酸化亜鉛に対する酸化アルミニウムの含有量をAl/ZnAlで表わされる原子比で0.8~7.8原子含有する酸化アルミニウム含有酸化亜鉛と、酸化チタンに対する酸化ニオブ含有量が、Nb/TiNbで表される原子比で3.0~8.0原子含有する酸化ニオブ含有酸化チタンより構成され、前記酸化アルミニウム含有酸化亜鉛が全体の45~75wtであり、残部が前記酸化ニオブ含有酸化チタンである複合酸化物焼結体であって、かつバルク抵抗値が3×106Ωcm以下であることを特徴とする複合酸化物焼結体。原料粉末として、酸化アルミニウム粉末、酸化亜鉛粉末、酸化ニオブ粉末及び酸化チタン粉末を用いて、Al/ZnAl=0.8~7.8原子、Nb/TiNb=3.0~8.0原子、酸化アルミニウム粉末酸化亜鉛粉末/全原料粉末=45~75wt原料粉末の残部が酸化ニオブ粉末酸化チタン粉末となるよう混合し、成形した後、不活性雰囲気下にて保持温度1350°C以上1450°C以下の範囲内にて焼成することを特徴とする、請求項1に記載の複合酸化物焼結体の製造方法。請求項1に記載の複合酸化物焼結体からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。請求項3に記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることを特徴とする、酸化物透明高屈折率薄膜の製造方法。本発明の目的は、可視光域での透過率を高めるとともに吸収率を低減させ、さらには屈折率2.0以上の高屈折率を有しながら、DC放電が可能な酸化亜鉛系ターゲットを供給することにある。本発明者らは、上記課題を解決するために酸化亜鉛をベースとした検討を行った。その結果、酸化アルミニウム含有酸化亜鉛に適切な添加剤を添加することによって、特定の波長領域において、可視光域の透過率を高めると共に吸収率を大幅に低減させる効果があることを見出すに至った。具体的には、酸化亜鉛に対する酸化アルミニウムの含有量をAl/ZnAlで表わされる原子比で0.8~7.8原子、酸化チタンに対する酸化ニオブ含有量が、Nb/TiNbで表される原子比で3.0~8.0原子であり、さらに前者の酸化アルミニウム含有酸化亜鉛以下ZAOと略記の場合ありを45~75wt含有し、残部を酸化ニオブ含有酸化チタンとすることによって、高屈折率かつ短波長側の可視光域での透過率を高めるとともに吸収率を低減した薄膜を得ることが可能となる。しかしながら、上記組成で形成される焼結体は、ターゲットとしての抵抗が非常に高く、量産性の高いDCスパッタリングは不可能であることが判明した。一般にDCスパッタリングが可能なターゲットの抵抗は5×106Ωcm以下と言われており、焼結体の抵抗を下げる為に焼成時に還元雰囲気または不活性雰囲気下で焼成することにより、焼結体中の酸素の一部を除く方法が行われるのが一般的である。しかしながら本組成のターゲットに関しては、この手法によっても十分な低抵抗を得ることが出来ず、新たな技術的改良が必要となっていた。本発明では、更なる検討を行い、添加物としてアルミニウムおよびニオブを微量添加した上記系において、特定の焼成条件下で製造することにより、焼結体の抵抗を劇的に低下させることに成功した。すなわち、本発明は、1酸化亜鉛に対する酸化アルミニウムの含有量をAl/ZnAlで表わされる原子比で0.8~7.8原子含有する酸化アルミニウム含有酸化亜鉛と、酸化チタンに対する酸化ニオブ含有量が、Nb/TiNbで表される原子比で3.0~8.0原子含有する酸化ニオブ含有酸化チタンより構成され、前記酸化アルミニウム含有酸化亜鉛が全体の45~75wtであり、残部が前記酸化ニオブ含有酸化チタンである複合酸化物焼結体であって、かつバルク抵抗値が3×106Ωcm以下であることを特徴とする複合酸化物焼結体。2原料粉末として、酸化アルミニウム粉末、酸化亜鉛粉末、酸化ニオブ粉末及び酸化チタン粉末を用いて、Al/ZnAl=0.8~7.8原子、Nb/TiNb=3.0~8.0原子、酸化アルミニウム粉末酸化亜鉛粉末/全原料粉末=45~75wt原料粉末の残部が酸化ニオブ粉末酸化チタン粉末となるよう混合し、成形した後、不活性雰囲気下にて保持温度1350°C以上1450°C以下の範囲内にて焼成することを特徴とする、1に記載の複合酸化物焼結体の製造方法。3上述の1に記載の複合酸化物焼結体からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。4上述の3に記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることを特徴とする、酸化物透明高屈折率薄膜の製造方法。に関するものである。本発明者等は、酸化チタンをZAOに含有させた場合の結晶構造およびその導電性に関する調査を行い、酸化チタン含有によって、酸化亜鉛は酸化チタンと種々の化合物が形成されることを確認した。そしてこの化合物の導電性が非常に低いことが、焼結体の抵抗が高くDC放電が出来ない原因と考えられる。そこで本発明者らは更なる検討を重ね、上記組成に加えて、所定量の酸化ニオブを含有させ、さらにある特定の範囲内の焼成条件にて焼結させることにより、焼結体の抵抗を大幅に下げることが可能であるという、特異的な現象を見出し、本発明を完成させるに至った。つまり、本発明の意義は、上記組成の最適化と焼成条件の最適化によって、所望の光学特性を維持しながら、焼結体の抵抗を下げることでDC放電が可能な、スパッタリングターゲットを提供することにある。以下、本発明に係る複合酸化物焼結体の製法について詳述する。原料粉末としては、酸化亜鉛粉末、酸化チタン粉末、酸化アルミニウム粉末および酸化ニオブ粉末を用いる。酸化アルミニウムの含有量は酸化亜鉛に対し、Al/ZnAlで表わされる原子比で0.8~7.8原子であり、より好ましくは3.0~7.0原子である。酸化アルミニウムの含有量が0.8原子よりも低いと焼結体および薄膜の抵抗が高くなり、また薄膜の耐熱性、耐湿性が低下する為好ましくない。逆に7.8原子よりも多くなると、薄膜の透過率の急激な低下を招く為に好ましくない。酸化ニオブの含有量は酸化チタンに対し、Nb/TiNbで表される原子比にて、3.0~8.0原子であり、より好ましくは5.5~7.5原子である。ニオブの含有量が3.0原子を下回ると、所定の焼成条件においても十分な低抵抗化が図れない為好ましくない。ニオブの含有量が8.0原子を上回ると逆に導電性に悪影響を与えることになり、さらには薄膜の吸収率上昇の原因になるため好ましくない。そして前者の酸化アルミニウム含有酸化亜鉛を45~75wt、より好ましくは45~65wt含有し、残部を酸化ニオブ含有酸化チタンとする。酸化アルミニウム含有酸化亜鉛の含有量が75wtよりも多いと、屈折率の向上効果が得られないため好ましくない。また、酸化アルミニウム含有酸化亜鉛の含有量が45wtよりも少ないと、特に波長400nm付近の透過率が大幅に低下する為好ましくない。次に、これら原料粉末を混合する。原料の混合はより均一な混合効果を得るため、湿式粉砕が好ましい。また、原料の粉砕を兼ねて、3mmφ程度のビーズを用いた湿式ビーズミルを前処理として行うことも好ましい。混合に際しては、必要に応じて混合スラリー中に必要な添加物を共存させても良い。添加物は一般にバインダー、分散剤、可塑剤、消泡剤等と称される有機系添加剤が用いられる。混合方法は必ずしも本記載の方法に限定されるものではなく、各原料組成粉末を十分均一に混合させることができる手法であれば、特に限定されるものではない。次に、成形を行う。鋳込み成形等の湿式成形方法では、湿式粉砕で均一混合されたスラリーをそのまま用いることが可能であるが、乾式成形の場合には、濾過乾燥、流動層乾燥、噴霧乾燥等による乾燥プロセスが必要となる。中でもスプレードライヤーによる噴霧乾燥は、生産性が高いとともに、得られる造粒粉末の流動性が良好であることから、乾式成形を用いる場合には好適な乾燥方法である。成形方法は、プレス成形法、鋳込み成形法等の乾式、湿式の成形方法が例示できる。成形圧力はクラック等の発生がなく、取り扱いが可能な成形体であれば特に限定されるものではない。成形密度をより高める為に冷間静水圧成形CIP等の方法を用いることも可能である。続いて焼成を行なう。焼成方法は、常圧焼結、加圧焼結など様々な方法が用いる事が可能である。本研究の結果、焼成時にきわめて限定的な特定の温度領域で雰囲気を制御して焼成することにより、複合酸化物焼結体のバルク抵抗を大幅に低下させることができるという特異的効果を見出した。具体的には、導入ガスとして窒素ガス等の不活性ガスを用い、焼成温度は1350°C~1450°Cの範囲内とする。不活性雰囲気とするのは、原料粉末に結合している酸素を一部脱離させることにより、焼結体の導電性を高めるためであるが、1350°C未満の焼成温度では、この効果が十分には得られない。更にニオブを含有させることによって、焼成温度を1350°C~1450°Cとすることにより、バルク抵抗の低下が顕著となることが判明した。含有させたニオブの効果も明確ではないが、この不活性雰囲気下、1350°C~1450°Cの温度域にて酸化チタン結晶格子中のチタンサイトへの固溶置換が劇的に促進され、焼結体のバルク抵抗を下げる役割をしているものと推察される。1450°Cを超える温度で焼結体のバルク抵抗が悪化する要因は、含有させたニオブ元素の詳細な存在形態が分析把握できない為明確ではないが、結晶構造組織の変化により、ニオブ含有による低抵抗の効果が急激に失われてしまっているものと推察される。導入する不活性ガスの流量は投入する成形体重量および炉内の容積に対応させて調整するが、流量/炉内容積で、0.2~0.8ml/cm3minを目安とする。冷却条件は特に限定されるものではないが、昇温によって脱離した酸素が冷却時に再結合することを防ぐ為、不活性雰囲気の導入を維持することが好ましい。降温速度は、熱衝撃による割れのない程度の速度で適宜選択され、一般的な抵抗加熱式電気炉においては300°C/h以下の温度で冷却される。このようにして得られた焼結体は、板状、円筒状等の所望の形状に研削加工し、必要に応じて無酸素銅やチタン等からなるバッキングプレートまたはバッキングチューブにインジウム半田等を用いて接合することにより、本発明の焼結体からなるスパッタリングターゲットを得ることができる。このように原料の組成比と焼成条件の最適化を併せて図ることによって、焼結体のバルク抵抗が低下し、量産に適したDCスパッタリングが可能なターゲットを得ることができる。本発明のターゲットを用いてスパッタリングすることにより、透明性に優れ、かつ高屈折率の薄膜を得ることができる。このときRFスパッタリングばかりでなく、DCスパッタリングも行うことができる。またスパッタリング時には、高温で加熱成膜しなくとも、基板温度150°C以下または非加熱であっても、このように優れた特性を有する薄膜を得ることができる。具体的には、波長380nmから450nmにおける透過率が75以上かつ吸収率が5以下と透明性に優れた薄膜が得られ、しかも同波長域における透過率の最大値と最小値の差最大値-最小値/最大値×100が15以下とこの波長域全体にわたって高い透明性を有するものである。さらに薄膜の屈折率は2.0以上のものが得られる。本発明によって得られる焼結体を用いることで、可視光における380nm~450nmの波長域での透過率と吸収率を改善させ、かつ高屈折である薄膜を得ることが出来、さらには量産性の高いDCスパッタリングが可能なスパッタリングターゲットを得ることが出来る。以下、本発明の実施例をもって説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。実施例1BET3.0m2/g、純度99.98の酸化亜鉛粉末とBET13m2/g、純度99.99の酸化アルミニウム粉末をAl/ZnAlで表わされる原子比で3.3原子となるように秤量した。また、BET7.8m2/g、純度99.995の酸化チタン粉末とBET12m2/g、純度99.99の酸化ニオブ粉末をNb/TiNbで表される原子比にて、6.0原子となるように秤量した。そして前者の酸化アルミニウム含有酸化亜鉛を72wt含有し、残部を後者の酸化ニオブ含有酸化チタンとなるようにそれぞれを秤量した。これらの粉末を、0.7mmφのジルコニア製ビーズを用いた湿式ビーズミルで粉砕混合した。このとき、分散剤としてポリカルボン酸アンモニウム塩を原料粉末に対して固形分換算で0.6重量添加し、スラリー中の固形分濃度を50重量とした。得られたスラリーをスプレードライヤーで噴霧乾燥した後、3.0ton/cm2でCIP成形し、直径150mm、厚さ12mmの成形体を得た。作製した成形体を電気炉容積70.5cm×45cm×20cmにセットし、昇温速度50°C/hにて昇温し、1400°Cにて5時間保持を行い、100°C/hの降温速度にて冷却をおこなった。昇温開始から冷却完了まですべて窒素導入を行い、導入量は全温度域にわたって20L/minとした。得られた焼結体には割れがなかった。焼結体の抵抗の測定は高抵抗率計MCP-HT450、三菱化学アナリテック社製を用い、体積抵抗率を測定することによって行った。その結果、バルク抵抗率は5.0×105Ωcmであった。その後、101.6mmφ×5mmtの形状に加工し、Cu製のバッキングプレート上にInハンダにより接合し、スパッタリングターゲットを得た。作製したターゲットを用いて以下の条件にて成膜試験を行い。DCスパッタリング性能および得られた膜の透過率及び吸収率の測定を行った。スパッタリング条件放電方式:DCスパッタ成膜装置:マグネトロンスパッタ装置成膜圧力:0.5Pa添加ガス:アルゴン酸素酸素分圧:O2/Ar1体積比放電パワー:300W基板:コーニング1737基板サイズ:50mm×50mm×0.7mmt基板温度:RT約25°C成膜時の膜厚:150nmその結果、スパッタリング中の電流、電圧値の大きな変動はなく、安定したDCスパッタリングが可能であった。透過率および吸収率の測定には、スペクトロメーターU-4100日立製を用い、ガラス基板を含めた薄膜の透過率および吸収率を測定した。その結果、波長380nmから450nmの波長における透過率の最大値が91.24、最小値が78.33、吸収率の最大値が3.1であり、同波長域における透過率の最大値と最小値の差最大値-最小値/最大値×100は14.1であった。また、得られた薄膜の屈折率は2.11であった。結果を表1に示す。実施例2実施例1と同様にして作製した酸化アルミニウム含有酸化亜鉛を47wt含有し、残部を実施例1と同様にして作製した酸化ニオブ含有酸化チタンとなるようにそれぞれを秤量した。これらの粉末を実施例1と同じ条件にてその後の処理を行い、直径150mm、厚さ12mmのCIP成形体を得た。作製した成形体を実施例1と同様にして焼成した。得られた焼結体には割れがなかった。また、焼結体のバルク抵抗率は2.1×105Ωcmであった。その後、実施例1と同様にしてスパッタリングターゲットを得た。そして実施例1と同じ条件にて、DCスパッタリング性能および得られた膜の透過率及び吸収率の測定を行った。その結果、スパッタリング中の電流、電圧値の大きな変動はなく、安定したDCスパッタリングが可能であった。波長380nmから450nmの波長における透過率の最大値は88.72、最小値が83.02、吸収率の最大値が2.9であり、同波長域における透過率の最大値と最小値の差最大値-最小値/最大値×100は6.4であった。また、得られた薄膜の屈折率は2.14であった。結果を表1に示す。実施例3実施例1と同じ酸化亜鉛粉末と酸化アルミニウム粉末を用いて、Al/ZnAlで表わされる原子比で7.4原子となるように秤量した。また、実施例1と同じ酸化チタン粉末と酸化ニオブ粉末を用いて、Nb/TiNbで表される原子比にて、3.2原子となるように秤量した。そして前者の酸化アルミニウム含有酸化亜鉛を65wt含有し、残部を後者の酸化ニオブ含有酸化チタンとなるようにそれぞれを秤量した。これらの粉末を実施例1と同じ条件にてその後の処理を行い、直径150mm、厚さ12mmのCIP成形体を得た。作製した成形体を実施例1と同様にして焼成した。得られた焼結体には割れがなかった。また、焼結体のバルク抵抗率は8.7×105Ωcmであった。その後、実施例1と同様にして、スパッタリングターゲットを得た。そして実施例1と同じ条件にて、DCスパッタリング性能および得られた膜の透過率及び吸収率の測定を行った。その結果、スパッタリング中の電流、電圧値の大きな変動はなく、安定したDCスパッタリングが可能であった。波長380nmから450nmの波長における透過率の最大値は90.63、最小値が80.64、吸収率の最大値が3.3であり、同波長域における透過率の最大値と最小値の差最大値-最小値/最大値×100は11.0であった。また、得られた薄膜の屈折率は2.03であった。結果を表1に示す。実施例4実施例1と同じ酸化亜鉛粉末と酸化アルミニウム粉末を用いて、Al/ZnAlで表わされる原子比で0.8原子となるように秤量した。また、実施例1と同じ酸化チタン粉末と酸化ニオブ粉末を用いて、Nb/TiNbで表される原子比にて、7.7原子となるように秤量した。そして前者の酸化アルミニウム含有酸化亜鉛を65wt含有し、残部を後者の酸化ニオブ含有酸化チタンとなるようにそれぞれを秤量した。これらの粉末を実施例1と同じ条件にてその後の処理を行い、直径150mm、厚さ12mmのCIP成形体を得た。作製した成形体を実施例1と同様に焼成した。得られた焼結体には割れがなかった。また、焼結体のバルク抵抗率は1.0×106Ωcmであった。その後、実施例1と同様にして、スパッタリングターゲットを得た。そして実施例1と同じ条件にて、DCスパッタリング性能および得られた膜の透過率及び吸収率の測定を行った。その結果、スパッタリング中の電流、電圧値の大きな変動はなく、安定したDCスパッタリングが可能であった。波長380nmから450nmの波長における透過率の最大値は88.74、最小値が79.12、吸収率の最大値が3.7であり、同波長域における透過率の最大値と最小値の差最大値-最小値/最大値×100は10.8であった。また、得られた薄膜の屈折率は2.04であった。結果を表1に示す。実施例5実施例1と同じ酸化亜鉛粉末と酸化アルミニウム粉末を用いて、Al/ZnAlで表わされる原子比で7.4原子となるように秤量した。また、実施例1と同じ酸化チタン粉末と酸化ニオブ粉末を用いて、Nb/TiNbで表される原子比にて、7.8原子となるように秤量した。そして前者の酸化アルミニウム含有酸化亜鉛を65wt含有し、残部を後者の酸化ニオブ含有酸化チタンとなるようにそれぞれを秤量した。これらの粉末を実施例1と同じ条件にてその後の処理を行い、直径150mm、厚さ12mmのCIP成形体を得た。作製した成形体を実施例1と同様に焼成した。得られた焼結体には割れがなかった。また、焼結体のバルク抵抗率は1.2×105Ωcmであった。その後、実施例1と同様にして、スパッタリングターゲットを得た。そして実施例1と同じ条件にて、DCスパッタリング性能および得られた膜の透過率及び吸収率の測定を行った。その結果、スパッタリング中の電流、電圧値の大きな変動はなく、安定したDCスパッタリングが可能であった。波長380nmから450nmの波長における透過率の最大値は87.76、最小値が75.32、吸収率の最大値が4.3であり、同波長域における透過率の最大値と最小値の差最大値-最小値/最大値×100は14.2であった。また、得られた薄膜の屈折率は2.02であった。結果を表1に示す。実施例6実施例1と同じ酸化亜鉛粉末と酸化アルミニウム粉末を用いて、Al/ZnAlで表わされる原子比で0.8原子となるように秤量した。また、実施例1と同じ酸化チタン粉末と酸化ニオブ粉末を用いて、Nb/TiNbで表される原子比にて、3.1原子となるように秤量した。そして前者の酸化アルミニウム含有酸化亜鉛を65wt含有し、残部を後者の酸化ニオブ含有酸化チタンとなるようにそれぞれを秤量した。これらの粉末を実施例1と同じ条件にてその後の処理を行い、直径150mm、厚さ12mmのCIP成形体を得た。作製した成形体を実施例1と同様にして焼成した。得られた焼結体には割れがなかった。また、焼結体のバルク抵抗率は1.2×106Ωcmであった。その後、実施例1と同様にして、スパッタリングターゲットを得た。そして実施例1と同じ条件にて、DCスパッタリング性能および得られた膜の透過率及び吸収率の測定を行った。その結果、スパッタリング中の電流、電圧値の大きな変動はなく、安定したDCスパッタリングが可能であった。波長380nmから450nmの波長における透過率の最大値は89.94、最小値が80.11、吸収率の最大値が3.2であり、同波長域における透過率の最大値と最小値の差最大値-最小値/最大値×100は10.9であった。また、得られた薄膜の屈折率は2.03であった。結果を表1に示す。実施例7実施例2と同様にして、ただし焼成温度は1350°Cとして焼結体を作製した。得られた焼結体には割れはなかった。また、焼結体のバルク抵抗率は2.1×106Ωcmであった。その後、実施例1と同様にして、スパッタリングターゲットを得た。そして実施例1と同じ条件にて、DCスパッタリング性能および得られた膜の透過率及び吸収率の測定を行った。その結果、スパッタリング中の電流、電圧値の大きな変動はなく、安定したDCスパッタリングが可能であった。波長380nmから450nmの波長における透過率の最大値は86.91、最小値が81.84、吸収率の最大値が3.0であり、同波長域における透過率の最大値と最小値の差最大値-最小値/最大値×100は5.8であった。また、得られた薄膜の屈折率は2.09であった。結果を表1に示す。実施例8実施例1と同様にして、但し焼成温度は1450°Cとして、焼結体を作製した。得られた焼結体には割れはなかった。また、焼結体のバルク抵抗率は2.8×106Ωcmであった。その後、実施例1と同様にして、スパッタリングターゲットを得た。そして実施例1と同じ条件にて、DCスパッタリング性能および得られた膜の透過率及び吸収率の測定を行った。その結果、スパッタリング中の電流、電圧値の大きな変動はなく、安定したDCスパッタリングが可能であった。波長380nmから450nmの波長における透過率の最大値は86.55、最小値が81.55、吸収率の最大値が3.0であり、同波長域における透過率の最大値と最小値の差最大値-最小値/最大値×100は5.8であった。また、得られた薄膜の屈折率は2.10であった。結果を表1に示す。比較例1実施例2と同様にして、但し焼成時の昇温開始から冷却完了まですべて大気導入として焼結体を作製した。得られた焼結体には割れはなかった。焼結体のバルク抵抗率は6.5×1011Ωcmと非常に高い値であった。その後、実施例1と同様にして、スパッタリングターゲットを得た。そして実施例1と同じ条件にてDCスパッタリングを行ったが、ターゲットの抵抗が高く、放電しなかった。結果を表2に示す。比較例2実施例1同じ酸化亜鉛粉末と酸化アルミニウム粉末を用いて、Al/ZnAlで表わされる原子比で10.5原子となるように秤量した。また、実施例1と同じ酸化チタン粉末と酸化ニオブ粉末を用いて、Nb/TiNbで表される原子比にて、3.2原子となるように秤量した。そして前者の酸化アルミニウム含有酸化亜鉛を80wt含有し、残部を後者の酸化ニオブ含有酸化チタンとなるようにそれぞれを秤量した。これらの粉末を実施例1と同じ条件にてその後の処理を行い、直径150mm、厚さ12mmのCIP成形体を得た。作製した成形体を実施例1と同様にして焼成した。得られた焼結体には割れがなかった。焼結体のバルク抵抗率は6.9×105Ωcmであった。その後、実施例1と同様にして、スパッタリングターゲットを得た。そして実施例1と同じ条件にて、DCスパッタリング性能および得られた膜の透過率及び吸収率の測定を行った。その結果、スパッタリング中の電流、電圧値に大きな変動はなく、安定したDCスパッタリングが可能であった。波長380nmから450nmの波長における透過率の最大値は85.15、最小値が59.06、吸収率の最大値が3.5であり、同波長域における透過率の最大値と最小値の差最大値-最小値/最大値×100は30.6であった。また、得られた薄膜の屈折率は1.91であった。結果を表2に示す。比較例3実施例1と同じ酸化亜鉛粉末と酸化アルミニウム粉末を用いて、Al/ZnAlで表わされる原子比で0.5原子となるように秤量した。実施例1と同じ酸化チタン粉末と酸化ニオブ粉末を用いて、Nb/TiNbで表される原子比にて、3.2原子となるように秤量した。そして前者の酸化アルミニウム含有酸化亜鉛を65wt含有し、残部を後者の酸化ニオブ含有酸化チタンとなるようにそれぞれを秤量した。これらの粉末を実施例1と同じ条件にてその後の処理を行い、直径150mm、厚さ12mmのCIP成形体を得た。作製した成形体を実施例1と同様に焼成した。得られた焼結体には割れがなかった。焼結体のバルク抵抗率は1.0×107Ωcmと非常に高い値であった。その後、実施例1と同様にして、スパッタリングターゲットを得た。そして実施例1と同じ条件にてDCスパッタリングを行ったが、ターゲットの抵抗が高く、放電しなかった。結果を表2に示す。比較例4実施例1と同じ酸化亜鉛粉末と酸化アルミニウム粉末を用いて、Al/ZnAlで表わされる原子比で3.3原子となるように秤量した。また実施例1と同じ酸化チタン粉末と酸化ニオブ粉末を用いて、Nb/TiNbで表される原子比にて、10.0原子となるように秤量した。そして前者の酸化アルミニウム含有酸化亜鉛を65wt含有し、残部を後者の酸化ニオブ含有酸化チタンとなるようにそれぞれを秤量した。これらの粉末を実施例1と同じ条件にてその後の処理を行い、直径150mm、厚さ12mmのCIP成形体を得た。作製した成形体を実施例1と同様にして焼成した。得られた焼結体には割れがなかった。焼結体のバルク抵抗率は4.5×106Ωcmであった。その後、実施例1と同様にして、スパッタリングターゲットを得た。そして実施例1と同じ条件にて、DCスパッタリング性能および得られた膜の透過率及び吸収率の測定を行った。その結果、スパッタリング中の電流、電圧値に大きな変動はなく、安定したDCスパッタリングが可能であった。波長380nmから450nmの波長における透過率の最大値は89.63、最小値が75.43、吸収率の最大値が8.7であり、同波長域における透過率の最大値と最小値の差最大値-最小値/最大値×100は15.8であった。また、得られた薄膜の屈折率は2.05であった。結果を表2に示す。比較例5実施例1と同じ酸化亜鉛粉末と酸化アルミニウム粉末を用いて、Al/ZnAlで表わされる原子比で3.3原子となるように秤量した。また、実施例1と同じ酸化チタン粉末のみを用い、酸化ニオブの添加は行わなかった。そして前者の酸化アルミニウム含有酸化亜鉛を65wt含有し、残部を後者の酸化チタンとなるようにそれぞれを秤量した。これらの粉末を実施例1と同じ条件にてその後の処理を行い、直径150mm、厚さ12mmのCIP成形体を得た。作製した成形体を実施例1と同様にして焼成した。得られた焼結体には割れがなかった。また、焼結体のバルク抵抗率は3.5×108Ωcmと非常に高い値であった。その後、実施例1と同様にして、スパッタリングターゲットを得た。そして実施例1と同じ条件にてDCスパッタリングを行ったが、ターゲットの抵抗が高く、放電しなかった。結果を表2に示す。比較例6実施例2と同様にして、但し、焼成温度は1320°Cとして焼結体を作製した。得られた焼結体には割れはなかった。また、焼結体のバルク抵抗率は3.0×108Ωcmと非常に高い値であった。その後、実施例1と同様にして、スパッタリングターゲットを得た。そして実施例1と同じ条件にてDCスパッタリングを行ったが、ターゲットの抵抗が高く、放電しなかった。結果を表2に示す。比較例7実施例2と同様にして、但し、焼成温度は1480°Cとして焼結体を作製した。得られた焼結体には割れがなかった。また、焼結体のバルク抵抗率は3.1×1011Ωcmと非常に高い値であった。その後、実施例1と同様にして、スパッタリングターゲットを得た。そして実施例1と同じ条件にてDCスパッタリングを行ったが、ターゲットの抵抗が高く、放電しなかった。結果を表2に示す。