絶縁性基板上に、互いに交差する方向に延在する第1電極および第2電極を形成する電極形成工程と、前記絶縁性基板、前記第1電極、および前記第2電極の一部を覆う絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜上を経由して、隣接する前記第2電極同士を接続するブリッジを形成するブリッジ形成工程とを含み、前記ブリッジ形成工程よりも前に、前記第1電極および第2電極の表面をエッチングする表面処理工程を1回以上行う、タッチパネルの製造方法。前記エッチングは、強アルカリ液処理、フッ酸処理、塩素ガス系ドライエッチング処理、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項1に記載のタッチパネルの製造方法。前記表面処理工程の一つは、前記絶縁膜形成工程と連続して行われる、請求項1または2に記載のタッチパネルの製造方法。前記表面処理工程の一つは、前記絶縁膜形成工程と同時に行われる、請求項1~3のいずれか一項に記載のタッチパネルの製造方法。前記絶縁性基板上に、端子を形成する端子形成工程と、前記第1および第2電極と、前記端子とを接続する配線を形成する配線形成工程とをさらに含み、前記絶縁膜形成工程により形成される絶縁膜は、前記絶縁性基板、前記第1電極、および前記第2電極に加えて、前記配線および前記端子の一部を覆い、前記表面処理工程は、前記第1電極および前記第2電極の表面に加えて、前記端子の表面をエッチングする、請求項1~4のいずれか一項に記載のタッチパネルの製造方法。前記表面処理工程の一つは、前記配線形成工程と連続して行われる、請求項5に記載のタッチパネルの製造方法。前記表面処理工程の一つは、前記配線形成工程と同時に行われる、請求項5または6に記載のタッチパネルの製造方法。前記電極形成工程と、前記端子形成工程とが、同時に行われる、請求項5~7のいずれか一項に記載のタッチパネルの製造方法。前記絶縁性基板上に、屈折率の異なる2以上の絶縁膜を積層させた反射率調整層を形成する反射率調整層形成工程をさらに備える、請求項1~8のいずれか一項に記載のタッチパネルの製造方法。絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成され、電極部と、隣接する前記電極部同士を接続する接続部とを含み、一方向に延在する第1電極と、前記絶縁性基板上に形成され、前記第1電極と交差する方向に延在する第2電極と、前記接続部を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜上を経由して、隣接する前記第2電極同士を接続するブリッジとを備え、前記第1および第2電極のうち、前記絶縁膜と接している部分の厚さが、前記絶縁膜と接していない部分の厚さよりも厚い、タッチパネル。前記絶縁膜は、前記電極部の一部および/または第2電極の一部も覆っている、請求項10に記載のタッチパネル。前記絶縁性基板上に形成された端子と、前記第1および第2電極と前記端子とを接続する配線とをさらに備え、前記端子は、厚さが異なる部分を有する、請求項10または11に記載のタッチパネル。絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成され、電極部と、隣接する前記電極部同士を接続する接続部とを含み、一方向に延在する第1電極と、前記絶縁性基板上に形成され、前記第1電極と交差する方向に延在する第2電極と、前記接続部を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜上を経由して、隣接する前記第2電極同士を接続するブリッジと、前記絶縁性基板上に形成された端子と、前記第1および第2電極と前記端子とを接続する配線とを備え、前記端子は、厚さが異なる部分を有するタッチパネル。前記端子のうち、前記配線と接している部分の厚さが、前記配線と接していない部分の厚さよりも厚い、請求項12または13に記載のタッチパネル。前記第1および第2電極と、前記端子とが、同一材料で形成されている、請求項12~14のいずれか一項に記載のタッチパネル。前記第1および第2電極は、酸化インジウムスズおよび酸化ジルコニウムスズからなる群から選択される材料で形成されている、請求項10~15のいずれか一項に記載のタッチパネル。絶縁性基板上に形成され、屈折率の異なる2以上の絶縁膜を積層させた反射率調整層をさらに備える、請求項10~16のいずれか一項に記載のタッチパネル。タッチパネルは、表示装置に重ねて使用されるため、透過率が高く、電極パターン等がユーザから視認されにくいことが好ましい。特許文献1に記載のタッチパネルの構成は、第1および第2の電極パターンが同一面上に形成されるため、第1および第2の電極パターンの間の反射率差が少なく、電極パターンが視認されにくい。しかしながら、途切れている電極パターン同士を接続する中継電極を形成する際、エッチング不良による透明導電膜の残渣が電極パターン上に残ることがある。この残渣によって、電極パターンが視認されやすくなるという問題がある。特許文献2に記載の方法を、上記のタッチパネルに適用しようとすると、透明電極膜の残渣エッチング残りのみならず、電極パターンまでもエッチングされ、タッチパネルとしての機能が損なわれる可能性がある。本発明の目的は、静電容量方式のタッチパネルにおいて、エッチング不良による電極膜の残渣の発生を防止して、電極パターンが視認されにくい、タッチパネルの構成、およびタッチパネルの製造方法を得ることである。本発明の一実施形態にかかるタッチパネルの製造方法は、絶縁性基板上に、互いに交差する方向に延在する第1電極および第2電極を形成する電極形成工程と、前記絶縁性基板、前記第1電極、および前記第2電極の一部を覆う絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜上を経由して、隣接する前記第2電極同士を接続するブリッジを形成するブリッジ形成工程とを含む。そして、前記ブリッジ形成工程よりも前に、前記第1電極および第2電極の表面をエッチングする表面処理工程を1回以上行う。また、本発明の一実施形態にかかるタッチパネルは、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成され、電極部と、隣接する前記電極部同士を接続する接続部とを含み、一方向に延在する第1電極と、前記絶縁性基板上に形成され、前記第1電極と交差する方向に延在する第2電極と、前記接続部を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜上を経由して、隣接する前記第2電極同士を接続するブリッジとを備える。そして、前記第1および第2電極のうち、前記絶縁膜と接している部分の厚さが、前記絶縁膜と接していない部分の厚さよりも厚い。本発明によれば、静電容量方式のタッチパネルにおいて、エッチング不良による電極膜の残渣の発生を防止して、電極パターンが視認されにくい、タッチパネルが得られる。本発明の一実施形態にかかるタッチパネルの製造方法は、絶縁性基板上に、互いに交差する方向に延在する第1電極および第2電極を形成する電極形成工程と、前記絶縁性基板、前記第1電極、および前記第2電極の一部を覆う絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜上を経由して、隣接する前記第2電極同士を接続するブリッジを形成するブリッジ形成工程とを含む。そして、前記ブリッジ形成工程よりも前に、前記第1電極および第2電極の表面をエッチングする表面処理工程を1回以上行う製造方法の第1の態様。タッチパネルの製造工程において、第1電極および第2電極の表面は、大気や水分にさらされると、酸素リッチ層を形成する場合がある。酸素リッチ層の上にブリッジを形成すると、半結晶性の膜が形成される。この半結晶性の膜は、アモルファスの膜と比較してエッチングされにくく、電極膜の残渣の原因となる。上記第1の態様によるタッチパネルの製造方法は、ブリッジ形成工程よりも前に、第1電極および第2電極の表面をエッチングする表面処理工程を含む。そのため、第1電極および第2電極の表面から酸素リッチ層が除去される。これにより、半結晶性の膜が形成されることを防止する。したがって、電極膜の残渣の発生を防止でき、電極パターンが視認されにくくなる。上記第1の態様において、前記エッチングは、強アルカリ液処理、フッ酸処理、塩素ガス系ドライエッチング処理、およびこれらの組み合わせからなる群から選択されても良い製造方法の第2の態様。上記第1または第2の態様において、前記表面処理工程の一つは、前記絶縁膜形成工程と連続して行うことができる製造方法の第3の態様。上記第1~第3のいずれかの態様において、前記表面処理工程の一つは、前記絶縁膜形成工程と同時に行われることが好ましい製造方法の第4の態様。上記の態様によれば、製造工程を簡略化できる。上記第1~第4のいずれかの態様において、前記絶縁性基板上に、端子を形成する端子形成工程と、前記第1および第2電極と、前記端子とを接続する配線を形成する配線形成工程とをさらに含んでも良い。この場合、前記絶縁膜形成工程により形成される絶縁膜は、前記絶縁性基板、前記第1電極、および前記第2電極に加えて、前記配線および前記端子の一部を覆い、前記表面処理工程は、前記第1電極および前記第2電極の表面に加えて、前記端子の表面をエッチングする製造方法の第5の態様。上記第5の態様において、前記表面処理工程の一つは、前記配線形成工程と連続して行うことができる製造方法の第6の態様。上記第5または第6の態様において、前記表面処理工程の一つは、前記配線形成工程と同時に行われることが好ましい製造方法の第7の態様。上記の態様によれば、製造工程を簡略化できる。上記第5~第7のいずれかの態様において、前記電極形成工程と、前記端子形成工程とが、同時に行われることが好ましい製造方法の第8の態様。上記の態様によれば、製造工程を簡略化できる。上記第1~第8のいずれかの態様において、前記絶縁性基板上に、屈折率の異なる2以上の絶縁膜を積層させた反射率調整層を形成する反射率調整層形成工程をさらに備えることが好ましい製造方法の第9の態様。上記の態様によれば、反射率調整層によって、第1電極および第2電極のいずれかが形成されている箇所と、第1電極および第2電極のいずれも形成されていない箇所との間の、反射率差が調整される。これにより、電極パターンがより視認されにくくなる。本発明の一実施形態にかかるタッチパネルは、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成され、電極部と、隣接する前記電極部同士を接続する接続部とを含み、一方向に延在する第1電極と、前記絶縁性基板上に形成され、前記第1電極と交差する方向に延在する第2電極と、前記接続部を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜上を経由して、隣接する前記第2電極同士を接続するブリッジとを備える。そして、前記第1および第2電極のうち、前記絶縁膜と接している部分の厚さが、前記絶縁膜と接していない部分の厚さよりも厚い第1の構成。第1電極および第2電極の厚さを薄くすれば、透過率が上がり、電極パターンが視認されにくくなる。一方、断面積が減少することにより、電気抵抗が増加し、タッチパネルとしての感度が低下する。上記第1の構成によれば、第1および第2電極のうち、絶縁膜と接している部分は、厚く形成されている。また、接続部は、絶縁膜に覆われている。すなわち、接続部が選択的に厚く形成されている。これにより、電気抵抗の増加を抑えつつ、第1および第2電極の他の部分を薄く形成して、電極パターンを視認されにくくできる。上記第1の構成において、前記絶縁膜は、前記電極部の一部および/または第2電極の一部も覆っていても良い第2の構成。上記第1または第2の構成において、前記絶縁性基板上に形成された端子と、前記第1および第2電極と前記端子とを接続する配線とをさらに備え、前記端子は、厚さが異なる部分を有しても良い第3の構成。本発明の他の実施形態にかかるタッチパネルは、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成され、電極部と、隣接する前記電極部同士を接続する接続部とを含み、一方向に延在する第1電極と、前記絶縁性基板上に形成され、前記第1電極と交差する方向に延在する第2電極と、前記接続部を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜上を経由して、隣接する前記第2電極同士を接続するブリッジと、前記絶縁性基板上に形成された端子と、前記第1および第2電極と前記端子とを接続する配線とを備える。そして、前記端子は、厚さが異なる部分を有する第4の構成。上記第3または第4の構成において、前記端子のうち、前記配線と接している部分の厚さが、前記配線と接していない部分の厚さよりも厚い構成としても良い第5の構成。上記第3~第5のいずれかの構成において、前記第1および第2電極と、前記端子とが、同一材料で形成されていることが好ましい第6の構成。上記の構成によれば、製造工程を簡略化できる。上記第1~第6のいずれかの構成において、前記第1および第2電極は、酸化インジウムスズITO:IndiumTinOxideおよび酸化インジウム亜鉛IZO:IndiumZincOxideからなる群から選択される材料で形成されていても良い第7の構成。上記第1~第7のいずれかの構成において、絶縁性基板上に形成され、屈折率の異なる2以上の絶縁膜を積層させた反射率調整層をさらに備えていることが好ましい第8の構成。上記の構成によれば、反射率調整層によって、第1電極および第2電極のいずれかが形成されている箇所と、第1電極および第2電極のいずれも形成されていない箇所との間の、反射率差が調整される。これにより、電極パターンがより視認されにくくなる。[実施の形態]以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。なお、説明を分かりやすくするために、以下で参照する図面においては、構成が簡略化または模式化して示されたり、一部の構成部材が省略されたりしている。また、各図に示された構成部材間の寸法比は、必ずしも実際の寸法比を示すものではない。第1の実施形態図1~図5を参照して、本発明の第1の実施形態にかかるタッチパネル1の概略構成を説明する。図1は、タッチパネル1の構成を模式的に示す平面図である。図2は、図1におけるII-II線に沿った断面図である。図3は、図1におけるIII-III線に沿った断面図である。タッチパネル1は、絶縁性基板10、図1の左右方向に延在する第1電極11、第2電極12、取出電極113および121、端子13、配線14、グランド配線141、絶縁膜15および16、ブリッジ17および18、ならびに保護膜19等を備えている。なお、図1では、図を見易くするために配線14及びグランド配線141にハッチングを付して示している。図2および図3に示すように、タッチパネル1は、基板10上に、電極層第1電極11、第2電極12、端子13、配線14等、絶縁膜層絶縁膜15および16、ブリッジ層ブリッジ17および18、ならびに保護膜19が、この順で積層した積層構造を持っている。図4は、タッチパネル1の構成から、第1電極11および第2電極12を抜き出して示した模式図である。図4に示すように、第1電極11は、電極部111と、接続部112とを備えている。第1電極11は、複数の電極部111と接続部112とが一体的に形成され、一方向図4の左右方向に延在している。そして、複数の第1電極11は、延在方向と垂直な方向図4の上下方向に整列して形成されている。第1電極11の延在方向と垂直な方向図4の上下方向に、複数の第2電極12が、ブリッジ17を介して互いに接続されている。ブリッジ17と接続部112とが交差する箇所には、間に絶縁膜16が形成されている。これにより、ブリッジ17と接続部112とが、導通しないように構成されている。図5は、第1電極11と第2電極12との交差部分の拡大図である。絶縁膜16は、接続部112を覆って形成されている。また、絶縁膜16は、図5に示すように、第2電極膜12の一部を覆って形成されている。ブリッジ17と第1電極11とが導通しないように、絶縁膜16の幅w1は、ブリッジ17の幅w2よりも大きく形成されている。このように、複数の第1電極11と第2電極12とが、互いに直交して整列している。タッチパネル1では、第1電極11および第2電極12と、操作面に近づいた手指との間に静電容量が形成される。タッチパネル1は、この静電容量の変化に基づいて、操作面上に近づいた手指の位置を求める。すなわち、タッチパネル1は、静電容量型のタッチパネルである。再び図1を参照して、説明を続ける。第1電極11および第2電極12の周りには、取出電極113および121が形成されている。取出電極113および121は、配線14を介して、絶縁性基板10の周縁部に形成された端子13と、電気的に接続している。また、第1電極11および第2電極12の周りには、グランド配線141が形成されている。取出電極113および121、配線14、ならびにグランド配線141の全部と、端子13の一部とを覆って、絶縁膜15が形成されている。絶縁膜15は、タッチパネル1の製造工程におけるエッチング等のプロセスから配線14を保護し、配線14の信頼性を向上させる。絶縁膜15にはコンタクトホール15aが形成されている。コンタクトホール15aを介して、第1電極11と取出電極113とが、ブリッジ18により電気的に接続されている。同様に、コンタクトホール15aを介して、第2電極12と取出電極121とが、ブリッジ18により電気的に接続されている。第1電極11、第2電極12、端子13、絶縁膜15および16、ならびにブリッジ17および18等を覆って、保護膜19が形成されている。端子13の一部は、保護膜19に覆われずに露出している。端子13は、フレキシブルプリント基板等を介して外部の駆動回路と接続される。次に、図6Aおよび図6Bを参照して、タッチパネル1の細部を説明する。図6Aは、図1における、A-A’線、B-B’線、およびC-C’線の各線に沿った断面図である。図6Bは、図1における、D-D’線に沿った断面図である。上述のように、第1電極11の接続部112とブリッジ17とが交差する箇所には、絶縁膜16が形成されている。絶縁膜16は、図6AでA-A’線に沿った断面図に示すように、基板10と反対側に向かって凸であるテーパー形状を有していることが好ましい。絶縁膜16の端面が垂直であると、この部分で段差が生じ、ブリッジ17による接続が不安定になる場合がある。絶縁膜16は、第1電極11の接続部112を覆うとともに、第2電極12の一部も覆っている。絶縁膜16は、本実施形態のように、第2電極12の一部も覆うように形成されていることが好ましい。絶縁膜16を、接続部112のみを覆うように形成すると、絶縁膜16と第2電極12との間に隙間が生じる。この隙間にブリッジ17を形成すると、第2電極12の厚さによって段差が生じ、ブリッジ17による接続が不安定になる場合があるからである。図6AでA-A’線に沿った断面図に示すように、第2電極12のうち、絶縁膜16で覆われている箇所12aの厚さは、絶縁膜16で覆われていない箇所の厚さと比べて厚い。また、図6Bに示すように、絶縁膜16で覆われている接続部112の厚さも、電極部111の絶縁膜16で覆われていない箇所の厚さと比べて厚い。図6AでB-B’線およびC-C’線に沿った断面図に示すように、端子13のうち、絶縁膜15で覆われている箇所13aの厚さは、絶縁膜15で覆われていない箇所の厚さと比べて厚い。[タッチパネル1の製造方法]図7A~図7Eを用いて、タッチパネル1の製造方法を説明する。なお、図7A~図7Eは、図1におけるA-A’線、B-B’線、C-C’線に沿った断面図を示している。まず、絶縁性基板10を準備する。絶縁性基板10は、例えばガラス基板である。電極形成工程および端子形成工程図7A絶縁性基板10の全面に、スパッタリングまたはCVDChemicalVaporDeposition法により、一様な透明電極膜を成膜する。透明電極膜は、例えばITOやIZOである。透明電極膜の厚さは特に限定されないが、例えば10nm~30nmである。基板10の全面に成膜した透明電極膜を、フォトリソグラフィによりパターニングする。パターニングにより、第1電極11、第2電極12、取出電極113および121不図示、および端子13を形成する。より具体的には、第1電極11、第2電極12等を形成する箇所にフォトレジストによるマスクを形成する。そして、残部をエッチングにより除去する。エッチングは、例えば、強アルカリ液処理、フッ酸処理、塩素ガス系ドライエッチング処理、およびこれらの組み合わせからなる群から選択できる。以下、単にエッチングと言った場合にはこれらの方法によるエッチングを含むものとする。ここでは、第1電極11、第2電極12、取出電極113および121、ならびに端子13を同一材料で、同時に形成する場合を説明している。しかし、これらの一部または全部を、別の材料で形成したり、複数回のパターニングで形成することは任意である。もっとも、同一材料で、同時に形成すれば、製造工程を簡素化できる。配線形成工程図7B次に、スパッタリングまたは蒸着により、基板10の全面に金属膜を形成する。金属膜は、例えばAl等の低抵抗金属の膜である。下層や上層との密着性、および耐食性を向上させるため、複数種類の金属膜を積層させた構造とすることが好ましい。例えば、MoNb、Al、およびMoNbをこの順で積層させた金属膜を用いることができる。金属膜の厚さは、特に限定されないが、例えば0.3μm~1.0μmである。基板10上の全面に成膜した金属膜を、フォトリソグラフィによりパターニングする。パターニングにより、図7Bに示すように、配線14およびグランド配線141不図示を形成する。より具体的には、配線14およびグランド配線141を形成する箇所にフォトレジストによるマスクを形成する。そして、残部をエッチングにより除去する。絶縁膜形成工程および表面処理工程図7C次に、絶縁膜15および16を形成する。絶縁膜15および16の形成と連続して、または絶縁膜15および16の形成と同時に、第1電極11、第2電極12、および端子13以下、第1電極11等というの表面の酸素リッチ層を除去する。絶縁膜15および16としては、有機系材料例えばアクリル樹脂、ノボラック樹脂等を含むフォトレジストおよび無機系材料SiN、SiO2、SiON等のいずれかを用いることができる。絶縁膜15および16として、有機系材料を用いる場合と無機系材料を用いる場合とで、工程が異なるので、それぞれの場合に分けて説明する。[絶縁膜15および16が有機系材料の場合基板10の全面に、スピンコータまたはスリットコータによって、フォトレジストを均一に塗布する。塗布するフォトレジストの厚さは、厚いほど良く、好ましくは6μm以上である。フォトレジストは、感光すると現像液に対する溶液性が減少するポジ型、および感光すると現像液に対する溶液性が増大するネガ型の、どちらでも良い。フォトレジストを塗布後、プレベーク仮焼成、露光、現像、ポストベーク後焼成等を行って、所定の位置に絶縁膜15および16を形成する。前述のように、絶縁膜16は、基板10と反対側に向かって凸のテーパー形状を有していることが好ましい。このようなテーパー形状は、段階的に光透過度が変化するフォトマスクを使用して、露光を行うことで形成できる。絶縁膜15および16を形成した後に、第1電極11等の表面の酸素リッチ層を除去するためのエッチングを行う。また、第1電極11等の表面の酸素リッチ層の除去は、絶縁膜15および16の形成と同時に行うこともできる。絶縁膜15および16のパターニングの際、現像液として強アルカリ液が用いられる。絶縁膜15および16のパターニングの際の現像工程を通常よりも長くする等して、現像液によって第1電極11等の表面がエッチングされるようにすれば良い。このとき、絶縁膜16がマスクとなるため、第1電極11および第2電極12のうち、絶縁膜16が覆っている箇所はエッチングされない。したがって、図7Cで破線で示した箇所がエッチングされる。そのため、第2電極12のうち、絶縁膜16が覆っている箇所12aの厚さは、絶縁膜16が覆っていない箇所の厚さよりも厚くなる。図7Cには図示していないが、第1電極11についても、絶縁膜16に覆われている部分の厚さは、絶縁膜16に覆われていない部分の厚さよりも厚くなる図6B参照。同様に、絶縁膜15がマスクとなるため、端子13のうち、絶縁膜15が覆っている箇所はエッチングされない。したがって、端子13のうち、絶縁膜15が覆っている箇所13aの厚さは、絶縁膜15が覆っていない箇所の厚さよりも厚くなる。[絶縁膜15および16が無機系材料の場合基板10の全面に、CVD法によって、SiN、SiO2、SiON等の均一な無機膜を成膜する。無機膜の厚さは、厚いほど良く、配線14の厚さの2倍以上であることが好ましい。基板10上の全面に成膜した無機膜を、フォトリソグラフィによりパターニングする。パターニングにより、絶縁膜15および16を形成する。より具体的には、絶縁膜15および16を形成する箇所にフォトレジストによるマスクを形成する。そして、残部をエッチングにより除去する。絶縁膜15および16を形成した後に、第1電極11等の表面の酸素リッチ層を除去する。具体的には、絶縁膜15および16を保護するため、絶縁膜15および16をパターニングする際に形成したマスクを残したまま、第1電極11等の表面のエッチングを行う。このエッチングは、絶縁膜15および16を形成する際に行ったエッチングと同じ方法でも良いし、異なる方法でも良い。また、第1電極11等の表面の酸素リッチ層の除去は、絶縁膜15および16の形成と同時に行うこともできる。具体的には、絶縁膜15および16をパターニングする際のエッチング処理時間を通常よりも長くする等して、絶縁膜15および16の形成と同時に、第1電極11等の表面がエッチングされるようにすれば良い。このとき、絶縁膜16を形成するためのマスクを残したままエッチングを行うため、第1電極11および第2電極12のうち、絶縁膜16が覆っている箇所はエッチングされない。したがって、図7Cで破線で示した箇所がエッチングされる。そのため、第2電極12のうち、絶縁膜16が覆っている箇所12aの厚さは、絶縁膜16が覆っていない箇所の厚さよりも厚くなる。図7Cには図示していないが、第1電極11についても、絶縁膜16に覆われている部分の厚さは、絶縁膜16に覆われていない部分の厚さよりも厚くなる図6B参照。同様に、絶縁膜15を形成するためのマスクを残したままエッチングを行うため、端子13のうち、絶縁膜15が覆っている箇所はエッチングされない。したがって、端子13のうち、絶縁膜15が覆っている箇所13aの厚さは、絶縁膜15が覆っていない箇所の厚さよりも厚くなる。以上、絶縁膜15および16が、有機系材料の場合と、無機系材料の場合とに分けて、絶縁膜15および16を形成する工程、ならびに酸素リッチ層を除去する工程を説明した。なお、酸素リッチ層を除去する処理は、第1電極11等の表面の、ごく表層部分を除去するだけで良い。0.4nm以上の厚さを除去すれば、効果が得られる。ブリッジ形成工程図7D次に、ブリッジ17および18不図示を形成する。基板10の全面に、CVD法またはスパッタリング等により、ITOまたはIZO等の透明電極膜を均一に成膜する。そして、フォトリソグラフィによるパターニングを行って、ブリッジ17および18を形成する。保護膜形成工程図7E最後に、スピンコータまたはスリットコータにより、保護膜19を均一に塗布する。この際、メタルマスク等を用いて、端子13の一部には保護膜19を形成しないようにする。保護膜19は、例えばアクリル樹脂である。保護膜19の厚さは、特に限定されないが、例えば2μm~3μmである。以上、タッチパネル1の製造法を説明した。本実施形態にかかるタッチパネル1の製造方法によれば、ブリッジ17および18を形成する前に、第1電極11等の表面の酸素リッチ層を除去する。そのため、エッチングで除去しにくい半結晶性のITO膜または半結晶性のIZO膜が形成されない。これにより、電極膜の残渣の発生を抑制できる。したがって、電極膜の残渣によって電極パターンが視認されやくなるのを防止できる。また、本実施形態にかかるタッチパネル1によれば、第1電極11のうち、絶縁膜16で覆われている部分の厚さは、絶縁膜16で覆われていない部分の厚さよりも厚い。例えば、絶縁膜16で覆われている接続部112の厚さは、絶縁膜16で覆われていない電極部111の厚さよりも厚い。第1電極11等の透明電極は、薄くするほど透過率が高まり、視認されにくくなる。一方、薄くすれば断面積が減るために抵抗が増大し、センサーとしての感度が低下する。特に、接続部112は幅が狭いため、局所的に抵抗が大きくなっている。本実施形態によれば、接続部112の厚さを選択的に厚くすることによって、第1電極11の抵抗を下げることができる。一方で、その他の部分を薄く形成することで、電極パターンを視認されにくくできる。[比較例]ここで、本実施の形態の効果を説明するため、比較例について述べる。図8は、比較例にかかるタッチパネル9の構成を模式的に示す平面図である。なお、図8では、図を見易くするために配線14及びグランド配線141にハッチングを付して示している。タッチパネル9は、絶縁性基板10、第1電極91、第2電極92、取出電極113および121、端子93、配線14、グランド配線141、絶縁膜15および16、ブリッジ17および18、ならびに保護膜19等を備えている。また、第1電極91は、電極部911と、接続部912とを備える。すなわち、タッチパネル9は、タッチパネル1と比べて、第1電極、第2電極、端子の構成が異なっている。図9Aは、図8における、A-A’線、B-B’線、およびC-C’線の各線に沿った断面図である。図9Bは、図8における、D-D’線に沿った断面図である。図9AでA-A’に沿った断面図に示すように、第2電極92のうち、絶縁膜16およびブリッジ17で覆われていない部分には、電極膜の残渣17aが存在している。図9AでC-C’に沿った断面図に示すように、端子13のうち、絶縁膜15で覆われていない部分には、電極膜の残渣17cが存在している。図9Bで示すように、電極部911のうち、絶縁膜16で覆われていない部分には、電極膜の残渣17bが存在している。[タッチパネル9の製造方法]図10A~図10Eを参照して、タッチパネル9の製造方法の概略を説明する。タッチパネル9の製造方法は、タッチパネル1の製造方法と同様に、電極および端子形成工程図10A、配線形成工程図10B、絶縁膜形成工程図10C、ブリッジ形成工程図10D、ならびに保護膜形成工程図10Eを含む。しかし、タッチパネル9の製造方法は、電極等表面の酸素リッチ層を除去する工程を含まない。したがって、ブリッジ17および18を形成する際、ITO膜またはIZO膜は、酸素リッチ層の上に成膜される。酸素リッチ層の上に成膜されたITO膜またはIZO膜は、半結晶ITO膜または半結晶IZO膜となる。半結晶ITO膜および半結晶IZO膜は、アモルファスITO膜およびアモルファスIZO膜と比較してエッチングされにくい。そのため、ブリッジ17および18を形成する際に、電極膜の残渣17a~17cが発生する。以上の比較例にかかるタッチパネル9の製造方法と比較して、本実施形態にかかるタッチパネル1の製造方法によれば、ブリッジ17および18を形成する前に、第1電極膜11等の表面の酸素リッチ層を除去する。したがって、このような電極膜の残渣17a~17cが発生しない。[第2の実施形態]図11は、本発明の第2の実施形態にかかるタッチパネル2の構成を模式的に示す平面図である。なお、図11では、図を見易くするために配線14及びグランド配線141にハッチングを付して示している。タッチパネル2は、絶縁性基板10、第1電極21、第2電極22、取出電極113および121、端子23、配線14、グランド配線141、絶縁膜15および16、ブリッジ17および18、ならびに保護膜19等を備えている。また、第1電極21は、電極部211と、接続部212とを備える。すなわち、タッチパネル2は、タッチパネル1と比べて、第1電極、第2電極、端子の構成が異なっている。図12Aは、図11における、A-A’線、B-B’線、およびC-C’線の各線に沿った断面図である。図12Bは、図11における、D-D’線に沿った断面図である。図12AでA-A’線に沿った断面図に示すように、第2電極22のうち、絶縁膜16で覆われている部分22aの厚さと、絶縁膜16で覆われていない部分の厚さは、タッチパネル1とは異なり、同じである。また、図12Bに示すように、接続部212の厚さと、電極部211の厚さも同じである。図12AでB-B’線およびC-C’線に沿った断面図に示すように、端子23のうち、絶縁膜15で覆われている部分23aと、絶縁膜15および配線14のいずれにも覆われていない部分の厚さは、タッチパネル1とは異なり、同じである。一方、端子23のうち、配線14で覆われている部分23bの厚さは、配線14で覆われていない部分の厚さよりも厚い。[タッチパネル2の製造方法]図13A~図13Eを参照して、タッチパネル2の製造方法の概略を説明する。タッチパネル2の製造方法は、タッチパネル1の製造方法と同様に、電極および端子形成工程図13A、配線形成工程図13B、絶縁膜形成工程図13C、ブリッジ形成工程図13D、ならびに保護膜形成工程図13Eを含む。一方、タッチパネル2の製造方法では、タッチパネル1の製造方法と異なり、表面処理工程は、配線形成工程と連続して、または配線形成工程と同時に行われる。すなわち、図13Bに示すように、配線14をパターニング後に、配線14をパターニングする際のマスクを残したまま、第1電極21、第2電極22、および端子23の表面の酸素リッチ層を除去するためのエッチングを行う。または、配線14のパターニングの際のエッチングの処理時間を長くする等して、配線14の形成と同時に、第1電極21、第2電極22、および端子23の表面がエッチングされるようにしても良い。タッチパネル2では、配線14を形成する際のマスクを用いて、第1電極21、第2電極22、および端子23の表面がエッチングされる。したがって、図13Bで破線で示した箇所がエッチングされる。そのため、端子23のうち、配線14に覆われている部分23bの厚さは、配線14に覆われていない部分の厚さよりも厚くなる。本実施形態にかかるタッチパネル2の製造方法によっても、ブリッジ17および18を形成する前に、第1電極21、第2電極22、および端子23の酸素リッチ層を除去する。これにより、電極膜の残渣の発生を抑制し、電極パターンを視認されにくくする。[第3の実施形態]図14は、本発明の第3の実施形態にかかるタッチパネル3の構成を模式的に示す平面図である。なお、図14では、図を見易くするために配線14及びグランド配線141にハッチングを付して示している。タッチパネル3は、絶縁性基板10、第1電極31、第2電極32、取出電極113および121、端子33、配線14、グランド配線141、絶縁膜15および16、ブリッジ17および18、ならびに保護膜19等を備えている。また、第1電極31は、電極部311と、接続部312とを備える。すなわち、タッチパネル3は、タッチパネル1と比べて、第1電極、第2電極、端子の構成が異なっている。図15Aは、図14における、A-A’線、B-B’線、およびC-C’線の各線に沿った断面図である。図15Bは、図14における、D-D’線に沿った断面図である。図15AでA-A’線に沿った断面図に示すように、第2電極32のうち、絶縁膜16で覆われている箇所32aの厚さは、絶縁膜16で覆われていない箇所の厚さと比べて厚い。また、図15Bに示すように、絶縁膜16で覆われている接続部312の厚さも、電極部311の絶縁膜16で覆われていない箇所の厚さと比べて厚い。図15AでB-B’線およびC-C’線に沿った断面図に示すように、端子33のうち、絶縁膜15で覆われている部分33aの厚さは、絶縁膜15および配線14のいずれにも覆われていない部分の厚さよりも厚い。さらに、端子33のうち、配線14で覆われている部分33bの厚さは、配線14で覆われていない部分の厚さよりも厚い。[タッチパネル3の製造方法]図16A~図16Eを参照して、タッチパネル3の製造方法の概略を説明する。タッチパネル3の製造方法は、タッチパネル1の製造方法と同様に、電極および端子形成工程図16A、配線形成工程図16B、絶縁膜形成工程図16C、ブリッジ形成工程図16D、ならびに保護膜形成工程図16Eを含む。一方、タッチパネル3の製造方法では、タッチパネル1の製造方法と異なり、表面処理工程が2回行われる。すなわち、1回目の表面処理工程は、配線形成工程と連続して、または、配線形成工程と同時に行われる。2回目の表面処理工程は、絶縁膜形成工程と連続して、または絶縁膜形成工程と同時に行われる。1回目の表面処理工程では、図16Bに示すように、配線14を形成する際のマスクを用いて、第1電極31、第2電極32、および端子33の表面がエッチングされる。したがって、図16Bで破線で示した箇所がエッチングされる。そのため、端子33のうち、配線14に覆われている部分33bの厚さは、配線14に覆われていない部分の厚さよりも厚くなる。2回目の表面処理工程では、図16Cに示すように、絶縁膜15および16をマスクとして、または、絶縁膜15および16を形成する際のマスクを用いて、第1電極31、第2電極32、および端子33の表面がエッチングされる。したがって、図16Cで破線で示した箇所がエッチングされる。そのため、第2電極32のうち、絶縁膜16に覆われている部分32aの厚さは、絶縁膜16に覆われていない部分よりも厚くなる。また、絶縁膜16に覆われている接続部312の厚さは、電極部311の絶縁膜16に覆われていない部分よりも厚くなる。さらに、端子33のうち、絶縁膜15に覆われている部分33aは、絶縁膜15に覆われていない部分よりも厚くなる。本実施形態にかかるタッチパネル3の製造方法によっても、ブリッジ17および18を形成する前に、第1電極31、第2電極32、および端子33の酸素リッチ層を除去する。これにより、電極膜の残渣の発生を抑制し、電極パターンが視認されやすくなるのを防止できる。また、本実施形態においても、絶縁膜16で覆われている接続部312の厚さは、電極部311の絶縁膜16で覆われていない部分の厚さよりも厚い。これにより、第1電極31の抵抗を下げることができる。一方で、その他の部分を薄く形成することで、電極パターンを視認されにくくできる。[第4の実施形態]図17は、本発明の第4の実施形態にかかるタッチパネル4の構成を模式的に示す平面図である。なお、図17では、図を見易くするために配線14及びグランド配線141にハッチングを付して示している。タッチパネル4は、絶縁性基板10、第1電極11、第2電極12、取出電極113および121、端子13、配線14、グランド配線141、絶縁膜15および16、ブリッジ17および18、保護膜19、ならびに反射率調整層100を備えている。すなわち、タッチパネル4は、タッチパネル1が備える構成に加えて、反射率調整層100をさらに備えている。反射率調整層100は、絶縁性基板10の全面に形成されている。反射率調整層100は、第1電極11、第2電極12、端子13等よりも絶縁性基板10側に形成されている。図18Aは、図17における、A-A’線、B-B’線、およびC-C’線の各線に沿った断面図である。図18Bは、図17における、D-D’線に沿った断面図である。反射率調整層100は、下地層101および102が、絶縁性基板10側からこの順に積層した積層構造を有している。下地層101および102は、互いに屈折率の異なる材料からなる絶縁膜である。下地層101および102は、第1電極11および第2電極12のいずれかが形成されている箇所と、第1電極11および第2電極12のいずれも形成されていない箇所との間の、反射率の差を低減するように、屈折率および膜厚が調整されている。光が屈折率の異なる媒体間を通過するとき、その界面で反射が起こる。例えば、第1電極11が形成されている箇所に入射した光の一部は、保護膜19と、第1電極11との界面によって反射される。この界面を透過した光の一部は、第1電極11と、下地層102との界面によって反射される。この2つの反射光は、その位相差によって、強めあったり、打ち消し合ったりする。一方、第1電極11が形成されていない箇所に入射した光の一部は、保護膜19と、下地層102との界面によって反射される。この界面を透過した光の一部は、下地層102と、下地層101との界面によって反射される。この2つの反射光は、その位相差によって、強めあったり、打ち消し合ったりする。したがって、第1電極11が形成されている箇所に入射した光の反射率と、第1電極11が形成されていない箇所に入射した光の反射率とが、等しくなるように、下地層101および102を調整すれば、電極パターンを視認されにくくすることができる。[タッチパネル4の製造方法]絶縁性基板10の全面に、例えばCVD法により、下地層101を成膜する。下地層101は例えば、SiNであり、屈折率は1.72~1.98である。下地層101の厚さは、例えば、3nm~9nmである。続いて、下地層101の全面を覆って、例えばCVD法により、下地層102を成膜する。下地層102は例えば、SiOまたはSiONであり、屈折率は1.41~1.68である。下地層102の厚さは、例えば、30nm~150nmである。下地層101および下地層102を形成した後の工程は、第1の実施形態と同じである。本実施形態によれば、反射率調整層100によって、第1電極11および第2電極12のいずれかが形成されている箇所と、第1電極11および第2電極12のいずれも形成されていない箇所との間の、反射率差が調整される。これにより、電極パターンがより視認されにくくなる。[その他の実施形態]以上、本発明についての実施形態を説明したが、本発明は上述の各実施形態にのみ限定されず、発明の範囲内で種々の変更が可能である。また、上述した各実施形態は、適宜組み合わせて実施が可能である。例えば、第2の実施形態にかかるタッチパネル2や、第3の実施形態にかかるタッチパネル3が、反射率調整層100を備えていても良い。