"セル領域と、非セル領域を有する半導体基板と、少なくとも半導体基板のセル領域に形成されており、トレンチと、トレンチの内壁に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜に覆われた状態でトレンチ内に充填されているゲート電極とを有するトレンチゲートを備えた半導体装置であって、トレンチゲートの長手方向の端部は、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ深さが浅くなっている、半導体装置。トレンチゲートの長手方向の端部は、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ幅が狭くなるとともに、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ深さが浅くなっている、請求項1に記載の半導体装置。トレンチゲートの長手方向の端面とトレンチゲートの底面によってトレンチゲートの内側に成される角の角度はθ1であり、前記端面と半導体基板の表面によってトレンチゲートの外側に成される角の角度はθ2であり、トレンチゲートの長手方向に沿って伸びる側面と半導体基板の表面によってトレンチゲートの外側に成される角の角度はθ3であり、θ1およびθ2は、θ3よりも大きい、請求項1または2に記載の半導体装置。トレンチゲートの長手方向の端面の上端は曲面である、請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体装置。トレンチゲートの長手方向の端面の下端は曲面である、請求項1~4のいずれか一項に記載の半導体装置。セル領域側から非セル領域側に向かう方向に減少するトレンチ幅の減少率は、セル領域側で大きく、非セル領域側で小さい、請求項2に記載の半導体装置。セル領域側から非セル領域側に向かう方向に減少するトレンチ幅の減少率は一定である、請求項2に記載の半導体装置。トレンチゲートの長手方向の端面のゲート絶縁膜は、その他の部分のゲート絶縁膜よりも厚くなっており、トレンチゲートの長手方向の端面に接する半導体層は、その周囲の半導体層よりも不純物濃度が高い、請求項1~7のいずれか一項に記載の半導体装置。トレンチゲート側端部での電解集中は、端面の上端角部のみならず下端角部でも発生し易い。特許文献1では、下端角部での電解集中を緩和することができないという課題がある。本願に係る半導体装置は、セル領域と、非セル領域を有する半導体基板と、少なくとも半導体基板のセル領域に形成されており、トレンチと、トレンチの内壁に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜に覆われた状態でトレンチ内に充填されているゲート電極とを有するトレンチゲートを備えている。この半導体装置では、トレンチゲートの長手方向の端部は、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ深さが浅くなっている。上記の半導体装置では、トレンチゲートの長手方向の端部本明細書では、トレンチゲート側端部というのトレンチ深さがセル領域側から非セル領域側に向かう方向に浅くなっており、トレンチゲートの長手方向の端面本明細書では、トレンチゲート側端面というがトレンチゲートの底面および半導体基板の表面に対して傾斜している。これによって、トレンチゲート側端面から半導体基板の表面側に連なるトレンチゲート側端部の上端曲がり部、およびトレンチゲートの底面からトレンチゲート側端面に連なるトレンチゲート側端部の下端曲がり部が、緩やかに湾曲した状態となるため、トレンチゲート側端部の下端曲がり部または上端曲がり部に電解が集中することが抑制される。上記の半導体装置では、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ幅が狭くなるとともに、トレンチゲート側端部のトレンチ幅は、セル領域側から非セル領域側に向かう方向に狭くなっていてもよい。エッチングによってトレンチを形成する場合、トレンチ幅が狭いほど、トレンチ深さが浅くなる性質を利用して、簡易にトレンチゲート側端面を傾斜させることができる。簡易な製造工程で製造可能な、電解集中を抑制できるトレンチゲートを備えた半導体装置を提供することができる。トレンチゲートの長手方向の端面とトレンチゲートの底面によってトレンチゲートの内側に成される角の角度はθ1であり、トレンチゲートの長手方向の端面と半導体基板の表面によってトレンチゲートの外側に成される角の角度はθ2であり、トレンチゲートの長手方向に沿って伸びる側面と半導体基板の表面によってトレンチゲートの外側に成される角の角度はθ3である場合に、θ1およびθ2は、θ3よりも大きいことが好ましい。トレンチゲートの長手方向の端面の上端上端曲がり部は曲面であってもよい。また、トレンチゲートの長手方向の端面の下端下端曲がり部は曲面であってもよい。セル領域側から非セル領域側に向かう方向に減少するトレンチ幅の減少率は、セル領域側で大きく非セル領域側で小さくてもよいし、一定であってもよい。トレンチゲートの長手方向の端面のゲート絶縁膜は、その他の部分のゲート絶縁膜よりも厚くなっており、トレンチゲートの長手方向の端面に接する半導体層は、その周囲の半導体層よりも不純物濃度が高くてもよい。本願によれば、トレンチゲート側端部の上端部分および下端部分への電解集中が抑制された半導体装置を提供することができる。本願が開示する半導体装置は、セル領域と、非セル領域を有する半導体基板と、少なくとも半導体基板のセル領域に形成されているトレンチゲートを備えている。トレンチゲートは、トレンチと、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有している。ゲート絶縁膜は、トレンチの内壁に形成されており、ゲート電極は、ゲート絶縁膜に覆われた状態でトレンチ内に充填されている。トレンチゲートの長手方向の端部トレンチゲート側端部は、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ深さが浅くなっている。上記の半導体装置では、トレンチゲート側端部のトレンチ深さがセル領域側から非セル領域側に向かう方向に浅くなっている。トレンチゲート側端面は、トレンチゲート側端部の非セル領域側の端面であり、半導体基板に接している。トレンチゲート側端面は、トレンチゲートの底面および半導体基板の表面に対して傾斜している。トレンチゲート側端面は、セル領域側から非セル領域側に向かう方向に直線状、曲面状または多段の階段状に傾斜し、上昇する面である。また、上記の半導体装置では、トレンチゲート側端部のトレンチ幅がセル領域側から非セル領域側に向かう方向に狭くなっていてもよい。この場合、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ幅が狭くなっている部分は、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ深さが浅くなっている部分と一致している。セル領域側から非セル領域側に向かう方向に減少するトレンチ幅の減少率は、セル領域側から非セル領域側に向かう方向に浅くなるトレンチ深さの減少率に応じて設計され、トレンチ深さが浅い部分ほど、トレンチ幅が狭くなっている。セル領域側から非セル領域側に向かう方向に減少するトレンチ幅の減少率は、特に限定されないが、セル領域側で大きく、非セル領域側で小さくてもよく、一定であってもよい。なお、トレンチ幅の減少率が、セル領域側で大きく非セル領域側で小さいという形態は、例えば、トレンチゲート側端部において、セル領域側から非セル領域側に向かう方向に、トレンチ幅の減少率が連続的に小さくなっていくものであってもよいし、トレンチゲート側端部が、トレンチ幅の減少率が互いに相違する複数の部分それぞれの部分におけるトレンチ幅の減少率は一定であるを有しており、この複数の部分が、トレンチ幅の減少率が大きいものほどセル領域側に、トレンチ幅の減少率が小さいものほど非セル領域側に配置されているものであってもよい。半導体基板を平面視したときに、トレンチゲート側端部のセル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ幅が狭くなっている部分の輪郭は、直線状、曲線状または多段の階段状であってよい。半導体装置の製造工程においてエッチングを行うと、トレンチ幅が広い部分ほど、トレンチ深さが深くなる。上記のようにトレンチゲート側端部において、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ幅が狭くなるとともに、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ深さが浅くなっている半導体装置を製造する場合、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ深さを浅くするために、数段階のエッチングを行う必要がない。少ない回数のエッチングによってトレンチゲート側端面を傾斜させることが可能となる。トレンチゲートは、セル領域側にのみ形成されていてもよいし、セル領域側から非セル領域側まで延びていてもよい。セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ幅が狭くなっており、トレンチ深さが浅くなっているトレンチゲート側端部は、セル領域内に形成されていてもよいし、非セル領域内に形成されていてもよい。トレンチゲートの側端面とトレンチゲートの底面によってトレンチゲートの内側ゲート電極側に成される角の角度はθ1であり、トレンチゲートの側端面と半導体基板の表面によってトレンチゲートの外側トレンチゲートに接する半導体基板側に成される角の角度はθ2であり、トレンチゲートの長手方向に沿って伸びる側面と半導体基板の表面によってトレンチゲートの外側トレンチゲートに接する半導体基板側に成される角の角度はθ3である場合に、θ1およびθ2は、θ3よりも大きいことが好ましい。トレンチゲートの底面からトレンチゲート側端面に連なるトレンチゲート側端部の下端曲がり部、およびトレンチゲート側端面から半導体基板の表面側に連なるトレンチゲート側端部の上端曲がり部が、緩やかに湾曲した状態となるため、トレンチゲート側端部の下端曲がり部または上端曲がり部に電解が集中することが抑制される。上端曲がり部は曲面であってもよい。また、下端曲がり部は曲面であってもよい。これによって、上端曲がり部または下端曲がり部をより緩やかな形状とすることができる。すなわち、上端曲がり部が曲面である場合、トレンチゲートの側端面と半導体基板の表面が成す角度θ2をより大きくすることができる。同様に、下端曲がり部が曲面である場合、トレンチゲートの側端面とトレンチゲートの底面が成す角度θ1を大きくすることができる。このため、上端曲がり部または下端曲がり部への電解集中を抑制する効果をより高くすることができる。トレンチゲート側端面のゲート絶縁膜は、その他の部分のゲート絶縁膜よりも厚くなっていてもよい。トレンチゲートの側端面に接する半導体層は、その周囲の半導体層よりも不純物濃度が高くてもよい。このような構成によれば、トレンチゲート側端部への電解集中を抑制する効果が大きくなる。また、高濃度の不純物層に接するゲート絶縁膜は厚くなることから、ゲート絶縁膜の厚みを変えても簡易な製造工程で製造することができる。本願に係る半導体装置は、トレンチゲート型の半導体装置であればよい。トレンチゲート型の半導体装置としては、例えば、IGBT、MOSFET等が挙げられる。また、半導体装置を平面視したときのトレンチゲートの全体的な形状や配置について特に限定されない。例えば、略直線状の複数のトレンチゲートが平行に配置されていてもよいし、曲線部分を含むトレンチゲートであってもよい。例えば、トレンチゲートが曲線状である場合には、トレンチゲートが描く曲線ベクトルの方向が長手方向である。図1に示すように、実施例1に係る半導体装置10は、セル領域110と、非セル領域101とを含む半導体基板100を備えている。セル領域110は、半導体基板100の中央部に配置されており、非セル領域101はセル領域110の周囲を取り囲んでいる。半導体装置10のセル領域110には、トレンチゲート型のIGBTが形成されている。非セル領域101の表面には、ゲート配線103およびゲートパッド105が形成されている。図2に示すように、セル領域110には、複数のトレンチゲート120が形成されている。複数のトレンチゲート120は、半導体装置10を平面視したときに線状であり、いずれも同じ大きさ、同じ形状である。複数のトレンチゲート120は、長手方向がx軸に平行になるように配置されている。なお、図1および図2では、半導体基板100の表面に形成された絶縁層116および表面電極エミッタ電極については、図示を省略している。図3~図6に示すように、半導体基板100は、n型のドリフト層111、p型のボディ層112、n型のエミッタ層117、p型の周辺層130を備えている。図示しないが、半導体基板100の裏面側には、p型のコレクタ層がさらに備えられている。トレンチゲート120は、トレンチ115と、トレンチ115の内壁に形成されたゲート絶縁膜114と、ゲート絶縁膜114に覆われた状態でトレンチ115内に充填されているゲート電極113とを備えている。ゲート電極113は、ゲート配線103およびゲートパッド105と電気的に接続している。トレンチゲート120は、セル領域110から非セル領域101まで伸びている。セル領域110では、トレンチゲート120は、半導体基板100の表面側から、ボディ層112およびエミッタ層117を貫通してドリフト層111に達している。エミッタ層117は、トレンチゲート120の長手方向x軸方向に沿って延びており、トレンチゲート120のゲート絶縁膜114と接している。非セル領域101では、トレンチゲート120のトレンチ深さは、周辺層130よりも浅く、トレンチゲート120は、周辺層130の下方に位置するドリフト層111には到達していない。周辺層130は、ボディ層112よりも半導体基板100の深い位置まで形成されている。周辺層130は、セル領域110内には形成されていない。半導体基板100の上面には、絶縁層116が形成されている。なお、図3~図6では、半導体基板100の表面に形成された表面電極エミッタ電極および裏面に形成された裏面電極コレクタ電極についても、図示を省略している。図3~図6に示すように、トレンチゲート120は、トレンチ深さが略一定である第1領域121と、セル領域110側から非セル領域101側に向かう方向x軸方向にトレンチ深さが浅くなっている第2領域122とを備えている。第2領域122は、非セル領域101内に形成されており、周辺層130に接している。第1領域121では、トレンチ幅y軸方向の幅は略一定であり、第2領域122では、トレンチ幅はセル領域110側から非セル領域101側に向かう方向に狭くなっている。すなわち、第2領域122は、トレンチゲート側端部であり、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ幅が狭くなるとともに、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ深さが浅くなっている。図2に示すように、第2領域122におけるトレンチ幅減少率は一定であり、直線的にトレンチ幅が狭くなっている。第2領域122において、トレンチ幅の減少率は、トレンチ深さの減少率に応じて設計されており、トレンチ深さが浅い部分ほど、トレンチ幅が狭くなっている。図3に示すように、トレンチゲート120の側端面142は略直線状に傾斜している。トレンチゲート120の側端面142とトレンチゲート120の底面141が成す角トレンチゲート120の内側に成される角の角度はθ1である。角度θ1は、トレンチゲート120の底面141から側端面142に連なる下端曲がり部147側端面142の下端の角度を示している。周辺層130の表面143は半導体基板100の表面144と一致しており、側端面142と半導体基板100の表面144が成す角トレンチゲート120の外側に成される角は、側端面142と周辺層130の表面143が成す角に等しく、その角度はθ2である。角度θ2は、トレンチゲート120の側端面142から半導体基板100の表面側に連なる上端曲がり部148側端面142の上端の角度を示している。図4に示すように、セル領域110において、トレンチゲート120の長手方向x軸方向に沿って伸びる側面145と半導体基板100の表面144が成す角トレンチゲート120の内側に成される角の角度はθ3である。図3に示すように、本実施例では、θ1およびθ2は、鈍角であり、θ3は、ほぼ直角である。θ1およびθ2は、θ3よりも大きいθ1,θ2>θ3。上記のとおり、本実施例に係る半導体装置10では、トレンチゲート120は、トレンチゲート側端部である第2領域122を備えており、第2領域122では、トレンチ深さがセル領域110側から非セル領域101側に向かう方向に浅くなっている。これによって、トレンチゲート120の側端面142がトレンチゲート120の底面141および半導体基板100の表面144に対して直線状に傾斜している。従来のようにトレンチゲートの側端面が底面141および表面144に対してほぼ垂直に形成されていた半導体装置と比較すると、本実施例に係る半導体装置10では、トレンチゲート120の下端曲がり部147の角度θ1および上端曲がり部148の角度θ1は鈍角となっており、従来よりも明らかに大きい。このため、下端曲がり部147および上端曲がり部148に電解が集中することを抑制することができる。また、第2領域122では、さらに、トレンチ幅がセル領域110側から非セル領域101側に向かう方向に狭くなっており、トレンチ幅の減少率は、トレンチ深さの減少率に応じて設計されている。このように設計されているため、エッチングによってトレンチを形成する場合に、トレンチ幅が狭いほどトレンチ深さが浅くなる性質を利用して、簡易に側端面142を傾斜させることができる。本実施例によれば、簡易な製造工程で製造可能な、電解集中を抑制できるトレンチゲート120を備えた半導体装置10を提供することができる。実施例2に係る半導体装置20は、図7,8に示すように、トレンチゲート220の側端部222,223の形状およびこれに接する周辺層230の形状が実施例1と相違している。その他の構成については、実施例1において説明した半導体装置10と同様であるから、重複説明を省略する。トレンチゲート220は、トレンチ深さが略一定である第1領域221と、セル領域110側から非セル領域101側に向かう方向にトレンチ深さが浅くなっている第2領域222および第3領域223を備えている。第1領域121では、トレンチ幅y軸方向の幅は略一定であり、第2領域222および第3領域223では、トレンチ幅はセル領域110側から非セル領域101側に向かう方向に狭くなっている。すなわち、第2領域222および第3領域223は、トレンチゲート側端部である。図7に示すように、第2領域222におけるトレンチ幅減少率は一定であり、直線的にトレンチ幅が狭くなっている。また、第3領域223におけるトレンチ幅減少率は一定であり、直線的にトレンチ幅が狭くなっている。第2領域222におけるトレンチ幅減少率a1は、第3領域223におけるトレンチ幅減少率a2よりも大きい。第2領域222および第3領域223において、トレンチ幅の減少率はトレンチ深さの減少率に応じて設計されている。上記のようにトレンチゲート側端部222,223を設計すると、図8に示すように、側端面242を緩やかな曲面状にすることができる。トレンチゲート220の側端部の下端曲がり部247側端面242の下端および上端曲がり部248側端面242の上端の形状をより緩やかにすることができる。上記のとおり、実施例2に係る半導体装置20は、トレンチゲート220の側端部222,223の下端曲がり部247および上端曲がり部248の形状が実施例1に係る半導体装置10より緩やかな形状となっている。図8において、トレンチゲート220の側端面224とトレンチゲート220の底面141が成す角トレンチゲート220の内側に成される角の角度は、図3に示すθ1より大きい。同様に、図8において、側端面224と半導体基板100の表面144が成す角トレンチゲート220の外側に成される角の角度は、図3に示すθ2より大きい。このため、実施例2によれば、実施例1よりも、下端曲がり部247および上端曲がり部248への電解集中を抑制する効果を高くすることができる。変形例上記の実施例1,2において、トレンチゲート側端面のゲート絶縁膜の一部または全部を、その他の部分のゲート絶縁膜よりも厚くしてもよい。さらに、トレンチゲートの側端面に接する半導体層は、その周囲の半導体層よりも不純物濃度が高くてもよい。このような構成によれば、トレンチゲート側端部への電解集中がより抑制された半導体装置を、簡易な製造工程で製造することができる。例えば、図9に示すように、側端面342のゲート絶縁膜314が、トレンチゲート120のゲート絶縁膜114よりも厚くなっていてもよい。また、側端面342に接する位置に、不純物濃度が高い半導体層である高濃度層330が形成されていてもよい。高濃度層330は、p型の半導体層であってもよく、n型の半導体層であってもよい。p型、n型のいずれの半導体層である場合においても、高濃度層330の不純物濃度は、周辺層130のp型の不純物濃度よりも高い。その他の構成については、実施例1において説明した半導体装置10と同様であるから、重複説明を省略する。図9に示す高濃度層330は、図10に示すように、半導体装置の製造工程において、周辺層130の傾斜する部分332にイオン注入を行うことによって容易に形成することができる。従来のように、トレンチゲートの側端面が半導体基板の表面に対してほぼ垂直である場合と比較すると、斜面である部分332にイオン注入を行うことは、明らかに容易である。熱酸化によってゲート絶縁膜を形成する場合、不純物濃度が高い半導体層に接する部分では、不純物濃度が低い半導体層に接する部分よりもゲート絶縁膜が厚く形成される。このため、側端面342に接する部分に高濃度層330が存在する状態で熱酸化によってゲート絶縁膜を形成すると、側端面342の厚いゲート絶縁膜314と底面141等の薄いゲート絶縁膜114を同じ工程で形成することができる。なお、図9では、実施例1に係る半導体装置10に高濃度層330等を形成した場合を例示して説明したが、実施例2に係る半導体装置20にも同様に高濃度層330を適用できることは明らかである。以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。"