"第1基板及び第2基板が対向配置され、上記第1基板が、基板本体と、該基板本体上に設けられた第1配線と、該第1配線と絶縁膜を介して設けられた第2配線と、を備え、表示領域においては、上記第1配線は互いに平行に延びるように多数設けられ、上記第2配線は該各第1配線と交差する方向に互いに平行に延びるように多数設けられ、両配線の平面視における各交点近傍に形成されたスイッチング素子に対応して画素が構成されて所定の表示を行う表示装置であって、上記第1基板の上記第1配線上方には、基板外周縁部に沿って連続して延びると共に上記第1配線を横切るように溝が形成され、上記溝の少なくとも上記第1配線と平面視で重なる領域の下層には、溝下地メタルが上記第2配線と同一層に設けられていることを特徴とする表示装置。請求項1に記載された表示装置において、上記第1基板が矩形形状を有し、上記溝は、上記基板外周縁部のうち第1基板を構成する対向する2辺に沿って連続して延びるように形成されていることを特徴とする表示装置。請求項2に記載された表示装置において、上記第1配線のうち上記表示領域において互いに平行に延びる多数の第1配線はゲート線であって、上記第1基板の表示領域を囲う領域のうち上記対向する2辺に沿った領域は、上記ゲート線を外部回路と接続するための外部接続端子が設けられるゲート端子領域であることを特徴とする表示装置。請求項2または3に記載された表示装置において、上記第2基板において、上記第1基板の溝と平面視で対応する第1基板を構成する対向する2辺に沿った領域のそれぞれに、第1基板側に向かって突出するようにリブが形成され、上記リブは、基板表面からの突出高さが上記溝の深さと同じまたはそれよりも小さく、且つ、リブ幅が該リブに対応する該溝の幅よりも小さいことを特徴とする表示装置。請求項1に記載された表示装置において、上記溝は、上記基板外周縁部に上記表示領域を囲むように環状に連続して形成されていることを特徴とする表示装置。請求項5に記載された表示装置において、上記第2基板において、上記第1基板の溝と平面視で対応する領域には、表示領域を環状に囲むと共に第1基板側に向かって突出するようにリブが形成され、上記リブは、基板表面からの突出高さが上記溝の深さと同じまたはそれよりも小さく、且つ、リブ幅が該リブに対応する該溝の幅よりも小さいことを特徴とする表示装置。請求項1~6のいずれかに記載された表示装置において、上記溝下地メタルは、上記溝形状に対応して、基板外周縁部に沿って連続して延びるように設けられていることを特徴とする表示装置。請求項7に記載された表示装置において、上記第1基板上の上記表示領域以外の領域には、該第2基板表面に設けられた共通電極に共通電位を与えるためのトランスファパッドが形成され、上記溝下地メタルは、上記トランスファパッドと電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。請求項8に記載された表示装置において、上記トランスファパッドは、複数形成され、上記溝下地メタルは、上記複数のトランスファパッドの各々と電気的に接続されると共に、共通電位を与える外部接続端子にも接続されていることを特徴とする表示装置。請求項1~6のいずれかに記載された表示装置において、上記溝下地メタルは、上記第1配線と上記溝とが平面視で重なる領域毎に対応して島状に離間して設けられていることを特徴とする表示装置。請求項1~10のいずれかに記載された表示装置において、上記溝下地メタルは、他の配線と電気的に接続されていないフローティング状態であることを特徴とする表示装置。請求項1~11のいずれかに記載された表示装置において、上記溝下地メタルの下層であって上記絶縁膜の上層にはシリコン膜が設けられていることを特徴とする表示装置。請求項1~12のいずれかに記載された表示装置において、上記溝表面は、透明導電膜で被覆されていることを特徴とする表示装置。請求項1~12のいずれかに記載された表示装置において、上記溝表面は、上記溝下地メタルが露出していることを特徴とする表示装置。請求項1~14のいずれかに記載された表示装置において、上記第2配線は、Ti膜とその上層に積層されたCu膜とで形成されていることを特徴とする表示装置。請求項1~14のいずれかに記載された表示装置において、上記第2配線は、Ti膜とその上層に積層されたAl膜とで形成されていることを特徴とする表示装置。請求項1~16のいずれかに記載された表示装置において、上記第1基板と上記第2基板との間には、液晶層が設けられていることを特徴とする表示装置。ところで、特許文献1に記載された構成の液晶表示装置では、溝部が構成される領域が表示領域の外周に沿った方向に長く延びるように設けられているものの、各溝部は、配線と重ならないように形成されている。従って、溝部においては、配線が設けられたラインに沿って、有機膜が溝部を横断する畝のように溝部の底に対して隆起することとなる。ところが、本発明の発明者等は、上記の構成の液晶表示装置に関して、以下の問題点を見いだした。すなわち、表示領域の外周に溝部を設けても、溝部を横断する畝状の隆起構造が存在するので、配向膜の原料が表面張力等によって畝状の隆起構造をつたって溝部の外方に流出してしまい、配向膜のシール領域への流出を十分に制御することができないのである。しかしながら、溝部を横断する畝状の隆起構造が存在しないようにするために、図32の平面図に示すように配線101を横切るように溝102を形成すると、図33aに示すように、溝表面に導電膜103が設けられているので、隣り合う配線101同士が導電膜103を介して導通することとなり、両配線の電位が異なる場合にはショートしてしまう。一方、配線101同士のショートを防ぐために導電膜103を設けないで溝102を構成すると、配線101が表面に露出するので、腐蝕や酸化により配線101が劣化しやすくなる。また、図33bに示すように、隣り合う配線101にまたがって導電性の異物104が接触すると、その配線101間でショートしてしまう。さらに、溝102の領域に導電性ビーズ105が存在する場合には、露出した配線101と反対側の基板の電極106とがリークしてしまう。本発明は、配向膜形成時に、配向膜原料が基板外側方に向かって流出するのを抑制して、配向膜とシール材との間の距離を小さくすることにより狭額縁の表示装置を得ることを目的とする。本発明の表示装置は、第1基板及び第2基板が対向配置され、第1基板が、基板本体と、基板本体上に設けられた第1配線と、第1配線と絶縁膜を介して設けられた第2配線と、を備え、表示領域においては、第1配線は互いに平行に延びるように多数設けられ、第2配線は上記各第1配線と交差する方向に互いに平行に延びるように多数設けられ、両配線の平面視における交差部毎に形成されたスイッチング素子に対応して画素が構成されて所定の表示を行うものであって、第1基板の第1配線上方には、基板外周縁部に沿って連続して延びると共に第1配線を横切るように溝が形成され、溝の少なくとも第1配線と平面視で重なる領域の下層には、溝下地メタルが第2配線と同一層に設けられている。上記の構成によれば、溝が第1配線の上方に基板外周縁部に沿って連続して延びるように形成されているので、第1配線が設けられた領域においても、配向膜形成時、基板外側方に向かって流動する配向膜原料を溝内部に収容することができ、配向膜原料がシール領域に流出するのを有効に抑制することができる。そのため、配向膜とシール材との間の距離を小さくすることができ、狭額縁の表示パネルを得ることができる。また、上記の構成によれば、溝の少なくとも第1配線と平面視で重なる領域の下層には、溝下地メタルが設けられているので、第1配線を横切るように溝が形成されていても、第1配線が溝の表面に露出したり、溝の表面に設けられた導電膜と第1配線とが導通したりすることがない。そのため、溝表面に設けられた導電膜や溝表面付近に存在する導電性の異物を介して第1配線間でショートする虞がなく、また、第1配線が溝表面に露出して腐蝕する虞がない。また、溝下地メタルが溝表面に設けられた導電膜や溝表面付近に存在する導電性の異物と接触しても、或いは、溝下地メタルが溝表面に露出しても、溝下地メタルは表示装置の駆動に直接かかわる配線ではないので、表示装置の表示性能に影響は及ばない。従って、優れた耐久性能を得ることができる。さらに、上記の構成によれば、溝下地メタルが第2配線と同一層に設けられているので、溝下地メタルと第2配線とを同時に形成することができる。従って、製造工程の増加を伴うことなく溝下地メタルを設けることができる。本発明の表示装置は、第1基板が矩形形状を有し、溝は、基板外周縁部のうち第1基板を構成する対向する2辺に沿って連続して延びるように形成されていてもよい。上記の構成によれば、溝が連続して延びるように形成された上記対向する2辺においては、非表示領域を狭額縁化することができる。本発明の表示装置は、溝が基板外周縁部のうち第1基板を構成する対向する2辺に沿って連続して延びるように形成されている場合、第1配線のうち表示領域において互いに平行に延びる多数の第1配線はゲート線であって、第1基板の表示領域を囲う領域のうち対向する2辺に沿った領域は、ゲート線を外部回路と接続するための外部接続端子が設けられるゲート端子領域であることが好ましい。上記の構成によれば、ゲート端子領域に沿った非表示領域を狭額縁化できる一方、溝が設けらず幅広の額縁領域となった残りの2辺に沿った領域には、ソース線を修正するための修正用予備配線を非表示領域に迂回させて配置するためのスペースとして有効に使用することができる。本発明の表示装置は、溝が基板外周縁部のうち第1基板を構成する対向する2辺に沿って連続して延びるように形成されている場合、第2基板において、第1基板の溝と平面視で対応する第1基板を構成する対向する2辺に沿った領域のそれぞれに、第1基板側に向かって突出するようにリブが形成されていることが好ましく、この場合、リブは、基板表面からの突出高さが上記溝の深さと同じまたはそれよりも小さく、且つ、リブ幅が該リブに対応する該溝の幅よりも小さく設定されている。上記の構成によれば、第2基板において、第1基板の溝と平面視で対応する第1基板を構成する対向する2辺に沿った領域のそれぞれに、第1基板側に向かって突出するようにリブが形成されているので、上記対向する2辺に沿った領域では、第2基板においても、配向膜形成時、配向膜原料が基板外側方に向かって流出するのを有効に抑制することができる。そのため、第1基板側の溝による流出防止と相俟って配向膜とシール材との間の距離をさらに小さくすることができ、狭額縁の表示パネルを確実に得ることができる。また、リブは、基板表面からの突出高さが溝の深さと同じまたはそれよりも小さく、且つ、リブ幅がリブに対応する溝の幅よりも小さくなるように設定されているので、リブが設けられた領域においても溝底部とリブの突端との間の距離が第1基板と第2基板との間の距離と同じまたはそれよりも大きくなる。従って、シール材にスペーサとして混入されたガラス繊維粉砕物が溝及びリブが設けられた領域に存在しても、リブによりスペーサの機能が阻害されてセル厚の制御が困難になることがない。本発明の表示装置は、溝は、基板外周縁部に表示領域を囲むように環状に連続して形成されていてもよい。上記の構成によれば、基板外周縁部の全周において、非表示領域を狭額縁化することができる。本発明の表示装置は、溝が基板外周縁部に表示領域を囲むように環状に連続して形成されている場合、第2基板において、第1基板の溝と平面視で対応する領域には、表示領域を環状に囲むと共に第1基板側に向かって突出するようにリブが形成されていることが好ましく、この場合、リブは、基板表面からの突出高さが上記溝の深さと同じまたはそれよりも小さく、且つ、リブ幅が該リブに対応する該溝の幅よりも小さく設定されている。上記の構成によれば、第2基板において、第1基板の溝と平面視で対応する領域には、表示領域を囲むように環状に延びるリブが第1基板側に向かって突設されているので、第2基板においても、配向膜形成時、配向膜原料が基板外側方に向かって流出するのを有効に抑制することができる。そのため、第1基板側の溝による流出防止と相俟って配向膜とシール材との間の距離をさらに小さくすることができ、狭額縁の表示パネルを確実に得ることができる。また、リブは、基板表面からの突出高さが溝の深さと同じまたはそれよりも小さく、且つ、リブ幅がリブに対応する溝の幅よりも小さくなるように設定されているので、リブが設けられた領域においても溝底部とリブの突端との間の距離が第1基板と第2基板との間の距離と同じまたはそれよりも大きくなる。従って、シール材にスペーサとして混入されたガラス繊維粉砕物が溝及びリブが設けられた領域に存在しても、リブによりスペーサの機能が阻害されてセル厚の制御が困難になることがない。本発明の表示装置は、溝下地メタルが、溝形状に対応して、基板外周縁部に沿って連続して延びるように設けられていてもよい。上記の構成によれば、溝下地メタルが溝形状に対応して、基板外周縁部に沿って連続して延びるように設けられているので、溝下地メタルと第1配線とのレイアウトの位置ズレの虞がなく、確実に第1配線と溝との間に溝下地メタルを設けることができる。本発明の表示装置は、第1基板上の表示領域以外の領域に、第2基板表面に設けられた共通電極に共通電位を与えるためのトランスファパッドが形成され、溝下地メタルは、トランスファパッドと電気的に接続されていてもよい。上記の構成によれば、溝下地メタルが溝形状に対応するように環状に連続して設けられ、さらに、トランスファパッドと電気的に接続されているので、溝下地メタルの電位をトランスファパッドと同じ共通電位に保持することができる。そのため、例えばシール材中に混入された導電性ビーズ等のトランスファ材を介して第2基板表面の共通電極と溝下地メタルとが導通しても、それに起因する表示上の不良が生じる虞がない。本発明の表示装置は、トランスファパッドが複数形成され、溝下地メタルが、複数のトランスファパッドの各々と電気的に接続されると共に、共通電位を与える外部接続端子にも接続されていてもよい。上記の構成によれば、溝下地メタルが複数のトランスファパッドの各々と電気的に接続されると共に、共通電位を与える外部接続端子にも接続されているので、外部接続端子から溝下地メタルに与えられた共通電位をそのまま各トランスファパッドに伝達することができる。つまり、各トランスファパッドに共通電位を与えるためのトランスファバスラインの機能を溝下地メタルに持たせることができ、トランスファバスラインをトランスファパッドの外周等に設ける場合よりも狭額縁化することができる。本発明の表示装置は、溝下地メタルが、第1配線と溝とが平面視で重なる領域毎に対応して島状に離間して設けられていてもよい。上記の構成によれば、ある場所で溝下地メタルと第1配線とが導通してしまって不良となっても、溝下地メタルが第1配線と溝とが平面視で重なる領域毎に対応して島状に離間して設けられているので、不良が溝下地メタル全体に伝わることがない。本発明の表示装置は、溝下地メタルが、他の配線と電気的に接続されていないフローティング状態であってもよい。上記の構成によれば、溝下地メタルが他の配線と電気的に接続されていないフローティング状態であるので、例えばシール材中に混入された導電性ビーズ等のトランスファ材を介して第2基板表面の共通電極と溝下地メタルとが導通しても、溝下地メタルがフローティング状態であるので、それに起因する表示上の不良が生じる虞がない。本発明の表示装置は、溝下地メタルの下層であって絶縁膜の上層にはシリコン膜が設けられていてもよい。上記の構成によれば、第1配線の上層に設けられた絶縁膜や溝下地メタルの厚さが第1配線の側面において薄くなっても、溝下地メタルの下層であって絶縁膜の上層にシリコン膜が設けられているので、絶縁膜や溝下地メタルの厚さが薄くなった部分が破れて第1配線が表面に露出することがない。また、溝表面に透明導電膜が設けられている場合には、絶縁膜や溝下地メタルの厚さが薄くなって破れた部分から透明導電膜が浸入して透明導電膜と第1配線とが導通しないので、第1配線同士が短絡する虞がない。また、上記の構成によれば、シリコン膜の形成を表示領域内のスイッチング素子例えば、TFTを構成するシリコン膜の形成と同時に行うことができる。従って、製造工程の増加を伴うことなくシリコン膜を設けることができる。本発明の表示装置は、溝表面が、透明導電膜で被覆されていてもよい。上記の構成によれば、溝表面が透明導電膜で被覆されているので、溝下地メタルが溝表面に露出することがなく、溝下地メタルが腐蝕して劣化するのを防止できる。また、溝表面は、溝下地メタルが露出していてもよい。上記の構成によれば、溝表面において溝下地メタルが露出しているので、透明導電膜で溝表面を被覆する場合よりも透明導電膜を設ける領域に相当する分だけ狭額縁化することができる。本発明の表示装置は、第2配線が、Ti膜とその上層に積層されたCu膜とで形成されていてもよい。また、第2配線が、Ti膜とその上層に積層されたAl膜とで形成されていてもよい。本発明の表示装置は、第1基板と第2基板との間には液晶層が設けられていてもよい。本発明によれば、第1基板には溝が基板外周縁部に沿って連続して延びるように形成されているので、配向膜形成時、配向膜原料が基板外側方に向かって流出するのを有効に抑制することができる。そのため、配向膜とシール材との間の距離を小さくすることができ、狭額縁の表示装置を得ることができる。また、本発明によれば、溝の少なくとも第1配線と平面視で重なる領域の下層には、溝下地メタルが設けられているので、第1配線を横切るように溝が形成されていても、第1配線が溝の表面に露出したり、溝の表面に設けられた導電膜と第1配線とが導通したりすることがない。そのため、溝表面に設けられた導電膜や溝表面付近に存在する導電性の異物を介して隣り合う第1配線間でショートする虞がなく、また、第1配線が溝表面に露出して腐蝕する虞がない。また、溝下地メタルが溝表面に設けられた導電膜や溝表面付近に存在する導電性の異物と接触しても、或いは、溝下地メタルが溝表面に露出しても、溝下地メタルは表示装置の駆動に直接かかわる配線ではないので、表示装置の表示性能に影響は及ばない。従って、優れた耐久性能を得ることができる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の実施形態1~3では、表示装置として、画素毎に薄膜トランジスタTFTを備えたアクティブマトリクス駆動型の液晶表示装置を例に説明する。但し、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、他の構成であってもよい。《実施形態1》図1及び2は、実施形態1にかかる液晶表示装置10の全体概略図を示す。また、図3は、液晶表示装置10のシール領域SL付近の拡大断面図を示す。さらに、図4及び5は、それぞれアレイ基板20及び対向基板30の平面図を示す。液晶表示装置10は、互いに対向して配置されたアレイ基板20第1基板及び対向基板30第2基板を備えている。アレイ基板20は、基板本体20S上に、ゲート線21を含む第1メタル第1配線、ゲート絶縁膜22、ソース線23図6参照を含む第2メタル第2配線、パッシベーション膜24、平坦化膜25、画素電極図示せずを含む第3メタル、及び配向膜26が積層形成されている。アレイ基板20の詳細な構成については後述する。また、対向基板30は、基板本体30S上に、共通電極31、カラーフィルタ及びブラックマトリクス不図示、並びに配向膜32が積層形成されており、基板外周縁部の非表示領域Nにおいては、ブラックマトリクスによる遮光領域不図示が構成されている。そして、アレイ基板20及び対向基板30は、それらの外周縁部をシール領域SLとして枠状に配置されたシール材40により接着されている。そして、両基板20及び30の間のシール材40に包囲された空間には、表示層として液晶層50が設けられており、表示領域Dを構成している。また、表示領域Dの周囲の非表示領域Nの一部は、実装部品などの外部接続端子を取り付けるための端子領域Tとなっている。なお、アレイ基板20には、図4に示すように、表示領域Dを囲うように環状に、パッシベーション膜24及び平坦化膜25と同一層に、溝27が設けられており、配向膜26形成時に表示領域Dから非表示領域N側に配向膜26の原料である液状の樹脂材料が流出するのが抑制される。溝27は、1列だけ設けられていても、複数列設けられていてもよい図4では2列。一方、対向基板30には、図5に示すように、表示領域Dを囲うように環状にリブ33が設けられており、配向膜32形成時に表示領域Dから非表示領域N側に配向膜32の原料である液状の樹脂材料が流出するのが抑制される。リブ33は、1列だけ設けられていても、複数列設けられていてもよい図5では2列。リブ33は、アレイ基板20上に設けられた溝27の領域に対応して、溝27とリブ33とが互いに嵌って重ね合わせられるように位置付けられている。各基板において溝27やリブ33を設けて配向膜26,32の原料である液状の樹脂材料が流出するのを抑制することにより、配向膜26,32とシール材40との間の距離を小さくすることができ、狭額縁化できる。溝27は、例えば溝27の幅図3のW1が50μm程度及び溝27の深さ図3のH1が2.5μm程度である。また、リブ33は、例えばリブ33の幅図3のW2が30μm程度及び基板表面からの突出高さ図3のH2が2.0μm程度である。シール材40には、アレイ基板20と対向基板30の間の距離を一定に保持するためのスペーサとして、繊維径が両基板間の距離に設定されたガラス繊維粉砕物41例えば、繊維径が4.0μm程度が混入されている。対向基板30の非表示領域Nにリブ33が設けられている場合、リブ33が設けられた領域にガラス繊維粉砕物41が存在すると、両基板間の距離がガラス繊維粉砕物41の繊維径とリブ33の高さの和となり、セル厚の制御が困難になる虞がある。しかしながら、溝27とリブ33とが互いに嵌り合うように対応する位置に設けられ、リブ33は、基板表面からの突出高さH2が溝27の深さH1以下となるように、また、リブ33の幅W2がリブ33に対応する溝27の幅W1よりも小さく設定されている。そのため、対向基板30にリブ33が設けられていても、溝27の底部とリブ33の突端との間の距離が、アレイ基板20と対向基板30との間の距離つまり、ガラス繊維粉砕物41の繊維径以上となりガラス繊維粉砕物41が存在するための十分な空間が確保されるので、リブ33でガラス繊維粉砕物41が詰まってしまってスペーサの機能が阻害されセル厚の制御が困難になることがない。液晶表示装置10は、各画素において、TFTがオン状態になったときに、画素電極と共通電極31との間で電位差が生じ、液晶層50からなる液晶容量に所定の電圧が印加されるように構成されている。そして、液晶表示装置10では、その印加電圧の大きさに応じて液晶分子の配向状態が変わることを利用して、外部から入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される。以下、図6~10を用いて、アレイ基板20の詳細な構成について説明する。なお、図6では、各配線の状態を簡潔に示すために、パッシベーション膜24、平坦化膜25、第3メタル等の図示を省略し、便宜上、第1メタルや第2メタルを実線で示している以下、図11,13,15及び19についても同様である。アレイ基板20上には、表示領域Dにおいて、互いに平行に延びる多数のゲート線21走査信号配線、及び、互いに平行に延びる多数のソース線23映像信号配線が配設されている。ソース線23とゲート線21とは、基板厚さ方向にはゲート絶縁膜22で絶縁されていると共に、互いに交差する方向例えば、直交方向に延びるように設けられている。それらの平面視における各交点に近傍には、それぞれスイッチング素子としてTFT不図示が形成されている。そして、液晶表示装置10は、各TFTに対応するように画素が構成されて所定の表示を行う。多数のゲート線21は、第1メタルで形成されている。また、多数のソース線23は、第2メタルで形成されている。第1メタル及び第2メタルは、例えば、Ti膜厚さ30nm程度とその上層に積層されたCu膜厚さ100nm程度とで形成されている。多数のゲート線21のそれぞれの端部は、図7に示すように、非表示領域Nにまで延びるように設けられ、端子領域Tに実装されたゲートドライバ不図示に接続されている。一方、多数のソース線23のそれぞれは、非表示領域Nにおいて、多数のソース引き出し線23aに接続されている。ソース引き出し線23aは、第1メタルでゲート線21と同一層に設けられ、端子領域Tにおいてソースドライバ不図示に接続されている。ソース線23とソース引き出し線23aとは、図10に示すように、ソース線コンタクト部23bにおいて、コンタクトホール表面に設けられた第3メタルからなる導電膜23cを介して電気的に接続されている。アレイ基板20には、上述したように、第1メタルの上方であってパッシベーション膜24や平坦化膜25と同一層に基板外周縁部に表示領域Dを囲むように環状に連続した溝27が設けられている。溝27は、感光性アクリル平坦化膜25を現像し、現像した平坦化膜25をマスクとしてエッチングして凹部を設けることにより形成されたものである。溝27は、ゲート線21やその同一層のソース引き出し線23aのそれぞれの上層を横切るように設けられている。溝27が、ゲート線21やソース引き出し線23a等の第1メタルの上層においてもそれらを横切るように環状に連続して設けられているので、配向膜26の形成時に配向膜26の原料が基板外側方に流出するのを有効に抑制することができる。そのため、配向膜26とシール材40との間の距離を小さくすることにより狭額縁化できる。溝27には、図7~10に示すように、その下層に溝下地メタル27aが設けられている。溝下地メタル27aは、溝27の形成時にエッチングストッパとして機能する。溝下地メタル27aは、溝27の形状に対応するように環状に連続して設けられている。溝下地メタル27aの幅は溝27の幅よりも大きく、例えば60μm程度である。溝下地メタル27aは、第2メタルで構成されている。溝27の下層に溝下地メタル27aが設けられているので、溝27形成時にエッチングによってゲート線21やソース引き出し線23a等の第1メタルが表面に露出することがない。そのため、溝27表面に存在する導電性の物体を介して第1メタル間でショートする虞がなく、また、第1メタルが溝27表面に露出して腐蝕する虞がない。また、溝下地メタル27aが溝27表面に存在する導電性の物体を介して導通しても、溝下地メタル27aは表示装置の駆動に直接かかわる配線ではないので、表示上、不良が生じる虞がない。なお、溝下地メタル27aは第2メタルでソース線23と同一層に形成されているので、ソース線23と同時に形成することができる。また、溝27の表面は透明導電膜27bで被覆されている。透明導電膜27bは、ITO膜等の第3メタルで形成されている。透明導電膜27bで溝27表面が被覆されているので、溝下地メタル27aが溝27表面に露出することがなく、溝下地メタル27aの腐蝕等が起こる虞がない。アレイ基板20には、非表示領域Nに、さらに、トランスファパッド28が設けられている。トランスファパッド28は、表示領域Dを囲むように複数個設けられている。トランスファパッド28は、アレイ基板20と対向基板30間に介在するトランスファ材を介して対向基板30の全面に設けられた共通電極31と電気的に接続されており、トランスファパッド28を共通電位に保持することにより共通電極31に共通電位を与える機能を有する。トランスファ材としては、例えば、シール材40中に混入された導電性ビーズ不図示等が挙げられる。導電性ビーズは、例えばプラスチックの表面に金メッキを行ったものである。トランスファパッド28のそれぞれは、トランスファパッド28の外周に設けられたトランスファバスライン不図示と接続されている。トランスファバスラインは外部接続端子に接続されている。外部接続端子に共通電位が与えられると、共通電位がそのまま各トランスファパッド28に伝達され、さらにトランスファ材を介して対向基板30の共通電極31に共通電位が伝達される。トランスファパッド28は、トランスファパッド引き出し線28aで、溝下地メタル27aと電気的に接続されている。ここでは、2重に形成された溝下地メタル27aのうちの外周側がトランスファパッド28と接続されている。トランスファパッド引き出し線28aと溝下地メタル27aとは、図9に示すように、トランスファパッドコンタクト部28bにおいて、コンタクトホール表面に設けられた第3メタルからなる導電膜28cを介して電気的に接続されている。トランスファパッド28と溝下地メタル27aとが電気的に接続されていることにより、溝下地メタル27aの電位をトランスファパッド28と同じ共通電位に保持することができる。そのため、共通電極31と溝下地メタル27aとがシール材40中のトランスファ材を介して導通しても、それに起因する表示上の不良が生じる虞がない。なお、複数のトランスファパッド28のうち1つのトランスファパッド28だけがトランスファパッド引き出し線28aを介して溝下地メタル27aと接続されていても、複数、或いは全部のトランスファパッド28が溝下地メタル27aと接続されていても、いずれでもよい。なお、2重に形成された溝下地メタル27aのうち内周側のものは、トランスファパッド28と非接続なので、他の配線と電気的に接続されていないフローティング状態となる。そのため、共通電極31と溝下地メタル27aとがシール材40中のトランスファ材を介して導通しても、それに起因する表示上の不良が生じる虞がない。<液晶表示装置10の製造方法>次に、図11のフローチャートを参照し、本実施形態の液晶表示装置10を製造する方法について説明する。本実施形態の製造方法は、図11のステップS11~S19に対応するアレイ基板作製工程と、図11のステップS21~S24に対応する対向基板作製工程と、図11のステップS3~S7に対応する液晶表示パネル作製工程とを備えている。アレイ基板作製工程まず、ステップS11おいて、公知の方法で基板本体20S上に第1メタルを設けることにより、ゲート線21、ソース引き出し線23a、トランスファパッド引き出し線28a等を同時に形成する。そして、ステップS12及びS13において、公知の方法により、ゲート絶縁膜22及び半導体層を形成する。次に、ステップS14おいて、公知の方法でゲート絶縁膜22及び半導体層の上層に第2メタルを設けることにより、ソース線23や溝下地メタル27a等を同時に形成する。そして、ステップS15において、半導体層にチャネル部をパターニングすることにより、TFTを形成する。続いて、ステップS16において、公知の方法により、パッシベーション膜24及び平坦化膜25を順に形成した後にステップS17において感光性アクリル平坦化膜25現像し、現像した平坦化膜25をマスクとしてをエッチングし、溝27を形成する。このとき、溝下地メタル27aがエッチングストッパとして機能し、溝27の表面に溝下地メタル27aが露出した状態となる。そして、ステップS18において、平坦化膜25の上層に公知の方法で第3メタルを設けることにより、画素電極や溝27表面を覆う透明導電膜27b等を形成する。最後に、ステップS19において、公知の方法により配向膜26を形成して、アレイ基板20が完成する。対向基板作製工程まず、ステップS21において、公知の方法により、基板全体を覆うように透明導電膜27bを成膜して共通電極31を形成する。そして、ステップS22において、公知の方法により、基板本体30S上にブラックマトリクス及びカラーフィルタを形成する。このとき同時に、リブ33を設ける領域、つまり対向基板30の外周縁部に沿った領域にもブラックマトリクスまたはカラーフィルタでリブ33の下層部分33aを形成する。次に、ステップS23において、公知の方法により、リブ33を設ける対向基板30の外周縁部に沿った領域に有機樹脂膜33bを成膜し、リブ33を形成する。このとき同時に、表示領域Dにおいて所定のレイアウトとなるようにリブ33を形成して液晶配向規制用リブとしてもよい。最後に、ステップS24において、公知の方法により配向膜32を形成して、対向基板30が完成する。液晶表示パネル作製工程まず、公知の方法によって、ステップS3において、対向基板30上の表示領域Dの周りにシール材原料を塗布し、続いてステップS4において、シール材原料で囲まれた領域に液晶材料を滴下して液晶層50を形成する。次に、ステップS5において、シール材原料を挟むように対向基板30上にアレイ基板20を重ねる。このとき、非表示領域Nにおいてアレイ基板20の溝27と対向基板30のリブ33とが嵌り合うように重ねる。最後に、ステップS6において、シール材原料にUV照射及び/又は加熱を行うことにより、シール材原料を硬化する。このときアレイ基板20と対向基板30とが接着されて液晶表示パネルが完成するステップS7。液晶表示パネルに偏光板貼り付け、実装部材を実装し、バックライト装着等のモジュール化処理を行うことにより液晶表示装置10が完成する。<実施形態1の変形例>以下、実施形態1の変形例について説明する。変形例1~3実施形態1では、溝27が2重に設けられ、最外周の溝27に対応する溝下地メタル27aだけがトランスファパッド28と接続されて、内周側の溝27の下層の溝下地メタル27aは他の配線と電気的に接続されていないフローティング状態であるとして説明したが、溝27が複数列設けられている場合に全ての溝27に対応するそれぞれの溝下地メタル27aがトランスファパッド28と接続されていてもよく、その反対に、全ての溝下地メタル27aがフローティング状態であってもよい。例えば、図12及び13に変形例1として示すように、トランスファパッド引き出し線28aを内側の溝27の下層近傍まで延びるように形成し、外側の溝27の下層の溝下地メタル27aと同様に内側の溝27の下層の溝下地メタル27aともトランスファパッドコンタクト部28bを介して電気的に接続してもよい。また、実施形態1のように1つの溝27に対して1つの溝下地メタル27aが設けられている構成の他、例えば図14及び15に変形例2として示すように、複数の溝27の溝下地メタル27aが一体に設けられていてもよい。この場合でも、全ての溝27の下層の溝下地メタル27aに共通電位が与えられることとなる。また、例えば図16及び17に変形例3として示すように、トランスファパッド28にはトランスファパッド引き出し線28aが設けられず、溝下地メタル27aがトランスファパッド28と非接続であってもよい。この場合、全ての溝下地メタル27aが、他の配線と電気的に接続されていないフローティング状態となる。そのため、共通電極31と溝下地メタル27aとがシール材40中のトランスファ材を介して導通しても、それに起因する表示上の不良が生じる虞がない。変形例4実施形態1では、トランスファパッド28はその外周に設けられたトランスファバスライン不図示から共通電位が与えられるとしたが、トランスファパッド28の外周にトランスファバスラインを設けないで、図18に変形例4として示すように、溝下地メタル27aにトランスファバスラインの機能を持たせてもよい。この場合、溝下地メタル27aは共通電位入力線28dによって外部接続端子不図示に接続されると共に、トランスファパッド28のそれぞれとトランスファパッド引き出し線28aを介して電気的に接続されている。そして、外部接続端子から与えられた共通電位は溝下地メタル27aを介してトランスファパッド28に伝達される。溝下地メタル27aにトランスファバスラインの機能を与えることにより、トランスファバスラインをトランスファパッド28の外周に独立に設けるのを省略することができ、狭額縁化できる。変形例5実施形態1の構成に加えて、ゲート絶縁膜22と溝下地メタル27aとの間には、図19aに変形例5として示すように、シリコン膜27cが形成されていてもよい。シリコン膜27cは、表示領域Dに設けられるTFTの半導体層と同一の材料で形成する。ゲート絶縁膜22や溝下地メタル27aは、第1メタルが設けられた領域で隆起するように設けられているので、成膜条件によっては、図19bに示すように、隆起部の壁の領域における溝下地メタル27aが薄くなる。そのため、例えばゲート絶縁膜22やパッシベーション膜24にドライエッチングによりコンタクトホールを設ける工程において、ゲート絶縁膜22や溝下地メタル27aが薄くなった部分に穴が開き、溝下地メタル27aの上層に設けられた透明導電膜27bがゲート線21と導通し、ゲート線21同士が透明導電膜27bを介して短絡してしまう虞がある。しかしながら、溝下地メタル27aの下層にシリコン膜27cが設けられていることにより、隆起部の壁の領域の溝下地メタル27aが薄くなっても、シリコン膜27cがドライエッチング時のエッチングストッパとして機能するので、導電膜を介して第1メタル同士が短絡するのを抑制することができる。また、シリコン膜27cは、TFTの半導体層の形成におけるシリコン膜のレイアウトを変更することのみによって形成することができるので、溝下地メタル27aの下層にもシリコン膜27cを設けるための特別な工程を追加する必要がない。変形例6実施形態1では、対向基板30の額縁領域にはブラックマトリクスにより遮光領域が形成されているとして説明したが、対向基板30ではなくアレイ基板20側の額縁領域に遮光層が設けられて遮光領域Sが形成されていてもよい。この場合、図20及び21に変形例6として示すように、溝下地メタル27aに遮光層としての機能を兼ねさせることができる。変形例7実施形態1では溝27表面が透明導電膜27bで被覆されているとして説明したが、例えば、図22に変形例7として示すように、溝27表面が透明導電膜27bで被覆されていないで溝下地メタル27aが露出していてもよい。溝27表面に透明導電膜27bを設けないことにより、透明導電膜27bを設けるための領域幅の分図22の距離U参照、表示装置を狭額縁化することができる。また、溝下地メタル27aが露出していることにより溝27表面が透明導電膜27bで被覆されている場合よりも溝下地メタル27aが腐蝕されやすくなるが、溝下地メタル27aは表示装置の駆動に直接かかわる配線ではないので、表示性能の低下の虞がない。なお、この場合、第2メタル形成時の温度制御やプロセス条件を調整することにより、第2メタル溝下地メタル27aの耐腐蝕性を高めることができる。変形例8実施形態1では、Ti膜とその上層に積層されたCu膜とで第1メタル及び第2メタルを形成するとして説明したが、特にこれに限られない。例えば、Ti膜厚さ50nm程度、Al膜厚さ300nm程度及びTi膜厚さ100nm程度を下層から順に積層して第1メタルを形成し、Ti膜厚さ50nm程度とその上層に積層されたAl膜厚さ300nm程度とで第2メタルを形成してもよい。また、Mo厚さ50nm程度とその上層に積層されたAl膜厚さ300nm程度とで第1メタルを形成し、Mo厚さ50nm程度、Al膜厚さ300nm程度及びMo厚さ50nm程度を下層から順に積層して第2メタルを形成してもよい。第2メタルをTi膜とAl膜との積層体で構成し、透明導電膜27bとして溝27表面にITO膜を設ける場合、図23に変形例8として示すように、溝下地メタル27aとITO膜27bが接触する領域は溝下地メタル27aをTi膜27dの単層膜として形成し、透明導電膜27bがAl膜27eと接触しないようにすることが好ましい。Al膜とITO膜とはイオン化傾向の差が大きいため、Al膜27eがITO膜27bに接触した状態ではAl膜23eが電蝕しやすくなってしまうからである。なお、実施形態1では対向基板30に、表示領域Dを囲むように環状にリブ33が設けられているとして説明したが、リブ33が設けられていない対向基板30で液晶表示装置10が構成されていてもよい。但し、対向基板30の配向膜32の原料のシール領域SLへの流出防止による狭額縁化の観点からは、対向基板30にはリブ33が設けられていることが好ましい。《実施形態2》次に、実施形態2の液晶表示装置10について説明する。なお、実施形態1と同一または対応する構成については実施形態1と同一の参照符号を用いて説明する。液晶表示装置10は、アレイ基板20と対向基板30とが対向して配置され、それらの外周縁部に配置されたシール材40により接着され、シール材40に包囲された空間には、表示層として液晶層50が設けられている。この液晶表示装置10は、アレイ基板20を除いて実施形態1と同一の構成を有する。アレイ基板20は、実施形態1と同様に、基板本体20S上に、ゲート線21を含む第1メタル、ゲート絶縁膜22、ソース線23を含む第2メタル、パッシベーション膜24、平坦化膜25、画素電極を含む第3メタル、及び配向膜26が積層形成され、表示領域Dを囲うように環状に連続して溝27が設けられている。溝27の下層には溝下地メタル27aが設けられているが、実施形態2では、図24及び25に示すように、ソース引き出し線23aと溝27とが平面視で重なる領域に対応するように、島状に離間した複数の溝下地メタル27aが設けられている。溝下地メタル27aを島状に離間して設けることにより、溝下地メタル27aの一点において溝下地メタル27aがその下層のソース引き出し線23aやゲート線21と導通して不良となった場合でも、その不良が溝下地メタル27a全体に伝わることがなく、歩留まりが向上する。また、溝下地メタル27aを島状に離間して設けることにより、溝27の下層のうち溝下地メタル27aが設けられていない領域では溝下地メタル27aの分だけ溝27の深さが深くなる。そのため、配向膜26の原料が基板外側方に流出するのをより有効に抑制することができる。溝下地メタル27aが島状に離間して設けられている場合には、各溝下地メタル27aは他の配線と電気的に接続されていないフローティング状態となっているので、共通電極31と溝下地メタル27aとが例えばシール材40中のトランスファ材を介して導通しても、それに起因する表示上の不良が生じる虞がない。なお、溝27表面は、ITO膜等の第3メタルである透明導電膜27bで被覆されていてもよい。その場合、図26aに示すように溝27表面の全面を覆うように透明導電膜27bを設けてもよく、図26bに示すように溝27表面のうち溝下地メタル27aが形成された領域を覆うように透明導電膜27bを設けてもよい。また、図26cに示すように、溝27表面を透明導電膜27bで被覆しなくてもよい。その他の構成や効果については実施形態1に記載の通りである。また、実施形態1の変形例としてあげた例を実施形態2に適用することも可能である。《実施形態3》次に、実施形態3の液晶表示装置10について説明する。図27は、実施形態3にかかる液晶表示装置10の全体概略図を示す。液晶表示装置10のシール領域SL付近の拡大断面図は、実施形態1について示した図3と同様である。また、図28及び29は、それぞれアレイ基板20及び対向基板30の平面図を示す。なお、実施形態1と同一または対応する構成については実施形態1と同一の参照符号を用いて説明する。液晶表示装置10は、アレイ基板20と対向基板30とが対向して配置され、それらの外周縁部のシール領域SLに配置されたシール材40により接着され、シール材40に包囲された空間には、表示層として液晶層50が設けられている。液晶層50が設けられた領域は表示領域Dを構成し、その周囲が枠状の非表示領域Nとなっている。非表示領域Nは、液晶表示装置10の長辺方向の1辺の一部がソース端子領域Ts、及び短辺方向の2辺の一部がゲート端子領域Tgとなっている。シール領域SLは、液晶表示装置10の長辺方向における表示領域Dとシール領域SLの間の距離図27中のaの長さが、短辺方向における表示領域Dとシール領域SLの間の距離図27中のbの長さがよりも長くなるように配置されている。アレイ基板20は、実施形態1と同様に、基板本体20S上に、ゲート線21を含む第1メタル、ゲート絶縁膜22、ソース線23を含む第2メタル、パッシベーション膜24、平坦化膜25、画素電極を含む第3メタル、及び配向膜26が積層形成されている。そして、アレイ基板20には、パッシベーション膜24及び平坦化膜25と同一層に溝27が設けられている。溝27は、非表示領域Nのうち狭額縁のゲート端子領域Tgのそれぞれに沿って延びるように設けられている。溝27により、配向膜26形成時に表示領域Dからゲート端子領域Tg側に配向膜26の原料である液晶の樹脂材料が流出するのが抑制される。溝27は、1列だけ設けられていても複数列設けられていてもよい図28では2列。対向基板30は、基板本体30S上に、共通電極31,カラーフィルタ及びブラックマトリクス、並びに配向膜32が積層形成されており、非表示領域Nにおいては、ブラックマトリクスにより遮光領域が構成されている。そして、対向基板30には、○○と同一層にリブ33が設けられている。リブ33は、非表示領域Nのうち狭額縁のゲート端子領域Tgのそれぞれに沿って延びるように設けられている。リブ33により、配向膜32形成時に表示領域Dからゲート端子領域Tg側に向かって配向膜32の樹脂材料が流出するのが抑制される。リブ33は、1列だけ設けられていても複数列設けられていてもよい図29では2列。リブ33は、アレイ基板20上に設けられた溝27の領域に対応して、溝27とリブ33とが互いに嵌って重ね合わせられるように位置付けられている。各基板において溝27やリブ33を設けて配向膜26,32の原料である液状の樹脂材料が表示領域Dからゲート端子領域Tg側に向かって流出するのを抑制することにより、ゲート端子領域Tgに沿った部分における配向膜26,32とシール材40との間の距離図27中のbを小さくすることができ、狭額縁化できる。溝27とリブ33が設けられた部分におけるアレイ基板20と対向基板30との重ね合わせ状態の断面図は、実施形態1の図3と同一である。実施形態1と同様、溝27は、例えば溝27の幅図3のW1が50μm程度及び溝27の深さ図3のH1が2.5μm程度である。また、リブ33は、例えばリブ33の幅図3のW2が30μm程度及び基板表面からの突出高さ図3のH2が2.0μm程度である。シール材40には、アレイ基板20と対向基板30の間の距離を一定に保持するためのスペーサとして、繊維径が両基板間の距離に設定されたガラス繊維粉砕物41例えば、繊維径が4.0μm程度が混入されている。対向基板30の非表示領域Nにリブ33が設けられている場合、リブ33が設けられた領域にガラス繊維粉砕物41が存在すると、両基板間の距離がガラス繊維粉砕物41の繊維径とリブ33の高さの和となり、セル厚の制御が困難になる虞がある。しかしながら、溝27とリブ33とが互いに嵌り合うように対応する位置に設けられ、リブ33は、基板表面からの突出高さH2が溝27の深さH1以下となるように、また、リブ33の幅W2がリブ33に対応する溝27の幅W1よりも小さく設定されている。そのため、対向基板30にリブ33が設けられていても、溝27の底部とリブ33の突端との間の距離が、アレイ基板20と対向基板30との間の距離つまり、ガラス繊維粉砕物41の繊維径以上となりガラス繊維粉砕物41が存在するための十分な空間が確保されるので、リブ33でガラス繊維粉砕物41が詰まってしまってスペーサの機能が阻害されセル厚の制御が困難になることがない。液晶表示装置10は、各画素において、TFTがオン状態になったときに、画素電極と共通電極31との間で電位差が生じ、液晶層50からなる液晶容量に所定の電圧が印加されるように構成されている。そして、液晶表示装置10では、その印加電圧の大きさに応じて液晶分子の配向状態が変わることを利用して、外部から入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される。以下、図30等を用いて、アレイ基板20の詳細な構成について説明する。なお、図30では、各配線の状態を簡潔に示すために、パッシベーション膜24、平坦化膜25、第3メタル等の図示を省略し、便宜上、第1メタルや第2メタルを実線で示している。アレイ基板20上には、表示領域Dにおいて、互いに平行に延びる多数のゲート線21走査信号配線、及び、互いに平行に延びる多数のソース線23映像信号配線が配設されている。ソース線23とゲート線21とは、基板厚さ方向にはゲート絶縁膜22で絶縁されていると共に、互いに交差する方向例えば、直交方向に延びるように設けられている。それらの平面視における各交点に近傍には、それぞれスイッチング素子としてTFT不図示が形成されている。そして、液晶表示装置10は、各TFTに対応するように画素が構成されて所定の表示を行う。多数のゲート線21は、第1メタルで形成されている。また、多数のソース線23は、第2メタルで形成されている。第1メタル及び第2メタルは、例えば、Ti膜厚さ30nm程度とその上層に積層されたCu膜厚さ100nm程度とで形成されている。多数のゲート線21のそれぞれの端部は、非表示領域Nにまで延びるように設けられ、端子領域Tに実装されたゲートドライバ不図示に接続されている。一方、多数のソース線23のそれぞれは、非表示領域Nにおいて、多数のソース引き出し線23aに接続されている。ソース引き出し線23aは、第1メタルでゲート線21と同一層に設けられ、端子領域Tにおいてソースドライバ不図示に接続されている。ソース線23とソース引き出し線23aとは、ソース線コンタクト部23bにおいて、コンタクトホール表面に設けられた第3メタルからなる導電膜23cを介して電気的に接続されている。アレイ基板20には、上述したように、第1メタルの上方であってパッシベーション膜24や平坦化膜25と同一層に、非表示領域Nにおいてゲート端子領域Tgに沿って延びるように連続した溝27が設けられている。溝27は、感光性アクリル平坦化膜25を現像し、現像した平坦化膜25をマスクとしてエッチングして凹部を設けることにより形成されたものである。溝27は、ゲート線21のそれぞれの上層を横切るように設けられている。溝27が、ゲート線21等の第1メタルの上層においてもそれらを横切るように連続して設けられているので、配向膜26の形成時に配向膜26の原料が基板外側方に流出するのを有効に抑制することができる。そのため、ゲート端子領域Tgに沿った額縁領域において、配向膜26とシール材40との間の距離を小さくすることにより狭額縁化できる。溝27には、図30に示すように、その下層に溝下地メタル27aが設けられている。アレイ基板20の溝27及び溝下地メタル27aを含む断面図は、実施形態1の図7と同様である。溝下地メタル27aは、溝27の形成時にエッチングストッパとして機能する。溝下地メタル27aは、溝27の形状に対応して、ゲート端子領域Tgに沿って延びるように連続して設けられている。溝下地メタル27aの幅は溝27の幅よりも大きく、例えば60μm程度である。溝下地メタル27aは、第2メタルで構成されている。溝27の下層に溝下地メタル27aが設けられているので、溝27形成時にエッチングによってゲート線21等の第1メタルが表面に露出することがない。そのため、溝27表面に存在する導電性の物体を介して第1メタル間でショートする虞がなく、また、第1メタルが溝27表面に露出して腐蝕する虞がない。また、溝下地メタル27aが溝27表面に存在する導電性の物体を介して導通しても、溝下地メタル27aは表示装置の駆動に直接かかわる配線ではないので、表示上、不良が生じる虞がない。なお、溝下地メタル27aは第2メタルでソース線23と同一層に形成されているので、ソース線23と同時に形成することができる。また、溝27の表面は透明導電膜27bで被覆されている。透明導電膜27bは、ITO膜等の第3メタルで形成されている。透明導電膜27bで溝27表面が被覆されているので、溝下地メタル27aが溝27表面に露出することがなく、溝下地メタル27aの腐蝕等が起こる虞がない。アレイ基板20には、非表示領域Nに、さらに、トランスファパッド28が設けられている。トランスファパッド28は、表示領域Dを囲むように複数個設けられている。トランスファパッド28は、アレイ基板20と対向基板30間に介在するトランスファ材を介して対向基板30の全面に設けられた共通電極31と電気的に接続されており、トランスファパッド28を共通電位に保持することにより共通電極31に共通電位を与える機能を有する。トランスファパッド28を含むアレイ基板20の断面図は実施形態1の図9と同様である。トランスファ材としては、例えば、シール材40中に混入された導電性ビーズ不図示等が挙げられる。導電性ビーズは、例えばプラスチックの表面に金メッキを行ったものである。トランスファパッド28のそれぞれは、トランスファパッド28の外周に設けられたトランスファバスライン不図示と接続されている。トランスファバスラインは外部接続端子に接続されている。外部接続端子に共通電位が与えられると、共通電位がそのまま各トランスファパッド28に伝達され、さらにトランスファ材を介して対向基板30の共通電極31に共通電位が伝達される。ゲート端子領域Tgのトランスファパッド28は、実施形態1と同様、図30に示すように、トランスファパッド引き出し線28aで溝下地メタル27aと電気的に接続されている。ここでは、2重に形成された溝下地メタル27aのうちの外周側がトランスファパッド28と接続されている。トランスファパッド28と溝下地メタル27aとが電気的に接続されていることにより、溝下地メタル27aの電位をトランスファパッド28と同じ共通電位に保持することができる。そのため、共通電極31と溝下地メタル27aとがシール材40中のトランスファ材を介して導通しても、それに起因する表示上の不良が生じる虞がない。なお、複数のトランスファパッド28のうち1つのトランスファパッド28だけがトランスファパッド引き出し線28aを介して溝下地メタル27aと接続されていても、複数、或いは全部のトランスファパッド28が溝下地メタル27aと接続されていても、いずれでもよい。なお、2重に形成された溝下地メタル27aのうち内周側のものは、トランスファパッド28と非接続なので、他の配線と電気的に接続されていないフローティング状態となる。そのため、共通電極31と溝下地メタル27aとがシール材40中のトランスファ材を介して導通しても、それに起因する表示上の不良が生じる虞がない。実施形態3の液晶表示装置10によれば、非表示領域Nのうちゲート端子領域Tgに沿った部分について溝27及びリブ33を形成するのでゲート端子領域Tgに沿った部分について狭額縁化する効果が得られる。一方で、非表示領域Nのうちソース端子領域Tsに沿った部分については狭額縁されないこととなるが、その額縁領域については、例えば、ソース線23の修正用予備配線を非表示領域Nに迂回させて配置するためのスペースとして有効に使用することができる。その他の構成や効果については実施形態1に記載の通りである。また、実施形態1の変形例としてあげた例を実施形態3に適用することも可能である。さらに、実施形態2のように溝下地メタル27aを島状に離間して設けることも可能である。実施形態3の液晶表示装置10は、非表示領域Nの額縁幅や溝27及びリブ33のレイアウトが異なることを除いて、実施形態1と同様の工程で作製可能である。<実施形態3の変形例>以下、実施形態3の変形例について説明する。変形例9実施形態3では、各溝27やリブ33がそれぞれ2列並行して設けられているとして説明したが、2列に設けられた溝27の端部やリブ33の端部が、図31に変形例9として示すように閉じた状態になっていてもよい。その他の変形例実施形態3では、非表示領域Nの液晶表示装置10の長辺方向における表示領域Dとシール領域SLの間の距離図27中のaの長さが、短辺方向における表示領域Dとシール領域SLの間の距離図27中のbの長さがよりも長く設定されているとして説明したが、長辺方向における表示領域Dとシール領域SLの間の距離図27中のaの長さが、短辺方向における表示領域Dとシール領域SLの間の距離図27中のbの長さがよりも短く設定されていてもよい。その場合、より狭額縁となった長辺方向における表示領域Dとシール領域SLの間の領域ソース端子領域Tsに沿った領域に溝27やリブ33を形成することにより、配向膜26、32がソース端子領域Ts側に流出するのを抑制することができる。但し、ソース端子領域Tsに沿った領域を幅広に形成した場合には、その領域に予備配線をレイアウトして幅広領域を有効活用できることから、非表示領域Nの液晶表示装置10の長辺方向における表示領域Dとシール領域SLの間の距離図27中のaの長さが、短辺方向における表示領域Dとシール領域SLの間の距離図27中のbの長さがよりも長く設定されていることが好ましい。また、実施形態3では、溝27とリブ33とが対応する領域に形成されているとして説明したが、溝27が実施形態1のように環状に設けられている一方でリブ33がゲート端子領域Tgに沿って延びるように設けられていてもよく、リブ33が実施形態1のように環状に設けられている一方で溝27がゲート端子領域Tgに沿って延びるように設けられていてもよい。《その他の実施形態》実施形態1~3では、表示装置として、液晶表示パネルを備えた液晶表示装置10にかかるものを例示したが、本発明は、プラズマディスプレイPD、プラズマアドレス液晶ディスプレイPALC、有機エレクトロルミネッセンス有機ELディスプレイ、無機エレクトロルミネッセンス無機ELディスプレイ、電界放出ディスプレイFED、表面電界ディスプレイSEDなどの表示装置にも適用することができる。"