下降気流が形成されている処理カップ内にて基板保持部に保持された基板を回転させながら当該基板に対して液処理を行うと共に、処理カップの下部より当該処理カップ内部の雰囲気を吸引排気しかつ液を排出する液処理装置において、前記基板保持部に保持された基板に処理液を供給するためのノズルと、前記基板保持部に保持された基板の裏面の周縁部に近接して対向した位置から外側下方へ向かって斜めに伸び出しかつ基板の周方向に環状に形成された下側ガイド部と、その上端面が前記基板保持部に保持された基板の表面とほぼ同じ高さに位置すると共に、前記下側ガイド部との間に、基板より飛散した処理液を気流と共に下方へガイドするための下側環状流路を形成しかつ基板の外側下方領域を囲むように前記下側ガイド部に対向して環状に形成される上側ガイド部と、前記上側ガイド部を囲むようにかつ当該上側ガイド部の外方側から上方側に亘って設けられ、基板の回転時の気流を整流するために当該上側ガイド部との間に上側環状流路を形成する外側ガイド部と、前記上側環状流路を途中で狭くするために外側ガイド部の下面から前記上側ガイド部の上面に向かって突出し、周方向に環状に形成された突出部と、前記上側ガイド部の下縁部に形成され、前記上側環状流路を通ってきた気流を前記下側環状流路を通ってきた気流に合流させるための開口部と、を備えたことを特徴とする液処理装置。下降気流が形成されている処理カップ内にて基板保持部に保持された基板を回転させながら当該基板に対して液処理を行うと共に、処理カップの下部より当該処理カップ内部の雰囲気を吸引排気しかつ液を排出する液処理装置において、前記基板保持部に保持された基板に処理液を供給するためのノズルと、前記基板保持部に保持された基板の裏面の周縁部に近接して対向した位置から外側下方へ向かって斜めに伸び出しかつ基板の周方向に環状に形成された下側ガイド部と、その上端面が前記基板保持部に保持された基板の表面とほぼ同じ高さに位置すると共に、前記下側ガイド部との間に、基板より飛散した処理液を気流と共に下方へガイドするための下側環状流路を形成しかつ基板の外側下方領域を囲むように前記下側ガイド部に対向して環状に形成される上側ガイド部と、前記上側ガイド部を囲むようにかつ当該上側ガイド部の外方側から上方側に亘って設けられ、基板の回転時の気流を整流するために当該上側ガイド部との間に上側環状流路を形成する外側ガイド部と、前記上側ガイド部の下縁部に形成され、前記上側環状流路を通ってきた気流を前記下側環状流路を通ってきた気流に合流させるための開口部と、を備え、前記下側ガイド部は、上側ガイド部に対向する面の縦断面形状が下方側に膨らむように湾曲していることを特徴とする液処理装置。前記ノズルは、基板の裏面の周縁のベベル部に処理液である洗浄液を吐出する洗浄ノズルを含むことを特徴とする請求項1または2に載の液処理装置。前記基板保持部の回転軸を囲むように環状に且つ前記下側ガイド部に連続して設けられた円板部と、この円板部上に径方向に伸長して設けられたレールと、を備え、前記洗浄ノズルは、前記レールに沿って移動自在に設けられていることを特徴とする請求項3に記載の液処理装置。本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、基板を回転させながら基板に対して処理液を供給して処理するにあたり、基板の回転数を高くしかつ処理カップ内の排気を低排気量で行っても排気流の逆流を抑え、基板へのミストの再付着を低減できる液処理装置及び液処理方法を提供することにある。本発明に係る液処理装置は、下降気流が形成されている処理カップ内にて基板保持部に保持された基板を回転させながら当該基板に対して液処理を行うと共に、処理カップの下部より当該処理カップ内部の雰囲気を吸引排気しかつ液を排出する液処理装置において、前記基板保持部に保持された基板に処理液を供給するためのノズルと、前記基板保持部に保持された基板の裏面の周縁部に近接して対向した位置から外側下方へ向かって斜めに伸び出しかつ基板の周方向に環状に形成された下側ガイド部と、その上端面が前記基板保持部に保持された基板の表面とほぼ同じ高さに位置すると共に、前記下側ガイド部との間に、基板より飛散した処理液を気流と共に下方へガイドするための下側環状流路を形成しかつ基板の外側下方領域を囲むように前記下側ガイド部に対向して環状に形成され、その内周面の縦断面形状が外側に膨らむように湾曲して下方に伸びる上側ガイド部と、を備えたことを特徴とする。また、本発明は例えば以下の具体例を挙げることができる。1.前記上側ガイド部よりも外方側に位置しかつ当該上側ガイド部を囲むように設けられ、基板の回転時の気流を整流するために当該上側ガイド部との間に上側環状流路を形成する外側ガイド部と、前記上側ガイド部の下縁部に形成され、前記上側環状流路を通ってきた気流を前記下側環状流路を通ってきた気流に合流させるための開口部と、を備えた構成。2.前記処理カップに接続された吸引排気用の排気路と、この排気路に設けられ、吸引排気量を第1の排気量で排気する第1の状態と第1の排気量よりも少ない第2の排気量で排気する第2の状態との2段に切り替えるための排気量切り替え機構と、を備えた構成。3.前記ノズルは、基板の中心部に処理液であるレジスト液を供給するレジストノズルと、基板の裏面の周縁のベベル部に処理液である洗浄液を吐出する洗浄ノズルと、を含み、この洗浄ノズルから前記ベベル部に洗浄液を吐出するときには、基板を回転させかつ排気量切り替え機構を第2の状態に切り替えるための制御信号を出力する制御部を設けた構成。4.前記洗浄ノズルから前記ベベル部に洗浄液を吐出するときの基板の回転数は400rpm~2500rpmである。また、本発明に係る液処理方法は、前記液処理装置を用い、基板を回転させながら基板の中心部にノズルから処理液である塗布液を供給して基板の表面を塗布する工程と、次いで基板を回転させながら基板に処理液である洗浄液を供給して当該基板を洗浄する工程と、を含むことを特徴とする。また、本発明に係る液処理方法は、前記液処理装置を用いて、基板の表面に処理液であるレジスト液を塗布する方法において、レジスト用のノズルから基板の中心部に処理液であるレジスト液を吐出すると共に、排気量切り替え機構を第1の排気量で排気する第1の状態に設定して、基板を回転させてレジスト液を基板の表面に塗布する工程と、排気量切り替え機構を第1の排気量よりも少ない第2の排気量で排気する第2の状態に設定して、表面にレジスト液が塗布された基板を回転させて乾燥させる工程と、洗浄用のノズルから基板の裏面周縁のベベル部へ処理液である洗浄液を吐出すると共に、排気量切り替え機構を第2の状態に設定した状態で、基板を回転させて当該基板を洗浄する工程と、を含むことを特徴とする。本発明の液処理装置は、基板保持部に保持された基板から飛散した処理液を、下側ガイド部と上側ガイド部との間の環状流路から吸引排気するにあたり、上側ガイド部の内周面を外側に膨らむように湾曲して下方に伸びるように形成している。このため前記環状流路の容積を増大させることにより、回転する基板によって生じる気流の流速を落とすことができる。従って、基板の回転数が高く、処理カップ内の排気が低排気でなされる工程にあっても、気流が逆流して、この気流に乗って処理液のミストが処理カップの外部へ飛散し、基板へ再付着することを抑制できる。言い換えれば、基板の回転数が高い液処理であっても排気量を低減できるということである。そして本発明の装置を用いてレジスト塗布方法を行う場合、基板のベベル部を洗浄するときに基板の回転数を高くしかつ低排気量に設定しても、カップ内排気における逆流が抑えられるので、基板へのミストの再付着を抑制でき、パターンの欠陥の発生を低減できる。レジストの塗布時には高排気量とすることが必要であることから、高排気と低排気との2段切り替えという簡易な機能を利用でき、しかもベベル部の洗浄時の排気量を低減できる。本発明に係る液処理装置をレジスト塗布装置に適用した実施形態について説明する。図1に示すようにレジスト塗布装置は、真空吸着することによりウエハWを水平に保持するスピンチャック31を備えている。このスピンチャック31は下方より接続された回転駆動部32により昇降可能であり、鉛直軸回りに回転することが可能である。前記スピンチャック31を取り囲むようにして処理カップ33が設けられ、処理カップ33は内側カップ40と、中間カップ50と、外側カップ60とから構成される。図1及び2に示すように、内側カップ40はスピンチャック31に保持されたウエハWの下方であって、ウエハWの裏面側周縁部と近接して対向する位置から外側下方へ傾斜した環状の傾斜壁41と、この傾斜壁41の下縁に連続し、下方へ伸びた環状の垂直壁42と、からなり前記傾斜壁41及び垂直壁42はウエハWよりこぼれ落ちたレジスト液が流れ落ちるのをガイドする下側ガイド部45の役割を有している。また内側カップ40の頂部はウエハWの周縁から例えば十数ミリ中心側へ寄った位置の投影領域からウエハWの裏面周縁より数ミリ中心側へ寄った位置へ向けて斜め上方に伸びる突壁部43が環状に形成されると共に、この突壁部43の内周側の傾斜面の下縁を外周とする水平な円板部44が設けられており、円板部44の中央部をスピンチャック31が貫通している構造となっている。前記中間カップ50は内側カップ40の外側を取り囲んで設けられ、中間カップ50の底部は凹部状に形成され、環状の液受け部51として構成される。この液受け部51は下方より廃液路52が接続されると共に、当該廃液路52よりスピンチャック31寄りの位置に2本の排気管53が突入する形で設けられ、排気管53の側壁によって気体と液体を分離することが可能となる。前記排気管53は下流にて夫々合流し、ダンパ54を介して例えば工場の排気ダクトに接続され、ダンパ54の開閉度によって処理カップ33の雰囲気を高排気または低排気の2段階の排気量で吸引排気を行うことができる。なお、背景技術の項目においても記載してあるが、高排気とは排気圧が高く、排気量が多い状態のことであり、また低排気とは排気圧が低く、排気量が少ない状態のことである。また、中間カップ50は垂直に配置された筒状部50aとこの筒状部50aの上縁から内側上方へ向けて概ね斜めに伸びる上側ガイド部70の下縁、即ち筒状部50aの上縁は下側ガイド部の下縁よりも若干高く位置している。そして、上側ガイド部70の上端面は、スピンチャック31に保持されるウエハWの表面と略同一の高さ位置に設定され、その内縁がウエハWの周縁から例えば2mm離れていると共にその幅ウエハWの直径の延長線に沿った長さ寸法が例えば304mmである環状の水平面76として形成されている。上側ガイド部70における前記上端面の外縁に連続する面外周面は、上から順に傾斜面75、垂直面74及び傾斜面73として構成され、下側の傾斜面73には図3にも示すように周方向に沿って複数の開口部77が形成されている。一方、上側ガイド部70の内周面はスピンチャック31に保持されたウエハWの外側下方領域を囲むように環状に形成され、その内周面の縦断面形状が外側に膨らむように湾曲した湾曲面72と、外方下方へ延びだした傾斜面71とで構成される。前記上側ガイド部70と傾斜壁41との間に外側斜めに伸びる環状流路79が形成され、また筒状部50aと垂直壁40の間に垂直に伸びる環状流路79が形成されることになる。外側カップ60は中間カップ50における筒状部50aの上端部から垂直に上方へ伸び出す筒状部60aと、この筒状部60aの上縁から内側上方へ伸び出した傾斜壁61とから構成される。外側カップ60と中間カップ50との間の環状空間78はレジスト液を広げるときにウエハWの回転により形成される気流の乱れを低減させる役割を持っている。また、傾斜壁61と上側ガイド部70の水平面76との最短距離Lは、後述する下降気流の流速が増大するように例えば10mmに設定されている。また、図中62は開口部であり、この開口部62を介してウエハWをスピンチャック31に受け渡すことができる。次に、ベベル洗浄ノズル46を説明する。図4b及び図5に示すようにベベル洗浄ノズル46は内側カップ40の環状の傾斜壁43の一部を切り欠いた切り欠き部47に嵌め込まれ、円板部44の直径方向に互いに対向するように2つ設けられている。前記ベベル洗浄ノズル46は円板部44の径方向に伸長したレール48に沿ってスピンチャック31側と傾斜壁43側との間を進退することが可能である。また図4aに示すようにベベル洗浄ノズル46はウエハWのベベル部を洗浄するための洗浄液を吐出するための吐出口46aを有している。この吐出口46aはベベル洗浄ノズル46が切り欠き部47に嵌め込まれた状態でウエハWの裏面周縁部を向くように形成され、ベベル洗浄ノズル46に配管を介して接続される図示しない洗浄液供給源より洗浄液の供給を受け、当該洗浄液をウエハWへ吐出することができる。前記処理カップ33は筐体80に収納されており、この筐体80の側壁には図示しない搬送アームを介してウエハWを搬出入するための搬出入口81が設けられ、図82は搬出入口を開閉するためのシャッターである。このシャッター82はウエハWが搬送アームにより筐体80の内部へ搬出入される場合を除いて閉じられている。前記筐体80内の上部にファンフィルタユニットFFU83が設けられ、このFFU83は上方より接続された配管84を介して清浄気体例えばクリーンエアーを筐体80内に供給して下降気流を形成する役割を持つ。また、筐体80の底部には当該筐体80内の雰囲気を吸引排気するための排気路85が設けられている。前記FFU83からの下降気流と排気管85による吸引排気とが相俟って筐体80内には下降気流が形成される。筐体80内には、処理カップ33の上方に溶剤例えばシンナーを吐出する溶剤ノズル91及びレジストを吐出するレジストノズル92が設けられている。これらノズルは夫々供給管93、94を介して溶剤供給源95及びレジスト供給源96へ接続されると共に、ウエハWの上方の所定位置と処理カップ33の側方の待機位置との間で図示しない搬送アームにより移動できるように構成されている。なお、各ノズル91、92は例えば一体化され、共通の移動機構により移動する構成を採用してもよい。図1中90は制御部であり、この制御部90により回転駆動部32の駆動制御及びダンパ54の切り替え制御が行われる。前記制御部90は、例えば中央演算処理装置CPUと、レジスト塗布装置を動作させるプログラムと、を含むコンピュータからなる。このプログラムには予め決められたスケジュールに基づいて、レジスト液の供給タイミングや供給量、スピンチャック31の回転速度や回転時間、洗浄液の供給タイミングや供給量等に係る制御についてのステップ命令群等が組まれている。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリカード等の記憶媒体に格納され、コンピュータにインストールされる。次に上述の実施の形態の作用を説明する。図示しない搬送アームを用いてウエハWを搬出入口81より筐体80内に搬入し、回転駆動部32によりスピンチャック31を上昇させ、当該スピンチャック31にウエハWを載置して、真空吸着させる。その後、スピンチャック31は下降してウエハWが処理カップ33内に収められる。なお、例えば3本の昇降ピンを前記円形板44を貫通するように設けて、この昇降ピンの昇降動作によりウエハWをスピンチャック31に受け渡しても良い。このとき、処理カップ33内には前述の下降気流が形成されており、この下降気流の一部は環状空間78を通過し、開口部77を介して環状流路79へ流れ、また下降気流の一部はウエハWの外縁と上側ガイド部70との隙間を介して環状流路79を流れ、排気管53より排気される。前記下降気流が環状空間78を流れるときに、当該環状空間78は上側ガイド部70の外側側壁水平面76と外側カップ60の傾斜壁61の内壁との最短距離Lが10mmに設定され、この狭い空間を流れることにより下降気流の流速が上昇した状態で開口部77を下方へ流れてゆく。次に、スピンチャック31によりウエハWを例えば1500rpmの回転数で回転させると共にダンパ54を高排気の状態第1の状態に設定し、高排気で排気を行う図6の時刻t0。この回転するウエハWにより気流が発生し、発生した気流は外側カップ60の内側の環状空間78及び中間カップ50の内側の環状流路79を流れ、開口部77を介して両者が合流し、高排気で吸引している排気管53より処理カップ33の外部へ排気される。そして、溶剤ノズル91を図示しない移動機構を用いて待機位置からウエハWの上方の所定の位置へ移動させる。次に、溶剤ノズル91よりウエハWへシンナーを供給し図6の時刻t1、ウエハWの表面をシンナーで濡らすことで後に塗布するレジスト液が伸展しやすい環境に整えるプリウェットが行われる。その後、溶剤ノズル91を待機位置へ退避させると共にレジストノズル92をウエハWの上方の所定位置へ移動させる。次に、引き続きダンパ54を高排気の状態に設定した状態で、ウエハWの回転数を例えば3000rpmまで上昇させ、図6の時刻t2、レジストノズル92よりレジストを当該ウエハWの中心部へ吐出する図6の時刻t3。図7に示すようにレジストはウエハWの回転による遠心力により中心部から周縁部へ向けて伸展されていくと共に余分なレジストはウエハWの表面から振り切られる。レジスト液の吐出直後に振り切られた余分なレジスト液は、環状流路79内に飛散し、下側ガイド部45の表面を伝って、液受け部51に一時的に貯留され、廃液路52より処理カップ33の外部へ排出される。また、ミストとなったレジストは前述の下降気流に乗って中間カップ50の内側の環状流路79を流れ、排気管53より処理カップ33の外部へ排出される。このレジスト塗布時にはウエハWより振り切られたレジストのミストが、湾曲面72に衝突するが当該湾曲面72がウエハWより外側へ膨らむように下方へ湾曲しているため、ウエハWへの跳ね返りが少ない。レジストの塗布処理が終了した後、レジストノズル92は所定の待機位置へ退避させられると共に、ウエハWの回転数を例えば2000rpmまで落とし、例えば1秒間当該ウエハWを回転させる。次に、ダンパ54を低排気の状態第2の状態に切り換え、ウエハWの回転数を一旦例えば100rpmまで落としてレジストの液膜の平坦性を確保した後、例えば2000rpmまで上昇させ図6の時刻t4、所定の間例えば15秒程度レジスト膜厚を調整すると共にレジストを乾燥させてレジスト膜を形成する。その後、ウエハWの回転数を例えば2500rpmとし、ベベル洗浄ノズル46よりウエハWの周縁部へ洗浄液である溶剤を吐出する図6の時刻t5。この洗浄液の吐出は例えば5秒間行われる。図8に示すように洗浄液はウエハWの裏面側のベベル部から表面側のベベル部まで回り込み、レジスト液膜の周縁部が所定の幅で洗浄カットされる。このベベル洗浄工程では、ウエハWの回転数が例えば2500rpmであることから、ウエハWの回転による生じる気流の速度が大きい気流に勢いがある。しかし、図8に示すように当該気流は、容積が増大した環状流路79にてその流速が小さくなり、開口部77を通過してきた下降気流と合流し、処理カップ33内の雰囲気の排気が低排気で行われているにもかかわらず、排気管53より処理カップ33の外部へ吸引排気される。そして、ウエハWを回転し続け、例えば5秒間洗浄液の乾燥を行った後、回転を停止すると共に引き続き低排気の状態で吸引し時刻t6、既述のウエハWの搬入時とは逆の手順で搬送アームにウエハWが受け渡され、レジスト塗布装置から搬出される。なお、環状流路79の形状は、作用を分かりやすく説明するために便宜上、図1と対応していない。以上に説明した本発明の実施形態によれば、上側ガイド部70の内側側壁の一部をスピンチャック31に保持されたウエハWから離れるように外方へ膨らませた湾曲面72とし、上側ガイド部70の内側側壁と下側ガイド部45の表面とで区画される環状流路79の容積を増大させることによって、回転するウエハWにより発生した気流の勢い速度が当該環状流路79内にて緩和される。このため、ベベル洗浄時のウエハWが高回転でありかつ処理カップ33の排気量が低排気の状態ではあるが、開口部77より空気が逆流する現象を抑制することができる。この結果、処理カップ33の開口部62より気流に乗って外部へ飛散する洗浄液のミストの量を減らすことが可能となるので、レジスト膜が既に形成されたウエハW表面にミストが再付着することが抑えられる。また、上側ガイド部70の湾曲面72が外側に膨らむように湾曲しているため、ウエハWより振り切られた液の当該ウエハWへの跳ね返りを抑えることができる。さらに、上側ガイド部70の水平面76と外側カップ60の傾斜壁61との最短距離Lを例えば3mmに設定し狭くして、下降気流の流速を増大させ、開口部77を下から上へ逆流する空気を下方へ押さえつけることができる。従って前述の効果を高めることが可能となる。次に、本発明に係るレジスト塗布装置の他の実施形態を説明する。上述の実施形態と同じ構成部位には同一の符号を付し、相違する部分を中心に説明する。この例では図9に示すように外側カップ60の傾斜壁61の底面に、全周に亘って形成された環状の垂直壁100を設けている。この垂直壁100は上側ガイド部70の水平面76に向かって垂直に伸長しており、当該垂直壁100の下端面と水平面76との距離が5mmに設定されている。このように垂直壁100を設けるようにすれば、図10に示すようにFFU83から供給された空気が垂直壁100の下端面と前記水平面76との狭い隙間を通ることによって、その流速が増大し、開口部77を介して下方へ流れることから、開口部77を下から上へ逆流しようとする空気をより強く抑制することができる。従って、前述の実施形態の効果をより高めることができる。また、本発明に係るレジスト塗布装置は図11に示す実施の形態を取っても良く、上述の実施形態と同じ構成部位には同一の符号を付し、相違する部位を中心に説明する。この例では前記傾斜壁41の代わりに下方側に湾曲した環状の湾曲壁110を用いて、この湾曲壁110に連続して垂直壁42を設け、下側ガイド部45を構成するようにしている。このように下側ガイド部45の一部を湾曲させることによって、環状流路79の容積が既述の実施形態に比較して増大することになることから、回転するウエハWにより生じる気流の流速がより緩和されることとなる図12参照。従って、前述の実施形態の効果をより高めることができる。以上のように本発明は、中間カップ50の内側の環状流路79を膨らませた形状とすることにより、低排気でありながら、処理液により基板を処理するとき上述の例では溶剤によるベベル洗浄処理の回転数を高くできるが、このような効果はベベル洗浄を行うときに限られるものではない。例えば反射防止膜や液浸露光対応のためのレジスト保護膜をウエハWに塗布するとき、あるいは露光された基板を現像液により現像した後の純水による洗浄、または液浸露光前若しくは後の純水などの洗浄液によるウエハWの洗浄を、ウエハWを回転させながら行うにあたって、ミストの逆流を防ぐために今までよりも低排気で行うことができることを意味している。上述のレジスト塗布装置では、外側カップ60内に飛散した液を下方に流すための開口部77とが設けられているが、本発明は外カップ60が設けられていない液処理装置の場合にも効果がある。即ち、ウエハWの枚葉洗浄装置などにおいて、ウエハWの回転数に見合った排気量を設定する理由は、ウエハWを囲む環状流路79をミストが逆流して同様の問題が起こるからであり、このためこうした装置においても環状流路79を膨らませることによりミストの逆流を防げる、別の言い方をすれば排気量を低減できる効果がある。次に、従来の処理カップと本発明の実施形態に係る処理カップとで、処理カップの外部へ流出するミストの量を比較する。従来の処理カップには図17の処理カップ20を使用し、本発明の実施形態に係る処理カップは図1の処理カップ31を使用し、両カップ20、31夫々の排気量は低排気で同じにした。図13はベベル洗浄工程での処理カップの外部へ流出するミストの量を示した図であり、縦軸は流出したミストの数量個を、横軸はウエハWの回転数を示している。また、従来の処理カップ20のプロットを四角形□とし、本発明の実施形態に係る処理カップ31のプロットを丸〇としている。従来の処理カップ20ではミストの量は回転数1500~1900rpmまでは200個以下であるが、1900rpm以降は急速に数量が伸びているのが分かる。一方、図1の処理カップ31ではミストの量は1500~2300rpmの間、200個以下であることが分かる。この結果より、図1の処理カップ31の方が図17の処理カップ20よりも処理カップの外へ流出するミストの量が少ないことが理解される。続いて、前述のレジスト塗布装置を適用した塗布、現像装置に露光装置を接続したレジストパターン形成システムの一例を簡単に説明する。図14及び図15に示すように塗布、現像装置には、キャリアブロックS1が設けられている。このキャリアブロックS1では、載置台201上に載置された密閉型のキャリア200から受け渡しアームCがウエハWを取り出して、当該キャリアブロックS1に隣接された処理ブロックS2に受け渡すと共に、前記受け渡しアームCが、処理ブロックS2にて処理された処理済みのウエハWを受け取って前記キャリア200に戻すように構成されている。前記処理ブロックS2は、図16に示すように、この例では現像処理を行うための第1のブロックDEV層B1、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第2のブロックBCT層B2、レジスト液の塗布処理を行うための第3のブロックCOT層B3、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第4のブロックTCT層B4を下から積層して構成されている。前記第3のブロックCOT層B3は、レジスト液を塗布するレジスト塗布装置と、このレジスト塗布装置にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための基板加熱装置を組み込んだ加熱冷却系の処理ユニット群と、前記レジスト塗布装置と基板加熱装置との間に設けられ、これらの間でウエハWの受け渡しを行う搬送アームA3とを備えている。また、第2のブロックBCT層B2と第4のブロックTCT層B4とは、各々反射防止膜を形成するための薬液をスピンコーティングにより塗布する液処理装置と、前記加熱冷却系の処理ユニット群と、前記処理装置と処理ユニット群との間に設けられ、これらの間でウエハWの受け渡しを行う搬送アームA2、A4とを備えている。一方、第1の処理ブロックDEV層B1については、例えば一つのDEV層B1内に現像ユニットが2段に積層されている。そして当該DEV層B1内には、これら2段の現像ユニットにウエハWを搬送するための共通の搬送アームA1が設けられている。さらに処理ブロックS2には、図14及び図16に示すように、棚ユニットU1が設けられ、この棚ユニットU1の各部同士の間では、前記棚ユニットU1の近傍に設けられた昇降自在な受け渡しアームD1によってウエハWが搬送される。このようなレジストパターン形成装置では、キャリアブロックS1からのウエハWは前記棚ユニットU1の一つの受け渡しユニット、例えば第2のブロックBCT層B2の対応する受け渡しユニットCPL2に受け渡しアームCによって順次搬送されて、ここからウエハWは受け渡しユニットCPL3及び搬送アームA3を介して第3のブロックCOT層B3に搬入され、疎水化処理ユニットにおいてウエハW表面が疎水化された後、液処理装置2にてレジスト膜が形成される。レジスト膜形成後のウエハWは、搬送アームA3により、棚ユニットU1の受け渡しユニットBF3に受け渡される。その後、この場合はウエハWは受け渡しユニットBF3→受け渡しアームD1→受け渡しユニットCPL4を介して搬送A4に受け渡され、レジスト膜の上に反射防止膜が形成された後、搬送アームA4により受け渡しユニットTRS4に受け渡される。なお、レジスト膜の上に反射防止膜を形成しない場合や、ウエハWに対して疎水化処理を行う代わりに、第2のブロックBCT層B2にて反射防止膜が形成される場合もある。一方DEV層B1内の上部には、棚ユニットU1に設けられた受け渡しユニットCPL11から棚ユニットU2に設けられた受け渡しユニットCPL12にウエハWを直接搬送するための専用の搬送手段であるシャトルアームEが設けられている。レジスト膜やさらに反射防止膜が形成されたウエハWは、受け渡しアームD1により受け渡しユニットBF3、TRS4を介して受け渡しユニットCPL11に受け渡され、ここからシャトルアームEにより棚ユニットU2の受け渡しユニットCPL12に直接搬送され、インターフェイスブロックS3に取り込まれることになる。なお図16中のCPLが付されている受け渡しユニットは、温調用の冷却ユニットを兼ねており、BFが付されている受け渡しユニットは、複数枚のウエハWを載置可能なバッファユニットを兼ねている。次いで、ウエハWはインターフェイスアームBにより露光装置S4に搬送され、ここで所定の露光処理が行われた後、棚ユニットU2の受け渡しユニットTRS6に載置されて処理ブロックS2に戻される。戻されたウエハWは、第1のブロックDEV層B1にて現像処理が行われ、搬送アームA1により棚ユニットU5における受け渡しアームCのアクセス範囲の受け渡し台に搬送され、受け渡しアームCを介してキャリア200に戻される。