式Iの置換または非置換フェニルシクロヘキサンを、式IIの置換または非置換ビフェニルの接触水素化により、水素並びに、重量の値が乾燥した未還元触媒に基づき、NiOとして計算して30~70重量の酸素含有ニッケル化合物、ZrO2として計算して15~45重量の酸素含有ジルコニウム化合物、CuOとして計算して5~30重量の酸素含有銅化合物、MoO3として計算して01~10重量の酸素含有モリブデン化合物、および0~10重量の追加の成分、を含む触媒の存在下において製造する方法。式中、R1は水素、R2は水素もしくはフェニル、またはR1はC1~C4アルキル基、R2は水素、またはR1およびR2は同一であり、それぞれフェニルもしくは同じC1~C4アルキル基であり、式中、R1およびR2は式IIのビフェニルの2つのフェニル環のそれぞれのオルト、メタまたはパラ位に両方同時に配置される。R1およびR2がそれぞれ水素である、請求項1に記載の方法。重量の値を合計すると100重量となり、乾燥した未還元触媒に基づき、NiOとして計算して45~55重量の酸素含有ニッケル化合物、ZrO2として計算して25~35重量の酸素含有ジルコニウム化合物、CuOとして計算して13~20重量の酸素含有銅化合物、MoO3として計算して1~3重量の酸素含有モリブデン化合物、および0~5重量の追加の成分、を含む触媒を使用する、請求項1または2に記載の方法。触媒を固定層触媒の形態で使用する、請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。水素化を4~80barの範囲の絶対水素圧力下で実施する、請求項1~4のいずれか1項に記載の方法。水素化を100~180°Cの範囲の温度で実施する、請求項1~5のいずれか1項に記載の方法。接触水素化を連続式で実施する、請求項1~6のいずれか1項に記載の方法。追加の工程において、接触水素化で得られた反応生成物を蒸留により後処理し、式Iの置換または非置換フェニルシクロヘキサンを更に精製する、請求項1~7のいずれか1項に記載の方法。接触水素化からの反応生成物の蒸留による後処理を、絶対圧力が1~100mbarの範囲の減圧下において実施する、請求項8に記載の方法。接触水素化からの反応生成物の蒸留による後処理において得られ、まだ式IIのビフェニルを含む留分を、その全部またはその一部を水素化に再循環する、請求項8または9に記載の方法。水素化を90~95の式IIの置換または非置換ビフェニルが反応するように実施する、請求項1~10のいずれか1項に記載の方法。上記既存技術を考慮して、経済的に最適な条件下において、ビフェニルの水素化によるフェニルシクロヘキサンの製造を可能とする方法を提供することを本発明の目的とした。かかる方法は、プロセス工学の点で容易に扱われる方法において工業規模で実施することができ、結果として安価な触媒を使用して、高い化学収率および高い選択性にて目的生成物を得ることができなければならない。始めに述べたように、ビシクロヘキシルおよびフェニルシクロヘキサンは、蒸留による精製において純粋なフェニルシクロヘキサンの収率を下げる共沸混合物を形成するので、ビシクロヘキシルの生成は出来るだけ避けるべきである。本目的は式Iの置換または非置換フェニルシクロヘキサンを、式IIの置換または非置換ビフェニルの接触水素化により、水素並びに、重量の値が乾燥した未還元触媒に基づき、NiOとして計算して30~70重量の酸素含有ニッケル化合物、ZrO2として計算して15~45重量の酸素含有ジルコニウム化合物、CuOとして計算して5~30重量の酸素含有銅化合物、MoO3として計算して01~10重量の酸素含有モリブデン化合物、および0~10重量の追加の成分、を含む触媒の存在下において製造する方法により達成される。式中、R1は水素、R2は水素もしくはフェニル、またはR1はC1~C4アルキル基、R2は水素、またはR1およびR2は同一であり、それぞれフェニルもしくは同じC1~C4アルキル基であり、式中、R1およびR2は両方とも式IIのビフェニルの2つのフェニル環のそれぞれのオルト、メタまたはパラ位に同時に配置される。本発明の方法においては、式IIのビフェニルが、出発原料として使用される。式中、R1は水素、R2は水素もしくはフェニル、またはR1はC1~C4アルキル基、R2は水素、またはR1およびR2は同一であり、それぞれフェニルもしくは同じC1~C4アルキル基であり、式中、R1およびR2は式IIのビフェニルの2つのフェニル環のそれぞれのオルト、メタまたはパラ位に両方同時に配置される。C1~C4アルキル基はメチル、エチル、nプロピル、イソプロピル、nブチル、secブチル、tertブチルまたは2メチル1プロピルであり、メチルまたはtertブチルが好ましく、特にメチルである。式IIのビフェニルの例は、特に、である。式IIのビフェニルは非置換ビフェニル、すなわちR1およびR2がそれぞれ水素であることが好ましい。従って、本発明による方法は、上記のR1およびR2が水素、すなわち式IIaの非置換ビフェニルの接触水素化による式Iaのフェニルシクロヘキサンの製造方法であることが好ましい。本発明の方法において使用することができる式IIのビフェニルは、通常市販されており、例えば、無煙炭タールの蒸留オイルから得られる単純なビフェニルである。置換ビフェニルは、例えば当業者に知られるアリールアリールカップリング反応、例えば鈴木カップリングにより得ることができる。本発明の方法は水素の存在下および不均一系触媒の存在下で実施され、使用する不均一系触媒には、NiOとして計算して30~70重量の、好適には40~60重量の酸素含有ニッケル化合物、ZrO2として計算して15~45重量の、好適には20~40重量の酸素含有ジルコニウム化合物、CuOとして計算して5~30重量の、好適には10~25重量の酸素含有銅化合物、およびMoO3として計算して01~10重量の、好適には05~5重量の酸素含有モリブデン化合物、場合により0~10重量の、好適には0~5重量の量の追加の成分、例えばグラファイトを一緒に含むものを使用する。ここで、重量の値は、乾燥した未還元触媒に基づく。記載した濃度はそれぞれ、その他で示さない限り、触媒の触媒活性組成物に基づくものであり、本明細書の以下の記載においては、触媒の触媒活性組成物を、触媒中の触媒活性成分であるジルコニウム、ニッケル、銅およびモリブデンの、それぞれ最後に熱処理した後の水素による還元前のZrO2、NiO、CuOおよびMoO3としてそれぞれ計算した場合における質量の総和として定義する。好適な実施形態においては、本発明の方法は、重量の値を合計すると100重量となり、乾燥した未還元触媒に基づき、NiOとして計算して45~55重量の酸素含有ニッケル化合物、ZrO2として計算して25~35重量の酸素含有ジルコニウム化合物、CuOとして計算して13~20重量の酸素含有銅化合物、MoO3として計算して1~3重量の酸素含有モリブデン化合物、および0~5重量の追加の成分、を含む触媒を使用して実施される。特に、本発明では、上記に示したような重量比率において上記成分からなる触媒が好ましい。本発明の方法において使用するのに特に好適な触媒は、個々の成分それぞれにおいて選択した重量比率が乾燥した未還元触媒に基づき、合計すると100重量になるものとして、49~53重量のNiO、15~19重量のCuO、28~32重量のZrO2および1~2重量のMoO3、場合により0~3重量のグラファイトのような追加の成分を含む。このような触媒は公知であり、例えば欧州特許出願公開第0696572号に記載されているように調製することができる。本発明により使用することができる触媒は、例えば沈殿法の使用により製造することができる。例えば、これらの触媒は、微溶性である酸素含有ジルコニウム化合物のスラリーの存在下で、ニッケルおよび銅元素を含む水性の塩溶液から、無機塩基を用いてニッケルおよび銅の成分を共沈させ、その後得られた沈殿物の洗浄、乾燥、焼成により得ることができる。微溶性である酸素含有ジルコニウム化合物としては、例えば二酸化ジルコニウム、酸化ジルコニウム水和物、リン酸ジルコニウム、ホウ酸ジルコニウムおよびケイ酸ジルコニウムを使用することが可能である。微溶性であるジルコニウム化合物のスラリーは、これらの化合物を細かく粉砕した粉末を水中で強撹拌により懸濁させることにより製造することができる。これらのスラリーは、無機塩基を用いて水性のジルコニウム塩溶液から微溶性であるジルコニウム化合物を沈殿することにより得ることが好ましい。本発明により使用することができる触媒は、全ての成分の共沈により製造することが好ましい。本目的のためには、触媒成分を含む水性の塩溶液を加熱撹拌しながら、水性の無機塩基、特にアルカリ金属塩基、例えば炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウムまたは水酸化カリウムと、沈殿が完全に起こるまで混合することが好ましい。使用する塩のタイプは一般に重要ではなく、塩の水溶性が本処理において最も重要であるため、基準は、これらの比較的高濃度な塩溶液を製造するために必要な良好な水溶性である。個々の成分の塩を選択する際、望ましくない沈殿の原因となる、または錯体の形成により沈殿を難しくするかもしくは完全に沈殿を起こさせなくすることで干渉を引き起こすことのないアニオンを有する塩のみを選択することは自明であると考えられる。本発明により使用することができ、特に有利な特性を有する触媒は、触媒のジルコニウム成分の一部分を、有利には水性のジルコニウム塩溶液から、水性の無機塩基を添加することにより別途沈殿装置で沈殿させることにより得ることができる。その後、触媒のジルコニウム成分の残余を他の触媒活性成分と一緒に、得られた、好適には新たに沈殿した酸化ジルコニウム水和物上に、上記のように共沈殿物として沈殿させることができる。ここで、一般に、触媒活性組成物中のジルコニウムの全量の、10~80重量、好適には30~70重量、特には40~60重量を前もって沈殿させるのが特に好ましいことが分かる。これらの沈殿反応において得られた沈殿物は一般に化学的に不均一であり、特に上記金属の酸化物、水和した酸化物、水酸化物、炭酸塩および不溶性塩基性塩の混合物を含む。これらの沈殿物を熟成する、すなわち沈殿後に、場合により加熱または空気を通しながら、しばらくそのままにしておくと、沈殿物のろ過性に関して有利であることが判明し得る。本発明により使用することができる触媒を得るために、これらの沈殿法により得られた沈殿物を一般的なやり方で更に処理することができる。洗浄後、一般には沈殿物を80~200°C、好適には100~150°Cで乾燥し、その後焼成する。焼成は一般に300~800°C、好適には400~600°C、特には450~550°Cの範囲の温度で実施される。焼成後は、触媒をミル粉砕により特定の粒子サイズにするか、または粉砕後にグラファイトもしくはステアリン酸等の成形助剤と混合し、タブレット成形機によりプレスして成形体を得、それを加熱処理することによって、調節処理することが好ましい。一般に、ここでの温度は焼成温度に相当する。このように製造した触媒は酸素含有化合物の混合物の形態で、すなわち特に酸化物および混合酸化物として触媒活性金属を含む。このように製造した触媒は、貯蔵し、それ自体で使用することができる。本発明の方法においては、触媒として使用する前に一般にはその触媒を前還元する。しかしながら、触媒を前還元せずに使用することもでき、この場合は、その触媒はその後に、本発明による水素化の条件下において反応器中に存在する水素により還元される。前還元では、一般に、触媒を初めに窒素水素雰囲気に150~200°Cで12~20時間さらし、続いて、水素雰囲気下において200~300°Cで約24時間以下処理する。本前還元においては、一般に触媒中に存在する酸素含有金属化合物の一部を対応する金属に相当するまで還元し、それによりこれら金属が触媒の活性形態である様々な酸素化合物と共に存在することになる。一般に、本発明において使用する触媒は全てが活性である触媒の形態で使用されることが好ましい。用語全てが活性である触媒は担持触媒とは対照的に、全体が触媒活性組成物からなる触媒のことを指す。全てが活性である触媒は、粉末へと粉砕した触媒活性組成物を反応容器中に導入することにより、または、粉砕し、成形助剤と混合し、成形し、加熱処理した後の触媒活性組成物を、成形触媒体として、例えば球状、円柱状、ペレット状、環状、らせん状、押出成形等として反応器中に配置することにより使用することができる。本発明の方法の好適な実施形態においては、不均一系触媒である選択した触媒は、接触水素化、すなわち本発明の方法の水素化の工程において、固定層触媒の形態で使用される。本発明の方法を実施するためには、上記のような出発原料、すなわち式IIのビフェニルを、水素および選択した触媒と接触させる。水素は薄めない形態、一般に約999体積の純度で、または薄めた形態、すなわち窒素またはアルゴン等の不活性ガスと混合した形態で使用することができる。水素は薄めない形態で使用することが好ましい。触媒活性水素化は溶媒を添加することなく、または反応条件下で不活性である有機溶媒、例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール、ヘキサン、へプタン、シクロヘキサン等の存在下で、首尾よく実施することができる。水素化は溶媒を添加することなく実施することが好ましい。本発明の方法においては、式IIのビフェニルの水素化を1~200bar、好適には2~150bar、特に好適には4~80bar、更に特に好適には5~50barの範囲の水素圧力下で実施することができる。水素化を実施するための反応温度としては、50~250°C、好適には100~180°C、特に好適には110~160°Cの範囲の温度を選択することが好ましい。工業的な実施においては、方法は一般に、目的の反応温度および目的の圧力で、好適には外熱式固定層反応器、例えば管型反応器、オートクレーブまたはシェルアンドチューブ反応器中に通常存在する触媒に、反応させる式IIのビフェニルを供給することにより実施する。ここで、1時間で、1kgの触媒につき01~10kg、好適には01~06kg、特に好適には02~04kgの式IIのビフェニルを触媒に供給することが通常である。ここで、使用する式IIのビフェニルを、反応容器または反応器に投入する前に、好適には反応温度へと加熱するのが有利であり得る。反応器は上向流モードまたは下向流モードで操作することができ、すなわち出発原料は下から上に、または上から下へと反応器に通すことができる。本発明の方法の水素化工程はバッチ式または連続式で実施することができる。両方の場合において、未反応の出発原料は水素と一緒に循環することができる。本発明の方法における水素化工程は、複数の、すなわち一般には2~4の、好適には2~3の、特に好適には2の反応器、好適には固定層反応器を直列に連結させたカスケードにおいて段階的に実施することもできる。ここで、反応の主な変換は、上記の反応条件下で、一般に主反応器として示される第一の反応器において達成され、得られた粗生成物を一般に後の反応器として示される第二の反応器に投入し、そこで、まだ未反応である出発原料が本発明による方法において、式Iのフェニルシクロヘキサンへと少なくとも実質上変換される。ここで、反応条件はお互い独立して、好適には上記の範囲において選択することができる。本発明の方法において、水素化はバッチ式、半連続式または完全な連続式で実施することができる。本発明の方法における接触水素化は、連続式、特に完全な連続式で、出発原料を反応器中に連続的に導入し、得られた反応混合物または反応生成物を反応器から連続的に流出させることにより実施することが好ましい。本発明の方法の水素化工程において得られた反応混合物または反応生成物は、容器中で中間緩衝処理した後、分留により、好適には減圧化での分留により精製することができ、全量に基づき97重量超の、好適には98重量超の純度の式Iの置換または非置換フェニルシクロヘキサンを得ることができる。生成した反応生成物の蒸留による後処理はバッチ式または連続式で行う精留塔において実施することができる。バッチ式、半連続式または完全な連続式である蒸留を可能とするタイプの蒸留塔についての様々な工業的な実施形態が関連文献に記載されている。したがって、本発明の方法における好適な変形は、式Iの置換または非置換フェニルシクロヘキサンを更に精製するために、接触水素化で得られた反応生成物を追加の工程における蒸留により後処理することを含む。様々な方法の変形が多成分混合物の連続式分留について先行技術により一般的に使用されている。もっとも単純な例においては、供給した混合物が2の留分、すなわち低沸点の塔頂留分および高沸点の塔底留分に分離される。供給した混合物が2より多くの留分に分離される場合は、複数の蒸留塔を本方法の変形として使用しなければならない。装置に関する経費を抑制するために、可能であれば、液体または蒸気のための側部取出口を有するカラムを多成分混合物の分取に使用する。しかしながら、側部取出口を有する蒸留塔の使用は、側部取出口で採取された生成物が、先行技術によると、完全に純粋ではないという事実により大幅に制限される。生成物が一般に液体の形態で採取される濃縮部における側部取出口の場合には、側部生成物は塔頂で分離されるはずの低沸点成分の一部をまだ含んでいる。同様の状況は、生成物が一般に蒸気の形態で採取されるストリッピング部における側部取出口にもあてはまり、この場合には、側部生成物はまだ高沸点成分の一部を有する。したがって、一般的な側部取出口を有するカラムの使用は、汚染された側部生成物が許容できる場合に制限される。一つの可能な解決法が、分割壁カラムにより提供される。このタイプのカラムは、例えば、米国特許第2471134号、米国特許第4230533号、欧州特許出願公開第0122367号、欧州特許出願公開第0126288号、欧州特許出願公開第0133510号、ChemEngTechnol109298、ChemIngTech61No11625、GasSeparationandPurification4109114、ProcessEngineering23334、TransIChemE72PartA639644およびChemicalEngineering77276に記載されている。接触水素化からの反応生成物の蒸留による後処理は、絶対圧力が1~100mbar、好適には5~50mbarの範囲の減圧下において実施することが有利である。減圧下での蒸留の場合は、250~1000m2m3の範囲の比表面積を有する大きさの揃ったメッシュの充填剤を有する蒸留塔を使用することが好ましい。ビフェニルから得られる反応生成物がすでに望ましくない過水素化生成物であるビシクロヘキシルを含む場合のバッチ式分留において、かなりの割合の目的とするフェニルシクロヘキサンを伴う、これと共に低沸点の共沸化合物を形成するビシクロヘキシルは、1またはそれ以上の低沸点留分に分離することができる。ビシクロヘキシルを蒸留容器から蒸留する場合は、中間の沸点であるフェニルシクロヘキサンの純粋な留分を得ることができる。未反応の出発原料のビフェニルはカラムの底部に残り、この一部分は存在量および技術環境に応じて蒸留することもできる。この効果は、ビフェニルの変換を完全に行わないように水素化を実施し、その代わりにビシクロヘキシルが反応生成物中に初めて検出されたらすぐに水素化を中断することにより、工業的実施において良好に利用することができる。これは、例えば、バッチ式反応の場合反応時間を制限することにより、または連続式反応の場合反応器の温度または水素化圧力を調節することにより、すなわち水素化装置において反応溶液の反応温度およびまたは反応圧力およびまたは滞留時間を調節することにより、出発原料の変換を制御することによって達成することができる。本発明の方法の好適な変形においては、水素化を、90~95の式IIの置換または非置換ビフェニルが反応するように実施する。分留後に残留するビフェニルが濃縮された底部は、反応に再循環することができ、フェニルシクロヘキサンの全収率を増大することが可能である。本発明の方法の特に好適な形態においては、接触水素化からの反応生成物の蒸留による後処理において得られ、まだ式IIのビフェニルを含む留分を、その全部またはその一部を水素化に再循環する。本発明を以下の実施例により説明するが、実施例は本発明を限定するものではない。全ての実験は触媒用のかごを有する300mlのHC研究室用オートクレーブにおいて実施した。サンプリングは側面に付属している管により実施した。温度制御は外設のオイルバスにより実施した。GC分析は以下の方法で実施した:30mDBWAX、内径02mm、膜厚05μm、初期温度200°C、検出器温度250°C、開始80°C~3°C分~200°C15分、240°C20分等温、注入量02μl、キャリアガスHe、tR分、tR256、tR154、tR102、106および110、tR87。300mlラボ用オートクレーブにおいて、996gのビフェニルを、直径と高さがそれぞれ3mmであるペレットの形状をした50重量のNiO、17重量のCuO、305重量のZrO2および15重量のMoO3を含む5gの触媒の存在下で、30barの水素圧力、130°Cの温度で撹拌しながら水素化した。22時間の反応時間経過後、触媒をろ過して取り除いた。表1に示した時間において得られた反応混合物をガスクロマトグラフィーにより分析した。表1に示す結果が得られた。表1300mlラボ用オートクレーブにおいて、100gのビフェニルを、直径と高さがそれぞれ3mmであるペレットの形状をした50重量のNiO、17重量のCuO、305重量のZrO2および15重量のMoO3を含む5gの触媒の存在下で、40barの水素圧力、130°Cの温度で撹拌しながら水素化した。14時間の反応時間経過後、触媒をろ過して取り除いた。表2に示した時間において得られた反応混合物をガスクロマトグラフィーにより分析した。表2に示す結果が得られた。表2300mlラボ用オートクレーブにおいて、100gのビフェニルを、直径と高さがそれぞれ3mmであるペレットの形状をした50重量のNiO、17重量のCuO、305重量のZrO2および15重量のMoO3を含む5gの触媒の存在下で、10barの水素圧力、150°Cの温度で撹拌しながら水素化した。17時間の反応時間経過後、触媒をろ過して取り除いた。表3に示した時間において得られた反応混合物をガスクロマトグラフィーにより分析した。表3に示す結果が得られた。表3300mlラボ用オートクレーブにおいて、100gのビフェニルを、直径と高さがそれぞれ3mmであるペレットの形状をした50重量のNiO、17重量のCuO、305重量のZrO2および15重量のMoO3を含む5gの触媒の存在下で、10barの水素圧力、130°Cの温度で撹拌しながら水素化した。48時間の反応時間経過後、触媒をろ過して取り除いた。表4に示した時間において得られた反応混合物をガスクロマトグラフィーにより分析した。表4に示す結果が得られた。表4300mlラボ用オートクレーブにおいて、80gのメタノール中に溶解した20gのビフェニルを、4~6mmの球状のAl2O3担体表面に05のRuを含む5gの触媒の存在下で、30barの水素圧力、90~120°Cの温度で撹拌しながら水素化した。12時間の反応時間経過後、触媒をろ過して取り除いた。表5に示した時間において得られた反応混合物をガスクロマトグラフィーにより分析した。表5に示す結果が得られた。表5300mlラボ用オートクレーブにおいて、100gのビフェニルを、4~6mmの球状のAl2O3担体表面に05のRuを含む5gの触媒の存在下で、30barの水素圧力、120°Cの温度で撹拌しながら水素化した。145時間の反応時間経過後、触媒をろ過して取り除いた。表6に示した時間において得られた反応混合物をガスクロマトグラフィーにより分析した。表6に示す結果が得られた。表6300mlラボ用オートクレーブにおいて、100gのビフェニルを、4~6mmの球状のSiO2表面に03のRuを含む5gの触媒の存在下で、40barの水素圧力、130°Cの温度で撹拌しながら水素化した。5時間の反応時間経過後、触媒をろ過して取り除いた。表7に示した時間において得られた反応混合物をガスクロマトグラフィーにより分析した。表7に示す結果が得られた。表7300mlラボ用オートクレーブにおいて、100gのビフェニルを、4~6mmの球状のSiO2表面に03のRuを含む5gの触媒の存在下で、10barの水素圧力、90°Cの温度で撹拌しながら水素化した。23時間の反応時間経過後、触媒をろ過して取り除いた。表8に示した時間において得られた反応混合物をガスクロマトグラフィーにより分析した。表8に示す結果が得られた。表8粗製フェニルシクロヘキサンの蒸留表9に次の組成809のフェニルシクロヘキサン、183のビシクロヘキシルおよび086のビフェニルを有する粗製生成物の、100cm長の、リボンを巻いて保温しているカラムのバッチ式蒸留における蒸留の結果を示す。装置は、底部の01Lの二重壁ハート型フラスコおよび蒸気分配器を備えていた。頂部の蒸気管を加熱テープにより熱し、凝縮器は2°Cで運転した。生成した混合物を5:1の還流比で分留した。比較のために、表10に、次の組成943のフェニルシクロヘキサン、52のビシクロヘキシルを有する生成物の蒸留において得られた結果を示し、非常に減少したビシクロヘキシルを含み、非常に多量の規格内フェニルシクロヘキサンが得られた。低量のビシクロヘキシルを含むフェニルシクロヘキサンを提供するために、連続式の実験を約24mのSulzerDX充填剤を備え、10mbarの頂部圧力で運転される蒸留塔DN50において実施した。それぞれの場合において、底部で得られた生成物は、02~07の範囲のビシクロヘキシルの濃度で、98より多いフェニルシクロヘキサンを含んでいた。蒸留物のビシクロヘキシル濃度は還流比に応じて19~50の範囲であった。高い還流比においては、90までの蒸留収率を達成することができた。表9:フェニルシクロヘキサンのバッチ式蒸留表10:フェニルシクロヘキサンのバッチ式蒸留