"反射面を有するミラー部と、給電により該ミラー部を駆動するアクチュエータと、前記アクチュエータに給電するための複数の電極とを備えた光スキャナの製造方法であって、前記光スキャナを形成する加工ウエハの一方の表面を所定の光スキャナ素子パターンに従って加工する際に、光スキャナ素子をチップとして個片化するためのダイシングストリートを形成する工程と、前記加工ウエハが前記光スキャナ素子のミラーを中心とする可動部に対応したキャビティを有する支持基板を、前記可動部が前記キャビティの内側に位置して当該支持基板に接触しないように前記加工ウエハの一方の表面に仮接合する工程と、前記加工ウエハのもう一方の表面を所定の光スキャナ素子パターンに従って加工する際に、前記光スキャナ素子をチップとして個片化するためのダイシングストリートを形成する工程と、前記加工ウエハが前記支持基板に仮接合された状態で、前記加工ウエハの仮接合面と反対側の面を粘着フィルムに貼り付け、仮接合に用いた部材の接合力を消失させて前記加工ウエハから前記支持基板を剥離する工程と、前記粘着フィルムをエキスパンドさせた後、各光スキャナ素子をピックアップしてパッケージングする工程とを備えることを特徴とする光スキャナの製造方法。前記光スキャナ素子をピックアップして、ダイボンド工程の前にテスティングを実施し、良品素子と不良素子とを選別し、良品素子のみを光スキャナパッケージとして仕上げることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。前記支持基板と前記加工ウエハとの仮接合に用いる接合部材は、紫外線の照射又は加熱によって硬化し、温水又は溶剤に浸すことによって剥離する材料からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の製造方法。前記支持基板は洗浄処理によって繰り返し使用可能なガラス又は石英からなることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の製造方法。上記のように、保護テープに貼り付けてダイシングした後に同テープをエキスパンドする際又は剥離する際に、MEMS光スキャナのミラー又はトーションバーが破損してしまうという従来の問題点に鑑み、本発明は、ウエハレベルパッケージ等の複雑で高価な工法を用いずに、光スキャナ素子構造の破損を防止しながら各素子を個片として加工できる光スキャナの製造方法を提供することを目的とする。本発明は、反射面を有するミラー部と、給電により該ミラー部を駆動するアクチュエータと、前記アクチュエータに給電するための複数の電極とを備えた光スキャナの製造方法であって、前記光スキャナを形成する加工ウエハの一方の表面を所定の光スキャナ素子パターンに従って加工する際に、光スキャナ素子をチップとして個片化するためのダイシングストリートを形成する工程と、前記加工ウエハが前記光スキャナ素子のミラーを中心とする可動部に対応したキャビティを有する支持基板を、前記可動部が前記キャビティの内側に位置して当該支持基板に接触しないように前記加工ウエハの一方の表面に仮接合する工程と、前記加工ウエハのもう一方の表面を所定の光スキャナ素子パターンに従って加工する際に、前記光スキャナ素子をチップとして個片化するためのダイシングストリートを形成する工程と、前記加工ウエハが前記支持基板に仮接合された状態で、前記加工ウエハの仮接合面と反対側の面を粘着フィルムに貼り付け、仮接合に用いた部材の接合力を消失させて前記加工ウエハから前記支持基板を剥離する工程と、前記粘着フィルムをエキスパンドさせた後、各光スキャナ素子をピックアップしてパッケージングする工程とを備えることを特徴とする。本発明によれば、光スキャナのミラーを中心とする可動部に対応したキャビティを有する支持基板を加工ウエハに仮接合した状態で、可動部が他に接触することなく、光スキャナ素子が個片化されるので、製造時に素子構造が破損することがない。また、ダイシングテープや保護剤を用いたり、ウエハレベルパッケージ等の複雑で高価な工法を用いないので、従来より低いコストで光スキャナ素子構造の破損防止と個片化を達成できる。また、本発明の方法で作製した光スキャナ素子をピックアップして、ダイボンド工程の前にテスティングを実施し、良品素子と不良素子とを選別し、良品素子のみを光スキャナパッケージとして仕上げることができる。本発明において、前記加工ウエハと前記支持基板との仮接合に用いる接合部材は、紫外線の照射又は加熱によって硬化し、温水又は溶剤に浸すことによって剥離する材料からなることが好ましい。更に、支持基板は、洗浄処理によって繰り返し使用可能なガラス又は石英からなることが好ましい。これにより、製造コストをより低減することができる。本発明の製造方法によれば、光スキャナを形成するウエハを加工する際にダイシング工程も兼用させるので、製造工程を短縮できるとともに、ダイシングストリート幅を従来のものより大幅に例えば10μm以下に短縮することができ、従来の方法に比べて、同じウエハサイズから取れるMEMS光スキャナチップの数が増大する。また、本発明では、個片化工程中に支持基板に仮接合するだけで、ウエハレベルパッケージが前提ではないので、MEMS光スキャナ素子構造は、シリコン貫通電極を形成する必要がなく、一般的な電極構造でよい。このため、歩留りが良いと共に低コストである。更に、パッケージング工程の前に各チップのテスティングによって不良チップの選別が可能であり、レーザ光の迷光が気になる例では、封止ガラスを設けない大気開放型のパッケージ形態を選択することも可能になる。以下、図1を参照して、本発明の実施形態のMEMS光スキャナ製造方法について説明する。なお、図においては、理解しやすくするためにMEMS光スキャナの電極、配線、層間絶縁膜、アクチュエータ及びミラーの作製工程は省略し、SOIウエハのシリコン加工の部分のみを示している。まず、図1aに示すように、例えば後述する実施例の光スキャナ素子1の構造パターンに従って、MEMS光スキャナを形成するウエハ11の表面側のSOI層11aをDeepRIE装置で深掘エッチング加工する際、各光スキャナ素子1間のダイシングストリート12も、同時にDeepRIEによって加工する。ここで、DeepRIEReactiveIonEtchingとは、Boschプロセスと称されるエッチングと側壁保護とを交互に繰り返すことにより、シリコンウエハを垂直に深堀数100μm深さに加工する技術である。次に、図1bに示すように、MEMS光スキャナのミラーを含む揺動空間に対応したキャビティ13を有するガラスウエハなどの透明な支持基板14に、仮接合用の部材仮接合材15を予め接着しておき、これと加工ウエハ11とを位置合わせしながら接合する。その際、光スキャナのミラーやトーションバーなどの可動部が支持基板14に接触しないようにするため、前記キャビティ13が形成される。透明な支持基板14としては、洗浄処理によって繰り返し使用可能なガラス板や石英が用いられる。また、仮接合材15としては、紫外線の照射で硬化する材料からなる紫外線硬化型テープ、熱硬化型テープ、レジスト、ワックス、接着剤などが用いられる。また、仮接合材15は、60°C~90°Cの温水又は溶剤に浸すことによって剥離する材料で、剥離後は加工ウエハ11の表面に残渣が残らないことが好ましい。その後、図1cに示すように、加工ウエハ11の裏面側のHandleウエハ11bを上記光スキャナの所定の構造パターンに従ってDeepRIE加工する。この時、裏面側のダイシングストリート12も同時に加工する。Handleウエハ11bのシリコンエッチングが完了した後、BOX層と呼ばれる埋込みSiO2層をドライエッチングで除去する。これにより、加工ウエハ11の表面側SOI層11aに予め形成しておいたダイシングストリート12と裏面側から形成したダイシングストリート12が連通し、各光スキャナ素子1が個片として分離された形になる。ただし、加工ウエハ11のSOI層11a側の非可動部が仮接合材15によって支持基板14に仮接合されているので、各光スキャナ素子1がバラバラになることはない。その後、図1dに示すように、加工ウエハ11の裏面Handleウエハ11b側をリムに張った粘着シート16上に貼り付ける。最後に、図1eに示すように、仮接合材15の粘着力を加熱処理等によって消失させて、支持基板14をMEMS光スキャナ加工ウエハ11から剥離する。その後、リムに張った粘着シート16ごとエキスパンド処理をすることにより、各光スキャナ素子間のダイシングストリート間隔を拡げて、後工程であるダイボンド工程におけるピックアップが可能な状態とする。なお、ピックアップのためには、加工ウエハ表面に対する各光スキャナ素子の切断面の角度は90°±02°で、前記ダイシングストリートのうねりが±2μm以内であることが好ましい。その後、ダイボンド工程の前にテスティングを実施し、良品素子と不良素子との選別マーキングを行い、良品素子のみをパッケージ品として仕上げることができる。上記実施形態では、ダイヤモンド刃やレーザ光線によるダイシングでなく、DeepRIEでウエハ表面のSOI層11aにダイシングストリート12を形成したMEMS光スキャナ加工ウエハ11を、各光スキャナ素子1のミラー揺動空間に対応したキャビティ13付きの支持基板14に仮接合し、裏面のHandleウエハ11bをDeepRIE加工するとき同時に裏面側のダイシングストリート12も形成し、その後ドライ又はウエットプロセスでBOXのSiO2層を除去した後、裏面側をリムに張った粘着シート16上に貼り付け、仮接合に使った接着層の粘着力を消失させて、仮接合した支持基板14を剥離する。そして、リムに張った粘着シート16をエキスパンドすると、MEMS光スキャナ素子1がピックアップ可能な状態に個片化される。上記のように、MEMS光スキャナ加工ウエハ11のダイシングストリート12を光スキャナの素子構造の形成と同時にDeepRIE加工すること、及び加工ウエハ11に光スキャナのミラー等の可動部に物が接触しないようにキャビティ13を設けた支持基板14を仮接合することにより、素子構造の破損がなく、かつダイシング時のチッピング不良もなく、MEMS光スキャナ素子の個片化を実現できる。また、MEMS光スキャナのミラーを中心とした可動部の形成に用いられるDeepRIEドライエッチング工程時に、各チップを個片化するためのダイシングストリートも同時にエッチング加工することにより、前述した従来のダイシング時の問題点を解決することができる。また、DeepRIE工程にダイシング工程も兼用するので、全製造工程を短縮できるとともに、ダイシング刃によるストリート幅が通常100μm程度であるのに対して、実施形態の工程では、ダイシングストリートの幅を10μm以下に短縮することができ、同じウエハサイズから取れるMEMS光スキャナ素子の数も増大する。更に、従来のウエハレベルパッケージと異なり、パッケージングの前にテスト可能であるから、不良素子までもパッケージの形にしてしまうことがなく、効率の良い生産が可能である。[実施例]以下、図2に示すMEMS光スキャナ素子1を、図3及び図4に示す工程で作製する実施例について説明する。光スキャナ素子1は、反射面を有するミラー部2と、他の回路からの給電によりミラー部2を、素子の表面側において直交する2方向の軸x,yの周りに回転するように駆動する圧電アクチュエータ3,4と、各圧電アクチュエータに接続した複数の電極5を表面に配置したフレーム6とを備える圧電駆動型の2軸MEMS光スキャナを構成するものであり、アクチュエータには、圧電材料であるチタン酸ジルコン酸鉛PZTの薄膜が用いられる。本実施例では、基板として、SOI層の厚み50μm、BOX酸化膜層の厚み2μm、Handle層の厚み400μmのSOIウエハを用いた。まず、図3Aに示すように、SOIウエハ21の両面に拡散炉によって厚さ500nmの熱酸化シリコン膜22を形成する。次に、図3Bに示すように、SOIウエハ21の表面側にスパッタ法によってTi膜23及びPt膜24をそれぞれの厚みが50、150nmになるように順次成膜し、下部電極を形成する。次に、反応性アーク放電イオンプレーティング法により、圧電材料であるチタン酸ジルコン酸鉛PZTの膜を厚み3μmで前記下部電極上に成膜し、圧電PZT膜25を形成する。その後、スパッタ法により圧電PZT膜25上にPt膜26を厚み150nmで成膜して上部電極を形成する。次に、図3Cに示すように、基板表面にフォトリソ技術及びドライエッチング技術により、図2に示す非共振でミラー部の可動外枠を駆動する連結圧電アクチュエータ以下、第一アクチュエータという3、及び共振でミラー部を駆動する内側の圧電アクチュエータ以下、第二アクチュエータという4に対応するパターンを形成する。詳細には、上部電極のPt膜26とPZT膜25のパターニングを行い、第一アクチュエータ3に対応する上部電極及び圧電PZT膜と、第二アクチュエータ4に対応する上部電極及び圧電PZT膜のパターンを形成する。同様に、下部電極とその下の酸化シリコン膜もパターニングを行い、第一アクチュエータ3と第二アクチュエータ4のパターンを作製する。その後、図3Dに示すように、ウエハ表面全体にプラズマCVDで厚み500nmの酸化シリコン膜27を形成する。次に、図4Eに示すように、基板表面にフォトリソでレジストパターンを形成して、ドライエッチングで酸化シリコン膜27の一部を除去し、下部電極及び上部電極に対応するコンタクトホール28を形成し、単結晶シリコンを加工する箇所の酸化シリコンをドライエッチングで除去する。続いて、図4Fに示すように、フォトリソでレジストパターンを形成してからAlCu1Cu膜29をスパッタ成膜し、リフトオフにより配線パターンを形成する。すなわち、AlCu膜の配線を介して、PZTアクチュエータ3,4の下部電極と上部電極を光スキャナ外周部の電極パッド5図2に電気的に接続する。次に、図4Gに示すように、フォトリソでレジストパターンを形成してからTi、Agを順次スパッタ成膜し、リフトオフによってマイクロミラー2の反射層を形成する。そして、同様にリフトオフ手法を用いて、図4Hに示すようにAu電極パッド30を形成する。その後、図1の実施形態で説明したように、ウエハ21のSOI層及びHandle層を所定のパターンに従ってDeepRIE加工すると同時にダイシングストリートも同時に加工する。SOI層の加工後に透明支持基板に位置合わせしながら仮接合することにより、MEMS光スキャナ素子の可動部に接触しないで、Handle層の加工を実施することができる。その後、テスティングによってPZT膜及び配線の電気特性を評価して不良素子にマーキングした後、良品素子のみをセラミックパッケージに実装して、MEMS光スキャナパッケージが完成する。本実施例では、最も単純な大気開放型のパッケージ形態とした。光源からのレーザ光は直接、MEMS光スキャナの可動ミラー2で反射走査され、画像投影に利用される。上記のように作製したMEMS光スキャナパッケージに対して、水平軸走査用の共振アクチュエータ4にVpp20V、駆動周波数共振周波数27kHzの交流電圧を印加し、垂直軸走査用の非共振アクチュエータ3にはVpp20V、駆動周波数60Hzの交流電圧を印加したところ、水平軸で±13°、垂直軸で±9°の機械的振れ角が観測された。本実施例の製法では、ダイシング工程でのミラー周辺部のダメージがないため、ウエハ内の良品率は90を超え、振れ角と共振周波数のばらつきも±3以内と非常に良好な歩留りを示した。"