"導電層と、前記導電層上の絶縁層と、前記絶縁層上に配置され、少なくとも一つの屈曲した表面を有するフォトダイオードと、を備えるバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサ。前記フォトダイオードの少なくとも一つの屈曲した表面は、凸表面であり、前記フォトダイオードは、前記凸表面を通じて光を受信するように構成されることを特徴とする請求項1に記載のバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサ。前記フォトダイオード上の平坦化層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサ。前記平坦化層上のカラーフィルタ層をさらに備えることを特徴とする請求項3に記載のバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサ。前記カラーフィルタ層は、平らであることを特徴とする請求項4に記載のバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサ。前記フォトダイオード上のカラーフィルタ層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサ。前記カラーフィルタ層の上部面は、平らであることを特徴とする請求項6に記載のバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサ。前記カラーフィルタ層の上部面は、屈曲したことを特徴とする請求項6に記載のバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサ。複数の導電層と、前記複数の導電層間の少なくとも一つの第1層間絶縁層と、前記複数の導電層上の第2層間絶縁層と、前記第2層間絶縁層上に配置され、前記第2層間絶縁層の反対側に凸表面を有するフォトダイオードと、を備えるバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサ。請求項9に記載のバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサを製造する方法において、前記フォトダイオードの前記第2層間絶縁層の反対側の表面に、前記フォトダイオードより小さくアイランドを形成するステップと、前記凸表面を有する前記フォトダイオードを形成するように、前記アイランドをアニーリングするステップと、を含むバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサの製造方法。本発明が解決しようとする課題は、入射される光子をフォトダイオードの中央部分に屈折させるフォトダイオードを備えるバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサを提供することにある。本発明が解決しようとする他の課題は、入射される光子をフォトダイオードの中央部分に屈折させるフォトダイオードを備えるバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサを製造する方法を提供することにある。前記課題を解決するための本発明の一面によるバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサは、導電層、絶縁層及びフォトダイオードを備える。絶縁層は、導電層の上部に配置される。フォトダイオードは、絶縁層の上部に配置され、少なくとも一つの屈曲した表面を有する。一例によれば、フォトダイオードの少なくとも一つの屈曲した表面は、凸表面であり、フォトダイオードは、凸表面を通じて光を受信するように構成される。前記課題を解決するための本発明の他の一面によるバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサは、複数の導電層、少なくとも一つの第1層間絶縁層、第2層間絶縁層及びフォトダイオードを備える。少なくとも一つの第1層間絶縁層は、複数の導電層間に配置される。第2層間絶縁層は、複数の導電層上に配置される。フォトダイオードは、第2層間絶縁層の上部に配置され、第2層間絶縁層の反対側に凸表面を有する。前記他の課題を解決するための本発明によるバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサの製造方法によれば、フォトダイオードの第2層間絶縁層の反対側の表面に、フォトダイオードより小さくアイランドを形成する。凸表面を有するフォトダイオードを形成するように、アイランドをアニーリングする。本発明によれば、入射される光子がフォトダイオードの中央部分に集束されるので、集束された光子に対応する電気信号を生成する時、クロストークのような単位画素間の相互干渉が最小限に抑制される。本発明と本発明の動作上の利点及び本発明の実施によって達成される目的を十分に理解するためには、本発明の例示的な実施形態を説明する図面、及び図面に記載された内容を参照しなければならない。以下、図面を参照して、本発明の望ましい実施形態を説明することによって、本発明を詳細に説明する。各図面に示された同一参照符号は、同一部材を表わす。本発明の核心アイディアは、フォトダイオードの面のうち、光を受信する面に一定した曲率を持たせるものである。これによって、光に対応する光子がフォトダイオードに入射される時、該当フォトダイオードの中央部分に屈折されて集束される。入射されるほとんどの光子が該当フォトダイオードの中央に屈折されて集束されるので、隣接するフォトダイオードへの入射を防止できる。隣接するフォトダイオードと隣接する所に集束された光子は、集束された光子を電気信号に変換する過程で、隣接するフォトダイオードの領域に転移される。かかる状況、すなわち、相互干渉が発生すれば、正確な映像信号を生成させることができない。図1は、本発明の一実施形態によるバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサの積層構造を示す断面図である。図1に示した積層構造は、CMOSイメージセンサ100を構成する複数個の単位画素のうち二つを表す。単位画素は、第2導電層110、第2導電層110上の第1層間絶縁層120、第1層間絶縁層120上の第1導電層130、及び第1導電層130上の第2層間絶縁層140を備える。第2層間絶縁層140の上部に、フォトダイオードPD1,PD2が配置される。フォトダイオードPD1,PD2は、第2層間絶縁層140との接触面は平らであるが、光を受信する上部面は一定した曲率を有する。フォトダイオードPD1,PD2の上部には、第1平坦化層150、カラーフィルタ160、第2平坦化層170及びマイクロレンズ180が順次に配置される。フォトダイオードPD1,PD2の各領域は、絶縁物質190により絶縁される。図2は、本発明の他の実施形態によるバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサの積層構造を示す断面図である。図2に示した積層構造は、CMOSイメージセンサ200を構成する複数個の単位画素のうち二つを表す。単位画素は、第2導電層210、第2導電層210上の第1層間絶縁層220、第1層間絶縁層220上の第1導電層230、及び第1導電層230上の第2層間絶縁層240を備える。第2層間絶縁層240の上部には、フォトダイオードPD1,PD2が配置される。フォトダイオードPD1,PD2は、第2層間絶縁層240との接触面は平らであるが、光を受信する上部面は一定した曲率を有する。フォトダイオードPD1,PD2の上部には、カラーフィルタ250、平坦化層260及びマイクロレンズ270が順次に配置される。フォトダイオードPD1,PD2の各領域は、絶縁物質280により絶縁される。図2に示したように、カラーフィルタ250の上部面は屈曲し、その曲率は、フォトダイオードPD1,PD2の上部面の曲率と類似している。また、カラーフィルタ250と隣接した平坦化層260及びフォトダイオードPD1,PD2の屈折率によって、カラーフィルタ250の上部面は、フォトダイオードPD1,PD2の上部面の曲率より大きいか、または小さく、それによって、カラーフィルタ250に入射した光子が中央にさらに屈折される。カラーフィルタ250に描かれた点線は、カラーフィルタ250の上部面が平らな他の実施形態を表したものである。したがって、カラーフィルタ250の上部面及び下部面がいずれも曲率を有するだけでなく、カラーフィルタ250の下部面は、曲率を有するが、その上部面は平らであってもよい。図1に示した実施形態と図2に示した実施形態との相違点は、第一に、図1に示したバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサ100のカラーフィルタ160は、平らな形態であるのに対し、図2に示したバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサ200のカラーフィルタ250は、下部のフォトダイオードPD1,PD2のように曲率を有する形態であるという点である。第二に、図1に示したバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサ100は、二つの平坦化層150,170を備えるが、図2に示したバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサ200は、一つの平坦化層260のみを備えるという点である。図1及び図2に示したバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサ100,200は、二つの区別された工程によって生成される。一連の工程を経てウェーハの一面にフォトダイオード及びMOSトランジスタを形成させ、フォトダイオード及びMOSトランジスタの電気的連結のための導電層まで完全に形成させる。フォトダイオード及びMOSトランジスタが形成される部分がウェーハの上部であると仮定する。図1及び図2に示したバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサ100,200を構成する複数個の層のうち、前記工程で形成される層は、フォトダイオードPD1,PD2、第2層間絶縁層140,240、第1導電層130,230、第1層間絶縁層120,220及び第2導電層110,210である。前記工程が完了した後、ウェーハの下部を研磨grindingして、ウェーハを一定の厚さにすることができる。研磨されたウェーハをひっくり返せば、ウェーハの研磨された下部面が上方に向かう。この後の工程では、ウェーハの研磨された下部面上に、平坦化層150,170,260、カラーフィルタ160,250及びマイクロレンズ180,270を形成する。曲率を有するフォトダイオードを形成する過程の例は、図7ないし図9を参照すれば、容易に理解できる。以下では、本発明の効果を発生させる光学的原理について説明する。図3は、光を受信する面が平らなフォトダイオードを示す断面図である。図3を参照すれば、光を受信するフォトダイオードPD1,PD2の面が平らであるため、フォトダイオードPD1,PD2の外部から入射される光子の進行方向と、フォトダイオードPD1,PD2の内部に進む方向とが同一である。光を光子で表現すれば、図3には、いずれも8個の光子1ないし8が二つのフォトダイオードPD1,PD2に入射する。8個の光子のうち、四つの光子1ないし4は、第1フォトダイオードPD1に入射され、残りの四つの光子5ないし8は、第2フォトダイオードPD2に入射される。8個の光子のうち、二つの光子4,5は、フォトダイオードPD1,PD2の隣接部分点線に集束される。この二つの光子4,5は、後で光子を電気信号に変換する過程で隣接するフォトダイオードに移動する。図4は、光を受信する面が曲率を有するフォトダイオードを示す断面図である。図4を参照すれば、光を受信するフォトダイオードPD1,PD2の面に一定した曲率があるため、フォトダイオードPD1,PD2の外部から入射される光子の進行方向と関係なく、フォトダイオードPD1,PD2の中心部に進む。8個の光子のうち、四つの光子1ないし4は、第1フォトダイオードPD1に入射され、残りの四つの光子5ないし8は、第2フォトダイオードPD2に入射される。8個の光子のうち、二つの光子4,5は、それぞれ該当フォトダイオードPD1,PD2の中心方向に進んで集束されるため、二つの光子4,5は、後で光子を電気信号に変換する過程で隣接するフォトダイオードへの移動が容易でなくなる。図5は、本発明の実施形態によるCMOSイメージセンサの単位画素の回路図である。図5を参照すれば、単位画素は、光を感知するフォトダイオードPD、フォトダイオードPDに集束された光子をフローティング拡散領域F/Dへ伝送する伝送トランジスタM1、フローティング拡散領域F/DをリセットさせるリセットトランジスタM2、フローティング拡散領域F/Dに伝達された光子に対応する電気信号を生成する変換トランジスタM3、及び単位画素で変換された電気信号を外部に伝達する選択トランジスタM4を備える。伝送トランジスタM1は伝送制御信号Tx、リセットトランジスタM2はリセット制御信号RE、選択トランジスタM4は選択制御信号Sxにより動作が制御される。光を受信する方向によって、一般的なCMOSイメージセンサと、バックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサとを区別できる。すなわち、一般的なCMOSイメージセンサは、フォトダイオードのN型電極に入射される光LIGHT1を受信し、バックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサは、P型電極に入射される光LIGHT2を受信する。一般的なCMOSイメージセンサの場合、単位画素に入射される光がMOSトランジスタによりフォトダイオードに入射されることが遮断される。一方、バックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサの場合には、単位画素の全体に光を受信できるため、光を受信する効率が一般的なCMOSイメージセンサに比べて相対的に高い。図6は、単位画素の断面図である。図6を参照すれば、CMOS工程を利用して生成させた単位画素600は、P型基板にフォトダイオードPD及びMOSトランジスタMOSを具現させたものであって、フォトダイオードPDの一電極は基板であり、他の電極はN型の拡散領域でありうる。MOSトランジスタMOSは、二つのN型の拡散領域間に形成されたゲートに印加される信号により動作される。ゲートは、基板の上部に配置されたゲート絶縁膜GD、及びゲート絶縁膜上に配置されたゲート導電膜GCを備える。ゲート絶縁膜GDは、シリコン酸化物からなり、ゲート導電膜GCは、多結晶シリコンからなる。この場合、光LIGHT1がフォトダイオードPDのN型の拡散領域に印加される時に、光LIGHT1を受信できる面積に比べて、光LIGHT2がフォトダイオードPDのP型基板に印加される時に、光LIGHT2を受信できる面積が相対的に広いということが容易に分かる。本発明は、光LIGHT2がフォトダイオードPDのP型基板に印加されるバックサイドイルミネーションCMOSイメージセンサについてのものである。以下では、図1及び図2に示したような光を受信する面に一定した曲率を有するフォトダイオードを形成する方法について説明する。図7ないし図9は、本発明の一実施形態によって、フォトダイオードとMOSトランジスタとを製造する方法を示す断面図である。図7に示した単位画素700は、フォトダイオード及びMOSトランジスタがいずれも形成されたウェーハをひっくり返した時を表したものである。したがって、単位画素700を形成する工程中では、最下側に位置したフォトダイオードPD1,PD2が最上側に図示され、最上側に位置した導電層710が最下側に図示される。層間絶縁層720は、フォトダイオードの一電極として機能する基板と導電層710とを絶縁させる機能を行う。フォトダイオードの一電極として機能する基板は、フォトダイオード及びMOSトランジスタがいずれも形成された後で研磨されて、フォトダイオードの一端子の厚さが調節される。この場合、アイランドを形成するのに選択される工程のために、研磨の深さが調節される。図8は、フォトダイオードに一定した形態のアイランドを形成させた時の単位画素の断面図である。図8に示した単位画素800は、上部に位置したフォトダイオードの一電極をなす基板に、単位画素800より小さくアイランド830を生成させる。アイランド830は、それぞれの単位画素ごとに一つずつ形成させ、アイランド830の大きさは、選択される後続工程によって変わりうる。アイランド830の形態は、単位画素の断面形態が一定した割合で縮小した断面を有する。例えば、単位画素の形態が四角形であれば、アイランドの形態も四角形であり、単位画素の形態が四角形以上の六角形または八角形であれば、アイランドの形態も六角形または八角形でありうる。しかし、場合によっては、アイランドの形態を円形とすることも可能である。アイランドを形成する過程は多様であるが、理解を助けるために、一つの場合のみを例として挙げる。まず、アイランド830を定義するマスクを形成する。マスクを利用して、フォトレジスタにアイランド830を定義し、フォトレジスタのうち、アイランド830として定義された部分を除いた他の部分を除去した後、基板をエッチングするのに使われるエッチング溶液を利用して、アイランド830例えば、シリコンアイランドを形成させる。図9は、フォトダイオードに形成されたアイランドに熱を加えて、光を受信するフォトダイオードの面が曲率を有させた時の単位画素の断面図である。図9に示した単位画素900は、アイランドに熱を加えて、光を受信するフォトダイオードの一面に一定した曲率を生じさせたものである。以上では、本発明についての技術思想を添付図面と共に述べたが、これは、本発明の望ましい実施形態を例示的に説明したものであり、本発明を限定するものではない。また、当業者ならば、本発明の技術的思想の範疇を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び摸倣が可能であることは明白な事実である。"