"平均付加モル数が10~90である炭素数2~4のオキシアルキレン基と、アニオン性基カルボン酸基を除く又はその塩とを有する水溶性化合物、酸、及び水を含み、25°CにおけるpHが0.5を超え5.0未満である、シリカ研磨材及び/又はシリカ研磨屑が付着した電子材料基板を洗浄するための電子材料基板用酸性洗浄剤組成物。前記洗浄剤組成物中に実質的にカチオン性ポリマーを含まない、請求項1記載の電子材料基板用酸性洗浄剤組成物。前記水溶性化合物が、下記式Iで表わされる化合物である、請求項1又は2に記載の電子材料基板用酸性洗浄剤組成物。XOnX前記式Iにおいて、AOは炭素数2~4のオキシアルキレン基であり、nはAOの平均付加モル数であって10~90であり、Xはアニオン性基カルボン酸基を除く又はその塩である。前記アニオン性基が、スルホン酸基である、請求項1から3のいずれかに記載の電子材料基板用酸性洗浄剤組成物。シリカ研磨材及び/又はシリカ研磨屑が付着した研磨後の電子材料基板を、請求項1から4のいずれかに記載の洗浄剤組成物を用いて洗浄することを含む、電子材料基板の洗浄方法。シリカ研磨材及び/又はシリカ研磨屑が付着した研磨後の電子材料基板を、請求項1から4のいずれかに記載の洗浄剤組成物を用いて洗浄することを含む、電子材料基板の製造方法。研磨処理後に基板上に残留するシリカ研磨材及び/又はシリカ研磨屑の除去は、洗浄処理において問題となる。研磨処理では、通常、研磨処理後の洗浄処理の洗浄効率を上げるため研磨後の基板を水で濯ぐ工程があるが、この水との接触が基板上に残留しているシリカ粒子シリカ研磨材及び/又はシリカ研磨屑を凝集させる。この凝集により、シリカ粒子は、その後の洗浄処理で除去することがいっそう難しくなる。残留したシリカ研磨材やシリカ研磨屑を除去するため、洗浄処理において、酸性洗浄剤よりも洗浄性に優れるアルカリ性の洗浄剤が用いられることがある。しかし、アルカリ性洗浄剤は、洗浄性が優れるが、洗浄後の基板の表面粗さが悪化するという問題がある。この問題はガラス基板で顕著である。アルカリ性洗浄剤がガラス基板をエッチングするためであると考えられる。一方、洗浄処理において、単に酸性の洗浄剤を使用するだけでは、表面粗さの悪化を抑制できるものの、残留したシリカ研磨材やシリカ研磨屑に対する洗浄性が悪化するという問題がある。そこで、本発明は、酸性の洗浄剤組成物であって、研磨後の表面粗さの悪化を抑制し、かつ、洗浄性に優れる酸性洗浄剤組成物を提供する。本発明は、平均付加モル数が10~90である炭素数2~4のオキシアルキレン基と、アニオン性基カルボン酸基を除く又はその塩とを有する水溶性化合物、酸、及び水を含み、25°CにおけるpHが0.5を超え5.0未満である、シリカ研磨材及び/又はシリカ研磨屑が付着した電子材料基板を洗浄するための電子材料基板用酸性洗浄剤組成物以下、本発明の洗浄剤組成物ともいうに関する。本発明は、その他の態様として、シリカ研磨材及び/又はシリカ研磨屑が付着した研磨後の電子材料基板を本発明の洗浄剤組成物を用いて洗浄することを含む電子材料基板の洗浄方法及び/又は電気材料基板の製造方法に関する。本発明の電子材料基板用酸性洗浄剤組成物によれば、例えば、洗浄後の表面粗さの悪化を抑制し、かつ、シリカ研磨材及び/又はシリカ研磨屑に対する洗浄性が向上した洗浄が可能となる。本発明は、以下の知見に基づく。すなわち、研磨後にシリカ研磨材及びシリカ研磨屑が付着したガラス基板などの電子材料基板の洗浄において、アルカリ性洗浄剤組成物を使用すると洗浄性が優れるものの、洗浄後に表面粗さが悪化する。酸性の洗浄剤組成物を使用すれば、洗浄後の表面粗さの悪化を抑制することができるが、シリカ研磨材及びシリカ研磨屑に対する洗浄性が悪化するという新たな問題が発生する。この問題は、オキシアルキレン基とアニオン性基カルボン酸基を除くとを有する水溶性化合物を含む酸性洗浄剤組成物を用いることで解決された。したがって、本発明は、一態様において、シリカ研磨材及び/又はシリカ研磨屑が付着した電子材料基板を洗浄するための電子材料基板用酸性洗浄剤組成物であって、平均付加モル数が10~90である炭素数2~4のオキシアルキレン基と、アニオン性基カルボン酸基を除く又はその塩とを有する水溶性化合物、酸、及び水を含み、25°CにおけるpHが0.5を超え5.0未満であるものに関する。本発明の洗浄剤組成物であれば、洗浄後の表面粗さの悪化抑制とシリカ研磨材及びシリカ研磨屑に対する洗浄性の向上の双方が可能な洗浄を行える。本発明の洗浄剤組成物において、洗浄後の表面粗さの悪化抑制とシリカ研磨材及びシリカ研磨屑に対する洗浄性の向上の双方が可能となるメカニズムの詳細はすべて明らかになってはいないが、以下のように考えられる。すなわち、酸性条件下でシリカSiO2の粒子やその凝集体に対する洗浄性が低下するのは、シリカのゼータ電位の絶対値が小さくなるゼロに近くなるためであると考えられる。本発明の洗浄剤組成物に含まれる前記水溶性化合物は、前記オキシアルキレン基がシリカ表面に存在する水酸基と水素結合できる。前記水溶性化合物はアニオン性基を有しているから、前記水素結合により、酸性条件下においても前記シリカに電荷が付与される前記シリカのゼータ電位の絶対値が大きくなる。すなわち、本発明の洗浄剤組成物に含まれる前記水溶性化合物が酸性条件下でシリカに電荷を付与することでゼータ電位の絶対値が増加し、酸性条件下において、表面粗さの悪化抑制に加え、シリカに対する洗浄性の向上が可能となるものと考えられる。したがって、本発明の洗浄剤組成物によれば、シリカ研磨材を使用する場合においては、基板がNi-Pメッキアルミニウム合金基板のような場合でもあっても、基板上に残留する研磨材の洗浄に対して有効であることがわかる。さらに、本発明の洗浄剤組成物によれば、シリカ以外の研磨材、例えばセリアを使用する場合であっても、ガラス基板等のシリカ粒子の発生源を有する基板を研磨した場合には、基板上に残留する研磨屑の洗浄に対して有効であることがわかる。但し、本発明は前述のメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。[洗浄剤組成物のpH]本発明の洗浄剤組成物の25°CにおけるpHは、洗浄性向上の観点から、0.5を超え、0.8以上が好ましく、より好ましくは1.0以上である。また、本発明の洗浄剤組成物の25°CにおけるpHは、洗浄後の表面粗さの悪化抑制の観点から、5.0未満であって、4.5以下が好ましく、より好ましくは3.5以下である。したがって、本発明の洗浄剤組成物の25°CにおけるpHは、洗浄性向上及び洗浄後の表面粗さの悪化抑制の観点から、0.5を超え5.0未満であって、0.8~4.5が好ましく、より好ましくは1.0~3.5である。本明細書において、pHの値は、pHメータ東亜電波工業社製、HM-30Gを用い、電極を検査対象液中への浸漬後40分後に測定した数値をいう。なお、本発明の洗浄剤組成物は、後述するとおり、洗浄に際し希釈して使用することが好ましい実施形態であるが、本明細書において、特に記載のない場合、pHは、希釈する前の本発明の洗浄剤組成物のpHを示すものである。[水溶性化合物]本発明の洗浄剤組成物は、平均付加モル数10~90である炭素数2~4のオキシアルキレン基と、アニオン性基カルボン酸基を除く又はその塩とを有する水溶性化合物を含有する。前記オキシアルキレン基は、洗浄後の表面粗さの悪化抑制及びシリカに対する洗浄性向上の観点から、オキシエチレン基又はオキシプロピレン基が好ましく、オキシエチレン基がさらに好ましい。前記オキシアルキレン基の平均付加モル数は、シリカに対する洗浄性向上の観点から、10~90であって、好ましくは15~85、より好ましくは25~60であり、さらにより好ましくは25~40である。前記アニオン性基は、シリカに対する洗浄性向上の観点から、カルボン酸基を除くものであって、スルホン酸基、硫酸エステル基、リン酸エステル基、ホスホン酸基等が好ましく、より好ましくはスルホン酸基である。前記アニオン性基は中和された塩の形態を取ってもよい。塩を形成する場合、これらには限定されないが例えば、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム、有機アミン塩等との塩が挙げられる。金属の具体例としては、周期律表長周期型1A、1B、2A、2B、3A、3B、4A、6A、7A又は8族に属する金属等が挙げられる。これらの金属の中でも、洗浄後の表面粗さの悪化抑制及びシリカに対する洗浄性向上の観点から、1A、3B、又は8族に属する金属が好ましく、1A族に属するナトリウム及びカリウムがより好ましい。前記アルキルアンモニウムとしては、洗浄後の表面粗さの悪化抑制及びシリカに対する洗浄性向上の観点から、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等が好ましい。前記有機アミン塩としては、同様の観点から、アルカノールアミン塩等が好ましい。なお、本発明の洗浄剤組成物を半導体基板の洗浄に用いる場合には、本発明の洗浄剤組成物は金属を含まないことが好ましい。前記水溶性化合物は、ポリエチレングリコールを3酸化イオウやクロルスルホン酸などのスルホン化剤で硫酸化することにより、またその塩は、硫酸化後、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化マグネシウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸マグネシウム等で中和して得ることができる。前記水溶性化合物は、洗浄後の表面粗さの悪化抑制及びシリカに対する洗浄性向上の観点から、下記式Iで表わされる化合物であることが好ましい。XOnX前記式Iにおいて、AOは炭素数2~4のオキシアルキレン基であり、nはAOの平均付加モル数であって10~90であり、Xはアニオン性基カルボン酸基を除く又はその塩である。前記AOは、洗浄後の表面粗さの悪化抑制及びシリカに対する洗浄性向上の観点から、オキシエチレン基又はオキシプロピレン基が好ましく、オキシエチレン基がより好ましい。前記オキシアルキレン基の平均付加モル数nは、シリカに対する洗浄性向上の観点から、10~90であって、好ましくは15~85、より好ましくは25~60であり、さらにより好ましくは25~40である。前記アニオン性基は、シリカに対する洗浄性向上の観点から、カルボン酸基を除くものであって、スルホン酸基、硫酸エステル基、リン酸エステル基、ホスホン酸基等が好ましく、より好ましくはスルホン酸基である。前記アニオン性基は中和された塩の形態を取ってもよく、その具体例は前述と同様である。本発明の洗浄剤組成物における前記水溶性化合物の含有量は、洗浄後の表面粗さの悪化抑制及びシリカに対する洗浄性向上の観点から、水以外の成分の含有量の合計を100重量とすると、好ましくは1~96重量であり、より好ましくは5~85重量であり、さらに好ましくは7~60重量であり、さらにより好ましくは8~25重量である。[酸]本発明の洗浄剤組成物は、酸を含有する。本明細書において、酸の使用は、酸及び又はその塩の使用を含む。硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸、2-アミノエチルホスホン酸、1-ヒドロキシエチリデン-1,1-ジホスホン酸、アミノトリメチレンホスホン酸、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、エタン-1,1,-ジホスホン酸、エタン-1,1,2-トリホスホン酸、エタン-1-ヒドロキシ-1,1-ジホスホン酸、エタン-1-ヒドロキシ-1,1,2-トリホスホン酸、エタン-1,2-ジカルボキシ-1,2-ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、2-ホスホノブタン-1,2-ジカルボン酸、1-ホスホノブタン-2,3,4-トリカルボン酸、α-メチルホスホノコハク酸等の有機ホスホン酸、グルタミン酸、ピコリン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸、クエン酸、酒石酸、シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸、オキサロ酢酸等のカルボン酸等が挙げられる。これらの中では、シリカに対する洗浄性向上の観点から、有機ホスホン酸が好ましく、1-ヒドロキシエチリデン-1,1-ジホスホン酸がより好ましい。前記酸の添加されうる含有量および種類は、洗浄剤組成物の25°CにおけるpHが0.5を超え5.0未満となるような範囲であれば、特に限定されない。[水]本発明の洗浄剤組成物に含まれる水は、溶媒としての役割を果たすことができるものであれば特に制限はなく、例えば、超純水、純水、イオン交換水、又は蒸留水等を挙げることができ、超純水、純水、又はイオン交換水が好ましく、超純水がより好ましい。なお、純水及び超純水は、例えば、水道水を活性炭に通し、イオン交換処理し、さらに蒸留したものを、必要に応じて所定の紫外線殺菌灯を照射、又はフィルターに通すことにより得ることができる。例えば、25°Cでの電気伝導率は、多くの場合、純水で1μS/cm以下であり、超純水で0.1μS/cm以下を示す。なお、本発明の洗浄剤組成物は、溶媒として前記水に加えて水溶性の有機溶媒例えば、エタノール等のアルコールをさらに含んでいてもよいが、洗浄剤組成物に含まれる溶媒は水のみからなることが好ましい。[任意成分]本発明の洗浄剤組成物には、その他、pH調整のためのアルカリ剤、水溶性高分子前記水溶性化合物を除くものをいう。以下同じ、曇点上昇剤、防腐剤、酸化防止剤、消泡剤等が含まれていてもよい。なお、本発明の洗浄剤組成物は、一実施形態において、実質的にカチオン性ポリマーは含まないことが好ましく、カチオン性ポリマーを含まないことがより好ましい。実質的にカチオン性ポリマーを含まないとは、含まれるカチオン性ポリマーの量が、本発明の洗浄剤組成物の効果を損なわない範囲であることをいい、具体的には洗浄剤組成物中、0.5重量以下が好ましく、0.2重量以下がより好ましく、0.1重量以下がさらに好ましく、0.0重量がさらにより好ましい。前記アルカリ剤としては、無機アルカリ剤及び有機アルカリ剤のうちのいずれであってもよい。無機アルカリ剤としては、例えば、アンモニア、水酸化カリウム、及び水酸化ナトリウム等が挙げられる。有機アルカリ剤としては、例えば、ヒドロキシアルキルアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、及びコリン等が挙げられる。これらのアルカリ剤は、単独で用いても良く、二種以上を混合して用いても良い。前記アルカリ剤の添加されうる含有量は、洗浄剤組成物の25°CにおけるpHが0.5を超え5.0未満となるような範囲であれば、特に限定されない。前記水溶性高分子は、洗浄後の表面粗さの悪化抑制及びシリカに対する洗浄性向上の観点から任意に加えられてもよく、例えば、カルボン酸系重合体が挙げられる。前記カルボン酸系重合体としては、アクリル酸重合体、メタクリル酸重合体、マレイン酸重合体、アクリル酸メタクリル酸の共重合体、アクリル酸/マレイン酸の共重合体、メタクリル酸/メタクリル酸ジメチルアミノエステルの共重合体、メタクリル酸/アクリル酸メチルエステルの共重合体等が挙げられるが、アクリル酸AAと2―アクリルアミド―2―メチルプロパンスルホン酸AMPSのモル比が91/9~95/5である共重合体が好ましい。前記水溶性高分子の重量平均分子量は、シリカに対する洗浄性向上の観点から、500~150,000が好ましく、1000~100,000がより好ましく、1000~50,000がさらに好ましい。前記水溶性高分子の重量平均分子量は、例えば、下記条件のゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによって求めることができる。GPC条件カラム:G4000PWXLG2500PWXL東ソ-社製溶離液:0.2Mリン酸バッファ-/CH3CN=9/1容量比流量:1.0mL/分カラム温度:40°C検出:RIサンプルサイズ:0.2mg/mL標準物質:ポリエチレングリコール前記水溶性高分子は塩の形態であってもよい。かかる塩としては、特に限定されないが、具体的にはナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩、低級アミン塩、アンモニウム塩、アルカノールアミン塩、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、コリン等の四級アンモニウム塩等が挙げられる。本発明の洗浄剤組成物中における前記水溶性高分子の含有量は、シリカ研磨材及び/又はシリカ研磨屑等のシリカ微粒子の分散性向上とすすぎ性向上の観点から、水以外の成分の含有量の合計を100重量とすると、好ましくは1~20重量であり、より好ましくは1~15重量であり、さらに好ましくは1~13重量である。[洗浄剤組成物の製造方法]本発明の洗浄剤組成物の調製方法は、特に制限されず、前記水溶性化合物、前記酸、及び水、並びに、必要に応じて任意成分を混合することによって調製できる。[洗浄液]本発明の洗浄剤組成物は、好ましい一実施形態において、希釈して使用される。すなわち、本発明の洗浄剤組成物を用いた洗浄は、好ましい一実施形態において、本発明の洗浄剤組成物を希釈して得られる洗浄液を使用して行われる。すなわち、洗浄後の表面粗さの悪化抑制とシリカ研磨材及びシリカ研磨屑に対する洗浄性の向上の双方が可能な洗浄を行える範囲で希釈されるものであり、希釈倍率は、10~500倍が好ましく、20~200倍がより好ましく、50~100倍がさらに好ましい。希釈用の水は、前述の水と同様のものでよい。前記洗浄液中の前記水溶性化合物の含有量は、洗浄後の表面粗さの悪化抑制及びシリカに対する洗浄性向上の観点から、0.0003~0.4重量が好ましく、より好ましくは0.0004~0.3重量、さらに好ましくは0.001~0.1重量であり、さらにより好ましくは0.01~0.1重量である。また、洗浄後の表面粗さの悪化抑制の観点から、前記洗浄液の25°CにおけるpHは、同様の観点から、2.5~5.0が好ましく、より好ましくは2.9~5.0である。本発明の洗浄剤組成物の酸の量は、洗浄液のpHに応じて適宜調整できる。また、前記洗浄液の水の含有量は好ましくは、洗浄後の表面粗さの悪化抑制及びシリカに対する洗浄性向上の観点から、99.600~99.985重量であり、より好ましくは99.900~99.984重量である。前記水溶性高分子の含有量は、同様の観点から、好ましくは0.001~0.15重量であり、より好ましくは0.005~0.1重量であり、さらに好ましくは0.01~0.08重量である。[用途]本発明の洗浄剤組成物は、シリカ研磨材及び/又はシリカ研磨屑が付着した電子材料基板を洗浄することに適している。本明細書において、シリカ研磨材及び/又はシリカ研磨屑が付着したとは、研磨処理を行ったことによりSiO2を含む付着物が付着していることをいう。シリカ研磨材が付着した電子材料基板としては、シリカ粒子を含む研磨液組成物で電子材料基板を研磨した後のものが挙げられる。一方、シリカ研磨屑が付着した電子材料基板としては、シリコンを含む電子材料基板を研磨した後のものが挙げられる。本発明の洗浄剤組成物によれば、洗浄後の表面粗さの悪化が抑制され、かつ、シリカに対する洗浄性が向上した洗浄が可能となる。なお、本明細書において、表面粗さは、原子間力顕微鏡AFMを用いて10μm以下の波長で測定可能な粗さとして表される表面平滑性の尺度であり、中心線平均粗さAFM―Ra及び/又は最大高さAFM―Rmaxで表わされ、具体的には実施例に記載の方法で測定される。又、本明細書において、シリカに対する洗浄性は、洗浄後に基板上に残留する異物数を測定して評価されるものであり、具体的には実施例に記載の方法で測定される。したがって、本発明はその他の態様として、シリカ研磨材及び/又はシリカ研磨屑が付着した研磨後の電子材料基板を本発明の洗浄剤組成物を用いて洗浄することを含む電子材料基板の洗浄方法以下、本発明の洗浄方法ともいうに関する。また、本発明はさらにその他の態様として、シリカ研磨材及び/又はシリカ研磨屑が付着した研磨後の電子材料基板を本発明の洗浄剤組成物を用いて洗浄することを含む電子材料基板の製造方法以下、本発明の製造方法ともいう。に関する。前記電子材料基板としては、ハードディスク用のガラス基板、Ni-Pメッキアルミニウム合金基板、アルミニウム基板のほか、フラットパネルディスプレイ基板液晶パネル用のガラス基板、カラーフィルター基板、アレイ基板、プラズマディスプレイ用基板及び有機EL用基板等、フォトマスク用基板、半導体基板半導体素子及びシリコンウェハ等、化合物半導体基板SiC基板、GaAs基板、GaN基板、AlGaAs基板等、サファイヤ基板LED等、太陽電池用基板シリコン基板及び薄膜型太陽電池用ガラス基板等、光学レンズ、プリント配線基板などが挙げられる。表面粗さ悪化抑制の観点からは、前記電子材料基板の材料は、ガラス基板であることが好ましい。ガラス基板としては、例えば、ボロシリケートガラス基板、アルミノシリケートガラス基板又は結晶化ガラス基板が挙げられる。[洗浄方法]以下に、ガラスハードディスク基板を例にとって、本発明の洗浄方法の、限定して解釈されることのない一実施形態を説明する。シリカ粒子を含む研磨液組成物により研磨が施されたガラスハードディスク基板被洗浄基板は、例えば、a本発明の洗浄剤組成物を希釈して調製された洗浄液に被洗浄基板を浸漬するか、及び/又は、b本発明の洗浄剤組成物を希釈して調製された洗浄液を被洗浄基板に射出して、被洗浄基板の表面上に洗浄剤組成物を供給する方法で洗浄される。前記方法aにおいて、被洗浄基板の洗浄液への浸漬条件としては、特に制限はないが、例えば、洗浄液の温度は、洗浄液の洗浄性向上の観点、安全性及び操業性の観点から20~100°Cであると好ましく、浸漬時間は、洗浄液による洗浄性向上の観点と生産効率の観点から10秒~30分間であると好ましい。また、洗浄性向上の観点から、洗浄液には超音波振動が付与されていると好ましい。超音波の周波数としては、20~2000kHzが好ましく、30~2000kHzがより好ましく、30~1500kHzがさらに好ましい。前記方法bでは、超音波振動が与えられている洗浄液を被洗浄基板に射出して、被洗浄基板の表面に洗浄液を接触させて当該表面を洗浄するか、又は、洗浄液を被洗浄基板の表面上に射出により供給し、洗浄液が供給された当該表面を洗浄用ブラシでこすることにより洗浄することが好ましい。また、シリカ粒子の洗浄性の向上及び油分の溶解性を促進させる観点から、さらには、超音波振動が与えられている洗浄液を射出により被洗浄基板の表面に供給し、かつ、洗浄液が供給された当該表面を洗浄用ブラシでこすることにより洗浄することが好ましい。洗浄液を被洗浄基板の表面上に射出により供給する手段としては、スプレ-ノズル等の公知の手段を用いることができる。また、洗浄用ブラシとしては、特に制限はなく、例えばナイロンブラシやPVAポリビニルアルコールスポンジブラシ等の公知のものを使用することができる。超音波の周波数としては、前記方法aで好ましく採用される値と同様であればよい。本発明の洗浄方法は、前記方法a及び/又は前記方法bに加えて、揺動洗浄、スピンナー等の回転を利用した洗浄、パドル洗浄等の公知の洗浄を用いる工程を1つ以上含んでもよい。本発明のガラス表面の洗浄方法では、被洗浄基板を一枚ずつ洗浄してもよいが、複数枚の洗浄すべき被洗浄基板を一度にまとめて洗浄してもよい。また、洗浄の際に用いる洗浄槽の数は1つでも複数でも良い。[製造方法]以下に、ガラスハードディスク基板を例にとって、本発明の製造方法の、限定して解釈されることのない一実施形態を説明する。ガラスハードディスク基板は、一般的に、基板形成工程とメディア工程とを含む。前記基板形成工程では、被研磨基板に対して少なくとも研磨処理と洗浄処理とがこの順で複数回行われることにより、ハードディスク基板が作製される。前記メディア工程では、必要に応じて研磨によりハードディスク基板の少なくとも一方の主面に浅い凸凹をつけた後テクスチャー工程、洗浄がなされ洗浄工程、次いで、前記基板の少なくとも一方の主面側に磁性層が形成される磁性層形成工程。本発明の製造方法は、一実施形態において、基板形成工程において被研磨基板に対して行われる最後の研磨処理であって、シリカ粒子を研磨材として含む研磨液組成物を用いて行われる研磨処理の後の洗浄処理において、本発明の洗浄剤組成物を用いて洗浄することを含む。[洗浄剤組成物及び洗浄液の調製実施例1~18、比較例1~11]下記表1の水溶性化合物A~F、水溶性高分子G~H、酸、及びアルカリ48NaOHを下記表2の組成となるように各成分を混合して実施例1~18及び比較例1~11の洗浄剤組成物を得た。水溶性化合物A~Fは、ジメチルホルムアミドDMF中でポリオキシエチレングリコール前記一般式I中のAOが炭素数2のアルキレンオキシ基、2つのXがともに水素原子のものとモル比2倍量の無水硫酸とを反応させ、水酸化ナトリウムで中和した後、減圧留去でDMFを除去して得られたポリエチレングリコールジ硫酸エステルジナトリウム塩である。水溶性高分子Gは、メタクリル酸MAとモノメトキシエチレングリコールメタクリレートMPEGMAとの共重合体のナトリウム塩であり、その製造例を下記に示す。水溶性高分子Hは、アクリル酸AAと2―アクリルアミド―2―メチルプロパンスルホン酸AMPSとの共重合体のナトリウム塩である。なお、表2の含有量の欄の括弧内の数値は、固形分量を示す。前記酸としては、HEDP1-ヒドロキシエチリデン-1,1-ジホスホン酸:60重量水溶液、商品名:ディクエスト2010、ThermPhos社製、硫酸、酒石酸、及びシュウ酸を使用した。得られた各洗浄剤組成物を100倍希釈して実施例1~18及び比較例1~11の洗浄液を調製した。各洗浄剤組成物及び洗浄液の25°CにおけるpHを測定した。なお、pHは、pHメータ東亜電波工業社製、HM-30Gを用い、電極を洗浄剤組成物又は洗浄液中への浸漬後40分後に測定した。メタクリル酸/モノメトキシポリエチレングリコールメタクリレート共重合体MAPEGMAナトリウム塩の製造例温度計、攪拌機、滴下漏斗、窒素導入管および還流冷却器を備えた1L4つ口フラスコに水305.3gを仕込み、攪拌下に反応容器内を窒素置換し、窒素雰囲気下で80°Cまで昇温した。次にメトキシポリエチレングリコールエチレンオキサイド平均120モルメタクリレート308.8g、メタクリル酸44.2g及び2-メルカプトエタノール3.1gが溶解している単量体水溶液590.9gと、過硫酸アンモニウム3.9gが溶解している水溶液48.9gの2者の水溶液を80°Cでそれぞれ1.5時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに、過硫酸アンモニウム1.3gが溶解している水溶液16.3gを80°Cで0.5時間かけて滴下した。その後、80°Cで1時間反応を維持した。60°Cまで冷却した後、得られた反応混合物を含む水溶液を48水酸化ナトリウム水溶液33.4gで中和し、共重合体のナトリウム塩の水溶液を得た。[ハードディスク用ガラス基板の洗浄性評価]下記組成の研磨液スラリー研磨剤組成物を用いて下記評価用基板を下記研磨条件で研磨することにより、研磨液スラリー由来のシリカ研磨材及び基板材料由来のシリカ研磨屑等によって汚染された被洗浄基板を用意した。実施例1~18及び比較例1~11の洗浄液を用いてこの被洗浄基板を洗浄し、下記の方法で表面粗さAFMRa及び洗浄性を評価した。また、実施例1~18及び比較例1~11の洗浄液をシリカ粒子に接触させたときのシリカ表面のゼータ電位を下記の条件で測定した。評価用基板評価用基板として、アルミノシリケ-ト製のガラス基板外径:65mmφ、内径:20mmφ、厚さ:0635mmを用意した。研磨条件研磨機:両面9B研磨機浜井産業社製研磨パッド:FILWEL社製仕上げ研磨用スウェードパッド研磨剤組成物:コロイダルシリカスラリ-コロイダルシリカ粒子の個数平均粒径24nm、コロイダルシリカ粒子の濃度:8重量、媒体:水;花王社製予備研磨:荷重40gcm2、時間60秒、研磨液流量100mLmin本研磨:荷重100gcm2、時間1200秒、研磨液流量100mLmin水リンス:荷重40gcm2、時間60秒、リンス水流量約2Lminなお、研磨後、120gの洗浄液実施例1~18及び比較例1~11を入れた常温の洗浄槽4Lに基板を浸漬して10分間保管した後、洗浄を行った。洗浄方法汚染された被洗浄基板を、洗浄装置にて以下の条件で洗浄した。洗浄槽、すすぎ槽は2セットずつ用意した。1洗浄-1:450gの洗浄液実施例1~18及び比較例1~11を入れた洗浄槽15Lを40°Cに設定し、被洗浄基板を浸漬し、超音波40kHzを照射しながら120秒間洗浄する。2すすぎ-1:超純水を入れたすすぎ槽40°Cに被洗浄基板を移し、超音波40kHzを照射しながら120秒間すすぎを行う。3未使用の洗浄液実施例1~18及び比較例1~11を入れた洗浄槽、未使用の超純水を入れたすすぎ槽を使用して再度1と2を繰り返す。4洗浄-2:すすぎ槽内から被洗浄基板を、洗浄ブラシがセットされたスクラブ洗浄ユニットAに移し、洗浄ブラシに常温25°Cの洗浄液実施例1~18及び比較例1~11を射出し、該洗浄液の存在下で洗浄ブラシを該基板の両面に400rpmで回転させながら押し当てることにより、洗浄を25°Cで5秒間行う。5すすぎ-2:未使用のスクラブ洗浄ユニットBに被洗浄基板を移し、25°Cの超純水を射出し、洗浄ブラシを該基板の両面に4と同様にしてすすぎを5秒間行う。6再度4と5を繰り返す。7すすぎ-3:洗浄された基板を、超純水を入れた樹脂槽に移し、600秒間25°Cですすぎを行う。8乾燥:洗浄された基板を、温純水を入れた樹脂槽に移し、30秒間浸漬した後、90mm/分の速度で該基板を引き上げた後、完全に基板表面を乾燥させる。表面粗さの測定方法AFMDigitalInstrumentNanoScopeIIIaMultiModeAFMを用いて、以下に示す条件で、洗浄後の基板の内周縁と外周縁との中央部分を表裏1箇所ずつ測定し、中心線平均粗さAFM‐Raを測定した。2枚の平均値をAFM‐Raとした。その結果を下記表2に示す。値が小さいほど表面粗さの悪化が抑制されていることを示す。AFMの測定条件Mode:TappingmodeArea:1×1μmScanrate:1.0HzCantilever:NCH-10VLine:512×512洗浄性評価方法10000rpmで回転している洗浄された基板に、光学式微細欠陥検査装置Candela6100、KLATencor社製のMODEQScatterでレーザーを照射して、欠陥数基板上の異物数の測定を実施した。実施例1~18及び比較例1~11の洗浄剤組成物それぞれにつき10枚ずつの基板について前記測定を行い、平均値を得た。その結果を、比較例1の場合の欠陥数を100としたときの相対値で評価した。洗浄性の数値相対値が小さいほどガラス基板の洗浄性に優れると評価できる。ゼータ電位測定方法水100gにシリカスラリー1次粒子の平均粒径80nm、シリカ粒子濃度40重量1gを添加して、シリカ分散液を調製した。次に、実施例1~18及び比較例1~11の洗浄剤組成物を水で100倍に希釈して得た希釈液150gに、あらかじめ調製した前記シリカ分散液0.1gを添加し、24時間静置し、測定サンプルとした。測定サンプルをゼータ電位測定装置日本ルフト社製、型番:Model502に15ml注入し、50mVの電圧で測定を行った。ゼータ電位を3回測定し、その平均値を下記表2に示す。ゼータ電位の絶対値が大きいほど、電荷付与力が高く、洗浄性に優れることを示す。前記表2に示すとおり、実施例1~18の洗浄剤組成物を用いた場合は、比較例1~11の洗浄剤組成物を用いた場合よりも、表面粗さの低減と洗浄性の向上の双方に優れていた。"