等倍の反射屈折型投影光学系であって、物体面のパターン光を結像させる第1光学系と、前記第1光学系からの光を偏光分離する折り返しプリズムと、前記折り返しプリズムによって分離した一方の光の光路上に配置される第2光学系と、前記第2光学系を透過した光を反射し、前記第2光学系を介して前記折り返しプリズムへ再度入射させる第1凹面ミラーと、前記折り返しプリズムによって分離した他方の光の光路上に配置される第3光学系と、前記第3光学系を透過した光を反射し、前記第3光学系を介して前記折り返しプリズムへ再度入射させる第2凹面ミラーと、前記折り返しプリズムと像面との間の光路上に配置される第4光学系とを備え、前記折り返しプリズムが、前記第1、第2凹面ミラーからの反射光を像面側へ導き、前記第4光学系が、前記折り返しプリズムから射出する反射光を、像面に結像させ、前記物体面からのマージナル光線が、前記折り返しプリズムに対して実質的に垂直入射することを特徴とする反射屈折型等倍投影光学系。前記第2光学系および前記第1凹面ミラーを合わせたレンズパワー、および前記第3光学系および前記第2凹面ミラーを合わせたレンズパワーが、1×10-4以下であり、最大画角hと、物体面から前記第1、第2凹面ミラーまでの光路長Lが、以下の条件式を満たすことを特徴とする請求項1に記載の反射屈折型等倍投影光学系。k×h×L-m≦βただし、k、mは、投影光学系の特性によって定められる係数を表す。また、βは、照明光学系の照度補正可能な折返しプリズムへの最大限度入射角を表す。最大画角hと光路長Lが、以下の条件式を満たすことを特徴とする請求項2に記載の反射屈折型等倍投影光学系。98.065×h×L-1.0305≦6.5前記折り返しプリズムは、偏光ビームスプリッタを有し、前記偏光ビームスプリッタと前記第2光学系との間に配置される第1の1/4波長板と、前記偏光ビームスプリッタと前記第3光学系との間に配置される第2の1/4波長板とをさらに備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の反射屈折型等倍投影光学系。前記第1、第2の1/4波長板は、350nm~450nmの波長域において、少なくとも400nm以上の波長に対して光を偏光可能であることを特徴とする請求項4に記載の反射屈折型等倍投影光学系。請求項1乃至5のいずれかに記載の反射屈折型等倍投影光学系を備えた投影露光装置。物体面のパターン光を結像させる前段光学系と、前記前段光学系からの光を偏光分離する折り返しプリズムと、前記折り返しプリズムの光路後方に配置される中間光学系と、前記中間光学系を透過した光を反射し、前記中間光学系を介して前記折り返しプリズムへ再度入射させる凹面ミラーと、前記折り返しプリズムと像面との間の光路上に配置される後段光学系とを備え、前記折り返しプリズムが、前記凹面ミラーからの反射光を像面側へ導き、前記後段光学系が、前記折り返しプリズムから射出する反射光を、像面に結像させ、前記物体面からのマージナル光線が、前記折り返しプリズムに対して実質的に垂直入射することを特徴とする反射屈折型投影光学系。従来の反射屈折型投影光学系は、主にウェハープロセスの前工程で使用する縮小投影露光装置に装備することを前提とした構成になっている。液晶基板、プリント配線基板へのパターン形成、ウェハープロセスの後工程では、基板サイズが非常に大きいため、一度に投影できるエリアサイズをできる限り拡大する必要があり、等倍の反射屈折型投影光学系を使用することが求められる。しかしながら、縮小投影をベースにした従来の反射屈折型投影光学系の構成をそのまま等倍の反射屈折型投影光学系に取り入れても、高解像度の維持、照度一定の確保、投影エリアの拡大を同時に実現することが難しい。したがって、照度低下、収差を抑え、高解像度を維持しながら広い露光エリアを実現できる反射屈折型投影光学系が必要とされる。本発明の投影光学系は、反射光学系と屈折光学系を組み合わせた等倍の投影光学系であり、投影光学系に加え、照明光学系を備えた投影露光装置に適用される。投影光学系は、物体面のパターン光を結像させる第1光学系と、第1光学系からの光を偏光分離する折り返しプリズムと、折り返しプリズムによって分離した一方の光の光路上に配置される第2光学系と、第2光学系を透過した光を反射し、第2光学系を介して折り返しプリズムへ再度入射させる第1凹面ミラーを備える。さらに投影光学系は、折り返しプリズムによって分離した他方の光の光路上に配置される第3光学系と、第3光学系を透過した光を反射し、第3光学系を介して折り返しプリズムへ再度入射させる第2凹面ミラーと、折り返しプリズムと像面との間の光路上に配置される第4光学系とを備える。そして、本発明の折り返しプリズムは、第1、第2凹面ミラーからの反射光を像面側へ導き、第4光学系は、折り返しプリズムから射出する反射光を、像面に結像させる。さらに、物体面からのマージナル光線が、折り返しプリズムに対して実質的に垂直入射することを特徴とする。ここで、実質的に垂直入射とは、折り返しプリズムの入射面に対して光学設計上垂直入射とみなせる範囲でマージナル光線が光軸に沿って平行に入射することを表す。例えば、0.5度以下、より限定すれば、0.3度以下、さらに限定すれば0.2度、0.1度、1×10-2、1×10-3以下のとき、実質的に垂直入射しているとみなすことができる。好ましくは、第2光学系および第1凹面ミラーを合わせたレンズパワー、および第3光学系および第2凹面ミラーを合わせたレンズパワーが、1×10-4以下に定められる。最大画角hと、物体面から第1、第2凹面ミラーまでの光路長Lが、以下の条件式を満たすように構成することが望ましい。k×h×L-m≦βただし、k、mは、投影光学系の特性によって定められる係数を表す。また、βは、照明光学系の照度補正可能な折り返しプリズムへの最大限度入射角を表す。例えば、最大画角hと光路長Lが、以下の条件式を満たす。98.065×h×L-1.0305≦6.5折り返しプリズムについては、偏光ビームスプリッタを構成することが可能である。例えば、偏光ビームスプリッタと第2光学系との間に配置される第1の1/4波長板と、偏光ビームスプリッタと第3光学系との間に配置される第2の1/4波長板とを設けることができる。光源が広い波長域の照明光を放射する水銀ランプ等の場合、第1、第2の1/4波長板は、350nm~450nmの波長域において、少なくとも400nm以上の波長に対して光を偏光可能であるように構成することができる。本発明の他の特徴をもつ投影光学系は、物体面のパターン光を結像させる前段光学系と、前段光学系からの光を偏光分離する折り返しプリズムと、折り返しプリズムの光路後方に配置される中間光学系と、中間光学系を透過した光を反射し、中間光学系を介して折り返しプリズムへ再度入射させる凹面ミラーと、折り返しプリズムと像面との間の光路上に配置される後段光学系とを備え、折り返しプリズムが、凹面ミラーからの反射光を像面側へ導き、後段光学系が、折り返しプリズムから射出する反射光を、像面に結像させ、物体面からのマージナル光線が、折り返しプリズムに対して実質的に垂直入射する。本発明によれば、投影露光装置において、広い露光エリアを確保しながら、高精度のパターンを形成することができる。以下では、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図1は、本実施形態である投影露光装置を模式的に示した内部構成図である。投影露光装置10は、シリコンウェハなどの半導体用基板、電子回路基板用のプリント配線基板などの基板SWに対してパターンを形成する露光装置であり、フォトマスクPMに描画されたパターンを、基板SWに対して投影する。投影露光装置10は、照明光学系20、投影光学系30、光源部50を備え、フォトマスクPMが照明光学系20の結像面に配置されている。光源部50は、350~450nmに渡る波長域の光を放射する放電ランプ52を備え、ランプ52から放射された光は、楕円ミラー54によって照明光学系20へ導かれる。照明光学系20は、ミラー22、コリメータレンズ24、フライアイレンズ26、コンデンサーレンズ28を備える。照明光学系20に入射した光は、ミラー22によってコリメータレンズ24に導かれ、平行光束にされる。そして、フライアイレンズ26によって照度均一の光に修正される。コンデンサーレンズ28によって集光された光は、フォトマスクPMを照射する。フォトマスクPMには、基板SWに描画すべきパターンが形成されており、フォトマスクPMのパターン光は、投影光学系30を通じて基板SWに投影される。投影光学系30は、第1レンズ群32、第2レンズ群34、第3レンズ群36、第4レンズ群38を備えた等倍の反射屈折型投影光学系であり、第1レンズ群32と第2、第3レンズ群34、36の間には、偏光ビームスプリッタ40が配置されている。投影光学系30に入射した光は、偏光ビームスプリッタ40の偏光分離面40Aによって偏光分離され、第2レンズ群34の方向へ透過直進する光と、偏光分離面40Aに反射し、第2レンズ群34に対し垂直な第3レンズ群36の方向へ進行する光に分割される。第2、第3レンズ群34、36の後方には、凹面ミラー42、44がそれぞれ配置されており、第2、第3レンズ群34、36を通過した光は、凹面ミラー42、44によって再び偏光ビームスプリッタ40に入射する。第3レンズ群36側から再入射した光は、偏光ビームスプリッタ40を通過してそのまま基板SWの方へ直進する一方、第2レンズ群34側から再入射した光は、偏光ビームスプリッタ40によって基板SWの方向に反射する。その結果、マスクPMを通過したパターン光全体が第4レンズ群38に導かれ、パターン光は第4レンズ群38によって基板SW上に結像する。基板SWを支持する架台13に搭載された移動ステージ11は、光軸に対し垂直、平行な方向へ基板SWを移動、回転させることが可能である。基板SWは、真空吸着などによってステージ11に固定されている。露光中、基板SWステージ11が、ステップリピート方式によって移動するのに従い、基板SW全体にマスクパターンが露光される。次に、図2、3を用いて、投影光学系30の内部構成について詳述する。図2は、投影光学系30における光学系配置構成を示した図である。図3は、図2の投影光学系30と等価な光路をもつ投影光学系を示した図である。第1レンズ群32は、凹状の第1面を有するメニスカスレンズ32A、正レンズ32B、32C、両面が凹状の負レンズ32D、そして正レンズ32Eを備え、光学系全体として正の屈折力を有する。キューブ状の偏光ビームスプリッタ40は、その入射面40Sが光軸Eに対して垂直となるように配置されたプリズムであり、2つの直角プリズムを張り合わせた接合斜面に偏光分離面40Aが形成されている。偏光分離面40Aの法線は、光軸Eに対して45度傾斜している。第1レンズ群32から偏光ビームスプリッタ40に入射した光は、偏光分離面40Aを透過するp偏光光と、偏光分離面40Aによって反射するs偏光光に分離される。p偏光光は、そのまま光軸Eに沿って偏光ビームスプリッタ40から射出し、負の屈折力を有する第2レンズ群34に入射する。第2レンズ群34は、1/4波長板34a、正レンズ34B、両面凹状の負レンズ34Cを備える。p偏光光は、1/4波長板34aによって円偏光に変換された後、正レンズ34B、負レンズ34Cを通って凹面ミラー42に到達する。凹面ミラー42は、光軸Eに対し対称的な球状反射面を備え、p偏光光を集光、反射する。反射したp偏光光は、1/4波長板34aに再び入射すると、s偏光光に変換される。そして、偏光ビームスプリッタ40に再度入射したs偏光光は、偏光分離面40Aによって反射し、第4レンズ群38の方向へ射出する。一方、偏光分離面40Aによって偏光分離されたs偏光光は、第3レンズ群36のある直交方向へ偏光ビームスプリッタ40から射出する。第3レンズ群36は、第2レンズ群34と同様、1/4波長板36A、正レンズ36B、両面凹状の負レンズ36Cを備えた負の屈折力をもつ光学系であり、その後方に正の屈折力を有する凹面ミラー44が配置されている。偏光ビームスプリッタ40から射出したs偏光光は、1/4波長板36Aによって円偏光に偏光された後、正レンズ34B、負レンズ34Cを通って凹面ミラー44に到達する。凹面ミラー44で反射した円偏光は、1/4波長板36Aによってp偏光光に変換された後、偏光ビームスプリッタ40に再び入射する。偏光ビームスプリッタ40に入射した光はp偏光光であるため、入射光はそのまま偏光分離面40Aを通過し、第4レンズ群38に向けて射出する。第4レンズ群38は、第1レンズ群32と同様のレンズ配置であり、凹状の第1面を有するメニスカスレンズ38A、正レンズ38B、38C、両面が凹状の負レンズ38D、正レンズ38Eを備え、正の屈折力を有する。基板SWの表面は、投影光学系30の結像面と一致する。したがって、偏光ビームスプリッタ40に分割された光は、両方とも第4レンズ群38によって基板SWの表面に結像され、パターン光全体がそのまま露光に寄与する。1/4波長板34a、36Aは、350~450nmの波長域の光を偏光可能な広帯域波長板であり、光源50から放射される照明光の波長域全体に対応し、色収差を抑える。なお、400nm以上の波長域の光に対応するように構成してもよい。第1レンズ群32と第4レンズ群38は、光学系の構成および光学特性が等しく、第2レンズ群34と第3レンズ群36についても、光学系の構成およびその光学特性が等しい。また、第2レンズ群34を往復する光の基板SWまでの光路長と第3レンズ群36を往復する光の光路長は等しい。したがって、図2に示す等倍の投影光学系30は、図3に示す投影光学系と光路等価であり、第1レンズ群32第4レンズ群38、偏光ビームスプリッタ40、第2レンズ群34第3レンズ群36、凹面ミラー42凹面ミラー44の相互配置間隔および屈折力等を含む光学特性によって、その照度、解像度、収差の程度が決まる。本実施形態では、第1レンズ群32から射出される光のマージナル光線ML1、ML2は、光軸に対して平行であり、偏光ビームスプリッタ40の入射面40Sに対して垂直入射する。ただし、マージナル光線ML1、ML2は、物体ここではマスクPMの光軸点から出た光のうち、第1レンズ群32の入射瞳の端の光線を表す。投影光学系30は、縮小投影光学系のようにパターン光を平行光束に修正して偏光ビームスプリッタ入射面全体へ入射させる構成ではなく、マスクPMの光軸上物点からのマージナル光線M1、M2のみ、偏光ビームスプリッタ40への垂直入射条件を課している。この条件が満たされるように、第1~第4レンズ群32~38が構成されている。また、本実施形態においては、第2レンズ群34と凹面ミラー42=第3レンズ群36と凹面ミラー44間におけるレンズパワーPは、以下の式を満たす。ただし、レンズパワーPは、第2レンズ群34と凹面ミラー42=第3レンズ群36と凹面ミラー44を合成した焦点距離の逆数を表す。P≦1×10-41レンズパワーPは、限りなく0に近く、非常に小さい。ここでは、第2レンズ群34のマイナスパワーと、凹面ミラー42のプラスパワーが相殺されるように、光学特性が定められている。第3レンズ群36と凹面ミラー44におけるレンズパワーPも、同じである。このようなレンズパワーPをもつ光学系を偏光ビームスプリッタ40の後方に配置するため、第1、第4レンズ群32、38の瞳位置は無限遠にある必要があるが、マージナル光線M1、M2は限りなく光軸に対し平行になって偏光ビームスプリッタ40へ入射するため、このようなレンズパワーPをもつ光学系を配置することが可能である。さらに本実施形態では、上述したマージナル光線M1、M2、および合成レンズパワーPの条件に加え、マスクPM基板SWにおける最大画角hと、マスクPMから凹面ミラー42、44までの光路長Lmmは、以下の条件式を満たす。k×h×L-m≦β2ただし、最大画角hは、像面上における露光エリアの光軸からの最長距離を表す。mは、最大画角hごとの光路長Lと偏光ビームスプリッタ40への入射角θとの関係を表す近似式から求められる係数であり、ここでは、m=1.035に定められている。一方、kは、後述する最大画角hごとの近似式から求められる係数であり、ここでは、k=98.065に定められている。さらにβは、後述する照明光学系20の照度分布補正可能な限度入射角を表す。ここでは、β=6.5度に定められている。マージナル光線M1、M2の平行入射、および上記1、2式を満たす投影光学系30を構成することにより、照度を低下させることなく高解像度を維持し、より広い露光エリアを確保することができる。以下では、1、2式が導出される理由について説明する。図4は、第2レンズ群34と凹面ミラー42の合成パワーPと、マージナル光線の入射角との関係を示したグラフである。なお、第3レンズ群36と凹面ミラー44についても、同様の関係を示す。図4に示す複数のプロットは、合成パワーPの異なる複数の投影光学系と、それに対応するマージナル光線の入射角ここでは、Θで表すを示している。グラフの縦軸はマージナル光線の入射角Θを表し、横軸は合成パワーPを表す。これらプロットの座標に基づき、以下の式で表される近似曲線T1を規定することができる。Θ=-694065P22938.7P3図4のグラフおよび上記近似式から明らかなように、合成パワーPが1×10-4以下の場合、マージナル光線の入射角Θは最大0.29度であり、マージナル光線は実質的に光軸Eに対して平行となる。一方、合成パワーPがそれ以上大きな値の場合、入射角Θは光軸Eと実質的平行な状態から離れる。例えば、Θ=2×10-4を超える場合、マージナル光線の入射角は、0.56度以上となる。等倍の投影光学系の場合、凹面ミラーの照射エリアが露光エリアサイズに影響し、マージナル光線が光軸Eに平行でなければ、広い画角、すなわち広い露光エリアの確保は困難となる。そのため、合成パワーPが1式を満たすように、投影光学系30の第2、3レンズ群34、36および凹面ミラー42、44の構成が定められる。次に、2式を条件とする理由について説明する。投影光学系30のサイズ小型化を図る場合、物体面マスクPMから凹面ミラー42、44までの光路長Lをできるだけ短くするのが望ましい。一方、光路長Lを短くすると、偏光ビームスプリッタ40へパターン光が入射するときの入射傾斜角が大きくなる。これは、露光エリア全体における照度分布不均一、すなわち照度ムラの発生に影響する。そこで、最大画角hの異なる等倍の反射屈折型投影光学系に対し、光路長Lを変えたときの光の最大入射角θを調べ、その関係を明らかにした。ただし、反射屈折型投影光学系は、上述したマージナル光線の垂直入射、および1式に示した合成パワーPの条件を満たすものとする。また、最大入射角θは、偏光ビームスプリッタ40へ入射する光の入射角のうち最大の入射角を示す。図5は、異なる最大画角hに対する光路長Lと最大入射角θとの関係を表したグラフである。図6は、最大画角hと各近似曲線の係数との関係を示したグラフである。図5では、光路長Lを変えたときの最大入射角θがプロットされている。光路長Lが短いほど入射角θは大きく、近似の指数関数によって対応付けられることがわかる。ここでは、画角hごとの近似曲線が、以下の式によって表される。θ=468.1L-1.030画角h=5mmθ=938.9L-1.030画角h=10mmθ=1415.2L-1.031画角h=15mmθ=1900.3L-1.032画角h=20mmθ=2398.0L-1.033画角h=25mmθ=2912.3L-1.035画角h=30mmθ=3451.6L-1.037画角h=35mmθ=4025.5L-1.039画角h=40mm4最大画角hと各近似曲線の係数との関係を調べると、図6に示すように、線形関係にある。そのため、以下の式で示すような近似線形式を採用することができる。k=98.05×h5一方、4式で表される近似曲線の指数部は、その平均がここでは-1.035となっている。したがって、4、5式から、最大入射角θを求める以下の式が導かれる。θ=98.065×h×L-1.03056これは、1式の合成パワーPの条件を満たす範囲において、偏光ビームスプリッタ40への最大入射角θが、最大画角hと光路長Lから算出できることを示している。また、最大入射角θは、投影光学系30の開口数NAに依存しない。上述したように、投影光学系30のサイズ小型化を考慮するならば、できるだけ光路長Lを短くするのが好ましいが、最大入射角θが大きくなると、照度分布の全体一様が維持できなくなる。そこで、最大入射角θがどの程度大きくなると、照度一定維持が困難に成るか調べ、照度不安定化が避けられない状況となる限度最大入射角を求めた。図7は、偏光ビームスプリッタへの入射角に対する照度ムラと照明系による照度補正した場合の照度ムラを示したグラフである。偏光ビームスプリッタ40への入射角度θに対する照度ムラと、照明光学系20による照度補正を行ったときの照度ムラとを、プロットで示している。ただし、光軸平行な入射角を0度とし、光軸より上向き入射角を正、その逆を負で表している。一般的に、マスクに対して光を均一照射しても、偏光ビームスプリッタへ入射する角度に応じて光軸を中心とした照度分布が生じる。変更ビームスプリッタへ入射する光の照度と、凹面ミラー経由で最終的に偏光ビームスプリッタから射出する光の照度との比ここでは、光学効率というは、光の入射角度が大きくなるにつれて低下する。例えば、偏光ビームスプリッタ40の場合、以下の表1に示すように光学効率が低下する。図7には、入射角度を-7.5度~7.5度まで変化させた時の照度ムラがプロットで示しており、近似的に二次曲線上に沿った値となっている。ただし、入射角度が0度のときを基準としている。一方、照明光学系20によって照度を均一となるように補正することが可能であり、照明光学系20内のコンデンサーレンズ28に対し、焦点距離を変えずに偏角曲率半径を変更するベンディング手法を施すことにより、照度分布が調整可能である。照度分布を変化させたときの照度ムラが、図5にプロットされている。ただし、この補正による照度ムラは、照度分布変化させたときの基準照度に対する照度変化を割合で示している。しかしながら、このような照明光学系による照度補正には限界があり、入射角度が所定角度を超えると、補正が事実上行えない。偏光素子による照度ムラと、照明光学系による補正照度ムラの差を、下記の表2に示す。ただし、ここでは偏光ビームスプリッタを偏光素子と記している。照明光学系20の照度補正に基づく照度ムラと、入射角に依存する照度ムラは、それぞれ異なる近似曲線F1、F2によって表すことが可能である。入射角が6.5度以下である場合には、近似曲線F1の値は近似曲線F2より低く、照明光学系20の照度補正によって入射角に起因する照度ムラをカバーすることができる。しかしながらが、6.5度を超えると、近似曲線F1の値が近似曲線F2の値を上回ることになり、照明光学系20の照度補正を限界まで行っても、照度ムラを相殺することができない。したがって、偏光ビームスプリッタ40への最大入射角θ絶対値を6.5度以下にすることで照度一定を維持することが可能となり、6式から以下の式が導かれる。98.065×h×L-1.0305≦6.57入射角限度値6.5度を照明光学系20の光学特性に基づいて定められる値とすれば、使用する照明光学系20に合わせて限界入射角を規定することが可能であり、また、投影光学系の光学特性に従って図5に示す曲線の各近似式を規定することが可能である。そして、限度入射角をβ、各近似式の係数をkで表すことによって、2式が導かれる。このように本実施形態によれば、投影露光装置10の投影光学系30において、第1レンズ群32、第2レンズ群34、第3レンズ群36、第4レンズ群38を備え、第1レンズ群32と第2、3レンズ群34、36との間に、偏光ビームスプリッタ40を配置する。そして、マスクPMの光軸上点からのマージナル光線M1、M2が偏光ビームスプリッタ40の入射面40Aに対し垂直入射するように、第1レンズ群32の光学特性屈折力などが定められている。このような投影光学系により、等倍反射屈折光学系において露光エリアを最大限確保し、高画角のフル露光エリアを実現できる。そして、エリア全体に対する照度を一定にしてパターンを投影することが可能であり、高精度のパターン形成を実現することができる。従来の縮小投影光学系では、物体面全体からの光を折返しプリズムに対して平行光束にするように構成されているが、本願発明ではそのような構成は採用せず、あくまでも軸上物点からの光線であるマージナル光線についてより厳密な垂直入射を定めている。従来の投影光学系のように、およそ光軸に平行といった露光エリア拡大を到底望めない規定を採用していない。これによって、露光エリア最大化という等倍投影光学系の機能を存分に発揮することができる。また、光路長と画角との関係式を新たに導出することによって、照明光学系を含めた露光装置の光学系全体のサイズをコンパクト化、ダウンサイジングを図るとき、照度一定維持の条件を満たす最大画角の導出を、光学特性に合わせて容易に行うことができる。本実施形態では、2つの凹面ミラーを偏光ビームスプリッタの光軸後方に配置しているが、1つの凹面ミラーによる構成にすることも可能である。また、偏光ビームスプリッタ以外によって、折返しプリズムを構成してもよい。さらに、等倍に限定せず、縮小投影光学系に適用することも可能である。以下では、実施例となる等倍反射屈折光学系について説明する。本実施例の投影光学系は、最大画角h=125mm、径250mmのエリアを露光可能であって、光路長Lが1523.476mmの等倍反射屈折光学系である。レンズ構成については、以下の表3に示す。本実施例では、マージナル光線の入射角度が0.001度であり、実質的に光軸に対して平行であり、偏光ビームスプリッタの入射面に垂直入射する。合成レンズパワーPは、2.226×10-4であり、1式を満たす。また、最大画角h=125mm、光路長L=1523.476mmに従い、最大入射角θは6.40となり、2、7式の条件を満たす。本実施例の等倍反射屈折光学系について、開口数を変えたときの入射角θについて調べた。以下の表4は、異なる画角、開口数における入射角の値を示す。表4に示すように、最大入射角θは開口数に依存せず、2式より導かれることが明らかになっている。