内部を減圧状態に維持可能な処理チャンバーと、所定の原料ガスを前記処理チャンバーへ導入するガス導入経路と、前記ガス導入経路より導入された原料ガスが表面に接触するか表面付近を通過するようにして前記処理チャンバー内に設けられた触媒体と、前記触媒体にエネルギーを印加して触媒体を昇温する電源部と、前記触媒体の下方に設けられた検知部と、前記検知部を流れる電流または前記検知部の電圧を検出し、前記触媒体と前記検知部との間の接触状態とを判定する制御部と、を備えた、成膜装置。前記検知部は成膜エリア外に設置されている、請求項1に記載の成膜装置。前記制御部は、前記検知部を流れる電流または前記検知部の電圧が一定の範囲を超えると前記触媒体と検知部との間が接触したと判定する、請求項1または請求項2に記載の成膜装置。前記制御部は、前記触媒体と前記検知部との間が接触したと判定すると、ガス導入経路からの原料ガスの導入を停止するよう制御する、請求項3に記載の成膜装置。内部を減圧状態に維持可能な処理チャンバーと、所定の原料ガスを前記処理チャンバーへ導入するガス導入経路と、前記ガス導入経路より導入された原料ガスが表面に接触するか表面付近を通過するようにして前記処理チャンバー内に設けられた触媒体と、前記触媒体にエネルギーを印加して触媒体を昇温する電源部と、前記触媒体の下方に設けられた検知部と、前記検知部を流れる電流または前記検知部の電圧を検出し、前記触媒体と前記検知部との間の接触状態とを判定する制御部と、を備え、前記制御部が前記触媒体と検知部との間で接触状態が発生したと判断するまで前記原料ガスを導入して、前記触媒体に対向するように設けられた基板の表面上に成膜を行い、前記制御部が前記触媒体と検知部との間で接触状態が発生したと判断すると、原料ガスの導入を停止する、成膜方法。上述したような触媒CVD法では、触媒体の表面に接触するか表面付近を通過する原料ガスから生成された生成物を基板に到達させて成膜を行うから、触媒体と基板の距離は非常に重要なパラメータである。しかしながら、従来の触媒体CVD装置では、前述したように、一本のワイヤーをU字状に曲げ2点で支持しているため、通電時間の増加に伴いワイヤーが伸びてチャンバーの底面と接触し、異様な変形が生じる場合がある。つまり、ワイヤーより成る触媒体141は、発熱によりクリープ変形する。クリープ変形した触媒体141は、図5の破線で示すように、下方部に伸びて行き、処理チャンバー100の底面と接触することになる。このような変形によって、触媒体141と基板との距離等が不均一になる。この結果、生成物の到達確率や輻射熱による基板の温度上昇も不均一になる。これは、成膜速度や膜質の不均一性をもたらす。また、変形の量は制御困難であり、触媒体141が変形したときの成膜処理の再現性の点でも問題がある。また、触媒体141の変形の量は、処理チャンバー100の外からは目視で確認することはできない。従来は、目視確認するためには、処理チャンバー100を大気に開放する必要があった。しかし、処理チャンバー100を大気に開放すると、汚染や装置稼働率の低下の原因となる。この発明は、触媒体CVD法を行う成膜装置において、触媒体の変形に起因した問題を低減し、ランニングコストや生産性の点で優れた構成を提供するものである。この発明の成膜装置は、内部を減圧状態に維持可能な処理チャンバーと、所定の原料ガスを前記処理チャンバーへ導入するガス導入経路と、前記ガス導入経路より導入された原料ガスが表面に接触するか表面付近を通過するようにして前記処理チャンバー内に設けられた触媒体と、前記触媒体にエネルギーを印加して触媒体を昇温する電源部と、前記触媒体の下方に設けられた検知部と、前記検知部を流れる電流または前記検知部の電圧を検出し、前記触媒体と前記検知部との間の接触状態とを判定する制御部と、を備えている。また、この発明の成膜方法は、内部を減圧状態に維持可能な処理チャンバーと、所定の原料ガスを前記処理チャンバーへ導入するガス導入経路と、前記ガス導入経路より導入された原料ガスが表面に接触するか表面付近を通過するようにして前記処理チャンバー内に設けられた触媒体と、前記触媒体にエネルギーを印加して触媒体を昇温する電源部と、前記触媒体の下方に設けられた検知部と、前記検知部を流れる電流または前記検知部の電圧を検出し、前記触媒体と前記検知部との間の接触状態とを判定する制御部と、を備え、前記制御部が前記触媒体と検知部との間で接触状態が発生したと判断するまで前記原料ガスを導入して、前記触媒体に対向するように設けられた基板の表面上に成膜を行い、前記制御部が前記触媒体と検知部との間で接触状態が発生したと判断すると、原料ガスの導入を停止する。この発明によれば、触媒線の異常変形によるプロセス異常を目視確認せずに処理チャンバーの外部から検知することができる。実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付し、説明の重複を避けるためにその説明は繰返さない。図1は、第一の実施形態の成膜装置の正面概略断面図、図2は、第一の実施形態の成膜装置における触媒体と基板ホルダーの関係を示す模式的斜視図、図3は、触媒体の構成を説明する概略斜視図である。図1に示す装置は、排気系11によって内部を減圧状態に維持することが可能な処理チャンバー1と、処理チャンバー1内の所定の位置に基板9を保持する基板ホルダー2と、所定の原料ガスを処理チャンバー1に導入するガス導入経路3と、ガス導入経路3より導入された原料ガスが表面に接触するか表面付近を通過するようにして処理チャンバー1内に設けられた触媒体4と、触媒体4にエネルギーを印加して触媒体4を所定の温度に昇温する電源部5とを備えている。処理チャンバー1は、ゲートバルブ図示せずを備えた気密な真空容器である。排気系11は、ターボ分子ポンプと回転ポンプの組み合わせのような多段の真空ポンプを備えており、処理チャンバー1内を排気可能に構成される。図1及び図2に示すように、基板ホルダー2は基板9を処理チャンバー1の底面に対して垂直に保持する。基板ホルダー2は、基板9が垂直な姿勢を維持したまま基板保持面に保持される構成を有する。また、基板ホルダー2は、処理チャンバー1内に同時に複数枚の基板9が保持できる構成を有する。触媒体4及びガス導入ヘッド31が設けられた面に対して面対称になるように、二枚の基板ホルダー2が配置され、それぞれの基板ホルダーに複数枚の基板9が保持できるようになっている。図示はしないが、基板9の温度を制御する基板温度制御機構を設けて、基板9を所定温度に維持するように構成されていてもよい。図1及び図2に示すように、第一の実施形態の装置における触媒体4は、処理チャンバー1の底面に対して垂直な面であってかつ基板ホルダー2に保持された基板9の処理面と平行な平面に沿って延びる形状である複数の触媒線41で構成されている。各触媒線41は、タングステン、モリブデン又はタンタル等の高融点金属で形成されている。そして、図3の概略斜視図から解るように、一つの触媒線41は、一本のワイヤーを長いU字状に成形した構成である。従って、ワイヤーの両端は上側に位置し、曲がった部分が下側に位置する。尚、ワイヤーの直径は、0.2mm~3mm程度である。上側に位置する各触媒線41の両端部分は、導入保持体42に連結されている。導入保持体42は、触媒線41より少し太いワイヤー状又はロッド状である。導入保持体42は、各触媒線41と同様の高融点金属から形成されている。尚、前述したように、基板9と触媒体4の距離図1中Lで示すは、触媒体4からの輻射熱を少なくしつつ充分な量の生成物を基板9に到達させるため、1cm~20cm程度であることが好ましい。基板9と触媒体4の距離が1cm未満であると基板9への輻射熱があまりに多くなる問題が生じる。また、基板9と触媒体4の距離が20cmを越えると、生成物の基板9への到達量が減ってしまう問題が生ずる。また、図1及び図3に示すように、処理チャンバー1に、一対の導入保持体42を保持する保持板44が設けられている。導入保持体42は、アルミナ等の高融点の絶縁材図示せずを介在させた状態で保持板44を気密に貫通している。保持板44は、アルミナやPBNパイロリティックボロンナイトライド等の高融点材料で形成されることが好ましい。この保持板44は、処理チャンバー1の上壁部の外面に取り付けられるようになっている。即ち、図1に示すように、処理チャンバー1の上壁部には、各保持板44よりも小さな開口100が、保持板44の数だけ形成されている。各保持板44に保持された導入保持体42は、この開口100に挿通されて下方に延び、その下端に触媒線41を連結している。各保持板44と処理チャンバー1の上壁部の外面との間には、真空シール図示しないが設けられており、各保持板44は開口100を気密に塞ぐ状態となっている。尚、各保持板44は、ネジ止め等により処理チャンバー1の上壁部に取り付けられている。保持板44を経由しての処理チャンバー1の加熱が問題となるときは、保持板44と処理チャンバー1との間に断熱材が設けられる。また、電源部5は、図3に示すように、触媒線41の数に等しい数の通電用電源51から構成されている。通電用電源51は、触媒線41に交流又は直流の電流を通し、触媒線41を原料ガスが分解できる所定の温度例えば2200°C程度までの高温まで昇温できるよう構成されている。そして、各通電用電源51は、制御装置8に接続されている。制御装置8は、各通電用電源51を制御し、各触媒線41の電流を各々独立して制御する。この結果、各触媒線41の温度が独立して制御されるようになっている。尚、通電用電源51を触媒線41と同数とすることは必須の条件ではない。例えば、複数の触媒線41を並列につないで各回路に独立して制御可能な制御素子例えば可変抵抗を設けるようにしてもよく、この場合には、通電用電源51の数は触媒線41の数より少なくなる例えば1つでもよい。。また、図1または図3に示すように、ガス導入経路3は、処理チャンバー1内に設けられたガス導入ヘッド31と、処理チャンバー1外に設けられたガスボンベ32とガス導入ヘッド31とを繋ぐ配管33と、配管33上に設けられたバルブ34、流量調整器35及びフィルタ図示せず等とから構成されている。そして、図3に示すように、ガス導入ヘッド31は、触媒線41の数に等しい数だけ設けられている。図3に示すように、各ガス導入ヘッド31は、処理チャンバー1の底面に対して垂直に保持された細長い管である。各ガス導入ヘッド31は、U字状である各触媒線41の2つの直線部分の間に位置している。つまり、各ガス導入ヘッド31は、各触媒線41が設けられた垂直な面と同じ面に沿って設けられている。従って、各触媒線41と同様、各ガス導入ヘッド31は、基板ホルダー2に保持された基板9に対して平行である。尚、各ガス導入ヘッド31は、高融点の金属又は石英等で形成されている。そして、各ガス導入ヘッド31は、基板9に対向する側面にガス吹き出し孔図示せずを均等に有している。また、図3に示すように、ガス導入経路3の配管33は、ガス導入ヘッド31の数だけ分岐しており、その先端にガス導入ヘッド31が連結されている。そして、分岐した後の配管33のそれぞれに流量調整器35が設けられている。そして、制御部8は、各流量調整器35を独立して制御できるようになっている。この実施形態では、各ガス導入ヘッド31から処理チャンバー1内に導入される原料ガスの流量が、独立して制御できるようになっている。尚、本明細書おいて、原料ガスとは、成膜のために導入されるガスの総称であり、成膜に直接寄与するガスのみならず、キャリアガスやバッファガスのような成膜には直接関与しないガスも含まれる。本実施形態においては、図1に示すように、各触媒線41の下方に処理チャンバー1と絶縁され、検知部としての金属板6が配置される。この金属板6は、電源部5と電気的に接続される。そして、図4に示すように、各触媒線41が伸びて金属板6と接触すると、金属板6と電源部5との間が導通する。触媒線41と金属板6の導通により、電源部5が定電圧電源の場合には金属板6を流れる電流が変動し、電源部5が定電流電源の場合には金属板6の電圧電力の出力が変動する。この変動が検出装置60で検出され、その検出結果が制御装置8に送られる。制御装置8は、この検出装置60からの検出結果が一定の範囲を逸脱すると、各触媒線41が伸びて変形が大きくなったと判定し、正常な成膜ができないとして成膜動作を中止するように制御する。例えば、ガス導入経路3からの原料ガスの導入が停止される。また、電源部5の出力が停止される。従って、各触媒線41が金属板6に接触したとき、検出装置60からの検出結果より、触媒線41が変形していることを正確に判定することができる。この結果、制御装置8の判定結果に応じて触媒線41を交換することができ、触媒線41の交換寿命を長くできることから、触媒線41の頻繁の交換を防ぐことができる。また、絶縁体の成膜を行う場合には、金属板6は、着膜しないように成膜エリア外に設置することが好ましい。上記構成に係るこの実施形態の成膜装置の動作について、以下に説明する。複数の基板9を保持する基板ホルダー2が処理チャンバー1内に搬入される。処理チャンバー1のゲートバルブが閉じた後、ガス導入経路3が動作して原料ガスが所定の流量で処理チャンバー1内に導入される。即ち、原料ガスは、各ガス導入ヘッド31のガス吹き出し孔から吹き出し、処理チャンバー1内の空間に拡散する。この際、制御装置8は、ガス導入経路3に設けられた流量調整器35を制御し、各ガス導入ヘッド31からの原料ガスの導入量を独立して制御する。また、処理チャンバー1に設けられた排気系11は、排気速度調整器を備えており、処理チャンバー1内が所定の真空圧力になるように排気速度を制御する。そして、触媒体4を構成する各触媒線41に、電源部5の各通電用電源51によって通電し、原料ガスを分解可能な所定の温度に昇温する。各ガス導入ヘッド31から吹き出して拡散した原料ガスは、触媒線41の表面に接触するか又は表面付近を通過する際に反応が生じる。この反応による生成物が基板9の表面に到達し、基板9に到達した生成物が堆積して薄膜が形成される。このような状態を所定時間維持し、所定の厚さで薄膜が作成されると、ガス導入経路3及び電源部5の動作を止める。そして、排気系11によって処理チャンバー1内を再度排気した後、不活性ガスを導入して処理チャンバー1内を大気圧とする。処理チャンバー1内が大気圧となった後にゲートバルブを開けて基板9を処理チャンバー1から取り出す。成膜動作を繰り返して行くと、図4に示すように、各触媒線41が変形して下方に伸びてくる。金属板6および検出装置60を設けることにより、制御装置8は各触媒線41の変形を判定することができ、その判定結果から正常な成膜ができないと判定して成膜動作を中止するように制御する。具体的には、制御装置8は、ガス導入経路3及び電源部5の動作を止める。この結果、無駄な原料ガスの消費を抑えることができる。成膜の具体例について、a-Si膜を作成する場合を例にして説明する。原料ガスとしては、モノシランを流量10~500sccm、水素ガスを流量20~1000sccmの程度の流量で混合して導入する。触媒体4の温度を1500~2200°C、処理チャンバー1内の圧力を0.1~10Paに維持して蒸着を行うと、30~250オングストローム/分程度の成膜速度でa-Si膜の作成が行える。このようなa-Si膜は、太陽電池用等として効果的に利用できる。尚、触媒線41がU字状のワイヤーの場合、触媒線41は両端を下側にして電流導入部を取り付け、曲がった部分を上側にしてフックなどで引っかける構成とすることが考えられる。しかし、この場合、下側が固定されているので、熱膨張によってワイヤーが水平方向に膨らんで触媒線41と基板9との距離が変化しまう。従って、触媒線41は両端を上側にして配置する構成が好適である。尚、U字以外の形状としては、U字を横につないだ形状、例えば丸みを帯びたw状やm状などでもよい。また、前述した例では、a-Si膜を採り上げたが、窒化シリコン膜、ポリシリコン膜等、任意の種類の薄膜の作成に第一の実施形態の装置は使用可能である。さらに、成膜の対象物である基板9には、半導体デバイスを製作する際のウェーハや、液晶ディスプレイを製作する際の液晶基板等を採用することができる。基板9が大面積の場合、基板ホルダー2を用いることなく基板9を直接処理チャンバー1内に搬入しても良い。今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。この発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。例えば、上記の実施形態では検知部として金属板6を用いたが、金属以外の導電性を有する材料を用いて検知部を構成することができる。また、板状の形状以外に網目状等他の形状であっても良い。