非晶質Siをレーザアニールして得られる多結晶Siの粒径を検査する粒径検査方法であって、基板上に設けられた非晶質Siの所定の膜厚毎に、レーザ密度とレーザアニール後の多結晶Si膜の平均輝度との関係を示す校正マップを準備するステップと、被検査対象である、基板上の非晶質Si膜をレーザアニールして得られた多結晶Si膜の所定の領域毎に、平均輝度を測定するステップと、前記多結晶Si膜の所定の領域毎の膜厚データを取得するステップと、前記所定の領域毎の前記平均輝度と膜厚データとを当該膜厚データに対応する前記所定の膜厚の前記校正マップと比較して、当該所定の領域毎の平均輝度を校正するステップと、前記所定の領域毎の前記校正後の平均輝度を前記被検査対象の全領域に渡って求めて、輝度マップを作成するステップと、前記輝度マップにおいて領域毎の前記校正後の平均輝度が所定範囲に入るか否かを判定して前記多結晶Si膜の最適粒径範囲を決定するステップと、を含む粒径検査方法。前記最適粒径範囲を決定するステップは、前記校正後の平均輝度の標準偏差が所定範囲に入るか否かを判定して前記最適粒径範囲を決定することを含む、請求項1の粒径検査方法。前記最適粒径範囲を決定するステップは、前記校正後の平均輝度が所定範囲に入り、かつ当該校正後の平均輝度の標準偏差が所定範囲に入る場合に、前記最適粒径範囲であると決定することを含む、請求項2の粒径検査方法。前記平均輝度を測定するステップは、光源からの光を基板上の前記多結晶Si膜に照射して得られる散乱光をラインセンサで受光する光学系を備えるマクロ検査装置を用いて行われる、請求項1~3のいずれか1項の粒径検査方法。特許文献1のポリシリコン膜粒径計測方法は、散乱光強度の角度分布幅が最も狭くなる状態が最も粒径が大きくなり、かつ微結晶が混在しない条件で、最も電界効果移動度が良くなることを利用して、レーザアニールの最適条件を求める。しかし、この方法では、ポリシリコン膜の膜厚が最適粒径およびレーザアニールの最適条件に及ぼす影響を考慮した計測をおこなっておらず、その計測精度が必ずしも十分ではない。特許文献2の多結晶シリコン膜の製造方法は、多結晶シリコン膜の膜厚が40nm~60nmの範囲で、多結晶シリコン膜の光沢度が0~1400の範囲で形成されることを示している。しかし、この方法でも、多結晶シリコン膜の膜厚が最適粒径およびレーザアニールの最適条件に及ぼす影響を考慮した計測をおこなっておらず、その計測精度が必ずしも十分ではない。したがって、本発明の目的は、レーザアニールの条件レーザ密度のみならず多結晶Siの膜厚をも考慮して、多結晶Si膜の粒径およびその均一性を精度よく計測することができる粒径検査方法を提供することである。本発明は、非晶質Siをレーザアニールして得られる多結晶Siの粒径を検査する粒径検査方法である。その方法は、基板上に設けられた非晶質Siの所定の膜厚毎に、レーザ密度とレーザアニール後の多結晶Si膜の平均輝度との関係を示す校正マップを準備するステップと、レーザアニールして得られた多結晶Si膜の所定の領域毎に、平均輝度を測定するステップと、多結晶Si膜の所定の領域毎の膜厚データを取得するステップと、所定の領域毎の平均輝度と膜厚データとを当該膜厚データに対応する所定の膜厚の校正マップと比較して、当該所定の領域毎の平均輝度を校正するステップと、所定の領域毎の校正後の平均輝度を被検査対象の全領域に渡って求めて、輝度マップを作成するステップと、輝度マップにおいて領域毎の校正後の平均輝度が所定範囲に入るか否かを判定して多結晶Si膜の最適粒径範囲を決定するステップと、を含む。本発明によれば、多結晶Si膜の各領域の平均輝度を、膜厚情報を含む校正マップを用いて校正し、その校正後の平均輝度から検査対象の全領域の輝度マップを作成するので、その輝度マップを用いて多結晶Si膜の最適粒径範囲を精度良く決定することができる。本発明の一態様では、校正後の平均輝度の標準偏差が所定範囲に入るか否かを判定して多結晶Si膜の最適粒径範囲を決定する。本発明の一態様によれば、多結晶Si膜の膜質状態を反映する平均輝度のばらつきをも考慮した多結晶Si膜の最適粒径範囲の決定が可能となる。本発明の一態様では、校正後の平均輝度が所定範囲に入り、かつ当該校正後の平均輝度の標準偏差が所定範囲に入る場合に、多結晶Si膜の最適粒径範囲であると決定する本発明の一態様によれば、校正後の平均輝度が所定範囲に入るか否かの判定に加えて、その平均輝度の標準偏差が所定範囲に入るか否かを判定して多結晶Si膜の最適粒径範囲を決定するので、その最適粒径範囲の決定精度をより向上させることが可能となる。図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。図1は、本発明の粒径検査方法を実施する一実施形態のマクロ検査装置100である。図1において、円形のステージ1上に被検査物2が載る。ステージ1は、ステージコントローラ4の制御下で、リニアモータ3によって、回転θ、水平Xあるいは垂直Yの方向に移動する。なお、ステージ1は、円形に限定されず、正方形、長方形、楕円形などの他の形状であってもよいことは言うまでもない。光源5は、コントローラ8の制御下で、ステッピングモータ7によって、円弧状のレール6に沿って移動する。光源5は、ステージ1上の被検査物2の上面に対して所定の角度に設定される。所定の角度は、測定状態に応じて任意に設定可能である。光源5の明るさは、光源用の電源10によって調整される。ラインセンサカメラ9は、光源5と同様に、コントローラ8の制御下で、ステッピングモータ7により、円弧状のレール6に沿って移動する。ラインセンサカメラ9の前部には、被検査物の表面からの散乱光をラインセンサ9に導くための所定の光学系12が設けられる。なお、光学系12は、被検査物とラインセンサとの間にあればよく、ラインセンサ9と一体型であってもよい。ラインセンサカメラ9の出力は画像処理手段11に入る。画像処理手段11は、ステージコントローラ4、コントローラ8、ラインセンサカメラ9および光源5用の電源10を制御する。なお、図1では、光源5とラインセンサカメラ9はそれぞれ1つしか記載されていないが、被検査物のサイズや形状に応じてそれぞれ2以上配置してもよい。以上が図1の概要である。次に、図1の各構成についてさらに説明する。ステージ1は、被検査物2の表面以外からの反射光ができるだけ発生しにくい構造を有することが望ましい。具体的には、被検査物2が透明で、かつその表面での散乱光が十分に発生する場合、ステージ1は、光源5の光波長に対して鏡面となる材料からなることが望ましい。被検査物2の表面が鏡面で、かつその表面での散乱光が発生しない場合、ステージ1は、光源5の光波長を吸収し、つや消しの材料からなることが望ましい。被検査物2は、例えば、非晶質Siをレーザアニールして得られる多結晶Si膜が設けられた基板である。基板には、半導体基板半導体ウエハ、ガラス基板、耐熱性の樹脂基板、金属基板などが用いられる。非晶質SiはプラズマCVD法などによって基板上に形成される。レーザアニールは、基板上に形成した非晶質Si膜にそれが吸収する波長のレーザ光を所定のエネルギー密度で照射しながら走査することによって、非晶質Si膜を所定領域にわたって多結晶化する。レーザは、必要となる波長帯およびエネルギー密度を備えれば基本的にその種類を問わない。例えばエキシマレーザーが該当する。多結晶Siの粒径およびその均一性は、レーザ密度とその均一性安定性、レーザの走査回数、非晶質Si膜の膜厚とその均一性などに依存して変化する。光源5は、所定の面積に渡って指向性の無いほぼ均一な光を発するものであればよく、均一な光を発することができる面光源と呼ばれるものでもよい。光源5としては、発光源としては白熱電球やハロゲン電球などの電球型、蛍光灯型、あるいはLEDやレーザダイオードなどの発光素子をアレイ上に配置したものを含めて任意に選択することができる。また、拡散効果を得るための光学系レンズ、拡散板などは、発光源との一体型として、あるいは発光源の出力部の外側に設置することができる。発光源の波長は、広域波長あるいは所定の波長帯を選択することができる。その選択は、被検査物の状態材質、光特性など、ラインセンサカメラ9および光学系12の光学特性波長特性などに応じておこなわれる。ラインセンサカメラ9は、受光素子画素を一列に並べることによって、1次元毎に画像を取得できるものであれば良い。ラインセンサカメラ9には、例えば1次元のCCDが含まれる。その画素数は、被検査物2のサイズに応じて選択される。被検査物2のサイズが大きくて1つのラインセンサカメラ9ではカバーできない場合は、2以上のラインセンサカメラを並べて用いる。光源5とラインセンサカメラ9は、ステッピングモータ7によって、所定の最小制御角度Δθ単位で、被検査物2の表面に対する角度を可変することができる。ステッピングモータ7による最小制御角度Δθは、例えば0.1度程度であればよい。その最小制御角度は一般的に小さいほうが望ましい。光学系12は、被検査物2の表面からの散乱光のみをできるだけラインセンサ9に導くように構成される。光学系12は、レンズ、ナイフエッジ、遮光板などの光束の軌道を調整するための光学備品を含む。画像処理手段11は、所定の測定プログラムに基づき、ラインセンサカメラ9からの画像情報を処理する。画像処理手段11は、コントローラ4、8および照明用電源10を制御する。画像処理手段11は、ラインセンサカメラ9の制御用のカード回路基板、コントローラ4、8あるいは照明用電源10を制御するための回路基板、画像データを格納するためのメモリ等を有する。画像処理手段11としては、例えば、画像処理結果などを表示する表示部、測定条件などを入力する入力部などを有するパーソナルコンピュータPCが該当する。図2は、本発明の粒径検査方法において、多結晶Siの最適粒径を選定する方法を説明するための図である。図2のグラフは、同一基板上に設けた所定の膜厚の非晶質Si膜へ照射するレーザのエネルギー密度を変化させて得られた多結晶Si膜を準備し、各エネルギー密度での多結晶Si膜の平均輝度を測定した結果である。図2の横軸がレーザ密度であり、縦軸が平均輝度であり、黒丸が各エネルギー密度での平均輝度の測定結果である。平均輝度は、図1の本発明の一実施形態のマクロ検査装置100を用いて測定された。図2のグラフから、平均輝度はレーザのエネルギー密度が増加するにつれて大きくなり、やがて下がっていく傾向があるが、点BとCにおいて平均輝度の極小値が存在することがわかる。これは、レーザのエネルギー密度に応じて多結晶Si膜の結晶化の状態、すなわち粒径やその分布等が変化し、多結晶Si膜の表面からの散乱光が減少する状態が存在することを示している。別途行った多結晶Si膜の膜質検査から点Cにおける多結晶Si膜がキャリアの移動度が高く最適な粒径であることがわかった。したがって、図2の条件下では、極小値Cにおけるレーザのエネルギー密度P3が多結晶Si膜の最適粒径を得るためのエネルギー密度であると言える。しかし、実際の被検査対象である多結晶Si膜を検査する場合、レーザのエネルギー密度は所定値に設定されるので、図2の極小値Cを見つけ出すことは困難である。したがって、例えば図2において、平均輝度L1とL2の間の輝度範囲LWを設置し、その輝度範囲LW内における最小輝度値を多結晶Si膜の最適粒径を示す輝度値であるして選択することが考えられる。しかし、この場合も輝度範囲LW内の最小輝度値である点Aのエネルギー密度P1が多結晶Si膜の最適粒径を得るためのエネルギー密度として選択されてしまう。実際にはこのエネルギー密度P1での多結晶Si膜は最適な粒径とは言えないので、何らかの方法でこの点Aでの平均輝度L1エネルギー密度P1を排除し、点Cエネルギー密度P3およびその近傍での平均輝度エネルギー密度を選択するようにする必要がある。本発明では、この最適粒径を満たす平均輝度エネルギー密度の選択を平均輝度およびそのバラツキを考慮しておこなう。すなわち、測定された平均輝度値の分布において、輝度値のバラツキを定量的に扱うパラメータとして各測定領域での輝度値の標準偏差を算出して、平均輝度値とその標準偏差のいずれか一方あるいは双方が所定範囲に入っているか否かで最適粒径を満たす平均輝度エネルギー密度を決定する。この場合の所定範囲は、多結晶Si膜の膜質として有効な範囲をも考慮して事前に設定される。これは、本発明者が得た知見として、最適粒径を満たす平均輝度エネルギー密度の場合は、その輝度値の標準偏差が最小になる、すなわち輝度値のバラツキが最小になることを見出したことに基づいている。図2のグラフでは、点Aおよびその近傍での輝度値の標準偏差は、点Cおよびその近傍でのそれよりも大きいことから、点Aを排除して点Cおよびその近傍での平均輝度エネルギー密度を選択することが可能となる。なお、ここで言う輝度値の標準偏差には、いわゆる標準偏差σのみならず標準偏差σに所定の処理、例えば、多結晶Si膜表面に2次元座標を想定しそのX軸およびY軸方向のそれぞれでの分散値を求め、当該分散値を加算して標準偏差を求める、あるいは得られた標準偏差をさらに平均輝度で除算して正規化する、といったような処理をおこなったものを含む。次に、本発明の粒径検査方法の検査フローについて説明する。図3は、本発明の検査フローを示す図である。図3のフローは、図1の一実施形態のマクロ検査装置100によって実行される。ステップS11において、基板上に設けられた非晶質Siの所定の膜厚毎に、照射するレーザのレーザ密度とレーザアニール後の多結晶Si膜の平均輝度との関係を示す校正マップを準備する。校正マップは、基板毎にあるいは製品のロット毎などに準備される。ステップS12において、被検査対象である、基板上の非晶質Si膜をレーザアニールして得られた多結晶Si膜の所定の領域毎に、平均輝度を測定する。ステップS13において、多結晶Si膜の所定の領域毎の膜厚データを取得する。膜厚データは予め別の膜厚測定器で測定されてメモリに格納されたデータを呼び出して利用する。以下、同様に図3のフローにおいて、各データは適時メモリに格納され、必要に応じて呼び出されて利用される。ステップS14において、ステップS12で得られた、多結晶Si膜の所定の領域毎の平均輝度と、ステップS13で取得された膜厚データとをステップS11で準備した当該膜厚データに対応する所定の膜厚の校正マップと比較して、当該領域毎の平均輝度を校正する。この校正により、多結晶Siの膜厚のバラツキによる平均輝度値の変動誤差を軽減させることができ、より精度の高い平均輝度を得ることができる。ステップS15において、ステップS14で校正した領域毎の平均輝度を被検査対象の全領域に渡って求めて、輝度マップを作成する。輝度マップは、所定の領域毎に平均輝度、膜厚、レーザ密度、さらには平均輝度の標準偏差などの情報を含む。なお、標準偏差は、ステップS12の平均輝度の測定時に、あるいはステップS13の平均輝度の校正時に算出される。ステップS16において、多結晶Si膜の最適粒径範囲を決定する。具体的には、ステップS15において得られた輝度マップのデータから、各領域の校正後の平均輝度が所定範囲に入るか否かを判定する。所定範囲は図2のグラフ情報などを参考にして、多結晶Si膜の粒径と平均輝度との関係から予め設定される。所定範囲に入った平均輝度を含む領域が多結晶Si膜の最適粒径範囲の候補として選定される。次に、各領域の校正後の平均輝度の標準偏差が所定範囲に入るか否かを判定する。所定範囲は図2のグラフ情報などを参考にして、多結晶Si膜の粒径と平均輝度の標準偏差との関係から予め設定される。所定範囲に入った平均輝度の標準偏差を含む領域が多結晶Si膜の最適粒径範囲の候補として選定される。得られた最適粒径範囲の候補、すなわち平均輝度に基づく候補および標準偏差に基づく候補のいずれか一方の領域あるいは双方の重複領域を最終的に最適粒径範囲として決定する。後者の双方の重複領域は、校正後の平均輝度が所定範囲に入り、かつ校正後の平均輝度の標準偏差が所定範囲に入る場合に、最適粒径範囲であると決定することを意味する。なお、標準偏差には標準偏差σのみならず標準偏差σに所定の処理を施したものが含まれることは上述した通りである。本発明の実施形態について、図1から図3を例にとり説明をした。しかし、本発明はこれらの実施形態に限られるものではない。本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で当業者の知識に基づき種々なる改良、修正、変形を加えた態様で実施できるものである。