"冷却器を構成するウォータージャケットに外部から冷媒を供給して、前記冷却器の外面に配置された半導体素子を冷却する半導体モジュールにおいて、前記半導体素子と熱的に接続されたヒートシンクと、前記ウォータージャケット内に、冷媒導入口から延在され、かつ前記ヒートシンクの一の側面に向かって前記冷媒を誘導するための傾斜した一の面、及び他の面を少なくとも有するガイド部が配置された第1流路と、前記第1流路と並列して前記ウォータージャケット内に配置され、冷媒排出口に延在され、かつ前記ヒートシンクの他の側面に平行な側壁が形成された第2流路と、前記ウォータージャケット内の前記第1流路と前記第2流路とを連通する位置に形成され、前記ヒートシンクが配置された第3流路と、を備えることを特徴とする半導体モジュール。前記ガイド部の、前記一の面及び前記他の面が、前記第1流路内で、ヒートシンク側へ突出する形状であることを特徴とする請求の範囲第1項記載の半導体モジュール。前記一の面及び前記他の面が、前記冷媒の導入方向に沿って順に形成され、前記第1流路内でその断面積を連続して低減し、かつその低減の割合を変化させるよう構成されていることを特徴とする請求の範囲第1項記載の半導体モジュール。前記断面積の低減の割合において、前記一の面による割合が他の面による割合より大きいことを特徴とする請求の範囲第3項記載の半導体モジュール。前記ガイド部の前記他の面は、前記ヒートシンクの前記一の側面に対し平行であることを特徴とする請求の範囲第1項記載の半導体モジュール。前記他の面は、前記冷媒導入口から前記第1流路の終端部に至る流路長のうち、当該終端部側に1/4以下の長さに形成されるとともに、前記他の面と前記ヒートシンクとの隙間を前記第1流路の最大流路幅の1/3以下としたことを特徴とする請求の範囲第5項記載の半導体モジュール。前記他の面は、前記第1流路の終端部近傍で凹形状が形成されていることを特徴とする請求の範囲第5項記載の半導体モジュール。前記第1流路の側壁が、前記ヒートシンクの一の側面に対して一様に傾斜したガイド壁によって構成されていることを特徴とする請求の範囲第1項記載の半導体モジュール。前記冷媒導入口と前記冷媒排出口は、前記ウォータージャケットの互いに対向する壁面に配置されていることを特徴とする請求の範囲第1項または第8項に記載の半導体モジュール。前記冷媒導入口と前記冷媒排出口が、前記ウォータージャケットの同一の壁面に配置されていることを特徴とする請求の範囲第1項または第8項に記載の半導体モジュール。前記ガイド部は、前記第1流路内で前記ヒートシンクに対向する面から離間した位置に配置された複数の傾斜角度を有する傾斜部材によって形成されていることを特徴とする請求の範囲第1項または第8項に記載の半導体モジュール。前記冷却器は、その外面に前記冷媒の導入方向に沿って発熱特性の異なる複数の半導体素子が配置され、前記ガイド部は、前記第1流路内で前記冷媒導入口から当該発熱特性が最高である半導体素子の配置領域に至る傾斜角度が最大になるよう形成されていることを特徴とする請求の範囲第1項または第8項に記載の半導体モジュール。前記ガイド部が、前記第1流路の底面から階段状に形成されていることを特徴とする請求の範囲第1項または第8項に記載の半導体モジュール。前記ヒートシンクの一の側面に向かって前記冷媒を誘導するよう傾斜した一の面と、他の面とを少なくとも有する第2のガイド部が、前記ガイド部の上面に重ねて前記ガイド壁に沿って配置され、前記ガイド部の一の面の傾斜角度と前記第2のガイド部の一の面の傾斜角度が互いに異なることを特徴とする請求の範囲第13項記載の半導体モジュール。前記ガイド部の一の面と他の面で挟まれる角部が、前記第2のガイド部の一の面と他の面とからなる角部より前記冷媒導入口側に位置することを特徴とする請求の範囲第14項記載の半導体モジュール。前記ヒートシンクの一の側面に向かって前記冷媒を誘導するよう傾斜した一の面と、他の面とを少なくとも有する第3のガイド部が、前記ガイド部の上面に重ねて前記ガイド壁に対して離間した位置に配置されたことを特徴とする請求の範囲第13項記載の半導体モジュール。前記ガイド部及び第3のガイド部は、各々の段差間あるいは前記冷媒の導入方向にそれぞれ連続する曲面によって接続されていることを特徴とする請求の範囲第16項記載の半導体モジュール。前記第2流路内には、前記冷媒の排出方向の中央から前記冷媒排出口側であって前記第3流路の近傍に、前記ウォータージャケット底面から当該流路の高さに対して70以下の高さを持つ冷媒誘導用のガイド片を備えていることを特徴とする請求の範囲第1項または第8項に記載の半導体モジュール。前記ヒートシンクの外形が直方体であることを特徴とする請求の範囲第1項または第8項に記載の半導体モジュール。前記ヒートシンクが、前記第3流路の底面から離隔して配置されたことを特徴とする請求の範囲第1項または第8項に記載の半導体モジュール。前記ウォータージャケットは、前記ヒートシンクを有するフィンベースにより前記冷媒導入口及び前記冷媒排出口を除いて封止されていることを特徴とする請求の範囲第1項または第8項に記載の半導体モジュール。ウォータージャケットに外部から冷媒を供給して、その外面に配置された半導体素子を冷却する冷却器において、前記半導体素子と熱的に接続されたヒートシンクと、前記ウォータージャケット内に、冷媒導入口から延在され、かつ前記ヒートシンクの一の側面に向かって前記冷媒を誘導するための傾斜した一の面、及び他の面を少なくとも有するガイド部が配置された第1流路と、前記第1流路と並列して前記ウォータージャケット内に配置され、冷媒排出口に延在され、かつ前記ヒートシンクの他の側面に平行な側壁が形成された第2流路と、前記ウォータージャケット内の前記第1流路と前記第2流路とを連通する位置に形成され、前記ヒートシンクが配置された第3流路と、を備えることを特徴とする冷却器。しかし、これまでの冷却技術では、ヒートシンクや冷媒流路の形状、発熱素子の配置方法、あるいは冷媒の導入口、排出口の形状等に起因して、冷媒が偏って流れる偏流分布が生じる。従来の冷却装置では、こうした偏流分布は冷却性能に偏りをもたらすことから、均一かつ安定した冷却性能を得ることができなかった。しかも、冷媒の排出口側と対極する位置に配置された半導体素子の発熱温度だけが顕著に上昇する等の不都合も生じるため、素子寿命が低下し、あるいは故障などが発生しやすいという問題があった。また、特許文献6、特許文献7に開示された冷却装置のように、入口ヘッダ部の流路断面積が、その延在する方向に向かって小さくなっているものでは、その流量分布に改善の傾向は見られるものの、冷媒の導入口近傍の温度上昇を抑制するには至っていない。本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、冷媒の流路に生じる偏流を解消し、とくに冷媒の導入口近傍での流速を向上させて、その温度上昇を抑制することで半導体素子を均一かつ安定に冷却し、半導体素子の発熱による誤動作や破壊を確実に防止できる半導体モジュールを提供することを目的とする。また、本発明は、半導体素子を効果的に冷却することのできる冷却器を提供することを目的とする。本発明では、上記問題を解決するために、冷却器を構成するウォータージャケットに外部から冷媒を供給して、前記冷却器の外面に配置された半導体素子を冷却する半導体モジュールが提供される。この半導体モジュールは、前記半導体素子と熱的に接続されたヒートシンクと、前記ウォータージャケット内に、冷媒導入口から延在され、かつ前記ヒートシンクの一の側面に向かって前記冷媒を誘導するための傾斜した一の面、及び他の面を少なくとも有するガイド部が配置された第1流路と、前記第1流路と並列して前記ウォータージャケット内に配置され、冷媒排出口に延在され、かつ前記ヒートシンクの他の側面に平行な側壁が形成された第2流路と、前記ウォータージャケット内の前記第1流路と前記第2流路とを連通する位置に形成され、前記ヒートシンクが配置された第3流路と、を備えることを特徴とする。また、本発明の冷却器では、ウォータージャケットに外部から冷媒を供給して、その外面に配置された半導体素子を冷却する場合に、前記半導体素子と熱的に接続されたヒートシンクと、前記ウォータージャケット内に、冷媒導入口から延在され、かつ前記ヒートシンクの一の側面に向かって前記冷媒を誘導するための傾斜した一の面、及び他の面を少なくとも有するガイド部が配置された第1流路と、前記第1流路と並列して前記ウォータージャケット内に配置され、冷媒排出口に延在され、かつ前記ヒートシンクの他の側面に平行な側壁が形成された第2流路と、前記ウォータージャケット内の前記第1流路と前記第2流路とを連通する位置に形成され、前記ヒートシンクが配置された第3流路と、を備えることを特徴とする。本発明の半導体モジュールによれば、ヒートシンクの一の側面に向かって冷媒を誘導するよう、冷媒導入路の断面積を排出路より小さくすることで、第1流路からヒートシンクに流入する冷媒の流速を調整できる。したがって、冷却器の外面に配置された半導体素子を効果的に冷却でき、半導体素子の安定した動作が可能になる。本発明の上記及び他の目的、特徴及び利点は本発明の例として好ましい実施の形態を表す添付の図面と関連した以下の説明により明らかになるであろう。図1は、本発明の半導体モジュールの一例を示す断面模式図、図2は、半導体モジュールの外観を示す斜視図である。ここで、図1は図2のL1-L1矢視断面である。また、図3は、冷却器のウォータージャケットの要部構成を示す斜視図であって、矢印は冷媒の流れる方向を示す。半導体モジュール10は、図1及び図2に示すように、冷却器2及び冷却器2の上に配置された複数の回路素子部3A~3Cから構成されている。この冷却器2は、フィンカバーとしてのウォータージャケット2Aと、ヒートシンクとしてのフィン2Cが複数本植設されたフィンベース2Bとから構成され、複数のフィン2Cをウォータージャケット2Aの内部に収容するようにしている。以下の説明では、ウォータージャケット2A及びその内部に収容されたフィン2Cについて、図2においてフィンベース2Bが付けられる方を上側という。また、図3においてウォータージャケット2Aの上側を上にして矢視方向から見たとき手前を前側、右の排出口25が形成されている方を右側等とし、冷却器2内の冷媒の流れに関して、導入口24に近い方を上流側とする。図3に示すように、冷却器2のウォータージャケット2Aの外形は略直方体形状である。冷却器2の上側の主面には冷媒導入流路21、導入口部21a、冷媒排出流路22、排出口部22a及び冷却用流路23が設けられている。さらに、ウォータージャケット2Aには、その左側壁2Abに冷媒を内部に導入するための導入口24が、対向する右側壁2Adに冷媒を外部に排出するための排出口25がそれぞれ設けられている。すなわち、導入口24と排出口25はウォータージャケット2Aの対角線上に配設されている。これら冷媒導入流路21等の空間は、前側壁2Aa、左側壁2Ab、後側壁2Ac、右側壁2Ad及び底壁2Aeにより画定されている。なお、同図には説明の便宜のため、フィン2Cが描かれている。冷媒導入流路21は、第1流路として、冷媒の流入方向に沿うように、導入口24から導入口部21aを介して、ウォータージャケット2Aの前側壁2Aaと平行に、右側壁2Adまで延在されている。また、冷媒排出流路22は、第2流路として、冷媒の排出口25に向かうように、左側壁2Abから、後側壁2Acと平行に、排出口部22aを介して排出口25まで直線状に延在されている。冷媒導入流路21と冷媒排出流路22は略平行に設けられている。冷却用流路23は、第3流路として、冷媒導入流路21と冷媒排出流路22との間に配設され、冷媒導入流路21及び冷媒排出流路22を連通するように形成されている。すなわち、冷却用流路23は、冷媒導入流路21の延在方向及び冷媒排出流路22の延在方向とそれぞれ直交する方向に延在される。冷却用流路23の境界を画定している左側壁2Ab及び右側壁2Adの内面は、それぞれ冷却用流路23の底面及び後側壁2Acの内面に対して垂直に形成されている。冷却用流路23には、複数のフィン2Cからなるヒートシンクが配置され、これらのフィン2Cで画定される流路を冷媒が流れる。そして、導入口24から導入された冷媒は、ウォータージャケット2A内で、冷媒導入流路21、冷却用流路23、及び冷媒排出流路22を通って排出口25から排出される。ヒートシンクは、その外形が略直方体であり、その左側側面、後側側面及び右側側面が、左側壁2Ab、後側壁2Ac及び右側壁2Adの内面と平行になるよう冷却用流路23に配設されている。このような構成を有するウォータージャケット2Aは、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金等の金属材料を用いて形成することができる。このような金属材料を用いてウォータージャケット2Aを形成する場合、例えばダイキャストによって、上記のような冷媒導入流路21、冷媒排出流路22、冷却用流路23、導入口24、及び排出口25を形成することができる。ウォータージャケット2Aは、このほかカーボンフィラーを含有する材料を用いることもできる。また、冷媒の種類やウォータージャケット2A内に流れる冷媒の温度等によっては、セラミック材料や樹脂材料等を用いることも可能である。また、ウォータージャケット2Aは、冷媒導入流路21、冷媒排出流路22、及び複数の冷却用流路23の形成面側が、図1及び図2に示すように冷媒の導入口24及び排出口25を除いてフィンベース2Bにより封止されている。このフィンベース2Bの下面に、例えば基材26を介在させて複数のフィン2Cが植設されている。つぎに、冷却器2のフィン2Cの形状について説明する。図4は、2通りのフィンの形状を説明する図であって、Aはブレードフィンを示す斜視図、Bはコルゲートフィンを示す斜視図である。冷却器2のフィン2Cは、例えば図4Aに示すように、板状のフィンが並設された複数のブレードフィン2Caとして形成することができる。ブレードフィン2Caは、冷却用流路23に配置され、冷媒が図4Aに矢印で示す方向に流通する。その際、こうしたブレードフィン2Caは、冷却用流路23内で基材26及びフィンベース2Bによって保持される。図4Aにはブレードフィン2Caを例示しているが、同図Bに示すコルゲートフィン2Cbを用いることもできる。このようなブレードフィン2Ca、あるいはコルゲートフィン2Cbの形状をもつフィン2Cは、例えば図2に示したように、フィンベース2Bと一体化してフィン2C側のウォータージャケット2Aに向けて配置される。フィン2Cは、その先端とウォータージャケット2Aの底壁2Aeとの間に一定のクリアランスCが存在するような寸法高さに形成される図1参照。図1では、基材26がフィンベース2Bと一体化して構成され、フィンベース2Bのフィン2C側をウォータージャケット2Aに向けて配置したときに、フィン2Cがウォータージャケット2Aの冷却用流路23内に配置されるようになっている。なお、フィン2Cをフィンベース2B自体と一体に形成し、あるいはダイキャストによってフィンベース2Bからフィン2Cを凸形状に形成するなどのワイヤーカット法によるフィン形状の形成も可能である。このようなフィン2Cのフィン形状については、従来公知の様々な形状のものを用いることが可能である。フィン2Cは、冷却用流路23内を流れる冷媒の抵抗となるので、冷媒に対する圧力損失が小さいものが望ましい。また、フィン2Cの形状及び寸法は、冷媒の冷却器2への導入条件すなわち、ポンプ性能等、冷媒の種類粘性等、目的とする除熱量等を考慮して、適宜設定することが好ましい。また、フィン2Cからなるヒートシンクの外形は略直方体であり、好ましくは直方体であり、発明の効果を損ねない範囲で面取りや変形された形状であってもよい。フィン2C及びフィンベース2Bは、ウォータージャケット2Aと同様に、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金等の金属材料を用いて形成することができる。フィン2Cは、上述したブレードフィン2Caやコルゲートフィン2Cb等以外にも例えば金属材料を用いて形成された所定のピンや板体を金属製の基材26に接合することによって形成することができる。このようにしてフィン2Cが接合された基材26は、金属板等のフィンベース2Bの所定領域、すなわち図1に示した冷却用流路23に対応する領域に接合される。このように予めフィン2Cを接合した基材26をフィンベース2Bに接合するだけでなく、フィンベース2Bに直接、複数のフィン2Cを接合してヒートシンクを構成することも可能である。冷却器2の使用時には、例えば導入口24がその上流側に設けられるポンプに接続され、排出口25がその下流側に設けられる熱交換器に接続されて、これら冷却器2、ポンプ及び熱交換器を含む閉ループの冷媒流路が構成される。冷媒は、このような閉ループ内をポンプによって強制循環される。各回路素子部3A~3Cは、例えば図2に示したように、いずれも基板31上に2種類の半導体素子32,33をそれぞれ2個ずつ、計4個搭載した構成を有する。基板31は、例えば図1に示したように、絶縁基板31aの両面に導体パターン31b,31cが形成された構成とされる。基板31の絶縁基板31aには、例えば窒化アルミニウム、酸化アルミニウム等のセラミック基板を用いることができる。絶縁基板31a上の導体パターン31b,31cは、銅等の金属例えば、銅箔を用いて形成することができる。半導体素子32,33は、はんだ等の接合層34を用いて基板31の導体パターン31b側に接合され、その導体パターン31bに直接、或いはワイヤ図示せずを介して、電気的に接続される。半導体素子32,33を搭載した基板31は、もう一方の導体パターン31c側で、接合層35を介して冷却器2のフィンベース2Bに接合される。こうして、基板31と基板31上に搭載された半導体素子32,33は、冷却器2と熱的に接続された状態になる。なお、導体パターン31b,31cの露出表面や、半導体素子32,33と導体パターン31bとを電気的に接続するワイヤ表面には、ニッケルめっき等により、それらの表面を汚れ、腐食、外力等から保護するための保護層を形成するようにしてもよい。図5は、半導体モジュールとして構成される電力変換回路の一例を示す図である。このような基板31上に搭載される半導体素子32,33としては、ここではパワー半導体素子を用いている。一例として、図5に示すように、一方の半導体素子32をフリーホイールダイオードFreeWheelingDiode:FWDとし、他方の半導体素子33を絶縁ゲートバイポーラトランジスタInsulatedGateBipolarTransistor:IGBTとすることができる。半導体モジュール10は、例えば3個の回路素子部3A~3Cによってインバータ回路40を構成することが可能である。図5では、直流電流を交流電流に変換して三相交流モータ41に供給するインバータ回路40を例示している。このインバータ回路40は、U相、V相、W相の三相についてそれぞれ、IGBTである半導体素子33と、FWDである半導体素子32とのブリッジ回路を備える。半導体素子33のスイッチング制御を行うことで、直流電流を交流電流に変換し、三相交流モータ41を駆動することができるようになっている。ここでは、上記のような構成を有する回路素子部3A~3Cが、冷却器2のフィンベース2Bの上に配置されている。これらの回路素子部3A~3Cは、例えば冷却器2上でインバータ回路を構成するように接続することができる。さて、このような電力変換回路の動作時に、各回路素子部3A~3Cで発生した熱は、それが接合されているフィンベース2Bへと伝わり、さらにその下のフィン2Cへと伝わる。フィン2Cは、上述したように冷却用流路23内に配置されているから、この冷却用流路23に冷媒が流通されることで、フィン2Cが冷却される。発熱する回路素子部3A~3Cは、このようにして冷却器2により冷却される。以上の説明では、半導体モジュール10の回路素子部3A~3Cを3個とした場合を例示した。しかし、つぎの図6などに示す半導体モジュールのように、回路素子部の個数は3個に限定されない。図6は、従来の半導体モジュールの第1変形例を説明する図であって、Aは回路素子の配置例を示す斜視図、Bは冷却器のウォータージャケットの要部構成を示す斜視図である。図6Aに示す半導体モジュール10Aでは、冷却器2の長手方向に7列B1~B7、フィンベース2Bの上下位置に2行、計14個の回路素子部3Dが配置されている。これらの回路素子部3Dを適当に組み合わせて、例えば図5に例示したようなインバータ回路40を複数構成するように接続することができる。ウォータージャケット2Aには、図6Bに示すように、一方の主面側に冷媒導入流路21、冷媒排出流路22、及び冷却用流路23が設けられ、冷却用流路23がフィン2Cに対応する大きさに形成されている。このフィン2Cは、例えば図2に示したように、フィンベース2Bと一体化してフィン2C側のウォータージャケット2Aに向けて配置される。そして、最終的にフィン2Cと一体化されたフィンベース2Bは、図1及び図2に示したようにウォータージャケット2A上に配置される。フィンベース2Bとウォータージャケット2Aとは、例えば適当なシール材図示せずを用いて接合される。これにより、ウォータージャケット2A、フィンベース2B及びフィン2Cを備える冷却器2が構成できる。ここで、導入口24から冷媒導入流路21に流入する冷媒の終端部、及び冷媒を排出口25に流出する冷媒排出流路22の始端部には、約45°の傾斜角をなすガイド部21So、22Soを形成するように、それぞれ面取りが施されている。図7は、図6の半導体モジュールにおける冷媒の流速を回路基板の位置別に示す図である。図7のグラフには、一例として図4Aに示すブレードフィン2Caを冷却用流路23内に配置して、導入口24から流量10L/minの冷媒を流したとき、フィン2C間を流れる冷媒流速を示している。図7に示した特性はL字形状となっており、7列目の位置B7に配置された回路素子部3Dの基板下で、フィン2C間に流れる冷媒の流速は、他の列に配置された回路素子部3Dについての流速に比較して極端に大きくなる。このように、冷媒導入流路21に対してフィン2Cが略直交する形で、図6に示すように冷却用流路23内に配置されている場合、フィン2C間を流れる冷媒には、導入口24から排出口25に向けて流速が上昇するという偏流特性がある。図8は、従来の半導体モジュールの第2変形例を説明する図であって、Aは回路素子の配置例を示す斜視図、Bは冷却器のウォータージャケットの要部構成を示す斜視図である。図8Aに示す半導体モジュール10Bは、図6のものと同様に、2行6列の回路素子部3D,3Eが配置され、さらに2個の回路素子部3Fu,3Fdが冷却器2上に配置されている。ここで追加された2個の回路素子部3Fu,3Fdには、その他の12個の回路素子部3D,3Eとは異なる構成を有するものを用いることができる。12個の回路素子部3D,3Eは適当に組み合わせて、例えば図5に例示したようなインバータ回路40を複数構成するように接続することができる。また、回路素子部3Fu,3Fdは、例えば所定数のIGBTとFWDを用いた昇圧コンバータ回路として構成できる。このような場合には、例えば昇圧コンバータ回路の回路素子部3Fu,3Fdをバッテリー及び上記インバータ回路40に接続し、バッテリー電圧を回路素子部3Fu,3Fdで昇圧する。そして、その昇圧された直流電流をインバータ回路40によって交流電流に変換して三相交流モータ41に供給するような回路構成とすることが可能である。なお、このような回路素子部3D,3Eとは種類の異なる回路素子部3Fu,3Fdを新たに追加するには、回路の設計上、或いは製造上の配線レイアウト等を考慮すると、図8Aに示すように、回路素子部3Fu,3Fdを半導体モジュール10Bの端部に配置することが比較的容易である。このような半導体モジュール10Bでは、冷却器2には冷却用流路23を流れる冷媒の流通方向に沿ってフィン2C内部に発熱箇所が2箇所ある。そして、これらの発熱箇所は冷媒の流れる方向に対して、それぞれ上流側と下流側とに分かれて位置する。このうち、下流側を流れる冷媒は、上流側での吸熱によって、その冷媒温度がすでに上昇している。そのため、上流側に配置された回路素子部3D,3Eの冷却効率が高くなる。こうした事情を考慮すると、回路素子部3D,3Eのうちその駆動時に発生する熱量が高いものほど冷媒導入流路21側に配置すれば、より容易に冷却することが可能である。また、冷却器2の冷却用流路23を流れる冷媒には、冷媒の導入口24側より、その排出口25に近い位置で冷媒流速が上昇するという偏流特性がある。しかも、冷却用流路23を冷媒が速く流れる箇所ほど、フィン2Cによる冷却効率は高くなる。このように、半導体モジュール10Bでは、冷媒を回路素子部3D,3E,3Fu,3Fdで発生する熱量に応じて流すだけでなく、ある一定以上の流速で流通させることが求められる。ところが、低流速部の流速を上昇させれば、流速の速い部分では必要以上の冷媒が流れることになる。したがって、そのために冷却器2への冷媒流量を増加して供給しなければならず、高性能のポンプが必要となる。図9は、図8の半導体モジュールにおける流路の形状を示す平面図である。ここには、従来から採用されているガイド部21Soの第2変形例を示している。このガイド部21Soは、図6のガイド部21Soの形状とは異なり、冷媒導入流路21が冷却用流路23に面する全範囲で一様に傾斜したガイド壁S1を構成している。従来の冷却器2においては、図6に示すウォータージャケット2Aのように、冷媒導入流路21の終端部にガイド部21Soが配置されているだけであった。これに対して図8、図9に示す冷却器2では、ヒートシンクに対向する前側壁2Aaが冷媒導入流路21の全体に及ぶガイド壁S1として構成され、その傾斜面が、図6のガイド部21Soより長く形成される。このようにガイド部21Soの形状を工夫することで、導入口24から冷却用流路23に流入する冷媒の流速分布をある程度調整可能であることは周知である。こうした流路特性をシミュレーションするには、冷媒の流れと熱伝導、熱伝達などの物理現象を含む熱流体解析が必要とされる。また、回路素子部3D,3E,3Fu,3Fdでの発熱による冷媒の温度上昇を求める際、定常運転状態で発生する損失を与えて解析結果を得ることができる。従来構造のウォータージャケット2Aを用いて冷媒の流速分布をシミュレーションすると、導入口24からウォータージャケット2A内に導入された冷媒は、導入口24から直線状に延在する冷媒導入流路21を大きな流速で流れる。そして、冷却用流路23に流れ込む冷媒は、とくに冷媒の排出口25に近い側において、比較的速い流れとなることが知られている。一般に、複数配置された回路素子部3D,3E,3Fu,3Fdでは、発生する損失に応じて半導体素子32,33の冷却に必要な冷媒の流速を維持することが求められるが、上述した偏流特性によって冷媒の流速分布が広がれば、その冷却性能も同様に偏った分布となる。とりわけ冷却用流路23において流速が速くなる排出口25側では、流速に対して冷却性能の変化は鈍く、流速が遅くなりやすい導入口24側ではその変化は大きい。これは、排出口25側に冷却性能の向上に寄与しづらい流速成分が生じることを意味している。そこで、このような偏流特性を改善することができれば、より安定した冷却性能が得られるだけでなく、全体的な冷却性能も向上させることも可能になる。また、冷媒排出流路22や排出口25が、圧力損失を発生するような形状であったり、その偏流特性が大きすぎる場合には、ウォータージャケット2A内で冷媒がトラック状に回転することがある。このような現象も偏流特性を調整することで抑制することが可能になる。すなわち、ポンプ機能の変更によるコストアップを抑えつつ、各々の回路素子部3D,3E,3Fu,3Fdの冷却に必要な流速を一定以上の大きさに確保するためには、圧力損失の小さい冷却器2を用い、かつ流速を確実に調整することが有効である。上述した冷媒の偏流特性は、冷媒導入流路21と冷媒排出流路22とに挟まれた冷却用流路23を持つような並列流路において起こる現象である。そのため、冷媒導入流路21から冷却用流路23に配置された冷却用のフィン2C間に流入する冷媒の流速は、冷媒導入流路21の断面積を狭めただけでは、直線状に流れる流速成分が強くなるだけで、偏流特性の調整としては不十分である。とくに、冷却用流路23に配置される冷却用のフィン2Cの間隔を広げた場合には、冷媒導入流路21からフィン2Cに流れる冷媒に対する抵抗が小さくなって、冷媒が流れ込みやすくなる。したがって、フィン2Cの間隔が広い形状であるほど、冷媒の流速分布が図9に示すような冷媒導入流路21の終端部におけるフィン2Cとの間隔y0に依存することになる。そこで、この点について詳細に説明する。まず、冷却器2の性能に影響を及ぼす因子について説明する。1冷媒導入に用いるポンプの性能、2フィン2Cの材質の形状及びその熱伝導率、3冷媒自体の性質粘性、熱伝導率、温度等、4冷媒導入流路21の形状幅、深さ、平面形状等、等が冷却器2の性能因子として指摘できる。以下では、とくに第4の因子が冷却性能に及ぼす影響について考察する。図10は、冷却器の一般的な冷却性能を説明する図であって、Aは冷媒の流速と圧力の関係を模式的に示す図、Bは冷媒の流速と素子温度との関係を模式的に示す図である。図10Aでは、横軸に冷媒の流速を、縦軸に冷却器の圧力損失をとっている。ここで、曲線Xはポンプ性能を示す曲線であって、上述した因子1、すなわち実際に使用するポンプに固有の性能によって規定される。図10Aに示す曲線Y1,Y2は、ある冷却器2のそれぞれ導入口24、排出口25における冷媒の流速と圧力損失との関係を示している。これは上述した因子4、すなわち冷媒導入流路21の形状によって規定される曲線であって、使用する冷却器2毎に設計上、或いは実験的に求めることができる。これらの曲線X及びY1,Y2によって、それぞれの冷却器2において、実際に流通可能な冷媒の流速が決まる。すなわち、冷媒循環に使用するポンプ及び熱交換器の性能を示す曲線Xと、流速と圧力損失の関係を示す曲線Y1又は曲線Y2との交点の位置から、冷媒の流速Q1,Q2が決まってくる。例えば、図10Aに示す例では、冷媒の流速の増加に対する圧力損失の増加が比較的小さい曲線Y1を示す冷却器2であれば、曲線Xとの交点より、その冷却器2に流通可能な冷媒の流速はQ1となる。一方、冷媒の流速の増加に対する圧力損失の増加が比較的大きい曲線Y2を示す冷却器2の場合、曲線Xとの交点が左上に移行して、その冷却器2に流通可能な冷媒の流速Q2はより小さくなるQ2<Q1。また、図10Bでは、横軸に冷媒の流速を、縦軸に冷却すべき半導体素子のジャンクション温度素子温度をとっている。同図Bに示す冷媒の流速と素子温度との関係について見ると、曲線Zで示すように、素子温度は冷媒の流速の減少に伴って増加していく傾向にある。ここで、曲線Zは上述した因子2及び3によって規定される曲線である。そのため、冷媒の流速Q1での素子温度T1は、冷媒の流速Q2での素子温度T2より低くなるT1<T2。したがって、流通可能な冷媒の流速がQ2である場合より、流通可能な冷媒の流速が大きい流速Q1の冷却器2を用いた方が、当然にも素子温度の上昇を抑えることが容易である。なお、圧力損失が大きくなる曲線Y2のような挙動を示す冷却器2の場合であっても、より性能の優れたポンプを使用すれば、その冷却器2に流通可能な冷媒の流速が増加するから、素子温度の上昇を抑えることも可能になる。しかしながら、そのようなポンプを使用すれば、冷却器2によって冷却される半導体モジュールの、したがってそれを搭載した電子機器等の大幅なコストアップを招く。また、図10に示すように、圧力損失は流速の2乗に比例して増加するが、冷却性能は流速の二分の一乗に比例して増加するだけである。このことは、一般に冷媒の流速を増加させるのではなく、圧力損失の小さな流路を用いればメリットが大きくなることを意味する。したがって、ポンプに要求される負荷を抑えて、コストを低減するうえでは、圧力損失を小さくするような冷媒の流速調整が有効となる。以下では、上述した冷却器2の冷媒流速分布の調整法について説明する。これらは、いずれも冷媒自体の性質冷媒特性と冷却性能をシミュレーションすることによって検証された結果である。第1の実施の形態第1の実施の形態では、半導体モジュールにおける偏流を調整するように冷媒導入流路21にガイド部が配置された冷却器2について説明する。図11は、本発明の半導体モジュールにおける流路の形状を説明する図であって、Aは冷却器のウォータージャケットの平面図、Bはガイド部形状のタイプ別の説明図である。最初に、冷媒導入流路21にガイド部21Sを有する流路形状について説明する。ここでは、冷却用流路23の流速分布を改善するため、同図Aに示すように、ガイド部21Sは所定の傾きをもつ傾斜面Sと平坦面Fとから構成されている。本実施例のガイド部21Sは、ウォータージャケット2Aの前側壁2Aaに形成されており、フィン2Cからなるヒートシンクの前側側面に対向する傾斜面S及び平坦面Fが冷媒導入流路21の流路幅を規制している。傾斜面Sは、ヒートシンクの前側側面に向かって冷媒を誘導するように作用する。この傾斜面Sの傾斜角度は、ヒートシンクの前側側面に対して0度より大きく90度より小さい角度をなし、平坦面Fはヒートシンクの前側側面に対して平行である。ガイド部21Sの傾斜面Sと平坦面Fに挟まれる角部は鈍角をなしており、ガイド部21Sは冷媒導入流路21の途中においてヒートシンク側へ突出している。本実施の形態におけるウォータージャケット2Aの冷媒導入流路21は、その底壁2Ae面及びガイド部21Sとヒートシンクの前側側面とで画定される断面の面積が、冷媒導入流路21の導入口24から終端部に向かって一定の割合で小さくなる。しかも、冷媒導入流路21の途中においてその減少の割合が変化し、ゼロになる平坦面Fが形成されている。なお、本実施の形態において、ヒートシンクは、その前側側面が導入口24から流入する冷媒の流入方向と略平行となり、冷媒の流れを遮らないよう導入口部21aの内壁に面一となるよう配設されている。また、冷媒導入流路21の高さ、すなわち、ウォータージャケット2Aの底壁2Ae面とフィンベース2Bの間の間隔は一定である。冷媒を排出口25に流出する冷媒排出流路22には、その始端部に、ヒートシンクの後側側面に対し約45°の傾斜角をなすガイド部22Soを形成するよう面取りが施されており、続いて、下流側に向かってヒートシンクの後側側面と平行に後側壁2Acが形成されている。冷媒排出流路22の側壁を、ほぼ全長にわたって、ヒートシンクの後側側面に対し平行に形成することにより、ヒートシンクの下流側での圧力損失を小さくし、冷媒導入流路21側に設けたガイド部21Sによる流速調整の効果を得ることができる。いま、冷却用流路23に厚さ1.2mm、ピッチ2.1mm、高さ10mmのブレードフィンを配置し、導入口24から冷媒導入流路21に流量10L/minで冷媒を導入すると仮定する。その場合に、異なるガイド部21S形状の流路タイプ毎に、ガイド部21Sの形状の違いが流速分布に与える影響を、シミュレーションにより確認した。つぎに、図9のような流路形状を比較対象として実施されたシミュレーションの結果について説明する。ここで、冷媒導入流路21の形状は、図9に示すガイド壁S1と、Aタイプ及びBタイプのガイド部21Sのいずれも、フィン2Cとガイド部21Sとの間隔最小値y0を3mmとする。また、Aタイプの終端側には、傾きが0°の平坦面Fを配置して、その長さx0を30mmとし、Bタイプでも同様に平坦面Fを配置して、その長さx0を40mmとする。冷媒導入流路21の全長を255mm、高さを10.5mm、幅を15mmとする。また、回路素子部3D等に与える損失は、上述した図8Aに示すように、導入口24側よりB1~B3とB4~B6の3列ずつを2つのグループとして、各々の回路素子部3D,3Eの直下で同様の大きさに設定する。7列目だけで上流側の回路素子部3Fuと下流側の回路素子部3Fdとで、異なる損失が設定される。この発熱量に応じて設定される損失値については、冷媒流速と冷媒温度及び冷却性能との関係に基づいて、3D<3E<3Fu<3Fdの関係に設定する。その際、1列目B1、4列目B2の回路素子部3D,3Eについては、それぞれ下流側に配置されたIGBT素子を比較対象とし、7列目の回路素子部3Fについては損失の大きい3Fdを比較対象とする。図12及び図13は、図11の半導体モジュールにおけるガイド部形状毎の冷媒の流速を回路基板の位置別に示す図である。これらはいずれも、前述した手法によるシミュレーション結果の一例である。ここに示す流速分布は、7列に配置された回路素子部3D,3E,3Fu,3Fdの基板中央部直下に配置されたフィン2C間の流速をシミュレーションした結果である。ここでは、導入口24側から排出口25に向けてB1~B7まで順に流速を示している。図12に示すシミュレーション結果によれば、図9のものよりもAタイプのガイド部21S、AタイプよりもBタイプのガイド部21Sにおいて、各比較位置での流速が向上している。Aタイプ、Bタイプともに、流速の低下しやすい導入口近傍に相当する1列目B1を含め流速が向上している。また、基板下のフィン2Cの間を流れる冷媒流速の7箇所での平均値は、図9のもので0.0609m/s、Aタイプで0.0805m/s、Bタイプで0.081m/sとなっている。すなわち、傾斜面Sと平坦面Fにより冷媒導入流路21に複数の傾きを与えることで、冷媒の平均流速が25程度上昇することがわかる。なお、ガイド部21Sに設ける傾斜面Sの変化点傾斜面Sと平坦面Fで挟まれる角部の位置から冷媒導入流路21の終端側に向かって冷媒流速が乱れ、その流速が低下する場合がある。そこで、設定流量、各回路素子部3D,3E,3Fu,3Fdで発生する損失との関係に基づいて、平坦面Fの最適長さを求めることが望ましい。また、フィン2Cとガイド部21Sの隙間y0も、ガイド部形状を規定する1つの要因として、冷媒に偏流特性をもたらすことになる。そこで、図11Bに示すB~Dタイプのガイド部21Sでは、平坦部F1の長さを共通の値40mmに設定して、フィン2Cとガイド部21Sとの間隔y0を、それぞれBタイプで3mm、Cタイプで2mm、Dタイプで4mmに設定して偏流特性を比較している。図13には、偏流特性についてのシミュレーション結果の一例を示す。回路素子部3D,3E,3Fu,3Fdの基板中央部直下でのフィン2C間を流れる冷媒は、その流速の平均値がCタイプで0.078m/s、Bタイプで0.081m/s、Dタイプで0.083m/sとなる。したがって、間隔y0を2mmから4mmに広げることによっても、平均流速が向上することがわかる。また、全体が直線状のガイド壁S1を構成する従来のガイド部21So0.0609m/sと比較して、偏流を低減するうえで約25の改善効果が生じている。以上のように、ガイド部21Sにより複数タイプの傾斜面Sと平坦面Fを設けることで偏流を調整することができ、回路素子部3D,3E,3Fu,3Fdの基板中央部直下の流速を全体的に向上させることが可能となった。このようなシミュレーション結果により、図11Bに示すガイド部21Sを有する流路のうち、図9に示すガイド部、Bタイプ及びDタイプのものについて、それぞれ回路素子部3D,3E,3Fu,3Fdに対応する損失を与えて、パワー半導体素子の発熱状態を確認した。図14乃至図16は、いずれも図11のウォータージャケットの性能を説明する図であって、Aは回路素子の配置例を示す図、Bは定常運転時の発熱を示す図である。ここでは、発熱値のシミュレーション結果の一例を示す。ガイド部形状を改善することで、回路素子部3D,3E,3Fu,3Fdの基板中央部直下の流速が向上し、その効果によりパワー半導体素子のジャンクション温度を低減することが可能である。図14Bに示すように、最も効果の高い1列目の位置B1に配置された回路素子部3Dのジャンクション温度は、従来形状図9で123.6°C、Bタイプで122.3°C、Dタイプで117.7°Cとなる。したがって、従来形状図9のものに対して、Dタイプでは5.9°C低減することから、5の冷却効率の向上が可能である。また、図12に示すように、設定された損失が高い4列目の位置B4の回路素子部3Eでは、他の位置より冷媒流速が低下しているが、そのジャンクション温度は図12に示すように低減することができる。これは、ウォータージャケット2Aが損失値に対し冷却に必要な流速0.1m/sを保っており、熱干渉の影響を低減した効果である。これにより、フィン2C間を流れる冷媒の流速が0.05m/s以下では、流速が冷却能力に与える影響が大きく、0.1m/s以上で安定した冷却性能を得られることがわかる。図16Bに示すように、7列目の位置B7における上流側のパワー半導体素子3Fuについても、同様の冷却性能が得られる。なお、上述したA~Dタイプ以外に、図11Bに示すE~Iタイプのガイド部形状についても、同様のシミュレーションにより所定の改善効果が確認されている。こうしたシミュレーション結果によれば、冷媒流速分布の調整にあたって、以下のガイド部形状が好ましい。一つには、導入口24とフィン2Cに対面する冷媒導入流路21の長手方向に対して、傾斜角の変化点、すなわち傾斜面Sと平坦面Fで挟まれる角部の位置を終端部側から1/4の範囲に配設することである。また、冷媒導入流路21の終端部におけるフィン2Cとガイド部21Sの間隔を1mm以上であって、冷媒導入流路21の最大流路幅の1/3以下に設定することである。第2の実施の形態図17は、従来の半導体モジュールにおける、図9とは異なる流路形状のウォータージャケットを示す平面図である。なお、図17以降では、冷媒導入流路21や冷媒排出流路22の位置を、図2、図9等で説明したものと前後方向で入れ替えて説明している。ここでは、導入口部21a及び排出口部22aがウォータージャケット2AIの左側壁2Ab及び右側壁2Adからそれぞれ突出して形成されており、ここに円筒状のパイプなどを接続してポンプから送られる冷媒を冷却器2に流入させ、排出口部22aから流出させている。冷媒導入流路21の側壁は、図9の冷媒導入流路21と同様に、冷却用流路23に面する全範囲に対して一様に傾斜したガイド壁S1によって構成されている。ポンプと冷却器2との接続の都合によって設けられた冷媒導入流路21の導入口部21a、冷媒排出流路22の排出口部22aは、その流路断面積などによっては導入口24と排出口25の圧力差のバランスを崩す原因となり、偏流特性が変化することがある。また、冷媒が冷媒導入流路21、冷媒排出流路22、冷却用流路23内をレーストラック状に回転することもある。とくに、排出口25やその前後に冷媒の乱れが生じやすい形状で、冷媒が排出されづらいような場合には顕著となる。上述したように、冷却器2の冷却用流路23での偏流特性は、導入口24側で流速が遅く、排出口25側で流速は速い。そのため、冷媒排出流路22において、排出口25に向かう流速成分は、冷却用流路23の排出口25側でより大きくなり、導入口24側では、冷媒排出流路22の壁面に衝突して導入口24側にもどる流速成分によって小さくなりやすい。すなわち、冷媒排出流路22と排出口25に圧力損失が上昇する要素がある場合、冷却用流路23において導入口24側、排出口25側ともに同等の流速で流す工夫が必要である。このように、冷媒導入流路21、冷媒排出流路22がその終端部で冷媒の乱れが生じやすい形状の半導体モジュールにおいて、流路にガイド部を形成して偏流を調整する第2の実施の形態について説明する。図18は、2つの異なる傾斜角度の面を有するガイド部を形成した流路形状のウォータージャケットを示す平面図である。ここでは、偏流を調整するための冷却器2の流路形態のうち、平面形状が二等辺三角形をなす傾斜部材S2によって、ガイド部が構成されている。ウォータージャケット2AIには、図17に示すものと同様、従来から用いられているガイド壁S1によって冷媒導入流路21が形成され、このガイド壁S1に傾斜部材S2を重ねて配置して、2つの異なる傾斜角度をなす新たなガイド部を構成している。新たなガイド部を構成する傾斜部材S2は、フィン2Cからなるヒートシンクの前側側面に向かって冷媒を誘導するよう傾斜した第1の傾斜面と、同じく傾斜した第2の傾斜面とを有している。新たなガイド部は、冷却用流路23内のフィン2Cと対面する冷媒導入流路21の上流側に位置する第1の傾斜面で最大傾斜角度を有し、傾斜角度の変化点Pから終端側に第2の傾斜面が連続して形成されている。第1の傾斜面及び第2の傾斜面で挟まれる角部はヒートシンク側へ突出している。したがって、この冷媒導入流路21に形成されたガイド部は、複数の傾斜面を有し、かつ導入口24での傾きを最も大きな傾斜面を構成した点で、図17のウォータージャケット2AIと異なっている。すなわち、図8Aに示す回路素子部3Dでの損失が高くなるように、損失値の異なる回路素子部3D,3E,3Fu,3Fdが配置されている場合に、冷却器2の冷却性能を向上させることが可能になる。このように、図18に示すガイド壁S1に傾斜部材S2を配置した冷媒導入流路21では、冷媒の導入方向に向かって断面積が連続して低減するように2つの傾斜面が配置されることで、冷却用流路23での流速分布が改善できる。なお、冷却器2の流速分布を改善するためのガイド部については、上記した二等辺三角形の傾斜部材S2によるもののほか、以下に示すような構成も可能である。つぎに、図19乃至図21により、偏流を調整するためのガイド部形状の変形例を示す。図19は、図18とは異なる長さの2つの面を有するガイド部を形成した流路形状のウォータージャケットを示す平面図である。ここで、ウォータージャケット2AIは、図18のものと同様に、冷媒導入流路21に傾斜部材S3によって複数の傾斜面を有したガイド部が形成されている。ただし、冷媒導入流路21の中央部付近で傾斜面の傾斜角度が最も大きくなっている点で、図18のガイド部とは異なる。すなわち、傾斜部材S3の平面形状は、冷却用流路23内のフィン2Cと対面する頂点変化点Pが冷媒導入流路21の終端部側に近づいている。そのため、図8Aに示す4列目の位置B4での損失が高くなるように、損失値の異なる回路素子部3D,3E,3Fu,3Fdが配置されている場合に、冷却器2の冷却性能を向上させることが可能になる。図20は、3つの異なる傾斜角度の面を有するガイド部を形成した流路形状のウォータージャケットを示す平面図である。このウォータージャケット2AIには、冷媒導入流路21に3つの傾斜面を構成するように傾斜部材S4が配置されている。傾斜部材S4は、第2の傾斜面21bの傾斜角度が最も大きくなるような平面形状に形成されている。また、第2の傾斜面21bの位置については、冷媒導入流路21の中央部に限られない。また、3つの傾斜面の傾斜角度は、それぞれ5°乃至45°の範囲で設定できる。したがって、回路素子部3D,3E,3Fu,3Fdのいずれかが局所的に発熱するような場合、その位置に対応して第2の傾斜面21bを配置するように傾斜部材S4を設けることで、効率のよい冷却が可能になる。さらに、この冷媒排出流路22側の対応する位置には、所定の傾斜角度をもって冷媒を排出口25に導くガイド片22Gを設けてもよい。これにより、排出口25に向かう冷媒の流速を一層高めることが可能である。なお、このガイド片22Gは、冷媒排出流路22に対して70以下の高さに設定し、冷媒排出流路22上で、その長手方向に対して60度以下の傾斜角度で傾けるとともに、その幅方向中央からフィン2C側に近接する位置に配置することが好ましい。図21は、第1流路の終端部近傍の平行面に凹形状を有する流路形状のウォータージャケットを示す平面図である。ここで、ウォータージャケット2AIは、図18のものと同様に、冷媒導入流路21に形成されるガイド部が複数の傾斜面を有する傾斜部材S5によって構成されている。しかし、この傾斜部材S5は、冷媒導入流路21の端部近傍において凹形状21cを有し、冷媒の導入方向に沿って逆転する傾斜面を構成している点で、図18のガイド部とは異なっている。ここでは、導入口24から流入した冷媒は、冷媒導入流路21の終端部で衝突する直前に位置する凹形状21cによって、図21の上下方向に向かう2つの冷媒に分かれることになる。したがって、直接フィン2Cに流入する冷媒は、その反対方向の凹形状21cと衝突した冷媒と再度合流したとき、冷却用流路23に向かう冷媒の流速が高められるから、冷却性能を向上させることが可能になる。第3の実施の形態つぎに、冷媒導入流路21内で高さ方向に段差を有するように流路を形成して偏流を調整する方法について説明する。図22は、図17に示す半導体モジュールにおいて、高さ方向に段差を有する流路の形状を示す図であって、Aは冷却器のウォータージャケットの要部平面図、Bは冷媒導入口近傍でのL2-L2矢視断面図、Cはタイプ別のガイド部形状の説明図である。本実施の形態のウォータージャケット2AIでは、傾斜するガイド壁S1によって構成された冷媒導入流路21内に、ガイド壁S1の傾斜面に沿って傾斜部材S21が重ねて配置されている。この傾斜部材S21によって構成されたガイド部は、ヒートシンクの前側側面に対し傾斜した側壁となっており、傾斜部材S21はこの前側側面に向かって冷媒を誘導するよう傾斜した2つの傾斜面を有している。この傾斜部材S21は、ヒートシンクの前側側面に対するその傾斜角度がガイド壁S1の傾斜角度と異なるだけでなく、その流路内の高さ方向でも段差を形成している。すなわち、第1の実施の形態のガイド部21Sの形状と対比すると、傾斜部材S21は、ウォータージャケット2AIの底面から所定の高さの範囲内に帯状に形成されている。この傾斜部材S21の傾斜面とヒートシンクの前側側面との間隔は、冷媒導入流路21の開口部から終端部にわたって小さくなり、かつその上流側傾斜面及び下流側傾斜面に挟まれる角部においてその減少の割合が変化し、小さくなっている。また、この角部はヒートシンク側へ突出するよう形成されている。これによって、ヒートシンクの前側側面とガイド壁S1及び傾斜部材S21とで画定される断面の面積も同様に減少するように変化している。このように流路高さ方向に複数の段差を与えて、多段ガイド部形状にした場合には、冷媒導入流路21から冷却用流路23に流入する冷媒の流速分布を改善することができるとともに、冷媒の逆流を防止することができる。つぎに、これらガイド部形状の違いが流速分布に与える影響について説明する。ここでは、一枚の板状ブレードの厚さを1.2mm、隣接するブレード間のピッチを2.1mm、板状ブレードの基材26からの高さを10mmとして、冷却用流路23にブレードフィン2Caを配置する。そして、ブレードフィン2Caの先端とウォータージャケット2AIの底部との間隔を0.5mm、導入口24に流量10L/minの流量で冷媒を導入するものとしてシミュレーションを行った。つぎに、図17に示す従来の半導体モジュールの流路形状を比較対象として実施されたシミュレーション結果について説明する。図17に示されている半導体モジュールでは、ガイド壁S1によって形成された冷媒導入流路21の形状が、冷却用流路23に面する全範囲において一直線の傾斜面を構成していた。これに対して傾斜部材S21によって構成された第2のガイド部には、図22Aに示すように2つの傾斜面が構成されており、この傾斜部材S21が、ガイド壁S1の傾斜面に沿って冷媒導入流路21の底面に配置されている。ここで、第2のガイド部としての傾斜部材S21の最初の傾斜面は、冷媒導入流路21内で導入口24からの冷媒が最初にフィン2Cに流入する箇所を基点として、この基点から傾斜角度の変化点までの距離x1を10.0mmに設定している。また、冷媒導入流路21の終端部における傾斜部材S21のガイド部とフィン2Cとの間隔y0は、4.0mmに設定した。冷媒導入流路21の全長は255mm、底面からの高さは10.5mm、幅は15mmである。さらに、図22Bに示すように、傾斜部材S21の高さz1は、冷媒導入流路21の高さに対して1/2以下とすることが好ましい。そこで、ウォータージャケット2AIの冷媒導入流路21、冷媒排出流路22、及び冷却用流路23などが10mmの高さに形成されているものとした場合、図22Cに示すように、Jタイプのガイド部形状では傾斜部材S21の高さz1を2.5mm、Kタイプでは5.0mmに設定する。図23は、図22の半導体モジュールにおけるガイド部形状毎の冷媒の流速を回路基板の位置別に示す図である。ここに示す流速分布は、第1の実施の形態の図12等と同様、7列に配置された回路素子部3D~3Fの基板中央部直下に配置されたフィン2C間の流速をシミュレーションした結果である。ここでは、導入口24側から排出口25に向けてB1~B7まで順に流速を示している。ここに示す流速分布は、Jタイプ、Kタイプのように第2のガイド部としての傾斜部材S21を追加することによって、図17に示す従来タイプのものより、冷却用流路23の導入口24側から、より大きな流速で冷媒が流入するようになる。しかも、傾斜部材S21の高さz1を増大することによって、冷媒導入流路21の両端部で冷媒の流速が高くなることも示している。また、Jタイプ、Kタイプのいずれでも、冷媒導入流路21に沿った流速分布はU字形状を示していて、Kタイプの流速分布では冷媒導入流路21の両端部で顕著に大きな流速が得られる。なお、冷却用流路23内において、導入口24側の流速は排出口25側と同等である。これに対し、従来タイプの流速分布はL字形状となって、導入口24付近での流速が小さい。さらに、回路素子部3D,3E,3Fu,3Fdの基板中央部直下において、フィン2C間に流れる冷媒の流速は、B1~B7の各箇所での平均値でみると、従来タイプのもので0.064m/s、Jタイプ、Kタイプではそれぞれ0.082m/sと0.081m/sとなる。すなわち、流路高さ方向に複数の段差を有するものでは、冷媒の平均流速を20程度まで上昇させ、かつ流速分布を調整することが可能となる。以上のように、冷媒導入流路21の高さ方向に多段の傾斜面を形成することによって、素子基板下での流速を低下させることなく、冷却用流路23に導入される冷媒の流速を高めて、冷却性能を向上させることが可能となる。図24は、図22の半導体モジュールにおけるガイド部形状毎の冷媒の温度を回路基板の位置別に示す図である。Jタイプ、Kタイプのものでは、第2のガイド部としての傾斜部材S21を追加して配置して、回路素子部3D~3Fの基板中央部直下の流速を高めたことによって、パワー半導体素子のジャンクション温度が低減できる。とくに、冷媒導入流路21の上流側では顕著に低下している。すなわち、図24のグラフに示すように、流速が改善した割合に応じて冷媒温度も低下している。したがって、ガイド部形状に複数の傾斜を設けるだけでなく段差を設けて、パワー半導体素子の損失に対応するそれぞれ安定した冷媒流速を実現できることが確認できる。図25乃至図27は、図22のウォータージャケットの性能を説明する図であって、Aは高さ方向に段差を有する流路の形状を示す図、Bは定常運転時の発熱を示す図である。ここでは、発熱値のシミュレーション結果の一例を示す。図25Bに示すように、最も効果の高い1列目の位置B1に配置された回路素子部3Dのジャンクション温度は、従来タイプの128.4°Cに比較して、Jタイプでは123.8°C、Kタイプで120.9°Cとなる。したがって、従来形状図17のものに対して、Kタイプでは7.5°C低減するから、5.8の冷却効率の向上が可能である。また、図26Bに示すように、設定された損失が高い4列目の位置B4のパワー半導体素子では、流速が0.1m/sを保っており、そのジャンクション温度は上昇していない。図27Bに示すように、7列目の位置B7のパワー半導体素子3Fdについても、同様の冷却性能が得られる。以上述べたように、図17に示す従来タイプのガイド壁S1に、傾斜部材S21によって構成されるガイド部を追加して配置し、冷媒導入流路21での偏流を調整することができる。これにより、フィン2C間に流れる冷媒流速を、回路素子部3D,3E,3Fu,3Fdの基板中央部で全体として向上させることが可能となった。第4の実施の形態図28は、図22に示す半導体モジュールとは別の、流路の高さ方向に段差を有する流路形状を説明する図であって、Aは冷却器のウォータージャケットの要部平面図、Bは冷媒導入口近傍でのL2-L2矢視断面図である。図28に示す冷媒導入流路21内には、冷媒導入流路21の端部においてガイド壁S1、第2のガイド部としての傾斜部材S21が配置され、さらにこの傾斜部材S21の上面に傾斜部材S22が第3のガイド部として配置されている。ここでは、高さ方向で3段の段差を有する流路が構成されている点で、図22に示す流路形状とは異なる。導入口24から流入した冷媒は、フィン2Cを配置した冷却用流路23に対して流れ込みやすくなり、冷却性能を向上させることが可能になる。図29は、図22に示す半導体モジュールとはさらに別の、流路の高さ方向に段差を有する流路形状を説明する図であって、Aは冷却器のウォータージャケットの要部平面図、Bは冷媒導入口近傍でのL2-L2矢視断面図である。図29に示す冷媒導入流路21内には、冷媒導入流路21の端部においてガイド壁S1、第2のガイド部としての傾斜部材S21が配置され、この傾斜部材S21の上面に、平面形状が二等辺三角形をなす傾斜部材S23によって構成された第3のガイド部がさらに配置されている。この第3のガイド部としての傾斜部材S23は、ガイド壁S1との間に所定の間隙を持たせて配置されている点で、図28に示す流路の形状とは異なる。ここでは、導入口24から流入する冷媒が、局所的かつ選択的にフィン2Cを配置した冷却用流路23に流れ込みやすくなる。なお、第2のガイド部としての傾斜部材S21の上面には、傾斜部材S23を一つだけでなく複数配置してもよい。また、平面形状が二等辺三角形の傾斜部材S23に代えて、平行四辺形、あるいは楕円形状の板体を配置し、さらにはそれらを導翼などに置き換えることも可能である。第5の実施の形態ここまでに説明した第1乃至第4の実施の形態では、冷媒の導入口24と排出口25が左側壁2Abと右側壁2Adにそれぞれ分かれて配置されたウォータージャケット2Aについて説明した。第5の実施の形態では、左右側壁2Ab,2Adのいずれか一方側面のみに導入口24と排出口25を配置した場合の偏流調整について説明する。図30は、従来の半導体モジュールの冷却器であって、図3のものとは異なる形状を有するウォータージャケットの要部構成を示す斜視図である。図30において、ウォータージャケット2AR内の破線による矢印は冷媒の流れる方向を示す。半導体モジュール10は、図1及び図2に示した通り、冷却器2及び冷却器2の上に配置された複数の回路素子部3A~3Cから構成されている。この冷却器2は、フィンカバーとしてのウォータージャケット2ARと、ヒートシンクとしてのフィン2Cが複数本植設されたフィンベース2Bとから構成され、複数のフィン2Cをウォータージャケット2ARの内部に収容するようにしている。図30に示すように、冷却器2のウォータージャケット2ARの外形は略直方体形状であって、その上側の主面には冷媒導入流路21、冷媒排出流路22、及びフィンを配置する冷却用流路23が設けられている。ここでは、図3のウォータージャケット2ARとは異なり、内部に冷媒を導入するための導入口24が、冷媒を外部に排出するための排出口25と同一側面である右側壁2Adに設けられている。これら冷媒導入流路21等の空間は、前側壁2Aa、左側壁2Ab、後側壁2Ac、右側壁2Ad及び底壁2Aeにより画定されている。なお、同図には説明の便宜のため、フィン2Cが描かれている。冷媒導入流路21は、第1流路として、冷媒の流入方向に沿うように、導入口24から導入口部21aを介して、ウォータージャケット2ARの前側壁2Aaと平行に、左側壁2Abまで延在されている。また、冷媒排出流路22は、第2流路として、冷媒の排出口25に向かうように、左側壁2Abから、後側壁2Acと平行に、排出口25まで直線状に延在されている。冷媒導入流路21と冷媒排出流路22とは、ほぼ平行に設けられている。冷却用流路23は、第3流路として、冷媒導入流路21と冷媒排出流路22との間に配設され、冷媒導入流路21及び冷媒排出流路22を連通するように形成されている。冷却用流路23は、冷媒導入流路21の延在方向及び冷媒排出流路22の延在方向とそれぞれ直交する方向に延在される。冷却用流路23の境界を画定している左側壁2Ab及び右側壁2Adの内面は、それぞれ冷却用流路23の底面及び後側壁2Acの内面に対して垂直に形成されている。冷却用流路23には、複数のフィン2Cからなるヒートシンクが配置され、これらのフィン2Cで画定される流路を冷媒が流れる。そして、導入口24から導入された冷媒は、ウォータージャケット2AR内で、冷媒導入流路21、冷却用流路23、及び冷媒排出流路22を通って排出口25から排出される。ヒートシンクは、その外形が略直方体であり、その左側側面、後側側面及び右側側面が、左側壁2Ab、後側壁2Ac及び右側壁2Adの内面と平行になるよう冷却用流路23に配設されている。このような構成を有するウォータージャケット2ARは、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金等の金属材料を用いて形成することができる。このような金属材料を用いてウォータージャケット2ARを形成する場合、例えばダイキャストによって、上記のような冷媒導入流路21、冷却用流路23、冷媒排出流路22、導入口24、及び排出口25を形成することができる。ウォータージャケット2ARは、このほかカーボンフィラーを含有する材料を用いることもできる。また、冷媒の種類やウォータージャケット2AR内に流れる冷媒の温度等によっては、セラミック材料や樹脂材料等を用いることも可能である。冷却器2の使用時には、例えば導入口24がその上流側に設けられるポンプに接続され、排出口25がその下流側に設けられる熱交換器に接続されて、これら冷却器2、ポンプ及び熱交換器を含む閉ループの冷媒流路が構成される。冷媒は、このような閉ループ内をポンプによって強制循環される。電力変換回路の動作時に、図8Aに示す半導体モジュール10Bの各回路素子部3D,3E、及び3Fu,3Fdで発生した熱は、それが接合されているフィンベース2Bへと伝わり、さらにその下のフィン2Cへと伝わる。フィン2Cは、上述したように冷却用流路23内に配置されているから、この冷却用流路23に冷媒が流通されることで、フィン2Cが冷却される。発熱する回路素子部3D,3E、及び3Fu,3Fdは、このようにして冷却器2により冷却される。図31は、図30とは異なる流路形状を有するウォータージャケットの要部構成を示す斜視図である。図31Aに示すウォータージャケット2ALでは、一方の主面側に冷媒導入流路21、冷媒排出流路22、及び冷却用流路23が設けられ、破線で囲まれた冷却用流路23がフィン2Cに対応する大きさに形成されている。ウォータージャケット2ALの冷却用流路23には、例えば図2に示したように、フィンベース2Bと一体化したフィン2Cが配置される。フィン2Cは、その先端とウォータージャケット2ALの底壁2Aeとの間に一定のクリアランスCが存在するような寸法高さに形成される図1参照。そして、最終的にフィン2Cと一体化されたフィンベース2Bは、図1及び図2に示したように例えば適当なシール材を用いてウォータージャケット2ALと接合される。これにより、ウォータージャケット2AL、フィンベース2B及びフィン2Cを備える冷却器2が構成できる。ここで、導入口24からの冷媒導入流路21を構成する前側壁2Aaには、その始端部から終端部で冷却用流路23の全面に対して傾斜するガイド壁S1が設けられている。また、冷媒を排出口25に流出する冷媒排出流路22の始端部には、傾斜角45度のガイド部22Soが配置されている。ガイド壁S1とガイド部22Soは、いずれも60度以下の傾斜を有するものであるが、冷媒導入流路21のガイド壁S1は冷却用流路23と接する全領域にわたって一様な傾斜をなしている。図31Aには導入口24、及び排出口25が左側壁2Abの同一面側に配置されたLタイプのウォータージャケット2ALを示した。図30のものと同様に、同図Bに示すRタイプのウォータージャケット2ARには、導入口24と排出口25を右側壁2Adの同一面側に配置している。すなわち、実際に冷媒を導入する配管接続の都合によって複数の形状が考えられるが、左右側壁2Ab,2Adに導入口24と排出口25をそれぞれ配置する前述の実施の形態の場合と同様、ウォータージャケットの形状ごとに流路形状の最適化が必要である。図32は、ウォータージャケットの形状毎に冷媒の流速を回路基板の位置別に示す図である。なお、これらのグラフは、一例として図4Aに示すブレードフィン2Caを冷却用流路23内に配置し、導入口24から流量10L/minの冷媒を流したとき、フィン2C間に流れる冷媒流速を示している。ここで、図31Aに示すウォータージャケット2ALLタイプについては、その流速分布を点線で示す。また、図31Bに示すウォータージャケット2ARRタイプについては、その流速分布を実線で示す。これに対して、図6Bに示すウォータージャケット2Aのように、導入口24と排出口25を対称位置に配置したものLRタイプでは、図32の一点鎖線で示す流速分布となる。これらの流速分布を比較すると、導入口24、排出口25を同一面側に配置したウォータージャケット2AL,2ARでは、それぞれ配管が接続される側の回路基板B1,B7直下での流速が速くなるだけでなく、導入口24と排出口25を対称位置に配置した場合と比較して流速分布が不均一となっている。すなわち、冷媒導入流路21と冷媒排出流路22の間の冷却用流路23に並列にフィンを配置して流路を構成した場合に、排出口25側での冷媒の流速が速くなるという偏流特性が生じることがわかる。しかも、冷却用流路23を冷媒が速く流れる箇所ほど、フィン2Cによる冷却効率は高くなる。このように、図8Aに示す半導体モジュール10Bでは、回路素子部3D,3E,3Fu,3Fdで発生する熱量に応じて、冷媒をある一定以上の流速で流通させることが求められる。ところが、低流速部の流速の上昇を目的にして、単に導入口24からの流量を増した場合は、流速の速い部分で必要以上の冷媒が流れることになる。したがって、そのため冷却器に冷媒流量を増加して供給しなければならず、高性能のポンプが必要となる。従来構造のウォータージャケット2AL,2ARを用いて冷媒の流速分布をシミュレーションすると、導入口24からウォータージャケット2AL,2AR内に導入された冷媒は、排出口25の位置に引き寄せられるように流れ、冷却用流路23に流れ込む冷媒は、とくに冷媒の排出口25に近い側において、比較的速い流れとなる。一般に、複数配置された回路素子部3D,3E,3Fu,3Fdでは、発生する損失に応じて半導体素子32,33の冷却に必要な冷媒の流速を維持することが求められるが、上述した偏流特性によって冷媒の流速分布が大きくなれば、その冷却性能も同様に偏った分布となる。とりわけ、冷却用流路23において流速が速くなる排出口25側では、流速に対して冷却性能の変化は鈍く、流速の遅くなりやすい排出口側から離れた位置ではその変化は大きい。これは、排出口25側の冷却用流路23において、冷却性能の向上に寄与しづらい流速成分が生じることを意味している。そこで、このような偏流特性を改善することができれば、より安定した冷却性能が得られるだけでなく、全体的な冷却性能も向上させることも可能になる。また、図10Bで説明したように、冷媒の流速と素子温度との関係について見ると、曲線Zで示すように、素子温度は冷媒の流速の減少に伴って急激に増加していく傾向にある。素子温度の上昇を抑えるうえで、安定した冷却性能を得るには、具体的には冷媒流速が0.1[m/s]以上であることが望ましい。なお、冷却器の圧力損失との関係だけで考えると、より性能の優れたポンプを使用すれば、その冷却器2に流通可能な冷媒の流速が増加するから、素子温度の上昇を抑えることも可能になる。しかしながら、そのようなポンプを使用すれば、冷却器2によって冷却される半導体モジュールの、したがってそれを搭載した電子機器等の大幅なコストアップを招く。また、冷媒の偏流特性は、冷媒導入流路21と冷媒排出流路22とに挟まれた冷却用流路23を持つような並列流路において起こる現象である。とくに、冷却用流路23に配置される冷却用のフィン2Cの間隔を広げた場合には、冷媒導入流路21からフィン2Cに流れる冷媒に対する抵抗が小さくなって、冷媒が流れ込みやすくなる。したがって、フィン2Cの間隔が広い形状であるほど偏流特性は拡大する。上述した流路の偏流特性は、図31A、Bに示した流路形状とフィンベースに配置する回路素子部での発生損失の分布とによって、必要とされる対策が異なる。以下では導入口24、排出口25を同一面側に配置したウォータージャケット2AL,2ARにおける流速分布の調整法について説明する。なお、いずれも冷媒自体の性質冷媒特性と冷却性能をシミュレーションすることによって検証された結果に基づいている。つぎに、半導体モジュールの冷媒導入流路21における偏流特性を調整可能なガイド部を有する冷却器2について説明する。図33は、第5の実施の形態に係る半導体モジュールにおける流路の形状を説明する図である。図34もまた、第5の実施の形態に係る半導体モジュールにおける流路の形状を説明する図であって、Aは冷却器のウォータージャケットの平面図、Bはガイド部形状のタイプ別の説明図である。図33Aに示すL1タイプのウォータージャケット2ALは、冷媒の導入口24と排出口25が左側壁2Abに設けられ、冷媒導入流路21が前側壁2Aaに沿って右側壁2Adに延在している。冷媒導入流路21の終端部には、平面形状が三角形をなす傾斜部材によってガイド部21Soが構成されている。最初に、傾斜部材S2によって構成される冷媒導入流路21の形状について説明する。ここでは、冷却用流路23の流速分布を改善するため、図33Aではガイド部21Soにより、同図Bではガイド壁S1により、それぞれ所定の長さを有する傾斜面を構成している。これに対して、図34Aには、2つの異なる傾斜角度の面を有する傾斜部材S2を一様に傾斜したガイド壁S1に沿って配置したMタイプのウォータージャケットを示している。Mタイプのウォータージャケットでは、偏流を調整するための冷却器2の流路が、従来用いられているガイド壁S1によって長さxの傾斜面が形成され、このガイド壁S1の傾斜面に沿って傾斜部材S2を重ねて配置することで、2つの異なる傾斜角度をなす新たなガイド部が構成されている。この傾斜部材S2は、フィン2Cからなるヒートシンクの前側側面に向かって冷媒を誘導するよう傾斜した第1の傾斜面と、同じく傾斜した第2の傾斜面とを有している。なお、傾斜部材S2は、冷媒導入流路21の底面からの高さz1がガイド壁S1より低く形成されている。こうして傾斜部材S2をガイド壁S1に沿って配置してなる新たなガイド部は、冷却用流路23内のフィン2Cと対面する冷媒導入流路21の上流側の距離x1で第1の傾斜面が最大傾斜角度を有し、さらに傾斜角度の変化点Pから終端側に第2の傾斜面が連続して形成されている。第1の傾斜面及び第2の傾斜面で挟まれる角部は、ヒートシンク側へ突出している。したがって、この冷媒導入流路21にはガイド壁S1以外に2つの傾斜面を有するガイド部が構成される。これは、導入口24側での傾きを最も大きく構成した点で、図33A、BのL1タイプ、Lタイプの流路形状とは異なっている。すなわち、図34Aに示すMタイプのガイド部形状の冷媒導入流路21では、冷媒の導入方向に向かって断面積が連続して低減することで、冷却用流路23での流速分布を改善できる。このように、第5の実施の形態におけるウォータージャケット2ALの冷媒導入流路21は、その底壁2Ae面、ガイド壁S1、及びヒートシンクの前側側面で断面の面積が画定される。そして、この断面の面積が、冷媒導入流路21の開口側から終端部に向かって一定の割合で小さくなり、かつ冷媒導入流路21内の傾斜部材S2により、その途中においてその減少の割合が変化するよう形成されている。なお、本実施の形態において、ヒートシンクは、その前側側面が導入口24から流入する冷媒の流入方向と略平行となり、冷媒の流れを遮らないよう導入口部21aの内壁に面一となるよう配設されている。また、ウォータージャケット2ALにおいて、冷媒導入流路21の高さ、すなわちウォータージャケット2ALの底壁2Ae面とフィンベース2Bの間の間隔は一定である。冷媒を排出口25に流出する冷媒排出流路22には、その始端部に、ヒートシンクの後側側面に対し約45°の傾斜角をなすガイド部22Soを形成するよう面取りが施されている。そして、冷媒排出流路22の下流側に向かってヒートシンクの後側側面と平行な側壁が形成されている。このように冷媒排出流路22の側壁をほぼ全長にわたって、ヒートシンクの後側側面に対し平行に形成することにより、ヒートシンクの下流側の圧力損失を小さくして、冷媒導入流路21側のガイド部による流速調整の効果を得ることができる。ここでは、冷却用流路23の幅255mm、長さ117mmの領域内に、厚さ1.2mm、ピッチ2.1mm、高さ10mmのブレードフィンが配置され、導入口24から冷媒導入流路21に流量10L/minで冷媒を導入すると仮定する。その場合に、異なるガイド部の形状の流路タイプ毎に、ガイド部形状の違いが流速分布に与える影響を、シミュレーションにより確認した。つぎに、図34Bのように分類される流路形状を比較対象として実施されたシミュレーションの結果について説明する。ここで用いる冷媒導入流路21は図33、図34に示すスロープ形状とし、LタイプからMcタイプのガイド部では、いずれもフィン2Cとガイド壁S1、あるいは傾斜部材S2との間隔最小値y0を2mmとしている。また、図34Aに示すMタイプのウォータージャケット2ALでは、傾斜部材S2の変化点までの距離x1を11.5mmとし、Maタイプのみで20mmとしている。また、傾斜部材S2の変化点でのフィン2Cとの間隔y1を5mmとし、Mbタイプのみで10mmとしている。さらに、傾斜部材S2の高さz1は2.5mmとし、Mcタイプのみで5mmとしている。なお、冷却用流路23の流路の高さを10.5mm、導入口24での流路幅を15mmとする。つぎに、上述した図31Aに示すウォータージャケット2ALについて、回路素子部3D等から冷媒に与えられる熱損失について考察する。ここでは、導入口24側よりB1~B3とB4~B6の3列ずつを2つのグループとして、各々の回路素子部3D,3Eで同様の大きさが設定され、7列目だけで上流側の回路素子部3Fdと下流側の回路素子部3Fuとで異なる損失が設定される。この発熱量に応じて設定される損失値については、冷媒流速と冷媒温度及び冷却性能との関係に基づいて、3D<3E<3Fu<3Fdの関係に設定する。図35は、図34のウォータージャケットのタイプ毎での冷媒の流速を示す図である。また、図36、図37、及び図38には、半導体素子の定常運転時の発熱をタイプ毎に示す図である。これらはいずれも、前述した手法によるシミュレーション結果の一例であって、図34Bに示すガイド部形状毎の冷媒の流速を回路基板の位置別に示している。図35は、7列に配置された回路素子部3D,3E,3Fu,3Fdの基板中央部直下に配置されたフィン2C間の流速をシミュレーションした結果である。ここでは、導入口24側から導入路20aの終端部に向けてB1~B7まで順に流速を、さらに同図Bに流速の低い部分のみを拡大して示している。図35に示すシミュレーション結果によれば、ガイド壁S1によるひとつの傾斜面だけで流路の発生損失を高める場合には、冷却が最も必要とされる位置B7での冷媒の流速が速くなる流路形状としては、L1タイプのものより傾斜面の長さが長いガイド形状を持つLタイプが適している。しかし、傾斜部材S2をガイド壁S1に沿って配置したMタイプのウォータージャケット2ALでは、図33A,Bに示すLタイプ、L1タイプのもの以上に流速を高くすることができる。また、Lタイプ、L1タイプ及びMタイプのウォータージャケット2ALについて、フィン2Cの間を流れる冷媒流速の7箇所での平均値を比較すると、Lタイプで0.084m/s、L1タイプで0.083m/s、L2タイプで0.083m/s、L3タイプで0.084m/s、そしてMタイプでは0.088m/sとなっている。すなわち、ガイド部21Sの1つの傾斜面だけ、その長さを長くしても、Lタイプ、L1~L3タイプの間でその平均流速にほとんど変化はない。しかし、Mタイプのように複数の傾斜面を配置することによって、回路素子部での平均流速が向上している。したがって、ガイド壁S1以外に複数の傾斜面を有する傾斜部材S2によってガイド部を構成することで、より効率のよい冷却性能を得ることができることがわかる。図35のシミュレーション結果から、排出口25の位置に依存して位置B1での流速が高くなるという偏流特性については、いずれのタイプでもほとんど変わりはなく、こうした偏流特性自体は、傾斜部材S2の有無に影響されるものではないことが確認できる。すなわち、冷媒導入流路21に傾斜部材S2を配置しても、とくに偏流特性が助長されることなく、冷却効率を改善する効果があることは明らかである。また、図34BにおけるMタイプ、Maタイプ乃至Mcタイプまでのように、ガイド壁S1の傾斜面に配置される傾斜部材S2の変化点までの距離x1、変化点でのフィン2Cとの間隔y1、及び傾斜部材S2の高さz1を異ならせた場合でも、導入口24から終端部へ向かう冷媒の流速を損なわず、適切な流速分布となるよう調整することは可能である。以上のように、同一の壁面に導入口24、及び排出口25を配置するウォータージャケット2ALにおいて、ガイド壁S1の傾斜面に複数の傾斜面を有する傾斜部材S2などを設けて偏流特性を調整することができる。また、回路素子部3D,3E,3Fu,3Fdの基板中央部直下での流速を全体的に向上させることも可能となった。さらに、このようなシミュレーション結果に基づいて、Lタイプ、L1~L3タイプ、及びMタイプの流路について、それぞれ回路素子部3D,3E,3Fu,3Fdに対応する損失を与えて、パワー半導体素子の発熱状態を確認した。図36ないし図38には、図33と図34Aのウォータージャケットに配置された半導体素子の定常運転時の発熱値のシミュレーション結果の一例をタイプ毎に示す。発熱温度の比較対象は1列目位置B1、4列目位置B4のそれぞれ下流側に配置された回路素子部3D,3E、7列目では発生損失がより大きい回路素子部3Fdの3箇所のIGBT素子を比較対象とした。図38に示すように、L3タイプのものではジャンクション温度が144.6°Cであるのに対し、Mタイプのものでは141.8°Cと3°C低減し、もっとも低くなる。すなわち、ガイド壁S1だけでなく傾斜部材S2によって冷媒導入流路21の流路形状を改善することで、特に損失値の高い上流側の回路素子部3Fdの基板中央部直下B7での流速が向上した効果が大きく、パワー半導体素子のジャンクション温度を低減することが可能である。その他の回路素子部での流速についても、位置B1~B6での冷却性能は、その損失に対し十分な流速を確保できていることから、それぞれのタイプのものの間で、ジャンクション温度にほとんど相違はない。第6の実施の形態上述した実施の形態は、傾斜部材S2を用いることで、冷媒導入流路21の終端部での流速向上に寄与するが、冷媒導入流路21内を流れる冷媒の速度が排出口25側でより高くなる流速分布を改善するまでには至っていない。したがって、流速分布と回路素子部での損失との関係を合わせて考慮し、傾斜部材S1,S2の配置する位置を決定することが望ましい。すなわち、ウォータージャケット2ARにより回路素子部を冷却するには、図39Aに示すように、流速分布の関係から損失の高い3Fd側に導入路を、3Fu側に排出路を設ける必要がある。図39は、第6の実施の形態に係る半導体モジュールにおける流路の形状を示す平面図である。図39Aに示すRタイプのウォータージャケット2ARは、図33Bに示したLタイプのものに対して導入口24、排出口25が左右対称に配置され、かつ一様に傾斜したガイド壁S1により所定の長さの傾斜面を有している。また、同図Bに示すSタイプのウォータージャケット2ARは、図34Aに示したMタイプのものに対して導入口24、排出口25が左右対称に配置され、かつガイド壁S1に沿って配置された傾斜部材S21により2つの異なる傾斜角度の面を有している。図40は、図39の半導体モジュールにおけるガイド部の形状毎に冷媒の流速を示す図である。図40に示すシミュレーション結果によれば、Rタイプ、Mタイプのいずれも、冷却用流路23における流速分布は導入口24、排出口25側での流速ほど速くなっている。すなわち、排出口25近くに配置された回路素子部3Fdの中央部直下のフィン間を流れる流速は、Sタイプで0.141m/s、Rタイプで0.158m/sと、いずれのものでも回路素子部での損失に見合う流速分布が実現されている。また、冷却用流路23の低流速側の位置B1での流速をSタイプとRタイプとで比較した場合、Sタイプで0.052m/s、Rタイプで0.045m/sとなっている。すなわち、ガイド壁S1以外に2つの傾斜面を有するガイド部を冷媒導入流路21に構成したSタイプの方が、低流速となる位置B1~B3での流速が高く、しかも高流速となる位置B6,B7での流速は低くなっている。このことから、Sタイプのものがより流速分布の均一化された状態へと改善できることがわかる。以上のように、回路素子部3D,3E,3Fd,3Fuの損失と基板サイズとの関係から、損失の大きくかつ基板サイズの大きな3Fd,3Fu側に導入口24、排出口25を配置した方がより冷却効率は高くなる。そこで、回路素子部3D,3E,3Fd,3Fuに対応する損失を与えて、パワー半導体素子の発熱状態が確認した。図41は、図39のウォータージャケットについて、半導体素子の定常運転時の性能を説明する図であって、AはB1列下流側での発熱温度、BはB4列下流側での発熱温度、CはB7列上流側での発熱温度をタイプ毎に示す図である。ここでは、流速分布の改善結果とジャンクション温度の結果に相関が見られ、回路素子部3D,3E,3Fd,3Fuの損失に対し、冷却に必要な流速の調整が可能になっていることがわかる。とくに、損失の高い回路素子部3Fdにおいて、Sタイプ、RタイプはMタイプと比較して8.6°Cの低減が可能であり、6の冷却効率が向上した。また、SタイプとRタイプを比較した場合、回路素子部3Fdのジャンクション温度は冷却十分な流速に向上したことから両者に相違はほとんどないが、低流速となる回路素子部3Dの下流側において、Sタイプで130.4°C,Rタイプで132.3°Cと約2°Cの差がある。このことから、Sタイプの冷媒導入流路21に配置した傾斜部材S21は、流速分布を調整し、全体的な冷却性能を向上できるという効果を有することが明らかである。なお、本発明は上述した6つの実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。上記については単に本発明の原理を示すものである。さらに、多数の変形、変更が当業者にとって可能であり、本発明は上記に示し、説明した正確な構成及び応用例に限定されるものではなく、対応するすべての変形例及び均等物は、添付の請求項及びその均等物による本発明の範囲とみなされる。"