"内燃機関の排気系に設けられており、排ガスを浄化する排ガス浄化装置であって、前記排気系に配置されており、酸素吸蔵能を有するOSC材を含む担体と、該担体に担持された貴金属触媒とを含む触媒層が基材上に形成されている排ガス浄化触媒と、前記排気系において前記排ガス浄化触媒よりも上流に配置されており、前記排ガス浄化触媒の上流側の排ガス中の酸素濃度である上流O2濃度を検出する上流O2センサと、前記排気系において前記排ガス浄化触媒よりも下流に配置されており、前記排ガス浄化触媒の下流側の排ガス中の酸素濃度である下流O2濃度を検出する下流O2センサと、前記上流O2濃度に基づいて前記内燃機関に供給されている混合気の空燃比を算出し、該算出された空燃比と予め定められた目標空燃比とに基づいて第1制御目標値を設定するメインフィードバック制御と、前記下流O2濃度に基づいて前記第1制御目標値を補正することによって第2制御目標値を設定するサブフィードバック制御と、該第2制御目標値に基づいて前記内燃機関に供給される混合気の空燃比を調整する空燃比調整制御とを実行可能に構成されている制御部と、を備え、前記排ガス浄化触媒の下流側における触媒出口側端部から所定の領域内の担体に、パイロクロア型構造を有するOSC材と、前記パイロクロア型構造を有するOSC材よりも酸素吸蔵速度が速いOSC材とが含まれていることを特徴とする、排ガス浄化装置。前記パイロクロア型構造を有するOSC材よりも酸素吸蔵速度が速いOSC材の結晶構造が蛍石型構造であることを特徴とする請求項1に記載の排ガス浄化装置。前記触媒出口側端部から所定の領域の担体のX線回折法における2θ/θ=14°付近におけるピークの強度I14を、前記2θ/θ=29°付近におけるピークの強度I29で割った値I14/29が0.005以上であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の排ガス浄化装置。前記触媒出口側端部から所定の領域の前記排ガスが流れる方向における長さは、前記排ガス浄化触媒の触媒層の全長の10~50であることを特徴とする、請求項1~3の何れか一項に記載の排ガス浄化装置。前記下流O2センサは、酸化物伝導体からなる中間層が測定電極と基準電極とに挟持されており、前記測定電極上に金属酸化物からなる多孔質のコーティング層が形成されているセラミック酸素センサであることを特徴とする、請求項1~4の何れか一項に記載の排ガス浄化装置。前記パイロクロア型構造を有するOSC材のBET法に基づく比表面積が10m2/g以下であることを特徴とする、請求項1~5の何れか一項に記載の排ガス浄化装置。前記パイロクロア型構造を有するOSC材および前記パイロクロア型構造を有するOSC材よりも酸素吸蔵速度が速いOSC材の両方が、セリア-ジルコニア複合酸化物であることを特徴とする、請求項1~6の何れか一項に記載の排ガス浄化装置。前記制御部は、前記サブフィードバック制御において、前記下流O2濃度に基づいて前記目標空燃比を調整し、該調整後の目標空燃比と前記第1制御目標値とを対比することによって前記第1制御目標値を補正し、前記第2制御目標値を設定することを特徴とする、請求項1~7の何れか一項に記載の排ガス浄化装置。上記特許文献1に記載の排ガス浄化装置によれば、確かに、下流O2センサの応答性低下を防止し、制御遅れによる有害成分のエミッションを好適に防止できる。しかし、本発明者は、上記特許文献1に記載の発明の改良点について種々の検討を行った結果、今まで考慮されなかった新たな課題を見出した。一般的に、内燃機関から排出される排ガスの流量は、常に一定ではなく適宜変動している。したがって、内燃機関を稼働させている間には、流量が大きく流速が速い排ガスが排出されることがある。この流量が大きな排ガスが排ガス浄化触媒に供給されると、排ガス浄化触媒の上流部分だけでは有害成分を適切に浄化することができず、排ガス浄化触媒の下流部分にまで有害成分が到達することがある。上記特許文献1に記載されている発明では、下流O2センサの応答性の低下を解消するために、下流O2センサに対向する側排ガス浄化触媒の下流部分の酸素吸蔵速度を遅くしている。このため、流量の大きな排ガスが供給されて下流部分に有害成分が到達すると、下流部分の酸素吸蔵速度では供給された排ガスの速度に追いつくことができず、有害成分のエミッションが生じる虞がある。本発明は、上述の課題を解決するために創出されたものであり、F/B制御の制御遅れを防止した上で、流量の大きな排ガスが供給された際の有害成分のエミッションを好適に防止できるような排ガス浄化装置を提供することを目的としたものである。上記目的を実現するべく、本発明によって以下の構成の排ガス浄化装置が提供される。即ち、本発明に係る排ガス浄化装置は、内燃機関の排気系に設けられており、排ガスを浄化する排ガス浄化装置である。この排ガス浄化装置は、排ガス浄化触媒と上流O2センサと下流O2センサとを備えている。排ガス浄化触媒は、上記排気系に配置されており、酸素吸蔵能を有するOSC材を含む担体と、該担体に担持された貴金属触媒とを含む触媒層が基材上に形成されている。上流O2センサは、上記排気系において上記排ガス浄化触媒よりも上流に配置されており、上記排ガス浄化触媒の上流側の排ガス中の酸素濃度である上流O2濃度を検出する。下流O2センサは、上記排気系において上記排ガス浄化触媒よりも下流に配置されており、上記排ガス浄化触媒の下流側の排ガス中の酸素濃度である下流O2濃度を検出する。また、ここで開示される排ガス浄化装置の制御部は、メインフィードバック制御メインF/B制御と、サブフィードバック制御サブF/B制御と、空燃比調整制御とを実行可能に構成されている。上記メインF/B制御は、上記上流O2濃度に基づいて上記内燃機関に供給されている混合気の現在の空燃比を算出し、該算出された現状の空燃比と予め定められた目標空燃比とに基づいて第1制御目標値を設定する。上記サブF/B制御は、上記下流O2濃度に基づいて上記第1制御目標値を補正することによって第2制御目標値を設定する。そして、空燃比調整制御は、上記第2制御目標値に基づいて上記内燃機関に供給される混合気の空燃比を調整する。そして、ここで開示される排ガス浄化装置は、上記排ガス浄化触媒の下流側における触媒出口側端部から所定の領域内好ましくは、触媒出口側端部に隣接する領域内の担体に、パイロクロア型構造を有するOSC材と、上記パイロクロア型構造を有するOSC材よりも酸素吸蔵速度が速いOSC材とが含まれていることを特徴とする。なお、本明細書において、空燃比リッチの排ガスとは、空燃比がリッチA/F<14.7の混合気を内燃機関にて燃焼させた際に排出される排ガスの空燃比と同等の空燃比を有する排ガスを指すものである。同様に、空燃比ストイキの排ガスとは空燃比がストイキの混合気を燃焼させた際に排出される排ガスの空燃比と同様の空燃比を有する排ガスを指すものであり、空燃比リーンの排ガスとは空燃比がリーンの混合気を燃焼させた際に排出される排ガスの空燃比と同様の空燃比を有する排ガスを指すものである。このことは、当業者であれば明確且つ容易に理解できる技術的事項である。なお、説明の便宜上、本明細書においては、上記空燃比リッチの排ガスをリッチ排ガス、空燃比ストイキの排ガスをストイキ排ガス、空燃比リーンの排ガスをリーン排ガスと適宜略称する。ここで開示される排ガス浄化装置では、排ガス浄化触媒の下流側における触媒出口側端部から所定の領域内の担体にパイロクロア型構造を有するOSC材が含まれている。パイロクロア型構造を有するOSC材は、他の結晶構造を有するOSC材に比べて酸素吸蔵速度が遅いという特徴を有している。したがって、ここで開示される排ガス浄化装置の排ガス浄化触媒では、上記排ガス浄化触媒の下流側における触媒出口側端部から所定の領域内の担体に酸素吸蔵速度が遅いOSC材が含まれているため、過度なリッチ排ガスが供給され続けて、排ガス浄化触媒の上流部分の酸素吸蔵量が少なくなっても、上記所定の領域から少量の酸素を放出し続けることができる。これによって、下流O2センサが過度なリッチ排ガスに曝されにくくなるので、下流O2センサの応答性が低下しにくくなり、F/B制御の制御遅れを好適に防止することができる。さらに、この排ガス浄化装置では、排ガス浄化触媒の下流側における触媒出口側端部から所定の領域内の担体に上記パイロクロア型構造を有するOSC材よりも酸素吸蔵速度が速いOSC材も含まれている。すなわち、ここで開示される排ガス浄化装置では、上記所定の領域内の担体において、パイロクロア型構造を有するOSC材と、該パイロクロア型構造を有するOSC材よりも酸素吸蔵速度が速いOSC材とが併存している。このため、上記酸素吸蔵速度が相対的に遅いOSC材を含んだ上記所定の領域においても適切な速度の酸素吸蔵能を発揮することができる。したがって、流量の大きな排ガスが排ガス浄化触媒に供給され、未浄化の有害成分が排ガス浄化触媒の上記所定の領域に到達した場合であっても、上記所定の領域において未浄化の有害成分を浄化できるので、有害成分のエミッションを防止できる。なお、従来のようにOSC材を構成する元素の比率や貴金属の担持量を調整することで触媒層の酸素吸蔵速度を遅くするような技術では、本発明のように排ガス浄化装置の触媒層の同一領域において酸素吸蔵速度が遅いOSC材低速OSC材と酸素吸蔵速度が速いOSC材高速OSC材とを併存させることは難しい。しかし、本発明では、触媒層の材料の組成比等でなくOSC材の結晶構造の違いによって低速OSC材と高速OSC材とを得ているので、上記所定の領域において低速OSC材と高速OSC材とを併存させることを可能にしている。以上のように、ここで開示される排ガス浄化装置によれば、排ガス浄化触媒の下流側における触媒出口側端部から所定の領域内の担体に、パイロクロア型構造を有するOSC材と、該パイロクロア型構造を有するOSC材よりも酸素吸蔵速度が速いOSC材とが併存しているため、下流O2センサの応答性低下によるF/B制御の制御遅れを防止した上で、流量の大きな排ガスが供給された際の有害成分のエミッションを好適に防止することができる。ここで開示される排ガス浄化装置の好ましい一態様では、上記パイロクロア型構造を有するOSC材よりも酸素吸蔵速度が速いOSC材の結晶構造が蛍石型構造であることを特徴とする。上記蛍石型構造を有するOSC材は酸素吸蔵速度が速いため、かかる結晶構造のOSC材を含んだ担体が存在している領域は、排ガス中の有害成分を浄化するのに適している。したがって、上記構成の排ガス浄化装置では、排ガス浄化装置の下流側における触媒出口側端部から所定の領域内の担体に、上述した結晶構造のOSC材を含んでいるため、流量の大きな排ガスが供給された際の有害成分のエミッションをより好適に防止することができる。ここで開示される排ガス浄化装置の好ましい一態様では、上記触媒出口側端部から所定の領域内の担体のX線回折法における2θ/θ=14°付近におけるピークの強度I14を、上記2θ/θ=29°付近におけるピークの強度I29で割った値I14/29が0.005以上である。2θ/θ=14°付近におけるピーク強度I14はパイロクロア型構造に由来しており、2θ/θ=29°付近におけるピーク強度I29はその他の結晶構造に由来している。したがって、ピーク強度I14をピーク強度I29で割った値I14/29を求めることによって、上記所定の領域におけるパイロクロア型構造を有するOSC材の含有割合を調べることができる。上記構成の排ガス浄化装置では、上記値I14/29が0.005以上である。この場合、パイロクロア型構造を有するOSC材が好適な割合で含まれているため、下流O2センサの応答性低下をより好適に防止できる。なお、I14/29は0.02以上が好ましく、0.04以上がより好ましい。値I14/29が上記数値範囲内の場合、下流O2センサの応答性低下の防止と、流量が大きな排ガスが供給された時の有害成分のエミッションの防止をより好適に両立させることができる。ここで開示される排ガス浄化装置の好ましい一態様では、上記触媒出口側端部から所定の領域の上記排ガスが流れる方向における長さは、上記排ガス浄化触媒の触媒層の全長の10~50である。上記所定の領域の長さが短くなりすぎると、上記所定の領域から放出される酸素の量が少なくなり、過度なリッチ排ガスが下流O2センサに供給されることを防止するのが難しくなる。すなわち、パイロクロア型構造のOSC材を含む領域の長さが上記数値範囲内であれば、下流O2センサの応答性低下を好適に防止した上で、流量が大きい排ガスが供給された場合の有害成分のエミッションを好適に防止することができる。ここで開示される排ガス浄化装置の好ましい一態様では、上記下流O2センサは、酸化物伝導体からなる中間層が測定電極と基準電極とに挟持されており、上記測定電極上に金属酸化物からなる多孔質のコーティング層が形成されているセラミック酸素センサである。上記構成のセラミック酸素センサでは、上記多孔質のコーティング層に保持される酸素の濃度と大気の酸素濃度との差によって出力を生じさせる。かかる構成のセラミック酸素センサの場合、コーティング層における酸素濃度と、排ガス浄化触媒によって浄化された排ガスの酸素濃度残留酸素濃度とが一致していることが望ましい。しかし、実際には、上記残留酸素濃度の変化に遅れてコーティング層における酸素濃度が変化する。例えば、コーティング層において酸素が枯渇した状態と、ある程度の酸素が残っている状態とを比較するとコーティング層に酸素が残っている状態の方が、コーティング層における酸素濃度が残留酸素濃度により早く近づくことができる。ここで開示される排ガス浄化装置では、排ガス浄化触媒の下流側における触媒出口側端部から所定の領域内の担体に含まれるパイロクロア型構造を有するOSC材によって、過度なリッチ排ガスが下流O2センサに供給されるのを防止できるため、コーティング層において酸素が枯渇することを防止し、上記構成のセラミック酸素センサにリーン排ガスが供給された際の残留酸素濃度に対する酸素濃度の追従性すなわちリーン応答性を向上させることができる。ここで開示される排ガス浄化装置の好ましい一態様では、上記パイロクロア型構造を有するOSC材のBET法に基づく比表面積が10m2/g以下である。上記構成の排ガス浄化装置では、低速OSC材であるパイロクロア型構造を有するOSC材の比表面積が10m2/g以下であり、該低速OSC材の酸素吸蔵速度がより遅くなっている。これによって、さらに好適に下流O2センサの応答性の低下を防止できる。また、パイロクロア型構造を有するOSC材は、比表面積を10m2/g以下にすることが容易である。ここで開示される排ガス浄化装置の好ましい一態様では、上記パイロクロア型構造を有するOSC材および上記パイロクロア型構造を有するOSC材よりも酸素吸蔵速度が速いOSC材の両方が、セリア-ジルコニア複合酸化物である。セリア-ジルコニア複合酸化物は、酸素吸蔵能が高く、比較的に安価であるためOSC材として好ましく用いることができる。また、ここで開示される排ガス浄化装置では、結晶構造の違いで酸素吸蔵速度の差を設定しているため、低速OSC材と高速OSC材とに同じ材料で用いることができる。これによって、排ガス浄化触媒の作製をより容易に行うことができる。ここで開示される排ガス浄化装置の好ましい一態様では、上記制御部は、上記サブフィードバック制御において、上記下流O2濃度に基づいて上記目標空燃比を調整し、該調整後の目標空燃比と上記第1制御目標値とを対比することによって上記第1制御目標値を補正し、上記第2制御目標値を設定できるように構成されている。上記構成の排ガス浄化装置では、排ガス浄化触媒を通過することで酸素濃度が変動した排ガスのO2濃度下流O2濃度に基づいて、混合気の空燃比調整の指標となる目標空燃比を調整している。すなわち、排ガス浄化触媒の現状の酸素吸蔵能が目標空燃比に反映されるため、排ガス浄化触媒における有害成分の浄化機能をより好適な状態に維持することができる。上記構成の排ガス浄化装置は、下流O2センサの応答性低下による制御遅れを好適に防止するとともに、流速の速い排ガスが供給された際の有害成分のエミッションを好適に防止することができる。すなわち、上記構成の排ガス浄化装置は、有害成分のエミッションを大幅に減らすことができるので、走行中に排ガスが排出される車両例えば自動車に好適に用いることができる。以下、本発明の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄は、該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。<排ガス浄化装置>ここでは、先ず、本発明の一実施形態に係る排ガス浄化装置の構成について説明する。ここで開示される排ガス浄化装置は、内燃機関の排気系に設けられている。以下、図1を参照しながら内燃機関および排ガス浄化装置を説明する。図1は、内燃機関1と、該内燃機関1の排気系に設けられた排ガス浄化装置100を模式的に示す図である。A.内燃機関内燃機関には、酸素と燃料ガスとを含む混合気が供給される。内燃機関は、この混合気を燃焼させ、燃焼エネルギーを力学的エネルギーに変換する。このときに燃焼された混合気は排ガスとなって後述の排気系に排出される。図1に示す構成の内燃機関1は、複数の燃焼室2と、燃焼室2のそれぞれに燃料を噴射する燃料噴射弁3とを備えている。各々の燃料噴射弁3は、燃料供給管21を介してコモンレール22に接続されている。コモンレール22は、燃料ポンプ23を介して燃料タンク24に接続されている。燃料ポンプ23は、上記コモンレール22、燃料供給管21、燃料噴射弁3を介して、燃料タンク24内の燃料を燃焼室2へ供給する。燃料ポンプ23の構成は、本発明を特に限定するものではなく、例えば、吐出量可変な電子制御式の燃料ポンプを用いることができる。また、上記燃焼室2には、それぞれ吸気マニホルド4及び排気マニホルド5が連通している。以下の説明では、吸気マニホルド4よりも上流側に設けられ、内燃機関1に空気酸素を供給する系を吸気系と称し、排気マニホルド5よりも下流側に設けられ、内燃機関1で生じた排ガスを外部に排出する系を排気系と称する。なお、上記吸気系と上記排気系とは、排ガス再循環通路18を介して互いに連結されており、排気系に排出された排ガスを再び燃焼室2内に供給することもできる。排ガス再循環通路18には、電子制御式の制御弁19が配置されており、かかる制御弁19の開閉により再循環させる排ガス量を調整できる。また、排ガス再循環通路18の周りには、排ガス再循環通路18内を流れるガスを冷却するための冷却装置20が配置されている。A-1.吸気系上記内燃機関1の吸気系について説明する。上記内燃機関1を吸気系に連通させる吸気マニホルド4には吸気ダクト6が接続されている。当該吸気ダクト6は、排気ターボチャージャ7のコンプレッサ7aに接続されており、コンプレッサ7aにはエアクリーナ9が接続されている。エアクリーナ9には、内燃機関の外部から吸入する空気の温度吸気温を検出する吸気温センサ9aが取り付けられている。また、エアクリーナ9の下流側内燃機関1側には、エアフロメータ8が配置されている。エアフロメータ8は、吸気ダクト6へ供給される吸入空気量Gaを検出するセンサである。吸気ダクト6におけるエアフロメータ8のさらに下流側には、スロットル弁10が設けられている。このスロットル弁10を開閉することで内燃機関1に供給される空気の量を調整できる。また、スロットル弁10の近傍には、スロットル弁10の開度を検出するスロットルセンサ図示省略が配置されているとよい。また、吸気ダクト6の周りには、吸気ダクト6内を流れる空気を冷却するための冷却装置11が配置されていると好ましい。A-2.排気系次に、内燃機関1の排気系について説明する。上記内燃機関1を排気系に連通させる排気マニホルド5は、排気ターボチャージャ7の排気タービン7bに接続されている。該排気タービン7bには、排ガスが流通する排気通路12が接続されている。なお、排気系例えば、排気マニホルド5には、排ガス中に燃料Fを噴射する排気系燃料噴射弁13が設けられていてもよい。この排気系燃料噴射弁13は、排ガス中に燃料Fを噴射することで、後述の排ガス浄化触媒40に供給される排ガスの空燃比A/Fを調整することができる。B.排ガス浄化装置ここで開示される排ガス浄化装置は、上記内燃機関の排気系に設けられている。この排ガス浄化装置は、排ガス浄化触媒と、上流O2センサと、下流O2センサと、制御部とを備え、内燃機関から排出される排ガスに含まれる有害成分例えば、一酸化炭素CO、炭化水素HC、窒素酸化物NOxを浄化する。以下、ここで開示される排ガス浄化装置の各構成について説明する。C.排ガス浄化触媒排ガス浄化触媒は、上記内燃機関の排気系に配置されている。図1に示す構成の排ガス浄化装置100では、排ガス浄化触媒40は、上記内燃機関1の排気系を構成する排気通路12に配置されており、内燃機関1で生じ、排気マニホルド5を介して排気通路12に流れた排ガスが排ガス浄化触媒40に供給される。排ガス浄化触媒は、基材上に触媒層が形成されることによって構成されている。排ガス浄化触媒の触媒層には、酸素吸蔵能を有するOSC材を含む担体と、該担体に担持された貴金属触媒とが含まれており、この触媒層の触媒機能によって排ガスに含まれる有害成分が浄化される。上記排ガス浄化触媒について図2及び図3を参照しながら詳しく説明する。図2は排ガス浄化触媒40を模式的に示した斜視図であり、図3は排ガス浄化触媒40の断面構成の一例を模式的に示した拡大図である。C-1.基材排ガス浄化触媒の基材には、従来公知の排ガス浄化触媒用基材を用いることができる。例えば、基材は、多孔質構造を有した耐熱性素材で構成されていると好ましい。かかる耐熱性素材としては、コージェライト、炭化ケイ素シリコンカーバイド:SiC、チタン酸アルミニウム、窒化ケイ素、ステンレス鋼などの耐熱性金属やその合金などが挙げられる。また、基材は、ハニカム構造、フォーム形状、ペレット形状などを有していると好ましい。なお、基材全体の外形は、円筒形状、楕円筒形状、多角筒形状などを採用することができる。図2に示す構成の排ガス浄化触媒40では、基材42としてハニカム構造を有した筒状部材が採用されている。このハニカム構造の基材42は、排ガスが流れる方向である筒軸方向図2における矢印の方向に沿って複数の流路48を有している。また、基材42の容量流路48の体積は、0.1L以上好ましくは0.5L以上であり、5L以下好ましくは3L以下、より好ましくは2L以下であるとよい。C-2.触媒層排ガス浄化触媒の触媒層は、上述の基材上に形成されている。この触媒層は、酸素吸蔵能を有するOSC材を含む担体と、該担体に担持された貴金属触媒とを含んでいる。図3に示す構成の排ガス浄化触媒40では、触媒層43が基材42の表面に形成されている。排ガス浄化触媒40に供給された排ガスは、上記基材42の流路48内を流動している間に、触媒層43に接触することによって有害成分が浄化される。例えば、排ガスに含まれるCOやHCは触媒層43の触媒機能によって酸化されて水H2Oや二酸化炭素CO2などに変換浄化され、NOxは触媒層43の触媒機能によって還元されて窒素N2に変換浄化される。なお、上記触媒層43の全長L1は、2cm~30cm好ましくは5cm~15cm、より好ましくは10cm程度であるとよい。触媒層43の全長が短すぎると、流量の大きな排ガスが排ガス浄化触媒40に供給された際に、排ガス中の有害成分を適切に浄化することが難しくなる。また、排ガス浄化触媒40の全長が長すぎると、製造コストが高騰し、機器設計上の自由度が損なわれるため好ましくない。C-2-1.担体上記触媒層に含まれる担体は、OSC材と該OSC材以外の担体材料とから構成されている。具体的には、OSC材以外の担体材料に、後述のOSC材を付与することによって、ここで開示される排ガス浄化触媒の担体が形成されている。上記OSC材以外の担体材料としては、多孔質であり、且つ、耐熱性に優れた金属酸化物が好ましく用いられる。例えば、酸化アルミニウムアルミナ:Al2O3、酸化ジルコニウムジルコニア:ZrO2、酸化ケイ素シリカ:SiO2、或いはこれらの金属酸化物を主成分とした複合酸化物などが好ましい。これらの中でも、アルミナ、ジルコニアは、上述の担体材料として好ましい条件を満たしており、且つ、安価であるため特に好ましく用いることができる。C-2-2.OSC材上述したように、ここで開示される排ガス浄化触媒の担体にはOSC材が含まれている。OSC材は、酸素吸蔵能を有した無機材料であり、リーン排ガスが供給された際に酸素を吸蔵し、リッチ排ガスが供給された際に該吸蔵した酸素を放出する。OSC材としては、例えば、酸化セリウムセリア:CeO2や該セリアを含む複合酸化物例えば、セリア-ジルコニア複合酸化物CZ複合酸化物などが挙げられる。上述したOSC材の中でも、CZ複合酸化物は、高い酸素吸蔵能を有しており、且つ、比較的安価であるため特に好ましく用いることができる。このCZ複合酸化物におけるセリアとジルコニアとの混合割合は、CeO2/ZrO2=0.65~1.5好ましくは0.75~1.3、より好ましくは0.8~1.0であるとよい。また、ここで開示される排ガス浄化装置は、排ガス浄化触媒の下流側における触媒出口側端部から所定の領域内の担体に、パイロクロア型構造を有するOSC材と、該パイロクロア型構造を有するOSC材よりも酸素吸蔵速度が速いOSC材とが含まれていることを特徴としている。より具体的には、上記所定の領域は、上記触媒出口側端部から触媒入口側端部に向かって、所定の長さ例えば、排ガス浄化触媒の全長の5~80好ましくは30~70、より好ましくは50程度を有する領域であるとよい。若しくは、排ガス浄化触媒の触媒層の全域に亘って上記パイロクロア型構造を有するOSC材を含む所定の領域が設けられていてもよい。なお、上記所定の領域の長さが短くなりすぎると、下流O2センサの応答性の低下を好適に防止することが難しくなる。このため、上記所定の領域の長さを上述のように設定することによって、下流O2センサの応答性低下による制御遅れを好適に防止した上で、流量が大きい排ガスが供給された場合の有害成分のエミッションを好適に防止することができる。また、パイロクロア型構造を有するOSC材は、上記所定の領域の全域に亘って均一に含まれていてもよいし、上記所定の領域の一部において多く含まれていてもよいし、少なくなっていてもよい。また、上記所定の領域は、触媒出口側端部に必ずしも隣接している必要はないが、出口側端部に隣接する領域いわゆる、排ガス浄化触媒の後端部にもうけられているとより好ましい。この場合、パイロクロア型構造を有するOSC材から放出される酸素をより適切に下流O2センサに到達させることができるため、下流O2センサの応答性低下をより好適に防止できる。ここで開示される排ガス浄化装置の一例を示す図3の構成では、上記パイロクロア型構造を有するOSC材は、排ガス浄化触媒40の下流側における触媒出口側端部43aから所定の領域ここでは、排ガス浄化触媒の後端部45に含まれている。すなわち、図3の構成の排ガス浄化装置では、後端部45において後述のパイロクロア型構造を有するOSC材と、パイロクロア型構造を有するOSC材よりも酸素吸蔵速度が速いOSC材とが併存している。また、後端部45以外の領域上流部分44内の担体には、パイロクロア型構造を有するOSC材よりも酸素吸蔵速度が速いOSC材が含まれている。C-2-2-1.パイロクロア型構造のOSC材パイロクロア型構造とは、Bを遷移金属元素とした場合にA2B2O7で示されるものであり、A3/B4またはA2/B5の組み合わせからなる結晶構造の一種であり、かかる構成の結晶構造においてAのイオン半径が比較的小さいときに生じるものである。上記OSC材としてCZ複合酸化物を用いる場合、パイロクロア型構造を有するOSC材の化学式は、Ce2Zr2O7で表され、CeとZrが酸素を挟んで交互に規則配列している。図5に示すように、パイロクロア型構造を有するOSC材Aは、他の結晶構造例えば蛍石型構造を有するOSC材Bに比べて、酸素吸蔵速度が遅く、他の結晶構造を有するOSC材が酸素を放出し切った後でも、未だ酸素を放出することができる。すなわち、パイロクロア型構造を有するOSC材は、他の構造のOSC材による酸素吸蔵のピークが過ぎた後でも、酸素吸蔵能を発揮することができる所謂余力のOSC材として機能する。これは、パイロクロア型構造を有するOSC材は、結晶構造が複雑化しており、酸素を吸蔵する際の通り道が入り組んでいるためと解される。より具体的には、図5に示すように、パイロクロア型構造を有するOSC材では、酸素放出開始10秒後から120秒後までの総酸素放出量が、酸素放出開始直後0秒後から120秒後までの総酸素放出量100に対して、60~95好ましくは70~90、より好ましくは75~85である。このように酸素吸蔵速度が遅いOSC材が排ガス浄化触媒の下流側における触媒出口側端部から所定の領域内の担体に含まれていることによって、過度なリッチ排ガスが下流O2センサに供給されることを好適に防止できる。また、パイロクロア型構造を有するOSC材は、他の結晶構造を有するOSC材に比べて容易に比表面積を小さくすることができる。OSC材の比表面積が小さくなれば、酸素吸蔵速度がさらに低下するため、下流O2センサの応答性低下をより好適に防止できるようになる。かかるパイロクロア型構造を有するOSC材の比表面積BET法により測定される比表面積。以下同じ。は、例えば、10m2/g以下好ましくは0.1m2/g以上10m2/g以下、より好ましくは1m2/g以上5m2/g以下であるとよい。C-2-2-2.他のOSC材また、上述したように、ここで開示される排ガス浄化装置では、排ガス浄化触媒の触媒層におけるパイロクロア型構造のOSC材を含む所定の領域及び該所定の領域を除く領域すなわち、触媒層のほぼ全域に、上記パイロクロア型構造を有するOSC材よりも酸素吸蔵速度が速いOSC材以下、適宜他のOSC材と称する。が含まれている。かかる酸素吸蔵速度が速いOSC材が有している結晶構造の具体例としては、蛍石型構造が挙げられる。蛍石型構造を有するOSC材は、パイロクロア型構造のOSC材よりも酸素吸蔵速度が速いため、流量が大きな排ガスが供給された場合でも、有害成分のエミッションを好適に防止できる。かかるOSC材が排ガス浄化触媒のほぼ全域に含まれていることによって、流量の大きな排ガスが排ガス浄化触媒に供給された場合でも、有害成分を好適に浄化することができ、有害成分のエミッションを防止できる。また、上記酸素吸蔵速度が速いOSC材は、上記パイロクロア型構造のOSC材とは異なり、大きな比表面積を有している方が好ましい。具体的には、酸素吸蔵速度が速いOSC材の比表面積は、20m2/g以上80m2/g以下好ましくは40m2/g以上60m2/g以下であるとよい。これによって、より酸素吸蔵速度が速いOSC材を得ることができる。このような比表面積を実現するために好適なOSC材の具体的な形状としては、粉末状粒子状が挙げられる。この粉末状のOSC材の平均粒径は、5nm以上20nm以下、好ましくは7nm以上12nm以下に設定するとよい。なお、上記OSC材の粒径が小さすぎるまたは比表面積が大きすぎる場合は、上記OSC材自体の耐熱性が低下し、触媒の耐熱特性が低下するため好ましくない。一方、上記OSC材の平均粒径が大きすぎるまたは比表面積が小さすぎる場合は、酸素吸蔵速が遅くなるため好ましくない。以上のとおり、ここで開示される排ガス浄化装置では、排ガス浄化触媒の下流側における触媒出口側端部から所定の領域内の担体において、パイロクロア型構造のOSC材と、パイロクロア型構造のOSC材よりも酸素吸蔵速度が速いOSC材とが併存している。なお、上記所定の領域内で併存する2種類のOSC材は、同じ複合酸化物で構成されており、結晶構造のみが異なっているとより好ましい。この場合、上記所定の領域内の担体において2種類のOSC材を好適に分散できるため、酸素吸蔵速度が速い方のOSC材の酸素吸蔵速度をより向上させることができる。具体的には、上記所定の領域内で併存する2種類のOSC材は、両方共にセリア-ジルコニア複合酸化物で構成されていると好ましい。また、上記所定の領域内の担体に併存する2種類のOSC材の含有割合は、X線回折法におけるピーク強度を測定することによって調べることができる。具体的には、上記所定の領域の構成材料に対してX線回折法を行うと、2θ/θ=14°付近と2θ/θ=29°付近に特徴的なピークが発現する。これらのうち、2θ/θ=14°付近のピークはパイロクロア型構造に由来し、2θ/θ=29°付近のピークは他の結晶構造例えば蛍石型構造に由来する。したがって、この2θ/θ=14°付近のピーク強度を2θ/θ=29°付近のピーク強度で割った値I14/29を調整することによって、上記所定の領域においてパイロクロア型構造のOSC材と他のOSC材が適切な割合で併存している排ガス浄化触媒を得ることができる。具体的には、上記値I14/29は、0.005以上例えば、0.005以上、好ましくは0.02以上、より好ましくは0.04以上に設定するとよい。上記数値範囲内にI14/29の値を調整することによって、上記所定の領域においてパイロクロア型構造を有するOSC材が適切な割合で含まれた排ガス浄化触媒が得られる。かかる排ガス浄化触媒を備えた排ガス浄化装置は、下流O2センサに過剰なリッチ排ガスが供給されることを好適に防止できるとともに、上記所定の領域において適切な酸素吸蔵速度を発揮することができる。したがって、上述の構成の排ガス浄化装置によれば、F/B制御における制御遅れと、流量が大きい排ガスが供給された際の有害成分のエミッションの両方を好適に防止することができる。なお、所定の領域における2種類のOSC材の含有割合を上述のように調整するには、例えば、容量1Lの排ガス浄化触媒の所定の領域に、0.5g~20gのパイロクロア型構造を有するOSC材と、10g~100gの他のOSC材とを含ませるとよい。なお、本発明の排ガス浄化装置が備える排ガス浄化触媒は、図3に示す構成に限定されるものではない。具体的には、図3に示す排ガス浄化触媒40では、上記所定の領域である後端部45と上流部44との間に明確な境界が設けられている。しかし、本発明の排ガス浄化装置では、パイロクロア型構造を有するOSC材の含有割合が触媒出口側端部43aの方向に向かって増加していくような構成を採ることもできる。この場合、後端部45と上流部44との間に明確な境界が存在しないが、所定の領域において、パイロクロア型構造を有するOSC材と、その他のOSC材とが併存しているので、下流O2センサの応答性低下と、流量の大きな排ガスが供給された時の有害成分のエミッションの両方を好適に防止することができる。また、上述した実施形態では、上記所定の領域に酸素吸蔵速度の異なる2種類のOSC材が併存している態様について説明したが、かかる態様は本発明を限定するものではない。例えば、上記所定の領域には、酸素吸蔵速度が遅いOSC材と酸素吸蔵速度が速いOSC材とが併存していればよく、酸素吸蔵速度が異なる2種類以上のOSC材が含まれていてもよい。C-2-3.貴金属触媒上述した担体には貴金属触媒が担持されている。貴金属触媒としては、排ガス浄化触媒用の従来公知の触媒金属を用いることができる。具体的には、貴金属触媒は、排ガスに含まれる有害成分に対する触媒機能を有していればよく、種々の貴金属元素からなる貴金属粒子を用いることができる。貴金属触媒に用いられ得る金属としては、例えば、白金族に含まれる何れかの金属、或いは該白金族に含まれる何れかの金属を主体とする合金などを好ましく用いることができる。上記白金族に含まれる金属としては、白金Pt、パラジウムPd、ロジウムRh、ルテニウムRu、イリジウムIr、オスミウムOsが挙げられる。また、貴金属触媒として、少なくともパラジウムとロジウムとを含む三元触媒が用いられているとより好ましい。三元触媒は、ストイキ排ガスが供給された際に、排ガス中のCO、HC、NOxを同時に浄化することができる。さらに、このような三元触媒は、高い酸素吸蔵能を有する排ガス浄化触媒において高い触媒効果を発揮することができる。なお、上記三元触媒は、パラジウムとロジウムの他の触媒金属例えば白金を含んでいてもよい。C-2-4.その他添加物また、上記触媒層には、副成分として他の材料典型的には無機酸化物が添加されていてもよい。該触媒層に添加し得る物質としては、例えば、ランタンLa、イットリウムY等の希土類元素、カルシウムなどのアルカリ土類元素、その他遷移金属元素などが挙げられる。上記の中でも、ランタン、イットリウム等の希土類元素は、触媒機能を阻害せずに高温における比表面積を向上できるため、安定化剤として好適に用いられる。また、これら副成分の含有割合は、OSC材100質量部に対して10質量部~20質量部例えば、ランタンおよびイットリウムをそれぞれ5質量部ずつに設定するとより好ましい。以上、ここで開示される排ガス浄化装置の排ガス浄化触媒について説明した。次に、ここで開示される排ガス浄化装置が備える他の構成について説明する。D.上流O2センサここで開示される排ガス浄化装置では、排気系における排ガス浄化触媒よりも上流に上流O2センサが配置されている。図1に示す構成の排ガス浄化装置100では、排気通路12における排ガス浄化触媒40の上流に上流O2センサ14が配置されている。上流O2センサは、排ガス浄化触媒の上流側の排ガス中の酸素濃度である上流O2濃度を検出する。具体的には、上流O2センサには、後述の下流O2センサとほぼ同等の構成のセンサが用いられており、酸素を含む気体がセンサ素子に接触することによって酸素濃度を反映した電圧を生じさせるセラミック酸素センサが好ましく用いられる。図1に示す構成の上流O2センサ14は、信号線を介して後述の制御部30に接続されている。この上流O2センサ14では、上記排ガス浄化触媒40の上流側の酸素濃度を反映した電圧に基づいて上流O2濃度の情報が作成されており、該上流O2濃度の情報が制御部30へ送信される。E.下流O2センサここで開示される排ガス浄化装置では、排気系における排ガス浄化触媒よりも下流に下流O2センサが配置されている。図1に示す構成の排ガス浄化装置100では、排気通路12における排ガス浄化触媒40の下流に下流O2センサ15が配置されている。下流O2センサ15も、制御部30に信号線を介して接続されており、下流O2センサ15において検出された上流O2濃度は信号化されて制御部30へ送信される。下流O2センサには、排ガスの酸素濃度を測定する一般的なセンサであるセラミック酸素センサを好ましく用いることができる。かかるセラミック酸素センサでは、酸化物イオン伝導体からなる中間層が測定電極と基準電極とに挟持されている。また、測定電極上には、金属酸化物からなる多孔質のコーティング層が形成されている。上記構成のセラミック酸素センサでは、上記多孔質のコーティング層に保持される酸素の濃度と大気の酸素濃度との差によって出力を生じさせる。かかる構成のセラミック酸素センサの場合、コーティング層における酸素濃度と、排ガス浄化触媒などの排ガス浄化部材下流O2センサに後述の触媒層15fが形成されている場合には触媒層15fを含むによって浄化された排ガスの酸素濃度残留酸素濃度とが一致していることが望ましい。しかし、実際には、上記残留酸素濃度の変化に遅れてコーティング層における酸素濃度が変化する。例えば、コーティング層において酸素が枯渇した状態と、ある程度の酸素が残っている状態とを比較するとコーティング層に酸素が残っている状態の方が、コーティング層における酸素濃度が残留酸素濃度により早く近づくことができる。ここで開示される排ガス浄化装置では、所定の領域の担体に含まれるパイロクロア型構造を有するOSC材によって、過度なリッチ排ガスが下流O2センサに供給されるのを防止できるため、コーティング層において酸素が枯渇することを防止し、上記構成のセラミック酸素センサにリーン排ガスが供給された際の残留酸素濃度に対する酸素濃度の追従性すなわちリーン応答性を向上させることができる。図4は、上記セラミック酸素センサを用いてなる下流O2センサの構成の一例を示したものである。図4に示す構成の下流O2センサ15は中間層15aを備えている。中間層15aは、酸化物イオン伝導体から構成されている。かかる酸化物イオン伝導体としては、例えば、ジルコニア例えば、イットリア安定化ジルコニアYSZなどが挙げられる。また、中間層15aの内側には基準電極15bが形成されており、基準電極15bよりも内側に形成された内部空洞15cには所定の濃度の酸素ガスが充填されている。一方、中間層15aの外側には、測定電極15dが形成されており、測定電極15dから外側に向かってコーティング層15e、触媒層15f、トラップ層15gが積層されている。この構成の下流O2センサ15に排ガスが接触すると、排ガス中の酸素や酸化物例えばNOxなどがトラップ層15gにトラップされる。トラップされた酸素及び酸化物は、下流O2センサ15の内側測定電極15d側に向かって移動し、触媒層15fを通過した後にコーティング層15eへ到着する。このとき、排ガスに含まれる酸化物は、触媒層15fの触媒機能によって還元されて酸素になる。そして、コーティング層15eに到着した酸素は、多孔質のコーティング層15eに保持された状態で測定電極15dに接触する。下流O2センサ15は、測定電極15d付近に存在する酸素の濃度と、内部空洞15c基準電極15b付近に充填された酸素ガスの濃度との差に基づいて電圧を生じさせる。かかる電圧が解析され、下流O2濃度を示す信号として制御部30へ送信される。F.制御部ECU次に、ここで開示される排ガス浄化装置の制御部ECUについて説明する。制御部は、主としてデジタルコンピュータから構成されており、内燃機関及び排ガス浄化装置の稼働における制御装置として機能する。制御部は、例えば、読み込み専用の記憶装置であるROM、読み書き可能な記憶装置であるRAM、任意の演算や判別を行うCPUを有している。図1に示す構成の制御部30には入力ポートが設けられており、内燃機関1や排ガス浄化装置100の各部位に設置されているセンサと電気的に接続されている。これによって、各々のセンサで検知した情報が、上記入力ポートを経て電気信号としてROM、RAM、CPUに伝達される。また、制御部30には出力ポートも設けられている。制御部30は、該出力ポートを介して、内燃機関1及び排ガス浄化装置100の各部位に接続されており、制御信号を送信することによって各部材の稼働を制御している。制御部は、上流O2センサで検知された排ガス浄化触媒上流の排ガスの酸素濃度に基づいて内燃機関1で燃焼された混合気の空燃比A/Fを推定できる。また、制御部は、下流O2センサで検知された排ガス浄化触媒40下流の排ガスの酸素濃度に基づいて、排ガス浄化触媒を通過した排ガスの排ガス空燃比を推定できる。そして、制御部は、上記上流O2センサ及び上記下流O2センサの検出結果に基づいて、内燃機関に供給される混合気の空燃比を調整する。ここで開示される排ガス浄化装置の制御部は、フィードバック制御F/B制御を行うことによって内燃機関に供給される混合気の空燃比を調整する。このF/B制御は、メインF/B制御とサブF/B制御とから構成されている。F-1.メインF/B制御上記メインF/B制御では、上流O2センサによって検出された上流O2濃度に基づいて、内燃機関に供給されている混合気の空燃比A/F1を算出し、該算出された空燃比と予め定められた目標空燃比TA/Fとに基づいて第1制御目標値P1を設定する。図1に示す構成の排ガス浄化装置100の制御部30では、先ず、上流O2センサ14で検出された上流O2濃度に基づいて、内燃機関1に現在供給されている混合気の空燃比A/F1を算出する。そして、該算出された空燃比A/F1と、所定の目標空燃比TA/Fとを対比し、内燃機関1に供給される混合気の空燃比が目標空燃比TA/Fに近づくように第1制御目標値P1を設定する。より具体的には、制御部30は、算出された空燃比A/F1が目標空燃比TA/Fよりもリッチであれば、混合気の空燃比をリーン側に調整する旨の第1制御目標値P1を設定する。一方、算出された空燃比A/F1が目標空燃比TA/Fよりリーンであれば、混合気の空燃比をリッチ側に調整する旨の第1制御目標値P1を設定する。上記目標空燃比TA/Fは、基本的にストイキA/F=14.7付近に設定される。理想的には、上記メインF/B制御で設定された第1制御目標値P1に基づいて、混合気の空燃比を調整すれば、混合気の空燃比を目標空燃比TA/Fに維持し、有害成分が浄化されやすい排ガスであるストイキ排ガスを排ガス浄化触媒40に供給することができる。しかし、上流O2センサ14による検出値にはある程度の誤差が含まれている可能性があり、燃料噴射弁3の噴射特性にもある程度のバラツキがある。さらに、ここで開示される排ガス浄化装置100では、排ガス浄化触媒40にOSC材が含まれているため、かかるOSC材による酸素吸蔵能を考慮した空燃比制御が求められる。かかる上流O2センサ14の誤差、機器駆動のバラツキ、排ガス浄化触媒40の酸素吸蔵能を反映した空燃比制御を実施するために、制御部はサブF/B制御を実施する。F-2.サブF/B制御サブF/B制御では、下流O2センサによって検出された下流O2濃度に基づいて、上記メインF/B制御にて設定された第1制御目標値P1を補正することで第2制御目標値P2を設定する。具体的には、サブF/B制御では、内燃機関における燃料の燃焼効率などを考慮して設定された第1制御目標値P1に対して、上流O2センサ14の誤差、機器駆動のバラツキ、排ガス浄化触媒40の酸素吸蔵能を考慮した第2制御目標値P2を設定するために、下流O2濃度に基づいた補正を行う。上記サブF/B制御の好ましい一態様として、下流O2センサによって検出された下流O2濃度に基づいて、予め定められた目標空燃比TA/Fを調整するという方法が挙げられる。具体的には、制御部30は、サブF/B制御において、下流O2濃度に基づいて目標空燃比TA/Fを調整し、該調整後の目標空燃比TA/Fと、第1制御目標値P1とを対比することによって第1制御目標値P1を補正し、第2制御目標値P2を設定する。より具体的には、リーン排ガスが排ガス浄化触媒40に供給され、排ガス中の酸素が排ガス浄化触媒40のOSC材に吸蔵されている場合、下流O2濃度が上流O2濃度よりも低くなる。この場合、制御部30は、目標空燃比TA/Fをリッチ側に調整し、該調整後の目標空燃比TA/Fに基づいて第1制御目標値P1を補正する。一方、リッチ排ガスが排ガス浄化触媒40に供給され、上記OSC材に吸蔵されていた酸素が放出されている場合、下流O2濃度が上流O2濃度よりも高くなる。この場合、制御部30は、目標空燃比TA/Fをリーン側に調整し、該調整後の目標空燃比TA/Fに基づいて第1制御目標値P1を補正する。これによって、現在の混合気の空燃比と、排ガス浄化触媒の酸素吸蔵能などが反映された第2制御目標値P2が設定される。F-3.空燃比調整制御ここでは、制御部は、上記サブF/B制御にて設定された第2制御目標値に基づいて内燃機関に供給される混合気の空燃比を調整する。具体的には、制御部30は、サブF/B制御で設定した第2制御目標値P2に基づいて制御信号を作成し、当該制御信号を混合気の空燃比調整を司る内燃機関1の各機器例えば、燃料噴射弁3、スロットル弁10などに送信する。これによって、混合気の空燃比が第2制御目標値P2になるように各機器が稼働し、現在の空燃比や排ガス浄化触媒の酸素吸蔵能などを反映した混合気が内燃機関1に供給される。上記F/B制御によれば、排ガス浄化触媒の酸素吸蔵能が反映された混合気制御が行われるため、現在の排ガス浄化触媒の酸素吸蔵能に応じた排ガスが排ガス浄化触媒に供給される。これによって、排ガス浄化触媒は排ガス中の有害成分を好適に浄化することができる。しかし、過度なリッチ排ガスが排ガス浄化触媒から排出され続けると、下流O2センサのセンサ素子の周辺に酸素が存在しなくなる。この状態から、下流O2センサがリーン側の出力を生じさせるためには、センサ素子の周辺に酸素が存在している場合よりも多くの酸素を要求するため、制御遅れの原因となる下流O2センサの応答性低下が生じる。この制御遅れが生じている間は、排ガス浄化触媒の状態に適した混合気が供給されなくなるので、排ガス浄化触媒において有害成分を上手く浄化することができず、有害成分のエミッションが生じる。しかしながら、ここで開示される排ガス浄化装置では、C-2-2.OSC材の項で説明したように、排ガス浄化触媒の所定の領域の担体にパイロクロア型構造を有するOSC材が含まれている。かかるパイロクロア型構造を有するOSC材は、通常のOSC材よりも酸素吸蔵速度が遅いため、他のOSC材に吸蔵されている酸素が最小になり酸素を放出できなくなった場合でも、未だ酸素を吸蔵しており、酸素を放出し続けることができる図5参照。これによって、F/B制御の制御遅れを生じにくくすることができる。例えば、図6は、下流O2センサ周辺に存在する酸素量を模式的に示す図である。図6における網掛け部分110は下流O2センサ周辺に存在する酸素量を示しており、白抜き部分120は下流O2センサ周辺に存在し得る酸素の容量から下流O2センサ周辺に存在する酸素量110を引いた値を示している。そして、点線は、下流O2センサがリーン出力を生じさせるための閾値Tを示している。この図6に示すように、通常の排ガス浄化触媒を用いた場合Bでは、過度のリッチ排ガスが供給されると、下流O2センサの周辺に存在する酸素量110が少なくなるため、上記リーン出力の閾値Tを超えるために要する酸素量図6中の矢印が多くなる。これによって、下流O2センサの応答遅れが生じる。一方、ここで開示される排ガス浄化触媒を用いた場合Aでは、過度のリッチ排ガスが供給されても、上記排ガス浄化触媒の所定の領域から微量の酸素が放出され続けることによって下流O2センサの周辺に存在する酸素量110が従来のものよりも多くなる。このため、下流O2センサに供給される排ガスがリーン排ガスに切り替わった場合に、上記リーン出力の閾値Tを超えるのに要する酸素量図6の矢印が少なくなっている。従って、リーン排ガスが供給されたことに対する応答が通常の排ガス浄化触媒Bよりも早くなり、F/B制御の応答遅れが生じることを防止できる。したがって、ここで開示される排ガス浄化装置によれば、下流O2センサを好感度領域で使用し続けることによって、F/B制御の制御遅れを生じにくくし、有害成分のエミッションを好適に防止することができる。また、ここで開示される排ガス浄化装置では、下流O2センサで大きな出力変化を生じさせることなく高感度領域で使用し続けることができるため、F/B制御の実行時間を短縮することができる。これによって、F/B制御が実行される頻度が多くなり、より好適な空燃比の混合気を内燃機関に供給させ続けることができる。かかる効果について、F/B制御実行中の各気体の濃度変化を示すチャートである図7を参照しながら説明する。図7におけるAは排ガス浄化触媒の所定の領域の担体にパイロクロア型構造を有するOSC材が含まれた排ガス浄化装置であり、Bは排ガス浄化触媒の全域に亘ってパイロクロア型構造を有していないOSC材が含まれている排ガス浄化装置である。上記A及びBの排ガス浄化装置の両方において、フューエルカットF/C直後では、下流O2センサの電位変動が大きく、多量のCO及びNOxのエミッションが確認される。しかし、ここで開示される排ガス浄化装置Aの場合、所定の領域における酸素吸蔵速度が遅いため、過度なリッチ排ガスが下流O2センサに供給されにくくなっている。これによって、下流O2センサにおける電位変動の傾斜が緩くなり、F/B制御が繰り返されるうちに下流O2センサの電位変動が小さくなってゆく。これによって、酸素濃度の細かな変動に基づいて空燃比の混合気を調整できるので、COやNOxのエミッションが経時的に少なくなってゆく。特に、図7中のチャートでは、従来の排ガス浄化装置BがF/B制御を15回実施する間に、本発明の一実施形態に係る排ガス浄化装置Aが18回のF/B制御を実施している。これによって、混合気の空燃比がより精密に調整されているので、有害成分のエミッションがさらに生じにくくなっている。例えば、図7のAに示す排ガス浄化装置では、NOxのエミッションが6回目のF/B制御実行後に0に近くなっている。また、ここで開示される排ガス浄化装置では、排ガス浄化触媒の下流側における触媒出口側端部から所定の領域内の担体に、パイロクロア型構造を有するOSC材と、該パイロクロア型構造を有するOSC材よりも酸素吸蔵速度が速いOSC材とが含まれている。すなわち、ここで開示される排ガス浄化装置では、上記所定の領域において、酸素吸蔵速度が速いOSC材と遅いOSC材とが併存している。したがって、所定の領域においても、排ガス中の有害成分を適切に浄化できる程度の浄化機能を発揮できるため、流量の大きな排ガスが排ガス浄化触媒に供給され、所定の領域に有害成分が到達した場合でも、該有害成分を所定の領域において好適に浄化することができる。したがって、ここで開示される排ガス浄化装置によれば、所定の領域に酸素吸蔵能が遅いOSC材を配置することによって生じ得る有害成分のエミッションを好適に防止することができる。以上、本発明の好適な実施形態について説明した。次に、本発明に関する実施例を説明するが、以下で説明する実施例は本発明を限定することを意図したものではない。<実施例1>ここでは、先ず、パイロクロア型構造と蛍石型構造との2種類の結晶構造を有しており、これらの結晶構造の含有割合がそれぞれ異なる5種類のCZ複合酸化物サンプル1~5を用意した。そして、各々のサンプルの結晶構造を調べるためにX線回折法を行い、該X線回折法によって得られた極大ピークの強度I14を極大ピークの強度I29で割った値I14/I29を求めた。かかる算出結果を表1に示す。上記表1に示されるように、サンプル1のCZ複合酸化物のI14/I29は、0.01であった。また、サンプル2のI14/I29は、0.028であった。サンプル3のI14/I29は、0.045であった。サンプル4のI14/I29は、0.047であった。サンプル5のI14/I29は、0.048であった。余力OSC量の測定上記サンプル1~5を容器に入れ、かかる容器中に酸素ガスと窒素ガスからなる混合ガス酸素濃度1を総流量10L/minで180秒間供給することで各サンプルに酸素を十分に吸蔵させた。次に、該酸素を吸蔵した各サンプルに、一酸化炭素ガスと窒素ガスからなる混合ガス一酸化炭素濃度2を総流量10L/minで供給することによって、サンプルから酸素を放出させ、一酸化炭素を二酸化炭素に酸化させた。そして、一酸化炭素ガス供給開始10秒後から120秒までに、上記容器から排出された二酸化炭素の量を酸素放出量として測定した。なお、1モルの一酸化炭素を二酸化炭素にするためには1モルの酸素が必要となるので、測定した二酸化炭素のモル数を各サンプルから放出された酸素のモル数とみなしている。そして、上記測定した酸素のモル数二酸化炭素のモル数mol-O2の積算値を各サンプルに含まれるセリウムのモル数mol-Ceで割った値を余力OSC量として算出した。この測定の結果を図8に示す。図8に示すように、I14/I29の値が大きくなるパイロクロア型構造の含有率が多くなるほど、一酸化炭素に10秒間曝された後の酸素放出量が大きくなった。すなわち、この実施例からパイロクロア型構造を多く含むOSC材は、酸素吸蔵速度が遅く余力OSC量が多く、長時間リッチ排ガスに曝されても吸蔵している酸素が枯渇しにくいことが分かった。<実施例2>次に、比表面積の異なる5種類のOSC材サンプル6~10を用意し、該OSC材の酸素吸蔵量を測定した。サンプル6サンプル6として上記I14/I29の値が0.048であり、BET比表面積が1m2/gのCZ酸化物すなわち、上記サンプル5と同じCZ酸化物を用意した。サンプル7サンプル7として上記I14/I29の値が0.01であり、BET比表面積が5m2/gのCZ酸化物すなわち、上記サンプル1と同じCZ酸化物を用意した。サンプル8サンプル8として上記I14/I29の値が0のすなわち、パイロクロア型構造を有していないCZ酸化物を用意した。このサンプルのBET比表面積は、23m2/gであった。サンプル9サンプル9として上記I14/I29の値が0のすなわち、パイロクロア型構造を有していないCZ酸化物を用意した。このサンプルのBET比表面積は、45m2/gであった。サンプル10サンプル10として上記I14/I29の値が0のすなわち、パイロクロア型構造を有していないのCZ酸化物を用意した。このサンプルのBET比表面積は、50m2/gであった。余力OSC割合の測定上記余力OSC量の測定と同様に、上記サンプル6~10に酸素を吸蔵させた後に、一酸化炭素ガスを供給し、供給開始10秒後から120秒までに上記容器から排出された二酸化炭素の量を酸素放出量として測定した。なお、図9に示すように、ここでは、測定した酸素放出量を供給開始0秒後から10秒までの酸素放出量で割った値のパーセンテージ表記である余力OSC割合を指標として用いている。図9に示すように、比表面積が小さいサンプルほど、余力OSC割合が大きくなった。すなわち、OSC材の比表面積が小さくなるほど酸素吸蔵速度が遅くなり余力OSC割合が多くなり、長時間リッチ排ガスに曝されても吸蔵している酸素が枯渇しにくくなることが分かった。さらに、I14/I29>0.01というパイロクロア型構造を多く含むサンプル6及び7のCZ酸化物では、10m2/g以下という非常に比表面積が小さなOSC材が得られることがわかった。<実施例3>ここでは、構成の異なる4種類の排ガス浄化触媒を備えた排ガス浄化装置サンプル11~14を用意し、各々の排ガス浄化装置の排ガス浄化能力を評価した。なお、サンプル11~14は、図1に示す構成の排ガス浄化装置100において、構成が異なる排ガス浄化触媒40を用いたものである。以下、サンプル11~14の排ガス浄化触媒40の構成を説明する。サンプル11サンプル11では、多孔質金属酸化物であるアルミナにOSC材としてのCZ酸化物を含ませた担体の全域に、金属酸化物としてのパラジウムPdを担持させた触媒層43を備えた排ガス浄化触媒40を用いた。なお、サンプル11のCZ酸化物は、パイロクロア型構造を有していないI14/I29=0。サンプル12サンプル12では、排ガス浄化触媒40の触媒層43の後端部45に担持されるPdの平均粒径を、サンプル11で用いたPdの平均粒径の1/40に設定し、後端部45以外の領域排ガス浄化触媒の上流部分44に担持されるPtの平均粒径を上記サンプル11で用いたPdと同等に設定した。なお、その他の構成は上記サンプル11と同等である。サンプル13サンプル13では、排ガス浄化触媒40の触媒層43の後端部45におけるPd担持量を、サンプル11のPd担持量の1/2に設定した。なお、その他の構成は上記サンプル11と同等である。サンプル14サンプル14では、排ガス浄化触媒40の触媒層43に、パイロクロア型構造を有したCZ酸化物と、蛍石型構造を有したCZ酸化物とを含ませた。なお、その他の構成は上記サンプル11と同等である。排ガス浄化能力の評価ここでは、排ガス浄化装置100をF/B制御で5分間運転させ、該運転時間中に測定されたNOxの排出量を測定した。なお、ここでの評価は、吸入空気量が少ない排ガス10g/秒が供給された場合と、流量が大きい排ガス30g/秒が供給された場合に分けて行った。流量が少ない排ガスが供給された場合の結果を図10に、流量が多い排ガスが供給された場合の結果を図11に示す。なお、図10及び図11におけるNOxエミッション排出比率とは、サンプル11のNOx排出量を1.0にした場合の各サンプルのNOx排出量を示す値である。図10に示すように、流量が少ない排ガスが供給されている場合、サンプル12,14は他のサンプルよりもNOxの排出量が少なくなっていた。すなわち、排ガスの流量が少ない場合には、酸素吸蔵速度の遅いOSC材を担体に含ませることによって、NOx排出量を少なくできることが分かった。これは、下流O2センサ15に過度なリッチ排ガスが供給されにくくなり、F/B制御の制御遅れが防止されたためと解される。一方、図11に示すように、流量が多い排ガスが供給されている場合、サンプル12のNOx排出量が増加しており、NOx排出量が好適に低減されたのはサンプル14のみであった。これは、サンプル14では、酸素吸蔵速度が遅いOSC材と、酸素吸蔵速度が速いOSC材とが併存しているため、酸素吸蔵速度が遅いOSC材を用いているにもかかわらず、適切な排ガス浄化機能を発揮できるためと解される。このように、触媒層における所定の領域内の担体に、パイロクロア型構造を有するOSC材と、パイロクロア型構造を有するOSC材よりも酸素吸蔵速度が速いOSC材とを併存させることによって、有害成分のエミッションを好適に防止できることが分かった。また、後端部においてPd担持量を他のサンプルの半分に設定したサンプル13では、NOxの排出量を抑制することが出来なかった。このことから、貴金属触媒の担持量を調整する方法では、触媒層の後端部において酸素吸蔵速度が早いOSC材と、酸素吸蔵速度が遅いOSC材とを併存させることができないと解される。"