"半導体単結晶の引上げ装置のるつぼに供給された半導体原料をヒータにより融解して前記るつぼに半導体融液を貯留し、前記引上げ装置に予め設定された温度プロファイルに基づいて前記ヒータを制御しながら前記るつぼ内の半導体融液から前記半導体単結晶を引上げる半導体単結晶の引上げ方法において、前記ヒータの温度プロファイルの設定に寄与する過去の半導体単結晶の引上げデータをデータベースに蓄積する工程と、前記データベースに蓄積された過去の半導体単結晶の引上げデータから次に引上げるシリコン単結晶のヒータの温度プロファイルを特定の評価機能に基づいて評価する工程と、前記特定の評価機能に基づいて次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを引上げ前に修正する工程と、この修正された温度プロファイルに基づいて前記ヒータを制御しながら前記るつぼ内の半導体融液から半導体単結晶を引上げる工程とを含むことを特徴とする半導体単結晶の引上げ方法。前記特定の評価機能が、前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルにフィードバックされる前記過去の半導体単結晶のヒータの温度プロファイルの設定値と実績値との近さから決定された信頼性と、前記次に引上げる半導体単結晶の設定引上げ条件と前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルにフィードバックされる前記過去の半導体単結晶の引上げデータのうち実績引上げ条件とを比較したときに前記設定引上げ条件及び前記実績引上げ条件の近さから決定された重み係数とを有し、前記信頼性及び前記重み係数に基づいて前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを修正する請求項1記載の半導体単結晶の引上げ方法。前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルが連続性を保つように前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを修正する、ならし機能を有する請求項1又は2記載の半導体単結晶の引上げ方法。前記次に引上げる半導体単結晶の引上げデータと前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルにフィードバックされる前記過去の半導体単結晶の引上げデータとを比較したときに、前記半導体単結晶の引上げに用いられる構成部材又は前記半導体単結晶の引上げ条件のいずれか一方又は双方の相違を、前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度設定値に換算して前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを補正する請求項1又は2記載の半導体単結晶の引上げ方法。るつぼに供給された半導体原料をヒータにより融解して前記るつぼに半導体融液が貯留され、コントローラが予め設定された温度プロファイルに基づいて前記ヒータを制御しながら前記るつぼ内の半導体融液から半導体単結晶を引上げるように構成された半導体単結晶の引上げ装置において、前記コントローラは、前記ヒータの温度プロファイルの設定に寄与する過去の半導体単結晶の引上げデータをデータベースに蓄積し、前記データベースに蓄積された過去の半導体単結晶の引上げデータから次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを特定の評価機能に基づいて評価し、この特定の評価機能に基づいて次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを引上げ前に修正し、この修正された温度プロファイルに基づいて前記ヒータを制御しながら前記るつぼ内の半導体融液から半導体単結晶を引上げるように構成されたことを特徴とする半導体単結晶の引上げ装置。前記特定の評価機能が、前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルにフィードバックされる前記過去の半導体単結晶のヒータの温度プロファイルの設定値と実績値との近さから決定された信頼性と、前記次に引上げる半導体単結晶の設定引上げ条件と前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルにフィードバックされる前記過去の半導体単結晶の引上げデータのうち実績引上げ条件とを比較したときに前記設定引上げ条件及び前記実績引上げ条件の近さから決定された重み係数とを有し、前記コントローラが前記信頼性及び前記重み係数に基づいて前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを修正するように構成された請求項5記載の半導体単結晶の引上げ装置。前記コントローラは、前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルが連続性を保つように前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを修正する、ならし機能を有する請求項5又は6記載の半導体単結晶の引上げ装置。前記コントローラは、前記次に引上げる半導体単結晶の引上げデータと前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルにフィードバックされる前記過去の半導体単結晶の引上げデータとを比較し、前記半導体単結晶の引上げに用いられる構成部材又は前記半導体単結晶の引上げ条件のいずれか一方又は双方の相違を、前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度設定値に換算して前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを補正するように構成された請求項5又は6記載の半導体単結晶の引上げ装置。しかし、上記従来の特許文献1に示されたシリコン単結晶の製造方法では、シリコン単結晶の直径を制御するために、シリコン単結晶の引上げ速度を大きく操作する必要があり、これによりシリコン単結晶の引上げ速度Vとシリコン単結晶の引上げ方向の温度勾配Gとの比V/Gが変動して、シリコン単結晶の品質にバラツキが生じてしまう不具合があった。また、上記従来の特許文献2に示された単結晶の育成方法では、次に引上げる単結晶の引上げ中の外乱を予測しておらず、従って単結晶の引上げ中に予想される外乱を加熱温度パターンに加味していないため、単結晶の直胴部の直径が一定になるように引上げる制御に、特許文献2の単結晶の育成方法を適用すると、単結晶の直径変動が大きくなる場合があった。本発明の目的は、半導体単結晶の直径変動が低減し、半導体単結晶の直径制御の操作量である引上げ速度の変動を抑制することができ、設定通りの半導体単結晶の引上げを実現することで、高品質な半導体単結晶を製造できる、半導体単結晶の引上げ方法及びその引上げ装置を提供することにある。本発明の第1の観点は、半導体単結晶の引上げ装置のるつぼに供給された半導体原料をヒータにより融解してるつぼに半導体融液を貯留し、引上げ装置に予め設定された温度プロファイルに基づいてヒータを制御しながらるつぼ内の半導体融液から半導体単結晶を引上げる半導体単結晶の引上げ方法において、ヒータの温度プロファイルの設定に寄与する過去の半導体単結晶の引上げデータをデータベースに蓄積する工程と、データベースに蓄積された過去の半導体単結晶の引上げデータから次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを特定の評価機能に基づいて評価する工程と、この特定の評価機能に基づいて次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを引上げ前に修正する工程と、この修正された温度プロファイルに基づいてヒータを制御しながらるつぼ内の半導体融液から半導体単結晶を引上げる工程とを含むことを特徴とする。本発明の第2の観点は、第1の観点に基づく発明であって、更に上記特定の評価機能が、次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルにフィードバックされる過去の半導体単結晶のヒータの温度プロファイルの設定値と実績値との近さから決定された信頼性reliabilityと、次に引上げる半導体単結晶の設定引上げ条件と次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルにフィードバックされる過去の半導体単結晶の引上げデータのうち実績引上げ条件とを比較したときに上記設定引上げ条件及び上記実績引上げ条件の近さから決定された重み係数weightingfactorとを有し、上記信頼性及び重み係数に基づいて次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを修正することを特徴とする。本発明の第3の観点は、第1又は第2の観点に基づく発明であって、更に次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルが連続性を保つように次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを修正する、ならし機能を有することを特徴とする。本発明の第4の観点は、第1又は第2の観点に基づく発明であって、更に次に引上げる半導体単結晶の引上げデータと次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルにフィードバックされる過去の半導体単結晶の引上げデータとを比較したときに、半導体単結晶の引上げに用いられる構成部材又は半導体単結晶の引上げ条件のいずれか一方又は双方の相違を、次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度設定値に換算して次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを補正することを特徴とする。本発明の第5の観点は、るつぼに供給された半導体原料をヒータにより融解してるつぼに半導体融液が貯留され、コントローラが予め設定された温度プロファイルに基づいてヒータを制御しながらるつぼ内の半導体融液から半導体単結晶を引上げるように構成された半導体単結晶の引上げ装置において、コントローラは、ヒータの温度プロファイルの設定に寄与する過去の半導体単結晶の引上げデータをデータベースに蓄積し、データベースに蓄積された過去の半導体単結晶の引上げデータから次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを特定の評価機能に基づいて評価し、この特定の評価機能に基づいて次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを引上げ前に修正し、この修正された温度プロファイルに基づいてヒータを制御しながらるつぼ内の半導体融液から半導体単結晶を引上げるように構成されたことを特徴とする。本発明の第6の観点は、第5の観点に基づく発明であって、更に上記特定の評価機能が、次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルにフィードバックされる過去の半導体単結晶のヒータの温度プロファイルの設定値と実績値との近さから決定された信頼性と、次に引上げる半導体単結晶の設定引上げ条件と次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルにフィードバックされる過去の半導体単結晶の引上げデータのうち実績引上げ条件とを比較したときに上記設定引上げ条件及び上記実績引上げ条件の近さから決定された重み係数とを有し、コントローラが上記信頼性及び重み係数に基づいて次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを修正するように構成されたことを特徴とする。本発明の第7の観点は、第5又は第6の観点に基づく発明であって、更にコントローラは、次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルが連続性を保つように次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを修正する、ならし機能を有することを特徴とする。本発明の第8の観点は、第5又は第6の観点に基づく発明であって、更にコントローラは、次に引上げる半導体単結晶の引上げデータと次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルにフィードバックされる過去の半導体単結晶の引上げデータとを比較し、半導体単結晶の引上げに用いられる構成部材又は半導体単結晶の引上げ条件のいずれか一方又は双方の相違を、次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度設定値に換算して次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを補正するように構成されたことを特徴とする。本発明の第1の観点の引上げ方法及び第5の観点の引上げ装置では、ヒータの温度プロファイルの設定に寄与する過去の半導体単結晶の引上げデータをデータベースに蓄積し、この過去の半導体単結晶の引上げデータから次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを特定の評価機能に基づいて評価し、この特定の評価機能に基づいて次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを引上げ前に修正し、更にこの修正された温度プロファイルに基づいてヒータを制御しながら半導体単結晶を引上げるので、半導体単結晶の直径変動が低減し、半導体単結晶の直径制御の操作量である引上げ速度の変動を抑制することができる。この結果、設定通りの半導体単結晶の引上げを実現することで、高品質な半導体単結晶を製造できる。またシリコン単結晶の直径を制御するためにシリコン単結晶の引上げ速度を大きく操作する必要がある従来のシリコン単結晶の製造方法と比較して、本発明では、半導体単結晶の引上げ速度の操作を必要最小限に抑えることができるので、半導体単結晶の引上げ速度Vと半導体単結晶の引上げ方向の温度勾配Gとの比V/Gの変動が抑制され、半導体単結晶の品質のバラツキを低減できる。即ち、本発明では、直径変動が抑制されることにより、比V/Gの変動が抑制される。更に次に引上げる単結晶の引上げ中の外乱を予測しておらず、従って予想される外乱を加熱温度パターンに加味していないため、単結晶の直胴部を引上げる制御に適用すると、単結晶の直径変動が大きくなる場合がある従来の単結晶の育成方法と比較して、本発明では、過去の半導体単結晶の引上げデータから次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを特定の評価機能に基づいて評価し、この特定の評価機能に基づいて次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを引上げ前に修正することにより、次に引上げる半導体単結晶の引上げ中に予想される外乱が加熱温度パターンに加味されているため、半導体単結晶の直胴部を引上げてもその直径の変動が抑えられ、目標の直径を保つことができる。本発明の第2の観点の引上げ方法及び第6の観点の引上げ装置では、特定の評価機能の信頼性及び重み係数に基づいて次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを引上げ前に修正するので、上記と同様に、設定通りの半導体単結晶の引上げを実現することで、高品質な半導体単結晶を製造できるとともに、ヒータの温度プロファイルの高精度化を実現できる。本発明の第3の観点の引上げ方法及び第7の観点の引上げ装置では、ならし機能により、次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルが連続性を保つようにこの温度プロファイルを修正するので、半導体単結晶の引上げ中のある区間でヒータの温度プロファイルの傾きが凹凸となる場合に、その凹凸を緩和して、その区間の温度プロファイルの傾きの平均値に近付ける。この結果、ヒータの温度プロファイルに生じた大きな凹凸を低減できる。本発明の第4の観点の引上げ方法及び第8の観点の引上げ装置では、半導体単結晶の引上げに用いられる構成部材又は半導体単結晶の引上げ条件のいずれか一方又は双方の相違を、次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度設定値に換算することにより引上げ中に予想される外乱を高精度に予測して次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを補正するので、次に引上げる半導体単結晶の引上げ中に予想される外乱が加熱温度パターンに更に加味されることになり、ヒータの温度プロファイルを更に高精度化することができる。次に本発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。図1に示すように、シリコン単結晶11の引上げ装置は、内部を真空可能に構成されたメインチャンバ12と、このチャンバ12内の中央に設けられたるつぼ13とを備える。メインチャンバ12は円筒状の真空容器である。またるつぼ13は、石英により形成されシリコン融液14が貯留される有底円筒状の内層容器13aと、黒鉛により形成され上記内層容器13aの外側に嵌合された有底円筒状の外層容器13bとからなる。外層容器13bの底部にはシャフト16の上端が接続され、このシャフト16の下端にはシャフト16を介してるつぼ13を回転させかつ昇降させるるつぼ駆動手段17が設けられる。更にるつぼ13の外周面は円筒状のヒータ18によりるつぼ13の外周面から所定の間隔をあけて包囲され、このヒータ18の外周面は円筒状の保温筒19によりヒータ18の外周面から所定の間隔をあけて包囲される。一方、メインチャンバ12の上端には、内部が連通するようにメインチャンバ12より小径の円筒状のプルチャンバ21が接続される。このプルチャンバ21の上端には引上げ回転手段22が設けられる。この引上げ回転手段22は、下端にシードチャック23が取付けられた引上げ軸24を昇降させるとともに、この引上げ軸24をその軸線を中心に回転させるように構成される。また上記シードチャック23には種結晶26が着脱可能に装着される。この種結晶26の下端をシリコン融液14中に浸漬した後、種結晶26を引上げ回転手段22により回転させかつ引上げるとともに、るつぼ13をるつぼ駆動手段17により回転させかつ上昇させることにより、種結晶26の下端からシリコン単結晶11を引上げて引上げるように構成される。メインチャンバ12内にはアルゴンガス等の不活性ガスが流通される。プルチャンバ21の側壁にはガス供給パイプ27の一端が接続され、このガス供給パイプ27の他端は不活性ガスを貯留するタンク図示せずに接続される。またメインチャンバ12の下壁にはガス排出パイプ28の一端が接続され、このガス排出パイプ28の他端は真空ポンプ29の吸入口に接続される。タンク内の不活性ガスは、ガス供給パイプ27を通ってプルチャンバ21内に導入され、メインチャンバ12内を通った後、ガス排出パイプ28を通ってメインチャンバ12から排出されるように構成される。なお、ガス供給パイプ27及びガス排出パイプ28にはこれらのパイプを流れる不活性ガスの流量を調整する第1及び第2流量調整弁31,32がそれぞれ設けられる。またメインチャンバ12内には、シリコン単結晶11外周面へのヒータ18の輻射熱の照射を遮るとともに、上記不活性ガスを整流するための熱遮蔽体33が設けられる。この熱遮蔽体33は、下方に向うに従って直径が次第に小さくなりかつシリコン融液14から引上げられるシリコン単結晶11の外周面をこの外周面から所定の間隔をあけて包囲する円錐台状の筒体33aと、この筒体33aの上縁に連設され外方に略水平方向に張り出すフランジ部33bとを有する。熱遮蔽体33は、フランジ部33bを保温筒19上にリング板33cを介して載置することにより、筒体33aの下縁がシリコン融液14表面から所定のギャップをあけて上方に位置するようにメインチャンバ12内に固定される。一方、メインチャンバ12の肩部には覗き窓12aが形成される。この覗き窓12aには、シリコン融液14と種結晶26との境界部、シリコン融液14とシリコン単結晶11のネック部11aとの境界部、シリコン融液14とシリコン単結晶11の肩部11bとの境界部、或いはシリコン融液14とシリコン単結晶11の直胴部11cとの境界部である固液界面34を臨むようにCCDカメラ36が設置される。このCCDカメラ36は引上げ中のシリコン単結晶11を撮影するように構成される。ここで、上記CCDカメラ36は、シリコン基板上に酸化膜を介して金属膜の電極を並べて作製したコンデンサに、光により生じた信号電荷を蓄積して、画像処理手段37からの駆動パルスにより一方向に順次転送させ、電気信号である画像信号を得るカメラであり、このCCDカメラ36の撮影した画像は画像処理手段37により処理される。CCDカメラ36の検出出力は画像処理手段37のカメラ制御入力に接続され、画像処理手段37のカメラ制御出力はCCDカメラ36の制御入力に接続される。また画像処理手段37の制御入出力はコントローラ38の制御入出力に接続され、コントローラ38の制御出力はるつぼ駆動手段17、ヒータ18及び引上げ回転手段22に接続される。なお、コントローラ38の制御入出力には、型式の異同に拘らず同一直径のシリコン単結晶11を引上げる全ての引上げ装置の画像処理手段37の制御入出力が接続され、コントローラ38の制御出力は、型式の異同に拘らず同一直径のシリコン単結晶11を引上げる全ての引上げ装置のるつぼ駆動手段17、ヒータ18及び引上げ回転手段22に接続される。上記コントローラ38には記憶媒体39が接続される。この記憶媒体39にはデータベースが記憶され、このデータベースにはヒータ18の温度プロファイルの設定に寄与する過去のシリコン単結晶11の引上げデータが蓄積される。過去のシリコン単結晶11の引上げデータとしては、シリコン単結晶11を引上げた日付、るつぼ13へのシリコン融液14の仕込み量、引上げ時における上記CCDカメラ36で撮影されたシリコン単結晶11の直径の変化、引上げ装置の型式、その引上げ装置によるシリコン単結晶11の引上げ本数、次にシリコン単結晶11を引上げる引上げ装置と同一であるか否か、その引上げ装置のヒータ18等の部品交換した日付等の引上げデータが挙げられる。また記憶媒体39としては、メモリの他に、ネットワークを通じた外部の記憶媒体などが挙げられる。またコントローラ38はデータベースに蓄積された過去のシリコン単結晶11の引上げデータから次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルを特定の評価機能に基づいて評価するように構成される。この特定の評価機能は、次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルにフィードバックされる過去のシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルの設定値と実績値との近さから決定された信頼性と、次に引上げるシリコン単結晶11の設定引上げ条件と次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルにフィードバックされる過去のシリコン単結晶11の引上げデータのうち実績引上げ条件とを比較したときに上記設定引上げ条件と上記実績引上げ条件との近さから決定された重み係数とを有する。上記信頼性は、過去に引上げたシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルにおける最小単位の温度傾きの設定値と実績値との差であるヒータ18の温度傾き偏差が算出され、このヒータ18の温度傾き偏差にしきい値が設定され、上記ヒータ18の温度傾き偏差をしきい値と比較して合否が決定された後、シリコン単結晶11の直胴部11c全長にわたってヒータ18の温度傾き偏差の合格率が算出され、この合格率から過去に引上げたシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルが評価される機能である。具体的には、図2及び図3に示すように、引上げ長5mm最小単位毎のヒータ18の温度傾き偏差が平均値として算出され、このヒータ18の温度傾き偏差が複数のしきい値第1しきい値:±0.002°C/5mm、第2しきい値:±0.003°C/5mmより小さい場合に良好であると評価され、大きい場合に不良であると評価され、良好であると評価された割合が80以上であるときに合格とする合格率が引上げ長100mm毎に算出され、最終的にシリコン単結晶11の直胴部11c全長にわたって合格率が算出される。図3の一点鎖線で囲んだ部分では、第1及び第2しきい値に対するヒータ18の温度傾き偏差の合格率が低いため、設定不良であると評価され、図3の二点鎖線で囲んだ部分では、第1及び第2しきい値に対するヒータ18の温度傾き偏差の合格率が高いため、設定良好であると評価される。このように過去に引上げたシリコン単結晶11において、引上げ長のどの範囲でヒータ18の温度プロファイルの合格率が良好であったか或いは不良であったかを捉えることができるので、次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルに、過去に引上げたシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルをフィードバックするときに、上記合格率が高ければフィードバック量を100に近付け、合格率が低ければフィードバック量を低くするように信頼性が決定される。即ち、合格率に対する信頼性が記憶媒体39にマップとして記憶されており、コントローラ38は合格率から信頼性を決定するように構成される。なお、この実施の形態では、引上げ長5mm毎のヒータの温度傾き偏差が平均値として算出されるとし、合格率が引上げ長100mm毎に算出されるとし、良好であると評価された割合が80以上であるときに合格としたが、これらの値に限定されるものではない。また、この実施の形態では、2つのしきい値を設定したが、1つ又は3つ以上のしきい値を設定してもよい。一方、重み係数は、次に引上げるシリコン単結晶11の設定引上げ条件と、過去に引上げたシリコン単結晶11の実績引上げ条件との近さから決定される機能である。例えば、次に引上げるシリコン単結晶11に使用される引上げ装置と、過去に引上げたシリコン単結晶11に使用された引上げ装置が同一である場合や、次に引上げるシリコン単結晶11の引上げ日時と、過去に引上げたシリコン単結晶11の引上げ日時が近い場合には、重み係数は高く設定される。また、次に引上げるシリコン単結晶11に使用される引上げ装置と、過去に引上げたシリコン単結晶11に使用された引上げ装置が同一であっても、ヒータ18等の部品が交換されたり、或いは次に引上げるシリコン単結晶11の引上げ日時と、過去に引上げたシリコン単結晶11の引上げ日時が遠い場合には、重み係数は低く設定される。即ち、次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルに、過去に引上げたシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルをフィードバックするときに、上記重み係数が高ければフィードバック量を100に近付け、重み係数が低ければフィードバック量を低くするように決定される。そして上記設定引上げ条件及び実績引上げ条件に対する重み係数が記憶媒体39にマップとして記憶されており、コントローラ38は設定引上げ条件及び実績引上げ条件から重み係数を決定するように構成される。このように、コントローラ38は、上記特定の評価機能の信頼性及び重み係数に基づいて、次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルを引上げ前に修正するように構成される。一方、コントローラ38は、次に引上げるシリコン単結晶11の引上げデータと次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルにフィードバックされる過去のシリコン単結晶11の引上げデータとを比較し、シリコン単結晶11の引上げに用いられる構成部材又はシリコン単結晶11の引上げ条件のいずれか一方又は双方の相違を、次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度設定値に換算して次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルを補正するように構成される。またコントローラ38は、次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルが連続性を保つように次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルを修正する、ならし機能を有する。上記ならし機能を用いてヒータ18の温度プロファイルを修正するときのならし値をNとするとき、N=[KK0-K×R]で算出される。この式において、Kは設定されたヒータ18の温度プロファイルのうち凹凸を有する区間以下、凹凸区間というにおける最小単位のヒータ温度傾きであり、K0は上記凹凸区間におけるヒータ温度傾きの平均値であり、Rはヒータ温度傾きの平均値K0に近付ける割合以下、ならし係数というである。このならし係数は0~1の範囲内の定数として設定される。ならし係数が0であるとき、ならしが実行されないことを示し、ならし係数が1であるとき、ヒータ温度傾きの平均値までならしが実行されることを示す。上記ならしを実行する凹凸区間は、最小単位のヒータ温度傾きが斜め上向きから斜め下向きになって再び斜め上向きに変化する区間や、最小単位のヒータ温度傾きが斜め下向きから斜め上向きになって再び斜め下向きに変化する区間である。またシリコン単結晶11のネック部11a及び肩部11bの引上げ時はヒータ18の温度プロファイルが不安定か或いは大きく変化するため、ならしが実行されず、シリコン単結晶11の直胴部11cの引上げ時にならしが実行されるように設定される。更に上記ならしは、ヒータ温度傾きの凹凸を完全になくすのではなくヒータ温度傾きの凹凸の割合を減じる形で実行されることが好ましい。例えば、ならし係数を0.8程度に設定すると、温度傾きの凹凸が緩和され過ぎてしまい図4、ならし係数を0.2程度に設定すると、手動設定でシリコン単結晶11を引上げるときの設定者の設定に略一致することが試運用で判明している図5。このように構成された引上げ装置を用いてシリコン単結晶11を引上げる手順を図6のフローチャート図に基づいて説明する。先ずコントローラ38は、次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルの設定対象となる引上げ装置を選択する。次いでコントローラ38は、設定対象となる引上げ装置の引上げ条件に基づいて設定の参考とする過去の引上げデータを記憶媒体39内のデータベースから選択する。そしてコントローラ38は、設定の参考とする過去の引上げデータの引上げ条件から重み係数及び信頼性を算出する。このとき引上げデータが複数存在する場合、コントローラ38はそれらのデータの平均値をそれぞれ算出する。次にコントローラ38は、上記重み係数及び信頼性と設定の参考とする過去の引上げデータから、設定対象のヒータ18の温度プロファイルを算出した後に、設定対象のシリコン単結晶11の引上げに使用する構成部材又は引上げ条件のいずれか一方又は双方に基づいてヒータ18の温度プロファイルの補正量を算出し、この補正量を設定対象のヒータ18の温度プロファイルに加算又は減算する。更にコントローラ38は、設定対象のシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルに、必要に応じてならし機能を適用し、最終のヒータ18の温度プロファイルを決定する。このように構成されたシリコン単結晶11の引上げ装置では、次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルの設定に寄与する過去のシリコン単結晶11の引上げデータをデータベースに蓄積し、この過去のシリコン単結晶11の引上げデータから次に引上げるシリコン単結晶11のヒータの温度プロファイルを特定の評価機能に基づいて評価し、この特定の評価機能の信頼性及び重み係数に基づいて次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルを引上げ前に修正し、この修正された温度プロファイルに基づいてヒータ18を制御しながらシリコン単結晶11を引上げる。これによりシリコン単結晶11の直径変動が低減し、シリコン単結晶11の直径制御の操作量である引上げ速度の変動を抑制できる。この結果、設定通りのシリコン単結晶11の引上げを実現することで、高品質なシリコン単結晶11を製造できるとともに、ヒータ18の温度プロファイルの高精度化を実現できる。またシリコン単結晶11の引上げ速度を操作する必要がないので、シリコン単結晶11の引上げ速度Vとシリコン単結晶11の引上げ方向の温度勾配Gとの比V/Gが変動せず、シリコン単結晶11の品質にバラツキが生じることはない。即ち、直径変動を低減できるため、比V/Gの変動が抑えられる。更に過去のシリコン単結晶11の引上げデータから次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルを特定の評価機能に基づいて評価し、この特定の評価機能に基づいて次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルを引上げ前に修正することにより、次に引上げるシリコン単結晶11の引上げ中に予想される外乱が加熱温度パターンに加味されているため、シリコン単結晶11の直胴部11cを引上げてもその直径が変動することはない。一方、シリコン単結晶11の引上げに用いられる構成部材又はシリコン単結晶11の引上げ条件のいずれか一方又は双方の相違を、次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度設定値に換算して次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルを補正するので、次に引上げるシリコン単結晶11の引上げ中に予想される外乱が加熱温度パターンに更に加味されることになり、ヒータ18の温度プロファイルを更に高精度化することができる。また上記ならし機能により、次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルが連続性を保つようにこの温度プロファイルを修正するので、シリコン単結晶11の引上げ中のある区間でヒータ18の温度プロファイルの傾きが凹凸となる場合に、その凹凸を緩和して、その区間の温度プロファイルの傾きの平均値に近付ける。この結果、ヒータ18の温度プロファイルに生じた大きな凹凸を低減できる。なお、上記実施の形態では、シリコン単結晶としてシリコン単結晶を挙げたが、GaAs単結晶、InP単結晶、ZnS単結晶、ZnSe単結晶等でもよい。次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。<実施例1>図1に示す引上げ装置を20基用意し、これらの引上げ装置を第1~第20引上げ装置とし、これらの引上げ装置を用いて直径300mmのシリコンウェーハを製作するためのシリコン単結晶11を引上げた。具体的には、るつぼ13に多結晶シリコン原料を充填しヒータ18により溶融し、このシリコン融液14から直径300mmのシリコンウェーハを製作するためのシリコン単結晶11をそれぞれ5回ずつ引上げた。これらの引上げデータを記憶媒体39のデータベースに記憶した。そして第7引上げ装置を用いて次のシリコン単結晶11を引上げる前に、コントローラ38は、特定の評価機能の信頼性及び重み係数に基づいて、次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルを引上げ前に修正した。ここで、コントローラ38は信頼性を次のようにして決定した。引上げ長5mm毎のヒータ18の温度傾き偏差を平均値として算出し、このヒータ18の温度傾き偏差を2つのしきい値第1しきい値:±0.002°C/5mm、第2しきい値:±0.003°C/5mmと比較し、良好であると評価された割合が80以上であるときに合格とする合格率を引上げ長100mm毎に算出し、シリコン単結晶11の直胴部11c全長にわたって合格率を算出した後に、記憶媒体39にマップとして記憶された合格率に対する信頼性の関係に基づいて信頼性を決定した。またコントローラ38は、次に引上げるシリコン単結晶11の引上げデータと次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルにフィードバックされる過去のシリコン単結晶11の引上げデータとを比較し、シリコン単結晶11の引上げに用いられる構成部材又はシリコン単結晶11の引上げ条件のいずれか一方又は双方の相違を、次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度設定値に換算して次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルを補正した。更にコントローラ38は、次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルが連続性を保つように次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルを修正した。ここで、ならし係数を0.2に設定した。更にコントローラは、上記のように修正されかつ補正されたヒータの温度プロファイルに基づいてヒータ18を制御しながらるつぼ13内のシリコン融液14からシリコン単結晶11を引上げた。このシリコン単結晶を実施例1とした。<比較例1>特定の評価機能の信頼性及び重み係数を用いず、かつならし機能を用いなかったこと以外は、実施例1の第7引上げ装置と同型の第10引上げ装置を用いて直径300mmのシリコンウェーハを製作するためのシリコン単結晶を引上げた。このシリコン単結晶を比較例1とした。<比較試験1及び評価>実施例1及び比較例1のシリコン単結晶の直胴部の引上げ率20~80に対する直径標準化値を求めた。その結果を図7及び図8に示す。ここで、るつぼに貯留されたシリコン融液を全てシリコン単結晶として引上げたときの引上げ率を100とした場合、引上げ率20~80の範囲はシリコン単結晶の直胴部を引上げている範囲となる。またシリコン単結晶の直径標準化値Ziは、シリコン単結晶の直径の実測値をxiとし、シリコン単結晶の直径の平均値をAとするとき、Zi=xi/Aで表される。このように直径標準化値を用いたのは、比較を容易にするためである。図7及び図8から明らかなように、比較例1のシリコン単結晶では、その直径の変動が全長にわたって大きかったのに対し、実施例1のシリコン単結晶では、その直径の変動が全長にわたって小さくなったことが分かった。この結果、実施例1では、直径制御のために操作される引上げ速度のバラツキも低減し、比V/Gの変動が抑えられ、品質のバラツキも低減した。また、比較例1では結晶欠陥が発生したのに対し、実施例1では結晶欠陥の発生が抑えられた。この結果、実施例1では不良率が半減した。"