Ag及び/又はCuを含み、Znをさらに含む薄膜20を形成するステップと、S及び/又はSeを含み、Snをさらに含む雰囲気30中で、前記薄膜をアニールするステップと、を備え、前記薄膜の表面と本質的に接触している雰囲気30中のSn又はSn化合物の蒸気圧が、前記薄膜20から生じるSnの分圧以上である、AgxCu1-x2ZnSnSySe1-y4薄膜を製造する方法。アニールするステップの前に形成される前記薄膜20がSnをさらに含む、請求項1に記載の方法。アニールするステップの前に形成される前記薄膜20がS及び/又はSeをさらに含む、先行請求項のいずれか一項に記載の方法。前記薄膜をアニールするステップが、Sn元素又はSn含有組成物の形態のSn源40を供給する工程と、前記薄膜20と一緒に前記Sn源40を加熱する工程と、を有する、先行請求項のいずれか一項に記載の方法。前記Sn源40が、S又はSeをさらに含むSn含有組成物である、請求項4に記載の方法。Snを含む雰囲気30中で前記薄膜20をアニールするステップが、Sn及びS/Seを含むガス流を供給する工程と、前記薄膜と一緒に前記ガスを加熱する工程と、をさらに有する、請求項4に記載の方法。前記アニールするステップが、前記薄膜20及び前記雰囲気30を不活性容器60内に封じ込める工程をさらに有する、請求項4又は5に記載の方法。少なくとも1個の開口部61が、前記容器60に設けられている、請求項7に記載の方法。前記薄膜20が基板10上に形成される、先行請求項のいずれか一項に記載の方法。前記基板10がモリブデンである、請求項9に記載の方法。形成された前記薄膜20が、Znを含む少なくとも1つの層21を有する、先行請求項のいずれか一項に記載の方法。形成された前記薄膜20が、Ag及び/又はCuを含む少なくとも1つの層22を有する、先行請求項のいずれか一項に記載の方法。形成された前記薄膜20が、S及び/又はSeを含む少なくとも1つの層23を有する、先行請求項のいずれか一項に記載の方法。形成された前記薄膜20が、Snを含む少なくとも1つの層24を有する、先行請求項のいずれか一項に記載の方法。