第1のインダクタと、オンのとき前記第1のインダクタに電源電圧を供給して電流を流すスイッチング素子と、第1の主端子と第2の主端子と制御端子とを有し、前記第2の主端子が前記スイッチング素子に接続されて、前記スイッチング素子を流れる電流を検出する定電流素子と、前記定電流素子の前記第2の主端子と前記第1の主端子との間の電圧が規定値以上のとき、前記定電流素子をオフさせて前記スイッチング素子を流れる電流を遮断する制御回路と、前記スイッチング素子および前記定電流素子のいずれかに直列に接続され、前記スイッチング素子がオフしたとき前記第1のインダクタの電流を流す整流素子と、前記第1のインダクタと磁気結合し、前記第1のインダクタの電流が増加しているときは前記スイッチング素子をオンさせる電位が誘起され、前記スイッチング素子の電流が減少しているときは前記スイッチング素子をオフさせる電位が誘起され、誘起された電位を前記スイッチング素子の制御端子に供給する第2のインダクタと、を備えたことを特徴とするスイッチング電源。前記スイッチング素子は、ノーマリオン形の素子であることを特徴とする請求項1記載のスイッチング電源。前記制御回路は、前記第1の主端子と前記第2の主端子との間の電圧が前記規定値以上のとき、前記定電流素子の前記制御端子に負電位を出力することを特徴とする請求項1記載のスイッチング電源。前記制御回路は、前記第1の主端子と前記第2の主端子との間に接続され、前記第1の主端子と前記第2の主端子との間の電圧が前記規定値以上のときオンする第1のトランジスタを有することを特徴とする請求項1記載のスイッチング電源。前記制御回路は、一端が前記第1の主端子に接続された第1の抵抗と、一端が前記第1の抵抗の他端に接続され、他端に前記第1の主端子の電位よりも低い電位が供給される第2の抵抗と、前記第2の抵抗の両端に接続され、前記第1のトランジスタがオンしたときオンして前記第2の抵抗の両端を短絡する第2のトランジスタと、をさらに有することを特徴とする請求項4記載のスイッチング電源。請求項1記載のスイッチング電源と、前記スイッチング電源の負荷回路として接続された照明負荷と、を備えたことを特徴とする照明装置。しかし、自励式のDC-DCコンバータは、スイッチング素子の電流を検出してスイッチング素子をオンまたはオフに切替える。スイッチング素子の電流を小さくして検出する素子の両端の電圧を低下させると、スイッチング素子を十分にオンすることができず損失が増大する可能性がある。また、電圧が高すぎると、電流を遮断するときのスイッチング損失が増加する。本発明の実施形態は、電力損失の小さいスイッチング電源及び照明装置を提供することを目的とする。本発明の一態様に係るスイッチング電源は、第1のインダクタと、第2のインダクタと、スイッチング素子と、定電流素子と、整流素子と、制御回路とを備える。前記スイッチング素子は、オンのとき前記第1のインダクタに電源電圧を供給して電流を流す。前記定電流素子は、第1の主端子と第2の主端子と制御端子とを有し、前記第2の主端子が前記スイッチング素子に接続されて、前記スイッチング素子を流れる電流を検出する。前記制御回路は、前記定電流素子の前記第2の主端子と前記第1の主端子との間の電圧が規定値以上のとき、前記定電流素子をオフさせて前記スイッチング素子を流れる電流を遮断する。前記整流素子は、前記スイッチング素子および前記定電流素子のいずれかに直列に接続され、前記スイッチング素子がオフしたとき前記第1のインダクタの電流を流す。前記第2のインダクタは、前記第1のインダクタと磁気結合し、前記第1のインダクタの電流が増加しているときは前記スイッチング素子をオンさせる電位が誘起され、前記スイッチング素子の電流が減少しているときは前記スイッチング素子をオフさせる電位が誘起され、誘起された電位を前記スイッチング素子の制御端子に供給する。また、本発明の他の一態様に係る照明装置は、上記のスイッチング電源と、前記スイッチング電源の負荷回路として接続された照明負荷と、を備える。第1の実施形態第1の実施形態のスイッチング電源は、第1のインダクタと、オンのとき前記第1のインダクタに電源電圧を供給して電流を流すスイッチング素子と、第1の主端子と第2の主端子と制御端子とを有し、前記第2の主端子が前記スイッチング素子に接続されて、前記スイッチング素子を流れる電流を検出する定電流素子と、前記定電流素子の前記第2の主端子と前記第1の主端子との間の電圧が規定値以上のとき、前記定電流素子をオフさせて前記スイッチング素子を流れる電流を遮断する制御回路と、前記スイッチング素子および前記定電流素子のいずれかに直列に接続され、前記スイッチング素子がオフしたとき前記第1のインダクタの電流を流す整流素子と、前記第1のインダクタと磁気結合し、前記第1のインダクタの電流が増加しているときは前記スイッチング素子をオンさせる電位が誘起され、前記スイッチング素子の電流が減少しているときは前記スイッチング素子をオフさせる電位が誘起され、誘起された電位を前記スイッチング素子の制御端子に供給する第2のインダクタと、を持つ。第2の実施形態第2の実施形態のスイッチング電源は、第1の実施形態のスイッチング電源において、前記スイッチング素子は、ノーマリオン形の素子であることを特徴とする。第3の実施形態第3の実施形態のスイッチング電源は、第1の実施形態のスイッチング電源において、前記制御回路は、前記第1の主端子と前記第2の主端子との間の電圧が前記規定値以上のとき、前記定電流素子の前記制御端子に負電位を出力することを特徴とする。第4の実施形態第4の実施形態のスイッチング電源は、第1の実施形態のスイッチング電源において、前記制御回路は、前記第1の主端子と前記第2の主端子との間に接続され、前記第1の主端子と前記第2の主端子との間の電圧が前記規定値以上のときオンする第1のトランジスタを有することを特徴とする。第5の実施形態第5の実施形態のスイッチング電源は、第4の実施形態のスイッチング電源において、前記制御回路は、一端が前記第1の主端子に接続された第1の抵抗と、一端が前記第1の抵抗の他端に接続され、他端に前記第1の主端子の電位よりも低い電位が供給される第2の抵抗と、前記第2の抵抗の両端に接続され、前記第1のトランジスタがオンしたときオンして前記第2の抵抗の両端を短絡する第2のトランジスタと、をさらに有することを特徴とする。第6の実施形態第6の実施形態の照明装置は、第1の実施形態のスイッチング電源と、前記スイッチング電源の負荷回路として接続された照明負荷と、を持つ。以下、実施例について図面を参照して詳細に説明する。なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。まず、第1の実施例について説明する。図1は、第1の実施例に係るスイッチング電源を含む照明装置を例示する回路図である。図1に表したように、照明装置1は、入力される直流の電源電圧VINを電圧VOUTに降圧するスイッチング電源2と、スイッチング電源2の負荷回路となる照明負荷3を備えている。照明負荷3は、照明光源16を有している。照明光源16は、例えばLEDで構成され、スイッチング電源2から電圧VOUTを供給されて点灯する。スイッチング電源2においては、スイッチング素子8と定電流素子9とが、高電位電源端子4と高電位出力端子6との間に直列に接続されている。すなわち、スイッチング素子8のドレインは、高電位電源端子4に接続され、スイッチング素子8のソースは、定電流素子9のドレイン第2の主端子に接続され、定電流素子9のソース第1の主端子は、整流素子10のカソードに接続されている。スイッチング素子8及び定電流素子9は、例えば電界効果トランジスタFETであり、例えば高電子移動度トランジスタHighElectronMobilityTransistor:HEMTであり、ノーマリオン型の素子である。また、整流素子10のアノードは、低電位電源端子5に接続される。整流素子10は、定電流素子9と低電位電源端子5との間に、低電位電源端子5から定電流素子9に向かう方向を順方向として接続される。整流素子10は、例えばダイオードであり、例えばショットキーバリアダイオードである。制御回路11は、定電流素子9のドレインとソースとの間に接続され、定電流素子9のドレインソース間電圧が規定値以上のとき、定電流素子9のゲート定電流素子の制御端子に負電位を出力する回路である。ここで、規定値は、定電流素子9が定電流特性を示す電流値、すなわち上限値に達したときの第2の主端子と第1の主端子との間の電圧よりも低い電圧値であり、電流が上限値に向けて増加する途中で定電流素子9をオフさせる電圧値である。第1のトランジスタ17のエミッタは、定電流素子9のドレインに接続され、ベースは、抵抗18を介して定電流素子9のソースに接続され、コレクタは、抵抗19を介して第2のトランジスタ20のゲートに接続される。なお、抵抗19は、第2のトランジスタ20のゲートを保護する。また、第1のトランジスタ17は、PNP型バイポーラトランジスタであり、第2のトランジスタ20は、Nチャンネル形MOSFETである。また、第1の抵抗21、第2の抵抗22、及び抵抗23が、定電流素子9のソースと低電位電源端子5との間に、直列に接続される。第2のトランジスタ20のドレインは、第1の抵抗21と第2の抵抗22との接続点及び定電流素子9のゲートに接続される。また、ダイオード24が、定電流素子9のゲートとソースとの間に接続される。第2のトランジスタ20のソースは、第2の抵抗22と抵抗23との接続点に接続される。また、コンデンサ26が、第2の抵抗22と抵抗23との接続点と、定電流素子9のソースとの間に接続される。なお、ダイオード24は、定電流素子9のゲートを保護する。第1のインダクタ13は、定電流素子9のソースと整流素子10のカソードとの接続点と、高電位出力端子6との間に接続される。第2のインダクタ14は、第1のインダクタ13と磁気結合し、一端は定電流素子9のソースと整流素子10のカソードとの接続点に接続され、他端は、コンデンサ12を介してスイッチング素子8のゲートスイッチング素子の制御端子に接続される。また、ダイオード25は、スイッチング素子8のゲートと定電流素子9のソースとの間に接続される。ダイオード25は、スイッチング素子8のゲートを保護する。また、平滑コンデンサ15は、高電位出力端子6と低電位出力端子7との間に接続される。低電位出力端子7は、低電位電源端子5に接続されている。次に、スイッチング電源2の動作について説明する。電源電圧VINが、高電位電源端子4と低電位電源端子5との間に供給されるとき、スイッチング素子8及び定電流素子9はノーマリオン型の素子であるため、いずれもオンしている。そして、高電位電源端子4、スイッチング素子8、定電流素子9、第1のインダクタ13、平滑コンデンサ15、低電位電源端子5の経路で電流が流れ、平滑コンデンサ15が充電される。平滑コンデンサ15の両端の電圧、すなわち高電位出力端子6と低電位出力端子7との間の電圧は、スイッチング電源2の出力電圧VOUTとして、照明負荷3の照明光源16に供給される。なお、スイッチング素子8及び定電流素子9がオンしているため、整流素子10の両端には、ほぼ電源電圧VINが印加される。整流素子10は逆バイアスとなり、整流素子10には電流は流れない。出力電圧VOUTが所定電圧に達すると、照明光源16に電流が流れ、照明光源16が点灯する。このとき、高電位電源端子4、スイッチング素子8、定電流素子9、第1のインダクタ13、平滑コンデンサ15及び照明光源16、低電位電源端子5の経路で電流が流れる。例えば、照明光源16がLEDの場合、この所定電圧は、LEDの順方向電圧であり、照明光源16に応じて定まる。定電流素子9のドレインソース間電圧が規定値、すなわち制御回路11の第1のトランジスタ17のベースエミッタ間電圧が規定値よりも低いとき、第1のトランジスタ17はオフ、第2のトランジスタ20もオフしている。その結果、第2の抵抗22の両端に接続された第2のトランジスタ20は開放状態になり、定電流素子9のゲート電位VGは、定電流素子9のソースと、低電位電源端子5との間の電圧を第1の抵抗21、第2の抵抗22、及び抵抗23で分割した電圧になっている。なお、第1の抵抗21、第2の抵抗22、及び抵抗23の各抵抗値は、このときのゲート電位VGが定電流素子9がオンを維持できるように設定されている。第1のインダクタ13には、スイッチング素子8、定電流素子9を介して電源電圧VINが供給されるため、第1のインダクタ13を流れる電流は増加していく。第2のインダクタ14は、第1のインダクタ13と磁気結合しているため、第2のインダクタ14には、コンデンサ12側を高電位とする極性の起電力が誘起される。その結果、スイッチング素子8のゲートには、コンデンサ12を介してソースに対して正の電位が供給され、スイッチング素子8はオンの状態を維持する。定電流素子9を流れる電流が増加すると、定電流素子9のドレインソース間電圧は上昇する。定電流素子9のドレインソース間電圧が規定値以上になると、制御回路11の第1のトランジスタ17はオンする。第1のトランジスタ17のコレクタ電圧が上昇して、第2のトランジスタ20は、オンする。その結果、第2の抵抗22の両端間は短絡状態になり、定電流素子9のゲート電位VGが低下して、定電流素子9がオフして、スイッチング素子8の電流が遮断される。なお、第1の抵抗21、第2の22、抵抗23の各抵抗値は、このときのゲート電位VGが、定電流素子9をオフさせるように設定されている。スイッチング素子8の電流が遮断されると、第1のインダクタ13は、平滑コンデンサ15及び照明負荷3、整流素子10、第1のインダクタ13の経路で電流を流し続ける。そのため、照明光源16は点灯を続ける。第1のインダクタ13は、エネルギーを放出するため、第1のインダクタ13の電流は、減少していく。その結果、第2のインダクタ14には、コンデンサ12側を低電位とする極性の起電力が誘起される。スイッチング素子8のゲートには、コンデンサ12を介してソースに対して負の電位が供給され、スイッチング素子8はオフの状態を維持する。第1のインダクタ13に蓄積されていたエネルギーがゼロになると、第1のインダクタ13を流れる電流はゼロになる。このとき、出力電圧VOUTは、所定電圧まで低下している。第2のインダクタ14に誘起される起電力の方向が再び反転し、コンデンサ12側を高電位とするような起電力が誘起される。これにより、スイッチング素子8のゲートにソースよりも高い電位が供給され、スイッチング素子8がオンする。これにより、上記の平滑コンデンサ15が所定電圧に充電された状態に戻る。以後、上記の動作を繰り返す。スイッチング素子8のオン及びオフへの切替が自動的に繰り返されて、照明光源16には電源電圧VINを降下した出力電圧VOUTが供給される。また、照明光源16に供給される電流は、制御回路11により上限値よりも小さい電流値に制限された定電流となる。そのため、照明光源16を安定に点灯させることができる。次に、本実施例の効果について説明する。本実施例においては、定電流素子9が、スイッチング素子8の電流を検出している。その結果、電流検出用の抵抗を用いた場合と比較して、電力損失を低減することができる。また、本実施例においては、制御回路11が、定電流素子9の第2の主端子と第1の主端子との間の電圧、すなわちドレインソース間電圧VDSを検出し、規定値以上のとき定電流素子9の制御端子、すなわちゲートに負電位を出力して定電流素子9をオフさせている。その結果、低電圧で電流を遮断することができ、スイッチング損失を低減することができる。また、高速で電流を遮断することができるため、高周波動作が可能であり、スイッチング損失をさらに低減することができる。上記の効果については、制御回路11を用いない構成を想定すると明確になる。例えば、制御回路11を用いず、定電流素子9の定電流特性によって、スイッチング素子8をオフさせた場合は、第2の主端子と第1の主端子との間の電圧が高い状態で電流を遮断することになり、スイッチング損失が大きくなる。図2は、定電流素子の電流の制御端子の電位に対する依存性を表す特性図である。図2においては、定電流素子としてFETのドレインソース間電圧VDSとドレイン電流IDとの関係をゲート電位VGをパラメータとして表している。FETのドレイン電流IDが増加して定電流特性になると、ドレイン電流IDの増加に伴い、ドレインソース間電圧VDSが急上昇する。しかし、FETが定電流特性となるためには、ドレインソース間電圧VDSは、|VGS-Vth|以上になる必要がある。ここで、VGSはゲートソース間電圧、Vthはしきい値電圧である。したがって、スイッチング素子8の電流が上限値に達したときに、定電流特性によるドレインソース間電圧の急上昇によってスイッチング素子8をオフさせる場合、ドレインソース間電圧VDSが|VGS-Vth|以上の電圧で遮断されることになる。この遮断するときのドレインソース間電圧VDSを低くするためにスイッチング素子8の電流の上限値を減少させると、第1のインダクタ13に蓄積されるエネルギーが減少する。その結果、スイッチング素子8を十分にオンさせることができない可能性が生じる。また、上限値を十分に大きくとり、遮断するときのドレインソース間電圧VDSを高くすると、高い電圧で、かつ比較的低速度で遮断されることになり、スイッチング損失が増加する。これに対して本実施例においては、制御回路11が、定電流素子9の第2の主端子と第1の主端子との間の電圧を検出し、規定値以上のとき定電流素子9の制御端子に負電位を出力して定電流素子9をオフさせている。その結果、低電圧で電流を遮断することができ、スイッチング損失を低減することができる。また、高速で電流を遮断することができるため、高周波動作が可能であり、スイッチング損失をさらに低減することができる。さらに、スイッチング素子8、定電流素子9などの各素子としてHEMTを用いた場合、高周波動作が可能となる。例えば、メガヘルツオーダーの動作が可能となる。特に、GaN系HEMTを用いた場合、より一層の高周波動作が可能であると共に、素子耐圧が高いため、同一耐圧とした場合のチップサイズを小型化できる。図3は、第2の実施例に係るスイッチング電源を含む照明装置を例示する回路図である。図3に表したように、スイッチング電源2aは、上記の第1の実施例に係るスイッチング電源2と比較して、定電流素子9a、制御回路11aの構成が異なっている。すなわち、本実施例においては、上記の第1の実施例における定電流素子9、制御回路11の替わりに、定電流素子9a、制御回路11aが設けられている。また、照明装置1aは、スイッチング電源2aの負荷回路となる照明負荷3を備えている。照明負荷3は、照明光源16を有している。照明光源16は、例えばLEDで構成され、スイッチング電源2aから電圧VOUTを供給されて点灯する。本実施例に係るスイッチング電源及び照明装置の定電流素子及び制御回路以外の構成は、図1に表した構成と同様である。定電流素子9aは、トランジスタ27、28で構成されたカレントミラーである。トランジスタ28は、カレントミラーの基準側であり、ベースとコレクタとが接続され、ダイオード接続されている。トランジスタ28のエミッタは、定電圧電源回路29を介して定電流素子9aの第1の主端子、すなわち抵抗27の他端に接続され、エミッタ電圧は、定電流素子9aの第1の主端子の電位に対して定電圧分だけ高い。トランジスタ28のベース及びコレクタには定電流源回路30から上限値に等しい定電流が供給される。トランジスタ27は、カレントミラーの出力側である。トランジスタ27のベースは、定電流素子9aの制御端子であり、トランジスタ28のベース及びコレクタに接続されている。トランジスタ27のコレクタは、定電流素子9aの第2の主端子であり、スイッチング素子8のソースに接続されている。また、トランジスタ27のエミッタは、抵抗31の一端に接続される。抵抗31の他端は、定電流素子9aの第1の主端子であり、整流素子10のカソードに接続されている。トランジスタ28に供給された定電流は、トランジスタ27のコレクタ電流として折り替えされる。なお、トランジスタ27、28は、NPN型バイポーラトランジスタである。定電流素子9aの電流コレクタ電流の第2の主端子と第1の主端子との間の電圧に対する依存性は、図2に表した特性図と同様になる。すなわち、図2におけるドレイン電流IDをコレクタ電流に、ドレインソース間電圧VDSを第2の主端子と第1の主端子との間の電圧にそれぞれ置き替えた特性になる。また、図2における制御端子の電位VGは、本実施例における定電流源回路30の定電流の電流値、すなわち上限値に対応する。定電流素子9aは、電流が上限値のとき定電流特性となる。また、電流が上限値に達するまでの途中においては、定電流素子9aの第2の主端子と第1の主端子との間の電圧の増加に伴い電流が増加する特性となる。第2の主端子と第1の主端子との間の電圧は、トランジスタ27のコレクタエミッタ間電圧よりも抵抗31の電圧降下分だけ高くなっている。なお、電流が上限値のとき抵抗31の電圧降下は、定電圧源回路29の電圧と等しく、定電圧電源回路29は、抵抗31と抵抗値の等しい抵抗に置き替えてもよい。制御回路11aは、定電流素子9aの第2の主端子であるトランジスタ27のコレクタと、第1の主端子である抵抗31の他端との間に、抵抗33を介して接続された第1のトランジスタ32を有している。抵抗33の一端は、トランジスタ27のコレクタに接続され、他端は第1のトランジスタ32のベースに接続される。第1のトランジスタ32のエミッタは、定電流素子9aの第1の主端子、すなわち抵抗31の他端に接続され、第1のトランジスタ32のコレクタは、トランジスタ27のベース、トランジスタ28のベース及びコレクタに接続される。なお、第1のトランジスタ32は、NPN型バイポーラトランジスタである。制御回路11aの第1のトランジスタ32は、定電流素子9aの第2の主端子と第1の主端子との間の電圧が規定値よりも低いとき、オフしている。その結果、制御回路11aは、定電流素子9aの動作に影響を与えず、定電流素子9aの電流は増加していく。定電流素子9aの第2の主端子と第1の主端子との間の電圧が規定値以上になると、第1のトランジスタ32は、オンする。その結果、制御回路11aは、定電流素子9aの制御端子としてのトランジスタ27のベースと、第1の主端子との間の電圧として、0Vを出力し、定電流素子9aをオフさせる。このように、制御回路11aは、定電流素子9aの電流が上限値に増加する途中で、定電流素子9aの第2の主端子と第1の主端子との間の電圧が規定値以上のとき、定電流素子9aをオフさせる。その結果、第1の実施例と同様に、低電圧で電流を遮断することができ、スイッチング損失を低減することができる。また、高速で電流を遮断することができるため、高周波動作が可能であり、スイッチング損失をさらに低減することができる。なお、上記以外の本実施例の構成、動作、効果は、上記の第1の実施例と同様である。以上、具体例を参照しつつ本発明の実施例について説明した。しかし、本発明は、それらに限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、前述の第1及び第2の実施例においては、スイッチング素子8及び定電流素子9がノーマリオン型の素子である例を示したが、本発明はこれに限定されず、ノーマリオフ型の素子であってもよい。この場合は、電源電圧VINの供給を開始したとき、スイッチング電源2、2aを起動させるための起動回路が必要になる。また、スイッチング電源の構成は、図1及び図2に表したものに限定されない。例えば、第1のインダクタ13は、高電位電源端子4、スイッチング素子8、定電流素子9または9a、平滑コンデンサ15、低電位電源端子5の経路にあればよく、低電位電源端子5と低電位出力端子7との間に接続されてもよい。また、スイッチング素子8、定電流素子9はGaN系HEMTには限定されない。例えば、半導体基板に炭化珪素SiCや窒化ガリウムGaNやダイヤモンドのようなワイドバンドギャップを有する半導体ワイドバンドギャップ半導体を用いて形成した半導体素子でもよい。ここで、ワイドバンドギャップ半導体とは、バンドギャップが約1.4eVのヒ化ガリウムGaAsよりもバンドギャップの広い半導体をいう。例えば、バンドギャップが1.5eV以上の半導体、リン化ガリウムGaP、バンドギャップ約2.3eV、窒化ガリウムGaN、バンドギャップ約3.4eV、ダイアモンドC、バンドギャップ約5.27eV、窒化アルミニウムAlN、バンドギャップ約5.9eV、炭化ケイ素SiCなどが含まれる。このようなワイドバンドギャップ半導体素子は、寄生容量が小さく高速動作が可能なため、さらにスイッチング電源の小型化、スイッチング損失の低減が可能である。さらにまた、照明光源16はLEDに限らず、ELやOLEDなどでもよく、照明負荷3には、複数個の照明光源16が直列又は並列に接続されていてもよい。また、前述の第1及び第2の実施例においては、スイッチング電源の負荷として照明光源を用いる場合を例示したが、例示したスイッチング電源は、照明光源だけでなく、直流で駆動される負荷であれば用いることができる。本発明のいくつかの実施形態および実施例を説明したが、これらの実施形態または実施例は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態または実施例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態または実施例やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。