"結晶であって、該結晶は、少なくとも1つの開始種晶上に成長させられるIII族窒化物結晶を備え、該少なくとも1つの開始種晶は、相互に対して0度を上回り、180度未満である角度を成す少なくとも2つの暴露表面を有する、結晶。前記暴露表面は、凹状表面を形成する、請求項1に記載の結晶。前記開始種晶は、環構造を形成する、請求項1に記載の結晶。前記暴露表面は、前記環構造のa-平面ファセットである、請求項3に記載の結晶。前記暴露表面は、前記環構造の{11-22}、{11-20}、{10-11}、{10-1-1}、{11-21}、{11-2-2}、または{11-2-1}ファセットである、請求項3に記載の結晶。前記暴露表面は、前記III族窒化物結晶内に合体される、請求項1に記載の結晶。複数の開始種晶が存在し、該開始種晶の各々は、暴露表面を有し、該開始種晶は、該開始種晶のうちの隣接するものの暴露表面が、相互に対して0度を上回り、180度未満である角度を成すように配列される、請求項1に記載の結晶。前記III族窒化物結晶は、前記開始種晶と異なる欠陥濃度を含有する、請求項1に記載の結晶。前記III族窒化物結晶は、前記開始種晶と異なる不純物濃度を含有する、請求項1に記載の結晶。前記III族窒化物結晶は、前記開始種晶と異なる化学種濃度を含有する、請求項1に記載の結晶。前記III族窒化物結晶は、前記開始種晶と異なる自由キャリア濃度を有する、請求項1に記載の結晶。前記III族窒化物結晶は、少なくとも1つの波長に対して、前記開始種晶と異なる吸収係数を有する、請求項1に記載の結晶。前記III族窒化物結晶は、ある結晶学的平面に対して、前記開始種晶よりも大きな曲率半径を有する、請求項1に記載の結晶。前記III族窒化物結晶は、前記開始種晶よりも高い結晶品質を有する、請求項1に記載の結晶。前記III族窒化物結晶は、前記開始種晶より少ない粒子を有する、請求項1に記載の結晶。前記III族窒化物結晶は、同一環境において、拡大成長後に、前記開始種晶よりも大きい成長率で成長させられる、請求項1に記載の結晶。結晶を生成する方法であって、該方法は、少なくとも1つの開始種晶上に成長させることによってIII族窒化物結晶を産生することを備え、該少なくとも1つの開始種晶は、相互に対して0度を上回り、180度未満である角度を成す少なくとも2つの暴露表面を有する、方法。前記III族窒化物結晶は、アモノサーマル、フラックス、または他のバルク結晶成長技法を使用して産生される、請求項17に記載の方法。前記暴露表面は、凹状表面を形成する、請求項17に記載の方法。前記開始種晶は、環構造を形成する、請求項17に記載の方法。前記暴露表面は、前記環構造のa-平面ファセットである、請求項20に記載の方法。前記暴露表面は、前記環構造の{11-22}、{11-20}、{10-11}、{10-1-1}、{11-21}、{11-2-2}、または{11-2-1}ファセットである、請求項20に記載の方法。前記暴露表面は、前記III族窒化物結晶内に合体される、請求項17に記載の方法。複数の開始種晶が存在し、該開始種晶の各々は、暴露表面を有し、該開始種晶は、該開始種晶のうちの隣接するものの暴露表面が、相互に対して0度を上回り、180度未満である角度を成すように配列される、請求項17に記載の方法。前記III族窒化物結晶は、前記開始種晶と異なる欠陥濃度を含有する、請求項17に記載の方法。前記III族窒化物結晶は、前記開始種晶と異なる不純物濃度を含有する、請求項17に記載の方法。前記III族窒化物結晶は、前記開始種晶と異なる化学種濃度を含有する、請求項17に記載の方法。前記III族窒化物結晶は、前記開始種晶と異なる自由キャリア濃度を有する、請求項17に記載の方法。前記III族窒化物結晶は、少なくとも1つの波長に対して、前記開始種晶と異なる吸収係数を有する、請求項17に記載の方法。前記III族窒化物結晶は、ある結晶学的平面に対して、前記開始種晶よりも大きな曲率半径を有する、請求項17に記載の方法。前記III族窒化物結晶は、前記開始種晶よりも高い結晶品質を有する、請求項17に記載の方法。前記III族窒化物結晶は、前記開始種晶よりも少ない粒子を有する、請求項17に記載の方法。前記III族窒化物結晶は、同一環境において、拡大成長後に、前記開始種晶よりも大きい成長率で成長させられる、請求項17に記載の方法。前述において示された先行技術における制限を克服し、かつ本明細書の熟読および理解によって明白となるであろう他の制限を克服するために、本発明は、暴露表面がともに凹状表面を形成するように、相互に対して鋭角、直角、または鈍角、すなわち、0度を上回り、180度未満である角度を成す少なくとも2つの表面を有する開始種晶上におけるIII族窒化物結晶のアモノサーマル成長法を開示する。次に、図面を参照するが、同一の参照番号は、全体を通して対応する部品を表す。好ましい実施形態の以下の説明では、その一部を形成し、例示として本発明が実践され得る具体的な実施形態が示される添付の図面を参照する。他の実施形態が利用されてもよく、構造変化が、本発明の範囲から逸脱することなく行われてもよいことを理解されたい。概要本発明は、相互に対して、1つ以上のIII族窒化物結晶の2つ以上の隣接する暴露結晶学的平面すなわち、表面を配列し、それによって、これらの平面が、アモノサーマル法を使用して、定常状態で成長することを可能にする。2つの隣接する暴露表面間の角度は、好ましくは、0度を上回り、180度未満であり、すなわち、鋭角、90度直角、または鈍角のいずれかであり、それによって、限定するものではないが、第3のより遅い成長平面が出現する可能性を低減させる。一般的には、バルク結晶成長の間、最も遅い成長平面は、最終的に他のより速く成長する平面を追い越して、晶相を産生する。本発明は、このことが生じないように防止するための手段を提供する。異なる平面におけるIII族窒化物結晶の定常状態の成長のための手段を提供することによって、成長するIII族窒化物結晶の成長率、化学種の取り込み、欠陥の生成、結晶品質、光学、電気、および磁気特性を修飾するために、1つ以上の所望の成長平面を選択することが可能となる。加えて、本発明は、複数の大きなIII族窒化物結晶を急速に生成し、かつ複数のより小さなIII族窒化物結晶を前提として、大きなIII族窒化物結晶を生成するための手段を提供する。したがって、本発明は、以下:aアモノサーマルまたはソルボサーマル方法を使用して、全体的成長率を向上させ、かつ結晶塊を増加させ、電子/光電子市場において使用するための基板の生成効率の上昇およびコスト削減を可能にすることb持続的成長率において、結晶から側方に成長させることによって、結晶品質を改良することc側方に成長させることによって、結晶の結晶学的平面の曲率を改良するすなわち、曲率を低下させることd異なる化学組成物、不純物濃度、およびドーピング濃度の結晶を生成することe不純物、ドーピング剤、または合金化要素と考えられ得る、化学種の取り込みを修飾することf化学種の取り込みの制御および/または欠陥形成の制御を通して、結晶の光学、電気、磁気特性を修飾することg成長結晶内の欠陥の生成または組み込みを修飾する欠陥は、先鋭、線形、延在、平面、または体積欠陥であり得ることh種増殖、すなわち、あるサイズの1つの高品質種が、利用可能である時、同じサイズの複数の種を急速に産生することができることを提供する。技術説明本発明は、単一GaN結晶のアモノサーマル成長法において見られる、結果として生じる定常状態ファセットと異なる平面上において、単一GaN結晶の継続的な定常状態成長を可能にすることによって、既存の最先端技術を改良する。これは、相互に対して0度を上回り、180度未満である角度、すなわち、鋭角、90度直角、または鈍角のいずれかである角度を成す少なくとも2つの表面を含むように、初期開始種晶または複数の種晶を幾何学的に修飾することによって行われる。図1-4は、種晶の成長を例示しており、c-方向は、図面シートに対して直交し、したがって、図1-4は、各々、種晶のc-平面表面を見下ろす投影図を提供する。これらの図中の矢印は、成長方向を示す。しかしながら、成長はまた、c-平面に沿って、すなわち、図面シート内外に直交的にも生じるであろうことに留意されたい。図1aは、一般的な種晶100の一般的な成長を例示しており、定常状態の低速成長のm-平面ファセットが出現し、低速成長率を伴って、矢印によって示されるように成長している。図1bは、本発明による、種晶102の成長を例示しており、図1aと同様に、結晶102の外側の矢印は、定常状態の低速成長のm-平面ファセットが出現し、低速成長率を伴って成長していることを示す。しかしながら、図1bは、種晶102の中心部分が切除されて、環構造をもたらし、a-平面ファセットが種晶102の内側に暴露されているという点において、図1aと異なる。結晶102の内側の矢印もまた、成長方向を示し、a-平面ファセットは、一般的な成長モードにおいて高速成長率を伴って成長して、消滅するであろう。すなわち、結晶102の内側のa-平面ファセットの成長率は、結晶102の外側のm-平面ファセットの成長率より高速である。結晶102の内側のa-平面ファセットは、これらのファセットが、結晶102の外側のm-平面ファセットの場合のように凸状ではなく、凹状であるので、安定したままであることに留意されたい。したがって、図1bは、一般的には、安定とみなされない平面すなわち、高速成長平面における、成長率の向上および安定した定常状態成長を例示する。図2aは、発明による、種晶200の中心部分が切除されて、種晶200のための環構造をもたらす態様を例示しており、種晶200の切除部分202はまた、成長のために使用されてもよい。図2aでは、切除部分202の外側のa-平面ファセットは、暴露されている。図2bは、図2aの種晶200の環構造および切除部分202の両方の再成長を例示している。図2bにおける種晶200の再成長は、図1bに示されるものに類似している。さらに、切除部分202の再成長は、高速成長a-平面ファセットが成長して消滅し、定常状態の低速成長m-平面ファセットによって置換され、それによって、付加的な領域によって、切除部分202を急速に拡張させる様子を示す。図2cは、図2bにおける種晶200の環構造および切除部分202の両方の再成長の最終結果を例示している。具体的には、再成長は、種晶増殖をもたらし、その理由は、種晶200の環構造および切除部分202の両方における再成長が、ここでは、高速成長平面が暴露されているように例えば、a-平面ファセット、または{11-22}、あるいはその他、何倍も高速で生じるからであり、再成長の最終結果は、環構造または切除中心部分によらず、同等の特性を有し、かつ類似のサイズの2つの完全種晶200、202である。また、種晶は、c-軸に沿って、また場合によっては、c-軸に対してある角度で走る欠陥を有する欠陥性であり得ることに留意されたい。加えて、種晶を加工するために使用される方法に応じて、構造の点から考えると、相互間に変動する傾斜およびねじれとともにc-方向に沿って伝播する柱である複数の粒子が、存在する可能性がある。これらは、図3aに示される結晶300の断面側面図に例示されており、結晶300の内部線は、欠陥および/または柱を表す。本発明では、成長は、主に、c-軸に対してある角度にある、理想的には、垂直である方向に沿って生じるであろう。そうすることによって、新しく成長させられる結晶内への欠陥の伝播を制限または防止することが可能となる。加えて、c-方向に垂直に成長させることによって、結晶内の粒子の濃度を低下させることが可能となる。例えば、図3bの種晶300上で行われる再成長において、種晶300のための環構造をもたらす種晶300の中心部分の切除に続いて、種晶300の環構造は、粒子および転位等の他の欠陥を伴って、非常に欠陥性であり得る。概して、そのような欠陥は、主に、c-平面の内外、すなわち、図面シートの平面に直交して伝播するであろう。しかしながら、再成長後において、種晶300の環構造の中心部分内の再成長領域は、低い欠陥性かつより優れた品質である。さらに、このプロセス結晶の中心部分を切除し、次いで、再成長を行うは、複数回、反復され、さらに、欠陥を低減、例えば、転位密度を減少させることができる。加えて、新しく再成長させられた種晶の中心部分は、最低の欠陥密度を有し、この中心部分は、切除され、以前に、図2a、2bおよび2cに示されたように、将来の成長のためのほぼ完全な結晶の源として使用されることができる。加えて、環構造は、種晶の中心を切除することによって生成され、したがって、1つの連続結晶から成るように示されたが、同様に、他の方法において、環構造を生成することも可能である。例えば、図4は、種または基板の長方形部分またはスラブ400が、400a、400b、400c、400d、400e、400fによって示されるように配列され、どのように環構造を有する大きいサイズの結晶を生成することができるかを例示しており、これらの部分またはスラブ400のうちの少なくとも2つは、相互に対して0度を上回り、180度未満である角度で配置される。環構造の中心に向かう、種または基板のこれらの配列される長方形部分またはスラブ400の成長は、最終的に、環構造有しない完全種晶402をもたらす。概して、本発明を適用する最良の方法は、相互に対して、0度を上回り、180度未満である角度を成す、少なくとも2つの暴露表面を有する初期種晶の使用によることであると言える。ある場合には、結晶対称性を利用するために例えば、a-平面に沿って成長させる場合、正確に60度を成すことが好ましい。他の場合には、6つの{11-22}平面が、環構造の内側に、相互に向かって成長可能となる、より大きな角度を有することが好ましくあってもよい。2つの急速に成長する平面は、相互に対向することから、より高速成長平面からの進行成長を通して、直ぐに組み込まれるであろうため、より低速成長の定常状態ファセットが出現することは不可能である。この特性は、ファセットが、環の外側における場合のように相互から離れる方向のものとは対照的に、相互に向かって成長する事実によってもたらされる。ここでは、より高速成長平面の定常状態成長を維持することが可能であるので、種の幾何学形状を最適化し、異なる化学物質の可変の組み込みを利用することが可能となる。これは、不純物の組み込みを低減させることによって、純度の増加、ドーピング濃度の増加を通して、結晶の伝導性の改善、非化学量論的成長空孔またはアンチサイト欠陥の形成を制御することによって、吸収損失の低減を可能にするはずである。プロセスステップ図5は、相互に対して0度を上回り、180度未満である、すなわち、鋭角、90度直角、または鈍角のいずれかの角度を成す少なくとも2つの暴露表面を有する少なくとも1つのIII族種晶上に成長させられる、III族窒化物結晶を備える結晶を加工するための方法を例示する、流れ図である。ブロック500は、相互に対して0度を上回り、180度未満である角度を成す少なくとも2つの暴露表面を含む、1つ以上の開始種晶を幾何学的に修飾するステップを表し、開始種晶は、GaN種晶等のIII族種晶を備える。相互に対して0度を上回り、180度未満である角度を成す2つの暴露表面は、ともに、凹状表面を備えることに留意されたい。凹状表面は、任意の所望の量の曲率を有する任意の形状または任意の形態であってもよい。さらに、凹状表面は、平面または連続的である必要はない。開始種晶のこの幾何学的修飾は、例えば、開始種晶の中心部分を切除し、相互に対して0度を上回り、180度未満である角度を成す暴露表面をもたらすことにより、環構造を形成することによって行われてもよい。別の実施例では、環構造は、環構造を有する開始結晶を生成するように配列され、また、相互に対して0度を上回り、180度未満である角度を成す暴露表面をもたらす種または基板の長方形部分またはスラブを使用して生成されてもよい。さらに別の実施例では、種晶の切除中心部分自体が、相互に対して0度を上回り、180度未満である角度を成すこれらの暴露表面を提供してもよい。一実施形態では、環構造は、成長ファセットとしてのa-平面ファセットから構成される。具体的には、環構造は、その上で成長が生じる、限定されないが、{11-22}、{11-20}、{10-11}、{10-1-1}、{11-21}、{11-2-2}、{11-2-1}ファセットを含む複数の同一または異なるファセットから構成される。ブロック502は、幾何学的に修飾された種晶のアモノサーマル再成長を行い、合体を介して新しく再成長させられた種晶をもたらすステップを表し、種晶の成長は、高速成長のa-平面ファセットが、最終的に合体し、成長して消滅し、高速成長のa-平面ファセットが定常状態の低速成長のm-平面ファセットによって置換され、それによって、幾何学的に修飾された種晶を急速に拡張させるように、主に、c-軸に対してある角度好ましくは、実質的に、c-軸に垂直である方向に沿って生じる。ブロック504は、ブロック500および502が反復されるべきかどうかを決定する決定ブロックである。ブロック500および502のステップは、複数回だけ反復され、さらに、欠陥を低減させ、例えば、転位密度を減少させることができることに留意されたい。加えて、新しく再成長させられた種晶は、プロセスの別の反復源、すなわち、開始種晶として使用することができる。最後に、ブロック506は、プロセスの最終結果、すなわち、新しく再成長させられたIII族窒化物種晶を表す。このように成長させられた、新しく再成長させられたIII族窒化物種晶は、以下:Si、Mg、Al、In、Fe等の異なる欠陥、不純物、または化学種濃度転位、空孔、体積欠陥、または積層欠陥等、より低い欠陥濃度酸素、遷移金属、炭素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはハロゲン等、より低い化学物質または化学化合物濃度SiまたはMg等、より高い化学物質または化学化合物濃度電子または正孔を備えるより高い自由キャリア濃度電子または正孔を備えるより低い自由キャリア濃度少なくとも1つの波長に対するより優れた吸収係数ある結晶学的平面に対するより大きな曲率半径種晶より高い結晶品質より少ない粒子同一環境における、拡大成長後のより高い成長率を含む、開始種晶によって呈されるものとは異なるいくつかの特性を呈する。可能性として考えられる修正および変形例本発明に対する多くの修正および変形例が可能である。本発明は、アモノサーマル法を使用するように示されるが、他のバルク結晶成長技法も、同様に使用されてもよい。例えば、ナトリウムフラックス法等、フラックスベースの技法が、使用されてもよい。専門用語用語窒化物、III窒化物、またはIII族窒化物は、本明細書において使用されるように、化学式AlwBxGayInzNここで、0≦w≦l、0≦x≦l、0≦y≦l、およびO≦z≦lを有するAl,B,Ga,InN半導体の任意の合金組成物を指す。これらの用語は、単一種、Al、B、Ga、およびInの個別の窒化物、ならびにそのようなIII族金属種の二価、三価、および四価組成物を含むように広義に解釈されることが意図される。故に、GaNおよびInGaN材料を参照する以下の本発明の議論は、種々の他のAl,B,Ga,InN材料種の形成にも適用可能であることを理解されるであろう。さらに、本発明の範囲内のAl,B,Ga,InN材料はさらに、微量のドーパントおよび/または他の不純物あるいは含有材料を含んでもよい。多くのIII族窒化物素子は、結晶の極性c-平面に沿って成長させられるが、強力な圧電および自発分極の存在のため、望ましくない量子閉じ込めシュタルク効果QCSEをもたらす。III族窒化物素子内の分極効果を減少させるアプローチの1つは、結晶の非極性または半極性平面上に素子を成長させることである。用語非極性平面は、集合的にa-平面として知られる{11-20}平面と、集合的にm-平面として知られる{10-10}平面とを含む。そのような平面は、平面あたり、等数のIII族例えば、ガリウムおよび窒素原子を含有し、電荷中性である。後続の非極性層は相互に均等であり、したがって、バルク結晶は、成長方向に沿って分極されないであろう。用語半極性平面は、c-平面、a-平面、またはm-平面として分類することができない任意の平面を指すために使用することができる。結晶学的用語では、半極性平面とは、少なくとも2つの非ゼロh、i、またはkミラー指数および非ゼロ1ミラー指数を有する、任意の平面であろう。後続半極性層は、相互に均等であって、したがって、結晶は、成長方向に沿って、分極を低減するであろう。ミラー指数は、結晶格子内の平面および方向に対する結晶学における表記法であって、表記{hikl}は、格子の対称性によって、hiklに相当する全平面の集合を表す。中括弧{}の使用は、丸括弧によって表される対称等価平面群を表し、群内の全平面は、本発明の目的のために、等価である。参考文献以下の参考文献は、参照することによって本明細書に組み込まれる。結論ここで、本発明の好ましい実施形態の説明を結論付ける。本発明の1つ以上の実施形態についての上述の説明は、例示および説明の目的のために提示されている。本発明を包括的または開示されるまさにその形態に限定することを意図するものではない。多くの修正例および変形例が、上述の教示に照らして可能である。本発明の範囲は、本発明を実施するための形態によってではなく、本明細書に添付の請求項によって限定されることが意図される。"