"アクリル重合体A、エポキシ系熱硬化性化合物Bおよび熱硬化剤Cを含有する接着剤組成物であって、アクリル重合体Aが、接着剤組成物100質量部中に5~15質量部含有され、アクリル重合体Aのガラス転移温度が-30°C以下であることを特徴とする接着剤組成物。アクリル重合体Aの重量平均分子量が500000~1400000であることを特徴とする請求項1に記載の接着剤組成物。請求項1または2に記載の接着剤組成物から形成された接着剤層を有することを特徴とする接着シート。近年、ウエハ固定機能とダイ接着機能とを同時に兼ね備えた接着シートにおいて、半導体ウエハが薄型化されることに伴い、ダイシング時にチップ飛びが起こるなどのダイシング適性の不具合が生じている。この原因の一つとして、接着シートを構成する基材/接着剤層間の密着力不足が考えられている。一方、基材/接着剤層間の密着力が大きすぎると、ピックアップ強度が大きくなるため、基材から接着剤層付き半導体チップのピックアップが困難となり、ピックアップ適性が悪化することがあった。また、近年の携帯電話端末などの小型化高性能化に伴い、半導体パッケージに対する信頼性などの要求性能が従来よりも高まっている。しかしながら、従来技術において、基材/接着剤層間の充分な密着力と良好なピックアップ強度、及び半導体パッケージの高信頼性化の両立は未だ改善の余地があり、これらを充分に満足する接着シートを提供することが望まれている。本発明の課題は、基材/接着剤層間の密着力が充分であるしたがって、ダイシング適性などの工程適性が良好であると共に良好なピックアップ強度を有し、かつ半導体パッケージの高信頼性化を可能とする接着剤組成物および接着シートを提供することにある。本発明は、以下の要旨を含む。1アクリル重合体A、エポキシ系熱硬化性化合物Bおよび熱硬化剤Cを含有する接着剤組成物であって、アクリル重合体Aが、接着剤組成物100質量部中に5~15質量部含有され、アクリル重合体Aのガラス転移温度が-30°C以下であることを特徴とする接着剤組成物。2アクリル重合体Aの重量平均分子量が500000~1400000であることを特徴とする上記1に記載の接着剤組成物。3上記1または2に記載の接着剤組成物から形成された接着剤層を有することを特徴とする接着シート。本発明によれば、基材/接着剤層間の密着力が充分であるしたがって、ダイシング適性などの工程適性が良好でありと共に良好なピックアップ強度を有し、かつ半導体パッケージの高信頼性化を可能とする接着剤組成物および接着シートを提供することができる。以下、本発明の接着剤組成物および接着シートの詳細を説明する。なお、以下では本発明の接着剤組成物から形成された接着剤層を単に接着剤層とも記載する。接着剤組成物本発明の接着剤組成物は、アクリル重合体A、エポキシ系熱硬化性化合物Bおよび熱硬化剤Cを含有する。また、該接着剤組成物の各種物性を改良するため、本発明の接着剤組成物に必要に応じて他の成分を配合してもよい。以下、これら各成分について具体的に説明する。アクリル重合体Aアクリル重合体Aとしては、ガラス転移温度以下において、Tgと記載することがある。が、-30°C以下であり、好ましくは-35°C以下のアクリル重合体が用いられる。アクリル重合体AのTgを-30°C以下とすることで、後述する接着シートにおける基材以下において基材と記載することがある。と接着剤層との密着力が適切に制御できるため、ピックアップ適性とパッケージ信頼性がいずれも良好な接着シートを提供することができる。アクリル重合体AのTgが-30°Cを超えると、基材と接着剤層との密着力不足によりチップ浮き、またはチップ飛びを起こすことがある。アクリル重合体AのTgの下限値は現在までの評価では明確になっていないが、原理的にアクリル重合体Aを構成するモノマーの単独重合体ホモポリマーのTg以下にすることは不可能である。例えば、代表的な低Tgホモポリマーであるとされる2-エチルヘキシルアクリレート単独重合体のTgは-70°Cである。実務上、単独重合体を用いることは少なく、官能基を持つ複数のモノマーの共重合体を用いることが多い。つまり、本発明に用いるアクリル重合体AのTgの下限値は、アクリル重合体Aを構成するモノマーの組合せを考え、-60°C程度になると予想できる。アクリル重合体AのTg理論Tgは、アクリル重合体Aを構成するモノマーの単独重合体のTgに基づき、以下の計算式FOXの式で求められる。アクリル重合体AのTgをTgcopolymer、アクリル重合体Aを構成するモノマーXの単独重合体のTgをTgx、モノマーYの単独重合体のTgをTgy、モノマーXのモル分率をWxmol、モノマーYのモル分率をWymolとして、FOXの式は以下の式1で表される。100/Tgcopolymer=Wx/TgxWy/Tgy1さらにFOXの式は、アクリル重合体Aが3つ以上のモノマーによる共重合組成となっても、上式1と同様の加成性が成り立つものとして扱うことができる。参考までに、アクリル重合体Aを構成するモノマーとして、代表的なモノマーとその単独重合体のTgを表1に示す。アクリル重合体Aの重量平均分子量は、好ましくは500000~1400000であり、より好ましくは800000~1350000である。アクリル重合体Aの重量平均分子量を上記範囲とすることで、基材と接着剤組成物との密着力を充分に保つことができる。アクリル重合体Aの重量平均分子量が50万未満であると、基材と接着剤組成物との剥離力が高くなってピックアップ不良が起こることがあり、140万を超えると基板凹凸へ接着剤層が追従できないことがありボイドなどの発生要因になることがある。アクリル重合体Aの重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPC法により測定されるポリスチレン換算値であり、その測定条件は実施例に記載のとおりである。アクリル重合体Aを構成するモノマー原料モノマーとしては、メタアクリル酸エステルモノマーあるいはその誘導体が挙げられる。具体例としては、メチルメタアクリレート、エチルメタアクリレート、プロピルメタアクリレート、ブチルメタアクリレート、2-エチルヘキシルメタアクリレートなどのアルキル基の炭素数が1~18であるメタアクリル酸アルキルエステル;シクロアルキルメタアクリレート、ベンジルメタアクリレート、イソボルニルメタアクリレート、ジシクロペンタニルメタアクリレート、ジシクロペンテニルメタアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルメタアクリレート、イミドメタアクリレートなどの環状骨格を有するメタアクリル酸エステル;ヒドロキシメチルメタアクリレート、2-ヒドロキシエチルメタアクリレート、2-ヒドロキシプロピルメタアクリレートなどの水酸基含有メタアクリル酸エステル;グリシジルメタアクリレートなどのエポキシ基含有メタアクリル酸エステル;が挙げられる。また、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸などを用いてもよい。これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらの中では、アクリル重合体Aを構成するモノマーとしては、エポキシ系熱硬化性化合物Bとの相溶性が良いアクリル重合体が得られることから、少なくとも水酸基含有メタアクリル酸エステルを用いることが好ましい。この場合、アクリル重合体Aにおいて、水酸基含有メタアクリル酸エステルに由来する構成単位は、1~30質量の範囲で含まれることが好ましく、3~20質量の範囲で含まれることがより好ましい。また、上記メタアクリル酸エステルおよびその誘導体などと共に、本発明の目的を損なわない範囲で、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレンなどを原料モノマーとして用いてもよい。アクリル重合体Aは、上記原料モノマーを用いて、得られる重合体のTgが上記範囲となるよう設定すれば、従来公知の方法に従って製造することができる。本発明の接着剤組成物において、アクリル重合体Aの含有量は、接着剤組成物100質量部中に、5~15質量部である。アクリル重合体Aの含有量が上記範囲を下回ると、チップを保持する成分が少なくなることからダイシング時にチップを保持できないことがある。また、アクリル重合体Aの含有量が上記範囲より上回ると、接着剤組成物中のエポキシ系熱硬化性化合物Bの割合が相対的に低くなり、三次元架橋構造に寄与する成分の割合が低くなることから、半導体パッケージの信頼性が低下することがある。エポキシ系熱硬化性化合物Bエポキシ系熱硬化性化合物Bとしては、従来公知の種々のエポキシ樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素変性エポキシ樹脂や、これらのハロゲン化物などの構造単位中に2つ以上の官能基が含まれるエポキシ樹脂が挙げられる。エポキシ樹脂のエポキシ当量は特に限定されないが、150~250g/eqであることが好ましい。エポキシ当量は、JISK7236:2009に準じて測定される値である。これらのエポキシ樹脂は1種単独で用いてもよく、2種類以上を併用してもよい。本発明の接着剤組成物において、エポキシ系熱硬化性化合物Bの含有量は、アクリル重合体A100質量部に対して、通常は1~1500質量部、好ましくは3~1000質量部である。エポキシ系熱硬化性化合物Bの含有量が上記範囲より下回ると、充分な接着力を有する接着剤層が得られないことがある。また、エポキシ系熱硬化性化合物Bの含有量が上記範囲より上回ると、接着剤層と基材との密着力が高くなり過ぎ、チップのピックアップ不良が起こることがある。熱硬化剤C熱硬化剤Cは、エポキシ系熱硬化性化合物Bに対する熱硬化剤として機能する。熱硬化剤Cとしては、エポキシ基と反応しうる官能基を分子中に2個以上有する化合物が挙げられ、その官能基としてはフェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基、酸無水物基などが挙げられる。これらの中では、フェノール性水酸基、アミノ基および酸無水物基が好ましく、フェノール性水酸基およびアミノ基がより好ましい。熱硬化剤Cの具体例としては、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、多官能系フェノール樹脂、アラルキルフェノール樹脂などのフェノール性熱硬化剤;DICYジシアンジアミドなどのアミン系熱硬化剤が挙げられる。熱硬化剤Cは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。本発明の接着剤組成物において、熱硬化剤Cの含有量は、エポキシ系熱硬化性化合物B100質量部に対して、通常は0.1~500質量部、好ましくは1~200質量部である。熱硬化剤Cの含有量が上記範囲より下回ると、接着剤組成物の硬化性が不足して充分な接着力を有する接着剤層が得られないことがある。熱硬化剤Cの含有量が上記範囲より上回ると、接着剤組成物の吸湿率が高まり、半導体パッケージの信頼性が低下することがある。その他の成分本発明の接着剤組成物は、上記成分に加えて下記成分を含むことができる。エネルギー線硬化性化合物D半導体ウエハなどのダイシング前に、エネルギー線硬化性化合物Dをエネルギー線照射によって重合させることで、ダイシング時の接着剤層の弾性率を適切な範囲に調整すること、およびダイシング後の接着剤層の再密着を防止することができる。また、エネルギー線硬化性化合物Dをエネルギー線照射によって重合させることで、ダイシング適性などの工程適性を損なわない範囲で基材と接着剤層との密着力を低下させることができる。このため、半導体チップのピックアップ工程において、基材と接着剤層との層間剥離を容易に行えるようになる。エネルギー線硬化性化合物Dは、紫外線や電子線などのエネルギー線の照射を受けると重合硬化する化合物である。エネルギー線硬化性化合物Dとしては、分子内に1つ以上のエネルギー線重合性二重結合を有する化合物、例えばアクリレート系化合物が挙げられる。アクリレート系化合物としては、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、1,4-ブチレングリコールジアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレート系オリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレート、イタコン酸オリゴマー、ジシクロペンタジエン骨格含有多官能アクリレートなどが挙げられる。エネルギー線硬化性化合物Dの分子量オリゴマーまたはポリマーの場合は重量平均分子量は、通常は100~30000、好ましくは200~9000程度である。本発明の接着剤組成物において、エネルギー線硬化性化合物Dの含有量は、アクリル重合体A100質量部に対して、通常1~400質量部、好ましくは3~300質量部、より好ましくは10~200質量部である。エネルギー線硬化性化合物Dの含有量が上記範囲より上回ると、有機基板やリードフレームなどに対する接着剤層の接着力が低下することがある。硬化促進剤E本発明において、接着剤組成物の硬化速度を調整するため、硬化促進剤Eを用いてもよい。硬化促進剤Eとしては、エポキシ系熱硬化性化合物Bのエポキシ基と熱硬化剤Cのフェノール性水酸基などとの反応を促進し得る化合物が挙げられ、具体的には、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリスジメチルアミノメチルフェノールなどの3級アミン類;2-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール類;トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィンなどの有機ホスフィン類;テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレートなどのテトラフェニルボロン塩などが挙げられる。硬化促進剤Eは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。本発明の接着剤組成物において、硬化促進剤Eの含有量は、エポキシ系熱硬化性化合物Bおよび熱硬化剤Cの合計100質量部に対して、好ましくは0.001~100質量部、より好ましくは0.01~50質量部、さらに好ましくは0.1~10質量部である。光重合開始剤F接着剤組成物が、前述したエネルギー線硬化性化合物Dを含有する場合には、その使用に際して、紫外線等のエネルギー線を照射して、エネルギー線硬化性化合物を硬化させる。この際、該組成物中に光重合開始剤Fを含有させることで、重合硬化時間ならびに光線照射量を少なくすることができる。光重合開始剤Fとしては、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、2,4-ジエチルチオキサンソン、1-ヒドロキシ-シクロヘキシル-フェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、1,2-ジフェニルメタン、2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、β-クロールアンスラキノンなどが挙げられる。光重合開始剤Fは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。本発明の接着剤組成物において、光重合開始剤Fの含有量は、エネルギー線硬化性化合物D100質量部に対して、通常は0.1~10質量部、好ましくは1~5質量部である。光重合開始剤Fの含有量が上記範囲より下回ると光重合の不足で満足なピックアップ性が得られないことがあり、上記範囲より上回ると光重合に寄与しない残留物が生成し、接着剤組成物の硬化性が不充分となることがある。カップリング剤G本発明において、接着剤組成物の被着体に対する接着力および密着力を向上させるため、カップリング剤Gを用いてもよい。カップリング剤Gを使用することで、接着剤組成物を硬化して得られる硬化物の耐熱性を損なうことなく、その耐水性を向上させることができる。カップリング剤Gとしては、アクリル重合体Aやエポキシ系熱硬化性化合物Bなどが有する官能基と反応する基を有する化合物が好ましく使用される。カップリング剤Gとしては、シランカップリング剤が好ましい。シランカップリング剤としては、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、γ-メタクリロプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-6-アミノエチル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-6-アミノエチル-γ-アミノプロピルメチルジエトキシシラン、N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス3-トリエトキシシリルプロピルテトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシランなどが挙げられる。シランカップリング剤は1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。本発明の接着剤組成物において、カップリング剤Gの含有量は、アクリル重合体Aおよびエポキシ系熱硬化性化合物Bの合計100質量部に対して、通常は0.1~20質量部である。カップリング剤Gの含有量が上記範囲より下回ると上記効果が得られないことがあり、上記範囲より上回るとアウトガスの原因となることある。無機充填材H本発明において、無機充填材Hを用いてもよい。無機充填材Hを接着剤組成物に配合することにより、該組成物の熱膨張係数を調整することが可能となる。半導体チップ、リードフレームおよび有機基板に対して硬化後の接着剤層の熱膨張係数を最適化することで、パッケージ信頼性をより向上させることができる。また、接着剤層の硬化後の吸湿率をより低減することも可能となる。無機充填材Hとしては、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化珪素、窒化ホウ素等の粉末、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維、ガラス繊維などが挙げられる。これらの中でも、シリカフィラーおよびアルミナフィラーが好ましい。無機充填材Hは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。本発明の接着剤組成物において、無機充填材Hの含有量は、接着剤組成物の固形分換算の総質量に対して、通常は0~80質量である。本発明の接着剤組成物には、上記各成分の他に、必要に応じて各種添加剤が含有されてもよい。各種添加剤としては、可とう性成分、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、顔料、染料などが挙げられる。本発明の接着剤組成物は、接着性例えば感圧接着性と加熱硬化性とを有し、未硬化状態では各種被着体を一時的に保持する機能を有する。特に、上記接着剤組成物から形成される接着剤層は基材との密着性に優れているため、ダイシング適性などの工程適性が良好である。また、熱硬化を経て最終的には耐衝撃性の高い硬化物を与えることができ、しかもせん断強度と剥離強度とのバランスにも優れ、厳しい熱湿条件下においても充分な接着性を保持し得る。本発明の接着剤組成物は、上記各成分を適宜の割合で混合して得られる。混合に際しては、各成分を予め溶媒で希釈しておいてもよく、また混合時に溶媒を加えてもよい。本発明の接着剤組成物は、いわゆるダイシングシート、ダイボンディングシート、ダイシングダイボンディングシート、特にダイシングダイボンディングシートを構成する接着剤層の形成材料として、好適に用いるができる。接着シート本発明の接着シートは、上記接着剤組成物から形成された接着剤層を有し、通常は、該接着剤層は基材上に形成される。本発明の接着シートの形状は、テープ状、ラベル状などあらゆる形状をとり得る。接着シートの基材としては、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレンメタアクリル酸共重合体フィルム、エチレンメタアクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルムなどの透明フィルム;該透明フィルムを着色した着色透明フィルムまたは着色不透明フィルム;これらの架橋フィルムや積層フィルムなどが挙げられる。本発明の接着シートは、その使用に際して、基材側から紫外線などのエネルギー線照射を行う場合には、上記基材はエネルギー線に対して透明であることが好ましい。また、通常は、本発明の接着シートは半導体ウエハなどの被着体に貼付され、被着体に所要の加工を施した後、接着剤層を被着体に固着残存させて基材から剥離する。すなわち、接着剤層を、基材から被着体に転写する工程を含むプロセスに好適に使用される。このため、基材の接着剤層に接する面の表面張力は、好ましくは40mN/m以下、さらに好ましくは37mN/m以下、特に好ましくは35mN/m以下である。下限値は通常25mN/m程度である。このような表面張力が低い基材は、材質を適宜に選択して得ることが可能であるし、また基材の表面に剥離剤を塗布して剥離処理を施すことで得ることもできる。基材の剥離処理に用いられる剥離剤としては、アルキッド系、シリコーン系、フッ素系、不飽和ポリエステル系、ポリオレフィン系、ワックス系などの剥離剤が用いられるが、特にアルキッド系、シリコーン系、フッ素系の剥離剤が耐熱性を有するので好ましい。上記剥離剤を用いて基材表面を剥離処理するためには、剥離剤をそのまま無溶剤で、または溶剤希釈やエマルション化して、1グラビアコーター、メイヤーバーコーター、エアナイフコーター、ロールコーターなどを用いて該剥離剤を基材表面に塗布して、常温硬化もしくは加熱硬化または電子線硬化させる、あるいは2ウェットラミネーション、ドライラミネーション、熱溶融ラミネーション、溶融押出ラミネーション、共押出加工などを実施することにより、基材と剥離剤からなる層との積層体を形成すればよい。基材の厚みは、通常は10~500μm、好ましくは15~300μm、特に好ましくは20~250μm程度である。接着剤層の厚みは、通常は1~500μm、好ましくは5~300μm、特に好ましくは10~150μm程度である。接着シートの製造方法は特に限定はされず、基材上に、接着剤層を構成する接着剤組成物を塗布乾燥することで製造してもよく、また接着剤層を剥離フィルム上に設け、これを上記基材に転写することで製造してもよい。なお、接着シートの使用前に、接着剤層を保護するために、接着剤層の上面に剥離フィルムを積層しておいてもよい。また、接着剤層の表面外周部には、リングフレームなどの他の治具を固定するために別途粘接着剤層や粘接着テープが設けられていてもよい。半導体装置の製造方法本発明の接着シートの利用方法について、該接着シートを半導体装置例えば半導体パッケージの製造に適用した場合を例にとって説明する。半導体装置の製造方法は、上記接着シートの接着剤層に半導体ウエハを貼着し、該半導体ウエハをダイシングして半導体チップとし、該半導体チップ裏面に接着剤層を固着残存させて基材から剥離し、該半導体チップをダイパッド部上、または他の半導体チップ上に該接着剤層を介して載置する工程を含む。以下、上記半導体装置の製造方法の詳細を説明する。上記半導体装置の製造方法においては、まず、半導体ウエハの一方の面およびリングフレームを本発明の接着シートの接着剤層上に載置し、軽く押圧し、半導体ウエハを固定する。次いで、ダイシングソーなどの切断手段を用いて、上記半導体ウエハを切断し半導体チップを得る。この際の切断深さは、半導体ウエハの厚みと接着剤層の厚みとの合計およびダイシングソーの磨耗分を加味した深さにする。接着剤層にエネルギー線硬化性化合物Dを含む場合には、接着剤層に基材側からエネルギー線を照射し、接着剤層の凝集力を上げ、接着剤層と基材との間の密着力を低下させておく。照射されるエネルギー線としては、紫外線UVまたは電子線EBなどが挙げられ、好ましくは紫外線が用いられる。なお、エネルギー線照射は、半導体ウエハの貼付後~半導体チップの剥離ピックアップ前のいずれの段階で行ってもよいが、ダイシング時の接着剤層の弾性率を適切な範囲に調整する、およびダイシング後の接着剤層の再密着を防止するという観点から、ダイシングの前に行うことが好ましい。また、エネルギー線照射は複数回に分けて行ってもよい。次いで必要に応じ、接着シートのエキスパンドを行うと、半導体チップの間隔が拡張し、半導体チップのピックアップをさらに容易に行えるようになる。この際、接着剤層と基材との間にずれが発生することになり、接着剤層と基材との間の密着力が減少し、半導体チップのピックアップ性が向上する。このようにして半導体チップのピックアップを行うと、切断された接着剤層を半導体チップ裏面に固着残存させて基材から剥離することができる。次いで接着剤層を介して半導体チップを、有機基板もしくはリードフレームのダイパッド部、または、積層半導体においては下段となる他の半導体チップ下段チップ上に載置する。ダイパッド部または下段チップは、半導体チップを載置する前に加熱するか載置直後に加熱される。加熱温度は通常80~200°C、好ましくは100~180°Cであり、加熱時間は通常0.1秒~5分、好ましくは0.5秒~3分であり、載置するときの圧力は通常1kPa~200MPaである。半導体チップをダイパッド部または下段チップ上に載置した後、必要に応じさらに加熱を行ってもよい。この際の加熱条件は、上記加熱温度の範囲であって、加熱時間は通常1~180分、好ましくは10~120分である。このような工程を経ることで、接着剤層が硬化し、半導体チップとダイパッド部または下段チップとを強固に接着することができる。接着剤層はダイボンド条件下では流動化しているため、ダイパッド部または下段チップの凹凸にも充分に埋め込まれ、ボイドの発生を防止できる。すなわち、得られる実装品においては、半導体チップの固着手段である接着剤が硬化し、かつダイパッド部または下段チップの凹凸にも充分に埋め込まれた構成となるため、過酷な条件下にあっても、充分なパッケージ信頼性が達成される。なお、半導体チップを他の半導体チップ上に接着剤層を介して載置する工程を含む半導体チップ装置の製造方法には、有機基板またはリードフレームのダイパッド部上に載置された他の半導体チップ上に接着剤層を介して半導体チップを載置する工程、または有機基板またはリードフレームのダイパッド部上に載置されていない他の半導体チップ上に接着剤層を介して半導体チップを載置する工程を含む。本発明の接着剤組成物および接着シートは、上記のような使用方法の他、半導体化合物、ガラス、セラミックス、金属などの接着に使用することもできる。以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例および比較例において、各評価は以下のようにして行った。1半導体チップの製造ドライポリッシュしたシリコンウエハ200mm径、厚み100μmの研磨面に、実施例または比較例で得られた接着シートをテープマウンターリンテック社製、AdwillRAD2500により貼付し、同時にウエハダイシング用リングフレームに固定した。次に、接着シートの貼付されたシリコンウエハを、ダイシング装置DISCO社製、DFD651を使用して8mm×8mmのチップサイズにダイシングし、接着剤層を有する半導体チップ接着剤層付き半導体チップを得た。ダイシングの際の切り込み量は、基材を20μm切り込むようにした。<チップ浮きチップ飛び評価>5枚のシリコンウエハをダイシングし、得られた接着剤層付き半導体チップについてチップ浮きチップ飛びを目視確認した。チップ浮きチップ飛びが観察されなかったシリコンウエハの数良品数を数えた。結果を表3に示す良品数/試験枚数。<ピックアップ適性評価>1枚のシリコンウエハをダイシングし、ダイボンダーキャノンマシナリー製:BESTEMDO2を用いてエキスパンドした。次いで、プッシュプルゲージを用いて、引っ張り時における接着剤層付き半導体チップのピックアップ強度N/8mm□を測定した。なお、ピックアップ強度は、サンプル10個の平均値とした。ピックアップ強度が大きすぎると半導体チップのピックアップが困難となり、ピックアップ強度が小さすぎると、ピックアップ時に周辺の半導体チップが傾いたり剥がれてしまうことがある。ピックアップ強度が4.0~9.5N/8mm□の場合を良好とし、それ以外を不良と評価した。結果を表3に示す。2半導体パッケージの製造基板として、芯材100μm厚2層品に18μm厚の銅箔を有するもの三菱ガス化学社製、商品名:BTレジンCCLHL832HSに回路パターンが形成され、その上にソルダーレジスト太陽インキ社製、商品名:PSR4000AUS303を塗布したBT基板株式会社日立超LSI製を用いた。ダイボンダーキャノンマシナリー製:BESTEMDO2を用いて、上記1で得られた接着剤層付き半導体チップ8mm×8mmを基材から取り上げ、接着シートの接着剤層を介して、120°C、250gf、0.5秒間の条件で基板上に半導体チップを圧着し、120°C/30分、続いて140°C/30分の条件で加熱し、接着剤層を熱硬化させた。次に、モールド樹脂京セラケミカル株式会社製KEG1250で封止厚400μmになるように、上記半導体チップを封止した封止装置:アピックヤマダ株式会社製MPC06MTrialPress。その後、175°Cで5時間かけてモールド樹脂を硬化させた。次に、封止した基板をダイシングテープリンテック株式会社製AdwillD510Tに貼付して、ダイシング装置DISCO社製、DFD651を使用して12mm×12mmサイズにダイシングすることで、信頼性評価用の半導体パッケージを得た。<信頼性評価>得られた半導体パッケージを、85°C、60RH条件下に168時間放置して吸湿させた後、最高温度260°C、加熱時間1分間のIRリフロー条件での加熱を3回行ったリフロー炉:相模理工製WL1520DNX型。この際、接合部の浮きはがれの有無、パッケージクラック発生の有無を、走査型超音波探傷装置日立建機ファインテック製HyeFocusおよび断面観察により評価した。基板または半導体チップの接合部に面積0.5mm2以上の剥離を観察した場合を剥離していると判断し、半導体パッケージを25個試験に投入したときの接合部の浮きはがれ、パッケージクラックなどが発生していないサンプルの個数を良品数を数えた。結果を表3に示す良品数/試験個数。<ガラス転移温度>アクリル重合体Aのガラス転移温度Tgは、FOXの式により求めた。<重量平均分子量の測定方法>アクリル重合体Aの重量平均分子量は下記方法で測定した。測定方法:ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPC法標準物質:ポリスチレン標準装置:東ソー社製GELPERMEATIONCHROMATOGRAPHカラム:東ソー社製TSK-GELGMHXL7.8×300mm溶媒:テトラヒドロフラン濃度:1注入量:80μm流速:1.0ml/min実施例および比較例表2に記載の組成の接着剤組成物を使用した。表2中、各成分の数値は固形分換算の質量部を示す。表2に記載の組成の接着剤組成物をシリコーン処理された剥離フィルムリンテック製:PET381031上に乾燥後厚みが30μmになるように塗布、乾燥乾燥条件:オーブンにて100°C、1分間した後に、ポリオレフィン基材厚さ100μm、表面張力35mN/mと貼り合せて、接着剤層を基材上に転写することで、所望の接着シートを得た。表2の各材料は、下記に示すとおりである。A1アクリル重合体;n-ブチルアクリレート85質量部、および2-ヒドロキシエチルアクリレート15質量部を共重合して得られた重量平均分子量1300000の共重合体Tg=-49°CA2アクリル重合体;2-エチルヘキシルアクリレート55質量部、メチルアクリレート10質量部、グリシジルメタクリレート20質量部、および2-ヒドロキシエチルアクリレート15質量部を共重合して得られた重量平均分子量1200000の共重合体Tg=-39°CA3アクリル重合体;2-エチルヘキシルアクリレート55質量部、メチルアクリレート10質量部、グリシジルメタクリレート20質量部、および2-ヒドロキシエチルアクリレート15質量部を共重合して得られた重量平均分子量700000の共重合体Tg=-39°CA4アクリル重合体;n-ブチルアクリレート55質量部、メチルアクリレート10質量部、グリシジルメタクリレート20質量部、および2-ヒドロキシエチルアクリレート15質量部を共重合して得られる重量平均分子量900000の共重合体Tg=-28°CA5アクリル重合体;メチルアクリレート85質量部、および2-ヒドロキシエチルアクリレート15質量部を共重合して得られる重量平均分子量400000の共重合体Tg=6°CB1エポキシ系熱硬化性化合物;ビスフェノールA型エポキシ樹脂日本触媒製:BPA328、エポキシ当量235g/eqB2エポキシ系熱硬化性化合物;フェニレン骨格型エポキシ樹脂日本化薬社製:EPPN502H、エポキシ当量167g/eqC熱硬化剤;ノボラック型フェノール樹脂昭和高分子製:BRG556、フェノール性水酸基当量103g/eqDエネルギー線硬化性化合物;ジシクロペンタジエン骨格含有多官能アクリレート日本化薬製:KAYARADR684、分子量336E硬化促進剤;2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール四国化成工業社製キュアゾール2PHZPWF光重合開始剤;1-ヒドロキシ-シクロヘキシル-フェニルケトンチバスペシャリティケミカルズ社製:イルガキュア184Gカップリング剤;3-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン信越化学社製:KBE403上記結果から、本発明の接着シートは、チップ浮きやチップ飛びを防止すると共に、良好なピックアップ適性を有する。また、本発明の接着シートを用いることで、信頼性評価が良好な半導体パッケージを得ることができる。"