"冷却用ベースと、該冷却用ベース上に半田を介して固着した複数の導電パターン付絶縁基板とを少なくとも具備している半導体装置において、前記冷却用ベースの中心点からの距離が最短となる各導電パターン付絶縁基板端直下の前記冷却用ベースの位置に接するように該冷却用ベース上にそれぞれ半田溜まり部を設けたことを特徴とする半導体装置。前記半田溜まり部下に凹部を設けたことを特徴とする請求の範囲第1項記載の半導体装置。冷却用ベースと、該冷却用ベース上に半田を介して固着した複数の導電パターン付絶縁基板とを少なくとも具備している半導体装置の製造方法において、前記導電パターン付絶縁基板下の溶融半田が最も遅く固化する箇所に接するように半田溜まり部を前記冷却用ベース上に設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。冷却用ベースと、該冷却用ベース上に半田を介して固着した複数の導電パターン付絶縁基板とを少なくとも具備している半導体装置の製造方法において、前記冷却用ベース上に第1溶融半田を介して複数の導電パターン付絶縁基板を載置し、前記第1溶融半田に接するように半田溜まり部に第2溶融半田を載置する工程と、冷却器上に前記冷却用ベースの外周部に接するリング状の冷却板を載置し、該冷却板上に前記冷却用ベースを載置して、該冷却用ベースの熱を前記冷却板を介して前記冷却器に放熱し、前記冷却用ベースの外周部の温度が低く中心点の温度が高くなるように前記冷却用ベースに温度勾配をつけ、前記導電パターン付絶縁基板下の前記第1溶融半田に前記半田溜まり部から前記第2溶融半田を供給しながら前記第1溶融半田を順次固化する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。冷却用ベースと、該冷却用ベース上に半田を介して固着した複数の導電パターン付絶縁基板とを少なくとも具備している半導体装置の製造方法において、前記冷却用ベース上に位置合わせ治具を位置決めして載置する工程と、前記位置合わせ治具に形成される第1貫通孔に第1板半田を挿入し、該第1貫通孔に接する第2貫通孔に第2板半田を挿入し、前記第1板半田上に導電パターン付絶縁基板を挿入する工程と、前記冷却用ベース上の前記第1板半田および前記第2板半田を溶融させて第1溶融半田および該第1溶融半田と接する第2溶融半田にする工程と、冷却器上に前記冷却用ベースの外周部に接するリング状の冷却板を載置し、該冷却板上に前記冷却用ベースを載置して前記冷却用ベースの中心点の温度低下を外周部の温度低下より遅くし、半田溜まり部から前記第2溶融半田を前記第1溶融半田に供給しながら該第1溶融半田を固化する工程と、を含む半導体装置の製造方法であって、前記半田溜まり部を前記の各導電パターン付絶縁基板端と前記中心点との距離が最短になる前記冷却用ベースの位置に接するように該冷却用ベース上に設け、該半田溜まり部の前記第2溶融半田を前記第1溶融半田より遅く固化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。冷却用ベースと、該冷却用ベース上に半田を介して固着した複数の導電パターン付絶縁基板とを少なくとも具備している半導体装置の製造方法において、前記冷却用ベース上に第1溶融半田を介して複数の導電パターン付絶縁基板が載置され、前記第1溶融半田に接する半田溜まり部の第2溶融半田を設ける工程と、前記冷却用ベースの外周部に低温のガスを吹き付けることで、冷却用ベースの熱を放熱し、前記冷却用ベースの外周部の温度が低く中心点の温度が高くなるように前記冷却用ベースに温度勾配をつけ、前記導電パターン付絶縁基板下の前記第1溶融半田に前記半田溜まり部から前記第2溶融半田を供給しながら前記第1溶融半田を順次固化させる工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記半田溜まり部下に凹部を設けることを特徴とする請求の範囲第3項~第6項のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記ガスが水素ガスであることを特徴とする請求の範囲第6項記載の半導体装置の製造方法。図16は、冷却用ベースに半田を介して導電パターン付絶縁基板を固着したときの要部断面図である。冷却用ベース51に半田52を介して導電パターン付絶縁基板56を固着するとき、例えば、冷却用ベース51に板半田を載置し、その上に導電パターン付絶縁基板56を載置する。続いて、板半田を溶融させ、冷却用ベース51を冷却して溶融した半田を固化させて冷却用ベース51に導電パターン付絶縁基板56を半田付けする。この半田付け工程において、冷却用ベース51は全体が同一温度で冷却されることはなく、温度低下が遅くなる箇所が発生する。従って、導電パターン付絶縁基板56下の半田52は温度低下が早い箇所から順次固化されて行く。また、溶融した半田が固化した半田に変わるとき、体積が減少する性質がある。そのため、温度低下の早い溶融半田が固化するときに体積が減少した分を温度低下が遅い溶融半田を引き込んで行く。最後に固化する溶融半田は引き込む溶融半田が無いため、半田が欠落した半田ボイドや半田引け部64などの半田欠陥を形成する。この半田引け部64があると、ヒートサイクルなどの熱ストレスでこの箇所からクラックが導入され信頼性を低下させる。また、半田ボイドがあると熱抵抗が増大する。この体積の減少は、凝固収縮率の大きな半田ほど顕著となり、また、凝固固化する前の半田板半田などの体積が大きいほど大きくなる。また、特許文献1、2では、半田溜まり部を冷却用ベースの中心点から最短距離にある各導電パターン付絶縁基板端下の冷却用ベースに設けることは記載されていない。また、半田溜まり部を設け、かつ、冷却用ベースに温度勾配を持たせる製造方法を示唆することは記載されていない。この発明の目的は、前記の課題を解決して、半田引け部や半田ボイドのような半田欠陥の発生を防止できる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。前記の目的を達成するために、請求の範囲の第1項に記載の発明によれば、冷却用ベースと、該冷却用ベース上に半田を介して固着した複数の導電パターン付絶縁基板とを少なくとも具備している半導体装置において、前記冷却用ベースの中心点からの距離が最短となる各導電パターン付絶縁基板端直下の前記冷却用ベースの位置に接するように該冷却用ベース上にそれぞれ半田溜まり部を設けた構成にする。また、請求の範囲の第2項記載の発明によれば、第1項に記載の発明において、前記半田溜まり部下に凹部を設けた構成が好ましい。前記冷却用ベースの中心点からの距離が最短となる各導電パターン付絶縁基板端直下の前記冷却用ベースの位置が、前記の各導電パターン付絶縁基板下の溶融半田の温度低下がそれぞれで最も遅い箇所にするとよい。また、請求の範囲の第3項記載の発明によれば、冷却用ベースと、該冷却用ベース上に半田を介して固着した複数の導電パターン付絶縁基板とを少なくとも具備している半導体装置の製造方法において、前記導電パターン付絶縁基板下の溶融半田が最も遅く固化する箇所に接するように半田溜まり部を前記冷却用ベース上に設ける製造方法とする。また、請求の範囲の第4項に記載の発明によれば、冷却用ベースと、該冷却用ベース上に半田を介して固着した複数の導電パターン付絶縁基板とを少なくとも具備している半導体装置の製造方法において、前記冷却用ベース上に第1溶融半田を介して複数の導電パターン付絶縁基板を載置し、前記第1溶融半田に接するように半田溜まり部に第2溶融半田を載置する工程と、冷却器上に前記冷却用ベースの外周部に接するリング状の冷却板を載置し、該冷却板上に前記冷却用ベースを載置して、該冷却用ベースの熱を前記冷却板を介して前記冷却器に放熱し、前記冷却用ベースの外周部の温度が低く中心点の温度が高くなるように前記冷却用ベースに温度勾配をつけ、前記導電パターン付絶縁基板下の前記第1溶融半田に前記半田溜まり部から前記第2溶融半田を供給しながら前記第1溶融半田を順次固化する工程と、を含む製造方法とする。また、請求の範囲の第5項に記載の発明によれば、冷却用ベースと、該冷却用ベース上に半田を介して固着した複数の導電パターン付絶縁基板とを少なくとも具備している半導体装置の製造方法において、前記冷却用ベース上に位置合わせ治具を位置決めして載置する工程と、前記位置合わせ治具に形成される第1貫通孔に第1板半田を挿入し、該第1貫通孔に接する第2貫通孔に第2板半田を挿入し、前記第1板半田上に導電パターン付絶縁基板を挿入する工程と、前記冷却用ベース上の前記第1板半田および前記第2板半田を溶融させて第1溶融半田および該第1溶融半田と接する第2溶融半田にする工程と、冷却器上に前記冷却用ベースの外周部に接するリング状の冷却板を載置し、該冷却板上に前記冷却用ベースを載置して前記冷却用ベースの中心点の温度低下を外周部の温度低下より遅くし、半田溜まり部から前記第2溶融半田を前記第1溶融半田に供給しながら該第1溶融半田を固化する工程と、を含む半導体装置の製造方法であって、前記半田溜まり部を前記の各導電パターン付絶縁基板端と前記中心点との距離が最短になる前記冷却用ベースの位置に接するように該冷却用ベース上に設け、該半田溜まり部の前記第2溶融半田を前記第1溶融半田より遅く固化させる製造方法とする。また、請求の範囲の第6項に記載の発明によれば、冷却用ベースと、該冷却用ベース上に半田を介して固着した複数の導電パターン付絶縁基板とを少なくとも具備している半導体装置の製造方法において、前記冷却用ベース上に第1溶融半田を介して複数の導電パターン付絶縁基板が載置され、前記第1溶融半田に接する半田溜まり部の第2溶融半田を設ける工程と、前記冷却用ベースの外周部に低温のガスを吹き付けることで、冷却用ベースの熱を放熱し、前記冷却用ベースの外周部の温度が低く中心点の温度が高くなるように前記冷却用ベースに温度勾配をつけ、前記導電パターン付絶縁基板下の前記第1溶融半田に前記半田溜まり部から前記第2溶融半田を供給しながら前記第1溶融半田を順次固化させる工程と、を含む製造方法とする。また、請求の範囲の第7項に記載の発明によれば、第3項~第6項のいずれか一項に記載の発明において、前記半田溜まり部下に凹部を設ける製造方法とするとよい。また、請求の範囲の第8項に記載の発明によれば、第6項に記載の発明において、前記ガスが水素ガスであるとよい。この発明によれば、冷却用ベースに導電パターン付絶縁基板を半田で固着した半導体装置において、導電パターン付絶縁基板下の半田が冷却されて固化するとき、リング状の冷却板を冷却用ベース下に敷いて意図的に冷却ベースの中心点の温度が外周部より高くなるように温度勾配をつける。これにより、各導電パターン付絶縁基板下の溶融半田の固化が最も遅くなる箇所を意図的に作り出し、その箇所に半田溜まり部を設けることで、半田引け部や半田ボイドなどの半田欠陥の発生を防止することができる。本発明の上記および他の目的、特徴および利点は本発明の例として好ましい実施の形態を表す添付の図面と関連した以下の説明により明らかになるであろう。実施の形態を以下の実施例で説明する。図1は、この発明の第1実施例の半導体装置の構成図であり、同図aは要部平面図、同図bは同図aのX-X線で切断した要部断面図である。この半導体装置はパワー半導体モジュールを例に挙げ、図は冷却用ベースに導電パターン付絶縁基板を半田付けした状態を示す。この半導体装置100は、冷却用ベース1と、冷却用ベース1上に半田6を介して裏面導電膜9が固着した導電パターン付絶縁基板12とを少なくとも備え、さらに表側の導電パターン11に図示しない半田を介して固着した半導体チップを備える。また、冷却用ベース1に形成した位置合わせ兼用の取付け穴3と、溶融半田を導電パターン付絶縁基板12下の溶融半田に供給する半田溜まり部8と、半導体チップの表面電極に半田を介して固着したボンディングワイヤもしくはリードフレームと、冷却用ベース1の外周に固着した図示しない樹脂ケースと、樹脂ケースを覆う図示しない蓋と、樹脂ケース内に充填される図示しないゲルで構成される。半田溜まり部8は4つの絶縁板10の隅で囲まれた領域で、板半田7aがセットされる箇所である。この箇所は溶融半田が固化するとき最も遅く固化する箇所であり、冷却用ベース1の中心点である。前記の半田溜まり部8の半田6は導電パターン付絶縁基板12下の半田6と接続して一体となっている。尚、前記の導電パターン付絶縁基板12は、絶縁板10と、絶縁板10の裏側に形成された裏面導電膜9と、絶縁板10の表側に形成された導電パターン11で構成される。尚、図中の符号の2は、溶融半田6bの高さを調整する高さ調整用突起である。図2~図6は、この発明の第2実施例の半導体装置の製造方法を工程順に示した要部製造工程断面図である。これら図は、導電パターン付絶縁基板を半田を介して冷却用ベースに固着する場合の製造工程を示す。まず、図2において、例えば、カーボンで形成された位置合わせ治具4に形成した位置合わせ用ピン5例えば、位置合わせ治具4と一体成型したピンまたは位置合わせ治具4に嵌合した金属製のピンを冷却用ベース1に形成した位置合わせ兼用の取付け穴3に挿入し、位置合わせ治具4を冷却用ベース1に位置合わせして載置する。位置合わせ治具4には、後述の図8に示すように、導電パターン付絶縁基板12を位置合わせする第1貫通孔21と半田溜まり部8の位置合わせする第2貫通孔22が開いている。この第1貫通孔21と第2貫通孔22は、図8のA部に示すように隅で接している。つぎに、図3において、第1貫通孔21と第2貫通孔22に第1板半田と第2板半田として板半田6a,7aをそれぞれセットし、第1貫通孔21にセットされた板半田6a上に導電パターン付絶縁基板12を載置する。このとき第2貫通孔22にセットされた板半田7aの量は、その溶融した半田7bが導電パターン付絶縁基板12下の半田引け部を補充するのに最適な量に調整する。その調整は例えば、板半田7aの厚さなどで行うと簡便でよい。つぎに、図4において、冷却用ベース1をチャンバー13内の加熱器14に載置する。還元雰囲気のチャンバー13内で導電パターン付絶縁基板12に圧力15を加えながら板半田6aを溶融させて第1溶融半田として溶融半田6bにする。このとき板半田7aも第2溶融半田として溶融半田7bになる。その後で脱泡のために減圧する。導電パターン付絶縁基板12に圧力15を加えているため、導電パターン付絶縁基板12の裏面導電膜9は冷却用ベース1に形成された溶融半田6bの高さを調整するための高さ調整用突起2に接触し、溶融半田6bの高さ導電パターン付絶縁基板12の裏面導電膜9と冷却用ベース1面との隙間は一定になる。つぎに、図5において、チャンバー13内の冷却器18上に、予め、リング状の冷却板16が載置されている。その冷却板16に形成されている突起17に冷却用ベース1の位置合わせ兼用の取付け穴3を挿入して冷却用ベース1とリング状枠状の冷却板16を位置合わせして載置し全体を冷却器18で冷却する。この冷却板16は、周囲がリング状の板部16aになり、中央部には穴16b貫通孔が開いている。そのため、冷却用ベースの熱31は冷却板16のリング状の板部16aを介して冷却器18へ放熱されるため、冷却用ベース1の外周部が早く冷却され、中央部の温度低下が遅くなる。つまり、この冷却板16を挟むことで、冷却用ベース1に中央部中心点30が高く、周囲が低い温度勾配をつけることができる。図10は、溶融半田6bが固化した半田6に変わって行く状態を示す図である。冷却用ベース1の温度は外周部から低下して行き中心点30が温度低下が最もおそくなる。溶融半田6bは矢印の方向へ固化して行く。溶融半田6bが固化した半田6へ変化するとき体積が縮小する。このとき中心点30付近の溶融半田7bは溶けた状態にあるので、その体積の縮小を補うように半田溜まり部8から溶融半田7bが供給される。そのため、従来のような導電パターン付絶縁基板12の隅の箇所で半田引け部が発生することはない。つぎに、図6において、冷却用ベース1の温度が十分下がった時点でチャンバー13から冷却用ベース1を取り出し、位置合わせ治具4を取り外して冷却用ベース1に半田で固着した導電パターン付絶縁基板12が完成する。図7は、本発明に用いられる冷却用ベースの構成図であり、同図aは要部平面図、同図bは同図aのX-X線で切断した要部断面図である。この冷却用ベースは点線で示した4個の導電パターン付絶縁基板を載置することができる冷却用ベースを示す。冷却用ベース1には位置合わせ治具4に形成された位置合わせ用ピン5が挿入される位置合わせ兼用の取付け穴3が形成されている。また、溶融半田6aの高さを一定にするために、高さ調整用突起2が複数箇所設けられている。ここでは5箇所であるが導電パターン付絶縁基板を支持できるものであればこれに限るものではない。図8は、本発明に用いられる位置合わせ治具の構成図であり、同図aは要部平面図、同図bは同図aのX-X線で切断した要部断面図である。位置合わせ治具4には位置合わせ用ピン5が形成され、板半田6aと導電パターン付絶縁基板12を位置合わせする位置合わせ用の第1貫通孔21が形成されている。また、半田溜まり部8となる箇所である第2貫通孔22が中央に配置されている。この第2貫通孔22の箇所は冷却用ベース1において他の箇所より温度低下が遅くなる箇所に対応する箇所である。また、この半田溜まり部8に配置される板半田7aは、導電パターン付絶縁基板12下に配置される板半田6aにA部で接するように配置される。図9は、冷却時に使用する冷却板の構成図であり、同図a要部平面図、同図bは同図aのX-X線で切断した要部断面図である。この冷却板16は中央部に穴16bが開いており、この穴16bの中心点30と半田溜まり部8の中心点とは一致するように位置合わせされる。リング状の板部16aを介して冷却用ベース1の熱が冷却器18へ放熱されるので、冷却用ベース1の周囲の温度低下が早くなり、半田溜まり部8の温度低下が他の箇所よりも遅くなる。その結果、半田欠陥ができ易い半田溜まり部8に近接する導電パターン付絶縁基板12の隅に半田溜まり部8からの溶融半田7bが供給され、この隅の半田不足が解消されて、半田引け部や半田ボイドなどの半田欠陥の発生が防止される。その結果、半田欠陥が少ない、耐熱サイクル性の高い高信頼性で熱抵抗が低い半導体装置を提供することができる。冷却板16を設置する代わりに、冷却板16の板部16a接する箇所に冷たいガスを吹き付けて冷却用ベース1の周囲を冷却してもよい。図11は、この発明の第3実施例の半導体装置の構成図であり、同図aは要部平面図、同図bは同図aのX-X線で切断した要部断面図である。この半導体装置はパワー半導体モジュールを例に挙げた。この半導体装置200と実施例1の半導体装置100との違いは、半田溜まり部8下に凹部23を設けた点である。凹部23を設けることで半田フィレットが改善されて、耐ヒートサイクル性が一層向上する。図12は、この発明の第4実施例の半導体装置の製造方法を示す要部製造工程断面図である。実施例2との違いは、半田溜まり部8下に凹部23を設けることで、半田溜まり部8の溶融半田7bが凹部23に流れ込み、固化した半田6の表面形状半田フィレットが改善される。実施例1~実施例4では、4個の導電パターン付絶縁基板12が冷却用ベース1に半田付けされた場合を示したが、図13には導電パターン付絶縁基板12が2個の場合の本発明の半導体装置300を示す。この場合は、半田溜まり部8を導電パターン付絶縁基板12の中央部に配置して、冷却を両側から行い矢印で示す方向に半田を固化せるとよい。また、点線で示すように中央部に凹部23を設けると半田フィレットが改善されてよい。尚、図14に示すように、多数の導電パターン付絶縁基板12を冷却用ベース1に配置する場合には、冷却用ベース1の最も温度低下が遅い箇所例えば、冷却用ベース1の中心点30に最短距離にある各導電パターン付絶縁基板12の位置32に半田溜まり部8をそれぞれ設けると同様の効果が得られる。上記については単に本発明の原理を示すものである。さらに、多数の変形、変更が当業者にとって可能であり、本発明は上記に示し、説明した正確な構成および応用例に限定されるものではなく、対応するすべての変形例および均等物は、添付の請求項およびその均等物による本発明の範囲とみなされる。"