"Siウェハ表面に対して、アンモニア、あるいはフッ化アンモニウム、もしくは硝酸アンモニウム含む、硝酸,フッ酸および過酸化水素の群から選ばれる少なくとも1つの溶液を作用させる工程を含むシリコンウェハの表面処理方法。Siウェハが、Si単結晶、Si多結晶、Si非結晶性層およびSi含有混合固体層から選ばれる請求項1に記載のシリコンウェハの表面処理方法。Siウェハ表面に対して、アンモニア、あるいはフッ化アンモニウム、もしくは硝酸アンモニウム含む、硝酸,フッ酸および過酸化水素の群から選ばれる少なくとも1つの溶液を作用させる工程を含む半導体装置の製造方法。Siウェハが、Si単結晶、Si多結晶、Si非結晶性層およびSi含有混合固体層から選ばれる請求項3に記載の半導体装置の製造方法。Siウェハ表面に対して、アンモニア、あるいはフッ化アンモニウム、もしくは硝酸アンモニウム含む、硝酸,フッ酸および過酸化水素の群から選ばれる少なくとも1つの溶液の作用で形成したナノ構造の多孔質層をそなえた太陽電池。Siウェハが、Si単結晶、Si多結晶、Si非結晶性層およびSi含有混合固体層から選ばれる請求項5に記載の太陽電池。本発明の目的は、上述の従来例のような白金等の触媒金属の共存する溶液を用いることなしに、Siの表面を微細なナノ構造の多孔質層に形成するシリコンウェハの表面処理方法及び半導体装置の製造方法並びに微細なナノ構造の多孔質層を有する太陽電池を実現することにある。本発明は、シリコン基板Siウェハの表面に対して、アンモニア、フッ化アンモニウムあるいは硝酸アンモニウムを含む,硝酸、フッ酸あるいは過酸化水素から選ばれる溶液例えば水溶液を単独で、あるいは選択的に適宜複合して作用させて、Siウェハ表面にナノ構造の微細な多孔質層を形成することができるという事象を基礎にする。すなわち、本発明は、Siウェハの表面にナノ構造の多孔質層を実現する方法として、同Siウェハ表面に対して、アンモニア、フッ化アンモニウムあるいは硝酸アンモニウム含む,硝酸HNO3,フッ酸HFおよび過酸化水素H2O2のいずれか、少なくとも1つの水溶液、を作用させる工程をそなえたシリコンウェハの表面処理方法及び半導体装置の製造方法並びに微細なナノ構造の多孔質層を有する太陽電池を提供するものである。本発明は、1つの具体事例として、アンモニアNH3を含む硝酸HNO3とフッ酸HFとの混合酸の溶液が利用されるSiウェハの表面処理方法及び半導体装置の製造方法並びに同混合酸水溶液の作用による微細なナノ構造の多孔質層を有する太陽電池を提供する。本発明は、他の具体事例として、フッ化アンモニウムNH3Fを含む硝酸HNO3の溶液が利用されるSiウェハの表面処理方法及び半導体装置の製造方法並びに同混合酸の溶液を作用させた太陽電池を提供する。さらに、本発明は、別の具体事例として、硝酸アンモニウムNH4NO3含むフッ酸HFの水溶液が利用されるSiウェハの表面処理及び半導体装置の製造方法並びに同混合酸の溶液の作用による微細なナノ構造の多孔質層を有する太陽電池を提供する。本発明は、Siウェハとして、Si単結晶、Si多結晶、Si非結晶性層およびSi含有混合固体層から選ばれるSiウェハを選択的に使用することができる。本発明によると、Siウェハ表面に対して、アンモニア、フッ化アンモニウムあるいは硝酸アンモニウムを含む,硝酸HNO3、フッ酸HFおよび過酸化水素H2O2のいずれか、少なくとも1つの溶液を作用させることにより、Siウェハ表面をナノ構造の微細な多孔質層に実現でき、これによるSiウェハ表面の光学反射特性では,可視域での表面反射率が5-8という,低反射率特性の顕著な効果が得られた。つぎに、本発明を、実施の形態である各実施例により、図面を参照して詳細に述べる。<第1実施例>本発明の1つの実施例第1実施例を述べる。太陽電池用アズスライス,P型の多結晶Si基板ウェハ表面に対して、29濃度のアンモニアNH3を体積比4、70濃度の硝酸HNO3を体積比1及び50濃度のフッ酸HFを体積比12の各分量と、水H2Oを体積比4の割合に各ミリリットルml単位で加えて、各成分のモル濃度M=mole/LでNH3;1.37M/HNO3;0.75M/HF;16.9Mとなる比率の混合水溶液を調製して、この混合水溶液を用いて、室温で約1分間作用させる処理を行った。この処理により、同ウェハの表面は約0.5μm程度削られたが、ウェハ表面は、図1の走査型電子顕微鏡SEM像図に示される通り、ナノオーダーの微細な穴が無数に形成された表面構造、いわゆるナノ構造の多孔質層になっていることが分かった。図2は、本実施例による室温での約1分間処理後の多結晶Siウェハ断面の走査型電子顕微鏡SEM像図であり、P型Si基板ウェハ1の最表部の浅い領域にナノ構造の多孔質層2が形成されていることが分かる。図3には、本実施例による光波長域300~800nmでの表面反射率特性を、未処理の場合と比較して示す。反射特性では,図3のように,可視光域でのナノ構造の多孔質層2の表面反射率が5-8の低反射率特性であった。また、室温で約10分間継続して作用させる処理を行った場合でも、図3で分かるように、表面反射率の低下は概ね極限状態であり、表面構造は1分程度の短時間処理でナノ構造の多孔質層化がほぼ全面的に十分達成されているものと思われる。とりわけ、表面ナノ構造多孔質層の短波長可視光領域での低反射率特性が得られたことは特筆である。なお、本実施例は、P型の多結晶Si基板ウェハを用いたが、P型以外の多結晶Si基板ウェハであっても、ナノ構造の多孔質層の形成が可能である。<第2実施例>本実施例では、太陽電池用の単結晶ウェハ表面に対して、29濃度のアンモニアNH3、70濃度の硝酸HNO3及び50濃度のフッ酸HFの水溶液に、適宜の水を加えて、各成分比がモル濃度M=mole/LでNH3;1.37M/HNO3;0.75M/HF;16.9Mである,上述の第1実施例の場合と同じ組成の混合水溶液により、室温で約1-10分間作用させる処理を行った。図4には、本実施例による光波長域300~800nmの表面反射率特性を未処理の場合と比較して示す。これによると、室温での処理時間が1分間では、可視光域の表面反射率がおよそ30~15であり、また、室温で約10分間継続して作用させる処理を行った場合でほぼ10以下になる。つまり、単結晶Siウェハの場合には表面構造の全面的なナノ構造の多孔質層化を達成するのに、多結晶Siウェハの場合に比べて、より高い反応性の処理条件に選択設定することを要するが、概ね上述の第1実施例の場合と同様に表面ナノ構造の多孔質層化が実現されていると認められる。<第3実施例>本実施例では、LSI用の高純度単結晶ウェハ表面に対して、29濃度のアンモニアNH3、70濃度の硝酸HNO3及び50濃度のフッ酸HFの水溶液に、適宜の水を加えて、各成分比がモル濃度M=mol/L比でNH3;1.37M/HNO3;0.75M/HF;16.9Mとなる,上述の第1実施形態の場合と同じ組成の混合水溶液により、室温で約10分間作用させる処理を行った。図5には、本実施例による光波長域300~800nmの表面反射率特性を、未処理の場合と比較して示す。これによると、室温で約10分間継続して作用させる処理を行った場合でほぼ10以下になり、表面反射率は、概ね上述の第2実施形態の場合と同様であった。図6には、LSI用の高純度単結晶ウェハ表面の走査型電子顕微鏡SEM像図を示し、本実施例においても、ナノオーダーの微細な穴が無数に形成された表面構造、いわゆるナノ構造の多孔質層になっていることが観られた。なお、本実施例は、第1~3の各実施例でのアンモニアに代えて、あるいはフッ化アンモニウムを用いることが可能で、それらの場合には、硝酸及びフッ酸との混合酸中のフッ酸を減量ないしは無にして、硝酸HNO3の水溶液を用いることが可能である。また、本実施例は、第1~3の各実施例でのアンモニアに代えて、硝酸アンモニウムを用いることも可能で、それらの場合には、硝酸及びフッ酸との混合酸に代えて、フッ酸HFおよび過酸化水素H2O2のうちのいずれか1つの水溶液を選択して使用することが可能である。そして、いずれの場合も、硝酸、フッ酸、および過酸化水素等の酸性溶液および同酸性溶液中のアンモニア、フッ化アンモニウム、硝酸アンモニウム等の成分とその成分割合は、適宜、選択して、経験的に最適化して利用し得ることである。"