"第1基板上に設けられた発光素子を封止する封止膜を形成する封止膜形成工程を有する有機EL装置の製造方法であって、マザー基板上に複数の前記第1基板がマトリックス状にレイアウトされると共に、複数の前記第1基板のうち少なくとも一部は実装端子部が向い合せにレイアウトされ、前記封止膜形成工程では、前記実装端子部の反対側が互いに向い合うようにレイアウトされた部分においては、少なくとも二つの前記第1基板にまたがって前記封止膜を形成すること特徴とする有機EL装置の製造方法。請求項1に記載の有機EL装置の製造方法であって、前記封止膜は有機平坦化層とガスバリア層とを含み、前記有機平坦化層は前記第1基板ごとに形成し、前記実装端子部の反対側が互いに向い合うようにレイアウトされた部分では前記ガスバリア層を少なくとも二つの前記第1基板にまたがって形成すること特徴とする。請求項1に記載の有機EL装置の製造方法であって、前記封止膜は陰極保護層と有機平坦化層とガスバリア層とを含み、前記有機平坦化層は前記第1基板ごとに形成し、前記実装端子部の反対側が互いに向い合うようにレイアウトされた部分では前記陰極保護層と前記ガスバリア層を少なくとも二つの前記第1基板にまたがって形成すること特徴とする。請求項1に記載の有機EL装置の製造方法であって、前記封止膜は無機平坦化層とガスバリア層とを含み、前記実装端子部の反対側が互いに向い合うようにレイアウトされた部分では前記無機平坦化層と前記ガスバリア層とを少なくとも二つの前記第1基板にまたがって形成すること特徴とする。請求項1乃至4のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法を用いて製造された有機EL装置を備えたことを特徴とする電子機器。ところで、携帯機器の表示部に使用される表示装置では、機能性や意匠性の問題から、額縁部と呼ばれる表示領域の周辺部に配置される非表示領域フレーム部分を出来得る限り最小として、有効表示領域を広げる構成とすることが一般的となっている。そのため、携帯機器の表示部として有機EL装置を用いる場合には、狭い額縁部を有する狭額縁構造を実現する必要がある。しかしながら、上記特許文献1の有機EL装置の構成では、封止膜を形成する際、外部配線を接合する実装端子部が露出するように封止膜を形成しなければならない。そのため実装端子部から封止膜端までの距離は封止膜形成時の公差分以上の距離を確保しなければいけない。すなわち、封止膜を有機EL装置ごとに形成する必要があるので有機EL装置の外形と封止膜との間に所定の公差を有するスペースが必要となって、有機EL装置の外形と発光画素領域との間の額縁領域を狭くすることが困難であるという課題がある。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例に係る有機EL装置の製造方法は、第1基板上に設けられた発光素子を封止する封止膜を形成する封止膜形成工程を有する有機EL装置の製造方法であって、マザー基板上に複数の前記第1基板がマトリックス状にレイアウトされると共に、複数の前記第1基板のうち少なくとも一部は実装端子部が向い合せにレイアウトされ、前記封止膜形成工程では、前記実装端子部の反対側が互いに向い合うようにレイアウトされた部分においては、少なくとも二つの前記第1基板にまたがって前記封止膜を形成することを特徴とする。本適用例によれば、実装端子部の反対側の辺において、封止膜を隣り合う第1基板と連続して形成することが出来るため、封止膜を形成する際に隣り合う第1基板の実装端子部からの距離を考慮する必要はなくなり、これによって、実装端子部の反対側の辺において額縁領域を狭くすることが可能となる。すなわち、狭額縁の有機EL装置を製造することができる。また封止膜の成膜において非成膜エリアの幅が広がることにより、用いるマスクの形成が容易になるという利点もある。[適用例2]上記適用例に記載の有機EL装置の製造方法であって、前記封止膜は有機平坦化層とガスバリア層とを含み、前記有機平坦化層は前記第1基板ごとに形成し、前記実装端子部の反対側が互いに向い合うようにレイアウトされた部分では前記ガスバリア層を少なくとも二つの前記第1基板にまたがって形成することを特徴とする。本適用例によれば、ガスバリア層における封止性能を維持しつつ、狭額縁化を実現できる。[適用例3]上記適用例に記載の有機EL装置の製造方法であって、前記封止膜は陰極保護層と有機平坦化層とガスバリア層とを含み、前記有機平坦化層は前記第1基板ごとに形成し、前記実装端子部の反対側が互いに向い合うようにレイアウトされた部分では前記陰極保護層と前記ガスバリア層を少なくとも二つの前記第1基板にまたがって形成することを特徴とする。本適用例によれば、陰極保護層とガスバリア層とによる封止性能を維持しつつ、狭額縁化を実現できる。[適用例4]上記適用例の有機EL装置の製造方法であって、前記封止膜は無機平坦化層とガスバリア層とを含み、前記実装端子部の反対側が互いに向い合うようにレイアウトされた部分では前記無機平坦化層と前記ガスバリア層を少なくとも二つの前記第1基板にまたがって形成するとしてもよい。本適用例によれば、無機平坦化層とガスバリア層とによる封止性能を維持しつつ、狭額縁化を実現できる。[適用例5]本適用例の電子機器は、上記適用例の有機EL装置の製造方法を用いて製造された有機EL装置を備えていることを特徴とする。これによれば、本適用例の電子機器は、狭額縁化が実現された有機EL装置を用いることにより、より小型な電子機器を提供することができる。第1実施形態<有機EL装置>まず、本実施形態の有機EL装置について、図1~図4を参照して説明する。図1は第1実施形態の有機EL装置の電気的な構成を示す等価回路図、図2は第1実施形態の有機EL装置の構造を模式的に示す断面図、図3は図2の要部A部を示す図であって、有機EL装置の周辺部の構造を説明するための拡大断面図、図4は第1実施形態に係る有機EL装置の構成を模式的に示す平面図である。図1に示すように、本実施形態の有機EL装置1は、スイッチング素子として薄膜トランジスターThinFilmTransistor、以下TFTと称する。を用いたアクティブマトリクス方式である。複数の走査線101と、各走査線101に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線102と、各信号線102に並列に延びる複数の電源線103とからなる配線構成を有し、走査線101と信号線102との各交点付近にサブ画素Xが形成されたものである。もちろん本発明の技術的思想に沿えば、TFTなどを用いるアクティブマトリクスは必須ではなく、単純マトリクス向けの素子基板を用いて本発明を実施し、単純マトリクス駆動しても全く同じ効果が低コストで得られる。信号線102には、シフトレジスター、レベルシフター、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路100が接続されている。また、走査線101には、シフトレジスター及びレベルシフターを備える走査線駆動回路80が接続されている。さらに、サブ画素Xの各々には、走査線101を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用TFTスイッチング素子112と、このスイッチング用TFT112を介して信号線102から共有される画素信号を保持する保持容量113と、該保持容量113によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用TFTスイッチング素子123と、この駆動用TFT123を介して電源線103に電気的に接続したときに該電源線103から駆動電流が流れ込む陽極10と、該陽極10と陰極11との間に挟み込まれた発光層有機発光層12が設けられている。発光層12と、これを挟む一対の電極としての陽極10および陰極11とにより発光素子21図2参照が構成されている。この有機EL装置1によれば、走査線101が駆動されてスイッチング用TFT112がオン状態になると、そのときの信号線102の電位が保持容量113に保持され、該保持容量113の状態に応じて、駆動用TFT123のオンオフ状態が決まる。そして、駆動用TFT123のチャネルを介して、電源線103から陽極10に電流が流れ、さらに発光層12を介して陰極11に電流が流れる。発光層12は、これを流れる電流量に応じて発光する。次に、図2および図3を参照しながら、有機EL装置1の断面構造を説明する。図2に示すように、本実施形態の有機EL装置1は、複数の発光素子21が配置された第1基板20Aと、複数の発光素子21を覆って積層して形成される陰極保護層17と有機平坦化層18とガスバリア層19の各層と、この第1基板20Aの複数の発光素子21が配置された面に対向配置された第2基板31と、を備えており、これら第1基板20Aと第2基板31とは、シール層33および接着層34とを介して貼り合わされている。有機EL装置1は、いわゆるトップエミッション方式の有機EL装置である。トップエミッション方式は、光を第1基板20A側ではなく第2基板31側から取り出すため、第1基板20Aに配置された各種回路の大きさに影響されず、発光面積を広く確保できる効果がある。そのため、電圧及び電流を抑えつつ輝度を確保することが可能であり、発光素子21の寿命を長く維持することができる。以下の説明においては、図2において第1基板20Aが配置されている側を下側、第2基板31が配置されている側を上側として、各構成の上下関係、積層関係を示すこととする。以下、各構成要素について順に説明する。第1基板第1基板20Aは、基板本体20と、基板本体20上に前述した各種配線やTFT素子と、これらの配線やTFT素子等を覆う無機絶縁膜14とを備えている。基板本体20は、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。本実施形態では、基板本体20の材料として透明なガラスを用いる。基板本体20上には、図1に示した駆動用TFT123や不図示の各種配線が形成されており、これらの構成を覆って基板本体20の表面の全面に無機絶縁膜14が形成されている。無機絶縁膜14は、例えば窒化シリコンで構成されている。第1基板20A上には、第1基板20Aが備える配線やTFT素子等に由来する表面の凹凸を緩和するための平坦化膜16と、平坦化膜16に内装されて配置される発光素子21から照射される光を第2基板31側に反射する機能を有する金属反射層15と、が形成されている。平坦化膜16は、絶縁性の樹脂材料で形成されており、形成方法はフォトリソグラフィを用いるため、材料には例えば感光性のアクリル樹脂や環状オレフィン樹脂などが用いられている。金属反射層15は、配線材料と同じ例えばアルミニウムやチタン、モリブデン、銀、銅などの金属またはそれらを組み合わせた合金材料で形成されており、光を反射する性質を備えている。本実施形態ではアルミニウムで形成されている。金属反射層15は、発光素子21と基板本体20との間で発光素子21に平面的に重なるように配置されている。配線と同じ材料が用いられているので、配線を形成する工程において金属反射層15を同時に形成することが可能となる。これにより製造工程を簡略化できる。平坦化膜16上であって、金属反射層15と平面的に重なる領域には、発光素子21が配置されており、隣接する発光素子21の間および発光素子21と基板本体20の端部との間には隔壁13が形成されている。隔壁13は平坦化膜16と同様に絶縁性の樹脂材料で形成されており、形成方法はフォトリソグラフィを用いるため、材料には例えば感光性のアクリル樹脂や環状オレフィン樹脂などが用いられている。発光素子21は、陽極10と陰極11との間に発光層12が挟持されて形成されている。発光素子21を構成する陽極10は、平坦化膜16上に形成され、第1基板20Aが備える駆動用TFT123に接続されている。また陽極10は、仕事関数が5eV以上の正孔注入効果の高い材料が好適に用いられる。このような正孔注入効果の高い材料としては、例えばITOIndiumThinOxide;インジウム錫酸化物等の金属酸化物を挙げることができる。本実施形態ではITOを用いる。また、上記金属反射層15と発光層12の距離を制御することでRGBの発光効率を高めることが出来るため、RGB画素ごとに膜厚を制御して反射する距離を制御することが好ましい。なお、本実施形態の有機EL装置1はトップエミッション方式の発光方法であるため、陽極10は必ずしも光透過性を有する必要は無く、アルミニウム等の光を透さない金属電極を設けることとしてもよい。その場合には、陽極10が光を反射し先述の金属反射層15の機能を兼ね備えるため、金属反射層15は設けなくても良い。発光層12は、白色に発光する白色発光層を採用している。本実施形態では、この白色発光層は低分子系の発光材料を用いて真空蒸着法を用いて形成されている。白色の発光材料としては、スリチルアミン系発光層にアントラセン系のドーパントをドーピングした層青色と、スリチルアミン系発光層にルブレン系のドーパントをドーピングした層黄色と、を同時に発光させて白色発光を実現している発光材料を挙げることができる。ここでは低分子系の発光材料を用いているが、高分子系の発光材料を用いて発光層12を形成することとしても良い。また、各層の構成を変化させ、赤色、緑色、青色の3色を同時に発光させて白色発光を取り出す3層構造とすることも可能である。なお、陽極10と発光層12との間に、トリアリールアミン多量体ATP層正孔注入層、トリフェニルジアミン系誘導体TPD層正孔輸送層、発光層12と陰極11との間にアルミニウムキノリノールAlq3層電子注入層、LiF電子注入バッファー層をそれぞれ成膜し、各電極からの電子および正孔の注入を容易にさせる構成とすることが好ましい。陰極11は、発光層12と隔壁13との表面を覆って、最も外側第1基板20Aの外周部に近い側に配置された隔壁13の頭頂部に至るまで延在して形成されている。陰極11の形成材料には、電子注入効果の大きい仕事関数が4eV以下材料が好適に用いられる。例えば、カルシウムやマグネシウム、ナトリウム、リチウム金属、又はこれらの金属化合物である。金属化合物としては、フッ化カルシウム等の金属フッ化物や酸化リチウム等の金属酸化物、アセチルアセトナトカルシウム等の有機金属錯体が該当する。これらの材料を用いる場合には、金属材料は真空蒸着法、金属化合物はECRプラズマスパッタ法やイオンプレーティング法、対向ターゲットスパッタ法などの高密度プラズマ成膜法を用いて陰極11を形成することができる。また、これらの材料だけでは、電気抵抗が大きく電極として十分機能しないため、発光部分を避けるようにアルミニウムや金、銀、銅などの金属層をパターン形成したり、ITOや酸化錫などの透明な金属酸化物導電層との積層体と組み合わせて用いたりしてもよい。なお、本実施形態では、マグネシウム-銀合金MgAgを透明性が得られる20nm以下の膜厚に調整して用いている。陰極11の膜厚は約10nmである。また、第1基板20A上であって、第1基板20Aの外周部近傍の平坦化膜16が形成されていない領域には第1接続配線第1陰極配線22Aが形成され、第1陰極配線22Aと陰極11とは補助陰極配線24により接続され導通している。第1陰極配線22Aは、陰極11を不図示の電源まで通電させることを目的として形成されており、主に第1基板20Aの外周部付近に設けられる。第1陰極配線22Aの形成材料には、電気伝導性の高いアルミニウムやチタン、モリブデン、タンタル、銀、銅などの金属またはそれらを組み合わせた合金が用いられ、これらの材料を単層もしくは多層に積層して形成したものが用いられる。また、第1陰極配線22Aの最表層には、陽極10と同じ材料であるITOが形成されている。陽極10の形成時と同時に、第1陰極配線22Aの最表層にもITOを形成しておくことで、製造工程におけるフォトリソグラフィ工程での第1陰極配線22Aの腐食を防ぐことができる。第1陰極配線22Aの厚みは300nmから800nm程度であり、幅は0.5mmから1.5mm程度である。しかし有機EL装置1の大きさにより形成可能な第1陰極配線22Aの幅は異なるため、第1陰極配線22Aの幅はこの値に限定するものではない。補助陰極配線24は、陰極11と第1陰極配線22Aとの通電を補助する目的で陰極11の端部に設けられている。補助陰極配線24の形成材料には、アルミニウム等の導電性の高い金属が用いられ、マスクを介して真空蒸着法やスパッタ法で成膜して形成される。補助陰極配線24の膜厚は100nmから500nm程度であることが好ましい。本実施形態では300nmの膜厚の補助陰極配線24を形成している。封止膜第1基板20A上には、配置されている発光素子21を覆って全面に複数の封止膜が積層して層構造を形成している。この封止膜として、本実施形態の有機EL装置1は、陰極保護層17と有機平坦化層18とガスバリア層19とを備えている。以下、第1基板20A上に形成されている各層について説明する。第1基板20A上には、第1陰極配線22Aの端面を覆い、第1陰極配線22A、補助陰極配線24、陰極11の表面を覆って、陰極保護層17が形成されている。この陰極保護層17により、20nm以下と非常に薄い陰極11や、その下の発光層12の破損を抑制することができる。また、発光素子21への水分の浸入を防ぐガスバリア層としての機能も兼ね備える。陰極保護層17はECRスパッタ法やイオンプレーティング法などの高密度プラズマ成膜法を用いて形成することができる。形成前には、酸素プラズマ処理を行って形成した膜の密着性を向上させることが好ましい。陰極保護層17は、透明性や密着性、耐水性、絶縁性、更にはガスバリア性を考慮して、酸窒化シリコンや窒化シリコンなどのケイ素化合物で構成することが望ましい。中でも、酸窒化シリコンは、含まれる酸素と窒素の比率を変えることで高い防湿性を維持しながら、膜応力を抑えつつ無色透明な膜とすることが可能であるため好ましい。本実施形態では、酸窒化シリコンを用いて陰極保護層17を形成している。また、陰極保護層17の膜厚は100nm以上が好ましく、隔壁13を被覆することで発生する応力によるクラック発生を防ぐため、膜厚の上限は400nm以下に設定することが好ましい。なお、本実施形態においては、陰極保護層17を単層で形成しているが、複数層で積層してもよい。例えば、低弾性率の下層と高耐水性の上層とで陰極保護層17を構成してもよい。陰極保護層17の上には、陰極保護層17の内側に有機平坦化層18が形成されている。有機平坦化層18は、隔壁13の形状の影響により、凹凸状に形成された陰極保護層17の凹凸部分を埋めるように配置され、さらに、その上面は略平坦に形成される。この有機平坦化層18は、第1基板20Aの反りや体積膨張により発生する応力を緩和し、隔壁13からの陰極保護層17の剥離を防止する機能を有する。また、有機平坦化層18の上面が略平坦化されるので、有機平坦化層18上に形成される硬い被膜からなる後述するガスバリア層19も平坦化される。したがって、応力が集中する部位がなくなり、これにより、ガスバリア層19でのクラックの発生を防止することができる。有機平坦化層18の形成材料としては、流動性に優れ且つ溶媒や揮発成分の無い、全てが高分子骨格の原料となる有機化合物材料であることが好ましく、その様な形成材料としてエポキシ基を有する分子量3000以下のエポキシモノマー/オリゴマーを好適に用いることができる。また、有機平坦化層18の最適な膜厚としては、2μm~5μmが好ましい。有機平坦化層18の膜厚が厚いほうが異物混入した場合等にガスバリア層19の破損を防ぎやすいが、有機平坦化層18を合わせた層厚が5μmを超えると、後述する着色層32aと発光層12の距離が広がり側面に逃げる光が増えるため光を取り出す効率が低下するためである。有機平坦化層18の上には、有機平坦化層18の端部を含め全面を被覆し、且つ陰極保護層17の全面を覆うガスバリア層19が形成されている。ガスバリア層19は、酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより酸素や水分による発光素子21の劣化等を抑えることができる。ガスバリア層19は、透明性、ガスバリア性、耐水性を考慮して、好ましくは窒素を含むケイ素化合物、すなわち窒化シリコンや酸窒化シリコンなどを用いて形成される。本実施形態では、酸窒化シリコンを用いてガスバリア層19を形成している。ガスバリア層19は、ECRスパッタ法やイオンプレーティング法などの高密度プラズマ成膜法を用いて形成することができる。形成前には、形成面の酸素プラズマ処理を行って形成した膜の密着性を向上させることが好ましい。また、ガスバリア層19の膜厚は、ガスバリア層19の破損を防ぎガスバリア性を担保するために100nm以上であることが好ましい。また、有機平坦化層18の端部や第1陰極配線22A等の凹凸部を被覆する際にクラックを防ぐために800nm以下であることが好ましい。なお、本実施形態においては、ガスバリア層19を単層で形成しているが、複数層で積層してもよい。陰極保護層17およびガスバリア層19が第1陰極配線22Aを覆って形成されている。第1陰極配線22Aの表面には、前述のように陽極10に用いられるITO酸化物導電膜が形成されている。このITOは、成膜の過程で多結晶柱状構造をとるため隙間が多く、水分が浸入しやすい。また、ITOの導電性を高めるために加熱処理を行うと、結晶が凝集成長するため、より隙間が多くなる。そのため、第1陰極配線22Aが露出していると、外部環境の水蒸気などの水分が第1陰極配線22Aの表面のITOを介して有機EL装置1の内部に浸入するおそれがあるが、本実施形態では透湿性の低いケイ素化合物からなる層で第1陰極配線22Aを覆っているため、第1陰極配線22Aからの水分の浸入を防ぐことが出来る。更には、ガスバリア層19は有機平坦化層18も完全に覆っているため、有機平坦化層18を介した水分浸入も防ぐことが出来る。陰極保護層17と有機平坦化層18とは、第1基板20Aの外縁部まで延在して設けられており、上記外縁部では無機材料からなる陰極保護層17とガスバリア層19とが互いに接するように積層されている。つまり、有機平坦化層18を介さずに陰極保護層17とガスバリア層19とを直接積層させることにより上記外縁部における封止性を向上させている。第2基板ガスバリア層19が形成された第1基板20Aには、第2基板31が対向配置されている。第2基板31は、ガスバリア層19を保護する機能と光透過性を備えた基板であり、例えばガラス、石英ガラス、窒化ケイ素等の無機物や、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリオレフィン樹脂等の有機高分子樹脂を用いて形成することができる。また、光透過性を備えるならば、上記材料を積層または混合して形成された複合材料を用いることもできる。中でも、透明性と防湿性が高く、耐熱性を付与するのに第1基板20Aとの熱膨張率を合わせるため、特にガラス基板が好適に用いられる。第2基板31の第1基板20Aと対向する面には、カラーフィルター層32が形成されている。カラーフィルター層32には、透過光を赤色R、緑色G、青色Bのいずれかの光に変調する着色層32aがマトリクス状に配列形成されている。この着色層32aの各々は、陽極10上に形成された白色の発光層12に対向して配置されている。これにより、発光層12から射出された光は着色層32aの各々を透過して、赤色光、緑色光、青色光として観察者側に射出され、カラー表示を行うようになっている。シール層接着層第1基板20Aと第2基板31とは、第1基板20Aの外縁部近傍に配置されるシール層33と、シール層33に囲まれた領域内で第1基板20Aと第2基板31とに挟持された接着層34と、によって貼り合わされている。シール層33は、装置内部への水分浸入防止の機能のほかに、第1基板20Aと第2基板31との貼り合わせの位置精度向上と接着層34のはみ出しを防止する土手としての機能を有している。シール層33の形成材料は、紫外線によって硬化して粘度が向上する樹脂材料で構成されている。好ましくはエポキシ基を有する分子量3000以下のエポキシモノマー/オリゴマーが用いられる。通常、シール層33を形成するための材料には、基板間の距離を制御するための所定粒径の球状粒子スペーサーや、粘度を調整するため燐片状や塊状の無機材料無機フィラーなどの充填物が混合されていることが多い。しかし、これらの充填物は貼り合わせ圧着時にガスバリア層19を損傷させるおそれがあるため、本実施形態ではこれらの充填物が混入していないシール層形成材料を用いる。シール層33の膜厚としては、5μm~20μmが好ましい。接着層34は、シール層33で囲まれた有機EL装置1の内部に隙間なく充填されており、第1基板20Aに対向配置された第2基板31を固定し、かつ外部からの機械的衝撃に対して緩衝機能を有し、発光層12やガスバリア層19を保護する機能を備える。接着層34の形成材料の主成分としては、流動性に優れ、かつ溶媒のような揮発成分を持たない有機化合物材料である必要があり、好ましくはエポキシ基を有する分子量3000以下のエポキシモノマー/オリゴマーが用いられる。接着層34の形成材料の塗布時の粘度は、200mPas~1000mPas室温が好ましい。理由は、貼り合わせ後の空間への材料充填性を考慮したもので、加熱直後に一度粘度が下がってから硬化が始まる材料が好ましい。また、含水量は1000ppm以下に調整された材料であることが好ましい。接着層34の膜厚としては、3μm~10μmが好ましい。接着層34がこの程度の厚みを備えると、接着層34の膜厚と先述した有機平坦化層18等の各封止膜の膜厚との合計が最大で15μm程度になる。この合計膜厚が15μmを超えると、カラーフィルター層32と発光素子21との間の距離が広がりすぎ、発光素子21から射出される光のうち装置側面に逃げる光の割合が増えるため、光取り出し効率が悪くなるためである。この膜厚の制御は、接着層34の形成材料を配置する量を制御することで行う。周辺部の断面構造続いて、図3に示す拡大断面図を参照して、有機EL装置1の周辺部の断面構造を説明する。図3は図2の要部丸で囲んだA部を示す図である。図3に示すように、この有機EL装置1の周辺部は、前述した第1基板20Aと第2基板31との間に、第1陰極配線22A、補助陰極配線24、陰極保護層17、有機平坦化層18、ガスバリア層19、シール層33が順次積層される構成となっている。また、シール層33は、装置の最も外側に近い位置に形成されている隔壁13よりも外側に形成されている。有機平坦化層18は、周辺部では主に隔壁13と平坦化膜16とに由来する凹凸形状を緩和するように形成されている。有機平坦化層18の周辺部では、隔壁13と平坦化膜16とは階段状の形状を形成しており、有機平坦化層18は該階段状の下地形状に沿って、下部が階段状に形成されている。また、有機平坦化層18は、装置中央部から周辺端部35にかけて薄く小さくなるように形成されている。有機平坦化層18の周辺端部35における第1基板20Aの水平方向に対する仰角接触角度θは、20度以下で形成されることが好ましく、特に10度前後で形成されることが好ましい。これにより、有機平坦化層18の周辺端部35を覆うガスバリア層19の応力集中によるクラックや剥離等の損傷を防ぐことができる。本実施形態では、仰角θは10度となっている。更には、有機平坦化層18の周辺部では階段状の下地形状に沿って有機平坦化層18が形成されているため、周辺端部35から隔壁13の上部に至るまで有機平坦化層18の表面斜面の水平方向に対する仰角が急激に大きくなることなく形成されている。ここで、陰極保護層17とガスバリア層19とは、前述の通り第1陰極配線22Aを完全に被覆するように形成されている。また、ガスバリア層19は、有機平坦化層18も完全に被覆するように有機平坦化層18よりも広く形成されており、このガスバリア層19上にシール層33が配置されている。さらに、シール層33の幅d内に有機平坦化層18の周辺端部35の立ち上がり部分36が位置するように形成されている。有機平坦化層18とその上に形成されるガスバリア層19は異なる材料を用いて形成されており、熱膨張率の異なる材料にて形成されていることがほとんどである。環境の変化や装置の駆動による発熱によりこれらの層の温度が変化すると、熱膨張率の差に由来してガスバリア層19が破損するおそれがある。その様な破損は、ガスバリア層19の形状が変化する有機平坦化層18の端部において起こりやすい。しかしながら、本実施形態のように有機平坦化層18の周辺端部35に重なるようにシール層33を形成し、ガスバリア層19を有機材料で挟持すると、応力集中によるガスバリア層19のクラックや剥離等の損傷を防ぐことができる。したがって、第1陰極配線22Aや有機平坦化層18を介して水分が発光素子21に到達することを防ぎ、ダークスポットの発生を防ぐことができる。なお、本実施形態における陰極保護層17とガスバリア層19は、共通のマスクを使用して形成する。狭額縁構造の観点から第1基板20Aの外周4辺のうち実装端子部40を有する辺25図4参照を除く3辺は第1基板20Aの端部まで覆う構造である。また、この有機EL装置1の周辺部は非発光部分である額縁部となっている。この額縁部は、例えば第1基板20A上の最端部に設けられた隔壁13の頭頂部から第1基板20Aの端部までの間に配置されている。その額縁部の幅Dは、例えば1mmであり、シール層33の幅dは、例えば0.5mmである。次いで、有機EL装置1の平面構造について図4を参照して説明する。図4は第1実施形態に係る有機EL装置の構成を模式的に示す平面図である。図4に示すように、第1基板20Aは、平面視矩形の形状を有しており、基板本体20の中央部に配置された表示領域3と、表示領域3の周囲に配置された額縁部4とを備えている。表示領域3は平面視矩形の領域形状を備え、図1で示したサブ画素Xがマトリクス状に配置されている。サブ画素Xにはそれぞれ発光素子21が配置されており、は赤色R、緑色G、青色Bのいずれかの光が取り出される構成となっている。これら各々の色に発色するサブ画素Xは、図中の短手方向において同一色で配列していわゆるストライプ配置を構成している。そして、サブ画素Xが発色するRGBが一つのまとまりとなって、単位画素が構成されており、該単位画素はRGBの発光を混色させてフルカラー表示を行うようになっている。額縁部4には、表示領域3を覆って表示領域3よりも広い面積に額縁部4にはみ出るまで形成される平面視矩形の陰極11と、陰極11の周囲を囲んで形成される第1陰極配線22Aと、第1陰極配線22Aと接続して形成される第2陰極配線22Bと、陰極11の両短辺に配置され、陰極11と第1陰極配線22Aとを接続する帯状の補助陰極配線24と、を備えている。また、第1基板20Aの長辺のうちの一方の辺25には、その中央部に第1基板20Aを他の部材と電気的に接続させる際に用いる実装端子部40を備えている。第1陰極配線22Aは、陰極11の両短辺および辺25側とは反対側の陰極11の長辺に対向して平面視コの字型に配置されている。また、第2陰極配線22Bは平面視L字型を備えており、第1陰極配線22Aの両端部にはそれぞれ1つずつ第2陰極配線22Bの一端部が接続されている。また、各第2陰極配線22Bの他端部には接続端子23が設けられており、接続端子23は複数の接続端子を有する実装端子部40の一部を構成して辺25に当接するように設けられている。第1陰極配線22Aは、陰極11と導通させて電気抵抗を下げることを目的としていることから、必ずしも平面視コの字型である必要は無く、陰極11と少なくとも一箇所一辺で接続されていれば良い。その様な場合には、例えば第1陰極配線22Aは陰極11の一辺に対向して配置しており、第1陰極配線22Aの端部から辺25に第2陰極配線22Bが形成されているという形態が考えられる。もちろん接続部が多くなると相対的に電気抵抗が下げられるため、陰極11の向かい合う二辺に対向して2本の第1陰極配線22Aを配置して、各辺で陰極11と第1陰極配線22Aとを接続することとしてもよい。更に、本実施形態では平面視コの字型の第1陰極配線22Aとしているが、第1陰極配線22Aが陰極11の周囲を取り囲み平面視で閉環している構造であっても構わない。実装端子部40は、有機EL装置1が備える各種配線と不図示の回路配線で接続されている。実装端子部40は、有機EL装置1と他の部材とを電気的に接続させる際に用いる。実装端子部40は、必要に応じて金や銀などの導電性の高い金属によるメッキを行い、実装端子部40での導電性を高めることとしておいても良い。これら各種配線のうち実装端子部40の端部を除いて、ガスバリア層19が形成されている。ガスバリア層19に覆われない部分露出部分には、実装端子部40の一部を構成する接続端子23も含んでいる。また、第2陰極配線22Bの備える屈曲部はガスバリア層19に覆われている。以上のような構成の有機EL装置1によれば、第1陰極配線22Aはガスバリア層19に覆われているため、第1陰極配線22Aの表面に形成されているITOを介して水分が装置内部に浸入することを防ぎ、発光素子21の劣化による表示性能の低下を回避し表示性能を維持することができる。また、本実施形態では、複数の発光素子21とガスバリア層19との間に有機平坦化層18が形成されている。そのため、ガスバリア層19が形成される表面に凹凸が少なくなり、凹凸部での応力集中によるガスバリア層19の破損を抑制することができる。したがって、ガスバリア層19による水分の浸入防止を確実に行うことが可能となる。また、本実施形態では、有機平坦化層18の周辺端部35における接触角度θが、20度以下となっている。そのため、有機平坦化層18の周辺端部35において、有機平坦化層18を覆って形成されるガスバリア層19は、下地形状に対応して急峻な角度を備えずに形成されるため、有機平坦化層18の周辺端部35でのガスバリア層19の損傷を抑制することができる。また、本実施形態においては、ガスバリア層19は窒化シリコンまたは酸窒化シリコンを用いることとしたが、酸化シリコンを用いることとしても構わない。その場合、酸化シリコンは窒化シリコンや酸窒化シリコンと比べると透湿性が高いため、窒化シリコンや酸窒化シリコンを用いて形成するガスバリア層19よりも厚く成膜することが望ましい。有機EL装置の製造方法次に、有機EL装置1の製造方法を図5~図10を参照して説明する。図5は有機EL装置の製造方法を示す工程フロー図、図6はマザー基板における第1基板のレイアウトを示す概略平面図、図7~図10は有機EL装置の製造方法を示す概略断面図である。図5の工程フロー図は陰極保護層17の形成工程S1より始まっているが、それまでの工程は前述したように公知の方法を採用することができる。本実施形態では、図6が示すようにマザー基板Wに複数の第1基板20Aを配列して形成する。その際、より多くの第1基板20Aを形成するために、隣り合う第1基板20Aが互いに分断線を介し密着したレイアウトとなっている。マザー基板Wに配列された第1基板20Aの長手方向がX方向、短手方向がY方向である。第1基板20Aは外周4辺のうち長手方向側の1辺に実装端子部40を有する辺25を持ち、Y方向に隣り合う第1基板20Aは互いに実装端子部40を有する辺25が接するレイアウトとなっている。陰極保護層形成工程S1まず、図7aに示すように、陰極11までが積層された第1基板20Aに陰極保護層17を形成する。例えば、前述のように窒化シリコンや酸窒化シリコンなどを、ECRスパッタ法やイオンプレーティング法等の高密度プラズマ成膜法により、メタルマスクなどを用いることにより所望の領域のみに成膜する。この際、実装端子部40を有する辺25に対向する辺27が互いに接した成膜領域29図6参照では、隣り合う第1基板20Aに亘って連続的に陰極保護層17が形成される。有機平坦化層形成工程S2次に、図7bに示すように、第1基板20Aごとに有機平坦化層18を陰極保護層17上に形成する。具体的には、まず減圧雰囲気下でスクリーン印刷法により有機平坦化層18の形成材料を配置する。減圧雰囲気下で有機平坦化層18の形成材料を配置することで、有機平坦化層18の形成材料やスクリーンメッシュに含まれる揮発性の不純物や水分を極力除去することができる。また、スクリーン印刷法ではスキージによる摩擦により配置した材料の表面が強制的に平坦化されるため、他の材料配置方法と比較して材料表面を平坦にすることが可能である。続いて、配置した有機平坦化層18の形成材料を60°C~120°Cの範囲で加熱して硬化させる。この加熱硬化は、大気圧での水分が10ppm以下に管理された窒素雰囲気下において行われる。ガスバリア層形成工程S3次に、図7cに示すように、ガスバリア層19を有機平坦化層18上に形成する。具体的には、ECRスパッタ法やイオンプレーティング法などの高密度プラズマ成膜法で形成する。なお形成前には、酸素プラズマ処理によって密着性を向上させると信頼性が向上するため好ましい。また、製造の際には、ガスバリア層19と陰極保護層17とを同一の材料にて形成すると、製造工程や製造装置の簡略化を図ることができる。こうした場合には、ガスバリア層19を形成する際に用いるマスクと陰極保護層17を形成する際に用いるマスクは共通のマスクが使用可能である。この際ガスバリア層19は、陰極保護層17と同様に実装端子部40を有する辺25に対向する辺27が互いに接した成膜領域29図6参照では、隣り合う第1基板20Aに亘って連続的に成膜される。周辺部の断面構造ここで封止膜形成後の断面構造について説明する。図16に示す従来の有機EL装置の製造方法における第1基板の配列では、実装端子部40を有する辺と反対側の辺が接するC部の断面は図15に示すようになっている。一方、本実施形態の図6に示す配列の場合、実装端子部40を有する辺25と反対側の辺27が接するD部の断面は図10に示すようになる。二つを比べると本実施形態のレイアウトの場合は、実装端子部40を有する辺25の反対側の辺27の額縁部の幅が狭いことがわかる。これは図16に示す従来の配列では隣に配列された第1基板20Aの実装端子部40に陰極保護層17とガスバリア層19が成膜されることを防ぐために成膜精度に見合った公差分の距離をとっている為である。本実施形態では封止膜の機能を損なうことなく額縁部4の幅を狭くすることが可能である。また、陰極保護層17とガスバリア層19の成膜において非成膜エリアの幅が広がることにより、用いるマスクの形成が容易になるという利点もある。対向ガラス貼付工程S4次にあらかじめ完成サイズにカットされた複数の第2基板31側をマザー基板Wに配列された第1基板20Aに対応する形で貼り付ける。図8aに示すように、カラーフィルター層32が形成された第2基板31の周辺部にシール層33の形成材料を配置する。具体的には、ニードルディスペンス法により、前述したシール層33の形成材料を第2基板31の周囲に塗布していく。次に、図8bに示すように、第2基板31に配置されたシール層33の形成材料に囲まれた内部に接着層34の形成材料を配置する。配置方法としてジェットディスペンス法を用い、塗布を行う。シール層33の形成材料の粘度は接着層34の形成材料の粘度よりも十分に高いため、シール層33の形成材料は接着層34の形成材料のはみ出しを防止する土手としての機能を発揮することができる。次に、図8cに示すように、シール層33および接着層34が塗布された第2基板31に紫外線照射を行う。すると、光反応型開始剤を含むシール層33の形成材料が優先的に反応して硬化を開始するため、シール層33の形成材料の粘度が向上する。続いて、図9aに示すように、図7cに示したガスバリア層19までが形成された第1基板20Aと、図8cに示したシール層33の硬化を開始させた第2基板31と、を貼り合わせる。この時、シール層33が第1基板20A上に形成した有機平坦化層18の周辺端部35を完全に被覆するように配置する。この貼り合わせ工程は、真空度が1Paの減圧雰囲気下で行われ、加圧600Nで200秒間保持して圧着させる。次に、図9bに示すように、圧着して貼り合わせた有機EL装置1を大気中で加熱して、シール層33および接着層34の形成材料の硬化を完了させる。分断工程S5マザー基板Wに配列された第1基板20Aを外形サイズに分断し、個々の有機EL装置1を切り出す。以上より、所望の有機EL装置1を製造することができる。以上の有機EL装置1の製造方法によれば、実装端子部40を有する辺25の反対側の辺28において、額縁部4を狭くすることが可能となる。具体的には陰極保護層17とガスバリア層19の成膜エリアの位置精度の公差分に相当する長さで額縁部4を狭くすることが可能となる。第2実施形態次に、第2実施形態の有機EL装置とその製造方法について、図11および図12を参照して説明する。図11は第2実施形態の有機EL装置における第1基板の構造を示す概略断面図、図12は第2実施形態の有機EL装置の製造方法を示す概略断面図である。図11に示すように、本実施形態における有機EL装置2は、複数の発光素子21が配置された第1基板20Aと、複数の発光素子21を覆って積層して形成される陰極保護層17と無機平坦化層26とガスバリア層19の各層と、この第1基板20Aの複数の発光素子21が配置された面に対向配置された第2基板31と、を備えている。これら第1基板20Aと第2基板31とは、シール層33および接着層34とを介して貼り合わされている。つまり、第1実施形態の有機平坦化層18を無機平坦化層26の置き換えた構成である。それ以外は、有機EL装置2の周辺部の封止膜の構成を除き第1実施形態と同様の構成となる。周辺部の断面構造続いて、本実施形態における有機EL装置2の周辺部の断面構造を説明する。この有機EL装置2の周辺部は、前述した第1基板20Aと第2基板31との間に、第1陰極配線22A、補助陰極配線24、陰極保護層17、無機平坦化層26、ガスバリア層19、シール層33が順次積層される構成となっている。また、シール層33は、装置の最も外側に近い位置に形成されている隔壁13よりも外側に形成されている。陰極保護層17の上には、陰極保護層17の内側に無機平坦化層26が形成されている。無機平坦化層26は、隔壁13の形状の影響により、凹凸状に形成された陰極保護層17の凹凸部分を埋めるように配置され、さらに、その上面は略平坦に形成される。この無機平坦化層26は、第1基板20Aの反りや体積膨張により発生する応力を緩和し、隔壁13からの陰極保護層17の剥離を防止する機能を有する。また、無機平坦化層26の上面が略平坦化されるので、無機平坦化層26上に形成される硬い被膜からなる後述するガスバリア層19も平坦化される。したがって、応力が集中する部位がなくなり、これにより、ガスバリア層19でのクラックの発生を防止することができる。無機平坦化層26は塗布型の材料を用いる。低温硬化タイプのポリシラザンが望ましい。これにより、スピンコートや印刷法にて形成することができる。無機平坦化層26は第1実施形態の有機平坦化層18と比較して、ガスバリア性に優れる特性を持つ。そのため封止膜外周端において、よりガスバリア性に優れる陰極保護層17とガスバリア層19にて完全に覆う必要がない。そのためより狭額縁化に適した形状をとることが出来る。本実施形態では、マザー基板Wに対するレイアウトは第1実施形態と同じである。ここで封止膜形成後の断面構造について説明する。図16で示す従来の有機EL装置の製造方法における第1基板の配列では、実装端子部40を有する辺と反対側の辺が接するC部の断面は図15のようになる。一方、本実施形態で示す図6の配列の場合、実装端子部40を有する辺25と反対側の辺27同士が接しているD部の断面は図12のようになる。二つを比べると本実施形態のレイアウトの場合は、実装端子部40と反対側において、陰極保護層17と、無機平坦化層26と、ガスバリア層19とが隣り合う第1基板20Aに跨って形成される。したがって、額縁部の幅が狭いことがわかる。これは図16に示す従来の配列では隣に配列された第1基板20Aの実装端子部40に陰極保護層17とガスバリア層19が成膜されることを防ぐために成膜精度に見合った公差分の距離をとっている為である。本実施形態では封止膜の機能を損なうことなく額縁部4の幅を狭くすることが可能である。また、陰極保護層17とガスバリア層19の成膜において非成膜エリアの幅が広がることにより、用いるマスクの形成が容易になるという利点もある。なお、高い封止性能を有する無機平坦化層26を用いているので、陰極保護層17を削除してもよい。すなわち、実装端子部40が配置されていない辺27同士が接している部分において、隣り合う第1基板20Aに跨って無機平坦化層26とガスバリア層19を形成すればよい。第3実施形態次に、第3実施形態の有機EL装置とその製造方法について図13を参照して説明する。図13は第3実施形態のマザー基板における第1基板のレイアウトを示す概略平面図である。本実施形態における有機EL装置5は第1実施形態に対して、第1基板20Aの直交する2辺に実装端子部40を有する点が異なっている。第1実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。図13に示すように、本実施形態における第1基板20Aのレイアウト方法は、より多くの第1基板20Aを形成するために、第1実施形態と同じく隣り合う第1基板20Aが互いに分断線を介し密着したレイアウトとなっている。マザー基板Wに配列された第1基板20Aの長手方向がX方向、短手方向がY方向である。第1基板20Aは外周4辺のうち長手方向側の1辺に実装端子部40を有する辺25aを持ち、実装端子部40を有する辺25aに対向する実装端子部40を有さない辺27を持つ。同じく短手方向側の1辺に実装端子部40を有する辺25bを持ち、実装端子部40を有する辺25bに対向する実装端子部40を有さない辺28を持つ。Y方向に隣り合う第1基板20Aは互いに実装端子部40を有する辺25aが接し、X方向においても隣り合う第1基板20Aは互いに実装端子部40を有する辺25bが接する。つまり隣り合うすべての第1基板20A同士がX方向及びY方向どちらにおいても回転角180°逆方向となるレイアウトとなっている。本実施形態によれば、実装端子部40を有する辺25a,25bの反対側の辺27,28において、額縁部4を狭くすることが可能となる。具体的には陰極保護層17とガスバリア層19の成膜エリアの位置精度の公差分に相当する長さで額縁部4を狭くすることが可能となる。第4実施形態<電子機器>次に、本実施形態の電子機器について図14を参照して説明する。図14aは、携帯電話の一例を示した斜視図である。図14aにおいて、符号50は携帯電話本体を示し、符号51は有機EL装置1を備えた表示部を示している。図14bは、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図14bにおいて、符号60は情報処理装置、符号61はキーボードなどの入力部、符号63は情報処理本体、符号62は有機EL装置1を備えた表示部を示している。図14cは、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図14cにおいて、符号70は腕時計本体を示し、符号71は有機EL装置1を備えたEL表示部を示している。図14a~cに示す電子機器は、先の実施形態に示した有機EL装置1が備えられている。したがって、額縁部が従来に比べて狭くなっているので、表示領域を相対的に大きくすることができ、視認性が良好で且つ小型な電子機器を提供することができる。なお、電子機器としては、上記携帯電話50、携帯型情報処理装置60、腕時計型電子機器70に限られることなく、種々の電子機器に適用することができる。例えば、ディスクトップ型コンピューター、液晶プロジェクター、マルチメディア対応のパーソナルコンピューターPC及びエンジニアリングワークステーションEWS、ページャー、ワードプロセッサー、テレビ、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、POS端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することができる。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。変形例1上記実施形態における有機EL装置の構造は、これに限定されない。例えば、シール層33を有さない構造、カラーフィルター層32を第2基板31ではなく封止膜ガスバリア層19上に直接形成する構造、また第2基板31を有さない構造においても実施可能である。変形例2ガスバリア層19は、無機材料からなるものに限定されない。例えば、ガス透過性が低い樹脂材料を用いてもよい。無機材料に比べて成膜後のクラックなどの不具合が発生し難くなる。"