第1方向へ往復移動するスライダに搭載され、塗布液を噴射するスプレーノズルと、基板ホルダに保持されて回転又は前記第1方向に直交する第2方向へ往復移動する基板とを対向配置し、前記スプレーノズルにより前記塗布液を噴射して前記基板の表面に前記塗布液を塗布した後に、ヒータにより加熱して乾燥させ厚膜を形成するスプレーコータにおいて、前記基板の表面が前記スプレーノズルに対して下向きとなるよう前記基板を前記基板ホルダに保持することを特徴とするスプレーコータ。前記スライダに複数のスプレーノズルを搭載し、各スプレーノズルから所定の順序で異なる種類の塗布液を噴射することを特徴とする請求項1に記載のスプレーコータ。前記スライダ又は前記基板ホルダに前記基板の表面に塗布された前記塗布液を加熱して乾燥させる加熱手段を搭載することを特徴とする請求項1に記載のスプレーコータ。前記スライダに前記厚膜の一部を照射して除外するレーザ光源を搭載することを特徴とする請求項1に記載のスプレーコータ。前記基板が表面に凹凸パターンが形成された円形又は方形の半導体基板又はMEMS基板であることを特徴とする請求項1に記載のスプレーコータ。本発明は、半導体基板又はMEMS基板に、任意の膜厚の平坦な塗布膜、又は多層膜を形成するスプレーコータを提供することを目的とする。本発明のスプレーコータは、第1方向へ往復移動するスライダに搭載され、塗布液を噴射するスプレーノズルと、基板ホルダに保持されて回転又は第1方向に直交する第2方向へ往復移動する基板とを対向配置し、スプレーノズルにより塗布液を噴射して基板の表面に塗布液を塗布した後に、ヒータにより加熱して乾燥させ厚膜を形成するスプレーコータにおいて、基板の表面がスプレーノズルに対して下向きとなるよう基板を基板ホルダに保持することを特徴とする。また、スライダに複数のスプレーノズルを搭載し、各スプレーノズルから所定の順序で異なる種類の塗布液を噴射することを特徴とする。また、スライダ又は基板ホルダに基板の表面に塗布された塗布液を加熱して乾燥させる加熱手段を搭載することを特徴とする。また、スライダに厚膜の一部を照射して除外するレーザ光源を搭載することを特徴とする。また、基板が表面に凹凸パターンが形成された円形又は方形の半導体基板又はMEMS基板であることを特徴とする。本発明によれば、半導体基板又はMEMS基板に、任意の膜厚の平坦な塗布膜、又は多層膜を形成するスプレーコータを提供することができる。本発明の実施例の形態について、図を用いて説明する。図1は、本発明のスプレーコータの構成図である。図1において、本発明のスプレーコータ100は、レール10と、レール10上を往復運動するスライダ15と、スライダ上に取付けられて往復運動するスプレーノズル20n個、nは正整数とを下方に有している。また、駆動部25と、駆動部25に取付けられた基板ホルダ30とを上方に有している。基板ホルダ30は基板50を加熱するヒータ部35を有するか、又は、スライダ15上に基板50を加熱するランプ部40を有している。駆動部25は、基板30が円形のときは回転駆動し、方形のときはレール10に対して直交方向図1上では前後に往復運動する。始めに、図1を基に、厚膜の形成についての実施例について説明する。円形基板が基板ホルダ30に装着されて回転するか、又は方形基板が基板ホルダ30に装着されてレール10に対して直交紙面に垂直方向に往復運動を開始する。スライダ15がレール10上を前進している間、スプレーノズル20が塗布液55を基板30の塗布面へ噴射する。その後、スライダ15が後退している間、ランプ部40が点灯して塗布面の塗布液55図示せずを乾燥するか、又は前進、後退中、常にヒータ部35が動作して塗布面の塗布液を乾燥する。この動作が所定の回数繰り返されて、厚膜が形成される。この場合、スプレーノズル20から噴射される塗布液55の濃度は、図4aで説明した塗布液の濃度に対し、1/20~1/100に薄められている。また、成膜する膜厚に応じて、ノズルの噴き出し量、基板及びノズルの移動速度が所定の速度に制御される。さらに、スプレーノズル20の角度は可変でき、基板50に対して斜めに塗布液55を噴射させるようにすることもできる。図4b-1は、上記において説明した塗布液が、凹凸のある基板の下方からスプレーされて形成された塗布膜を示す。塗布膜97の表面は、下地の凹凸形状や濡れ性の影響を受けることがなく、表面が均一で平坦な厚膜となっている。また、図4b-2に示されるように、塗布液55の濃度を調整することにより、凹部に塗布液55が入り込むことなく、凸部のみに塗布膜97を形成することも可能となる。また、スライダ15上に、複数のスプレーノズル20n>1を有し、複数のスプレーノズルから、所定の順序でそれぞれ異なる塗布液を塗布面に噴射することにより、塗布面に多層の塗布膜を形成することが可能となる。次に、形成される多層膜の所定の膜同士の接続を可能とする実施例について説明する。図1において、スライダ15上には、さらにレーザ光源45を有し、例えば、複数のスプレーノズルn=3の第1スプレーノズル60からは導電性の塗布液が、第2スプレーノズル65からは洗浄水が、第3スプレーノズル70からは絶縁性の塗布液が噴射される。この噴射が、それぞれ交互に複数回に亘り塗布面に噴射されて複数の導電性膜と絶縁性膜とが形成される。レーザ光源45は、膜の形成過程において、形成された導電性塗布膜の一層置きに交互に対向する端部を取り除くことにより、複数の導電性塗布膜が、一層おきに端部に露出する。この露出した導電性塗布膜の両端部にそれぞれ独立して電極端子を接触させることにより、導電性塗布膜が一層置きに接続された電極端子を有する多層膜部品として構成することができる。次に、上記多層膜部品の製造プロセスについて説明する。図2、図3は多層膜部品の製造プロセスを示す製造プロセス図である。図1を基に図2において、円形基板が基板ホルダ30に装着されて回転するか、又は方形基板が基板ホルダ30に装着されてレール10に対して直交方向に往復運動を開始する第1ステップ、図1参照。レール10上をスライダ15が前進し、複数のスプレーノズル20の第1スプレーノズル60は、基板50の塗布面へ無電解ニッケルメッキ液81を噴射し、噴射が終了すると、スライダ15が後退する第2ステップ、図2a。スライダ15が再び前進し、複数のスプレーノズル20の第2スプレーノズル65は、ニッケル膜82が形成された塗布面に洗浄水84を噴射し、噴射が終了すると、スライダ15が後退する第3ステップ、図2b。スライダ15が再度前進し、レーザ光源45が、形成されたニッケル膜82の一方の端部を取り除き、取り除きが終了すると、スライダ15が後退する第4ステップ、図2c。スライダ15が再び前進し、複数のスプレーノズル20の第3スプレーノズル70は、基板50の塗布面へチタン酸バリウムのゾルゲル液83を噴射し、噴射が終了すると、スライダが後退する第5ステップ、図2d。スライダ15が再度前進し、ランプ部40が、噴射されたチタン酸バリウムのゾルゲル液83を照射して乾燥させ、チタン酸バリウム膜86を形成させて乾燥が終了すると、スライダ15が後退する第6ステップ、図2e。レール10上をスライダ15が前進し、複数のスプレーノズル20の第1スプレーノズル60は、基板50の塗布面へ無電解ニッケルメッキ液81を噴射し、噴射が終了すると、スライダ15が後退する第7ステップ、図2f。スライダ15が再び前進し、複数のスプレーノズル20の第2スプレーノズル65は、ニッケル膜82が形成された塗布面に洗浄水84を噴射し、噴射が終了すると、スライダが後退する第8ステップ、図2g。スライダ15が再度前進し、レーザ光源が45、形成されたニッケル膜82の上記一方に対向する他方の端部を取り除き、取り除きが終了すると、スライダ15が後退する第9ステップ、図2h。スライダ15が再び前進し、複数のスプレーノズル20の第3スプレーノズル70は、基板50の塗布面へチタン酸バリウムのゾルゲル液83を噴射し、噴射が終了すると、スライダが後退する第10ステップ、図2i。スライダ15が再度前進し、ランプ部40が、噴射されたチタン酸バリウムのゾルゲル液83を照射して乾燥させ、チタン酸バリウム膜86を形成させて乾燥が終了すると、スライダ15が後退する第11ステップ、図2j。第2ステップから第11ステップが所定の回数だけ繰り返されるステップ。円形基板の回転が停止するか、又は方形基板の上記直交方向の往復運動が停止し、基板50が取り出される第12ステップ、図1参照。両端部に露出したニッケル膜82にそれぞれ独立して電極端子90の共通電極部92を接触させることにより、導電性塗布膜が一層置きに接続された電極端子を有する多層膜部品200を作製することができる図2k。この多層膜部品200は、チタン酸バリウム膜86を絶縁膜とし、ニッケル膜82を電極とした積層コンデンサを構成している。このため、第2ステップから第11ステップを繰り返すことにより、超大容量の積層コンデンサを提供することが可能となる。以上説明したように本発明によれば、半導体基板又はMEMS基板に任意の平坦な膜厚の塗布膜、又は多層膜を形成するスプレーコータを提供することができる。