単層構造又は2層以上の積層構造の、ポリイミド樹脂層を含む絶縁ユニット層からなる絶縁体に対してウエットエッチングを行い、100°C以上で熱処理することを特徴とする絶縁体の製造方法。前記熱処理は、100°C以上380°C以下で行う請求項1記載の絶縁体の製造方法。前記熱処理は0.01秒以上且つ30分以内で行う請求項1又は2記載の絶縁体の製造方法。前記熱処理は不活性雰囲気下又は気圧が102Torr以下の減圧条件下で行う請求項1乃至3の何れか1項記載の絶縁体の製造方法。前記絶縁ユニット層の少なくとも一層が線熱膨張率30ppm/°C以下の低膨張性ポリイミドである請求項1乃至4の何れか1項記載の絶縁体の製造方法。前記絶縁ユニット層が、接着性ポリイミド-線熱膨張率30ppm/°C以下の低膨張性ポリイミド-接着性ポリイミドからなる層構成である請求項1乃至5の何れか1項記載の絶縁体の製造方法。前記ウエットエッチングがpH7.0を超えるエッチング液で行われたものである請求項1乃至6の何れか1項記載の絶縁体の製造方法。請求項1乃至7の何れか1項に記載の絶縁体の製造方法により得られた絶縁体を無機物層に貼り付けることを特徴とする積層体の製造方法。第1無機物層-絶縁層-第2無機物層、又は、無機物層-絶縁層からなる層構成の積層体であり、且つ、該第1無機物層及び/又は該第2無機物層、或いは該無機物層の一部が除去されて絶縁層が露出した積層体に対して、ウエットエッチングすることにより該積層体における絶縁層をパターニングし、該パターニングされた絶縁層に対して100°C以上で熱処理する積層体の製造方法であって、該絶縁層は、単層構造又は2層以上の積層構造のポリイミド樹脂層を含む絶縁ユニット層からなる絶縁体であることを特徴とする積層体の製造方法。前記熱処理は、100°C以上380°C以下で行う請求項9記載の積層体の製造方法。前記熱処理は0.01秒以上且つ30分以内で行う請求項9又は10記載の積層体の製造方法。前記熱処理は不活性雰囲気下又は気圧が102Torr以下の減圧条件下で行う請求項9乃至11の何れか1項記載の積層体の製造方法。前記絶縁ユニット層の少なくとも一層が線熱膨張率30ppm/°C以下の低膨張性ポリイミドである請求項9乃至12の何れか1項記載の積層体の製造方法。前記絶縁ユニット層が、接着性ポリイミド-線熱膨張率30ppm/°C以下の低膨張性ポリイミド-接着性ポリイミドからなる層構成である請求項9乃至13の何れか1項記載の積層体の製造方法。前記ウエットエッチングがpH7.0を超えるエッチング液で行われたものである請求項9乃至14の何れか1項記載の積層体の製造方法。前記第1無機物層、第2無機物層及び無機物層が、銅である請求項9乃至15の何れか1項記載の積層体の製造方法。前記第1無機物層、第2無機物層及び無機物層が、合金銅である請求項9乃至15の何れか1項記載の積層体の製造方法。前記第1無機物層、第2無機物層及び無機物層が、ステンレスである請求項9乃至15の何れか1項記載の積層体の製造方法。前記第1無機物層及び第2無機物層のうち一層がステンレスであり、その他の層が銅である請求項9乃至15の何れか1項記載の積層体の製造方法。前記第1無機物層及び第2無機物層のうち一層がステンレスであり、その他の層が合金銅である請求項9乃至15の何れか1項記載の積層体の製造方法。前記積層体が電子回路部品用である請求項9乃至20の何れか1項記載の積層体の製造方法。前記積層体がハードディスクドライブ用ワイヤレスサスペンション用である請求項9乃至20記載の積層体の製造方法。上記のような厳しいスペックを満たす電子回路部品における低膨張性の絶縁層コア絶縁層と金属層との接着に用いられる接着性絶縁層は高度の絶縁信頼性を確保する必要性からポリイミド系樹脂が用いられている。ポリイミド系樹脂に接着性を持たせる為には、熱可塑性を与えるのが一般的ではあるが、熱可塑性を与えるような柔軟な構造をポリイミド骨格内に導入すると耐薬品性が強くなるものが多い。したがって、このような接着性を持たせたポリイミド樹脂はウエットプロセスにおけるエッチング適性が劣る傾向となり、コア絶縁層に比べてウェットプロセスでエッチングしにくいという理由から、プラズマやレーザーを用いたドライプロセスで絶縁層のエッチングを一括して行なっている。ドライプロセスは被処理物に対して一般的に枚様毎の処理枚様式がなされるため、生産性が悪く、また装置も高価なため生産コストが非常に高くなってしまう欠点がある。一方、ウエットプロセスは、長尺物に対して連続処理にてエッチングが可能であるため生産性が高く、装置コストも安いというメリットがあるる。しかしながら、ワイヤレスサスペンションにおいては、コア絶縁層はエッチングされやすいが、接着性絶縁層がエッチングされにくいため、接着性絶縁層が張り出したようになって残り、エッチング形状がきれいにならず、エッチングムラが発生し、ワイヤレスサスペンションの使用中に発塵するという問題がある。したがって、厳しいスペックが求められているワイヤレスサスペンション用の積層体に対してはウエットプロセスが実用化できる程度には実現していない。そこで、本発明は、第1無機物層-絶縁層-第2無機物層、又は、無機物層-絶縁層からなる層構成の積層体の絶縁層として存在する絶縁体をウエットエッチングしても、前記した不都合がなく、使用時に発塵が抑制された積層体の製造方法、さらに具体的には、電子回路部品用積層体の製造方法、特に、ワイヤレスサスペンション用の積層体の製造方法、並びに該積層体の製造に用いる絶縁体の製造方法を提供することを目的とする。本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、第1無機物層-絶縁層-第2無機物層、又は、無機物層-絶縁層からなる層構成の積層体の絶縁層として存在する絶縁体が、ウエットエッチングが施されても、ウエットエッチング端面に熱処理を施せば、該端面が堅固になり、発塵が抑制されることを見出した。即ち、本発明の絶縁体の製造方法は、単層構造又は2層以上の積層構造の、ポリイミド樹脂層を含む絶縁ユニット層からなる絶縁体に対してウエットエッチングを行い、100°C以上で熱処理することを特徴とする。また、本発明の積層体の製造方法は、第1無機物層-絶縁層-第2無機物層、又は、無機物層-絶縁層からなる層構成の積層体であり、且つ、該第1無機物層及び/又は該第2無機物層、或いは無機物層の一部が除去されて該絶縁層が露出した積層体に対して、ウエットエッチングすることにより該積層体における絶縁層をパターニングし、該パターニングされた絶縁層に対して100°C以上で熱処理する積層体の製造方法であって、該絶縁層は、単層構造又は2層以上の積層構造のポリイミド樹脂層を含む絶縁ユニット層からなる絶縁体であることを特徴とする。本発明の積層体の製造方法は、電子回路部品用の積層体の製造方法、特に、ハードディスクドライブ用ワイヤレスサスペンション用の積層体の製造方法として有用である。また、本発明の絶縁体の製造方法はこれらの積層体の絶縁層の製造方法として有用である。本発明においてウエットプロセスによってエッチングされる絶縁体或いは絶縁層は、ウエットエッチングした場合に良好なエッチング形状が得られる絶縁体或いは絶縁層が用いられる。例えば、絶縁体或いは絶縁層が二層以上の積層構造の絶縁ユニット層である場合には、ウエットエッチング時の各層のエッチングレートの比が6:1~1:1、好ましくは4:1~1:1の範囲内にあるものが用いられる。この範囲内のエッチングレートを持つ各絶縁ユニット層を選択すれば、絶縁体或いは絶縁層が良好なエッチング形状となる。したがって、従来、厳しいスペックが求められているワイヤレスサスペンション用の積層体でもウエットエッチングが精度良く行えるので、ドライエッチングに比べて短時間のエッチングが可能な生産性のよいウエットエッチングの適用が可能になる。本発明による熱処理された絶縁体或いは絶縁層の発塵が抑制されるメカニズムは次のように考えられる。絶縁体或いは絶縁層のウエットエッチングについて、アルカリ溶液でのポリイミド系樹脂のエッチングを例にとって説明する。ウエットプロセスは、水酸化物イオンにより絶縁体或いは絶縁層におけるイミド結合その他の加水分解されやすい結合例えばエステル結合等を加水分解するものである。絶縁体或いは絶縁層がポリイミド樹脂である場合にはポリイミドが加水分解により低分子量化し、または、アミド酸となり溶解性が増しエッチング液に溶出する。一方、絶縁体或いは絶縁層のウエットプロセスによるパターニング後に、エッチング液に溶出しなかったもので長い分子鎖のうち部分的に分解されアミド酸となったり、エッチング液に溶出しないもので分子量が小さくなっているものが、パターンの端面に残存している可能性が高いと考えられる。これら、加水分解によって切断された部位は、活性が低く他の原子との反応はしにくい状態にある為、パターンの端面は、エッチング液にさらされていない部位に比べると、分子量が低く強度的にもろくなっていると考えられ、これが発塵の原因と考えられる。このようなウエットエッチング処理されてもろくなったエッチング端面に熱処理を施すと、堅固に強化される。その理由は、前記加水分解により切断されて生成した低分子量化合物中の分子鎖のアミノ基、ジカルボキシル基及びアミド酸が熱により比較的反応しやすいので、加熱によりこれらの基が反応して分子鎖同士が結合し、エッチング端面が強固になったものと考えられる。このようなメカニズムにより、本発明により熱処理された絶縁体或いは絶縁層は、部分的に脱落や剥離が起こりずらくなり、発塵が抑制される効果が生じる。本発明において、熱処理は、絶縁体或いは絶縁層の面に対してドライ状態で活性化処理するものであり、大量処理に適しているので有利である。本発明の絶縁体或いは積層体の製造方法によれば、ウエットプロセスによりパターニングされた絶縁体或いは絶縁層に、熱処理が行われているので、エッチング液に接触した絶縁体或いは絶縁層の端面は超音波照射しても発塵が抑制されており、表面が改質されている。したがって、本発明の絶縁体或いは積層体の製造方法について、電子回路部品用の積層体の製造方法に適用した場合には、発塵の少ないものとなり、ウエットプロセスを適用した電子回路部品の信頼性を高める。特に、ハードディスクドライブ用サスペンションは、エッチングにより除去される絶縁層の面積が広く、しかも微細なパターンが必要とされていることから、ウエットエッチングを適用する効果が大であるが、本発明の積層体の製造方法はウエットエッチングの信頼性を高めているので、ハードディスクドライブ用サスペンション用の積層体の製造方法に好適である。以下に本発明について具体的に説明する。本発明における、第1無機物層-絶縁層-第2無機物層、又は、無機物層-絶縁層からなる層構成の積層体の製造方法において、ウエットエッチング後のエッチング端面に対する熱処理による端面補強効果は、絶縁層が単層でも二層以上の積層体からなるものでも同様である。また、本発明における絶縁体の製造方法において、ウエットエッチング後のエッチング端面に対する熱処理による端面補強効果は、絶縁体が単層でも二層以上の積層構造からなるものでも同様である。本発明で製造する積層体における絶縁層の層構成、或いは絶縁体の層構成は、接着性絶縁層-コア絶縁層-接着性絶縁層からなる積層構造が好ましい。本発明にける絶縁層が表裏面に接着性絶縁層を計2層有し、内部に低膨張率のコア絶縁層を有するものであるならば、接着性絶縁層の厚みはコア絶縁層の1/4の厚みであることが反りの発生を抑制するので望ましい。本発明で製造する積層体における絶縁層の構成単位である絶縁ユニット層、或いは絶縁体は、通常、有機材料を用いて作製される。しかしながら、絶縁層を構成する絶縁ユニット層のうち少なくとも一層、或いは絶縁体を構成する層のうち少なくとも一層に無機材料が配合されていてもよい。該無機材料には、例えば、コロイダルシリカ、ガラス繊維、その他の無機フィラーが挙げられる。本発明で製造する積層体における絶縁層、或いは本発明で製造する絶縁体は、耐熱性及び絶縁性が優れるという観点から、少なくとも一層がポリイミド樹脂であることが好ましく、さらに好ましくは全ての層がポリイミド樹脂であることが望ましい。本発明で製造する積層体における絶縁層は、或いは本発明で製造する絶縁体は、導電性を示す無機物層主として金属層と積層されて、電子回路部品、特に、ハードディスクドライブ用サスペンションに好適に利用できる。したがって、該電子回路部品の反り防止の観点から、絶縁層は低膨張性の絶縁体、特にポリイミド樹脂の層を有することが好ましく、その熱膨張率は積層される無機物とほぼ同等の値であることが反り防止に好ましい。この場合の低膨張性とは、熱膨張率が30ppm/°C以下の物質のことをいう。さらに好ましくは、絶縁層を構成する少なくとも1つの絶縁ユニット層の線熱膨張率と前記無機物層の線熱膨張率との差異が15ppm/°C以内であることが望ましい。該線熱膨張率を持つ樹脂には、例えば、低膨張性ポリイミドが好ましく用いられる。本発明の積層体の製造方法、或いは絶縁体の製造方法における、接着性絶縁層として用いられる樹脂には、好ましくは被着体との密着力が100g/cm以上の接着性ポリイミドが挙げられるが、同様な接着性、及び耐熱性や絶縁性が良好な樹脂であれば特に限定されず、イミド結合の有無によらない。このような絶縁層には主に熱可塑性ポリイミドが用いられるが特に限定されない。また、該絶縁層は被着体との接着性の相性により発現する密着力が異なる場合があるので、被着体の種類が異なる場合や、被着体と接着されてなる積層体に要求される特性に応じて、接着性ポリイミドを適宜選択する必要がある。したがって、絶縁層の表裏面にそれぞれ種類の異なった無機物層が積層される場合には、各無機物層に接する各接着性絶縁層の材料として必ずしも同一の組成の接着性ポリイミドを用いる必要はない。本発明の積層体の製造方法における絶縁層、或いは絶縁体を構成する各層は、実用上問題ない範囲の強度を保てれば、どのような分子量でも良い。特に、重量平均分子量が、その分子構造にもよるが一般に6000以上500000以下が好ましい。特に好ましくは8000以上100000以下である。分子量が500000以上であると、均一な塗膜を得難く、6000以下では成膜性が悪く均一な接着性の塗膜が得られにくい。なおこの分子量の範囲は、もともと高分子の樹脂を用いて絶縁層を構成した場合の分子量の範囲を規定するものであり、低分子材料を用いて層を形成し、その後、熱処理等によって高分子量化させるような手段で作製された絶縁層に関しては、適用されない。また、本発明の絶縁体は溶液の状態で塗布により成形されてもよいし、別な方法、例えば、独立したフィルム形態のものを用いてもよい。さらに、前駆体やその誘導体の状態で成形後に処理を行うことにより所望の化学構造にしてもよい。本発明で製造される積層体における絶縁体としての絶縁層、或いは本発明で製造される絶縁体が、電子回路部品に適用される場合には、該電子回路部品の積層材料の層構成は、第1無機物層-絶縁層-第2無機物層、又は、無機物層-絶縁層からなる。その積層体の製造方法は無機物に直接、絶縁体となる材料の溶液を1層以上塗布積層することにより絶縁層を成形し、さらにもう一方の無機物を積層後、熱圧着することにより作製する方法キャスト法でも、予め用意されたコア絶縁フィルムに接着性絶縁層を形成し、その上下に無機物を積層し熱圧着して作製する方法フィルム法または、接着性絶縁層をフィルム上に形成後、蒸着やスパッタめっき等で無機物層を形成する方法等、最終的な積層体の層構成さえ同じであれば、その作製方法は特に限定するものではない。本発明の積層体の製造方法における、無機物層の無機物とは広く有機物ではないものを指し、たとえば、金属や金属酸化物、単結晶シリコンやそれを加工した半導体製品等が挙げられる。特に、本発明で製造する積層体がハードディスクドライブ用サスペンションに適用される場合、無機物層にはバネとしての特性が必要なことからステンレス等の高弾性な金属と配線となる銅箔や合金銅箔との積層が好ましい。本発明の積層体の製造方法において、絶縁層はウエットエッチングされるものであり、積層体としたときにいかなる無機物層と積層されていようとも、使用時に発塵が抑制されれば、該絶縁層と積層する無機物層の種類は特に限定されない。本発明の積層体の製造方法、或いは絶縁体の製造方法における、絶縁層或いは絶縁体のウエットエッチングは、絶縁層或いは絶縁体と無機物層とで積層体を形成した後に、ウエットエッチングを行っても良いし、積層前にウエットエッチングを行っても良い。本発明のウエットエッチングされた絶縁層或いは絶縁体には次のような態様が挙げられる。1絶縁フィルムの両面に対して、配線を形成した基板となる無機物層を接着した後、絶縁フィルムのウエットエッチングを行う。2無機物層の基板上に配線を形成した後に、絶縁フィルムを接着し、その後、絶縁フィルム表面上に無機物層を貼り付け、無機物層と絶縁フィルムをウエットエッチングする。3予めウエットエッチングした絶縁フィルムを無機物層へ貼り付ける。本発明におけるウエットエッチングは、絶縁層がポリイミドである場合には、通常、pH7.0を超えるエッチング液で行われる。用いるエッチング液としては、ポリイミドをウエットエッチングする場合を例にとると特開平10-97081号公報に開示されるようなアルカリ-アミン系エッチング液等が挙げられ、好適に利用できるが、特に限定されない。具体的には、アルカリ性の水溶液であることが望ましく、好ましくはpHが9以上、さらに好ましくは11以上の塩基性薬液を用いることがよい。また、有機系のアルカリでもよいし無機系のアルカリでもよく、更にその2種の混合形でもよい。本発明者らはワイヤレスサスペンション用等の高精密度電子回路部品用の第1金属層-絶縁層-第2金属層、又は、金属層-絶縁層からなる層構成の積層体における、絶縁層を構成するコア絶縁層と接着性絶縁層各1層の厚みの最大比が4:1であるところに着目し、コア絶縁層のエッチングレートの1/4のエッチングレートを持つ接着性絶縁層であれば、同じ時間でエッチングされる為、良好な形状を得られると仮説を立て、実験によりこれを証明した。絶縁層を構成する各絶縁ユニット層のエッチングレートの大きいものと小さいものとの比が、6:1乃至1:1の範囲内、好ましくは4:1~1:1の範囲内であれば、ウエットプロセスにおいても絶縁層全体のエッチングが均一に進行しエッチング形状の良好なものが得られる。ウエットエッチングを行う温度は実質的に何度でも良く、エッチャントがエッチャントとして性能を発揮する温度であればよい。特にエッチャントが水溶液であれば、0°C~110°Cの間が好ましく、温度が低いと一般にエッチングレートが遅くなるため、また、温度が高いと沸騰したりして作業性が良くないので、30°C~90°Cの範囲であるのがより好ましい。さらに好ましくは成分の蒸発等によるエッチャント組成の変化を押さえ、且つ、エッチング時間を短縮させるために、50°C~90°Cでウエットエッチングを行うのが良い。本発明の積層体の製造方法における絶縁層に適用される熱処理、或いは絶縁体の製造方法に適用される熱処理とは一般の脱水反応が進行する温度であることが好ましく、具体的には100°C以上が好ましい、また、生産性の観点から熱処理に要する時間を短くする為に、180°C以上で行うのがさらに好ましい。また、ポリイミドの分解を避ける為に380°C以下で熱処理を行うのが好ましい。300°C以上の高温で長時間熱処理を空気中で行うと、ポリイミドがかえって劣化を起こしパーティクルの発生が大きくなる場合もある。熱処理時間は、処理温度に応じて0.01秒から30分の間で適宜調整できる。0.01秒より短い時間だと熱処理の硬化が発現せず30分以上だと生産性が非常に低下する。熱処理の方法には、オーブンに投入する方法、熱風が出ているノズルの下を通す方法、ホットプレート上に載置したり、ホットプレート上を移動させる方法等が挙げられるが特に限定されない。本発明の積層体或いは絶縁体を電子部材に適用する場合は、配線や基板を腐食させない為に、不活性雰囲気下で熱処理を行うのが好ましく、或いは、気圧が102Torr以下の減圧条件で熱処理を行っても不活性雰囲気下での熱処理と同等の結果が得られるので好ましい。電子回路部品電子回路部品の形成は、一般的には以下の方法で行うことができる。回路を形成したい側の積層体第1無機物層-絶縁層-第2無機物層、又は、無機物層-絶縁層の導電性無機物層表面に感光性樹脂層を塗布又はラミネートによって形成する。形成された感光性樹脂層上に、所望のパターンの像が描かれたマスクを密着させ感光性樹脂が感度を持つ波長の電磁波を照射する。所定の現像液でポジ型感光性樹脂であれば感光部を、ネガ型感光性樹脂であれば未露光部を溶出させ、所望の回路の像を無機物層上に形成する。この状態のものを塩化第二鉄水溶液のような金属を溶解させる溶液に浸漬又は、溶液を基板に噴霧することで露出している金属を溶出させた後に、所定の剥離液で感光性樹脂を剥離し回路とする。次いで、該金属表面に形成した回路上に同様にして所望のパターンの像が描かれたマスクを密着させウエットプロセスで絶縁層をパターニングする。次いで、パターニングされた絶縁層に対して、熱処理を行う。本発明で製造さる積層体或いは絶縁体が適用できる電子回路部品には、例えば、フレキシブルプリント基板等の配線盤、CSPチップスケールパッケージ等の半導体関連部品、トナージェットプリンタのノズル等のデバイス、特に、ハードディスクドライブ用サスペンションが挙げられる。エッチング性試験銅側の接着性絶縁層に使用する熱可塑性ポリイミドA、SUS側の接着性絶縁層に使用する熱可塑性ポリイミドBと、コア絶縁層に使用する低膨張性ポリイミドを用意した。エッチング試験に用いたエッチング液は、東レエンジニアリング株式会社製アルカリ-アミン系ポリイミドエッチング液TPE-3000商品名を用意した。それらの各樹脂をそれぞれ、15cm×15cmの大きさの膜厚の20μmのSUS304箔上にバーコートで膜厚20μm~40μmにコーティングし、熱処理を加えることで、SUS上に各ポリイミド膜を作製した。それらの塗布物を長さ約1.5cm、幅約2cmに切り出し、中心部にカッターナイフで傷をつけた後に、膜厚を触針式膜厚計デックタックにて測定し、初期の膜厚とした。その後、80°Cに調節されたマグネチックスターラーにて渦ができる程度に撹拌されたポリイミドエッチング液をTPE-3000に、浸漬し時間毎に初期膜厚を測定した場所と同じ場所の膜厚をデックタックにて測定し、初期の膜厚から浸漬後の膜厚を差し引いたものを、膜減り量とし、エッチングレートを求めた。その結果を下記の表1に示す。上記各ポリイミドを用いてSUS304H-TA箔商品名、新日本製鉄株製、厚さ20μm-熱可塑性ポリイミドB厚み1.5μm-低膨張性ポリイミド厚み14.5μm-熱可塑性ポリイミドA厚み1.5μm-圧延銅箔C7025商品名、オーリン社製、厚さ18μmからなる層構成の積層体を作製し、以下の実験に用いた。発塵性評価前記積層体を、SUS側をマスクして、塩化第二鉄溶液に浸積し、銅箔をエッチングした。このようにして露出させた接着層面に厚み50μmのアルカリ現像型ドライフィルムレジストを熱ラミネーターにより、6.5m/minの速さで、ロールの表面の温度105°Cで、2~4Kg/cmの線圧でラミネート後、15分間室温で放置した。その後、所定のマスクを用いて密着露光機で100mJ/cm2露光した。室温で15分間放置後、Na2CO31重量水溶液で、30°C、スプレー圧2Kgで40秒間ドライフィルムレジストを現像した。その後、乾燥し、70°Cでマグネチックスターラーで渦ができるほど攪拌したポリイミド用エッチング液TPE-3000商品名、東レエンジニアリング社製に浸積し、マスクの形状にきれいにポリイミド膜が除去された時点で、取り出し、50°Cの3重量NaOH水溶液で、スプレー圧1Kgでドライフィルムレジストを剥離して絶縁層を作製した。このようにして得られた絶縁層をタバイエスペック社製クリーンオーブンに200°Cで10分間投入して熱処理を行い、その前後のサンプル熱処理前をサンプルA、熱処理後をサンプルBとするについて以下の手順で、発塵量を測定した。予めろ過した蒸留水以下ブランクとする及び十分に洗浄したビーカー、ピンセットを準備した。上記工程で得られた各サンプルから無作為に選んだ絶縁層各4パターン分を、ビーカーに入れ、一定量のブランクを注ぎ、超音波照射装置内に置き、超音波を1分間照射した抽出。超音波照射後、装置からビーカーを取出し、サンプルをピンセットで取り出した。取り出した後の抽出液30mlを、HIAC/ROYCO社製液体用自動微粒子測定装置、吸引方式セミオートサンプリング装置、レーザーダイオード光遮断方式センサを装備した測定装置にセットし、パーティクル量を測定した。サンプルを入れずに同様の測定を行った結果をブランク値とした。測定装置の洗浄は測定毎に行った。測定値からブランク値を差し引いたものをサンプル測定結果とした。測定は、一つのサンプルあたり5回行い、その平均値を最終測定結果とした。上記のようにして得られた熱処理前サンプルAと熱処理後サンプルBの測定値を下記の表2に示す。各サンプル欄のパーティクル量は4パターンの平均を示す。表2によれば、熱処理を行ったサンプルBの方が熱処理を行わないサンプルAよりも発塵量が少ないことが分かる。