複数の被処理体に対して一括して成膜を行う縦型バッチ式成膜装置であって、複数の被処理体を高さ方向に積み重ねた状態で収容し、前記複数の被処理体に対して一括して成膜を行う処理室と、前記処理室に収容された前記複数の被処理体を加熱する加熱装置と、前記処理室の内部を排気する排気機構と、前記処理室を収容する収容容器と、前記収容容器の内部に、処理に使用されるガスを供給するガス供給機構と、前記処理室の側壁に設けられ、前記処理室と収容容器とを連通させる複数のガス導入孔とを、備え、前記処理に使用されるガスを、前記複数のガス導入孔を介して、前記処理室の内部に前記複数の被処理体の処理面に対して平行な流れで供給しつつ、前記処理室内に炉内温度傾斜を設定せずに、前記複数の被処理体に対して一括して成膜を行うことを特徴とする縦型バッチ式成膜装置。前記処理室内に、処理に使用されたガスが縦方向に流れる排気通路を有し、前記被処理体の縁から前記処理室の内壁面までの距離を、前記排気通路以外の部分では距離d1とし、前記排気通路の部分では距離d2としたとき、d1<d2に設定されていることを特徴とする請求項2に記載の縦型バッチ式成膜装置。複数の被処理体に対して一括して成膜を行う縦型バッチ式成膜装置であって、複数の被処理体を高さ方向に積み重ねた状態で収容し、前記複数の被処理体に対して一括して成膜を行う処理室と、前記処理室に収容された前記複数の被処理体を加熱する加熱装置と、前記処理室を収容する収容容器と、前記収容容器の内部を、ガス拡散室とガス排気室とに区分する隔壁と、前記ガス拡散室に、処理に使用されるガスを供給するガス供給機構と、前記処理室の側壁に設けられ、前記処理室と前記ガス拡散室とを連通させる複数のガス導入孔と、前記ガス排気室の内部を排気する排気機構と、前記処理室の側壁に設けられ、前記処理室と前記ガス排気室とを連通させる複数のガス排気孔と、備え、前記処理に使用されるガスを、前記複数のガス導入孔を介して、前記処理室の内部に前記複数の被処理体の処理面に対して平行な流れで供給しつつ、前記処理室内に炉内温度傾斜を設定せずに、前記複数の被処理体に対して一括して成膜を行うことを特徴とする縦型バッチ式成膜装置。複数の被処理体に対して一括して成膜を行う縦型バッチ式成膜装置であって、複数の被処理体を高さ方向に積み重ねた状態で収容し、前記複数の被処理体に対して一括して成膜を行う処理室と、前記処理室に収容された前記複数の被処理体を加熱する加熱装置と、前記処理室を収容する収容容器と、前記収容容器と前記処理室との間の空間の一部に形成され、前記収容容器と前記処理室との間の空間にガス排気室を区画するとともに、前記収容容器の内部にガス拡散室を形成するダクトと、前記ガス拡散室に、処理に使用されるガスを供給するガス供給機構と、前記ダクトの側壁に設けられたガス供給孔と、前記処理室の側壁に設けられ、前記ガス供給孔を介して前記処理室と前記ガス拡散室とを連通させる複数のガス導入孔と、前記ガス排気室の内部を排気する排気機構と、前記処理室の側壁に設けられ、前記処理室と前記ガス排気室とを連通させる複数のガス排気孔と、備えていることを特徴とする縦型バッチ式成膜装置。前記ダクトは、前記収容容器に取り外し可能に固定され、前記処理室には固定されていないことを特徴とする請求項4に記載の縦型バッチ式成膜装置。前記ダクトは、前記処理室に、クリアランスを介して面していることを特徴とする請求項5に記載の縦型バッチ式成膜装置。前記クリアランスのコンダクタンスは、前記複数のガス導入孔のコンダクタンスよりも小さいことを特徴とする請求項6に記載の縦型バッチ式成膜装置。前記処理に使用されるガスを、前記複数のガス導入孔を介して、前記処理室の内部に前記複数の被処理体の処理面に対して平行な流れで供給しつつ、前記処理室内に炉内温度傾斜を設定せずに、前記複数の被処理体に対して一括して成膜を行うことを特徴とする請求項4から請求項7のいずれか一項に記載の縦型バッチ式成膜装置。前記加熱装置は、前記処理室の内部をゾーンごとに加熱する複数の加熱体を備え、前記複数の被処理体に対して一括して成膜を行う際、前記複数の加熱体それぞれに設定される設定温度を、全て同じ温度にすることを特徴とする請求項1から請求項3、及び請求項8のいずれか一項に記載の縦型バッチ式成膜装置。前記複数の加熱体の温度ばらつきΔTは、±7°C≧ΔTの範囲に抑えられることを特徴とする請求項9に記載の縦型バッチ式成膜装置。前記複数の被処理体に対する一括した成膜が、1前記被処理体上に第1の膜を形成し、2前記第1の膜上に、この第1の膜と異なる第2の膜を形成し、3前記1の手順と前記2手順とを繰り返し、前記複数の被処理体上に、前記第1の膜及び前記第2の膜が複数積層された積層膜を成膜するものであることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の縦型バッチ式成膜装置。前記複数の被処理体が半導体ウエハであり、前記第1の膜及び前記第2の膜の一方がシリコン酸化物膜又はノンドープアモルファスシリコン膜であり、前記第1の膜及び前記第2の膜の他方がシリコン窒化物膜又はドープトアモルファスシリコン膜であることを特徴とする請求項11に記載の縦型バッチ式成膜装置。前記第1の膜の成膜温度と前記第2の膜の成膜温度とを、同一温度とすることを特徴とする請求項11又は請求項12に記載の縦型バッチ式成膜装置。このように、縦型バッチ式成膜装置では、成膜をするごとに、処理室の内部に、炉内温度傾斜を設定しなければならない。また、処理室内の温度が、適切な炉内温度傾斜で安定するまでには、相応の温度安定時間が必要である。近時、半導体集積回路装置は高集積化が進展し、トランジスタやメモリセルなどの素子を半導体ウエハ表面から上層に向けて積み上げていく、いわゆる素子の3次元化が進んでいる。素子が3次元化された半導体集積回路装置においては、例えば、シリコン酸化物膜およびシリコン窒化物膜を何十層にも繰り返し積層した積層構造も見られる。例えば、成膜温度条件が異なる2種類以上のCVD成膜を同一の炉内で連続して複数回繰り返し行おうとすると、各CVD成膜の度に最適な炉内温度傾斜を設定するためにヒータを制御する温度設定作業を繰り返し、なおかつ、炉内温度傾斜が安定するまでの温度安定時間を一層ごとにとらなければならない。このため、例えば、シリコン酸化物膜およびシリコン窒化物膜を何十層にも積層した積層構造を形成するには、膨大な時間がかかってしまう。この発明は、処理室内に炉内温度傾斜を設定しなくても、縦型ウエハボートの上段に積まれた半導体ウエハへの成膜量と、下段に積まれた半導体ウエハへの成膜量とのバラツキを抑制することが可能な縦型バッチ式成膜装置を提供する。この発明の第1の態様に係る縦型バッチ式成膜装置は、複数の被処理体に対して一括して成膜を行う縦型バッチ式成膜装置であって、複数の被処理体を高さ方向に積み重ねた状態で収容し、前記複数の被処理体に対して一括して成膜を行う処理室と、前記処理室に収容された前記複数の被処理体を加熱する加熱装置と、前記処理室の内部を排気する排気機構と、前記処理室を収容する収容容器と、前記収容容器の内部に、処理に使用されるガスを供給するガス供給機構と、前記処理室の側壁に設けられ、前記処理室と収容容器とを連通させる複数のガス導入孔とを、備え、前記処理に使用されるガスを、前記複数のガス導入孔を介して、前記処理室の内部に前記複数の被処理体の処理面に対して平行な流れで供給しつつ、前記処理室内に炉内温度傾斜を設定せずに、前記複数の被処理体に対して一括して成膜を行う。この発明の第2の態様に係る縦型バッチ式成膜装置は、複数の被処理体に対して一括して成膜を行う縦型バッチ式成膜装置であって、複数の被処理体を高さ方向に積み重ねた状態で収容し、前記複数の被処理体に対して一括して成膜を行う処理室と、前記処理室に収容された前記複数の被処理体を加熱する加熱装置と、前記処理室を収容する収容容器と、前記収容容器の内部を、ガス拡散室とガス排気室とに区分する隔壁と、前記ガス拡散室に、処理に使用されるガスを供給するガス供給機構と、前記処理室の側壁に設けられ、前記処理室と前記ガス拡散室とを連通させる複数のガス導入孔と、前記ガス排気室の内部を排気する排気機構と、前記処理室の側壁に設けられ、前記処理室と前記ガス排気室とを連通させる複数のガス排気孔と、備え、前記処理に使用されるガスを、前記複数のガス導入孔を介して、前記処理室の内部に前記複数の被処理体の処理面に対して平行な流れで供給しつつ、前記処理室内に炉内温度傾斜を設定せずに、前記複数の被処理体に対して一括して成膜を行う。この発明の第3の態様に係る縦型バッチ式成膜装置は、複数の被処理体に対して一括して成膜を行う縦型バッチ式成膜装置であって、複数の被処理体を高さ方向に積み重ねた状態で収容し、前記複数の被処理体に対して一括して成膜を行う処理室と、前記処理室に収容された前記複数の被処理体を加熱する加熱装置と、前記処理室を収容する収容容器と、前記収容容器と前記処理室との間の空間の一部に形成され、前記収容容器と前記処理室との間の空間にガス排気室を区画するとともに、前記収容容器の内部にガス拡散室を形成するダクトと、前記ガス拡散室に、処理に使用されるガスを供給するガス供給機構と、前記ダクトの側壁に設けられたガス供給孔と、前記処理室の側壁に設けられ、前記ガス供給孔を介して前記処理室と前記ガス拡散室とを連通させる複数のガス導入孔と、前記ガス排気室の内部を排気する排気機構と、前記処理室の側壁に設けられ、前記処理室と前記ガス排気室とを連通させる複数のガス排気孔と、備えている。この発明によれば、処理室内に炉内温度傾斜を設定しなくても、縦型ウエハボートの上段に積まれた半導体ウエハへの成膜量と、下段に積まれた半導体ウエハへの成膜量とのバラツキを抑制することが可能な縦型バッチ式成膜装置を提供できる。以下、この発明の実施形態を、図面を参照して説明する。なお、全図にわたり、共通の部分には共通の参照符号を付す。第1の実施形態図1はこの発明の第1の実施形態に係る縦型バッチ式成膜装置の一例を概略的に示す縦断面図、図2は図1中の2-2線に沿う水平断面図である。図1及び図2に示すように、縦型バッチ式成膜装置100aは、下端が開口された円筒形の処理室101と、処理室101を収容する、下端が開口された円筒形の収容容器102とを有している。処理室101及び収容容器102は、例えば、石英により形成されている。収容容器102の下端開口部には、円筒形のマニホールド103がOリング等のシール部材104を介して連結されている。マニホールド103は、例えば、ステンレススチールにより形成されている。本例のマニホールド103は、その上端の一部が、処理室101の下端開口部に、Oリング等のシール部材105を介して連結されている。マニホールド103は、処理室101及び収容容器102の下端を支持する。また、マニホールド103と処理室101との連結部103aは、処理室101の排気通路となる。マニホールド103の下方からは、被処理体として複数枚、例えば、50~100枚の半導体ウエハ、本例では、シリコンウエハWが、縦型ウエハボート106に支持された状態で挿入される。縦型ウエハボート106は、図示せぬ支持溝が形成された複数本の支柱107を有する。複数のシリコンウエハWは、図示せぬ支持溝に支持される。また、縦型ウエハボート106は、テーブル108上に、石英製の保温筒109を介して載置される。テーブル108は、蓋部110を貫通する回転軸111上に支持される。蓋部110は、例えば、ステンレススチールにより形成され、マニホールド103の下端開口部を開閉する。また、蓋部110の回転軸111が貫通する部分には、例えば、磁性流体シール112が設けられている。これにより、回転軸111は、処理室101の内部を気密にシールしつつ回転可能になっている。蓋部110の周辺部とマニホールド103の下端開口部との間、処理室101の下端開口部との間には、Oリング等のシール部材113が介設されている。これにより、処理室101及び収容容器102の内部と外界とが気密にシールされる。回転軸111は、ボートエレベータ等の図示せぬ昇降機構に支持されたアーム114の先端部分に取り付けられる。これにより、ウエハボート106及び蓋部110は、一体的に昇降されて処理室101及び収容容器102に対して挿脱される。縦型バッチ式成膜装置100aは、収容容器102の内部に、処理に使用されるガスを供給するガス供給機構120を備えている。ガス供給機構120が供給するガスは、成膜される膜の種類に応じて換えられる。例えば、縦型バッチ式成膜装置100aが、SiO2膜とSiBN膜とを複数積層させた積層膜を成膜する場合には、ガス供給機構120は、シリコン原料ガス供給源121、酸化剤を含むガス供給源122、窒化剤を含むガス供給源123、ボロン含有ガス供給源124、並びに不活性ガス供給源125を含む。シリコン原料ガスの一例はジクロロシランSiH2Cl2:DCS、又はテトラエトキシシランSiC2H5O4:TEOS、酸化剤を含むガスの一例は酸素O2ガス、窒化剤を含むガスの一例はアンモニアNH3、ボロン含有ガスの一例は三塩化ボロンBCl3、並びに不活性ガスの一例は窒素N2ガスである。不活性ガスは、例えば、パージガスとして使用される。シリコン原料ガス供給源121は、流量制御器126a及び開閉弁127aを介して、ガス導入ポート128に接続されている。ガス導入ポート128は、マニホールド103の側壁を貫通しており、その先端からガスを、収容容器102の内部に供給する。以下、同様にして、酸化剤を含むガス供給源122は流量制御器126b及び開閉弁127bを介して、窒化剤を含むガス供給源123は流量制御器126c及び開閉弁127cを介して、ボロン含有ガス供給源124は流量制御器126d及び開閉弁127dを介して、不活性ガス供給源125は流量制御器126e及び開閉弁127eを介して、それぞれガス導入ポート128に接続されている。マニホールド103と処理室101との連結部103aには、排気口129が取り付けられている。排気口129には、真空ポンプ等を含む排気機構130が接続される。排気機構130は、処理室101内を、その下方から排気することで処理に使用したガスの排気、及び処理室101内の圧力を処理に応じた処理圧力とする。収容容器102の外周には、筒体状の加熱装置131が設けられている。加熱装置131は、処理室101の内部を、収容容器102の側壁及び処理室101の側壁を介して加熱する。これにより、処理室101の内部に供給されたガスを活性化するとともに、処理室101内に収容されている被処理体、本例ではシリコンウエハWを加熱する。縦型バッチ式成膜装置100aの各構成部の制御は、例えば、マイクロプロセッサコンピュータからなるコントローラ150により行われる。コントローラ150には、オペレータが、装置100aを管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、装置100aの稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース151が接続されている。コントローラ150には記憶部152が接続されている。記憶部152は、装置100aで実行される各種処理をコントローラ150の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて装置100aの各構成部に処理を実行させるためのプログラム、即ちレシピが格納される。レシピは、例えば、記憶部152の中の記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよいし、CDROM、DVD、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。レシピは、必要に応じて、ユーザーインターフェース151からの指示等にて記憶部152から読み出され、読み出されたレシピに従った処理をコントローラ150が実行することで、装置100aは、コントローラ150の制御のもと、所望の処理を実行する。第1の実施形態に係る縦型バッチ式成膜装置100aは、処理室101が、収容容器102の内部に収容されている。処理に使用されるガスは、直接に処理室101の内部に供給されるのではなく、収容容器102の内部に供給される。処理室101の側壁には、処理室101の内部と収容容器102の内部とを連通させる複数のガス導入孔101aが形成されている。処理に使用されるガスは、複数のガス導入孔101aを介して、処理室101の内部に複数の被処理体、本例ではシリコンウエハWの処理面に対して平行な流れで供給される。ここで、処理に使用されるガスは、収容容器102の内部に、その下方から供給される。しかし、処理に使用されるガスは、収容容器102の内部を流れる。このため、処理に使用されるガスは、シリコンウエハWに接することなく、縦型ウエハボート106の上段に積まれたシリコンウエハWの位置まで届く。従って、縦型ウエハボート106の下段から上段まで、処理に使用されるガスの量や成分を均等になるように、シリコンウエハWに供給することができる。つまり、シリコンウエハWに供給されるガスの量や成分が、縦型ウエハボート106への収容位置でばらついてしまうことを抑制することができる。このように、第1の実施形態に係る縦型バッチ式成膜装置100aによれば、縦型ウエハボート106への収容位置における、シリコンウエハWへの処理に使用されるガスの供給量や供給成分のばらつきが抑制されることで、処理室101内に炉内温度傾斜を設定しなくても、縦型ウエハボート106の上段に積まれたシリコンウエハWへの成膜量と、下段に積まれたシリコンウエハWへの成膜量とのバラツキを抑制することが可能となる、という利点を得ることができる。そして、処理に使用されるガスを、複数のガス導入孔101aを介して、処理室101の内部に複数の被処理体、本例ではシリコンウエハWの処理面に対して平行な流れで供給しつつ、処理室101内に炉内温度傾斜を設定せずに、複数のシリコンウエハWに対して一括して成膜を行う。これにより、スループット良く成膜プロセスを実施することができる、という利点を得ることができる。このような利点は、例えば、1複数のシリコンウエハW上に第1の膜を形成し、2第1の膜上に、この第1の膜と異なる第2の膜を形成し、31の手順と2手順とを繰り返し、複数のシリコンウエハW上に、第1の膜及び第2の膜が複数積層された積層膜を成膜する成膜プロセスにおいて、より良く得ることができる。第1の膜の例としては、シリコン酸化物膜、本例ではSiO2膜、第2の膜の例としては、シリコン窒化物膜、本例ではSiBN膜を挙げることができる。また、第1の膜の他例としては、ノンドープアモルファスシリコン膜、第2の膜の他例としては、アクセプタ原子、例えばボロンBや、ドナー原子、例えばリンP又はヒ素Asがドープされたドープトアモルファスシリコン膜を挙げることができる。また、ノンドープアモルファスシリコン膜とドープトアモルファスシリコン膜とが複数積層された積層膜を成膜する場合、ノンドープアモルファスシリコン膜の成膜温度とドープトアモルファスシリコン膜の成膜温度とを、同一温度にすることが可能である。どちらの膜も、基本的にアモルファスシリコン膜であり、このアモルファスシリコン膜に、アクセプタ原子、又はドナー原子をドープするか否かを変えるだけで良いからである。ノンドープアモルファスシリコン膜とドープトアモルファスシリコン膜とを複数積層、例えば10層から100層繰り返して積層した積層膜を成膜する場合、ノンドープアモルファスシリコン膜の成膜温度とドープトアモルファスシリコン膜の成膜温度とを同一温度とすると、成膜温度を変更せずに済むので、スループット良く成膜できる、という利点を得ることができる。もちろん、シリコン酸化物膜、例えばSiO2膜と、シリコン窒化物膜、例えばSiBN膜とを、例えば10層から100層繰り返して積層した積層膜を成膜する場合にも、双方の膜の成膜温度を同一とすれば、上記同様の利点を得ることができる。次に、炉内温度傾斜を設定しない場合の一例を説明する。図3は、加熱装置131の一例を示す縦断面図である。図3に示すように、加熱装置131は、処理室101の内部をゾーンごとに加熱する加熱体131a~131eを備えている。本例では、処理室101の内部が、ボトムゾーン、センター~ボトムゾーン、センターゾーン、トップ~センターゾーン、及びトップゾーンの5つのゾーンに分割され、加熱体131a~131eはそれぞれ、各ゾーンを加熱する。処理室101内に炉内温度傾斜を設定しない場合には、加熱体131a~131eそれぞれに設定される設定温度を、全て同じ温度にすれば良い。例えば、センターゾーンを加熱する加熱体131cの温度を760°Cに設定した場合には、ボトムゾーンを加熱する加熱体131a、センター~ボトムゾーンを加熱する加熱体131b、トップ~センターゾーンを加熱する加熱体131d、及びトップゾーンを加熱する加熱体131eの温度も、それぞれ760°Cに設定する。ちなみに、処理室101内に炉内温度傾斜を設定する、例えば、センターゾーンを加熱する加熱体131cの温度を760°Cに設定し、炉内温度傾斜として30°Cを設定する一例を述べておくと、加熱体131aの温度は744.5°C、加熱体131bの温度は749.2°C、加熱体131d温度は771.5°C、及び加熱体131eの温度は774.5°C、となる。また、加熱体131a~131eそれぞれに同じ設定温度を設定したとしても、実際には加熱体131a~131eには温度ばらつきΔTがある。実使用上、許容できる加熱体の温度ばらつきΔTは、本例のように処理室101の内部を5つのゾーンに分割した場合、ボトムゾーンに対応する加熱体131aからトップゾーンに対応する加熱体131eまでの間で±5°C以下±5°C≧ΔTの範囲である。同様に、処理室101の内部を、例えば、7つのゾーンに分割した場合には、温度ばらつきΔTは、ボトムゾーンに対応する加熱体からトップゾーンに対応する加熱体までの間で±7°C以下±7°C≧ΔTの範囲に抑えられることが、実使用上良い。つまり、許容できる加熱体の温度ばらつきΔTとしては、ボトムゾーンに対応する加熱体からトップゾーンに対応する加熱体までの間で±7°C≧ΔT、より好ましくは±5°C≧ΔTの範囲となる。このように、第1の実施形態に係る縦型バッチ式成膜装置100aによれば、処理室101部に炉内温度傾斜を設定せずに成膜するので、処理室101内に炉内温度傾斜を設定するために加熱装置131を制御する温度設定作業を繰り返したり、炉内温度傾斜が安定するまでの温度安定時間を一層ごとにとったりする必要がない。このため、例えば、2種類以上の異なる膜が、何十層、例えば10層から100層繰り返し積層された積層膜を成膜する場合に、スループットを向上できる、という利点を得ることができる。このため、第1の実施形態に係る縦型バッチ式成膜装置100aは、素子が3次元化された半導体集積回路装置に内在する構造の成膜プロセスへの適用に有利である。変形例図4はこの発明の第1の実施形態に係る縦型バッチ式成膜装置の変形例を概略的に示す水平断面図である。第1の実施形態に係る縦型バッチ式成膜装置100aは、処理に使用されるガスを、処理室101内に、被処理体、例えばシリコンウエハWの処理面に対して平行な流れ水平方向の流れで供給し、処理に使用されたガスを、処理室101の下方から排気する。即ち、処理に使用されたガスは方向変換されて、例えばシリコンウエハWの処理面に対して交差する方向、例えば、縦方向に流れて排気される。処理室101の内部には、処理に使用されたガスが縦方向に流れる、いわば排気通路となる部分が生じるが、この排気通路となる部分のコンダクタンスが小さいと、処理に使用されたガスが排気され難くなる、ということも想定される。もしも、処理に使用されたガスが排気され難くなった場合には、処理に使用されるガスが、例えばシリコンウエハWの処理面の上方でよどみ、シリコンウエハWの処理面の上方において、処理に使用されるガスの量や成分にムラが生じ、成膜量の面内均一性に影響を及ぼすことも考えられる。このような事情を解消したい場合には、処理室101内において、縦方向にガスが流れる排気通路のコンダクタンスを大きくすると良い。排気通路のコンダクタンスを大きくするためには、例えば、図4に示すように、縦方向にガスが流れる排気通路132の管径を太くすると良い。管径を太くするには、シリコンウエハWの縁から処理室101の内壁面までの距離を、排気通路132以外の部分では距離d1とし、排気通路132の部分では距離d2としたとき、d1<d2に設定すれば良い。このような変形例によれば、排気通路132のコンダクタンスを、図2に示した構造に比較してより大きくすることができるので、処理に使用されたガスがより排気されやすくなる。このため、処理に使用されるガスが、被処理体、例えばシリコンウエハWの処理面の上方でよどむことを解消することができる。よって、処理に使用されるガスが、例えばシリコンウエハWの処理面の上方を、この処理面に平行に層流で流れるようになり、成膜量の面内均一性が、より向上する、という利点を得ることができる。第2の実施形態図5はこの発明の第2の実施形態に係る縦型バッチ式成膜装置の一例を概略的に示す縦断面図、図6は図5中の6-6線に沿う水平断面図である。図5及び図6に示すように、第2の実施形態に係る縦型バッチ式成膜装置100bが、第1の実施形態に係る縦型バッチ式成膜装置100aと、特に、異なるところは、1収容容器102の内部に設けられ、収容容器102の内部を、ガス拡散室102aとガス排気室102bとに区分する隔壁133を備えていること2処理室101の側壁に、処理室101の内部とガス拡散室102aの内部とを連通させる複数のガス導入孔101bが設けられていること3同じく処理室101の側壁に、処理室101の内部とガス排気室102bの内部とを連通させる複数のガス排気孔101cが設けられていること4排気口129がガス排気室102bに接続され、排気機構130がガス排気室102bを排気することである。その他の構成は、第1の実施形態に係る縦型バッチ式成膜装置100aと同様であるので、その説明は省略する。このような第2の実施形態に係る縦型バッチ式成膜装置100bにおいても、処理室101が、収容容器102の内部に収容されているので、処理に使用されるガスは、直接に処理室101の内部に供給されずに、収容容器102に設けられたガス拡散室102aの内部に供給される。このため、処理に使用されるガスが、ガス拡散室102aの下方から供給されたとしても、処理に使用されるガスは、シリコンウエハWに接することなく、縦型ウエハボート106の上段に積まれたシリコンウエハWの位置まで届く。さらに、処理に使用されるガスは、処理室101の側壁に設けられた複数のガス導入孔101bを介して、処理室101の内部において、複数の被処理体、例えば、シリコンウエハWの処理面に対して平行な流れで供給される。従って、第2の実施形態においても、第1の実施形態と同様の利点を得ることができる。さらに、第2の実施形態に係る縦型バッチ式成膜装置100bによれば、処理室101に供給されたガスを、処理室101の側壁に設けられた複数のガス排気孔101cを介して、ガス排気室102bに排気する。このため、一旦、被処理体に接触し、被処理体と反応したガスを、複数の被処理体の処理面に対して平行な流れで排気することができる。つまり、供給から排気までの流れを複数の被処理体の処理面に対して平行にでき、処理に使用されるガスが被処理体に接触する時間を、縦型ウエハボート106の下段から上段まで、均一にすることが可能となる。このように、第2の実施形態によれば、さらに、処理に使用されるガスとシリコンウエハWとの接触時間をも、縦型ウエハボート106への収容位置に関わらずに均一にできるので、縦型ウエハボート106の上段に積まれたシリコンウエハWへの成膜量と、下段に積まれたシリコンウエハWへの成膜量とのバラツキを、さらに抑制することが可能となる、という利点を得ることができる。第3の実施形態図7はこの発明の第3の実施形態に係る縦型バッチ式成膜装置の一例を概略的に示す縦断面図、図8は図7中の8-8線に沿う水平断面図である。図7及び図8に示すように、第3の実施形態に係る縦型バッチ式成膜装置100cが、第2の実施形態に係る縦型バッチ式成膜装置100bと、特に、異なるところは、収容容器102の内部をガス拡散室102aとガス排気室102bとに区分する隔壁133の代わりに、収容容器102の内部にガス拡散室102aを形成するダクト134が設けられていることである。その他の構成は、第2の実施形態に係る縦型バッチ式成膜装置100bと同様であるので、その説明は省略する。ダクト134の側壁には、処理室101の側壁に形成されたガス導入孔101bに対応したガス供給孔134aが設けられている。ダクト134は、収容容器102には、例えば、取り外し可能に固定されるが、処理室101とは固定されない。ダクト134は、例えば、わずかな隙間クリアランス135を介して処理室101に面している。ダクト134と処理室101との間にクリアランス135を設けておくことで、ダクト134と処理室101とが互い擦れ合うことがない。このため、パーティクルの発生を抑制することができる。また、クリアランス135のコンダクタンスを、処理室101の側壁に設けられたガス導入孔101bのコンダクタンスよりも小さくしておけば、ダクト134のガス供給孔134aから供給されるガスが、クリアランス135を介して漏出することを抑制することができる。また、ダクト134は、処理室101と収容容器102との間の空間の全体に形成せず、この空間の一部に形成する。これにより、処理室101と収容容器102との間の空間で、ダクト134が無い部分には、ガス排気室102bを区画することができる。このようなダクト134の水平断面形状は、処理室101及び処理容器102の水平断面形状が円形である場合、完全なリング形ではなく、セミリング形となる。本例では、円筒形の収容容器102を二分する部分、いわゆる直径部まで形成され、収容容器102の半径rとほぼ同じの径を持つハーフリング形となっている。このように、ダクト134を、例えば、収容容器102の半径rとほぼ同じの径を持つハーフリング形とすることで、ガス拡散室102aの容積を大きく保つことができる。ガス拡散室102aの容積を大きく保つことで、ガス拡散室102aの内壁に、例えば、処理に使用されるガスに由来した堆積物が付着したとしても、コンダクタンスがほとんど変化しなくなる、という利点を得ることができる。例えば、一般的なガスノズルを考える。ガスノズルは管径が細いため、その内壁に堆積物の付着量が増えるにつれ、ガスノズルのコンダクタンスがだんだんと小さくなっていく。このため、処理に使用されるガスの流量を、流量制御器を用いて精度よく制御したとしても、実際に吐出されるガスの量は、経時的に変化している。このようなガスの吐出量の経時的な変化は、ガス拡散室102aの容積を大きく保ち、堆積物の付着によるコンダクタンスの変化量をごく小さい値に抑えることで解消することができる。なお、この利点については、第1、第2の実施形態においても得られている。第1の実施形態では処理室101と収容容器102との間に形成された、処理に使用されるガスが供給される空間の容積が大きいため、また、第2の実施形態では、隔壁133によって区分されたガス拡散室102aの容積が、本第3の実施形態と同様に大きいためである。さらに、第3の実施形態に係る縦型バッチ式成膜装置100cによれば、ダクト134は収容容器102に、取り外し可能に固定され、処理室101には固定されない。このため、第2の実施形態に比較してメンテナンスがしやすい、という利点を得ることができる。例えば、隔壁133が処理室101に固定されていると、成膜装置100bを分解してメンテナンスする際、隔壁133の取り外し作業に手間がかかる。例えば、固定部分が、作業者にとっては狭い空間の内側にあるためである。この点、第3の実施形態によれば、ダクト134が処理室101に固定されていないので、処理室101を収容容器102から取り外すだけで、処理室101とダクト134とを分離することができる。さらに、収容容器102から処理室101が取り外されれば、収容容器102の内側には作業者にとって十分な空間が得られる。このため、ダクト134は、収容容器102から容易に取り外すことができる。このような第3の実施形態に係る縦型バッチ式成膜装置100cによれば、第1、第2の実施形態と同様な利点が得られるとともに、第2の実施形態に比較して、メンテナンスがしやすい、という利点をさらに得ることができる。以上、この発明を実施形態に従って説明したが、この発明は、上記実施形態に限定されることは無く、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、SiO2膜とSiBN膜や、ノンドープアモルファスシリコン膜とドープトアモルファスシリコン膜とを複数積層した積層膜を形成することが可能な縦型バッチ式成膜装置を例示したが、膜については、これらの膜に限られるものではなく、成膜可能な膜であれば、いかなる膜の積層膜であっても良い。もちろん、SiO2膜、SiBN膜、ノンドープアモルファスシリコン膜、及びドープトアモルファスシリコン膜を、様々に組み合わせて積層膜を成膜することも可能である。また、基板としては、半導体ウエハ、例えば、シリコンウエハに限定されるものでもなく、本発明は、LCDガラス基板等の他の基板にも適用することが可能である。その他、この発明はその要旨を逸脱しない範囲で様々に変形することができる。