"光電変換部と、前記光電変換部に含まれる転位不活性部と、を備える光電変換装置。前記転位不活性部は、結晶欠陥を含むように形成される請求項1に記載の光電変換装置。前記転位不活性部は、光電変換機能を有する請求項1に記載の光電変換装置。前記転位不活性部上に形成される第1伝導部と、前記転位不活性部下に形成される第2伝導部とを備え、前記第1伝導部は第1バンドギャップエネルギーを有し、前記第2伝導部は第2バンドギャップエネルギーを有し、前記転位不活性部は第3バンドギャップエネルギーを有し、前記第3バンドギャップエネルギーは前記第1および前記第2バンドギャップエネルギーのいずれかよりも小さい請求項1に記載の光電変換装置。第1伝導型からなる第1InxGayAl1-x-yN層と、前記第1InxGayAl1-x-yN層上に形成されるInxGayAl1-x-yN光電変換部と、前記InxGayAl1-x-yN光電変換部上に形成され、第2伝導型からなる第2InxGayAl1-x-yN層と、を備える光電変換装置であって、前記xおよびyの範囲は0≦x,y≦1であり、前記InxGayAl1-x-yN光電変換部は、InN転位不活性部を有する光電変換装置。前記InN転位不活性部は、層厚が2分子層以下である請求項5に記載の光電変換装置。前記InN転位不活性部は、結晶欠陥を含むように形成される請求項5に記載の光電変換装置。第1伝導型からなる第1InxGayAl1-x-yN層と、前記第1InxGayAl1-x-yN層上に形成されるInxGayAl1-x-yN光電変換部と、前記InxGayAl1-x-yN光電変換部上に形成され、第2伝導型からなる第2InxGayAl1-x-yN層と、を備える光電変換装置の結晶欠陥検出方法であって、前記xおよびyの範囲は0≦x,y≦1であり、前記InxGayAl1-x-yN光電変換部は、InN転位検出部を有し、前記InN転位検出部は、結晶欠陥を含むよう形成され、前記InN転位検出部からの発光特性に基づいて、結晶欠陥を検出する結晶欠陥検出方法。前記InN転位検出部は、層厚が2分子層以下である請求項8に記載の結晶欠陥検出方法。前記InN転位検出部からのカソードルミネッセンスに基づいて、結晶欠陥を検出する請求項8に記載の結晶欠陥検出方法。特許文献1および2に記載される結晶欠陥低減技術は、当業者にとってすれば、選択成長もしくは横方向成長と称される結晶成長技術に属する。この横方向成長プロセスには、通常の結晶成長に付随して、マスク形成などの表面加工プロセスが必要となる。このことは、工程数の増加を招くため、歩留まりや製造コストの点で問題が生じることになる。本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、製造工程数を増やすことなく、結晶欠陥による特性劣化を抑制する光電変換装置、および光電変換装置に内在する結晶欠陥の検出方法を提供することを目的とする。本発明の第1態様に係る光電変換装置は、光電変換部と、光電変換部に含まれる転位不活性部と、を備える。本発明の第1態様に係る光電変換装置では、転位不活性部は、結晶欠陥を含むように形成されてもよい。本発明の第1態様に係る光電変換装置では、転位不活性部は、光電変換機能を有してもよい。本発明の第1態様に係る光電変換装置は、転位不活性部上に形成される第1伝導部と、転位不活性部下に形成される第2伝導部とを更に備えてもよく、第1伝導部は第1バンドギャップエネルギーを有し、第2伝導部は第2バンドギャップエネルギーを有し、転位不活性部は第3バンドギャップエネルギーを有してもよく、第3バンドギャップエネルギーは第1および第2バンドギャップエネルギーのいずれかよりも小さくてもよい。また本発明の第2態様に係る光電変換装置は、第1伝導型からなる第1InxGayAl1-x-yN層と、第1InxGayAl1-x-yN層上に形成されるInxGayAl1-x-yN光電変換部と、InxGayAl1-x-yN光電変換部上に形成され、第2伝導型からなる第2InxGayAl1-x-yN層と、を備え、xおよびyの範囲は0≦x,y≦1であり、InxGayAl1-x-yN光電変換部は、InN転位不活性部を有する。本発明の第2態様に係る光電変換装置では、InN転位不活性部は、層厚が2分子層以下であってもよい。本発明の第2態様に係る光電変換装置では、InN転位不活性部は、結晶欠陥を含むように形成されてもよい。本発明の第3態様に係る光電変換装置の結晶欠陥検出方法は、第1伝導型からなる第1InxGayAl1-x-yN層と、第1InxGayAl1-x-yN層上に形成されるInxGayAl1-x-yN光電変換部と、InxGayAl1-x-yN光電変換部上に形成され、第2伝導型からなる第2InxGayAl1-x-yN層と、を備える光電変換装置の結晶欠陥検出方法であって、xおよびyの範囲は0≦x,y≦1であり、InxGayAl1-x-yN光電変換部は、InN転位検出部を有し、InN転位検出部は、結晶欠陥を含むよう形成されており、InN転位検出部からの発光特性に基づいて、結晶欠陥を検出する結晶欠陥検出方法である。本発明の第3態様に係る光電変換装置の結晶欠陥検出方法では、InN転位検出部は、層厚が2分子層以下であってもよい。本発明の第3態様に係る光電変換装置の結晶欠陥検出方法では、InN転位検出部からのカソードルミネッセンスに基づいて、結晶欠陥を検出してもよい。以上説明したように、本発明によれば、光電変換装置に結晶欠陥が内在している場合でも、製造工程数を増やすことなく、結晶欠陥による特性劣化を抑制することができる。さらに、結晶欠陥の検出を容易にするので、光電変換装置の製品検査を簡便にすることができる。以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。但し、この実施例の記載は、本発明の範囲をそれに限定する趣旨ではなく、単なる説明例に過ぎない。[第1実施形態]図1は、本願発明の第1実施形態に係る光電変換装置10の構成例を示すブロック図である。図1において、光電変換装置10は、n型窒化ガリウム以下、n-GaNという。層11と、n-GaN層11上に形成される光電変換部Activelayer12と、光電変換部12上に形成されるp型窒化ガリウム以下、p-GaNという。層13と、光電変換部12に含まれる転位不活性部14と、を有して構成され、周知の半導体製造技術などで形成される。なお窒化物系半導体では、適当な成長基板が殆ど存在しないことから、光電変換素子10を構成する場合、n-GaN層11と基板図面省略との界面から発生する貫通転位などの結晶欠陥21を1×108cm-2から1×1010cm-2程度と高密度に含む。n-GaN層11は、電子を輸送するために用いられ、p-GaN層13は、正孔を輸送するために用いられる。従って、n-GaN層11及びp-GaN層13それぞれの抵抗率及び層厚は、キャリア輸送集率の観点から、それぞれが好適に調整される。光電変換部12は、発光素子の場合では、注入された電子-正孔を再結合過程によって光に変換し、受光素子の場合では、吸収した光を電子-正孔に変換する。この機能を有する限りにおいて限定されるわけではないが、光電変換部12は、例えば、窒化ガリウムGaN、窒化インジウムガリウムInGaN、または窒化インジウムInNを含んで、n-GaN層11およびp-GaN層13のいずれかよりも小さい禁制帯幅バンドギャップエネルギーを有するように構成されていることが好ましい。ここで転位不活性部14について説明する。ここでは、転位不活性部14がInN超薄膜であり、光電変換部12がGaNである例を用いて説明する。InNがGaN上にエピタキシー成長されるとき、例えば、c面成長する場合では、InNとGaNでは約11の格子不整合度を有しているため、結晶成長中に高密度の結晶欠陥を新たに導入してしまう。この結晶欠陥は、光電変換素子における変換効率を著しく劣化させることとなる。しかしながら、InNが2分子層2ML以下であれば、結晶欠陥を導入せずに弾性変形を保持し、下地であるGaNに対してコヒーレント成長可能であることを本発明者らは見出した。さらに、この2分子層以下の超薄膜InNでは、GaNとの非混和性によって極めて構造完全性に優れた結晶成長が実現される。この結果、自己秩序的かつ自己停止的な形成プロセスが可能となり、原子層オーダで急峻なInN/GaN界面が形成される。光電変換部12内に上記超薄膜InNを挿入すると、この超薄膜InNを井戸層とし、GaNをバリア層とした量子井戸構造が構成される。すなわち、超薄膜InN量子井戸層は、光電変換部12の一部として機能してもよい。図2に示すように、結晶欠陥21が光電変換部12内部で超薄膜InNを貫くと、通常の概念では、これらは非発光中心となり、光電変換部12での変換効率量子効率を低減させると考えられる。しかしながら、超薄膜InNは、この常識に反して、結晶欠陥21によって貫かれているとしても、その貫通点は非発光中心にはならないことを発明者らは見出した。すなわち、超薄膜InNは、それ自体が光電変換部12の一部を構成するだけでなく、結晶欠陥による非発光性を消滅させる転位不活性部14を構成できることを発明者らは見出した。この従来の常識から逸脱した転位不活性部14の作用効果について、超薄膜InNに特有な物性と併せて説明する。図3は、層厚が1分子層に制御された超薄膜InN1ML-InN井戸層とGaN層とによって構成される量子井戸構造を、GaN下地層GaNunderlayer上に成長させた試料のカソードルミネッセンスCL観察を行った結果CL像を示すものである。CL観察とは、試料表面から加速電子線を照射し、試料からの蛍光分光測定を行うことを指す。加速電子線の加速電圧Vaccを制御することで、電子線の侵入深さを制御し、所望の層構造領域深さ位置の発光分布情報を得ることができる。図3は、観察領域を19×19μm2とし、同一視野において加速電圧Vaccを変化させた場合のそれぞれのCL像を示している。加速電圧Vaccが3kV、6kV、14kV、18kVとは、電子線侵入長の48nm、160nm、710nm、1100nmにそれぞれ対応する。すなわち、加速電圧Vaccが3kVおよび6kVの場合、主に1ML-InN量子井戸からの発光分布が観測され、加速電圧Vaccが14kVおよび18kVの場合、主にGaN下地層からの発光分布が観測される。CL像では、白いコントラストは発光領域に対応し、黒いコントラストは非発光領域非発光中心、すなわち結晶欠陥21が存在していることに対応する。まず、加速電圧Vaccが14kVおよび18kVのCL像に注目する。幾つかの暗点が観測され、これらはGaN下地層に含まれる結晶欠陥であると考えられる。これらの暗点に、目印としての円形枠を図示してある。一方図3において、加速電圧Vaccが3kVおよび6kVのCL像に注目すると、結晶欠陥に付けた目印である円形枠の領域が、周囲より相対的に明るく光っていることがわかる。従来から、GaN下地層に結晶欠陥21が含まれている領域では、その上に成長された量子井戸も、結晶欠陥21の影響により発光効率は劣化すると考えられてきた。しかし、超薄膜InNはこの常識に反して、結晶欠陥21の存在に関わらず発光効率は劣化しないことが初めて示された。この驚くべき実験事実は、超薄膜InNは、それ自体が光電変換部12の一部を構成するだけでなく、結晶欠陥による非発光性を消滅させる転位不活性部14を構成できることを明示している。また、図3に示されている実験結果を、別の視点で解釈を与えると、超薄膜InNは表面被覆率が1未満のアイランド状に形成されているとも考えられる。以下では、このアイランド状超薄膜InN形成とその作用効果について説明する。図3において、加速電圧Vaccが3kVおよび6kVのCL像、すなわち、1ML-InN量子井戸領域の発光分布像では、目印としての円形枠で図示された領域が周囲より相対的に明るいことは、この領域にのみ量子井戸構造が形成されて、発光強度が向上したとも理解できる。すなわち、超薄膜InNが結晶欠21を含むように選択的に成長されており、図4に示すようなアイランド構造になっていると考えられる。すなわち、転位不活性層14は、必ずしも表面被覆率が1である連続膜である必要はなく、結晶欠陥21を含むようなアイランド状、すなわち、表面被覆率が1未満の構成でも、結晶欠陥21による非発光性を消滅させることができる。以上述べたように、第1実施形態により、光電変換装置10の光電変換部12に結晶欠陥21が内在している場合でも、結晶欠陥21による特性劣化を抑制することができる。[応用例1]窒化物半導体による光電変換素子の第1の応用として、紫外波長域での発光ダイオードLEDが注目されている。特に、GaNのバンド端波長である365nmより短波長領域では、発光波長の短波長化に伴い、発光効率が急激に劣化する。ここでは、超薄膜InNの非発光中心抑制効果による、紫外LEDの高効率化について説明する。図5は、本願発明の第1実施形態に係る応用例1である光電変換装置30の構成例を示すブロック図である。図5において、光電変換装置30は、n型窒化アルミニウムガリウム以下、n-AlGaN層31と、前記n-AlGaN層31上に形成される光電変換部Activelayer32と、前記光電変換部32上に形成されるp型窒化アルミニウムガリウム以下、p-AlGaN層33と、転位不活性部34を含む光電変換部32と、を有して構成され、周知の半導体製造技術などで形成される。光電変換部32は、例えば、窒化ガリウムGaN、窒化アルミニウムガリウムAlGaN、または窒化アルミニウムインジウムガリウムAlInGaNなどによって構成され、n-AlGaN層31およびp-AlGaN層33のいずれかよりも小さい禁制帯幅バンドギャップエネルギーを有するように構成されていることが好ましい。転位不活性部34は、超薄膜InNによって構成される。n-AlGaN層31は、電子を輸送するために用いられる。p-AlGaN層33は、正孔を輸送するために用いられる。従って、n-AlGaN層31およびp-AlGaN層33の抵抗率および層厚はキャリア輸送を効率よく行うために、それぞれが好適に調整される。光電変換部32は、注入された電子-正孔を再結合過程によって紫外光に変換する。次に、転位不活性部34によって、非発光中心が抑制され、紫外LEDが高効率化されることについて説明する。ここでは、光電変換部32がAlGaNである場合について説明する。n-AlGaN層31、p-AlGaN層33、および光電変換部32をそれぞれ構成するAlGaNのAl組成を増加させることで、紫外LEDの発光波長が短波長化される。しかし、一般にAlGaNのAl組成が増加すると、結晶成長の困難性がより顕著となり、光電変換装置30に含まれる結晶欠陥21の密度も増大する。そのため、発光効率が劣化する。ところが、光電変換部32に超薄膜InNを挿入すると、図3で示したように、結晶欠陥21による非発光性が低減される。すなわち、紫外LEDである光電変換装置30において、転位不活性部34を超薄膜InNによって構成することによって、発光波長の短波長化に伴う発光効率の劣化を抑制することができる。以上、応用例1により、光電変換装置30の光電変換部32に結晶欠陥21が内在している場合でも、結晶欠陥21による特性劣化を抑制することができる。[応用例2]窒化物半導体による光電変換素子の第2の応用として、緑色レーザーおよび赤色-赤外波長域での発光ダイオードLEDが注目されている。特に、500nmより長波長領域では、発光波長の長波長化に伴い、発光効率が急激に劣化する。ここでは、超薄膜InNの非発光中心抑制効果による、緑色レーザーおよび赤色-赤外波長域LEDの高効率化について説明する。図6は、本願発明の第1実施形態に係る応用例2である光電変換装置40の構成例を示すブロック図である。図6において、光電変換装置40は、n型窒化インジウムガリウム以下、n-InGaN層41と、前記n-InGaN層41上に形成される光電変換部Activelayer42と、前記光電変換部42上に形成されるp型窒化インジウムガリウム以下、p-InGaN層43と、前記光電変換部42に含まれる転位不活性部44と、によって構成され、周知の半導体製造技術などで形成される。光電変換部42は、例えば、窒化インジウムInN、窒化インジウムガリウムInGaN、または窒化アルミニウムインジウムガリウムAlInGaNなどによって構成され、n-InGaN層41およびp-InGaN層43のいずれかよりも小さい禁制帯幅バンドギャップエネルギーを有するように構成されていることが好ましい。転位不活性部44は、超薄膜InNによって構成される。n-InGaN層41は、電子を輸送するために用いられる。p-InGaN層43は、正孔を輸送するために用いられる。従って、n-InGaN層41およびp-InGaN層43の抵抗率および層厚はキャリア輸送を効率よく行うために、それぞれが好適に調整される。光電変換部42は、注入された電子-正孔を再結合過程によって光に変換する。次に、転位不活性部44によって、非発光中心が抑制され、緑色レーザーおよび赤色-赤外波長域LEDが高効率化されることについて説明する。ここでは、光電変換部42がInGaNである場合について説明する。n-InGaN層41、p-InGaN層43、および光電変換部42をそれぞれ構成するInGaNのIn組成を増加させることで、緑色レーザーおよび赤色-赤外波長域LEDの発光波長が長波長化される。しかし、一般にInGaNのIn組成が増加すると、結晶成長の困難性がより顕著となり、光電変換装置40に含まれる結晶欠陥21の密度も増大する。そのため、発光効率が劣化する。ところが、光電変換部42に超薄膜InNを挿入すると、図3で示したように、結晶欠陥21による非発光性が低減される。すなわち、緑色レーザーおよび赤色-赤外波長域LEDである光電変換装置40において、転位不活性部44を超薄膜InNによって構成することによって、発光波長の長波長化に伴う発光効率の劣化を抑制することができる。以上、応用例2により、光電変換装置40の光電変換部42に結晶欠陥21が内在している場合でも、結晶欠陥21による特性劣化を抑制することができる。[応用例3]窒化物半導体による光電変換素子の第3の応用として、広い太陽光スペクトルに対応する太陽電池が注目されている。特に、窒化物半導体は、高密度の結晶欠陥を含むため、太陽電池の接合特性が粗悪である。ここでは、超薄膜InNの転位不活性効果による、窒化物太陽電池の高効率化について説明する。図7は、本願発明の第1実施形態に係る応用例3である光電変換装置50の構成例を示すブロック図である。図7において、光電変換装置50は、n型窒化アルミニウムインジウムガリウム以下、n-AlInGaN層51と、前記n-AlInGaN層51上に形成される光電変換部Depletionlayer52と、前記光電変換部52上に形成されるp型窒化アルミニウムインジウムガリウム以下、p-AlInGaN層53と、前記光電変換部52に含まれる転位不活性部54と、によって構成され、周知の半導体製造技術などで形成される。光電変換部52は、例えば、窒化ガリウムGaN、窒化インジウムガリウムInGaN、窒化アルミニウムインジウムAlInN、または窒化アルミニウムインジウムガリウムAlInGaNなどによって構成され、n-AlInGaN層51およびp-AlInGaN層53のいずれかよりも小さい禁制帯幅バンドギャップエネルギーを有するように構成されていることが好ましい。転位不活性部54は、前記超薄膜InNによって構成される。n-AlInGaN層51は、電子を輸送するために用いられる。p-AlInGaN層53は、正孔を輸送するために用いられる。従って、n-AlInGaN層51およびp-AlInGaN層53の抵抗率および層厚はキャリア輸送集率の観点から、それぞれが好適に調整される。光電変換部52は、吸収した光を電子-正孔に変換する。次に、転位不活性部54によって、太陽電池の接合特性が改善され、窒化物太陽電池が高効率化されることについて説明する。ここでは、光電変換部52がInGaNである場合について説明する。n-AlInGaN層51、p-AlInGaN層53、および光電変換部52をそれぞれ構成するInGaNのIn組成を増加させることで、太陽光スペクトルのほぼ全域をカバーする太陽電池が構成される。しかし、一般にAlInGaNおよびInGaNのIn組成が増加すると、結晶成長の困難性がより顕著となり、光電変換装置50に含まれる結晶欠陥21の密度も増大する。そのため、太陽電池の接合特性が劣化し、太陽電池の変換効率も低減される。ところが、光電変換部52に超薄膜InNを挿入すると、図3で示したように、結晶欠陥21による転位不活性効果が発現される。すなわち、太陽電池である光電変換装置50において、転位不活性部54を超薄膜InNによって構成することによって、太陽電池の接合特性劣化に伴う変換効率の低下を抑制することができる。以上、応用例3により、光電変換装置50の光電変換部52に結晶欠陥21が内在している場合でも、結晶欠陥21による特性劣化を抑制することができる。[第2実施形態]第1実施形態では、超薄膜InNによる転位不活性部の作用効果について述べた。ところで、図3に示されている実験結果を、別の視点で解釈を与えると、超薄膜InNは転位検出部15として利用できることがわかる。以下、超薄膜InNによる転位検出部15の作用効果について説明する。超薄膜InNの成長メカニズムとは、設計膜厚より過剰なInNを供給し、成長表面での蒸発脱離による自己秩序的かつ自己停止的なプロセスである。ところが、結晶欠陥が存在する領域ではInNがピン止めされるために、結晶欠陥を含まない領域に対して、蒸発脱離レートが抑制されていると考えられる。そのため、図4で示されるように、超薄膜InNは結晶欠陥が存在する領域のみに分数層InNとして成長されていると解釈される。分数層InNとは、表面被覆率が1以下であることを意味し、例えば、0.5分子層とは、1分層厚かつ表面被覆率が50であるアイランド構造、すなわち、量子ディスク構造であることに対応する。一般に、結晶転位の検出するためには、透過型電子顕微鏡による観察手段、もしくは、エッチング処理によるピットエッチピット検出が知られているが、いずれの手法も試料の破壊検査に属し、その工程も複雑となる。ところが、カソードルミネッセンスCL観察は、基本的に非破壊検査に属し、かつ試料に対しての事前処理は必要ない。そのため、結晶欠陥の検出が容易となるので、光電変換装置の製品検査を簡便にすることができる。また、従来のCL観察では、結晶欠陥をCL像における暗点として評価していた。これは、発光効率の高い試料では、暗点とのコントラスト比が高く取れるので問題はないが、発光効率の低い試料、すなわち、転位検出の必要性が高い場合では、比較的暗い視野の中に暗点が存在することになり、CL像の明暗コントラストが十分に得られない。ところが、本実施形態では、光電変換装置10における光電変換部12に超薄膜InNを挿入することで、超薄膜InNが結晶欠陥21を含むよう形成され、なおかつ発光特性を示すことから、転位検出部15として利用できる。以上述べたように、第2実施形態により、光電変換装置10の光電変換部12に結晶欠陥21が内在している場合に、転位検出部15を観測することで、容易に結晶欠陥21を検出でき、光電変換装置10の製品検査を簡便にすることができる。なお、上述した各実施形態では、超薄膜InNが1層で構成される例について述べたが、これだけに限定されず、例えば、多数層挿入された構成も可能である。また、本願発明は、上記実施形態によって限定されるものではなく、発明の意図から逸脱しない範囲での、変形、置換、省略がなされてもよいものとする。また、上記の実施形態から明らかなように、光電変換部を挟み込む窒化物を含む層は伝導性を有しており、それぞれ第1伝導部と第2伝導部として表現することができ、材料に着目すると、第1伝導部と第2伝導部はそれぞれInxGayAl1-x-yN層として表現することができ、特に第1伝導部を第1伝導型InxGayAl1-x-yN層、第2伝導部を第2伝導型InxGayAl1-x-yN層と表現することができる。なお、それらにおけるx,yは同じであっても異なっていても良く、xおよびyの範囲は0≦x,y≦1であっても良い。また、上記実施形態から明らかなように、上記光電変換部はInxGayAl1-x-yN層として表現することができる。また、上記実施形態から明らかなように、上記第1伝導部、第2伝導部及び光電変換部はそれぞれバンドギャップエネルギーを有しており、第3伝導部のバンドギャップエネルギー第3バンドギャップエネルギーは第1伝導部のバンドギャップエネルギー第1バンドギャップエネルギーおよび第2伝導部のバンドギャップエネルギー第1バンドギャップエネルギーのいずれかよりも小さいことが好ましい。"