"一の導電型を有する半導体基板の第1の主面上に、実質的に真性な第1のi型半導体層を形成する工程と、前記第1のi型半導体層の上に、一の導電型を有する第1の半導体層を形成する工程と、前記半導体基板の第2の主面上に、実質的に真性な第2のi型半導体層を形成する工程と、前記第2のi型半導体層の上に、他の導電型を有する第2の半導体層を形成する工程と、を備え、前記第1のi型半導体層を形成する工程または前記第2のi型半導体層を形成する工程の後に、イオンを用いない水素ラジカル処理を前記第1及び第2のi型半導体層の少なくとも一方に対して施す工程をさらに備える、太陽電池の製造方法。前記イオンを用いない水素ラジカル処理を、リモートプラズマ法、触媒化学気相成長法及びホットワイヤー法の少なくともひとつにより行う、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記第1のi型半導体層、前記第1の半導体層、前記第2のi型半導体層及び前記第2の半導体層の少なくともひとつは、水素を含む非単結晶シリコン系半導体からなる、請求項1または2に記載の太陽電池の製造方法。近年、太陽電池の出力特性をさらに向上したいという要望が高まってきている。本発明は、斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、改善された出力特性を有する太陽電池を製造し得る方法を提供することにある。本発明に係る太陽電池の製造方法では、一の導電型を有する半導体基板の第1の主面上に、実質的に真性な第1のi型半導体層を形成する。第1のi型半導体層の上に、一の導電型を有する第1の半導体層を形成する。半導体基板の第2の主面上に、実質的に真性な第2のi型半導体層を形成する。第2のi型半導体層の上に、他の導電型を有する第2の半導体層を形成する。第1のi型半導体層を形成する工程または第2のi型半導体層を形成する工程の後に、イオンを用いない水素ラジカル処理を第1及び第2のi型半導体層の少なくとも一方に対して施す。本発明によれば、改善された出力特性を有する太陽電池を製造し得る方法を提供することができる。以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。第1の実施形態太陽電池1の構成図1は、第1の実施形態において製造する太陽電池の略図的断面図である。まず、図1を参照しながら本実施形態において製造する太陽電池の構成について説明する。太陽電池1は、半導体基板10を備えている。半導体基板10は、例えば、単結晶半導体基板や多結晶半導体基板により構成することができる。具体的には、半導体基板10は、例えば、単結晶シリコン基板により構成することができる。なお、本実施形態では、半導体基板10の導電型がn型である例について説明する。但し、本発明は、これに限定されない。半導体基板10の導電型はp型であってもよい。半導体基板10の第1の主面10aの上には、半導体基板10の導電型とは異なるp型半導体層11が配されている。p型半導体層11は、例えば、p型アモルファスシリコンなどのp型の非単結晶シリコン系半導体により構成することができる。p型半導体層11は、水素を含んでいることが好ましい。p型半導体層11の厚みは、例えば、3nm~20nmであることが好ましく、5nm~15nmであることがより好ましい。半導体基板10の第1の主面10aとp型半導体層11との間には、i型半導体層12が配されている。i型半導体層12は、例えば、i型アモルファスシリコンなどの実質的に真性な非単結晶シリコン系半導体により構成することができる。i型半導体層12は、水素を含んでいることが好ましい。i型半導体層12の厚みは、実質的に発電に寄与しない程度であることが好ましい。i型半導体層12の厚みは、例えば、3nm~15nmであることが好ましく、5nm~10nmであることがより好ましい。一方、半導体基板10の第2の主面10bの上には、半導体基板10の導電型と同じであるn型半導体層13が配されている。n型半導体層13は、例えばn型アモルファスシリコンなどのn型の非単結晶シリコン系半導体により構成することができる。n型半導体層13は、水素を含んでいることが好ましい。n型半導体層13の厚みは、例えば、3nm~25nmであることが好ましく、5nm~15nmであることがより好ましい。半導体基板10の第2の主面10bとn型半導体層13との間には、i型半導体層14が配されている。i型半導体層14は、例えば、i型アモルファスシリコンなどの実質的に真性な非単結晶シリコン系半導体により構成することができる。i型半導体層14の厚みは、実質的に発電に寄与しない程度であることが好ましい。i型半導体層14は、水素を含んでいることが好ましい。i型半導体層14の厚みは、例えば、3nm~15nmであることが好ましく、5nm~10nmであることがより好ましい。半導体層11,13の上には、透明導電性酸化物TransparentConductiveOxide:TCO層15,16が配されている。TCO層15の上には、電極17が配されている。この電極17により正孔が収集される。一方、TCO層16の上には、電極18が配されている。この電極18により電子が収集される。太陽電池1の製造方法次に、太陽電池1の製造方法の一例について説明する。まず、半導体基板10の上に、i型半導体層12,14を形成する。i型半導体層12,14の形成は、例えば、CVDChemicalVaporDeposition法やスパッタリング等の蒸着法により行うことができる。次に、i型半導体層12,14の少なくとも一方に、イオンを用いない水素ラジカル処理を施す。具体的には、イオンを用いない水素ラジカル処理を、リモートプラズマ法や、触媒化学気相成長CatalyticChemicalVaporDeposition:Cat-CVD法、ホットワイヤー法等により行う。これによりi型半導体層12,14を改質する。具体的には、i型半導体層12,14に含まれる水素の結合状態などを改質する。なお、この改質工程において、i型半導体層12,14に水素を導入してもよい。すなわち、この改質工程は、i型半導体層12,14における水素濃度を高める工程であってもよい。次に、i型半導体層12の上にp型半導体層11を形成すると共に、i型半導体層14の上にn型半導体層13を形成する。p型半導体層11及びn型半導体層13の形成は、例えば、CVD法やスパッタリング法等の蒸着法により行うことができる。次に、半導体層11,13の上に、TCO層15,16を形成する。TCO層15,16の形成は、例えば、CVD法やスパッタリング法等の蒸着法により行うことができる。最後に、電極17と電極18とを形成することにより太陽電池1を完成させることができる。なお、電極17,18の形成は、例えば導電性ペーストの塗布や、めっき法等により行うことができる。上述のように、特許文献1には、i型アモルファスシリコン層に水素を導入する方法として、約1eV~約5keVの加速電圧が加えられた電界により加速した水素イオンをi型アモルファスシリコン層に照射する方法が記載されている。本発明者らは、この水素の導入方法を鋭意研究した結果、水素導入時に照射する水素イオンによりi型アモルファスシリコン層がダメージを受けていること、そのダメージにより製造される太陽電池の出力特性が低くなっていることを見出した。その結果、i型半導体層に、イオンを用いない水素ラジカル処理を施すことに想到した。本実施形態のように、i型半導体層12,14にイオンを用いない水素ラジカル処理を施してi型半導体層12,14を改質した場合は、イオンの照射によりi型半導体層を改質する場合とは異なり、イオン照射に起因するダメージがi型半導体層12,14に発生することを抑制することができる。よって、イオンを用いない水素ラジカル処理を施す本実施形態では、i型半導体層12,14の損傷を抑制しつつ、i型半導体層12,14に含まれる水素の結合状態等を改質することができる。その結果、優れた出力特性を有する太陽電池1を製造することができる。より優れた出力特性を有する太陽電池1を得る観点からは、i型半導体層12とi型半導体層14との両方に対して、イオンを用いない水素ラジカル処理を施すことが好ましい。なお、イオンを用いない水素ラジカル処理として例示したリモートプラズマ法は、水素ラジカルだけが基板の表面に到達できるように、磁場や電場によりイオンをプラズマ空間から分離できる装置を用いて行う方法であればよい。以下、本発明の好ましい実施形態の他の例について説明する。以下の説明において、上記第1の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。第2の実施形態図2は、第2の実施形態において製造する太陽電池の略図的断面図である。第1の実施形態では、半導体基板10の第1の主面10aの上にp型半導体層11が形成されている一方、第2の主面10bの上にn型半導体層13が形成されている太陽電池1を製造する例について説明した。但し、本発明に係る太陽電池の製造方法は、他の形態の太陽電池の製造にも適用することができる。本実施形態では、裏面接合型の太陽電池の製造例について説明する。図2に示すように、第2の実施形態の太陽電池2では、半導体基板10の第2の主面10bの上に、i型半導体層12及びp型半導体層11と、i型半導体層14及びn型半導体層13との両方が形成されている。半導体基板10の第1の主面10aの上には、i型半導体層19と、n型半導体層20と、反射抑制機能を兼ね備えた保護膜21とがこの順番で形成されている。この太陽電池2の製造に際しても、i型半導体層12,14の少なくとも一方にイオンを用いない水素ラジカル処理を施してi型半導体層12,14を改質する。このようにすることによって、第1の実施形態と同様に、第2の実施形態においても、優れた出力特性を有する太陽電池2を製造することができる。以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。実施例1第1の実施形態に係る太陽電池1と実質的に同様の構成を有する太陽電池を、第1の実施形態において説明した方法により、下記の条件で作製した。実施例1では、太陽電池の製造に際し、i型半導体層12に対して、イオンを用いない水素ラジカル処理を施した。具体的には、減圧されたCVD装置の真空容器内に水素ガスを500sccmで導入し、圧力を2Pa~10Paに調整した。その後、CVD装置への投入電力を3.5kW~4.0kWとして水素ラジカルを発生させ、20秒間にわたってi型半導体層12に対して水素ラジカルを照射することにより、水素ラジカル処理を行った。なお、本実施形態では、i型半導体層14に対しては水素ラジカル処理を施さなかった。また、実施例1では、i型半導体層12は、CVD装置の真空容器内にシランSiH4ガス200sccmと水素H2ガス100sccmとの混合ガスを導入し、圧力を1Pa~5Paに調整し、投入電力を3.5kW~4.0kWとして、膜厚が10nmとなるように形成した。実施例1において作製した太陽電池の開放電圧Voc、短絡電流Isc、曲線因子F.F.、最大出力Pmaxを測定した。結果を、下記の表1に示す。比較例1i型半導体層12に対してイオンを用いない水素ラジカル処理を施さなかったこと以外は実施例1と同様にして実施例1で作製した太陽電池と実質的に同様の構成を有する太陽電池を作製した。比較例1において作製した太陽電池の開放電圧Voc、短絡電流Isc、曲線因子F.F.、最大出力Pmaxを測定した。結果を、下記の表1に示す。なお、表1に示す結果は、i型半導体層12に水素ラジカル処理を施さない比較例1の値を100としたときの規格化値である。表1に示す結果から、i型半導体層12,14にイオンを用いない水素ラジカル処理を施すことにより、イオンを用いない水素ラジカル処理を施さない場合や、イオンを用いた水素ラジカル処理を施した場合よりも曲線因子や最大出力などの太陽電池の出力特性を改善できることが分かる。"