基材を搬送しつつ、搬送される前記基材を挟むように配置された電極対を有する成膜手段を用いてプラズマCVDによって、前記基材に成膜を行なう成膜装置であって、前記基材の搬送方向において、前記電極対の上流側の端部および下流側の端部の少なくとも一方の電極間距離が、中央部の電極間距離よりも狭いことを特徴とする成膜装置。前記上流側の端部および前記下流側の端部の電極間距離が、前記中央部の電極間距離よりも狭い請求項1に記載の成膜装置。前記上流側の端部および前記下流側の端部において、それぞれ端部から2~30mmの領域の電極間距離が、前記中央部の電極間距離よりも狭い請求項1または2に記載の成膜装置。前記上流側の端部および前記下流側の端部の少なくとも一方の電極間距離が、前記中央部の電極間距離よりも1~10mm狭い請求項1~3のいずれかに記載の成膜装置。前記基材が、この基材の搬送方向に長尺なものである請求項1~4のいずれかに記載の成膜装置。前記電極対が、前記基材を周面の所定領域に巻き掛けて搬送する円筒状のドラム電極と、前記ドラム電極の、前記基材が巻き掛けられた周面に対面して設けられる成膜電極とからなり、成膜電極の、前記ドラム電極と対面する放電面は、前記上流側の端部および前記下流側の端部の少なくとも一方の曲率が、前記中央部の曲率よりも大きく形成されている請求項5に記載の成膜装置。前記成膜電極の、前記放電面以外の面の少なくとも一部を覆うように配置される、接地された導電性のアース部材を有する請求項6に記載の成膜装置。前記成膜電極が、前記基材の搬送方向と直交する方向である幅方向を回転軸として回動可能に支持される請求項6または7に記載の成膜装置。前記回転軸が、前記成膜電極の前記上流側端部にある請求項8に記載の成膜装置。前記回転軸が、前記成膜電極の前記下流側端部にある請求項8に記載の成膜装置。前記回転軸が、前記成膜電極の前記中央部にある請求項8に記載の成膜装置。前記アース部材が、前記成膜電極と一体的に回動可能な請求項8~11のいずれかに記載の成膜装置。前記電極対の間の距離が、10~50mmである請求項1~12のいずれかに記載の成膜装置。前記電極対の、前記基材の搬送方向と直交する方向である幅方向の端部の電極間距離が、前記中央部の電極間距離よりも狭い請求項1~13のいずれかに記載の成膜装置。前記成膜手段が、RF電力を印加して、CCP-CVDによって成膜を行うものである請求項1~14のいずれかに記載の成膜装置。前記成膜手段が、アモルファス窒化ケイ素膜を成膜するものである請求項1~15のいずれかに記載の成膜装置。ところで、プラズマCVDによる成膜において、生成されるプラズマは、プラズマが生成される領域の端部の性質が、中央部とは異なり、プラズマの端部は、中央部に比べてエネルギが高くなる傾向がある。そのため、基材がプラズマの端部に曝露されると、基材にダメージが発生してしまう。基材のダメージを低減するために、バッチ式のプラズマCVD成膜装置においては、生成されるプラズマが、基材よりも十分大きくなるように、プラズマを生成するための電極を基材よりも大きくすることで、基材がプラズマの端部に曝露されることを防止している。また、ロールツーロールの成膜装置においても、基材の搬送方向に直交する方向、すなわち、基材の幅方向では、電極を基材よりも大きくすることで、基材がプラズマの端部に曝露されることを防止している。しかしながら、プラズマCVDによる成膜をロールツーロールの成膜装置で行う場合には、搬送される基材が成膜領域を通過する際に、必ずプラズマの端部を通過する。そのため、成膜領域の入り口では、基材の表面にダメージを受けてしまい、また、成膜領域の出口側では、基材の表面に成膜された機能性膜の表面にダメージを受けてしまう。このような、成膜領域の入り口および出口でのダメージを低減する方法として、プラズマの端部において、電極間距離を変えて、プラズマの強度を調整することが考えられるが、特許文献1や特許文献2は、プラズマの端部については何ら考慮されていない。また、特許文献1は、複数個の電極を使用しているため、装置が複雑になるという問題がある。さらに、超高周波帯域の電源を使用しているため、定在波の問題から装置電極を大型化するのが困難であるという問題もある。また、特許文献2は、プラズマを均一化することが目的であるため、位置に応じてプラズマの強度を変えることは記載されていない。本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決することにあり、基材に、プラズマCVDによって連続的に成膜を行う成膜装置において、成膜領域の入り口側および出口側のプラズマ端部の強度を制御して、成膜領域の入り口および出口でのダメージを低減して、目的とする機能を発現できる好適な膜質の機能性膜を安定して形成することができる成膜装置を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明は、基材を搬送しつつ、搬送される前記基材を挟むように配置された電極対を有する成膜手段を用いてプラズマCVDによって、前記基材に成膜を行なう成膜装置であって、前記基材の搬送方向において、前記電極対の上流側の端部および下流側の端部の少なくとも一方の電極間距離が、中央部の電極間距離よりも狭いことを特徴とする成膜装置を提供するものである。ここで、前記上流側の端部および前記下流側の端部の電極間距離が、前記中央部の電極間距離よりも狭いことが好ましい。また、前記上流側の端部および前記下流側の端部において、それぞれ端部から2~30mmの領域の電極間距離が、前記中央部の電極間距離よりも狭いことが好ましい。また、前記上流側の端部および前記下流側の端部の少なくとも一方の電極間距離が、前記中央部の電極間距離よりも1~10mm狭いことが好ましい。また、前記基材が、この基材の搬送方向に長尺なものであることが好ましい。また、前記電極対が、前記基材を周面の所定領域に巻き掛けて搬送する円筒状のドラム電極と、前記ドラム電極の、前記基材が巻き掛けられた周面に対面して設けられる成膜電極とからなり、成膜電極の、前記ドラム電極と対面する放電面は、前記上流側の端部および前記下流側の端部の少なくとも一方の曲率が、前記中央部の曲率よりも大きく形成されていることが好ましい。また、前記成膜電極の、前記放電面以外の面の少なくとも一部を覆うように配置される、接地された導電性のアース部材を有することが好ましい。ここで、前記成膜電極が、前記基材の搬送方向と直交する方向である幅方向を回転軸として回動可能に支持されることが好ましい。また、前記回転軸が、前記成膜電極の前記上流側端部にあることが好ましい。また、前記回転軸が、前記成膜電極の前記下流側端部にあることが好ましい。また、前記回転軸が、前記成膜電極の前記中央部にあることが好ましい。さらに、前記アース部材が、前記成膜電極と一体的に回動可能なことが好ましい。また、前記電極対の間の距離が、10~50mmであることが好ましい。また、前記電極対の、前記基材の搬送方向と直交する方向である幅方向の端部の電極間距離が、前記中央部の電極間距離よりも狭いことが好ましい。また、前記成膜手段が、RF電力を印加して、CCP-CVDによって成膜を行うものであることが好ましい。また、前記成膜手段が、アモルファス窒化ケイ素膜を成膜するものであることが好ましい。本発明によれば、基材の搬送方向において、前記電極対の上流側の端部および下流側の端部の少なくとも一方の電極間距離が、中央部の電極間距離よりも狭いので、成膜領域の入り口側あるいは出口側の、プラズマ端部の電界集中を弱めることができ、基材が成膜領域を通過する際に、基材や機能性膜の表面がダメージを受けることを防止し、目的とする機能を発現できる好適な膜質の機能性膜を、安定して形成することができる。以下、本発明の成膜装置について、添付の図面を用いて、詳細に説明する。図1に、本発明の成膜装置の一例を概念的に示す。なお、図1においては、アース部材22の一部を断面で示している。なお、図1に示す成膜装置10は、ドラム30とシャワー電極20との間の距離が端部と中央部とで異なる以外は、公知のCCP-CVDによるロールツーロールの成膜装置である。図示例の成膜装置10は、長尺な基材Zフィルム原反を長手方向に搬送しつつ、この基材Zの表面にプラズマCVDによって、目的とする機能を発現する膜を成膜製造/形成して、機能性フィルムを製造するものである。また、この成膜装置10は、長尺な基材Zをロール状に巻回してなる基材ロール32から基材Zを送り出し、長手方向に搬送しつつ機能膜を成膜して、機能膜を成膜した基材Zすなわち、機能性フィルムをロール状に巻き取る、いわゆるロールツーロールによる成膜を行なう装置である。図2に示す成膜装置10は、基材Zに、プラズマCVDによる膜を成膜することができる装置であって、真空チャンバ12と、この真空チャンバ12内に形成される、巻出し室14と、成膜室18と、ドラム30とを有して構成される。成膜装置10においては、長尺な基材Zは、巻出し室14の基材ロール32から供給され、ドラム30に巻き掛けられた状態で長手方向に搬送されつつ、成膜室18において、成膜され、次いで、再度、巻出し室14において巻取り軸34に巻き取られるロール状に巻回される。ドラム30は、中心線を中心に図中反時計方向に回転する円筒状の部材である。ドラム30は、後述する巻出し室14のガイドローラ40aよって所定の経路で案内された基材Zを、周面の所定領域に掛け回して、所定位置に保持しつつ長手方向に搬送して、成膜室18内に搬送して、再度、巻出し室14のガイドローラ40bに送る。ここで、ドラム30は、後述する成膜室18のシャワー電極20の対向電極としても作用すなわち、ドラム30とシャワー電極20とで電極対を構成する。するものであり、アース接地されている。なお、必要に応じて、ドラム30には、ドラム30にバイアスを印加するためのバイアス電源を接続してもよい。あるいは、アースとバイアス電源とを切り替え可能に接続してもよい。バイアス電源は、各種の成膜装置で利用されている、バイアスを印加するための高周波電源やパルス電源等の公知の電源が、全て利用可能である。巻出し室14は、真空チャンバ12の内壁面12aと、ドラム30の周面と、内壁面12aからドラム30の周面の近傍まで延在する隔壁36aおよび36bとによって構成される。ここで、隔壁36aおよび36bの先端真空チャンバ12の内壁面と逆端は、搬送される基材Zに接触しない可能な位置まで、ドラム30の周面に近接し、巻出し室14と、成膜室18とを、略気密に分離する。このような巻出し室14は、前述の巻取り軸34と、ガイドローラ40aおよび40bと、回転軸42と、真空排気手段46とを有する。ガイドローラ40aおよび40bは、基材Zを所定の搬送経路で案内する通常のガイドローラである。また、巻取り軸34は、成膜済みの基材Zを巻き取る、公知の長尺物の巻取り軸である。図示例において、長尺な基材Zをロール状に巻回してなるものである基材ロール32は、回転軸42に装着される。また、基材ロール32が、回転軸42に装着されると、基材Zは、ガイドローラ40a、ドラム30、および、ガイドローラ40bを経て、巻取り軸34に至る、所定の経路を通される挿通される。成膜装置10においては、基材ロール32からの基材Zの送り出しと、巻取り軸34における成膜済み基材Zの巻き取りとを同期して行なって、長尺な基材Zを所定の搬送経路で長手方向に搬送しつつ、成膜室18における成膜を行なう。真空排気手段46は、巻出し室14内を所定の真空度に減圧するための真空ポンプである。真空排気手段46は、巻出し室14内を、成膜室18の圧力成膜圧力に影響を与えない圧力真空度にする。基材Zの搬送方向において、巻出し室14の下流には、成膜室18が配置される。成膜室18は、内壁面12aと、ドラム30の周面と、内壁面12aからドラム30の周面の近傍まで延在する隔壁36aおよび36bとによって構成される。成膜装置10において、成膜室18は、一例として、CCPCapacitivelyCoupledPlasma容量結合型プラズマ-CVDによって、基材Zの表面に成膜を行なうものであり、シャワー電極20と、アース部材22と、原料ガス供給手段58と、高周波電源60と、真空排気手段62とを有する。シャワー電極20は、成膜装置10において、CCP-CVDによる成膜の際に、ドラム30と共に電極対を構成する成膜電極である。図示例において、シャワー電極20は、一例として、中空の略直方体状であり、1つの最大面である放電面28をドラム30の周面に対面して配置される。また、ドラム30との対向面である放電面28には、多数の貫通穴が全面的に形成される。シャワー電極20は、その放電面28と、電極対を形成するドラム30の周面との間で、成膜のためのプラズマを生成し、成膜領域を形成する。図2は、シャワー電極20およびドラム30の一部を拡大して示す概念図である。シャワー電極20の放電面28は、中央部の、ドラム30の周面に沿うように、曲率半径R0に形成された放電面中央部28aと、基材Zの搬送方向において、放電面中央部28aの上流側で、放電面中央部28aの曲率半径R0よりも小さい曲率半径R1に形成された放電面入口部28bと、放電面中央部28aの下流側で、放電面中央部28aの曲率半径R0よりも小さい曲率半径R2に形成された放電面出口部28cとからなる。具体的には、放電面中央部28aは、ドラム30との電極間距離d0が一定となるように、ドラム30の周面に沿って湾曲して形成されている。また、放電面入口部28bは、基材Zの搬送方向において、シャワー電極20の上流側端面から、長さb1の領域に、放電面中央部28aから離れるに従って、ドラム30との距離が狭くなり、端部でドラム30との距離がd1となるように形成されている。また、放電面出口部28cは、基材Zの搬送方向において、シャワー電極20の下流側端面から、長さb2の領域に、放電面中央部28aから離れるに従って、ドラム30との距離が狭くなり、端部でドラム30との距離がd2となるように形成されている。すなわち、シャワー電極20の入り口側の放電面入口部28bの領域、および、出口側の放電面出口部28cの領域における電極間距離は、放電面中央部28aの領域の電極間距離よりも狭く形成されている。前述のように、プラズマCVDによる成膜において、生成されるプラズマは、プラズマが生成される領域の端部の性質が、中央部とは異なり、プラズマの端部は、中央部に比べてエネルギが高くなる傾向がある。そのため、基材がプラズマの端部に曝露され、基材にダメージが発生してしまうことを防止するため、バッチ式のプラズマCVD成膜装置においては、電極を基材よりも大きくして、生成されるプラズマが、基材よりも十分大きくすることにより、基材がプラズマの端部に曝露されることを防止している。また、ロールツーロールの成膜装置においても、基材の搬送方向に直交する方向、すなわち、基材の幅方向は、電極を基材よりも大きくすることで、基材がプラズマの端部に曝露されることを防止している。しかしながら、ロールツーロールの成膜装置において、プラズマCVDによる成膜を行う場合には、搬送される基材が成膜領域を通過する際に、必ずプラズマの端部を通過するため、成膜領域の入り口や出口側では、基材の表面や成膜された機能性膜の表面にダメージを受けてしまう。そのため、成膜された機能性膜が、目的とする機能を発現できなかったり、目的とする機能を発現する機能性膜を安定して形成することができない。ここで、プラズマCVDにおいて、プラズマの強度は、プラズマを生成するための電極対の電極間距離が狭いほど高くなることが知られている。しかしながら、本発明者らの検討によれば、プラズマの端部においては、プラズマの強度は、電極間距離が広くなるほど高くなり、基材がダメージを受けやすいことを見出した。プラズマの端部において、電極間距離が広くなるほど、プラズマの強度が高くなる原因としては、電極の端部近傍は電子密度が高くなることが挙げられる。また、基材Zにダメージを与えるのは、質量が僅少な電子よりも、高温になった原料ガスの熱と考えられる。ここで、電極間距離が広いと、電極間に原料ガスが多く存在することになり、ダメージ源となる高温の原料ガスが多く存在することになるため、基材Zがダメージを受けやすくなると考えられる。これに対して、電極間距離が狭いと、電子密度が高くても、電極間に存在する原料ガスの量が少ないので、ダメージ源となる熱量が小さくなると考えられる。したがって、基材の搬送方向において、電極対の上流側の端部および下流側の端部の少なくとも一方の電極間距離を、中央部の電極間距離よりも狭くするという本発明の構成によれば、成膜領域の入り口側あるいは出口側での、プラズマの端部の強度を低くすることができるので、成膜領域の入り口で、基材の表面にダメージを受けることを防止することができ、また、成膜領域の出口側では、基材の表面に成膜された機能性膜の表面にダメージを受けることを防止することができる。これにより、目的とする機能を発現できる機能性膜を、安定して形成することができる。また、出口側のプラズマの端部の強度を低くして、成膜された膜の最表面に比較的、疎な膜を形成することで、この膜の上にさらに積層して成膜する場合に密着性を向上させることができる。ここで、基材Zの搬送方向における、放電面入口部28bの長さb1、および放電面出口部28cの長さb2、すなわち、電極間距離を中央部よりも狭める領域の大きさは、それぞれ、2~30mmの範囲とするのが好ましい。電極間距離を狭めた領域が小さいと、プラズマの端部の強度が、十分に低くならないおそれがあり、基材や機能性膜の表面にダメージを受けることを十分に防止できない場合がある。また、電極間距離を狭めた領域が大きすぎると、プラズマの端部の強度は低くすることができるものの、プラズマの中央部では逆に強度が高くなり、基材や機能性膜の表面にダメージを与えるおそれがある。したがって、長さb1および長さb2は、それぞれ、2~30mmの範囲とするのが好ましい。なお、長さb1と長さb2とは、同じであっても、異なっていてもよい。また、シャワー電極20の中央部放電面中央部28aでのシャワー電極20とドラム30との間の電極間距離d0は、成膜する機能性膜の種類や成膜装置の性能等に応じて適宜、設定すればよいが、10~50mmとすることが好ましい。電極間距離d0をこの範囲とすることにより、プラズマCVDに好適なプラズマを生成することができる。また、シャワー電極20の上流側端部でのシャワー電極20放電面入口側28bとドラム30との間の電極間距離d1、および、シャワー電極20の下流側端部でのシャワー電極20放電面出口側28cとドラム30との間の電極間距離d2は、それぞれ、放電面中央部28aでの電極間距離d0よりも、1~10mm狭くすることが好ましい。シャワー電極20の端部での電極間距離d1、d2と、中央部での電極間距離d0との差が小さいと、プラズマの端部の強度が、十分に低くならないおそれがあり、基材や機能性膜の表面にダメージを受けることを十分に防止できない場合がある。また、シャワー電極20の端部での電極間距離d1、d2と、中央部での電極間距離d0との差が大きすぎると、放電が不安定になるおそれがある。したがって、シャワー電極20の端部での電極間距離d1、d2と、中央部での電極間距離d0との差は、1~10mmとすることが好ましい。また、図示例においては、放電面入口部28bおよび放電面出口部28cを、それぞれ曲率半径R1、R2の曲面としたが、本発明はこれに限定はされず、例えば、端部がドラム30に近づく方向に傾斜した平面であってもよいし、凸状に形成されていてもよい。なお、放電面入口部28bおよび放電面出口部28cは、放電面中央部28a側に向かうにしたがって、漸次、電極間距離が大きくなるように形成されるのが好ましく、また、放電面入口部28bおよび放電面出口部28cは、それぞれ、放電面中央部28aと滑らかに接続されるのが好ましい。アース部材22は、シャワー電極20からの異常放電を抑制するための、導電性の接地された板状部材である。図1および図2に示すように、アース部材22は、シャワー電極20の放電面28以外の面を全面的に覆うようにそれぞれ対面して配置されており、基材Zの搬送方向において、シャワー電極20の上流側に設けられるアース部材22aと、下流側に設けられるアース部材22bと、シャワー電極20の、基材Zの幅方向の端面にそれぞれ対面して設けられるアース部材22cおよび22d図示せずとを有している。また、アース部材22のドラム30側の端面の位置は、シャワー電極20の端面の高さと同じ位置になるように配置されている。したがって、図示例においては、アース部材22cおよび22dのドラム30側の端面の形状は、シャワー電極20の放電面の湾曲に合わせて形成されている。原料ガス供給手段52は、プラズマCVD装置等の真空成膜装置に用いられる公知のガス供給手段であり、シャワー電極20の内部に、原料ガスを供給する。前述のように、シャワー電極20のドラム30との対向面には、多数の貫通穴が供給されている。従って、シャワー電極50に供給された原料ガスは、この貫通穴から、シャワー電極20とドラム30との間に導入される。高周波電源60は、シャワー電極20に、プラズマ励起電力を供給する電源である。高周波電源60も、各種のプラズマCVD装置で利用されている、公知の電源が、全て利用可能であるが、特に、高周波電源RF電源を用いることが好ましい。さらに、真空排気手段62は、プラズマCVDによるガスバリア膜の成膜のために、成膜室18内を排気して、所定の成膜圧力に保つものであり、真空成膜装置に利用されている、公知の真空排気手段である。本発明の成膜装置において、無機膜を成膜するため用いる反応ガスには、特に限定はなく、形成する無機膜に応じた公知の反応ガスが、全て利用可能である。例えば、無機膜としてガスバリア膜等として利用される窒化珪素膜を成膜する場合であれば、反応ガスして、シランガスと、アンモニアガスおよび/または窒素ガスとを用いればよく、同じく酸化珪素膜を形成する場合であれば、反応ガスとして、シランガスと酸素ガスとを用いればよい。なお、本発明の成膜装置においては、必要に応じて、反応ガスに加え、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、クリプトンガス、キセノンガス、ラドンガスなどの不活性ガス等の各種のガス、水素ガス等を併用してもよい。なお、本発明において、CVD成膜室における成膜方法は、図示例のCCP-CVDに限定はされず、例えば、直流DCプラズマCVD、マイクロ波プラズマCVDなど、他のCVDにも利用可能である。特に、CCP-CVDを行う成膜装置は、より大きい面積幅の基材に成膜することができるので、効果が大きく、また、交流電源の使用により絶縁性基板にも成膜できるとの理由により好適に適用することができる。また、本発明の成膜装置において、CVD成膜室が成膜する膜にも、特に限定はなく、CVDによって成膜可能なものが、全て、利用可能であるが、特に、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化シリコン等の無機膜や、DLCダイアモンドライクカーボン膜、透明導電膜などが好ましく例示される。特に、透明かつ緻密な膜が得やすいという理由により、アモルファス窒化シリコン膜の成膜に好適に適用できる。ここで、図示例においては、基材Zの搬送方向における、シャワー電極20の上流側端部および下流側端部の電極間距離d1、d2を、中央部の電極間距離d0より狭くする構成としたが、本発明はこれに限定はされず、シャワー電極20の上流側端部および下流側端部の電極間距離d1、d2のいずれか一方を、中央部の電極間距離d0よりも小さくする構成としてもよい。図3AおよびBに、本発明の成膜装置の他の一例の部分拡大図を示す。なお、図3AおよびBにおいては、シャワー電極20に代えて、それぞれ放電面の形状が異なるシャワー電極102、シャワー電極104を有する以外は、成膜装置10と同じ構成を有するので、同じ部位には、同じ符号を付し、以下の説明は異なる部位を主に行なう。図3Aに示す成膜装置100は、シャワー電極102と、ドラム30と、アース部材22とを有している。シャワー電極102は、放電面104をドラム30の周面に対面して配置され、ドラム30と電極対を構成する成膜電極である。放電面104には、シャワー電極102とドラム30との間に原料ガスを導入するための、多数の貫通穴が全面的に形成されている。放電面104は、放電面中央部104aと放電面入口部28bとからなる。放電面中央部104aは、放電面入口部28bの下流側で、放電面入口部28bの下流側端部に接続され、シャワー電極102の下流側端部まで、ドラム30との間の電極間距離d0が一定になるように、ドラム30の周面に沿うように、曲率半径R0に形成されている。すなわち、シャワー電極102の下流側の端部での電極間距離d2が、中央部での電極間距離d0と等しい。このように、シャワー電極の入り口側の端部の電極間距離を、中央部の電極間距離よりも狭くすることにより、成膜領域の入り口側での、プラズマの端部の強度を低くすることができるので、成膜領域の入り口で、基材の表面にダメージを受けることを防止することができる。図3Bに示す成膜装置110は、シャワー電極112と、ドラム30と、アース部材22とを有している。シャワー電極112は、放電面114をドラム30の周面に対面して配置され、ドラム30と電極対を構成する成膜電極である。放電面114には、シャワー電極112とドラム30との間に原料ガスを導入するための、多数の貫通穴が全面的に形成されている。放電面114は、放電面中央部114aと放電面出口部28cとからなる。放電面中央部114aは、放電面出口部28cの上流側で、シャワー電極112の上流側端部から、放電面出口部28cの上流側端部まで、ドラム30との間の電極間距離d0が一定になるように、ドラム30の周面に沿うように、曲率半径R0に形成されている。すなわち、シャワー電極102の上流側の端部での電極間距離d1が、中央部での電極間距離d0と等しい。このように、シャワー電極の出口側の端部の電極間距離を、中央部の電極間距離よりも狭くすることにより、成膜領域の出口側での、プラズマの端部の強度を低くすることができるので、成膜領域の出口で、基材上に成膜された膜の表面にダメージを受けることを防止することができる。また、本発明においては、好ましい態様として、シャワー電極20を回動可能に構成してもよい。図4A、BおよびCに、本発明の成膜装置の他の一例の部分拡大図を示す。なお、図4A~Cに示す成膜装置は、シャワー電極20およびアース部材22を回動する手段を有する以外は、成膜装置10と同じ構成を有するので、同じ部位には、同じ符号を付し、以下の説明は異なる部位を主に行なう。図4Aに示す成膜装置は、シャワー電極20およびアース部材22を、放電面28の上流側端部の、基材Zの幅方向を回転軸として回動する手段図示せずを有している。図示例は、シャワー電極20およびアース部材22を、図2に示す状態から回動した状態を示している。図4Aに示すように、上流側端部を回転軸として、シャワー電極20を回動することにより、電極対の上流側端部の電極間距離d1はそのままで、下流側端部の電極間距離d2を広くすることができる。これにより、シャワー電極の入り口側の端部の電極間距離を、中央部の電極間距離よりも狭くして、入り口側での、プラズマの端部の強度を低くすることができ、成膜領域の入り口で、基材Zの表面にダメージを受けることを防止することができると共に、出口側の端部の電極間距離を広くすることで、プラズマの端部の強度を強くして、機能性膜の最表面に緻密な膜を形成することができる。図4Bに示す成膜装置は、シャワー電極20およびアース部材22を、放電面28の下流側端部の、基材Zの幅方向を回転軸として回動する手段図示せずを有している。図示例は、シャワー電極20およびアース部材22を、図2に示す状態から回動した状態を示している。図4Bに示すように、下流側端部を回転軸として、シャワー電極20を回動することにより、電極対の下流側端部の電極間距離d2はそのままで、上流側端部の電極間距離d1を広くすることができる。これにより、シャワー電極の出口側の端部の電極間距離を、中央部の電極間距離よりも狭くして、出口側での、プラズマの端部の強度を低くすることができ、成膜領域の出口で、成膜された膜の表面にダメージを受けることを防止することができると共に、入り口側の端部の電極間距離を広くすることで、プラズマの端部の強度を強くして、基材Zと膜の密着力を強くすることができる。また、出口側のプラズマの端部の強度を低くして、成膜された膜の最表面に比較的、疎な膜を形成することで、この膜の上にさらに積層して成膜する場合に密着性を向上させることができる。図4Cに示す成膜装置は、シャワー電極20およびアース部材22を、放電面28の中央部の、基材Zの幅方向を回転軸として回動する手段図示せずを有している。図示例は、シャワー電極20およびアース部材22を、図2に示す状態から回動した状態を示している。図4Cに示すように、中央部を回転軸として、シャワー電極20を回動することにより、電極対の中央の電極間距離d0はそのままで、上流側端部の電極間距離d1、および、下流側端部の電極間距離d2を変更することができる。図示例においては、上流側端部の電極間距離d1を狭くして、下流側端部の電極間距離d2を広くしているが、上流側端部の電極間距離d1を広くして、下流側端部の電極間距離d2を狭くすることもできる。これにより、シャワー電極の入り口側の端部の電極間距離を、中央部の電極間距離よりも狭くして、入り口側での、プラズマの端部の強度を低くすることができ、成膜領域の入り口で、基材の表面にダメージを受けることを防止することができると共に、出口側の端部の電極間距離を広くすることで、プラズマの端部の強度を強くして、機能性膜の最表面に緻密な膜を形成することができる。また、シャワー電極の出口側の端部の電極間距離を、中央部の電極間距離よりも狭くして、出口側での、プラズマの端部の強度を低くすることができ、成膜領域の出口で、成膜された膜の表面にダメージを受けることを防止することができると共に、入り口側の端部の電極間距離を広くすることで、プラズマの端部の強度を強くして、基材Zと膜の密着力を強くすることもできる。また、図示例においては、基材Zの搬送方向の上流側および下流側の端部の電極間距離を狭くする構成としたが、これに加えて、基材Zの幅方向の端部の電極間距離を狭くしてもよい。図5AおよびBに、本発明の成膜装置の他の一例の部分拡大図を示す。図5Bは、図5Aを、基材Zの搬送方向下流側から見た図である。なお、図5AおよびBにおいては、アース部材22の一部の図示を省略している。また、図5Aに示す成膜装置120は、シャワー電極20に代えて、放電面124の形状が異なるシャワー電極122を有する以外は、成膜装置10と同じ構成を有するので、同じ部位には、同じ符号を付し、以下の説明は異なる部位を主に行なう。図5AおよびBに示す成膜装置120は、ドラム30とアース部材22とシャワー電極122とを有する。シャワー電極122は、放電面124をドラム30の周面に対面して配置され、ドラム30と電極対を構成する成膜電極である。放電面124には、シャワー電極122とドラム30との間に原料ガスを導入するための、多数の貫通穴が全面的に形成されている。放電面124は、基材Zの幅方向に垂直な断面で見た際には、図5Aに示すように、中央部は、電極間距離が一定となるように、ドラム30の周面に沿って湾曲しており、両端部近傍では、電極間距離が、端部に向かうに従って、漸次、狭くなるように形成されている。また、基材Zの搬送方向に垂直な断面で見た際には、図5Bに示すように、中央部は、電極間距離が一定となるように、平面に形成されており、両端部近傍では、電極間距離が、端部に向かうに従って、漸次、狭くなるように形成されている。このように、基材Zの幅方向の端部の電極間距離を狭くする構成とすることで、基材Zの幅方向のプラズマの端部の強度を弱くすることができ、基材Z膜が、ダメージを受けることを防止することができ、また、シャワー電極20の幅に対する基材Zの幅の比を大きくすることができ、より幅広な基材Zに、ダメージを与えることなく、好適に成膜を行うことができる。また、本実施例においては、好ましい態様として、長尺な基材を、基材の長手方向に搬送しつつ、ドラムに巻き掛けて成膜を行なう、いわゆる、ロールツーロールの構成としたが、本発明はこれに限定はされず、ロールツーロールの装置であって、成膜室に、対面して配置される板状の電極対を設け、この電極対の間を、長尺な基材を長手方向に搬送すると共に、基材と電極との間に原料ガスを供給してプラズマCVDによる成膜を行なう構成としてもよい。また、本実施例においては、好ましい態様として、長尺な基材を、基材の長手方向に搬送しつつ、成膜を行う構成としたが、本発明はこれに限定はされず、カットシートタイプの基材を搬送しつつ、成膜を行う構成としてもよい。以上、本発明の成膜装置について詳細に説明したが、本発明は、上述の例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行なってもよいのは、もちろんである。以下、本発明の具体的実施例を挙げて、本発明について、より詳細に説明する。[実施例1]図1に示す成膜装置を用いて、基材にガスバリア膜として窒化珪素膜を形成した。基材は、幅500mm、厚さ100μm、表面粗さ0.7nmのPETフィルムを用いた。また、原料ガスとしては、シランガスSiH4、アンモニアガスNH3、窒素ガスN2、および、水素ガスH2を用いた。また、成膜圧力は30Paとした。また、ドラム30はアースと接続した。さらに、シャワー電極20に接続される高周波電源60として、周波数13.56MHzの高周波電源を用い、シャワー電極20に供給したプラズマ励起電力は2000Wとした。また、成膜する機能膜窒化珪素膜の膜厚は50nmとした。また、シャワー電極20の、基材Zの搬送方向の長さを、300mmとし、放電面入口部28bの長さb1を、20mmとし、放電面出口部28cの長さb2を、20mmとした。また、中央部の電極間距離d0を、30mmとし、入り口側端部の電極間距離d1を、28mmとし、出口側端部の電極間距離d2を、28mmとした。このような条件の下、成膜装置10において、基材Zに機能膜の成膜を10m行なった後、AFM原子間力顕微鏡にて表面粗さの測定を行い基材が受けたダメージを評価した。測定の結果、表面粗さは、1.6nmであった。[実施例2]図4Aに示すように、入り口側端部を支点として、シャワー電極20を回動させて、出口側端部の電極間距離d2を、32mmとした以外は、実施例1と同様にして、基材Zに機能膜の成膜を行い、表面粗さの測定を行った。測定の結果、表面粗さは、1.7nmであった。[実施例3]図4Bに示すように、出口側端部を支点として、シャワー電極20を回動させて、入り口側端部の電極間距離d1を、32mmとした以外は、実施例1と同様にして、基材Zに機能膜の成膜を行った後、クロスカット試験を行い、基材Zと膜の密着性を評価した。なお、クロスカット試験は、JIS-K5600に準拠し、0~5の6段階の評価にて評価を行った値が小さいほど密着性が良い。評価の結果、分類は0であった。[実施例4]シャワー電極を全体にドラム側に近づけて、入り口側の電極間距離を26mmとし、出口側の電極間距離を30mmとした以外は、実施例2と同様にして、基材Zに機能膜の成膜を行い、表面粗さの測定を行った。測定の結果、表面粗さは、1.5nmであった。[比較例1]図6に示す成膜装置200のように、ドラム30とシャワー電極202との間の電極間距離がd0で一定とした以外は、実施例1と同様にして、基材Zに機能膜の成膜を行い、表面粗さの測定、および、クロスカット試験を行った。測定の結果、表面粗さは、2.2nmであった。また、クロスカット試験の結果、分類は2であった。結果を下記表に示す。上記表1に示されるように、基材の搬送方向の上流側の端部の電極間距離を中央部の電極間距離よりも狭くした実施例1、2、4は、電極間距離が一定の比較例1と比較して、表面粗さが小さく、入り口側での、プラズマの端部の強度を低くして、基材Zの表面のダメージを低減できることがわかる。また、下流側の端部の電極間距離を中央部の電極間距離よりも狭くして、基材の搬送方向の上流側の端部の電極間距離を広くした実施例3は、電極間距離が一定の比較例1と比較して、クロスカット試験の結果が良好であり、基材Zと膜の密着力を高くできることがわかる。以上の結果より、本発明の効果は明らかである。