"第1導電型の第1半導体層と、前記第1導電型と異なる第2導電型の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体と、前記積層体の前記第1半導体層側の第1主面に設けられた透明電極であって、薄膜部と、前記薄膜部よりも厚い第1の厚膜部と、前記第1の厚膜部と同じ厚みを有し前記第1の厚膜部から前記第1主面に平行に延在するストライプ状の第2の厚膜部と、を有する前記透明電極と、前記第1の厚膜部の上に設けられた第1電極と、前記第2半導体層に電気的に接続された第2電極と、を備え、前記第1主面に対して平行な面内において、前記第2の厚膜部の前記延在方向に直交する最大幅は、前記第1の厚膜部の最小幅よりも狭いことを特徴とする半導体発光装置。第1導電型の第1半導体層と、前記第1導電型と異なる第2導電型の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体と、前記積層体の前記第1半導体層側の第1主面に設けられた透明電極であって、薄膜部と、前記薄膜部よりも厚い第1の厚膜部と、前記薄膜部よりも厚く前記第1の厚膜部から前記第1主面に平行に延在する複数のストライプ状の第2の厚膜部と、を有する前記透明電極と、前記第1の厚膜部の上に設けられた第1電極と、前記第2半導体層に電気的に接続された第2電極と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置。前記積層体は、前記第1主面に対して平行な平面視において、長辺と短辺とを有する長方形状であり、前記第1の厚膜部の長手方向は、前記長方形状の短辺方向であり、前記第2の厚膜部の長手方向は、前記長方形状の長辺方向であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光装置。前記積層体は、前記第1主面に対して平行な平面視において、長辺と短辺とを有する長方形状であり、前記第1の厚膜部は、前記長方形状の中心を含む領域に設けられ、前記第2の厚膜部は、前記長第1の厚膜部から前記長方形状の長辺方向および短辺方向に延在することを特徴とす請求項1または2に記載の半導体発光装置。前記積層体は、前記第1主面に対して平行な平面視において、長辺と短辺とを有する長方形状であり、前記第1の厚膜部は、前記長方形状の中心を含む領域と、その中心を含む領域から前記長方形状の長辺方向に延在した部分と、を有し、前記第2の厚膜部は、前記第1の厚膜部の前記長方形状の中心を含む前記領域から前記長方形状の短辺方向に延在する部分と、前記第1の厚膜部における前記長方形状の長辺方向に延在した部分から前記長方形状の短辺方向に延在する部分と、を有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光装置。前記第2電極は、前記積層体の前記第2半導体層側の第2主面に設けられ、前記発光層から放射される発光を反射することを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記第2電極と前記第2半導体層との間に設けられ、前記透明電極と前記第2電極との間を流れる電流を阻止する電流ブロック層をさらに備え、前記第1主面に対して平行な平面視において、前記第2の厚膜部は、前記電流ブロック層と重ならない部分を有することを特徴とする請求項6記載の半導体発光装置。前記透明電極は、前記第1主面の外縁の内側に設けられたことを特徴とする請求項1~7のいずれか1つに記載の半導体発光装置。本発明の実施形態は、発光効率を向上させた半導体発光装置を提供する。実施形態に係る半導体発光装置は、第1導電型の第1半導体層と、前記第1導電型と異なる第2導電型の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体を備える。さらに、前記積層体の前記第1半導体層側の第1主面に設けられた透明電極であって、薄膜部と、前記薄膜部よりも厚い第1の厚膜部と、前記薄膜部よりも厚く前記第1の厚膜部から前記第1主面に平行に延在するストライプ状の第2の厚膜部と、を有する前記透明電極と、前記第1の厚膜部の上に設けられた第1電極と、前記第2半導体層に電気的に接続された第2電極と、を備える。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る半導体発光装置100を示す模式図である。半導体発光装置100は、例えば、窒化物半導体を材料とする青色LEDであり、図1aは、そのチップ面を模式的に示す平面図である。図1bは、図1aにおけるIb-Ib断面を示す断面図である。図1aおよびbに示すように、半導体発光装置100は、例えば、サファイア基板3の上に設けられた積層体10を備える。そして、図1aに示すように、積層体10は、その第1主面である発光面10aに対して平行な平面視において、長辺と短辺とを有する長方形状に設けられる。発光面10aには、透明電極13が設けられる。透明電極13は、薄い薄膜部13cと、薄膜部13cよりも厚い第1の厚膜部13aと、薄膜部13cよりも厚く第1の厚膜部13aから発光面10aに平行に延在するストライプ状の第2の厚膜部13bと、を有する。本実施形態では、図1に示すように、第1の厚膜部13aの長手方向は、長方形状の発光面10aの短辺方向であり、第2の厚膜部13bの長手方向は、発光面10aの短辺方向である。また、第2の厚膜部13bの厚みと、第1の厚膜部13aの厚みと、が同じである。ここで、厚みが同じとは、厳密な意味での同じに限らず、例えば、厚膜部13aの厚みと、厚膜部13bの厚みとの間に、薄層部13cを除いた透明電極13の厚さ分布に起因する違いがあっても良い。図1aに示すように、半導体発光装置100は、第1電極であるp電極15と、第2電極であるn電極17を備え、p電極15とn電極17との間に駆動電流を流すことにより、発光面10aから光を放出する。p電極15は、厚膜部13aの上に設けられ、透明電極13に電気的に接続される。n電極17は、チップ面に露出したn型クラッド層5の表面に設けられ、n型クラッド層5に電気的に接続される。一方、図1bに示すように、積層体10は、第1半導体層であるp型クラッド層7と、第2半導体層であるn型クラッド層5と、p型クラッド層7とn型クラッド層5との間に設けられた発光層9と、を有する。そして、発光層9の発光は、主としてp型クラッド層7の表面である発光面10aから放出される。また、同図に示すように、発光面10aは、p型クラッド層7の表面であり、積層体10の第1主面でもある。発光面10aの表面には、例えば、ITOIndiumTinOxideからなる透明電極13が設けられる。前述したように、透明電極13には、厚膜部13bと、厚膜部13bよりも発光面10aに対して垂直な方向の厚さが薄い薄膜部13cが設けられる。ITOは、可視光を透過させる導電性膜であるが、金AuやアルミニウムAlなどの金属膜よりもシート抵抗が高い。したがって、本実施形態に示すように、透明電極13に、厚膜部13aおよび13bと、薄膜部13cと、を形成することにより電気抵抗に差を設けることができる。これにより、厚膜部13bを介して発光層9に注入される電流を、薄膜部13cを介して注入される電流よりも多くすることができる。図2は、半導体発光装置100の特性を模式的に示すグラフである。横軸に駆動電流Iを示し、縦軸に光出力Lを示している。図2中のAは、半導体発光装置100のI-L特性を示すグラフであり、Bは、比較例に係る半導体発光装置図示しないのI-L特性を示すグラフである。比較例に係る半導体発光装置は、厚膜部13aおよび13bが設けられず、透明電極13の厚さが均一である点で、半導体発光装置100と相違する。発光面10aの全面に均一な厚さの透明電極13を形成すると、発光面10aの全面に駆動電流が広がり発光層9に注入される。このため、発光層9の全体が均一に発光し、例えば、グラフBのI-L特性を示す。グラフBに示す光出力Lは、駆動電流IDを増やすにしたがって単調に増加する。しかしながら、駆動電流IDが小さい低注入領域ILでは、駆動電流IDに対する光出力Lの増加率が小さく発光効率が低い。そして、低注入領域ILを越えて駆動電流を流すと、光出力Lの増加率が高くなり発光効率が向上する。さらに、駆動電流IDを増加させ高注入領域IHになると、光出力Lは徐々に飽和する。例えば、半導体発光装置は、寿命および制御性を勘案して、光出力Lが飽和傾向を示す高注入領域IHよりも駆動電流IDが小さい実用範囲で使用される。これに対し、半導体発光装置100では、低注入領域ILから光出力の増加率が向上し、実用範囲において比較例に係る半導体発光装置よりも高出力となる。この効果は、以下のように説明される。駆動電流IDにより発光層9に注入されるキャリア電子および正孔には、発光を放出して再結合するものと、発光を放出しない非発光過程を介して再結合するものとがある。例えば、非発光過程として、バンドギャップ中の深い準位DeepLevelを介して再結合するSRH過程ShockleyReadHallprocessなどが知られている。発光層9に注入されるキャリアの数が少ない場合には、このような非発光再結合が高い割合で発生するが、非発光再結合に寄与する深い準位の数は限られており、キャリアの数が多くなるにつれて発光再結合の割合が高くなり発光効率が向上する。このため、グラフBに示すようなI-L特性が生じる。一方、半導体発光装置100では、透明電極13の厚膜部13aおよび13bを介して流れる駆動電流IDが多くなるため、発光層9の厚膜部13aおよび13bの下の部分におけるキャリア密度が、薄膜部13cの下の部分におけるキャリア密度よりも高くなる。結果として、発光面10aのうちの厚膜部13aおよび13bが設けられた部分が主体的に発光に寄与する。すなわち、半導体発光装置100では、実質的な発光領域が狭められるため、低注入領域ILにおけるキャリア密度が高くなる。これにより、非発光再結合の割合が低下し、比較例に係る半導体発光装置よりも発光効率が向上する。一方、駆動電流IDが大きい高注入領域IHでは、半導体発光装置100の厚膜部13aおよび13bの下の発光層9におけるキャリア密度が、比較例に係る半導体発光装置の発光層におけるキャリア密度よりも高くなる。このため、発光層9からp型クラッド層に流れる電子のオーバーフロー、もしくは、オージェ効果Augereffectなどによる電流損失が増加し、光出力Lの飽和傾向が顕著となる。この結果、高注入領域IHにおける半導体発光装置100の光出力Lは、比較例に係る半導体発光装置の光出力よりも低くなるが、駆動電流IDの実用範囲において、比較例に係る半導体発光装置の光出力を上回っていれば、実用上の問題は生じない。例えば、薄膜部13cの透明電極13を除去すれば、厚膜部13aおよび13bを介して流れる電流を大きくすることが可能であり、低注入領域ILにおける発光効率をさらに向上させることができる。しかしながら、この場合には、厚膜部13aおよび13bの下の発光層9における電子と正孔の密度が過剰となり、例えば、電子のオーバーフローが起こり易くなる。これにより、駆動電流IDの低い領域から光出力Lの飽和傾向を生じ、駆動電流IDの実用範囲において、比較例に係る半導体発光装置よりも光出力が低下することがある。そこで、半導体発光装置100では、薄膜部13cを残し、厚膜部13aおよび13cにおける過度の電流集中を抑制する。さらに、薄膜部13cを介して発光層9に電流を流し、キャリアを注入することにより、発光層9における光吸収を抑制する。すなわち、キャリア密度が低下した発光層9は、発光の吸収体として機能する。したがって、薄膜部13cを残し、その下の発光層9にキャリアを注入することにより、光吸収を抑制して発光効率を向上させることもできる。また、厚膜部13aおよび13bにおける過度の電流集中をさけるために、ストライプ状の厚膜部13bを発光面10aの全面、もしくは、発光面10aのうちの広い領域に延在させることが望ましい。例えば、図1aに示す例では、発光面10aの短辺に沿った方向に延在する方形の厚膜部13aと、厚膜部13aから発光面10aの長辺に沿った方向に延在する複数の厚膜部13bと、が設けられ、発光面10aの中央の広い領域を均等に発光させる。さらに、例えば、発光面10aに対して平行な面内において、厚膜部13bの延在方向に直交する最大幅W2は、厚膜部13aの最小幅W1よりも狭くする。これにより、p電極15から注入される駆動電流IDをシート抵抗の低い厚膜部13aの全体に均一に広げ、複数の厚膜部13bに均等に流すことができる。その結果、局部的な電流集中を避けることが可能であり、発光効率および光出力の向上を図ることができる。また、図1aおよびbに示すように、透明電極13は、発光面10aの外縁の内側に設ける。すなわち、発光面10aの外縁に沿った部分には、透明電極13を設けない。例えば、積層体10の側面には、表面欠陥が高密度に存在する。このため、積層体10の外縁に駆動電流を流すと非発光再結合を増加させ、発光効率を低下させることになる。したがって、発光面10aの外縁に沿った部分に透明電極13を設けないことにより、積層体10の外縁に流れる駆動電流を抑制し発光効率の低下を回避することができる。図3は、半導体発光装置100の詳細な断面構造を例示する模式図である。前述したように、半導体発光装置100は、サファイア基板3の上に形成された窒化物半導体を材料とする青色LEDである。半導体発光装置100は、サファイア基板3の上に設けられたn型クラッド層5、発光層9、p型クラッド層7を含む。例えば、n型クラッド層7は、厚さ2.0μmのn型GaN層であり、発光層9は、In0.2Ga0.8N層とIn0.05Ga0.95N層とを交互に積層した多重量子井戸MultipleQuantumWell:MQW構造を有する。MQW構造は、例えば、8つの量子井戸を含み、その量子井戸は、厚さ2.5nmの井戸層In0.2Ga0.8N層と、その井戸層を挟む厚さ10nmの障壁層In0.05Ga0.95N層からなる。p型クラッド層7は、例えば、発光層9の側から積層された、厚さ10nmのp型Al0.15Ga0.85N層からなるオーバーフロー防止層7aと、厚さ40nmのp型GaN層7bと、厚さ5nmのコンタクト層7cを含む。p型クラッド層7の上には、透明電極13が設けられる。透明電極13には、例えば、ITO膜、もしくは、酸化亜鉛ZnO膜、酸化錫Sn2O膜を用いることができる。透明電極13は、例えば、400nmの厚さに設けられる。そして、その表面を所定のパターンにエッチングすることにより、厚さ400nmの厚膜部13aおよび13bと、厚さ200nmの薄膜部13cを形成する。p型クラッド層7の最上層であるコンタクト層7cは、例えば、p型不純物であるMgが高濃度にドープされたp型GaN層であり、透明電極13とp型クラッド層7との間のコンタクト抵抗を下げるために設けられる。透明電極13の厚膜部13の上には、p電極15が設けられる。そして、p型クラッド層7および発光層9を選択的にエッチングし、積層体10の第1主面である発光面10aを画する。さらに、p型クラッド層7および発光層9がエッチングされて露出したn型クラッド層5の表面にn電極17が設けられる。上記の半導体発光装置100の構成は1つの例示であり、様々な変形例が考えられる。例えば、サファイア基板3に代えて、シリコン基板、もしくは、SiC基板、GaN基板などを用いることができる。また、n型クラッド層5と発光層9との間に、例えば、超格子バッファ層を挿入することもできる。第2の実施形態図4は、第2の実施形態に係る半導体発光装置200を示す模式図である。図4aは、半導体発光装置200のチップ面を示す平面図である。図4bは、図4aに示すIVb-IVb断面を示す模式図である。図4aに示すように、半導体発光装置200では、積層体20の第1主面である発光面20aの上に、透明電極13が設けられる。透明電極13は、第1の厚膜部13aと、第1の厚膜部13aからストライプ状に延在する第2の厚膜部13bを有する。第1の厚膜部13aの上には、第1電極であるn電極29が設けられる。例えば、厚膜部13aは、発光面20aの短辺に沿って延在する長方形に設けられ、厚膜部13bは、発光面20aの長辺に沿ってストライプ状に延在する。また、複数の厚膜部13bが、発光面20aの外縁の近傍まで延在し、発光面20aを均等に発光させる。さらに、透明電極13は、発光面20aの外縁の内側に設けられる。図4bに示すように、本実施形態における積層体20は、第2電極であるp電極21を介して支持基板25の上に設けられる。積層体20は、第1半導体層であるn型クラッド層5と、第2半導体層であるp型クラッド層7と、n型クラッド層5とp型クラッド層7との間に設けられた発光層9を有する。積層体20の第1主面であり、n型クラッド層5の表面でもある発光面20aの上に、透明電極13が設けられる。透明電極13は、発光面20aに対して垂直な方向の厚さが相対的に厚い厚膜部13bと、厚膜部13bよりも薄い薄膜部13cを有する。半導体発光装置200では、積層体20の第2主面20bにp電極21が設けられ、第1主面20aの上に設けられた透明電極13との間に駆動電流を流すことにより、発光層9から発光を放射させる構成となっている。p電極21は、発光層9が放射する発光を発光面20aの方向に反射するように設ける。例えば、p型クラッド層7に近い部分に、銀Agもしくは金Auを含ませることにより、発光層9が放射する青色の光を反射させることができる。p電極21とp型クラッド層7との間には、電流ブロック層23が設けられている。図4aに示すように、発光面20aに対して平行な平面視において、厚膜部13bは、電流ブロック層23と重ならない部分を有する。これにより、薄膜部13cからp電極21に向かって流れる直線的な電流経路が阻止され、発光層9の厚膜部13bの下の部分に駆動電流を集中させることができる。さらに、n電極29の下にも電流ブロック層を設け、n電極29の下の発光層9における発光を抑制し、発光効率の向上を図ることもできる。次に、図5~図7を参照して、半導体発光装置200の製造過程を説明する。図5a~図7bは、各工程におけるウェーハの断面を模式的に示している。まず、図5aに示すように、サファイア基板31の上に、n型クラッド層5と、発光層9と、p型クラッド層7と、を順に成長し積層体20を形成する。これらの層は、例えば、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法を用いて形成することができる。各層の詳細な構成は、図3に示す半導体発光装置100と同じである。次に、図5bに示すように、積層体20の第2主面20bの上に、電流ブロック層23と、p電極21aとを形成する。電流ブロック層23には、例えば、CVDChemicalVaporDeposition法により形成されるシリコン酸化膜SiO2膜を用いることができる。p電極21aには、p型クラッド層7の側から、例えば、ニッケルNi、Ag、白金PtおよびAuを順に積層した多層膜を用いることができる。次に、図6aに示すように、積層体20およびp電極21aを形成したウェーハ30と、支持基板25の表面にp電極21bを形成したウェーハ40と、を貼り合わせる。支持基板25には、例えば、p型シリコン基板、もしくは、p型ゲルマニウム基板を用いることができる。p電極21bには、例えば、Auを用いる。そして、同図に示すように、p電極21aの表面と、p電極21bの表面と、を接触させ、両ウェーハの裏面側から加重を加えることにより、p電極21aとp電極21bとを接合しp電極21とする。続いて、ウェーハ30の裏面側から、例えば、YAGレーザを照射し、n型クラッド層5の一部の結晶を解離させ、図6bに示すように、サファイア基板31をn型クラッド層5から分離する。次に、図7aに示すように、サファイア基板31を分離して露出させた積層体20の第1主面20aの上に透明電極13を形成する。透明電極13には、例えば、スパッタ法を用いて第1主面20aの表面に形成したITO膜を用いる。ITO膜の厚さは、例えば、400nm程度とする。続いて、ITO膜の表面を選択的にエッチングして、厚膜部13aおよび13bと、薄膜部13cを形成する。厚膜部13aおよび13bの厚さは、例えば、ITO膜と同じ400nmであり、薄膜部13cの厚さは、例えば、200nmとする。さらに、厚膜部13aの表面にn電極29を形成する図4a参照。n電極には、例えば、透明電極13の側からNiとAuとを積層した多層膜を用いることができる。次に、積層体20を選択的にエッチングし、発光面20aを画する。続いて、支持基板25の裏面にボンディング電極33を形成し、個々のチップに切断することにより半導体発光装置200を完成する。図8は、第2の実施形態の変形例に係る半導体発光装置300および400のチップ面を例示する模式図である。例えば、図8aに示す半導体発光装置300では、第1の厚膜部13aをチップ面の中央に設け、第2の厚膜部13bを発光面20aの外縁に向けて延在させる。半導体発光装置300は、第1主面である発光面20aに対して平行な平面視において、長辺と短辺とを有する長方形状の積層体20を備える。そして、第1の厚膜部13aは、長方形状の中心を含む領域に設けられる。そして、第2の厚膜部13bは、厚膜部13aから長方形状の長辺方向および短辺方向に延在する。これにより、n電極29を除く発光面20aを均等に発光させることができる。また、図8bに示す半導体発光装置400のように、第1の厚膜部13aを発光面20aの中央から長辺に沿って延在させ、第1の厚膜部13aから発光面20aの外縁に向けて第2の厚膜部13bを延在させても良い。すなわち、同図に示すように、半導体発光装置400も、発光面20aに対して平行な平面視において、長辺と短辺とを有する長方形状の積層体20を備える。そして、第1の厚膜部13aは、長方形状の中心を含む領域と、その中心を含む領域から長方形状の長辺方向に延在した部分と、を有する。第2の厚膜部13bは,厚膜部13aの長方形状の中心を含む領域から長方形状の短辺方向に延在する部分と,厚膜部13aにおける長方形状の長辺方向に延在した部分から、長方形状の短辺方向に延在する部分と、を有する。この場合も、厚膜部13aの最小幅W1を、厚膜部13bの延在方向に直交する幅W2よりも広くする。これにより、複数の厚膜部13bの下の発光層9を均等に発光させることができる。図8aおよびbに例示した厚膜部13a、13b、および、類似の形状は、前述した第1の実施形態に係る半導体発光装置100に設けることもできる。上記の第2の実施形態では、第1導電型をn型、第2導電型をp型とした。一方、前述した第1の実施形態では、第1導電型をp型、第2導電型をn型としたが、これに限られる訳ではなく、それぞれ逆の導電型としても良い。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。なお、本願明細書において、窒化物半導体とは、BxInyAlzGa1-x-y-zN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、0≦xyz≦1のIII-V族化合物半導体を含み、さらに、V族元素としては、N窒素に加えてリンPや砒素Asなどを含有する混晶も含むものとする。またさらに、導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、窒化物半導体に含まれるものとする。"