"放射ビームを提供する照明系と、放射ビームの断面にパターンを付与するよう機能するパターニングデバイスを支持する支持構造と、基板を支持する基板テーブルと、パターン付与された放射ビームを基板の目標部分に投影する投影系と、を備えるリソグラフィ装置であって、穴部と、前記穴部に位置する拡散部材とが設けられたパターニングデバイスマスキングブレードをさらに備えることを特徴とするリソグラフィ装置。前記拡散部材が前記穴部内に位置することを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記拡散部材が前記穴部から突出していないことを特徴とする請求項2に記載のリソグラフィ装置。前記穴部がテーパ状エッジを有することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のリソグラフィ装置。放射ビームが前記テーパ状エッジに入射する前に前記拡散部材を通過するよう、前記拡散部材が前記テーパ状エッジの上流に位置していることを特徴とする請求項4に記載のリソグラフィ装置。前記穴部は、前記マスキングブレードが移動不可能な方向よりも、前記マスキングブレードが移動可能な方向の方が短いことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記マスキングブレードは、当該リソグラフィ装置の動作中に放射ビームが前記投影系を通過する開口部を閉じることができる寸法を有することを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記マスキングブレードが第1の位置にあるときに放射が前記開口部を通過して前記投影系に入射せず、前記マスキングブレードが第2の位置にあるときに放射が前記穴部および前記開口部を通過して前記投影系に入射するよう、前記穴部が前記マスキングブレードにおいて位置付けられることを特徴とする請求項7に記載のリソグラフィ装置。前記穴部が複数の穴部の一つであることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載のリソグラフィ装置。前記マスキングブレードが一対のマスキングブレードの一方であり、該一対のマスキングブレードは、異なるサイズおよび/または異なる数の穴部が設けられていることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載のリソグラフィ装置。一方のマスキングブレードは、アライメント測定用に拡散放射を提供するために用いられる一つ以上の穴部が備えており、他方のマスキングブレードは、放射ビームの特性測定用の拡散放射を提供するために用いられる一つ以上の穴部を備えていることを特徴とする請求項10に記載のリソグラフィ装置。少なくとも一つの穴部と、前記穴部に位置する拡散部材とを備えることを特徴とするパターニングデバイスマスキングブレード。リソグラフィ装置のパターニングデバイスマスキングブレードを、パターニング手段からのパターンを基板上に投影するために用いられる、前記マスキングブレードがエッジを放射ビームに当てる第1の位置から、前記マスキングブレードが放射ビームの大部分を遮断するが、放射ビームの一部が拡散部材を備える穴部を通過することを可能とする第2の位置に移動するステップと、それから前記リソグラフィ装置の投影系を超えて位置するセンサを用いて放射ビームを測定するステップとを備えることを特徴とする方法。前記センサは、放射ビームの特性を測定するため、または、基板テーブルに対する前記パターニング手段のアライメントを測定するために用いられることを特徴とする請求項13に記載の方法。前記リソグラフィ装置を用いて前記パターニング手段からのパターンを基板上に投影するステップをさらに備えることを特徴とする請求項13または14に記載の方法。例えば、従来とは異なる方法で拡散放射が生成されるリソグラフィ装置を提供することが望ましい。本発明の第1の態様によれば、放射ビームを提供する照明系と、放射ビームの断面にパターンを付与するよう機能するパターニングデバイスを支持する支持構造と、基板を支持する基板テーブルと、パターン付与された放射ビームを基板の目標部分に投影する投影系とを備えるリソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、穴部と、穴部に位置する拡散部材とが設けられたパターニングデバイスマスキングブレードをさらに備える。本発明の第2の態様によれば、少なくとも一つの穴部と、穴部に位置する拡散部材とを備えるパターニングデバイスマスキングブレードが提供される。本発明の第3の態様によれば、リソグラフィ装置において測定を実施する方法が提供される。この方法は、パターニングデバイスマスキングブレードを、パターニング手段からのパターンを基板上に投影するために用いられる、マスキングブレードがエッジを放射ビームに当てる第1の位置から、マスキングブレードが放射ビームの大部分を遮断するが、放射ビームの一部が拡散部材を備える穴部を通過することを可能とする第2の位置に移動するステップと、それからリソグラフィ装置の投影系を超えて位置するセンサを用いて放射ビームを測定するステップとを備える。本発明のさらなる特徴、効果は、本発明のさまざまな実施形態の構成及び作用とともに添付の図面を参照して以下に詳細に説明される。本発明は、本明細書に記載された特定の実施形態に限定されないことを留意されたい。これらの実施形態は、単に説明のみを目的として本明細書に示されている。本明細書に含まれる技術に基づくさらなる実施形態は、当業者にとって明らかであろう。本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ一つ以上の実施形態を開示している。開示された実施形態は、単に本発明の例示に過ぎない。本発明の範囲は、開示された実施形態に限られない。本発明は、この文書に添付された特許請求の範囲によって定義される。本明細書において一実施形態、実施形態の一実施例とは、説明した実施形態が特定のフィーチャ、構造、または特徴を含んでいてもよいことを表すが、すべての実施形態がその特定のフィーチャ、構造、または特徴を必ずしも含んでいるわけではない。さらにまた、上記のフレーズは必ずしも同じ実施形態を指すものではない。さらに、特定のフィーチャ、構造、または特徴を一実施形態に関して説明するとき、明示的に説明しようがしまいが、他の実施形態に関してそのような特定のフィーチャ、構造、または特徴を作用させることは、当業者の知識の範囲内であるとして理解すべきである。IC製造時におけるリソグラフィ装置の使用について本文で特定した言及がなされるかもしれないが、本明細書で述べるリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気領域メモリ用の誘導および検出パターンguidanceanddetectionpattern、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の応用形態も有していることを理解すべきである。当業者は、このような代替的な応用形態の文脈において、ウェハまたはダイという用語のあらゆる使用が、より一般的な用語である基板または目標部分とそれぞれ同義であるとみなしうることを認められよう。本明細書で参照される基板を、例えばトラック通常、基板にレジスト層を塗布し露光されたレジストを現像する工具または計測工具または検査工具で、露光の前後に処理することができる。可能であれば、本明細書の開示をこれらのおよび他の基板処理工具に適用することができる。さらに、例えば多層ICを作製するために基板を二回以上処理してもよく、したがって、本明細書で使用される基板という用語は、複数回処理された層を既に有している基板のことも指す場合がある。本明細書で使用される放射およびビームという用語は、あらゆるタイプの電磁放射を包含しており、紫外線UV放射例えば、365、248、193、157または126nmの波長を有する、極紫外線EUV放射例えば、5~20nmの範囲の波長を有する、さらにイオンビームまたは電子ビーム等の粒子ビームを含む。本明細書で使用されるパターニングデバイスという用語は、放射ビームの断面にパターンを与え、基板の目標部分にパターンを形成するために使用可能であるデバイスを参照するものとして、広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンが、基板の目標部分における所望のパターンに正確に対応していなくてもよいことに注意する。通常、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、目標部分に作成されるデバイス内の特定の機能層と対応している。パターニングデバイスは、透過型でも反射型でもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラム可能なミラーアレイ、プログラム可能なLCDパネルがある。マスクはリソグラフィ分野では周知であり、バイナリマスク、交互位相シフトalternatingphaseshiftマスク、ハーフトーン型位相シフトattenuatedphaseshiftマスク、および様々なハイブリッド型マスクタイプなどのマスクタイプがある。プログラム可能なミラーアレイの例では、小型ミラーがそれぞれ個別に傾斜して入射する放射ビームを異なる方向に反射させることが可能な、小型ミラーのマトリックス配列を使用する。このようにして、反射されたビームにパターンが付与される。支持構造は、パターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、例えばパターニングデバイスが真空環境に保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。支持構造は、機械的クランプ、バキューム、または真空条件下での静電気クランプなどの他の固定技術を使用することができる。支持構造は、フレーム状またはテーブル状であってもよく、例えば、必要に応じて固定されていても移動可能でもよい。支持構造により、例えば投影系に対してパターニングデバイスを確実に所望の位置に配置することができる。本明細書におけるレチクルまたはマスクという用語のいかなる使用も、より一般的な用語であるパターニングデバイスと同義であるとみなしてよい。本明細書で使用される投影系という用語は、例えば、使用中の露光照射に適した、あるいは液浸の使用または真空の使用といった他の要因に適した、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系を含む様々なタイプの投影系を包含するものとして広く解釈されるべきである。本明細書における投影レンズという用語のいかなる使用も、より一般的な用語である投影系と同義であるとみなしてよい。照明系は、放射ビームの進行方向を決め、成形し、または制御するための屈折光学部品、反射光学部品、または反射屈折光学部品を含む様々な種類の光学部品で構成されており、このような部品は、以下において集合的にまたは単独でレンズと呼ばれることもある。リソグラフィ装置は、二つの基板テーブルを有するタイプデュアルステージであっても、より多数の基板テーブルおよび/または二つ以上の支持構造を有するタイプであってもよい。このようなマルチステージの装置では、追加のテーブルを並列して使用してもよいし、または、一以上のテーブルに対して準備ステップを実行する一方、一以上の他のテーブルを露光用として使用してもよい。リソグラフィ装置は、投影系の最終構成要素と基板の間の空間を満たすように、比較的屈折率の高い液体例えば、水の中に基板が浸されているタイプの装置であってもよい。液浸技術は、投影系の開口数を増大する技術として周知である。図1は、本発明の特定の実施形態に従ったリソグラフィ装置を模式的に示す。この装置は、以下の要素を含む。-放射ビームPB例えば、UV放射またはEUV放射を調整する照明系照明器IL。-パターニングデバイス例えば、マスクMAを支持し、要素PLに対してパターニングデバイスを正確に位置決めするよう第1位置決め装置PMに接続される支持構造例えば、支持構造MT。-基板例えば、レジストコートされたウェハWを保持するための基板テーブル例えば、ウェハテーブルWT。基板テーブルWTは、PLに対して基板を正確に位置決めするために第2位置決め装置PWに接続される。-基板Wの目標部分C例えば、一つまたは複数のダイからなるに、パターニングデバイスMAによって放射ビームPBに与えられたパターンをイメージングするように構成された投影系例えば、屈折投影レンズPL。図示するように、リソグラフィ装置は透過型例えば、透過型マスクを使用である。代替的に、リソグラフィ装置は反射型例えば、上述したタイプのプログラム可能なミラーアレイを使用であってもよい。照明器ILは、放射源SOから放射ビームを受け取る。例えば放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は別個のものであってもよい。この場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成するとはみなされず、例えば適切な配向ミラーdirectingmirrorおよび/またはビームエキスパンダを備えるビーム伝送系BDを用いて、放射源SOから照明器ILに放射ビームが渡される。他の場合、例えば放射源が水銀灯である場合、放射源はリソグラフィ装置と一体的な部品であってもよい。放射源SOと照明器IL、必要であればビーム伝送系BDを合わせて、放射系と称してもよい。照明器ILは、ビームの角度強度分布を調節する調節手段AMを備えてもよい。一般に、照明器の瞳面における強度分布の外径範囲および/または内径範囲一般に、それぞれσアウターおよびσインナーと呼ばれるを少なくとも調節することができる。加えて、照明器ILは、インテグレータINおよび集光器CO等の様々な他の構成要素を通常備えている。照明器は、パターニングデバイスマスキング装置RMを含む。パターニングデバイスマスキング装置RMは、放射ビームのエッジを調整するために用いることのできるマスキングブレードが設けられている下記においてさらに説明する。照明器は、その断面において所望の均一性および強度分布を有する調節された放射ビームPBを提供する。放射ビームの特性例えば、収差は、基板テーブルWTに位置するセンサBSを用いて測定されてもよい。放射ビームPBは、支持構造上に保持されたパターニングデバイス例えば、マスクMAに入射する。パターニングデバイスMAを横切ると、ビームPBはレンズPLを通過し、そこでビームが基板Wの目標部分Cに合焦される。第2位置決め装置PWおよび位置センサIF例えば、干渉計デバイスを用いて、基板テーブルWTを正確に移動して、例えば異なる目標部分CをビームPBの経路に配置することができる。同様に、第1位置決め装置PMおよび別の位置センサ図1には明示せずを使用して、例えばマスクライブラリからの機械的復帰の後にまたは走査中に、ビームPBの経路に対してパターニングデバイスMAを正確に配置することができる。一般に、オブジェクトテーブルMTおよびWTの移動は、位置決め装置PMおよびPWの一部を形成する長ストロークモジュール粗い位置決めと短ストロークモジュール微細な位置決めを用いて達成することができる。しかしながら、ステッパの場合には、スキャナとは対照的に、支持構造MTが短ストロークのアクチュエータにのみ接続されていてもよいし、または固定されていてもよい。パターニングデバイスアライメントマークM1、M2と基板アライメントマークP1、P2とを用いて、パターニングデバイスMAと基板Wを位置合わせしてもよい。パターニングデバイスMAは、パターニングデバイスアライメントマークM1,M2および基板テーブル上に設けられたアライメントセンサASを用いて、基板テーブルWTに位置あわせしてもよい。図示する装置は、以下の好適なモードで使用することができる。1.ステップモードでは、支持構造MTと、基板テーブルWTとが本質的に静止状態を保つ一方、ビームPBに与えられたパターン全体が目標部分C上に一度に投影されるつまり、単一の静的露光。続いて、基板テーブルWTをXおよび/またはY方向に移動して、異なる目標部分Cを露光することができる。ステップモードでは、露光領域の最大サイズにより、単一の静的露光で像が与えられる目標部分Cのサイズが制限される。2.走査モードでは、支持構造MTと基板テーブルWTとが同期して走査される一方、ビームPBに与えられたパターンが目標部分C上に投影されるすなわち、単一の動的露光。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影系PLの拡大縮小および像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光領域の最大サイズが単一の動的露光における目標部分の非走査方向における幅を制限するのに対して、走査移動の長さが目標部分の走査方向における高さを決定する。別のモードでは、支持構造MTは、プログラム可能なパターニングデバイスを基本的に静止状態で保持し続け、基板テーブルWTは移動または走査される一方、ビームPBに付与されたパターンが目標部分Cに投影される。このモードでは、通常、パルス放射源が採用され、プログラム可能なパターニングデバイスは、基板テーブルWTの各移動の後に、または走査中の連続放射パルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述したようなプログラム可能なミラーアレイのタイプなどのプログラム可能なパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用可能である。上述の使用モードの組み合わせおよび/または変形や、または全く異なる使用モードも利用することができる。図2は、下方から見たパターニングデバイスマスキング装置RMを概略的に示す。パターニングデバイスマスキング装置RMは、支持構造2と、第1マスキングブレード4と、第2マスキングブレード6とを備える。マスキングブレード4,6は、アクチュエータ8に接続されている。アクチュエータ8は、マスキングブレードをy方向に移動するよう構成されている。支持構造2は、リソグラフィ装置の動作の間に放射ビーム図示せずが通過する開口部10が設けられている。放射ビームのy方向のエッジは、マスキングブレード4,6を用いて調整される。これは、図3に説明されている。図3は、マスキングブレード4,6のエッジが、放射ビームのy方向のエッジを規定するように開口部10にオーバーラップしている様子を示す。放射ビームのy方向のサイズは、照明系IL内のフィールド規定素子図示せずにより決定される。しかしながら、放射ビームのy方向のエッジはシャープでなくてよく、マスキングブレード4,6がこれらのエッジにシャープさsharpnessを与えることができる。マスキングブレード4,6により与えられるエッジの位置は、マスキングブレード4,6のy方向の移動により調整可能である。第1マスキングブレード4には、2つの穴部12が設けられており、第2マスキングブレード6には5つの穴部14が設けられている。図4は、第1マスキングブレード4の断面を示す。穴部12の一つを図4に見ることができる。穴部12には水晶板16が設けられている例えば、穴部内に接着されている。水晶板16は、拡散性の上面を含む例えば、サンドブラストやその他の技術を用いた粗い表面が設けられている。水晶板16は、凹部18内に保持されている。凹部18は、第1マスキングブレード4内に途中まで延びている。凹部18は、十分に深く、水晶板16が第1マスキングブレード4から突き出ることはない。水晶板16の下方に位置する穴部12の部分は、テーパ状エッジ20が設けられている。テーパ状エッジ20は、穴部12を通過する放射にシャープなエッジを与えるよう機能する。これにより、投影系PL図1参照における半影penumbraの発生が最小限に抑えられる。第1マスキングブレードはまた、同じ理由により、その最内部にテーパ状エッジ22を備える。使用の際、レチクルからのパターンを基板上に投影する間に、マスキングブレード4,6は、放射ビームのy方向のエッジを規定するように図3に示すように位置することができる。しかしながら、マスキングブレードの位置は、アライメント測定や放射ビームの特性の測定のときに変化する。図5に示すように、アライメント測定が行われるとき、マスキングブレード4は、それが開口部10に完全にオーバーラップし、且つ第1マスキングブレード4の穴部12が開口部10の真下に位置するように、y方向に移動する。マスキングブレード4は、従って、放射ビームの大部分を遮断するが、放射が穴部12から投影系12図1参照に通過するのは許可する。開口部10は、第1マスキングブレード4で隠されているが、その位置を特定するために図5において点線を用いて図示されている。再度図4を参照すると、放射ビームPBが水晶板16に入射するとき、水晶板の拡散表面は、放射ビームの散乱を引き起こす。散乱は、図4において、水晶板16から生じる光線として図示されている。3本の光線が放射ビームPBの各入射光により生成されている。穴部12のテーパ状エッジ20は、散乱放射の一部を遮断するこれは点線により図示されている。しかしながら、散乱放射のある割合は、穴部14を通過し、従ってリソグラフィ装置の投影系PLに入り図1参照、その結果アライメント測定に用いることができる拡散放射をもたらす。第1マスキングブレード4は、水晶板16とともに2つの拡散放射をもたらす2つの穴部12が設けられている。拡散放射は、例えばレチクルMAに設けられたアライメントマークを照射するために用いられ、レチクルアライメントマークと基板テーブルWTに設けられたアライメントマークとの位置合わせを容易にする。拡散放射の利用により、非拡散放射の場合すなわち、拡散水晶板16が穴部12に設けられていない場合と比べてアライメント測定が改善される。図6は、第2マスキングブレード6の断面を示す。穴部14の一つを図6に見ることができる。穴部14は、拡散水晶板30を保持する凹部28を含んでいる。穴部14は、開口部を通過する放射にシャープなエッジをもたらすテーパ状エッジ32が設けられており、その結果、半影penumbraの発生が最小限に抑えられる。また、第2マスキングブレードは、同じ理由により、その最内部にテーパ状エッジ34を備える。図7に示すように、第2マスキングブレード6は、開口部10を覆って、穴部14を通過する放射のみが投影系PLに入射するように位置することができる図1参照。第2マスキングブレード6の5つの穴部14は、投影系PLに5つの拡散放射源をもたらす。この拡散放射により、基板テーブルWT上に設けられたセンサBSは、放射ビームに存在する収差などの放射ビームの特性を測定することができる。アクチュエータ8は、マスキングブレード4,6を速やかに移動するために用いられる。アクチュエータ8は、例えば、マスキングブレード4,6を図3に示す配置から図5または図7に示す配置に急速に移動させることができる。従って、アクチュエータ8により、穴部12,14は放射ビームに急速に導かれ、その後放射ビームから急速に取り除かれる。マスキングブレード4,6は、図5または図7に示す配置に例えば1秒未満以内、場合により100ms未満以内で移動することができる。これにより、放射ビームの特性の測定またはアライメント測定を迅速に実行でき、その結果、測定に帰因して生じるリソグラフィ装置のスループットの低下を最小限に抑えることができる。測定は、例えば新たな基板Wが投影系PLの真下に導かれるたびに実行されてよい図1参照。測定の実行が可能な配置へのマスキングブレード4,6の移動は、少なくとも一部の従来技術の構成よりも迅速に実行できる。例えば、別々になった拡散器の放射ビーム中への移動は、マスキングブレード4,6の測定用の配置への移動よりも遅い可能性がある。これは、例えば別々になった拡散器がマスキングブレードよりも大きな質量を有するため、および/または、アクチュエータ8が急速な移動をもたらすよう構成されているためである。本発明の実施形態により、例えば放射ビームの特性の測定をパターニングレチクルMAをその運用位置すなわち、図1に示す位置から移動させることなく行うことができる。迅速な測定を促進するのに加えて、本発明の実施形態はまた、照明系IL内に余分な空間を必要としないという利点をもたらす。マスキングブレードは、放射ビームのy方向のエッジ調整を可能とするために、既に従来より照明系内に設けられている。それ故、本発明の実施形態は、追加的な体積を占めることはなく、アクチュエータの追加も必要ない。これは、例えば収差またはアライメントを測定するのに、別々になった拡散器を照明系内の別の位置にある放射ビームに導く必要のある構成と比較して有利である。説明した本発明の実施形態は、第1マスキングブレード4に2つの穴部12が設けられ、第2マスキングブレード6に5つの穴部14が設けられているが、任意の数に穴部がどちらのマスキングブレードに設けられてもよい。穴部の形状および/または穴部の数は、穴部からもたらされる拡散放射を用いて行われる測定により定められてもよい。例えば、穴部は、測定を実施するために用いられるセンサBA、AS上に入射する放射をもたらすよう位置付けられてもよい。穴部12,14は、例えば図に示すようにy方向よりもx方向に長くてもよい。マスキングブレード4,6のy方向の位置は、アクチュエータ8を用いて制御可能であるが、マスキングブレードのy方向の位置は固定されていてもよい。穴部12,14をy方向よりもx方向を長くすることにより、穴部およびセンサのx方向の相対的な位置決めにある程度のトレランスがもたらされ、その結果、測定の実行を可能とするために確実にセンサ上に十分な放射を入射させることが容易となる。図示されている穴部12,14は長方形であるが、これらは任意の形状であってよい。一般的に、穴部12,14は、マスキングブレード4,6が移動可能な方向よりも、マスキングブレード4,6が移動不可能な方向が長くてもよい。穴部12,14は、y方向すなわち、マスキングブレード4,6が移動可能な方向に長さを有してもよい。これは、センサBS,ASのy方向の長さ以上の基板テーブルにおける領域を照射できるほど十分に大きい。穴部は、例えば10mm未満のy方向長さであってよく、5mm未満のy方向長さであってよい。放射線照射に帰因して劣化する部位を最小限にするために、照射されるセンサBS,ASの周囲部位を最小化する寸法を穴部12,14に与えることが望ましい。例えば、疎水性コーティングがセンサBS,AS上及びそれらの周囲に設けられてもよい。このコーティングは、放射線照射により時間とともに劣化する可能性がある。照射されるセンサBS,ASの周囲部位を最小化することにより、放射線照射に帰因して劣化するコーティング部位を最小限にすることができる。穴部12,14の寸法は、穴部およびセンサの相対的位置決めのトレランスを考慮してもよい。水晶板16,30が穴部12,14内のテーパ状エッジ20,32の上流にすなわち、放射がテーパ状エッジを通過する前に水晶板を通過するように設けられているので、テーパ状エッジによりシャープなエッジが放射に与えられる前に、放射は拡散される。仮に水晶板がテーパ状エッジの下流に設けられた場合、放射が拡散される際に、水晶板は、放射のエッジのシャープさも低下させるであろう。これは、センサBS,ASの近傍の基板テーブルのコーティングに入射する放射の量を増加させ、それらのコーティングの損傷につながるおそれがあるため望ましくない。穴部12,14は、マスキングブレード4,6の少なくとも一方が開口部10を完全に閉じるのに十分なすなわち、開口部とオーバーラップする穴部がないような表面領域を含むよう位置付けられる。穴部12,14は、レチクルMAから基板WT上へパターンを投影できるようマスキングブレード4,6が位置付けられたとき例えば、図3に示す配置、開口部10とオーバーラップしないよう位置付けられてもよい。図示された水晶板16,30は、マスキングブレード4,6から突出していないが、これは本質的な特徴ではなく、水晶板はマスキングブレードから突出してもよい但し、照明系にこれを収容するスペースが存在する場合。穴部12,14は、テーパ状エッジ20,32が設けられているが、これらは本質的な特徴ではない。穴部12,14の内側エッジは、例えばステップ状の終端処理がなされてもよい。これは、穴部により与えられる放射のエッジのシャープさを減らす可能性がある。説明した実施形態ではマスキングブレード4,6を移動するために1つのアクチュエータ8が用いられているが、2つ以上のアクチュエータが用いられてもよい。水晶拡散板16,30は、拡散性の上面を有するものとして図示されているが、水晶拡散板16,30は、加えてまたは代えて、拡散性の下面してもよい。水晶拡散板16,30は、放射ビームPBを拡散放射に変換する拡散部材として用いられているが、拡散部材は任意の適切な物質であってよい。拡散部材は、拡散部材を通過した放射を用いて測定を行うことができるほど十分な透過性を有していてもよい。拡散部材は、放射の散乱をもたらすを備えてもよい。この粗面は、例えば、サンドブラスティングなどの研磨処理を用いて形成される。拡散部材は、拡散照射をもたらすために、放射を散乱する内部構造をを含んでもよい。拡散部材は、ホログラフィック拡散器を備えてもよい。2つのマスキングブレード4,6が説明した本発明の実施形態に図示されているが、任意の適切な数のマスキングブレードが設けられてもよい。説明した本発明の実施形態は、走査式リソグラフィ装置に関するが、本発明は、ステップ式リソグラフィ装置にも適用できる。図面には、単に本発明の実施形態の説明を容易にするだけのために、直交座標が図示されている。それらは、本発明の特徴が特定の幾何学的配置を有していなければならないことを暗示するものではない。以上、本発明の具体的な実施形態について説明したが、本発明は上述の説明とは違った方法でも実施できることを理解されたい。上述の説明は、発明を限定することを意図するものではない。"