ウエハ上の任意の領域にめっき処理を施すめっき処理方法を含む半導体装置の製造方法であって、前記任意の領域をフォトレジストによるパターニングで画定し、シールリングがのちに当接されるべき、前記フォトレジストの部分のみの疎水性を維持する一方で、前記フォトレジストの他の表面を親水化処理し、前記シールリングを前記フォトレジスト上に当接して、前記めっき処理を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記シールリングがのちに当接されるべき、前記フォトレジストの部分にシャドウリングを当接して、前記親水化処理を行い、当該処理の終了後、前記シャドウリングを取り除くことにより、当該部分のみの疎水性を維持することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記シールリングがのちに当接されるべき、前記フォトレジストの部分を、めっき液に対する対薬品性を有し、疎水性である材料で覆って、前記親水化処理を行うことにより、当該部分のみの疎水性を維持することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記材料は、シリコンであることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。しかしながら、上述した従来のめっき処理工程においては、めっき液の温度条件によっては、めっき処理完了後、シールリング105をウエハ全体から分離する際に、シールリング105がフォトレジスト103に強力に貼り付いてしまい剥がすのが困難であるという課題があった。その貼り付きの要因としては、主に3つあり、つまり、aシールリング105とフォトレジスト103との間の水分による表面張力、bめっき液が、フォトレジスト103にアタックすることによるフォトレジスト103の粘着性の上昇、c前回処理したウエハのフォトレジストがシールリング105に貼り付いたこと付着残りによるシールリング105の粘着性の上昇、である。本発明の半導体装置の製造方法は、ウエハ上の任意の領域にめっき処理を施すめっき処理方法を含む半導体装置の製造方法であって、前記任意の領域をフォトレジストによるパターニングで画定し、シールリングがのちに載置されるべき、前記フォトレジストの部分のみの疎水性を維持する一方で、前記フォトレジストの他の表面を親水化処理し、前記シールリングを前記フォトレジスト上に載置して、前記めっき処理を施すことを特徴とする。本発明の半導体装置の製造方法によれば、めっき処理工程終了後、シールリングがフォトレジストに対して無用に密着性が高くなることを回避することができる。これによりウエハからシールリングを容易に分離することが可能となる。以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。<第1実施形態>図1は、本発明の半導体装置の製造方法を適用した第1実施形態におけるめっき処理方法の手順を説明するための図である。第1実施形態におけるめっき処理方法は、図1aに示すように、まず、基材であるウエハ1の上側全面に、クロムおよび銅を例えばスパッタ法により成膜した構造からなるシード層2を成膜する。次に、めっきを行なう部分と、ウエハ1の外周とを露出するようにパターン化したフォトレジスト3をフォトリソグラフィ工程により形成する。なお、フォトリソグラフィ工程後のフォトレジスト3の表面は疎水性となっている。次に、図1bに示すように、酸素O2プラズマ照射処理に先立って、後のめっき処理工程においてフォトレジスト3の、シールリング5が接する部分を覆うように、一時的にシャドウリング4を当てる。この状態で、酸素プラズマを照射することにより、フォトレジスト3の表面とその開口部における側面照射部3aを疎水性から親水性に変化させる。しかしながら、シャドウリング4で隠蔽されている、フォトレジスト3の部分遮蔽部3bは、O2プラズマの照射を受けないので、疎水性を維持する。なお、それ以外の部分照射部3aを親水性とするのは、めっき処理工程において、めっき皮膜するパターン化したフォトレジスト3の凹凸内部にめっき液が浸透し易くなるようにするためである。次に、図1cに示すように、底部が抜け落ちた皿様の形状を有したシールリングコンタクトシールまたはコンタクトリングともいう5をフォトレジスト3上に当接して、その底部5Aを密着させる。その状態で、ニッケルNiめっき液6をシールリング5内に投入接液し、フォトレジスト3開口部のシード層2上にめっき8を成長させる。このとき、シャドウリング4で覆われていた疎水性のフォトレジスト3の表面すなわち、遮蔽部3bの表面は、めっき液をはじくこととなる。また、シールリング5が当接しているフォトレジスト3の表面遮蔽部3bの表面も、その部分が疎水性のままであるので、めっき液や水をはじいており、濡れることはない。めっき処理工程が終了すると、図1dに示すように、めっき液6を除去し、シールリング5とウエハ全体を分離する。以降は、樹脂により封止する工程、バンプを形成する工程などが続く。上述のように、本発明における半導体装置の製造方法を適用した第1実施形態のめっき処理方法によれば、シールリング5付近のフォトレジスト3の表面遮蔽部3bの表面がめっき液および水をはじくことにより、シールリング5の底部5Aとフォトレジスト3が当接する面間に水分が侵入せず、表面張力が発生することはなく、シールリング5のフォトレジスト3に対する貼り付けを防止することができる。また、同じく、シールリング5付近のフォトレジスト3表面遮蔽部3bの表面がめっき液および水をはじくことにより、シールリング5の底部5Aに接触する部分のフォトレジスト3が、ニッケルめっき液にアタックされて粘着性が上がってしまうことを防止して、シールリング5のフォトレジスト3に対する貼り付けを防止することができる。さらに、このようにシールリング5のフォトレジスト3に対する貼り付けを防止することにより、シールリング5を分離する際に、シールリング5の底部5Aにフォトレジスト3が付着して粘着性が増してしまうことがないので、次回処理するウエハについて、シールリング5のフォトレジスト3に対する貼り付けを防止することができる。<第2実施形態>次に、本発明の半導体装置の製造方法を適用した第2の実勢形態について説明する。図2は、本発明の半導体装置の製造方法を適用した第2実施形態におけるめっき処理方法の手順を説明するための図である。なお、図1に示した第1実施形態の処理方法と同様の部分については、同一符号を付してその説明を省略する。図1に示した第1実施形態のめっき処理方法においては、フォトレジスト3における疎水性を維持させる部分遮蔽部3bを形成するのにシャドウリング4を採用したが、この第2実施形態においては、図2bに示すように、その部分を、めっき液に対する対薬品性を有し、疎水性である材料7剥離可能な膜であることが好ましいで覆う構成となっている。この材料7で覆うことにより、めっき処理時にフォトレジストの表面が親水化することを防ぐことができるため、フォトレジスト3に遮蔽部3bを形成することができる。このように、上記材料7を用いることによっても遮蔽部3bを形成することが可能であり、その部分の疎水性を維持させることができる。これにより、本実施形態においても第1実施形態と同様の効果が得られる。なお、上記材料としては、シリコンが好ましい。<第1および第2実施形態の変形例>次に、上述の第1および第2実施形態の変形例について説明する。上述の第1および第2実施形態の半導体装置の製造方法においては、めっき処理において、電解のニッケルのめっき液を使用する場合で説明したが、これに限られることはなく、例えば、電解の銅Auのめっき液を含めた電解のめっき液全般を使用することができ、さらには、無電解のめっき液全般も採用することができる。また、上述の第1および第2実施形態においては、親水化処理において、酸素O2プラズマを当てる場合で説明したが、これに限られることはなく、例えば酸素O2ラジカルを用いて親水化することも可能である。さらに、上述の第1および第2実施形態においては、親水化処理において、例えば酸素プラズマによるドライプロセスにより処理する場合で説明したが、これに限られることはなく、表面活性剤等の薬液により親水化処理を行うことも可能である。更にまた、上述の第1実施形態においては、フォトレジスト3における疎水性を維持させる部分遮蔽部3bを形成するすなわち、プラズマ処理時にフォトレジストの表面が親水化しないようにするためにシャドウリング4を採用したが、これに代えて剥離可能な膜を用いることも可能である。