"基板の上に、誘電性材料と、低表面張力添加剤とを含む誘電性組成物を堆積させることと;前記誘電性組成物を加熱し、前記基板の上に誘電層を作成することとを含む、電子機器を製造するプロセス。誘電性材料と、低表面張力添加剤とを含み、この添加剤が、ピンホールの密度を下げ、前記誘電性材料から作られた誘電層の表面粗さを下げる、誘電性組成物。誘電層が、1000nm未満の厚みを有し;前記誘電層が、誘電性材料と、前記誘電性材料の約0.0001~約1.0wtの量で存在する低表面張力添加剤とを含む、誘電層を含む、電子機器。図1は、本開示にかかるボトム-ゲート型でボトム-コンタクト型のTFT構造を示す。TFT10は、ゲート電極18と接する基板16と、ゲート誘電層14とを備えている。ゲート電極18は、ここでは基板16の上側に示されているが、ゲート電極は、基板の中の凹部に配置されていてもよい。ゲート誘電層14が、ゲート電極18を、ソース電極20、ドレイン電極22、半導体層12と分離していることが重要である。半導体層12は、ソース電極20およびドレイン電極22を覆うように、これらの間にある。この半導体は、ソース電極20とドレイン電極22との間に所定のチャネル長を有する。図2は、本開示にかかるボトム-ゲート型でトップ-コンタクト型の別のTFT構造を示す。TFT30は、ゲート電極38と接する基板36と、ゲート誘電層34とを備えている。半導体層32は、ゲート誘電層34の上部に配置されており、ゲート誘電層34をソース電極40およびドレイン電極42から分離している。図3は、本開示にかかるボトム-ゲート型でボトム-コンタクト型のTFT構造を示す。TFT50は、ゲート電極としても作用し、ゲート誘電層54と接する基板56を備えている。ソース電極60、ドレイン電極62、半導体層52は、ゲート誘電層54の上部に配置されている。図4は、本開示にかかるトップ-ゲート型でトップ-コンタクト型のTFT構造を示す。TFT70は、ソース電極80、ドレイン電極82、半導体層72と接する基板76を備えている。半導体層72は、ソース電極80およびドレイン電極82を覆うように、これらの間にある。ゲート誘電層74は、半導体層72の上部にある。ゲート電極78は、ゲート誘電層74の上部にあり、半導体層72とは接していない。本開示のいくつかの局面は、誘電層を備え、この誘電層が低表面張力添加剤を含む、電子機器例えば、薄膜トランジスタに関する。ある実施形態では、誘電層は、単一の均一層であり、すなわち、言い換えると、複数の相が分離した材料で構成されたものではない。本開示のさらなる局面は、相が分離した誘電性構造を備え、この誘電性構造が低表面張力添加剤を含む、電子機器に関する。薄膜トランジスタという観点で、この誘電性構造は、ゲート誘電体と呼ばれてもよい。誘電層相分離した構造または均一層の構造を任意の適切な電子機器で用いてもよい。薄膜トランジスタ以外に、他の種類の適切な電子機器としては、例えば、内蔵コンデンサおよびエレクトロルミネセントランプが挙げられる。薄く、平滑で、さらにピンホールを含まない誘電層が一般的に好ましい。多くの用途において、トランジスタの電流Idが十分であることが、回路の設計上必要である。電流を増加させるためのある方法は、高い電界効果移動度μを有する半導体を用いることである。別の様式は、誘電層のキャパシタンスCiを増やすことである。キャパシタンスCiは、誘電定数εに比例し、誘電層の厚みdに反比例する。誘電層の厚みを小さくすることによって、キャパシタンスを大きくし、これにより、電流が増加するはずである。しかし、誘電層の厚みも小さくすることによって、ピンホールの数も増えてしまい、電流の漏れが大きくなり、および/または機器の歩留まりが低くなる。従来の誘電層は、一般的に、ピンホールを含まない誘電層を達成するために、400nm~500nmの厚みでコーティングすることが必要であった。本発明の誘導性構造を製造する際に、誘電性材料と、低表面張力添加剤とを含む誘電性組成物が調製される。低表面張力添加剤が存在することによって、ピンホールの密度が小さくなり、かなり薄く、表面粗さが顕著に低い誘電層を備えるデバイスの歩留まりが大きくなる。また、誘電性組成物は、架橋剤、熱酸発生剤または光酸発生剤、および/または溶媒または液体を含んでいてもよい。いくつかの実施形態では、任意の適切な絶縁性材料を誘電性材料として用いてもよい。さらなる実施形態では、誘電性材料は、熱によって架橋可能な誘電性材料である。用語熱によって架橋可能なは、誘電性材料が、加熱すると、さらなる架橋剤または誘電性材料自体の他の官能基と反応し、架橋した網目構造を生じることが可能な官能基を含むという事実を指す。誘電性材料は、異なる誘電定数を有する2種類以上の異なる材料を含んでいてもよい。例えば、誘電性材料は、低k誘電性材料と、高k誘電性材料とを含んでいてもよい。用語低k誘電性および高k誘電性は、誘電性組成物および相が分離した誘電性構造の中の2種類の材料を誘電定数に基づいて区別するために用いられる。いくつかの実施形態では、低k誘電性材料は、電気絶縁性であり、デバイス内の半導体層と相性がいいか、または、良好な適合性を有する。用語相性がいいおよび適合性は、半導体層が、低k誘電性材料を多く含む表面に隣接するか、または接する場合に、どのように電気的に十分に機能するかを指す。いくつかの実施形態では、低k誘電性材料は、疎水性表面を有しており、したがって、ポリチオフェン半導体ポリマーと優れた満足のいく適合性を示す場合がある。いくつかの実施形態では、低k誘電性材料は、誘電定数誘電率が、例えば、4.0未満、または約3.5未満、または、特に、約3.0未満である。低k誘電性材料は、非極性の基または極性の低い基、例えば、メチル基、フェニレン基、エチレン基、Si-C、Si-O-Siなどを有していてもよい。特定の実施形態では、低k誘電性材料は、ポリマーである。いくつかの実施形態では、低k誘電性ポリマーの表面は、膜としてキャスト成形される場合、表面エネルギーが低い。表面エネルギーを特性決定するために、水の前進接触角を用いてもよい。接触角が大きいことは、表面エネルギーが低いことを示す。いくつかの実施形態では、接触角は、80°以上であるか、または約90°より大きいか、または、特に、約95°よりも大きい。いくつかの実施形態では、高k誘電性材料は、電気絶縁性であり、ヒドロキシル基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、C=O基などのような極性基を含む。いくつかの実施形態では、高k誘電性材料は、誘電定数が4.0以上、5.0以上、または、特に、6.0以上である。特定の実施形態では、高k誘電性材料は、ポリマーである。一般的な種類の高k誘電性ポリマーとしては、ポリイミド、ポリエステル、ポリエーテル、ポリアクリレート、ポリビニル、ポリケトン、ポリスルホンを挙げることができる。他の実施形態では、高k誘電性材料は、分子状ガラス化合物のような、分子状化合物である。いくつかの実施形態では、高k誘電性ポリマーは、膜としてキャスト成形される場合、表面エネルギーが高い。水の前進接触角の観点で、角度は、例えば、80°より小さいか、または、約60°より小さいか、または約50°よりも小さい。いくつかの実施形態では、低k誘電性材料の誘電定数に対する高k誘電性材料の誘電定数の大きさの差は、少なくとも約0.5、または少なくとも約1.0、または少なくとも約2.0、例えば、約0.5~約200である。いくつかの実施形態では、誘電性構造は、全体的な誘電定数が約4.0より大きいか、または約5.0より大きいか、特に、約6.0より大きい。全体的な誘電定数は、金属/誘電性構造/金属コンデンサを用いて特性決定してもよい。特に、薄膜トランジスタ用途の場合、いくつかの実施形態では全体的な誘電定数が高いことが望ましく、その結果、このデバイスは、比較的低い電圧で操作することができる。特定の実施形態では、誘電性材料は、低k誘電性材料と高k誘電性材料との組み合わせである。低k誘電性材料は、ポリメチルシルセスキオキサンであり、高k誘電性材料は、ポリビニルフェノールである。任意の適切な低表面張力添加剤を、誘電性組成物で用い、誘電層を作成してもよい。低表面張力添加剤は、動的条件および静的条件で、誘電性組成物および/または誘電層の表面張力を減らすことが可能な添加剤である。これにより、誘電性組成物/層が、最適な濡れ性および水平化効果を得ることができる。低表面張力添加剤は、誘電性材料の約0.0001~約3.0wtの量で存在してもよい約0.0001~約1.0wtを含む。ある実施形態では、低表面張力添加剤は、誘電性材料の任意の架橋に関与しない。他の実施形態では、低表面張力添加剤は、同様に誘電性材料と架橋させ、誘電層中の存在を維持することができる。ある種の官能基例えば、ヒドロキシル基またはカルボキシル基が、低表面張力添加剤を誘電性材料と架橋させることができるように、低表面張力添加剤中に存在してもよい。いくつかの実施形態では、低表面張力添加剤は、ヒドロキシル官能基、シロキサン官能基-SiR2O-、フルオロ炭素官能基および/またはアクリル官能基を含む。ある実施形態では、低表面張力添加剤は、改質ポリシロキサン、フルオロカーボンで改質されたポリマー、またはアクリレートコポリマーである。特定の実施形態では、低表面張力添加剤は、ヒドロキシル官能基およびシロキサン官能基を含む。ある実施形態では、低表面張力添加剤は、改質ポリシロキサンである。改質ポリシロキサンは、ポリエーテルで改質されたアクリル官能化ポリシロキサン、ポリエーテル-ポリエステルで改質されたヒドロキシル官能化ポリシロキサン、またはポリアクリレートで改質されたヒドロキシル官能化ポリシロキサンであってもよい。他の実施形態では、低表面張力添加剤は、フルオロカーボンで改質されたポリマー、低分子フルオロカーボン化合物、フルオロカーボンポリマー化合物などである。低表面張力添加剤は、誘電層を作成するために用いられる誘電性材料とは異なる。添加剤を誘電性材料から区別するための方法のひとつは、誘電性組成物における濃度差である。上述のように、添加剤は、誘電性材料のわずか3.0wtである。架橋剤は、誘電性組成物中に存在していてもよい。誘電性組成物は、2種類以上の材料例えば、高k誘電性材料および低k誘電性材料を含み、これらを、硬化中に2種類以上の相に分離させることができる場合、架橋剤によって、相全体で高k誘電性材料と低k誘電性材料との間に架橋を生じさせることができる。他の材料を誘電性組成物に加えてもよい。代表的な架橋剤としては、ポリメラミン-コ-ホルムアルデヒド樹脂、オキサゾリン官能化架橋剤、保護されたポリイソシアネート、特定のジアミン化合物、ジチオール化合物、ジイソシアネートなどが挙げられる。また、熱酸発生剤が、誘電性組成物中に存在していてもよい。熱酸発生剤は、加熱すると酸を発生し、誘電性材料の架橋を触媒し、良好な機械特性および電気特性を有する架橋した誘電層を生成する。また、熱酸発生剤は、一般的に、誘電性組成物中で良好な貯蔵寿命を有していなければならない。特定の実施形態では、熱酸発生剤は、ヒドロカルビルスルホン酸である。用語ヒドロカルビルは、水素および炭素を含有する基を指し、置換されていてもよい。熱酸発生剤は、誘電層中に、または誘電性組成物中に、液体を含まない誘電組成物の誘電層の重量の約0.001~約3wtの量で存在していてもよい約0.1~約2wt。また、光酸発生剤は、誘電性材料の架橋を触媒するために、誘電性組成物中に存在していてもよい。光酸発生剤は、可視光にさらされると酸を発生する化合物である。1種類、2種類、またはそれ以上の適切な流体を、誘電性組成物で使用される液体液相成長を促進する液体または溶媒として用いてもよい。いくつかの実施形態では、液体/溶媒は、低k誘電性ポリマーおよび高k誘電性ポリマーを溶解することができる。液体/溶媒は、誘電性組成物の約0~約98wtであってもよい約50wt~約90wtを含む。また、無機ナノ粒子は、誘電層の全体的な誘電定数を上げるために、場合により含まれていてもよい。これらのナノ粒子は、誘電性ポリマーと反応せず、一般的に、誘電層全体に分散する。このナノ粒子は、粒径が約3nm~約500nm、または約3nm~約100nmである。任意の適切な無機ナノ粒子を用いてもよい。無機ナノ粒子を加えることは、いくつかの利点がある。第1に、全体的なゲート誘電層の誘電定数を高めることができる。第2に、金属ナノ粒子を加えると、この粒子は、ゲート誘電層のゲートの漏れを小さくするような電子トラップとして機能させることができる。誘電性組成物中の上に列挙した各成分の濃度は、組成物の約0.001~約99重量までさまざまである。低k誘電性材料の濃度は、例えば、約0.1~約30重量、または約1~約20重量である。高k誘電性材料の濃度は、例えば、約0.1~約50重量、または約5~約30重量である。架橋剤の濃度は、誘電性ポリマーの濃度に依存して変わるだろう。架橋剤と誘電性ポリマーとの比率は、例えば、重量で約1:99~約50:50、または約5:95~約30:70である。触媒と誘電性ポリマーとの比率は、例えば、重量で約1:9999~約5:95、または約1:999~約1:99である。無機ナノ粒子は、例えば、約0.5~約30重量、または約1~約10重量であってもよい。いくつかの実施形態では、低k誘電性材料と、高k誘電性材料とは、誘電性組成物中で相分離しない。句相分離しないは、低k誘電性材料と、高k誘電性材料とが、液体に溶解していることを意味する。用語溶解するは、低k誘電性材料と高k誘電性材料とが液体中に完全に溶解しているか、または部分的に溶解していることを示す。低k誘電性ポリマーと、高k誘電性ポリマーと、液体は、温度、圧力、組成の特定の範囲にわたって、単一相を形成するような混和性であってもよい。温度範囲は、例えば、0~150°C、特にほぼ室温である。圧力は、一般的に、約1気圧である。液相成長前の誘電性組成物において、低k誘電性材料および高k誘電性材料は、例えば、低k誘電性ポリマーと高k誘電性ポリマーと液体との合計重量を基準として、約0.1~約98重量、または約0.5~約50重量で存在してもよい。低k誘電性材料と高k誘電性材料との比率は、例えば、約1:99~99:1、または約5:95~約95:5、特に、約10:90~約40:60であってもよいそれぞれの比率で最初に引用されている値は、低k誘電性ポリマーをあらわす。液相成長前に、低k誘電性ポリマーと、高k誘電性材料と、液体が単一相典型的には、透明溶液を形成するように混和性であるような実施形態では、単一相は、光分散技術によって確認されるか、または、いかなる手段も用いることなく、肉眼で視覚的に検出されてもよい。液相成長前に、誘電性組成物は、いくつかの実施形態では、低k誘電性材料および/または高k誘電性ポリマーの凝集物を含んでいてもよい。これらの凝集物は、例えば、可視光の波長よりも小さくてもよく、または、100nm未満、特に、50nm未満の大きさであってもよい。本開示の目的のために、これらの凝集物は、誘電性組成物中に存在する場合、層分離の結果を考慮しないか、または相分離しており、さらに、これらの凝集物は、第1の相および/または第2の相を考慮したものではない。誘電性組成物は、基板の上に液相成長する。任意の適切な液相成長技術を用いてもよい。いくつかの実施形態では、液体成長は、スピンコーティング、ブレードコーティング、ロッドコーティング、浸漬コーティングなどのブランケットコーティング、スクリーン印刷、インクジェット印刷、スタンピング、ステンシル印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷などのような印刷を含む。いくつかの実施形態では、液相成長は、1工程で達成されてもよい。用語1工程は、第1の誘電性材料および第2の誘電性材料を1種類の誘電性組成物から同時に液相成長させることを指す。これは、2つの異なる誘電性材料を2種類の異なる誘電性組成物から別個に堆積させる従来の二層誘電構造を製造するプロセスとは異なっている。1工程の工程は、用語パスとは異なる。いくつかの実施形態では、誘電性構造の厚みを大きくするために、誘電性組成物の1工程の堆積中に、2回以上のパスを行ってもよい。いくつかの実施形態では、本発明の相が分離した誘電性構造の相が分離した性質は、第1の相および第2の相の以下の可能な代表的な任意の形態であらわされる:1相間層の形態でが、第1の相層の形態でと第2の相層の形態でとの間に存在する;2ある相が、他の相の連続するマトリックス内に複数の点を形成する;3ある相が、他の相の連続するマトリックス内に複数の棒状の要素例えば、円筒形を形成する;4ある相が、他の相と相互に貫通し、両方とも連続した領域を形成する。いくつかの実施形態では、形態2、3または4が存在してもよいが、1は存在しない。本発明の相が分離した誘電性構造の相が分離した性質は、第1の相および第2の相の形態に関し、種々の分析、例えば、以下のもの:走査型電子顕微鏡法SEM、原子間力顕微鏡法AFMによる、誘電性構造の表面および断面の分析;および透過型電子顕微鏡法TEMによる、誘電性構造の断面の分析によって決定することができる。光分散およびX線広角および狭角のX線分散のような他のツールを用いることもできる。いくつかの実施形態では、相間を含む形態1は、界面層を有する従来の二層ゲート誘電体とは、相間が組成変化の勾配を含むという点で異なっており、一方、界面層は、勾配のある組成変化ではなく、不連続な組成変化を含む。いくつかの実施形態では、別の違いは、本発明の相間は、約10nm~約50nmの範囲の厚みを含め、比較的厚く、典型的には、界面層の厚みが約5nm未満、特に、約3nm未満であってもよい従来の二層ゲート誘電体でみられるどの界面層よりも顕著に大きい。いくつかの実施形態では、低k誘電性材料は、第1の相の大部分を占めており、高k誘電性材料は、第2の相の大部分を占めている。同様に、高k誘電性材料は、第1の相では少数であり、低k誘電性材料は、第2の相では少数である。用語大部分は、相が分離した誘電性構造の相において、低k誘電性材料および高k誘電性材料の合計重量の50重量より多いことを意味する。用語少数は、相が分離した誘電性構造の相において、低k誘電性材料および高k誘電性材料の合計重量の50重量より少ないことを意味する。いくつかの実施形態では、低k誘電性材料は、半導体層に最も近い誘電性構造の領域において、高k誘電性相よりも高い濃度で存在する。言い換えれば、第1の相は、第2の相よりも半導体層に近い。用語領域は、半導体層に最も近い、相分離した誘電性構造の薄片誘電性構造の表面に平行を指す。この領域は、低k誘電性材料および高k誘電性ポリマーの濃度を明らかにするために試験される。いくつかの実施形態では、この領域は、第1の相の一部またはすべてと、場合により、第2の相の一部またはすべてとを含む。2種類の誘電性ポリマーの濃度を明らかにするために、種々の方法を用いてもよい。例えば、X線光電子分光法XPSを用い、領域中の各原子の濃度を分析することができる。AFMを用い、異なる相の区域の大きさを明らかにすることができる。また、領域の断面に対するTEMを用い、異なる相の区域の大きさと、異なる誘電性材料の各原子の濃度を明らかにすることができる。特定の実施形態では、異なる方法の組み合わせを用いてもよい。異なる方法から生じる結果にかなり変動がある場合には、TEM分析からの結果が好ましい。いくつかの実施形態の領域では、低k誘電性材料は、例えば、約60~100、または約80~100の範囲の濃度であり、高k誘電性材料は、約40~0、または約20~0の範囲の濃度である。相分離を達成するために、いくつかの実施形態では、低k誘電性材料および高k誘電性材料は、意図的に、固体状態で混和しないか、または部分的に混和するように選択される。2種類の誘電性ポリマーの混和性混合物が単一相を形成する能力は、相互作用パラメーターχを観察することによって予想することができる。一般的にいえば、ある材料は、類似する別の材料と混和性である。いくつかの実施形態では、相が分離した誘電性構造は、材料のブレンドを含む。いくつかの実施形態では、相が分離した材料のブレンドは、二成分系のブレンドである。他の実施形態では、相が分離した材料のブレンドは、それぞれ、第3の誘電性材料または第4の誘電性材料が加えられる場合、三成分系または四成分系のブレンドである。本明細書で使用される場合、用語ブレンドは、単に、2種類以上のポリマーが存在することを示し、第1の相および第2の相における低k誘電性材料および高k誘電性材料の濃度または分布を暗示するものではない。本開示のさらなる局面は、相が分離した材料ブレンドのゲート誘電体を備える薄膜トランジスタに関する。いくつかの実施形態では、本発明の相が分離した誘電性構造は、意図的に作成した孔空隙または開口部とも呼ばれる、例えば、Lopatinら、米国特許第6,528,409号;Fosterら、米国特許第6,706,464号;Carterら、米国特許第5,883,219号に記載されるのと似たプロセスおよび材料を用いて作成されるものを含んでいる。他の実施形態では、本発明の相が分離した誘電性構造は、これらの意図的に作成した孔を含まないしかし、特定の実施形態では、意図的に作成したのではなく、本発明のプロセスの望ましくない副生成物であるピンホールが存在していてもよい。いくつかの実施形態におけるピンホールの密度は、例えば、1mm2平方ミリメートルあたり50未満、または1mm2あたり10未満、または1mm2あたり5未満、または1mm2あたり2未満である。さらなる実施形態では、本発明の誘電性構造は、実質的にピンホールが存在しないすなわち、1mm2あたり10未満、または1mm2あたり5未満。ピンホールは、原子間力顕微鏡のような種々の技術によって特定することができる。いくつかの実施形態では、誘電性構造中に孔を作成する工程が存在しない。得られた誘電層は、電子機器で通常用いられるものよりも薄くてもよい。いくつかの実施形態では、誘電層は、厚みが約10nm~約1000nmである。より特定的な実施形態では、誘電層は、厚みが約10nm~約500nmである。ある実施形態では、誘電層は、厚みが約300nm未満である。また、得られた誘電層は、表面粗さが低いすなわち、表面平滑性が高い。表面粗さは、平均二乗偏差rms法によって明らかにされる。簡単にいうと、表面粗さを層上の数点で測定される。報告される表面粗さは、測定値の2乗の算術平均平均の平方根である。いくつかの実施形態では、誘電層は、表面粗さが10ナノメートル未満である5ナノメートル未満を含む。任意要素の界面層が、半導体層と相が分離した誘電性構造との間に存在していてもよい。界面層は、例えば米国特許第7,282,735号に開示される材料および手順を用いて調製されてもよく、この開示内容は、全体的に本明細書に参考として組み込まれる。誘電性組成物は、典型的には、加熱することによって硬化し、誘電層が生成する。本発明の誘電性組成物は、約80°C~約200°C、または約80°C~約140°Cの温度で熱によって硬化してもよい。本発明の誘電性組成物は、約0.5分間~約30分間、または約0.5分間~約5分間で熱によって硬化させることができる。本開示の誘電層は、従来の誘電層よりも薄く、平滑であり、ピンホールが生じにくい。これにより、誘電層を用いた電子機器の歩留まりが約100まで大きくなる。いくつかの実施形態では、機器の歩留まりの向上は、低表面張力添加剤が存在しない誘電層を含む機器と比較して、50より大きく、または100より大きく、または200よりも大きい。誘電性組成物が熱酸発生剤を含み、可とう性基板と組み合わせて用いられる場合、さらなる利点を生む場合がある。ロールツーロール方式の製造において、基板は、構造的に可とう性の、例えば、ポリエチレンテレフタレートPETのようなプラスチックでなければならない。上述のように、誘電性組成物を基板の上に堆積させた後、誘電性組成物を加熱することによって硬化させ、基板の上に誘電層を作成する。通常は、誘電性組成物を、熱源例えば、ホットプレートまたは乾燥器による加熱を用いて硬化させ、液体/溶媒を除去し、誘電性組成物を硬化させる。他の加熱方法としては、マイクロ波、紫外線、フラッシュ定着が挙げられる。これらの加熱方法は、典型的には、基板の上に存在する電子機器/トランジスタのすべての部分を、誘電性組成物を塗布したときに加熱する。それぞれの部分/層が異なる構成であるため、熱を加えると、例えば、基板が変形することがある。それに加え、誘電性材料は、比較的長い硬化時間を必要とする場合がある例えば、10分以上。したがって、硬化時間を短くすることが望ましい。また、基板の変形を避けるために、基板が受ける処理温度を下げることも望ましい。一般的に、硬化時間は、硬化温度を上げることによって短くすることができる。誘電性組成物中に熱酸発生剤が含まれることで、硬化時間が短くなり、基板が受ける処理温度を低くすることができる。従来の誘電性組成物は、140°C~160°Cの温度で熱によって硬化させる必要があるのに対し、本発明の誘電性組成物は、約80°C~約120°Cの温度で熱によって硬化させることができる。従来の誘電性組成物は、約30分間硬化させる必要があるのに対し、本発明の誘電性組成物は、約2分間~約10分間で熱によって硬化させることができる。所望な場合、誘電性組成物は、硬化を開始する前に、まず乾燥させてもよい。特定の実施形態では、誘電層は、ポリメチルシルセスキオキサンと、ポリ4-ビニルフェノールと、架橋剤と、低表面張力添加剤とを含む誘電性組成物から作られる。この誘電性組成物を、PET基板の上に堆積させる。電極ゲート電極は、金属薄膜、導電性ポリマー膜、導電性インクまたはペーストから製造される導電性膜であってもよく、または、基板自体が、ゲート電極、例えば、高濃度にドープされたケイ素であってもよい。ゲート電極の材料の例としては、限定されないが、アルミニウム、金、クロム、インジウムスズオキシド、導電性ポリマー、例えば、ポリスチレンスルホネートがドープされたポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPSS-PEDOT、カーボンブラック/グラファイトまたはコロイド状の銀をポリマーバインダーに分散させたもので構成される導電性インク/ペースト、例えば、ELECTRODAGTMAchesonColloidsCompanyから入手可能が挙げられる。ゲート電極層は、金属または導電性金属酸化物の真空蒸発、スパッタリング、スピンコーティング、キャスト成形または印刷による、導電性ポリマー溶液または導電性インクからのコーティングによって調製することができる。ゲート電極層の厚みは、例えば、金属膜の場合、約10~約200ナノメートルの範囲であり、ポリマー導電体の場合、約1~約10マイクロメートルの範囲である。ソース電極層およびドレイン電極層は、半導体層に対し、低抵抗オーム接触を与える材料から製造されてもよい。ソース電極およびドレイン電極として用いるのに適した典型的な材料としては、金、ニッケル、アルミニウム、白金、導電性ポリマーおよび導電性インクのような、ゲート電極の材料が挙げられる。ソース電極およびドレイン電極の典型的な厚みは、例えば、約40ナノメートル~約10マイクロメートルであり、より特定的な厚みは、約100~約400ナノメートルである。半導体層有機半導体層として用いるのに適した材料としては、アセン、例えば、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、置換ペンタセン、ペリレン、フラーレン、フタロシアニン、オリゴチオフェン、ポリチオフェン、これらの置換誘導体が挙げられる。いくつかの実施形態では、有機半導体層は、液体処理可能な材料から作られる。適切な半導体材料の例としては、ポリチオフェン、オリゴチオフェン、米国特許第6,621,099号、第6,774,393号、第6,770,904号、第6,949,762号に記載の半導体ポリマーが挙げられ、この開示内容は、その全体が本明細書に参考として組み込まれる。さらに、適切な材料としては、OrganicThin-filmtransistorsforLargeAreaElectronics、C.D.DimitrakopoulosおよびP.R.L.Malenfant、Adv.Mater.、Vol.12、No.2、pp.99-1172002に開示されている半導体ポリマーが挙げられ、この開示内容も、本明細書に参考として組み込まれる。半導体層は、限定されないが、真空蒸発、スピンコーティング、溶液キャスト成形、浸漬コーティング、ステンシル/スクリーン印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、マイクロコンタクト印刷、これらのプロセスの組み合わせなどを含む任意の適切な手段によって作成されてもよい。いくつかの実施形態では、半導体層は、液相成長法によって作成される。いくつかの実施形態では、半導体層は、厚みが約10ナノメートル~約1マイクロメートルである。さらなる実施形態では、有機半導体層は、厚みが約30~約150ナノメートルである。他の実施形態では、半導体層は、厚みが約40~約100ナノメートルである。ゲート誘電体ゲート誘電体の組成および作成を本明細書に記載している。いくつかの実施形態では、誘電体は、赤外線吸収剤を含む、硬度に架橋した丈夫な層である。ある実施形態では、誘電体は、相分離していない均一層である。他の実施形態では、誘電体は、相が分離したゲート誘電体であり、ゲート誘電体の第1の相と第2の相とが互いに接している。他の実施形態では、相間は、第1の相と第2の相との間に存在する。いくつかの実施形態では、ゲート誘電体の第1の相が、半導体層と接しており;他の実施形態では、界面層は、第1の相と半導体層との間に存在する。いくつかの実施形態では、ゲート誘電体の第1の相および第2の相の両方が半導体層と接している。他の実施形態では、ゲート誘電体の第1の相および第2の相の両方が半導体層と接しており、半導体層と第1の相との接触面積が、薄膜トランジスタのチャネル領域ソース電極とドレイン電極との間の領域における半導体層と第2の相との接触面積よりも大きい。ゲート誘電体、ゲート電極、半導体層、ソース電極、ドレイン電極が、任意の順序で基板の上に作られる。いくつかの実施形態では、ゲート電極および半導体層は、ゲート誘電層の反対側にあり、ソース電極およびドレイン電極は、両方とも半導体層と接している。句任意の順序では、順次作成することと、同時に作成することを含む。例えば、ソース電極およびドレイン電極を同時に作成してもよく、順次作成してもよい。組成物、製造、電界効果移動度の操作は、Baoら、米国特許第6,107,117号に記載されており、この開示内容は、全体的に本明細書に参考として組み込まれる。用語基板の上は、基板の上部にある層および要素について、底部または支持板であるような基板に対する、種々の層および要素を指す。言い換えると、すべての要素は、すべてが基板と直接接していない場合であっても、基板の上にある。例えば、誘電層および半導体層は、一方の層が他の層よりも基板に近い場合であっても、両方とも基板の上にある。比較例1~3コンデンサを以下のように製造した。ポリ4-ビニルフェノールPVP、Aldrich、Mw=25,000およびメラミン-ホルムアルデヒド樹脂Aldrich、n-ブタノール中、84wtを、PVPとメラミン-ホルムアルデヒドとの比率が重量で1:1になるように、n-ブタノールに溶解した。この混合物にポリメチルシルセスキオキサンPMSSQ溶液n-ブタノール中、約26wtを加えた。得られた誘電性組成物を0.2μmシリンジフィルターで濾過し、ガラス基板の上部に2000rpmで60秒間スピンコーティングした。80°Cで約5分間乾燥した後、誘電層を120°Cで10分間硬化させた。硬化させた後、誘電層の厚みを測定した。誘電層をn-ブタノールで十分に洗浄し、次いで、誘電層の厚みを再び測定した。また、表面粗さは、DEKTAKTM6表面形状測定装置を用いて測定した。次いで、誘電層の上部でアルミニウム電極を蒸発させ、コンデンサを作成した。次いで、コンデンサの収量を測定した。比較例1において、誘電性組成物は、6.5wtのPVPを含んでいた。比較例2において、誘電性組成物は、4.6wtのPVPを含んでいた。比較例3において、誘電性組成物は、3.5wtのPVPを含んでいた。実施例1~3比較例と同様に、実施例1~3を製造した。しかし、この溶液PVPが0.001wtに、濾過前に、低表面張力添加剤SILCLEAN3700も加えた。実施例1において、誘電性組成物は、6.5wtのPVPを含んでいた。実施例2において、誘電性組成物は、4.6wtのPVPを含んでいた。実施例3において、誘電性組成物は、3.5wtのPVPを含んでいた。結果表1および表2は、実施例および比較例の結果をまとめたものである。表1は、低表面張力添加剤を加えた場合、加えなかった場合の誘電層の厚みを示す。誘電層の厚みは、誘電性組成物中のPVPの量を調節することによって制御された。PVP濃度が高くなるにつれ、誘電層の厚みも大きくなった。表1からわかるように、低表面張力添加剤は、誘電体の架橋に悪い影響を与えなかった。というのも、洗浄後の顕著な厚み低下が実施例ではみられなかったからである。表2は、低表面張力添加剤を含まない誘電層を備えるコンデンサのコンデンサ収量を、低表面張力添加剤を含む、層の厚みがさまざまなコンデンサと比較して示す。比較例低表面張力添加剤を含まないの場合、層の厚みが小さくなると、コンデンサの収量が顕著に低下した。しかし、実施例低表面張力添加剤を含むにおいて、層の厚みが小さくなっても、コンデンサの収量は低下しなかった。層の厚みが230nmの場合、実施例は、まだ100の収量を達成していたが、比較例は、たった20の収量しか達成されなかった。比較例は、100の収量を得るのに、540nmの厚みが必要であった。これは、100の収量が得られる実施例の厚みの2倍を超える。この結果から、少量の低表面張力添加剤を加えると、機器の収量がさらに向上することが示された。これに加え、表面粗さが低下した。図5は、厚みが230nmであり、低表面張力添加剤を含まずに作成された誘電膜の顕微鏡写真である。図6は、厚みが230nmであり、低表面張力添加剤を用いて作成された誘電膜の顕微鏡写真である。図5の表面粗さは、約16nmであると測定され、図6の表面粗さは、約6nmであった。図6において、膜上の引っかき傷が、顕微鏡写真の上部に沿って水平に走っていることが示されていることを注記されたい。実施例4ゲート電極としてアルミニウムを用い、ポリエチレンテレフタレートPET基板上に薄膜トランジスタを製造した。ゲート誘電層厚み230nmを、アルミニウムゲート電極の上に作成した。次いで、ポリチオフェン半導体層を、1000rpmで120秒間スピンコーティングすることによって、誘電層の上部に堆積させ、次いで、減圧乾燥機中、140°Cで10分間アニーリングした。ポリチオフェンPQT-12として知られるは、以下の式を有する。次いで、PQT-12半導体の上部で金ソース/ドレイン電極を蒸発させ、デバイスを完成させた。チャネル長が90μmであり、チャネル幅が1000μmのトランジスタをKeithleySCS-4200システムで特性決定した。図7は、得られた移動曲線を示す。曲線は、ドレインの電流であり、一方、点線は、ドレインの電流の平方根であり、最良の当てはめ線は、ドレインの電流の平方根について示されている。トランジスタは0.06cm2/V秒までの移動度を示し、電流のオン/オフ比が104であった。この性能は、もっと厚い誘電層を備える以前のデバイスに匹敵するものであるが、実施例4のデバイスは、同じゲートバイアスがかかった状態では、電流が少し大きくなったことが示された。"