"発光ダイオードチップ1であって、電磁放射11を生成するのに適している活性層3を有する半導体積層体2を備えており、前記発光ダイオードチップ1は、表側に放射出口領域4を有し、前記発光ダイオードチップ1は、前記放射出口領域4とは反対の裏側の少なくとも一部分に、銀を含んでいるミラー層5を有し、前記ミラー層5の腐食を低減する、もしくは、前記ミラー層5の接着を改善する、またはその両方である機能層6が、前記ミラー層5の上に配置されており、前記機能層6を形成している材料が、前記ミラー層5全体にも分布しており、前記機能層6の前記材料が、前記ミラー層5の中で濃度勾配を有し、前記ミラー層5内における前記機能層6の前記材料の濃度は、前記機能層6から前記半導体積層体2に向かう方向に減少していく、発光ダイオードチップ。前記ミラー層5は、前記半導体積層体2に直接隣接している、請求項1に記載の発光ダイオードチップ。前記機能層6は白金を含む、請求項1または請求項2に記載の発光ダイオードチップ。前記機能層6は、ニッケル、クロム、パラジウム、ロジウム、または透明導電性酸化物を含む、請求項1または請求項2に記載の発光ダイオードチップ。前記機能層6は、0.1nm~1000nmの範囲内の厚さを有する、請求項1から請求項4のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。前記機能層6は、10nm~100nmの範囲内の厚さを有する、請求項5に記載の発光ダイオードチップ。前記ミラー層5は、反射性のコンタクト積層体10の一部分であり、前記コンタクト積層体10は、前記半導体積層体2に続く少なくとも以下の層、すなわち、銀を含んでいる前記ミラー層5と、前記ミラー層5の腐食を低減する、もしくは前記ミラー層5の接着を改善する、またはその両方である前記機能層6と、拡散障壁層7と、第1の電気接続層9と、を、この記載順に有する、請求項1から請求項6のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。前記第1の電気接続層9は金を含む、請求項7に記載の発光ダイオードチップ。前記拡散障壁層7は、チタン、クロム、ニッケル、パラジウム、窒化チタン、または窒化チタンタングステンを含む、請求項7または請求項8に記載の発光ダイオードチップ。前記拡散障壁層7と前記第1の電気接続層9との間に接着層8が配置される、請求項7から請求項9のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。前記接着層8は、白金、チタン、またはクロムを含む、請求項10に記載の発光ダイオードチップ。前記発光ダイオードチップ1は、第1の電気接続層9および第2の電気接続層15を有し、前記第1の電気接続層9および前記第2の電気接続層15は、前記半導体積層体2の前記裏側にあり、パッシベーション層13によって互いに電気的に絶縁されており、前記第2の電気接続層15の部分領域は、前記半導体積層体2の前記裏側から、前記活性層3の少なくとも1つの開口孔21a,21bを通り、前記表側に向かう方向に延びており、前記第2の電気接続層15は、銀を含み、第2のミラー層として機能し、前記第2の電気接続層15の腐食を低減する、もしくは前記第2の電気接続層15の接着を改善する、またはその両方である第2の機能層16は、前記第2の電気接続層15の上に配置されており、前記第2の機能層16を形成している材料が、前記第2の電気接続層15にも含まれている、請求項1から請求項11のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。前記第2の電気接続層15は、少なくとも部分的に積層体12の一部であり、前記積層体12は、少なくとも以下の層、すなわち、前記パッシベーション層13と、前記第2の電気接続層15と、前記第2の機能層16と、拡散障壁層17と、はんだ層18と、を、この記載順に含んでいる、請求項12に記載の発光ダイオードチップ。前記発光ダイオードチップ1は、前記放射出口領域4とは反対側の面において、前記はんだ層18によってキャリア19に結合されている、請求項13に記載の発光ダイオードチップ。可視スペクトル領域に対しては、ミラー層の材料として、特に、銀が適している。しかしながら、銀からなるミラー層の場合、半導体材料上での良好な接着と、半導体材料との良好な電気的接続と、高い反射性と、銀の腐食あるいは隣接層への銀のマイグレーションに対する高い信頼性の保護と、をすべて得ることは難しい。銀からなるミラー層の、半導体材料上での接着を改善する目的で、半導体表面とミラー層との間に接着促進層を挿入することができる。しかしながら、半導体材料とミラー層との間のこのような接着促進層によって、一般には反射率が低下する。したがって、このような接着促進層は、一般には極めて薄く形成するべきであり、これにより工程制御が難しくなる。本発明の目的は、裏側のミラー層を備えた発光ダイオードチップであって、ミラー層が、特徴的な特性として、特に、半導体材料上での良好な接着と、半導体材料との良好な電気的接続と、高い反射性と、銀の腐食あるいは隣接層への銀のマイグレーションに対する保護と、を有する、発光ダイオードチップを開示することである。この目的は、独立請求項1に係る発光ダイオードチップによって達成される。従属請求項は、本発明の有利な構造形態および発展形態に関する。発光ダイオードチップは、電磁放射を生成するのに適している活性層を有する半導体積層体を含んでいる。発光ダイオードチップは、表側に放射出口領域を有し、活性層によって放出された電磁放射は、この放射出口領域を通って半導体積層体から出る。発光ダイオードチップの表側とは、本明細書においては、、発光ダイオードチップにおいて放射出口領域が配置されている側であるものと理解されたい。発光ダイオードチップは、放射出口領域とは反対の裏側の少なくとも一部分に、銀を含んでいるミラー層を有する。ミラー層の上に機能層が配置されており、機能層は、ミラー層の腐食を低減する、もしくはミラー層の接着を改善する、またはその両方を目的としており、機能層を形成している材料がミラー層にも含まれている。ミラー層は、半導体積層体に直接隣接していることが好ましい。したがって、ミラー層と半導体積層体との間の界面における反射性を低下させうる接着促進層は、半導体積層体とミラー層との間に配置されていない。ミラー層の望ましい特性として、半導体材料上での良好な接着と、半導体材料との良好な電気的接続と、腐食および銀のマイグレーションに対する保護とを、半導体積層体とは反対側のミラー層の面に形成される機能層によって達成できることが判明した。この場合、機能層の材料がミラー層に含まれている、特に、内部拡散indiffusedしている。特に、機能層の材料をミラー層に導入することによって、ミラー層の材料特性に好ましい影響を与え得ることが判明した。機能層の材料は、好ましくは拡散によってミラー層に導入される。あるいは、他の物理的工程または化学的工程も考えられる。ミラー層内への機能層の材料の拡散は、ミラー層に機能層を形成した後の熱処理工程によってもたらされることが好ましい。熱処理工程の温度および時間を選択することによって、機能層の材料がミラー層内に所望の状態に拡散するように、拡散を制御することができる。熱処理は、200°C~400°Cの範囲内の温度で行われることが好ましい。特に、熱処理工程において、250°C~350°Cの範囲内の温度が設定されることが好ましい。熱処理に要求される時間は、使用する温度に依存し、特に、例えば1分~1時間の範囲内とすることができる。機能層は、白金を含んでいる、または白金からなることが好ましい。あるいは、機能層は、ニッケル、クロム、パラジウム、ロジウム、または透明導電性酸化物を含んでいる、あるいはこれらの材料からなることができる。透明導電性酸化物は、例えば、ITOまたはZnOとすることができる。機能層の材料は、ミラー層の大部分にすなわちミラー層の半分以上に含まれているように、ミラー層内に分布していることが有利である。好ましくは、機能層の材料がミラー層全体に分布している。一例として、機能層とは反対側のミラー層の界面においても材料が検出されるような深さまで、機能層の材料をミラー層に内部拡散させることができる。このようにすることで、特に、半導体積層体上でのミラー層の接着を改善できることが判明した。この場合、ミラー層の反射率に対するマイナスの影響は、半導体積層体とミラー層との間に薄い接着促進層が配置される場合よりも小さい。さらには、銀を含むミラー層内に機能層の材料を導入することによって、銀の腐食を低減できることが判明した。この効果の理由は、現時点で理論的には完全に判明していない。機能層の材料が、銀の結晶粒界に沿って拡散することが考えられる。この拡散は、ミラー層の材料の安定化に寄与する。なぜなら、腐食は一般には金属の結晶粒界から始まるためである。さらには、機能層の材料によって、電気化学列におけるその位置に従って発生電位が変化することにより、腐食効果が抑制されることも考えられる。さらには、ミラー層内に分布する機能層の材料の別の特性例えば、触媒あるいは水素の貯蔵体storageとしての効果が、ミラー層の耐久性にプラスに影響することも考えられる。機能層の材料は、ミラー層内に均一に分布しているのではなく、濃度勾配を有し、ミラー層内の機能層の材料の濃度が、機能層から、半導体積層体に向かう方向に減少していくことが好ましい。特に、機能層の材料の濃度が、ミラー層と機能層との間の界面よりも、ミラー層と半導体積層体との間の界面において低くなるようにすることができる。このような勾配の利点として、半導体積層体とミラー層との間の界面の反射率に対するマイナスの影響がさほど大きくない。ミラー層内の機能層の材料の濃度勾配は、特に、例えば熱処理工程によって機能層の材料をミラー層に内部拡散させることによって、得ることができる。機能層の厚さは、0.1nm~1000nmの範囲内両端値を含むが考えられる。機能層の厚さが10nm~100nmの範囲内両端値を含むである場合に、特に良好な結果が得られることが判明した。好ましい一構造形態においては、ミラー層は、反射性のコンタクト積層体の一部分であり、このコンタクト積層体は、半導体積層体との電気的接続を形成する役割と、発光ダイオードチップの放射出口領域の方向に放射を反射する役割の両方を果たす。反射性のコンタクト積層体は、半導体積層体に続く少なくとも以下の層、すなわち、銀を含んでいるミラー層と、ミラー層の腐食を低減する、もしくはミラー層の接着を改善する、またはその両方である機能層と、拡散障壁層と、第1の電気接続層とを、この記載順に有することが好ましい。この場合、ミラー層は半導体積層体に直接隣接していることが有利である。第1の電気接続層は、半導体積層体内に電流をできる限り均一に印加する目的で、良好な導電率を有する材料から形成されていることが好ましい。結果として、第1の電気接続層は、電流拡散層としても機能する。第1の電気接続層は、発光ダイオードチップの電気コンタクトの1つに導電接続されている。第1の電気接続層は、金層であることが好ましい。あるいは、第1の電気接続層は、例えば、銅またはニッケルを含んでいる、またはこれらの材料からなることもできる。機能層と第1の電気接続層との間の拡散障壁層は、特に、第1の電気接続層の材料例えば金が、銀を含んでいるミラー層の中に、またはこの逆方向に拡散することを防止する。拡散障壁層は、特に、チタン層とすることができる。あるいは、拡散障壁層は、例えば、クロム、ニッケル、パラジウム、窒化チタン、または窒化チタンタングステンを含んでいることができる。拡散障壁層と第1の電気接続層との間には、接着層が配置されていることが好ましい。接着層は、白金層であることが好ましい。あるいは、接着層は、クロム層またはチタン層とすることもできる。積層体は、機能層が白金層であり、拡散障壁層がチタン層であり、接着層が白金層であることが、特に有利であることが判明した。チタンは、銀を含んでいるミラー層と、第1の電気接続層好ましくは金を含んでいるとの間の極めて良好な拡散障壁となることが判明した。ただし一方で、チタンは腐食や酸化しやすいが、このことは、チタン層を2層の白金層の間に埋め込むことによって、有利に回避することができる。さらなる有利な構造形態においては、発光ダイオードチップは、放射出口領域とは反対側の面において、はんだ層によってキャリアに結合されている。この場合、発光ダイオードチップは、好ましくはいわゆる薄膜発光ダイオードチップであり、半導体積層体のエピタキシャル成長に使用された成長基板が半導体積層体から除去されており、代わりに、元の成長基板とは反対側の面において、半導体積層体がはんだ層によってキャリアに結合されている。好ましい一構造形態においては、発光ダイオードチップは、第1の電気接続層および第2の電気接続層を有し、これら第1の電気接続層および第2の電気接続層は、半導体積層体の裏側にあり、パッシベーション層によって互いに電気的に絶縁されており、第2の電気接続層の部分領域が、半導体積層体の裏側から、表側に向かう方向に、活性層の少なくとも1つの開口孔を通って延びている。第2の電気接続層は、この構造形態の場合、銀を含んでおり第2のミラー層として機能する。第2の電気接続層の上には、第2の電気接続層の腐食を低減する、もしくは、第2の電気接続層の接着を改善する、またはその両方である第2の機能層が配置されていることが有利であり、第2の機能層を形成している材料が、第2の電気接続層にも含まれている。第2の電気接続層および第2の機能層の有利な構造は、ミラー層と機能層の上述した有利な構造と同じである。特に、第2の機能層は、白金層とすることができる。好ましい一構造形態においては、第2の電気接続層は、少なくとも部分的に積層体の一部であり、この積層体は、少なくとも以下の層、すなわち、パッシベーション層と、第2の電気接続層と、第2の機能層と、拡散障壁層と、はんだ層とを、この記載順に含んでいる。発光ダイオードチップは、放射出口領域とは反対側の面において、はんだ層によってキャリアに結合されていることが好ましい。はんだ層は、例えば、AuSn層とすることができる。第2の電気接続層とはんだ層との間の拡散障壁層は、はんだ層の材料と第2の電気接続層の材料とが相互に拡散することを防止する。拡散障壁層は、窒化チタンタングステン層であることが好ましい。パッシベーション層と第2の電気接続層との間には、接着層を含めることができ、この接着層は、パッシベーション層上での第2の電気接続層の接着を改善する。接着層は、チタン層であることが好ましい。以下では、本発明について、例示的な実施形態に基づき、図1~図3を参照しながらさらに詳しく説明する。図面において、同じ構成要素または機能が同じである構成要素には、同じ参照数字記号を付してある。図に示した構成要素と、構成要素の大きさの関係は、必ずしも互いに正しい縮尺ではない。図1に示した発光ダイオードチップ1は、電磁放射11を放出する目的で設けられている活性層3を有する半導体積層体2を備えている。発光ダイオードチップ1の活性層3は、例えば、pn接合、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造、または多重量子井戸構造として具体化することができる。この場合、量子井戸構造という表現は、閉じ込めの結果として電荷キャリアにおいてエネルギ状態の量子化が起こる任意の構造を包含する。特に、量子井戸構造という表現は、量子化の次元に関して何らかの指定を行うものではない。したがって、量子井戸構造には、特に、量子井戸、量子細線、および量子ドットと、これらの構造の任意の組合せが含まれる。半導体積層体2は、特に、窒化物化合物半導体をベースとすることができる。窒化物化合物半導体をベースとするとは、本明細書においては、半導体積層体2またはその少なくとも1層が、III族窒化物化合物半導体材料、好ましくはInxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、xy≦1を含んでいることを意味する。この場合、この材料は、上記の化学式に従った数学的に正確な組成を有する必要はない。むしろ、この材料は、1種類または複数のドーパントと、InxAlyGa1-x-yN材料の特徴的な物理特性を実質的に変化させることのない追加の構成成分とを含んでいることができる。しかしながら、説明を簡潔にする目的で、上記の化学式は、結晶格子の本質的な構成成分In、Al、Ga、Nのみを含んでおり、これらの構成成分は、その一部分を少量のさらなる物質によって置き換えることができる。発光ダイオードチップ1は、その表側に配置されている放射出口領域4を介して、電磁放射11を放出する。放射の取り出しを改善する目的で、放射出口領域4に粗面または放射取り出し構造図示していないを設けることができる。発光ダイオードチップ1は、いわゆる薄膜発光ダイオードチップである。薄膜発光ダイオードチップにおいて、半導体積層体2の元の成長基板が発光ダイオードチップ1から分離されており、代わりに発光ダイオードチップ1は、元の成長基板とは反対側の面において、はんだ層18によってキャリア19に結合されている。元の成長基板が分離された半導体積層体2の面は、特に、放射出口領域4の役割を果たすことができる。したがって、発光ダイオードチップ1の場合、n型にドープされた半導体領域2a通常では成長基板の上に最初に成長するが、放射出口領域4の側である。半導体積層体2のp型にドープされた半導体領域2bは、キャリア19の側である。キャリア19は、例えば、ゲルマニウムまたはシリコンを含んでいることができる。発光ダイオードチップ1の効率を改善する目的で、発光ダイオードチップ1は、放射出口領域4とは反対の裏側の一部分に、ミラー層5を有する。ミラー層5は、p型にドープされた半導体領域2bと、発光ダイオードチップの第1の電気接続層9との間に配置されている。活性層3によってキャリア19の方向に放出される放射は、ミラー層5によって放射出口領域4の方に反射され、これは有益である。ミラー層5は、反射性のコンタクト積層体の一部分であり、この積層体は、ミラー層5と第1の電気接続層9との間に、さらなる層を備えている図1には、簡潔さのため、すべての層を示していない。図2は、図1の領域Aの詳細図であり、反射性のコンタクト積層体10の構造を示している。銀を含んでいるミラー層5は、半導体積層体2のp型にドープされた領域2bに直接隣接していることが好ましい。半導体積層体2とは反対側のミラー層5の面に、機能層6が配置されている。機能層6は、ミラー層の腐食の低減、ミラー層の接着の改善、半導体積層体2へのミラー層の電気的接続の改善、のうちの少なくとも1つの役割を果たす。これは、特に、機能層6を形成している材料が、ミラー層5の少なくとも一部分にも含まれていることによって、達成される。特に、機能層6の材料をミラー層5に内部拡散させることができる。機能層6の材料をミラー層5に内部拡散させる目的で、発光ダイオードチップ1の製造方法においては、機能層6をミラー層5に形成した後、機能層6に熱処理を施すことが好ましい。熱処理は、200°C~400°Cの範囲内の温度、特に、250°C~350°Cの範囲内の温度で行われることが好ましい。熱処理工程の時間は、例えば、1分~1時間の範囲内とすることができる。機能層6の材料は、この材料がミラー層5の大部分に含まれるように、ミラー層5に内部拡散させることが好ましい。特に好ましくは、機能層6の材料がミラー層5全体に含まれている。この場合、機能層6の材料は、ミラー層5の領域のうち半導体積層体2に隣接する領域にも含まれている。機能層6の材料がミラー層5にも含まれていることによって、ミラー層5の長期的な安定性を改善できることが判明した。特に、このようにすることで、ミラー層5の腐食を低減することと、半導体積層体2上でのミラー層5の接着を改善することが可能である。さらには、このようなミラー層5によって、半導体積層体2の半導体材料との良好な電気的接続が形成される。ミラー層5に含まれている機能層6の材料は、ミラー層5の中で濃度勾配を有することができる。特に、内部拡散工程の結果として、機能層6の材料の濃度が、半導体積層体2の側のミラー層5の面において、機能層6の側の面よりも低いようにすることができる。したがって、銀を含んでいるミラー層5の、半導体積層体2との界面における反射率は、わずかにマイナスの影響を受けるのみである。特に、ミラー層5に含まれている機能層6の追加の材料による、ミラー層5の反射率に対するマイナスの影響は、半導体積層体2とミラー層5との間に接着層が挿入される場合よりも小さい。白金からなる機能層6は、特に有利であることが判明した。しかしながらこれに代えて、機能層6が、ニッケル、クロム、パラジウム、ロジウム、または透明導電性酸化物例えばITO、ZnOを含んでいることも考えられる。機能層6の厚さは、例えば、0.1nm~1000nmの範囲内両端値を含むとすることができ、特に、機能層の厚さが10nm~100nmの範囲内両端値を含むであるとき、ミラー層5の安定性の良好な改善が達成される。反射性のコンタクト積層体10においては、機能層6の後ろに拡散障壁層7が配置されており、拡散障壁層7はチタン層であることが好ましい。あるいは、拡散障壁層の材料は、クロム、ニッケル、パラジウム、窒化チタン、窒化チタンタングステンである。拡散障壁層7は、ミラー層5の材料特に、銀と第1の電気接続層9の材料例えば金が相互に拡散することを防止する。拡散障壁層7の後ろには接着層8が配置されており、この接着層8は、その後ろに配置される第1の電気接続層9の接着を改善する。接着層8は白金層であることが好ましいが、これに代えて、チタンまたはクロムも、接着層の材料として適している。第1の電気接続層9は、金層であることが好ましい。あるいは、良好な導電率を有する別の材料例えば銅、ニッケルによって、第1の電気接続層を形成することもできる。反射性のコンタクト積層体10の特に有利な一実施形態においては、機能層6が白金層であり、拡散障壁層7がチタン層であり、接着層8が白金層である。チタンは、ミラー層5と第1の電気接続層9との間の極めて良好な拡散障壁となることが判明し、この場合、チタン層は、両側の2層の白金層によって、腐食もしくは酸化またはその両方に対して特に良好に保護されている。図1に示したように、発光ダイオードチップ1は、第2の電気接続層15を有し、この第2の電気接続層15によって、放射出口領域4とは反対の裏側から、発光ダイオードチップ1との接続が形成される。したがって、第1の電気接続層9および第2の電気接続層15の両方が、発光ダイオードチップ1の裏側、キャリア19の側に配置されている。この構造の利点として、放射出口領域4に電気接続層が存在せず、したがって、発光ダイオードチップ1によって放出される電磁放射11が、電気接続層9,15の一方によってさえぎられない。第1の電気接続層9は、半導体積層体2のp型にドープされた領域2bに接触していることが好ましい。第2の電気接続層15は、半導体積層体2のn型にドープされた領域2aに接触していることが好ましい。これを目的として、第2の電気接続層15は、発光ダイオードチップ1の裏側から、1つまたは複数の開口孔21a,21b半導体積層体のp型にドープされた領域2bと活性層3とを貫いているを通って、半導体積層体2のn型にドープされた領域2aの中に達している。短絡を防止する目的で、第2の電気接続層15は、開口孔21a,21bの領域内のパッシベーション層13によって、半導体積層体2の活性層3およびp型にドープされた領域2bから、電気的に絶縁されている。さらには、パッシベーション層13は、第2の電気接続層15を第1の電気接続層9から絶縁している。パッシベーション層13は、電気絶縁性材料例えば、SiO2、SiNから形成されている。第2の電気接続層15は、銀を含んでおり、特に、開口孔21a,21bの領域の中では、発光ダイオードチップ1によって放出される電磁放射11に対する第2のミラー層として機能する。はんだ層18と第2の電気接続層15との間には、拡散障壁層17が配置されている。パッシベーション層13、第2の電気接続層15、拡散障壁層17の間には、さらなる層が配置されており、これらのさらなる層は、図1には簡潔さのため示していない。図1の領域Bの詳細図である図3に、これらの層を示してある。パッシベーション層13と第2の電気接続層15との間には接着層14を配置することができ、この接着層14は、銀を含んでおり、第2のミラー層として機能する。接着層14は、チタン層であることが好ましい。オプションとして、接着層14を省くこともできる。パッシベーション層13とは反対側の、第2の電気接続層15の面に、第2の機能層16が形成されており、この第2の機能層16は、白金層であることが好ましい。第2の機能層16は、その役割および有利な構造に関して、ミラー層5に関連して上述した機能層6と同じである。特に、機能層16の材料も、第2の電気接続層15に含まれている。積層体12においては、機能層16の後ろに拡散障壁層17が配置されており、拡散障壁層17は、窒化チタンタングステンを含んでいることが好ましい。拡散障壁層17の後ろには、はんだ層18が配置されており、この層によって発光ダイオードチップ1がキャリア19の上にはんだ付けされている。はんだ層18は、特に、AuSnを含んでいることができる。拡散障壁層17は、はんだ層18の一部が第2の電気接続層15に拡散すること、またはこの逆を防止する。図1に示した発光ダイオードチップ1のキャリア19は、例えば、ゲルマニウムのキャリアとすることができる。発光ダイオードチップ1とは反対側のキャリアの裏面に、コンタクトメタライゼーション20を形成することができ、このコンタクトメタライゼーション20を介して、第2の電気接続層15が外部と電気的に接続される。第1の電気接続層9は、例えばボンディングパッド22およびボンディングワイヤ23を介して、外部と電気的に接続することができる。ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。"