"画像信号に基づいて変調される複数の半導体レーザから出射されるレーザビームで像担持体上を走査する光学走査装置であって、前記半導体レーザにバイアス電流、又は前記バイアス電流と画像データに基づくパルス電流とを供給する電流供給手段と、前記半導体レーザから出射されるレーザビームの光量を検出する検出手段と、前記光量検出手段で検出される光量に基づいて前記半導体レーザの光量が所定光量となるように前記半導体レーザに供給する電流値を制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、複数の定電流を生成する定電流生成手段と、前記定電流生成手段で生成される複数の定電流により前記複数の半導体レーザの内の所定の半導体レーザを発光させることによって前記検出手段によって検出される光量に基づいて電流-光量特性のn次近似式n≧2を算出し、該n次近似式から前記半導体レーザの発光開始電流を算出する近似式算出手段と、前記所定のレーザビーム以外の光量制御を行った結果から得られる電流値と前記近似式算出手段から得られるn次近似式からバイアス電流を生成するバイアス電流生成手段とを有することを特徴とする光学走査装置。前記定電流生成手段は、半導体レーザが出力可能な最大光量時の駆動電流を最大値とし、当該駆動電流の最大値に対して、予め設定した光量で発光したときの駆動電流を最小値として、前記駆動電流の最大と最小値との間で定電流値を決定することを特徴とする請求項1記載の光学走査装置。前記定電流生成手段から出力される複数の定電流により所定のレーザビームが発光された前記半導体レーザの当該所定のレーザビームは、前記近似式算出手段によるn次近似式の算出毎に変更されることを特徴とする請求項1または2記載の光学走査装置。前記発光開始電流Ithと前記バイアス電流Ibとの関係は、Ib=αIthα≦1の関係にあることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光学走査装置。画像信号に基づいて変調される複数の半導体レーザから出射されるレーザビームで像担持体上を走査する光学走査装置の光量制御方法であって、前記半導体レーザから出射されるレーザビームの光強度を検出する光量検出工程と、前記光量検出工程で検出される光強度を制御することによって前記半導体レーザの光量が所定光量となるように制御する光量制御工程とを備え、前記光量制御工程は、複数の定電流を生成する定電流生成工程と、前記定電流生成工程で生成される複数の定電流により前記半導体レーザの内、所定のレーザビームを発光させて得られる光量値に基づいて電流-光量特性のn次近似式n≧2を算出し、該n次近似式から前記半導体レーザの発光開始電流を算出する近似式算出工程と、前記所定のレーザビーム以外の光量制御を行った結果から得られる電流値と前記近似式算出工程で得られるn次近似式からバイアス電流を生成するバイアス電流生成工程とを有することを特徴とする光量制御方法。請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光学走査装置を備えることを特徴とする画像形成装置。しかしながら、上記従来例が分割近似を行っていることから、分割されたものの境界部での精度劣化の解消や精度向上のための分割数のアップが望まれている。更に、アナログ回路への転用には、構成が複雑化するために回路の簡素化が望まれている。また、マルチビーム化が可能な半導体レーザのAPCAutomaticPowerControlに対する精度向上が望まれている。本発明は、回路構成を簡素化しつつ、マルチビームの半導体レーザに対して電流-光量特性の非線形性を補正することができる光学走査装置及びその光量制御方法、画像形成装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の光学走査装置は、画像信号に基づいて変調される複数の半導体レーザから出射されるレーザビームで像担持体上を走査する光学走査装置であって、前記半導体レーザにバイアス電流、又は前記バイアス電流と画像データに基づくパルス電流とを供給する電流供給手段と、前記半導体レーザから出射されるレーザビームの光量を検出する検出手段と、前記光量検出手段で検出される光量に基づいて前記半導体レーザの光量が所定光量となるように前記半導体レーザに供給する電流値を制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、複数の定電流を生成する定電流生成手段と、前記定電流生成手段で生成される複数の定電流により前記複数の半導体レーザの内の所定の半導体レーザを発光させることによって前記検出手段によって検出される光量に基づいて電流-光量特性のn次近似式n≧2を算出し、該n次近似式から前記半導体レーザの発光開始電流を算出する近似式算出手段と、前記所定のレーザビーム以外の光量制御を行った結果から得られる電流値と前記近似式算出手段から得られるn次近似式からバイアス電流を生成するバイアス電流生成手段とを有することを特徴とする。本発明によれば、マルチビームの半導体レーザに対して電流-光量特性の非線形性を補正でき、かつ全ビーム数より少ない数nのn次近似式でレーザビームのバイアス電流を設定することで、APC時間を短縮することができる。以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の実施形態に係る画像形成装置の概略構成を示す図である。図1において、画像形成装置1は、原稿等から画像を読み取る機能を備える画像読取装置300に接続されている。なお、画像読取装置300は、画像形成装置と一体であっても、別体であってもよい。別体の場合、ケーブルやネットワークを介して互いに接続されていてもよい。画像形成装置1における画像形成部には、像担持体としての感光ドラム4を備える。画像形成部では、画像読取装置300から読取画像信号230として送信される画像情報に基づいて、現像剤により像担持体上に現像像トナー像が形成されるまでの帯電工程、潜像形成工程、現像工程、及び転写工程を含む画像形成工程が実施される。次に、転写材Pにトナー像を定着させる定着工程が実施される。これらの画像形成工程を実施する画像形成手段として、画像形成装置1は、帯電工程にて帯電バイアスを印加して感光ドラム4の表面を所定の電位に一様に帯電する帯電手段としての帯電ローラ5を有する。そして、潜像形成工程にて画像読取装置300のイエローY、マゼンタM、シアンC、ブラックBkの各色の画像情報を画像制御装置3にて画像データに変換し、順次レーザビームL1を出射するレーザ書き込み手段である光学走査装置2を有する。帯電工程にて一様に所定電位に帯電された感光ドラム4に対して、潜像形成工程即ちここでは露光工程にてレーザビームL1を照射することにより、照射部分の感光ドラム4の表面電位が変更され、その部分が静電潜像となる。また、画像形成装置1は、現像手段として、トナーとキャリアを所定比率で混合した現像剤をそれぞれの現像剤色毎に収容した複数の現像器を備える現像ユニット6を有する。現像ユニット6は、イエロー現像剤を内包したイエロー現像器6Y、マゼンタ現像剤を内包したマゼンタ現像器6M、シアン現像剤を内包したシアン現像器6C、ブラック現像剤を内包したブラック現像器6Bkを有する。現像工程においては、これらの現像器6Y,6M,6C,6Bkが順に感光ドラム4上に形成された潜像部分に現像剤を転移させて、感光ドラム4にトナー像を形成する。例えば、イエロー現像器6Yによって感光ドラム4上にトナー像が形成されると、転写工程にて、転写手段である転写ローラ7Bによって、顕在化されたトナー像が中間転写体である中間転写体ベルト7Aに転写される。続いて、マゼンタ現像器6Mによって形成されたトナー像が先のトナー像に重ねて転写され、中間転写体ベルト7A上には、4台の現像器6Y,6M,6C,6Bkによって形成された4色のトナー像が重ねられる。転写工程では、更に、転写ローラ8によって、中間転写体ベルト7A上に感光ドラム4から転写されたトナー像が所望の転写材Pに転写される。転写材P上に形成された未定着のトナー像は、定着工程にて定着手段である定着装置10によって定着される。中間転写体ベルト7Aは、ローラ7C、ローラ7D、及びローラ7Eにより支持されている。以上の画像形成工程において、感光ドラム4上に残留したトナー等はクリーナ9Aによって清掃される。中間転写体ベルト7A上に残留したトナー等はクリーナ9Bによって清掃され、前に形成されたトナー像を除去した後に次の画像形成が実施される。本体制御装置200は、画像読取装置300に接続され、画像読取制御信号220により画像読取装置300を制御する。また、本体制御装置200は、画像制御装置3と接続され、画像制御信号210により画像制御装置3を制御する。画像制御装置3は、光学走査装置2に接続され、後述するビーム検出信号21、レーザ制御信号22、画像データ23、モータ制御信号24、及びバイアス設定信号25のやり取りを行う。次に、光学走査装置2の概略構成について説明する。図2は、図1における光学走査装置2の概略構成を示す図である。図3aは、感光ドラム4上を走査する半導体レーザのビーム位置を示す配置図である。図2において、本実施例における半導体レーザ11は、複数のレーザビームを同時に出射可能な面発光構造のレーザユニットであり、図3aに示すように、LD1~LD4の4つのビームを有し、ビームLD1が主走査方向、副走査方向の先頭に配置されている。ここで、主走査方向とは感光ドラム4の回転軸方向に略平行な方向であり、副走査方向は感光ドラム4の回転方向である。レーザ制御装置12は、光量検出ユニット14から出力されるモニタ電流信号15に基づいて、半導体レーザ11の光量が所定光量となるように駆動電流を制御する。光量検出ユニット以下、PDユニットと略す。14は、内部に反射ミラー14aとビーム出力面にフォトディテクター以下、PDと略す。14bを備える。反射ミラー14aは、半導体レーザ11から出射した後、コリメートレンズ13を透過したビームの光強度光量の一部を反射する。PD14bは、反射ミラー14aにより反射された半導体レーザ11からのビームを受光し、モニタ電流信号15を出力する。半導体レーザ11のビームLD1から出射したレーザビームは、コリメートレンズ13及びシリンドリカルレンズ16を経て、ポリゴンミラー17aに到達する。ポリゴンミラー17aは、スキャナモータを含むスキャナモータユニット17によって等角速度で回転している。ポリゴンミラー17aに到達したレーザビームL2は、ポリゴンミラー17aによって偏向され、f-θレンズ18によって感光ドラム4の回転方向と直角方向主走査方向に等速走査となるように変換される。主走査方向の非画像領域に対応する位置にはビーム検出以下、BDと略す。センサ20が配置されており、1走査中にレーザビームはBDセンサに入射する。BDセンサ20にレーザビームが入射すると、入射したレーザビームL2に応じて、BDセンサ20は画像領域を決定するためのビーム検出信号以下、BD信号と略す。21を出力する。一方、画像領域おいて、レーザビームL1は、f-θレンズ18を通過した後、反射ミラー19を経由して感光ドラム4上に到達する。これにより、感光ドラム4上に静電潜像が形成される。図4は、画像制御装置3における印字動作印字処理の流れを示すフローチャートである。画像制御装置3は、本体制御装置200から画像制御信号210/印字命令が入力ステップS101されると、光学走査装置2内のスキャナモータユニット17にモータ制御信号24/回転動作信号を出力して回転制御を開始させるステップS102。次に、画像制御装置3は、スキャナモータユニット17からモータ制御信号24/モータロック信号の入力を検知するステップS103でYES。その結果、レーザ制御装置12にレーザ制御信号22を出力して半導体レーザ11の発光制御に移行するステップS104。次に、画像制御装置3は、BD信号21が入力されたか否かを判定するBD信号21検出モードに移行するステップS105。BD信号21が所定回数入力されるとステップS105でYES、画像制御装置3は、画像データ23をレーザ制御装置12に出力することにより、画像形成装置1では上述した画像形成工程が行われるステップS106,S107。印字が完了した場合はステップS107でYES、画像制御装置3は、スキャナモータユニット17の停止制御、レーザ制御装置12による半導体レーザ11の消灯制御を行い、光学走査装置2を停止させるステップS109。一方、画像制御装置3は、モータロック信号検知ステップステップS103またはBD信号検知ステップステップS105の何れかの入力信号が検知されない場合は、光学走査装置2の動作エラーと判断する。そして、本体制御装置200に対して画像制御信号210/エラー信号を出力ステップS108した後に光学走査装置2の停止制御を行うステップS109。図3bは、半導体レーザ11の電流駆動電流Iop[mA]-光量光出力Po[mW]の特性I-L特性の一例を示す図である。図3bに示すように、LD1は、駆動電流Iopが1.50mA付近までは駆動電流Iopを増加させても光出力光量はほとんど上昇しない。しかしながら、駆動電流Iopが1.50mA付近の閾値電流Ithを超えると、閾値電流以下の電流領域における光出力に対して駆動電流Iopの増加に対する光出力の上昇量が増加する。なお、図示の特性の場合、LD1の閾値電流Ithは1.5mAであるが、LD2の閾値電流Ithは1.625mA、LD3の閾値電流Ithは1.75mA、LD4の閾値電流Ithは1.875mAである。レーザ制御装置12は、半導体レーザのLD1~LD4それぞれに閾値電流近傍に設定されるバイアス電流を供給する。バイアス電流の値は感光ドラム4の電位が変位しない程度の電流値に設定される詳しくは後述する。。感光ドラム4に画像データに基づくドットを形成する場合、レーザ制御装置12は上記のバイアス電流と入力画像データ画像情報に基づいて生成されるスイッチング電流パルス電流とを重畳した駆動電流を半導体レーザに供給する。即ち、レーザ制御装置12は、画像形成中に感光ドラム4にドットを形成しないタイミングであってもLD1~LD4には待機電流としてのバイアス電流を供給している。それによって、ドットを形成するタイミングに半導体レーザにスイッチング電流をLD1~LD4に供給した際にレーザビームの光量が所定の光量になるまでの時間が低減される発光応答性の向上。図3bにおいて、複数のビームの出射を面発光構造で実現した場合は、図3bに示すように、閾値電流Ith以上の電流領域において発光効率ηのリニアリティが確保できない。面発光構造の半導体レーザ11については、I-L特性がほぼ4次近似で表すことができ、ビーム間偏差は発光効率がほぼ均一で閾値電流Ithのバラツキが支配的であるという実験結果が得られている。そこで、本実施形態におけるI-L特性/近似式算出方法について説明する。図5は、半導体レーザ11のI-L特性/近似式算出方法をグラフ化して説明するための図である。以下に説明する方法では、5つの定電流値を用いて4次近似式によりI-L特性を近似する設定方法である。なお、近似式の次数並びに定電流値は、記載値より多くても実現可能である。最大駆動電流Iopmax算出:半導体レーザ11の所定のLDが出力可能な最大となる光量値最大光量を検出し、最大光量を出射させるために所定のLDに供給される駆動電流を最大駆動電流Iopmaxとする最大値。最大光量とは、図3bに示すI-L特性の通り、発光効率が0変曲点となる光量値を指す。最小駆動電流Iopmin算出:半導体レーザ11の指定ビームが最大光量の25となる光量値最小光量を検出し、そのときの駆動電流を最小駆動電流Iopminとする最小値。本実施形態では、最小光量を最大光量の25としているが、半導体レーザ11の特性により最大光量が異なるため、最大光量に対する比率は25に限定せずに任意の値でよい最大光量に対して0よりも大きく100よりも小さい光量とする。。定電流Iop1,Iop2,Iop3算出:定電流Iop1,Iop2,Iop3設定は、発光効率が図3bに示すI-L特性のように閾値電流近傍で増加するため、図5に示すIopmax-Iopmin間の中央値以下に多くを設定する。以下に一例を示すが、設定比率は任意でよい。Iopmax-Iopmin間の差分電流をΔIopとする。Iopmax-Iopmin間の中心値をIop3=IopminΔIop×1/2とする。Iop3-Iopmin間の中心値をIop2=IopminΔIop×1/4とする。Iop2-Iopmin間の中心値をIop1=IopminΔIop×1/8とする。近似式算出:上記5つの定電流値Iopmin,Iop1,Iop2,Iop3,Iopmaxにて半導体レーザ11を発光させたときのモニタ電流信号15と上記電流値から以下の4次式の係数を算出して近似式を算出する。Pmax=Immax=aIopmax4bIopmax3cIopmax2dIopmaxeP1=Im1=aIop14bIop13cIop12dIop1eP2=Im2=aIop24bIop23cIop22dIop2eP3=Im3=aIop34bIop33cIop32dIop3ePmin=Immin=aIopmin4bIopmin3cIopmin2dIopminea,b,c,d,e:定数図5に示すグラフにおいて、第1象限と第2象限は縦軸が共に光量Poを表す。そして、第1象限の横軸はレーザ駆動電流Iop、第2象限の横軸はレーザ光を受光するPD14bの出力電流Imを表す。出力電流Imは、PDの特性から光量Poと図示のような比例関係にある。そのため、出力電流Imを測定すると、その時の光量Poを算出できるので、出力電流Imとレーザ駆動電流Iopとの関係を上記式で近似することができる。図6aは、高次式近似による閾値電流算出方法をグラフ化して説明するための図である。本実施形態では、上記近似式の光量値が0すなわち上述した4次式におけるPnn:Pmin,P1,P2,P3,Pmax=0のときのIopnの値を閾値電流Ithとする。そして、半導体レーザ11の設定電流Iopに対する設定光量Pを上記近似式から算出して設定光量Pが0以上であれば、設定電流Iopを1/2にして光量Pを算出する。以下同様の算出方法を繰り返して、設定電流Iopに対して近似式から得られる光量値Pが0以下になった場合は前回の電流値の1/2を加算する。以上のように逐次比較の結果、光量Pが0近傍になったときの設定電流値Iopを閾値電流Ithとする。なお、設定光量Pの選定は、近似式算出時に使用する光量値の何れの値でもよい。図6bは、近似式から半導体レーザ11の各ビームLD1~LD4の閾値電流を算出する方法をグラフ化して説明するための図である。各ビームの閾値電流を算出するには、まず、光量制御により4つのうちの1つのビームの目標光量Ptgtを決定する。そして、目標光量Ptgtから得られた駆動電流値Ioptgtと、上記近似式で得られる同光量値での駆動電流値Ioptgtとの差分電流Iopn’を算出する。この差分電流Iopn’は、図6bに示すP-Iop特性から各ビーム間の閾値電流値の差分Ith’と略同一であり、この差分Ith’を利用して全ビームのP-Iop特性の類似性から他のビームの閾値電流を求めることができる。図7aは本実施形態において得られる近似式をグラフ化して説明するための図、図7bは近似式の誤差特性の一例を示す図である。図7a記載の近似式は、半導体レーザ11/LD1特性に基づき、上記アルゴリズムに則って得られた結果である。図7bによれば、得られる近似式と半導体レーザ11の各ビームの実測光量値との誤差が最大光量以下で2程度以下であることが判る。図8は本実施形態におけるレーザ制御装置12の動作状態を示すモード遷移図、図9A及び図9Bはレーザ制御装置12の動作状態を示すタイムチャートである。レーザ制御装置12は、レーザ制御信号22により図8の点線内の6通りの動作モードにシーケンシャルに遷移する。すなわち、レーザ制御装置12は、図4に示した印字動作時には以下の1~7のシーケンスを実行する。1停止2近似式算出制御CAL3初期光量制御INT-APC4BD検知5ライン間光量制御LINE-APC6画像出力7初期状態RESETレーザ制御信号22は、6種類の信号群/RESET、MODE_SEL012、CH_SEL10から構成される。図8の各動作モード内に記載された数字列は、レーザ制御信号22/MODE_SEL210の制御信号状態を記す値で0が信号のL、1が信号のHレベルである。レーザ制御装置12の主要仕様を下記に示す。レーザ制御装置12/主要仕様電流容量:10[mA]出力ビーム数:4[beam]分解能:9[bit]次に、上記仕様のレーザ制御装置12が半導体レーザ11を制御する場合の制御方法について説明する。図10A及び図10Bは本実施形態におけるレーザ制御装置12の概略構成を示すブロック図、図11A及び図12Bはレーザ制御装置12の各動作におけるスイッチ36及びデータセレクタa53~d83の出力状態を示す状態図である。レーザ制御装置12は、レーザ制御信号22、バイアス設定信号25及び4対差動の画像データ23が画像制御装置3から入力され、半導体レーザ11の出力LD1~LD4とPDユニット14からモニタ電流信号15の入力を配備する。状態制御部31は、レーザ制御信号22に基づきレーザ制御装置12内に配備する各ブロックの設定を行う。PDユニット14から入力されるモニタ電流信号15は、ゲイン設定33の出力値に応じて増幅し、電流―電圧変換回路以下、I-V変換と略す。32にて電圧信号に変換される。アナログ-デジタル変換器以下、ADCと略す。34で量子化された後、一方は比較器38、他方は光量検出回路42に各々接続してスイッチ36にて選択出力する。比較器38は、ADC34の出力と基準電圧35の出力と比較を行い、出力結果をPDセレクタ40に入力される。PDセレクタ40は、モジュールA~Dに接続され、状態制御部31から入力されるPD選択信号41に基づき、比較器38の出力を選択的に入力する。光量検出回路42は、ADC34の出力を監視し、例えば、出力値が同一或いは減少が2回連続した場合に半導体レーザ11が最大光量に達したと判断して、光量検出信号43を出力する。モジュールA~Dは、半導体レーザ11のLD1~4の各々に対応した電流設定モジュールである。ここにLD1の電流設定モジュールAを例に以下に記す。なお、モジュールB~Dは、モジュールAと同一の構成なので、その説明は省略する。アップ/ダウンカウンタa以下、U/Dカウンタaと略す。51は、カウンタa制御信号に応じて、カウントアップ/ダウン、停止及び初期値000h設定の3種類の動作を行う。データセレクタa53は、セレクタa制御信号54に応じて、U/Dカウンタa51の出力、定電流生成回路46の出力及びGNDの3入力から選択して出力する。データセレクタa53の出力は、減算器a58を介してスイッチング電流デジタル-アナログ変換器a以下、Isw-DACaと略す。59にてアナログ信号に変換されて、半導体レーザ11の駆動電流となる。一方、電流格納部44は、U/Dカウンタa51の出力を所定タイミングで格納読み出しスルーして、後段の定電流生成回路46並びに近似式算出回路48に伝送する。定電流生成回路46は、以下に記す近似式算出制御シーケンスにおいて電流格納部44の出力値から所定のアルゴリズムに則り、定電流値を算出してデータセレクタa53に出力する。近似式算出回路48は、電流格納部44、光量検出回路42と接続し、近似式算出制御シーケンスの電流格納部44の出力値から所定のアルゴリズムに則り、近似式を算出して半導体レーザ11の閾値電流に相当する電流値発光開始電流Ithを算出する。そして、当該電流値をバイアス電流算出回路a55に出力する。バイアス電流算出回路a55は、近似式算出回路48で算出された閾値電流に相当する電流値をバイアス設定信号a56に基づいて生成し、得られたバイアス電流値をバイアス電流デジタル-アナログ変換器a以下、Ib-DACaと略す。60に出力する。一方、バイアススイッチa57を介して減算器a58に出力する。このように、バイアス電流算出回路a55は、バイアス電流生成手段として機能する。バイアススイッチa57は、図8に示すVIDEO発光モード時以外では開放して、データセレクタa53からの出力値をIsw-DACa59に出力する。VIDEO発光モード時では短絡して、減算器aにてIsw-DACa59の入力値からバイアス電流算出回路a55の出力値を減算する。これにより、半導体レーザ11の駆動電流をスイッチング電流Iswとバイアス電流Ibに分離する。閾値電流発光開始電流Ithとバイアス電流Ibとの関係は、Ib=αIthα≦1の関係にある。電流駆動回路91は、Isw-DACa59出力に対して、画像制御装置3からデータドライバ92を介して入力される画像データ23p,23nにより変調駆動する。加算器93aは、電流駆動回路91の出力にIb-DACa60の出力を加算して半導体レーザ11/LD1の駆動電流とする。図12A~図12Dは、レーザ制御装置12の近似式算出制御CAL及び初期光量制御INT-APCを含む光量制御を示すタイムチャートである。画像形成装置1に電源が投入された直後は、レーザ制御装置12内部が初期化RESETモードされる。この状態におけるスイッチ36及びデータセレクタa53~d83の出力は、図11A及び図11Bに示す初期化RESETモード設定となり、RESET信号解除以外の入力信号は受け付けない。また、半導体レーザ11は、U/Dカウンタa51~d81を初期化及びデータセレクタa53~d83を全てGND出力選択することにより、電流駆動回路91出力電流を遮断して消灯する。1[停止]シーケンス[停止]シーケンスは、画像形成装置1に電源が投入され、印字動作が始まるまでの期間で、図12A~図12Dに示すディセーブルDISABLEモードに相当する。同モードにおけるスイッチ36及びデータセレクタa53~d83の出力は図11A及び図11Bに示すDISABLE設定とする。レーザ制御装置12の半導体レーザ11に対する制御状態は、初期化状態と同様で、半導体レーザ11を消灯させる。制御移行への応答性を考慮してスイッチ36の設定は光量検出回路42とする。2[近似式算出制御CAL]シーケンス[近似式算出制御CAL]シーケンスでは、以下に説明するA光量検出、B電流設定及びC近似式算出の3つの動作が行われる。各シーケンス時のスイッチ36及びデータセレクタa53~d83の出力は図12A~図12Dに示す通りで行われる。以下、半導体レーザ11/LD1の近似式を算出する場合を例に説明する。A光量検出光量検出制御では、近似式算出時に必要な定電流設定値を求めるために、半導体レーザ11の最大光量時の駆動電流値U/Dカウンタa51の出力値が決定される。同制御におけるスイッチ36及びデータセレクタa53~d83の出力は図11A及び図11Bに示す近似式算出/光量検出設定となる。光量検出制御が開始されると、状態制御部31は、PD選択信号41によりLD1を指定した後、U/Dカウンタa51をカウントアップして、半導体レーザ11/LD1に電流を供給する。半導体レーザ11は、発光を開始してPDユニット14からモニタ電流信号15を出力する。U/Dカウンタa51/カウントアップの最小ステップ電流ΔIopは、0.020[mA]≒10/512で、そのカウントアップ量は一律でも可変してもよい。I-V変換32は、モニタ電流信号15を状態制御部31から入力されるゲイン設定33の出力値に応じて増幅した電圧信号に変換する。このときのゲイン設定33の出力値は最大光量となるため最小値とする。光量検出回路42は、U/Dカウンタa51のカウントアップ毎にI-V変換32の出力信号を監視して、最大光量に達すると光量検出信号43を出力する。状態制御部31は、光量検出信号43が入力されると、U/Dカウンタa51にカウンタa制御信号52によりカウント動作を停止し、そのときの値を保持させる。U/Dカウンタa51に保持された値が電流格納部44に格納された後、U/Dカウンタa51の出力値が初期化されるため、上記[停止]シーケンスと同一の制御状態となる。b電流設定電流設定制御では、近似式算出時に必要な定電流設定値を求めるために、半導体レーザ11/LD1の最大光量の25光量の駆動電流値U/Dカウンタa51出力値が決定される。同制御におけるスイッチ36及びデータセレクタa53~d83の出力は図11A及び図11Bに示す近似式算出/電流設定の設定となる。図10Aのゲイン設定33の出力を最小値に対して4倍に設定した後、U/Dカウンタa51をカウントアップして、半導体レーザ11/LD1を25光量にて発光させる。スイッチ36は、比較器38を選択し、比較器38が基準電圧35と等しくなったときに一致信号39を状態制御部31に出力する。状態制御部31は、一致信号39が入力されると、カウンタa制御信号52によりU/Dカウンタa51のカウント動作を停止させ、電流格納部44にて格納部制御信号45を出力することによりU/Dカウンタa51の出力値を格納させる。次に、U/Dカウンタa51の出力値が初期化されるため、上記[停止]シーケンスと同一の制御状態となる。一方、定電流生成回路46に対して生成回路制御信号47が出力され、光量検出制御及び電流設定制御にて得られたU/Dカウンタa51出力値を電流格納部44から書き込み、5つの定電流値を算出させる。C近似式算出近似式算出制御では、上記電流設定制御で得られた定電流値によりを半導体レーザ11/LD1を順次発光させて、得られたI-V変換32の出力値から近似式を算出する。同制御におけるスイッチ36及びデータセレクタa53~d83の出力は図11A及び図11Bに示す近似式算出/近似式算出の設定となる。定電流生成回路46は、電流設定制御で得られた定電流値を順次、データセレクタa53を介して、Isw-DACa59に出力する。定電流値は、Isw-DACa59にてアナログ信号に変換し、電流駆動回路91から半導体レーザ11/LD1に駆動電流として供給される。半導体レーザ11/LD1は、駆動電流にて発光し、これに応じたモニタ電流信号15がPDユニット14から出力してI-V変換32の出力値を得る。近似式算出回路48は、駆動電流供給後の所定時間経った後、状態制御部31から入力される算出回路制御信号49に応じて、I-V変換32の出力のデジタル変換された値を格納する。駆動電流供給後の所定時間とは、PDユニット14から出力されるモニタ電流信号15が立ち上がり、安定するまでを指す。近似式算出回路48は、定電流生成回路46から5つの定電流値を書き込み、各電流値に応じたI-V変換32の出力からn次近似式n≧2を算出して、算出された近似式を用いて半導体レーザ11/LD1の閾値電流を算出、併せて格納する。3[初期光量制御INT-APC]シーケンス印字動作が開始されると初期光量制御以下、INT-APCと略す。を行う。状態制御部31は、画像制御装置3から出力されるレーザ制御信号22に基づいてINT-APCモードが選択される。同モードにおけるスイッチ36及びデータセレクタa53~d83の出力は図11A及び図11Bに示す初期光量制御の設定となる。最初にPDセレクタ40は、状態制御部31から入力されるPD選択信号41に基づき、比較器38の出力をモジュールAのU/Dカウンタa51を選択することにより半導体レーザ11/LD1のINT-APCを実行する。U/Dカウンタa51は、カウンタa制御信号52に応じてカウントアップを開始する。これにより、後段のIsw-DACa59の設定値が増加して、電流駆動回路91から半導体レーザ11/LD1に電流が供給される。半導体レーザ11は、発光を開始してPDユニット14からモニタ電流信号15を出力する。比較器38は、I-V変換32で電圧信号に変換されたモニタ電流信号15と基準電圧35との比較演算を行う。U/Dカウンタa51がカウントアップを継続し、比較器38の出力が所定範囲以内となった場合、状態制御部31に対して一致信号39を出力する。同様に、モニタ電流信号15を基準電圧35の出力値と比較してモニタ電流信号15が大きい場合は、U/Dカウンタa51をカウントダウンさせ、比較器38の出力が所定範囲以内となった場合、状態制御部31に対して一致信号39を出力する。状態制御部31は、一致信号39が入力されると、カウンタa制御信号52によりU/Dカウンタa51のカウント動作を停止させて出力値を保持させる。次に、PDセレクタ40は、状態制御部31から入力されるPD選択信号41に基づき、比較器38の出力をモジュールBのU/Dカウンタb61を選択することにより、LD1レーザビーム以外の半導体レーザ11/LD2のINT-APCを実行する。以降、順次LD3及びLD2のINT-APCを実行するが、動作状態はLD1と同一なので説明は省略する。4[BD検知]シーケンスINT-APC完了後、[BD検知]シーケンスに入る。[BD検知]シーケンスは、光量安定後に画像出力時の基準となるレーザで発光させたビームここではLD1でBDセンサが受光した結果得られる信号を周期的に検出する。よって、BDセンサの受光感度による出力遅延変動を鑑みると定光量での検出が望ましい。[BD検知]シーケンスは、図8記載のライン間光量制御LINE-APCにより実行される。同制御については以下に説明する。図13A~図13Dは、レーザ制御装置12のライン間光量制御LINE-APCを含む光量制御を示すタイムチャートである。画像制御装置3は、[BD検知]シーケンスにてBD信号21が所定周期を以って検出されると、BD信号21を基準としてレーザ制御信号22を出力することによりレーザ制御装置12の制御シーケンスを形成する。5[ライン間光量制御LINE-APC]印字動作時の濃度安定を目的に、ライン間光量制御以下、LINE-APCと略す。は画像出力の直前に行う。状態制御部31は、画像制御装置3から出力されるレーザ制御信号22に基づいてLINE-APCモードが選択される。同モードにおけるスイッチ36及びデータセレクタa53~d83の出力は図11A及び図11Bに示すライン間光量制御の設定となる。最初にPDセレクタ40は、状態制御部31から入力されるPD選択信号41に基づき、比較器38の出力をモジュールAのU/Dカウンタa51を選択することにより半導体レーザ11/LD1のLINE-APCを実行する。U/Dカウンタa51はカウンタa制御信号52に応じて徐々にカウントアップし、電流駆動回路91から半導体レーザ11/LD1に電流が供給される。半導体レーザ11は発光を開始してPDユニット14からモニタ電流信号15を出力する。比較器38は、I-V変換32で電圧信号に変換されたモニタ電流信号15と基準電圧35との比較演算を行う。U/Dカウンタa51がカウントアップを継続し、比較器38の出力が所定範囲以内となった場合、状態制御部31に対して一致信号39を出力する。同様に、モニタ電流信号15が基準電圧35の出力値と比較して大きい場合は、U/Dカウンタa51をカウントダウンさせ、比較器38の出力が所定範囲以内となった場合、状態制御部31に対して一致信号39を出力する。状態制御部31は、一致信号39が入力されると、カウンタa制御信号52によりU/Dカウンタa51のカウント動作を停止させて出力値を保持させる。近似式算出回路48は、U/Dカウンタa51の出力値を電流格納部44経由で書き込み、近似式算出シーケンスで得られた閾値電流からの差分値を算出してLD1の閾値電流とする。半導体レーザ11/LD1の閾値電流を再計算する目的は、温度変動による閾値電流シフトに対応するためである。バイアス電流算出回路a55は、近似式算出回路48で算出された閾値電流をバイアス設定信号a56に基づいて算出し、Ib-DACa60に出力する。次に、PDセレクタ40は、状態制御部31から入力されるPD選択信号41に基づき、比較器38の出力をモジュールBのU/Dカウンタb61を選択することにより半導体レーザ11/LD2のLINE-APCを実行する。以降、順次LD3及びLD2のLINE-APCを実行するが、動作状態はLD1と同一なので説明は省略する。このように、バイアス電流算出回路a55~d85から出力される複数の定電流により所定のレーザビームが発光された半導体レーザ11の当該所定のレーザビームは、近似式算出回路48によるn次近似式の算出毎に変更される。6[画像出力]シーケンスLINE-APC完了後に画像出力を行う。状態制御部31では、画像制御装置3から出力されるレーザ制御信号22に基づいてVIDEO発光モードが選択される。同制御におけるスイッチ36及びデータセレクタa53~d83の出力は図11A及び図11Bに示すVIDEO発光の設定となる。VIDEO発光モード時のIsw-DACa59~d89の出力は、バイアススイッチa57~d87を短絡し、LINE-APCで得られた駆動電流からバイアス電流算出回路a55~d85を差し引いた値となる。従って、半導体レーザ11/LD1に供給される電流は、Isw-DACa59~d89の出力とIb-DACa60の出力の加算値となる。更に、画像制御装置3からデータドライバ92を介して入力される画像データ23p,23nにより変調駆動する。上記実施形態によれば、マルチビームの半導体レーザに対して電流-光量特性の非線形性を補正でき、かつ全ビーム数より少ない数nのn次近似式でレーザビームのバイアス電流を設定することで、APC時間を短縮することができる。また、本発明は、以下の処理を実行することによっても実現される。即ち、上述した実施形態の機能を実現するソフトウェアプログラムを、ネットワーク又は各種記憶媒体を介してシステム或いは装置に供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータまたはCPUやMPU等がプログラムを読み出して実行する処理である。"