"第1の材料から作られ、第1の脚部の第1の端部7aの高さで支持部8にアンカー固定されている第1の脚部2aと、第2の材料から作られ、第2の脚部の第1の端部7bの高さで前記支持部8にアンカー固定されている第2の脚部2bと、熱電対1aを形成するために前記第1の脚部2aおよび前記第2の脚部2bとそれぞれ電気接触している第1および第2の接点領域9a、9bが設けられている電気接続要素3と、前記第1および第2の脚部2a、2bの高さで前記第1および第2の接点領域9a、9bの位置を変更する手段と、を備え、前記接点領域9a、9bの位置を変更する手段は、前記第1および第2の脚部2a、2bに沿って移動可能な前記電気接続要素3を備えることを特徴とする熱電装置。前記移動可能な接続要素3は、膜10によって支持され、この膜の変形が前記第1および第2の脚部2a、2bに沿った前記接続要素3の摺動を可能にすることを特徴とする、請求項1に記載の装置。前記接続要素3は、この接続要素の摺動の方向に垂直であり、かつ、前記第1および第2の脚部2a、2bの平面に平行な平面内にある方向にこの接続要素の厚さを変更する手段を備えることを特徴とする、請求項2に記載の装置。前記接続要素3の厚さを変更する手段は、刺激の作用によって体積を変える能力がある材料12を含むことを特徴とする、請求項3に記載の装置。熱電材料から作られ、相互に電気的に絶縁された2つの脚部108a、108bを支持基材101に形成するステップと、前記2つの脚部を電気接続し、前記基材101と垂直な方向に移動する能力がある可動要素113を形成するステップと、を備えることを特徴とする熱電装置の製造方法。前記脚部108a、108bの形成後、パッケージング層110が前記可動要素113の輪郭を少なくとも部分的に定める金型を形成するために堆積させられることを特徴とする、請求項5に記載の方法。前記脚部は、熱電材料の層103を堆積させるステップと、縦方向を有し、中央部107cによって連結された2つの領域107a、107bを含み、前記領域107a、107bの横寸法および縦寸法が前記中央部107cの横寸法より大きいエッチングパターンを形成するステップと、エッチングパターンを用いて前記熱電材料層103をエッチングするステップと、前記脚部108a、108bを剥離するために等方性方法で前記熱電材料層103を部分的にエッチングするステップと、によって形成されることを特徴とする、請求項5または6に記載の方法。前記エッチングパターンは、下端の第1の犠牲層104と上端の第2の犠牲層106によって形成され、前記パッケージング層110は、前記第2の犠牲層106と共に共通の平坦表面を形成し、空洞111が前記パッケージング層110までの前記中央部107cの高さでの前記エッジングパターンの取り除きと、少なくとも前記中央部107cの下にある前記パッケージング層の一部分の除去とによって形成されることを特徴とする、請求項6を引用する7に記載の方法。本発明の目的は、発電モードおよび冷却モードの両方のため最適化され得る装置を提供することである。本目的は、添付の請求項によって、特に、接点領域の位置を変更する手段が上記第1の脚部および第2の脚部に沿って移動可能な電気接続要素を備えるという事実によって達成される傾向がある。本発明は、熱電材料から作られ、相互に電気的に絶縁された2つの脚部を支持基材に形成するステップと、2つの脚部を電気接続し、基材と垂直な方向に移動する能力がある可動要素を形成するステップと、を備える、熱電装置の製造方法にも関する。他の利点および特徴は、非限定的な実施例の目的のためだけに記載され、添付図面に表された発明の特有の実施形態の説明からより明瞭に理解できることになる。以下に記載された実施形態は、全く同一の熱電対の内部で発電モードまたは冷却モードのいずれかを最適化するために脚部の実効高さが変更されることを可能にする。図2に例示された第1の実施形態によれば、熱電装置は、第1の材料から作られた第1の脚部2aと、第2の材料から作られた第2の脚部2bとを備える。第1の脚部2aは、第1の脚部の第1の端部7aの高さで支持部8にアンカー固定され、第2の脚部2bは、第2の脚部の第1の端部7bの高さで上記支持部8にアンカー固定されている。金属コネクタ4は、好ましくは、対応する第1の端部7a、7bと支持部8との間に個々の脚部の高さで嵌め込まれている。これらのコネクタは、たとえば、装置の数個の熱電対が必要に応じて直列に接続されることを可能にする。電気接続要素3は、熱電対1aを形成するために第1の脚部2aと第2の脚部2bとを接続する。この電気接続要素3は、第1の脚部2aおよび第2の脚部2bとそれぞれ電気的に接触した第1の接点領域9aおよび第2の接点領域9bが設けられている。脚部2a、2bは、好ましくは、熱電対が形成されることを可能にする2つの異なる材料から形成される。これらの脚部2a、2bは、同じ熱電材料から形成されることが可能であり、第1の脚部は、Nドープ型であり、第2の脚部は、Pドープ型である。熱電材料は、ビスマス、アンチモンなどのような半金属、または、シリコン、シリコンゲルマニウム合金などのような縮退した半導体とすることも可能である。この装置は、第1の脚部2aおよび第2の脚部2bの高さで第1の接点領域9aおよび第2の接点領域9bの位置を変更する手段をさらに備える。これは、実際には、個々の脚部2a、2bの第1の端部7a、7bと関連付けられた接点領域9a、9bとの間の電気経路の長さを調節することにより脚部の実効高さが変更されることを可能にする。換言すると、電気接続要素3は、支持部8から離れて、または、支持部8に向かって、すなわち、図2のY軸に沿って接点領域9a、9bを移動させるために移動できる。図2では、この装置は、ゼーベックモードを優先し、第1の脚部2aおよび第2の脚部2bの実効高さは、脚部2a、2bの第1の端部7a、7bと、電気接続要素3の上記脚部と関連付けられた接点領域9a、9bとの間の電気経路の長さに対応するLSに等しい。好ましくは、高さLSは、脚部2a、2bの脚部2a、2bの実際の高さLLeg以下である。図3では、この装置は、ペルティエモードで最適化され、その結果、第1の脚部2aおよび第2の脚部2bの実効高さは、脚部2a、2bの第1の端部7a、7bと、電気接続要素3の上記脚部と関連付けられた接点領域9a、9bとの間の電気経路の長さによって画定される。図3では、この実効高さは、LS未満であるLPに等しい。図2および3では、脚部2a、2bの第1の端部7a、7bと、関連付けられた接点領域9a、9bとの間の距離は、第1の端部7a、7bに最も接近した接点領域9a、9bの一部分から計算される。換言すると、第1の脚部2aおよび第2の脚部2bの高さで第1の接点領域9aおよび第2の接点領域9bの位置を変更する手段は、実際には、第1の脚部2aおよび第2の脚部2bの実効高さが調節されることを可能にする。この装置は、このようにして、選択された動作モードを最適化するために、外部環境、たとえば、高温側5と低温側6との間の温度に適合する能力がある。たとえば、以下の表Iに定義されたパラメータを考慮して装置を特徴付けることが可能である。この表では、熱的パラメータは、装置の端子での温度ケルビン単位で熱電対の高温側Thおよび低温側Tfを定義する。材料パラメータは、脚部を形成するために使用される材料の特性、たとえば、ゼーベック係数と、熱伝導率と、電気抵抗率と、さらに脚部間の充填材料に対応するマトリックス本実施例では、利用されている材料は、空気であるの熱伝導率とを定義する。幾何学的パラメータは、脚部の個数n但し、n/2は、熱電対の個数Nに等しいと、脚部の高さLと、本例では、1辺の寸法がbである正方形によって定義される脚部の断面Anpと、2つの隣接脚部の間隔dと、脚部が分布する装置の表面Ateと、最も外側の脚部と装置の端部との間の距離技術的な製造上の検討に必要な端部脚部間距離とによって装置を定義する。熱交換パラメータは、熱交換表面Ahs、および、装置と環境低温側との間の伝達率hである。電気的パラメータは、脚部とこの脚部の接続要素との間の電気抵抗に対応する電気接点抵抗Rcと、接点抵抗と脚部の電気抵抗とを含む一連の熱電対の端子で測定された装置の内部抵抗に対応する内部抵抗Rintとを定義する。このようなパラメータを用いると、ゼーベックモードにおける電力と、ペルティエモードにおける冷却力とは、等式の形式で記述できる。後に続く等式は、電気的視点および熱的視点から組み込まれたパラメータと、装置が設置されることになる環境に結び付けられたパラメータとを考慮するモデルに基づいている。低温側の使用のため利用できる温度は、実際には、温度Tfより実際に高い温度Tcにある熱電対の低温に現実には対応しない温度Tfである。その結果、等式中で考慮されるのは、環境の温度差Th-Tfではなく、装置の温度差Th-Tcである。実施例において、そして、表1の特性によれば、高温側Thおよび低温側Tfは、それぞれ、温度350ケルビンおよび300ケルビンにある。モジュールの表面Ateは、1cm2に、個々の脚部が8×8μm2の正方形の形をした断面を有している42,000個の脚部、すなわち、21,000個の熱電対が配置される。最後に、熱交換器に関係するパラメータは、2cm2という表面Ahsと、熱伝達率1000Wm-2K-1とを有している。ゼーベックモードにおける電力Qgenは、その結果、等式:によって表現できる。等式1では、Tcは、既知であり、内部抵抗Rintと同様にLに依存し、Nは、熱電対の個数を表すN=n/2。Rintは、等式:によって定義され得る。Tcの表現を見分けるために、等式は、熱電装置のレベルで入力された電力と低温側から出る熱との平衡性を表現して記述されるべきであり、すなわち、であり、式中、PSeebは、ゼーベック効果を表し、Pcondは、伝導による熱伝達を表し、Pjは、ジュール効果による損失を表し、Phsは、対流による熱伝達を表す。これらの4つの項は、Tcを利用し、等式:の解法をもたらし、式中、ΔTは、ThとTcとの間の温度差を表し、λairは、空気の熱伝導率を表し、Iは、熱電対を流れる電流を表す。この等式4は、TcがパラメータLの関数でもあることを示す。等式1および4は、このように、脚部の高さLによるQgenの依存性を明らかにする。表Iにおいて決められた変数によれば、図4は、脚部の実効高さに対するQgenの変動を示す。同図では、15.4mW.cm-2という点Qgen_maxが35μmという脚部高さに対して観察できる。この値NSeebは、等式:を解法することによって解析的に得ることも可能である。テストがペルティエモードに対しても実行された。ペルティエ効果、ジュール効果および熱伝導を考慮すると、パルティエ効果を優先する熱電装置の冷却力は、以下の形式:で記述できる。この等式6は、脚部の高さを表す変数Lと、一連の熱電対を流れる電流Iとをさらに利用し、KLは、によって定義される全熱伝導度を表す。等式6および7の適用により、図5は、脚部の高さLに応じたQcoldの変動を表す。本例では、入力パラメータは、ゼーベックモードとは異なる。このようにして、10mAに等しい入力電流が一連の熱電対の中を流れる。これらの条件下で、脚部の高さがゼーベックモードのため予め決定された高さに等しい場合、7.6Wという電力Qcoldが得られることになる。図5の曲線を読むと、7.6Wというこの値が最適値から遠く離れていることが分かる。実際上、図5は、より小さい脚部高さが16.2Wという最適電力Qcold_maxが得られることを可能にすることを明らかにする。このペルティエ最適化された脚部高さは、11μmであり、実際には、ゼーベック効果のため同じ熱電装置を最適化するために必要とされるより遙かに小さい。その結果、この実証は、装置の熱電対が可変実効高さを有する脚部を備える装置によって示された特定の利点と、ゼーベックモードまたはペルティエモードのため選択的に最適化されることによって装置が提供し得る利益とを確認する。特定の例示的実施形態によれば、第1の領域9aおよび第2の領域9bの位置を変更する手段は、電気接続要素3を備える。この接続要素3は、したがって、上記脚部2a、2bに沿って移動可能である。その結果、この例示的実施形態では、脚部2a、2bの実効高さが図2および3に表されるように調節されることを可能にするのは、接続要素3の可動性である。図2および3の例示的実施形態では、可動接続要素3は、膜10によって支持することができ、膜の変形は、第1の脚部2aおよび第2の脚部2bに沿った接続要素3の摺動を可能にする。膜10は、少なくとも1つの支柱11a、11bによって支持部8に接続され得る図2および3では、この装置は、脚部2a、2bの各側に配置された2つの支柱を備える。当然ながら、これは、実施形態の特定の実施例に過ぎず、当業者は、たとば、接続要素3が脚部の縦方向に、すなわち、図2および3のY軸に沿って脚部2a、2bの間を摺動することを可能にするほかのタイプの手段によって膜の動作を適合させることが可能である。熱電対1aが動作中であるとき、接続要素3と第1の脚部2aおよび第2の脚部2bとの間の電気接点が上端位置および下端位置の両方で確保されるゼーベックまたはペルティエモード。ある種の例では、装置が製造されるときの設計誤差は、第1の脚部2aと第2の脚部2bとの間の完全な等距離が確保されることを可能にしないので、接続要素3と第1の脚部2aおよび第2の脚部2bとの間にこのような機能上の遊びを引き起こすことがある。この機能上の遊びは、接続要素3と熱電対の第1の脚部2aおよび第2の脚部2bとの間の電気接点の損失の原因となり、その結果、熱電対は、不安定になる。同様に、第1の脚部2aと第2の脚部2bとを相互により接近させて局所的に設置する原因となる設計誤差は、電気接続要素3の摺動がゼーベック位置からペルティエ位置へ、または、その逆に移動するために行われるとき、熱電対を破損する傾向があるということになる。接続要素3は、その結果、接続要素の摺動方向図6および7のY軸方向に垂直であり、かつ、第1の脚部2aおよび第2の脚部2bの平面に平行な平面内にある一方向図6および7のX軸方向に接続要素の厚さを変更する手段を備えることができる。接続要素3の厚さを変更する手段は、刺激の作用、たとえば、温度変化または所定の電圧の印加によって、体積を変える能力がある材料12を備えることができる。体積の変化は、当然ながら、材料12が拡大したときに脚部2a、2bと接続要素3との間の電気的接触を可能にさせ、材料12が縮小したときに接続要素3が摺動することを可能にするために可逆的である。実施例の目的のため、Nafion登録商標、Lipon登録商標、またはポリピロールがある一定の条件下で使用され得る。刺激は、電気的、熱的または光学的でもよい。体積を変える能力がある材料12は、たとえば、電気接続要素3内に形成された体積変化材料から作られたセグメントであり、上記セグメントは、好ましくは、摺動方向を含む平面に平行であり、かつ、第1の脚部2aおよび第2の脚部2bの平面に垂直である平面内にある。図6では、電気接続要素3は、ゼーベックモードのため最適化された上端位置にあり、電気接続要素3の接点領域9a、9bは、それぞれ、第1の脚部2aおよび第2の脚部2bと接触している。図7では、接続要素3が脚部2a、2bを破損することなく脚部2a、2bの間を摺動することを可能にするために接続要素3と2つの脚部2a、2bとの間に十分な機能上の遊びを作り出すように、体積を変える能力がある材料が縮小するように刺激が印加される。電気接続要素3は、このようにして、ペルティエモードのため最適化された位置まで支持部8の方向に低下させることが可能であり、体積を変える能力がある材料は、たとえば、新しい刺激によって拡大し、その結果、電気接続要素3の接点領域9a、9bは、脚部2a、2bの高さで電気接続する。この装置は、相互に直列に接続された数個の熱電対をさらに備えることができる。このような装置は、図8に例示され、脚部2a、2bの上方に吊された膜10は、この場合、相互に電気的に絶縁された複数の電気接続要素3a、3b、3cを備える。図8では、3つの熱電対1a、1b、1cは、個々の脚部の第1の端部と接触したコネクタ4a、4b、4c、4dによって支持部8の高さで直列に接続されている。様々な実施形態は、支持部8に向けられた表面に電気接続要素3を備える変形可能な膜に限定されない。よって、脚部に沿った電気接続要素の移動を可能にするどのようなタイプの手段でも、たとえば、Z軸および/またはX軸および/またはY軸に沿って移動する能力があるレールを使用できる。図9および10に例示された例示的実施形態によれば、接続要素3は、移動可能であり、相互に独立に移動する能力がある2つの接点要素3’、3’’を備える。個々の脚部2a、2bは、このようにして、個別に最適化され得る。実施例の目的のため、個々の脚部2a、2bの第2の端部は、斜端部13a、13bの形をなし、接続要素3の関連付けられた接点領域9a、9bは、相補的な斜端部の形状を有している。したがって、脚部2a、2bに関して接点領域9a、9bの位置を変更することにより、脚部2a、2bの実効高さを変更することが可能である。図9では、装置は、ゼーベック位置に接点領域9a、9bが個々に設けられている2つの接点要素3’、3’’を備える電気接続要素3と共に熱電対を備える。図10では、同じ装置は、ペルティエ位置にあり、接点要素3’、3’’は、支持部8に向かって、すなわち、X軸およびY軸に沿って、移動させられる。実効高さLPは、この場合、脚部の第1の端部7aと、関連付けられた接点要素3’、3’’の最も近い部分9a、9bとを分離する距離によって定義される。上記実施例では、移動するのは、装置の上端部分、すなわち、接続要素および関連付けられた膜である。当然ながら、接続要素を固定し、いずれか1つの熱電対の脚部を移動可能にすることによって同じタイプの装置を実現することも可能である。別の図示されていない実施例によれば、第1の支持部の表面に脚部を形成し、その後、第1の支持部の表面と対向するように設計された第2の支持部の表面に電気接続要素を形成することも可能であり、接点領域は、第1の脚部および第2の脚部とそれぞれ電気的接触するように設計されている。この場合、脚部を支える第1の支持部の表面と電気接続要素を支える第2の支持部の表面との間の距離を調節するために手段が設けられるだけでよい。以上に定義されたような熱電装置の製造方法は、少なくとも、熱電材料から作られ、相互に電気的に絶縁された2つの脚部を支持基材に形成するステップと、2つの脚部を電気接続し、基材と垂直な方向に移動する能力がある可動要素を形成するステップと、を備える。可動接続要素は、実際には、脚部の後に、好ましくは、犠牲材料から作られたパッケージング層から形成され得る。このパッケージング層は、形成される可動要素の輪郭を少なくとも部分的に定める金型を形成することを可能にする。図11以降に例示された特定の実施例として、この方法は、熱電対の個々の将来の脚部の高さで、支持基材101に電気コネクタ102a、102bを形成することを含むことができる。図11および12では、コネクタ102a、102bは、たとえば、導電層102の堆積によって形成され図11、この導電層は、その後、電気コネクタ102a、102bの輪郭を定めるためにパターニングされる図12。その後、好ましくは、熱電材料から作られた層103がコネクタ102a、102bに堆積させられ、その後、第1の犠牲層104、たとえば、第1のタイプの誘電体層によって覆われる図12。熱電材料は、上記一覧された材料から選択することができる。熱電材料層103は、堆積させられた後に、個々の将来の熱電対の高さでNドープ型脚部およびPドープ型脚部を形成するために、たとえば、イオン打ち込みによって局所的にドープされ得る。少なくとも1つの膜支持支柱105a、105bがその後にパターニングされ得る図13。この支柱は、中心にコネクタ102a、102bが配置される円形形状を持つことが可能であり、または、一方の端部で膜を支持するために設計された、基材101に垂直である簡単な縦支柱とすることが可能である。図13では、2つの膜支持支柱105a、105bが電気コネクタ102a、102bの各側にパターニングされている。実施例の目的のため、1つまたは複数の支柱105a、105bは、熱電層103および第1の犠牲層104のパターニングによって、たとえば、下端が支持基材101によって輪郭が定められている少なくとも1つ膜が2つの支柱によって支持される場合、2つの空隙領域を形成するためにリソグラフィステップおよびエッチングステップによって作ることができる。個々の空隙領域は、その後、支柱105a、105bを形成するために設計された材料の堆積によって充填され、有利なことには、使用される材料は、Cu、Al、TiN、または、マイクロエレクトロニクスで使用され、CVDまたはPVD堆積技術に適合し得る何らかの標準的な金属のような導電性とすることができる。支柱105a、105bの形成は、好ましくは、第1の犠牲層104および支柱105a、105bの頂点と同一平面にある実質的に平坦な表面を形成するために、第1の犠牲層104までの化学機械研磨が後に続けられる。図に表されていない代替的な実施形態によれば、支柱は、第1の例では、支持基材101に、すなわち、導電層102、熱電層103および第1の犠牲層104の堆積前に、形成することも可能である。支柱105a、105bの形成後、第2の犠牲層106が図14に例示されるように第1の犠牲層104に堆積させられる。第2の犠牲層106は、好ましくは、異なる層の選択的エッチングを可能にするために第1の犠牲層104の材料とは異なる材料から作られる。第2の犠牲層106は、その後、パターンに応じてパターニングされる。図15は、積層の平面図を例示し、それ故に、1番目の目に見える層は、第2の犠牲層106である。この第2の犠牲層106の上に、パターンは、2つの支柱105a、105bを通る縦軸A1を図に表す。このパターンは、電気コネクタ102a、102bより上に配置された2つの領域107a、107bを含む梁の形式でもよい。これらの2つの領域107a、107bは、梁の中央部107cによって相互に接続されている。梁は、1つの領域107aに接続され、1つの支柱105aの上を通る側方部107dをさらに備える。別の側方部107eは、別の領域107bに接続され、他の支柱105bの上を通る。2つの領域107a、107bと、中央部107cと、側方部107d、107eの設計を含むパターンに応じたこのパターニングは、その後、選択的エッチング、たとえば、支持基材101またはコネクタ102a、102bまで、ハードマスクとしての第2の犠牲層106、第1の犠牲層104および熱電材料層103のパターニングを使用する異方性プラズマによるエッチングが実行されることを可能にする。図16は、支柱およびコネクタ102a、102bが剥離されたことを観察することができる異方性エッチング後の積層の平面図を例示する。図17における3次元図に例示されるように、将来の脚部108a、108bは、両方共に、中央部107cの高さで第1の壁部109aによって相互に接続され、関連付けられた側方部107d、107eの高さで第2の壁部109bおよび第3の壁部109cによってそれぞれ支柱105a、105bに接続されている。脚部108a、108bは、当業者に知られたどのようなタイプの方法によっても、たとえば、エッチングが後に続けられるイオン打ち込みによって剥離することができる。図15から18の特定の実施例において、パターン107a、107b、107c、107d、107eは、等方性エッチングによる脚部108a、108bの形成および剥離を実現し易くするために成形されている。パターン107a、107b、107c、107d、107eに応じた等方性エッチングの後、脚部108a、108bは、このようにして、第1の壁部109aによって相互に接続され、脚部108aは、第2の壁部109bによって支柱105aに接続され、脚部108bは、第3の壁部109cによって支柱105bに接続されている図17。熱電層103の等方性エッチングは、壁部109a、109b、109cの除去を可能にする図18。本実施例では、側方部107d、107eと、中央部107cと、領域107a、107bとは、それぞれ、2つの支柱105a、105bを通る縦軸A1に垂直な幅D3、D1およびD2を有している図15。寸法D1およびD3は、好ましくは、同一であり、領域107a、107bの寸法D2は、D1とD3との間の最大寸法より大きい。同様に、縦軸A1に沿った領域107a、107bの寸法D4は、D1とD3との間の最大寸法より大きい。これらの制約は、その後、パターンの異方性エッチングの後、図18に例示されるように、熱電層103の等方性エッチングによって、脚部108a、108bが剥離されることを可能にさせ、脚部は、その結果、薄化される。換言すると、一般的な方法で、脚部は、支持基材101への熱電材料層103の堆積によって形成することが可能であり、その後、縦方向を有し、中央部107cによって連結された2つの領域107a、107bを含むエッチングパターンの形成が続けられ、領域107a、107bの横寸法および縦寸法は、中央部107cの横寸法より大きい。熱電材料層103は、その後、エッチングパターンを用いてエッチングされ、最後に、熱電材料層103は、脚部108a、108bを剥離するために、等方性方法で部分的にエッチングされる。脚部108a、108bが剥離された後、組立体全体は、好ましくは、前述されたパッケージング層を形成する第3の犠牲層110に浸漬される。この第3の犠牲層110は、好ましくは、第1の犠牲層104および第2の犠牲層106とは異なる材料から形成される。前述のように、異なる材料の選択は、その後、異なる犠牲層が選択的にエッチングされることを可能にすることになる。第3の犠牲層110は、その後、たとえば、CMP、または、エッチングが後に続くCMPによって第2の犠牲層106と共に平坦な表面を形成するために平坦化される。その後、積層の断面図である図19に例示されるように、中央部107cのパターンに応じて、第2の犠牲層106と、第1の犠牲層104と、第3の犠牲層110の一部分とを選択的にエッチングすることにより積層に開口空洞111を形成することが可能である。第3の犠牲層110は、好ましくは、空洞111内の第1の脚部108aおよび第2の脚部108bの側面と同一平面になるまで、等方性方法でエッチングされる。空洞111は、その後、接続要素および膜の一部分を両方共に形成することになる導電性材料で充填され得る。最後に、第1の犠牲層104および第3の犠牲層110を除去することが可能であり、膜は、その後、完全には除去されていない第2の犠牲層106によって部分的に形成される。換言すると、エッチングパターン107a、107b、107c、107d、107eは、下端の第1の犠牲層104と上端の第2の犠牲層106とによって形成され得る。本例では、第3の犠牲層110によって形成されたパッケージング層は、第2の犠牲層106と共に共通の平坦表面を形成する。その後、空洞111が、パッケージング層まで中央部107cの高さでエッチングパターンの取り除きによって、そして、少なくとも中央部107cの一部分の下にあるパッケージング層の一部分の除去によって形成される。図19および20に例示された好ましい実施形態によれば、第3の犠牲層110の平坦化後に、第2の犠牲層106が第1の犠牲層104まで選択的に取り除かれる。このステップ図に表されていないは、前に定義されたパターンの形状と同じ全体的な形状を有している開口空洞の輪郭が定められることを可能にする。換言すると、空洞は、2つの領域107a、107bと、中央部107cと、側方部107d、107eとによって輪郭が定められた形状を有している。図20では、2つの領域107a、107bと、中央部107cと、側方部107d、107eとは、それぞれ、好ましくは、第1の材料112a、第2の材料112bおよび第3の材料112cによって充填される。以下の実施例は、領域107a、107bと、部分107c、107d、107eとを異なる材料で充填するために使用することができる方法を与える。本実施例では、中央部107cの寸法D1は、側方部107e、107dの寸法D3の2倍より大きく、領域107a、107bの寸法D2と、領域107a、107bの寸法D4とは、幅D1によって画定された寸法の2倍より大きい図15。これは、側方部107d、107eが、等角堆積により、D3の半分に等しい厚さを持つ第3の材料の層112cを堆積させ、そして、側方部107d、107eから第3の材料112cを除去することなく、領域107a、107bと中央部107cとの高さで、D3の半分に等しい厚さに亘って第3の材料112cを除去することによって第1の段階で充填されることを可能にする。その後、第2のステップで、中央部107cは、等角堆積により、D1の半分に等しい厚さを持つ第2の材料112bの層を堆積することにより充填される。第2の材料112bは、その後、中央部107cから第2の材料112bを除去することなく、D1の半分に等しい厚さに亘って領域107a、107bの高さで除去される。最後に、領域107a、107bは、第1の材料112aで充填することができる。図19は、空洞111が第2の材料112bを除去し、中央部107cの高さで第1の犠牲層104を除去し、そして、空洞111内の第1の脚部108aおよび第2の脚部108bの側面と同一平面になるまで犠牲層110の一部分を除去することによって途中で形成される次のステップを例示する。第3の犠牲層110の一部分の除去は、好ましくは、脚部が空洞111内で同一平面になることを可能にするために等方性エッチングによって実行される。図21では、第1の材料112aおよび第3の材料112bは、犠牲層104の残部と同一平面になるまで選択的に取り除かれる。図22に例示された最後のステップは、脚部108a、108bと接触する接続要素113を2つの脚部108a、108bの間に形成することと、上記接続要素113を支持する膜114を形成することとにより構成される。膜114は、支持支柱105a、105bの頂点にアンカー固定される。仕上げるために、第1の犠牲層104および第3の犠牲層110の残部は、選択的に除去される。代替的な実施形態によれば、第1の材料および第3の材料は、取り除かれることがなく、空洞111は、導電性材料によって直接的に充填される。膜114は、その後、第1の材料および第3の材料によって形成され、材料が空洞を充填する。最後に、第1の犠牲層104および第3の犠牲層110の残部は、最終装置を得るために選択的に除去される。展開によれば、熱電装置は、前述されたような数個の熱電対の構成を備える。膜および接続要素は、その後、熱電対の短絡を防止するために、個々の要素と膜との間の電気的絶縁層の介挿を用いる2ステップで形成される。図に表されていない代替的な実施形態によれば、接続要素の形成後に、穴部が支持基材の方向で接続要素に形成される。この穴部は、その後、接続要素の厚さを変化させる手段を形成するために体積変化材料によって充填される。"