第1面及び第2面を有するコア基板と、前記コア基板の前記第1面上に形成され、少なくとも1組の層間絶縁層及び導体層を含む第1積層部と、前記コア基板の前記第2面上に形成され、少なくとも1組の層間絶縁層及び導体層を含む第2積層部と、を有する配線板であって、前記コア基板の前記第1面上には、第1の面状導体パターンが形成され、前記コア基板の前記第2面上には、第2の面状導体パターンが形成され、前記コア基板には、導体群を構成する複数の第1ビア導体と、該導体群を構成しない第2ビア導体と、が形成され、前記第1積層部の最下層の層間絶縁層には第3ビア導体が形成され、前記第2積層部の最下層の層間絶縁層には第4ビア導体が形成され、前記第1ビア導体及び前記第2ビア導体は、相互に略同一の太さを有し、前記導体群を構成する第1ビア導体の各々は、一端が共通の前記第1の面状導体パターンに、他端が共通の前記第2の面状導体パターンに、それぞれ接続され、前記第3ビア導体の一端は、前記第1の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第1ビア導体の一端の外縁で区画される領域に接続され、前記第4ビア導体の一端は、前記第2の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第1ビア導体の他端の外縁で区画される領域に接続される、ことを特徴とする配線板。前記導体群を構成する第1ビア導体の各々と、前記第3ビア導体と、前記第4ビア導体とは、相互に略同一の太さを有する、ことを特徴とする請求項1に記載の配線板。前記第1積層部及び前記第2積層部はそれぞれ、少なくとも4組の層間絶縁層及び導体層を含み、前記第3ビア導体上に、前記第1積層部の層間絶縁層に形成されたビア導体がスタックされることにより、前記第1積層部には、4段以上のビア導体から構成される第1スタック構造が形成され、前記第4ビア導体上に、前記第2積層部の層間絶縁層に形成されたビア導体がスタックされることにより、前記第2積層部には、4段以上のビア導体から構成される第2スタック構造が形成される、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の配線板。前記第3ビア導体を含む前記第1積層部の全層のビア導体が第1スタック構造を構成し、前記第4ビア導体を含む前記第2積層部の全層のビア導体が第2スタック構造を構成する、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の配線板。前記第1スタック構造を構成する全てのビア導体が互いに略同一の太さを有し、前記第2スタック構造を構成する全てのビア導体が互いに略同一の太さを有する、ことを特徴とする請求項4に記載の配線板。前記導体群を構成する第1ビア導体はそれぞれ、めっきから構成され、前記コア基板の前記第1面上には、第1金属箔及び第1めっきから構成される第1導体層が形成され、前記コア基板の前記第2面上には、第2金属箔及び第2めっきから構成される第2導体層が形成され、前記コア基板、前記第1金属箔、及び前記第2金属箔を貫通する開口部にめっきが充填されることにより、前記第1ビア導体を構成する前記めっきと前記第1めっきと前記第2めっきとは、互いに一体的に形成される、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の配線板。前記コア基板、前記第1金属箔、及び前記第2金属箔を貫通する前記開口部は、前記第1金属箔を貫通する第1開口部と、前記第2金属箔を貫通する第2開口部と、前記コア基板を貫通する第3開口部と、から構成され、前記第3開口部は、前記第1面から前記第2面に向かって細くなるようにテーパしており、前記第2開口部の幅は、前記第2面における前記第3開口部の幅よりも小さい、ことを特徴とする請求項6に記載の配線板。前記コア基板は、前記第1積層部の層間絶縁層及び前記第2積層部の層間絶縁層のいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなる、ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の配線板。前記コア基板は、FR-5材から構成され、前記第1積層部の層間絶縁層及び前記第2積層部の層間絶縁層はそれぞれ、FR-4材から構成される、ことを特徴とする請求項8に記載の配線板。前記コア基板、前記第1積層部の最下層の層間絶縁層、及び前記第2積層部の最下層の層間絶縁層は、前記第1積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層、及び、前記第2積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層のいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなる、ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の配線板。前記コア基板、前記第1積層部の最下層の層間絶縁層、及び前記第2積層部の最下層の層間絶縁層はそれぞれ、FR-5材から構成され、前記第1積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層、及び、前記第2積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層は、それぞれFR-4材から構成される、ことを特徴とする請求項10に記載の配線板。前記第1積層部の最下層の層間絶縁層に形成され、一端が、前記第1の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第1ビア導体の一端の外縁で区画される領域に接続される前記第3ビア導体を、複数有する、ことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載の配線板。前記第2積層部の最下層の層間絶縁層に形成され、一端が、前記第2の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第1ビア導体の他端の外縁で区画される領域に接続される前記第4ビア導体を、複数有する、ことを特徴とする請求項12に記載の配線板。前記コア基板、前記第1積層部の最下層の層間絶縁層、及び前記第2積層部の最下層の層間絶縁層はそれぞれ、心材を樹脂含浸してなり、前記第1ビア導体の側面における前記心材の突き出し量は、前記第3ビア導体の側面における前記心材の突き出し量、及び、前記第4ビア導体の側面における前記心材の突き出し量のいずれよりも大きい、ことを特徴とする請求項1乃至13のいずれか一項に記載の配線板。第1面及び第2面を有するコア基板と、前記コア基板の前記第1面上に形成され、少なくとも1組の層間絶縁層及び導体層を含む第1積層部と、前記コア基板の前記第2面上に形成され、少なくとも1組の層間絶縁層及び導体層を含む第2積層部と、を有する配線板であって、前記コア基板に形成された第1ビア導体と、前記第1積層部の少なくとも1つの層間絶縁層に形成された第3ビア導体と、前記第2積層部の少なくとも1つの層間絶縁層に形成された第4ビア導体とが、スタックされ、前記コア基板には、前記スタックされない第2ビア導体が形成され、前記第1ビア導体及び前記第2ビア導体の各々は、相互に略同一の太さを有し、前記第1ビア導体は、前記スタックされた第3ビア導体及び第4ビア導体のいずれよりも太い、ことを特徴とする配線板。前記第1積層部及び前記第2積層部はそれぞれ、少なくとも4組の層間絶縁層及び導体層を含み、前記第1積層部には、4段以上の第3ビア導体から構成される第1スタック構造が形成され、前記第2積層部には、4段以上の第4ビア導体から構成される第2スタック構造が形成される、ことを特徴とする請求項15に記載の配線板。前記第1積層部の全層の第3ビア導体が第1スタック構造を構成し、前記第2積層部の全層の第4ビア導体が第2スタック構造を構成する、ことを特徴とする請求項15又は16に記載の配線板。前記第1スタック構造を構成する全ての第3ビア導体が互いに略同一の太さを有し、前記第2スタック構造を構成する全ての第4ビア導体が互いに略同一の太さを有する、ことを特徴とする請求項17に記載の配線板。前記第1ビア導体は、めっきから構成され、前記コア基板の前記第1面上には、第1金属箔及び第1めっきから構成される第1導体層が形成され、前記コア基板の前記第2面上には、第2金属箔及び第2めっきから構成される第2導体層が形成され、前記コア基板、前記第1金属箔、及び前記第2金属箔を貫通する開口部にめっきが充填されることにより、前記第1ビア導体を構成する前記めっきと前記第1めっきと前記第2めっきとは、互いに一体的に形成される、ことを特徴とする請求項15乃至18のいずれか一項に記載の配線板。前記コア基板、前記第1金属箔、及び前記第2金属箔を貫通する前記開口部は、前記第1金属箔を貫通する第1開口部と、前記第2金属箔を貫通する第2開口部と、前記コア基板を貫通する第3開口部と、から構成され、前記第3開口部は、前記第1面から前記第2面に向かって細くなるようにテーパしており、前記第2開口部の幅は、前記第2面における前記第3開口部の幅よりも小さい、ことを特徴とする請求項19に記載の配線板。前記コア基板は、前記第1積層部の層間絶縁層及び前記第2積層部の層間絶縁層のいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなる、ことを特徴とする請求項15乃至20のいずれか一項に記載の配線板。前記コア基板、前記第1積層部の最下層の層間絶縁層、及び前記第2積層部の最下層の層間絶縁層は、前記第1積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層、及び、前記第2積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層のいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなる、ことを特徴とする請求項15乃至21のいずれか一項に記載の配線板。前記第1積層部の最下層の層間絶縁層において前記第1ビア導体上にスタックされる第3ビア導体を複数有する、ことを特徴とする請求項15乃至22のいずれか一項に記載の配線板。前記第2積層部の最下層の層間絶縁層において前記第1ビア導体上にスタックされる第4ビア導体を複数有する、ことを特徴とする請求項23に記載の配線板。前記コア基板、前記第1積層部の最下層の層間絶縁層、及び前記第2積層部の最下層の層間絶縁層はそれぞれ、心材を樹脂含浸してなり、前記第1ビア導体の側面における前記心材の突き出し量は、前記第1積層部の最下層の層間絶縁層に形成された第3ビア導体の側面における前記心材の突き出し量、及び、前記第2積層部の最下層の層間絶縁層に形成された第4ビア導体の側面における前記心材の突き出し量のいずれよりも大きい、ことを特徴とする請求項15乃至24のいずれか一項に記載の配線板。コア基板と、該コア基板の両面にそれぞれ積層された少なくとも1組の層間絶縁層及び導体層と、を有する配線板の製造方法であって、第1面及び第2面を有するコア基板を準備することと、前記コア基板の前記第1面上に位置する第1の面状導体パターンと、前記コア基板の前記第2面上に位置する第2の面状導体パターンと、それぞれ前記コア基板を貫通し、一端が共通の前記第1の面状導体パターンに接続され、他端が共通の前記第2の面状導体パターンに接続される複数の第1ビア導体から構成される導体群と、前記第1ビア導体と略同一の太さを有し、前記導体群を構成しない第2ビア導体と、を形成することと、前記コア基板の前記第1面上及び前記第1の面状導体パターン上に、第1層間絶縁層を形成することと、前記第1層間絶縁層を貫通し、一端が、前記第1の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第1ビア導体の一端の外縁で区画される領域に接続される第3ビア導体を形成することと、前記コア基板の前記第2面上及び前記第2の面状導体パターン上に、第2層間絶縁層を形成することと、前記第2層間絶縁層を貫通し、一端が、前記第2の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第1ビア導体の他端の外縁で区画される領域に接続される第4ビア導体を形成することと、前記第3ビア導体を介して前記第1の面状導体パターンに電気的に接続される第1上層導体層を、前記第1層間絶縁層上に形成することと、前記第4ビア導体を介して前記第2の面状導体パターンに電気的に接続される第2上層導体層を、前記第2層間絶縁層上に形成することと、を含む、ことを特徴とする配線板の製造方法。コア基板と、該コア基板の両面にそれぞれ積層された少なくとも1組の層間絶縁層及び導体層と、を有する配線板の製造方法であって、第1面及び第2面を有するコア基板を準備することと、前記コア基板の前記第1面上に位置する第1の面状導体パターンと、前記コア基板の前記第2面上に位置する第2の面状導体パターンと、前記コア基板を貫通し、一端が前記第1の面状導体パターンに、他端が前記第2の面状導体パターンに、それぞれ接続される第1ビア導体と、前記第1ビア導体と略同一の太さを有し、前記第1の面状導体パターン及び前記第2の面状導体パターンのいずれにも接続されない第2ビア導体と、を形成することと、前記コア基板の前記第1面上及び前記第1の面状導体パターン上に、第1層間絶縁層を形成することと、前記第1ビア導体よりも細くて、前記第1層間絶縁層を貫通し、前記第1の面状導体パターンに接続される第3ビア導体を形成することと、前記コア基板の前記第2面上及び前記第2の面状導体パターン上に、第2層間絶縁層を形成することと、前記第1ビア導体よりも細くて、前記第2層間絶縁層を貫通し、前記第2の面状導体パターンに接続される第4ビア導体を形成することと、前記第3ビア導体を介して前記第1の面状導体パターンに電気的に接続される第1上層導体層を、前記第1層間絶縁層上に形成することと、前記第4ビア導体を介して前記第2の面状導体パターンに電気的に接続される第2上層導体層を、前記第2層間絶縁層上に形成することと、を含む、ことを特徴とする配線板の製造方法。特許文献1又は特許文献2に記載される配線板では、層間絶縁層例えば樹脂の熱膨張率とビア導体例えば金属の熱膨張率との差に起因して、スタック構造を構成するビア導体特に、コア基板に近いビア導体に大きな応力が生じ易くなると考えられる。また、こうした応力は、スタック構造の階数層数が増えるほど大きくなると考えられる。本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、配線板における電気的接続の信頼性を向上させることを目的とする。本発明に係る配線板は、第1面及び第2面を有するコア基板と、前記コア基板の前記第1面上に形成され、少なくとも1組の層間絶縁層及び導体層を含む第1積層部と、前記コア基板の前記第2面上に形成され、少なくとも1組の層間絶縁層及び導体層を含む第2積層部と、を有する配線板であって、前記コア基板の前記第1面上には、第1の面状導体パターンが形成され、前記コア基板の前記第2面上には、第2の面状導体パターンが形成され、前記コア基板には、導体群を構成する複数の第1ビア導体と、該導体群を構成しない第2ビア導体と、が形成され、前記第1積層部の最下層の層間絶縁層には第3ビア導体が形成され、前記第2積層部の最下層の層間絶縁層には第4ビア導体が形成され、前記第1ビア導体及び前記第2ビア導体は、相互に略同一の太さを有し、前記導体群を構成する第1ビア導体の各々は、一端が共通の前記第1の面状導体パターンに、他端が共通の前記第2の面状導体パターンに、それぞれ接続され、前記第3ビア導体の一端は、前記第1の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第1ビア導体の一端の外縁で区画される領域に接続され、前記第4ビア導体の一端は、前記第2の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第1ビア導体の他端の外縁で区画される領域に接続される。前記導体群を構成する第1ビア導体の各々と、前記第3ビア導体と、前記第4ビア導体とは、相互に略同一の太さを有する、ことが好ましい。前記第1積層部及び前記第2積層部はそれぞれ、少なくとも4組の層間絶縁層及び導体層を含み、前記第3ビア導体上に、前記第1積層部の層間絶縁層に形成されたビア導体がスタックされることにより、前記第1積層部には、4段以上のビア導体から構成される第1スタック構造が形成され、前記第4ビア導体上に、前記第2積層部の層間絶縁層に形成されたビア導体がスタックされることにより、前記第2積層部には、4段以上のビア導体から構成される第2スタック構造が形成される、ことが好ましい。前記第3ビア導体を含む前記第1積層部の全層のビア導体が第1スタック構造を構成し、前記第4ビア導体を含む前記第2積層部の全層のビア導体が第2スタック構造を構成する、ことが好ましい。前記第1スタック構造を構成する全てのビア導体が互いに略同一の太さを有し、前記第2スタック構造を構成する全てのビア導体が互いに略同一の太さを有する、ことが好ましい。前記導体群を構成する第1ビア導体はそれぞれ、めっきから構成され、前記コア基板の前記第1面上には、第1金属箔及び第1めっきから構成される第1導体層が形成され、前記コア基板の前記第2面上には、第2金属箔及び第2めっきから構成される第2導体層が形成され、前記コア基板、前記第1金属箔、及び前記第2金属箔を貫通する開口部にめっきが充填されることにより、前記第1ビア導体を構成する前記めっきと前記第1めっきと前記第2めっきとは、互いに一体的に形成される、ことが好ましい。前記コア基板、前記第1金属箔、及び前記第2金属箔を貫通する前記開口部は、前記第1金属箔を貫通する第1開口部と、前記第2金属箔を貫通する第2開口部と、前記コア基板を貫通する第3開口部と、から構成され、前記第3開口部は、前記第1面から前記第2面に向かって細くなるようにテーパしており、前記第2開口部の幅は、前記第2面における前記第3開口部の幅よりも小さい、ことが好ましい。前記コア基板は、前記第1積層部の層間絶縁層及び前記第2積層部の層間絶縁層のいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなる、ことが好ましい。前記コア基板は、FR-5材から構成され、前記第1積層部の層間絶縁層及び前記第2積層部の層間絶縁層はそれぞれ、FR-4材から構成される、ことが好ましい。前記コア基板、前記第1積層部の最下層の層間絶縁層、及び前記第2積層部の最下層の層間絶縁層は、前記第1積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層、及び、前記第2積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層のいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなる、ことが好ましい。前記コア基板、前記第1積層部の最下層の層間絶縁層、及び前記第2積層部の最下層の層間絶縁層はそれぞれ、FR-5材から構成され、前記第1積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層、及び、前記第2積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層は、それぞれFR-4材から構成される、ことが好ましい。前記第1積層部の最下層の層間絶縁層に形成され、一端が、前記第1の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第1ビア導体の一端の外縁で区画される領域に接続される前記第3ビア導体を、複数有する、ことが好ましい。前記第2積層部の最下層の層間絶縁層に形成され、一端が、前記第2の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第1ビア導体の他端の外縁で区画される領域に接続される前記第4ビア導体を、複数有する、ことが好ましい。前記コア基板、前記第1積層部の最下層の層間絶縁層、及び前記第2積層部の最下層の層間絶縁層はそれぞれ、心材を樹脂含浸してなり、前記第1ビア導体の側面における前記心材の突き出し量は、前記第3ビア導体の側面における前記心材の突き出し量、及び、前記第4ビア導体の側面における前記心材の突き出し量のいずれよりも大きい、ことが好ましい。本発明に係る配線板は、第1面及び第2面を有するコア基板と、前記コア基板の前記第1面上に形成され、少なくとも1組の層間絶縁層及び導体層を含む第1積層部と、前記コア基板の前記第2面上に形成され、少なくとも1組の層間絶縁層及び導体層を含む第2積層部と、を有する配線板であって、前記コア基板に形成された第1ビア導体と、前記第1積層部の少なくとも1つの層間絶縁層に形成された第3ビア導体と、前記第2積層部の少なくとも1つの層間絶縁層に形成された第4ビア導体とが、スタックされ、前記コア基板には、前記スタックされない第2ビア導体が形成され、前記第1ビア導体及び前記第2ビア導体の各々は、相互に略同一の太さを有し、前記第1ビア導体は、前記スタックされた第3ビア導体及び第4ビア導体のいずれよりも太い。前記第1積層部及び前記第2積層部はそれぞれ、少なくとも4組の層間絶縁層及び導体層を含み、前記第1積層部には、4段以上の第3ビア導体から構成される第1スタック構造が形成され、前記第2積層部には、4段以上の第4ビア導体から構成される第2スタック構造が形成される、ことが好ましい。前記第1積層部の全層の第3ビア導体が第1スタック構造を構成し、前記第2積層部の全層の第4ビア導体が第2スタック構造を構成する、ことが好ましい。前記第1スタック構造を構成する全ての第3ビア導体が互いに略同一の太さを有し、前記第2スタック構造を構成する全ての第4ビア導体が互いに略同一の太さを有する、ことが好ましい。前記第1ビア導体は、めっきから構成され、前記コア基板の前記第1面上には、第1金属箔及び第1めっきから構成される第1導体層が形成され、前記コア基板の前記第2面上には、第2金属箔及び第2めっきから構成される第2導体層が形成され、前記コア基板、前記第1金属箔、及び前記第2金属箔を貫通する開口部にめっきが充填されることにより、前記第1ビア導体を構成する前記めっきと前記第1めっきと前記第2めっきとは、互いに一体的に形成される、ことが好ましい。前記コア基板、前記第1金属箔、及び前記第2金属箔を貫通する前記開口部は、前記第1金属箔を貫通する第1開口部と、前記第2金属箔を貫通する第2開口部と、前記コア基板を貫通する第3開口部と、から構成され、前記第3開口部は、前記第1面から前記第2面に向かって細くなるようにテーパしており、前記第2開口部の幅は、前記第2面における前記第3開口部の幅よりも小さい、ことが好ましい。前記コア基板は、前記第1積層部の層間絶縁層及び前記第2積層部の層間絶縁層のいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなる、ことが好ましい。前記コア基板、前記第1積層部の最下層の層間絶縁層、及び前記第2積層部の最下層の層間絶縁層は、前記第1積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層、及び、前記第2積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層のいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなる、ことが好ましい。前記第1積層部の最下層の層間絶縁層において前記第1ビア導体上にスタックされる第3ビア導体を複数有する、ことが好ましい。前記第2積層部の最下層の層間絶縁層において前記第1ビア導体上にスタックされる第4ビア導体を複数有する、ことが好ましい。前記コア基板、前記第1積層部の最下層の層間絶縁層、及び前記第2積層部の最下層の層間絶縁層はそれぞれ、心材を樹脂含浸してなり、前記第1ビア導体の側面における前記心材の突き出し量は、前記第1積層部の最下層の層間絶縁層に形成された第3ビア導体の側面における前記心材の突き出し量、及び、前記第2積層部の最下層の層間絶縁層に形成された第4ビア導体の側面における前記心材の突き出し量のいずれよりも大きい、ことが好ましい。本発明に係る配線板の製造方法は、コア基板と、該コア基板の両面にそれぞれ積層された少なくとも1組の層間絶縁層及び導体層と、を有する配線板の製造方法であって、第1面及び第2面を有するコア基板を準備することと、前記コア基板の前記第1面上に位置する第1の面状導体パターンと、前記コア基板の前記第2面上に位置する第2の面状導体パターンと、それぞれ前記コア基板を貫通し、一端が共通の前記第1の面状導体パターンに接続され、他端が共通の前記第2の面状導体パターンに接続される複数の第1ビア導体から構成される導体群と、前記第1ビア導体と略同一の太さを有し、前記導体群を構成しない第2ビア導体と、を形成することと、前記コア基板の前記第1面上及び前記第1の面状導体パターン上に、第1層間絶縁層を形成することと、前記第1層間絶縁層を貫通し、一端が、前記第1の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第1ビア導体の一端の外縁で区画される領域に接続される第3ビア導体を形成することと、前記コア基板の前記第2面上及び前記第2の面状導体パターン上に、第2層間絶縁層を形成することと、前記第2層間絶縁層を貫通し、一端が、前記第2の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第1ビア導体の他端の外縁で区画される領域に接続される第4ビア導体を形成することと、前記第3ビア導体を介して前記第1の面状導体パターンに電気的に接続される第1上層導体層を、前記第1層間絶縁層上に形成することと、前記第4ビア導体を介して前記第2の面状導体パターンに電気的に接続される第2上層導体層を、前記第2層間絶縁層上に形成することと、を含む。本発明に係る配線板の製造方法は、コア基板と、該コア基板の両面にそれぞれ積層された少なくとも1組の層間絶縁層及び導体層と、を有する配線板の製造方法であって、第1面及び第2面を有するコア基板を準備することと、前記コア基板の前記第1面上に位置する第1の面状導体パターンと、前記コア基板の前記第2面上に位置する第2の面状導体パターンと、前記コア基板を貫通し、一端が前記第1の面状導体パターンに、他端が前記第2の面状導体パターンに、それぞれ接続される第1ビア導体と、前記第1ビア導体と略同一の太さを有し、前記第1の面状導体パターン及び前記第2の面状導体パターンのいずれにも接続されない第2ビア導体と、を形成することと、前記コア基板の前記第1面上及び前記第1の面状導体パターン上に、第1層間絶縁層を形成することと、前記第1ビア導体よりも細くて、前記第1層間絶縁層を貫通し、前記第1の面状導体パターンに接続される第3ビア導体を形成することと、前記コア基板の前記第2面上及び前記第2の面状導体パターン上に、第2層間絶縁層を形成することと、前記第1ビア導体よりも細くて、前記第2層間絶縁層を貫通し、前記第2の面状導体パターンに接続される第4ビア導体を形成することと、前記第3ビア導体を介して前記第1の面状導体パターンに電気的に接続される第1上層導体層を、前記第1層間絶縁層上に形成することと、前記第4ビア導体を介して前記第2の面状導体パターンに電気的に接続される第2上層導体層を、前記第2層間絶縁層上に形成することと、を含む。本発明によれば、配線板における電気的接続の信頼性を向上させることが可能になる。以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図中、矢印Z1、Z2は、それぞれ配線板の主面表裏面の法線方向に相当する配線板の積層方向又は配線板の厚み方向を指す。一方、矢印X1、X2及びY1、Y2は、それぞれ積層方向に直交する方向又は各層の側方を指す。配線板の主面は、X-Y平面となる。また、配線板の側面は、X-Z平面又はY-Z平面となる。積層方向において、配線板のコアに近い側を下層、コアから遠い側を上層という。導体層は、一乃至複数の導体パターンで構成される層である。導体層は、電気回路を構成する導体パターン、例えば配線グランドも含む、パッド、又はランド等を含む場合もあれば、電気回路を構成しない面状の導体パターン等を含む場合もある。開口部には、孔及び溝のほか、切欠及び切れ目等も含まれる。開口部内に形成される導体のうち、ビアホール内に形成される導体をビア導体といい、スルーホール内に形成される導体をスルーホール導体といい、開口部の壁面側面及び底面に形成された導体膜をコンフォーマル導体といい、開口部に充填された導体をフィルド導体という。ランドは、孔ビアホール又はスルーホール等の上又は縁部に形成される導体であり、少なくとも一部が孔内の導体ビア導体又はスルーホール導体等と一体的に形成される。スタックとは、ビア導体が、その下層に形成されたビア導体のランド上に形成されていることをいう。すなわち、ビア導体の底面が、その下層のビア導体のランドからはみ出さなければ、スタックされていることになる。めっきには、電解めっき又は無電解めっき等の湿式めっきのほか、PVDPhysicalVaporDeposition又はCVDChemicalVaporDeposition等の乾式めっきも含まれる。FRは、プリント配線板の部材である銅張積層板の難燃性耐熱性を示す指標であり、FR-XX:1~6の整数と記述され、Xの数字が大きいほど難燃性が高い。孔又は柱体突起の幅又は太さは、特に指定がなければ、円の場合には直径を意味し、円以外の場合には2√断面積/πを意味する。ただし、他の寸法を指すことを明記している場合は、この限りでない。また、寸法が均一でない場合凹凸がある場合又はテーパしている場合などは、原則として、その寸法の平均値異常値を除いた有効値のみの平均を用いる。ただし、最大値など、平均値以外の値を用いることを明記している場合は、この限りでない。実施形態1本実施形態に係る配線板100は、例えば図1に示すような多層プリント配線板である。本実施形態の配線板100は、両面リジッド配線板である。ただし、本発明に係る配線板は、リジッド配線板には限定されず、例えばフレキシブル配線板又はフレックスリジッド配線板であってもよい。また、配線板100において、導体層及び絶縁層の寸法、層数等は、任意に変更することができる。配線板100は、図1に示すように、コア絶縁層10aコア基板と、絶縁層20a、30a、40a、50a、60a、70a、80a、90a層間絶縁層と、導体層11a、11b、21、31、41、51、61、71、81、91と、ビア導体12、22、32、42、52、62、72、82、92と、を有する。コア絶縁層10aは、第1面F1Z1側及びその反対側の第2面F2Z2側を有し、ビア導体12は、コア絶縁層10aを貫通する。コア絶縁層10a、ビア導体12、及び導体層11a、11bは、コア部に相当する。また、コア絶縁層10aの第1面F1上には、ビルドアップ部B1第1積層部が形成され、コア絶縁層10aの第2面F2上には、ビルドアップ部B2第2積層部が形成される。ビルドアップ部B1は、4組の層間絶縁層及び導体層絶縁層20a、40a、60a、80a及び導体層21、41、61、81を含み、ビルドアップ部B2は、4組の層間絶縁層及び導体層絶縁層30a、50a、70a、90a及び導体層31、51、71、91を含む。コア絶縁層10aの第1面F1側には、5層の導体層11a、21、41、61、81と4層の絶縁層20a、40a、60a、80aとが交互に積層される。絶縁層20a、40a、60a、80aはそれぞれ、導体層11a、21、41、61、81の各層間に形成される。コア絶縁層10aの第2面F2側には、5層の導体層11b、31、51、71、91と4層の絶縁層30a、50a、70a、90aとが交互に積層される。絶縁層30a、50a、70a、90aはそれぞれ、導体層11b、31、51、71、91の各層間に形成される。コア絶縁層10aには、コア絶縁層10aを貫通する孔12aが形成される。ビア導体12は、フィルド導体であり、孔12aに導体が充填されて構成される。コア絶縁層10aの第1面F1上に形成される導体層11aとコア絶縁層10aの第2面F2上に形成される導体層11bとは、ビア導体12を介して、互いに電気的に接続される。コア絶縁層10aは、例えばFR-5材から構成される。コア絶縁層10aは、例えば心材を樹脂含浸してなる。FR-5材は、例えばガラス繊維の布にエポキシ樹脂をしみ込ませて熱硬化処理を施したものを板状にすることで、形成することができる。ただしこれに限定されず、コア絶縁層10aの材料は任意である。ビア導体12の形状は、例えばコア絶縁層10aの第1面F1から第2面F2に向かって縮径されるようにテーパしたテーパ円柱円錐台であり、ビア導体12の平面形状X-Y平面は例えば真円である。しかしこれに限定されず、ビア導体12の形状は任意である。絶縁層20a、30a、40a、50a、60a、70a、80a、90aには、それぞれビア導体22、32、42、52、62、72、82、92が形成される。これらビア導体22等はそれぞれ、フィルド導体であり、ビアホール22a、32a、42a、52a、62a、72a、82a、92aに導体が充填されて構成される。ビア導体22、32、42、52、62、72、82、92の形状はそれぞれ、例えばコア絶縁層10aに向かって縮径されるようにテーパしたテーパ円柱円錐台であり、その平面形状X-Y平面は例えば真円である。しかしこれに限定されず、ビア導体22等の形状は任意である。絶縁層20a第1積層部の最下層の層間絶縁層、絶縁層30a第2積層部の最下層の層間絶縁層、及びこれらよりも上層の絶縁層40a、50a、60a、70a、80a、90aはそれぞれ、例えばFR-4材から構成される。これらの絶縁層はそれぞれ、例えば心材を樹脂含浸してなる。FR-4材は、例えばガラス繊維の布にエポキシ樹脂をしみ込ませて熱硬化処理を施したものを板状にすることで、形成することができる。ただしこれに限定されず、各絶縁層の材料は任意である。本実施形態の配線板100には、図1に示すように、配線板100の全層を貫通するスルーホール102aが形成される。スルーホール102aは、配線板100をZ方向積層方向に貫通する。本実施形態では、スルーホール導体102の一端が、最外層の導体層81詳しくは、導体層81に含まれるランド81aに接続され、スルーホール導体102の他端が、最外層の導体層91詳しくは、導体層91に含まれるランド91aに接続される。スルーホール102aは、例えば図2に示すように、配線板100の周縁部に配置される。スルーホール102aの形状は、例えば円柱であり、スルーホール102aの開口形状は、例えば図2に示すように、長円である。スルーホール102aの開口形状が長円であることで、X-Y平面における広い領域の強度を効果的に向上させることができると考えられる。ただしこれに限られず、スルーホール102aの数、開口形状、及び配置等は任意である。本実施形態では、スルーホール102aの壁面に、スルーホール導体102が形成される。スルーホール導体102は、コンフォーマル導体からなる。コンフォーマル導体は、スルーホール102aに導体が充填されるフィルド導体とは異なり、スルーホール102aの壁面のみに導体を有するため、スルーホール102a内に空洞が形成され、配線板100の歪みが緩和され易くなる。ただしこれに限定されず、コンフォーマル導体に代えて、フィルド導体を用いてもよい。図3に、本実施形態に係る配線板100のスタック構造を拡大して示す。また、図4Aに、本実施形態の配線板100における第1の面状導体パターンと導体群と第3ビア導体との位置関係詳しくは、X-Y平面に投影したときの位置関係を示し、図4Bに、本実施形態の配線板100における第2の面状導体パターンと導体群と第4ビア導体との位置関係詳しくは、X-Y平面に投影したときの位置関係を示す。図3、図4A、及び図4Bに示されるように、本実施形態の配線板100では、コア絶縁層10aに形成された複数例えば2つのビア導体12で、導体群12gが形成される。以下、導体群12gを構成するビア導体12を、ビア導体12sという。コア絶縁層10aの第1面F1上には、ビア導体12sのランド111s第1の面状導体パターンが形成され、コア絶縁層10aの第2面F2上には、ビア導体12sのランド112s第2の面状導体パターンが形成される。ランド111sは導体層11aに含まれ、ランド112sは導体層11bに含まれる。導体層11aには、ランド111sと一体的に形成される配線11w等も含まれる。ランド111s、112sの形状は、例えば図3、図4A、及び図4Bに示すような楕円板状である。導体群12gを構成するビア導体12sの各々は、一端上面F121が共通のランド111s第1の面状導体パターンに、他端底面F122が共通のランド112s第2の面状導体パターンに、それぞれ接続される。ビア導体12sの上面F121は、ビア導体12sとランド111sとの境界面に相当し、ビア導体12sの底面F122は、ビア導体12sとランド112sとの境界面に相当する。すなわち、本実施形態に係る配線板100のコア部では、2つの平板ランド111s、112sが、複数例えば2つの柱ビア導体12sを介して、相互に接続される。ビルドアップ部B1の最下層の絶縁層20aには複数のビア導体22が形成され、ビルドアップ部B2の最下層の絶縁層30aには複数のビア導体32が形成される。本実施形態では、図3及び図4Aに示すように、ビア導体22の1つ以下、ビア導体22sというの一端底面F222が、ランド111s第1の面状導体パターンの、導体群12gを構成する2つのビア導体12sの各々の一端上面F121の外縁で区画される領域R11に接続される。また、図3及び図4Bに示すように、ビア導体32の1つ以下、ビア導体32sというの一端底面F322が、ランド112s第2の面状導体パターンの、導体群12gを構成する2つのビア導体12sの各々の他端底面F122の外縁で区画される領域R12に接続される。領域R11及びR12はそれぞれ、例えば接線等の補助線によって区画される。本実施形態では、領域R11及びR12の境界が、例えばビア導体12sの上面F121及び底面F122の形状例えば円に対して引いた接線で決まる。図4A及び図4Bに示す例では、ビア導体12sの上面F121の全体が領域R11内に含まれ、ビア導体12sの底面F122の全体が領域R12内に含まれる。本実施形態では、図4A及び図4Bに示すように、ビア導体22s及び32sがそれぞれ、導体群12gを構成する2つのビア導体12sの間例えば中間に位置する。また、ランド111s上のビア導体22sの底面F222は、ランド111s上に投影した2つのビア導体12sの各上面F121の外縁で区画される領域R11内に完全に含まれる。また、ランド112s上のビア導体32sの底面F322は、ランド112s上に投影した2つのビア導体12sの各底面F122の外縁で区画される領域R12内に完全に含まれる。さらに、本実施形態では、図1及び図3に示すように、ビア導体22s第3ビア導体上に、ビルドアップ部B1第1積層部の絶縁層40a、60a、80aそれぞれ層間絶縁層に形成されたビア導体42、62、82の各1つ以下、それぞれビア導体42s、62s、82sというがスタックされることにより、ビルドアップ部B1には、4段のビア導体から構成される第1スタック構造S1が形成される。また、図1及び図3に示すように、ビア導体32s第4ビア導体上に、ビルドアップ部B2第2積層部の絶縁層50a、70a、90aそれぞれ層間絶縁層に形成されたビア導体52、72、92の各1つ以下、それぞれビア導体52s、72s、92sというがスタックされることにより、ビルドアップ部B2には、4段のビア導体から構成される第2スタック構造S2が形成される。ビア導体22s、32s、42s、52s、62s、72s、82s、92sは、例えば同軸Z軸上にスタックされる。ただし、これらビア導体22等が、同軸Z軸上にスタックされることは必須ではない。本実施形態では、ビルドアップ部B1第1積層部の全層のビア導体22s、42s、62s、82sが第1スタック構造S1を構成し、ビルドアップ部B2第2積層部の全層のビア導体32s、52s、72s、92sが第2スタック構造S2を構成する。このため、配線スペースの確保が容易になり、配線パターンの設計自由度が高くなる。その結果、高密度配線を実現し易くなる。また、X方向又はY方向の配線を省略できるため、配線長の短縮を図ることができる。第1スタック構造S1及び第2スタック構造S2の各々では、隣接するフィルド導体同士が密着接触し、互いに導通する。また、第1スタック構造S1と第2スタック構造S2とは、コア部における導体群12g及びランド111s、112sを介して、互いに電気的に接続される。導体群12gの一側詳しくは、ランド111s上には、第1スタック構造S1を構成するビア導体22sがスタックされ、導体群12gの他側詳しくは、ランド112s上には、第2スタック構造S2を構成するビア導体32sがスタックされる。以下、コア部の導体群12gと、ビルドアップ部B1の第1スタック構造S1と、ビルドアップ部B2の第2スタック構造S2と、によって構成されるスタック構造を、スタック構造Sという。スタック構造Sは、配線板100の全層の層間に形成された導体ビア導体12s、22s、32s、42s、52s、62s、72s、82s、92sがスタックされて構成されている。以下、こうした配線板の全層にわたるスタック構造を、フルスタック構造という。スタック構造Sは、配線板100の両面の最外導体層、すなわち導体層81と導体層91とを相互に電気的に接続する。本実施形態では、1つのスタック構造Sが、例えば図2に示すように、配線板100の中央に配置される。なお、スタック構造Sの配置や数は、任意である。例えばスタック構造Sが複数あってもよい。図3に示すように、導体層11aランド111s及び配線11wを含むは、金属箔111a例えば銅箔と、例えば銅の無電解めっき膜111bと、例えば銅の電解めっき111cと、から構成される。導体層21ランド211sを含むは、金属箔211a例えば銅箔と、例えば銅の無電解めっき膜211bと、例えば銅の電解めっき211cと、から構成される。導体層41ランド411sを含むは、金属箔411a例えば銅箔と、例えば銅の無電解めっき膜411bと、例えば銅の電解めっき411cと、から構成される。導体層61ランド611sを含むは、金属箔611a例えば銅箔と、例えば銅の無電解めっき膜611bと、例えば銅の電解めっき611cと、から構成される。導体層81ランド811sを含むは、金属箔811a例えば銅箔と、例えば銅の無電解めっき膜811bと、例えば銅の電解めっき811cと、から構成される。図3に示すように、導体層11bランド112sを含むは、金属箔112a例えば銅箔と、例えば銅の無電解めっき膜112bと、例えば銅の電解めっき112cと、から構成される。導体層31ランド311sを含むは、金属箔311a例えば銅箔と、例えば銅の無電解めっき膜311bと、例えば銅の電解めっき311cと、から構成される。導体層51ランド511sを含むは、金属箔511a例えば銅箔と、例えば銅の無電解めっき膜511bと、例えば銅の電解めっき511cと、から構成される。導体層71ランド711sを含むは、金属箔711a例えば銅箔と、例えば銅の無電解めっき膜711bと、例えば銅の電解めっき711cと、から構成される。導体層91ランド911sを含むは、金属箔911a例えば銅箔と、例えば銅の無電解めっき膜911bと、例えば銅の電解めっき911cと、から構成される。図3に示すように、ビア導体12導体群12gを構成する2つのビア導体12sを含むの各々は、孔12aの壁面上に形成された無電解めっき膜110bと、孔12aにおける無電解めっき膜110bの内側に充填された電解めっき110cと、から構成される。また、ビア導体22、32、42、52、62、72、82、92それぞれビア導体22s、32s、42s、52s、62s、72s、82s、92sを含むはそれぞれ、ビアホール22a、32a、42a、52a、62a、72a、82a、92aの壁面上及び底面上に形成された無電解めっき膜211b、311b、411b、511b、611b、711b、811b、911bと、各ビアホールにおける各無電解めっき膜の内側に充填された電解めっき211c、311c、411c、511c、611c、711c、811c、911cと、から構成される。ビアホール12a、22a、32a、42a、52a、62a、72a、82a、92aはそれぞれ、絶縁層の一側に導体層がある状態で穴開けを行うことによって形成され、絶縁層の他側からその導体層に至る例えば、後述の図12B、図12C、図13B、図17を参照。ビア導体12、22、32、42、52、62、72、82、92はそれぞれ、絶縁層の一側に導体層がある状態で形成されるため、ビア導体と絶縁層の一側の導体層とは、非連続になり、両者の間には界面が形成される。具体的には、例えば図3に示されるように、無電解めっき膜211b及び電解めっき211cは、ビア導体22とその上層側の導体層21との両方にわたって連続して切れ目なく形成される。そして、ビア導体12、42、62、82も、これと同様の構造を有する。一方、ビア導体12とその底面の導体層11bとの間、ビア導体22とその下層側の導体層11aとの間、ビア導体42とその下層側の導体層21との間、ビア導体62とその下層側の導体層41との間、及びビア導体82とその下層側の導体層61との間にはそれぞれ、界面切れ目が形成され、ビア導体とその下層側の導体層とは不連続になる。コア絶縁層10aの第2面F2側に関しては、無電解めっき膜311b及び電解めっき311cが、ビア導体32とその上層側の導体層31との両方にわたって連続して切れ目なく形成される。そして、ビア導体52、72、92も、これと同様の構造を有する。一方、ビア導体32とその下層側の導体層11bとの間、ビア導体52とその下層側の導体層31との間、ビア導体72とその下層側の導体層51との間、及びビア導体92とその下層側の導体層71との間にはそれぞれ、界面切れ目が形成され、ビア導体とその下層側の導体層とは不連続になる。図5に示されるビア導体12sの寸法のうち、ビア導体12sの上面F121の幅D1直径は、例えば100μmであり、ビア導体12sの底面F122の幅D2直径は、例えば80μmである。本実施形態では、コア絶縁層10aに形成される全てのビア導体12導体群12gを構成する2つのビア導体12sを含むが、互いに略同じ寸法を有する。すなわち、本実施形態では、導体群12gを構成する2つのビア導体12sの各々と、導体群12gを構成しないビア導体12とが、略同一の太さ幅を有する。こうした構造によれば、電気的特性又は製造条件等を均一にし易くなる。本実施形態では、ビア導体22、32、42、52、62、72、82、92それぞれビア導体22s、32s、42s、52s、62s、72s、82s、92sを含むの各々が、コア絶縁層10aに形成されたビア導体12と略同じ寸法を有する。すなわち、導体群12gを構成するビア導体12sの各々と、ビア導体22s第3ビア導体と、ビア導体32s第4ビア導体とは、略同一の太さを有する。こうした構造によれば、電気的特性又は製造条件等を均一にし易くなる。ただしこれに限られず、これらのビア導体は、コア基板のビア導体12と異なる寸法を有していてもよい。本実施形態では、コア絶縁層10aコア基板、絶縁層20a第1積層部の最下層の層間絶縁層、及び絶縁層30a第2積層部の最下層の層間絶縁層がそれぞれ、心材を樹脂含浸してなる。そして、図6に示すように、コア絶縁層10aに形成されたビア導体12sの側面における心材の突き出し量D101複数ある場合は平均的な値は、絶縁層20aに形成されたビア導体22s第3ビア導体の側面における心材の突き出し量D102複数ある場合は平均的な値、及び、絶縁層30aに形成されたビア導体32s第4ビア導体の側面における心材の突き出し量D103複数ある場合は平均的な値のいずれよりも大きい。こうした構造によれば、コア部において、ビアホール内の表面積ひいては、ビア導体と層間絶縁層との接触面積が大きくなるため、ビア導体と層間絶縁層との密着性が向上する。また、心材のCTE熱膨張係数は、層間絶縁層を構成する樹脂のCTEよりも小さくて、ビア導体のCTEに近いため、コア部におけるビア導体の底面でのクラック発生率を低減し易くなると考えられる。好ましい一例では、突き出し量D101及びD102及びD103はそれぞれ、約1~約3μmの範囲にある。以下、比較例を用いて、本実施形態の配線板100の特性について説明する。図7に、比較例に係る配線板を示す。図7に示す配線板は、フルスタック構造を有する。ただし、図7に示す配線板のスタック構造Sは、ビア導体10s、22s、32s、42s、52s、62s、72s、82s、92sが、同軸Z軸上に1つずつスタックされて構成される。すなわち、図7に示す配線板のスタック構造Sは、コア部に導体群を有さない。この点で、図7に示す比較例に係る配線板と、図1に示した本実施形態の配線板100とは異なる。なお、図7では、図1に示した要素と同一の要素に各々同一の符号を付して示している。比較例に係る配線板についてシミュレーションを行った結果を、図8A~図9に示す。図8A及び図8Bは、6層、8層、及び10層の配線板6層品、8層品、10層品にかかる応力特にヒートサイクルによる熱応力について、シミュレーションをした結果を示す図である。10層品は、図7に示す構造を有する配線板であり、8層品は、10層品から両面の最外層絶縁層80a、90a及び導体層81、91がなくなった配線板であり、6層品は、10層品から両面の最外2層絶縁層60a、70a、80a、90a及び導体層61、71、81、91がなくなった配線板である。図8A中、線L1は、6層品に係るデータであり、線L2は、8層品に係るデータであり、線L3は、10層品に係るデータである。図8A及び図8Bに示されるように、6層品、8層品、及び10層品のいずれにおいても、コアにかかる応力が最も大きく、コアから離れるほど応力は小さくなる。また、6層品、8層品、及び10層品の各々にかかる応力を比較すると、10層品における応力が最も大きく、次に8層品における応力が大きく、6層品における応力が最も小さい。このことから、層数が多くなるほど、配線板における応力は大きくなると推察される。図9に、8層品、10層品の各層におけるクラック占有率について、シミュレーションをした結果を示す。図9に示されるように、クラックの大半は、コアコア基板に集中すると考えられる。これにより、コア部における接続信頼性の低下が懸念される。また上述のように、層数が多くなるほど配線板における応力は大きくなると考えられるため、コア部周辺におけるクラックの発生は、配線板の層数が多くなるほど深刻になると考えられる。この点、本実施形態の配線板100は、コア基板コア絶縁層10aに、コア基板を貫通する複数のビア導体12sから構成される導体群12gが形成され、ビア導体12sの各々は、一端上面F121が共通の第1の面状導体パターンランド111sに、他端底面F122が共通の第2の面状導体パターンランド112sに、それぞれ接続される。そして、絶縁層20aコア絶縁層10aの第1面F1上の層間絶縁層に形成された第3ビア導体ビア導体22sの一端底面F222は、第1の面状導体パターンの、導体群12gを構成する2つのビア導体12sの各々の一端上面F121の外縁で区画される領域R11に接続され図4A参照、絶縁層30aコア絶縁層10aの第2面F2上の層間絶縁層に形成された第4ビア導体ビア導体32sの一端底面F322は、第2の面状導体パターンの、導体群12gを構成するビア導体12sの各々の他端底面F122の外縁で区画される領域R12に接続される図4B参照。こうした構造では、コア基板に、複数のビア導体12sから構成される導体群12gが形成されるため、大きな応力が生じ易いコア部の強度又は放熱性が向上する。その結果、熱応力が小さくなり、ビア導体12sの底面F122でのクラック、又は底面F122と導体層11bとのデラミネーションが、生じにくくなると考えられる。また、コア部の放熱性が高まることにより、配線板の耐熱性は向上すると考えられる。また、第1の面状導体パターンランド111sと第2の面状導体パターンランド112sとが複数のビア導体12sを介して接続されるため、1本のビア導体を介して接続される場合よりも、導通抵抗が低くなる。本実施形態の配線板100では、コア基板コア絶縁層10aが、第1積層部ビルドアップ部B1の層間絶縁層及び第2積層部ビルドアップ部B2の層間絶縁層絶縁層20a、30a、40a、50a、60a、70a、80a、90aのいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなる。すなわち、コア基板の耐熱性を選択的に高めている。具体的には、コア絶縁層10aが、FR-5材から構成され、絶縁層20a、30a、40a、50a、60a、70a、80a、90aがそれぞれ、FR-4材から構成される。こうした構造では、大きな応力が生じ易いコア部の耐熱性が向上する。その結果、コア部に生じる熱応力が小さくなると考えられる。以下、図10A及び図10Bを参照して、このことについて説明する。図10A及び図10Bはそれぞれ、図1に示した構造を有する配線板試料A~試料Fについてシミュレーションを行った結果を示す図である。ただし、試料A~試料Cでは、本実施形態の配線板100とは異なり、コア絶縁層10a及び絶縁層20a、30a、40a、50a、60a、70a、80a、90aがそれぞれ、FR-4材から構成される。一方、試料D~試料Fでは、本実施形態の配線板100と同様、コア絶縁層10aが、FR-5材から構成され、絶縁層20a、30a、40a、50a、60a、70a、80a、90aがそれぞれ、FR-4材から構成される。シミュレーションでは、試料A、Dについてそれぞれ、温度25°Cの状態から加熱して温度150°Cにしたときに生じた応力を求めた。また、試料B、Eについてはそれぞれ、温度25°Cの状態から加熱して温度60°Cにしたときに生じた応力を求めた。また、試料C、Fについてはそれぞれ、温度25°Cの状態から加熱して温度45°Cにしたときに生じた応力を求めた。図10A及び図10Bに示されるように、上記加熱により生じたコア基板にかかる応力は、試料Aで215MPaであり、試料Bで208MPaであり、試料Cで147MPaであり、試料Dで139MPaであり、試料Eで104MPaであり、試料Fで74MPaであった。このように、いずれの加熱においても、コア基板がFR-4材から構成される配線板試料A~試料Cよりも、コア基板がFR-5材から構成される配線板試料D~試料Fの方が、応力が小さくなった。このことから、コア基板の材料の耐熱性を、コア基板の両面に積層される第1積層部の層間絶縁層及び第2積層部の層間絶縁層のいずれを構成する材料の耐熱性よりも高くすることで、コア部に生じる熱応力を小さくすることができると考えられる。また、本実施形態の配線板100は、スルーホール導体102を有する。スルーホール導体102によれば、配線板100の全層が平均的に補強されるため、コア基板の上層絶縁層20a~90aにおけるクラックの発生が抑制されると考えられる。また、本実施形態の配線板100は、スタック構造Sを有する。スタック構造Sにより、配線スペースの確保が容易になり、配線パターンの設計自由度が高くなる。その結果、高密度配線を実現し易くなる。また、X方向又はY方向の配線を省略できるため、配線長の短縮を図ることができる。以上説明したように、本実施形態の配線板100に係る上記構造によれば、高い信頼性の電気的接続、高放熱性、低導通抵抗、及び高密度配線を有するプリント配線板が得られると考えられる。本実施形態の配線板100では、コア絶縁層10aの第1面F1側に形成される導体層の層数及びコア絶縁層10aの第2面F2側に形成される導体層の層数がそれぞれ、5層以上である。本実施形態の配線板100では、上記構造により層間の電気的接続の信頼性が向上するため、こうした多層配線板についても、高い歩留まりで製造することが可能になる。ただしこれに限定されず、上記構造が適用される配線板の層数導体層の数は任意である。以下、本実施形態に係る配線板100の製造方法について説明する。配線板100は、例えば図11に示すような手順で製造される。ステップS11では、コア基板が準備される。具体的には、図12Aに示すように、両面銅張積層板1000出発材料を準備する。両面銅張積層板1000は、コア絶縁層10aコア基板と、金属箔111a及び112aそれぞれ例えば銅箔と、を有する。コア絶縁層10aの第1面F1上には金属箔111aが形成され、コア絶縁層10aの第2面F2上には金属箔112aが形成される。コア絶縁層10aは、例えば完全に硬化したFR-5材から構成される。本実施形態では、例えばエッチングで厚さを調整することなく、はじめから所定の厚さ例えば7.5μmの金属箔111a、112aをコア絶縁層10aに貼り付ける。ただしこれに限られず、金属箔111a、112aの形成方法は任意である。例えば比較的厚い例えば12μm金属箔をコア絶縁層10aに貼り付けた後、その金属箔をハーフエッチングすることで、所定の厚さ例えば7.5μmの金属箔111a、112aを得てもよい。また、本実施形態では、出発材料である両面銅張積層板1000の金属箔111a及び112aの厚さが5μm以上である。こうした寸法にすることで、両面銅張積層板1000の強度が高まり、そのハンドリング性が向上すると考えられる。ただし、金属箔111a及び112aの厚さは、この範囲に限定されず、適宜変更してもよい。続けて、図11のステップS12では、コア絶縁層10aコア基板に導体群を形成するとともに、コア絶縁層10aコア基板の両面にそれぞれ導体層を形成する。具体的には、図12Bに示すように、例えばレーザにより、金属箔111a及びコア絶縁層10aを貫通し、金属箔112aを貫通しない開口部110dを形成する。開口部110dは、金属箔111aを貫通する開口部111dと、コア絶縁層10aを貫通する孔12aと、から構成される。開口部110dの形成後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチをする。続けて、図12Cに示すように、例えば銅のパネルめっきにより、金属箔111a上、及び開口部110d内にめっき1001を形成し、金属箔112a上に、めっき1002を形成する。これにより、開口部110dには、めっき1001が充填される。その結果、ビア導体12導体群12gを構成する2つのビア導体12sを含むが形成される。コア絶縁層10aには、ビア導体12s第1ビア導体と一緒に、ビア導体12sと略同一の太さを有し、導体群12gを構成しないビア導体12第2ビア導体も形成される。めっき1001は、例えば、無電解めっきを行って無電解めっき膜を形成し、続けてその無電解めっき膜をシード層として電解めっきを行うことで、形成される。めっき1001は、図3に示す無電解めっき膜110b、111bと電解めっき110c、111cとを構成し、めっき1002は、図3に示す無電解めっき膜112bと電解めっき112cとを構成する。無電解めっきのめっき液としては、例えば還元剤等が添加された硫酸銅溶液などを用いることができる。また、電解めっきのめっき液としては、例えば硫酸銅溶液、ピロリン酸銅溶液、青シアン化銅溶液、又はホウフッ化銅溶液などを用いることができる。続けて、図12Dに示すように、例えばリソグラフィ技術により、コア絶縁層10aの両面の導体層をパターニングする。これにより、コア絶縁層10aの第1面F1上に導体層11aが形成され、コア絶縁層10aの第2面F2上に導体層11bが形成される。導体層11aにはランド111sが含まれ、導体層11bにはランド112sが含まれる。ランド111sとランド112sとは、導体群12gを構成する2つのビア導体12sを介して、相互に接続される。上記のように、本実施形態では、開口部110d開口部111d及び孔12aの形成後に、ビア導体12及び導体層11a、11bを形成するためのめっきが行われる。続けて、図11のステップS13では、コア絶縁層10aコア基板の第1面F1上及び第2面F2上の各々に、1組の層間絶縁層及び導体層第1積層部及び第2積層部の1段目を形成する。層間絶縁層にはビア導体が形成され、層間絶縁層上の導体層とコア基板上の導体層とが、そのビア導体を介して、互いに電気的に接続される。具体的には、例えば図13Aに示すように、コア絶縁層10aの第1面F1上及び導体層11a上に、絶縁層20a層間絶縁層と、金属箔1011例えば銅箔とを、この順で配置し、コア絶縁層10aの第2面F2上及び導体層11b上に、絶縁層30a層間絶縁層と、金属箔1012例えば銅箔とを、この順で配置する。この段階では、絶縁層20a及び30aはそれぞれ、FR-4材のプリプレグ半硬化状態の接着シートからなる。ただし、プリプレグに代えて、RCFResinCoatedcopperFoilなどを用いることもできる。その後、必要に応じて、金属箔1011及び1012をハーフエッチングする。以下、こうして得られた図13Aに示す配線板を、配線板1000aという。続けて、配線板1000aをZ方向に加熱プレスする。すなわち、プレス及び加熱処理を同時に行う。プレス及び加熱により、プリプレグ絶縁層20a、30aは硬化し、部材同士は付着する。その結果、配線板1000aは一体化する。なお、プレス及び加熱処理は、複数回に分けて行ってもよい。また、加熱処理とプレスとは別々に行ってもよいが、同時に行った方が効率は良い。加熱プレスの後、別途一体化のための加熱処理を行ってもよい。続けて、例えば図13Bに示すように、例えばレーザにより、絶縁層20aにビアホール22aを形成し、絶縁層30aにビアホール32aを形成する。ビアホール22aの底面図4Aに示すビア導体22sの底面F222に相当は、ランド111sの、導体群12gを構成する2つのビア導体12sの各々の一端上面F121の外縁で区画される領域R11図4A参照内に配置され、ビアホール32aの底面図4Bに示すビア導体32sの底面F322に相当は、ランド112sの、導体群12gを構成する2つのビア導体12sの各々の他端底面F122の外縁で区画される領域R12図4B参照内に配置される。なお、必要に応じて、穴開けレーザ照射の前に黒化処理を施すことが好ましい。また、穴開け後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチをする。続けて、図13Cに示すように、例えば銅のパネルめっきにより、金属箔1011上及びビアホール22a内にめっき1013を形成し、金属箔1012上及びビアホール32a内にめっき1014を形成する。めっき1013、1014は、例えば図12Cの工程と同様、無電解めっきを行って無電解めっき膜を形成し、続けてその無電解めっき膜をシード層として電解めっきを行うことで、形成される。これにより、ビアホール22a、32aには、それぞれめっき1013、1014が充填される。その結果、ビア導体22及び32が形成される。ビア導体22は、図4Aに示すような配置を有し、ビア導体32は、図4Bに示すような配置を有する。すなわち、ビア導体22sの底面F222は、ランド111sの、導体群12gを構成する2つのビア導体12sの各々の一端上面F121の外縁で区画される領域R11図4A参照に接続され、ビア導体32sの底面F322は、ランド112sの、導体群12gを構成する2つのビア導体12sの各々の他端底面F122の外縁で区画される領域R12図4B参照に接続される。続けて、図13Dに示すように、例えばリソグラフィ技術により、絶縁層20a上の導体層と絶縁層30a上の導体層とをそれぞれパターニングする。これにより、絶縁層20a上に導体層21が形成され、絶縁層30a上に導体層31が形成される。続けて、図11のステップS14では、導体層21上及び導体層31上の各々に、1組の層間絶縁層及び導体層第1積層部及び第2積層部の2段目を形成する。1段目と同様、2段目の層間絶縁層にもビア導体が形成され、1段目の層間絶縁層上の導体層と2段目の層間絶縁層上の導体層とが、そのビア導体を介して、互いに電気的に接続される。具体的には、1段目と同様の工程図11のステップS13を経て、図14に示すように、絶縁層40a及び50aそれぞれ層間絶縁層、ビアホール42a及び52a、ビア導体42及び52、並びに導体層41及び51を形成する。第1スタック構造S1図1参照を構成するビア導体42は、第1スタック構造S1を構成する他のビア導体22と同軸Z軸上にスタックされる。また、第2スタック構造S2図1参照を構成するビア導体52は、第2スタック構造S2を構成する他のビア導体32と同軸Z軸上にスタックされる。続けて、図11のステップS15では、導体層41上及び導体層51上の各々に、1組の層間絶縁層及び導体層第1積層部及び第2積層部の3段目を形成する。2段目と同様、3段目の層間絶縁層にもビア導体が形成され、2段目の層間絶縁層上の導体層と3段目の層間絶縁層上の導体層とが、そのビア導体を介して、互いに電気的に接続される。具体的には、1段目と同様の工程図11のステップS13を経て、図15に示すように、絶縁層60a及び70aそれぞれ層間絶縁層、ビアホール62a及び72a、ビア導体62及び72、並びに導体層61及び71を形成する。第1スタック構造S1図1参照を構成するビア導体62は、第1スタック構造S1を構成する他のビア導体22等と同軸Z軸上にスタックされる。また、第2スタック構造S2図1参照を構成するビア導体72は、第2スタック構造S2を構成する他のビア導体32等と同軸Z軸上にスタックされる。続けて、図11のステップS16では、導体層61上及び導体層71上の各々に、1組の層間絶縁層及び導体層第1積層部及び第2積層部の4段目を形成するとともに、コア部及び1~4段目の積層部の全層を貫通するスルーホールを形成する。具体的には、例えば図16に示すように、絶縁層60a上及び導体層61上に、絶縁層80a層間絶縁層と、金属箔1021例えば銅箔とを、この順で配置し、絶縁層70a上及び導体層71上に、絶縁層90a層間絶縁層と、金属箔1022例えば銅箔とを、この順で配置する。この段階では、絶縁層80a及び90aはそれぞれ、FR-4材のプリプレグ半硬化状態の接着シートとなっている。ただし、プリプレグに代えて、RCFResinCoatedcopperFoilなどを用いることもできる。その後、必要に応じて、金属箔1021及び1022をハーフエッチングする。以下、こうして得られた図16に示す配線板を、配線板1000bという。続けて、配線板1000bをZ方向に加熱プレスする。すなわち、プレス及び加熱処理を同時に行う。プレス及び加熱により、プリプレグ絶縁層80a、90aは硬化し、部材同士は付着する。その結果、配線板1000bは一体化する。なお、プレス及び加熱処理は、複数回に分けて行ってもよい。また、加熱処理とプレスとは別々に行ってもよいが、同時に行った方が効率は良い。加熱プレスの後、別途一体化のための加熱処理を行ってもよい。続けて、例えば図17に示すように、例えばレーザにより、絶縁層80aを貫通するビアホール82a、絶縁層90aを貫通するビアホール92a、及び配線板1000bの全層を貫通するスルーホール102aを形成する。ビアホール82aは、ビア導体62と同軸Z軸上に形成され、ビアホール92aは、ビア導体72と同軸Z軸上に形成される。なお、必要に応じて、穴開けレーザ照射の前に黒化処理を施すことが好ましい。また、穴開け後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチをする。上記レーザの照射においては、例えば遮光マスクを設けた状態で被照射体の全面にレーザ光を照射する。ただしこれに限られず、遮光マスクを用いずに、非照射部分においてはレーザ照射を止めて、照射すべき部位のみにレーザ光を照射するようにしてもよい。また、レーザ光の走査中において、ビアホール82a及び92aを形成する部位よりも、スルーホール102aを形成する部位に照射するレーザ光の強度光量を強めることで、ビアホール82a及び92a、並びにスルーホール102aを、1回の走査で形成することができる。この際、レーザ強度光量の調整は、パルス制御で行うことが好ましい。具体的には、例えばレーザ強度を変更する場合には、1ショット1回の照射あたりのレーザ強度は変えずに、ショット数照射回数を変更するようにする。すなわち、1ショットでは所望のレーザ強度が得られない場合には、同じ照射位置に、再度レーザ光を照射する。例えば、コア部の孔12aは2ショットで形成し、ビルドアップ部B1、B2のビアホール22a、32a、42a、52a、62a、72a、82a、92aは1ショットで形成する。そして、スルーホール102aの形成では、さらにショット数を増やす。こうした制御方法によれば、照射条件を変える時間を省略できるため、スループットが向上すると考えられる。ただしこれに限られず、レーザ強度の調整方法は任意である。例えば照射位置ごとに照射条件を決め、照射回数を一定例えば1つの照射位置につき1ショットにしてもよい。スルーホール102aは、配線板1000bの一側のみからレーザ光を照射することによっても、あるいは配線板1000bの両側から同時にレーザ光を照射することによっても、形成することができる。さらに、配線板1000bの一側からレーザ光を照射して有底孔非貫通孔を形成した後、他側からレーザ光を照射してその底部を貫通させることにより、スルーホール102aを形成してもよい。また、スルーホール102aの形成方法は任意であり、例えばドリルにより、スルーホール102aを形成してもよい。続けて、図18に示すように、例えば銅のパネルめっきにより、金属箔1021上、ビアホール82a内、金属箔1022上、ビアホール92a内、及びスルーホール102a内に、めっき1023を形成する。めっき1023は、例えば図12Cの工程と同様、無電解めっきを行って無電解めっき膜を形成し、続けてその無電解めっき膜をシード層として電解めっきを行うことで、形成される。これにより、ビアホール82a、92aには、それぞれめっき1023が充填され、スルーホール102aの壁面には、めっき1023が形成される。その結果、ビア導体82、92、及びスルーホール導体102が形成される。第1スタック構造S1図1参照を構成するビア導体82は、第1スタック構造S1を構成する他のビア導体22等と同軸Z軸上にスタックされる。また、第2スタック構造S2図1参照を構成するビア導体92は、第2スタック構造S2を構成する他のビア導体32等と同軸Z軸上にスタックされる。本実施形態では、スルーホール102aの壁面へのめっき1023の形成と、最外層のビアホールビアホール82a及び92aへのめっき1023の形成とが、同時に行われる。このため、工程数の削減、ひいてはコスト削減が図られると考えられる。続けて、例えばリソグラフィ技術により、両面の導体層をパターニングする。これにより、絶縁層80a上に導体層81が形成され、絶縁層90a上に導体層91が形成される。その結果、図1に示す本実施形態に係る配線板100が完成する。その後、例えば最外層に外部接続端子を形成することで、その外部接続端子を通じて、配線板100を他の配線板と接続したり、配線板100に電子部品を実装したりすることが可能になる。なお、導体パターンの形成方法は任意である。例えばめっきレジストを用いてパターン部のみに選択的にめっきする手法、いわゆるパターンめっき法により、各導体層を形成してもよい。本実施形態に係る配線板の製造方法は、第1面F1及び第2面F2を有するコア絶縁層10aコア基板を準備することと、コア絶縁層10aの第1面F1上に位置するランド111s第1の面状導体パターンと、コア絶縁層10aの第2面F2上に位置するランド112s第2の面状導体パターンと、それぞれコア絶縁層10aを貫通し、一端上面F121が共通のランド111sに接続され、他端底面F122が共通のランド112sに接続される複数のビア導体12sそれぞれ第1ビア導体から構成される導体群12gと、ビア導体12sと略同一の太さを有し、導体群12gを構成しないビア導体12第2ビア導体と、を形成することと、コア絶縁層10aの第1面F1上及びランド111s上に、絶縁層20a第1層間絶縁層を形成することと、絶縁層20aを貫通し、一端底面F222が、ランド111sの、導体群12gを構成するビア導体12sの各々の一端上面F121の外縁で区画される領域に接続されるビア導体22s第3ビア導体を形成することと、コア絶縁層10aの第2面F2上及びランド112s上に、絶縁層30a第2層間絶縁層を形成することと、絶縁層30aを貫通し、一端底面F322が、ランド112sの、導体群12gを構成するビア導体12sの各々の他端底面F122の外縁で区画される領域に接続されるビア導体32s第4ビア導体を形成することと、ビア導体22sを介してランド111sに電気的に接続される導体層21第1上層導体層を、絶縁層20a上に形成することと、ビア導体32sを介してランド112sに電気的に接続される導体層31第2上層導体層を、絶縁層30a上に形成することと、を含む。本実施形態の製造方法によれば、配線板100図1を製造することができる。本実施形態の製造方法は、配線板100の製造に適している。こうした製造方法であれば、低コストで、良好な配線板100が得られる。実施形態2本発明の実施形態2について、上記実施形態1との相違点を中心に説明する。なおここでは、上記図1等に示した要素と同一の要素には各々同一の符号を付し、既に説明した共通の部分、すなわち説明が重複する部分については、その説明を省略又は簡略化する。本実施形態の配線板100aは、図19に示すように、実施形態1の配線板100と同様、フルスタック構造を有する。ただし、配線板100aのスタック構造Sは、ビア導体12s、22s、32s、42s、52s、62s、72s、82s、92sが、同軸Z軸上に1つずつスタックされて構成される。すなわち、配線板100aのスタック構造Sは、コア部に導体群を有さない。本実施形態の配線板100aでは、図20に示すように、スタック構造Sを構成するビア導体12s、22s、32s、42s、52s、62s、72s、82s、92sのうち、ビア導体12sの幅が、ビア導体22s、32s、42s、52s、62s、72s、82s、92sのいずれの幅よりも大きくなっている。また、スタック構造Sを構成するビア導体12ビア導体12sが、スタック構造Sを構成しないビア導体12よりも太くなっている。具体的には、図21Aに示すように、ビア導体12sの上面F121の幅D11及びビア導体12sの底面F122の幅D12がそれぞれ、ビア導体22sの上面F221の幅D21よりも大きく、且つ、ビア導体22sの底面F222の幅D22よりも大きい。また、図21Bに示すように、ビア導体12sの底面F122の幅D12は、ビア導体32sの上面F321の幅D31よりも大きく、且つ、ビア導体32sの底面F322の幅D32よりも大きい。なお、配線板100aにおけるビア導体12s及び各ビア導体は、底面よりも大きな幅の上面を有する。すなわち、幅D11は幅D12よりも大きくD11>D12、幅D21は幅D22よりも大きくD21>D22、幅D31は幅D32よりも大きいD31>D32。好ましい一例では、幅D11は125μmであり、幅D12は105μmであり、幅D21及びD31はそれぞれ、100μmであり、幅D22及びD32はそれぞれ、80μmである。ビア導体42s、62s、82sの形状及び寸法はそれぞれ、例えばビア導体22sの形状及び寸法と同じであり、ビア導体52s、72s、92sの形状及び寸法はそれぞれ、例えばビア導体32sの形状及び寸法と同じである。また、スタック構造Sを構成しないビア導体12ビア導体12s以外のビア導体12の形状及び寸法は、図19に示されるように、スタック構造Sを構成するビア導体12ビア導体12sと略同一の太さを有する。本実施形態では、コア絶縁層10aコア基板に形成される全てのビア導体が、略同じ太さになっている。図21Aに示すように、X-Y平面において、ビア導体22sの上面F221及び底面F222はそれぞれ、ビア導体12sの底面F122の直上領域投影した領域内に位置する。また、図21Bに示すように、X-Y平面において、ビア導体32sの上面F321及び底面F322はそれぞれ、ビア導体12sの底面F122の直上領域投影した領域内に位置する。本実施形態の配線板100aでは、コア基板コア絶縁層10aに形成されたビア導体12sと、ビルドアップ部B1第1積層部の層間絶縁層に形成されたビア導体22s、42s、62s、82sと、ビルドアップ部B2第2積層部の層間絶縁層に形成されたビア導体32s、52s、72s、92sとが、スタックされる。ビア導体12sは、それらスタックされたビア導体22s、32s、42s、52s、62s、72s、82s、92sのいずれよりも太い。すなわち、ビア導体12sの幅は、ビア導体22s、32s、42s、52s、62s、72s、82s、92sのいずれの幅よりも大きい。本実施形態の配線板100aでは、スタック構造Sにおいて特に応力が生じ易いコア絶縁層10aコア基板のビア導体12sフィルド導体が、他のビア導体フィルド導体よりも太くなる。これにより、ビア導体12sの強度が高くなり、コア部におけるクラック又はデラミネーション等が抑制される。また、ビア導体12sの電気抵抗の低下又は放熱性の向上により、コア部に熱応力が生じにくくなる。その結果、接続信頼性が向上する。本実施形態の配線板100aでも、実施形態1の配線板100図6参照と同様、コア絶縁層10aコア基板、絶縁層20a第1積層部の最下層の層間絶縁層、及び絶縁層30a第2積層部の最下層の層間絶縁層がそれぞれ、心材を樹脂含浸してなる。そして、コア絶縁層10aに形成されたビア導体12sの側面における心材の突き出し量は、絶縁層20aに形成されたビア導体22sの側面における心材の突き出し量、及び、絶縁層30aに形成されたビア導体の側面における心材の突き出し量のいずれよりも大きい。こうした構造によれば、コア部において、ビアホール内の表面積ひいては、ビア導体と層間絶縁層との接触面積が大きくなるため、ビア導体と層間絶縁層との密着性が向上する。また、心材のCTE熱膨張係数は、層間絶縁層を構成する樹脂のCTEよりも小さくて、ビア導体のCTEに近いため、コア部におけるビア導体の底面でのクラック発生率を低減し易くなると考えられる。本実施形態の配線板100aは、実施形態1の製造方法に準ずる方法によって、製造することができる。ただし、コア絶縁層10aコア基板にビア導体12sを形成するための工程図12B~図12Dに示す工程に相当する工程では、スタック構造Sを構成するビア導体12s及びその孔12aの数を1つにして、そのビア導体12s及びその孔12aの幅が、後工程で形成するビア導体22s、32s、42s、52s、62s、72s、82s、92s及びそのビアホール22a、32a、42a、52a、62a、72a、82a、92aの幅よりも大きくなるようにする。本実施形態に係る配線板の製造方法は、第1面F1及び第2面F2を有するコア絶縁層10aコア基板を準備することと、コア絶縁層10aの第1面F1上に位置するランド111s第1の面状導体パターンと、コア絶縁層10aの第2面F2上に位置するランド112s第2の面状導体パターンと、コア絶縁層10aを貫通し、一端上面F121がランド111sに、他端底面F122がランド112sに、それぞれ接続されるビア導体12s第1ビア導体と、ビア導体12sと略同一の太さを有し、ランド111s及び112sのいずれにも接続されないスタック構造Sを構成しないビア導体12第2ビア導体と、を形成することと、コア絶縁層10aの第1面F1上及びランド111s上に、絶縁層20a第1層間絶縁層を形成することと、ビア導体12sよりも細くて、絶縁層20aを貫通し、ランド111sに接続されるビア導体22s第3ビア導体を形成することと、コア絶縁層10aの第2面F2上及びランド112s上に、絶縁層30a第2層間絶縁層を形成することと、ビア導体12sよりも細くて、絶縁層30aを貫通し、ランド112sに接続されるビア導体32s第4ビア導体を形成することと、ビア導体22sを介してランド111sに電気的に接続される導体層21第1上層導体層を、絶縁層20a上に形成することと、ビア導体32sを介してランド112sに電気的に接続される導体層31第2上層導体層を、絶縁層30a上に形成することと、を含む。本実施形態の製造方法によれば、配線板100a図19を製造することができる。本実施形態の製造方法は、配線板100aの製造に適している。こうした製造方法であれば、低コストで、良好な配線板100aが得られる。実施形態1と同様の構成及び処理については、本実施形態でも、前述した実施形態1の効果に準ずる効果が得られる。他の実施形態図22A又は図22Bに示すように、金属箔111aを貫通する開口部111d第1開口部と、金属箔112aを貫通する開口部112d第2開口部と、コア絶縁層10aを貫通する孔12a第3開口部と、が形成され、開口部111dと開口部112dと孔12aとがつながって、コア絶縁層10a、金属箔111a、及び金属箔112aを貫通する開口部が形成されてもよい。なお、底面に孔例えば小孔が形成された導体も、ビア導体と称する。図22A又は図22Bの例では、コア絶縁層10aコア基板の第1面F1上には、金属箔111a第1金属箔と、無電解めっき膜111b及び電解めっき111c第1めっきと、から構成される導体層11a第1導体層が形成され、コア絶縁層10aコア基板の第2面F2上には、金属箔112a第2金属箔と、無電解めっき膜112b及び電解めっき112c第2めっきと、から構成される導体層11b第2導体層が形成される。こうした開口部開口部111d、開口部112d、及び孔12aの形成は、例えばビア導体12及び導体層11a、11bを形成するためのめっきに先だって行われる。このため、ビア導体12sを構成する無電解めっき膜110bと、導体層11aを構成する無電解めっき膜111bと、導体層11bを構成する無電解めっき膜112bとが、互いに一体的に切れ目なく形成され、また、ビア導体12sを構成する電解めっき110cと、導体層11aを構成する電解めっき111cと、導体層11bを構成する電解めっき112cとが、互いに一体的に切れ目なく形成される。こうした構造によれば、ビア導体12sの底面F122でのクラック、又は底面F122と導体層11bとのデラミネーションが、生じにくくなると考えられる。図22A又は図22Bに示されるようなビア導体12は、絶縁層を貫通する孔の両端が導体層で塞がれていない状態で形成される。このため、ビア導体と絶縁層の両側の導体層とは、連続する。以下、図22Aに示すコア部の形成方法について詳述する。両面銅張積層板1000を準備例えば図12A参照した後、図23Aに示すように、例えばレーザにより、金属箔111a、112a及びコア絶縁層10aを貫通する開口部110eを形成する。開口部110eは、金属箔111aを貫通する開口部111d第1開口部と、金属箔112aを貫通する開口部112d第2開口部と、コア絶縁層10aを貫通する孔12a第3開口部と、から構成される。本実施形態では、開口部111d、孔12a、及び開口部112dが連続して例えば、連続のレーザ照射で形成されるため、開口部112dの幅が、第2面F2における孔12aの幅と略一致する。開口部110eの形成後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチをする。例えば一側からレーザ光を照射して開口部110eの全体を形成することができる。ただしこれに限られず、一側からレーザ光を照射して開口部111d及び孔12a有底孔のみを形成した後、他側からレーザ光を照射してその底部を貫通させることにより、開口部112dを形成してもよい。続けて、図23Bに示すように、例えば銅のパネルめっきにより、金属箔111a上、金属箔112a上、及び開口部110e内にめっき1001を形成する。これにより、開口部110eには、めっき1001が充填される。その結果、ビア導体12導体群12gを構成する2つのビア導体12sを含むが形成される。めっき1001は、例えば、無電解めっきを行って無電解めっき膜を形成し、続けてその無電解めっき膜をシード層として電解めっきを行うことで、形成される。めっき1001は、図22Aに示す無電解めっき膜110b、111b、112bと電解めっき110c、111c、112cとを構成する。上記形成方法により、コア絶縁層10aコア基板に形成される全てのビア導体を、図22A又は図22Bに示されるような構造にすることができる。金属箔112aに形成された開口部112dの幅は、例えば第2面F2底面F122における孔12aの幅と略一致することが好ましい。しかしこれに限られず、例えば図24A又は図24Bに示すように、金属箔112aに形成された開口部112dの幅は、第2面F2底面F122における孔12aの幅よりも小さくてもよい。この場合も、ビア導体12sを構成する無電解めっき膜110bと、導体層11aを構成する無電解めっき膜111bと、導体層11bを構成する無電解めっき膜112bとが、互いに一体的に切れ目なく形成され、また、ビア導体12sを構成する電解めっき110cと、導体層11aを構成する電解めっき111cと、導体層11bを構成する電解めっき112cとが、互いに一体的に切れ目なく形成される。こうした開口部112dは、例えばレーザ第1のレーザ照射により、開口部111d及び孔12aを形成した後、第1のレーザ照射よりも小径のレーザを金属箔112aに照射すること第2のレーザ照射で、形成することができる。第2面F2底面F122における孔12aの幅D12よりも小さな幅D13を有する開口部112dの数は、図25Aに示すように、1つであってもよいし、図25Bに示すように、複数例えば4つであってもよい。金属箔112aに形成される開口部112dは、X-Y平面において、ビア導体12sの底面F122の中央部に配置されても、端部に配置されてもよい。図25A及び図25B中、第2面F2底面F122における孔12aの幅D12は、例えば80μmであり、開口部112dの幅D13は、例えば15μmである。スタック構造Sを構成する導体群12gをコア部に有する配線板例えば、実施形態1を参照において、導体群12gを構成するビア導体12sフィルド導体の各々の配置は、図4A、図4Bに示したものに限られない。例えば図26A、図26Bに示すように、X-Y平面において、コア絶縁層10aコア基板上の絶縁層20a、30aに形成されるビア導体22s、32sの一部が、コア絶縁層10aに形成される複数のビア導体12sの外縁で区画される領域R11、R12からはみ出すように配置されてもよい。ビア導体22s、32sの少なくとも一部が領域R11、R12内にあれば、電気的接続信頼性の向上等の効果は奏されると考えられる。図26Aの例では、X-Y平面において、ビア導体22sの底面F222の一部が、2つのビア導体12sの上面F121の外縁で区画される領域R11内に位置し、ビア導体22sの底面F222の他の部分が、領域R11からはみ出している。図26Bの例では、X-Y平面において、ビア導体32sの底面F322の一部が、2つのビア導体12sの底面F122の外縁で区画される領域R12内に位置し、ビア導体32sの底面F322の他の部分が、領域R12からはみ出している。上記実施形態1では、導体群12gを構成するビア導体12sの数が2つであるが、これに限られない。例えば図27Aに示すように、コア絶縁層10aに、正三角形の頂点に配置される3つのビア導体12sによって、導体群12gが形成されてもよい。また、例えば図27Bに示すように、コア絶縁層10aに、正四角形の頂点に配置される4つのビア導体12sによって、導体群12gが形成されてもよい。これらの場合も、X-Y平面において、ビア導体22s、32sの少なくとも一部が、3つ又は4つのビア導体12sの外縁で区画される領域R11又は領域R12に接続されれば、電気的接続信頼性の向上等の効果は奏されると考えられる。上記実施形態1では、コア絶縁層10aコア基板上の絶縁層20a又は30aに形成されてスタック構造Sを構成するビア導体22s、32sの数がそれぞれ1つであるが、これに限られない。例えば図28Aに示すように、絶縁層20aに、スタック構造Sを構成する複数例えば2つのビア導体22sが形成されてもよい。あるいは、絶縁層30aに、スタック構造Sを構成する複数例えば2つのビア導体32sが形成されてもよい。また、例えば図28Bに示すように、絶縁層20aに、スタック構造Sを構成する複数例えば2つのビア導体22sが形成されるとともに、絶縁層30aに、スタック構造Sを構成する複数例えば2つのビア導体32sが形成されてもよい。コア絶縁層10aコア基板上の絶縁層20aに形成されてスタック構造Sを構成するビア導体22sの数が2以上である場合には、例えば図29Aに示すように、導体群12gを構成するビア導体12sの各々の同軸上に、ビア導体22sを配置してもよい。また、例えば図29B又は図29Cに示すように、隣り合うビア導体12sの間に、それぞれビア導体22sを配置してもよい。なお、こうした配置は、ビア導体32sに適用することもできる。スタック構造Sを構成するビア導体のうち、ビア導体22s、32sよりも上層のビア導体の数を複数にしてもよい。ただし、少ないビア導体で効率良く電気的接続信頼性を高めるためには、スタック構造Sにおいて特に応力が生じ易いコア部周辺のビア導体の数を選択的に増やすことが望ましい。スタック構造Sを構成するコア部のビア導体フィルド導体が太い配線板例えば、実施形態2を参照において、スタック構造Sを構成するビア導体12sの各々の寸法の関係性は、図21A、図21Bに示したものに限られない。例えば図30Aに示すように、ビア導体12sの上面F121の幅D11ビア導体12sの最大幅を、ビア導体22sの上面F221の幅D21ビア導体22sの最大幅よりも大きくし、ビア導体12sの底面F122の幅D12を、ビア導体22sの上面F221の幅D21よりも小さくしてもよい。また、例えば図30Bに示すように、ビア導体12sの上面F121の幅D11ビア導体12sの最大幅を、ビア導体32sの上面F321の幅D31ビア導体32sの最大幅よりも大きくし、ビア導体12sの底面F122の幅D12を、ビア導体32sの上面F321の幅D31よりも小さく、且つ、ビア導体32sの底面F322の幅D32よりも大きくしてもよい。スタック構造Sを構成するビア導体12s及びビア導体22s、32s、42s、52s、62s、72s、82s、92sのうち、コア絶縁層10aコア基板に形成されるビア導体12sが、ビルドアップ部B1、B2第1積層部又は第2積層部に形成されるビア導体22s、32s、42s、52s、62s、72s、82s、92sよりも太くなっていれば、電気的接続信頼性の向上等の効果は奏されると考えられる。上記実施形態2では、コア絶縁層10aコア基板上の絶縁層20a又は30aに形成されてスタック構造Sを構成するビア導体22s、32sの数がそれぞれ1つであるが、これに限らない。ビア導体22s、32sの数は複数であってもよい。例えば図31Aに示すように、絶縁層20aに、スタック構造Sを構成する複数例えば2つのビア導体22sが形成されてもよい。あるいは、絶縁層30aに、スタック構造Sを構成する複数例えば2つのビア導体32sが形成されてもよい。また、例えば図31Bに示すように、絶縁層20aに、スタック構造Sを構成する複数例えば2つのビア導体22sが形成されるとともに、絶縁層30aに、スタック構造Sを構成する複数例えば2つのビア導体32sが形成されてもよい。コア絶縁層10aコア基板上の絶縁層20a又は30aに形成されてスタック構造Sを構成するビア導体22s、32sの数が2以上である場合には、例えば図32Aに示すように、X-Y平面において、コア絶縁層10aコア基板に形成されるビア導体12sの上面F121の直上領域投影した領域に、複数例えば3つのビア導体22sをそれぞれ、その底面F222全部が含まれるように配置してもよい。あるいは、例えば図32Bに示すように、X-Y平面において、ビア導体12sの上面F121の直上領域に、複数例えば3つのビア導体22sをそれぞれ、その底面F222の一部が含まれ、他の部分がビア導体12sの上面F121とランド111sとの間の領域に含まれるように配置してもよい。あるいは、例えば図32Cに示すように、X-Y平面において、ビア導体22sの底面F222の全部が、ビア導体12sの上面F121とランド111sとの間の領域に含まれるように配置してもよい。なお、図32A~図32Cのいずれの例でも、ビア導体22sの底面F222は、その下層のビア導体12sのランド111sからはみ出していないため、ビア導体22sはビア導体12s上にスタックされているといえる。また、ビア導体32sについても、同様の配置を適用することができる。ビア導体12s、22s、32s、42s、52s、62s、72s、82s、92s、スルーホール導体102、及びそれらの開口部孔の平面形状X-Y平面は、円真円又は楕円等に限られず任意である。これらの平面形状は、例えば図33Aに示されるように、略正方形であってもよい。また、略正六角形、略正八角形など、略正方形以外の略正多角形であってもよい。なお、多角形の角の形状は任意であり、例えば略直角でも、鋭角でも、鈍角でも、丸みを帯びていてもよい。ただし、熱応力の集中を防止する上では、角が丸みを帯びていた方が好ましい。さらに、上記平面形状の各々は、略長方形又は略三角形等であってもよいし、図33Bに示す略十字形又は図33Cに示す略正多角星形など、中心から放射状に直線を引いた形複数の羽根を放射状に配置した形であってもよい。図34A又は図34Bに示すように、コア基板コア絶縁層10a、第1積層部ビルドアップ部B1の最下層の層間絶縁層絶縁層20a、及び第2積層部ビルドアップ部B2の最下層の層間絶縁層絶縁層30aが、それ以外の層間絶縁層絶縁層40a、50a、60a、70a、80a、90aのいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなってもよい。具体的には、例えばコア絶縁層10a、及び絶縁層20a、30aがそれぞれ、FR-5材から構成され、絶縁層40a、50a、60a、70a、80a、90aがそれぞれ、FR-4材から構成される。こうした構造によれば、大きな応力が生じ易いコア部周辺の耐熱性が向上する。また、コア基板コア絶縁層10aのみが心材を含み、それ以外の層間絶縁層は心材を含んでいなくてもよい。また、コア基板コア絶縁層10a及び絶縁層20a、30aのみが心材を含み、それ以外の層間絶縁層は心材を含んでいなくてもよい。また、コア部に十分な耐熱性を確保できるのであれば、全層の絶縁層が、心材を含んでいなくてもよい。図35に示すように、最外層に、開口部1031a、1032aを有するソルダーレジスト1031、1032を形成し、開口部1031a、1032aの各々に露出したパッド導体層81、91に、それぞれ半田1031b、1032bを介して、電子部品200を実装してもよい。図35の例では、両面に電子部品200を実装しているが、片面のみに電子部品を実装してもよい。図35の例では、スタック構造Sを構成する導体群12gをコア部に有する配線板例えば、実施形態1を参照に電子部品を実装させているが、これに限られない。例えばスタック構造Sを構成するコア部のビア導体が太い配線板例えば、実施形態2を参照に、同じように電子部品を実装させてもよい。こうした電子デバイスは、携帯機器携帯電話等の回路基板などに用いることができる。図36に示すように、最外層のビア導体がそれぞれコンフォーマル導体からなってもよい。図36の例では、図1に示す配線板のビア導体82及び92をそれぞれコンフォーマル導体で形成している。その他の点についても、上記各実施形態の配線板100、100aの構成、特に、その構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。例えばビア導体等の側面又は各開口部の壁面は、テーパしていても、テーパしていなくてもよい。本発明に係る配線板の製造方法は、実施形態で示した順序及び内容に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に順序や内容を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。上記実施形態及び変形例は、任意に組み合わせることができる。用途等に応じて適切な組み合わせを選ぶことが好ましい。以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、請求項に記載されている発明や発明を実施するための形態に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。