"マスクパターン補正を行うレイアウト中のパターンの種類毎に、ウエハ転写シミュレーションによって基準フレア値におけるマスクパターン補正量を基準マスク補正量として算出するとともに、フレア値の変化量に対するマスクパターン補正量の変化量を変化量情報として算出する算出ステップと、前記パターンと、前記基準マスク補正量と、前記変化量情報と、を対応付けした対応付け情報を作成する対応付け情報作成ステップと、前記パターンに対応する基準マスク補正量および前記パターンに対応する変化量情報を、前記対応付け情報から抽出する抽出ステップと、前記パターンが配置される配置位置でのフレア値と前記基準フレア値との差分であるフレア差分と、抽出した基準マスク補正量および変化量情報とに基づいて、前記配置位置でのフレア値に応じたマスクパターン補正量の前記基準マスク補正量からの差分を差分補正量として算出する差分補正量算出ステップと、前記差分補正量および前記基準マスク補正量を用いて、前記パターンのフレア値に応じた補正を行ったマスクパターンを作成するマスクパターン作成ステップと、を含むことを特徴とするマスクパターン補正方法。前記変化量情報は、前記フレア値の変化量に対する基板上パターンの仕上がり寸法変化量と、前記マスクパターン補正量の変化量に対する基板上パターンの仕上がり寸法変化量と、に基づいて算出されることを特徴とする請求項1に記載のマスクパターン補正方法。前記変化量情報は、複数のフレア値と、該複数のフレア値に対して算出されたマスクパターン補正量との関係を、数式で近似することによって得られた情報であることを特徴とする請求項1に記載のマスクパターン補正方法。マスクパターン補正を行うレイアウト中のパターンに対し少なくとも2つのフレア値においてそれぞれ光近接効果補正を行い、フレア値毎の複数の第1のマスクパターンを算出する第1の算出ステップと、前記パターンに対し当該パターンが配置される配置位置でのフレア値と、前記フレア値毎に算出した複数の第1のマスクパターンと、に基づいて補正量を求めることにより、前記配置位置でのフレア値に応じた第2のマスクパターンを算出する第2の算出ステップと、を含むことを特徴とするマスクパターン補正方法。前記第2のマスクパターンは、前記配置位置でのフレア値に対し、前記配置位置でのフレア値と前記第1のマスクパターンの補正量との関係を用いた補間処理を行うことによって算出されることを特徴とする請求項4に記載のマスクパターン補正方法。前記第1のマスクパターンは、階層処理によって算出されることを特徴とする請求項4または5に記載のマスクパターン補正方法。マスクパターン補正を行うレイアウト中のパターンの種類毎に、ウエハ転写シミュレーションによって基準フレア値におけるマスクパターン補正量を基準マスク補正量として算出するとともに、フレア値の変化量に対するマスクパターン補正量の変化量を変化量情報として算出する算出ステップと、前記パターンと、前記基準マスク補正量と、前記変化量情報と、を対応付けした対応付け情報を作成する対応付け情報作成ステップと、前記設計パターンに対応する基準マスク補正量および前記パターンに対応する変化量情報を、前記対応付け情報から抽出する抽出ステップと、前記パターンが配置される配置位置でのフレア値と前記基準フレア値との差分であるフレア差分と、抽出した基準マスク補正量および変化量情報とに基づいて、前記配置位置でのフレア値に応じたマスクパターン補正量の前記基準マスク補正量からの差分を差分補正量として算出する差分補正量算出ステップと、前記差分補正量および前記基準マスク補正量を用いて、前記パターンのフレア値に応じた補正を行ったマスクパターンを作成するマスクパターン作成ステップと、をコンピュータに実行させることを特徴とするマスクパターン補正プログラム。マスクパターン補正を行うレイアウト中のパターンに対し少なくとも2つのフレア値においてそれぞれ光近接効果補正を行い、フレア値毎の複数の第1のマスクパターンを算出する第1の算出ステップと、前記設計パターンに対し当該設計パターンが配置される配置位置でのフレア値と、前記フレア値毎に算出した複数の第1のマスクパターンと、に基づいて補正量を求めることにより、前記配置位置でのフレア値に応じた第2のマスクパターンを算出する第2の算出ステップと、をコンピュータに実行させることを特徴とするマスクパターン補正プログラム。マスクパターン補正を行うレイアウト中のパターンの種類毎に、ウエハ転写シミュレーションによって基準フレア値におけるマスクパターン補正量を基準マスク補正量として算出するとともに、フレア値の変化量に対するマスクパターン補正量の変化量を変化量情報として算出する算出ステップと、前記パターンと、前記基準マスク補正量と、前記変化量情報と、を対応付けした対応付け情報を作成する対応付け情報作成ステップと、前記パターンに対応する基準マスク補正量および前記パターンに対応する変化量情報を、前記対応付け情報から抽出する抽出ステップと、前記パターンが配置される配置位置でのフレア値と前記基準フレア値との差分であるフレア差分と、抽出した基準マスク補正量および変化量情報とに基づいて、前記配置位置でのフレア値に応じたマスクパターン補正量の前記基準マスク補正量からの差分を差分補正量として算出する差分補正量算出ステップと、前記差分補正量および前記基準マスク補正量を用いて、前記設計パターンのフレア値に応じた補正を行ったマスクパターンを作成するマスクパターン作成ステップと、前記マスクパターン作成ステップで作成されたマスクパターンを用いてマスクを作製するマスク作製ステップと、作製されたマスクを用いて基板上にパターンを形成するパターン形成ステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。マスクパターン補正を行うレイアウト中のパターンに対し少なくとも2つのフレア値においてそれぞれ光近接効果補正を行い、フレア値毎の複数の第1のマスクパターンを算出する第1の算出ステップと、前記パターンに対し当該パターンが配置される配置位置でのフレア値と、前記フレア値毎に算出した複数の第1のマスクパターンと、に基づいて補正量を求めることにより、前記配置位置でのフレア値に応じて補正を行った第2のマスクパターンを算出する第2の算出ステップと、第2のマスクパターンを用いてマスクを作製するマスク作製ステップと、作製されたマスクを用いて基板上にパターンを形成するパターン形成ステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、フレアを考慮したマスクパターン補正を高速かつ高精度に行うことができるマスクパターン補正方法、マスクパターン補正プログラムおよび半導体装置の製造方法を提供することである。実施形態によれば、マスクパターン補正方法が提供される。本マスクパターン補正方法では、補正を行うレイアウト中のパターンの配置種類毎に、ウエハ転写シミュレーションによって基準フレア値における補正量を基準マスク補正量として算出するとともに、フレア値の変化に対するマスク補正量の変化量を変化量情報として算出する。そして、前記パターンと、前記基準マスク補正量と、前記変化量情報と、を対応付けした対応付け情報を作成する。その後、パターンを補正する際、該パターンに対応する基準マスク補正量および変化量情報を、前記対応付け情報から抽出する。そして、前記パターンが配置される配置位置でのフレア値と前記基準フレア値との差分であるフレア差分と、抽出した変化量情報に基づいて、フレアの変化に対する差分補正量を算出する。そして、前記差分補正量および前記基準マスク補正量を用いて、前記パターンのフレア値に応じたマスクパターンを作成する。以下に添付図面を参照して、実施形態に係るマスクパターン補正方法、マスクパターン補正プログラムおよび半導体装置の製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係るマスクパターン補正装置の構成を示すブロック図である。マスクパターン補正装置1Aは、半導体装置半導体集積回路の形成に用いるマスクパターンを作成するコンピュータなどである。マスクパターン補正装置1Aは、レイアウトパターンデータ短にパターンとも呼ぶを用いて、フレア補正したマスクパターンデータを作成する。本実施形態のマスクパターン補正装置1Aは、入力されたレイアウトパターンに対しフレアの影響によるウエハ上に仕上がるパターン寸法の変動を補正すべく、まず基準となるフレア値における補正量基準補正量をウエハ転写シミュレーション等用いて求める。そしてそれと共に、フレア量の変化に対する補正量の変化量以下フレア補正感度と称するも求める。その後、該フレア補正感度より、補正対象のパターン位置におけるフレア値と該基準となるフレア値との差分であるフレア差分からフレアの差分補正量を求め、前記基準フレア値における補正量に足し合わせてマスクパターンの補正を行なう。また、このとき、マスクパターン補正装置1Aは、基準補正量とフレア補正感度を検索参照できるようにテーブル化しておく。これにより、以降、テーブル内に登録されたパターンと同一のパターンを補正する場合、マスクパターン補正装置1Aは、ウエハ転写シミュレーションを使うことなくテーブルを用いてマスクパターン補正を行うことができる。具体的には、マスクパターン補正装置1Aは、補正するパターンのフレア値と基準フレア値との差分であるフレア差分と、テーブルに登録されているフレア補正感度と、テーブルに登録されている基準補正量基準フレア値でのマスクパターン補正量と、を用いてパターン補正を行う。マスクパターン補正装置1Aは、入力部51、出力部52、検索部5、テーブル作成部10、パターン補正部30、記憶部20Aを備えている。入力部51は、マスクパターンの作成フレア補正に必要な種々の情報を入力して記憶部20Aに記憶させる。入力部51へは、例えば、半導体装置の設計レイアウト、設計レイアウト内のパターン位置毎のフレア値などが入力される。フレア値は、設計パターンが配置される位置ショット内座標によって変わる値であり、本実施形態では予め外部装置フレア値算出装置などが算出しておくものとする。テーブル作成部10は、基準フレア値における補正対象パターンについてウエハ転写シミュレーション等を用いて最適な補正量を求める処理基準補正量算出部12と、フレア量が変化したときの最適な補正量の変化フレア補正感度を求める処理フレア補正感度算出部13を行う。基準補正量算出部12は、新規の補正パターン後述するテーブル70に未登録のパターンに対し、基準フレア値において露光シミュレーションを行い所望寸法に仕上がるように最適な補正量を算出する。所定のフレア値におけるウエハ転写シミュレーションとは、所定フレア値における光学像を得る処理であるが、たとえば下記の式1のようにフレアを考慮した光学像フレア変調した光学像を得ることができる。Inewx,y=1-TISIx,yFlarex,y1Inewx,y:位置x,yにおけるフレア変調後の光強度Ix,y:位置x,yにおけるフレアを考慮しない光強度TIS:トータル散乱光の割合Flarex,y:位置x,yにおけるフレア値基準フレア値は、チップ全面をフレア分布解析した場合のフレア値に基づいて設定される。基準フレア値は、例えば、チップ全面のフレア値に対する平均フレア値、占有率の高いフレア値、分布の中心にあるフレア値、露光量調整する位置のフレア値、露光基準パターン位置のフレア値などの何れでもよい。なお、パターン種別毎に基準フレア値を設けても良い。基準補正量算出部12は、フレア変調された光学像でウエハ上にパターン形成した場合のウエハ上パターン形状と、所望のウエハ上パターン形状と、の差分寸法ずれ量が小さくなるよう、最適なマスクパターン補正量を求める。ここでのマスクパターン補正量は、現補正対象パターン位置のフレア値が基準フレア値と同じであった場合に、所望のウエハ上パターンを形成できるマスクパターン補正量である。換言すると、ここでのマスクパターン補正量は、現補正対象パターン位置のフレア値を考慮していないマスクパターン補正量である。したがって、基準補正量算出部12は、基準フレア値で露光する場合のマスクパターン補正量以下、基準補正量というを算出していることになる。基準補正量算出部12は、パターンの種類毎に、基準補正量を算出する。したがって、パターンの形状、寸法、そして周囲のパターン配置情報が異なる場合には、異なる種類のパターンであるとして、パターン毎に基準補正量を算出する。これはパターンマッチングなどの手法により種類分けすることができる。フレア補正感度算出部13は、フレア補正感度として、フレア変化に応じた補正量変化値を求める。フレア補正感度は、フレア値と、マスクパターン補正量と、の対応関係である。フレア補正感度算出部13は、基準補正量算出部12が扱うパターンについてフレア補正感度を算出する。ここでのフレア補正感度は、例えば横軸をフレア値、縦軸をマスクパターン補正量としたグラフなどによって表される。フレア補正感度算出部13は、基準補正量算出部と同様にパターンの種別毎にフレア補正感度を算出する。テーブル作成部10は、パターン種別と、基準補正量と、フレア補正感度と、を対応付けし、テーブル70に登録する。記憶部20Aは、マスクパターンの作成に用いる種々の情報を記憶するメモリなどである。記憶部20Aは、設計レイアウト記憶部21、フレア値記憶部22、テーブル記憶部23を有している。レイアウト記憶部21は、複数のパターンで構成されたレイアウトを記憶し、フレア値記憶部22は、パターンが配置される配置位置でのフレア値を記憶する。また、テーブル記憶部23は、フレア補正感度算出部13が作成したテーブル70を記憶する。パターン補正部30は、テーブル70を参照しながら適切な補正量を求めパターンを補正しマスクパターンを作成する。テーブル70からは、基準補正量とフレア補正感度情報を得、前記パターンは、そのパターン位置におけるフレア値と基準フレア値からの差分を考慮した補正を行う式2。補正量=基準補正量フレア補正感度×Δフレア2補正量:補正対象となっているパターンの補正量フレアを考慮した補正量基準補正量:テーブル70から得た、基準フレア値における補正量フレア補正感度:テーブル70から得たフレアに対する補正変化量Δフレア:基準フレア値と、補正対象となっているパターン位置でのフレア値との差分検索部5は、補正対象となるパターン補正対象パターンをレイアウト記憶部21から抽出するとともに、補正対象パターンが新規パターンであるか、既存パターンであるかを判定する。検索部5は、テーブル70内に登録されているパターンと同じパターンは既存パターンであると判定し、テーブル70内に登録されていないパターンは新規パターンであると判定する。検索部5は、既存パターンをパターン補正部30に送る。一方、新規パターンはテーブル作成部10に一旦送り基準補正量とフレア補正感度を求めた後、パターン補正部30に送る。出力部52は、パターン補正部30で補正されたフレア補正後のマスクパターンを外部装置に出力する。つぎに、マスクパターン補正処理の処理手順について説明する。図2は、第1の実施形態に係るマスクパターン補正処理の処理手順を示すフローチャートである。マスクパターン補正装置1Aの記憶部20Aへは、予めレイアウト、パターン毎のフレア値を格納しておく。なお、パターン毎のフレア値の代わりにレイアウト内でのフレア値分布を格納しておいてもよい。検索部5は、マスクパターンの作成対象となるパターンをレイアウト記憶部21内のレイアウトから順番に抽出する。検索部5は、テーブル記憶部23内のテーブル70を参照しステップS1、抽出したパターンと同じパターンがテーブル70内に登録されているか否かを判定する。これにより、検索部5は、パターンが既存パターンであるか否かを判定するステップS2。パターンの抽出は、その補正対象となっている設計パターンを中心に光近接効果の及ぶ距離OPE:OpticalProximityEffect程度の範囲にある自身のパターンを含めた周囲のパターンを切り出して抽出する。ここでは説明を簡単にするため便宜上パターン毎の処理として説明しているが、パターンパターンエッジ辺もしくはそのエッジをさらに細分化したエッジ毎に補正することが一般的である。このとき、補正値はエッジ単位もしくは細分化されたエッジ単位で管理され、エッジ毎に最適な補正量とフレア補正感度が計算される補正される。またパターン抽出においては、そのエッジ位置を中心に自身のパターンを含めた周囲のパターンを切り出して行なうことになる。抽出したパターンが既存パターンでない場合新規パターンである場合ステップS2、No、検索部5は、新規パターンをテーブル作成部10に送る。そして、基準補正量算出部12は、該パターンに対してウエハ転写シミュレーションを行うステップS3。これにより、ウエハ上に形成される光学像が導出される。さらに、基準補正量算出部12は、ウエハ上に形成される光学像が基準フレア値で露光した場合の光学像と同じになるよう、光学像の変換フレア変調を行うステップS4。基準補正量算出部12は、フレア変調された光学像でウエハ上にパターン形成した場合のウエハ上パターンと、所望のウエハ上パターンと、の差分寸法ずれ量を測定算出するステップS5。具体的には、ウエハ上でパターンが解像する強度値スライスレベルにてパターン形成した場合のウエハ上パターン寸法の、所望寸法からのずれ量が算出される。そして、基準補正量算出部12は、ウエハ転写シミュレーションにて得られるウエハ上パターン寸法の所望寸法からの寸法ずれ量が許容範囲内であるか否かを判定するステップS6。寸法ずれ量が許容範囲内に入っていない場合ステップS6、No、基準補正量算出部12は、パターンに対し、寸法ずれ量が小さくなる方向へバイアス補正マスクパターン補正を行なうステップS7。そして、寸法ずれ量が許容範囲内となるまで、ステップS3~S7の処理が繰り返される。基準補正量算出部12は、このようにパターンのバイアスとウエハ転写シミュレーションとを繰り返すことで、新規パターンに対し所望寸法のウエハ上パターンを形成可能なマスクパターン補正量が決定される。そして、算出されたマスクパターン補正量が、基準補正量となる。寸法ずれ量が許容範囲内に入ればステップS6、Yes、フレア補正感度算出部13は、基準補正量算出部12が基準補正量を作成する際に用いたデータに基づいて、フレア補正感度を算出するステップS8。フレア補正感度を算出する際には、フレア補正感度算出部13は、まず、光学像に対してフレアを変化させた場合の、ウエハ上パターンの寸法変化量ΔWaferCDΔflreaを求める。この値変化の度合いをフレアCD感度という。また、フレア補正感度算出部13は、パターンをバイアス補正した場合のウエハ上パターンの寸法変化量ΔWaferCDΔMaskCDを求める。この値変化の度合いをMEFMaskEnhanceFactorという。フレア補正感度算出部13は、これら2つの値関係を用いて、フレア補正感度を以下の式3で求める。フレア補正感度=フレアCD感度/MEF3なお、フレア補正感度算出部13は、フレア補正感度を別の方法で算出してもよい。例えば、フレア補正感度算出部13は、フレア値を2点以上設定し、各々のフレア値に対してステップS3~S7の処理を行うことにより、最適なマスクパターン補正量を算出する。そして、フレア補正感度算出部13は、算出したマスクパターン補正量とフレア値との関係を、数式で近似する。具体的には、フレア補正感度算出部13は、横軸をフレア値、縦軸をマスクパターン補正量に設定して、マスクパターン補正量とフレア値をプロットする。そして、フレア補正感度算出部13は、プロットされた関係にフィッティングする数式を導出する。フレア補正感度算出部13は、導出した数式を近似式として用いることで、2つめ以降のパターン既存パターンについてはウエハ転写シミュレーションすることなく、フレア補正量を単純な数式で求めることが可能となる。フレア補正感度を算出した後、フレア補正感度算出部13は、該新規パターンと、上記手法で得た基準補正量と、フレア補正感度と、を対応付けし、対応付けした情報を、テーブル記憶部23内のテーブル70に追加するステップS9。ここで、テーブル70の構成例について説明する。図3は、テーブルの構成例を示す図である。テーブル70では、新規パターンパターン形状、寸法、そして周囲のパターン配置情報と、基準補正量と、フレア補正感度と、が対応付けられている。テーブル70における新規パターンは、新規パターンのパターン形状、寸法、そして周囲のパターン配置情報であり、基準補正後パターンは、新規パターンを基準補正量で補正した場合のパターン形状および寸法である。新規パターンは、実際のパターン形状および寸法であってもよいし、パターン形状を示すエッジ座標の集合であってもよい。基準補正量は、基準補正量で補正した場合の補正後パターン以下、基準補正後パターンというと新規パターンとの差分である。フレア補正感度は、フレア差分基準フレア値からのずれ量とフレア補正量との対応関係を示す情報であり、基準フレア値からどれだけずれた場合にフレア補正量がどれくらいの量になるかを示している。フレア補正感度は、例えば、横軸がフレア値を示し、縦軸がフレア補正量を示すグラフである。この場合、例えばグラフ上の特性とともに、基準フレア値と基準補正量をテーブルに登録しておいてもよい。また、フレア補正感度は、上記グラフの傾きであってもよい。また、フレア補正感度は、上記グラフ上の2点の特性フレア値とフレア補正量との関係であってもよいし、上記グラフに対応する数式であってもよい。新規パターンに関する情報をテーブル70に追加した後、パターン補正部30は、テーブル70、新規パターンのフレア値現在補正しているパターン位置におけるフレア値と基準フレア値との差分であるフレア差分を用いて、新規パターンに対するフレア差分補正量を算出するステップS10。具体的には、パターン補正部30は、フレア差分と、フレア補正感度と、に基づいてフレア差分補正量を算出する。フレア差分補正量は、現在補正しているパターン位置のフレア値を考慮したマスクパターン補正量であり、基準補正量からの差分である。具体的には、パターン補正部30は、以下の式4を用いて、フレア差分補正量を算出する。フレア差分補正量=パターン位置のフレア値-基準フレア値×フレア補正感度4この後、パターン補正部30は、算出したフレア差分補正量を基準補正量に加え補正することにより新規パターンのマスクパターン補正を行うステップS11。そして、検索部5は、マスクパターン補正を行なっていない未処理の設計パターンが残っているか否かを判定するステップS12。未処理の設計パターンが残っている場合ステップS12、Yes、マスクパターン補正装置1Aは、ステップS1の処理に戻る。そして、検索部5は、テーブル70を参照しステップS1、次にレイアウトより抽出したパターン補正対象パターンがテーブル70内に登録されているか否かを判定する。これにより、検索部5は、設計パターンが既存パターンであるか否かを判定するステップS2。今回抽出された補正対象パターン現補正対象パターンが新規パターンである場合ステップS2、No、マスクパターン補正装置1Aは、ステップS3~S12の処理を繰り返す。一方、抽出したパターンが既存パターンである場合ステップS2、Yes、パターン補正部30は、抽出したパターンに対応する基準補量をテーブル70から抽出する。そして、パターン補正部30は、テーブル70に基づいて、基準補正量で現補正対象パターンを補正するステップS13。ここでの補正したマスクパターンは、基準フレア値において補正したマスクパターンとなる。さらに、パターン補正部30は、抽出したパターンに対応するフレア補正感度をテーブル70から抽出するステップS14。そして、パターン補正部30は、現補正対象パターン位置におけるフレア値と、基準フレア値と、の差分をフレア差分として算出する。そして、パターン補正部30は、フレア差分と、フレア補正感度と、に基づいて、補正対象パターンへのフレア差分補正量基準補正量からの差分を算出するステップS10。そして、パターン補正部30は、算出したフレア差分補正量を用いて基準補正後パターンを補正するステップS11。そして、検索部5は、マスクパターン補正を行なっていない未処理の設計パターンが残っているか否かを判定するステップS12。未処理の設計パターンが残っている場合ステップS12、Yes、マスクパターン補正装置1Aは、ステップS1~S14の処理を繰り返す。一方、マスクパターン補正を行なっていない未処理の設計パターンが残っていない場合ステップS12、No、マスクパターン補正装置1Aによるマスクパターン作成処理は完了する。図4は、フレア値毎のフレア補正を説明するための図である。図4のaに示すように、フレア値は、設計パターン補正前パターンが配置されるチップ内での位置ショット60内での座標によって種々の値を有している。例えば、位置P1は、ショット60内の周縁部の位置であり、位置P3は、ショット60内の中心部の位置である。また、位置P2は、ショット60内の位置P1とP3との間の位置である。図4のbに示すように、位置P1~P3に同一の形状および寸法を持つ補正前パターン61が配置されている場合であっても、位置P1~P3毎にフレア値が異なる。ここでは、位置P1のフレア値が低く、位置P3のフレア値が高く、位置P2のフレア値がP1とP3の中間の値になる場合を示している。位置P1~P3の各補正前パターン61は、それぞれフレア値の大きさに応じた光学像62A~62Cを有することとなる。このような、位置P1~P3の各補正前パターン61に対してフレア補正を行った場合、同一の形状、寸法を有したパターンであっても異なる補正量でフレア補正されることとなる。このようなフレア補正により、位置P1の補正前パターン61は、補正前パターン61よりも太い補正後パターン63Aとなる。また、位置P2の補正前パターン61は、補正前パターン61と同じ程度の補正後パターン63Bとなり、位置P3の補正前パターン61は、補正前パターン61よりも細い補正後パターン63Cとなる。ただし本補正量に関しては一例であり、実際の補正量は、露光基準をどの位置にあるパターンに設定するかで変わってくる。一方、補正前パターンが同一であれば、フレア値が異なる場合であっても、フレアを考慮しない元の光学像は同じである。このため、同一の補正前パターンに対して何度も同じようなウエハ転写シミュレーションを行うのは無駄である。本実施形態では、フレア値に応じたフレア差分補正量を補正前パターン毎に適用して、不要なウエハ転写シミュレーションを省略している。本実施形態のように、フレア補正感度を算出しておけば、以降の同一の補正前パターンに対するマスクパターン補正は、テーブル70に格納しておいたフレア補正感度を用いることができる。フレア補正感度を用いると、補正するパターンの位置に対応するフレア値に応じたフレア差分補正量が分かるので、テーブル70を参照することによりマスクパターン補正を行うことが可能となる。これにより、ウエハ転写シミュレーションする回数を大幅に減らすことが可能となる。例えば、チップ内のフレア値のばらつきが±3レンジ6であった場合、フレア値のステップを0.3と考えると、フレア値のバリエーションは206÷0.3あることになる。したがって、本実施形態のマスクパターン補正方法を用いることにより、20回分のシミュレーションを1回に減らすことができる。このため、マスクパターン補正処理を、およそ20倍に高速化することが可能となる。また、本実施形態では、パターンエッジを動かすことによってマスクパターン補正しているので、ダミーパターンを配置することによってフレア変動量を少なくするようなマスクパターン補正を行なう場合よりも、精度良くマスクパターン補正を行なうことが可能となる。また、本実施形態では、ウエハ転写シミュレーションとフレア補正感度を用いてマスクパターン補正を行なっているので、ルールベースでマスクパターン補正を行なう場合よりも、高精度かつ容易にマスクパターン補正を行なうことが可能となるルールで高精度に補正する場合には、複雑なルールとなり現実的ではない。マスクパターンの補正処理は、例えばウエハプロセスのレイヤ毎に行われる。そして、必要に応じてマスクパターンが補正されたマスクを用いて半導体装置半導体集積回路が製造される。具体的には、補正後のマスクパターンを用いてマスクを作製し、レジストの塗布されたウエハにマスクを用いて露光を行ない、その後ウエハを現像してウエハ上にレジストパターンを形成する。そして、レジストパターンをマスクとしてレジストパターンの下層側をエッチングする。これにより、レジストパターンに対応する実パターンをウエハ上に形成する。半導体装置を製造する際には、上述したマスクパターン補正、露光処理、現像処理、エッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。このように第1の実施形態によれば、フレア補正感度を用いてマスクパターン補正を行うので、同一パターン配置ながらフレア値が異なるパターン対しては、ウエハ転写シミュレーションを行う必要が無くなる。このため、処理負荷の高いウエハ転写シミュレーションを最初の新規パターンに対して1回だけ行うことで、既存パターンを、高速かつ高精度にマスクパターン補正することが可能となる。したがって、フレアを考慮したマスクパターン補正を高速かつ高精度に行うことができる。第2の実施形態つぎに、図5~図8を用いてこの発明の第2の実施形態について説明する。第2の実施形態でも第1の実施形態と同様に、同一のパターンでフレア値が異なる補正対象パターンに対して、高速かつ高精度にマスクパターン補正する。第2の実施形態では、光近接効果補正とフレア補正との2段階でマスクパターン補正を行う。そして、光近接効果補正の段階では2つのフレア値に対してそれぞれ補正したマスクパターンを出力しておく。フレア補正する際には、2つのフレア値に対して補正されたマスクパターンから各パターン位置でのフレア量を考慮した補正を行う。図5は、第2の実施形態に係るマスクパターン補正装置の構成を示すブロック図である。図5の各構成要素のうち図1に示す第1の実施形態のマスクパターン補正装置1Aと同一機能を達成する構成要素については同一番号を付しており、重複する説明は省略する。マスクパターン補正装置1Bは、入力部51、出力部52、光近接効果補正部41、フレア補正部42、記憶部20Bを備えている。記憶部20Bは、レイアウト記憶部21、フレア値記憶部22、中間データ記憶部25を有している。光近接効果補正部41は、レイアウトに対して、レイアウト面内一定のフレア値で光近接効果補正OPCOpticalProximityCorrectionを行う。光近接効果補正部41は、補正対象パターンに対してウエハ転写シミュレーションを行う。光近接効果補正部41は、シミュレーションにより得られたウエハ上パターンの仕上がり形状と、所望のウエハ上パターンと、の差分寸法ずれ量が小さくなるよう、最適なマスクパターン補正量を求める。本実施形態の光近接効果補正部41は、補正対象パターンに対し少なくとも2つのフレア値例えば大きなフレア値と小さなフレア値に対して、それぞれマスクパターン補正量を求める。光近接効果補正部41は、前記算出した各マスクパターン補正量で補正対象パターンを補正することにより、2つのフレア値それぞれで補正した後のマスクパターン以下、OPC後パターンというを作成する。なお、光近接効果補正部41は、後述する階層処理などによってマスクパターンを補正してもよい。光近接効果補正部41は、2つのフレア値で作成した2つのOPC後パターンのデータを中間データとして中間データ記憶部25に送る。光近接効果補正部41は、中間データと、中間データの作成に用いた2つのフレア値と、を対応付けし、中間データ情報として中間データ記憶部25に送る。中間データ記憶部25は、光近接効果補正部41が作成した中間データ情報を記憶する。フレア補正部42は、中間データ2つのOPC後パターンと、2つのフレア値と、補正対象パターン位置のフレア値と、を用いて、補正対象パターンにフレア補正を行う。フレア補正部42は、2つのOPC後パターンを用いて、補正対象各パターン位置のフレア値に応じ、マスクパターンを補間近似などなどによって補正量を算出し補正を行う。出力部52は、フレア補正部42で補正されたフレア補正後のマスクパターンを外部装置に出力する。つぎに、マスクパターン補正処理の処理手順について説明する。図6は、第2の実施形態に係るマスクパターン補正処理の処理手順を示すフローチャートである。マスクパターン補正装置1Bの記憶部20Bへは、予めレイアウトとレイアウト中のパターン毎のフレア値を格納しておく。尚、フレア値はパターン毎のフレア値の代わりに、チップ面内のフレアの分布データを格納しておいても良い。光近接効果補正部41へは、レイアウトが入力されるステップS21。光近接効果補正部41は、マスクパターンの作成対象となるパターン補正対象パターンに対して光近接効果補正を行うステップS22。その際、基準フレア値FBに対して、所定のフレア変動幅ΔFlareをパラメータで設定しておく。フレア変動幅ΔFlareは、例えばマスクパターン補正装置1Bの使用者からの指示に従って光近接効果補正部41に設定される。光近接効果補正部41は、設計レイアウト中の全補正対象パターンに対し、第1のフレア値であるFB-ΔFlareにおける光近接効果補正OPClowerと、第2のフレア値であるFBΔFlareにおける光近接効果補正OPChigherと、を例えば同時に行なう第1の補正工程。ここでのOPClowerによって作成されたOPC後パターンと、OPChigherによって作成されたOPC後パターンと、が中間データとなるステップS23。光近接効果補正部41は、OPClowerとOPChigherの補正結果2つのOPC後パターンを、中間データ情報として中間データ記憶部25に出力する。中間データは、光近接効果補正システム内部のデータベースOPCツール独自のデータフォーマットを用いて管理してもよいし、GDSGraphicDatabaseSystemやOASISOrganizationfortheAdvancementofStructuredInformationStandards登録商標といった標準的なデータフォーマットを用いて管理してもよい。本光近接効果補正では、従来の光近接効果補正のスキームを使うが、補正量算出において指定したフレア量分、光学像を変調フレア変調しながら補正量を求める違いがある。しかしながらフレア値がレイアウト全面同じ値を使うことから、光近接効果の及ぶ範囲μmオーダーだけ考慮した光近接効果補正を行えばよいため、従来の光近接効果補正と同様の高速化手法を適用できる。光近接効果補正部41は、例えば、階層処理を用いた高速な光近接効果補正を行なうこともできる。フレア補正部42は、中間データ記憶部25から中間データ情報を読み出す。また、フレア補正部42は、フレア値記憶部22から各補正対象パターンの位置に対応したフレア値FB-ΔFlareとFBΔFlareを読み出す。そして、フレア補正部42は、OPClowerによって作成された第1のOPC後パターンと、OPChigherによって作成された第2のOPC後パターンと、に基づいて、補正対象パターンのフレア値に対応した補正量を補間などによって算出する。そして、フレア補正部42は、算出したマスクパターン補正量で補正対象パターンをフレア補正する第2の補正工程ステップS24。それぞれの補正対象パターンに対してステップS24の処理を行うことにより、マスクパターンが作成されるステップS25。図7は、マスクパターン補正処理を説明するための図である。第1の補正工程である光近接効果補正では、光近接効果補正部41が、フレア値が低い場合のOPC後パターン補正形状70Aと、フレア値が高い場合のOPC後パターン補正形状70Bと、を求め中間データとして出力する。そして、第2の補正工程であるフレア補正では、フレア補正部42が、中間データ中のOPC後パターン70A,70Bに基づいて、補間などによって補正対象パターン毎フレア値毎のマスクパターン補正量を算出する。換言すると、各フレア値に対し、OPC後パターン70A,70Bの算出に用いたフレア値と、OPC後パターン70A,70Bと、の関係を用いた補間処理によって、フレア値毎のマスクパターン補正量が算出される。そして、フレア補正部42は、算出したマスクパターン補正量を用いて各補正対象パターンを補正する。ここでは、フレア値がaの補正対象パターンに対してマスクパターン71が作成された場合を示している。同様に、フレア値がbの補正対象パターンに対しては、マスクパターン72が作成され、フレア値がcの補正対象パターンに対しては、マスクパターン73が作成される。フレア値a,b,cはa<b<cの関係にあり、フレア値が小さいと補正後形状が太く、フレア値が大きくなると補正形状が細くなっており、同一パターンであってもフレア量に応じた補正が成されているのが分かる。このように補正工程を2つに分けることで、第1の補正工程では従来の光リソグラフィにおける高速な補正手法を適用することができる。また第2の補正工程では、2つの水準2つのフレア値におけるマスクパターン形状補正量から各位置各フレア値に適したマスクパターン補正量を、単純な図形処理補間処理含むにより求めることができる。したがって、処理時間の掛かるウエハ転写シミュレータを用いた補正が不要となる分、マスクパターンの補正を高速化することが可能となる。なお、本実施形態では、2水準のフレア値でOPC後パターンを算出したが、フレア値に対するフレア補正の変動量を線形では表せない場合などもあるので、この場合、精度良く補正量を求めるためにフレア値として3つ以上の水準を設定してもよい。つぎに、階層処理を用いた光近接効果補正について説明する。図8は、階層処理を用いた光近接効果補正を説明するための図である。チップの設計レイアウトチップレイアウト80に対して、セル種セルC3が複数設定される。チップレイアウト80は、セルC1~C3のデータを階層構造として持つデータとなっている。構成はセルC1をルートセルとし、セルC2が複数設定される。このとき、セルC1内で同じ構成を有している共通領域は、1つのセルC2として表される。したがって、複数種類のセルC2を組み合わせることによってセルC1を構成することができる。同様に、各セルC2を構成する複数のセルC3が設定される。このとき、セルC2内で同じ構成を有している共通領域は、1つのセルC3として表される。したがって、複数種類のセルC3を組み合わせることによってセルC2を構成することができる。ここでは、セルC3が最下層のセルである。チップレイアウト80を複数の階層で表した後、何れの装置装置82A~82Cに何れのセルの光近接効果補正を行わせるかを装置81が設定する。換言すると、装置81は、セル処理OPC処理の振り分けを行うST2。そして、各装置82A~82Cでユニットの光近接効果補正OPC処理が行われるST3。本実施形態では、光近接効果補正部41が上述した階層処理を用いた光近接効果補正を行なってもよいし、光近接効果補正部41からの指示に従って装置81,82A~82Cが階層処理を用いた光近接効果補正を行なってもよい。つぎに、マスクパターン補正装置1A,1Bのハードウェア構成について説明する。なお、マスクパターン補正装置1A,1Bは、それぞれ同様のハードウェア構成を有しているので、ここではマスクパターン補正装置1Aのハードウェア構成について説明する。図9は、マスクパターン補正装置のハードウェア構成を示す図である。マスクパターン補正装置1Aは、CPUCentralProcessingUnit91、ROMReadOnlyMemory92、RAMRandomAccessMemory93、表示部94、入力部95を有している。マスクパターン補正装置1Aでは、これらのCPU91、ROM92、RAM93、表示部94、入力部95がバスラインを介して接続されている。CPU91は、コンピュータプログラムであるマスクパターン補正プログラム97を用いてパターンの判定を行う。表示部94は、液晶モニタなどの表示装置であり、CPU91からの指示に基づいて、設計パターン、フレア値、テーブル70、マスクパターン補正結果などを表示する。入力部95は、マウスやキーボードを備えて構成され、使用者から外部入力される指示情報マスクパターン補正に必要なパラメータ等を入力する。入力部95へ入力された指示情報は、CPU91へ送られる。マスクパターン補正プログラム97は、ROM92内に格納されており、バスラインを介してRAM93へロードされる。図9では、マスクパターン補正プログラム97がRAM93へロードされた状態を示している。CPU91はRAM93内にロードされたマスクパターン補正プログラム97を実行する。具体的には、マスクパターン補正装置1Aでは、使用者による入力部95からの指示入力に従って、CPU91がROM92内からマスクパターン補正プログラム97を読み出してRAM93内のプログラム格納領域に展開して各種処理を実行する。CPU91は、この各種処理に際して生じる各種データをRAM93内に形成されるデータ格納領域に一時的に記憶させておく。マスクパターン補正装置1Aで実行されるマスクパターン補正プログラム97は、検索部5、テーブル作成部10、パターン補正部30を含むモジュール構成となっており、これらが主記憶装置上にロードされ、これらが主記憶装置上に生成される。なお、マスクパターン補正プログラム97を、複数のプログラムとしてもよい。例えば、マスクパターン補正プログラム97を、検索部5に対応するプログラム、テーブル作成部10に対応するプログラム、パターン補正部30に対応するプログラムの3つのプログラムとしてもよい。また、マスクパターン補正装置1Bで実行されるマスクパターン補正プログラム97は、光近接効果補正部41、フレア補正部42を含むモジュール構成となっている。この場合も、マスクパターン補正プログラム97を、光近接効果補正部41に対応するプログラム、フレア補正部42に対応するプログラムの2つのプログラムとしてもよい。さらには、ROMの変わりに外部記憶装置HDDなどを使ってもよく、LAN接続等のバスライン以外の接続でもかまわない。なお、本実施形態では、中間データをOPC後パターン形状としたが、中間データをマスクパターン補正量としてもよい。この場合、フレア補正部42は、補正対象パターンのフレア値に応じたマスクパターン補正量を補間などによって算出する。そして、算出したマスクパターン補正量を用いて、OPC後パターンがフレア補正される。このように第2の実施形態によれば、補正工程を2つに分けることで、第1の補正工程では従来の光リソグラフィにおける高速な補正手法を適用することができる。また第2の補正工程では、2つの水準2つのフレア値におけるマスクパターン形状補正量から各位置各フレア値に適したマスクパターン補正量を、単純な図形処理補間処理含むにより求めることができる。したがって、処理時間の掛かるウエハ転写シミュレータを用いた補正が不要となる分、マスクパターンの補正を高速化することが可能となる。したがって、フレアを考慮したマスクパターン補正を高速かつ高精度に行うことができる。また、第1の補正工程では、補正対象パターンのパターン位置依存フレア値の分布を考慮する必要がないので、隣接パターンの参照距離が従来のOPCと同様に短く、GDSやOASISなどの階層構造を持つデータを効率良く処理する階層処理によって補正を行うことができる。このため、高速にマスクパターン補正を行うことが可能となる。このように第1および第2の実施形態によれば、フレアを考慮したマスクパターン補正を高速かつ高精度に行うことが可能となる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"