下地基板上に複数のLED単位パターンを2次元的に繰り返し配置してなるLEDパターン付き基板を加工する方法であって、前記LEDパターン付き基板を分割予定線に沿ってレーザー光を照射することにより、前記LEDパターン付き基板を格子状にスクライブするスクライブ工程と、前記スクライブ工程を経た前記LEDパターン付き基板をエッチング液に浸漬することにより加工変質層を除去するエッチング工程と、前記エッチング工程を経た前記LEDパターン付き基板をスクライブラインに沿ってブレイクすることにより個片化するブレイク工程と、を備えることを特徴とするLEDパターン付き基板の加工方法。請求項1に記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記LEDパターン付き基板のパターン形成面に保護膜を形成する保護膜形成工程、を行った上で前記スクライブ工程を行い、前記保護膜を除去する保護膜除去工程、を行ったうえで前記ブレイク工程を行う、ことを特徴とするLEDパターン付き基板の加工方法。請求項2に記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記保護膜除去工程を経た前記LEDパターン付き基板に、前記複数のLED単位パターンのそれぞれに対応した電極を形成する電極形成工程、をさらに備え、前記電極が形成された前記LEDパターン付き基板を前記ブレイク工程においてブレイクする、ことを特徴とするLEDパターン付き基板の加工方法。請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記下地基板がサファイア基板であり、前記エッチング液が熱リン酸、熱リン酸と熱硫酸の混酸、または熱溶融水酸化カリウムのいずれかである、ことを特徴とするLEDパターン付き基板の加工方法。請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記スクライブ工程においては、所定の光源から出射されたパルスレーザー光を走査しつつ前記分割予定線に沿って照射することにより、第1の方向に連続する部分を有するが、前記第1の方向に垂直な断面の状態が前記第1の方向において変化する前記被加工領域を形成し、前記エッチング工程を経た前記被加工領域が前記スクライブラインとなる、ことを特徴とするLEDパターン付き基板の加工方法。請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記スクライブ工程においては、所定の光源から出射されたパルスレーザー光を走査しつつ前記分割予定線に沿って照射することにより、前記LEDパターン付き基板の表面において第1の方向に連続する第1領域と、前記第1領域に連接するが前記第1の方向において不連続部分を有する第2領域と、を有する前記被加工領域を形成し、前記エッチング工程を経た前記被加工領域が前記スクライブラインとなる、ことを特徴とするLEDパターン付き基板の加工方法。請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記スクライブ工程においては、所定の光源から出射されたパルスレーザー光を走査しつつ前記分割予定線に沿って照射することにより、略楕円錐状もしくは略くさび形状の単位被加工領域が第1の方向に多数連接してなる前記被加工領域を形成し、前記エッチング工程を経た前記被加工領域が前記スクライブラインとなる、ことを特徴とするLEDパターン付き基板の加工方法。請求項5ないし請求項7のいずれかに記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記パルスレーザー光の単位パルスごとのビームスポットが前記第1の方向に沿って離散する照射条件で前記パルスレーザー光を走査することにより、前記LEDパターン付き基板の表面における照射範囲を変調させる、ことを特徴とするLEDパターン付き基板の加工方法。請求項8に記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記パルスレーザー光の繰り返し周波数をRkHzとし、前記パルスレーザー光の前記LEDパターン付き基板に対する相対的な移動速度をVmm/secとし、前記LEDパターン付き基板の表面における前記被加工領域の前記第1の方向に直交する方向の予定形成幅をWμmとするとき、10kHz≦R≦200kHzかつ30mm/sec≦V≦1000mm/secであり、前記パルスレーザー光のビームスポットの中心間隔を表すV/Rが、V/R≧1μmかつW/4μm≦V/R≦W/2μmという関係をみたす照射条件のもとで前記パルスレーザー光を前記第1の方向に沿って走査することにより、前記LEDパターン付き基板の前記表面における照射範囲を変調させる、ことを特徴とするLEDパターン付き基板の加工方法。レーザースクライビングという加工手法によって分割起点を形成し、その後ブレイクを行う場合、アブレーション法を用いるにせよ、LMAレーザー融解改質法を用いるにせよ、レーザー光の照射後には基板表面に加工変質層が形成される。この加工変質層が残存していると、LED素子の発光部分からの光が吸収されてしまい、光の取り出し効率つまりは輝度が低下するという問題がある。この加工変質層の形成容積を極力縮小することで輝度低下を抑える方法も提案されているが、一定程度の加工変質層が残存する限りは、多少の輝度の低下は避けられない。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、ブレイク後のLEDチップに加工変質層の残存しないパターン付き基板の加工方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、請求項1の発明は、下地基板上に複数のLED単位パターンを2次元的に繰り返し配置してなるLEDパターン付き基板を加工する方法であって、前記LEDパターン付き基板を分割予定線に沿ってレーザー光を照射することにより、前記LEDパターン付き基板を格子状にスクライブするスクライブ工程と、前記スクライブ工程を経た前記LEDパターン付き基板をエッチング液に浸漬することにより加工変質層を除去するエッチング工程と、前記エッチング工程を経た前記LEDパターン付き基板をスクライブラインに沿ってブレイクすることにより個片化するブレイク工程と、を備えることを特徴とする。請求項2の発明は、請求項1に記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記LEDパターン付き基板のパターン形成面に保護膜を形成する保護膜形成工程、を行った上で前記スクライブ工程を行い、前記保護膜を除去する保護膜除去工程、を行ったうえで前記ブレイク工程を行う、ことを特徴とする。請求項3の発明は、請求項2に記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記保護膜除去工程を経た前記LEDパターン付き基板に、前記複数のLED単位パターンのそれぞれに対応した電極を形成する電極形成工程、をさらに備え、前記電極が形成された前記LEDパターン付き基板を前記ブレイク工程においてブレイクする、ことを特徴とする。請求項4の発明は、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記下地基板がサファイア基板であり、前記エッチング液が熱リン酸、熱リン酸と熱硫酸の混酸、または熱溶融水酸化カリウムのいずれかである、ことを特徴とする。請求項5の発明は、請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記スクライブ工程においては、所定の光源から出射されたパルスレーザー光を走査しつつ前記分割予定線に沿って照射することにより、第1の方向に連続する部分を有するが、前記第1の方向に垂直な断面の状態が前記第1の方向において変化する前記被加工領域を形成し、前記エッチング工程を経た前記被加工領域が前記スクライブラインとなる、ことを特徴とする。請求項6の発明は、請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記スクライブ工程においては、所定の光源から出射されたパルスレーザー光を走査しつつ前記分割予定線に沿って照射することにより、前記LEDパターン付き基板の表面において第1の方向に連続する第1領域と、前記第1領域に連接するが前記第1の方向において不連続部分を有する第2領域と、を有する前記被加工領域を形成し、前記エッチング工程を経た前記被加工領域が前記スクライブラインとなる、ことを特徴とする。請求項7の発明は、請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記スクライブ工程においては、所定の光源から出射されたパルスレーザー光を走査しつつ前記分割予定線に沿って照射することにより、略楕円錐状もしくは略くさび形状の単位被加工領域が第1の方向に多数連接してなる前記被加工領域を形成し、前記エッチング工程を経た前記被加工領域が前記スクライブラインとなる、ことを特徴とする。請求項8の発明は、請求項5ないし請求項7のいずれかに記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記パルスレーザー光の単位パルスごとのビームスポットが前記第1の方向に沿って離散する照射条件で前記パルスレーザー光を走査することにより、前記LEDパターン付き基板の表面における照射範囲を変調させる、ことを特徴とする。請求項9の発明は、請求項8に記載のLEDパターン付き基板の加工方法であって、前記パルスレーザー光の繰り返し周波数をRkHzとし、前記パルスレーザー光の前記LEDパターン付き基板に対する相対的な移動速度をVmm/secとし、前記LEDパターン付き基板の表面における前記被加工領域の前記第1の方向に直交する方向の予定形成幅をWμmとするとき、10kHz≦R≦200kHzかつ30mm/sec≦V≦1000mm/secであり、前記パルスレーザー光のビームスポットの中心間隔を表すV/Rが、V/R≧1μmかつW/4μm≦V/R≦W/2μmという関係をみたす照射条件のもとで前記パルスレーザー光を前記第1の方向に沿って走査することにより、前記LEDパターン付き基板の前記表面における照射範囲を変調させる、ことを特徴とする。請求項1ないし請求項9の発明によれば、LEDパターン付き基板にレーザー光によってスクライブ加工処理を行い、これに続いてウェットエッチング処理を行うことによって加工変質層を除去したうえで、基板ブレイクによる個片化を行うようにすることで、従来よりも光の取り出し効率の優れたLED素子を効率的かつ確実に得ることが出来る。特に、請求項5ないし請求項9の発明によれば、個片化後にLEDチップの端部となる被加工領域に凹凸を形成することで、光の取り出し効率がより優れたLED素子を得ることが出来る。<個片化処理の概略手順>はじめに、本実施の形態に係るLEDパターン付き基板の加工方法を含む、LEDパターン付き基板の個片化処理について、その手順を概略的に説明する。図1は、本実施の形態においてLEDパターン付き基板に対し行う加工処理の手順について、その概略を示す図である。図1に示すように、まずは、LEDパターン付き基板以下、単に基板とも称する10を用意するステップS1。図2は、本実施の形態において個片化の対象となる、加工処理前の基板10の構成を示す概略断面図である。基板10は、サファイア基板サファイア単結晶基板101の一方主面上に、LEDパターン102が設けられたものである。なお、サファイア基板101としては、400μm~700μmの厚みを有するものを用いる。500μm厚のサファイア基板101を用いるのが好適な一例である。また、LEDパターン102は通常、数μm程度の厚みを有するように形成される。また、LEDパターン102は凹凸を有していてもよい。LEDパターン102は、個片化した後にそれぞれが1つのLEDチップをなす複数の単位パターンUPを2次元的に繰り返し配置した構成を有している。LEDパターン102は、例えばGaN窒化ガリウムを初めとするIII族窒化物半導体からなる、発光層その他の複数の薄膜層をエピタキシャル形成することにより形成されてなる。個々の単位パターンUPの境界部分が、基板10の分割位置であってレーザー光が照射されるストリートSTとなっている。ストリートSTは通常、数十μm程度の幅で、LEDパターン102を平面視した場合に格子状をなすように設定される。なお、ストリートSTの部分においてサファイア基板101が露出している必要はなく、LEDパターン102をなす薄膜層が連続して形成されていてもよい。また、LED素子LEDチップには外部から通電するための電極パターンが設けられるが、本実施の形態の場合、加工処理前の基板10においては、個々の単位パターンUPに電極は設けられていない。電極は、後段のプロセスにて形成される。次に、用意した基板10のLEDパターン102の上に、保護膜103を形成するステップS2。図3は、保護膜103が形成された基板10を示す図である。保護膜103は、後段のエッチング処理の際にLEDパターン102を保護する目的で設けるものである。数μm程度の厚みのSiO2厚膜やレジスト膜などが、保護膜103の好適な一例である。係る保護膜は、塗布法印刷法などの公知の厚膜形成技術を適用して形成することが可能である。保護膜103の形成に続いて、基板10のストリートSTの位置にスクライブラインを形成するための、スクライブ加工処理を行うステップS3。なお、通常は、スクライブ加工処理に先立ち、LEDパターン付き基板の配置位置を微調整するアライメント処理を行う。アライメント動作は、公知の技術を適用して実行することが可能であり、加工パターンに応じて適宜の態様にて行われればよい。係るアライメント動作を行うことによって、スクライブ加工処理における加工位置であるストリートSTの位置が正確に特定される。図4は、スクライブ加工処理の様子を模式的に示す図である。スクライブ加工処理は、レーザー加工装置によって、ストリートSTの位置に沿ってレーザー光LBを走査しつつ照射させることにより行う。スクライブ加工処理においては、基板10が保護膜103にて被覆された状態のままで、保護膜103越しにストリートSTの位置に対してレーザー光LBを照射する。図5は、スクライブ加工処理後の基板10を示す図である。図6は、図5の破線部Aを中心とする部分拡大図である。スクライブ加工処理を行うことで、基板10のストリートSTの位置には、先端部分がサファイア基板101にまで達する断面視略三角形またはくさび形の溝部である被加工領域REが形成される。なお、基板10の表面における被加工領域REの幅d1はおおよそ5μm~20μm程度であり、深さd2はおおよそ10μm~30μm程度である。深さd2は20μm以上であるのが好ましい。スクライブ加工処理の詳細およびレーザー加工装置の具体的な構成態様については後述する。スクライブ加工処理が終了すると、続いて、エッチング処理を行うステップS4。エッチング処理は、スクライブ加工処理後の基板10を、エッチング溶液に浸漬することにより行う。エッチング処理を行うのは、スクライブ加工処理後の基板10の被加工領域REを清浄化するためである。図5においては図示を省略しているが、図6に示すように、スクライブ加工処理の結果、被加工領域REの側面には、レーザー光LBの照射による加熱とその後の冷却とによって、加工変質層TRが付着形成されてしまっている。加工変質層TRは、基板10の構成材料主にサファイアが変質してなる多結晶もしくは非晶質あるいはこれらが混合してなる光学的に不透明な層である。個片化によって得られるLED素子に係る加工変質層TRが残存していると、発光層からの光が該加工変質層TRによって吸収されてしまい、光の取り出し効率つまりは輝度が低下することになるため、加工変質層TRは除去する必要がある。本実施の形態においては、係る加工変質層TRを個片化に先立ちエッチング処理によって除去する。そして、加工変質層TRが除去された被加工領域REこそが、スクライブラインSCとなる。エッチング処理は、基板10全体をエッチング液に浸漬するウェットエッチングによって行う。エッチング処理の詳細については後述する。エッチング処理の後の基板10は、適宜、洗浄処理に供される。なお、係るエッチング処理の際には、LEDパターン102が形成されていないサファイア基板101の他方主面裏面も、エッチングされる。従って、サファイア基板101には従来よりも厚みの大きなものを用いるのが好ましい。以上のように、被加工領域REに対してエッチング処理を行うことで、LED素子において光の取り出し効率を低下させる要因となる加工変質層TRは好適に除去される。エッチング処理の終了後、保護膜を除去するステップS5。保護膜の除去は、SiO2厚膜が形成されてなる場合であればフッ酸浸漬によって、レジスト膜が形成されてなる場合であれば硫酸過酸化水素水浸漬によって行われる。保護膜の除去が終了し、適宜、洗浄乾燥等が施された基板10に対し、電極形成が行われるステップS6。電極形成は、LEDパターン102上の所定位置に対して、フォトリソグラフィプロセスや印刷プロセスなどの公知の手法を用いて行われる。電極形成材料としては、Al、Ni、Ti、Pt、Au、Pdなどの一般的な電極形成用金属材料が適宜に選択されて使用される。電極形成が終了すると、続いて、スクライブラインSCに沿って基板10をブレイク分割するステップS7。なお、エッチング処理後のサファイア基板101の厚みが大きい場合、ブレイクに先立ち、サファイア基板101のLEDパターン102が形成されていない裏面101a図7参照を研磨して、サファイア基板101を薄肉化する例えば100μm厚以下にするようにしてもよい。図7は、基板10をブレイクする様子を示す模式図である。基板10のブレイクは、三点支持の手法によって行うことが出来る。すなわち、基板10を、被加工領域REが下側になる姿勢とし、スクライブラインSCの両側を2つの下側ブレイクバーB1、B2にて支持した状態で、サファイア基板101の裏面101aであってスクライブラインSC先端部直下図7では直上のブレイク位置BPに向けて、上側ブレイクバーB3を降下させることにより、基板10をブレイクすることが出来る。基板10に形成された全てのスクライブラインSCに対して係るブレイクを行うことにより、基板10は、個々のLED素子に個片化チップ化されたことになる。<スクライブ加工処理の詳細>上述した、スクライブラインを形成するためのスクライブ加工処理は、連続加工オーバーラップ加工モードと離散加工モードという2つの加工モードで行うことが出来る。概略的に言えば、連続加工モードは、ストリートSTに沿って均一な被加工領域REを形成するモードであり、一般的なレーザー加工処理を行うモードである。連続加工モードの場合、スクライブラインの断面形状は、場所によらず略同一である。一方、離散加工モードは、ストリートSTに沿って凹凸形状を有する被加工領域REを形成するモードである。これらは、レーザー光LBの照射態様を違えることによって切り替えられる。なお、以降の説明においては、ストリートSTの中心線を特に分割予定線とも称する。図8は、スクライブ加工処理の加工モードの違いを説明するべく示す、スクライブ加工処理に用いるレーザー光LBの繰り返し周波数と、基板10を載置するステージの移動速度と、レーザー光LBのビームスポット中心間隔との関係について説明する図である。レーザー光LBの繰り返し周波数がRkHzである場合、1/Rmsecごとに1つのレーザーパルスがレーザー光源から発せられることになる。LEDパターン付き基板が載置されたステージが速度Vmm/secで移動する場合、あるパルスが発せられてから次のレーザーパルスが発せられる間に、LEDパターン付き基板はV×1/R=V/Rμmだけ移動することになるので、あるレーザーパルスのビーム中心位置と次に発せられるレーザーパルスのビーム中心位置との間隔、つまりはビームスポット中心間隔Δμmは、Δ=V/Rで定まる。このことから、基板10の表面におけるレーザー光LBのビーム径ビームウェスト径DがΔ=V/Rよりも大きければ、個々のレーザーパルスは重なるものの、ビーム径DがΔ=V/Rよりも小さい場合は、個々のレーザーパルスは重ならないことになる。それゆえ、ビーム径Dとビームスポット中心間隔Δとの大小関係によって、異なる加工モードでの加工が実現されることとなる。具体的には、連続加工モードの場合は、D>Δをみたす条件にてレーザー光LBが基板10に照射される。一方、離散加工モードの場合は、D<Δをみたす条件にてレーザー光LBが基板10に照射される。例えば、ビーム径Dが3μm程度の場合、概ねΔ>3μmであれば離散加工モードでの加工が実現される。概ねΔ<1μmであれば連続加工モードでの加工が実現される。連続加工モードでの加工は、特許文献2に開示されているような従来のレーザー加工装置においても行われる公知の加工処理態様であるので、本実施の形態においては詳細な説明を省略する。以下においては、離散加工モードでの加工について詳説する。図9および図10は、離散加工モードにおけるレーザー光LBの照射態様と、形成される被加工領域REとの関係を模式的に示す図である。図9および図10には便宜上、分割予定線Lの方向をx軸方向、基板10の表面においてx軸と直交する方向をy軸方向、基板10の表面に直交する方向をz軸方向とする三次元座標を付している以降の図においても同様。図9は、斜視図である。図10は、被加工領域REのXY上面図中央の図、A-A’断面図右側の図、B-B’、C-C’、およびD-D’断面図左側の図である。A-A’断面図は、分割予定線Lに平行な面における断面図である。B-B’、C-C’、およびD-D’断面図は、分割予定線L上の異なる位置での分割予定線Lに垂直な面における断面図である。離散加工モードにおいては、レーザー光LBの単位パルスごとのビームスポットBSが、分割予定線Lの方向において離散的に位置する照射条件で、レーザー光LBを照射する。これは、上述のように、ビーム径Dとビームスポット中心間隔Δ=V/Rとが、D<Δなる関係をみたすことで実現される。好ましくは、10kHz≦R≦200kHz、30mm/sec≦V≦1000mm/sec、D<V/RかつW/4μm≦V/R≦W/2μmなる範囲でレーザー光の照射条件およびステージの駆動条件が設定される。ここで、Wは分割予定線Lに垂直な方向におけるストリートの加工予定幅である。なお、レーザー光LBを分割予定線Lの方向に沿って走査する際にビームスポットBSが離散的に位置するということは、分割予定線Lの方向においてレーザー光LBが照射される箇所と照射されない箇所とが存在することであるので、離散加工モードでのスクライブ加工は、LEDパターン付き基板の表面における照射範囲を変調させてレーザー光LBを照射する変調加工に該当する。このような条件の下でレーザー光LBを走査すると、図9および図10に示すような形状の被加工領域REが形成される。概略的には、被加工領域REは、個々のレーザーパルスのビームスポットは離散しているにもかかわらず、個々のレーザーパルスによって形成される略楕円錐状もしくは略くさび形状の単位被加工領域REuが分割予定線Lの方向に多数連接してなる形状を有する。より詳細には、被加工領域REは、基板10の表面において連続する一方で、図9および図10のB-B’、C-C’、およびD-D’断面図に示すように、分割予定線Lに垂直な方向についての幅および断面形状が分割予定線L方向x軸方向の位置により異なっている。すなわち、被加工領域REは、分割予定線Lの方向x軸方向に連続する部分を有するが、x軸方向に垂直な断面yz断面の状態がx軸方向において変化する形状を有しているともいえる。なお、図10に示す場合においては、被加工領域REは、基板10の表面近傍におけるy軸方向の加工幅が、x軸方向に沿ってw1~w3の間で変化するように形成されてなる。仮に、C-C’断面における当該加工幅w2が加工予定幅Wと等しいとすると、離散加工モードでの加工は、加工予定幅Wより大きい加工幅を有する領域と加工予定幅Wより小さい加工幅を有する領域とを繰り返し交互に形成していく態様であると捉えることもできる。ただし、実際の加工においては、w1≒w2、w3≒w2となる場合もある。また、別の見方をすれば、図10のA-A’断面図に示すように、被加工領域REは、基板10の表面近傍においてx軸方向に連続する連続領域RE1と、y軸方向において連続領域RE1に連接するが、x軸方向には不連続である不連続領域RE2とから構成されているともいえる。いずれにせよ、被加工領域REは、xy断面およびzx断面において、つまりはx軸方向に沿って、凹凸を有するものとなっている。凹凸のピッチは、レーザー光LBの照射条件やステージ7の駆動条件によっても異なるが、数μm~十数μm程度である。係る凹凸を設けることは、ブレイクによって得られるLEDチップにおいて端面の一部に凹凸を設けることに相当するが、これは、該LEDチップにおいて、発光層からの光の取り出し効率を高める効果がある。なぜならば、チップ端面に凹凸がある方が、端面が平坦な場合に比して、発光層からの光が全反射せず外部に透過しやすいからである。VやRの具体的な値は基板10の材質や吸収率、熱伝導率、融点などを勘案して適宜に定められてよい。また、パルスの照射エネルギーは10μJ~1000μJの範囲内で適宜に定められてよい。なお、V/R<W/4μmの場合は、単位被加工領域REuの重なりが大きくなって加工予定幅と実際の加工幅との差が小さくなり、実質的に連続加工モードでの加工と差異がなくなる。一方、V/R>W/2μmなる場合は、隣り合うビームスポットの距離が大きくなり過ぎるために、結果として個々の単位被加工領域REuが連接しなくなるため、被加工領域REが不連続となってスクライブラインを構成しなくなる。<レーザー加工装置>図11は、上述した連続加工モードおよび離散加工モードでの加工を実行可能なレーザー加工装置50の構成を概略的に示す模式図である。レーザー加工装置50は、基板10をその上に載置するステージ7と、レーザー加工装置50の種々の動作観察動作、アライメント動作、加工動作などを行うコントローラ1とを主として備え、ステージ7に載置された基板10に対しレーザー光LBを照射することによって基板10を加工することができるように構成されている。ステージ7は、移動機構7mによって水平方向に移動可能とされてなる。移動機構7mは、図示しない駆動手段の作用により水平面内で所定のXY2軸方向にステージ7を移動させる。これにより、レーザー光照射位置の移動などが実現されてなる。なお、移動機構7mについては、所定の回転軸を中心とした、水平面内における回転θ回転動作も、水平駆動と独立に行えるようになっている。また、レーザー加工装置50においては、図示しない撮像手段を通じて、該基板10をレーザー光が照射される側これを表面と称するから直接に観測する表面観察や、ステージ7に載置された側これを裏面と称するから該ステージ7を介して観察する裏面観察などを行えるようになっている。ステージ7は、上述したように、石英など透明な部材で形成されているが、その内部には、基板10を吸着固定するための吸気通路となる図示しない吸引用配管が設けられてなる。吸引用配管は、例えば、ステージ7の所定位置を機械加工により削孔することにより設けられる。基板10をステージ7の上に載置した状態で、例えば吸引ポンプなどの吸引手段11により吸引用配管に対し吸引を行い、吸引用配管のステージ7載置面側先端に設けられた吸引孔に対し負圧を与えることで、基板10および透明基板保護シート4がステージ7に固定されるようになっている。なお、図11においては、加工対象である基板10が透明基板保護シート4に貼り付けられている場合を例示しているが、透明基板保護シート4の貼付は必須ではない。より詳細にいえば、レーザー加工装置50においては、レーザー光源SLからレーザー光LBを発し、図示を省略する鏡筒内に備わるダイクロイックミラー51にて反射させた後、該レーザー光LBを、ステージ7に載置された基板10の被加工部位にて合焦するよう集光レンズ52にて集光し、基板10に照射する。係るレーザー光LBの照射と、ステージ7の移動とを組み合わせることによって、レーザー光LBを基板10に対して相対的に走査させつつ基板10の加工を行えるようになっている。例えば、基板10を分割するために、基板10の表面に溝加工スクライビングを施す加工などが行える。なお、レーザー加工装置50においては、加工処理の際、必要に応じて、合焦位置を基板10の表面から意図的にずらしたデフォーカス状態で、レーザー光LBを照射することも可能となっている。本実施の形態においては、デフォーカス値基板10の表面から内部に向かう方向への合焦位置のずらし量を10μm以上40μm以下の範囲に設定するのが好ましい。レーザー光源SLとしては、Nd:YAGレーザーを用いるのが好適な態様である。あるいは、Nd:YVO4レーザーやその他の固体レーザーを用いる態様であってもよい。さらには、レーザー光源SLは、Qスイッチ付きであることが好ましい。また、レーザー光源SLから発せられるレーザー光LBの波長や出力、パルスの繰り返し周波数、パルス幅の調整などは、コントローラ1の照射制御部23により実現される。加工モード設定データD2に従った所定の設定信号が加工処理部25から照射制御部23に対し発せられると、照射制御部23は、該設定信号に従って、レーザー光LBの照射条件を設定する。本実施の形態においては、レーザー光LBの波長は150nm~563nmの波長範囲に属することが好ましく、なかでもNd:YAGレーザーをレーザー光源SLとする場合は、その3倍高調波波長約355nmを用いるのが好適な態様である。また、パルスの繰り返し周波数は10kHz以上200kHz以下であることが好ましく、パルス幅は、10nsec以上200nsec以下であることが好適である。ピークパワーは1.5W以上10W以下であることが好適である。レーザー光LBは、集光レンズ52によって1μm~10μm程度のビーム径に絞られて照射されることが好ましい。係る場合、レーザー光LBの照射におけるピークパワー密度はおおよそ1GW/cm2~10GW/cm2となる。なお、レーザー光源SLから出射されるレーザー光LBの偏光状態は、円偏光であっても直線偏光であってもよい。ただし、直線偏光の場合、結晶性被加工材料中での加工断面の曲がりとエネルギー吸収率の観点から、偏光方向が走査方向と略平行にあるように、例えば両者のなす角が±1°以内にあるようにされることが好ましい。また、出射光が直線偏光の場合、レーザー加工装置50は図示しないアッテネータを備えることが好ましい。アッテネータはレーザー光LBの光路上の適宜の位置に配置され、出射されたレーザー光LBの強度を調整する役割を担う。コントローラ1は、上述の各部の動作を制御し、後述する種々の態様での基板10の加工処理を実現させる制御部2と、レーザー加工装置50の動作を制御するプログラム3pや加工処理の際に参照される種々のデータを記憶する記憶部3とをさらに備える。制御部2は、例えばパーソナルコンピュータやマイクロコンピュータなどの汎用のコンピュータによって実現されるものであり、記憶部3に記憶されているプログラム3pが該コンピュータに読み込まれ実行されることにより、種々の構成要素が制御部2の機能的構成要素として実現される。具体的には、制御部2は、移動機構7mによるステージ7の駆動や集光レンズ52の合焦動作など、加工処理に関係する種々の駆動部分の動作を制御する駆動制御部21と、図示しない撮像手段による基板10の撮像を制御する撮像制御部22と、レーザー光源SLからのレーザー光LBの照射を制御する照射制御部23と、吸引手段11によるステージ7への基板10の吸着固定動作を制御する吸着制御部24と、与えられた加工位置データD1および加工モード設定データD2に従って加工対象位置への加工処理を実行させる加工処理部25とを、主として備える。記憶部3は、ROMやRAMおよびハードディスクなどの記憶媒体によって実現される。なお、記憶部3は、制御部2を実現するコンピュータの構成要素によって実現される態様であってもよいし、ハードディスクの場合など、該コンピュータとは別体に設けられる態様であってもよい。なお、レーザー加工装置50に対してオペレータが与える種々の入力指示は、コントローラ1において実現されるGUIを利用して行われるのが好ましい。例えば、加工処理部25の作用により加工処理用メニューがGUIにて提供される。以上のような構成を有するレーザー加工装置50は、上述した連続加工モードによる加工と離散加工モードによる加工とを選択的に行えるようになっている。これは、レーザー光源SLからのレーザー光LBの照射条件とステージ7を移動させることによる基板10に対するレーザー光LBの走査条件の組合せを違えることで実現される。加工モードは、例えば、加工処理部25の作用によりコントローラ1においてオペレータに利用可能に提供される加工処理メニュー従って選択できるのが好適である。コントローラ1の記憶部3には、基板10についての分割予定線L図9の位置を記述した加工位置データD1が記憶されるとともに、個々の加工モードにおけるレーザー加工の態様に応じた、レーザー光の個々のパラメータについての条件やステージ7の駆動条件あるいはそれらの設定可能範囲などが記述された加工モード設定データD2が記憶されている。加工処理部25は、加工位置データD1を取得するとともに選択された加工モードに対応する条件を加工モード設定データD2から取得し、当該条件に応じた動作が実行されるよう、駆動制御部21や照射制御部23その他を通じて対応する各部の動作を制御する。<エッチング処理の詳細>上述のエッチング処理は、例えば200°C程度に加熱した熱リン酸、熱リン酸と熱硫酸の混酸、または熱溶融水酸化カリウムをエッチング溶液として用いるのが好適である。エッチング時間は、基板10のサイズに応じて、適宜、設定すればよい。図12は、エッチング処理を行う前の基板10についての、被加工領域REに沿った破断面のSEM走査電子顕微鏡像である。図13は、エッチング処理を行った後の基板10についての、被加工領域REに沿った破断面のSEM像である。なお、両SEM像の基板10はいずれも、被加工領域REの様子を観察するために、以降に説明する通常の手順とは異なる態様にて破断されたものである。また、両SEM像の撮像対象となった基板10および撮像位置は異なっているが、いずれも、サファイア基板101の上方部分に被加工領域REが形成されてなる点では同じである。ちなみに、被加工領域REの下端部がくさび型状のもしくは櫛歯状の凹凸を有するのは、スクライブ加工処理が、離散加工モードで行われたからである。また、図13の略中央部分は、ストリートSTの交点位置となっており、破断面をなす被加工領域REにクロスする被加工領域REが観察される。図12に示すエッチング処理前の基板10については、被加工領域REに加工変質層TRが密に形成されてしまっている。これに対して、図13に示すエッチング処理後の基板10については、加工変質層TRは全く確認されない。このことは、光の取り出し効率を低下させる要因となる加工変質層TRがエッチング処理によって完全に除去されたことを意味している。なお、加工変質層TRが除去されるとは、被加工領域REに付着している加工変質層TRが分離される態様のみならず、加工変質層TRをなしている非晶質や多結晶のサファイアがエッチング液によって溶解される場合をも含む。係る結果は、スクライブ加工処理による被加工領域REの形成後にエッチング処理を行うことで、スクライブ加工処理によって生じた加工変質層TRが好適に除去され、サファイア基板101の端面が露出することを示している。これにより、最終的に得られるLED素子において、発光層からの光が該加工変質層TRによって吸収されることがなくなるため、高い光の取り出し効率が実現される。なお、図13においてサファイア基板101に形成されたくさび型状の被加工領域RE内に確認されるサブミクロンオーダーの周期の微細な凹凸は、サファイア基板101の劈開面がなす凹凸であり、凹凸部分自体は光学的に透明である。LEDチップの端部をなす被加工領域RE内にこのような凹凸が形成されることは、被加工領域RE自体の凹凸形状ともども、LED素子の端面における反射率を低下させ、光の取り出し効率を高める効果がある。なお、係る劈開面自体は連続加工モードでの加工によっても形成される。また、図12および図13では、離散加工モードにてスクライブ加工された基板10について示しているが、連続加工モードにてスクライブ加工された基板10についても、被加工領域REに形成された加工変質層TRはエッチング処理によって好適に除去されることは言うまでもない。また、本実施の形態においては、エッチング液によるウェットエッチングを行うようにしているが、これは、数μm~数十μm程度の幅や深さを有するに過ぎない被加工領域REにエッチング液をくまなく行き渡らせることにより、加工変質層TRを完全に除去することが出来るという点で、好適な手法であるといえる。特に、離散加工モードのように、先端部ほど細くなる被加工領域REが形成される場合に、その効果が大きい。ウェットエッチングによる加工変質層TRの除去という手法は、従来に比してよりアスペクト比の高い幅に比べて深さの大きい被加工領域スクライブラインを形成したうえでブレイクすることを実現可能とするものでもある。すなわち、本実施の形態に係る手法は、ブレイク精度の向上や、あるいはストリート幅の低減によるチップの取り個数の増大にも資するものである。また、本実施の形態では、個々のLEDチップではなくスクライブ加工処理後のLEDパターン付き基板をエッチング処理の対象としているので、スクライブ加工処理によって形成された全ての被加工領域から、一括して加工変質層を除去することが出来る。すなわち、個々のチップから加工変質層を除去する場合に比して、効率的かつ確実な加工変質層の除去が実現できる。以上説明したように、本実施の形態によれば、電極形成前のLEDパターン付き基板にレーザー光によってスクライブ加工処理を行い、これに続いてウェットエッチング処理を行うことによって加工変質層を除去したうえで、電極形成さらにはLEDパターン付き基板のブレイクによる個片化を行うようにすることで、従来よりも光の取り出し効率の優れたLED素子を効率的かつ確実に得ることが出来る。<変形例>上述の実施の形態においては、サファイア基板母基板に多数のLEDパターンを2次元的に繰り返し形成してなるLEDパターン付き基板を個片化する個々のチップに分割する処理を対象に説明するが、本実施の形態に係る加工方法は、他の用途の基板を分離分割する際にも鋭意に適用が可能である。また、LEDパターン付き基板にサファイア基板以外の下地基板が用いられる場合には、エッチング処理には当該基板に応じたエッチング液を使用すればよい。離散加工モードでの加工は、上述の実施の形態に示したものには限られない。一般に、照射されるレーザーパルスの照射エネルギーEが大きいほど、基板10の厚み方向のより深い領域までが加工され、表面における加工範囲も広がる。以下に示す変形例は、このことを利用した加工手法である。上述した離散加工モードでの加工は、V/R>Dなる条件のもとで行うことを特徴としていたが、以下に示す加工は、V/R≦Dという条件の下で行うことが可能である。すなわち、隣接するビームスポットが重なりを有する状態でレーザー光LBが照射される条件下でも、ストリートSTに沿って凹凸形状を有する被加工領域REを形成することができる。図14は、変形例に係る離散加工の手法にて説明するための図である。図14は、照射エネルギーEとビームスポットBSのサイズおよび被加工領域REの形状との関係を模式的に示している。当該変形例においては、レーザー光LBを分割予定線Lに沿って走査させる際に、レーザー光LBの照射エネルギーが、図14に示すように最小値Eminと最大値Emaxとの間で周期的に変化するように加工処理部25が各部の動作を制御する。つまりは、レーザー加工装置50は、照射エネルギーを変調させつつレーザー光が走査を行うように制御される。すると、照射エネルギーの値に応じて、基板10の表面におけるレーザー光LBのビームスポットBSのサイズが変化する。図14においては、E=EminのときのビームスポットBSBS1と、E=EmaxのときのビームスポットBSBS2とを例示しているが、これらの中間のサイズも取り得る。これにより、結果として、図10と同様の形状の被加工領域REが形成される。具体的には、5μJ≦Emin≦100μJ、および20μJ≦Emax≦1000μJをみたすようにEminとEmaxが定められる。また、50kHz≦R≦200kHz、50mm/sec≦V≦1000mm/secという範囲をみたすようにRとVの値が設定される。また、変調周期は2μm~20μm程度とするのが好適である。これらの設定範囲が加工モード設定データD2に記述される。図14からわかるように、照射エネルギーEを変調させるということは結局のところ加工に有効な実質のビームスポット径を変調させることになるので、当該変形玲による加工も、被加工物の表面における照射範囲を変調させてレーザー光LBを照射する態様に該当する。