"レーザ、波長変換素子及び、前記レーザと前記波長変換素子の間に折返し光路を形成するように配位された、少なくとも1つの可調光学コンポーネントを備える光学パッケージの位置合せを最適化するための方法において、前記方法が、前記レーザのビームスポットを、前記ビームスポットが前記波長変換素子の導波路領域上に入射するように、前記可調光学コンポーネントにより前記折返し光路に沿って前記波長変換素子の入力面上に導く工程、前記波長変換素子の出力強度を測定する工程、前記可調光学コンポーネントの位置を第1の走査軸に関して調節し、よって前記ビームスポットを前記波長変換素子の前記導波路領域にわたり前記波長変換素子の前記導波路領域上の第1の走査線に沿って移動させる工程、前記第1の走査軸に関する前記可調光学コンポーネントの調節された位置に基づいて前記波長変換素子の出力強度の変化を決定する工程、前記可調光学コンポーネントの前記位置を第2の走査軸に関して調節し、よって前記ビームスポットを前記波長変換素子の前記導波路領域にわたり第2の走査線に沿って移動させる工程、前記第2の走査軸に関する前記可調光学コンポーネントの前記調節された位置に基づいて前記波長変換素子の前記出力強度の変化を決定する工程、及び前記ビームスポットの前記波長変換素子の前記導波路領域との前記位置合わせが最適化され、前記波長変換素子の前記出力強度が最大化されるように、前記波長変換素子の前記出力強度の前記決定された変化に基づいて前記第1の走査軸及び前記第2の走査軸に関して前記可調光学コンポーネントを位置決めし直す工程、を含むことを特徴とする方法。前記ビームスポットが前記波長変換素子の前記導波路領域上の前記第1の走査線を第1の方向及び第2の方向に移動するように、前記第1の走査軸に関する前記可調光学コンポーネントの前記位置が調節される、前記第1の走査軸に関する前記可調光学コンポーネントの前記調節された位置に基づいて前記波長変換素子の前記出力強度の前記変化を決定する工程が、前記波長変換素子の前記出力強度の増大に対応して前記第1の走査線に沿う方向を決定する工程を含む、前記ビームスポットが前記波長変換素子の前記導波路領域上の前記第2の走査線を第1の方向及び第2の方向に移動するように、前記第2の走査軸に関する前記可調光学コンポーネントの前記位置が調節される、及び前記第2の走査軸に関する前記可調光学コンポーネントの前記調節された位置に基づいて前記波長変換素子の前記出力強度の前記変化を決定する工程が、前記波長変換素子の前記出力強度の増大に対応して前記第2の走査線に沿う方向を決定する工程を含む、ことを特徴とする請求項1に方法。前記ビームスポットが前記第1の走査線または前記第2の走査線に沿って移動している間の前記波長変換素子の前記出力強度の前記変化の符号に基づいて、前記可調光学コンポーネントが前記第1の走査軸及び前記第2の走査軸に関して位置決めし直されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記第1の走査軸に関する前記可調光学コンポーネントの前記位置を調節する工程及び前記第2の走査軸に関する前記可調光学コンポーネントの前記位置を調節する工程が同時に実施されることを特徴とする請求項1に記載の方法前記第1の走査軸に関する前記可調光学コンポーネントの前記位置が、前記第1の走査軸に関して前記可調光学コンポーネントを振動させるための第1のディザー信号を前記可調コンポーネントに与えることによって調節される、前記第2の走査軸に関する前記可調光学コンポーネントの前記位置が、先記第2の走査軸に関して前記可調光学コンポーネントを振動させるための第2のディザー信号を前記可調コンポーネントに与えることによって調節される、及び前記第1のディザー信号の電圧または電流の少なくとも一方の変化に対する前記波長変換素子の前記出力強度の前記変化に基づいて、前記可調光学コンポーネントが前記第1の走査軸に関して位置決めし直され、前記第2のディザー信号の電圧または電流の変化の少なくとも一方に対する前記波長変換素子の前記出力強度の前記変化に基づいて、前記可調光学コンポーネントが前記第2の走査軸に関して位置決めし直される、ことを特徴とする請求項1に方法。半導体レーザ、波長変換素子、レンズアセンブリ、1つ以上の可調光学コンポーネント、光検出器及びコントローラを備える光学システムにおいて、前記波長変換素子が導波路領域及び入力面を有し、前記光検出器がコントローラに接続され、前記波長変換素子の出力強度を測定するために配置され、前記レンズアセンブリ及び前記可調光学コンポーネントが前記半導体レーザと前記波長変換素子の間に折返し光路を形成するように配位され、前記半導体レーザのビームスポットを前記波長変換素子の前記入力面に向けて導くように構成され、前記コントローラが、第1の走査軸及び第2の走査軸に関して前記可調光学コンポーネントの位置または状態を制御するために前記可調光学コンポーネントと協働する、前記ビームスポットが第1の走査線に沿って前記波長変換素子の前記導波路領域を移動するように前記第1の走査軸に関する前記可調光学コンポーネントの位置を調節するための第1の信号を前記可調光学コンポーネントに与える、前記ビームスポットが第2の走査線に沿って前記波長変換素子の前記導波路領域を移動するように前記第2の走査軸に関する前記可調光学コンポーネントの位置を調節するための第2の信号を前記可調光学コンポーネントに与える、前記第1の走査軸及び前記第2の走査軸に関する前記可調光学コンポーネントの調節された位置に基づいて前記波長変換素子の前記出力強度の変化を決定する、及び前記波長変換素子の前記出力強度が最大化されるように、前記波長変換素子の前記出力強度の前記決定された変化に基づいて、前記可調光学コンポーネントを前記第1の走査軸及び前記第2の走査軸に関して位置決めし直すために前記可調光学コンポーネントと協働する、ようにプログラムされることを特徴とする光学システム。本発明の課題は、長波長源から短波長光を発生させるためにレーザダイオードをSHG結晶またはその他のタイプの波長変換素子とともに利用する光学パッケージ内においてコンポーネントを位置合せするための方法及びシステムを提供することにある。本発明の一実施形態にしたがえば、レーザ、波長変換素子及び、レーザと波長変換素子の間に折返し光路を形成するように配位された、少なくとも1つの可調光学コンポーネントを備える光学パッケージを位置合せするための方法は、レーザのビームを、ビームが波長変換素子の導波路領域に入射するように、折返し光路に沿って波長変換素子の入力面上に導く工程を含む。一実施形態において、可調光学コンポーネントは、レーザのビームスポットを波長変換素子の入力面上に向けるための、レンズアセンブリとともに用いられる可調微小電気機械システムを備えることができる。次いで、可調光学コンポーネントの位置を第1の走査軸に関して調節し、よってビームを波長変換素子の導波路上の第1の走査線に沿ってビームを移動させながら、波長変換素子の出力強度を測定する。次いで、第1の走査軸に関する可調コンポーネントの調節された位置に基づいて、波長変換素子の出力強度の変化を決定する。次いで、可調光学コンポーネントを第2の走査軸に関して調節し、よって波長変換素子の導波路領域上の第2の走査線に沿ってビームを移動させる。次いで、第2の走査軸に関する可調光学コンポーネントの調節された位置に基づいて、波長変換素子の出力強度の変化を決定する。次いで、波長変換素子の出力強度の決定された変化に基づいて、波長変換素子の出力強度を最大化するように、第1の走査軸上及び第2の走査軸上の可調光学コンポーネントの位置を定める。本発明の別の態様にしたがえば、光学システムは、半導体レーザ、波長変換素子、レンズアセンブリ、1つ以上の可調光学コンポーネント、光検出器及びコントローラを備える。波長変換素子は導波路領域及び入力面を有する。光検出器はコントローラに接続され、波長変換素子の出力強度を測定するために配置される。レンズアセンブリ及び可調光学コンポーネントはレーザのビームを波長変換素子の入力面に向けて導くように構成される。コントローラは、レーザのビームスポットを波長変換素子の導波路領域上に配置できるように、第1の走査軸及び第2の走査軸に関して可調光学コンポーネントの位置を制御するためにプログラムされる。コントローラは、ビームが第1の走査線に沿って波長変換素子の導波路領域を移動するように第1の走査軸に関して可調光学素子の位置を調節するための第1の信号を可調光学コンポーネントに与える、ビームが第2の走査線に沿って波長変換素子の導波路領域上を移動するように第2の走査軸に関して可調光学素子の位置を調節するための第2の信号を可調光学コンポーネントに与える、第1の走査軸及び第2の走査軸に関する可調光学コンポーネントの調節された位置に基づいて波長変換素子の出力強度の変化を決定する、及び波長変換素子の出力強度の決定された変化に基づいて波長変換素子の強度を最大化するように第1の走査軸上及び第2の走査軸上の可調光学コンポーネントを位置決めし直すために可調光学コンポーネントと協働する、ように構成することもできる。本発明のさらなる特徴及び利点は以下の詳細な説明に述べられ、ある程度は、当業者にはその説明から容易に明らかであろうし、または以下の詳細な説明及び特許請求の範囲を含み、添付図面も含む、本明細書に説明されるように本発明を実施することによって認められるであろう。上述の全般的説明及び以下の詳細な説明がいずれも本発明の実施形態を提示しており、特許請求されるような本発明の本質及び特質を理解するための概要または枠組みの提供が目的とされていることは当然である。本発明の特定の実施形態の以下の詳細な説明は、同様の構造が同様の参照数字で示される、以下の図面とともに読まれたときに最善に理解され得る。初めに図1を参照すれば、本発明の特定の実施形態の概念が組み込まれ得る光学パッケージの様々なタイプの一般的構造は、容易に入手できる周波数変換型または波長変換型の半導体レーザ源の設計及び作成に関する技術文献に教示されてはいるが、本発明の特定の実施形態の概念は、例えば、半導体レーザ10及び波長変換素子20を有する、光学パッケージを全般的に参照して簡便に示すことができる。図1に示される構成において、半導体レーザ10によって発せられる近赤外光は1つ以上の可調光学コンポーネント30及びレンズアセンブリ35により波長変換素子20の導波路領域に結合され、レンズアセンブリ35は単体構成または複コンポーネント構成の1つ以上の光学素子を含むことができる。図1に示される光学パッケージは、様々な長波長半導体レーザからの様々な短波長レーザビームの発生に特に有用であり、例えばレーザビーム投影システムにおける可視レーザ源として、用いることができる。半導体レーザ10によって発せられる出力ビームの波長変換素子20の導波路領域への集束は困難であることが多いから、可調光学コンポーネント30は特に有用である。例えば、MgOドープ周期分極反転ニオブ酸リチウム結晶のような代表的なSHG結晶の導波路光モードフィールド径は数μmの範囲にあり得る。図1及び2を一括して参照すれば、レンズアセンブリ35は可調光学コンポーネントと協働して波長変換素子20の22上に同等の径のビームスポット15を形成する。可調光学コンポーネント30は、可調光学コンポーネントの駆動機構を調節することによってビーム角偏位を導入するように構成され、したがって、波長変換素子30の入力面22上のビームスポット15の位置を、ビームスポット15が波長変換素子20の導波路領域24と位置合せされるまで、変えることによってビームスポット15を波長変換素子20の導波路領域24と能動的に位置合せするために用いることができる。一実施形態において、ビーム位置合せは、例えば波長変換素子20の光路にビームスプリッタ40及び光検出器50を備えることによって、モニタすることができる。光検出器50はマイクロコントローラまたはコントローラ60に、光検出器50からの出力がコントローラ60で受け取られるように、動作可能な態様で接続される。コントローラ60は可調光学コンポーネント30の駆動機構を調節することで可調光学コンポーネント30の位置または状態を制御し、したがって、波長変換素子20の入力面22上に半導体レーザ10の出力ビームの位置を制御するように構成することができる。一実施形態において、コントローラ60は可調光学コンポーネント30の位置または状態を光検出器50から受け取られる出力信号の関数として制御するために用いることができる。別の実施形態において、コントローラ60は、半導体レーザ10のビームスポット15が波長変換素子20の導波路領域24と位置合せされるように、位置合せルーチンを実施するために用いることができる。図1に簡略に示される可調光学コンポーネントは様々な従来のまたはこれから開発されるはずの形態をとることができる。一実施形態において、可調光学コンポーネントは、ビームスポット15の位置が波長変換素子20の入力面22上で変わり得るようにミラーの角方位を2軸上で調節できるように駆動機構に動作可能な態様で結合されたミラーであると考えられる。別の実施形態において、可調光学コンポーネント30の駆動機構は、ミラーの角方位を少なくとも2軸で調節できるようにミラーに動作可能な態様で結合された、1つ以上の可動微小光電気機械システムまたは可動微小電気機械システムを含むことができると考えられる。MEMSデバイスまたはMOEMSデバイスは波長変換素子20の入力面22上のビームスポット15の位置を変えるように構成及び配置することができる。ミラーは光学システムにコリメートされているかまたはほぼコリメートされているビーム空間内に配置されるから、ミラー角の調節の結果、波長変換素子の入力面における再集束ビームスポットのxy位置に変化が生じるであろう。MEMSデバイスまたはMOEMSデバイスの使用により、再集束ビームスポット位置の調節を広い範囲にわたって極めて迅速に行うことが可能になる。例えば、機械的振れが±1°のMEMSミラーは、焦点距離が3mmのレンズとともに用いられると、ビームスポットの波長変換素子の入力面上での±100μmの角変位を可能にし得る。ビームスポットの調節は、MEMSデバイスまたはMOEMSデバイスの高速応答時間により、100Hzから10kHzのオーダーの周波数で行うことができる。あるいはまたはさらに、可調光学コンポーネント30は、ビーム走査及び/またはビーム収束のために構成された、1つ以上の液体レンズを含むことができる。さらにまた、可調光学コンポーネント30は、マイクロアクチュエータに取り付けられた、1つ以上のミラー及び/またはレンズを含むことができると考えられる。考えられる実施形態の1つにおいて、可調光学コンポーネント30はレンズアセンブリ35内の可動レンズまたは可調レンズの形態をとり、別の実施形態において、可調光学コンポーネント30は固定ミラーの形態をとる。1に示される光学構成において、可調光学コンポーネント30は、比較的コンパクトな折返し光路系に組み込まれた微小光電気機械ミラーである。図示される構成において、可調光学コンポーネント30は光路を折り返し、よって光路が、初めにコリメートされているかまたはほぼコリメートされているビームとしてレンズアセンブリ35を通過して可調光学コンポーネント30に到達し、続いて同じレンズアセンブリを通過して波長変換素子30上に集束されるように、構成される。このタイプの光学構成は、半導体レーザによって発生されるレーザビームの断面寸法が波長変換素子20の入力面上の導波路の寸法に近い波長変換型レーザ源に特に適用可能であり、この場合、1に近い倍率によって波長変換素子20の入力面上へのビームスポットの集束における最適結合が得られるであろう。本発明を定め、説明する目的のため、本明細書におけるコリメートされているかまたはほぼコリメートされているビームへの言及は、ビームの発散度または収斂度が減じられ、ビームを一層コリメートされた状態に向ける、いかなるビーム構成も包含することが目的とされている。レンズアセンブリ35は、発散するレーザの光出力をコリメートし、パッケージの光路に沿って伝搬しているレーザ光を波長変換素子の導波路領域に再集束させるから、コリメーション及び集束の、二重機能光学コンポーネントとして説明することができる。この二重機能光学コンポーネントは、単一のレンズアセンブリ35がコリメーション及び集束のいずれにも用いられるから、1に近い倍率を必要とする用途に十分に適している。さらに詳しくは、図1に示されるように、半導体レーザ10からのレーザ光出力は、順次に、レンズアセンブリ35の第1の面32で屈折され、レンズアセンブリ35の第2の面31で屈折されて、可調光学コンポーネント30によってレンズアセンブリ35の方向に反射される。レーザ光が反射されてレンズアセンブリ35の方向に戻されると、レーザ光は初めにレンズアセンブリ35の第2の面31で屈折され、続いてレンズアセンブリ35の第1の面32で屈折されて、波長変換素子20の入力面上に集束される。本発明の特定の実施形態において、可調光学コンポーネント30は、波長変換素子20の入力面22上に入射する主光線が光学パッケージの出力における主光線とほぼ平行であることを保証するため、レンズアセンブリ35の像焦点の十分近くに置かれる。図1に示される構成は収差に関してもいくつかの利点を提供することも示すことができる。実際、半導体レーザ10の出力面と波長変換素子20の入力面がレンズアセンブリ35の物焦平面とほぼ位置を合わせて配置され、半導体レーザ10の出力導波路と波長変換素子20の入力導波路がレンズアセンブリ35の光軸に対して対称である場合、コマ収差のような、反対称軸外色収差は自動的に補正され得ると考えられる。ここで図1及び2を参照すれば、一実施形態において、半導体レーザ10のビームスポット15と波長変換素子20の導波路領域24との位置合せを最適化する方法は、半導体レーザ10のビームスポット15を波長変換素子20の導波路領域24上に位置合せする工程を含む。次いで波長変換素子20の導波路領域24上のビームスポットの位置を、波長変換素子20の出力強度の変化を決定するため、波長変換素子20の出力強度をモニタしながら調節する。次いで可調光学コンポーネント30を、波長変換素子20の出力強度を最大化するように、波長変換素子20の出力強度の変化に基づいて位置決めし直す。本明細書に論じられるように、波長変換素子20の出力強度は波長変換素子20の出力の近くにビームススプリッタ40及び光センサ50を配置することによってモニタすることができる。一実施形態において、光センサ60は波長変換素子20を介して結合される電磁放射の強度を測定するように構成されたフォトダイオードとすることができる。電磁放射には、半導体レーザ10から発せられる赤外光のような赤外光、または波長変換素子20から発せられる緑色光のような可視光を含めることができる。ビームスポット15の波長変換素子20の導波路領域24との位置合せを最適化するため、初めに、半導体レーザ10のビームスポット15を波長変換素子20の入力面22上に集束させる。これは、波長変換素子20の入力面22と半導体レーザ10の出力面がレンズアセンブリ35の焦平面と実質的に共平面にあるように、波長変換素子20及び半導体レーザ10に対してレンズアセンブリ35を位置決めすることによって達成することができる。次いで、ビームスポット15を、波長変換素子20の導波路領域24と粗く位置合せする。これは、名称を光学パッケージを位置合せするための方法及びシステムとする、米国特許出願第12072386号の明細書に開示される位置合せ手法を含むが、これには限定されない、ビームスポットの波長変換素子20の導波路領域との位置合せを達成するための多くの手法を用いることで達成することができる。この明細書は本明細書に参照として含められる。ビームスポット15を波長変換素子20の導波路領域24と粗く位置合せすることで、波長変換素子20の導波路領域24上のビームスポット15の位置を位置の変化の結果としての波長変換素子20の出力強度の変化ビームをモニタしながら調節することによって位置合せを最適化することができる。スポット15が波長変換素子20の導波路領域24と粗く位置合せされているときの可調光学コンポーネント30の位置は位置合せを最適化する目的のための可調光学コンポーネントの出発位置または初期位置である。図1及び2を参照すれば、波長変換素子20の導波路領域24上のビームスポット15の位置は、可調光学コンポーネント30を第1の走査軸に関して回転させる場合のように、可調光学コンポーネント30の位置を調節することによって変えることができる。図1に示される実施形態において、第1の走査軸は、可調光学コンポーネント30を通って垂直に延び、y軸に概ね平行な軸に対応する。第1の走査軸に関する可調光学コンポーネント30の回転は、第1の走査線A1の少なくとも一部に沿う、波長変換素子30の入力面にかけてのビームスポット15の移動を生じさせる。図2に示される実施形態において、第1の走査線A1は図に示される座標系のx軸に概ね平行な直線である。一実施形態において、可調光学コンポーネント30は、ビームスポット15が第1の走査線A1の少なくとも一部を一方向に移動するように、第1の走査軸に関して一方向に回転させられる。別の実施形態において、可調光学コンポーネント30は、ビームスポット15が第1の走査線A1の少なくとも一部を両方向に移動するように、第1の走査軸に関して二方向に回転させられる。これを達成するため、可調光学コンポーネント30は、ビームスポット15が初めに一方向に走査され、次いで第2の方向に走査されるように、第1の走査軸に関して回転させられる。可調光学コンポーネント30の位置の調節は、コントローラ60によって可調光学コンポーネント30に与えられる電気信号により、コントローラ60の制御の下で実施することができる。可調光学コンポーネント30の位置が調節されている間、波長変換素子20の出力強度が、出力強度に対応する信号をコントローラ60に与える光センサ50によって測定される。光センサ50から受け取られる信号に基づいて、コントローラ60はビームスポット15が第1の走査線A1上を移動している間の波長変換素子20の出力強度の変化を決定する。決定された出力強度変化は出力強度変化の大きさを、また出力強度の増減に対応する変化の符号も、含むことができる。一実施形態において、ビームスポット15が第1の走査線A1に沿って二方向に走査されるように可調光学コンポーネント30が回転させられる場合、コントローラは第1の走査線に沿うそれぞれの方向に対して波長変換素子20の出力強度の変化を決定することができる。別の実施形態において、コントローラは出力強度変化及び可調光学コンポーネント30の対応する調節された位置を、動作可能な態様でコントローラに付帯する、メモリに記録することができる。波長変換素子20の導波路領域24に沿う第2の走査線A2に沿って出力強度の変化を決定するために、同様の手順を実施することができる。第2の走査線A2は第1の走査線A1に概ね垂直である。したがって、第2の走査線A2に沿ってビームスポット15を移動させるため、ビームスポット15が波長変換素子20の導波路領域24にかけて第2の走査線上を移動するように、可調光学コンポーネント30の位置が第2の走査軸に関して調節される。図1に示される実施形態において、第2の走査軸は、図示される座標系のx軸に概ね平行な、可調光学コンポーネント30を通過する軸である。第2の走査軸に関する可調光学コンポーネント30の調節を容易にするため、コントローラ60は可調光学コンポーネント30を第2の走査軸に関して回転させる電気信号を可調光学コンポーネント30に与えることができる。一実施形態において、可調光学コンポーネント30は、ビームスポット15が第2の走査線A2の少なくとも一部を一方向に移動するように、第2の走査軸に関して一方向に回転させられる。別の実施形態において、可調光学コンポーネント30は、ビームスポット15が第2の走査線A2の少なくとも一部を両方向に移動するように、第2の走査軸に関して二方向に回転させられる。これを達成するため、可調光学コンポーネント30は、ビームスポット15が初めに一方向に走査され、次いで第2の方向に走査されるように、第2の走査軸に関して回転させられる。可調光学コンポーネント30の位置が第2の走査軸に関して調節されている間、波長変換素子20の出力強度が、出力強度に対応する信号をコントローラ60に与える光センサ50によって測定される。光センサ50から受け取られる信号に基づいて、ビームスポット15が第2の走査線A2上を移動している間の波長変換素子20の出力強度の変化をコントローラ60が決定する。決定された出力強度変化は出力強度変化の大きさを、また出力強度の増減に対応する変化の符号も、含むことができる。一実施形態においてビームスポット15が第2の走査線A2に沿って二方向に走査されるように可調光学コンポーネント30が回転させられる場合、コントローラは第2の走査線に沿うそれぞれの方向に対して波長変換素子20の出力強度の変化を決定することができる。別の実施形態において、コントローラは出力強度変化及び可調光学コンポーネント30の対応する調節された位置を、動作可能な態様でコントローラに付帯するメモリに記録することができる。第1の走査軸に沿う可調光学コンポーネント30の位置の調節及び第2の走査軸に沿う可調光学コンポーネント30の調節は同時に行うことができ、コントローラは第1の走査軸及び第2の走査軸のいずれに関しても可調光学コンポーネント30の調節された位置に基づいて出力強度の変化を決定することができる。別の実施形態において、第1の走査軸及び第2の走査軸に関する可調光学コンポーネント30の位置は、可調光学コンポーネント30にディザー信号を与えて可調光学コンポーネント30を第1の走査軸及び/または第2の走査軸に関して振動させることによって調節することができる。例えば、可調光学コンポーネント30がMEMSミラーを備えていれば、コントローラはMEMSミラーに第1のディザー信号を与え、よってMEMSミラーを第1の走査軸に関して振動させ、続いて、ビームスポット15に波長変換素子20の導波路領域24にわたり第1の走査線A1に沿って両方向に走査させることができる。一実施形態において、可調光学コンポーネント30は可調光学コンポーネント30のほぼ共振周波数で振動させることができる。ディザー信号は、信号の電圧または電流が指定された時間にわたり振動する電気信号とすることができる。適宜に、ディザー信号は、正弦波信号、方形波信号、鋸歯状波信号等とすることができる。第2のディザー信号を可調光学コンポーネント30に与えて可調光学コンポーネント30を第2の走査軸に関して振動させ、続いて、ビームスポット15に波長変換素子20の導波路領域24上を第2の走査線A2に沿って走査させることができる。一実施形態において、可調光学コンポーネントがMEMSデバイスである場合、可調光学コンポーネントに与えられるディザー信号は、技術上既知であり、ビーキャグディサー及びビーイーボサーの文献,共振駆動:単MEMSキャパシタ及び低電圧エレクトロニクスを用いる検知及び高電圧静電駆動,MicroElectroMechanicalSystem,2005年,MEMS200518thIEEEInternationalConference,2005年1月30日~2月3日,p142~146、に開示されているように、LC共振タンク回路によってつくることができる。この文献は本明細書に参照として含められる。LC共振タンク回路は、コントローラ60が可調光学コンポーネント30のディザー信号を選択的に与えて可調光学コンポーネント30を第1の走査軸及び第2の走査軸に関して振動させるように、コントローラ60に動作可能な態様で付帯することができる。LC共振タンク回路の使用により、比較的可小振幅の入力電圧しか必要とせずに可調光学コンポーネント30の位置の大規模な変化が可能になる。したがって、LC共振タンク回路の使用により回路の入力に小さな電圧変化しか必要とせずに可調光学コンポーネント30の位置を大きく調節することが容易になる。これは、可調光学コンポーネントが、比較的大きな電圧がデバイスの作動に必要になり得る静電型MEMSデバイスである場合に特に有用である。LC共振タンク回路はディザー信号をMEMSデバイスに与えるための実施形態の一例を提供するが可調光学コンポーネントにディザー信号を与えるために他の回路を用い得ることは当然である。一実施形態において、第1のディザー信号及び第2のディザー信号が第1の走査軸及び第2の走査軸に関する可調光学コンポーネント30の位置を調節するために用いられる場合に、波長変換素子20の出力強度を光センサ50で測定することができ、コントローラ60に動作可能な態様で付帯するメモリに光センサの出力信号を、ビームスポット15が波長変換素子20の導波路領域24上を走査している間の時間の関数として、格納することができる。一実施形態において、可調光学コンポーネント30の位置が、ビームスポットが第1の走査線A1または第2の走査線A12に沿って単方向に走査されるように第1の走査軸または第2の走査軸に関して調節される場合、コントローラは波長変換素子20の出力強度の決定された変化に基づき、第1の走査軸及び第2の走査軸に関して可調光学コンポーネント30を位置決めし直す。例えば、可調光学コンポーネント30の特定の調節された位置に対する波長変換素子20の出力強度の決定された変化が正であれば、コントローラは出力強度の増大をもたらした調節された位置に可調光学コンポーネント30を位置決めし直す。しかし、出力強度の変化が負であれば、コントローラは適切な走査軸に沿う光学コンポーネントの位置の調節プロセスを反復することができ、このときは、出力強度の負の変化を生じた方向とは逆の方向にだけ可調光学コンポーネント30を回転させる。第2の調節された位置も出力強度に負の変化をもたらせば、可調光学コンポーネント30の走査軸上の初期位置が最適位置であり、位置決めし直しは必要ではない。第2の調節された位置が出力強度に正の変化を生じさせれば、可調光学コンポーネント30は第2の調節された位置に位置決めし直される。いずれの場合にも、波長変換素子20の出力強度の変化がゼロであれば、可調光学コンポーネント30は初期位置に維持される。別の実施形態において、ビームスポットが第1の走査線A1または第2の走査線A2に沿って両方向に走査されるように、可調光学コンポーネント30の位置が第1の走査軸または第2の走査軸に関して調節される場合、コントローラは走査線に沿うそれぞれの方向について出力強度の決定された変化を比較し、波長変換素子20の出力強度の増大に対応する調節された位置に、可調光学コンポーネント30を走査軸に関して位置決めし直す。いずれの方向も出力強度の増大をもたらさなければ、可調光学コンポーネント30の初期位置が波長変換素子20について最大出力強度をもたらし、位置決めし直しは必要ではない。同様に、出力強度の決定された変化がゼロであれば、可調光学コンポーネント30は初期位置に維持される。別の実施形態において、可調光学コンポーネント30の位置を調節するために第1及び第2のディザー信号が用いられる場合、コントローラ60は、光センサ50の出力信号を第1のディザー信号及び/または第2のディザー信号と比較し、これにしたがって第1の走査軸及び第2の走査軸に関して可調光学コンポーネント30を位置決めし直すことによって、波長変換素子20の導波路領域24とビームスポット15の位置合せを最低化することができる。一実施形態において、光センサ50から集められた信号から決定されるような、波長変換素子20の出力強度の正の変化は同じ時間区間にわたるディザー信号の電圧及び/または電流の変化と比較される。波長変換素子20の出力強度が高められるように第1の走査軸及び/または第2の走査軸に関して可調光学コンポーネントを初期位置から位置決めし直すため、電圧及び/または電流の対応する変化が用いられる。別の実施形態において、光センサからの出力信号は同じ時間区間にわたる第1のディザー信号または第2のディザー信号と直接比較される。次いで、光センサの出力信号の位相と第1のディザー信号または第2のディザー信号の位相の差が波長変換素子20の出力強度が最大化されるように、第1の走査軸及び第2の走査軸に関して可調光学コンポーネント30を位置決めし直すために用いられる。別の実施形態において、コントローラは、第1の走査軸及び第2の走査軸に関して可調光学コンポーネント30を位置決めし直すため、波長変換素子20の出力強度の決定された変化を、当業者には明らかであろうように、比例積分微分制御技法とともに用いることができる。したがって、位置合せを最適化するための方法が、波長変換素子の出力強度を最大化するために半導体レーザのビームスポットが波長変換素子の導波路領域上に位置決めされるように可調光学コンポーネントの位置を調節するため、閉ループ帰還制御を用いて実施され得ることは今では当然である。さらに、波長変換素子の出力強度が最大化されるまで、光学パッケージの位置合せを最適化する方法が感服して実施され得ることは理解されるであろう。図1及び2に示される座標系に関し、第1の走査線、第2の走査線、第1の走査軸及び第2の走査軸の方位に対して本明細書では特定の基準がつくられているが、本明細書で別途に言明されていない限り、特定の座標系に関するいずれの特定の走査軸の方位に関しても、特定の限定は全く意図されていないことは当然である。しかし、波長変換素子20の入力面22に沿う第1の走査線が入力面22に沿う第2の走査線に対して概ね垂直であろうこと、及び可調光学コンポーネント30の第1の走査軸が可調光学コンポーネント30の第2の走査軸に概ね直交するであろうことは当然である。さらに、可調光学コンポーネント30の第1の走査軸は第1の入力面22に沿う第1の走査線に概ね直交するであろうし、可調光学コンポーネント30の第2の走査軸は入力面22に沿う第2の走査線に概ね直交するであろう。実施において、本明細書に説明される位置合せ方法は光学パッケージの組立中に半導体レーザのビームの波長変換素子20の導波路領域との位置合せを最適化するために用いることができる。本明細書に説明される位置合せ方法は、半導体レーザの波長変換素子20との位置合せが環境条件、熱衝撃、機械的衝撃等によって悪影響を受けた場合のように、光学パッケージの位置合せを維持するかまたは位置合せをし直すために光学パッケージの寿命を通じて用いることもできる。一実施形態において、本明細書に説明される位置合せ方法は、半導体レーザ10のビームスポット15の波長変換素子20の導波路領域24との位置合せを最適化するため、光学パッケージの組立中に他の位置合せ手法とともに用いることができる。例として、光学パッケージの組立中、初めに、波長変換素子20が半導体レーザ10の上に、半導体レーザ10の出力面と波長変換素子20の入力面が実質的に共平面にあるように組み立てられる。次いで、可調光学コンポーネント30及びレンズアセンブリ35が波長変換素子20及び半導体レーザ10に対して、xy平面にまたz方向に、配置される。可調光学コンポーネント30及びレンズアセンブリ35のそれぞれは、それぞれのコンポーネントの中心線が半導体レーザ10と波長変換素子20の間の中心線から数100μm内にあるように配置される。レンズアセンブリ35の焦点距離がはっきり分かっている場合は、波長変換素子20の入力面22と半導体レーザ10の出力面が実質的にレンズアセンブリ35の物焦平面にまたはそれと共平面にあるように、レンズアセンブリ35及び可能光学コンポーネント30をz方向に沿って光学パッケージ内に配置することができる。例えば、一実施形態において、レンズアセンブリ35の焦点距離は約3mmである。したがって、レンズアセンブリ35と波長変換素子20の入力面22及び半導体レーザ10の出力面との間隔を約3mmにし得るように、光学パッケージのコンポーネントが配置される。可調光学コンポーネント30も同様にレンズアセンブリ35に対して配置される。コンポーネントのそれぞれが光学パッケージ内に適切に配置されると、レンズアセンブリ35,波長変換素子20/半導体レーザ10複合体及び可調光学コンポーネント30のそれぞれは、次いで、エポキシ樹脂、レーザ溶接あるいは現在知られているかまたは今後開発され得るようなその他の取付手法を用いて光学パッケージ内の所定の場所に永久的に固定される。光学パッケージのコンポーネントが所定の場所に固定された後、光学パッケージに電力を与えることができ、半導体レーザ10のビームスポット15を波長変換素子20の導波路領域と粗く位置合せすることができる。一実施形態において、ビームスポット15は、波長変換素子20の出力強度をモニタしながら波長変換素子20の導波路領域24と粗く位置合せすることができる。次いで、ビームスポット15が波長変換素子20の導波路領域24と粗く位置合せされるように、波長変換素子20の出力強度にしたがってビームスポット15が位置決めされる。別の実施形態において、ビームスポット15は、米国特許出願第12072686号明細書に開示される位置合せ方法を用いることで導波路領域24と概ね位置合せされ得る。その後、本明細書に開示される光学パッケージの位置合せを最適化する方法は、波長変換素子20の導波路領域24に対するビームスポット15の位置を最適化するため、コントローラによって実施することができる。さらに詳しくは、コントローラ60は、可調光学コンポーネント30に信号を与えることで第1の走査軸及び第2の走査軸に関して可調光学コンポーネント30の位置を調節する工程を実施するように構成することができる。コントローラ60は、可調光学コンポーネント30の位置の調節によって生じる波長変換素子20の導波路領域24上のビームスポット15の位置の変化による波長変換素子20の出力強度の変化に対応する、光センサ50からの信号を受け取るように構成することもできる。光センサ50から受け取られる信号を用いて、コントローラ60は波長変換素子20の出力が最大化されるように可調光学コンポーネント30を位置決めし直し、よってビームスポット15の波長変換素子20との位置合せを最適化するため、閉ループ帰還制御を実施する。本明細書に説明される位置合せ方法が、光学パッケージの組立中、あるいは光学パッケージ全体が組み立てられて始めて電力が与えられた後及びその後はいつでも、光学パッケージを位置合せするために用いられ得ることがここでは当然である。別の実施形態において、レンズアセンブリ35の焦点距離がわかっていない場合は、光学パッケージのそれぞれのコンポーネントを配置して、位置合せを行うときに、ビームスポット15の波長変換素子20との位置合せの微調及び最適化を行うために本発明の閉ループ位置合せ方法を用いることができる。例えば、レンズアセンブリ35の焦点距離が分かっていない場合、レンズアセンブリ35及び可調光学コンポーネント30を光学パッケージに挿入し、波長変換素子20及び半導体レーザ10と粗く位置合せして配置することができる。この手法において、xy平面におけるコンポーネントの位置合せは数100μm内であることしか必要ではないが、レンズアセンプリ35の波長変換素子20の入力面22との位置合せはレンズアセンブリ35の一焦点距離に近くなるべきである。コンポーネントを粗く位置合せしておいて、光学パッケージに電力を供給し、本明細書で上述した位置合せ手法の1つ以上を用いてビームスポット15を波長変換素子20の導波路領域24と概ね位置合せする。次いで、レンズアセンブリ36と可調光学コンポーネント30のそれぞれの位置が調節されているから、コントローラ60がビームスポット15の波長変換素子20との位置合せを動的に維持するために本明細書に説明される位置合せ最適化方法を実施している間に、光学パッケージの特性を最適化するため、レンズアセンブリ35と可調光学コンポーネント30の位置をz方向に調節することができる。光学パッケージのコンポーネントがz方向に適切に配位されると、それぞれのコンポーネントは指定の場所に固定される。次いで、コントローラ61は、波長変換素子20の出力が最大化されるようにビームスポット15の導波路領域24との位置合せを最適化するため、本明細書に説明される位置合せ最適化方法を実施することができる。また別の実施形態において、ビームスポット15の波長変換素子20の導波路領域24との位置合せを最適化する方法は、ビーム位置合せをチェックするため及び/またはビームスポット15を導波路領域24と位置合せし直すため、光パッケージの組立後に定期的に実施することができる。例えば、光学パッケージの寿命を通して、光学パッケージは、ビームスポット15と波長変換素子20の導波路領域24との位置合せに悪影響を与え得る、熱、湿気、振動、機械的衝撃等のような、様々な環境条件及び機械的条件にさらされ得る。ビームスポット15の波長変換素子20の導波路町域24との位置合せをチェックし、必要に応じて、ビームスポット15を波長変換素子20の導波路領域24と位置合せし直すため、本明細書に説明される方法を定期的に用いることができる。例えば、レーザを作動させている間、本明細書に説明される位置合せ最適化方法を定期的に用いることができる。一実施形態において、コントローラ60は、定期的な時間間隔で本発明の位置合せ方法を実施するように構成することができる。別の実施形態において、コントローラ60は特定のイベントまたは状態が生じた後に位置合せ方法を実施するようにプログラムすることができる。例えば、光学パッケージがレーザ投影装置に用いられる場合、コントローラ60は画像フレームが表示または投影される毎に1回位置合せ方法を実施するようにプログラムすることができる。また別の実施形態において、本明細書に説明される位置合せ最適化方法はユーザにより開始され得る。例えば、コントローラ60に動作可能な態様で接続することができる、ボタン、スイッチ、タッチパッド等を含むユーザインターフェースを備える光学パッケージを構成することができる。コントローラは指定されたユーザ入力をユーザインターフェースから受け取ると位置合せ最適化方法を実施するように構成することができる。したがって、ユーザは、光学パッケージの電源が入れられている限り、いつでも位置合せ最適化方法を開始することができる。本明細書に説明される方法が半導体レーザのビームの波長変換素子の導波路領域との位置合せの最適化に適することがここでは当然である。本位置合せ方法は、光学パッケージの初期組立中に、または光学パッケージのライフサイクルを通していつでも、ビームの波長変換素子との位置合せを最適するに十分に適する。本発明の方法は、カラー画像形成レーザ投影システムまたは自動車のヘッドアップディスプレイのようなレーザベースディスプレイに、あるいは光学的位置合せ及び/または波長同調が問題になるいかなるレーザ応用にも、適用可能であり得ると考えられる。さらに、本明細書に論じられる位置合せ方法は、DBRレーザ、DFBレーザ、ファブリ-ペロレーザ及び多くのタイプの外部共振器レーザを含むがこれらには限定されない、様々な半導体レーザとともに使用するに有用であると考えられる。本発明の上記の詳細な説明が特許請求されるような本発明の本質及び特質を理解するための概要または枠組みの提供が目的とされていることは当然である。本発明の精神及び範囲を逸脱することなく本発明に様々な改変及び変形がなされ得ることが当業者には明らかであろう。したがって、本発明の改変及び変形が添付される特許請求項及びそれらの等価形態の範囲内に入れば、本発明はそのような改変及び変形を包含するとされる。好ましくは、普通に及び一般にのような用語は、本明細書に用いられる場合、特許請求される本発明の範囲を限定することあるいは特許請求される本発明の構造または機能にある特徴が必須であるかまたは肝要であることを意味すると、または重要であることを意味するとさえ、読解されるべきではないことに注意されたい。むしろ、これらの用語は本発明の特定の実施形態に用いられても用いられなくても差し支えない別のまたは追加の特徴を強調することが目的とされているに過ぎない。本発明を説明し、定める目的のため、用語実質的に及びほぼは、いずれかの定量的な比較、値、測定値またはその他の表現に帰因させ得る本質的な不確定性の度合いを表すために本明細書に用いられることに注意されたい。用語実質的に及びほぼは、定量的表現がとりあげられている主題の基本機能に変化を生じさせずに言明された基準から変わり得る度合いを表すためにも本明細書に用いられる。特定の様式でプログラムされているか、あるいは特定の特性または機能を具現化するために構成されているか、またはプログラムされている、コンポーネントの本明細書における叙述は、目的用途の叙述に対するものとしての、構造の叙述であることに注意されたい。さらに詳しくは、コンポーネントがプログラムされているまたは構成されている態様への本明細書における言及はコンポーネントの既存の物理的状態を表し、したがって、コンポーネントの構造の特徴の限定的叙述としてとられるべきである。例えば、特定の態様でレーザビームを向けるように構成されているレンズアセンブリ及び可調光学コンポーネントへの本明細書における言及は、レンズアセンブリ及び可調光学コンポーネントの既存の物理的状態を表し、したがってレンズアセンブリ及び可調光学コンポーネントの構造の特徴の限定的叙述であるととられるべきである。本発明を詳細に、また本発明の特定の実施形態を参照して、説明したが、添付される特許請求の範囲に定められる本発明の範囲を逸脱しない改変及び変形が可能であることは明らかであろう。さらに詳しくは、本発明のいくつかの態様は好ましいかまたは特に有利であると本明細書で認別されるが、本発明が本発明のそれらの好ましい態様に限定される必要はないと考えられる。"