"基板の主表面上に形成された薄膜積層体と、前記薄膜積層体の周囲において前記主表面が露出する外周絶縁領域と、を有する薄膜太陽電池を製造する製造装置であって、前記薄膜積層体の少なくとも一部を形成する成膜装置と、前記外周絶縁領域の絶縁性能を検査する絶縁検査装置と、前記成膜装置の外部に配置され、前記成膜装置の周辺雰囲気の湿度を制御する第一湿度制御装置と、前記絶縁検査装置の筐体内の湿度を制御する第二湿度制御装置と、を備え、前記第一湿度制御装置と、前記第二湿度制御装置とは、互いに独立に湿度を制御可能である、薄膜太陽電池製造装置。前記第一湿度制御装置は、前記成膜装置を大気開放するときに、前記成膜装置の周辺の湿度を絶対湿度11.5g/m3以上に制御し、前記第二湿度制御装置は、前記絶縁検査装置の前記筐体内の絶対湿度を14.3g/m3以下に制御する、請求項1に記載の薄膜太陽電池製造装置。前記成膜装置の配置された第一空間と、前記絶縁検査装置の配置された第二空間と、を隔て、前記第一空間と前記第二空間との間での空気の流出入を抑制する隔壁部を備える、請求項1または請求項2に記載の薄膜太陽電池製造装置。前記成膜装置と前記絶縁検査装置との間で前記基板を搬送するとともに一時保管する基板搬送ストッカをさらに備え、前記基板搬送ストッカは、前記隔壁部として機能する、請求項3に記載の薄膜太陽電池製造装置。基板の主表面上に形成された薄膜積層体と、前記薄膜積層体の周囲において前記主表面が露出する外周絶縁領域と、を有する薄膜太陽電池の製造方法であって、前記薄膜積層体の少なくとも一部を形成するステップと、前記外周絶縁領域の絶縁性能を検査するステップと、を備え、前記薄膜積層体の少なくとも一部を形成する成膜装置の周辺雰囲気の湿度と、前記外周絶縁領域の絶縁性能を検査する絶縁検査装置の筐体内の湿度と、を互いに独立に制御する、薄膜太陽電池の製造方法。前記成膜装置を大気開放するとき前記成膜装置の周辺の湿度を絶対湿度11.5g/m3以上に制御し、前記絶縁検査装置の前記筐体内の絶対湿度を14.3g/m3以下に制御する、請求項5に記載の薄膜太陽電池の製造方法。プラズマCVD装置の真空容器を大気開放してクリーニングを行なうとき、装置側壁や排気配管に堆積付着した微小粉末をブラシなどで除去する際に、微小粉末が舞い上がり、大気中に浮遊する。排気配管は内部空間が小さく、浮遊する粉末の濃度が特に高くなる。浮遊する微小粉末の濃度が高い環境において、クリーニング作業時の動作などによって静電気が生じると、その静電気により発生した火花が微小粉末と酸素との反応の起点となって発熱する場合がある。そのため従来、導電靴やアースバンドなどを使用してクリーニング中の作業者をアースする、ブラシやヘラなどのクリーニング治具の材質として静電気の発生が少ない材料を採用するなどの、静電気の発生を抑制して安全性を向上する対策が行なわれている。しかし、クリーニング中の静電気の発生を抑制するための技術には更なる改良の余地があり、より確実に静電気の発生を防止できる技術が求められている。一方、特許文献2に開示された外周に絶縁領域を有する太陽電池パネルは、作製した後に樹脂および保護フィルムで全体を封止される。樹脂で全体が封止される場合に、パターニング時の何らかの材料の残渣が外周絶縁領域に残っていると、このような残渣もともに封止されることになる。外周絶縁領域が形成された後、完成品の前に、一度検査装置にて外周絶縁領域の主表面における残渣の有無を検査することにより、このような不良品のリークを避け、モジュール部材の材料が無駄にならないようにすることが可能である。製造中に絶縁検査で不合格になった太陽電池パネルの基板の解析を行なったところ、外周絶縁領域に絶縁不良の問題がなく絶縁状態が良好である基板まで、絶縁検査装置で不良品と判定される問題があることが分かった。この原因を究明した結果、本発明者は、太陽電池パネル検査装置内の絶対湿度本明細書中では水分量と記載するときもあるに注目するに至った。そこで、本発明は、成膜装置のクリーニング中の静電気の発生を抑制できるとともに、太陽電池パネルの絶縁検査を正常に実施することができる、薄膜太陽電池の製造装置および製造方法を提供することを目的とする。本発明に係る薄膜太陽電池製造装置は、基板の主表面上に形成された薄膜積層体と、薄膜積層体の周囲において主表面が露出する外周絶縁領域と、を有する薄膜太陽電池を製造する製造装置であって、薄膜積層体の少なくとも一部を形成する成膜装置と、外周絶縁領域の絶縁性能を検査する絶縁検査装置と、成膜装置の外部に配置され、成膜装置の周辺雰囲気の湿度を制御する第一湿度制御装置と、絶縁検査装置の筐体内の湿度を制御する第二湿度制御装置と、を備える。第一湿度制御装置と、第二湿度制御装置とは、互いに独立に湿度を制御可能である。上記薄膜太陽電池製造装置において好ましくは、第一湿度制御装置は、成膜装置を大気開放するときに、成膜装置の周辺の湿度を絶対湿度11.5g/m3以上に制御し、第二湿度制御装置は、絶縁検査装置の筐体内の絶対湿度を14.3g/m3以下に制御する。上記薄膜太陽電池製造装置において好ましくは、成膜装置の配置された第一空間と、絶縁検査装置の配置された第二空間と、を隔て、第一空間と第二空間との間での空気の流出入を抑制する隔壁部を備える。上記薄膜太陽電池製造装置において好ましくは、成膜装置と絶縁検査装置との間で基板を搬送するとともに一時保管する基板搬送ストッカをさらに備え、基板搬送ストッカは、隔壁部として機能する。本発明に係る薄膜太陽電池製造の製造方法は、基板の主表面上に形成された薄膜積層体と、薄膜積層体の周囲において主表面が露出する外周絶縁領域と、を有する薄膜太陽電池の製造方法であって、薄膜積層体の少なくとも一部を形成するステップと、外周絶縁領域の絶縁性能を検査するステップと、を備え、薄膜積層体の少なくとも一部を形成する成膜装置の周辺雰囲気の湿度と、外周絶縁領域の絶縁性能を検査する絶縁検査装置の筐体内の湿度と、を互いに独立に制御する。上記方法において好ましくは、成膜装置を大気開放するとき成膜装置の周辺の湿度を絶対湿度11.5g/m3以上に制御し、絶縁検査装置の筐体内の絶対湿度を14.3g/m3以下に制御する。本発明の薄膜太陽電池の製造装置および製造方法によると、成膜装置のクリーニング中の静電気の発生を抑制できるとともに、太陽電池パネルの外周絶縁領域における絶縁状態を正確に検査することができる。以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において、同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。実施の形態1図1は、本発明の実施の形態1に係る薄膜太陽電池製造装置1の構成を模式的に示す図である。図1に示すように、本実施形態に係る薄膜太陽電池製造装置1は、大別すると、基板が一枚ずつ搬送されて複数の第1処理装置にて順次処理される上流側第1製造ラインである第1基板搬送ライン5と、基板がカセットに収容されて搬送される第2製造ラインであるカセット搬送ライン43と、下流側第1製造ラインである第2基板搬送ライン42とから構成されている。薄膜太陽電池製造装置1は、基板を一枚または複数枚ずつ順次複数の処理装置において一連に処理することにより薄膜太陽電池を製造するシステムである。ここで、薄膜太陽電池の基板としては、600mm×1200mm角、1000mm×1400mm角、1008mm×1210mm角など、各辺600mm~1400mm程度の大型のガラス基板を用いるが、好ましくは各辺が1000mm以上の基板を用いる。第1基板搬送ライン5から搬出される基板は、第1搬送部である第1搬送コンベア7により搬送され、カセットに収容される。カセットは、第3搬送部である第1搬送ロボット21により、カセット搬送ライン43に搬入、および、カセット搬送ライン43から搬出される。第2基板搬送ライン42に搬入される基板は、カセットから取り出され、第1搬送部である第2搬送コンベア35により搬送される。第1基板搬送ライン5においては、外部より製造ラインに基板を搬入する基板搬入装置2の後に、基板を搬送しつつ処理可能な第1処理装置である、第1洗浄装置3、第1レーザ加工装置4、第2洗浄装置105およびレーザ加工後検査装置106がこの順番で直列に接続されている。基板搬入装置2より第1製造ライン内に搬入された基板は、図示しない搬送機構により搬送方向6に一枚ずつ搬送され、上記の直列に接続された複数の第1処理装置によって順次処理される。本実施形態においては、レーザ加工後検査装置106が第1基板搬送ライン5の基板搬送方向の最も下流側に配置された第1処理装置である。レーザ加工後検査装置106にて処理された基板は、レーザ加工後検査装置106から第1搬送コンベア7により搬送される。なお、本明細書において処理装置とは、被処理物である基板に対して加工、加熱などの具体的に影響を与える処理を行なうものに限定されず、たとえば、検査結果によって基板の処理方法などを分岐させるような処理を行なう検査装置を含む概念のものである。ここで、レーザ加工後検査装置106は、第1レーザ加工装置4にて加工された基板を検査処理する装置である。レーザ加工後検査装置106は、レーザで加工されたパターンが正常か否かを検査する加工パターン検査部を備えているが、他にも表面の異物検査、表面欠陥検査または膜ムラなどを検査する検査部を備えていてもよい。よって、レーザ加工後検査装置106が複数の異なる検査部を備え、一台で複数種の検査ができる検査装置として構成されていてもよい。第1基板搬送ライン5を構成する装置は、基板が搬入される搬入口と基板が搬出される搬出口とが別々に設けられ、基板が各装置内を通過しつつ処理される、いわゆるインライン方式の処理装置である。また、第1基板搬送ライン5においては、インライン方式の処理装置が直列に接続されている。第1基板搬送ライン5は、基板搬送方向における上流側に配置された第1処理装置の搬出口と、下流側に配置された第1処理装置の搬入口との間を、基板が搬送コンべアなどの直線的な搬送装置により順次搬送される、インライン方式の搬送ラインとして構成されている。本実施形態の第1基板搬送ライン5は、複数の第1処理装置を上記の順番で直列に接続した構成であるが、上記構成に限定されず、第1基板搬送ライン5を構成する第1処理装置の数、種類および接続順番は、製造する薄膜太陽電池のプロセスによって適宜変更することができる。レーザ加工後検査装置106から搬出された基板は、第1搬送コンベア7により搬送方向16に搬送され、第1ポート9へ搬送される。第1ポート9は、基板を収容するカセットが配置される場所である。カセットは、内部に基板を水平に載置して収容することができる。本実施形態においては、カセットの基板収容枚数は6枚であるが、カセットの基板収容枚数はこれに限らない。第1搬送コンベア7は、レーザ加工後検査装置106より一枚ずつ基板を搬出して第1ポート9に配置されているカセットに収容する。第1ポート9において基板を収容されたカセットは、搬送方向18に搬送されて第2ポート10へ搬送され、さらに搬送方向115に搬送されて第1搬送ロボット21へ搬送される。本実施形態においては、カセット搬送ライン43は、複数の基板を一括処理可能な第2処理装置を4台備えている。第2処理装置は、半導体薄膜の成膜を行なう成膜装置である。第1成膜装置22~25は並列に4台配置されているが、成膜装置の台数はこれに限らない。本実施形態においては、第1成膜装置22~25は、2枚の基板を装置内で水平方向に載置して一括してシリコン系半導体薄膜を基板上に積層することができるプラズマCVD装置である。ただし、第1成膜装置22~25が一括処理できる基板の枚数および積層できる薄膜種はこれに限らず、また、基板の設置方向においても水平方向に限らず、基板を鉛直方向に設置できる装置であってもよい。カセット搬送ライン43においては、搬送方向34に示すように、第1搬送ロボット21によりカセットが、第1成膜装置22~25のそれぞれに任意に搬送される。ここで、カセット搬送ライン43を構成する第2処理装置においては、カセットが搬入される搬入口と基板が搬出される搬出口とが略同じ位置にあり、搬入されたカセットから複数の基板を処理部に収納して一括処理し、その後、カセットに処理が完了した基板を戻す、いわゆるバッチ方式の処理装置として構成されている。カセット搬送ライン43においては、一つの第1搬送ロボットに全ての第2処理装置が接続されている。カセット搬送ライン43は、第1搬送ロボットが複数の第2処理装置へカセットを割り振って搬送し、かつ、第1搬送ロボットが各第2処理装置からカセットを回収する、いわゆるクラスタ方式の搬送ラインとして構成されている。第1成膜装置22には、カセットを搬入および搬出されるカセットポート26が設けられている。カセットポート26に搬入されたカセットから基板を取出して第1成膜装置22内に搬入することができ、また、第1成膜装置22から基板を搬出してカセットポート26に搬入されたカセットに基板を収容することができる、基板出入部30が設けられている。第1成膜装置23には、カセットを搬入および搬出されるカセットポート27が設けられている。カセットポート27に搬入されたカセットから基板を取出して第1成膜装置23内に搬入することができ、また、第1成膜装置23から基板を搬出してカセットポート27に搬入されたカセットに基板を収容することができる、基板出入部31が設けられている。第1成膜装置24には、カセットを搬入および搬出されるカセットポート28が設けられている。カセットポート28に搬入されたカセットから基板を取出して第1成膜装置24内に搬入することができ、また、第1成膜装置24から基板を搬出してカセットポート28に搬入されたカセットに基板を収容することができる、基板出入部32が設けられている。第1成膜装置25には、カセットを搬入および搬出されるカセットポート29が設けられている。カセットポート29に搬入されたカセットから基板を取出して第1成膜装置25内に搬入することができ、また、第1成膜装置25から基板を搬出してカセットポート29に搬入されたカセットに基板を収容することができる、基板出入部33が設けられている。第1ポート9において基板を収容されたカセットは、第2ポート10へ搬送される。第2ポート10は、カセットが配置される場所である。第2ポート10に搬送されたカセットは、第1搬送ロボット21により、第1成膜装置22~25のいずれかに搬送される。たとえば、第1成膜装置22にカセットを搬送する場合、カセットは、カセットポート26に搬入される。カセットポート26に搬入されたカセットから基板出入部30により、基板が2枚取出されて第1成膜装置22内に搬入される。第1成膜装置22内において処理された2枚の基板は、基板出入部30により第1成膜装置22から搬出されてカセット内に収容される。本実施形態において、このカセットの基板収容枚数は6枚であり、処理された基板をカセット内に収容した後、未処理の基板がカセット内に残っている場合には、基板出入部30により未処理の基板が2枚まで第1成膜装置22内に搬入される。第1成膜装置22内において処理された基板は、基板出入部30により第1成膜装置22から取出されてカセット内に収容される。上記工程をカセット内の基板全てが処理完了するまで繰返す。カセットの基板収容枚数が、第1成膜装置22の基板処理枚数の整数倍である場合、第1成膜装置22で基板処理枚数ずつ処理した際に、カセット内に第1成膜装置22の基板処理枚数以下である端数の基板が残らないようにすることができる。たとえば、本実施形態において、第1成膜装置22の基板処理枚数である2枚に対して、カセットの基板収容枚数が3倍である6枚にされており、第1成膜装置22に搬入されたカセットから2枚ずつ3回に分けて処理を行なうことで、第1成膜装置22の処理能力を毎回の処理で最大限に発揮させることができる。また、端数が発生しないようにカセットに基板を満杯に収容した状態で搬送を行なうことにより、基板の搬送効率を向上することができる。その結果、第1成膜装置22への基板の投入完了時とカセットの搬送開始時との同期を図ることが可能となり、第1成膜装置22が基板処理している間に、未処理の基板を収容したカセットを搬送してくることができる。よって、カセット搬送回数を削減しつつ、基板を効率よく搬送して処理することができる。また、第1成膜装置22において基板処理枚数の基板を毎回処理することができるため、装置の稼動効率を向上することができる。第1成膜装置22~25により処理された処理済みの基板を収容したカセットは、カセットポート26から第1搬送ロボット21により第2ポート10に搬送される。第1搬送ロボット21と第2ポート10との間において、搬送方向115に示すようにカセットが搬送される。第2ポート10に搬送されたカセットは、その後、搬送方向112に示すように第3ポート110に搬送される。第2ポート10と第3ポート110との間を、搬送方向112に示すように、基板を収容したカセットが搬送される。本実施形態においては、第1成膜装置22~25から搬出され第3ポート110に搬送されたカセットから、第4搬送部である第3搬送コンベア111により、薄膜検査装置109へ基板が一枚ずつ搬送される。第3ポート110と薄膜検査装置109との間を、搬送方向114に示すように、第3搬送コンベア111により基板が搬送される。薄膜検査装置109において検査され薄膜検査装置109から搬出された基板は、第3搬送コンベア111により第3ポート110へ搬送される。このとき、膜厚不良と判断された基板は、不良基板用のカセットに搬入されて除外され、良品と判断された基板のみが第3ポート110に配置されているカセットに搬入される。本実施形態においては、第3処理装置である検査処理装置として、半導体薄膜の膜厚を検査する薄膜検査装置109を設けたが、これに限らず、たとえば、異物検査、膜ムラ検査、外観検査、膜質検査を行なう検査装置を設けてもよい。薄膜検査装置109は、半導体薄膜成膜後検査装置であり、膜厚検査部、表面膜厚分布検査部、結晶化率検査部および表面欠陥検査部の少なくともいずれかを含む。薄膜検査装置109により検査されて良品と判断された基板を収容したカセットは、搬送方向112に搬送されて第2ポート10へ戻され、搬送方向18に搬送されて第1ポート9に配置される。第1ポート9に配置されたカセットから、第2搬送コンベア35により基板が一枚ずつ取り出される。その後基板は、第2搬送コンベア35により搬送方向19に搬送され、第2基板搬送ライン42の第2レーザ加工装置に搬入される。第2基板搬送ライン42においては、第2レーザ加工装置37、スパッタリング装置38、第3レーザ加工装置39、絶縁検査装置40およびランク振分搬出装置41が直列に配置されている。基板搬送方向の最も上流側に配置された第1処理装置である第2レーザ加工装置37に搬入された基板は、図示しない搬送機構により搬送方向36に一枚ずつ搬送される。第2レーザ加工装置37には、第1ポート9から第2搬送コンベア35により基板が搬入される。第2基板搬送ライン42を構成する装置は、基板が搬入される搬入口と基板が搬出される搬出口とが別々に設けられ、基板が各装置内を通過しつつ処理される、いわゆるインライン方式の処理装置である。また、第2基板搬送ライン42においては、インライン方式の処理装置が直列に接続されている。第2基板搬送ライン42は、基板搬送方向における上流側に配置された第1処理装置の搬出口と、下流側に配置された第1処理装置の搬入口との間を、基板が搬送コンべアなどの直線的な搬送装置により順次搬送される、インライン方式の搬送ラインとして構成されている。本実施形態においては、第1成膜装置22~25の配置された第1空間101と、絶縁検査装置40の配置された第2空間102と、を隔てる、隔壁部120が設けられている。隔壁部120は、第1空間101と第2空間102との間での空気の流出入を抑制する。隔壁部120が設けられることにより、第1成膜装置22~25の周辺と、絶縁検査装置40の筐体の内部と、の間での、空気の流れが妨げられている。隔壁部120によって、第1成膜装置22~25の周辺から絶縁検査装置40の筐体の内部へ向かう空気の流れが妨げられ、また、絶縁検査装置40の筐体の内部から第1成膜装置22~25の周辺へ向かう空気の流れが妨げられている。隔壁部120の一部には、隔壁部120を厚み方向に貫通し第1空間101と第2空間102とを連通する連通口121が形成されている。この連通口121は、基板の収容されたカセットが連通口121を経由して第1ポート9と第2ポート10との間を搬送方向18に搬送され得る程度の大きさを有し、かつ、連通口121の内壁とカセットの外周面との間の隙間を可能な限り小さくできる程度の大きさを有するように、形成されている。このように連通口121の大きさを定めることにより、より効果的に、第1空間101と第2空間102との間の空気の流通を抑制することができる。本実施形態においては、第1処理装置である第1レーザ加工装置4および第2レーザ加工装置37と、第2処理装置である第1成膜装置22~25と、は、隔壁部120により隔てられた第2空間102と第1空間101とに、それぞれ配置されている。第1処理装置である第1レーザ加工装置4および第2レーザ加工装置37と第2処理装置である第1成膜装置22~25とは、隔壁部120の異なる側面に対向して配置されている。このようにすることにより、第1空間101に第1成膜装置22~25を集中的に配置することができる。その結果、第1成膜装置22~25に必要となる高電力供給配線、多種のプロセスガス供給配管、真空ポンプ配管、排気配管および排気除害装置などの用力に係わる配線と配管との配設が冗長になることを抑制でき、工場システムの簡単化および省スペース化を図れる。隔壁部120を境界にして、特殊ガスを使用する半導体薄膜積層工程とそれ以外の工程が行なわれるエリアを分けることができる。半導体薄膜積層工程が行われるエリアには、安全性の確保から、クリーン度の他にガス漏洩監視や湿度コントロールなど特殊な環境や設備が要求される。一方、半導体薄膜積層工程以外が行われるエリアにおいては、別の工程管理基準により監視が必要なエリアが含まれる場合があり、監視区域を整理することにより工場ユーティリティ設備の効率化が図れる。また、特殊な技能をもつ作業者が必要となるエリアを限定することができるため、労働環境管理上も有利である。このようなライン構成にすることにより、特殊な管理区域を限定することができるため、工場建設コストおよび運営コストを削減できる。以下、本実施形態の薄膜太陽電池製造装置1を用いる薄膜太陽電池の製造方法について説明する。図2は、本実施形態に係る薄膜太陽電池製造装置1の工程フローを示す図である。まず、熱CVD法により透明導電膜からなる表面導電層52が堆積された透明絶縁基板51が、基板搬入装置2から一枚ずつ搬入されるステップS101。図3は、表面導電層形成後の基板の構成を示す模式的断面図である。図3に示すように、透明絶縁基板51の上面に表面導電層52が積層されている。透明導電膜の形成方法としては、たとえば従来のスパッタリング法、蒸着法、またはイオンプレーティング法などを用いることができる。ここで、透明絶縁基板51としては、ガラス基板サイズ1000mm×1400mm、厚み4mmを用いた。その他、たとえば、ポリイミド樹脂などの透明樹脂を含む樹脂基板、またはこれらの基板の複数を積層した基板などの光を透過させることができる透光性基板を用いることができる。また、表面導電層52としては、酸化錫の他、たとえば、ITOIndiumTinOxide膜、若しくはZnO酸化亜鉛膜の単層、またはこれらを複数重ね合わせた複数層などの光を透過させることができるとともに導電性である膜を用いることができる。表面導電層52が複数層から構成される場合には、すべての層が同一の材料から形成されていてもよく、少なくとも1層が他と異なる材料から形成されていてもよい。なお、ここでは、予め表面導電層52が形成された透明絶縁基板51を搬入する工程から説明したが、透明絶縁基板51に表面導電層52を形成する工程が設けられても良く、その場合には、薄膜太陽電池製造装置1は透明絶縁基板51に表面導電層52を形成するための装置を含むことになる。次に、基板は、第1洗浄装置3において洗浄されるステップS102。その後基板は、第1処理工程である第1レーザ加工装置4において搬送されつつパターニングされステップS103、続いて第2洗浄装置105において、純水を用いて超音波洗浄されるステップS104。図4は、洗浄後の基板の構成を示す模式的断面図である。図4に示すように、表面導電層52の所定の位置に、表面導電層52を分離する直線状の第1の分離溝としての溝部53が形成されている。溝部53はレーザスクライブ法により形成されてもよく、溝部53の形成に用いられるレーザ光としては、YAGレーザ光の基本波の他、たとえば、YVO4レーザ光の基本波やファイバーレーザなどを用いることができる。パターニング後の基板は、レーザ加工後検査装置106にて溝部53の形状が正常か否か検査され、不良が発見された基板は除外されるステップS105。レーザ加工後検査装置106による検査工程まで、基板は1枚ずつ搬送されている。検査が完了して良品と判断された基板は、第1搬送工程において第1搬送コンベア7により搬送方向16に第1ポート9に搬送されて、カセットに収容される。基板を収容したカセットは、第2搬送工程において、搬送方向18に第2ポート10に配置される。第3搬送工程において、カセットは、第2ポート10から搬送方向115に搬送されて第1搬送ロボット21に搭載され、第1搬送ロボット21により第1成膜装置22~25のいずれかのカセットポート26~29に搬送される。本実施形態においては、第1成膜装置22~25は、それぞれの一つのプロセス室において、成膜条件を随時変更することで異なる複数の半導体薄膜を積層する、いわゆるシングルチャンバのプラズマCVD装置である。ただし、第1成膜装置22~25は、それぞれが一つの成膜条件の薄膜を積層する複数のプロセス室を有し、装置内の搬送ロボットによって順次異なるプロセス室に基板を移動させて処理することにより異なる複数の半導体薄膜を積層する、いわゆるマルチチャンバのプラズマCVD装置であってもよい。第2処理工程において、基板を複数枚ずつカセットから取り出し、プラズマCVD装置の真空容器内に搬入して、溝部53の形成された表面導電層52上に薄膜を形成する成膜処理が行なわれる。これにより、基板上にシリコン系半導体材料からなる半導体薄膜層が積層され、p層、i層およびn層の3層からなる光電変換層が形成されるステップS106。図5は、半導体薄膜積層後の基板の構成を示す模式的断面図である。図5に示すように、表面導電層52の上方に光電変換層54が形成されている。光電変換層54としては、半導体光電変換層を用いることができ、透明絶縁基板51側から、アモルファスシリコン薄膜からなるp層、i層、およびn層をこの順に積層したトップセル第1光電変換層と、トップセル上に、微結晶シリコン薄膜からなるp層、i層、およびn層をこの順に積層したボトムセル第2光電変換層とを成膜することができる。また、光電変換層54としては、その他、たとえば、透明絶縁基板51側から、アモルファスシリコン薄膜からなるp層、i層、およびn層をこの順に積層したトップセル第1光電変換層と、トップセル上に、アモルファスシリコン薄膜からなるp層、i層およびn層をこの順に積層したミドルセル第2光電変換層と、ミドルセル上に、微結晶シリコン薄膜からなるp層、i層およびn層をこの順に積層したボトムセル第3光電変換層と、をたとえばプラズマCVD法により積層してもよい。なお、光電変換層の数をこれ以上とすることもできる。第1光電変換層から第3光電変換層の各光電変換層は、全て同種のシリコン系半導体からなってもよく、互いに異なる種類のシリコン系半導体からなってもよい。第1光電変換層から第3光電変換層の各光電変換層は、それぞれ、p型半導体層、i型半導体層、およびn型半導体層を含んでおり、各半導体層は、シリコン系半導体からなってもよい。光電変換層に含まれる各半導体層は、全て同種のシリコン系半導体からなってもよく、互いに異なる種類のシリコン系半導体からなってもよい。たとえば、p型半導体層とi型半導体層を非晶質シリコンで形成し、n型半導体層を微結晶シリコンで形成してもよい。また、たとえば、p型半導体層とn型半導体層をシリコンカーバイドまたはシリコンゲルマニウムで形成し、i型半導体層をシリコンで形成してもよい。また、p型、i型およびn型の各半導体層は、1層構造であっても複数層構造であってもよい。複数層構造である場合は、各層は、互いに異なる種類のシリコン系半導体からなってもよい。なお、本明細書において、非晶質シリコンは水素化非晶質シリコンを含む概念であり、微結晶シリコンは水素化微結晶シリコンを含む概念である。半導体薄膜層を積層された基板は、カセットに再度収容され、カセットは第2ポート10から第3ポート110に搬送される。第3搬送コンベア111により、第3ポート110に搬送されたカセットから基板が取出されて薄膜検査装置109に搬入される。第3ポート110に別のカセットがある場合などカセットを第3ポート110に搬送できないときは、搬送方向116に示すように、一旦第2ポート10からカセットラック8にカセットを搬入して一時保管し、第3ポート110が空いた時点でカセットを第3ポート110に搬送することもできる。薄膜検査装置109において、基板上に形成された第1半導体薄膜層の膜厚検査が行なわれ、不良が発見された基板は除外されるステップS107。除外された基板は、不良基板用のカセットに収容される。良品と判断された基板を収容したカセットは、第3ポート110から第2ポート10に搬入される。その後カセットは、搬送方向18に搬送され、第1ポート9に配置される。ステップS106からステップS107までの工程においては、基板はカセットに収容された状態で複数枚ずつ搬送されている。第1ポート9に配置されたカセットから第2搬送コンベア35により基板が一枚ずつ取出されて、搬送方向19に搬送され、第2レーザ加工装置37に搬入される。基板は、第2レーザ加工装置37においてパターニングされるステップS108。図6は、第2レーザ加工装置によるパターニング後の基板の構成を示す模式的断面図である。図6に示すように、光電変換層54の所定の位置に、光電変換層54を分離する直線状の第2の分離溝としての溝部55が形成されている。パターニングには、YAGレーザ光の第2高調波を用いてもよく、YVO4レーザ光の第2高調波などを用いても構わない。次に、スパッタリング装置38において、光電変換層54上にZnOまたはSnO2などからなる透明導電層と、AgまたはCuなどの金属で構成される裏面電極層とを積層するステップS109。図7は、スパッタ後の基板の構成を示す模式的断面図である。図7に示すように、溝部53の形成された光電変換層54を覆うように透明導電層56が形成され、透明導電層56の上面に裏面電極層57が形成されている。透明絶縁基板51上に積層された表面導電層52、光電変換層54、透明導電層56および裏面電極層57は、薄膜積層体70を形成する。透明導電層56と裏面電極層57とは、たとえば各々50nm/150nmの膜厚を有するように形成されてもよい。裏面電極層57の形成方法としては、スパッタリング法の他、たとえば従来から公知の、蒸着法またはイオンプレーティング法などを用いることができる。ここで、裏面電極層57としては、その他、たとえばAg銀層、Alアルミニウム層、またはこれらの層の積層体などの導電性を有する層を用いることができる。また、裏面電極層57は、光電変換層54側の表面に、たとえば、SnO2膜、ITO膜、ZnO膜、若しくはこれらの膜に微量の不純物を添加した膜の単層、またはこれらを複数重ね合わせた複数層などの光を透過させることができるとともに、導電性である透明導電膜を有していることが薄膜太陽電池の変換効率を向上させる観点から好ましい。透明導電膜が複数層から構成される場合には、すべての層が同一の材料から形成されていてもよく、少なくとも1層が他と異なる材料から形成されていてもよい。その後、第3レーザ加工装置39においてパターニングされるステップS110。図8は、第3レーザ加工装置39によるパターニング後の基板の構成を示す模式的断面図である。図8に示すように、裏面電極層57から表面導電層52の上部まで到達して光電変換層54、透明導電層56および裏面電極層57を分離する、直線状の第3の分離溝としての溝部58が、所定の位置に形成されている。パターニングには、YAGレーザ光の第2高調波を用いてもよく、YVO4レーザ光の第2高調波などを用いても構わない。この際、溝部58の形成においては、表面導電層52へのダメージを抑え、かつ溝部58の形成後の裏面電極層57のバリの発生を抑制することが可能な形成条件を選択することが好ましい。次に、レーザトリミング加工装置107において、YAGレーザ光の基本波、YVO4レーザ光の基本波などを用いて、基板周縁部の領域にある、表面導電層52、光電変換層54、透明導電層56および裏面電極層57の透明絶縁基板51上の全ての層を除去するステップS111。図9は、外周絶縁領域68形成後の基板の構成を示す模式的断面図である。図9に示すように、基板周縁部の薄膜積層体70が除去されて基板周縁部が絶縁され、透明絶縁基板51の外周近傍において透明絶縁基板51の主表面51uが露出する、外周絶縁領域68が形成される。この工程により、太陽電池パネル59が製造される。次に、逆バイアス処理装置108によって、製造された太陽電池パネル59に逆電圧を印加することにより、表面導電層52と裏面電極層57とを短絡させる半導体薄膜のピンホール欠陥が除去されるステップS112。この処理によって、太陽電池セル内のリークが修復されるので、太陽電池パネル59の短絡による発電特性の低下を防止できる。次に、絶縁検査装置40において、太陽電池パネル59の外周絶縁領域68の絶縁耐圧性を評価するステップS113。絶縁検査の結果、絶縁不良となった太陽電池パネル59については、ステップS111のレーザトリミング加工により、絶縁不良の原因である残渣物を再度除去する。絶縁検査の結果、絶縁が正常であった太陽電池パネル59は、次に特性検査装置49において特性検査が行なわれるステップS114。特性検査では、太陽電池パネル59に擬似太陽光を照射し、その結果出力された電圧を測定する。太陽電池パネル59は、特性検査における出力電圧の結果に応じて性能別にランク分けされ、ランク振分搬出装置41によって、ランク別に振り分けられるステップS115。次に、電極形成装置46において、裏面電極層57の表面上にそれぞれ、銀ペーストなどの導電性ペースト64を介して電流取り出し用電極65を形成するステップS116。図10は、電極形成後の基板の構成を示す模式的断面図である。その後、封止装置47において、電流取り出し用電極65の形成後の薄膜積層体70の裏面側に、透明なEVAエチレンビニルアセテートからなる透明接着材66を設置し、その後、PETポリエチレンテレフタレート/アルミニウム/PETの積層フィルムからなる裏面封止材67を設置した後に、真空ラミネート装置によって、裏面封止材67と透明絶縁基板51とを接着するステップS117。図11は、封止後の基板の構成を示す模式的断面図である。その後、仕上げ装置48において、薄膜太陽電池69を完成させる仕上げ加工が行なわれるステップS118。具体的には、太陽電池パネル59の裏面封止材67に端子ボックス図示省略を接着し、端子ボックス内をシリコーン樹脂で充填し、アルミニウムフレーム図示省略を取り付けることによって、太陽電池パネル59を用いた薄膜太陽電池69が完成する。なお、S108からS117までの工程においては、基板は1枚ずつ搬送されている。以下、本実施の形態の第1成膜装置22~25であるプラズマCVD装置の詳細について説明する。図12は、第1成膜装置22~25の概略図である。図12に示すように、第1成膜装置22~25は、真空容器の内部に載置された基板71の主表面上に薄膜を成膜する処理を行なうための、成膜装置である。第1成膜装置22~25は、基板71に対し上方に配置された上部電極72と、基板71に対し下方に配置された下部電極73と、を含む。上部電極72と下部電極73とは、基板71を挟むように互いに対向して配置され、一対の電極を形成する。上部電極72と下部電極73との一方はカソード電極であり、他方はアノード電極である。図示しない配線が上部電極72と下部電極73とに接続されて、その配線を介して上部電極72と下部電極73とは第1成膜装置22~25の外部の電源に接続されている。第1成膜装置22~25の底部には、排気配管74が設けられている。排気配管74は、第1成膜装置22~25の内部空間と、図示しない真空ポンプとを連通している。真空ポンプが駆動することにより、第1成膜装置22~25の内部空間から排気配管74を経由して排気され、真空容器の内部の圧力が低下して真空状態とされる。排気配管74は、第1成膜装置22~25から鉛直方向に沿って下方へ延びる鉛直方向延在管と、鉛直方向延在管の下端部において屈曲して水平方向に沿って延びる水平方向延在管と、を有する。鉛直方向延在管の下端部において、排気配管74には、開閉自在の開口75が形成されている。第1成膜装置22~25の側面の一部には、開口76が形成されている。この開口76を覆うように、開閉自在の開閉扉77が配置されている。開閉扉77が開けられることにより、開口76が開放され、第1成膜装置22~25が大気開放される。開閉扉77が閉じられることにより、開口76が密閉され、第1成膜装置22~25の内部を真空にまで減圧できる状態になる。基板71に成膜処理が行なわれる場合、開閉扉77を開き、開口76を経由して基板71が第1成膜装置22~25の内部に配置される。その後開閉扉77を閉じて開口76を閉塞させた状態で、排気配管74を経由して第1成膜装置22~25の内部の空気が排気され、第1成膜装置22~25の内部空間が減圧され真空状態とされる。続いて図示しないガス供給部から、プロセスガスが第1成膜装置22~25の内部へ供給される。上部電極72と下部電極73との間に高周波の電力を供給することにより、上部電極72と下部電極73との間でプロセスガスをプラズマ状態に励起する。これにより化学的に活性となったプロセスガスの原子や分子を、基板71の主表面に接触させて、基板71の主表面上に成膜処理が行なわれる。成膜処理が繰り返されると、第1成膜装置22~25の内部の構成部品や内壁などに、成膜物が付着する。プロセスガスとしてシランを使用する場合、ポリシランなどのシリコン系付着物が、第1成膜装置22~25の内部に蓄積される。このシリコン系付着物を除去するために、第1成膜装置22~25の真空容器を大気開放し、堆積したポリシランを除去するクリーニング作業が、定期的に行なわれる。クリーニングによって付着物が除去された後、成膜が再開される。図12に示すように、第1成膜装置22~25の外部に、加湿器78と、湿度センサ79とが配置されている。加湿器78は、第1成膜装置22~25の開口76の近傍に配置され、第1成膜装置22~25の周囲の雰囲気を加湿する。湿度センサ79は、第1成膜装置22~25の周囲の雰囲気の湿度を計測する。加湿器78は、一般的な気化法、蒸発法または水噴霧法を用いて、気体の絶対湿度を高くできる。一例としては加湿器78は、ノズルを用いた微細なミスト粒子の噴霧によって加湿するものであってもよい。第1成膜装置22~25のクリーニングのために開閉扉77を開いて開口76を開放し、第1成膜装置22~25を大気開放するとき、加湿器78を運転し、第1成膜装置22~25の周辺の絶対湿度を向上させる。好ましくは、絶対湿度が11.5g/m3以上になるように、加湿器78を使用して第1成膜装置22~25の周辺を加湿する。開閉扉77を開く前に加湿器78を起動して第1成膜装置22~25の周辺の絶対湿度を11.5g/m3以上にすることにより、第1成膜装置22~25を大気開放すると、絶対湿度11.5g/m3以上の空気が第1成膜装置22~25へ流入する。加湿空気によって、クリーニング時に第1成膜装置22~25の内部に搬入する物体の表面の水分量が増加するので、物体表面の電気伝導率が向上し、電荷の漏洩が早くなる。そのため、物体の帯電電位が下がるので、静電気の発生を抑制することができる。クリーニング中の静電気の発生を抑制することで、第1成膜装置22~25の内部におけるポリシランなどの微小粉末の酸化反応を抑制できるので、熱の発生を確実に防止でき、第1成膜装置22~25のクリーニング作業時の安全性を向上することができる。また、静電気を抑制することで、第1成膜装置22~25の内部の付着物を、側壁や配管からより容易に除去することができ、加えて、側壁や配管から一度除去した付着物の微小粉末が側壁などに再付着することを抑制できるので、第1成膜装置22~25のクリーニング作業の効率を向上することができる。さらに、クリーニング時に付着物の微小粉末が開口76を経由して第1成膜装置22~25の外部へ浮遊しても、周辺の湿度を高めることにより、搬送装置や別の処理装置などの工場内の他の装置に微小粉末が付着して汚れることを、抑制することができる。加湿器78を使用した第1成膜装置22~25の周辺の空気の湿度制御は、常時行なわれてもよく、または、第1成膜装置22~25の大気開放時にのみ行なわれてもよい。第1成膜装置22~25の大気開放時に、真空容器に不活性ガスを供給して大気圧にまで圧力を上昇させることで、酸化反応を抑制する。このとき好ましくは、水分を含んだ不活性ガス、さらに好ましくは絶対湿度11.5g/m3以上の不活性ガスを真空容器内に供給すれば、第1成膜装置22~25内での静電気の発生をより確実に抑制することができる。一般的に、25°C前後の室温において相対湿度が50を下回ると、静電気の帯電電圧が大きくなり、静電気に由来する火花の発生の可能性が大きくなる。室温における相対湿度が50以上であれば、対象物の静電気による帯電量よりも大気側への放電量が大きくなるため、静電気による火花の発生を抑えることができる。そこで、本明細書では、気温25°Cで相対湿度50に相当する絶対湿度11.5g/m3以上の範囲を湿度安全領域と規定する。第1成膜装置22~25の周辺の雰囲気を湿度安全領域の範囲に保つことで、第1成膜装置22~25の大気開放時の静電気の発生を抑制し、安全にクリーニング作業を行なうことができる。加湿器78による第1成膜装置22~25周辺の絶対湿度の上限値は、飽和水蒸気量となる。飽和水蒸気量は温度によって変動し、絶対湿度の上限値は、各温度における相対湿度100のときの絶対湿度である。たとえば第1成膜装置22~25の周辺の温度が25°Cのときの絶対湿度の上限値は23g/m3であり、温度が30°Cのときの絶対湿度の上限値は30g/m3である。第1成膜装置22~25のクリーニング時に、排気配管74の内部もクリーニングする必要がある。排気配管74は細く、また下部電極73などの第1成膜装置22~25内部の構造物に遮られる場合があり、第1成膜装置22~25の内部側から排気配管74の内部にアクセスするのは一般的に困難である。そこで、排気配管74に開口75を設けることにより、第1成膜装置22~25の外部から排気配管74に容易にアクセスして、開口75を開くことにより、排気配管74の内部のクリーニング作業をより効率的に行なうことができる。図13は、図1に示す薄膜太陽電池製造装置1における第1成膜装置22~25の配置を示す概略図である。第1成膜装置22~25は、薄膜太陽電池製造装置1を構成する工場の内部の、区切られた一区画の内部に配置されている。薄膜太陽電池製造装置1は、第1成膜装置22~25の周辺の空間を仕切る間仕切り部80を備える。第1成膜装置22~25は、矩形状の側壁と天井とを有する間仕切り部80によって取り囲まれている。間仕切り部80によって囲繞された空間82の内部に第1成膜装置22~25が配置され、間仕切り部50の外部の空間83に他の装置が配置されている。第1成膜装置22~25の周辺を加湿する加湿器78は、間仕切り部80によって仕切られた、第1成膜装置22~25に近接する側の空間82に配置されている。間仕切り部80は、第1成膜装置22~25の外部の、第1成膜装置22~25に形成された開口76付近の空間を仕切り、加湿器78は、間仕切り部80が区切る空間のうち、開口76に近接する側の空間82に配置されている。加湿器78は、空間82内の雰囲気中の湿度を増加させる。間仕切り部80によって、第1成膜装置22~25と加湿器78とをその内部に含む小部屋が形成され、加湿器78が供給する水蒸気を当該小部屋の内部から拡散させないようにすることで、第1成膜装置22~25の周辺をより早くより効率よく加湿することができる。間仕切り部80は、図13に示すような第1成膜装置22~25を取り囲む形状を有し、第1成膜装置22~25の周囲にほぼ閉空間を形成できる構成であれば、より確実に第1成膜装置22~25の周辺からの水蒸気の拡散を抑制できるので望ましい。但し間仕切り部80は、この構成に限られるものではない。たとえば、開口76の側方の両側に衝立状の一対の間仕切り部を設ける構成としても、第1成膜装置22~25の開口76近傍の絶対湿度を効率的に上昇させることができる。このように、第1成膜装置22~25を大気開放するとき、開口76を経由して、加湿器78により加湿された空気を第1成膜装置22~25の内部へより好適に流入させることのできる構成であれば、間仕切り部はどのような構成であってもよい。間仕切り部80の一部分には開口部81が形成されている。この開口部81を経由して、間仕切り部80の外部の空間83と間仕切り部80によって仕切られた空間82との間で、基板を収容したカセットが搬送される。開口部81は、当該カセットの搬送中に開口部81の周囲の間仕切り部80がカセットに干渉しない程度に大きく、かつ、加湿器78により空間82内に供給された水蒸気の空間83への拡散を抑制できる程度に小さく、形成されている。開口部81を形成し開口部81を経由して基板の空間82への搬出入ができる構成にすることにより、第1成膜装置22~25への基板の自動搬送が可能になる。開口部81を十分に小さく形成すれば、加湿器78による第1成膜装置22~25の周辺を加湿する効果を十分に得ることができる。代替的には、開口部81を開閉するゲートバルブを設け、ゲートバルブの開閉により開口部81の開閉を制御してもよく、または、開口部81をエアカーテンなどで遮断してもよい。図14は、第1成膜装置22~25の動作を制御する制御装置の概要を示すブロック図である。薄膜太陽電池製造装置1は、図14に示す制御装置を含む。制御装置は、第1成膜装置22~25を制御するための、CPUCentralProcessingUnitなどの制御部84を含む。制御部84は、第1成膜装置22~25、加湿器78、湿度センサ79のそれぞれに配線により接続される。制御部84は、第1成膜装置22~25および加湿器78に、運転および停止を指令する。制御部84はまた、湿度センサ79から、湿度センサ79により計測された第1成膜装置22~25の周辺の絶対湿度を示す信号を受ける。制御装置はまた、制御部84で実行するプログラムを記憶するためのメモリ85を含む。制御部84は、メモリ85に記憶されるプログラムを読み出して、当該プログラムを実行することにより、第1成膜装置22~25、加湿器78などの各装置類を運転または停止する。制御装置はさらに、アラーム発報機86を含む。アラーム発報機86は、たとえば警報ランプや警報ブザーなどを有し、アラーム発報機86が作動することにより、薄膜太陽電池製造装置1を操作するオペレータに作業指示をする。図15は、第1成膜装置22~25のクリーニング方法の各ステップを示す流れ図である。図15を参照して、第1成膜装置22~25の内部に堆積したポリシランなどのシリコン系付着物をクリーニングする方法について説明する。まずステップS201において、第1成膜装置22~25がクリーニングすることを要求する。第1成膜装置22~25のクリーニングの要否は、たとえば成膜処理の累積回数などで判断される。次にステップS202において、湿度センサ79が、第1成膜装置22~25の周辺の湿度を計測する。続いてステップS203において、湿度センサ79によって計測された絶対湿度が、静電気の発生を抑制するための閾値として設定された11.5g/m3以上であるか否かが判断される。ステップS203で絶対湿度が11.5g/m3未満であると判断された場合、次にステップS204において、加湿器78を作動させることにより第1成膜装置22~25の周辺の湿度を増加させる、加湿運転が行なわれる。湿度センサ79によって計測された第1成膜装置22~25の周辺の絶対湿度が11.5g/m3以上になるまで、ステップS203の判断とステップS204の加湿運転が繰り返される。絶対湿度が11.5g/m3未満である間は、第1成膜装置22~25の大気開放を禁止する警報を、アラーム発報機86を用いて発報してもよい。第1成膜装置22~25の周辺の絶対湿度が11.5g/m3以上になるまで加湿され、ステップS203で絶対湿度が11.5g/m3以上であると判断されると、第1成膜装置22~25の大気開放が許可される。続いてステップS205へ進み、クリーニングを実施させる警報を、アラーム発報機86を用いて発報する。薄膜太陽電池製造装置1を操作する作業者は、このクリーニングを実施させる警報を受けて、ステップS206で第1成膜装置22~25を大気開放し、ステップS207で第1成膜装置22~25の内部の堆積物を除去するクリーニングを開始する。次にステップS208で、作業者がクリーニング完了の情報を入力したか否かを判断する。クリーニング完了の情報の入力は、アラーム発報機86もしくは第1成膜装置22~25を介して行なわれてもよく、または制御部84に直接入力されてもよい。クリーニング完了の情報の入力がなければ、続いてステップS209で、湿度センサ79によって計測された絶対湿度が11.5g/m3以上であるか否かが再度判断される。ステップS209で絶対湿度が11.5g/m3以上であると判断されれば、ステップS208の判断に戻る。ステップS209で絶対湿度が11.5g/m3未満であると判断されれば、ステップS210において、加湿運転が行なわれる。このようにして、クリーニング作業実施中の第1成膜装置22~25の周辺の絶対湿度を、常に11.5g/m3以上に保つように制御する。典型的には、クリーニング作業実施中、常時加湿器78の運転が続けられる。作業者は、クリーニングを終了し開閉扉77を閉じた後に、クリーニング完了の情報を制御部84に入力する。このときステップS208でクリーニング完了の情報が入力されたと判断され、ステップS211に進み、第1成膜装置22~25を使用した薄膜太陽電池の生産が再開される。加湿器78を使用した第1成膜装置22~25の周辺の空気の湿度制御が第1成膜装置22~25の大気開放時にのみ行なわれる設定であれば、このステップS211において、加湿器78が停止される。以上説明した第1成膜装置22~25のクリーニング方法では、第1成膜装置22~25の周辺の湿度を湿度センサ79で計測し、湿度が11.5g/m3以上であると判断された場合にのみ、第1成膜装置22~25を大気開放する。絶対湿度11.5g/m3以上の湿度安全領域でクリーニング作業を行なうことにより、クリーニング中の静電気の発生を抑制できるので、発熱の可能性を回避でき、より安全にクリーニング作業を行なうことができる。次に、図9に示す太陽電池パネル59の外周絶縁領域68の絶縁性能を検査するための、絶縁検査装置40の詳細について説明する。図16は、太陽電池パネル59用の絶縁検査装置40の構成を示す図である。絶縁検査装置40は、図9に示す構成を有する太陽電池パネル59を検査対象とし、太陽電池パネル59に対して、外周絶縁領域68の絶縁性能を検査するための検査装置である。絶縁検査装置40は、筐体88と、裏面電極層57に当接させるための第1端子89と、外周絶縁領域68の外周端近傍に当接させるための第2端子90と、第1端子89および第2端子90を上下方向および左右方向に起こす機構図示せずと、第1端子89および第2端子90の間にそれぞれ電圧を印加するための電圧印加部92と、電圧印加部92によって電圧を印加した第1端子89および第2端子90の間に流れる電流を検出する電流検出部93たとえば、絶縁耐圧試験機と、筐体88内の水分量を管理する手段94たとえば、温湿度センサーと、太陽電池パネル59を搬送する手段97たとえば、コンベヤーとを備えている。筐体88内部においては、検査対象となる太陽電池パネル59が収納された状態で、水分量を管理する手段94によりその太陽電池パネル59周囲の雰囲気の水分量を管理することができ、水分量を減少させる手段95によりその太陽電池パネル59周囲の雰囲気の水分量を減少させることができる。電圧印加部92と電流を検出する電流検出部93は、一体型でも構わない。水分量を管理する手段94と、筐体88内の水分量を減少させる手段95も一体型のものでも構わない。また、水分量を管理する手段94は、必ずしも装置構成上なくても構わない。たとえば、水分量を減少させる手段95の動作が確認できることにより、筐体88内の水分量の減少が確認できる場合等が挙げられる。筐体88内の水分量を減少させる手段95としては、筐体88内に乾燥エアーにて置換することにより、筐体88内の水分量を減少させることが可能である。その際、たとえば、温度25°C、湿度50が上限値だとすれば、温度28°C、湿度45以上になれば、乾燥エアーを導入するなどの制御を行えば、ランニングコスト低減が可能となる。他の水分量を減少させる手段としては、除湿機にて装置内の水分量を低減すればよい。この際、たとえば、温度28°C、湿度50が上限値だとすれば、温度28°C、湿度45以上になれば、除湿機が運転開始するなどの制御を行なえば、ランニングコスト低減が可能となる。より、簡単な水分量を減少させる手段として、筐体88内に乾燥剤をいれ、湿度がある一定値以上になれば、筐体88内より警告音が発せられ、乾燥剤を交換するシステムを有していれば良い。乾燥剤としては、物理的吸着であるシリカゲル系乾燥剤、化学的吸着である塩化カルシウム系乾燥時剤、酸化マグネシウム系乾燥剤が使用できる。水分量が高い場合は、吸湿に優れた化学的吸着である乾燥剤を使用することが好ましい。また、装置の筐体88内の湿度、温度または水分量が規定値以上である場合、装置内にて基板が待機し、規定値未満の温度湿度または水分量になるまで測定を実行しない方が、装置の前のコンベヤー等で待機するより好ましい。図17は、絶縁検査装置40における端子の位置を示す平面図である。図17に示すように、絶縁検査装置40の第1端子89として円柱状のものが6本設けられ、第2端子90は、検査対象となる太陽電池パネル59の外周に密接してこの外周を矩形状に取囲むように配置されている。第1端子89は、太陽電池パネル59の裏面電極層57の存在する領域の内側において、互いに対向する平行な2辺に沿う位置にそれぞれ配置されている。図18は、絶縁検査装置40と太陽電池パネル59との位置関係および印加電圧を説明する断面図である。図18に示すように、外周絶縁領域68の幅は12mmである。第1端子89と第2端子90との間には、6000Vの電圧が印加される。ここで、絶縁耐電圧特性とは、薄膜太陽電池の外周縁に取り付けられたフレームと薄膜太陽電池との間に所定の高電圧を印加しても、フレームと薄膜太陽電池との間で放電しない特性を意味する。たとえば、日本工業規格JISのC8991で定められた絶縁耐電圧試験によって所定の絶縁耐電圧性が得られているか調べることができる。システム電圧が1000Vの薄膜太陽電池モジュールの場合、国際規格では雷サージ耐圧6KVに対する絶縁耐電圧性が必要とされている。システム電圧1000Vの薄膜太陽電池である場合は6000Vの電圧を印加し、電流値が50μA未満であれば合格と判断する。図19は、絶縁検査装置40における端子の変形例を示す断面図である。絶縁検査装置40は、図18に示す第1端子89および第2端子90とは別に、図19に示すように、第1端子89と第2端子90の間に第3端子91複数でも可能を備えても構わない。組合せにより、C1,C2,C3のそれぞれに電圧を印加することができる。ただし、第3端子91の数を多くしすぎると構造が複雑になってしまう。また、外周絶縁領域68の幅に対して第3端子91と第1端子89の隙間、および第3端子91と第2端子90との隙間をうまく配置するためには、第3端子91の数をあまり多くしすぎると不都合である。このようなことを考慮すると、現実的には、上記1以上の第3端子91の数は、2以下であることが好ましい。水分量を管理する手段94は1つ以上あれば構わないし、好ましくは筐体88内の対角線上の位置に2ヶ所あると良い。筐体88内の水分量を管理する方法としては、湿度温度をモニタリングすることにより、水分量を正確に把握することが可能となる。たとえば、図20に示したように、同じ湿度50であった場合でも、温度が30°Cの場合、水分量は15.05g/m3であり、温度が25°Cの場合、水分量は11.42g/m3となり水分量の相違が生じる。なお図20は、一定湿度50に対する各温度と水分量との関係を表す図である。また、太陽電池パネル薄膜太陽電池の製造ラインでは、温度管理もある幅を有して約5°C程度おり、さらに湿度管理をしていないのが一般的な製造環境である。従って、それぞれの温度により湿度を管理することにより、正確な筐体88内の水分量を把握することができる。その際、温度ごとに湿度の上限を決めて管理を行なうことにより、測定を正確に行なうことが可能である。より、簡単な管理方法として、温度管理の上限値がわかっているのであれば、温度が高いほど同じ湿度であれば、水分量が高いので、温度の上限値での湿度を管理しておけば、測定を正しく行なうことが可能となる。筐体88内の水分量としては、好ましくは14.3g/m3以下、より好ましくは12.5g/m3以下である。図21は、筐体88内の水分量と、上述の条件化下において、太陽電池パネル59の絶縁耐電圧試験を行なった際の電流量との関係を示したグラフである。図21では、6000V印加時における漏れ電流と水分量との関係が図示されている。水分量は電流の流れる量の傾きが変化する14.3g/m3以下にすることが好ましく、より好ましくは電流量が増加する変化点である12.5g/m3以下で管理する。筐体88内が常に12.5g/m3以下になるように温度24°Cの場合は湿度57.5以下、温度25°Cの場合は湿度54.5以下、温度26°Cの場合は湿度51.5以下、温度27°Cの場合は湿度48.5以下、温度28°Cの場合は湿度46以下になるように、制御部96により、水分量を管理する手段94および水分量を減少させる手段95を管理する。ここでは、筐体88内部に検査対象となる太陽電池パネル59透明絶縁基板51が収納された状態で、水分量を管理する手段94によりその太陽電池パネル59透明絶縁基板51周囲の雰囲気の水分量を管理し、水分量を減少させる手段95によりその太陽電池パネル59透明絶縁基板51周囲の雰囲気の水分量を減少させることになる。この場合、太陽電池パネル59が通常搬送している間、外周絶縁領域68の絶縁検査結果が異常になることはない。また、太陽電池パネル59を100枚抜き取り複数回の測定を行なっても、1回目の測定結果と再測定の測定結果には差は見られない。このようにして作製した太陽電池パネル59を用いた薄膜太陽電池69について、上記の太陽電池パネル59の外周絶縁領域68に対応する箇所にアルミニウムフレームを取り付けた後に、アルミニウムフレームと薄膜太陽電池69の電流取り出し用電極65との間に6000Vを印加し、絶縁耐電圧の最終試験を行った。その結果、全てのセルが合格となった。以上説明した通り、プラズマCVD装置である第1成膜装置22~25の大気開放時には、周辺の絶対湿度を11.5g/m3以上になるように管理する。つまり、第1成膜装置22~25の周辺は、絶対湿度が高いほうが望ましい。一方、太陽電池パネル59の絶縁検査を行なう絶縁検査装置40の筐体88の内部は、絶対湿度14.3g/m3以下に管理される。つまり、絶縁検査装置40の内部は、絶対湿度が低い方が望ましい。そのため、本実施の形態では、第1成膜装置22~25の配置された第1空間101と絶縁検査装置40の配置された第2空間102との間での空気の流通を抑制するための、隔壁部120が設けられている。第1成膜装置22~25の周囲には加湿器78が配置され、加湿器78は、第1成膜装置22~25の周囲を加湿するが、第2空間102の絶対湿度には影響を与えない。絶縁検査装置40の筐体88の内部には水分量を減少させる手段95が配置され、水分量を減少させる手段95は筐体88の内部の絶対湿度を低下させるが、第1空間101の絶対湿度には影響を与えない。加湿器78は、第1成膜装置22~25の周辺雰囲気の湿度を制御する第一湿度制御装置として機能する。水分量を減少させる手段95は、絶縁検査装置40の筐体88内の湿度を制御する第二湿度制御装置として機能する。加湿器78と水分量を減少させる手段95とは、互いに独立に湿度を制御可能である。このようにすれば、薄膜太陽電池製造装置1に含まれる第1成膜装置22~25と絶縁検査装置40とについて、それぞれ最適な絶対湿度範囲で管理することができる。具体的には、加湿器78は、第1成膜装置22~25を大気開放するときに、第1成膜装置22~25の周辺の湿度を絶対湿度11.5g/m3以上に制御する。水分量を減少させる手段95は、絶縁検査装置40の筐体88内の絶対湿度を14.3g/m3以下に制御する。これにより、第1成膜装置22~25のクリーニング時の静電気の発生を抑制して、第1成膜装置22~25を安全にメンテナンスできるとともに、第1成膜装置22~25のクリーニング中でも絶縁検査装置40を用いた太陽電池パネル59の絶縁検査を正常に実施することができる。したがって、より生産性に優れた、好適な薄膜太陽電池製造装置1を提供することができる。第1成膜装置22~25の周辺雰囲気を加湿する加湿器78と、絶縁検査装置40の筐体88内を除湿する水分量を減少させる手段95と、の相互の影響を防ぐことで、加湿器78と水分量を減少させる手段95とのそれぞれの稼働効率が低下することを防止することができる。一般に、工場内全体の雰囲気を細かく制御する装置は非常に大がかりなものとなり、設置コストや維持コスト、維持メンテナンスの手間などがかかる。本実施の形態の薄膜太陽電池製造装置1は、このような工場内全体の雰囲気を制御する装置を用いなくとも適用できる点で有用であり、簡便な構成にて工場内の異なる区域を異なる絶対湿度に独立に制御できるという利点を有している。図1に戻って、薄膜太陽電池製造装置1はカセットラック8を備える。基板を収容したカセットは、搬送方向116に搬送され、第2ポート10とカセットラック8との間を搬送される。カセットラック8は、複数のカセットを収容可能であり、カセットに収容された複数の基板を一時保管可能に設けられている。このカセットラック8内に、第1成膜装置22~25での成膜処理まで完了した基板を保管しておくことにより、第1成膜装置22~25のクリーニング中にも、第2基板搬送ライン42へ順次基板を供給できる。そのため、第1成膜装置22~25のメンテナンス中に、第2レーザ加工装置37以降の処理装置で基板を順次処理できるので、薄膜太陽電池製造装置1の全体としての稼働率の低下を抑制することができる。したがって、薄膜太陽電池製造装置1の生産性を一層向上させることができる。図22は、カセットラック8の断面図である。図22に示すように、本実施形態のカセットラック8は上段8aと下段8bとを有する2段構造になっており、上段8aと下段8bとのそれぞれにつき6つのカセット60を収納することができる。基板を収容したカセット60をカセットラック8に一時保管することにより、カセット60の設置スペースを削減することができる。カセット60には識別番号が付されており、第1ポート9、第2ポート10、第3ポート110およびカセットラック8などには、カセット60の識別番号を認識するセンサーが取付けられている。そのセンサーにより認識されたカセット60の位置情報は、図示しない制御部に送られる。カセット60のそれぞれの搬送は、この制御部により管理されている。さらに、透明絶縁基板51に識別番号を付し、透明絶縁基板51の搬送を制御部により管理してもよい。図23は、カセット60の構造を示す斜視図である。図23に示すように、カセット60は、内部に空間を有する直方体状の筐体61と、基板を載置するための棚部62とから構成されている。カセット60は、透明絶縁基板51を6枚収容することができる。筐体61には、開口部63が形成されており、開口部63を通して透明絶縁基板51が出し入れされる。なお、開口部63は1箇所に限定されず、カセット60の対向する側面の両方に設けられていても良い。それによって、カセット60に対して双方向から基板を出し入れする事ができるので、各搬送部の位置に合わせてカセット60の向きを変更する為の搬送装置の動作や、その動作に必要な装置構造を簡略化できる。カセット60は上述した大きさの基板を収容できるように、筐体61の開口部63と奥行きのいずれか一方が基板の短辺より大きく、他方が基板の長辺より大きい必要がある。カセットの材質としては、カセット自体のサイズが大きく、複数の基板を収容した際の負荷に耐える必要があることから金属部品が主体であることが好ましい。よって、カセットは人間による搬送が困難な重量となるので、カセットの搬送は基本的に搬送ロボットが行なうこととなる。搬送ロボットのトラブルなどで緊急にカセットを搬送ロボット以外で搬送する必要が生じた場合においては、台車、クレーンおよびフォークリフトなどの重量物を運搬できる装置を使用する。本実施形態においては、カセット60において透明絶縁基板51は水平に載置されているが、鉛直に載置されるようにしてもよい。薄膜太陽電池製造装置において基板を鉛直に保持して処理する処理装置が多く含まれる場合には、カセット60において基板が鉛直に載置されるようにすることにより、カセット60に基板を収容する際の基板の向きを変更する時間を短縮することができる。実施の形態2図24は、実施の形態2の薄膜太陽電池製造装置1の構成を模式的に示す図である。図25は、実施の形態2のバッファストッカ15を模式的に示す平面図である。実施の形態1と比較して、実施の形態2の薄膜太陽電池製造装置1は、隔壁部120に替えて、第1成膜装置22~25と絶縁検査装置40との間で基板を搬送するとともに一時保管する基板搬送ストッカとしてのバッファストッカ15を備える。バッファストッカ15は、複数の基板を収容して一括に基板を搬送可能とする複数のカセットを一時保管する、カセットラック8をその内部に含む。第1基板搬送ライン5とバッファストッカ15とは、基板を第1処理装置から搬出してカセットに収容する、第1搬送部である第1搬送コンベア7により接続されている。バッファストッカ15とカセット搬送ライン43とは、カセットを第2処理装置に搬入、および、カセットを第2処理装置から搬出する、第3搬送部である第1搬送ロボット21により接続されている。バッファストッカ15と第2基板搬送ライン42とは、カセットから基板を取り出し第2基板搬送ライン42に搬入する、第1搬送部である第2搬送コンベア35により接続されている。レーザ加工後検査装置106にて処理された基板は、レーザ加工後検査装置106から第1搬送コンベア7によりバッファストッカ15に搬送される。バッファストッカ15においては、レーザ加工後検査装置106から搬出された基板が搬送されてくる第1ポート9が設けられている。バッファストッカ15の中心部には、カセットを複数保管可能なカセットラック8が設けられている。レーザ加工後検査装置106および第2レーザ加工装置37と第1成膜装置22~25との間に、カセットラック8が配設されている。バッファストッカ15には、カセットをバッファストッカ15内で搬送する第2搬送部である第2搬送ロボット14が配置されている。第2搬送部は、カセットをカセットラック8に搬入、および、カセットをカセットラック8から搬出する。カセットラック8の周囲には、第2搬送ロボット14の通路13が形成されている。第2搬送ロボット14は、カセットラック8の周囲の位置からカセットラック8の周囲の他の位置にカセットラック8を経由せずにカセットを移動可能である。なお、本実施形態においては、第2搬送ロボット14が一つ設けられているが、複数設けられていてもよい。通路13は一つの第2搬送ロボット14を持つ一続きの通路として示しているが、この構成に限定されず、例えば、カセットラック8の各周辺に対しそれぞれ別の通路13が設けられていてもよい。また、各通路13が複数の第2搬送ロボット14を備えていてもよい。第1搬送工程において基板は、第1搬送コンベア7によりバッファストッカ15の第1ポート9に搬送されて、カセットに収容される。第1ポート9において基板を収容されたカセットは、第2搬送工程において、第2搬送ロボット14により搬送方向16に搬送されてカセットラック8に搬入され、カセットラック8内に一時保管される。このとき、カセットにカセットの基板収容枚数である6枚の基板が収容された状態でカセットラック8内に一時保管されることが好ましい。このようにすることにより、基板の搬送を効率的に行なうことができるとともに、基板を収容するカセットの数を減少させることができる。ただし、装置トラブルなどにより基板を収容できない事態が発生した場合には、カセットに空きがある状態でカセットがカセットラック8に一時保管されてもよい。バッファストッカ15においては、第1成膜装置22~25から搬出されたカセットが搬送されてくる第2ポート10が設けられている。カセットラック8において一時保管されていたカセットは、第2搬送工程において、第2搬送ロボット14によりカセットラック8から搬出されて、第2ポート10に搬送される。カセットラック8と第2ポート10との間において、搬送方向18に示すようにカセットが搬送される。第2ポート10へ搬送されたカセットは、さらに第1搬送ロボット21へ搬送される。第1搬送ロボット21によりカセットが、第1成膜装置22~25のそれぞれに任意に搬送される。第3搬送工程において、カセットは、第1搬送ロボット21により第2ポート10から第1成膜装置22~25のいずれかのカセットポート26~29に搬送される。本実施形態においては、バッファストッカ15は、基板を一枚ずつ搬送する第4搬送部である第3搬送コンベア111により薄膜検査装置109と接続されている。第3搬送コンベア111は、第1搬送コンベア7および第2搬送コンベア35とは、カセットラック8を挟んで反対側に設けられている。バッファストッカ15においては、薄膜検査装置109から搬出された基板が搬送されてくる第3ポート110が設けられている。第1成膜装置22~25により処理された基板は、カセットに収容されて、カセットポート26~29から第1搬送ロボット21によりバッファストッカ15の第2ポート10に搬送される。第2ポート10に搬送されたカセットは、第2搬送ロボット14によりカセットラック8内に搬送される。その後、第2搬送ロボット14によりカセットラック8から第3ポート110にカセットが搬送方向112に搬送される。第2搬送ロボット14は、第3ポート110に別のカセットがある場合などカセットを第3ポート110に搬送できないときは、一旦カセットラック8にカセットを搬入して一時保管し、第3ポート110が空いた時点でカセットを第3ポート110に搬送することができる。また、第2搬送ロボット14は、第2ポート10から第3ポート110に、カセットラック8を経由せずにカセットを搬送することも可能である。薄膜検査装置109により検査されて良品と判断された基板を収容したカセットは、第2搬送ロボット14により、第3ポート110から搬送方向113に搬送されてカセットラック8に搬入される。バッファストッカ15においては、第2レーザ加工装置37に搬入される基板が収容されたカセットが配置される第4ポート11が設けられている。第4ポート11は、カセットが配置される場所である。カセットラック8において一時保管がされた後、カセットは、第2搬送ロボット14により、カセットラック8から搬出されて第4ポート11に搬送される。薄膜検査装置109により検査されて良品と判断された基板を収容してカセットラック8に一時保管されているカセットは、第2搬送ロボット14により搬送方向19に搬送されて第4ポート11に配置される。第4ポート11に配置されたカセットから第2搬送コンベア35により基板が一枚ずつ取出されて、第2レーザ加工装置37に搬入される。第4ポート11に配置されたカセットから全ての基板が取出された後、空になったカセットは第2搬送ロボット14により搬送方向20に搬送されてカセットラック8に一時保管される。さらに、空のカセットは、カセットラック8から第2搬送ロボット14により搬送方向17に搬送されて、第1ポート9に配置される。このように、基板の搬送が効率よく行なわれるように、バッファストッカ15内においてカセットの一時保管と搬送とが図示しない制御部によって制御されている。本実施形態においては、一つのカセットラックにて基板バッファストッカを構成しているので、従来の2箇所の基板バッファストッカを備える製造システムよりもストッカ数を削減でき、工場内のスペースを有効利用できる。また、カセットラック内では基板をカセット単位で管理することにより、基板一枚単位で管理する場合に比べて、管理数が低減でき、搬送回数も低減できることより、効率の良い製造装置を実現できる。従って、本実施形態においては、一括で処理する基板枚数が異なる装置を組合わせた薄膜太陽電池製造装置の生産効率を向上できる。本実施形態においては、バッファストッカ15は、基板を一連の処理から切り離して、カセットラック8に一時保管されたカセットから取出して外部に搬出、および、基板を外部から搬入してカセットに収容する外部搬送部である第4搬送コンベア44により外部ポート45と接続されている。バッファストッカ15においては、外部ポート45から基板が搬入または外部ポート45に基板が搬出される第5ポート12が設けられている。第5ポート12は、カセットが配置される場所である。この構成により、テスト基板を特定の処理装置において処理する場合など、テスト基板を最初の工程から処理する必要がない場合に、テスト基板をバッファストッカ15から途中の工程に搬送して処理することができる。具体的には、外部ポート45から第4搬送コンベア44により第5ポート12に配置したカセットにテスト基板を収容する。そのカセットを第2搬送ロボット14により、基板を所望の処理装置に搬送することが可能な第4ポート11、第2ポート10または第3ポート110に搬送する。その後は、テスト基板が所望の処理装置において処理される。テスト基板を収容したカセットが第4ポート11に搬送された場合には、搬送方向36にテスト基板が搬送されてランク振分搬出装置41からテスト基板が搬出される。テスト基板を収容したカセットが第2ポート10に搬送された場合には、第1成膜装置22~25で処理されたテスト基板を収容したカセットは、再度第2ポート10に搬送される。第2ポート10に搬送されたカセットは、第2搬送ロボット14により第5ポート12に搬送される。第5ポート12に搬送されたカセットからテスト基板が取出され、第4搬送コンベア44により外部ポート45に搬出される。本実施形態においては、外部搬送部として基板を搬送する第4搬送コンベア44を設けたが、カセットを搬送する搬送ロボットを外部搬送部として設けてもよい。実施の形態2の構成により、第1基板搬送ライン5および第2基板搬送ライン42とカセット搬送ライン43との間の基板搬送をバッファストッカ15を介在させて行なうことにより、円滑に基板搬送を行うことが可能となる。その結果、薄膜太陽電池製造装置1全体のスループットの向上を図れる。また、第1基板搬送ライン5、カセット搬送ライン43および第2基板搬送ライン42の搬送機構がバッファストッカ15により分割されているため、いずれかの処理装置にトラブルが発生した場合に停止する搬送機構が限定されて、問題のない搬送機構に接続されている処理装置を稼動し続けることができる。そのため、第1基板搬送ライン5、カセット搬送ライン43および第2基板搬送ライン42のいずれかに含まれる装置においてトラブルが発生した場合に、バッファストッカ15のカセットラック8に一時保管されているカセットに収容されている基板を問題のないラインに投入して処理を継続できる。その結果、トラブルの発生による薄膜太陽電池製造装置1の生産性の低下を低減することが可能となる。さらに、本実施形態においては、各ラインを構成する処理装置の少なくとも一方の側面を、他の装置が配置されていない開放スペースに面して配置しているため、処理装置の設備補修および設備点検などのメンテナンス時の作業性に優れている。図26は、バッファストッカ15の構造を示す模式的断面図である。図26に示すように、バッファストッカ15の天井部には、ファン118が設けられている。ファン118は、点線矢印F1に示すようにバッファストッカ15の外部から内部へ空気を流通させ、バッファストッカ15の天井部から床部へ向かって流れる下降流を発生させる。バッファストッカ15から第1搬送ロボット21へ基板が搬出入される第2ポート10の位置には、バッファストッカ15の側壁の一部が開口した開口部103が形成されている。バッファストッカ15から第2搬送コンベア35へ基板が搬送される第4ポート11の位置には、バッファストッカ15の側壁の一部が開口した開口部104が形成されている。ファン118の運転によってバッファストッカ15の内部空間に発生した空気流れは、点線矢印F2,F3に示すように、開口部103,104を経由してバッファストッカ15の外部へ流出する。このようにバッファストッカ15内の気流を制御することで、バッファストッカ15から第1成膜装置22~25の配置された第1空間101へ向かう空気の流れが発生する。かつ、バッファストッカ15から絶縁検査装置40の配置された第2空間102へ向かう空気の流れが発生する。そのため、第1成膜装置22~25の周囲において加湿器78により加湿された湿度の高い空気が、第1空間101からバッファストッカ15を越えてバッファストッカ15を挟んで反対側の第2空間102へ流れることを、より確実に防止することができる。同様に、絶縁検査装置40の筐体88の内部において水分量を減少させる手段95により除湿された湿度の低い空気が、第2空間102からバッファストッカ15を越えてバッファストッカ15を挟んで反対側の第1空間101へ流れることを、より確実に防止することができる。バッファストッカ15内の気流を発生させるためのファン118に替えて、ガスをバッファストッカ15内に供給するガス供給部をバッファストッカ15の内部に配置して、バッファストッカ15の内部の圧力を外部よりも高くしてもよい。このようにしても、開口部103,104を経由してバッファストッカ15の内部から外部へ流れる気体の流れが発生するので、上記と同様に、湿度の異なる雰囲気が混合することを防止することができる。湿度の高い空気は比重が大きく、床の方に流れる傾向がある。そのため、薄膜太陽電池製造装置1の配置された工場内において、工場の建屋の天井付近までバッファストッカ15の高さがあるのがより好ましい。この場合、湿度の高い雰囲気が第1空間101からバッファストッカ15の反対側の第2空間102へ流れることを、さらに確実に防止することができる。以上説明した実施の形態2の構成によれば、バッファストッカ15によって、第1成膜装置22~25の配置された第1空間101と、絶縁検査装置40を含む他の装置が配置された第2空間102と、が隔離される。そのため、第1空間101と第2空間102とのそれぞれの雰囲気を、個別に管理することができる。実施の形態2のバッファストッカ15は、第1空間101と第2空間102とを隔て、第1空間101と第2空間102との間での空気の流出入を抑制する機能を有しているので、実施の形態1で説明した隔壁部120を設ける必要はない。そのため、第1空間101と第2空間102とを遮断するためだけの隔壁部120を取り除くことができるので、薄膜太陽電池製造装置1の構成を簡略化することができる。実施の形態1では、第1成膜装置22~25での成膜処理完了後の基板を一時保管するためのカセットラック8を設けたが、実施の形態2ではバッファストッカ15がその内部にカセットラック8を備えるので、カセットラック8を別途設ける必要がなく、薄膜太陽電池製造装置1の装置構造をより簡略化できる。第1成膜装置22~25がメンテナンスのため停止している間にも、絶縁検査装置40を稼働させ、太陽電池パネル59の絶縁検査を継続することができるので、薄膜太陽電池製造装置1の生産性を向上させることができる。以上のように本発明の実施の形態について説明を行なったが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。この発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"