"多分域状態のタンタル酸リチウムからなる支持基板と、前記支持基板の上面上に配置され、下面が前記支持基板の上面と接合されたタンタル酸リチウムからなる素子基板と、前記素子基板の上面に形成され、弾性波を励振する櫛型電極と、を具備することを特徴とする弾性波デバイス。前記支持基板の上面と前記素子基板の下面との間に形成されたアモルファス層を具備することを特徴とする請求項1記載の弾性波デバイス。前記素子基板の下面は前記支持基板の上面と常温接合されていることを特徴とする請求項1または2記載の弾性波デバイス。前記素子基板の上面の法線方向は、X軸を中心にY軸からZ軸方向に36°~48°回転した方向であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の弾性波デバイス。前記弾性波の伝搬方向に平行な方向の前記支持基板の線熱膨張係数は、前記支持基板のX軸の線熱膨張係数より小さいことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の弾性波デバイス。前記素子基板は前記支持基板より薄いことを特徴とする請求項1から5のいずれか一項記載の弾性波デバイス。個片化されたチップにおいて、側壁に段差が無いことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項記載の弾性波デバイス。請求項1から7のいずれか一項記載の弾性波デバイスを含むモジュール。特許文献1に開示される技術においては、弾性表面波デバイスの周波数温度依存性を小さくすることができる。しかしながら、サファイア基板とタンタル酸リチウム基板との界面においてバルク波の反射が生じ、スプリアス応答が発生する場合がある。これは、サファイア基板とタンタル酸リチウム基板との音響インピーダンスの相違により生ずる。音響インピーダンスは、それぞれの基板における音速と基板密度に関係している。一方、特許文献2に開示される技術においては、支持基板と素子基板とが、同じタンタル酸リチウムからなるため、特許文献1のような音響インピーダンスの相違によるスプリアスは生じない。さらに、支持基板と素子基板との方位を適切に選択することにより、弾性表面波デバイスの周波数温度依存性を小さくすることができる。しかしながら、支持基板と素子基板とが、同じタンタル酸リチウムからなる弾性表面波デバイスにおいても、支持基板と素子基板との界面に励振される弾性波に起因したスプリアスが生じることがある。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、支持基板および素子基板としてタンタル酸リチウム基板を用いた場合に生じるスプリアスを抑制することが可能な弾性波デバイスおよびモジュールを提供することを目的とする。本発明は、多分域状態のタンタル酸リチウムからなる支持基板と、前記支持基板の上面上に配置され、下面が前記支持基板の上面と接合されたタンタル酸リチウムからなる素子基板と、前記素子基板の上面に形成され、弾性波を励振する櫛型電極と、を具備することを特徴とする弾性波デバイスである。本発明によれば、支持基板および素子基板としてタンタル酸リチウム基板を用いた場合に生じるスプリアスを抑制することができる。上記構成において、前記支持基板の上面と前記素子基板の下面との間に形成されたアモルファス層を具備する構成とすることができる。上記構成において、前記素子基板の下面は前記支持基板の上面と常温接合されている構成とすることができる。上記構成において、前記素子基板の上面の法線方向は、X軸を中心にY軸からZ軸方向に36°~48°回転した方向である構成とすることができる。上記構成において、前記弾性波の伝搬方向に平行な方向の前記支持基板の線熱膨張係数は、前記支持基板のX軸の線熱膨張係数より小さい構成とすることができる。上記構成において、前記素子基板は前記支持基板より薄い構成とすることができる。上記構成において、個片化されたチップにおいて、側壁に段差が無い構成とすることができる。本発明は、上記弾性波デバイスを含むモジュールである。本発明によれば、支持基板および素子基板としてタンタル酸リチウム基板を用いた場合に生じるスプリアスを抑制することが可能な弾性波デバイスおよびモジュールを提供することができる。以下、図面を参照し、本発明の実施例について説明する。図1は、実施例1に係る弾性波デバイスの斜視図である。図1に示すように、実施例1による弾性波デバイスは、膜厚T1の支持基板10の上面上に膜厚T2の素子基板12が配置され、素子基板12の下面が支持基板10の上面と接合されている。支持基板10および素子基板12は、共にタンタル酸リチウムLiTaO3からなる。支持基板10の上面と素子基板12の下面との間にアモルファス層14が形成されている。当該アモルファス層14の厚さは非常に薄いため、基板の厚さT1およびT2に対して無視することができるが、図1にあっては、アモルファス層14の厚さを含めて基板の厚さT1およびT2を表示している。素子基板12の上面には、弾性波表面素子として一端子対共振子18が形成されている。一端子対共振子18は、素子基板12上に形成されたアルミニウムAl等の金属層16からなるIDTInterdigitalTransducer17aと反射電極17bとを有している。IDT17aは、2つの櫛型電極から形成されている。一方、反射電極17bは、IDT17aの両側に配置されている。IDT17aの櫛型電極は弾性波を励振する。励振された弾性波は、反射電極17bにより反射される。弾性波の伝搬方向は、素子基板12のX軸方向である。なお、櫛型電極を有する弾性波デバイスとして、弾性表面波デバイス以外にも弾性境界波デバイス、ラブ波デバイスとすることもできる。図2aおよび図2bは、それぞれ実施例1に係る弾性波デバイスにおける素子基板ならびに支持基板の結晶方位を示す図である。図2aに示すように、素子基板12において、弾性波の伝搬方向は例えばX軸であり、上面の法線方向は、X軸を中心にY軸からZ軸方向に角度θ2回転した方向である。これを、θ2°YカットX伝搬のタンタル酸リチウム基板という。また、図2bに示すように、支持基板10において、上面の法線方向は、例えばX軸方向であり、弾性波の伝搬方向と平行な方向は、Y軸から、Z軸へθ1°回転した方向である。これを、Xカットθ1°Yのタンタル酸リチウム基板という。図3aおよび図3bは、それぞれ素子基板および支持基板内の分極を示す模式図である。図3aおよび図3bにおいて、分域の分極方向を矢印50を用い模式的に示している。図3aに示すように、素子基板12は、単結晶であり分域の分極方向が揃っている。このような基板を単一分域状態という。図3bに示すように、支持基板10は、単結晶であるが分域の分極方向が揃っていない。このような状態を多分極状態という。タンタル酸リチウム単結晶インゴットを引き上げ法を用い形成すると、単結晶内に自発分極した分域がランダムに配列する。例えば、図3bのように、180°異なる方向に自発分極した分域がランダムに配列する。これが前述した多分極状態である。単一分極状態のインゴットを形成するためには、多分極状態の基板を単一分極化処理する。単一分極化処理の方法としては、例えば、キュリー温度付近において、インゴットに直流電界を印加しつつ徐々に冷却する。これにより、直流電界の方向に分極したインゴットが形成される。インゴットを所望の方向に切断することにより基板が形成される。実施例1においては、支持基板10として、単一分極化処理をしていない多分極状態の基板を用いる。図4aから図4eは、実施例1係る弾性波デバイスの製造方法を示す図である。まず、ウエハ状を呈するタンタル酸リチウムLiTaO3支持基板10の下面に金属膜20を、また同様にウエハ状を呈するタンタル酸リチウムLiTaO3素子基板12の上面に金属膜22を形成する図4a参照。金属膜20および22は、基板接合装置における静電チャックステージに前記基板を固定する為の導電膜として用いられるものであり、例えばチタンTiまたはアルミニウムAlが適用される。次いで、支持基板10の下面金属膜非形成面と素子基板12の上面金属膜非形成面とを常温接合する図4b参照。当該常温接合処理によって、支持基板10と素子基板12とはアモルファス層14を介して接合される。アモルファス層14の厚さは、例えば1~8nmである。図5は、支持基板に素子基板が接合された状態を示す斜視図である。図5に示すように、ウエハ状の支持基板10上に素子基板12が常温接合法により一体化されている。次いで、素子基板12の上面にある金属膜22を除去し、さらに素子基板12を研磨して、素子基板12を所定の厚さとする図4c参照。次いで、素子基板12の上面に対し、スパッタリング法または蒸着法などの成膜技術、ならびにフォトエッチング法などのパターニング技術を適用して、金属層16からなるIDT17a,反射電極17bを形成する図4d参照。当該金属層16は、例えばアルミニウムAlを主体として形成され、例えば銅Cuを含んでもよい。また、IDT17a,反射電極17bの形成方法として、リフトオフ法を適用することも可能である。しかる後、一体化されている素子基板12および支持基板10を、例えばダイシング法を用いて切断し、個々の弾性波デバイスに分離する図4e参照。素子基板12および支持基板10は同じ材料なため、ダイシングは同じダイシングブレードにより1度で切断することができる。素子基板12の熱膨張係数を打ち消す方向の膨張係数を有する別の材料の支持基板を接合した場合、例えばサファイアのように支持基板10の硬度が高いとダイシングを2回に分けて行うことになる。この場合、素子側壁に段差が生じ素子面積を小さくできない問題がある。実施例1では1度のダイシングで素子を切断しチップに個片化できるので、チップ側壁に段差がなく素子面積を小さくすることができる。図6aから図7bは、支持基板と素子基板との接合方法を説明する図である。図6aから図7bにおいて、符号26はそれぞれの基板を構成する材料の分子を模式的に示している。なお、接合処理の実施に先行して、被接合面の汚れならびにパーティクルの除去の為、前処理を行なう。前処理として、例えばスクラブ処理ブラシを用いた表面洗浄およびメガソニック超音波洗浄が実行される。前処理が行われた支持基板10ならびに素子基板12を、処理装置内においてて、被接合面が対向した状態をもって、かつ相当距離離間させて配置する。図6a参照。かかる状態において、支持基板10の上面被接合面および素子基板12の下面被接合面に対して、不活性ガスのイオンビームまたは中性ビーム、或いはプラズマを照射する図6b参照。なお、図6bにあっては、支持基板10に対する照射状態を示しているが、素子基板12に対しても、同時に照射処理が実行される。これにより、支持基板10の上面被接合面および素子基板12の下面被接合面における表面層酸化物層など24を除去し、更に支持基板10の上面被接合面および素子基板12の下面被接合面を活性化させる。かかる表面活性化の手段として、一つに、前記不活性ガスとしてアルゴンArを用い、当該アルゴンのイオンを支持基板10の上面被接合面、および素子基板12の下面被接合面に照射する。アルゴンイオンの照射条件としては、減圧された状態において、例えば以下の条件が選択される。Arガス流量:20~30sccm電流値:15~150mA照射時間:30~120秒活性化処理により、支持基板10の上面被接合面および素子基板12の下面被接合面に、それぞれアモルファス層14が生成される図7a参照。アモルファス層14の膜厚は数nm以下であって、その表面には未結合の結合手28が生成される。未結合の結合手28の存在により、支持基板10の上面被接合面および素子基板12の下面被接合面は活性化された状態となる。この様にそれぞれの被接合面が活性化された状態において、支持基板10の上面と素子基板12の下面とを対向させて貼り合わせ、接合する図7b参照。貼り合わせ接合処理は、前記不活性ガスイオンの照射処理が実施された装置内において実施される。このとき、支持基板10の上面被接合面と素子基板12の下面被接合面とはそれぞれ活性化されているため、支持基板10の上面被接合面と素子基板12の下面被接合面とにおける未結合の結合手28同士が結合する。すなわち、支持基板10と素子基板12は、常温例えば100°C以下の温度において接合される。接合された支持基板10と素子基板12との間には、前記アモルファス層14が、一体化した状態をもって配置される。一体化されたアモルファス層14は、例えば1~8nmの厚さを有する。実施例1によれば、支持基板10および素子基板12はいずれもタンタル酸リチウム基板である。すなわち、同一材料であることから、密度は同じである。また支持基板10および素子基板12中の音速もほぼ同じである。アモルファス層14は、支持基板10および素子基板12と同じ材料であるタンタル酸リチウムであり、密度も同じであり、結晶構造が異なるのみであるので、実質的に支持基板10および素子基板12と同じ音速になっている。前述の如く、音響インピーダンスは、音速と基板密度に関係している。従って、支持基板10と素子基板12との音響インピーダンスの差は殆ど無い。これによりバルク波は支持基板10と素子基板12との界面に於いて反射され難く、スプリアスの発生を防止抑制することができる。前記タンタル酸リチウム結晶の方位の中で、X軸の線熱膨張係数が最も大きく、Z軸の線熱膨張係数が最も小さい。X軸およびY軸の線熱膨張係数は、16.1ppm/°Cであり、Z軸の線熱膨張係数は4.1ppm/°Cである。前述の如く、素子基板12における弾性波の伝搬方向は、弾性表面波素子の性能の観点から、X軸が選択されている。一方、支持基板10の上面の法線方向は、X軸又はY軸である。これにより、当該支持基板10における素子基板12のX軸と平行な方向は、X軸方向よりも線熱膨張係数を小さくすることが可能となる。よって、素子基板12を支持基板10上に接合させることにより、当該素子基板12に形成された弾性表面波素子の温度依存性を低下せしめることができる。そして、かかる実施例1においては、素子基板12の弾性波の伝搬方向は支持基板10のZ軸と平行とされない。これにより、スプリアス応答の発生を抑制できる。また、素子基板12の弾性波の伝搬方向X軸方向と、支持基板10の弾性波の伝搬方向に平行な方向との線熱膨張係数の差を小さくすることができる。従って、基板の変形を抑制することができる。このように、実施例1にあっては、素子基板12の弾性波の伝搬方向と、支持基板10の弾性波の伝搬方向に平行な方向との線熱膨張係数の差を、弾性表面波素子の温度依存性が抑制でき、かつ、熱処理に起因した基板の変形を抑制できるように設定する。これにより、弾性表面波素子の温度依存性を抑制し、かつ、熱処理に起因した基板の変形を抑制することができる。また、実施例1にあっては、支持基板10の上面被接合面と素子基板12の下面被接合面とのそれぞれにアモルファス層14が形成され、アモルファス層14が活性化されている状態において、支持基板10と素子基板12とを結合する。かかる活性化されたアモルファス層14の存在により、支持基板10と素子基板12とを比較的低温において、強固に結合せしめることができる。すなわち、素子基板12の下面被接合面と支持基板10の上面被接合面とは、例えば100°C以下の温度、常温接合が実現し、これにより両基板の接合面において、熱応力が生じない、強固な接合が可能となる。図8は、実施例1に係る弾性波デバイスの例として一端子対共振子の通過特性のシミュレーション結果である。図8において、実線は実施例1を示し、支持基板10として多分極状態としたタンタル酸リチウム基板を用いている。破線は比較例を示し、支持基板10として単一分域状態のタンタル酸リチウム基板を用いている。実施例1および比較例とも、素子基板12は単一分極状態の42°YカットX伝搬のタンタル酸リチウム基板であり、支持基板10はX面カットタンタル酸リチウム基板である。素子基板12のX軸と支持基板10のZ軸が平行となるように素子基板12と支持基板10とを接合している。素子基板12の膜厚は15μmとしている。図8に示すように、比較例においては、840MHzおよび900MHz付近にスプリアス応答が生じている図8中の矢印参照。一方、実施例1においては、スプリアス応答は発生していない。図9aから図9cは、スプリアス応答の生成を説明するための図である。図9aにおいては、支持基板10としてサファイア基板を用い、素子基板12として単一分域状態のタンタル酸リチウム基板を用いている。素子基板12の表面には弾性表面波40が励振されている。弾性表面波40は、弾性波デバイスに主に用いるモードの弾性波である。さらに、素子基板12内の縦方向に漏洩波42が生成される。漏洩波42は、素子基板12と支持基板10との密度および硬度の違いから、素子基板12と支持基板10との界面において反射され、反射波44となる。反射波44は不要なスプリアス応答となる。図9bは、比較例の模式図である。比較例においては、支持基板10として単一分域状態のタンタル酸リチウム基板を用い、素子基板12として単一分域状態のタンタル酸リチウム基板を用いている。素子基板12の表面には弾性表面波40が励振されている。さらに、素子基板12内の縦方向に漏洩波42が生成される。漏洩波42は、素子基板12と支持基板10との密度および硬度が同じであることから、素子基板12と支持基板10との界面において反射されない。よって、図9aにおいて示したような反射波44に起因するスプリアス応答を抑制できる。しかしながら、素子基板12と支持基板10との界面に弾性表面波46が僅かに発生する。この弾性表面波46によりスプリアス応答が発生する。図8のスプリアス応答は、この弾性表面波46に起因したスプリアスである。図9cは、実施例1の模式図である。実施例1においては、支持基板10として多分域状態のタンタル酸リチウム基板を用い、素子基板12として単一分域状態のタンタル酸リチウム基板を用いている。素子基板12の表面には弾性表面波40が励振されている。支持基板10は多分域状態のため弾性波が励振しない。よって、素子基板12内の縦方向の漏洩波42は、支持基板10内では減衰する。さらに、素子基板12と支持基板10との界面に弾性表面波は励振しない。よって、比較例のような弾性表面波46に起因したスプリアス応答は生成されない。このように、実施例1によれば、多分域状態のタンタル酸リチウムからなる支持基板10を用いる。これにより、図9aのような反射波44および図9bのような弾性表面波46に起因したスプリアス応答を抑制できる。素子基板12の弾性波の伝搬方向は任意とすることもできるが、弾性波デバイスの性能向上のため、X軸とすることが好ましい。さらに、素子基板12の上面の法線方向を、任意の方向とすることもできるが、弾性波デバイスの性能向上のため、素子基板12の上面の法線方向は、X軸を中心にY軸からZ軸方向に36°~48°回転した方向であることが好ましい。タンタル酸リチウム結晶の方位の中で、X軸の線熱膨張係数が最も大きく、Z軸の線熱膨張係数が最も小さい。X軸、Y軸およびZ軸方向の線熱膨張係数は、X軸およびY軸は、16.1ppm/°Cであり、Z軸は4.1ppm/°Cである。このため、素子基板12の弾性波の伝搬方向がX軸とすると、弾性波デバイスの温度依存性が大きくなる。例えば動作周波数の温度依存性が大きくなる。支持基板10の素子基板12の弾性波の伝搬方向と平行な方向は任意とすることができる。しかし、上記により、素子基板12の弾性波の伝搬方向がX軸の場合に弾性波デバイスの温度依存性を抑制するためには、素子基板12の弾性波の伝搬方向に平行な方向の支持基板10の線熱膨張係数は、素子基板12のX軸の線熱膨張係数より小さいことが好ましい。これにより、弾性波デバイスの温度依存性を抑制することができる。さらに、支持基板10の上面の法線方向は任意とすることができる。しかし、支持基板10の上面の法線方向をX軸またはY軸とする。これにより、支持基板10における素子基板12のX軸と平行な方向は、X軸方向よりも線熱膨張係数を小さくすることが可能となる。さらに、素子基板12の弾性波の伝搬方向は支持基板10のZ軸と平行とされない。素子基板12の弾性波の伝搬方向X軸方向と、支持基板10の弾性波の伝搬方向に平行な方向との線熱膨張係数の差を小さくすることができる。従って、素子基板12と支持基板10との熱膨張係数の差が大きすぎることに起因する基板の変形を抑制することができる。以上のように、素子基板12の弾性波の伝搬方向と、支持基板10の弾性波の伝搬方向に平行な方向との線熱膨張係数の差を、弾性波デバイスの温度依存性が抑制でき、かつ、熱処理に起因した基板の変形を抑制できるように設定する。これにより、弾性表面波素子の温度依存性を抑制し、かつ、熱処理に起因した基板の変形を抑制することができる。なお、比較例の場合、素子基板12の弾性波の伝搬方向がX軸の場合、素子基板12のX軸に平行な支持基板10の方向をZ軸とすると、図9bの弾性表面波46に起因したスプリアスが特に大きく生じる。実施例1によれば、弾性表面波46に起因したスプリアスが生じ易い方位を考慮せず支持基板10の方位を選択することができる。弾性波デバイスの周波数の温度依存性を抑制するためには素子基板12は薄いことが好ましい。しかし、比較例では、素子基板12が薄いと弾性表面波46に起因したスプリアスが生じやすくなる。しかしながら、実施例1によれば、スプリアスを考慮することなく、素子基板12を薄くすることができる。素子基板12は例えば支持基板10より薄くすることができる。実施例2は、実施例1において例示した一端子共振器を用いたラダー型フィルタの例である。図10は、実施例2に係るフィルタの平面模式図である。図10に示すように、素子基板12に複数の共振器60および62が配置されている。共振器60および62は、それぞれIDT17aおよび反射電極17bを有している。共振器60および62は素子基板12上に形成された金属からなる配線68により電気的に接続されている。入力端子64と出力端子66との間に電気的に直列に接続された直列共振器60が配置されている。入力端子64と出力端子66との間に電気的に並列に接続された並列共振器62が配置されている。実施例2のように、実施例1の一端子共振器をラダー型フィルタに用いることができる。ラダー型フィルタにおいては、直列共振器60または/および並列共振器62で発生したスプリアスが重なり通過帯域のリップルとなる。よって、実施例2においては、通過帯域のリップルを抑制することができる。なお、ラダー型フィルタ以外に多重モード型フィルタ等の他のフィルタに実施例1の技術を用いることもできる。実施例3は、実施例1または2の弾性波デバイスをモジュールに用いる例である。図11は、実施例3に係るモジュールのブロック図である。図11に示すように、モジュール100は、RFRadioFrequencyスイッチ72、RFICIntegratedCircuit74、デュープレクサ76、パワーアンプ78および92、ローノイズアンプ80、バンドパスフィルタ82、84および86、およびローパスフィルタ90を備えている。モジュール100は、WCDMAWidebandCodeDivisionMultipleAccessのバンドI、バンドII、バンドVおよびバンドVIII並びにGSMGlobalSystemforMobileCommunicationの850MHz帯、900MHz帯、1800MHz帯および1900MHz帯の送受信可能な携帯電話端末用の通信モジュールである。RFスイッチ72は、アンテナ70と各端子との切り替えを行なう。切り替える端子としては、バンドI~バンドVIIIの共通端子BandI、BandII、BandVおよびBandVIII、各GSM周波数帯の受信端子GSM850、GSM950、GSM1800およびGSM1900、GSMの低周波帯850MHzおよび950MHz送信端子GSM_LBTx、並びに高周波帯1800MHzおよび1900MHz送信端子GSM_HBTxである。WCDMAの送受信信号の送受信について説明する。RFIC74は、WCDMAのベースバンド周波数の送信信号を高周波数の送信信号にアップコンバートし、フィルタ84に出力する。フィルタ84は、送信信号をフィルタリングしパワーアンプ78に出力する。パワーアンプ78は、送信信号を増幅し、デュープレクサ76の送信端子Txに出力する。デュープレクサ76は、送信信号をフィルタリングしRFスイッチ72の対応する共通端子BandI、BandII、BandVおよびBandVIIIに出力する。RFスイッチ72は、共通端子BandI、BandII、BandVおよびBandVIIIに受信信号を出力する。デュープレクサ76は、受信信号をフィルタリングしローノイズアンプ80に受信端子Rxから出力する。ローノイズアンプ80は受信信号を増幅しフィルタ82に出力する。フィルタ82は、受信信号をフィルタリングし、RFIC74に出力する。フィルタ82は、平衡信号を出力してもよい。RFIC74は、高周波数の受信信号をベースバンドの受信信号にダウンコンバートする。デュープレクサ76は、送信端子Txに入力した送信信号を共通端子に通過させるが、共通端子に入力した受信信号を送信端子Txに出力させない。また、デュープレクサ76は、共通端子に入力した受信信号を受信端子に通過させるが、送信端子Txに入力した送信信号を受信端子Rxに出力させない。GSMの送受信信号の送受信について説明する。RFIC74は、GSMのベースバンド周波数の送信信号を高周波数の送信信号にアップコンバートし、パワーアンプ92に出力する。パワーアンプ92は送信信号を増幅し、ローパスフィルタ90に出力する。ローパスフィルタ90は、送信信号をフィルタリングしRFスイッチ72の送信端子Txに出力する。850MHz帯と950MHz帯の送信信号は、同じ送信端子GSM_LBTxに入力する。1800MHz帯と1900MHz帯との送信信号は送信端子GSM_HBTxに入力する。RFスイッチ72は、受信端子Rxに受信信号を出力する。フィルタ86は、受信信号をフィルタリングし、RFIC74に出力する。フィルタ86は、平衡信号を出力してもよい。RFIC74はローノイズアンプ88を備えている。ローノイズアンプ88は受信信号を増幅する。RFIC74は、増幅された高周波数の受信信号をベースバンド周波数の受信信号にダウンコンバートする。実施例3に係るモジュール100のデュープレクサ76、バンドパスフィルタ82、84および86の少なくとも一つとして実施例1または実施例2の弾性波デバイスを用いることができる。実施例3においては、携帯電話端末用の通信モジュールを例に説明したが、他のモジュールに実施例1または実施例2の弾性波デバイスを用いてもよい。本発明について実施例をもって詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形変更が可能である。"