"プラズマ処理装置内の構成部材上に形成されるプラズマ耐性を有する保護膜において、前記構成部材上に形成される凹凸構造を有する下地膜と、前記凹凸構造を覆うように前記下地膜上に形成される上層膜と、を備え、前記構成部材は、第1の径を有するガス流路と、前記ガス流路の一方の端部に接続され、前記端部から、前記第1の径よりも大きい第2の径となるように開口径が増大し、ガス供給部材の一の主面側に設けられる吐出口と、を有するガス供給路を備える板状の母材であり、前記下地膜は、前記構成部材の前記ガス流路および前記吐出口を構成する面上と、前記構成部材の前記吐出口形成側の前記主面上と、に形成され、前記上層膜は、前記構成部材の前記吐出口形成側の前記主面上と前記吐出口を構成する面上に前記下地膜を介して形成され、前記溝は、前記構成部材の前記吐出口形成側の前記主面上には格子状に形成され、前記吐出口を構成する面上には、前記ガス流路の中心から放射状に形成されることを特徴とする保護膜。プラズマ処理装置内の構成部材上に形成されるプラズマ耐性を有する保護膜において、前記構成部材上に形成される凹凸構造を有する下地膜と、前記凹凸構造を覆うように前記下地膜上に形成される上層膜と、を備えることを特徴とする保護膜。前記構成部材は、第1の面と、前記第1の面に対して角度を有する第2の面と、を有し、前記第1および第2の面上に前記下地膜と前記上層膜とが形成されることを特徴とする請求項2に記載の保護膜。前記下地膜は、第1の膜、第2の膜および第3の膜が少なくとも積層された積層膜によって構成され、前記凹凸構造は、前記下地膜に前記構成部材に達しない深さで形成された所定形状の溝であり、前記溝を構成する側面では、前記第2の膜が前記第1および第3の膜に比して張り出していることを特徴とする請求項2または3に記載の保護膜。前記第1の膜と前記第3の膜の前記上層膜と接する部分には、陽極酸化膜が設けられることを特徴とする請求項4に記載の保護膜。前記構成部材は、Alを含む材料によって構成され、前記第1および第3の膜は、Al膜で構成され、前記第2の膜は、Al-Siの合金膜で構成されることを特徴とする請求項4または5に記載の保護膜。前記下地膜は、第1の膜および第2の膜が積層された積層膜によって構成され、前記凹凸構造は、前記下地膜から前記構成部材に達する深さの所定形状の溝であり、前記溝を構成する側面では、前記第1の膜が前記構成部材および前記第2の膜に比して張り出していることを特徴とする請求項2または3に記載の保護膜。前記第2の膜の前記上層膜と接する部分は、陽極酸化膜であることを特徴とする請求項7に記載の保護膜。前記構成部材は、第1の径を有するガス流路と、前記ガス流路の一方の端部に接続され、前記端部から、前記第1の径よりも大きい第2の径となるように開口径が増大し、ガス供給部材の一の主面側に設けられる吐出口と、を有するガス供給路を備える板状の母材であり、前記下地膜は、前記構成部材の前記吐出口形成側の前記主面上と前記吐出口を構成する面上に形成されることを特徴とする請求項2~8のいずれか1つに記載の保護膜。前記下地膜は、前記構成部材とは異なる材料からなる島状の粒子が前記構成部材上に複数分散された構造を有することを特徴とする請求項2または3に記載の保護膜。隣接する前記粒子間の構成部材には溝が形成され、前記溝は、前記粒子の周縁部の下部にまで入り込んでいることを特徴とする請求項10に記載の保護膜。前記構成部材は、Alを含む材料によって構成され、前記粒子は、Al-Sn,Al-PbおよびAl-Inからなる群より選択されるいずれかによって構成されることを特徴とする請求項10または11に記載の保護膜。前記下地膜は、アルマイト膜によって構成される第1の陽極酸化膜と、Al-Si,Al-W,Al-Mo,Al-TiおよびAl-Taからなる群より選択されるいずれかによって構成される第2の陽極酸化膜であることを特徴とする請求項2または3に記載の保護膜。前記上層膜は、アルミナ膜またはイットリア含有膜であることを特徴とする請求項1~13のいずれか1つに記載の保護膜。前記構成部材は、第1の径を有するガス流路と、前記ガス流路の一方の端部に接続され、前記端部から、前記第1の径よりも大きい第2の径となるように開口径が増大し、ガス供給部材の一の主面側に設けられる吐出口と、を有するガス供給路を備える板状の母材であり、前記下地膜は、前記構成部材の前記吐出口形成側の前記主面上と前記吐出口を構成する面上に形成されることを特徴とする請求項10~14のいずれか1つに記載の保護膜。前記下地膜は、前記ガス流路内の内面にも形成され、前記凹凸構造は、前記構成部材の前記吐出口形成側の前記主面上と前記吐出口を構成する面上にのみ形成されることを特徴とする請求項10または15に記載の保護膜。プラズマ処理装置内の構成部材上に形成されるプラズマ耐性を有する保護膜において、前記構成部材の表面に、凹凸構造を有するアルマイト膜を備えることを特徴とする保護膜。請求項1~17のいずれか1つに記載の保護膜が構成部材に形成されていることを特徴とする半導体製造装置。請求項1~17のいずれか1つに記載の保護膜が構成部材に形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。プラズマ処理装置内の構成部材上に形成されるプラズマ耐性を有する保護膜の形成方法において、前記構成部材上に形成される凹凸構造を有する下地膜を形成する下地膜形成工程と、前記凹凸構造を覆うように前記下地膜上に上層膜を形成する上層膜形成工程と、を含むことを特徴とする保護膜の形成方法。前記構成部材は、第1の面と、前記第1の面に対して角度を有する第2の面と、を有し、前記下地膜形成工程と前記上層膜形成工程では、前記第1および第2の面上に前記下地膜と前記上層膜をそれぞれ形成することを特徴とする請求項18に記載の保護膜の形成方法。前記下地膜形成工程は、前記構成部材上に、第1の膜、第2の膜および第3の膜を順に積層する積層膜形成工程と、前記下地膜をウエットエッチングによって加工し、所定形状の溝を形成する溝形成工程と、前記下地膜に対して陽極酸化処理を行う陽極酸化工程と、を含み、前記溝形成工程では、前記第1および第3の膜に比して前記第2の膜のエッチングレートが遅くなる条件でウエットエッチングを行うことを特徴とする請求項20または21に記載の保護膜の形成方法。前記下地膜形成工程は、前記構成部材上に、第1の膜および第2の膜を積層する積層膜形成工程と、前記下地膜と前記構成部材をウエットエッチングによって加工し、前記構成部材にまで到達する深さの所定形状の溝を形成する溝形成工程と、前記構成部材と前記下地膜に対して陽極酸化処理を行う陽極酸化工程と、を含み、前記溝形成工程では、前記構成部材と前記第1の膜に比して前記第2の膜のエッチングレートが遅くなる条件でウエットエッチングを行うことを特徴とする請求項20または21に記載の保護膜の形成方法。前記下地膜形成工程は、前記構成部材上に、数百°C程度の融点を有するAl合金膜を形成するAl合金膜形成工程と、前記Al合金膜を200°C程度の温度で加熱し、前記Al合金膜に含まれる低融点金属を偏析させ、AlからなるAl結晶粒子と、Al合金結晶粒子とが混在したAl合金膜を形成する熱処理工程と、ウエットエッチングによって、前記Al結晶粒子を除去するエッチング工程と、を含むことを特徴とする請求項20または21に記載の保護膜の形成方法。前記構成部材は、Alを含む材料によって構成され、前記エッチング工程では、前記Al結晶粒子の除去に加えて、前記Al結晶粒子が除去された領域での前記構成部材もエッチングすることを特徴とする請求項24に記載の保護膜の形成方法。前記エッチング工程の後に、陽極酸化処理を行うことを特徴とする請求項23~25のいずれか1つに記載の保護膜の形成方法。前記下地膜形成工程は、前記構成部材上に、アルマイト膜形成するアルマイト膜形成工程と、前記アルマイト膜上に、陽極酸化しにくい金属を含むAl合金膜を形成するAl合金膜形成工程と、前記Al合金膜を陽極酸化し、不規則な中空柱状の形状を有する陽極酸化膜を形成する陽極酸化膜形成工程と、を含むことを特徴とする請求項20または21に記載の保護膜の形成方法。前記構成部材は、第1の径を有するガス流路と、前記ガス流路の一方の端部に接続され、前記端部から、前記第1の径よりも大きい第2の径となるように開口径が増大し、ガス供給部材の一の主面側に設けられる吐出口と、を有するガス供給路を備える板状の母材であり、前記下地膜形成工程では、前記吐出口を構成する面および前記吐出口形成側の前記主面と同時に前記ガス流路の内面上に前記下地膜を形成するとともに、前記吐出口を構成する面および前記吐出口形成側の前記主面上の前記下地膜に前記凹凸構造を形成し、前記上層膜形成工程では、前記吐出口を構成する面および前記吐出口形成側の前記主面上にのみ前記上層膜を形成することを特徴とする請求項20または21に記載の保護膜の形成方法。本発明の一つの実施形態は、プラズマに長期間曝されても、保護対象から剥がれ難いプラズマ耐性の高い保護膜とその形成方法、並びに半導体製造装置およびプラズマ処理装置を提供することを目的とする。本発明の一つの実施形態によれば、プラズマ処理装置内の構成部材上に形成されるプラズマ耐性を有する保護膜において、前記構成部材上に形成される凹凸構造を有する下地膜と、前記凹凸構造を覆うように前記下地膜上に形成される上層膜と、を備えることを特徴とする保護膜が提供される。以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる保護膜とその形成方法、並びに半導体製造装置およびプラズマ処理装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。また、以下の実施形態で用いられる保護膜の断面図は模式的なものであり、層の厚みと幅との関係や各層の厚みの比率などは現実のものとは異なる。第1の実施形態第1の実施形態では、プラズマの暴露に対して耐性を有する保護膜をプラズマ処理装置の内壁に適用した場合を例に挙げて説明する。図1は、プラズマ処理装置の構成の一例を模式的に示す断面図である。ここでは、プラズマ処理装置10として、RIE装置を例示している。プラズマ処理装置10は、気密に構成されたたとえばアルミニウム製のチャンバ11を有している。このチャンバ11は接地されている。チャンバ11内には、処理対象としてのウェハ100を水平に支持するとともに、下部電極として機能する支持テーブル21が設けられている。支持テーブル21の表面上には、図示しないがウェハ100を静電吸着する静電チャック機構など保持機構が設けられている。支持テーブル21の側面および底面の周縁部を覆うように絶縁リング22が設けられており、絶縁リング22で覆われた支持テーブル21の上方の外周には、フォーカスリング23が設けられている。このフォーカスリング23は、ウェハ100のエッチング時に、電界がウェハ100の周縁部で鉛直方向ウェハ面に垂直な方向に対して偏向しないように電界を調整するために設けられる部材である。また、支持テーブル21は、チャンバ11内の中央付近に位置するように、チャンバ11の中央付近の底壁から鉛直上方に筒状に突出する支持部12上に、絶縁リング22を介して支持されている。絶縁リング22とチャンバ11の側壁との間には、バッフル板24が設けられている。バッフル板24は、板の厚さ方向を貫通する複数のガス排出孔25を有する。また、支持テーブル21には、高周波電力を供給する給電線31が接続されており、この給電線31にブロッキングコンデンサ32、整合器33および高周波電源34が接続されている。高周波電源34からは所定の周波数の高周波電力が支持テーブル21に供給される。下部電極として機能する支持テーブル21に対向するように、支持テーブル21の上部に上部電極として機能するシャワーヘッド41が設けられている。このシャワーヘッド41は接地されている。シャワーヘッド41は支持テーブル21と平行に対向するように、支持テーブル21から所定の距離を隔てたチャンバ11の上部付近の側壁に固定される。このような構造によって、シャワーヘッド41と支持テーブル21とは、一対の平行平板電極を構成している。また、シャワーヘッド41には、板の厚さ方向を貫通する複数のガス供給路42が設けられている。チャンバ11の上部付近には、プラズマ処理時に使用される処理ガスが供給されるガス供給口13が設けられており、ガス供給口13には配管を通じて図示しないガス供給装置が接続されている。支持テーブル21とバッフル板24よりも下部のチャンバ11にはガス排気口14が設けられており、ガス排気口14には配管を通じて図示しない真空ポンプが接続されている。このように、チャンバ11内の支持テーブル21およびバッフル板24と、シャワーヘッド41とで仕切られた領域は、プラズマ処理室61となり、シャワーヘッド41で仕切られたチャンバ11内の上部の領域は、ガス供給室62となり、支持テーブル21およびバッフル板24で仕切られたチャンバ11内の下部の領域はガス排気室63となる。このような構成のプラズマ処理装置10のプラズマ生成領域に接する側の構成部材の面、すなわちプラズマ処理室61の構成部材の表面に保護膜50が形成される。具体的には、プラズマ処理室61を構成するチャンバ11の内壁側面、シャワーヘッド41のプラズマ処理室61側の表面、バッフル板24のプラズマ処理室61側の表面、フォーカスリング23の表面、支持テーブル21のウェハ100を載置する側の表面に、イットリアを含有する膜以下、イットリア膜というを有する保護膜50が形成される。このように構成されたプラズマ処理装置10での処理の概要について説明する。まず、支持テーブル21上に処理対象であるウェハ100が載置され、たとえば静電チャック機構によって固定される。ついで、ガス排気口14に接続される図示しない真空ポンプでチャンバ11内が真空引きされる。このとき、ガス排気室63とプラズマ処理室61との間は、バッフル板24に設けられたガス排出孔25によって接続されているため、チャンバ11内全体が真空引きされる。その後、チャンバ11内が所定の圧力に達すると、図示しないガス供給装置からガス供給室62に処理ガスが供給され、シャワーヘッド41のガス供給路42を介してプラズマ処理室61に供給される。プラズマ処理室61内の圧力が所定の圧力に達すると、シャワーヘッド41上部電極を接地した状態で、支持テーブル21下部電極に高周波電圧を印加して、プラズマ処理室61内にプラズマを生成させる。ここで、下部電極側には高周波電圧による自己バイアスにより、プラズマとウェハとの間に電位勾配が生じ、プラズマガス中のイオンがウェハ100へと加速されることになり、異方性エッチング処理が行われる。図2は、第1の実施形態によるシャワーヘッドの構造を模式的に示す一部断面図であり、aは吐出口付近の構造を模式的に示す断面図であり、bは保護膜形成位置の一部を拡大した断面図である。ガス供給部材であるシャワーヘッド41には、ガス供給路42が設けられている。ガス供給路42は、たとえば図1に示されるように、シャワーヘッド41の上面から下面に向かって、シャワーヘッド41を構成する板状の部材を貫通するように設けられる。ガス供給路42は、第1の径を有するガス流路421と、ガス流路421の一方の端部から、第1の径よりも大きい第2の径となるように傾斜的に開口径が増大する吐出口422と、を有する。一例では、シャワーヘッド41は、ガス供給路42の吐出口422付近でその開口径が大きくなるようにテーパ形状に加工される。このようなシャワーヘッド41は、母材411と、母材411のガス供給路42の内面とプラズマに暴露される側の平面に形成される下地膜51と、下地膜51上に形成される上層膜であるプラズマ保護膜53と、を備える。下地膜51とプラズマ保護膜53とによって、保護膜50が構成される。母材411は、たとえばAlを含む材料によって構成される。下地膜51は、プラズマ保護膜53を形成することができないガス流路421の表面をプラズマの暴露から保護する機能を有し、表面が陽極酸化膜によって構成される。また、下地膜51は、プラズマ保護膜53に空孔があったり、プラズマ保護膜53が破損したりした場合でも母材411がプラズマによるダメージを受けないようにする機能も有する。プラズマ保護膜53は、下地膜51上に形成されるプラズマ耐性を有する材料によって構成される。プラズマ保護膜53として、たとえばイットリア膜やアルミナ膜などを用いることができる。ここで、下地膜51には、その上に形成されるプラズマ保護膜53との間の密着性を高めるように、溝、たとえばパターンが設けられている。図3は、第1の実施形態によるシャワーヘッドの下面側に形成された下地膜の一例を模式的に示す一部平面図である。この図3の例では、シャワーヘッドの下面側では格子状パターンを有し、ガス供給路42の吐出口422では、ガス供給路42の中心から放射状に延びるパターンとガス流路421を中心とした同心円状パターンを有する密着性改善溝52が下地膜51に形成されている。これらの密着性改善溝52は、深さが10~20μmであり、幅が10~20μmであり、隣接する密着性改善溝52との間のピッチは50~100μmであることが望ましい。また、これらのパターンは、下地膜51に形成されることが望ましいので、下地膜51の深さは、パターンの深さよりも深い20μm以上であることが望ましい。下地膜51は、母材411上に第1導電膜/第2導電膜/第3導電膜が順に積層され、プラズマ保護膜53と接する部分には陽極酸化膜が形成された構造を有する。第1導電膜と第3導電膜は、きれいな柱状構造の陽極酸化膜を形成することができるAlやTiなどの材料によって構成され、第2導電膜は、第1導電膜と第3導電膜よりもウエットエッチング時のエッチングレートが小さくなる材料によって構成される。図2の例では、下地膜51は、母材411上にAl膜511/Al-Si合金膜512/Al膜513が順に積層され、プラズマ保護膜53と接する部分にはアルマイト膜513aが形成された構造となる。さらに、図2bの下地膜51の断面構造を見ると、密着性改善溝52を構成する内面は連続的な面で構成されているのではなく、Alに比してエッチングレートの小さなAl-Si合金膜512がAl膜511,513に比して突出している。具体的には、密着性改善溝52におけるAl膜511の上面の開口径は、Al-Si合金膜512の下面の開口径よりも大きく、Al膜513の下面の開口径は、Al-Si合金膜512の上面の開口径よりも大きくなっている。これによって、密着性改善溝52が形成された下地膜51の表面積の増大および形状によるアンカー効果が増加し、下地膜51上に形成されるプラズマ保護膜53は、下地膜51に対する密着性が向上する。また、プラズマ保護膜53に接するAl膜511,513にはアルマイト膜513aが形成されている。なお、密着性改善溝52のパターンは、基本的にどのようなパターンでも密着性改善効果が得られるが、ガス供給路42の吐出口422を構成する面に形成されるパターンとしては、放射状パターンが望ましい。図3では、ガス供給路42の吐出口422を構成する面に、放射状パターンと同心円状パターンとを形成した場合を示しているが、放射状パターンのみを形成したものでもよい。つぎに、このような保護膜50のシャワーヘッド41への形成方法について説明する。図4-1~図4-7は、第1の実施形態による保護膜の形成方法の手順の一例を模式的に示す断面図である。これらの図において、aはシャワーヘッドの吐出口付近の断面図であり、bは保護膜形成位置をさらに拡大した断面図である。まず、図4-1に示されるように、たとえばアルミニウムで構成される母材411にガス供給路42を形成する。上記したように、ガス供給路42は、第1の径を有するガス流路421と、ガス流路421の一方の端部から、第1の径よりも大きい第2の径となるように傾斜的に開口径が増大する吐出口422と、を有する。ついで、図4-2に示されるように、下地膜51を母材411のプラズマに暴露される側の表面に形成する。ここでは、下地膜51として、母材411上に、Al膜511、Al-Si合金膜512およびAl膜513を蒸着法によって形成する。Al-Si合金膜512は、後のウエットエッチング処理時において、Al膜511,513よりもエッチングレートが小さくなる材料である。また、それぞれの膜厚は、たとえば7μmとすることができる。なお、下地膜51を蒸着法以外の方法、たとえばスパッタ法などで形成してもよいが、母材411の面に対して垂直に形成されるガス流路421の表面にも下地膜51を形成するには、蒸着法などの被覆性の良好な成膜法を用いることが望ましい。その後、図4-3に示されるように、下地膜51上にレジスト71を所定の形状にパターニングする。このとき、レジスト71をガス供給路42内に埋め込むように形成する。図5は、パターン形成用治具の一例を示すであり、aは平面図を示し、bは一部を拡大した断面図を示している。このパターン形成用治具81は、母材411の吐出口形成面側のレジスト71に格子状パターンの溝を形成し、吐出口422上のレジスト71に吐出口422の中心から放射状に延びるパターンと吐出口422の中心に対して同心円状に配置されるパターンの溝を形成することができるパターン811を有している。このパターン形成用治具81は、たとえばゴムなどの弾性体材料からなる。図6は、レジストへのパターン形成方法の一例を模式的に示す断面図である。この図に示されるように、パターン形成用治具81をレジスト71が塗布された母材411の吐出口形成面上に、位置合わせを行って配置する。その後、押し付け用治具82でパターン形成用治具81の裏面を押し付け、レジストを固化することで、レジスト71にパターンを形成する。押し付け用治具82は、母材411の吐出口422の形成位置に、吐出口422の形状に合わせて突起部821が設けられた、金属板などの剛性を有する材料からなる。押し付け用治具82でパターン形成用治具81を押し付けると、パターン形成用治具81は弾性体で構成されているので、母材411の形状に合わせて変形し、母材411の吐出口形成面側の平面上のレジスト71には格子状の溝のパターンが形成され、吐出口422上のレジスト71には、放射状と同心円状の溝のパターンが形成される。ここでは、溝のパターンレジスト71で被覆されていない領域は、10~20μmの幅を有し、50~100μmのピッチで形成されるものとする。ここでは、転写によるパターン形成方法を示したが、フォトリソグラフィによる方法、レーザ描画による方法、インプリントによる方法などでパターンを形成してもよい。ついで、図4-4に示されるように、ウエットエッチングによって、パターニングされたレジスト71をマスクとして下地膜51をエッチングし、下地膜51に密着性改善溝52を形成する。エッチング液として、たとえばリン酸、硝酸、酢酸および水からなる混酸、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、TMAHTetramethylammoniumhydroxide:水酸化テトラメチルアンモニウムなどのアルカリ溶液等を用いることができる。また、母材411がエッチングされないように、エッチング時間が制御される。ここでは、まずレジスト71で覆われていない最上層のAl膜513が等方的にエッチングされる。Al膜513のエッチングの進行によって、Al膜513の底部でAl-Si合金膜512が露出すると、つぎに、Al-Si合金膜512が等方的にエッチングされる。さらに、Al-Si合金膜512のエッチングの進行によって、Al-Si合金膜512の底部でAl膜511が露出すると、Al膜511が等方的にエッチングされる。密着性改善溝52の深さが所定の深さとなるまで、各膜は等方的にエッチングされるので、Al膜513ではサイドエッチが進行する。また、Al-Si合金膜512はAl膜511に比してエッチングレートが遅いので、最下層のAl膜511もサイドエッチが進行する。その結果、Al-Si合金膜512が上下のAl膜511,513に比して突出した形状となる。すなわち、最下層のAl膜511の上面での開口径は、Al-Si合金膜512の底部での開口径よりも大きく、最上層のAl膜513の底部での開口径は、Al-Si合金膜512の上面での開口径よりも大きい。このように、密着性改善溝52の内面には碇のような形状の凹凸が形成されるため、形状効果および表面積の増大効果により密着力が増加する。レジスト71を剥離した後、図4-5に示されるように、下地膜51中のAl膜511,513に対して陽極酸化処理を行う。これによって、Al膜511,513が露出している領域でアルマイト膜513aが形成される。このとき、ガス流路421の内面に形成された下地膜51のAl膜513も陽極酸化され、上面がアルマイト膜513aとなる。ついで、図4-6に示されるように、吐出口422の内面と母材411の吐出口形成面の下地膜51上に、プラズマ保護膜53を形成する。プラズマ保護膜53として、アルミナ膜やイットリア膜などを例示することができる。また、プラズマ保護膜53の形成方法として、たとえば、溶射法、CVDChemicalVaporDeposition法、エアロゾルデポジションAerosolDeposition法、コールドスプレー法、ガスデポジション法、静電微粒子衝撃コーティング法、衝撃焼結法などを用いることができる。ここで、プラズマ保護膜53は、下地膜51に形成された密着性改善溝52内にも埋め込まれて形成される。密着性改善溝52の表面積は、たとえば下地膜51をAl膜一層で形成した場合に比して増加しているので、アンカー効果によって下地膜51に対してプラズマ保護膜53の密着性が増加する。以上の工程によって、第1の実施形態による保護膜50が母材411上に形成されたシャワーヘッド41が得られる。なお、このようにして形成されたシャワーヘッド41を図1に示されるプラズマ処理装置で長期間使用すると、プラズマダメージによって保護膜50が劣化する。そこで、保護膜50が劣化した場合、図4-7に示されるように、保護膜50を除去する。すなわち、プラズマ保護膜53と下地膜51とをリフトオフ法によって剥がして母材411を露出させる。その後、図4-2~図4-6に示した方法によって、再び母材411上に保護膜50を形成するリコートすることができる。なお、第1の実施形態の方法では、図4-4の密着性改善溝52が母材411に到達しないようにエッチングを制御しているので、母材411はダメージを受け難く、保護膜50をリコートすることによって繰り返し母材411を利用することができるとともに、シャワーヘッド41の寿命を延ばすことができる。なお、上記した説明では、下地膜51として、母材411上にAl膜511/Al-Si合金膜512/Al膜513の3層が積層された場合を例に示したが、Al膜とAl-Si合金膜とを交互に複数層積層させたものを用いてもよい。また、下地膜51として、母材411上にAl膜511を単層で形成したものでもよい。ここで、比較例と比較したときの第1の実施形態の効果について説明する。図7は、一般的なシャワーヘッドへの保護膜形成方法の手順の概要を模式的に示す断面図である。一般的に、シャワーヘッド41のガス供給路42に保護膜50を形成するには、図7aに示されるように、Alからなる母材411の表面を陽極酸化処理してアルマイト膜58を形成する。ついで、図7bに示されるように、サンドブラスト法によってアルマイト膜58の表面を剥離する。その結果、アルマイト膜58の表面に凹凸が形成される。そして、図7cに示されるように、凹凸が形成された母材411表面に保護膜50を形成する。このように、凹凸が形成された母材411上に保護膜50を形成することで、保護膜50の付着強度が増加する。しかし、テーパ状に加工された吐出口422の面上では、サンドブラスト法によって表面を均一に粗面化することが難しい。特に、ガス流路421に近い吐出口422では、母材411の吐出面形成側の平面に比して形成される凹凸が小さくなる。その結果、ガス流路421近傍の吐出口422上に形成される保護膜50は、母材411に対して密着性が弱くなる。このような状態で、保護膜50がプラズマ処理に曝されると、熱膨張の繰り返しによって、ガス流路421と吐出口422との境界の角部75に亀裂が生じ、保護膜50が剥がれ、ダストとしてプラズマ処理対象のウェハ上に落下してしまうという問題点があった。一方、第1の実施形態では、母材411のガス供給路42のテーパ状に加工されている吐出口422に形成されたAl膜511/Al-Si合金膜512/Al膜513が積層された下地膜51に、密着性改善溝52を形成し、Al-Si合金膜512がAl膜511,513に比して突出した断面構造とした。また、密着性改善溝52は、リソグラフィ技術とエッチング技術によって形成されるため、母材411の吐出口形成側の平面上の位置であっても、吐出口422のガス流路421の近傍の位置であっても溝の深さは略一定であるため、均一に粗面化できる。これによって、下地膜51上に形成されるプラズマ保護膜53は、アンカー効果によって下地膜51との間の密着性が改善する。その結果、プラズマ処理によって熱が繰り返し印加されても、吐出口422のガス流路421近傍に形成されたプラズマ保護膜53が剥離しにくくなるという効果を有する。また、下地膜51を形成することなく母材411上に直接パターン密着性改善溝52を形成し、その上にプラズマ保護膜53を形成することも可能である。しかし、この場合には、密着性改善溝52の表面積が第1の実施形態で説明したようには増加しないため、第1の実施形態と比較して剥がれやすくなる。そのため、上記したように、母材411上に、たとえばAl膜511/Al-Si合金膜512/Al膜513のような、陽極酸化膜を形成しやすい金属膜と、この金属膜よりもエッチング時にエッチングされにくい材料膜と、を積層させた下地膜51を用いることが望ましい。さらに、母材411のガス流路421内に形成された下地膜51中のAl膜513を陽極酸化してアルマイト膜513aを形成した後に、吐出口422を構成する面と母材411の吐出口形成面側の主面に形成された下地膜51上にプラズマ保護膜53を形成するようにした。これによって、プラズマ保護膜53を形成することができないガス流路421の内面にもプラズマ耐性を有する被膜を形成することができる。さらに、比較例のように、プラズマ保護膜53を形成する領域、すなわち吐出口422を構成する面と母材411の吐出口形成面側の主面に形成された下地膜51を除去しなくてもよい。第2の実施形態図8は、第2の実施形態によるシャワーヘッドの構造を模式的に示す一部断面図であり、aは吐出口付近の構造を模式的に示す断面図であり、bは保護膜形成位置の一部を拡大した断面図である。第1の実施形態では、母材の上にAl膜/Al-Si合金膜/Al膜が順に積層されたものを下地膜として用いたが、第2の実施形態では、母材411がAlを含む材料で構成されているので、母材411上にAl-Si合金膜512/Al膜513を順に積層したものを下地膜51として用いている。すなわち、母材411を第1の実施形態の下地膜51中の最下層のAl膜511とした構造としている。そのため、密着性改善溝52は、母材411まで到達し、プラズマ保護膜53は母材411と接触している。なお、第1の実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付して、その説明を省略している。図9-1~図9-6は、第2の実施形態による保護膜の形成方法の手順の一例を模式的に示す断面図である。これらの図において、aはシャワーヘッドの吐出口付近の断面図であり、bは保護膜形成位置をさらに拡大した断面図である。まず、図9-1に示されるように、たとえばアルミニウムで構成される母材411に、ガス流路421と、ガス流路421に接続される吐出口422とを有するガス供給路42を形成する。ついで、図9-2に示されるように、下地膜51を母材411のプラズマに暴露される側の表面に形成する。ここでは、下地膜51として、母材411上に、Al-Si合金膜512およびAl膜513を蒸着法によって形成する。Al-Si合金膜512は、後のウエットエッチング処理時において、Al膜513よりもエッチングレートが遅くなる材料である。また、それぞれの膜厚は、第1の実施形態より薄い、たとえば1μmとすることができる。その後、図9-3に示されるように、下地膜51上にレジスト71を、第1の実施形態と同様の方法で、所定の形状にパターニングする。母材411の吐出口形成面上のレジスト71には格子状の溝のパターンが形成され、吐出口422上のレジスト71には、放射状と同心円状の溝のパターンが形成される。ここでは、溝のパターンレジスト71で被覆されていない領域は、10~20μmの幅を有し、50~100μmのピッチで形成されるものとする。ついで、図9-4に示されるように、ウエットエッチングによって、レジストパターンをマスクとして下地膜51をエッチングし、下地膜51に密着性改善溝52を形成する。エッチング液として、たとえば第1の実施形態と同様にリン酸、硝酸、酢酸および水からなる混酸などを用いることができる。ここでは、まずレジスト71で覆われていない最上層のAl膜513が等方的にエッチングされる。Al膜513のエッチングの進行によって、Al膜513の底部でAl-Si合金膜512が露出すると、つぎに、Al-Si合金膜512が等方的にエッチングされる。さらに、Al-Si合金膜512のエッチングの進行によって、Al-Si合金膜512の底部でAlを含む材料からなる母材411が露出すると、母材411が等方的にエッチングされる。密着性改善溝52の深さが所定の深さとなるまで、各膜と母材411は等方的にエッチングされるので、最上層のAl膜513ではサイドエッチが進行する。また、Al-Si合金膜512はAlに比してエッチングレートが遅いので、母材411もサイドエッチが進行する。その結果、Al-Si合金膜512がAl膜513と母材411に比して突出した形状となる。すなわち、母材411の上面での開口径は、Al-Si合金膜512の底部での開口径よりも大きく、最上層のAl膜513の底部での開口径は、Al-Si合金膜512の上面での開口径よりも大きい。このように、密着性改善溝52の内面には碇のような形状の凹凸が形成されるため、形状効果および表面積の増大効果により密着力が増加する。また、レジスト71が形成されていないガス流路421の内面に形成された下地膜51と母材411の一部はエッチングによって除去される。レジスト71を剥離した後、図9-5に示されるように、下地膜51中のAl膜513と母材411に対して陽極酸化処理を行う。これによって、Al膜513と母材411の露出している領域でアルマイト膜513aが形成される。ついで、図9-6に示されるように、吐出口422の内面と母材411の吐出口形成面の下地膜51上に、アルミナ膜やイットリア膜などのプラズマ保護膜53を形成する。プラズマ保護膜53の形成方法として、たとえば、溶射法、CVD法、エアロゾルデポジション法、コールドスプレー法、ガスデポジション法、静電微粒子衝撃コーティング法、衝撃焼結法などを用いることができる。プラズマ保護膜53は、密着性改善溝52内にも埋め込まれて形成され、アンカー効果によって下地膜51に対して密着性が増加する。以上の工程によって、第2の実施形態による保護膜50が母材411上に形成されたシャワーヘッド41が得られる。第2の実施形態によっても、第1の実施形態と同様に、プラズマ処理を繰り返し実行し、プラズマに曝されても、母材411から剥離しにくいプラズマ保護膜53を得ることができるという効果を有する。第3の実施形態図10は、第3の実施形態によるシャワーヘッドの構造を模式的に示す一部断面図であり、aは吐出口付近の構造を模式的に示す断面図であり、bは保護膜形成位置の一部を拡大した断面図である。シャワーヘッド41を構成する母材411の吐出口形成面と吐出口422の内面とには、Alと低融点金属の合金からなる高さ10~20μm程度の低融点合金結晶粒子541が分散されて形成されている。また、低融点合金結晶粒子541の表面と低融点合金結晶粒子541の形成されていない母材411表面母材411のガス流路421の内面を含むには、アルマイト膜からなるアルマイト下地膜が形成されている。さらに、母材411の吐出口形成面と吐出口422のアルマイト下地膜上には、アルミナやイットリアからなるプラズマ保護膜53が形成される構造を有する。つまり、第3の実施形態では、母材411の吐出口形成面と吐出口422の内面に低融点合金結晶粒子541を分散させて形成することで、母材411の表面積を増加させ、その上に形成するプラズマ保護膜53に対するアンカー効果を持たせるようにしている。図11-1~図11-6は、第3の実施形態による保護膜の形成方法の手順の一例を模式的に示す断面図である。これらの図において、aはシャワーヘッドの吐出口付近の断面図であり、bは保護膜形成位置をさらに拡大した断面図である。まず、図11-1に示されるように、たとえばアルミニウムで構成される母材411に、ガス流路421と、ガス流路421に接続される吐出口422とを有するガス供給路42を形成する。ついで、図11-2に示されるように、ガス供給路42のガス流路421に封止材72を充填する。封止材72は、ガス流路421のみに充填され、吐出口422には埋め込まれない。また、封止材72として、たとえばレジストを例示することができる。その後、母材411の吐出口形成面側の面上に、具体的には母材411の吐出口形成面、吐出口422の内面および封止材72の上面上に、200°C程度の低融点を有するアルミ合金膜54aをたとえば20μmの厚さで蒸着する。アルミ合金膜54aとして、たとえばAl-Sn,Al-Pb,Al-Inなどを用いることができる。アルミ合金膜54aは、蒸着した直後では、アモルファスの状態にある。ついで、図11-3に示されるように、母材411を200°C程度の温度で熱処理する。これによって、アモルファス状態のアルミ合金膜54aは結晶化する。アルミ合金膜54aが結晶化すると、Sn,Pb,Inなどの融点が350°C以下の低融点金属成分が偏析し、低融点金属が含まれないAl結晶粒子542間に、低融点金属が含まれる低融点合金結晶粒子541が分散された状態のアルミ合金膜54が形成される。その後、図11-4に示されるように、ウエットエッチングによって、低融点金属が含まれない結晶粒子、すなわちAl結晶粒子542を除去し、低融点合金結晶粒子541を残す。エッチング液として、Al結晶粒子542は溶解するが、低融点合金結晶粒子541は溶解しない薬液が選択され、たとえば第1の実施形態と同様にリン酸、硝酸、酢酸および水からなる混酸などを用いることができる。なお、このウエットエッチングでは、アルミ合金膜54中のアルミ結晶粒子542を除去できればよい。このエッチングによって、母材411の下面と吐出口422の内面には高さが10~20μmの低融点合金結晶粒子541がランダムに配置される。このように、低融点合金結晶粒子541を母材411中に配置することで、プラズマ保護膜53の下地層と成る母材411表面に凹凸が形成される。なお、封止材72上の低融点合金結晶粒子541は、封止材72を除去する際にリフトオフにより除去される。ついで、図11-5に示されるように、母材411と低融点合金結晶粒子541に対して陽極酸化処理を行う。これによって、母材411の露出している領域と低融点合金結晶粒子541でアルマイト下地膜55が形成される。このとき、プラズマ保護膜53を形成することが難しいガス供給路42のガス流路421の内面にもアルマイト下地膜55が形成される。その後、図11-6に示されるように、低融点合金結晶粒子541が形成された吐出口422の内面上と母材411の吐出口形成面上に、アルミナ膜やイットリア膜などのプラズマ保護膜53を形成する。プラズマ保護膜53の形成方法として、たとえば、溶射法、CVD法、エアロゾルデポジション法、コールドスプレー法、ガスデポジション法、静電微粒子衝撃コーティング法、衝撃焼結法などを用いることができる。プラズマ保護膜53は、低融点合金結晶粒子541間を埋めるように形成される。プラズマ保護膜53は、低融点合金結晶粒子541によって凹凸上の表面を有する母材411上に形成される。そのため、アンカー効果によって下地に対して密着性が向上したプラズマ保護膜53が形成される。以上の工程によって、第3の実施形態による保護膜50が母材411上に形成されたシャワーヘッド41が得られる。なお、図11-4では、アルミ合金膜54中のAl結晶粒子542をウエットエッチングによって除去したところで処理を止めているが、これに限定される趣旨ではない。図12は第3の実施形態による保護膜の形成方法の手順の他の例を模式的に示す断面図である。この図12に示されるように、ウエットエッチングをAl結晶粒子542が除去された時点で止めるのではなく、母材411もエッチングして、母材411に密着性改善溝52を形成してもよい。この場合、低融点合金結晶粒子541に比してAlを含む材料によって構成される母材411の方がエッチングされやすいので、低融点合金結晶粒子541の周縁部の下部で母材411のサイドエッチが生じる。このように、密着性改善溝52が母材411に形成されるまでエッチングを行うことで、プラズマ保護膜53に対するアンカー効果をさらに強くすることができる。なお、母材411までエッチングする場合には、エッチング時間を制御すればよい。第3の実施形態によっても、第1の実施形態と同様に、プラズマ処理を繰り返し実行し、プラズマに曝されても、母材411から剥離しにくいプラズマ保護膜53を得ることができるという効果を有する。また、アルミ合金膜54aを母材411上で結晶化させることで、アルミ合金膜54aは低融点合金結晶粒子541とAl結晶粒子542とに分離することを利用し、アルミ結晶粒子542を薬液で溶かして、母材411の吐出口形成面と吐出口422内面上に島状に分布した低融点合金結晶粒子541を得た。そして、低融点合金結晶粒子541で母材411の表面積を増加させるようにした。その結果、第1と第2の実施形態と同様に、下地膜51を形成し、パターニングを行う必要がなくなるという効果も有する。第4の実施形態図13は、第4の実施形態によるシャワーヘッドの構造を模式的に示す一部断面図であり、aは吐出口付近の構造を模式的に示す断面図であり、bは保護膜形成位置の一部を拡大した断面図である。シャワーヘッド41を構成する母材411の吐出口形成面とガス供給路42の内面とには陽極酸化処理により第1アルマイト膜56が形成されている。また、母材411の吐出口形成面と吐出口422の内面の第1アルマイト膜56上には、Alに比して不規則な形の柱状構造を有する第2アルマイト膜57が形成される。第2アルマイト膜57は、たとえばAl-Si,Al-W,Al-Mo,Al-Ti,Al-Taなどの陽極酸化しにくい材料を例示することができる。この第1アルマイト膜56と第2アルマイト膜57とで下地膜が形成される。そして、第2アルマイト膜57上に、アルミナやイットリアからなるプラズマ保護膜53が形成される構造を有する。このように、保護膜50は、第1アルマイト膜56、第2アルマイト膜57およびプラズマ保護膜53によって構成される。つまり、第4の実施形態では、母材411の吐出口形成面と吐出口422の内面に不規則な形の柱状構造を有する第2アルマイト膜57を形成することで、下地膜の表面積を増加させ、その上に形成されるプラズマ保護膜53に対するアンカー効果を持たせるようにしている。図14-1~図14-6は、第4の実施形態による保護膜の形成方法の手順の一例を模式的に示す断面図である。これらの図において、aはシャワーヘッドの吐出口付近の断面図であり、bは保護膜形成位置をさらに拡大した断面図である。まず、図14-1に示されるように、たとえばアルミニウムで構成される母材411に、ガス流路421と、ガス流路421に接続される吐出口422とを有するガス供給路42を形成する。ついで、図14-2に示されるように、陽極酸化処理を行って、母材411の表面に第1アルマイト膜56を形成する。これによって、プラズマ保護膜53を形成することができないガス流路421の内面に、第1アルマイト膜56からなる保護膜が形成される。その後、図14-3に示されるように、ガス供給路42のガス流路421を封止材72で封止する。封止材72は、ガス流路421のみに充填され、吐出口422には埋め込まれない。封止材72として、たとえばレジストを例示することができる。さらに、母材411の吐出口形成面側の面上に、具体的には母材411の吐出口形成面、吐出口422の内面および封止材72の上面上に、陽極酸化処理によって不規則な形の中空柱状の陽極酸化膜が形成される材料を含むアルミ合金膜57aを蒸着法などの成膜法で形成する。このようなアルミ合金膜57aとして、たとえばAl-Si,Al-W,Al-Mo,Al-Ti,Al-Taなどを用いることができる。ついで、図14-4に示されるように、アルミ合金膜57aに対して陽極酸化処理を行い、第2アルマイト膜57を形成する。アルミ合金膜57aは、陽極酸化されるが、Alを陽極酸化処理した場合のように規則正しい中空の柱状とはならず、不規則な中空の柱状となる。その結果、第2アルマイト膜57の表面積が増大する。ついで、図14-5に示されるように、ウエットエッチングによって、ガス流路421に形成された封止材72を除去した後、図14-6に示されるように、第2アルマイト膜57が形成された吐出口422の内面上と母材411の吐出口形成面上に、アルミナ膜やイットリア膜などのプラズマ保護膜53を形成する。プラズマ保護膜53の形成方法として、たとえば、溶射法、CVD法、エアロゾルデポジション法、コールドスプレー法、ガスデポジション法、静電微粒子衝撃コーティング法、衝撃焼結法などを用いることができる。プラズマ保護膜53は、第2アルマイト膜57に形成された孔を埋めるように形成される。プラズマ保護膜53の下地膜は、不規則な形の孔によって表面に凹凸が形成された第2アルマイト膜57であり、このような下地膜上に形成されるプラズマ保護膜53はアンカー効果によって密着性が向上する。以上の工程によって、第4の実施形態による保護膜50が母材411上に形成されたシャワーヘッド41が得られる。第4の実施形態によっても、第1の実施形態と同様に、プラズマ処理を繰り返し実行し、プラズマに曝されても、母材411から剥離しにくいプラズマ保護膜53を得ることができるという効果を有する。また、陽極酸化処理によって不規則な中空柱状の形となる第2アルマイト膜57を設けることによって、プラズマ保護膜53の下地膜の表面積を増加させるようにした。その結果、第1と第2の実施形態にように、下地膜51を形成し、パターニングを行う必要がなくなるという効果も有する。なお、上記のシャワーヘッド41の場合、プラズマ処理装置の上部電極としての機能も有し、図示しないが接地線との接続部分がシャワーヘッド41に存在する。上記の実施形態で説明した保護膜50を形成する際には、この接続部分に絶縁材料からなる保護膜50を形成することはできないので、接続部分にレジストなどでマスクが施される。第5の実施形態一般的なプラズマ処理装置では、たとえばRIE処理によって生じた反応生成物がチャンバ11の内壁に堆積していき、ある程度堆積すると、プラズマ処理RIE処理中にチャンバ11の内壁から剥がれ、ダストとしてウェハ100上に落ちてしまう虞もある。第5の実施形態では、このような問題点を解決することができる保護膜50について説明する。図15は、第5の実施形態による保護膜の構造を模式的に示す断面図である。この図に示されるように、チャンバ11などの母材111の表面は、平坦化されており、母材111の表面には、保護膜50としての粗面化されたアルマイト膜59が形成されている。アルマイト膜59の厚さは10~200μm程度であることが望ましく、またアルマイト膜59の表面は、算術平均粗さRaで2~100μm程度の凹凸構造を有することが望ましい。このように、母材111の表面に粗面化されたアルマイト膜59を設けることで、プラズマ処理中に生じる活性種が母材111と接触し、母材111が腐食してしまうことを抑えることができる。また、プラズマ処理中に生じた反応生成物が母材111上に堆積していくが、粗面化された母材111上への堆積なので、アルマイト膜59の表面積の増大と形状によるアンカー効果が増加し、アルマイト膜59上に形成される反応生成物は、アルマイト膜59に対する密着性が向上し、剥離し難くなる。つぎに、このようなアルマイト膜59の製造方法について説明する。図16は、第5の実施形態による保護膜の形成方法の手順の一例を模式的に示す断面図である。まず、図16aに示されるように、アルミニウム製の表面が平坦化された母材111を用意する。ついで、図16bに示されるように、硫酸水溶液や、硫酸とシュウ酸の混合水溶液などを用いた陽極酸化法によって母材111の表面に、陽極酸化膜である厚さ10~200μm程度の中空セル状のアルマイト膜59を形成する。なお、硫酸とシュウ酸の混合水溶液を用いた陽極酸化法によって形成されたアルマイト膜59の方が、硫酸水溶液を用いて形成されたアルマイト膜59に比してクラックが発生し難い傾向がある。そのため、アルマイト膜59を形成する位置でのクラックの発生しやすさなどによって、用いる水溶液を適宜変えることが望ましい。その後、図16cに示されるように、サンドブラスト法などの方法によって、アルマイト膜59の表面を粗面化する。このとき、アルマイト膜59の表面の算術平均粗さRaが2~100μmとなるように、アルマイト膜59を粗面化する。ただし、凹部が母材111に到達しないように粗面化処理が行われる。プラズマ処理中に温度変化が激しくない箇所やコーナーエッジ部でない箇所に形成されたアルマイト膜59、または上記したようにクラックが発生し難い陽極酸化法によって形成されたアルマイト膜59では、プラズマ処理が繰り返し行われてもクラックが発生し難いため、図16cまでの処理で、粗面化処理されたアルマイト膜59の形成処理を終了することができる。一方、プラズマ処理中に温度変化が激しい箇所、たとえばプラズマ生成領域近傍の箇所や、コーナーエッジ部のように応力が集中しやすい箇所に形成されたアルマイト膜59、またはクラックが発生しやすい陽極酸化法によって形成されたアルマイト膜59では、プラズマ処理が繰り返し行われる環境下でクラックが発生しやすい。そのため、以下に示す図16d以降の処理を施すことが望ましい。図16dに示されるように、形成したアルマイト膜59にクラックを発生させる。クラックを発生させる処理として、たとえば母材111を加熱し、冷却する処理を複数回繰り返し、アルミニウム母材111とアルマイト膜59の熱膨張率の違いにより、アルマイト膜59にクラック59aを発生させる。たとえば、母材111を室温からプラズマ処理時の最高到達温度よりも少し高い温度100~200°Cまで上昇させた後、室温まで冷却するというサイクルを複数回繰り返すことでクラック59aを発生させる。このようにクラック59aを発生させることで、アルマイト膜59に生じた応力が緩和される。その後、図16eに示されるように、アルマイト膜59に生じたクラック59aを塞ぐ封孔処理を行う。封孔処理として、たとえば水蒸気等でアルマイト膜59の酸化を促進させることでクラック59aを塞ぐことができる。このとき、中空セルも同時に封孔される。以上によって、粗面化処理されたアルマイト膜59が形成される。図15では、平坦な表面を有する母材111に粗面化されたアルマイト膜59を設ける場合を示したが、粗面化されたアルマイト膜59を有するものであれば、図15のような構造に限定されない。図17は、第5の実施形態による保護膜の構造の他の例を模式的に示す断面図である。図17では、粗面化処理された母材111の表面にアルマイト膜59を形成する場合が示されている。この場合のアルマイト膜59の厚さは、10~100μm程度であることが望ましく、またアルマイト膜59の表面は、算術平均粗さRaで2~100μm程度の凹凸構造を有することが望ましい。このような構造によっても、図15の場合と同様に、プラズマ処理中に粗面化処理されたアルマイト膜59の表面に堆積した反応生成物は、アンカー効果によって構成部材に密着して剥がれ難くなる。つぎに、このようなアルマイト膜59の製造方法について説明する。図18は、第5の実施形態による保護膜の形成方法の手順の他の例を模式的に示す断面図である。まず、図18aに示されるように、アルミニウム製の表面が平坦化された母材111を用意する。ついで、図18bに示されるように、サンドブラスト法などの方法によって、母材111の表面を粗面化する。このとき、アルマイト膜59形成後の表面の算術平均粗さRaが2~100μmとなるように粗面化する。その後、図18cに示されるように、硫酸水溶液や、硫酸とシュウ酸の混合水溶液などを用いた陽極酸化法によって、粗面化された母材111の表面に、陽極酸化膜である厚さ10~100μm程度の中空のセル状のアルマイト膜59を形成する。図16の場合と同様に、プラズマ処理中にクラックが発生し難い箇所にアルマイト膜59を形成する場合、または上記したようにクラックが発生し難い陽極酸化法によってアルマイト膜59を形成する場合には、図18cまでの処理で、粗面化処理されたアルマイト膜59の形成処理を終了することができる。一方、プラズマ処理中にクラックが発生しやすい箇所にアルマイト膜59を形成する場合、またはクラックが発生しやすい陽極酸化法によってアルマイト膜59を形成する場合には、以下に示す図18d以降の処理を施すことが望ましい。図18dに示されるように、形成されたアルマイト膜にクラックを発生させる。クラックを発生させる処理としては、図16dに示した処理と同様に、母材111を加熱し、冷却する処理を複数回繰り返す方法を用いることができる。これによって、アルマイト膜59にクラック59aを発生させる。その後、図18eに示されるように、アルマイト膜59に生じたクラック59aを塞ぐ封孔処理を行う。封孔処理として、たとえば水蒸気等でアルマイト膜59の酸化を促進させることでクラック59aを塞ぐことができる。このとき、中空セルも同時に封孔される。以上によって、粗面化処理されたアルマイト膜59が形成される。なお、このような粗面化処理したアルマイト膜59は、反応生成物が堆積する領域の構成部材の表面に対して設けることができる。たとえば、プラズマ生成領域に接する側の構成部材の表面やガス排気室63のガス排気口14付近までの構成部材の表面に対して、粗面化処理したアルマイト膜を設けることができる。第5の実施形態では、プラズマ生成領域に接する側の構成部材の表面を粗面化処理して、アルマイト膜59を形成した。これによって、プラズマ処理中では、アルマイト膜59の存在によって、プラズマ処理で発生する活性種が構成部材に直接接することが抑えられ、構成部材が腐食してしまうことを防ぐことができる。また、プラズマ処理中に構成部材表面に堆積した反応生成物は、粗面化処理されたアルマイト膜59表面に堆積するため、アンカー効果によって構成部材に密着して堆積する。その結果、プラズマ処理中に構成部材から反応生成物が剥離してウェハ100上に落下してしまうことを防ぐことができるという効果も有する。また、上記した説明では、プラズマ処理装置10としてRIE装置を例に挙げて説明したが、アッシング装置、CDEChemicalDryEtching装置、CVDChemicalVaporDeposition装置などの処理装置全般や半導体製造装置全般に、上記した実施形態を適用することができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"