"薄膜を基板に接合させる方法であって、以下の工程A~Eを具備する:水性液体と水に不溶な液体との界面に、前記薄膜を浮かべる工程A、ここで、前記薄膜の一方の面は親水性であり、前記一方の面と反対側の他方の面は撥水膜を具備し、および前記一方の面が水性液体に接し、かつ前記他方の面が水に不溶な液体に接するように、前記薄膜が浮かべられており、前記基板を、前記水性液体に浸漬する工程B、前記水性液体内において、前記基板を前記薄膜の前記一方の面に積層させる工程C、前記基板が前記薄膜に積層した状態を維持しながら、積層された前記基板および前記薄膜を前記水に不溶な液体に浸漬し、前記薄膜を前記基板に密着させる工程D、および前記基板を前記薄膜に積層させた状態を維持しながら、前記水に不溶な液体から積層された前記基板および前記薄膜を取り出し、前記薄膜を前記基板に接合する工程E。請求項1に記載の方法であって、以下の工程Saおよび工程Sbをさらに具備する方法:前記工程Aの前に、容器を用意する工程Sa、ここで、前記容器は、第1部分、第2部分、および仕切り板を具備しており、前記仕切り板は、第1部分および第2部分の間に設けられ、前記仕切り板は、前記容器の底面に接しておらず、それによって連通路が設けられ、前記第1部分の上部分が、前記水性液体によって満たされており、前記第1部分の下部分および前記第2部分が、前記水に不溶な液体によって満たされており、および前記工程Dと前記工程Eとの間に、前記基板を前記薄膜に積層させた状態を維持しながら、前記基板および前記薄膜を、前記連通路を通して前記第1部分から前記第2部分へと移動させる工程Sb。請求項1に記載の方法であって、以下の工程Saおよび工程Sbをさらに具備する方法:前記工程Aの前に、容器を用意する工程Sa、ここで、前記容器は、第1部分、第2部分、および仕切り板を具備しており、前記仕切り板は、第1部分および第2部分の間に設けられ、前記仕切り板は、前記容器の底面に接しておらず、それによって連通路が設けられ、前記第1部分の上部分が、前記水に不溶な液体によって満たされており、前記第1部分の下部分および前記第2部分が、前記水性液体によって満たされており、および前記工程Bと前記工程Cとの間に、前記基板を、前記連通路を通して前記第2部分から前記第1部分へと移動させる工程Sb。請求項1に記載の方法であって、前記薄膜は、III-V族化合物半導体を具備する。請求項1に記載の方法であって、前記基板は、親水性である。エピタキシャルリフトオフ法は、太陽電池薄膜が接合用基板にワックスのような接着剤により固定されることを必要とする。固定後にワックスが不要になる場合、当該ワックスは除去されることを必要とする。エピタキシャルリフトオフ法を用いて剥離される太陽電池薄膜は、2~3μmの厚みしか有さない。ワックスが除去されるときに、太陽電池薄膜の表面が化学的および機械的に損傷され得る。おもりまたはシリンダーを用いて太陽電池薄膜を基板から剥離する方法は、おもりの位置および重さ、ならびにシリンダーの回転速度の正確な組み合わせおよび設定を必要とする。誤った設定は、太陽電池薄膜の切断及び破断をもたらす。本発明の目的は、薄膜を、ワックスのような接着剤を用いず、かつ機械的または化学的損傷を与えることなく、接合用基板に接合する方法を提供することである。本発明は、薄膜を基板に接合させる方法であって、以下の工程A~Eを具備する:水性液体と水に不溶な液体との界面に、前記薄膜を浮かべる工程A、ここで、前記薄膜の一方の面は親水性であり、前記一方の面と反対側の他方の面は撥水膜を具備し、および前記一方の面が水性液体に接し、かつ前記他方の面が水に不溶な液体に接するように、前記薄膜が浮かべられており、前記基板を、前記水性液体に浸漬する工程B、前記水性液体内において、前記基板を前記薄膜の前記一方の面に積層させる工程C、前記基板が前記薄膜に積層した状態を維持しながら、積層された前記基板および前記薄膜を前記水に不溶な液体に浸漬し、前記薄膜を前記基板に密着させる工程D、および前記基板を前記薄膜に積層させた状態を維持しながら、前記水に不溶な液体から積層された前記基板および前記薄膜を取り出し、前記薄膜を前記基板に接合する工程E。本発明の方法は接着剤を必要としないので、本発明の方法は薄膜を損傷しない。薄膜は2つの液体の界面に浮くので、大きい面積を有する薄膜は損傷なしに、接合用基板に接合され得る。実施の形態1図1~図4は、実施の形態1による薄膜を基板に接合する方法を示す。薄膜の例は、参照符号103により表される太陽電池薄膜である。図5は、薄膜を具備する基板を示す。図6および図7は、真空吸着治具を示す。これらの図を参照しながら、本実施の形態を説明する。予備工程図5で示されるように、犠牲基板101が準備される。犠牲層102および太陽電池薄膜103が、犠牲基板101の表面に積層されている。犠牲基板101の材料の例はGaAsである。犠牲層102の材料の例はAlxGa1xAsxは0.6以上1以下を表すである。少量のSi、P、およびZnが犠牲層102に含まれ得る。太陽電池薄膜103の材料の例は、III族元素およびV族元素から構成される化合物半導体である。例えば、GaAs、GaInP、またはInGaAsが用いられ得る。犠牲基板101に犠牲層102および太陽電池薄膜103を形成するために、有機金属化学気相蒸着法metalorganicchemicalvapordepositionmethod;以下、MOCVD法または分子線エピタキシー法molecularbeamepitaxymethod;以下、MBE法が用いられ得る。太陽電池薄膜は、p型半導体薄膜およびn型半導体薄膜を具備する。p型半導体薄膜は、n型半導体薄膜に接合している。これにより、これらの2つの薄膜の間には、p-n接合が形成されている。太陽光スペクトルを幅広い範囲にわたって吸収するために、複数のp-n接合が形成されていることが好ましい。実施の形態1では、太陽電池薄膜103の最表面は親水性であることを必要とする。ここで、固体表面が親水性であるとは、当該固体表面における純水の静的接触角が90度未満であることを意味する。酸素プラズマまたはオゾンガスの照射は、太陽電池薄膜103の最表面を親水性にする。工程1図1aに示されるように、吸着治具106を用いて太陽電池薄膜103が吸着される。図6は、吸着治具106の一例を示す。図6aは吸着治具106の平面模式図である。図6bは、図6aのA-A線断面図である。吸着治具106は、円形の凸面401を具備している。凸面401は貫通孔402を具備している。凸面401は、凸面401の中心を貫通し、かつ凸面401に垂直な線Z-Zに対して軸対称である。2Rは円形の凸面401の直径を表す。Hは凸面の中心と凸面の周囲との間の高低差を表す。2R/Hの値は1000以上10000未満であることが好ましい。太陽電池薄膜103は凸面401に配置される。その後、吸い込み口107から空気が吸引され、太陽電池薄膜103を凸面401に密着する。このようにして、太陽電池薄膜103、犠牲層102、および犠牲基板101は凸形状に変形する。図7は、吸着治具106の他の例を示す。図7aは吸着治具106の平面模式図である。図7bは、図7aのA-A線断面図である。図7cは、図7aのB-B線断面図である。図7aに示されるように、X方向はA-A線に平行な方向である。Y方向はB-B線に平行な方向である。図7bに示すように、A-A断面図では、吸着治具106は凸面403を具備する。一方、図7cに示すように、B-B断面図では、吸着治具106は平面404である。図6の場合と同様に、2R/Hの値は1000以上10000未満であることが好ましい。工程2図1bに示されるように、吸着治具106によって真空吸着された基板101は、エッチング液108に浸漬される。犠牲層102がAlxGa1xAs層xは0.6以上1以下を表すである場合、塩酸およびフッ酸水溶液がエッチング液108として用いられ得る。基板101は凸状であるので、犠牲層102はエッチング液108に曝されやすい。太陽電池薄膜103は犠牲基板101から剥離されやすい。犠牲基板101は自重によって太陽電池薄膜103から剥離する。従来技術とは異なり、おもりのような外力の厳密な制御は必要とされない。この結果、図1cに示されるように、基板101は太陽電池薄膜103から剥離し、重力により落下する。工程3工程3では、太陽電池薄膜103の裏面119に撥水処理が行われる。固体表面が撥水性であるとは、当該固体表面に滴下した純水の静的接触角が90度以上であることを意味する。図1dは、撥水処理の例を示す。撥水処理剤を含有する液体110に、吸着治具106に取り付けられた太陽電池薄膜103を浸漬する。このようにして、撥水処理剤が裏面119に吸着し、撥水膜111を形成する。その後、基板103は他の液体に浸漬され、洗浄される図示せず。この結果、太陽電池薄膜103の裏面119は撥水性になる。撥水処理剤の例は、炭化水素基CH3CH2n;nは2以上17以下の整数を表すまたはフッ化炭素基CF3CF2n;nは0以上7以下の整数を表すを有するシランカップリング剤である。具体的には、CH3CH2nSiCl3、CH3CH2nSiOC2H53、およびCH3CH2nSiOCH33nは2~17の整数を表すが用いられ得る。CF3CF2nC2H4SiCl3、CF3CF2nC2H4SiOC2H53、およびCF3CF2nC2H4SiOCH33も用いられ得るnは0~7の整数を表す。太陽電池薄膜103の材料がGaAsである場合、炭化水素基またはフッ化炭素基を有するメルカプタンが用いられ得る。具体的には、CH3CH2nSHnは2以上17以下の整数を表す、およびCF3CF2nC2H4SHnは0以上7以下の整数を表すが用いられ得る。液体110に浸漬することに代えて、太陽電池薄膜103の面119が上述したシランカップリング剤またはメルカプタンの蒸気に曝され得る。工程4図1eに示されるように、吸着治具106によって真空吸着された太陽電池薄膜103は、水性液体113と液体114を含有する容器116に浸漬される。液体114は水に不溶である。その後、太陽電池薄膜103の吸着が停止される。容器116は、工程5において詳細に説明される。吸着をやめると、太陽電池薄膜103は凸面401から脱離し、水性液体113と水に不溶な液体114との間の液/液界面に浮く。太陽電池薄膜103の表面は水性液体113に接している。太陽電池薄膜103の裏面119は撥水膜111を介して水に不溶な液体114に接している。図1eに示される状態では、以下の等式が充足される:太陽電池薄膜103の自重=太陽電池薄膜103が水性液体113から受ける浮力太陽電池薄膜103が水に不溶な液体114から受ける浮力太陽電池薄膜103が撥水膜111から受ける力。実施の形態1では、裏面119が水に不溶な液体114に向いている。太陽電池薄膜103は液/液界面に安定にとどまる。推測であるが、太陽電池薄膜103が液/液界面に安定に浮く理由は以下の通りである。親水性の固体表面は、水に不溶な液体に接触しているよりも、水性液体に接触している方がエネルギー的に安定である。逆に、撥水性の固体表面は、水性液体に接触しているよりも、水に不溶な液体に接触している方がエネルギー的に安定である。液/液界面に浮いている太陽電池薄膜103の全体が水に不溶な液体114側に移動した場合、太陽電池薄膜103の親水性の面が水に不溶な液体114に接触することになる。これは、エネルギー的に不安定である。反対に、液/液界面に浮いている太陽電池薄膜103全体が水性液体113に移動すると、撥水膜111が形成されている面が水性液体に接触する。これは、エネルギー的に不安定である。液/液界面に浮いている太陽電池薄膜103が裏返されると、太陽電池薄膜103は、エネルギー的に不安定になる。なぜなら、太陽電池薄膜103の親水性の面が水に不溶な液体114に接触し、かつ撥水膜111が形成されている面が水性液体113に接触するからである。上記のようなエネルギー的安定性の観点から、水に不溶な液体114に撥水膜111を介して裏面119が接し、かつ水性液体113に表面が接するように、太陽電池薄膜103は液/液界面に浮く。水性液体113の例は、無機塩が溶解した水溶液、有機塩が溶解した水溶液、または純水である。水に不溶な液体114の例は、ヘキサン、オクタン、ノナン、デカン、またはウンデカンのようなアルカン、クロロホルム、1-クロロブタン、または2-クロロブタタンのような塩素系有機溶剤、またはこれらの混合物である。水に不溶な液体114が水性液体113よりも大きい密度を有する場合、図1eに示すように、水に不溶な液体114は水性液体113の下に位置する。逆に、水に不溶な液体114が水性液体113よりも小さい密度を有する場合、水に不溶な液体114は水性液体113の上に位置する。この場合、太陽電池薄膜103の裏面119が水性液体に接し、かつ表面が水に不溶な液体114に接する。工程5工程5では、液/液界面に浮いている太陽電池薄膜103が接合用の基板115以下、接合用基板115というに接合される。図2aは、工程5において用いられる容器116の立体模式図を示す。図2bは、図2aのA-A線断面図を示す。図2aおよび図2bに示されるように、容器116は、水性液体113および水に不溶な液体114を含有する。容器116は、第1部分116L、第2部分116R、および仕切り板117を備える。仕切り板117は、第1部分116Lおよび第2部分116Rの間に設けられている。仕切り板117は容器116の底面に接触していない。水に不溶な液体114は、第1部分116Lおよび第2部分116Rを自由に往来し得る。第1部分116Lの上部分は、水性液体113によって満たされている。第1部分116Lの下部分および第2部分116Rは、水に不溶な液体114によって満たされている。第1部分116Lにおいて形成された液/液界面に、図1eにおいて説明された太陽電池薄膜103が浮いている。図3aに示されるように、接合用基板115を第1部分116Lの上部から水性液体113に浸漬する。接合用基板115は親水性であることを必要とする。接合用基板115の例は、iガラス基板、窒化シリコン基板、またはセラミックス基板のような無機材料基板、ii酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、または酸化アルミニウム膜のような酸化膜または窒化膜が形成された基板、iiiナイロン樹脂基板、ポリアクリレート樹脂基板、またはポリメチルメタアクリレート樹脂基板のような親水性の樹脂基板、iv酸素プラズマまたはオゾンガスによって表面が親水化された樹脂基板、またはv表面に金属薄膜を具備する基板である。ivにおける樹脂の例は、ポリアミド樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂、またはポリ塩化ビニル樹脂である。vにおける金属の例は、Au、Ni、Al、Ti、またはCuである。次に、図3bに示されるように、接合用基板115が太陽電池薄膜103の表面に積層される。その後、接合用基板115および太陽電池薄膜103は水に不溶な液体114に浸漬される。このようにして、接合用基板115が太陽電池薄膜103の表面に密着する。さらに、図3cに示されるように、接合用基板115および太陽電池薄膜103は、仕切り板117の下を通って第2部分116Rに移動する。最後に、図3dに示されるように、接合用基板115および太陽電池薄膜103は、第2部分116Rの上部から取り出される。このようにして、太陽電池薄膜103が接合用基板115に接合される。図4a~4dは、水に不溶な液体114が第1部分116Lを満たし、かつ水性液体113が第2部分116Rを満たす例を示す。図4aに示されるように、親水性の接合用基板115を第2部分116Rの上部から水性液体113に浸漬する。接合用基板115は、仕切り板117の下を通って第2部分116Rから第1部分116Lに移動する。次に、図4bに示されるように、接合用基板115が太陽電池薄膜103に積層される。その後、図4cに示されるように、接合用基板115および太陽電池薄膜103は水に不溶な液体114に浸漬される。最後に、図4dに示されるように、接合用基板115および太陽電池薄膜103は、第1部分116Lの上部から取り出される。このようにして、太陽電池薄膜103が接合用基板115に接合される。実施の形態2図8は、実施の形態2で用いられる犠牲基板を示す。この基板は、太陽電池薄膜103上に電極104が形成されていることを除き、実施の形態1による基板と同じである。電極104は、太陽電池薄膜103とオーミック接合している。電極104の表面は親水性である。太陽電池薄膜103の表面がn型のGaAsから構成される場合には、AuGe合金膜、Ni膜、およびAu膜がn型のGaAsからこの順に、真空蒸着によって貼り合わされた積層金属膜が、電極104として用いられ得る。必要に応じて、不活性ガス雰囲気中で、400°C~450°Cの温度下での熱処理が行われる。真空蒸着の後には、Au膜は親水性を有する。Au膜の表面にTi膜が形成され得る。太陽電池薄膜103がp型のGaAsから構成される場合には、当該p型のGaAsの表面上に、Ti膜、Pt膜、およびAu膜がこの順に真空蒸着によって貼り合わされた積層金属膜が、電極104として用いられ得る。Au膜の表面にTi膜が形成され得る。太陽電池薄膜103は、実施の形態1の場合と同様に接合用基板115に接合される。但し、実施の形態2では、接合用基板115の表面はAu膜から構成される電極を具備する。そして、接合用基板115の電極の当該Au膜に、太陽電池薄膜103が密着する。このようにして、電極104は、接合用基板115が具備する電極に電気的に接続される。図9a~図9cは、接合用基板115に接合した太陽電池薄膜113の表面に上部電極118を形成する方法を示す。図9a~図9cは、いずれも、上側図面および下側図面を含む。上側図面はいずれも平面図である。下側図面はいずれも、対応する上側図面におけるA-A線断面図である。図9aは、接合用基板115が接合された太陽電池薄膜103を示す。太陽電池薄膜103の表面は撥水膜111を具備する。図9bに示されるように、撥水膜111の表面に、酸素プラズマまたはオゾンガスが照射され、撥水膜111を除去する。当該照射に代えて、接合用基板115は、350以上400°C以下で加熱され、撥水膜111を除去し得る。次に、図9cに示されるように、太陽電池薄膜103の表面に上部電極118が形成される。上部電極118のパターンは、フォトリソグラフィー法を用いて形成され得る。上部電極118の線幅と線間隔とが1mm以上の場合は、メタルマスクを通して金属薄膜を蒸着することによって金属パターンが形成される。上部電極118には、太陽電池薄膜103とオーミック接合することができる材料が選択される。電極104および上部電極118が周辺機器に電気的に接合される。太陽光が太陽電池薄膜103の表面を照射すると、当該周辺機器に電力が供給される。実施例実施例では、GaAs犠牲基板に形成された太陽電池薄膜を、接合用基板であるシリコン基板に接合した。実験方法および結果を以下に示す。1a.太陽電池薄膜103が形成されたGaAs基板の準備4インチの直径および600μmの厚みを有するp型GaAs基板を用意した。当該p型GaAs基板には、3×1018cm3の濃度を有するZnがドープされていた。当該p型GaAs基板上に、表1に示される材料を下から上へと順にMOCVD法により積層し、太陽電池薄膜103を形成した。表1は、当該太陽電池薄膜103に用いられる材料、膜厚、およびドーパントを示す。表1におけるAlAs層は犠牲層102である。次に、当該太陽電池薄膜103の最上層のGaAs層の上に、100nmの厚みを有するGeAu合金Ge:Au=12wt:88wtから構成される膜を抵抗加熱蒸着法によって形成した。さらに、30nmの厚みを有するNi膜、および250nmの厚みを有するAu膜を、電子ビーム蒸着法によって順に形成した。その後、太陽電池薄膜を、窒素雰囲気中、400°Cで10分熱処理し、太陽電池薄膜と電極との間をオーミック接続した。1b.接合用基板の準備5インチの直径を有するシリコン基板を準備した。当該シリコン基板の表面の全体に、10nmの厚みを有するTi膜および150nmの厚みを有するAu膜を順に真空蒸着法によって形成した。2.太陽電池薄膜のシリコン基板への接合実施の形態1と同様に、太陽電池薄膜をシリコン基板に接合した。シリコン基板上のAu電極が、太陽電池薄膜のAu電極に向かい合うように、これらを接合した。接合の概略を以下に示す。図7a~7cに示される真空吸着治具を用いた。2Rの値は110mmであり、Hの値は100μmであった。貫通孔402の直径は300μmであった。貫通孔402の数は175個であった。貫通孔402が形成されている凸面401の材質はSiCであった。図1aに示されるようにGaAs犠牲基板を吸引しながら、図1bに示されるように10Nの塩酸水溶液を含有するガラス容器に、太陽電池薄膜付きの当該GaAs基板を浸漬した。その後、ガラス容器を70°Cで10分間加熱した。この結果、図1cに示されるように、AlAsから構成される犠牲層102がエッチングされ、太陽電池薄膜103がGaAs犠牲基板101から剥離した。次に、純水を含有するガラス容器に太陽電池薄膜103を浸漬し、太陽電池薄膜103の表面に付着している塩酸を除去した。その後、太陽電池薄膜103を純水から取り出した。窒素ガスを太陽電池薄膜103に吹きかけ、太陽電池薄膜103の表面に付着している純水を除去した。1volのヘキサデカンチオールが溶解したエタノールに、吸着治具に吸着された太陽電池薄膜103を6時間浸漬し、図1dに示されるように、太陽電池薄膜103の裏面119に撥水膜111を形成した。その後、当該エタノールから太陽電池薄膜103取り出した。窒素ガスを太陽電池薄膜103に吹きかけ、太陽電池薄膜103の表面に付着しているエタノールを除去した。次に、図3a~図3dに示される容器116を用意した。水性液体113として純水を用いた。水に不溶な液体114として14-ジクロロブタンを用いた。図7a~図7cに示される真空吸着治具によって吸着しながら、太陽電池薄膜103を第1部分116Lから浸漬し、太陽電池薄膜103が純水/1,4-ジクロロブタンの界面にほぼ並行になるように、太陽電池薄膜103を配置した。次に、真空吸着を止め、太陽電池薄膜103を真空吸着治具から脱離した。このようにして、太陽電池薄膜103を水/1,4-ジクロロブタン界面に浮かべた。太陽電池薄膜103のAu膜は水に接し、太陽電池薄膜103の最下層のGaAs膜は、撥水膜111を介して1,4-ジクロロブタンに接した。その後、図3b~図3dに示されるように、シリコン基板115に太陽電池薄膜を接合した。シリコン基板115上のAu電極が、太陽電池薄膜103のAu電極に向かい合うように、これらを接合した。シリコン基板115および太陽電池薄膜103を、ピンセットを用いて、第2部分116Rの上部から取り出した。最後に、シリコン基板115および太陽電池薄膜103を350°Cで1時間加熱した。シリコン基板115に接合された太陽電池薄膜103は、100mmの直径を有していた。光学顕微鏡で太陽電池薄膜103を観察した。膜の傷、割れ、および破れは観察されなかった。3.上部電極の形成図10a~eは、シリコン基板115に接合された太陽電池薄膜103に、上部電極609を作製する方法を示す。図10aは、シリコン基板602のAu電極603上に接合された太陽電池薄膜601を示す。太陽電池薄膜601はシリコン基板602の中心に配置された。図10bに示される第1メタルマスク604をシリコン基板602に密着させた。第1メタルマスク604は、4つの長方形状の貫通スリット605を具備した。貫通スリット605は、1mmの長さの短辺を有していた。4つの貫通スリット605は等間隔で平行に配置されていた。さらに、4つの貫通スリット605は、80mmの直径を有する円に内接していた。図10cに示すように、第1メタルマスク604を介して、50nmの厚みを有するTi膜、150nmの厚みを有するPt膜、および50nmの厚みを有するAu膜を、電子ビーム蒸着法で順に太陽電池薄膜601上に形成した。このようにして、太陽電池薄膜601上に、貫通スリット605に対応した上部電極606を形成した。同様に、図10dに示される第2メタルマスク607をシリコン基板602に密着させた。図10eに示すように、50nmの厚みを有するTi膜、150nmの厚みを有するPt膜、および50nmの厚みを有するAu膜を電子ビーム蒸着法で順に形成した。このようにして、貫通スリット608に対応した上部電極609を形成した。第2メタルマスク607は2つの貫通スリット608を有していた。貫通スリット608は、80mmの直径および2mmの幅を有する半円環の形状を有していた。4.太陽電池薄膜の評価図10fは、図10eに示される太陽電池薄膜601の電気特性を評価する方法を示す。Au電極603および上部電極609に、それぞれ、プローブ610および611を接触させた。これらのプローブ610、611を電流-電圧評価装置612に電気的に接続した。太陽光の疑似光源から100mW/cm2の強度を有する光を太陽電池薄膜601に照射し、電流-電圧特性を調べた。この結果、シリコン基板に接合した太陽電池薄膜は、以下の特性を有していた。開放電圧:0.9V短絡電流:14mA/cm2フィルファクター:0.8変換効率:10"