送電側給電コイル及び送電側共振コイルを有する送電装置と、受電側給電コイル及び受電側共振コイルを有する受電装置とを備え、前記送電側共振コイルおよび前記受電側共振コイルの共振周波数と等しい周波数の電力を前記送電側共振コイルに供給して励振し、前記送電側共振コイルと前記受電側共振コイルとの間の磁界共鳴現象により電力を伝送して前記受電側給電コイルから電力を取り出す非接触電力伝送装置において、前記送電側共振コイルに集中定数インダクタおよび集中定数キャパシタが付加された送電側共振コイル装置、または前記受電側共振コイルに集中定数インダクタおよび集中定数キャパシタが付加された受電側共振コイル装置の少なくとも一方が構成されていることを特徴とする非接触電力伝送装置。前記集中定数インダクタのインダクタンスおよび前記集中定数キャパシタのキャパシタンスは、前記送電側共振コイル装置のインダクタンスと前記受電側共振コイル装置のインダクタンスが等しく、かつ前記送電側共振コイル装置のキャパシタンスと前記受電側共振コイル装置のキャパシタンスが等しくなるように設定されている請求項1に記載の非接触電力伝送装置。送電側給電コイル及び送電側共振コイルを有する送電装置と、受電側給電コイル及び受電側共振コイルを有する受電装置とを用い、前記送電側共振コイルおよび前記受電側共振コイルの共振周波数と等しい周波数の電力を前記送電側共振コイルに供給して励振し、前記送電側共振コイルと前記受電側共振コイルとの間の磁界共鳴現象により電力を伝送して前記受電側給電コイルから電力を取り出す非接触電力伝送に用いられる前記送電装置において、前記送電側共振コイルに集中定数インダクタおよび集中定数キャパシタが付加されていることを特徴とする送電装置。送電側給電コイル及び送電側共振コイルを有する送電装置と、受電側給電コイル及び受電側共振コイルを有する受電装置とを用い、前記送電側共振コイルおよび前記受電側共振コイルの共振周波数と等しい周波数の電力を前記送電側共振コイルに供給して励振し、前記送電側共振コイルと前記受電側共振コイルとの間の磁界共鳴現象により電力を伝送して前記受電側給電コイルから電力を取り出す非接触電力伝送に用いられる前記受電装置において、前記受電側共振コイルに集中定数インダクタおよび集中定数キャパシタが付加されていることを特徴とする送電装置。上述のように、共鳴回路が密結合にある場合、伝送効率が最大になる周波数がインダクタとキャパシタによる共鳴周波数より低い周波数と高い周波数に分離する。そのため送信周波数を伝送効率が最大になる周波数に調整しなければならない。一方、非接触で電力を伝送する場合、ISMバンドIndustryScienceMedicalbandに周波数を設定する必要がある。ところが、結合係数kが大きい密結合状態の場合、周波数の変動幅が大きくなり、ISMバンド外の電磁波の放射が発生する可能性がある。そのため、磁界共鳴による電力の伝送に支障を生じないように、ISMバンド外の電磁波放射を遮断する対策が必要となる。そこで、本発明は、磁界共鳴を用いた非接触電力伝送において、共振コイル間距離が短い密結合状態における共振コイル間距離の変化に対する周波数の変動幅を小さく抑えて、ISMバンド内での電力伝送を容易にすることを目的とする。本発明の非接触電力伝送装置は、送電側給電コイル及び送電側共振コイルを有する送電装置と、受電側給電コイル及び受電側共振コイルを有する受電装置とを備え、前記送電側共振コイルおよび前記受電側共振コイルの共振周波数と等しい周波数の電力を前記送電側共振コイルに供給して励振し、前記送電側共振コイルと前記受電側共振コイルとの間の磁界共鳴現象により電力を伝送して前記受電側給電コイルから電力を取り出すように構成される。上記課題を解決するために本発明の非接触電力伝送装置は、前記送電側共振コイルに集中定数インダクタおよび集中定数キャパシタが付加された送電側共振コイル装置、または前記受電側共振コイルに集中定数インダクタおよび集中定数キャパシタが付加された受電側共振コイル装置の少なくとも一方が構成されていることを特徴とする。また、本発明の送電装置または受電装置は、送電側給電コイル及び送電側共振コイルを有する送電装置と、受電側給電コイル及び受電側共振コイルを有する受電装置とを用い、前記送電側共振コイルおよび前記受電側共振コイルの共振周波数と等しい周波数の電力を前記送電側共振コイルに供給して励振し、前記送電側共振コイルと前記受電側共振コイルとの間の磁界共鳴現象により電力を伝送して前記受電側給電コイルから電力を取り出す非接触電力伝送に用いられる。上記課題を解決するために本発明の送電装置は、前記送電側共振コイルに集中定数インダクタおよび集中定数キャパシタが付加されていることを特徴とする。また、上記課題を解決するために本発明の受電装置は、前記受電側共振コイルに集中定数インダクタおよび集中定数キャパシタが付加されていることを特徴とする。本発明によれば、共振コイルに集中定数インダクタおよび集中定数キャパシタが付加されることにより、共振コイル間距離の変化に対する周波数の変動幅が小さく抑制される。従って、広い距離範囲に亘って、高い伝送効率をISMバンドの範囲内で維持可能である。本発明の非接触電力伝送装置は、上記構成を基本として、以下のような態様をとることができる。すなわち、上記構成において、前記集中定数インダクタのインダクタンスおよび前記集中定数キャパシタのキャパシタンスは、前記送電側共振コイル装置のインダクタンスと前記受電側共振コイル装置のインダクタンスが等しく、かつ前記送電側共振コイル装置のキャパシタンスと前記受電側共振コイル装置のキャパシタンスが等しくなるように設定されていることが好ましい。以下、本発明の実施の形態における非接触電力伝送装置について、図面を参照して説明する。<実施の形態>本発明の実施の形態における非接触電力伝送装置の構成について、図1を参照して説明する。図1は、本実施の形態の非接触電力伝送装置を示すブロック図である。図7に示した従来例の非接触電力伝送装置と同様の構成要素については、同一の参照番号を付して説明の繰り返しを省略する。送電装置9及び受電装置10を構成する、送電側給電コイル3、送電側共振コイル4、受電側共振コイル5、受電側給電コイル6、発振器7、負荷8は、図7に示した従来例と同様の要素である。本実施の形態は、送電側共振コイル4を含む送電側共振コイル装置11、及び受電側共振コイル5を含む受電側共振コイル装置12が構成されている点が、従来例とは異なる特徴である。送電側共振コイル装置11は、送電側共振コイル4に対して、集中定数キャパシタ13、及び集中定数インダクタ14を接続して構成されている。受電側共振コイル装置12は、受電側共振コイル5に対して、集中定数キャパシタ15、及び集中定数インダクタ16を接続して構成されている。従来例では、送電側共振コイル4、受電側共振コイル5はコイルのみで構成されており、共振のキャパシタ成分はコイルの線間の浮遊容量のみである。この場合、共振周波数の調整が煩雑なこと、あるいは周囲の誘電体人体を含むにより共振周波数が変動し易いこと、等の問題がある。これに対して、集中定数キャパシタ13、15を付加することにより、共振周波数を安定化させることができる。さらに集中定数インダクタ14、16を追加することにより、見かけのQ値を大きくして、コイル間距離が短い密結合状態における利得最大周波数の変動幅を小さく抑えることができる。本実施の形態のように構成された非接触電力伝送装置によって得られる効果を確認した実験について、以下に説明する。実験に使用した共振コイル装置の構造を、図2に示す。プリント基板17上に、直径1.5mmでスパイラル状に3ターンのコイル18を形成した。このコイル18単体のインダクタンスは、160nHである。コイル18の端子は両方ともViaを介して裏面に接続し、裏面の配線19aと19bの間に共振周波数が13.56MHzになるように調整したキャパシタ20を配置した。この共振コイル装置を2組用意し、対向させて配置して、送電側共振コイル装置及び受電側共振コイル装置として用いた。さらに、それらの送電側共振コイル装置と受電側共振コイル装置の外側に、送電側給電コイル3及び受電側給電コイル6を配置して、送電装置及び受電装置を構成した。このように構成された送電装置及び受電装置により電力伝送の実験を行い、ベクトルネットワークアナライザ以下VNAと略すを用いて、伝送利得S21と反射利得S11を測定した。測定結果を、図3及び図4に示す。図3は、伝送利得S21の測定結果、図4は、反射利得S11の測定結果を示す。横軸は周波数MHz、縦軸は利得dBである。各曲線は、送電装置の共振コイルと受電装置の共振コイルのコイル間距離dmmを2mmから12mmまで、それぞれ異ならせて測定した結果を示す。図3及び図4から判るように、コイル間距離dが9mmで臨界結合となり、それよりも距離が離れると疎結合となって利得が減少する。一方、臨界結合距離よりも近づくと密結合となり、利得のピークが、13.56MHzよりも低周波数側と高周波側に分離してしまう。距離2mmまで近づけると、低周波数側は11.9MHzまで低下した。さらに、図1の送電側共振コイル装置11と受電側共振コイル装置12のように、図2のキャパシタ20のような構成を有する集中定数キャパシタ13、15を付加するとともに、共振コイル4、5に直列に、集中定数インダクタ14、16L=5μHを接続した。構成された送電装置9及び受電装置10により電力伝送の実験を行い、VNAで伝送利得S21と反射利得S11を測定した。測定結果を図5及び図6に示す。図5は、伝送利得S21の測定結果、図6は、反射利得S11の測定結果を示す。横軸は周波数MHz、縦軸は利得dBである。各曲線は、送電側共振コイル4と受電側共振コイル5のコイル間距離dmmを2mmから12mmまで、それぞれ異ならせて測定した結果を示す。図5及び図6から判るように、コイル間距離dが9mmで臨界結合となり、インダクタを設ける前後で変化しない。一方で密結合時の周波数の変化は、距離dが2mmとなるまで近づけても、低周波数側は13.45MHzと、周波数変化量は大幅に縮小される。また、結合係数kは集中定数インダクタの追加で小さくなるが、Q値は大きくなるので、結果として伝送効率はほとんど変化しない。すなわち、見かけのQ値を大きくして、コイル間距離が短い密結合状態における利得最大周波数の変動幅を小さく抑えることができる。上記効果を十分に得るためには、集中定数インダクタ14、16のインダクタンスおよび集中定数キャパシタ13、15のキャパシタンスは、送電側共振コイル装置11のインダクタンスと受電側共振コイル装置12のインダクタンスが等しく、かつ送電側共振コイル装置11のキャパシタンスと受電側共振コイル装置12のキャパシタンスが等しくなるように設定されることが望ましい。以上の構成により、共振周波数の補正幅を小さくできるので、周波数幅の狭いISMバンドにも、磁界共鳴による電力伝送を容易に適用可能となる。