電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーであって、基板と、前記基板上に電極として形成される陰極部と、前記陰極部上に一定の間隔でパターニングされた電界放出源と、前記電界放出源上に絶縁離隔して前記陰極部と水平に形成され、前記電界放出源からの電子放出を誘導するゲート部と、前記ゲート部上に絶縁離隔して水平に形成され、ターゲット物質を含む陽極部と、を含んでなることを特徴とする、電界放出源を用いた高効率平面型フォトバー。電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーであって、基板と、前記基板上に多数の電極として分割形成される陰極部およびゲート部と、前記陰極部およびゲート部上にパターニングされた電界放出源と、前記陰極部およびゲート部上に絶縁離隔して水平に形成され、ターゲット物質を含む陽極部と、を含んでなることを特徴とする、電界放出源を用いた高効率平面型フォトバー。電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーであって、基板と、前記基板上に多数の電極として互いにナノメートル級の微細なギャップをおいて交互に形成される陰極部およびゲート部と、前記陰極部およびゲート部上に絶縁離隔して水平に形成され、ターゲット物質を含む陽極部と、を含んでなることを特徴とする、電界放出源を用いた高効率平面型フォトバー。前記陰極部、前記ゲート部および前記陽極部が大きく形成される場合、真空に引かれた内部構造物を大気圧から支持するために、前記基板と前記陽極部との間に垂直に形成される絶縁スペーサをさらに含むことを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の電界放出源を用いた高効率平面型フォトバー。前記電界放出源は、ナノカーボン系材料であるカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、カーボンナノウォール、グラファイトナノファイバーおよびグラフェン;酸化物ナノワイヤ系材料であるZnO2ナノワイヤおよびTiO2ナノワイヤ;窒化物系であるTiNナノワイヤ;金属系であるタングステンおよびモリブデン;シリコン;並びにダイヤモンドをコーン形状にエッチングして作ったチップのいずれか一つからなることを特徴とする、請求項1または2に記載の電界放出源を用いた高効率平面型フォトバー。前記陽極部は、ガラス、セラミックおよび金属のいずれか1種の材料からなる前記基板に、前記ターゲット物質を形成することで実現することを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の電界放出源を用いた高効率平面型フォトバー。電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法であって、基板上にスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フィルム蒸着、または露光および現像方式で陰極部を形成するイ段階と、前記陰極部上に電界放出源をスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フィルム蒸着、または露光および現像方式で形成するロ段階と、前記陰極部上に、一定の間隔の絶縁を確保した離隔をおいてゲート部を形成するハ段階と、前記ゲート部上に、ターゲット物質を含む陽極部を形成するニ段階と、前記ニ段階の後、前記基板と前記陽極部との間を真空パッケージングするホ段階とを含んでなることを特徴とする、電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法。電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法であって、一定の間隔で基板上にスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フィルム蒸着、または露光および現像方式で陰極部およびゲート部を形成するa段階と、前記陰極部およびゲート部上に電界放出源を形成するb段階と、前記陰極部およびゲート部上に、ターゲット物質を含む陽極部を形成するc段階と、前記c段階の後、前記基板と前記陽極部との間を真空パッケージングするd段階とを含んでなることを特徴とする、電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法。電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法であって、基板上にスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フィルム蒸着、または露光および現像方式で陰極部およびゲート部を形成する第1段階と、前記基板上に、ターゲット物質を含む陽極部を形成する第2段階と、前記第2段階の後、前記基板と前記陽極部との間を真空パッケージングする第3段階とを含んでなることを特徴とする、電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法。前記陰極部、前記ゲート部および前記陽極部が大きく形成される場合、真空に引かれた内部構造物を大気圧から支持するために、前記基板と前記陽極板との間に垂直に絶縁スペーサを形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項7~9のいずれか1項に記載の電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法。前記陰極部は金属、酸化物電極材料およびカーボン系電極材料のいずれか1種から形成されることを特徴とする、請求項7~9のいずれか1項に記載の電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法。前記電界放出源は、ペースト、直接成長、スラリー塗布、電気泳動法または浸漬のいずれか一つの方式で形成されることを特徴とする、請求項7または8に記載の電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法。前記ゲート部は、金属板をエッチングして電界放出源との整列後に配置させるか、ガラス板またはセラミック板をエッチングし、一面に電極を形成した後に配置させるか、またはスクリーン印刷法で直接プリントして形成されることを特徴とする、請求項7に記載の電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法。前記陽極部は、前記ゲート部と高電圧絶縁が保たれる程度に離隔しなければならず、X線を放出させることが可能なターゲット物質を蒸着、コーティングまたはスクリーン印刷法のいずれか一つの方式で形成されることを特徴とする、請求項7~9のいずれか1項に記載の電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法。本発明は、上述した従来の問題点を解決するためのもので、その目的は、ナノ電界放出源fieldemitterを電子放出源として用いて、冷陰極型coldcathodeに基づく大面積のX線を発生させることが可能なフォトバーおよびその製造方法を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明の第1実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーは、基板と、前記基板上に電極として形成される陰極部と、前記陰極部上に一定の間隔でパターニングされたナノ電界放出源と、前記電界放出源上に絶縁離隔して前記陰極部と水平に形成され、前記電界放出源からの電子放出を誘導するゲート部と、前記ゲート部上に絶縁離隔して水平に形成され、ターゲット物質を含む陽極部とを含んでなることを特徴とする。本発明の第2実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーは、基板と、前記基板上に多数の電極として分割形成される陰極部およびゲート部と、前記陰極部およびゲート部上にパターニングされたナノ電界放出源と、前記陰極部およびゲート部上に絶縁離隔して水平に形成され、ターゲット物質を含む陽極部とを含んでなることを特徴とする。本発明の第3実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーは、基板と、前記基板上に多数の電極として互いにナノメートル級の微細なギャップをおいて交互に形成される陰極部およびゲート部と、前記陰極部およびゲート部上に絶縁離隔して水平に形成され、ターゲット物質を含む陽極部とを含んでなることを特徴とする。本発明の第1実施例~第3実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーにおいて、前記陰極部、ゲート部および陽極部が大きく形成される場合、真空で形成された内部構造物を大気圧から支持するのために、基板と陽極部との間に垂直に形成される絶縁スペーサをさらに含むことができることを特徴とする。本発明の第1実施例または第2実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーにおいて、前記電界放出源は、炭素ナノチューブCarboneNanoTube:CNTのように内径に対する長さの比が非常に大きいナノワイヤ系の材料を通常適用でき、これにより、好適な例として、CNTCarboneNanoTube、CNFCarbonNanoFiber、CNWCarbonNanoWall、GNFGraphiteNanoFiber、グラフェンGrapheneなどのナノカーボン系材料;ZnO2ナノワイヤ、TiO2ナノワイヤなどの酸化物ナノワイヤ系材料;TiNナノワイヤなどの窒化物系;タングステン、モリブデンmolybdenumなどの金属系;シリコンsilicon:Si;およびダイヤモンドdiamondをコーン形状にエッチングして作ったチップのいずれか一つからなることを特徴とする。本発明の第1実施例~第3実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーにおいて、前記陽極部は、ガラス、セラミックおよび金属のいずれか1つの材料からなる基板にターゲット物質を形成することで実現することを特徴とする。本発明の第1実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法は、基板上にスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フィルム蒸着、または露光および現像方式で陰極部を形成するイ段階と、前記陰極部上にナノ電界放出源をスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フィルム蒸着、または露光および現像方式で形成するロ段階と、前記陰極部上に、一定の間隔の絶縁を確保した離隔をおいてゲート部を形成するハ段階と、前記ゲート部上に、ターゲット物質を含む陽極部を形成するニ段階と、前記ニ段階の後、基板と陽極部との間を真空パッケージングするホ段階とを含んでなることを特徴とする。本発明の第2実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法は、一定の間隔で基板上にスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フィルム蒸着、または露光および現像方式で陰極部およびゲート部を形成するa段階と、前記陰極部およびゲート部上にナノ電界放出源を形成するb段階と、前記陰極部およびゲート部上に、ターゲット物質を含む陽極部を形成するc段階と、前記c段階の後、基板と陽極部との間を真空パッケージングするd段階とを含んでなることを特徴とする。本発明の第3実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法は、基板上にスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フィルム蒸着、または露光および現像方式で陰極部およびゲート部を形成する第1段階と、前記基板上に、ターゲット物質を含む陽極部を形成する第2段階と、前記第2段階の後、基板と陽極部との間を真空パッケージングする第3段階とを含んでなることを特徴とする。本発明の第1実施例~第3実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法において、前記陰極部、ゲート部および陽極部が大きく形成される場合、真空に引かれた内部構造物を大気圧から支持するために、基板と陽極板との間に垂直に絶縁スペーサを形成する段階をさらに含むことができることを特徴とする。本発明の第1実施例~第3実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法において、前記陰極部は金属例えばAg、Cu、酸化物電極材料例えば、ITO、およびカーボン系電極材料例えば、グラフェンおよびCNTのいずれか1種から形成されることを特徴とする。本発明の第1実施例または第2実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法において、前記ナノ電界放出源は、ペースト、直接成長、スラリー塗布、電気泳動法または浸漬dippingのいずれか一つの方式で形成されることを特徴とする。本発明の第1実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法において、前記ゲート部は、金属板をエッチングしてナノ電界放出源との整列後に配置されること、ガラス板もしくはセラミック板をエッチングし、一面に電極を形成した後に配置されること、またはスクリーン印刷法で直接プリントして形成されることを特徴とする。本発明の第1実施例~第3実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法において、前記陽極部は、ゲート部と高電圧絶縁が保たれる程度に離隔しなければならず、X線を放出させることが可能なターゲット物質を蒸着、コーティングまたはスクリーン印刷法のいずれか一つの方式で形成することを特徴とする。上述したように、本発明の実施例に係るフォトバーおよびその製造方法は、電子放出源を冷陰極Coldcathodeナノ電界放出源とすることにより、コロナ放電型と比較して粉塵の吸着および脱離の問題を引き起こさず、既存の熱電子型X線チューブとは異なり、一体化された大面積、平面構造の実現が可能であると同時に、低電力、高効率およびデジタル駆動であるイオン化生成能力を得ることができるという効果がある。以下、添付図面を参照して本発明に係る具体的な実施例を詳細に説明する。図1は本発明の第1実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーを示す斜視図であり、図2は本発明の第1実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーを示す断面図である。図1および図2に示されるように、本発明の第1実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーは、基板102と、基板102上に電極として形成される陰極部202と、陰極部202上に一定の間隔でパターニングされたナノ電界放出源201と、電界放出源201上に絶縁離隔して陰極部202と水平に形成され、電界放出源201からの電子放出を誘導するゲート部301と、ゲート部301上に絶縁離隔して水平に形成され、ターゲット物質401を含む陽極部101とを含んでなる。ここで、陰極部202、ゲート部301および陽極部101が大きく形成される場合、真空に引かれた内部構造物を大気圧から支持するために、基板102と陽極部101との間に基板102および陽極部101に対して垂直に形成される絶縁スペーサ103、104をさらに含むことが可能である。この際、前記絶縁スペーサ104は基板102とゲート部301との間に位置し、前記絶縁スペーサ103はゲート部301と陽極部101との間に位置する。また、電界放出源201は、炭素ナノチューブCNTのように内径に対する長さの比が非常に大きいナノワイヤ系の材料を通常適用でき、これにより、好適な例として、CNTCarboneNanoTube、CNFCarbonNanoFiber、CNWCarbonNanoWall、GNFGraphiteNanoFiber、グラフェンGrapheneなどのナノカーボン系、ZnO2ナノワイヤ、TiO2ナノワイヤなどの酸化物ナノワイヤ系、TiNナノワイヤなどの窒化物系、タングステンやモリブデンmolybdenumなどの金属系、およびシリコンsilicon:Siダイヤモンドdiamondをコーン形状にエッチングして作ったチップのいずれか1つが使用されることを特徴とする。前記陽極部101は、ガラス、セラミックおよび金属のいずれか1種の材料からなる基板にターゲット物質が形成されることを特徴とする。次に、上述したように本発明の第1実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの作動原理について説明する。電子放出を誘導するゲート部301に電圧を印加すると、陰極部202上に形成されたナノ電界放出源201に電場電界が集中し、これによりナノ電界放出源201から電子501が真空中601に放出される原理を有する。ナノ電界放出源201から放出された電子ビーム501は、絶縁スペーサ103、104を介して特定の距離だけ離隔された陽極部101に到達し、最終的にはX線502に変換されるが、これについての説明を付け加えると、次の通りである。陽極部101は基板にターゲット物質401を形成することで実現可能であり、基板材料および厚さに応じて、図1および図2のようにターゲットターゲット物質401が形成されるべき領域を薄く加工することもできる。本実施例では、陽極部101を形成する基板をガラスと仮定した。ガラス以外に、セラミックや金属などの多様な材料を活用することもできる。本発明の第1実施例に係る図1のような電界放出型フォトバーの場合、陽極部101およびゲート部301にDC電圧を印加した状態で陰極部202に高電圧トランジスタを用いた電流スイッチング駆動が可能であるため、本発明の第1実施例に係るフォトバーは、構造が小さく、その構造により低い電力でも容易に駆動できるという利点がある。図3は本発明の第2実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーを示す断面図である。図3に示されるように、本発明の第2実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーは、基板102aと、基板102a上に多数の電極として分割形成される陰極部202aおよびゲート部203aと、陰極部202aおよびゲート部203a上にパターニングされたナノ電界放出源201aと、陰極部202aおよびゲート部203a上に絶縁離隔して水平に形成され、ターゲット物質401aを含む陽極部101aとを含んでなる。ここで、陰極部202a、ゲート部203aおよび陽極部101aが大きく形成される場合、真空に引かれた内部構造物を大気圧から支持するために、基板102aと陽極部101aとの間に、基板102aおよび陽極部101aに対して垂直に形成される絶縁スペーサ103aをさらに含むことが可能である。電界放出源201aは、炭素ナノチューブCNTのように内径に対する長さの比が非常に大きいナノワイヤ系の材料を通常適用でき、これにより、好適な例として、CNTCarboneNanoTube、CNFCarbonNanoFiber、CNWCarbonNanoWall、GNFGraphiteNanoFiber、グラフェンGrapheneなどのナノカーボン系材料;ZnO2ナノワイヤ、TiO2ナノワイヤなどの酸化物ナノワイヤ系材料;TiNナノワイヤなどの窒化物系;タングステン、モリブデンmolybdenumなどの金属系;シリコンsilicon:Si;およびダイヤモンドdiamondをコーン形状にエッチングして作ったチップのいずれか一つが使用されることを特徴とする。また、陽極部101aは、ガラス、セラミックおよび金属のいずれか1種の材料からなる基板にターゲット物質401aを形成することで実現する。次に、上述したように本発明の第2実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの作動原理について説明する。図3は図1および図2のフォトバーと同様の構造において、電子を放出させる電子放出部の構造が変形した形態である。図3の場合、陰極部202aとゲート部203aとが互いに交差しながら駆動する構造であるが、隣接した陰極部202aとゲート部203aとが互いに区別されながら駆動する特性を有する。電極が陰極部202aとして使用されると、隣接する電極はゲート部203aとして使用され、陰極部202aであった電極がゲート部203aとして使用されると、ゲート部203aであった電極が陰極部202aとして使用される構造である。この際、図3に示した図面番号501aは電子または電子ビームを示し、502aはX線を示し、601aは真空を示す。図4は本発明の第3実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーを示す断面図である。図4に示されるように、本発明の第3実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーは、基板102bと、基板102b上に多数の電極として互いにナノメートル級の微細なギャップをおいて交互に形成される陰極部202bおよびゲート部203bと、陰極部202bおよびゲート部203b上に絶縁離隔して水平に形成され、ターゲット物質を含む陽極部図示せずとから構成される。この際、陽極部は、本発明の第3実施例に係るフォトバーを示した図4に示されていないが、図2および図3に示した第1実施例および第2実施例に係るフォトバーの陽極部101、101aと同様に構成されることが好ましい。ここで、陰極部202b、ゲート部301bおよび陽極部が大きく形成される場合、真空に引かれた内部構造物を大気圧から支持するために、基板102aと陽極部との間に基板102aおよび陽極部に対して垂直に形成される絶縁スペーサ103bをさらに含むことが可能である。次に、上述したように本発明の第3実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの作動原理について説明する。図4は図1~図3で説明された本発明に係る電界放出型フォトバーの構造において別の方式で適用できる電界放出構造を説明する図である。上述の説明ではナノワイヤおよびナノチップから放出される電子放出構造を示した。一方、図4の場合は、2つの電極を基板102b上に形成させ、両電極間のギャップをナノメートル級の微細隙間として形成させると、ゲート部203bに電圧を印加する場合、陰極部202bから電子がゲート部203bに向かって放出される。この際、放出された電子の一部分がゲート部203bの電極に向かわずに、散乱されて陽極部側に向かう現象が起こり得る構造である。図4の場合も、前記図3の場合と同様に、ゲート部203bと陰極部202bとが互いに交差しながら駆動できる。この際、図4に示した図面番号501bは電子または電子ビームである。図5は本発明の第1実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法を示す順序図である。図5に示されるように、本発明の第1実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法は、基板102上にスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フィルム蒸着、または露光および現像方式で陰極部202を形成するイ段階S110と、陰極部202上にナノ電界放出源201をスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フィルム蒸着、または露光および現像方式で形成するロ段階S120と、陰極部202上に、一定の間隔の絶縁を確保した離隔をおいてゲート部301を形成するハ段階S130と、前記ゲート部301上に、ターゲット物質401を含む陽極部101を形成するニ段階S140と、前記ニ段階S140の後、基板102と陽極部101との間を真空パッケージングするホ段階S150とを含んでなることを特徴とする。ここで、陰極部202、ゲート部301および陽極部101が大きく形成される場合、真空に引かれた内部構造物を大気圧から支持するために、基板102と陽極部101との間に垂直に絶縁スペーサ103、104を形成する段階をさらに含むことが可能である。この際、絶縁スペーサ104は基板102とゲート部301との間に位置し、絶縁スペーサ103はゲート部301と陽極部101との間に位置する。また、陰極部202は、金属例えば、Ag、Cu、酸化物電極材料例えば、ITOおよびカーボン系電極材料例えば、グラフェンおよびCNTのいずれか一つから形成される。ナノ電界放出源201は、ペースト、直接成長、スラリー塗布、電気泳動法または浸漬dippingのいずれか一つの方式で形成される。また、ゲート部301は、金属板をエッチングしてナノ電界放出源201との整列後に配置されるか、ガラス板もしくはセラミック板をエッチングし、一面に電極を形成した後に配置されるか、またはスクリーン印刷法で直接プリントして形成される。陽極部101は、ゲート部301と高電圧絶縁が保たれる程度に離隔しなければならず、X線を放出させることが可能なターゲット物質401を蒸着、コーティングまたはスクリーン印刷法のいずれか一つの方式で形成される。図6は本発明の第2実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法を示す順序図である。図6に示されるように、本発明の第2実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法は、一定の間隔で基板102a上にスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フィルム蒸着、または露光および現像方式で陰極部202aおよびゲート部203aを形成するa段階S210と、陰極部202aおよびゲート部203a上にナノ電界放出源201aを形成するb段階S220と、陰極部202aおよびゲート部203a上に、ターゲット物質401aを含む陽極部101aを形成するc段階S230と、c段階S230の後、基板102aと陽極部101aとの間を真空パッケージングするd段階S240とから構成される。ここで、陰極部202a、ゲート部203aおよび陽極部101aが大きく形成される場合、真空に引かれた内部構造物を大気圧から支持するために、基板102aと陽極部101aとの間に垂直に絶縁スペーサ103aを形成する段階をさらに含むことが可能である。陰極部202aは、金属例えば、Ag、Cu、酸化物電極材料例えば、ITO、およびカーボン系電極材料例えば、グラフェンおよびCNTのいずれか一つから形成される。また、ナノ電界放出源201aは、ペースト、直接成長、スラリー塗布、電気泳動法または浸漬dippingのいずれか一つの方式で形成される。陽極部101aは、ゲート部203aと高電圧絶縁が保たれる程度に離隔しなければならず、X線を放出させることが可能なターゲット物質401aを蒸着、コーティングまたはスクリーン印刷法のいずれか一つの方式で形成される。図7は本発明の第3実施例に係る電界放出源を用いた高効率平面型フォトバーの製造方法を示す順序図である。図7に示されるように、本発明の第3実施例に係る電界放出源を用いた高効率フォトバーの製造方法は、基板102b上にスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フィルム蒸着、または露光および現像方式で陰極部202bおよびゲート部203bを形成する第1段階S310と、基板102b上に、ターゲット物質を含む陽極部を形成する第2段階S320と、第2段階S320の後、基板102bと陽極部との間を真空パッケージングする第3段階S330とから構成される。ここで、陰極部202b、ゲート部203bおよび陽極部が大きく形成される場合、真空に引かれた内部構造物を大気圧から支持するために、基板102bと陽極部との間に垂直に絶縁スペーサ103bを形成する段階をさらに含むことが可能である。陰極部202bは、金属例えば、Ag、Cu、酸化物電極材料例えば、ITO、およびカーボン系電極材料例えば、グラフェンおよびCNTのいずれか一つで形成される。また、陽極部は、ゲート部203bと高電圧絶縁が保たれる程度に離隔しなければならず、X線を放出させることが可能なターゲット物質を蒸着、コーティングまたはスクリーン印刷法のいずれか一つの方式で形成される。この際、陽極部は、本発明の第3実施例に係るフォトバーを示した図4に示されていないが、図2および図3に示した第1実施例および第2実施例に係るフォトバーの陽極部101、101aと同様に構成されることが好ましい。以上説明したように、本発明の詳細な説明では本発明の好適な実施例について説明したが、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の範疇から逸脱しない限度内で様々な変形が可能であるのは明白である。よって、本発明の権利範囲は説明された実施例に限定されて定められてはならず、後述する特許請求の範囲、及びこれと均等なものによって定められるべきである。