"ビスマス、チタン及びエルビウムを含有する酸化物からなることを特徴とする非鉛強誘電体組成物。請求項1に記載の非鉛強誘電体組成物において、強誘電性を示す酸化物と、強誘電性を示さない酸化物とを含有し、前記強誘電性を示さない酸化物として酸化エルビウムを含有することを特徴とする非鉛強誘電体組成物。ビスマス、チタン及びエルビウムを含有する酸化物からなることを特徴とする非鉛強誘電体薄膜。ビスマス、チタン及びエルビウムを含有する酸化物からなる非鉛強誘電体薄膜と、前記非鉛強誘電体薄膜の一方面及び他方面に配設された一対の電極とを備え、前記一対の電極のうち少なくともいずれかが透光性電極であることを特徴とする非鉛強誘電体光学素子。しかしながら、上記した非鉛強誘電体組成物でも、チタン酸ジルコン酸鉛等の鉛を含む強誘電体組成物を完全に代替するには至っておらず、さらに優れた非鉛強誘電体組成物を開発するために技術の豊富化が強く求められている。また、一層多様な分野で使用するために、単に強誘電性を有するだけでなく、他の機能をも有する非鉛強誘電体組成物も求められている。そこで、本発明は上記課題に鑑みてなされたもので、従来の非鉛強誘電体組成物とは異なる新規な非鉛強誘電体組成物を提供することを目的とする。また、これに関連して、新規な非鉛強誘電体薄膜及び非鉛強誘電体光学素子を提供することを目的とする。ところで、ランタノイド元素の一種であるエルビウムは、光学的特性を有する材料として、光増幅やガラスの着色等に用いられている元素である。本発明の発明者らは、光学系材料として有用なエルビウムを用いて非鉛強誘電体組成物を製造することを想到し、鋭意研究の結果、本発明を完成させるに至った。本発明は以下の要素により構成される。[1]本発明の非鉛強誘電体組成物は、ビスマス、チタン及びエルビウムを含有する酸化物からなることを特徴とする。[2]本発明の非鉛強誘電体組成物においては、強誘電性を示す酸化物と、強誘電性を示さない酸化物とを含有し、前記強誘電性を示さない酸化物として酸化エルビウムを含有することが好ましい。なお、上記の場合においては、光学的特性の観点から、原料として酸化エルビウムを用い、非鉛強誘電体組成物が当該酸化エルビウムを含有していることが好ましい。[3]本発明の非鉛強誘電体薄膜は、ビスマス、チタン及びエルビウムを含有する酸化物からなることを特徴とする。[4]本発明の非鉛強誘電体光学素子は、ビスマス、チタン及びエルビウムを含有する酸化物からなる非鉛強誘電体薄膜と、前記非鉛強誘電体薄膜の一方面及び他方面に配設された一対の電極とを備え、前記一対の電極のうち少なくともいずれかが透光性電極であることを特徴とする。本発明によれば、従来の非鉛強誘電体組成物とは異なる新規な非鉛強誘電体組成物を提供することが可能となる。また、これに関連して、新規な非鉛強誘電体薄膜及び非鉛強誘電体光学素子を提供することが可能となる。以下、本発明の非鉛強誘電体組成物、非鉛強誘電体薄膜及び非鉛強誘電体光学素子について、実施の形態に基づいて説明する。[実施形態1]実施形態1においては、非鉛強誘電体組成物について説明する。図1は、実施形態1に係る非鉛強誘電体組成物の製造方法を示すフローチャートである。実施形態1に係る非鉛強誘電体組成物は、ビスマス、チタン及びエルビウムを含有する酸化物からなる。また、強誘電性を示す酸化物と、強誘電性を示さない酸化物とを含有し、強誘電性を示さない酸化物として酸化エルビウムを含有する。なお、本発明に係る非鉛強誘電体組成物が強誘電性を有することは後述する試験例1より明らかであり、当該強誘電性は非鉛強誘電体組成物中のチタン酸ビスマスエルビウムに起因するものであると推定されるが、具体的な構成元素や組成については現在研究中である。また、チタン成分を他の成分より少なくしても例えば、チタン成分を他の成分に対して、モル比で10分の1とする等、後述する実施例1に示すように強誘電性を示すことが確認できている。最適な成分比特にチタン成分の量については現在研究中である。以下、実施形態1に係る非鉛強誘電体組成物を製造する方法の一例を記載する図1参照。。S1.原料準備工程まず、原料として酸化ビスマスBi2O3、酸化チタンTiO2及び酸化エルビウムEr2O3を準備する。なお、本発明に係る非鉛強誘電体組成物の原料は上記の物質に限られるものではなく、上記以外の酸化物を準備してもよい。また、後述する焼成工程等を行う場合には、最終的に酸化物となる物質を準備してもよい。そのような物質としては、例えば、ビスマス、チタン及びエルビウム各元素の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等を挙げることができる。S2.粉砕混合工程次に、用意した各原料を粉砕混合する。この場合、各種の湿式混合例えば、エタノール湿式混合を行うことが好ましい。また、本工程を行うために用いる器具としては、例えば、ボールミルや乳鉢等を用いることができる。S3.成形工程次に、粉砕混合した原料を成形する。成形は、例えば、ダイスやプレス機等、各種の成形機器を用いて行うことができる。原料にかける圧力は、例えば、100MPa~400MPaの範囲内とすることが好ましい。なお、成形の際に、成形補助材として水やバインダーポリビニルアルコール等を原料に加えてもよい。S4.焼成工程最後に、成形した原料を焼成して非鉛強誘電体組成物とする。焼成温度は、例えば900°C~1300°Cの範囲内であることが好ましいが、原料の組成によって最適な温度を選択することができる。また、焼成時間は、例えば1時間~6時間の範囲内であることが好ましいが、原料の組成や組成物の大きさによって最適な時間を選択することができる。焼成は、通常の大気雰囲気下や、それよりも酸素が多い又は少ない雰囲気下、あるいは酸素雰囲気下等、各種の条件で行うことができる。以上の工程により、いわゆるバルクの非鉛強誘電体組成物を製造することができる。なお、製造した非鉛強誘電体組成物に対しては、用途に応じて形状加工、電極の形成、分極処理等、さらなる加工工程を施すことができる。[実施形態2]実施形態2においては、非鉛強誘電体薄膜について説明する。実施形態2に係る非鉛強誘電体薄膜は、ビスマス、チタン及びエルビウムを含有する酸化物からなる。実施形態2に係る非鉛強誘電体薄膜は、例えば、実施形態1に示したようなバルクの非鉛強誘電体組成物を基にして製造される。この場合、各種の物理的気相成長法PVDや化学的気相成長法CVDを用いて、基板となるものの上に非鉛強誘電体薄膜を製造することができる。薄膜の厚さは、50nm~500nmの範囲内にあることが好ましい。なお、本発明の非鉛強誘電体薄膜は、上記の方法によって製造するものに限られるものではない。例えば、バルクの非鉛強誘電体組成物を介さずに、ゾル-ゲル法や塗布法のような液相成長法によって製造してもよい。[実施形態3]実施形態3においては、非鉛強誘電体光学素子について説明する。図2は、実施形態3に係る非鉛強誘電体光学素子10を説明するために示す図である。実施形態3に係る非鉛強誘電体光学素子10は、石英ガラス基板12と、石英ガラス基板12の表面に形成された透光性電極ITO電極14と、透明電極14の表面に形成された非鉛強誘電体薄膜16と、非鉛強誘電体薄膜16の表面に形成された透光性電極ITO電極18とを備える。そして、非鉛強誘電体薄膜16はビスマス、チタン及びエルビウムを含有する酸化物からなる。従って、実施形態3に係る非鉛強誘電体光学素子10は、ビスマス、チタン及びエルビウムを含有する酸化物からなる非鉛強誘電体薄膜16と、非鉛強誘電体薄膜16の一方面及び他方面に配設された一対の電極14,18とを備え、一対の電極14,18のうちのいずれもが透光性電極である非鉛強誘電体光学素子ということになる。実施形態3に係る非鉛強誘電体光学素子10は、一対の電極14,18間に印加する電圧の方向、大きさ、波形、周期等を制御することにより、強誘電体特性分極率及び光学的特性非鉛強誘電体膜の膜厚一対の電極間の光学長、吸収ピーク波長、光増幅特性等を同時に変化させることが期待できるため、多様な特性を有する新規な非鉛強誘電体光学素子となる。非鉛強誘電体薄膜16は、実施形態2に記載した方法と同様の方法によって製造することができる。なお、一対の電極は、ITO電極以外の透光性電極であってもよい。また、一対の電極のうち少なくとも一方は、透光性電極以外の電極、例えば、反射電極アルミニウム電極等や散乱電極梨地のアルミニウム電極等であってもよい。なお、実施形態3に係る非鉛強誘電体光学素子は、非鉛強誘電体薄膜に酸化エルビウム又はエルビウムイオンEr3が含まれることが好ましい。光増幅や着色等の効果を期待できるためである。[実施例1]図3は、実施例1に係る非鉛強誘電体組成物における電界と分極量との関係を示すグラフいわゆるヒステリシス曲線を示すグラフ。後述する図5についても同様。である。グラフの縦軸は単位面積あたりの分極量であり、総体としての分極量を電極の面積で割ったものである。横軸は単位長さあたりの電界であり、試料にかけた電界を電極間の距離で割ったものである。図4は、実施例1に係る非鉛強誘電体組成物にかけた電界と残留分極量との関係を示すグラフである。グラフの縦軸は単位面積当たりの残留分極量であり、総体としての残留分極量を電極の面積で割ったものである。横軸は単位長さあたりにかけた電界であり、試料にかけた電界のうち最大の電界を電極間の距離で割ったものである。実施例1においては、本発明によって定義される非鉛強誘電体組成物を実際に製造し、強誘電性の評価を行った。まず、実施例1に係る非鉛強誘電体組成物の製造方法を説明する。S1.原料準備工程まず、原料として粉末状の酸化ビスマスBi2O3及び酸化エルビウムEr2O3を、それぞれ2モルずつ準備した。また、粉末状の酸化チタンTiO2を0.2モル準備した。なお、酸化ビスマス、酸化エルビウム及び酸化チタンの粒径は1μm~2μmであり、全て高純度化学株式会社より購入したものである。S2.粉砕混合工程次に、用意した各原料の粉末を粉砕混合した。当該粉砕混合はメノウ乳鉢を用いてエタノール湿式混合により行った。S3.成形工程次に、粉砕混合した原料を成形した。成形は、直径25mmの超硬合金製のダイスを用い、200MPaの圧力を2分間維持することにより行った。S4.焼成工程最後に、成形した原料を焼成して非鉛強誘電体組成物とした。焼成は、電気炉KDFP-80G、東京理化器株式会社製を用いて1000°C、5時間の条件で行った。なお、昇温速度は200°C毎時とし、冷却速度は150°C毎時とした。常温まで冷却したところで、実施例1に係る非鉛強誘電体組成物を取り出した。このようにして製造した非鉛強誘電体組成物の色は黄土色であった。上記のようにして製造した非鉛強誘電体組成物円柱ペレット状の形状となった。の両面に電極を形成した。具体的には、非鉛強誘電体組成物の一面に銀ペーストドータイトFA-333、藤倉化成株式会社を塗布し、120°Cで10分間乾燥させた。乾燥後、前記一面とは対となる面にも同様の銀ペーストを塗布し、同様の条件で乾燥させた。このようにして非鉛強誘電体組成物の両面に電極を形成した。なお、このとき、ノギスとマイクロメーターを用いて非鉛強誘電体組成物の大きさを測定した。電極間の距離が1880μmであり、直径が2cm面積約3.14cm2であった。上記のようにして非鉛強誘電体組成物の両面に電極を形成した後、測定機器RT6000HVS及びRT6000HVA4000V高電圧アンプ、ラジアントテクノロジー社製を用いて強誘電性を評価した。その結果、図3及び図4に示すように、実施例1に係る非鉛強誘電体組成物が強誘電性を示すことを確認することができた。[実施例2]図5は、実施例2に係る非鉛強誘電体薄膜における電界と分極量との関係を示すグラフである。グラフの縦軸は単位面積あたりの分極量であり、総体としての分極量を電極の面積で割ったものである。横軸は単位長さあたりの電界であり、試料にかけた電界を電極間の距離で割ったものである。実施例2においては、本発明によって定義される非鉛強誘電体薄膜を実際に製造し、強誘電性の評価を行った。まず、実施例2に係る非鉛強誘電体薄膜の製造方法を説明する。シリコンウェハ酸化膜100nmの上に、スパッタ装置ARF-C1060、神港精機製により、10nmのチタン薄膜と300nmのプラチナ薄膜の成膜を行った。基板温度は150°Cとし、成膜雰囲気はアルゴン雰囲気下とし、成膜圧力は0.33Paとした。順序としては、まずRF300Wの条件で10nmのチタンを成膜した後、直ちにDC550Vの条件で300nmのプラチナを成膜した。その後、成膜時の酸素抜けを補うため、高周波原子ビーム照射装置HD60、オクスフォードアプライドリサーチ社製を用いて、基板に酸素原子ビームを5分間照射してクリーニングを行った。クリーニングの条件として、高周波電力を300Wとし、酸素流量を1.0sccmとした。クリーニングの5分後に、物理的気相成長法の一種であるレーザーアブレーション法により、実施例1に係る非鉛強誘電体組成物を基に基板上に非鉛強誘電体薄膜を製造した。当該製造には、成膜装置PLAD381、AOV社製及びレーザー発振装置COMPEX205フッ化クリプトンエキシマレーザー、コヒレント社製を用いた。成膜の条件として、レーザーの波長は248nmとし、レーザー出力は300mJ10Hzとし、基板温度は400°Cとした。成膜は1時間かけて行った。このようにして製造した非鉛強誘電体薄膜の色は、ほぼ透明でやや黄色味がかった色であった。上記のようにして製造した非鉛強誘電体薄膜上に、スパッタ法によりドット状の上部電極を形成した。具体的には、まず、非鉛強誘電体薄膜上全体にフォトレジストSIPR-9684-3.0、信越化学工業株式会社製を塗布し、ドット状パターンのフォトマスクを行って、露光現像を行った。次に、上部電極をスパッタ法により成膜し、フォトレジストをアセトン中で溶解剥離させることにより、ドット状直径20μm、面積3.14×10-6cm2の上部電極を形成した。形成条件として、基板温度は常温とし、成膜圧力は約0.33Paとし、直流550V、アルゴン雰囲気下で成膜を行った。この後、マスキングを行ったことにより生じた段差に対して、触針式膜厚段差表面形状測定器Dektak8、アルバック社製を用いて測定を行い、製造した非鉛強誘電体薄膜の厚さを測定した。当該膜厚は320nmであった。なお、シリコンウェハ上に形成した金属薄膜を下部電極として用いた。上記のようにして非鉛強誘電体薄膜に上部電極を形成した後、測定機器FCE-PZ、東洋テクニカ製を用いて強誘電性を評価した。なお、当該測定機器はマニュアルプローバーとダイヤモンドコーティングを施したAFMカンチレバーとを有しており、マニュアルプローバーを下部電極に接触させ、AFMカンチレバーを上部電極に接触させて測定を行った。その結果、図5に示すように、実施例2に係る非鉛強誘電体薄膜が強誘電性を示すことを確認することができた。以上、本発明を上記の実施形態及び実施例に基づいて説明したが、本発明は上記の実施形態及び実施例に限定されるものではない。その趣旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば、次のような変形も可能である。1上記各実施形態において記載した各構成要素の寸法、量、原料及び形状は例示であり、本発明の効果を損なわない範囲において変更することが可能である。"