開口部を通じて電磁波を伝送する導波管と、複数の導電層を有する多層基板と、を備える導波管平面線路変換器であって、前記多層基板は、前記導波管の前記開口部と密着され、前記多層基板の板厚方向に見たときに前記導波管の開口部に重なる位置に設けられた第一結合孔を有する第一の導電層と、前記第一の導電層に電磁的に結合され、前記板厚方向において前記第一の導電層と反対側に配置されるとともに前記多層基板の面方向の一方に延びるストリップ電極と、前記板厚方向において前記第一の導電層と前記ストリップ電極との間に配置され、前記ストリップ電極が延びる方向のうちの少なくともいずれかに向けられた凸部を有する第二結合孔を有する第二の導電層と、を備える導波管平面線路変換器。前記第二結合孔は、前記ストリップ電極が延びる方向で互いに離れる方向へ向けられた2つの凸部を有する請求項1に記載の導波管平面線路変換器。前記多層基板は、3層以上の前記導電層を有する請求項1または2に記載の導波管平面線路変換器。しかしながら、特許文献1に開示された回路基板は、中空構造が形成された多層基板が必要となる。さらに導波管が面する部分に結合孔を形成するための電極を別に配置しなくてはならない。このため、安価な樹脂基板のみで平面線路を構成することは困難である。このように、特許文献1に開示された構造では低コストの材料や工法を適用できないという問題がある。また、特許文献1に開示された回路基板では、多層基板に設けられた側面グランドパターンとグランドビアとはともに埋め込みビアとなっている。この埋め込みビアに代えて貫通ビアを採用して回路基板をさらに低コストに形成することも考えられる。しかしながら、この場合、導波管と平面線路との間で線路を変換する電磁波の電界の一部が、ストリップ電極と結合孔との間で互いに平行な電極層の間に入り込んでしまう。互いに平行な電極層は平行平板線路として作用する。このため、この電極層間に入り込んだ電界は、多層基板の電極層間を進行してしまい、導波管と平面線路との間において通過損失となるおそれがある。本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、その目的の一例は、安価で通過損失が小さい導波管平面線路変換器を提供することにある。上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。本発明の導波管平面線路変換器は、開口部を通じて電磁波を伝送する導波管と、複数の導電層を有する多層基板とを備える。前記多層基板は、前記導波管の前記開口部と密着され、前記多層基板の板厚方向に見たときに前記導波管の開口部に重なる位置に設けられた第一結合孔を有する第一の導電層と、前記第一の導電層に電磁的に結合され、前記板厚方向において前記第一の導電層と反対側に配置されるとともに前記多層基板の面方向の一方に延びるストリップ電極と、前記板厚方向において前記第一の導電層と前記ストリップ電極との間に配置され、前記ストリップ電極が延びる方向のうちの少なくともいずれかに向けられた凸部を有する第二結合孔を有する第二の導電層とを備える。本発明の導波管平面線路変換器によれば、第一の導電層を通過した電磁波が第二の導電層に遮られることによる電磁波の通過損失を低減することができる。その結果、安価で通過損失が小さい導波管平面線路変換器を提供することができる。第1実施形態本発明の第1実施形態の導波管平面線路変換器10について、図面を参照して説明する。図1は、導波管平面線路変換器10を示す斜視図である。また、図2は、図1のA-A線に沿った断面図である。図3は、導波管平面線路変換器10の下面図である。図4は、図2のB-B線に沿った断面図である。図5は、導波管平面線路変換器10の平面図である。図1及び図2に示すように、導波管平面線路変換器10は、多層基板1と、導波管2とを備えている。多層基板1は、板状であり、導波管2が板厚方向の一方の面に接続されている。以下では、多層基板1の板厚方向において導波管2が接続された側を下側とし、多層基板1の板厚方向において導波管2が接続された側と反対側を上側として説明する。図2及び図3に示すように、導波管2は、電磁波Wを伝送する。本実施形態では、導波管2はマイクロ波を伝送する筒状の中空導波管である。また、導波管2は、軸方向に直交する断面形状が矩形形状に形成された方形導波管である。図2に示すように、導波管2の軸方向の一端には、多層基板1に接続される開口を有するフランジ状の開口部2aが形成されている。導波管2の軸方向の他端には、電磁波Wが入射あるいは出射される入出射部2bが形成されている。導波管2の材質としては、たとえば銅やアルミニウムなどの金属材料を採用することができる。導波管2の内部形状は、導波管2によって伝送する電磁波Wの周波数に応じて、たとえば軸方向に直交する断面における縦寸法と横寸法とが適宜定められている。多層基板1は、誘電体層7a、7bが積層された誘電体多層基板である。多層基板1は、下層電極第一の導電層6、誘電体層7a、内層電極第二の導電層5、誘電体層7b、及び上層電極4がこの順に下側から上側へ積層されている。さらに、多層基板1は、下層電極6、内層電極5、及び上層電極4にそれぞれ電気的に接続されたスルーホールビア8を複数有している。本実施形態では、多層基板1は、矩形形状に形成されている図1参照。図2及び図3に示すように、下層電極6は、多層基板1の面方向に延ばして形成された導電層である。本実施形態では、下層電極6は銅によって形成されている。下層電極6には、下層電極6を厚さ方向に貫通する第一結合孔9が形成されている。第一結合孔9は、導波管2と電磁的に結合された孔であり、導波管2から誘電体層7aへ電磁波Wを伝送するために下層電極6に形成された孔である。第一結合孔9の形状は、第一結合孔9を通過する電磁波Wを励振させることができる形状になっている。本実施形態では、第一結合孔9の形状は、多層基板1の厚さ方向に見て輪郭形状が長方形状になっている。下層電極6は、導波管2の開口部2aと密着して固定されている。下層電極6に導波管2の開口部2aが密着される位置は、多層基板1の板厚方向に見たときに導波管2の開口部2aの内側に第一結合孔9が収まる位置である。本実施形態では、下層電極6と導波管2とは、図示しないネジによって多層基板1に固定されている。下層電極6と導波管2との取り付けはネジ止めに限られない。たとえば、下層電極6と導波管2とは接着剤によって接着されていてもよい。また、基板マザーボードに形成された貫通孔の内面にスルーホールメッキを施すことで導波管2を形成してもよい。この場合には、導波管2が形成されたマザーボードと下層電極6とをハンダによる表面実装で接続してもよい。図2に示すように、誘電体層7aは、下層電極6と内層電極5との間に設けられた誘電体の層である。本実施形態では、誘電体層7aの材質はガラスエポキシなどの有機材料、あるいはセラミックスである。誘電体層7aの材質はガラスエポキシあるいはセラミックスに限られない。図2及び図4に示すように、内層電極5は、多層基板1の面方向に延ばして形成された導電層である。内層電極5は、厚さ方向に貫通して形成された第二結合孔11を有している。第二結合孔11は、第一結合孔9と電磁的に結合された孔である。第二結合孔11の形状については後述する。図2に示すように、誘電体層7bは、内層電極5と上層電極4との間に設けられた誘電体の層である。誘電体層7bの材質は、誘電体層7aと同様にガラスエポキシなどの有機材料、あるいはセラミックスである。誘電体層7bの材質はガラスエポキシあるいはセラミックスに限られない。誘電体層7aと誘電体層7bとは異なる材料によって形成されていてもよい。図5に示すように、上層電極4は、ストリップ電極平面線路3と、グランド電極4aとを有している。ストリップ電極3は、多層基板1の板厚方向に見たときに第一結合孔9の長辺L2の方向と直交する方向に延びて形成されている。グランド電極4aは、多層基板1の面方向でストリップ電極3の外周に沿って隙間を開けて設けられている。ストリップ電極3は、第二結合孔11図2参照と電磁的に結合された電極である。図5に示すように、ストリップ電極3の形状は、多層基板1の板厚方向に見たときに、ストリップ電極3の長辺L1と第一結合孔9の長辺L2とが直交する長方形状である。ストリップ電極3は、多層基板1の板厚方向に見たときに先端3aと基端3bとの間に第一結合孔9及び第二結合孔11が位置するように配置されている。ストリップ電極3の基端3bには、図示しない信号線を接続できるようになっている。ストリップ電極3によって上層電極4には平面線路が形成されている。図2及び図5に示すように、グランド電極4aは、スルーホールビア8に電気的に接続されている。グランド電極4aは、下層電極6の面と平行に形成されている。図2に示すように、スルーホールビア8は、上層電極4のグランド電極4a、内層電極5、及び下層電極6のグランド電位を等しくするために設けられている。スルーホールビア8は、多層基板1の板厚方向に見たときに、ストリップ電極3、第二結合孔11、及び第一結合孔9に重ならない位置に格子状に配列されている図3ないし図5参照。スルーホールビア8の材質は、上層電極4、内層電極5、及び下層電極6と同じで銅である。これは、スルーホールビア8を、多層基板1の製造時における上層電極4、内層電極5、及び下層電極6の形成過程で形成できるようにするためである。次に、内層電極5に形成された第二結合孔11の形状について説明する。図4に示すように、第二結合孔11は、矩形部11aと、凸部12とを有する。矩形部11aは、多層基板1の板厚方向に見たときに、第一結合孔9の長辺L2図3参照方向と平行に延びる形状を有する。凸部12は、多層基板1の板厚方向に見たときに、ストリップ電極3の長辺L1図5参照方向でストリップ電極3の基端3b側へ突出する形状を有する。本実施形態では、凸部12の形状は、多層基板1の厚さ方向に見たときに長方形状である。また、第二結合孔11は、多層基板1の厚さ方向に見たときに略T字形状である。第二結合孔11は、多層基板1の板厚方向に見たときに、第一結合孔9の外周に隙間を開けて輪郭線が位置するように配置されている。以上に説明した構成の導波管平面線路変換器10の作用について、図6A及び図6Bを参照して説明する。図6Aは、凸部12を有しない導波管平面線路変換器比較例における電界の分布の瞬時値を示す模式図である。図6Bは、導波管平面線路変換器10の使用時における電界の分布の瞬時値を示す模式図である。図6A及び図6Bにおいて、矢印の大きさは電界強度の大きさを示し、矢印の向きは電界の向きを示している。本実施形態では、以下の条件で電磁界シミュレーションを行った。電磁波Wとして、周波数77GHzの電磁波を用いた。導波管2としては、Wバンド帯75GHzから110GHzの電磁波を伝送する導波管を用いた。多層基板1の基板厚は130μmである。誘電体層7a、7bの誘電率は3.5に設定した。導波管2の入出射部2bに電磁波Wを入射させた。比較例の構成は、内層電極5に凸部12が形成されておらず、導電層5aを有し、矩形部11bのみが形成されている点で本実施形態の構成と異なっている。図6Bに示すように、導波管2に電磁波Wが入射されると、電磁波Wは導波管2の内部を通じて第一結合孔9へ伝搬する。すると、導波管2と電磁的に結合された第一結合孔9によって電磁波Wは励振され、第一結合孔9を通じて誘電体層7aへ伝送される。誘電体層7aでは、電磁波Wはストリップ電極3側へ向かって伝搬し、第二結合孔11によって励振されて誘電体層7bへ伝送される。誘電体層7bへ伝送された電磁波Wは、誘電体層7bからストリップ電極3まで伝搬する。凸部12と下層電極6との間図6Bに示す領域Xには、第一結合孔9を通じて伝送された電磁波Wが存在する。この電磁波Wは、凸部12を通じて上層電極4側へと伝送される。従来、たとえば図6Aに示すように、下層電極6と上層電極4との間に上述の領域Xと上層電極4との間を遮る導電層図6Aに示す導電層5aが配置されていた。この場合、ストリップ電極3と第一結合孔9との間において、互いに平行な下層電極6と上層電極4との間に、ストリップ電極3へ伝送する電界の一部が入り込んだ状態となる。下層電極6と上層電極4に挟まれた電界は、平行平板線路のように多層基板1の誘電体層7aに沿って進行してしまう。このため、導波管2とストリップ電極3との間の線路の変換に用いられることなく通過損失となる。これに対して、図6Bに示すように、本実施形態においては、凸部12が、ストリップ電極3の長辺L1図5参照方向へ長く内層電極5が切り取られた形状に形成されている。このため、下層電極6からストリップ電極3へ伝送される電磁波Wの電界強度は凸部12が形成されていない場合に比べて大きい。すなわち、導波管2へ入射された電磁波Wのうちの、ストリップ電極3へ到達する成分が増加している。このように、導波管2からストリップ電極3へ線路変換するときの電磁波Wの通過損失は、凸部12が形成されていることによって低減されている。以上説明したように、本実施形態の導波管平面線路変換器10によれば、ストリップ電極3の長辺L1方向で基端3b側へ向かって凸となる凸部12を有する第二結合孔11が内層電極5に形成されている。この構成により、導波管平面線路変換器10における電磁波の通過損失を低減することができる。したがって、誘電体多層基板を用いて安価に製造でき、電磁波の通過損失が小さい導波管平面線路変換器を提供することができる。さらに、本構成によれば、内層電極5の結合孔電極端とスルーホールビアの間隔が埋め込みビアを用いた場合よりも広くなってしまう貫通スルーホールビア8を用いた安価な基板工法を用いても、上層電極4と下層電極6との間に挟まれる電界の成分を減少させることができる。これにより、樹脂基板など安価な材質や工法を用いて低コストな導波管平面線路変換器を提供することが可能となる。第2実施形態次に、本発明の第2実施形態の導波管平面線路変換器20について図7及び図8を参照して説明する。図7は本実施形態の導波管平面線路変換器20を示す図で、図1のA-A線に沿った断面図である。図8は、図7のE-E線に沿った断面図である。図7及び図8に示すように、本実施形態の導波管平面線路変換器20は、内層電極5に、第1実施形態で説明した第二結合孔11に代えて第二結合孔14が形成されている点が第1実施形態と異なっている。第二結合孔14は、ストリップ電極3の長辺L1方向に沿う方向へそれぞれ向けられた凸部15、16を有する孔である。本実施形態では、凸部15はストリップ電極3の基端3b側へ向けられている。また、凸部16はストリップ電極3の基端3b側から先端3a側へ向かう方向に向けられている。すなわち、第二結合孔14は、上層電極4図5参照におけるストリップ電極3の長辺L1方向に沿った軸と、下層電極6図3参照における第一結合孔9の長辺L2に沿った軸とが直交する十字形状となっている。また、第二結合孔14は、多層基板1を板厚方向に見たときに、ストリップ電極3の先端3aと基端3bとの間に凸部15、16が位置するように配置されている。本実施形態の導波管平面線路変換器20でも、第1実施形態の導波管平面線路変換器10と同様の効果を奏することができる。さらに、本実施形態では、ストリップ電極3の基端3b側に向けられた凸部15に加えて、電磁波Wの伝搬を阻害する内層電極5がストリップ電極3の先端3a側において切り取られた凸部16を有している。この構成により、電磁波Wの通過損失をさらに低減できる。第3実施形態次に、本発明の第3実施形態の導波管平面線路変換器30について図9を参照して説明する。図9は、本実施形態の導波管平面線路変換器30を示す図で、図1のA-A線に沿った断面図である。図9に示すように、第3実施形態の導波管平面線路変換器30は、多層基板1が、内層電極5をさらに2つ備え、内層電極5のそれぞれの間に誘電体層7cをさらに備える点で第1実施形態の導波管平面線路変換器10と構成が異なっている。複数の内層電極5のいずれにも、第1実施形態と同様の第二結合孔11が形成されている。これにより、本実施形態では、第二結合孔11は3つ設けられている。3つの第二結合孔11は、多層基板1を板厚方向に見たときに互いに重なる位置に設けられている。本実施形態の導波管平面線路変換器30によれば、多層基板1に複数の内層電極5を備えることができる。その結果、より複雑な回路を持った多層基板1においても第1実施形態と同様に電磁波Wの通過損失を低減できる。変形例以下では、上述の各実施形態の導波管平面線路変換器10、20、30の変形例について説明する。図10A及び図10Bは、第1実施形態ないし第3実施形態の導波管平面線路変換器の変形例の構成を示す図である。図10A及び図10Bは、図1のB-B線、あるいは図9のC-C線に沿った断面図である。図10Aに示すように、凸部12は内層電極5の厚さ方向に見たときの輪郭形状が三角形状を有していてもよい。また、図10Bに示すように、凸部12の輪郭形状は円弧状を有していてもよい。その他、凸部12の形状は、電磁波Wによる電界の強さの分布に合わせた形状とすることができる。強い電界が生じる箇所まで延びる形状に凸部12を形成することで、導波管平面線路変換器における電磁波Wの通過損失を低減することができる。これら凸部12の形状は、第2実施形態における凸部15、16でも同様の構成とすることができる。以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。たとえば、上述の各実施形態では、導波管2は方形導波管である例を説明したが、導波管2は方形導波管に限られない。たとえば、導波管2は円形導波管であってもよい。また、導波管2として、ミリ波を好適に伝送できる導波管を採用することもできる。また、導波管2の内部に誘電体が配置されていてもよい。また、上述の実施形態では、下層電極6、内層電極5、上層電極4、ストリップ電極3、及びスルーホールビア8はすべて銅で形成されている例を示したが、これに限られない。下層電極6、内層電極5、上層電極4、ストリップ電極3、及びスルーホールビア8は銅以外の材料で形成されていてもよい。また、下層電極6、内層電極5、上層電極4、ストリップ電極3、及びスルーホールビア8の材質がそれぞれ異なっていてもよい。また、上述の第3実施形態における複数の内層電極5は第1実施形態と同様の第二結合孔11が形成された例を示したが、これに限られない。第3実施形態における複数の内層電極5に、第2実施形態で説明した第二結合孔14が複数の内層電極5に形成されていても構わない。また、上述の第3実施形態で説明した内層電極5は、各電極の形状が厳密に同一である必要はない。また、上述の第3実施形態では内層電極5が3層である構成を例示しているが、内層電極が2層あるいは4層以上であってもよい。この出願は、2010年2月17日に出願された日本出願特願2010-032655を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。