"基板と、前記基板上に位置する窒化ガリウム系化合物半導体積層構造体であって、第1の導電型半導体層、活性層、及び第2の導電型半導体層を有する半導体積層構造体と、前記半導体積層構造体に電気的に接続された電極と、前記電極上に形成された追加電極と、前記半導体積層構造体の一部を覆う波長変換層と、を備え、前記電極は、前記波長変換層を貫通することを特徴とする発光ダイオードチップ。前記電極が、前記半導体積層構造体上に配置された第1の電極と、前記第1の電極上に配置された第1の追加電極とを有することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードチップ。前記波長変換層と前記半導体積層構造体との間に介在するスペーサ層をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードチップ。前記スペーサ層は、絶縁層を有することを特徴とする請求項3に記載の発光ダイオードチップ。前記スペーサ層は、分布ブラッグ反射器を有することを特徴とする請求項3に記載の発光ダイオードチップ。前記スペーサ層は、前記分布ブラッグ反射器と前記半導体積層構造体との間に介在する応力緩和層をさらに有することを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオードチップ。前記応力緩和層は、スピンオンガラスまたは多孔性シリコン酸化膜で形成されたことを特徴とする請求項6に記載の発光ダイオードチップ。前記第1の追加電極は、前記第1の電極に比べて狭い幅を有することを特徴とする請求項2に記載の発光ダイオードチップ。前記第1の追加電極は、前記第1の電極から離れるほど幅が狭くなることを特徴とする請求項8に記載の発光ダイオードチップ。前記半導体積層構造体上に配置され、前記半導体積層構造体に電気的に接続された第2の電極と、前記第2の電極上に配置された第2の追加電極とをさらに有することを特徴とする請求項2に記載の発光ダイオードチップ。前記第1の追加電極の上面は、前記波長変換層の上面と一致することを特徴とする請求項2に記載の発光ダイオードチップ。前記追加電極の上面と前記波長変換層の上面とは実質的に平らであることを特徴とする請求項11に記載の発光ダイオードチップ。前記第1の追加電極の上面が前記第1の電極の反対側にあり、前記第1の追加電極の上面は前記波長変換層によって覆われないことを特徴とする請求項11に記載の発光ダイオードチップ。前記電極は、前記第1の導電型半導体層に電気的に接続されることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードチップ。リード端子、発光ダイオードチップ、及び前記リード端子と前記発光ダイオードチップとを接続するボンディングワイヤを備える発光ダイオードパッケージにおいて、前記発光ダイオードチップは、基板と、前記基板の上面に位置する窒化ガリウム系化合物半導体積層構造体であって、第1の導電型半導体層、活性層、及び第2の導電型半導体層を有する半導体積層構造体と、前記半導体積層構造体に電気的に接続された電極と、前記電極上に形成された追加電極と、前記半導体積層構造体の一部を覆う波長変換層と、を備え、前記電極は、前記波長変換層を貫通し、前記ボンディングワイヤは、前記追加電極と前記リード端子を接続することを特徴とする発光ダイオードパッケージ。前記電極が、前記半導体積層構造体上に配置された第1の電極と、前記第1の電極上に配置された第1の追加電極とを有することを特徴とする請求項15に記載の発光ダイオードパッケージ。前記波長変換層と前記半導体積層構造体との間に介在するスペーサ層をさらに有することを特徴とする請求項15に記載の発光ダイオードパッケージ。前記第1の追加電極は、前記第1の電極に比べて狭い幅を有することを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードパッケージ。前記第1の追加電極は、前記第1の電極から離れるほど幅が狭くなることを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオードパッケージ。前記電極は、前記第1の導電型半導体層に電気的に接続されることを特徴とする請求項15に記載の発光ダイオードパッケージ。本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、チップレベルで波長変換等の光変換を行うことができる発光ダイオードチップ及びその製造方法を提供することにある。また、他の目的は、基板の側面から放出される光に対しても、波長変換を行うことができる発光ダイオードチップ及びその製造方法を提供することにある。また、他の目的は、波長変換等の光変換を行うと共に、ボンディングワイヤを容易にボンディングすることができる発光ダイオードチップ及びその製造方法を提供することにある。また、他の目的は、波長変換層で変換された光が再度発光ダイオードチップの内部に入射して損失することを防止することができる発光ダイオードチップを提供することにある。さらに、また他の目的は、波長変換層が光により損傷することを緩和することができる発光ダイオードチップを提供することにある。上記目的を達成するために、本発明の一実施形態による発光ダイオードチップは、基板と、前記基板上に位置する窒化ガリウム系化合物半導体積層構造体であって、第1の導電型半導体層、活性層、及び第2の導電型半導体層を有する半導体積層構造体と、前記半導体積層構造体に電気的に接続された電極と、前記電極上に形成された追加電極と、前記半導体積層構造体の上部を覆う波長変換層と、を備える。さらには、前記追加電極は、前記波長変換層を貫通する。前記追加電極を採用することにより、波長変換を行うと共に、ワイヤを容易にボンディングすることができる発光ダイオードチップを提供することができる。また、前記発光ダイオードチップは、前記波長変換層と前記半導体積層構造体との間に介在したスペーサ層をさらに有してもよい。前記スペーサ層は、絶縁層で形成される。さらには、前記スペーサ層は、分布ブラッグ反射器DistributedBraggReflectorDBRを有してもよく、また、前記分布ブラッグ反射器と前記半導体積層構造体との間に介在した応力緩和層をさらに有してもよい。前記スペーサ層は、前記波長変換層と前記半導体積層構造体との間に介在し、前記波長変換層を前記半導体積層構造体から離隔する。前記スペーサ層は、半導体積層構造体から放出される光によって発生する前記波長変換層内の蛍光体の黄変を防止する。前記分布ブラッグ反射器は、屈折率の異なる絶縁層、例えば、SiO2/TiO2またはSiO2/Nb2O5を交互に積層して形成してもよい。前記分布ブラッグ反射器は、これらの絶縁層の光学厚さを調整することにより、前記活性層で生成した光を透過し、前記波長変換層で変換された光を反射させるように形成してもよい。一方、前記応力緩和層は、前記分布ブラッグ反射器に誘発される応力を緩和し、前記分布ブラッグ反射器がその下層、例えば、半導体積層構造体から剥離することを防止する。前記応力緩和層は、スピンオンガラスSOGまたは多孔性シリコン酸化膜で形成してもよい。一方、高硬度透明樹脂が前記波長変換層を覆ってもよい。ここで、高硬度透明樹脂とは、60ショアA以上のデュロメータショア硬さを持つ樹脂を意味する。いくつかの実施形態において、前記発光ダイオードチップは、前記基板の下面上に位置する下部分布ブラッグ反射器をさらに有してもよい。前記下部分布ブラッグ反射器は、活性層で生成した光のみならず、可視光領域のほぼ全領域に対して相対的に高い反射率を有してもよい。例えば、前記下部分布ブラッグ反射器は、青色領域の光、緑色領域の光、及び赤色領域の光に対して90以上の反射率を有してもよい。また、前記下部分布ブラッグ反射器に金属層が位置してもよい。金属層は、反射金属で形成されてもよい。一方、前記追加電極は、前記電極に比べて狭い幅を有してもよく、前記電極から離れるほど幅が狭くなってもよい。これにより、前記追加電極を前記電極に安定に付着させ、以降、ワイヤをボンディングする工程の信頼性を保証することができる。いくつかの実施形態において、前記波長変換層の上面は、実質的に平らである。他の実施形態において、前記波長変換層の上面は、半導体積層構造体のトポロジーに沿って均一に形成されてもよい。いくつかの実施形態において、前記半導体積層構造体に電気的に接続する電極は、前記第1の導電型半導体層に電気的に接続する第1の電極と、前記第2の導電型半導体層に電気的に接続する第2の電極とを有してもよい。また、前記追加電極は、前記第1の電極上に形成した第1の追加電極と、前記第2の電極上に形成した第2の追加電極とを有してもよい。これらの第1の追加電極及び第2の追加電極が、前記波長変換層を貫通して前記発光ダイオードチップの外部に露出する。また、これらの第1の追加電極及び第2の追加電極の上面は、前記波長変換層の上面と一致してもよい。これとは異なり、前記半導体積層構造体に電気的に接続する電極は、前記第1の導電型半導体層に電気的に接続するものであってもよい。前記第2の導電型半導体層は、前記基板と前記第1の導電型半導体層との間に位置する。この場合、前記第2の導電型半導体層に接続する電極には、追加電極が形成されなくてもよい。さらには、前記波長変換層は、前記基板の側面を覆ってもよい。したがって、基板の側面から放出される光に対しても波長変換を行うことができる。前記基板側面の波長変換層の厚さは、前記半導体積層構造体の上部の波長変換層の厚さと実質的に同一であってもよい。本発明のまた他の実施形態による発光ダイオードチップは、基板と、前記基板上に位置し、それぞれ第1の導電型半導体層、活性層、及び第2の導電型半導体層を有する複数の半導体積層構造体と、前記複数の半導体積層構造体のうちの一つの半導体積層構造体に電気的に接続する第1の電極と、前記複数の半導体積層構造体のうちの別の半導体積層構造体に電気的に接続する第2の電極と、前記第1の電極上に形成した第1の追加電極と、前記第2の電極上に形成した第2の追加電極と、前記複数の半導体積層構造体の上部を覆う波長変換層と、を備える。また、前記第1の追加電極及び前記第2の追加電極は、前記波長変換層を貫通する。さらには、前記複数の半導体積層構造体を互いに電気的に接続する配線をさらに有してもよい。一方、前記発光ダイオードチップは、前記波長変換層と前記複数の半導体積層構造体との間に介在するスペーサ層をさらに有してもよい。前記スペーサ層は、絶縁層で形成される。さらには、前記スペーサ層は、前記波長変換層と前記複数の半導体積層構造体との間に介在する分布ブラッグ反射器をさらに有してもよい。また、応力緩和層が、前記分布ブラッグ反射器と前記複数の半導体積層構造体との間に介在してもよい。前記第1及び第2の追加電極は、それぞれ前記第1及び第2の電極に比べて狭い幅を有してもよく、また、前記第1及び第2の追加電極は、それぞれ前記第1及び第2の電極から離れるほど狭くなってもよい。一方、前記第1の電極は、前記一つの半導体積層構造体の第1の導電型半導体層に電気的に接続し、前記第2の電極は、前記半導体積層構造体または他の半導体積層構造体の第2の導電型半導体層に電気的に接続してもよい。本発明のまた他の実施形態によると、発光ダイオードチップが搭載された発光ダイオードパッケージが提供される。このパッケージは、リード端子、上述した発光ダイオードチップ、及び前記リード端子と前記発光ダイオードチップを接続するボンディングワイヤを備える。前記ボンディングワイヤは、前記発光ダイオードチップの追加電極と前記リード端子を接続する。本発明のまた他の実施形態による発光ダイオードチップの製造方法は、支持基板上に複数個のベアチップを配列するが、前記各ベアチップは、基板と、前記基板上に位置する窒化ガリウム系化合物半導体積層構造体であって、第1の導電型半導体層、活性層、及び第2の導電型半導体層を有する半導体積層構造体と、前記半導体積層構造体に電気的に接続された電極と、を備え、前記各ベアチップの電極上に追加電極を形成し、前記支持基板上で前記複数個のベアチップ及び前記追加電極を覆う透明コーティング層を形成し、前記透明コーティング層の上部を除去して前記追加電極を露出させ、前記支持基板を除去し、前記透明コーティング層を分離して個別の発光ダイオードチップに分離することを含む。均一な透明コーティング層を支持基板上においてベアチップに形成するので、ベアチップの基板側面にも均一な透明コーティング層を形成することができる。また、追加電極を用いることにより、ベアチップ上に均一な厚さで透明コーティング層を形成し、ワイヤを容易にボンディングすることができる。さらには、前記支持基板が除去できるので、活性層で生成した光の放熱経路を短くすることができる。前記透明コーティング層は、その使用目的に応じて様々な材料を含有してもよい。例えば、前記透明コーティング層は、これに限定されるものではないが、蛍光体または拡散材を含んでもよい。したがって、前記透明コーティング層は、波長変換層または拡散層として用いられる。前記半導体積層構造体に電気的に接続する電極は、前記第1の導電型半導体層に電気的に接続する第1の電極及び前記第2の導電型半導体層に電気的に接続する第2の電極を有してもよい。また、前記追加電極を形成することは、前記第1の電極上に第1の追加電極を形成し、前記第2の電極上に第2の追加電極を形成することを含んでもよい。前記第1の追加電極及び第2の追加電極の上面は、同一の高さに位置してもよい。これにより、前記透明コーティング層の上部が除去された後、透明コーティング層の上面と前記第1及び第2の追加電極の上面が同一の面に位置することができる。いくつかの実施形態において、前記追加電極を形成することは、前記ベアチップを支持基板上に配列する前に予め行われてもよい。他の実施形態において、前記追加電極を形成することは、前記ベアチップを支持基板上に配列した後に行われてもよい。さらには、前記製造方法はまた、前記透明コーティング層を形成する前に、前記支持基板上に配列したベアチップを覆うスペーサ層を形成することをさらに含んでもよい。前記スペーサ層は、単一の絶縁層または複数の絶縁層で形成しもよく、透明樹脂、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜で形成してもよい。また、前記スペーサ層は、応力緩和層をさらに有してもよく、前記分布ブラッグ反射器は、前記応力緩和層上に形成してもよい。いくつかの実施形態において、前記ベアチップは、前記半導体積層構造体の上部に位置する分布ブラッグ反射器をさらに有してもよい。また、前記ベアチップは、前記分布ブラッグ反射器と前記半導体積層構造体との間に介在する応力緩和層をさらに有してもよい。一方、前記支持基板を除去することは、前記透明コーティング層を分離する前に行われてもよいが、これに限定されるものではなく、前記透明コーティング層の上部を除去する前に行われてもよく、または前記透明コーティング層を分離した後に行われてもよい。いくつかの実施形態において、前記ベアチップは、前記基板上に位置する複数の半導体積層構造体を有してもよい。さらには、前記ベアチップは、前記複数の半導体積層構造体を互いに接続する配線をさらに有してもよい。また、前記ベアチップは、前記複数の半導体積層構造体の上部に位置するスペーサ層をさらに有してもよい。前記スペーサ層は、絶縁層で形成してもよく、分布ブラッグ反射器を有してもよい。また、前記スペーサ層は、前記分布ブラッグ反射器と前記複数の半導体積層構造体との間に介在する応力緩和層をさらに有してもよい。本発明のまた他の実施形態による発光ダイオードパッケージは、サブマウント基板と、第1の導電型半導体層、活性層、及び第2の導電型半導体層を有し、前記第1の導電型半導体層に電気的に接続する第1の電極及び前記第2の導電型半導体層に電気的に接続する第2の電極を有し、前記第1の電極及び第2の電極の少なくとも一つをその上面に有する、前記サブマウント基板上に実装されたベアチップと、前記ベアチップの上面に形成した前記第1の電極及び第2の電極の少なくとも一つを露出させ、前記ベアチップの上面と側面を一体で覆い、少なくとも前記サブマウント基板の上面の一部を覆う波長変換層と、を備える。ここで、前記サブマウント基板は、前記ベアチップの側面に沿って形成された複数のスリットを有してもよい。また、前記複数のスリットのそれぞれは、開口形状であってもよい。また、前記波長変換層は、前記複数のスリットの少なくとも一部を通じて前記サブマウント基板の内部の側面を覆ってもよい。一方、前記サブマウント基板と前記ベアチップは、メタルボンディングされてもよい。また、前記発光ダイオードパッケージは、電源供給用リードが形成された基板と、前記電源供給用リードと前記第1の電極及び第2の電極を電気的に接続するボンディングワイヤと、前記ベアチップを封止するレンズと、をさらに備えてもよい。本発明のまた他の実施形態による発光ダイオードパッケージの製造方法は、サブマウント基板を用意するステップと、そのそれぞれが第1の導電型半導体層、活性層、及び第2の導電型半導体層を有する複数のベアチップを、前記サブマウント基板上に実装するステップと、前記第1の導電型半導体層に電気的に接続する第1の電極を形成し、前記第2の導電型半導体層に電気的に接続する第2の電極を形成するステップと、前記ベアチップの上面に形成した前記第1の電極及び第2の電極の少なくとも一つを露出させ、前記ベアチップの上面と側面を一体で覆い、少なくとも前記サブマウント基板の上面の一部を覆う波長変換層を形成するステップと、を含む。ここで、前記第1の電極及び第2の電極を形成するステップは、前記第1の電極及び第2の電極の少なくとも一つを前記ベアチップの上面に形成するステップを含んでもよい。一方、前記発光ダイオードパッケージの製造方法は、金型を用いて前記第1の電極及び第2の電極を加圧し、前記金型と前記第1の電極及び第2の電極との間にギャップが生じないようにするステップをさらに含んでもよい。ここで、前記波長変換層を形成するステップは、前記金型の内部空間に蛍光体を含有する樹脂を注入して硬化させるステップを含んでもよい。一方、前記サブマウント基板を用意するステップは、前記ベアチップが実装される領域に沿って複数のスリットを形成するステップを含んでもよい。ここで、前記複数のスリットのそれぞれは、開口形状であってもよい。また、前記波長変換層を形成するステップは、前記複数のスリットの少なくとも一部を通じて前記サブマウント基板の内部側面を覆うように、前記波長変換層を形成するステップを含んでもよい。また、前記発光ダイオードパッケージの製造方法は、前記波長変換層と前記ベアチップとの間に透明樹脂層を形成するステップをさらに含んでもよい。一方、前記発光ダイオードパッケージの製造方法は、前記サブマウント基板を個別の発光ダイオードチップ単位でダイシングするステップをさらに含んでもよい。ここで、前記発光ダイオードパッケージの製造方法は、リードを有する基板に前記ダイシングした個別のベアチップを実装するステップと、前記第1の電極及び前記第2の電極をそれぞれボンディングワイヤと電気的に接続するステップと、前記個別の発光ダイオードチップを封止するレンズを形成するステップと、をさらに含んでもよい。本発明によると、基板の側面から放出される光に対しても波長変換を行うことができる発光ダイオードチップを提供することができる。また、追加電極を採用することにより、波長変換を行いながらも、ワイヤボンディングを容易に行うことができる発光ダイオードチップを提供することができる。また、スペーサ層を採用することにより、波長変換層内の蛍光体が半導体積層構造体から放出される光によって損傷することを防止することができる。また、前記スペーサ層が分布ブラッグ反射器を含むことにより、波長変換層で変換された光が半導体積層構造体の内部に再度入射することを防止することができ、光効率を改善することができる。以下、添付した図面に基づき、本発明の好適な実施形態について詳述する。以下に紹介される実施形態は、本発明の思想を当業者に充分伝達するために、例として提供されるものである。従って、本発明は、後述する実施形態に限定されず、他の形態に具体化され得る。なお、図面において、構成要素の幅、長さ、厚さ等は、説明の便宜のために誇張して表現することもある。明細書の全体にわたって、同一の参照番号は、同一の構成要素を示す。図1は、本発明の一実施形態による発光ダイオードチップ101を説明するための断面図である。発光ダイオードチップ101は、基板21、第1の導電型半導体層25、活性層27、及び第2の導電型半導体層29を有する窒化ガリウム系半導体積層構造体30、第1の電極41、第2の電極42、第1の追加電極43、第2の追加電極44、及び透明コーティング層、例えば、波長変換層50を有する。また、第1の導電型半導体層25と基板21との間にバッファ層23が介在してもよい。基板21は、半導体積層構造体が位置する上面、上面に対向する下面、上面と下面を接続する側面を有する。基板21は、透明基板であれば、特に限定されず、窒化物半導体層を成長させることができる基板、例えば、サファイア、シリコン炭化物、スピネル、またはシリコン基板等であってもよい。基板21は、半導体積層構造体に比べて相対的に厚くてもよく、半導体積層構造体で生成した光の一部が基板21の側面から放出されてもよい。活性層27、第1及び第2の導電型半導体層25、29は、III族窒化物系化合物半導体、例えばAl、Ga、InN半導体で形成されてもよい。第1の導電型半導体層25及び第2の導電型半導体層29は、それぞれ単一層または多重層であってもよい。例えば、第1導電型半導体層25及び/または第2の導電型半導体層29は、接触層とクラッド層を有してもよく、また超格子層を有してもよい。また、活性層27は、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造であってもよい。例えば、第1の導電型半導体層はn型であり、第2の導電型半導体層はp型であってもよいが、これに限定されるものではなく、その反対であってもよい。バッファ層23は、基板21と第1の導電型半導体層25との間において、格子不整合を緩和し、半導体層25、27、29内に発生する欠陥密度を減少させる。一方、第1の電極41は、第1の導電型半導体層25の露出した表面に接触し、第1の導電型半導体層25に電気的に接続する。また、第2の電極42は、第2の導電型半導体層29の上部に位置し、第2の導電型半導体層29に電気的に接続する。第1の電極41及び第2の電極42は、例えば、Ti、Cu、Ni、Al、Au、またはCrを含んでもよく、これらの2つ以上の物質で形成してもよい。また、電流の分散のための、Ni/Au、ITO、IZO、ZnOのような透明電極層を第2の導電型半導体層29上に形成してもよく、第2の電極42は、透明導電層に接続してもよい。第1の追加電極43及び第2の追加電極44が、それぞれ第1の電極41及び第2の電極42上に位置する。第1の追加電極43及び第2の追加電極44は、それぞれ第1の電極41及び第2の電極42の幅に比べて狭い幅を有する。すなわち、第1の追加電極43及び第2の追加電極44は、それぞれ第1の電極41及び第2の電極42の上部に限定される。また、第1の追加電極43及び第2の追加電極44は、それぞれ第1の電極41及び第2の電極42から離れるほど幅が狭くなる形状を有してもよい。このような形状により、第1の追加電極43及び第2の追加電極44が、それぞれ第1の電極41及び第2の電極42に安定に付着して維持することができ、ワイヤボンディング等の後続工程に有利である。第1の追加電極43及び第2の追加電極44が第1の電極41及び第2の電極42上に安定に維持されるように、底面に対する高さの比率を所定の範囲内に制限することができる。波長変換層50は、エポキシまたはシリコンに蛍光体を含有して形成し、または蛍光体のみで形成してもよい。例えば、波長変換層50は、エポキシまたはシリコンに蛍光体を含有した後、これを塗布して形成してもよい。この場合、基板21の側面に均一な厚さの波長変換層50を形成するようにモールドを用いてもよい。この際、第1の追加電極43及び第2の追加電極44の上面の全体または一部が露出するようにモールドを配置し、波長変換層50を形成してもよく、または第1の追加電極43及び第2の追加電極44を覆うように、蛍光体を含有する樹脂を塗布した後、樹脂を機械的に研磨することにより、第1の追加電極43及び第2の追加電極44の上面を露出することができる。これにより、上面が平らな波長変換層50を形成してもよく、第1の追加電極43及び第2の追加電極44が波長変換層50を貫通して発光ダイオードチップの外部に露出する。さらには、波長変換層50は、例えば、1.4~2.0の範囲内の屈折率を有してもよく、屈折率を調節するために、TiO2、SiO2、Y2O3等の粉末を波長変換層50内に混入してもよい。一方、図示のように、第1の追加電極43の上面は、第2の追加電極44の上面と同一の高さに位置してもよい。したがって、第2の導電型半導体層29及び活性層27の一部を除去し、第1の導電型半導体層25を露出させた場合、図示のように、第1の追加電極43が第2の追加電極44に比べてさらに長くてもよい。波長変換層50は、基板21の側面及び半導体積層構造体30の上部を覆ってもよい。したがって、半導体積層構造体30の上面から放出される光のみならず、基板21の側面から放出される光に対しても波長変換を行うことができる発光ダイオードチップ101が提供される。図2は、本発明の他の実施形態による発光ダイオードチップ102を説明するための断面図である。図2を参照すると、本実施形態による発光ダイオードチップ102は、図1の発光ダイオードチップ101とほぼ類似しているが、スペーサ層33、下部分布ブラッグ反射器45、及び金属層47をさらに備えることが異なる。また、透明導電層31がスペーサ層33と半導体積層構造体30の第2の導電型半導体層29との間に介在している。第2の電極42は、透明導電層31に接続してもよい。上述した実施形態の発光ダイオードチップ101と同一の構成要素については、重複を避けるために詳細な説明を省略する。スペーサ層33は、半導体積層構造体30及び透明導電層31の上部を覆ってもよい。スペーサ層33によって、波長変換層50が半導体積層構造体30から離隔する。スペーサ層33は、例えば、シリコン窒化物またはシリコン酸化物で形成してもよい。また、スペーサ層33は、屈折率の異なる絶縁層、例えば、SiO2/TiO2またはSiO2/Nb2O5を交互に積層した分布ブラッグ反射器で形成してもよい。この場合、屈折率の異なる絶縁層の光学厚さを調整することにより、スペーサ層33は、活性層27で生成した光を透過させ、外部から入射されまたは波長変換層50で変換された光を反射させることができる。このような分布ブラッグ反射器は、可視光領域のうち長波長領域の光を反射させ、活性層27で生成した短波長可視光または紫外線を透過させる反射帯域を有する。特に、TiO2に比べてNb2O5の光吸収率が相対的に小さいので、SiO2/Nb2O5を用いて分布ブラッグ反射器を形成することが光損失を防止するためにさらに好ましい。一方、基板21の下部に下部分布ブラッグ反射器45が位置する。下部分布ブラッグ反射器45は、屈折率の異なる絶縁層を交互に積層することにより形成され、青色波長領域の光、例えば、活性層27で生成した光のみならず、黄色波長領域の光若しくは緑色及び/または赤色波長領域の光に対しても相対的に高い、好ましくは90以上の反射率を有する。さらには、下部分布ブラッグ反射器45は、例えば、400~700nmの波長の範囲にわたって全体的に90以上の反射率を有してもよい。広い波長領域にわたって相対的に高い反射率を有する下部分布ブラッグ反射器45は、繰り返して積層される材料層の各光学的厚さを制御することにより形成される。下部分布ブラッグ反射器45は、例えば、SiO2の第1層とTiO2の第2層を交互に積層して形成され、またはSiO2の第1層とNb2O5の第2層を交互に積層して形成されてもよい。TiO2に比べてNb2O5の光吸収率が相対的に小さいので、SiO2の第1層とNb2O5の第2層を交互に積層することがさらに好ましい。第1層と第2層の積層数が増加するほど、分布ブラッグ反射器45の反射率がさらに安定的であり、例えば、下部分布ブラッグ反射器45の積層数は、50層以上、すなわち、25対以上であってもよい。下部分布ブラッグ反射器45において、交互に積層される第1層または第2層が全て同一の厚さを有する必要はなく、活性層27で生成した光の波長のみならず、可視領域の他の波長に対しても相対的に高い反射率を有するように第1層及び第2層の厚さが選択される。また、特定の波長帯域に対して反射率の高い複数の分布ブラッグ反射器を積層し、下部分布ブラッグ反射器45を形成することもできる。下部分布ブラッグ反射器45を採用することにより、波長変換層50で変換された光が再度基板21側に入射されるとき、この入射された光を再度反射させ、外部に放出することができ、これにより光効率を改善することができる。一方、分布ブラッグ反射器45の最上層及び最下層はSiO2であってもよい。SiO2を分布ブラッグ反射器45の最上層及び最下層に配置することにより、分布ブラッグ反射器45を基板21に安定に付着することができ、また最下のSiO2層を用いて下部分布ブラッグ反射器45を保護することができる。金属層47は、下部分布ブラッグ反射器45の下部に位置する。金属層47は、下部分布ブラッグ反射器45を透過した光を反射させるために、アルミニウムのような反射金属で形成されてもよいが、反射金属以外の金属で形成されてもよい。さらに、金属層47は、積層構造体30で生成した熱を外部に放出させやすく、発光ダイオードチップ102の熱放出性能を向上させる。本実施形態によると、スペーサ層33を長波長の可視光に対して反射率の高い分布ブラッグ反射器で形成することにより、波長変換層50で変換された光が半導体積層構造体30内に再度入射することを防止することができる。また、下部分布ブラッグ反射器45を採用することにより、外部から基板21側に入射され、または波長変換層50で変換された光が基板21側に入射した場合、これを再度反射することができ、光効率を改善することができる。図3は、本発明のまた他の実施形態による発光ダイオードチップ103を説明するための断面図である。図3を参照すると、発光ダイオードチップ103は、図2を参照して説明した発光ダイオードチップ102と類似しているが、スペーサ層33に加え、またはスペーサ層33を代替して、応力緩和層35及び上部分布ブラッグ反射器37が波長変換層50と半導体積層構造体30との間に介在することが異なる。すなわち、応力緩和層35が半導体積層構造体30の上部、例えば、スペーサ層33上に位置してもよく、その上に上部分布ブラッグ反射器37が位置する。応力緩和層35及び上部分布ブラッグ反射器37もスペーサ層として機能する。上部分布ブラッグ反射器37は、屈折率の異なる絶縁層、例えば、SiO2/TiO2またはSiO2/Nb2O5を交互に積層して形成してもよい。この場合、屈折率の異なる絶縁層の光学厚さを調整することにより、上部分布ブラッグ反射器37は、活性層27で生成した光を透過し、外部から入射されまたは波長変換層50で変換された光を反射することができる。上部分布ブラッグ反射器37は、可視光領域のうち長波長領域の光を反射し、活性層27で生成した短波長可視光または紫外線を透過する反射帯域を有する。特に、TiO2に比べてNb2O5の光吸収率が相対的に小さいので、SiO2/Nb2O5を用いて分布ブラッグ反射器を形成することが光損失を防止するためにさらに好ましい。一方、応力緩和層35は、スピンオンガラスSOGまたは多孔性シリコン酸化膜で形成してもよい。応力緩和層35は、上部分布ブラッグ反射器37の応力を緩和し、上部分布ブラッグ反射器37の剥離を防止する。屈折率の異なる絶縁層、例えば、SiO2/TiO2またはSiO2/Nb2O5を交互に積層して上部分布ブラッグ反射器37を形成する場合、相対的に高密度の層が積層されるので、分布ブラッグ反射器に生じる応力が大きくなる。これにより、分布ブラッグ反射器がその下層、例えば、スペーサ層33から剥離しやすい。したがって、応力緩和層35を上部分布ブラッグ反射器37の下部に配置することにより、上部分布ブラッグ反射器37の剥離を防止することができる。一方、本実施形態において、スペーサ層33は、単一層、例えば、シリコン窒化物またはシリコン酸化物で形成してもよく、省略してもよい。図4は、本発明のまた他の実施形態による発光ダイオードチップ104を説明するための断面図である。図4を参照すると、上述した図1乃至図3において、水平型発光ダイオードチップ101、102、103を例として説明したが、発光ダイオードチップ104は、垂直型発光ダイオードチップである。発光ダイオードチップ104は、基板51、第1の導電型半導体層25、活性層27、及び第2の導電型半導体層29を有する半導体積層構造体30、上部電極41、追加電極43、及び波長変換層60を有する。波長変換層60は、スペーサ層によって半導体積層構造体30から離隔する。例えば、スペーサ層は、図2を参照して説明したようにスペーサ層33を有してもよく、また図3を参照して説明したようにスペーサ層33、応力緩和層35、及び/または上部分布ブラッグ反射器37を有してもよい。さらには、発光ダイオードチップ104は、反射金属層55、障壁金属層57、及びボンディング金属53を有してもよい。基板51は、半導体層25、27、29を成長させるための成長基板とは異なり、既に成長された化合物半導体層25、27、29に付着した二次基板である。基板51は、導電性基板、例えば、金属基板または半導体基板であってもよいが、これに限定されるものではなく、サファイアのような絶縁基板であってもよい。半導体積層構造体30は、基板51上に位置し、第1の導電型半導体層25、活性層27、及び第2の導電型半導体層29を有する。ここで、半導体積層構造体30は、一般的な垂直型発光ダイオードのように、p型化合物半導体層29がn型化合物半導体層25に比べて基板51側に近く位置する。半導体積層構造体30は、基板51の一部の領域上に位置してもよい。すなわち、基板51が半導体積層構造体30に比べて相対的に広い面積を有し、半導体積層構造体30は、基板51の周縁で取り囲まれた領域内に位置してもよい。第1の導電型半導体層25、活性層27、及び第2の導電型半導体層29は、図1を参照して説明した半導体層と類似するので、詳細な説明を省略する。一方、抵抗が相対的に小さいn型化合物半導体層25を基板51の反対側に位置させることにより、n型化合物半導体層25の上面に粗面が形成される。基板51と半導体積層構造体30との間に反射金属層55が介在してもよく、障壁金属層57が基板51と反射金属層55との間に介在し、反射金属層55を取り囲んでもよい。さらには、基板51は、ボンディング金属53を介して半導体積層構造体30にボンディングする。反射金属層55及び障壁金属層57が、第2の導電型半導体層29に電気的に接続した下部電極として機能することができる。一方、半導体積層構造体30の上部に波長変換層60が位置する。波長変換層60は、半導体積層構造体30の上部に限定されて位置してもよいが、これに限定されず、半導体積層構造体30の側面、さらには基板51の側面を覆ってもよい。スペーサ層33が半導体積層構造体30の上面を覆い、その上に順次、応力緩和層35及び上部分布ブラッグ反射器37が位置してもよい。スペーサ層33、応力緩和層35、及び上部分布ブラッグ反射器37は、図3を参照して説明したものと同一の材質で形成してもよいので、重複を避けるために、詳細な説明を省略する。また、スペーサ層33は省略してもよい。また、スペーサ層33は、図2の実施形態において説明したように、分布ブラッグ反射器であってもよく、この場合、応力緩和層35及び上部分布ブラッグ反射器37は省略してもよい。一方、上部電極41が半導体積層構造体30、例えば、第1の導電型半導体層25上に位置し、第1の導電型半導体層25に電気的に接続し、追加電極43が上部電極41上に位置する。追加電極43は、上記図1を参照して説明した第1の追加電極43または第2の追加電極44と同一の形状及び構造を有してもよい。追加電極43が、波長変換層60から外部に露出する。図5は、本発明のまた他の実施形態による発光ダイオードチップ105を説明するための断面図である。図5を参照すると、発光ダイオードチップ105は、図1を参照して説明した発光ダイオードチップ101とほぼ類似しているが、波長変換層50が半導体積層構造体30から離れていることが異なる。すなわち、波長変換層50と半導体積層構造体30との間にスペーサ層61が介在する。波長変換層50が半導体積層構造体30から離隔していることにより、活性層27で生成した光によって波長変換層50の樹脂または蛍光体が劣化することを防止することができる。スペーサ層61は、基板21の側面と波長変換層50との間に介在してもよい。スペーサ層61は、透明樹脂、シリコン酸化膜、またはシリコン窒化膜で形成してもよい。スペーサ層61は、蛍光体に伝達される熱を減少させるために、熱伝導率が低いほど有利であり、例えば、3W/mK未満の熱伝導率を有してもよい。また、スペーサ層61が透明樹脂で形成される場合、透明樹脂の屈折率を調節するために、TiO2、SiO2、Y2O3等の粉末を透明樹脂内に混入してもよい。さらには、スペーサ層61は、単一層のみならず、複数の層で形成してもよい。スペーサ層61を構成する複数の層の屈折率及び厚さを調整することにより、活性層27で生成した光を反射し、波長変換層50で変換されて発光ダイオードチップ105内に入射する光を反射するようにスペーサ層61を形成してもよい。例えば、屈折率の異なる層、例えば、TiO2とSiO2を繰り返して積層することにより、選択的に活性層27で生成した光を透過し、または波長変換層50で変換された光を反射する分布ブラッグ反射器を形成してもよい。さらには、スペーサ層61が分布ブラッグ反射器を有する場合、分布ブラッグ反射器が剥離することを防止するために、半導体積層構造体30と分布ブラッグ反射器との間に図6に示した発光ダイオードチップ106の例のように、応力緩和層62を介在してもよい。図7は、本発明のまた他の実施形態による発光ダイオードチップ107を説明するための断面図である。図7を参照すると、発光ダイオードチップ107は、図5を参照して説明した発光ダイオードチップ105とほぼ類似しているが、スペーサ層33、下部分布ブラッグ反射器45、及び金属層47をさらに備えることが異なる。また、透明導電層31がスペーサ層33と半導体積層構造体30の第2の導電型半導体層29との間に介在している。第2の電極42は、透明導電層31に接続してもよい。スペーサ層61は、スペーサ層33を覆って波長変換層50を半導体積層構造体30からさらに離隔する。さらには、スペーサ層61が分布ブラッグ反射器である場合、スペーサ層61の剥離を防止するために、図6に示したような応力緩和層62をスペーサ層61と半導体積層構造体30との間に介在してもよい。スペーサ層33、下部分布ブラッグ反射器45、及び金属層47は、上記図2を参照して説明したものと同一であるので、重複を避けるために詳細な説明を省略する。さらには、図3を参照して説明したように、上部分布ブラッグ反射器37及び応力緩和層35が半導体積層構造体30の上部に位置してもよく、よって、波長変換層50は、半導体積層構造体30から、さらに離隔することができる。図8は、本発明のまた他の実施形態による発光ダイオードチップ108を説明するための断面図である。図8を参照すると、発光ダイオードチップ108は、図5を参照して説明した発光ダイオードチップ105とほぼ類似しているが、波長変換層50上に透明樹脂63を加えたことが異なる。すなわち、透明樹脂63が波長変換層50を覆う。透明樹脂63は、外部の湿気から蛍光体を保護する。吸湿防止のために、透明樹脂63は、高硬度、例えば、デュロメータショア硬さが60A以上であることが好ましい。高硬度透明樹脂63は、スペーサ層61を透明樹脂で形成した場合、スペーサ層61の透明樹脂に比べて高い硬さを有してもよい。さらには、高硬度透明樹脂63の屈折率を調節するために、透明樹脂63内にTiO2、SiO2、Y2O3等の粉末を混入してもよい。図9は、本発明のまた他の実施形態による発光ダイオードチップ109を説明するための断面図である。図9を参照すると、発光ダイオードチップ109は、図8を参照して説明した発光ダイオードチップ108とほぼ類似しているが、スペーサ層33、下部分布ブラッグ反射器45、及び金属層47をさらに備えることが異なる。また、透明導電層31が、スペーサ層33と半導体積層構造体30の第2の導電型半導体層29との間に介在している。第2の電極42は、透明導電層31に接続してもよい。スペーサ層61は、スペーサ層33を覆って、波長変換層50を半導体積層構造体30から、さらに離隔させる。スペーサ層33、下部分布ブラッグ反射器45、及び金属層47は、上記図2を参照して説明したものと同一であるので、重複を避けるために詳細な説明を省略する。さらには、図3を参照して説明したように、上部分布ブラッグ反射器37及び応力緩和層35が半導体積層構造体30の上部に位置してもよく、よって、波長変換層50は、半導体積層構造体30から、さらに離隔することができる。図10は、本発明のまた他の実施形態による発光ダイオードチップ110を説明するための断面図である。図10を参照すると、発光ダイオードチップ110は、図1を参照して説明した発光ダイオードチップ101とほぼ類似しているが、第1の追加電極43の上面が第2の追加電極44の上面よりも低く位置することが異なる。これにより、波長変換層70の上面はほぼ平らであるが、第1の追加電極43の近くで段差のある形状を有する。このような形状の波長変換層70は、半導体積層構造体の表面形状に沿って特殊に製作されたモールドを用いて作製してもよい。図11は、本発明のまた他の実施形態による発光ダイオードチップ111を説明するための断面図である。図11を参照すると、発光ダイオードチップ111は、図10を参照して説明した発光ダイオードチップ110とほぼ類似しているが、スペーサ層33、下部分布ブラッグ反射器45、及び金属層47をさらに備えることが異なる。また、透明導電層31がスペーサ層33と半導体積層構造体30の第2の導電型半導体層29との間に介在している。第2の電極42は、透明導電層31に接続してもよい。スペーサ層33、下部分布ブラッグ反射器45、及び金属層47は、上記図2を参照して説明したものと同一であるので、重複を避けるために詳細な説明を省略する。さらには、波長変換層70と半導体積層構造体30との間に、図3を参照して説明したように応力緩和層35及び上部分布ブラッグ反射器37が介在してもよい。図12は、本発明のまた他の実施形態による発光ダイオードチップ112を説明するための断面図である。図12を参照すると、発光ダイオードチップ112は、図10を参照して説明した発光ダイオードチップ110とほぼ類似しているが、波長変換層70が半導体積層構造体30から離れていることが異なる。すなわち、波長変換層70と半導体積層構造体との間に、図5を参照して説明したようにスペーサ層71が介在している。波長変換層70が半導体積層構造体から離隔することにより、活性層27で生成した光によって波長変換層70の樹脂または蛍光体が劣化することを防止することができる。スペーサ層71は、基板21の側面と波長変換層70との間に介在してもよい。また、スペーサ層71が分布ブラッグ反射器を有する場合、図6を参照して説明したような応力緩和層62が、スペーサ層71と半導体積層構造体30との間に介在してもよい。図13は、本発明のまた他の実施形態による発光ダイオードチップ113を説明するための断面図である。図13を参照すると、発光ダイオードチップ113は、図12を参照して説明した発光ダイオードチップ112とほぼ類似しているが、スペーサ層33、下部分布ブラッグ反射器45、及び金属層47をさらに備えることが異なる。また、透明導電層31がスペーサ層33と半導体積層構造体30の第2の導電型半導体層29との間に介在している。第2の電極42は、透明導電層31に接続してもよい。スペーサ層71は、スペーサ層33を覆って、波長変換層70を半導体積層構造体から、さらに離隔させる。スペーサ層33、下部分布ブラッグ反射器45、及び金属層47は、上記図2を参照して説明したものと同一であるので、重複を避けるために詳細な説明を省略する。さらには、図3を参照して説明したように、上部分布ブラッグ反射器37及び応力緩和層35が半導体積層構造体30の上部に位置してもよく、よって、波長変換層70は、半導体積層構造体30から、さらに離隔することができる。図14は、本発明のまた他の実施形態による発光ダイオードチップ114を説明するための断面図である。図14を参照すると、発光ダイオードチップ114は、図12を参照して説明した発光ダイオードチップ112とほぼ類似しているが、波長変換層70上に透明樹脂73が加えられたことが異なる。すなわち、透明樹脂73が波長変換層70を覆う。透明樹脂73は、外部の湿気から蛍光体を保護する。吸湿防止のために、透明樹脂73は、高硬度、例えば、デュロメータショア硬さが60A以上であることが好ましい。高硬度透明樹脂73は、スペーサ層71を透明樹脂で形成した場合、スペーサ層71の透明樹脂に比べて高い硬さを有してもよい。さらには、高硬度透明樹脂73の屈折率を調節するために、透明樹脂73内にTiO2、SiO2、Y2O3等の粉末を混入してもよい。図15は、本発明のまた他の実施形態による発光ダイオードチップ115を説明するための断面図である。図15を参照すると、発光ダイオードチップ115は、図14を参照して説明した発光ダイオードチップ114とほぼ類似しているが、スペーサ層33、下部分布ブラッグ反射器45、及び金属層47をさらに備えることが異なる。また、透明導電層31がスペーサ層33と半導体積層構造体30の第2の導電型半導体層29との間に介在している。第2の電極42は、透明導電層31に接続してもよい。スペーサ層71は、スペーサ層33を覆って、波長変換層50を半導体積層構造体30から、さらに離隔させる。スペーサ層33、下部分布ブラッグ反射器45、及び金属層47は、上記図2を参照して説明したものと同一であるので、重複を避けるために詳細な説明を省略する。さらには、図3を参照して説明したように、上部分布ブラッグ反射器37及び応力緩和層35が半導体積層構造体30の上部に位置してもよく、よって、波長変換層70は、半導体積層構造体30からさらに離隔することができる。図16は、本発明のまた他の実施形態による発光ダイオードチップ116を説明するための断面図である。図16を参照すると、発光ダイオードチップ116は、図1を参照して説明した発光ダイオードチップ101とほぼ類似しているが、基板21上に複数の半導体積層構造体30が位置することが異なる。複数の半導体積層構造体は、配線83によって互いに電気的に接続してもよい。配線83は、一つの半導体積層構造体30の第1の導電型半導体層25と、それに隣接した半導体積層構造体30の第2の導電型半導体層29を接続して直列アレイを形成することができ、このような直列アレイを並列または逆並列で接続してもよい。一方、配線83によって半導体積層構造体の第1の導電型半導体層25と第2の導電型半導体層29が短絡することを防止するために、絶縁層81が半導体積層構造体と配線83との間に介在してもよい。絶縁層81はまた、半導体積層構造体30と波長変換層50を互いに離隔させるスペーサ層として機能する。一方、第1の電極41及び第2の電極42が、それぞれ異なる半導体積層構造体30上に位置してもよい。また、本実施形態において、第1の電極41及び第2の電極42が形成される位置は、特に限定されない。例えば、第1の電極41及び第2の電極42は、全て基板21上に形成してもよく、第1の導電型半導体層25または第2の導電型半導体層29上に形成してもよい。この場合、第1の電極41及び第2の電極42は、配線83を介してそれぞれ異なる半導体積層構造体30に接続してもよい。第1の電極41及び第2の電極42上にそれぞれ第1の追加電極43及び第2の追加電極44が配置される。波長変換層50は複数の半導体積層構造体30を覆う。波長変換層50はまた、基板21を覆ってもよい。波長変換層50は、図5を参照して説明したように、スペーサ層61によって半導体積層構造体から離隔してもよい。図17は、本発明のまた他の実施形態による発光ダイオードチップ117を説明するための断面図である。図17を参照すると、発光ダイオードチップ117は、図16を参照して説明した発光ダイオードチップ116とほぼ類似しているが、第2の絶縁層85、下部分布ブラッグ反射器45、及び金属層47をさらに備えることが異なり、配線83の形成を容易にするために、半導体積層構造体30の側面が傾斜して形成されている。また、絶縁層81と各半導体積層構造体30との間に透明導電層31が位置し、透明導電層31が第2の導電型半導体層29にオーム接触する。配線83は、一つの半導体積層構造体30の第1の導電型半導体層25を、それに隣接した半導体積層構造体30の第2の導電型半導体層29または、透明導電層31に接続して直列アレイを形成することができ、このような直列アレイを並列または逆並列で接続してもよい。一方、絶縁層81は、透明導電層31を覆ってもよく、さらには、半導体積層構造体30の側面を覆ってもよい。また、半導体積層構造体30及び配線83を保護するために、第2の絶縁層85が半導体積層構造体30及び配線83を覆ってもよく、また、第2の絶縁層85は、絶縁層81を覆う。絶縁層81及び第2の絶縁層85は、同一の材質の物質膜、例えば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜で形成してもよく、それぞれ単一層で形成してもよい。この場合、第2の絶縁層85が絶縁層81から剥離することを防止するために、第2の絶縁層85が絶縁層81に比べて相対的に薄くてもよい。これとは異なり、絶縁層81及び/または第2の絶縁層85は、図2を参照して説明したスペーサ層33と類似して、屈折率の異なる絶縁層を交互に積層した分布ブラッグ反射器で形成してもよい。このような分布ブラッグ反射器は、図2で説明したように、活性層27で生成した光を透過し、波長変換層50で変換された光を反射するように形成される。好ましくは、第2の絶縁層85を分布ブラッグ反射器で形成し、絶縁層81は、SOGまたは多孔性シリコン酸化膜等の応力緩和層で形成してもよい。波長変換層50は、第2の絶縁層85の上部に位置し、絶縁層81及び第2の絶縁層85がスペーサ層として機能する。これに加えて、図5を参照して説明したようなスペーサ層61が、複数の半導体積層構造体30と波長変換層50との間に介在してもよい。また、図8を参照して説明したように、高硬度透明樹脂63が波長変換層50を覆ってもよい。図18は、本発明のまた他の実施形態による発光ダイオードチップ118を説明するための断面図である。図18を参照すると、発光ダイオードチップ118は、図17を参照して説明した発光ダイオードチップ117とほぼ類似しているが、応力緩和層87及び上部分布ブラッグ反射器89をさらに備えることが異なる。すなわち、上部分布ブラッグ反射器89が、複数の半導体積層構造体30と波長変換層50との間に位置してもよく、これに加えて、上部分布ブラッグ反射器89と複数の半導体積層構造体30との間に応力緩和層87が位置してもよい。上部分布ブラッグ反射器89は、図3を参照して説明した上部分布ブラッグ反射器37と類似して、屈折率の異なる絶縁層を交互に積層して形成してもよい。また、応力緩和層87は、図3の応力緩和層35のように、SOGまたは多孔性シリコン酸化膜で形成してもよい。上部分布ブラッグ反射器89及び応力緩和層87もまた、波長変換層50を半導体積層構造体30から離隔させるスペーサ層として機能する。本実施形態において、絶縁層81及び第2の絶縁層85は、単一層として形成してもよく、また第2の絶縁層85は省略してもよい。上述した実施形態において、蛍光体は、YAGまたはTAG系蛍光体、シリケート系蛍光体、ナイトライドまたはオキシナイトライド系蛍光体であってもよい。さらには、波長変換層50、60、または70は、同種の蛍光体を含んでもよいが、これに限定されず、2種以上の蛍光体を含んでもよい。また、波長変換層50、60、または70が単一層であるものと図示及び説明しているが、複数の波長変換層が用いられてもよく、複数の波長変換層にそれぞれ異なる蛍光体が含まれてもよい。図19は、本発明の一実施形態による発光ダイオードチップ101を搭載した発光ダイオードパッケージを説明するための断面図である。図19を参照すると、発光ダイオードパッケージは、発光ダイオードチップ101及び発光ダイオードチップ101を搭載するためのマウント91を有する。また、発光ダイオードパッケージは、ボンディングワイヤ95及びレンズ97を有してもよい。マウント91は、例えば、印刷回路基板、リードフレーム、セラミック基板等であってもよく、リード端子93a、93bを有する。発光ダイオードチップ101の第1の追加電極図1の43及び第2の追加電極図1の44が、それぞれボンディングワイヤ95を介してリード端子93a、93bに電気的に接続される。一方、レンズ97が発光ダイオードチップ101を覆う。レンズ97は、発光ダイオードチップ101から放出された光の指向角を調節し、所望の方向に光が放出されるようにする。発光ダイオードチップ101に波長変換層50が形成されているので、レンズ97は、蛍光体を含有する必要がない。本実施形態において、発光ダイオードチップ101が搭載された発光ダイオードパッケージについて説明しているが、発光ダイオードパッケージには、上記図2乃至図17を参照して説明した発光ダイオードチップ101乃至117が搭載されてもよい。以下、本発明の実施形態による発光ダイオードチップの製造方法について具体的に説明する。図20は、本発明の一実施形態による発光ダイオードチップ101の製造方法を説明するための断面図である。図20のaを参照すると、支持基板121上にベアチップ150を配列する。ベアチップ150は、等間隔で支持基板121上に配列してもよい。ベアチップ150は、図1に示すように、基板21、第1の導電型半導体層25、活性層27、及び第2の導電型半導体層29を有する窒化ガリウム系半導体積層構造体30、第1の電極41、第2の電極42を有する。また、第1の導電型半導体層25と基板21との間にバッファ層23が介在してもよい。すなわち、ベアチップ150は、図1の発光ダイオードチップ101において、第1の追加電極43及び第2の追加電極44と波長変換層50を除外した部分に該当し、重複を避けるために、ベアチップ150の各構成要素についての詳細な説明を省略する。支持基板121は、ベアチップ150が等間隔を維持するように支持する。支持基板121は、例えば、ガラス、セラミック、サファイア、GaN、Si等の基板であってもよい。図20のbを参照すると、ベアチップ150に第1の追加電極43及び第2の追加電極44をそれぞれ形成する。第1の追加電極43及び第2の追加電極44は、例えば、化学気相成長法、スパッタリング、めっき、または半田ボール等を用いて形成してもよい。第1の追加電極43及び第2の追加電極44は、Au、Ag、Cu、W、Ni、Al等の電気伝導性を有する物質で形成してもよい。これにより、図1に示したような第1の追加電極43及び第2の追加電極44をベアチップ150上に形成してもよい。図20のcを参照すると、支持基板121上において、ベアチップ150、第1の追加電極43及び第2の追加電極44を覆う波長変換層50を形成する。波長変換層50は、蛍光体を含有してもよく、また屈折率を制御するために、TiO2、SiO2、Y2O3等の粉末を含有してもよい。波長変換層50は、第1の追加電極43及び第2の追加電極44を覆うように十分厚く形成する。波長変換層50は、射出成形、トランスファー成形、圧縮成形、プリンティング等の様々な塗布方法によって形成することができる。図20のdを参照すると、波長変換層50を形成した後、支持基板121を除去する。支持基板121を容易に除去するために、支持基板121上に剥離フィルム図示せずを形成してもよい。このような剥離フィルムは、例えば、熱または紫外線等の光によって剥離可能なフィルムであってもよい。したがって、このような剥離フィルムに熱を加え、または紫外線等の光を照射することにより、支持基板121を容易に除去することができる。支持基板121を除去した後、ベアチップ150は、波長変換層50によって互いに固定されており、また別途の支持体上に付着されてもよい。図20のeを参照すると、波長変換層50の上部が除去され、第1の追加電極43及び第2の追加電極44が露出する。波長変換層50の上部は、グラインディング、カッティングまたはレーザを用いた物理的方法によって除去し、またはエッチング等の化学的方法を用いて除去してもよい。さらには、第1の追加電極43及び第2の追加電極44と波長変換層50の上面が同一面をなすように、波長変換層50の上部を除去してもよい。図20のfを参照すると、ベアチップ150間の空間を満たす波長変換層50を分離することにより、図1に示したような個別の発光ダイオードチップ101が完成する。波長変換層50は、ブレードまたはレーザを用いて分離できる。個別の発光ダイオードチップ101は、第1の追加電極43及び第2の追加電極44を露出させ、基板21の側面及び半導体積層構造体の上面を覆う波長変換層50を有する。本実施形態において、第1の追加電極43及び第2の追加電極44が支持基板121上において形成されるものと説明しているが、これに限定されず、第1の追加電極43及び第2の追加電極44は、支持基板121上にベアチップを配列する前に、ベアチップ上に形成してもよい。また、第1の追加電極43及び第2の追加電極44を形成する前に、支持基板121上に配列されたベアチップ150上にスペーサ層図5の61を先ず形成してもよく、またスペーサ層を形成する前に応力緩和層図6の62を形成してもよい。次いで、スペーサ層をパターニングして第1の電極41及び第2の電極42を露出させ、その上に第1の追加電極43及び第2の追加電極44を形成してもよい。また、本実施形態において、波長変換層50の上部を除去する前に支持基板121を除去するものと説明しているが、支持基板は、波長変換層50の上部を除去した後、または波長変換層50をブレードやレーザを用いて分離した後に除去してもよい。一方、ベアチップ150は、図2を参照して説明したようなスペーサ層33、下部分布ブラッグ反射器45、及び金属層47を有してもよく、また図3を参照して説明したような上部分布ブラッグ反射器37及び応力緩和層35を有してもよい。また、ベアチップ150が図1のように単一の半導体積層構造体30を有してもよいが、これに限定されず、ベアチップ150は、図16乃至図18を参照して説明したように、複数の半導体積層構造体30を有してもよく、絶縁層81、第2の絶縁層85、応力緩和層87、及び分布ブラッグ反射器89を有してもよい。これにより、図16乃至図18の発光ダイオードチップ116乃至118を製造できる。本実施形態において、ベアチップ150上に波長変換層50を形成して発光ダイオードチップを製造する方法について説明しているが、本発明は、波長変換層50のみならず光学的特性を変更するための多様な透明コーティング層を、波長変換層50の形成方法と類似した方法で、ベアチップ150上に形成することを含む。このような透明コーティング層は、光学的特性を改善するための多様な材料を含有してもよく、例えば、拡散材を含有してもよい。以下、図21及び図22を参照して、本発明のまた他の一実施形態による発光ダイオードを説明する。図21は、本発明の一実施形態による発光ダイオードを説明するための上部平面図であり、図22は、図21に示した発光ダイオードのC‐C’線による断面図である。図21及び図22を参照すると、本実施形態による発光ダイオードは、サブマウント基板1000、ベアチップ200、接合部材300、ベアチップ200の上部に形成された第1の電極210及び第2の電極220、第1の追加電極410及び第2の追加電極420、及び波長変換層500を備えてもよい。ここで、サブマウント基板1000は、ベアチップ200の実装及び移動のためのものであって、後述するベアチップ200の半導体積層構造体を成長させるための成長基板とは異なり、サブマウント基板上に電極図示せずを形成しても形成しなくてもよく、限定されものではないが、例えば、印刷回路板、リードフレーム、またはセラミック基板であってもよく、上面と下面、及びこれらを接続する側面を有する。また、サブマウント基板1000には、ベアチップ200が置かれる領域の周縁に沿って、第1のスリット1110及び第2のスリット1120を形成してもよい。第1のスリット1110及び第2のスリット1120は、ベアチップ200がサブマウント基板1000上に実装される位置及びベアチップ200の大きさを考慮して、ベアチップ200が実装される前に、予めサブマウント基板1000に形成され、第1のスリット1110及び第2のスリット1120とベアチップ200との間隔は一定に維持され、スリット1110、1120を形成することにより、例えば、ベアチップ200を後述するように、メタルボンディング方式でサブマウント基板上に実装する場合、スリット1110、1120によって溶融されたメタルの移動が制限されることにより、その結果、ベアチップ200が誤った位置に配置されることなく、正位置に配置することができる。また、第1のスリット1110及び第2のスリット1120は、これに制限されるものではないが、例えば、サブマウント基板1000を貫通する開口形状に形成され、または実施形態によって、例えば、エッチングの方式で形成された凹パターンの形状を取ってもよい。第1のスリット1110及び第2のスリット1120を開口形状に製造する場合、図22の領域Aに示すように、波長変換層500が第1のスリット1110の開口部を貫通し、サブマウント基板1000の上面はもとより、内部側面にも形成されることにより、波長変換層500によってサブマウント基板1000とベアチップ200が固定される。また、第1のスリット1110及び第2のスリット1120の開口形状は、同じかまたは異なってもよく、図示のように、角丸長方形と類似した形態を取ってもよいが、これに制限されず、ベアチップ200の側面に沿って延長された形状を取ってもよい。但し、図21は、第2のスリット1120をダイシングライン1140図24参照と重なる位置に形成した場合であって、個別チップ単位で切断した状態でのサブマウント基板1000を示すものであるので、第2のスリット1120は、第1のスリット1110とは異なり、その半分の形状のみを図示した。したがって、ダイシングライン1140の位置が調節される場合、第2のスリット1120は、第1のスリット1110と類似の形状で形成される。接合部材300は、サブマウント基板1000の上面にベアチップ200を付着させる役割をし、これに限定されるものではないが、例えば、ベアチップ200が水平型構造である場合、ベアチップ200の半導体層がその上部に形成された成長基板図示せずの下面とサブマウント基板1000の上面が、接合部材300を介して接着される。接合部材300は、例えば、シリコンペースト、メタルペースト、エポキシペースト等を用いて製造する。但し、本発明が特定の接合部材の種類に制限されるものではなく、ベアチップ200は、AuSnのような金属を用いたメタルボンディングによって、サブマウント基板1000上に実装してもよい。ベアチップ200は、簡略化のために図示を省略したが、第1の導電型半導体層、活性層、及び第2の導電型半導体層を有する窒化ガリウム系半導体積層構造体が形成されたLEDチップであってもよい。具体的に、半導体積層構造体は、例えば、GaN膜で形成されたn型層及びp型層と、これらの間に介在し、InGaN膜で形成された活性層とを有してもよい。このような半導体積層構造体は、通常、成長基板図示せずで成長され、成長基板は、サファイアAl2O3基板、シリコンカーバイドSiC基板、シリコンSi基板、亜鉛酸化物ZnO基板、ガリウムヒ素化物GaAs基板、またはリン化ガリウムGaP基板等を用いて形成してもよい。但し、ベアチップ200が垂直型構造である場合は、成長基板は、例えば、レーザリフトオフ工程LLOを通じて半導体積層構造体と分離する。本発明が水平型構造または垂直型構造等の特定のベアチップ構造に制限されるものではないが、以下の説明は、水平型ベアチップを中心として記載し、ベアチップ200の構成は、通常の窒化ガリウム系発光ダイオードの構造と同一であるので、詳細な説明を省略する。第1の電極210及び第2の電極220は、ベアチップ200の第1の導電型半導体層及び第2の導電型半導体層図示せずにそれぞれ電気的に接続し、例えば、Ti、Cu、Ni、Al、Au、またはCrを含んでもよく、これらの2つ以上の物質で形成してもよい。また、第1の電極210及び第2の電極220は、約10~200μmの厚さで形成してもよい。但し、図21では、第1の電極210及び第2の電極220がそれぞれ二つずつ形成したものとして図示したが、第1の電極210及び第2の電極220の形成個数や形成位置が、図示された特定の実施形態の場合に限定されるものではない。すなわち、ベアチップ200の種類に応じて、ベアチップ200が水平型構造を取る場合は、第1の電極210及び第2の電極220の全てをベアチップ200の上面に形成し、垂直型構造を取る場合は、第1の電極210及び第2の電極220のいずれか一つは省略してもよい。また、第1の電極210及び第2の電極220をベアチップ200の上面に全て形成する場合も、図21の図示とは異なり、第1の電極210及び第2の電極220をベアチップ200の上面において向かい合って一つずつ形成してもよい。すなわち、ベアチップ200そのものが大面積化することにより、図21に示すように、第1の電極210及び第2の電極220をベアチップ200の上面にそれぞれ二つずつ形成してもよいが、通常の場合は、第1の電極210及び第2の電極220は一つずつ形成し、これらの第1の電極210及び第2の電極220の位置は、水平型または垂直型構造によって異なる。但し、以下の説明は、図22の構造を中心として記載する。第1の追加電極410及び第2の追加電極420は、それぞれ第1の電極210及び第2の電極220上に約100μm以上の厚さで、例えば、Au、Cu、Ag、Al等の導電性金属材料を用いて形成できる。また、化学気相成長法、e‐Beam、スパッタリング、めっき、または半田ボール等を用いた製造方法によって形成してもよく、実施形態によって、感光性材料を塗布した後、露光及び現像して製造してもよいので、本発明が特定の電極の形成方法に限定されるものではない。また、第1の追加電極410及び第2の追加電極420は、それぞれ第1の電極210及び第2の電極220の幅に比べて狭い幅を有してもよい。すなわち、第1の追加電極410及び第2の追加電極420は、それぞれ第1の電極210及び第2の電極220の上部に配置する。また、第1の追加電極410及び第2の追加電極420は、それぞれ第1の電極210及び第2の電極220との接触面から離れるほど幅が狭くなる形状を有してもよい。このような形状によって、第1の追加電極410及び第2の追加電極420が、それぞれ第1の電極210及び第2の電極220に安定に付着して維持され、ワイヤボンディング等の後続工程に有利である。また、第1の追加電極410及び第2の追加電極420が第1の電極210及び第2の電極220上に安定に維持されるように、底面に対する高さの比率を所定の範囲内にしてもよい。波長変換層500は、エポキシまたはシリコンに蛍光体を含有して形成され、または蛍光体のみで形成され、ベアチップ200の活性層図示せずから生成した光を励起源として波長を変換させた後、出射する役割をする。ここで、蛍光体の種類は、特に限定されるものではなく、公知の波長変換用物質が全て使用可能であり、これらに限定されるものではないが、例えば、Ba、Sr、Ca2SiO4:Eu2、YAGY、Gd3Al、Ga5O12:Ce3系蛍光体、TAGTb、Gd3Al,Ga5O12:Ce3系蛍光体、Ba、Sr、Ca3SiO5:Eu2、Ba、Sr、CaMgSi2O6:Eu2、Mn2、Ba、Sr、Ca3MgSi2O8:Eu2、Mn2及びBa、Sr、CaMgSiO4:Eu2、Mn2からなる群より選ばれた1種以上であるものが挙げられる。また、本発明の一実施形態によると、波長変換層500は、ベアチップ200の上部図21の点線で表示された領域はもとより、側面にも均一な厚さで形成することができる。この際、後述するように、金型を用いて第1の追加電極410及び第2の追加電極420の上面全体または一部領域を除外した領域に、上面が平らな波長変換層500を形成し、第1の追加電極410及び第2の追加電極420が波長変換層500を貫通して発光ダイオードチップの外部に露出することにより、パッケージ作業時、ワイヤボンディングを容易に行うことができ、チップレベルで波長変換層500を形成でき、しかもワイヤボンディングのために電極を露出させる追加の工程を必要としない。さらには、波長変換層500は、例えば、1.4~2.0の範囲内の屈折率を有してもよく、屈折率を調整するために、TiO2、SiO2、Y2O3等の粉末を波長変換層50内に混入してもよい。一方、図22に示すように、第1の追加電極410の上面は、第2の追加電極420の上面と同一の高さに位置してもよい。したがって、ベアチップ200が水平型発光ダイオードであり、第2の導電型半導体層及び活性層の一部を除去し、第1の導電型半導体層を露出させた場合、第1の導電型半導体層と電気的に接続する第1の追加電極410は、第2の導電型半導体層と電気的に接続する第2の追加電極420に比べてさらに長く形成してもよい。本実施形態によると、波長変換層500がベアチップ200の上面はもとより、側面を覆うので、半導体積層構造体の上面から放出される光のみならず、その側面から放出される光に対しても、波長変換を行うことができる発光ダイオードが提供される。図23は、本発明の一実施形態によって複数の発光ダイオードが形成されたサブマウント基板を示す図であり、図24は、図23における円で示した領域を拡大した図である。本発明の一実施形態によると、一つのサブマウント基板1000上にマトリクス状に複数個のベアチップ200を実装した後、金型を用いてこれらの複数のベアチップ200の上面に一度に波長変換層500を形成し、これを個別のチップ単位でダイシングすることができる。また、この際、第2のスリット1120がダイシングライン1140と重なる位置に形成されると、このようなダイシング工程をより容易に行うことができる。一方、本発明の一実施形態によるサブマウント基板1000には、上述した第1のスリット1110及び第2のスリット1120以外にも、チップ分離用スリット1130をさらに形成してもよい。すなわち、ダイシングライン1140に沿って、サブマウント基板1000を横方向X方向に切断すると、サブマウント基板1000に一定の間隔で縦方向Y方向に形成されたチップ分離用スリット1130によって、発光ダイオードが個別のチップ単位に分離される。したがって、本発明によると、複数個のベアチップを一つの基板上に実装した後、同一の工程を通じて、全てのベアチップの上部に波長変換層を形成し、これを個別のチップ単位で切断することにより、複数の発光素子を同時に製造することができるようになるので、製造時間が短縮し、量産による製造費用の節減が可能になる。以下、図25及び図26を参照して、本発明の一実施形態による発光ダイオード及びこれを含むパッケージの製造方法について具体的に説明する。図25は、本発明の一実施形態による発光ダイオードの製造方法を説明するための流れ図であり、図26は、本発明の一実施形態による発光ダイオードの製造工程をステップ別に示した図である。但し、図25の各ステップは、同時にまたは別途行ってもよく、場合によっては、順序を変更してもよく、特定のステップは省略してもよい。したがって、本発明が図示の順序に限定されるものではない。先ず、図26のaに示すように、サブマウント基板1000を用意するステップS1。上述したように、サブマウント基板1000図24参照には、ベアチップ200が置かれる領域の周縁に沿って、複数個の第1のスリット1110及び第2のスリット1120を形成してもよく、チップ分離用スリット1130を予め形成し、追ってダイシング工程でサブマウント基板1000をX方向にのみ切断しても、発光ダイオードが個別のチップ単位で分離できる。その後、図26のbに示すように、用意されたサブマウント基板1000に複数個のベアチップ200をマトリクス状に実装することができるステップS2。ここで、ベアチップ200は、接合部材300を用いてサブマウント基板1000の上面に付着し、例えば、AuSn等を用いたメタルボンディング法を用いて付着してもよい。また、ベアチップ200の実装時、第1のスリット1110及び第2のスリット1120によって、ベアチップ200が誤った位置に配置されず、所望の位置に配置することができる。この際、ベアチップ200の上面には、第1の導電型半導体層図示せずと第2の導電型半導体層図示せずにそれぞれ電気的に接続する第1の電極210及び第2の電極220を形成してもよい。その後、図26のcに示すように、第1の電極210及び第2の電極220の上部に、それぞれ第1の追加電極410及び第2の追加電極420を形成するステップS3。第1の追加電極410及び第2の追加電極420は、例えば、Au、Cu、Ag、Al等の導電性金属材料を用いて形成することができ、化学気相成長法、e‐Beam、スパッタリング、めっき、または半田ボール等を用いた製造方法で形成することができ、実施形態によっては、感光性材料を塗布した後、露光及び現像して製造してもよい。その後、ベアチップ200の上面と側面に波長変換層500を形成するステップS4。本発明の一実施形態によると、図26のdに示すように、ベアチップ200が実装されたサブマウント基板1000を金型650でクランプし、第1の追加電極410及び第2の追加電極420の上面を加圧しながら、金型650の一面と追加電極410、420の上面が互いに密着して空間が生じないようにした状態で、金型の内部空間600に蛍光体と樹脂混合物を注入した後、樹脂を硬化させて波長変換層500を形成することができる図26のe。この際、金型650が追加電極410、420を加圧する力によって、追加電極410、420の形状が変形しながら、これらの高さが若干相違して形成されていた場合でも、金型によって高さが同一になり、金型と追加電極410、420との間にギャップが生じないようにすることができる。また、金型650が追加電極をより効果的に加圧するように、実施形態によっては、型枠の高さが追加電極410、430を有したベアチップ200の全高と同一である場合はもとより、低く調節されてもよい。また、図26のeでは、単一のベアチップ200のみを基準として図示しているが、実際の波長変換層500の形成では、図23、図24においてマトリクスで配列された複数個のベアチップ200の全体に対して単一の金型を用いて、これらの複数個のベアチップ200の上面に一度に波長変換層500を形成することが可能である。その後、波長変換層500が形成されたサブマウント基板1000をダイシングライン1140に沿って切断し、発光ダイオードを個別チップ単位で分離するステップS5。この場合、上述のように、チップとチップとの間の領域にチップ分離用スリット1130の開口がY軸方向に長く延びているので、切断作業はX軸の一方向にのみ実施してもよく、ダイシング工程が簡素化することができ、工程時間が短縮する。その後、図27に示すように、個別の発光ダイオードをパッケージ用基板1500に実装した後、第1の追加電極410及び第2の追加電極420にボンディングワイヤ800をそれぞれ電気的に接続して発光ダイオードに電源を印加するようにし、発光ダイオードを封止するレンズ700を形成して、外部から発光ダイオードを保護することができるステップS6。すなわち、図27は、本発明の一実施形態による発光ダイオードを搭載した発光ダイオードパッケージを説明するための断面図である。図27を参照すると、発光ダイオードパッケージは、ベアチップ200を搭載したサブマウント基板1000が付着されるパッケージ用基板1500、ベアチップ200上に形成された第1の追加電極410及び第2の追加電極420と電気的に接続するボンディングワイヤ800、及びベアチップ200を封止するレンズ700を備えてもよい。パッケージ用基板1500は、サブマウント基板1000とは異なり、ベアチップ200への電源供給のために設けられた基板であり、これに限定されるものではないが、例えば、印刷回路板、リードフレーム、セラミック基板等であってもよく、電源供給用リード端子図示せずを有してもよい。したがって、ベアチップ200の第1の追加電極410及び第2の追加電極420が、それぞれボンディングワイヤ800を介してリード端子に電気的に接続される。一方、レンズ700は、波長変換層500が形成されたサブマウント基板1000を一体で封止するように、すなわち、ベアチップ200の全体を覆って形成され、ベアチップ200から放出された光の指向角を調整し、所望の方向に光を放出することができる。本実施形態によると、ベアチップ200に波長変換層500が形成されているので、レンズ700は、蛍光体を含む必要がないが、場合によっては、波長変換層500に含まれた蛍光体と異なる蛍光体を含んでもよい。したがって、本発明の一実施形態によって、サブマウント基板1000に実装されたベアチップ200を用いて、発光ダイオードをパッケージ化することにより、パッケージデザイン設計をより自由にすることができ、パッケージ作業が単純化し、作業能率が向上する。以下、図28を参照して、本発明の他の実施形態による発光ダイオードについて説明する。上述した実施形態とは異なり、例えば、図22の発光ダイオードは、波長変換層500がベアチップ200の半導体積層構造体と接している構造体であるが、図28に示した発光ダイオードは、波長変換層500が半導体積層構造体から離れているように、すなわち、波長変換層500と半導体積層構造体との間に透明樹脂550が介在するように形成される。これにより、波長変換層500が半導体積層構造体から離隔することにより、活性層図示せずで生成した光によって波長変換層500の樹脂または蛍光体が劣化することを防止することができる。また、この場合、透明樹脂550は、サブマウント基板1000に形成した第1のスリット1110の内側面と波長変換層500との間に介在してもよい図28の領域B。ここで、透明樹脂550は、蛍光体に伝達される熱を減少させるために、熱伝導率が低いほど有利であり、例えば、3W/mK未満であってもよい。また、透明樹脂550の屈折率を調節するために、TiO2、SiO2、Y2O3等の粉末を透明樹脂内に混入してもよい。または、図示してはいないが、透明樹脂550よりも高い硬さの高硬度透明樹脂図示せずが、波長変換層500を覆うように、波長変換層500の上部にさらに形成されてもよい。この場合、高硬度透明樹脂は、外部の湿気から蛍光体を保護することができ、吸湿防止のために、高硬度透明樹脂は、例えば、デュロメータショア硬さが60A以上であることが好ましい。さらには、高硬度透明樹脂の屈折率を調節するために、TiO2、SiO2、Y2O3等の粉末を樹脂に混入してもよい。以上、本発明による発光ダイオードチップとその製造方法、及びそれを含むパッケージとその製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではなく、波長変換物質を含む多様な構造を有する発光素子への応用が可能である。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲内で修正及び変形して実施することができ、本発明の範囲は、上述した詳細な説明よりも、後述する特許請求の範囲によって定められ、特許請求の範囲の意味及び範囲、またその均等概念から導出される全ての変更または変形された形態が、本発明の範囲に含まれるものと解釈されなければならない。"