被加工物を撮像する撮像手段と、被加工物を回転可能に保持する保持テーブルと、被加工物を切削する切削ブレードを備える切削手段とを少なくとも備え、該保持テーブルと該切削手段とが、相対的に切削送り方向に切削送りされるとともに、該切削送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に割り出し送りされる切削装置において、該撮像手段は、撮像素子が該切削送り方向に一列に配列されたラインセンサであり、該撮像手段と該保持テーブルとを相対的に割り出し送りすることで該被加工物の切削領域を検出することを特徴とする切削装置。セラミックス層と、該セラミックス層の表面に形成され格子状に区画された複数個の電極を有する電極領域と該電極領域の電極の位置を示すアライメントマークを有するアライメントマーク領域を備える電極層とを交互に積層し、最上位層にはセラミックス層を積層して構成されるセラミックス基板を、請求項1記載の切削装置を用いて、個々の矩形セラミックスチップに分割する分割方法であって、該セラミックス基板は、アライメントマーク領域に少なくとも2つの離間するV溝が形成されて該V溝の斜面からアライメントマークが表出しており、該V溝が延びる方向と前記撮像手段を構成する撮像素子の配列方向とを直交させるために、該撮像手段と前記保持テーブルとを相対的に割り出し送りしながら該V溝を該撮像手段によって撮像し、該V溝の画像の割り出し送り方向の移動距離に対する切削送り方向の移動距離を算出することで、割り出し送り方向に対する該V溝が延びる方向の角度αを算出し、該保持テーブルを該角度αだけ回転させることにより、割り出し送り方向と該V溝が延びる方向とがなす角度を0°に補正するV溝角度補正工程と、該V溝角度補正工程の後、該セラミックス基板の離間する2つのV溝に表出しているアライメントマークを該撮像手段によって撮像しながら割り出し送りし、それぞれのV溝で最初に検出されるアライメントマークの座標に基づき、検出された2つのアライメントマークを結ぶ直線方向に対する切削送り方向の角度βを算出し、該2つのアライメントマークを結ぶ直線方向を該切削送り方向に平行にするために、該保持テーブルを該角度βだけ回転させ該角度βを0度に補正する切削角度補正工程と、を含むことを特徴とする分割方法。しかし、2つの溝についてのアライメントマークの検出を1台のエリアセンサカメラで行う場合は、一方のアライメントマークを検出した後に被加工物を移動させてから他方のアライメントマークを検出しなければならないため、効率が低いという問題がある。また、2つのカメラを使用すれば、同時に2本の溝を撮像することは可能であるが、2本のV溝間の間隔に合わせてカメラを取り付けなければならないため、V溝間の間隔が異なる被加工物のアライメントマークを検出する際には、2台のカメラの間隔を調整する必要があるという問題がある。本発明は、このような問題にかんがみなされたもので、被加工物に形成された2本のV溝から露出したアライメントマークを検出し、アライメントマークを基準として加工予定ラインを設定する場合において、アライメントマークを効率よく検出できるようにすることを課題とする。第一の発明は、被加工物を撮像する撮像手段と、被加工物を回転可能に保持する保持テーブルと、被加工物を切削する切削ブレードを備える切削手段とを少なくとも備え、保持テーブルと切削手段とが、相対的に切削送り方向に切削送りされるとともに、切削送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に割り出し送りされる切削装置において、撮像手段は、撮像素子が切削送り方向に一列に配列されたラインセンサであり、撮像手段と保持テーブルとを相対的に割り出し送りすることで被加工物の切削領域を検出することを特徴とする。第二の発明は、セラミックス層と、セラミックス層の表面に形成され格子状に区画された複数個の電極を有する電極領域と電極領域の電極の位置を示すアライメントマークを有するアライメントマーク領域を備える電極層とを交互に積層し、最上位層にはセラミックス層を積層して構成されるセラミックス基板を、第一の発明の切削装置を用いて、個々の矩形セラミックスチップに分割する分割方法に関するもので、セラミックス基板は、アライメントマーク領域に少なくとも2つの離間するV溝が形成されてV溝の斜面からアライメントマークが表出しており、V溝が延びる方向と撮像手段を構成する撮像素子の配列方向とを直交させるために、撮像手段と保持テーブルとを相対的に割り出し送りしながらV溝を撮像手段によって撮像し、V溝の画像の割り出し送り方向の移動距離に対する切削送り方向の移動距離を算出することで、割り出し送り方向に対する該V溝が延びる方向の角度αを算出し、保持テーブルを角度αだけ回転させることにより、割り出し送り方向とV溝が延びる方向とがなす角度を0°に補正するV溝角度補正工程と、V溝角度補正工程の後、セラミックス基板の離間する2つのV溝に表出しているアライメントマークを撮像手段によって撮像しながら割り出し送りし、それぞれのV溝で最初に検出されるアライメントマークの座標に基づき、検出された2つのアライメントマークを結ぶ直線方向に対する切削送り方向の角度βを算出し、2つのアライメントマークを結ぶ直線方向を切削送り方向に平行にするために、保持テーブルを角度βだけ回転させ角度βを0度に補正する切削角度補正工程とを含む。第一の発明の切削装置では、撮像素子が切削送り方向に一列に配列されたラインセンサによって撮像手段が構成され、撮像手段と保持テーブルとを相対的に割り出し送りすることで被加工物の切削領域を検出することができるため、割り出し送り方向に形成された2列の溝のアライメントマークを同時に検出することができる。また、被加工物ごとに2列のアライメントマークの間隔が異なる場合においても、2列のアライメントマークを同時に検出することができる。したがって、切削加工の生産性を向上させることができる。また、第二の発明のアライメント方法では、ラインセンサタイプの撮像手段を使用し、V溝角度補正工程によってV溝が延びる方向と撮像手段を構成する撮像素子の配列方向とを直交させ、切削角度補正工程によって2つのアライメントマークを結ぶ直線方向を切削送り方向に対して平行にすることができるため、2つのアライメントマークを結ぶ直線方向と切削送り方向とを効率よく平行にすることができる。そして、その状態で切削を行うことで、加工予定ラインに沿って正しい方向に切削を行うことができ、個々のセラミックスチップに分割するまでの作業の生産性を向上させることができる。図1に示す切削装置1は、保持テーブル2に保持された被加工物に対して切削手段3によって切削加工を施す装置であり、装置前部には、被加工物ワークを収容するカセット4を備えている。ワークWは、テープTに貼着され、テープTにはリング状のフレームFが貼着される。このようにして、ワークWは、テープTを介してフレームFに支持された状態でカセット4に収容される。カセット4の後方には、カセット4からのワークWの搬出及びカセット4へのワークWの搬入を行う搬出入手段5が配設されている。また、カセット4の後方には、搬出入手段5によってカセット4から搬出されるワークW及びカセット4に搬入されるワークWが一時的に載置され位置合わせが行われる仮置き領域5aが設けられている。さらに、仮置き領域5aの近傍には、仮置き領域5aと保持テーブル2との間でワークWを搬送する第一の搬送手段6aが配設されている。保持テーブル2は、X軸方向切削送り方向に移動可能となっており、その移動経路の上方には、被加工物を撮像する撮像手段7が配設されている。また、保持テーブル2の移動経路の上方には、X軸方向に対して直交するY軸方向割り出し送り方向、並びに、X軸方向及びY軸方向に対して直交するZ軸方向切り込み送り方向に移動可能な切削手段3が配設されている。切削手段3は、Y軸方向の回転軸心を有する回転可能な切削ブレード30を備えている。装置後部には、切削後のワークWを洗浄する洗浄手段8を装備しており、その上方には、保持テーブル2から洗浄手段8へのワークの搬送を行う第二の搬送手段6bが配設されている。撮像手段7は、切削送り方向を長手方向としており、切削送り方向に一列に配列された撮像素子を多数備えたラインセンサにより構成されている。撮像手段7は、割り出し送り方向に移動可能となっており、撮像手段7を割り出し送りしながらワークWを撮像手段7が撮像することにより、ワークWの切削すべき領域を検出することができる。撮像手段7は切削送り方向に長く形成されているため、ワークWの切削送り方向の撮像幅を広くすることができる。撮像手段7が取得した画像情報は、撮像手段7と電気的に接続された制御手段70に送られる、制御手段70は、各種演算を行うCPUと、画像情報等の各種情報を記憶するメモリとを少なくとも備えている。図1に示した切削装置1は、例えば図2及び図3に示すセラミックス基板9を矩形セラミックスチップに分割するのに用いることができる。このセラミックス基板9は、図2及び図3に示すように、ガラス板からなる矩形状のキャリア基板92の表面に分離層となるテープ93を介して形成されており、生セラミックスからなるセラミックス層90と電極層91とを交互に積層し、最上位層にセラミックス層90を積層して構成されている。このセラミックス基板9は、具体的には、キャリア基板92の表面に貼着されたテープ93上に生セラミックスが塗布され厚さ5μm程度のセラミックス層90を形成し、このセラミックス層90の表面に例えばバラジウムなどの電極金属をスクリーン印刷することにより厚さ1μm程度の電極層91を形成する。この電極層91は、図2に示すように、格子状に区画され複数個の電極910aを有する電極領域910と、電極領域910を囲撓し電極910aの位置を示すアライメントマーク911aを有するアライメントマーク領域911とを備えている。このセラミックス基板9は、最上位層にセラミック層90が形成されているため、切削によりセラミックス基板9を個々のセラミックスチップに分割するに際しては、表面から電極910aの位置を確認することができない。そこで、図4に示すように、離間する2つのV溝94a、94bがアライメントマーク領域911に形成されている。V溝94a、94bは、例えば外周の断面形状がV字状に形成された切削ブレードを用いて形成することができる。V溝94a、94bの斜面には、アライメントマーク911aが表出される。図5に示すように、セラミックス基板9は、V溝94a、94bが割り出し送り方向であるY軸方向に延びるように、すなわちV溝94a、94bの長手方向がY軸方向に一致するように、図1に示した保持テーブル2において保持する。そして、保持テーブル2を切削送り方向に移動させ、セラミックス基板9を図1に示した撮像手段7の下方に位置づけする。1V溝角度補正工程図1に示した撮像手段7と保持テーブル2とを相対的に割り出し送りしながら、V溝94aを撮像手段によって撮像し、撮像により取得した画像情報に基づき、V溝が延びる方向と撮像手段7を構成する撮像素子の配列方向である切削送り方向とを直交させるために、V溝の角度補正を行う。具体的には、撮像手段7をY軸方向に割り出し送りしながら、一方のV溝、例えばV溝94aを長手方向に沿って撮像していく。そして、制御手段70は、V溝94aから表出したアライメントマーク911aを検出し、図6に示すように、アライメントマーク911aの検出中におけるV溝画像の割り出し送り方向の移動距離y1に対する切削送り方向の移動距離x1を算出する。そして、割り出し送り方向に対するV溝94aが延びる方向の角度αを、α=tan-1x1/y1の計算式によって、算出する。V溝94aが延びる方向が割り出し送り方向と完全に平行である場合は、α=0となる。一方、α=0でない場合は、保持テーブル2をα度だけ回転させることにより、割り出し送り方向とV溝94aが延びる方向とがなす角度が0°になるように補正する。2切削角度補正工程次に、V溝角度補正工程の後、図7に示すように、2つの離間するV溝94a、94bの端部の上方に撮像手段7を位置させ、その状態からアライメントマーク911aを撮像手段7によって撮像しながら割り出し送りする。そして、V溝94a、94bにおいてそれぞれ最初に検出される2つのアライメントマーク911aのY座標を制御手段70がそれぞれ認識する。制御手段70は、座標を認識した2つのアライメントマーク911aのY座標の値に基づき、2つのアライメントマーク911aを結ぶ直線方向に対する切削送り方向の角度βを算出する。そして、2つのアライメントマーク911aを結ぶ直線方向を切削送り方向と平行にするため、保持テーブル2を角度βだけ回転させて角度βを0度に補正する。V溝角度補正工程及び切削角度補正工程では、ラインセンサからなる撮像手段7によってV溝94a、94bの撮像を行うため、高低差があるV溝の斜面の撮像時に、従来使用していたエリアセンサカメラのようにピント調整や光量調整が不要となる。また、切削角度補正工程では、2列のアライメントマークを並行して検出することができるため、生産性を向上させることができる。なお、ラインセンサは、被加工物の幅又は必要な分解能に応じて、1つまたは2つ以上のいずれとしてもよい。3分割工程上記V溝角度補正工程及び切削角度補正工程を経て、2つのアライメントマーク911aを結ぶ線と切削送り方向とが平行になった後、アライメントマーク911aを基準として加工予定ラインを設定し、図1に示した切削ブレード30と加工予定ラインとのY軸方向の位置あわせを行う。そして、その状態で保持テーブル2をX軸方向に切削送りするとともに、切削ブレード30を高速回転させながら切削手段3を下降させて加工予定ラインを切削する。同じようにして、すべての加工予定ラインを縦横に切削すると、個々のチップコンデンサに分割される。また、キャリア基板92の表面に設けられた分離層となるテープ93を溶解し、分割されたチップコンデンサをキャリア基板92から分離させる。なお、上記実施形態では、保持テーブル2が切削送り方向に移動し、撮像手段7が割り出し送り方向に移動し、切削手段3が割り出し送り方向及び切り込み送り方向に移動する構成としたが、これらの移動は相対的な関係で実現されればよく、上記実施形態には限定されない。