"先端にダイを真空吸着する吸着手段を有し、前記真空吸着によってウェハから剥離された前記ダイを基板にボンディングするボンディングヘッドと、前記吸着手段の位置と前記真空吸着を制御する真空吸着制御手段と、紫外光を照射すると気体が発生する気体発生剤を含有し、前記ダイを粘着保持するダイシング用粘着テープの所定の照射領域に前記紫外光を照射する照射部と、前記照射を制御する照射制御部とを有する紫外光照射手段と、前記ダイシング用粘着テープと前記照射部を相対的に移動させる移動手段と、を有することを特徴とするダイボンダ。前記移動手段は、前記照射領域を間欠的に所定距離移動させ、前記照射制御部は前記移動に伴い間欠的に所定時間行うことを特徴とする請求項1に記載のダイボンダ。前記移動手段は、前記照射制御部は前記照射領域の移動と共に、連続的に前記照射を行うことを特徴とする請求項1に記載のダイボンダ。前記真空吸着制御手段は、前記ダイの一部が前記ダイシング用粘着テープに粘着保持した状態で前記吸着手段を降下させて前記ダイを吸着することを特徴とする請求項1に記載のダイボンダ。ボンディングヘッドがその先端に設けられた吸着手段でダイを真空吸着し、ウェハから剥離する剥離ステップと、剥離された前記ダイを基板にボンディングする装着ステップと、紫外光を照射すると気体が発生する気体発生剤を含有し、前記ダイを粘着保持するダイシング用粘着テープの所定の照射領域に照射部から前記紫外光を照射する照射ステップと、前記ダイシング用粘着テープと前記照射部を相対的に移動させる移動ステップと、を有することを特徴とする半導体製造方法。前記移動ステップは、前記照射領域を間欠的に所定距離移動させることを特徴とする請求項5に記載の半導体製造方法。前記照射ステップは前記照射領域の移動に伴い、連続的に前記照射を行うことを特徴とする請求項5に記載の半導体製造方法。前記剥離ステップは、前記ダイの一部が前記ダイシング用粘着テープに粘着保持した状態で前記吸着手段を降下させて前記ダイを吸着することを特徴とする請求項5に記載の半導体製造方法。特許文献1に開示された方法は一度に照射できる紫外光の照射範囲が限られている。例えば、現状では照射面積として1cm2が限度である。一方、ダイのサイズとして1cm2以上のものがある。本発明は、上記の課題を鑑みてなされたもので、本発明の第1の目的は、ダイのサイズが紫外光照射手段の最大照射面積よりも大きくても、確実にダイをウェハから剥離できる信頼性の高いダイボンダを提供することである。また、本発明の第2の目的は、第1の目的を達成するダイボンダを用い信頼性の高い半導体製造方法を提供することである。本発明は、上記の目的を達成するために、少なくとも以下の特徴を有する。本発明は、先端にダイを真空吸着する吸着手段を有し、前記真空吸着によってウェハから剥離された前記ダイを基板にボンディングするボンディングヘッドと、前記吸着手段の位置と前記真空吸着を制御する真空吸着制御手段と、紫外光を照射すると気体が発生する気体発生剤を含有し、前記ダイを粘着保持するダイシング用粘着テープの所定の照射領域に前記紫外光を照射する照射部と、前記照射を制御する照射制御部とを有する紫外光照射手段と、前記ダイシング用粘着テープと前記照射部を相対的に移動させる移動手段と、を有することを第1の特徴とする。また、本発明は、ボンディングヘッドがその先端に設けられた吸着手段でダイを真空吸着し、ウェハから剥離する剥離ステップと、剥離された前記ダイを基板にボンディングする装着ステップと、紫外光を照射すると気体が発生する気体発生剤を含有し、前記ダイを粘着保持するダイシング用粘着テープの所定の照射領域に照射部から前記紫外光を照射する照射ステップと、前記ダイシング用粘着テープと前記照射部を相対的に移動させる移動ステップと、を有することを第2の特徴とする。さらに、本発明は、前記移動は、前記照射領域を間欠的に所定距離移動させることを第3の特徴とするまた、本発明は、照射は前記照射領域の移動に伴い、連続的に前記照射を行うことを第4の特徴とする。さらに、本発明は、前記剥離は、前記ダイの一部が前記ダイシング用粘着テープに粘着保持した状態で前記吸着手段を降下させて前記ダイを吸着することを第5の特徴とする。本発明によれば、ダイのサイズが紫外光照射手段の最大照射面積よりも大きくても、確実にダイをウェハから剥離できる信頼性の高いダイボンダを提供できる。また、本発明によれば、第1の目的を達成するダイボンダを用い信頼性の高い半導体製造方法を提供できる。以下、図面に基づき、本発明の実施形態を説明する。図1は、本発明の一実施形態であるダイボンダ10を上から見た概念図である。ダイボンダ10は大別してウェハ供給部1と、基板供給搬送部2と、ダイボンディング部3と、これ等を制御する制御部7とを有する。ウェハ供給部1は、ウェハカセットリフタ11とピックアップ装置12とを有する。ウェハカセットリフタ11は、ウェハリングが充填されたウェハカセット図示せずを有し,順次ウェハリングをピックアップ装置12に供給する。ピックアップ装置12は、所望するダイをウェハリングからピックアップできるように、ウェハリングを移動する。基板供給搬送部2はスタックローダ21と、フレームフィーダ22と、アンローダ23とを有する。スタックローダ21は、ダイを接着する基板例えば、リードフレームをフレームフィーダ22に供給する。フレームフィーダ22は、基板をフレームフィーダ22上の2箇所の処理位置を介してアンローダ23に搬送する。アンローダ23は、搬送された基板を保管する。ダイボンディング部3はプリフォーム部31と、ボンディングヘッド部32とを有する。プリフォーム部31は、フレームフィーダ22により搬送されてきた基板にダイ接着剤を塗布する。ボンディングヘッド部32は、ピックアップ装置12からダイをピックアップして上昇し、ダイをフレームフィーダ22上のボンディング位置まで移動させる。そして、ボンディングヘッド部32は、ボンディングポイントでダイを下降させ、ダイ接着剤が塗布された基板上にダイを装着ボンディングする。次に、図2はピックアップ装置12の主要部を示す概略断面図である。ピックアップ装置12は大別して、ウェハリング14を保持するウェハ保持部60と、紫外光を照射する紫外光照射手段50とを備える。ウェハ保持部60は、ウェハリング14を保持するエキスパンドリング15と、ウェハリング14に保持され複数のダイ4が接着されたダイシング用粘着テープ16を水平に位置決めする支持リング17とを有する。なお、ウェハ保持部60は水平方向に移動するようになっている。なお、ダイシング用粘着テープ16は、紫外光を照射すると気体が発生する気体発生剤、好適にはアド化合物を含有する粘着剤層を有する。一方、紫外光照射手段50は、紫外光を発生する紫外光源ランプ51と、紫外光をダイシング用粘着テープ16の裏面に照射するレンズ部52と、紫外光源51からの紫外光をレンズ部52に導くファイバーケーブル53と、レンズ部52からの紫外光をダイシング用粘着テープ16の所望の範囲外、例えば隣接したダイに照射されないように遮光する遮光マスク54と、レンズ部52と遮光マスク54とのZ高さ方向の位置を調整する位置調整部55とを有する。紫外光源51は、ダイボンダ20に直接的又は間接的に固定又は支持する。使用する紫外光源によっては、ダイボンダ20とは直接的又は間接的に固定又は支持せずに、ダイボンダ20の近傍に配置してもよい。後者の場合は、紫外光源51以外は、直接的又は間接的にダイボンダ20に固定叉は支持される。レンズ部52は、レンズ部をZ方向に垂直に固定するレンズ固定部52cを介してファイバーケーブル53に接続され、及び位置調整部55に固定されている。位置調整部55は、上下方向の位置を調整することができる。なお、位置調整部55は、リニアモータ、ラックとピニオン、X-Yテーブル等により水平に移動させるようにしてもよい。本実施形態における紫外光源51は、波長が365nmにおける照射強度が500mW/cm2以上の性能を有し、1cm2、例えば10mm角の範囲でダイ4を剥離できる能力を有する。また、レンズ部52の構成を変えることにより、1cm2の範囲内で様々な照射形状、例えば、円形状、5mm×20mmなどの矩形形状を実現できる。次に、本実施形態における特徴で剥離動作を行なう吸着手段と吸着設備とを図3を用いて説明する。図3aは、吸着手段であるコレット部40を示す図である。図3bは吸着設備70を示す図である。なお、吸着手段としては、コレット部の他、吸着パッドや吸着ノズル等がある。図3aに示すコレット部40は、ダイ4を吸着し基板に装着するボンディングヘッド32hの先端に設けられ、コレット42と、コレットを保持するコレットホルダー41と、それぞれに設けられダイ4を吸着する為の吸引孔41v、42vとを有する。図3bに示す吸着設備70は、コレット41Vと点線で示すように連通されたエア吸引配管72と、エア吸引配管72を介してコレット部40を吸引するエアポンプ73と、エア吸引配管72に流れるエア流量を検出するエア流量センサ71と、エア流量センサの検出結果及び本体の制御部からの指令に基づいてエアポンプ73を制御する制御部7の一部を構成する真空吸着制御手段74とを有する。エア流量センサ71は、コレット部40がダイ4を吸着してないときは、コレット部40が吸い込むエアによって所定以上の流量を検出するが、ダイ4を吸着するとエアが流れ込まない或いは減少するので、エア流量がゼロ叉は設定値以下になる。エア流量がゼロ叉は設定値以下になった時に、ダイ4は剥離され吸着されたと判断する。次に、このような構成による本実施形態の剥離工程の第1の実施例を図4、図5を用いて説明する。本実施例では間欠的に必要な回数紫外線57を照射する。また、本実施例では、紫外光照射手段50の照射能力が最大1cm2100mm2で、ダイ4のコレットによる吸着面のサイズが8mm×30mm240mm2の場合を例にとって説明する。この場合、100mm2の照射で行なうとすれば、少なくとも3回の間欠的な照射が必要である。本実施例では、レンズ部52の光学系を8mm×12.5mmの矩形状に調整し、ダイ4を移動させて、矩形状の照射を3回行なう。3回の照射は、最初にダイ4の左の端辺側の照射を行ない、次に反対側であるダイ4の右の端辺側の照射を行なう。最後に中央部の照射を行なう。なお、右の端辺側の照射から始めても構わない。図4は第1の実施例における剥離工程の処理フローを示す。図5はその時の照射の様子を模式的の示した図である。図4の処理フローを実行する前に、レンズ部52の光学系は照射領域Srが8mm×12.5mmになるように設定する。まず、レンズ部52及び遮光マスク54の位置を設定するStep1。次に、図5aに示すように、ダイ4の左右でも可端辺側が照射領域Srになるように、照射領域Srの移動手段を有する保持部60によってダイ4を移動させStep2、その後、図5bに示すように、所定時間、例えば1.0秒間紫外光57をダイシング用粘着テープ16に照射するStep3。次に、図5cに示すように、ダイ4の右左端辺側が照射領域Srとなるように保持部60によってダイ4を移動させStep4、その後、図5dに示すように、Step3と同様に所定時間、紫外光57をダイシング用粘着テープ16に照射するStep5。次に、図5eに示すように、ダイ4の中央部が照射領域Srになるように保持部60によってダイ4を移動させStep6、コレット42を降下しStep7、ダイ4を吸引して吸着を開始するStep8。ダイの吸着は中央部に到達する前から実施してもよい。その後、図5fに示すように、Step3と同様に所定時間、紫外光57をダイシング用粘着テープ16に照射するStep9。次に、コレット42を上昇させて、ダイ4をダイシング用粘着テープ16から剥離するStep10。その後、基板にダイを装着するStep11。Step3、Step5、Step9における照射時間は、各Stepとも同じ時間に設定してもよいし、異なる時間に設定してもよい。Step9の場合には、ダイ4がダイシング用粘着テープ16に接着している面積が少ないので、Step3及びStep5と比べて短い照射時間とすることもできる。最後に、ステップ1から10の処理をウェハリング14上に保持されているダイ4のうち必要な個数又は全てをボンディングするまで繰り返すStep12。以上、第1の実施例では、最後に中央部を照射して剥離させているので、ダイ4に偏重した力が加わることなく、左右のバランスよく剥離することができる。従って、第1の実施例によれば、ダイのサイズが紫外光照射手段の最大照射面積よりも大きくても、確実にダイをウェハから剥離できる。第1の実施例において、ダイサイズの関係上、2回、4回、5回と間欠的な照射する場合がある。本実施例の考え方からすれば、偶数回の必要な間欠的な照射でも中央部を照射する照射を設け、端部から左右交互に照射し、最後に中央部を照射する。勿論、偶数回の場合、中央部の照射を実施せず、端部から左右交互に照射してもよい。さらに、可能な限り照射領域Srを長くして一方向の移動による間欠照射するようにしてもよい。ダイサイズによっては、例えば25mm×25mmの場合は2次元的に照射する必要がある。この場合も周囲から中央部に向かって間欠的に照射することが望ましい。次に、本実施形態の剥離工程の第2の実施例を図6、図7を用いて説明する。第2の実施例においても、ダイ4の装着面のサイズは同じである。第1の実施例では、左右と中央の順序で3回の照射で剥離する。第2の実施例では、ダイ4を連続的に移動させている間に紫外光を連続的に照射する。図6は、第2の実施例における剥離工程の処理フローを示す。図7は、その時の照射の様子を模式的に示した図である。図6の処理フローを実行する前に、第1の実施例と同様に、レンズ部52の光学系は照射領域Srが8mm×12.5mmになるように設定する。まず、第1の実施例と同様に、レンズ部52及び遮光マスク54の位置を設定するStep1。図7aに示すように、ダイ4の左右端側が照射領域Srとなるように、保持部60によってダイ4を移動する。このとき、コレット42もダイ4から離間した状態で吸引しながら一緒に移動するStep2。次に、図7bに示すように、ダイ4の左端側が照射領域に到達したら紫外光57のダイシング用粘着テープ16への照射を開始する。照射を開始すると、ダイシング用粘着テープ16の気体発生剤から、例えば窒素ガスなどの気体16gが発生するStep3。その後、図7cに示すように、紫外光57を照射しながら、矢印Hの方向に所定の一定速度でダイ4をコレット42と共に移動させる。この移動に伴い、紫外光57に照射されたダイシング用粘着テープ16の領域が増していくので、気体16gが発生する領域も広がっていくStep4。次に、図7dに示すように、ダイ4の右端側に照射領域Srがきたときにダイ4とコレット42の移動を停止する。このとき、ダイ4とダイシング用粘着テープ16の間、略全域に亘って気体16gが広がっているStep5。次に、図3を用いて説明した方法で、ダイ4がダイシング用粘着テープ16から剥離され吸着されたかを判断するStep6。吸着されていなければ、エアポンプ73で吸引しながら吸着が確認されるまで、矢印Hとは反対方向にダイ4とコレット42移動させるStep7。吸着が確認されたら、紫外光57の照射を停止するStep8。その後、コレット42を上昇させて、ダイ4をダイシング用粘着テープ16から剥離するStep9。その後、基板にダイ4を装着するStep10。最後に、ステップ1から10の処理をウェハリング14上に保持されているダイ4のうち必要な個数又は全てをボンディングするまで繰り返すStep11。第2の実施例によれば、移動時間が第1の実施例に比べて短く、ダイを剥離でき、第1の実施例同様に、ダイのサイズが紫外光照射手段の最大照射面積よりも大きくても、確実にダイをウェハから剥離できる。第2の実施例では、Step2図7aからStep5図7dの間、コレット42をダイ4と一緒に移動させたが、ステップ5でダイ4が右端側にきたときに、コレット42を降下させてダイ4に接触又は近づいて吸着を開始してもよい。また、第2の実施例では移動させながら紫外光57を照射したが、第1の実施例のように、左、中央、右の順序で間欠的にダイ4を移動させ、紫外光も間欠的に照射してもよい。さらに、以上説明した実施例では、紫外光による照射領域Srを移動させる際に、紫外光の照射側を固定して、ウェハ保持部によってダイダイシング用粘着テープ側を移動させた。相対的に移動させればよいので、ダイ側を固定し、照射側、例えばレンズ部52を移動させてもよい。以上説明した本実施形態の方法によれば、ダイのサイズが紫外光照射手段の最大照射面積よりも大きくても、確実にダイをウェハから剥離できる信頼性の高いダイボンダ又は半導体製造方法を提供できる。以上の実施例では、剥離されたダイを基板に装着ボンディングするダイボンダについて説明した。基板にダイボンディングする代わりに、ダイを搬送するトレイ上に載せるピックアップ装置とすることも可能である。以上のように本発明の実施形態について説明したが、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で前述の種々の代替例、修正又は変形を包含するものである。"