シリコンボードの貫通孔にシリコン貫通配線TSVを形成する方法であって、シリコンボードの貫通孔の下側を塞ぐステップであって、気体が貫通孔の下側から内部の空間へと流入するのを遮断する、塞ぐステップと、シリコンボードの貫通孔の上方真上または横に、貫通孔を後に充填するために用意される固形はんだを配置するステップと、貫通孔の内部の空間および外部の空間という両方の空間を含む空間を真空引きするステップと、配置されている固形はんだを溶融させるステップであって、溶融されたはんだでシリコンの貫通孔の上側を塞ぎ、気体が貫通孔の上側から内部の空間へと流入するのを遮断する、溶融させるステップと、真空引きされている状態を以前の状態に戻すステップであって、貫通孔の外部の空間と内部の空間との間に圧力差を生じさせて、そのことで溶融されたはんだを貫通孔の内部の空間へと導き、貫通孔の内部の空間を溶融されたはんだで充填させる、戻すステップとを有する、方法貫通孔の内部の表面に金属層薄膜のAuまたは薄膜のCuを予め堆積させるステップを有する、請求項1に記載の方法貫通孔の内部の表面に堆積される金属層薄膜のAuまたは薄膜のCuの厚さは、貫通孔において充填された内部空間を通して実質的な電気伝導が生じているという、表皮効果が現れるところの規定された厚さである請求項2に記載の方法。予め堆積される金属層の厚さは、064μm~084μmの範囲であって、貫通孔の直径は50μm以下であって、貫通孔の深さは400μm以下である、請求項3に記載の方法。貫通孔において充填された内部空間における、金属層以外の部分については、金属間化合物IMCを形成するステップをさらに有する、請求項2に記載の方法。溶融させるステップの前に、貫通孔の内部に金属Cuの微粉をスキージー等を使用して入れるステップをさらに有する、請求項5に記載の方法。予め堆積される金属層がCuであってその厚さは、1μm~9μmの範囲である、請求項6に記載の方法。請求項5に記載のシリコン貫通配線TSVを形成する方法に従って、貫通孔にシリコン貫通配線TSVが形成されたシリコンボード。請求項8に記載のシリコンボードを使用することによる、複数のシリコンボードを接合する方法であって、第1のシリコンボードを提供するステップと、第1のシリコンボードの上に、複数個のはんだバンプを提供するステップと、複数個のはんだバンプの上に、第2のシリコンボードを提供するステップと、配置されている固形はんだを溶融させるステップであって、固形はんだを溶融させるために使用された温度よりも高い特定温度を加えることによってはんだバンプを溶融させる、溶融させるステップとを有する、方法。複数のシリコンボードを有しており、複数のシリコンボードが請求項9に記載の方法に従って接合された、3次元積層体。本発明は、めっき設備や微小な金属粒子を用いることなく、シリコンボードにシリコン貫通配線TSVを形成すること、および、そのシリコンボードを複数積層して接合して、層間接続を形成することを目的とする。本発明では、溶融されたはんだそのものを用いて、シリコンボードの貫通孔を充填させる。より具体的には、シリコンボードの貫通孔の下側を塞ぎ、シリコンボードの貫通孔の上方真上または横に配置されている固形はんだを溶融させて、貫通孔の外部の空間と内部の空間との間の圧力差によって、溶融されたはんだを貫通孔の内部の空間へと導いて充填させるというものである。貫通孔の内部の表面には金属層を予め堆積させてもよいし、さらに、金属層以外の部分については、金属間化合物IMCを形成してもよい。めっきで金属を貫通孔の内部の表面に堆積させていくように時間をかけなくても、ボイドが発生して導通不良が生じないようなシリコン貫通配線TSVを形成することができる。予め堆積された金属層により、貫通孔の内部の表面の濡れ性を向上させ、高周波の信号を通し易くすることができる。後のプロセスで再溶融しないように、金属間化合物IMCを形成することで、エレクトロマイグレーションに強いものにすることができる。図1は、複数のシリコンボードが接合された3次元積層体を示す断面図である。本明細書におけるシリコンボードは、シリコンインターポーザである場合やシリコンチップである場合を含み、典型的にはボード状としてシリコン貫通配線TSVが形成できる限りにおいて、広い概念を含んだものである。通常、シリコンチップの厚さは、シリコンインターポーザの厚さよりもずっと薄い。複数のシリコンボードは、細かいピッチに配置されているはんだバンプを介して、電気的にかつ機械的に接合されている。図示されているはんだバンプは、溶融されて固形化した後のものである。複数のシリコンボードの接合には、第1のシリコンボードを提供して、その上に、複数個のはんだバンプを提供して、それら複数個のはんだバンプの上に、第2のシリコンボードを提供して、配置されている固形はんだを溶融させるというプロセスを経る。つまり、要求されている一連の全体の作製プロセスが、シリコンボードが順々に積層された構造に積みあがっていく形式である場合には、後のプロセスにおいては、それよりも前のプロセスにおいて固形はんだを溶融させるために使用された温度と同等かそれ以上の高い特定温度が加えられることになったとしても、再溶融しないことが好ましい。なぜならば、せっかく接合済みの下のシリコンボードが再溶融によって位置ずれを起こしてしまう可能性があるからである。このような耐性を備えた構造は、エレクトロマイグレーションに強い構造と呼ばれている。図2は、本発明に従った、溶融されたはんだそのものを用いてシリコンボードの貫通孔にシリコン貫通配線TSVを形成する方法を示す模式図である。図2のaに示すように、まず、シリコンボードの貫通孔の下側を塞ぐ。塞ぐ方法は、図1に示したようなI/Oパッドや、溶融済みのはんだバンプで塞がれていればよく、必要となる条件は、気体が貫通孔の下側から内部の空間へと流入するのを遮断することにある。また、図2のaに示すように、シリコンボードの貫通孔の上方真上または横に、貫通孔を後に充填するために用意される固形はんだが配置される。固形はんだの形状は、板状である場合もあるし、球状である場合もある。この状態で、図2のaに示すように、貫通孔の内部の空間および外部の空間という両方の空間を含む空間を真空引きする。固形はんだが貫通孔の真上に覆い被さった状態になっていると貫通孔の内部の空間が真空引きされないのではないかと心配する必要はない。なぜならば、実際の固形はんだの表面には無数の凸凹があるため、貫通孔の内部の空間と外部の空間とには隙間があるためである。当業者であれば、貫通孔の内部の空間および外部の空間という両方の空間を真空引きできるようにするための様々な工夫をすることができるであろう。貫通孔の外部の空間と内部の空間との間に圧力差を生じさせるためのプロセスである限りにおいて、真空引きするという用語の意義は広く解釈されるべきである。次に、図2のbに示すように、空間が真空引きされた状態にあるところで、はんだを溶融させる。例えば、260度以上といった固形はんだの融点はんだの組成によっては300度以上の場合もあるまで加熱する。雰囲気温度の全体を加熱する方法もあるであろうし、固形はんだだけに技術的に可能である限り、集中的に熱を加える方法もあるであろう。すると、配置されている固形はんだは溶融し、溶融されたはんだは隙間の無い連続体として流動するので、溶融されたはんだでシリコンの貫通孔の上側が塞がれる。このことによって、気体が貫通孔の上側から内部の空間へと流入するのが遮断される。最後に、図2のcに示すように、真空引きされている状態を以前の状態すなわち、図2のaに戻す。すると、貫通孔の外部の空間は以前の状態と同じ雰囲気圧力になるため、貫通孔の外部の空間と内部の空間との間に圧力差が生じる。この圧力差によって溶融されたはんだは隙間の無い連続体として流動して、貫通孔の内部の空間へと導かれ、貫通孔の内部の空間は溶融されたはんだで充填される。図3は、本発明に従った、シリコンボードの貫通孔の内部の表面に金属層を堆積させた構造および金属層以外の部分については金属間化合物IMCを形成させた構造について説明する図である。図3のaは、貫通孔の内部の空間に金属間化合物IMCを形成するプロセスを模式的に示している。まず、図3のa1において、貫通孔の内部の表面に金属層が堆積される。堆積の方法としては、図6で説明したような従来技術のめっき工程などであってよい。例えば、次のプロセスにおける濡れ性他の金属との親和性などを考慮すると、薄膜の金Auなどは、優れた材料として挙げることができる。薄膜の銅Cuであってもよい。次に、図3のa2において、貫通孔の内部の表面に堆積させた金属層以外の部分については、異種の金属例えば、はんだが充填される。図3のa3において、貫通孔の内部の空間に金属間化合物IMCが形成される図3のbは、金属層にはCuを用いて、それ以外の部分については、はんだ組成はCuおよびSnを主成分とするものを用いた場合に、形成された金属間化合物IMCの分布を示す図である。Pt1の箇所は純粋な金属層を形成しているが、それ以外の部分におけるPt2の箇所においてはCuとSnというはんだが充填されて境界が形成されている。さらに内側であるPt3やPt4の箇所では、NiやAuという金属の組成が含まれるに至っている。これは、図2で説明したようにして、シリコンボードの貫通孔の上方真上または横において、固形はんだが溶融されて、貫通孔の内部の空間へ導かれて貫通孔を充填していく過程で、シリコンボードの貫通孔の上方真上または横に実装されている配線の金属等を引き連れてきたためであると考えられる。図3のcは、金属間化合物IMCの融点が変化することを示すCu-Sn系の状態図である。CuおよびSnが組成の主成分になっている限りにおいて、この平衡状態に従った相が現れることを期待できる。矢印で示したところの2箇所の組成割合の2つの相において、金属間化合物IMCとして融点が上昇したものが形成され、後のプロセスで再溶融しないようにすることができる。図3のbにおける実験条件は、貫通孔の直径は5μm以下であり、このような場合についても適用できることが確認できている。貫通孔の直径が小さいほど、本発明の手法が有利に働くものと考えられる。図4は、本発明に従った、金属層の表皮効果について説明する図である。シリコン貫通配線TSVの断面図1~図3の上から見たものに相当を模式的に示すと、貫通孔の内部の表面貫通孔の外周部に近い厚さの部分には純粋な金属層が形成されているが、金属層以外の部分については、金属間化合物IMCまたは、それに近い状態が形成されていることになる。一般的に、純粋な金属に比較して、金属間化合物IMCの電気伝導度が劣ることは知られている。一方で、電気伝導性の良好な金属は希少である場合も多く、Auなどは高価な金属である。この点、表皮効果が現れてくる、表皮深さを考慮する意味は大きい。貫通孔において充填された内部空間を通して実質的な電気伝導が生じているのはこの厚さ分だけであるので、予め堆積させるべき適切な金属層の厚さを考慮することができるからである。要求されているところの製品の仕様やアーキテクチャ以上にオーバースペックに余分な材料を費やすという無駄を省くことができる。表皮効果による表皮深さは、高周波になればなるほど薄くなることが知られており、10GHzほどの高周波にもなると、代表的な電気伝導性の良好な材料である、銅、銀、金、アルミニウムでは、064μm~084μmの範囲にわたって現れる。図5は、貫通孔の内部に金属Cuの微粉を入れるプロセスを説明するイメージ図である。これは、金属間化合物IMCをできるだけ広範囲にかつ確実に形成させたい場合に有効なプロセスであり、予め堆積される金属層がCuであってその厚さが厚目に設定されている場合、例えばその厚さが1μm~9μmの範囲にまで及んでいる場合において、Cuを貫通孔の中で効果的に混ぜ合わせることができる。はんだを溶融させるプロセスの前に、金属Cuの微粉を貫通孔の内部の空間に入れておけば、予め堆積されている金属層が厚目に設定されているため、特に微粉と金属層とが同じ金属例えば、Cuであることの相乗効果として、効果的に金属間化合物IMCを形成することを期待できる。このような用途に利用するのであれば、図7で説明した従来技術における、微小な金属粒子を利用することも可能かもしれない。