"絶縁性を有する基板と、前記基板の主面の側に配置されている機能素子と、前記機能素子上に配置され、前記主面に接合されている絶縁性を有する蓋体と、を備え、前記主面には、平面視で前記蓋体が配置されている領域の外側に設けられている外部接続電極と、前記機能素子と前記外部接続電極との間に設けられた配線パターンと、を含み、前記基板及び前記蓋体の少なくとも一方には、前記基板と前記蓋体とを接合するための導電性を有する接合パターンが設けられ、前記接合パターンは、前記配線パターンに平面視で交差する部分が開口している第1接合パターンと、前記開口に隣在し、前記開口の幅よりも大きい第2接合パターンと、を含むことを特徴とする電子デバイス。前記第2接合パターンは、前記配線パターンと交差して設けられていることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイス。前記基板及び前記蓋体は、ガラスであることを特徴とする請求項1または2に記載の電子デバイス。前記基板及び前記蓋体は、互いに陽極接合されていることを特徴とする請求項3に記載の電子デバイス。前記配線パターンと、前記第1接合パターン及び前記第2接合パターンとは、同じ導電性材料であり、且つ、前記基板の熱膨張係数以上の熱膨張係数を有することを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の電子デバイス。前記第1接合パターン及び前記第2接合パターンは、平面視で互いにパターンが嵌合するように設けられていることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の電子デバイス。前記機能素子は、前記基板上に固定された固定電極と、前記基板上にバネ部を介して吊るされた可動部と、前記可動部に設けられ前記固定電極に間隙を介して配置された可動電極と、を含む物理量センサーであることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の電子デバイス。請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載の電子デバイスを備えたことを特徴とする電子機器。特許文献1のマイクロ構造体の構成によれば、チップダイシング時における配線溝からの水や研削粒子がセンサー内部への侵入を防ぐことができるものの、切断工程が複雑であり、また、気密封止を確保する上では不十分であるという問題がある。特許文献2の回路モジュールの構成によれば、寄生容量に関して、低誘電率の感光性有機樹脂を用いて、適正な樹脂厚みとする必要がある。また、有機材料を用いるため封止後の素子中空部は、例えば製品使用条件の最高温度が高い程、有機材料からのアウトガスにより製品の品質確保が困難になるという問題がある。特許文献3のMEMS構造体の構成によれば、以下の問題がある。1可動部及び固定部とは別に気密封止部となる周辺部がシリコン構造体として必要になる。2可動部、固定部、キャップ部に絶縁層と第1の導電層、第2の導電層、第3の導電層とを順次成膜して封止し、外縁部のパッド電極に電気導通させているため、製造工程が複雑となる。3封止界面は金属同士による接合であるため、金属の拡散速度差に由来するボイド生成カーケンダルボイドにより気密信頼性が低下する。さらには、特許文献2と同様に、絶縁層誘電体絶縁層と導体層導体薄膜配線とをフォトリソグラフィー法により積層構成とし、基板間及び導通配線間同士の絶縁を確保するとしているので、絶縁層の誘電率や所定厚みを確保しないと寄生容量を低減することができないという問題がある。また、特許文献2と同様に、有機材料を用いることにより、高温使用時のアウトガスの発生に伴い、品質確保が困難になるという問題がある。本発明は、例えば、可動部及び固定部などを有する機能素子を内蔵する電子デバイスの気密信頼性を向上させ、寄生容量やアウトガスによる機能素子の特性への影響が少なく、また簡便な工程にて製造可能な電子デバイス及びこの電子デバイスを備えた電子機器の提供を目的とする。本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例に係る電子デバイスは、絶縁性を有する基板と、前記基板の主面の側に配置されている機能素子と、前記機能素子上に配置され、前記主面に接合されている絶縁性を有する蓋体と、を備え、前記主面には、平面視で前記蓋体が配置されている領域の外側に設けられている外部接続電極と、前記機能素子と前記外部接続電極との間に設けられた配線パターンと、を含み、前記基板及び前記蓋体の少なくとも一方には、前記基板と前記蓋体とを接合するための導電性を有する接合パターンが設けられ、前記接合パターンは、前記配線パターンに平面視で交差する部分が開口している第1接合パターンと、前記開口に隣在し、前記開口の幅よりも大きい第2接合パターンと、を含むことを特徴とする。これによれば、電子デバイスは、絶縁性を有する基板及び蓋体の少なくとも一方に、基板と蓋体とを接合するための導電性を有する接合パターンが設けられ、接合パターンが配線パターンに平面視で交差する部分が開口している除去されている第1接合パターンと、開口に隣在近接し、開口の幅よりも大きい第2接合パターンと、を含む。これにより、電子デバイスは、基板と蓋体とが第1接合パターンと、第1接合パターンの開口に隣在し、開口の幅よりも大きい第2接合パターンとによって、配線パターンと第1接合パターンとの短絡を回避しつつ、接合される。この結果、電子デバイスは、第1接合パターンの開口を経て各パターンに沿って内部空間に至るまでの経路が、例えば、第2接合パターンがない場合よりも長くなることから、内部空間への外気や水分、異物などの侵入が抑制され、基板と蓋体との接合の気密信頼性を向上させることができる。また、電子デバイスは、基板及び蓋体が絶縁性を有し、接合パターンが導電性を有することから、例えば、基板及び蓋体にガラスを用い、接合パターンに低抵抗シリコンを用いることにより基板及び蓋体を陽極接合することが可能となる。これにより、電子デバイスは、基板と蓋体との接合の気密信頼性を、より向上させることができる。[適用例2]上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記第2接合パターンは、前記配線パターンと交差して設けられていることが好ましい。これによれば、電子デバイスは、第2接合パターンが配線パターンと交差して設けられていることから、各パターンに沿った経路が長くなってガラス間接合においても共有結合密度が高まり、内部空間への外気や水分、異物などの侵入が、配線パターンと交差する第2接合パターンによって更に抑制され、基板と蓋体との接合の気密信頼性を更に向上させることができる。[適用例3]上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記基板及び前記蓋体は、ガラスであることが好ましい。これによれば、電子デバイスは、基板、蓋体がガラスであることから、高温環境下における内部空間へのアウトガスの発生が低減され、長期使用時の特性劣化を抑制することができる。この結果、電子デバイスは、長期信頼性の向上など優れた品質を確保することができる。また、電子デバイスは、基板及び蓋体がガラスであることから、導電性を有する接合パターンを介して基板と蓋体とを陽極接合することが可能となる。この結果、電子デバイスは、基板と蓋体との接合がより強固となることから、基板と蓋体との接合の気密信頼性をより向上させることができる。加えて、電子デバイスは、基板及び蓋体がガラスであることにより、基板及び蓋体の陽極接合時の静電引力が均一となることから、温度変化に伴う接合部の熱応力の低減を図ることができる。[適用例4]上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記基板及び前記蓋体は、互いに陽極接合されていることが好ましい。これによれば、電子デバイスは、基板及び蓋体が互いに陽極接合されていることから、他の接合方法と比較して、基板と蓋体との接合がより強固となり、基板と蓋体との接合の気密信頼性をより向上させることができる。[適用例5]上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記配線パターンと、前記第1接合パターン及び前記第2接合パターンとは、同じ導電性材料であり、且つ、前記基板の熱膨張係数以上の熱膨張係数を有することが好ましい。これによれば、電子デバイスは、配線パターンと、第1接合パターン及び第2接合パターンとが、同じ導電性材料であり、且つ、基板の熱膨張係数以上の熱膨張係数を有することから、一括処理が可能となることによって製造工程を簡便化できると共に、各パターンの温度変化に伴うクラックの発生などの不具合を低減することができる。[適用例6]上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記第1接合パターン及び前記第2接合パターンは、平面視で互いにパターンが嵌合するように設けられていることが好ましい。これによれば、電子デバイスは、第1接合パターン及び第2接合パターンが、平面視で互いにパターンが嵌合するように設けられていることから、第1接合パターンの開口を経て各パターンに沿って内部空間に至るまでの経路を長くすることが可能となる。この結果、電子デバイスは、内部空間への外気や水分、異物などの侵入が更に抑制され、基板と蓋体との接合の気密信頼性を更に向上させることができる。[適用例7]上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記機能素子は、前記基板上に固定された固定電極と、前記基板上にバネ部を介して吊るされた可動部と、前記可動部に設けられ前記固定電極に間隙を介して配置された可動電極と、を含む物理量センサーであることが好ましい。これによれば、電子デバイスは、機能素子が固定電極と、可動部と、可動部に設けられ固定電極に間隙を介して配置された可動電極と、を含む物理量センサーであることから、上述した気密信頼性の向上、アウトガスの低減などにより良好な性能が維持され、長期信頼性に優れた物理量センサーを提供することができる。[適用例8]本適用例に係る電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載の電子デバイスを備えたことを特徴とする。これによれば、本構成の電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載の電子デバイスを備えたことから、上記適用例のいずれか一例に記載の効果を奏する電子機器を提供することができる。以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各構成要素を認識可能な程度の大きさにするため、各構成要素の尺度を実際とは異ならせてある。また、図中のX、Y、Zの各軸は、互いに直交している。実施形態1図1は、実施形態1に係る電子デバイスとしての物理量センサーの概略構成を示す模式平断面図である。図1aは、平面図であり、図1bは、図1aのA-A線での断面図であり、図1cは、図1aの要部拡大図である。なお、平面図は、説明の便宜上、透視図となっている。まず、実施形態1に係る物理量センサー100の概略構成について説明する。物理量センサー100は、絶縁性を有する基板1と、基板1の主面1a側に配置されている機能素子としてのセンサー素子2と、センサー素子2を内部空間7を介して覆い基板1の主面1aに接合されている絶縁性を有する蓋体3と、を備えている。基板1には、例えば、厚みが約0.5mmのホウケイ酸ガラスが用いられている。なお、このガラスの熱膨張係数線膨張係数は、一例として3.3×106/kである。基板1は、略矩形平板状であり、主面1aの蓋体3との接合部分の外側X側の外縁部には外部接続電極としてのボンディングパッド4a,4b,4cがY軸方向に並んで設けられている。基板1の主面1aには、平面形状Z軸方向から見た形状が略矩形の凹部5が形成されている。センサー素子2は、基板1上に支持固定された支持部2a,2bと、基板1上に固定された固定電極2c,2dと、基板1上にバネ部2e,2fを介して吊るされた可動部2gと、可動部2gに設けられ、固定電極2c,2dと間隙を介して配置された可動電極2hと、を備えている。センサー素子2は、例えば、基板1の主面1aに凹部5を覆うように接合された低抵抗のシリコン基板などの半導体基板を、フォトリソグラフィー法を用いたエッチングにより加工することで各構成要素が一括して形成される。センサー素子2は、可動部2gのX軸方向への変位揺動に伴う固定電極2c,2dと可動電極2hとの間の静電容量の変化により、例えば、加速度などの物理量の検出が可能な構成となっている。蓋体3には、例えば、厚みが約0.3mmのホウケイ酸ガラスが用いられている。蓋体3は、略矩形平板状であり、基板1の主面1aと接合される接合封止面6のZ側に凹形状の内部空間7が形成されている。内部空間7は、平面形状が略矩形であって、平面視でセンサー素子2を収容可能な大きさとなっている。物理量センサー100は、基板1の凹部5と蓋体3の内部空間7とにより、センサー素子2の可動空間センサー素子2の動作揺動が可能な空間が形成されている。基板1の凹部5よりX側の主面1aには、センサー素子2の可動電極2h支持部2aと接続されている電極8aと、センサー素子2の固定電極2cと接続されている電極8bと、センサー素子2の固定電極2dと接続されている電極8cとが、Y軸方向に並んで設けられている。電極8a,8b,8cは、基板1の主面1aをフォトリソグラフィー法により、例えば、約0.5μmエッチングして形成された凹溝内に設けられた配線パターンとしての配線部9a,9b,9cと導通されている。配線部9a,9b,9cは、センサー素子2とボンディングパッド4a,4b,4cとの間に設けられている。詳述すると、配線部9a,9b,9cは、電極8a,8b,8cからX軸に沿ってX方向に延び、Y軸方向に延びる蓋体3の接合封止面6と平面視で交差して、基板1のボンディングパッド4a,4b,4cとそれぞれ導通されている。配線部9a,9b,9cは、例えば、スパッタリング法などにより低抵抗シリコンウエハーをターゲットとして成膜され、その後CMPChemicalMechanicalPolish法により基板1の主面1aと平坦化されている。なお、配線部9a,9b,9cには、Au、Ag、Al、Cr、Niなどの金属材料を用いてもよい。基板1の主面1aにおける蓋体3の接合封止面6と対向する部分には、第1接合パターン10が、接合封止面6の平面形状に倣って略四角い枠状に形成されている。第1接合パターン10の配線部9a,9b,9cと交差する部分は、開口除去され、第1接合パターン10と配線部9a,9b,9cとの重なりが回避されている。したがって、配線部9aと配線部9bとの間、及び配線部9bと配線部9cとの間の第1接合パターン10は、略矩形の島状に形成されている。つまり、第1接合パターン10は、配線部9a,9b,9c近傍で部分的に途切れた形状で設けられている。第1接合パターン10は、基板1の主面1aをフォトリソグラフィー法により、例えば、約0.5μmエッチングして形成された凹溝内に、例えば、スパッタリング法などにより低抵抗シリコンウエハーをターゲットとして成膜され、その後CMP法によって基板1の主面1aと平坦化されている。なお、第1接合パターン10には、Al、Cr、Ni、Tiなどの金属材料、及びそれらを主成分とした合金を用いてもよい。第1接合パターン10と配線部9a,9b,9cとの間には、それぞれ、例えば、約20μmの間隔S1が設けられている。第1接合パターン10の幅は、例えば、蓋体3の接合封止面6の約200μmの幅に対して、約80μmとなっている。また、図1cに示すように、配線部9aの近傍には、第1接合パターン10のセンサー素子2側に隣在近接して、第1接合パターン10に沿うように平行に第2接合パターン11aが設けられている。第2接合パターン11aは、第1接合パターン10の開口の幅配線部9aのY側の第1接合パターン10の端部と、配線部9aの-Y側の第1接合パターン10の端部とのY軸方向の距離よりもY軸方向に大きく長く形成され、第1接合パターン10の開口を塞ぐような位置に配線部9aと交差してここでは直交して設けられている。第2接合パターン11aは、第1接合パターン10と同様に、基板1の主面1aをフォトリソグラフィー法により、例えば、約0.5μmエッチングして形成された凹溝内に、例えば、スパッタリング法などにより低抵抗シリコンウエハーをターゲットとして成膜され、その後CMP法によって基板1の主面1aと平坦化されている。なお、第2接合パターン11aは、本実施形態では配線部9aと一体化して形成されている。なお、第2接合パターン11aには、Al、Cr、Ni、Tiなどの金属材料、及びそれらを主成分とした合金を用いてもよい。第2接合パターン11aの幅X軸方向のサイズは、例えば、約80μmであり、第1接合パターン10との間隔X軸方向の距離S2は、約20μmである。配線部9b,9cの近傍には、第2接合パターン11aと同様の構成で、第2接合パターン11b,11cが設けられている。図1aに示すように、第2接合パターン11aと第2接合パターン11bとの間、第2接合パターン11bと第2接合パターン11cとの間には、約20μmの間隔S3が設けられている。物理量センサー100は、これらの間隔S1,S2,S3を設けたことにより、配線部9a,9b,9c間の寄生容量が無視できるレベルにまで低減されている。なお、配線部9a,9b,9c、第1接合パターン10及び第2接合パターン11a,11b,11cに用いられている低抵抗シリコンの熱膨張係数線膨張係数は、一例として3.8×106/kであり、基板1に用いられているガラスの熱膨張係数3.3×106/k以上の値となっている。なお、配線部9a,9b,9c、第1接合パターン10、第2接合パターン11a,11b,11cに低抵抗シリコン以外のAl、Cr、Ni、Tiなどの金属材料、及びそれらを主成分とした合金を用いる場合でも、その熱膨張係数は、基板1に用いられているガラスの熱膨張係数3.3×106/k以上の値となっていることが好ましい。内部空間7を有する蓋体3は、基板1上に配置されたセンサー素子2を内部空間7を介して覆い、センサー素子2を外部環境の外気や水分、異物から保護する機能を果たす。そして、蓋体3は、物理量センサー100が例えば、加速度センサーであれば、内部空間7が窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガスが充填された状態で気密封止され、ジャイロセンサー角速度センサーであれば、内部空間7が真空状態減圧状態で気密封止される。図1bに示すように、蓋体3例えば、ホウケイ酸ガラスの接合封止面6は、第1接合パターン10例えば、低抵抗シリコン、第2接合パターン11a,11b,11c例えば、低抵抗シリコンが形成されている基板1例えば、ホウケイ酸ガラスの主面1aに、陽極接合法を用いて接合される。詳述すると、基板1と基板1上に位置合わせされて配置された蓋体3とは、例えば、ヒーター31上で350°C程度に加熱された状態で、蓋体3上に載置された電極板30と、基板1の第1接合パターン10及び第2接合パターン11a,11b,11cとの間に、接合電源32から800ボルト程度の電圧が印加されることにより、陽極接合される。基板1の主面1aは、配線部9a,9b,9c及びその近傍でも、配線部9a,9b,9c及び島状の第1接合パターン10が、主面1aと平坦化されて設けられていることから、陽極接合時の静電引力により、対向する蓋体3の接合封止面6と気密接合が可能である。なお、配線部9a,9b,9cと島状の第1接合パターン10との間隔S1約20μmは、気密接合に対して支障がない寸法設定となっている。この陽極接合の際、配線部9a,9b,9c、第2接合パターン11a,11b,11c及び第1接合パターン10に用いられた低抵抗シリコンは、対向する蓋体3に用いられたホウケイ酸ガラスに対して、大きな静電引力によって分子レベルまで表面が近接し、接合される。この結果、配線部9a,9b,9c、第1接合パターン10及び第2接合パターン11a,11b,11c、に挟まれたホウケイ酸ガラス表面間基板1の主面1aの間隔S1,S2,S3部分と、対向する蓋体3の接合封止面6との間においても水酸基が与る脱水縮合反応により共有結合が形成され、強固で気密性に優れた接合封止がなされる。なお、島状の第1接合パターン10は、例えば、蓋体3の外側に引き出された図示しない配線によって、第1接合パターン10本体に接続されている。これにより、島状の第1接合パターン10部分と蓋体3との間においても確実に陽極接合がなされる。なお、本実施形態では、第2接合パターン11a,11b,11cは、第1接合パターン10と同じパターン幅として説明したが、配線部9a,9b,9c近傍の第1接合パターン10と平面視で重畳しない範囲で、蓋体3の接合封止面6下でパターン幅を拡げてもよいし、パターンの一部が内部空間7側に露出した形態としてもよい。また、第1接合パターン10のパターン幅は、約80μmとしたが接合封止面6より外側ボンディングパッド4a,4b,4c側に一部を露出させた形態であってもよく、この場合でも前述した陽極接合が可能であり、気密性が確保される。なお、図1bに示すように、複数個取りされた物理量センサー100は、分割線13の位置で個別に分割される。以上述べたように、本実施形態に係る物理量センサー100によれば、以下の効果を得ることができる。物理量センサー100は、絶縁性を有する基板1及び蓋体3の内、基板1に基板1と蓋体3とを接合するための導電性を有する接合パターンが設けられ、接合パターンが配線部9a,9b,9cに平面視で交差する部分が開口した除去された第1接合パターン10と、開口に隣在近接し、開口の幅よりも大きい第2接合パターン11a,11b,11cと、を含んで構成されている。これにより、物理量センサー100は、基板1と蓋体3とが第1接合パターン10と、第1接合パターン10の開口に隣在し、開口の幅よりも大きい第2接合パターン11a,11b,11cとによって、各接合パターンを介した配線部9a,9b,9c間の短絡を回避しつつ、接合される。この結果、物理量センサー100は、第1接合パターン10の開口から配線部9a,9b,9cや各接合パターンに沿って内部空間7に至るまでの経路が、例えば、第2接合パターン11a,11b,11cがない場合よりも長くなる。したがって、物理量センサー100は、第1接合パターン10の開口から内部空間7への外気や水分、異物などの侵入が抑制され、基板1と蓋体3との接合の気密信頼性を向上させることができる。また、物理量センサー100は、基板1及び蓋体3が絶縁性を有し、第1接合パターン10が導電性を有することから、例えば、基板1及び蓋体3にガラスホウケイ酸ガラスを用い、第1接合パターン10及び第2接合パターン11a,11b,11cに低抵抗シリコンを用いることにより基板1及び蓋体3を陽極接合することが可能となる。これにより、物理量センサー100は、基板1と蓋体3との接合の気密信頼性を、より向上させることができる。また、物理量センサー100は、第2接合パターン11a,11b,11cが配線部9a,9b,9cと交差して設けられていることから、配線部9a,9b,9cに沿っての内部空間7への外気や水分、異物などの侵入が、第2接合パターン11a,11b,11cによって更に抑制され、基板1と蓋体3との接合の気密信頼性を更に向上させることができる。また、物理量センサー100は、基板1、蓋体3及び第1接合パターン10及び第2接合パターン11a,11b,11cが無機材料を含んでなることから、高温環境下における内部空間7へのアウトガスの発生が低減され、長期使用時の特性劣化を抑制することができる。この結果、物理量センサー100は、長期信頼性の向上など優れた品質を確保することができる。また、物理量センサー100は、基板1及び蓋体3がガラスであることから、導電性を有する第1接合パターン10及び第2接合パターン11a,11b,11cを介して基板1と蓋体3とを陽極接合することが可能となる。この結果、物理量センサー100は、基板1と蓋体3との接合が、他の接合方法と比較して、より強固となることから、基板1と蓋体3との接合の気密信頼性をより向上させることができる。加えて、物理量センサー100は、基板1及び蓋体3がガラスであることにより、基板1及び蓋体3の陽極接合時の静電引力が均一となることから、温度変化に伴う両者の接合部の熱応力の低減を図ることができる。また、物理量センサー100は、配線部9a,9b,9cと、第1接合パターン10及び第2接合パターン11a,11b,11cとが、同じ導電性材料であり、且つ、基板1の熱膨張係数以上の熱膨張係数を有することから、一括処理が可能となるなどにより製造工程を簡便化できると共に、配線部9a,9b,9c、第1接合パターン10及び第2接合パターン11a,11b,11cの温度変化に伴うクラックの発生などの不具合を低減することができる。また、物理量センサー100は、絶縁性を有するホウケイ酸ガラスからなる基板1の主面1aに平坦化された第1接合パターン10を設け、絶縁性を有するホウケイ酸ガラスからなる蓋体3で基板1の主面1aを覆う構成となっていることから、配線部9a,9b,9c間における寄生容量を低くすることができる。また、物理量センサー100は、配線部9a,9b,9cによりセンサー素子2からボンディングパッド4a,4b,4cへと電気的な導通確保がなされ、且つ、陽極接合による静電引力により密着したガラス表面間基板1の主面1aと蓋体3の接合封止面6との間の接合もなされるため、気密信頼性の高い配線部9a,9b,9cの封止が可能である。また、物理量センサー100は、配線部9a,9b,9c、第1接合パターン10及び第2接合パターン11a,11b,11c部分が積層構造を必要としない構成であり、複雑なプロセスを要しないことから、製造コストの大幅な低減が可能である。なお、本実施形態において、複数の電極8a,8b,8cを内部空間7の矩形形状の一辺側に集中配置した構成としたが、複数辺への分散配置としても構わない。また、電極8a,8b,8cは、配線部9a,9b,9cとの電気的導通に支障がなければ、基板1の主面1aの凹溝内ではなく、主面1a上に設けられてもよい。実施形態2次に、実施形態2に係る電子デバイスとしての物理量センサーの概略構成について説明する。図2は、実施形態2に係る物理量センサーの概略構成を示す模式平断面図である。図2aは、平面図であり、図2bは、図2aのB-B線での断面図である。なお、実施形態1と同一の構成要素については、同一の符号を付し重複する説明は省略する。図2に示すように、物理量センサー200は、第2接合パターン111a,111b,111cが蓋体3の接合封止面6の凹溝内に形成されている。第2接合パターン111aは、第1接合パターン10の開口の幅配線部9aのY側の第1接合パターン10の端部と、配線部9aの-Y側の第1接合パターン10の端部とのY軸方向の距離よりもY軸方向に大きく長く形成され、平面視で開口を塞ぐような位置に配線部9aと交差して設けられている。第2接合パターン111b,111cは、第2接合パターン111aと同様に形成され、それぞれ配線部9b,9cと交差して設けられている。加えて、物理量センサー200は、接合封止面6における内部空間7側の縁部に沿って第3接合パターン112が凹溝内に形成されている。第3接合パターン112は、第2接合パターン111aの近傍から内部空間7側の縁部に沿って内部空間7を囲むように第2接合パターン111cの近傍まで延設されている。また、第3接合パターン112は、平面視で第1接合パターン10と重ならないように形成されている。第2接合パターン111a,111b,111c及び第3接合パターン112は、実施形態1の第1接合パターン10などと同様の方法で接合封止面6の凹溝内に形成され、接合封止面6と平坦化されている。第2接合パターン111a,111b,111c及び第3接合パターン112は、例えば、厚みが約0.5μm凹溝の深さ約0.5μm、パターン幅が約80μmに形成されている。なお、第3接合パターン112と第2接合パターン111a,111cとの間には、約20μmの間隔が設けられている。これにより、図2bに示すように、蓋体3の、例えば、約200μm幅の接合封止面6は、基板1の主面1aに設けられた、例えば、約80μm幅の第1接合パターン10と、例えば、約20μm幅の間隔S102を設けて蓋体3の接合封止面6に設けられた、例えば、約80μm幅の第2接合パターン111a,111b,111c及び第3接合パターン112とにより、対向する基板1の主面1aと陽極接合によって接合される。換言すれば、基板1側の配線部9a,9b,9c及び第1接合パターン10と、対向する蓋体3との間、蓋体3側の第2接合パターン111a,111b,111c及び第3接合パターン112と、対向する基板1との間で、陽極接合が可能である。なお、第1接合パターン10と第2接合パターン111a,111b,111cとの間隔S102は、約20μmとしたが、これは、基板1と蓋体3との積層工程におけるアライメント精度位置合わせ精度などを考慮して設定されたものである。詳述すると、間隔S102は、基板1の第1接合パターン10と、蓋体3の第2接合パターン111a,111b,111cとの接触に起因する、第1接合パターン10及び第2接合パターン111a,111b,111cを介した配線部9a,9b,9c間の短絡を回避する観点から、例えば、±5μmのアライメント精度であれば、少なくとも6μm以上、できれば10μm以上を確保することが好ましい。したがって、本実施形態では、間隔S102の設定値としては、他の寸法公差も加味して20μmとしてある。以上述べたように、本実施形態に係る物理量センサー200によれば、実施形態1での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。物理量センサー200は、第1接合パターン10及び第2接合パターン111a,111b,111cに加え、第3接合パターン112が蓋体3の接合封止面6に設けられて陽極接合されているので、各接合パターン112などと基板1の主面1a及び蓋体3の接合封止面6との陽極接合時の静電引力の強度が強まる。これにより、物理量センサー200は、より信頼性の高い気密封止を実現しつつ、内部空間7のセンサー素子2電極8a,8b,8cと、ボンディングパッド4a,4b,4cとの電気的導通を可能としている。この結果、物理量センサー200は、基板1と蓋体3との接合の気密信頼性を実施形態1よりも向上させることができる。実施形態3次に、実施形態3に係る電子デバイスとしての物理量センサーの概略構成について説明する。図3は、実施形態3に係る物理量センサーの概略構成を示す模式要部平面図である。図3aは、構成要素を分離した状態を示す要部平面図であり、図3bは、図3aの構成要素を積層し接合した状態を示す要部平面図である。図4は、図3bのC-C線での模式断面図である。なお、図3は、説明の便宜上、透視図としてある。また、上記各実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付し重複する説明は省略する。図3に示すように、物理量センサー300は、基板1の第1接合パターン210と蓋体3の第2接合パターン211a,211bとが、平面視で互いにパターンが所定の間隔を有して嵌合するように設けられている。なお、図3では図示しないが、配線部9c図2参照と交差する第2接合パターン211c第2接合パターン211bのY側に位置し、実施形態2の第2接合パターン111cに相当するも同様である。詳述すると、図3aの紙面右側に示す基板1では、配線部9aの-Y側の第1接合パターン210の-X側に凹部切り欠きが形成され、配線部9aのY側の第1接合パターン210の島状に形成された部分以降、説明の便宜上、第1接合パターン210aとするの-X側に凹部が形成され、この凹部の中央部分から-X方向に突出する凸部210bが形成されている。一方、図3aの紙面左側に示す蓋体3の接合封止面6では、基板1の配線部9aと交差する位置関係にある第2接合パターン211aのX側に凹部が形成され、同様に、図示しない配線部9bと交差する位置関係にある第2接合パターン211bのX側に凹部が形成され、同様に、図示しない配線部9cと交差する位置関係にある第2接合パターン211cのX側に凹部が形成されている。そして、図3bに示すように、基板1に蓋体3が積層されて接合されると、平面視で蓋体3の接合封止面6内では、第2接合パターン211aの凹部内に、配線部9aの-Y側の第1接合パターン210の凹部の縁部分凹んでいない部分と、配線部9aのY側の第1接合パターン210aの凹部の-Y側の縁部分とが、配線部9aを挟んで嵌合している。さらに、配線部9aの-Y側の第1接合パターン210の凹部内に、第2接合パターン211aの凹部の-Y側の縁部分が嵌合している。また、第2接合パターン211aと第2接合パターン211bとの間には、第1接合パターン210aの凸部210bが嵌合している挟まれるように配置されている。加えて、第1接合パターン210aの凹部における凸部210bよりY側には、第2接合パターン211bの凹部の-Y側の縁部分が嵌合している。図3では図示しないが、配線部9b,9cでも配線部9aと同様に、第2接合パターン211b,211cと第1接合パターン210とが互いに嵌合するように設けられている。なお、第2接合パターン211a,211b,211cは、基板1に蓋体3が積層されることにより、それぞれ配線部9a,9b,9cと接触し、陽極接合の際の電圧印加時には配線部9a,9b,9cと同電位となる。第1接合パターン210,210a及び第2接合パターン211a,211b,211cは、陽極接合の際に陽極電位とされ、基板1及び蓋体3は、図示しない陰極電極板電極板に挟持されて、加熱下にて陽極接合される。なお、図4に示すように、第1接合パターン210,210a及び第2接合パターン211a,211b,211cの所定の間隔部分各パターンが形成されていない部分では、基板1の主面1aと蓋体3の接合封止面6との間で、水酸基が与る脱水縮合反応により共有結合が形成され、強固で気密性に優れた接合封止がなされる。また、図3bに示すように、接合封止面6における第1接合パターン210と第1接合パターン210aとの開口から、各パターン211aなどに沿って内部空間7に至るまでの経路は、各パターン同士の嵌合によって、上記各実施形態よりも長くなっている。これにより、物理量センサー300は、第1接合パターン210と第1接合パターン210aとの開口から内部空間7への外気や水分、異物などの侵入が更に抑制され、優れた気密信頼性を確保することが可能である。また、図4に示すように、陽極接合後、第1接合パターン210,210aと第2接合パターン211a,211b,211cとが絶縁確保され、不要な寄生容量の発生も付加されない状態となっている。以上述べたように、本実施形態に係る物理量センサー300によれば、実施形態2での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。物理量センサー300は、基板1の主面1aの凹溝内に平坦化して設けられた第1接合パターン210,210aと、蓋体3の接合封止面6の凹溝内に平坦化して設けられた第2接合パターン211a,211b,211cとを、平面視で互いに嵌合する以下、パターン嵌合ともいう形状としている。これにより、物理量センサー300は、第1接合パターン210と第1接合パターン210aとの開口から内部空間7までの各パターンに沿った経路が長くなることから、ガラス間接合における共有結合密度が高まり、内部空間7への外気や水分、異物などの侵入が更に抑制され、優れた気密信頼性を確保することが可能である。なお、本発明は上述した各実施形態に限定されず、上述した各実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。上記実施形態3では、図3のように、第1接合パターン210,210a及び第2接合パターン211a,211b,211cが、パターン嵌合された一例について説明したが、この構成に限定されるものではない。変形例1図5は、実施形態3の変形例1に係る物理量センサーの概略構成を示す模式要部平面図である。なお、上記各実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。以下、変形例1に係る物理量センサー301の概略構成について説明する。図5に示すように、物理量センサー301では、第1接合パターン310,310aの凹部と、配線部9aと交差する第2接合パターン311aの凹部とが複数形成され、これら複数の凹部と凹部の縁部分とが互いに嵌合している構成となっている。なお、図5では図示しないが、配線部9b,9cでも配線部9aと同様の構成で、配線部9b,9cと交差する第2接合パターンと、第1接合パターン310とが、互いに嵌合するように形成されている。これによれば、物理量センサー301は、基板1と蓋体3とに陽極接合時の静電引力をより強く働かせることが可能となると共に、第1接合パターン310と第1接合パターン310aとの開口から各パターンに沿って内部空間7に至るまでの経路が実施形態3よりも更に長くなることから、ガラス間接合における共有結合密度が高まり、内部空間7への外気や水分、異物などの侵入が更に抑制され、優れた気密信頼性を確保することが可能である。変形例2図6は、実施形態3の変形例2に係る物理量センサーの概略構成を示す模式要部平面図である。なお、上記各実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。以下、変形例2に係る物理量センサー302の概略構成について説明する。図6に示すように、物理量センサー302では、第1接合パターン410,410aと、配線部9aと交差する第2接合パターン411aとのパターン嵌合が、対向する2つの鋸の刃が互いに噛み合うような構成換言すれば、対向する2つのY軸方向に連続した三角形状の凸部の、山と谷とが嵌合する構成となっている。なお、図6では図示しないが、配線部9b,9cでも配線部9aと同様の構成で、配線部9b,9cと交差する第2接合パターンと第1接合パターン410とが、互いに嵌合するように形成されている。これによれば、物理量センサー302は、変形例1と同様に、基板1と蓋体3とに陽極接合時の静電引力をより強く働かせることが可能となると共に、第1接合パターン410と第1接合パターン410aとの開口から各パターンに沿って内部空間7に至るまでの経路が実施形態3よりも更に長くなることから、ガラス間接合における共有結合密度が高まり、内部空間7への外気や水分、異物などの侵入が更に抑制され、優れた気密信頼性を確保することが可能である。なお、上記各変形例において、嵌合部分の各パターンの外形形状は、直線形状に限定されず曲線形状でもよい。これによれば、第1接合パターン310410と第1接合パターン310a410aとの開口から各パターンに沿って内部空間7に至るまでの経路が更に長くなることから、更に優れた気密信頼性を確保することが可能である。なお、この構成は、実施形態3にも適用可能である。電子機器次に、上記各実施形態及び各変形例の電子デバイスとしての物理量センサーを備えた電子機器を説明する。図7は、物理量センサーを備えた電子機器としてのモバイル型またはノート型のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。図7に示すように、パーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部1103を有する表示ユニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター1100には、物理量センサー100が内蔵されている。なお、パーソナルコンピューター1100には、物理量センサー100に代えて物理量センサー200,300,301,302のいずれかが内蔵されていてもよい。図8は、物理量センサーを備えた電子機器としての携帯電話機PHSも含むの構成を示す斜視図である。図8に示すように、携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202、受話口1204及び送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には、表示部1205が配置されている。このような携帯電話機1200には、物理量センサー100が内蔵されている。なお、携帯電話機1200には、物理量センサー100に代えて物理量センサー200,300,301,302のいずれかが内蔵されていてもよい。図9は、物理量センサーを備えた電子機器としてのデジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図9には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ1300は、被写体の光像をCCDChargeCoupledDeviceなどの撮像素子により光電変換して撮像信号画像信号を生成する。デジタルスチルカメラ1300におけるケースボディー1302の背面図中手前側には、表示部1310が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部1310は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース1302の正面側図中奥側には、光学レンズ撮像光学系やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。撮影者が表示部1310に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリー1308に転送格納される。また、このデジタルスチルカメラ1300においては、ケース1302の側面に、ビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子1312には、テレビモニター1430が、データ通信用の入出力端子1314には、パーソナルコンピューター1440が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー1308に格納された撮像信号が、テレビモニター1430や、パーソナルコンピューター1440に出力される構成になっている。このようなデジタルスチルカメラ1300には、物理量センサー100が内蔵されている。なお、デジタルスチルカメラ1300には、物理量センサー100に代えて物理量センサー200,300,301,302のいずれかが内蔵されていてもよい。このような電子機器は、気密信頼性が高く長期信頼性に優れた物理量センサー100または物理量センサー200,300,301,302のいずれかを備えるので、優れた性能を発揮することができる。なお、上記物理量センサーを備えた電子機器は、図7のパーソナルコンピューターモバイル型パーソナルコンピューター、図8の携帯電話機、図9のデジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置例えばインクジェットプリンター、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳通信機能付も含む、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡、魚群探知機、各種測定機器、計器類例えば、車両、航空機、船舶の計器類、フライトシミュレーターなどに適用することができる。"