"フォトダイオードを各々含むM×N個M及びNは2以上の整数の画素がM行N列に2次元配列されて成る受光部と、各列毎に配設され、対応する列の前記画素に含まれる前記フォトダイオードと読出用スイッチを介して接続されたN本の読出用配線と、前記N本の読出用配線にそれぞれ接続され、当該読出用配線を経て入力された電荷の量に応じた電圧値を出力する積分回路、前記積分回路に直列に接続され、前記積分回路から出力された電圧値を保持する第1の保持回路、前記第1の保持回路に転送用スイッチを介して直列に接続され、前記第1の保持回路から出力された電圧値を保持する第2の保持回路、及び前記第2の保持回路に接続され、前記第2の保持回路に保持された電圧値を出力させる出力用スイッチを有する信号接続部と、各画素の前記読出用スイッチ及び前記転送用スイッチの開閉動作を制御するとともに、前記出力用スイッチにより前記第2の保持回路における電圧値の出力動作を制御して、各画素の前記フォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値を前記第2の保持回路から順次に出力させる制御部と、を備え、前記制御部は、前記M行のうち或る行を構成する各画素の前記読出用スイッチを接続状態とすることによって、当該行において発生した電荷を前記積分回路に入力させ、前記積分回路から出力された電圧値を前記第1の保持回路に保持させたのち、前記転送用スイッチを接続状態にして該電圧値を前記第2の保持回路に転送し、その後、該電圧値を前記第2の保持回路から順次に出力させる動作と、前記M行のうち他の行を構成する各画素の前記読出用スイッチを接続状態とすることによって、当該行において発生した電荷を前記積分回路に入力させる動作とを並行して行うことを特徴とする固体撮像装置。フォトダイオードを各々含むM×N個M及びNは2以上の整数の画素がM行N列に2次元配列されて成る受光部と、各列毎に配設され、対応する列の前記画素に含まれる前記フォトダイオードと読出用スイッチを介して接続されたN本の読出用配線と、前記読出用配線を経て入力された電荷の量に応じた電圧値を出力する積分回路とを備える固体撮像装置の駆動方法であって、前記M行のうち或る行を構成する各画素の前記読出用スイッチを接続状態にすることによって、当該行において発生した電荷を前記積分回路に入力させる第1のステップと、前記積分回路から出力された電圧値を第1の保持回路に保持させたのち、前記第1の保持回路に接続された第2の保持回路に該電圧値を転送する第2のステップと、前記第2の保持回路に保持された電圧値を前記第2の保持回路から順次に出力させる動作と、前記M行のうち他の行を構成する各画素の前記読出用スイッチを接続状態とすることによって、当該行において発生した電荷を前記積分回路に入力させる動作とを並行して行う第3のステップとを有することを特徴とする、固体撮像装置の駆動方法。2次元フラットパネルイメージセンサは、アモルファスシリコンを用いて形成されたフォトダイオードを含む複数の画素によって構成される。この構成による2次元フラットパネルイメージセンサにおいてフレームレートを速くすると、フォトダイオードに蓄積された電荷が、所定の転送時間内ですべて転送されず、次のフレームのデータに重畳するという問題を有している以下、遅延効果による課題という。パッシブピクセル型の構成において、各行を順次走査するローリングシャッタ方式が採用される場合、フォトダイオードからの信号が1行分同時に信号接続部へ転送される保持期間と、それらの保持された信号が数列分走査して読み出される読出期間とが交互に繰り返されるが、フレームレートを速くするために保持期間を短くすると、遅延効果が顕著となり、イメージラグが顕著となる。なお、特許文献1では、垂直転送期間に起因する画像読出時間の遅延を抑制するために、各行に第1の保持部保持回路と第2の保持部保持回路とを互いに並列に設けた回路が開示されている。また、特許文献2では、積分回路の後段に2つのサンプルホールド回路保持回路を互いに並列に設けた回路が開示されている。しかし、保持回路を並列に設けた場合は、或る行のデータと他の行のデータとは、異なる保持回路を経由して出力されるが、それぞれの保持回路は出力特性にばらつきを有している。従って、同じ大きさを有するデータであっても、経由する保持回路によりばらつきを生じる。そこで、本発明は、出力特性のばらつきを抑えつつ、遅延効果による課題を解決することができる固体撮像装置、および固体撮像装置の駆動方法を提供することを目的とする。本発明に係る固体撮像装置は、フォトダイオードを各々含むM×N個M及びNは2以上の整数の画素がM行N列に2次元配列されて成る受光部と、各列毎に配設され、対応する列の画素に含まれるフォトダイオードと読出用スイッチを介して接続されたN本の読出用配線と、N本の読出用配線にそれぞれ接続され、当該読出用配線を経て入力された電荷の量に応じた電圧値を出力する積分回路、積分回路に直列に接続され、積分回路から出力された電圧値を保持する第1の保持回路、第1の保持回路に転送用スイッチを介して直列に接続され、第1の保持回路から出力された電圧値を保持する第2の保持回路、及び第2の保持回路に接続され、第2の保持回路に保持された電圧値を順次に出力させる出力用スイッチを有する信号接続部と、各画素の読出用スイッチ及び転送用スイッチの開閉動作を制御するとともに、出力用スイッチにより第2の保持回路における電圧値の出力動作を制御して、各画素のフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値を第2の保持回路から順次に出力させる制御部と、を備え、制御部は、M行のうち或る行を構成する各画素の読出用スイッチを接続状態とすることによって、当該行において発生した電荷を積分回路に入力させ、積分回路から出力された電圧値を第1の保持回路に保持させたのち、転送用スイッチを接続状態にして該電圧値を第2の保持回路に転送し、その後、該電圧値を第2の保持回路から順次に出力させる動作と、M行のうち他の行を構成する各画素の読出用スイッチを接続状態とすることによって、当該行において発生した電荷を積分回路に入力させる動作とを並行して行うことを特徴とする。本発明に係る固体撮像装置においては、第1の保持回路と第2の保持回路とを直列に接続している。これにより、M行のうちの或る行の電荷と他の行の電荷とは、同じ回路を経由して出力される。従って、出力特性のばらつきを抑えることができる。さらに、M行のうちの或る行のフォトダイオードにおいて発生した電荷を積分した電圧値を第2の保持回路から順次に出力させる動作と、M行のうち他の行を構成するフォトダイオードにおいて発生した電荷を積分回路に入力させる動作とを並行して行う。この2つの動作を並行して行うことにより、フォトダイオードから積分回路への電荷の入力と保持回路からの電圧値の出力とを交互に行う従来の固体撮像装置と比較して、フォトダイオードから積分回路への電荷の入力をより長時間行うことができ、フォトダイオードに残留する電荷を減少させることが可能となる。従って、遅延効果による課題を解決することができる。また、本発明に係る固体撮像装置の駆動方法は、フォトダイオードを各々含むM×N個M及びNは2以上の整数の画素がM行N列に2次元配列されて成る受光部と、各列毎に配設され、対応する列の画素に含まれるフォトダイオードと読出用スイッチを介して接続されたN本の読出用配線と、読出用配線を経て入力された電荷の量に応じた電圧値を出力する積分回路とを備える固体撮像装置の駆動方法であって、M行のうち或る行を構成する各画素の読出用スイッチを接続状態にすることによって、当該行において発生した電荷を積分回路に入力させる第1のステップと、積分回路から出力された電圧値を第1の保持回路に保持させたのち、第1の保持回路に接続された第2の保持回路に該電圧値を転送する第2のステップと、第2の保持回路に保持された電圧値を第2の保持回路から順次に出力させる動作と、M行のうち他の行を構成する各画素の読出用スイッチを接続状態とすることによって、当該行において発生した電荷を前記積分回路に入力させる動作とを並行して行う第3のステップとを有することを特徴とする。本発明に係る固体撮像装置の駆動方法では、第1の保持回路に保持された電圧値を第2の保持回路に転送したのち、この電圧値を第2の保持回路から順次に出力させている。これにより、M行のうちの或る行の電荷に対応する電圧値と他の行の電荷に対応する電圧値とは、同じ回路を経由して出力される。従って、出力特性のばらつきを抑えることができる。さらに、M行のうちの或る行のフォトダイオードにおいて発生した電荷を積分した電圧値を第2の保持回路から順次に出力させる動作と、M行のうち他の行を構成するフォトダイオードにおいて発生した電荷を積分回路に入力させる動作とを並行して行う。この2つの動作を並行して行うことによりフォトダイオードから積分回路への電荷の入力と保持回路からの電圧値の出力とを交互に行う従来の駆動方法と比較して、フォトダイオードから積分回路への電荷の入力をより長時間行うことができ、フォトダイオードに残留する電荷を減少させることが可能となる。従って、遅延効果による課題を解決することができる。本発明による固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法によれば、出力特性のばらつきを抑えつつ、遅延効果による課題を解決することができる。以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。本実施形態に係る固体撮像装置は、例えば医療用X線撮像システムに用いられ、特に歯科医療におけるパノラマ撮影、セファロ撮影、CT撮影といった撮像モードによって、被検者の顎部のX線像を撮像するシステムに用いられる。このため、本実施形態の固体撮像装置は大面積のガラス基板上に多結晶シリコンが堆積されて成る薄膜トランジスタを備えており、単結晶シリコンウェハから作製された従来の固体撮像装置と比較して、格段に広い受光面積を有する。図1~図3は、本実施形態における固体撮像装置1の構成を示す図である。図1は固体撮像装置1を示す平面図であり、図2は固体撮像装置1の一部を拡大した平面図である。さらに、図3は、図2のI-I線における側断面図である。なお、図1~図3には、理解を容易にするためXYZ直交座標系を併せて示している。図1に示すように、固体撮像装置1は、ガラス基板7の主面に作り込まれた受光部10、信号接続部20、および走査シフトレジスタ40を備えている。なお、受光部10、信号接続部20、および走査シフトレジスタ40は、それぞれ別個のガラス基板7上に形成されていても良い。図2に示すように、受光部10は、M×N個の画素PがM行N列に2次元配列されることにより構成されている。画素Pm,nは第m行第n列に位置する。ここで、mは1以上M以下の各整数であり、nは1以上N以下の各整数である。なお、図2において、列方向はX軸方向と一致し、行方向はY軸方向と一致する。M,Nそれぞれは2以上の整数である。画素Pは、フォトダイオードPD、読出用スイッチSW1を備えている。読出用スイッチSW1には、第m行選択用配線LV,mが接続されている。フォトダイオードPDは読出用スイッチSW1を介して第n列読出用配線LO,nに接続されている。また、図3に示すように、フォトダイオードPD、読出用スイッチSW1、および第n列読出用配線LO,nは、ガラス基板7上に設けられたシリコン膜3の表面に形成されている。さらに、フォトダイオードPD、読出用スイッチSW1、第n列読出用配線LO,nの上には絶縁層5を介してシンチレータ4が設けられている。フォトダイオードPDは、例えば、アモルファスシリコンを含んで構成されている。本実施形態のフォトダイオードPDは、多結晶シリコンからなるn型半導体層21と、n型半導体層21上に設けられたアモルファスシリコンからなるi型半導体層22と、i型半導体層22上に設けられたアモルファスシリコンからなるp型半導体層23とを有する。読出用スイッチSW1は、多結晶シリコンにより形成された電界効果型トランジスタFieldEffectTransistor、以下FETというであり、チャネル領域11と、チャネル領域11の一方の側面に配置されたソース領域12と、チャネル領域11の他方の側面に配置されたドレイン領域13と、チャネル領域11上に形成されたゲート絶縁膜14及びゲート電極15とを有する。第n列読出用配線LO,nは、金属により形成されている。シンチレータ4は、入射したX線に応じてシンチレーション光を発生してX線像を光像へと変換し、この光像を受光部10へ出力する。読出用スイッチSW1を構成する多結晶シリコンは、低温多結晶シリコンであると尚よい。低温多結晶シリコンは100~600°Cのプロセス温度で形成される多結晶シリコンである。100~600°Cのプロセス温度の範囲は、無アルカリガラスを基板として使える温度範囲であることから、ガラス基板上に大面積の固体撮像装置1を製造することが可能となる。無アルカリガラスは例えば0.3~1.2mmの厚さを有する板状ガラスであり、いわゆるサブストレート用ガラスとして用いられるものである。この無アルカリガラスは、アルカリ分を殆ど含まず、低膨張率、高耐熱性を有し、安定した特性を有している。また、低温多結晶シリコン系デバイスの移動度は10~600cm2/Vsであり、アモルファスシリコンの移動度0.3~1.0cm2/Vsよりも大きくすることができる。すなわち、ON抵抗を低くすることが可能である。図3に示すような画素Pは、例えば、次のような工程により製造される。まず、ガラス基板7上にアモルファスシリコンを製膜する。製膜方法としては、例えばプラズマCVDが好適である。次に、エキシマレーザアニールによりレーザビームをアモルファスシリコン膜に順次照射してアモルファスシリコン膜の全面を多結晶シリコン化する。こうして、シリコン膜3が形成される。続いて、この多結晶シリコン層の一部の領域上に、ゲート絶縁膜14としてのSiO2膜を形成したのち、その上にゲート電極を形成する。続いて、ソース領域12およびドレイン領域13となるべき領域にイオン注入工程を実施する。その後、多結晶シリコン層のパターニングを実施し、露光およびエッチングを繰り返し実施して、電極およびコンタクトホール等を形成する。また、画素Pとなるべき領域におけるシリコン膜3にイオンを注入してn型としたのち、その上に、i型およびp型のアモルファスシリコン層すなわちi型半導体層22及びp型半導体層23を順に積層してPIN型フォトダイオードPDを形成し、その後に、絶縁層5となるパシベーション膜を形成する。図1に示す信号接続部20は、受光部10の各画素Pから出力された電荷の量に応じた電圧値を保持し、その保持した電圧値を順次に出力する。走査シフトレジスタ40は、各画素Pに蓄積された電荷が行毎に信号接続部20へ順次出力されるように各画素Pを制御する。続いて、第1の実施形態に係る固体撮像装置1の詳細な構成について説明する。図4は、固体撮像装置1の内部構成を示す図である。受光部10は、M×N個の画素P1,1~PM,NがM行N列に2次元配列されて成る。画素Pm,nは第m行第n列に位置する。第m行のN個の画素Pm,1~Pm,Nそれぞれは、第m行選択用配線LV,mにより走査シフトレジスタ40と接続されている。なお、図4において、走査シフトレジスタ40は制御部6に含まれている。第n列のM個の画素P1,n~PM,nそれぞれの出力端は、第n列読出用配線LO,nにより、信号接続部20の積分回路Snと接続されている。信号接続部20は、N個の積分回路S1~SN、N個の出力電圧保持部HO、1~HO、N、およびN個のキャンセル電圧保持部HC、1~HC、Nを含む。積分回路Snは共通の構成を有している。出力電圧保持部HO、nは第1の保持回路HO1、nおよび第2の保持回路HO2、nを備えている。出力電圧保持部HO、nにおける第1の保持回路HO1、nと第2の保持回路HO2、nとは互いに直列に接続される。また、キャンセル電圧保持部HC、nは第1の保持回路HC1、nおよび第2の保持回路HC2、nを備えている。キャンセル電圧保持部HC,nにおける第1の保持回路HC1,nと第2の保持回路HC2,nとは互いに直列に接続される。各保持回路は共通の構成を有している。積分回路Snは、第n列読出用配線LO,nと接続された入力端を有し、この入力端に入力された電荷を蓄積して、その蓄積電荷量に応じた電圧値を出力端から出力電圧保持部HO、nおよびキャンセル電圧保持部HC、nへ出力する。N個の積分回路S1~SNそれぞれは、リセット用配線LRにより制御部6と接続されている。出力電圧保持部HO、nの第1の保持回路HO1、nは、積分回路Snの出力端と接続された入力端を有し、この入力端に入力される電圧値を保持し、その保持した電圧値を出力端から出力電圧保持部HO、nの第2の保持回路HO2、nへ出力する。第2の保持回路HO2、nは、第1の保持回路HO1、nの出力端と接続された入力端を有し、この入力端に入力される電圧値を保持し、その保持した電圧値を出力端から第1電圧出力用配線Lout1へ出力する。キャンセル電圧保持部HC、nの第1の保持回路HC1、nは、積分回路Snの出力端と接続された入力端を有し、この入力端に入力される電圧値を保持し、その保持した電圧値を出力端からキャンセル電圧保持部HC、nの第2の保持回路HC2、nへ出力する。第2の保持回路HC2、nは、第1の保持回路HC1、nの出力端と接続された入力端を有し、この入力端に入力される電圧値を保持し、その保持した電圧値を出力端から第2電圧出力用配線Lout2へ出力する。出力電圧保持部HO、nの第1の保持回路HO1、nは、保持制御用配線LH1により制御部6と接続されており、キャンセル電圧保持部HC、nの第1の保持回路HC1、nは、保持制御用配線LH2により制御部6と接続されている。さらに、出力電圧保持部HO、nの第1の保持回路HO1、nと、キャンセル電圧保持部HC、nの第1の保持回路HC1、nとは、転送制御用配線LTにより制御部6と接続されている。また、出力電圧保持部HO、nの第2の保持回路HO2、nおよびキャンセル電圧保持部HC、nの第2の保持回路HC2、nは、第n列選択用配線LS,nにより制御部6の読出シフトレジスタ41と接続されている。差動回路Dは、第1電圧出力用配線Lout1と接続される第1の入力端、および第2電圧出力用配線Lout2と接続される第2の入力端を有し、各入力端に入力された電圧値の差を、出力端から出力する。制御部6の走査シフトレジスタ40は、第m行選択制御信号Vselmを第m行選択用配線LV,mへ出力して、この第m行選択制御信号Vselmを第m行のN個の画素Pm,1~Pm,Nそれぞれに与える。M個の行選択制御信号Vsel1~VselMは順次に有意値とされる。また、制御部6の読出シフトレジスタ41は、第n列選択制御信号Hshiftnを第n列選択用配線LS,nへ出力して、この第n列選択制御信号Hshiftnを第2の保持回路HO2,n、HC2,nに与える。N個の列選択制御信号Hshift1~HshiftNも順次に有意値とされる。また、制御部6は、リセット制御信号Resetをリセット用配線LRへ出力して、このリセット制御信号ResetをN個の積分回路S1~SNそれぞれに与える。制御部6は、保持制御信号Hold1を保持制御用配線LH1へ出力して、この保持制御信号Hold1を第1の保持回路HO1、1~HO1、Nそれぞれに与える。制御部6は、保持制御信号Hold2を保持制御用配線LH2へ出力して、この保持制御信号Hold2を第2の保持回路HC1、1~HC1、Nそれぞれに与える。さらに、制御部6は、転送制御信号Transを転送制御用配線LTへ出力して、この転送制御信号Transを、出力電圧保持部HO,nの第1の保持回路HO1、1~HO1、Nおよびキャンセル電圧保持部HC,nの第1の保持回路HC1、1~HC1、Nそれぞれに与える。図5は、固体撮像装置1の画素Pm,n、積分回路Sn、出力電圧保持部HO,nにおける第1の保持回路HO1、nと第2の保持回路HO2、nおよびキャンセル電圧保持部HC,nにおける第1の保持回路HC1、nと第2の保持回路HC2、nのそれぞれの回路図である。ここでは、M×N個の画素P1,1~PM,Nを代表して画素Pm,nの回路図を示し、N個の積分回路S1~SNを代表して積分回路Snの回路図を示し、N個の出力電圧保持部HO,1~HO,Nを代表して出力電圧保持部HO,nの回路図を示し、N個のキャンセル電圧保持部HC,1~HC,Nを代表してキャンセル電圧保持部HC,nの回路図を示す。すなわち、第m行第n列の画素Pm,nおよび第n列読出用配線LO,nに関連する回路部分を示す。画素Pm,nは、フォトダイオードPDおよび読出用スイッチSW1を含む。フォトダイオードPDのアノード端子は接地され、フォトダイオードPDのカソード端子は読出用スイッチSW1を介して第n列読出用配線LO,nと接続されている。フォトダイオードPDは、入射光強度に応じた量の電荷を発生し、その発生した電荷を接合容量部に蓄積する。読出用スイッチSW1は、制御部6から第m行選択用配線LV,mを通った第m行選択制御信号Vselmが与えられる。第m行選択制御信号Vselmは、受光部10における第m行のN個の画素Pm,1~Pm,Nそれぞれの読出用スイッチSW1の開閉動作を指示するものである。この画素Pm,nでは、第m行選択制御信号Vselmがローレベルであるときに、読出用スイッチSW1が開いて、フォトダイオードPDで発生した電荷は、第n列読出用配線LO,nへ出力されることなく、接合容量部に蓄積される。一方、第m行選択制御信号Vselmがハイレベルであるときに、読出用スイッチSW1が閉じて、それまでフォトダイオードPDで発生して接合容量部に蓄積されていた電荷は、読出用スイッチSW1を経て、第n列読出用配線LO,nへ出力される。第n列読出用配線LO,nは、受光部10における第n列のM個の画素P1,n~PM,nそれぞれの読出用スイッチSW1と接続されている。第n列読出用配線LO,nは、M個の画素P1,n~PM,nのうちの何れかの画素のフォトダイオードPDで発生した電荷を、該画素の読出用スイッチSW1を介して読み出して、積分回路Snへ転送する。積分回路Snは、アンプA2,帰還容量部である積分用容量素子C21、およびスイッチSW21放電用スイッチを含む。積分用容量素子C21および放電用スイッチSW21は、互いに並列的に接続されて、アンプA2の入力端子と出力端子との間に設けられている。アンプA2の入力端子は、第n列読出用配線LO,nと接続されている。放電用スイッチSW21には、制御部6からリセット用配線LRを経たリセット制御信号Resetが与えられる。リセット制御信号Resetは、N個の積分回路S1~SNそれぞれの放電用スイッチSW21の開閉動作を指示するものである。この積分回路Snでは、リセット制御信号Resetがハイレベルであるときに、放電用スイッチSW21が閉じて、帰還容量部積分用容量素子C21が放電され、積分回路Snから出力される電圧値が初期化される。一方、リセット制御信号Resetがローレベルであるときに、放電用スイッチSW21が開いて、入力端に入力された電荷が帰還容量部積分用容量素子C21に蓄積され、その蓄積電荷量に応じた電圧値が積分回路Snから出力される。出力電圧保持部HO、nにおける第1の保持回路HO1、nは、入力用スイッチSW31、転送用スイッチSW32、電圧フォロワA3および保持用容量素子C3aを含む。保持用容量素子C3aの一端は接地されている。保持用容量素子C3aの他端は、入力用スイッチSW31を介して積分回路Snの出力端と接続され、電圧フォロワA3および転送用スイッチSW32を介して出力電圧保持部HO、nにおける第2の保持回路HO2、nと接続されている。入力用スイッチSW31には、制御部6から保持制御用配線LH1を通った保持制御信号Hold1が与えられる。保持制御信号Hold1は、出力電圧保持部HO、nにおける第1の保持回路HO1、nの入力用スイッチSW31の開閉動作を指示するものである。転送用スイッチSW32には、制御部6から転送制御用配線LTを通った転送制御信号Transが与えられる。転送制御信号Transは、出力電圧保持部HO、nにおける第1の保持回路HO1、nの転送用スイッチSW32の開閉動作を指示するものである。この第1の保持回路HO1、nでは、保持制御信号Hold1がハイレベルからローレベルに転じると、入力用スイッチSW31が閉状態から開状態に転じて、そのときに入力端に入力されている電圧値が保持用容量素子C3aに保持される。また、転送制御信号Transがハイレベルであるときに、転送用スイッチSW32が閉じて、保持用容量素子C3aに保持されている電圧値が出力電圧保持部HO、nにおける第2の保持回路HO2、nへ出力される。出力電圧保持部HO、nにおける第2の保持回路HO2、nは、出力用スイッチSW33および保持用容量素子C3bを含む。保持用容量素子C3bの一端は接地されている。保持用容量素子C3bの他端は、第1の保持回路HO1、nの出力端に接続され、出力用スイッチSW33を介して第1電圧出力用配線Lout1に接続されている。出力用スイッチSW33には、制御部6から第n列選択用配線LS,nを通った第n列選択制御信号Hshiftnが与えられる。第n列選択制御信号Hshiftnは、出力電圧保持部HO,nにおける第2の保持回路HO2、nの出力用スイッチSW33の開閉動作を指示するものである。この第2の保持回路HO2、nでは、第n列選択制御信号Hshiftnがハイレベルであるときに、出力用スイッチSW33が閉じて、保持用容量素子C3bに保持されている電圧値が第1電圧出力用配線Lout1へ出力される。キャンセル電圧保持部HC、nにおける第1の保持回路HC1、nは、入力用スイッチSW41、転送用スイッチSW42、電圧フォロワA4および保持用容量素子C4aを含む。保持用容量素子C4aの一端は接地されている。保持用容量素子C4aの他端は、入力用スイッチSW41を介して積分回路Snの出力端と接続され、電圧フォロワA4および転送用スイッチSW42を介してキャンセル電圧保持部HC、nにおける第2の保持回路HC2、nと接続されている。入力用スイッチSW41には、制御部6から保持制御用配線LH2を通った保持制御信号Hold2が与えられる。保持制御信号Hold2は、キャンセル電圧保持部HC、nにおける第1の保持回路HC1、nの入力用スイッチSW41の開閉動作を指示するものである。転送用スイッチSW42には、制御部6から転送制御用配線LTを通った転送制御信号Transが与えられる。転送制御信号Transは、キャンセル電圧保持部HC、nにおける第1の保持回路HC1、nの転送用スイッチSW42の開閉動作を指示するものである。この第1の保持回路HC1、nでは、保持制御信号Hold2がハイレベルからローレベルに転じると、入力用スイッチSW41が閉状態から開状態に転じて、そのときに入力端に入力されている電圧値が保持用容量素子C4aに保持される。また、転送制御信号Transがハイレベルであるときに、転送用スイッチSW42が閉じて、保持用容量素子C4aに保持されている電圧値がキャンセル電圧保持部HC、nにおける第2の保持回路HC2、nへ出力される。キャンセル電圧保持部HC、nにおける第2の保持回路HC2、nは、出力用スイッチSW43および保持用容量素子C4bを含む。保持用容量素子C4bの一端は接地されている。キャンセル電圧保持用容量素子C4bの他端は、第1の保持回路HC1、nに接続され、出力用スイッチSW43を介して第2の電圧出力用配線Lout2に接続されている。出力用スイッチSW43には、制御部6から第n列選択用配線LS,nを通った第n列選択制御信号Hshiftnが与えられる。第n列選択制御信号Hshiftnは、第2の保持回路HC2、nの出力用スイッチSW43の開閉動作を指示するものである。この第2の保持回路HC2、nでは、第n列選択制御信号Hshiftnがハイレベルであるときに、出力用スイッチSW43が閉じて、保持用容量素子C4bに保持されている電圧値が第2電圧出力用配線Lout2へ出力される。差動回路Dは、アンプA5を含む。アンプA5の第1の入力端子は、第1電圧出力用配線Lout1と接続され、第2の入力端子は、第2電圧出力用配線Lout2と接続されている。このアンプA5は、入力端子に入力された2つの電圧値の差を示す電圧Voutを配線Loutへ出力する。本実施形態に係る固体撮像装置1の動作は以下のとおりである。図6は、本実施形態に係る固体撮像装置1の動作を説明するタイミングチャートである。なお、以下では、固体撮像装置1の動作と共に、本実施形態による固体撮像装置の駆動方法について説明する。図6には、上から順に、aN個の積分回路S1~SNそれぞれの放電用スイッチSW21の開閉動作を指示するリセット制御信号Reset、bN個のキャンセル電圧保持部HC、1~HC、Nにおける第1の保持回路HC1、1~HC1、Nの入力用スイッチSW41の開閉動作を指示する保持制御信号Hold2、c受光部10における第1行および第2行の画素P1,1~P1,N,P2,1~P2,NそれぞれのスイッチSW1の開閉動作を指示する第1行選択制御信号Vsel1および第2行選択制御信号Vsel2、dN個の出力電圧保持部HO、1~HO、Nにおける第1の保持回路HO1、1~HO1、Nそれぞれの入力用スイッチSW31の開閉動作を指示する保持制御信号Hold1、eN個の出力電圧保持部HO、1~HO、Nにおける第1の保持回路HO1、1~HO1、Nそれぞれの転送用スイッチSW32、およびN個のキャンセル電圧保持部HC、1~HC、Nにおける第1の保持回路HC1、1~HC1、Nそれぞれの転送用スイッチSW42の開閉動作を指示する転送制御信号Transが示されている。また、図6には、更に続いて順に、f出力電圧保持部HO、1における第2の保持回路HO2、1の出力用スイッチSW33およびキャンセル電圧保持部HC、1における第2の保持回路HC2、1の出力用スイッチSW43の開閉動作を指示する第1列選択制御信号Hshift1、g出力電圧保持部HO、2における第2の保持回路HO2、2の出力用スイッチSW33およびキャンセル電圧保持部HC、2における第2の保持回路HC2、2の出力用スイッチSW43の開閉動作を指示する第2列選択制御信号Hshift2、h出力電圧保持部HO、nにおける第2の保持回路HO2、nの出力用スイッチSW33およびキャンセル電圧保持部HC、nにおける第2の保持回路HC2、nの出力用スイッチSW43の開閉動作を指示する第n列選択制御信号Hshiftn、i出力電圧保持部HO、Nにおける第2の保持回路HO2、Nの出力用スイッチSW33およびキャンセル電圧保持部HC、Nにおける第2の保持回路HC2、Nの出力用スイッチSW43の開閉動作を指示する第N列選択制御信号HshiftN、が示されている。第1行の画素P1,1~P1,NのフォトダイオードPDで発生し接合容量部に蓄積された電荷の読出しは、以下のようにして行われる。時刻t10前には、M個の行選択制御信号Vsel1~VselM、N個の列選択制御信号Hshift1~HshiftN、リセット制御信号Reset、保持制御信号Hold1、保持制御信号Hold2、および転送制御信号Transのそれぞれは、ローレベルとされている。<第1の動作第1のステップ>時刻t10から時刻t11までの期間、制御部6からリセット用配線LRに出力されるリセット制御信号Resetがハイレベルとなり、これにより、N個の積分回路S1~SNそれぞれにおいて、放電用スイッチSW21が接続状態となって、積分用容量素子C21が放電される。放電後の積分回路S1~SNの出力電圧は、それぞれの積分回路S1~SNにおいてばらつきを有している。これをリセットノイズと呼ぶ。時刻t11より後の時刻t12から時刻t13までの期間、制御部6から保持制御用配線LH2に入力される保持制御信号Hold2がハイレベルとなり、これにより、キャンセル電圧保持部HC、1~HC、Nにおける第1の保持回路HC1、1~HC1、Nの入力用スイッチSW41が接続状態となる。積分用容量素子C21が放電された後の積分回路S1~SNの出力電圧の大きさは、キャンセル電圧保持部HC、1~HC、Nの第1の保持回路HC1、1~HC1、Nによって保持される。なお、時刻t13ののち、キャンセル電圧保持部HC、1~HC、Nの第1の保持回路HC1、1~HC1、Nそれぞれの入力用スイッチSW41は非接続状態とされる。そして時刻t13より後の時刻t14から時刻t15までの期間、制御部6から第1行選択用配線LV,1に出力される第1行選択制御信号Vsel1がハイレベルとなり、受光部10における第1行のN個の画素P1,1~P1,NそれぞれのスイッチSW1が接続状態となる。N個の画素P1,1~P1,NそれぞれのフォトダイオードPDで発生し接合容量部に蓄積された電荷は、読出用スイッチSW1及び第n列読出用配線LO,1~LO,Nを通って積分回路S1~SNに出力され、積分用容量素子C21に蓄積される。積分回路S1~SNからは、積分用容量素子C21に蓄積された電荷量に応じた大きさの電圧が出力される。なお、時刻t15ののち、第1行のN個の画素P1,1~P1,Nそれぞれの読出用スイッチSW1は非接続状態とされる。そして、時刻t15より後の時刻t16から時刻t17までの期間、制御部6から保持制御用配線LH1へ出力される保持制御信号Hold1がハイレベルとなり、これにより、出力電圧保持部HO、1~HO、Nにおける第1の保持回路HO1、1~HO1、Nそれぞれにおいて入力用スイッチSW31が接続状態となる。積分回路S1~SNから出力された電圧の大きさは、出力電圧保持部HO、1~HO、Nにおける第1の保持回路HO1、1~HO1、Nによって保持される。ここまでの動作により、キャンセル電圧保持部HC、1~HC、Nの第1の保持回路HC1、1~HC1、Nには、放電後の積分回路S1~SNから出力される電圧値が保持される。また、出力電圧保持部HO、1~HO、Nの第1の保持回路HO1、1~HO1、Nには、フォトダイオードPDで発生した電荷量に応じた大きさの電圧値が保持される。なお、第1の保持回路HO1、1~HO1、Nに保持されている電圧値には、リセットノイズが含まれている。<第2の動作第2のステップ>そして、時刻t17より後の時刻t18から時刻t19までの期間、制御部6から転送制御用配線LTに出力される転送制御信号Transがハイレベルとなる。これにより、出力電圧保持部HO、1~HO、Nの第1の保持回路HO1、1~HO1、Nそれぞれにおいて転送用スイッチSW32が接続状態となる。出力電圧保持部HO、1~HO、Nの第1の保持回路HO1、1~HO1、Nから出力された電圧の大きさは、出力電圧保持部HO、1~HO、Nの第2の保持回路HO2、1~HO2、Nによって保持される。また、上記した保持動作と並行して、キャンセル電圧保持部HC、1~HC、Nの第1の保持回路HC1、1~HC1、Nそれぞれにおいて転送用スイッチSW42が接続状態となる。キャンセル電圧保持部HC、1~HC、Nの第1の保持回路HC1、1~HC1、Nから出力された電圧の大きさは、キャンセル電圧保持部HC、1~HC、Nの第2の保持回路HC2、1~HC2、Nによって保持される。<第3の動作第3のステップ>時刻t19より後の時刻t20から時刻t21までの期間、制御部6から列選択用配線LS,1~LS,Nに出力される列選択制御信号Hshift1~HshiftNが順次に一定期間だけハイレベルとなり、これにより、出力電圧保持部HO、1~HO、NにおけるN個の第2の保持回路HO2、1~HO2、Nそれぞれの出力用スイッチSW33が順次に一定期間だけ接続状態となって、各第2の保持回路HO2,1~HO2,Nの保持用容量素子C3bに保持されている電圧値は出力用スイッチSW33を経て第1電圧出力用配線Lout1へ順次に出力される。また、上記した出力動作と並行して、キャンセル電圧保持部HC、1~HC、NにおけるN個の第2の保持回路HC2、1~HC2、Nそれぞれの出力用スイッチSW43が順次に一定期間だけ接続状態となって、各第2の保持回路HC2,1~HC2,Nの保持用容量素子C4bに保持されている電圧値は出力用スイッチSW43を経て第2電圧出力用配線Lout2へ順次に出力される。すなわち、出力電圧保持部HO、nの第2の保持回路HO2,nに保持された電圧値と、キャンセル電圧保持部HC,nの第2の保持回路HC2,nに保持された電圧値とは、同時に各電圧出力用配線Lout1,Lout2を介して差動回路Dへ出力される。これにより、出力電圧保持部HO、nから出力される、フォトダイオードPDにおいて発生した電荷量に対応する電圧値とリセットノイズに対応する電圧値とが合成された電圧値から、リセットノイズに対応する電圧値をキャンセルすることができる。さらに、時刻t19より後の時刻t20から、第2行のN個の画素P2,1~P2,NそれぞれのフォトダイオードPDで発生した電荷について、上述した第1の動作第1のステップが実行される。すなわち、時刻t20から時刻t22までの期間、制御部6からリセット用配線LRに出力されるリセット制御信号Resetがハイレベルとなり、積分用容量素子C21が放電される。続いて、時刻t22より後の時刻t23から時刻t24までの期間、制御部6から保持制御用配線LH2に入力される保持制御信号Hold2がハイレベルとなり、放電後の積分回路S1~SNの出力電圧の大きさが、キャンセル電圧保持部HC、1~HC、Nの第1の保持回路HC1、1~HC1、Nによって保持される。時刻t24より後の時刻t25から時刻t26までの期間、制御部6から第2行選択用配線LV,2に出力される第2行選択制御信号Vsel2がハイレベルとなり、受光部10における第2行のN個の画素P2,1~P2,NそれぞれのスイッチSW1が接続状態となる。N個の画素P2,1~P2,NそれぞれのフォトダイオードPDで発生し接合容量部に蓄積された電荷は、読出用スイッチSW1及び読出用配線LO,1~LO,Nを通って積分回路S1~SNに出力される。そして、時刻t26より後の時刻t27から時刻t28までの期間、制御部6から保持制御用配線LH1へ出力される保持制御信号Hold1がハイレベルとなり、積分回路S1~SNから出力された電圧値は、出力電圧保持部HO、1~HO、Nにおける第1の保持回路HO1、1~HO1、Nによって保持される。以降、上述した第2の動作第2のステップおよび第3の動作第3のステップが第2行についても行われる。なお、本実施形態では、第1行における第N列選択制御信号HshiftNが立ち下がる時刻t21と、第2行における保持制御信号Hold1が立ち下がる時刻t28とがほぼ一致するように、第1行での第3の動作第3のステップに要する時間と第2行での第1の動作第1のステップに要する時間とが調整されている。本実施形態では、以上のような動作が第1行ないし第N行について順次行われることによって、1回の撮像で得られる画像を表すフレームデータが得られる。また、第M行について動作が終了すると、再び第1行から第M行までの範囲で同様の動作が行われて、次の画像を表すフレームデータが得られる。このように、一定周期で同様の動作を繰り返すことで、受光部10が受光した光像の2次元強度分布を表す電圧値からリセットノイズがキャンセルされた電圧値Voutが電圧出力用配線Loutへ出力されて、繰り返してフレームデータが得られる。本実施形態に係る固体撮像装置1及び固体撮像装置の駆動方法においては、第1の保持回路HO1、nと第2の保持回路HO2、nとが直列に接続されており、第1の保持回路HO1、nに保持された電圧値が第2の保持回路HO2、nに転送されたのち、この電圧値が第2の保持回路HO2、nから順次に出力されている。これにより、M行のうちの或る行の電荷に対応する電圧値と他の行の電荷に対応する電圧値とは、同じ回路を経由して出力される。従って、出力特性のばらつきを抑えることができる。また、本実施形態に係る固体撮像装置1及び固体撮像装置の駆動方法においては、M行のうちの或る行のフォトダイオードPDにおいて発生した電荷を積分した電圧値を第2の保持回路HO2、nから順次に出力させる動作と、M行のうち他の行を構成するフォトダイオードPDにおいて発生した電荷を積分回路Snに入力させる動作とを並行して行う。この2つの動作を並行して行うことにより、図6において時刻t14から時刻t15までの期間で示される、フォトダイオードPDで発生した電荷を積分回路Snへ出力するための時間を長く確保できるようになる。このため、遅延効果による課題、すなわちフォトダイオードPDに蓄積された電荷が所定の転送時間内ですべて転送されず、次のフレームのデータに重畳するという課題を解決することができる。また、本実施形態に係る固体撮像装置1においては、フォトダイオードPDにおいて発生した電荷を積分した電圧値を保持するための出力電圧保持部HO、n、および積分回路Snの積分用容量素子C21を放電した後に積分回路Snから出力される電圧値リセットノイズを保持するためのキャンセル電圧保持部HC、nが積分回路Snの後段に接続されている。そして、出力電圧保持部HO、nにより保持された電圧値からキャンセル電圧保持部HC、nにより保持された電圧値を減ずる差動回路Dが、出力電圧保持部HO、nおよびキャンセル電圧保持部HC、nの後段に接続されている。このような回路構成により、リセットノイズをキャンセルして出力電圧Voutの精度を高めることができる。また、例えば読出用スイッチがアモルファスシリコンによって構成されている場合、フレームレートを速くすると、読出用スイッチを非接続状態とした際に過渡的に電荷がトラップされる、いわゆるメモリ効果が顕著に現れる。非晶質であるアモルファスシリコンは、FETのチャネルに電荷をトラップする準位の密度が高いためである。従って、トラップされた電荷を放出するための安定時間を必要とするという問題点がある。したがって、本実施形態のように、読出用スイッチSW1は、多結晶シリコンを含む半導体スイッチであることが好ましい。多結晶シリコンは、アモルファスシリコンと比較して、トラップ準位の密度が低く、スイッチを非接続とした際のメモリ効果が発生しにくい。これにより、メモリ効果に起因する上記課題を解決することができる。第1変形例図7は、上記実施形態の第1変形例に係る固体撮像装置の回路構成を示す図である。図7に示す回路と上記実施形態の回路図5を参照とが相違する点は、キャンセル電圧保持部の有無である。すなわち、本変形例では、図5に示されたキャンセル電圧保持部HC、nが設けられておらず、積分回路Snから出力された電圧値は出力電圧保持部HO、nの第1の保持回路HO1、nにのみ入力され、アンプA5には第2の保持回路HO2、nからの電圧値のみが入力される。なお、他の構成は上記実施形態と同様なので、詳細な説明を省略する。本変形例の固体撮像装置によれば、上記実施形態の固体撮像装置1による効果のうちリセットノイズのキャンセルを除く効果を好適に得ることができる。第2変形例図8は、上記実施形態の第2変形例に係る固体撮像装置の回路構成を示す図である。図8に示す回路と上記実施形態の回路図5を参照とが相違する点は、出力電圧保持部およびキャンセル電圧保持部の構成である。すなわち、上記実施形態の出力電圧保持部HO,nおよびキャンセル電圧保持部HC,nは電圧保持型の構成を有するが、本変形例の出力電圧保持部HO,nおよびキャンセル電圧保持部HC,nは電荷保持型の構成を有する。具体的には、出力電圧保持部HO、nにおける第1の保持回路HO1、nは、入力用スイッチSW31、転送用スイッチSW32、保持用容量素子C5a、並びに積分器を構成するアンプA6及び容量素子C5bを含む。保持用容量素子C5aの一端は入力用スイッチSW31を介して積分回路Snに接続されており、他端はアンプA6の入力端に接続されている。アンプA6の出力端は、転送用スイッチSW32を介して第2の保持回路HO2、nに接続されている。なお、保持用容量素子C5aの両端には、保持された電荷をリセットするためのスイッチSW34及びSW35がそれぞれ接続されている。また、入力用スイッチSW31には、上記実施形態と同様に、制御部6から保持制御用配線LH1を通った保持制御信号Hold1が与えられる。転送用スイッチSW32には、制御部6から転送制御用配線LTを通った転送制御信号Transが与えられる。この第1の保持回路HO1、nでは、保持制御信号Hold1がハイレベルからローレベルに転じると、入力用スイッチSW31が閉状態から開状態に転じて、そのときに入力端に入力されている電圧値に応じた量の電荷が保持用容量素子C5aに保持される。また、転送制御信号Transがハイレベルであるときに、転送用スイッチSW32が閉じて、保持用容量素子C5aに保持されている電荷量に応じた電圧値がアンプA6から第2の保持回路HO2、nへ出力される。また、本変形例における出力電圧保持部HO、nの第2の保持回路HO2、nは、出力用スイッチSW33および保持用容量素子C5cを含む。保持用容量素子C5cの一端は第1の保持回路HO1、nの転送用スイッチSW32に接続されており、他端は出力用スイッチSW33を介して第1電圧出力用配線Lout1に接続されている。なお、第2の保持回路HO2、nにおいても、保持用容量素子C5cの両端には、保持された電荷をリセットするためのスイッチSW36及びSW37がそれぞれ接続されている。また、出力用スイッチSW33には、上記実施形態と同様に、制御部6から第n列選択用配線LS,nを通った第n列選択制御信号Hshiftnが与えられる。この第2の保持回路HO2、nでは、第n列選択制御信号Hshiftnがハイレベルであるときに、出力用スイッチSW33が閉じて、保持用容量素子C5cに保持されている電荷が第1電圧出力用配線Lout1へ出力される。また、キャンセル電圧保持部HC、nは、出力電圧保持部HO、nと同様の構成を有する。具体的には、キャンセル電圧保持部HC、nの第1の保持回路HC1、nは、入力用スイッチSW41、転送用スイッチSW42、保持用容量素子C6a、並びに積分器を構成するアンプA7及び容量素子C6bを含む。保持用容量素子C6aの一端は入力用スイッチSW41を介して積分回路Snに接続されており、他端はアンプA7の入力端に接続されている。アンプA7の出力端は、転送用スイッチSW42を介して第2の保持回路HC2、nに接続されている。保持用容量素子C6aの両端には、保持された電荷をリセットするためのスイッチSW44及びSW45がそれぞれ接続されている。また、入力用スイッチSW41には、上記実施形態と同様に、制御部6から保持制御用配線LH2を通った保持制御信号Hold2が与えられる。転送用スイッチSW42には、制御部6から転送制御用配線LTを通った転送制御信号Transが与えられる。この第1の保持回路HC1、nでは、保持制御信号Hold2がハイレベルからローレベルに転じると、入力用スイッチSW41が閉状態から開状態に転じて、そのときに入力端に入力されている電圧値に応じた量の電荷が保持用容量素子C6aに保持される。また、転送制御信号Transがハイレベルであるときに、転送用スイッチSW42が閉じて、保持用容量素子C6aに保持されている電荷量に応じた電圧値がアンプA7から第2の保持回路HC2、nへ出力される。また、本変形例におけるキャンセル電圧保持部HC、nの第2の保持回路HC2、nは、出力用スイッチSW43および保持用容量素子C6cを含む。保持用容量素子C6cの一端は第1の保持回路HC1、nの転送用スイッチSW42に接続されており、他端は出力用スイッチSW43を介して第2電圧出力用配線Lout2に接続されている。保持用容量素子C6cの両端には、保持された電荷をリセットするためのスイッチSW46及びSW47がそれぞれ接続されている。また、出力用スイッチSW43には、制御部6から第n列選択用配線LS,nを通った第n列選択制御信号Hshiftnが与えられる。この第2の保持回路HC2、nでは、第n列選択制御信号Hshiftnがハイレベルであるときに、出力用スイッチSW43が閉じて、保持用容量素子C6cに保持されている電荷が第2電圧出力用配線Lout2へ出力される。本変形例の固体撮像装置によれば、上記実施形態の固体撮像装置1と同様の効果を好適に得ることができる。"