板に関する。図5は本発明の第2実施形態の回路基板の断面図であり、第2実施形態の回路基板121の構造と、回路基板121をインターポーザとして用いた半導体装置131を表している。図6は本発明の第2実施形態のコア部材の断面図であり、図5に示した第1実施形態の回路基板121に用いられるコア部材30の構造を表している。なお、図5中の円Aに示す図は、円Aの拡大図である。図5を参照して、本発明の第2実施形態の回路基板121は、コア部材30の上下両面に多層配線層31、32が設けられている。コア部材30の上面に設けられた多層配線層31は第1実施形態と同様であり、ビルドアップ工法により製造され、例えば6層の多層配線31として形成される。なお、上面に搭載領域60が設けられるのも同様である。コア部材30の下面に設けられた多層配線層32は、多層配線層31と同様にビルドアップ工法により形成される。即ち、配線33dパターンおよびビアが形成された可撓性を有する例えばエポキシ樹脂からなる厚さ40μmの樹脂シート32a~32dを、例えば6層に積層して形成される。この多層配線層32は、配線33dパターン、スタックドビア34、および外部接続用電極35を除き、他は上面に設けられた多層配線層31と同様である。また多層配線層32は、可能な限り多層配線層31に対して上下対称に形成することが、熱変形を防止するために好ましい。即ち、多層配線層32には、スタックドビア34は形成されない。また、配線33dパターンも配線33uパターンと異なっていても差し支えない。さらに、多層配線32の下面に、マザーボードと接続するための外部接続用電極35が形成されている。この外部接続用電極35は配線33dに接続している。図6を参照して、本第2実施形態のコア部材30は、図2に示す第1実施形態のコア部材20の下面に両面銅貼りシート23を貼着したものである。両面銅貼りシート23は、上面に第3の銅箔23uが、下面に第4の銅箔23dが形成された第2の樹脂シート23から構成される。この両面銅貼りシート23は、両面銅貼りシート22と同様の材料および寸法を有する。即ち、第3の銅箔23u、第4の銅箔23dおよび第2の樹脂シート23は、それぞれ両面銅貼りシート22を構成する第1の銅箔22d、第2の銅箔22uおよび第1の樹脂シート22bと同一材料及び寸法を有する。このため、本第2実施形態のコア部材30は、上下の対称性が高い。コア部材30には、第1実施形態のコア部材20と同様に、コア部材30を上下に貫通するスルービア27が形成されている。円Aに示す図を参照して、このスルービア27は第1実施形態のスルービア27と同じく、スルービア27を構成する導電層27cが、スルーホール27aの内面からコア部材30の上下面に延在している。このコア部材30の上下面に延在する導電層27cは、多層配線層31、32内の配線33u、33dに接続するためのランドとして用いることができる。上述した本発明の第2実施形態の回路基板121は、上下の対称性が高いコア部材30の上下に、同様の多層構造を有する多層配線層31、32がコア部材30を中心に上下対称に形成されている。このように上下の対称性が高いので、熱膨張に起因する変形が小さく、良好な平坦性が容易に保持される。従って、回路基板121上面搭載領域60が平坦に保持される。このため、回路基板121上面に半導体素子を搭載する本発明の第2実施形態の半導体装置131では、半導体素子1との接続が確実になされる。以下、本第2実施形態のコア部材30の製造方法を説明する。図7は本発明の第2実施形態のコア部材の製造工程断面図であり、コア部材30の製造工程を表している。まず、図3を参照して、図3a~図3eを参照して説明した第1実施形態のコア部材20の製造工程と同様の工程を用いて、両面銅貼りシート22の下面に、電子部品24を封止するモールド樹脂成形体25を形成する。次いで、図7fを参照して、上下面にそれぞれ第3及び第4の銅箔23、23dが設けられた両面銅貼りシート23を準備する。この両面銅貼りシート23は加工前の両面銅貼りシート22と寸法及び材料を同一とすることが、対称性を高める観点から好ましい。次いで、両面銅貼りシート23の上に、シート状の接着材26d、貫通孔21aが設けられたコア板21、シート状の接着材26u、および下面にモールド樹脂成形体25が形成された両面銅貼りシート22を順次載置する。なお、コア板21は第1実施形態のコア板21と同じである。また、接着材26uは、第1実施形態と同様に開口が形成されてもよい。次いで、図7gを参照して、真空加熱プレス機を用いて、両面銅貼りシート23の下面及び両面銅貼りシート22の上面から挟むように押圧し、コア板21の上下面に両面銅貼りシート22、23を貼着する。このとき、シート状の接着材26u、26dは流動化して、コア板21の上下面を被覆し、さらにモールド樹脂成形体25の周囲の隙間を充填する。これにより、モールド樹脂成形体25が形成された両面銅貼りシート22、コア板21および両面銅取りシート23が一体化されたコア部材30Aが製造される。次いで、図7hを参照して、例えばドリル加工を用いて、コア部材30Aを上下に貫通するビアホール27aを形成する。次いで、第1実施形態と同様に、ビアホール27aを被覆する絶縁層27aおよび導電層27cを形成し、必要ならばビアホール27a内の空洞を充填材27dで埋め込む。これにより、本第2実施形態のコア部材30が製造される。次いで、両面銅取りシート22の上面の第2の銅箔22uをパターニングして、ランド状の電極28aを形成する。なお、電極28aの外側に延在する第2の銅箔22uは残すことが好ましい。次いで、第1実施形態の多層配線層31と同様の工程により、コア部材30の上下面に、多層配線層31、32を形成して、本第2実施形態の回路基板131が製造される。本発明の第3実施形態は、複数のモールド樹脂成形体が形成された回路基板に関する。図8は本発明の第3実施形態のコア部材の断面図であり、複数のモールド樹脂成形体25が形成されたコア部材40を表している。図8を参照して、本第3実施形態のコア部材40は、例えば辺長100mmの正方形の平面形状を有し、第2実施形態と同様のモールド樹脂成形体25を複数個、例えば4個内蔵している。その他は、第2実施形態のコア板と同様である。複数のモールド樹脂成形体25は、両面銅貼りシート22の下面に密着して設けられ、内部に電子部品24が封止されている。このモールド樹脂成形体25が形成された第1の両面銅貼りシート22は、モールド樹脂成形体25の個数を除き第2実施形態と同様である。下面にモールド樹脂成形体25が形成された第1の両面銅貼りシート22は、コア板21に例えば2行2列の行列状に開設された複数の貫通孔21aの中に嵌挿されて、コア板21上に貼着される。さらに、コア板21の下面に第2の両面銅貼りシート23が貼着される。さらに、モールド樹脂成形体25の外側に、コア基板40を上下に貫通するスルービア27が設けられる。このスルービア27は第2実施形態のスルービア27と同様である。上述のコア部材40は、上下両面に多層配線層をビルドアップ工法を用いて形成することで、複数の半導体素子を搭載する回路基板とすることができる。この回路基板は、図5を参照して、搭載領域60が各モールド樹脂成形体25の直上に複数設けられる以外は、第2実施形態の回路基板121と同様である。"