回転する磁電管スパッタリング陰極装置であって、無線周波電源と、電力供給組立体と、円筒形の回転する陰極と、シャフトと、駆動モータとを含み、前記電力供給組立体は、前記陰極内に位置付けられる磁場源と、前記陰極内に延びる電極とを含み、前記陰極の外表面は、標的材料を含み、前記電極は、前記シャフトから電気的に絶縁され、前記電極及び前記シャフトは、非鉄材料で形成され、前記シャフトは、前記シャフト及び前記陰極が電気的に絶縁され、且つ、前記シャフトの回転が前記陰極を前記磁場源及び前記電極の一部について回転させるよう、前記陰極と概ね同軸であり、且つ、前記陰極に機械的に接続され、前記駆動モータは、前記シャフトを回転させるよう構成され、前記電源は、1MHz以上の周波数にある無線周波エネルギを供給するよう構成され、前記電極は、前記電源に電気的に接続される、装置。前記電極は、前記陰極と直接的に電気的に接触しない、請求項1に記載の装置。前記電源は、13MHz以上の周波数にある無線周波エネルギを供給するよう構成される、請求項1に記載の装置。前記電源は、25MHz以上の周波数にある無線周波エネルギを供給するよう構成される、請求項3に記載の装置。前記電源は、300MHz以上の周波数にある無線周波エネルギを供給するよう構成される、請求項4に記載の装置。前記電源は、1GHz以上の周波数にある無線周波エネルギを供給するよう構成される、請求項5に記載の装置。前記標的材料は、実質的に伝導性材料を含まない絶縁材料で構成される、請求項1に記載の装置。前記陰極内の前記磁場源の位置は、前記陰極の内表面に対するその近接性に関して調節可能である、請求項1に記載の装置。前記陰極内の前記磁場源の位置は、前記電極について径方向に調節可能である、請求項1に記載の装置。冷却媒体をポンピングするよう構成される冷却ポンプを更に含み、前記電極は、実質的に中空であり、前記冷却ポンプに動作的に接続するよう構成され、前記電極は、冷却媒体を前記冷却ポンプから前記陰極内に供給するよう構成され、前記シャフト及び前記電力供給組立体は、前記冷却媒体が前記陰極から流出することを可能にするよう構成される絶縁性の通路付き軸受組立体を更に含み、それによって、前記冷却ポンプは、前記冷却媒体を、前記通路付き軸受組立体を通じて、前記中空の電極内に推進し、それによって、前記電力供給組立体及び前記陰極を冷却する、請求項1に記載の装置。前記通路付き軸受組立体は、前記電極と少なくとも部分的に接触する非伝導性のセラミック軸受を含む、請求項10に記載の装置。回転する円筒形の磁電管スパッタリング陰極装置を用いて材料を蒸着する方法であって、前記磁電管スパッタリング陰極装置は、無線周波電源と、電力供給組立体と、回転する陰極と、シャフトと、駆動モータとを含み、前記電力供給組立体は、前記陰極内に位置付けられる磁場源と、前記陰極内に延びる電極とを含み、前記陰極の外表面は、標的材料を含み、前記電極は、前記シャフトから電気的に絶縁され、前記シャフトは、前記陰極と概ね同軸であり、前記電極及び前記シャフトは、非鉄材料で形成され、当該方法は、前記電源に1MHz以上の周波数にある無線周波エネルギを供給させるステップと、前記陰極を前記磁場源について回転させるステップと、基板を前記陰極の前記外表面に近接して位置付けるステップとを含み、それによって、前記無線周波エネルギは、前記標的材料の粒子を前記基板の上に噴射させる、方法。前記電極は、前記陰極と直接的に電気的に接触しない、請求項12に記載の方法。前記電源は、13MHz以上の周波数にある無線周波エネルギを供給するよう構成される、請求項12に記載の方法。前記電源は、25MHz以上の周波数にある無線周波エネルギを供給するよう構成される、請求項14に記載の方法。前記電源は、300MHz以上の周波数にある無線周波エネルギを供給するよう構成される、請求項15に記載の方法。前記電源は、1GHz以上の周波数にある無線周波エネルギを供給するよう構成される、請求項16に記載の方法。前記標的材料は、絶縁材料で形成され、伝導性材料を実質的に含まない、請求項12に記載の方法。回転する円筒形の磁電管スパッタリング陰極装置を用いて材料を蒸着する方法であって、前記磁電管スパッタリング陰極装置は、無線周波電源と、電力供給組立体と、回転する陰極と、シャフトと、駆動モータとを含み、前記電力供給組立体は、前記陰極内に位置付けられる磁場源と、前記陰極内に延びる電極とを含み、前記電極は、前記シャフトから電気的に絶縁され、前記陰極の外表面は、絶縁材料で構成され且つ伝導性材料を実質的に含まない標的材料を含み、当該方法は、前記電源に1MHz以上の周波数にある無線周波エネルギを供給させるステップと、前記陰極を前記磁場源について回転させるステップと、基板を前記陰極の外表面に近接して位置付けるステップとを含み、それによって、前記無線周波エネルギは、前記回転する陰極に、前記標的材料からの粒子を前記基板の上に噴射させる、方法。前記電極は、前記陰極と直接的に電気的に接触しない、請求項1に記載の方法。前記電源は、13MHz以上の周波数にある無線周波エネルギを供給するよう構成される、請求項19に記載の方法。前記電源は、25MHz以上の周波数にある無線周波エネルギを供給するよう構成される、請求項21に記載の方法。前記電源は、300MHz以上の周波数にある無線周波エネルギを供給するよう構成される、請求項22に記載の方法。前記電源は、1GHz以上の周波数にある無線周波エネルギを供給するよう構成される、請求項23に記載の方法。回転する円筒形の磁電管スパッタリング陰極装置を用いて材料を蒸着する方法であって、前記磁電管スパッタリング陰極装置は、無線周波電源と、円筒形の回転する陰極とを含み、該回転する陰極の外表面は、酸化物で形成される標的材料を含み、当該方法は、前記電源に1MHz以上にある無線周波エネルギを供給させるステップと、前記陰極を回転させるステップと、基板を前記陰極の前記外表面に近接して位置付けるステップとを含み、それによって、前記無線周波エネルギは、前記陰極に、前記標的材料からの粒子を前記基板の上に噴射させる、方法。前記電源は、13MHz以上の周波数にある無線周波エネルギを供給するよう構成される、請求項25に記載の方法。前記電源は、25MHz以上の周波数にある無線周波エネルギを供給するよう構成される、請求項26に記載の方法。前記電源は、300MHz以上の周波数にある無線周波エネルギを供給するよう構成される、請求項27に記載の方法。前記電源は、1GHz以上の周波数にある無線周波エネルギを供給するよう構成される、請求項28に記載の方法。本発明はこれらの限定に取り組むものであり、単一の円筒形陰極を利用する回転磁電管スパッタリング陰極装置のRF動作を可能にする。ここに開示されているのは、無線周波電源と、電力供給組立体と、円筒形の回転する陰極と、シャフトと、駆動モータとを含む、回転する磁電管スパッタリング陰極装置である。電力供給組立体は、陰極内に位置付けられる磁場源と、陰極内に延びる電極とを含む。陰極全体を蒸着されるべき材料標的材料で構成し得るが、他の実施態様では、陰極の外表面の一部だけが標的材料を含み、陰極の残部は他の材料を含む。電極はシャフトから電気的に絶縁され、陰極と直接的に電気的に接触しないのが好ましいが、一部の実施態様では、直接的に接触し得る。無線周波数動作によって誘起される磁場によって創成される問題に対処するために、電極及びシャフトは非鉄材料で形成されるのが好ましい。シャフトの回転が陰極を磁場源及び電極の一部について回転させるよう、シャフトは陰極と概ね同軸であり、陰極に機械的に接続される。その接続は、電気エネルギが実質的な量において陰極からシャフトに直接的に伝送されないよう、シャフト及び陰極も電気的に絶縁されよう行われる。駆動モータは、シャフト、それによって、陰極を回転させるよう構成され、電源は1MHz以上の周波数にあるRFエネルギを供給するよう構成され、規定の上限値はない。電極は電源に電気的に接続され、動作中に電源によって生成されるRF放射を陰極に伝送する。RFエネルギは、陰極に、陰極が回転するに応じて標的材料の粒子を、好ましくは、陰極付近に位置付けられる基板の上に噴射させる。同様に開示されているのは、回転する円筒形の磁電管スパッタリング陰極装置を用いて材料を蒸着する方法である。磁電管スパッタリング陰極装置は、同様に、RF電源と、電力供給組立体と、回転する陰極と、シャフトと、駆動モータとを含む。電力供給組立体は、回転する円筒形の陰極内に位置付けられる磁場源と、陰極内に延びる電極とを含む。陰極の外表面の少なくとも一部は標的材料を含むが、特定の実施態様では、同様に、陰極全体を標的材料で形成し得る。電極はシャフトから電気的に絶縁され、シャフトは陰極と概ね同軸である。電極及びシャフトは非鉄材料から形成される。そのような装置を利用して、ここに開示される方法は、電源に1MHz以上の周波数にある無線周波エネルギを供給させるステップと、陰極を磁場源について回転させるステップと、基板を陰極の外表面に近接して位置付けるステップとを含み、陰極の外表面は、標的材料を含む。動作中、RF電源からのRFエネルギは、標的材料の粒子を基板の上に噴射させる。回転する円筒形の磁電管スパッタリング陰極装置を用いて材料を蒸着する更なる方法も開示されている。上述した方法に類似して、磁電管スパッタリング陰極装置は、無線周波電源と、円筒形の回転する陰極とを含む。回転する陰極の外表面は、酸化物で形成される標的材料を含む。当該方法は、RF電源に1MHz以上の周波数にあるRFエネルギを供給させるステップと、陰極を回転させるステップと、基板を陰極の外表面に近接して位置付けるステップとを含む。このようにして、電源からのRFエネルギは電極を通じて伝送され、それによって、陰極に、酸化物材料の粒子を基板の上に噴射させる。本発明の他の機能は、本発明の装置の特定の好適実施態様を例示する添付の図面から明らかになるであろう。以下は本発明の装置及び方法の好適実施態様を記載するが、この記載は本発明の原理を例示するものとしてだけ考えられるべきであり、本発明の原理を制限するものと考えられるべきではないことが理解されるべきである。全て本発明の範囲内にある数多くの他の変形が他者の頭の中に直ちに浮かび、その発明は請求項によってだけ制限される。構成され又は適合されという用語は、適切な大きさにされ、適切に成形され、適切に構成され、適切に寸法取られ、適切に方向付けられ、且つ、適切に配置されることを意味する。無線周波又はRFという用語は、1MHz以上の周波数を示し、上限はない。電気絶縁されという用語は、2つの構成部品に関して、それらの構成部品の間に、実質的な量の直流が一方から他方に流れることを可能にする伝導的な接続がないことを意味する。ドーピングという用語は、標的材料のスパッタリング特性を変更するために、所定の量の材料を標的材料中に含有させる慣行を意味する。よって、ドープ材料は、ドーピングが使用された標的材料を指す。ドーピングは、標的材料を金属のような伝導性材料でドーピングすることによって絶縁材料のスパッタリングを可能にするために一般的に使用される。金属以外の材料が標的材料に加えられる他の種類のドーピングも可能である。非鉄という用語は、材料を記載するために使用されるとき、実質的に鉄を含まない材料を示し、或いは、アルミニウム、真鍮、又は、304ステンレス鋼のような非磁性材料である。ステンレス鋼の直前に番号が使用される場合例えば、304ステンレス鋼、番号はステンレス鋼の等級を指し、図面中に示される参照番号を示していない。ステンレス鋼の特定の等級のような特殊な材料がこの詳細な記載において参照される場合、その参照は、使用し得る適切な材料の一例を開示することを意図しており、それらの材料から成る構成部品に本発明を限定することを意図していない。絶縁セラミック軸受を参照する場合、そのような軸受は、非限定的に酸化ジルコニアを含む、様々な材料において利用可能であり、非限定的にカリフォルニア州サンクレメンテのImpactBearingsを含む、様々な供給源から入手可能である。回転する円筒形の陰極スパッタリングシステムは、典型的には、電力源と、陰極カソードと、磁石組立体とを含む。電力源は電極を通じて陰極に接続され、磁石は回転する陰極内に位置付けられる。次に、陰極又は標的は、塗工されるべき物体及びアルゴンのような不活性ガスと共に、実質的に真空のチャンバ内に配置される。基板が回転陰極の上を通らされるとき、電極を通じて電力が回転陰極に供給される。電力源からのエネルギと、磁石組立体の磁場と、アルゴンガスとの組み合わせは、陰極の標的材料からの粒子を基板上に放出させ、それによって、基板を標的材料で塗工する。既知のスパッタリング円筒形陰極蒸着システムは、直流DC又は典型的にはキロヘルツ範囲内の低周波数/中周波数の交流ACを使用して動作する。セラミック又は酸化物のような絶縁標的材料が蒸着されるべき場合、そのような装置は、典型的には、効果的なスパッタリングのために、金属ドーピングの使用を必要とする。そのようなシステムは、蒸着中に金属ドーピング材料を排除するために酸素の反応性に依存する。しかしながら、そのような排除は完全又は均一であり得ない。その結果は、蒸着膜内のピンホール又は不純物であり得るし、望ましくないより大きな厚みの塗膜や二次的処理の使用を必要とし得る。本発明の装置及び方法は、スパッタリング操作における無線周波RF電力の使用を可能にする。RF電力の使用は、最少のドーピングで或いはドーピングを伴わずに、セラミック及び酸化物のような非伝導性材料のスパッタリングを可能にし、不純物のより少ないより高品質の塗膜を可能にし、且つ、二次処理の必要を削減し、それによって、より効率的な操作を可能にする。RFエネルギでスパッタリングを試みるときに起こる問題は、鉄製部品内のRFエネルギによって引き起こされる誘導加熱及び磁性効果を含む。本発明はこれらの問題に取り組み、回転磁電管円筒形陰極スパッタリング装置を用いた非ドープ絶縁材料のRFスパッタリングを可能にする。特定の好適実施態様において、本発明は、1つだけの陰極の使用も可能にするのに対し、従来既知のACスパッタリング装置は、電気的に連結された2つの陰極を使用するのが典型的である。本発明の他の実施態様は多数の陰極の使用を可能にするが、本発明では多数の陰極の使用は任意であることが理解されよう。図1乃至15は、本発明の回転磁電管スパッタリング陰極装置1の好適実施態様を例示しており、図1乃至3は、主要な構成部品を例示し、図4乃至15は、それらの構成部品をより詳細に示している。図1乃至3を参照すると、スパッタリング陰極装置1は、無線周波電力源800と、電力供給組立体100と、円筒形の回転陰極200と、シャフト組立体300と、駆動モータ組立体400とを含む。陰極200は、実質的に真空のチャンバ図示せず内に延在するのに対し、シャフト組立体300及び駆動モータ組立体400は外部に留まっている。取付けプレート組立体500が真空チャンバ図示せずの壁図3中の512に接続し、実質的に気密なシール封止を創成している。壁512への取付けプレート組立体500の接続は、適切には、機械接続又は溶接接続であり得る。シャフト組立体300は、取付けプレート組立体500内を通り、陰極200に機械的に接続する。陰極200と取付けプレート組立体500との間の、及び/又は、シャフト組立体300と取付けプレート組立体500との間の界面は、当業者によって理解されるように、実質的に真空化されたチャンバ図示せず内の漏れを最小限化又は排除するよう構成される。例示するように、シャフト組立体300は、陰極200と概ね同軸である。シャフト組立体300と陰極200との間の接続は、シャフト組立体300の回転が陰極200の回転を引き起こすが、陰極200をシャフト組立体300から電気的に絶縁するよう構成される。直接的な電気接触/伝導を通じたシャフト組立体300と陰極200との間の電気エネルギの移転は僅かであるか或いは全くないことが好ましい。このようにして、動作中、陰極20へのエネルギ移転は、完全に或いは殆ど完全に、電力供給組立体100を通じて起こる。その結果、それが起こらない場合よりも効率的な陰極200への電力供給がもたらされる。適切な接続手段を以下に更に記載する。駆動モータ組立体400は、シャフト組立体300を回転するよう構成される。本発明は如何なる特定範囲の回転速度にも限定されず、様々な回転速度を使用し得るが、毎分1回転~毎分12回転の間の速度が本発明の装置を用いた殆どの用途に適する。駆動モータ組立体400は、機械的ファスナを用いて外部ハウジング組立体700及び内部ハウジング組立体600に便利に付着し得る。図4及び図5に例示するように、電力供給組立体100は、磁場源140と、電極110とを含む。図3に例示するように、磁場源140が陰極200内に位置付けられ且つ電極110が陰極200内に延びるよう、電力供給組立体100は、シャフト組立体300及び取付けプレート組立体500を通じて陰極200内に延びている。電力供給組立体100、具体的には、電極110は、シャフト組立体300から電気的に絶縁されることで、電力が電極110によって陰極200に伝送され、実質的な量が代替的な経路を通じて伝送されないことを再び保証する。シャフト組立体300と電力供給組立体100との間に直接的な電気的な接続を創成することなく、シャフト組立体300が電力供給組立体100について回転することを可能にする、以下に更に記載する絶縁セラミック軸受の使用を通じて絶縁を達成し得る。このようにして、シャフト組立体300の回転は、陰極200及び陰極200内に延びる電極110の一部を磁場源140について回転させるが、スパッタリング中、シャフト組立体300を通じて実質的な量のエネルギを陰極200に与えない。RF放射でスパッタリングを可能にするために、RF電源800は、1MHz以上の周波数でRFエネルギを供給するように構成されるのが好ましい。適切な電源は、ニューヨーク州ローチェスタのMKSを含む供給業者から入手可能であり、SurePowerRFPlasmaGeneratorのモデルQL10513を非限定的に含み、それは掃引周波数RF電源であるが、本発明の好適実施態様における使用に適したRF電源の一例である。利用される標的材料、利用可能なスパッタリングエネルギ、並びに、所望の基板材料及び塗装特性に依存して、様々なスパッタリング用途において13MHz以上、25MHz以上、300MHz以上、及び、1GHz以上の周波数を使用し得る。工業スパッタリング用途における使用に適した無線周波数は、参照として本明細書中に援用する47CFR§18に更に記載されている。しかしながら、本発明は、如何なる1つの周波数範囲にも限定されず、1MHzから1GHzを優に越えてマイクロ波範囲内をも含む周波数でのスパッタリングに適する。RF電力を1MHz以上で利用することによって、電極110は、ブラシを通じてRFエネルギを伝導する代わりに、陰極200内にRFエネルギを伝送するアンテナとして作用する。そのエネルギは、磁場源140によって生成される磁場との組み合わせにおいて、動作中に陰極200の外表面内の標的材料を放出させ、それはスパッタリングとして知られる効果である。RF電力が使用されるときには、電源が効率的に動作するのを可能にするために、電源800に対する一定の、好ましくは、最適な負荷を維持するのが望ましい。電源800に対する一定の負荷を保証するのを助けるために、負荷整合チューナ同調器810を使用し得る。電源800は、負荷整合チューナ810を通じて、電力供給組立体100に電気的に接続される。便利には、負荷整合チューナ810は、当業者に既知であるような、コンデンサ及び/又はインダクタを含む負荷整合チューナであり得る。適切なチューナは、ニューヨーク州ローチェスタのMKSを含む供給業者から入手可能である。MKSから入手可能なMWH1000310kWLoadMatchingNetworkは、本発明の特定の実施態様における使用に適した負荷整合チューナの一例である。使用される標的材料、エネルギレベル、周波数、及び、基板場所に依存して、磁場源140の位置を調節するのも望ましくある。磁場源140の以下に更に記載する取付け構造を調節することによって、磁場源140を電極110から離れる方向に陰極200の内表面により近接して移動させ或いは磁場源140を陰極200の内表面から離れる方向に電極により近接して移動させることによって、陰極200の内表面への近接性に関して磁場源140を調節し得る。陰極200内の磁場源140の位置は径方向にも調節可能であり、電極110について磁場源140を回転することによって、動作中に材料が放出される角度の調節を可能にする。RF周波数での動作は、絶縁材料のスパッタリングを可能にするが、そのような周波数は、鉄製構成部品内に誘導加熱及び磁場を誘発する潜在性も有する。従って、RF周波数で作動させるときには、陰極200がスパッタリング陰極装置1の他の構成部品から電気的に絶縁されること、及び、以下に更に記載する磁場源140以外において、可能な場合には、非鉄材料が利用されることが好ましい。動作中にスパッタリング陰極装置1が冷却されるのも望ましい。動作中に脱イオン水のような冷却媒体を陰極200内に注入するよう構成される冷却ポンプ900を追加することによって上記を達成し得る。様々なポンプ及び冷却システムを使用し得るが、大容量ウォータポンプ900と共に使用されるMcQuayの20トン冷却機図示せずは、本発明の好適実施態様のための1つの適切な選択肢である。図4及び5を参照すると、このような方法における冷却を促進するために、電極110は実質的に中空であってもよく、図2に示されるように冷却ポンプ900に動作的に接続されるよう構成されてもよい。次に、電極110内の1つ又はそれよりも多くの場所に通路114を設けることによって、冷却媒体を陰極200内に供給するよう電極110を構成し得る。その場合、冷却媒体は、電極110を通じて流れ、通路114を出て、陰極200内に至り得る。強化された冷却のために、冷却媒体は、如何なる有意な間隙又は空間を残さずに、陰極200を実質的に満たすのが好ましい。その場合、シャフト組立体300及び陰極200が回転するとき、絶縁性のスロット付き組立体104は、冷却媒体が漏れるのを許容し得る。このようにして、冷却ポンプ900は、冷却媒体を実質的に中空な電極110内に推進し、陰極200を実質的に満たし、次に、スロット付き組立体104を通じて出て、それによって、好ましくは動作中に連続的に、電力供給組立体100及び陰極200を冷却する。ここに記載する冷媒流の方向が好ましくあり得るが、スパッタリング陰極装置1は、逆方向における流れとも機能し得ることが理解されよう。更に、冷却媒体は、ロット付き組立体104を通じてシャフト組立体300内に流れ、図15に示すポート740から出て、それによって、冷却シャフト組立体300及び内部ハウジング組立体600及び他のハウジング組立体700も冷却する。脱イオン水を使用し得るが、当該技術分野において既知の水/グリコール混合物を非限定的に含む、他の冷却媒体も適切である。例示するように、電極110を、外側区画102と、内側区画111と、1つ又はそれよりも多くの拡張区画112とを非限定的に含む接続区画で形成し得る。このようにして、様々な電極長を使用し、それによって、拡張区画112を追加又は削除することによって、或いは、異なる長さの拡張部を使用することによって、異なる長さの陰極の使用を可能にする。冷却媒体の漏れが望ましくない場合には、電極110の上記区画を接続するために、ガスケット例えば、便利にビトンで構成し得る電極フランジOリング105を間に備えるフランジ例えば、第1電極フランジ106及び第2電極フランジ108及び好ましくは非鉄材料の機械的なファスナを使用し得る。漏れがそれ程懸念されない場合には、内側区画11と拡張区画112との間に示されるような単純な摩擦適合を使用し得る。例示するように、以下に更に記載する磁場源140は、内側区画111と拡張区画112とが動作中に分離しないようにする働きをするが、所望であれば、止めネジ、機械的ファスナ、及び、摩擦適合を非限定的に含む、他の固定手段も使用し得る。通路114は、最終拡張区画112の外側端部にあるのが好ましいが、最終拡張区画112の外側端部の代わりに或いは最終拡張区画112の外側端部に加えて、電極11の上の場所にも配置し得る。絶縁性の、好ましくは、セラミック製のエンドピースブッシュ116が電極110のための支持をもたらすと同時に、陰極200が電極110について回転するのを可能にする。ULTEMは、エンドピースブッシュ116のための1つの適切な材料である。RFエネルギを伝送するのに使用するに適した任意の材料で電極110を形成し得る。材料は、非限定的に真鍮を含み、望ましくない磁性効果を最小限化するのを助けるために、非鉄材料であるのが好ましく、更に、適切には304ステンレス鋼であり得る機械的ファスナ109も同様である。磁場源140は、例示するように、下方クランプ部材146及び上方クランプ部材144を用いて、電極110に付着し得る。より大きな上方クランプ部材144又は当業者に既知の他の調節手段を使用することによって、陰極の内表面に対する磁場源140の近接性を調節し得る。上方クランプ部材144及び下方クランプ部材146を緩め且つ再締付けの前に磁場源140を電極110について回転することによって、磁場源140を径方向にも調節し得る。磁場源140は、キャリア148と、磁石142とを含み、固定部材149が、磁石142を所定位置に固定する。使用される精密な磁石は、当該技術分野において理解されるようなスパッタリング用途に基づき異なるが、1/2インチの立方体を形成するよう二重に積み重ねられる、N42等級の複数の1/2インチ×1/2インチ×1/4インチの磁石が、典型的な用途のための磁石142にとっての適切な選択肢であろう。一例として、非限定的に、3列に配置された約240のそのような磁石142を、約22インチの陰極200と共に使用し得る。そのような磁石は、KJMagneticsIncのような多数の供給業者から入手可能である。キャリア148、上方クランプ部材144、下方クランプ部材146、固定部材149及びこれらの構成部品を固定するために使用される任意のファスナは、非鉄材料製であるのが好ましい。PVCのような絶縁材料を利用し得るが、アルミニウムのような熱伝導性の非鉄材料が好ましい。何故ならば、それらはより良好な冷却及び熱移転を可能にするからである。図6は、磁石142を装着しない状態で、磁場源140の分解図を例示している。例示中に見ることができるように、磁石142が装着されるとき磁性分流器143が磁石142の下に位置付けられる。磁性分流器143は、便利に416ステンレス鋼であり、磁石142が装着されるときに磁石142によって生成される磁場を分流することによって、磁場源140の下のスパッタリングの可能性を低減するよう作用する。例示するように、電極110は、陰極200と直接的に電気的に接触しない。そのような実施態様において、RFエネルギは、直接的な接触を通じて伝導によって移転されるのではなく、電極110から陰極200に伝送される。伝導的な移転も望ましい場合には、電極110と陰極200との間の直接的な電気接続を創成するために、ブラシ図示せずも使用し得る。しかしながら、RF放射の使用は、そのようなブラシが要求されないことを意味する。何故ならば、それらのブラシは、直接的な電気接触が必要とされるより低い周波数を備えるからである。様々な適切なブラシが当業者に既知である。陰極組立体200は、図7に更に詳細に示されている。陰極200は、陰極フランジ組立体220と、犠牲標的205と、陰極エンドキャップ組立体210とを含む。犠牲標的205は、スパッタリングされるべき標的材料で全体的に作製されてよく、或いは、犠牲標的205は、その外表面206に標的材料を含み、例えば、銅のような他の材料で形成される裏打ち管207を含み得る。本発明の好適実施態様における使用に適した、異なる標的材料を有する犠牲標的を備える陰極200は、メイン州ビッドフォードのSolerasLtdのような供給業者から入手可能である。犠牲標的205は、実質的に中空であり、磁性源140が、電極110の少なくとも一部に沿って、犠牲標的205内に適合するように構成され、それは、好ましくは、少なくとも犠牲標的205の長さの中点まで延び、それによって、RF電力を陰極組立体200内に中心的に供給するのが好ましい。陰極フランジ組立体220は、陰極フランジ230と、螺旋形の陰極保持リング226と、陰極フランジOリング224と、陰極フランジ絶縁体222とを含む。陰極フランジOリング224及び陰極フランジ絶縁体222の両方を便利にビトンで形成し得る。アルミニウムで便利に形成し得る陰極フランジ230は、犠牲標的205の上に適合する。螺旋形陰極保持リング226は、陰極フランジ230を固定する。陰極フランジファスナ234の締付けは、シャフト組立体300の回転が陰極組立体200を回転するよう、陰極200がシャフト組立体300に動作的に接続することを可能にする。ULTEMのような高い電気抵抗を備える材料で便利に形成し得る陰極フランジ絶縁体222は、陰極組立体200をシャフト組立体300から電気的に絶縁し、それがアーキングの可能性を低減するということを含む理由のために、それは無線周波RF電力を取り扱うときに望ましい。304ステンレス鋼で便利に形成し得る陰極フランジファスナ234は機械的接続を形成するが、ULTEMでも形成し得る陰極フランジ締結部232を通じてそのように行う。その目的は、陰極フランジファスナ234が陰極組立体200と伝導的に接触しないことを保証することによって電気絶縁をもたらし、それによって、電力が殆ど排他的に電力供給組立体100を通じて陰極組立体200に移転され、シャフト組立体300を通じて二次的に移転しないことを保証するのを助ける。陰極エンドキャップ組立体210は、2つの目的に適う。第1に、それは冷却媒体の漏れを防止するシール封止をもたらす。第2に、それは電極110の端部のための支持をもたらす。陰極エンドキャップ組立体210は、便利に304ステンレス鋼で形成し得る陰極エンドキャップ保持リング211と、陰極エンドキャッププレート212とを含み、陰極エンドキャッププレート212も、アルミニウムのような非鉄材料で形成されるのが好ましい。酸化ジルコニアのようなセラミック材料で便利に形成し得る絶縁陰極エンドプレート軸受215は、エンドピースブッシュ116を支持し、陰極200がそれについて回転するのを可能にする。絶縁陰極エンドプレート軸受215は、陰極エンドプレート栓214内に保持され、それは犠牲標的205の内表面をシール封止し、冷却媒体の漏れを防止する。機械的ファスナ図示せずを用いて陰極エンドプレート栓214を陰極エンドキャッププレート212に取り付け可能であり、陰極エンドプレート栓214は、便利にビトンで形成し得る陰極エンドプレートOリング213でシールされる。無線周波RFエネルギレベルで動作する装置1の能力を考えると、犠牲標的205の外表面206における標的材料のために、非限定的に酸化物及びセラミックを含む様々な材料を使用し可能である。シャフト組立体300は、図8及び9により詳細に示されている。上記したように、シャフト組立体300は陰極200と接続し、動作中に陰極200を回転する力をもたらす。好ましくは、シャフト組立体300は、非鉄材料でも形成される。より具体的には、シャフト組立体300は、シャフト310と、シャフトフランジ330とを含む。シャフト310は真鍮であるのが好ましいが、シャフトを他の非鉄材料でも形成し得る。シャフトフランジ330も非鉄であり、シャフトフランジ330を便利にアルミニウムで形成し得る。シャフトフランジ330は、図7に示す陰極組立体200から陰極フランジファスナ234を受け入れ、便利にビトンで形成し得るシャフトフランジOリング331は、シャフトOリング316がそうするのと同様に、動作中の漏れに抗するシールを形成する。シャフト310の受口334内に受け入れられる機械的ファスナ333好ましくは304ステンレス鋼ファスナを用いて、シャフト310をシャフトフランジ330に便利に取り付け得る。非伝導性シャフト軸受314好ましくは他の酸化ジルコニアセラミック軸受は、図4及び5に示すスロット付き組立体104を受け入れるよう構成され、それによって、動作中に電極110を支持する。このようにして、シャフト軸受314及びスロット付き組立体104は、電極110と少なくとも部分的に接触する非伝導性セラミック軸受を形成し、冷却媒体が電極110を通じて陰極220内に移動し、電極110の外側でシャフト組立体300の本体内に流入すること可能にする。電極110及びシャフト軸受314の直径に依存して、例示するような開放スロットの代わりに、中実部材図示せずを通じる孔又は通路を使用して、シャフト組立体300が電極110について回転する間の冷却媒体の戻りを可能にし得る。シャフト組立体300が電極110の周りで回転するとき、スロット付き組立体104は回転する必要がない。その代わりに、スロット付き組立体104は、冷却媒体が陰極200から出て戻る通路を提供する必要があるだけである。しかしながら、電極110とシャフト310との間の支持接続は、その機械的構造に拘わらず、非伝導的であるのが好ましい。図10に示すように、下方プーリキー420を介した下方プーリ418の取付けを可能にするよう、キー溝312をシャフト310に組み込み得る。駆動モータ組立体400は、駆動モータ410を含み、駆動モータ410は、異なる速度で動作し得るのが好ましい。駆動モータ410のためにACモータを使用するのが好ましい。何故ならば、ACモータは干渉問題を低減するのを助けるからである。駆動モータ410は、従来的な機械的ファスナを用いてアルミニウムのような非鉄材料の上に形成されるのが好ましいモータブラケット412に接続する。駆動モータ410のシャフト411は、モータブラケット412を通じて延び、上方プーリキー415を用いて上方プーリ414に接続する。便利に上方プーリ414及び上方プーリキー415をステンレス鋼で形成し得る。次に、ベルト416が便利にアルミニウムで形成し得る下方プーリ418を駆動し、下方プーリ418はシャフト310を取り囲み、同様に便利に304ステンレス鋼で形成し得る下方プーリキー420を用いて固定される。このようにして、駆動モータ410はシャフト組立体300を駆動する。モータブラケット412は、図2に示すように、従来的な好ましくは非鉄の機械的ファスナを介して、外部ハウジング組立体700及び内部ハウジング組立体600に付着する。同様に図2に示すように、下方プーリ418は、内部ハウジング組立体600と外部ハウジング組立体700との間に位置付けられるのが好ましい。既に議論したように、取付けプレート組立体500は、実質的に排気されたチャンバ図示せずの壁512に取り付けられる。取付けプレート組立体500は、好ましくは非鉄の機械的ファスナ図示せずを通じて、図2及び3に示すように内部ハウジング組立体600に接続する。取付けプレート組立体500は、シャフト組立体300及び陰極200のシャフトフランジ330及び陰極フランジ230をそれぞれ支持する。図3乃至11を参照すると、取付けプレート組立体500は、内部取付けブロックプレート520と、便利にビトンで形成し得る取付けブロックOリング515と、外部取付けブロックプレート510とを含む。内部取付けブロックプレート520及び外部取付けブロックプレート510は、ステンレス鋼で構成されるのが好ましく、内部取付けブロックプレート520は、実質的に排気されたチャンバ図示せずの壁530の内側に溶接され或いは他の方法で固定される。外部取付けブロックプレート510は、機械的ファスナ図示せずを用いて壁530の外側に固定的に取り付けられるのが好ましく、便利にビトンで形成し得る外部取付けプレートOリング515は、壁530と外部プレート510との間のシールを向上するのを助ける。内部取付けブロックプレート520の開口は、陰極フランジ230を受け入れるよう構成され、内部取付けブロックプレート520のより小さな開口は、シャフトフランジ330を受け入れるよう構成され、各々の開口は、移動を許容し且つアーキングを防止するのに十分な隙間を備える。図12及び13は、内部ハウジング組立体600を例示している。内部ハウジング組立体600は、内部ハウジング本体610を含み、内部ハウジング本体610は、好ましくは、アルミニウムで形成され、便利にUltemで形成し得る内部ハウジングファスナ絶縁体633を通じるファスナ632を用いて、取付けプレート組立体500及び便利にUltemで形成し得る内部ハウジング絶縁体616に取り付けられ、それによって、内部ハウジング組立体600を取付けプレート組立体500から電気的に絶縁する。前記に議論したように、内部ハウジング絶縁体616及び内部ハウジングファスナ絶縁体633は、無線周波及び高電圧動作のために望ましい電気絶縁を促進する。第1内部ハウジングOリング618及び第2内部ハウジングOリング614両方を便利にビトンで形成し得るは、装置1が動作するときの漏れを防止するのに役立つ。酸化ジルコニアのような材料で形成される絶縁セラミック軸受であるのが好ましい第1ハウジング軸受612は、内部ハウジング組立体600とシャフト組立体300との間の電気接続を創成せずに、回転中にシャフト組立体300のための支持をもたらす。第1内部ハウジング軸受612は、便利に304ステンレス鋼で形成し得る第1内部ハウジングスナップリング621によって固定される。内部ハウジングシール628は、便利に、JohnCraneシャフトシールのタイプ21のような、回転する水ポンプシャフトシールであり得る。内部ハウジングシール628は、シャフト310が回転するのを依然として許容しながら、真空漏れを低減又は解消するよう、レース630と共に動作するよう構成される。同様に酸化ジルコニアのような材料で形成される絶縁セラミック軸受であり得る第2内部ハウジング軸受626は、内部ハウジング本体610への直接的な電気接続を創成せずに、シャフト組立体300を更に支持し、第2内部ハウジングスナップリング629、第2内部ハウジング軸受シール622、及び、スペーサ624によって所定位置に保持される。第1内部ハウジング開口640及び第2内部ハウジング開口642は、真空漏れの監視を可能にし、場合によっては、内部ハウジングシール628が摩耗するのに応じて時間の経過と共に起こる小さな真空漏れを補償する二次的な真空ポンプの使用を可能にする。便利に304ステンレス鋼で形成し得る内部ハウジングオイルシール保持リング620は、漏れを防止するよう作用する。図14及び15は、外部ハウジング組立体700を例示している。外部ハウジング組立体700は、シャフト組立体300及び電力供給組立体100を支持し、図2に示すようにモータブラケット412を介して内部ハウジング組立体600に取り付けられる。外部ハウジング組立体700は、アルミニウムで形成されるのが好ましい外部ハウジング本体710を含む。外部ハウジング軸受732は、外部ハウジング軸受保持リング730を用いて外部ハウジング本体710内に固定され、シャフト組立体300と外部ハウジング本体710との間の電気絶縁ももたらしながらシャフト組立体300を支持する。外部ハウジング軸受732も、酸化ジルコニアのような材料で形成される絶縁セラミック軸受であるのが好ましい。冷却媒体がシャフト組立体300の端部から流出するとき、第1外部ハウジングシール734は、シャフト310が回転するのを依然として許容しながら、冷却媒体が外部ハウジング軸受732に戻るのを防止する。その代わりに、冷却媒体はポート740から流出し或いは汲み出される。第2外部ハウジングシール保持リング712によって固定される第2外部ハウジングシール724は、電力供給組立体100を更に支持するよう構成され、戻される冷却媒体の漏れも防止しながら、電力供給組立体100と外部ハウジング本体710との間の電気絶縁をもたらすようにも構成され、冷却媒体は、シャフト組立体300の背部から並びにポート740から出て、冷却媒体は、そこで捕捉され、冷却され、再循環され得る。電極110は第2ハウジングシール714を通じて延出し、その地点で、当該技術分野において十分に理解されるように、電極110をRF電源800に電気的に接続し得る。ここに同様に開示されているのは、回転する円筒形の磁電管スパッタリング陰極装置で材料を蒸着する方法であって、磁電管スパッタリング陰極装置は、無線周波電源と、電力供給組立体と、回転する陰極と、シャフトと、駆動モータとを含む。詳細に上述した装置1は、この方法と関連して使用するのに適した1つの装置であるが、この方法を利用するために、装置1の機能の全てを含むことは必要でないことが理解されよう。既述のように、電力供給組立体100は、陰極200内に位置付けられる磁場源140と、陰極200内に延びる電極110とを含む。陰極200の犠牲標的205の外表面206は、標的材料を含む。電極110は、シャフト組立体300から電気的に絶縁され、シャフト組立体300は、陰極200と概ね同軸である。RF動作を促進するために、電極110及びシャフト組立体300は非鉄材料で形成される。上記特性を備える装置を考えるならば、電源に電極110を通じて1MHz以上の周波数にある無線周波エネルギを供給させることによって材料を蒸着し得る。次に、陰極200は磁場源140について回転させられる。基板材料がその上に蒸着されるべき物体を意味する290を陰極200の外表面に近接して位置付けることによって、陰極を通じて移転される電源からの無線周波エネルギは、磁場源140によって生成される磁場との組み合わせで、外表面206からの標的材料の粒子を基板290の上に噴射させる。13MHz以上、25MHz以上、300MHz以上、及び、1GHz以上の周波数規定の上限はないを含む代替的な周波数を使用し得る。1MHzより上の周波数がこの方法と共に使用されるとき、電極110が陰極200と直接的に電気的に接触する必要はない。何故ならば、2つの間で伝導されないならば、RFエネルギは伝送されないからである。この方法におけるより高い周波数のRF放射の利用は、伝導性材料を実質的に含まない非ドープ絶縁材料である標的材料のスパッタリングを許容する。このようにして、無線周波電源800と、酸化亜鉛又は酸化アルミニウムのような酸化物を非限定的に含む犠牲標的材料の外表面206を有する円筒形の回転する陰極200とを含む装置1を用いるならば、酸化物を直接的にスパッタリングすることが可能であり、ドーピングは不要である。既述のように、電源800に1MHz以上の周波数にある無線周波エネルギを供給させることによって、上記を達成し得る異なる用途において13MHz、25MHz、300MHz、及び、1GHzより上の周波数は全て適切であり、前記陰極200を回転させ、基板920を陰極200の外表面に近接して位置付け、それによって、無線周波エネルギ及び磁場は、陰極200に、基板920の上に粒子を噴射させる。上述の好適実施態様は例示的であることが意図され、限定的ではない。本発明の装置及び方法の他の変形及び実施態様が本明細書の観点から当業者に明らかであり、それらの全ては請求項に記載されるように本発明の範囲内にある。