セラミック非立方晶系フッ化物性レーザー材料。請求項1に記載の材料であり、前記材料は指向性結晶構造を持つ、材料。請求項1又は2のいずれか一項に記載の材料であり、前記材料が、LiYF4、LiGdF4、LiLuF4、KYF4、NaYF4、K2YF5、LiKYF5、LiKGdF5、LiCaAlF6、LiSrAlFe、K5LaLi2F10、BaY2F8、BaYb2F8及びそれらの混合物及びそれらの3元系化合物であって次のイオンCe3、Pr3、Nd3、Sm3、Eu3、Tb3、Dy3、Ho3、Er3、Yb3、Tm3、U3、Cr3またそれらの混合物の1以上でドープされる材料を含む群から選択される、材料。セラミック非立方晶系フッ化物性レーザー材料の製造方法であり、前記方法が、単軸熱-圧ステップを含む、方法。請求項4に記載の方法であり、前記熱-圧ステップが、一軸熱-圧ステップである、方法。請求項4又は5のいずれか一項に記載の方法であり、前記熱-圧ステップが、前記非立方晶系フッ化物性レーザー材料の融点より低く、温度範囲10°C異常で220°C以下で実施される、方法。セラミック非立方晶系フッ化物性レーザー材料を製造するための方法であり、押出しステップを含み、前記押し出しが前記非立方晶系フッ化物性レーザー材料を、圧縮室からオリフィスを通じて押すことで実施される、方法。請求項7に記載の方法であり、前記押出しの間、前記オリフィスの断面積が、前記圧縮室の最大直径の0.5以上である、方法。請求項7又は8のいずれか一項に記載の方法であり、前記押出しステップが、単軸熱-圧ステップを介して又はその間に起こる、方法。請求項1乃至3のいずれか一項に記載のレーザー材料及び/又は本発明の方法により製造されたレーザー材料を含むシステムであり、次の応用:固体レーザー、デジタル投影装置、光ファイバ製品、固体レーザーの医療用途。暖房製品、シンチレーション製品、X線検出装置、γ線検出装置、高エネルギー粒子検出装置、の1以上に使用される、システム。本発明の課題は、レーザー材料を提供することであり、前記材料は、少なくとも部分的に前記の欠点を解消し、供与体のより均一な分布を可能にする。この課題は本発明のレーザー材料で解決される。従って、セラミック非立方晶系フッ化物性レーザー材料、具体的には、固体レーザーで使用されるレーザー材料が提供される。本発明で用語セラミック材料とは、特に本質的に、結晶性又は多結晶性のポアの量が制御された又は無ポアの緻密材料又は組成物を意味するか含むものである。本発明において本質的にとは、具体的には90重量を超える、より好ましくは95重量を超える及びより好ましくは98重量を超えるものを意味するか含む。本発明において用語非立方晶系とは、具体的には、基本セルが立方晶系ではない材料を意味するか含む。本発明において用語フッ化物性とは、具体的には、前記材料中の全アニオンが2重量以下、好ましくは1重量以下で避けることなく含まれる不純物を除くとフッ化物を意味するか含む。本発明においてレーザー材料とは、固体レーザーでの活性材料であり、従って、励起波長で吸収を示し、誘導発光として前記レーザー波長で発光する材料を意味するか含む。驚くべきことに、かかる材料は、本発明の範囲内の広い範囲の応用のために、次の利点の少なくとも1つを持つ:前記材料内の供与体はより均一である、前記材料の実際の形状の自由度は、単結晶についてよりもセラミック材料についてより高いこと、組成物構造が特定応用のために必要とされる場合には、通常は単結晶よりもむしろセラミック材料で実用化が容易であること、である。本発明の好ましい実施態様によると、前記セラミック非立方晶系フッ化物性レーザー材料以下読みやすさのためにレーザー材料とするは指向性結晶構造を持つ。指向性結晶構造とは具体的には、前記セラミック体の個別の結晶子が本質的に、前記非立方晶系結晶構造の定められた軸に関して同じ方向を持つことを意味するか、又は前記非立方晶系結晶構造の定められた軸に沿って指向性となっていることを意味するか含む。好ましい実施態様によると、前記レーザー材料は、LiYF4、LiGdF4、LiLuF4、KYF4、NaYF4、K2YF5、LiKYF5、LiKGdF5、LiCaAlF6、LiSrAlFe、K5LaLi2F10、BaY2F8、BaYb2F8及びそれらの混合物及び/又は組成物-例えば限定されるものではないLiY、GdF4、LiY、LuF4など-であって次のイオンCe3、Pr3、Nd3、Sm3、Eu3、Tb3、Dy3、Ho3、Er3、Yb3、Tm3、U3、Cr3またそれらの混合物の1以上でドープされる材料を含む群から選択される。本発明のさらなる課題は、本発明によるレーザー材料の製造方法を提供する。この課題は本発明により解決される。従って、具体的には固体レーザーで使用されるセラミック非立方晶系フッ化物性レーザー材料の製造方法は、単軸熱圧ステップを含む。驚くべきことに、かかる方法を用いることで本発明のレーザー材料は容易に製造でき広い範囲の応用のための優れた材料構造を持つ。本発明において用語単軸熱圧プロセスとは当業者に十分理解されるものであり、粉末を、熱の適用下で剛性ダイ又はピストンを通じて単一の軸方向に圧力を付加することで圧縮して剛性形成体に圧縮することを含む。好ましくは前記方法は一軸単軸熱圧ステップを含む。これは多くの応用について実用上利点となることが見出された。本発明の好ましい実施態様によると、前記熱圧ステップは、前記レーザー材料の溶融点よりも低い温度で、10°C以上及び220°C以下の範囲で実施される。このことは、そのようにして最良のセラミックが製造されることから実用上有用であることが示される。好ましくは、前記熱圧ステップは、前記レーザー材料の溶融点よりも低い、15°C以上及び200°C以下、より好ましくは20°C以上及び100°C以下の範囲で実施される。本発明の実施態様によると、熱圧の前又はその間に、フラックス補助剤が前記レーザー材料に添加され、この量は好ましくは0.1重量以上で5重量以下、より好ましくは1重量以上で2重量以下である。しかし、これは選択的であり、多くの応用においてはフラックス補助剤は省略され得る。好適なフラックス補助剤は、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロシリケート及びヘキサフルオロアルミネートなどのフッ化物系材料である。前記課題はさらに、本発明の方法により解決される。従って、セラミック非立方晶系フッ化物性レーザー材料、特に固体レーザーの使用のための材料の製造が提供され、押出しステップを含み、これにより前記押出しは、前記非立方晶系フッ化物性レーザー材料をオリフィスを通じて圧縮室から押すことで実施される。驚くべきことに、かかる方法を用いることで本発明のレーザー材料は容易に製造され、広い範囲の応用に適する優れた材料構造を与えるもとが見出された。さらなり利点として、本発明方法で製造された前記セラミック材料は通常その押出しステップによる指向性結晶構造を持つことが見出された、ことである。理論に縛られるものではなく、本発明者は、この押出し技術により前記材料は粉末から指向性セラミックへ相転移をしたものと考えている。本発明の好ましい実施態様によると、前記押出しは、前記非立方晶系フッ化物性レーザー材料をオルフィスを通じて圧縮室から押すことで実施され、ここで前記オリフィスの断面積では前記圧縮室の最大直径の0.5以上である。好ましくは、前記オリフィスの断面積は前記圧縮室の最大直径の0.5以上で20以下、より好ましくは1以上で15以下及び最も好ましくは2以上で10以下である。好ましくは前記押出しステップは、単軸熱圧ステップを介して又はその間に生じる。このことは、そうすることで前記オリフィスが、少なくとも1つのプランジャとダイを持つ装置を用いて実施され、それにより前記プランジャが前記ダイの内部直径よりも小さい直径を持つことが可能となることから、有利であることが見出された。本発明の好ましい実施態様によると、前記押出しステップは、前記レーザー材料の融点より低い温度で、温度範囲が10以上220°C以下で実施される。このことは実用上、そうすることで最良のセラミックが製造される、ということから有用である。好ましくは、前記熱圧ステップは、温度範囲が、前記レーザー材料の融点より低い温度で、20°C以上100°C以下で実施される。本発明の好ましい実施態様によると、前記押出し材料の流れが温度及び圧力で、質量流速が0.02g/時間/mm2以上で20g/時間/mm2以下に調節される。そうすることで、前記材料は、本発明の範囲内にほとんどの応用に容易にかつ効果的にセラミックに容易に変換される。このことは、前記質量流速は0.1g/時間/mm2以上で10g/時間/mm2以下である。本発明の好ましい実施態様によると、前記オリフィスの断面は、正方形、長方形、円系又は他の望ましい形状であって、押出非立方晶系フッ化物性レーザー材料を他の任意の断面形状を持つ正方形ロッド、バー、ファイバ又は塊を形成するものである。本発明の実施態様によると、熱圧工程の前又はその間に前記レーザー材料にフラックス補助剤を添加され、その量は好ましくは0.1重量以上で5重量以下、より好ましくは1重量以上で2重量以下である。しかし、これは選択的であり、多くの応用ではフラックス補助剤は省略され得る。好適なフラックス補助剤は、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロシリケート及びヘキサフルオロアルミネートなどのフッ化物性材料である。本発明はさらに、本発明のレーザー材料及び/又は本発明の方法により製造されたレーザー材料を含むシステムに関連し、次の応用の1以上に使用される:固体レーザー、デジタル投影装置、光ファイバ製品、固体レーザーの医療用途、暖房製品、シンチレーション製品、X線検出装置、γ線検出装置、高エネルギー粒子検出装置、である。前記の部品、特許請求される部品及び詳細な説明において本発明により使用される部品は、その寸法、形状、材料選択に関してはなんら特別な例外の対象とはならず、当該技術分野で知られた選択基準が制限なく適用可能である。本発明の課題のさらなる詳細な説明、構成、特徴及び利点は、特許請求の範囲に記載されており、それぞれ以下、図面及び実施例の記載は、例示的に本発明によるレーザー材料のいくつかの実施態様と実施例を示す。図1は実施例Iによる本発明のレーザー材料のXRD。パターンを示す。このレーザー材料は、熱-単軸圧方法以下で示すを用いて製造された。図3及び4は前記材料の電子顕微鏡写真である。XRDパターン及び顕微鏡写真も共に、前記材料が相-純粋であり、均一な密度を持ち、多結晶性緻密性であり、粒子サイズが10から50μmであることを明らかに示す。図2は、実施例IIによる本発明のレーザー材料のXRDパターンを示す。このレーザー材料は、押出しステップ以下示されるを用いて製造された。図5、6は前記材料の電子顕微鏡写真を示す。XRDパターン及び顕微鏡写真も共に、前記材料が相-純粋であり、均一な密度を持ち、多結晶性緻密性であり、粒子サイズが約サブミリメートルの範囲であることを明らかに示す。前記材料の写真が図7に示される。図12から13では、この材料が指向性を持つことが分かる。実験実施例I実施例Iのレーザー材料は、図8及び9を用いて説明される、熱-短軸圧ステップで製造された。図8は、本発明の実施態様による熱-単軸圧装置1の模式図である。この装置では、セラミック変換される前記材料10、前記実施例ではLiYF4:Prが、ダイ50と2つのプランジャ40の間の空間で粉末形状で設けられる。副反応を防止し、製造プロセスを容易にするために、前記プランジャは、前記材料10に向けられてPt-箔20が備えられ、及びさらに前記プランジャ40と前記Pt-箔20との間にモリブデン30の層が設けられる。一方又は両方の側から前記矢印の方向に圧力を付加することで、前記材料は緻密化されて均一なセラミックとなる。前記実施例Iのレーザー材料は、65MPa、650°Cで、熱-短軸圧を用いて製造された。図10は、本発明による熱-短軸圧方法で得られる結果HUP-01、HUP-02、HUP-06と、本発明によらない比較方法で得られた結果を並べて示す。前記3つの本方法についての実験データは次のとおりである:HUP-01:50MPa、650°C、フラックスなし、HUP-02:50MPa、650°C、1フラックス補助剤LiBF4、HUP-06:50MPa、750°C、1フラックス補助剤LiBF4。図10から分かるように、本発明の方法により製造されるレーザー材料について幾何学的密度は95を超え、一方で比較方法では劣った結果を与えた。比較方法のいくつかは以下説明される:CUO75MPa:冷間静水圧75MPaCUPXMPaはXMPaと類似焼成NH4HF2:焼成剤/バインダーとしてNH4HF2を用いるCUP圧後前記材料の無圧焼成、ブタノール焼成:ブタノールを焼成剤/バインダーとして使用してCUP圧後の前記材料の無圧焼成、反応性焼成NH4HF2:前記と類似、反応性焼成:前記と類似するがバインダー又は焼成剤なし。実施例II実施例IIによるレーザー材料は、押出しステップ方法で製造された。この方法では、図8の装置が、前記ダイよりも小さい直径を持つ1つのプランジャを持つものに変更し、それにより1つのオリフィスが形成され、これは前記ダイこれは圧縮室を形成の面積に約2の面積を持つ。前記ダイ50内部の前記プランジャ40の断面は図11に示される。正確には、前記プランジャは21.1mmの直径を持ち、一方前記ダイの直径は21.4mmであり、その結果オリフィスの面積は約10mm2となった。出発物質LiYF4を約700°Cに加熱し、圧力を付加した。約17MPaで、前記LiYF4:Prが前記オリフィスから押し出され始めることが観察された。5時間後、10の出発物質が前記オリフィスを出てセラミック形状となり;温度を790°Cに上げ即ち約20°C融点812°Cより低い温度及びより圧力を付加すると押出が加速され、24MPaで5時間後、約70の出発物質がオリフィスを出た;そこで押出しを停止した。図7は、得られたセラミックLiYF4:Prの写真を示し;前記材料が本質的に優れた透明性を持つセラミックであることが分かる。図12は、50°と140°での偏光計を用いた実施例IIの材料の発光を示す2つの併置されたグラフを表し、図13は実施例IIの材料の523nm対640nmでの発光の比率を示す比率図を示す。図12及び図13の両方から、全セラミック全体が指向性粒子からなること、本発明で示される押出方法を用いることで、方向付けられた結晶構造を持つ指向性材料が達成されることが明確に分かる。留意されるべきことは、最善の結果は、前記プランジャが前記ダイ内で中心化されていない場合に達成される図11のようにということであるが、但しこれに限定されるものではなく、実際の応用に依存する。さらに留意されるべきことは、前記ダイが内部直径21.2mmプランジャ直径21.1mmを持つ場合には、押出しは観察されないこということであるが;しかしセラミック材料は達成され得る上で説明した単軸熱-圧方法によりということである。上で示したように、いくつかの実験ではフラックス非助剤1LiBF4が添加されたが、しかし、前記方法はフラックス補助剤の使用に限定されるものではなく、実際の応用に依存してフラックス補助剤は省略又は添加などされ得る。前記詳細な実施例での要素及び構成の具体的な組み合わせは例示のためだけのものであり;これらの教示は、本明細書及び参照されて援用された他の教示と交換、置換することもまた明示的に含まれる。当該技術分野の当業者は理解するように、ここで記載されたものの変更、修正及びその他の実装は、本発明の範囲及び本質から離れることなく、当業者に想到し得るものである。従って、前記記載は例示の方法によるものであり、なんら限定するものではない。特許請求の範囲において、用語含むは他の要素やステップを排除するもではなく、1つのは複数を排除するものではない。ある手段が相互に異なる従属請求項に引用されているという単なる事実は、これらの組み合わせが有利ではない、ということを意味するものではない。本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲及びその均等の範囲で定められる。さらに、明細書及び特許請求の範囲の符号は本発明の範囲を限定するように使用されるべきではない。