"チャンバと、前記チャンバ内にガスを供給するガス供給手段と、前記チャンバ内で基板を保持する基板保持手段と、前記チャンバ内で前記基板保持手段に対向して設けられ、前記ガス供給手段からのガスを前記基板保持手段側に分散させるシャワープレートと、前記シャワープレートと前記基板保持手段との間の前記ガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、を備える半導体製造装置において、前記シャワープレートは、前記基板の載置位置を含む領域に設けられ、基板面と略平行な平板状の主面部と、筒状を有し、一端が前記主面部の外周部に接続され、他端が前記チャンバに接続される側面部と、を有し、前記主面部には、前記基板保持手段側に前記ガスを吹き出すように複数の第1のガス供給孔が設けられ、前記側面部には、前記チャンバの側壁に向かって前記ガスを吹き出すように複数の第2のガス供給孔が設けられ、前記シャワープレートは、前記第1のガス供給孔を介して前記基板保持手段側にガスを流す第1の空間部と、前記第2のガス供給孔を介して前記チャンバの側壁側にガスを流す第2の空間部と、を仕切る仕切り壁を備えることを特徴とする半導体製造装置。前記ガス供給手段は、前記基板に対して処理を行う際に使用する処理用ガスを供給する処理用ガス供給手段と、前記チャンバ内をクリーニングする際に使用するクリーニングガス供給手段と、を有し、前記処理用ガス供給手段と前記チャンバの前記第1の空間部との間を接続する第1配管と、前記クリーニングガス供給手段と前記チャンバの前記第1および第2の空間部との間をそれぞれ接続する第2および第3配管と、前記処理用ガスと前記クリーニングガスの前記チャンバへの供給の切り替えを制御する制御手段と、をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。前記第2配管と前記第3配管のそれぞれに、前記クリーニングガスの流量を制御する流量制御手段を備えることを特徴とする請求項2に記載の半導体製造装置。前記ガス供給手段は、不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段をさらに有し、前記不活性ガス供給手段と前記チャンバの前記第2の空間部との間を接続する第4配管をさらに備え、前記制御手段は、前記処理用ガスを前記第1の空間部へと供給すると同時に、前記不活性ガスを前記第2の空間部へと供給するように、前記処理用ガス供給手段と前記不活性ガス供給手段とを制御することを特徴とする請求項2に記載の半導体製造装置。チャンバ内の基板保持手段に載置された基板上にシャワー状に処理用ガスを吹き出しながらプラズマ化して前記基板の処理を行う基板処理工程と、前記基板を前記チャンバから搬出する基板搬出工程と、クリーニングガスを、前記基板保持手段上にシャワー状に吹き出させると同時に、前記チャンバ内の側壁に向けてシャワー状に吹き出させながらプラズマ化して前記チャンバ内のクリーニングを行うクリーニング工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記クリーニング工程では、前記基板保持手段上へ流す前記クリーニングガスの流量と、前記チャンバ内の側壁に向けて流す前記クリーニングガスの流量とが所定の比となるように制御することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。前記基板処理工程では、前記処理用ガスを前記基板上にシャワー状に流すと同時に、前記チャンバ内の側壁に向けてシャワー状に吹き出させることを特徴とする請求項5または6に記載の半導体装置の製造方法。しかしながら、従来技術では、たとえばチャンバ内にシャワープレートを介してクリーニングガスを導入してクリーニングを行うだけであるので、チャンバの側壁に形成された被膜などの除去に時間がかかってしまうという問題がある。本発明の一つの実施形態は、半導体製造装置のチャンバの側壁への被膜などの付着物を従来に比して短時間で除去することができる半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明の一つの実施形態によれば、チャンバと、ガス供給手段と、基板保持手段と、シャワープレートと、プラズマ生成手段と、を備える半導体製造装置が提供される。前記ガス供給手段は、前記チャンバ内にガスを供給し、前記基板保持手段は、前記チャンバ内で基板を保持する。前記プラズマ生成手段は、前記シャワープレートと前記基板保持手段との間の前記ガスをプラズマ化する。前記シャワープレートは、前記チャンバ内で前記基板保持手段に対向して設けられ、前記ガス供給手段からのガスを前記基板保持手段側に分散させる機能を有する。また、前記シャワープレートは、前記基板の載置位置を含む領域に設けられ、基板面と略平行な平板状の主面部と、筒状を有し、一端が前記主面部の外周部に接続され、他端が前記チャンバに接続される側面部と、を有する。前記主面部には、前記基板保持手段側に前記ガスを吹き出す複数の第1のガス供給孔が設けられる。前記側面部には、前記チャンバの側壁に向かって前記ガスを吹き出す複数の第2のガス供給孔が設けられる。そして、前記シャワープレートは、前記第1のガス供給孔を介して前記基板保持手段側にガスを流す第1の空間部と、前記第2のガス供給孔を介して前記チャンバの側壁側にガスを流す第2の空間部と、を仕切る仕切り壁を備える。以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体製造装置および半導体装置の製造方法を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。図1は、実施形態による半導体製造装置の構造の一例を模式的に示す断面図である。ここでは、半導体製造装置として、プラズマCVD装置10を例に挙げて説明する。プラズマCVD装置10は、気密に構成されたチャンバ11を有している。チャンバ11内には、処理対象としてのウェハ基板100を水平に支持するとともに、下部電極として機能する基板保持部12が設けられている。基板保持部12の表面上には、図示しないがウェハ100を静電吸着する静電チャック機構など保持機構が設けられている。また、基板保持部12は接地されている。下部電極として機能する基板保持部12に対向するように、基板保持部12の上部に上部電極として機能するシャワープレート13が設けられている。このシャワープレート13には、図示しないが高周波電力を供給する給電線が接続さており、この給電線にブロッキングコンデンサ、整合器および高周波電源が接続されている。シャワープレート13は基板保持部12と平行に対向するように、基板保持部12から所定の距離を隔てたチャンバ11の上部付近に固定される。このような構造によって、シャワープレート13と基板保持部12とは、一対の平行平板電極を構成している。シャワープレート13は、チャンバ11の上部付近の空間を囲むように設けられ、基板保持部12と対向する領域に設けられる基板保持部12の基板保持面と略平行な主面部131と、主面部131を支持するように設けられる筒状の側面部132と、シャワープレート13をチャンバ11の上面付近の部材と固定部材で固定する固定部133と、を有する。シャワープレート13は、たとえば下面から上部に行くに従って開口部の面積が大きくなる円形の容器状の構造を有する。シャワープレート13の主面部131には、板の厚さ方向に貫通する複数のガス供給孔131aが設けられるが、本実施形態では、側面部132にも孔の方向がチャンバ11内の側面に向かうガス供給孔132aが設けられる。ここでは、側面部132に板の厚さ方向に貫通する複数のガス供給孔132aが設けられている。また、主面部131のガス供給孔131aから供給されるガスと、側面部132のガス供給孔132aから供給されるガスとを区切る仕切り壁134がシャワープレート13とチャンバ11の上面とで構成される空間に設けられている。以下では、仕切り壁134とシャワープレート13の主面部131とチャンバ11とで形成される空間を主ガス供給空間135とし、仕切り壁134とシャワープレート13の側面部132とチャンバ11とで形成される空間を副ガス供給空間136とする。チャンバ11の上部付近には、成膜時やクリーニング時に使用される処理ガスが供給されるガス供給口14,15が設けられている。ここでは、主ガス供給空間135に接続されるように、チャンバ11の上面の中央付近にメインのガス供給口14が設けられ、副ガス供給空間136に接続されるように、シャワープレート13の形成位置の周縁部付近にもガス供給口15が設けられている。プラズマCVD装置10には、チャンバ11内に、TEOSTetraethoxysilane/Heガスやシランなどの成膜に用いられる処理ガスとしての成膜ガスを供給する成膜ガス供給部21と、HeやArなどの不活性ガスを供給する不活性ガス供給部22と、NF3ガスなどのクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部23と、が設けられている。成膜ガス供給部21は、配管31,34を介してガス供給口14に接続されている。不活性ガス供給部22は、配管32,34を介してガス供給口14に接続され、また配管32,35を介してガス供給口15に接続されている。クリーニングガス供給部23は、配管33,34を介してガス供給口14に接続され、また配管33,35を介してガス供給口15に接続されている。ここでは、配管35は、配管32,33から分岐する構造となっているが、不活性ガス供給部22からガス供給口14に接続される配管と、不活性ガス供給部22からガス供給口15に接続される配管とを独立に設けるようにしてもよい。クリーニングガス供給部23についても同様に、クリーニングガス供給部23からガス供給口14に接続される配管と、クリーニングガス供給部23からガス供給口15に接続される配管とを独立に設けるようにしてもよい。配管31~33には、それぞれの配管31~33を流れるガス流のオン/オフを切り替えることができるガスバルブ41~43が設けられている。つまり、ガスバルブ41~43を開状態とすると、その配管31~33にはガスが流れ、逆に閉状態とすると、その配管31~33にはガスが流れない。たとえば成膜時には、ガスバルブ41,42を開とし、ガスバルブ43を閉とすることで、成膜ガス供給部21からガス供給口14へ成膜ガスを流すとともに、不活性ガス供給部22からガス供給口14,15へ不活性ガスを流し、クリーニングガスはチャンバ11内には流さないようにしている。一方、クリーニング時には、ガスバルブ41,42を閉とし、ガスバルブ43を開とすることで、成膜ガスと不活性ガスをチャンバ11内には流さず、クリーニングガス供給部23からガス供給口14,15へクリーニングガスを流すようにしている。また、配管31,32,33,35には、それぞれの配管31,32,33,35を流れるガスの流量を制御するガス流量制御部51,52,53,54,55が設けられている。ガス流量制御部51は成膜ガスの流量を制御し、ガス流量制御部52はガス供給口14に供給される不活性ガスの流量を制御し、ガス流量制御部53はガス供給口14に供給されるクリーニングガスの流量を制御している。また、ガス流量制御部54は、ガス供給口15に供給される不活性ガスの流量を制御し、ガス流量制御部55はガス供給口15に供給されるクリーニングガスの流量を制御している。シャワープレート13の主面部131と仕切り壁134との間で囲まれる主ガス供給空間135には、ガス供給口14から供給されるガスを整流して分散させる分散板16が設けられている。分散板16は、シャワープレート13の主面部131と略平行に配置される主面部161と、主面部161をチャンバ11の上面から支持する側面部162と、を有し、主面部161に板の厚さ方向に貫通するガス供給孔161aが複数設けられている。また、チャンバ11にはガス排気口61が設けられており、ガス排気口61には配管62を介して排気手段である真空ポンプ63が接続されている。これによって、チャンバ11内のガスが排気される。また、ガス排気口61には、図示しないがゲートバルブが設けられており、ゲートバルブの開度によって排気量を調節することができる構成となっている。なお、ガスバルブ41~43、ガス流量制御部51~55、高周波電源およびゲートバルブには、予め作成されたプログラムにしたがって、ガスバルブ41~43やゲートバルブの開閉制御、ガス流量制御部51~55のガス流量制御、および高周波電源の制御を行う図示しない制御装置が接続されている。つぎに、このように構成されたプラズマCVD装置10での処理の概要について説明する。このプラズマCVD装置10では、ウェハ100をチャンバ11内に搬送し、基板保持部12に載置して成膜処理を行った後、ウェハ100をチャンバ11内から搬出し、チャンバ11内に堆積した被膜や副生成物を除去するクリーニング処理を行う。そして、再び成膜処理を行う。クリーニング処理は、ウェハ100に被膜を成膜するごとに、すなわち1回の成膜処理ごとに行われる場合もあるし、複数のウェハ100に被膜を形成した後に、すなわち複数回の成膜処理の後に行われる場合もある。以下では、プラズマCVD装置10における成膜処理とクリーニング処理について説明する。<成膜処理>まず、ウェハ100を基板保持部12上に載置し、たとえば図示しない静電チャック機構などで基板保持部12上にウェハ100を固定する。ついで、真空ポンプ63によってチャンバ11内を所定の真空度にした後、ガスバルブ41,42を開とし、ガスバルブ43を閉とする。これによって、成膜ガス供給部21からはたとえばTEOSガスなどの成膜ガスがガス供給口14からチャンバ11内に供給され、不活性ガス供給部22からはたとえばHeなどの不活性ガスがガス供給口14,15からチャンバ11内に供給される。このとき、成膜ガスはガス流量制御部51によって所定の流量となるように制御されて、主ガス供給空間135に供給され、不活性ガスは、ガス流量制御部52によって所定の流量となるように制御されて主ガス供給空間135に供給され、ガス流量制御部54によって所定の流量となるように制御されて副ガス供給空間136に供給される。その結果、主ガス供給空間135には成膜ガスと不活性ガスの混合ガスが供給され、副ガス供給空間136には不活性ガスが供給される。混合ガスは、分散板16のガス供給孔161aを通ることによって、主ガス供給空間135内で分散され、さらにシャワープレート13に設けられたガス供給孔131aから基板保持部12側の空間へと略均一に供給される。このとき、混合ガスは、仕切り壁134が存在するために副ガス供給空間136には移動することがない。混合ガスのチャンバ11内への供給と同時に、副ガス供給空間136に供給された不活性ガスは、ガス供給孔132aからチャンバ11内へと供給される。このとき、ガス供給孔132aはチャンバ11の側壁に向けられているので、チャンバ11の側壁には不活性ガスが吹き付けられている状態となる。その後、基板保持部12を接地した状態でシャワープレート13に高周波電圧を印加して、シャワープレート13と基板保持部12との間の空間にプラズマを生成させる。これによって、混合ガスがプラズマ化し、ウェハ100上に被膜が形成される。このとき、シャワープレート13のガス供給孔132aからはチャンバ11の側壁に向かって不活性ガスが供給されており、ウェハ100上に比べてチャンバ11の側壁には被膜が形成されにくい状態となっている。所定の時間、成膜処理を行った後、ガスバルブ41,42を閉にして、チャンバ11内を真空引きした後、ガスバルブ42を開にする。そして、ウェハ100をチャンバ11の外部へと搬出する。以上によって、成膜処理が終了する。<クリーニング処理>ウェハ100を搬出したチャンバ11内を真空ポンプ63によって所定の真空度にした後、ガスバルブ41,42を閉とし、ガスバルブ43を開とする。これによって、クリーニングガス供給部23からはたとえばNF3ガスなどのクリーニングガスがガス供給口14,15からチャンバ11内へと供給される。このとき、クリーニングガスは、ガス流量制御部53によって所定の流量となるように制御されて主ガス供給空間135に供給され、ガス流量制御部55によって所定の流量となるように制御されて副ガス供給空間136に供給される。その結果、主ガス供給空間135と副ガス供給空間136にはクリーニングガスがそれぞれ所定の流量で供給される。主ガス供給空間135内では、クリーニングガスは分散板16のガス供給孔161aを通ることによって分散され、さらにシャワープレート13に設けられたガス供給孔131aから基板保持部12側の空間へと略均一に供給される。また、同時に副ガス供給空間136に供給されたクリーニングガスは、ガス供給孔132aからチャンバ11内へと供給される。このとき、ガス供給孔132aはチャンバ11の側壁に向けられているので、チャンバ11の側壁にはクリーニングガスが吹き付けられている状態となる。その後、基板保持部12を接地した状態でシャワープレート13に高周波電圧を印加して、シャワープレート13と基板保持部12との間の空間にプラズマを生成させる。これによって、クリーニングガスがプラズマ化し、チャンバ11内に形成された被膜や反応副生成物のクリーニングが行われる。シャワープレート13の主面部131から吹き出されるクリーニングガスによって、主にシャワープレート13のガス供給孔131aや基板保持部12上とその周囲に形成された被膜や反応副生成物のクリーニングが行われる。また、シャワープレート13の側面部132のガス供給孔132aからは、チャンバ11の側壁に向かってクリーニングガスが直接に吹き付けられ、被膜や副生成物の除去が効果的に行われる。なお、シャワープレート13の主面部131と側面部132から吹き出されるクリーニングガスの流量は、それぞれのガス流量制御部53,55によって任意に変えることができる。たとえば、チャンバ11の内壁に多量の被膜や反応副生成物が付着しているような状況では、シャワープレート13の側面部132からのクリーニングガスの流量が相対的に大きくなるようにガス流量を制御すればよい。所定の時間、クリーニング処理を行った後、ガスバルブ43を閉にして、真空ポンプ63によってしばらくチャンバ11内のガスを排気して、クリーニング処理が終了する。その後は、上記した成膜処理が行われる。なお、図1では、シャワープレート13の形状は、平板状の主面部131と、主面部131の外周部で90度よりも大きい角度で接続される側面部132と、を有し、主面部131と側面部132には、板の厚さ方向を貫通する複数のガス供給孔131a,132aが設けられた構造を有していたが、副ガス供給空間136からチャンバ11内の側壁に向かってガスを吹き出させることが可能なガス供給孔132aを有するものであれば、他の形状を有するものであってもよい。図2は、シャワープレートの他の例を模式的に示す断面図である。図2のシャワープレート13の形状は、平板状の主面部131と、主面部131の外周部で90度の角度で接続される筒状の側面部132と、を有し、側面部132には、チャンバ11内の側壁に向かってガスを吹き出すことができるように設けられた複数のガス供給孔132aが設けられている。なお、図1と同一の構成要素には同一の符号を付してその説明を省略する。このシャワープレート13では、主面部131のガス供給孔131aは、板の厚さ方向に貫通する形状のものであるが、側面部132では板の厚さ方向から傾いた角度でガス供給孔132aが設けられている。この側面部132におけるガス供給孔132aは、シャワープレート13をチャンバ11内に取り付けたときに、チャンバ11内の側壁にガスが当たる角度で形成される。また、副ガス供給空間136を構成するシャワープレート13の部材にヒータを設けるようにしてもよい。このようにすることで、クリーニング時に、副ガス供給空間136に供給されるガスの温度が高くなり、クリーニング効果を高めることができる。本実施形態では、シャワープレート13に、処理対象に対してガスを供給するガス供給孔131aを有する主ガス供給空間135と、チャンバ11内の側壁に直接にガスが当たるように設けられたガス供給孔132aを有する副ガス供給空間136と、を仕切る仕切り壁134を備えるように構成した。そして、チャンバ11内のクリーニング中に、主ガス供給空間135と副ガス供給空間136の両方にクリーニングガスを流すようにして、基板保持部12とその周辺に形成された被膜や反応副生成物の除去だけでなく、チャンバ11内の側壁に形成された被膜や反応副生成物を効率よく除去することができるという効果を有する。特に、チャンバ11の側壁に向けてクリーニングガスを吹き出す構造によって、チャンバ11の側壁に直接クリーニングガスが接触するので、チャンバ11の側壁に向けてクリーニングガスを吹き出す構造のシャワープレート13を有さない一般的なプラズマCVD装置と比較して、クリーニング時間を短縮することができるという効果を有する。また、成膜時には副ガス供給空間136に不活性ガスを流すことによって、チャンバ11内の側壁付近に不活性ガスの壁ができることになる。その結果、成膜中にチャンバ11内の側壁への被膜や反応副生成物の付着速度を、基板保持部12周辺に比して小さくすることができる。つまり、成膜中のチャンバ11内の側壁への被膜や反応副生成物の付着量を低減し、クリーニング処理時のクリーニング時間をさらに短縮することができるという効果を有する。なお、上述した説明では、プラズマCVD装置10を例に挙げて説明したが、ドライエッチング装置などの半導体製造装置に対しても同様の効果を得ることができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"