被処理基板に溝または穴を形成するためにシリコンをプラズマエッチングするプラズマエッチング方法において、フッ素含有ガスと酸素含有ガスとからなる混合ガスを用いて前記シリコンをプラズマエッチングし、前記シリコンのプラズマエッチングは、エッチング深さに応じて各エッチングパラメータを制御しながら所望の深さの溝または穴を形成することを特徴とするプラズマエッチング方法。請求項1記載のプラズマエッチング方法において、前記シリコンのプラズマエッチングは、所定のエッチング深さ毎に区切られた複数のステップを行うことによって、所望の深さの溝または穴を形成することを特徴とするプラズマエッチング方法。請求項2記載のプラズマエッチング方法において、前記シリコンのプラズマエッチングは、処理圧力を各ステップを順次行う毎に低下させ、高周波バイアス電力を各ステップを順次行う毎に増加させながら所望の深さの溝または穴を形成することを特徴とするプラズマ処理方法。請求項3記載のプラズマエッチング方法において、前記シリコンのプラズマエッチングは、前記処理圧力を前記各ステップ内で単調に低下させ、前記高周波バイアス電力を前記各ステップ内で単調に増加させることを特徴とするプラズマエッチング方法。請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のプラズマエッチング方法において、前記エッチング深さは、エッチング深さをモニタする手段によってモニタされることを特徴とするプラズマエッチング方法。しかしながら、特許文献2に開示された従来技術では、シリコントレンチの側壁面にえぐれが生じ、有機堆積物形成工程によって処理室内に有機堆積物が堆積し続けることに起因した異物の発生及びエッチング特性の再現性低下が発生する。更に、これらの問題点を解決する手段としては、枚葉プラズマクリーニング等が考えられるが、これらはスループット低下を招く恐れがあり、量産安定性という問題点については十分に配慮されていなかった。本発明は、アスペクト比が大きい構造の溝または穴からなるシリコンをエッチングするプラズマエッチング方法において、エッチングレートの低下抑制および鉛直形状を得ることができるプラズマエッチング方法を提供する。本発明は、被処理基板に溝または穴を形成するためにシリコンをプラズマエッチングするプラズマエッチング方法において、フッ素含有ガスと酸素含有ガスとからなる混合ガスを用いて前記シリコンをプラズマエッチングし、前記シリコンのプラズマエッチングは、エッチング深さに応じて各エッチングパラメータを制御しながら所望の深さの溝または穴を形成することを特徴とする。本発明により、アスペクト比が大きい構造の溝または穴からなるシリコンをエッチングするプラズマエッチング方法において、エッチングレートの低下抑制および鉛直形状を得ることができる。以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明に係るプラズマエッチング方法を行うためのマイクロ波プラズマエッチング装置の断面図である。エッチング処理室101にガス導入手段107から多孔構造の例えば、石英からなる透過窓108を介してエッチングガスが供給される。また、マイクロ波発生器102で発振されたマイクロ波を整合器103、導波管104及びマイクロ波回転発生器105を介して伝送し、マイクロ波導入窓106よりエッチング処理室101にマイクロ波を伝播させてエッチング処理室101に供給されたエッチングガスをプラズマ化する。磁場発生用のソレノイドコイル109をエッチング処理室101の周辺に配置し、00875テスラの磁場を作り電子サイクロトロン共鳴を用いて高密度プラズマを発生させる。エッチング処理室101には試料台110があり、この上に被処理基板111を載置して、マイクロ波とソレノイドコイル109より発生した磁場により生成されたガスプラズマにより被処理基板111をプラズマエッチングする。被処理基板111を載置する試料台110には高周波電源112が接続され、高周波電源112は、400kHzから1356MHzの高周波バイアス電力を試料台110に供給する。また、高周波電源112は、パルス発生器図示せずを備えており、時間変調された間欠的な高周波電力、あるいは、連続的な高周波電力を選択的に試料台110に供給することができる。試料台110表面には、静電吸着電源113より直流電圧を印加することにより静電吸着力が発生し、静電吸着力により、被処理基板111が試料台110表面に吸着される。また、試料台110の表面には溝が形成され、試料台110表面に吸着された被処理基板111裏面との間で形成される流路図示しないに、冷却ガス供給口114からHeガス、Arガス、O2ガス等の冷却ガスを供給し、流路内を所定圧力に維持できる構造となっている。被処理基板111の表面の温度上昇は、流路におけるガス伝熱と接触面からの熱伝導にて、試料台110表面へ熱伝達され、一定温度に維持される。被処理基板111を0°C以下の低温に冷却するため、試料台110内部に埋設された冷媒循環流路図示せずには、チラーユニット115により所定の低温に温度制御された冷媒が循環される。被処理基板111の周囲には、セラミックスや石英製の絶縁カバー図示しないが配置されている。なお、エッチング処理室101に導入されたエッチングガスは、プラズマエッチング処理中、排気ポンプ116及び排気配管図示しないによりエッチング処理室101の外に排気される。次に、上述のマイクロ波エッチング装置を用いた本発明のプラズマエッチング方法について説明する。最初に、本発明のプラズマエッチング方法を行う被処理基板111の構造について説明する。被処理基板111は、図2aに示すようにシリコン基板202の上に無機膜例えば酸化膜、窒化膜からなるマスク201がパターニングされている。このような被処理基板111を、搬送手段図示せずを用いて試料台110に載置した後、SF6ガス、O2ガス、SiF4ガスをそれぞれ、450、100、400ml/minの流量に調整してエッチング処理室101内に供給し、処理圧力を調整バルブ図示せずにて55Paに調整する。ここで、本実施例では、SF6ガスとO2ガスとSiF4ガスとからなる混合ガスを用いたが、フッ素含有ガスと酸素含有ガスとからなる混合ガスであれば良い。酸素含有ガスとしては、O2ガス以外にCOガス、CO2ガスでも良い。その後、2400Wのマイクロ波出力をエッチング処理室内に供給してプラズマを発生させ、試料台110に225Wの時間変調された間欠的な高周波電力を供給することにより、プラズマエッチングする。但し、上記のプラズマエッチングは、図3に示すようなエッチングフローにて行う。図3aに示すようにトレンチ深さもしくはエッチング時間に応じて、3つの処理ステップからなるプラズマエッチングを行う。本実施例では、ボーイングがほとんど発生しないトレンチ深さを形成する第一のステップと、ボーイングが発生し易いトレンチ深さの期間を第二のステップと、ボーイングが発生し易くかつエッチングレートが低下し易いトレンチ深さの期間を第三のステップとした。第一のステップは、予めエッチング条件で設定された処理圧力および、高周波バイアス電力を一定のままでエッチングを開始する。続いて、第二のステップでは、処理圧力は、第一のステップよりも低くした処理圧力とし、高周波バイアス電力は、第一のステップより高くした高周波バイアス電力にして、それぞれ、ステップ期間一定のままでエッチングする。続いて、第三のステップでは、処理圧力は、第二のステップよりも低くした圧力とし、高周波バイアス電力は、第二のステップより高くした高周波バイアス電力として、それぞれ、ステップ期間一定のままでエッチングすることにより、所望の深さのトレンチを形成する。この結果、図4に示すような鉛直形状のトレンチを形成することができた。このような鉛直形状のトレンチを形成できたのは以下のように考えられる。処理圧力と高周波バイアス電力を一定のまま、所望の深さのトレンチを形成しようとすると、トレンチ深さが深くなるとトレンチに供給されるフッ素ラジカルとトレンチの底部から放出される反応生成物がトレンチ内部で衝突し、エッチングに必要なフッ素ラジカルがトレンチの底部まで供給されず、またはトレンチの底部から発生した反応生成物がトレンチの中から放出されないために、エッチングレートは、図5aに示すように、トレンチ深さが深くなるとともに低下し、テーパ形状は、図5bに示すように、トレンチ深さが深くなるとともにテーパ形状となる。一方、本発明のように第一のステップから第三のステップに順次移行するに従って処理圧力を段階的に低くすることにより、フッ素ラジカルは、トレンチ底部へ供給されやすくなり、反応生成物は、トレンチの中から放出されやすくなるため、図5aに示すようにトレンチ内でのエッチングレート低下を抑制できる。また、高周波バイアス電力も本発明のように第一のステップから第三のステップに順次移行するに従って高くすることにより、トレンチの深さが深くなるとともにイオンエネルギーも増加できるため、図5bに示すようにトレンチのテーパ形状を抑制できる。これらのことにより、トレンチ形状の鉛直制御性を向上できたものと考えられる。なお、本実施例では、処理圧力と高周波バイアス電力を例に説明したが、ガス流量の混合比率やマイクロ波電力を可変のエッチングパラメータとしても本発明は達成される。また、本実施例の各ステップは、所定のトレンチ深さに到達した時点で次にステップに切り替わるが、所定のトレンチ深さに到達したかどうかは、深さをモニタできる手段である深さモニタ117を用いて判定した。しかし、予め所定のトレンチ深さとなるエッチングの時間を求めて、この予め求められた時間に従って各ステップを切り替えても良い。次に、上述した図4aのようなエッチングフローより、さらに高精度なエッチング制御が可能なエッチングフローについて説明する。図4bに示すように、各ステップ内でも、処理圧力と高周波バイアス電力をそれぞれ、単調に減少、単調に増加させる。このことにより、トレンチの深さによる変化に対して精度良くエッチングパラメータによる改善が可能となるため、所望の深さまでエッチングレート低下を抑制し、かつ鉛直な形状制御が可能となる。次に、上述した図4bのようなエッチングフローより、さらに高精度なエッチング制御が可能なエッチングフローについて説明する。図4cに示すように、処理圧力を単調に低下させる期間と、高周波バイアス電力を単調に増加させる期間を異ならせる。つまり、図4bのエッチングフローでは、処理圧力を単調に低下させる期間と、高周波バイアス電力を単調に増加させる期間を同期させていたが、図4cでは、処理圧力を単調に低下させる期間と、高周波バイアス電力を単調に増加させる期間を同期させずに、処理圧力と高周波バイアス電力をそれぞれ独立にトレンチの深さに応じて制御する。このような図4cに示すようなエッチングフローにより所望の深さのトレンチを形成することによって、図4bに示すようなエッチングフローよりも更に高精度なトレンチの形状制御が可能となる。以上、上述した本発明のプラズマエッチング方法により、エッチングレートの低下を抑制し、鉛直形状のトレンチを形成することが可能であるとともに量産安定性に優れたプラズマエッチング特性を得ることができる。また、本実施例では、マイクロ波を用いたElectronCyclotronResonanceECR方式のマイクロ波プラズマエッチング装置を用いたが、本発明は、これに限定されるものではなく、ヘリコン波プラズマエッチング装置、誘導結合型プラズマエッチング装置、容量結合型プラズマエッチング装置等にも適用できる。また、本実施例では、無機膜のマスクでパターニングされた溝構造を有するシリコンのエッチングの例で説明したが、本発明は、レジスト等の有機膜のマスクでパターニングされた溝構造を有するシリコンのエッチングや、穴パターンを有するシリコンのエッチングでも適用することができる。更に、本発明は、アスペクト比が大きいシリコンの深掘りエッチングだけでなく、同等の高アスペクト比を有するShallowTrenchIsolationSTIやポリシリコン膜からなるゲート電極形成のプラズマエッチングにおいても適用できる。