波長が430~550nmの光で励起され、組成がBaa、Srb、Cac、Mgd、Zrx2SiO4Cly:Eu2zで示されることを特徴とする蛍光体。但し、abcdx=1、0.001≦x≦0.1、0.001≦y≦0.1、0.02≦2z<0.6とする。Alの含有量が0.1未満であることを特徴とする請求項1に記載の蛍光体。請求項1又は請求項2に記載の蛍光体を含有し、波長430~550nmの範囲内に発光ピークを有する発光素子を備えることを特徴とする発光ダイオード。BaCO3、SrCO3、CaCO3、MgCO3、及びSiO2を、モル比をa:b:c:d:1とし、かつ、ZrO2、NH4Cl、Eu2O3を、モル比をx:y:zとして混合する過程と、該混合する過程で得られた混合物をN2に対するH2の濃度が1~4の雰囲気中で1000~1300°Cで焼成する過程とを含むことを特徴とする蛍光体の製造方法。但し、abcdx=1、0.001≦x≦0.1、0.001≦y≦0.1、0.01≦z<0.3とする。しかしながら、従来の発光デバイスにあっては、発光素子と蛍光体組成物との組み合わせにより、所定の波長光を発することができるものの、一旦発光波長が決定された場合には、容易に変更することができず発光波長は固定的であった。一方で、発光ダイオードを使用するユーザは、使用環境又は色の好みなどに応じて異なる発光色を要望することも多く、より良い照明環境、あるいは色の再現範囲を広くすることが望まれていた。本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、より良い照明環境、あるいは色の再現範囲を広くすることができる蛍光体、該蛍光体を含有するとともに発光素子を備える発光ダイオード及び前記蛍光体の製造方法を提供することを目的とする。第1発明に係る蛍光体は、波長が430~550nmの光で励起され、組成がBaa、Srb、Cac、Mgd、Zrx2SiO4Cly:Eu2zで示されることを特徴とする。但し、abcdx=1、0.001≦x≦0.1、0.001≦y≦0.1、0.02≦2z<0.6とする。第2発明に係る蛍光体は、第1発明において、Alの含有量が0.1未満であることを特徴とする。第3発明に係る発光ダイオードは、前述の発明に係る蛍光体を含有し、波長430~550nmの範囲内に発光ピークを有する発光素子を備えることを特徴とする。第4発明に係る蛍光体の製造方法は、BaCO3、SrCO3、CaCO3、MgCO3、及びSiO2を、モル比をa:b:c:d:1とし、かつ、ZrO2、NH4Cl、Eu2O3を、モル比をx:y:zとして混合する過程と、該混合する過程で得られた混合物をN2に対するH2の濃度が1~4の雰囲気中で1000~1300°Cで焼成する過程とを含むことを特徴とする。但し、abcdx=1、0.001≦x≦0.1、0.001≦y≦0.1、0.01≦z<0.3とする。第1発明にあっては、蛍光体は、波長が430~550nmの光で励起され、組成がBaa、Srb、Cac、Mgd、Zrx2SiO4Cly:Eu2zで示される。ここで、abcdx=1、0.001≦x≦0.1、0.001≦y≦0.1、0.02≦2z<0.6である。例えば、Baのモル比aを0.55、Srのモル比bを1.45、Caのモル比cを0、Mgのモル比dを0、Zrのモル比xを0、Clのモル比yを0.05、Euのモル比2zを0.07とした場合、蛍光体が発する光のピーク波長は、552nmであり、平均演色評価数Raは67である。この場合の発光強度を100とする。Zrのモル比xを0から0.10まで変化させた場合、蛍光体が発する光のピーク波長は、503nmから565nmまで変化させることができる。また、Clのモル比yを0.001から0.10の範囲で変化させた場合、蛍光体が発する光のピーク波長は、変化しない。また、Euのモル比2zを0.02から0.60この場合、zは0.035から0.30であるまで変化させた場合、蛍光体が発する光のピーク波長は、546nmから561nmまで変化させることができる。Zr、Cl、Euのモル比x、y、2zを、0.001≦x≦0.1、0.001≦y≦0.1、0.02≦2z<0.6とすることにより、蛍光体が発する光のピーク波長を60nm程度シフトさせることができ、色の再現範囲を広くすることができる。また、平均演色評価数Raも一般的な作業環境に適した程度の値を得ることができ、良い照明環境を実現することができる。第2発明にあっては、Alの含有量は0.1未満である。Alの含有量が0.1以上の場合の発光強度は、Alの含有量が0.001の場合の発光強度に対して40程度低下する発光強度が60程度になる。Alの含有量は0.1未満にすることにより、発光強度の低下を防止することができ、高輝度の発光ダイオードを実現することができる。第3発明にあっては、前述の蛍光体を含有するとともに、波長430~550nmの範囲内に発光ピークを有する発光素子を備える。発光素子が発する光により蛍光体は励起されるので、色の再現範囲を広くすることができるとともに、平均演色評価数Raも一般的な作業環境に適した程度の値を有する発光ダイオードを得ることができる。また、高輝度の発光ダイオードを得ることができる。第4発明にあっては、BaCO3、SrCO3、CaCO3、MgCO3、及びSiO2を、モル比をa:b:c:d:1とし、かつ、ZrO2、NH4Cl、Eu2O3を、モル比をx:y:zとして混合する過程と、混合して得られた混合物をN2に対するH2の濃度が1~4の雰囲気中で1000~1300°Cで焼成する過程とを含む。ここで、abcdx=1、0.001≦x≦0.1、0.001≦y≦0.1、0.01≦z<0.3である。Zr、Cl、Euのモル比x、y、zを、0.001≦x≦0.1、0.001≦y≦0.1、0.01≦z<0.3とすることにより、蛍光体が発する光のピーク波長を60nm程度シフトさせることができ、色の再現範囲を広くすることができる。また、平均演色評価数Raも一般的な作業環境に適した程度の値を得ることができ、良い照明環境を実現することができる。また、焼成温度を1000°C~1300°Cとした場合、発光強度は90~100の範囲にあるが、焼成温度を1400°C以上とした場合、発光強度が50程度まで低下する。これは焼成温度が高い1400°C以上場合、アルミナルツボから蛍光体へAl元素が拡散するためであると考えられる。また、水素濃度が1~4の雰囲気中で焼成した場合でも、十分な発光強度90~100を得ることができ、設備を防爆仕様にする必要がなく簡便な設備で発光強度を大きくすることができる蛍光体を製造することができる。さらに、安価で高耐熱、高耐久であるアルミナルツボを用いることで、コストを抑えることができる。本発明によれば、蛍光体が発する光のピーク波長を60nm程度シフトさせることができ、色の再現範囲を広くすることができる。また、平均演色評価数Raも一般的な作業環境に適した程度の値を得ることができ、良い照明環境を実現することができる。実施の形態1以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて説明する。図1は実施の形態1の発光ダイオード10の構成の一例を示す説明図である。図1において、1はリードフレームである。リードフレーム1の上部に設けられた凹部1aには、GaN系化合物半導体を発光層として有し、例えば、波長が430nm~550nmの範囲に発光ピークを有する発光素子としてのLEDチップ2がダイボンディングにより接着固定されており、LEDチップ2の一方の電極は、金線4によりリードフレーム1と、他方の電極は金線4によりリードフレーム3とワイヤボンディングされている。凹部1aには、後述する本発明に係る蛍光体7をエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂に混合させた混合物が凸状に充填された封止部5が形成されている。封止部5は、LEDチップ2を封止する。封止部5が形成されたリードフレーム1及びリードフレーム3の上部は、先端部が凸状のレンズ部をなす、エポキシ樹脂製のモールド部6に収納されている。蛍光体7は、波長が430~550nmの光で励起され、組成がBaa、Srb、Cac、Mgd、Zrx2SiO4Cly:Eu2zで示される。Euは付活剤である。ここで、モル比であるa、b、c、d、x、y、2zは、それぞれBa、Sr、Ca、Mg、Zr、Cl、Euのモル比である。モル比は、abcdx=1、0.001≦x≦0.1、0.001≦y≦0.1、0.02≦2z<0.6の関係を有する。図2は実施の形態1の発光ダイオード10の発光スペクトルの一例を示す説明図である。図2に示すように、LEDチップ2の発光のピーク波長は、437nmであるが、ピーク波長はこれに限定されるものではない。図2に示す発光ダイオード10の蛍光体7は、Baのモル比aを0.55、Srのモル比bを1.45、Caのモル比cを0、Mgのモル比dを0、Zrのモル比xを0、Clのモル比yを0.05、Euのモル比2zを0.07とした場合であり、蛍光体7が発する光のピーク波長は、552nmである。また、発光ダイオード10の平均演色評価数Raは67であり、色温度は7300K、色度座標x、yは、0.301、0.312であり、良好な白色発光ダイオードを実現することができた。図3は実施の形態1の蛍光体7の組成を変化させた場合の第1例を示す説明図である。図3の例では、Baのモル比aを0.55、Srのモル比bを1.45、Caのモル比cを0、Mgのモル比dを0、Zrのモル比xを0、Clのモル比yを0.05、Euのモル比2zを0.07、Siのモル比を1.00とした場合の発光強度を100として、以下、この場合を基準にして相対的な発光強度を示す。図3に示すように、Baのモル比aを0.549、Srのモル比bを1.45、Caのモル比cを0、Mgのモル比dを0、Zrのモル比xを0.001、Clのモル比yを0.05、Euのモル比2zを0.07、Siのモル比を1.00とした場合、蛍光体7のピーク波長は552nmから551nmとなり、発光強度は102となった。また、Baのモル比aを0.55、Srのモル比bを1.45、Caのモル比cを0、Mgのモル比dを0、Zrのモル比xを0.01、Clのモル比yを0.05、Euのモル比2zを0.07、Siのモル比を1.00とした場合、蛍光体7のピーク波長は545nmとなり、発光強度は96となった。また、Baのモル比aを0.50、Srのモル比bを1.40、Caのモル比cを0、Mgのモル比dを0、Zrのモル比xを0.10、Clのモル比yを0.05、Euのモル比2zを0.07、Siのモル比を1.00とした場合、蛍光体7のピーク波長は542nmとなり、発光強度は80となった。また、Baのモル比aを1.90、Srのモル比bを0、Caのモル比cを0、Mgのモル比dを0、Zrのモル比xを0.10、Clのモル比yを0.05、Euのモル比2zを0.07、Siのモル比を1.00とした場合、蛍光体7のピーク波長は503nmとなり、発光強度は115となった。また、Baのモル比aを0.3、Srのモル比bを1.30、Caのモル比cを0.40、Mgのモル比dを0、Zrのモル比xを0、Clのモル比yを0.05、Euのモル比2zを0.07、Siのモル比を1.00とした場合、蛍光体7のピーク波長は565nmとなり、発光強度は83となった。図3から分かるように、Zrのモル比xを0から0.10まで変化させた場合、蛍光体7が発する光のピーク波長は、565nmから503nmまで、60nm程度変化シフトさせることができる。図4は実施の形態1の蛍光体7の組成を変化させた場合の第2例を示す説明図である。図4の例では、Baのモル比aを0.66、Srのモル比bを1.30、Caのモル比cを0、Mgのモル比dを0.01、Zrのモル比xを0、Clのモル比yを0.001から0.10まで変化させ、Euのモル比2zを0.07、Siのモル比を1.00とした。図4に示すように、Clのモル比yを、0.001、0.05、0.10に変化させた場合、蛍光体7の発光のピーク波長は542nmで変化がない。また、Clのモル比yを、0.001、0.05、0.10に変化させた場合、発光強度は、74、100、92と変化した。なお、Clのモル比yが0.05の場合の発光強度を基準として100としている。図4から分かるように、Clのモル比yが0.001から0.10の範囲内にある場合、蛍光体7の発光のピーク波長には影響を与えない。図5は実施の形態1の蛍光体7の組成を変化させた場合の第3例を示す説明図である。図5の例では、Baのモル比aを0.55、Srのモル比bを1.45、Caのモル比cを0、Mgのモル比dを0、Zrのモル比xを0、Clのモル比yを0.05、Euのモル比2zを0.07、Siのモル比を1.00とした場合の発光強度を100として、以下、この場合を基準にして相対的な発光強度を示す。図5に示すように、Baのモル比aを0.50、Srのモル比bを1.40、Caのモル比cを0、Mgのモル比dを0、Zrのモル比xを0、Clのモル比yを0.05、Euのモル比2zを0.07、Siのモル比を1.00とした場合、蛍光体7のピーク波長は552nmで変化なく、発光強度は101となった。また、Baのモル比aを0.50、Srのモル比bを1.40、Caのモル比cを0、Mgのモル比dを0、Zrのモル比xを0、Clのモル比yを0.05、Euのモル比2zを0.02、Siのモル比を1.00とした場合、蛍光体7のピーク波長は552nmから546nmに変化し、発光強度は95となった。また、Baのモル比aを0.50、Srのモル比bを1.40、Caのモル比cを0、Mgのモル比dを0、Zrのモル比xを0、Clのモル比yを0.05、Euのモル比2zを0.40、Siのモル比を1.00とした場合、蛍光体7のピーク波長は559nmになり、発光強度は54となった。さらに、Baのモル比aを0.50、Srのモル比bを1.40、Caのモル比cを0、Mgのモル比dを0、Zrのモル比xを0、Clのモル比yを0.05、Euのモル比2zを0.60、Siのモル比を1.00とした場合、蛍光体7のピーク波長は561nmになり、発光強度は23となった。発光強度が23まで低下しているので、Euのモル比2zは、0.60未満zを0.3未満にすることが好ましい。図5から分かるように、Euのモル比2zを0.02から0.60へと変化させた場合、蛍光体7が発する光のピーク波長を、546nmから561nmまで15nm程度長波長側へ変化シフトさせることができる。なお、Euのモル比を2zではなくzで換算すれば、zは0.01から0.3となる。なお、図3~図5の例では、Caのモル比cが0であるが、Caを所要量含有することもできる。上述のように、本実施の形態によれば、Zr、Cl、Euのモル比x、y、2zを、0.001≦x≦0.1、0.001≦y≦0.1、0.02≦2z≦0.6とすることにより、蛍光体が発する光のピーク波長を60nm程度シフトさせることができ、色の再現範囲を広くすることができる。また、平均演色評価数Raも一般的な作業環境に適した程度の値を得ることができ、良い照明環境を実現することができる。次に、本実施の形態の蛍光体7の製造方法について説明する。原料として、BaCO3、SrCO3、CaCO3、MgCO3、及びSiO2を、モル比をa:b:c:d:1とし、かつ、ZrO2、NH4Cl、Eu2O3を、モル比をx:y:zとしてボールミル等で混合する。混合物を乾燥させた後、アルミナ等のルツボに投入し、N2に対するH2の濃度が1~4の雰囲気中において1200°Cで約2時間焼成する。焼成物を粉砕し、その後、再度1000°Cで1時間程度焼成する。これにより、結晶性の純度を上げる。なお、焼成温度は、1000°C~1300°Cの範囲内であればよい。室温まで冷却した後、焼結により得られた結合体を粉砕し、洗浄処理、乾燥処理を行った後、分級処理を行うことにより、本実施の形態の蛍光体7を製造することができる。図6は蛍光体の製造時の焼成温度と発光ダイオードの発光強度との関係を示す説明図である。図6に示すように、蛍光体7を製造する際の焼成温度が1000°C、1200°Cの場合、蛍光体7を含有する発光ダイオード10の発光強度は100相対的な発光強度である。また、焼成温度が1300°Cの場合、発光ダイオード10の発光強度は90である。しかし、焼成温度が1400°Cの場合、発光ダイオード10の発光強度は50に低下する。焼成温度を1400°Cとして製造した蛍光体のサンプルを分析したところ、Alの濃度が0.110であった。また、図6に示すように、焼成温度が1000°C~1300°Cの場合には、蛍光体に含まれるAlの濃度は、0.001~0.002であった。ルツボと接触した面を採取して分析すると、Alの濃度が0.3と高いことが分かった。1300°Cを超える高い温度で焼成した場合には、アルミナ等のルツボから蛍光体へAl元素が拡散し、拡散したAl元素により、発光強度が低下したと考えられる。図7は蛍光体に含まれるAlの濃度と発光ダイオードの発光強度との関係を示す説明図である。図7に示すように、焼成温度を1000°Cとし、Al2O3を混合し、蛍光体に含有するAlの濃度をそれぞれ0.001、0.002、0.051、0.101とした場合、発光強度は、100、91、78、62となった。このことからも、蛍光体に含有するAlの濃度が高く例えば、0.1以上なると発光ダイオードの発光強度が低下することが分かる。すなわち、本実施の蛍光体7のAlの含有量は0.1未満である。Alの含有量が0.1以上の場合の発光強度は、Alの含有量が0.001の場合の発光強度に対して40程度低下する発光強度が60程度になる。Alの含有量は0.1未満にすることにより、発光強度の低下を防止することができ、高輝度の発光ダイオードを実現することができる。また、焼成温度を1000°C~1300°Cとした場合、発光強度は90~100の範囲にあるが、焼成温度を1400°C以上とした場合、発光強度が50程度まで低下する。また、水素濃度が1~4の雰囲気中で焼成した場合でも、十分な発光強度90~100を得ることができ、設備を防爆仕様にする必要がなく簡便な設備で発光強度を大きくすることができる蛍光体を製造することができる。さらに、安価で高耐熱、高耐久であるアルミナルツボを用いることで、コストを抑えることができる。なお、蛍光体を製造する際に用いるSiO2には、Al元素が不純物として含まれている。しかし、焼成温度を1000°C~1300°Cの範囲内にすることにより、十分な発光強度を得ることができる。不純物であるAl元素の濃度が少ない純度の高いSiO2を用いた場合には、原料コストが2倍程度高くなるものの、発光強度の費用対効果はあまりないので、実用上は、0.001程度のAl元素が含まれていても問題はない。本実施の形態の発光ダイオード10は、前述の蛍光体7を含有するとともに、波長430~550nmの範囲内に発光ピークを有するLEDチップ2を備える。LEDチップ2が発する光により蛍光体7は励起されるので、色の再現範囲を広くすることができるとともに、平均演色評価数Raも一般的な作業環境に適した程度の値を有する発光ダイオードを得ることができる。また、高輝度の発光ダイオードを得ることができる。実施の形態2図8は実施の形態2の発光ダイオード20の構成の一例を示す説明図である。実施の形態2の発光ダイオード20は、表面実装型のLEDである。図8中、21はガラスエポキシ樹脂等からなる基板である。基板21の両端には、外部回路に接続するための外部電極11、13が基板21の上面及び下面に設けられている。外部電極11の中央部には、基板21の中央側に張り出させてチップ搭載部11aが設けられており、その端部に、GaN系化合物半導体を発光層として有するLEDチップ12が実装されている。外部電極13の中央部には、チップ搭載部11aに対向させて、内部電極13aが設けられている。LEDチップ12の一方の電極は、金線14によりチップ搭載部11aと、他方の電極は金線14により内部電極13aと接続されている。LEDチップ12は、実施の形態1と同様の蛍光体7とエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂との混合物からなるモールド部15により封止されている。蛍光体7は、実施の形態1と同様ですので、説明は省略する。なお、表面実装型の発光ダイオードは、図8に例示した構成に限定されるものではなく、他の構造にすることもできる。