密閉容器状の装置本体と、上記装置本体の内部に配置された遠赤外線面状ヒータと、上記装置本体内に水蒸気及び酸素を含んだ酸素補充ガスを供給する酸素補充ガス給気管と、上記装置本体内のガスを排出するガス排気管と、上記酸素補充ガス給気管に連通されて基板の酸素欠損部位に対し、上記水蒸気及び酸素を含んだ酸素補充ガスを噴射するノズル噴射口とを備えていることを特徴とする酸化アニール処理装置。請求項1に記載の酸化アニール処理装置において、上記装置本体の内部空間に窒素ガスを充満させる窒素ガス給気管をさらに備え、上記窒素ガスを上記装置本体に充満させた状態で上記ノズル噴射口から上記酸素補充ガスを噴射するように構成されていることを特徴とする酸化アニール処理装置。請求項1又は2に記載の酸化アニール処理装置において、上記基板は、薄膜トランジスタであり、上記酸素欠損部位は、ACスパッタ処理で発生するターゲットの継ぎ目であることを特徴とする酸化アニール処理装置。請求項3に記載の酸化アニール処理装置において、上記ノズル噴射口は、上記ターゲットの継ぎ目の数に応じて配置されていることを特徴とする酸化アニール処理装置。密閉容器状の装置本体と、上記装置本体の内部に配置された遠赤外線面状ヒータと、上記装置本体内に窒素ガスを供給する窒素ガス給気管と、上記装置本体内のガスを排出するガス排気管と、上記窒素ガス給気管に連通されて基板の酸素過剰部位に対し窒素ガスを噴射するノズル噴射口とを備えていることを特徴とする酸化アニール処理装置。請求項5に記載の酸化アニール処理装置において、上記基板は、薄膜トランジスタであり、上記酸素過剰部位は、ACスパッタ処理で発生するターゲットの継ぎ目以外の部位であることを特徴とする酸化アニール処理装置。請求項1乃至6のいずれか1つに記載の酸化アニール処理装置において、上記遠赤外線面状ヒータは、マイカヒータと、赤外線放射平板とを含むことを特徴とする酸化アニール処理装置。装置本体内の基板を遠赤外線面状ヒータで加熱しながら、上記基板の酸素欠損部位に対し、水蒸気及び酸素を含んだ酸素補充ガスを局所的に噴射することを特徴とする酸化アニール処理を用いた薄膜トランジスタの製造方法。装置本体内を窒素ガスで満たした状態で、基板を遠赤外線面状ヒータで加熱しながら、上記基板の酸素欠損部位に対し、水蒸気及び酸素を含んだ酸素補充ガスを局所的に噴射することを特徴とする酸化アニール処理を用いた薄膜トランジスタの製造方法。請求項8又は9に記載の酸化アニール処理を用いた薄膜トランジスタの製造方法において、上記アニール処理の前に、並列に設置された複数対のターゲットのうち、対をなすターゲット毎に極性を変えて交流電圧を印加するACスパッタ処理を含み、上記酸素欠損部位は、上記ACスパッタ処理で発生するターゲットの継ぎ目であることを特徴とする酸化アニール処理を用いた薄膜トランジスタの製造方法。装置本体内で基板を遠赤外線面状ヒータで加熱しながら、上記基板における酸素過剰部位に対し、窒素ガスを局所的に噴射することを特徴とする酸化アニール処理を用いた薄膜トランジスタの製造方法。請求項11に記載の酸化アニール処理を用いた薄膜トランジスタの製造方法において、上記アニール処理の前に、並列に設置された複数対のターゲットのうち、対をなすターゲット毎に極性を変えて交流電圧を印加するACスパッタ処理を含み、上記酸素過剰部位は、上記ACスパッタ処理で発生するターゲットの継ぎ目以外の部分であることを特徴とする酸化アニール処理を用いた薄膜トランジスタの製造方法。しかし、特許文献1のようなバッチ式横型拡散炉では、基板の大型化に伴って装置本体容量が大きくなり、昇温及び降温に時間がかかる。また、オーバーシュートするので、安定化に時間がかかる。また、炉内が高温となるため金属部材で対応できず、石英部材で炉を構成しなければない。大型の石英部材の加工は非常に困難であるため、大型の基板については対応できないという問題がある。また、基板枚数についても、バッチ処理であるため、単位時間当たりの処理能力であるスループットが上がらない。また、特許文献2の多段型ガラス基板焼成炉では、気密性が確保できず、面内分布が発生して炉内に水蒸気を分散させることが困難である。また、赤外線ヒータの光性部材であるマイカヒータが大量の水分と接触すると、リーク電流が発生するという問題がある。また、IGZOでは、ACスパッタ成膜におけるターゲット継ぎ目でTFT特性バラツキが生じるため、基板全体ではなく、局所的に特性を改善する必要がある。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、大型の基板であっても、リーク電流の発生を防ぎながら高いスループット及び低コストで酸化アニール処理を行えるようにすることにある。上記の目的を達成するために、この発明では、水蒸気及び酸素を含んだ酸素補充ガスを酸素欠乏部位にのみ供給するようにした。また、逆に酸素欠乏部位以外の場所、言い換えれば酸素過剰部位に酸化を抑制する窒素ガスを吹き付けるようにした。具体的には、第1の発明では、密閉容器状の装置本体と、上記装置本体の内部に配置された遠赤外線面状ヒータと、上記装置本体内に水蒸気及び酸素を含んだ酸素補充ガスを供給する酸素補充ガス給気管と、上記装置本体内のガスを排出するガス排気管と、上記酸素補充ガス給気管に連通されて基板の酸素欠損部位に対し、上記水蒸気及び酸素を含んだ酸素補充ガスを噴射するノズル噴射口とを備えている。上記の構成によると、装置本体内で遠赤外線面状ヒータによって大型基板が効率よく加熱される。また、ノズル噴射口から基板の酸素欠損部位にだけ水蒸気及び酸素を含んだ酸素補充ガスを噴射するので、水蒸気が必要以上に充満されず、遠赤外線面状ヒータのリーク電流絶縁破壊の発生が抑制される。また、水蒸気を含む酸素ガスを吹き付けて加熱するので酸化効率が向上し、装置本体内を450°C程度の高温に保つ必要が無くなり、装置本体を金属で構成できる。さらに、酸素欠損部位にだけ酸素補充ガスを当てればよく全体に均一に充満させる必要がないことから高い気密性を必要としないので、大型の基板でも蒸気酸化アニール処理を行える。また、第2の発明では、第1の発明において、上記装置本体の内部空間に窒素ガスを充満させる窒素ガス給気管をさらに備え、上記窒素ガスを上記装置本体に充満させた状態で上記ノズル噴射口から上記酸素補充ガスを噴射するように構成されている。上記の構成によると、ノズル噴射口から基板の酸素欠損部位にだけ水蒸気及び酸素を含んだ酸素補充ガスを噴射して酸化を促進させるものの、装置本体内で窒素が充満されているので、酸素が不要な部位には酸化が抑制されると共に、水蒸気が必要以上に充満されず、遠赤外線面状ヒータのリーク電流絶縁破壊の発生が抑制される。第3の発明では、第1又は第2の発明において、上記基板は、薄膜トランジスタであり、上記酸素欠損部位は、ACスパッタ処理で発生するターゲットの継ぎ目である。上記の構成によると、ACスパッタ成膜におけるターゲット継ぎ目でTFT特性バラツキが生じても、その部分に水蒸気及び酸素を含んだ酸素補充ガスを噴射するので、局所的に特性が改善される。第4の発明では、第3の発明において、上記ノズル噴射口は、上記ターゲットの継ぎ目の数に応じて配置されている。上記の構成によると、酸化が必要なターゲット継ぎ目に合わせてノズル噴射口を配置すればよいので、装置が簡略化される。また、第5の発明では、密閉容器状の装置本体と、上記装置本体の内部に配置された遠赤外線面状ヒータと、上記装置本体内に窒素ガスを供給する窒素ガス給気管と、上記装置本体内のガスを排出するガス排気管と、上記窒素ガス給気管に連通されて基板の酸素過剰部位に対し窒素ガスを噴射するノズル噴射口とを備えている。上記の構成によると、装置本体内で遠赤外線面状ヒータによって大型基板が効率よく加熱される。この発明では、逆にノズル噴射口から基板の酸素過剰部位にだけ酸化を抑制させる窒素ガスを噴射して基板全体として酸化の均一化を図ることができる。この方法では、水蒸気が装置本体内で充満されないので、遠赤外線面状ヒータのリーク電流絶縁破壊の発生が抑制される。また、酸素過剰部位にだけ窒素ガスを当てればよく全体に均一に充満させる必要がないことから高い気密性を必要としないので、大型の基板でも蒸気酸化アニール処理を行える。第6の発明では、第5の発明において、上記基板は、薄膜トランジスタであり、上記酸素過剰部位は、ACスパッタ処理で発生するターゲットの継ぎ目以外の部位である。上記の構成によると、ACスパッタ成膜におけるターゲット継ぎ目でTFT特性バラツキが生じても、それ以外の部分に窒素ガスを噴射して酸化を抑制するため、全体として特性のバラツキが改善される。第7の発明では、第1乃至第6のいずれか1つの発明において、上記遠赤外線面状ヒータは、マイカヒータと、赤外線放射平板とを含む構成とする。上記の構成によると、マイカ雲母であれば、大型基板に対応できる大きさでも容易に成形でき、レスポンスが早い。第8の発明では、装置本体内の基板を遠赤外線面状ヒータで加熱しながら、上記基板の酸素欠損部位に対し、水蒸気及び酸素を含んだ酸素補充ガスを局所的に噴射する構成とする。上記の構成によると、装置本体内で遠赤外線面状ヒータによって大型基板が効率よく加熱される。また、ノズル噴射口から基板の酸素欠損部位にだけ水蒸気及び酸素を含んだ酸素補充ガスを噴射するので、水蒸気が必要以上に充満されず、遠赤外線面状ヒータのリーク電流絶縁破壊の発生が抑制される。また、水蒸気を含む酸素ガスを吹き付けて加熱するので酸化効率が向上し、装置本体内を450°C程度の高温に保つ必要が無くなり、装置本体を金属で構成できる。さらに、酸素欠損部位にだけ酸素補充ガスを当てればよく全体に均一に充満させる必要がないことから高い気密性を必要としないので、大型の基板でも蒸気酸化アニール処理を行える。第9の発明では、装置本体内を窒素ガスで満たした状態で、基板を遠赤外線面状ヒータで加熱しながら、上記基板の酸素欠損部位に対し、水蒸気及び酸素を含んだ酸素補充ガスを局所的に噴射する構成とする。上記の構成によると、装置本体内で遠赤外線面状ヒータによって大型基板が効率よく加熱される。また、ノズル噴射口から基板の酸素欠損部位にだけ水蒸気及び酸素を含んだ酸素補充ガスを噴射して酸化を促進させるものの、装置本体内で窒素が充満されているので、酸素が不要な部位には酸化が抑制されると共に、水蒸気が必要以上に充満されず、遠赤外線面状ヒータのリーク電流絶縁破壊の発生が抑制される。また、水蒸気を含む酸素ガスを吹き付けて加熱するので酸化効率が向上し、装置本体内を450°C程度の高温に保つ必要が無くなり、装置本体を金属で構成できる。さらに、酸素欠損部位にだけ酸素補充ガスを当てればよく全体に均一に充満させる必要がないことから高い気密性を必要としないので、大型の基板でも蒸気酸化アニール処理を行える。第10の発明では、第8又は第9の発明において、上記アニール処理の前に、並列に設置された複数対のターゲットのうち、対をなすターゲット毎に極性を変えて交流電圧を印加するACスパッタ処理を含み、上記酸素欠損部位は、上記ACスパッタ処理で発生するターゲットの継ぎ目である。上記の構成によると、アニール処理の前工程において、ACスパッタ成膜におけるターゲット継ぎ目でTFT特性バラツキが生じても、その部分に水蒸気及び酸素を含んだ酸素補充ガスを噴射するので、局所的に特性が改善される。また、第11の発明では、装置本体内で基板を遠赤外線面状ヒータで加熱しながら、上記基板における酸素過剰部位に対し、窒素ガスを局所的に噴射する。上記の構成によると、装置本体内で遠赤外線面状ヒータによって大型基板が効率よく加熱される。この発明では、逆にノズル噴射口から基板の酸素過剰部位にだけ酸化を抑制する窒素ガスを噴射して基板全体として酸化の均一化を図ることができる。この方法では、水蒸気が装置本体内で充満されず、遠赤外線面状ヒータのリーク電流絶縁破壊の発生が抑制される。また、酸素過剰部位にだけ窒素ガスを当てればよく全体に均一に充満させる必要がないことから高い気密性を必要としないので、大型の基板でも蒸気酸化アニール処理を行える。第12の発明では、第11の発明において、上記アニール処理の前に、並列に設置された複数対のターゲットのうち、対をなすターゲット毎に極性を変えて交流電圧を印加するACスパッタ処理を含み、上記酸素過剰部位は、上記ACスパッタ処理で発生するターゲットの継ぎ目以外の部分である。上記の構成によると、ACスパッタ成膜におけるターゲット継ぎ目でTFT特性バラツキが生じても、それ以外の部分に窒素ガスを噴射して酸化を抑制させるので全体として特性が改善される。以上説明したように、本発明によれば、基板を遠赤外線面状ヒータで加熱しながら基板の酸素欠損部位に対してのみ水蒸気及び酸素を含んだ酸素補充ガスを局所的に噴射するようにしたことにより、大型の基板であっても、リーク電流の発生を防ぎながら高いスループット及び低コストで酸化アニール処理を行える。同様に、本発明によれば、基板を遠赤外線面状ヒータで加熱しながら基板の酸素過剰部位に対してのみ窒素ガスを局所的に噴射するようにしたことにより、大型の基板であっても、リーク電流の発生を防ぎながら高いスループット及び低コストで酸化アニール処理を行える。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図1及び図2は本発明の実施形態の酸化アニール処理装置1を示し、この酸化アニール処理装置1は、密閉容器状の断熱材2で覆われた装置本体3を備えている。この装置本体3は、例えば直方体状のもので、例えば上下に4つのチャンバー5に区切られている。遠赤外線面状ヒータ6は、装置本体3の上面、下面及び仕切位置3箇所の上下に合計5段配置され、装置本体3の前後左右の側壁にも配置されている。つまり、各チャンバー5は、それぞれ遠赤外線面状ヒータ6で囲まれている。なお、装置本体3内でチャンバー5をいくつ設けるかは特に限定されず、1~3つでも、5つ以上でもよい。装置本体3には、水蒸気及び酸素を含んだ酸素補充ガスを供給する酸素補充ガス給気管8が接続され、この酸素補充ガス給気管8の先端は分岐して各チャンバー5まで延びている。各チャンバー5内には、基板支持ピン10が配置され、遠赤外線面状ヒータ6から間隔をあけてアニール処理される基板50を支持可能に構成されている。詳しくは図示しないが、遠赤外線面状ヒータ6は、マイカヒータと、これを両側から挟む赤外線放射平板とを含む。マイカ雲母であれば、大型基板に対応できる大きさでも容易に成形でき、レスポンスが早いというメリットがある。また、装置本体3には、装置本体3内のガスを排出するガス排気管11も接続され、各ガス排気管11は各チャンバー5に連通し、各チャンバー5内のガスを排出するように構成されている。図3に示すように、各チャンバー5に延びる酸素補充ガス給気管8は、バブラーシステム12に接続されている。このバブラーシステム12は、90°C程度に加熱されるヒータ13を内蔵する温水タンク14を有し、この温水タンク14内部に延びる酸素ガス供給パイプ15には、図示しない酸素ボンベなどから酸素ガスが供給されるようになっている。そして、加熱された温水14a内に供給された酸素が水蒸気と共に温水タンク14上方に充満し、水蒸気を含む湿潤酸素ガスが酸素補充ガス給気管8に供給されるようになっている。一方、図1に示すように、各チャンバー5まで延びた酸素補充ガス給気管8にはノズル噴射口16が設けられている。このノズル噴射口16は、図2に示すように、基板支持ピン10に支持された基板50の酸素欠損部位、すなわちターゲット継ぎ目51図5参照に対し、水蒸気及び酸素を含んだ酸素補充ガスを的を絞って局所的に噴射するように構成されている。-基板の製造工程-次に、図4を用いて本実施形態にかかる酸化アニール処理を用いた薄膜トランジスタの製造方法を含む液晶パネルの製造工程について説明する。まず、ステップS01において、アクティブマトリクス基板50上に走査配線を形成する。例えば、一層目にチタン層を、二層目にアルミニウム層を、三層面にチタン層をそれぞれ堆積した後、これをフォトリソグラフィ、ウェットエッチング及びレジスト剥離洗浄によりパターニングすることで、三層の膜からなる走査配線を形成する。次いで、ステップS02において、絶縁膜を形成する。例えば、CVD法により、絶縁膜としてSiO2層、チャネル層としてIn-Ga-Zn-OIGZO層を形成する。次いで、ステップS03において、酸化物半導体層を形成する。例えば、フォトリソグラフィ、ウェットエッチング及びレジスト剥離洗浄により酸化物半導体層をパターニングする。次いで、ステップS04において、信号配線及びドレイン電極を形成する。例えば、ACスパッタ法により下層チタン膜及び上層アルミニウム膜を堆積した後、これをフォトリソグラフィ、ドライエッチング及びレジスト剥離洗浄によりパターニングすることでアルミニウム/チタン膜からなる信号配線及びドレイン電極を形成する。ここで、ACスパッタ装置60について簡単に説明する。図5に示すように、ACスパッタ処理においては、並列に配置されたターゲット61のうち、対をなすターゲット61毎に極性を変えて交流電圧62を印加し、飛び出したターゲット61の原子を対向して置いた基板50上に降り積もらせて金属の成膜を形成する。基板50の大型化に伴ってターゲット61を分割せざるを得ず、図5aにハッチングで示すように、基板50上にターゲット継ぎ目51が形成される。ターゲット継ぎ目51上と、その他のターゲット61の真上の成膜では膜質が異なり、図6に示すドレイン電流Idとゲート電圧Vgとの関数で大きな差が生じるように、特性差が品質の悪化を招く。次いで、ステップS05において、保護膜を形成する。例えば、CVD法により、基板50上にSiO2膜を堆積する。次いで、ステップS06において、本発明にかかるアニール処理を行う。具体的には、装置本体3内を350°Cに保ち、バブラーシステム12から湿潤酸素ガスを例えば毎分250リットルの一定量だけ酸素補充ガス給気管8を介して各チャンバー5内に供給する。各チャンバー5内に供給された湿潤酸素ガスは、ノズル噴射口16から基板50のターゲット継ぎ目51に向けて噴射される。加熱時間は例えば1時間とする。ACスパッタ成膜で形成されたターゲット継ぎ目51では特性にバラツキが生じて酸素が欠乏しているが、湿潤酸素ガスが噴射された状態で加熱されるので、酸化が促進され、特性のバラツキが無くなって均一化される。各チャンバー5内のガスは、ガス排気管11から排気されるので、チャンバー5内の圧力は大気圧に比べてそれほど高くならない。また、350°C程度で酸化が行えるので、耐熱性が高いものの大型部材の加工が困難な石英を使用する必要がなく、装置本体3を金属で構成できる。また、必要以上にチャンバー5内に湿潤酸素ガスを満たさないので、遠赤外線面状ヒータ6においてリーク電流が発生しない。次いで、ステップS07において、層間絶縁膜を形成する。例えば、感光性層間絶縁膜材料をフォトリソグラフィによりパターニングした後、ドライエッチングにより保護膜と絶縁膜をパターニングする。次いで、ステップS08において、画素電極を形成する。例えば、スパッタ法によりITO膜を堆積した後、これをフォトリソグラフィ、ウェットエッチング、レジスト剥離洗浄によりパターニングすることでITO膜からなる画素電極を形成する。最後に、ステップS09において、別工程で製造したカラーフィルタ基板と貼り合せてパネル化する。例えば、各工程により作製したアクティブマトリクス基板50及び対向基板に、配向膜としてポリイミドを印刷法により形成する。次いで、これらの基板をシール剤印刷及び液晶滴下した後、貼り合せる。最後に貼り合せた基板をダイシングにより分断する。-湿潤酸素ガスによるアニール処理と大気ガスによるアニール処理との比較-次いで、湿潤酸素ガスによるアニール処理と大気ガスによるアニール処理との比較結果について簡単に説明する。まず、ステップS04でACスパッタ処理した基板50を2枚用意し、以下の条件でアニール処理を行う。実施例酸化アニール処理装置1において、350°Cで湿潤酸素ガスを毎分250リットル供給しながらノズル噴射口16から噴出させ、1時間加熱する。比較例酸化アニール処理装置1と同様の装置で350°Cの乾燥した大気をチャンバー5内に供給して1時間加熱する。上記アニール処理後の2枚の基板50でしきい値電圧Vthがターゲット継ぎ目51と継ぎ目以外とで、どの程度差があるかを、図7に示すA~Cの各領域で比較した結果を図8及び図9に示す。具体的には、図8には、実施例及び比較例の各領域でのしきい値電圧の分布を示す。図9には、各領域におけるターゲット継ぎ目51のしきい値電圧の平均値と、継ぎ目以外のしきい値電圧の平均値を示し、各領域の平均値も示している。この実験データを見てもわかるように、実施例では、比較例と比べ、しきい値電圧のバラツキが小さくなり、しかも、ターゲット継ぎ目51と継ぎ目以外とでのしきい値電圧の差が小さくなり、特性差が軽減されることがわかった。したがって、本実施形態において、大型の基板50であっても、リーク電流の発生を防ぎながら高いスループット及び低コストで酸化アニール処理を行える。-実施形態の変形例1-図10は本発明の実施形態の変形例1の酸化アニール処理装置101を示し、装置本体3内が窒素ガスで満たされている点で上記実施形態と異なる。なお、以下の各変形例では、図1~図9と同じ部分については同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。具体的には、本変形例では、装置本体3の内部空間に窒素ガスを充満させる窒素ガス給気管108が実施形態1に対して追加されている。この窒素ガス給気管108には、窒素ガスボンベなどの窒素ガス供給源が接続されている。窒素ガス以外に酸化を抑制させる気体であれば、使用することもできる。本変形例では、チャンバー5内を窒素ガスで満たした状態で、上記実施形態と同様に水蒸気及び酸素を含んだ酸素補充ガスを局所的に噴射する。こうすることで、ノズル噴射口16から基板50の酸素欠損部位ターゲット継ぎ目51にだけ水蒸気及び酸素を含んだ酸素補充ガスを噴射して酸化を促進させるものの、装置本体3内で窒素が充満されているので、酸素が不要な部位には酸化が抑制されると共に、水蒸気が必要以上に充満されず、遠赤外線面状ヒータ6のリーク電流絶縁破壊の発生が抑制される。したがって、本変形例においても、大型の基板50であっても、リーク電流の発生を防ぎながら高いスループット及び低コストで酸化アニール処理を行える。-実施形態の変形例2-図11は本発明の実施形態の変形例2の酸化アニール処理装置201を示し、ターゲット継ぎ目51に窒素を噴射する点で上記実施形態と異なる。具体的には、本変形例では、上記実施形態の酸素補充ガス給気管8が、装置本体3内に窒素ガスを供給する窒素ガス給気管208に置き換えられている。この窒素ガス給気管208には、バブラーシステム12ではなく、窒素ガスボンベなどの窒素ガス供給源が接続されている。窒素ガス以外に酸化を抑制させる気体であれば、水素ガスや一酸化炭素ガスのように還元性ガスをかわりに使用することもできる。装置本体3内を真空にして加熱することにより酸化を抑制させる方法は、装置が複雑となり利用できない。窒素ガス給気管には、基板50の酸素過剰部位すなわち、ターゲット継ぎ目51以外の部分に対し窒素ガスを噴射するノズル噴射口16が接続されている。但し、上記実施形態とはノズル噴射口16の配置位置又は噴射方向が異なる。例えば、図11に示すように、ターゲット継ぎ目51以外の部分にノズル噴射口16が向けられている。このアニール装置を用いて、上記実施形態と同様にアニール処理において、装置本体3内で基板50を遠赤外線面状ヒータ6で加熱しながら、基板50におけるターゲット継ぎ目51以外の部分に窒素ガスを局所的に噴射する。上記実施形態とは逆にノズル噴射口16から基板50の酸素過剰部位にだけ酸化を抑制させる窒素ガスを噴射して基板50全体として酸化の均一化を図ることができる。この方法では、水蒸気が装置本体3内で充満されず、遠赤外線面状ヒータ6のリーク電流絶縁破壊の発生が抑制される。また、酸素過剰部位にだけ窒素ガスを当てればよく全体に均一に充満させる必要がないことから高い気密性を必要としないので、大型の基板50でも蒸気酸化アニール処理を行える。したがって、本変形例においても、大型の基板50であっても、リーク電流の発生を防ぎながら高いスループット及び低コストで酸化アニール処理を行える。その他の実施形態本発明は、上記実施形態について、以下のような構成としてもよい。すなわち、上記実施形態では、アニール処理をステップS05の保護膜形成後に行っているが、ステップS03の酸化物半導体層形成後に行ってもよい。なお、以上の実施形態は、本質的に好ましい例示であって、本発明、その適用物や用途の範囲を制限することを意図するものではない。