a金属膜及び一以上のバリア層を備えるインタポーザと、b前記インタポーザ上の第1のパッド及び第2のパッドと、cアプリケータシート上に付着又は配置されているアンテナ及び/又はインダクタであって、該アンテナ及び/又はインダクタは、前記インタポーザの第1の面に付着又は結合されており、第1の対向端子及び第2の対向端子を有している、アンテナ及び/又はインダクタと、d前記インタポーザ上に直接形成された集積回路であり、該集積回路は、前記アンテナ及び/又はインダクタの前記第1の端子に、第1のビアを通って露出される前記第1のパッドによって電気的に接続されるとともに、前記アンテナ及び/又はインダクタの前記第2の端子に、第2のビアを通って露出される前記第2のパッドによって電気的に接続されており、該集積回路は、i複数の薄膜トランジスタと、ii該薄膜トランジスタを相互接続する導電構造と、を備え、該集積回路は、一以上の印刷薄膜を備え、前記インタポーザの表面と物理的に接触する最下薄膜層と、前記最下薄膜層上の第1の次続薄膜層と、前記第1の次続薄膜層上の第2の次続薄膜層と、を有し、ともに設けられた前記最下薄膜層、第1の次続薄膜層、第2の次続薄膜層は、絶縁薄膜、金属薄膜及び半導体薄膜を備える、前記集積回路と、を備える認識装置。前記一以上の印刷層が半導体薄膜を備える請求項1に記載の認識装置。最下薄膜層、前記第1の次続薄膜層及び前記第2の次続薄膜層は、ゲート金属薄膜と、半導体薄膜と、前記ゲート金属薄膜及び前記半導体薄膜の間のゲート絶縁体薄膜と、を備える請求項1に記載の認識装置。前記半導体薄膜がソースとドレインとを更に備える請求項3に記載の認識装置。前記集積回路が、前記ゲート金属薄膜層と、前記ソースの端子と、前記ドレインの端子とに電気的に連通する複数の金属伝導体を更に備える請求項4に記載の認識装置。前記集積回路が前記金属伝導体と前記半導体薄膜との間に中間誘電層を更に備える請求項5に記載の認識装置。前記一以上の印刷薄膜が、ゲート金属薄膜、中間誘電層薄膜及びインタコネクタ金属薄膜のうちのいずれか一以上の層を備える請求項1に記載の認識装置。a絶縁薄膜、金属薄膜及び半導体薄膜から選択される第1の薄膜タイプを備える最下薄膜層を形成するステップであって、インタポーザの第1の面に物理的に接触する集積回路の前記最下層は、金属膜と一以上のバリア層とを備える、ステップと、b前記絶縁薄膜、前記金属薄膜及び前記半導体薄膜から選択される第2の薄膜タイプを備える第1の次続薄膜層を形成するステップであって、前記第2の薄膜タイプは前記第1の薄膜タイプと異なっており、前記集積回路の前記第1の次続層は、前記集積回路の前記最下薄膜層に物理的に接触する、ステップと、c前記絶縁薄膜、前記金属薄膜及び前記半導体薄膜から選択される第3の薄膜タイプを備える第2の次続薄膜層を形成するステップであって、前記第3の薄膜タイプは前記第1の薄膜タイプ及び前記第2の薄膜タイプと異なっており、前記集積回路の前記第2次続層は前記第1の次続層膜上にあり、前記集積回路は、i複数の薄膜トランジスタと、ii前記薄膜トランジスタを相互接続する導電構造と、iii一以上の印刷薄膜と、を備える、ステップと、d前記インタポーザ上に第1のパッド及び第2のパッドを形成するステップであって、前記第1のパッド及び前記第2のパッドが前記集積回路に電気的に接続される、ステップと、eアプリケータシート上に直接的にアンテナ及び/又はインダクタを結合又は配置するステップと、f前記アプリケータシート上の前記アンテナ及び/又はインダクタを前記インタポーザに付着又は結合するステップであって、前記アンテナ及び/又はインダクタの第1の対向端子及び第2の対向端子は、第1のビア及び第2のビアを通って前記第1のパッド及び前記第2のパッドに電気的に接続されている、ステップと、を含む認識装置の製造方法。前記集積回路の最下薄膜層を形成するステップが、前記集積回路の最下薄膜層を印刷する工程を含む請求項8に記載の認識装置の製造方法。前記集積回路の前記第1の次続薄膜層及び前記第2の次続薄膜層を形成するステップが、前記第1の次続薄膜層及び前記第2の次続薄膜層のうちの一以上の層を印刷する工程を含む請求項8に記載の認識装置の製造方法。前記第1の次続薄膜層及び前記第2の次続薄膜層のうちの一以上の層が半導体薄膜を備える請求項10に記載の認識装置の製造方法。前記集積回路の前記第1の次続薄膜層及び前記第2の次続薄膜層が、ソース/ドレイン薄膜、ゲート誘電薄膜、ゲート金属薄膜、及びインタコネクタ/メタライゼーション薄膜の2つを備える請求項8に記載の認識装置の製造方法。前記集積回路の前記最下薄膜層、前記第1の次続薄膜層及び前記第2の次続薄膜層のうちの少なくとも一層が、トランジスタのチャネル薄膜を備える請求項8に記載の認識装置の製造方法。前記集積回路の最下薄膜層を形成するステップが、前記最下薄膜層を印刷する工程、又はディスプレイ処理によって前記最下薄膜層を形成する工程を含み、前記集積回路の前記第1の次続薄膜層及び前記第2の次続薄膜層のうちの少なくとも一層を形成するステップが、前記第1の次続薄膜層及び前記第2の次続薄膜層のうちの少なくとも一層を印刷する工程、又はディスプレイ処理によって前記第1の次続薄膜層及び前記第2の次続薄膜層のうちの少なくとも一層を形成する工程を含む請求項8に記載の認識装置の製造方法。前記アンテナ及び/又はインダクタを形成するため金属膜をエッチングするステップを更に含む請求項8に記載の認識装置の製造方法。a検出可能な電磁的な信号を放射し、反射し又は変調するに十分な電流を請求項1に記載の認識装置に発生させ又は誘導するステップと、b前記検出可能な電磁的な信号を検出するステップと、を含む認識装置の読取り方法。前記インタポーザ上の前記集積回路が、前記アンテナ及び/又はインダクタのループの上方にある、請求項1に記載の認識装置。前記インタポーザ上の前記集積回路が、前記アンテナ及び/又はインダクタのループの上方にある、請求項8に記載の製造方法。