基板上に、有機金属化合物を原料とし、塗布熱分解法により酸化物超電導層を形成して、酸化物超電導線材を製造する酸化物超電導線材の製造方法であって、基板上に前記有機金属化合物の溶液を塗布して塗布膜を作製する塗布膜作製工程と、前記塗布膜の有機金属化合物に含有される有機成分を熱分解、除去して、仮焼膜を作製する仮焼熱処理工程と、前記仮焼膜に含有される炭酸塩を分解、除去する中間熱処理工程と、炭酸塩が分解、除去された前記仮焼膜を結晶化させて、酸化物超電導層を形成させる本焼熱処理工程とを有しており、前記中間熱処理工程が、所定の減圧雰囲気下で行われることを特徴とする酸化物超電導線材の製造方法。前記所定の減圧雰囲気が、1~100Paの圧力雰囲気であることを特徴とする請求項1に記載の酸化物超電導線材の製造方法。中間熱処理時の雰囲気下における二酸化炭素濃度が、10ppm以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の酸化物超電導線材の製造方法。前記酸化物超電導層の膜厚が、1μm以上であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の酸化物超電導線材の製造方法。前記本焼熱処理工程が、前記中間熱処理工程と同じ減圧雰囲気下で行われることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の酸化物超電導線材の製造方法。基板上に、有機金属化合物を原料とし、塗布熱分解法により酸化物超電導層が形成された酸化物超電導線材であって、前記酸化物超電導層における炭素の含有量が、1×1020atoms/cm3以下であることを特徴とする酸化物超電導線材。請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の酸化物超電導線材の製造方法を用いて、基板上に、酸化物超電導層が形成されていることを特徴とする酸化物超電導線材。前記酸化物超電導層の膜厚が、1μm以上であることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の酸化物超電導線材。しかし、このように中間熱処理を行って炭酸塩を効率よく分解させる技術をもってしても、酸化物超電導層の厚みを1μm以上に厚膜化した場合、結晶の配向性の乱れを充分確実に抑制できているとは言えず、充分に高いJc、Icの酸化物超電導線材を提供することが困難であった。そこで、本発明は、厚膜化した場合においても充分確実に結晶の配向性の乱れが抑制された酸化物超電導層を形成することができ、充分に高いJc、Icの酸化物超電導線材を確実に提供することができる酸化物超電導線材の製造技術を提供することを課題とする。本発明者は、鋭意検討の結果、以下に示す発明により、上記課題が解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。以下、各請求項毎に説明する。請求項1に記載の発明は、基板上に、有機金属化合物を原料とし、塗布熱分解法により酸化物超電導層を形成して、酸化物超電導線材を製造する酸化物超電導線材の製造方法であって、基板上に前記有機金属化合物の溶液を塗布して塗布膜を作製する塗布膜作製工程と、前記塗布膜の有機金属化合物に含有される有機成分を熱分解、除去して、仮焼膜を作製する仮焼熱処理工程と、前記仮焼膜に含有される炭酸塩を分解、除去する中間熱処理工程と、炭酸塩が分解、除去された前記仮焼膜を結晶化させて、酸化物超電導層を形成させる本焼熱処理工程とを有しており、前記中間熱処理工程が、所定の減圧雰囲気下で行われることを特徴とする酸化物超電導線材の製造方法である。本発明者は、特許文献2に示された方法では、厚膜化した場合、結晶の配向性の乱れを充分に抑制することができなかった原因につき、鋭意検討を行った。その結果、中間熱処理を大気圧1気圧下で行っていたために、結晶の配向性の乱れが発生していたことが分かった。即ち、中間熱処理時には、前記したように、BaCO3等の炭酸塩が分解されてCO2が発生する。この発生したCO2は、膜厚が薄い場合には直ちに膜外へ抜け出ることができるが、膜厚が1μm以上の場合には膜外へ抜けにくく、局所的にCO2濃度が上昇する。このようにCO2濃度が上昇した部分では、それ以上には炭酸塩の分解が進みにくいため、炭素が膜の内部に残存した状態で中間熱処理が完了する。この結果、炭素が膜の内部に残存しているため、本焼熱処理工程において、基板からの配向性が揃った結晶成長が阻害され、高いJcの酸化物超電導層を形成することができず、高いIcの酸化物超電導線材を提供することができない。そこで、本発明者は、このような原因を取り除くべく、鋭意検討を行った結果、中間熱処理を所定の減圧雰囲気下で行った場合、炭素が膜の内部に残存しないことが分かった。そして、基板からの配向性が揃った結晶成長が阻害されないため、高いJcの酸化物超電導層が形成されて、高いIcの酸化物超電導線材を提供することができることが分かった。即ち、本請求項の発明においては、中間熱処理を所定の減圧雰囲気下で行っているため、膜厚が1μm以上の場合であっても、発生したCO2は速やかに膜外へ抜け出すことができる。このため、局所的にCO2濃度が上昇することがなく、炭酸塩の分解が充分に進み、膜の内部に残存する炭素を充分に低減させることができる。具体的には、0.3μm程度の薄膜における炭素の残存量と同等程度にまで低減させることができる。炭素の残存量が少ないため、本焼熱処理工程において、基板からの配向性が揃った結晶成長が阻害されず、高いJcの酸化物超電導層を形成して、高いIcの酸化物超電導線材を提供することができる。本請求項の発明において、中間熱処理は、仮焼熱処理工程と本焼熱処理工程との間に設けられているが、中間熱処理により炭酸塩の分解を促進し、炭酸塩の残存による結晶成長の乱れを防止するためには、本焼熱処理工程の直前に中間熱処理を行うことが好ましい。なお、所定の減圧雰囲気とは、発生したCO2を速やかに膜外へ排出することが可能な減圧雰囲気を指し、膜の種類や厚み、また基板の種類などを考慮して、適宜決定される。また、この所定の減圧雰囲気は、中間熱処理においてのみ適用すればよいが、本焼熱処理工程まで継続して適用してもよい。本請求項の発明は、前記したTFA-MOD法、FF-MOD法のいずれにも適用できるが、仮焼熱処理工程時、炭酸塩が形成され易いFF-MOD法に適用した場合、顕著な効果を得ることができる。請求項2に記載の発明は、前記所定の減圧雰囲気が、1~100Paの圧力雰囲気であることを特徴とする請求項1に記載の酸化物超電導線材の製造方法である。中間熱処理に必要な酸素量を確実に確保することができる一方、発生したCO2を膜外へ速やかに排出することができる観点から、1~100Paの圧力雰囲気が好ましい。請求項3に記載の発明は、中間熱処理時の雰囲気下における二酸化炭素濃度が、10ppm以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の酸化物超電導線材の製造方法である。10ppm以下の二酸化炭素濃度の減圧雰囲気下で中間熱処理を行うことにより、発生したCO2は速やかに膜外へ抜け出すことができ、局所的にCO2濃度が上昇することがない。この結果、炭酸塩の分解が促進されるため、より短時間に炭酸塩を分解することができる。請求項4に記載の発明は、前記酸化物超電導層の膜厚が、1μm以上であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の酸化物超電導線材の製造方法である。前記したように、本発明を適用することにより、従来は、炭素が膜の内部に残存して配向性が揃った結晶成長が阻害されていた1μm以上の膜厚であっても、配向性が揃った結晶成長が可能となる。具体的には、炭素の残存量を0.3μm程度の薄膜と同等に低減させることができる。膜厚が1μm以上の酸化物超電導層を形成させるための仮焼膜としては、原料溶液MOD溶液の塗布と仮焼をそれぞれ1回行って形成された単層で厚膜の仮焼膜、あるいは、原料溶液MOD溶液の塗布と仮焼を複数回繰り返して薄膜の仮焼膜が積層された多層で厚膜の仮焼膜のいずれであってもよい。請求項5に記載の発明は、前記本焼熱処理工程が、前記中間熱処理工程と同じ減圧雰囲気下で行われることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の酸化物超電導線材の製造方法である。本焼熱処理工程を中間熱処理工程と同じ減圧雰囲気下で行うことにより、圧力雰囲気を切り替える必要がなく、効率的に製造することができる。請求項6に記載の発明は、基板上に、有機金属化合物を原料とし、塗布熱分解法により酸化物超電導層が形成された酸化物超電導線材であって、前記酸化物超電導層における炭素の含有量が、1×1020atoms/cm3以下であることを特徴とする酸化物超電導線材である。本発明者は、塗布熱分解法により製造された酸化物超電導層のJcと、酸化物超電導層に残存する炭素の含有量との関係について、種々の実験と検討を行った結果、酸化物超電導層に残存する炭素の含有量が1×1020atoms/cm3以下の場合、基板からの配向性が揃った結晶成長が阻害されず、充分に高いJc、Icの酸化物超電導線材を提供することができることが分かった。なお、炭素の含有量の測定に際しては、Siをレファレンスとしたグロー放電発光分光分析法を用いた。請求項7に記載の発明は、請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の酸化物超電導線材の製造方法を用いて、基板上に、酸化物超電導層が形成されていることを特徴とする酸化物超電導線材である。前記の酸化物超電導線材の製造方法が用いられているため、充分に高いJc、Icの酸化物超電導線材を提供することができる。請求項8に記載の発明は、前記酸化物超電導層の膜厚が、1μm以上であることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の酸化物超電導線材。膜厚が1μm以上でありながら、膜厚に対応した充分に高いJc、Icの酸化物超電導線材を提供することができる。本発明によれば、厚膜化した場合においても充分確実に結晶の配向の乱れが抑制された酸化物超電導層を形成することができ、充分に高いJc、Icの酸化物超電導線材を確実に提供することができる。以下に、実施例および比較例を挙げて本発明を具体的に説明する。実施例1および比較例1実施例1は、減圧雰囲気下で圧力を変化させて中間熱処理を行ってY123超電導層を作製した例である。1Y123超電導層の作製a塗布仮焼工程基板として、CeO2/YSZ/CeO2/Ni合金の基板を用い、この基板上に、Y、Ba、Cuの各アセチルアセトナート錯体を、Y:Ba:Cuのモル比が1:2:3となるように調整して溶媒に溶解した原料溶液を塗布し、大気雰囲気の下で20°C/分の昇温速度で500°Cまで昇温して、2時間保持して仮焼熱処理を施して仮焼膜を作製した。このとき、膜厚は1回の処理当たり約0.25μm増加した。この塗布仮焼の工程を複数回繰り返した。b中間熱処理工程次に、酸素濃度100ガスの減圧雰囲気の下、図1に示す熱処理パターンおよび表1に示す熱処理温度、処理時間に従い、650~800°Cまでを2分間かけて上昇させて中間熱処理を行った。なお、炉内のCO2濃度は10ppm以下になるように設定した。そして、圧力は、0.8Pa実施例1-1、1Pa実施例1-2、10Pa実施例1-3、100Pa実施例1-4および103Pa実施例1-5に設定した表1参照。c本焼熱処理工程中間熱処理の後、大気圧雰囲気下、表1に示す熱処理温度、保持時間で本焼熱処理を施し、その後酸素濃度100の雰囲気中で炉冷を行い、各実施例のY123膜を作製した。2比較例1比較例1は、大気圧雰囲気105Pa下で中間熱処理を行ったこと以外は、実施例1と同じ条件で、Y123超電導層を作製した例である。3炭素含有量、IcおよびJcの測定実施例1および比較例1で得られたY123超電導層の炭素含有量を、Siをレファレンスとしたグロー放電発光分光分析法を用いて測定し、IcおよびJcを温度77K、自己磁場下で測定した。結果を表1に示す。4考察表1より、実施例1-1~1-5のY123超電導層は、比較例1に比べて、炭素含有量が低く、IcおよびJcが高いことが分かる。全ての実施例でこのように炭素含有量が低いのは、中間熱処理を減圧雰囲気下で行っているため、厚さが1.0μmという厚膜であっても、炭酸塩の分解生成物であるCO2が膜から速やかに排出されて炭酸塩の分解が促進されたためであると考えられる。このように、減圧雰囲気下で中間熱処理を行うことにより炭酸塩の分解が速やかに進行し、1μmの膜厚であっても高いIc、Jcが得られるが実施例1-1~1-5、より高いIc、Jcを得るためには、1~100Pa減圧雰囲気下で中間熱処理を行うことが好ましく実施例1-2~1-4、10Pa減圧雰囲気下で中間熱処理を行うことがより好ましいことが分かる実施例1-3。実施例2実施例2は、減圧雰囲気下で中間熱処理を行って、膜厚が異なるY123超電導層を作製した例である。実施例2では、仮焼膜の積層回数を変化させて、膜厚を0.25μm実施例2-1、0.5μm実施例2-2、1.0μm実施例2-3および1.5μm実施例2-4とし、膜厚を変化させたこと以外は実施例1-3と同様にしてY123超電導層を作製した。実施例2で得られたY123超電導層の炭素含有量、IcおよびJcを測定した。測定結果を表2に示す。表2より、膜厚が1μmであっても、炭素含有量が低く、IcおよびJcが高いことが分かる。さらに膜厚が1.5μmであっても、Jcは2.4MA/cm2であり、高いIcが得られることが分かる。実施例3実施例3は、中間熱処理時に減圧雰囲気下でCO2濃度を変化させてY123超電導層を作製した例である。実施例3では、中間熱処理に雰囲気中のCO2濃度を0.1ppm実施例3-1、1ppm実施例3-2、10ppm実施例3-3および100ppm実施例3-4とし、CO2濃度を変化させたこと以外は実施例1-3と同様にしてY123超電導層を作製した。実施例3で得られたY123超電導層のCO2濃度、炭素含有量、IcおよびJcを測定した。測定結果を表3に示す。表3より、CO2濃度が10ppm以下の減圧雰囲気下で行った場合実施例3-1~3-3には、CO2濃度が10ppmを超える減圧雰囲気下で行った場合実施例3-4に比べて、IcおよびJcが高く、またCO2濃度が低くなるほど、IcおよびJcが高くなっていることが分かる。これは、CO2濃度が低くなるほど、炭酸塩の分解が顕著に促進されるためと考えられる。実施例4および比較例2実施例4および比較例2は、図2に示す熱処理パターンに従って、650°Cで90分間保持して中間熱処理を行ったこと以外は実施例1-3と同様にしてY123超電導層を作製した。なお、減圧雰囲気の圧力は、0.8Pa実施例4-1、1Pa実施例4-2、10Pa実施例4-3、100Pa実施例4-4および103Pa実施例4-5で行った。そして、実施例1と同様の測定を行った。測定結果を表4に示す。表4より、実施例1および比較例1と同様の傾向の結果が得られることが分かる。また、1μmの膜厚であっても高いIc、JcのY123超電導層を得られるが実施例4-1~4-5、より高いIc、Jcを得るためには、1~100Pa減圧雰囲気下で中間熱処理を行うことが好ましく実施例4-2~4-4、10Pa減圧雰囲気下で中間熱処理を行うことがより好ましいことが分かる実施例4-3。以上、本発明を実施の形態に基づき説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明と同一および均等の範囲内において、上記の実施の形態に対して種々の変更を加えることが可能である。