"窒化物半導体を含み500ナノメートル以下の厚さを有するn形層と、前記n形層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられ窒化物半導体を含むp形層と、前記n形層の前記発光層とは反対の面に接し、前記発光層から放出される光に対して透光性を有する透明電極と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。前記n形層の平均的な厚さは、600ナノメートル以下であり、前記n形層の前記面は、平均的な凹凸深さが200ナノメートル以下であって前記光の進行方向を変化させる凹凸形状を有することを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。前記n形層と、前記発光層と、前記p形層と、を合わせた厚さは、800ナノメートル以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。本発明の実施形態は、高品質で発光特性に優れた半導体発光素子を提供する。本発明の実施態様によれば、n形層と、発光層と、p形層と、透明電極と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記n形層は、窒化物半導体を含み500ナノメートル以下の厚さを有する。前記発光層は、前記n形層の上に設けられている。前記p形層は、前記発光層の上に設けられ窒化物半導体を含む。前記透明電極は、前記n形層の前記発光層とは反対の面に接し、前記発光層から放出される光に対して透光性を有する。以下、実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。図1は、実施の形態にかかる半導体発光素子を表す断面模式図である。本実施形態にかかる半導体発光素子110は、n形層第1半導体層10と、p形層第2半導体層20と、MQWMultipleQuantumWell活性層発光層30と、支持基板40と、透明電極60と、第1電極70と、第2電極80と、反射金属膜90と、を備える。そして、本実施形態にかかる半導体発光素子110では、p形層20、活性層30、n形層10のLED積層構造に対して、n形層10側に厚さ200nmの透明電極60が接合されている。透明電極60としては、例えば酸化インジウム錫ITO膜などが用いられる。n形層10は、厚さ500nmのn形窒化ガリウム結晶からなる。n形層10には、濃度1×1019atomscm-3のSi原子が不純物としてドーピングされている。n形層10側コンタクトは、透明電極60に金属細線が配置され、n側電極第1電極70となっている。一方、活性層30となる窒化物半導体の量子井戸構造の上にはp形層20が積層されており、銀ニッケルからなる反射金属膜90兼p側電極第2電極80が形成されている。p形層20は、p形窒化ガリウム結晶からなる。ここで、200nmのITO膜のシート抵抗はおよそ10Ω□であり、キャリア濃度1×1019atomscm-3、厚さ5000nmのn形GaN層とほぼ等価である。本実施形態にかかる半導体発光素子110では、n形層10の厚さは、500nm以下である。p形層20、活性層30、n形層10のLED積層構造の厚さは、例えば約1.3μm以下である。n形層10側の活性層30の面と、n形層10側のn側電極70の面と、の間の距離は、800nm以下である。活性層30からの光は、図1に表した矢印30Lのように、n形層10の主面光取り出し面から出射する。透明電極60は、活性層30からの光に対して透光性を有する。つまり、透明電極60は、半導体発光素子110の光取り出し部となる。ここで、参考例について説明する。例えば、窒化物半導体からなる発光素子では、0001面を表面とするサファイア基板上に同じく0001面を表面とする窒化ガリウム結晶層を形成し、さらにInGaN薄膜結晶層からなる活性層を組み合わせて、発光効率が高い良質な発光ダイオードなどが作成されている。サファイア上に窒化物半導体結晶層を積層する発光ダイオードでは、サファイア基板上にn形GaN層、量子井戸型発光層、p形GaN層を積層した構造を用い、サファイア基板が対象とする青色領域の波長帯に対してほぼ透明であることから、サファイア基板の裏面に反射膜を形成した上で、表面側のp形GaN上部より光を取り出す構造Faceup構造を採用していることが多い。この場合、サファイア基板上に薄膜成長するGaN結晶層の品質を向上させるため、さらにはコンタクト電極から活性層への電流分布を均一化するために、厚いn形GaN層を積層している。具体的には、サファイア基板上に5μm程度のn形GaN層を形成している例がある。一方、他の参考例として、サファイア基板上にGaN結晶層を成長する場合、サファイア結晶とGaN結晶との間の大きな格子不整合により、GaN結晶中には大量の転位が導入される。さらにGaN結晶中に転位が導入されると、その上に積層される活性層多重量子井戸からなる発光層の品質が劣化し、発光特性が低下する。そのため、転位密度を低減するためのGaN層成長条件の最適化がさまざまに工夫されている。しかしながら、とりわけGaN結晶にSi原子を不純物として添加したn形GaN層では、成長中の表面での原子のマイグレーションが抑制されるなどして、平面内での凹凸の埋め込み特性が低下し、欠陥を起因とするピットが発生しやすい。この現象は、n形GaN層の厚さが2~3μmを超えて厚くなるときに顕著である。また、安価な下地基板としてのSi結晶基板上にGaN結晶層を成長する場合には、両者の間の熱膨張係数差により、1000°C以上でのGaN層薄膜結晶成長終了後の降温時にクラックが発生することが問題であるが、n形GaN層ではNon-dopedGaN層に比べて、厚さの増大に応じたクラックの発生頻度がより高く、厚いGaN層を得ることが困難である。一方、さらに他の参考例として、より高い光出力を目指し、電流注入を増大する動作条件化では発熱に対する対策が重要となる。そのために、窒化物半導体からなるLED構造をサファイア基板上にエピタキシャル成長した後、p形GaN層からなる表面側を熱伝導性の高い支持基板に貼り付け、サファイア基板を剥離した構造Thinfilm構造を採用している例がある。この場合、サファイア基板を剥離したn形GaN層端面が露出して光取り出し面かつコンタクト面となる場合がある。この場合、Faceup構造に比べてコンタクト面に細線電極を形成するなど、新たな加工を施すことが容易となるため、n形GaN層に要求されるシート抵抗などのスペックは異なる。また、この場合、前述したように、サファイア基板を剥離したn形GaN層端面を光取り出し面とする場合が多いが、厚いn形層での光吸収や抵抗が課題となる。例えば、ドーピング濃度1×1019atomscm-3のn形層の光吸収係数αを135と想定した場合、発光層から発生された光はn形結晶層中で約6.5減衰すると見積もられる。このように、参考例のThinfilm構造では、基板上に高品質でシート抵抗の低い薄膜層を得るため形成した厚いn形結晶層による光吸収が大きいという課題がある。また、n形GaN層の厚さが厚いと、ピットやクラックの発生するおそれがある。これに対して、本実施形態にかかる半導体発光素子110では、n形層10の厚さは、500nm以下である。本発明者の検討の結果、活性層30が例えば400nmの波長の光を発光する場合には、活性層30から発光された光は、n形層10中で約0.65減衰する。また、活性層30から発光された光は、厚さ200nmの透明電極60中で約5.8減衰する透明電極の光吸収係数αを3000と想定した場合。つまり、n形層10と透明電極60との組み合わせによる減衰率は、約6.45である。この減衰率は、参考例における厚いn形結晶層中での減衰率約6.5よりも低い。また、n形層10の厚さをより薄くし500nm以下とすると、ピットやクラックの発生を抑えることができる。また、エピタキシャル成長時間を短くできるなどの効果が得られる。これらにより、本実施形態にかかる半導体発光素子110は、高品質で発光特性に優れている。次に、このような半導体発光素子構造を作成するためのプロセスの一例について説明する。基板として0001面を表面とするサファイア基板を用意する。なお、基板は、サファイア基板に限定されず、シリコン基板であってもよい。サファイア基板結晶の厚さは450μmである。該サファイア基板を酸処理により洗浄した後、試料基板をMOCVD有機金属を用いた気相成長法装置に導入し、基板温度を500°Cまで昇温しTMGトリメチルガリウムおよびNH3アンモニアを原料として20nmの窒化ガリウム層を形成する。その後、基板の温度を1080°Cに昇温する。さらに引き続き、1080°Cにおいて、TMGトリメチルガリウムおよびNH3アンモニアを原料として4μmの窒化ガリウム層を形成する。この不純物を含まないGaN結晶層の成長により、ピットのない平坦な結晶層を形成できる。さらにこの上に1×1019atomscm-3のシリコン原子を不純物として添加した窒化ガリウム層n形層10を0.5μm積層する。シリコン添加のための原料はシランガスを用いている。このときn形GaN層の厚さが厚い場合にはピットが発生する可能性が高くなるが、1μm以下の厚さではそのリスクは小さい。このn形窒化ガリウム結晶層の上にInGaNとGaNの多層膜からなる発光層活性層30を積層する。また、発光層活性層30を光らせるための電流注入をするために、結晶構造の上部側にはp形Mgのドーピングをする。本実施形態では、窒化物半導体結晶層の薄膜結晶成長の手法として有機金属を用いた気相成長法MOCVD法を挙げているが、一般に窒化物半導体結晶成長に用いられている薄膜結晶成長法である分子線エピタキシー法MBEMolecularBeamEpitaxyやHVPE法などいずれの方法を用いてもかまわない。このようにしてLED構造の薄膜結晶をエピタキシャル成長した後、p形層20表面に反射膜兼コンタクト層としてのAgを含む金属膜、例えば銀ニッケル層、を積層後、シリコンあるいは銅などの支持基板40に貼り合わせる。次に、薄膜結晶成長用基板であるサファイア基板を剥離する。剥離としては、サファイア基板と窒化物半導体層との界面に焦点を合わせたレーザ光を照射して、界面付近にのみ部分的にダメージを与えるLLOレーザリフトオフとよばれる方法を用いる。その上で、露出した不純物を含まないGaN結晶層をさらにエッチングして、n形GaN層を500nm残す。その後に200nmのITO膜透明電極60を積層し、さらに細線電極を形成する。このようにして、本実施形態にかかる半導体発光素子110が形成される。なお、前述したプロセスでは、不純物を含まないGaN層を4μmと、シリコン原子を不純物として添加したn形GaN層を500nmと、を堆積し、レーザリフトオフ後に露出した不純物を含まないGaN層をエッチングすることで厚さ500nmのn形層10を形成しているが、これだけに限定されるわけではない。例えばサファイア基板上に直接形成するGaN層の薄膜成長のプロセスにおいて、500nmのn形GaN層のみを形成してもよい。次に、他の実施の形態について説明する。図2は、他の実施の形態にかかる半導体発光素子を表す断面模式図である。本実施形態にかかる半導体発光素子120は、p形層20、活性層30、n形層10のLED積層構造を用いている。n形層10は、平均的な厚さ600nmのn形窒化ガリウム結晶からなる。このn形GaN層n形層10表面光取り出し面には、平均的な凹凸深さ200nmの不規則な凹凸加工が施されている。なお、本願明細書において、n形層10の厚さが500nm以下であるという範囲には、n形層10の平均的な厚さからn形層10の表面に施された凹凸形状の平均的な凹凸深さを差し引いた値が500nm以下であるものが含まれるものとする。これにより、光取り出し面における光の進行方向を変化させることができる。この凹凸加工面にさらにITO層透明電極60が積層されている。n形GaN層には、濃度1×1019atomscm-3のSi原子が不純物としてドーピングされている。活性層30となる窒化物半導体の量子井戸構造の上にはp形の窒化ガリウムが積層されており、銀ニッケルからなる反射金属膜90兼p側電極第2電極80が形成されている。その他の構造は、図1に関して前述した半導体発光素子110の構造と同様である。前述したような凹凸加工は、GaN結晶層の成長用基板であるサファイア結晶から剥離し、不純物を含まないGaN結晶層をエッチングしてn形GaN層を漏出させた後にKOH溶液によるエッチングで形成することができる。このように、KOHによるエッチングで形成した凹凸加工表面に厚さ200nmのITO薄膜層透明電極60を形成する。次に、図1に関して前述した半導体発光素子110を作成するためのプロセスの他の一例について説明する。図3aおよび図3bは、プロセスの他の一例を説明する断面模式図である。図3aに表したように、基板として厚さ500μmのSi基板50を用意する。表面の結晶面方位は、111面である。一般に大気中に置かれているSi基板50表面は、自然酸化膜で被覆されている。そのため、この自然酸化膜を除去し、基板表面に水素終端処理を施すために、試料基板を濃度1程度の希弗酸溶液により約1分程度の処理を行う。この処理によりSi層表面は水素で終端された表面構造となり、はっ水性の表面となる。続いて、このように表面が水素終端処理された極薄Si基板50上に窒化ガリウム結晶層GaN層16を薄膜結晶成長エピタキシャル成長する。ただし、一般にSi結晶とGa金属とは容易に反応し、界面に欠陥領域MeltBack領域を形成する。そのため、これを避けるため、Si基板50上に最初にAlN薄膜結晶層第1バッファ層12を形成する。試料基板をMOCVD有機金属を用いた気相成長法装置に導入し、基板温度を700°Cまで昇温しTMAトリメチルアルミニウムおよびNH3アンモニアを原料として30nmの窒化アルミニウム層を形成する。その後、基板の温度を1080°Cに昇温し、原料にTMGトリメチルガリウムを加え、Al組成25、厚さ20nmのAlGaN層第2バッファ層14を積層する。さらに、引き続き、1120°Cにおいて、TMGトリメチルガリウムおよびNH3アンモニアを原料として0.3μmの窒化ガリウム層16を形成する。続いて、成膜温度800°Cで厚さ15nmのAlN層18を積層する。この下地を基本に厚さ300nmのGaN層16と、厚さ15nmのAlN層18と、を4周期積層する。なお、ここまでのGaN層16、AlN層18には不純物を添加していない。このように、AlN薄膜層とGaN層とを繰り返すことにより、成長層内部に圧縮の応力を蓄積させることができ、成長温度を下げた際のSi結晶とGaN結晶の熱膨張係数差に起因するGaN層16へのクラックの発生を抑制することが可能である。また、下地のGaN層16を不純物を含まない層とすることにより、4周期合計1.2μmのGaN層を積層しているにもかかわらず、クラックの発生を抑制できる。続いて、厚さ15nmのAlN層18を4回積層した後に、厚さ500nmのGaN層n形層10を積層する。このGaN層には、1×1019atomscm-3のSiを不純物として添加してある。このn形窒化ガリウム結晶層n形層10の上にInGaNとGaNの多層膜からなる発光層活性層30を積層する。また、発光層を光らせるための電流注入をするために、結晶構造の上部側にはp形Mgのドーピングをする。図1に関して前述したように、窒化物半導体結晶層の薄膜結晶成長の手法としては、分子線エピタキシー法MBEMolecularBeamEpitaxyやHVPE法などいずれの方法を用いてもかまわない。このようにしてLED構造の薄膜結晶をエピタキシャル成長した後、p形層20表面に反射膜兼コンタクト層としてのAgを含む金属膜、例えば銀ニッケル層、を積層後、シリコンあるいは銅などの支持基板に貼り合わせる。次に、薄膜結晶成長用基板であるSi基板50を除去する。p形層20側に支持基板40を貼り付けた後、成長基板を研削することにより成長用Si基板50を除去することが可能である。このとき、Si基板50をおおむね研削により除去した後、最終的にSF6ガスをエッチャントとするドライエッチングでわずかに残ったSiを除去することにより、Si基板50上に最初に形成したAlN層第1バッファ層12を露出させることができる。その上で、図3bに表したように、露出した薄膜AlN層、及び4周期の不純物を含まないGaN層16、AlN層18をさらにエッチングして、n形GaN層n形層10を500nm残す。その後に200nmのITO膜透明電極60を積層し、さらに細線電極を形成する。なお、本明細書において窒化物半導体とは、BxInyAlzGa1-x-y-zN0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1,xyz≦1なる化学式において組成比x、y及びzをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、N窒素以外のV族元素もさらに含むもの、導電形などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、窒化物半導体に含まれるものとする。以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体発光素子に含まれる活性層、半導体層、透明電極などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。その他、本発明の実施の形態として上述した半導体発光素子を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体発光素子も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"