ダイレクトプレス法により作製した円盤状のガラス基板前駆体を用いたHDD用ガラス基板の製造方法であって、前記ガラス基板前駆体の表面を、粒径が4~10μmの固定砥粒を用いて研削する粗ラッピング工程と、前記ガラス基板前駆体の表面を、粒径が4μmより小さい固定砥粒を用いて研削する精密ラッピング工程と、前記ガラス基板前駆体の表面を処理する化学処理工程と、を含み、前記粗ラッピング工程と前記精密ラッピング工程との間に前記化学処理工程を行うことを特徴とするHDD用ガラス基板の製造方法。前記化学処理工程が、フッ化水素と水との混合液からなるエッチング液に浸漬させることにより、前記ガラス基板前駆体の表面をエッチングする工程であることを特徴とする請求項1に記載のHDD用ガラス基板の製造方法。前記化学処理工程において除去されるガラス基板前駆体の深さが1~3μmであることを特徴とする請求項1または2に記載のHDD用ガラス基板の製造方法。本発明は、前記従来技術に鑑みてなされたものであり、その解決すべき課題は、強度及び平坦性に優れたHDD用ガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。前記課題を解決するために、本発明者らは、HDD用ガラス基板の製造工程における精密ラッピング工程及び粗ラッピング工程にそれぞれ用いる砥粒の粒径に着目し、また化学処理工程の施すべき順序に着目し、鋭意検討を行った。この結果、粗ラッピング工程に用いる砥粒の粒径を4~10μm、精密ラッピング工程に用いる砥粒の粒径を4μmより小さいものにし、さらに粗ラッピング工程と精密ラッピング工程との間に化学処理工程を備えることによって、ガラス基板に対してクラックが生じにくく、割れにくく強度の高いHDD用ガラス基板が得られることを見出した。すなわち本発明は、ダイレクトプレス法により作製した円盤状のガラス基板前駆体を用いたHDD用ガラス基板の製造方法であって、前記ガラス基板前駆体の表面を粒径が4~10μmの固定砥粒を用いて研削する粗ラッピング工程と、前記ガラス基板前駆体の表面を粒径が4μmより小さい固定砥粒を用いて研削する精密ラッピング工程と、前記ガラス基板前駆体の表面を処理する化学処理工程と、を含み、前記粗ラッピング工程と前記精密ラッピング工程との間に前記化学処理工程を行うことを特徴とするHDD用ガラス基板の製造方法である。また、前記化学処理工程が、フッ化水素と水との混合液からなるエッチング液に浸漬させることにより、前記ガラス基板前駆体の表面をエッチングする工程であることが好ましい。更に、前記HDD用ガラス基板の製造方法において、前記化学処理工程において除去されるガラス基板前駆体の深さは1~3μmであることが好適である。本発明によれば、強度に優れたHDD用ガラス基板の製造方法を提供することができる。以下、本発明に係る実施形態について説明するが、本発明は、これらに限定されるものではない。本実施形態に係るHDD用ガラス基板の製造方法は、ダイレクトプレス法により作製した円盤状のガラス基板前駆体を用いたHDD用ガラス基板の製造方法であって、前記ガラス基板前駆体の表面を粒径が4~10μmの固定砥粒を用いて研削する粗ラッピング工程と、前記ガラス基板前駆体の表面を粒径が4μmより小さい固定砥粒を用いて研削する精密ラッピング工程と、前記ガラス基板前駆体の表面を処理する化学処理工程と、を含み、前記粗ラッピング工程と前記精密ラッピング工程との間に前記化学処理工程を行うことを特徴とする。本実施形態におけるHDD用ガラス基板の製造方法としては、例えば、ダイレクトプレス工程及びコアリング加工工程、内外加工工程、粗ラッピング工程、端面研磨工程、化学処理工程、精密ラッピング工程、化学強化工程、主表面研磨工程、洗浄工程を備える方法等が挙げられる。なお、主表面研磨工程は、2工程を含むことが好ましく、それぞれ第1研磨工程と第2研磨工程とを含む。そして、本発明における製造方法の工程順序は、前記粗ラッピング工程と前記精密ラッピング工程との間に化学処理工程を備えていれば、前記工程順番以外の方法で行うものであってもよい。例えば、第2研磨工程と洗浄工程の順番が入れ替わったものであってもよい。さらに、これら以外の工程を備える方法であってもよい。また、洗浄工程については、粗研磨工程の後に行っても、精密研磨工程の後に行ってもよく、さらに粗研磨工程及び精密研磨工程の後にそれぞれ一度ずつ行ってもよい。本発明者らは、従来の割れたガラス基板の原因を調査した。その結果、粒子の小さい固定砥粒を用いてラッピングを行う際にその割れの原因が発生していることが判明した。さらに、ガラス基板の割れはラッピング工程と化学処理工程との関係に由来していることが判明した。つまり、ラッピング工程より前に化学処理工程を行うとラッピング特に粗ラッピングにて発生したクラックが除去できなくなる。また、精密ラッピングより後に化学処理を行うと化学処理で悪化した平坦度を修正しきれない場合がある。よって、粒径の小さい砥粒を用いてラッピング工程を行う場合、化学処理は粗ラッピングと精密ラッピングの間に行う必要があるのである。さらに、この精密ラッピング工程は、近年ダイヤモンド粒子を用いて固定粒子4μm、状況によっては2μmの粒子を用いて加工する工程であるが、加工後のガラス基板は鏡面レベルの平滑性に近づく。表面粗さRaとしては100nm前後である。この場合、従来のラッピングよりも加工取り代が少ないことから、前行程までのガラス基板の平坦度が悪い場合にはその平坦度の修正が行いにくい。よって、以上の理由により粗ラッピングと精密ラッピングの間に適正な量のエッチングで化学処理を行わなければ、クラックの除去による強度の改善とガラス基板の平坦度の両立が困難となってしまう。また、本発明の製造方法における粗ラッピング工程に用いられる固定砥粒の粒径は4~10μmであり、精密ラッピングに用いられる固定砥粒の粒径は4μmより小さいものを用いなければならず、2μm以下のものが好ましい。ラッピング工程において用いられる固定粒子が大きければ大きいほど加工効率が向上し、平坦度の修正を効率良く行うことができる。また、固定粒子が大きいと大きな傷の除去に効果的である。一方で、粒子が大きい場合には加工後の平坦性が悪化し、小さい傷を効果的に除去できないことがある。つまり粒子の大きさを一定にしてしまうと、加工効率の向上とガラス基板の品質向上との両立が難しくなる。従って、比較的粒径の大きい固定粒子を粗ラッピング工程に、比較的粒径の小さい固定粒子を精密ラッピング工程にそれぞれ用いることにより、平坦度に優れた基板を効率的に製造できる。粗ラッピング工程に用いられる固定砥粒の粒径が10μmより大きい場合には、ガラス基板の平坦度が悪化してしまい、後の精密ラッピング工程を施しても平坦性を修正することができなくなる。また前記粒径が4μmより小さい場合には、これまでの工程にてふよされた大きな傷を除去できなくなる。また、精密ラッピング工程に用いられる固定砥粒が4μmより大きいと平坦性に劣るガラス基板となってしまう。また、前記粒径が0.04μmより小さい場合にはガラスの組成や強度によってはラッピング加工が行えないため、0.04μm以上の粒子である方が好ましい。以下、本発明のHDD用ガラス基板およびその製造方法について説明する。なお、長さ、幅、厚さ、深さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜に変更されており、実際の寸法関係を表わすものではない。<HDD用ガラス基板>図1は、本発明の製造方法によって製造されるHDD用ガラス基板の一例を示す斜視図である。本発明の製造方法によって製造されるHDD用ガラス基板は、ハードディスクドライブ装置等の情報記録装置において情報記録媒体の基板として用いられるものである。このようなHDD用ガラス基板は、図1に示されるように円盤形状であり、その中心に孔1Hが形成されている。HDD用ガラス基板1の表面とは、表主表面1A、裏主表面1B、内周端面1C、および外周端面1Dを意味する。本発明のHDD用ガラス基板1の大きさや形状は特に限定されず、たとえば0.8インチ、1.0インチ、1.8インチ、2.5インチ、または3.5インチである。HDD用ガラス基板1の厚さは、破損防止の観点からたとえば0.30~2.2mmであることが好ましい。なお、HDD用ガラス基板1の厚さは、ガラス基板上の点対象となる任意の複数の点で測定した値の平均によって算出される。本発明のHDD用ガラス基板1の代表的な一例を示すと、HDD用ガラス基板の外径が約64mmであり、内径が約20mmであり、厚さが約0.8mmである。なお、一般的に2.5インチ型のハードディスクには、外径が65mmのHDD用ガラス基板を用いる。本発明のHDD用ガラス基板を構成する材料は、アルミノシリケートガラスが好適に用いられる。かかるアルミノシリケートガラスの組成は、58質量~75質量のSiO2、5質量~23質量のAl2O3、1質量~10質量のLi2O、4質量~13質量のNa2Oを主成分として含有するものである。<HDD用ガラス基板の製造方法>本発明のHDD用ガラス基板の製造方法は、ダイレクトプレス法により作製した円盤状のガラス基板前駆体を用いるものであって、該ガラス基板前駆体の中心に穴をあけるコアリング工程と、ガラス基板前駆体の内周端面および外周端面を面取りする内外加工工程とを少なくとも含み、コアリング工程と内外加工工程との間に、ガラス基板前駆体の表面を処理する化学処理工程を含むことを特徴とする。本発明のHDD用ガラス基板を製造する方法は、このようにコアリング工程と内外加工工程との間に化学処理工程を行なう限り、他の工程を含むことができる。ここで、他の工程としては、たとえば溶融ガラスを円盤状に加工するダイレクトプレス工程、ガラス基板前駆体の平行度および厚みなどを調整するラッピング工程、粗研磨工程で行なう研磨よりもガラス基板前駆体の平滑性を高める研磨を行なう研磨工程、ガラス基板前駆体の表裏の両面を洗浄する洗浄工程等を挙げることができる。なお、本発明のHDD用ガラス基板の製造方法は、ダイレクトプレス法によって製造されるものに限定され、フロート法によって製造されるものは含まれない。なぜなら、フロート法によってHDD用ガラス基板を製造する場合は、その表面に微小なクラックが発生しにくいため、化学処理工程を行なうことによって強度を向上させる必要がないからである。以下においては、本発明のHDD用ガラス基板を作製するときの各工程を説明する。なお、上述のよう適宜簡易的な洗浄を行なってもよいし、化学処理工程を粗ラッピング工程と精密ラッピング工程の間に含む限り、これらの各工程の間にさらにラッピング工程や洗浄工程、研磨工程を含んでいてもよいし、その他の工程の順序を適宜変更しても差し支えない。ダイレクトプレス工程まず、ガラス素材を溶融させて溶融ガラスを準備する。この溶融ガラスを下型に流し込み、上型によってプレス成形することにより円盤状のガラス基板前駆体を得る。このようにして溶融ガラスからガラス基板前駆体を得る工程のことをダイレクトプレス工程と呼ぶ。コアリング加工工程次に、コアリング加工工程で、ガラス基板前駆体の中心部に穴を開ける。穴開けは、カッター部にダイヤモンド砥石等を備えたコアドリル等で研削することで中心部に穴を開ける。穴の大きさは、ガラス基板前駆体の外径によって適宜変更することができ、たとえば外形が65mmのガラス基板前駆体の中心部には20mmの内径の孔中心部の孔1Hの直径を開ける。内外加工工程次に、内外加工工程において、上記のガラス基板前駆体の外周端面および内周端面の面取り加工を行なう。粗ラッピング工程上記のガラス基板前駆体の表裏の両面に対し、ラッピング加工を施す。ここで、粗ラッピング加工では、たとえば両面ラッピング装置によって行なう。これによりガラス基板前駆体の全体形状、平行度、平坦度および厚みを予備的に調整することができる。化学処理工程上記のガラス基板前駆体をフッ化水素と水との混合液からなるエッチング液に浸漬させることにより、ガラス基板前駆体の表面および端面をエッチングする。このようにガラス基板前駆体の表面をエッチングすることにより、粗ラッピング工程でガラス基板前駆体の表面に形成された欠陥やクラックを取り除くことができ、ガラス基板前駆体の強度を向上させることができる。上記のエッチング液としては、HF、NH4F、NaF等を挙げることができ、硫酸や硝酸などの酸と併用しても差し支えない。なお、上記のエッチング液への浸漬中あるいは浸漬後の引き上げ作業中に、ガラス基板前駆体の端面の部位ごとにエッチングされる度合いが変化する。これによりガラス基板前駆体の端部の形状が均一でなくなり微小なうねりが発生したり、内径および外径部が同心円ではなくなったりするが、これらの不具合は後述する内外加工工程によって均一に調整される。なお、上記のエッチング液への浸漬中あるいは浸漬後の引き上げ作業中に、ガラス基板前駆体の端面の部位ごとにエッチングされる度合いが変化する。よってエッチングされる厚みは1~3μmであることが好ましい。それ以下であるとクラックが除去できず、それ以上であるとエッチングが過剰に行われ平坦度修正しきれない。精密ラッピング工程次いで、精密ラッピング工程では、固定砥粒研磨パッドを用いてガラス基板前駆体の表裏を研削する。かかる精密ラッピング工程は、遊星歯車機構を利用した両面研削機と呼ばれる公知の研削機を使用して研削することができる。この両面研削機は、上下に配置された円盤状の上定盤と下定盤とが互いに平行に備えられており、上定盤および下定盤が対向するそれぞれの面にガラス基板前駆体の表裏を研削するための複数のダイヤモンドパッドが貼り付けてある。上定盤と下定盤との間には、下定盤の外周に円環状に設けられたインターナルギアと下定盤の回転軸の周囲に設けられたサンギアとに結合して回転する複数のキャリアがある。このキャリアには、複数の穴が設けられており、この穴にガラス基板をはめ込んで配置する。なお、上定盤、下定盤、インターナルギア、およびサンギアは別駆動で動作することができ、上定盤および下定盤が互いに逆方向に回転する。そして、ダイヤモンドパッドを介して定盤に挟まれているキャリアが、複数のガラス基板を保持した状態で、自転しながら定盤の回転中心に対して下定盤と同じ方向に公転する。このように動作する研削機において、上定盤とガラス基板前駆体の間および下定盤とガラス基板前駆体との間に研削液を供給することによりガラス基板前駆体の表裏の研削を行なうことができる。この両面研磨機を使用する際、ガラス基板に加わる定盤の加重及び定盤の回転数を所望の研削状態に応じて適宜調整する。上記の定盤による加重を大きくするか、または定盤の回転数を速くすると、ガラス基板前駆体の研削量は多くなるが、加重を大きくしすぎるとガラス基板前駆体の面粗さが悪くなるため好ましくない。また、定盤の回転数が速すぎると平坦度が良好とならない。また加重が小さすぎたり、定盤の回転数が遅すぎたりしても、研削量が少なくなるため製造効率が低くなる。上記の精密ラッピング工程を終えた後のガラス基板前駆体の主表面の面粗さは、Raが0.01~0.2μmであることが好ましく、主表面の平坦度は、1~5μmであることが好ましい。このような面状態とすることにより、後の第1研磨工程での研磨の効率を高めることができる。<化学強化工程>前記精密ラッピング工程の次に、化学強化工程としてガラス基板前駆体表面に圧縮応力層を形成させる。具体的には、ガラス素板を化学強化処理液に浸漬させる方法等が挙げられる。該方法によって、ガラス素板の表面、例えば、ガラス素板表面から5μmの領域に圧縮応力層を形成することができる。そして、圧縮応力層を形成することで耐衝撃性、耐振動性及び耐熱性等を向上させることができる。つまり、加熱された化学強化処理液にガラス素板を浸漬させることによって、ガラス素板に含まれるリチウムイオンやナトリウムイオン等のアルカリ金属イオンをそれよりイオン半径の大きなカリウムイオン等のアルカリ金属イオンに置換するイオン交換法によって行われる。イオン半径の違いによって生じる歪みにより、イオン交換された領域に圧縮応力が発生し、ガラス素板の表面が強化される。化学強化工程の処理液に使用した塩は公知のものを使用することができる。塩としては硝酸塩、炭酸塩、硫酸塩などがあげられる。またイオン交換されるイオンとしてはナトリウムやカリウムなどである。その中でもカリウムが最も良い。硝酸カリウムは融点が低いので扱いやすく、かつカリウムイオンの交換によりばらつきなくイオン交換ができる。化学強化工程は、加熱された化学強化処理液にガラス基板を浸漬することによってガラス基板に含まれるリチウムイオン、ナトリウムイオン等のアルカリ金属イオンをそれよりイオン半径の大きなカリウムイオン等のアルカリ金属イオンによって置換するイオン交換法によって行われる。イオン半径の違いによって生じる歪みより、イオン交換された領域に圧縮応力が発生し、ガラス基板の表面が強化される。化学強化処理液は、上記の成分が融解する温度よりも高温になるよう加熱される。一方、化学強化処理液の加熱温度が高すぎると、ガラス基板の温度が上がりすぎ、ガラス基板の変形を招く恐れがある。このため、化学強化処理液の加熱温度はガラス基板のガラス転移点Tgよりも低い温度が好ましく、ガラス転移点-50°Cよりも低い温度とすることが更に好ましい。なお、加熱された化学強化処理液に浸漬される際の熱衝撃によるガラス基板の割れや微細なクラックの発生を防止するため、化学強化処理液への浸漬に先立って、予熱槽でガラス基板を所定温度に加熱する予熱工程を有していても良い。端面研磨工程続いて、端面研磨工程では、研磨砥粒として酸化セリウム砥粒を含むスラリー遊離砥粒を用いたブラシ研磨法により、ガラス基板前駆体の外周端面および内周端面を研磨する。ブラシ研磨法ではガラス基板前駆体を回転させながら外周端面および内周端面を研磨する。上記の内周側端面に対し、さらに磁気研磨法による研磨を行なうことにより、ガラス基板前駆体の内周端面を鏡面状態に加工する。そして、最後にガラス基板前駆体の表面を水で洗浄する。なお、端面研磨工程は、それぞれ内径研磨工程及び外径研磨工程に分けることができる。主表面研磨工程主表面研磨工程は、第1研磨工程および第2研磨工程によってガラス基板前駆体の表裏を研磨する。第1研磨工程は、精密ラッピング工程でガラス基板前駆体の表裏に残留した傷や歪みを除去するために行ない、第2研磨工程は、ガラス基板前駆体の表裏を鏡面加工するために行なう。まず、第1研磨工程では、ポリッシャーがスウェードパッドである研磨パッドを上記の両面研磨機にセットし、ガラス基板前駆体の表裏を研磨する。そして、上記ガラス基板前駆体の表面に付着している研磨剤を洗浄によって除去する。続いて、第2研磨工程では、ガラス基板前駆体に対し、軟質ポリッシャースウェードである研磨パッドを用いて、ガラス基板前駆体の表裏を研磨する。なお、第2研磨工程で用いる研磨剤としては、第1研磨工程で用いた酸化セリウムよりも微細なシリカ砥粒を用いることが好ましい。洗浄工程上記の研磨を終えたガラス基板に対し、中性洗剤および純水にて洗浄し乾燥させることが好ましい。このような洗浄を行なうことにより、ガラス基板前駆体に付着した異物を洗い流すことができる他、HDD用ガラス基板の表面を安定にし、長期の保存安定性に優れたものとすることができる。以上のようにしてHDD用ガラス基板を作製することができる。以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。2.5インチのアルミノシリケートガラスを用いて、下記実施例又は比較例で記載した工程を施してガラス基板の製造を行った。なお、基板の厚みは表面研磨後に0.8mmとなるようにガラス基板の板厚を調整した。実施例1上記アルミノシリケートガラスにコアリング工程を施した後に、内外加工工程、内径研磨工程、粗ラッピング工程、化学処理工程、精密ラッピング工程、外径研磨工程、化学強化工程、第1研磨工程、第2研磨工程の順にHDD用ガラス基板の製造を行った。上記の実施形態において、粗ラッピングのダイヤモンド径を9μm、精密ラッピングのダイヤモンド砥粒を3μmにて加工を行った。化学処理工程では常温のフッ化水素水溶液1に基板を浸漬させ、1μmの表面を除去した。化学強化工程は硝酸カリウムを400°Cまで加熱して溶融した処理液に3時間基板を浸漬させた。主表面研磨は2段階に分けて行い、第1研磨工程では酸化セリウムを用いて30μmの取り代で主表面を研磨し、主表面上の応力層を取り除いた。第2研磨工程ではコロイダルシリカ20μmの粒径にて研磨を行い、基板の粗さを仕上げた。取り代は2μmであった。実施例2化学処理工程において、5μmの表面を除去した以外は上記実施例1と同様にガラス基板を製造した。実施例3化学処理工程において、3μmの表面を除去した以外は上記実施例1と同様にガラス基板を製造した。実施例4化学処理工程において、0.5μmの表面を除去した以外は上記実施例1と同様にガラス基板を製造した。比較例1粗ラッピング工程におけるダイヤモンド径を12μmとした以外は上記実施例1と同様にガラス基板を製造した。比較例2精密ラッピング工程におけるダイヤモンド径を6μmとした以外は上記実施例1と同様にガラス基板を製造した。比較例3化学処理工程と精密ラッピング工程との順序を入れ替えた以外は上記実施例1と同様にガラス基板を製造した。一点曲げ試験一点曲げ試験とは基板の外径部を保持した後に、基板の任意の1点に力を加えていった際にどの程度の力で割れるかというテストである。測定にはRTG-1310AD社製を用いて測定し、以下のように評価した。○:3kgf以上△:2kgf以上3kgf未満×:2kgf未満平坦度測定平坦度の測定は、FT-17NIDEK社製を用いて測定し、以下のように評価した。○:2.5μm未満△:2.5μm以上3μm以下×:3μm以上実施例1~4および比較例1~2の試験結果を表1に示す。表1の結果から明らかなように、実施例1~4は、粗ラッピング工程に4~10μmの固定砥粒を用い、精密ラッピング工程に4μmより小さい固定砥粒を用いて研削し、さらに粗ラッピング工程と精密ラッピング工程との間に前記化学処理工程を備えたため、平坦度、強度に優れたガラス基板を得ることができた。また、化学処理工程における取り代を小さくするほど平坦度、強度ともに劣っていくことが分かった。また、粗ラッピング工程に12μmの固定砥粒を用いた比較例1は平坦度、強度に劣る結果となった。また精密ラッピング工程に6μmの固定砥粒を用いた比較例2は、比較例1よりさらに平坦度、強度ともに劣る結果となった。化学処理工程と精密ラッピング工程との順序を入れ替えた比較例3は、強度に関しては問題のない結果だったが、平坦度に劣る結果となった。