マスクを通して基板上のエッチングされるべきレイヤ内へ高アスペクト比フィーチャをエッチングする方法であって、RF電力を第1周波数、前記第1周波数とは異なる第2周波数、および前記第1および第2周波数とは異なる第3周波数において与えることができる処理チャンバ内に前記基板を置くこと、エッチャントガスを前記処理チャンバに供給すること、前記第1周波数が第1電力レベルであり、前記第2周波数が第2電力レベルであり、前記第3周波数が第3電力レベルであり、ここで前記第1電力および前記第2または前記第3電力のうちの少なくとも1つはゼロより大きく、ここで前記第1エッチングは、前記エッチングされるべきレイヤ中にフィーチャを第1深さまでエッチングする、第1エッチングステップを行うこと、および前記第1周波数が第4電力レベルであり、前記第2周波数が第5電力レベルであり、前記第3周波数が第6電力レベルであり、ここで前記第4および前記第6電力のうちの少なくとも1つはゼロより大きく、前記第5電力はゼロより大きく、条件は、第1電力が第4電力と等しくないこと、および第3電力が第6電力と等しくないことからなるグループから選択され、ここで前記第2エッチングは、前記エッチングされるべきレイヤ中にフィーチャを第1深さより大きい第2深さまでエッチングする、第2エッチングステップを行うことを含む方法。請求項1に記載の方法であって、前記エッチングすべきレイヤは誘電体レイヤである方法。請求項2に記載の方法であって、前記誘電体レイヤは単一のレイヤである方法。請求項3に記載の方法であって、前記単一のレイヤは均質なレイヤである方法。請求項1~4のいずれかに記載の方法であって、第7、第8、および第9電力のうちの少なくとも2つがゼロより大きく、条件は、前記第7電力が前記第4電力と等しくないこと、前記第8電力が前記第5電力と等しくないこと、および前記第9電力が前記第6電力と等しくないことからなるグループから選択され、ここで前記第3エッチングは、前記エッチングされるべきレイヤ中にフィーチャを第2深さより大きい第3深さまでエッチングする、第3エッチングステップを行うことをさらに含む方法。請求項1~5のいずれかに記載の方法であって、前記第1周波数は100kHzおよび10MHzの間であり、前記第2周波数は10MHzから約35MHzの間であり、および前記第3周波数は40MHzより高い方法。請求項1~5のいずれかに記載の方法であって、前記第1周波数は約2MHzであり、前記第2周波数は約27MHzであり、および前記第3周波数は約60MHzである方法。請求項1~7のいずれかに記載の方法であって、前記エッチャントガスは、フルオロカーボンおよびハイドロフルオロカーボンプラズマからなるグループから選択される成分ガスを備える方法。請求項1に記載の方法によって形成される半導体デバイス。基板上の誘電体レイヤ内へ高アスペクト比フィーチャをエッチングする方法であって、RF電力を第1周波数、前記第1周波数とは異なる第2周波数、および前記第1および第2周波数とは異なる第3周波数において与えることができる処理チャンバ内に前記基板を置くこと、エッチャントガスを前記処理チャンバに供給すること、前記第1周波数、前記第2周波数、および前記第3周波数を用いて前記エッチングレイヤ中にフィーチャを第1深さまでエッチングする、第1エッチングステップを行うこと、前記第1周波数、前記第2周波数、および前記第3周波数を用いて、前記周波数のうちの少なくとも1つを前記第1エッチングにおいて用いられたのと異なる電力レベルにして、前記エッチングレイヤ中にフィーチャを前記第1深さより大きい第2深さまでエッチングする、第2エッチングステップを行うこと、および前記第1周波数、前記第2周波数、および前記第3周波数を用いて、前記周波数のうちの少なくとも1つを前記第2エッチングにおいて用いられたのと異なる電力レベルにして、前記エッチングレイヤ中にフィーチャを前記第2深さより大きい第3深さまでエッチングする、第3エッチングステップを行うことを含む方法。請求項10に記載の方法であって、前記エッチングすべきレイヤは誘電体レイヤである方法。請求項11に記載の方法であって、前記誘電体レイヤは単一のレイヤである方法。請求項12に記載の方法であって、前記単一のレイヤは均質なレイヤである方法。請求項10~13のいずれかに記載の方法であって、前記第1周波数は100kHzおよび10MHzの間であり、前記第2周波数は10MHzから約35MHzの間であり、および前記第3周波数は40MHzより高い方法。マスクを通して基板上のエッチングレイヤ内へフィーチャをエッチングする装置であって、プラズマ処理チャンバであって、プラズマ処理チャンバエンクロージャを形成するチャンバ壁、基板を前記プラズマ処理チャンバエンクロージャ内で支持する基板支持、前記プラズマ処理チャンバエンクロージャ内の圧力を制御する圧力レギュレータ、プラズマを維持するために前記プラズマ処理チャンバエンクロージャに電力を供給する少なくとも1つの電極、前記プラズマ処理チャンバエンクロージャ内にガスを供給するガス吸気口、および前記プラズマ処理チャンバエンクロージャからガスを排気するガス出口を備えるプラズマ処理チャンバと、前記ガス吸気口と流体連通するガスソースと、第1周波数において前記チャンバ壁内に電力を供給する第1電力ソース、前記第1周波数とは異なる第2周波数において前記チャンバ壁内に電力を供給する第2電力ソース、前記第1周波数および前記第2周波数とは異なる第3周波数において前記チャンバ壁内に電力を供給する第3電力ソース、および前記ガス吸気口、前記第1電力ソース、前記第2電力ソース、および前記第3電力ソースに制御可能に接続されたコントローラであって、少なくとも1つのプロセッサ、およびコンピュータで読み取り可能な媒体であって、エッチャントガスを前記ガス吸気口を通して導入するコンピュータで読み取り可能なコード、第1エッチングステップを実行するコンピュータで読み取り可能なコードであって、前記ステップは、前記第1電力ソースから第1電力レベルにおいてエネルギーを供給すること、前記第2電力ソースから第2電力レベルにおいてエネルギーを供給すること、前記第3電力ソースから第3電力レベルにおいてエネルギーを供給することであって、前記第1電力レベルおよび前記第3電力レベルはゼロより大きく、前記第1エッチングは、前記エッチングされるべきレイヤ中にフィーチャを第1深さまでエッチングする、エネルギーを供給することを含み、第2エッチングステップを実行するコンピュータで読み取り可能なコードであって、前記ステップは、前記第1電力ソースから第4電力レベルにおいてエネルギーを供給すること、前記第2電力ソースから第5電力レベルにおいてエネルギーを供給すること、前記第3電力ソースから第6電力レベルにおいてエネルギーを供給することであって、前記第1電力レベルおよび前記第3電力レベルはゼロより大きく、前記第1エッチングは、前記エッチングされるべきレイヤ中にフィーチャを第1深さまでエッチングするよう用いられ、前記第4および第6電力レベルのうちの少なくとも1つはゼロより大きく、前記第5電力レベルはゼロより大きく、条件は、第1電力が第4電力と等しくないこと、および第3電力が第6電力と等しくないことからなるグループから選択され、前記第2エッチングは、前記エッチングされるべきレイヤ中にフィーチャを第1深さより大きい第2深さまでエッチングする、エネルギーを供給することを含むコントローラを備える装置。請求項15に記載の装置であって、前記第1周波数は100kHzおよび10MHzの間であり、前記第2周波数は10MHzから約35MHzの間であり、および前記第3周波数は40MHzより高い装置。したがって、エッチング条件は、改善されたエッチングを提供するエッチング深さおよび必要とされるプロファイルのために調整されなければならない。上述のことを達成するために、本発明の目的によれば、マスクを通して基板上のエッチングされるべきレイヤ内へ高アスペクト比フィーチャをエッチングする方法が提供される。RF電力を第1周波数、前記第1周波数とは異なる第2周波数、および前記第1および第2周波数とは異なる第3周波数において与えることができる処理チャンバ内に前記基板が置かれる。エッチャントガスが前記処理チャンバに供給される。前記第1周波数が第1電力レベルであり、前記第2周波数が第2電力レベルであり、前記第3周波数が第3電力レベルであり、ここで前記第1電力および前記第2または前記第3電力のうちの少なくとも1つはゼロより大きく、ここで前記第1エッチングは、前記エッチングされるべきレイヤ中にフィーチャを第1深さまでエッチングする、第1エッチングステップが行われる。前記第1周波数が第4電力レベルであり、前記第2周波数が第5電力レベルであり、前記第3周波数が第6電力レベルであり、ここで前記第4および前記第6電力のうちの少なくとも1つはゼロより大きく、前記第5電力はゼロより大きく、条件は、第1電力が第4電力と等しくないこと、および第3電力が第6電力と等しくないことからなるグループから選択され、ここで前記第2エッチングは、前記エッチングされるべきレイヤ中にフィーチャを第1深さより大きい第2深さまでエッチングする、第2エッチングステップが行われる。本発明の他の実施形態においては、マスクを通して基板上のエッチングレイヤ内へフィーチャをエッチングする装置が提供される。プラズマ処理チャンバは、プラズマ処理チャンバエンクロージャを形成するチャンバ壁、基板を前記プラズマ処理チャンバエンクロージャ内で支持する基板支持、前記プラズマ処理チャンバエンクロージャ内の圧力を制御する圧力レギュレータ、プラズマを維持するために前記プラズマ処理チャンバエンクロージャに電力を供給する少なくとも1つの電極、前記プラズマ処理チャンバエンクロージャ内にガスを供給するガス吸気口、および前記プラズマ処理チャンバエンクロージャからガスを排気するガス出口を備える。ガスソースは、前記ガス吸気口と流体連通する。第1電力ソースは第1周波数において前記チャンバ壁内に電力を供給する。第2電力ソースは前記第1周波数とは異なる第2周波数において前記チャンバ壁内に電力を供給する。第3電力ソースは前記第1周波数および前記第2周波数とは異なる第3周波数において前記チャンバ壁内に電力を供給する。コントローラは、前記ガス吸気口、前記第1電力ソース、前記第2電力ソース、および前記第3電力ソースに制御可能に接続される。このコントローラは、少なくとも1つのプロセッサ、およびコンピュータで読み取り可能な媒体であって、エッチャントガスを前記ガス吸気口を通して導入するコンピュータで読み取り可能なコード、第1エッチングステップを実行するコンピュータで読み取り可能なコード、および第2エッチングステップを実行するコンピュータで読み取り可能なコードを含むコンピュータで読み取り可能な媒体を備える。第1エッチングステップは、前記第1電力ソースから第1電力レベルにおいてエネルギーを供給すること、前記第2電力ソースから第2電力レベルにおいてエネルギーを供給すること、前記第3電力ソースから第3電力レベルにおいてエネルギーを供給することであって、前記第1電力レベルおよび前記第3電力レベルはゼロより大きく、前記第1エッチングは、前記エッチングされるべきレイヤ中にフィーチャを第1深さまでエッチングする、エネルギーを供給することを含む。第2エッチングステップは、前記第1電力ソースから第4電力レベルにおいてエネルギーを供給すること、前記第2電力ソースから第5電力レベルにおいてエネルギーを供給すること、前記第3電力ソースから第6電力レベルにおいてエネルギーを供給することであって、前記第1電力レベルおよび前記第3電力レベルはゼロより大きく、前記第1エッチングは、前記エッチングされるべきレイヤ中にフィーチャを第1深さまでエッチングするよう用いられ、前記第4および第6電力レベルのうちの少なくとも1つはゼロより大きく、前記第5電力レベルはゼロより大きく、条件は、第1電力が第4電力と等しくないこと、および第3電力が第6電力と等しくないことからなるグループから選択され、前記第2エッチングは、前記エッチングされるべきレイヤ中にフィーチャを第1深さより大きい第2深さまでエッチングする。本発明のこれらおよび他の特徴は、本発明の詳細な説明において、添付の図を参照して以下により詳細に説明される。本発明は、添付図面の図中で限定によってではなく例示によって示され、同様の番号は同様の要素を示す。本発明は、添付の図面に示されるように、そのいくつかの好ましい実施形態を参照して詳細に説明される。以下の記載において、本発明の完全な理解を提供するために多くの具体的な詳細が述べられる。しかし当業者には、本発明はこれら具体的な詳細の一部または全てがなくても実施できることが明らかだろう。他の場合には、本発明の趣旨を不必要にぼかさないために、よく知られたプロセスステップおよび/または構成は詳細に記載されていない。ここで図面の図1が参照され、ここでは長手方向軸すなわち中心線11を有するプラズマ処理機真空チャンバ10が、電気的伝導性のある金属壁12、底部電極アセンブリ13および上部電極アセンブリ14を含むよう示される。壁12は、軸11と同軸の円形内側周辺部を有する。壁12は接地され、すなわちDCおよびRFレファレンス電位においてグラウンドされる。真空ポンプ9は、処理のあいだ、チャンバ10の内側を0.001から500トールのオーダーの真空に維持する。チャンバ10の内側は、底部電極アセンブリ13の上部面の近くの底部境界および上部電極アセンブリ14の底部面に近い上部境界の間の閉じ込めプラズマ領域8を含み、閉じ込め領域8の側部境界は壁12から間隔が置かれる。底部電極アセンブリ13は、底部電極としばしば呼ばれるが、これは軸11と同軸であり、電気的絶縁リング17に固定され、これは今度はチャンバ10の金属の接地された基台19に固定される。電極アセンブリ13は、軸11と同軸で、金属電極16の直径と実質的に等しい直径を有する、典型的には半導体ウェーハである円形ワークピース18を受け入れる上部表面を有する円形の中央金属電極16を含む。ワークピース18が適切に置かれるとき、その中心は軸11と一致する。電極16は、静電力を用いてワークピース18を電極16にクランプするためにDCチャッキング電圧源不図示に接続されえる。電極16およびワークピース18の温度は、ヘリウム源20を電極16のある領域不図示に導管21およびバルブ22によって接続することによって、コントローラ24が1セットポイント源25によってコントローラに供給される温度セットポイントと、2電極16に埋め込まれた温度モニタ26によって導かれる信号によって示される電極中の温度の計測とに応答して導く電気的信号に応答し、当業者に知られるやり方で制御される。底部電極アセンブリ13は、典型的には水晶で作られる電極絶縁リング28も含む。リング28は、絶縁リング17の上部面に固定され、軸11と同軸であり、ワークピース18の直径と実質的に同じ内側直径を有することによって、ワークピース適切に置かれるとき、ワークピース18の円周がリング28の内側円周にほとんど接する。リング28の外側のリング17の上部面の一部およびリング17の側壁は、絶縁リング33および接地された金属リング32によってそれぞれ覆われる。絶縁リング33は、誘電体または伝導性材料のレイヤ不図示で覆われ、またはコーティングされえる金属電極リング34によってオーバレイされる。電気的に伝導性のリング34およびそれを覆う、またはコーティングするレイヤは、領域8中のプラズマの化学物質を汚染しない材料からできている。そのような材料は、適切な比較的高い伝導性を持つ半導体、例えば真性シリコンである。代替として、リング34は、適切な非汚染材料によって覆われた金属である。リング34は、接地された金属リング32から誘電体によって電気的に絶縁され、ある状況下ではリング33を絶縁し、他の状況下では接地されたリング32に電気的に接続される。リング33および34は、軸11と同軸であり、底部電極アセンブリ13の外側エッジおよびリング28の間で水平に延びる。上部電極アセンブリ14は、軸11と同軸である中央電極36を含み、領域8中のプラズマの化学物質を汚染しない電気的に伝導性の真性シリコンからできた底部面36aを有する。電極36は、内部通路不図示および多くのシャワーヘッド開口不図示を含み、これら両方は、ガスがワークピース18を処理するプラズマに変換される領域8にシャワーヘッド開口を通して流れる適切な処理ガスのソース37に流体的に連通して接続される。電極36は、アセンブリ14中に埋め込まれた温度ゲージ39によって導かれる電極36の温度を表す信号と共に、セットポイント25によってコントローラに供給されるセットポイント信号に応答してコントローラ24がリード35を介して構成45に供給する電気的信号に応答する加熱および/または冷却構成45を含む。アセンブリ14は、絶縁リング38および金属リング40も含む。リング38は、軸11と同軸であり、好ましくは水晶でできており、リング28とほぼアラインされる。リング38は、中央電極36の外側円周に接する内側円周を有する。軸11と同軸である金属リング40は、それぞれ絶縁リング38の外側円周および側壁12の内側円周と接する内側および外側円周を有することによって、リング40がRFおよびDCグラウンド電位にある。金属リング40の下部内側面は、電気的に伝導性の電極リング42を備える電気的絶縁リング41によって覆われる。電極リング42は、領域8中のプラズマの化学物質を汚染しない伝導性または絶縁性の材料不図示でコーティングされるか、または覆われる。リング42は、リング41およびリング41の下向きに従属するフランジ不図示によって、ある状況下ではリング40および壁12から電気的に絶縁され、他の状況下ではリング40および壁12に電気的に接続される。前述のことから、閉じ込め領域8は、1電極36の底部面36a、2絶縁リング38の底部面、および3電極リング42の底部面によって定義される上部境界と、1ワークピース18の上部面ワークピースが置かれているとき、2絶縁リング28の上部面、および3電極リング34の上部面によって決定される底部境界を有する。モータ43は、上部電極アセンブリ14の底部面を底部電極アセンブリ13の上部面に対して上下に動かすことによって、領域8の上部および底部境界の間の間隔を制御する。モータ43は、コントローラ24からの信号に応答して、セットポイント源50から導かれるように、応答電極アセンブリ13および14の面間の間隔を、ワークピース18のプラズマ処理を励起する特定の周波数について実験的に決定された最適な値に設定する。閉じ込めプラズマ領域8の側部は、間隔の置かれた垂直に重ねられた、領域8中のプラズマの化学物質を汚染しない材料でできたルーバ44によって境界付けられる。ルーバ44は、電気的に絶縁性である好ましくは水晶のような誘電体、またはある程度電気的に伝導性のある例えばシリコンカーバイド材料で作られ、それによりルーバは電気的に電力が加えられるか、または電気的にフローティングであるか、または電気的に接地される。ルーバ44は、ルーバ44の間の隙間を通して実質的にプラズマが流れないようにする。しかし、領域8中のイオン化されないガスは、ルーバ44間の隙間を通って、壁12およびリング32間のチャンバ10中の領域46へ逃げ、基台19中の適切な開口を通してポンプ9によってチャンバ10の内部からポンプで引かれる。ルーバ44は、適切な間隔構成不図示によって垂直方向において互いに間隔が置かれて固定され、閉じ込めプラズマ領域8中の圧力を制御するためにモータ47によって、互いに対して、かつ底部アセンブリ13に対して上下に駆動される。領域8中の圧力は、セットポイント源25がコントローラ24に供給する圧力セットポイントおよび領域8中の圧力ゲージ48の出力信号によって制御される。コントローラ24は、圧力セットポイントおよび圧力ゲージ48の出力信号に応答して、モータ47を制御し、それによって下部ルーバ44の底部面および電極アセンブリ13の上部面の間の間隔を変化させる。その結果、領域8中の圧力は、圧力セットポイントにおいて維持される。ルーバ44は、ルーバがモータ43の起動に応答して動かないように構成され、それにより閉じ込め領域8中の圧力は、電極アセンブリ13および14の間の間隔とは独立に制御される。コントローラ24は、ソース構成51から電極16、34、36および42へのいくつかの異なるRF周波数のさまざまな組み合わせの結合を制御するために、セットポイントソース50に応答する。電極16、34、36および42へ印加される異なるRF周波数は、異なる電力を有しえ、閉じ込め領域8中のプラズマの異なる現象を制御する。図1の実施形態において、コントローラ24は、ソース構成51からの最大3つの周波数を電極16、34、36および42へ選択的に印加する。ソース構成51は、固定された周波数ソースでありえるが、好ましくは低電力の可変周波数発振器である3つの別個のソース52、54および56を含むように示される。代替としてソース構成51は、3つの選択された周波数を駆動しえる単一の低電力シンセサイザを含む。低電力源は、特定の増幅器に関連付けられるソースの周波数が変化されるときに変化される可変周波数パスバンドを有する関連付けられる可変電力利得RF電力増幅器を駆動する。この目的のために、ソース52、54および56のそれぞれは、関連付けられる周波数および電力設定58および59を有する。典型的には、ソース52の周波数は、約100kHzおよび10MHzの間の比較的低い範囲にあり、ソース54の周波数は、約10MHzおよび150MHzの間の中間範囲にあり、ソース56の周波数は、約27MHzおよび300MHzの間の比較的高い範囲にある。ある実際に試験された構成においては、ソース52、54および56の周波数は、2MHz、27MHzおよび60MHzにそれぞれ設定される。領域8に印加されるRFエネルギーの周波数および電力のさまざまな組み合わせは、領域8に閉じ込められたプラズマのプラズマ密度の分布、イオンエネルギーおよびDCバイアス電圧、および領域8中のプラズマの化学物質に影響する。ソース54および56の周波数は、プラズマの化学物質を制御するが、これは、もし全ての他の重要なプラズマ励起パラメータが一定であるなら、プラズマがより多く解離することは、プラズマ励起周波数が増すときに起こるからである。特に、周波数が増すと、プラズマ中のより軽いエッチャント分子のパーセンテージが増す。プラズマに印加される高い周波数は、分子がより多く分裂することになる。ソース52、54および56からの周波数および電力のさまざまな組み合わせで電極16、34、36および42を駆動することは、さまざまな目的のために、例えば均一な、または不均一なプラズマ密度、イオンエネルギーおよび分子分裂を提供するために、プラズマが調節されることを可能にする。コントローラ24は、セットポイント50からの出力信号およびソース構成51のRF出力に応答して、さまざまな組み合わせおよび順列において、ソース構成51から電極16、34、36および42へのいくつかの周波数の印加を制御する。具体的な実施形態において、セットポイント50は、コントローラ24をアクティベートし、1ソース52、54および56からの少なくとも1つの周波数が、しかし最大で3つ全ての周波数が、電極16を駆動し、一方、電極34、36、および42は接地され、2ソース52、ソース54および56からの少なくとも2つの周波数が電極16および36を駆動し、一方、電極34および42は接地され、3ソース54または56のうちの1つだけが電極16または36のいずれかを駆動し、またはソース52だけが電極16を駆動し、一方、電極34および42が接地され、4電極34は、ソース52および/またはソース54によって駆動され、またはソース52および/またはソース54の周波数すなわち周波数F2およびF3についてのパスバンドを有するフィルタを介して接地され、一方、残りの電極16、36、および42は、ソース52、54、および56へのさまざまな接続を有し、5電極42は、ソース52および/またはソース54によって駆動され、またはソース52および/またはソース54の周波数すなわち周波数F2およびF3についてのパスバンドを有するフィルタを介して接地され、一方、残りの電極16、34、および36は、ソース52、54、および56へのさまざまな接続を有する。図面の図2への参照がここでなされ、ここでブロック図は、ソース52、54および56の出力を電極16、34、36および42へ選択的に結合するコントローラ24の回路を含む。低い周波数ソース52は、周波数F1を有し、底部電極アセンブリ13の中心電極16だけを駆動する。この目的のために、ソース52の出力は、スイッチ62および64と共に電圧、電流および位相角センサ60を介して、整合/同調可能なグラウンドネットワーク58に結合される。ネットワーク58は、ソース52の周波数についてのソース52の出力インピーダンスおよび領域8中のプラズマの予想されるインピーダンスの間のおおまかな整合を提供するためにプリセットされる値を有する可変リアクタンスを含む。センサ60は、ソース52および整合/同調可能なグラウンドネットワーク58の間に流れる電流、ソース52の出力およびグラウンド58の間の電圧、および検出された電圧および電流の間の位相角を表す出力信号を導く。センサ60は、これらの電流、電圧、および位相角信号をコントローラ66に与え、このコントローラは、それらに応答してソース52の周波数を制御し、当業者に知られるやり方で、ソース52の出力インピーダンスおよびソース52の周波数におけるプラズマのインピーダンスの間の実質的に正確なインピーダンス整合を維持する。加えて、もしソース52の周波数が固定されるなら、センサ60は、これらの電流、電圧および位相角信号を供給し、これらに応答して整合ネットワーク58の可変リアクタンスを制御し、それにより当業者に知られるやり方で、ソース52の出力インピーダンスおよびソース52の周波数におけるプラズマのインピーダンスの間の実質的に正確なインピーダンス整合を維持する。整合されるとき、ネットワーク58の可変リアクタンスは、ソース52の周波数にほぼ同調されることによって、両方向においてソース52の周波数について低インピーダンスを提供し、ソース54および56の周波数について高インピーダンスを提供し、その結果、ソース54および56の周波数が実質的に減衰され、すなわちネットワーク58によって阻止される。ソース52の周波数が、操作者によるそのセットポイントの変更に応答して変化するとき、コントローラ66は、対応してネットワーク58のリアクタンスを変化させることによって、ソース52の周波数について低インピーダンスパス、およびソース出力インピーダンスおよびソース52の周波数についてのプラズマのインピーダンスの間のおおまかな整合を維持する。ソース52の周波数における電界のためにソース52が電極16を駆動するとき、電極16および36の間で動作することがふつうは望ましい。この目的のために、電極36は、スイッチ65および操作者によって設定されるソース52の定格周波数に等しい中心周波数を有するバンドパスフィルタ67を通してグラウンドに選択的に接続される。その結果、ソース52の周波数における電流は、電極36からグラウンドへフィルタ67を通して流れ、このフィルタは、ソース54および56の周波数には大きなインピーダンスを有し、したがってソース54および56の周波数における電流を実質的に阻止する。この状況下では、電極34および42をDCおよびRFグラウンドへ接続することがしばしば望ましく、コントローラ24によって達成される結果は、それぞれ電極34および42およびグラウンドの間に接続されるスイッチ69および71を閉じる。他の目的のためには、コントローラ24は、電極16およびグラウンドの間に接続されるスイッチ72を閉じることによって、電極16をRFおよびDCについてグラウンドする。通常の動作において、ソース52が電極16を駆動する一方、スイッチ62および64は、示されるように接続される。しかし他の状況下では、ソース52が電極16から分離される一方、スイッチ62および64は、コントローラ24によってアクティベートされ、スイッチ62および64は、それぞれ抵抗68および70の第1端子に結合し、これら抵抗の両方は、ソース52の出力インピーダンスに等しい値を有する。抵抗68および70の第2端子は、グラウンドに接続され、ソース52が電極16から分離されるとき、ソース52の出力がソース52の出力インピーダンスに整合した負荷を駆動するようにする。これらの状況下で、ネットワーク58の入力端子は、抵抗70の両端に接続され、ネットワーク58の出力端子に戻って見る電極16からのインピーダンスが、ソース52が電極16に結合されるときと同じになるようにする。加えてネットワーク58がほぼソース58の周波数に同調されているので、ネットワーク58は、電極16からネットワーク58の同調された回路を通して抵抗70を通してグラウンドまでソース52の周波数において低インピーダンスを与え、電極16からネットワーク58の同調された回路を通して抵抗70を通してグラウンドまでソース54および56の周波数において高インピーダンスを与える。中周波数ソース54は、周波数F2を有し、1電極16だけ、2電極36だけ、3両方の電極16および36を同時に、4電極34だけ、5電極42だけ、6両方の電極34および36を同時に、7両方の電極34および42を同時に、および8両方の電極36および42を同時に駆動できる。これらの目的のために、ソース54の出力は、3ポジション同軸RFスイッチ74に結合され、このスイッチは、整合/同調可能グラウンドネットワーク76および78を別個のときに駆動するよう選択的に接続された第1および第2出力端子を有する。ネットワーク76および78は、互いに同じであり、ネットワーク66に似ているが、ネットワーク76および78は、ソース54の周波数について整合および同調可能なグラウンドを提供する点が異なる。そのためネットワーク76および78は、ソース54の周波数における電流および電圧を通すが、ソース52および56の周波数における電流および電圧は阻止する。スイッチ74は、電力スプリッタ80の入力ポートに接続された第3端子を含み、これはソース54の周波数において位相が反対の電力が導かれる第1および第2出力ポートを有する。スプリッタ80の出力ポートにおける電力は、スプリッタの設計および設定に依存して同じであっても異なっていてもよく、スプリッタ80の設定は、操作者によって手動で設定されえ、またはコントローラ24によってコントローラのメモリが記憶するレシピプログラムに応答して自動で設定されえる。スプリッタ80の第1および第2出力ポートにおける電力は、ネットワーク76および78にそれぞれ同時に供給される。電力は、スイッチ74の第1出力端子またはスプリッタ80の第1出力ポートからネットワーク76の入力端子へ電圧、電流および位相角センサ82と共にスイッチ84および86を介して供給され、これらはそれぞれ抵抗88および90を通してグラウンドに選択的に接続される。電力は、スイッチ74の第2出力端子またはスプリッタ80の第2出力端子からネットワーク78の入力端子へ電圧、電流および位相角センサ92と共にスイッチ94および96を介して供給され、これらはそれぞれ抵抗98および100を通してグラウンドに接続される。コントローラ102および104は、それぞれネットワーク76および78と共にセンサ82および92と関連付けられる。コントローラ102および104は、センサ82および92の出力および操作者入力に応答し、ネットワーク76および78のリアクタンスの値およびソース54の周波数をコントローラ66について上で記載されたのと同じやり方で制御する。3ポジション同軸RFスイッチ106は、コントローラ24からの制御信号に応答し、ネットワーク76の出力を電極16または電極34に選択的に接続し、またはネットワーク76の出力を開放回路にする。3ポジション同軸RFスイッチ108は、コントローラ24からの制御信号に応答することによってスイッチ106と併せて動作し、ネットワーク78の出力を電極36または電極42に選択的に接続し、またはネットワーク78の出力を開放回路にする。コントローラ24は、スイッチ74をアクティベートし、ソース54の出力をネットワーク76に結合する一方、コントローラは、スイッチ106をアクティベートし、ネットワーク76の出力を電極16または電極34のいずれかに接続する。もしコントローラ24が、スイッチ74をスイッチ74の第1出力端子に結合するようにすることによってネットワーク76の出力が電極16に結合されるようにするなら、コントローラは、1スイッチ72を開放し、電極16が接地されることを防ぎ、2スイッチ69を開放または閉路にし、それぞれ電極34をグラウンドから分離し、または電極34を接地する。もしコントローラ24が、スイッチ74をスイッチ74の第1出力端子に結合するようにすることによってネットワーク76の出力が電極34に結合されるようにするなら、コントローラは、1スイッチ69を開放し、電極34が接地されることを防ぎ、2スイッチ72を開放または閉路にし、それぞれ電極16をグラウンドから分離し、または電極16を接地する。もしコントローラ24が、スイッチ74をスイッチ74の第2出力端子に結合するようにすることによってネットワーク78の出力が電極36に結合されるようにするなら、コントローラは、1閉じるときに電極36をRFおよびDCグラウンドするスイッチ110を開放し、2スイッチ71を開放または閉路にし、それぞれ電極42をグラウンドから分離し、または電極42を接地する。もしコントローラ24が、スイッチ74をスイッチ74の第2出力端子に結合するようにすることによってネットワーク78の出力が電極42に結合されるようにするなら、コントローラは、1スイッチ71を開放し、電極42からグラウンドを分離し、2スイッチ110を開放または閉路にし、それぞれ電極36をグラウンドから分離し、または電極36を接地する。もしコントローラ24がスイッチ74をアクティベートすることによって、スプリッタ80が同時に電力をネットワーク76および78に供給するなら、コントローラ24は、スイッチ69、71、72および110をアクティベートし、ネットワーク76および/または78の出力端子に接続される電極16、34、36または42のいずれかがグラウンドされることを防ぐ。高周波数ソース56は、周波数F3を有し、1電極16だけ、2電極36だけ、3両方の電極16および36を同時に、4電極34だけ、5電極42だけ、6両方の電極34および36を同時に、7両方の電極34および42を同時に、および8両方の電極36および42を同時に駆動できる。これらの目的のために、ソース56の出力は、ソース56と関連付けられる整合/同調可能なグラウンドネットワーク112および114がソース56の定格周波数に同調されるようプリセットされることによって、ネットワーク112および114がソース56からの電流および電圧を通すが、ソース52および54の電流および電圧を阻止することを除いて、ソース54が駆動する回路と同一である回路を駆動する。よって、ソース56の出力は、3ポジション同軸RFスイッチ116に結合され、これはネットワーク112および114およびスプリッタ118を駆動するようそれぞれ接続された第1、第2および第3出力端子を有し、ネットワーク112および114の入力端子を駆動するよう接続された第1および第2出力端子を有する。スイッチ116およびスプリッタ118の第1出力端子は、整合ネットワーク112の入力端子に電圧、電流および位相角センサ120と共に、スイッチ122および124を介して選択的に接続される一方、スイッチ116およびスプリッタ118の第2出力端子は、整合ネットワーク114の入力端子に電圧、電流および位相角センサ126と共にスイッチ128および130を介して選択的に接続される。スイッチ122、124、128および130は、抵抗131~134によってグラウンドにそれぞれ選択的に接続され、これらのそれぞれは、ソース56の出力インピーダンスと等しい値を有する。コントローラ136および138は、センサ120および126と共にネットワーク112および114とそれぞれ関連付けられることによって、ソース56の周波数と共にネットワーク112および114を制御する。コントローラ24は、1ネットワーク112の出力を電極16または電極34のいずれかに選択的に接続するために、または電極16または電極34のいずれにも接続しないために3ポジション同軸RFスイッチ140を、および2ネットワーク114の出力を電極36または電極42のいずれかに選択的に接続するために、または電極36または電極42のいずれにも接続しないために3ポジション同軸RFスイッチ142をアクティベートする。コントローラ24は、ソース54に関連付けられる回路について上述のように、スイッチ116および142のアクティベートと併せて、スイッチ69、72および110をアクティベートすることによって、ネットワーク112および114の出力端子に接続される電極16、34、36または42のいずれかが接地されることを防ぐ。コントローラ24は、図2のさまざまなスイッチをアクティベートすることによって、電極16、34、36および42に印加されえるさまざまな周波数の組み合わせおよび順列に対して大きな融通性を提供する。例えば、ソース52、54および56の低、中および高周波数は、電極16に同時に印加されえる一方、スイッチ69、71および110が閉じられることによって電極34、36および42を接地する。この状況下においては、ソース52、54および56の周波数のそれぞれにおけるエネルギーの異なる部分は、電極16から電極34、36および42のグラウンド電位への電界結合の結果、プラズマ閉じ込め領域8中でグラウンドにシャントされる。電極16から電極34、36および42のグラウンド電位へ結合された周波数F1、F2およびF3のそれぞれにおけるエネルギーの量は、13つの周波数のそれぞれに関連付けられる波長、2電極16および36の間の距離、3電極16および34の間の距離、4電極36および42の間の距離の関数である。チャンバ10内の電極のさまざまな組み合わせの間の距離は、とりわけ電極の幾何学的形状によっておよびモータ47によって制御される。第2例示的状況は、低および中周波数を底部電極16に印加する一方、高周波数を上部電極36に印加する一方、電極34および42を接地し、スイッチ65を閉じることによって低インピーダンスパスが電極36からグラウンドに低周波数についてだけバンドパスフィルタ67を通して提供されることを伴う。加えて、電極36をネットワーク78の出力端子に接続し、ネットワーク78の入力端子を抵抗100を通してグラウンドに接地することによって、ソース54の中周波数について電極36からネットワーク78を通してグラウンドに低インピーダンスパスを生むために、スイッチ96および142は、アクティベートされる。ソース56の高周波数および電極36および42間の比較的近い間隔のために、高周波数における電界は、領域8の上部部分に主に残り、ソース37から領域8に流れ込むガスに解離目的での比較的大きな電界密度を提供する傾向を有する。高周波数における電界は、電極16に結合される傾向を有しないが、それは高周波数において電極16からグラウンドへの低インピーダンスパスが存在しないからである。ネットワーク58および76は、実効的に高周波数における電流を阻止する低および中周波数についてのバンドパスフィルタである。ネットワーク58および76は高周波数に対して高インピーダンスを有するため、ネットワーク58および76は、電極16から高周波数を分離する。周波数F3に関連付けられる電界に比較して、ソース52の低周波数F1に関連付けられる電界は、電極16から1電極34、2電極36および3電極42に延びる。電極36での周波数F1における結果として生じる電流は、フィルタ67の低インピーダンスパスを通ってグラウンドに流れる。その結果、周波数F1に関連付けられる電界は、領域8全体にわたるイオンエネルギーに影響を与える。ソース54の中周波数F2に関連付けられる電界は、電極36と共に主に電極16から電極34に延び、電極42にはそれほど延びない。電極36での周波数F2における結果として生じる電流は、ネットワーク78の低インピーダンスパスを通ってグラウンドにスイッチ108および96および抵抗100を介して流れる。第3例示的状況は、低および中周波数を底部電極16に印加し、中周波数を上部電極36に印加する一方、電極34および42を接地し、スイッチ65を閉じることによって低インピーダンスパスが電極36からグラウンドに低周波数についてだけバンドパスフィルタ67を通して提供されることを伴う。それによって、第2例示的状況について上述のようにソース52の低周波数は、領域8中のプラズマに結合される。ソース56の高周波数は、第3例示的状況についてのファクタではないが、これはコントローラ24がスイッチ140および142をその開放回路端子に係合させるようにするからである。ソース54の中周波数は、その第3出力端子を係合するスイッチ74によって電極16および34に結合され、それによりスプリッタ80はソース54からの電力に応答する。コントローラ24は、スイッチ106および108をアクティベートし、それによってネットワーク76および78の出力は、それぞれ電極16および36を駆動する。結果として、中周波数における電界は、1電極16および36、2電極16および34、および3電極36および42の間で結合される。その結果、中周波数における電界は、領域8の全体にわたってイオンエネルギー、プラズマ密度および分子解離に影響する。第4例示的状況は、低周波数を電極16に、高周波数を電極36に印加する一方、電極34および42は接地される。この状況において、コントローラ24は、1スイッチ74および116をその第2位置に、2スイッチ108および142をネットワーク78および114の出力端子が電極36に接続されるように、3スイッチ94および96をネットワーク78の入力端子がセンサ92に接続されるように、4スイッチ128および130をネットワーク114の入力端子がセンサ126に接続されるように、5スイッチ106および140をネットワーク76および112の出力端子がそれぞれ電極16に接続され開放回路にされるように、および6スイッチ86および124をネットワーク76および112の入力端子がそれぞれ抵抗90および132を通してグラウンドに接続されるようにアクティベートする。結果として、ソース52の低周波数は、電極36からグラウンドへバンドパスフィルタ67を通して低インピーダンスパスを有するが、ソース54および56の周波数は、そのような低インピーダンスパスを電極36からグラウンドに有しない。その結果、ソース52の低周波数は、第2例示的状況について上述したのと同じやり方で、領域8中のプラズマに結合される。低インピーダンスパスは、ネットワーク78の出力端子からスイッチ108を通して電極36に存在し、したがって領域8中のプラズマを通して1ネットワーク76、スイッチ86および抵抗98を通して電極16からグラウンドへ、および2電極42からグランドへ存在する。結果として、中周波数における大部分の電界は、電極16および36の間と共に電極36および42の間の領域8内にある。その結果、電極16および36の間の領域8の中央部分にわたってと共に、領域8の上部部分におけるイオン分布の主要な制御が存在する。この状況についてのソース56の高周波数についての唯一の低インピーダンスパスは、電極36および42の間にある。ソース56の高周波数について電極16および36の間には低インピーダンスパスは存在しないが、これは電極16が、開放回路にされているスイッチ140によってネットワーク112の出力端子から分離されているからである。ソース56の高周波数についての電極36および34の間の間隔は、電極34および36の間のプラズマを通しての高周波数についてのインピーダンスが電極36および42の間のインピーダンスよりも実質的に大きいようにされる。結果として、ソース56の高周波数は、第2例示的状況について上述されたのと同一のやり方で領域8中のプラズマに影響する。第5例示的状況においては、ソース52および54の低および中周波数は、底部電極16に印加される一方、電極34、36および42は接地される。この目的のために、コントローラ24は、スイッチ106をアクティベートして、ネットワーク76の出力を電極16に接続する一方、スイッチ69、71および110のそれぞれを閉じる。それによって領域8中のプラズマは、第1例示的状況のために低および中周波数について記載されたのと同じやり方でソース52および54の低および中周波数によって影響される。領域8中のプラズマは、第3例示的状況において述べられたのと同じ理由でソース56の高周波数によっては影響されない。他の例示的状況において、コントローラ24は、ソース52の低周波数だけが電極16に接続され、ソース54およびソース56のいずれもが電極のいずれにも接続されないように図2のさまざまなスイッチを制御しえる。そのような状況においては、コントローラ24は、スイッチ110を閉じ、チャンバ10は、ワークピースをある程度、基本的なやり方で処理する。代替として、コントローラ24は、ソース54および56のいずれかまたは両方の出力を電極16、34、36または42のいずれかに接続しえる。例えば、ソース56の高周波数を電極16および36の間に結合する一方でソース54の中周波数を電極36および34の間に結合することが望ましいかもしれない。そのような状況においては、コントローラ24は、1スイッチ69、71、72および110を開き、2スイッチ74、94および96およびスイッチ116、128および130をアクティベートして、ソース54および56の出力がネットワーク78および114の入力端子に選択的に印加されるようにし、3スイッチ108および142をアクティベートして、ネットワーク78および114の出力が電極36に接続されるようにし、4スイッチ106および86をアクティベートして、電極34からグラウンドへネットワーク76および抵抗94を通してソース54の中周波数について低インピーダンスパスが存在するようにし、および5スイッチ140および124をアクティベートして、電極16からグラウンドへネットワーク112および抵抗132を通してソース56の高周波数について低インピーダンスパスが存在するようにする。結果として、1電極16および36の間にソース56の高周波数だけ、および2電極34および36の間にソース54の中周波数だけについて領域8中で電界が確立される。グラウンドへ電極16からソース54の中周波数についての低インピーダンスパスが存在しないので、中周波数については電極16および36の間で領域8においては実質的に電界が確立されない。グラウンドへ電極34からソース56の高周波数についての低インピーダンスパスが存在しないので、高周波数については電極34および36の間で領域8においては実質的に電界が確立されない。また記載され図示されたのと同様な適切なバンドパスフィルタ回路がソース56の高周波数についてだけ電極36および42の間に低インピーダンスパスを提供するために採用されえることが理解されよう。ここで図面の図3が参照され、これはチャンバ10の第2実施形態の概略図である。図3の実施形態は、図1の実施形態に似ているが、図3の実施形態は、チャンバ壁12および基台19を超えるより大きな容積のプラズマ閉じ込め領域を有する。結果として、図3の実施形態は、ルーバ44を含まず、プラズマ処理ワークピース18の圧力は、真空ポンプ9についての圧力制御を用いることによってのみ制御される。金属リング40の底部表面全体、リング32の側壁および側壁12の内部表面は、全て接地され、図3の実施形態におけるプラズマ閉じ込め領域の境界の部分を定義する。金属リング40の底部面、リング32の側壁、または側壁12の内部表面のいずれかのプラズマによる化学汚染を防ぐために、これら表面の全ては、真性シリコンのような領域8中のプラズマの化学物質を汚染しない電気的に伝導性のある、または誘電体の材料で作られたプレート100で覆われる。側壁12は図3の実施形態においてプラズマ閉じ込め領域の一部であるので、側壁の温度は、図1の実施形態において電極アセンブリ14の制御について記載されたのと同様のやり方で制御される。図3の実施形態における電極は、いくつかのRF周波数に応答し、図1および2について上述のように制御される。図3のチャンバにおける電界は、図1のチャンバにおける電界とは大きく異なるが、それは図3の実施形態におけるプラズマ閉じ込め領域の大きな体積および複雑な形状による。しかし図3の実施形態におけるプラズマ上の電界効果は、図1および2の実施形態に関して記載されたものとある程度似ている。図9Aおよび9Bは、本発明の実施形態において用いられるコントローラ24を実現するのに適したコンピュータシステム800を示す。図9Aは、このコンピュータシステムの一つの可能な物理的形態を示す。もちろんコンピュータシステムは、集積回路、プリント基板、および小型携帯機器から、大型のスーパーコンピュータに至るまで多くの物理的形態をとりえる。コンピュータシステム800は、モニタ802、ディスプレイ804、筐体806、ディスクドライブ808、キーボード810、およびマウス812を含む。ディスク814は、データをコンピュータシステム800に転送し、かつデータをコンピュータシステム800から転送するために用いられるコンピュータ読み取り可能な媒体である。図9Bは、コンピュータ800のブロック図の例である。システムバス820に接続されているのは、さまざまなサブシステムである。プロセッサ群822中央処理装置、すなわちCPUとも呼ばれるは、メモリ824を含む記憶装置に結合されている。メモリ824は、ランダムアクセスメモリRAMおよび読み出し専用メモリROMを含む。この技術ではよく知られるようにROMは、データおよび命令を単一方向にCPUおよびRAMに転送するようにはたらき、RAMは、典型的にはデータおよび命令を双方向に転送するのに用いられる。メモリのこれら両方のタイプは、以下に述べるコンピュータ読み出し可能な適当な媒体を含みえる。固定ディスク826はまた、双方向でCPU822に結合され、追加のデータ記憶容量を提供し、また以下に述べるコンピュータ読み出し可能な適当な媒体を含みえる。固定ディスク826は、プログラム、データなどを記憶するのに用いられえて、典型的には一次記憶よりも低速な二次記憶媒体ハードディスクのようなである。固定ディスク826内に保持された情報は、適切な場合においては、メモリ824の仮想メモリとして標準的なかたちで統合されえることが理解されよう。取り外し可能なディスク814は、以下に説明するコンピュータ読み出し可能な媒体のいかなる形態をも取りえる。CPU822はまた、ディスプレイ804、キーボード810、マウス812およびスピーカ830のようなさまざまな入力/出力装置に結合される。一般に入力/出力装置は、ビデオディスプレイ、トラックボール、マウス、キーボード、マイク、タッチパネルディスプレイ、トランスデューサカードリーダ、磁気または紙テープリーダ、タブレット、スタイラス、音声または手書き認識機、生体情報読み取り機、または他のコンピュータのいずれでもよい。CPU822は追加で、ネットワークインタフェース840を用いて他のコンピュータまたは通信ネットワークに結合されてもよい。そのようなネットワークインタフェースによりCPUは、上述の方法ステップを実行する過程で、ネットワークから情報を受け取り、または情報をネットワークに出力してもよい。さらに本発明の方法の実施形態は、CPU822上だけで実行されてもよく、またはインターネットのようなネットワーク上で、処理の一部を担当する遠隔地にあるCPUと協働して実行されてもよい。さらに本発明の実施形態は、コンピュータによって実現できるさまざまな操作を実行するコンピュータコードを格納した、コンピュータによって読み出し可能な媒体を持つコンピュータ記憶製品に関する。媒体およびコンピュータコードは、本発明の目的のために特別に設計され構築されたものでもよく、またはコンピュータソフトウェア技術の当業者に既知の利用可能なものであってもよい。コンピュータ読み出し可能な媒体の例としては、これらに限定はされないが、ハードディスク、フレキシブルディスク、および磁気テープのような磁気媒体、CD-ROMおよびDVDおよびホログラフィックデバイスのような光媒体、フロプティカルディスクのような光磁気媒体、特定アプリケーション向け集積回路ASIC、プログラム可能な論理デバイスPLD、およびROMおよびRAMデバイスのように、プログラムコードを記憶し実行するために特別に構成されたハードウェアデバイスが挙げられる。コンピュータコードの例としては、コンパイラによって生成される機械語、およびインタープリタを用いてコンピュータによって実行可能なより高いレベルのコードを含むファイルが挙げられる。コンピュータで読み取り可能な媒体は、搬送波中で実現される、プロセッサによって実行される一連の命令を表すコンピュータデータ信号によって搬送されるコンピュータコードでありえる。図4は、本発明の実施形態において用いられるプロセスの高レベルフロー図である。エッチレイヤおよびエッチレイヤ上のマスクを持つ基板がプロセスチャンバ中に置かれるステップ404。プロセスチャンバは、図1または図3に示されるチャンバのいずれかでありえ、これは、同時に少なくとも3つの異なる周波数においてRF電力を与えることができる。図5Aは、マスク512がその上に置かれたエッチングされるべきレイヤ508を持つ基板504の概略断面図である。エッチングされるべきマスク材料は、さまざまな種類のフォトレジスト例えばDUV、193nmまたは157nmまたは異なるハードマスク材料例えばポリシリコン、窒化チタンなどである。エッチャントガスが処理チャンバに与えられるステップ408。エッチャントガスは、従来のエッチャントガスでありえる。第1エッチングステップは、第1周波数、第1周波数とは異なる第2周波数、および第1および第2周波数とは異なる第3周波数で行われ、ここで第1エッチングは、第1深さまで誘電体レイヤにおいてフィーチャをエッチングするステップ412。図5Bは、フィーチャ516がエッチングレイヤ508中で第1深さ520までエッチングされた後のエッチングレイヤ508を持つ基板504の概略断面図である。RFソースの電力設定は、フィーチャ幅のフィーチャ深さに対するアスペクト比を作って第1深さまでエッチングするよう最適化される。例として、第1周波数は第1電力において、第2周波数は第2電力において、および第3周波数は第3電力において設定され、少なくとも第1電力および第3電力は、ゼロより大きく、第1エッチングは、誘電体レイヤ中のフィーチャを第1深さまでエッチングする。第2エッチングステップは、第1ステップとは異なる電力において提供され、第2エッチングは、誘電体レイヤ中でフィーチャを第1深さより大きい第2深さまでエッチングするステップ416。図5Cは、フィーチャ516がエッチングレイヤ508中に第1深さより深い第2深さ524までエッチングされた後のエッチングレイヤ508を持つ基板504の概略断面図である。RFソースの電力設定は、フィーチャ幅のフィーチャ深さに対するアスペクト比を作って第1深さから第2深さまでエッチングするよう最適化される。上記例で続けるために、第1周波数は第4電力において、第2周波数は第5電力において、および第3周波数は第6電力において設定され、少なくとも第4電力および第6電力のうちの1つはゼロより大きく、第5電力はゼロより大きく、条件は、第1電力が第4電力と等しくないこと、および第3電力が第6電力と等しくないことからなるグループから選択され、ここで第2エッチングは、誘電体レイヤ中のフィーチャを第1深さより大きい第2深さまでエッチングする。第3エッチングステップは、第2とは異なる電力において行われ、ここで第3エッチングは、誘電体レイヤ中のフィーチャを第2深さより大きい第3深さまでエッチングするステップ416。図5Dは、フィーチャ516がエッチングレイヤ508中で第2深さより深い第3深さ528までエッチングされた後のエッチングレイヤ508を持つ基板504の概略断面図である。RFソースの電力設定は、フィーチャ幅のフィーチャ深さに対するアスペクト比を作って第2深さから第3深さまでエッチングするよう最適化される。上記例で続けるために、第1周波数は第7電力において、第2周波数は第8電力において、および第3周波数は第9電力において設定され、少なくとも第7、第8、および第9電力のうちの2つはゼロより大きく、条件は、第7電力が第4電力と等しくないこと、第8電力が第5電力と等しくないこと、および第9電力が第6と等しくないことからなるグループから選択され、ここで第3エッチングは、誘電体レイヤ中のフィーチャを第2深さより大きい第3深さまでエッチングする。高アスペクト比コンタクトエッチングは、3ステップだけに限定されない。HARエッチングの制御が必要とされるのに応じて、より多くの、またはより少ないステップ数がエッチングプロセスにわたってプロファイルを制御するために用いられえる。高アスペクト比コンタクトHARCについて、コンタクトはより深くエッチングされるので、エッチングメカニズムは変わる。例えば、エッチング深さが増すに従い、エッチングレートは減る。加えて、反りは増し、マスクに対するエッチング選択性は減りえる。少なくとも3つの周波数を用い、これら周波数の電力をエッチングが進むにつれ変化させることは、結果として生じるプラズマがエッチング深さおよび必要とされるプロファイルに調節されることを可能にし、改善された最適化されたエッチングを提供する。これは、さまざまな周波数の異なるRF電力を用い、同じエッチング反応物質混合物を用いることによってなされえる。ふつう、エッチングにわたってプロファイルを制御するために、異なるエッチング反応物質混合物が用いられる。このアプローチの理由は、それらが異なる種をプラズマ中に作ることに主による。その代わりに本発明では、プラズマ中での種形成の制御は、さまざまな周波数のRF電力を用いることによってなされる。図6A~Cは、エッチングのあいだの特定の時刻におけるエッチングプロファイルおよびそれぞれのステップについて必要とされる電力条件前のパラグラフにおいて示されたを要約する。この概略図は、3ステップエッチングプロセスを表し、ここでd1は、ステップS1の後のエッチング深さであり図6Aに示される、d2は、ステップS2の後のエッチング深さであり図6Bに示される、d3は、ステップS3の後のエッチング深さである図6Cに示される。P1からP9は用いられる電力レベルの表記であり、F1、F2、F3は用いられる周波数である。表1は、3つのステップのそれぞれについて必要とされる電力条件を要約する。ステップS1については図6Aに示されるように、周波数F1が電力レベルP1に設定され、周波数F2が電力レベルP2に設定され、および周波数F3が電力レベルP3に設定される。またはである。ステップS2については図6Bに示されるように、周波数F1が電力レベルP4に設定され、周波数F2が電力レベルP5に設定され、および周波数F3が電力レベルP6に設定される。P4≠P1またはP6≠P3またはP5≠P1である。またはである。ステップS3については図6Cに示されるように、周波数F1が電力レベルP7に設定され、周波数F2が電力レベルP8に設定され、および周波数F3が電力レベルP9に設定される。P7≠P4またはP8≠P5またはP9≠P6である。またはまたはまたはである。この場合は、簡単のために特定化されているが、これらステップの組み合わせまたは順列が可能である例えばステップS3の代わりにステップS2を、S2の代わりにS3を行う、またはS3を除外しさえする。また、エッチングの困難さに依存して、完全なエッチングプロセスを実行するためにより多くのエッチングステップが追加されえる。またエッチングステップ間で交互に行うことも可能である例えばS2に続いてS3を行い、これらのそれぞれはより短い期間であり、その後S2およびS3のランが再び続く。好ましくは、第1周波数は100kHzから10MHzの範囲にある。より好ましくは、第1周波数は約2MHzである。好ましくは、第2周波数は10MHzから35MHzの範囲にある。より好ましくは、第2周波数は約27MHzである。好ましくは、第3周波数は40MHzより高い。より好ましくは、第3周波数は約60MHzである。同じエッチング化学物質についての種形成および同じ電力レベルが図7に表される。それぞれの特定のイオンのイオン流束は、それぞれの特定の周波数について1に正規化されている。第1カーブ604は、さまざまな周波数におけるCF3についての総イオン流束の割合を示す。第2カーブ608は、さまざまな周波数におけるC2F4についての総イオン流束の割合を示す。第3カーブ612は、さまざまな周波数におけるCFについての総イオン流束の割合を示す。第4カーブ616は、さまざまな周波数におけるC3F5についての総イオン流束の割合を示す。第5カーブ620は、さまざまな周波数におけるArについての総イオン流束の割合を示す。第6カーブ624は、さまざまな周波数におけるCHF2についての総イオン流束の割合を示す。第7カーブ628は、さまざまな周波数におけるC2F5についての総イオン流束の割合を示す。このグラフは、どのようにさまざまな周波数が種形成の割合に影響するかを図示する。したがって、プラズマ中の種形成は、エッチングプロセスにわたってRF周波数を変化させることによって制御されえる。図8Aは、同じ周波数27MHzについてRF電力の関数としてのイオンエネルギーおよび分布の変化を示す。ハイドロフルオロカーボンプラズマ中の主イオンのうちの1つのイオンエネルギー分布:CHF251原子単位の質量を有するがここで表される。カーブ704は、イオンCHF2についてのイオンエネルギーおよび分布を示し、ここで27MHz信号だけが200Wの電力レベルにおいてプラズマに供給される。カーブ708は、イオンCHF2についてのイオンエネルギーおよび分布を示し、ここで27MHz信号が400Wで供給される。第3カーブ712は、イオンCHF2についてのイオンエネルギーおよび分布を示し、ここで27MHz信号が800Wで供給される。第4カーブ716は、イオンCHF2についてのイオンエネルギーおよび分布を示し、ここで27MHz信号が1200Wで供給される。第5カーブ720は、イオンCHF2についてのイオンエネルギーおよび分布を示し、ここで27MHz信号が1600Wで供給される。第6カーブ724は、イオンCHF2についてのイオンエネルギーおよび分布を示し、ここで27MHz信号が2000Wで供給される。比較として、図8Bは、同じ、より高い周波数60MHzについてRF電力の関数としてのイオンCHF2のイオンエネルギーおよび分布の変化を示す。カーブ744は、イオンCHF2についてのイオンエネルギーおよび分布を示し、ここで60MHz信号だけが100Wの電力レベルにおいてプラズマに供給される。カーブ748は、イオンCHF2についてのイオンエネルギーおよび分布を示し、ここで60MHz信号が200Wで供給される。第3カーブ752は、イオンCHF2についてのイオンエネルギーおよび分布を示し、ここで60MHz信号が400Wで供給される。第4カーブ756は、イオンCHF2についてのイオンエネルギーおよび分布を示し、ここで60MHz信号が800Wで供給される。第5カーブ760は、イオンCHF2についてのイオンエネルギーおよび分布を示し、ここで60MHz信号が1100Wで供給される。図8Aおよび8Bを比較することによって、特定のイオンエネルギーレベル例えば80W程度に低いは、特定のRF周波数例えば27MHzでは得られないが、それらはより高い周波数例えば60MHzではアクセス可能である。結論としては、RF周波数および電力レベルを変化させることによって、プラズマ中の種形成が変えられるだけではなく、イオンエネルギーおよびその分布も変えられる。高アスペクト比フィーチャのエッチングにおいて、エッチングが進むにつれ、本発明は、異なるエッチング条件例えば中性に対するイオンの比、イオンエネルギー分布をエッチングにわたって最適化する。HARコンタクトエッチングの初めにおいてはよりアグレッシブではないエッチング条件が用いられえる。これはよいPR選択性、より少ないPRファセッティングおよびその結果、より少ない反りを確実にする。これは、より高い周波数例えば60MHzまたはそれより高いを優先的に用い、より低い周波数例えば27および2MHzについては比較的低い電力レベルを用いることによって達成されえる。反りの形成は、エッチングが反りレベルbowlevelを超えるまでこのエッチングを用いることによってさらに避けられえる。アスペクト比が増えるにつれ、中性に対するイオンの比は減り、またより明白なイオンエネルギー依存性が見られると期待される。したがって、より高いエネルギーイオンがエッチングを続けることができることが必要とされる。これは、エッチングプロセスの終わりにかけて異なる電力レベルにおいて27および2MHzを優先的に用いることによって達成されえる。これは、27および/または2MHzRFソースからの電力を増し、おそらくは60MHz電力ソースからの電力を減らすことによって達成されえる。27MHzRFソースからの電力を増すことは、マスク選択性を増しえ、これは高アスペクト比コンタクトがエッチングされるべきときには非常に役に立つ。反りを減らすためには、適切な量の選択性が必要なこともさらにわかった。多すぎるまたは少なすぎる選択性は反りを増しえる。本発明の実施形態において用いられえるエッチャントガスは、フルオロカーボンまたはハイドロフルオロカーボン成分を有しえる。アルゴンおよび/またはキセノンおよび/または任意の他の不活性ガスのような不活性ガスがエッチャントガスの成分として追加されえる。酸素はエッチャントガスの他の成分でありえる。好ましくは、エッチングされるべきレイヤは、誘電体レイヤである。より好ましくは、エッチングされるべきレイヤは、シリコン酸化物レイヤである。好ましくは、エッチングされるべきレイヤは、単一のレイヤである。より好ましくは、エッチングされるべきレイヤは、単一の均質なレイヤである。例例1:この例では、コンタクトは、基本的なC4F8化学物質を用いて酸化物中にエッチングされる。エッチングは、250sccmのAr、28sccmのC4F8、および10sccmのO2のエッチングガスを用い、これがチャンバ内に流された。チャンバ圧力は50mTorrに設定される。第1RF電力ソースは、2MHz周波数の第1RF信号を供給する。第2RF電力ソースは、27MHz周波数の第2RF信号を供給する。第3RF電力ソースは、60MHz周波数の第3RF信号を供給する。第1エッチングステップにおいて、第1電力ソースは、2000ワットを2MHzにおいて供給し、第2電力ソースは、0ワットを27MHzにおいて供給し、第3電力ソースは、1000ワットを60MHzにおいて供給する。このステップは120秒のあいだ行われる。第2エッチングステップにおいて、第1電力ソースは、1400ワットを2MHzにおいて供給し、第2電力ソースは、1400ワットを27MHzにおいて供給し、第3電力ソースは、200ワットを60MHzにおいて供給する。このステップは120秒のあいだ行われる。結果として生じるフィーチャは、3.0μmの深さおよび0.18μmのトップCDを有する。したがって、フィーチャのアスペクト比は3.0/0.18であり、ほぼ16.7である。例2:この例では、コンタクトは、基本的なC4F6化学物質を用いて酸化物中にエッチングされる。エッチングは、400sccmのAr、30sccmのC4F6、および24sccmのO2のエッチングガスを用い、これがチャンバ内に流された。チャンバ圧力は35mTorrに設定される。第1RF電力ソースは、2MHz周波数の第1RF信号を供給する。第2RF電力ソースは、27MHz周波数の第2RF信号を供給する。第3RF電力ソースは、60MHz周波数の第3RF信号を供給する。第1エッチングステップにおいて、第1電力ソースは、2000ワットを2MHzにおいて供給し、第2電力ソースは、200ワットを27MHzにおいて供給し、第3電力ソースは、1000ワットを60MHzにおいて供給する。このステップは100秒のあいだ行われる。第2エッチングステップにおいて、第1電力ソースは、2000ワットを2MHzにおいて供給し、第2電力ソースは、600ワットを27MHzにおいて供給し、第3電力ソースは、600ワットを60MHzにおいて供給する。このステップは100秒のあいだ行われる。第3エッチングステップにおいて、第1電力ソースは、1400ワットを2MHzにおいて供給し、第2電力ソースは、1500ワットを27MHzにおいて供給し、第3電力ソースは、100ワットを60MHzにおいて供給する。このステップは80秒のあいだ行われる。結果として生じるフィーチャは、2.6μmの深さおよび0.16μmのトップCDを有する。したがって、フィーチャのアスペクト比は2.6/0.16であり、16.25である。本発明は、いくつかの好ましい実施形態について説明されてきたが、本発明の範囲に含まれる変更、組み合わせ、および等価物が存在する。また本発明の方法および装置を実現する多くの代替手段が存在ことにも注意されたい。したがって添付の特許請求の範囲は、全てのそのような変更、組み合わせ、改変、およびさまざまな代替等価物を本発明の真の精神および範囲に含まれるものとして解釈されるべきであることが意図されている。