基板上に配置されたフォトレジスト層の線幅の荒れを制御するための装置であって、内部処理領域を画定する頂壁、側壁及び底壁を有するチャンバ本体と、導波路を介してチャンバ本体に結合されたマイクロ波電力発生装置と、導波路に隣接してチャンバ本体の外周の周りに配置された1以上のコイル又は磁石と、ガス供給通路を通って導波路に結合されたガス供給源とを含む装置。チャンバ本体内に配置され、チャンバ本体の底壁を貫通して延びる基板支持アセンブリを含む請求項1記載の装置。基板支持アセンブリに結合されたRFバイアス電源を含む請求項2記載の装置。マイクロ波電力発生装置と導波路との間に配置された誘電体窓を含む請求項1記載の装置。コイル又は磁石は永久磁石又は電磁石である請求項1記載の装置。処理チャンバはグランドに結合されている請求項1記載の装置。基板支持アセンブリに結合されたRFバイアス電源はグランドに結合されている請求項3記載の装置。基板上に配置されたフォトレジスト層の線幅の荒れを制御するための方法であって、上にパターニングされたフォトレジスト層を配置した基板を内部に配置した処理チャンバ内で電場を発生させる工程と、基板上に配置したパターニングされたフォトレジスト層にガス混合物を供給する工程と、ガス混合物内でプラズマを形成するように処理チャンバ内で電場と相互作用する磁場を発生させる工程と、処理チャンバ内に形成されたプラズマで、パターニングされたフォトレジスト層のエッジ形状を整える工程を含む方法。電場を発生させる工程は、処理チャンバにマイクロ波電力を印加して電場を発生させる工程を含む請求項8記載の方法。磁場を発生させる工程は、処理チャンバの外周部の周りに配置された1以上のコイル又は磁石に直流又は交流電力を印加して磁場を発生させる工程を含む請求項8記載の方法。コイル又は磁石は永久磁石又は電磁石である請求項10記載の方法。ガス混合物を供給する工程は、酸素含有ガスを処理チャンバ内に供給する工程を含む請求項8記載の方法。酸素含有ガスがO2である請求項12記載の方法。パターニングされたフォトレジスト層のエッジ形状を整える工程は、処理チャンバ内で発生された磁場と電場の間の相互作用を調整する工程を含む請求項8記載の方法。相互作用を調節する工程は、約3.0nm未満の線幅の荒れを有するフォトレジスト層のエッジ形状を制御する工程を含む請求項14記載の方法。