開口部を有する基板と、前記開口部を覆うように前記基板上に形成される振動板と、前記振動板に対して前記基板とは反対側に形成されて、前記振動板を振動させるための圧電薄膜と、前記圧電薄膜に対して略面内方向に電界を印加するための複数の電極とを備えた圧電素子であって、前記圧電薄膜は、菱面体晶の001配向膜であることを特徴とする圧電素子。前記圧電薄膜は、LaNiO3の001配向膜からなるからなるシード層を介して、前記振動板上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の圧電素子。請求項1または2に記載の圧電素子を1次元的または2次元的に配置して、超音波の送受信を行う超音波トランスデューサを備えていることを特徴とする超音波送受信プローブ。基板上に、振動板としての熱酸化膜を形成する第1の工程と、前記熱酸化膜上に、菱面体晶の001配向膜からなる圧電薄膜を形成する第2の工程と、前記圧電薄膜上に電極層を形成する第3の工程と、前記電極層をパターニングして、前記圧電薄膜に対して略面内方向に電界を印加するための複数の電極を形成する第4の工程と、前記圧電薄膜をパターニングする第5の工程と、前記基板を前記圧電薄膜とは反対側からエッチングして、前記振動板を振動させるための開口部を前記基板に形成する第6の工程とを有していることを特徴とする圧電素子の製造方法。前記第2の工程は、001面でカットした別基板上に、菱面体晶の001配向膜からなる前記圧電薄膜を成膜する工程と、前記圧電薄膜を、前記熱酸化膜上に転写する工程とを有していることを特徴とする請求項4に記載の圧電素子の製造方法。前記第2の工程は、前記熱酸化膜上に、LaNiO3の001配向膜からなるからなるシード層を形成する工程と、前記シード層上に、菱面体晶の001配向膜からなる前記圧電薄膜を成膜する工程とを有していることを特徴とする請求項4に記載の圧電素子の製造方法。ところで、基板上に圧電薄膜を成膜する方法としては、スパッタリング法、CVDChemicalVaporDeposition法、ゾルゲル法など、いくつかの方法がある。これらの方法によって成膜した圧電薄膜は、電圧が印加されていない状態でも自発分極を持っている。バルクの圧電体の場合は、製造後にはランダムな方向に分極しているが、圧電薄膜の場合、その膜厚方向に分極しやすい傾向がある。したがって、上述したような、d33方式で駆動される圧電素子を構成するためには、成膜された圧電薄膜に対して、駆動時の電界印加方向である圧電薄膜の面内方向に予め分極処理を施して電界を印加して、自発分極の向きを上記面内方向に制御しておくことが望ましい。ここで、図11abは、圧電薄膜が正方晶の001配向膜からなる場合の分極方向図中、矢印で示すをそれぞれ示しており、特に、図11aは、分極処理前の分極方向を示し、図11bは、分極処理後の分極方向を示している。なお、001配向とは、結晶格子の001方向が基板の面に対して垂直または略垂直となるように結晶が配向している状態を指す。圧電薄膜が正方晶の001配向膜であり、分極方向が001方向である場合、この圧電薄膜に対して、分極方向が圧電薄膜の面内方向である100方向となるように分極処理を行うと、c軸方向膜厚方向に長い正方晶は、90度ドメイン回転により、a軸方向面内方向に長い正方晶に変形する。このように分極処理によって結晶構造が変化する場合、結晶格子の1辺の長さである格子定数が変化するが、圧電薄膜はその下地層基板または振動板の拘束を受けているため、このような結晶構造の変化は、圧電薄膜にかかる応力を増大させることになる。ここで、下部電極と上部電極とで圧電薄膜を挟み、圧電素子をd31方式で駆動する場合、圧電薄膜に対する分極処理は、駆動時の電界印加方向である圧電薄膜の膜厚方向に対して行われる。上述したように、圧電薄膜はその膜厚方向に予め分極しやすいため、圧電素子をd31方式で駆動する場合には、圧電薄膜において、分極処理による応力増加は比較的小さい。しかし、圧電素子をd33方式で駆動する構成において、圧電薄膜として正方晶の001配向膜を用いた場合、上述したように分極処理によって圧電薄膜にかかる応力が増大し、しかも、この応力の増大はd31方式よりも大きい。応力の増大は、駆動時の圧電変位を妨げることになるため、駆動電圧の増大を招く。また、正方晶の場合、上記のように、分極処理によって結晶格子の分極軸が圧電薄膜の面内方向に伸びようとするが、下地層との界面付近の圧電薄膜は、下地層の拘束を受けており、分極軸が面内方向に伸びにくくなるため、上記方向に分極しにくくなる。この結果、圧電素子の特性例えばk値が低下し、例えば超音波送受信プローブにおいては、超音波の送受信特性が低下する。なお、上記の問題は、圧電素子がd33方式で駆動される場合に生じる特有の問題であり、d31方式で駆動される特許文献1および2の圧電素子では元々生じない。それゆえ、特許文献1および2では、上記の問題を解決するための構成については一切開示されていないと言える。本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、d33方式で駆動される圧電素子において、分極処理時に圧電薄膜にかかる応力を低減でき、しかも、下地層との界面付近まで圧電薄膜を分極処理することができ、これによって、駆動電圧の増大および特性低下を回避できる圧電素子およびその製造方法と、その圧電素子を備えた超音波送受信プローブとを提供することにある。本発明の圧電素子は、開口部を有する基板と、前記開口部を覆うように前記基板上に形成される振動板と、前記振動板に対して前記基板とは反対側に形成されて、前記振動板を振動させるための圧電薄膜と、前記圧電薄膜に対して略面内方向に電界を印加するための複数の電極とを備えた圧電素子であって、前記圧電薄膜は、菱面体晶の001配向膜であることを特徴としている。上記の構成によれば、複数の電極を介して、圧電薄膜に対して略面内方向基板の面にほぼ沿った方向に電界を印加することにより、圧電薄膜の電界印加方向略面内方向の伸縮を利用して、電界印加方向に対して略垂直方向に振動板を振動させる、いわゆるd33方式の駆動を実現することができる。また、圧電薄膜は、菱面体晶の001配向膜であるので、d33方式の駆動を実現すべく、圧電薄膜に対して、圧電薄膜全体としての分極方向がその膜厚方向から略面内方向となるように分極処理を行う場合でも、各結晶格子の分極反転だけを用いながら、圧電薄膜全体として分極方向を90度回転させる分極処理を行うことができる。つまり、この場合、菱面体晶の結晶格子の形状は、分極処理の前後で変化しない。これにより、分極処理時に、下地の層基板または振動板によって圧電薄膜にかかる応力を低減することができ、しかも、圧電薄膜は下地層の拘束による影響を受けずに、下地層との界面付近まで分極しやすくなる。その結果、d33方式での駆動における、駆動電圧の増大および圧電素子の特性例えばk値の低下を回避することができる。本発明の圧電素子において、前記圧電薄膜は、LaNiO3の001配向膜からなるからなるシード層を介して、前記振動板上に形成されていてもよい。この場合、シード層が圧電薄膜の配向制御層として機能するため、シード層上に、菱面体晶の001配向膜からなる圧電薄膜を成膜しやすくなり、上記圧電薄膜を有する圧電素子を容易に実現することができる。本発明の超音波送受信プローブは、上述した本発明の圧電素子を1次元的または2次元的に配置して、超音波の送受信を行う超音波トランスデューサを備えていることを特徴としている。超音波トランスデューサが本発明の圧電素子を有しているので、超音波送受信プローブにおける超音波の送受信特性を向上させることができる。本発明の圧電素子の製造方法は、基板上に、振動板としての熱酸化膜を形成する第1の工程と、前記熱酸化膜上に、菱面体晶の001配向膜からなる圧電薄膜を形成する第2の工程と、前記圧電薄膜上に電極層を形成する第3の工程と、前記電極層をパターニングして、前記圧電薄膜に対して略面内方向に電界を印加するための複数の電極を形成する第4の工程と、前記圧電薄膜をパターニングする第5の工程と、前記基板を前記圧電薄膜とは反対側からエッチングして、前記振動板を振動させるための開口部を前記基板に形成する第6の工程とを有していることを特徴としている。上記の製法によって圧電素子を製造することにより、上記した圧電素子の構成による効果と同様の効果を得ることができる。本発明の圧電素子の製造方法において、前記第2の工程は、001面でカットした別基板上に、菱面体晶の001配向膜からなる前記圧電薄膜を成膜する工程と、前記圧電薄膜を、前記熱酸化膜上に転写する工程とを有していてもよい。このように、菱面体晶の001配向膜からなる圧電薄膜を別基板例えばMgO基板上に一旦成膜し、その後、熱酸化膜上に転写することで、上記の圧電薄膜を振動板上に形成することができる。本発明の圧電素子の製造方法において、前記第2の工程は、前記熱酸化膜上に、LaNiO3の001配向膜からなるからなるシード層を形成する工程と、前記シード層上に、菱面体晶の001配向膜からなる前記圧電薄膜を成膜する工程とを有していてもよい。LaNiO3の001配向膜からなるシード層は、菱面体晶の001配向膜からなる圧電薄膜と格子定数がかなり近い。このため、シード層上に圧電薄膜を成膜することで、シード層が配向制御層として機能し、菱面体晶の001配向膜からなる圧電薄膜を成膜することが容易となる。本発明によれば、圧電薄膜は、菱面体晶の001配向膜であるので、d33方式の駆動を実現すべく、圧電薄膜に対して分極処理を行う場合でも、各結晶格子の分極反転だけを用いながら、圧電薄膜全体として分極方向を90度回転させる分極処理を行うことができる。これにより、分極処理時に、圧電薄膜にかかる応力を低減できるとともに、圧電薄膜が下地層との界面付近まで分極しやすくなる。その結果、d33方式で駆動される圧電素子において、駆動電圧の増大および特性例えばk値の低下を回避することができる。本発明の実施の一形態について、図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。超音波送受信プローブについて図1は、本実施形態の超音波送受信プローブ1の基本構成を示す説明図である。超音波送受信プローブ1は、保護層2と、超音波送受信トランスデューサとしてのpMUTエレメント3と、バッキング材4と、信号処理回路5とを備えている。なお、pMUTエレメント3の詳細については後述する。保護層2は、pMUTエレメント3を保護するものである。この保護層2は、人体に接触させる際に不快感を与えることがなく、音響インピーダンスが人体に近い、比較的柔軟なシリコーンゴムなどで形成されている。pMUTエレメント3において、振動子後述するセル3aが例えば1次元的に配列されている場合は、超音波をフォーカスするための音響レンズが、保護層2の役目を果たす。バッキング材4は、pMUTエレメント3で発生する不要振動を減衰するとともに、pMUTエレメント3と信号処理回路5とを電気的に接続するための貫通配線を形成する。信号処理回路5は、超音波送信用のパルス信号の生成や、受信パルス信号の処理などを行う回路であり、配線ケーブル6によって超音波診断装置本体と接続されている。pMUTエレメントについて図2は、pMUTエレメント3の構成を模式的に示す平面図である。同図に示すように、pMUTエレメント3は、複数の振動子としてのセル3aが2次元的に配置されて構成されている。なお、複数のセル3aが1次元的に配置されてpMUTエレメント3が構成されていてもよい。各セル3aは、振動によって超音波の発信、受信を行うダイヤフラムであるが、その詳細な構成については後述する。縦2個×横2個の計4個のセル3aで1つの素子Eが構成されている。同図では、破線で囲まれる最小の枠が1つの素子Eを示している。各素子Eを1つの単位として、各素子E間で駆動位相をずらすことにより、超音波ビームのフォーカシングやステアリング方向制御などの走査を行うことができる。1つの素子E内の4つのセル3aは、同時駆動されるように電気的に接続されている。また、各セル3aは、プローブの診断目的診断部位より決まる超音波の周波数に合わせた共振周波数が得られるように設計され、その設計時に、セル3aの形状や1つの素子E内のセル3aの個数なども決定される。図3aは、pMUTエレメント3の1つのセル3aの平面図であり、図3bは、同図aにおけるA-A’線矢視断面図である。セル3aは、圧電素子10で構成されており、断面円形の開口部11aを有する基板11と、振動板12と、圧電薄膜13と、複数の電極14a14bとを備えている。基板11は、例えばSi基板で構成されているが、SOISilicononInsulator基板で構成されていてもよい。振動板12は、開口部11aを覆うように基板11上に形成されている。圧電薄膜13にて良好な電界分布を得るため、電界印加領域の下層にあたる振動板12は、絶縁性の材料で構成する必要がある。このため、振動板12は、例えばSiO2やSiNで構成されている。圧電薄膜13は、例えばPZTの薄膜で構成されており、電界印加によって振動板12を振動させるべく、振動板12に対して基板11とは反対側に形成されている。本実施形態では、圧電薄膜13は、菱面体晶の001配向膜で構成されているが、その理由については後述する。圧電薄膜13には、断面円形の開口部13aがパターニング形成されている。開口部13aは、基板11の開口部11aよりも小さい開口径を有して、開口部11aの上方に形成されている。また、圧電薄膜13には、膜厚方向に貫通する複数例えば7個の溝部13bが形成されている。溝部13bは、電極14aと電極14bとの間で、圧電薄膜13の開口部13aの中心を起点とする放射状に細長く形成され、かつ、開口部13aの周方向に等間隔で例えば45度ずつ離れて形成されている。このように圧電薄膜13に複数の溝部13bが形成されていることにより、電極14aと電極14bとの間の領域では、圧電薄膜13は、開口部13aの周方向の拘束を受けないため、周方向に伸縮しやすくなる。これにより、圧電薄膜13の面内方向基板11の面に沿う方向で上記周方向に垂直な方向に伸縮しやすくなるこの場合、例えば圧電薄膜13が周方向に伸長すると、周方向に垂直な方向には収縮する。その結果、振動板12が上下方向基板11の面に垂直な方向に振動しやすくなる。電極14a14bは、圧電薄膜13に対して略面内方向に電界を印加すべく、圧電薄膜13上に設けられている。このうち、電極14aは、圧電薄膜13上で開口部13aに沿うように円形リング状に設けられて、その一部が基板11の開口部11aの外側に引き出されている。また、電極14bは、圧電薄膜13上で基板11の開口部11aの外側に位置するように、かつ、電極14aの引出部と接触しないように平面視で略C字形に設けられて、その一部が基板11の開口部11aの外側に引き出されている。電極14aは同一素子E内では共通接続され、電極14bも同一素子E内では共通接続されている。これらの電極14a14bは、貫通配線などを介して信号処理回路5と接続されている。各セル3aは、実効的な音響インピーダンスが、生体の音響インピーダンスに整合するように設計されることで、超音波を効率よく生体へ伝えることができる。具体的には、セル3aの剛性が最適化されるが、さらに、共振周波数、送信特性感度、周波数帯域、受信特性感度、周波数帯域に応じて、振動板12の材料および厚さ、圧電薄膜13の厚さ、セル3aの直径、電極14a14bの間隔、電極14a14bの外径などが最適に設計される。上記の構成によれば、信号処理回路5により、貫通配線などを通して、pMUTエレメント3の各セル3aの電極14a14b間にパルス状の電圧を印加し、圧電薄膜13に対して略面内方向に電界を印加すると、圧電薄膜13には、与えられた電界により、略面内方向の伸縮による歪みが生じる。すると、振動板12は、周波数特性に応じて振動し、パルス状の超音波を生体内へ発信する。アレイ状に配置された各素子Eの位相を所定量ずらすことで、超音波ビームをフォーカシング、ステアリングし、必要領域を3次元状に走査する。生体内では、超音波は減衰しながら伝わり、音響インピーダンスの差が生じている部位で反射が起こり、pMUTエレメント3に帰還する。戻った超音波により、振動板12は振動し、圧電薄膜13が歪む。この圧電薄膜13の歪みに応じて電荷が発生し、信号処理回路5により、送信から受信までの時間が計測され実際は、各計測点の帰還時間に合わせて信号処理される、超音波診断装置本体にて3次元画像が形成される。上記のように、電極14a14bを介して、圧電薄膜13に対して略面内方向に電界を印加することにより、圧電薄膜13の電界印加方向略面内方向の伸縮を利用して、電界印加方向に対して略垂直方向に振動板12を振動させることができ、いわゆるd33方式の駆動を実現することができる。また、圧電素子10としてのセル3aは、圧電薄膜13と薄板状の振動板12とからなるユニモルフ構造であるので、圧電薄膜13の伸縮による歪みを効率よく振動板12の撓み変形に変換することができる。圧電薄膜の結晶構造および配向制御について次に、圧電薄膜13を菱面体晶の001配向膜で構成した理由について説明する。図4abは、圧電薄膜が菱面体晶の001配向膜からなる場合の分極方向図中、矢印で示すの一例をそれぞれ示しており、特に、図4aは、分極処理前の分極方向を示し、図4bは、分極処理後の分極方向を示している。一般に、菱面体晶の圧電体結晶は、結晶格子の対角線方向に自発分極を持っている。したがって、圧電体の面内方向に互いに垂直なx軸およびy軸をとり、圧電体の膜厚方向にz軸をとった場合、001配向の菱面体晶で考えると、その分極方向としては、111、-111、-1-11、1-11、11-1、-11-1、-1-1-1、1-1-1の計8通りの方向が考えられる。ここで、菱面体晶の001配向膜が、例えば膜厚方向上向きに分極している場合、分極方向のz成分が正である結晶格子、つまり、分極方向が111、-111、-1-11、1-11であるドメインが混在し、分極方向の面内方向の成分x成分、y成分を相殺して、圧電薄膜13全体として、膜厚方向上向きに分極していると考えられる。このように、膜厚方向上向きに分極した菱面体晶の001配向膜に対して、分極方向が例えばx軸正の方向となるように電圧を印加して分極処理をする場合、上記4つの分極方向のうちで、分極方向のx成分が負である結晶格子の分極方向-111、-1-11が、それぞれ、1-1-1、11-1に変化する。なお、図4abでは、例として、結晶格子の分極方向が、上記分極処理によって-1-11から11-1に変化する様子を示している。このような分極方向の変化は、分極の軸は同じで、向きが180度反転するだけである。つまり、分極処理によって分極方向の回転は起こらず、分極方向の反転のみが起こる。したがって、菱面体晶の結晶格子が伸縮する向きは、図4abで変わらない。図5abは、圧電薄膜13の各結晶格子の集合からなる領域R1R2の分極方向と膜全体の分極方向とを示すものであって、図5aは、分極処理前の分極方向を示し、図5bは、分極処理後の分極方向を示している。なお、図5abの紙面で上方向は、圧電薄膜13の膜厚方向であってz軸正の方向に対応し、上記紙面で右方向は、圧電薄膜13の面内方向であってx軸正の方向に対応しているものとする。図4abについての考察を図5abに当てはめて考えると、図5aにおいて、領域R1の分極方向は、111または1-11であり、領域R2の分極方向は、-111または-1-11である。この状態で、圧電薄膜13に対して面内方向x軸正の方向に分極処理を行うと、領域R1の分極方向は変化せず、領域R2の分極方向のみが反転する。図5aの状態では、領域R1と領域R2とによって、分極方向の面内方向の成分x成分、y成分が相殺されるため、分極方向は膜全体として膜厚方向となっているが、図5bの状態では、領域R1と領域R2とによって、分極方向の膜厚方向の成分z成分が相殺されるため、分極方向は膜全体として右方向x軸正の方向となっている。このように、d33方式で駆動される圧電素子10において、圧電薄膜13として菱面体晶の001配向膜を用いることにより、圧電薄膜13に対してd33方式の駆動を実現するための分極処理を行う際に、各結晶格子の分極反転だけを用いながら、圧電薄膜13全体として分極方向を90度回転させる分極処理を行うことができる。この場合、図4abで示したように、菱面体晶の結晶格子の形状は、分極処理の前後で変化しない。したがって、分極処理時に、下地層基板11厳密には振動板12によって圧電薄膜13にかかる応力を低減することができ、しかも、圧電薄膜13は下地層の拘束による影響を受けずに、下地層との界面付近まで分極しやすくなる。その結果、d33方式での駆動における、圧電素子10の駆動電圧の増大駆動変位の低下および特性例えばk値;電気機械結合係数の低下を回避することができる。また、駆動時の圧電素子10の特性低下を回避できるので、このような圧電素子10をセル3aとして複数用い、これらを1次元的または2次元的に配置して、超音波の送受信を行うpMUTエレメント3を構成することにより、超音波送受信プローブ1における超音波の送受信特性を向上させることができる。圧電素子の製造方法について次に、上述した圧電素子10の製造方法について、実施例1~3として説明する。<実施例1>図6a~図6hは、実施例1の圧電素子10の製造工程を示す断面図である。まず、図6aに示すように、厚さ400μm程度の単結晶Siウェハからなる基板11上に、振動板12となる熱酸化膜を2μm程度形成する第1の工程。上記の熱酸化膜は、ウェット酸化用熱炉を用いてSiウェハを酸素雰囲気中に1200°C程度の高温にさらすことで形成することができる。なお、振動板12として、上記の熱酸化膜を形成する代わりに、窒化膜等を形成してもよい。続いて、上記の熱酸化膜上に、菱面体晶の001配向膜からなる圧電薄膜13を形成する第2の工程。具体的には、図6bに示すように、基板11とは別の基板21として、厚さ300μm程度のMgO001基板を用意する。なお、MgO001基板とは、MgO基板を001面でカットした基板である。そして、この基板21上に、スパッタリング法を用いて、厚さ5μm程度のPZT薄膜を圧電薄膜13として成膜する。このとき、MgO001基板の格子定数は、0.42nmであり、菱面体晶の001配向膜の格子定数0.41nmとほとんど同じであるため、MgO001基板上には、圧電薄膜13として、菱面体晶の001配向膜がエピタキシャル成長して形成される。なお、このときのPZTの成膜条件は、例えば、Ar流量;30sccm、O2流量;0.4sccm、スパッタ圧;0.3Pa、ターゲットに印加するRFパワー;500W、基板温度;460°C、である。なお、PZTの菱面体晶001配向膜の格子定数は、ZrとTiとの比率によって、0.405~0.415nm程度に変化する。このとき、圧電薄膜13を菱面体晶にするために、成膜に用いるPZTターゲットは、Zr/Ti比がMPBMorphotropicPhaseBoundary;組成相境界を構成する52/48よりもZrリッチとなるターゲットを用いる必要があり、ここでは、Zr/Ti比が55/45のターゲットを用いた。なお、PZTの成膜方法は、スパッタリング法のほかに、CVD法やゾルゲル法等でもよい。この場合も、形成後のPZTのZr/Ti比が52/48よりもZrリッチとなるようにすれば、菱面体晶のPZTを形成することができる。なお、図6abで示した各工程の順序は逆であってもよい。次に、圧電薄膜13を、上記の熱酸化膜上に転写する。より詳しくは、図6cに示すように、基板21上に形成した圧電薄膜13と、基板11上に形成した振動板12としての熱酸化膜とを接着剤で貼り合せる。そして、図6dに示すように、リン酸液水溶液等により、基板21を除去する。続いて、図6eに示すように、圧電薄膜13上に、スパッタリング法等によって、厚さ100nm程度のPtを成膜し、電極層14を形成する第3の工程。そして、図6fに示すように、電極層14をパターニングして、圧電薄膜13に対して略面内方向に電界を印加するための複数の電極14a14bを形成する第4の工程。その後、図6gに示すように、圧電薄膜13をパターニングして、開口部13a等を形成する第5の工程。最後に、図6hに示すように、基板11を圧電薄膜13とは反対側から振動板12が露出するまでエッチングして、振動板12を振動させるための開口部11aを基板11に形成する第6の工程。これにより、圧電素子10が完成する。このような製法によって形成される圧電素子10では、圧電薄膜13が菱面体晶の001配向膜で構成されているので、d33方式での駆動を実現すべく、圧電薄膜13に対して分極処理を行う場合でも、結晶格子の分極反転だけを用いながら、圧電薄膜13全体として分極方向を90度回転させる分極処理を行うことができる。これにより、分極処理時に圧電薄膜13にかかる応力を低減できるとともに、下地層基板11または振動板12との界面付近まで圧電薄膜13を分極処理することができる。その結果、d33方式での駆動における圧電素子10の駆動電圧の増大および特性低下を回避することができる。また、菱面体晶の001配向膜からなる圧電薄膜13を別の基板21上にエピタキシャル成長させて一旦成膜し、その後、熱酸化膜上に転写するという工程を採用することで、後述する実施例2のように配向制御層としてのシード層15を圧電素子10に別途設けることなく、圧電薄膜13を振動板12上に容易に形成することができる。<実施例2>図7a~図7gは、実施例2の圧電素子10の製造工程を示す断面図である。実施例2の製法は、上述した第2の工程において、シード層15上に圧電薄膜13を形成する点を除いて、実施例1と全く同じである。以下、実施例2の第2の工程について説明する。なお、実施例2の第1の工程図7a参照、第3~第6の工程図7d~図7g参照は、実施例1の第1の工程図6a参照、第3~第6の工程図6e~図6h参照とそれぞれ対応している。第2の工程では、図7bに示すように、上記の熱酸化膜上に、スパッタリング法を用いて、LNOLaNiO3の001配向膜からなるからなるシード層15を、厚さ100nm程度で形成する。そして、図7cに示すように、シード層15上に、スパッタリング法を用いてPZTをエピタキシャル成長させ、実施例1と同様に、厚さ5μm程度の菱面体晶の001配向膜からなる圧電薄膜13を成膜する。なお、このときのPZTの成膜条件は、実施例1と同じである。LaNiO3の001配向膜および菱面体晶の001配向膜は、格子定数がそれぞれ、0.384nm、0.41nmであり、両者の格子定数がかなり近い。このため、シード層15上に圧電薄膜13を成膜することで、シード層15が圧電薄膜13の配向を制御する配向制御層として機能し、菱面体晶の001配向膜からなる圧電薄膜13を成膜することが容易となる。これにより、上記配向膜からなる圧電薄膜13を有する圧電素子10を容易に実現することができる。<実施例3>図8a~図8fは、実施例3の圧電素子10の製造工程を示す断面図である。実施例3の製法は、上述した第2の工程において、圧電薄膜13を直接熱酸化膜上に形成する点を除いて、実施例1と全く同じである。以下、実施例3の第2の工程について説明する。なお、実施例3の第1の工程図8a参照、第3~第6の工程図8c~図7f参照は、実施例1の第1の工程図6a参照、第3~第6の工程図6e~図6h参照とそれぞれ対応している。第2の工程では、図8bに示すように、振動板12としての熱酸化膜上に、スパッタリング法を用いてPZTを成膜し、厚さ5μm程度の菱面体晶の001配向膜からなる圧電薄膜13を成膜する。このとき、PZTを成膜するときの基板温度は、480°Cであり、実施例1よりも20°Cほど高い。これにより、PZT膜の001配向度を上げることができる。なお、その他のPZTの成膜条件Ar流量、O2流量、スパッタ圧、ターゲットに印加するRFパワーについては、実施例1と同じである。このように、PZTの成膜条件を適切に設定することにより、圧電薄膜13の転写やシード層15の形成を行うことなく、菱面体晶の001配向膜からなる圧電薄膜13を熱酸化膜上に直接形成することができ、圧電素子10の製造工程を簡略化することができる。補足本実施形態では、図3aで示したように、引出部を除いてリング状またはC字形の電極14a14bを圧電薄膜13上に形成した圧電素子10について説明したが、電極14a14bのパターニング形状は、上記の形状に限定されるわけではない。例えば、図9は、電極14a14bのパターニング形状を示す平面図である。なお、同図では、便宜上、電極14a14bの下層の振動板12および圧電薄膜13の図示を省略している。このように、電極14a14bは、一方向図9では左右方向に所定距離をおいて交互に並ぶように配置されていてもよい。なお、電極14a14bの数は特に限定されず、それぞれ少なくとも1個設けられていればよい。このとき、極性の同じ電圧が印加される電極は、その全てまたは一部が電気的に接続されて外部に引き出されることになる。したがって、電極14a14bは、櫛刃状にかみ合うようにパターニングされていてもよい。また、基板11に形成される開口部11aは、同図の破線で示すように、例えば複数の電極14a14bが一方向に並ぶ領域に沿って形成される。このように、電極14a14bをパターニング形成しても、電極14a14bの下層の圧電薄膜に略面内方向に電界を印加して、圧電薄膜をd33方向に伸縮させることができることに変わりはない。したがって、このような構成であっても、d33方式の駆動を実現することができる。また、電極14a14bは、圧電薄膜13上に形成される構成には必ずしも限定されない。例えば、圧電薄膜13をリング状に形成し、一方の電極14aを振動板12上でリング状の圧電薄膜13の内周に沿うように配置し、他方の電極14bを振動板12上でリング状の圧電薄膜13の外周に沿うように配置し、これらの電極14a14bで圧電薄膜13を面内方向に挟み込む構成としても、圧電薄膜13に対して略面内方向に電界を印加することができ、これによって、d33方式の駆動を実現することができる。