第1部分と、前記第1部分と並置された第2部分と、を有する第1半導体層と、前記第1部分の上に設けられ、前記第1半導体層の主面に沿って周回するリング状の共振器構造を有するレーザ共振器と、を備え、前記第2部分は、前記レーザ共振器から放出される光を導波することを特徴とする半導体発光素子。前記第2部分の下面に接し、前記第2部分の前記光に対する屈折率よりも低い屈折率を有する低屈折率層をさらに有することを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。前記第1部分の下面に接する第2半導体層をさらに備え、前記低屈折率層の導電率は、前記第2半導体層の導電率よりも低いことを特徴とする請求項2記載の半導体発光素子。前記主面と直交する方向からみたとき、前記低屈折率層と前記第2半導体層との境界位置は、前記レーザ共振器のリング外周位置の直下または前記直下よりもリング内側であることを特徴とする請求項2または3記載の半導体発光素子。前記レーザ共振器は、第1クラッド層となる層、活性層となる層及び第2クラッド層となる層を含む第1積層構造体を有し、前記第2部分の上に、第1クラッド層となる層、活性層となる層及び第2クラッド層となる層のうち少なくともいずれかを含む第2積層構造体が設けられたことを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体発光素子。前記第2積層構造体の層構造は、前記第1積層構造体の層構造と同じであることを特徴とする請求項5記載の半導体発光素子。前記第1クラッド層は、前記第1クラッド層のリング外縁から内部の一部にかけた第1外周部と、前記第1クラッド層のリング内縁から内部の一部にかけた第1内周部と、前記第1クラッド層の前記第1外周部と前記第1内周部とのあいだの第1中央部と、を含み、前記第1外周部及び前記第1内周部の前記光に対する屈折率は、前記第1中央部の前記光に対する屈折率よりも低く、前記第2クラッド層は、前記第2クラッド層のリング外縁から内部の一部にかけた第2外周部と、前記第2クラッド層のリング内縁から内部の一部にかけた第2内周部と、前記第2クラッド層の前記第2外周部と前記第2内周部とのあいだの第2中央部と、を含み、前記第2外周部及び前記第2内周部の前記光に対する屈折率は、前記第2中央部の前記光に対する屈折率よりも低いことを特徴とする請求項5または6に記載の半導体発光素子。前記第1クラッド層は、前記第1クラッド層のリング内縁から内部の一部にかけた第1内周部を含み、前記第1外周部の前記光に対する屈折率は、前記第1外周部以外の部分の前記光に対する屈折率よりも低く、前記第2クラッド層は、前記第2クラッド層のリング外縁から内部の一部にかけた第2外周部を含み、前記第2内周部の前記光に対する屈折率は、前記第2内周部以外の部分の前記光に対する屈折率よりも低いことを特徴とする請求項5または6に記載の半導体発光素子。半導体基板に形成された集積回路と、前記半導体基板の上に設けられた半導体発光素子であって、第1部分と、前記第1部分と並置された第2部分と、を有する半導体層と、前記第1部分の上に設けられ、前記半導体層の主面に沿って周回するリング状の共振器構造を有するレーザ共振器と、を有し、前記集積回路から出力された電気信号によって前記レーザ共振器から放出された光を前記第2部分で導波する半導体発光素子と、前記第2部分で導波された光を伝達する光ファイバと、を備えたことを特徴とする半導体発光装置。前記半導体層の主面上に、第1クラッド層、活性層及び第2クラッド層を含む積層構造体を形成する工程と、前記積層構造体の一部を除去することで、前記半導体層の主面に沿って周回するリング状の共振器構造を有するレーザ共振器を形成するとともに、前記積層構造体の他の一部を除去することで、前記レーザ共振器から放出される光を前記主面に沿って導く光導波路を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。本発明の実施形態は、光信号の伝送効率を向上できる半導体発光素子、半導体発光装置及び半導体発光素子の製造方法を提供する。実施形態に係る半導体発光素子は、第1半導体層と、レーザ共振器と、を備える。第1半導体層は、第1部分と、第1部分に並置された第2部分と、を有する。レーザ共振器は、第1部分の上に設けられ、半導体層の主面に沿って周回するリング状の共振器構造を有する。第2部分は、レーザ共振器から放出される光を導波する。また、他の実施形態に係る半導体発光装置は、半導体基板に形成された集積回路と、半導体基板の上に設けられた半導体発光素子と、光ファイバと、を備える。半導体発光素子は、半導体層と、レーザ共振器と、を備える。半導体層は、第1部分と、第1部分に並置された第2部分と、を有する。レーザ共振器は、第1部分の上に設けられ、半導体層の主面に沿って周回するリング状の共振器構造を有する。第2部分は、集積回路から出力された電気信号によってレーザ共振器から放出された光を導波する。光ファイバは、第2部分で導波された光を伝達する。また、他の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法は、半導体層の主面上に、第1クラッド層、活性層及び第2クラッド層を含む積層構造体を形成する工程と、積層構造体の一部を除去することで、半導体層の主面に沿ってリング状に設けられたレーザ共振器を形成するとともに、積層構造体の他の一部を除去することで、レーザ共振器から放出される光を主面に沿って導く光導波路を形成する工程と、を備える。以下、本発明の実施形態を図に基づき説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。また、以下の説明では、一例として、第1導電形をn形、第2導電形をp形とした具体例を挙げる。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式的斜視図である。図2は、第1の実施形態に係る半導体発光素子の一部断面模式図である。図2に表した断面部分は、図1のA-A断面を表している。第1の実施形態に係る半導体発光素子110は、第1半導体層10と、レーザ共振器50と、を備える。ここで、実施形態では、第1半導体層10の主面10aに直交する方向をZ軸方向、Z軸方向と直交する方向をX軸方向及びY軸方向という。第1半導体層10の主面10aは、Z軸方向と直交するX-Y面である。また、第1半導体層10の主面10aの側を上上側、その反対を下下側ともいう。半導体発光素子110において、第1半導体層10は、第1部分a1と、第1部分に並置された第2部分a2と、を有する。第1部分a1と、第2部分a2と、は、主面10aに沿って並置される。第1半導体層10は、例えば化合物半導体であって、導電形は、例えば第1導電形である。レーザ共振器50は、第1部分a1の上に設けられる。レーザ共振器50は、第1半導体層10の主面10aに沿って周回するリング状の共振器構造を有する。レーザ共振器50の上部には、第2電極D2が設けられる。本実施形態の半導体発光素子110では、第2部分a2において、レーザ共振器50から放出される光を導波する。すなわち、第2部分a2は、光導波路70として機能する。半導体発光素子110において、第1半導体層10の第1部分a1の下面には、第2半導体層20aが接している。また、第2部分a2の下面には、低屈折率層20cが接している。第2半導体層20aは、例えば化合物半導体であって、導電形は、例えば第1導電形である。第2半導体層20a及び低屈折率層20cは、下部クラッド層20として機能する。下部クラッド層20は、例えば基板Sの上に形成される。基板Sの下側には、第1電極D1が形成される。なお、第1電極D1は、第2半導体層20aと導通すればよいため、必ずしも基板Sの下側に設けられていなくてもよい。光導波路70は、主面10aに沿って設けられ、レーザ共振器50から放出される光を主面10aに沿って導く。すなわち、レーザ共振器50と光導波路70とは、レーザ共振器50から光導波路70へと光信号が伝搬可能な結合状態光学的な結合状態になっている。レーザ共振器50及び光導波路70には、例えば化合物半導体が用いられる。第1半導体層10、第2半導体層20a、レーザ共振器50及び光導波路70に化合物半導体が用いられる場合、その化合物半導体は、ガリウム砒素GaAsを含む材料、ガリウム燐GaPを含む材料、窒化ガリウムGaNを含む材料、等である。実施形態に係る半導体発光素子110では、レーザ共振器50の層構造の少なくとも一部と、光導波路70の層構造と、が等しくなっている。すなわち、レーザ共振器50の層構造及び光導波路70の層構造は、一様に形成した層構造をエッチングすることで形成される。このため、レーザ共振器50と、光導波路70と、の間隔dは、層構造をエッチングする際の精度とほぼ等しい精度で設定される。ここで、間隔dは、リング状のレーザ共振器50と、例えば直線状の光導波路70と、の最も接近した位置での間隔である。次に、具体的な積層構造について説明する。図3は、半導体発光素子の一部を拡大した模式的断面図である。図3では、図2に示すB部分を拡大して表示している。図4は、レーザ共振器及び光導波路の模式的断面図である。図4では、図3に示したレーザ共振器及び光導波路の部分の断面を模式的に表している。図3及び図4に表したように、レーザ共振器50は、第1クラッド層14a、活性層12及び第2クラッド層14bを含む積層構造体第1積層構造体を有する。具体的には、レーザ共振器50は、活性層12、第1光閉じ込め層13a、第2光閉じ込め層13b、第1クラッド層14a、第2クラッド層14bを有する。第1導電形の第1光閉じ込め層13aは、活性層12の下側に形成され、第2導電形の第2光閉じ込め層13bは活性層12の上側に形成される。第1導電形の第1クラッド層14aは第1光閉じ込め層13aの下側に形成され、第2導電形の第2クラッド層14bは第2光閉じ込め層13bの上側に形成される。第2半導体層20aと、第1クラッド層14aと、のあいだには、第1導電形の第1コンタクト層15aが形成される。半導体発光素子110において、第1コンタクト層15aは、第1半導体層10である。第2クラッド層14bと、第2電極D2と、のあいだには、第2導電形の第2コンタクト層15bが形成される。第1コンタクト層15aは平板状に形成される。活性層12、第1光閉じ込め層13a、第2光閉じ込め層13b、第1クラッド層14a、第2クラッド層14b及び第2コンタクト層15bはリング状に形成される。平板状の第1コンタクト層15a上に、リング状の第1クラッド層14a、第1光閉じ込め層13a、活性層12、第2光閉じ込め層13b、第2クラッド層14b及び第2コンタクト層15bがこの順に形成されている。したがって、第1コンタクト層15aは、リングの内側及び外側まで延在している。第1クラッド層14aは、リング内縁から内部の一部にかけた第1内周部141aと、リング外縁から内部の一部にかけた第1外周部142aと、第1内周部141aと第1外周部142aとのあいだの第1中央部140aと、を有する。第1内周部141a及び第1外周部142aは、熱酸化によって第1中央部140aの屈折率よりも低い屈折率を有する第1改質層14cに改質されている。したがって、第1クラッド層14aは、第1内周部141a及び第1外周部142aの改質層14cに挟まれた第1中央部140aが本来の第1クラッド層として機能する。同様に、第2クラッド層14bは、リング内縁から内部の一部にかけた第2内周部141bと、リング外縁から内部の一部にかけた第2外周部142bと、第2内周部141bと第2外周部142bとのあいだの第2中央部140bと、を有する。第2内周部141b及び第2外周部142bは、熱酸化によって第2中央部140bの屈折率よりも低い屈折率を有する第2改質層14dに改質されている。したがって、第2クラッド層14bは、第2内周部141b及び第2外周部142bの改質層14dに挟まれた第2中央部140bが本来の第2クラッド層として機能する。リング状のレーザ共振器50の表面、及び光導波路70の表面は、絶縁膜18によって覆われている。また、レーザ共振器50のリング内側、及びレーザ共振器50と光導波路70とのあいだには、絶縁膜80が埋め込まれている。第2コンタクト層15bの上面の一部は露出しており、この露出部分に第2電極D2が設けられている。第2電極D2は、円板状に形成されている。第2電極D2の一部は絶縁膜80の上に形成され、他の一部が第2コンタクト層15bの露出部分の上に形成されている。活性層12は、例えばアンドープ多重量子井戸層MultipleQuantumWellを有する。アンドープ多重量子井戸層は、例えば厚さ8ナノメートルnmのInGaAs量子井戸層と、例えば厚さ10nmのGaAs障壁層と、を交互に3層積層し、両側を例えば厚さ40nmのAl0.1Ga0.9As層で挟んだ構造である。第1光閉じ込め層13aは、例えば厚さ100nmのn形GaAs層である。第2光閉じ込め層13bは、例えば厚さ100nmのp形GaAs層である。第1クラッド層14aは、例えば厚さ300nmのn形Al0.92Ga0.08As層である。第2クラッド層14bは、例えば厚さ300nmのp形Al0.92Ga0.08As層である。第1コンタクト層15aは、例えば厚さ10nmのn形GaAs層である。第2コンタクト層15bは、例えば厚さ10nmのp形GaAs層である。第1改質層14c及び第2改質層14dは、第1クラッド層14a及び第2クラッド層14bを熱酸化して得られる層であり、第1クラッド層14a及び第2クラッド層14bよりも低い屈折率と、電気的な絶縁性と、を有している。基板Sには、例えばn形のGaAsが用いられる。また、第2半導体層20aには、例えばn形Al0.96Ga0.04Asが用いられる。第1電極D1には、例えば金-ゲルマニウムAuGe合金が用いられる。第1電極D1は、例えばカソード電極である。第2電極D2には、例えば金-亜鉛AuZn合金が用いられる。第2電極D2は、例えばアノード電極である。絶縁膜18には、例えばSiO2が用いられる。また、絶縁膜80には、例えばポリイミドが用いられる。レーザ共振器50は、リング状の外周に沿って周回する光の共振器であり、第1半導体層10の第2部分a2である光導波路70と光学的に結合している。レーザ共振器50のリングの外径は、例えば10マイクロメートルμm、リングの内径は、例えば5μmである。レーザ共振器50の厚さは、例えば1μmである。レーザ共振器50におけるレーザ発振動作は次のようになる。すなわち、第2電極D2を電源図示せずの陽極に接続し、第1電極D1を電源の負極に接続して、レーザ共振器50に通電すると、活性層12にキャリアが注入される。そして、注入されたキャリアの再結合により誘導放出が生じる。誘導放出された光は、第1クラッド層14a及び第2クラッド層14bと、第1改質層14c及び第2改質層14dの内周側界面及び外周側界面の間で交互に全反射を繰り返してリング状のレーザ共振器50内を周回し、レーザ発振する。ここで、リング状のレーザ共振器50をRIEReactiveIonEtching法により形成した場合、レーザ共振器50の側壁は粗面化し、例えば10nm程度のラフネスが生じる。さらに、イオンの衝撃によりマイクロクラックや結晶欠陥などのダメージが生じる。一方、第1クラッド層14a及び第2クラッド層14bの外周側壁及び内周側壁を熱酸化して第1改質層14c及び第2改質層14dを形成することにより、第1クラッド層14a及び第2クラッド層14bと、第1改質層14c及び第2改質層14dと、の界面のラフネス及びダメージを十分に低減させることができる。これにより、十分なレーザ発振特性が得られる。また、レーザ共振器50は、電気的な絶縁性を有する第1改質層14c及び第2改質層14dにより電流狭窄構造を実現している。この電流狭窄構造により、電流は周回モードの存在する活性層部分へ選択的に注入される。そして、電流注入部と光強度分布とが一致し、共振器内に形成された周回モードへの利得が増大する。これにより、さらに良好なレーザ発振特性が得られる。また、レーザ共振器50内に注入される電流は、リングの外周側壁及び内周側壁の近傍を流れないので、外周側壁及び内周側壁のダメージの影響によるキャリア損失、例えばダメージに起因する非発光センター及び表面再結合による非発光再結合などを避けることができる。その結果、注入電流を有効利用することが可能である。また、第2電極D2は、第2クラッド層14bの中央よりも内側にずらして形成されているので、第2電極D2による光吸収損失を低減させることが可能である。光導波路70は、レーザ共振器50と光学的に結合しており、上記のようにレーザ共振器50でレーザ発振して放出された光を主面10aに沿って導く。図3及び図4に表したように、半導体発光素子110の光導波路70は、第1クラッド層14a、活性層12及び第2クラッド層14bを含む積層構造体第2積層構造体を有する。すなわち、光導波路70は、レーザ共振器50と同じ積層構造体を有する。光導波路70は、第1コンタクト層15aの一部第2部分a2に形成されている。光導波路70は、主面10aに沿って例えば直線状に延びて設けられる。光導波路70は、第1コンタクト層15aの第2部分a2をコア、第2部分a2の上の第1クラッド層14aをクラッドとして、光導波路構造を構成する。これにより、光導波路70の延びた方向に光を導くことができる。また、下部クラッド層20は、Z軸方向にみて第2部分a2と重なる部分を含む低屈折率層20cと、第1部分a1と重なる部分を含む第2半導体層20aと、を有する。低屈折率層20cの屈折率は、第2部分a2の屈折率よりも低い。ここで、屈折率は、レーザ共振器50から放出される光に対する屈折率である。また、低屈折率層20cの導電率は、第2半導体層20aの導電率よりも低い。低屈折率層20cは、例えば第2半導体層20aと同じ材料下部クラッド層20の材料の一部を熱酸化した改質層である。すなわち、第2半導体層20aを形成する際に用いる半導体材料のうち一部を熱酸化によって改質して、低屈折率層20cを形成している。なお、低屈折率層20cは、第2半導体層20aと同じ材料を熱酸化して形成するものに限定されず、例えば基板S上に第2半導体層20aとは異なる層を積層したものであってもよい。低屈折率層20cが設けられていることで、レーザ共振器50から光導波路70へ向かう光が、第2半導体層20a側へ漏れてしまうことを防止することができる。すなわち、光導波路70は、第1コンタクト層15aの第2部分a2をコア、この上側の第1クラッド層14a及び下側の低屈折率層20cをそれぞれクラッドとした光導波路構造となる。これにより、レーザ共振器50から放出される光が、第1コンタクト層15aの第2部分a2に閉じ込められ、第1クラッド層14a及び低屈折率層20cの間で交互に全反射を繰り返して効率良く進むことになる。ここで、レーザ共振器50のと、光導波路70と、の間隔dを正確に設定することで、レーザ共振器50と、光導波路70と、のあいだの十分な光学的結合を得ることができる。間隔dは、例えば25nm以上、500nm以下、好ましくは50nm以上、400nm以下、さらに好ましく200nm以上、300nm以下に設定される。また、第1コンタクト層15aにおいて、レーザ共振器50が形成される第1部分a1と、光導波路70となる第2部分a2と、のあいだには、必要に応じて凹部RPが設けられている。凹部RPのZ軸方向に沿った厚さt1は、第1部分a1及び第2部分a2のZ軸方向に沿った厚さt2よりも薄い。この凹部RPの厚さt1によって、レーザ共振器50から光導波路70へ伝わる光パワーを調整することができる。凹部RPの厚さt1は、例えば0nm凹部RPなし以上、250nm以下、好ましくは50nm以上、150nm以下、さらに好ましくは75nm以上、100nm以下に設定される。レーザ共振器50から放出された光は、第1コンタクト層15aの第1部分a1から凹部RPを介して第2部分a2に伝わり、第2部分a2をコアとした光導波路70に沿って伝達していく。したがって、低屈折率層20cと第2半導体層20aとの境界位置BLは、レーザ共振器50のリング外周位置の直下または直下よりもリング内側であることが望ましい。図5は、境界位置BLと光の結合効率との関係を例示する図である。図5において、横軸は境界位置BLであり、低屈折率層20cの端部を基準としたX軸方向の位置である図3参照。なお、境界位置BLが0とは、下部クラッド層20の改質が行われていない場合を示す。また、縦軸の光の結合効率は、低屈折率層20cと第2半導体層20aとの光の結合効率を示している。図5に表したように、境界位置BLがx1を超えると急激に結合効率が低下している。このx1は、レーザ共振器50のリング外周位置の直下に相当する。したがって、境界位置BLを、レーザ共振器50のリング外周位置の直下または直下よりもリング内側にすることで、低屈折率層20cと第2部分a2との光の結合効率を低下させることができ、レーザ共振器50から放出された光が第2半導体層20a側へ漏れ出すことを抑制することができる。これにより、レーザ共振器50から放出された光は、凹部RPから第2半導体層20a側へ漏れることなく、効率良く第2部分a2へ伝達されることになる。実施形態に係る半導体発光素子110では、レーザ共振器50と光導波路70との間隔dを精度よく設定できるため、レーザ共振器50と光導波路70とを別体で形成して貼り合わせる場合に比べ、レーザ共振器50から光導波路70への光の伝送効率を向上できる。また、下部クラッド層20に低屈折率層20cが設けられていることで、レーザ共振器50から放出された光が第2半導体層20a側へ漏れてしまうことを防止でき、光導波路70へ効率良く光を導くことができるようになる。第2の実施形態第2の実施形態は、半導体発光素子110の製造方法である。図6~図7は、半導体発光素子の製造方法を説明する模式的断面図である。先ず、図6aに表したように、基板S上に、積層構造体100を形成する。積層構造体100は、例えば、下部クラッド層20、第1コンタクト層15a第1半導体層10、第1クラッド層14a、第1光閉じ込め層13a、活性層12、第2光閉じ込め層13b、第2クラッド層14b及び第2コンタクト層15bを積層したものである。積層構造体100は、例えば、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法によって連続成膜される。ここで、基板Sは、例えばGaAsである。下部クラッド層20は、例えば厚さ1μmのn形のAl0.96Ga0.04Asである。第1コンタクト層15aは、例えば厚さ0.25μmのn形のGaAsである。第1クラッド層14aは、例えば厚さ0.1μmのn形のAl0.92Ga0.08Asである。第1光閉じ込め層13aは、例えば厚さ0.01μmのn形のGaAsである。活性層12は、例えば厚さ8nmのn形のGaAs量子井戸層と、厚さ10nmのGaAsバリア層とを交互に3層積層し、上下を厚さ40nmのAl0.1Ga0.9As層で挟んだ多重量子井戸構造である。第2光閉じ込め層13bは、例えば厚さ0.01μmのp形のGaAsである。第2クラッド層14bは、例えば厚さ0.1μmのp形のAl0.92Ga0.08Asである。第2コンタクト層15bは、例えば厚さ0.01μmのp形のGaAsである。第1コンタクト層15aと第1クラッド層14aとの間、第1クラッド層14aと活性層12との間、活性層12と第2クラッド層14bとの間、及び第2クラッド層14bと第2コンタクト層15bとの間に、AlGaAsグレーデッド層を挿入してもよい。AlGaAsグレーデッド層は、Al組成を0.1から0.92まで徐々に変化させる。次に、図6bに表したように、積層構造体100の上に、レーザ共振器50のリング形状と対応した第1レジスト膜R1と、光導波路70の形状に対応した第2レジスト膜R2とを形成し、この第1レジスト膜R1及び第2レジスト膜R2とをマスクにして積層構造体100をエッチングする。第1レジスト膜R1は、例えば外形が10μm、内径が5μmのリング状になっている。また、第2レジスト膜R2は、例えば幅1μm以上、2μm以下の直線状になっている。エッチングには、例えばRIE法が用いられる。このエッチングによって、積層構造体100の第1レジスト膜R1及び第2レジスト膜R2が形成されていない部分について、第2コンタクト層15bから第1コンタクト層15aが露出するまで除去する。このエッチングによって、リング状のレーザ共振器50及び直線状の光導波路70が形成される。すなわち、レーザ共振器50及び光導波路70は、一度のエッチング工程で同時に形成される。また、レーザ共振器50と光導波路70との間隔dは、第1レジスト膜R1及び第2レジスト膜R2を形成する際のフォトリソグラフィの精度、及びRIE等のエッチングの精度によって正確に設定される。さらに、レーザ共振器50と光導波路70との間の凹部RPでの第1コンタクト層15aの厚さt1は、RIE等のエッチングによって正確に設定される。次に、図6cに表したように、酸化処理を行う。酸化処理を行うにあたり、光導波路70の外側における下部クラッド層20の一部を除去しておく。酸化処理は、例えは温度400°C以上、500°C以下で、水蒸気雰囲気中、酸素雰囲気中または大気中で行われる。この際、Al組成比により酸化速度が決まる。すなわち、Al組成比の高い第1クラッド層14a及び第2クラッド層14bの外周側及び内周側から内部に向けて酸化が進み、第1改質層14c及び第2改質層14dが形成される。この酸化と同時に、電流狭窄構造が形成される。さらに、この酸化によって、下部クラッド層20の端部に低屈折率層20cが形成される。通常、結晶の面方位により酸化速度が異なり、100面が最も酸化速度が遅く、110面、111面の順に酸化速度が速くなる。その結果、リング状の第1クラッド層14a及び第2クラッド層14bの外周側および内周側では、その面方位によって改質層の幅が若干変化する。径が小さいほどその影響が大きくなる。従って、改質した後に目的の円形状となるように、改質前のレーザ共振器50のリング形状の外形を適宜定めておくことが望ましい。次に、図7aに表したように、レーザ共振器50及び光導波路70を埋め込む絶縁膜80を形成する。絶縁膜80には、例えばポリイミドが用いられる。なお、絶縁膜80を形成する前に、レーザ共振器50の表面、及び光導波路70の表面を絶縁膜18で被覆しておいてもよい。次いで、図7bに表したように、絶縁膜80を、例えばCMPChemicalMechanicalPolishing法により第2コンタクト層15bが露出するまで除去する。そして、露出した第2コンタクト層15bの上面の内周部及びレーザ共振器50の内側を埋め込む絶縁膜80上に第2電極D2を形成する。また、基板Sの裏面に第1電極D1を形成する。これにより、半導体発光素子110が完成する。このような製造方法によって、レーザ共振器50及び光導波路70が下部クラッド層20の上に一体的に形成された半導体発光素子110を製造することができるようになる。また、レーザ共振器50と光導波路70との間隔dをエッチング精度で正確に設けることができ、レーザ共振器50と光導波路70とを別体で形成して貼り合わせる場合に比べ、レーザ共振器50から光導波路70への光の伝送効率を向上できる半導体発光素子110を容易に製造することが可能になる。第3の実施形態図8は、第3の実施形態に係る半導体発光素子の一部断面模式的斜視図である。図9は、第3の実施形態に係る半導体発光素子の一部を拡大した模式的断面図である。図9は、図8に示すC部分を拡大して表示している。第3の実施形態に係る半導体発光素子120は、第1の実施形態に係る半導体発光素子110に比べて、光導波路の構造が相違する。すなわち、半導体発光素子120では、光導波路72として、第1コンタクト層15a第1半導体層10の凸部CPをコアとして利用している。凸部CPによる光導波路72の積層構造体第2積層構造体は、レーザ共振器50の積層構造体第1積層構造体の一部と同じ積層構造になっている。図9に表した一例では、レーザ共振器50の積層構造体のうち、第1コンタクト層15aによって凸部CPが構成されている。つまり、第1コンタクト層15aの凸部CPの上には、半導体発光素子110の光導波路70の構造体に含まれる第1クラッド層14a、第1光閉じ込め層13a、活性層12、第2光閉じ込め層13b、第2クラッド層14b及び第2コンタクト層15bが設けられていない。このような光導波路72の構造によって、活性層12での光の吸収がなくなるため、光導波路72のコアになる凸部CPでの光の導波損失を低減でき、光出力効率の向上を図ることができる。第4の実施形態第4の実施形態は、半導体発光素子120の製造方法である。図10~図11は、半導体発光素子の製造方法を説明する模式的断面図である。先ず、図10aに表したように、基板S上に、積層構造体100を形成する。積層構造体100は、例えば、下部クラッド層20、第1コンタクト層15a第1半導体層10、第1クラッド層14a、第1光閉じ込め層13a、活性層12、第2光閉じ込め層13b、第2クラッド層14b及び第2コンタクト層15bを積層したものである。各層の材料は、第2の実施形態と同様である。ここで、第1コンタクト層15aの厚さは、第2の実施形態で形成する第1コンタクト層15aの厚さに比べて厚くしておく。次に、図10bに表したように、積層構造体100の上に、レーザ共振器50のリング形状と対応した第1レジスト膜R1と、光導波路72の形状に対応した第2レジスト膜R2とを形成し、この第1レジスト膜R1及び第2レジスト膜R2とをマスクにして積層構造体100をエッチングする。このエッチングによって、積層構造体100の第1レジスト膜R1及び第2レジスト膜R2が形成されていない部分について、第2コンタクト層15bから第1コンタクト層15aが露出するまで除去される。その後、第1レジスト膜R1及び第2レジスト膜R2を除去する。次に、図10cに表したように、光導波路72の上及び下部クラッド層20における端部を除く部分に第3レジスト膜R3を形成する。そして、第3レジスト膜R3をマスクとして、エッチングを行う。これにより、光導波路72の上の第2コンタクト層15b、第2クラッド層14b、第2光閉じ込め層13b、活性層12、第1光閉じ込め層13a及び第1クラッド層14aが除去される。これにより、凸部CPが残される状態になる。さらに、このエッチングと同時に、下部クラッド層20の端部が除去される。次に、酸化処理を行う。酸化処理の条件は、第2の実施形態での酸化処理の条件と同様である。これにより、第1改質層14c及び第2改質層14dが形成される。また、この酸化と同時に、電流狭窄構造が形成される。さらに、この酸化によって、下部クラッド層20に低屈折率層20cが形成される。次に、図11aに表したように、レーザ共振器50及び光導波路72を埋め込む絶縁膜80を形成する。絶縁膜80には、例えばポリイミドが用いられる。次いで、図11bに表したように、絶縁膜80を、例えばCMPChemicalMechanicalPolishing法により第2コンタクト層15bが露出するまで除去する。そして、露出した第2コンタクト層15bの上面の内周部及びレーザ共振器50の内側を埋め込む絶縁膜80上に第2電極D2を形成する。また、基板Sの裏面に第1電極D1を形成する。これにより、半導体発光素子120が完成する。図12は、他の改質層の構造を例示する一部拡大模式的断面図である。上記説明した半導体発光素子110及び120では、第1クラッド層14a及び第2クラッド層14bのリングの外周側及び内周側にそれぞれ第1改質層14c及び第2改質層14dが設けられている例を示したが、図12に表したような改質層の構造を適用してもよい。すなわち、この構造において、第1クラッド層14aは、リング形状の内縁から内部の一部にかけた第1内周部141aを含む。第1内周部141aは、熱酸化法により改質層14cに改質されている。改質層14cの屈折率は、第1内周部141a以外の部分143aの屈折率よりも低くなっている。したがって、第1クラッド層14aは、第1内周部141a以外の部分143aが本来の第1クラッド層として機能する。一方、第2クラッド層14bは、リング形状の外縁から内部の一部にかけた第2外周部142bを含む。第2外周部142bは、熱酸化法により改質層14dに改質されている。改質層14dの屈折率は、第2外周部142b以外の部分143bの屈折率よりも低くなっている。したがって、第2クラッド層14bは、第2外周部142b以外の部分143bが本来の第2クラッド層として機能する。また、第1改質層14c及び第2改質層14dの一部は、Z軸方向からみてオーバーラップするように設けられている。これにより、活性層12には内周側から電流が流入し、電流が活性層12に沿って横方向に流れ、外周側から電流が流出する電流狭窄構造が形成されている。電流が活性層12に沿って横方向に流れる横注入法によれば、光も中央部に強く閉じ込めることが可能である。なお、図12では、光導波路70を用いる例を示しているが、光導波路72を用いてもよい。第5の実施形態図13は、第5の実施形態に係る半導体発光装置を例示する模式図である。図13aは、システム構成例を示している。図13bは、光ファイバの接続部分を拡大した模式的断面図である。図14は、第5の実施形態に係る半導体発光装置の一部拡大模式的断面図である。実施形態に係る半導体発光装置500は、半導体基板SBに形成された集積回路ICと、半導体基板SBの上に設けられた半導体発光素子110と、光導波路70に接続された光ファイバFBと、を備えている。図13aに例示したシステム構成例では、それぞれ集積回路ICが形成された2つの半導体基板SB1及びSB2を光ファイバFBで接続している。半導体基板SB1には、上記説明した半導体発光素子110が搭載されている。半導体発光素子110の例えば第2電極D2と、集積回路ICの出力信号線と、は、配線パターン93によって接続されている。なお、配線パターン93による接続のほか、ボンディングワイヤーによる接続であってもよい。半導体基板SB1の端部には例えばV型の溝95が形成されており、この溝95に合わせて光ファイバFBの一端が取り付けられている。溝95の深さによって、光ファイバFBのコアFBCと、光導波路70のコアに対応する第1コンタクト層15aと、が位置合わせされる。一方、半導体基板SB2には、光電変換素子PDが搭載されている。半導体基板SB2にも例えばV型の溝95が形成されており、この溝95に合わせて光ファイバFBの他端が取り付けられている。溝95の深さによって、光ファイバFBのコアFBCと、光電変換素子PDの受光部と、が位置合わせされる。図13に例示したシステムでは、一例として、半導体基板SB1に3つの半導体発光素子110が搭載され、半導体基板SB2に3つの光電変換素子PDが搭載されている。そして、各半導体発光素子110と各光電変換素子PDとのあいだに光ファイバFBがそれぞれ接続されている。このようなシステムでは、集積回路ICの出力信号が配線パターン93を介して第2電極D2に印加される。これにより、集積回路ICの出力信号に応じて光がレーザ共振器50から放出される。そして、放出された光は、光導波路70へ導かれ、光導波路70から光ファイバFBを介して半導体基板SB2側へ送られる。半導体基板SB2では、光ファイバFBを介して送られた光信号を光電変換素子PDで電気信号に変換し、集積回路ICへ送る。このようなシステムによって、半導体基板SB1に形成された集積回路ICと、半導体基板SB2に形成された集積回路ICと、のあいだの信号伝達を、光信号によって行うことが可能となる。なお、上記の説明では、半導体基板SB1から半導体基板SB2に向けて信号を送る例を示したが、反対であっても適用可能である。すなわち、信号の送信側に半導体発光素子110を搭載し、信号の受信側に光電変換素子PDを搭載し、これらのあいだを光ファイバFBで接続すればよい。また、半導体基板SB1及びSB2にそれぞれ半導体発光素子110及び光電変換素子PDを搭載して、双方向で信号の送受信を行うようにしてもよい。また、上記の構成では、半導体基板SB1に半導体発光素子110を実装する例を説明したが、半導体基板SB1を基板Sとして、半導体基板SB1の上に半導体発光素子110の積層構造体100を連続成膜して、半導体基板SB1と一体に成形してもよい。さらには、半導体基板SB1に、集積回路ICと、半導体発光素子110と、を一体に形成してもよい。また、上記の半導体発光装置500の一例において、半導体発光素子110を適用しているが、半導体発光素子110の代わりに半導体発光素子120を適用してもよい。以上説明したように、実施形態によれば、光信号の伝送効率を向上できる半導体発光素子、半導体発光装置及び半導体発光素子の製造方法を提供することができる。なお、上記に本実施の形態およびその変形例を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、前述の各実施の形態またはその変形例に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものもや、各実施の形態の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。例えば、前述の各実施の形態および各変形例においては、第1の導電形をn形、第2の導電形をp形として説明したが、本発明は第1の導電形をp形、第2の導電形をn形としても実施可能である。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。