"処理領域を画定する処理チャンバと、前記処理領域内において基板を支持する基板支持体と、前記基板支持体から間隔を置いて配置された紫外UV放射源であり、前記基板支持体上に配置された前記基板に向かって紫外放射を送るように構成された紫外UV放射源と、前記UV放射源と前記基板支持体の間に配置され、第1の光学膜層がコーティングされた光透過窓とを備える基板処理ツール。前記第1の光学膜層が、前記光透過窓の表面の全体に連続的に堆積させた中心からエッジまで均一な層である、請求項1に記載の処理ツール。前記第1の光学膜層が、単一の反射防止コーティングARC層、または対照的な屈折率を有する層が交互に積み重ねられた積層ARC膜スタックを含む、請求項2に記載の処理ツール。前記第1の光学膜層の厚さプロファイルが半径方向に不均一であり、前記光透過窓の周縁エリアにおける前記第1の光学膜層の厚さが、前記第1の光学膜層の中心領域における厚さよりも相対的に厚い、請求項1に記載の処理ツール。中心領域における前記第1の光学膜層の全厚が約20nmから約600nm、周縁エリアにおける全厚が約80nmから約2000nmである、請求項4に記載の処理ツール。前記光透過窓の中心領域が前記第1の光学膜層でコーティングされておらず、中心領域の直径が約50mmから約100mmである、請求項1に記載の処理ツール。前記光透過窓の前記UV放射源に面した第1の表面、前記光透過窓の前記基板支持体に面した第2の表面、または前記光透過窓の前記第1の表面と前記第2の表面の両方で、前記第1の光学膜層がコーティングされている、請求項1に記載の処理ツール。前記積層ARC膜スタックが第1の層および第2の層を含み、前記第1の層が酸化ケイ素層SiO2であり、前記第2の層が、酸化チタンTiO2層または酸化スズ層SnO2である、請求項3に記載の処理ツール。前記第1の光学膜層の周縁エリアに堆積させた赤外吸収層をさらに備え、前記赤外吸収層が、約20mmから約80mmである、前記光透過窓の周囲に沿って一定の半径方向の幅を有する、請求項6に記載の処理ツール。前記処理領域内の前記光透過窓と前記基板支持体の間に配置された透明なシャワーヘッドであり、前記透明なシャワーヘッドを貫通する1つまたは複数の通路が形成された透明なシャワーヘッドをさらに備え、前記透明なシャワーヘッドが、単一の反射防止コーティングARC層、対照的な屈折率を有する層が交互に積み重ねられた積層ARC膜スタックまたはダイクロイックコーティングを含む第2の光学膜層でコーディングされている、請求項1に記載の処理ツール。処理チャンバ内に置かれた基板の表面を横切るUV放射照度プロファイルを均一にする方法であって、処理領域を画定する処理チャンバであり、UV放射源を有する処理チャンバを用意すること、および前記UV放射源から放出された紫外放射を、光透過窓を通して、基板支持体上に配置された前記基板に向かって送ることを含み、前記光透過窓が第1の光学膜層でコーティングされており、前記第1の光学膜層の厚さが、前記光透過窓の下に配置された前記基板の周縁の方が前記基板の中心領域よりも高いUV放射照度を受け取るように、調節されている方法。前記第1の光学膜層が、単一の反射防止コーティングARC層、または対照的な屈折率を有する層が交互に積み重ねられた積層ARC膜スタックを含む、請求項11に記載の方法。前記光透過窓の中心領域が前記第1の光学膜層でコーティングされていない、請求項11に記載の方法。前記第1の光学膜層の周縁エリアに赤外吸収層を堆積させることをさらに含み、前記赤外吸収層が、約20mmから約80mmである、前記光透過窓の周囲に沿って一定の半径方向の幅を有する、請求項11に記載の方法。紫外線処理チャンバで使用する光透過窓あって、第1の表面および第2の表面を有し、前記第1の表面が、前記第2の表面と平行であり、前記第2の表面の反対側にある窓本体であり、前記紫外線処理チャンバの真空を維持するように構成された窓本体を備え、前記窓本体が、前記窓本体の前記第1の表面および/または前記第2の表面に堆積させた光学膜層を備え、前記光学膜層の厚さプロファイルが半径方向に不均一であり、前記窓本体の周縁エリアにおける前記光学膜層の厚さが、前記第1の光学膜層の中心領域における厚さよりも相対的に厚く、前記光学膜層が、単一の反射防止コーティングARC層、または対照的な屈折率を有する層が交互に積み重ねられた積層ARC膜スタックを含む光透過窓。理解を容易にするため、複数の図に共通する同一の要素を示すために、可能な限り、同一の参照符号を使用した。別途の記述がなければ、ある1つの実施形態で開示した要素は他の実施形態で有益に利用できると予期されたい。本発明の実施形態は、UV硬化のために使用する処理チャンバを提供し、この処理チャンバでは、タンデム処理チャンバが、チャンバ本体およびリッド内に、2つの別個の隣接する処理領域を提供し、これらの処理領域は、それぞれの処理領域の上方にそれぞれ整列させた1つまたは複数のUV真空窓を有する。さまざまな実施形態では、光学膜層の組成および厚さを操作し、それによって、中心の方が高い従来の処理プロファイルを補償するエッジの方が高い基板の放射照度プロファイルを提供することによって、所望の波長の透過を向上させ、基板を横切るUV放射の分布を調節するために、UV真空窓を光学膜層でコーティングすることができる。光学膜層の組成および厚さは、UV放射の入射角、波長および/または放射照度強度に基づいて調整することができる。例示的なハードウェア図1は、本発明の実施形態を使用することができる半導体処理システム100の平面図を示す。システム100は、米カリフォルニア州SantaClaraのAppliedMaterials,Inc.から販売されている300mmProducer商標処理システムの例示的な一実施形態を示す。処理システム100は、必要な処理ユーティリティがメインフレーム構造体101上に支持された自己内蔵型のシステムである。処理システム100は一般に、基板カセット109が支持されており、ロードロックチャンバ112に基板が装填され、ロードロックチャンバ112から基板が取り出される前端ステージングエリア102と、基板ハンドラ113を収容した移送チャンバ111と、移送チャンバ111に取り付けられた一連のタンデム処理チャンバ106と、システム100の動作に必要なガスパネル103、配電盤105などの支援ユーティリティを収容した後端138とを含む。タンデム処理チャンバ106はそれぞれ、基板を処理するための2つの処理領域図3を含む。それらの2つの処理領域は、共通のガス源、共通の圧力制御機構および共通の処理ガス排出/ポンピングシステムを共用する。この処理システムのモジュール設計は、任意の1つの構成から他の任意の構成への迅速な移行を可能にする。特定の処理ステップを実行するために、チャンバの配置および組合せを変更することができる。タンデム処理チャンバ106は、基板表面の低誘電率材料の硬化処理および/またはチャンバ洗浄処理で使用する1つまたは複数の紫外線UVランプを含む、後述する本発明の諸態様に基づくリッドを含むことができる。一実施形態では、3つの全てのタンデム処理チャンバ106がUVランプを有し、スループットを最大にするために並列に動作するUV硬化チャンバとして構成される。一部のタンデム処理チャンバ106がUV硬化チャンバとして構成されない代替実施形態では、化学気相堆積CVD、物理的気相堆積PVD、エッチングなどの他のさまざまな既知の処理に対応するための既知の支援チャンバハードウェアを1つまたは複数のタンデム処理チャンバが有するように、システム100を適合させることができる。例えば、1つのタンデム処理チャンバ106が、低誘電率膜などの材料を基板に堆積させるためのCVDチャンバであるように、システム100を構成することができる。このような構成は、研究開発製造における利用率を最大にすることができ、必要な場合には、そのようにして堆積させた膜を大気にさらすことを防ぐことができる。本発明の処理の制御を容易にするために、中央処理ユニットCPU144、記憶装置142および支援回路146を含むコントローラ140が、半導体処理システム100のさまざまな構成要素に結合される。記憶装置142は、ランダムアクセスメモリRAM、リードオンリーメモリROM、フロッピーディスク、ハードディスクまたは他の形態のディジタル記憶装置などの、半導体処理システム100もしくはCPU144内にある、または半導体処理システム100もしくはCPU144から遠隔の任意のコンピュータ可読媒体とすることができる。支援回路146は、CPU144に結合されて、従来の方法でCPUを支援する。支援回路には、キャッシュ、電源、クロック回路、入力/出力回路および入力/出力サブシステムなどがある。記憶装置142に記憶されたソフトウェアルーチンまたは一連のプログラム命令は、CPU144によって実行されたときに、UV硬化タンデム処理チャンバ106に、本発明の処理を実行させる。図2は、UV硬化チャンバとして構成された、半導体処理システム100の1つのタンデム処理チャンバ106を示す。このタンデム処理チャンバ106は、本体200と、蝶番によって本体200に取り付けることができるリッド202とを含む。チャンバ本体200はアルミニウムから製作することができる。リッド202には、2つのハウジング204が結合されており、ハウジング204はそれぞれ、ハウジング204の内部に冷却用の空気を通すための入口206および出口208に結合されている。中央加圧空気源210が、タンデム処理チャンバ106に関連づけられたUVランプバルブおよび/またはUVランプバルブ用電源214の適正な動作を保証するのに十分な流量の空気を入口206に供給する。ハウジング204はそれぞれ、電源214に隣接し、電源214からマイクロ波電力を受け取る開孔215を含む。出口208は、ハウジング204から排気を受け取る。この排気は、共通の排気システム212によって集められる。排気システム212は、選択したUVバルブによってはそのバルブによって生成される可能性があるオゾンを除去するスクラバーを含むことができる。図3は、リッド202、ハウジング204および電源214を備えるタンデム処理チャンバ106の部分断面図を示す。ハウジング204はそれぞれ、本体200内に画定された2つの処理領域300の上方にそれぞれ配置された1つまたは複数のUVランプバルブ302を覆う。処理領域300はそれぞれ、処理領域300内において基板308を支持する、ペデスタル306などの加熱型基板支持体を含む。ペデスタル306は、セラミックから、またはアルミニウムなどの金属から製作することができる。ペデスタル306は、本体200の底部を貫いて延びるステム310に結合することができ、ステム310は、駆動システム312によって操作されて、ペデスタル306を、処理領域300内において、UVランプバルブ302に近づく方向およびUVランプバルブ302から遠ざかる方向へ移動させる。基板照射の均一性をさらに向上させるため、駆動システム312はさらに、硬化中にペデスタル306を回転させかつ/または平行移動させることができる。一般に、水銀マイクロ波アークランプ、パルスキセノンフラッシュランプ、高効率UV光発光ダイオードアレイなど、任意のUV源を使用することができる。UVランプバルブ302は、電源214によって励起させるキセノンXe、水銀Hgなどの1種または数種のガスで満たされた、密封されたプラズマバルブである。UVランプバルブ302がUV源として使用される1つの実施形態では、UVランプバルブ302が、電極またはフィラメントを、電源214が、その電極に対する回路および/または直流電流DC、パルスDCなどの電流源となるような態様で、含むことができる。ある種の実施形態では、電源214が、UVランプバルブ302内のガスを励起させて、プラズマの発生によりバルブの輝度を増大させることができる高周波RFエネルギー源を含む。基板照射の均一性を向上させるためのさまざまな発想には、入射光の波長分布を変化させる目的にも使用することができるランプアレイの使用、回転および周期的な平行移動スイーピングを含む基板とランプヘッドの相対運動、ランプ反射器の形状および/または位置のリアルタイム変更などがある。用途に応じて、バルブ302は、170nmから400nmの広い波長帯にわたる光を放出するように選択される。本発明の一実施形態では、バルブ302が、波長185nmから255nmの光を放出する。バルブ302内で使用する選択されたガスは、放出される波長を決定することができる。単一のバルブを示したが、UVランプバルブのアレイを配置することもできる。UVランプのアレイは、単一の電源または別個の電源によって電力が供給されるわずかに2つのバルブを含むことができる。一態様では、UVランプのアレイが、第1の波長分布を放出する第1のバルブと、第2の波長分布を放出する第2のバルブとを含む。したがって、ガスの流量、組成、圧力、基板の温度、ならびに/または図7A~Dおよび図9に関して後に論じるUV真空窓もしくは透明なシャワーヘッドの表面のさまざまなコーティングプロファイルの調整に加えて、さまざまなランプを用いた所与の硬化チャンバ内での照射の順序をさまざまに規定することによっても、硬化処理を制御することができる。多硬化型チャンバシステムに関してはさらに、タンデム硬化チャンバのそれぞれのチャンバ内での処理の順序を規定することによって、硬化処理をさらに改良することができ、それらのチャンバはそれぞれ、それぞれのチャンバが使用される硬化の特定の部分ごとに、ランプスペクトル、基板温度、周囲ガスの組成および圧力などのパラメータに関して独立して制御される。基板308に堆積させた誘電体膜の後処理としての硬化を実行するために、基板を処理領域300に入れる。この膜は、例えばシリコン骨格と炭素とを含む、ポロゲンを有する低誘電率誘電体膜とすることができる。動作時、UVランプバルブ302から放出されたUV光は、リッド202の開孔に配置された1つまたは複数のUV真空窓314を通過することによって処理領域300に入る。UV真空窓314は、OHを含まない合成石英ガラスからなることができ、ひび割れることなく真空を維持する十分な厚さ例えば1インチを有することができる。UV真空窓314の直径は約200mmから約375mmとすることができ、厚さは約25.4mmとすることができる。UV真空窓314の表面を、単一の反射防止コーティングARC層または対照的な屈折率を有する層が交互に積み重ねられた積層ARC膜スタックで堆積することができる。約1.2から約3.6マイクロインチμinの所望の表面仕上げを提供するために、UV真空窓314の表面を研磨することができる。一実施形態では、UV真空窓314が、下に約150nmまでのUV光を透過させる溶融シリカである。リッド202は本体200に対して密封され、窓314はリッド202に対して密封されるため、処理領域300は、約1トルから約650トルの圧力を維持することができる容積を提供する。次いで、処理ガスまたは洗浄ガスが、2つの入口通路316のうちの対応するそれぞれの1つの入口通路316を通って処理領域300に入り、共通の出口ポート318を通って処理領域300を出る。さらに、ハウジング204の内部に供給される冷却用空気は、バルブ302を通り過ぎて循環するが、UV真空窓314によって処理領域300からは分離される。UV露光の後、炭素結合が切れ、膜から炭素がガスとして放出され、シリコン骨格が残り、空隙率が増大する。これにより誘電率値が小さくなり、膜の電流を運ぶ能力が低下する。ハウジング204は、ダイクロイック膜でコーティングされた1次反射器の役目を果たす鋳造石英ライニング304によって画定された放物面または楕円面状の内面を含むことができる。UVランプバルブ302は、UVランプバルブ302から放出されたUV光を反射するために使用される石英ライニング304によって部分的に取り囲まれる。UV光は、石英ライニング304によって処理領域300内へ導かれるUV光のパターンに基づき、硬化処理およびチャンバ洗浄処理に適合するように成形される。石英ライニング304は、内部放物面を動かし、内部放物面の形状を変えることによって、それぞれの処理または作業により良く適合するように調整することができる。さらに、石英ライニング304は赤外光を透過させ、ダイクロイック膜によって、バルブ302が放出した紫外光を反射することができる。ダイクロイック膜は通常、高い屈折率と低い屈折率を交互に有する、多様な誘電体材料からなる周期的な多層膜を構成する。このコーティングは非金属であるため、鋳造石英ライニング304の裏側へ下方に入射した電源214からのマイクロ波放射は、これらの調節された層とあまり相互作用せずに、またはこれらの層によってあまり吸収されずに容易に透過して、バルブ302内のガスをイオン化する。一実施形態では、UVランプによって生み出される実質的に長方形の露光パターンが、基板の周縁における照射損を補償することができるように、硬化中に、UVランプを、基板の中心を軸に回転させることによって、基板平面の照射の均一性を向上させる。他の実施形態では、硬化中および/または洗浄中に、石英ライニング304を回転させるか、または他の方法で周期的に動かすことによって、基板平面の照射の均一性を向上させる。あるいは、石英ライニング304をバルブ302に対して静止させたまま、ハウジング204全体を、基板308の上方で回転させまたは周期的に平行移動させてもよい。他の実施形態では、用途の要件に従い、ペデスタル306によって基板308を回転させまたは周期的に平行移動させることにより、基板308とバルブ302の間の相対運動を引き起こして、照射および硬化の均一性を向上させる。処理チャンバの全体にわたるガス流プロファイルの制御を可能にするため、UVチャンバ、ランプ加熱式チャンバ、あるいは膜を処理しまたは基板308の表面もしくは基板308の上方の反応を触媒するために光エネルギーが使用される他のチャンバ内で処理中の基板308を横切る特定のガス流プロファイル分布を可能にするハードウェアの設計が提供される。図4に示すように、UV真空窓412を保持するために、処理チャンバ400内に窓アセンブリが配置される。窓アセンブリは、本体200の一部分の上に載り、UV真空窓412を支持する真空窓クランプ410を含み、本体200の上方にあるリッドアセンブリの一部であるUVランプバルブ302からのUV光は、UV真空窓412を通過することができる。UV真空窓412は、UVランプバルブ302などのUV放射源とペデスタル306の間に配置される。UV放射源は、ペデスタル306から間隔を置いて配置され、紫外放射を発生させ、その紫外放射を、ペデスタル306上に配置された基板308へ送るように構成される。一実施形態では、処理領域300内のUV真空窓412とペデスタル306の間に、透明なシャワーヘッド414が配置される。この透明なシャワーヘッドは、真空窓412と透明なシャワーヘッド414の間に上部処理領域320図5Aを画定し、透明なシャワーヘッド414とペデスタル306の間に下部処理領域322を画定する。上部処理領域320が下部処理領域322と流体連通するように、透明なシャワーヘッド414には、シャワーヘッドを貫通する1つまたは複数の通路416が形成されている。通路416が完全に透明にならないように、通路416は、時につや消しとも呼ばれる粗い表面418を有することができる。それ以外の場合、基板308上に陰ができる可能性があり、膜の適切な硬化が損なわれる可能性がある。つや消し通路416はUV光を拡散させ、そのため、処理の間、基板308の表面に光のパターンができない。透明なシャワーヘッド414は、UV光が通過して基板308に到達することができる第2のUV窓の役目を果たすことができる。第2のUV窓として、シャワーヘッド414は、基板308の表面の膜を硬化させるために使用したい光の波長に対して透明であることができる。この透明なシャワーヘッドは、石英、サファイヤなど、透明なさまざまな材料から形成することができる。通路416は、処理領域300内にぴったりとはまる透明なシャワーヘッド414を形成し整形するための石英片に穴をあけることによって形成することができる。石英片の表面は火炎研磨することができ、石英片にあける穴は、粗い表面418図5Bを形成するようにエッチングすることができる。基板表面を横切る所望の流動特性を達成するために、通路416のサイズおよび密度は均一でもまたは不均一でもよい。通路416は、基板308を横切る半径方向の面積当たりの流量が均一である均一な流れプロファイルを有することができ、または基板308の中心もしくはエッジにより多くのガス流が流れるようにすることができる。処理領域300内のUVチャンバの側壁の近くに、酸化アルミニウムでできたガス分配リング420が配置される。ガス分配リング420は、ベース分配リング421およびガス入口リング423を備えることができる。ベース分配リング421は、1つまたは複数のガス分配リング通路426を有することができる。この1つまたは複数のガス分配リング通路426は、ガス分配リング420の内側空洞424を上部処理領域320に結合して、内側空洞424と透明なシャワーヘッド414の上方の上部処理領域320との間にガス流路を形成する。ガス分配リング420および透明なシャワーヘッド414よりも下の、処理領域300内のUVチャンバの側壁の近くに、ガス出口リング430が配置される。ガス出口リング430も、ガス出口リング430の内側空洞434を下部処理領域322に結合して、下部処理領域322とガス出口内側空洞434の間にガス流路を形成する1つまたは複数のガス出口通路436を有する。図6は、ガス流路を示す、図5Aの処理チャンバの略断面図を示す。UV真空窓412と透明なシャワーヘッド414の間の上部処理領域320内へ、パージガスまたは他のタイプのガスを注入することができ、それらのガスは、透明なシャワーヘッド414を通り抜け、透明なシャワーヘッド414から基板に向かって下方へ流れる。通路416、426、436のサイズおよびガスの流量は、基板308に向かって流れる流れをならすための背圧が生じるように調整することができる。ガス流は、上方から基板の上に流れ、同心に広がり、ガス出口通路436を通って下部処理領域322を出、ポンプ610に流入する。矢印605は、ガス分配リング420を発し、透明なシャワーヘッド414を通り抜け、基板308の上を流れ、ガス出口リング430を通り、チャンバ400を出るガス流路を示す。一例では、ガスが、ガス入口リング423に形成されたガス入口に入り、ガス分配リングの内溝424を通って流れ、ガス出口リング430の通路426から流出する。ガスは、透明なシャワーヘッド414の上方の容積、例えば上部処理領域320を満たし、シャワーヘッド通路416を通り抜ける。ガスは次いで、同心に、基板308を横切って半径方向にガス出口通路436へ流れる。ガスは次いで、下部処理領域322から排出され、ガス出口リングの内溝434に入り、内溝434を通って流れ、ガス出口438を出て排気口317に流入し、ポンプ610へ流れる。通路416、426、436の密度およびサイズを調整して、ガスの流速を希望に応じて増大させまたは低減させることができる。シャワーヘッド414の通路416のパターンによって、流れを均一にし基板面積に比例するようにし、または中心もしくはエッジにより多く流れるようにすることができる。したがって、基板308を横切るガス流プロファイルを制御して、所望の均一なまたは不均一な分布を得ることができる。さらに、基板308を横切る温度プロファイルを、均一または不均一になるように制御することもでき、これによって、基板を横切る均一なガス流プロファイルおよび温度プロファイルを生み出すことができるだけでなく、所望の不均一なガスプロファイルおよび温度プロファイルを生み出し制御することもできる能力が提供される。この窓アセンブリ、特に透明なシャワーヘッド414および関連構成要素のより詳細な説明/利点が、2011年9月29日にBaluja他によって出願された、参照によってその全体が組み込まれる、同一譲受人の米国特許出願第13/248,656号代理人事件整理番号第15632号に記載されている。UV窓の選択的コーティング上述した通り、処理中にUVランプ10が生み出す長方形のフラッドパターンの境界の外に基板のいくつかの部分がはみ出すことがあるため図8参照、従来のUV硬化処理は、基板平面内の中心-エッジ間において不均一なUV照射強度を生み出す。さらに、ハウジング14および反射器を使用すると、UV真空窓の表面に入射する光が生じることが避けられない場合があり、この光が、UV真空窓を光が通過するときに界面において反射損を引き起こすことになり、したがって基板表面における中心-エッジ処理不均一性に負の影響を与える。この問題を解決するため、本発明の発明者らは、エッジの方が高い基板の高放射照度プロファイルを、UV放射を遮断することなしに提供するさまざまな方法を提案した。図7A~Dに示す光学コーティング層は一律の尺度では描かれておらず、図解のため誇張されている点に留意すべきである。さまざまな実施形態では、所望の波長の透過を向上させ、基板を横切るUV放射の分布を調節するために、UV真空窓314の片面または両面に光学コーティング層を選択的に堆積させる。一例では、UV真空窓314の上面UV源に面する面に光学コーティング層を堆積させる。この光学コーティング層は有機材料または誘電体材料とすることができる。一実施形態では、光学コーティング層が、UV放射がUV真空窓314を通過するときの反射を低減させるために使用する反射防止コーティングARCである。この光学コーティング層は、この層の両方の境界から反射された光波が打ち消しあうような透明な層とすることができる。このARC層は通常、反射光の位相相殺および吸収を生み出すARC材料の3つの性質、すなわちARCの屈折率n、吸収率kおよび厚さtによって、反射する光波が減りまたはなくなるように選択される。必要なn、kおよびt値は、その下の物体の厚さおよび特性によって異なることがあり、後に論じるように、それぞれの特定の用途に応じて調整が必要になることがある。したがって、ARC層は、1つの媒質から別の媒質へのより滑らかな移行を提供し、ARC層を使用して、選択した波長の反射をゼロにすることもできる。放射の入射角、波長および/または放射照度強度に基づいて、UV真空窓314に堆積させるARC層の組成および厚さを操作することによって、UV真空窓314を通過する放射電力の分布を制御することができる。ARC層の厚さを中心-エッジ間で調節して、放射照度強度および入射角に対するUV放射照度プロファイルを変更することができる。ARC層の厚さを、ARC層の屈折率に対して適切に調整して、所望の波長スペクトルの吸収を最大にすることができる。一実施形態では、エッジの方が高い基板の放射照度プロファイルを有する中心-エッジ処理不均一性が提供されるような方法で、UV真空窓314にARC層を堆積させる。ARC層は、IR、可視、UVなどの広範囲の周波数の放射波長単一の波長または複数の波長に応じて、単一の膜層、または対照的な屈折率を有する層が交互に積み重ねられた積層ARC膜スタックとすることができる。すなわち、このARC層は、より広い帯域にわたって関心の波長をより良好に透過させる帯域フィルタの役目を果たすことができる。ARC層の直径方向の効率が放射の入射角とともに変化するように、ARC層のコーティング特性を傾斜させることができる。中心のUV放射は、UV真空窓/ARC層に対してより垂直であり、エッジのUV放射はより傾いているため、不均一なコーティングは、高い中心-エッジ補償プロファイルを生じさせる。硬化速度は、UV真空窓の下に配置された基板が受け取る放射の量に比例するため、UV真空窓を透過する放射の量、したがってその下に配置された基板を横切る放射の分布を制御する中心-エッジ間において不均一なARC層を、半径に沿って、特定の入射角に対して最適化することができる。エッジの方が高い基板の放射照度プロファイルを提供するため、図7Aに示す1つの実施形態では、UV真空窓314の下に配置された基板図示せずの周縁が中心よりも高いUV放射照度を受け取って、中心の方が高い従来の処理の不均一性の問題を補償するように、エッジにおけるARC層の厚さが、UV真空窓314の中心領域における厚さよりも半径方向に相対的に厚くなるような方法で、UV真空窓314にARC層702を堆積させる。このような不均一な厚さプロファイルを得る目的には、適当な任意の技法を使用することができる。例えば、シャドウフレームなど図示せずを堆積中に使用して、UV真空窓314の中心領域を、材料が堆積しないようにマスクすることができる。あるいは、ARC層を堆積させる前に、上面314AのUV真空窓314の周縁にマスク材料図示せずなどを配置して、UV真空窓314上にエッジの方が高いARC層を堆積させてもよい。どちらの場合も、ARC層702の全厚は、約30nmから約3000nmの間、例えば約50nmから約1000nmの間になるように制御することができる。一実施形態では、UV真空窓314の中心領域におけるARC層702の全厚を、約20nmから約800nmの間とし、ARC層702の全厚を中心領域から周縁へ徐々に増大させ、周縁における全厚を約80nmから約2000nmの間にする。さらに、所望の厚さプロファイルおよび/または所望の膜の粗さを得るために、ARC層702を研磨しかつ/また表面仕上げを施してもよい。ARC層は、UV真空窓314の上面314Aおよび/または下面314Bに堆積させることができる。代替実施形態では、図7Bに示すように、UV真空窓314の周縁領域にARC層を堆積させ、UV真空窓314の中心は、ARC層でコーティングしない。これは、従来のリソグラフィ、エッチングプロセスなど適当な任意の技法によって達成することができる。例えば、ARC層704の表面にレジストマスクパターン図示せずを塗布して、所望のパターンを、適当な化学エッチング剤を使用して現像し、ARC層に転写し、それによってARC層704の中心領域に1つまたは複数の開口を得ることができる。中心領域706がARC層704でコーティングされていない例示的なUV真空窓314の上面図を図9に示す。コーティングされていない円形の中心領域706が示されているが、中心領域706は所望の任意の形状とすることができる。UV真空窓314の総面積に対するコーティングのない中心領域706の比率は、約30から約95の間、例えば約60から約85の間とすることができ、この比率は、基板上の所望の放射照度プロファイルおよび/またはUVランプの配置に応じて変更することができる。UV真空窓314の直径Bが約375mm、厚さが約25.4mmである1つの実施形態では、コーティングのない中心領域706の直径Aが約50mmから約100mmの間、例えば約80mmである。ARC層702、704は、PVD、CVDまたは他の適当な堆積技法によって、UV真空窓314の上面314Aおよび/または下面314Bに形成することができる。ARC層702、704は、所望の膜透過率および屈折率を有する任意の材料とすることができる。ARC層702、704は、空気の屈折率とUV真空窓314の屈折率の間の屈折率を有するように選択することができる。一実施形態では、屈折率が約1.1にとなるように、ARC層702、704を選択する。さまざまな実施形態において、ARC層702、704は、光がUV真空窓314を透過してその下に配置された基板308に到達するのを助けるために使用することができる、ポリアミドなどの有機反射防止コーティング、または窒化ケイ素、酸化チタン、アモルファスカーボン材料などの誘電体反射防止コーティングを含むことができる。酸窒化ケイ素SiON、酸化スズSnO2、酸化ケイ素SiO2またはこれらの組合せなどの他の適当な材料を、ARC層702、704に対して使用することもできる。UV真空窓314にARC層を形成した後、所望の表面仕上げ、例えば約1.2から約3.6マイクロインチμinの仕上げを有する膜を提供するために、ARC層702、704の表面を研磨することができる。望ましい仕上げ/粗さを有する表面は、UV真空窓314を通してその下に配置された基板308に送達することができる光を捕捉するのに役立つと考えられている。ARC層702、704の表面は、例えばCeO2またはAl2O3を含む研磨流体を用いたCMPによって研磨することができる。あるいは、ARC層702、704の表面を、当技術分野で使用可能な適当な任意の方法によって機械的に削磨しかつ/または研磨することができる。一実施形態では、ARC層702、704を表面仕上げにかけて、膜の平均粗さが約25Raから50Raの間、例えば約30Raになるようにする。図7Cに示す他の実施形態では、あるスペクトルを有する光だけが通過することができるように、異なる屈折率を有する層が交互に積み重ねられた膜スタックからなるARC層707を、UV真空窓314の上面314Aに形成する。ARC層707は、帯域フィルタの役目を果たすことができ、ARC層707では、層の材料/屈折率が、IRを反射しUVを通過させるようにまたはUVを反射しIRを通過させるように特に選択され、それにより、硬化速度に影響を与えるUV真空窓314を透過する光の量を制御することによって、膜均一性を調節する。硬化速度は一般に、基板が受け取る光の量に比例する。一例では、ARC層707が一般に、UV真空窓314の上面314Aに形成された第1の層708および第2の層710を含む。第1および第2の層708、710は、図7Aおよび7Bに照らして既述した材料の中から任意のものを選択することができる。第1の層708は酸化ケイ素層SiO2とすることができ、第2の層710は、酸化チタンTiO2層もしくは酸化スズ層SnO2層とすることができ、または第1の層708を酸化チタンTiO2層または酸化スズ層SnO2とし、第2の層710を酸化ケイ素層SiO2としてもよい。一例では、形成されるARC層707の第1の層708が酸化ケイ素層SiO2であり、第2の層710が酸化チタンTiO2層である。他の例では、膜スタックが、酸化ケイ素SiO2層と酸化チタンTiO2層の繰返しを含む。例えば、膜スタックは、第1の酸化ケイ素SiO2層および第1の酸化チタンTiO2層からなる第1の対と、UV真空窓314に連続して形成された第2の酸化ケイ素層SiO2および第2の酸化チタンTiO2層を有する第2の対とを有することができる。この酸化ケイ素層SiO2の第1の層および酸化チタンTiO2層の第2の層は、必要な回数だけ繰返し形成することができる。さまざまな実施形態では、ARC層707の第1および第2の層708、710の厚さを、それらの層が、特定の放射の波長の1/4または1/2波長の増分で塗布される厚さに制御することができる。第1の層708の厚さは約10nmから約3000nmとすることができ、第2の層710の厚さは約5nmから約2000nmの厚さとすることができる。ARC層の全厚は、約30nmから約3000nmの間、例えば約50nmから約1000nmの間に制御することができる。必要な場合には、厚さプロファイルを不均一にするために、図7Aおよび7Bに照らして既述した方法と同様の方法で、このARC層の膜スタックを形成することができる。図7A~Cで論じたさまざまな方法を、透明なシャワーヘッド414図4に対して同様に適用して、光が透明なシャワーヘッド414を通過するときの光の反射に起因する透過効率の損失を補償することができる。図7Dに示すように、透明なシャワーヘッド414の上面414aおよび/または下面414bを、光学膜層712でコーティングして、所望の波長の透過効率を向上させることができる。光学膜層712は、図7A~7Cに関して上で論じた反射防止コーティングARCまたは膜スタックとすることができる。あるいは、光学膜層712を、UVを反射しIRを通過させるダイクロイックコーティングとしてもよい。光学膜層712は、PVD、CVDまたは他の適当な堆積技法によって形成することができる。所望の波長の透過、したがって基板を横切るUV放射の所望の分布のために使用するさまざまな方法に加えて、本発明の発明者らは、UV真空窓314の周縁エリアに赤外吸収層を堆積させると、UV硬化処理中に、液体ベースの前駆体、残留物または基板から放出された気体ポロゲンが、UV真空窓314に凝縮することを防ぐことができることを見出した。図10Aに示す1つの実施形態では、中心領域706がARC層704でコーティングされていないUV真空窓314図7Bおよび9を用意し、ARC層704の周縁エリアに赤外吸収層1002を堆積させる。シャドウフレームなど図示せずを堆積中に使用して、コーティングされていない中心領域706を含むARC層704の中心部分に材料が堆積しないように、UV真空窓314の中心エリアをマスクすることができる。赤外吸収層1002は、赤外線エネルギーを吸収することによって温度が上昇し、UV真空窓314を、前駆体または残留物の凝縮温度よりも高い温度に加熱する。したがって、蒸発した前駆体/残留物の凝縮が防止される。UV真空窓314の直径が約375mmである場合、ARC層704を持たない中心領域706の直径は、約50mmから約100mmの間、例えば約80mmとすることができ、ARC層704の周縁エリアに堆積させる赤外吸収層1002は、約20mmから約80mmである、UV真空窓314の周囲に沿って一定の半径方向の幅Cを有することができ、直径約75mmから約120mmのコーティングされていない中心エリアDを画定することができる。図10Bに示す代替実施形態では、UV真空窓314の上面314Aに、赤外吸収層1004とARC層1006とを、実質的に同じ高さに堆積させる。ARC層1006は、赤外吸収層1004の半径方向内側に堆積させることができ、中心領域1008は、ARC層1006でコーティングしない。すなわち、UV真空窓314の周縁エリアに、コーティングされていない中心領域1008を完全に取り囲んだARC層1006を取り囲むように、赤外吸収層1004を堆積させる。UV真空窓314の直径が約375mmの場合、ARC層1006でコーティングされていない中心領域1008の直径は、約50mmから約100mmの間、例えば約80mmとすることができる。ARC層1006は、約20mmから約60mmである、UV真空窓314の周囲に沿って一定の半径方向の幅Eを有することができ、赤外吸収層1004は、約20mmから約80mmである、UV真空窓314の周囲に沿って一定の半径方向の幅Fを有することができる。上で論じたさまざまな実施形態では、赤外吸収層1002、1004が、750から20,000nmの間の波長範囲において高い赤外吸収を有する材料を含むことができる。赤外吸収層1002、1004は例えば、多置換型フタロシアニン化合物、シアニン染料、メロシアニン染料等、カーボンブラック、黒鉛、二酸化クロムなどの無機顔料、またはアルミニウム、銅などの金属とすることができる。その材料層を塗布することによってUV真空窓314の温度が上昇しうる限りにおいて、他の適当な材料を使用することができる。本発明の実施形態は、UV真空窓の表面におけるフレネル損失を低下させ、システムの効率を4~10も向上させることができることが立証されている。本発明のさまざまな実施形態は、UV真空窓に堆積させるコーティング層の組成または厚さを調整することによって、UV放射を遮断することなしに、所望の波長の透過効率および基板表面における中心-エッジ処理均一性を向上させる。提案した発明は、基板の周縁が、中心よりも高いUV放射照度を受け取ることによって、中心が高い従来の処理の問題を補償することを可能にする。提案の発明は、硬化処理の効率を高めることを可能にするため、特に、このシステムのスループットも増大する。以上の説明は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他の追加の実施形態を想到する可能性がある。"