半導体装置において、非導電性基板と、非導電性基板の表面側に設けられた半導体素子搭載部と、半導体素子搭載部の周囲に配置された内部端子と、非導電性基板の裏面側に設けられた外部端子と、半導体素子搭載部上に載置された半導体素子と、内部端子と半導体素子とを電気的に接続する導電部と、半導体素子搭載部、内部端子、半導体素子および導電部を封止する封止樹脂部とを備え、非導電性基板は、非導電性基板を貫通して形成されたビアを有し、非導電性基板のビア内またはビアの側面に、内部端子と外部端子とを電気的に接続する導体が設けられ、半導体素子搭載部の裏面に補強層が設けられ、かつ各外部端子は、半導体素子搭載部の周囲において平面から見て少なくとも1つの円周上に配置されていることを特徴とする半導体装置。補強層は、平面から見て円形状からなることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。補強層は、導電めっき層からなることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。各外部端子は、平面から見て複数の円周のうちいずれかの円周上に配置されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項記載の半導体装置。封止樹脂部は、直方体形状を有していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項記載の半導体装置。封止樹脂部は、円柱形状を有していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項記載の半導体装置。封止樹脂部の角部に、各内部端子より面積が広く、かつ半導体素子搭載部側に向けて徐々に先細となる追加の外部端子が配置されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項記載の半導体装置。封止樹脂部は、截頭円錐形状、円柱形状、ドーム形状または截頭多角錐形状からなることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項記載の半導体装置。少なくとも1つの内部端子の上面に、他の半導体装置の裏面に接続可能な外部突出端子が形成されていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項記載の半導体装置。半導体装置の製造方法において、非導電性基板と、非導電性基板の表面側に設けられた半導体素子搭載部と、半導体素子搭載部の周囲に配置された内部端子と、非導電性基板の裏面側に設けられた外部端子と、非導電性基板を貫通して形成されたビアと、非導電性基板のビア内に充填またはビアの側面に設けられ、内部端子と外部端子とを電気的に接続する導体とを有する配線基板を準備する工程と、配線基板の半導体素子搭載部上に、半導体素子を載置する工程と、半導体素子と配線基板の内部端子とを、導電部により接続する工程と、配線基板の半導体素子搭載部、配線基板の内部端子、半導体素子、および導電部を封止樹脂部により封止する工程とを備え、配線基板の半導体素子搭載部の裏面に補強層が設けられ、かつ各外部端子は、半導体素子搭載部の周囲において平面から見て少なくとも1つの円周上に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。近年、BGAタイプの半導体装置において、とりわけ半導体装置に熱ストレスが加わった際の実装信頼性を向上させることが求められている。ところで一般に、半導体装置の熱膨張係数と実装基板の熱膨張係数とは異なっている。したがって、例えば製造時に熱が加えられたり、または自動車等の高温環境下で使用されたときに、半導体装置に対して熱ストレスが加わる。この場合、半導体装置の熱膨張係数と実装基板の熱膨張係数との相違により熱応力が生じ、この熱応力が特定の箇所に集中すると、その箇所から半導体装置が破損してしまうおそれがある。例えば、特許文献1に記載のBGAタイプの半導体装置は、熱衝撃等の環境変化に対して信頼性を高めたものであるが、熱ストレスが加わった際の信頼性をさらに向上させようとする場合、このような構成では不十分となるおそれがある。本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、熱ストレスが加わった際の信頼性を更に向上させることが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明は、半導体装置において、非導電性基板と、非導電性基板の表面側に設けられた半導体素子搭載部と、半導体素子搭載部の周囲に配置された内部端子と、非導電性基板の裏面側に設けられた外部端子と、半導体素子搭載部上に載置された半導体素子と、内部端子と半導体素子とを電気的に接続する導電部と、半導体素子搭載部、内部端子、半導体素子および導電部を封止する封止樹脂部とを備え、非導電性基板は、非導電性基板を貫通して形成されたビアを有し、非導電性基板のビア内またはビアの側面に、内部端子と外部端子とを電気的に接続する導体が設けられ、半導体素子搭載部の裏面に補強層が設けられ、かつ各外部端子は、半導体素子搭載部の周囲において平面から見て少なくとも1つの円周上に配置されていることを特徴とする半導体装置である。本発明は、補強層は、平面から見て円形状からなることを特徴とする半導体装置である。本発明は、補強層は、導電めっき層からなることを特徴とする半導体装置である。本発明は、各外部端子は、平面から見て複数の円周のうちいずれかの円周上に配置されていることを特徴とする半導体装置である。本発明は、封止樹脂部は、直方体形状を有していることを特徴とする半導体装置である。本発明は、封止樹脂部は、円柱形状を有していることを特徴とする半導体装置である。本発明は、封止樹脂部の角部に、各内部端子より面積が広く、かつ半導体素子搭載部側に向けて徐々に先細となる追加の外部端子が配置されていることを特徴とする半導体装置である。本発明は、封止樹脂部は、截頭円錐形状、円柱形状、ドーム形状または截頭多角錐形状からなることを特徴とする半導体装置である。本発明は、少なくとも1つの内部端子の上面に、他の半導体装置の裏面に接続可能な外部突出端子が形成されていることを特徴とする半導体装置である。本発明は、半導体装置の製造方法において、非導電性基板と、非導電性基板の表面側に設けられた半導体素子搭載部と、半導体素子搭載部の周囲に配置された内部端子と、非導電性基板の裏面側に設けられた外部端子と、非導電性基板を貫通して形成されたビアと、非導電性基板のビア内に充填またはビアの側面に設けられ、内部端子と外部端子とを電気的に接続する導体とを有する配線基板を準備する工程と、配線基板の半導体素子搭載部上に、半導体素子を載置する工程と、半導体素子と配線基板の内部端子とを、導電部により接続する工程と、配線基板の半導体素子搭載部、配線基板の内部端子、半導体素子、および導電部を封止樹脂部により封止する工程とを備え、配線基板の半導体素子搭載部の裏面に補強層が設けられ、かつ各外部端子は、半導体素子搭載部の周囲において平面から見て少なくとも1つの円周上に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明によれば、半導体素子搭載部の裏面に補強層が設けられ、かつ各外部端子は、半導体素子搭載部の周囲において平面から見て少なくとも1つの円周上に配置されている。このことにより、半導体装置と実装基板との熱膨張の相違により生じる熱応力は、各外部端子に設けられたはんだ部に対して均等に加わり、特定のはんだ部が破損することを防止することができる。また、半導体素子搭載部の裏面に設けられた補強層により、半導体装置と実装基板とを強固に固着することができる。この結果、半導体装置を実装する際、あるいは半導体装置を実装した後、半導体装置に熱が加わった場合における、半導体装置と実装基板との接合信頼性を向上させることができる。以下、本発明の一実施の形態について、図1乃至図8を参照して説明する。半導体装置の構成まず、図1乃至図5により、本発明の一実施の形態による半導体装置の構成について説明する。図1乃至図5は、本発明の一実施の形態による半導体装置を示す図である。図1乃至図5に示すように、半導体装置20は、非導電性基板11と、非導電性基板11の表面側の中心部に設けられた半導体素子搭載部15と、非導電性基板11の表面側であって、半導体素子搭載部15の周囲に配置された複数の内部端子17と、非導電性基板11の裏面側に設けられた複数の外部端子18とを備えている。また、非導電性基板11の裏面側であって、半導体素子搭載部15の裏面には補強層14が設けられている。半導体素子搭載部15上には、半導体素子21が載置されている。各内部端子17と、半導体素子21の各端子部21aとは、それぞれボンディングワイヤ導電部22によって電気的に接続されている。また、半導体素子搭載部15、内部端子17、半導体素子21、およびボンディングワイヤ22は、封止樹脂部23によって樹脂封止されている。さらに、非導電性基板11は、非導電性基板11を貫通して形成された複数のビア12を有している図5参照。すなわち、非導電性基板11のうち各内部端子17に対応する部分にビア12が設けられており、各ビア12内に、内部端子17と外部端子18とを電気的に接続する導体13が充填されている。この導体13は、内部端子17および外部端子18と一体に構成されていても良く、別体に構成されていても良い。また、導体13は、ビア12内に完全に充填するのではなく、ビア12の内側面のみに設けても良い。また、非導電性基板11のうち半導体素子搭載部15の下面にもビア12が設けられており、このビア12内にも導体13が充填されている。この導体13は、半導体素子搭載部15と補強層14とを電気的に接続している。なお、導体13は、半導体素子搭載部15および補強層14と一体に構成されていても良く、別体に構成されていても良い。さらに、非導電性基板11の裏面側において、各外部端子18および補強層14には、それぞれはんだ部41、42が設けられている。なお、非導電性基板11、半導体素子搭載部15、複数の内部端子17、複数の外部端子18、複数の導体13および補強層14によって、配線基板10が構成されている。以下、半導体装置20を構成する各構成部材について、順次説明する。非導電性基板11は、有機基板であっても無機基板であってもよい。有機基板としては、例えば、ポリエーテルサルホンPES、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリアミド、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー、フッ素樹脂、ポリカーボネート、ポリノルボルネン系樹脂、ポリサルホン、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、又は熱可塑性ポリイミド等からなる有機基板、又はそれらの複合基板を挙げることができる。また、無機基板としては、例えば、ガラス基板、シリコン基板、セラミックス基板等を挙げることができる。非導電性基板11の各ビア12は、ドリル、炭酸ガスレーザ、UV-YAGレーザ、エキシマレーザ等により孔開け加工されたものである。また、ビア12内に充填された導体13は、例えば、電解めっきにより形成された銅等の導電性金属あるいは、銅粒子、銀粒子等の導電性粒子を含有した導電性ペーストを用いることができる。本実施の形態において、半導体素子搭載部15は、平面から見て円形状となっており図3、補強層14は、平面から見て略円形状となっている図4。この場合、半導体素子搭載部15と補強層14とは、互いに同一の大きさの円からなっていても良く、異なる大きさの円からなっていても良い。また、補強層14は、平面から見て半導体素子21より大きく、かつ各外部端子18より大きい形状とすることが好ましい。なお、半導体素子搭載部15および補強層14の形状は、円形に限られるものではなく、楕円形、多角形等としても良い。各内部端子17には、それぞれボンディングワイヤ22が接続されている。一方、各外部端子18は、それぞれ対応する各内部端子17の裏面側に設けられており、各外部端子18には、上述したようにそれぞれはんだ部41が設けられている。また、各内部端子17は、図3に示すように、周方向に沿って等間隔に配置されており、隣接する内部端子17同士は互いに電気的に絶縁されている。同様に、各外部端子18は、図4に示すように、周方向に沿って等間隔に配置されており、隣接する外部端子18同士は互いに電気的に絶縁されている。図3および図4に示すように、各内部端子17および各外部端子18は、それぞれ平面長方形形状を有している。このほか、内部端子17および外部端子18の形状としては、多角形、台形、円形後述する図27および図28参照、楕円形等であってもよい。ところで本実施の形態において、各内部端子17および各外部端子18は、それぞれ平面から見て同一の円周上に配置されている。すなわち図3に示すように、表面側において、各内部端子17は円周C1上に配置されており、図4に示すように、裏面側において、各外部端子18は円周C1上に配置されている。なお、各内部端子17および各外部端子18が円周上に配置されているとは、各内部端子17および各外部端子18の中心が円周上に配置されていることをいう。なお、半導体素子搭載部15、内部端子17、補強層14および外部端子18は、それぞれ例えば電解めっきにより形成されたCu等の導電めっき層から構成することができる。また、半導体素子搭載部15、内部端子17、補強層14および外部端子18の上に、更にNiめっき層、Auめっき層等の追加の導電めっき層を積層しても良い。さらに、図5に示すように、非導電性基板11の所定部分に絶縁性のソルダーレジスト64が設けられている。このソルダーレジスト64は、半導体素子搭載部15、内部端子17、補強層14および外部端子18の一部を覆っている。一方、半導体素子21としては、従来一般に用いられている各種半導体素子を使用することが可能であり、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等を用いることができる。この半導体素子21は、各々ボンディングワイヤ22が取り付けられる複数の端子部21aを有している。また、半導体素子21は、例えばダイボンディングペースト28図5参照により、半導体素子搭載部15の表面に固定されている。各ボンディングワイヤ22は、例えば金等の導電性の良い材料からなり、それぞれその一端が半導体素子21の端子部21aに接続されるとともに、その他端が内部端子17に接続されている。本実施の形態において、封止樹脂部23は直方体形状を有している。封止樹脂部23としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはPPS樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。なお、図1および図3において、便宜上、封止樹脂部23を透明なものとして表示しているが、黒色等の不透明なものが用いられても良い。半導体装置の製造方法次に、図1乃至図5に示す半導体装置20の製造方法について、図6a-fおよび図7a-eを用いて説明する。なお、以下においては、1枚の非導電性基板11を用いて複数の半導体装置20を製造する工程について説明するが、これに限らず、1枚の非導電性基板11を用いて1つの半導体装置20のみを製造することも可能である。まず図6aに示すように、非導電性基板11の両面に銅箔81を配設した銅張積層板80を準備する。次に、この銅張積層板80に、ドリル、炭酸ガスレーザ、UV-YAGレーザ、エキシマレーザ等によりビア12スルーホールを形成する図6b。なお、ビア12は、円周C1図3および図4上であって、各内部端子17および各外部端子18に対応する位置に設けておく。次に、ビア12内を洗浄し、無電解めっきによりビア12内部を含む銅張積層板80の全面に所定の厚みで銅めっき層84を形成して、ビア12図6b内を導電化する。その後、電解銅めっきにより全面に所定の厚みで銅めっき層82を形成して、ビア12内を電気的に接続させる図6c。次いで、ビア12内に導電性金属あるいは導電性ペーストからなる導体13を充填し、物理的研磨による表面平滑処理を行なう図6d。続いて、ドライフィルムレジストあるいは液状レジストにより成膜処理を行ない、所定のパターン露光、現像を行なってレジストパターンを形成する。次にこのレジストパターンをマスクとして銅めっき層82、銅めっき層84および銅箔81をパターンエッチングする。このとき、それぞれ銅めっき層82、銅めっき層84および銅箔81により、半導体素子搭載部15、内部端子17、補強層14および外部端子18が形成される図6e。なお、補強層14は半導体素子搭載部15の裏面に形成され、各外部端子18はそれぞれ対応する内部端子17の裏面に形成される。また、各内部端子17および各外部端子18は、半導体素子搭載部15の周囲において円周C1図3および図4上に配置される。その後、非導電性基板11の所定部分に絶縁性のソルダーレジスト64を設けることにより、上述した配線基板10が得られる。なお、配線基板10としては、このような両面基板に限らず、ビルドアップ多層配線基板を用いても良い。このようにして得られた配線基板10は、非導電性基板11と、非導電性基板11の表面側に設けられた半導体素子搭載部15と、半導体素子搭載部15の周囲に配置された内部端子17と、非導電性基板11の裏面側に設けられた外部端子18と、非導電性基板11を貫通して形成されたビア12と、非導電性基板11のビア12内に充填され、内部端子17と外部端子18とを電気的に接続する導体13と、半導体素子搭載部15の裏面に形成された補強層14とを有している。次に、この配線基板10の半導体素子搭載部15の表面に、半導体素子21を搭載する。この場合、例えばダイボンディングペースト28を用いて、半導体素子21を半導体素子搭載部15上に載置して固定するダイアタッチ工程図7a。次に、半導体素子21の各端子部21aと、各内部端子17とを、ボンディングワイヤ22によって互いに電気的に接続するワイヤボンディング工程図7b。次に、配線基板10に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、封止樹脂部23を形成する図7c。これにより、半導体素子搭載部15、内部端子17、半導体素子21、およびボンディングワイヤ22を封止する。次に、各半導体素子21間の封止樹脂部23および配線基板10をダイシングすることにより、封止樹脂部23および配線基板10を各半導体素子21毎に分離する図7d。その後、各外部端子18および補強層14に、それぞれはんだ部41、42を設けることにより、図1乃至図5に示す半導体装置20が得られる図7e。本実施の形態の作用効果次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について、図8を用いて説明する。図8は、本実施の形態による半導体装置が実装基板上に実装されている状態を示す断面図である。すなわち図8に示すように、本実施の形態による半導体装置20は、実装基板45上に配置して実装される。この場合、半導体装置20は、各外部端子18に設けられたはんだ部41と、補強層14に設けられたはんだ部42とにより、実装基板45に対して固定実装される。なお、実装基板45は、主としてガラスエポキシ樹脂からなっている。ところで、半導体装置20には、実装基板45にはんだにより実装する際、あるいは実装基板45に実装された後の使用環境により、様々な熱が加わることが考えられる。この場合、半導体装置20全体の熱膨張係数が実装基板45の熱膨張係数と異なると、半導体装置20と実装基板45との熱膨張率の違いによって熱応力が生じる。この結果、とりわけ半導体装置20と実装基板45との間に位置するはんだ部41およびはんだ部42が破損してしまうおそれがある。一般に、封止樹脂部23の熱膨張係数は、実装基板45の熱膨張係数より小さい。一例として、これに限定されるものではないが、主としてガラスエポキシ樹脂からなる実装基板45およびエポキシ樹脂からなる封止樹脂部23の熱膨張係数は、それぞれ約16×10-6/Kおよび約10×10-6/Kである。またSiからなる半導体素子21の熱膨張係数は、約3.5×10-6/Kである。したがって、半導体装置20のうち、相対的に大きな割合を占める封止樹脂部23の影響により、半導体装置20全体の熱膨張係数は、実装基板45の熱膨張係数から乖離する傾向がある。本実施の形態によれば、複数の外部端子18は、平面から見て1つの円周C1上に配置されている。したがって、半導体装置20と実装基板45との熱膨張の相違により生じる熱応力は、各外部端子18に設けられたはんだ部41に対して均等に加わるようになっており、特定のはんだ部41が破損することを防止することができる。また本実施の形態によれば、半導体素子搭載部15の裏面に補強層14が設けられているので、この補強層14全体にはんだ部42を設けることにより、補強層14を実装基板45に取り付けることができる。さらに、半導体素子21からの熱を補強層14から放熱することができる。補強層14の形状は図示されている以外にも自由に設計することが可能であるが、円形状円盤状となっていることが好ましい。半導体装置20に熱が加わった際、半導体装置20と実装基板45との熱膨張係数の相違による熱応力は、周方向均一に分散する。したがって、補強層14に設けられたはんだ部42のうち特定の部分に熱応力が集中することがなく、はんだ部42の破損を防止することができるからである。とりわけ補強層14は、半導体装置20の中心部に設けられており、かつ半導体装置20全体の面積に占める割合が大きいので、はんだ部42を用いて補強層14と実装基板45とをしっかりと連結することができる。このように、半導体装置20の中心部で補強層14を実装基板45に対して強固に連結しているので、半導体装置20に熱応力が加わった場合でも、補強層14周囲に設けられた外部端子18に与える熱ストレスの影響を軽減することができる。半導体装置の変形例次に、図9乃至図54により、本発明による半導体装置の各種変形例について説明する。図9乃至図54において、図1乃至図8に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。変形例1図9および図10は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Aを示している。すなわち図9は、半導体装置20Aの平面図図3に対応する図であり、図10は、半導体装置20Aの裏面図図4に対応する図である。図9および図10に示す半導体装置20A変形例1において、図1乃至図8に示す実施の形態と異なり、封止樹脂部23の4つの角部に、それぞれ平面略卵形状の外部端子71追加の外部端子が配置されている。また各外部端子71は、それぞれ外部端子18より面積が広く、かつ半導体素子搭載部15側に向けて徐々に先細となっている。このような外部端子71は、例えばグランドGND端子として用いることができる。また、このような比較的大型の外部端子71を用いることにより、半導体装置20Aを実装基板45に実装する際、はんだ部41を用いて外部端子71を実装基板45に対して強固に連結することができ、半導体装置20Aに熱ストレスが加わった際の実装信頼性を更に向上させることができる。なお、外部端子71は封止樹脂部23の4つの角部全てに設ける必要はなく、その一部の角部のみに設けても良い。変形例2図11および図12は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Bを示している。すなわち図11は、半導体装置20Bの平面図図3に対応する図であり、図12は、半導体装置20Bの裏面図図4に対応する図である。図11および図12に示す半導体装置20B変形例2において、図1乃至図8に示す実施の形態と異なり、封止樹脂部23は円柱形状を有している。この場合、封止樹脂部23の外面を構成する円と、円周C1とは、互いに同心円からなっている。このような半導体装置20Bを製造する場合、封止樹脂部23を形成する工程図7c参照において、円柱形状の金型を用いることにより、このような円柱状の封止樹脂部23を作製することができる。この場合、封止樹脂部23が平面から見て円形状からなっているので、半導体装置20Bに熱が加わった際、半導体装置20Bと実装基板45との熱膨張係数の相違による熱応力を周方向均一に分散させることができ、半導体装置20Bの実装信頼性を更に向上させることができる。変形例3図13乃至図15は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Cを示している。すなわち図13は、半導体装置20Cの断面図図2に対応する図であり、図14は、半導体装置20Cの平面図図3に対応する図であり、図15は、半導体装置20Cの裏面図図4に対応する図である。図13乃至図15に示す半導体装置20C変形例3において、図1乃至図8に示す実施の形態と異なり、各内部端子17および各外部端子18は、平面から見て複数2つの円周C1およびC2のうちいずれかの円周上に配置されている。すなわち図14に示すように、各内部端子17は、2つの円周C1およびC2のうちいずれか一方の円周上に配置されており、かつ千鳥状に配列されている。円周C1およびC2は、互いに同心円の関係にあり、その径は円周C1の方が大きい。同様に、図15に示す半導体装置20Cの裏面において、各外部端子18は、2つの円周C1およびC2のうちいずれか一方の円周上に配置されており、かつ千鳥状に配列されている。なお、内部端子17および外部端子18の面積および形状は、それらが配置されている円周毎に異ならせても良い。このように各外部端子18を複数の円周C1およびC2上に配置したことにより、半導体装置20Cに熱ストレスが加わった際の実装信頼性を向上させることができるとともに、半導体装置20Cの裏面において外部端子18を効率良く配置することができ、半導体素子21の多ピン化に対応することができる。変形例4図16および図17は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Dを示している。すなわち図16は、半導体装置20Dの平面図図3に対応する図であり、図17は、半導体装置20Dの裏面図図4に対応する図である。図16および図17に示す半導体装置20D変形例4は、図9および図10に示す変形例1と、図13乃至図15に示す変形例3とを組合せたものである。すなわち、図16および図17に示す半導体装置20Dにおいて、封止樹脂部23の4つの角部に、それぞれ平面略卵形状の外部端子71追加の外部端子が配置されている。また、各内部端子17および各外部端子18は、平面から見て2つの円周C1およびC2のうちいずれかの円周上に配置されている。変形例5図18および図19は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Eを示している。すなわち図18は、半導体装置20Eの平面図図3に対応する図であり、図19は、半導体装置20Eの裏面図図4に対応する図である。図18および図19に示す半導体装置20E変形例5は、図11および図12に示す変形例2と、図13乃至図15に示す変形例3とを組合せたものである。すなわち、図18および図19に示す半導体装置20Eにおいて、封止樹脂部23は、円柱形状を有している。また、各内部端子17および各外部端子18は、平面から見て2つの円周C1およびC2のうちいずれかの円周上に配置されている。変形例6図20乃至図22は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Fを示している。すなわち図20は、半導体装置20Fの断面図図2に対応する図であり、図21は、半導体装置20Fの平面図図3に対応する図であり、図22は、半導体装置20Fの裏面図図4に対応する図である。図20乃至図22に示す半導体装置20F変形例6において、図1乃至図8に示す実施の形態と異なり、各内部端子17および各外部端子18は、平面から見て複数3つの円周C1、C2およびC3のうちいずれかの円周上に配置されている。すなわち図21に示すように、各内部端子17は、3つの円周C1、C2およびC3のうちいずれかの円周上に配置されており、かつ千鳥状に配列されている。円周C1、C2およびC3は、互いに同心円の関係にあり、その径は円周C3、C2、C1という順に大きくなっている。同様に、図22に示す半導体装置20Fの裏面において、各外部端子18は、3つの円周C1、C2およびC3のうちいずれかの円周上に配置されており、かつ千鳥状に配列されている。なお、内部端子17および外部端子18を4つ以上の円周上に配置することも考えられる。また、内部端子17および外部端子18の面積および形状は、それらが配置されている円周毎に異ならせても良い。このように各内部端子17および各外部端子18を複数の円周C1、C2およびC3上に配置したことにより、半導体装置20Fに熱ストレスが加わった際の実装信頼性を向上させることができるとともに、半導体装置20Fの裏面において外部端子18を効率良く配置することができ、半導体素子21の多ピン化に対応することができる。変形例7図23および図24は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Gを示している。すなわち図23は、半導体装置20Gの平面図図3に対応する図であり、図24は、半導体装置20Gの裏面図図4に対応する図である。図23および図24に示す半導体装置20G変形例7は、図9および図10に示す変形例1と、図20乃至図22に示す変形例6とを組合せたものである。すなわち、図23および図24に示す半導体装置20Gにおいて、封止樹脂部23の4つの角部に、それぞれ平面略卵形状の外部端子71追加の外部端子が配置されている。また、各内部端子17および各外部端子18は、平面から見て3つの円周C1、C2およびC3のうちいずれかの円周上に配置されている。変形例8図25および図26は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Hを示している。すなわち図25は、半導体装置20Hの平面図図3に対応する図であり、図26は、半導体装置20Hの裏面図図4に対応する図である。図25および図26に示す半導体装置20H変形例8は、図11および図12に示す変形例2と、図20乃至図22に示す変形例6とを組合せたものである。すなわち、図25および図26に示す半導体装置20Hにおいて、封止樹脂部23は、円柱形状を有している。また、各内部端子17および各外部端子18は、平面から見て3つの円周C1、C2およびC3のうちいずれかの円周上に配置されている。変形例9図27および図28は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Iを示している。すなわち図27は、半導体装置20Iの平面図図3に対応する図であり、図28は、半導体装置20Iの裏面図図4に対応する図である。図27および図28に示す半導体装置20I変形例9は、図13乃至図15に示す半導体装置20C変形例3において、各内部端子17および各外部端子18を平面円形状としたものである。なお、他の半導体装置図1乃至図5、図9乃至図12、図16乃至図54についても、各内部端子17および各外部端子18を平面円形状としても良い。変形例10図29および図30aは、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Jを示している。すなわち図29は、半導体装置20Jの断面図図2に対応する図であり、図30aは、半導体装置20Jの斜視図である。図29および図30aに示す半導体装置20J変形例10において、図1乃至図8に示す実施の形態と異なり、封止樹脂部23は、截頭円錐形状からなっており、その側面はテーパー形状となっている。また、非導電性基板11は平面矩形形状を有している。このような半導体装置20Jを製造する場合、封止樹脂部23を形成する工程図7c参照において、截頭円錐形状の金型を用いることにより、このような截頭円錐形状の封止樹脂部23を作製することができる。なお、封止樹脂部23の形状は、截頭円錐形状図30aに限らず、例えば円柱形状図30b、ドーム形状図30cまたは截頭多角錐形状図30dとしても良い。このように、封止樹脂部23の形状を截頭円錐形状、円柱形状、ドーム形状または截頭多角錐形状とすることにより、熱膨張係数が相対的に低い封止樹脂部23の体積を減らしている。このことにより、半導体装置20全体の熱膨張係数を実装基板45の熱膨張係数に近づけることができるので、半導体装置20に熱が加わった際の熱応力を軽減し、実装信頼性を向上させることができる。また、封止樹脂部23が熱収縮したときのそり低減を図ることができる。なお、図9乃至図12に示す変形例1または2と、図29に示す変形例10とを組合せることも可能である。変形例11図31は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Kを示している。すなわち図31は、半導体装置20Kの断面図図2に対応する図である。図31に示す半導体装置20K変形例11は、図13乃至図15に示す変形例3と、図29に示す変形例10とを組合せたものである。すなわち、図31に示す半導体装置20Kにおいて、封止樹脂部23は、截頭円錐形状からなっている。また、各内部端子17および各外部端子18は、平面から見て2つの円周C1およびC2のうちいずれかの円周上に配置されている。なお、図16乃至図19に示す変形例4または5と、図29に示す変形例10とを組合せることも可能である。変形例12図32は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Lを示している。すなわち図32は、半導体装置20Lの断面図図2に対応する図である。図32に示す半導体装置20L変形例12は、図20乃至図22に示す変形例6と、図29に示す変形例10とを組合せたものである。すなわち、図32に示す半導体装置20Lにおいて、封止樹脂部23は、截頭円錐形状からなっている。また、各内部端子17および各外部端子18は、平面から見て3つの円周C1、C2およびC3のうちいずれかの円周上に配置されている。なお、図23乃至図26に示す変形例7または8と、図29に示す変形例10とを組合せることも可能である。変形例13図33は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Mを示している。図33は、半導体装置20Mの部分拡大断面図図5に対応する図である。すなわち、図33に示す半導体装置20Mにおいて、半導体素子搭載部15は半導体素子21の外周方向外側まで延びている。そして半導体素子搭載部15と、半導体素子21の一つまたは複数の端子部21aとが、ボンディングワイヤ22によって接続されている。このように構成することにより、半導体素子21の一部の端子部21aを、半導体素子搭載部15、導体13、補強層14およびはんだ部42を介して、実装基板45に接続することができる。なお、このように半導体素子搭載部15に接続される端子部21aとしては、GNDグランド端子や電源端子等を挙げることができる。なお、図33に示す変形例13と、図9乃至図32に示す各種変形例とを組合せても良いことは勿論である。変形例14図34は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Nを示している。すなわち図34は、半導体装置20Nの平面図図3に対応する図である。図34に示す半導体装置20N変形例14において、内部端子17のうち周方向内側に位置する内側端部の幅が細くなっており、この内側端部が半導体素子搭載部15側に向けて内方に延びている。このように、内部端子17を半導体素子21近傍まで延ばしたことにより、例えば金からなるボンディングワイヤ22の線長を短くすることができ、コストダウンを図ることができる。なお、この他の構成は、図1乃至図8に示す実施の形態と略同様である。変形例15図35は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Pを示している。すなわち図35は、半導体装置20Pの裏面図図4に対応する図である。図35に示す半導体装置20P変形例15において、略円形の補強層14に、放射状および/または円形のスリット67が形成されている。補強層14は、円形または円弧形からなる複数の部材14aから構成されている。このスリット67の部分には補強層14が存在しないため、はんだ部42はんだクリームの量を減らすことができる。これにより、はんだ付け実装時に、はんだクリームを内部に巻き込むことにより発生するボイドを外へ逃がすことができ、はんだ実装性を向上させることができる。なお、この他の構成は、図1乃至図8に示す実施の形態と略同様である。変形例16図36は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Qを示している。すなわち図36は、半導体装置20Qの裏面図図4に対応する図である。図36に示す半導体装置20Q変形例16において、補強層14は、略同心円状に配置された、互いに同一の形状からなる複数の円形の部材14aからなっている。なお、補強層14の形状は、円形のほか、矩形、楕円形、扇形、多角形等としても良い。このように補強層14を複数の部材14aから構成したことにより、はんだ部42はんだクリームの量を減らすことができる。これにより、はんだ付け実装時に、はんだクリームを内部に巻き込むことにより発生するボイドを外へ逃がすことができ、はんだ実装性を向上させることができる。なお、この他の構成は、図1乃至図8に示す実施の形態と略同様である。変形例17図37乃至図39は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Rを示している。すなわち図37は、半導体装置20Rの部分拡大断面図図5に対応する図であり、図38および図39は、半導体装置20Rの製造方法を示す部分拡大断面図それぞれ図6および図7に対応する図である。図37に示す半導体装置20R変形例17において、内部端子17の内側端部は、半導体素子21に向けて内側に延びており、これにより、内部端子17の径方向図37の横方向の長さは、外部端子18の径方向の長さより長くなっている。図38および図39は、図37に示す半導体装置20Rの製造方法を示している。この場合、非導電性基板11上に形成された銅めっき層82、銅めっき層84および銅箔81をパターンエッチングする際図38e、エッチングにより形成される表面側の開口部86を、裏面側の開口部87より内側に位置させることにより、内部端子17の径方向の長さを外部端子18の径方向の長さより長くする。このように、内部端子17を半導体素子21近傍まで延ばしたことにより、例えば金からなるボンディングワイヤ22の線長を短くすることができ、コストダウンを図ることができる。なお、この他の構成は、図1乃至図8に示す実施の形態と略同様である。変形例18図40および図41は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Sを示している。すなわち図40は、半導体装置20Sを示す平面図図3に対応する図であり、図41は、半導体装置20Sが実装基板45上に実装されている状態を示す断面図図8に対応する図である。図40および図41に示す半導体装置20S変形例18において、各内部端子17は、各外部端子18より径方向内側に配置されている。この場合、各内部端子17は、各外部端子18が配置されている円周C1より径の小さい円周C4上に配置されている図40。このように、内部端子17を半導体素子21近傍まで近づけたことにより、例えば金からなるボンディングワイヤ22の線長を短くすることができ、コストダウンを図ることができる。なお、この他の構成は、図1乃至図8に示す実施の形態と略同様である。変形例19図42および図43は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Tを示している。すなわち図42は、半導体装置20Tの平面図図3に対応する図であり、図43は、半導体装置20Tの裏面図図4に対応する図である。図42および図43に示す半導体装置20T変形例19は、図9および図10に示す変形例1において、外部端子71追加の外部端子を、封止樹脂部23の4つの角部側から、内部端子17および外部端子18が配置された円周C1上まで径方向内側に延ばしたものである。このように、外部端子71追加の外部端子が内部端子17および外部端子18近傍まで延びていることにより、内部端子17および外部端子18に対する実装ストレスをさらに緩和することができる。なお、この他の構成は、図9および図10に示す変形例1と略同様である。変形例20図44は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Uを示している。すなわち図44は、半導体装置20Uの平面図図3に対応する図である。図44に示す半導体装置20U変形例20は、図34に示す変形例14において、半導体素子搭載部15と半導体素子21の端子部21bグランドGND端子とを、ボンディングワイヤ22によって電気的に接続したものである。この場合、半導体素子搭載部15および補強層14を用いて、半導体素子21の端子部21bグランドGND端子と実装基板45とを電気的に接続することができる。なお、この他の構成は、図34に示す変形例14と略同様である。変形例21図45は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Vを示している。すなわち図45は、半導体装置20Vの断面図図2に対応する図である。図45に示す半導体装置20V変形例21は、図13乃至図15に示す変形例3において、各内部端子17を、対応する各外部端子18よりそれぞれ径方向内側に設けたものである。この場合、各内部端子17はそれぞれ、対応する外部端子18が配置されている円周C1およびC2より径の小さい円周上に配置されている。このように、内部端子17を半導体素子21近傍まで近づけたことにより、例えば金からなるボンディングワイヤ22の線長を短くすることができ、コストダウンを図ることができる。なお、この他の構成は、図13乃至図15に示す変形例3と略同様である。変形例22図46および図47は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Wを示している。すなわち図46は、半導体装置20Wの平面図図3に対応する図であり、図47は、半導体装置20Wの裏面図図4に対応する図である。図46および図47に示す半導体装置20W変形例22は、図16および図17に示す変形例3において、外部端子71追加の外部端子を、封止樹脂部23の4つの角部側から、内部端子17および外部端子18が配置された円周のうち最も内側の円周C2上まで径方向内側に延ばしたものである。このように、外部端子71追加の外部端子が内部端子17および外部端子18近傍まで延びていることにより、内部端子17および外部端子18に対する実装ストレスをさらに緩和することができる。なお、この他の構成は、図16および図17に示す変形例3と略同様である。変形例23図48および図49は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Xを示している。すなわち図48は、半導体装置20Xの平面図図3に対応する図であり、図49は、半導体装置20Xの裏面図図4に対応する図である。図48および図49に示す半導体装置20X変形例23は、図23および図24に示す変形例7において、外部端子71追加の外部端子を、封止樹脂部23の4つの角部側から、内部端子17および外部端子18が配置された円周のうち最も内側の円周C3上まで径方向内側に延ばしたものである。このように、外部端子71追加の外部端子が内部端子17および外部端子18近傍まで延びていることにより、内部端子17および外部端子18に対する実装ストレスをさらに緩和することができる。なお、この他の構成は、図23および図24に示す変形例7と略同様である。変形例24図50は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Yを示している。すなわち図50は、半導体装置20Yの断面図図2に対応する図である。図50に示す半導体装置20Y変形例24は、図29および図30aに示す変形例10において、内部端子17を外部端子18より径方向内側に設けたものである。この場合、各内部端子17は、各外部端子18が配置されている円周C1より径の小さい円周上に配置されている。このように、内部端子17を半導体素子21近傍まで近づけたことにより、例えば金からなるボンディングワイヤ22の線長を短くすることができ、コストダウンを図ることができる。なお、この他の構成は、図29および図30aに示す変形例10と略同様である。変形例25図51は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20Zを示している。すなわち図51は、半導体装置20Zの断面図図2に対応する図である。図51に示す半導体装置20Z変形例25は、図31に示す変形例11において、各内部端子17を、対応する各外部端子18よりそれぞれ径方向内側に設けたものである。この場合、各内部端子17はそれぞれ、対応する外部端子18が配置されている円周C1およびC2より径の小さい円周上に配置されている。このように、内部端子17を半導体素子21近傍まで近づけたことにより、例えば金からなるボンディングワイヤ22の線長を短くすることができ、コストダウンを図ることができる。なお、この他の構成は、図31に示す変形例11と略同様である。変形例26図52は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20aを示している。すなわち図52は、半導体装置20aを示す部分拡大断面図図5に対応する図である。図52に示す半導体装置20a変形例26は、図33に示す変形例13において、内部端子17の内側端部を周方向内側に延ばしたものである。この場合、内部端子17の径方向図52の横方向の長さは、外部端子18の径方向の長さより長くなっている。このように、内部端子17を半導体素子21近傍まで延ばしたことにより、例えば金からなるボンディングワイヤ22の線長を短くすることができ、コストダウンを図ることができる。なお、この他の構成は、図33に示す変形例13と略同様である。変形例27図53および図54は、本実施の形態の一変形例による半導体装置20bを示している。すなわち図53は、半導体装置20bの平面図図3に対応する図であり、図54は、半導体装置20bの断面図図2に対応する図である。図53および図54に示す半導体装置20b変形例27において、複数の内部端子17のうち少なくとも1つの上面に、外部突出端子65が形成されている。外部突出端子65は、封止樹脂部23に形成された開口部23aから露出し形成され、半導体装置20bの上面からの接続を可能としている。なお外部突出端子65には、はんだやAgペーストなど一般的な接続材を用いることが可能である。このように、外部突出端子65が内部端子17の上面に形成されることにより、図54に示すように、下方の半導体装置20bの外部突出端子65を、上方の半導体装置20bの外部端子18に接続することができる。これにより、複数の半導体装置20bを上下に積層することが可能となる図54。上記実施の形態および変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記実施の形態および変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。