"アルカリ金属とIII族金属とを含む混合融液を保持する坩堝と、前記混合融液に接する容器空間へ第1のアルカリ金属融液を介して窒素原料ガスを供給するガス供給装置と、前記容器空間に連通する領域に保持された第2のアルカリ金属融液と、前記混合融液からの前記アルカリ金属の蒸発を抑制するように前記第1のアルカリ金属融液の温度および/または前記第2のアルカリ金属融液の温度を制御する制御手段と、前記坩堝を結晶成長温度に加熱する加熱装置とを備える結晶製造装置。前記坩堝を内部に含み、前記第2のアルカリ金属融液を溜める融液溜め部を有する反応容器と、一方端が前記反応容器に連結され、他方端が前記ガス供給装置に連結されたガス導入管とをさらに備え、前記制御手段は、前記融液溜め部を加熱/冷却する第1の加熱/冷却器と、前記ガス導入管のうち、前記第1のアルカリ金属融液が凝集する融液凝集部を加熱/冷却する第2の加熱/冷却器と、前記融液溜め部および前記融液凝集部の少なくとも一方の温度を蒸発抑制温度に設定するように前記第1および第2の加熱/冷却器の少なくとも一方を制御する制御装置とを含み、前記蒸発抑制温度は、前記第1および第2のアルカリ金属融液の少なくとも一方から蒸発するアルカリ金属の蒸気圧が前記混合融液から蒸発するアルカリ金属の蒸気圧に略一致する温度である、請求項1に記載の結晶製造装置。前記坩堝を内部に含む反応容器と、前記第2のアルカリ金属融液を保持する融液保持容器と、一方端が前記反応容器に連結され、他方端が前記融液保持容器に連結された配管と、一方端が前記反応容器に連結され、他方端が前記ガス供給装置に連結されたガス導入管とをさらに備え、前記制御手段は、前記融液保持容器を加熱/冷却する第1の加熱/冷却器と、前記ガス導入管のうち、前記第1のアルカリ金属融液が凝集する融液凝集部を加熱/冷却する第2の加熱/冷却器と、前記融液保持容器および前記融液凝集部の少なくとも一方の温度を蒸発抑制温度に設定するように前記第1および第2の加熱/冷却器の少なくとも一方を制御する制御装置とを含み、前記蒸発抑制温度は、前記第1および第2のアルカリ金属融液の少なくとも一方から蒸発するアルカリ金属の蒸気圧が前記混合融液から蒸発するアルカリ金属の蒸気圧に略一致する温度である、請求項1に記載の結晶製造装置。前記制御装置は、前記第1および第2のアルカリ金属融液の温度を、所定の期間、前記蒸発抑制温度に設定するように前記第1および第2の加熱/冷却器を制御する、請求項2または請求項3に記載の結晶製造装置。前記制御装置は、さらに、III族窒化物結晶の製造終了に応じて、前記第1および第2のアルカリ金属融液を冷却するように前記第1および第2の加熱/冷却器を制御する、請求項4に記載の結晶製造装置。前記制御装置は、前記第1のアルカリ金属融液の温度を、所定の期間、凝集温度に設定するように前記第1の加熱/冷却器を制御し、前記第2のアルカリ金属融液の温度を、前記所定の期間、前記蒸発抑制温度に設定するように前記第2の加熱/冷却器を制御し、前記凝集温度は、アルカリ金属蒸気が金属融液として前記融液凝集部に溜まる温度である、請求項2または請求項3に記載の結晶製造装置。前記制御装置は、さらに、III族窒化物結晶の製造終了に応じて、前記融液凝集部の温度を蒸発促進温度に設定するように前記第1の加熱/冷却器を制御し、前記融液溜め部または前記融液保持容器の温度を前記凝集温度に設定するように前記第2の加熱/冷却器を制御し、前記蒸発促進温度は、前記融液凝集部に溜まったアルカリ金属融液が気相輸送によって他の部分へ移動する温度である、請求項6に記載の結晶製造装置。しかし、GaN結晶を結晶成長する従来の結晶製造装置においては、GaN結晶の結晶成長中、混合融液中の金属Naと金属Gaとの混合比を略一定に保持することが困難であるという問題がある。即ち、金属Naは、蒸気圧が高く、混合融液からその外部に拡散したり、逆に外部から混合融液に拡散してくる場合がある。更に、金属Gaは、結晶成長の進行に伴い、混合融液中から消費される。その結果、混合融液中の金属Naと金属Gaとの混合比の変動を抑制することが困難となる。そこで、この発明は、かかる問題を解決するためになされたものであり、その目的は、アルカリ金属とIII族金属との混合比の変動を抑制してIII族窒化物結晶を製造する結晶製造装置を提供することである。また、この発明の別の目的は、アルカリ金属とIII族金属との混合比の変動を抑制してIII族窒化物結晶を製造する製造方法を提供することである。この発明によれば、結晶製造装置は、坩堝と、ガス供給装置と、第2のアルカリ金属融液と、制御手段と、加熱装置とを備える。坩堝は、アルカリ金属とIII族金属とを含む混合融液を保持する。ガス供給装置は、混合融液に接する容器空間へ第1のアルカリ金属融液を介して窒素原料ガスを供給する。第2のアルカリ金属融液は、容器空間に連通する領域に保持される。制御手段は、混合融液からのアルカリ金属の蒸発を抑制するように第1のアルカリ金属融液の温度および/または第2のアルカリ金属融液の温度を制御する。加熱装置は、坩堝を結晶成長温度に加熱する。好ましくは、結晶製造装置は、反応容器と、ガス導入管とをさらに備える。反応容器は、堝を内部に含み、第2のアルカリ金属融液を溜める融液溜め部を有する。ガス導入管は、一方端が反応容器に連結され、他方端がガス供給装置に連結される。制御手段は、第1および第2の加熱/冷却器と、制御装置とを含む。第1の加熱/冷却器は、融液溜め部を加熱/冷却する。第2の加熱/冷却器は、ガス導入管のうち、第1のアルカリ金属融液が凝集する融液凝集部を加熱/冷却する。制御装置は、融液溜め部および融液凝集部の少なくとも一方の温度を蒸発抑制温度に設定するように第1および第2の加熱/冷却器の少なくとも一方を制御する。そして、蒸発抑制温度は、第1および第2のアルカリ金属融液の少なくとも一方から蒸発するアルカリ金属の蒸気圧が混合融液から蒸発するアルカリ金属の蒸気圧に略一致する温度である。好ましくは、結晶製造装置は、反応容器と、融液保持容器と、配管と、ガス導入管とをさらに備える。反応容器は、坩堝を内部に含む。融液保持容器は、第2のアルカリ金属融液を保持する。配管は、一方端が反応容器に連結され、他方端が融液保持容器に連結される。ガス導入管は、一方端が反応容器に連結され、他方端がガス供給装置に連結される。制御手段は、第1および第2の加熱/冷却器と、制御装置とを含む。第1の加熱/冷却器は、融液保持容器を加熱/冷却する。第2の加熱/冷却器は、ガス導入管のうち、第1のアルカリ金属融液が凝集する融液凝集部を加熱/冷却する。制御装置は、融液保持容器および融液凝集部の少なくとも一方の温度を蒸発抑制温度に設定するように第1および第2の加熱/冷却器の少なくとも一方を制御する。そして、蒸発抑制温度は、第1および第2のアルカリ金属融液の少なくとも一方から蒸発するアルカリ金属の蒸気圧が混合融液から蒸発するアルカリ金属の蒸気圧に略一致する温度である。好ましくは、制御装置は、第1および第2のアルカリ金属融液の温度を、所定の期間、蒸発抑制温度に設定するように第1および第2の加熱/冷却器を制御する。好ましくは、制御装置は、さらに、III族窒化物結晶の製造終了に応じて、第1および第2のアルカリ金属融液を冷却するように第1および第2の加熱/冷却器を制御する。好ましくは、制御装置は、第1のアルカリ金属融液の温度を、所定の期間、凝集温度に設定するように第1の加熱/冷却器を制御し、第2のアルカリ金属融液の温度を、所定の期間、蒸発抑制温度に設定するように第2の加熱/冷却器を制御する。凝集温度は、アルカリ金属蒸気が金属融液として融液凝集部に溜まる温度である。好ましくは、制御装置は、さらに、III族窒化物結晶の製造終了に応じて、融液凝集部の温度を蒸発促進温度に設定するように第1の加熱/冷却器を制御し、融液溜め部または融液保持容器の温度を凝集温度に設定するように第2の加熱/冷却器を制御する。蒸発促進温度は、融液凝集部に溜まったアルカリ金属融液が気相輸送によって他の部分へ移動する温度である。好ましくは、結晶製造装置は、反応容器と、ガス導入管とをさらに備える。反応容器は、坩堝を内部に含む。ガス導入管は、一方端が反応容器に連結され、他方端がガス供給装置に連結される。そして、第2のアルカリ金属融液は、第1のアルカリ金属融液とともにガス導入管内に保持される。制御手段は、加熱/冷却器と、制御装置とを含む。加熱/冷却器は、ガス導入管のうち、第1および第2のアルカリ金属融液を溜める融液溜め部を加熱/冷却する。制御装置は、融液溜め部の温度を蒸発抑制温度に設定するように加熱/冷却器を制御する。蒸発抑制温度は、第1および第2のアルカリ金属融液から蒸発するアルカリ金属の蒸気圧が混合融液から蒸発するアルカリ金属の蒸気圧に略一致する温度である。好ましくは、反応容器は、アルカリ金属蒸気を凝集する融液凝集部を含む。制御手段は、もう1つの加熱/冷却器をさらに含む。もう1つの加熱/冷却器は、融液凝集部を加熱/冷却する。そして、制御装置は、さらに、III族窒化物結晶の製造中、融液凝集部の温度を蒸気維持温度に設定するようにもう1つの加熱/冷却器を制御するとともに、III族窒化物結晶の製造終了に応じて、融液溜め部を蒸発促進温度に設定するように加熱/冷却器を制御し、かつ、融液凝集部を凝集温度に設定するようにもう1つの加熱/冷却器を制御する。蒸気維持温度は、アルカリ金属をアルカリ金属蒸気として維持する温度である。蒸発促進温度は、融液溜め部に溜まったアルカリ金属融液が気相輸送によって他の部分へ移動する温度である。凝集温度は、アルカリ金属蒸気が金属融液として融液凝集部に溜まる温度である。好ましくは、結晶製造装置は、保持手段をさらに備える。保持手段は、混合融液と容器空間との界面に接するように、または混合融液中に浸漬されるように種結晶を保持する。ガス供給装置は、容器空間の圧力を種結晶からIII族窒化物結晶が結晶成長する圧力に設定するように窒素原料ガスを容器空間へ供給する。加熱装置は、坩堝の温度を種結晶からIII族窒化物結晶が結晶成長する温度に設定するように坩堝を加熱する。好ましくは、ガス供給装置は、容器空間の圧力を混合融液と坩堝との界面から多核発生が生じる圧力に設定するように窒素原料ガスを容器空間へ供給する。加熱装置は、坩堝の温度を混合融液と坩堝との界面から多核発生が生じる温度に設定するように坩堝を加熱する。また、この発明によれば、製造方法は、結晶製造装置を用いてIII族窒化物結晶を製造する製造方法である。結晶製造装置は、坩堝と、ガス供給装置と、第2のアルカリ金属融液と、制御手段と、加熱装置とを備える。坩堝は、アルカリ金属とIII族金属とを含む混合融液を保持する。ガス供給装置は、混合融液に接する容器空間へ第1のアルカリ金属融液を介して窒素原料ガスを供給する。第2のアルカリ金属融液は、容器空間に連通する領域に保持される。制御手段は、第1のアルカリ金属融液の温度および/または第2のアルカリ金属融液の温度を制御する。加熱装置は、坩堝を結晶成長温度に加熱する。製造方法は、不活性ガスまたは窒素ガス雰囲気中でアルカリ金属およびIII族金属が坩堝内に設定される第1の工程と、不活性ガスまたは窒素ガス雰囲気中でアルカリ金属が第1および第2の領域の少なくとも一方に設定される第2の工程と、ガス供給装置が容器空間に窒素原料ガスを供給する第3の工程と、加熱装置が坩堝を結晶成長温度に加熱する第4の工程と、制御手段が混合融液からのアルカリ金属の蒸発を抑制するように第1および第2のアルカリ金属融液の少なくとも一方の温度を制御する第5の工程とを備える。そして、第1の領域は、窒素原料ガスが容器空間に供給される経路上の領域である。また、第2の領域は、容器空間に連通する領域である。好ましくは、第5の工程において、制御手段は、第1および第2のアルカリ金属融液の少なくとも一方の温度を蒸発抑制温度に制御する。蒸発抑制温度は、第1および第2のアルカリ金属融液の少なくとも一方から蒸発するアルカリ金属の蒸気圧が混合融液から蒸発するアルカリ金属の蒸気圧に略一致する温度である。好ましくは、第5の工程において、制御手段は、第1および第2のアルカリ金属融液の両方の温度を蒸発抑制温度に制御する。好ましくは、製造方法は、所定の期間、加熱装置が坩堝の温度を結晶成長温度に保持し、かつ、制御手段が第1および第2のアルカリ金属融液の温度を蒸発抑制温度に制御する第6の工程をさらに備える。好ましくは、製造方法は、所定の期間が経過すると、制御手段が第1および第2のアルカリ金属融液の温度を蒸発抑制温度よりも低い温度に制御する第7の工程をさらに備える。好ましくは、第5の工程において、制御手段は、第1のアルカリ金属融液の温度を凝集温度に制御し、第2のアルカリ金属の温度を蒸発抑制温度に制御する。凝集温度は、アルカリ金属蒸気が金属融液として第1の領域に溜まる温度である。好ましくは、製造方法は、所定の期間、加熱装置が坩堝の温度を結晶成長温度に加熱し、制御手段が第1のアルカリ金属融液の温度を凝集温度に制御し、かつ、第2のアルカリ金属融液の温度を蒸発抑制温度に制御する第6の工程をさらに備える。好ましくは、製造方法は、所定の期間が経過すると、制御手段が第1のアルカリ金属融液の温度を蒸発促進温度に制御し、第2のアルカリ金属融液を凝集温度に制御する第7の工程をさらに備える。蒸発促進温度は、アルカリ金属融液が気相輸送によって他の部分へ移動する温度である。好ましくは、第2のアルカリ金属融液は、第1の領域に第1のアルカリ金属融液とともに保持される。製造方法の第5の工程において、制御手段は、第1および第2のアルカリ金属融液の温度を蒸発抑制温度に制御する。蒸発抑制温度は、第1および第2のアルカリ金属融液から蒸発するアルカリ金属の蒸気圧が混合融液から蒸発するアルカリ金属の蒸気圧に略等しい温度である。好ましくは、製造方法は、所定の期間、加熱装置が坩堝の温度を結晶成長温度に加熱し、かつ、制御手段が第1および第2のアルカリ金属融液の温度を蒸発抑制温度に制御する第6の工程をさらに備える。好ましくは、製造方法は、混合融液と容器空間との界面に接するように、または混合融液中に浸漬されるように種結晶が保持される第6の工程をさらに備える。そして、第3の工程において、ガス供給装置は、容器空間の圧力を種結晶からIII族窒化物結晶が結晶成長する種結晶成長圧力に設定するように窒素原料ガスを容器空間へ供給する。また、第4の工程において、加熱装置は、坩堝の温度を種結晶からIII族窒化物結晶が結晶成長する種結晶成長温度に設定するように坩堝を加熱する。好ましくは、第3の工程において、ガス供給装置は、容器空間の圧力を混合融液と坩堝との界面から多核発生が生じる核発生圧力に設定するように窒素原料ガスを容器空間へ供給する。また、第4の工程において、加熱装置は、坩堝の温度を混合融液と坩堝との界面から多核発生が生じる核発生温度に設定するように坩堝を加熱する。この発明においては、第1および第2のアルカリ金属融液の少なくとも一方のアルカリ金属融液によってアルカリ金属とIII族金属とを含む混合融液からのアルカリ金属の蒸気を抑制してIII族窒化物結晶が結晶成長される。したがって、この発明によれば、混合融液中のアルカリ金属とIII族金属との混合比の変動を抑制してIII族窒化物結晶を製造できる。また、この発明によれば、アルカリ金属とIII族金属とを含む混合融液から蒸発するアルカリ金属の蒸気圧と、第1および第2のアルカリ金属融液の少なくとも一方のアルカリ金属融液から蒸発するアルカリ金属の蒸気圧とを略同一にしてIII族窒化物結晶が結晶成長される。この場合、III族窒化物結晶の結晶成長中、混合融液からアルカリ金属融液へのアルカリ金属の移動と、アルカリ金属融液から混合融液へのアルカリ金属の移動とが平衡になる。したがって、この発明によれば、混合融液中のアルカリ金属とIII族金属との混合比の変動を抑制してIII族窒化物結晶を製造できる。本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。[実施の形態1]図1は、この発明の実施の形態1による結晶製造装置の概略断面図である。図1を参照して、この発明の実施の形態1による結晶製造装置100は、坩堝10と、反応容器20と、ベローズ30と、支持装置40と、加熱装置50,60と、温度センサー51,61,71,81と、加熱/冷却器70,80と、ガス供給管90,200と、バルブ110,150と、圧力調整器120と、ガスボンベ130,220と、排気管140と、真空ポンプ160と、圧力センサー170と、配管180と、熱電対190と、流量計210と、振動印加装置230と、上下機構240と、振動検出装置250と、温度制御装置260と、アルカリ金属融液280,290とを備える。坩堝10は、略円柱形状を有し、ボロンナイトライドBNまたはSUS316Lからなる。反応容器20は、坩堝10と所定の間隔を隔てて坩堝10の周囲に配置される。すなわち、反応容器20は、坩堝10を内部に含む。そして、反応容器20は、本体部21と、蓋部22と、融液溜め部23とからなる。本体部21、蓋部22および融液溜め部23の各々は、SUS316Lからなり、本体部21と蓋部22との間は、メタルオーリングによってシールされる。また、融液溜め部23は、本体部21の底面に設けられる。ベローズ30は、重力方向DR1において、坩堝10の上側で反応容器20に連結される。支持装置40は、中空の筒形状からなり、一部がベローズ30を介して反応容器20内の空間24内へ挿入される。加熱装置50は、反応容器20の外周面20Aを囲むように配置される。加熱装置60は、反応容器20の底面20Bに対向して配置される。温度センサー51,61は、それぞれ、加熱装置50,60に近接して配置される。加熱/冷却器70は、融液溜め部23の周囲を囲むように配置され、加熱/冷却器80は、ガス供給管90のうち、融液凝集部90Aの周囲を囲むように配置される。温度センサー71,81は、それぞれ、加熱/冷却器70,80に近接して配置される。ガス供給管90は、ガス導入管91,92からなる。ガス供給管91は、融液凝集部90Aを有し、一方端がベローズ30に連結され、他方端がバルブ110に連結される。ガス供給管92は、一方端がバルブ110に連結され、他方端が圧力調整器120を介してガスボンベ130に連結される。バルブ110は、ガス供給管90に装着され、ガス供給管91とガス供給管92とを連結する。圧力調整器120は、ガスボンベ130の近傍でガス供給管90ガス供給管92に装着される。ガスボンベ130は、ガス供給管90ガス供給管92に連結される。排気管140は、一方端がバルブ150を介して反応容器20に連結され、他方端が真空ポンプ160に連結される。バルブ150は、反応容器20の近傍で排気管140に装着される。真空ポンプ160は、排気管140の他方端に連結される。圧力センサー170は、反応容器20に取り付けられる。配管180および熱電対190は、支持装置40の内部に挿入される。ガス供給管200は、一方端が配管180に連結され、他方端が流量計210を介してガスボンベ220に連結される。流量計210は、ガスボンベ220の近傍でガス供給管200に装着される。ガスボンベ220は、ガス供給管200の他方端に連結される。上下機構240は、ベローズ30の上側において支持装置40に取り付けられる。アルカリ金属融液280は、金属ナトリウム金属Na融液からなり、融液溜め部23に保持される。アルカリ金属融液290は、金属Na融液からなり、ガス供給管90の融液凝集部90Aに保持される。坩堝10は、金属Naと、金属ガリウム金属Gaとを含む混合融液270を保持する。反応容器20は、坩堝10の周囲を覆う。融液溜め部23は、アルカリ金属融液280を溜める。ベローズ30は、支持装置40を保持するとともに、反応容器20の内部と外部とを遮断する。また、ベローズ30は、支持装置40の重力方向DR1への移動に伴って重力方向DR1に伸縮する。支持装置40は、反応容器20内に挿入された一方端にGaN結晶からなる種結晶5を支持する。加熱装置50は、ヒーターと、電流源とからなる。そして、加熱装置50は、温度制御装置260からの制御信号CTL1に応じて電流源によってヒーターに電流を流し、反応容器20の外周面20Aから坩堝10および反応容器20を結晶成長温度に加熱する。温度センサー51は、加熱装置50のヒーターの温度T1を検出し、その検出した温度T1を温度制御装置260へ出力する。加熱装置60も、ヒーターと、電流源とからなる。そして、加熱装置60は、温度制御装置260からの制御信号CTL2に応じて電流源によってヒーターに電流を流し、反応容器20の底面20Bから坩堝10および反応容器20を結晶成長温度に加熱する。温度センサー61は、加熱装置60のヒーターの温度T2を検出し、その検出した温度T2を温度制御装置260へ出力する。加熱/冷却器70は、加熱部と冷却部とからなる。加熱部は、ヒーターと、電流源とからなり、電流源によってヒーターに電流を流すことによって融液溜め部23を加熱する。また、冷却部は、融液溜め部23に冷風を吹きつけることによって融液溜め部23を冷却する。加熱/冷却器70は、温度制御装置260からの制御信号CTL3に応じて、融液溜め部23の温度を蒸発抑制温度に加熱し、または融液溜め部23の温度を凝集温度に冷却する。ここで、蒸発抑制温度は、混合融液270から蒸発するアルカリ金属金属Naの蒸気圧PNa-Gaがアルカリ金属融液280から蒸発するアルカリ金属金属Naの蒸気圧PNaに略一致する温度である。また、凝集温度は、アルカリ金属蒸気金属Na蒸気が金属融液として溜まる温度である。温度センサー71は、加熱/冷却器70の加熱部または冷却部の温度T3を検出し、その検出した温度T3を温度制御装置260へ出力する。加熱/冷却器80は、加熱/冷却器70と同じ構造からなる。そして、加熱/冷却器80は、温度制御装置260からの制御信号CTL4に応じて、融液凝集部90Aの温度を凝集温度に設定し、または融液凝集部90Aの温度を蒸発促進温度に加熱する。ここで、蒸発促進温度は、アルカリ金属が気相輸送によって他の部分へ移動する温度である。温度センサー81は、加熱/冷却器80の加熱部または冷却部の温度T4を検出し、その検出した温度T4を温度制御装置260へ出力する。ガス供給管90は、ガスボンベ130から圧力調整器120を介して供給された窒素ガスをアルカリ金属融液290を介して反応容器20内へ供給する。バルブ110は、ガス供給管90内の窒素ガスを反応容器20内へ供給し、または窒素ガスの反応容器20内への供給を停止する。また、バルブ110は、ガス供給管90をガス供給管91,92に分離し、またはガス供給管91,92を連結する。圧力調整器120は、ガスボンベ130からの窒素ガスを所定の圧力にしてガス供給管90に供給する。ガスボンベ130は、窒素ガスを保持する。排気管140は、反応容器20内の気体を真空ポンプ160へ通過させる。バルブ150は、反応容器20内と排気管140とを空間的に繋げ、または反応容器20内と排気管140とを空間的に遮断する。真空ポンプ160は、排気管140およびバルブ150を介して反応容器20内の真空引きを行なう。圧力センサー170は、反応容器20内の圧力を検出する。配管180は、ガス供給管200から供給された窒素ガスを一方端から支持装置40内へ放出して種結晶5を冷却する。熱電対190は、種結晶5の温度T5を検出し、その検出した温度T5を温度制御装置260へ出力する。なお、支持装置40内に放出された窒素ガスは、支持装置40の図示されていない開口部を介して結晶製造装置100外へ放出される。ガス供給管200は、ガスボンベ220から流量計210を介して供給された窒素ガスを配管180へ供給する。流量計210は、温度制御装置260からの制御信号CTL5に応じて、ガスボンベ220から供給された窒素ガスの流量を調整してガス供給管200へ供給する。ガスボンベ220は、窒素ガスを保持する。振動印加装置230は、たとえば、圧電素子からなり、所定の周波数を有する振動を支持装置40に印加する。上下機構240は、振動検出装置250からの振動検出信号BDSに応じて、後述する方法によって、種結晶5が空間24と混合融液270との気液界面2に接するように支持装置40を上下する。振動検出装置250は、たとえば、加速度ピックアップからなり、支持装置40の振動を検出するとともに、支持装置40の振動を示す振動検出信号BDSを上下機構240へ出力する。温度制御装置260は、温度T1~T5をそれぞれ温度センサー51,61,71,81および熱電対190から受け、その受けた温度T1~T5に基づいてそれぞれ制御信号CTL1~CTL5を生成する。より具体的には、温度制御装置260は、温度センサー51からの温度T1に基づいて、坩堝10および反応容器20を結晶成長温度に加熱するための制御信号CTL1を生成し、温度センサー61からの温度T2に基づいて、坩堝10および反応容器20を結晶成長温度に加熱するための制御信号CTL2を生成する。また、温度制御装置260は、温度センサー71からの温度T3に基づいて、融液溜め部23の温度を蒸発抑制温度Tevcに制御するための制御信号CTL3を生成し、または融液溜め部23の温度を凝集温度Tcohに制御するための制御信号CTL3を生成する。さらに、温度制御装置260は、温度センサー81からの温度T4に基づいて、融液凝集部90Aの温度を凝集温度Tcohに制御するための制御信号CTL4を生成し、または融液凝集部90Aの温度を蒸発促進温度Tevに制御するための制御信号CTL4を生成する。さらに、温度制御装置260は、熱電対190からの温度T5に基づいて、種結晶5の温度T5を結晶成長温度よりも低い温度に設定する流量からなる窒素ガスを流すための制御信号CTL5を生成する。そして、温度制御装置260は、その生成した制御信号CTL1,CTL2をそれぞれ加熱装置50,60へ出力し、制御信号CTL3,CTL4をそれぞれ加熱/冷却器70,80へ出力し、制御信号CTL5を流量計210へ出力する。図2は、図1に示す支持装置40、配管180および熱電対190の拡大図である。図2を参照して、支持装置40は、筒状部材41と、固定部材42,43とを含む。筒状部材41は、略円形の断面形状を有する。固定部材42は、略L字形状の断面形状を有し、筒状部材41の一方端411側において筒状部材41の外周面41Aおよび底面41Bに固定される。また、固定部材43は、略L字形状の断面形状を有し、筒状部材41の一方端411側において固定部材42と対称に配置されるように筒状部材41の外周面41Aおよび底面41Bに固定される。その結果、筒状部材41および固定部材42,43によって囲まれた領域には、空間部44が形成される。配管180は、略円形の断面形状を有し、筒状部材41の内部に配置される。この場合、配管180の底面180Aは、筒状部材41の底面41Bに対向するように配置される。そして、配管180の底面180Aには、複数の空孔181が形成される。配管180内へ供給された窒素ガスは、複数の空孔181を介して筒状部材41の底面41Bに吹き付けられる。熱電対190は、一方端190Aが筒状部材41の底面41Bに接するように筒状部材41の内部に配置される図2のa参照。そして、種結晶5は、空間部44に嵌合する形状を有し、空間部44に嵌合することにより支持装置40によって支持される。この場合、種結晶5は、筒状部材41の底面41Bに接する図2のb参照。したがって、種結晶5と筒状部材41との間の熱伝導率が高くなる。その結果、熱電対190によって種結晶5の温度T5を検出できるとともに、配管180から筒状部材41の底面41Bに吹き付けられた窒素ガスによって種結晶5を容易に冷却できる。なお、この実施の形態1においては、種結晶自体が種結晶5のように支持装置40に嵌合可能な形状であるが、支持装置40と接する構造であれば、種結晶5の形状からなるアダプターを介して六角柱状の種結晶が保持されていてもよい。図3は、図1に示す上下機構240の構成を示す概略図である。図3を参照して、上下機構240は、凹凸部材241と、歯車242と、軸部材243と、モータ244と、制御部245とを含む。凹凸部材241は、略三角形状の断面形状からなり、筒状部材41の外周面41Aに固定される。歯車242は、軸部材243の一方端に固定され、凹凸部材241と噛み合う。軸部材243は、その一方端が歯車242に連結され、他方端がモータ244のシャフト図示せずに連結される。モータ244は、制御部245からの制御に従って歯車242を矢印246または247の方向へ回転させる。制御部245は、振動検出装置250からの振動検出信号BDSに基づいて、歯車242を矢印246または247の方向へ回転させるようにモータ244を制御する。歯車242が矢印246の方向へ回転すれば、支持装置40は、重力方向DR1において上方向へ移動し、歯車242が矢印247の方向へ回転すれば、支持装置40は、重力方向DR1において下方向へ移動する。したがって、歯車242を矢印246または247の方向へ回転させることは、支持装置40を重力方向DR1において上下させることに相当する。凹凸部材241の重力方向DR1の長さは、支持装置40が種結晶5を上下させる距離に相当する長さである。図4は、振動検出信号BDSのタイミングチャートである。図4を参照して、振動検出装置250によって検出される振動検出信号BDSは、種結晶5が混合融液270に接していないとき、信号成分SS1からなり、種結晶5が混合融液270に接しているとき、信号成分SS2からなり、種結晶5が混合融液270に浸漬されているとき、信号成分SS3からなる。種結晶5が混合融液270に接していないとき、種結晶5は、振動印加装置230により印加された振動によって大きく振動するので、振動検出信号BDSは、振幅が相対的に大きい信号成分SS1からなる。一方、種結晶5が混合融液270に接しているとき、種結晶5は、振動印加装置230から振動が印加されても、混合融液270の粘性によって大きく振動できないので、振動検出信号BDSは、振幅が相対的に小さい信号成分SS2からなる。また、種結晶5が混合融液270に浸漬されているとき、種結晶5は、振動印加装置230から振動が印加されても、混合融液270の粘性によってさらに振動し難くなるので、振動検出信号BDSは、振幅が信号成分SS2よりも小さい信号成分SS3からなる。再び、図3を参照して、制御部245は、振動検出装置250から振動検出信号BDSを受けると、振動検出信号BDSの信号成分を検出する。そして、制御部245は、その検出した信号成分が信号成分SS1からなるとき、振動検出信号BDSの信号成分が信号成分SS2またはSS3になるまで、支持装置40を重力方向DR1において降下させるようにモータ244を制御する。より具体的には、制御部245は、歯車242を矢印247の方向へ回転させるようにモータ244を制御し、モータ244は、制御部245からの制御に従って歯車242を軸部材243を介して矢印247の方向へ回転させる。これによって、支持装置40は、重力方向DR1において下方向へ移動する。そして、制御部245は、振動検出装置250から受ける振動検出信号BDSの信号成分が信号成分SS1から信号成分SS2またはSS3へ切換わると、歯車242の回転を停止するようにモータ244を制御し、モータ244は、制御部245からの制御に従って歯車242の回転を停止させる。これによって、支持装置40は、移動を停止し、種結晶5を気液界面2に保持し、または種結晶5を混合融液270中に保持する。一方、制御部245は、信号成分SS2またはSS3からなる振動検出信号BDSを振動検出装置250から受けたとき、支持装置40の移動を停止するようにモータ244を制御する。このように、上下機構240は、振動検出装置250が検出する振動検出信号BDSに基づいて、種結晶5が混合融液270に接するように、または種結晶5が混合融液270に浸漬されるように支持装置40を重力方向DR1に移動させる。図5は、図1に示す坩堝10、反応容器20、融液溜め部23および融液凝集部90Aの温度のタイミングチャートである。また、図6は、図5に示すタイミングt1,t3間における坩堝10、反応容器20、融液溜め部23および融液凝集部90A内の状態変化を示す模式図である。さらに、図7は、図5に示すタイミングt3における坩堝10および反応容器20内の状態を示す模式図である。さらに、図8は、種結晶5の温度と窒素ガスの流量との関係を示す図である。なお、図5において、直線k1は、坩堝10および反応容器20の温度を示し、曲線k2および直線k3は、種結晶5の温度を示し、曲線k4は、融液溜め部23の温度を示し、曲線k5は、融液凝集部90Aの温度を示す。図5を参照して、加熱装置50,60は、タイミングt5までの期間において、直線k1に従って温度が上昇し、かつ、800°Cに保持されるように坩堝10および反応容器20を加熱する。また、加熱/冷却器70は、タイミングt5までの期間において、曲線k4に従って温度が上昇し、かつ、蒸発抑制温度Tevcに保持されるように融液溜め部23を加熱する。さらに、加熱/冷却器80は、タイミングt5までの期間において、曲線k5に従って温度が上昇し、かつ、凝集温度Tcohに保持されるように融液凝集部90Aを加熱する。加熱装置50,60が坩堝10および反応容器20を加熱し始めたとき、坩堝10内には、金属Na6および金属Ga7が存在し、加熱/冷却部70が融液溜め部23を加熱し始め、かつ、加熱/冷却部80が融液凝集部90Aを加熱し始めたとき、融液溜め部23には、金属Na6が存在し、融液凝集部90Aには、金属Naは存在しない図6のa参照。そして、坩堝10および反応容器20の温度がタイミングt1において98°Cに達すると、坩堝10中の金属Na6は溶け、約30°Cで既に溶けている金属Ga7と混ざり合う。その後、GaとNaとの金属間化合物が生成され、この金属間化合物は、560°C以上の温度において坩堝10中で混合融液270となる。そして、坩堝10および反応容器20の温度は、タイミングt3において800°Cに達する。また、融液溜め部23の温度がタイミングt2において98°Cに達すると、融液溜め部23内の金属Na6は溶け、アルカリ金属融液280が融液溜め部23に生成される。その後、融液溜め部23の温度は、タイミングt3において蒸発抑制温度Tevcに達する。さらに、融液凝集部90Aの温度は、タイミングt3において凝集温度Tcohに達する。そうすると、坩堝10および反応容器20が800°Cに加熱され、融液溜め部23が蒸発抑制温度Tevcに加熱される過程において、アルカリ金属融液280から蒸発する金属Naの蒸気圧PNaは、徐々に高くなり、混合融液270から蒸発する金属Naの蒸気圧PNa-Gaも徐々に高くなる。そして、混合融液270および/またはアルカリ金属融液280から蒸発した金属Naは、坩堝10、反応容器20および融液溜め部23の温度よりも低温である凝集温度Tcohに保持された融液凝集部90Aに凝集される。その結果、融液凝集部90Aには、アルカリ金属融液290が生成される。そして、タイミングt3において、混合融液270から蒸発するアルカリ金属の蒸気圧PNa-Gaは、アルカリ金属融液280から蒸発するアルカリ金属の蒸気圧PNaに略一致する。すなわち、混合融液270からの金属Naの蒸発と、アルカリ金属融液280からの金属Naの蒸発とが略平衡になる図6のb参照。したがって、混合融液270からアルカリ金属融液280への金属Naの気相輸送とアルカリ金属融液280から混合融液270への金属Naの気相輸送と、が略平衡になり、見かけ上、混合融液270とアルカリ金属融液280との間で金属Naの移動が停止される。その結果、混合融液270およびアルカリ金属融液280からの金属Naの蒸発による混合融液270中の金属Naと金属Gaとの混合比の変動が抑制される。このとき、融液凝集部90Aの温度が金属Naの融点以上で、かつ、Naの実質的蒸発が生じない温度であれば、ガス供給管90内においてバルブ110側への金属Naの拡散を無視でき、混合融液270中の金属Naと金属Gaとの混合比の変動を一層抑制できる。ここで言うNaの実質的蒸発が生じない温度とは、たとえば、200~300°Cである。200°CにおけるNaの蒸気圧は、約1.8×10-2Paであり、300°CにおけるNaの蒸気圧は、約1.8Paであり、これ以上の温度であっても、多少の蒸発による拡散はあるが、混合融液270中の金属Naと金属Gaとの混合比の変動を抑制できる。したがって、凝集温度Tcohは、好ましくは、200~300°Cの範囲に設定される。窒素ガスは、圧力調整器120によって圧力調整され、ガス供給管90を介して空間24内に充填されている図7参照。また、坩堝10および反応容器20の温度が800°Cに達するタイミングt3で、上下機構240は、振動検出装置250からの振動検出信号BDSに基づいて、上述した方法によって支持装置40を上下し、種結晶5を混合融液270に接触させる。そして、坩堝10および反応容器20の温度が800°C程度の高温状態では、空間24内の窒素ガス4は、金属Naを媒介として混合融液270中に取り込まれる。この場合、混合融液270中の窒素濃度またはGaxNyx,yは実数の濃度は、空間24と混合融液270との気液界面2付近において最も高いため、GaN結晶が気液界面2に接した種結晶5から成長し始める。なお、この発明においては、GaxNyをIII族窒化物と言い、GaxNyの濃度をIII族窒化物濃度と言う。窒素ガスを配管180内へ供給しない場合、種結晶5の温度T5は、混合融液270の温度と同じ800°Cであるが、この発明においては、種結晶5付近の混合融液270中の窒素またはIII族窒化物の過飽和度を上げるために、配管180内へ窒素ガスを供給して種結晶5を冷却し、種結晶5の温度T5を混合融液270の温度よりも低くする。より具体的には、種結晶5の温度T5は、タイミングt3以降、曲線k2に従って800°Cよりも低い温度Ts1に設定される。この温度Ts1は、例えば、790°Cである。種結晶5の温度T5を温度Ts1に設定する方法について説明する。温度制御装置260は、温度センサー51,61からそれぞれ受けた温度T1,T2が800α°C=坩堝10および反応容器20を800°Cに設定したときの加熱装置50,60に含まれるヒーターの温度に達すると、種結晶5の温度T5を温度Ts1に設定する流量からなる窒素ガスを流すための制御信号CTL5を生成して流量計210へ出力する。そうすると、流量計210は、制御信号CTL5に応じて、温度T5を温度Ts1に設定する流量からなる窒素ガスをガスボンベ220からガス供給管200を介して配管180内へ流す。種結晶5の温度は、窒素ガスの流量に略比例して800°Cから低下し、窒素ガスの流量が流量fr1sccmになると、種結晶5の温度T5は、温度Ts1に設定される図8参照。したがって、流量計210は、流量fr1からなる窒素ガスを配管180内へ流す。そして、配管180内へ供給された窒素ガスは、配管180の複数の空孔181から筒状部材41の底面41Bに吹き付けられる。これによって、種結晶5は、筒状部材41の底面41Bを介して冷却され、種結晶5の温度T5は、タイミングt4で温度Ts1に低下し、その後、タイミングt5まで温度Ts1に保持される。加熱装置50,60のヒーターの温度T1,T2は、混合融液270の温度と所定の温度差αを有するため、温度制御装置260は、種結晶5の温度T5が800°Cから低下し始めると、温度センサー51,61からそれぞれ受けた温度T1,T2が800α°Cに設定されるように制御信号CTL1,2によってそれぞれ加熱装置50,60を制御する。なお、この発明においては、好ましくは、種結晶5の温度T5は、タイミングt3以降、直線k3に従って低下するように制御される。すなわち、種結晶5の温度T5は、タイミングt3からタイミングt5までの間で800°Cから温度Ts2<Ts1まで低下される。この場合、流量計210は、温度制御装置260からの制御信号CTL5に基づいて、直線k6に従って配管180内へ流す窒素ガスの流量を0から流量fr2>fr1まで増加する。窒素ガスの流量が流量fr2になると、種結晶5の温度T5は、温度Ts1よりも低い温度Ts2に設定される。そして、温度Ts2は、たとえば、750°Cである。このように、混合融液270の温度=800°Cと種結晶5の温度T5との差を徐々に大きくすることによって、種結晶5付近の混合融液270中の窒素またはIII族窒化物の過飽和度が徐々に大きくなり、GaN結晶の結晶成長を少なくとも継続できる。結晶製造装置100においてGaN結晶を結晶成長させる場合、種結晶5は、結晶製造装置100において種結晶5を用いずに結晶成長させたGaN結晶からなる。図9は、GaN結晶を成長させる場合の窒素ガス圧と結晶成長温度との関係を示す図である。図9において、横軸は、結晶成長温度を表し、縦軸は、窒素ガス圧を表す。また、領域REG1は、GaN結晶が溶解する領域であり、領域REG2は、坩堝10の混合融液270に接する底面および側面において多くの核が自発的に発生し、c軸<0001>方向に成長した柱状形状のGaN結晶が製造される領域であり、領域REG3は、GaN結晶が種結晶から結晶成長する領域である。したがって、種結晶5を作製する場合、領域REG2内における窒素ガス圧および結晶成長温度を用いてGaN結晶を成長させる。この場合、坩堝10内の底面および側壁に多くの核が発生し、c軸方向に成長した柱状形状のGaN結晶が製造される。そして、結晶成長させた多くのGaN結晶の中から図2に示す形状のGaN結晶を切り出して種結晶5を作製する。したがって、種結晶5の突出部5A図2のb参照は、c軸<0001>方向に成長したGaN結晶からなる。作製した種結晶5は、上述した方法によって支持装置40の空間部44に嵌合され、支持装置40に固定される。再び、図5を参照して、GaN結晶の結晶成長がタイミングt5で終了すると、加熱装置50,60は、坩堝10および反応容器20の加熱を停止し、坩堝10および反応容器20の温度は、曲線k1に従って800°Cから低下し、種結晶5の温度T5は、温度Ts1または温度Ts2から低下する。一方、加熱/冷却器70は、曲線k4に従って融液溜め部23を冷却し、融液溜め部23の温度は、タイミングt6からタイミングt7までの間、凝集温度Tcohに保持される。また、加熱/冷却器80は、曲線k5に従って融液凝集部90Aを加熱し、融液凝集部90Aは、タイミングt6からタイミングt7までの間、蒸発促進温度Tevに保持される。ここで、蒸発促進温度Tevは、アルカリ金属融液290が気相輸送によって融液凝集部90Aから他の部分へ移動する温度である。タイミングt6からタイミングt7までの間、融液溜め部23の温度は、凝集温度Tcohに保持され、融液凝集部90Aの温度は、蒸発促進温度Tevに保持される結果、アルカリ金属融液290は、蒸発して融液溜め部23へ気相輸送される。そして、タイミングt7においては、融液凝集部90Aには、アルカリ金属融液290は存在しない。なお、アルカリ金属融液290が融液凝集部90Aから融液溜め部23へ気相輸送される場合、バルブ110は閉じられているため、アルカリ金属融液290から蒸発した金属Naの蒸気が圧力調整器120側へ拡散することはない。タイミングt7において、アルカリ金属融液290の融液凝集部90Aから融液溜め部23への気相輸送が終了すると、加熱/冷却器70は、融液溜め部23を冷却し、加熱/冷却器80は、融液凝集部90Aを冷却する。これによって、坩堝10、反応容器20、融液溜め部23および融液凝集部90Aは、タイミングt7以降、室温へ向かって冷却される。図10は、GaN結晶の製造方法を説明するための実施の形態1におけるフローチャートである。図10を参照して、一連の動作が開始されると、バルブ110によってガス供給管90をガス供給管91,92に分離し、Arガスが充填されたグローブボックス内へ坩堝10、反応容器20およびガス供給管91を入れる。そして、Arガス雰囲気中で金属Naを反応容器20の融液溜め部23に入れるステップS1。なお、Arガスは、水分量が1ppm以下であり、かつ、酸素量が1ppm以下であるArガスである以下、同じ。その後、Arガス雰囲気中で金属Naおよび金属Gaを坩堝10に入れるステップS2。この場合、金属Naおよび金属Gaを5:5の混合比で坩堝10に入れる。そして、金属Naおよび金属Gaを入れた坩堝10を反応容器20内に設置する。その後、Arガス雰囲気中で種結晶5を坩堝10内の金属Naおよび金属Gaの上側に設置するステップS3。より具体的には、種結晶5を支持装置40の一方端411側に形成された空間部44へ嵌合することによって図2のb参照、種結晶5を坩堝10内の金属Naおよび金属Gaの上側に設置する。引続いて、グローブボックスから坩堝10、反応容器20およびガス供給管91を取り出し、坩堝10、反応容器20およびガス供給管91内にArガスを充填した状態で坩堝10、反応容器20およびガス供給管91を結晶製造装置100に設定する。そして、ガス供給管92をバルブ110に連結し、バルブ110を閉じた状態でバルブ150を開け、真空ポンプ160によって坩堝10、反応容器20およびガス供給管91内に充填されたArガスを排気する。真空ポンプ160によって坩堝10、反応容器20およびガス供給管91内を所定の圧力0.133Pa以下まで真空引きした後、バルブ150を閉じ、バルブ110を開けて窒素ガスをガスボンベ130からガス供給管90を介して坩堝10および反応容器20内へ充填する。この場合、圧力調整器120によって坩堝10および反応容器20内の圧力が0.1MPa程度になるように坩堝10および反応容器20内へ窒素ガスを供給する。そして、圧力センサー170によって検出した反応容器20内の圧力が0.1MPa程度になると、バルブ110を閉じ、バルブ150を開けて真空ポンプ160によって坩堝10、反応容器20およびガス供給管91内に充填された窒素ガスを排気する。この場合も、真空ポンプ160によって坩堝10、反応容器20およびガス供給管91内を所定の圧力0.133Pa以下まで真空引きする。そして、この坩堝10、反応容器20およびガス供給管91内の真空引きと坩堝10、反応容器20およびガス供給管91内への窒素ガスの充填とを数回繰り返し行なう。その後、真空ポンプ160によって坩堝10、反応容器20およびガス供給管91内を所定の圧力まで真空引きした後、バルブ150を閉じ、バルブ110を開けて圧力調整器120によって坩堝10、反応容器20およびガス供給管91内の圧力が1.01MPaの範囲になるように坩堝10、反応容器20およびガス供給管91内へ窒素ガスを充填するステップS4。その後、加熱装置50,60によって坩堝10および反応容器20を800°Cに加熱しステップS5、加熱/冷却器70によって、アルカリ金属融液280から蒸発する金属Naの蒸気圧PNaが混合融液270から蒸発する金属Naの蒸気圧PNa-Gaに略一致する蒸発抑制温度Tevcにアルカリ金属融液280の温度を制御するステップS6。また、加熱/冷却器80によって、窒素ガスを供給するガス供給管90のうち、坩堝10および反応容器20の空間24に近い領域=融液凝集部90Aの温度を凝集温度Tcohに制御するステップS7。この場合、融液溜め部23に保持された金属Naは、融点が約98°Cであるので、融液溜め部23が蒸発抑制温度Tevcに加熱される過程で溶融され、アルカリ金属融液280になる。そして、気液界面1が発生する図1参照。気液界面1は、アルカリ金属融液280と反応容器20内の空間24との界面に位置する。また、坩堝10および反応容器20が800°Cに加熱される過程で、坩堝10内の金属Naおよび金属Gaも液体になり、金属Naと金属Gaとの混合融液270が坩堝10内に発生する。そして、融液溜め部23の温度が蒸発抑制温度Tevcに近づき、かつ、坩堝10の温度が800°Cに近づくに従って、アルカリ金属融液280から蒸発する金属Naの蒸気圧PNaおよび混合融液270から蒸発する金属Naの蒸気圧PNa-Gaは、徐々に高くなり、反応容器20内の空間24に存在する金属Na蒸気が増加する。空間24に存在する金属Na蒸気の一部は、坩堝10および反応容器20の温度よりも低温である融液凝集部90Aへ拡散し、融液凝集部90Aでアルカリ金属融液290として凝集する。そして、蒸気圧PNaが蒸気圧PNa-Gaに略一致する。その後、上下機構240は、上述した方法によって、種結晶5を混合融液270に接触させるステップS8。そして、坩堝10および反応容器20の温度が800°C程度の高温状態では、空間24内の窒素ガスが金属Naを媒介として混合融液270中へ取り込まれていることから、種結晶5からGaN結晶が成長し始める。このときの坩堝10および反応容器20の温度および反応容器20内の窒素ガス圧力は、図9に示す領域REG3の領域である。その後、所定の時間数十時間~数百時間、坩堝10および反応容器20の温度が800°Cに保持され、融液溜め部23のアルカリ金属融液280の温度が蒸発抑制温度Tevcに保持され、融液凝集部90Aの温度が凝集温度Tcohに保持されるステップS9。また、種結晶5の温度T5が上述した方法によって混合融液270の温度=800°Cよりも低い温度Ts1またはTs2に設定されるステップS10。そして、GaN結晶の成長が進行すると、空間24内の窒素ガスが消費され、空間24内の窒素ガスが減少する。そうすると、空間24内の圧力P1がガス供給管90内の圧力P2よりも低くなりP1<P2、空間24内とガス供給管90内との間に差圧が発生し、ガス供給管91内の窒素ガスは、アルカリ金属融液290=金属Na融液を介して空間24内へ供給される。すなわち、窒素ガスが坩堝10および反応容器20の空間24へ補給されるステップS11。このとき、アルカリ金属融液290がガス供給管91の軸方向の断面全面を塞いで存在バルブ110側と反応容器20側を仕切るように存在していても、アルカリ金属融液290が液体であるために、窒素ガスの差圧によってアルカリ金属融液290を押しのけるようにして、窒素ガスが反応容器20内の空間24に導入されることとなる。その後、種結晶5が混合融液270に接触するように、上述した方法によって種結晶5を移動させるステップS12。これによって、大きなサイズのGaN結晶が成長する。そして、所定の時間が経過すると、坩堝10および反応容器20の温度が降温されてステップS13、GaN結晶の製造が終了する。なお、ステップS13の後、融液溜め部23の温度は、凝集温度Tcohに保持され、融液凝集部90Aの温度は、蒸発促進温度Tevに保持される。その結果、アルカリ金属融液290は、気相輸送によって融液凝集部90Aから融液溜め部23へ移動される。そして、図10に示すフローチャートに従って、次回のGaN結晶の製造が行なわれる。このように、ガス供給管90内の融液凝集部90Aに溜まったアルカリ金属融液290が反応容器20内の融液溜め部23へ移動された状態で次回のGaN結晶を製造するための原料の仕込みが行なわれる。上述したように、この発明においては、アルカリ金属融液280から蒸発する金属Naの蒸気圧PNaを混合融液270から蒸発する金属Naの蒸気圧PNa-Gaに略一致させてGaN結晶が製造される。そして、蒸気圧PNaを蒸気圧PNa-Gaに略一致させることは、加熱/冷却器70が融液溜め部23を蒸発抑制温度Tevcに加熱することによって実現される。したがって、上述したように、アルカリ金属融液280と混合融液270との間における金属Naの移動が、見かけ上、なくなり、混合融液270中における金属Naと金属Gaとの混合比の変動が抑制される。その結果、金属Naと金属Gaとの混合比の変動を抑制してGaN結晶を製造できる。また、窒素ガスを反応容器20内へ供給するガス供給管90の融液凝集部90Aは、アルカリ金属蒸気がアルカリ金属融液として溜まる凝集温度Tcohに保持されてGaN結晶が製造される。そして、融液凝集部90Aの温度を凝集温度Tcohに保持することは、加熱/冷却器80が融液凝集部90Aを凝集温度Tcohに制御加熱/冷却することによって実現される。したがって、金属Na蒸気が反応容器20内の空間24からガス供給管90内へ拡散しても、その拡散した金属Naは、アルカリ金属融液290として融液凝集部90Aに溜まる。そして、反応容器20内の空間24に存在する金属Naの外部への拡散が抑制される。その結果、混合融液270中における金属Naと金属Gaとの混合比の変動が抑制され、金属Naと金属Gaとの混合比の変動を抑制してGaN結晶を製造できる。上記においては、ガス供給管90内の融液凝集部90Aに金属Naを仕込まずにアルカリ金属融液280,290をそれぞれ融液溜め部23および融液凝集部90Aに保持してGaN結晶を結晶成長させると説明したが、この実施の形態1においては、これに限らず、融液溜め部23および融液凝集部90Aの両方に金属Naを仕込んでアルカリ金属融液280,290をそれぞれ融液溜め部23および融液凝集部90Aに保持するようにしてもよい。図11は、図5に示すタイミングt1,t3間における坩堝10、反応容器20、融液溜め部23および融液凝集部90A内の状態変化を示す他の模式図である。図11を参照して、金属Na6は、融液溜め部23および融液凝集部90Aの両方に仕込まれる図11のa参照。そして、加熱装置50,60は、坩堝10および反応容器20を800°Cに加熱し、加熱/冷却器70は、融液溜め部23を蒸発抑制温度Tevcに加熱し、加熱/冷却器80は、融液凝集部90Aを凝集温度Tcohに加熱する。その結果、融液溜め部23に仕込まれた金属Na6は、溶けてアルカリ金属融液280になり、融液凝集部90Aに仕込まれた金属Na6は、溶けてアルカリ金属融液290になり、坩堝10内に仕込まれた金属Na6および金属Ga7は、溶けて混合融液270になる。そして、アルカリ金属融液280から蒸発する金属Naの蒸気圧PNaが混合融液270から蒸発する金属Naの蒸気圧PNa-Gaに略一致する状態でGaN結晶の結晶成長が行なわれる。図12は、GaN結晶の製造方法を説明するための実施の形態1における他のフローチャートである。金属Na6を融液溜め部23および融液凝集部90Aの両方に仕込む場合、GaN結晶の結晶成長は、図12に示すフローチャートに従って行なわれる。図12に示すフローチャートは、図10に示すフローチャートのステップS1をステップS1Aに代えたものであり、その他は、図10に示すフローチャートと同じである。図12を参照して、一連の動作が開始されると、バルブ110によってガス供給管90をガス供給管91,92に分離し、Arガスが充填されたグローブボックス内へ坩堝10、反応容器20およびガス供給管91を入れる。そして、Arガス雰囲気中で金属Naを反応容器20の融液溜め部23およびガス供給管91内の融液凝集部90Aに入れるステップS1A。なお、金属Na6を融液凝集部90Aへ仕込むときは、Arガス雰囲気中で、バルブ110を開けてバルブ110側から金属Na6が融液凝集部90Aに仕込まれ、その後、バルブ110が閉じられる。そして、上述したステップS2~ステップS13が順次実行され、GaN結晶の結晶成長が終了する。なお、GaN結晶が図12に示すフローチャートに従って製造される場合も、GaN結晶の結晶成長が終了すると、融液凝集部90Aに溜まったアルカリ金属融液290は、上述した方法によって、反応容器20の融液溜め部23へ気相輸送によって移動される。金属Na6を融液溜め部23および融液凝集部90Aの両方に仕込んでおくことによって、混合融液270が800°Cに昇温され、アルカリ金属融液280が蒸発抑制温度Tevcに昇温される過程において、混合融液270および/またはアルカリ金属融液280から蒸発して融液凝集部90Aにアルカリ金属融液290として溜まる金属Naの量を減少させることができ、混合融液270中における金属Naと金属Gaとの混合比の変動をさらに抑制できる。また、上記においては、反応容器20の融液溜め部23のみ、または融液溜め部23および融液凝集部90Aの両方に金属Naを仕込んでアルカリ金属融液280,290をそれぞれ融液溜め部23および融液凝集部90Aに保持すると説明したが、この実施の形態1においては、これに限らず、融液凝集部90Aのみに金属Naを仕込んでアルカリ金属融液280,290をそれぞれ融液溜め部23および融液凝集部90Aに保持するようにしてもよい。図13は、図5に示すタイミングt1,t3間における坩堝10、反応容器20、融液溜め部23および融液凝集部90A内の状態変化を示すさらに他の模式図である。図13を参照して、アルカリ金属融液290を生成するための金属Na6は、融液凝集部90Aのみに仕込まれる図13のa参照。そして、加熱装置50,60は、坩堝10および反応容器20を800°Cに加熱し、加熱/冷却器70は、融液溜め部23を蒸発抑制温度Tevcに加熱し、加熱/冷却器80は、融液凝集部90Aを凝集温度Tcohに加熱する。その結果、融液凝集部90Aに仕込まれた金属Na6は、溶けてアルカリ金属融液290になり、坩堝10内に仕込まれた金属Na6および金属Ga7は、溶けて混合融液270になる。坩堝10の温度が800°Cに近づくに従って、混合融液270から蒸発する金属Naの蒸気圧PNa-Gaは、徐々に高くなり、混合融液270から蒸発した金属Naは、融液溜め部23にアルカリ金属融液280として溜まる。その後、アルカリ金属融液280から蒸発する金属Naの蒸気圧PNaが混合融液270から蒸発する金属Naの蒸気圧PNa-Gaに略一致するまで、金属Naは、気相輸送によって混合融液270からアルカリ金属融液280へ移動する。そして、アルカリ金属融液280から蒸発する金属Naの蒸気圧PNaが混合融液270から蒸発する金属Naの蒸気圧PNa-Gaに略一致すると、金属Naの混合融液270からアルカリ金属融液280への気相輸送が停止され、その状態でGaN結晶の結晶成長が行なわれる。図14は、GaN結晶の製造方法を説明するための実施の形態1におけるさらに他のフローチャートである。金属Na6を融液凝集部90Aのみに仕込む場合、GaN結晶の結晶成長は、図14に示すフローチャートに従って行なわれる。図14に示すフローチャートは、図10に示すフローチャートのステップS1をステップS1Bに代えたものであり、その他は、図10に示すフローチャートと同じである。図14を参照して、一連の動作が開始されると、バルブ110によってガス供給管90をガス供給管91,92に分離し、Arガスが充填されたグローブボックス内へ坩堝10、反応容器20およびガス供給管91を入れる。そして、Arガス雰囲気中で金属Naをガス供給管91内の融液凝集部90Aに入れるステップS1B。なお、金属Na6を融液凝集部90Aへ仕込むときは、Arガス雰囲気中で、バルブ110を開けてバルブ110側から金属Na6が融液凝集部90Aに仕込まれ、その後、バルブ110が閉じられる。そして、上述したステップS2~ステップS13が順次実行され、GaN結晶の結晶成長が終了する。なお、GaN結晶が図14に示すフローチャートに従って製造される場合も、GaN結晶の結晶成長が終了すると、融液凝集部90Aに溜まったアルカリ金属融液290は、上述した方法によって、反応容器20の融液溜め部23へ気相輸送によって移動される。実施の形態1による結晶製造装置は、図15に示す結晶製造装置100Aであってもよい。図15は、実施の形態1による結晶製造装置の他の概略断面図である。図15を参照して、結晶製造装置100Aは、図1に示す結晶製造装置100の反応容器20を反応容器300に代え、加熱/冷却器70を加熱/冷却器70Aに代え、温度センサー71を温度センサー71Aに代え、温度制御装置260を温度制御装置260Aに代え、配管310、容器320、加熱装置330および温度センサー331を追加したものであり、その他は、結晶製造装置100と同じである。反応容器300は、図1に示す反応容器20の本体部21を本体部301に代えたものであり、その他は、反応容器20と同じである。本体部301は、図1に示す本体部21の融液溜め部23を削除し、配管310からの接続部を設けたものであり、その他は、本体部21と同じである。なお、結晶製造装置100Aにおいては、加熱装置50は、反応容器300の外周面300Aの周囲を覆うように配置され、加熱装置60は、反応容器300の底面300Bに対向して配置される。配管310は、一方端が反応容器300に連結される。容器320は、配管310の他方端側に連結される。加熱/冷却器70Aは、容器320の側面および底面に対向して配置される。温度センサー71Aは、加熱/冷却器70Aに近接して配置される。加熱装置330は、配管310に対向して配置される。温度センサー331は、加熱装置330に近接して配置される。加熱/冷却器70Aは、温度制御装置260Aからの制御信号CTL3に応じて、容器320を蒸発抑制温度Tevcに加熱し、または容器320を凝集温度Tcohに冷却する。温度センサー71Aは、加熱/冷却器70Aの加熱部または冷却部の温度T3を検出して温度制御装置260Aへ出力する。配管310は、反応容器300の空間24と容器320内の空間とを連通させる。容器320は、アルカリ金属融液280を保持する。加熱装置330は、ヒーターと、電流源とからなり、温度制御装置260Aからの制御信号CTL6に応じて、電流源によってヒーターに電流を流し、配管310を800°C=結晶成長温度に加熱する。温度センサー331は、加熱装置330のヒーターの温度T6を検出し、その検出した温度T6を温度制御装置260Aへ出力する。温度制御装置260Aは、温度センサー331から温度T6を受け、その受けた温度T6に基づいて、配管310の温度を800°C=結晶成長温度に設定するための制御信号CTL6を生成して加熱装置330へ出力する。温度制御装置260Aは、その他、温度制御装置260と同じ機能を果たす。結晶製造装置100AにおいてGaN結晶の結晶成長が行なわれる場合、1アルカリ金属融液280,290を生成するための金属Naを容器320のみに仕込む、2アルカリ金属融液280,290を生成するための金属Naを融液凝集部90Aおよび容器320に仕込む、3アルカリ金属融液280,290を生成するための金属Naを融液凝集部90Aのみに仕込む、のいずれかが用いられる。上記の1が用いられる場合、図10に示すフローチャートに従って結晶製造装置100AにおいてGaN結晶の結晶成長が行なわれる。また、上記の2が用いられる場合、図12に示すフローチャートに従って結晶製造装置100AにおいてGaN結晶の結晶成長が行なわれる。さらに、上記の3が用いられる場合、図14に示すフローチャートに従って結晶製造装置100AにおいてGaN結晶の結晶成長が行なわれる。そして、図10に示すフローチャート、図12に示すフローチャートおよび図14に示すフローチャートのいずれかに従ってGaN結晶の結晶成長が行なわれる場合、容器320に保持されたアルカリ金属融液280から蒸発する金属Naの蒸気圧PNaが混合融液270から蒸発する金属Naの蒸気圧PNa-Gaに略一致するように、加熱/冷却器70Aは、容器320を蒸発抑制温度Tevcに加熱する。このように、実施の形態1においては、混合融液270から蒸発する金属Naの蒸気圧PNa-Gaに略一致する蒸気圧PNaを有するアルカリ金属融液280は、反応容器300内に保持される必要はなく、反応容器300外に保持されていてもよい。この場合、反応容器300の空間24と容器320の空間とを連通する配管310は、加熱装置330によって、結晶成長温度、一般的には、金属Na蒸気が凝集しない温度に加熱される。配管310の温度が、金属Na蒸気が凝集する温度に設定されていると、空間24内の金属Naが配管310の内壁に凝集し、混合融液270からの金属Naの蒸発が増加し、混合融液270中の金属Naと金属Gaとの混合比の変動が大きくなるので、これを防止するために、配管310の温度を金属Na蒸気が凝集しない温度に設定することにしたものである。また、結晶製造装置100Aを用いてGaN結晶を製造する場合も、GaN結晶の結晶成長が終了すると、融液凝集部90Aに保持されたアルカリ金属融液290は、上述した方法によって、容器320内へ気相輸送される。その他は、結晶製造装置100と同じである。なお、上記においては、種結晶5を混合融液270と空間24との気液界面2に接触させてGaN結晶を結晶成長させると説明したが、この発明においては、これに限らず、種結晶5を混合融液270に浸漬させてGaN結晶を結晶成長してもよい。この場合、図10に示すフローチャート、図12に示すフローチャートおよび図14に示すフローチャートのステップS8において、種結晶5は、上下機構240によって混合融液270中に浸漬され、ステップS12において、種結晶5は、混合融液270中へ浸漬されるように上下機構240によって移動される。また、上記においては、2つのアルカリ金属融液280,290のうち、反応容器20の融液溜め部23または容器320に保持されたアルカリ金属融液280の温度を蒸発抑制温度Tevcに制御してGaN結晶を製造すると説明したが、この実施の形態1においては、これに限らず、2つのアルカリ金属融液280,290の両方の温度を蒸発抑制温度Tevcに制御してGaN結晶を製造するようにしてもよい。この場合、加熱/冷却器80は、温度制御装置260または260Aからの制御信号CTL4に応じて、タイミングt3からタイミングt5の間、融液凝集部90Aの温度を蒸発抑制温度Tevcに設定し、タイミングt6からタイミングt7の間、融液凝集部90Aの温度を蒸発促進温度Tevに設定する。実施の形態1においては、加熱/冷却器70,80および温度制御装置260は、制御手段を構成する。また、加熱/冷却器70は、第1の加熱/冷却器を構成し、加熱/冷却器80は、第2の加熱/冷却器を構成し、加熱/冷却器70,80を制御する温度制御装置260は、制御装置を構成する。さらに、加熱/冷却器70A,80および温度制御装置260Aは、制御手段を構成する。さらに、加熱/冷却器70Aは、第1の加熱/冷却器を構成し、加熱/冷却器80は、第2の加熱/冷却器を構成し、加熱/冷却器70A,80を制御する温度制御装置260Aは、制御装置を構成する。さらに、ガス供給管90は、ガス導入管を構成し、容器320は、融液保持容器を構成する。さらに、アルカリ金属融液290は、第1のアルカリ金属融液を構成し、アルカリ金属融液280は、第2のアルカリ金属融液を構成する。さらに、ガス供給管90、バルブ110、圧力調整器120およびガスボンベ130は、ガス供給装置を構成する。さらに、支持装置40、振動印加装置230、上下機構240および振動検出装置250は、種結晶5を保持する保持手段を構成する。[実施の形態2]図16は、実施の形態2による結晶製造装置の概略断面図である。図16を参照して、実施の形態2による結晶製造装置100Bは、図1に示す結晶製造装置100の加熱/冷却器70,80をそれぞれ加熱/冷却器70B,80Aに代えたものであり、その他は、結晶製造装置100と同じである。加熱/冷却器70Bは、融液溜め部23を蒸発促進温度Tevに加熱し、または融液溜め部23を凝集温度Tcohに冷却する。加熱/冷却器80Aは、融液凝集部90Aを蒸発抑制温度Tevcに加熱し、または融液凝集部90Aを蒸発促進温度Tevに加熱する。図17は、図16に示す坩堝10、反応容器20、融液溜め部23および融液凝集部90Aの温度のタイミングチャートである。図17を参照して、坩堝10および反応容器20の温度制御は、上述した曲線k1に従って行なわれ、種結晶5の温度制御は、上述した曲線k2または直線k3に従って行なわれる。結晶製造装置100Bにおいては、加熱/冷却器70Bは、曲線k9に従って、タイミングt8で融液溜め部23を蒸発促進温度Tevに加熱し、タイミングt8からタイミングt5までの間、融液溜め部23を蒸発促進温度Tevに保持し、タイミングt6からタイミングt7までの間、融液溜め部23を凝集温度Tcohに冷却する。また、結晶製造装置100Bにおいては、加熱/冷却器80Aは、曲線k8に従って、タイミングt3で融液凝集部90Aを蒸発抑制温度Tevcに加熱し、タイミングt3からタイミングt5までの間、融液凝集部90Aを蒸発抑制温度Tevcに保持し、タイミングt6からタイミングt7までの間、融液凝集部90Aを蒸発促進温度Tevに加熱する。図18は、図17に示すタイミングt1,t3間における坩堝10、反応容器20、融液溜め部23および融液凝集部90A内の状態変化を示す模式図である。図18を参照して、加熱装置50,60が坩堝10および反応容器20を加熱し始めたとき、坩堝10内には、金属Na6および金属Ga7が存在し、加熱/冷却部70Bが融液溜め部23を加熱し始め、かつ、加熱/冷却部80Aが融液凝集部90Aを加熱し始めたとき、融液溜め部23には、金属Na6が存在し、融液凝集部90Aには、金属Naは存在しない図18のa参照。そして、坩堝10および反応容器20の温度がタイミングt1において98°Cに達すると、坩堝10中の金属Na6は溶け、約30°Cで既に溶けている金属Ga7と混ざり合う。その後、GaとNaとの金属間化合物が生成され、この金属間化合物は、560°C以上の温度において坩堝10中で混合融液270となる。そして、坩堝10および反応容器20の温度は、タイミングt3において800°Cに達する。また、融液溜め部23の温度が98°C以上に達すると、融液溜め部23内の金属Na6は溶け、アルカリ金属融液が融液溜め部23に生成される。その後、融液溜め部23の温度は、タイミングt8において蒸発促進温度Tevに達し、タイミングt8からタイミングt3までの間、蒸発促進温度Tevに保持される。さらに、融液凝集部90Aの温度は、タイミングt3において蒸発抑制温度Tevcに達する。そうすると、融液溜め部23の温度が蒸発促進温度Tevに保持されている期間タイミングt8からタイミングt3までの期間、融液溜め部23に生成されたアルカリ金属融液から金属Naが蒸発し、その蒸発した金属Na蒸気は、坩堝10および反応容器20よりも低温部であるガス供給管90内の融液凝集部90Aにアルカリ金属融液290として凝集する。そして、タイミングt3においては、融液溜め部23に生成されたアルカリ金属融液は、全て、気相輸送によって融液凝集部90Aへ移動する。タイミングt3においては、融液凝集部90Aの温度は、蒸発抑制温度Tevcに設定されているので、アルカリ金属融液290から蒸発する金属Naの蒸気圧PNaは、混合融液270から蒸発する金属Naの蒸気圧PNa-Gaに略一致する。すなわち、混合融液270からの金属Naの蒸発と、アルカリ金属融液290からの金属Naの蒸発とが略平衡になる図18のb参照。したがって、混合融液270からアルカリ金属融液290への金属Naの気相輸送とアルカリ金属融液290から混合融液270への金属Naの気相輸送と、が略平衡になり、見かけ上、混合融液270とアルカリ金属融液290との間で金属Naの移動が停止される。その結果、混合融液270およびアルカリ金属融液290からの金属Naの蒸発による混合融液270中の金属Naと金属Gaとの混合比の変動が抑制される。図19は、GaN結晶の製造方法を説明するための実施の形態2におけるフローチャートである。図19に示すフローチャートは、図10に示すフローチャートのステップS6、ステップS7およびステップ9をそれぞれステップS6A、ステップS7Aおよびステップ9Aに代えたものであり、その他は、図10に示すフローチャートと同じである。図19を参照して、一連の動作が開始されると、上述したステップS1~ステップS5が順次実行される。そして、ステップS5の後、加熱/冷却器80Aは、ガス供給管90の融液凝集部90Aの温度をアルカリ金属融液290から蒸発する金属Naの蒸気圧PNaが混合融液270から蒸発する金属Naの蒸気圧PNa-Gaに略一致する蒸発抑制温度Tevcに制御するステップS6A。そして、加熱/冷却器70Bは、融液溜め部23を蒸発促進温度Tevに加熱するステップS7A。これによって、融液溜め部23に生成されたアルカリ金属融液は、蒸発して気相輸送によってガス供給管90内の融液凝集部90Aにアルカリ金属融液290として溜まる。そして、アルカリ金属融液290から蒸発する金属Naの蒸気圧PNaは、混合融液270から蒸発する金属Naの蒸気圧PNa-Gaと略平衡になる。その後、上述したステップS8が実行され、所定の時間、坩堝10および反応容器20は、800°C=結晶成長温度に保持され、反応容器20の融液溜め部23は、蒸発促進温度Tevに保持され、ガス供給管90の融液凝集部90Aは、蒸発抑制温度Tevcに保持されるステップS9A。そして、上述したステップS10~ステップS13が順次実行され、一連の動作が終了する。なお、GaN結晶が図19に示すフローチャートに従って製造される場合も、GaN結晶の結晶成長が終了すると、融液凝集部90Aに溜まったアルカリ金属融液290は、上述した方法によって、反応容器20の融液溜め部23へ気相輸送によって移動される。あるいは、次に同様の結晶成長を行なう場合は、そのまま融液凝集部90Aにアルカリ金属融液290を残したままでもよい。上述したように、窒素ガスを反応容器20内へ供給するガス供給管90内の融液凝集部90Aに保持されたアルカリ金属融液290から蒸発する金属Naの蒸気圧PNaと混合融液270から蒸発する金属Naの蒸気圧PNa-Gaとを略平衡にすることによって、混合融液270からの金属Naの蒸発を実質的に抑制し、混合融液270中における金属Naと金属Gaとの混合比の変動を抑制できる。上記においては、ガス供給管90内の融液凝集部90Aに金属Naを仕込まずにアルカリ金属融液290を融液凝集部90Aに保持してGaN結晶を結晶成長させると説明したが、この実施の形態2においては、これに限らず、融液凝集部90Aのみに金属Naを仕込んでアルカリ金属融液290を融液凝集部90Aに保持するようにしてもよい。図20は、図17に示すタイミングt1,t3間における坩堝10、反応容器20、融液溜め部23および融液凝集部90A内の状態変化を示す他の模式図である。図20を参照して、アルカリ金属融液290を生成するための金属Na6は、融液凝集部90Aのみに仕込まれる図20のa参照。そして、加熱装置50,60は、坩堝10および反応容器20を800°Cに加熱し、加熱/冷却器70Bは、融液溜め部23を蒸発促進温度Tevに加熱し、加熱/冷却器80Aは、融液凝集部90Aを蒸発抑制温度Tevcに加熱する。その結果、融液凝集部90Aに仕込まれた金属Na6は、溶けてアルカリ金属融液290になり、坩堝10内に仕込まれた金属Na6および金属Ga7は、溶けて混合融液270になる。そして、アルカリ金属融液290から蒸発する金属Naの蒸気圧PNaが混合融液270から蒸発する金属Naの蒸気圧PNa-Gaに略一致する状態でGaN結晶の結晶成長が行なわれる。この場合、融液溜め部23には、アルカリ金属融液が溜まることはない。図21は、GaN結晶の製造方法を説明するための実施の形態2における他のフローチャートである。アルカリ金属融液290を生成するための金属Na6を融液凝集部90Aのみに仕込む場合、GaN結晶の結晶成長は、図21に示すフローチャートに従って行なわれる。図21に示すフローチャートは、図19に示すフローチャートのステップS1をステップS1Aに代えたものであり、その他は、図19に示すフローチャートと同じである。図21を参照して、一連の動作が開始されると、バルブ110によってガス供給管90をガス供給管91,92に分離し、Arガスが充填されたグローブボックス内へ坩堝10、反応容器20およびガス供給管91を入れる。そして、Arガス雰囲気中で金属Naをガス供給管91内の融液凝集部90Aに入れるステップS1A。なお、金属Na6を融液凝集部90Aへ仕込むときは、Arガス雰囲気中で、バルブ110を開けてバルブ110側から金属Na6が融液凝集部90Aに仕込まれ、その後、バルブ110が閉じられる。そして、上述したステップS2~5,S6A,S7A,S8,S9A,S10~S13が順次実行され、GaN結晶の結晶成長が終了する。なお、GaN結晶が図21に示すフローチャートに従って製造される場合も、GaN結晶の結晶成長が終了すると、融液凝集部90Aに溜まったアルカリ金属融液290は、上述した方法によって、反応容器20の融液溜め部23へ気相輸送によって移動される。あるいは、次に同様の結晶成長を行なう場合は、そのまま融液凝集部90Aにアルカリ金属融液290を残したままでもよい。アルカリ金属融液290を生成するための金属Na6を融液凝集部90Aのみに仕込んでおくことによって、混合融液270が800°Cに昇温され、アルカリ金属融液290が蒸発抑制温度Tevcに昇温され、融液溜め部23が蒸発促進温度Tevに昇温される過程において、混合融液270から蒸発して他の部分にアルカリ金属融液として溜まる金属Naの量を減少させることができ、混合融液270中における金属Naと金属Gaとの混合比の変動をさらに抑制できる。なお、実施の形態2においては、結晶製造装置100から結晶製造装置100Aへの変更と同じ変更を結晶製造装置100Bに加えてもよい。この場合、次の2つのパターンによってGaN結晶が製造される。第1のパターンは、金属Na6を容器320に仕込み、加熱/冷却器70Aによって容器320を蒸発促進温度Tevに加熱し、加熱/冷却器80Aによって融液凝集部90Aを蒸発抑制温度Tevcに加熱して容器320に仕込んだ金属Na6をガス供給管90の融液凝集部90Aへ気相輸送させてGaN結晶を製造し、GaN結晶の製造後、加熱/冷却器70Aによって容器320を凝集温度Tcohに冷却し、加熱/冷却器80Aによって融液凝集部90Aを蒸発促進温度Tevに加熱してアルカリ金属融液290を容器320へ気相輸送して次回のGaN結晶の製造の準備を行なうパターンである。また、第2のパターンは、金属Na6をガス供給管90の融液凝集部90Aに仕込み、加熱/冷却器70Aによって容器320を蒸発促進温度Tevに加熱し、加熱/冷却器80Aによって融液凝集部90Aを蒸発抑制温度Tevcに加熱してGaN結晶を製造し、GaN結晶の製造後、加熱/冷却器70Aによって容器320を凝集温度Tcohに冷却し、加熱/冷却器80Aによって融液凝集部90Aを蒸発促進温度Tevに加熱してアルカリ金属融液290を容器320へ気相輸送して次回のGaN結晶の製造の準備を行なうパターンである。なお、加熱/冷却器70B,80Aおよび温度制御装置260は、制御手段を構成する。また、加熱/冷却器80Aは、加熱/冷却器を構成し、加熱/冷却器70Bは、もう1つの加熱/冷却器を構成し、加熱/冷却器70B,80Aを制御する温度制御装置260は、制御装置を構成する。さらに、融液凝集部90Aは、融液溜め部を構成し、融液溜め部23は、融液凝集部を構成する。その他は、実施の形態1と同じである。[実施の形態3]図22は、実施の形態3による結晶製造装置の概略断面図である。図22を参照して、実施の形態3による結晶製造装置100Cは、図1に示す結晶製造装置100のベローズ30、支持装置40、配管180、熱電対190、ガス供給管200、流量計210、ガスボンベ220、振動印加装置230、上下機構240および振動検出装置250を削除し、温度制御装置260を温度制御装置260Bに代えたものであり、その他は、結晶製造装置100と同じである。結晶製造装置100Cにおいては、ガス供給管90は、その一方端が反応容器20の蓋部22に連結される。温度制御装置260Bは、温度制御装置260の機能のうち、熱電対190から温度T5を受け、その受けた温度T5に基づいて制御信号CTL5を生成して流量計210へ出力する機能を削除した機能を有する。このように、結晶製造装置100Cは、種結晶5を冷却する機能および種結晶5を気液界面2に接触させるように種結晶5を上下させる機能を結晶製造装置100から削除した結晶製造装置に相当する。つまり、結晶製造装置100Cは、種結晶5を用いずにGaN結晶を製造する結晶製造装置である。したがって、結晶製造装置100Cにおいては、図9に示す領域REG2に含まれる結晶成長温度および窒素ガス圧を用いてGaN結晶が製造される。結晶製造装置100Cにおいて、GaN結晶を製造する場合、図6に示す金属Na6の仕込み方法、図11に示す金属Na6の仕込み方法および図13に示す金属Na6の仕込み方法のいずれかの仕込み方法が用いられる。図23から図25は、それぞれ、GaN結晶の製造方法を説明するための実施の形態3における第1から第3のフローチャートである。図6に示す金属Na6の仕込み方法が用いられる場合、図23に示すフローチャートに従ってGaN結晶が製造される。図23に示すフローチャートは、図10に示すフローチャートのステップS3、ステップS8、ステップS10およびステップS12を削除したものであり、その他は、図10に示すフローチャートと同じである。この場合、ステップS4において、図9に示す領域REG2に含まれる窒素ガス圧になるように窒素ガスが坩堝10および反応容器20の空間24に充填される。また、GaN結晶が図23に示すフローチャートに従って製造される場合も、GaN結晶の結晶成長が終了すると、融液凝集部90Aに溜まったアルカリ金属融液290は、上述した方法によって、反応容器20の融液溜め部23へ気相輸送によって移動される。図11に示す金属Na6の仕込み方法が用いられる場合、図24に示すフローチャートに従ってGaN結晶が製造される。図24に示すフローチャートは、図12に示すフローチャートのステップS3、ステップS8、ステップS10およびステップS12を削除したものであり、その他は、図12に示すフローチャートと同じである。この場合、ステップS4において、図9に示す領域REG2に含まれる窒素ガス圧になるように窒素ガスが坩堝10および反応容器20の空間24に充填される。また、GaN結晶が図24に示すフローチャートに従って製造される場合も、GaN結晶の結晶成長が終了すると、融液凝集部90Aに溜まったアルカリ金属融液290は、上述した方法によって、反応容器20の融液溜め部23へ気相輸送によって移動される。図13に示す金属Na6の仕込み方法が用いられる場合、図25に示すフローチャートに従ってGaN結晶が製造される。図25に示すフローチャートは、図14に示すフローチャートのステップS3、ステップS8、ステップS10およびステップS12を削除したものであり、その他は、図14に示すフローチャートと同じである。この場合、ステップS4において、図9に示す領域REG2に含まれる窒素ガス圧になるように窒素ガスが坩堝10および反応容器20の空間24に充填される。また、GaN結晶が図25に示すフローチャートに従って製造される場合も、GaN結晶の結晶成長が終了すると、融液凝集部90Aに溜まったアルカリ金属融液290は、上述した方法によって、反応容器20の融液溜め部23へ気相輸送によって移動される。実施の形態3による結晶製造装置は、図26に示す結晶製造装置100Dであってもよい。図26は、実施の形態3による結晶製造装置の他の概略断面図である。図26を参照して、結晶製造装置100Dは、図22に示す結晶製造装置100Cの反応容器20を反応容器300に代え、加熱/冷却器70を加熱/冷却器70Aに代え、温度センサー71を温度センサー71Aに代え、温度制御装置260Bを温度制御装置260Cに代え、配管310、容器320、加熱装置330および温度センサー331を追加したものであり、その他は、結晶製造装置100Cと同じである。反応容器300、加熱/冷却器70A、温度センサー71A、配管310、容器320、加熱装置330および温度センサー331については、上述したとおりである。温度制御装置260Cは、温度センサー331から温度T6を受け、その受けた温度T6に基づいて、配管310の温度を800°C=結晶成長温度に設定するための制御信号CTL6を生成して加熱装置330へ出力する。温度制御装置260Cは、その他、温度制御装置260Bと同じ機能を果たす。結晶製造装置100DにおいてGaN結晶の結晶成長が行なわれる場合、1アルカリ金属融液280,290を生成するための金属Naを容器320のみに仕込む、2アルカリ金属融液280,290を生成するための金属Naを融液凝集部90Aおよび容器320に仕込む、3アルカリ金属融液280,290を生成するための金属Naを融液凝集部90Aのみに仕込む、のいずれかが用いられる。上記の1が用いられる場合、図23に示すフローチャートに従って結晶製造装置100DにおいてGaN結晶の結晶成長が行なわれる。また、上記の2が用いられる場合、図24に示すフローチャートに従って結晶製造装置100DにおいてGaN結晶の結晶成長が行なわれる。さらに、上記の3が用いられる場合、図25に示すフローチャートに従って結晶製造装置100DにおいてGaN結晶の結晶成長が行なわれる。そして、図23に示すフローチャート、図24に示すフローチャートおよび図25に示すフローチャートのいずれかに従ってGaN結晶の結晶成長が行なわれる場合、容器320に保持されたアルカリ金属融液280から蒸発する金属Naの蒸気圧PNaが混合融液270から蒸発する金属Naの蒸気圧PNa-Gaに略一致するように、加熱/冷却器70Aは、容器320を蒸発抑制温度Tevcに加熱する。このように、実施の形態3においては、混合融液270から蒸発する金属Naの蒸気圧PNa-Gaに略一致する蒸気圧PNaを有するアルカリ金属融液280は、反応容器300内に保持される必要はなく、反応容器300外に保持されていてもよい。この場合、反応容器300の空間24と容器320の空間とを連通する配管310は、加熱装置330によって、結晶成長温度、一般的には、金属Na蒸気が凝集しない温度に加熱される。配管310の温度が、金属Na蒸気が凝集する温度に設定されていると、空間24内の金属Naが配管310の内壁に凝集し、混合融液270からの金属Naの蒸発が増加し、混合融液270中の金属Naと金属Gaとの混合比の変動が大きくなるので、これを防止するために、配管310の温度を金属Na蒸気が凝集しない温度に設定することにしたものである。また、結晶製造装置100Dを用いてGaN結晶を製造する場合も、GaN結晶の結晶成長が終了すると、融液凝集部90Aに保持されたアルカリ金属融液290は、上述した方法によって、容器320内へ気相輸送される。その他は、結晶製造装置100Cと同じである。上述したように、実施の形態3においては、混合融液270から蒸発する金属Naの蒸気圧PNa-Gaをアルカリ金属融液280から蒸発する金属Naの蒸気圧PNaに略一致させて自発核発生によってGaN結晶が製造される。したがって、実施の形態3によれば、混合融液270中の金属Naと金属Gaとの混合比の変動を抑制して自発核発生によってGaN結晶を製造できる。なお、加熱/冷却器70,80および温度制御装置260Bは、制御手段を構成する。また、加熱/冷却器70,80を制御する温度制御装置260Bは、制御装置を構成する。さらに、加熱/冷却器70A,80および温度制御装置260Cは、制御手段を構成する。さらに、加熱/冷却器70A,80を制御する温度制御装置260Cは、制御装置を構成する。その他は、実施の形態1と同じである。[実施の形態4]図27は、実施の形態4による結晶製造装置の概略断面図である。図27を参照して、実施の形態4による結晶製造装置100Eは、図22に示す結晶製造装置100Cの加熱/冷却器70,80をそれぞれ加熱/冷却器70B,80Aに代えたものであり、その他は、結晶製造装置100Cと同じである。加熱/冷却器70B,80Aについては、実施の形態2において説明したとおりである。結晶製造装置100Eを用いてGaN結晶を製造する場合、図18に示す金属Na6の仕込み方法および図20に示す金属Na6の仕込み方法のいずれかの仕込み方法が用いられる。図28および図29は、それぞれ、GaN結晶の製造方法を説明するための実施の形態4における第1および第2のフローチャートである。図18に示す金属Na6の仕込み方法が用いられる場合、図28に示すフローチャートに従ってGaN結晶が製造される。図28に示すフローチャートは、図19に示すフローチャートのステップS3、ステップS8、ステップS10およびステップS12を削除したものであり、その他は、図19に示すフローチャートと同じである。この場合、ステップS4において、図9に示す領域REG2に含まれる窒素ガス圧になるように窒素ガスが坩堝10および反応容器20の空間24に充填される。また、GaN結晶が図28に示すフローチャートに従って製造される場合も、GaN結晶の結晶成長が終了すると、融液凝集部90Aに溜まったアルカリ金属融液290は、上述した方法によって、反応容器20の融液溜め部23へ気相輸送によって移動される。図20に示す金属Na6の仕込み方法が用いられる場合、図29に示すフローチャートに従ってGaN結晶が製造される。図29に示すフローチャートは、図21に示すフローチャートのステップS3、ステップS8、ステップS10およびステップS12を削除したものであり、その他は、図21に示すフローチャートと同じである。この場合、ステップS4において、図9に示す領域REG2に含まれる窒素ガス圧になるように窒素ガスが坩堝10および反応容器20の空間24に充填される。また、GaN結晶が図29に示すフローチャートに従って製造される場合も、GaN結晶の結晶成長が終了すると、融液凝集部90Aに溜まったアルカリ金属融液290は、上述した方法によって、反応容器20の融液溜め部23へ気相輸送によって移動される。金属Na6を融液凝集部90Aのみに仕込んでおくことによって、混合融液270が800°Cに昇温され、アルカリ金属融液290が蒸発抑制温度Tevcに昇温され、融液溜め部23が蒸発促進温度Tevに昇温される過程において、混合融液270から蒸発して他の部分にアルカリ金属融液として溜まる金属Naの量を減少させることができ、混合融液270中における金属Naと金属Gaとの混合比の変動をさらに抑制できる。なお、実施の形態4においては、結晶製造装置100から結晶製造装置100Aへの変更と同じ変更を結晶製造装置100Eに加えてもよい。この場合、次の2つのパターンによってGaN結晶が製造される。第1のパターンは、金属Na6を容器320に仕込み、加熱/冷却器70Aによって容器320を蒸発促進温度Tevに加熱し、加熱/冷却器80Aによって融液凝集部90Aを蒸発抑制温度Tevcに加熱して容器320に仕込んだ金属Na6をガス供給管90の融液凝集部90Aへ気相輸送させてGaN結晶を製造し、GaN結晶の製造後、加熱/冷却器70Aによって容器320を凝集温度Tcohに冷却し、加熱/冷却器80Aによって融液凝集部90Aを蒸発促進温度Tevに加熱してアルカリ金属融液290を容器320へ気相輸送して次回のGaN結晶の製造の準備を行なうパターンである。また、第2のパターンは、金属Na6をガス供給管90の融液凝集部90Aに仕込み、加熱/冷却器70Aによって容器320を蒸発促進温度Tevに加熱し、加熱/冷却器80Aによって融液凝集部90Aを蒸発抑制温度Tevcに加熱してGaN結晶を製造し、GaN結晶の製造後、加熱/冷却器70Aによって容器320を凝集温度Tcohに冷却し、加熱/冷却器80Aによって融液凝集部90Aを蒸発促進温度Tevに加熱してアルカリ金属融液290を容器320へ気相輸送して次回のGaN結晶の製造の準備を行なうパターンである。その他は、実施の形態1,3と同じである。上述した実施の形態1から実施の形態4においては、反応容器20の融液溜め部23に保持されたアルカリ金属融液280の温度および/またはガス供給管90の融液凝集部90Aに保持されたアルカリ金属融液290の温度を加熱/冷却器70,70Bおよび/または加熱/冷却器80,80Aによってアルカリ金属融液280および/またはアルカリ金属融液290から蒸発する金属Naの蒸気圧PNaが混合融液270から蒸発する金属Naの蒸気圧PNa-Gaに略一致する蒸発抑制温度Tevcに制御することによって混合融液270中の金属Naと金属Gaとの混合比の変動を抑制することを説明した。また、上述した実施の形態1から実施の形態4においては、反応容器300外の容器320に保持されたアルカリ金属融液280の温度および/またはガス供給管90の融液凝集部90Aに保持されたアルカリ金属融液290の温度を加熱/冷却器70Aおよび/または加熱/冷却器80,80Aによってアルカリ金属融液280および/またはアルカリ金属融液290から蒸発する金属Naの蒸気圧PNaが混合融液270から蒸発する金属Naの蒸気圧PNa-Gaに略一致する蒸発抑制温度Tevcに制御することによって混合融液270中の金属Naと金属Gaとの混合比の変動を抑制することを説明した。この発明による結晶製造装置は、上述した2つのアルカリ金属融液280,290の少なくとも一方のアルカリ金属融液の温度をアルカリ金属から蒸発するアルカリ金属の蒸気圧が混合融液から蒸発するアルカリ金属の蒸気圧に略一致する蒸発抑制温度に制御してGaN結晶を製造するものに限らず、一般的には、アルカリ金属とIII族金属とを含む混合融液からのアルカリ金属の蒸発を抑制するように第1のアルカリ金属融液の温度および/または第2のアルカリ金属融液の温度を制御する制御手段を備えてIII族窒化物結晶を製造するものであればよい。また、上述した実施の形態1から実施の形態4においては、結晶成長温度は、800°Cであると説明したが、この発明においては、これに限らず、結晶成長温度は、実施の形態1,2においては、図9に示す領域REG3に含まれる結晶成長温度であればよく、実施の形態3,4においては、図9に示す領域REG2に含まれる結晶成長温度であればよい。また、窒素ガス圧力は、実施の形態1,2においては、図9に示す領域REG3に含まれる圧力であればよく、実施の形態3,4においては、図9に示す領域REG2に含まれる圧力であればよい。さらに、実施の形態1または実施の形態2による結晶製造装置は、結晶製造装置100,100A,100Bから振動印加装置230、上下機構240および振動検出装置250を削除したものであってもよい。この場合、種結晶5は、上下方向へ移動されないが、坩堝10内に入れられた金属Naおよび金属Gaが融けた状態で混合融液270に接触するように支持装置40によって支持される。したがって、GaN結晶は、混合融液270中の金属Naと金属Gaとの混合比の変動が抑制された状態で種結晶5から成長する。その結果、大きいサイズのGaN結晶を製造できる。さらに、実施の形態1または実施の形態2による結晶製造装置は、結晶製造装置100,100A,100Bから配管180、熱電対190、ガス供給管200、流量計210およびガスボンベ220を削除したものであってもよい。この場合、種結晶5の温度T5は、GaN結晶の結晶成長中、混合融液270の温度よりも低温に制御されないが、種結晶5は、支持装置40によって混合融液270に接触されるので、GaN結晶は、混合融液270中の金属Naと金属Gaとの混合比の変動が抑制された状態で種結晶5から成長する。その結果、大きなサイズのGaN結晶を製造できる。さらに、実施の形態1または実施の形態2による結晶製造装置は、結晶製造装置100,100A,100Bから配管180、熱電対190、ガス供給管200、流量計210、ガスボンベ220、振動印加装置230、上下機構240および振動検出装置250を削除したものであってもよい。この場合、種結晶5は、上下方向へ移動されず、種結晶5の温度T5は、混合融液270の温度よりも低い温度に制御されないが、坩堝10内に入れられた金属Naおよび金属Gaが融けた状態で混合融液270に接触するように支持装置40によって支持される。したがって、GaN結晶は、混合融液270中の金属Naと金属Gaとの混合比の変動が抑制された状態で種結晶5から成長する。その結果、大きいサイズのGaN結晶を製造できる。さらに、上記においては、Arガス雰囲気中で金属Naおよび金属Gaを坩堝10に入れ、Arガス雰囲気中で金属Naを融液溜め部23および/または融液凝集部90Aに入れると説明したが、この発明においては、これに限らず、He、NeおよびKr等のArガス以外のガスまたは窒素ガス雰囲気中で金属Naおよび金属Gaを坩堝10に入れ、金属Naを融液溜め部23および/または融液凝集部90Aに入れてもよく、一般的には、不活性ガスまたは窒素ガス雰囲気中で金属Naおよび金属Gaを坩堝10に入れ、金属Naを融液溜め部23および/または融液凝集部90Aに入れればよい。そして、この場合、不活性ガスまたは窒素ガスは、水分量が1ppm以下であり、かつ、酸素量が1ppm以下である。さらに、金属Gaと混合する金属は、Naであると説明したが、この発明においては、これに限らず、リチウムLiおよびカリウムK等のアルカリ金属、またはマグネシウムMg、カルシウムCaおよびストロンチウムSr等のアルカリ土類金属を金属Gaと混合して混合融液270を生成してもよい。そして、これらのアルカリ金属が溶けたものは、アルカリ金属融液を構成し、これらのアルカリ土類金属が溶けたものは、アルカリ土類金属融液を構成する。さらに、窒素ガスに代えて、アジ化ナトリウムおよびアンモニア等の窒素を構成元素に含む化合物を用いてもよい。そして、これらの化合物は、窒素原料ガスを構成する。さらに、Gaに代えて、ボロンB、アルミニウムAlおよびインジウムIn等のIII族金属を用いてもよい。したがって、この発明による結晶製造装置または製造方法は、一般的には、アルカリ金属またはアルカリ土類金属とIII族金属ボロンを含むとの混合融液を用いてIII族窒化物結晶を製造するものであればよい。そして、この発明による結晶製造装置または製造方法を用いて製造したIII族窒化物結晶は、発光ダイオード、半導体レーザ、フォトダイオードおよびトランジスタ等のIII族窒化物半導体デバイスの作製に用いられる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"