基板の上に、シード膜を形成する工程と、前記シード膜の上に、開口が設けられたレジスト膜を形成する工程と、前記開口の側面に、暫定膜を形成する工程と、前記暫定膜を形成した後、前記開口内の少なくとも一部を埋め込むように配線を形成する工程と、前記配線を形成した後、前記暫定膜を除去する工程と、前記暫定膜を除去した後、前記配線の側面及び上面を覆うように、第1のバリア膜を形成する工程と、前記第1のバリア膜を形成した後、前記レジスト膜を除去する工程と、前記レジスト膜を除去することによって露出した前記シード膜を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法。前記暫定膜を形成する工程が、前記レジスト膜の上面、前記開口の側面と底面に、前記暫定膜を形成する工程と、前記暫定膜を異方性エッチングすることにより、前記レジスト膜の上面及び前記開口の底面を覆っている前記暫定膜を除去し、前記開口の側面を覆っている前記暫定膜を残す工程とを含む請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記暫定膜を除去した後、前記第1のバリア膜を形成する前に、前記暫定膜を除去することによって露出した前記シード膜を除去する工程を、さらに有し、前記第1のバリア膜を形成する工程において、前記配線の下に残っている前記シード膜の側面を覆うように、前記第1のバリア膜を形成する請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。前記第1のバリア膜を形成する工程において、前記レジスト膜の下に残っている前記シード膜の側面を覆うように、前記第1のバリア膜を形成し、前記配線の下に残っているシード膜の側面を覆う前記第1のバリア膜と、前記レジスト膜の下に残っている前記シード膜の側面を覆う前記第1のバリア膜とが連続しないように、前記第1のバリア膜を形成する請求項3に記載の半導体装置の製造方法。前記配線を形成した後、前記暫定膜を除去する前に、前記配線の上面に、第2のバリア膜を形成する工程を、さらに有する請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。金属部材とレジスト膜との界面に隙間を形成する工程では、例えば反応性イオンエッチングが適用される。このエッチングは、金属部材とレジスト膜との界面近傍のレジスト膜のみならず、レジスト膜の上面もエッチングする。このため、金属部材とレジスト膜との間に所望の隙間を再現性よく形成することが困難である。金属部材の表面に、再現性よくバリア膜を形成する技術が望まれている。本発明の一観点によると、基板の上に、シード膜を形成する工程と、前記シード膜の上に、開口が設けられたレジスト膜を形成する工程と、前記開口の側面に、暫定膜を形成する工程と、前記暫定膜を形成した後、前記開口内の少なくとも一部を埋め込むように配線を形成する工程と、前記配線を形成した後、前記暫定膜を除去する工程と、前記暫定膜を除去した後、前記配線の側面及び上面を覆うように、第1のバリア膜を形成する工程と、前記第1のバリア膜を形成した後、前記レジスト膜を除去する工程と、前記レジスト膜を除去することによって露出した前記シード膜を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。開口の側面に暫定膜を形成しておくことにより、配線とレジスト膜との間に、再現性よく隙間を形成することができる。[実施例1]図1A~図1Qを参照して、実施例1による半導体装置の製造方法について説明する。図1Aに示すように、支持基板10の上面に、複数の半導体チップ11が搭載されている。半導体チップ11の間に、樹脂等の充填部材12が充填されている。半導体チップ11には、トランジスタ等の電子素子が形成されており、半導体チップ11の上面に、複数の電極パッド13が露出している。図1Bに示すように、半導体チップ11及び充填部材12の上に、導電プラグ14を形成する。導電プラグ14の形成には、例えばセミアディティブ法を適用することができる。一例として、後述する配線構造の形成方法と同一の方法を適用することができる。導電プラグ14を覆うように、層間絶縁膜15を形成する。この層間絶縁膜15の表層部を化学機械研磨CMPすることにより、導電プラグ14の上面を露出させる。図1Cに示すように、層間絶縁膜15及び導電プラグ14の上に、下部バリア膜25及びシード膜26を順番に形成する。以下、支持基板10から層間絶縁膜15、導電プラグ14までの構造を、下地基板20ということとする。下部バリア膜25には、例えば厚さ30nmのTi膜が用いられる。下部バリア膜25は、その上に形成する銅配線内の銅の拡散を防止する機能を有する。下部バリア膜25の材料として、高融点金属、高融点金属を含む合金、高融点金属の窒化物、または高融点金属を含む合金の窒化物を用いてもよい。Ti以外の高融点金属として、例えばCr、Zr、Mo、Ru、Hf、Ta、W等が挙げられる。さらに、これらの異なる材料からなる膜を積層してもよい。例えば、下部バリア膜25を、Ti膜とTiN膜との積層構造としてもよい。シード膜26には、例えば厚さ50nmのCu膜が用いられる。Ti膜及びCu膜の成膜には、例えばスパッタリングが適用される。シード膜26の上に、感光性レジスト膜27を形成する。感光性レジスト膜27の厚さは、例えば2μmである。感光性レジスト膜27に、フォトリソグラフィにより、開口28を形成する。開口28は、形成すべき配線パターンに対応する平面形状を有する。開口28の底に、シード膜26が露出する。図1Dに、図1Cに示した1つの開口28及びその近傍を拡大して示す。以下、図1E~図1Mにおいても、1つの開口28及びその近傍を拡大して示す。他の開口28及びその近傍の断面構造は、図1E~図1Mに示した断面構造と同一である。図1Eに示すように、レジスト膜27の上面、開口28の側面及び底面を覆うように、暫定膜29を形成する。暫定膜29には、例えば厚さ200nmのAl膜が用いられる。暫定膜29の材料として、Cuに対して選択的にエッチングすることができるAl以外の材料を用いることができる。暫定膜29は、導電性であってもよいし、絶縁性であってもよい。図1Fに示すように、暫定膜29を異方性エッチングすることにより、レジスト膜27の上面及び開口28の底面を覆っていた暫定膜29を除去する。開口28の側面に、暫定膜29が残存する。暫定膜29にAlを用いる場合には、暫定膜29のエッチングに、塩素系ガスを用いたドライエッチングを適用することができる。暫定膜29の異方性エッチング後、硫酸により、開口28の底面に露出したシード膜26の表面の自然酸化膜を除去する。図1Gに示すように、開口28の底面に露出しているシード膜26の上に、電解めっき法によりCuを選択的に成長させる。これにより、開口28内がCuからなる配線30で埋め込まれる。配線30の厚さは、例えば2μmとする。図1Hに示すように、暫定膜29図1Gを除去する。暫定膜29にAlが用いられている場合には、暫定膜29の除去に希塩酸を用いることができる。なお、塩素系ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、暫定膜29を除去してもよい。暫定膜29を除去することにより、配線30とレジスト膜27との間に、隙間31が形成される。隙間31の底面には、シード膜26が露出する。図1Iに示すように、隙間31の底面に露出しているシード膜26を、硫酸を用いて除去する。このとき、配線30の表層部も硫酸によってわずかにエッチングされる。ただし、シード膜26が、配線30の高さ及び幅に比べて十分薄いため、配線30の表層部のエッチングの深さは実質的に無視できる量である。隙間31の底面に、下部バリア膜25が露出する。配線30及びシード膜26の露出している表面に、Pd触媒を用いた活性化処理を施す。図1Jに示すように、露出しているCuの表面、すなわち配線30の側面と上面、及びシード膜26の側面に、無電解めっきにより、上部バリア膜33を選択的に成長させる。上部バリア膜33には、例えばCoWPが用いられ、その厚さは50nmである。配線30の下のシード膜26の側面から成長した上部バリア膜33と、レジスト膜27の下のシード膜26の側面から成長した上部バリア膜33とが、相互に接触する前に、上部バリア膜33の成長を停止させる。このため、隙間31の底面には、下部バリア膜25が露出したままである。上部バリア膜33として、CoWPの他に、無電解めっきによりCuの表面に選択的に成長させることができる他の導電材料を用いてもよい。例えば、P、W、及びBの少なくとも1つの元素とCoとを含む合金を用いてもよいし、P、W、及びBの少なくとも1つの元素とNiとを含む合金を用いてもよいし、CoまたはNiを用いてもよい。図1Kに示すように、レジスト膜27図1Jを除去する。レジスト膜27で覆われていたシード膜26が露出する。その後、図1Lに示すように、露出したシード膜26図1Kを除去する。シード膜26の除去には、例えば硫酸を用いる。これにより、シード膜26で覆われていた下部バリア膜25が露出する。除去されたシード膜26の側面から成長した上部バリア膜33は、下部バリア膜25の上に、配線30から離れて残存する。配線30及びその下のシード膜26は上部バリア膜33で覆われている。このため、シード膜26を除去するための硫酸によって、配線30及びその下のシード膜26がエッチングされることはない。図1Mに示すように、露出している下部バリア膜25図1Lを除去する。下部バリア膜25の除去には、ハロゲンを主成分とするガス、例えばCF4とCHF3とを含むガスを用いた反応性イオンエッチングRIEが適用される。配線30から離れて下部バリア膜25の上に残っていた上部バリア膜33は、下部バリア膜25と共に除去される。RIE後に薬液処理を行うことにより、下地基板20及び上部バリア膜33の表面を清浄化する。ここまでの工程で、下部バリア膜25、シード膜26、配線30、及び上部バリア膜33を含む配線構造35が形成される。図1Nに示すように、下地基板20の上に、複数の配線構造35が形成される。配線構造35は、その下の導電プラグ14に接続される。一部の配線構造35は、複数の半導体チップ11に跨って配置される。図1Oに示すように、配線構造35及び下地基板20の上に層間絶縁膜36を形成する。層間絶縁膜36には、絶縁性樹脂、例えばフェノールノボラック樹脂が用いられる。層間絶縁膜36の形成には、例えばスピンコート法が適用される。図1Pに示すように、配線構造35の上面が露出するまで、層間絶縁膜36の表層部を研磨する。図1Qに示すように、層間絶縁膜36の上に、多層配線層37を形成する。多層配線層37は、導電プラグ14、層間絶縁膜15、配線構造35、及び層間絶縁膜36の形成工程と同一の工程を繰り返すことにより形成される。多層配線層37の上に、電極パッド40を形成する。電極パッド40が形成されていない領域に、パッシベーション膜41を形成する。電極パッド40は、多層配線層37内の配線及び導電プラグを介して、配線構造35に接続されている。上記実施例1では、図1Hに示した工程で、暫定膜29図1Gを除去することによって、配線30とレジスト膜27との間に隙間31が形成される。このため、所望の寸法の隙間31を再現性よく形成することができる。さらに、図1Mに示したように、配線30の下に下部バリア膜25が配置され、側面及び上面に上部バリア膜33が配置されている。このため、配線30内の銅が周囲の層間絶縁膜内に拡散することを抑制することができる。さらに、層間絶縁膜に含浸されている水分等による配線30の腐食を抑制することができる。導電プラグ14図1Qを、配線構造35の形成と同一の方法で形成することにより、導電プラグ14内の銅の拡散及び腐食を抑制することができる。図2A~図2Cに、比較例による製造方法の製造途中段階における半導体装置の断面図を示す。図2A~図2Cの各構成部分には、図1A~図1Qの対応する構成部分と同一の参照符号が付されている。図2Aに示すように、下地基板20の上に、下部バリア膜25、シード膜26、及び配線30が形成されている。この比較例においては、配線30及びシード膜26をエッチングマスクとして、下部バリア膜25をエッチングする。このエッチングには、RIEが適用される。配線30の側面にイオンが衝突するため、配線30の側面がスパッタリングされる。スパッタリングされた銅の一部は下地基板20の表面に付着し、付着物50が形成される。配線30の側面及び上面に、バリア膜を選択成長させるために、配線30の表面に形成されている自然酸化膜をウェットエッチングにより除去する。このウェットエッチング時にも、エッチングされた銅によって下地基板20の表面が汚染される。配線30に損傷を与えることなく、銅の付着物50を除去することは困難である。図2Bに示すように、配線30とシード膜26の側面及び上面に、無電解めっき法により上部バリア膜33を選択的に成長させる。このとき、付着物50からも上部バリア膜33と同一材料の異物51が成長する。図2Cに示すように、配線30の間を層間絶縁膜36で埋め込む。付着物50及び異物51は、下地基板20と層間絶縁膜36との密着性を低下させる。本来、下地基板20と層間絶縁膜33との界面は、リーク電流が発生し易い箇所である。リーク電流が発生しやすい箇所に導電性の付着物50及び異物51が残存していると、イオンマイグレーション現象が生じやすくなる。これにより、リーク電流のパスが形成されやすくなる。上記実施例1による方法では、図1Jに示した上部バリア膜33を選択成長させる際に、配線30が形成されていない領域がレジスト膜27で覆われている。このため、予期しない領域に異物が成長することを防止できる。図1Mに示した工程で、下部バリア膜25をエッチングする際に、配線30が上部バリア膜33で保護されている。配線30の側面がRIE時のイオンの衝突によってスパッタリングされないため、配線30を構成する金属元素Cuで下地基板20の表面が汚染されることを防止できる。上述のように、実施例1では、図1Qに示した下地基板20と層間絶縁膜36との界面に、導電性の付着物や異物が残存しにくい。このため、下地基板20と層間絶縁膜36との密着性の低下を防止することができる。さらに、イオンマイグレーション現象が生じにくいため、イオンマイグレーションに起因する絶縁性の低下を防止することができる。[実施例2]図3A~図3Fを参照して、実施例2による半導体装置の製造方法について説明する。以下、実施例1との相違点に着目して説明し、同一の構成については説明を省略する。各構成部分には、実施例1の対応する構成部分に付された参照符号と同一の参照符号が付されている。図3Aは、実施例1の図1Iに示した段階に相当する配線部分及びその近傍の断面図を示す。実施例1では、配線30の上面と、レジスト膜27の上面との高さがほぼ同一であった。実施例2では、配線30の上面がレジスト膜27の上面よりも低くされている。配線30の高さは、図1Gに示した電解めっきの工程において、配線30の上面がレジスト膜27の上面よりも低い状態でめっき終了させればよい。図3Bに示すように、配線30及びレジスト膜27の上に、上部バリア膜33を形成する。隙間31内が上部バリア膜33で埋め込まれる。上部バリア膜33の成膜には、化学気相成長CVDや物理気相成長PVD等を適用することができる。めっき法を用いないため、上部バリア膜33として、下部バリア膜25と同一の材料を用いることも可能である。図3Cに示すように、レジスト膜27が露出するまで上部バリア膜33を化学機械研磨CMPする。配線30の上及び隙間31の内部には、上部バリア膜33が残存する。図3Dに示すように、レジスト膜27図3Cを除去する。これにより、レジスト膜27で覆われていたシード膜26が露出する。図3Eに示すように、配線30が配置されていない領域のシード膜26図3Dを除去する。図3Fに示すように、配線30及び上部バリア膜33で覆われていない領域の下部バリア膜25図3Eを除去する。図3Fに示した構造は、膜厚等の寸法以外の点で、実施例1の図1Mに示した構造と同一である。その後の工程は、実施例1の図1Nから図1Qまでの工程と同一である。暫定膜29図1Eの膜厚を調整することにより、配線30の側面に形成された上部バリア膜33の膜厚を調整することができる。配線溝30の上面とレジスト膜27の上面との高さの差を調整することにより、配線30の上面に形成された上部バリア膜33の厚さを調整することができる。実施例2においても、図3Bに示したように、上部バリア膜33を形成するときに、配線30が配置されていない領域がレジスト膜27で覆われている。図3Fに示したように、下部バリア膜25を除去するときに、配線30が上部バリア膜33で保護されている。このため、実施例1と同様に、下地基板20と層間絶縁膜36との密着性の低下を防止することができる。さらに、イオンマイグレーション現象が生じにくいため、イオンマイグレーションに起因する絶縁性の低下を防止することができる。[実施例3]図4A~図4Dを参照して、実施例3による半導体装置の製造方法について説明する。以下、実施例1との相違点に着目して説明し、同一の構成については説明を省略する。各構成部分には、実施例1の対応する構成部分に付された参照符号と同一の参照符号が付されている。図4Aに示した配線及びその近傍の構造は、実施例1の図1Gに示した段階の配線及びその機能の構造と同一である。図4Bに示すように、配線30の上面に、上部バリア膜55を、無電解めっきにより形成する。上部バリア膜55には、例えばCoWPが用いられ、その厚さは50nmである。CoWPは、銅が露出している領域にのみ選択的に成長する。その後の工程は、実施例1の図1Hに示した工程以降の工程と同一である。図4Cに、実施例1の図1Iに示した段階と同一の段階における配線及びその近傍の断面図を示す。実施例1では、隙間31の底面のシード膜26を除去するときに、配線30の表層部もわずかにエッチングされる。実施例3では、隙間31の底面のシード膜26を除去するときに、配線30の上面が上部バリア膜55で保護されている。このため、配線30の上面がエッチングされることを防止できる。図4Dに、実施例1の図1Mに示した段階と同一の段階における配線及びその近傍の断面図を示す。実施例3では、下部バリア膜25を除去するときに、配線30の上に上部バリア膜55、33の2層が配置されている。このため、下部バリア膜25を除去するRIE環境に対して、配線30の上面の保護が強化される。[実施例4]図5A~図5Eを参照して、実施例4による半導体装置の製造方法について説明する。以下、実施例3との相違点に着目して説明し、同一の構成については説明を省略する。各構成部分には、実施例3の対応する構成部分に付された参照符号と同一の参照符号が付されている。図5Aは、実施例3の図4Aに示した段階と同一の段階における配線及びその近傍の断面図を示す。実施例3では、配線30の上面、暫定膜29の上面、及びレジスト膜27の上面が同一の高さであった。実施例4においては、配線30の上面が暫定膜29及びレジスト膜27の上面よりも低い。図5Bに示すように、配線30、暫定膜29、及びレジスト膜27の上に、上部バリア膜55を形成する。上部バリア膜55の成膜には、CVD、PVD等を適用することができる。上部バリア膜55の成膜にめっき法を用いないため、上部バリア膜55の材料として、下部バリア膜25と同一の材料を用いることができる。図5Cに示すように、暫定膜29及びレジスト膜27が露出するまで、上部バリア膜55を化学機械研磨CMPする。配線30の上に、上部バリア膜55が残る。図5Dに示すように、暫定膜29図5Cを除去する。この状態で、隙間31の底面のシード膜26を除去するときに、実施例3と同様に、配線30の上面がエッチングされることを防止できる。その後の工程は、実施例3の図4Cに示した段階以降の工程と同一である。図5Eに示すように、下部バリア膜25をエッチングするときに、配線30の上面が上部バリア膜55、33の2層で覆われている。このため、実施例3と同様に、下部バリア膜25を除去するRIE環境に対して、配線30の上面の保護が強化される。[実施例5]図6A及び図6Bを参照して、実施例5による半導体装置の製造方法について説明する。以下、実施例1との相違点に着目して説明し、同一の構成については説明を省略する。各構成部分には、実施例1の対応する構成部分に付された参照符号と同一の参照符号が付されている。図6Aは、実施例1の図1Jに示した段階に対応する段階の配線及びその近傍の断面図を示す。実施例1では、配線30の下のシード膜26の側面から成長した上部バリア膜33と、レジスト膜27の下のシード膜26の側面から成長した上部バリア膜33とが連続していなかった。実施例5においては、シード膜26の相互に対向する側面から成長した上部バリア膜33同士が接触し、連続した膜になっている。このため、隙間31の底面の全域が上部バリア膜33で覆われる。図6Bに示すように、配線30で覆われていない領域の下部バリア膜25を除去した状態で、下部バリア膜25及び上部バリア膜33に、配線30の側面の下端から横方向に突出した部分56が残る。実施例5においても、下地基板20の表面に、付着物50や異物51図2Aが付着することを防止できる。ただし、配線の間隔が狭くなると、突出した部分56に電界が集中し、リーク電流発生の要因になり得る。したがって、配線の間隔が狭まると、実施例1の図1Jに示したように、配線30の下のシード膜26の側面から成長した上部バリア膜33と、レジスト膜27の下のシード膜26の側面から成長した上部バリア膜33とが連続しない構成とすることが好ましい。以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。