赤色、緑色、青色の光に感度を有するフォトダイオードが形成される素子層と、この素子層から電荷を転送するための配線構成を備える配線層とを備える裏面照射型固体撮像素子において、前記素子層と前記配線層との間に、前記素子層側から到来する光の反射を抑制する低反射率の膜を形成したことを特徴とする裏面照射型固体撮像素子。低反射率の膜は、タングステンまたはタングステンシリサイドにより構成されていることを特徴とする請求項1に記載の裏面照射型固体撮像素子。低反射率の膜を、前記素子層に隣接して形成される層間絶縁膜の上に形成することを特徴とする請求項1または2に記載の裏面照射型固体撮像素子。本発明はこのような裏面照射型固体撮像素子における現状に鑑みてなされたもので、その目的は、比較的簡単な構成によって混色の発生を防止することが可能な裏面照射型固体撮像素子を提供することである。本発明に係る裏面照射型固体撮像素子は、赤色、緑色、青色の光に感度を有するフォトダイオードが形成される素子層と、この素子層から電荷を送出するための配線構成を備える配線層とを備える裏面照射型固体撮像素子において、前記素子層と前記配線層との間に、前記素子層側から到来する光の反射を抑制する低反射率の膜を形成したことを特徴とする。本発明に係る裏面照射型固体撮像素子では、低反射率の膜は、タングステンまたはタングステンシリサイドにより構成されていることを特徴とする。本発明に係る裏面照射型固体撮像素子では、低反射率の膜を、前記素子層に隣接して形成される層間絶縁膜の上に形成することを特徴とする。本発明に係る裏面照射型固体撮像素子によれば、素子層と配線層との間に、素子層側から到来する光の反射を抑制する低反射率の膜を形成したので、画素におけるフォトダイオードを透過して上記配線層へ向かう光は低反射率の膜によってほとんど反射されることはなく、隣接する画素のフォトダイオードへ入射しなくなり、混色を防止することができる。本発明に係る裏面照射型固体撮像素子によれば、低反射率の膜を、素子層に隣接して形成される層間絶縁膜の上に形成するので、フォトダイオードの暗電流を抑制する効果を維持しながら、低反射率の膜によって隣接する画素のフォトダイオードへの光の入射をなくし、混色を防止することができる。以下、添付図面を参照して本発明の裏面照射型固体撮像素子の実施形態を説明する。各図において同一の構成要素には同一の符号を付して重複する説明を省略する。図1に、実施形態に係る裏面照射型固体撮像素子を裏面側から目視した平面図が示されている。この裏面照射型固体撮像素子は、赤画素、緑画素、青画素がマトリックス状に配置されたものであり、隣接する画素の色が異なるものとなっている。勿論、マトリックス状以外にハニカム状に配列されていてもよい。素子断面図を図2に示す。裏面照射型固体撮像素子は、P型シリコン半導体基板1に必要な層を形成したものであり、ここではP型シリコン半導体基板1には、N型不純物層2、3、4を形成し、このN型不純物層2、3、4の上面にP型不純物層5、6、7を配置する。上記N型不純物層2、3、4は、光電変換により発生した電荷を蓄積するものであり、P型不純物層5、6、7は、表面のシールド及びフォトダイオードの暗電流を抑制する機能を有している。N型不純物層2、3、4の間隙には、ダイオード間の分離を強化するためのP型不純物層8、9、10、11が配置されている。また、N型不純物層2、3、4の裏面側には、裏面のシールド及びフォトダイオードの暗電流を抑制する機能を有するP型不純物層12が配置されている。更に、P型シリコン半導体基板1における上記P型不純物層5、6、7の上面側は層間絶縁膜13が形成されており、この層間絶縁膜13の上方には、各画素に対応しており且つ側方のP型不純物層8、9、10、11側へ広がった大きさを有する低反射率膜34、35、36が配置されている。この低反射率膜34、35、36は、たとえばタングステンにより構成することができる。上記低反射率膜34、35、36の上方には、層間絶縁膜37が形成され、更に、層間絶縁膜37の上方には、配線層14が形成されている。この配線層14は、図示しない例えば電荷転送トランジスタに接続されるもので、N型不純物層2、3、4を含む素子層から電荷を送出するための配線構成を備えている。配線層14の上方には層間絶縁膜15が形成され、この層間絶縁膜15の上方には配線層16、17、18、19、20、21が配置されている。この配線層16、17、18、19、20、21は、増幅トランジスタやリセットトランジスタに接続される配線構成を備えている。この配線層16、17、18、19、20、21は、層間絶縁膜22に埋設されている。また、P型シリコン半導体基板1における上記P型不純物層12の裏面側は層間膜23が設けられており、この層間膜23の裏面側にはカラーフィルタ24、25、26が設けられている。カラーフィルタ24、25、26は、それぞれ入射光を赤色光、緑色光、青色光に分離するものである。カラーフィルタ24、25、26の裏面側には、層間膜27が配置されており、層間膜27の裏面側には、入射光を集光するマイクロレンズ28、29、30が配置されている。最裏面のマイクロレンズ28から上方の部分が赤画素31を構成し、マイクロレンズ29から上方の部分が緑画素32を構成し、マイクロレンズ30から上方の部分が青画素33を構成している。上記のように構成された本実施形態に係る裏面照射型固体撮像素子においては、例えば図2に示されるように、赤画素31におけるマイクロレンズ28の端部から光が入射すると、マイクロレンズ28により屈折されカラーフィルタ24によって赤色分離された赤色光Lはフォトダイオードを構成するN型不純物層2へ斜めに入所する。この赤色光Lの一部がフォトダイオードを通過して層間絶縁膜13から上方へ進んだ場合には、低反射率膜34によって透過光の反射が抑制され、隣接する緑画素32のフォトダイオードへ到達することはない。その結果、赤色と緑色の混色を防ぐことができ、精度の良い画像を得ることができる。この作用は、赤画素31と緑画素32との間に限ることなく、隣接する画素間において同様に作用し、混色の防止が図られる。上記本実施形態に係る裏面照射型固体撮像素子の製造方法は図3から図5に示す通りである。まず、図3に示すようにP型シリコン半導体基板1に、光電変換により発生した電荷を蓄積するN型不純物層2、3、4と、N型不純物層2、3、4の表面側に設けられP型シリコン半導体基板1の表面をシールドしフォトダイオードの暗電流を抑制するP型不純物層5、6、7と、上記N型不純物層2、3、4の間隙に設けられフォトダイオードの分離を強化するP型不純物層8、9、10、11と、N型不純物層2、3、4の裏面側に設けられP型シリコン半導体基板1の裏面をシールドしフォトダイオードの暗電流を抑制するP型不純物層12と、P型シリコン半導体基板1の表面におけるP型不純物層5、6、7より上方に層間絶縁膜13を、形成する。次に、層間絶縁膜13の上方全面に、低反射率膜を堆積する。この低反射率膜は、タングステンによって構成することができる。次に、各画素に対応しており且つ側方のP型不純物層8、9、10、11側へ広がった大きさを有するようにパターンニングして低反射率膜34、35、36を形成する図4。続いて層間絶縁膜37を形成した後、層間絶縁膜37の上に配線層14を形成する図5。次に、層間絶縁膜15を形成し、更に配線層16、17、18、19、20、21を形成し、層間絶縁膜22を形成して、P型シリコン半導体基板1の裏面を研削する。次に、上記研削した面に層間膜23を形成し、この層間膜23の裏面側にカラーフィルタ24、25、26を形成して、更にその裏面側にマイクロレンズ28、29、30を形成して、図2に示す本実施形態に係る裏面照射型固体撮像素子を得る。本発明では素子層と配線層との間に、素子層側から到来する光の反射を抑制する低反射率膜を形成したことを特徴としている。この反射率膜形成の工程は、図3から図5によって示した工程によっても良いが、特にこれに限定されることなく、公知の裏面照射型固体撮像素子の製造工程において適宜な工程の間において実施することができる。更に、低反射率膜としては、タングステンを示したが、タングステンシリサイドでもよく、また反射光が光電変換に寄与しない程度の反射率の低い他の素材による膜を採用することができる。