歪ゲージ抵抗をブリッジ接続して構成され、検出物理量に応じた検出信号電圧を発生するセンサ素子と、前記センサ素子に駆動電流を供給する電流出力回路と、前記センサ素子から出力される検出信号電圧を入力するバッファ回路と、前記バッファ回路の後段にN段N≧2に亘って縦続接続され、それぞれがオペアンプにより構成された増幅回路とを備え、前記増幅回路のうち最終段の増幅回路の増幅率をGN、前記最終段の増幅回路よりも1段前の増幅回路の増幅率をGN1とすれば、GN1>GNの関係が成立していることを特徴とするセンサ装置。前記最終段の増幅回路を構成するオペアンプのフィードバック経路にローパスフィルタを付加したことを特徴とする請求項1記載のセンサ装置。前記最終段の増幅回路をオペアンプによる反転増幅回路の形態に構成し、前記オペアンプの反転入力端子とグランドとの間にコンデンサを付加したことを特徴とする請求項2記載のセンサ装置。前記最終段の増幅回路をオペアンプによる反転増幅回路の形態に構成し、前記オペアンプの反転入力端子と出力端子との間にコンデンサを付加したことを特徴とする請求項2記載のセンサ装置。GN1>2GNの関係が成立していることを特徴とする請求項1ないし4の何れかに記載のセンサ装置。前記最終段の増幅回路の出力端子は、外部に対し検出信号を出力するパッドに接続されていることを特徴とする請求項1ないし5の何れかに記載のセンサ装置。前記センサ素子は、圧力に応じた検出信号電圧を発生するものであることを特徴とする請求項1ないし6の何れかに記載のセンサ装置。前記センサ素子は、加速度に応じた検出信号電圧を発生するものであることを特徴とする請求項1ないし6の何れかに記載のセンサ装置。近年、車両におけるEMCElectroMagneticCompatibility耐量への要求が一層高まっている。車両で用いられるセンサ装置は、電源線と種々の信号線とが束ねられたワイヤハーネスによりECUElectronicControlUnitに接続されている。このため、センサ装置は、ワイヤハーネスに含まれる電源線や信号線からの誘導ノイズを受け易く、イミュニティが低下し易い。本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、EMC耐量を高めたセンサ装置を提供することにある。請求項1に記載した手段によれば、歪ゲージ抵抗をブリッジ接続して構成されたセンサ素子に電流出力回路から駆動電流を供給することにより、センサ素子は検出対象である物理量に応じた検出信号電圧を発生する。この検出信号電圧は非常に小さいので、センサ素子に対しバッファ回路が設けられている。バッファ回路の後段には、N段N≧2に亘って縦続カスケード接続され、その縦続接続された各段がオペアンプにより構成された増幅回路が接続されている。増幅回路のうち最終段の増幅回路の増幅率をGN、最終段の増幅回路よりも1段前の増幅回路の増幅率をGN1とすれば、GN1>GNの関係が成立している。本願発明者は、上述した従来構成のセンサ装置において、その出力端子から誘導ノイズなどの外来ノイズがセンサ装置に入り込むと、センサ装置に係るEMC耐量が通常想定されるレベルを超えて低下することを突き止めた。さらに、センサ装置の出力端子に侵入したノイズが、センサ装置の増幅回路で増幅されて増大しているとの考察の下で上記構成を採用したところ、EMC耐量が高まることを確認した。この理由は以下のように考えられる。すなわち、オペアンプを用いた増幅回路の出力インピーダンスは低いため、出力端子から侵入する低周波数のノイズが当該増幅回路の入力側に回り込む量は極めて小さい。しかし、誘導結合により侵入するノイズの周波数成分は高いので、オペアンプの応答速度換言すれば周波数帯域幅が十分でなく、オペアンプに位相遅れが生じてネガティブフィードバックによるノイズ抑制作用が低減する。その結果、出力側から侵入したノイズが増幅回路の入力側に回り込み、ノイズ自体が増幅されてしまう結果となる。オペアンプのGB積利得帯域幅積は一定であるため、増幅率を高くするほど周波数帯域幅は低下してEMC耐量が低下する。これに対し、本手段によれば最終段の増幅回路の増幅率GNを1段前の増幅回路の増幅率GN1よりも低く設定したので、全体として同じ増幅率を得る場合、出力側から侵入したノイズが最終段の増幅回路の入力側に回り込む量を低減できる。最終段の増幅回路の増幅率GNが比較的低く設定されているので、入力側に回り込んだノイズの増幅が抑えられる。これにより、センサ装置のEMC耐量を高めることができる。請求項2に記載した手段によれば、最終段の増幅回路を構成するオペアンプのフィードバック経路にローパスフィルタを付加したので、特に高い周波数のノイズについて増幅回路の出力側から入力側への回り込みを低減できる。これにより、センサ装置のEMC耐量を一層高めることができる。請求項3に記載した手段によれば、最終段の増幅回路をオペアンプによる反転増幅回路の形態に構成し、オペアンプの反転入力端子とグランドとの間にコンデンサを付加したので、そのフィルタ作用によりセンサ装置のEMC耐量を一層高めることができる。請求項4に記載した手段によれば、最終段の増幅回路をオペアンプによる反転増幅回路の形態に構成し、オペアンプの反転入力端子と出力端子との間にコンデンサを付加したので、そのフィルタ作用によりセンサ装置のEMC耐量を一層高めることができる。請求項5に記載した手段によれば、GN1>2GNの関係が成立している。これにより、増幅回路全体として高い増幅率を持ちながら、センサ装置のEMC耐量をより効果的に高めることができる。請求項6に記載した手段によれば、最終段の増幅回路の出力端子は、外部に対し検出信号を出力するパッドに接続されている。誘導ノイズなどの外来ノイズは、このようなパッドを介してセンサ装置に入り込み易いので、上述した増幅回路によるノイズの増幅抑制作用がより効果的に得られる。請求項7に記載した手段によれば、センサ素子は、圧力に応じた検出信号電圧を発生するものである。請求項8に記載した手段によれば、センサ素子は、加速度に応じた検出信号電圧を発生するものである。第1の実施形態以下、本発明の第1の実施形態について圧力センサ装置の構成を示す図1を参照しながら説明する。この圧力センサ1は、例えば車両に搭載されており、ワイヤハーネスを通してECU図示せずから電源電圧Vccの供給を受けるとともに、検出物理量である検出圧力に応じた検出信号電圧を所定の電圧範囲となるように増幅した電圧Vp圧力検出信号をECUに対して出力する。圧力センサ装置1は、センサ素子2、定電流出力回路3、バッファ回路4、増幅回路5などの回路を半導体基板上に形成して構成されている。パッド1a、1bは上記電源電圧Vccの供給を受ける電源用パッドであり、それぞれ内部の電源線6、7に接続されている。パッド1cは圧力検出信号の出力用パッドである。センサ素子2は、ホイートストンブリッジの形態に接続された歪ゲージ抵抗8~11を備え、検出圧力に応じた検出信号電圧を発生する。歪ゲージ抵抗8~11は、半導体基板に形成された薄肉部の表面に形成されている。圧力が増加すると、抵抗8、11の抵抗値が減少するとともに抵抗9、10の抵抗値が増加する。抵抗12~15はホイートストンブリッジの零点を調整するために設けられており、抵抗16は検出感度の温度特性を調整するために設けられている。定電流出力回路3は、センサ素子2のホイートストンブリッジに一定の駆動電流を出力する電流出力回路である。電源線6とホイートストンブリッジの高電位側ノードNaとの間には調整可能な抵抗17が接続されている。オペアンプ18の反転入力端子はホイートストンブリッジの高電位側ノードNaに接続され、オペアンプ18の出力端子はホイートストンブリッジの低電位側ノードNbに接続されている。基準電圧生成回路19は、電源線6、7間の電源電圧Vccを抵抗20~22により分圧して基準電圧Vr1、Vr2を生成しており、オペアンプ18の非反転入力端子には基準電圧Vr1が与えられている。オペアンプ18は、ノードNaの電圧が基準電圧Vr1に等しくなるようにノードNbの電圧を制御し、センサ素子2に定電流を供給する。バッファ回路4は、ボルテージフォロアの形態で用いられるオペアンプ23、24を備えている。オペアンプ23、24の非反転入力端子は、それぞれ歪ゲージ抵抗8と9との接続ノードNc、歪ゲージ抵抗10と11との接続ノードNdに接続されている。これにより、バッファ回路4は、センサ素子2のホイートストンブリッジから出力される検出信号電圧を入力する。オペアンプ23の出力端子にはダーリントン接続されたトランジスタ25、26が接続されている。電源線6とトランジスタ25、26との間、トランジスタ26とオペアンプ24の出力端子との間には、それぞれ調整可能な抵抗27、28が接続されている。センサ素子2のノードNbと電源線7グランドとの間に直列に接続された抵抗30、31、およびオペアンプ24の出力端子と抵抗30、31の共通接続点との間に接続された抵抗29は、零点の温度補償のために設けられている。図1に示した各調整用抵抗はレーザトリミングされる。バッファ回路4の後段に位置する増幅回路5は、オペアンプ32、33により構成された2段の反転増幅回路51、52が縦続カスケード接続されている。1段目最終段より1段前の増幅回路51はオペアンプ32と抵抗34から構成され、2段目最終段の増幅回路52はオペアンプ33と抵抗35、36から構成されている。オペアンプ33の非反転入力端子には基準電圧Vr2が与えられ、オペアンプ33の出力端子はパッド1cに接続されている。ノードNc、Ndの電圧をV1、V2、抵抗27、28、34、35、36の抵抗値をそれぞれR27、R28、R34、R35、R36とすれば、1段目の増幅回路51の出力電圧Vo1は1式となる。この式から、抵抗27をトリミングすれば出力電圧Vo1の零点調整が可能となることが分かる。Vo1=R34/R28V1-V2Vr1R34/R27Vr1-Vcc...12段目の増幅回路52の出力電圧Vo2=Vpは2式となる。Vo2=Vp=-R36/R35Vo11R36/R35Vr2...2すなわち、増幅回路51の増幅率G1と増幅回路52の増幅率をG2は、それぞれ3式、4式となる。G1=R34/R28...3G2=R36/R35...4ここで、1段目最終段より1段前の増幅回路51の増幅率G1と2段目最終段の増幅回路52の増幅率G2との間には式の関係が成立している。この場合、後述するEMC耐量を一層高めるには6式の関係が成立することが好ましい。G1>G2...5G1>2G2...6次に、本実施形態の作用および効果について説明する。圧力センサ1のセンサ素子2に圧力が加わっていない場合にはノードNc、Ndの電位は等しくなりV1=V2、圧力が加わるとその圧力に応じて電位差V1-V2が生じる。この電位差V1-V2は小さいため、複数段ここでは2段に構成された増幅回路5を用いて高増幅率で増幅してECUに出力する。ところで、圧力センサ1はワイヤハーネスによりECUに接続されている。このため、上述したようにワイヤハーネスに束ねられた電源線や信号線からの誘導ノイズを受け易くイミュニティが低下し易い。ワイヤハーネスが接続される出力用のパッド1cに繋がる増幅回路5の増幅率を高めると、外部から侵入するノイズに起因して圧力センサ1に係るEMC耐量が通常想定されるレベルを超えて低下する現象が見られた。このような現象が生じる理由は以下のように考えられる。すなわち、増幅回路52を構成するオペアンプ33の出力インピーダンスは低いため、出力端子から侵入する低周波数のノイズがオペアンプ33の入力側に回り込む量は極めて小さい。しかし、ワイヤハーネス等での誘導結合により侵入するノイズの周波数成分は高いので、オペアンプ33の応答速度周波数帯域幅が不足し、オペアンプ33に位相遅れが生じてネガティブフィードバックによるノイズ抑制作用が低減する。その結果、出力側から侵入したノイズがオペアンプ33の入力側に回り込み、ノイズ自体が増幅されてしまう結果となる。オペアンプ33の入力側に回り込んだノイズは、高増幅率のオペアンプ32の入力側にも回り込む。一般に、オペアンプのGB積利得帯域幅積は一定であるため、増幅率を高くするほど周波数帯域幅は低下してEMC耐量が低下する。そこで、本実施形態では、増幅回路5全体の増幅率を必要な高い値に保ちつつ、5式で示したように2段目最終段の増幅回路52の増幅率G2を1段目最終段より1段前の増幅回路51の増幅率G1よりも相対的に低く設定している。これにより、出力電圧Vp圧力検出信号を適正な信号レベル範囲にまで高めながら、出力用のパッド1cから侵入した誘導ノイズが最終段の増幅回路52の入力側に回り込む量を低減できる。増幅回路52の増幅率G2が比較的低く設定されているので、入力側に回り込んだノイズの増幅が抑えられる。また、1段目の増幅回路51の入力側に回り込むノイズも低減する。その結果、圧力センサ1のEMC耐量を高めることができる。第2の実施形態図2は、圧力センサのうち増幅回路5に係る第2の実施形態の構成を示している。本実施形態の増幅回路5は、最終段の増幅回路52を構成するオペアンプ33のフィードバック経路にローパスフィルタ37を備えている。ローパスフィルタ37は、抵抗36と、オペアンプ33の反転入力端子と電源線7との間に接続されたコンデンサ38とから構成されている。本実施形態によれば、特に高い周波数のノイズについてオペアンプ33の出力側から入力側への回り込みを低減できる。これにより、圧力センサのEMC耐量を一層高めることができる。第3の実施形態図3は、圧力センサのうち増幅回路5に係る第3の実施形態の構成を示している。本実施形態の増幅回路5は、最終段の増幅回路52を構成するオペアンプ33のフィードバック経路にローパスフィルタ39を備えている。ローパスフィルタ39は、抵抗36と、オペアンプ33の反転入力端子と出力端子との間に接続されたコンデンサ40とから構成されている。本実施形態によれば、特に高い周波数のノイズについてオペアンプ33の出力側から入力側への回り込みを低減できる。これにより、圧力センサのEMC耐量を一層高めることができる。その他の実施形態以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変形、拡張を行うことができる。上記第1ないし第3実施形態では2段構成の増幅回路5について説明したが、増幅回路5をN段N≧2に亘って縦続カスケード接続した構成としてもよい。各段の増幅回路はオペアンプにより構成される。この場合、最終段の増幅回路の増幅率をGN、最終段の増幅回路よりも1段前の増幅回路の増幅率をGN1とすれば、GN1>GNより好ましくはGN1>2GNの関係が成立するように構成する。ローパスフィルタ37、39は、少なくとも最終段の増幅回路に設ければよいが他の段に設けてもよい。この一般化した構成によっても、上記各実施形態で説明した通りの効果が得られる。増幅回路5の構成は反転増幅回路に限られない。オペアンプを用いた構成であれば、非反転増幅回路など種々の構成を採用できる。上述した増幅回路5に係る構成は、圧力センサ装置に限られず、歪みゲージ抵抗をブリッジ接続して構成されるセンサ素子を使用するものであれば加速度センサ、磁気センサ、光センサ等の物理量センサ装置に適用することも可能である。