InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、xy≦1を含む半導体を第1の面に積層可能な窒化物半導体の積層構造であって、上面と、下面と、前記上面と前記下面とのあいだの側面と、を有する段差部が形成された基板と、InsAltGa1-s-tN0≦s≦0.05、0≦t≦1を含み、前記下面と前記側面とを覆う第1バッファ層と、前記第1バッファ層の上に設けられ、InsAltGa1-s-tN0≦s≦0.05、0≦t≦0.05を含み、前記基板の前記上面よりも上方に設けられた上面を有する第1結晶層と、InsAltGa1-s-tN0≦s≦0.05、0≦t≦1を含み、前記第1結晶層の前記上面と前記基板の前記上面とを連続して覆う第2バッファ層と、前記第2バッファ層を覆い、InsAltGa1-s-tN0≦s≦0.05、0≦t≦0.05を含み、前記第1の面を有する第2結晶層と、を備えたことを特徴とする窒化物半導体の積層構造。InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、xy≦1を含む半導体を第1の面に積層可能な窒化物半導体の積層構造であって、上面と、下面と、前記上面と前記下面とのあいだの側面と、を有する段差部が形成された基板と、InsAltGa1-s-tN0≦s≦0.05、0≦t≦1を含み、前記下面と前記側面とを覆う第1バッファ層と、前記第1バッファ層の上に設けられ、InsAltGa1-s-tN0≦s≦0.05、0≦t≦0.05を含み、前記基板の前記上面よりも上方に設けられた上面を有する第1結晶層と、前記基板の前記上面に設けられた選択成長マスク層と、AlwGa1-wN0.6≦w≦1を含み、前記第1結晶層の前記上面と前記選択成長マスク層の上面とを連続して覆う第2バッファ層と、前記第2バッファ層を覆い、InsAltGa1-s-tN0≦s≦0.05、0≦t≦0.05を含み、前記第1の面を有する第2結晶層と、を備えたことを特徴とする窒化物半導体の積層構造。前記基板の前記上面は、前記第1の面に対して平行な方向に周期的に設けられた凸部の上面であり、前記段差部の前記側面は、前記凸部の側面であることを特徴とする請求項1または2に記載の窒化物半導体の積層構造。基板の上面の一部に選択成長マスク層を形成する工程と、前記選択成長マスク層により覆われていない前記基板の表面を後退させて段差部を形成する工程と、前記選択成長マスク層の上面を覆わず前記段差部の下面と側面とを覆うようにInsAltGa1-s-tN0≦s≦0.05、0≦t≦1を含む第1バッファ層を形成する工程と、前記第1バッファ層の上に、前記段差部の高さよりも大きな厚さを有しInsAltGa1-s-tN0≦s≦0.05、0≦t≦0.05を含む第1結晶層を、前記第1バッファ層を形成する温度よりも高い温度で形成する工程と、前記第1結晶層の上面と前記基板の前記上面と、または、前記第1結晶層の前記上面と前記選択成長マスク層の上面と、を連続して覆う第2バッファ層を、前記第1結晶層を形成する温度よりも低い温度で形成する工程と、前記第2バッファ層の上に、InsAltGa1-s-tN0≦s≦0.05、0≦t≦0.05を含む第2結晶層を、前記第1バッファ層を形成する温度および前記第2バッファ層を形成する温度のいずれよりも高い温度で形成する工程と、を備えたことを特徴とする窒化物半導体の積層構造の製造方法。前記第2バッファ層を形成する工程は、前記選択成長マスク層を除去し前記基板の前記上面を露出させたのち、前記第1結晶層の前記上面と前記基板の前記上面とを覆う工程を含むことを特徴とする請求項4記載の窒化物半導体の積層構造の製造方法。請求項1~3のいずれか1つに記載の窒化物半導体の積層構造と、前記窒化物半導体の積層構造の前記第1の面の上に積層された前記InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、xy≦1を含む半導体と、を備えたことを特徴とする窒化物半導体装置。本発明の実施形態は、窒化物半導体積層体の結晶欠陥密度が低減可能な窒化物半導体の積層構造およびその製造方法並びに窒化物半導体装置を提供する。実施形態の窒化物半導体の積層構造は、基板と、第1バッファ層と、第1結晶層と、第2バッファ層と、第2結晶層と、を備える。基板には、上面と、下面と、前記上面と前記下面とのあいだの側面と、を有する段差部が形成されている。第1バッファ層は、InsAltGa1-s-tN0≦s≦0.05、0≦t≦1を含み、前記下面と前記側面とを覆う。第1結晶層は、前記第1バッファ層の上に設けられ、InsAltGa1-s-tN0≦s≦0.05、0≦t≦0.05を含み、前記基板の前記上面よりも上方に設けられた上面を有する。第2バッファ層は、InsAltGa1-s-tN0≦s≦0.05、0≦t≦1を含み、前記第1結晶層の前記上面と前記基板の前記上面とを連続して覆う。第2結晶層は、前記第2バッファ層を覆い、InsAltGa1-s-tN0≦s≦0.05、0≦t≦0.05を含み、前記第1の面を有する。以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。図1aは本発明の第1の実施形態にかかる窒化物半導体半導体の積層構造の模式断面図、図1bは基板の段差部を示す模式図、である。図1aのように、窒化物半導体の積層構造5は、基板10、第1バッファ層12、第1結晶層14、第2バッファ層16、第2結晶層20、を有している。窒化物半導体の積層構造5の上に、結晶成長法を用いて窒化物半導体を含む積層体を形成すると、発光素子や電子デバイスを得ることができる。なお、本明細書において、窒化物半導体とは、InxGayAl1-x-yN但し、0≦x≦1、0≦y≦1、xy≦1なる組成式で表され、アクセプタまたはドナーとなる元素を含んだ材料であってもよいものとする。図1bのように、基板10は、サファイヤ、SiC、Siなどからなり、段差部10dを有する。すなわち、例えば、基板10は、上面10aと、上面10aよりも下方の位置に設けられた段差部10dの段差下面10bおよび段差側面10cと、を含む。基板10がサファイヤからなるものとすると、上面10aおよび段差下面10bは、六方晶系のC面0001とすることができる。第1バッファ層12は、GaNを含み、段差下面10bおよび段差側面10cを覆うように設けられる。第1バッファ層12の上面12aに、基板10の上面10aよりも上方に位置する上面14aを有し、GaNを含む第1結晶層14が設けられる。すなわち、第1バッファ層12と第1結晶層14との厚さの和T1は、段差部10dの高さD1よりも大きい。第2バッファ層16は、GaNを含み、第1結晶層14の上面14a及び支持体10の上面10aを連続して覆う。GaNを含む第2結晶層20は、第2バッファ層16の上面16aを覆うように設けられる。また、その表面20aの段差は、第1結晶層14の上面14aと支持体10の上面10aとの間の高さの差T2よりも低減され、平坦面に近づけることができる。このため、第2結晶層20の上面20aに窒化物半導体からなる積層体を設けることができ、電子デバイスや発光素子とすることができる。なお、基板10をサファイヤ、SiC、Siなどとする場合、第1バッファ層12および第2バッファ層16は、GaNに限定されず、InsAltGa1-s-tN0≦s≦0.05、0≦t≦1を含んでもよく、第1結晶層14および第2結晶層20は、GaNに限定されず、InsAltGa1-s-tN0≦s≦0.05、0≦t≦0.05を含んでもよい。図2aは比較例にかかる窒化物半導体の積層構造の製造工程途中の模式断面図、図2bは製造工程終了後の模式断面図である。基板110は、サファイヤからなるものとし、その構造は図1bで示されるものと同一とする。GaNを含むバッファ層112を、基板110の上面110a、段差部の下面110b、および段差部の側面110cに設ける。段差部を有する基板110に設けられたバッファ層112の上面に、一様に成長原料を供給してGaN結晶層114を形成する。この場合、基板110の上面110a側に供給された成長原料の一部は、拡散により段差部の下面110b側に供給される。このため、段差部の下面110bのバッファ層112上におけるGaN結晶層114の成長速度は、基板110の上面110aのバッファ層112上におけるGaN結晶層114の成長速度よりも高くなる。このため、図2aのように、段差部の下面110bのGaN結晶層114の厚さは、基板110の上面110aに設けられたGaN結晶層114の厚さよりも大きい。この結果、図2bのように、段差が低減され、ほぼ平坦な表面を有するGaN結晶層114を形成することができる。しかしながら、段差部の側面110cに成長した結晶の配向軸は、C面に成長した結晶の配向軸とは異なる。また、側面110cの成長条件は、C面など他の面での成長条件との整合が困難である。このため、図2aのように側面110cには、結晶欠陥密度が高い異常成長領域114cを生じる破線部。すなわち、GaN結晶層114の上面114aを平坦に近づけることができても、異常成長領域114cを起点とした貫通転位114pやV字形状ピットVピット114vが発生しやすくなる。また、内部には、表面に貫通しない転位も存在し得る。もし、成長する結晶層を厚くするか、または発生した結晶欠陥が表面まで伝播しないようなマスク層を設けると、結晶欠陥密度を低減できる。しかしながら、工程数が増加したり、成長時間が長くなるなど、量産性が低下する。このような異常成長領域を有する窒化物半導体の積層構造上に設けられた窒化物半導体の積層体に形成された素子は、特性や信頼性が十分ではない。例えば積層体が活性層を含む場合、活性層に到達した結晶欠陥は非発光再結合中心などを生じ、光出力の低下や通電劣化を生じやすい。また、結晶欠陥密度が高い領域には電界集中などを生じやすく、静電耐圧が低下しやすい。図3a~図3cは、第1の実施形態において、基板に段差部を形成するまでのプロセスの工程断面図である。図3aにおいて、サファイヤからなる基板10の上面10aの一部にSiO2のような選択成長マスク層30が形成される。フォトレジスト膜32は、選択成長マスク層30を内部に含む大面積を有するようにパターニングされる。その後、マスクに覆われていない支持体10の表面を後退させる。具体的には、例えば反応性イオンエッチングRIE:ReactiveIonEtchingを用いて、かつそのエッチング選択比を適正に選ぶことにより、支持体10が表面側からエッチングされるとともに、フォトレジスト膜32も上面および側面からエッチングされる。これに伴い、支持体10には、傾斜した側面を有する段差部10dが形成される。図3bのように、エッチングが進行して選択成長マスク層30の側面が現れるとエッチングが停止される。さらに、図3cのように、フォトレジスト膜32が除去され、基板10の上面10aが露出される。すなわち、選択成長マスク層30は、段差部10dを形成する場合のエッチングのマスク層としても作用する。このようにすると、破線で示すように段差側面10cを傾斜させ、後に続く工程において結晶成長層を段差側面10cに確実に成長させることができる。図4a~図4fは、第1の実施形態の窒化物半導体の積層構造の製造方法の工程断面図である。図3cの破線部を拡大した図4aにおいて、サファイヤからなる基板10の厚さは、例えば150μmとする。段差下面10bおよび段差側面10cに、GaNなどを含む第1バッファ層12が、上層となる単結晶窒化物半導体の結晶成長温度よりも低い温度で、例えば0.03μmの厚さで形成される。なお、選択成長マスク層30の上面30aには、第1バッファ層12が実質的には形成されない結晶成長条件とすることが好ましい。続いて、GaNなどを含む第1結晶層14が、第1バッファ層12の上面12aに、結晶成長可能な温度である1000°C以上において形成される。図4bには、結晶成長の途中工程が示されている。また、図4cにおいて、第1結晶層14の上面14aが基板10の上面10aよりも高くなるように、例えば第1バッファ層12と第1結晶層14の厚さの和T1が1μmとなるように形成される。基板10の表面に一様に供給された原料のうち、選択成長マスク層30上を通過した原料が段差下面10bにより多く供給される。このため、段差下面10bに供給される原料は、図2aおよび図2bの比較例の段差下面110bにおけるよりもさらに多くなり、より高い成長速度が得られる。図4cのように、第1結晶層14の上面14aが、基板10の上面10aよりも上方となると、一旦結晶成長が停止される。この場合、段差下面10bにおける結晶成長速度が高いので、段差側面10cを覆う結晶成長速度も高くなる。その結果として、段差側面10c上の成長層における結晶欠陥領域を少なくすることができる。続いて、図4dのように、選択成長マスク層30が除去され、基板10の上面10aが露出する。さらに、図4eのように、GaNなどを含む第2バッファ層16が、第1結晶層14の上面14aおよび基板10の上面10aに、第1結晶層14の成長温度よりも低い温度で、例えば0.03μmの厚さで形成される。さらに、図4fのように、第2バッファ層16の上面16aに、GaNなどを含む第2結晶層20が、例えば2μmの厚さで形成される。第2結晶層20の成長温度は、第1バッファ層12を形成する温度および第2バッファ層16を形成する温度のいずれよりも高く、かつ結晶成長可能な温度である1000°C以上とする。なお、第2結晶層20と第1結晶層14との間には、第2バッファ層16が設けられているので、上下に連続した結晶成長層ではない。この場合、基板10の上面10aの第2バッファ層16の上面では、原料ガスがより多く供給される。このため、その成長速度を高くでき、第2結晶層20の表面を平坦に近づけることができる。第1結晶層14の上面14aと、基板10の上面10aと、の段差は、基板10の段差部10dの段差よりも小さくできるので、異常成長領域の成長を抑制することが容易である。結晶成長には、たとえばMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition:有機金属気相成長法を用いることができる。すなわち、成長原料は、TMGトリメチルガリウム、TMAトリメチルアルミニウム、TMIトリメチルインジウム、アンモニアなどを用いることができる。また、p形ドーピング原料としてCp2Mgビスシクロペンタジエニルマグネシウム、n形ドーピング原料としてモノシランSiH4などを用いることができる。また、結晶成長工程には、MBEMolecularBeamEpitaxy法などを用いてもよい。なお、基板10の上面10aは、周期的に設けられたストライプ状、島状などの凸部の上面であってもよい。この場合、段差部10dは、凸部のまわりに設けられる。このような周期構造とすると、多くの方向から段差下面10bへの原料拡散が生じるため、成長速度をより高くし、結晶欠陥領域をより小さくすることができる。図5は、第2の実施形態にかかる窒化物半導体用基板の模式断面図である。第2の実施形態では、第1バッファ層12および第1結晶層14を形成した工程ののちに選択成長マスク層30を除去しない。このため、第2バッファ層17および第2結晶層20は、第1結晶層14の上面14aと選択成長マスク層30の上面30aに設けられる。第1結晶層14の上面14aと選択成長マスク層30の上面30aとの間の段差は小さい。このため、より平坦な窒化物半導体の積層構造5の上に、平坦な窒化物半導体積層体を設けることがより容易となる。図6a~図6eは、第2の実施形態にかかる窒化物半導体の積層構造の製造方法の工程断面図である。図6aにおいて、サファイヤからなる支持体10の厚さは、例えば150μmとする。GaNを含む第1バッファ層12が、段差下面10bおよび段差側面10cに、上層となる単結晶窒化物半導体の結晶成長温度よりも低い温度で、例えば0.03μmの厚さで形成される。なお、選択成長マスク層30の上面30aには、第1バッファ層12が実質的には形成されない結晶成長条件とすることが好ましい。続いて、GaNなどを含む第1結晶層14が、結晶が成長する温度である1000°C以上で第1バッファ層12の上面12aに形成される。図6bは、結晶成長工程の途中を示している。図6cのように、第1結晶層14が、その上面の高さが、SiO2などからなる選択成長マスク層30の上面の高さと略同一となるように、形成される。図6dにおいて、AlNを含む第2バッファ層17が、第1結晶層14の上面14aおよび選択成長マスク層30の上面30aに、第1結晶層14の形成温度よりも低い温度で形成される。第2バッファ層17の厚さは、例えば0.03μmとする。AlNは選択成長性が低いので、選択成長マスク層30や第1結晶層14の上面を含む全体にわたって第2バッファ層17を形成することができる。さらに、第2バッファ層17の上面に、GaNなどを含む第2結晶層20が、例えば2μmの厚さで形成される。第2結晶層20の成長温度は、第1バッファ層12を形成する温度および第2バッファ層17を形成する温度のいずれよりも高く、かつ結晶成長可能な温度である1000°C以上とする。また、SiO2などの選択成長マスク層30を除去しないので、窒化物半導体の積層構造5の製造工程において、第1バッファ層12から第2結晶層20までを1回の結晶成長工程により形成することができる。このため、工程を短縮し、量産性を高めることができる。なお、発明者らの実験によれば、第2バッファ層17において、Al組成比xが0.6以上のAlxGa1-xN0.6≦x<1としてもAlNと同様の効果を得ることができることが判明した。次に、本実施形態の窒化物半導体装置について説明する。図7は、本実施形態の窒化物半導体装置の一例として、窒化物半導体の積層構造の上面に窒化物半導体からなる積層体を設けた発光素子の模式断面図である。窒化物半導体からなる積層体50は、図1に表す窒化物半導体の積層構造5の第2結晶層20の上面20aに設けられる。なお、図5に表す第2の実施形態にかかる窒化物半導体の積層構造5でもよい。積層体50は、第1導電形を有する第1の層51、活性層52、および第2導電形を有する第2の層53、を窒化物半導体の積層構造5の側からこの順に有する。サファイヤ基板10は、島状またはストライプ状の凸部10pが周期的に配置され、凸部10pのまわりに段差部が設けられているものとする。例えば、段差下面10bの幅WBが5μm以下となる周期構造、段差部の高さD1が2μm以下、成長速度が10μm/時間以下、とすることが好ましい。さらに、段差下面10bの幅WBが2μm以下となる周期構造、段差部の高さD1が1μm以下、成長速度が5μm/時間以下、とすることがより好ましい。なお、本図において、第1バッファ層および第2バッファ層は、図示していない。サファイヤ基板10と、結晶層との間にある凹凸面は、活性層52からの放出光の界面における全反射角を平坦面の場合と比べ変化させることができるため、窒化物半導体装置の外部への光取り出し効率を高めることができる。また、第1の層51は、GaNからなるコンタクト層51a、第1クラッド層51b、などを有する。第2の層53は、Al0.2Ga0.8Nなどからなる第2クラッド層53a、GaNなどからなるコンタクト層53b、などを有する。第1クラッド層51bと第2クラッド層53aの間に設けられた活性層52は、例えば、In0.05Ga0.95Nからなる井戸層厚さ0.003μmと、GaNからなる障壁層厚さ0.006μmと、からなるMQWMultiQuantumWell:多重量子井戸構造を有する。井戸数は、20などとすることができる。第1の層51には段差部が設けられ、段差底面51cにはコンタクト層51aが露出している。段差底面51cには第1電極60が設けられる。電流は、第1電極60と、第2電極62と、の間を流れる。すなわち、第1バッファ層12、第1結晶層14、第2バッファ層16、および第2結晶層20、は、電流経路である必要がないので、導電形はpでもnでもよく、またノンドープ層であってもよい。他方、第2の層53のコンタクト層53bには、第2電極62が設けられる。第2電極62は、活性層52からの放出光を透過することが好ましい。例えば、金属薄膜や透明電極などを用いると透過率を高めることが容易となる。第1導電形をnとすると第1電極60はn側電極となり、第2導電形はpとなり第2電極62はp側電極となる。なお、積層体50は、窒化物半導体の積層構造5の結晶成長工程に続いてMOCVD法などで連続して形成可能である。図7に示す発光素子は、380nmの発光波長において、動作電流が20mAのとき、10mWの光出力が得られた。同一の動作条件において、図2の比較例の光出力は5mWであったので、略2倍の光出力とすることができた。なお、光取り出し面に凹凸面を設けるとさらに光出力を高めることができる。さらに、人体モデルでの静電耐圧は2000Vであり、比較例における500Vよりも改善された。なお、選択成長マスク30は、他の絶縁膜や金属であってもよい。例えば、Si3N4層などからなる選択成長マスク30とする。Si3N4の屈折率は、例えば450nm波長において1.92とSiO2屈折率よりも高くでき、サファイヤの屈折率である1.78と、GaNの屈折率である2.49と、の間の範囲となる。このため、サファイヤのような透明な基板側で取り出し可能な光を増加させることができる。窒化物発光素子では、結晶欠陥が増加すると、光出力や静電耐圧の低下を生じやすい。これに対して、本実施形態では、結晶欠陥が低減された発光素子を容易に得ることができる。このため、光出力を高く保ちつつ、静電耐圧が改善できる。これらの発光素子は、可視光波長範囲の光を出射可能であり、照明装置、表示装置、信号機などに広く用いることができる。また、積層体にHEMTHighElectronMobilityTransistorやHBTHeteroBipolarTransistorのような電子デバイスを設けることもできる。この場合、電子デバイスの静電耐圧が高められ信頼性が改善可能である。さらに、本実施形態にかかる窒化物半導体の積層構造の製造方法を用いると、結晶欠陥密度の低減が容易である。このため、素子歩留まりを高め、量産性の高い製造方法とすることができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。