"交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域に複数のバンプを有するデバイスがそれぞれ形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備え、外周縁にウエーハの結晶方位を示すV字状切欠きが形成されたウエーハの裏面を研削して所定厚みへと薄化するウエーハの研削方法であって、該V字状切欠きを起点に発生したクラックが該デバイス領域に伸長することを防止するウエーハの表面からウエーハの仕上げ厚みに至る深さのクラック防止部を該V字状切欠きの頂点に対向させてウエーハの該外周余剰領域に形成するクラック防止部形成ステップと、ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、該保護部材配設ステップを実施した後、該保護部材を介してウエーハをチャックテーブルで保持して裏面を露出させる保持ステップと、該チャックテーブルで保持されたウエーハの裏面を研削手段で研削して該仕上げ厚みへと薄化する研削ステップと、を具備したことを特徴とするウエーハの研削方法。前記クラック防止部形成ステップでは、切削ブレードでウエーハの表面から該ウエーハの仕上げ厚みに至る深さの溝を形成する請求項1記載のウエーハの研削方法。前記クラック防止部形成ステップでは、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームを照射してウエーハの表面から該ウエーハの仕上げ厚みに至る深さの溝を形成する請求項1記載のウエーハの研削方法。前記クラック防止部形成ステップでは、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを照射してウエーハの表面から該ウエーハの仕上げ厚みに至る深さの改質層を形成する請求項1記載のウエーハの研削方法。ウエーハの裏面研削時にバンプ付きウエーハの表面側をチャックテーブルで保持した際、バンプが形成されたデバイス領域はチャックテーブルで保持されるが、バンプが形成されていない外周余剰領域はチャックテーブルの保持面から浮いた状態となる。従って、この状態で研削砥石でウエーハを押圧しつつウエーハの裏面を研削すると、外周余剰領域からクラックが発生し易い。特に、ノッチが形成されたバンプ付きウエーハでは、ノッチを起点にクラックが発生し、このクラックがデバイス領域に達するとデバイスを破損させるため非常に問題となる。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ノッチを起点に発生したクラックによってデバイスが破損される恐れを低減可能なウエーハの研削方法を提供することである。本発明によると、交差する複数の分割予定ラインで区画された各領域に複数のバンプを有するデバイスがそれぞれ形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備え、外周縁にウエーハの結晶方位を示すV字状切欠きが形成されたウエーハの裏面を研削して所定厚みへと薄化するウエーハの研削方法であって、該V字状切欠きを起点に発生したクラックが該デバイス領域に伸長することを防止するウエーハの表面からウエーハの仕上げ厚みに至る深さのクラック防止部を該V字状切欠きの頂点に対向させてウエーハの該外周余剰領域に形成するクラック防止部形成ステップと、ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、該保護部材配設ステップを実施した後、該保護部材を介してウエーハをチャックテーブルで保持して裏面を露出させる保持ステップと、該チャックテーブルで保持されたウエーハの裏面を研削手段で研削して該仕上げ厚みへと薄化する研削ステップと、を具備したことを特徴とするウエーハの研削方法が提供される。好ましくは、クラック防止部形成ステップでは、切削ブレードでウエーハの表面からウエーハの仕上げ厚みに至る深さの溝を形成する。代替案として、クラック防止部形成ステップでは、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームを照射してウエーハの表面からウエーハの仕上げ厚みに至る深さの溝を形成する。他の代替案では、クラック防止部形成ステップでは、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを照射してウエーハの表面からウエーハの仕上げ厚みに至る深さの改質層を形成する。本発明のウエーハの研削方法では、まずV字状切欠きであるノッチに対向してウエーハの外周余剰領域に、V字状切欠きを起点に発生したクラックがデバイス領域に伸長することを防止するウエーハの表面から仕上げ厚みに至る深さのクラック防止部が形成される。その後、ウエーハの裏面が研削されるため、V字状切欠きを起点にクラックが発生してもクラック防止部によってクラックの伸長が防止され、クラックがデバイス領域に到達してデバイスを破損してしまう恐れを低減できる。また、V字状切欠きを起点にクラックが発生してウエーハの外周余剰領域の一部が割れた状態でも、保護部材によってウエーハの形態を保つため、後の搬送、ハンドリング時等に支障をきたす恐れがない。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明の研削方法により研削するのに適した半導体ウエーハ11の斜視図が示されている。半導体ウエーハ11は表面11a及び裏面11bを有しており、表面11aには複数のストリート分割予定ライン13が直交して形成されており、ストリート13によって区画された各領域にそれぞれデバイス15が形成されている。図1の拡大図に示すように、各デバイス15の4辺には複数の突起状のバンプ17が形成されている。半導体ウエーハ11はその表面11aに複数のデバイス15が形成されたデバイス領域19と、デバイス領域19を囲繞する外周余剰領域21を有している。外周余剰領域21にはデバイス15が形成されていないので、バンプ17も形成されていないことになる。更に、半導体ウエーハ11はその外周縁にウエーハの結晶方位を示すV字状切欠きであるノッチ23を有している。このノッチ23はフォトリソグラフィでデバイスを形成する際に露光パターンの位置決め等のために用いられる。半導体ウエーハ11の厚みは例えば700μmである。本発明のウエーハの研削方法では、ノッチ23を起点に発生したクラックがデバイス領域19に伸長することを防止するウエーハの表面11aからウエーハ11の仕上げ厚みに至る深さのクラック防止部をノッチ23の頂点に対向したウエーハ11の外周余剰領域21に形成するクラック防止部形成ステップを実施する。このクラック防止部形成ステップの第1実施形態では、図2に示す切削装置の切削ユニット10を使用して実施する。切削ユニット10はモータにより高速回転されるスピンドル12と、スピンドル12の先端部に装着された切削ブレード14とを含んでいる。クラック防止部形成ステップの第1実施形態では、図2に示すように高速回転する切削ブレード14でノッチ23を有する外周余剰領域21に切り込み、ウエーハ11を保持した切削装置の図示しないチャックテーブルを矢印X1方向に加工送りすることにより、図3に示すようなウエーハの仕上げ厚みに至る深さ例えば120μmの切削溝25を形成する。図4を参照すると、本発明第2実施形態のクラック防止部の斜視図が示されている。本実施形態では、切削ブレード14でノッチ23の内側の外周余剰領域21を円形に切削し、ウエーハ11の表面11aからウエーハの仕上げ厚みに至る深さの円形溝27を形成する。図5を参照すると、本発明第2実施形態のクラック防止部形成ステップの斜視図が示されている。本実施形態では、ウエーハ11に対して吸収性を有する波長例えば355nmのレーザビームをノッチ23を含む外周余剰領域21に照射して、ウエーハ11の表面11aからウエーハ11の仕上げ厚みに至る深さのレーザ加工溝25を形成する。16はレーザ加工装置のレーザビームの照射ユニットであり、ケーシング18中に収容された図3のブロック図に示すレーザビームの発生ユニット20と、ケーシング18の先端部に取り付けられた集光器22とから構成される。24は顕微鏡及びカメラを有する撮像ユニットであり、レーザ加工すべき領域を検出するために用いられる。図6に示すように、レーザビーム発生ユニット20は、YAGレーザ又はYVO4レーザを発振するレーザ発振器26と、繰り返し周波数設定手段28と、パルス幅調整手段30と、パワー調整手段32とを含んでいる。レーザビーム発生ユニット20のパワー調整手段32により所定パワーに調整されたレーザビームは、集光器22のミラー34で反射され、更に集光用対物レンズ36によって集光されてチャックテーブル38に保持されている半導体ウエーハ11に照射される。図7を参照すると、本発明第3実施形態のクラック防止部の斜視図が示されている。本実施形態では、例えば図5に示したのと同様なレーザビーム照射ユニット16を用いて、ウエーハ11に対して吸収性を有する波長例えば355nmのレーザビームをデバイス領域19と外周余剰領域21との境界部に照射して、境界部全周にレーザ加工溝29を形成する。このレーザ加工溝29は、ウエーハ11の表面11aからウエーハ11の仕上げ厚みに至る深さの溝とする。次に、図8及び図9を参照して、本発明第3実施形態のクラック防止部形成ステップについて説明する。本実施形態では、図6に示したなレーザビーム発生ユニット20のレーザ発振器26にYAGレーザ又はYVO4レーザを採用し、ウエーハ11に対して透過性を有する波長である1064nmのレーザビームを発振する。このレーザビームを集光器22によりウエーハ11の表面11a近傍に集光し、ウエーハ11を保持したチャックテーブルを矢印X1方向に加工送りして、図9に示すようにウエーハ11の表面11aからウエーハの仕上げ厚みに至る深さの改質層31を形成する。この改質層31は溶融再硬化層として形成され、周囲よりも強度の劣った領域となる。クラック防止部形成ステップは上述した第1乃至第3実施形態に加えて、エッチングによりノッチ23部分を除去するような方法でもよい。本発明の研削方法では、クラック防止部形成ステップ実施後、ウエーハ11の表面11aに保護部材を配設する保護部材配設ステップを実施する。例えば、図10に示すように、保護部材として保護テープ33を採用し、ウエーハ11の表面11aに保護テープ33を貼着する。保護部材配設ステップを実施した後、図11に示すような研削装置42を使用して、ウエーハ11の裏面11bを研削手段研削ユニットで研削してウエーハ11を仕上げ厚み例えば100μmへと薄化する研削ステップを実施する。図4において、44は研削装置42のベースであり、ベース44の後方にはコラム46が立設されている。コラム46には、上下方向に伸びる一対のガイドレール48が固定されている。この一対のガイドレール48に沿って研削ユニット研削手段50が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット50は、スピンドルハウジング52と、スピンドルハウジング52を保持する支持部54を有しており、支持部54が一対のガイドレール48に沿って上下方向に移動する移動基台56に取り付けられている。研削ユニット50は、スピンドルハウジング52中に回転可能に収容されたスピンドル58と、スピンドル58を回転駆動するモータ60と、スピンドル58の先端に固定されたホイールマウント62と、ホイールマウント62に着脱可能に装着された研削ホイール64とを含んでいる。研削装置42は、研削ユニット50を一対の案内レール48に沿って上下方向に移動するボールねじ70とパルスモータ72とから構成される研削ユニット送り機構74を備えている。パルスモータ72を駆動すると、ボールねじ70が回転し、移動基台56が上下方向に移動される。ベース44の上面には凹部44aが形成されており、この凹部44aにチャックテーブル機構76が配設されている。チャックテーブル機構76はチャックテーブル78を有し、図示しない移動機構によりウエーハ着脱位置Aと、研削ユニット50に対向する研削位置Bとの間でY軸方向に移動される。80,82は蛇腹である。ベース44の前方側には、研削装置42のオペレータが研削条件等を入力する操作パネル84が配設されている。ウエーハ11の表面11aに保護テープ33を貼着する保護部材配設ステップを実施した後、図12に示すように、保護テープ33を介してウエーハ11をチャックテーブル78で吸引保持してウエーハ11の裏面11bを露出させる保持ステップを実施する。図12に示す吹き出し部分に示された拡大断面図において、23aはノッチ23の頂点の位置を示しており、25は切削溝、t1はウエーハの仕上げ厚みをそれぞれ示している。図13に示すように、研削ユニット50のスピンドル58の先端に固定されたホイールマウント62には、研削ホイール64が図示しないねじにより着脱可能に装着されている。研削ホイール64は、ホイール基台66の自由端部下端部に複数の研削砥石68を環状に配設して構成されている。裏面研削ステップでは、チャックテーブル78を矢印aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール64を矢印bで示す方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、研削ユニット送り機構74を駆動して研削ホイール64の研削砥石68をウエーハ11の裏面11bに接触させる。そして、研削ホイール64を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。接触式又は非接触式の厚み測定ゲージでウエーハ11の厚さを測定しながら、ウエーハ11を仕上げ厚み、例えば100μmに研削する。切削溝25はウエーハ11の仕上げ厚みに至る深さ、例えば120μmの深さを有しているため、ウエーハ11を仕上げ厚み100μmに研削すると、ノッチ23を含む外周余剰領域21がデバイス領域19から分離される。よって、ノッチ23の頂点23aから発生したクラック35は切削溝25によって遮断され、クラック35がデバイス領域19に到達することが防止される。改質層31が形成された図9に示す実施形態においては、ウエーハ11の裏面11bを研削してウエーハ11を仕上げ厚みである100μmに薄化すると、改質層31は脆弱な層であるため、ノッチ23を含む外周余剰領域21に外力を加えることにより、ノッチ23を含む外周余剰領域21は改質層31部分で破断される。何れの実施形態においても、ウエーハ11の裏面11bを研削して、ウエーハ11を仕上げ厚みへと薄化することにより、ノッチ23を含む外周余剰領域21がウエーハ11の他の部分から除去される。よって、ウエーハ11のその後の搬送、ハンドリング時等において、ノッチを起点にクラックが発生することが防止される。"