ドーピングにより格子定数が減少するドーパントを濃度Aでドーピングした第1導電型の炭化珪素基板と、前記炭化珪素基板上に設けられ、前記ドーパントがドーピングされた第1導電型のバッファ層と、前記バッファ層上に設けられ、前記ドーパントが前記炭化珪素基板よりも小さい濃度Bでドーピングされた第1導電型の炭化珪素エピタキシャル成長層とを有し、前記バッファ層は、前記ドーパントのドーピング濃度が異なる層が2層以上積層した多層構造で形成され、前記多層構造の各層のドーパントのドーピング濃度Cが、前記各層の前記炭化珪素エピタキシャル成長層からの平均距離をx、前記バッファ層の厚さをd、所定の割合をPとして、[BA-B×x/d]×1-P≦C≦[BA-B×x/d]×1Pの範囲にあることを特徴とするエピタキシャルウエハ。前記所定の割合Pは、20であることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルウエハ。前記所定の割合Pは、10であることを特徴とする請求項2に記載のエピタキシャルウエハ。前記ドーパントは、窒素であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のエピタキシャルウエハ。前記バッファ層の多層構造の各層は、100nm以下の層厚であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のエピタキシャルウエハ。前記炭化珪素基板と前記バッファ層との間に、厚さが100nm以下で前記ドーパントのドーピング濃度が前記炭化珪素エピタキシャル成長層のドーピング濃度B以下の低濃度層を設けたことを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルウエハ。請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のエピタキシャルウエハの前記炭化珪素エピタキシャル成長層をドリフト層として備えたことを特徴とする半導体素子。上述のような従来の炭化珪素半導体を材料とするエピタキシャルウエハおよび半導体素子においては、基板と、耐圧層となるエピタキシャル成長層との間に、単層膜や、ドーピング濃度が段階的または連続的に変化する段階的傾斜構造または連続的傾斜構造のバッファ層を設けることが開示されているが、基板およびエピタキシャル成長層のドーパントの種類やその濃度に応じた適切な構成は示されていなかった。特に段階的傾斜構造のバッファ層や連続的傾斜構造のバッファ層について、添加するドーパントによって生じる格子不整合の向きを考慮したバッファ層の構成は示されていないため、従来の炭化珪素エピタキシャルウエハおよび半導体素子では、エピタキシャル成長層の結晶品質が劣化し、キャリアの移動度が低下する場合があった。この発明は上述のような課題を解決するためになされたもので、従来よりもエピタキシャル成長層の結晶品質を向上させることができ、厚膜のエピタキシャル成長層を形成する場合においてもキャリア移動度の低下が生じず、素子抵抗の低いエピタキシャルウエハおよび半導体素子を実現するものである。この発明に係るエピタキシャルウエハおよび半導体素子は、ドーピングにより格子定数が減少するドーパントを濃度Aでドーピングした第1導電型の炭化珪素基板と、前記炭化珪素基板上に設けられ、前記ドーパントがドーピングされた第1導電型のバッファ層と、前記バッファ層上に設けられ、前記ドーパントが前記炭化珪素基板よりも小さい濃度Bでドーピングされた第1導電型の炭化珪素エピタキシャル成長層とを有し、前記バッファ層は、前記ドーパントのドーピング濃度が異なる層が2層以上積層した多層構造で形成され、前記多層構造の各層の前記ドーパントのドーピング濃度Cが、前記各層の前記炭化珪素エピタキシャル成長層からの平均距離をx、前記バッファ層の厚さをd、所定の割合をPとして、[BA-B×x/d]×1-P≦C≦[BA-B×x/d]×1Pの範囲にあるものである。この発明によれば、炭化珪素基板とエピタキシャル成長層との格子不整合を効果的に緩和することができるので、炭化珪素基板とエピタキシャル成長層との格子定数差によって生じる結晶欠陥がエピタキシャル成長層に導入されることを抑制できる。その結果、エピタキシャル成長層の結晶品質劣化を防止でき、厚膜のエピタキシャル成長層を形成してもキャリアの移動度の低下が生じず、素子抵抗の低いエピタキシャルウエハおよび半導体素子を得ることができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、結晶面を示すミラー指数の表示法においては、負の指数を表す負号は指数の上に付けるのが一般的であるが、本明細書では、負号を指数の前に付けて示す。実施の形態1.図1は本発明の実施の形態1における半導体素子の構成を示す断面図である。また、図2は、本発明の実施の形態1におけるエピタキシャルウエハの構成を示す断面図である。図2において、エピタキシャルウエハ100は、0001面からオフ角を有する第1導電型であるn型の低抵抗炭化珪素基板1と、この炭化珪素基板1上に形成されたn型バッファ層2と、このバッファ層2上にエピタキシャル成長により形成された、エピタキシャル成長層3とで構成されている。バッファ層2の構成については別途詳述する。そして、このエピタキシャルウエハ100を用いて、図1に示す半導体素子である炭化珪素ショットキバリアダイオード101が形成される。ショットキバリアダイオード101においては、エピタキシャルウエハ100のエピタキシャル成長層3が耐圧を保持するためのn型ドリフト層3となる。このドリフト層3の層厚は3~150μm程度、ドーピング濃度Bは0.5~20×1015cm-3程度であり、炭化珪素基板1のドーピング濃度Aよりも低く形成されている。また、ショットキバリアダイオード101の素子周辺部には、第2導電型であるp型領域4が終端構造として形成されている。このp型領域4は、エピタキシャルウエハ100中のエピタキシャル成長層3中にイオン注入および活性化熱処理工程によって選択的に形成され、層厚0.5~2μm程度、ドーピング濃度1~100×1017cm-3程度で形成される。また、アノード電極5はドリフト層3上に、p型領域4とも接触するように形成されている。さらに、カソード電極6はn型低抵抗炭化珪素基板1の裏面に形成されている。アノード電極5はドリフト層3に対してはショットキ接触であり、p型領域4に対してはショットキ接触、オーミック接触のいずれであってもよい。アノード電極5が、p型領域4に対してオーミック電極として機能するためには、接触抵抗値として、10-3Ωcm2以下とすればp型領域4を介する電流が流れる際の接触部の影響によるオン電圧の上昇を小さくすることができる。さらに望ましくは10-4Ωcm2以下の接触抵抗値とすれば、接触部の影響による電圧上昇はほぼ無視することができる。炭化珪素基板1は、素子抵抗の増大を招かないように、極力抵抗率が小さいことが望ましく、V族元素を高濃度にドーピングするが、ドーピング濃度が高すぎると結晶欠陥が導入されやすくなるため、通常は1019cm-3前後の濃度になるようにドーピングを行う。本実施の形態では、例えば窒素のような、高濃度にドーピングするにつれて炭化珪素結晶の格子定数が小さくなる元素を炭化珪素基板1のドーパントとして用いる。バッファ層2は図1a~cに示すような構成となっている。バッファ層2は、ドーパントのドーピングの濃度の異なる2層以上積層した多層構造で形成され、多層構造の各層のドーパントのドーピング濃度Cが、各層の炭化珪素エピタキシャル成長層からの平均距離をx、前記バッファ層の厚さをd、所定の割合をPとして、[BA-B×x/d]×1-P≦C≦[BA-B×x/d]×1Pの範囲内にあるように設定する。ここで、所定の割合Pは、20であれば良く、より望ましくは、10であれば良い。所定の割合Pが小さい程、バッファ層2が炭化珪素基板1とバッファ層2との格子不整合を効果的に緩和できるので、格子定数差によって生じる結晶欠陥がエピタキシャル成長層に導入されることをより抑制できる。図1aはバッファ層2を2層で構成した場合のバッファ層2の濃度分布を示す図である。この場合、バッファ層2はドリフト層3側の層2aと基板側の層2bの2層からなり、例えば炭化珪素基板1の窒素濃度Aが1019cm-3、エピタキシャル成長層3の窒素濃度Bが1016cm-3でバッファ層2の厚さが120nm、所定の割合Pが20の場合を考える。バッファ層2のドリフト層3側の層2aの厚さが40nm、バッファ層2の炭化珪素基板1側の層2bの厚さが80nmであれば、ドリフト層3側の層2aの窒素濃度は、1.3×1018cm-3以上、2.0×1018cm-3以下、炭化珪素基板1側の層2bの窒素濃度は、5.3×1018cm-3以上、8.0×1018cm-3以下であれば良い。所定の割合Pが10であれば、ドリフト層3側の層2aの窒素濃度は、1.5×1018cm-3以上、1.8×1018cm-3以下、炭化珪素基板1側の層2bの窒素濃度は、6.0×1018cm-3以上、7.3×1018cm-3以下であれば良い。図1bはバッファ層2を3層で構成した場合のバッファ層2の濃度分布を示す図である。この場合、バッファ層2は、ドリフト層側層2c、中間層2dおよび基板側層2eの3層からなる。また、図1cはバッファ層2を4層で構成した場合のバッファ層2の濃度分布を示す図である。この場合、バッファ層2は、ドリフト層側層2f、ドリフト層側中間層2g、基板側中間層2hおよび基板側層2iの4層からなる。図1b、cのように層数が3層、4層の場合においても、炭化珪素基板1のドーパント濃度をA、ドリフト層3のドーパント濃度をB、バッファ層2の厚さをd、各層のドリフト層3からの平均距離をx、所定の割合をPとして、多層構造の各層のドーパントのドーピング濃度Cが[BA-B×x/d]×1-P≦C≦[BA-B×x/d]×1Pの式を満たし、Pが20または10になるように設定すればよい。次に、本実施の形態のエピタキシャルウエハの製造方法について説明する。まず、0001面からオフ角を有する第1導電型であるn型の低抵抗炭化珪素基板1を用意する。低抵抗の炭化珪素基板1にはドーパントとして窒素がドーピングされており、そのドーピング濃度Aは1019cm-3前後の値のものとする。次に、炭化珪素基板1に対して、アセトンなどを用いた有機洗浄を行なう。つづいて、塩酸と過酸化水素水、アンモニアと過酸化水素水等を用いて炭化珪素基板1の表面の洗浄を行なう。次に、炭化珪素基板1を、CVD装置の基板ホルダ上に設置する。CVD装置の反応炉を排気後に、反応炉の圧力が1~70kPa、例えば25kPaになるように水素ガスなどの還元性ガスを反応炉内に導入する。つづいて、基板ホルダを高周波誘導加熱することにより、炭化珪素基板1を所定の処理温度、例えば1450°Cまで加熱する。炭化珪素基板1の温度が安定した後に、原料ガスの供給を開始することによって、エピタキシャル成長を開始する。原料ガスは、Si含有ガスとして例えばシランガス、炭素含有ガスとして例えばプロパンガスを使用する。また、希釈ガスとしては、水素ガスなどを使用する。例えば、シランガスを9sccm、プロパンガスを2.4sccmを同時に供給し始めるシーケンスでエピタキシャル成長を開始する。この場合、珪素原子と炭素原子との供給比であるC/Si比はおよそ0.8になる。ドーパントとして添加する窒素原子は、窒素ガスとして供給する。エピタキシャル層にドーピングされる窒素原子濃度は、エピタキシャル成長条件に依存するが、上記条件下で窒素ガスを3.5sccm供給すると、エピタキシャル層のキャリア濃度電子濃度が1×1018cm-3になる窒素がドーピングされる。また、この条件では、エピタキシャル層の成長速度は、およそ60nm/minとなる。このような条件を適宜変更することにより、バッファ層2の各層の厚さおよびドーピング濃度を設定できる。したがって、シランガスおよびプロパンガスを一定量供給しつづけて、窒素ガスの供給量を暫時低減してバッファ層2をエピタキシャル成長し、最終的にドリフト層3の濃度の層をエピタキシャル成長する。所定の厚さのドリフト層3をエピタキシャル成長した後に、シランガス、プロパンガス、窒素ガスの供給を停止し、水素ガスなどの希釈ガスのみを供給した状態で、高周波誘導加熱の出力を低下させ、基板ホルダおよび炭化珪素基板1の温度を下げ、基板ホルダの温度が70°C以下となった段階で水素ガスの供給を停止し、反応炉内部の残留水素ガスをアルゴンガス等で置換した後、CVD装置からエピタキシャルウエハを取り出す。このようにして、本実施の形態のエピタキシャルウエハを製造することができる。上記ではバッファ層2を構成する層数Nが、N=2、3、4の3種類の場合の例を示したが、これ以外の値となる構成でも構わない。このようにバッファ層2を、ドーピング濃度が全体としてリニアスケールで段階的に減少する多層構造としたことにより、炭化珪素基板1とドリフト層3との間の格子定数差は、バッファ層2内部でほぼ均等に分割されることになる。その結果、バッファ層2の格子定数は、炭化珪素基板1からドリフト層3に向かって、膜厚方向に均等に減少するので、炭化珪素基板1とドリフト層3との格子定数差に伴う格子不整合の影響を効果的に緩和することができる。また、ドーパントが窒素の場合、ドーピング濃度を大きくすると炭化珪素の格子定数が小さくなるため、エピタキシャル成長層であるドリフト層3の格子定数は炭化珪素基板1よりも大きくなる。したがって、バッファ層2においては、水平方向に圧縮、エピタキシャル成長層の成長方向すなわち厚み方向に引張の応力がかかっている。このように、バッファ層2の不純物濃度を、段階的に格子定数をリニアスケールで変化させた構成にすることによって、結晶の成長方向においてエピタキシャル成長後の室温への冷却時の収縮と引張応力とが釣り合うことになり、結晶欠陥が成長方向に伸びず、結晶欠陥が生成されてもバッファ層2を構成する各層あるいは炭化珪素基板1、ドリフト層3とのいずれかの界面に平行な方向に伸びるために、エピタキシャル成長層内に生成されるのを防止することができ、キャリアの移動度の低下が生じることがなく、素子抵抗の低い半導体素子を実現することができる。また、バッファ層2を構成する各層の厚さを100nm以下とし、ドリフト層3の厚さより小さい値とすることで、バッファ層2を導入することによって生じる素子抵抗の上昇を抑えることができる。なお、窒素濃度を階段状に低減させたバッファ層2を成長させるために、窒素ガスの供給量を一定にしたまま、シランガスおよびプロパンガスを暫時増加させても良い。このとき、シランガスまたはプロパンガスのうち、成長速度を律速している側のガスの流量だけを増加させても良いし、両ガスの流量を同じ割合で増加させても良い。なお、成長速度の高速化を図るために、原料ガスとして、塩化水素ガス、塩素ガスなどを併用しても良く、また、シリコン原子を含むガスとして、例えばジクロロシラン、トリクロロシランなどを用いても良い。さらに、各原料ガスは希釈して使用しても良い。また、炭化珪素基板1上に成長する最初の層のドーピング濃度を炭化珪素基板1のドーピング濃度と同等にした場合は、その層は、バッファ層2と見なさず、炭化珪素基板1の一部と見なしても良い。なお、このとき、炭化珪素基板1のドーピング濃度と同等の最初の層のドーピング濃度は、基板のドーピング濃度と完全に同一としなくても良い。さらに、C/Si比が低い条件でエピタキシャル成長を行えば、いわゆるマイクロパイプ等の基板に含まれる欠陥を閉塞することができるという効果もある。したがって、エピタキシャル成長の初期段階ではC/Si比を小さくし、バッファ層2の成長終了時には、C/Si比を高くするように、炭素原子供給ガスであるプロパンガス流量を変化すれば、エピタキシャル成長前に炭化珪素基板1に存在するマイクロパイプ等の欠陥密度を低減することが可能となる。また、このようにすれば、炭素原子供給ガスの消費量を低減できるので、生産性も向上する。さらに、バッファ層2成長時にC/Si比を増加させるだけではなく、窒素ガスの供給量を合わせて増加させても良い。窒素ガスの供給量を合わせて変化させることより、より急峻にドーピング濃度が変化したバッファ層2が実現できる。このように、本実施の形態のエピタキシャルウエハによれば、実質的に、ドーピング濃度がリニアスケールで段階的に減少する多層構造を含むバッファ層2を備えているために、炭化珪素基板1とエピタキシャル成長層3との間の格子定数差によって生じる結晶欠陥がエピタキシャル成長層3に導入されることを抑制できる。その結果、エピタキシャル成長層3の結晶品質劣化を防止でき、厚膜のエピタキシャル成長層3を形成してもキャリアの移動度の低下が生じず、素子抵抗の低いエピタキシャルウエハおよび半導体素子を得ることができる。実施の形態2.図3は本発明の実施の形態2におけるエピタキシャルウエハの構成を示す断面図である。図3において、実施の形態1の炭化珪素エピタキシャルウエハ100の炭化珪素基板1とバッファ層2との間に、低濃度層200を設けている。その他の構成については、実施の形態1の炭化珪素エピタキシャルウエハ100と同様であるので、詳しい説明は省略する。本実施の形態のエピタキシャルウエハ100の低濃度層200は、窒素がドーピングされた炭化珪素で構成されており、窒素のドーピング濃度は、ドリフト層3のドーピング濃度より低い1×1014cm-3以上1×1016cm-3以下などであれば良く、その厚さは、5nm以上、100nm以下であれば良い。ここで、低濃度層200のドーピング濃度が1×1016cm-3よりも大きい、または、低濃度層200の厚さが5nm未満と小さすぎる場合には、基底面転位を低減する効果が小さくなる。また、低濃度層200のドーピング濃度が1×1014cm-3よりも小さい、または、低濃度層200の厚さが100nmより大きい場合には、低濃度層200を貫通して流れる電流に対する抵抗値が大きくなりすぎ、半導体素子の抵抗が増大するので、好ましくない。更に、いわゆる基底面転位を低減する為に、バッファ層の成長後、C/Siを増加して成長を行っても良い。このように、ドリフト層3よりもドーピング濃度が低い低濃度層200を成長した後、[BA-B×x/d]×1-P≦C≦[BA-B×x/d]×1Pの式を満たし、所定の割合Pが20または10になるバッファ層2をエピタキシャル成長することにより、より基底面転位を低減したエピタキシャル成長層3をエピタキシャル成長でき、基底面転位を低減したエピタキシャルウエハを得ることができる。実施の形態3.図4は本発明の実施の形態3における半導体素子の構成を示す断面図である。図4において半導体素子である炭化珪素MOSFET102は、実施の形態1と同様に、0001面からオフ角を有するn型低抵抗炭化珪素基板1と、この炭化珪素基板1上に形成されたn型バッファ層2と、このバッファ層2上にエピタキシャル成長により形成されたエピタキシャル成長層3とを有するエピタキシャルウエハ100を用いて形成されている。なお、バッファ層2の構成については実施の形態1と同様であり、エピタキシャル成長層3が耐圧を保持するためのn型炭化珪素ドリフト層として機能することも実施の形態1と同様である。p型炭化珪素ボディ領域14およびn型炭化珪素ソース領域15は、n型ドリフト層3中にイオン注入および活性化熱処理工程によって選択的に形成される。ボディ領域14は、層厚が0.5~2μm程度、ドーピング濃度が3~20×1017cm-3程度であって、チャネルが形成されることになる、あるいはチャネルと近接することになる最表面においてはドーピング濃度を下げた構成とすることもできる。最表面のドーピング濃度を下げることで、不純物による散乱が低減されて、チャネルにおけるキャリア移動度が増加して素子抵抗を下げることができる。ボディ領域14のうちコンタクト領域24の最表面領域のみは5~50×1018cm-3程度と、他の部分より高濃度のドーピングとなるように別途選択的にイオン注入を行ってもよい。ソース領域15としては層厚0.3~1μm程度、ドーピング濃度5~50×1018cm-3程度である。この層構造の上にゲート絶縁膜17、ゲート電極18を形成してゲート部を作製する。図4に示したMOSFET102にはチャネル層が設けられていないが、別途チャネル層を設けてもよい。チャネル層を設ける場合、その導電型はn型でもp型でもよく、イオン注入種の活性化熱処理によって生じた表面荒れを改善するには、例えばエピタキシャル成長による形成が望ましいが、活性化熱処理によって生じる表面荒れが少なければ選択的なイオン注入によってチャネル層を形成した構造としてもよい。イオン注入種の活性化熱処理は一括して行ってもよいし、それぞれの注入工程ごとに活性化熱処理を行ってもよい。ゲート絶縁膜17はシリコン酸化膜もしくはシリコン酸化窒化膜等を、炭化珪素半導体の熱酸化や窒化、または絶縁膜を堆積成膜することによる形成、あるいはこれらの併用によってボディ領域のうちチャネルとなる領域34と対向する部分において10~100nm程度の厚さに形成する。ゲート電極18は多結晶シリコン膜や金属膜の成膜によって形成する。ゲート部以外の領域について、チャネル層図示せず、ゲート絶縁膜17、ゲート電極18を除去する。チャネル層についてはゲート絶縁膜17の形成前にゲート部以外の領域を除去してもよい。層間絶縁膜19を形成したのち、ソース電極20の接触部となる領域の層間絶縁膜を除去してから、ソース電極20を形成する。さらにドレイン電極21をn型基板1の裏面に、ソース電極20および層間絶縁膜19上に配線22を形成する。図示しないが、ゲート電極パッドが形成される素子外周部の一部領域においては層間絶縁膜上の配線22は除去された構成となる。バッファ層2は図1に示すような実施の形態1と同様の構成であって、バッファ層2をドーピング濃度がリニアスケールで略等間隔に段階的に減少する同じ層厚の多層構造としたことにより、エピタキシャル成長層であるドリフト層3への結晶欠陥の導入を防止することができ、キャリアの移動度の低下が生じることがなく、素子抵抗の上昇を抑えることができる。なお、バッファ層2は図3に示すような実施の形態2と同様の構成であっても、同様の効果を奏する。また、バッファ層2を構成する各層の厚さを100nm以下とし、ドリフト層3の厚さより極めて小さい値とすることで、バッファ層2を導入することによって生じる素子抵抗の上昇を抑えることができる。上記の実施の形態1~3では、炭化珪素基板1の面方位を0001面からオフ角を有した面としているが、オフ角を有さない0001面や000-1面、11-20面、03-38面など、いずれの結晶面方位においても、図1に示した構成のバッファ層は結晶欠陥のエピタキシャル成長層への導入を防止することができるとともに、素子抵抗の上昇を抑えることができる。また、実施の形態1~3では、ドーパントとして窒素の例を示したが、窒素以外であっても、ドーピングにより炭化珪素結晶の格子定数が減少するドーパントであれば、バッファ層を図1で示した構成とすることにより、エピタキシャル成長層への結晶欠陥の導入を防止することができるとともに、素子抵抗の上昇を抑えることができる。