"プラチナ微結晶粒子からなる層がパターン状に形成された基板を、アミン化合物および水素化アルミニウムの錯体と50~120°Cの温度において接触させる工程を経ることを特徴とする、パターン状導電性膜の形成方法。上記プラチナ微結晶粒子の平均粒径が15nm以下である、請求項1に記載のパターン状導電性膜の形成方法。上記プラチナ微結晶粒子が、プラチナ錯化合物と酸と炭素数2~12の1級アルコールと親水性ポリマーとを、極性溶媒中で接触させて得られた結晶性プラチナキューブである、請求項1に記載のパターン状導電性膜の形成方法。請求項1~3のいずれか一項に記載のパターン状導電性膜の形成方法によって形成されたことを特徴とする、パターン状導電性膜。上記導電性膜が、基板上に形成されたプラチナ微結晶粒子からなる第1層と、該第1層上に形成されたアルミニウムからなる第2層とからなる2層膜である、請求項4に記載のパターン状導電性膜。本発明のパターン状導電性膜の形成方法は、プラチナ微結晶粒子からなる層がパターン状に形成された基板を、アミン化合物および水素化アルミニウムの錯体と50~120°Cの温度において接触させる工程を経ることを特徴とする。本明細書において膜とは、所望のパターンを有する膜を含む概念であり、該導電性膜の1つの領域とこれと隣接する他の領域とが直接に接している連続的な膜であってもよく、あるいは導電性膜の2つの領域が導電性膜の形成されていない領域を介して隣接する不連続な膜であってもよい。本明細書における層も同様にパターンを有する層を含む概念である。また、層が粒子によって構成されている場合、該層を構成する各粒子は、隣接する粒子と接していてもよく、あるいは接していなくともよい。本発明においては、アミン化合物および水素化アルミニウムの錯体が、基板上に形成されたプラチナ微結晶粒子からなる層中のプラチナ原子の触媒作用によってアルミニウムに変換されることにより、基板上のプラチナ微結晶粒子からなる層の上にアルミニウムからなる層が得られるものと信じられる。以下、本発明について詳細に説明する。<プラチナ微結晶粒子>本発明に使用されるプラチナ微結晶粒子としては、結晶性を有する固体状の金属状のプラチナからなる粒子であればよいが、その粒径の小さいものを使用することが、アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体を金属状のアルミニウムに変換する触媒効率が高い点で好ましい。本発明に使用されるプラチナ微結晶粒子は、その平均粒径が15nm以下であることが好ましく、10nm以下であることがより好ましい。このプラチナ微結晶粒子における結晶は、単結晶であっても多結晶であってもよい。また、本明細書における粒子とは、球形、略球形、回転楕円体などのほか、キューボクタヘドロンcuboctahedron=立方八面体に結晶成長した固体、かかる立方体の頂点近傍において結晶が過成長した略octapod状の固体およびこれらの形状の頂点および辺のうちの少なくとも1つが丸みを帯びた如き形状を有する固体をも含む概念である。本発明におけるプラチナ微結晶粒子は、周囲に適当な保護コロイドを有するものであることが好ましい。このようなプラチナ微結晶粒子は、例えばJ.Phys.Chem.B,109,1882005に記載された方法に準拠して合成することができる。具体的には例えばプラチナ錯化合物と炭素数2~12の1級アルコールと親水性ポリマーとを、極性溶媒中で接触させることにより製造することができる。以下、本発明における好ましいプラチナ微結晶粒子の製造に使用される各成分およびこれらの成分の接触条件について、順に説明する。[プラチナ錯化合物]本発明における好ましいプラチナ微結晶粒子の製造に用いられるプラチナ錯化合物としては、後述の極性溶媒に溶解し、後述の1級アルコールにより還元されることによって金属状のプラチナとなりうる錯化合物であれば制限なく使用することができる。ここで錯化合物とは、錯体および化合物の双方を包含する概念であり、特に下記に例示されるものを包含する概念である。本発明におけるプラチナ錯化合物としては、プラチナIIまたはプラチナIVの錯化合物であることが好ましく、下記式P1~P5式P1中、R1は、それぞれ、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシル基、炭素数1~6のフルオロアルキル基または炭素数1~6のフルオロアルコキシル基であり、R2は、それぞれ、水素原子または炭素数1~6のアルキル基である。PtX2DaP2式P2中、Xはハロゲン原子であり、Dはモノエン配位子、ジエン配位子、炭素数1~6のアルキル基を有するチオエーテル配位子、トリアリールホスフィン、芳香族配位子であり、aは1または2である。PtCObXcP3式P3中、Xはハロゲン原子であり、bは0または2であり、cは2または4である。PtNH34Y2ZdP4式P4中、Yはハロゲン原子、水酸基または硝酸イオンNO3-であり、Zは水配位子であり、dは0または1である。のそれぞれで表される錯化合物ならびにビスジベンジリデンアセトンプラチナ、トリスジベンジリデンアセトンジプラチナ、H2PtCl6、[PtNH34][PtCl4]、PtNH32Cl4およびPtNH32OCOCH32よりなる群から選択される少なくとも1種であることがより好ましい。上記H2PtCl6は、カリウム塩、ナトリウム塩などの塩の形態で使用してもよい。上記式P1におけるR1の炭素数1~6のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、i-プロピル基、t-ブチル基などを;R1の炭素数1~6のアルコキシル基としては、例えばメトキシル基、エトキシル基、i-プロポキシル基、t-ブトキシル基などを;R1の炭素数1~6のフルオロアルキル基としては、例えばトリフルオロメチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、パーフルオロエチル基などを;R1の炭素数1~6のフルオロアルコキシル基としては、例えばトリフルオロメトキシル基、2,2,2-トリフルオロエトキシル基、パーフルオロエトキシル基などを、それぞれ挙げることができる。R1としては、炭素数1~6のアルキル基またはフルオロアルキル基であることが好ましく、メチル基またはトリフルオロメチル基であることがより好ましい。上記式P1におけるR2の炭素数1~6のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、2-プロピル基、t-ブチル基などを挙げることができる。R2としては、水素原子であることが好ましい。上記式P1で表される錯化合物の具体例としては、例えばプラチナビスアセチルアセトナート、プラチナビス1,1,1,5,5,5-ヘキサフルオロアセチルアセトナートなどを挙げることができる。上記式P2におけるXのハロゲン原子としては、例えば塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などを挙げることができる。Dのモノエン配位子としては、例えばエチレン、プロピレンなどを;ジエン配位子としては、例えば1,5-ヘキサジエン、ノルボルナ-2,5-ジエン、1,3-シクロペンタジエン、1,5-シクロオクタジエン、ビシクロペンタジエンなどを;炭素数1~6のアルキル基を有するチオエーテル配位子としては、例えばジメチルチオエーテル、ジエチルチオエーテル、ジイソプロピルチオエーテルなどを;トリアリールホスフィンとしては、トリフェニルホスフィン、トリトリルホスフィンなどを;芳香族配位子としては、例えばピリジン、ピリミジン、トリアジン、シアノベンゼンなどを、それぞれ挙げることができる。上記式P2において、cが4であるとき、bは0であることが好ましい。上記式P2で表される錯化合物の具体例としては、例えばPtCl2C2H42、PtCl21,5-ヘキサジエン、PtCl2ノルボルナジエン、PtCl21,3-シクロペンタジエン、PtCl21,5-シクロオクタジエン、PtBr21,5-シクロオクタジエン、PtI21,5-シクロオクタジエン、PtCl2ビシクロペンタジエン、PtCl2SC2H522、PtCl2ピリジン、PtCl2シアノベンゼンなどを挙げることができ、これらのうちPtCl2ビシクロペンタジエンが好ましい。上記式P3におけるXのハロゲン原子としては、例えば塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などを挙げることができる。上記式P3で表される錯化合物の具体例としては、例えばPtCO2Cl2、PtCO2Br2、PtCO2I2、PtCl2、PtBr2、PtI2、PtCl4などを挙げることができる。上記式P4におけるXのハロゲン原子としては、例えば塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などを挙げることができる。上記式P4で表される錯化合物の具体例としては、例えばPtNH34Cl2H2O、PtNH34OH2H2O、PtNH34NO32などを挙げることができる。本発明におけるプラチナ錯化合物としては、プラチナIVの錯化合物であることが好ましく、特にH2PtCl6、K2PtCl6およびNa2PtCl6よりなる群から選択される少なくとも1種を使用することが好ましい。[炭素数2~12の1級アルコール]本発明における好ましいプラチナ微結晶粒子の製造に用いられる1級アルコールは、上記の如きプラチナ錯化合物のプラチナ原子を還元する機能を有する成分である。この1級アルコールは、少なくとも1つの1級水酸基を有するアルコール化合物であればよく、2価アルコール、1級水酸基のほかに2級または3級の水酸基を有する多価アルコールなどをも包含する概念である。かかる1級アルコールの炭素数としては、2~10であることが好ましい。このような1級アルコールの具体例としては、例えばエタノール、1-プロパノール、1-ブタノール、1-ペンタノール、1-ヘキサノール、1-ヘプタノール、1-オクタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリンなどを挙げることができ、これらのうち、1-ブタノール、1-ヘキサノール、1-オクタノール、エチレングリコール、プロピレングリコールおよびグリセリンよりなる群から選択される少なくとも1種を使用することが好ましい。[親水性ポリマー]本発明における親水性ポリマーは、プラチナ微結晶粒子の保護コロイドとして機能する成分であり、該コロイド層を通してプラチナの前駆体であるプラチナ錯化合物を運搬し、さらなる還元反応によってプラチナ微結晶粒子を成長させる役割を担うとともに、後述の層形成用のプラチナ微結晶粒子分散液において分散媒中にプラチナ微結晶粒子を安定に分散させて、プラチナ微結晶粒子からなる層の形成における塗布操作を容易にするために重要な成分である。本発明において使用される親水性ポリマーとしては、例えばポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリメタアクリル酸、セルロース例えばカルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロースなど、ポリアクリルアミド、ポリエチレンオキサイド、ポリエチレングリコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルメチルエーテル、ポリアミン、ポリエチレンイミン、カゼイン、ゼラチン、でんぷんなどを挙げることができ、これらのうち、ポリビニルピロリドンまたはポリアクリルアミドが好ましい。親水性ポリマーの分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによって測定したポリスチレン換算の重量平均分子量として、5,000~300,000であることが好ましく、10,000~100,000であることが好ましい。この範囲の分子量の親水性ポリマーを使用することにより、反応が均一に進行することとなる点で好ましい。[極性溶媒]上記極性溶媒としては、例えば沸点150°C以上のエーテル化合物を好適に使用することができ、その具体例として例えばメチルアニソール、エチルアニソール、n-プロピルアニソール、n-ブチルアニソール、フェニルアニソール、エチルフェニルエーテル、ブチルフェニルエーテル、ジフェニルエーテルなどを挙げることができ、これらのうちから選択される1種以上を使用することが好ましい。[接触条件]上記の如きプラチナ錯化合物と、炭素数2~12の1級アルコールと、親水性ポリマーとを、極性溶媒中で接触させる際の、各成分の好ましい使用割合は以下のとおりである。炭素数2~12の1級アルコールは、プラチナ錯化合物1モルに対して、1~100モル使用することが好ましく、1~80モル使用することがより好ましい。親水性ポリマーは、プラチナ錯化合物の100重量部に対して、10~100重量部使用することが好ましく、30~70重量部使用することがより好ましい。極性溶媒の使用割合は、接触液中の固形分濃度液中の溶媒以外の成分の合計重量が液の全重量に占める割合が、0.1~50重量となる割合とすることが好ましく、1~20重量となる割合とすることがより好ましい。接触温度は、100~200°Cとすることが好ましく、150~200°Cとすることがより好ましい。接触時間は、5~240分とすることが好ましく、30~120分とすることがより好ましい。上記のようにして、プラチナ微結晶粒子を含有する分散液が得られる。そして遠心分離などの適当な手段によって、この分散液からプラチナ微結晶粒子を回収することができる。<アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体>水素化アルミニウムしばしば慣用的にアランと呼ばれるはアルミニウムと水素原子とからなる化合物であり、一般的にはAlH3で表される示性式を持つと信じられている。本発明におけるアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体を構成するアミン化合物は下記式1で表される。NRI31式1中、RIは水素原子、炭素数1~12のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、環式アルキル基またはアリール基であり、3個存在するRIは互いに同一であっても相異なっていてもよく、複数のRIが互いに結合して環を形成していてもよい。式1中のRIの具体例としては、水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基の如き飽和アルキル基;メタアリル基の如き不飽和基を有するアルケニル基;フェニルエチニル基の如きアルキニル基;シクロプロピル基の如き環式アルキル基;フェニル基、ベンジル基の如きアリール基を有する基などを好適に使用することができる。またこれらアルキル基、アルケニル基、アルキニル基は直鎖状でもよく環状でもよくまた分岐していてもよい。式1で示されるアミン化合物の具体例としては、アンモニア、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-イソプロピルアミン、トリシクロプロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ-t-ブチルアミン、トリ-2-メチルブチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリ2-エチルヘキシルアミン、トリオクチルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、ジメチルフェニルアミン、ジエチルフェニルアミン、ジイソブチルフェニルアミン、メチルジフェニルアミン、エチルジフェニルアミン、イソブチルジフェニルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジシクロプロピルアミン、ジ-n-ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ-t-ブチルアミン、メチルエチルアミン、メチルブチルアミン、ジ-n-ヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジ2-エチルヘキシルアミン、ジオクチルアミン、ジフェニルアミン、ジベンジルアミン、メチルフェニルアミン、エチルフェニルアミン、イソブチルフェニルアミン、メチルメタクリルアミン、メチルフェニルエチニルアミン、フェニルフェニルエチニルアミン、メチルアミン、エチルアミン、n-プロピルアミン、イソプロピルアミン、シクロプロピルアミン、n-ブチルアミン、イソブチルアミン、t-ブチルアミン、2-メチルブチルアミン、n-ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、2-エチルヘキシルアミン、オクチルアミン、フェニルアミン、ベンジルアミン、エチレンジアミン、1-アザ-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、1-アザ-ビシクロ[2.2.2]オクタンキヌクリジン、1-アザシクロヘキサン、1-アザ-シクロヘキサン-3-エン、N-メチル-1-アザシクロヘキサン-3-エン、モルホリン、N-メチルモルホリン、N-エチルモルホリン、ピペラジンなどを用いることができる。これらのうち、炭素数1~8のアルキル基を有するアミン化合物が好ましく、特にトリエチルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミンまたはトリ-n-オクチルアミンを使用することが好ましい。これらのアミン化合物は、単独でも、あるいは2種以上の化合物を混合して使用することができる。本発明におけるアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体は、上記の如きアミン化合物を用いて、例えばJ.Am.Chem.Soc.,82,21411960、J.Chem.Soc.,37421963、J.Am.Chem.Soc.,113,81831991などの方法に準じて合成することができる。例えば、上記の如きアミン化合物を酸塩とし、該酸塩とリチウムアルミニウムハイドライドとを、好ましくはエーテル溶媒中で反応させることにより、アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体を得ることができる。アミン化合物の酸塩に使用される酸としては、例えば塩化水素酸、臭化水素酸などを挙げることができる。アミン化合物の酸塩の使用割合は、リチウムアルミニウムハイドライド1モルに対して、好ましくは1~5モルであり、より好ましくは1~3モルである。アミン化合物の酸塩とリチウムアルミニウムハイドライドとを接触する再に好ましく使用されるエーテル溶媒としては、例えばジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジ-n-プロピルエーテル、エチレングリコールジイソプロピルエーテル、エチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどを挙げることができる。溶媒の使用割合は、反応液中の固形分濃度反応液中のアミン化合物の酸塩とリチウムアルミニウムハイドライドとの合計重量が反応液の全重量に占める割合として、好ましくは1~50重量であり、より好ましくは1~20重量である。反応温度は、25~200°Cとすることが好ましく、50~150°Cとすることが好ましい。反応時間は、0.1~10時間とすることが好ましく、0.5~5時間とすることが好ましい。かくしてアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体を含有する反応混合物が得られる。アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体は、この反応混合物からを単離したうえで使用することが好ましい。なお、アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体は、下記式2AlH3NRI3n2式3中、RIは上記式1におけるのと同義である。においてnが1である1付加体とnが2である2付加体との混合物として存在し、両者が平衡状態にあるものと信じられており、当業者はしばしば下記式2’AlH3NRI31.x2’式2’中、RIは上記式1におけるのと同義であり、1.xは1~2の範囲の不特定の数値を表す。と表記する。本発明におけるアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体としては、上記式2における数値nが特定されない、1付加体と2付加体との混合物として使用すれば足りる。以下、本明細書においてはかかる態様を包含するアミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体一般につき、アラン錯体と略称することがある。<プラチナ微結晶粒子からなる層が形成された基板>本発明のパターン状導電性膜の形成方法においては、プラチナ微粒子からなる層がパターン状に形成された基板を使用する。後述するように、本発明の方法においては基板上のプラチナ微結晶粒子からなる層が存在する領域のみにおいてアラン錯体の金属状のアルミニウムへの変換が起こる。従って、このプラチナ微結晶粒子からなる層を所望のパターン状とすることにより、該パターン上に該パターンと同じパターンを有するアルミニウム膜が形成されるから、基板上に、プラチナ微粒子からなる第1層とアルミニウムからなる第2層とからなる2層膜であるパターン状の導電性膜が形成されることとなる。基板上にプラチナ微結晶粒子からなる層をパターン状に形成するには、適当な基板を準備し、該基板上に層形成用のプラチナ微結晶粒子分散液をパターン状に塗布して塗膜を形成し、次いで該塗膜から溶媒を除去した後さらに加熱してプラチナ微結晶粒子が好ましく有する保護コロイドを除去する方法によることが好ましい。[基板]本発明の方法に使用される基板の材質、形状などには特に制限はない。しかしながら、基板の材質は次工程の熱処理に耐えられるものが好ましい。かかる基板の材質の具体例としては、ガラス、金属、半導体、プラスチック、セラミックスなどを挙げることができる。上記ガラスとしては、例えば石英ガラス、ホウ珪酸ガラス、ソーダガラス、鉛ガラスなどを;上記金属としては、例えば金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、鉄などのほか、これらを含有する合金、例えばステンレス鋼などを;上記半導体としては、例えばシリコン、ゲルマニウムなどを;上記プラスチックとしては、例えばポリイミド、ポリエーテルスルホンなどを、それぞれ挙げることができる。本発明の利点の1つは、形成されるアルミニウム層と基板との間の電気的な接合が、プラチナ微結晶粒子からなる層の介在によって確保されることにある。従って、このような特徴を最大限に生かすべく、基板の材質は金属または半導体であることが好ましく、特にシリコン基板であることが好ましい。基板の形状特に限定されるものではなく、基板の一部が平面である基板でもよく、段差または曲面を有する非平面のみからなる基板でもよく、その具体例として例えば板状、円盤状、フィルム形状などの形状を有する基板を挙げることができる。基板の大きさには特に制限はない。[層形成用のプラチナ微結晶粒子分散液]層の形成に好ましく使用されるプラチナ微結晶粒子分散液は、上記の如きプラチナ微結晶粒子を適当な分散媒に分散してなる分散液である。ここで使用される分散媒としては、例えばアルコール、エーテルなどを挙げることができる。上記アルコールとしては、例えば炭素数1~4の脂肪族アルコールを使用することが好ましく、その具体例として例えばエタノール、n-プロパノール、イゾプロパノール、n-ブタノールなどを;上記エーテルとしては、例えばジエチルエーテル、ジ-n-ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどを、それぞれ挙げることができる。プラチナ微結晶粒子分散液中におけるプラチナ微結晶粒子の含量は、好ましくは0.01~10重量であり、より好ましくは0.1~5重量である。プラチナ微結晶粒子分散液を調製するには、上記の如き分散媒とプラチナ微結晶粒子とを混合した後、例えば機械的な撹拌、超音波の印加、液中への気体のバブリングによる撹拌およびこれらの組み合わせなどの適宜の方法によってプラチナ微結晶粒子を分散媒中に分散する方法によることができる。[プラチナ微結晶粒子からなる層の形成方法]基板上にプラチナ微結晶粒子分散液を塗布するには、例えばスピンコート、ディップコート、カーテンコート、ロールコート、スプレーコート、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、スタンプ押印法などの公知の塗布方法を利用することができる。なお、上記スタンプ押印法とは、所望のパターンに相当する凸面を有するスタンプを用いてプラチナ微結晶粒子分散液を基板面上にパターン状に押印する方法を意味する。これらのうち、塗布操作に必要なプラチナ微結晶粒子分散液の量を少なくすることができ、且つ基板上に任意のパターンのプラチナ微結晶粒子からなる層を容易に形成することのできるとの観点から、インクジェット印刷法またはスタンプ押印法によることが好ましい。基板上にプラチナ微結晶粒子分散液を塗布した後溶媒を除去するには、塗布後の基板を、例えば25~150°Cの温度下に例えば1~30分間静置することによって容易に行うことができる。次いで、溶媒除去後の塗膜をさらに加熱することにより。プラチナ微結晶粒子から保護コロイドが除去され、基板上にプラチナ微結晶粒子からなる層をパターン状に形成することができる。かかる加熱は、好ましくは300~1,000°C、より好ましくは400~500°Cにおいて、好ましくは1~60分間、より好ましくは2~10分間行われる。かくして形成されるプラチナ微結晶粒子からなる層の厚さは、5~50nmとすることが好ましく、10~20nmとすることがより好ましい。<プラチナ微結晶粒子からなる層がパターン状に形成された基板とアラン錯体との接触>次いで、上記の如くして得られたプラチナ微結晶粒子からなる層がパターン状に形成された基板を上記の如きアラン錯体と50~120°Cの温度において接触させることにより、基板の有するプラチナ微結晶粒子からなる層の上にアルミニウムからなる層を形成することができ、このことにより本発明のパターン状導電性膜を得ることができる。プラチナ微結晶粒子からなる層がパターン状に形成された基板をアラン錯体と接触させる方法としては、例えば1プラチナ微結晶粒子からなる層がパターン状に形成された基板上にアラン錯体の溶液組成物を塗布して塗膜を形成した後にこれを加熱する方法接触方法1、2プラチナ微結晶粒子からなる層がパターン状に形成された基板を加熱しつつ、該基板上に加熱した、または加熱していないアラン錯体の溶液組成物を塗布する方法接触方法2、3プラチナ微結晶粒子からなる層がパターン状に形成された基板を、加熱したアラン錯体の溶液組成物に浸漬する方法接触方法3などを挙げることができる。接触方法として上記接触方法1または接触方法2を採用する場合においてアラン錯体溶液組成物を塗布する方法としては、基板上にプラチナ微結晶粒子分散液を塗布する方法として上記したところと同様の方法によることができる。[アラン錯体の溶液組成物]被膜の形成に好ましく使用されるアラン錯体の溶液組成物は、上記の如きアラン錯体を適当な溶媒に溶解してなる溶液状の組成物であり、好ましくはさらに長鎖アミンを含有する。この長鎖アミンは、特に炭素数がおおむね4以下のアルキル基を有するアミン化合物を用いて調製されたアラン錯体を用いた場合に、プラチナ微結晶粒子からなる層が形成された基板とアラン錯体と接触の際の加熱によってアミン化合物が脱離したアラン錯体が重合して不活性化することを回避する目的で使用される成分である。かかる長鎖アミンとしては、下記式3NRIIRIII23式3中、RIIは炭素数6~15のアルキル基であり、RIIIは水素原子または炭素数1~4のアルキル基である。で表される化合物を使用することが好ましい。このような長鎖アミンの例としては、例えばN,N-ジメチルオクチルアミン、N,N-ジメチルデシルアミン、N,N-ジメチルドデシルアミン、N,N-ジメチルセチルアミン、N,N-ジエチルオクチルアミン、N,N-ジエチルオレイルアミンなどを挙げることができ、これらのうちから選択される少なくとも1種を使用することが好ましい。かかる長鎖アミンの使用割合は、アラン錯体の1モルに対して、10モル以下とすることが好ましく、0.1~5モルとすることがより好ましく、特に0.5~3モルとすることが好ましい。アラン錯体の溶液組成物に好ましく使用される溶媒としては、例えば沸点150°C以上のエーテル化合物を好適に使用することができ、その具体例として例えばメチルアニソール、エチルアニソール、n-プロピルアニソール、n-ブチルアニソール、フェニルアニソール、エチルフェニルエーテル、ブチルフェニルエーテル、ジフェニルエーテルなどを挙げることができ、これらのうちから選択される1種以上を使用することが好ましい。溶媒の使用割合は、アラン錯体の溶液組成物の固形分濃度組成物中の溶媒以外の成分の合計重量が組成物の全重量に占める割合として、0.1~50重量となる割合とすることが好ましく、1~20重量となる割合とすることがより好ましい。[接触条件]プラチナ微結晶粒子からなる層がパターン状に形成された基板をアラン錯体とを接触させる際の加熱温度は、50~120°Cの範囲であり、80~120°Cとすることが好ましく、100~120°Cとすることがより好ましく、特に100~120°Cとすることが好ましい。この加熱温度とは、接触方法として上記接触方法1を採用する場合には基板上にアラン錯体溶液組成物を塗布した後の加熱温度、上記接触方法2を採用する場合にはプラチナ微結晶粒子からなる層がパターン状に形成された基板の加熱温度、上記接触方法3を採用する場合にはアラン錯体溶液組成物の加熱温度を意味する。接触時間としては、0.1~12時間とすることが好ましく、1~5時間とすることがより好ましい。この加熱時間とは、接触方法として接触方法1を採用する場合には基板上にアラン錯体溶液組成物を塗布した後の加熱時間、上記接触方法2を採用する場合にはプラチナ微結晶粒子からなる層がパターン状に形成された基板がアラン錯体溶液組成物と接触した後に基板を上記温度に維持する時間、上記接触方法3を採用する場合には上記温度における浸漬時間を意味する。プラチナ微結晶粒子からなる層がパターン状に形成された基板とアラン錯体との接触は、上記接触方法3によることが好ましい。かかる接触によってプラチナが存在する基板領域においては該プラチナの触媒作用によってアラン錯体が金属状のアルミニウムに変換されるが、プラチナが存在しない基板領域においてはかかる変換は起こらない。そして、次いで基板を適当な溶媒例えばトルエン、メチルアニソールなどで洗浄することによって基板上に残存するアラン錯体は容易に除去されるから、基板上のプラチナ微結晶粒子からなる層が形成された領域のみに、該プラチナ微結晶粒子からなる層の有するパターンと同じパターンを有するアルミニウムからなる層を形成することができ、このことにより、基板上に形成されたプラチナ微結晶粒子からなる第1層と、該第1層上に形成されたアルミニウムからなる第2層とからなる2層膜である、パターン状導電性膜を形成することができる。かくして形成されたパターン状導電性膜のうちのアルミニウム層をより緻密な層とするために、好ましくはさらに加熱が行われる。この加熱温度は300~500°Cとすることが好ましく、350~500°Cとすることがより好ましい。加熱時間は1~60分とすることが好ましく、3~30分とすることがより好ましい。上記の如きプラチナ微結晶粒子からなる層がパターン状に形成された基板とアラン錯体との接触は、不活性雰囲気下例えば窒素、アルゴンなどの不活性気体中または還元性雰囲気下例えば水素などの還元性気体と上記の如き不活性気体徒からなる混合気体で行うことが好ましい。[導電性膜]上記のようにして基板上に、プラチナ微結晶粒子からなる第1層と、該第1層上に形成されたアルミニウムからなる第2層とからなる2層膜である、パターン状導電性膜が形成が形成される。本発明の方法によって形成されるパターン状導電性膜におけるアルミニウム層は、実質的にアルミニウム原子のみからなる純アルミニウム層であってもよく、あるいはアルミニウム中にプラチナ微粒子中のプラチナ原子がマイグレートmigrateしてなる、少量のプラチナ原子を含むアルミニウム-プラチナ合金層であってもよい。このアルミニウム層の厚さは、例えば10~300nmとすることができ、さらに50~200nmとすることができる。本発明の方法によって形成されたパターン状導電性膜は、主な導電性層がアルミニウム層であるから、導電性に優れるものである。本発明におけるパターン状導電性膜は、その比抵抗値を例えば50μΩcm以下とすることができ、好ましくは20μΩcmとすることができ、さらに10μΩcm以下、特に5μΩcm以下、あるいは3μΩcm以下とすることも可能である。本発明の方法によって形成されたパターン状導電性膜におけるアルミニウム層は、プラチナ微結晶粒子からなる第1層を介して基板との間の電気的な接合を確保することができるから、例えば基板として半導体基板を用いた場合には基板の半導体性を利用したゲート電極、ソース電極、ドレイン電極などを容易に形成することができ、あるいは基板として太陽電池用基板を使用すれば、集電極などを容易に形成することができる。合成例1プラチナ微結晶粒子の合成J.Phys.Chem.B,109,1882005に記載の方法に準拠してプラチナ微結晶粒子を合成した。ヘキサクロロプラチナ二水素0.26gおよびポリビニルピロリドンPVP、Mw=55,0000.66gをエチレングリコール51mLに溶解した溶液を加熱した。溶液の温度が135°Cに達したとき、溶液の色は黄色から暗褐色に変化した。溶液温度を150°Cに設定し、さらに1時間加熱下に反応を行った。反応終了後の反応混合物を室温まで放冷した後、遠心分離して沈殿物を回収した。該沈殿物をエタノールおよびn-ヘキサンからなる混合溶媒混合比:エタノール:ヘキサン=1:3体積比に投入し、超音波を印加して再分散した後、遠心分離により再度沈殿物を回収する操作を3回繰り返して精製した後、最終の回収物を減圧下において溶媒を十分に除去することにより、目的のプラチナ微結晶粒子100mgを黒色粉末として得た。このプラチナ微結晶粒子につき走査型電子顕微鏡観察を行ったところ、その平均粒径は7.5nmであることが分かった。また、示差熱分析により、このプラチナ微結晶粒子は微粒子の総重量に対して19重量のPVPからなる保護コロイドによって安定化されていることが分かった。調製例1層形成用のプラチナ微結晶粒子分散液の調製上記合成例1で得たプラチナ微結晶粒子100mgをエタノール10mL中に投入し、超音波を10分印加して分散することにより、濃度10mg/mLのプラチナ微結晶粒子分散液を調製した。合成例2アラン錯体の合成例J.Am.Chem.Soc.,82,21411960に記載の方法に従って、アラン錯体を合成した。乾燥窒素で満たしたフラスコに、リチウムアルミニウムハイドライド2.0gおよび乾燥ジエチルエーテル150mLを仕込んだ後、さらにトリエチルアミンの塩化水素酸塩7.3gを2回に分けて加えた。得られた混合物を室温で20分間撹拌し、反応を行った。反応系からの気体の発生が終了した後、ろ過によって不溶分を除去してアラン錯体のジエチルエーテル溶液が得られた。この溶液から、減圧にて溶媒を除去することにより、無色透明液体状のアラン錯体が6.1g得られた収率88。このアラン錯体につき1H-NMR分析を行うことにより、このものが水素化アルミニウムのトリエチルアミン錯体N/Al=1.1原子比であることを確認した。調製例2アラン錯体の溶液組成物の調製4-メチルアニソール溶液6mL中に、上記合成例2で得たアラン錯体0.2mLおよびN,N-ジメチルオクチルアミン0.2mLを溶解することにより、アラン錯体の溶液組成物を調製した。実施例1<プラチナ微結晶粒子からなる層の形成>上記調整例1で調製したプラチナ微結晶粒子分散液を用いてインクジェット法によりガラス基板日本電気硝子株製、品名OA-10、サイズ:約20mm×約20mm×約0.7mm上へパターン状に塗布し、次いで空気中100°Cにて5分加熱して溶媒を除去した後、空気中492°Cにて30分加熱してPVPからなる保護コロイドを除去することにより、ガラス基板上へプラチナ微結晶粒子からなるパターン状の層を形成した。ここで形成した層のパターンは、幅約200μm、長さ約10mmおよび高さ約100nmの線状のパターン4本を、基板のほぼ中央に約3mmの間隙を介して略平行に配置したものであった。<パターン状導電性膜の形成>上記プラチナ微結晶粒子からなるパターン状の層を有する基板を、酸素濃度10体積ppm以下に調整した窒素で満たされたグローブボックス中に搬入し、上記調製例2で調製したアラン錯体の溶液組成物中に浸漬した。基板を溶液中に浸漬した状態のまま溶液を加熱して、溶液温度を110~120°Cの範囲に2時間維持した。その後、基板を溶液から取り出し、室温まで放冷した後、脱水トルエンで十分に洗浄した。さらに、形成した膜をより緻密化するために、窒素雰囲気下で500°C5分間の追加加熱を行うことにより、パターン状被膜を得た。この膜につき、ESCAを測定したところ、金属状のアルミニウム原子の2p軌道に帰属されるべきピークが71.8eVに見られたことにより、この被膜はアルミニウムからなる層であることが確認された。以上のことから、本実施例の操作により、基板上に形成されたプラチナ微結晶粒子からなる第1層と、該第1層上に形成されたアルミニウムからなる第2層とからなるパターン状導電性膜が得られることが確認された。ここで形成された導電性膜のパターンは、上記プラチナ微結晶粒子からなる層のパターンと同じパターンであった。ここで形成されたパターン状導電性膜の写真を図1に示した。実施例2<プラチナ微結晶粒子からなる層の形成>2cm×2cmのシリコン基板上に、上記調整例1で調製したプラチナ微結晶粒子分散液をスピンコートした後、空気中500°Cにて5分加熱してPVPからなる保護コロイドを除去することにより、ガラス基板上へプラチナ微結晶粒子からなる層を形成した。この層の平均の厚さは10nmであった。上記で得られたプラチナ微結晶粒子層上に、PAK-01東洋合成工業株製のUVナノインプリント用樹脂である。をスピンコートによってによって塗布した後、ライン幅20.0μm、ライン高さ500nmおよびスペース幅20.0μmのラインアンドスペースパターンを有するパターン状モールドによって圧力200Paにて加圧し、ナノインプリント用樹脂にモールドのパターンを転写した。次いで、アルゴンプラズモンを用いたドライエッチング法により、ナノインプリント用樹脂のスペース領域に相当する箇所のプラチナ微結晶粒子を除去した。さらに、残存するナノインプリント用樹脂を、空気中500°Cにて5分加熱して除去することにより、プラチナ微結晶粒子からなるラインアンドスペースパターン状の層を形成した。<パターン状導電性膜の形成>上記で得られたアンドスペースパターン状の層を有する基板を使用したほかは、上記実施例1と同様にしてアラン錯体の溶液組成物中への浸漬、脱水トルエンによる洗浄および追加加熱を行うことにより、プラチナ微結晶粒子からなるパターンの領域にのみ、厚さ約200nmの被膜を得た。ESCA分析により、ここで形成された被膜が金属状のアルミニウムからなる層であることを確認した。ここで得られたパターン状導電性膜につき、4探針法により測定した比抵抗は2.9μΩcmであった。<光学顕微鏡観察>上記で形成したパターン状膜の光学顕微鏡像を図2に示した。<透過型電子顕微鏡TEM観察>上記で形成したパターン状膜につき、下記の装置および条件により、試料の調製およびTEM観察を行った。先ず、最表面保護のためカーボン蒸着膜とFIBFocusedIonBeamアシストのタングステン膜とをコーティングした後、マイクロサンプリングにて試料小片を摘出した。該試料につき、FIB加工によって薄片化を行った後、ArイオンミリングによってFIBダメージの軽減および追加薄片化を行い、これを試料としてTEM観察を行った。[イオンビーム加工]装置:株日立製作所製、集束イオンビーム加工装置、型式FB-2000A加速電圧:30kV[イオンミリング]装置:GATAN社製、イオンミリング装置、型式PIPSModel-691加速電圧:2kV[TEM観察]装置:日本電子株製、電界放射型透過電子顕微鏡、型式JEM-2100F加速電圧:200kV上記で得た断面TEM像を図3に示した。なお、図3におけるアルミニウム層において白色領域と金属色領域とが見られるのは、両領域の結晶方位が相違するためである。"