"低圧排気ポートに結合された第1のチャンバと、第1のアクチュエータポートに結合された第2のチャンバと、高圧供給ポートに結合された第3のチャンバと、第2のアクチュエータポートに結合された第4のチャンバと、低圧排気ポートに結合された第5のチャンバの5つのチャンバを画定する主要ハウジングと、第1の電気信号に応答して、前記第1のチャンバと前記第2のチャンバとの間の流通を許可または実質的に阻止する、前記第1および第2のチャンバ間にある第1の弁と、第2の電気信号に応答して、前記第2のチャンバと前記第3のチャンバとの間の流通を許可または実質的に阻止する、前記第2および第3のチャンバ間にある第2の弁と、第3の電気信号に応答して、前記第3のチャンバと前記第4のチャンバとの間の流通を許可または実質的に阻止する、前記第3および第4のチャンバ間にある第3の弁と、第4の電気信号に応答して、前記第4のチャンバと前記第5のチャンバとの間の流通を許可または実質的に阻止する、前記第4および第5のチャンバ間にある第4の弁と、以下の条件シーケンスによって前記弁を促すように構成され、前記第1、第2、第3、および第4の電気信号をそれぞれの弁アセンブリに対して発生するように構成されたコントローラとを含む弁アセンブリであって、第1の条件において、前記第2および前記第3のチャンバ間および前記第4および前記第5のチャンバ間での流通が許可され、前記第1および前記第2のチャンバ間および前記第3および前記第4のチャンバ間での流通が実質的に阻止されるように、前記第2および第4の弁を開き、前記第1および第3の弁を閉じ、前記第1の条件後の第2の条件において、前記第2および第3のチャンバ間での流通が許可され、前記第1および第2のチャンバ間、前記第3および第4のチャンバ間、前記第4および第5のチャンバ間での流通が実質的に阻止されるように、前記第2の弁を開き、前記第1、第3、および第4の弁を閉じ、前記第2の条件後の第3の条件において、前記第2および第3のチャンバ間および前記第3および第4のチャンバ間での流通が許可され、前記第1および第2のチャンバ間および前記第4および第5のチャンバ間の流通が実質的に阻止されるように、前記第2および第3の弁を開き、前記第1および第4の弁を閉じ、前記第3の条件後の第4の条件において、前記第3および第4のチャンバ間での流通が許可され、前記第1および第2のチャンバ間、前記第2および第3のチャンバ間、前記第4および第5のチャンバ間での流通が実質的に阻止されるように、前記第3の弁を開き、前記第1、第2、および第4の弁を閉じ、前記第4の条件後の第5の条件において、前記第1および第2のチャンバ間および前記第3および第4のチャンバ間での流通が許可され、前記第2および第3のチャンバ間および前記第4および第5のチャンバ間での流通が実質的に阻止されるように、前記第1および第3の弁を開き、前記第2および第4の弁を閉じる、弁アセンブリ。前記コントローラが、前記第1の条件の前の初期条件において、前記第1および第2のチャンバ間、前記第2および第3のチャンバ間、前記第3および第4のチャンバ間、および前記第4および第5のチャンバ間の流通が実質的に阻止されるように、前記第1、第2、第3、および第4の弁を閉じる条件をさらに含む条件シーケンスを与えるように構成される、請求項1に記載の弁アセンブリ。前記コントローラが、前記第5の条件の後の第6の条件において、前記第1および第2のチャンバ間、前記第2および第3のチャンバ間、前記第3および第4のチャンバ間、および前記第4および第5のチャンバ間の流通が実質的に阻止されるように、前記第1、第2、第3、および第4の弁を閉じる条件をさらに含む条件シーケンスを与えるように構成される、請求項1に記載の弁アセンブリ。前記コントローラが、前記第5の条件の後の第6の条件において、前記第2および第3のチャンバ間および第3および第4のチャンバ間の流通が実質的に阻止されるように前記第2および第3の弁を閉じ、前記第1および第2のチャンバ間および前記第4および第5のチャンバ間の流通が許容されるように、前記第1および第4の弁を開く条件をさらに含む条件シーケンスを与えるように構成される、請求項1に記載の弁アセンブリ。前記コントローラが、前記第5の条件後の第6の条件において、前記第1および第2のチャンバ間および前記第4および第5のチャンバ間の流通が実質的に阻止されるように、前記第1および第4の弁を閉じ、前記第2および第3のチャンバ間および前記第3および第4のチャンバ間の流通が許容されるように、前記第2および第3の弁を開く条件をさらに含む条件シーケンスを与えるように構成される、請求項1に記載の弁アセンブリ。前記コントローラが、前記第1の条件の前の初期条件において、前記第2および第3のチャンバ間および前記第3および第4のチャンバ間の流通状態が実質的に阻止されるように前記第2および第3の弁を閉じ、前記第1および第2のチャンバ間および前記第4および第5のチャンバ間の流通が許容されるように前記第1および第4の弁を開く条件をさらに含む条件シーケンスを与えるようにさらに構成される、請求項1に記載の弁アセンブリ。前記コントローラが、前記第1の条件前の初期条件において、前記第1および第2のチャンバ間および前記第4および第5のチャンバ間の流通が実質的に阻止されるように、前記第1および第4の弁を閉じ、前記第2および第3のチャンバ間および前記第3および第4のチャンバ間の流通が許容されるように、前記第2および第3の弁を開く条件をさらに含む条件シーケンスを与えるように構成される、請求項1に記載の弁アセンブリ。低圧排気ポートに結合された第1のチャンバと、第1のアクチュエータポートに結合された第2のチャンバと、高圧供給ポートに結合された第3のチャンバと、第2のアクチュエータポートに結合された第4のチャンバと、低圧排気ポートに結合された第5のチャンバとを有するハウジングを含み、前記第1および第2のチャンバ間にある第1の弁と、前記第2および第3のチャンバ間にある第2の弁と、前記第3および第4のチャンバ間にある第3の弁と、前記第4および第5のチャンバ間にある第4の弁とをさらに含む弁アセンブリの動作方法であって、第1の条件を与えるために、第3のチャンバから第2のチャンバおよび第3のチャンバから第4のチャンバへの流通が許容され、第1および第2のチャンバ間および第3および第4のチャンバ間の流通が実質的に阻止されるように、前記第2および第4の弁を開き、前記第1および第3の弁を閉じるステップと、前記第1の条件の後、第2の条件を与えるために、第3のチャンバから第2のチャンバへの流通が許容され、第1および第2のチャンバ間、第3および第4のチャンバ間、第4および第5のチャンバ間の流通が実質的に阻止されるように、前記第2の弁を開き、前記第1、第3、および第4の弁を閉じるステップと、前記第2の条件の後、第3の条件を与えるために、前記第3のチャンバから前記第2のチャンバおよび前記第3のチャンバから前記第4のチャンバへの流通が許容され前記第1および第2のチャンバ間および前記第4および第5のチャンバ間の流通が実質的に阻止されるように、前記第2および第3の弁を開き、前記第1および第4の弁を閉じるステップと、前記第3の条件の後、第4の条件を与えるために、前記第3のチャンバから前記第4のチャンバへの流通が許容され、前記第1および第2のチャンバ間、前記第2および第3のチャンバ間、および前記第4および第5のチャンバ間の流通が実質的に阻止されるように、前記第3の弁を開き、前記第1、第2、および第4の弁を閉じるステップと、第4の条件の後に、第5の条件を与えるために、第2のチャンバから第1のチャンバおよび第3のチャンバから第4のチャンバへの流通が許容され、第2および第3のチャンバ間および第4および第5のチャンバ間の流通が実質的に阻止されるように、前記第1および第3の弁を開き、前記第2および第4の弁を閉じるステップとを含んでなる、方法。前記第1の条件の前に、初期条件を与えるために、前記第1および第2のチャンバ間、前記第2および第3のチャンバ間、前記第3および第4のチャンバ間、前記第4および第5のチャンバ間の流通が実質的に阻止されるように、前記第1、第2、第3、および第4の弁を閉じるステップをさらに含む、請求項8に記載の方法。前記第5の条件の後、第6の条件を与えるために、前記第1および第2のチャンバ間、前記第2および第3のチャンバ間、前記第3および第4のチャンバ間、および前記第4および第5のチャンバ間の流通が実質的に阻止されるように、前記第1、第2、第3、および第4の弁を閉じるステップをさらに含む、請求項8に記載の方法。前記第5の条件の後、第6の条件を与えるために、前記第2および第3のチャンバ間および前記第3および第4のチャンバ間の流通が実質的に阻止され、前記第1および第2のチャンバ間および前記第4および第5のチャンバ間の流通が許容されるように、前記第2および第3の弁を閉じ、前記第1および第4の弁を開く条件をさらに含む、請求項8に記載の方法。前記第5の条件の後、前記第1および第2のチャンバ間および前記第4および第5のチャンバ間の流通が実質的に阻止され、前記第2および第3のチャンバ間および前記第3および第4のチャンバ間の流通が許容されるように、前記第1および第4の弁を閉じ、前記第2および第3の弁を開くステップをさらに含む、請求項8に記載の方法。前記第1の条件の前に、初期条件を与えるために、前記第2および第3のチャンバ間および前記第3および第4のチャンバ間の流通が実質的に阻止され、前記第1および第2のチャンバ間および前記第4および第5のチャンバ間の流通が許容されるように、前記第2および第3の弁を閉じ、前記第1および第4の弁を開くステップをさらに含む、請求項8に記載の方法。前記第1の条件の前に、初期条件を与えるために、前記第1および第2のチャンバ間および前記第4および第5のチャンバ間の流通が実質的に阻止され、前記第2および第3のチャンバ間および第3および第4のチャンバ間の流通が許容されるように、前記第1および第4の弁を閉じ、前記第2および第3の弁を開くステップをさらに含む、請求項8に記載の方法。前記第1および第5のチャンバが、同一の低圧排気ポートに結合される、請求項8に記載の方法。前記第1および第5のチャンバが、異なる低圧排気ポートに結合される、請求項8に記載の方法。前記弁の各々が、複数の弁フラップをそれぞれ含む弁チップをそれぞれ含む、請求項8に記載の方法。前記第1の弁チップが、前記第2の弁チップから間隔を置いて設けられる、請求項17に記載の方法。前記第1の弁チップが、前記第2の弁チップに対して平行である、請求項17に記載の方法。前記第1および第5の条件の各々の間、外部電源をモニタするステップと、前記第1の条件中に前記外部電源の中断を検出すると、前記第1の条件を維持するステップと、前記第5の条件中に前記外部電源の中断を検出すると、前記第5の条件を維持するステップとをさらに含む、請求項8に記載の方法。前記第1、第2、第3、第4、および第5の条件の各条件中、外部電源をモニタするステップと、前記第1、第2、第3、第4、および第5の条件の任意の条件中に前記外部電源の中断を検出すると、デフォルト条件を与えるために、前記第1および第2のチャンバ間、前記第2および第3のチャンバ間、前記第3および第4のチャンバ間、および前記第4および第5のチャンバ間の流通が実質的に阻止されるように、前記第1、第2、第3、および第4の弁を閉じるステップとをさらに含む、請求項8に記載の方法。前記第1、第2、第3、第4、および第5の条件の各条件中、外部電源をモニタするステップと、前記第1、第2、第3、第4、および第5の条件の任意の条件中に前記外部電源の中断を検出すると、デフォルト条件を与えるために、前記第2および第3のチャンバ間および前記第3および第4のチャンバ間の流通が実質的に阻止され、前記第1および第2のチャンバ間および前記第4および第5のチャンバ間の流通が許容されるように、前記第2および第3の弁を閉じ、前記第1および第4の弁を開くステップとをさらに含む、請求項8に記載の方法。前記第1、第2、第3、第4、および第5の条件の各条件中、外部電源をモニタするステップと、前記第1、第2、第3、第4、および第5の条件の任意の条件中に前記外部電源の中断を検出すると、デフォルト条件を与えるために、前記第1および第2のチャンバ間および前記第4および第5のチャンバ間の流通が実質的に阻止され、前記第2および第3のチャンバ間および前記第3および第4のチャンバ間の流通が許容されるように、前記第1および第4の弁を閉じ、前記第2および第3の弁を開くステップとをさらに含む、請求項8に記載の方法。第1および第2の対向する面、前記第1および第2の面の間にある基板を貫通する孔、および入力パッド対を有する基板と、前記基板にある前記孔と関連付けられ、前記入力パッド対に印加された電気信号に応答して、前記孔を開き、または実質的に阻止するように構成された、前記基板上にある可動弁部材と、前記基板の前記第1および第2の面の中央部分が、前記フレームにある開口を通って露出され、前記フレームと前記基板の縁部との間に流体シールが設けられるように、縁部で前記基板を取り囲み支持するフレームとを含んでなる、弁。前記可動弁部材が、可撓性弁フラップを含む、請求項24に記載の弁。前記フレームにある第1および第2の導電リードをさらに含み、前記第1および第2の導電リードが、前記基板上の入力パッドのそれぞれに電気的に結合されている、請求項24に記載の弁。前記第1および第2の導電リードの部分が、前記フレームの外側縁部に沿って露出されている、請求項26に記載の弁。前記第1および第2の導電リードの露出部分が、前記基板に対して実質的に垂直な方向に配向されている、請求項27に記載の弁。前記第1および第2の導電リードの前記露出部分が、前記フレームにある露出された貫通スロットである、請求項27に記載の弁。前記第1および第2の導電リードが、前記入力パッドのそれぞれにワイヤボンディングされる、請求項26に記載の弁。前記フレームの厚みが、前記基板の厚みより大きく、前記フレームが、前記フレームにある開口に沿って窪んだ棚部を含み、前記基板の縁部が、前記窪んだ棚部によって支持されている、請求項24に記載の弁。前記窪んだ棚部と前記基板の縁部との間に可撓性ガスケットをさらに含む、請求項31に記載の弁。前記基板の前記縁部が、前記ガスケットおよび前記窪んだ棚部に固定され、前記フレームの部分が、前記窪んだ棚部の反対にある前記基板の縁部と重なり合っている、請求項31に記載の弁。前記基板の前記縁部が、接着剤を使用して、前記窪んだ棚部に固定されている、請求項31に記載の弁。前記フレーム上にあり、前記基板から間隔を置いて設けられ、少なくとも1つの開口が貫通するバッフルをさらに含む、請求項24に記載の弁。前記弁部材が、前記基板と前記バッフルとの間にある、請求項35に記載の弁。前記バッフルおよび前記基板が、それらの間にバッフルチャンバを画定している、請求項35に記載の弁。前記バッフルが、前記基板を通る複数の孔と直列に流体の流れに制約を与える、請求項35に記載の弁。前記バッフルが、くさび形状を有する、請求項35に記載の弁。前記フレームの第1の縁部上にある第1および第2の導電リードをさらに含み、前記第1および第2の導電リードは、前記基板上の入力パッドのそれぞれに電気的に結合され、前記バッフルの薄い部分が、前記フレームの前記第1の縁部に隣接し、前記バッフルの幅広い部分が、前記第1の縁部とは反対の前記フレームの第2の縁部に隣接している、請求項39に記載の弁。前記バッフル、前記フレーム、および前記基板が、エンクロージャを規定し、前記エンクロージャが、前記可動弁部材を含む、請求項35に記載の弁。前記フレームが可撓性ガスケットと前記バッフルとの間にあるように、前記フレーム上に可撓性ガスケットをさらに含む、請求項35に記載の弁。前記フレーム上に可撓性ガスケットをさらに含み、前記基板が、前記ガスケットに対して前記フレームに窪ませて形成され、前記可撓性ガスケットが、前記基板の周囲によって規定された寸法より大きな寸法を有する開口を画定する、請求項24に記載の弁。前記フレームが、剛性高分子材料を含む、請求項24に記載の弁。第1および第2の面、および前記第1および第2の面の間にある基板を貫通する孔を有する基板と、前記孔と関連させて、前記基板の面の一方の上にある可動弁部材を含む弁チップのパッケージング方法であって、開口を有するフレームを形成するステップと、前記基板の前記第1および第2の面の中央部分が、前記フレームにある開口を介して露出され、前記フレームと前記基板の縁部との間に、流体シールが設けられるように、前記フレームの前記開口に前記弁チップを固定するステップとを含んでなる、方法。前記可動弁部材が、可撓性弁フラップを含む、請求項45に記載の方法。前記フレームの形成ステップが、前記弁チップとは別に前記フレームを成形するステップを含み、前記弁チップの固定ステップが、成形完了後に前記フレームの前記開口に前記弁チップを固定するステップを含む、請求項45に記載の方法。前記弁チップが、前記基板上に1対の入力パッドを含み、前記フレームを設けるステップが、前記フレームに前記第1および第2の導電リードを設けるステップを含み、前記開口に前記弁チップを固定した後、前記基板上の前記入力パッドのそれぞれに前記第1および第2の導電リードを電気的に結合するステップをさらに含む、請求項45に記載の方法。前記第1および第2の導電リードの部分が、前記フレームの外側縁部に沿って露出される、請求項48に記載の方法。前記第1および第2の導電リードの露出部分が、前記基板に対して実質的に垂直な方向に配向されている、請求項49に記載の方法。前記第1および第2の導電リードの前記露出部分が、前記フレームにある露出された貫通スロットである、請求項49に記載の方法。前記第1および第2の導電リードを電気的に結合するステップが、前記入力パッドのそれぞれに前記第1および第2の導電リードをワイヤボンディングすることを含む、請求項48に記載の方法。前記フレームの厚みが、前記基板の厚みより大きく、前記フレームが、前記フレームにある開口に沿って窪んだ棚部を含み、前記基板の縁部が、前記窪んだ棚部によって支持される、請求項45に記載の方法。前記開口に前記弁チップを固定する前に、前記窪んだ棚部上に可撓性ガスケットを形成するステップをさらに含み、前記弁チップを固定するステップが、前記可撓性ガスケットの前記基板の縁部を固定することを含む、請求項53に記載の方法。前記フレームの形成ステップおよび前記可撓性ガスケットの形成ステップが、前記フレームに対して第1の材料の第1のショットを使用し、前記ガスケットに対して第2の材料の第2のショットを使用して、前記フレームおよび前記ガスケットを成形することを含む、請求項54に記載の方法。前記弁チップの固定ステップが、前記窪んだ棚部と前記フレームの変形部分との間に、前記基板の縁部が固定されるように、前記窪んだ棚部の反対にある前記基板の縁部と重なり合うように、前記窪んだ棚部上に弁チップを設置した後、前記フレームの部分を変形することを含む、請求項53に記載の方法。前記弁チップの固定ステップが、前記基板の縁部と前記窪んだ棚部との間に接着剤を設けることを含む、請求項53に記載の方法。前記フレーム上にバッフルを設けるステップをさらに含み、少なくとも1つの貫通開口を有する該バッフルが、前記基板から間隔を置いて設けられている、請求項45に記載の方法。前記バッフルが、前記基板を通る複数の孔と直列に流体の流れに制約を与える、請求項58に記載の方法。前記バッフルが、くさび形状を有する、請求項58に記載の方法。前記フレームが、前記フレームの第1の縁部上に第1および第2の導電リードを含み、前記第1および第2の導電リードが、前記基板上の前記入力パッドのそれぞれの電気的に結合され、前記バッフルの第3の薄い部分が、前記フレームの前記第1の縁部に隣接し、前記バッフルの幅広い部分が、前記第1の縁部と反対の前記フレームの第2の縁部に隣接する、請求項60に記載の方法。前記バッフル、前記フレーム、および前記基板が、エンクロージャを規定し、前記エンクロージャが、前記可動弁部材を含む、請求項58に記載の方法。前記フレームが前記可撓性ガスケットと前記バッフルとの間にあるように、前記フレーム上に可撓性ガスケットを形成するステップをさらに含む、請求項58に記載の方法。前記開口に前記弁チップを固定する前に、前記フレーム上に可撓性ガスケットを形成するステップをさらに含み、前記可撓性ガスケットが、前記基板の周囲によって規定される寸法より大きい寸法を有する開口を規定している、請求項45に記載の方法。前記フレームの形成ステップおよび前記可撓性ガスケットの形成ステップが、前記フレームに対して第1の材料の第1のショットを使用し、前記ガスケットに対して第2の材料の第2のショットを使用して、前記フレームおよび前記ガスケットを成形するステップを含む、請求項64に記載の方法。前記フレームが、剛性高分子材料を含む、請求項45に記載の方法。第1および第2のチャンバを規定するハウジングと、前記第1および第2のチャンバ間にある弁チップエンクロージャとを、前記第1および第2のチャンバおよび前記弁チップエンクロージャが一端部で開いた状態で設けるステップと、前記フレームの前記開口に前記弁チップを固定した後、前記弁チップエンクロージャに前記フレームを挿入するステップと、前記弁チップエンクロージャに前記フレームを挿入した後、前記第1および前記第2のチャンバが前記弁チップによって分離されるように、前記ハウジングの開いた端部上にベースを固定するステップとを含む、請求項45に記載の方法。前記ハウジングが、前記第1のチャンバ内へおよび/または前記第1のチャンバからの流通を与える第1のポートを含み、前記ベースが、前記第2のチャンバ内へおよび/または前記第2のチャンバからの流通を与える第2のポートを含む、請求項67に記載の方法。第1、第2、および第3のチャンバを規定し、前記第1および第2のチャンバ間に第1の弁エンクロージャを、および前記第2および第3のチャンバ間に第2の弁エンクロージャをさらに規定する主要ハウジングと、前記第1の弁エンクロージャにおいて第1および第2の電気ハウジングリードの各々の部分を露出させ、前記第2の弁エンクロージャにおいて第3および第4の電気ハウジングリードの部分を露出させた、前記主要ハウジングにある第1、第2、第3、および第4の電気ハウジングリードと、前記第1の弁エンクロージャにあり、前記第1および第2の電気ハウジングリードと電気的に結合され、前記第1および第2の電気ハウジングリードに与えられた電気信号に応答して、前記第1および第2のチャンバ間の流通を許容または実質的に阻止するように構成された、第1の弁と、前記第2の弁エンクロージャにあり、前記第3および第4の電気ハウジングリードと電気的に結合され、前記第3および第4の電気ハウジングリードに与えられた電気信号に応答して、前記第2および第3のチャンバ間の流通を許容または実質的に阻止するように構成された、第2の弁と、前記第1、第2、第3、および第4の電気ハウジングリードに電気的に結合され、前記第1および第2のチャンバ間および前記第2および第3のチャンバ間の流通を許容または実質的に阻止するために前記電気信号を発生させるように構成された、コントローラとを含んでなる、弁アセンブリ。前記第1の弁が、複数の孔が貫通する第1の平面基板を含み、前記第2の弁が、複数の孔が貫通する第2の平面基板を含む、請求項69に記載の弁アセンブリ。前記第1および第2の平面基板が、互いに対して実質的に平行である、請求項70に記載の弁アセンブリ。前記第1の弁が、その表面上に複数の可撓性弁フラップを含み、前記可撓性弁フラップが、前記第1および第2の電気ハウジングリードに印加される電気信号に応答して、それぞれの孔を開き、または実質的に阻止するように構成される、請求項70に記載の弁アセンブリ。前記第1、第2、および/または第3のチャンバの少なくとも1つにフィルタをさらに含む、請求項69に記載の弁アセンブリ。前記第1の弁が、複数の孔が貫通する平面基板と、前記平面基板の中央部分が、前記フレームにある開口を通って露出され、前記フレームと前記基板の縁部との間に流体シールが与えられるように、縁部分で前記平面基板を取り囲み支持するフレームとを含む、請求項69に記載の弁アセンブリ。前記第1の弁が、前記バッフル、前記フレーム、および前記平面基板が、前記エンクロージャを規定するように、前記フレーム上にバッフルをさらに含み、前記バッフルが、少なくとも1つの開口を含む、請求項74に記載の弁アセンブリ。前記第1の弁が、くさび形のプロファイルを有する、請求項74に記載の弁アセンブリ。前記主要ハウジングが、第4のチャンバと、前記第3および第4のチャンバ間にある第3の弁エンクロージャとをさらに規定し、前記第3の弁エンクロージャに前記第2および第5の電気ハウジングリードの各々の部分を露出させた、前記主要ハウジングにある第5の電気ハウジングリードと、前記第3の弁エンクロージャにあり、前記第5および第2の電気ハウジングリードと電気的に結合され、前記第5および第2の電気ハウジングリードに与えられた電気信号に応答して、前記第3および第4のチャンバ間の流通を許容または実質的に阻止するように構成された、第3の弁とをさらに含み、前記コントローラが、前記第5の電気ハウジングリードに電気的に結合され、前記コントローラが、前記第3および第4のチャンバ間の流通を許容または実質的に阻止するために前記電気信号を発生するように構成された、請求項69に記載の弁アセンブリ。前記第1の弁と前記第1の弁エンクロージャとの間に流体シールを与える第1の可撓性ガスケットと、前記第2の弁と前記第2の弁エンクロージャとの間に流体シールを与える第2の可撓性ガスケットとをさらに含む、請求項69に記載の弁アセンブリ。第1および第2のチャンバを規定する弁ハウジングと、孔が貫通した平面基板および前記孔に隣接した可動弁部材を含み、前記第1および第2のチャンバ間の流通を許容または実質的に阻止するように構成された、前記第1および第2のチャンバ間のハウジングにある弁と、前記ハウジングの前記第2のチャンバにあるフィルタとを含んでなる、弁アセンブリ。前記可動弁部材が、可撓性弁フラップを含む、請求項79に記載の弁アセンブリ。前記弁ハウジングが、第3のチャンバをさらに規定し、前記第2および第3のチャンバ間の流通を許容または実質的に阻止するように構成された、前記第2および第3のチャンバ間のハウジングにある第2の弁をさらに含む、請求項79に記載の弁アセンブリ。前記ハウジングの前記第3のチャンバに第2のフィルタをさらに含む、請求項81に記載の弁アセンブリ。前記弁ハウジングが、第4のチャンバをさらに規定し、前記第3および第4のチャンバ間の流通を許容または実質的に阻止するように構成された、前記第3および第4のチャンバ間のハウジングにある第3の弁をさらに含む、請求項81に記載の弁アセンブリ。前記ハウジングの前記第4のチャンバに第2のフィルタをさらに含む、請求項83に記載の弁アセンブリ。前記弁ハウジングが、第5のチャンバをさらに規定し、前記第4および第5のチャンバ間の流通を許容または実質的に阻止するように構成された、前記第4および第5のチャンバ間のハウジングにある第4の弁をさらに含む、請求項83に記載の弁アセンブリ。前記第4のチャンバに第2のフィルタをさらに含む、請求項85に記載の弁アセンブリ。前記第3のチャンバに第3のフィルタをさらに含む、請求項86に記載の弁アセンブリ。前記第3のチャンバが、高圧流体供給に結合されるように構成され、前記第2および第4のチャンバが、シリンダのポートのそれぞれに結合されるように構成され、前記第1および第5のチャンバが、低圧排気に結合されるように構成される、請求項85に記載の弁アセンブリ。前記弁が、静電駆動式弁を含む、請求項79に記載の弁アセンブリ。前記静電駆動式弁が、孔が貫通した基板と、前記孔に隣接した前記第1のチャンバに対面する前記基板の表面上にある可動弁部材とを含む、請求項89に記載の弁アセンブリ。前記ハウジングが、前記第1および第2のチャンバへの開口を有する主要部分と、前記第1および第2のチャンバへの前記主要部分にある開口を密封するために、前記主要部分に固定されたベース部分とを含む、請求項79に記載の弁アセンブリ。低圧排気ポートに結合された第1のチャンバと、第1のアクチュエータポートに結合された第2のチャンバと、高圧供給ポートに結合された第3のチャンバと、第2のアクチュエータポートに結合された第4のチャンバと、低圧排気ポートに結合された第5のチャンバとを有するハウジングを含み、前記第1および第2のチャンバ間にある第1の弁と、前記第2および第3のチャンバ間にある第2の弁と、前記第3および第4のチャンバ間にある第3の弁と、前記第4および第5のチャンバ間にある第4の弁とをさらに含む弁アセンブリの動作方法であって、前記第3のチャンバから前記第2のチャンバおよび前記第3のチャンバから前記第4のチャンバへの流通が許容され、前記第1および第2のチャンバ間および前記第3および第4のチャンバ間の流通が実質的に阻止されるように、前記第2および第4の弁へ開電気信号を印加することによって、および前記第1および第3の弁に閉電気信号を印加することによって、第1の条件を与えるステップと、前記第2のチャンバから前記第1のチャンバおよび前記第3のチャンバから前記第4のチャンバへの流通が許容され、前記第2および第3のチャンバ間および前記第4および第5のチャンバ間の流通が実質的に阻止されるように、前記第1および第3の弁へ開電気信号を印加することによって、および前記第2および第4の弁に閉電気信号を印加することによって、第2の条件を与えるステップとを含んでなる、方法。前記第1及び第2のチャンバ間および前記第2および第3のチャンバ間の流通が実質的に阻止されるように、少なくとも前記第1および第2の弁を閉じることによって、または、前記第2および第3のチャンバ間および前記第3および第4のチャンバ間の流通が実質的に阻止されるように、少なくとも前記第2および第3の弁を閉じることによって、または、前記第3および第4のチャンバ間および前記第4および第5のチャンバ間の流通が実質的に阻止されるように、少なくとも前記第3および第4の弁を閉じることによって、または、前記第1および第2のチャンバ間および前記第2および第3のチャンバ間の流通が許容されるように、少なくとも前記第1および第2の弁を開くことによって、または、前記第2および第3のチャンバ間および前記第3および第4のチャンバ間の流通が許容されるように、少なくとも前記第2および第3の弁を開くことによって、または、前記第3および第4のチャンバ間および前記第4および第5のチャンバ間の流通が許容されるように、少なくとも前記第3および第4の弁を開くことによって、第3の条件を与えるステップをさらに含む、請求項92に記載の方法。前記第1および第2のチャンバ間および前記第4および第5のチャンバ間の流通が実質的に阻止されるように、少なくとも前記第1および第4の弁を閉じることによって、または、前記第2および第3のチャンバ間および前記第3および第4のチャンバ間の流通が実質的に阻止されるように、少なくとも前記第2および第3の弁を閉じることによって、第3の条件を与えるステップをさらに含む、請求項92に記載の方法。前記第3の条件を与えるステップが、前記第3のチャンバから前記第2のチャンバへの流通が許容され、前記第1および第2のチャンバ間、前記第3および第4のチャンバ間、および前記第4および第5のチャンバ間の流通が実質的に阻止されるように、前記第2の弁を開き、前記第1、第3、および第4の弁を閉じることを含む、請求項94に記載の方法。前記第3の条件を与えるステップが、前記第3のチャンバから前記第2のチャンバおよび前記第3のチャンバから前記第4のチャンバへの流通が許容され、前記第1および第2のチャンバ間および前記第4および第5のチャンバ間の流通が実質的に阻止されるように、前記第2および第3の弁を開き、前記第1および第4の弁を閉じることを含む、請求項94に記載の方法。前記第3の条件を与えるステップが、前記第3のチャンバから前記第4のチャン以下、本発明の実施形態が図示されている添付の図面を参照しながら、本発明についてさらに詳細に記載する。しかしながら、本発明は、多くの異なる形態で実施されてもよく、本明細書に示す実施形態に限定されるものと解釈されるべきではない。むしろ、これらの実施形態は、本開示が完全かつ完璧なものになり、当業者に対して本発明の範囲を全て伝えるように提供されるものである。図面において、層、領域、および/または線の厚みおよび/または幅は、明瞭にするために誇張されている。また、層、領域、または基板などの要素が、別の要素上にあると言及する場合、この要素が他の要素上に直接あり得るし、介在要素が存在することもあることを理解されたい。対照的に、層、領域、または基板などの要素が、別の要素上に直接あると言及されれば、他の介在要素が存在しないということである。同様に、ある要素が別の要素に接続または結合されると言及される場合、この要素は、他の要素に直接接続または結合され得るし、介在要素が存在することもある。対照的に、ある要素が別の要素に直接接続または直接結合されると言及される場合、他の介在要素は存在しないということである。および/またはという用語を本明細書において使用する場合、この用語は、列挙した関連する項目の1つ以上の任意および全ての組み合わせを含む。さらに、図面に示すように、1つの要素と別の要素との関係を記載するために、下方、上、下、上側、および/または下側などの相対語が本明細書において使用されてもよい。相対語が、図面に描かれた配向の他にも、デバイスの異なる配向を包含するように意図されていることを理解されたい。例えば、図面の1つの図にあるデバイスをひっくり返せば、他の要素の下方にあるものとして記載されていた要素が、今度は他の要素の上方に配向されることになる。したがって、以下の例示的な用語は、上方および下方の配向の両方を含み得る。様々な領域、層、セクション、および/またはステップを記載するために、第1、第2、第3などの用語を本明細書において使用するが、これらの領域、層、セクション、および/またはステップは、これらの用語に限定されるべきではないことを理解されたい。これらの用語は、1つの領域、層、セクション、またはステップを、別の領域、層、セクション、またはステップと区別するために使用されるにすぎない。このように、本発明の教示から逸脱することなく、以下に記述する第1の領域、層、セクション、またはステップを、第2の領域、層、セクション、またはステップと呼ぶこともでき、同様に、第2の領域、層、セクション、またはステップを、第1の領域、層、セクション、またはステップと呼ぶこともできる。同様の参照番号は、本明細書の全体を通じて同様の要素をさす。本明細書において使用する用語は、特定の実施形態のみを記載するためのものであり、本発明を限定することを意図したものではない。1つおよびそのの単数形を本明細書において使用する場合、これらは、文脈に特段の明記がない限り、複数形も同様に含むことを意図したものである。含むcomprisesおよび/または含むcomprisingという用語は、本明細書において使用する場合、言及した特徴、完全体、ステップ、動作、要素、および/またはコンポーネントの存在を指定するが、1つ以上の他の特徴、完全体、ステップ、動作、要素、コンポーネント、および/またはそれらの群の存在または追加を排除するものではないということをさらに理解されたい。特に定義しない限り、本明細書において使用する全ての用語技術用語および科学用語を含むは、本発明が属する技術の当業者によって一般に理解されているものと同じ意味を有する。一般に使用されている辞書に定義されているような用語は、関連技術の文脈における意味と一貫した意味を有するものとして解釈されるべきであり、本明細書において特別に定義されていない限り、理想的または過度に形式的な意味で解釈されるものではないということをさらに理解されたい。空気圧式アクチュエータにおいて、2つのアクチュエータチャンバが、ピストンによって分離され、ピストンを動かすために、アクチュエータチャンバにおける圧力差が利用される。アクチュエータの外側で作動するデバイスにピストンの運動を伝達するために、ロッドが使用され得る。空気圧式アクチュエータのアクチュエータチャンバの一方または両方に対する空気の流出入を制御するために、本発明のいくつかの実施形態による弁アセンブリが使用され得る。本発明のいくつかの実施形態による弁アセンブリが、別々の基板上に各々が設けられた複数の弁アレイを含んでもよい。各弁は、基板を貫通する弁オリフィスと、弁オリフィスをゲート制御するために使用された静電駆動式可撓性弁フラップとを含んでもよい。さらに詳しく言えば、各可撓性弁フラップは、第1の端部で基板に固定され、他の全ての縁部で自由であってもよい。さらに、各可撓性弁フラップの各々の自由端部は、各可撓性弁フラップが、印加静電力がない場合に常時開であるように、基板から離れる方向にカールしてもよい。弁フラップは、基板の上面に設けられてもよく、開いた弁オリフィスを通る流れが、基板の底面にかかる高圧力から基板の上面にかかる低圧力までのものであってもよい。図1に、本発明のいくつかの実施形態による個々の弁の構造を示す。図1に示すように、弁100は、基板101シリコン基板などと、基板101の上面にある第1および第2の絶縁層103および107の間に設けられた固定電極105と、第3および第4の絶縁層109および115の間に設けられた可撓性電極111とを含んでもよい。固定および可撓性電極105および111は、例えば、各々が、Ti、Cr、Au、Al、Cu、W、Ptなどの金属層、および/または導電性高分子例えば、ポリアニリンおよび/または導電性酸化膜例えば、ITOなどの他の可撓性導電材料の層を含んでもよい。ある導電性金属膜例えば、Au、Ag、Al、Cu、および/またはPtを使用する場合、可撓性フラップの絶縁層に適切な接着性を与えるために、導電性金属膜の上側および/または下側表面上に、薄い接着層例えば、Tiおよび/またはCrが設けられてもよい。絶縁層103、107、109、および115の1つ以上は、ポリイミドまたは他の感光性高分子などの高分子材料層であってもよい。別の実施形態において、第2の絶縁層107または第3の絶縁層109の一方が省かれてもよく、および/または、第1の絶縁層103が省かれてもよい。さらに、または他の形態において、絶縁層107および/または絶縁層109が、酸化珪素SiO2などのセラミック誘電体を含んでもよい。第3および第4の絶縁層109および115、および可撓性電極111は、基板101を貫通する弁オリフィス119のそれぞれに隣接した可撓性弁フラップ117を画定する。弁孔は、基板を通して湿式化学エッチングおよび/またはディープ反応イオンエッチングを施すことによって形成されてもよい。可撓性弁フラップ117は、基板101の底面から、弁オリフィス119を通って、基板101の上面にある可撓性弁フラップ117を通過して流体が流れるように、固定電極105と可撓性電極111との間に静電引力がない場合に、基板の上面から離れて常時開位置へとカールするように構成されてもよい。弁100は、可撓性弁フラップ117が弁オリフィス119を阻止するように、固定電極105と可撓性電極111との間に静電引力を生じさせることによって閉じされてもよい。さらに詳しく言えば、弁フラップ117は、絶縁層109および115が所定の応力を有するように作製することによって、基板101の上部から離れた常時開位置へカールするように作ることもできる。例えば、MicroelectromechanicalFlexibleMembraneElectrostaticValveDevicesAndRelatedFabricationMethodsという発明の名称の、ScottH.Goodwin-Johanssonらの米国特許第6,590,267号明細書に、マイクロ電子機械静電弁デバイスが記述されており、同特許の内容全体を引用することにより本明細書の一部をなすものとする。図1に対して上述したような弁フラップを使用するか、またはマイクロ機械加工ダイヤフラムなどの他の可動弁部材を使用して、本発明の実施形態による静電駆動式弁が提供されてもよい。図2に示す弁チップ131を提供するために、単一の基板の上面に、弁1001x1yのアレイが設けられてもよい。図2に示すように、チップ131上の行列に複数の弁1001x1yが配設されてもよく、各弁1001x1yは、弁オリフィス119または孔と、可撓性弁フラップ117とをそれぞれ含む図1に図示。さらに、弁チップ131上の各弁1001x1yの固定電極105は、互いに電気的に接続されてもよく、チップ131上の各弁1001x1yの可撓性電極111は、互いに電気的に接続されてもよいため、固定電極と可撓性電極との間に静電引力を生じるように、それらの間に電位を与えることができる。図2に、複数の弁各弁が1つの弁フラップと1つのオリフィスとを含むが示されているが、本発明の実施形態による弁チップに対して、他の配置が与えられてもよい。例えば、本発明のいくつかの実施形態による弁チップが、単一の弁フラップと、単一のオリフィスとを有する単一の弁を含んでもよい。他の形態において、弁チップが、少なくとも1つの弁に複数のオリフィスを開閉するために使用される単一の弁フラップがある1つ以上の弁を含んでもよい。したがって、弁1001x1yのアレイは、一斉に開閉することができる。さらに詳しく言えば、アレイの固定電極105とアレイの可撓性電極111との間に閉電位を印加して、静電引力を生じさせることで、可撓性弁フラップ117の全てが、弁チップ131上の弁オリフィス119の全てを閉じるようにすることができる。同様に、アレイの固定電極105と可撓性電極111との間に開電位を印加して、静電引力を取り除くことで、可撓性弁フラップ117の全てが、チップ131上の弁オリフィス119の全てを開くようにすることができる。チップ131上に共通して作動する弁1001x1yのアレイを設けることによって、弁チップ131は、単一の弁を用いて可能であったものより多くの流体の流れを調整することができる。このように、最大1.0Cvまでの流量サイズを有する異なる流量サイズCvの弁チップが提供されてもよい。例えば、およそ0.001Cv~およそ10Cvの範囲の流量サイズが与えられてもよい。本明細書において使用する場合、流量係数Cvは、インペリアル単位系に基づいたものであり、1lb/in2の圧力降下、USガロン/分の単位で60°Fで弁を通る水の流れとして定義される。流量サイズは、例えば、弁の数、弁オリフィスのサイズなどによって決定されてもよい。このように、弁チップが大きいほど、流量サイズが大きくなることもある。他の形態において、同じチップ上の弁は、個別に対処され、別々に作動させてもよい。図3に、本発明のいくつかの実施形態による弁アセンブリ141の略図を示す。図3に示すように、4つの弁チップ131a~dが、弁アセンブリ141の5つのチャンバ143a~eを分離する。さらに詳しく言えば、弁チップ131aは、チャンバ143aおよび143bを分離し、弁チップ131bは、チャンバ143bおよび143cを分離し、弁チップ131cは、チャンバ143cおよび143dを分離し、弁チップ131dは、チャンバ143dおよび143eを分離する。チャンバ143aおよび143eは、低圧排気ポート142aおよび142bのそれぞれに結合され、チャンバ143bおよび143dは、ポート146aおよび146bを通って、空気圧式アクチュエータ161の可動ピストン165によって分離されたチャンバ163aおよび163bのそれぞれに結合され、チャンバ143cは、高圧供給ポート144cに結合される。したがって、弁チップ131aは、チャンバ143bからチャンバ143aへの流体の流れを許可または阻止するように構成される。弁チップ131bは、チャンバ143cからチャンバ143bへの流体の流れを許可または阻止するように構成される。弁チップ131cは、チャンバ143cからチャンバ143dへの流体の流れを許可または阻止するように構成される。弁チップ131dは、チャンバ143dからチャンバ143eへの流体の流れを許可または阻止するように構成される。本発明のいくつかの実施形態によれば、弁アセンブリ141および空気圧式アクチュエータ161シリンダとも呼ぶは、別々に生産された後に一体に結合されてもよい。このように、顧客は、同じ仕入先または異なる仕入先から弁アセンブリおよび空気圧式アクチュエータを別々に購入してもよい。本発明の他の実施形態によれば、弁アセンブリを空気圧式アクチュエータに組み込んでまたは集積して、2つを1つのユニットとして生産および/または販売してもよい。以下、本発明のいくつかの実施形態による図4A~Fに対して、図3の弁アセンブリ141の連続した動作条件についてさらに詳細に記述する。図4Aに示す1つの可能性のある始動条件において、弁チップ131a~d上の全ての弁100a~dの弁フラップが、始動時、第1の条件で閉じられる。弁は、静電引力を弁の弁フラップに印加することによって閉状態に維持される。この始動条件において、供給チャンバ143cにのみゲージ圧力があり、他のチャンバ143a~bおよび143d~eのいずれにもゲージ圧力がない。始動後の動作中、ゲージ圧力は、供給チャンバ143cおよびチャンバ143bまたは143dの少なくとも1つに存在することになる。一例として、始動時、ピストン165およびロッド167は、後退位置に示されている。図4Bの第2の条件において、弁チップ131bおよび131d上の弁100bおよび100dの弁フラップが開かれているのに対して、弁チップ131aおよび131cの弁100aおよび100c上の弁フラップは閉じられている。チャンバ143cから143bおよびチャンバ143dから143eへの圧力差により、弁100aおよび100cの弁フラップは、弁フラップが常時開位置までカールするように、印加された静電引力を低減/排除することによって開くことができる。したがって、チャンバ143bおよび163aの圧力は上昇し、ピストン165およびロッド167は拡張し、チャンバ163bおよび143dは、チャンバ143eおよび排気ポート142bを通して排気される。図4Cの第3の条件において、弁チップ131dの弁100dの弁フラップを閉じることができるように、チャンバ143dおよび143eの圧力の間に十分な均衡が達成されてもよく、弁チップ131dの弁100dを閉じるために、弁フラップ上の静電引力が利用される。図4Dの第4の条件において、チャンバ143dが、図4Cの条件においてすでに排気されているため、弁100cの弁フラップを開くことができる。弁100cの弁フラップを閉じるために利用された静電力が除去されることで、弁100bを開状態に維持したまま、弁100cは、図4Dに示すように、その弁フラップが常時開位置までカールしながら開く。ピストン165が完全に拡張される前に弁100cを開くことによって、チャンバ143dおよび163bの上昇中の圧力が、ピストン運動を遅くすることもある。図4Eの第5の条件において、チャンバ143bおよび143c間に均衡を達成でき、弁チップ131b上の弁100bの弁フラップは、静電引力を印加することによって閉じることができる。さらに、チャンバ143bの圧力を、チャンバ143aの圧力に対して上昇させることができる。チャンバ143aの圧力に対して、チャンバ143bの圧力を上昇させた後の図4Fの第6の条件において、弁フラップが常時開位置までカールするように、弁100aの弁フラップを閉じるために利用された静電力を除去することによって、弁チップ131a上の弁100aの弁フラップを開くことができる。したがって、空気圧式アクチュエータチャンバ163aは、チャンバ143aおよび143bを通って低圧排気ポート142aに結合され、空気圧式アクチュエータチャンバ163bは、チャンバ143cおよび143dを通って高圧供給ポート144cに結合される。図4Fの条件において、ピストン165およびロッド167は後退する。チャンバ143cおよび143dの圧力が均衡し、チャンバ143aおよび143bの圧力が均衡すると、弁チップ131aおよび131cの弁100aおよび100cは、それらの弁フラップに静電引力を印加することによって閉じられ、ピストン165およびロッド167を拡張および後退させるために、図4A~Fの動作を繰り返すことができる。本発明のいくつかの実施形態によれば、弁アセンブリ141の弁チップ131a~dは、ピストン165およびロッド167を拡張位置から後退位置へ動かすために、図4Bの条件から図4C、図4D、図4E、図4Fの条件へシーケンスしてもよい。弁アセンブリ141の弁チップ131a~dは、ピストン165およびロッド167を後退位置から拡張位置へと動かすために、図4Fの条件から、図4E、図4D、図4C、図4Bの条件へシーケンスしてもよい。このように、ピストン165を拡張および後退させるために、図4A~Fに対して上述したシーケンス動作が用いられてもよい。しかしながら、ピストンを拡張するためのコマンドが全て、ピストンを拡張または完全に拡張することになるわけではないし、ピストンを後退するためのコマンドが全て、ピストンを後退または完全に後退することになるわけではないことを理解されたい。例えば、前の拡張/後退が完了する前に、次のコマンドが受信/開始されてもよい。さらに詳しく言えば、例えば、フォールト条件の検出、安全センサの作動、および/または電力異常の検出などの場合でも、前の拡張/後退が完了する前に、次のコマンドが受信/開始されてもよい。他の形態において、弁アセンブリの弁チップは、図4Fの条件から、弁チップ131aおよび131dが閉状態で、弁チップ131bおよび131cが開状態である図4Dの条件へシーケンスしてもよい。別の形態において、弁アセンブリの弁チップは、図4Fの条件から、弁チップ131bおよび131cが閉状態で、弁チップ131aおよび131dが開状態である条件へシーケンスする。図4A~Fに対して上述したシーケンス技術は、アクチュエータを拡張および後退するために弁アセンブリが動作し得る最大圧力を上昇させることもある。アレイの弁を開くことに対する固有の動作制約は、弁チップの底面上により高い圧力が存在するため低減することができる。弁の静電閉鎖力に近似する空気圧力からの力で弁を閉じるときに様々な制約が生じることもある。このように、弁は、隣接するチャンバ間の圧力差を低減できるように選択的に開閉されてもよい。隣接するチャンバ間の圧力差を低減することによって、弁チップの弁フラップが、元々存在していたものより著しく低い圧力差に対して閉じられるという状況が発生し得る。比較的高い圧力差が存在していたであろう状態において弁チップの弁フラップを閉じるときに圧力差を低減するためには、比較的小さな時間遅延例えば、約100マイクロ秒程度で十分なこともある。例えば、MicroelectromechanicalFlexibleMembraneElectrostaticValveDevicesAndRelatedFabricationMethodsという発明の名称の、ScottH.Goodwin-Johanssonらの米国特許第6,590,267号明細書、MicromachinedElectrostaticActuatorWithAirGapという発明の名称の、ScottH.Goodwin-Johanssonらの米国特許第6,236,491号明細書、および/または、国際特許出願公開第02/22492号パンフレットに、マイクロ電子機械弁について記述されている。これらの特許および公開公報の各々の内容全体を引用することにより本明細書の一部をなすものとする。さらに、例えば、図5~図9に示すような本発明のいくつかの実施形態によるフレームを使用して、弁チップがパッケージングされてもよい。図6および図8に、パッケージングされた弁チップ図2に対して上述したような弁チップ131を各々が含むの別の実施形態を示す。図5および図7に、弁チップがないパッケージングフレームの対応する実施形態を示し、図9に、フレームがない電気リードの実施形態を示す。例えば、図5に示すように、本発明のいくつかの実施形態によるパッケージングフレーム211aが、本体213aと、ガスケット215aと、電気リード217とを含んでもよい。フレーム211aは、ウィンドウ219aと、ウィンドウ219aを取り囲む窪んだ棚部221aとを有する。さらに、トラフ223aが、棚部221aを取り囲んでもよい。棚部221aとトラフ223aとを組み合わせた幅は、およそ0.025インチ~およそ0.060インチの範囲のものであってもよい。さらに詳しく言えば、棚部221aとトラフ223aとを組み合わせた幅は、およそ0.050インチ~およそ0.060インチの範囲のものであってもよい。電気リード217は、打ち抜き金属で形成されてもよく、電気リード217は、スズでめっきされてもよくおよそ150マイクロインチ、次いで、金でめっきされてもよいおよそ40マイクロインチ。本体213aは、射出成形絶縁材料プラスチック材料、エラストマー材料、重合体、共重合体、および/またはそれらの誘導体で形成されてもよく、ガスケット215aは、ゴム、ヴァイトン、および/またはシリコーンなどの射出成形可撓性シーリング材料で形成されてもよい。ガスケット215aにより、弁アセンブリの主要ハウジングに対して静的流体シールが与えられてもよい。さらに詳しく言えば、本体213aは、金型のインサートとして電気リード217を与えて、射出成形絶縁材料プラスチック材料、エラストマー材料、重合体、共重合体、および/またはそれらの誘導体で形成されてもよい。さらに、ガスケット215aは、2段階ショット成形プロセスおよび/またはオーバーモールドプロセスを使用して、本体213aと一体に形成されてもよい。棚部221aは、弁チップの上面と底面とが流通状態になるように露出させた状態にして、棚部によって片側の縁部で弁チップを支持できるように、本体213aの周囲部分に対して窪ませて形成されてもよい。さらに、棚部221aは、引き続き設置された弁チップもまた本体213a内に窪ませて形成されるように、十分に窪ませて形成されてもよい。さらに、電気リード217の部分が、引き続き設置された弁チップとの電気的接続ワイヤボンディング、はんだバンプ形成、導電性エポキシ、または当業者に公知の他の手段などのために、ウィンドウ219aに隣接して露出される。さらに、本体213aの他の部分を弁チップにより接近して装着させた状態で、棚部上に弁チップを設置するためのツールのスペースが得られるように、棚部221aの部分に隣接して、本体213aのノッチ225aが設けられてもよい。リード217を取り囲む本体213aの部分は、ワイヤボンディングの先端隙間を与えるために傾斜が付けられてもよい例えば、およそ30度。一例として、本明細書において射出成形について記述しているが、インサート成形および/またはブロー成形などの他の成形技術が使用されてもよい。次いで、トラフ223aに接着剤が与えられ、棚部221a上に弁チップ131が設置されると、接着剤が完全に硬化するまで、トラフ223aにより接着剤を配置、定着、および/または拡散制御することができる。さらに詳しく言えば、およそ0.015インチの幅の接着剤ビーズが使用されてもよい。弁チップは、光センサ機器を使用して、およそ0.005インチの精度で、棚部221a上に設置されてもよい。したがって、パッケージングフレームの本体213a内に、指示標示が成形されてもよい。さらに詳しく言えば、L、T、、または他の同様の文字に類似した外観を有する垂直の交差線を含むように、指示標示が成形されてもよい。さらに、指示標示は、およそ0.010インチの深さを有してもよい。棚部221a上に弁チップ131を固定するために使用される接着剤が、およそ1時間、およそ摂氏150度華氏302度で硬化されてもよい。他の形態において、接着剤は、長時間、低温で硬化されてもよい。例えば、本体213aにポリカーボネートが使用されてもよく、ポリカーボネートの融点温度は、およそ華氏430度~およそ華氏480度の範囲のものであってもよい。しかしながら、本体213aの変形を低減するために、接着剤の硬化温度が、およそ華氏125度~およそ華氏200度の範囲に維持されてもよい。他の形態において、接着剤として、UV硬化エポキシが使用されてもよい。図6に示す構造を与えるために、弁チップ131の露出縁部の周りで、本体213aの部分229が変形されてもよい。接着剤は、弁チップ131と本体213aとの間に流体シールを与えてもよく、変形部分229が、本体213a内に弁チップを固定してもよい。さらに詳しく言えば、本体213a内に弁チップ131を保持するために、被加熱ツール熱カシメなどを使用して、本体213aの部分229が変形されてもよい。したがって、弁チップ131の縁部が、一方側では、棚部221aによって、他方側では、本体213aの変形部分229によって支持されてもよい。さらに、リード217に隣接した弁チップ131の表面が、リード217に対して、およそ0.010インチ、さらに、ノッチ225a、棚部221a、およびトラフ223aを取り囲む本体213aの表面に対して、およそ0.030インチだけ窪ませて形成されてもよい。弁チップ131上で、第1の入力パッド第1の金ボンドパッドなどに、全ての固定電極が電気的に接続されてもよく、第2の入力パッド第2の金ボンドパッドなどに、全ての可撓性電極が電気的に接続されてもよく、入力パッドは、例えば、金ワイヤボンディングなどのワイヤボンディング、はんだバンプ形成、導電性エポキシ、または当業者に公知の他の手段によってウィンドウ219aに隣接した電気リード217のそれぞれの露出部分に電気的に接続されてもよい。弁チップ131の入力パッドと電気リード217との間の電気的接続を保護するために、グローブトップポッティング231aが使用され得る。電気リード217の部分は、弁アセンブリの主要ハウジングとの電気的結合用に、本体213の縁部上で露出される。図示した別の実施形態によれば、例えば、図7において、本発明のいくつかの実施形態によるパッケージングフレーム211bが、本体213bと、ハウジングガスケット215bと、電気リード217とを含んでもよい。フレーム211bは、ウィンドウ219b貫通孔とも呼ぶと、ウィンドウ219bを取り囲む窪んだ棚部221bとを有する。さらに、棚部221b上に、チップガスケット216bが設けられてもよい。棚部221bの幅は、およそ0.025インチ~およそ0.060インチの範囲のものであってもよい。さらに詳しく言えば、棚部221bの幅は、およそ0.050インチ~およそ0.060インチの範囲のものであってもよい。電気リード217は、打ち抜き金属で形成されてもよく、電気リード217は、スズでめっきされてもよくおよそ150マイクロインチ、次いで、金でめっきされてもよいおよそ40マイクロインチ。本体213bは、射出成形絶縁材料プラスチック材料、エラストマー材料、重合体、共重合体、および/またはそれらの誘導体で形成されてもよく、ガスケット215bおよび216bは、ゴム、ヴァイトン、および/またはシリコーンなどの射出成形可撓性シーリング材料で形成されてもよい。ガスケット215bにより、主要ハウジングに対して静的流体シールが与えられてもよい。ガスケット216bは、上部に設置された弁チップに対して、静的流体シールを与えてもよい。さらに詳しく言えば、本体213bは、金型のインサートとして電気リード217を与えて、射出成形絶縁材料プラスチック材料、エラストマー材料、重合体、共重合体、および/またはそれらの誘導体で形成されてもよい。さらに、ガスケット215bおよび216bは、2段階ショット成形プロセスおよび/またはオーバーモールドプロセスを使用して、本体213bと一体に形成されてもよい。棚部221bは、流通状態になるように弁チップの上面と底面とを露出させた状態にして、棚部221bおよびガスケット216bによって片側の縁部で弁チップを支持できるように、本体213bの周囲部分に対して窪ませて形成されてもよい。さらに、棚部221bは、引き続き設置された弁チップもまた本体213b内に窪ませて形成されるように、十分に窪ませて形成されてもよい。さらに、電気リード217の部分が、引き続き設置された弁チップとの電気的接続ワイヤボンディング、はんだバンプ形成、導電性エポキシ、または当業者に公知の他の手段などのために、ウィンドウ219bに隣接して露出される。さらに、本体213bの他の部分を弁チップにより接近して装着させた状態で、棚部上に弁チップを設置するためのツールのスペースが得られるように、棚部221bの部分に隣接して、本体213bのノッチ225bが設けられてもよい。リード217を取り囲む本体213bの部分は、ワイヤボンディングの先端隙間を与えるために傾斜が付けられてもよい例えば、およそ30度。ガスケット216b上に、弁チップ131を設置することができ、ガスケット216bは、上部に設置された弁チップに対して、静的流体シールを与える。ガスケット216bの他の形態において、または追加して、弁チップを棚部に固定するために、打ち込み接着テープが使用されてもよい。弁チップは、光センサ機器を使用して、およそ0.005インチの精度で、ガスケット216b上に設置されてもよい。したがって、パッケージングフレームの本体213b内に、指示標示が成形されてもよい。さらに詳しく言えば、L、T、、または他の同様の文字に類似した外観を有する垂直の交差線を含むように、指示標示が成形されてもよい。さらに、指示標示は、およそ0.010インチの深さを有してもよい。図8に示す構造を与えるために、弁チップ131の露出縁部の周りで、本体213bの部分229が変形されてもよい。変形部分229は、本体213b内のガスケット216bに対して、弁チップを固定してもよい。さらに詳しく言えば、本体213b内に弁チップ131を保持するために、被加熱ツール熱カシメなどを使用して、本体213bの部分229が変形されてもよい。したがって、弁チップ131の縁部が、一方側では、棚部221bおよびガスケット216bによって、他方側では、本体213bの変形部分229によって支持されてもよい。さらに、リード217に隣接した弁チップ131の表面が、リード217に対して、およそ0.010インチ、さらに、ノッチ225bおよび棚部221bを取り囲む本体213bの表面に対して、およそ0.030インチだけ窪ませて形成されてもよい。さらに、弁チップ131は、弁フラップ117を解放する前にパッケージングされてもよい。さらに詳しく言えば、弁フラップ117は、犠牲酸化物上に形成されてもよく、犠牲酸化物は、パッケージングフレームに弁チップ131が組み立てられている間、維持されてもよい。次いで、犠牲酸化物は、パッケージングフレームに著しいダメージを及ぼすことなく、ドライ気相HFフッ化水素酸除去を使用して除去されてもよい。さらに詳しく言えば、パッケージングフレームは、ドライ気相HF除去からのダメージに耐性を含みることがあるヴァイトンおよび/または他の材料で形成されてもよい。一例として、犠牲酸化物層について記述しているが、他の適切な気相および/または湿式化学エッチャントとともに、他の犠牲層犠牲金属層などが使用されてもよい。他の形態において、弁チップの弁フラップが、複数の弁チップを含むウェハからダイシングする前、ダイシング後であるがパッケージングする前、またはパッケージングした後のいずれかに、ウェットHF酸エッチを使用して犠牲酸化物を除去することによって解放されてもよい。さらに詳しく言えば、犠牲酸化物層は、およそ10分間、49HF溶液を使用して弁チップから除去されてもよく、ウェットエッチの後に、任意の残留HFおよび/または水を除去するために、それぞれ20分間、脱イオンDI水リンス、イソプロピルアルコールリンス、および第1および第2のメタノールリンスが続いてもよい。ウェット処理後、解放された弁フラップを有する弁チップは、任意の表面張力を低減するための超臨界乾燥サイクルに含みて、メタノールが下塗りされてもよく、このときに表面張力が低減されなければ、弁フラップと基板との間に静止摩擦が生じることがある。さらに詳しく言えば、弁チップは、ドライヤチャンバ内に装填され、メタノールで被覆されてもよく、次いで、およそ1200psigの圧力でチャンバからメタノールを取り去るために、液体CO2が使用される。メタノールが全て取り去られると、チャンバは、CO2を液相から気相へと転移させるために超臨界点およそ摂氏31度を超えて加熱され、CO2気体のシステムを排出するために、圧力が解放される。超臨界CO2の表面張力は極めて低いため、CO2は、液体から気体への転移に伴って弁フラップを引き下げる可能性が高くない。市販および/またはカスタムの超臨界ドライヤが使用されてもよい。弁チップ上にある許容可能な数の弁フラップがうまく解放されていることを決定するために、視覚検査を使用することもできる。特に、弁チップの表面は、弁フラップが解放され、弁チップが無通電にされるときに視認できるフラッパ下の露出シリコンとは色が異なり、色の変動を検査することができる。他の形態において、解放後にウェハを通して光を投影することができ、光検出器が、通電閉および無通電開弁チップ間の光差を検出できる。いずれの例においても、検査を実行するために、機械視認システムを使用できる。弁チップ131上で、第1の入力パッド第1の金ボンドパッドなどに、全ての固定電極が電気的に接続されてもよく、第2の入力パッド第2の金ボンドパッドなどに、全ての可撓性電極が電気的に接続されてもよく、入力パッドは、例えば、金ワイヤボンディングなどのワイヤボンディング、はんだバンプ形成、導電性エポキシ、または当業者に公知の他の手段を使用して、ウィンドウ219bに隣接した電気リード217のそれぞれの露出部分に電気的に接続されてもよい。弁チップ131の入力パッドと電気リード217との間の電気的接続を保護するために、グローブトップポッティング231bが使用され得る。電気リード217の部分は、主要ハウジングとの電気的結合用に、本体213bの縁部上で露出される。さらに、図5~図8に示す本発明のいくつかの実施形態によるパッケージングフレームを成形するために使用するツールは、同じ外寸を有するパッケージングフレームが、実質的に同じ金型ツールを使用して異なるウィンドウ寸法で成形されるように適応されてもよい。例えば、異なるウィンドウサイズ、形状、および/または場所を与えるために異なる金型リッドを使用して、異なるパッケージングフレームを形成するために、同じ金型ベースを使用できる。したがって、パッケージングフレームは、異なるサイズの弁チップに対して効率的に作製されてもよい。さらに詳しく言えば、より低い流体流量能力を要する用途のより小さな弁チップには、より小さなウィンドウが設けられてもよく、ワイヤボンディングに近接するように電気リードに隣接させて中心に置くのではなく、より小さなウィンドウが設けられてもよい。異なる弁チップサイズに対して同じ外寸を有するパッケージングフレームを設けることによって、同じ主要ハウジングが、異なる動作特性を与えるように、異なる能力/サイズのパッケージングされた弁チップを収容してもよい。さらに、圧力スパイクを偏向し、および/または弁チップ131の静電弁フラップ上の応力を低減するために、フレーム211aまたは211bの本体213aまたは213b上に、バッフルが設けられてもよい。さらに詳しく言えば、バッフルは、可撓性弁フラップおよび入力パッドを含む弁チップ131の側に隣接したガスケット215aまたは215b内の本体213aまたは213b上に設けられてもよい。さらに、バッフルは、接着剤で本体213aまたは213bに固定されるプレートとして設けられてもよい。図23に、バッフル971の1つの例を示す。図示したように、バッフル971は、貫通するオリフィス973を含み、バッフル971の寸法は、バッフルが、弁チップ131よりわずかに長く幅広いが、ガスケット215aまたは215bの内寸よりわずかに小さい。したがって、バッフル971は、弁チップ131から間隔を置いて隣接して、ガスケット215aまたは215b内に固定されてもよい。さらに、バッフル971を設置できるフレームの本体213aまたは213bに、窪みが設けられてもよく、窪みは、バッフル971と弁チップ131との間の間隔を規定してもよい。さらに、バッフル971は、電気リード217から最も離れた弁チップ131の一部分にオリフィス973が隣接するように設置されてもよい。バッフル971を含むことによって、取り扱い中およびその後の組み立て中に、弁チップ131の弁フラップが保護されてもよい。さらに、バッフル971により、より多くの層流が弁チップ131を流れ、および/または、バッフルとともにパッケージングされた弁チップを含む弁アセンブリのシーケンス速度が高まることもある。他の形態において、バッフルを使用すると、シーケンスが不要になることもある。バッフル971は、単一の細長いオリフィスを有するように示されているが、異なる形状、構成、および/または配向が与えられてもよく、および/または、複数のオリフィスが与えられてもよい。バッフルを使用して、バッフルと関連する弁チップとの間にバッフルチャンバが設けられてもよく、取り扱いおよび/または組み立て中に、バッフルチャンバで弁チップの弁フラップが物理的に保護される。さらに、バッフルにあるオリフィスは、弁チップの弁フラップにかけられた最大力が低減されるように、流体の流れを十分に制約してもよい。さらに、バッフルチャンバの容積は、弁チップを流れる流体の層流がより迅速に得られ、弁フラップの疲労が低減され得るように、弁ハウジングの関連するチャンバに対して十分に小さいものであってもよい。このように、バッフルおよびシーケンス動作図4A~Fに対して記述は、疲労低減、流れの改良などのために、弁チップが動作し得る圧力を増大させるために、別々に、または組み合わせて使用できる。さらに、異なるサイズのオリフィスを有するバッフルが、同じ弁アセンブリの異なる弁チップに対して与えられてもよい。例えば、アクチュエータポート内へのより多くの流れ、およびアクチュエータポートからのより制約された流れを与えるバッフルを有する5方弁により、比較的滑らかなピストン運動が得られることもあり、最大ピストン速度が低減されてもよい。図13および図21に対してさらに詳細に記述するように、主要ハウジングに対して、パッケージングされた弁チップを抜き差しできる。したがって、1つ以上のパッケージングされた弁チップを含む弁アセンブリが、修理可能および/または適応可能であってもよい。このように、弁チップが動作不良の状態にある弁アセンブリの修理は、動作していないパッケージングされた弁チップを取り除き、新しいパッケージングされた弁チップを挿入することによって行われてもよい。さらに、弁アセンブリの機能は、元のパッケージングされた弁チップを、異なる特性弁チップの異なる流量能力および/またはサイズなどを有する新しいパッケージングされた弁チップに取り替えることによって変更されてもよい。図10~図13に、本発明のいくつかの実施形態による主要ハウジングを示す。さらに詳しく言えば、図10に、主要ハウジング401および関連するコンポーネントの分解図を示し、図13に、主要ハウジングの底面斜視図を示す。図13の底面図に示すように、主要ハウジング401は、図3および図4A~Fに対して上述した弁アセンブリチャンバ143a~eを画定する。主要ハウジング401はまた、主要ハウジングの長さに垂直な図6および図8に対して上述したようなパッケージングされた弁チップを収容するように構成されたエンクロージャ403a~dを含む。さらに、主要ハウジング401は、エンクロージャ403a~dにあるパッケージングされた弁チップの金属リード217に信号を送信するために使用される導電リード405を含む。さらに、アセンブリのベース図18に示すに対して流体シールを与えるために、ベースガスケット407が含まれてもよく、主要ハウジングのリード405へ外部接続するためのシールを与えるために、PCBガスケット409が含まれてもよい。主要ハウジング401は、導電リード405をインサート成形して、絶縁材料プラスチック材料、エラストマー材料、重合体、共重合体、および/またはそれらの誘導体を射出成形することによって形成されてもよく、ガスケット407および/または409は、2段階ショット成形プロセスおよび/またはオーバーモールドプロセスを使用して、可撓性シーリング材料で形成されてもよい。さらに詳しく言えば、図3および図4A~Fに対して上述したように、成形ツールにより、高圧給気および低圧排気に対して5つの別々のチャンバ143a~eが作られる。主要ハウジングを射出成形するとき、チャンバ143a~e間の内部孔の形成に対処できるように、孔411が、ハウジングの外側に含まれてもよい。ハウジングの外側にある孔411は、孔411を密封するために接着、溶接、または貼り付けられてもよいプラグ413で密封されてもよい。さらに、圧力スパイクを偏向し、および/または静電弁フラップ上の応力を低減するために、弁チップに隣接させてバッフルが設けられてもよい。例えば、バッフルは、弁チップ131の低圧側に隣接して主要ハウジング401にプレートとして設けられてもよい。上述したように、バッフルは、主要ハウジング内に挿入する前に、弁チップをパッケージングするために使用されたパッケージングフレーム上に設けられてもよい。バッフルにより、より多くの層流が弁チップを流れてもよく、バッフルを含む弁アセンブリのシーケンス速度が増大されてもよく、および/またはバッフルは、シーケンスを不要にすることもある。主要ハウジング401はまた、バンジョーフィッティング415a~b、Oリング417a~b、およびコレット419a~bクイックコネクトフィッティングおよび/またはカートリッジとも呼ばれるを貼り付けてもよい。さらに詳しく言えば、コレット419a~bは、押し込み式のカートリッジであってもよい。さらに詳しく言えば、バンジョーフィッティング415a~bは、例えば、超音波溶接および/または接着剤を使用して、主要ハウジング401に貼り付けられてもよく、バンジョーフィッティング415a~bは、弁アセンブリのチャンバ143bおよび143dと流通状態にある。次いで、Oリング417a~bおよびコレット419a~bは、空気圧式アクチュエータチャンバ163a~b図3に示すとの流通状態を与える空気管を保持するために、バンジョーフィッティング415a~bに挿入されてもよい。主要ハウジング401は、第5のチャンバ5方の最外縁部、または第3および第4のチャンバ3方の間のいずれかにプラグ413を設置することによって流体の流れを制御するために、使用するパッケージングされたデバイスの数およびその場所に応じて、3方弁または5方弁のいずれかを設けるために使用され得る。上述したように、例えば、図6および/または図8に示すように、パッケージングされた弁チップを提供するために、フレームにマイクロ電子機械システムMEMS弁チップ131がパッケージングされてもよい。弁アセンブリが適応可能および/または修理可能であるように、主要ハウジング401のエンクロージャ403a~dのそれぞれに対して、パッケージングされた弁チップを抜き差ししてもよい。パッケージングされた弁チップのガスケット215aまたは215bにより、弁チップのそれぞれにある開口のみにエンクロージャ間の流通状態が与えられるように、エンクロージャ403a~dのそれぞれとの流体シールが与えられる。さらに、パッケージングされた弁チップにある弁チップ131は、方向性を有し、ガスケット215aまたは215bは、図4A~Fに対して上述したチャンバ143a~e間に流体の流れを与えるために、パッケージングされた弁チップが主要ハウジング401において配向されるように、特定のエンクロージャの所定の側と係合しなければならない。本発明のいくつかの実施形態において、弁アセンブリの異なる流路を通る異なる流体の流れを与えることが望ましい場合がある。例えば、主要ハウジング401の異なるエンクロージャ403a~dは、パッケージングされた弁チップに異なる流量特性をもたせて実装されてもよい。さらに詳しく言えば、パッケージングされた弁チップに比較的少数のおよび/または小さな弁オリフィス孔を設けて実装されてもよいエンクロージャ403a~dもあれば、パッケージングされた弁チップに比較的多数および/または大きな弁オリフィス孔を設けて実装されてもよいエンクロージャもあり、およびパッケージングされた弁チップの全ては、同じ外寸を有してもよい。さらに、比較的少数のおよび/または小さな弁オリフィス孔を有するパッケージングされた弁チップには、比較的少数のおよび/または小さなバッフルオリフィス孔を有するバッフルが設けられてもよく、比較的多数および/または大きなオリフィス孔を有するパッケージングされた弁チップには、比較的多数および/または大きなバッフルオリフィス孔を有するバッフルが設けられてもよい。他の形態において、異なる数および/またはサイズのバッフルオリフィス孔を有するバッフルを設けることによって、同じ数およびサイズの弁オリフィス孔を有する異なるパッケージングされた弁チップによって、異なる流れが与えられてもよい。上述したように、弁チップをパッケージングするために使用されるフレームのウィンドウの内寸は、パッケージングされた弁チップアセンブリの外寸を変更することなく、異なるサイズの弁チップを収容できるように変更され得る。このように、同じ主要ハウジング401が、異なる流量能力特性を有するエンクロージャ403a~dにパッケージングされた弁チップアセンブリを収容してもよい。言い換えれば、MEMS弁チップのサイズは、パッケージングされた弁チップの同じ包絡線形状を維持しながら、異なる流量特性例えば、およそ0.001Cv~およそ10Cvの範囲を与えるように変更されてもよい。さらに、パッケージングされた弁の縁部上にある金属リード217の露出部分と、主要ハウジング401の対応するリードとを係合させて、弁チップの固定および可撓性電極を主要ハウジング401のエンクロージャ403a~d内に差し込んだ状態で、主要ハウジングの外側からの電気信号の通信を行ってもよい。図10~図13には示していないが、マイクロバルブを保護するために、チャンバ143a~eの1つ以上に、フィルタが設けられてもよい。例えば、チャンバ143cのフィルタが、高圧供給からの粒子および/または他のデブリからマイクロバルブを保護してもよく、チャンバ143bおよび143dにあるフィルタが、排気サイクル中にアクチュエータから入り込んだ粒子および/または他のデブリからマイクロバルブを保護してもよい。図14~図17に、本発明のいくつかの実施形態による弁アセンブリの電子機器サブアセンブリ501を示す。さらに詳しく言えば、プリント回路基板503が、主要ハウジング401に含まれた弁チップ131の動作を制御するために使用される電子回路、および/またはソフトウェア、および/またはファームウェアを含んでもよい。例えば、プリント回路基板503は、プログラマブルロジックコントローラPLCなどのリモートデバイスによって命令されると、図4A~Fに対して上述した動作に従って弁チップ131を制御および/または駆動するために、電子回路および/またはソフトウェアを含んでもよい。プリント回路基板は、集積回路チップ505、レジスタ、コンデンサ、および/またはインダクタを含んでもよい。さらに、プリント回路基板503上のリード507により、主要ハウジング401のリードとの電気的結合が得られてもよく、1つ以上のコネクタ509モレックスMolexコネクタなどにより、PLCなどのリモートコントローラとの電気的接続が得られてもよい。プリント回路基板は、複数の異なる動作特性を与えるように構成されてもよく、ジャンパ511、またはディップスイッチ、シャント510などの他の手段を使用して、1つのプログラミング特性が選択される。さらに詳しく言えば、図41~図44、図45A~B、および図46A~Bに対して以下に記述するように、プリント回路基板は、1つ以上のカスタム回路例えば、特定用途向け集積回路ASICデバイスを含んでもよい。2004年7月23日に出願され、MethodsOfOperatingElectrostaticallyActuatedMicrovalveAssembliesAndRelatedStructuresという発明の名称のKevinDouglasらの米国仮特許出願第60/590,699号明細書以下、Douglasらに、弁アセンブリおよび/またはその電子機器サブアセンブリのさらなる動作について記述されている。同仮特許出願の内容全体を引用することにより本明細書の一部をなすものとする。通常動作中、プリント回路基板503は、コネクタ509を介して制御信号とともに動作電力を受けてもよい。また、電力異常が発生した場合、プリント回路基板が弁チップ131を所定のデフォルト条件にシーケンスすることができるように、バッテリー513などの代替電源が与えられてもよい。図15にバッテリーを示すが、他の代替電源容量格納デバイスおよび/または燃料電池などが使用されてもよい。プリント回路基板503はまた、弁チップ電極を駆動するために使用される高電圧駆動回路多段階チャージポンプなどを含んでもよい。例えば、コネクタ509を介して、24Vの外部電源が与えられてもよく、高電圧駆動回路が、リード507、リード405、およびリード217を介して、弁チップ電極を駆動するために使用される150Vの出力を発生してもよい。プリント回路基板はまた、過渡電圧抑制TVSデバイス517一対の直列接続された対向するツェナーダイオードを含んでもよい。電子機器サブアセンブリのコントローラが、外部電源をモニタし、外部電源の中断を検出すると、弁チップ131a~dを所定のデフォルト条件に進めて、代替電源から得られたエネルギーを用いて、そのデフォルト条件を保つように構成されてもよい。例えば、外部電源の中断を検出すると、弁チップ131a~dの現行条件が維持されてもよい。他の形態において、外部電源の中断を検出すると、コントローラは、チャンバ143a~eの各々の間での流通が阻止されるように、弁チップ131a~dを閉じてもよい。別の形態において、外部電源の中断を検出すると、コントローラは、弁チップ131b~cを閉じ、弁チップ131aおよび131dを開いてもよい。さらなる別の形態において、外部電源の中断を検出すると、コントローラは、弁チップ131aおよび131dを閉じ、弁チップ131b~cを開いてもよい。プリント回路基板503およびバッテリー513を含む電子機器サブアセンブリ501は、図14および図16に示すように、例えば、オーバーモールドプロセスを用いて、絶縁材料プラスチック材料、エラストマー材料、重合体、共重合体、および/またはそれらの誘導体に封入されてもよい。さらに詳しく言えば、電子機器を保護するために、比較的低い温度および圧力で硬化可能なエポキシが使用されてもよい。プリント回路基板503のリード507が主要ハウジング401のリード405と係合するように、主要ハウジング401上に装着する外部形状の封入された電子機器サブアセンブリが与えられてもよい。他の形態において、バッテリーまたは他の電力格納デバイスが、電子機器サブアセンブリから取り外し可能なものであってもよく、および/または、バッテリーが、電子機器サブアセンブリの封入の外側に設けられてもよい。したがって、バッテリーの取り替えが、より簡単なものになる場合もある。例えば、電子機器サブアセンブリに電力および/または制御信号を供給するために使用されるケーブルに、バッテリーが設けられてもよい。さらに、電子機器サブアセンブリは、外部供給電力を使用した通常動作中、バッテリーを充電するように構成された回路を含んでもよい。したがって、バッテリーの寿命が延びる場合もある。図18に、本発明のいくつかの実施形態による弁アセンブリのベース601を示す。ベース601は、金属鋳造プロセスを用いて形成されてもよい。さらに詳しく言えば、ベース601は、アルミニウムやステンレス鋼などの金属で形成されてもよく、排気ポート142a~bおよび供給ポート144cは、螺装されたねじ孔であってもよい。主要ハウジング401をベース601に固定するために、さらなるねじ孔603a~bが使用されてもよい。さらに、弁アセンブリを取り付けるためのベースに、隙間および/または取り付け孔605ポートに垂直および/または平行が設けられてもよい。ベースとして鋳造金属を使用することによって、孔にあるねじ筋の完全性がより容易に維持される場合もある。さらに、保護および/または美的目的のために、鋳造アルミニウムベース上にエポキシ仕上げが施されてもよい。他の形態において、ベース601は、螺装された場所で金属インサートを使用して、射出成形された材料プラスチック材料、エラストマー材料、重合体、共重合体、および/またはそれらの誘導体で形成されてもよい。主要ハウジング401図21に示すの底面にあるエンクロージャ内にパッケージングされた弁チップ例えば、図6および図8に示すを差し込み、ねじ701を使用してベース601に主要ハウジングパッケージングされた弁チップを含むを固定し、図19および図21~図22に示すように、主要ハウジングに電子機器サブアセンブリを差し込むことによって弁アセンブリを完成してもよい。図20は、主要ハウジングのリードを視認でき、リード217、405、および507の相互接続を視認できるように、主要ハウジングの非金属部分を図示していない弁アセンブリを示す。同じ主要ハウジング、ベース、および電子機器サブアセンブリは、5方弁または3方弁動作のいずれかに対して構成することができる。図4A~Fに対して上述したように、5方動作の場合、例えば、図21に示すように、主要ハウジングの底部にあるエンクロージャのそれぞれに、4つのパッケージングされた弁チップが差し込まれてもよい。3方弁動作の場合、電子機器サブアセンブリから最も離れた2つのエンクロージャ内の各々に、パッケージングされた弁チップが差し込まれてもよく、チャンバ143d~eが永久に密封されるように、電子機器サブアセンブリに最も近い2つのエンクロージャ内に、シーリングプラグ413が差し込まれてもよい。上述したように、同じ電子機器サブアセンブリが、ジャンパ、スイッチ、シャント、ヒューズ、または製造中および/または製造後に設定可能な他の選択デバイスを使用してなされた選択に応じて、メモリROM、PROM、EPROM、EEPROMなどに画定される複数の動作モードの1つを与えるように構成されてもよい。例えば、スイッチ、シャント、ヒューズ、および/またはジャンパのセッティングに応じて、5方、4方、3方、または2方動作のいずれかを制御するように、同じ電子機器サブアセンブリを使用することができる。例えば、Douglasらのものには、3方および5方弁の動作が記述されている。さらなる他の形態において、主要ハウジング、ベース、および電子機器サブアセンブリは、4方および/または2方弁動作用に構成することができる。4方動作の場合、ベースは、排気チャンバ143aおよび143eと同じ排気ポートとの間に流体結合が与えられるように修正されてもよい。他の方法では、4方動作には、図4A~Fに対して上述したように、4つの弁チップが与えられてもよい。他の形態において、一方向のオン/オフ流れデバイスを与えるために、単一の弁チップを用いて、2方動作が与えられてもよい。1つの弁チップおよび他の弁チップの代替であるプラグとともに図10~図13のコンポーネントを使用して、2方デバイスを与えることもできる。他の形態において、単一の弁チップに対して、1つの入力ポート、1つの出力ポート、および1つのエンクロージャを有するより小さなハウジングを用いて、2方デバイスを与えることもできる。本発明のいくつかの実施形態によれば、5方動作用に構成された弁アセンブリにおいて、5つのチャンバ143a~eの各々の間で空気路を独立して制御できることで、同じ弁アセンブリが、全シリンダポート排気弁、全シリンダポート阻止弁、または全シリンダポート通電弁として機能してもよい。このように、本発明のいくつかの実施形態による弁アセンブリが、電子機器サブアセンブリのプログラミング、電子機器サブアセンブリのプログラムの選択、および/または、主要ハウジングのエンクロージャ内へのパッケージングされた弁チップアセンブリおよび/またはシーリングプラグの差し込みに基づいて、任意の市販の弁タイプの機能を複製してもよい。さらに、本発明のいくつかの実施形態による弁アセンブリにより、新規の弁タイプが実施されてもよいように、空気流が独立して制御されてもよい。例えば、バッテリーなどのバックアップ電源を用いて、システム電力が失われた場合に特有の機能が与えられてもよい。さらに詳しく言えば、弁および空気圧式アクチュエータは、停電中の最後の位置デフォルト条件の想定とは対照的を保持してもよい。さらに、電子機器サブアセンブリ用のカスタム集積回路デバイス例えば、特定用途向け集積回路デバイスなどの回路が、同じ物理的な弁アセンブリ弁チップの主要ハウジング、ベース、電子機器サブアセンブリなどを含むが、任意の弁タイプの機能を提供できる異なるプログラムを与えてもよい。例えば、電子機器サブアセンブリの複数のプログラムの1つが、特定の電圧レベルまで入力ピンを引くことによって、インタフェースシリアルインタフェースなどを使用して電子機器サブアセンブリのチップをプログラミングし、ヒュージブルリンクを選択的に破棄し、1つ以上のジャンパをカットおよび/または維持し、2つ以上のピン間にシャントを配置および/または省略し、スイッチの位置を選択することによって選択されてもよい。本発明のさらなる実施形態による弁アセンブリは、静電駆動式弁を通る流体の流れを制御するために、パルス幅変調を使用してもよい。例えば、弁を通る流体の流れを決定するためにデューティーサイクルを使用して所定の周波数で静電駆動式弁フラップを開閉するために、パルス幅変調が使用されてもよい。例えば、100のデューティーサイクルが全流量を与えてもよく、50のデューティーサイクルが半流量を与えてもよく、0のデューティーサイクルが、全く流量を与えないものであってもよい。例えば、弁チップ131a~dを作動させるためにパルス幅変調を使用することによって、ロッド167が拡張および後退する速度が制御されてもよい。さらに、ロッドの拡張または後退に伴ってデューティーサイクルを変更することによって、ロッドが拡張および/または後退するときに、ロッド167の加速および/または減速が制御されてもよい。例えば、慣性を解消するために、拡張および/または後退の最初でより大きなデューティーサイクルで、それぞれの弁チップが作動されてもよく、ロッドが完全に拡張および/または後退位置に近付くにつれて低減されたデューティーサイクルで、それぞれの弁チップが作動されてもよい。さらに、本発明のいくつかの実施形態による弁アセンブリに、1つ以上のフィルタが設けられてもよい。例えば、高圧供給ポート144cおよび/またはアクチュエータポート146aおよび146bに、フィルタが設けられてもよい。さらに、または他の形態において、排気ポート142aおよび142bに、フィルタが設けられてもよい。供給ポート144cおよび/または排気ポート142aおよび142bにあるフィルタは、図18のベース601上および/または内に設けられてもよい。アクチュエータポート146aおよび146bにあるフィルタは、主要ハウジング401の内外、バンジョーフィッティング415aおよび415bの内外、および/またはコレット419aおよび419bに設けられてもよい。フィルタを使用することで、弁オリフィスの填塞、および/または、弁が閉じられたときに、弁フラップとそれぞれのオリフィスとの間の密封性の低減によって、弁アセンブリの動作を劣化してしまう可能性のあるダスト、オイル、および/または水などの汚染物質から弁アセンブリを保護してもよい。図24~図26に、くさび形のバッフル741、フレーム711、およびリード717を有するパッケージングされた弁チップ図2に対して上述したように、弁チップ131を含むのさらなる実施形態を示す。図27に、フレーム711から分離した本発明のいくつかの実施形態による電気リード717を示す。例えば、図24~図26に示すように、本発明のいくつかの実施形態によるパッケージングフレーム711は、本体713、ガスケット715、および電気リード717を含んでもよい。フレーム711は、ウィンドウを有してもよく、ウィンドウの周りには窪んだ棚部があり、図5~図6および/または図7~図8に対して上述したように、トラフが棚部を取り囲んでもよい。棚部とトラフとを組み合わせた幅は、およそ0.025インチ~およそ0.060インチの範囲のものであってもよい。さらに詳しく言えば、棚部とトラフとを組み合わせた幅は、およそ0.050インチ~およそ0.060インチの範囲のものであってもよい。電気リード717は、打ち抜き金属で形成されてもよく、電気リード717は、スズでめっきされてもよくおよそ150マイクロインチ、次いで、金でめっきされてもよいおよそ40マイクロインチ。本体713は、射出成形絶縁材料プラスチック材料、エラストマー材料、重合体、共重合体、および/またはそれらの誘導体で形成されてもよく、ガスケット715は、ゴム、ヴァイトン、および/またはシリコーンなどの射出成形可撓性シーリング材料で形成されてもよい。ガスケット715により、弁アセンブリの主要ハウジングに対して静的流体シールが与えられてもよい。さらに詳しく言えば、本体713は、金型のインサートとして電気リード717を与えて、射出成形絶縁材料プラスチック材料、エラストマー材料、重合体、共重合体、および/またはそれらの誘導体で形成されてもよい。さらに、ガスケット715は、2段階ショット成形プロセスおよび/またはオーバーモールドプロセスを使用して、本体713と一体に形成されてもよい。棚部は、流通状態になるように弁チップの上面と底面とを露出させた状態にして、棚部によって片側の縁部で弁チップを支持できるように、本体713の周囲部分に対して窪ませて形成されてもよい。さらに、棚部は、引き続き設置された弁チップもまた本体713内に窪ませて形成されるように、十分に窪ませて形成されてもよい。さらに、電気リード717の部分が、引き続き設置された弁チップとの電気的接続ワイヤボンディング、はんだバンプ形成、導電性エポキシ、または当業者に公知の他の手段などのために、ウィンドウに隣接して露出される。さらに、本体713の他の部分を弁チップにより接近して装着させた状態で、棚部上に弁チップを設置するためのツールのスペースが得られるように、棚部の部分に隣接して、本体713のノッチ725が設けられてもよい。リード717を取り囲む本体713の部分は、ワイヤボンディングの先端隙間を与えるために傾斜が付けられてもよい例えば、およそ30度。次いで、本体713のトラフに接着剤が与えられ、ウィンドウを取り囲む本体713の棚部上に弁チップ131が設置されると、接着剤が完全に硬化するまで、トラフにより接着剤を配置、定着、および/または拡散制御することができる。さらに詳しく言えば、およそ0.015インチの幅の接着剤ビーズが使用されてもよい。弁チップは、光センサ機器を使用して、およそ0.005インチの精度で、本体713の棚部上に設置されてもよい。したがって、パッケージングフレームの本体713内に、指示標示が成形されてもよい。さらに詳しく言えば、L、T、、または他の同様の文字に類似した外観を有する垂直の交差線を含むように、指示標示が成形されてもよい。さらに、指示標示は、およそ0.010インチの深さを有してもよい。本体713の棚部上に弁チップ131を固定するために使用される接着剤が、およそ1時間、およそ摂氏150度華氏302度で硬化されてもよい。他の形態において、接着剤は、長時間、低温で硬化されてもよい。例えば、本体713にポリカーボネートが使用されてもよく、ポリカーボネートの融点温度は、およそ華氏430度~およそ華氏480度の範囲のものであってもよい。しかしながら、本体713の変形を低減するために、接着剤の硬化温度が、およそ華氏125度~およそ華氏200度の範囲に維持されてもよい。他の形態において、接着剤として、UV硬化エポキシが使用されてもよい。図26に示す構造を与えるために、弁チップ131の露出縁部の周りで、本体713の部分729が変形されてもよい。接着剤は、弁チップ131と本体713との間に流体シールを与えてもよく、変形部分729が、本体713内に弁チップを固定してもよい。さらに詳しく言えば、本体713内に弁チップ131を保持するために、被加熱ツール熱カシメなどを使用して、本体713の部分729が変形されてもよい。したがって、弁チップ131の縁部が、一方側では、本体713の棚部によって、他方側では、本体713の変形部分729によって支持されてもよい。さらに、リード717に隣接した弁チップ131の表面が、リード717に対して、およそ0.010インチ、さらに、ノッチ725、棚部、およびトラフを取り囲む本体713の表面に対して、およそ0.030インチだけ窪ませて形成されてもよい。弁チップ131上で、第1の入力パッド第1の金ボンドパッドなどに、全ての固定電極が電気的に接続されてもよく、第2の入力パッド第2の金ボンドパッドなどに、全ての可撓性電極が電気的に接続されてもよく、入力パッドは、例えば、金ワイヤボンディングなどのワイヤボンディング、はんだバンプ形成、導電性エポキシ、または当業者に公知の他の手段によって本体713を介してウィンドウに隣接した電気リード717のそれぞれの露出部分に電気的に接続されてもよい。弁チップ131の入力パッドと電気リード717との間の電気的接続を保護するために、グローブトップポッティング731が使用され得る。電気リード717の部分は、弁アセンブリの主要ハウジングとの電気的結合用に、本体713の縁部上で露出される。他の実施形態によれば、パッケージングフレーム711は、弁チップ131とパッケージングフレームの本体との間に流体シールを与えるために、図7および図8に対して上述したものに類似したチップガスケットを使用してもよい。前述したように、本体713は、射出成形絶縁材料プラスチック材料、エラストマー材料、重合体、共重合体、および/またはそれらの誘導体で形成されてもよく、上述したガスケット715および追加のチップガスケットは、ゴム、ヴァイトン、および/またはシリコーンなどの射出成形可撓性シーリング材料で形成されてもよい。ガスケット715は、主要ハウジングに対して静的流体シールを与えてもよく、チップガスケットは、上部に設置された弁チップに対して、静的流体シールを与えてもよい。さらに、ガスケット715およびチップガスケットは、2段階ショット成形プロセスおよび/またはオーバーモールドプロセスを使用して、本体713と一体に形成されてもよい。チップガスケットの他の形態において、または追加して、弁チップを棚部に固定するために、打ち込み接着テープが使用されてもよい。さらに、弁チップ131は、弁フラップ117を解放する前にパッケージングされてもよい。さらに詳しく言えば、弁フラップ117は、犠牲酸化物上に形成されてもよく、犠牲酸化物は、パッケージングフレームに弁チップ131が組み立てられている間、維持されてもよい。次いで、犠牲酸化物は、パッケージングフレームに著しいダメージを及ぼすことなく、ドライ気相HF除去を使用して除去されてもよい。さらに詳しく言えば、パッケージングフレームは、ドライ気相HF除去からのダメージに耐性を含みることがあるヴァイトンおよび/または他の材料で形成されてもよい。他の形態において、弁チップの弁フラップが、複数の弁チップを含むウェハからダイシングする前、ダイシング後であるがパッケージングする前、またはパッケージングした後のいずれかに、ウェットHF酸エッチを使用して犠牲酸化物を除去することによって解放されてもよい。さらに詳しく言えば、犠牲酸化物層は、およそ10分間、49HF溶液を使用して弁チップから除去されてもよく、ウェットエッチの後に、任意の残留HFおよび/または水を除去するために、それぞれ20分間、脱イオンDI水リンス、イソプロピルアルコールリンス、および第1および第2のメタノールリンスが続いてもよい。ウェット処理後、解放された弁フラップを有する弁チップは、任意の表面張力を低減するための超臨界乾燥サイクルに含みて、メタノールが下塗りされてもよく、このときに表面張力が低減されなければ、弁フラップと基板との間に静止摩擦が生じることがある。さらに詳しく言えば、弁チップは、ドライヤチャンバ内に装填され、メタノールで被覆されてもよく、次いで、およそ1200psigの圧力でチャンバからメタノールを取り去るために、液体CO2が使用されてもよい。メタノールが全て取り去られると、チャンバは、CO2を液相から気相へと転移させるために超臨界点およそ摂氏31度を超えて加熱され、CO2気体のシステムを排出するために、圧力が解放される。超臨界CO2の表面張力は極めて低いため、CO2は、液体から気体への転移に伴って弁フラップを引き下げる可能性が高くない。市販および/またはカスタムの超臨界ドライヤが使用されてもよい。弁チップ上にある許容可能な数の弁フラップがうまく解放されていることを決定するために、視覚検査を使用することもできる。特に、弁チップの表面は、弁フラップが解放され、弁チップが無通電にされるときに視認できるフラッパ下の露出シリコンとは色が異なり、色の変動を検査することができる。他の形態において、解放後にウェハを通して光を投影することができ、光検出器が、非解放閉および解放開弁チップ間の光差を検出できる。いずれの例においても、検査を実行するために、機械視認システムを使用できる。さらに、図24~図26に示す本発明のいくつかの実施形態によるパッケージングフレームを成形するために使用するツールは、同じ外寸を有するパッケージングフレームが、実質的に同じ金型ツールを使用して異なるウィンドウ寸法で成形されるように適応されてもよい。例えば、異なるウィンドウサイズ、形状、および/または場所を与えるために異なる金型リッドを使用して、異なるパッケージングフレームを形成するために、同じ金型ベースを使用できる。したがって、パッケージングフレームは、異なるサイズの弁チップに対して効率的に作製されてもよい。さらに詳しく言えば、より低い流体流量能力を要する用途のより小さな弁チップには、より小さなウィンドウが設けられてもよく、ワイヤボンディングに近接するように電気リードに隣接させて中心に置くのではなく、より小さなウィンドウが設けられてもよい。異なる弁チップサイズに対して同じ外寸を有するパッケージングフレームを設けることによって、同じ主要ハウジングが、異なる動作特性を与えるように、異なる能力/サイズのパッケージングされた弁チップを収容してもよい。図24~図26にさらに示すように、圧力スパイクを偏向し、および/または弁チップ131の静電弁フラップ上の応力を低減するために、フレーム711の本体713上に、くさび形のバッフル741が設けられてもよい。さらに詳しく言えば、バッフル741は、可撓性弁フラップおよび入力パッドを含む弁チップ131の側に隣接した本体713上に設けられてもよい。バッフル741を含むことによって、取り扱い中およびその後の組み立て中に、弁チップ131の弁フラップ117が保護されてもよい。さらに、バッフル741により、より多くの層流が弁チップ131を流れ、バッフルとともにパッケージングされた弁チップを含む弁アセンブリのシーケンス速度が高まり、および/またはシーケンスが不要になることもある。バッフル741は、4つの一般に円形のオリフィス743を有するように示されているが、異なる形状、構成、および/または配向が与えられてもよく、および/または、単一のオリフィスなどのより小数のオリフィスが与えられてもよい。バッフル741は、4つのピン745a~bおよび747a~bおよび熱カシメ動作を用いて、フレーム711の本体713に付着してもよい。さらに詳しく言えば、ピン745a~bは、フレーム711の本体713に成形され、バッフル741内に成形された貫通孔749a~bと係合するように構成されてもよい。ピン747a~bは、バッフル741に成形され、フレーム711の本体713内に成形された貫通孔751a~bと係合するように構成されてもよい。図24~図26に示すように、ピン745a~bおよび747a~bおよび貫通孔749a~bおよび751a~bを配設することによって、本体713に対するバッフル741の所望の配向が与えられることで、アセンブリの誤差を低減できる。言い換えれば、図24~図26に示すピンおよび孔の配置により、くさび形のバッフル741の比較的薄い部分が電気リード717に隣接して配設され、くさび形のバッフル741の比較的幅広の部分が、電気リード717から離れて配設される。バッフル741は、本体713に使用されるのと同じ材料で成形されてもよく、異なる材料が使用されてもよい。バッフル741にある貫通孔749a~bには、本体713の反対側にカウンターボアすなわち、より幅が広い部分が設けられてもよく、本体713にある貫通孔751a~bには、バッフル741の反対側にカウンターボアが設けられてもよい。したがって、ピン745a~bおよび747a~bは、貫通孔749a~bおよび751a~bのそれぞれと係合されてもよく、本体713にバッフル741を固定するために、ピン上で熱カシメ動作が用いられてもよい。貫通孔にカウンターボアを設けることによって、熱カシメ動作の結果としてバッフル741および/または本体713の外側面が著しく変形しないように、ピンから熱カシメ材料が移動する余地が与えられてもよい。図24~図26にさらに示すように、バッフル741は、複数の貫通するオリフィス743を含んでもよい。さらに、バッフル741は、弁チップ131のフラッパ側に隣接して設けられてもよく、ガスケット715は、弁チップ131の裏側に隣接して設けられてもよい。このように、弁チップ131の裏側は、高圧環境チャンバなどと連通してもよく、バッフル741のオリフィス743は、比較的低圧の環境チャンバなどと連通してもよく、弁チップ131は、高圧環境から弁チップを通って、バッフル741のオリフィス743を通って、低圧環境までの流れを許容または阻止してもよい。したがって、バッフル741は、取り扱い中および/またはその後の組み立て中に、弁チップ131のフラッパ側を保護してもよい。さらに、バッフル741は、弁チップ131の両端の圧力差を制御してもよいことで、音波空気流および/または全入力圧力に対して開および/または閉するのに、弁チップ131のフラッパが不要になる。バッフル741を設けることによって、流れが制約されてもよいように、および/または、弁を閉じなければならない圧力が低減されてもよいように、バッフル741と弁チップ131との間にリザーバが設けられる。言い換えれば、パッケージングされた弁チップの両端の全圧力降下が、弁チップ131の両端で全圧力降下を感じることがないように、弁チップ131の両端の第1の圧力降下と、バッフル741の両端の第2の圧力降下との間で分割されてもよい。バッフル741により、弁アセンブリで使用された弁チップ131の弁フラップは、低減された圧力に対して比較的短い期間例えば、100マイクロ秒未満で開および/または閉できるようになってもよいため、弁チップ131を通る流体の流れは、例えば、図4A~Fに対して上述したような特定のシーケンスステップを要することなく、意のままに方向転換されてもよい。他の実施形態において、図4A~Fのシーケンス動作は、さらに高い圧力で動作を与えるために、バッフル741とともにパッケージングされた弁チップ131とともに使用されてもよい。弁チップ131およびアセンブリを通る背圧および流体の流れを制御するために、オリフィス743のサイズ、場所、および数が使用されてもよい。図24~図26に示すように、オリフィス743は、弁チップ131の外側の角に隣接して設けられてもよいが、オリフィス743の他の配向、位置、形状などが与えられてもよい。バッフル741を用いて、弁チップ131の弁フラッパが、バッフル741および弁チップ131を含むアセンブリの両端の全圧力の一部のみに対して開および/または閉してもよく、乱流の期間が低減されることがある。したがって、弁フラップを開および/または閉するための応答時間が短縮されることもあり、機能が改良されることもあり、および/または信頼性が高められることもある。さらに、シーケンスが不調になることもある。また、バッフル743がくさび形状であることで、主要ハウジング内にパッケージングされた弁チップを組み立てやすくなることもある。さらに詳しく言えば、くさび形状により、ガスケット715の圧迫が始まる前に、弁ハウジングの対応するくさび形のエンクロージャ内に、およそ3/4すなわち、75の行程だけ、パッケージングされた弁チップを挿入することができることもある。したがって、その後の組み立て中、ガスケット715へのダメージが低減されることもある。図24~図26に示すように、ガスケット715は、弁チップ131の背面に隣接し、バッフル741とは反対側の本体713の側に設けられてもよい。このように、ガスケット715は、組み立て中、本体713に弁チップ131を固定するために使用された接着剤、熱カシメ動作などから保護されてもよい。図24~図26に示すようにガスケット715を設置することによって、ガスケット715とバッフル741との間の干渉が低減されてもよい。さらに、電気リード717は、リードのワイヤボンド部分717aが、弁チップ131に実質的に平行であるとともに、リードの外部部分717bが、弁チップ131に対して実質的に垂直であるように、図27に示すように形成されてもよい。さらに、主要ハウジングのリードとの相互接続を高めるために、リードの外部部分717b上に、ディンプル717cが設けられてもよい。図24~図26のパッケージングされた弁チップは、図28~図34に対してさらに詳細に記述するように、主要ハウジングに対して抜き差しできる。したがって、1つ以上のパッケージングされた弁チップを含む弁アセンブリが、修理可能および/または適応可能であってもよい。このように、弁チップが動作不良の状態にある弁アセンブリの修理は、動作していないパッケージングされた弁チップを取り除き、新しいパッケージングされた弁チップを挿入することによって行われてもよい。さらに、弁アセンブリの機能は、元のパッケージングされた弁チップを、異なる特性弁チップの異なる流量能力および/またはサイズなどを有する新しいパッケージングされた弁チップに取り替えることによって変更されてもよい。図28~図31に、本発明のいくつかの実施形態による主要ハウジング801を示す。さらに詳しく言えば、図28に、主要ハウジング801および関連するコンポーネントの分解図を示し、図31に、主要ハウジングの底面斜視図を示す。図31の底面図に示すように、主要ハウジング801は、図3および図4A~Fに対して上述した弁アセンブリチャンバ143a~eを規定する。主要ハウジング801はまた、主要ハウジングの長さに垂直な図24~図27に対して上述したようなパッケージングされた弁チップを収容するように構成されたエンクロージャ803a~dを含む。さらに、主要ハウジング801は、エンクロージャ803a~dにあるパッケージングされた弁チップの金属リード717に信号を送信するために使用される導電リード805を含む。アセンブリのベース例えば、図37および図38に示すに対して流体シールを与えるために、外周ベースガスケット807が含まれてもよく、主要ハウジングのリード805へ外部接続するためのシールを与えるために、PCBガスケット809が含まれてもよい。主要ハウジング801は、導電リード805をインサート成形して、絶縁材料プラスチック材料、エラストマー材料、重合体、共重合体、および/またはそれらの誘導体を射出成形することによって形成されてもよく、ガスケット807および/または809は、2段階ショット成形プロセスおよび/またはオーバーモールドプロセスを使用して、可撓性シーリング材料で形成されてもよい。さらに詳しく言えば、図3および図4A~Fに対して上述したように、成形ツールにより、高圧給気および低圧排気に対して5つの別々のチャンバ143a~eが作られる。主要ハウジングを射出成形するとき、チャンバ143a~e間の内部孔の形成に対処できるように、孔が、ハウジングの外側に含まれてもよく、ハウジングの外側にある孔は、孔を密封するために接着、溶接、または貼り付けられてもよいプラグで密封されてもよい。図28~図30に示すように、主要ハウジング801はまた、バンジョーフィッティング815a~b、Oリング817a~b、およびコレット819a~bクイックコネクトフィッティングおよび/またはカートリッジとも呼ばれるを貼り付けてもよい。さらに詳しく言えば、コレット819a~bは、押し込み式のカートリッジであってもよい。さらに詳しく言えば、バンジョーフィッティング815a~bは、例えば、超音波溶接および/または接着剤を使用して、主要ハウジング801に貼り付けられてもよく、バンジョーフィッティング815a~bは、弁アセンブリのチャンバ143bおよび143dと流通状態にある。次いで、Oリング817a~bおよびコレット819a~bは、空気圧式アクチュエータチャンバ163a~b図3に示すとの流通状態を与える空気管を保持するために、バンジョーフィッティング815a~bに挿入されてもよい。主要ハウジング801は、流体の流れを制御するために、使用するパッケージングされたデバイスの数およびその場所に応じて、3方弁または5方弁のいずれかを設けるために使用され得る。上述したように、例えば、図24~図26に示すように、パッケージングされた弁チップを提供するために、フレームにマイクロ電子機械システムMEMS弁チップ131がパッケージングされてもよい。弁アセンブリが適応可能および/または修理可能であるように、主要ハウジング801のエンクロージャ803a~dのそれぞれに対して、パッケージングされた弁チップを選択的に抜き差ししてもよい。パッケージングされた弁チップのガスケット715により、弁チップのそれぞれにある開口のみにエンクロージャ間の流通状態が与えられるように、エンクロージャ803a~dのそれぞれとの流体シールが与えられる。さらに、パッケージングされた弁チップにある弁チップ131は、方向性を有し、ガスケット715は、図4A~Fに対して上述したチャンバ143a~e間に流体の流れを与えるために、パッケージングされた弁チップが主要ハウジング801において配向されるように、特定のエンクロージャの所定の側と係合しなければならない。図32に示すように、エンクロージャ803a~dの各々図31に示すは、図24~図27に対して上述したように、くさび形のバッフル741を含むそれぞれのパッケージングされた弁チップを受け入れるためのくさび形のプロファイルを有してもよい。さらに詳しく言えば、エンクロージャ803a~dの各々は、ハウジング801のベース851に隣接して比較的幅が広く、エンクロージャがベース851から離れて延在するにつれて狭くなるプロファイルを有してもよい。したがって、エンクロージャ803a~dの各々は、それぞれのパッケージングされた弁チップくさび形のバッフル741を含むを収容するように構成されてもよく、パッケージングされた弁チップの狭い部分およびリード717がハウジング内に延在し、パッケージングされた弁チップの幅広い部分が、ハウジング801のベース851に隣接する。くさび形のパッケージの幅広い部分は、ハウジング内に最初に挿入することができないため、ハウジング内にパッケージングされた弁チップを誤って挿入する可能性を低減することができる。例えば、エンクロージャがくさび形であることにより、くさび形のチップアセンブリを逆さにまたは横に挿入する可能性が低減されることもある。さらに、くさび形のチップアセンブリがエンクロージャに後向きに挿入されると、ベース851がハウジング801と適切に係合せず、および/またはハウジング801とのシールを形成しない場合、完全な挿入が達成されないこともある。さらに、くさび形のパッケージは、パッケージのガスケット715の圧迫が始まる前に、それぞれのくさび形のエンクロージャ内に、著しい部分例えば、50より多く、多くの場合、75程度の行程だけ挿入されてもよい。したがって、ガスケット715へのダメージを低減でき、および/または、くさび形のパッケージとくさび形のエンクロージャとの間に、改良された流体シールが設けられることもある。上述したように、弁チップをパッケージングするために使用されるフレームのウィンドウの内寸は、パッケージングされた弁チップアセンブリの外寸を変更することなく、異なるサイズの弁チップを収容できるように変更され得る。このように、同じ主要ハウジング801が、異なる流量能力特性を有するエンクロージャ803a~dにパッケージングされた弁チップアセンブリを収容してもよい。言い換えれば、MEMS弁チップのサイズは、パッケージングされた弁チップの同じ包絡線形状を維持しながら、異なる流量特性例えば、およそ0.001Cv~およそ10Cvの範囲を与えるように変更されてもよい。さらに、パッケージングされた弁チップの縁部上にある金属リード717の露出部分と、主要ハウジング801の対応するリード805とを係合させて、弁チップの固定および可撓性電極を主要ハウジング801のエンクロージャ803a~d内に差し込んだ状態で、主要ハウジングの外側からの電気信号の通信を行ってもよい。図33は、4つのパッケージングされた弁チップ、電子機器サブアセンブリ1001、および主要ハウジング801の非金属部分を除外したベース851を含む弁アセンブリを示す。したがって、主要ハウジング801の電気リード805は視認でき、主要ハウジングの電気リード805とパッケージングされた弁アセンブリの電気リード717との結合も視認できる。図33に示すように、パッケージングされたチップアセンブリのリード717と接触する電気リード805の部分またはタブが、リード805の長さに対して平行におよび主要ハウジング801の長さに対して平行に設けられてもよいように、電気リード805の各々に湾曲部が設けられてもよい。したがって、リード717と接触する電気リード805の部分は、強度を追加するために、その両端で支持されてもよい。さらに、主要ハウジングのエンクロージャ内にパッケージングされたチップアセンブリが挿入されると、パッケージングされたチップアセンブリのリード717は、挿入中にガスケット715が圧迫されるときに、リード805のタブに沿って後ろおよび/または前にスライドしてもよい。このように、リード717および805の間の電気的結合の信頼性を高めることができる。さらに、マイクロバルブを保護するために、チャンバ143a~eの1つ以上に、フィルタが設けられてもよい。例えば、図34に示すように、チャンバ143bおよび143cに、排気フィルタ1041が設けられてもよく、チャンバ143cに、入力フィルタ1043が設けられてもよい。チャンバ143cのフィルタが、高圧供給からの粒子および/または他のデブリからマイクロバルブを保護してもよく、チャンバ143bおよび143dにあるフィルタが、ポートからアクチュエータへ入り込んだ粒子および/または他のデブリからマイクロバルブを保護してもよい。フィルタ1041および/または1043は、ハウジング801と一体に製造されてもよく、および/または、フィルタ1041および/または1043は、ハウジング801とは別々に製造されてもよい。例えば、フィルタの1つ以上は、多孔性プラスチックフィルタ、多孔性金属フィルタ、ペーパーフィルタ、乾燥フィルタ、合体フィルタ、ファイバフィルタ、薄膜フィルタ、メッシュフィルタ/セパレータ、ミストセパレータ、ベーンセパレータ、サイクロンセパレータ、下降流セパレータ、レインアウトセパレータ、垂直流セパレータ、および/または水平セパレータであってもよい。入力フィルタ1043は、顧客によって与えられる高圧供給をフィルタリングするために使用されてもよい。高圧供給は、ハウジング801の外側でフィルタリングされてもよいが、弁の据え付け中に高圧供給内に有害な粒子が入り込むこともあり、および/または、任意の外部フィルタリングから下流に入り込むこともある。一例として、入力フィルタ1043は、Teflon登録商標テープの粒子、パイプシーラント、および/または顧客の高圧供給フィルタ/レギュレータから下流の高圧供給パイプに存在する可能性のある他の粒子などの材料を捕らえるように構成されてもよい。したがって、供給経路における弁チップへのダメージが低減されることもある。さらに、入力フィルタ1043は、空気が全ての方向に流れるように構成されてもよい。したがって、フィルタの1つのエリアが、汚染物質で閉塞された状態になれば、空気は、流れを著しく制限することなく、フィルタの隣接したエリアに流れることができる。ハウジング801にある供給フィルタ1043を示したが、供給フィルタ1043の代わりに、および/または、それに追加して、他のフィルタが設けられてもよい。例えば、ベース851に、および/または、ベースに結合された供給ラインに供給フィルタが設けられてもよい。排気フィルタ1041は、作動の結果として発生した粒子を含む可能性のあるアクチュエータの排気をフィルタリングするために使用されてもよい。例えば、アクチュエータの排気は、乾燥した潤滑剤、シール、ロッドベアリング、および/またはアクチュエータ本体の材料の微粒子を含むこともある。このような粒子をアクチュエータからフィルタリングすることによって、排気経路にある弁チップへのダメージを低減することができる。さらに、排気フィルタ1041は、空気が全ての方向に流れるように構成されてもよい。したがって、フィルタの1つのエリアが、汚染物質で閉塞された状態になれば、空気は、流れを著しく制限することなく、フィルタの隣接したエリアにを流れることができる。ハウジング801にある排気フィルタ1041を示したが、排気フィルタ1041の代わりに、および/または、それに追加して、他のフィルタが設けられてもよい。例えば、排気フィルタは、バンジョーフィッティング815a~b、コレット819a~b、および/または空気圧式アクチュエータに設けられてもよい。バッフル741を使用して、バッフルと関連する弁チップとの間にバッフルチャンバが設けられてもよく、取り扱いおよび/または組み立て中に、バッフルチャンバで弁チップの弁フラップが物理的に保護される。さらに、バッフルにあるオリフィスは、弁チップの弁フラップにかけられた最大力が低減されるように、流体の流れを十分に制約してもよい。さらに、バッフルチャンバの容積は、弁チップを流れる流体の層流がより迅速に得られ、弁フラップの疲労が低減され得るように、弁ハウジングの関連するチャンバに対して十分に小さいものであってもよい。このように、バッフルおよびシーケンス動作図4A~Fに対して記述は、疲労低減、流れの改良などのために、弁チップが動作し得る圧力を増大させるために、別々に、または組み合わせて使用できる。さらに、異なるサイズのオリフィスを有するバッフルが、同じ弁アセンブリの異なる弁チップに対して与えられてもよい。例えば、図34の5方弁には、アクチュエータポート内により多くの流れを与えるバッフル741b~cと、アクチュエータポートからのより制約された流れを与えるバッフル741aおよび741dとが設けられてもよい。比較的滑らかなピストン運動が与えられてもよく、および/または最大ピストン速度が低減されてもよい。図35~図36に、本発明のいくつかの実施形態による弁アセンブリの電子機器サブアセンブリ1001を示す。さらに詳しく言えば、電子機器サブアセンブリ1001内のプリント回路基板が、主要ハウジング801に含まれた弁チップ131の動作を制御するために使用される電子回路、および/またはソフトウェア、および/またはファームウェアを含んでもよい。例えば、プリント回路基板は、プログラマブルロジックコントローラPLCなどのリモートデバイスによって命令されると、図4A~Fに対して上述した動作に従って弁チップ131を制御および/または駆動するために、電子回路および/またはソフトウェアを含んでもよい。プリント回路基板は、集積回路チップ、レジスタ、コンデンサ、および/またはインダクタを含んでもよい。さらに、プリント回路基板上のリードにより、主要ハウジング801のリード805との電気的結合が得られてもよく、コネクタ10055ピンモレックスコネクタなどにより、PLCなどのリモートコントローラとの電気的接続が得られてもよい。電子機器サブアセンブリは、ジャンパ、ディップスイッチ、シャント、ヒューズなどの手段を使用して選択された1つの特定のプログラミング特性を用いて、メモリROM、PROM、EPROM、EEPROMなどに規定される複数の異なる動作特性を与えるように構成されてもよい。さらに詳しく言えば、図41~図44、図45A~B、および図46A~Bに対して以下に記述するように、プリント回路基板は、1つ以上のカスタム回路例えば、1つ以上の特定用途向け集積回路ASICデバイスを含むを含んでもよい。2004年7月23日に出願され、MethodsOfOperatingElectrostaticallyActuatedMicrovalveAssembliesAndRelatedStructuresという発明の名称のKevinDouglasらの米国仮特許出願第60/590,699号明細書以下、Douglasらに、弁アセンブリおよび/またはその電子機器サブアセンブリのさらなる動作について記述されている。同仮特許出願の内容全体を引用することにより本明細書の一部をなすものとする。通常動作中、電子機器サブアセンブリ1001は、コネクタ1005を介して制御信号とともに動作電力を受けてもよい。また、電力異常が発生した場合、電子機器サブアセンブリが弁チップ131を所定のデフォルト条件にシーケンスすることができるように、バッテリー1013などの代替電源が与えられてもよい。図35および図36にバッテリーを示すが、他の代替電源容量格納デバイスおよび/または燃料電池などが使用されてもよい。図35および図36に示すように、バッテリー1013は、バッテリーが取り替えられるように、ヒンジ式の電池室カバー1015に設けられてもよい。ヒンジ1017により、電池室カバーが開閉するようにしてもよく、ガスケット1019が、バッテリーの電池室の外側にある汚染物質および/または湿気からバッテリー1013を保護してもよい。バッテリーの電池室は、一体カバー1015およびガスケット1019を設けるために、2段階ショットプロセスを使用して形成されてもよい。ディスクタイプのバッテリーの場合、端子1021が、サブアセンブリ1001の電子機器とバッテリー1013との間の電気的結合を与えてもよい。さらに、電子機器サブアセンブリは、外部供給電力を使用した通常動作中、バッテリーを充電するように構成された回路を含んでもよい。したがって、バッテリーの寿命が延びる場合もある。さらに、表示灯1023発光ダイオードなどが、現行の動作モード、外部電源の状態、バッテリー状態などの指示を与えてもよい。さらに、手動制御機能コンタクト対1025が、拡張または後退位置のいずれかまで関連するアクチュエータを手動で駆動するために使用されてもよい。例えば、第1の対の手動制御機能コンタクトが、関連するアクチュエータを後退位置へ手動で駆動するために、ドライバの先端または他のツールで電気的に短絡されてもよく、さらに、第2の対の手動制御機能コンタクトが、関連するアクチュエータを拡張位置へ手動で駆動するために、ドライバの先端または他のツールで電気的に短絡されてもよい。電子機器サブアセンブリ1001はまた、弁チップ電極を駆動するために使用される高電圧駆動回路多段階チャージポンプなどを含んでもよい。例えば、コネクタ1005を介して、24Vの外部電源が与えられてもよく、高電圧駆動回路が、ハウジング801のリード805、および弁チップのリード717を介して、弁チップ電極を駆動するために使用される150Vの出力を発生してもよい。プリント回路基板はまた、一対の直列接続された対向するツェナーダイオードなどの過渡電圧抑制器TVSを含んでもよい。電子機器サブアセンブリのコントローラが、外部電源をモニタし、外部電源の中断を検出すると、弁チップ131a~dを所定のデフォルト条件に進めて、代替電源から得られたエネルギーを用いて、そのデフォルト条件を保つように構成されてもよい。例えば、外部電源の中断を検出すると、弁チップ131a~dの現行条件が維持されてもよい。他の形態において、外部電源の中断を検出すると、コントローラは、チャンバ143a~eの各々の間での流通が阻止されるように、弁チップ131a~dを閉じてもよい。別の形態において、外部電源の中断を検出すると、コントローラは、弁チップ131b~cを閉じ、弁チップ131aおよび131dを開いてもよい。さらなる別の形態において、外部電源の中断を検出すると、コントローラは、弁チップ131aおよび131dを閉じ、弁チップ131b~cを開いてもよい。プリント回路基板を含む電子機器サブアセンブリ1001は、図35および図36に示すように、例えば、オーバーモールドプロセスを用いて、絶縁材料プラスチック材料、エラストマー材料、重合体、共重合体、および/またはそれらの誘導体に封入されてもよい。さらに詳しく言えば、電子機器を保護するために、比較的低い温度および圧力で硬化可能なエポキシが使用されてもよい。電子機器サブアセンブリのリードが主要ハウジング801のリード805と係合するように、主要ハウジング801上に装着する外部形状の封入された電子機器サブアセンブリが与えられてもよい。例えば、5ピンコネクタ1005は、電力Vcc入力接続、接地GND入力接続、AおよびB入力制御接続、および電力状態出力接続を与えてもよい。さらに、手動制御機能コンタクト1025の各対は、不慮の接触の可能性を低減するために、オーバーモールド成形されたハウジングに窪ませて形成されてもよい。さらに、手動制御機能コンタクトの対には、ハウジングのアクチュエータポート番号に対応するように、バッテリーカバーの隣接する部分上に、2および4のラベルがそれぞれつけられてもよい。さらに、オーバーモールドの拡張部888が、その後の組み立て中にベースおよびハウジングに対して電子機器サブアセンブリ1001の設置を誘導するように構成されてもよい。さらに詳しく言えば、拡張部888は、図37~図38に対して以下に記述するベースの対応するスロットと係合してもよい。さらに、電子機器サブアセンブリ1001の溝885は、図39および図40に対して記述したような保持クリップと係合するように構成されてもよい。図37および図38に、本発明のいくつかの実施形態による弁アセンブリのベース851を示す。ベース851は、金属鋳造プロセスを用いて形成されてもよい。さらに詳しく言えば、ベース851は、アルミニウムやステンレス鋼などの金属で形成されてもよく、排気ポート142a~bおよび供給ポート144cは、螺装されたねじ孔であってもよい。主要ハウジング801をベース851に固定するために、さらなるねじ孔853a~bが使用されてもよい。さらに、弁アセンブリを取り付けるためのベースに、隙間および/または取り付け孔855ポートに垂直および/または平行が設けられてもよい。さらに、連通スロット857が、ねじ孔と主要ハウジング801にあるそれぞれのチャンバとの間に比較的狭い開口を設ける。ベースとして鋳造金属を使用することによって、孔にあるねじ筋の完全性がより容易に維持される場合もある。さらに、保護および/または美的目的のために、鋳造アルミニウムベース上にエポキシ仕上げが施されてもよい。他の形態において、ベース851は、螺装された場所で金属インサートを使用して、射出成形された材料プラスチック材料、エラストマー材料、重合体、共重合体、および/またはそれらの誘導体で形成されてもよい。図37に示すように、ベース851の中子に溝889が形成されてもよく、溝889は、電子機器サブアセンブリ1001の拡張部888を収容するように構成されてもよい。溝887は、図39および図40に対して以下に記述するように、保持クリップと結合するように、ベース851に形成されてもよい。さらに、排気ポート142a~bおよび供給ポート144cは、平底タップドリルで穴があけられた後、雌ねじが切られてもよい。さらに、排気ポート142a~bの連通スロット857は、中心から外れて形成されてもよい。したがって、排気ポートが、弁チャンバのそれぞれに対して中心に位置する必要がないため、弁アセンブリの長さが低減されることもある。主要ハウジング801図31および図32に示すの底面にあるエンクロージャ内にパッケージングされた弁チップ例えば、図24~図26に示すを差し込み、ねじ861を使用してベース851に主要ハウジングパッケージングされた弁チップを含むを固定し、図39および図40に示すように、U字状の保持クリップ881を使用して、主要ハウジング801およびベース851に電子機器サブアセンブリ1001を取り付けることによって弁アセンブリを完成してもよい。さらに詳しく言えば、U字状の保持クリップ881は、コンポーネントを固定するために、主要ハウジング801の溝883、電子機器サブアセンブリ1001の溝885、およびベース851の溝887と結合するように構成されてもよい。さらに、電子機器サブアセンブリ1001の拡張部888は、ベース851のスロット889と係合して整列するように構成されてもよい。同じ主要ハウジング、ベース、および電子機器サブアセンブリは、5方、4方、3方、または2方弁の動作用に構成され得る。5方動作の場合、図4A~Fに対して上述したように、例えば、図34に示すように、主要ハウジングの底部のそれぞれのエンクロージャ内に、4つのパッケージングされた弁チップが差し込まれてもよい。3方弁動作の場合、電子機器サブアセンブリから最も離れた2つのエンクロージャの各々内に、パッケージングされた弁チップが差し込まれてもよく、チャンバ143d~eが永久に密封されるように、電子機器サブアセンブリに最も近い2つのエンクロージャ内に、シーリングプラグ413が差し込まれてもよい。上述したように、同じ電子機器サブアセンブリが、ジャンパ、スイッチ、シャント、ヒューズ、または製造中および/または製造後に設定可能な他の選択デバイスを使用してなされた選択に応じて、メモリROM、PROM、EPROM、EEPROMなどに規定される複数の動作モードの1つを与えるように構成されてもよい。例えば、スイッチ、シャント、ヒューズ、および/またはジャンパのセッティングに応じて、5方、4方、3方、または2方動作のいずれかを制御するように、同じ電子機器サブアセンブリを使用することができる。例えば、Douglasらのものには、3方および5方弁の動作が記述されている。さらなる他の形態において、主要ハウジング、ベース、および電子機器サブアセンブリは、4方および/または2方弁動作用に構成することができる。4方動作の場合、ベースは、排気チャンバ143aおよび143eと同じ排気ポートとの間に流体結合が与えられるように修正されてもよい。他の方法では、4方動作には、図4A~Fに対して上述したように、4つの弁チップが与えられてもよい。他の形態において、一方向のオン/オフ流れデバイスを与えるために、単一の弁チップを用いて、2方動作が与えられてもよい。1つの弁チップと、他の弁チップの代替であるプラグとを用いて、図28~図31のコンポーネントを使用して、2方デバイスを与えることもできる。他の形態において、単一の弁チップに対して、1つの入力ポート、1つの出力ポート、および1つのエンクロージャを有するより小さなハウジングを用いて、2方デバイスを与えることもできる。本発明のいくつかの実施形態によれば、カスタム回路例えば、ASICとも呼ばれる1つ以上の特定用途向け集積回路を含むを使用して、図14~図17および/または図35~図36に対して上述した電子機器サブアセンブリの電気的機能が与えられてもよい。図41は、本発明のいくつかの実施形態による回路2001の機能ブロックを示すブロック図であり、図42は、図41の回路2001を含むプリント回路基板の要素を示す略図である。図41に示すように、回路2001は、電力調整/制御回路2011、高電圧発生回路2013、バッテリー検出/制御回路2015、デグリッチ/デバウンス論理回路2017、シーケンスコントローラ状態機械回路2019、高電圧HV出力レベルシフタ回路2021、コンフィギュレーション回路2023、反転タイミング/制御回路2025、および発光ダイオードLEDドライバ回路2027を含んでもよい。図示したように、電力調整/制御回路2011は、図14~図17のコネクタ509のそれぞれを通して、または図35~図36のコネクタ1005のそれぞれを通して、外部電源VDDおよび接地GND信号を受信してもよい。同様に、デグリッチ/デバウンス論理回路2017は、図14~図17のコネクタ509のそれぞれを通して、または図35~図36のコネクタ1005のそれぞれを通して、入力制御信号AおよびBを受信してもよい。バッテリー検出/制御回路2015は、バッテリー図14~図17のバッテリー513または図35および図36のバッテリー1013などからバッテリー電源VBatおよび接地GBat信号を受信してもよい。HV出力レベルシフタ回路2021の出力F1~F4およびHComOおよびHComEは、弁アセンブリの弁チップを駆動するために使用され、出力F1~F4およびHComOおよびHComEは、主要ハウジングのリード図13および図20のリード405、または図31および図33のリード805などを介してを介して弁チップのそれぞれに結合される。さらに詳しく言えば、弁アセンブリの弁チップは、第1電子サブアセンブリから最も離れた位置にあるから第4電子機器サブアセンブリに最も近い位置にあるとして識別されてもよく、高電圧出力F1~F4は、第1から第4の弁チップのそれぞれに印加され、高電圧共通奇数HComO信号は、第1および第3の弁チップに印加され、高電圧共通偶数HComE信号は、第2および第4の弁チップに印加される。コンフィギュレーション論理回路2023は、接地または浮動のいずれかであってもよいコンフィギュレーション選択信号C1~C3を受信してもよい。図42に示すように、回路2001は、プリント回路基板上に設けられてもよく、コンフィギュレーション選択信号/ピンC1~C3の各々は、ジャンパJ1~J3または浮動のそれぞれを通してそれぞれのジャンパを取り除くことによって、接地に結合される。他の形態において、それぞれのコンフィギュレーション選択信号/ピンC1~C3の接地へのトレースは、それぞれのコンフィギュレーション選択信号/ピンが接地または浮動のいずれかであるようにするために、パッケージング前に維持またはカットされてもよい。さらに、LEDドライバ回路2027の出力LED-AおよびLED-Bは、それぞれのLED1023を駆動してもよい。図41および図42のカスタム回路は、結果的に得られる弁アセンブリを、従来のソレノイド駆動弁のドロップイン代替品として使用するように構成されてもよい。したがって、電子機器サブアセンブリの物理的および電気的インタフェースは、従来のソレノイド駆動弁に使用される物理的および電気的インタフェースに準拠したものであってもよい。例えば、デグリッチ/デバウンス論理回路2017は、ソレノイド駆動弁に使用される入力制御信号AおよびBを受信するように構成されてもよい。図41および図42に示すように、4つの別々の高電圧出力信号F1~F4が与えられてもよく、各弁チップの負荷が、ヒステリシス付きコンデンサVC1~VC4として効率的にモデリングできる。このように、コンデンサVC1~VC4は、電子機器サブアセンブリにあるプリント回路基板上に設けられた要素とは対照的に、主要弁ハウジングに設けられた弁チップを表す。さらに、高作動電圧は、チャージポンプ、インダクタ回路、および/またはそれらの組み合わせ、および/または当業者に公知の他の回路を使用して発生されてもよい。高電圧発生回路2013は、低電圧源24ボルトの外部電源信号VDDおよび/または3ボルトのバッテリー電源信号VBatなどを、200ボルトDC信号などの高電圧信号に変換するように構成されてもよい。例えば、HV発生回路2013は、回路2001上に設けられた一連のチャージポンプを含んでもよい。さらに、または、図41および図42に示すような他の形態において、回路2001のサイズおよび/またはコストを低減させながら、高電圧信号を発生させるために使用する1つ以上のブーストコンバータを提供するために、外部インダクタコイルLLおよびLHが、外部レジスタRLおよびRHと並列に設けられてもよい。さらに、このように発生させた高電圧の絶対値は、異なる用途で使用する異なる作動電圧に順応するように、および/または、製造変動から得られた異なる回路ASICなどの特性の変動に順応するように調節されてもよい。その結果得られる高電圧は、高電圧発生回路2013が活性のときを制御するために、HV発生回路2013のコンパレータとともに使用されるデバイダの一部として、レジスタHVARを使用して調節されてもよい。一次電源がなくなると例えば、外部電源信号VDDがなくなると、回路2001を含む電子機器サブアセンブリが、弁アセンブリが、ある状態を維持するか、または所望の状態へ転移できるように構成されてもよい。したがって、回路を含む電子機器サブアセンブリは、外部電源信号VDD24ボルト供給であってもよいの損失中、無期限に弁チップを所望の状態に維持しながら、静電作動式弁チップを介した漏出を解消するために、バッテリー図15~図17のバッテリー513、図36のバッテリー1013、および/または図42のバッテリー3013などから十分なエネルギーを供給するように構成されてもよい。電力損失を検出すると、特定の用途および電力損失時の入力の状態に応じて、高電圧出力信号F1~F4を所定の条件に切り換えるためのエネルギーが必要な場合もある。DC外部電源信号VDDが損失および/または中断すると、高電圧出力信号F1、F2、F3、および/またはF4を維持するためのエネルギーを供給するために、比較的安価な3ボルトリチウム一次バッテリーが使用されてもよい。他の形態において、3.0~4.2ボルトの範囲にある電圧出力を有する充電式リチウムイオンバッテリーが使用されてもよく、回路2001は、外部電源信号VDDが存在するとき、バッテリーを充電するように構成される。外部電源信号VDDが利用可能な状態の通常動作中、デグリッチ/デバウンス論理回路2017は、入力制御信号AおよびBを受信および/またはフィルタリングしてもよく、デグリッチ/デバウンス回路2017は、シーケンスコントローラ2019に入力制御信号AおよびBを与えてもよい。外部電源信号VDDが利用可能な場合、シーケンスコントローラ回路2019は、入力制御信号AおよびBに応じて、およびコンフィギュレーション信号C1~C3によって規定される回路コンフィギュレーションに応じて、HV出力レベルシフタ回路2021の動作を命じる。外部電源信号VDDの損失中、バッテリー検出/制御回路2015は、電力の損失を検出してもよく、電力損失信号が、検出/制御回路2015によって発生され、シーケンスコントローラ回路2019に与えられてもよい。外部電源信号VDDの損失中、シーケンスコントローラ回路2019は、入力制御信号AおよびBに関係なくコンフィギュレーション信号C1~C3によって規定された電力損失モードに応じて、HV出力レベルシフタ回路2021の動作を命じる。外部電源信号VDDの損失中の動作は、バッテリーから利用可能なエネルギーが制限されているため、回路2001の様々なコンポーネントの動作に影響を及ぼすこともある。言い換えれば、回路2001のコンポーネントの1つ以上は、バッテリーの寿命を延長するために、信号VDDの損失中に低電力モードで動作するように構成されてもよい。例えば、HV出力レベルシフタ回路2021は、低漏出動作を与えるように構成されてもよく、HV発生回路2013の高電圧発生発振器が、信号VDDの損失中に必要に応じて動作されてもよく、および/またはLEDドライバ回路2027は、信号VDDの損失中に漏出専用モードを与えるように構成されてもよい。バッテリーから流れる電流を低減することによって、信号VDDの損失中にバッテリーを使用可能な期間を延長することができる。さらに、バッテリー検出/制御回路2015は、低バッテリー電圧を検出し、例えば、LED1023の一方または両方を点滅させることによって、バッテリーを取り替える必要があることを指示するように構成されてもよい。さらに詳しく言えば、バッテリー検出/制御回路2015は、定格負荷の下でバッテリー電圧を周期的にサンプリングしてもよく、バッテリー検出/制御回路2015は、異なるバッテリータイプに順応するためにバッテリー電圧信号VBatがおよそ2ボルトに下がると、バッテリーの取り替えが必要になることを指示してもよい。例えば、バッテリー検出/制御回路2015は、少なくともおよそ10MΩの定格負荷を使用して、バッテリー電圧をサンプリングしてもよい。図43の表1に、図41および図42に示す回路2001を含む電子機器サブアセンブリの入出力間の論理関係が与えられる。指数関数的な増減トランジスタを介して充電および放電したコンデンサが、静電作動式弁チップを駆動するのに十分な場合がある。しかしながら、本発明のいくつかの実施形態によれば、波形成形意図的なオーバーシュートおよび設定電圧などが与えられてもよい。図43の表1において、Xは、それぞれの信号の無関係条件を表す。しかしながら、入力制御信号Aおよび/またはBの一方または両方に対して、無関係条件が指示される場合、入力制御信号は、常に高電圧または低電圧へ駆動されてもよい。図43の表1に示すように、コンフィギュレーション信号C1およびC2が接地される0として示すことによって、5方3位置シリンダポートの排気コンフィギュレーションが与えられてもよい。信号VDDが存在する場合の通常動作中、高電圧出力信号F1~F40は開いた状態の弁を示し、1は閉じた状態の弁を示す、およびLED出力信号LED-AおよびLED-B0はオフを示し、1はオンを示すが示すように入力制御信号AおよびBに応答して駆動されてもよい。コンフィギュレーション信号C3が接地され、信号VDDが中断されると、HV出力信号F1~F4は、入力信号AおよびBの条件に関係なく、第1および第4の弁チップが開かれ、第2および第3の弁チップが閉じられるすなわち、両方のシリンダポートが排気されるように、00状態に駆動されてもよい。コンフィギュレーション信号C3が浮動し1として示す、信号VDDが中断されると、HV出力信号F1~F4は、入力信号AおよびBの条件に関係なく、電力中断時の最後の状態に保持されてもよい。コンフィギュレーション信号C1が接地0として示すされ、コンフィギュレーション信号C2が浮動1として示すする状態を与えることによって、5方3位置の全てのポートが阻止されたコンフィギュレーションが与えられてもよい。信号VDDが存在する場合の通常動作中、高電圧出力信号F1~F40は開いた状態の弁を示し、1は、閉じた状態の弁を示す、およびLED出力信号LED-AおよびLED-B0はオフを示し、1はオンを示すが、示すように入力制御信号AおよびBに応答して駆動されてもよい。コンフィギュレーション信号C3が接地され、信号VDDが中断されると、HV出力信号F1~F4は、入力信号AおよびBの条件に関係なく、弁チップの全てが閉じられるすなわち、両方のシリンダポートが、高圧および排気ポートから隔離されるように、00状態に駆動されてもよい。コンフィギュレーション信号C3が浮動し1として示す、信号VDDが中断されると、HV出力信号F1~F4は、入力信号AおよびBの条件に関係なく、電力中断時の最後の状態に保持されてもよい。コンフィギュレーション信号C1が浮動1として示すし、コンフィギュレーション信号C2が接地0として示すされる状態を与えることによって、5方3位置のシリンダポートが通電されたコンフィギュレーションが与えられてもよい。信号VDDが存在する場合の通常動作中、高電圧出力信号F1~F40は開いた状態の弁を示し、1は閉じた状態の弁を示す、およびLED出力信号LED-AおよびLED-B0はオフを示し、1はオンを示すが、示すように入力制御信号AおよびBに応答して駆動されてもよい。コンフィギュレーション信号C3が接地され、信号VDDが中断されると、HV出力信号F1~F4は、入力信号AおよびBの条件に関係なく、第1および第4の弁チップが閉じられ、第2および第3の弁チップが開かれるすなわち、両方のアクチュエータポートが通電されるように、00状態に駆動されてもよい。コンフィギュレーション信号C3が浮動し1として示す、信号VDDが中断されると、HV出力信号F1~F4は、入力信号AおよびBの条件に関係なく、電力中断時の最後の状態に保持されてもよい。コンフィギュレーション信号C1およびC2が浮動1として示すするという状態を与えることによって、5方2位置のコンフィギュレーションが与えられてもよい。この場合、1つの入力制御信号Bしか使用されず、したがって、入力制御信号Aは、無関係条件にある。信号VDDが存在する場合の通常動作中、高電圧出力信号F1~F40は開いた状態の弁を示し、1は閉じた状態の弁を示す、およびLED出力信号LED-AおよびLED-B0はオフを示し、1はオンを示すが、示すように入力制御信号Bに応答して駆動されてもよい。コンフィギュレーション信号C3が接地され、信号VDDが中断されると、HV出力信号F1~F4は、入力信号AおよびBの条件に関係なく、第1および第3の弁チップが開かれ、第2および第4の弁チップが閉じられるように、0状態に駆動されてもよい。コンフィギュレーション信号C3が浮動し1として示す、信号VDDが中断されると、HV出力信号F1~F4は、入力信号AおよびBの条件に関係なく、電力中断時の最後の状態に保持されてもよい。十分な期間、静電作動式弁チップに電圧が継続して印加されると、電荷の蓄積により、動作停止を遅延してしまうことがある。本発明のいくつかの実施形態による用途では、数日または数週間にもわたって所与の状態を維持することが必要な場合もあるため、電荷の蓄積を低減する必要もある。この状況において、印加電圧の極性を周期的に反転させることによって、残留する電荷を低減でき、電荷蓄積および関連する作動遅延を低減させることができる。弁チップが静電的であるため、印加電圧の極性は重要ではない。さらに、弁チップが全開する前に極性が反転できれば、デバイスの物理的動作に著しい影響を与える可能性はない。したがって、回路は、著しい期間閉じたままにされた弁チップに印加されたHV出力信号例えば、F1、F2、F3、および/またはF4の極性を周期的に反転させて、電荷の蓄積を低減させるように構成されてもよい。高電圧発生回路2013においてオンチップ発振器を使用すると、極性を切り換えるタイミングの信号を導出できる。発振の絶対周期は、高電圧発生回路の機能の任意のものに対して重大なものではないこともある。極性の反転間を待機する時間の最小長さtrevが、使用される弁チップの特性に基づいて決定されてもよい。外部電源信号VDDの損失中に弁チップの状態を保持するためにバッテリーが使用されているとき、電荷の蓄積が生じることもあるため、極性の反転は、電力中断の間中に与えられてもよい。したがって、電力異常中にHV発生回路の発振器の継続的な動作が不要であるように、極性の反転は、HV発生回路2013が、電力異常中に周期的に作動されるときにトリガされてもよい。さらに、入力制御信号AおよびBが、極性反転動作中に状態を変化すれば、極性反転は、新しい入力制御信号コマンドに応答する前に完了してもよい。1つの状態から別の状態への切り換え時、例えば、図4A~Fに対して上述したように、1つの動作状態から次へ遷移する間、シーケンスコントローラ回路2019が、動作停止および/または作動の制御されたシーケンスを与えることが製品の機能に必要とされる場合もある。言い換えれば、制御入力信号が変化した後および/または電力状態が変化した後、タイミング出力状態シーケンスが望まれることもある。さらに、極性反転は、実行中に一連の中間状態を介したシーケンス制御を含んでもよい。さらに詳しく言えば、中間状態を介したシーケンス制御により、特定の出力の組み合わせが少しの間にも生じず、ある中間条件が、定着するのに十分な時間与えられることもある。図43の表1に示すように、HV出力信号F1~F40101、1010、1111、0110、および1001の5つの固有動作状態と、1つの動作状態から別の動作状態への14個の異なる遷移が存在してもよい。本発明のいくつかの実施形態による図44に、14個の全ての状態変化のシーケンスの例を示す。また、図44は、5つの極性反転遷移5つの動作状態の各々に対してを実行するために使用されてもよいシーケンスを示す。さらに、太字で示す状態へ切り換わる前に、最小時間遅延tdelが与えられてもよい。さらに、図44の極性反転シーケンスは、電力損失モード中に生じてもよい。したがって、電力異常中にバッテリー電力を使用して、高電圧信号遷移が要求されることもある。極性を最初に反転させた弁チップは、両端にゼロボルトが印加される状態を通過する。図44に、オーバーラインすなわち、を用いてこれらのゼロ交差点を示す。HV出力信号対例えば、F1およびF3、またはF2およびF4の両方が、共有する共通信号例えば、HcomOまたはHcomEのそれぞれに対してゼロ電位差で駆動されるオーバーライン付き状態に回路2011が達した後、HV出力信号対のそれぞれに対する共有共通信号の極性を反転できる。HV出力信号が、極性反転動作の最初に、共有共通信号のそれぞれに対してまず高電位にあれば、高電圧出力信号対およびそれぞれの共有共通信号は、遷移中、高電位に全て引き寄せられてもよく、次いで、高電圧出力信号対は、共有共通信号のそれぞれに対して低電位に引き寄せられてもよい。HV出力信号が、極性反転動作の最初に、共有共通信号のそれぞれに対してまず低電位にあれば、高電圧出力信号対およびそれぞれの共有共通信号は、遷移中、低電位に全て引き寄せられてもよく、次いで、高電圧出力信号対は、共有共通信号のそれぞれに対して高電位に引き寄せられてもよい。図45A~Bは、回路2001の入力/出力信号および/またはピンの概要を示す。ポテンシャル過電流に順応するために、これらのピンのいくつかに、複数のボンドパッドが設けられてもよい。IEC61000-4-2の準拠レベル24kV接触に準拠して、回路2001の全ての入力/出力ピン上の回路2001内に、静電放電ESD回路保護が与えられてもよい。さらに、入力制御信号ピンAおよびBおよび電源ピンVDDおよびGNDには、IEC61000-4-4、準拠レベル4に準拠して、外部電気的高速過渡EFT回路が与えられてもよい。特に、主要電源信号/ピンVDDと接地信号/ピンGNDとの間に、過渡電圧抑制器TVS例えば、2つのツェナーダイオードを含むおよび/または蓄積コンデンサSCが与えられてもよい。さらに、外部電源Vccと主要電源信号/ピンVDDとの間に、ダイオードRPIが与えられてもよい。さらに、入力制御信号/ピンAおよびBに、ダイオードRP2およびRP3が与えられてもよい。図46A~Bは、本発明のいくつかの実施形態による回路2001のデザインパラメータを示す。過渡電圧抑制器TVSが、入力電源信号Vcc/VDDと接地GNDとの間に接続されたツェナーダイオード対を含んでもよい。ツェナーダイオードは、図42に示すように接続されたカソードと直列に設置されてもよい。過渡電圧抑制器TVSは、過電圧保護を与えてもよく、比較的大きな高速過渡からの保護を与えてもよい。過渡電圧抑制器TVSは、電子機器サブアセンブリが信頼性のある過渡保護を行いやすいように、プリント回路基板上に回路2001から比較的離れた位置に設けられてもよい。電子機器サブアセンブリからプリント回路基板のトレースの容積、厚み、幅、長さ、および材料は、通常動作に有効な信号経路を与えるとともに、上昇温度で過渡保護を与えるように選択されてもよい。電源ピンVDDと外部電源Vcc24ボルトDC外部電源との間の回路2001と直列に、反転極性ダイオードRP1が設けられてもよく、反転極性ダイオードRP1は、回路2001に反転極性保護を与えてもよい。追加のダイオードRP2およびRP3は、入力制御信号/ピンAおよびBに反転極性保護を与えてもよい。過渡電圧抑制器TVSと並列に蓄積コンデンサSCが設けられてもよく、蓄積コンデンサSCは、低域フィルタリングを与えてもよい。蓄積コンデンサSCはまた、外部電源の損失中に、回路2001へ電力を与えるように蓄積デバイスとして作用してもよい。外部電力すなわち、Vccが損失した後、蓄積コンデンサSCは、回路2001が電力損失を検出し、および/または、回路がバッテリー3013へ切り換えられるまで、電力損失動作モードへ遷移を開始してもよいように、十分な電流のソースとなることもある。高電圧発生回路2013は、蓄積コンデンサHVSCを充電するために使用される誘導キックバックを作り出すために、レジスタRLおよび/またはRHと、インダクタLLおよび/またはLHを使用して、高電圧HVDDを発生してもよい。レジスタRLおよび/またはRHは、最大キックバック電圧を制限するために使用されてもよく、それによって、高電圧発生回路2013の切り換え回路にダメージを及ぼすことなく、十分に高い電圧を発生する。インダクタの電流変化率は、その両端に印加された電圧に依存する。以下の式、V=Ldi/dtを使用して、インダクタの両端にかかる電圧を計算することができ、インダクタの両端の電圧を与えることで、インダクタを流れる電流がランプとして増大してもよい。インダクタへ/から電流をソーシング/吸込むスイッチが開かれれば、インダクタを通る電流が、V=Ldi/dtというインダクタの性質により突然変化できないために、インダクタの両端にかかる電圧が増大することになる。スイッチが開くと、インダクタの両端にかかる電圧は、電流を流すのに十分なレベルまで突然増大する。レジスタRLおよびRHをインダクタLLおよびLHと並列に設けることで、インダクタが発生する最大電流を限定でき、回路2001にダメージを与える可能性を低減できる。図41に示すように、インダクタLHおよびレジスタRHを含む誘導キックバック回路は、充電ダイオードCD1を介して高電圧蓄積コンデンサHVSCを充電するために使用されてもよい。電力異常中、インダクタLLおよびレジスタRLを含む誘導キックバック回路は、充電ダイオードCD2を介して蓄積コンデンサSCを充電するために使用されてもよい。図47Aおよび図47Bは、本発明のいくつかの実施形態による、弁ハウジング801’、ベース851’、および電子機器サブアセンブリ1001’を含む弁アセンブリの正面斜視図および背面斜視図である。図47A~Bのアセンブリにおいて、供給、排気、およびアクチュエータポートへの全ての結合が、ベース851’を介して設けられてもよい。図示したように、螺装された結合部146a’および146b’が、空気圧式シリンダ用のアクチュエータポートを与えてもよく、螺装された結合部142a’および142bが、排気ポートを与えてもよく、螺装された結合部144c’が、高圧供給ポートを与えてもよい。このように、図47A~Bの弁アセンブリは、図28~図40の弁アセンブリおよびコンポーネントに対して上述したものと同じ機能を提供することもある。さらに、電子機器サブアセンブリ1001’は、図33、図35~図36、および図39~図40に対して上述した電子機器サブアセンブリと同一のものであってもよい。さらに、弁ハウジング801’は、ベース851’とは反対の弁ハウジング801’の表面上に、ポートすなわち、バンジョーフィッティング815a~bまたはコレット819a~bがないということを除けば、図28~図34および図39~図40の弁ハウジング801と同一のものであってもよい。図47A~Bに示すように、ベース851’とは反対の弁ハウジング801’の表面は、開口がなく平坦なものであってもよい。しかしながら、弁ハウジング801’の内部は、図28~図34および図39~図40に対して上述したように、チャンバ、弁エンクロージャ、リードなどを含んでもよい。図47A~Bの弁ハウジング801’および図28~図34および図39~図40の弁ハウジング801は、いくつかの共有ツールを使用して製造されてもよい。さらに詳しく言えば、弁ハウジング801および801’の下側部分を成形するために、同一の下側成形ツールが使用されてもよく、同一の下側成形ツールは、弁ハウジング801および801’のチャンバおよび弁エンクロージャを画定する。弁ハウジング801および801’の異なる上側部分を成形するために、異なる上側成形ツールが使用されてもよい。さらに詳しく言えば、同一の下側成形ツールは、バンジョーフィッティング815a~bを含む弁ハウジング801を成形するために、第1の上側成形ツールとともに使用されてもよく、同一の下側成形ツールは、ベース851’とは反対の弁ハウジング801’の表面に開口をもたずに、弁ハウジング801’を成形するために、第2の上側成形ツールとともに使用されてもよい。図48に示すように、押出アルミニウムマニホールドベース851が、複数の弁ハウジング801a’~801c’および電子機器サブアセンブリ1001a’~1001c’に同一の供給ポート144cおよび排気ポート144a~b’を与えてもよく、図47A~Bに対して上述したように、弁ハウジングおよび電子機器サブアセンブリが設けられる。さらに、マニホールドベース851は、各弁ハウジングに対してアクチュエータポート146aa~146afおよび146ba~146bfの別々の対を与えてもよい。このように、供給ポート144cと弁ハウジング801a’~810c’の各々の供給チャンバとの間に、流体結合が設けられてもよい。同様に、排気ポート142aおよび142bと、弁ハウジング801a’~810c’の各々の排気チャンバのそれぞれとの間に、流体結合が設けられてもよい。対照的に、アクチュエータポート146aaおよび146baが、弁ハウジング801a’のアクチュエータチャンバのそれぞれに結合されてもよく、弁ハウジング801b’のアクチュエータチャンバのそれぞれに、アクチュエータポート146abおよび146bbが結合されてもよく、弁ハウジング801c’のアクチュエータチャンバのそれぞれに、アクチュエータポート146acおよび146bcが結合されてもよい。マニホールドベース851に結合された追加の弁ハウジングに、追加のアクチュエータポート146ad~146afおよび146bd~146bfが与えられてもよい。例えば、図48に示すマニホールドベース851は、6つの弁アセンブリを受け入れるように構成される。図48のマニホールドベース851とともに、6つより少ない弁ハウジングが使用されれば、供給ポート144cからの漏出を低減するために、使用されていない弁ハウジングの位置にキャップを取り付けてもよい。図48に示すように、マニホールドベース851上の各弁ハウジングの位置は、それぞれのアクチュエータポートへおよび供給および排気ポートへの結合部893を含む。弁ハウジングが、マニホールドベース851の弁ハウジング位置に設けられなければ、漏出を低減するために、結合部893または少なくとも供給ポート144cへの結合部にキャップが取り付けられてもよい。さらに、マニホールドベース851には、ドイツ工業標準規格によるDINレール891用のコネクタなどの標準コネクタが設けられてもよい。例えば、マニホールドベース851は、押出アルミニウムプロファイルから機械加工されてもよく、DINレール上に取り付けられてもよい。供給ポート144cおよび排気ポート142aおよび142bは、押出形成されてもよい。アクチュエータポート146aa~146afおよび146ba~146bfは、供給および排気ポートに垂直な方向から、マニホールドベース851内に機械加工されてもよい。供給ポート、排気ポート、およびアクチュエータポートへの弁ハウジングの結合部893は、供給および排気ポートに対して垂直およびアクチュエータポートに対して垂直な方向から、マニホールドベース内に機械加工されてもよい。本発明の実施形態による弁チップおよび/または弁アセンブリが、真空用途に使用されてもよい。例えば、図49Aおよび図49Bに示すように、弁アセンブリ4141が、弁アセンブリの弁エンクロージャにおいて支持された2つの弁チップ4131a~bによって分離された3つのチャンバ4143a~cを画定してもよい。さらに、真空ポンプに真空ポート4142が結合されてもよく、圧力解放源大気などに解放ポート4144が結合されてもよく、真空ツール4148マイクロ電子ウェハを取り扱うために、マイクロ電子機器作製業界で使用されている真空ワンドなどに出力ポート4146が結合されてもよい。図49Aに示すように、出力ポート4146が、弁チップ4131aを通して真空ポート4143aと結合されるように、弁チップ4131bの弁フラップを閉じながら、弁チップ4131aの弁フラップを開くことによって、真空ツール4148によって真空が適用されてもよい。図49Bに示すように、出力ポート4146が、弁チップ4131bを通して解放ポート4143bと結合されるように、弁チップ4131aの弁フラップを閉じながら、弁チップ4131bの弁フラップを開くことによって、真空ツール4148から真空が除去されてもよい。図49A~Bには示していないが、弁チップ4131a~bは、ユーザおよび/または他の入力に応答して、コントローラの制御下で動作されてもよい。例えば、弁アセンブリ4141は、弁エンクロージャ803c~dを密封するために使用されるプラグを閉じた状態で図28~図30の弁ハウジング801を使用して与えられてもよい。他の形態において、3つのチャンバ弁アセンブリが設けられてもよい。さらに、弁チップ4131a~bを保護するために、チャンバ4143a~cの1つ以上に、フィルタが設けられてもよい。さらに、弁チップ4131a~bは、図6~図9および/または図24~図27に対して上述したようにパッケージングされてもよく、および/または、図23~図26に対して上述したように、バッフルに弁チップ4131a~bが設けられてもよい。本発明のいくつかの実施形態によれば、外部電源なしに比較的低い電力バッテリー図15~図17のバッテリー513、図36のバッテリー1013、および/または図42のバッテリー3013などを使用して、弁アセンブリおよび関連する制御装置が動作されてもよい。さらに、電気的接続が要求されないように、光通信、無線周波数通信、および/または他のワイヤレス通信を経由して、制御信号を与えることもできる。このように、このような弁アセンブリは、本質安全IS用途のIS要求基準を満たすものであってもよい。さらに、本発明のいくつかの実施形態によるマイクロ電子機械システムMEMSが、従来の機械的弁より低い磨耗で動作してもよい。このように、本発明のいくつかの実施形態によるMEMS弁は、より少ない微粒子磨耗から生じるしか発生しないこともある。したがって、本発明のいくつかの実施形態によるMEMS弁は、半導体産業、製薬産業、医療産業、生物医学産業などにおいて、汚染に対して最も敏感な用途に特に有用なこともある。図50Aは、本発明の実施形態による集積空気圧弁およびシリンダアセンブリ5001の斜視図であり、図50Bは、図50Aのアセンブリ5001の断面図である。明確に示すために、図50A~Bの要素の寸法は、誇張しているものもある。さらに詳しく言えば、アセンブリは、シリンダチューブ5003剛性金属シリンダチューブなど、第1および第2のエンドキャップ5005および5007、シリンダチューブ5003にあるピストン5008、およびピストン5008に結合され、第1のエンドキャップ5005を貫通して延在するロッド5009を含んでもよい。さらに、無通電すなわち、排気状態にある後退デフォルト位置へとピストン5008およびロッド5009を押すように、シリンダチューブ5003にばね5010が設けられてもよい。図50Bに示すように、第2のエンドキャップ5007は、第1、第2、および第3の弁チャンバ5015a~cを規定してもよい。第1の弁チャンバ5015aは、高圧供給5011に結合されるように構成されてもよく、第2の弁チャンバ5015bは、チューブシリンダ5003内のキャビティ5017に結合されるように構成されてもよく、第3の弁チャンバは、低圧排気5019に結合されるように構成されてもよい。さらに、第2のエンドキャップ5007に、静電駆動式弁チップ5021a~bが設けられてもよい。さらに詳しく言えば、弁チップ5021aは、第1および第2の弁チャンバ5015aおよび5015bの間に設けられてもよく、弁チップ5021aは、第1の弁チャンバ5015aから第2の弁チャンバ5015bへの流通を許容し、または印加電気信号に応答して、第1および第2の弁チャンバ5015aおよび5015bの間の流通を阻止するように構成されてもよい。同様に、弁チップ5021bは、第2および第3の弁チャンバ5015bおよび5015c間に設けられてもよく、弁チップ5021bは、第2の弁チャンバ5015bから第2第3の弁チャンバ5015cへの流通を許容し、または印加電気信号に応答して、第2および第3の弁チャンバ5015bおよび5015c間の流通を阻止するように構成されてもよい。電気バス5025との結合部5023を経由して、第1および第2の弁チップ5021a~bに、電気信号が与えられてもよい。例えば、プログラマブルロジックコントローラPLCから、電気バス5025および結合部5023上を通って、第2のエンドキャップ2007で拡張および後退信号が受信されてもよく、第2のエンドキャップ5007にある制御回路が、高電圧信号を発生し、および/またはシーケンス制御、電力損失動作、極性反転などの論理を与える。他の形態において、拡張および後退信号の処理の一部または全てが、第2のエンドキャップ5007の外側で生じてもよい。したがって、弁チップ5021a~bは、ピストン5008およびロッド5009の拡張および後退を制御するために、3方弁機能を与えてもよい。第1の条件において、弁チップ5021aは、第1および第2の弁チャンバ5015a~b間の流通を実質的に阻止するために閉じられてもよく、第2の弁チップ5021bは、第2および第3の弁チャンバ5015b~c間の流通を許容するように開かれてもよい。したがって、キャビティ5017は、ばね5010がピストン5008およびロッド5009を後退位置へと押すように、第2の弁チップ5021bを介して低圧力排気5019へ結合されてもよい。第2の条件において、弁チップ5021aは、第1および第2の弁チャンバ5015a~b間の流通を許容するように開かれてもよく、第2の弁チップ5021bは、第2および第3の弁チャンバ5015b~c間の流通を実質的に阻止するように閉じられてもよい。したがって、キャビティ5017は、ピストン5008およびロッド5009が拡張位置へ押されることで、ばね5010を圧縮するように、第1の弁チップ5021aを介して高圧供給5019へ結合されてもよい。例えば、ピストン5008と第1のエンドキャップ5005との間のシリンダチューブ5003の第2のキャビティへの供給および排気圧力の結合部を制御するように、第1のエンドキャップ5005に2つの弁チップを同様に含むことによって、5方弁の機能が与えられてもよい。したがって、両方のエンドキャップに、電気および圧力結合部が与えられてもよい。他の形態において、空気圧式結合部を2つのエンドキャップ間に設けて、エンドキャップの一方に設けた4つの弁チップを使用して、5方動作が与えられてもよい。5方弁動作の場合、ばね5015は不要になることもある。エンドキャップ5005および5007およびシリンダチューブ5003は、別々に形成された後に組み立てられてもよい。例えば、シリンダチューブ5003の端部は、エンドキャップ5005および5007のそれぞれの雌ねじを受けるように螺装されてもよく、チューブおよびエンドキャップは、当業者に公知の他の手段によって組み立てられてもよい。弁チップ5021a~bは、図1~図2、図5~図9、および/または図24~図27に対して上述したように与えられても、および/またはパッケージングされてもよく、エンドキャップ5007は、成形、回転例えば、旋盤上で、機械加工、および/または当業者に公知の他の手段によって、剛性材料で形成されてもよい。弁チャンバ5015a~cを含むエンドキャップ5007を形成した後、エンドキャップ5007にある開口内に弁チップを挿入でき、エンドキャップ5007弁チップおよびベースを有するをシリンダチューブ5008に固定する前に、エンドキャップ5007にある開口にベースを固定できる。このように、エンドキャップ5007は、剛性弁ハウジングを与えてもよく、第1および第2の弁5015a~bは、エンドキャップ5007によって画定された剛性弁ハウジングに与えられてもよく、エンドキャップ5007によって画定された剛性弁ハウジングは、シリンダチューブ5003へ直接取り付けられてもよい。したがって、エンドキャップ5007によって画定された弁ハウジングとシリンダチューブ5003との間に、流体シールが設けられてもよい。ロッドを含む空気圧式アクチュエータを制御するために使用される弁アセンブリに関して、本発明の実施形態を上述してきたが、本発明のいくつかの実施形態による弁アセンブリは、磁気結合されたシリンダおよび/または回転アクチュエータなどのロッドがないシリンダを含む空気圧式アクチュエータを制御するために使用することもできる。例えば、図50A~Bの構造からロッド5009をなくしてもよく、シリンダチューブ5003内のピストン5008に、磁石が結合されてもよい。したがって、シリンダチューブ5003内のピストン5008を使った磁石の動きを用いて、シリンダチューブ5003の外側のキャリッジの動きに影響を及ぼす。本発明は、特に、本発明の実施形態を参照しながら図示および記載してきたが、当業者であれば、添付の特許請求の範囲およびそれと同等のものによって規定されたような本発明の精神および範囲から逸脱することなく、形態および詳細の様々な変更がなされてもよいことを理解するであろう。"