半導体基板を有する半導体装置であって、半導体基板が、メイン素子領域と、メイン素子領域よりも小さい電流が流れるサブ素子領域を有しており、サブ素子領域が、半導体基板を平面視したときに半導体基板の中心と重なる位置に形成されており、半導体基板上であって、半導体基板を平面視したときにサブ素子領域と重なる位置に、温度検出素子が形成されている、半導体装置。メイン素子領域内の半導体基板上に、第1上部電極が形成されており、メイン素子領域内に、第1導電型であり、第1上部電極と導通している第1領域と、第2導電型であり、第1領域に接している第2領域と、第1導電型であり、第2領域に接しており、第2領域によって第1領域から分離されている第3領域と、第1領域と第3領域を分離している範囲の第2領域に対して絶縁膜を介して対向している第1ゲート電極、が形成されており、サブ素子領域内の半導体基上に、第1上部電極から分離されている第2上部電極が形成されており、サブ素子領域内に、第1導電型であり、第2上部電極と導通している第4領域と、第2導電型であり、第4領域に接している第5領域と、第1導電型であり、第5領域に接しており、第5領域によって第4領域から分離されている第6領域と、第4領域と第6領域を分離している範囲の第5領域に対して絶縁膜を介して対向している第2ゲート電極、が形成されている、請求項1に記載の半導体装置。半導体基板を平面視したときに第4領域と重なる位置に、温度検出素子が形成されている請求項2に記載の半導体装置。第4領域が半導体基板の上面に露出している範囲の一部に、第4領域を第2上部電極に接続しているコンタクトが形成されており、第4領域が半導体基板の上面に露出している範囲のうちのコンタクト以外の部分に、層間絶縁膜が形成されており、温度検出素子が、層間絶縁膜上に形成されている請求項3に記載の半導体装置。半導体装置に電流を流すと、半導体基板が発熱する。半導体基板の中央部は熱が逃げ難いので、通電時には半導体基板の中央部が最も高温となる。このため、半導体基板の中央部では、半導体基板の外周部よりも電気抵抗が高くなる。特許文献1の技術では、サブ素子領域が半導体基板の外周部に形成されている。半導体基板の外周部は中央部より低温になるため電気抵抗が低くなる。このため、サブ素子領域はメイン素子領域よりも電流が流れ易くなる。したがって、メイン素子領域の過電流時の電流を予測することが困難であり、半導体装置を過電流に対して適切に保護することが困難であった。また、上述した過電流ほど大きくはないものの、比較的大きい電流が継続的に半導体装置に流れると、半導体基板が過度に温度上昇する。このような半導体基板の過熱を防止するために、温度検出素子を有する半導体装置が存在する。本明細書では、過電流検出による保護と、温度検出による保護とを、好適に行うことが可能な半導体装置を提供する。本明細書が開示する半導体装置は、半導体基板を有する。この半導体装置は、半導体基板が、メイン素子領域と、メイン素子領域よりも小さい電流が流れるサブ素子領域を有している。サブ素子領域は、半導体基板を平面視したときに半導体基板の中心と重なる位置に形成されている。半導体基板上であって、半導体基板を平面視したときにサブ素子領域と重なる位置に、温度検出素子が形成されている。この半導体装置では、サブ素子領域が半導体基板を平面視したときに半導体基板の中心と重なる位置に形成されている。このため、サブ素子領域を流れる電流を検出することによって、半導体基板の中央部の電流を正確に検出することができる。これにより、過電流に対して半導体装置を好適に保護することができる。また、この半導体装置では、温度検出素子が、サブ素子領域と重なる位置に形成されている。このため、温度検出素子によって、半導体基板の中央部の温度を正確に検出することができる。このように、最も温度上昇し易い半導体基板の中央部の温度を検出することで、半導体装置を過熱から好適に保護することができる。上述した半導体装置は、メイン素子領域内の半導体基板上に、第1上部電極が形成されており、メイン素子領域内に、第1導電型であり、第1上部電極と導通している第1領域と、第2導電型であり、第1領域に接している第2領域と、第1導電型であり、第2領域に接しており、第2領域によって第1領域から分離されている第3領域と、第1領域と第3領域を分離している範囲の第2領域に対して絶縁膜を介して対向している第1ゲート電極が形成されていることが好ましい。また、サブ素子領域内の半導体基上に、第1上部電極から分離されている第2上部電極が形成されており、サブ素子領域内に、第1導電型であり、第2上部電極と導通している第4領域と、第2導電型であり、第4領域に接している第5領域と、第1導電型であり、第5領域に接しており、第5領域によって第4領域から分離されている第6領域と、第4領域と第6領域を分離している範囲の第5領域に対して絶縁膜を介して対向している第2ゲート電極が形成されていることが好ましい。なお、上記の第1導電型と第2導電型の何れか一方はn型を意味し、それらの他方はp型を意味する。この構成では、メイン素子領域内に絶縁ゲート型のトランジスタが形成されており、サブ素子領域内に絶縁ゲート型のトランジスタが形成されている。なお、絶縁ゲート型のトランジスタは、FETであってもよいし、IGBTであってもよい。上述した半導体装置は、半導体基板を平面視したときに第4領域と重なる位置に、温度検出素子が形成されていることが好ましい。また、上述した半導体装置は、第4領域が半導体基板の上面に露出している範囲の一部に、第4領域を第2上部電極に接続しているコンタクトが形成されており、第4領域が半導体基板の上面に露出している範囲のうちのコンタクト以外の部分に、層間絶縁膜が形成されており、温度検出素子が、層間絶縁膜上に形成されていることが好ましい。図1~4に示す半導体装置10は、半導体基板12と、半導体基板12の表面に形成されている電極、配線、絶縁膜等を備えている。図1は、半導体基板12の上面を示している。図1に示すように、半導体基板12の上面には、2つの環状のp型領域70、72が形成されている。図3に示すように、p型領域70、72は、半導体基板12の上面から比較的深い位置まで広がっている。p型領域70の内側の領域は、電流検出用の素子が形成されているサブ素子領域20である。p型領域72の外側の領域は、主電流を通電するための素子が形成されているメイン素子領域60である。メイン素子領域60とサブ素子領域20は、p型領域70、72、及び、これらの間に存在するn型領域74によって区分されている。図1の点14は、半導体基板12を上面側から平面視したときにおける半導体基板12の中心を示している。図1に示すように、サブ素子領域20は、半導体基板12の中心14と重なるように形成されている。すなわち、中心14が、サブ素子領域20に含まれている。図3に示すように、サブ素子領域20内の半導体基板12の上面には、トレンチが形成されている。トレンチの内面は、ゲート絶縁膜50に覆われている。トレンチ内には、ゲート電極52が形成されている。以下では、トレンチ内のゲート絶縁膜50とゲート電極52をまとめて、トレンチゲート電極54という。図1に示すように、トレンチゲート電極54は、X方向に沿って伸びている。図3に示すように、サブ素子領域20内の半導体基板12には、n型のエミッタ領域22、p型のボディ領域24、n型のドリフト領域26、及び、p型のコレクタ領域28が形成されている。エミッタ領域22は、半導体基板12の上面に露出するとともに、ゲート絶縁膜50と接する範囲に形成されている。図1に示すように、エミッタ領域22は、トレンチゲート電極54に沿ってすなわち、X方向に沿って伸びている。図3に示すように、ボディ領域24は、エミッタ領域22の側方及び下側に形成されている。ボディ領域24は、エミッタ領域22が形成されていない範囲において、半導体基板12の上面に露出している。ドリフト領域26は、ボディ領域24の下側に形成されている。ドリフト領域26は、ボディ領域24によって、エミッタ領域22から分離されている。また、ドリフト領域26は、p型領域70、72の間のn型領域74と繋がっている。コレクタ領域28は、ドリフト領域26の下側に形成されており、半導体基板12の下面に露出している。エミッタ領域22、ボディ領域24、ドリフト領域26、コレクタ領域28、及び、トレンチゲート電極54によって、サブ素子領域20内にIGBTが形成されている。また、メイン素子領域60内の半導体基板12にも、エミッタ領域62、ボディ領域64、ドリフト領域、コレクタ領域、及び、トレンチゲート電極68が形成されている。これらによって、メイン素子領域60内にIGBTが形成されている。なお、図1に示すように、メイン素子領域60内のトレンチゲート電極68は、X方向に沿って伸びており、サブ素子領域20内のトレンチゲート電極54と略同じ間隔で形成されている。これによって、サブ素子領域20とメイン素子領域60において、同程度のコレクタ-エミッタ間耐圧が得られるようになっている。また、図1に示すように、メイン素子領域60内のエミッタ領域62は、Y方向X方向に直交する方向に沿って伸びている但し、他の実施例においては、メイン素子領域60内のエミッタ領域62が、サブ素子領域20のエミッタ領域22と同様にして、トレンチゲート電極68に沿って伸びていてもよい。。また、メイン素子領域60内のドリフト領域は、サブ素子領域20内のドリフト領域26と繋がっている。また、メイン素子領域60内のコレクタ領域は、サブ素子領域20内のコレクタ領域28と繋がっている。半導体基板12を上面側から平面視したときにおいて、メイン素子領域60の面積はサブ素子領域20の面積よりも大きい。このため、半導体基板12に形成されているIGBTがオンした場合には、メイン素子領域60にはサブ素子領域20よりも大きい電流が流れる。図3に示すように、半導体基板12の下面には、コレクタ電極90が形成されている。コレクタ電極90は、サブ素子領域20内のコレクタ領域28、及び、メイン素子領域60内のコレクタ領域と導通している。図示していないが、メイン素子領域60内の半導体基板12上には、エミッタ電極が形成されている。メイン素子領域60内のエミッタ電極は、メイン素子領域60内のエミッタ領域62、ボディ領域64と導通している。また、このエミッタ電極は、層間絶縁膜によってメイン素子領域60内のゲート電極から絶縁されている。サブ素子領域20内の半導体基板12上には、サブ素子のエミッタ電極92と、温度検出素子80が形成されている。図2は、エミッタ電極92と、温度検出素子80の配置を示している。なお、図の見易さを考慮して、図2では、エミッタ電極92が破線で示されている。図2に示すように、温度検出素子80は、p型ポリシリコン層82と、n型ポリシリコン層84によって構成されている。p型ポリシリコン層82は、Y方向に伸びる2つの部分82a、82bと、これらの部分82a、82bを接続する部分82cを備えている。p型ポリシリコン層82は、配線82dによって図示しない電極パッドに接続されている。n型ポリシリコン層84は、Y方向に伸びる2つの部分84a、84bと、これらの部分84a、84bを接続する部分84cを備えている。部分82aの先端が部分84aの先端と接しており、部分82bの先端が部分84bの先端と接している。n型ポリシリコン層84は、配線84dによって図示しない電極パッドに接続されている。p型ポリシリコン層82とn型ポリシリコン層84とのpn接合における順電圧は、温度に応じて変化する。したがって、温度検出素子80を用いて、半導体基板12の温度を検出することができる。図3に示すように、温度検出素子80すなわち、p型ポリシリコン層82とn型ポリシリコン層84と半導体基板12の間には、層間絶縁膜86aが形成されている。層間絶縁膜86aによって、温度検出素子80が半導体基板12から絶縁されている。図2に示すように、エミッタ電極92は、半導体基板12上に、温度検出素子80を覆うようにして形成されている。エミッタ電極92は、配線92aによって、図示しない電極パッドに接続されている。図3に示すように、温度検出素子80が存在する領域においては、温度検出素子80上に層間絶縁膜86bが形成されており、その層間絶縁膜86b上にエミッタ電極92が形成されている。層間絶縁膜86bによって、エミッタ電極92は温度検出素子80から絶縁されている。温度検出素子80が存在しない領域では、図4に示すように、半導体基板12上に厚い層間絶縁膜86が形成されている。また、温度検出素子80が存在しない領域には、層間絶縁膜86を貫通するコンタクトホール94が形成されている。コンタクトホール94によって、エミッタ領域22、及び、ボディ領域24がエミッタ電極92に接続されている。なお、トレンチゲート電極54上には層間絶縁膜86が存在しており、層間絶縁膜86によってゲート電極52がエミッタ電極92から絶縁されている。サブ素子領域20内のゲート電極52とメイン素子領域60内のゲート電極は、図示しない配線によって共通の電極パッドに接続されている。このため、サブ素子領域20内のIGBTのゲート電圧と、メイン素子領域60内のIGBTのゲート電圧は、同様に制御される。次に、半導体装置10の動作について説明する。半導体装置10を動作させる際には、半導体装置10のゲートパッドが、外部のゲート駆動回路に接続される。サブ素子領域20内のエミッタ電極92とメイン素子領域60内のエミッタ電極が略同一の低電位に接続され、コレクタ電極90が高電位に接続され、ゲート駆動回路が閾値以上のゲート電圧を印加すると、サブ素子領域20及びメイン素子領域60内のIGBTがオンする。ゲート駆動回路は、サブ素子領域20に流れる電流を検出し、その検出電流が所定値を超えた場合には、ゲート電圧を閾値未満に低下させる。これによって、IGBTの電流を遮断して、IGBTを過電流から保護する。また、半導体装置10に電流を流すと、半導体基板12の温度が上昇する。ゲート駆動回路は、温度検出素子80の検出温度を読み出し、その検出温度が所定値を超えた場合には、ゲート電圧を閾値未満に低下させる。これによって、IGBTの電流を遮断して、IGBTを過熱から保護する。なお、通電時には、半導体基板12の中心14の付近の領域が、半導体基板12の中で最も高温となる。半導体装置10では、サブ素子領域20が半導体基板12の中心14と重なる位置に形成されている。このため、サブ素子領域20の電流は、半導体基板12の中心14の電流密度と正確に相関する。すなわち、サブ素子領域20によって、熱的に最も不利な条件下で動作する半導体基板12の中心14における電流密度を正確に特定することができる。したがって、半導体装置10は、より好適な過電流保護動作をすることができる。すなわち、サブ素子領域が半導体基板の外周近傍に形成されている場合には、半導体基板の中心の電流密度を正確に特定することができない。これは、半導体基板内の温度分布によって半導体基板内において電気抵抗に分布が生じ、サブ素子領域を流れる電流と半導体基板の中心の電流密度との間の相関係数が変化するためである。半導体基板の中心の電流密度を正確に特定できないため、電流値に対してある程度のマージンを持って半導体装置を制御せざるを得ない。このため、半導体基板の中心の電流密度がそれほど高くない場合でも、IGBTが遮断される場合がある。これに対し、本実施例の半導体装置10は、半導体基板12の中心14の電流密度とサブ素子領域20を流れる電流とが正確に相関するので、半導体基板12の中心14の電流密度が高い場合のみにIGBTを遮断することができる。上記のマージンを小さくできるので、IGBTに通電可能な電流が増える若しくは、通電可能な電流が同じ従来の半導体装置よりも素子サイズを縮小することができる。。また、半導体装置10では、サブ素子領域20と重なる位置に、温度検出素子80が形成されている。このため、温度検出素子80は、最も高温となる半導体基板12の中心14の付近の領域の温度を正確に検出することができる。したがって、半導体装置10は、より好適な過熱保護動作をすることができる。すなわち、温度検出素子が半導体基板の外周近傍に形成されている場合には、半導体基板の中心の温度を正確に特定することができない。これは、半導体基板内に温度分布が生じるためである。半導体基板の中心の温度を正確に特定できないため、温度に対してある程度のマージンを持って半導体装置を制御せざるを得ない。このため、半導体基板の中心の温度がそれほど高くない場合でも、IGBTが遮断される場合がある。これに対し、本実施例の半導体装置10では、温度検出素子80によって半導体基板12の中心14の付近の温度を正確に特定することができるので、半導体基板12の中心14の温度が高い場合にのみ、IGBTを遮断させることができる。上記のマージンを小さくできるので、IGBTに通電可能な電流が増える若しくは、通電可能な電流が同じ従来の半導体装置よりも素子サイズを縮小することができる。。以上に説明したように、半導体装置10では、過電流保護動作と過熱保護動作の両方を好適に実行することができる。また、半導体装置10では、サブ素子領域20と温度検出素子80が重ねて形成されているので、これらが別の位置に形成されている半導体装置に比べて、素子サイズの縮小が可能となる。なお、上述した実施例では、温度検出素子80が、各トレンチゲート電極54を横断するように配置されていた。しかしながら、図5に示すように、温度検出素子80が、1つのトレンチゲート電極54上に、そのトレンチゲート電極54に沿って配置されていてもよい。なお、このような構成では、温度検出素子80の直下のトレンチゲート電極54の近傍の半導体領域に対してコンタクトホールを設けることができないので、温度検出素子80の直下のトレンチゲート電極54に隣接する部分にエミッタ領域を設けなくてもよい。すなわち、温度検出素子80の直下のトレンチゲート電極54は、ダミーとすることができる。このように、温度検出素子80の直下にダミーのトレンチゲート電極54を設けることで、各トレンチゲート電極54の間の間隔を、サブ素子領域20とメイン素子領域60とで揃えることができる。これによって、サブ素子領域20のコレクタ-エミッタ間耐圧を、メイン素子領域60と同程度とすることができる。なお、このような構成は、比較的電流密度が低い半導体装置例えば、トレンチゲート電極間の間隔が4μm以上の半導体装置において好ましい。トレンチゲート間の間隔がより狭い半導体装置においては、図5のように温度検出素子80を形成するのが困難となるため、上述した実施例のように温度検出素子80を形成することがより好ましい。以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。