"化学機械研磨装置において、研磨パッドを担持したプラテンを回転させながら、前記研磨パッドの表面をアームに保持されたコンディショニングディスクによりドレッシングする工程を含み、前記ドレッシングは、前記コンディショニングディスクを前記研磨パッドの表面に押圧し、さらに前記アームを前記アームの回転軸回りで回転運動させ、前記コンディショニングディスクの位置を、前記プラテンの径方向上に、前記プラテンの中心部と外周部との間で変化させることにより実行され、前記ドレッシングの際、前記アームに作用するトルクの平均値<N>および変動幅Yを、前記コンディショニングディスクの、前記プラテンの径方向上における複数の位置にわたって求め、前記トルクの平均値<N>および前記トルクの変動幅Yの値をもとに、前記アームに対するメンテナンスの要否を判定することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記研磨パッドの表面には、前記プラテンの径方向に複数の区間が設定され、前記複数の位置は前記複数の区間の一つに含まれ、前記トルクの平均値<N>に対するトルクの変動幅Yの比Y/<N>が所定値を超えた場合に、前記アームに対するメンテナンスが必要であると判定することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。前記研磨パッドの表面には、前記プラテンの径方向上に複数の区間が設定され、前記複数の位置は前記複数の区間にわたって分布し、前記トルクの平均値<N>および前記トルクの変動幅Yは、前記複数の区間の各々について求められ、さらに前記複数の区間にわたり、前記トルクの平均値<N>の平均値<<N>>および前記トルクの変動幅Yの平均値<Y>を求め、前記トルクの平均値<N>の平均値<<N>>に対する前記トルクの変動幅Yの平均値<Y>の比<Y>/<<N>>が所定値を超えた場合に、前記アームに対するメンテナンスが必要であると判断することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。前記複数の位置は、前記アームの折り返し点に対応する位置を避けて選ばれることを特徴とする請求項1~3のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。前記ドレッシングの後、前記研磨パッド上においてウェハの化学機械研磨を行うことを特徴とする請求項1~4のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。前記ウェハの化学機械研磨では、シリコン酸化膜の化学機械研磨が行われ、前記所定値は0.8以下であることを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。研磨パッドを担持して回転するプラテンと、前記プラテン上の研磨パッドにスラリを供給するスラリ供給ノズルと、前記プラテン上の研磨パッドに被研磨材を回転し押圧する研磨ヘッドと、前記プラテン上の研磨パッドに回転し押圧され、前記研磨パッドの表面をドレッシングするコンディショニングディスクと、前記コンディショニングディスクを担持し、前記コンディショニングディスクに前記研磨パッドの表面を走査させ、ドレッシングを行わせるアームと、前記アームに作用するトルクの値を、前記プラテンの半径方向上における前記コンディショニングディスクの複数の位置において測定するトルク測定部と、前記トルク測定部により測定されたトルクの値を処理するデータ処理部と、を備え、前記データ処理部は、前記複数の位置における前記トルクの値から前記トルクの平均値<N>および前記トルクの変動幅Yを求め、前記トルクの平均値<N>および変動幅Yに基づいて、前記アームに対してメンテナンスを行う必要があることを示すアラーム信号を発することを特徴とする化学機械研磨装置。前記データ処理部は前記研磨パッドの表面に、前記プラテンの半径方向上において複数の区間を設定し、前記データ処理部は、前記複数の区間の少なくとも一つにおいて前記トルクの平均値に対するトルクの変動幅の比Y/<N>が所定値を超えた場合に、前記アラーム信号を発することを特徴とする請求項7記載の化学機械研磨装置。前記データ処理部は前記研磨パッドの表面に、前記プラテンの半径方向上において複数の区間を設定し、前記データ処理部は、前記複数の区間の各々において、前記トルクの平均値Nおよび前記トルクの変動幅Yを求め、さらに前記複数の区間にわたり、前記トルクの平均値<N>の平均値<<N>>、および前記トルクの変動幅の平均値<Y>を求め、前記トルクの平均値<N>の平均値<<N>>に対する前記トルクの変動幅Yの平均値の比<Y>/<<N>>が所定値を超えた場合に、前記アラーム信号を発することを特徴とする請求項7記載の化学機械研磨装置。一般に化学機械研磨は、研磨パッドを担持し所定の速度で回転されるプラテンを備えた研磨装置を使って実行される。前記研磨パッド上にはスラリが塗布されており、半導体ウェハなどの研磨対象物以下ワークと記すは、研磨ヘッド上に保持され、ワークは前記研磨ヘッドにより所定の速度で回転されながら、プラテンと共に回転している前記研磨パッドに所定の圧力で押圧される。この状態で、前記スラリの機械的および化学的な研磨作用により、所望の研磨が実行される。一般に半導体装置の化学機械研磨では、研磨パッドとして、様々な硬さの発泡あるいは無発泡樹脂膜が使われる。スラリは、シリカSiO2やアルミナAl2O3、セリアCeO2などの微粒子よりなる砥粒を水やpHを調整した溶媒に分散させたもので、ワークの種類に応じて選択され、研磨中に研磨パッド上に所定の割合で滴下される。このような研磨装置では、研磨パッド上にスラリが保持されるように、あらかじめ研磨パッドの表面を削り、意図的に荒れた状態を形成することが多い。このような操作はドレッシングあるいは目立てとよばれる。ドレッシングには、一般にダイヤモンド砥粒が埋め込まれ、回転駆動されるコンディショニングディスクが使われる。すなわちかかるコンディショニングディスクを、所定速度で回転しているプラテン上の研磨パッドに、所定速度で回転させながら、所定の圧力で押圧することにより、研磨パッドの表面がダイヤモンド砥粒により削られ、所望のドレッシングがなされる。このようにしてドレッシング処理された研磨パッドの荒れた表面にはスラリが溶媒と共に安定に保持され、ウェハの被研磨面に作用し、所望の研磨がなされる。またこのようにして形成された研磨パッドの荒れた表面には、研磨によりウェハから削り取られた研磨屑も保持され、研磨屑によりウェハの表面にスクラッチとよばれる傷が生じるのが回避される。一般にウェハ一枚あるいは数枚を研磨する度に、先に使われた研磨パッドの表面はコンディショニングディスクにより削り取られ、新たな表面が荒れた状態で形成される。このようなドレッシングは、研磨パッドの全面に対して行う必要があり、このため、コンディショニングディスクは一般にプラテンの近傍において軸受け部により回動自在に支持されたアームの先端に設けられている。前記アームを前記軸受け部の回りで旋回運動させることにより、前記研磨パッドの全面をドレッシングすることが可能となる。ところが、このような構成の研磨装置において多数のウェハを化学機械研磨しているうちに、例えば前記アームの軸受け部が消耗するなどしてアームの状態が変化し、旋回運動の際にアームに振動が生じることがある。このような振動が生じると、コンディショニングディスクを研磨パッドに対し所定の圧力で押圧できなくなり、ドレッシングが不完全になってしまう。ドレッシングが不完全だと、研磨パッド表面を十分に荒らす目立てすることができず、その結果、スラリを研磨パッド表面に十分に保持できず研磨速度が低下したり、研磨屑を保持できずワークにスクラッチが生じたりするなど、所望の研磨を行うことができなくなる。従来、研磨速度の低下やスクラッチの発生が生じると、研磨パッドやスラリが交換されることが多かったが、原因がアームの振動である場合、研磨パッドやスラリを交換しても解決するものではなく、間違った管理の結果、時間やマンパワー、さらには部材が無駄になることがあった。一の側面によれば半導体装置の製造方法は、化学機械研磨装置において、研磨パッドを担持したプラテンを回転させながら、前記研磨パッドの表面をアームに保持されたコンディショニングディスクによりドレッシングする工程を含み、前記ドレッシングは、前記コンディショニングディスクを前記研磨パッドの表面に押圧し、さらに前記アームを前記アームの回転軸回りで回転運動させ、前記コンディショニングディスクの位置を、前記プラテンの径方向上に、前記プラテンの中心部と外周部との間で変化させることにより実行され、前記ドレッシングの際、前記アームに作用するトルクの平均値<N>および変動幅Yを、前記コンディショニングディスクの、前記プラテンの径方向上における複数の位置にわたって求め、前記トルクの平均値<N>および前記トルクの変動幅Yの値をもとに、前記アームに対するメンテナンスの要否を判定する。他の側面によれば化学機械研磨装置は、研磨パッドを担持して回転するプラテンと、前記プラテン上の研磨パッドにスラリを供給するスラリ供給ノズルと、前記プラテン上の研磨パッドに被研磨材を回転し押圧する研磨ヘッドと、前記プラテン上の研磨パッドに回転し押圧され、前記研磨パッドの表面をドレッシングするコンディショニングディスクと、前記コンディショニングディスクを担持し、前記コンディショニングディスクに前記研磨パッドの表面を走査させ、ドレッシングを行わせるアームと、前記アームに作用するトルクの値を、前記プラテンの半径方向上における前記コンディショニングディスクの複数の位置において測定するトルク測定部と、前記トルク測定部により測定されたトルクの値を処理するデータ処理部と、を備え、前記データ処理部は、前記複数の位置における前記トルクの値から前記トルクの平均値<N>および前記トルクの変動幅Yを求め、前記トルクの平均値<N>および変動幅Yに基づいて、前記アームに対してメンテナンスを行う必要があることを示すアラーム信号を発する。上記側面によれば、コンディショニングディスクを担持するアームの状態を、アームに印加されるトルクの平均値だけでなく、トルクの変動幅をも加味して判断するため、アームに大きなトルクはかかっているが、研磨パッドへのコンディショニングディスクの作用が不均一であるような状態を検出することができ、アームのメンテナンス時期を確実に検出することができる。図1は、第1の実施形態に係る化学機械研磨システム20の全体的な構成を示す図である。図1を参照するに化学機械研磨システム20は化学機械研磨装置20Aとデータ処理装置20B、および欠陥検査装置20Cを含み、前記化学機械研磨装置20Aは、モータ21Mにより回転軸21Nの回りを矢印Aで示す方向に所定速度で回転されるプラテン21を備えており、前記プラテン21上には研磨パッド21Pが担持され、プラテン21とともに前記所定速度で回動する。前記研磨パッド21P上にはスラリが、滴下ノズル21Sより滴下され、さらに半導体ウェハなどのワークWを担持した研磨ヘッド22が、前記ワークWを、前記研磨パッド21Pに、モータ22Mにより矢印Bの方向に所定速度で回転させながら、所定の圧力で押圧する。さらに前記研磨パッド21P上には、ダイヤモンド砥粒を樹脂あるいは金属ディスク中に埋設したコンディショニングディスク23が設けられている。前記コンディショニングディスク23はアーム23Aの先端部に、モータ23Mを介して保持され、モータ23Mにより矢印Cの方向に所定速度で回転され、前記研磨パッド21Pに所定の圧力Fで押圧される。一方、前記アーム23Aは、図示しない駆動モータを含み、前記プラテン21の面に垂直な回動軸23Nの回りで回動する軸受け部23Bに、基部を固定されている。前記軸受け部23Bには、その際のトルクNを前記回動軸23Nの回りで測定するトルク測定部23D設けられている。このようなトルク測定部23Dは、例えばロードセルや歪みゲージ、AEセンサ等の応力センサを含み、前記プラテン21の前記図1における矢印Aで示す方向への回転、および前記コンディショニングディスク23の前記図1における矢印Cで示す方向への回転、さらに前記研磨パッド21Pと前記コンディショニングディスク23との間の摩擦などにより前記アーム23Aに生じる応力を測定し、測定結果をもとに前記軸23N回りのトルクNを、前記アーム23Aの角位置θとともに求めている。図2は、前記化学機械研磨装置20のうち、プラテン21およびコンディショニングディスク23を含む部分の平面図を示す。図2を参照するに、前記アーム23Aは前記軸受け部23Bにより、前記回動軸23Nの回りで第1の角位置θ=θmin;ホームポジションと第2の角位置θ=θMAXとの間で往復駆動され、これに伴って前記コンディショニングディスク23は、前記プラテン21と共に回転している研磨パッド21P上を、まんべんなく走査する。前記ホームポジションでは、前記コンディショニングディスク23は前記研磨プラテンの外周の外に外れ、研磨パッド21Pには当接しない。前記アーム23Aが前記軸23Nの回りで回動することにより、前記コンディショニングディスク23は前記研磨パッド21P上において、前記プラテン21の径方向に位置を変化させる。後で説明するように前記研磨パッド21P上には、データ処理の都合上、前記プラテン21の径方向に区間r0,r1,r2,が設定されており、前記コンディショニングディスク23は前記アーム23Aの回動に伴って、前記区間r0,r1,r2,を順次連続的に走査する。前記アーム23Aの角位置θは、データ処理装置20Bにおいて直ちに、前記コンディショニングディスク23の前記プラテン21上における、プラテン21の中心あるいは外周からのラジアル方向の距離に変換される。以下では、アーム23Aの角位置θは、プラテン21の中心からのラジアル方向の距離に変換されるものとする。前記軸受け部23Bはまた、前記プラテン21の面およびその外周方向に平行な軸23Pの回りで回動、あるいは前記軸23Nに沿って上下運動することができ、その結果、前記コンディショニングディスク23を前記研磨パッド23Pに、前記アーム23Aを介して、前記所定圧力Fで押圧することが可能である。このような化学機械研磨装置20Aとしては、限定はされないが、例えばAppliedMaterials社より市販のモデルReflectionLKを挙げることができる。前記化学機械研磨システム20では、さらにデータ処理装置20Bと欠陥検査装置20Cが設けられているが、前記データ処理装置20Bは、前記軸受け部23Bより出力された前記トルクNの値と前記アーム23Aの位置、すなわち前記プラテン23の中心から測った、前記コンディショニングディスク23の径方向への位置を表す情報を供給され、これを以下に説明するように統計処理して、前記アーム23Aおよび軸受け部23Bの状態が異常である場合に、アラームを発生させる。また前記欠陥検査装置20は、実際に研磨されたウェハの表面を顕微鏡により検査し、画像処理を行って欠陥の数を計数するとともにその分布を求め、欠陥数をヒストグラムで出力したり、欠陥の分布をマップの形で出力したりする。図1では、あたかも前記研磨パッド21Pのコンディショニングディスク23によるドレッシングが、前記ワークWの化学機械研磨と同時に実行されているかのように示されているが、これは図示の都合上のことであり、実際には研磨パッド21Pのコンディショニングに引き続き、ワークWの化学機械研磨がなされるのがふつうである。ただし図1の化学機械研磨システム20において、研磨パッド21PのコンディショニングとワークWの化学機械研磨を同時に実行する場合が排除されるわけではない。図3は、このような化学機械研磨システム20において得られたトルクNの値と、そのときのコンディショニングディスク23の前記研磨パッド21P上における位置、より具体的には、前記プラテン21の中心からのラジアル距離との関係をプロットした図である。図3中、縦軸が前記トルクNの値を任意単位で示しており、横軸が前記ラジアル距離をインチの単位で示している。図3中、矢印Aは前記研磨パッド21Pを、前記コンディショニングディスク23により、をプラテン21の中心から外周方向に走査した場合を示しており、一方矢印Bは前記研磨パッド21Pを、前記コンディショニングディスク23により、をプラテン21の外周部から中心方向に走査した場合を示している。図3の例では前記コンディショニングディスクとして、径が4インチの金属ディスクの表面に樹脂層によりダイヤモンド砥粒を埋設したものを使い、前記コンディショニングディスク23を前記研磨パッド21P上において、前記プラテン21の中心から半径距離が1~14インチの範囲で走査させている。なお前記半径距離が14インチを超えると、コンディショニングディスク23は前記プラテン21の外周の外側に、すなわち前記研磨パッド21Pの外側に外れる。半径距離が19インチの位置が、図2で示したホームポジションに対応する。図3を参照するに、前記プラテン21の回転方向とコンディショニングディスク23の回転方向との関係により、前記アーム23Aを前記図3中、矢印Aに示すようにプラテン21の中心から外周方向に移動させた場合は正のトルクが検出され、一方アーム23Aを逆に図3中、矢印Bで示すようにプラテン21の外周から中心方向に移動させた場合には負のトルクか検出されることがわかる。図3中、個々の四角形は前記軸受け部23Bにより測定されたトルクNの値とそのときのコンディショニングディスク23の径方向での位置を示している。図3の例は、比較的良好なドレッシングが行われている場合を示しており、アーム23をプラテン21の中心から外周へ移動させた場合と外周から中心へ移動させた場合のいずれにおいてもトルクNの変動幅が比較的小さく、かつ検出されているトルクNの絶対値が比較的大きく、このため、前記アーム23をプラテンの中心から外周へ移動させた場合のデータ点と、同じアーム23をプラテンの外周から中心へ移動させた場合のデータ点との間に、広いギャップが生じているのがわかる。なお図3の例では、前記プラテン21の中心から外周へと旋回したアーム23Aは、前記コンディショニングディスク23がおおよそ13~14インチの位置にあるときに折り返しており、また前記プラテン21の外周から中心へと旋回したアーム23Aは、前記コンディショニングディスク23がおおよそ1~2インチの位置にあるときに折り返している。このような折り返し点では、検出されるトルクNの値が正から負に、あるいは負から正に、大きく変動している。図4は、アーム23Aおよび軸受け部23Bの状態が良好な場合と不良である場合とを比較した図である。図4中、右側の図は前記アーム23Aおよび軸受け部23Bの状態が良好である場合を、左側の図は不良である場合を示している。図4を参照するに、右側の図では、前記図3の場合と同様に、アーム23をプラテン21の中心から外周へ移動させた場合と外周から中心へ移動させた場合のいずれにおいてもトルクNの変動幅が小さく、かつ検出されているトルクNの絶対値が大きく、前記アーム23をプラテンの中心から外周へ移動させた場合のデータ点と、同じアーム23をプラテンの外周から中心へ移動させた場合のデータ点との間に、非常に広いギャップが生じているのがわかる。すなわち図4の右側の図は、前記コンディショニングディスク23が研磨パッド21Pに安定に、かつしっかりと係合し、その表面を削っている状態に対応していると考えられる。これに対し図4の左側の図ではトルクNの変動幅が大きく、かつトルクNの絶対値が小さく、その結果、アーム23をプラテン21の中心から外周へ移動させた場合と外周から中心へ移動させた場合で符号が反転するトルクNの差が非常に小さくなっているのがわかる。すなわち図4の左側の図は、コンディショニングディスク23が研磨パッド21Pを十分に削っておらず、かつその作用も不均一であることを示唆している。図5は、前記図3や図4の実験に基づいて、化学機械研磨システム20において、アーム23Aおよび軸受け部23Bが様々な状態にある化学機械研磨装置20Aを使い、所定のドレッシングを行った場合のトルクNの平均値とトルクNの変動幅を、前記プラテン21の中心から測ったコンディショニングディスク23のラジアル距離インチに対応させて示す図である。ただし図5の実験では、前記研磨パッド21Pとしてニッタハース社のIC1510登録商標を使っている。また前記コンディショニングディスク23として、表面に形成した樹脂層中にダイヤ粒径が80~110のダイヤモンド砥粒を埋設した径が4インチの金属ディスクを使っている。また前記実験において前記プラテン21およびコンディショニングディスク23は、同一方向にそれぞれ40~80rpmおよび80~110rpmの範囲内の所定の回転数で回転され、前記コンディショニングディスク23は前記研磨パッド21Pに、6~11lbfの範囲内の所定の圧力で押圧されている。ただし図5のプロットでは、トルクNの平均値および変動幅を求めるに当たり、アーム23が折り返すためトルクNの値が正から負にあるいは負から正に変化する0~3インチの範囲および11~15インチの範囲は除外している。より具体的には、前記研磨パッド21Pの表面を、前記3インチから11インチまでの範囲で図2に示したような幅が0.8インチの同心円状の区間1~10に分割し、各々の区間毎に観測されたトルクNの絶対値の区間当たりの平均値<N>、および前記トルクNの絶対値の区間当たりの変動幅Yを示している。図5中、左側の図が前記区間当たりの平均値<N>を示しており、右側の図が前記区間当たりの変動幅Yを示している。図5中、右側および左側の図において横軸は、前記プラテン21の回転中心から前記10に分割した同心円状の区間1~10までの距離をインチで表している。図5を参照するに、曲線Iの例では区間当たりのトルク平均値<N>がいずれの区間でも最も小さく、アーム23Aに十分なトルクNがかかっていないこと図5の左図を参照がわかる。この曲線Iの例では、その結果、研磨パッド21Pのドレッシングが不完全であることが予測される。また前記曲線Iの例では、トルクの区間当たりの変動幅Yは比較的小さいが図5の右図を参照、これはトルクの値自体が小さいためであると考えられる。曲線IIの例でもトルクの区間当たりの平均値<N>が、いずれの区間においても前記曲線Iの場合よりは大きいものの、やはり小さく図5の左図を参照、アーム23Aに十分なトルクNがかかっていないことが予測される。また前記曲線IIの例では、トルクの区間当たりの変動幅Yが、曲線Iの場合よりも多少大きくなっており図5の右図を参照、ドレッシングが不均一になっていることが予測される。さらに曲線IIIの例ではトルクの区間当たりの平均値<Nが、いずれの区間においても前記曲線IIの場合より大きいものの、やはり比較的小さく図5の左図を参照、アーム23Aに十分なトルクNがかかっていないことが予測される。また前記曲線IIIの例では、トルクの区間当たりの変動幅が非常に大きくなっており図5の右図を参照、これはコンディショニングディスク23が前記研磨パッド21Pの表面を跳躍しながら走査しているスティックスリップ現象ことを示していると考えられる。同様に曲線IVの例でもトルクの区間当たりの平均値<Nは、いずれの区間においても前記曲線IIIの場合より大きいものの、やはり比較的小さく図5の左図を参照、アーム23Aに十分なトルクNがかかっていないことが予測される。また前記曲線IVの例でも、トルクの区間当たりの変動幅が非常に大きくなっており図5の右図を参照、やはりコンディショニングディスク23が前記研磨パッド21Pの表面を跳躍しながら走査していることを示していると考えられる。さらに曲線Vの例では、トルクの区間当たりの平均値<N>がいずれの区間においても非常に大きいが図5の左図を参照、トルクの区間当たりの変動幅もやはり非常に大きく図5の右図を参照、均一なドレッシングはなされていないものと予測される。一方、図5中、曲線VIの例ではトルクの区間当たりの平均値<Nが、前記曲線I~IVの場合と比較して格段に増大し、かつトルクの区間当たりの変動幅Yも比較的小さく、効果的なコンディショニングが均一になされていることが予測される。さらに図5中、曲線VIIの例ではトルクの区間当たりの平均値<N>が前記曲線VIの例と同様に大きく、またトルクの区間当たりの変動幅Yが曲線VIの場合と比較して、全体的にさらに減少しており、効率的なコンディショニングが、より均一になされていることが予測される。さらに図5中、曲線VIIIの例ではトルクの区間当たりの平均値<N>が前記曲線VIIの例よりも、全区間1~10にわたりさらに増大しており、またトルクの区間当たりの変動幅Yが曲線VIIの場合と比較して、全区間1~10にわたり、にさらに減少していることがわかる。このことから、曲線VIIIの例では、非常に効率的なコンディショニングが、非常に均一になされていることが予測される。以上の予測を確認するため、本発明の発明者は、曲線I~VIIIのそれぞれの実験において、コンディショニングに引き続き、シリコンウェハ上に形成された熱酸化膜を化学機械研磨する実験を行った。この実験では、前記曲線I~VIIIのコンディショニングのそれぞれの後に、厚さが120nmの熱酸化膜を形成された径が300mmのシリコンウェハを前記ワークWとして、前記研磨ヘッド23Bに保持し、酸化膜研磨用スラリを200ml/分の流量で滴下しながら前記研磨ヘッド23Bを40~80rpmの範囲内の所定の速度で回転させ、前記研磨パッド21Pに、3~8psiの範囲内の所定の圧力で押圧することにより、前記熱酸化膜の化学機械研磨を60~120秒の範囲内で行った。図6は、このようにして行ったシリコンウェハの表面を、図1の欠陥検査装置20Cにより検査した結果を示すグラフである。図6中、縦軸はウェハ当たりの欠陥数を、横軸のI~VIIIは、図5の曲線I~VIIIの実験にそれぞれ対応している。図6を参照するに、ウェハ当たりの欠陥数の限度を200個とすると、曲線VI~VIIIの実験で得られたウェハのみが合格し、曲線I~Vの実験で得られたウェハは不合格であることがわかる。これは先に説明した、曲線VI~VIIIの実験では、アーム23Aに大きなトルクNが余り変動せずにかかっていて、コンディショニングディスク23が研磨パッド21Pの表面を効果的に、かつ一様に研削しているのに対し、曲線I~Vの実験ではアーム23AにかかるトルクNが小さく、あるいはトルクNが大きくても不安定で、一様な研削がなされていない、との予測を裏付けるものである。図7は、前記トルクNの区間当たりの変動幅Yを、全区間1~10にわたり平均したトルクNの平均変動幅<Y>、および前記トルクNの区間あたりの平均値<N>を全区間1~10にわたりさらに平均したトルクNの二重平均値<<N>>をプロットした散布図である。図7中、縦軸が前記平均変動幅<Y>を、横軸が前記二重平均値<<N>>を示している。図7を参照するに、合格した曲線VI~VIIIの実験に対応するプロットは、トルクNの平均変動幅<Y>が小さく、同時にトルクNの二重平均値<<N>>が大きい、グラフ中、右下の領域に集まっているのに対し、合格しなかった曲線I~IVの実験に対応するプロットは、グラフの左端に集合しているのがわかる。また、トルクNの二重平均値<<N>>は大きかったが、トルクNの平均変動幅<Y>も大きく不合格となった曲線Vの実験は、グラフの右上に位置しているのがわかる。図7中、それぞれの点について、平均変動幅<Y>と二重平均値<<N>>の比RR=<Y>/<<N>>を求めると、曲線Iの実験では0.9、曲線IIの実験では1.1、曲線IIIの実験では1.2、曲線IVの実験では1.1、曲線Vの実験では0.8であるのに対し、曲線VIの実験では0.7、曲線VIIの実験では0.6、また曲線VIIIの実験では0.5となり、前記アーム23Aおよび軸受け部23Bに対し、前記比Rが0.8未満、より好ましくは0.7以下のものを合格させるという基準を設定すると、引き続いて行った研磨結果が不良となるような事態を回避できることがわかる。なお、上記の説明でトルクNは任意単位としているので,前記トルクNの変動幅Yおよび平均値<N>あるいは平均値<Y>および二重平均値<<N>>の値自体は、トルクNの単位如何により変化するが、前記比Rの値は単位を含んでおらず、トルクNの単位の取り方で変化することはないことに注意すべきである。このように本実施形態では、研磨パッド21Pのドレッシングの際に、コンディショニングディスク23を担持するアーム23Aに印加されるトルクNの値を取得し、その平均値<N>およびその変動幅Yをもとに、ドレッシングの状態を判断しているため、トルクNの平均値<N>だけ、あるいはその変動幅Yだけを使って判定するよりも信頼性の高い判定を行うことができ、無駄なメンテナンスや誤ったメンテナンスを回避することが可能となる。一方、特許文献1のように前記トルクNの変動幅Yだけをモニタした場合には、曲線IVや曲線Vの例についてはドレッシングの不良を検出できても、曲線I~IIIの例については検出できない。また前記トルクNの平均値<N>あるいは二重平均値<<N>>だけをモニタした場合には、前記曲線I~IVの例についてドレッシングの不良を検出できるが、曲線Vの例については問題を検出することができない。このような場合には、ウェハの研磨が終了して始めて問題が検出され、かつその問題がアーム23Aおよび軸受け部23Bに起因するものであることは示されないので、誤ったメンテナンスが行われる可能性もある。図8は、前記図1に示すデータ処理装置21Bにおいて図7で示した統計処理を行うためのフローチャートを示す。図8を参照するにステップ1において、前記軸受け部23Bに設けられたトルク測定部より、前記アーム23Aに作用するトルクNの値と前記コンディショニングディスクの、前記プラテン21の中心からのラジアル方向の位置に関する情報を取得し、前記区間1~10の各々において、トルクNの平均値<N>および変動幅Yを求める。さらにステップ3において、前記区間1~10の全体にわたり、前記トルクNの平均値<N>を平均し、前記二重平均値<<N>>を求め、また前記変動委幅Yの平均値<Y>を求める。さらにステップ4において、このようにして求めた平均値<Y>および二重平均値<<N>>より、前記比Rを式R=<Y>/<<N>>により求め、ステップ5において、前記比Rが0.8未満であるか否かが判定される。前記比Rが0.8未満である場合には、ドレッシングは正常に行われており、プロセスはステップ1に戻る。一方前記比Rが0.8以上となる場合には、ステップ6において、アーム23Aおよび軸受け23Bのメンテナンスが必要であることを示すアラームが発せられる。なお本実施形態において、図8のフローチャートに代えて、図9に示すフローチャートを使うことも可能である。図9のフローチャートではステップ11において前記ステップ1と同様にトルクNの値を前記コンディショニングディスクのそれぞれの位置に対して取得した後、ステップ12において、特定の区間について前記トルクNの平均値<N>および変動値Yを求め、ステップ13において前記比Rを、Yと<N>の比R=Y/<N>として求めている。さらにステップ14において前記ステップ5と同様に前記比Rが0.8未満であるか否かが判定され、YESであれば研磨装置20Aの運転は継続されるが、NOである場合、ステップ15において、メンテナンスが必要であるとのアラームが発せられる。図9の変形例において、ステップ12で選ばれる特定の区間としては、経験的に確実な判断ができることがわかっている区間を選ぶことができる。あるいは図9の変形例において、前記特定の区間として、前記区間1~10の全てを一つの区間として選ぶことも可能である。なお以上の実施形態ではドレッシングに回転するコンディショニングディスク23を使った場合を説明したが、本実施形態はこのような特定の構成に限定されるものではなく、図10の変形例に示すように、回転するコンディショニングディスク23の代わりにコンディショニングブラシ33を使った場合にも有効である。ただし図10中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。以上の実施形態では、半導体装置の製造について説明を行ったが、上記実施形態は半導体装置以外の製造にも適用可能である。以上、本発明を好ましい実施形態について説明したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形変更が可能である。"