基板の表面に秩序化重合体層を提供する方法であって、前記基板上のプライマー層上に直に自己組織化可能な重合体層を堆積して、前記自己組織化可能な重合体層と前記プライマー層との間に界面を設けるステップと、前記界面に第1及び第2のドメインタイプを備える秩序化重合体層へと自己組織化がなされるように前記自己組織化可能な重合体層を処理するステップと、を含み、前記プライマー層は、前記自己組織化可能な重合体層を前記秩序化重合体層へと自己組織化する間に、前記自己組織化重合体内の界面の第1の位置に第1のドメインタイプが存在するとこれに応答して、前記界面の前記第1の位置にある第1のドメインタイプの化学親和力を改善するように構成される、方法。前記プライマー層は、前記自己組織化重合体層を前記秩序化重合体層へと自己組織化する間に、前記自己組織化重合体内の前記界面の第2の位置に前記第2のドメインタイプが存在するとこれに応答して、前記界面の前記第2の位置にある前記第2のドメインタイプの化学親和力を改善するように構成される、請求項1に記載の方法。前記プライマー層は、第1及び第2の化学種を含み、前記第1の化学種は、前記第1のドメインタイプでは前記第2の化学種よりも化学親和力が高く、前記第2の化学種は、前記第2のドメインタイプでは前記第1の化学種よりも化学親和力が高く、前記第1の化学種は、前記自己組織化可能な重合体層が前記秩序化重合体層へと自己組織化する間に、前記界面の前記第1の位置に前記第1のドメインタイプが存在するとそれに応答して前記界面の前記第1の位置へと再配置される、請求項1又は2に記載の方法。前記第2の化学種は、前記自己組織化可能な重合体層が前記秩序化重合体層へと自己組織化する間に、前記界面の前記第2の位置に前記第2のドメインタイプが存在するとそれに応答して、前記界面の前記第2の位置へと再配置される、請求項3に記載の方法。前記第2の化学種は、前記第1の化学種が内部に分布された重合体マトリクスである、請求項3又は4に記載の方法。反応性単量体と非反応性化合物とを含む組成物が前記基板表面上に堆積され、前記単量体が反応して内部に実質的に均一に分布された第1の化学種として非反応性化合物を有する第2の化学種として重合体マトリクスを形成して前記プライマー層が提供される、請求項5に記載の方法。架橋性重合体と非反応性化合物とを含む組成物が前記基板表面上に堆積され、前記架橋性重合体が反応して内部に実質的に均一に分布された第1の化学種として非反応性化合物を有する第2の化学種として重合体マトリクスを形成して前記プライマー層が提供される、請求項5に記載の方法。前記プライマー層は、第1の化学種として前記第1のドメインタイプとの化学親和力を有する第1の重合体と、第2の化学種として前記第2のドメインタイプとの化学親和力を有する第2の重合体と、の実質的に均一な分布を含み、前記第1及び第2の重合体は各々がそれぞれの重合体の末端を前記基板に結合するように構成された末端基を有する、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。前記プライマー層は、前記秩序化重合体層を形成する前記自己組織化可能な重合体層とは異なる二元ブロック共重合体を含み、前記二元共重合体は、第1の化学種として前記第1のドメインタイプとの化学親和力を有する第1のブロックと、第2の化学種として前記第2のドメインタイプとの化学親和力を有する第2のブロックと、を有する、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。前記二元ブロック共重合体は、前記ブロック共重合体の末端を前記基板に結合するように構成された末端基を有する、請求項9に記載の方法。前記プライマー層は、第1の化学種として前記第1のドメインタイプとの化学親和力を有する第1のブロックと、第2の化学種として前記第2のドメインタイプとの化学親和力を有する第2のブロックと、を有する分岐状三元ブロック共重合体を含み、各ブロックは、第3のブロックの第1の末端に結合され、前記第3のブロックの対向する第2の末端は、前記第3のブロックの前記第2の末端を基板に結合するように構成された末端基を有する、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。前記プライマー層はガラス転移温度Tg’を示し、前記自己組織化可能な重合体は秩序/無秩序転移温度To/dとガラス転移温度Tgとを示し、Tg及びTg’はTo/d未満であり、前記自己組織化可能な重合体の前記秩序化重合体層への自己組織化はTo/d未満、Tg及びTg’以上の温度で行われる、請求項1から11の何れか一項に記載の方法。界面に第1及び第2のドメインタイプを含む秩序化重合体層へと自己組織化するように構成された自己組織化可能な重合体を有する前記界面で使用されるプライマー層であって、前記プライマー層は、前記自己組織化可能な重合体層が前記秩序化重合体層へと自己組織化する間に、前記自己組織化可能な重合体層内の前記界面の第1の位置に前記第1のドメインタイプが存在するとそれに応答して、前記界面の前記第1の位置の前記第1のドメインタイプとの化学親和力を高めるように構成される、プライマー層。前記プライマー層は、前記自己組織化可能な重合体層が前記秩序化重合体層へと自己組織化する間に、第2の位置に前記第2のドメインタイプが存在するとそれに応答して、前記界面の前記第2の位置の前記第2のドメインタイプとの化学親和力を高めるように構成される、請求項13に記載のプライマー層。前記プライマー層は、第1及び第2の化学種を含み、前記第1の化学種は、前記第2の化学種よりも前記第1のドメインタイプとの化学親和力が高く、前記第2の化学種は、前記第1の化学種よりも前記第2のドメインタイプとの化学親和力が高く、前記第1の化学種は、前記自己組織化可能な重合体層を前記秩序化重合体層へと自己組織化する間に、前記界面の第1の位置に前記第1のドメインタイプが存在するとそれに応答して前記第1の位置へと再配置されるように構成される、請求項13又は14に記載のプライマー層。前記第2の化学種は、前記自己組織化可能な重合体層を前記秩序化重合体層へと自己組織化する間に、前記界面の第2の位置に前記第2のドメインタイプが存在するとそれに応答して前記第2の位置へと再配置されるように構成される、請求項15に記載のプライマー層。前記第2の化学種は、前記第1の化学種が内部に分布される重合体マトリクスである、請求項15又は請求項16に記載のプライマー層。前記プライマー層は、第1の化学種として前記第1のドメインタイプとの化学親和力を有する第1の重合体と、第2の化学種として前記第2のドメインタイプとの化学親和力を有する第2の重合体と、の実質的に均一な分布を含んでもよく、前記第1及び第2の重合体は、それぞれの重合体の末端を前記基板に結合するように構成された末端基を有する、請求項15又は請求項16に記載のプライマー層。前記プライマー層は、前記秩序化重合体層を形成する前記自己組織化可能な重合体層とは異なる二元ブロック共重合体を含み、前記二元ブロック共重合体は、第1の化学種として前記第1のドメインタイプとの化学親和力を有する第1のブロックと、第2の化学種として前記第2のドメインタイプとの化学親和力を有する第2のブロックと、を有する、請求項15又は16に記載のプライマー層。前記二元ブロック共重合体は、前記ブロック共重合体の末端を前記基板に結合するように構成された末端基を有する、請求項19に記載のプライマー層。前記プライマー層は、第1の化学種として前記第1のドメインタイプとの化学親和力を有する第1のブロックと、第2の化学種として前記第2のドメインタイプとの化学親和力を有する第2のブロックとを有する分岐状三元ブロック共重合体を含み、各々のブロックが前記第3のブロックの第1の末端に結合され、前記第3のブロックの前記対向する第2の末端が、前記第3のブロックの前記第2の末端を前記基板に結合するように構成された末端基を有する、請求項15又は16に記載のプライマー層。前記プライマー層はガラス転移温度Tg’を示し、前記自己組織化可能な重合体は秩序/無秩序転移温度To/d及びガラス転移温度Tgを示し、Tg及びTg’はTo/d未満である、請求項15から21のいずれか一項に記載のプライマー層。前記第1の化学種は親水性であり、前記第2の化学種は疎水性である、請求項15から22のいずれか一項に記載のプライマー層。前記プライマー組成物は、反応により形成可能な前記第2の化学種がそれから形成される反応性単量体と、前記第1の化学種としての非反応性化合物と、が内部に分散及び/又は溶解される溶媒を含む、請求項17に記載のプライマー組成物。前記反応性単量体の重合を開始し、刺激が加えられると前記第2の化学種を形成するように構成された開始剤をさらに含む、請求項24に記載のプライマー組成物。前記開始剤は紫外線光開始剤であり、前記刺激は紫外放射線の照射である、請求項25に記載のプライマー組成物。前記プライマー組成物は、架橋性重合体及び第1の化学種として非反応性化合物が内部に分散及び/又は溶解される溶媒を含む、請求項17に記載のプライマー組成物。前記プライマー組成物は、刺激が加えられると前記架橋性重合体を架橋するように構成された架橋性化合物をさらに含む、請求項27に記載のプライマー組成物。前記プライマー組成物は、第1の化学種として第1の重合体が、又第2の化学種として第2の重合体が内部に分散又は溶解される溶媒を含み、前記第1及び第2の重合体が各々、それぞれの重合体の末端を前記基板に結合するように構成された末端基を有する、請求項18に記載のプライマー組成物。前記プライマー組成物は、二元ブロック共重合体が内部に分散又は溶解される溶媒を含み、前記二元ブロック共重合体は第1の化学種として第1のブロック、及び第2の化学種として第2のブロックを有し、前記二元ブロック共重合体は前記ブロック共重合体の末端を前記基板に結合するように構成された末端基を有する、請求項20に記載のプライマー組成物。前記プライマー組成物は、第1の化学種として第1のブロック、及び第2の化学種として第2のブロックを有する分岐状三元ブロック共重合体が内部に分散又は融解される溶媒を含み、各々のブロックが前記第3のブロックの第1の末端に結合され、前記第3のブロックの対向する前記第2の末端は、前記第3のブロックの前記第2の末端を前記基板に結合するように構成された末端基を有する、請求項21に記載のプライマー組成物。前記末端基はヒドロキシル基を含む、請求項29から31のいずれか一項に記載のプライマー組成物。基板表面に秩序化重合体層を備える方法であって、前記基板上のプライマー層上に直に自己組織化可能な重合体層を堆積して、前記自己組織化可能な重合体層と前記プライマー層との間に界面を設けるステップと、前記界面に第1及び第2のドメインタイプを備える秩序化重合体層へと自己組織化がなされるように前記自己組織化可能な重合体層を処理するステップと、を含み、前記プライマー層は、第1及び第2の化学種を含み、前記第1の化学種は、前記第2の化学種よりも前記第1のドメインタイプとの化学親和力が高く、前記第2の化学種は、前記第1の化学種よりも前記第2のドメインタイプとの化学親和力が高く、前記自己組織化可能な重合体層を前記秩序化重合体層へと自己組織化する間に、前記第1の化学種の界面濃度が前記界面の第1の位置で、前記第1の位置に前記第1のドメインタイプが存在するとそれに応答して、前記プライマー層内の前記第1の化学種の平均濃度よりも高まり、前記第2の化学種の界面濃度は前記界面の第2の位置で、前記第2の位置に前記第2のドメインタイプが存在するとそれに応答して、前記プライマー層内の前記第2の化学種の平均濃度よりも高まる、方法。界面に第1及び第2のドメインタイプを含む秩序化重合体層へと自己組織化するように構成された自己組織化可能な重合体を有する前記界面で使用されるプライマー層であって、前記プライマー層は、第1及び第2の化学種を含み、前記第1の化学種は、前記第2の化学種よりも前記第1のドメインタイプとの化学親和力が高く、前記第2の化学種は、前記第1の化学種よりも前記第2のドメインタイプとの化学親和力が高く、前記自己組織化可能な重合体層を前記秩序化重合体層へと自己組織化する間に、前記第1の化学種の界面濃度は、前記界面の前記第1の位置に第1のドメインタイプが存在するとそれに応答して、前記プライマー層内の前記第1の化学種の平均濃度よりも高まるように構成され、前記第2の化学種の界面濃度は、前記界面の前記第2の位置に前記第2のドメインタイプが存在するとそれに応答して、前記プライマー層内の前記第2の化学種の平均濃度よりも高まるように構成される、プライマー層。レジストエッチングにより基板表面をパターニングするためのリソグラフィ方法であって、請求項1から12、又は33のいずれか1項に記載の方法により秩序化重合体層を提供するステップを含み、前記秩序化重合体層はレジスト層として機能する、リソグラフィ方法。00025したがって、例えば欠陥レベル及び/又は持続長を改善することができ、及び/又は欠陥レベルを低減し、及び/又はより短期間で持続長を増大し、及び/又は欠陥レベルが低く、及び/又は持続長が長い自己組織化共重合体層の形成を可能にする方法及び/又は組成物などの自己組織化ブロック共重合体層の欠陥レベル及び/又は持続長に関して当技術分野の1つ以上の課題に取り組む方法及び/又は組成物を提供することが望ましい。00026例えば、欠陥レベルの低いデバイスリソグラフィ用に使用するのに適したブロック共重合体の自己組織化層を提供するのに有用な方法及び/又は組成物を提供することが望ましい。例えば、自己組織化層の欠陥レベルを低減する方法及び/又は組成物を提供することが望ましい。00027本明細書全体を通して、備えている含んでいる又は備える含むという用語は、特定される構成成分1つ以上を含むが、その他の構成成分を除外することを意味しない。本質的に~から構成されている、又は本質的に~から構成されるという用語は、特定される構成成分を含むが、不純物として存在する物質、構成成分を提供するために使用されるプロセスの結果として生じる不可避の物質、及び本発明の技術効果を達成すること以外の目的のために追加される構成成分を除き、その他の構成成分を除外することを意味する。通常は、本質的に構成成分の集合から構成される組成物は、特定されない構成成分の重量比で5未満、通常は重量比で1未満から構成される。00028適切である限り、備える又は備えているという用語の使用は、本質的に~から構成される又は本質的に~から構成されているという意味を含むものと見なしてよい。00029ある態様によれば、基板の表面に秩序化重合体層を提供する方法であって、基板上のプライマー層上に直に自己組織化可能な重合体層を堆積して、自己組織化可能な重合体層とプライマー層との間に界面を設けるステップと、界面に第1及び第2のドメインタイプを備える秩序化重合体層へと自己組織化がなされるように自己組織化可能な重合体層を処理するステップと、を含み、プライマー層は、自己組織化可能な重合体層を秩序化重合体層へと自己組織化する間に、自己組織化重合体内の界面の第1の位置に第1のドメインタイプが存在するとこれに応答して、界面の前記第1の位置にある第1のドメインタイプの化学親和力を改善するように構成される方法が提供される。00030プライマー層は、自己組織化可能な重合体層を秩序化重合体層へと自己組織化する間に、自己組織化重合体内の界面の第2の位置に第2のドメインタイプが存在するとこれに応答して、界面の前記第2の位置にある第2のドメインタイプの化学親和力を改善するように構成されてもよい。00031以下の特徴は、適切な場合は、本明細書に記載の方法及び組成物の様々な態様のすべてに適用できる。適切な場合は、以下の特徴の組合せを、例えば特許請求の範囲に記載のような方法及び組成物の一部として使用してもよい。本明細書の方法及び組成物は、デバイスリソグラフィに使用するのに特に適している。例えば、方法及び組成物は、デバイスの基板のパターニングに直接使用し、又はインプリントリソグラフィ用のインプリントテンプレートをパターニングに使用するために自己組織化重合体のレジスト層の処理又は形成のために使用してもよい。00032自己組織化可能な重合体は、第1及び第2のドメインタイプに関連する異なるブロックタイプを有する秩序化重合体層へと自己組織化可能な少なくとも2つの異なるブロックタイプを備える上述のブロック共重合体であってよい。自己組織化可能な重合体として使用するのに適するブロック共重合体としては、ポリスチレン-ブロック-メチルメタクリレート、ポリスチレン-ブロック-2-ビニルピリジン、ポリスチレン-ブロック-ブタジエン、ポリスチレン-ブロック-フェロセニルジメチルシラン、ポリスチレン-ブロック-エチレンオキシド、ポリエチレンオキシド-ブロック-イソプレンが挙げられるが、これらに限定されない。以下の説明は例として二元ブロック共重合体を使用するものとして記載するが、本発明の実施形態は、追加的に又は代替的に、三元ブロック、四元ブロック、又はその他の多元ブロック共重合体と共に使用するのに適することは明らかである。00033本明細書では化学親和力とは、互いに関連する2つの化合物の傾向を意味する。例えば、性質が親水性の化合物は水に対する高い化学親和力を有する一方、疎水性の化合物は水に対する化学親和力が低いが、アルカンに対する化学親和力は高い。化学親和力は2つの化合物間の界面に関連する自由エネルギーに関係がある。界面の自由エネルギーが高い場合は、2つの化合物の互いの化学親和力は低いが、界面の自由エネルギーが低い場合は、2つの化合物の互いの化学親和力は高い。00034界面の第1及び第2の位置とは、界面における位置又は領域を意味する。通常は、これらの位置は、自己組織化可能な重合体が秩序化状態になり、その結果、界面での交互の秩序化重合体層の第1及び第2のそれぞれのドメインタイプの位置に対応する第1と第2の位置で周期構造が形成される際にドメインによって決定される。00035プライマー層は、一般に、基板へのスピンコーティングにより、浸漬コーティングにより、及び/又は、ブラシ共重合体と例えば溶液から又は真空蒸着により基板に固着するように構成される反応性末端基との反応などの化合物の反応により、堆積される層であってもよい。00036自己組織化可能な重合体層は、一般に、例えばスピンコーティングにより基板上に堆積されてよい。00037プライマー層はガラス転移温度Tg’を有していることがある。ガラス転移温度は示差走査熱量計DSCにより適切に測定される。自己組織化可能な重合体は、ガラス転移温度Tgを有していることがある。ガラス転移温度はDSCにより適切に測定される。00038プライマー層は第1及び第2の化学種を含んでもよく、第1の化学種は第1のドメインタイプでは第2の化学種よりも化学親和力が高く、第2の化学種は第2のドメインタイプでは第1の化学種よりも化学親和力が高く、第1の化学種は、自己組織化可能な重合体層が秩序化重合体層へと自己組織化する間に、界面の第1の位置に第1のドメインタイプが存在するとそれに応答して界面の第1の位置へと再配置されてもよい。00039本明細書では化学種とは、分子、オリゴマー、又は重合体などの化合物、又は両親媒性分子すなわち化学親和力が異なる少なくとも2つの相互結合された部分を有する分子などのいずれかの化合物を意味し、化学種という用語はこのような分子の異なる部分を指すことがある。例えば、二元ブロック共重合体の場合は、ブロック共重合体分子を構成する2つの異なる重合体ブロックは、異なる化学親和力を有する2つの異なる化学種であると見なされる。00040本明細書では、界面の位置に向かって再配置する化学種に適用される場合の再配置という用語は、自由に拡散する化学種の場合、化学種がその位置へと拡散することを意味する。例えば分子の別の部分が基板に結合しているため、化学種が自由に拡散しない分子の一部である場合は、再配置とは化学種をその位置のより近傍に移動させるために、化学種が一部を形成する分子の構造を変更してもよいことを意味する。これは例えば、分子の第2次又は三次構造を修正することによってすなわち折り畳む、捩じる、曲げるなどによって達成し得る。00041第2の化学種も、自己組織化可能な重合体層が秩序化重合体層へと自己組織化する間に、界面の第2の位置に第2のドメインタイプが存在するとそれに応答して、界面の第2の位置へと再配置されてもよい。00042例えば、ある実施形態では、第2の化学種は第1の化学種が内部に分布された重合体マトリクスであってもよい。この実施形態の場合、反応性単量体と非反応性化合物とを含む組成物が基板表面上に堆積され、単量体が反応して内部に実質的に均一に分布された第1の化学種として非反応性化合物を有する第2の化学種として重合体マトリクスを形成してプライマー層が提供される。00043このような実施形態を得るための別のプロセスでは、架橋性重合体と非反応性化合物とを含む組成物が基板の表面上に堆積され、架橋性重合体が反応して内部に実質的に均一に分布された第1の化学種として非反応性化合物を有する第2の化学種として重合体マトリクスを形成してプライマー層が提供される。00044ある実施形態では、プライマー層は、第1の化学種として第1のドメインタイプとの化学親和力を有する第1の重合体と、第2の化学種として第2のドメインタイプとの化学親和力を有する第2の重合体と、の実質的に均一な分布を含んでもよく、第1及び第2の重合体は各々がそれぞれの重合体の末端を基板に結合するように構成された末端基を有している。00045ある実施形態では、プライマー層は、秩序化重合体層を形成する自己組織化可能な重合体層とは異なる二元ブロック共重合体を含んでもよく、二元共重合体は、第1の化学種として第1のドメインタイプとの化学親和力を有する第1のブロックと、第2の化学種として第2のドメインタイプとの化学親和力を有する第2のブロックとを有している。00046この実施形態では、二元ブロック共重合体は、ブロック共重合体の末端を基板に結合するように構成された末端基を有してもよい。00047ある実施形態では、プライマー層は、第1の化学種として第1のドメインタイプとの化学親和力を有する第1のブロックと、第2の化学種として第2のドメインタイプとの化学親和力を有する第2のブロックと、を有する分岐状三元ブロック共重合体を含んでもよく、各ブロックは第3のブロックの第1の末端に結合され、第3のブロックの対向する第2の末端は、第3のブロックの第2の末端を基板に結合するように構成された末端基を有している。00048すべての態様で、プライマー層はガラス転移温度Tg’を示し、自己組織化可能な重合体は秩序/無秩序転移温度To/dとガラス転移温度Tgとを示し、Tg及びTg’はTo/d未満であり、自己組織化可能な重合体の秩序化重合体層への自己組織化はTo/d未満、Tg及びTg’以上の温度で行われる。00049ある実施形態では、基板表面に秩序化重合体層を提供する方法であって、基板上のプライマー層上に直に自己組織化可能な重合体層を堆積して、自己組織化可能な重合体層とプライマー層との間に界面を設けるステップと、界面に第1及び第2のドメインタイプを備える秩序化重合体層へと自己組織化がなされるように自己組織化可能な重合体層を処理するステップと、を含み、プライマー層が第1及び第2の化学種を含み、第1の化学種は第2の化学種よりも第1のドメインタイプとの化学親和力が高く、第2の化学種は第1の化学種よりも第2のドメインタイプとの化学親和力が高く、自己組織化可能な重合体層を秩序化重合体層へと自己組織化する間に、第1の化学種の界面濃度は界面の第1の位置で、前記第1の位置に第1のドメインタイプが存在するとそれに応答して、プライマー層内の第1の化学種の平均濃度よりも高まり、第2の化学種の界面濃度は界面の第2の位置で、前記第2の位置に第2のドメインタイプが存在するとそれに応答して、プライマー層内の第2の化学種の平均濃度よりも高まる方法が提供されてもよい。00050さらに別の態様は、界面に第1及び第2のドメインタイプを含む秩序化重合体層へと自己組織化するように構成された自己組織化可能な重合体を有する界面で使用されるプライマー層を提供し、プライマー層は、自己組織化可能な重合体層が秩序化重合体層へと自己組織化する間に、界面の第1の位置の自己組織化可能な重合体内に第1のドメインタイプが存在するとそれに応答して、界面の第1の位置の第1のドメインタイプとの化学親和力を高めるように構成される。00051プライマー層は、自己組織化可能な重合体層が秩序化重合体層へと自己組織化する間に、界面の第2の位置の自己組織化重合体内に第2のドメインタイプが存在するとそれに応答して、界面の第2の位置の第2のドメインタイプとの化学親和力を高めるように構成されてもよい。00052プライマー層は第1及び第2の化学種を含んでもよく、第1の化学種は第2の化学種よりも第1のドメインタイプとの化学親和力が高く、第2の化学種は第1の化学種よりも第2のドメインタイプとの化学親和力が高く、第1の化学種は、自己組織化可能な重合体層を秩序化重合体層へと自己組織化する間に、界面の第1の位置に第1のドメインタイプが存在するとそれに応答して界面の第1の位置へと再配置されるように構成される。00053第2の化学種は、自己組織化可能な重合体層を秩序化重合体層へと自己組織化する間に、界面の第2の位置に第2のドメインタイプが存在するとそれに応答して界面の第2の位置へと再配置されるように構成されてもよい。00054この態様は、界面に第1及び第2のドメインタイプを含む秩序化重合体層へと自己組織化するように構成された自己組織化可能な重合体を有する界面で使用されるプライマー層を提供し、プライマー層は第1及び第2の化学種を含み、第1の化学種は第2の化学種よりも第1のドメインタイプとの化学親和力が高く、第2の化学種は第1の化学種よりも第2のドメインタイプとの化学親和力が高く、自己組織化可能な重合体層を秩序化重合体層へと自己組織化する間に、第1の化学種の界面濃度は界面の第1の位置で、前記第1の位置に第1のドメインタイプが存在するとそれに応答して、プライマー層内の第1の化学種の平均濃度よりも高まるように構成され、第2の化学種の界面濃度は界面の第2の位置で、前記第2の位置に第2のドメインタイプが存在するとそれに応答して、プライマー層内の第2の化学種の平均濃度よりも高まるように構成される。00055通常は、プライマー層は最初は、第1及び第2の化学種が可能な範囲でプライマー層全体にわたって実質的に均一に分布されるような形態で提供される。異なる化学種の何らかの会合があることもあるが、通常、プライマー層はプライマー層内に存在する2つの化学種の相分離を低減するように構成された手段によって形成されてもよい。したがって、結果として生じるプライマー層は適切に、自己組織化可能な重合体に対する化学親和力が実質的に均一なすなわち中性の表面を示す。00056同様に、自己組織化可能な重合体層は通常は、プライマー層上に堆積され、通常は単相又は一部相分離された無秩序層として実質的に均一に分布される形態で自己組織化可能な重合体層をもたらすスピンコーティングなどの手段によってプライマー層との界面を形成する。00057プライマー層の第2の化学種は、第1の化学種が内部に分布される重合体マトリクスであってよい。00058プライマー層は、第1の化学種として第1のドメインタイプとの化学親和力を有する第1の重合体と、第2の化学種として第2のドメインタイプとの化学親和力を有する第2の重合体と、の実質的に均一な分布を含んでもよく、第1及び第2の重合体は、それぞれの重合体の末端を基板に結合するように構成された末端基を有している。00059例えば、一実施形態では、プライマー層は秩序化重合体層を形成する自己組織化可能な重合体層とは異なる二元ブロック共重合体を含んでもよく、二元ブロック共重合体は第1の化学種として第1のドメインタイプとの化学親和力を有する第1のブロックと、第2の化学種として第2のドメインタイプとの化学親和力を有する第2のブロックと、を有している。二元ブロック共重合体はブロック共重合体の末端を基板に結合するように構成された末端基を有してもよい。00060ある実施形態では、プライマー層は第1の化学種として第1のドメインタイプとの化学親和力を有する第1のブロックと、第2の化学種として第2のドメインタイプとの化学親和力を有する第2のブロックと、を有する分岐状三元ブロック共重合体を含んでもよく、各々のブロックは第3のブロックの第1の末端に結合され、第3のブロックの対向する第2の末端は、第3のブロックの第2の末端を基板に結合するように構成された末端基を有している。00061プライマー層はガラス転移温度Tg’を示し、自己組織化可能な重合体は秩序/無秩序転移温度To/d及びガラス転移温度Tgを示し、Tg及びTg’はTo/d未満である。00062一例として、第1の化学種は親水性でよく、第2の化学種は疎水性でよい。本明細書では、親水性と疎水性という用語は化学種に適用される場合は、純粋な蒸留水が化学種の層を湿潤させるかすなわち水が化学種の表面上で90°未満の平衡接触角を示すか、又は純粋な蒸留水が化学種の層を湿潤させないかすなわち水が化学種の表面上で90°以上の平衡接触角を示すかを指す。しかし、このような極端な挙動は本発明を実施するために不可欠ではなく、第1の化学種と第2の化学種との挙動の差が小さいことが適切であろう。00063プライマー層は、例えば、真空蒸着によって基板上に堆積された溶解物から形成されてもよく、又は堆積によって、又は例えばプライマー組成物の化合物と基板との化学反応によってプライマー層組成物から派生されてもよい。00064さらに別の態様は、本明細書に記載のプライマー層を形成するプライマー組成物を提供する。通常は、プライマー組成物は、適切な溶媒により溶解又は分散され、望ましくは溶解されることにより、プライマー層がスピンコーティングなどの何らかの適切な方法で基板上に堆積され、次いで溶媒を蒸発させてプライマー層を形成する第1及び第2の化学種を含む。プライマー層は、溶解物として存在してもよく、実質的に均一なプライマー層を提供するために急冷されてもよい。本明細書では実質的にという用語は、第1及び第2の化学種などのプライマー層の成分が分子レベルで混合されることを意味する。通常は、プライマー組成物は重合体層の成分の重量比で0.1~80を含む、残りの組成物は溶媒、すなわち重量比が20~99.9の溶媒で構成される。00065一実施形態では、プライマー組成物は、反応により形成可能な第2の化学種がそれから形成される反応性単量体と、第1の化学種としての非反応性化合物と、が内部に分散及び/又は溶解される溶媒を含んでもよい。この実施形態のプライマー組成物はさらに、反応性単量体の重合を開始し、刺激が加えられると第2の化学種を形成するように構成された開始剤を含んでもよい。開始剤は紫外線光開始剤でよく、刺激は熱又は紫外放射線の照射でよい。00066ある実施形態では、プライマー組成物は、架橋性重合体及び第1の化学種として非反応性化合物が内部に分散及び/又は溶解される溶媒を含んでもよい。プライマー組成物はさらに、刺激が加えられると架橋性重合体を架橋するように構成された架橋性化合物を含んでもよい。刺激は熱又は紫外放射線の照射でよい。00067ある実施形態では、プライマー組成物は、第1の化学種として第1の重合体が、又、第2の化学種として第2の重合体が内部に分散又は溶解される溶媒を含んでもよく、第1及び第2の重合体は各々、それぞれの重合体の末端を基板に結合するように構成された末端基を有している。00068ある実施形態では、プライマー組成物は、二元ブロック共重合体が内部に分散又は溶解される溶媒を含んでもよく、二元ブロック共重合体は第1の化学種として第1のブロック、及び第2の化学種として第2のブロックを有している。二元ブロック共重合体はブロック共重合体の末端を基板に結合するように構成された末端基を有してもよい。00069ある実施形態では、プライマー組成物は、第1の化学種として第1のブロック、及び第2の化学種として第2のブロックを有する分岐状三元ブロック共重合体が内部に分散又は融解される溶媒を含んでもよく、各々のブロックが第3のブロックの第1の末端に結合され、第3のブロックの対向する第2の末端は、第3のブロックの第2の末端を基板に結合するように構成された末端基を有している。00070重合体を基板に結合するために末端基が使用される場合は、末端基はヒドロキシル基を適切に含んでもよい。プライマー層の分子を基板に結合するために、ヒドロキシルの代わりにその他の適切な末端基を使用してもよい。例えば、末端基はトリアルコキシシリル基、トリクロロシリル基、モノアルコキシジクロロシリル基、ジアルコキシモノクロロシリル基などでよい。00071幾つかの実施形態では、基板表面への末端基の結合を活性化することが適切である場合がある。例えば、ヒドロキシル基の場合は、200°Cの温度まで加熱することによる熱活性化が適することがある。00072さらに別の態様によれば、レジストエッチングにより基板表面をパターニングするためのリソグラフィ方法が提供され、この方法は本明細書に記載の方法により表面に秩序化重合体層を提供するステップを含み、秩序化重合体層はレジスト層として作用する。基板は例えば、デバイスがそれから形成される基板でよく、又はデバイス形成のためのインプリントリソグラフィに使用されるインプリントテンプレートでもよい。00073例えば、秩序化重合体の異なるブロックは各々異なる腐食抵抗性を示してもよい。あるいは、例えば光劣化によりブロックの1つを選択的に除去してもよく、残りのブロックをエッチレジストとして作用させてもよい。00082図1Aは、内部に側壁3と底面4とによって境界付けられたトレンチ2が形成された基板1を示す。図1Bでは、親液性例えば親水性のAブロックと疎液性例えば疎水性のBブロックとを有する自己組織化可能なA-Bブロック共重合体がトレンチ内に堆積され、ブロック共重合体の堆積中にミクロ相分離された個別の周期的ドメインへと分離されたラメラ相として堆積されたA及びBドメインの交互のストライプを有する層5を形成している。これはグラフォエピタキシと呼ばれる。タイプAのドメインはこれも親液性である側壁3の近傍で核を形成している。図1Cでは、タイプAのドメインがタイプBのドメインを残して選択的化学エッチングにより除去され、トレンチ内にレリーフパターンを形成し、そこでこれらのドメインは、例えば更なる化学エッチングによる底面4のその後のパターニング用のテンプレートの役割を果たし得る。選択的な除去は、例えば共重合体のブロック間の架橋剤の選択的な光劣化又は光開裂、及びそれに続く1つのブロックの可溶化によって達成されてもよい。自己組織化重合体構造5のピッチ又は波長、及びトレンチ4の幅は、ドメインの幾つかの交互のストライプが側壁の間のトレンチに適合でき、タイプAのドメインが各側壁に接するように配置される。00083図2Aは、重合体のタイプAのブロックへの親和力がより高い領域を提供するために表面13上に化学的に形成されたピニングストライプ11の形態の化学パターンを有する基板10を示す。図2Bでは、親液性例えば親水性のAブロックと疎液性例えば疎水性のBブロックとを有する自己組織化可能なA-Bブロック共重合体が基板10の表面13上に堆積され、ブロック共重合体の堆積中にミクロ相分離された個別の周期的ドメインへと分離された堆積されたA及びBドメインの交互のストライプを有するラメラ相の層12を形成している。これは化学プレパターニングと呼ばれる。タイプAのドメインは、これも親液性例えば親水性のピニングストライプ11の上に核を形成している。図1Cでは、タイプAのドメインがタイプBのドメインを残して選択的化学エッチングにより除去され、表面13上にレリーフパターンを形成し、そこでこれらのドメインは、例えば更なる化学エッチングによる表面13のその後のパターニング用のテンプレートの役割を果たし得る。自己組織化重合体構造12のピッチ又は波長、及びピニングストライプ11の間隔は、ドメインの幾つかの交互のストライプがピニングストライプ11の間に適合でき、タイプAのドメインが各ピニングストライプ11の上にあるように配置される。00084次いで図3A~図3Cを参照すると、これらの図は本発明の実施形態による方法を示している。この実施形態では、反応性単量体X、非反応性成分Y、及び光開始剤Zの混合物がスピンコーティング又はその他の手段により溶液から基板上に塗布され、プライマー層22が形成される。反応性単量体Xは、自己組織化可能なブロック共重合体A-BのブロックBとの化学親和力が高い反応性成分代替として反応性成分の混合物を使用してもよいである。反応性単量体Xは、光重合の後に架橋性重合体網目構造を形成することができる。プライマー層22の堆積に続いて、適切な波長の化学作用放射線例えば紫外光が照射されると光開始剤Zによって反応性単量体Xの重合反応を開始することができる。非反応性成分Y24は、ブロック共重合体A-BのブロックAと極めて類似する分子特性を有しており、ブロックAにそのブロックへの高い化学親和力を与える。混合物の薄膜例えば厚さが1nm~100nmを基板上に塗布した後、薄膜は化学作用放射線例えば紫外光に曝され、反応性単量体の光重合が起き、その結果、非反応性成分Y24が均一に分布される不溶性の架橋性重合体の網目構造23が形成される。その結果、ブロックAとブロックBの中間の表面特性すなわち中性面を有するプライマー層22が生じる。00085その後、自己組織化可能な重合体、すなわちブロック共重合体A-Bの薄層26例えば1~100nmがプライマー層22の上に被覆され、プライマー層22とブロック共重合体層26との間に界面が形成される。ブロック共重合体A-Bは無秩序状態-未組織状態で堆積される。引き続き、アセンブリ全体がプライマー層22のガラス転移温度Tg’とブロック共重合体A-Bのガラス転移温度Tgの両方のガラス転移温度以上であるが、ブロック共重合体A-Bの秩序-無秩序転移温度To/d未満の温度でアニーリングされる。このアニーリング中に、ブロック共重合体は、Aブロックの第1のドメイン27とBブロックの第2のドメイン28とを有する規則的パターンに自己組織化する適切な移動性を有し、一方、非反応性成分Y24は、組織化する、又は組織化されるブロック共重合体A-BのブロックAでカバーされる界面の第1の位置へと拡散するように、反応性単量体Xから形成された重合体マトリクス23内の移動性を有している。非反応性成分Y24とブロックAとの化学親和力が高いので、第1の位置での界面エネルギーは低減され、又は最小限になる。成分Y24がブロックAでカバーされた第1の位置へと拡散する結果、第1の位置では成分Y24の界面濃度は高まり、プライマー層22内の成分Y24の平均濃度よりも高くなる。それによってさらに、ブロック共重合体のブロックBでカバーされた第2の位置で成分Y24が枯渇する。したがって、これらの第2の位置では、単量体Xの重合体23n界面濃度が高まる結果、界面エネルギーが低減する。どのような科学理論にも拘束されるものではないが、プライマー層22とブロック共重合体層26との間の界面25での界面エネルギーの低減の結果、本発明の実施形態でのプライマー層を使用せずに形成される同等の層と比較すると、結果として生ずる秩序化重合体層の欠陥密度が低下するものと考えられる。追加的に又は代替的に、秩序化重合体層の持続長の改善につながり得る。00086紫外線による光開始の代わりに、その他の化学作用放射線を適切な光開始剤用に使用してもよい。あるいは、例えば重合の熱開始を使用してもよく、又はe-ビーム照射を使用して反応を開始させてもよい。00087単一の反応性単量体Xの代わりに、複数の反応性単量体を使用してもよい。00088特定の自己組織化可能な重合体用に混合物X、Y、Zの組成物を最適化してもよいが、一般に0.2<Xの重量/Yの重量<5、及び0.001<Zの重量/[Xの重量Yの重量]<0.05であり、但し重量とはプライマー層内の成分の重量を指す。00089反応性単量体Xを重合するための照射がマスクを通して行われる場合は、マスクを通して照明される領域のみで混合物を重合し、照射されない領域の反応しない混合物を洗い流すことができる。このようにして、プライマー層によりカバーされない基板の領域を残すことができる。これらの露出した基板領域を、露出した基板と共重合体A又はBの1つのドメインとの相互作用による化学エピタキシ及び/又はグラフォエピタキシ用の化学アライメントマーク又はテンプレート構造として使用してもよく、したがって自己組織化パターンのアライメント、位置合わせ、及び配向に使用することができる。あるいは、架橋によりプライマー層を固化するために実質的に均一なすなわちフラッド露光強度を使用し、その結果生じる架橋性重合体の上にレジスト層を塗布することができる。引き続き、自己組織化パターンの位置合わせ、アライメント、及び配向を確立するためのトポロジー的プレパターンを提供するため、トップダウンリソグラフィによりレジスト層をパターニングすることができる。通常、プライマー層は室温でガラス化状態すなわち室温よりも高いガラス転移温度Tg’を有する状態になる。00090プライマー層22内に反応性単量体Xから架橋性重合体23を形成する代わりに、内部に非反応性成分Y24が均一に分布された架橋性重合体を含むプライマー層の組成物からプライマー層を堆積してもよい。プライマー層22の堆積後、そこで架橋性重合体層を架橋して、内部に成分Y24を有する架橋性重合体23を形成してもよい。00091次いで図4A及び図4Bを参照すると、この実施形態のプライマー層30は、反応性ヒドロキシル末端基33を有するブラシ単独重合体P31とQ32の混合物を含んでいる。末端基33はブラシ単独重合体P31又はQ32の各分子の末端を基板21の表面に結合して、プライマー層30として均一なブラシ重合体の単層を形成する。00092単独重合体ブラシP31は、自己組織化可能なブロック共重合体A-Bの層26内のブロックBとの化学親和力が高く、単独重合体ブラシQ32は自己組織化可能なブロック共重合体A-Bの層26内のブロックAとの化学親和力が高い。その結果生じるプライマー層30は、均一な状態にある場合は、ブロック共重合体A-BのブロックAとBとの中間的な化学特性を有するので、両方のブロックで等しい湿潤特性を示しすなわち中性挙動、したがって、例えば自己組織化可能な重合体層26内の自己組織化パターンに垂直な配向を生じさせることができる。00093ブロック共重合体A-Bの薄層26例えば1~100nm、又は10~60nmがスピンコーティング又はその他の適切なコーティング技術により混合ブラシ層の上に塗布される。引き続き、アセンブリ全体がブロック共重合体A-Bのガラス転移温度以上であるが、ブロック共重合体A-Bの秩序-無秩序転移温度To/d未満の温度でアニーリングされる。アニーリング中、ブロック共重合体A-Bは、タイプA及びタイプBの規則的ドメイン27、28へと自己組織化するための移動性を有している。どのような科学理論にも拘束されるものではないが、ブロック共重合体A-Bの層26内の自己組織化パターンの形成に応答して、ブラシ重合体P31はその分子鎖をタイプBのドメイン28によってカバーされた界面25の第2の位置へと拡張し、同じ第2の位置でブラシ重合体Q32はより崩壊した鎖配座へと再配置されるものと考えられる。重合体P31とQ32との化学親和力が高いため、これらの領域での界面エネルギーは低減する。これとは対照的に、ブラシ重合体Q32はブロックAのドメイン27によりカバーされる第1の位置で拡張された鎖配座をとるものと考えられ、同じ第1の位置で、重合体P31は崩壊した鎖配座を示し、第1の位置から離れた位置に再配置される。プライマー層30と自己組織化可能なブロック共重合体層26との間の界面エネルギーを自己制御的に最小限にすると、本発明の実施形態でのプライマー層を使用せずに形成される同等の層と比較すると、結果として生ずる秩序化重合体層の欠陥密度が低下するものと考えられる。追加的に又は代替的に、秩序化重合体層の持続長の改善につながり得る。00094反応性末端基33は図4A及び図4Bに示した例ではヒドロキシルであるが、適切などの末端基であってもよい。この実施形態のプライマー層の厚さは通常は1~100nm、又は1~10nmである。00095プライマー層30を形成するため、重合体P31及びQ32は一緒に堆積されてもよく、又は先ずブラシ単独重合体P31の1つを表面と反応させ、表面が完全にカバーされない領域で反応を停止させてもよい。引き続き、完全にカバーされた状態に達するまで第2のブラシ単独重合体Q32を表面と反応させると、均一な混合ブラシ層がプライマー層30として得られる。00096トップダウンリソグラフィにより、この実施形態のプライマー層にトポロジー的、又は化学的プレパターンを塗布してもよい。この目的のため、例えばスピンキャスティングによって、混合ブラシ層を備える基板の上にレジスト層を堆積してもよい。引き続き、レジスト層をリソグラフィステップでパターニングしてもよい。結果として生ずるレジストパターンは、自己組織化パターンの位置合わせ、アライメント、及び配向用のグラフォエピタキシパターンとしての役割を果たし得る。あるいは、パターニングされたレジスト層は、プライマー層をエッチングするためのエッチマスクの役割を果たしてもよく、このようにして、レジスト層を剥離した後で化学プレパターンを提供してもよい。00097次いで図5を参照すると、この図は、プライマー層が基本的に、基板の表面に結合されて通常は厚さが1~100nm、又は1~10nmの均一なブラシ二元ブロック共重合体の単層を形成するブロックR35の自由端に反応性ヒドロキシル末端基33を有するブロックとしてブロックR35及びS36を有する二元ブロック共重合体R-S34からなる本発明の実施形態を示している。00098ブラシ二元ブロック共重合体34のブロックR35は、自己組織化ブロック共重合体A-BのブロックBとの化学親和力が高い例えば、ブロックR35とブロックBはブロックBと同じ単量体であってよい。ブラシ二元ブロック共重合体34のブロックS36は、自己組織化ブロック共重合体A-BのブロックAとの化学親和力が高い例えば、ブロックS36はブロックAと同じ単量体であってよい。どのような科学理論にも拘束されるものではないが、ブラシブロック共重合体R-Sの配座が変化すると、界面が第1の位置と第2の位置のそれぞれでドメインタイプA27、又はドメインタイプB28でカバーされるかに依存して、ブロックR35又はブロックS36のいずれかが第1の位置と第2の位置へと再配置されると考えられる。00099ブラシ二元ブロック共重合体R-Sのプライマー層は、最初に堆積されると、自己組織化可能な重合体ブロック共重合体A-BのブロックAとBとの中間的な化学親和力を有するランダムな配座を示し、したがって、両方のブロックタイプで実質的に均一な湿潤特性を示すことがある。それによって自己組織化可能な重合体パターンに垂直な配向を生じさせてもよい。プライマー層内のブラシ二元ブロック共重合体R-S34のこのようなランダムな配座は熱力学的には好ましくはないものの、これはプライマー層が両方のブロックタイプR35とS36用の良好な溶媒でフラッディングされ、次いで例えば溶媒の蒸発によって急激に乾燥されると、動力学的トラッピングにより達成されてもよい。000100プライマー層34を形成した後、自己組織化可能な重合体ブロック共重合体A-Bの薄層261~100nm、望ましくは20~60nmがスピンコーティング又はその他の適切なコーティング技術によってプライマー層の上に塗布される。引き続き、アセンブリ全体が自己組織化可能な重合体ブロック共重合体A-Bのガラス転移温度Tg以上、及びプライマー層のガラス転移温度Tg’以上であるが、自己組織化可能な重合体の秩序-無秩序転移温度To/d未満の温度でアニーリングされてもよい。000101どのような科学理論にも拘束されるものではないが、アニーリング中、自己組織化可能な重合体は規則的パターンへと自己組織化する移動性を有するものと考えられる。自己組織化可能な重合体層26内の自己組織化パターンの形成に応答して、ブラシ二元ブロック共重合体R-S34はその配座を適応化し、ブロックR35をタイプBの第2のドメイン28によりカバーされる界面25の第2位置へと向ける。ブロックR35とブロックAとの分子特性が極めて類似していることが、第1の位置での界面エネルギーの低減をもたらし得る。同様に、ブラシ二元ブロック共重合体R-S34は、ブロックS36がタイプAの第1のドメイン27によりカバーされる界面25の第1の位置へと再配置される配座に適応化し得る。このようなメカニズムから生じる界面の界面エネルギーの自己制御的な最小化の結果、本発明の実施形態でのプライマー層を使用せずに形成される同等の層と比較すると、結果として生ずる自己組織化可能な重合体から形成される秩序化重合体層の欠陥密度が低下するものと考えられる。追加的に又は代替的に、秩序化重合体層の持続長の改善につながり得る。000102自己組織化可能な重合体層26をプライマー層上に堆積する前に、トップダウンリソグラフィによりトポロジー的又は化学的プレパターンをプライマー層に塗布することができる。この目的のため、レジスト層をプライマー層上にスピンキャスティングしてもよい。引き続き、リソグラフィステップでレジスト層をパターニングしてもよい。その結果生じるレジストパターンは、自己組織化可能な重合体層26用の自己組織化パターンを位置合わせ、アライメント、及び配向するためのグラフォエピタキシパターンの役割を果たし得る。あるいは、パターニングされたレジスト層は、プライマー層をエッチングするためのエッチマスクの役割を果たしてもよく、このようにして、レジスト層を剥離した後で自己組織化可能な重合体層26のアライメント用の化学的プレパターンを提供することができる。あるいは、先ず基板にグラフォエピタキシのプレパターンを塗布し、次いでプライマー層を塗布するのが適切であることもある。000103次いで図6を参照すると、この図は図5に関連して詳細に上述した実施形態での配置と同様であるが、二元ブロック共重合体R-S34ではなく分岐状ブラシ三元ブロック共重合体37がプライマー層用に使用されえる配置を概略的に示す。000104分岐状ブラシ三元ブロック共重合体37は、自己組織化可能な重合体共重合体A-BのブロックAとの化学親和力が高い第1のブロック又は分岐V40を有している。例えばブロックV40は、ブロック共重合体A-BのブロックAと同じ単量体のブロックでよい。分岐状ブラシ三元ブロック共重合体の第2のブロック又は分岐W39は、ブロック共重合体A-BのブロックBとの化学親和力が高い。例えば、ブロックW39は、ブロック共重合体A-BのブロックBと同じ単量体のブロックでよい。000105各ブロック又は分岐39、40は、三元ブロック共重合体37の第3のブロック又はステム38の第1の遠位の末端に結合されている。第3のブロック又はステム38の第2の近位の末端は、第3のブロック38の第2の末端を基板21に結合して、厚さが通常は1~100nm又は1~10nmのブラシ三元ブロック共重合体の単層の均一なプライマー層を形成するのに適するヒドロキシル末端基33を有している。000106三元ブロック共重合体37のプライマー層を形成した後、ブロック共重合体A-Bの薄層1~100nm、望ましくは20~60nmがスピンコーティング又はその他の適切なコーティング技術でブラシ三元ブロック共重合体層の上に塗布される。引き続き、ブロック共重合体のガラス転移温度以上であるが、ブロック共重合体の秩序-無秩序転移温度未満の温度でサンプルがアニーリングされる。000107理論に拘束されるものではないが、アニーリング中、自己組織化可能な重合体は規則的パターンへと自己組織化する移動性を有するものと考えられる。自己組織化可能な重合体層26内の自己組織化パターンの形成に応答して、分岐状ブラシ三元ブロック共重合体37はその配座を適応化し、第1のブロックV40をブロックAの第1のドメイン27によりカバーされる界面25の第2位置へと再配置する。第1のブロックV40とブロックAとの化学親和力が高いことが、これらの第1の位置での界面エネルギーの低減をもたらし得る。同様に、分岐状ブラシ三元ブロック共重合体37は、界面25がブロックBの第2のドメイン28によりカバーされる第2の位置で、ブロックW39が第2の位置へと再配置される配座を適応化し、これが界面エネルギーの更なる低減をもたらし得る。000108自己組織化可能な重合体層26とプライマー層との界面の界面エネルギーのこのような自己制御的な低減の結果、本発明の実施形態でのプライマー層を使用せずに基板上に直に秩序化された重合体層と比較すると、結果として生ずる秩序化重合体層の欠陥密度を低減し得る。追加的に又は代替的に、秩序化重合体層の持続長の改善につながり得る000109自己組織化可能な重合体層26を基板上に堆積する前に、トップダウンリソグラフィによりトポロジー的又は化学的プレパターンをプライマー層に塗布することができる。この目的のため、レジスト層を基板上にスピンキャスティングしてもよい。引き続き、レジスト層をリソグラフィステップでパターニングしてもよい。結果として生ずるレジストパターンは、自己組織化可能な重合体層26用の自己組織化パターンの位置合わせ、アライメント、及び配向用のグラフォエピタキシパターンとしての役割を果たし得る。あるいは、パターニングされたレジスト層は、プライマー層をエッチングするためのエッチマスクの役割を果たしてもよく、このようにして、レジスト層を剥離した後で自己組織化可能な重合体層26のアライメントの化学プレパターンを提供してもよい。あるいは、先ず基板にグラフォエピタキシのプレパターンを塗布し、次いでプライマー層を塗布するのが適切であることもある。000110次いで図7A及び図7Bを参照すると、これらの図は本発明のさらに別の実施形態の概略図である。この実施形態では、第2の自己組織化可能な二元ブロック共重合体G-Hのプライマー層が基板21上に備えられ、例えばスピンコーティングにより実質的に均一な無秩序状態になるように堆積されている。プライマー層41は、通常は厚さが1~100nm、又は20~60nmの実質的に均一な層である。000111この実施形態では、二元ブロック共重合体G-Hはブラシ重合体層として機能しない。第2の自己組織化可能なブロック共重合体G-Hはガラス転移温度Tgと秩序/無秩序転移温度To/dとを有している。000112プライマー層を備えた後、自己組織化可能な重合体ブロック共重合体A-Bの薄層26例えば1~100nm、又は20~60nmが、この場合もスピンコーティング又はその他の適切なコーティング技術などによりプライマー層41の上に塗付される。000113引き続き、2つの層26、41のブロック共重合体のガラス転移温度Tg、Tg以上であるが、2つの層26、41のブロック共重合体の秩序/無秩序転移温度To/d未満の温度でサンプルがアニーリングされる。000114アニーリング中、自己組織化可能な重合体すなわちブロック共重合体A-Bは規則的パターンへと自己組織化する移動性を有している。第1のブロック共重合体層内の自己組織化パターンの形成に応答して、第2のブロック共重合体G-HもブロックHのドメイン42へと、又、ブロックGのドメイン43へと自己組織化する。特に、ブロックGはブロックAによりカバーされた界面25の第1の位置へと再配置される。ブロックAとGとの化学親和力が高いので、これらの第1の位置での界面エネルギーの低減がもたらされる。同様に、第2のブロック共重合体G-HのブロックHは、ブロックBの第2のドメイン28によりカバーされた界面25の第2の位置へと再配置される。ブロックBとGとの化学親和力が高いので、これらの第2の位置での界面エネルギーの更なる低減がもたらされる。000115二元ブロック共重合体の第1のブロックGは自己組織化可能な重合体共重合体A-Bの第1のブロックAとの化学親和力が高く、二元ブロック共重合体の第2のブロックHの自己組織化可能な重合体共重合体A-Bの第2のブロックBとの化学親和力が高いが、GとHの少なくとも一方はそれぞれ単量体A又はBであるすなわち二元ブロック共重合体G-Hは共重合体A-Bとは異なる。適切に、第2の自己組織化可能な重合体二元ブロック共重合体G-Hにより形成される自己組織化パターンは、第1の自己組織化可能な重合体共重合体A-Bにより形成される秩序化重合体層と同様の、又は実質的に同一の空間群と周期性を有する。000116理論に拘束されるものではないが、自己組織化可能な重合体の2つの層26、41間の界面エネルギーのコントラストの自己制御的最小化は、各層が界面の自由エネルギーの低減により促進される相互回復メカニズムによって他の層の欠陥を低減するメカニズムにより、本発明の実施形態の重合体層を使用せずに形成される同等の層と比較すると、結果として生ずる秩序化重合体層の欠陥密度を低減し得ると考えられる。追加的に又は代替的に、秩序化重合体層の持続長を改善し得る。000117ある環境では、プライマー層がブロック共重合体A-BのTg未満のTgを有し、先ずプライマー層を秩序化することが有利であることがある。次いで、プライマー層が再び無秩序化しないような条件でブロック共重合体A-Bを堆積し、秩序化してもよい。000118自己組織化可能な重合体層26をプライマー層41上に堆積する前に、トップダウンリソグラフィによりトポロジー的又は化学的プレパターンをプライマー層に塗布することができる。この目的のため、レジスト層をプライマー層上にスピンキャスティングしてもよい。引き続き、レジスト層をリソグラフィステップでパターニングしてもよい。結果として生ずるレジストパターンは、自己組織化可能な重合体層26用の自己組織化パターンの位置合わせ、アライメント、及び配向用のグラフォエピタキシパターンとしての役割を果たし得る。あるいは、パターニングされたレジスト層は、プライマー層をエッチングするためのエッチマスクの役割を果たしてもよく、このようにして、レジスト層を剥離した後で自己組織化可能な重合体層26のアライメントの化学プレパターンを提供してもよい。000119通常は、本発明の実施形態の方法及び/又は組成物を使用して、自己組織化可能な重合体層が秩序化重合体層のパターンを形成する際にこれを配向、アライメント、及び位置合わせするために化学的、又はトポロジー的プレパターンを使用してもよい。しかし、特にパターンの持続性は重要であるが、配向やアライメントが特に必要ではない用途では、化学的、又はトポロジー的テンプレートパターンを使用せずに、本発明の方法及び/又は組成物を使用してもよい。000120プレパターンが使用される用途では、本発明の実施形態を使用することでより長い持続長及び/又はより低い欠陥レベルが得られることによって、結果として形成されるパターンの精度を損なわずにより少ないプレパターンしか使用しなくてもよくなる。000121本発明の実施形態はリソグラフィ方法に関するものである。この方法は、電子デバイス及び集積回路などのデバイスの製造、又は集積光学系、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検知パターン、フラットパネルディスプレー、液晶ディスプレーLCD、薄膜磁気ヘッド、有機発光ダイオードなどの製造などのその他の用途に使用してもよい。本発明の実施形態はさらに、ビットパターン媒体又は磁気記憶デバイス用例えばハードディスク用の離散型トラック媒体の製造用に表面上に規則的ナノ構造を製造するためにも使用される。000122特に、本発明は、基板上のパターニングされたフィーチャの幅又はクリティカルディメンションが約1μm未満、通常は100nm未満、さらには10nm未満である高解像度のリソグラフィ用に使用される。000123リソグラフィは幾つかのパターンを基板上に与えるステップを含んでおり、パターンは集積回路などのデバイスを共に形成するように互いの上に積層される。先行して与えられた各パターンとのアライメントは重要な要件である。パターンが互いに十分に精確に位置合わせされないと、層どうしの電気的接続がなされない結果になることがある。ひいてはそれによってデバイスの機能不良が生じることがある。したがって、リソグラフィデバイスは通常は、各パターンを先行して与えられたパターンと、及び/又は基板上に備えられたアライメントマークと位置合わせするために使用されるアライメント装置を含んでいる。000124本明細書では、基板という用語は、基板の一部を形成する、又は基板上に備えられる平坦化層又は反射防止コーティング層などのいずれかの表面層を含むことを意味する。本明細書に記載するプライマー層は、基板の一部とは見なされず、基板上に備えられる。プライマー層上に直に備えられる自己組織化可能な重合体層も基板の一部とは見なされない。000125これまで本発明の特定の実施形態を記載したが、本発明は記載した以外の形態で実施してもよいことが理解されよう。例えば、本発明は、上記の方法を実行させるように構成された機械読み取り可能命令の1つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内蔵したコンピュータ読み取り可能データ記憶媒体例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスクの形態をとってもよい。000126上記の記述は限定的ではなく説明目的であることを意図するものである。したがって、以下に記載の特許請求の範囲から逸脱することなく、本発明を修正してもよいことが当業者には明らかであろう。