"エキシマランプと、このエキシマランプを取り囲むよう設けられた、当該エキシマランプからの光を外部に出射する開口および内部のガスを排出するガス排出口を有するランプハウスと、このランプハウスの開口から当該ランプハウスの内部に大気を導入し、当該ランプハウスのガス排出口から排出するガス排出機構とを備えてなり、前記エキシマランプには、その放射光が前記ランプハウス内におけるガス流通路を形成する壁面に照射されないよう当該放射光を遮蔽する光遮蔽手段が設けられていることを特徴とする光照射装置。前記光遮蔽手段は、前記エキシマランプにおける放電容器の内面または外面に形成された光遮蔽膜であることを特徴とする請求項1に記載の光照射装置。前記光遮蔽膜は、前記エキシマランプにおける放電容器内において発生した光を反射する光反射機能を有するものであることを特徴とする請求項2に記載の光照射装置。本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、被照射物に付着した有機物等の汚染物と大気中に含まれる汚染物質との反応生成物が被照射物に付着することを防止または抑制することができ、従って、所要の光洗浄処理を確実に達成することができる光照射装置を提供することにある。本発明の光照射装置は、エキシマランプと、このエキシマランプを取り囲むよう設けられた、当該エキシマランプからの光を外部に出射する開口および内部のガスを排出するガス排出口を有するランプハウスと、このランプハウスの開口から当該ランプハウスの内部に大気を導入し、当該ランプハウスのガス排出口から排出するガス排出機構とを備えてなり、前記エキシマランプには、その放射光が前記ランプハウス内におけるガス流通路を形成する壁面に照射されないよう当該放射光を遮蔽する光遮蔽手段が設けられていることを特徴とする。本発明の光照射装置においては、前記光遮蔽手段は、前記エキシマランプにおける放電容器の内面または外面に形成された光遮蔽膜であることが好ましい。また、前記光遮蔽膜は、前記エキシマランプにおける放電容器内において発生した光を反射する光反射機能を有するものであることが好ましい。本発明の光照射装置によれば、エキシマランプには、その放射光がランプハウス内におけるガス流通路を形成する壁面に照射されないよう当該放射光を遮蔽する光遮蔽手段が設けられていることにより、ランプハウス内のガス流通路を流れる大気にエキシマランプからの光が照射されることが防止または抑制される結果、被照射物に付着した有機物等の汚染物と、ランプハウス内に導入される大気中に含まれる汚染物質とが反応することを防止または抑制することができるので、その反応生成物が被照射物に付着することを防止または抑制することができ、従って、被処理物に対する所要の光洗浄処理を確実に達成することができる。以下、本発明の光照射装置の実施の形態について説明する。図1は、本発明の光照射装置の一例における構成の概略を示す説明用断面図である。この光照射装置は、半導体素子やフラットパネルディスプレイの製造工程において、ウエハやガラス基板等の基板の表面を光洗浄するためのものであって、例えば波長200nm以下の紫外線Lを下方に位置される被照射物Wに向かって放射するエキシマランプ10を有し、このエキシマランプ10からの紫外線Lを外部に出射する開口21を下面に有する金属製のランプハウス20が、当該エキシマランプ10を取り囲むよう配置されている。ランプハウス20における一側壁には、内部のガスを排出するガス排出口22が形成されている。ランプハウス20における一側壁の外面には、ランプハウス20の開口21から当該ランプハウス20の内部に大気Aを導入し、エキシマランプ10を介してガス排出口22から排出するガス排出機構30が一体的に設けられ、このガス排出機構30には、ガス排出管35が接続されている。また、ランプハウス20内には、ガス排出機構30によって導入される大気が流れるガス流通路を形成するガス流通路部材25が設けられている。また、ランプハウス20の下方には、被照射物Wを搬送する複数の搬送ローラ41を有する搬送機構40が設けられている。図2は、図1に示す光照射装置におけるエキシマランプ10の構成を示す説明用断面図であり、aは縦断面図、bは横断面図である。このエキシマランプ10は、エキシマ用ガスが気密に封入された放電空間Sを形成する放電容器11を有する。この放電容器11は、互いに対向するそれぞれ矩形の上壁部11aおよび下壁部11bと、上壁部11aおよび下壁部11bの周縁を連接する4つの側壁部11c,11d,11e,11fよりなる扁平な箱型のものであって、全体が例えば波長200nm以下の紫外線の透過性に優れた材料により構成されている。放電容器11における上壁部11aの外面図2において上面には、網状の一方の電極12が設けられ、当該放電容器11における下壁部11bの外面図2において下面には、網状の他方の電極13が設けられており、一方の電極12および他方の電極13の各々は、高周波電源図示省略に接続されている。放電容器11を構成する材料としては、真空紫外線を良好に透過するもの、具体的には、合成石英ガラスなどのシリカガラス、サファイアガラスなどを用いることができる。放電容器11の寸法の具体的な一例を示すと、上壁部11a、下壁部11bの幅方向の長さが70mm、側壁部11c、11d、11e、11fの高さ方向の長さが18mm、肉厚が3.0mmである。一方の電極12および他方の電極13を構成する材料としては、金、銀、銅、ニッケル、クロムなどの耐腐食性を有する金属材料を用いることができる。また、一方の電極12および他方の電極13は、上記の金属材料を含む導電性ペーストをスクリーン印刷することにより、或いは上記の金属材料を真空蒸着することにより、形成することができる。一方の電極12および他方の電極13の各々の厚みは、例えば0.1μm~数十μmである。放電容器11内に封入されるエキシマ用ガスとしては、真空紫外線を放射するエキシマを生成し得るもの、具体的には、キセノン、アルゴン、クリプトン等の希ガス、または、希ガスと、臭素、塩素、ヨウ素、フッ素等のハロゲンガスとを混合した混合ガスなどを用いることができる。エキシマ用ガスの具体的な例を、放射される紫外線の波長と共に示すと、キセノンガスでは172nm、アルゴンとヨウ素との混合ガスでは191nm、アルゴンとフッ素との混合ガスでは193nmである。また、エキシマ用ガスの封入圧は、例えば10~100kPaである。そして、エキシマランプ10には、その放射光がランプハウス20内におけるガス流通路を形成する壁面図示の例では、ランプハウス20の内面およびガス流通路部材25の表面に照射されないよう当該放射光を遮蔽する光遮蔽手段が設けられている。具体的には、この例の光遮蔽手段は、エキシマランプ10の放電容器11における上壁部11aおよび4つの側壁部11c、11d、11e、11fの各々の内面全面並びに下壁部11bの周辺部分の内面を覆うよう形成された光遮蔽膜15によって構成されている。光遮光膜15は、エキシマランプ10における放電容器11内の放電空間Sにおいて発生した紫外線を反射する光反射機能を有するものであることが好ましく、これにより、高い光の利用率が得られる。このような光反射機能を有する光遮蔽膜15としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムなどよりなるものを用いることができ、例えばシリカ粒子とアルミナ粒子とからなるもの、特に、光遮蔽膜15におけるシリカ粒子の含有割合が30~99質量で、アルミナ粒子の含有割合が1~70質量であるものが好ましい。上記の光照射装置においては、エキシマランプ10における一方の電極12と他方の電極13との間に、高周波電源によって高周波電界が印加され、当該高周波電界によって、エキシマランプ10における放電容器11内の放電空間Sにおいて誘電体バリア放電が発生し、この誘電体バリア放電によってエキシマ用ガスに由来するエキシマ分子が形成され、これにより、例えば波長200nm以下の紫外線Lが発生し、この紫外線Lは、直接または光遮光膜15に反射されて放電容器11の下壁部11bから下方に放射される。一方、ガス排出機構30が作動されることにより、光照射装置の外部の大気Aがランプハウス20の開口21から当該ランプハウス20の内部に導入された後、ランプハウス20内のガス流通路に沿って流れ、当該ランプハウス20のガス排出口22から外部に排出される。このとき、エキシマランプ10は、ランプハウス20内におけるガス流通路内に配置されているため、ランプハウス20内のガス流通路を流れる大気Aによって冷却される。そして、エキシマランプ10からの紫外線Lは、ランプハウス20の開口21から下方に出射されて、搬送機構40によってランプハウス20の直下の位置に搬送された被処理物Wに照射され、これにより、被処理物Wに対する光洗浄処理が達成される。以上において、エキシマランプ10と被処理物Wとの間の離間距離は、3~5mmであることが好ましい。この離間距離が過大である場合には、大気中の酸素によって172nmの光が吸収されてしまい、被処理物Wに到達する光の光量が小さくなるからである。このため、離間距離が5mmを超えても、それなりの効果はあるが実用上不適である。一方、この離間距離が過小である場合には、搬送機構40の搬送ローラ41上における被処理物Wのたわみ、搬送による被処理物Wの上下振動、搬送ローラ41自体のたわみ、光照射装置自体のたわみなどがあるときには不都合となる。また、被照射物Wに対する紫外線Lの照射時間は、例えば0.5~2.0秒間である。また、ランプハウス20の開口21から導入される大気Aの流量は、2000~5000L/minであることが好ましい。大気Aの流量が過小である場合には、流速が低いために光照射装置内に大気Aの滞留が生じたり、あるいは逆流が生じたりしてしまう。一方、大気Aの流量が過大である場合には、化学的作用としては問題ないが、排気装置の大型化、ダクト径の大型化を必要とするため装置全体が大きくなりすぎ、実用的な装置コストという観点から不適である。上記の光照射装置によれば、エキシマランプ10における放電容器11の内表面には、当該エキシマランプ10の放電容器11内の放電空間Sにおいて発生する紫外線Lが、ランプハウス20内におけるガス流通路を形成する壁面に照射されないよう当該紫外線Lを遮蔽する光遮蔽膜15が形成されていることにより、ランプハウス20内のガス流通路を流れる大気Aに紫外線Lが照射されることが防止または抑制される結果、被照射物Wに付着した有機物等の汚染物と、ランプハウス20内に導入される大気A中に含まれる汚染物質とが反応することを防止または抑制することができるので、その反応生成物が被照射物Wに付着することを防止または抑制することができ、従って、被処理物Wに対する所要の光洗浄処理を確実に達成することができる。本発明の光照射装置においては、上記の実施の形態に限定されず、種々の変更を加えることが可能である。例えばランプハウス20内には、複数のエキシマランプ10が設けられていてもよい。また、光遮蔽膜15は、エキシマランプ10の放電容器11の外面に形成されていてもよく、また、光遮蔽手段としては、光遮蔽膜15に限定されず、エキシマランプ10の放射光がランプハウス20内におけるガス流通路を形成する壁面に照射されないよう当該放射光を遮蔽する適宜のものを設けることができる。また、ランプハウス20のガス排出口22は、当該ランプハウス20の上側壁に形成されていてもよい。また、光遮蔽膜15は、光反射機能を有さないものであってもよく、その材質としては、酸化マグネシウム、酸化イットリウムなどを用いることができる。以下、本発明の光照射装置の具体的な実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。<実施例1>図1および図2の構成に従い、幅が160mm、高さが250mm、エキシマランプを収納する部分の高さが100mm、全長奥行が3000mmのランプハウスと、全長が2500mm、幅が70mm、高さが18mm、有効発光長が2200mmのエキシマランプとを有する光照射装置を作製した。この光照射装置におけるエキシマランプは、放電容器の内部にはキセノンガスが封入されており、また、光遮蔽手段として、放電容器における上壁部および4つの側壁部の各々の内面全面並びに下壁部の周辺部分の内面を覆うよう紫外線遮蔽膜が形成されている。そして、被照射物として液晶用のガラス基板を用い、エキシマランプのランプ電力が1.6kW、放電容器の外表面における紫外線照度が150mW/cm2、エキシマランプと被照射物との離間距離が4mm、ガス排気量が3000l/min、搬送機構によるガラス基板の搬送速度が4m/minの条件で、ガラス基板の洗浄処理を行い、洗浄処理前および洗浄処理後におけるガラス基板の表面の接触角を測定した。その結果、ガラス基板の表面の接触角は、洗浄処理前において40°であったが、洗浄処理後において2°であった。液晶用のガラス基板の表面の接触角の要求レベルは5°以下とされていることから、高い洗浄処理能力が得られることが確認された。さらに、この光照射装置を6ヶ月間連続運転してガラス基板の洗浄処理を行ったところ、ガラス基板の洗浄処理に不具合は発生せず、6ヵ月間経過後に洗浄処理を行ったガラス基板の接触角を測定したところ、4°であった。<実施例2>紫外線遮蔽膜を形成する位置を、放電容器における上壁部および4つの側壁部の各々の外面全面並びに下壁部の周辺部分の外面に変更したこと以外は、実施例1と同様の構成の光照射装置を作製した。そして、被照射物として液晶用のガラス基板を用い、実施例1と同様の条件で、ガラス基板の洗浄処理を行い、洗浄処理前および洗浄処理後におけるガラス基板の表面の接触角を測定した。その結果、ガラス基板の表面の接触角は、洗浄処理前において40°であったが、洗浄処理後において2°であり、高い洗浄処理能力が得られることが確認された。さらに、この光照射装置を6ヶ月間連続運転してガラス基板の洗浄処理を行ったところ、ガラス基板の洗浄処理に不具合は発生せず、6ヵ月間経過後に洗浄処理を行ったガラス基板の接触角を測定したところ、4°であった。<比較例1>放電容器の内面に紫外線遮蔽膜が形成されていないこと以外は、実施例1と同様の構成の光照射装置を作製した。そして、被照射物として液晶用のガラス基板を用い、エキシマランプのランプ電力が1.6kW、放電容器の外表面における紫外線照度が100mW/cm2、エキシマランプと被照射物との離間距離が4mm、ガス排気量が3000l/min、搬送機構によるガラス基板の搬送速度が4m/minの条件で、2ヶ月間連続運転してガラス基板の洗浄処理を行い、2ヵ月間経過後に洗浄処理を行ったガラス基板の接触角を測定したところ、10°以上であり、また、ガラス基板を観察したところ、その表面に付着物が目視で確認されるようになった。<比較例2>紫外線遮蔽膜が、放電容器における上壁部のみに形成されていること以外は、実施例1と同様の構成の光照射装置を作製した。そして、被照射物として液晶用のガラス基板を用い、実施例1と同様の条件で、3ヶ月間連続運転してガラス基板の洗浄処理を行い、3ヵ月間経過後に洗浄処理を行ったガラス基板の接触角を測定したところ、5°であったが、更に、3ヶ月間合計6ヶ月間連続運転してガラス基板の洗浄処理を行い、3ヵ月間合計6ヶ月間経過後に洗浄処理を行ったガラス基板の接触角を測定したところ、10°以上であり、また、ガラス基板を観察したところ、その表面に付着物が目視で確認されるようになった。"