"レーザー光源と、レーザー光源から出射された光の一部を反射させ、残余を透過させるミラーと、ミラーにより反射された反射光を検出する光検出器と、光検出器からの信号出力を受け、信号強度を一定に保つように前記レーザー光源の出力を制御するフィードバック制御回路と、を備え、前記ミラーの厚みが、ミラー前面により反射された反射光の検出器上のビームスポットとミラー後面により反射された反射光の検出器上のビームスポットとの間隔が所定値以上となる厚さとされているレーザー照射装置。前記所定値が、前記光のビーム径、1/e2または半値全幅のいずれかである請求項1記載のレーザー照射装置。前記ミラーが、くさび型ミラーである請求項1記載のレーザー照射装置。請求項1~3のいずれか一項に記載のレーザー照射装置と連設され、前記ミラーを透過した光を微小粒子に対する照射光とする微小粒子測定装置。フローサイトメータにおいて、微小粒子の光学特性を正確に測定するためには、微小粒子に安定した強度の光を照射する必要がある。微小粒子に照射される光の強度が変動すると、測定される散乱光強度や蛍光強度に誤差が生じ、測定精度が低下する。そこで、本技術は、レーザー光源から安定した強度の光を出射可能なレーザー照射装置を提供することを主な目的とする。上記課題解決のため、本技術は、レーザー光源と、レーザー光源から出射された光の一部を反射させ、残余を透過させるミラーと、ミラーにより反射された反射光を検出する光検出器と、光検出器からの信号出力を受け、信号強度を一定に保つように前記レーザー光源の出力を制御するフィードバック制御回路と、を備え、前記ミラーの厚みが、ミラー前面により反射された反射光の検出器上のビームスポットとミラー後面により反射された反射光の検出器上のビームスポットとの間隔が所定値以上となる厚さとされているレーザー照射装置を提供する。このレーザー照射装置において、前記間隔は、前記光のビーム径、1/e2または半値全幅のいずれかの値以上とできる。前記間隔をこれらの値以上とすることにより、光検出器による反射光の検出を、ミラー前面により反射された反射光とミラー後面により反射された反射光との干渉を抑制した条件下で行うことができる。このレーザー照射装置において、前記ミラーは、くさび型ミラーであることが好ましい。ミラーをくさび型とすることで、ミラー前面により反射された反射光とミラー後面により反射された反射光との干渉を一層抑制できる。また、本技術は、上記のレーザー照射装置が連設され、前記ミラーを透過した光を微小粒子に対する照射光とする微小粒子測定装置を提供する。本技術において、1/e2とは、光の照射面において、単位面積あたりの光強度が最大値の1/e2となる対称な2点間の距離を意味する。また、半値全幅Fullwidthathalfmaximumとは、光の照射面において、単位面積あたりの光強度が最大値の1/2となる対称な2点間の距離を意味する。また、本技術において、微小粒子には、細胞や微生物、リポソームなどの生体関連微小粒子、あるいはラテックス粒子やゲル粒子、工業用粒子などの合成粒子などが広く含まれるものとする。生体関連微小粒子には、各種細胞を構成する染色体、リポソーム、ミトコンドリア、オルガネラ細胞小器官などが含まれる。対象とする細胞には、動物細胞血球系細胞など及び植物細胞が含まれる。微生物には、大腸菌などの細菌類、タバコモザイクウイルスなどのウイルス類、イースト菌などの菌類などが含まれる。さらに、生体関連微小粒子には、核酸やタンパク質、これらの複合体などの生体関連高分子も包含され得るものとする。また、工業用粒子は、例えば有機もしくは無機高分子材料、金属などであってもよい。有機高分子材料には、ポリスチレン、スチレンジビニルベンゼン、ポリメチルメタクリレートなどが含まれる。無機高分子材料には、ガラス、シリカ、磁性体材料などが含まれる。金属には、金コロイド、アルミなどが含まれる。これら微小粒子の形状は、一般には球形であるのが普通であるが、非球形であってもよく、また大きさや質量なども特に限定されない。本技術により、レーザー光源から安定した強度の光を出射させることが可能なレーザー照射装置が提供される。以下、本技術を実施するための好適な形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態の一例を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。説明は以下の順序で行う。1.第一実施形態に係るレーザー照射装置2.第一実施形態の変形例に係るレーザー照射装置3.第二実施形態に係るレーザー照射装置4.微小粒子測定装置1.第一実施形態に係るレーザー照射装置図1は、本技術の第一実施形態に係るレーザー照射装置の構成を説明する模式図である。光源1から出射された出射光L1は、コリメータレンズ2によって平行光とされ、平板ミラー3に入射する。平板ミラー3に入射する出射光L1の一部は反射され、例えばフォトダイオード等からなる光検出器4に導光される符号L2,L3参照。平板ミラー3に入射した出射光L1の残余は平板ミラー3を透過し、透過光L4とされる。透過光L4は、レーザー照射装置の目的とする対象物に照射される。例えばレーザー照射装置を微小粒子測定装置に連設する場合には、透過光L4は、フローセルやマイクロチップ上に形成された流路を通流する微小粒子に対して照射される。平板ミラー3による反射光には、平板ミラー3の前側表面での前面反射光L2と後側表面での後面反射光L3とが含まれる。前面反射光L2および後面反射光L3は光検出器4によって受光され、光検出器4はこれらの光の強度を示す信号をフィードバック制御回路5に出力する。フィードバック制御回路5は信号出力を受け、信号強度が予め設定された基準値となるようにレーザー光源1の出力を制御する。具体的には、フィードバック制御回路5は、まず、光検出器4からの信号強度と基準値とを比較する。そして、光検出器4からの信号強度が基準値を超える場合、レーザー光源1の駆動電力を低下させ、出射光L1の光量を減少させる。逆に、光検出器4からの信号強度が基準値未満である場合、レーザー光源1の駆動電力を増大させ、出射光L1の光量を増加させる。このような制御によって、フィードバック制御回路5は、前面反射光L2および後面反射光L3の強度を一定に維持するとともに、前面反射光L2および後面反射光L3の強度に対応する透過光L4の強度も一定値に安定化させる。図2は、平板ミラー3の厚みを説明する模式図である。平板ミラー3の厚みは符号Tによって示されている。符号t1は平板ミラー3の前側表面への出射光L1の入射角を示し、符号t2は後側表面への入射角を示す。平板ミラー3による反射後、前面反射光L2と後面反射光L3との間には間隔Sが生じる。この間隔Sは以下の式によって示される。S2TTant2Cost1Sint1nSint2nは平板ミラー3の屈折率を示す。間隔Sは、光検出器4上の前面反射光L2のビームスポットと後面反射光L3のビームスポットとの間隔に対応する。本実施形態に係るレーザー照射装置では、平板ミラー3の厚みTを、間隔Sが所定値以上となるように設定している。図3を参照して、具体的に説明する。図3は、光検出器4上の前面反射光L2および後面反射光L3のビームスポット間隔を説明する模式図である。Aは間隔Sを出射光L1のビーム径以上となるように設定した場合、Bは、比較のため、間隔Sを出射光L1のビーム径未満となるように設定した場合を示す。図3Bに示すように、間隔Sが出射光L1のビーム径図中符号d参照未満である場合、前面反射光L2のビームスポットB2と後面反射光L3のビームスポットB3は、光検出器4上で重なり合い、干渉する領域を生じる。この干渉領域は、出射光L1の強度が一定であっても、わずかな波長変化に応じて明パターンあるいは暗パターンとなり、光検出器4の信号強度に変動をもたらすため、フィードバック制御回路5によるレーザー光源1の出力制御を不安定化する要因となる。そこで、本実施形態に係るレーザー照射装置では、平板ミラー3の厚みTを、間隔Sが出射光L1のビーム径d以上となるように設定し、ビームスポットB2とビームスポットB3の干渉を排除している。これにより、半導体レーザーのように微小な波長変化が不可避である光源をレーザー光源1として用いるような場合にも、フィードバック制御回路5によって高精度に出力を制御でき、安定した強度の透過光L4を得ることが可能となる。具体的な数値の一例として、入射角t1が45度、屈折率nが1.5である場合、間隔Sは0.75Tとなる。ビーム径dを4mmとすれば、平板ミラー3の厚みTは5.3mm以上であればよい。なお、出射光L1の波長変化による光検出器4の信号強度変動を抑制するためには、ビームスポットB2とビームスポットB3の重なりが全くないことが好ましいが、両者の干渉を抑制可能な限りにおいて重なりの存在を許容できるものとする。例えば、ビームスポットの面積で20以下、好ましくは10以下、さらに好ましくは5以下の重なりであれば、出射光L1の波長変化による光検出器4の信号強度変動を実用上十分な程度に抑制できる場合がある。2.第一実施形態の変形例に係るレーザー照射装置図4は、変形例に係るレーザー照射装置における光検出器4上の前面反射光L2および後面反射光L3のビームスポット間隔を説明する模式図である。Aは間隔Sを出射光L1の1/e2となるように設定した場合、Bは、比較のため、間隔Sを出射光L1の1/e2未満となるように設定した場合を示す。図4Bに示すように、間隔Sが出射光L1の1/e2図中符号e参照未満である場合、前面反射光L2のビームスポットB2と後面反射光L3のビームスポットB3は、1/e2スポットE2,E3の範囲で重なり合う。1/e2スポットは単位面積あたりの光強度が最大値の1/e2となる大きさのスポットである図5A参照。この範囲での重なりは強い干渉を生じるため、出射光L1の波長がわずかでも変化すると光検出器4の信号強度に大きな変動を生じさせ、フィードバック制御回路5によるレーザー光源1の出力制御を不安定化する要因となる。そこで、本実施形態に係るレーザー照射装置では、平板ミラー3の厚みTを、間隔Sが出射光L1の1/e2以上となるように設定し、1/e2スポットの範囲でのビームスポットB1とビームスポットB2の干渉を排除している。これにより、半導体レーザーのように微小な波長変化が不可避である光源をレーザー光源1として用いるような場合にも、フィードバック制御回路5による高精度な出力制御が可能となり、安定した強度の透過光L4を得ることができる。なお、出射光L1の波長変化による光検出器4の信号強度変動を抑制するためには、ビームスポットB2とビームスポットB3の重なりを極力抑制することが好ましく、特に光強度が大きい1/e2スポットの範囲での重なりを排除することが好ましい。しかし、ビームスポットB2とビームスポットB3の干渉を抑制可能な限りにおいて、1/e2スポットの重なりの存在を許容できるものとする。例えば、1/e2スポットの面積で20以下、好ましくは10以下、さらに好ましくは5以下の重なりであれば、出射光L1の波長変化による光検出器4の信号強度変動を実用上十分な程度に抑制できる場合がある。ここでは、間隔Sを出射光L1の1/e2以上に設定し、1/e2スポットの範囲でのビームスポットB1とビームスポットB2の干渉を排除する変形例を説明した。他の変形例として、平板ミラー3の厚みTを、間隔Sが出射光L1の半値全幅FWHM以上となるように設定してもよい。FWHMスポットは単位面積あたりの光強度が最大値の1/2となる大きさのスポットであり図5B参照。FWHMスポットの範囲での重なりも強い干渉を生じるためである。なお、FWHMスポットについても、ビームスポットB2とビームスポットB3の干渉を抑制可能な限りにおいて、重なりの存在を許容できるものとする。3.第二実施形態に係るレーザー照射装置図6は、本技術の第二実施形態に係るレーザー照射装置の構成を説明する模式図である。光源1から出射された出射光L1は、コリメータレンズ2によって平行光とされ、くさび型ミラー6に入射する。くさび型ミラー6に入射する出射光L1の一部は反射され、例えばフォトダイオード等からなる光検出器4に導光される符号L2,L3参照。くさび型ミラー6に入射した出射光L1の残余はくさび型ミラー6を透過し、透過光L4とされる。透過光L4は、レーザー照射装置の目的とする対象物に照射される。例えばレーザー照射装置を微小粒子測定装置に連設する場合には、透過光L4は、フローセルやマイクロチップ上に形成された流路を通流する微小粒子に対して照射される。くさび型ミラー6による反射光には、くさび型ミラー6の前側表面での前面反射光L2と後側表面での後面反射光L3とが含まれる。前面反射光L2および後面反射光L3は光検出器4によって受光され、光検出器4はこれらの光の強度を示す信号をフィードバック制御回路5に出力する。フィードバック制御回路5は信号出力を受け、信号強度が予め設定された基準値となるようにレーザー光源1の出力を制御する。具体的には、フィードバック制御回路5は、まず、光検出器4からの信号強度と基準値とを比較する。そして、光検出器4からの信号強度が基準値を超える場合、レーザー光源1の駆動電力を低下させ、出射光L1の光量を減少させる。逆に、光検出器4からの信号強度が基準値未満である場合、レーザー光源1の駆動電力を増大させ、出射光L1の光量を増加させる。このような制御によって、フィードバック制御回路5は、前面反射光L2および後面反射光L3の強度を一定に維持するとともに、前面反射光L2および後面反射光L3の強度に対応する透過光L4の強度も一定値に安定化させる。本実施形態に係るレーザー照射装置は、第一実施形態に係るレーザー照射装置の平板ミラー3を、前側表面と後側表面が所定角度をなすくさび型ミラー6に置換した構成を有する。光源1からくさび型ミラー6への出射光L1の進行方向をX軸方向、くさび型ミラー6から光検出器4への前面反射光L2および後面反射光L3の進行方向をY軸方向、XY平面に対する垂直方向をZ軸方向とした場合、くさび型ミラー6の前側表面と後側表面はZ軸方向で傾いている。図7は、光検出器4上の前面反射光L2および後面反射光L3のビームスポットの干渉領域に現れる干渉縞を説明する模式図である。平板ミラーをくさび型ミラーに置換したことにより、前面反射光L2のビームスポットB2と後面反射光L3のビームスポットB3が重なり合う領域には、ピッチ縞と縞の間隔Pが小さい干渉縞が現れる。出射光L1の波長が変化すると干渉縞の移動により光検出器4の信号強度が変動するが、干渉縞のピッチPが十分に小さい場合にはこの干渉縞の移動による信号強度の変動も小さくなり、変動値が実用上無視できる範囲となる。これにより、半導体レーザーのように微小な波長変化が不可避である光源をレーザー光源1として用いるような場合にも、フィードバック制御回路5によって高精度に出力を制御でき、安定した強度の透過光L4を得ることが可能となる。出射光L1の波長をλ、くさび型ミラー6の前側表面と後側表面がなす角度をθとすると、干渉縞のピッチPはλ/2θとなる。具体的な数値の一例として、波長λが0.488mm、角度θが0.2度である場合、干渉縞のピッチPは70μmとなる。ビームスポットB2とビームスポットB3との重なりが数mm程度である場合、干渉縞のピッチPが70μmであれば、干渉縞の移動による光検出器4の信号強度の変動は実用上無視できる範囲となる。なお、ここでは、干渉縞を、ビームスポットB2とビームスポットB3とが重なり合う領域において両ビームスポットの中心を結ぶ方向横方向に所定間隔で配列する横縞として説明した。しかし、干渉縞は、前記方向に直交する方向縦方向に所定間隔で配列する縦縞であってもよい図8参照。干渉縞を縦縞とする場合には、くさび型ミラー6の前側表面と後側表面は、XY平面において所定角度を形成するよう構成される図9参照。干渉縞の移動による信号強度の変動を小さくするため、ビームスポットの重なり領域に現れる干渉縞の数は多いほど好ましく、干渉縞の数を多くするためには干渉縞は縦縞よりも横縞が好ましい。本実施形態に係るレーザー照射装置においても、第一実施形態に係るレーザー照射装置と同様に、くさび型ミラー6の厚みを、光検出器4上の前面反射光L2のビームスポットと後面反射光L3のビームスポットとの間隔が所定値以上となるように設定できる。これにより、ビームスポットB2とビームスポットB3の干渉を排除あるいは抑制することができ、干渉縞の移動による光検出器4の信号強度の変動を一層抑制して、透過光L4の強度制御を安定化できる。4.微小粒子測定装置本技術に係る微小粒子測定装置は、上述のレーザー照射装置と連設され、透過光L4をフローセルやマイクロチップ上に形成された流路を通流する微小粒子に対する照射光とする装置である。微小粒子測定装置は、微小粒子をフローセル内やマイクロチップ上に形成された流路内に一列に配列させて送流するフロー系と、フローセル内等を通流する微小粒子に照射光を照射する照射系と、照射光を照射された微小粒子あるいはこれに標識された物質から発生する散乱光や蛍光などの測定対象光を検出する検出系とを含んで構成される。微小粒子測定装置は、さらに、測定対象光の強度から微小粒子の光学特性を判定する解析系や、判定結果に基づき微小粒子をその光学特性に応じて分別する分取系を備えていてもよい。本技術に係る微小粒子測定装置は、照射系として上述のレーザー照射装置を含み、安定した強度の照射光を微小粒子に照射することが可能とされている。従って、本技術に係る微小粒子測定装置では、微小粒子の散乱光強度や蛍光強度を誤差なく測定でき、高い測定精度を得ることができる。なお、本技術に係る微小粒子測定装置のフロー系および検出系、解析系、分取系は、従来公知の装置と同様に構成すればよい。"