"先端に半導体素子の電極部が接触される上部接触子を有する第1プランジャと、検査用基板の電極部に接触される下部接触子を有する第2プランジャと、前記第1プランジャと前記第2プランジャとを互いに離間する方向へ付勢する弾性部材とを備えたコンタクトプローブであって、少なくとも前記第1プランジャおよび前記第2プランジャは、その母材表面に下地層、中間層および最表層からなる3層のメッキ層を有し、該中間層の体積抵抗率が、該最表層の体積抵抗率よりも小さく、前記最表層は、前記中間層よりも硬度が高いことを特徴とするコンタクトプローブ。請求項1に記載のコンタクトプローブであって、前記弾性部材の母材表面に前記3層のメッキ層を有することを特徴とするコンタクトプローブ。請求項1または2に記載のコンタクトプローブであって、前記弾性部材は、筒状のバレルに収容され、前記バレルの母材表面に前記3層のメッキ層を有することを特徴とするコンタクトプローブ。請求項3に記載のコンタクトプローブであって、前記弾性部材は、筒状のバレルに収容された複数のコイルバネからなり、少なくとも第1コイルバネと、該第1コイルバネ内に収容された第2コイルバネとを備えていることを特徴とするコンタクトプローブ。請求項4に記載のコンタクトプローブであって、前記第2コイルバネは、前記第1コイルバネの巻き方向とは逆の巻き方向に収容されていることを特徴とするコンタクトプローブ。請求項1から5の何れか一項に記載のコンタクトプローブを備え、半導体素子の電極部と前記検査用基板の電極部とを、前記コンタクトプローブを介して導通させることを特徴とする半導体素子用ソケット。通常、図11に示すように、例えばコンタクトプローブ110のプランジャ111は、ベリリウム銅等のCu合金である母材112上の表面に、Niメッキである下地メッキ層113と、さらにその下地メッキ層113の上にAu合金である最表メッキ層114が形成されている。下地メッキ層113は母材112との親和性や密着性に優れ、最表メッキ層114は耐磨耗性や耐腐食性に優れている。しかしながら、コンタクトプローブ110の最表メッキ層114の導体抵抗が大きく、例えば2アンペア以上の大電流が流れると発熱量が大きくなり、発熱温度が上昇して検査する半導体素子に影響を及ぼす可能性がある。本発明の目的は、コンタクトプローブの導体抵抗を小さくして、発熱量を低減することができるコンタクトプローブ及びそれを備えた半導体素子用ソケットを提供することにある。上記課題を解決することのできる本発明のコンタクトプローブは、先端に半導体素子の電極部が接触される上部接触子を有する第1プランジャと、検査用基板の電極部に接触される下部接触子を有する第2プランジャと、前記第1プランジャと前記第2プランジャとを互いに離間する方向へ付勢する弾性部材とを備えたコンタクトプローブであって、少なくとも前記第1プランジャおよび前記第2プランジャは、その母材表面に下地層、中間層および最表層からなる3層のメッキ層を有し、該中間層の体積抵抗率が、該最表層の体積抵抗率よりも小さく、前記最表層は、前記中間層よりも硬度が高いことを特徴とする。本発明のコンタクトプローブにおいて、前記弾性部材の母材表面に前記3層のメッキ層を有していても良い。本発明のコンタクトプローブにおいて、前記弾性部材は、筒状のバレルに収容され、前記バレルの母材表面に前記3層のメッキ層を有していても良い。本発明のコンタクトプローブにおいて、前記弾性部材は、筒状のバレルに収容された複数のコイルバネからなり、少なくとも第1コイルバネと、該第1コイルバネ内に収容された第2コイルバネとを備えていても良い。本発明のコンタクトプローブにおいて、前記第2コイルバネは、前記第1コイルバネの巻き方向とは逆の巻き方向に収容されていても良い。本発明の半導体素子用ソケットは、上記の何れかのコンタクトプローブを備え、半導体素子の電極部と前記検査用基板の電極部とを、前記コンタクトプローブを介して導通させることを特徴とする。本発明のコンタクトプローブによれば、最表層よりも体積抵抗率が低い導電材料で形成された中間層を設けることで、極端な断面積の増加によるコンタクトプローブの大型化を伴わずに、コンタクトプローブの固有抵抗導体抵抗を小さくして、発熱量を低減することができる。また、本発明の半導体素子用ソケットによれば、半導体素子の電極部と検査用基板の電極部とを、前記構成のコンタクトプローブを介して大電流でも確実に導通させることができる。これにより、半導体素子用ソケット内の温度上昇を抑えることができ、多数回にわたり信頼性の高い半導体素子の検査を行うことができる。以下、本発明に係るコンタクトプローブ及びそれを備えた半導体素子用ソケットの第1の実施形態を図1~図3を参照して説明する。図1aおよびbに示すように、本実施形態に係るコンタクトプローブ10は、導電性を有する筒状の金属材料から形成されたバレル11、導電性を有する略棒状の金属材料から形成された第1プランジャ12および第2プランジャ13を備えている。第1プランジャ12は、バレル11の上方側から突出しており、その上端に半導体素子の電極部が接触する上部接触子14を有している。また、第2プランジャ13は、バレル11の下方側から突出しており、その下端に検査用基板の電極部に接触する下部接触子15を有している。図2に示すように、コンタクトプローブ10は、バレル11内に第1プランジャ12と第2プランジャ13とを互いに離間する方向へ付勢する弾性部材であるコイルバネ18が収容されている。コイルバネ18は、バレル11の内径より僅かに小さい外径であり、バレル11内で第1プランジャ12のプランジャ本体16の下端と当接すると共に、第2プランジャ13のプランジャ本体17の上端と当接している。プランジャ12,13の母材は、導電性材料であるベリリウム銅等のCu合金または炭素工具鋼である。一般的に、Cu合金の体積抵抗率は5~10μΩcm、鋼材の体積抵抗は10~20μΩcmと比較的高く、固有抵抗導体抵抗は大きい。なお、プランジャ12,13は、旋盤加工で形成可能な形状なので、金型等の専用治工具類を必要とせず、大量生産を可能であり、工数やコストの削減と生産性の向上を図ることができる。図3aおよびbに示すように、本実施形態のコンタクトプローブ10は、丸棒状の第1プランジャ12および第2プランジャ13ここでは第1プランジャ12を例に説明するにおいて、少なくとも上部接触子14の母材21表面に、約3μmの下地層22、約2~4μmの中間層23および約1μmの最表層24からなる3層のメッキ層で表面処理されている。下地層22は母材21との親和性や密着性に優れ、最表層24は耐磨耗性や耐腐食性に優れている。これに対して、中間層23は、発熱を低減して温度上昇を抑えるのに優れている。なお、第1プランジャおよび第2プランジャ13は、筒状であっても良い。具体的には、下地メッキ層22はNiメッキである。Niメッキは、例えばベリリウム銅等のCu合金である母材21との密着性に優れている。そのNiメッキ上に中間メッキ層23として、99質量以上のAu、AgまたはCu以下、単にAu、Ag、Cuと云うの何れかのメッキ層が形成される。その中でも体積抵抗が低く比較的安価なAgメッキがより好ましい。さらに、中間メッキ層23は、純Au、純Agまたは純Cuの何れかのメッキ層で形成されることがより好ましい。なお、ここで云う純とは合金ではなく、不純物を実質的に除去した単一金属である。例えば、Au、AgおよびCuは99.9質量以上である。このAu、AgおよびCuは、体積抵抗が低い優良な導電性材料であり、Auの体積抵抗率は2.4μΩcm程度、Agの体積抵抗率は1.5μΩcm程度、Cuの体積抵抗率は1.7μΩcm程度と低く、固有抵抗導体抵抗は小さい。このようにプランジャ12,13の母材上に形成する中間メッキ層23にAu、AgまたはCu等の固有抵抗導体抵抗が最表メッキ層24よりも小さいものを使用することで、極端な断面積の増加を伴わずにコンタクトプローブ10の固有抵抗導体抵抗を小さくして、発熱量を低減することができる。中間メッキ層23の上に形成される最表メッキ層24は、中間メッキ層よりも硬度が高く耐磨耗性が優れたAu合金メッキである。なお、Au合金例えばAu-Co、Au-Niなどメッキに限らず、Auよりも耐磨耗性や耐腐食性に優れているPdパラジウム、Rhロジウム、白金やAuよりも低純度の硬質金などでも良い。Au-Co、Au-NiなどのAu合金は、Auの固有抵抗導体抵抗より高い導電性材料を添加しているため、Auの体積抵抗率よりも高くなる。なお、本実施形態のコンタクトプローブ10では、第1プランジャ12と第2プランジャ13のみに中間メッキ層23を形成したが、バレル11やコイルバネ18にも中間メッキ層23を形成しても良い。次に、本発明に係るコンタクトプローブの第2の実施形態を図4に基づいて説明する。上記第1の実施形態と異なる点は、コイルバネが2重構成である点と、コンタクトプローブを構成するバレル、プランジャおよびコイルバネのメッキ層に中間層を有している点である。なお、上記第1の実施形態と同一構成の部分には同一符号を付すことで、構成および作用の説明は省略する。図4に示すように、本実施形態に係るコンタクトプローブ30は、筒状の導電性材料からなるバレル11、略棒状の導電性材料からなる第1プランジャ12および第2プランジャ13を備えている。また、コンタクトプローブ30は、バレル11内に第1プランジャ12と第2プランジャ13を互いに離間する方向へ付勢する弾性部材であるコイルバネ31が収容されている。本実施形態のコンタクトプローブ30は、コイルバネ31が大径の第1コイルバネ32と、第1コイルバネ32内に収容された小径の第2コイルバネ33とからなる2重構成のコイルバネである。コイルバネ31は、第2コイルバネ33が第1コイルバネ32の巻き方向とは逆の巻き方向に収容されている。これにより、コイルバネ31の断面積を増加させ、コンタクトプローブ30の固有抵抗導体抵抗を一層小さくすることができる。また、コイルバネを2重に組み込むことで、第1プランジャ12および第2プランジャ13との接触力を増加させることができ、安定した接点抵抗を得ることができる。なお、コイルバネ31は、2重構成に限らず、3重以上の構成でも良い。また、本実施形態のコンタクトプローブ30は、バレル11、第1プランジャ12、第2プランジャ13およびコイルバネ31の全ての部材が図3に示したように、母材21上にメッキ層を有し、下地メッキ層22と最表メッキ層24との間に中間メッキ層23を有している。第1プランジャ12、第2プランジャ13およびバレル11の中間メッキ層23は、上記第1の実施形態で説明したものと同じ構成および作用効果を有している。なお、バレル11の内周面側にも同じメッキ層を有している。バレル11の母材は、導電性材料である黄銅またはリン青銅等のCu合金であり、体積抵抗率は5~10μΩcm程度と比較的高く、固有抵抗導体抵抗は大きい。また、コイルバネ31の母材は、第1コイルバネ32および第2コイルバネ33とも同じであり、発熱しても溶融し難い耐熱ステンレス線やタングステン線である。コイルバネ31の母材を、溶融温度が高い耐熱ステンレス線やタングステン線にすることで、大電流が流れて発熱しても、コイルバネ自体が容易に溶融することはなく、多くの大電流を流すことができる。コイルバネ31のメッキ層は、下地メッキ層22が約1μm程度のNiメッキであり、最表メッキ層24が約0.1μm程度のAu合金メッキである。この下地メッキ層22と最表メッキ層24との間に、約0.5~4μm程度の中間メッキ層23を有している。この中間メッキ層23は、Au、AgまたはCuの何れかであり、体積抵抗が低く比較的安価なAgメッキがより好ましい。次に、本発明に係るコンタクトプローブの第3の実施形態を図5~図6に基づいて説明する。上記第1および第2の実施形態と異なる点は、上部接触子を有する第1プランジャとバレルが一体的に形成されている点である。なお、上記第1および第2の実施形態と同一構成の部分には同一符号を付すことで、構成および作用の説明は省略する。図5および図6に示すように、本実施形態に係るコンタクトプローブ40は、第1プランジャ42、第2プランジャ43およびコイルバネ31から構成されている。第1プランジャ42は、内部に弾性部材を収容するバネ収容部48を有すると共に、上端に半導体素子の電極部が接触する上部接触子45を一体的に有している。また、第2プランジャ43は、プランジャ本体47の下端に第1プランジャ42の下方側から突出して、検査用基板の電極部に接触する下部接触子46を有している。なお、第2プランジャ43側にバネ収容部48を一体的に形成しても良い。また、コイルバネ31は、上記第2の実施形態と同じ2重構成のコイルバネである。コイルバネ31は、第1プランジャ42のバネ収容部48内に収容されている。このコイルバネ31の下端はプランジャ本体47の上端に当接しており、第2プランジャ43を下方に付勢している。本実施形態のコンタクトプローブ40は、第1プランジャ42の外周面およびバネ収容部48の内周面、第2プランジャ43およびコイルバネ31の全ての部材が図3に示したように、母材21上にメッキ層を有し、下地メッキ層22と最表メッキ層24との間に中間メッキ層23を有している。この中間メッキ層23は、上記第1および第2の実施形態で説明したものと同じ構成および作用効果を有している。次に、複数本のコンタクトプローブを備えた半導体素子用ソケット50について説明する。なお、ここでは、上記第1の実施形態で説明したコンタクトプローブ10を使用した場合を一例に説明するが、別の形態のコンタクトプローブ30,40も使用できることは言うまでもない。図7に示すように、半導体素子用ソケット50は、プローブ収容ブロック52を有し、検査用基板51上に、位置決めピン53によって位置決めされて締結ボルト54によって固定されている。プローブ収容ブロック52は、それぞれ絶縁性を有する接触子配列基板55とソケット基板56とから構成されている。ソケット基板56には、その下面側に、配列基板収容凹部57が形成されており、この配列基板収容凹部57に接触子配列基板55が嵌め込まれ、位置決めピン58で位置決めされてビス59で締結固定されている。また、ソケット基板56には、複数のプローブ収容孔61が形成されており、これらのプローブ収容孔61には、下方側からコンタクトプローブ10が挿し込まれて収容されている。ソケット基板56に固定された接触子配列基板55には、各プローブ収容孔61に対応する複数の接触子保持孔63が形成されている。これらの接触子保持孔63には、各プローブ収容孔61に収容されたコンタクトプローブ10の下部接触子15が挿入されている。これにより、コンタクトプローブ10の下部接触子15が、接触子保持孔63によって保持されて検査用基板51の所定位置に配置されている。検査用基板51には、コンタクトプローブ10の下部接触子15の配置位置に、電極部図示省略が設けられており、それぞれのコンタクトプローブ10の下部接触子15が導通接触されている。ソケット基板56には、その上面側にソケット凹部64が形成されている。このソケット凹部64には、複数の半田ボール65を下面側に有する半導体素子67が上方側から収容可能とされている。図8に示すように、上記構造の半導体素子用ソケット50で半導体素子67を検査する場合は、ソケット基板56のソケット凹部64へ半導体素子67を収容させる。この状態で、押圧体68で半導体素子67を下方へ押圧すると、半導体素子67がソケット凹部64へ押し込まれる。これにより、各半田ボール65が対応するコンタクトプローブ10の上部接触子14に近接し、その後、半田ボール65が上部接触子14に押し付けられて接触する。このように、コンタクトプローブ10の上部接触子14に半田ボール65が押し付けられると、コンタクトプローブ10には、軸方向に沿う圧縮力が付与され、コイルバネ18が圧縮される。したがって、コイルバネ18の付勢力が大きくなり、この付勢力によってコンタクトプローブ10の下部接触子15が検査用基板51の電極部に押し付けられる。これにより、半導体素子67の電極部と検査用基板51の電極部とがコンタクトプローブ10を介して確実に導通され、半導体素子67の検査が可能となる。本実施形態に係るコンタクトプローブ10を備えた半導体素子用ソケット50によれば、半導体素子67の電極部と検査用基板51の電極部とを、コンタクトプローブ10を介して導通させるので、コンタクトプローブの固有抵抗導体抵抗を小さくして、4~5アンペアの大電流でも発熱量を低減することができる。以上、説明したように上記実施形態のコンタクトプローブ10,30,40は、先端に半導体素子67の電極部が接触される上部接触子14,45を有する第1プランジャ12,42と、検査用基板51の電極部に接触される下部接触子15,46を有する第2プランジャ13,43と、第1プランジャ12,42と第2プランジャ13,43とを互いに離間する方向へ付勢するコイルバネ18,31とを備えている。そして、少なくとも第1プランジャ12,42および第2プランジャ13,43は、その母材21表面に下地層22、中間層23および最表層24からなる3層のメッキ層を有し、該中間層23が99質量以上のAu、AgまたはCuの何れかである。前記構成のコンタクトプローブ10,30,40によれば、体積抵抗率の小さいAu、AgまたはCuの何れかであるので、コンタクトプローブ自体の固有抵抗導体抵抗を小さくして、発熱量を低減することができる。これにより、半導体素子用ソケット内の飽和温度を下げて温度上昇外気温度-飽和温度を抑えることができる。また、上記実施形態のコンタクトプローブ30,40は、コイルバネ31が筒状のバレル11または第1プランジャ42内に収容された複数のコイルバネからなり、少なくとも第1コイルバネ32と、この第1コイルバネ32内に収容された第2コイルバネ33とを備えている。前記構成のコンタクトプローブ30,40によれば、コイルバネ31全体の断面積を増加させ、コンタクトプローブ30,40の固有抵抗導体抵抗を一層小さくすることができる。また、コイルバネ31を2重以上に組み込むことで、第1プランジャ12,42および第2プランジャ13,43との接触力を増加させることができ、安定した接点抵抗を得ることができる。また、上記実施形態のコンタクトプローブ30,40は、第2コイルバネ33が第1コイルバネ32の巻き方向とは逆の巻き方向に収容されている。前記構成のコンタクトプローブ30,40によれば、互いのコイルバネ32,33が絡み合うのを防止することができる。また、第1プランジャ12,42および第2プランジャ13,43に対して均等な接触力を得ることができる。上記実施形態のコンタクトプローブを備えた半導体素子用ソケット50は、コンタクトプローブ10,30,40が、先端に半導体素子67の電極部が接触される上部接触子14,45を有する第1プランジャ12,42と、検査用基板51の電極部に接触される下部接触子15,46を有する第2プランジャ13,43と、第1プランジャ12,42と第2プランジャ13,43とを互いに離間する方向へ付勢するコイルバネ18,31と、を備えている。そして、このコンタクトプローブ10,30,40は、少なくとも第1プランジャ12,42および第2プランジャ13,43が、その母材21表面に下地層22、中間層23および最表層24からなる3層のメッキ層を有し、該中間層23が99質量以上のAu、AgまたはCuの何れかである。半導体素子用ソケット50は、このコンタクトプローブ10,30,40を介して、半導体素子67の電極部と検査用基板51の電極部とを導通させる。前記構成の半導体素子用ソケット50によれば、コンタクトプローブ10,30,40が、体積抵抗率の小さいAu、AgまたはCuの何れかであるので、コンタクトプローブ自体の固有抵抗導体抵抗を小さくして、4~5アンペアの大電流でも発熱量を低減することができる。これにより、半導体素子用ソケット50内の飽和温度を下げてソケット内の温度上昇を抑えることができる。なお、本発明に係るコンタクトプローブ及びそれを備えた半導体素子用ソケットは、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、コイルバネがバレル内またはプランジャ内に収容されているコンタクトプローブを例に説明したが、コイルバネが露出しているコンタクトプローブであっても良い。この場合、コンタクトプローブの構成は、半導体素子の電極部と接する上部接触子、検査用基板の電極部と接する下部接触子と、上部接触子と上部接触子を互いに離間する方向へ付勢するコイルバネの3部品であり、コイルバネの周囲を覆うバレルのような筒状部材は存在しない。次に、本発明に係るコンタクトプローブ及びそれを備えた半導体素子用ソケットの実施例について説明する。実施例1コンタクトプローブ:第1プランジャ、第2プランジャ、バレル、コイルバネの4部品構成で、第1、第2プランジャが中間層を含めた3層メッキを有し、バレルとコイルバネは通常の2層メッキである。プランジャのメッキ層:中間層;2μmのAgメッキ、下地層;3μmのNiメッキ、最表層;1μmのAu合金メッキ実施例2コンタクトプローブ:第1プランジャ、第2プランジャ、バレル、2重コイルバネの5部品構成で、5部品全てが中間層を含めた3層メッキを有する。プランジャとバレルのメッキ層:中間層;2μmのAgメッキ、下地層;3μmのNiメッキ、最表層;1μmのAu合金メッキコイルバネのメッキ層:中間層;1μmのAgメッキ、下地層;1μmのNiメッキ、最表層;0.1μmのAu合金メッキ比較例コンタクトプローブ:第1プランジャ、第2プランジャ、バレル、コイルバネの4部品構成で、4部品全てが通常の2層メッキである。プランジャとバレルのメッキ層:下地層;3μmのNiメッキ、最表層;1μmのAu合金メッキコイルバネのメッキ層:下地層;1μmのNiメッキ、最表層;0.1μmのAu合金メッキ上記実施例1,2と比較例の各コンタクトプローブを半導体素子用ソケットに組み込み、各コンタクトプローブの固有抵抗導体抵抗と検査用基板の電極部との接触力荷重を測定すると共に、通電電流を変えて所定時間後のソケット内の飽和温度を測定して、ソケット内の温度上昇飽和温度と外気温との差を求め、その温度上昇率を比較する。その結果を表1、図9および図10に示す。表1に示すように、各コンタクトプローブの固有抵抗導体抵抗は、実施例1および実施例2の方が比較例と比べて小さくなっており、特に全ての部品に中間メッキ層を有する実施例2は、比較例の3分の1、実施例1の2分の1まで小さくなることが分かる。また、検査用基板の電極部に対する荷重接触力は、2重コイルバネを有する実施例2が、比較例と比べて2倍以上大きくなっていることが分かる。また、図9および図10に示すように、実施例1の温度上昇は、比較例に比べて上昇率が低くなっていることが分かる。また、全ての部品に中間メッキ層を有する実施例2の温度上昇は、比較例に比べて顕著に上昇率が低くなっており、5アンペアの大電流が流れても温度上昇が30°C以下に抑えられていることが分かる。したがって、2重以上のコイルバネを備えたコンタクトプローブの全ての部品にAgメッキである中間メッキ層を形成することで、確実な接触力が確保できると共に、コンタクトプローブの固有抵抗導体抵抗を確実に小さくすることができ、発熱量を顕著に低減することができることが分かる。"