複数の装置を共通の生産プロセスによって製造するステップと、前記複数の装置のうちの1つの装置の層の厚みを、該装置の第1の要素と、前記層を介して部分的に前記第1の要素の下方に位置する該装置の第2の要素との間の重複面積に依存する第1の電気的特性の指標を使用して測定するステップと、を含んでいる方法であって、装置の前記第1の要素と、やはり前記層を介して部分的に前記第1の要素の下方に位置する装置の第3の要素との間の重複面積areaofoverlapに依存する第2の電気的特性の指標を追加で使用するステップをさらに含んでおり、前記第1の電気的特性について測定された指標iと、前記第2の電気的特性について測定された指標iiとの間の差aが、前記第1の電気的特性の指標bよりも信頼できる前記層の厚みについての指標をもたらす、方法。前記第1の電気的特性が、前記第1の要素と前記第2の要素との間の容量であり、前記第2の電気的特性が、前記第1の要素と前記第3の要素との間の容量である、請求項1に記載の方法。装置の前記第3の要素が、第2および第3の要素のそれぞれの第1の要素の下方に位置する部分の面積の間に非ゼロnon-zeroの面積差aが存在するように設定され、生産プロセスにおいて生じる前記非ゼロの面積差aの前記複数の装置におけるばらつきvariationが、生産プロセスにおいて生じる前記第1および第2の要素の間の重複面積bの前記複数の装置におけるばらつきよりも小さいように構成される、請求項2に記載の方法。前記非ゼロの面積差についての所定の値i、および前記第1の要素と前記第2の要素との間の容量について測定された指標と、前記第1の要素と前記第3の要素との間の容量について測定された指標との間の差iiにもとづいて、層の厚みを測定するステップを含んでいる、請求項3に記載の方法。前記非ゼロの面積差が、実質的にゼロのばらつきしか被らない、請求項3または4に記載の方法。前記第2および第3の要素が、前記第1の要素の縁部分の下方に位置する実質的に同一の面積の部分と、前記第1の要素のより内側の部分の下方に位置する異なる面積の部分とを有している、請求項1~5のいずれかに記載の方法。共通の生産プロセスによって製造される複数の装置であって、各々の装置が、ひとつの層と、該層を介して第3の要素の下方に部分的に位置する第1および第2の測定要素とを備えており、前記第1の要素と前記第3の要素との間の重複面積に依存する第1の電気的特性について測定された指標iと、前記第2の要素と前記第3の要素との間の重複面積に依存する第2の電気的特性について測定された指標iiと、の間の差aが、前記第1の電気的特性の指標bよりも信頼できる前記層の厚みについての指標をもたらす、複数の装置。前記第1の電気的特性が、前記第1の要素と前記第2の要素との間の容量であり、前記第2の電気的特性が、前記第1の要素と前記第3の要素との間の容量である、請求項7に記載の複数の装置。第1および第2の要素の第3の要素の下方に位置する部分の面積の間に、非ゼロの面積差aが存在し、当該複数の装置において、前記非ゼロの面積差aのばらつきが、前記第1および第3の要素の間の重複面積bのばらつきよりも小さい請求項8に記載の複数の装置。前記非ゼロの面積差が、実質的にゼロのばらつきしか被らない、請求項9に記載の複数の装置。前記第1および第2の測定要素が、前記第3の要素の縁部分の下方に位置する実質的に同一の面積の部分と、前記第3の要素のより内側の部分の下方に位置する異なる面積の部分とを有している、請求項9または10に記載の複数の装置。本発明の目的は、上方の要素と下方の導電要素との部分的な重複程度に或る程度の制御不能なばらつきが存在しても、層の厚みを高い信頼度で測定することができる技法を提供することにある。本発明は、複数の装置を共通の生産プロセスによって製造するステップと、前記複数の装置のうちの1つの装置の層の厚みを、該装置の第1の要素と、前記層を介して部分的に前記第1の要素の下方に位置する該装置の第2の要素との間の重複面積に依存する第1の電気的特性の指標を使用して測定するステップと、を含んでいる方法であって、装置の前記第1の要素と、やはり前記層を介して部分的に前記第1の要素の下方に位置する装置の第3の要素との間の重複面積に依存する第2の電気的特性の指標を追加で使用するステップをさらに含んでおり、前記第1の電気的特性について測定された指標iと、前記第2の電気的特性について測定された指標iiとの間の差aが、前記第1の電気的特性の指標bよりも信頼できる前記層の厚みについての指標をもたらす方法を提供する。一実施の形態においては、前記第1の電気的特性が、前記第1の要素と前記第2の要素との間の容量であり、前記第2の電気的特性が、前記第1の要素と前記第3の要素との間の容量である。一実施の形態においては、装置の前記第3の要素が、第2および第3の要素のそれぞれの第1の要素の下方に位置する部分の面積の間に非ゼロnon-zeroの面積差aが存在するように設定され、生産プロセスにおいて生じる前記非ゼロの面積差aの前記複数の装置におけるばらつきが、生産プロセスにおいて生じる前記第1および第2の要素の間の重複面積bの前記複数の装置におけるばらつきよりも小さいように構成される。一実施の形態においては、この方法が、前記非ゼロの面積差についての所定の値i、および前記第1の要素と前記第2の要素との間の容量について測定された指標と、前記第1の要素と前記第3の要素との間の容量について測定された指標との間の差iiにもとづいて、層の厚みを測定するステップをさらに含む。一実施の形態においては、前記非ゼロの面積差が、実質的にゼロのばらつきしか被らない。一実施の形態においては、前記第2および第3の要素が、前記第1の要素の縁部分の下方に位置する実質的に同一の面積の部分と、前記第1の要素のより内側の部分の下方に位置する異なる面積の部分とを有する。さらに本発明は、共通の生産プロセスによって製造される複数の装置であって、各々の装置が、ひとつの層と、該層を介して第3の要素の下方に部分的に位置する第1および第2の測定要素とを備えており、前記第1の要素と前記第3の要素との間の重複面積に依存する第1の電気的特性について測定された指標iと、前記第2の要素と前記第3の要素との間の重複面積に依存する第2の電気的特性について測定された指標iiと、の間の差aが、前記第1の電気的特性の指標bよりも信頼できる前記層の厚みについての指標をもたらす複数の装置を提供する。一実施の形態においては、前記第1の電気的特性が、前記第1の要素と前記第2の要素との間の容量であり、前記第2の電気的特性が、前記第1の要素と前記第3の要素との間の容量である。一実施の形態においては、第1および第2の要素の第3の要素の下方に位置する部分の面積の間に、非ゼロの面積差aが存在し、当該複数の装置において、前記非ゼロの面積差aのばらつきが、前記第1および第3の要素の間の重複面積bのばらつきよりも小さい。一実施の形態においては、前記非ゼロの面積差が、実質的にゼロのばらつきしか被らない。一実施の形態においては、前記第1および第2の測定要素が、前記第3の要素の縁部分の下方に位置する実質的に同一の面積の部分と、前記第3の要素のより内側の部分の下方に位置する異なる面積の部分とを有する。以下で、本発明の実施の形態を、この実施の形態に使用するための試験構造の例を示している添付の図1を参照しつつ、あくまでも例として説明する。図1aおよび1cの両方においては、実施の形態をよりよく説明する目的のために、実際には上方の層の下方に隠れている部位も図示されている。図1は、一般的な大量生産プロセスに従って大量に製造される電子装置の小セクションを示している。基板16の表面に、電子装置において電子的機能を果たす例えば、TFTのアレイ図示されていないのゲート誘電体要素を定める電気絶縁層18が形成されている。絶縁層18の1つの縁部分に、絶縁層18の厚みの測定に使用するための測定要素1、2および20が設けられている。測定要素は、絶縁層の下側に位置する2つの個別の下側導電要素2および4と、絶縁層18の上側に位置する上側導電要素20とを含む。下側導電要素2および4は、基板16に連続的に付着させた導電性材料のフォトリソグラフィによるパターン化によって形成される。絶縁層18が、測定プローブを適用するための測定パッド10および14を含む2つの下側導電要素の外側部分を除き、2つの下側導電要素2、4の全体に重なっている。上側の導電要素20が、下方の絶縁層18の外縁の範囲内に位置するように形成されている。上側の導電要素20も、測定パッド10および14を含む下側導電要素2、4の外側部分を除き、下側導電要素2および4の全体に重なっている。下側導電要素2および4の各々が、測定パッド10、14と、絶縁層18および上側導電要素20の下方を延びる線8、12とを備えている。各々の下側導電要素2、4の測定パッドおよび線は、正確に同じサイズ、形状、および向きを有するように設計され、とくには線8、12が、上側導電要素20の縁に実質的に直角な方向に平行に延び、共通の幅を有している。2つの下側導電要素のうちの一方だけが、面積が高い精度で既知である追加の部分6を有しており、この追加の部分6が、装置の製造に使用される大量生産プロセスに付随する制御不能なばらつきの範囲内において上側導電要素の縁の正確な位置がどのようであっても、確実に上側導電要素20の下方に位置するように配置されている。絶縁層18の厚みを測定するとき、第1の下側導電要素2と上側導電要素20との間の容量の測定が行なわれ、第2の下側導電要素4と上側導電要素20との間の容量の測定が行なわれる。これら2つの測定の間の差が、第1の下側導電要素2の追加の部分6と上側導電要素20との間の容量であると考えられる。追加の部分6と上側導電要素との間の重複面積が、高い信頼度で正確に既知であるため上述のとおり、追加の部分6の全体に上側導電要素20が確実に重なっているため、追加の部分6と上側導電要素20との間の容量の値が、絶縁層18の厚みの信頼できる指標である。上述の2つの容量の測定値の間の差は、上側導電要素20の縁が線8および12の方向に対して正確に直角に延びている場合に限りすなわち、線8と上側導電要素との間の重複面積が、線12と上側導電要素との間の重複面積と正確に同じである場合に限り、正確に第1の下側導電要素2の追加の部分6と上側導電要素20との間の容量である。しかしながら、たとえ大量生産プロセスによって上側導電要素20の縁の方向と線8および12の方向との間の角度に何らかの制御不能なばらつきが生じても、線8と上側導電要素20との間の重複面積iと、線12と上側導電要素20との間の重複面積iiと、の間の面積差のばらつきの範囲aが、線8と上側導電要素20との間の重複面積のばらつきの範囲よりも小さい限りにおいて、上述の技法は、絶縁層18の厚みの比較的信頼できる測定を依然としてもたらすことができる。ばらつきの範囲aは、生産プロセスから生じうる最小の面積差と最大の面積差との間の差であり、ばらつきの範囲bは、生産プロセスから生じうる最小の重複面積と最大の重複面積との間の差である。換言すると、上述の技法は、線8と上側導電要素20との間の重複面積iと、線12と上側導電要素20との間の重複面積iiと、の間の差のばらつきの範囲aが、線8と上側導電要素20との間の重複面積bよりも高い精度で既知である限りにおいて、絶縁層18の厚みの比較的信頼できる測定を依然としてもたらすことができる。上述の実施の形態の説明においては、厚みを測定すべき層として絶縁層の例を選択した。しかしながら、同じ技法が、半導体層などの少なくとも何らかの誘電特性を有する他の種類の層の厚みの測定においても有用である。また、上述の実施の形態の説明においては、容量の測定値にもとづいて層の厚みを測定する例を選択した。しかしながら、同じ種類の技法を、例えば2つの導電要素の間の重複面積に依存する他の電気的特性の測定値比較的高い抵抗低い導電率を有する導電層または半導体層によって隔てられた2つの導電要素の間の垂直面積比導電率の測定値、などに基づいて層の厚みが測定される場合にも適用することが可能である。明示的に上述した変更に加え、上述の実施の形態について種々の他の変更が本発明の技術的範囲において可能であることは、当業者にとって明らかであろう。