設定された計測期間において入力信号のパルスをカウントして計測カウント値を出力する第1のカウンターと、前記入力信号よりも高い周波数を有する基準クロック信号が供給され、前記第1のカウンターが前記計測期間における前記入力信号の最初のパルスをカウントしてから前記計測期間が終了するまで前記基準クロック信号のパルスをカウントしてタイムカウント値を出力する第2のカウンターと、前記計測期間において前記第1のカウンターから出力される前記計測カウント値及び前記第2のカウンターから出力される前記タイムカウント値に基づいて、前記第1のカウンターが前記計測期間における前記入力信号の最初のパルスをカウントしてから前記計測期間が終了するまでにおける前記入力信号のパルス数の整数部分及び整数未満部分を含む複合カウント値を求めるデータ変換回路と、を具備するカウンター回路。前記計測期間における前記計測カウント値の最終値をNとしNは2以上の整数、前記計測カウント値がN-2となったときの前記タイムカウント値をTCN-2とし、前記計測カウント値がN-1となったときの前記タイムカウント値をTCN-1とし、前記計測期間における前記タイムカウント値の最終値をLMとした場合に、前記データ変換回路が、LM-TCN-1/TCN-1-TCN-2に基づいて前記複合カウント値の整数未満部分を求める、請求項1記載のカウンター回路。接続される抵抗又はサーミスターの抵抗値とキャパシターの容量値との時定数に関連する周波数で発振して発振信号を生成する発振回路と、前記発振回路によって生成される前記発振信号を入力する請求項1又は2記載のカウンター回路と、を具備し、前記データ変換回路が、前記第1のカウンターが前記計測期間における前記発振信号の最初のパルスをカウントしてから前記計測期間が終了するまでにおける前記発振信号のパルス数の整数部分及び整数未満部分を含む前記複合カウント値を求め、さらに、前記複合カウント値に対応する温度を求める、半導体集積回路。前記カウンター回路が、第1の計測期間において、基準抵抗を用いて発振するように前記発振回路を制御すると共に、その後、第2の計測期間において、サーミスターを用いて発振するように前記発振回路を制御する制御回路と、前記第1の計測期間において前記計測カウント値が所定の値に等しくなったときの前記タイムカウント値を、前記計測期間の終期を規定する設定カウント値として格納する格納回路と、をさらに具備し、前記データ変換回路が、前記第2の計測期間において前記第1のカウンターから出力される前記計測カウント値及び前記第2のカウンターから出力される前記タイムカウント値に基づいて前記複合カウント値を求める、請求項3記載の半導体集積回路。半導体基板のNウエルに形成された抵抗、及び、前記半導体基板に形成されたキャパシターを含み、前記抵抗の抵抗値と前記キャパシターの容量値との時定数に関連する周波数で発振して発振信号を生成する発振回路と、前記発振回路によって生成される前記発振信号を入力する請求項1又は2記載のカウンター回路と、を具備し、前記データ変換回路が、前記第1のカウンターが前記計測期間における前記発振信号の最初のパルスをカウントしてから前記計測期間が終了するまでにおける前記発振信号のパルス数の整数部分及び整数未満部分を含む前記複合カウント値を求め、さらに、前記複合カウント値に対応する温度を求める、半導体集積回路。複数の参照温度を表す温度データと、複数の参照カウント値を表すカウント値データとを対応して格納するルックアップテーブルをさらに具備し、前記データ変換回路が、前記複合カウント値又はその整数部分に基づいて前記ルックアップテーブルを参照し、前記ルックアップテーブルから読み出された温度データに基づいて前記複合カウント値に対応する温度を求める、請求項3~5のいずれか1項記載の半導体集積回路。前記データ変換回路が、前記複合カウント値又はその整数部分に最も近い第1の参照カウント値を表す第1のカウント値データ、及び、それに対応する第1の温度データと、前記複合カウント値又はその整数部分に2番目に近い第2の参照カウント値を表す第2のカウント値データ、及び、それに対応する第2の温度データとを、前記ルックアップテーブルから読み出し、前記複合カウント値と前記第1及び第2の参照カウント値との関係に基づいて、前記第1及び第2の温度データによってそれぞれ表される第1及び第2の参照温度を補間することにより、前記複合カウント値に対応する温度を求める、請求項6記載の半導体集積回路。特許文献1の第1図においては、測温抵抗体の抵抗値に依存する周波数で発振する非安定マルチ12から所定数のパルスが出力される間において、基準発振器11の出力パルス列に含まれているパルスの数がカウントされる。しかしながら、非安定マルチ12から出力されるパルスの数を精度良くカウントすることに関しては、特に開示されていない。本発明の1つの観点に係るカウンター回路は、設定された計測期間において入力信号のパルスをカウントして計測カウント値を出力する第1のカウンターと、該入力信号よりも高い周波数を有する基準クロック信号が供給され、第1のカウンターが計測期間における入力信号の最初のパルスをカウントしてから計測期間が終了するまで基準クロック信号のパルスをカウントしてタイムカウント値を出力する第2のカウンターと、計測期間において第1のカウンターから出力される計測カウント値及び第2のカウンターから出力されるタイムカウント値に基づいて、第1のカウンターが計測期間における入力信号の最初のパルスをカウントしてから計測期間が終了するまでにおける入力信号のパルス数の整数部分及び整数未満部分を含む複合カウント値を求めるデータ変換回路とを含む。本発明の1つの観点に係るカウンター回路によれば、入力信号のパルスをカウントする第1のカウンターから出力される計測カウント値と、基準クロック信号のパルスをカウントする第2のカウンターから出力されるタイムカウント値に基づいて、入力信号のパルス数の整数部分及び整数未満部分を含む複合カウント値を求めるので、計測期間において入力信号に含まれているパルスの数を精度良く求めることができる。ここで、計測期間における計測カウント値の最終値をNとしNは2以上の整数、計測カウント値がN-2となったときのタイムカウント値をTCN-2とし、計測カウント値がN-1となったときのタイムカウント値をTCN-1とし、計測期間におけるタイムカウント値の最終値をLMとした場合に、データ変換回路が、LM-TCN-1/TCN-1-TCN-2に基づいて複合カウント値の整数未満部分を求めるようにしてもよい。また、本発明の第1の観点に係る半導体集積回路は、接続される抵抗又はサーミスターの抵抗値とキャパシターの容量値との時定数に関連する周波数で発振して発振信号を生成する発振回路と、発振回路によって生成される発振信号を入力する本発明のいずれかの観点に係るカウンター回路とを含み、データ変換回路が、第1のカウンターが計測期間における発振信号の最初のパルスをカウントしてから計測期間が終了するまでにおける発振信号のパルス数の整数部分及び整数未満部分を含む複合カウント値を求め、さらに、複合カウント値に対応する温度を求める。ここで、カウンター回路が、第1の計測期間において、基準抵抗を用いて発振するように発振回路を制御すると共に、その後、第2の計測期間において、サーミスターを用いて発振するように発振回路を制御する制御回路と、第1の計測期間において計測カウント値が所定の値に等しくなったときのタイムカウント値を、計測期間の終期を規定する設定カウント値として格納する格納回路とをさらに含み、データ変換回路が、第2の計測期間において第1のカウンターから出力される計測カウント値及び第2のカウンターから出力されるタイムカウント値に基づいて複合カウント値を求めるようにしてもよい。さらに、本発明の第2の観点に係る半導体集積回路は、半導体基板のNウエルに形成された抵抗、及び、半導体基板に形成されたキャパシターを含み、抵抗の抵抗値とキャパシターの容量値との時定数に関連する周波数で発振して発振信号を生成する発振回路と、発振回路によって生成される発振信号を入力する本発明のいずれかの観点に係るカウンター回路と含み、データ変換回路が、第1のカウンターが計測期間における発振信号の最初のパルスをカウントしてから計測期間が終了するまでにおける発振信号のパルス数の整数部分及び整数未満部分を含む複合カウント値を求め、さらに、複合カウント値に対応する温度を求める。本発明の第1又は第2の観点に係る半導体集積回路は、複数の参照温度を表す温度データと、複数の参照カウント値を表すカウント値データとを対応して格納するルックアップテーブルをさらに含み、データ変換回路が、複合カウント値又はその整数部分に基づいてルックアップテーブルを参照し、ルックアップテーブルから読み出された温度データに基づいて複合カウント値に対応する温度を求めるようにしてもよい。その場合に、データ変換回路が、複合カウント値又はその整数部分に最も近い第1の参照カウント値を表す第1のカウント値データ、及び、それに対応する第1の温度データと、複合カウント値又はその整数部分に2番目に近い第2の参照カウント値を表す第2のカウント値データ、及び、それに対応する第2の温度データとを、ルックアップテーブルから読み出し、複合カウント値と第1及び第2の参照カウント値との関係に基づいて、第1及び第2の温度データによってそれぞれ表される第1及び第2の参照温度を補間することにより、複合カウント値に対応する温度を求めるようにしてもよい。本発明の第1又は第2の観点に係る半導体集積回路によれば、発振信号のパルス数の整数部分及び整数未満部分を含む複合カウント値に基づいて温度を求めるので、低温の環境において発振信号の周波数が低くなった場合においても、精度の高い温度計測を行うことが可能となる。あるいは、温度計測において有効精度を得るための計測時間を短縮することが可能となる。計測時間の短縮に伴い、1回の温度計測のために消費されるエネルギーも低減される。以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、説明を省略する。図1は、本発明の一実施形態に係るカウンター回路を用いた温度計測回路の第1の構成例を示すブロック図である。この温度計測回路は、基準クロック信号生成回路10と、基準抵抗REFと、サーミスターQTMと、キャパシターCSHと、分周回路20と、発振回路30と、カウンター回路40と、温度データLUTルックアップテーブル60とを含んでもよい。温度データLUT60は、ROM等の不揮発性メモリーによって実現される。第1の構成例においては、それらの構成要素の内で、分周回路20~温度データLUT60が、半導体集積回路IC100に内蔵されている。あるいは、半導体集積回路100に内蔵されている温度データLUT60に替えて、半導体集積回路100に外付けされるEEPROM電気的に書き込み及び消去可能な読出し専用メモリー70によって温度データLUTを実現するようにしてもよい。その場合には、様々な抵抗の温度特性に迅速に対応して温度データLUTを作成することができる。基準クロック信号生成回路10は、例えば、水晶振動子を用いて、10MHz~30MHzの範囲内の周波数を有する基準クロック信号CK1を生成する。分周回路20は、基準クロック信号生成回路10によって生成された基準クロック信号CK1を所定の分周比で分周することにより、例えば、2MHzの周波数を有する基準クロック信号CK2を出力する。この基準クロック信号CK2は、発振回路30によって生成される発振信号OSよりも十分に高い周波数を有している。発振回路30は、NAND回路31及び32と、PチャネルMOSトランジスター33及び34と、シュミットトリガー回路35と、NチャネルMOSトランジスター36とを含んでおり、外付けの基準抵抗REF又はサーミスターQTMとキャパシターCSHとが接続されたときに発振して発振信号を生成する。基準抵抗REFは、例えば金属皮膜抵抗であり、温度変化に対して電気抵抗値がほとんど変化しない。一方、サーミスターQTMは、温度変化に対して電気抵抗値の変化が大きい抵抗体である。なお、キャパシターCSHは、半導体集積回路100に内蔵されてもよい。NAND回路31の一方の入力端子非反転入力端子には、発振制御信号OC1が印加される。NAND回路31の出力端子は、トランジスター33のゲートに接続されている。トランジスター33のソースは、電源電位VDDに接続され、トランジスター33のドレインは、基準抵抗REFの一端に接続されている。基準抵抗REFの他端は、キャパシターCSHの一端、及び、シュミットトリガー回路35の入力端子に接続されている。NAND回路32の一方の入力端子非反転入力端子には、発振制御信号OC2が印加される。NAND回路32の出力端子は、トランジスター34のゲートに接続されている。トランジスター34のソースは、電源電位VDDに接続され、トランジスター34のドレインは、サーミスターQTMの一端に接続されている。サーミスターQTMの他端は、キャパシターCSHの一端、及び、シュミットトリガー回路35の入力端子に接続されている。キャパシターCSHの他端は、電源電位VSSに接続されているVSS<VDD。シュミットトリガー回路35の出力端子は、NAND回路31及び32の他方の入力端子反転入力端子、及び、トランジスター36のゲートに接続されている。トランジスター36のドレインは、シュミットトリガー回路35の入力端子に接続され、トランジスター36のソースは、電源電位VSSに接続されている。発振制御信号OC1がハイレベルに活性化されて発振制御信号OC2がローレベルに非活性化されると、NAND回路31の非反転入力端子にハイレベルの発振制御信号OC1が印加される。NAND回路31の出力信号は、トランジスター33によって反転され、基準抵抗REFを介してキャパシターCSH及びシュミットトリガー回路35の入力端子に印加される。シュミットトリガー回路35の出力信号は、NAND回路31の反転入力端子に印加される。これにより、CR型の発振回路が形成される。この発振回路の発振周波数は、基準抵抗REFの抵抗値とキャパシターCSHの容量値との時定数に関連して決定される。NAND回路32の一方の入力端子非反転入力端子にはローレベルの発振制御信号OC2が印加されるので、NAND回路32の出力はハイレベルに固定され、トランジスター34はオフ状態を維持する。一方、発振制御信号OC2がハイレベルに活性化されて発振制御信号OC1がローレベルに非活性化されると、NAND回路32の非反転入力端子にハイレベルの発振制御信号OC2が印加される。NAND回路32の出力信号は、トランジスター34によって反転され、サーミスターQTMを介してキャパシターCSH及びシュミットトリガー回路35の入力端子に印加される。シュミットトリガー回路35の出力信号は、NAND回路32の反転入力端子に印加される。これにより、CR型の発振回路が形成される。この発振回路の発振周波数は、サーミスターQTMの抵抗値とキャパシターCSHの容量値との時定数に関連して決定される。NAND回路31の非反転入力端子にはローレベルの発振制御信号OC1が印加されるので、NAND回路31の出力はハイレベルに固定され、トランジスター33はオフ状態を維持する。カウンター回路40は、タイムベースカウンター41と、カウント値レジスター42と、サンプリングバッファー43及び44と、遅延回路45と、ゲート信号生成回路46と、AND回路47と、遅延回路48と、制御回路50と、メジャーカウンター51と、カウント値レジスター52と、カウント値バッファー53と、データ変換回路54とを含んでいる。タイムベースカウンター41には、分周回路20によって分周された基準クロック信号CK2が供給される。タイムベースカウンター41は、制御回路50の制御の下でカウント動作を開始し、基準クロック信号CK2のパルスをカウントして、タイムカウント値TCを出力する。カウント値レジスター42は、例えば、複数のDフリップフロップによって構成される格納回路であり、計測期間の終期を規定する設定カウント値LMを格納する。サンプリングバッファー43及び44の各々は、例えば、複数のDフリップフロップによって構成され、遅延回路45によって所定の時間だけ遅延された発振信号OSに同期して、タイムカウント値TCを順次格納する。ゲート信号生成回路46は、計測期間が開始された際に制御回路50がカウント制御信号CC1をハイレベルに活性化すると、ゲート信号GSをハイレベルに活性化する。その後、タイムベースカウンター41は、タイムカウント値TCが設定カウント値LMに等しくなると、カウント制御信号CC3をハイレベルに活性化して、カウント動作を終了する。ゲート信号生成回路46は、カウント制御信号CC3がハイレベルに活性化されると、ゲート信号GSをローレベルに非活性化する。AND回路47は、ゲート信号生成回路46によって生成されるゲート信号GSと、発振信号OSとの論理積を求めることにより、ゲート信号GSがハイレベルに活性化されている計測期間において、発振信号OSを出力する。メジャーカウンター51は、計測期間において、AND回路47から出力される発振信号OSのパルスをカウントして、計測カウント値MCを出力する。カウント値レジスター52は、例えば、複数のDフリップフロップによって構成され、発振信号OSのパルスの目標カウント値を格納する。カウント値バッファー53は、例えば、複数のDフリップフロップによって構成され、遅延回路48によって所定の時間だけ遅延された発振信号OSに同期して、計測カウント値MCを順次格納する。データ変換回路54は、計測期間においてメジャーカウンター51から出力される計測カウント値MC及びタイムベースカウンター41から出力されるタイムカウント値TCに基づいて、メジャーカウンター51が計測期間における発振信号OSの最初のパルスをカウントしてから計測期間が終了するまでにおける発振信号OSのパルス数の整数部分及び整数未満部分を含む複合カウント値を求める。ここで、図1に示す温度計測回路の第1の動作例について詳しく説明する。第1の動作例においては、発振回路30がサーミスターQTMを用いて発振して出力する発振信号のパルスのカウント値に基づいて、サーミスターQTM周辺の温度が計測される。なお、基準抵抗REFは使用されない。まず、制御回路50が、発振制御信号OC1をハイレベルに活性化することにより、発振回路30が発振動作を開始する。また、制御回路50が、カウンター回路40の各部を初期化することにより、メジャーカウンター51及びタイムベースカウンター41の動作及びカウント値等がリセットされる。初期化において、制御回路50は、カウント制御信号CC1をローレベルに非活性化し、メジャーカウンター51は、カウント制御信号CC2をローレベルに非活性化し、タイムベースカウンター41は、カウント制御信号CC3をローレベルに非活性化する。また、制御回路50は、カウント値レジスター42に設定カウント値LMを格納する。計測期間が開始すると、制御回路50は、カウント制御信号CC1をハイレベルに活性化する。これにより、ゲート信号生成回路46においてゲート信号GSがハイレベルに活性化され、発振回路30によって生成される発振信号OSがAND回路47を介してメジャーカウンター51に入力されて、メジャーカウンター51のカウント動作が開始する。メジャーカウンター51が、発振信号OSのパルスをカウントすると、計測カウント値MCの値は、例えば、0、1、2、と変化する。ここで、メジャーカウンター51は、計測期間における発振信号OSの最初のパルスをカウントすると、カウント制御信号CC2をハイレベルに活性化する。これにより、制御回路50が、タイムベースカウンター41にカウント動作を開始させる。タイムベースカウンター41が、分周回路20によって分周された基準クロック信号CK2のパルスをカウントすると、タイムカウント値TCの値は、例えば、0、1、2、と変化する。サンプリングバッファー43及び44の各々は、遅延回路45から出力される発振信号OSに同期して、タイムカウント値TCを順次格納する。タイムベースカウンター41は、タイムカウント値TCが設定カウント値LMに等しくなると、カウント制御信号CC3をハイレベルに活性化して、カウント動作を終了する。これにより、ゲート信号生成回路がゲート信号GSをローレベルに非活性化するので、AND回路47の出力がローレベルに固定され、メジャーカウンター51におけるカウント動作も終了する。例えば、メジャーカウンター51が計測期間における発振信号OSの最初のパルスをカウントして出力する計測カウント値をゼロとし、計測期間における計測カウント値の最終値をNとするNは2以上の整数。計測期間における計測カウント値の最終値Nは、カウント値バッファー53に格納されている。また、計測期間におけるタイムカウント値の最終値、即ち、設定カウント値LMは、カウント値レジスター42に格納されている。さらに、計測カウント値がN-1となったときのタイムカウント値TCN-1は、サンプリングバッファー43に格納されており、計測カウント値がN-2となったときのタイムカウント値TCN-2は、サンプリングバッファー44に格納されている。データ変換回路54は、カウント値バッファー53に格納されている計測期間における計測カウント値の最終値Nと、カウント値レジスター42に格納されている設定カウント値LMと、サンプリングバッファー43及び44にそれぞれ格納されているタイムカウント値TCN-1及びTCN-2に基づいて、メジャーカウンター51が計測期間における発振信号OSの最初のパルスをカウントしてから計測期間が終了するまでにおける発振信号OSのパルス数の整数部分及び整数未満部分を含む複合カウント値を求める。複合カウント値の整数部分はNであり、複合カウント値の整数未満部分は、LM-TCN-1/TCN-1-TCN-2に基づいて求めることができる。さらに、データ変換回路54は、求められた複合カウント値に基づいて温度データLUT60を参照することにより、複合カウント値に対応する温度を求める。温度データLUT60は、複数の参照温度を表す温度データと、複数の参照カウント値を表すカウント値データとを対応して格納している。図2は、図1に示す温度計測回路の具体的な動作例を説明するための図である。発振回路30において、キャパシターCSHへの充放電によって生じる電圧が、シュミットトリガー回路35の入力端子に印加される。シュミットトリガー回路35は、入力電圧波形に基づいて発振信号OSを出力する。入力電圧がハイレベル閾値に達すると発振信号OSはハイレベルとなり、入力電圧がローレベル閾値に達すると発振信号OSはローレベルとなる。時刻tmにおいて、設定されたタイミングに従って計測期間が開始すると、制御回路50が、カウンター回路40に計測動作を開始させる。制御回路50がカウント制御信号CC1をハイレベルに活性化することにより、ゲート信号GSがハイレベルに活性化されて、メジャーカウンター51がカウント動作を開始する。なお、サンプリングバッファー43及び44には、リセットされたタイムカウント値0が格納されている。時刻t0において、メジャーカウンター51が、発振信号OSの第1番目のパルス立ち上がりエッジをカウントして、計測カウント値0を出力すると共に、カウント制御信号CC2をハイレベルに活性化する。これにより、タイムベースカウンター41も、カウント動作を開始する。タイムベースカウンター41は、基準クロック信号CK2のパルスをカウントして、タイムカウント値0を出力する。遅延回路45から出力される発振信号OSのパルスに同期して、サンプリングバッファー43は、時刻t0において得られたタイムカウント値0をラッチし、サンプリングバッファー44は、リセットされたタイムカウント値0をラッチする。時刻t1において、メジャーカウンター51は、発振信号OSの第2番目のパルスをカウントして、計測カウント値1を出力する。一方、タイムベースカウンター41は、基準クロック信号CK2のパルスをカウントして、タイムカウント値Aを出力する。遅延回路45から出力される発振信号OSのパルスに同期して、サンプリングバッファー43は、時刻t1において得られたタイムカウント値Aをラッチし、サンプリングバッファー44は、時刻t0において得られたタイムカウント値0をラッチする。時刻t2において、メジャーカウンター51は、発振信号OSの第3番目のパルスをカウントして、計測カウント値2を出力する。一方、タイムベースカウンター41は、基準クロック信号CK2のパルスをカウントして、タイムカウント値Bを出力する。遅延回路45から出力される発振信号OSのパルスに同期して、サンプリングバッファー43は、時刻t2において得られたタイムカウント値Bをラッチし、サンプリングバッファー44は、時刻t1において得られたタイムカウント値Aをラッチする。時刻t3において、メジャーカウンター51は、発振信号OSの第4番目のパルスをカウントして、計測カウント値3を出力する。遅延回路48から出力される発振信号OSのパルスに同期して、カウント値バッファー53は、時刻t3において得られた計測カウント値3をラッチする。一方、タイムベースカウンター41は、基準クロック信号CK2のパルスをカウントして、タイムカウント値Cを出力する。遅延回路45から出力される発振信号OSのパルスに同期して、サンプリングバッファー43は、時刻t3において得られたタイムカウント値Cをラッチし、サンプリングバッファー44は、時刻t2において得られたタイムカウント値Bをラッチする。時刻t4において、タイムベースカウンター41は、基準クロック信号CK2のパルスをカウントして、タイムカウント値LMを出力する。タイムカウント値LMは、カウント値レジスター42に格納されている設定カウント値LMと等しいので、タイムベースカウンター41は、カウント制御信号CC3をハイレベルに活性化して、カウント動作を停止する。これにより、ゲート信号生成回路46が、ゲート信号GSをローレベルに非活性化するので、メジャーカウンター51もカウント動作を停止する。このとき、サンプリングバッファー43には、時刻t3において得られたタイムカウント値Cが格納されており、サンプリングバッファー44には、時刻t2において得られたタイムカウント値Bが格納されている。データ変換回路54のカウント端数算出回路541は、カウント値レジスター42に格納されている設定カウント値LMと、サンプリングバッファー43に格納されているタイムカウント値Cと、サンプリングバッファー44に格納されているタイムカウント値Bとに基づいて、時刻t2から時刻t3までにおける発振信号OSの1周期分のタイムカウント値C-Bと、時刻t3から時刻t4までにおける端数分のタイムカウント値LM-Cとを算出して、複合カウント値の整数未満部分をLM-C/C-Bに基づいて算出する。例えば、1/32カウントを単位として複合カウント値を求める場合には、32×LM-C/C-Bを整数化した値Mが算出され、複合カウント値の整数未満部分が、M/32として表され、複合カウント値が、3M/32として表される。値Mを整数化する際には、小数第1位において、切り捨て、切り上げ、又は、四捨五入が行われる。あるいは、複合カウント値の整数未満部分を小数で表しても良い。その場合には、所望の位において、切り捨て、切り上げ、又は、四捨五入が行われる。温度データ読出回路542は、複合カウント値3M/32に基づいて温度データLUT60を参照してもよいし、複合カウント値の整数部分3に基づいて温度データLUT60を参照してもよい。後者の場合には、温度データの読出しに要する処理が簡素化される。いずれにしても、温度データ読出回路542は、複合カウント値又はその整数部分に最も近い第1の参照カウント値を表す第1のカウント値データ、及び、それに対応する第1の温度データと、複合カウント値又はその整数部分に2番目に近い第2の参照カウント値を表す第2のカウント値データ、及び、それに対応する第2の温度データとを、温度データLUT60から読み出す。補間回路543は、複合カウント値と第1及び第2の参照カウント値との関係に基づいて、第1及び第2の温度データによって表される第1及び第2の参照温度を補間内挿又は外挿することにより、複合カウント値に対応する温度を求める。以下においては、温度データLUT60に、8°C刻みの参照温度を表す温度データと、それに対応する参照カウント値を表すカウント値データとが格納されている場合に付いて説明する。例えば、参照温度25°Cを表す温度データに対応して、参照カウント値1000.0が格納されており、参照温度33°Cを表す温度データに対応して、参照カウント値950.5が格納されているものとする。温度データ読出回路542は、複合カウント値が98315/32である場合に、複合カウント値の整数部分983に最も近い参照カウント値1000.0を表す第1のカウント値データ、及び、それに対応する第1の温度データと、複合カウント値の整数部分983に2番目に近い参照カウント値950.5を表す第2のカウント値データ、及び、それに対応する第2の温度データとを、温度データLUT60から読み出して、補間回路543に出力する。補間回路543は、複合カウント値98315/32と参照カウント値1000.0及び950.5との関係に基づいて、第1及び第2の温度データによってそれぞれ表される参照温度25°C及び33°Cを補間することにより、複合カウント値98315/32に対応する温度27.67°Cを求める。ここで、低温の環境においてのみ計測カウント値の整数未満部分を求めて計測精度を改善し、高温の環境においては計測カウント値の整数未満部分を求めないようにしてもよい。あるいは、高温の環境において、タイムベースカウンター41にカウントリミットを設けて、有効精度を得た時点でカウント動作を停止することにより、必要以上のカウントを行わないようにしてもよい。その場合には、例えば、制御回路50が、計測期間においてメジャーカウンター51から出力される計測カウント値が所定の値を超える場合に、サーミスターQTMが高温の環境にあると判定して、カウント値レジスター42に格納される設定カウント値を通常よりも小さい第2の設定カウント値に変更すると共に、第2の設定カウント値に対応した第2の温度データLUTを参照するようにデータ変換回路54を制御する。第1の動作例によれば、発振信号のパルス数の整数部分及び整数未満部分を含む複合カウント値に基づいて温度を求めるので、低温の環境において発振信号OSの周波数が低くなった場合においても、精度の高い温度計測を行うことが可能となる。あるいは、温度計測において有効精度を得るための計測時間を短縮することが可能となる。計測時間の短縮に伴い、1回の温度計測のために消費されるエネルギーも低減される。次に、図1に示す温度計測回路の第2の動作例について詳しく説明する。第2の動作例においては、第1の計測期間において発振回路30が基準抵抗REFを用いて発振して出力する発振信号OSのパルスのカウント値と、第2の計測期間において発振回路30がサーミスターQTMを用いて発振して出力する発振信号OSのパルスのカウント値とに基づいて、サーミスターQTM周辺の温度が計測される。ここで、第1の計測期間における発振信号OSのパルスの目標カウント値は予め定められており、カウント値レジスター52に格納されている。第1の計測期間において、制御回路50が、発振制御信号OC1をハイレベルに活性化すると共に、発振制御信号OC2をローレベルに非活性化することにより、発振回路30が、基準抵抗REFを用いて発振動作を開始する。制御回路50は、設定カウント値LMとして十分大きな値を設定しておく。制御回路50がカウント制御信号CC1をハイレベルに活性化すると、メジャーカウンター51は、発振信号OSのパルスをカウントして計測カウント値MCを出力する。ここで、メジャーカウンター51は、計測期間における発振信号OSの最初のパルスをカウントすると、カウント制御信号CC2をハイレベルに活性化する。これにより、制御回路50が、タイムベースカウンター41にカウント動作を開始させる。発振動作が継続して、計測カウント値MCが目標カウント値に等しくなると、メジャーカウンター51は、カウント制御信号CC2をローレベルに非活性化して、カウント動作を停止する。これにより、制御回路50が、タイムベースカウンター41にカウント動作を停止させ、そのときのタイムカウント値TCを、計測期間の終期を規定する設定カウント値LMとしてカウント値レジスター42に格納する。また、制御回路50は、カウント制御信号CC1をローレベルにリセットする。その後、第2の計測期間において、制御回路50が、発振制御信号OC2をハイレベルに活性化すると共に、発振制御信号OC1をローレベルに非活性化することにより、発振回路30が、サーミスターQTMを用いて発振動作を開始する。制御回路50がカウント制御信号CC1をハイレベルに活性化すると、メジャーカウンター51は、発振信号OSのパルスをカウントして計測カウント値MCを出力する。ここで、メジャーカウンター51は、計測期間における発振信号OSの最初のパルスをカウントすると、カウント制御信号CC2をハイレベルに活性化する。これにより、制御回路50が、タイムベースカウンター41にカウント動作を開始させる。発振動作が継続して、タイムカウント値TCが設定カウント値LMに等しくなると、タイムベースカウンター41は、カウント制御信号CC3をハイレベルに活性化し、カウント動作を停止する。これにより、ゲート信号生成回路46がゲート信号GSをローレベルに非活性化するので、メジャーカウンター51もカウント動作を停止する。データ変換回路54は、第2の計測期間においてメジャーカウンター51から出力される計測カウント値MC及びタイムベースカウンター41から出力されるタイムカウント値TCに基づいて、メジャーカウンター51が第2の計測期間における発振信号OSの最初のパルスをカウントしてから第2の計測期間が終了するまでにおける発振信号OSのパルス数の整数部分及び整数未満部分を含む複合カウント値を求める。さらに、データ変換回路54は、求められた複合カウント値に対応する温度を求める。以上によって、基準抵抗REFとキャパシターCSHとを用いた発振に基づくカウント値予め設定された目標カウント値N1と、同じ計測期間において、サーミスターQTMとキャパシターCSHとを用いた発振に基づく複合カウント値N2とが得られる。ここで、基準抵抗REFの抵抗値をR1とし、サーミスターQTMの抵抗値をR2とし、キャパシターCSHの容量をCとすると、計測期間Tは、定数αを用いて、式1及び2で表される。T=αR1CN11T=αR2CN22式1及び2から、次式3が求められる。R2=N1/N2R13例えば、目標カウント値N1が1000で、基準抵抗REFの抵抗値R1が100kΩである場合には、次式4が得られる。R2=1000×100k/N24サーミスターQTMの抵抗値R2の温度特性は既知であるので、シュミットトリガー回路の閾値や各回路における遅延等を考慮して上式を補正することにより、複数の参照温度を表す温度データと複数の参照カウント値を表すカウント値データとの間の対応関係が得られ、その対応関係が、温度データLUT60に格納されている。第2の動作例によれば、電源電圧VDD-VSSの変動やキャパシターCSHの容量Cのばらつきによって発振回路30の発振周波数が変動したとしても、基準抵抗REFを用いた計測とサーミスターQTMを用いた計測との両方を行うことによって発振周波数の変動分が相殺されるので、精度の高い温度計測を行うことが可能となる。その他の点に関しては、第1の動作例と同様である。次に、本発明の第2の構成例について説明する。図3は、本発明の一実施形態に係るカウンター回路を用いた温度計測回路の第2の構成例を示すブロック図である。第2の構成例においては、図1に示す第1の構成例における発振回路30の替わりに、発振回路30aが用いられる。その他の点に関しては、第1の構成例と同様である。発振回路30aは、NAND回路37と、PチャネルMOSトランジスター38と、シュミットトリガー回路35と、NチャネルMOSトランジスター36と、半導体基板のNウエルに形成された抵抗RNWと、半導体基板に形成されたキャパシターCSHとを含んでおり、発振して発振信号を生成する。NAND回路37の一方の入力端子非反転入力端子には、発振制御信号OCが印加される。NAND回路37の出力端子は、トランジスター38のゲートに接続されている。トランジスター38のソースは、電源電位VDDに接続され、トランジスター38のドレインは、抵抗RNWの一端に接続されている。抵抗RNWの他端は、キャパシターCSHの一端、及び、シュミットトリガー回路35の入力端子に接続されている。キャパシターCSHの他端は、電源電位VSSに接続されている。シュミットトリガー回路35の出力端子は、NAND回路37の他方の入力端子反転入力端子、及び、トランジスター36のゲートに接続されている。トランジスター36のドレインは、シュミットトリガー回路35の入力端子に接続され、トランジスター36のソースは、電源電位VSSに接続されている。発振制御信号OCがハイレベルに活性化されると、NAND回路37の非反転入力端子にハイレベルの発振制御信号OCが印加される。NAND回路37の出力信号は、トランジスター38によって反転され、抵抗RNWを介してキャパシターCSH及びシュミットトリガー回路35の入力端子に印加される。シュミットトリガー回路35の出力信号は、NAND回路37の反転入力端子に印加される。これにより、CR型の発振回路30aが形成される。この発振回路30aの発振周波数は、抵抗RNWの抵抗値とキャパシターCSHの容量値との時定数に関連して決定される。半導体基板のNウエルに形成された抵抗RNWの抵抗値は、半導体集積回路の製造プロセスに依存した温度特性を有するので、それに対応した温度データLUTを準備することにより、発振回路30aの発振周波数に基づいて、半導体基板周辺の温度を求めることができる。第2の構成例においては、基準抵抗やサーミスターを用いないので、温度計測回路の動作は、第1の構成例における第1の動作例と同様になる。