基板と、当該基板の上に形成され窒化物半導体からなるバッファ層と、当該バッファ層の上に形成され窒化物半導体からなりかつ動作時にキャリアが流れるキャリア層と、を具備する半導体装置であって、前記バッファ層は、膜厚方向において、不純物を含む第1の領域と、当該第1の領域と前記キャリア層との間に形成され、c軸格子定数が前記膜厚方向における前記第1の領域から前記キャリア層の間において極大値をとる第2の領域と、を少なくとも具備することを特徴とする半導体装置。前記バッファ層は、膜厚方向において、前記第2の領域と前記第1の領域との間に、前記第2の領域よりもc軸格子定数が小さな領域を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記バッファ層は、膜厚方向において、前記第2の領域と前記キャリア層との間に、前記第2の領域よりもc軸格子定数が小さな領域を備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。前記バッファ層及び前記キャリア層を構成する材料は、いずれもBxAlyInzGa1-x-y-zN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz≦1で表される組成を具備することを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載の半導体装置。前記第1の領域は、GaNとAlNとが交互に複数層積層された構造を具備することを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の半導体装置。前記第2の領域は、前記キャリア層よりも高い不純物濃度を有することを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載の半導体装置。ところが、例えばHEMTの場合には、電気伝導を補償するためにバッファ層に不純物が添加された場合、その上のキャリア層等の結晶成長時等に、今度はその不純物がキャリア層に拡散することがある。キャリア層は本来不純物が添加されない層であり、この不純物はHEMTの動作において悪影響を与える。例えば、2次元電子ガス層が形成される箇所にこの不純物が拡散した場合、これによって電子移動度が低下する。HEMT以外においても、キャリア層に拡散したこの不純物がそのデバイスの動作に影響を与えることは明らかである。すなわち、窒化物半導体からなるバッファ層/キャリア層が基板上に形成された積層構造を有する半導体装置において、バッファ層からキャリア層への不純物拡散による悪影響を排除することは困難であった。本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決する発明を提供することを目的とする。本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。本発明の半導体装置は、基板と、当該基板の上に形成され窒化物半導体からなるバッファ層と、当該バッファ層の上に形成され窒化物半導体からなりかつ動作時にキャリアが流れるキャリア層と、を具備する半導体装置であって、前記バッファ層は、膜厚方向において、不純物を含む第1の領域と、当該第1の領域と前記キャリア層との間に形成され、c軸格子定数が前記膜厚方向における前記第1の領域から前記キャリア層の間において極大値をとる第2の領域と、を少なくとも具備することを特徴とする。本発明の半導体装置において、前記バッファ層は、膜厚方向において、前記第2の領域と前記第1の領域との間に、前記第2の領域よりもc軸格子定数が小さな領域を備えることを特徴とする。本発明の半導体装置において、前記バッファ層は、膜厚方向において、前記第2の領域と前記キャリア層との間に、前記第2の領域よりもc軸格子定数が小さな領域を備えることを特徴とする。本発明の半導体装置において、前記バッファ層及び前記キャリア層を構成する材料は、いずれもBxAlyInzGa1-x-y-zN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz≦1で表される組成を具備することを特徴とする。本発明の半導体装置において、前記第1の領域は、GaNとAlNとが交互に複数層積層された構造を具備することを特徴とする。本発明の半導体装置において、前記第2の領域は、前記キャリア層よりも高い不純物濃度を有することを特徴とする。本発明は以上のように構成されているので、窒化物半導体からなるバッファ層/キャリア層が基板上に形成された積層構造を有する半導体装置において、バッファ層からキャリア層への不純物拡散による悪影響を排除することができる。以下、本発明の実施の形態となる半導体装置につき説明する。この半導体装置においては、基板上に能動層窒化物半導体層がヘテロエピタキシャル成長によって形成されている。能動層には、動作時においてキャリアが走行するキャリア層が含まれる。基板とキャリア層との間には、これらの間の格子不整合を緩和するバッファ層が挿入されている。バッファ層には、意図的にドーピングされた層と意図的にドーピングされない層が含まれる。この半導体装置におけるバッファ層と能動層キャリア層は、いずれも窒化物半導体で構成され、どの層も六方晶系の結晶型をもち、そのc軸方向が結晶成長の方向となっている。これらの層を構成する半導体は、組成が一般式BxAlyInzGa1-x-y-zN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、xyz≦1で表される混晶材料である。この混晶材料の基本材料となるBN、AlN、InN、GaNのc軸方向とa軸方向の格子定数の関係をグラフにして図1に示す。図1に示された関係において、a軸格子定数a軸方向の格子定数:以下同様とc軸格子定数には決まった相関関係はなく、例えばa軸格子定数とc軸格子定数が比例関係にはないことが明らかである。また、周知のベガード則により、これらの材料の混晶であるBxAlyInzGa1-x-y-zNの格子定数は、図1の値からその組成比x、y、zに応じた比例配分によって決まる値となる。この場合、a軸方向とc軸方向における結晶格子の格子定数はx、y、zによって定まるが、c軸方向の格子定数とa軸方向の格子定数を、それぞれ独立に制御することが可能である。本実施の形態に係る半導体装置10の断面構造を図2左に示す。この半導体装置10はHEMTであり、基板11上にバッファ層20、キャリア層30が順次形成された構成を具備する。実際のHEMTにおいては、キャリア層30の上にバリア層電子供給層やソース電極、ゲート電極、ドレイン電極等が形成されているが、これらの一般的な構成は従来より知られるものと同様であるため、その記載を省略している。また、バッファ層20、キャリア層30は、いずれも周知のMOCVD法等によって基板11上に成長させることができる。バリア層についても同様である。周知のように、キャリア層30とその上部のバリア層との界面のキャリア層側に2次元電子ガスが形成され、キャリアとなる電子がソース電極、ドレイン電極の間を流れる。2次元電子ガスを介して流れる電流のオンオフがゲート電極に印加された電圧によって制御される。バリア層やこれらの電極は、通常知られるものと同様であるため、図2においてはこれらの記載は省略されている。基板11は、シリコンSiの単結晶基板である。基板11の上にバッファ層20を介して良質のキャリア層30窒化物半導体層がその膜厚方向をc軸方向としてヘテロエピタキシャル成長できるように、基板11の成長面の面方位は適宜設定される。キャリア層30は、例えばノンドープのGaN層である。基板11上におけるその膜厚方向はc軸方向となる。キャリア層30は、半導体装置10の動作に直接寄与する層であり、HEMTにおいては電子走行層となる。なお、記載を省略しているが、例えばキャリア層30電子走行層の上のバリア層電子供給層は、キャリア層よりもa軸格子定数が小さくバンドギャップが大きな、例えばAlaGa1-aN0<a≦1とすることができる。キャリア層30電子走行層はノンドープであるため、HEMTにおいては、バリア層とのヘテロ界面付近に形成された2次元電子ガス以外では電子又はホールによる電流は本来は流れにくい。キャリア層30中の不純物は、2次元電子ガスの散乱源となりうるため、キャリア層30には不純物は添加されないことが好ましい。また、キャリア層30に他の層から不純物が拡散した場合、この不純物が拡散した箇所においては、この不純物に応じたキャリアが発生し、導電性を示すこともある。これは、HEMTの動作においてはオフ時のリーク電流等として観測され、そのスイッチング動作上は好ましくない。なお、要求されるHEMTの特性に応じ、キャリア層30をGaN以外の材料前記のBxAlyInzGa1-x-y-zNとすることができる。前記の理由により、いずれの材料を用いた場合においても、不純物は添加されないことが好ましい。ダイヤモンド構造の結晶型をもつ基板11Siとキャリア層30GaNでは、結晶型、格子定数とも整合していないため、基板11とキャリア層30との間の格子不整合を緩和し、キャリア層30の結晶性を高めるために、基板11とキャリア層30との間にバッファ層20が設けられている。バッファ層20の構成を図2右側に示す。ここで、図2右側の構成の下側に基板11が位置し、その上側にキャリア層30が位置する。このバッファ層20における最下部には超格子層第1の領域21が配され、その上には拡散防止下部層22、拡散防止層第2の領域23、拡散防止上部層24が順次形成されている。ここで、超格子層21は、特許文献1等に記載のものと同様である。すなわち、薄いAlN層211上記の組成におけるx=z=0、y=1とGaN層212同じくx=y=z=0とが交互に複数層積層されており、超格子層21によって、基板11上にキャリア層30まで形成されたウェハにおける反りやキャリア層30における結晶欠陥が抑制される。AlN層211、GaN層212のそれぞれの単層の厚さは1~30nm程度である。AlN層211、GaN層212の層の積層数は例えばそれぞれ4~50層程度であるが、AlN層211、GaN層212のそれぞれの厚さや積層数はキャリア層30、あるいは能動層全体の組成や厚さによって適宜設定される。このHEMTのリーク電流を抑制するためには、超格子層21には絶縁性高い抵抗率が要求される。しかしながら、窒化物半導体のHEMTにおける電子走行層とバリア層の界面と同様に、AlN層211とGaN層212の界面においては導電性の不純物が存在しない場合においても、ピエゾ効果によってキャリア電子が発生する。すなわち、超格子層21に導電性の不純物を意図的にドーピングしない場合でも、通常は超格子層21はn型の導電性となる。このため、超格子層21における絶縁性を確保するためには、こうした意図的なドーピングなしに発生したキャリアを補償するためのMg等のp型の不純物アクセプタやカーボンC等の不純物が添加される。その添加濃度は、最終的にHEMTが製造された時点において超格子層21の絶縁性が確保できる程度となるように適宜設定される。すなわち、超格子層21第1の領域の絶縁性を確保するためには、超格子層21には、不純物が意図的にドーピングされる。超格子層21の上には、拡散防止下部層22を挟んで拡散防止層第2の領域23が形成されている。拡散防止層23を構成する材料は、前記のBxAlyInzGa1-x-y-zNであるが、その組成x、y、zは、a軸の格子定数がその下側の拡散防止下部層22、その上側の拡散防止上部層24と整合するように、かつc軸の格子定数が、拡散防止下部層22、拡散防止上部層24よりも大きくなるような結晶構造をもつ材料とされる。すなわち、この構成により、バッファ層20の膜厚方向において、c軸格子定数が拡散防止層23において極大値をとるように設定されている。拡散防止層23、拡散防止下部層22、拡散防止上部層24の組成の設定は、図1の特性より、ベガード則によって行うことができる。また、拡散防止下部層22、拡散防止層23、拡散防止上部層24はノンドープとされることが好ましい。超格子層21の上に形成される拡散防止下部層22は、a軸、c軸の格子定数が共にキャリア層30に近い結晶構造をもつ材料で構成される。また、キャリア層30と同様に、拡散防止下部層22もノンドープとされるため、その電気抵抗率は高い。拡散防止層23の上に形成される拡散防止上部層24は、前記の拡散防止下部層22と同様の材料で構成される。すなわち、a軸、c軸の格子定数が共にキャリア層30に近いノンドープで電気抵抗率の高い材料で構成される。以上の構成において、基板11上に形成されたバッファ層20、キャリア層30中においては、バッファ層20中の超格子層21のみに意図的に不純物がドーピングされ、他の層はノンドープである。また、バッファ層20、キャリア層30を構成する材料はいずれもBxAlyInzGa1-x-y-zNであり、同一の結晶型をもち、格子定数のみが異なる。ここで、バッファ層20、キャリア層30中におけるBxAlyInzGa1-x-y-zNのc軸方向がそれぞれの層の膜厚方向であり、a軸は成長層の面内方向膜厚方向と垂直な方向となる。a軸格子定数は膜厚方向にわたりほぼ一定となるのに対し、c軸格子定数は拡散防止層30で極大値をとる。上記の構造においては、前記の通り、いずれの層も絶縁性が高くされる高抵抗率である。ここで、例えばキャリア層30の成長時において、その温度が1000°C程度と高いために、その下側の超格子層21に添加された不純物Mg等が拡散することがある。前記の通り、特にキャリア層30においてはこの不純物の拡散はHEMTの動作に影響を与えるため、好ましくない。上記の構成においては、この不純物の拡散が、拡散防止層23によって抑制される。この不純物は、超格子層21から拡散防止層23までは拡散するが、拡散防止層23から他の層には拡散しにくくなる。これは、c軸格子定数膜厚方向に沿った格子定数が大きな層中においては、拡散した不純物が滞留しやすくなっているためである。上記の構造においては、c軸格子定数の厚さ方向における極大値をもつ拡散防止層23に不純物が滞留しやすくなっている。このため、拡散防止層23の存在により、キャリア層30への不純物の拡散が抑制される。あるいは、この構成により、拡散防止層23第2の領域における不純物濃度をキャリア層30よりも高くすることにより、キャリア層30の不純物濃度を低減することができる。一方、ヘテロエピタキシャル成長において、成長する層の格子不整合に大きな影響を与えるのは、その原理より、特に各層の面内方向膜厚方向と垂直な方向の格子定数であり、これはa軸の格子定数である。上記の構成においては、a軸の格子定数は、拡散防止下部層22、拡散防止層23、キャリア層30で略一定である。すなわち、これらの間で結晶成長時の格子不整合は発生しにくいため、結晶欠陥の少ないキャリア層30を得ることができる。上記のバッファ層20においては、超格子層21は、主にキャリア層30と基板11との間の格子不整合の影響キャリア層30中の結晶欠陥や反りを低減する役割を果たす。拡散防止層23は、超格子層21中にドープされた不純物がキャリア層30へ拡散することを抑制する役割を果たす。拡散防止下部層22、拡散防止上部層24は、そのc軸格子定数を拡散防止層23よりも小さくすることにより、c軸格子定数が拡散防止層23で極大値をとるように形成される。また、拡散防止下部層22、拡散防止上部層24は、c軸方向の格子定数がキャリア層30とは大きく異なる拡散防止層23と、超格子層21、キャリア層30との間のバッファとしても機能する。更に、拡散防止下部層22、拡散防止上部層24は、導電性の不純物が拡散防止層23に拡散して拡散防止層23の抵抗率が低下した際に、バッファ層20全体の絶縁性を維持することにも寄与する。このため、上記の構成においては、超格子層21バッファ層20の絶縁性を確保することができると同時に、良質のキャリア層30を得ることができる。この際、バッファ層20には不純物が添加されているものの、この不純物は、バッファ層20内、特に拡散防止層23中に滞留しやすく、キャリア層30には拡散しにくい。すなわち、基板/バッファ層/窒化物半導体層の積層構造を有する半導体装置において、バッファ層からの窒化物半導体層への不純物拡散による悪影響を排除することができる。これにより、高性能のHEMTを得ることができる。以下に、各層の具体的な組成について例示する。超格子層21は前記の通りAlN層211とGaN層212で構成されるものとし、その積層構成やドーピングについては、バリア層を含むキャリア層30以上の膜厚構成等に依存する。このため、ここでは、特に本願発明における本質的な箇所である、超格子層21よりも上側の層について例示する。また、キャリア層30としては、ノンドープGaNx=y=z=0が用いられているものとする実施例1~3は、それぞれ拡散防止層としてGaNx=y=z=0、B0.172In0.328Ga0.5Nx=0.172、y=0、z=0.328、B0.086Al0.41In0.254Ga0.25Nx=0.086、y=0.41、z=0.254を用いた場合の、拡散防止下部層、拡散防止上部層の組成例である。表1は、この場合におけるa軸方向の格子定数、c軸方向の格子定数も示しており、キャリア層となるGaNについても示している。これらの値は、図1の特性からベガード則によって算出された量である。図3aは、キャリア層を含めた各層毎のa軸格子定数を、図3bは、c軸格子定数を示している。この例から明らかなように、各層の格子不整合に大きく関連するa軸の格子定数をほぼ一致させることができ、同時に拡散防止層のc軸格子定数を厚さ方向において局所的に大きくすることができる。これにより、良質のキャリア層を得ることができ、かつ拡散防止層によってキャリア層への不純物の拡散を抑制することができる。実施例2、3の場合には拡散防止下部層、拡散防止上部層をGaNとしたが、実施例1の場合にはこれらをAl0.82In0.18Nとしている。すなわち、上記の拡散防止層を設定した場合に、これらの拡散防止下部層、拡散防止上部層を設定することにより、図3bに示されるように、厚さ方向において局所的にc軸格子定数を大きくすることができる。また、実施例2、3における拡散防止層はキャリア層よりも大きなc軸格子定数をもつが、実施例1における拡散防止層はキャリア層よりもc軸格子定数が小さい。こうした場合においても、拡散防止層よりも更にc軸格子定数が小さな拡散防止下部層、拡散防止上部層を用いることによって、拡散防止層におけるc軸格子定数を局所的に大きくすることができる。これによって、拡散防止層中に不純物を滞留させることができる。こうした構成は、混晶系であるBxAlyInzGa1-x-y-zNにおいては、x、y、zの設定によって適宜作成することができる。なお、上記の例では、拡散防止下部層と拡散防止上部層を設けていたが、拡散防止層におけるc軸格子定数を厚さ方向において局所的に大きくでき、バッファ層の絶縁性が確保でき、かつバッファ層の上に結晶性の良好なキャリア層を成長できる限りにおいて、拡散防止下部層と拡散防止上部層は必ずしも必要ではない。例えば、キャリア層のc軸格子定数が拡散防止層よりも小さな場合には、拡散防止上部層を用いないことも可能である。また、前記の超格子層第1の領域と同様に、第2の領域と第1の領域を含むバッファ層において、キャリア層の結晶欠陥や反りを抑制できる層であれば、超格子構造ではない通常のBxAlyInzGa1-x-y-zN混晶を第1の領域として用いることができる。この場合において、第1の領域のc軸格子定数が拡散防止層第2の領域よりも小さければ、拡散防止下部層を用いなくとも、c軸格子定数を拡散防止層において局所的に大きくすることができ、同様の効果を奏する。すなわち、不純物がドーピングされた第1の領域の上に設けられた拡散防止層第2の領域においてc軸格子定数を局所的に大きくできる構成とすることができれば、拡散防止下部層、拡散防止上部層は必ずしも必要ではない。また、拡散防止上部層とキャリア層との間に、よりキャリア層に近いa軸格子定数、c軸格子定数をもつ層を形成してもよい。あるいは、格子不整合に起因する各層特にキャリア層能動層の結晶欠陥が問題にならない限りにおいて、各層のa軸格子定数を厳密に一致させる必要はない。また、上記の例における拡散防止下部層、拡散防止層第2の領域、拡散防止上部層は、それぞれの層内で一定組成をもち、これらの各層がヘテロ接合された構成をもつものとした。しかしながら、不純物がドープされた第1の領域からキャリア層までの間を構成する材料が、例えば膜厚方向で組成が一定となる領域が存在しない傾斜組成をもつような構成とすることもできる。こうした場合でも、c軸格子定数がこの傾斜組成中で極大値をもつ構成であれば、同様の効果を奏することは明らかである。すなわち、膜厚方向においてc軸格子定数が第1の領域とキャリア層との間で極大値をとるような組成構成であれば同様の効果を奏し、第2の領域が必ずしも一定組成をもつ一定の厚さの層である必要はない。また、上記の例では、BxAlyInzGa1-x-y-zN混晶を用いた場合について記載したが、同様にc軸格子定数とa軸格子定数の制御が可能であり、かつ基板上にヘテロエピタキシャル成長できる材料であれば、同様に用いることができることは明らかである。また、上記の例では基板をSiで構成するとしたが、窒化物半導体をヘテロエピタキシャル成長させることができる他の単結晶材料、例えばサファイアやSiC等を基板の材料として用いることもできる。また、上記の例では、この半導体装置がHEMTである場合について記載したが、これ以外においても、能動層中におけるキャリア層をノンドープとし、キャリア層よりも下側の層に高い絶縁性が要求される半導体装置であれば、上記の構成によって同様の効果を奏することは明らかである。一般に、キャリア層の面内方向に電流を流して駆動する半導体装置例えばMESFET等であれば、こうした特性が要求されるため、上記の構成は有効である。