"LEDランプの点灯ユニットであって、長尺状の回路基板に、交流電源に接続される一対の入力端子と、LEDに接続される一対の出力端子とが設けられ、前記回路基板に、前記一対の入力端子から入力された交流電力を直流電力に変換する整流平滑回路と、変換された直流電力をLED点灯用電力に変換し前記一対の出力端子から出力する、少なくともスイッチング素子を含むスイッチング回路とが設けられ、前記スイッチング素子が前記回路基板の長手方向一端側に配されるとともに、前記一対の入力端子および前記一対の出力端子が前記スイッチング素子よりも長手方向他端側に配され、前記回路基板には、前記一対の入力端子から、前記長手方向一端側に位置する前記スイッチング素子の出力側端子を介して、前記一対の出力端子までを結ぶ配線パターンが設けられ、前記スイッチング素子の出力側端子の一端とグランドとの間に、前記スイッチング素子のオンオフ動作により発生するスイッチングノイズを吸収する容量素子が接続されていることを特徴とするLEDランプの点灯ユニット。前記スイッチング回路は、さらに、ダイオードとインダクタを含み、前記ダイオードのアノードは、前記スイッチング素子の出力側端子の一端に接続され、前記ダイオードのカソードは、前記一対の出力端子の一方に接続され、前記インダクタの一端は、前記スイッチング素子の出力側端子の一端に接続され、前記インダクタの他端は、前記一対の出力端子の他方に接続され、前記容量素子の一端は、前記ダイオードのカソードに接続され、前記容量素子の他端は、前記グランドに接続されていることを特徴とする請求項1に記載のLEDランプの点灯ユニット。さらに、前記スイッチング素子のオンオフ動作により発生するスイッチングノイズを吸収する、別の容量素子を含み、前記別の容量素子の一端は前記インダクタの他端に接続され、前記別の容量素子の他端は前記グランドに接続されていることを特徴とする請求項2に記載のLEDランプの点灯ユニット。前記容量素子が、直列接続されたコンデンサと抵抗からなることを特徴とする請求項1に記載のLEDランプの点灯ユニット。請求項1に記載の点灯ユニットおよびLEDを備えるLEDランプ。前記回路基板が前記LEDランプのランプ軸に平行に配置されていることを特徴とする請求項5に記載のLEDランプ。さらに、前記点灯ユニットと電気的に接続される口金を含み、前記LEDが前記点灯ユニットを介して前記口金とは反対側に配されており、前記回路基板の前記長手方向一端側が前記LED側であり、前記長手方向他端側が前記口金側であることを特徴とする請求項6に記載のLEDランプ。ところで、LEDランプは、白熱電球、蛍光ランプ、高圧放電ランプ等の従来の照明光源の代替品として期待されており、既存の照明器具への適合率を高めるために更なる小型化が望まれている。しかしながら、LEDランプの小型化に際しては、点灯ユニット80も併せて小型化されなければならず、回路基板94上に配される素子95のレイアウトは少なからず制約を受ける。例えば、ケース93の径縮小のために回路基板94を長尺状にした上で、制御回路85図11とスイッチング素子87とが収容された半導体チップを、回路基板94の長手方向一端側に配し、入力端子88および出力端子89を、半導体チップよりも長手方向他端側に配さざるを得ない場合が起こり得る。この場合、入力端子88から出力端子89に電流を流すために回路基板94に設けられる配線パターンは、長手方向他端側からスイッチング素子87が配された長手方向一端側に向かって延び、スイッチング素子の出力側端子を介して再び長手方向他端側に戻ってくるように設けられる必要がある。そうすると、スイッチング素子87へ向けて電流を流す配線パターンと、スイッチング素子87からの電流を流す配線パターンとが近接して並走する区間が生じる。ここで、入力端子88と出力端子89とを結ぶ電路には、スイッチング素子87のオンオフ動作によりスイッチングノイズが発生する。スイッチングノイズは上記電路における電圧変動として現れ、この電圧変動が上記の近接する配線パターン間に存在する寄生容量の容量結合により更なるノイズいわゆる静電誘導ノイズを発生させる。これらのノイズは、電源側へ伝わる伝導ノイズや、空間へ輻射される輻射ノイズの原因となる。本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので、小型化に伴って増大するノイズを低減することが可能なLEDランプの点灯ユニットおよびそれを備えるLEDランプを提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明に係るLEDランプの点灯ユニットは、長尺状の回路基板に、交流電源に接続される一対の入力端子と、LEDに接続される一対の出力端子とが設けられ、前記回路基板に、前記一対の入力端子から入力された交流電力を直流電力に変換する整流平滑回路と、変換された直流電力をLED点灯用電力に変換し前記一対の出力端子から出力する、少なくともスイッチング素子を含むスイッチング回路とが設けられ、前記スイッチング素子が前記回路基板の長手方向一端側に配されるとともに、前記一対の入力端子および前記一対の出力端子が前記スイッチング素子よりも長手方向他端側に配され、前記回路基板には、前記一対の入力端子から、前記長手方向一端側に位置する前記スイッチング素子の出力側端子を介して、前記一対の出力端子までを結ぶ配線パターンが設けられ、前記スイッチング素子の出力側端子の一端とグランドとの間に、前記スイッチング素子のオンオフ動作により発生するスイッチングノイズを吸収する容量素子が接続されていることを特徴とする。本発明に係るLEDランプの点灯ユニットの構成によれば、回路基板を長尺状としている。したがって、当該回路基板がLEDランプのランプ軸に平行になるように配置した場合には、LEDランプの径を縮小することができ、その結果、LEDランプの小型化を図ることが可能となる。また、長尺状の回路基板の長手方向一端側にスイッチング素子が配置されるとともに、スイッチング素子よりも長手方向他端側に入力端子および出力端子が配置されるので、スイッチング素子へ向けて電流を流す配線パターンと、スイッチング素子から電流を流す配線パターンとが近接して並走する区間が生じる。しかしながら、スイッチング素子の出力端子の一端とグランドとの間に、そのオンオフ動作により発生するスイッチングノイズを吸収する容量素子が接続されていることにより、入力端子と出力端子とを結ぶ電路における電圧変動の原因となるスイッチングノイズを取り除くことができる。ここで、回路基板が長尺状であるとは、回路基板が長辺と短辺を有する形状であることを指し、回路基板は必ずしも矩形状である必要はない。以上説明したように、小型化に伴って増大するノイズを低減することが可能なLEDランプの点灯ユニットおよびそれを備えるLEDランプを提供することが可能となる。本発明を実施するための形態を、図面を参照して詳細に説明する。≪第1の実施形態≫[外形]図1は、第1の実施形態に係る点灯ユニットを備えるLEDランプ1の構造を示す断面図である。LEDランプ1は、その主な構成として、LEDモジュール2,基台3,ケース4,グローブ5,点灯ユニット6,回路ホルダ7,口金8を備える。図1において、紙面上下方向に沿って描かれた一点鎖線はLEDランプ1のランプ軸J1を示しており、紙面上方がLEDランプ1の前方であって、紙面下方がLEDランプ1の後方である。LEDモジュールLEDモジュール2は、光源としてのLED9,LED9が実装された実装基板10,実装基板10上においてLED9を被覆する封止体11を備える。LEDモジュール2は、点灯ユニット6を介して口金8とは反対側に配されており、LED9の主出射方向はLEDランプ1の前方紙面上方に向けて配置されている。封止体11は、主として透光性材料からなるが、LED9から発せられた光の波長を所定の波長へと変換する必要がある場合には、前記透光性材料に光の波長を変換する波長変換材料が混入される。透光性材料としては、例えばシリコーン樹脂を利用することができ、波長変換材料としては、例えば蛍光体粒子を利用することができる。本実施形態では、青色光を出射するLED9と、青色光を黄色光に波長変換する蛍光体粒子が混入された透光性材料で形成された封止体11とが採用されており、LED9から出射された青色光の一部が封止体11によって黄色光に波長変換され、未変換の青色光と変換後の黄色光との混色により生成される白色光がLEDモジュール2から出射される。なお、LEDモジュール2は、例えば、紫外線発光のLED9と三原色赤色、緑色、青色に発光する各色蛍光体粒子とを組み合わせたものでも良い。さらに、波長変換材料として半導体、金属錯体、有機染料、顔料など、ある波長の光を吸収し、吸収した光とは異なる波長の光を発する物質を含んでいる材料を用いても良い。基台基台3は、LEDモジュール2を載置する、熱伝導性の高い材料からなる円盤状の部材であり、基台3の外周面はケース4の内周面に接している。熱伝導性の高い材料としては、例えば、Al,Ag,Au,Ni,Rh,Pdまたはそれらの内の2以上からなる合金、またはCuとAgの合金等の金属材料が考えられる。このような金属材料は、熱伝導性が良好であるため、LEDモジュール2で発生した熱をケース4に効率良く伝導させることができる。ケースケース4は、熱放射性の高い材料からなる筒状の部材であり、基台3をグローブ5側に備える。熱伝導性の高い材料としては、例えば、基台3で列挙したような金属材料を用いることができる。このようにすることで、ケース4に伝搬した熱を効率良く口金8側に伝搬させることができる。なお、ケース4の材料は、金属材料に限定されず、例えば熱伝導率の高い樹脂等であっても良い。グローブグローブ5は、LEDモジュール2を覆う部材であり、基台3とケース4とを組み合わせたときにできる溝部に嵌め込まれている。グローブ5の内面5aには、LEDモジュール2から発せられた光を拡散させる拡散処理、例えば、シリカや白色顔料等による拡散処理が施されている。グローブ5の内面5aに入射した光はグローブ5を透過しグローブ5の外部へと取り出される。点灯ユニット点灯ユニット6は、LEDを点灯させるためのものであり、回路基板12と、当該回路基板12上に配された各種の素子13,半導体チップ14とを有している。なお、図1では一部の素子にのみ符号を付している。点灯ユニット6は、回路ホルダ7内に収容されており、例えば、ねじ止め、接着、係合などにより回路ホルダ7に固定されている。点灯ユニット6と口金8とは、配線15によって電気的に接続されている。また、点灯ユニット6とLEDモジュール2とは、配線16によりコネクタ17を介して電気的に接続されている。本実施形態においては、LEDランプ1の小型化を図るため、回路基板12は長尺状であり、その主面がランプ軸J1に平行に配置している。このようにすることで、回路ホルダ7内に点灯ユニット6をよりコンパクトに格納することができるため、回路ホルダ7の径を縮小することができる。その結果、LEDランプ1の小型化を図ることが可能となる。さらに、基台3の貫通孔18内に点灯ユニット6の一部が配置されている。このようにすることで、基台3よりもグローブ5側における点灯ユニット6を収容するためのスペースの縮小が可能である。したがって、基台3と口金8との距離を縮めることができ、LEDランプ1のさらなる小型化に有利である。ここでは点灯ユニット6の外観構成のみについて説明した。点灯ユニット6の回路構成、回路基板12上における素子13および半導体チップ14のレイアウト等については、後ほど詳細に説明する。回路ホルダ回路ホルダ7はケース4内に配されており、点灯ユニット6をその内部に格納している。回路ホルダ7は、例えば、グローブ5側および口金8側が開口した略円筒形状であって、大径部30と小径部31とで構成される。グローブ5側に位置する大径部30には点灯ユニット6の大半が収容されている。一方、口金8側に位置する小径部31には口金8が外嵌されており、これによって回路ホルダ7の口金8側の開口32が塞がれている。回路ホルダ7は、例えば、樹脂などの絶縁性材料で形成されていることが好ましい。絶縁性材料としては、例えば、合成樹脂具体的には、ポリブチレンテレフタレートPBTである。を利用することができる。回路ホルダ7の大径部30は基台3の貫通孔18を貫通しており、点灯ユニット6の一部は回路ホルダ7に収容された状態で基台3の貫通孔18内に配置されている。回路ホルダ7は、基台3および実装基板10と接触しないようにLEDランプ1内に配することが望ましい。このようにすることで、LEDモジュール2で発生した熱が回路ホルダ7へ伝搬し難く、回路ホルダ7が高温になり難いため、点灯ユニット6が熱破壊し難い。口金口金8は、LEDランプ1が照明器具に取り付けられる際に、照明器具のソケットから電力を受けるための部材である。口金8の種類は、特に限定されるものではないが、本実施形態ではエジソンタイプであるE26口金が使用されている。口金8は、略円筒形状であって外周面が雄ねじとなっているシェル部33と、シェル部33に絶縁部34を介して装着されたアイレット部35とを備える。シェル部33とケース4との間には絶縁部材36が介在している。[点灯ユニット]回路構成図2は、第1の実施形態に係る点灯ユニット6の回路構成を示す回路図である。図1で説明したように、LEDランプ1はLEDモジュール2とLEDを点灯させるための点灯ユニット6からなる。LEDモジュール2は、24個のLEDを直列に接続した直列接続体を2組40[W]相当品または4組60[W]相当品並列接続したものである。LEDモジュール2は、交流電源19からスイッチング回路22を介して電力を供給されることにより、LEDを点灯させる。点灯ユニット6は、その主な構成として、整流回路20,平滑回路21,スイッチング回路22,制御回路23,パスコン回路24を備える。点灯ユニット6の入力側は入力端子26,27を介して交流電源19に、出力側は出力端子28,29を介してLEDモジュール2にそれぞれ接続されている。本実施形態における整流回路20,平滑回路21は、それぞれ、図11における整流回路82,平滑回路83と同様の動作を行う。スイッチング回路スイッチング回路22は、平滑回路21から供給される直流電力をLED9点灯用の電力に変換する、いわゆる昇降圧式のDC-DCコンバータであり、スイッチング素子25,ダイオードD1,インダクタL2を備える。ダイオードD1のアノードは半導体チップ14の16番ピンスイッチング素子25の出力側端子の一端に接続され、カソードは半導体チップ14の12番ピングランドGNDまたはスイッチング素子25の出力側端子の他端に接続されている。また、インダクタL2の一端は半導体チップ14の16番ピンスイッチング素子25の出力側端子の一端に接続され、インダクタL2の他端は出力端子28に接続されている。なお、後述するように、本実施形態においては、スイッチング素子25の出力側端子の一端はドレイン,スイッチング素子25の出力側端子の他端はソースに対応する。また、スイッチング素子25のソースはグランドGNDと接続されている。なお、DC-DCコンバータには、シングルフォワード方式,フライバック方式,プッシュプル方式,ハーフブリッジ方式,フルブリッジ方式,マグアンプ方式,降圧チョッパー方式,昇圧チョッパー方式,昇降圧チョッパー方式等がある。本実施形態では、降圧チョッパー方式が採用されているが、これ以外の方式を採用しても構わない。制御回路23は、スイッチング素子25の制御端子25gに接続される。制御回路23は、制御端子87gに信号を与えることでスイッチング素子25のオンオフ制御を行い、スイッチング回路22からの直流電圧を所望の電圧に降圧する。本実施形態においては、スイッチング素子25として電界効果トランジスタFET:FieldEffectTransistorが用いられており、制御端子87gはFETのゲートに、制御端子87gに与えられる信号はゲート電圧にそれぞれ相当する。半導体チップ半導体チップ14は、制御回路23,スイッチング素子25等が収容されたLEDドライバである。本実施形態では、半導体チップ14として、NXP社のSSL2101を利用している。半導体チップ14の3番ピンは、電源入力端子である。7番ピン、8番ピンには、抵抗R9,R10およびコンデンサC10が接続されている。これらの抵抗値および容量値を適切に設定することにより、内部の発振回路の発振周波数を設定することができる。半導体チップ14の9番ピンは、PWMリミット端子である。半導体チップ14は、スイッチング素子25をPWM制御している。PWM制御では、内部の発振回路の発振信号と外部から入力された参照信号との比較によりデューティ比が決定される。PWMリミット端子は、その参照信号を入力するためのものである。半導体チップ14では、PWMリミット端子の電圧ノードN1の電圧が低下するほど、オン時間が短くなる仕様になっている。パスコン回路パスコン回路24は容量素子であり、スイッチング素子25のオンオフ動作により発生するノイズスイッチングノイズを吸収する役割を果たす。スイッチング素子25の出力側端子の一端であるドレインとグランドGND間にコンデンサCSN1が接続されている。上述したように、スイッチング素子25のソースはグランドGNDと接続されているので、コンデンサCSN1は、スイッチング素子25の制御端子25gを除く2端子間出力側端子の一端と他端との間に、すなわち、スイッチング素子25のソース-ドレイン間に接続されていると言うこともできる。スイッチング素子25の出力側端子の一端とグランドGNDとの間に接続されているならば、コンデンサCSN1が挿入される位置はダイオードD1のアノード側、カソード側を問わない。しかしながら、発明者の鋭意検討の結果、コンデンサCSN1の一端をダイオードD1のカソードに接続し、他端をグランドGNDスイッチング素子25のソースに接続することで、効率的にスイッチングノイズを取り除くことが可能であることが分かった。この理由としては、ダイオードD1のカソード側では、電流が一方向にしか流れないためであると考えられる。このことより、コンデンサCSN1の一端をダイオードD1のカソードに出来るだけ近くなるようにすることがより好ましいと言える。コンデンサCSN1として用いるコンデンサとしては、フィルムコンデンサ,セラミックコンデンサ等の無極性のコンデンサが挙げられ、定格容量は0.001~1[μF]の範囲であることが望ましい。また、等価直列抵抗ESRの低いコンデンサを使用することが望ましい。さらに、点灯ユニットの小型化の観点からは、リードタイプよりも表面実装タイプのコンデンサを使用することが望ましい。回路基板のレイアウト図1で説明したように、本実施形態においてはLEDランプ1の小型化を図るため、点灯ユニット6の回路基板12を、その主面がランプ軸J1に平行になるように配されている。上記において、LEDモジュール2で発生した熱はケース4を介して口金8側に伝搬されると述べたが、LEDモジュール2からの熱は回路ホルダ7にも伝導するので、回路ホルダ7内の空気が熱せられる。多くの場合、LEDランプは口金8側を上側天井側にして使用されるので、回路ホルダ7内の熱せられた空気は対流により口金8側に移動する。ここで、回路基板12に配される素子のうち、熱に弱い素子、特に、熱により動作が不安定になるおそれのあるスイッチング素子25は、回路ホルダ7内における温度がさほど上昇しない領域に配されるのが望ましい。したがって、スイッチング素子25が収容されている半導体チップ14は、回路基板12の出来るだけグローブ5側LEDモジュール2側に配置することが望ましい。この点に鑑みて、本実施形態においては、図3に示すようなレイアウトで、回路基板12上に各種の素子13および半導体チップ14を配している。図3は、回路基板12のレイアウトを模式的に示す平面図である。図3a,bの各図において、紙面下方側をグローブ5側,紙面上方側を口金8側とする。なお、図3では一部の素子にのみ13の符号を付している。図3aに示すように、半導体チップ14図2が、回路基板12におけるグローブ5側の端部に配されている。このようなレイアウトにより、熱に弱いスイッチング素子25を回路基板12におけるグローブ5側に配置することができるので、スイッチング素子25への熱負荷を低減することができる。しかし、半導体チップ14をグローブ5側へ配置したのに伴って、入力端子26,27および出力端子28,29を、半導体チップ14よりも口金8側に形成する必要が生じる。回路基板12には、入力端子26からスイッチング素子25を介して出力端子28までを結ぶ電路を構成する配線パターン、および、入力端子27からスイッチング素子25を介して出力端子29までを結ぶ電路を構成する配線パターンが設けられる。このとき、入力端子26から出力端子28または入力端子27から出力端子29に電流を流すために回路基板12に設けられる配線パターンは、図3bに示す太線のように、入力端子がある口金8側からスイッチング素子25の出力側端子があるグローブ5側へ延び、そして出力側端子がある口金8側へ再び戻るように設けられなければならない。したがって、スイッチング素子25へ向けて電流を流す配線パターンと、スイッチング素子25からの電流を流す配線パターンとが近接して並走する区間Xが存在する。そうすると、スイッチング素子25を発生源とするスイッチングノイズによる電圧変動が、上記の配線パターン間に存在する寄生容量の容量結合によりさらなるノイズを発生させてしまう。しかしながら、本実施形態によれば、入力端子26,27と出力端子28,29とを結ぶ電路における電圧変動の原因となるスイッチングノイズを、パスコン回路24により取り除くことができる。したがって、LEDランプの小型化に伴って増大するノイズを低減することが可能となる。[ノイズレベル測定結果]コンデンサCSN1を設けることによるノイズ低減効果について検証する実験を行った。図4は伝導雑音端子電圧測定の結果を示す図である。図4aはコンデンサCSN1を設けない場合の測定結果であり、図4bはコンデンサCSN1を設けた場合の測定結果である。この実験では、交流電源19側へ伝導するノイズを検出している。なお、この測定実験において使用したコンデンサCSN1の定格容量は0.047[μF]である。図4a,bにおいて、横軸は周波数[MHz]、縦軸はノイズレベル[dBμV]である。また、図中の0.15~30[MHz]において示す一点鎖線は、国際無線障害特別委員会CISPRの電気照明及び類似機器の無線妨害波特性の許容値及び測定法CISPR15に基づくノイズレベルの規格値である。30~300[MHz]において示す二点鎖線は、輻射領域の伝播ノイズを簡易的に伝導雑音端子電圧測定で確認するための相関線である。図4a,bの比較より、コンデンサCSN1を設けることで、0.1~0.3[MHz]および30~100[MHz]の周波数帯域においてノイズが低減し、CISPR15の許容値の範囲内に抑えられることが示された。なお、30~300[MHz]の輻射領域におけるノイズ低減効果は、後述する輻射雑音電界強度測定図5によっても確認されている。図5は輻射雑音電界強度測定の結果を示す図である。この実験では、空間へ輻射される輻射ノイズを検出している。図5aは水平偏波の測定結果を、図5bは垂直偏波の測定結果をそれぞれ示している。図5a,bにおいて、コンデンサCSN1を設けない場合の測定結果を点線で、コンデンサCSN1を設けた場合の測定結果を実線で示している。なお、この測定実験において使用したコンデンサCSN1の定格容量も0.047[μF]である。輻射雑音電界強度測定は3m法電波暗室にて行い、LEDランプ1は下向きに点灯させた。その他の測定条件は、上記CISPR15の測定方法に準拠している。また、図5a,bにおいて、横軸は周波数[MHz]、縦軸はノイズレベル[dBμV/m]である。また、図4と同じく、図5中の一点鎖線は、上記CISPR15に基づくノイズレベルの規格値である。図5aに示す水平偏波,図5bに示す垂直偏波のいずれについても、コンデンサCSN1を設けることで、ノイズレベルが減少したことが確認された。≪第2の実施形態≫図6は、第2の実施形態に係る点灯ユニット6Aの回路構成を示す回路図である。第1の実施形態に係る点灯ユニット6の回路構成図2と相違する点は、パスコン回路24に加え、さらに容量素子としてパスコン回路37を備える点である。パスコン回路37は、第1の実施形態におけるパスコン回路24と同様の回路構成であるが、挿入される場所が異なる。パスコン回路37が、スイッチング素子25の出力側端子の一端ドレインとグランドGNDとの間に接続される点は、パスコン回路24と同じである。しかし、パスコン回路37は、コンデンサCSN2の一端が、半導体チップの16番ピンダイオードD1と接続されていない方のインダクタL2の他端に接続されるように、かつ、コンデンサCSN2の他端が、半導体チップの12番ピングランドGNDまたはスイッチング素子25のソースに接続されるように挿入されている。なお、上記インダクタL2の他端は出力端子28に対応する。図4に示す伝導雑音端子電圧測定の結果より、パスコン回路24は、比較的高い周波帯域のノイズの低減に有効であった。一方、パスコン回路37は、比較的低い周波数帯域のノイズの低減に有効であったことを発明者は実験により確認している。これは、図6に示すコンデンサC1とノイズフィルタコイルNF1とでπ型フィルタを構成するからである。スイッチング回路22のスイッチング素子25は高速でオンオフ動作を行っているため、このようなスイッチング素子25を発生源とするスイッチングノイズは比較的高周波である。したがって、スイッチング回路22の出力側ダイオードD1のカソードに近いパスコン回路24は、比較的高い周波数帯域のノイズに対して有効である。なお、LEDランプに代表される電気照明器具における比較的高い周波帯域とは、伝導雑音端子電圧測定については約10~30[MHz]、輻射雑音電界強度測定については約30~300[MHz]の範囲である。一方、比較的低い周波帯域とは、伝導雑音端子電圧測定については約0.526~10[MHz]である。≪第3の実施形態≫本実施形態では、小型化に加え、LEDの照射角の狭さを補うことにより良好な配光特性を得ることが可能なLEDランプについて説明する。図7は、第2の実施形態に係るLEDランプ40を示す一部破断斜視図である。図8は、第2の実施形態に係るLEDランプ40の構造を示す断面図である。図9は、図8において二点鎖線で囲んだ部分を示す拡大断面図である。図7~9において、第1の実施形態と同様の構成には同じ符号を付し、説明を省略する。本実施形態に係るLEDランプ40は、LEDモジュール38,基台3,グローブ5,点灯ユニット6,回路ホルダ7,ケース4,口金8,LEDモジュール38からの出射光を拡散させるための反射部材41および補助反射部材48を備える。LEDランプ40において、第1の実施形態に係るLEDランプ1と大きく異なる点は、LEDモジュール38の形状が異なる点、および反射部材41および補助反射部材48を備える点である。なお、点灯ユニットは、第2の実施形態における点灯ユニット6Aを用いてもよい。LEDモジュール図10は、第3の実施形態に係るLEDモジュール38の構造を示す平面図である。図10に示すように、LEDモジュール38は、実装基板39と、実装基板39に実装された光源としての複数のLED9と、それらLED9を被覆するように実装基板39上に設けられた封止体11とを備える。実装基板39は、中央に略円形の孔部39aを有する略円環状の素子実装部39cと、素子実装部39cの内周縁の一箇所から孔部39aの中心へ向けて延出した舌片部39dとからなる。舌片部39dの後面には、点灯ユニット6の配線16が接続されるコネクタ17が設けられており、配線16をコネクタ17に接続することによってLEDモジュール38と点灯ユニット6とが電気的に接続される図8。LED9は、例えば32個が素子実装部39cの前面に環状に実装されている。具体的には、素子実装部39cの径方向に沿って並べられたLED9を2個で1組として、16組が素子実装部39cの周方向に沿って等間隔を空けて並べて円環状に配置されている。なお、本願において環状とは、円環状だけでなく、三角形、四角形、五角形など多角形の環状も含まれる。したがって、LED9は、例えば楕円や多角形の環状に実装されていても良い。LED9は、1組ごと個別に略直方体形状の封止体11によって封止されている。したがって、封止体11は全部で16個である。各封止体11の長手方向は、素子実装部39cの径方向と一致しており、前方側からランプ軸J2に沿って後方側を見た場合において平面視において、ランプ軸J2を中心として放射状に配置されている。反射部材41,補助反射部材48図9に示すように、反射部材41は、本体部42と取付部43とを備え、その取付部43の前面に、例えば係合構造、接着などにより補助反射部材48が取り付けられている。反射部材41は、例えば、有底筒状であって、両側が開口した略円筒形状の本体部42と、本体部42の後方側開口を塞ぐ略円板形状の取付部43とを備える。反射部材41の材料としては、例えば、ポリカーボネート等の樹脂、アルミ等の金属、ガラス、セラミック等が考えられるが、本実施形態ではポリカーボネートが使用されている。ポリカーボネート等の樹脂は軽量であるためLEDランプ40の軽量化に好適である。なお、特に図示していないが、反射部材41には、孔部が設けられており、取付部43の外周縁をLEDモジュール38の実装基板39の内周縁に載置した状態で、当該孔部に挿入したねじを基台3のねじ穴にねじ込むことによって、反射部材41および実装基板39が基台3に共締めされている。図10に示すように、実装基板39の素子実装部39cの内周縁には、一箇所に切欠部39bが設けられており、また図9に示すように、取付部43の後面には、一箇所に突起44が設けられている。これら切欠部39bおよび突起44を利用すれは、突起44を切欠部39bに嵌め込むだけの簡単な作業で、LED9の位置に対応する適切な位置に反射部材41を位置決めすることができる。また、図9に示すように、取付部43にはその略中央に略円形の孔部47が設けられている。その孔部47を介して回路ホルダ7内の空間と蓋部50内の空間とが連通している。したがって、本来回路ホルダ7内に収容するしかない点灯ユニット6の一部を、孔部47内および補助反射部材48内にも収容することができる。また、孔部47が設けられているため、反射部材41が点灯ユニット6収容の邪魔にならない。補助反射部材48は、略円筒状の本体部49と、本体部49の前方側開口を塞ぐキャップ状の蓋部50とを備える。本体部49の内径は一定であるが、外径は、前方側では後方から前方へ向け漸次拡径している。本体部49の外周面は全体が反射面となっており、その反射面は、本体部49の外径が一定の部分の外周面で構成され、縦断面においてランプ軸J2と平行な直線形状である第1の反射面51と、本体部49の外径が拡径している部分の外周面で構成され、縦断面においてランプ軸J2側に膨らんだ略円弧形状である第2の反射面52とからなる。図9の光路L1で示すように、LED9bから出射され本体部42の反射面45に入射した主出射光は、その大部分が反射面45に入射し、入射した光は反射面45で反射し、反射光は基台3を側方から囲繞する環状の領域を通過して、基台3の前面3aを避けるように斜め後方へ反射される。一方、図9の光路L2で示すように、LED9aの主出射光は、その大部分が開口部46を通過して前方へ漏れる。但し、LED9bから出射された主出射光の全部が反射面45によって斜め後方へ反射されるわけではなく、その主出射光の一部は開口部46を通過して前方へも漏れる。また、LED9aから出射された主出射光の全部が開口部46を通過して前方へ漏れるわけではなく、その主出射光の一部は反射面45によって基台3の前面3aを避けた斜め後方へも反射される。このように、反射部材41は、LED9の出射光を拡散させる拡散機能を発揮する。図9の光路L3で示すように、LEDモジュール38から出射され反射部材41の開口部46を通過した光は、その一部が補助反射部材48の第1の反射面51に入射し斜め前方へ反射され、他の一部が補助反射部材48の第2の反射面52に入射し側方へ反射される。このように、反射部材41の開口部46を通過して前方に向かう光と、反射部材41の反射面45で反射して斜め後方へ向かう光との間を埋める中間方向へ向かう光を作り出すことができるため、LEDランプ40の配光特性が特に良好である。さらに、LEDモジュール38から出射され反射部材41の開口部46を通過した光の一部は、補助反射部材48の第1および第2の反射面51,52に入射せずに前方へ向かうため、LEDランプ40の点灯時の意匠性が良好である。以上、第1乃至第3の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限られない。例えば、以下のような変形例等が考えられる。[変形例]1上記の実施形態における点灯ユニットのパスコン回路容量素子は抵抗RSN1,RSN2を備えていたが、ノイズ除去の目的としては必須の構成要素ではない。図4,5に示す測定実験からも分かるように、容量素子がコンデンサCSN1,CSN2のみであってもノイズ除去効果は認められる。この理由としては、スイッチング素子のドレインとグランドGND間にコンデンサを接続し、スイッチング素子のドレインとグランドGND間を短絡させることで、比較的高周波であるスイッチングノイズを、より高周波成分に対してインピーダンスの低いグランドGND側図2,6参照へ逃がすことができるからである。2上記の実施形態では、スイッチングノイズを吸収する素子がパスコン回路である例を説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、抵抗,コンデンサを用いるRCスナバ回路、抵抗,コンデンサおよびダイオードを用いるRCDスナバ回路、インダクタおよびコンデンサを用いるLCスナバ回路等を採用することができる。3上記の実施形態では、口金側を上側天井側にしてLEDランプを使用する場合を想定して説明したが、これとは逆に、グローブ側を上側天井側にして使用することも可能である。この場合、回路基板のレイアウトとしては、口金側にスイッチング素子を配置し、スイッチング素子よりもグローブ側に入力端子および出力端子を配置することが望ましい。4実施形態では、半導体チップLEDドライバとして具体的に製品名を挙げているが、本発明はこれに限定されない。別のLEDドライバを利用することも可能である。5本発明の回路基板の形状は、図3に示す形状のものに限られず、長尺状であればよい。ここで、回路基板が長尺状であるとは、回路基板が長辺と短辺を有する形状であることを指し、必ずしも矩形状である必要はなく、例えば楕円形状であってもよい。より好ましくは、図1、8に示すように、LEDランプのケース内においてランプ軸に平行に配置することが可能な形状である。このようにすることで、上述の通りLEDランプの径を縮小し小型化を図ることができる。6スイッチング回路が備えるスイッチング素子として用いることが可能なものとしては、実施形態に記載したFETの他、静電誘導型トランジスタStaticInductionTransistor,SIT、ゲート注入トランジスタGateInjectionTransistor,GIT、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタInsulatedGateBipolarTransistor,IGBT,Si系のバイポーラトランジスタ等が挙げられる。なお、スイッチング素子がIGBTである場合には、上記説明のソース,ドレインをそれぞれエミッタ,コレクタと読みかえればよい。また、スイッチング素子がバイポーラトランジスタである場合には、上記説明のソース,ドレイン,ゲートをそれぞれエミッタ,コレクタ,ベースと読みかえればよい。7上記の実施形態では、光源がLEDであるとして説明をしたが、本発明はこれに限られない。例えば、光源がLDレーザダイオード、EL素子エレクトリックルミネッセンス素子であるランプの点灯ユニットにも適用することが可能である。8請求項に記載の整流平滑回路は、整流回路と平滑回路とを指す。9数値範囲を~を用いて記載した場合は、その下限値および上限値もその数値範囲に含むものとする。例えば、0.001~1[μF]と記載した場合は、その数値範囲に0.001[μF]および1[μF]が含まれる。"