"入力された入力信号を減衰させる利得調整手段と、前記利得調整手段の出力信号を増幅する増幅手段とからなる送信電力制御回路において、前記増幅手段のドレインバイアス供給端子へ供給するドレイン電流に応じて前記利得調整手段の減衰量を制御することを特徴とする送信電力制御回路。前記ドレインバイアス供給端子に接続されるバイアス抵抗の両端に生じる電圧差を増幅し、前記バイアス抵抗に流れる前記ドレイン電流に対して線形な電圧を出力する第1の差動アンプを備え、前記第1の差動アンプの出力に応じて前記利得調整手段の減衰量を制御することを特徴とする請求項1に記載の送信電力制御回路。前記利得調整手段はPINダイオードを有し、前記第1の差動アンプの出力を対数変換するログアンプと、前記ログアンプの出力と、前記増幅手段の出力レベルを規定する基準電圧との差分を増幅する第2の差動アンプと、を備え、前記第2の差動アンプの出力により前記PINダイオードの減衰量を制御して前記入力信号の信号レベルを調整することを特徴とする請求項2に記載の送信電力制御回路。前記利得調整手段は可変増幅器であって、前記第1の差動アンプの出力と、電源電圧との差分を増幅する第3の差動アンプを備え、前記第3の差動アンプの出力により前記可変増幅器の減衰量を制御して前記入力信号の信号レベルを調整することを特徴とする請求項2に記載の送信電力制御回路。しかしながら、従来回路1では、上記の様に、出力電力を検波ダイオード14に分配するための方向性結合器13、デジタル制御回路15に検波出力する検波ダイオード14、及び検波電圧を基に複雑な補正値計算を行うデジタル制御回路15が必要となるため、送信電力制御回路の製造コストが増大するという問題があった。本発明は、このような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、入出力特性の線形性を維持しつつ、従来回路1より製造コストの低減した低消費電力の送信電力制御回路を提供することにある。上記課題を解決するため、本発明の送信電力制御回路は、入力された入力信号を減衰させる利得調整手段と、前記利得調整手段の出力信号を増幅する増幅手段とからなる送信電力制御回路において、前記増幅手段のドレインバイアス供給端子へ供給するドレイン電流に応じて前記利得調整手段の減衰量を制御することを特徴とする。本発明の送信電力制御回路は、増幅手段のドレインバイアス供給端子へ供給するドレイン電流に応じて前記利得調整手段の減衰量を、入力信号の入力電力が大きい場合、減衰量を大きく、入力信号の入力電力が小さい場合、減衰量を小さくするように制御する。これにより、入出力特性の線形性を維持しつつ、従来回路が有する方向性結合器13、検波ダイオード14、及びデジタル制御回路15を用いた回路構成が不要となり、従来回路より製造コストの低減した低消費電力の送信電力制御回路を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、以下で説明する全ての図面において、同一の構成要素には同一の符号を付加し、適宜説明を省略する。[第1の実施の形態]図1は、本発明の送信電力制御回路の回路構成を示す図である。図1に示すように、本発明の送信電力制御回路は、PINダイオード6、増幅器7、OPアンプ8、LOGアンプ9ログアンプ、差動増幅器10、PINダイオード6のバイアス回路11、及びバイアス抵抗12から構成される。図1において、入力端子1は、送信電力制御装置の入力端子であり、出力端子2は、送信電力制御装置の出力端子である。また、図1に示すように、ゲートバイアス供給端子3は、増幅器7のゲートのバイアス供給端子であり、ドレインバイアス供給端子4は、増幅器7のドレインのバイアス供給端子である。増幅器7増幅手段は、従来回路と同様の回路構成であるので、詳細な説明は省略するが、例えば、電界効果トランジスタFETの1段のAMP構成になっている。また、当該電界効果トランジスタFETは、例えばソース電極が接地され、ゲート電極が第1の整合回路と第1のカップリングコンデンサとの直列回路を介して入力端子1に接続される。そして、第1のカップリングコンデンサと第1の整合回路の接続点に、第2の整合回路を介してゲートバイアス供給端子3が接続され、このゲートバイアス供給端子3に電界効果トランジスタFETのゲート側のバイアス電圧が供給される。また、電界効果トランジスタFETは、ドレイン電極が第3の整合回路と第2のカップリングコンデンサの直列回路を介して出力端子2に接続される。そして、第3の整合回路と第2のカップリングコンデンサの接続点に、第4の整合回路を介してバイアス抵抗12の一端が接続される。本実施形態において、バイアス抵抗12の他端は、図1に示すように、ドレインバイアス供給端子4に接続され、ドレイン側のバイアス電圧が供給される。なお、本実施形態において、ドレインバイアス供給端子4からバイアス抵抗12を介して、増幅器7の上記電界効果トランジスタFETのドレイン側に供給する電流を、以下の説明においてドレイン電流とする。増幅器7におけるドレイン電流と利得Gとの関係は、従来回路1及び従来回路2と同じく、図9に示すように、増幅器7に流れるドレイン電流を、IL、IM、IHと切り替えることで、増幅器7の利得Gは、GL、HM、GHと、ほぼ線形に変化する。OPアンプ8operationalamplifier,オペレーショナルアンプリファイアは、非反転入力端子と反転入力端子と、一つの出力端子を備えた演算増幅器であり、本実施形態においては、ドレインバイアス供給端子4と増幅器7との間に設けられたバイアス抵抗12の両端の電位差を差動増幅するOPアンプ第1の差動アンプである。図2は、OPアンプ8の入出力特性を示す図であり、横軸に増幅器7へ供給するドレイン電流、縦軸にドイレン電流に対応するOPアンプ8の出力電圧を示している。図2に示すように、バイアス抵抗12を流れるドレイン電流と、OPアンプ8の出力電圧は線形の関係にある。OPアンプ8は、図2に示す特性に従って、増幅器7へ供給されるドレイン電流に対応した電圧レベルの信号を、次段のLOGアンプ9へと出力する。LOGアンプ9ログアンプは、OPアンプ8の出力電圧を、電圧レベルが小さい場合は出力レベルを大きく、電圧レベルが大きい場合は出力レベルを小さくするように、ロガリズム的に増幅し、次段の差動増幅器10へと出力する。ここで、LOGアンプ9を用いる理由は、図12に示すPINダイオード6の特性が、PINダイオード6への供給電流が大きい場合PINダイオード6へのバイアス制御電圧が大きい場合、可変減衰量が大きく、供給電流が小さい場合PINダイオード6へのバイアス制御電圧が小さい場合、可変減衰量が小さく、供給電流バイアス制御電圧と可変減衰量の関係が対数関数で示される特性となっているためである。そのため、LOGアンプ9は、ドレイン電流が大きい場合、OPアンプ8の出力レベルが大きくなるので、これを小さく増幅し、PINダイオード6へのバイアス制御電圧を小さくするバイアス供給電流を小さくし、可変減衰量を小さくするように増幅結果を出力する。また、ドレイン電流が小さい場合、OPアンプ8の出力レベルが小さくなるので、これを大きく増幅し、PINダイオード6へのバイアス制御電圧を大きくするバイアス供給電流を大きくし、可変減衰量を大きくするように増幅結果を出力する。つまり、LOGアンプ9の入出力特性を、PINダイオード6へのバイアス制御電圧と可変減衰量との特性とは逆カーブとなる特性逆LOG函数の特性、或いは指数関数的特性となるように設定する。これにより、PINダイオード6において、増幅器7へ供給するドレイン電流に対して、良好な直線性を持った入力信号の減衰特性を得ることができる。差動増幅器10第2の差動アンプは、LOGアンプ9の出力電圧と、基準電圧端子5に供給される電圧とを比較し、両者の差分を増幅し、増幅結果を、ローパスフィルタを有するPINダイオード6のバイアス回路11を介して、PINダイオード6へバイアス制御電圧として出力する。PINダイオード6は、この差動増幅器10の増幅結果結果であるバイアス制御電圧に応じて、入力端子1に入力される入力信号を減衰させ、つまり、増幅器7の入力電力を可変制御する。ここで、基準電圧端子5に供給される電圧とは、差動アンプの出力レベルを規定する基準電圧であって、希望する増幅器7の出力電力出力レベルに応じて、予め設定される電圧である。本実施形態における帰還フィードバック制御は、次のように行われる。すなわち、差動増幅器10において、OPアンプ8及びLOGアンプ9により増幅されたバイアス抵抗12の端子間電圧が、基準電圧と比較され、両者の差分の増幅結果がPINダイオード6のバイアス回路11を介してPINダイオード6利得調整手段にバイアス制御電圧としてフィードバックされ、増幅器7の出力段階での送信電力が一定になるように負帰還制御される。つまり、送信電力が設定値より大きくなるとバイアス抵抗12の端子間電圧は大きくなり、PINダイオード6の可変減衰量が大きくなるように働き、結果として送信電力が小さくなるように働く。逆に、送信電力が設定値より小さいときはバイアス抵抗12の端子間電圧は小さくなり、PINダイオード6の可変減衰量が小さくなり、送信電力が大きくなるように働く。この負帰還制御により送信電力は増幅器7の出力において一定に保たれ、このとき差動増幅器10に入力するLOGアンプ9の出力電圧と基準電圧とは、ほぼ同一電圧となる。つまり、送信電力制御回路の出力レベル増幅器7の出力は基準電圧により制御可能である。図3は、本実施形態において、増幅器7のドレイン電流によりPINダイオード6を制御した時のPINダイオード6への供給電流と可変減衰量との関係を示す図である。図3においては、併せて、上述した従来回路1及び従来回路2におけるPINダイオード6への供給電流と可変減衰量との関係を従来回路として示している。図3に示すように、本実施形態において、ドレイン電流をIL、IM、IHと変えたときに、PINダイオード6への供給電流と可変減衰量は、従来回路に比べて、ドレイン電流の小さい領域で可変減衰量を大きくとることができる。また、図4は、本実施形態、従来回路1及び従来回路2において、増幅器7のドレイン電流を変化させたときの送信電力制御回路の入出力特性であり、横軸は入力電力、縦軸は出力電力を示す。本実施形態の送信電力制御回路においてドレイン電流にて制御を行う場合、図4に示すように、従来回路2とは異なり、ドレイン電流をIH、IM、ILと異なる電流値に切り替えても、送信出力は入力に対して線形性を保っており、従来回路1と同様に入出力特性の線形性を有する回路であることが分かる。なお、図4において従来回路1と入力電力と出力電力との線形性は同等であるが、従来回路1では上述の通り、図7に示す方向性結合器13、検波ダイオード14及びデジタル制御回路15が必要であるので、製造コストの観点から本発明の方が低コストに製造可能である。図5は、本発明の効果を説明するための図であり、本発明の送信電力制御回路及び従来回路1の入出力特性及び電力付加効率を示す図である。図5に示すように、送信電力制御回路の出力電力において、出力レベルが高いレベル設定電力閾値th1とするの場合は、大きいドレイン電流IHを増幅器7に供給し、高い出力レベルの出力を可能にする。また、出力レベルが低レベル設定電力閾値th3とするの場合は、小さいドレイン電流ILを増幅器7に供給することにより増幅器7の電力付加効率を高める。つまり、送信電力制御回路の出力レベルの設定を、電力閾値th1>電力閾値th2>電力閾値th3とすると、ある電力閾値th1より低い電力閾値th2へ設定する場合、ドレイン電流をIHからIMへと切り替える。また、さらに電力閾値th2より低い電力閾値th3へ設定する場合、ドレイン電流をIMからILへと切り替える。これにより、本実施形態によれば、図5に示すように、従来回路1と同様の入出力特性の線形性を有しつつ、従来回路1に比べて、電力付加効率において優れた低消費電力の送信電力制御回路を提供できる。また、本発明によれば、従来回路1におけるデジタル制御回路15による複雑な補正計算が不要で、かつ、方向性結合器13、検波ダイオード14等の不要な、安価な回路構成で増幅器7のバイアス変更する場合であっても、出力電力においてゲインが一定となるような回路装置を提供することができる。[第2の実施の形態]図6は、本発明の送信電力制御回路の他の回路構成を示す図である。図6において、図1に示す送信電力制御回路と同一の構成部分には、同一の符号を付しており、その説明は重複を避けるため省略する。図6において、図1と相違する点は、利得調整手段がPINダイオード6ではなく、増幅器7の前段に設けられた増幅器16である点である。増幅器16は、ドレインバイアス供給端子17、ゲートバイアス供給端子を備える。このゲートバイアス供給端子には、差動増幅器10の出力が入力される。また、図6に示す送信電力制御回路においては、PINダイオードを用いないため、図1に示す送信電力制御回路と相違して、LOGアンプ9は不要である。そのため、OPアンプ8の出力が、差動増幅器10第3の差動アンプの一方の入力に接続され、差動増幅器10の他方の入力は、電源からの電圧端子18に接続される。このように、第2の実施の形態の送信電力制御回路においては、OPアンプ8により増幅されたバイアス抵抗12の端子間電圧が、電源電圧と比較され、両者の差分の増幅結果が増幅器16のゲートバイアス供給端子を介して増幅器16利得調整手段にフィードバックされ、増幅器7の出力段階での送信電力が一定になるように負帰還制御される。以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明の送信電力制御回路は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。"