"誘電体ブロック内に設けられた長尺チャンバと、前記チャンバ内にガスを供給するガス導入口と、前記誘電体ブロックに接合され、かつ、前記長尺チャンバに平行に設けられた誘電体製の円筒管と、前記円筒管内に設けられた長尺のソレノイドコイルと、前記ソレノイドコイルに接続された高周波電源とを備え、前記長尺チャンバが長尺の開口部を備え、前記開口部と対向して配置され、かつ基材を保持する基材載置台を備え、前記チャンバの長手方向と前記開口部の長手方向とは平行に配置され、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備えたこと、を特徴とするプラズマ処理装置。前記誘電体ブロックが、少なくとも一方が凸部をもつ誘電体製の2枚の薄板を、前記凸部を接合面として接合されたものであることを特徴とする、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記円筒管内が冷媒流路となっていることを特徴とする、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記ソレノイドコイルが設けられた円筒管とは別に、冷媒流路となる誘電体製の円筒管が前記誘電体ブロックに接合されていることを特徴とする、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記冷媒流路が、前記長尺チャンバの長手方向の両側に設けられた2つの冷媒マニホールドと連通することを特徴とする、請求項4記載のプラズマ処理装置。誘電体ブロック内に設けられた長尺チャンバと、前記チャンバ内にガスを供給するガス導入口と、前記誘電体ブロックに接合され、かつ、中空の導体管製で、かつ、前記長尺チャンバに平行に設けられた長尺のソレノイドコイルと、前記ソレノイドコイルに接続された高周波電源とを備え、前記長尺チャンバが長尺の開口部を備え、前記開口部と対向して配置され、かつ基材を保持する基材載置台を備え、前記チャンバの長手方向と前記開口部の長手方向とは平行に配置され、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備えたこと、を特徴とするプラズマ処理装置。前記誘電体ブロックが、少なくとも一方が凸部をもつ誘電体製の2枚の薄板を、前記凸部を接合面として接合されたものであることを特徴とする、請求項6記載のプラズマ処理装置。前記ソレノイドコイル内が冷媒流路となっていることを特徴とする、請求項6記載のプラズマ処理装置。前記ソレノイドコイルとは別に、冷媒流路となる誘電体製の円筒管が前記誘電体ブロックに接合されていることを特徴とする、請求項6記載のプラズマ処理装置。前記冷媒流路が、前記長尺チャンバの長手方向の両側に設けられた2つの冷媒マニホールドと連通することを特徴とする、請求項9記載のプラズマ処理装置。誘電体ブロックで囲まれた長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、前記長尺チャンバに形成されたスリット状の開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記長尺チャンバ内に高周波電磁界を発生させるプラズマ処理方法において、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに前記チャンバと前記基材とを相対的に移動しながら前記基材の表面を処理するプラズマ処理方法であって、前記コイルは、前記誘電体ブロックに接合された誘電体製の円筒管内に設けられたソレノイドコイルからなること、を特徴とするプラズマ処理方法。誘電体ブロックで囲まれた長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、前記長尺チャンバに形成されたスリット状の開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記長尺チャンバ内に高周波電磁界を発生させるプラズマ処理方法において、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに前記チャンバと前記基材とを相対的に移動しながら前記基材の表面を処理するプラズマ処理方法であって、前記コイルは、前記誘電体ブロックに接合され、かつ、中空の導体管製で、かつ、前記長尺チャンバに平行に設けられた長尺のソレノイドコイルからなること、を特徴とするプラズマ処理方法。しかしながら、半導体の結晶化など、ごく短時間だけ基材の表面近傍を高温処理する用途に対して、従来の熱プラズマを大面積に発生させる技術は有効ではなかった。従来例に示した特許文献2に記載の、熱プラズマを大面積に発生させる技術においては、広幅化はされるものの、広幅化された領域における温度分布は100°C以上となっており、均一な熱処理の実現は不可能である。また、従来例に示した特許文献3、4に記載の、熱プラズマを大面積に発生させる技術においては、本質的には熱プラズマを揺動させるものであるから、実質的に熱処理されている時間は、回転させずに走査した場合と比べて短くなるので、大面積を処理する時間が特段短くなるものではない。また、均一処理のためには回転速度を走査速度に比べて十分に大きくする必要があり、ノズルの構成が複雑化することは避けられない。また、従来例に示した特許文献5に記載の技術は溶接技術であり、大面積を均一に処理するための構成ではない。仮にこれを大面積処理用途に適用しようとしても、この構成においては点状のアークが帯状電極に沿って振動するので、時間平均すると均一にプラズマが発生するものの、瞬間的には不均一なプラズマが生じている。したがって、大面積の均一処理には適用できない。また、従来例に示した特許文献6に記載の技術は、非特許文献1や特許文献1に開示されているDCアーク放電を用いたものと異なり、誘導結合型の高周波プラズマトーチであることが特徴である。無電極放電であることから、熱プラズマの安定性に優れ時間変化が小さい、電極材料の基材への混入コンタミネーションが少ないという利点がある。さて、誘導結合型プラズマトーチにおいては、高温プラズマから絶縁体材料を保護するために、絶縁体材料を二重管構成としてその間に冷媒を流す方法が一般的に採用されている。しかしながら、従来例に示した特許文献6に記載の技術においては、絶縁体材料が扁平な直方体状をなしていることから、これを単純に二重管構成としただけでは、十分な流量の冷媒を流すことができない。なぜなら、絶縁体材料は一般に金属に比べて機械的強度に劣るため、絶縁体材料を長尺方向に余りに長くすると、二重管の内圧を高くできなくなるからである。このため、大面積を均一に処理するのに限界がある。また、仮に絶縁体材料の冷却の問題がないと仮定しても、従来例に示した特許文献6に記載の技術においては、絶縁体材料の内部空間に形成した高温プラズマは、その最下部から噴出するごく一部のみが基材に直接作用する構成であるため、電力効率が悪いという問題点がある。また、絶縁体材料の内部空間においては、中心付近のプラズマ密度が高くなるので、長尺方向にプラズマが不均一となり、基材を均一に処理することができないという問題点がある。なお、点状の熱プラズマであっても、その直径が大きければ大面積処理の際の走査回数を減らせるため、用途によっては短時間で処理できる。しかし、熱プラズマの直径が大きいと、走査時に熱プラズマが基材上を通過する時間が実質的に長くなるため、ごく短時間だけ基材の表面近傍のみを高温処理することはできず、基材のかなり深い領域までが高温になり、例えばガラス基板の割れや膜剥がれなどの不具合を生じることがある。また、従来例に示した特許文献9に記載の技術では、先に述べた誘導結合型の高周波プラズマトーチと比較して、熱プラズマの安定性に劣り時間変化が大きい、電極材料の基材への混入コンタミネーションが多いという欠点がある。本発明はこのような課題に鑑みなされたもので、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、或いは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的としている。本願の第1発明のプラズマ処理装置は、誘電体ブロック内に設けられた長尺チャンバと、前記チャンバ内にガスを供給するガス導入口と、前記誘電体ブロックに接合され、かつ、前記長尺チャンバに平行に設けられた誘電体製の円筒管と、前記円筒管内に設けられた長尺のソレノイドコイルと、前記ソレノイドコイルに接続された高周波電源とを備え、前記長尺チャンバが長尺の開口部を備え、前記開口部と対向して配置され、かつ基材を保持する基材載置台を備え、前記チャンバの長手方向と前記開口部の長手方向とは平行に配置され、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備えたことを特徴とする。このような構成により、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、或いは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができる。本願の第1発明のプラズマ処理装置において、好適には、前記誘電体ブロックが、少なくとも一方が凸部をもつ誘電体製の2枚の薄板を、前記凸部を接合面として接合されたものであることが望ましい。このような構成により、簡単な構成でプラズマ処理装置を実現できる。また、好適には、前記円筒管内が冷媒流路となっていることが望ましい。このような構成により、プラズマ処理装置の効果的な冷却が実現できる。また、好適には、前記ソレノイドコイルが設けられた円筒管とは別に、冷媒流路となる誘電体製の円筒管が前記誘電体ブロックに接合されていることが望ましい。このような構成により、プラズマ処理装置のさらに効果的な冷却が実現できる。また、この場合、前記冷媒流路が、前記長尺チャンバの長手方向の両側に設けられた2つの冷媒マニホールドと連通することが望ましい。このような構成により、プラズマ処理装置のさらに効果的な冷却が実現できる。本願の第2発明のプラズマ処理装置は、誘電体ブロック内に設けられた長尺チャンバと、前記チャンバ内にガスを供給するガス導入口と、前記誘電体ブロックに接合され、かつ、中空の導体管製で、かつ、前記長尺チャンバに平行に設けられた長尺のソレノイドコイルと、前記ソレノイドコイルに接続された高周波電源とを備え、前記長尺チャンバが長尺の開口部を備え、前記開口部と対向して配置され、かつ基材を保持する基材載置台を備え、前記チャンバの長手方向と前記開口部の長手方向とは平行に配置され、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備えたことを特徴とする。このような構成により、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、或いは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができる。本願の第2発明のプラズマ処理装置において、好適には、前記誘電体ブロックが、少なくとも一方が凸部をもつ誘電体製の2枚の薄板を、前記凸部を接合面として接合されたものであることが望ましい。このような構成により、簡単な構成でプラズマ処理装置を実現できる。また、好適には、前記ソレノイドコイル内が冷媒流路となっていることが望ましい。このような構成により、プラズマ処理装置の効果的な冷却が実現できる。また、好適には、前記ソレノイドコイルとは別に、冷媒流路となる誘電体製の円筒管が前記誘電体ブロッに接合されていることが望ましい。このような構成により、プラズマ処理装置のさらに効果的な冷却が実現できる。また、この場合、前記冷媒流路が、前記長尺チャンバの長手方向の両側に設けられた2つの冷媒マニホールドと連通することが望ましい。このような構成により、プラズマ処理装置のさらに効果的な冷却が実現できる。本願の第3発明のプラズマ処理方法は、誘電体ブロックで囲まれた長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、前記長尺チャンバに形成されたスリット状の開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記長尺チャンバ内に高周波電磁界を発生させるプラズマ処理方法において、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに前記チャンバと前記基材とを相対的に移動しながら前記基材の表面を処理するプラズマ処理方法であって、前記コイルは、前記誘電体ブロックに接合された誘電体製の円筒管内に設けられたソレノイドコイルからなることを特徴とする。このような構成により、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、或いは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができる。本願の第4発明のプラズマ処理方法は、誘電体ブロックで囲まれた長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、前記長尺チャンバに形成されたスリット状の開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記長尺チャンバ内に高周波電磁界を発生させるプラズマ処理方法において、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに前記チャンバと前記基材とを相対的に移動しながら前記基材の表面を処理するプラズマ処理方法であって、前記コイルは、前記誘電体ブロックに接合され、かつ、中空の導体管製で、かつ、前記長尺チャンバに平行に設けられた長尺のソレノイドコイルからなることを特徴とする。このような構成により、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、或いは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができる。本発明によれば、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、或いは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができる。以下、本発明の実施の形態におけるプラズマ処理装置について図面を用いて説明する。実施の形態1以下、本発明の実施の形態1について、図1及び図2を参照して説明する。図1aは、本発明の実施の形態1におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図である。図1b及びcは、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に平行で、かつ、基材に垂直な面で切った断面図である。図1bは図1aの破線B~B‘で切った断面図、図1cは図1aの破線A~A‘で切った断面図である。また、図1aは図1bの破線で切った断面図である。また、図2は、図1に示した誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図であり、各部品一部の斜視図を並べたものである。図1及び図2において、基材載置台1上に基材2が載置されている。誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、コイルをなす中空の導体管としてのソレノイドコイル3が、誘電体製の長尺チャンバを構成する石英ブロック4の近傍に配置されている。石英ブロック4の上部に真鍮蓋6が設けられている。誘導結合型プラズマトーチユニットTは、全体が接地された導体製のシールド部材で囲われ、高周波の漏洩ノイズが効果的に防止できるとともに、好ましくない異常放電などを効果的に防止できる。長尺チャンバ内部の空間7は、石英ブロック4に設けられたスリットである。つまり、長尺チャンバが誘電体で囲まれている構成である。長尺チャンバ内部の空間7に発生したプラズマは、長尺チャンバにおけるスリット状の開口部としてのプラズマ噴出口8より基材2に向けて噴出する。また、長尺チャンバの長手方向とプラズマ噴出口8の長手方向とは平行に配置されている。真鍮蓋6の上方に、プラズマガスマニホールド9が設けられる。プラズマガスマニホールド9に供給されたガスは、石英ブロック4に設けられた穴からなるプラズマガス供給配管10を介して、石英ブロック4に設けられたガス導入口としてのプラズマガス供給穴11より長尺チャンバ内部の空間7に導入される。プラズマガス供給配管10は長手方向に複数設けられているので、長手方向に均一なガス流れを簡単に形成できる。ソレノイドコイル3は、石英ブロック4に接合される。また、ソレノイドコイルの中心軸は、長尺チャンバの長手方向、及び、プラズマ噴出口8の長手方向と平行に配置されている。また、基材載置台1に近い部分に、シールドガスノズル13が配置され、その内部にはシールドガスマニホールド14が設けられる。このように、2系統のガス導入が準備されており、プラズマ生成に適したプラズマガスとは別にシールドガスを供給して、大気中の酸素、二酸化炭素など、処理に不要、或いは悪影響を及ぼすガスのプラズマ照射面への混入を低減することが可能となる。ソレノイドコイル3は中空であり、その内部は冷媒流路となっている。すなわち、ソレノイドコイル3の内部には冷媒としての冷却水が流れ、ソレノイドコイル3の冷却と、これに接合された石英ブロック4の冷却が実現される。また、冷媒流路となる石英管15が誘電体ブロックに接合されている。全ての石英管15は、真鍮ブロック16の外側に設けられた樹脂ケース17と真鍮ブロック16との間の空間がなす冷媒マニホールドとしての冷却水マニホールド18に連通している。樹脂ケース17には、図示しない冷媒導入口冷媒排出口としての冷却水出入口が各1箇所ずつ設けられ、誘導結合型プラズマトーチユニットTへの水冷配管の引き回しが非常に簡潔なものとなっており、小型のトーチを構成しうる。すなわち、長尺チャンバの長手方向の両側に2つの冷却水マニホールド18を備え、各部材に2つの冷却水マニホールド18を連通する冷媒流路を備えた構成である。ソレノイドコイル3は、その端部が直角に曲げられ、冷媒入口及び出口が冷却水マニホールド18に連通しない構成としているが、端部を曲げずに、絶縁碍子などを介して真鍮ブロック16を貫通させ、ソレノイドコイル3の内部が、石英管15への冷媒流路と並列な冷媒流路となるような構成としてもよい。ソレノイドコイル3と石英ブロック4との接合、及び、石英管15と石英ブロック4との接合は、溶接法によるものの他、各種接着剤を用いて行うことが可能である。冷却効率を確保するため、接着剤を用いる場合はできるだけ薄く、均一に塗布することが好ましい。ソレノイドコイル3及び石英管15を石英ブロック4に接合する構成の利点は、既成の板材、管材を活用できるため、安価短納期で製作可能であること、また、肉厚の石英板に貫通穴をあける場合に比べて、長尺チャンバと冷媒流路の距離を小さくできるため、冷却効率が良いこと、である。ソレノイドコイル3の両端は、図示しない銅板を通じて図示しない高周波整合回路に接続される。このように、本実施の形態においては、石英ブロック4に、断面が円形の冷却水配管が密に接合されているので、従来例に示した特許文献6に記載の技術において二重管構成として水冷した場合に比べて、はるかに大量の冷媒を流すことができる。なお、プラズマガスマニホールド9へのガス導入は、その上流にマスフローコントローラなどの流量制御装置を備えたプラズマガス供給配管21を介して実現される。長方形のスリット状のプラズマ噴出口8が設けられ、基材載置台1或いは、基材載置台1上の基材2は、プラズマ噴出口8と対向して配置されている。この状態で、長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、プラズマ噴出口8から基材2に向けてガスを噴出させながら、図示していない高周波電源よりソレノイドコイル3に高周波電力を供給することにより、長尺チャンバ内部の空間7にプラズマを発生させ、プラズマ噴出口8からプラズマを基材2に照射することにより、基材2上の薄膜22をプラズマ処理することができる。プラズマ噴出口8の長手方向に対して垂直な向きに、長尺チャンバと基材載置台1とを相対的に移動させることで、基材2を処理する。つまり、図1aの左右方向へ、図1bcの紙面に垂直な方向へ、誘導結合型プラズマトーチユニットTまたは基材載置台1を動かす。長尺チャンバ内に供給するガスとして種々のものが使用可能だが、プラズマの安定性、着火性、プラズマに暴露される部材の寿命などを考えると、不活性ガス主体であることが望ましい。なかでも、Arガスが典型的に用いられる。Arのみでプラズマを生成させた場合、プラズマは相当高温となる10,000K以上。なお、本構成においては、プラズマ噴出口8の長手方向の長さが、基材2の幅以上となっているので、一度の走査誘導結合型プラズマトーチユニットTと基材載置台1とを相対的に移動することで基材2の表面近傍の薄膜22の全体を処理することができる。このようなプラズマ処理装置において、長尺チャンバ内にガス噴出口よりArまたはArH2ガスを供給しつつ、プラズマ噴出口8から基材2に向けてガスを噴出させながら、図示していない高周波電源より13.56MHzの高周波電力を、ソレノイドコイル3に供給することにより、長尺チャンバ内部の空間7に高周波電磁界を発生させてプラズマを発生させ、プラズマ噴出口8からプラズマを基材2に照射するとともに走査することで、半導体膜の結晶化などの熱処理を行うことができる。このように、プラズマ噴出口8の長手方向と、基材載置台1とが平行に配置されたまま、プラズマ噴出口8の長手方向とは垂直な向きに、長尺チャンバと基材載置台1とを相対的に移動するので、生成すべきプラズマの長さと、基材2の処理長さがほぼ等しくなるように構成することが可能となる。また、長尺チャンバをその中心軸に垂直な面で切った断面の幅図1aにおける、長尺チャンバ内部の空間7の幅は、プラズマ噴出口8の幅図1aにおける隙間の幅と同じか、少し大きく程度でよい。つまり、生成すべきプラズマの体積を、従来と比較して極めて小さくすることができる。その結果、電力効率が飛躍的に高まる。また、長尺チャンバ内部の空間7においては、長尺方向に比較的均一なプラズマが生成できるので、特許文献6に開示されている従来例などと比べて、基材を均一に処理することができる。実施の形態2以下、本発明の実施の形態2について、図3を参照して説明する。図3は本発明の実施の形態2におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。本発明の実施の形態2においては、実施の形態1とは、石英ブロック4及び真鍮蓋6の形状が異なるだけであるから、それ以外の説明は省略する。図1においては、プラズマガスマニホールド9に供給されたガスは、石英ブロック4に設けられた穴からなるプラズマガス供給配管10を介して、石英ブロック4に設けられたガス導入口としてのプラズマガス供給穴11より長尺チャンバ内部の空間7に導入されていたが、図3においては、プラズマガスマニホールド9に供給されたガスは、真鍮蓋6に設けられた穴からなるプラズマガス供給配管10を介して、その出口となるガス導入口としてのプラズマガス供給穴11より長尺チャンバ内部の空間7に導入されている。石英ブロック4の上面は、長尺のスリット状の開口となっている構成である。このような構成では、石英ブロック4に複雑な穴加工を施す必要がないため、より容易にプラズマ処理装置を構成することができる。実施の形態3以下、本発明の実施の形態3について、図4を参照して説明する。図4は本発明の実施の形態3におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。図4において、石英ブロック4は、第1石英板24及び第2石英板25を接合することにより構成されている。第1石英板24にはプラズマガス供給配管21が接合されている。また、第2石英板25には、接合後に長尺チャンバ内部の空間7、プラズマ噴出口8、プラズマガスマニホールド9、プラズマガス供給配管10となる凹部が形成されている。逆にいえば、これらの凹部以外が凸部を構成しており、石英ブロック4が、この凸部を接合面として接合されたものとして構成される。このような構成では、石英ブロック4に深い穴加工を施す必要がなく、浅い凹部を加工するだけであるから、より容易にプラズマ処理装置を構成することができる。実施の形態4以下、本発明の実施の形態4について、図5及び図6を参照して説明する。図5は本発明の実施の形態4におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。また、図6は、図5に示した誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図であり、各部品一部の斜視図を並べたものである。図5において、実施の形態3と同様に、石英ブロック4は、第1石英板24及び第2石英板25を接合することにより構成されている。ソレノイドコイル3は、長尺チャンバ内部の空間7との間にプラズマガスマニホールド9及びプラズマガス供給配管10を挟んで、誘導結合型プラズマトーチユニットTの上部に配置される。このような構成では、石英ブロック4の両側に同数の石英管15を配置できるので、より効果的に冷却が行えるという利点がある。実施の形態5以下、本発明の実施の形態5について、図7を参照して説明する。図7は本発明の実施の形態5におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。図7において、石英ブロック4の上部から導体板26が挿入され、その一部が長尺チャンバ内部の空間7に露出している。導体板26には、プラズマガスマニホールド9、プラズマガス供給配管10を構成する凹部が形成されている。このように、導体製の部材を長尺チャンバ内部の空間7に露出させることにより、コイルとこの導体製の部材との間の容量結合が強まり、より低い高周波電力での放電点火が可能となる。また、プラズマガス供給配管10が接地された導体に囲まれる構成となっているので、プラズマガス供給配管10内部で発生しうる望ましくない放電を効果的に抑制できる。実施の形態6以下、本発明の実施の形態6について、図8を参照して説明する。図8は本発明の実施の形態6におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。図8において、石英ブロック4の上部から導体板26が挿入され、その一部が長尺チャンバ内部の空間7に露出している。導体板26には、プラズマガスマニホールド9、プラズマガス供給配管10を構成する凹部が形成されている。実施の形態5においては、石英ブロック4に設けられた細い隙間に導体板26を挿入していたのに対して、本実施の形態においては、石英ブロック4の厚さ方向に片側が開かれた開口部を塞ぐように導体板26が配置されている。このような構成では、構成部材の温度上昇時に発生しうる、導体板26と石英ブロック4との熱膨張係数の違いに起因する応力の発生を抑制することが可能である。実施の形態7以下、本発明の実施の形態7について、図9を参照して説明する。図9は本発明の実施の形態7におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。図9において、石英ブロック4の側面に設けられた穴に導体板26が挿入され、その一部が長尺チャンバ内部の空間7に露出している。プラズマガスマニホールド9、プラズマガス供給配管10を構成する凹部は、石英ブロック4を構成する2枚の石英板の片方に形成されている。実施の形態8以下、本発明の実施の形態8について、図10及び図11を参照して説明する。図10は本発明の実施の形態8におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。図10及び図11において、中空でない銅製で長尺のソレノイドコイル30が、石英管12の内側に配置される。すなわち、誘電体ブロックとしての石英ブロック4の側面に、円筒型の誘電体管としての石英管12が接合され、石英管12の内部にソレノイドコイル30が配置される。石英管12の内部は冷媒流路となっており、ソレノイドコイル30の冷却と、これに接合された石英ブロック4の冷却が実現される。ソレノイドコイル30の両端は、真鍮ブロック16を貫通し、図示しない銅部材を通じて図示しない高周波整合回路に接続される。このような構成により、ソレノイドコイル30と長尺チャンバ内部の空間7との距離を小さく保ちつつ、石英ブロック4を両側から効果的に冷却することができる。以上述べたプラズマ処理装置及び方法は、本発明の適用範囲のうちの典型例を例示したに過ぎない。例えば、誘導結合型プラズマトーチユニットTを、固定された基材載置台1に対して走査してもよいが、固定された誘導結合型プラズマトーチユニットTに対して、基材載置台1を走査してもよい。本発明の種々の構成によって、基材2の表面近傍を高温処理することが可能となるが、従来例で詳しく述べたTFT用半導体膜の結晶化や太陽電池用半導体膜の改質に適用可能であることは勿論、プラズマディスプレイパネルの保護層の清浄化や脱ガス低減、シリカ微粒子の集合体からなる誘電体層の表面平坦化や脱ガス低減、種々の電子デバイスのリフロー、固体不純物源を用いたプラズマドーピングなど、さまざまな表面処理に適用できる。また、太陽電池の製造方法としては、シリコンインゴットを粉砕して得られる粉末を基材上に塗布し、これにプラズマを照射して溶融させ多結晶シリコン膜を得る方法にも適用可能である。また、プラズマの着火を容易にするために、着火源を用いることも可能である。着火源としては、ガス給湯器などに用いられる点火用スパーク装置などを利用できる。また、説明においては簡単のため熱プラズマという言葉を用いているが、熱プラズマと低温プラズマの区分けは厳密には難しく、また、例えば、田中康規熱プラズマにおける非平衡性プラズマ核融合学会誌、Vol.82、No.82006pp.479-483において解説されているように、熱的平衡性のみでプラズマの種類を区分することも困難である。本発明は、基材を熱処理することを一つの目的としており、熱プラズマ、熱平衡プラズマ、高温プラズマなどの用語にとらわれず、高温のプラズマを照射する技術に関するものに適用可能である。また、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理する場合について詳しく例示したが、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理する場合においても、本発明は適用できる。プラズマガスに反応ガスを混ぜることにより、反応ガスによるプラズマを基材へ照射し、エッチングやCVDが実現できる。或いは、プラズマガスとしては希ガスまたは希ガスに少量のH2ガスを加えたガスを用いつつ、シールドガスとして反応ガスを含むガスを供給することによって、プラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射し、エッチング、CVD、ドーピングなどのプラズマ処理を実現することもできる。プラズマガスとしてアルゴンを主成分とするガスを用いると、実施例で詳しく例示したように、熱プラズマが発生する。一方、プラズマガスとしてヘリウムを主成分とするガスを用いると、比較的低温のプラズマを発生させることができる。このような方法で、基材をあまり加熱することなく、エッチングや成膜などの処理が可能となる。エッチングに用いる反応ガスとしては、ハロゲン含有ガス、例えば、CxFyx、yは自然数、SF6などがあり、シリコンやシリコン化合物などをエッチングすることができる。反応ガスとしてO2を用いれば、有機物の除去、レジストアッシングなどが可能となる。CVDに用いる反応ガスとしては、モノシラン、ジシランなどがあり、シリコンやシリコン化合物の成膜が可能となる。或いは、TEOSTetraethoxysilaneに代表されるシリコンを含有した有機ガスとO2の混合ガスを用いれば、シリコン酸化膜を成膜することができる。その他、撥水性親水性を改質する表面処理など、種々の低温プラズマ処理が可能である。従来技術例えば、特許文献7に記載のものに比較すると、誘導結合型であるため、単位体積あたり高いパワー密度を投入してもアーク放電に移行しにくいため、より高密度なプラズマが発生可能であり、その結果、速い反応速度が得られ、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することが可能となる。"