"基板の表面に形成され、電極を有する接合凹部へはんだ粉末を供給する工程と、前記はんだ粉末が供給された前記基板を、はんだの溶融温度以上の温度に保たれた溶融フラックス浴へ浸漬させる工程と、前記基板を前記溶融フラックス浴から取り出す工程と、を有することを特徴とするはんだバンプ形成方法。前記溶融フラックス浴は、カルボン酸とエステルの混合物であることを特徴とする請求項1記載のはんだバンプ形成方法。前記混合物のカルボン酸とエステルの比率は、カルボン酸:エステル=50:50であることを特徴とする請求項2記載のはんだバンプ形成方法。前記はんだ粉末を供給する工程の前に、Niを含有する事前フラックスを前記接合凹部の前記電極へ供給することを特徴とする請求項1~3のいずれか一項記載のはんだバンプ形成方法。近年、電子部品の小型化に伴い、実装密度を向上させることが求められている。すなわち、回路基板の表面に、狭いピッチで多数のはんだバンプを形成することが求められている。このような要求に対し、従来の方法ではんだバンプを形成した場合、以下のような問題が生じる。例えば、印刷によってはんだバンプを形成する方法は、印刷可能な寸法精度、塗布量に制約下限があるため、高密度化に対応できないという問題がある。また、ボールマウントによる方法は、多数の位置へはんだボールをマウントする必要があり、コストが高くなり、作業も困難になるという問題がある。また、はんだを射出する方法は、多数の位置へはんだペーストを精度良く飛ばすことが困難であるという問題がある。本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、狭いピッチであっても、多数のはんだバンプを容易に、且つ、精度良く形成することができるはんだバンプの形成方法を提供することを目的とする。本発明に係るはんだバンプの形成方法は、基板の表面に形成され、電極を有する接合凹部へはんだ粉末を供給する工程と、はんだ粉末が供給された基板を、はんだの溶融温度以上の温度に保たれた溶融フラックス浴へ浸漬させる工程と、基板を溶融フラックス浴から取り出す工程と、を有することを特徴とする。本発明に係るはんだバンプの形成方法によれば、はんだ粉末が供給された基板を溶融フラックス浴へ浸漬させることで、各接合凹部へ供給されたはんだ粉末が溶融する。溶融したはんだは接合凹部の電極に接続され、基板が溶融フラックス浴から取り出されてはんだが固化することで、接合凹部の電極にはんだバンプが形成される。このとき、基板表面の接合凹部以外の部分にはんだ粉末が付着していたとしても、それらのはんだ粉末は溶融フラックス浴への浸漬により、溶融して基板から離れる。すなわち、はんだ粉末の供給の工程において、はんだバンプ形成位置以外の部分にはんだ粉末が付着する場合であっても、意図するはんだバンプ形成位置のみにはんだバンプを形成することができる。これにより、狭いピッチの接合凹部にはんだ粉末を供給する際に、供給位置や供給量に関して極めて高い精度を確保する必要が無くなる。すなわち、高い精度を要することなくはんだ粉末を供給し、基板全体を溶融フラックス浴に浸漬させることで、複数の接合凹部に正確にはんだバンプを形成することができる。また、基板全体がムラなく良好に加熱されるため、全てのはんだバンプが精度良く形成される。以上によって、狭いピッチであっても、多数のはんだバンプを容易に、且つ、精度良く形成することができる。本発明に係るはんだバンプの形成方法において、溶融フラックス浴は、カルボン酸とエステルの混合物であることが好ましい。これにより、基板を溶融フラックス浴に浸漬させたときは、はんだ粉末の酸化被膜が除去される。また、そのまま酸素を排除した環境化にて、はんだ粉末の溶融によりはんだバンプを形成することができる。更に、基板を溶融フラックス浴から取り出すときに、はんだバンプの表面を保護被膜酸化防止被膜で覆うことができる。具体的に、混合物のカルボン酸とエステルの比率は、カルボン酸:エステル=50:50であることが好ましい。本発明に係るはんだバンプの形成方法において、はんだ粉末を供給する工程の前に、Niを含有する事前フラックスを接合凹部の電極へ供給することが好ましい。電極にCuが含有されている場合にNiを含有する事前フラックスを供給することで、はんだバンプが形成される前に、電極の表面に金属間化合物Ni-Cuの保護層が形成される。これによって、はんだのSnと電極のCuとが反応するはんだ喰われを防止することができる。本発明によれば、狭いピッチであっても、多数のはんだバンプを容易に、且つ、精度良く形成することができる。以下、図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。なお、図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。図1は、本発明の実施形態に係るはんだバンプ形成方法によって、はんだバンプが形成された基板を示す断面図である。図1に示すように、基板1は、電極2が形成された回路基板である。基板1には、電極2を覆うようにレジスト層3が形成されている。レジスト層3のうち、はんだバンプ6が形成される位置には穴が形成され、電極2配線の端部が露出している。このように、基板1の表面1aには、接合凹部4が形成される。接合凹部4は、底面に電極2を有している。基板1の表面1aの接合凹部4には、電極2と電気的に接合されているはんだバンプ6が形成されている。電極2とはんだバンプ6との間には、保護層7が形成されている。本実施形態に係るはんだバンプ形成方法によれば、実装密度の高密度化に対応可能である。すなわち、隣り合う接合凹部4の間隔が狭く、接合凹部4が小さくても、高い形状精度のはんだバンプ6を形成することができる。具体的に、接合凹部4の間隔図1においてPで示される寸法が、30μm~100μm程度の狭い間隔であってもよい。また、接合凹部4の大きさ図においてRで示される寸法がφ15μm~φ50μm程度の小さいものであってもよい。なお、本実施形態に係る方法は、前述のような高密度なはんだバンプのみならず、通常の密度のはんだバンプの形成にも採用してよい。次に、図2~図4を参照して、本実施形態に係るはんだバンプ形成方法について説明する。図2は、本実施形態に係るはんだバンプ形成方法のフロー図である。図3,4は、本実施形態に係るはんだバンプ形成方法の内容を示す概略図である。図2に示すように、基板1を準備する基板準備工程から処理が開始されるステップS1。図3aに示すように、表面1aに接合凹部4が形成された基板1を準備する。基板1において、基板1の材料は、ガラスエポキシ、フェノール、ポリイミド、BTレジン、フッ素樹脂、アラミド、シリコン、セラミックのいずれか、またはそれらの組み合わせである。電極2の材料は、Cu、Au、Snはんだ材のいずれか、またはそれらの組み合わせである。レジスト層3の材料は、エポキシ、ポリイミドのいずれか、またはそれらの組み合わせである。次に、基板1の接合凹部4に事前フラックス11を供給する事前フラックス供給工程が行われるステップS2。図3aに示すように、接合凹部4の底面の電極2の表面は、略全面が事前フラックス11にて覆われる。S2で供給される事前フラックス11として、Ni含有フラックスが用いられる。Ni含有フラックスを用いることにより、電極2がCuを含有する場合、電極2とはんだバンプ6との間にNi-Cuの金属間化合物の保護層7を形成することができる。次に、基板1の接合凹部4にはんだ粉末12を供給するはんだ粉末供給工程が行われるステップS3。図3bに示すように、接合凹部4に供給されたはんだ粉末12は、少なくとも接合凹部4を覆う程度に供給される。はんだ粉末12は、3μm~35μm程度の粒径である。例えばペースト状のはんだを小さい接合凹部4に供給する場合例えばマスクプレートを用いてクリームはんだを印刷する場合や、はんだボールを接合凹部に押し当ててはんだバンプを形成する場合、表面張力の影響によって溶融はんだは接合凹部4の底部電極2が形成されているへ至り難い。一方、はんだ粉末12であれば、接合凹部4が小さくても、容易に底部電極2が形成されているへ至ることができる。はんだ粉末12として、Snを含有するものや、Ag、Cu、Ni、Zn、Ge、Pb、Bi等を有するものを用いることができる。はんだ粉末12を接合凹部4に供給する方法は、接合凹部4にはんだ粉末12を供給できるものであれば特に限定されないが、例えば以下の方法が挙げられる。例えば、基板1の表面1aの略全面に対してはんだ粉末12を供給してもよい。全ての接合凹部4に対して、一度にはんだ粉末12を供給することができるあるいは、所定範囲内の複数の接合凹部4に対して一度にはんだ粉末12を供給し、これを表面1aの全面に対して複数行うことで基板1の表面1aの全ての接合凹部4にはんだ粉末12を供給してもよい。この場合、接合凹部4のみならず、レジスト層3にもはんだ粉末12が供給されるが、後述のように、溶融フラックス浴15に浸漬したときにレジスト層3の表面から離れ、接合凹部4のはんだのみが残る。この方法を採用する場合、複数の接合凹部4に対して一度にはんだ粉末12を供給することができ、溶融フラックス浴15で複数の接合凹部4のはんだ粉末12を一度に溶融させることができる。すなわち、それぞれの接合凹部4のはんだの一つ一つについて処理する必要がなく、各工程において全ての接合凹部4のはんだを一括で処理することが可能となる。また、複数の接合凹部4に一度にはんだ粉末12を供給するため、基板によってバンプのパターンが異なる場合であっても、設備を変更することなく、同一の工程で対応可能である。従って、高い汎用性ではんだバンプ6を形成することができる。あるいは、接合凹部4に対応する位置に貫通孔を有するマスクを介してはんだ粉末12を供給してもよい。このとき、例えばマスクを介してはんだペーストを接合凹部4に塗布する場合例えば特許文献1の方法、はんだバンプ形成位置のみに決められた量のはんだを正確に印刷する必要がある。よって、接合凹部4が狭いピッチであり、且つ接合凹部4が小さい場合、極めて高い精度のマスクが必要となる。また、マスクの貫通孔が小さい場合、表面張力の影響などによりはんだペーストを通すことができない。しかし、本実施形態では、供給時のはんだ粉末12の一部が接合凹部4のみならず、レジスト層3の表面に付着することも許容されるため、はんだペーストを印刷する場合ほどの高い精度のマスクは要求されない。また、粉末状であるため、はんだ粉末12は、マスクの貫通孔が小さくても通ることができる。レジスト層3に付着したはんだ粉末12は、後述のように、溶融フラックス浴15に浸漬したときにレジスト層3の表面から離れ、接合凹部4のはんだのみが残る。この方法を採用する場合、複数の接合凹部4に対して一度にはんだ粉末12を供給することができ、溶融フラックス浴15で複数の接合凹部4のはんだ粉末12を一度に溶融させることができる。すなわち、それぞれの接合凹部4のはんだの一つ一つについて処理する必要がなく、各工程において全ての接合凹部4のはんだを一括で処理することが可能となる。マスクを用いることで、各接合凹部4に対するはんだ粉末12の供給量が一定となり、はんだバンプ6の形状精度を確保することができる。あるいは、はんだ粉末供給ノズルを接合凹部4の上方にセットし、当該ノズルから所定量のはんだ粉末12を供給し、隣の接合凹部4へ移動してはんだ粉末12を供給してよい。このとき、例えばジェットディスペンサによりはんだバンプを形成する場合例えば特許文献3の方法は、はんだバンプ形成位置のみに決められた量のはんだを正確に供給する必要がある。よって、接合凹部4が狭いピッチであり、且つ接合凹部4が小さい場合、位置合わせや供給量について極めて高い精度が要求される。しかし、本実施形態では、供給時のはんだ粉末12の一部が接合凹部4のみならず、レジスト層3の表面に付着することも許容されるため、ジェットディスペンサほどの高い精度は必要とされない。レジスト層3に付着したはんだ粉末12は、後述のように、溶融フラックス浴15に浸漬したときにレジスト層3の表面から離れ、接合凹部4のはんだのみが残る。各接合凹部4に対するはんだ粉末12の供給量を制御することで、はんだバンプ6の形状精度を確保することができる。次に、接合凹部4にはんだ粉末12が供給された基板1を溶融フラックス浴15へ浸漬させる浸漬工程を行うステップS4。図3c及び図4aに示すように、完全に溶融フラックス浴15内に漬かるように、基板1を溶融フラックス浴15に浸漬させる。このとき、接合凹部4のはんだ粉末12がこぼれないように、基板1の表面1aの姿勢を保つ。溶融フラックス浴15の温度は、少なくともはんだ粉末12の溶融温度以上に保たれている。例えば、溶融フラックス浴15は220°C~260°C程度に保たれていることが好ましい。溶融フラックス浴15は、カルボン酸溶質とエステル溶媒の混合物である。溶質であるカルボン酸は、例えば、飽和脂肪酸バルミチン酸、ステアリン酸などが挙げられる。溶媒であるエステルは、例えば、カルボン酸エステルである。カルボン酸エステルとして、アルコールをカルボン酸がエステル化した化合物であり、高級脂肪酸とグリセリン3価のアルコールとのエステルである油脂が例示される。溶融フラックス浴15の混合物におけるカルボン酸とエステルの比率は、カルボン酸:エステル=10:90~90:10であることが好ましく、カルボン酸:エステル=50:50とすることが特に好ましい。次に、溶融フラックス浴15の中で基板1を保持する保持工程を行うステップS5。図4bに示すように、基板1を溶融フラックス浴15に浸漬させた状態で所定時間保持し、はんだ粉末12を溶融させる。基板1を浸漬させる時間は、例えば5~10秒程度である。基板1が溶融フラックス浴15内に保持されることで、接合凹部4に供給されたはんだ粉末12は、溶融して電極2に接続されたはんだバンプ6として形成される。このとき、基板1の全体が溶融フラックス浴15に浸漬しているため、それぞれの接合凹部4のはんだ粉末12を同時にムラなく溶融処理することができる。また、電極2上を覆っている事前フラックス11が、電極2の表面に金属間化合物の保護層7を形成する。例えば、電極2がCuを含有し、事前フラックス11がNi含有フラックスであった場合、Ni-Cuの金属間化合物による保護層7が形成される。当該保護層7が、はんだのSnと電極2のCuが反応することによるはんだ喰われを防止する。一方、基板1の表面1aのうち接合凹部4以外の部分、すなわちレジスト層3上に付着していたはんだ粉末12Eも溶融する。レジスト層3は溶融したはんだに対する濡れ性が良くないため、溶融はんだ6Eは、レジスト層3の表面から離れ、溶融フラックス浴15内に流れて行く。これにより、はんだバンプ6が接合凹部4のみに形成される。次に、溶融フラックス浴15から基板1を取り出す取り出し工程が行われるステップS6。溶融していたはんだが冷えて固まることで、基板1の電極2に形成されるはんだバンプ6が完成する。以上により、図2に示すフローが終了する。本実施形態に係るはんだバンプの形成方法の作用効果について説明する。本実施形態に係るはんだバンプの形成方法によれば、はんだ粉末12が供給された基板1を溶融フラックス浴15へ浸漬させることで、各接合凹部4へ供給されたはんだ粉末12が溶融する。溶融したはんだは接合凹部4の電極2に接続され、基板1が溶融フラックス浴15から取り出されてはんだが固化することで、接合凹部4の電極2にはんだバンプ6が形成される。このとき、基板1の表面1aの接合凹部4以外の部分にはんだ粉末12Eが付着していたとしても、それらのはんだ粉末12Eは溶融フラックス浴15への浸漬により、溶融して基板1から離れる。すなわち、はんだ粉末12の供給の工程において、はんだバンプ形成位置以外の部分にはんだ粉末12Eが付着する場合であっても、意図するはんだバンプ形成位置のみにはんだバンプ6を形成することができる。これにより、狭いピッチの接合凹部4にはんだ粉末12を供給する際に、供給位置や供給量に関して極めて高い精度を確保する必要が無くなる。すなわち、高い精度を要することなくはんだ粉末12を供給し、基板1全体を溶融フラックス浴15に浸漬させることで複数の接合凹部4に正確にはんだバンプ6を形成することができる。また、基板1全体がムラなく良好に加熱されるため、全てのはんだバンプが精度良く形成される。以上によって、狭いピッチであっても、多数のはんだバンプ6を容易に、且つ、精度良く形成することができる。また、はんだバンプの形成方法において、溶融フラックス浴15は、カルボン酸とエステルの混合物である。これにより、基板1を溶融フラックス浴15に浸漬させたときは、はんだ粉末12の酸化被膜が除去される。また、そのまま酸素を排除した環境化にて、はんだ粉末12の溶融によりはんだバンプ6を形成することができる。更に、基板1を溶融フラックス浴15から取り出すときに、はんだバンプ6の表面を溶融フラックス浴15の混合物による保護被膜酸化防止被膜で覆うことができる。また、はんだバンプの形成方法において、はんだ粉末12を供給する工程の前に、Niを含有する事前フラックス11を接合凹部4の電極へ供給する。電極2にCuが含有されている場合にNiを含有する事前フラックス11を供給することで、はんだバンプ6が形成される前に、電極2の表面に金属間化合物Ni-Cuの保護層7が形成される。これによって、はんだのSnと電極2のCuとが反応するはんだ喰われを防止することができる。本発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。例えば、はんだ粉末12を供給する前に、電極に事前フラックス11を供給しなくともよい。また、溶融フラックス浴の混合物も実施形態に例示したものに限らず、はんだを溶融させることができるものであれば特に限定されない。"