"支持基板と、前記支持基板上に位置し、p型化合物半導体層、活性層、及びn型化合物半導体層を有し、前記p型化合物半導体層が前記n型化合物半導体層よりも前記支持基板側に位置する半導体積層構造体と、前記p型化合物半導体層及び前記活性層を少なくとも二領域に分け、前記n型化合物半導体層を露出する開口部と、前記n型化合物半導体層の露出面と前記開口部の側壁とを覆う絶縁層と、前記絶縁層及び前記p型化合物半導体層を覆い、前記p型化合物半導体層にオーミックコンタクトする透明電極層と、前記透明電極層を覆って形成され、前記活性層から前記支持基板側に向かう光を反射させる反射絶縁層と、前記反射絶縁層を覆って形成されるp‐電極と、前記n型化合物半導体層の上部に形成されたn‐電極と、を備え、前記反射絶縁層は、前記透明電極層を露出するように一部が除去され、前記p‐電極は、前記露出した前記透明電極層に電気的に接続されることを特徴とする発光ダイオード。p‐電極バッドをさらに備え、前記p‐電極の一部が前記半導体積層構造体の外部に露出し、前記p‐電極パッドは、前記露出したp‐電極上に位置することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。前記反射絶縁層は、分布ブラッグ反射器であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。前記反射絶縁層は、SixOyNz、TixOy、TaxOy、及びNbxOyから選ばれた少なくとも二つの層を交互に積層して形成されたことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。前記反射絶縁層は、Si、Ti、Ta、Nb、In、及びSnから選ばれた少なくとも一つ以上の元素を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。前記p‐電極と前記支持基板との間に位置するボンディング金属をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。前記透明電極層は、透明金属または透明導電性酸化膜であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。前記反射絶縁層は、前記透明電極層を露出する複数の開口部を有し、前記p‐電極は、前記複数の開口部を充填することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。前記開口部の幅は、前記n型化合物半導体層に向かうほど狭くなることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。前記半導体積層構造体は、前記n型化合物半導体層の上部表面に複数の第1突出部が形成され、前記複数の第1突出部上を覆う誘電物質が形成されることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。前記誘電物質の上部表面は、複数の第2突出部を有することを特徴とする請求項10に記載の発光ダイオード。前記複数の第1突出部は、六角形ピラミッド状を有し、且つ、前記複数の第2突出部は、円錐状を有することを特徴とする請求項11に記載の発光ダイオード。前記複数の第2突出部の少なくとも一つは、前記複数の第1突出部の少なくとも二つを覆っていることを特徴とする請求項11に記載の発光ダイオード。前記n型化合物半導体層の上部表面は、前記誘電物質の上部表面より高い粗面を有することを特徴とする請求項10に記載の発光ダイオード。前記複数の第1突出部は、PECエッチングによって形成されたことを特徴とする請求項10に記載の発光ダイオード。成長基板上に、n型化合物半導体層、活性層、及びp型化合物半導体層を有するエピタキシャル層を成長させ、前記p型化合物半導体層及び活性層をエッチングし、n型化合物半導体層を露出する開口部を形成し、前記n型化合物半導体層の露出面と前記開口部の側壁を覆う絶縁層を形成し、前記絶縁層及び前記p型化合物半導体層を覆う透明電極層を形成し、前記透明電極層を覆って反射絶縁層を形成し、前記透明電極層を露出するために、反射絶縁層の一部を除去し、前記反射絶縁層上にp‐電極を覆って形成し、前記p‐電極上にボンディング金属を介して支持基板をボンディングし、前記成長基板を除去すること、を含み、前記p‐電極は、前記露出した前記透明電極層に電気的に接続されることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。前記反射絶縁層は、分布ブラッグ反射器であることを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードの製造方法。支持基板と、前記支持基板上に位置し、p型化合物半導体層、活性層、及びn型化合物半導体層を有する半導体積層構造体と、前記支持基板と前記半導体積層構造体との間に位置し、前記半導体積層構造体にオーミックコンタクトし、前記半導体積層構造体の外部に露出した領域を有する第1電極と、前記第1電極の外部に露出した領域上に位置し、前記第1電極に電気的に接続された第1ボンディングパッドと、前記半導体積層構造体上に位置する第2電極と、を備え、前記半導体積層構造体の上部表面に複数の第1突出部が形成され、前記複数の第1突出部上を覆う誘電物質が形成されることを特徴とする発光ダイオード。前記半導体積層構造体の上部表面は、前記誘電物質の上部より高い粗面を有することを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオード。前記誘電物質の上部表面は、複数の第2突出部を有することを特徴とする請求項19に記載の発光ダイオード。前記複数の第2突出部の少なくとも一つは、前記複数の第1突出部の少なくとも二つを覆っていることを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオード。前記複数の第1突出部は、六角形ピラミッド状を有し、且つ、前記複数の第2突出部は、円錐状を有することを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオード。前記複数の第1突出部は、PECエッチングによって形成されることを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオード。前記支持基板は、サファイア基板であることを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオード。前記第1電極は、反射層と、前記反射層を保護するための保護金属層とを有することを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオード。前記反射層は、前記保護金属層と前記半導体積層構造体との間に埋め込まれ、前記保護金属層が前記半導体積層構造体の外部に露出していることを特徴とする請求項25に記載の発光ダイオード。前記第1電極は、p型化合物半導体層にオーミックコンタクトすることを特徴とする請求項18に記載の発光ダイオード。本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、活性層で生成した光が外部に出ることを改善することにより、新たな構造の高効率発光ダイオード及びその製造方法を提供することにある。また、他の目的は、支持基板側に進行する光の反射率を向上させた高効率発光ダイオード及びその製造方法を提供することにある。また、また他の目的は、光抽出効率を高くすることができる高効率発光ダイオード及びその製造方法を提供することにある。本発明の実施形態による発光ダイオードは、支持基板と、前記支持基板上に位置し、p型化合物半導体層、活性層、及びn型化合物半導体層を有し、前記p型化合物半導体層が前記n型化合物半導体層よりも前記支持基板側に位置する半導体積層構造体と、前記p型化合物半導体層及び前記活性層を少なくとも二領域に分け、前記n型化合物半導体層を露出する開口部と、前記n型化合物半導体層の露出面と前記開口部の側壁とを覆う絶縁層と、前記絶縁層及び前記p型化合物半導体層を覆い、前記p型化合物半導体層にオーミックコンタクトする透明電極層と、前記透明電極層を覆って形成され、前記活性層から前記支持基板側に向かう光を反射させる反射絶縁層と、前記反射絶縁層を覆って形成されるp‐電極と、前記n型化合物半導体層の上部に形成されたn‐電極と、を備える。前記反射絶縁層は、前記透明電極層を露出させるように一部が除去され、前記p‐電極は、前記露出した前記透明電極層に電気的に接続される。前記発光ダイオードは、p‐電極バッドをさらに備え、前記p‐電極の一部が前記半導体積層構造体の外部に露出し、前記p‐電極パッドは、前記露出したp‐電極上に位置してもよい。前記反射絶縁層は、分布ブラッグ反射器DBRであってもよい。前記反射絶縁層は、Si、Ti、Ta、Nb、In、及びSnから選ばれた少なくとも一つ以上の元素を含んでもよい。具体的に、前記反射絶縁層は、SixOyNz、TixOy、TaxOy、及びNbxOyから選ばれた少なくとも二つの層を交互に積層して形成してもよい。前記発光ダイオードは、前記p‐電極と前記支持基板との間に位置するボンディング金属をさらに含んでもよい。前記ボンディング金属が前記半導体積層構造体を前記支持基板に結合させる。前記透明電極層は、好ましくは、透明金属または透明導電性酸化膜であってもよい。前記反射絶縁層は、前記透明電極層を露出させる複数の開口部を有してもよく、前記p‐電極は、前記複数の開口部を充填してもよい。前記開口部の幅は、前記n型化合物半導体層に向かうほど狭くなるようにしてもよい。これにより、活性層で生成した光が効果的に反射絶縁層によって反射され得る。前記半導体積層構造体は、前記n型化合物半導体層の上部表面に複数の第1突出部が形成され、前記複数の第1突出部上を覆う誘電物質が形成されてもよい。前記誘電物質の上部表面は、複数の第2突出部を有するようにしてもよい。前記複数の第1突出部は、六角形ピラミッド状を有し、且つ、前記複数の第2突出部は、円錐状を有してもよい。前記複数の第2突出部の少なくとも一つは、前記複数の第1突出部の少なくとも二つを覆ってもよい。前記n型化合物半導体層の上部表面は、前記誘電物質の上部表面より高い粗面を有するようにしてもよい。前記複数の第1突出部は、PECエッチングによって形成されてもよい。本発明の他の側面による発光ダイオードの製造方法は、成長基板上に、n型化合物半導体層、活性層、及びp型化合物半導体層を有するエピ層を成長させ、前記p型化合物半導体層及び活性層をエッチングし、n型化合物半導体層を露出する開口部を形成し、前記n型化合物半導体層の露出面と前記開口部の側壁とを覆う絶縁層を形成し、前記絶縁層及び前記p型化合物半導体層を覆う透明電極層を形成し、前記透明電極層を覆って反射絶縁層を形成し、前記透明電極層を露出するために、反射絶縁層の一部を除去し、前記反射絶縁層上にp‐電極を覆って形成し、前記p‐電極上にボンディング金属を介して支持基板をボンディングし、前記成長基板を除去することを含む。前記p‐電極は、前記露出した前記透明電極層に電気的に接続される。前記反射絶縁層は、分布ブラッグ反射器であってもよい。本発明のまた他の側面によると、支持基板と、前記支持基板上に位置し、p型化合物半導体層、活性層、及びn型化合物半導体層を有する半導体積層構造体と、前記支持基板と前記半導体積層構造体との間に位置し、前記半導体積層構造体にオーミックコンタクトし、前記半導体積層構造体の外部に露出した領域を有する第1電極と、前記第1電極の外部に露出した領域上に位置し、前記第1電極に電気的に接続された第1ボンディングパッドと、前記半導体積層構造体上に位置する第2電極と、を備え、前記半導体積層構造体の上部表面に複数の第1突出部が形成され、前記複数の第1突出部上を覆う誘電物質が形成されることを特徴とする発光ダイオードが提供される。前記半導体積層構造体の上部表面は、前記誘電物質の上部より高い粗面を有するようにしてもよい。前記誘電物質の上部表面は、複数の第2突出部を有すするようにしてもよい。前記複数の第2突出部の少なくとも一つは、前記複数の第1突出部の少なくとも二つを覆っていてもよい。前記複数の第1突出部は、六角形ピラミッド状を有し、前記複数の第2突出部は、円錐状を有してもよい。前記複数の第1突出部は、PECエッチングによって形成されてもよい。前記支持基板は、導電性である必要がなく、例えば、サファイア基板であってもよい。堅固なサファイア基板を支持基板として用いることにより、発光ダイオードの変形を防止することができる。一方、前記第1電極は、反射層を有してもよく、さらには、前記反射層を保護するための保護金属層を有してもよい。また、前記反射層は、前記保護金属層と前記半導体積層構造体との間に埋め立てられ、前記保護金属層が前記半導体積層構造体の外部に露出してもよい。前記p型化合物半導体層がn型化合物半導体層よりも支持基板側に近く位置してもよく、前記第1電極は、p型化合物半導体層にオーミックコンタクトしてもよい。本発明によると、活性層で生成した光を反射絶縁層によって反射させることにより、光放出経路を短縮し、光抽出効率を向上させることができる高効率発光ダイオードを提供することができる。また、反射絶縁層を採用することにより、支持基板側に進行する光の反射率を向上させた高効率発光ダイオードを提供することができる。さらに、前記反射絶縁層を分布ブラッグ反射器で形成することにより、活性層で生成する光の波長に対応して反射率を最適化することができる。また、本発明によると、電流遮断領域を形成することにより、n側電極の直下方向に電流が集中する傾向を減少させ、n側とp側との電極間の電流を側方向に誘導させ、n側とp側との電極間の電流を効果的に大きくすることにより、発光ダイオードの発光効率と静電気耐圧を向上させることができる。また、本発明によると、n型化合物半導体層の表面をPECエッチングし、そのエッチング表面上に誘電物質を形成し、誘電物質の形成表面を形成すると、表面に形成された突出部の傾斜角度が緩和され、表面での光抽出効率を向上させることができる。これにより、活性層で生成した光のうち、内部に全反射される光が少なくなり、外部により多くの光を放出させることができる。以下、添付した図面に基づき、本発明の好適な実施形態について詳述する。以下に紹介される実施形態は、本発明の思想を当業者に十分に伝えるために、例として提供されるものである。従って、本発明は、後述する実施形態に限定されず、他の形態に具体化され得る。なお、図面において、構成要素の幅、長さ、厚さ等は、説明の便宜のために誇張して表現されることもある。図2は、本発明の一実施形態による高効率発光ダイオードを説明するための断面図であり、図3は、本発明の一実施形態による高効率発光ダイオードを説明するための斜視図であり、図4は、平面図である。図2乃至図4を参照すると、本実施形態に係る本発明の発光ダイオードは、支持基板51、半導体積層構造体30、開口部31、絶縁層32、透明電極層33、反射絶縁層34、p‐電極41、ボンディング金属42、n‐電極45を備える。支持基板51は、化合物半導体層23、25、27を成長させるための成長基板図示せずとは異なり、既に成長された化合物半導体層23、25、27に付着した2次基板である。前記支持基板51は、サファイア基板であってもよいが、これに限定されるものではなく、他種の絶縁または導電基板であってもよい。例えば、Si、SiC、AlN、Si‐Al、CuWのいずれか一つであってもよい。特に、成長基板としてサファイア基板またはCuWを用いる場合、成長基板と同一の熱膨張係数を有するので、支持基板51をボンディングして成長基板を除去するとき、ウエハの反りを防止することができて好ましい。半導体積層構造体30は、支持基板51上に位置し、p型化合物半導体層27、活性層25、及びn型化合物半導体層23を有する。ここで、半導体積層構造体30は、一般の垂直型発光ダイオードと同様に、p型化合物半導体層27がn型化合物半導体層23に比べて支持基板51側に近く位置する。半導体積層構造体30は、支持基板51の一部領域上に位置してもよい。n型化合物半導体層23、活性層25、及びp型化合物半導体層27は、III‐N系化合物半導体、例えば、Al、Ga、InN半導体で形成されてもよい。n型化合物半導体層23及びp型化合物半導体層27は、それぞれ単一層または多重層であってもよい。例えば、n型化合物半導体層23及び/またはp型化合物半導体層27は、コンタクト層とクラッド層とを含んでもよく、また超格子層を含んでもよい。また、前記活性層25は、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造であってもよい。抵抗が相対的に小さなn型化合物半導体層23が、支持基板51の反対側に位置することにより、n型化合物半導体層23の上部面に粗面を形成しやすく、粗面は、活性層25で生成した光の抽出効率を向上させる。開口部31は、p型化合物半導体層27及び活性層25を通じてn型化合物半導体層23を露出させ、p型化合物半導体層27及び活性層25を少なくとも二領域に分ける。開口部31は、トレンチ、グループまたはホールで形成されてもよく、複数個形成されてもよい。例えば、開口部31は、トレンチで形成され、図3に示すように、p型化合物半導体層27及び活性層25を四つの領域に分ける。以外にも、開口部31は、複数個のホールがマトリクス状に配置されてもよい。したがって、本発明が、開口部31の個数や開口部31の特定の形状に制限されるのではないことを理解すべきである。絶縁層32は、n型化合物半導体層23の露出面と前記開口部31の側壁とを覆う。絶縁層32は、例えば、シリコン窒化物、シリコン酸化物又はそれらの積層物のいずれか一つであってもよい。絶縁層32は、透明電極層33とn型化合物半導体層23、活性層25、及びp型化合物半導体層27を絶縁する。また、絶縁層32は、半導体積層構造体30の内部に形成され、電流遮断機能を有する。すなわち、絶縁層32は、n型化合物半導体層23とp‐電極41との間に流れる電流の方向を、n型化合物半導体層23の直下方向ではなく、側方向に分散させることにより、電流集中現象を緩和することができる。透明電極層33は、絶縁層32及びp型化合物半導体層27を覆って形成される。透明電極層33は、p型化合物半導体層27にオーミックコンタクトする。透明電極層33は、Ni/Auのような透明金属、例えば、ITO、ZnO等のような透明導電性酸化膜または反射金属で形成されてもよい。以外にも、透明電極層33は、銀Ag、白金Pt、パラジウムPd、ロジウムRh、またはニッケルNiの少なくとも一つの金属物質を含んで形成されてもよい。透明電極層33は、一つの層からなってもよく、複数の層からなってもよい。例えば、白金Ptを第1層に形成し、その上に銀Agを第2層に形成してもよい。反射絶縁層34は、透明電極層33を覆って形成する。反射絶縁層34は、活性層25から支持基板51側に向かう光を反射させる。反射絶縁層34は、透明電極層33を露出する複数の開口部34aを有するように形成されてもよい。反射絶縁層34は、AlやAgよりも反射率の高い絶縁層で形成され、例えば、Si、Ti、Ta、Nb、In、及びSnから選択された少なくとも一つ以上の元素を含んでもよい。また、反射絶縁層34は、SixOyNz、TixOy、TaxOy、及びNbxOyから選ばれた少なくとも二つの層を交互に積層して形成してもよく、分布ブラッグ反射器であってもよい。分布ブラッグ反射器は、交互に積層される高屈折率層及び低屈折率層の光学厚さを調節し、特定波長の光に対する反射率を極大化することができる。したがって、活性層25で生成した光の波長に応じて反射率を最適化した分布ブラッグ反射器を形成することにより、例えば、紫外線、可視光線、または赤外線に対する高い反射率を有する反射絶縁層34を形成することができる。好ましくは、反射絶縁層34を形成するとき、SixOyNz層を透明電極層33と接触する最外殻の絶縁層として用いることができる。これは、透明電極層33とSixOyNz層との接着力が透明電極層33とTixOy、TaxOy、またはNbxOyとの接着力よりも高いので、反射絶縁層34と透明電極層33との間の剥離現象を防止することができる。前記反射絶縁層34によって、半導体積層構造体30の内部で進行する光を反射させることができる。したがって、半導体積層構造体30の内部で光の経路を短縮させることができ、光損失を減少させることができる。特に、開口部31内の反射絶縁層34によって光抽出を向上させるために、前記開口部31の幅がn型化合物半導体層23に向かうほど狭くなるように形成されてもよい。p‐電極41は、反射絶縁層34を覆って形成される。p‐電極41は、例えば、反射金属で形成されてもよい。前記p‐電極41の一部は、半導体積層構造体30の外部に露出してもよい。一方、n‐電極45がn型化合物半導体層23の上部に形成される。n‐電極45は、n型化合物半導体層23にオーミックコンタクトすることができる。ボンディング金属42は、支持基板51とp‐電極41との間に位置してもよい。ボンディング金属42は、Au‐Snで形成されてもよく、共晶接合によって支持基板51を半導体積層構造体30に接着する。本実施形態によると、AlやAgに比べて、工程安定性に優れ、反射率の高い反射絶縁層34を採用し、支持基板51側に進行する光の反射率を高めることにより、光抽出効率の高い高効率発光ダイオードを提供することができる。以下、図5乃至図13を参照して、本発明による高効率発光ダイオードの製造方法について簡略に説明する。図5を参照すると、サファイア基板のような成長基板21上に、n型化合物半導体層23、活性層25、及びp型化合物半導体層27を有するエピタキシャル層30を成長させる。図6を参照すると、p型化合物半導体層27及び活性層25をエッチングして、n型化合物半導体層23を露出させる開口部31を形成する。開口部31は、メッシュ状のように、n型化合物半導体層23を露出させる複数の開口部を有してもよい。図7を参照すると、n型化合物半導体層23の露出面と開口部31の側壁とを覆う絶縁層32を形成する。絶縁層32は、開口部31内の側壁を覆う。絶縁層32は、開口部31の床面、すなわち、n型化合物半導体層23も覆う。図8を参照すると、前記絶縁層32及びp型化合物半導体層27を覆う透明電極層33を形成する。図9を参照すると、透明電極層33を覆って反射絶縁層34を形成する。反射絶縁層34は、AlやAgよりも反射率の高い絶縁層が用いられてもよい。例えば、Si、Ti、Ta、Nb、In、及びSnから選ばれた少なくとも一つ以上の元素を含んでもよい。反射絶縁層34は、SixOyNz、TixOy、TaxOy、及びNbxOyから選ばれた少なくとも二つの層を交互に積層して形成されてもよく、分布ブラッグ反射器であってもよい。分布ブラッグ反射器は、交互に積層される高屈折率層及び低屈折率層の光学厚さを調節し、特定波長の光に対する反射率を極大化することができる。図10を参照すると、透明電極層33を露出させるために、反射絶縁層34の一部を除去する。すなわち、反射絶縁層34に透明電極層33を露出する複数の開口部34aを形成する。前記開口部34aは、前記絶縁層32の上部に沿って形成されてもよい。さらに、前記開口部34aは、透明電極層33を通じて形成されてもよい。図11を参照すると、反射絶縁層34上にp‐電極41を覆って形成する。この際、p‐電極41は、反射絶縁層34に形成された複数の開口部34aを充填してもよい。これにより、p‐電極41は、露出した透明電極層33に電気的に接続される。図12を参照すると、前記p‐電極41にボンディングのための金属層が形成され、支持基板51にボンディングのための金属層がさらに形成され、これらの金属層を互いにボンディングする。これにより、前記ボンディングのための金属層によってボンディング金属42が形成され、支持基板51が化合物半導体層23、25、27にボンディングされる。図13を参照すると、レーザリフトオフ技術等を用いて成長基板21を除去し、n型化合物半導体層23を露出する。その後、露出したn型化合物半導体層23の上部にn‐電極45を形成し、個別の発光ダイオードチップに分割し、図2に示した発光ダイオードが完成する。図14は、本発明の一実施形態によるp‐電極パッドが半導体積層構造体の外部に形成された高効率発光ダイオードを説明するための図である。図14を参照すると、図2に示した発光ダイオードの構造と同様であるが、但し、支持基板51、ボンディング金属42、p‐電極41が半導体積層構造体30よりも長く延長されている。これにより、p‐電極41が半導体積層構造体30の外部に露出している。外部に露出したp‐電極41の上部には、p‐電極パッド43が形成されている。図15は、本発明の他の実施形態による発光ダイオードを説明するための断面図であり、図16は、図15における発光ダイオードの一部の表面Aを拡大した図である。図15及び図16を参照すると、前記発光ダイオードは、支持基板171、ボンディング金属173、半導体積層構造体150、p‐電極159、161、n‐電極169、p‐ボンディングパッド165を備える。支持基板171は、化合物半導体層を成長させるための成長基板とは異なり、既に成長した化合物半導体層に付着した二次基板である。支持基板171は、サファイア基板であってもよいが、これに限定されるものではなく、他種の絶縁または導電基板であってもよい。特に、成長基板としてサファイア基板を用いる場合、成長基板と同一の熱膨張係数を有するので、支持基板をボンディングし、成長基板を除去するとき、ウエハの反りを防止することができ、さらに半導体積層構造体150を堅固に支持することができる。半導体積層構造体150は、支持基板151上に位置し、p型化合物半導体層157、活性層155、及びn型化合物半導体層153を有する。ここで、半導体積層構造体150は、一般の垂直型発光ダイオードと同様に、p型化合物半導体層157がn型化合物半導体層153に比べて支持基板171側に近く位置する。半導体積層構造体150は、支持基板171の一部領域上に位置する。すなわち、支持基板171が半導体積層構造体150に比べて相対的に大きな面積を有し、半導体積層構造体150は、支持基板171の周縁で取り囲んだ領域内に位置する。n型化合物半導体層153、活性層155、及びp型化合物半導体層157は、III‐N系化合物半導体、例えば、Al、Ga、InN半導体で形成されてもよい。n型化合物半導体層153及びp型化合物半導体層157は、それぞれ単一層または多重層であってもよい。例えば、n型化合物半導体層153及び/またはp型化合物半導体層157は、コンタクト層とクラッド層とを含んでもよく、また超格子層を含んでもよい。また、前記活性層155は、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造であってもよい。抵抗が相対的に小さなn型化合物半導体層153が、支持基板171の反対側に位置することにより、n型化合物半導体層153の上部面に粗面を形成しやすく、粗面は、活性層155で生成した光の抽出効率を向上させる。n型化合物半導体層153は、表面に誘電物質164が形成された粗面を有してもよい。図16に示すように、n型化合物半導体層153の上部の表面をエッチングして複数の突出部163が形成されている。誘電物質164は、複数の突出部163を覆ってn型化合物半導体層153の上部に形成されている。誘電物質164は、プラズマCVD法、蒸着法など公知の方法で形成され得る。p‐電極160は、p型化合物半導体層157と支持基板171との間に位置し、p型化合物半導体層157にオーミックコンタクトする。p‐電極160は、反射層159及び保護金属層161を有してもよく、反射層159が半導体積層構造体150と支持基板171との間に埋め込まれるように、保護金属層161が反射層159を取り囲んでもよい。前記反射層159は、例えば、Agのような反射金属で形成されてもよく、保護金属層161は、例えば、Niで形成されてもよい。前記p‐電極、例えば、前記保護金属層161は、支持基板171の全面上に位置してもよく、したがって、前記保護金属層161は、半導体積層構造体150の外部に露出した領域を有する。半導体積層構造体150の外部に露出したp‐電極、例えば、保護金属層161上にp型ボンディングパッド165が位置してもよい。前記p型ボンディングパッド165は、反射層159及び保護金属層161を介してp型化合物半導体層157に電気的に接続する。一方、ボンディング金属173は、支持基板171とp‐電極160との間に位置し、半導体積層構造体150と支持基板171を結合させる。ボンディング金属173は、例えば、Au‐Snにより、共晶接合を用いて形成されてもよい。p‐電極160は、ボンディング金属173を介して支持基板171にフリップボンディングされ、n型化合物半導体層153は、成長基板の除去により露出する。一方、n‐電極169は、半導体積層構造体150上に位置し、成長基板の除去により露出したn型化合物半導体層153に電気的に接続される。露出したn型化合物半導体層153は、乾式またはPECエッチング技術を用いて、表面に粗面を有し、光抽出効率を向上させることになる。粗面は、PECエッチングによって形成されてもよい。すなわち、n型化合物半導体層153の表面に、乾式またはPECエッチング技術を用いて粗面を形成することにより、光抽出効率を向上させることができる。PECエッチングは、発光ダイオードに、GaNのエネルギーバンドギャップよりもエネルギーの大きな紫外線領域の光を当てながら、水溶液の状態で行われてもよい。PECエッチングは、例えば、KOH溶液を電解液として、Xeランプを光源として用い、PECエッチングを行うことができる。この際、KOH溶液には、酸化剤とGa2O3のような中間体をエッチングするエッチャントが含まれてもよい。一方、光源としては、Hgランプが用いられてもよい。これにより、n型化合物半導体層153の表面がエッチングされる。n型化合物半導体層153の表面がエッチングされるのは、半導体層の結晶性方向に関係する。すなわち、PECエッチングは、半導体層の表面に複数の突出部163を形成する。複数の突出部163は、半導体層の表面の結晶方向の差によって形成される。結晶性を有する化合物半導体層に対してPECエッチングを行う場合、表面の結晶方向に応じて、エッチングの進行速度が異なる。これにより、表面において、物質の結晶面に沿ってエッチングが進行し、結果として結晶面が現れるようにエッチングが行われる。この過程中で、複数の突出部163は、ピラミッド状に形成される。GaNの10‐1‐1面は安定するので、複数の突出部163は、一般に六角形のピラミッド状を有する。また、表面に形成される複数の突出部163は、GaN内に存在する結晶欠陥と関連している。このため、表面には、様々な形態の複数の突出部163が形成され、またはこのような複数の突出部163が形成されていない表面が存在するようになる。一方、誘電物質164は、複数の突出部163を覆うに形成形成される。このときに用いられる誘電物質164としては、SiO2、TaO2、Si2N2のような物質が用いられてもよい。誘電物質164の表面は、n型化合物半導体層153に形成された任意の複数の突出部163の傾斜角度よりも、誘電物質164の表面に形成された突出部166の傾斜角度が緩和されていることが分かる。突出部163は、六角形ピラミッド状を有する。突出部166は、円錐状を有する。誘電物質164に形成された一つの突出部166は、n型化合物半導体層153の表面に形成された少なくとも二つの突出部163を覆って形成されてもよい。すなわち、PECエッチング過程で、突出部163が割れまたは不規則に合わせられることがあるが、このような突出部163の割れや合わせが誘電物質164によって一つの突出部166に均一となり得る。これだけでなく、図示していないが、誘電物質164の表面は、n型化合物半導体層153表面の平らな床面にさらに突出して形成された追加の突出部166を有してもよい。突出部166及び突出部163は、n型化合物半導体層153の表面に形成された突出部163の傾斜角度よりも、誘電物質164に形成された突出部166の傾斜角度が緩和されていることが分かる。これにより、活性層155で生成した光のうち、内部に全反射される光が少なくなり、外部にさらに多くの光が放出され得る。図17及び図18は、本発明の一実施形態による発光ダイオードの表面を示すものであり、誘電物質により緩和された傾斜角度を有する粗面を示すSEM写真である。図17及び図18を参照すると、発光ダイオードの表面に多数の突出部が形成されているが、各突出部は、端部の形状が緩和されており、円形の形状を有しており、全体として傾斜が緩和された形態を有していることが分かる。図19及び図20は、誘電物質が除去された状態の急な傾斜角度を有する粗面を示すSEM写真である。図19及び図20を参照すると、誘電物質が形成されておらず、PECエッチングにより形成された多数の突出部を有している粗面が見られる。各突出部の形状をみると、全体として端部が鋭いことが分かる。このように、n型化合物半導体層の表面をPECエッチングし、そのエッチング表面上に誘電物質を形成して誘電物質の形成表面を形成すると、表面に形成された突出部の傾斜角度が緩和され、表面での光抽出効率を向上させることができる。これにより、活性層で生成した光のうち、内部に全反射される光が少なくなり、外部にさらに多くの光が放出され得る。図21は、本発明のまた他の実施形態による発光ダイオードを説明するための断面図である。図21を参照すると、本発明のまた他の実施形態による発光ダイオードは、図2に示した発光ダイオードの構造と同様である。但し、n型化合物半導体層23の上部表面には、複数の突出部が形成されている。発光ダイオードの一部表面Bを拡大した図からみられるように、複数の突出部は、エッチング表面63と、エッチング表面63上に形成された誘電物質の形成表面64を有している。エッチング表面63及び誘電物質の形成表面64の形状及び特性については、図15及び図16を参照して説明したとおりである。図22は、本発明のさらに他の実施形態による発光ダイオードを説明するための断面図である。図22を参照すると、本発明のさらに他の実施形態による発光ダイオードは、図14に示した発光ダイオードの構造と同様である。但し、n型化合物半導体層23の上部表面には、複数の突出部が形成されている。発光ダイオードの一部表面Cを拡大した図からみられるように、複数の突出部は、エッチング表面63と、エッチング表面63上に形成された誘電物質の形成表面64を有している。エッチング表面63及び誘電物質の形成表面64の形状及び特性については、図15及び図16を参照して説明したとおりである。本発明のいくつかの実施形態について例示的に説明したが、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性から逸脱しない範囲内で、様々な修正及び変形が可能である。したがって、上述した実施形態は、本発明の技術思想を限定するものではなく、単にさらなる理解のための説明であるものと理解されなければならない。本発明の権利範囲は、これらの実施形態により限定されず、特許請求の範囲により解釈され、それと同等な範囲内にある技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されなければならない。例えば、上述した実施形態において、p型化合物半導体層157がn型化合物半導体層153に比べて支持基板171側に近く位置するものと説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、その逆の配置であってもよい。この場合、n‐電極169とp‐電極159,161及びp型ボンディングパッド165は、極性が互いに変わる。"