"電流信号により駆動される駆動対象へ電流信号を出力する駆動回路において、前記駆動対象の駆動信号がベースへ入力される入力トランジスタと、前記入力トランジスタのエミッタ側に接続され、前記入力トランジスタのコレクタに流れる信号の変調振幅を調整する変調電流源と、前記入力トランジスタのコレクタ側に接続され、前記入力トランジスタのコレクタに流れる信号のバイアス電流を調整するバイアス電流源と、前記入力トランジスタのコレクタと前記バイアス電流源との間に設けられたシリーズインダクタと、前記バイアス電流源と前記シリーズインダクタとの間に接続されており、前記変調電流源により変調振幅を調整され、前記バイアス電流源によりバイアス電流を調整された電流信号を、前記駆動対象へ出力する出力部と、を備えることを特徴とする駆動回路。前記バイアス電流源と前記シリーズインダクタとの間に一端が接続され、前記出力部に他端が接続されたインダクタを備えることを特徴とする請求項1に記載の駆動回路。前記バイアス電流源に一端が接続され、前記シリーズインダクタと前記出力部との間に他端が接続されたインダクタを備えることを特徴とする請求項1または2に記載の駆動回路。前記シリーズインダクタと直列に設けられた抵抗を備えることを特徴とする請求項1~3のいずれか一つに記載の駆動回路。駆動信号がベースへ入力される入力トランジスタと、前記入力トランジスタのエミッタ側に接続され、前記入力トランジスタのコレクタに流れる信号の変調振幅を調整する変調電流源と、前記入力トランジスタのコレクタ側に接続され、前記入力トランジスタのコレクタに流れる信号のバイアス電流を調整するバイアス電流源と、前記入力トランジスタのコレクタと前記バイアス電流源との間に設けられたシリーズインダクタと、前記バイアス電流源と前記シリーズインダクタとの間に接続されており、前記変調電流源により変調振幅を調整され、前記バイアス電流源によりバイアス電流を調整された電流信号により、直接変調した光を出射する発光素子と、を備えることを特徴とする光送信装置。電流信号により駆動される駆動対象へ電流信号を出力する駆動回路において、前記駆動対象の駆動信号がゲートへ入力される入力トランジスタと、前記入力トランジスタのソース側に接続され、前記入力トランジスタのドレインに流れる信号の変調振幅を調整する変調電流源と、前記入力トランジスタのドレイン側に接続され、前記入力トランジスタのドレインに流れる信号のバイアス電流を調整するバイアス電流源と、前記入力トランジスタのドレインと前記バイアス電流源との間に設けられたシリーズインダクタと、前記バイアス電流源と前記シリーズインダクタとの間に接続されており、前記変調電流源により変調振幅を調整され、前記バイアス電流源によりバイアス電流を調整された電流信号を、前記駆動対象へ出力する出力部と、を備えることを特徴とする駆動回路。駆動信号がゲートへ入力される入力トランジスタと、前記入力トランジスタのソース側に接続され、前記入力トランジスタのドレインに流れる信号の変調振幅を調整する変調電流源と、前記入力トランジスタのドレイン側に接続され、前記入力トランジスタのドレインに流れる信号のバイアス電流を調整するバイアス電流源と、前記入力トランジスタのドレインと前記バイアス電流源との間に設けられたシリーズインダクタと、前記バイアス電流源と前記シリーズインダクタとの間に接続されており、前記変調電流源により変調振幅を調整され、前記バイアス電流源によりバイアス電流を調整された電流信号により、直接変調した光を出射する発光素子と、を備えることを特徴とする光送信装置。しかしながら、上述した従来の出力端にバイアス電流源が接続される駆動回路では、バイアス電流源が等価的に抵抗および容量を含むため、バイアス電流源の容量によって帯域が劣化するという問題がある。本発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、広帯域化を図ることができる駆動回路および光送信装置を提供することを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明の一側面によれば、電流信号により駆動される駆動対象へ電流信号を出力する駆動回路において、前記駆動対象の駆動信号がベースへ入力される入力トランジスタと、前記入力トランジスタのエミッタ側に接続され、前記入力トランジスタのコレクタに流れる信号の変調振幅を調整する変調電流源と、前記入力トランジスタのコレクタ側に接続され、前記入力トランジスタのコレクタに流れる信号のバイアス電流を調整するバイアス電流源と、前記入力トランジスタのコレクタと前記バイアス電流源との間に設けられたシリーズインダクタと、前記バイアス電流源と前記シリーズインダクタとの間に接続されており、前記変調電流源により変調振幅を調整され、前記バイアス電流源によりバイアス電流を調整された電流信号を、前記駆動対象へ出力する出力部と、を備える駆動回路および光送信装置が提案される。本発明の一側面によれば、広帯域化を図ることができるという効果を奏する。以下に添付図面を参照して、本発明にかかる駆動回路および光送信装置の実施の形態を詳細に説明する。実施の形態実施の形態にかかる駆動回路の構成図1は、実施の形態にかかる駆動回路の構成例を示す図である。図1に示す駆動回路100は、発光素子101を駆動するための駆動信号を増幅する回路である。発光素子101は、入力された電流信号により直接変調強度変調した光を出射する発光素子である。発光素子101は、たとえばVCSELである。図1に示す駆動回路100は、発光素子101をアノード駆動する。具体的には、駆動回路100は、入力部111,112と、入力トランジスタ121,122と、変調電流源130と、インダクタ140と、トランジスタ151と、電流源152と、トランジスタ153と、出力部160と、を備えている。駆動回路100へ入力される駆動信号は、たとえば正相信号および逆相信号を含む差動信号である。逆相信号は、正相信号が反転した信号である。入力部111および入力部112は、差動の駆動信号が入力される差動対の入力部である。具体的には、入力部111には駆動信号の正相信号が入力される。入力部111へ入力された信号は入力トランジスタ121のベースへ出力される。入力部112には駆動信号の逆相信号が入力される。入力部112へ入力された信号は入力トランジスタ122のベースへ出力される。入力トランジスタ121および入力トランジスタ122は、たとえばHBTHeterojunctionBipolarTransistor:ヘテロ接合バイポーラトランジスタまたはCMOSComplementaryMetalOxideSemiconductor:相補型金属酸化膜半導体である。ここでは、入力トランジスタ121および入力トランジスタ122がHBTである場合について説明する。入力トランジスタ121のベースは入力部111に接続されている。入力トランジスタ121のコレクタはインダクタ140に接続されている。入力トランジスタ121のエミッタは変調電流源130に接続されている。入力トランジスタ122のベースは入力部112に接続されている。入力トランジスタ122のコレクタは電源に接続されている。入力トランジスタ122のエミッタは変調電流源130に接続されている。変調電流源130は、入力トランジスタ121および入力トランジスタ122から電流を引き込み、駆動信号の変調振幅imodを調整する変調電流源である。変調電流源130は、一端が入力トランジスタ121および入力トランジスタ122に接続され、他端が接地されている。インダクタ140は、入力トランジスタ121のコレクタとトランジスタ153との間に設けられたシリーズインダクタである。具体的には、インダクタ140は、一端が入力トランジスタ121に接続され、他端がトランジスタ153および出力部160に接続されている。トランジスタ151および電流源152はカレント電流源である。具体的には、トランジスタ151のドレインは電源に接続されている。トランジスタ151のゲートは、トランジスタ151のソースおよびトランジスタ153に接続されている。トランジスタ151のソースは、電流源152およびトランジスタ153に接続されている。トランジスタ151はpMOSである。電流源152は、一端がトランジスタ151に接続され、他端が接地されている。トランジスタ153は、駆動信号のバイアス電流ibias直流レベルを調整するバイアス電流源である。具体的には、トランジスタ153のソースはインダクタ140および出力部160に接続されている。トランジスタ153のドレインは電源に接続されている。トランジスタ153のゲートはトランジスタ151に接続されている。トランジスタ153はpMOSである。出力部160は、変調電流源130により変調振幅を調整され、トランジスタ153バイアス電流源によりバイアス電流を調整された駆動信号を発光素子101へ出力する。具体的には、出力部160は、トランジスタ153とインダクタ140との間に接続されている。出力部160には、駆動回路100の駆動対象である発光素子101が接続される。出力部160は、駆動信号を発光素子101へ出力する。出力部160から出力され発光素子101へ入力される駆動信号の電流をiloadとする。このように、入力トランジスタ121のコレクタと出力部160との間に、トランジスタ153バイアス電流源と並列にインダクタ140を設ける。これにより、インダクタピーキングにより広帯域化を図ることができる詳細は後述する。また、駆動回路100および発光素子101を備える光送信装置により、光送信装置によって送信される光信号の広帯域化を図ることができる。図1に示す例では、駆動回路100へ入力される駆動信号が差動信号である場合について説明したが、駆動回路100へ入力される駆動信号はシングルエンド信号であってもよい。この場合は、駆動信号は入力部111へ入力される。また、この場合は、たとえば入力部112および入力トランジスタ122を省いた構成としてもよい。また、図1に示す例では、入力トランジスタ121,122がHBTである場合について説明したが、入力トランジスタ121,122は、ソース、ゲートおよびドレインを有するCMOSであってもよい。この場合は、上記のエミッタ、ベースおよびコレクタは、それぞれソース、ゲートおよびドレインと対応する。駆動回路から出力される駆動信号図2-1は、駆動回路から出力される駆動信号の一例を示す図である。図2-1において、横軸は時間を示し、縦軸は駆動回路100から発光素子101へ出力される駆動信号の電流iloadを示している。駆動信号210は、駆動回路100から発光素子101へ出力される駆動信号を示している。駆動信号210の振幅は、変調電流源130によって調整される変調振幅imodとなる。駆動信号210のバイアス電流は、変調電流源130によって調整される変調振幅imodと、トランジスタ153によって調整されるバイアス電流ibiasと、に基づくibias-imod/2となる。駆動回路における小信号特性図2-2は、駆動回路における小信号特性の一例を示す図である。図2-2において、横軸は周波数を示している。縦軸は駆動信号の利得[dB]を示している。小信号特性221は、駆動回路100においてインダクタ140を設けないと仮定した場合における駆動信号の小信号特性周波数特性を参考として示している。小信号特性221に示すように、インダクタ140を設けない構成では、トランジスタ153電流源の寄生容量によって高い周波数帯域の利得が劣化する。小信号特性222は、図1に示したようにインダクタ140を設けた駆動回路100における駆動信号の小信号特性を示している。小信号特性222に示すように、インダクタ140を設けることで高い周波数帯域がピーキングされ、高い周波数帯域における利得の劣化を補償することができる。インダクタを異なる位置に設けた駆動回路図3-1は、インダクタを異なる位置に設けた駆動回路その1を参考として示す図である。図3-1において、図1に示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。図3-1には、図1に示した駆動回路100において、インダクタ140の一端をトランジスタ153および入力トランジスタ121に接続し、インダクタ140の他端を出力部160に接続した構成を参考として図示している。図3-1に示す構成においては、インダクタ140は入力トランジスタ121と出力部160の間に直列に設けられたシリーズインダクタである。図3-2は、インダクタを異なる位置に設けた駆動回路その2を参考として示す図である。図3-1において、図1に示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。図3-2には、図1に示した駆動回路100において、インダクタ140の一端をトランジスタ153に接続し、インダクタ140の他端を入力トランジスタ121および出力部160に接続した構成を参考として図示している。図3-2に示す構成においては、インダクタ140は入力トランジスタ121と出力部160の間の経路に対して並列に設けられたシャントインダクタである。CMLの構成例図3-3は、CMLの構成例1を参考として示す図である。図3-3において、図1に示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。図3-3に示すCML330は、入力部111,112と、入力トランジスタ121,122と、変調電流源130と、インダクタ140と、抵抗331,332と、出力部160と、を備えている。抵抗331は、一端がインダクタ140および出力部160に接続され、他端が電源に接続されている。抵抗332は、一端が入力トランジスタ122のコレクタに接続され、他端が電源に接続されている。このように、CML330においては、出力部160に対して、電流源ではなく電圧源電源および抵抗331が接続されている。図3-4は、CMLの構成例2を参考として示す図である。図3-4において、図3-3に示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。図3-4に示すCML330は、図3-3に示したCML330において、インダクタ140の一端を抵抗331および入力トランジスタ121に接続し、インダクタ140の他端を出力部160に接続した構成である。図3-5は、CMLの構成例3を参考として示す図である。図3-5において、図3-3に示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。図3-4に示すCML330は、図3-3に示したCML330において、インダクタ140の一端を抵抗331に接続し、インダクタ140の他端を入力トランジスタ121および出力部160に接続した構成である。駆動回路における小信号特性のシミュレーション結果図4-1は、駆動回路における小信号特性のシミュレーション結果の一例を示す図である。図4-1において、横軸はインダクタ140のインダクタンス[pH]を示している。横軸のインダクタンス0[pH]の点は、インダクタ140を設けない構成に対応する。縦軸は、信号強度が-3dBfreq-3dBとなる周波数の帯域[GHz]を示している。小信号特性411は、図1に示した駆動回路100における小信号特性を示している。小信号特性412は、図3-1に示した駆動回路100における小信号特性を参考として示している。小信号特性413は、図3-2に示した駆動回路100における小信号特性を参考として示している。小信号特性411~413に示すように、駆動回路100にインダクタ140インダクタンス>0[pH]を設けることで駆動信号を広帯域化することができる。特に、小信号特性411に示すように、インダクタ140を図1に示した位置に設けることによって40[GHz]以上の広帯域を実現することができる。たとえば、小信号特性411~413におけるインダクタンス0[pH]の点に示すように、インダクタ140を設けない構成においては帯域が10[GHz]程度である。このため、図1に示した駆動回路100においては、インダクタ140を図1に示した位置に設けることによって帯域を3~4倍ほど伸ばすことができることが分かる。CMLにおける小信号特性のシミュレーション結果図4-2は、CMLにおける小信号特性のシミュレーション結果の一例を参考として示す図である。図4-2において、横軸はCML330に設けられたインダクタ140図3-3~図3-5のインダクタンス[pH]を示している。縦軸は、信号強度が-3dBとなる周波数の帯域[GHz]を示している。小信号特性421~423は、それぞれ図3-3~図3-5に示したCML330における小信号特性を参考として示している。小信号特性421~423に示すように、CML330では、出力部160に電流源が設けられた構成ではないため、インダクタ140を設けても高々2.5倍程度しか帯域が伸びないことが分かる。駆動回路の等価回路図5-1は、図1に示した駆動回路の等価回路を示す図である。図5-1に示す等価回路500は、図1に示した駆動回路100の等価回路である。図5-1に示すように、等価回路500には、入力部510と、コンデンサ520と、AC電流源531と、AVSS532と、インダクタ540と、電流源等価回路550と、出力部561と、コンデンサ562と、抵抗563と、が含まれている。入力部510およびコンデンサ520は、図1に示した入力部111および入力トランジスタ121に対応している。Iinは、入力部510から入力される駆動信号の電流である。コンデンサ520の容量値C1は、入力トランジスタ121の寄生容量値である。AC電流源531およびAVSS532は、図1に示した変調電流源130に対応している。インダクタ540は、図1に示したインダクタ140に対応している。電流源等価回路550は、図1に示したトランジスタ153に対応している。電流源等価回路550は、並列に接続された理想的な電流源551、コンデンサ552および抵抗553で表される。コンデンサ552の容量値Ccおよび抵抗553の抵抗値Rcは、トランジスタ153の寄生容量値および寄生抵抗値である。出力部561、コンデンサ562および抵抗563は、図1に示した出力部160に対応している。Ioutは、出力部561から出力される駆動信号の電流である。コンデンサ562の容量値C2は、出力部160のパッドやESD素子静電気保護素子における容量値である。抵抗563の抵抗値Routは、出力部160における抵抗値である。等価回路500における部分回路501のインピーダンスをZとすると、部分回路501における電流伝達関数はたとえば下記1式で表すことができる。インピーダンスZの値が最大になる周波数で図2-2に示したピーキングが発生し、このときのインピーダンスZの値Zmaxとするによってピーキング量が決まる。Zmaxが大きいほど、利得を大きく持ち上げることができるため、ピーキングの発生する周波数を所望の値になるよう調整することで、信号強度が-3dBとなる周波数の帯域を広げることができる図2-2参照。図5-2は、図3-1に示した駆動回路の等価回路を参考として示す図である。図5-2において、図5-1に示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。図5-2に示す等価回路500は、図3-1に示した駆動回路100の等価回路である。図5-2に示すように、図3-1に示した駆動回路100に対応する等価回路500においては、インダクタ540は、一端が入力部510および電流源等価回路550に接続され、他端が出力部561に接続されている。図5-3は、図3-2に示した駆動回路の等価回路を参考として示す図である。図5-3において、図5-1に示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。図5-3に示す等価回路500は、図3-2に示した駆動回路100の等価回路である。図5-3に示すように、図3-2に示した駆動回路100に対応する等価回路500においては、インダクタ540は、一端が電流源等価回路550に接続され、他端が入力部510および出力部561に接続されている。等価回路におけるインピーダンスの算出結果図6-1は、図5-1に示した等価回路におけるインピーダンスの算出結果の一例を示す図である。図6-1において、横軸は周波数を示し、縦軸はZ/Routを示している。図6-1に示すインピーダンス特性611は、図5-1に示した等価回路500におけるZ/Routの計算結果の一例を示している。インピーダンス特性612は、図5-1に示した等価回路500において電流源等価回路550が抵抗に置き換わった場合CMLの場合におけるZ/Routの計算結果の一例を参考として示している。インピーダンス特性611に示すように、図5-1に示した等価回路500においては、電流源等価回路550のコンデンサ552の寄生容量値Ccが存在するため、インピーダンスの最大値が大きくなっている。なお、図6-1の計算結果は、コンデンサ520の容量値C1を200[fF]、コンデンサ562の容量値C2を150[fF]、コンデンサ552の容量値Ccを200[fF]、抵抗553の抵抗値Rcを50[Ω]、インダクタ540のインダクタンスを500[pH]、Routを50[Ω]として計算を行った結果である。図6-2,図6-3の計算結果についても同様である。図6-2は、図5-2に示した等価回路におけるインピーダンスの算出結果の一例を参考として示す図である。図6-2において、横軸は周波数を示し、縦軸はZ/Routを示している。図6-2に示すインピーダンス特性621は、図5-2に示した等価回路500におけるZ/Routの計算結果の一例を示している。インピーダンス特性622は、図5-2に示した等価回路500において電流源等価回路550が抵抗のみであった場合CMLの場合におけるZ/Routの計算結果の一例を参考として示している。図6-3は、図5-3に示した等価回路におけるインピーダンスの算出結果の一例を参考として示す図である。図6-3において、横軸は周波数を示し、縦軸はZ/Routを示している。図6-3に示すインピーダンス特性631は、図5-3に示した等価回路500におけるZ/Routの計算結果の一例を示している。インピーダンス特性632は、図5-3に示した等価回路500において電流源等価回路550が抵抗のみであった場合CMLの場合におけるZ/Routの計算結果の一例を参考として示している。図6-1~図6-3のインピーダンス特性611,621,631に示すように、インダクタ140を図1に示した位置に設けることで大きなピーキング量を得ることができ、インダクタの値を調整してピーキング位置が所望の周波数になるよう設計すれば、帯域をより広げることができる。また、図6-1のインピーダンス特性611,612に示すように、インダクタ140を図1に示した位置に設ける構成は、CML330よりも、出力端に電流源が接続された駆動回路100において有効であることが分かる。駆動回路の変形例図7は、図1に示した駆動回路の変形例1を示す図である。図7において、図1に示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。図7に示すように、図1に示した駆動回路100において、バイアス電流源であるトランジスタ153と出力部160との間にインダクタ701,702の少なくとも一方を設けてもよい。インダクタ701,702は、それぞれ図3-1,図3-2に示したインダクタ140に相当するインダクタである。具体的には、インダクタ701は、トランジスタ153バイアス電流源とインダクタ140シリーズインダクタとの間に一端が接続され、出力部160に他端が接続されたシリーズインダクタである。インダクタ702は、トランジスタ153バイアス電流源に一端が接続され、インダクタ140シリーズインダクタと出力部160との間に他端が接続されたシャントインダクタである。このように、インダクタ701やインダクタ702をさらに設けることで、ピーキング量をさらに大きくし、さらなる広帯域化を図ることができる。図8は、図1に示した駆動回路の変形例2を示す図である。図8において、図1に示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。図8に示すように、駆動回路100は、図1に示した構成に加えて、インダクタ811と、抵抗821,822と、トランジスタ831と、終端抵抗840と、を備えていてもよい。インダクタ811第2シリーズインダクタは、一端が入力トランジスタ122第2入力トランジスタのコレクタに接続され、他端がトランジスタ831のソースに接続されている。抵抗821は、一端がトランジスタ153、インダクタ140および出力部160に接続され、他端が抵抗822に接続されている。抵抗822は、一端が抵抗821に接続され、他端がインダクタ811、トランジスタ831および終端抵抗840に接続されている。抵抗821,822は、たとえばそれぞれ50[Ω]の抵抗である。また、抵抗821,822を1つの抵抗たとえば100[Ω]によって実現してもよい。トランジスタ831第2バイアス電流源のソースはインダクタ811、抵抗822および終端抵抗840に接続されている。トランジスタ831のドレインは電源に接続されている。トランジスタ831のゲートはトランジスタ151カレント電流源に接続されている。トランジスタ831はpMOSである。終端抵抗840は、発光素子101と同等のダイオード特性を有するダミー負荷である。ダイオード特性は、たとえば印加電圧に対して流れる電流の特性である。終端抵抗840は、一端がインダクタ811、抵抗822およびトランジスタ831に接続され、他端が接地されている。これにより、駆動回路100と発光素子101とのインピーダンスマッチングにより駆動信号の品質を向上させることができる。図9は、図1に示した駆動回路の変形例3を示す図である。図9において、図1に示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。図9に示すように、駆動回路100は、インダクタ140と直列に抵抗901を備えていてもよい。具体的には、抵抗901は、一端が入力トランジスタ121に接続され、他端がインダクタ140に接続されている。また、インダクタ140と抵抗901の位置を入れ替えてもよい。このように、インダクタ140と直列に抵抗901を設けることで、インダクタ140による駆動信号のピーキング量を調整することができる。図10は、図1に示した駆動回路の変形例4を示す図である。図10において、図1に示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。図10に示すように、駆動回路100は、発光素子101をカソード駆動する構成としてもよい。具体的には、図10に示す駆動回路100においては、出力部160が発光素子101のカソード側に接続されている。また、トランジスタ153バイアス電流源の向きが逆になっている。また、トランジスタ153はnMOSとなっている。また、電流源152カレント電流源の向きが逆になっている。また、トランジスタ151はnMOSとなっている。このように、発光素子101をカソード駆動する構成においても、入力トランジスタ121のコレクタと出力部160との間にインダクタ140を挿入することで、図1に示した駆動回路100と同様の効果を得ることができる。以上説明したように、駆動回路および光送信装置によれば、電流駆動の発光素子への駆動信号が変調出力される出力端に電流源が接続された駆動回路において、シリーズインダクタが所定の位置たとえば図1参照に設けられる。これにより、出力端に接続された電流源の容量による帯域の劣化を補い、広帯域化を図ることができる。このため、たとえば、光インタコネクトなどにおける発光素子の高速駆動が可能になる。なお、上述したインダクタ140,701,702,811のそれぞれは、たとえば、スパイラルインダクタやワイヤなど、通常の配線に対して十分に長い配線によって実現することができる。上述した実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。付記1電流信号により駆動される駆動対象へ電流信号を出力する駆動回路において、前記駆動対象の駆動信号がベースへ入力される入力トランジスタと、前記入力トランジスタのエミッタ側に接続され、前記入力トランジスタのコレクタに流れる信号の変調振幅を調整する変調電流源と、前記入力トランジスタのコレクタ側に接続され、前記入力トランジスタのコレクタに流れる信号のバイアス電流を調整するバイアス電流源と、前記入力トランジスタのコレクタと前記バイアス電流源との間に設けられたシリーズインダクタと、前記バイアス電流源と前記シリーズインダクタとの間に接続されており、前記変調電流源により変調振幅を調整され、前記バイアス電流源によりバイアス電流を調整された電流信号を、前記駆動対象へ出力する出力部と、を備えることを特徴とする駆動回路。付記2前記バイアス電流源と前記シリーズインダクタとの間に一端が接続され、前記出力部に他端が接続されたインダクタを備えることを特徴とする付記1に記載の駆動回路。付記3前記バイアス電流源に一端が接続され、前記シリーズインダクタと前記出力部との間に他端が接続されたインダクタを備えることを特徴とする付記1または2に記載の駆動回路。付記4前記駆動信号の逆相信号がベースへ入力される第2入力トランジスタと、前記第2入力トランジスタのコレクタ側に接続され、前記第2入力トランジスタのコレクタに流れる信号のバイアス電流を調整する第2バイアス電流源と、前記第2入力トランジスタのコレクタと前記第2バイアス電流源との間に設けられた第2シリーズインダクタと、前記第2バイアス電流源と前記第2シリーズインダクタとの間に接続され、前記駆動対象と同等のダイオード特性を有する終端抵抗を備えることを特徴とする付記1~3のいずれか一つに記載の駆動回路。付記5前記シリーズインダクタと直列に設けられた抵抗を備えることを特徴とする付記1~4のいずれか一つに記載の駆動回路。付記6前記入力トランジスタはHBTHeterojunctionBipolarTransistor:ヘテロ接合バイポーラトランジスタであることを特徴とする付記1~5のいずれか一つに記載の駆動回路。付記7前記シリーズインダクタは、スパイラルインダクタであることを特徴とする付記1~6のいずれか一つに記載の駆動回路。付記8前記シリーズインダクタは、ワイヤであることを特徴とする付記1~6のいずれか一つに記載の駆動回路。付記9前記シリーズインダクタは、十分に長い配線であることを特徴とする付記1~6のいずれか一つに記載の駆動回路。付記10前記インダクタは、スパイラルインダクタであることを特徴とする付記2に記載の駆動回路。付記11前記インダクタは、ワイヤであることを特徴とする付記2に記載の駆動回路。付記12前記インダクタは、十分に長い配線であることを特徴とする付記4に記載の駆動回路。付記13前記第2シリーズインダクタは、スパイラルインダクタであることを特徴とする付記4に記載の駆動回路。付記14前記第2シリーズインダクタは、ワイヤであることを特徴とする付記4に記載の駆動回路。付記15前記第2シリーズインダクタは、十分に長い配線であることを特徴とする付記4に記載の駆動回路。付記16駆動信号がベースへ入力される入力トランジスタと、前記入力トランジスタのエミッタ側に接続され、前記入力トランジスタのコレクタに流れる信号の変調振幅を調整する変調電流源と、前記入力トランジスタのコレクタ側に接続され、前記入力トランジスタのコレクタに流れる信号のバイアス電流を調整するバイアス電流源と、前記入力トランジスタのコレクタと前記バイアス電流源との間に設けられたシリーズインダクタと、前記バイアス電流源と前記シリーズインダクタとの間に接続されており、前記変調電流源により変調振幅を調整され、前記バイアス電流源によりバイアス電流を調整された電流信号により、直接変調した光を出射する発光素子と、を備えることを特徴とする光送信装置。付記17前記発光素子は、VCSELVerticalCavitySurfaceEmittingLaser:垂直共振器面発光レーザであることを特徴とする付記16に記載の光送信装置。付記18電流信号により駆動される駆動対象へ電流信号を出力する駆動回路において、前記駆動対象の駆動信号がゲートへ入力される入力トランジスタと、前記入力トランジスタのソース側に接続され、前記入力トランジスタのドレインに流れる信号の変調振幅を調整する変調電流源と、前記入力トランジスタのドレイン側に接続され、前記入力トランジスタのドレインに流れる信号のバイアス電流を調整するバイアス電流源と、前記入力トランジスタのドレインと前記バイアス電流源との間に設けられたシリーズインダクタと、前記バイアス電流源と前記シリーズインダクタとの間に接続されており、前記変調電流源により変調振幅を調整され、前記バイアス電流源によりバイアス電流を調整された電流信号を、前記駆動対象へ出力する出力部と、を備えることを特徴とする駆動回路。付記19前記入力トランジスタはCMOSComplementaryMetalOxideSemiconductor:相補型金属酸化膜半導体であることを特徴とする付記18に記載の駆動回路。付記20駆動信号がゲートへ入力される入力トランジスタと、前記入力トランジスタのソース側に接続され、前記入力トランジスタのドレインに流れる信号の変調振幅を調整する変調電流源と、前記入力トランジスタのドレイン側に接続され、前記入力トランジスタのドレインに流れる信号のバイアス電流を調整するバイアス電流源と、前記入力トランジスタのドレインと前記バイアス電流源との間に設けられたシリーズインダクタと、前記バイアス電流源と前記シリーズインダクタとの間に接続されており、前記変調電流源により変調振幅を調整され、前記バイアス電流源によりバイアス電流を調整された電流信号により、直接変調した光を出射する発光素子と、を備えることを特徴とする光送信装置。"