基材と、前記基板の表面に形成されて極端紫外光を反射する高屈折層と低屈折層とからなる多層反射層と、前記多層反射層の上に形成されて極端紫外光を吸収する吸収層と、前記基板の下面に形成された導電膜と、前記導電膜の下面に均一に塗布される保護被膜とを備えたことを特徴とする反射型マスク。前記保護被膜は、構成元素としてケイ素、フッ素、金属元素を含まない有機高分子により構成されることを特徴とする請求項1に記載の反射型マスク。前記保護被膜は、物理的外力を加えない手段によって除去可能に構成したことを特徴とする請求項1又は2に記載の反射型マスク。前記請求項1ないし3の何れか1項に記載の反射型マスクをマスク保持部により保持し、該反射型マスクに形成されたパターンを感応基板上に露光転写する露光装置であって、前記マスク保持部は、前記反射型マスクに保護皮膜を介して接触することを特徴とする露光装置。請求項4に記載の露光装置であって、前記マスク保持部に保持された反射型マスクにエネルギー線を照射する手段を備えていることを特徴とする露光装置。請求項4又は5に記載の露光装置であって、前記マスク保持部近傍に酸素原子、水素原子のいずれか、もしくは両方から構成される物質を導入する機構を備えていることを特徴とする露光装置。しかし、特許文献1では裏面導電膜に固着した異物のみが除去可能であり、静電チャック側に付着した異物や、着脱を繰り返して生じた静電チャックの劣化に関しては考慮されていない。また、特許文献2に関しても、EUV露光装置内のミラー表面に付着した異物を除去することが目的であり、静電チャック上に付着した異物に関しては考慮されていない。上述した従来技術の問題点を解決するために、本発明は静電チャックによる吸着保持の結果、導電膜の表面に固着する異物を抑えるとともに、付着した異物を容易に除去し、かつ静電チャックの劣化を抑制する方法を提供することを目的とする。本発明の請求項1に記載の反射型マスクは、基材と、前記基板の表面に形成されて極端紫外光を反射する高屈折層と低屈折層とからなる多層反射層と、前記多層反射層の上に形成されて極端紫外光を吸収する吸収層と、前記基板の下面に形成された導電膜と、前記導電膜の下面に均一に塗布される保護被膜とを備えたことを特徴とする。請求項2の発明は、請求項1記載の反射型マスクにおいて、保護被膜は、構成元素としてケイ素、フッ素、金属元素を含まない有機高分子により構成されることを特徴とする。請求項3の発明は、請求項1又は2に記載の反射型マスクにおいて、物理的外力を加えない手段によって保護皮膜を除去可能に構成したことを特徴とする。請求項4に記載の露光装置は、前記請求項1ないし3の何れか1項に記載の反射型マスクをマスク保持部により保持し、該反射型マスクに形成されたパターンを感応基板上に露光転写する露光装置であって、前記マスク保持部は、前記反射型マスクに保護皮膜を介して接触することを特徴とする。請求項5の発明は、請求項4に記載の露光装置であって、前記マスク保持部に保持された反射型マスクにエネルギー線を照射する手段を備えていることを特徴とする。請求項6の発明は、請求項4又は5に記載の露光装置であって、前記マスク保持部近傍に酸素原子、水素原子のいずれか、もしくは両方から構成される物質を導入する機構を備えていることを特徴とする。本発明の反射型マスクおよび露光装置を用いれば、着脱が繰り返されるEUVマスク裏面と静電チャック面で発生していた無機異物の発生を抑制することができ、マスク側裏面に固着した無機異物に関しても、保護被膜を除去する工程で容易に除去することが可能となる。これにより、無機異物起因のマスク表面の微細な反りを抑制することが可能になり、マスクの転写精度を高めることができる。さらには、既に着脱等で静電チャック表面およびマスク裏面に劣化が生じているマスクおよびマスクステージに対し本発明を適用することによって、異物に対して緩衝作用をもつ保護被膜がマスク表面の微細な反りを抑制するため、マスクの転写精度を高めることができる。以下、本発明のマスクおよび露光装置を添付の図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明の実施例に係るEUVマスク12の断面図である。反射型マスクであるEUVマスク12は、露光時に吸収されたEUV光が熱エネルギーに変化するため、基材103は通常のフォトマスクで使用される合成石英ではなく、TiO2をドープした低熱膨張ガラスなどが使用される。基材103の上にはEUV光に対して透過性が高く、高屈折率層と低屈折率層を交互に積層させたEUV光を反射する多層反射膜102が形成される。一例としてシリコンSi膜とモリブデンMo膜とを交互に積層させたSi/Mo多層膜が挙げられる。多層反射膜102上に形成される吸収膜101の構成材料としては、EUV光に対する吸収係数の高い材料が選択され、具体的にはTaおよびその窒化物で構成されることが多い。また多層反射膜102と吸収膜101との間、もしくは吸収膜101上にその他の機能膜が形成されていてもよい。一例を挙げると、多層反射膜102表面の酸化を防止するために、非図示の保護キャッピング膜が多層反射膜102上に形成されている場合があり、ルテニウムRuを主原料とする合金、Siなどから構成される。また、マスクパターン検査時のコントラストを高めるために、マスクパターン検査に用いる検査光波長に対する反射率が低い非図示の低反射層が吸収膜101上に形成される場合もある。基材103の裏面には、基材103よりも高い誘電率および導電性を有する導電膜104が形成される。一例として、Crを主成分とする膜が用いられる場合が多い。本発明では、このEUVマスク12において、パターン面の反対側に炭素原子を基本骨格とする保護被膜105を均一に塗布することを特徴とする。塗布方法にはダイコート、スリットコートなど様々な方法があるが、片面に均一に保護被膜105を塗布する手段としてはスピンコート法が望ましい。保護被膜105の種類としては、ケイ素、フッ素、金属元素を含まない有機高分子、例えばポリオレフィンや、PMMA等のアクリル系樹脂、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニルなどが例として挙げられる。これら保護被膜105は、酸化反応に代表される分解反応時に、酸化ケイ素、フッ素ポリマー、難溶解性金属酸化物などの不揮発性物質を生成して表面に固着することがないため、有機溶剤やフォトマスクの洗浄に用いられる様々な酸、アルカリ系薬液を用いた洗浄液にて容易に保護被膜105を除去することができる。このように保護被膜105を形成したEUVマスク12を、図2に示すEUV露光装置のマスクステージ13に吸着させる。図2において、1はEUV光源、2~11はミラー、12はEUVマスク、13はマスクステージマスク保持部、14はウェハ、15はウェハステージ、16は筐体、17は洗浄用光源、18は洗浄用光源17から照射されるエネルギー線、19はEUVマスク12を洗浄するガスあるいは薬液が充填されたボンベを示している。また、20はボンベ19を開閉制御するバルブである。更に筐体16内には、EUVマスク12の洗浄時に発生するガスをEUV露光装置外へ排出する真空ポンプ図示せずが設けられる。なお、EUV光は大気に吸収されて減衰するため、その光路はすべて所定の真空度に維持されている。上記マスクステージ13は、保護被膜105を介してEUVマスク裏面の導電膜104を静電気力により吸着する。保護被膜105がある場合は、無い場合に比べチャックと導電膜104間の距離が変化するだけでなく、静電チャック-導電膜104間を満たす媒質も変化することになる。上記に例示した有機高分子は、基材103であるガラスと同程度、真空の2~3倍程度の誘電率である。このため、静電チャックに印加する電圧値をこれに合わせ、吸着力を適宜調整する必要がある。このようにEUVマスク裏面の導電膜104と静電チャックを備えたマスクステージ13は、有機物から構成される保護被膜105を介して接触することになり、裏面導電膜104に直接異物が固着することが防止できる。露光後はEUVマスク12を表面に付着した炭素化合物を除去するためのマスク洗浄工程において、酸、アルカリ系薬液を用いればマスク裏面の保護被膜105を除去することができる。また、EUVマスク裏面に固着した異物は、上記マスク洗浄工程において保護被膜105が除去されると同時に、裏面導電膜104から除去される。洗浄が完了したEUVマスク裏面に再度保護被膜105を形成することで、裏面を保護する被膜は何度でも再生することが可能となる。また、保護被膜105を形成したEUVマスク12をマスクステージ13から脱離する際に、保護被膜105の一部がマスクステージ13側に付着、残留することが考えられる。このマスクステージ13に対し、紫外線に代表されるような保護被膜105に対して反応性、分解性が高いエネルギー線を照射し、合わせて酸素酸素原子、水素水素原子のいずれか、もしくは両方を含む気体をマスクステージ13の近傍へ導入する機構を露光装置に設けることで、マスクステージ13に残留した有機物が除去される。具体的には、マスクステージ13に洗浄用光源17から照射したエネルギー線18の働きにより、付着した保護被膜105は導入されたエネルギー線の働きにより分解されて分子量が低下するとともに、マスクステージ近傍に導入されたガスが分解されて酸素、水素ラジカルが発生する。この酸素、水素ラジカルが、マスクステージ13に付着した保護被膜105と反応することによって二酸化炭素、メタン等のガス状物質に変化し、筐体16に組み込まれている非図示の真空ポンプよりEUV露光装置外へ排出されることで、マスクステージ13上の有機物は分解、排出される。なお、上記図2ではエネルギー線18を生成するユニットをEUV露光装置内に導入し、照射しているが、装置外にエネルギー線を導入する機構を設けるなど、本発明の範囲を超えない範囲で変形、改造が可能である。