表面にグラファイトが形成されている炭化珪素基板上にカーバイドを形成できる金属を被着する工程と、炭化珪素基板をアニールし、該金属層と該炭化珪素基板との間にカーバイドを形成する工程とを含む炭化珪素基板への電極形成方法。表面にグラファイトが形成されている炭化珪素基板上にカーバイドを形成できる金属及び配線用金属膜を順次被着する工程と、炭化珪素基板をアニールし、該金属層と該炭化珪素基板との間にカーバイドを形成する工程とを含む炭化珪素基板への電極形成方法。上記金属層は、Tiであることを特徴とする請求項1又は2に記載の炭化珪素基板への電極形成方法。上記炭化珪素基板は、表面に金属シリサイドが形成された炭化珪素基板であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の炭化珪素基板への電極形成方法。上記金属シリサイドは、ニッケルシリサイドであることを特徴とする請求項4に記載の炭化珪素基板への電極形成方法。上記炭化珪素基板のアニールは、500K以上で行うことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の炭化珪素基板への電極形成方法。上記炭化珪素基板のアニールは、真空中で行うことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の炭化珪素基板への電極形成方法。炭化珪素半導体装置において、製造されたデバイスの金属炭化珪素デバイス界面の密着性を向上し剥離を抑制することができる炭化珪素半導体装置の電極形成方法を提供することを課題とする。上記の課題は、以下の炭化珪素半導体装置の電極形成方法によって解決される。1表面にグラファイトが形成されている炭化珪素基板上にカーバイドを形成できる金属を被着する工程と、炭化珪素基板をアニールし、該金属層と該炭化珪素基板との間にカーバイドを形成する工程とを含む炭化珪素基板への電極形成方法。2表面にグラファイトが形成されている炭化珪素基板上にカーバイドを形成できる金属及び配線用金属膜を順次被着する工程と、炭化珪素基板をアニールし、該金属層と該炭化珪素基板との間にカーバイドを形成する工程とを含む炭化珪素基板への電極形成方法。3上記金属層は、Tiであることを特徴とする1又は2に記載の炭化珪素基板への電極形成方法。4上記炭化珪素基板は、表面に金属シリサイドが形成された炭化珪素基板であることを特徴とする1ないし3のいずれかに記載の炭化珪素基板への電極形成方法。5上記金属シリサイドは、ニッケルシリサイドであることを特徴とする4に記載の炭化珪素基板への電極形成方法。6上記炭化珪素基板のアニールは、500K以上で行うことを特徴とする1ないし5のいずれかに記載の炭化珪素基板への電極形成方法。7上記炭化珪素基板のアニールは、真空中で行うことを特徴とする1ないし6のいずれかに記載の炭化珪素基板への電極形成方法。本発明によれば、炭化珪素半導体装置を製造する過程において、配線用金属膜の剥離を引き起こすグラファイト層が形成された場合に、カーバイドを形成することが可能な金属を堆積させて室温より高い温度でアニールすることによりグラファイトと金属を反応させグラファイト層を無くし密着力を向上させることができる。さらに、カーバイドを形成する金属の上に任意の金属膜を形成しても密着力の向上の効果は変化せず、配線用金属膜を自由に選択し作製することができる。本発明に係る炭化珪素半導体装置の電極形成方法について、図面を参照して詳細に説明する。本発明の原理炭化珪素半導体基板上に形成されているグラファイト層とカーバイドを形成することが可能な金属膜との接合状態を説明するための断面図を図1に示す。図1に示すような炭化珪素基板1の表面にグラファイト層2が形成された場合、図1に示すようにカーバイドを形成することが可能な金属層3を堆積する。さらに堆積し終わった後室温より高い温度でアニールすることで剥離の原因となるグラファイト層2のカーボンとカーバイドを形成することが可能な金属層3の金属と反応させることで、図1に示すように金属カーバイド層を炭化珪素基板1とカーバイドを形成することが可能な金属層3の間に形成することで剥離を抑制することができる。図1に示されるカーバイドを形成することが可能な金属層3を堆積中にアニールを行うと、グラファイト層2と反応し図1の金属カーバイド層4が形成されるが、カーバイドを形成することが可能な金属層3に含まれる金属と炭化珪素基板1の熱膨張率が異なるため、温度を下げた後に応力が加わり密着力が低下する。このため、アニールはカーバイドを形成することが可能な金属層3の堆積後に行うのがよい。次に炭化珪素半導体基板上に形成されているグラファイト層とカーバイドを形成することが可能な金属膜と配線用金属膜の接合状態を説明するための断面図を図2に示す。炭化珪素基板1の表面にグラファイト層2が形成された場合図2、図2に示すようにカーバイドを形成することが可能な金属層3を堆積し、続けて配線用金属膜5として任意の必要な金属を単層もしくは複数層堆積させることにより、カーバイドを形成することが可能な金属層3と配線用金属膜5間の密着力は保障される。さらに堆積し終わった後、室温より高い温度でアニールすることで剥離の原因となるグラファイト層2を堆積しカーバイドを形成することが可能な金属層3の金属と反応させる。図2に示すようにカーバイド層4を炭化珪素基板1とカーバイドを形成することが可能な金属層3の間に形成することで、配線用金属膜の金属を自由に選択して炭化珪素半導体装置を製造することができ、且つ剥離を抑制することができる。次に炭化珪素半導体基板上に金属シリサイドを形成した時に生成されるグラファイト層とカーバイドを形成することが可能な金属膜と配線用金属膜の接合状態を説明するための断面図を図3に示す。特に、図3に示すようにオーミック電極を形成するために金属、例えばカーボンと反応しにくいNi、を堆積した後アニールを行い炭化珪素基板1と金属膜6の界面で反応させると、図3に示すように金属膜6が薄い場合は、金属シリサイドとグラファイトのいずれか複数を含む混合層7が形成され表面にグラファイト層2が形成されやすい。ここで、図3に示すようにカーバイドを形成することが可能な金属層3を堆積し、続けて配線用金属膜5として必要な金属を複数層堆積、さらに図3に示すように堆積し終わった後室温より高い温度でアニールすることでカーバイド層4を形成し、剥離の原因となるグラファイト層2を無くし剥離を抑制することを特徴としている。また、通常真空中で金属膜の堆積が行われることから、カーバイドを形成することが可能な金属膜3と、必要であれば連続して配線用金属膜5を堆積後、引き続きアニールを真空中で行うことにより、空気中の酸素や窒素との反応を回避できることで剥離に対して効果がある。第一の実施例図4は本発明に係る第一の実施例である炭化珪素半導体装置の電極形成方法を示したものである。以下に第一の実施例である炭化珪素半導体装置の電極形成方法について、詳細に説明する。図4に示すように、炭化珪素基板1、例えば4H-SiCが含まれる基板、上にグラファイト層2が堆積している基板を用意する。この炭化珪素基板1は、すべてが炭化珪素で構成されているものであってもよく、本発明を実施する面の反対側の面に任意の構造、例えばSBD等のデバイス、が形成されていてもよい。このグラファイト層2は、この炭化珪素基板1が多数の工程を通しているため、例えば本発明を実施する面の反対側の面にSBDやMOS等の構造を形成している、電極用金属膜を形成する直前で、例えばエッチングなどの工程を通すことができず、グラファイト膜2を完全に除去されず残っている。ここで、グラファイト膜2は本発明を実施する面一様に残っている場合もあり、一部にのみ残っている場合もある。図4に示すようにこの炭化珪素基板1に、例えば蒸着装置によって真空中で、Ti膜8を例えば100nmを形成する。この時炭化珪素基板1の本発明を実施する面の一部についてのみ電極用金属膜を形成する場合には、その一部にのみTi膜が堆積されるようにパターニングされる場合もある。この後、例えば蒸着直後真空中で、高温処理、好ましくは500K223°C以上で行う。これにより、図4に示されるように、Ti膜8とグラファイト層2の間で反応が起こり、グラファイト層2がTiC層10になり、剥離の原因となるグラファイトが除去される。このとき、炭化珪素基板1とTiC層9の界面と、TiC層9とTi膜8の界面は科学的に結合することになる。このため、炭化珪素基板1からTi膜8まで高い密着強度で接合される。このように、グラファイト層2の除去工程を前もって物理的手段等で行わなくても、配線用Ti膜8の剥離を防止することが可能となる。なお、蒸着後高温処理を行うことにより熱膨張率の違いにより引き起こされる応力の影響も無くなり密着力が高くなる。第二の実施例図5は本発明に係る第二の実施例である炭化珪素半導体装置の電極形成方法を示したものである。以下に第二の実施例である炭化珪素半導体装置の電極形成方法について、詳細に説明する。図5に上記第一実施形態と同様に、炭化珪素基板1、例えば4H-SiCが含まれる基板、上にグラファイト層2が堆積している基板を用意する。図5に示すように、この基板に例えば蒸着装置によって真空中で、Ti膜8を例えば100nmを形成する。続けて、Ni膜10を例えば500nm、Au膜11を例えば200nm形成する。この時炭化珪素基板1の本発明を実施する面の一部についてのみ電極用金属膜、例えばNiやAu、を形成する場合には、その一部にのみTi膜が堆積されるようにパターニングされる場合もある。この後、例えば蒸着直後真空中で、高温処理、好ましくは500K223°C以上で行う。これにより、図5のTi膜8とグラファイト層2の間で反応が起こり、図5で示されるようにグラファイト層2がTiC層9になり、剥離の原因となるグラファイトが除去される。このとき、炭化珪素基板1とTiC層9の界面と、TiC層9とTi膜8の界面は科学的に結合することになる。また、Ti膜8とNi膜10の界面と、Ni膜10とAu膜11の界面は真空中で続けて蒸着したため密着力は十分強い。このため、炭化珪素基板1からAu膜11まで高い密着強度で接合される。このように、グラファイト層2の除去工程を前もってスパッタなど物理的手段等によって行わなくても、配線用Ti層8、Ni層10、Au層11の剥離を防止することが可能となる。この後の工程に関しては図示していないが、配線用金属膜として再表面層に酸化されないAu層12を形成することによりこの後のはんだ接合などをスムーズに行うことでき、安定した炭化珪素半導体装置を製造できる。なお、蒸着後高温処理を行うことにより炭化珪素基板1、TiC層9、Ti層8、Ni層10、Au層11の各熱膨張率の違いにより引き起こされる応力の影響も無くなり密着力が高くなる。第三の実施例図6は本発明に係る第三の実施例である炭化珪素半導体装置の電極形成方法を示したものである。以下に第三の実施例である炭化珪素半導体装置の電極形成方法について、詳細に説明する。図6に、炭化珪素基板1、例えば4H-SiCが含まれる基板を用意しオーミック電極用Ni膜12を例えば50nm堆積する。この時炭化珪素基板1の本発明を実施する面の一部についてのみ電極用金属膜を形成する場合には、その一部にのみNi膜12が堆積されるようにパターニングされる場合もある。この後、急速加熱処理RTA:RapidThermalAnneal装置を用いて、300°C以上、例えば1000°Cで2分間の熱処理を行うというシリサイド層を形成することがきる。これにより、図6のNi層12がシリサイド化され、図6に示すように炭化珪素基板1の表面に低抵抗のオーミックコンタクトとなるNiシリサイド層13が形成される。しかし、Niはカーボンと非常に反応しにくいため、Niシリサイド層13の上にグラファイト層2が形成される。このNiシリサイド層13の中にはグラファイト等他の物質が混じっている場合もある。この後の工程に関しては図示していないが、例えば縦型SBDを製造するには本発明を実施する面の反対側にショットキーコンタクト等の構造を作製するため、多数の工程を通す。このため多数の工程を通す過程で形成される汚染、例えばレジストの残渣、によって形成されるグラファイトが表面に追加される。よって、低抵抗のオーミックコンタクトとなるNiシリサイド層13の表面に、もともと存在するグラファイト層2を前もって除去しても配線用金属膜を形成する直前には剥離を誘発するグラファイト層2が再び形成されてしまう。図6に示すように、この基板に例えば蒸着装置によって真空中で、Ti膜8を例えば100nmを形成する。続けて、Ni膜10を例えば500nm、Au膜11を例えば200nm形成する。この後、例えば蒸着直後真空中で、高温処理、好ましくは500K223°C以上で行う。これにより、図6に示されるように、Ti膜8とグラファイト層2の間で反応が起こり、グラファイト層2がTiC層9になり、剥離の原因となるグラファイトが除去される。このとき、炭化珪素基板1とNiシリサイド層13の界面と、Niシリサイド層13とTiC層9の界面と、TiC層9とTi膜8の界面は科学的に結合することになる。また、Ti膜8とNi膜10の界面と、Ni膜10とAu膜11の界面は真空中で続けて蒸着したため密着力は十分強い。このため、炭化珪素基板1からAu膜11まで高い密着強度で接合される。このように、グラファイト層2の除去工程をスパッタ等で前もって行わなくても、Ti層8、Ni層10、Au層11の剥離を防止することが可能となる。この後の工程に関しては図示していないが、配線用金属膜として再表面層に酸化されないAu層11を形成することによりこの後のはんだ接合などをスムーズに行うことでき、安定した炭化珪素半導体装置を製造できる。なお、蒸着後高温処理を行うことにより炭化珪素基板1、Niシリサイド層13、TiC層9、Ti層8、Ni層10、Au層11の各熱膨張率の違いにより引き起こされる応力の影響も無くなり密着力が高くなる。以上、本発明の実施例を詳述したが、本発明は前記実施例に限定されるものではない。そして、本発明の趣旨を逸脱することがなければ、種々の設計変更を行うことが可能である。前記発明を実施するための最良の形態において、全面均一な電極を形成した断面図に従って説明したが、表面に部分的に電極を形成した炭化珪素半導体装置、例えばMPS構造ダイオードのコンタクトに対応させることができ、また本発明を実施する面の反対側に構造の無い断面図に従って説明したが、本発明を実施する面の反対側に構造がある装置、例えば縦型SBDのショットキー電極等に対応することができることはいうまでもないことである。