"鉛直方向に延びる長手方向軸線40に沿って配置された複数の蒸発器エレメント10a,210aを有する長く延びる蒸発器ベンチ10,110,110aと、該蒸発器ベンチ10,110,110aに対応配置された第1の基板支持装置21,121,221とを備える、基板を真空チャンバ175内で真空コーティングする装置であって、前記第1の基板支持装置21,121,221は、基板用の保持手段を有する、第1の回転軸線41,241を中心として回転可能な第1のパイロンを備え、長手方向軸線40と、第1の回転軸線41,241との間に、10°よりも小さな角度のずれがある、基板を真空チャンバ175内で真空コーティングする装置において、前記蒸発器ベンチ10,110,110aに対応配置された少なくとも1つの第2の基板支持装置22,122,222が設けられており、該第2の基板支持装置22,122,222は、基板用の保持手段を有する、第2の回転軸線42,242を中心として回転可能な第2のパイロンを備え、前記パイロンの軸線が、前記蒸発器ベンチの前記長手方向軸線40に対して固定的に形成されており、長手方向軸線40と第2の回転軸線42,242との間に、10°よりも小さな角度のずれがあり、前記蒸発器ベンチ10,110,110aならびに前記第1の基板支持装置21,121,221および少なくとも第2の基板支持装置22,122,222の幾何学的な配置構成は、前記第1の基板支持装置21,121,221および少なくとも第2の基板支持装置22,122,222に設けられた複数の基板の、前記蒸発器ベンチ10を用いて行われるコーティングが、同一の品質で行われ得るように、設けられていることを特徴とする、基板を真空チャンバ内で真空コーティングする装置。前記蒸発器ベンチ10は、少なくとも1つの蒸発器エレメント10a,110,110aを有しており、該蒸発器エレメント10a,110,110aは、水平方向の縦延長線250と、該縦延長線250および前記長手方向軸線40により展開された平面に対して鏡像対称的な放射特性とを有している、請求項1記載の装置。前記第1の基板支持装置21,121,221に、または場合によっては別の基板支持装置22,122,222,223,224に対応配置された少なくとも1つの処理源31,32が設けられている、請求項1または2記載の装置。前記真空チャンバ175は、該真空チャンバ175の壁部185の開口を備えた第1の部分チャンバ175aと、前記開口を真空密に閉鎖可能な、前記第1の部分チャンバにドア状に対応配置された少なくとも1つの第2の部分チャンバ180,180aとを有し、前記蒸発器ベンチ110と、第1の基板支持装置121および少なくとも第2の基板支持装置122と、前記1つまたは複数の処理源31,32とが、少なくとも第2の部分チャンバ内に収容可能であるか、または収容されている、請求項1から3までのいずれか1項記載の装置。前記第2の部分チャンバ180は、旋回装置によって、またはスライド装置によって、前記第1の部分チャンバ175aに対して相対的に位置決め可能である、請求項4記載の装置。前記真空チャンバ175は、第2の部分チャンバ180と同様に形成され、前記第1の部分チャンバにドア状に対応配置された別の部分チャンバ180aを有しており、該別の部分チャンバ180aにより、前記第1の部分チャンバ175aの前記開口は真空密に閉鎖可能である、請求項4または5のいずれか1項記載の装置。少なくとも1つの処理源31,32は、少なくとも1つの電極対31a/b,32a/b,130/131,130/131a,130’/132,130’/132aを備えたプラズマ源として、有利には少なくとも1つのプレート状の電極を含んで、形成されている、請求項2から6までのいずれか1項記載の装置。少なくとも1つの電極対の少なくとも1つの電極130,130’は、前記第1の部分チャンバ内に配置されていて、前記少なくとも1つの電極対の対応配置された少なくとも1つの対向電極131,131a,132,132aは、前記第2の部分チャンバ180,180a内に配置されていて、前記対向電極131,131a,132,132aは、前記第2の部分チャンバ180,180aと共に、第1の部分チャンバ175aに対して相対的に位置決め可能である、請求項7記載の装置。蒸発器ベンチ10ならびに場合によっては処理源31,32の寸法設計は、空間的な端部効果を補償するために、蒸発器ベンチ10ならびに場合によっては処理源31,32が、前記基板支持装置21,22の端部領域を超える突出部を有するようになっている、請求項1から8までのいずれか1項記載の装置。前記蒸発器エレメント10aの互いに対する間隔は、蒸発器ベンチ10,110,110aまたは基板支持装置21,22の端部領域におけるコーティング速度の低下を補償するように、調節可能である、請求項1から9までのいずれか1項記載の装置。真空コーティングを、請求項1から10までのいずれか1項記載の装置を用いて行うことを特徴とする、基板を真空コーティングする方法。前記蒸発器ベンチ10,110,110aを用いて、特にアルミニウム、銅、錫、クロム、チタン、タンタル、金、銀、ロジウム、パラジウムまたはニッケルから成る群より選択される少なくとも1種から成る金属製の材料の熱蒸発を行う、請求項11記載の方法。処理源31,32のうちの少なくとも1つを用いて、基板の処理をグロー放電プロセスにより行う、請求項11または12記載の方法。処理源31,32の内の少なくとも1つを用いて、基板の処理をプラズマCVDプロセスにより行う、請求項11から13までのいずれか1項記載の方法。"