試料から発生したイオンを加速して飛行空間に導入し、該飛行空間内で質量電荷比に応じてイオンを分離して検出する飛行時間型質量分析装置において、a試料を保持する試料保持部から所定距離離間して配設された引出し電極と、b前記試料保持部と前記引出し電極との間に配設された1又は複数の補助電極と、c前記試料保持部と前記引出し電極との間の空間にイオンを試料表面から引き出して加速する電場を形成するために、該試料保持部、補助電極及び引出し電極にそれぞれ所定の電圧を印加する電圧発生手段と、dイオン発生開始時点から所定の遅延時間が経過するまでの期間中に、試料表面から前記引出し電極に向けてイオンが質量電荷比に応じて移動する引出し電場が形成されるように、前記試料保持部の電位を前記引出し電極の電位よりも第1電位差だけ高く保ち、前記遅延時間が経過した時点及びそれ以降には、前記試料保持部と前記引出し電極との間の空間に存在するイオンが該引出し電極の方向に一斉に加速される加速電場が形成され、且つ、イオン光軸に沿った該加速電場の電位勾配の傾斜が前記引出し電極側よりも前記試料保持部側で相対的に大きい折れ線様となるように前記引出し電極、前記補助電極、及び前記試料保持部の電位をその順に高くし、且つ、前記引出し電極の電位に対する前記試料保持部の電位を前記第1電位差よりも大きな第2電位差だけ高くするべく、前記電圧発生手段を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする飛行時間型質量分析装置。請求項1に記載の飛行時間型質量分析装置であって、試料に対するイオン化は、MALDI法、LDI法、DESI法、PDI法、SIMS法のいずれかのイオン化法により行われるものであることを特徴とする飛行時間型質量分析装置。上記課題に鑑み、本願発明者は特願2010-39883号において、MALDIイオン源などに適用可能である新規な遅延引出し法を提案している。図7はこの新規な遅延引出し法以下傾斜場遅延引出し法と呼ぶの原理的動作を説明するための概略図である。この傾斜場遅延引出し法では、試料Sにレーザ光を照射してイオンを発生させる時点において、試料プレート1にVEではなくVEよりも高い電圧VS1を印加することにより、試料プレート1から引出し電極3に向けて緩やかに下がる電位勾配をもつ電場を形成しておく図7b参照。上述したように試料S表面付近で発生したイオンは質量電荷比に依存しない初速を持つが、電位勾配を示す電場の作用によって質量電荷比に応じた速度も持つ。そのため、質量電荷比が小さなイオンほど試料Sから遠ざかり、試料S近傍には質量電荷比が大きなイオンが残ることになる。図8aはこのときのイオンの空間分布を示す概念図である。そして、レーザ光照射から所定の遅延時間が経過した時点で試料プレート1への印加電圧がVS1からVS2へと増加されると図7c参照、試料プレート1に近い位置に存在する質量電荷比が大きなイオンは質量電荷比が小さなイオンに比べて相対的に大きな加速エネルギを受ける。これによって、質量電荷比毎に適切なポテンシャルエネルギ変化をイオンに与えることができるので、従来の遅延引き出し法に比べて広い質量電荷比範囲に亘ってエネルギ収束を適切に行い質量分解能を改善することができる。ただし、上記の傾斜場遅延引出し法では、後述する理由により、或る程度以上の質量電荷比の大きなイオンに対しては加速エネルギの補正が必ずしも十分ではなく、その結果、質量分解能を改善する質量電荷比範囲の拡大に限界がある。本発明はこうした点に鑑みてなされたものであり、遅延引出し法を利用して試料から発生したイオンを引き出して加速するイオン源を備える飛行時間型質量分析装置において、従来の一般的な遅延引出し法や傾斜場遅延引出し法よりもさらに広い質量電荷比範囲に亘ってイオンの初期エネルギのばらつきを適切に補正することにより質量分解能を向上させることを主たる目的としている。上記課題を解決するためになされた本発明は、試料から発生したイオンを加速して飛行空間に導入し、該飛行空間内で質量電荷比に応じてイオンを分離して検出する飛行時間型質量分析装置において、a試料を保持する試料保持部から所定距離離間して配設された引出し電極と、b前記試料保持部と前記引出し電極との間に配設された1又は複数の補助電極と、c前記試料保持部と前記引出し電極との間の空間にイオンを試料表面から引き出して加速する電場を形成するために、該試料保持部、補助電極及び引出し電極にそれぞれ所定の電圧を印加する電圧発生手段と、dイオン発生開始時点から所定の遅延時間が経過するまでの期間中に、試料表面から前記引出し電極に向けてイオンが質量電荷比に応じて移動する引出し電場が形成されるように、前記試料保持部の電位を前記引出し電極の電位よりも第1電位差だけ高く保ち、前記遅延時間が経過した時点及びそれ以降には、前記試料保持部と前記引出し電極との間の空間に存在するイオンが該引出し電極の方向に一斉に加速される加速電場が形成され、且つ、イオン光軸に沿った該加速電場の電位勾配の傾斜が前記引出し電極側よりも前記試料保持部側で相対的に大きい折れ線様となるように前記引出し電極、前記補助電極、及び前記試料保持部の電位をその順に高くし、且つ、前記引出し電極の電位に対する前記試料保持部の電位を前記第1電位差よりも大きな第2電位差だけ高くするべく、前記電圧発生手段を制御する制御手段と、を備えることを特徴としている。ここで、試料からイオンを発生させるためのイオン化法としては、MALDI、LDIなどのレーザ光を利用した方法、SIMSなどのイオン線を利用した方法、DESIなどの帯電噴霧流を利用した方法、PDIなどのプラズマを利用した方法、などが考えられる。従来の一般的な遅延引出し法では、イオン発生開始時点より所定の遅延時間が経過するまでの期間中に、試料保持部と引出し電極とは略同電位に維持され、試料保持部と引出し電極との間の空間には実質的な電場は形成されない。このため、試料から発生したイオンは初期エネルギに応じて自由に拡散する。これに対し、本発明に係る飛行時間型質量分析装置では、イオン発生開始時点において既に試料保持部と引出し電極との間の空間に、イオンを試料表面から引出し電極の方向に引き出す引出し電場が形成されている。ただし、この引出し電場は全てのイオンを一斉に且つ大きな加速度でもって加速するほどは強くなく、即ち、イオン光軸に沿った電位勾配の傾斜は緩やかであり、試料から飛び出した各種イオンは該引出し電場の作用により緩慢に試料表面から引出し電極に向かって移動する。電位勾配の傾斜が直線的である一様電場の下では、イオンの速度はサイズに逆比例する。そのため、引出し電場の下では、小さな一般的には質量電荷比が小さなイオンほど引出し電極に近づき、逆に大きなイオンは試料に近い位置に存在する。もちろん、各イオンの初期エネルギは質量電荷比とは関係なくばらついており、移動速度はこの初期エネルギの影響も受ける。そのため、所定の遅延時間経過時点で、各イオンは質量電荷比に応じた整然とした分布となるわけではないものの、引出し電場が全くない場合に比べれば、質量電荷比に依存した空間分布となる。つまり、同一の質量電荷比を有するイオンの空間的な拡がりは小さくなる。なお、引出し電場形成時に、補助電極には、上記のように電位勾配の傾斜が直線的となるように適宜の電圧を印加すればよいが、もし、一様な引出し電場の形成に支障とならなければ補助電極に電圧を印加しなくてもよい。イオン発生時点から所定の遅延時間が経過すると、制御手段の制御の下に電圧発生手段は、イオンを一斉に加速させるべく試料保持部と引出し電極との電位差を拡大する。また、イオン光軸に沿った電位勾配の傾斜が引出し電極側よりも試料保持部側で相対的に大きい折れ線様となるように、試料保持部の電位と引出し電極の電位との間の適宜の電圧を補助電極に印加する。加速電場形成の直前に、同一イオン種は空間的に比較的近い位置に存在するため、加速電場の形成により、同一イオン種に対してはほぼ同程度の加速エネルギが与えられる。また、質量電荷比が大きいイオンは相対的に試料に近い位置にあり、その付近では電位勾配の傾斜が引出し電極に近い位置よりも大きくなっているので、電位勾配の傾斜が直線的である場合に比べてより大きな加速エネルギが質量電荷比が大きいイオンに与えられる。後述するように、全てのイオンの初期エネルギを補償するための理想的な加速電場は、引出し電極側から試料保持部側へ向かう電位勾配が略放物線状に増加し、試料保持部に近い或る位置で電位が無限大に発散する形状となる電場である。本発明では、上述したように、試料保持部と引出し電極との間イオン光軸に沿った電位勾配を直線的ではなく折れ線様としているので、理想的な略放物線状の電位勾配に対して近似性を高めることができ、それによって、特に比較的大きな質量電荷比を有するイオンに与える加速エネルギを理想に近い状態とすることができる。その結果、各種イオンに対し質量電荷比に応じた適切な加速エネルギを与えることが可能となり、広い質量電荷比範囲に亘って質量分解能を改善することができる。もちろん、引出し電極と試料保持部との間に配設される補助電極の数が多いほど、折れ線様の電位勾配を略放物線状に近付けることができる。したがって、配置する上で支障がなく、且つ、各補助電極にそれぞれ異なる電圧を印加する煩雑さを厭わないのであれば、補助電極の数を増やして各補助電極にそれぞれ適宜の電圧を印加する構成とすることが好ましい。本発明に係る飛行時間型質量分析装置によれば、MALDIイオン源等のイオン源において試料から発生したイオンを遅延引出し法により引き出して加速する際に、単に初期エネルギや初速のばらつきの補正を行うのみならず、質量電荷比に応じた運動エネルギの変化による補正を行うため、従来の一般的な遅延引出し法と比較し、幅広い質量電荷比範囲に亘って質量分解能を改善することができる。まず、上述した既提案の傾斜場遅延引出し法によるエネルギ補償の限界と本発明に係るTOFMSにおいて用いられる新傾斜場遅延引出し法の原理について図7に加え、図3、図4を参照して説明する。図3は既提案の傾斜場遅延引出し動作の説明図、図4は本発明における新傾斜場遅延引出し動作の説明図である。図7b、cに示すように、傾斜場遅延引出し法では、レーザ光照射時点から所定の遅延時間が経過するまでの期間中の引出し領域における引出し電場は、試料プレート1側から引出し電極3に向かって直線的に下がる電位勾配を示す電場であり、所定の遅延時間経過後に試料プレート1への印加電圧を増加させたときに形成される加速電場も、試料プレート1から引出し電極3に向かって直線的に下傾する電位勾配を有する電場である。その違いは電位勾配の傾斜だけある。加速電場の電位勾配がこのように直線的である場合、全ての質量電荷比のイオンについて初期エネルギの補償がされているわけではない。そこで、イオンを一斉に加速して引出し領域から送り出すための加速電場が理想的にはどのようになるのかを考察する。まず、加速電場形成前、つまり引出し電場形成時における試料プレート1の電位をVS1とすると、このときの引出し電場のイオン光軸C上の電位勾配は直線となるので、その一様電場の強さをE0とおく。引出し電場は試料プレート1から引出し電極3に向かって作用するので、試料プレート1と引出し電極3との間のイオン光軸C上の電位V0xは試料プレート1からの距離をxとすると、次の式で表される。V0x=VS1-E0x...また、イオンの初速をv0、電荷をq、質量をm、試料プレート1表面である初期位置をx=0とすると、レーザ光照射によるイオン発生時点からt0だけ時間が経過したときに加速電圧を印加する試料プレート1への印加電圧をVS1からVS2へと増加させる場合、そのときのイオンの速度vは電場E0によって加速されているために式となる。v=v0qE0/mt0...またイオンの位置xは式となる。x=v0t01/2qE0/mt02...さらに同じ質量のイオンの初速がv0±Δv0というばらつきを持つ場合、時間t0での位置のばらつきを±Δxとすると、式から次の式が求まる。{xΔx}-{x-Δx}={v0Δv0t01/2qE0/mt02}-{v0-Δv0t01/2qE0/mt02}...また、初速がそれぞれv0Δv0とv0-Δv0である同質量の2つのイオンの初期運動エネルギの差ΔK0は、次の式で表される。ΔK0=1/2mv0Δv02-1/2mv0-Δv02=2mv0Δv0...この運動エネルギの差ΔK0をパルス電圧ΔVxで補償する場合、位置xでパルス電圧によって得られるエネルギはqΔVxとなるので、、式から、次の式が導出される。qΔVx-Δx-qΔVxΔx=ΔK0=2mv0Δv0=2mv0/t0Δx{ΔVxΔx-ΔVx-Δx}/2Δx=-v0/qt0m...一方、式より、mは次の式で表される。m=1/2{qE0t02/x-v0t0}...したがって、Δx→0のときに式に式を代入すると式が得られる。dΔVx/dx=-E0v0t0/2{1/x-v0t0}...この式を積分すると、ΔVxは式で表すことができる。ΔVx=-E0v0t0/2ln{x-v0t0/C}...ここでCは積分乗数である。したがって、加速電場形成後の電位V1xは式となる。V1x=V0xΔVx=VS2-E0[xv0t0/2ln{x-v0t0/C}]...この式から、直線的な傾斜を示す電位によってイオンを質量分離したあとに初速のばらつきによる運動エネルギの差を加速電圧エネルギで補う場合、加速電場形成後のイオン光軸C上の電位は位置x=v0t0で無限大に発散する曲線となることが理解できる。x=v0t0は加速電場形成時に質量mが無限大である仮想的なイオンが存在する位置である。図3、図4中ではこの曲線をQで示している。なお、式に示される電位を示す電場は初期運動エネルギの補償作用を有するのみであるので、自由飛行空間では同質量のイオンは同じ速度で飛行し時間収束しない。即ち、上記理論では、無限遠の位置に収束点が存在することになる。そのため、同じ質量を持つイオンの飛行時間を或る地点で収束させるには、式の電位で補償されるエネルギよりもさらに大きなエネルギを初速の遅いイオンに与える必要がある。しかしながら、その場合でも、電位を示す関数は式と同様に、x=v0t0において無限に発散することは容易に推測し得る。上述のように加速電場形成後の加速電場における理想的な電位は位置x=v0t0において無限大に発散するものであるため、図3aに示すように、単純な直線的傾斜を示す電位勾配Pでは曲線Qを近似し得る範囲がそれほど広くない。加速電場形成時点においてこの近似が良好な範囲に存在するイオンについては十分なエネルギ補償がなされるが、この範囲を外れた位置にあるイオンについてはエネルギが十分に補償されない。換言すれば、上述した傾斜場遅延引出し法を用いても、加速電圧を印加する直前に引出し領域で近似が良好な範囲の外側に位置する質量電荷比が大きなイオンについてはエネルギ補償による質量分解能の改善効果が望めない。そこで本発明に係るTOFMSでは、位置x=v0t0において無限に発散する理想的な電位勾配にできるだけ近い電位勾配を実現するために、図4aに示すように、試料プレート1と引出し電極3との間に新たに補助電極2を配設し、該補助電極2に試料プレート1及び引出し電極3とは異なる直流電圧を印加することにより、試料プレート1と補助電極2との間の空間と、補助電極2と引出し電極3との間の空間とで、電位勾配の傾斜の異なる直流電場を形成するようにしている。即ち、図4bに示すように、補助電極2に電圧VA2を印加し、試料プレート1に電圧VS3VS3>VS1、VA2を印加することにより、引出し領域に形成される加速電場の電位勾配Rは補助電極2の位置において折れ曲がった折れ線様となる。これによって、引出し領域における加速電場の電位勾配Rは上述した理想的な電位勾配曲線Qに対して近似性が良好になり、エネルギ補償による質量分解能の改善がなされる質量電荷比範囲を拡げることができる。上記原理を利用した新傾斜場遅延引出し法を用いた本発明の一実施例であるMALDI-TOFMSについて図1を参照して説明する。図1はこの実施例のMALDI-TOFMSの概略構成図である。本実施例のMALDI-TOFMSでは、試料Sを保持する試料プレート1に略直交するイオン光軸Cに沿って、補助電極2、引出し電極3、イオン光学系4、飛行空間7、検出器8が配置されている。制御部11の指示の下に、レーザ照射部5から出射したレーザ光はミラー6で反射され、試料S表面の微小径の領域に照射される。試料プレート1は金属製又は導電ガラス製であって、図示しないステージにより保持され、該ステージを介して電圧が印加されるようになっているが、図1では便宜上、試料プレート1に直接、電圧が印加されるように記載してある。引出し電圧発生部12は制御部11の指示に従って、試料プレート1、補助電極2、及び引出し電極3にそれぞれ所定の直流電圧を印加する。イオン光学系4は所定の電位VBが与えられるベース電極4cを含む複数の電極からなり、図示しない電源部からこれら電極に印加される電圧により、イオンの拡がりを抑えイオン光軸C付近にイオンを収束させる。図6と同様に、この例でもベース電極4cの電位VBは0であるものとする。検出器8は例えば光電子増倍管であり、飛行空間7を通過する過程で質量電荷比に応じて時間的に分離されて順次到達するイオンを検出し、イオン量に応じた検出信号を信号処理部10に送る。信号処理部10は検出信号に基づいて飛行時間とイオン強度との関係を示す飛行時間スペクトルを作成し、予め求めた校正情報に基づいて飛行時間を質量電荷比に換算することによりマススペクトルを作成する。本実施例のMALDI-TOFMSに特徴的な遅延引出し加速動作を含む分析動作を説明する。制御部11からレーザ照射部5に開始信号が送られると、それに対応してレーザ照射部5は所定パルス幅のレーザ光を出射する。このレーザ光はミラー6で反射されて試料プレート1上の試料Sに照射される。一方、レーザ光が出射されるとそのごく一部のレーザ光をモニタして得られた信号がレーザ照射部5から制御部11にフィードバックされ、それによって制御部11はレーザ出射を認識する。そして、制御部11はその時点がイオン発生開始時点であるとみなして内部タイマの計時を開始する。また制御部11は、レーザ光が照射される以前の適宜に時点で、引出し電極3への印加電圧VeをVE、試料プレート1への印加電圧VsをVEよりも高いVS1、補助電極2への印加電圧VaをVE以上VS1以下である所定電圧VA1、とするように引出し電圧発生部12を制御する。従来の一般的な遅延引出し法であればVS=VEであるのに対し、本実施例ではVS1>VEである。ただし、このときの電位差VS1VEは後述するイオン加速時の電位差VS3-VEに比べると遙かに小さい。その理由は後述する。ベース電極4cの電位VBは0である。イオン光軸C上の電位分布は図4b中にUで示す直線状である。即ち、試料プレート1と引出し電極3との間の空間引出し領域には、試料プレート1から引出し電極3に向かって緩やかに直線的に下傾する電位勾配を有する引出し電場が形成され、引出し電極3とベース電極4cとの間の空間加速領域には引出し電極3からベース電極4cに向かって急峻に下傾する電位勾配を有する電場が形成されている。なお、この引出し電場は図7bに示した既提案の傾斜場遅延引出し法の場合と同様である。試料Sにレーザ光が照射されると、試料S中のマトリクスと目的試料とが共に気化し、目的試料がイオン化される。試料S表面近傍の狭い空間で発生した各種イオンには上述した引出し電場が作用するから、イオンは引出し電極3に向かう方向図4aで右方向に誘引される。このとき引出し電場により与えられるポテンシャルエネルギに由来するイオンの速度は質量電荷比が小さいほど大きい。そのため、質量電荷比の小さなイオンほど引出し電極3に近付くことになる。もちろん、各イオンは発生時点で質量電荷比に依存しない初期エネルギを有しており、それによる速度成分もあるため、単純に質量電荷比の順に並ぶわけではない。しかしながら、例えばイオン発生時に同一の初期エネルギが付与された異なる質量電荷比を有するイオンをみると、質量電荷比が小さいイオンがより早く引出し電極3に近付くから、全体的には図8aに示すように、質量電荷比の小さな図8では小さなサイズで描かれたイオンが先行し、質量電荷比の大きな図8では大きなサイズで描かれたイオンは相対的に試料Sに近い位置にある。略同一の質量電荷比を有するイオンの集まりを子細にみると、大きな初期エネルギを持つイオンほど引出し電極3に近い位置に存在する。イオン発生時点において引出し電場の電位勾配の傾斜が急すぎると、各イオンは発生直後に加速されて短時間で引出し電極3を通り過ぎてしまう。即ち、これは実質的な遅延引出しにはならない。そこで、後述する遅延時間が経過するまでに試料S表面付近から引き出されたイオンが引出し電極3を通りすぎてしまわない程度の運動エネルギをイオンに付与するように、電位勾配の傾斜を緩くしておく。つまりは、図4bにおける電位差VS1-VEを小さくしておく必要がある。一方で、電位差VS1-VEが小さすぎて電位勾配の傾斜が緩すぎると、引出し電場によってイオンが受ける運動エネルギよりもイオンが持つ初期エネルギの影響のほうが大きく、イオンが質量電荷比に応じて分離されない。こうしたことから、試料プレート1と引出し電極3との間の距離、遅延時間などの条件に基づいて、引出し領域中で遅延時間内に各種イオンが適度に質量電荷比に応じて分離されるように、電位差VS1-VEを適切に定めておくことが望ましい。これが決まれば、補助電極2に印加する電圧VA1は一義的に決まる。上記適切な電位差VS1-VEは例えば後述するシミュレーション計算や実装置による実験で決めることができる。制御部11は内部タイマの計時開始から所定の遅延時間tが経過したときに、試料プレート1への印加電圧VsをそれまでのVS1からをVS3に増加させ、補助電極2への印加電圧VaをそれまでのVA1からVA2に増加させるように引出し電圧発生部12を制御する。一方、引出し電極3への印加電圧VEはそれ以前と同一電圧値に維持される。これにより、イオン光軸C上の電位分布は図4b中にRで示す状態に変化する。即ち、引出し領域には、試料プレート1から引出し電極3に向かって急峻に下傾し、且つ、試料プレート1と補助電極2との間の傾斜が補助電極2と引出し電極3との間の傾斜よりも大きい折れ線様の電位勾配を有する加速電場が形成される。その結果、その直前に引出し領域中に存在しているイオンに対し最大VS3-VEなる加速電圧が一斉に与えられ、イオンは引出し電極3に向かって引き出される。さらに、イオンが加速領域に突入した後には、引出し電極3の電位とベース電極4cの電位VB=0との電位差VE-VB=VEにより一層加速されて飛行空間7に送り出される。飛行空間7に導入されたイオンは飛行中に質量電荷比に応じて分離され、検出器8に到達する。引出し領域において試料プレート1に近い位置に存在するイオンほど大きな加速エネルギが与えられ、しかも加速電圧は大きな質量電荷比を持つイオンに対するエネルギ補償を行う理想状態に近くなる。それにより、質量電荷比が大きなイオンほど大きな速度を有し、同じ質量電荷比であれば初期エネルギが小さなイオンほど大きな速度を有して飛行空間7に送られる。引出し領域中で試料プレート1に近い位置に存在した相対的に質量電荷比が大きなイオンは、同じ質量電荷比であって引出し電極3により近い位置に存在したイオンよりも時間的に後から飛行空間7に導入される。しかしながら、飛行速度はより大きいので、先行しているイオンに飛行中に徐々に追いつき、ほぼ同一時刻に検出器8に到達することができる。即ち、同一質量電荷比のイオンのエネルギ収束が行える。一方、質量電荷比が大きなイオンには質量電荷比が小さなイオンに比べて相対的に高い加速エネルギが与えられ、さらにまた、図4b中に示したように、形成される加速電場の電位勾配Rは理想的な電位勾配曲線Qに対し広い範囲で近似しているので、広い質量電荷比範囲に含まれるイオンそれぞれに対して適切なポテンシャルエネルギの変化を与えることができる。それにより、広い質量電荷比範囲に亘るイオンについて、質量電荷比による初速のばらつきの補正効果の差異が軽減できる。これにより、特定の質量電荷比に片寄らず、幅広い質量電荷比範囲に亘って初速のばらつきを軽減し、高い質量分解能を達成することができる。なお、理想的な電位勾配曲線Qの形状やv0t0の位置はイオン化条件、特に試料Sの調製に使用されるマトリクスの種類、レーザ光パワーなどの影響を受ける。したがって、目的試料を分析する際と同じイオン化条件の下で標準試料などの分析を実行する校正作業を実行し、その結果に基づいて電圧VS3、VA2などの適正値を求めておくとよい。次に、本実施例のMALDI-TOFMSにおける遅延引出し動作の効果を検証するためのシミュレーションについて説明する。このシミュレーションでは、図1に示したようなイオン光軸Cを中心とする軸対称のイオン輸送系を想定し、リニア型の飛行空間7における自由飛行軌道の距離を約1200mmとした。また、500~5000Daの質量電荷比範囲で100Daずつ質量電荷比を変化させ、検出器8へのイオンの到達時間について数値計算を行い、その分解能を調べた。分解能が5000を超える範囲を遅延引出しの効果がある質量電荷比範囲の目安とし、その質量電荷比範囲の下限がおおよそ1000Daとなるように、各遅延引出し法、つまり、新傾斜場遅延引出し法本発明、既提案の傾斜場遅延引出し法、及び従来の遅延引出し法におけるパラメータ印加電圧を調整した。図2はこのシミュレーション結果である。従来法では分解能5000を超える質量電荷比の上限は1800Daで、質量電荷比範囲は800Daにすぎない。これに対し、既提案の傾斜場遅延引出し法では、分解能5000を超える質量電荷比の上限は2800Daで、質量電荷比範囲は1800Daとなっており、従来法に比べて質量電荷比範囲を2倍強に拡大できている。さらに本発明における新傾斜場遅延引出し法では、分解能5000を超える質量電荷比の上限は4000Daで、質量電荷比範囲は3000Daにも及ぶ。これは、従来法に比べて3倍強、既提案の傾斜場遅延引出し法と比べても1.5倍強の質量電荷比範囲であることを示しており、これまでの遅延引出し法に比べて十分に高い効果が得られることが確認できる。上記実施例では、試料プレート1と引出し電極3との間に補助電極2を1つのみ設けていたが、図5に示すように、イオン光軸Cに沿って複数図5の例では3つの補助電極2a、2b、2cを設け、加速電場形成時に各補助電極2a、2b、2cにそれぞれ適切な電圧VAa、VAb、VAcを印加するようにしてもよい。これにより、折れ線様の電位勾配を理想的な電位勾配曲線Qにより近似させることができ、高い分解能を実現できる質量電荷比範囲をさらに広げることができる。なお、上記実施例はいずれも本発明の一例であり、本発明の趣旨の範囲で適宜変形、修正、追加を行っても本願特許請求の範囲に包含されることは当然である。