"特定の方向に菱面体結晶のc面が配向したBixSb2-xTe3-ySey0≦x≦1、0≦y<3の組成の熱電素子であって、平行な平板対向電極の接合面を備えるとともに、前記接合面が前記特定の方向に垂直である場合よりも前記熱電素子の性能指数が大きくなる範囲で前記接合面が前記特定の方向に垂直な方向に対して傾斜している、熱電素子。前記接合面の前記特定の方向に垂直な方向に対する傾斜角は5度~20度である、請求項1に記載の熱電素子。前記xが大きくなるほど前記傾斜角が小さくなる、請求項2に記載の熱電素子。熱電素子は最大の性能指数になる状態で利用されることが望ましく、熱電素子に関連する技術開発において性能指数の最大化は常に課題である。また、特許文献1には電極の形成面と劈開面とのなす角度を45度以上にする構成が開示されているものの、最も好ましい角度は略90度特定の方向に対して平行な方向に通電する状態とされており特許文献1、0022段落、この状態は菱面体結晶のc面が配向した方向に垂直に平板対向電極の接合面を形成する状態となる。そして、従来、性能指数を最大化する視点で菱面体結晶のc面が配向した方向に垂直な方向以外の方向に配向した接合面を形成する理由は存在しなかった。本発明は、前記課題に鑑みてなされたもので、菱面体結晶のc面が配向した方向に垂直に平板対向電極の接合面を形成するよりも高い性能指数の熱電素子を提供することを目的とする。前記目的の少なくとも一つを解決するため、特定の方向に菱面体結晶のc面が配向したBixSb2-xTe3-ySeyの組成の熱電素子において、平行な平板対向電極の接合面を備えるとともに、接合面が前記特定の方向に垂直である場合よりも熱電素子の性能指数が大きくなる範囲で接合面が特定の方向に垂直な方向に対して傾斜している状態とする。すなわち、従来、特定の方向に垂直な方向に配向した接合面に平板対向電極を接合して通電する特定の方向に平行な方向に通電する状態が熱電素子の性能指数を最大化すると考えられていたが、BixSb2-xTe3-ySey0≦x≦1、0≦y<3の組成の熱電素子においてはより高い性能指数を実現可能な接合面の方向が見出された。具体的には、菱面体結晶のc面が配向した方向を特定の方向としたとき、当該特定の方向に垂直な方向に対して接合面を傾斜させると、当該傾斜の傾斜角が所定の範囲であれば、接合面が特定の方向に垂直である場合よりも熱電素子の性能指数が大きくなることが見出された。従って、特定の方向に垂直な方向に対して接合面を傾斜させることにより、接合面が特定の方向に垂直である場合よりも熱電素子の性能指数を高くすることが可能になる。なお、得られた熱電素子を組み合わせて熱電変換モジュールとすれば、高性能の熱電変換モジュールを製造することができる。接合面は平板対向電極を接合可能な接合面であるとともに平板対向電極を接合面に接合した状態で平板対向電極が平行になるように構成されていればよい。すなわち、接合面に垂直な方向が熱電素子の通電方向であるとみなした場合に、熱電素子において、菱面体結晶のc面が配向した方向である特定の方向に対して通電方向が傾斜している状態を実現できればよい。また、菱面体結晶のc面が配向している方向である特定の方向は、c面の方向が統計的に一定の方向に揃っているとみなすことができる場合の方向である。すなわち、熱電素子の多くは多結晶体であるため任意の断面に現れる菱面体結晶のc面は各種の方向に配向しているが、断面に現れる菱面体結晶のc面が所定の誤差内で共通の方向に配向しているのであれば、菱面体結晶のc面が特定の方向に揃っていると言える。そして、菱面体結晶のc面が特定の方向に配向しているか否かは、例えば、TSL社製のEBSDElectronBackScatterDiffraction装置にて熱電素子の任意の断面例えば接合面を測定し、測定結果を解析ソフトウェアによって解析することで特定することが可能である。具体的には、熱電素子の任意の断面における各結晶の方向において、最も頻度の高い方向を配向方位とし、配向方位からのズレを積算度数で示した際に全体の80の領域を網羅する配向方向からの誤差角を配向度と規定し、この誤差角が小さい程配向方位に全体の結晶が整列しているとみなすことができる。また、特定の方向をc面で規定することはc軸で規定することと等価である。また、菱面体結晶のc面が特定の方向に配向している熱電素子は、例えば、加圧軸と押出軸とが一軸上にない金型による押出処理や据込鍛造法等の塑性加工法によって製造することができる。さらに、接合面の特定の方向に垂直な方向に対する傾斜角は5度~20度であることが好ましい。すなわち、傾斜角が5度~20度の範囲であれば、接合面が特定の方向に垂直である場合よりも熱電素子の性能指数を高くすることが可能である。さらに、BixSb2-xTe3-ySey0≦x≦1、0≦y<3の組成のxが大きくなるほど接合面の特定の方向に垂直な方向に対する傾斜角が小さくなるように構成してもよい。すなわち、xが大きくなるほど傾斜角が小さくなるように構成することにより、熱電素子の性能指数を最大化することが容易になる。ここでは、下記の順序に従って本発明の実施の形態について説明する。1熱電素子の製造方法:2実施例および比較例:1熱電素子の製造方法:図1は、熱電素子の製造方法の一実施形態を示すフローチャートである。本実施形態においては、まず、BiTe系熱電素子の原料となる元素を秤量して溶融し、インゴットを作成するステップS100。すなわち、Bi,Sbからなる群から選択される少なくとも1種の元素と、Te,Seからなる群から選択される少なくとも1種の元素とのインゴットを秤量し、BixSb2-xTe3-ySey0≦x≦1、0≦y<3の組成とする。秤量後には、各種手段によってこれらの元素を一旦溶融して冷却することにより、所望組成の合金のインゴットを作成する。次に、当該合金のインゴットをロール型液体急冷法によって急冷し、薄膜状の粉末を作成するステップS105。すなわち、合金のインゴットを溶融させ、回転するロールに吹き付けることによって薄膜状の粉末とする。むろん、液体急冷の手法としては単ロール法でもよいし、双ロール法でもよい。また、ガスアトマイズや回転ディスクを用いて合金を粉末化した材料を利用しても良いし、合金のインゴットを粉砕して利用しても良い。さらに、秤量した各元素を溶融した後、冷却してインゴットにする工程を省略し、溶融状態の合金を液体急冷してもよい。むろん、材料を水素等で還元しても良い。合金の粉末材料が準備されると、図示しないチャンバー内で当該粉末を金型にセットするステップS110。図2Aは、ECAPEqualChannelAngularPressing法による押出処理を実施するための金型の一例を示す模式図である。この実施形態において、金型10は直方体であり、面11に長方形の穴11aが形成され、面11に隣接する面12に長方形の穴12aが形成されている。穴11aは、面11における開口部から当該面11に対して垂直な方向に形成されており、金型10の内部の所定位置まで延びている。また、穴12aは、面12における開口部から当該面12に対して垂直な方向に形成されており、金型10の内部にて穴11aとつながっている。本実施形態においては、穴11aが延びて金型10内に形成する内壁が加圧通路11bを構成し、穴12aが延びて金型10内に形成する内壁が押出通路12bとなる。また、加圧通路11bの中央において加圧通路11bが延びる方向と同一方向に延びる仮想的な直線を加圧軸と呼び、押出通路12bの中央において押出通路12bが延びる方向と同一方向に延びる仮想的な直線を押出軸と呼ぶ。本実施形態においては、加圧軸と押出軸とが直交しており、図2においては加圧軸をZ軸として示し、押出軸をX軸として示している。また、Z軸およびX軸に垂直な方向にY軸を設定し、各軸の交点を原点とする。なお、加圧通路11bにおける材料の加圧方向はZ軸の向きと逆向きであり、押出通路12bにおける材料の押出方向はX軸の向きと同一である。すなわち、金型10は、加圧通路11b側に加圧対象の材料をセットして加圧し、押出通路12bを通して材料を押し出す押出処理を行うことが可能である。さらに、加圧軸に垂直な方向の加圧通路11bの断面は穴11aと同形、押出軸に垂直な方向の押出通路12bの断面は穴12aと同形であるとともに、穴11aと穴12aも同形である。従って、金型10を用いてECAP法による押出処理を行うことが可能である。ステップS110においては、当該ECAP法による押出処理を行うために、薄膜の厚さ方向に整列するように材料を積層する。すなわち、ロール急冷法で作成された薄膜状の粉末は膜厚方向に平行な方向にc面が揃っているため、薄膜の厚さ方向に整列するように積層することにより、押出処理の際の変形抵抗が低減され、押出処理における加工圧力を低減することができる。ステップS110にて粉末を金型10にセットすると、前記チャンバー内を真空引きし、真空引きが完了した後にチャンバー内にアルゴンガスを導入するステップS115。すなわち、金型10の雰囲気をアルゴンガスに置換する。この後、図示しないヒータによって金型10を加熱しステップS120、金型10を予め決められた温度に設定する。本実施形態において、この温度は材料の融点より250°C低い温度~融点より20°C低い温度の範囲で設定される。金型10が温度に達したら、図示しないプランジャで加圧通路11b内の材料を押すことによってECAP法による押出処理を実行するステップS125。すなわち、材料に対してせん断力を与えながら予め決められた押出速度で押出処理を行う。ECAP法による押出処理を実行すると、図示しない冷却機構によって金型10を冷却しステップS130、材料を取り出し可能な温度まで金型10が冷却されると、金型10から熱電材料を取り出すステップS135。以上のような押出処理によれば、材料の菱面体結晶のc面が特定の方向に配向したバルク材料を製造することができる。例えば、図2Aに示すように押出通路12bから押し出された熱電材料の一側面の頂点に符号A,B,C,Dを対応づけた場合、図2Bに示すように側面ABCDからみたときにc面が実線の矢印方向に配向した熱電材料を製造することができる。そこで、製造された熱電材料を切断し、接合面を形成しステップS140、接合面に対して平板対向電極を接合するステップS145ことによって熱電素子を製造する。本実施形態のステップS140においては、熱電材料から、平板対向電極の接合面がc面の配向方向である特定の方向に垂直である場合よりも熱電素子の性能指数が大きくなる範囲で、特定の方向に垂直な方向に対して傾斜させた方向を切断方向として切断し、切断面を接合面とする。すなわち、従来の技術では、図2Bに実線の矢印で示すc面の配向方向である特定の方向D1に垂直および平行な方向図2Bにて破線で示す方向に熱電材料を切断することにより直方体の熱電素子としていた。そして、図2Cに示すように特定の方向D1に対して垂直な方向を接合面Sとして熱電素子Pに対して平板対向電極Eを接合することが性能指数を最大化すると考えられていた。しかし、本願出願人の解析によれば、同じ製法で製造された熱電材料であっても、平板対向電極の接合面がc面の配向方向である特定の方向に垂直な方向に対して傾斜している方が性能指数をより大きくできることが判明した。そこで、本実施形態においては、まず、図2Dに実線の矢印で示すc面の配向方向である特定の方向D1に垂直な方向図2Bにて一点鎖線で示す方向を特定する。そして、当該特定の方向D1に垂直な方向に対して傾斜角θだけ傾斜させた方向および当該傾斜させた方向に対して垂直な方向図2Dにて破線で示す方向に熱電材料を切断することにより直方体の熱電素子を製造する。そして、図2Eに示すように特定の方向D1に対して垂直な方向図2Eにて一点鎖線で示す方向に対して傾斜角θ傾斜させた方向図2Eにてい破線で示す方向の面を接合面Sとして熱電素子Pに対して平板対向電極Eを接合する。なお、本実施形態において、特定の方向D1に垂直な方向に対する傾斜角θは5度~20度である。この構成により、図2Cに示す構成よりも高い性能指数の熱電素子を製造することが可能になる。2実施例および比較例:表1は、上述のフローチャートに従ってBi04Sb16Te3の組成の熱電材料を製造し、当該熱電材料から傾斜角θを変更して複数の熱電素子を製造した場合の、ゼーベック係数αμV/K、電気抵抗率ρ×105Ωm、パワーファクタP.F.×103W/mK2、熱伝導率κW/mK、性能指数Z×103/Kを示している。なお、性能指数Zは平板対向電極間に通電した場合の性能指数であり、押出処理を行った時点での金型10の温度は380°Cである。また、本例の熱電素子の接合面の80を示す結晶においてc面の配向方向の誤差は22度以下であり、接合面において最も多数の結晶のc面が配向している方向に垂直な方向を傾斜角0度とした。表1に示すように、傾斜角が0,5,10,15,20,25,30,45,60,90度のそれぞれについて性能指数Zを比較すると、傾斜角が5~20度である場合には傾斜角が0度である場合よりも性能指数Zが大きくなる。従って、傾斜角を5~20度、好ましくは10~20度、特に好ましくは15度に設定して接合面を形成すれば、傾斜角が0度である場合よりも大きい性能指数の熱電素子を製造することが可能である。表2は、性能指数の最大値と傾斜角が0度である場合の性能指数との比および最大の性能指数となる傾斜角を複数の組成について示している。すなわち、BixSb2-xTe3-ySeyの組成式において、x=0.0,0.2,0.4,0.5,0.7,1.0,1.5,1.9,2.0、y=3とした場合のそれぞれについて上述のフローチャートに従って熱電材料を製造し、傾斜角θを変更して複数の熱電素子を製造した。そして、各傾斜角の熱電素子に対して平板対向電極間に通電した場合の性能指数を測定し、性能指数の最大値を傾斜角が0度の場合の性能指数で除した値と、性能指数が最大値となる傾斜角とを特定した。なお、押出処理を行った時点での金型10の温度は460°Cである。また、本例の熱電素子の接合面の80を示す結晶においてc面の配向方向の誤差は25度以下であり、接合面において最も多数の結晶のc面が配向している方向に垂直な方向を傾斜角0度とした。表2に示すように、上述の組成式におけるxが0.0から1.0に向けて大きくなるほど、性能指数が最大値となる傾斜角は20度から5度に向けて小さくなる。また、上述の組成式におけるxが0.0から1.0の範囲においては、性能指数の最大値を傾斜角が0度の場合の性能指数で除した値が1よりも大きい。従って、上述の組成式におけるxが0.0から1.0の範囲においては、傾斜角が0度である場合よりも大きい性能指数の熱電素子を製造することが可能である。なお、上述の組成式におけるyを0≦y<3に含まれる範囲で変化させても、性能指数の最大値を傾斜角が0度である場合の性能指数で除した値や、性能指数が最大値となる傾斜角は変化しない。さらに、表3は複数の加工法によって作成した熱電材料から熱電素子を製造した場合の性能指数の最大値と傾斜角が0度である場合の性能指数との比および最大の性能指数となる傾斜角を示している。すなわち、上述のフローチャートに従ってECAP法によってBi0.4Sb1.6Te2.9Se0.1の組成の熱電材料を製造し、また、据込鍛造、押出法によってBi0.4Sb1.6Te2.9Se0.1の組成の熱電材料を製造し、各熱電材料から傾斜角θを変更して複数の熱電素子を製造した。そして、各傾斜角の熱電素子に対して平板対向電極間に通電した場合の性能指数を測定し、性能指数の最大値を傾斜角が0度の場合の性能指数で除した値と、性能指数が最大値となる傾斜角を特定した。また、各性能指数が最大値となった熱電素子において、接合面の80を示す結晶におけるc面の配向方向の誤差が何度以下であるかを測定した。なお、加工を行った時点での加工温度は550°Cであり、接合面において最も多数の結晶のc面が配向している方向に垂直な方向を傾斜角0度とした。表3において、ECAP法で加工した、接合面の80を示す結晶におけるc面の配向方向の誤差が誤差32.1度以下の熱電材料においては、傾斜角が0度である場合の性能指数が最大値となった。当該材料は、菱面体結晶のc面が特定の方向に配向していない材料であるとみなすことができ、菱面体結晶のc面が特定の方向に配向していない材料は、特定の方向に垂直な方向に傾斜させた接合面を形成しても性能指数を高めることはできなかった。また、接合面の80を示す結晶におけるc面の配向方向の誤差が誤差28度以下の熱電材料においては、いずれの加工法であっても特定の方向に垂直な方向に傾斜させた接合面を形成することで性能指数を高めることが可能であった。そして、いずれの加工法においても、性能指数が最大値となる傾斜角は5~20度の範囲内に含まれていた。従って、各種の加工方法により、傾斜角が0度である場合よりも大きい性能指数の熱電素子を製造することが可能である。"