"研削砥石を有する研削ホイールで被加工物を研削する研削方法であって、被加工物の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、第1の回転軸周りに回転するチャックテーブルで該保護部材が貼着された被加工物の表面側を保持する保持ステップと、第1の回転軸と平行な第2の回転軸周りに回転する研削ホイールの該研削砥石の端面を該チャックテーブルで保持されて該第1の回転軸周りに回転する被加工物の裏面に当接させるとともに、該研削砥石を被加工物に接近する方向へ研削送りすることにより被加工物の裏面を研削する研削ステップと、該研削ステップを実施中に、該研削砥石の該端面の下に被加工物が侵入する少なくとも入口側で被加工物上に圧力を付与する圧力付与ステップとを具備し、該圧力付与ステップで被加工物上に圧力を付与して、該研削砥石に対する該入口側の被加工物を該端面の下の被加工物に対して平坦にしつつ研削を遂行することを特徴とする研削方法。前記圧力付与ステップでは、該入口側の被加工物上に流体を噴出することにより、該研削ホイールの研削圧と同等の圧力を被加工物に付与して、該入口側の被加工物を該端面の下の被加工物に対して平坦にする請求項1記載の研削方法。しかし、光デバイスウエーハの表面に粘着テープからなる保護テープを貼着し、光デバイスウエーハの裏面のサファイア基板を研削してその厚みを100μm以下、更には50μm以下と薄くすると、サファイア基板に割れが生じるという問題がある。掛かる問題は、炭化珪素基板SiC基板等の硬質脆性基板の研削においても同様に生じる。この原因について考察すると、サファイア基板等の被加工物の研削時に被加工物が割れるのは、研削圧力によって研削砥石の端面で押圧された被加工物部分が局所的に保護テープに沈み込み、砥石端面が押圧している砥石端面下の被加工物と砥石端面下に侵入しようとしている被加工物の間に急な段差が生じ、この段差部分に研削砥石が当たるためであると考えられる。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、被加工物を薄く研削加工しても被加工物の割れが生じない研削方法を提供することである。本発明によると、研削砥石を有する研削ホイールで被加工物を研削する研削方法であって、被加工物の表面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、第1の回転軸周りに回転するチャックテーブルで該保護部材が貼着された被加工物の表面側を保持する保持ステップと、第1の回転軸と平行な第2の回転軸周りに回転する研削ホイールの該研削砥石の端面を該チャックテーブルで保持されて該第1の回転軸周りに回転する被加工物の裏面に当接させるとともに、該研削砥石を被加工物に接近する方向へ研削送りすることにより被加工物の裏面を研削する研削ステップと、該研削ステップを実施中に、該研削砥石の該端面の下に被加工物が侵入する少なくとも入口側で被加工物上に圧力を付与する圧力付与ステップとを具備し、該圧力付与ステップで被加工物上に圧力を付与して、該研削砥石に対する該入口側の被加工物を該端面の下の被加工物に対して平坦にしつつ研削を遂行することを特徴とする研削方法が提供される。好ましくは、前記圧力付与ステップでは、該入口側の被加工物上に流体を噴出することにより、該研削ホイールの研削圧と同等の圧力を被加工物に付与して、該入口側の被加工物を該端面の下の被加工物に対して平坦にする。本発明によると、研削時に少なくとも研削砥石の端面下に被加工物が侵入する入口側で被加工物上面に圧力を付与するため、研削砥石の端面が押圧している研削砥石端面下の被加工物の部分と研削砥石の端面下に侵入しようとしている被加工物との間に急な段差が生じることがない。従って、研削時に被加工物に割れが発生することが防止される。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明の研削方法を実施するのに適した研削装置2の外観斜視図が示されている。4は研削装置2のベースであり、ベース4の後方にはコラム6が立設されている。コラム6には、上下方向に伸びる一対のガイドレール8が固定されている。この一対のガイドレール8に沿って研削ユニット研削手段10が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット10は、スピンドルハウジング12と、スピンドルハウジング12を保持する支持部14を有しており、支持部14が一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動する移動基台16に取り付けられている。研削ユニット10は、スピンドルハウジング12中に回転可能に収容されたスピンドル18と、スピンドル18を回転駆動するモータ20と、スピンドル18の先端に固定されたホイールマウント22と、ホイールマウント22に着脱可能に装着された研削ホイール24とを含んでいる。研削ホイール24は、図3に示すように、環状基台26と、環状基台26の下端部外周に環状に配設された複数の研削砥石28とから構成される。研削装置2は、研削ユニット10を一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動するボールねじ30とパルスモータ32とから構成される研削ユニット送り機構34を備えている。パルスモータ32を駆動すると、ボールねじ30が回転し、移動基台16が上下方向に移動される。研削ユニット10の研削ホイール24に隣接して、研削位置Bに位置付けられたウエーハ11に対して圧力を付与する圧力付与ノズル46が配設されている。本実施形態では、圧力付与ノズル46から高圧水を噴射して、チャックテーブル38に保持されたウエーハ11に圧力を付与する。ベース4の上面には凹部4aが形成されており、この凹部4aにチャックテーブル機構36が配設されている。チャックテーブル機構36はチャックテーブル38を有し、図示しない移動機構によりウエーハ着脱位置Aと、研削ユニット10に対向する研削位置Bとの間でY軸方向に移動される。40,42は蛇腹である。ベース4の前方側には、研削装置2のオペレータが研削条件等を入力する操作パネル44が配設されている。図2を参照すると、本発明の研削方法の被加工物の一種である光デバイスウエーハ11の表面側斜視図が示されている。光デバイスウエーハ11は、サファイア基板13上に窒化ガリウムGaN等のエピタキシャル層半導体層15が積層されて構成されている。光デバイスウエーハ11は、エピタキシャル層15が積層された表面11aと、サファイア基板13が露出した裏面11bとを有している。サファイア基板13は例えば430μmの厚みを有しており、エピタキシャル層15は例えば5μmの厚みを有している。エピタキシャル層15にLED等の複数の光デバイス19が格子状に形成された分割予定ラインストリート17によって区画されて形成されている。光デバイスウエーハ11の研削に先立って、光デバイスウエーハ11の表面11a側の光デバイス19を保護するために、光デバイスウエーハ11の表面11aには保護テープ21が貼着される。保護テープ21は、ポリエチレン塩化ビニル、ポリオレフィン等の基材の一面に糊層を配設して構成されている。以下、圧力付与ノズル46を備えた研削装置2による本発明の研削方法について図3乃至図5を参照して詳細に説明する。図1に示されたウエーハ着脱位置Aに位置付けられたチャックテーブル38上に保護テープ21を下にして光デバイスウエーハ11を載置し、チャックテーブル38でウエーハ11を吸引保持する。次いで、チャックテーブル機構36の図示しない移動機構を作動して、チャックテーブル38をチャックテーブル38に保持されたウエーハ11が研削ユニット10に対向する研削位置Bに位置付ける。ウエーハ11が研削位置に位置付けられた状態が図3に示されている。特に図示しないが、チャックテーブル38は一辺が固定で他の2点が可動の3点で支持されており、これによりチャックテーブル38の保持面38aが傾斜可能に構成されている。可動始点は、例えばパルスモータとボールねじの組み合わせにより構成されている。また、チャックテーブル38の吸引部はチャックテーブル38の回転中心を頂点として僅かな山形状に形成された保持面38aを有しており、保持面38aの中心部と周辺部との高さの差は10~20μm程度に設定されている。チャックテーブル38の保持面38aが回転中心を頂点とした僅かな山形状に形成され、更にチャックテーブル38を手前側が高くなるように僅かに傾斜するように調整しているため、図4に示すように、研削砥石28が光デバイスウエーハ11の裏面11bに接触する研削領域Gはウエーハ11の回転中心から外周に至る領域に限定され、更に研削方向はウエーハ11の回転中心から外周に至る方向となる。図4で29は研削砥石28の回転軌跡である。本実施形態の研削方法では、チャックテーブル38を矢印a方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール24を矢印bで示す方向に例えば1400rpmで回転させ、チャックテーブル38に保持された光デバイスウエーハ11の回転中心を研削砥石28が通過するように研削ホイール24を位置付ける。そして、研削ユニット送り機構34を駆動して、研削ホイール24を所定の研削送り速度例えば0.3μm/sで下方に所定量研削送りしながら光デバイスウエーハ11の裏面11bのサファイア基板13を研削する。この研削時に、図5に最もよく示されるように、研削砥石28の端面28aの下にウエーハ11が侵入する入口側で圧力付与ノズル46の噴射口48から高圧水50を噴射してウエーハ11に研削ホイール24の研削圧と同等の圧力を付与し、保護テープ21をこの圧力により圧縮して薄くする。これにより、研削砥石28の端面28aが押圧しているウエーハ11の裏面11bと研削砥石28の端面28aの下に侵入しようとしているウエーハ11の裏面11bとの間に急な段差が生じないように、ウエーハ11の裏面11bを平坦にしつつ研削を遂行する。図4でPは圧力付与ノズル46による圧力付与領域である。研削ホイール24の研削圧と同等の圧力とは、研削砥石28の端面下のウエーハ11と入口側のウエーハ11との間に急な段差が生ずることのない程度の圧力である。図5では、研削砥石28の端面28aの下のウエーハ11と入口側のウエーハ11の裏面11bとが真っ平らであるように示されているが、緩やかな傾斜があってもよく、重要なのは端面28aの下と入口側との間に急な段差が生じなければよい。このように圧力付与ノズル46で高圧水を噴射してウエーハ11に圧力を付与しながら研削すると、研削砥石28の端面28aが押圧している部分のウエーハ11の裏面11bと研削砥石28の端面28aの下に侵入しようとしているウエーハ11の裏面11bとの間に急な段差が生ずることがないため、研削時に光デバイスウエーハ11の基板13に割れが発生することを防止できる。上述した実施形態では、圧力付与ノズル46から高圧水を噴射してウエーハ11に圧力を付与しているが、圧力付与手段は流体ではなく、物理的に押圧する押圧手段によりウエーハ11に圧力を付与するようにしてもよい。また、上述した実施形態では、被加工物として表面に光デバイス19が形成された光デバイスウエーハ19を研削する例について説明したが、表面にデバイスを有しない被加工物の研削時にも表面に保護テープ等を貼着して研削する場合には、本発明の研削方法を適用可能である。更に、上述した実施形態では本発明の研削方法をサファイア基板等の硬質脆性材料の研削に適用した例について説明したが、本発明の研削方法はシリコンウエーハの研削にも同様に適用することができる。また、保護テープ21を光デバイスウエーハ11の表面11aに貼着する代わりに、樹脂をウエーハ11の表面11aに塗布して保護部材として硬化させた後、ウエーハ11の裏面11bを研削する場合にも本発明は適用可能である。"