複数のチップ領域と、前記複数のチップ領域を区画するダイシング領域とを備え、前記複数のチップ領域の回路面にそれぞれ電極パッドが形成されている半導体ウエハの前記回路面に、感光性表面保護膜兼接着剤層を形成する工程と、前記感光性表面保護膜兼接着剤層を露光および現像し、前記感光性表面保護膜兼接着剤層に前記電極パッドおよび前記ダイシング領域を露出させる開口部を形成する工程と、前記半導体ウエハの非回路面に支持シートに貼付すると共に、前記半導体ウエハを前記ダイシング領域に沿って切断し、前記複数のチップ領域を個片化して前記感光性表面保護膜兼接着剤層を有する半導体チップを作製する工程と、第1の半導体チップを吸着コレットで保持して前記支持シートからピックアップした後、前記第1の半導体チップを回路基材上に接着する工程と、第2の半導体チップを前記吸着コレットで保持して前記支持シートからピックアップした後、前記第1の半導体チップの回路面に形成された第1の感光性表面保護膜兼接着剤層を介して、加熱された前記第1の半導体チップ上に前記第2の半導体チップを配置し、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとを接着する工程と、前記回路基材の接続部と前記第1および第2の半導体チップの前記電極パッドとを電気的に接続する工程を具備し、前記吸着コレットは、前記第2の半導体チップに対する密着力が前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとの間の密着力より低い吸着面を有することを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。請求項1記載の積層型半導体装置の製造方法において、前記吸着コレットの前記吸着面はシリコーンゴムからなり、かつ前記吸着面の表面粗さが算術平均粗さRaで0.1~100μmの範囲であることを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。請求項1または請求項2記載の積層型半導体装置の製造方法において、前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとを接着した後に前記吸着コレットを上昇させる際に、前記吸着コレットをスクラブさせる処理、および前記吸着コレットに冷却用気体を吹き付けて急冷する処理の少なくとも一方を実施することを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載の積層型半導体装置の製造方法において、前記半導体ウエハの切断工程は、前記ダイシング領域に溝を形成する工程と、前記半導体ウエハの前記回路面に保護テープを貼付する工程と、前記半導体ウエハの前記非回路面を研削し、前記複数のチップ領域を個片化する工程と、前記半導体ウエハの前記非回路面に前記支持シートを貼付する工程と、前記保護テープを剥離する工程とを備えることを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。回路面に第1の感光性表面保護膜兼接着剤層が形成された第1の半導体チップと、回路面に第2の感光性表面保護膜兼接着剤層が形成された第2の半導体チップとを含む複数の半導体チップを有し、支持テープでウエハ形状が維持された半導体ウエハから、前記複数の半導体チップを吸着コレットで順に保持してピックアップするピックアップ部と、前記吸着コレットでピックアップされた前記第1の半導体チップを前記回路基材上に接着すると共に、前記吸着コレットでピックアップされた前記第2の半導体チップを前記第1の半導体チップ上に配置し、前記第1の感光性表面保護膜兼接着剤層により前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップとを接着するチップ接着部とを具備し、前記吸着コレットは、前記半導体チップに対する密着力が前記半導体チップ間の密着力より低い吸着面を有することを特徴とする積層型半導体装置の製造装置。本発明が解決しようとする課題は、半導体チップの積層に表面保護膜兼接着剤層を適用するにあたって、半導体チップ間の接着信頼性を保ちつつ、吸着コレットの半導体チップからの離脱不良等による不良発生を抑制することを可能にした積層型半導体装置の製造方法と製造装置を提供することにある。実施形態による積層型半導体装置の製造方法は、複数のチップ領域とそれらを区画するダイシング領域とを備え、複数のチップ領域の回路面にそれぞれ電極パッドが形成されている半導体ウエハの回路面に、感光性表面保護膜兼接着剤層を形成する工程と、感光性表面保護膜兼接着剤層を露光および現像し、感光性表面保護膜兼接着剤層に電極パッドおよびダイシング領域を露出させる開口部を形成する工程と、半導体ウエハの非回路面に支持シートに貼付すると共に、半導体ウエハをダイシング領域に沿って切断し、複数のチップ領域を個片化して前記感光性表面保護膜兼接着剤層を有する半導体チップを作製する工程と、第1の半導体チップを吸着コレットで保持して支持シートからピックアップした後、第1の半導体チップを回路基材上に接着する工程と、第2の半導体チップを吸着コレットで保持して支持シートからピックアップした後、第1の半導体チップの回路面に形成された第1の感光性表面保護膜兼接着剤層を介して、加熱された第1の半導体チップ上に第2の半導体チップを配置し、第1の半導体チップと第2の半導体チップとを接着する工程と、回路基材と第1および第2の半導体チップの電極パッドとを電気的に接続する工程を具備する。このような積層型半導体装置の製造方法において、吸着コレットは第2の半導体チップに対する密着力が第1の半導体チップと第2の半導体チップとの間の密着力より低い吸着面を有している。以下、実施形態の積層型半導体装置の製造方法について、図面を参照して説明する。第1の実施形態図1は第1の実施形態の積層型半導体装置の製造方法における感光性表面保護膜兼接着剤層の形成工程から半導体ウエハの切断工程までを示す図、図2は第1の実施形態の積層型半導体装置の製造方法における第1の半導体チップのピックアップ工程から第2の半導体チップの接着工程までを示す図である。図3は図1に示す積層型半導体装置の製造方法で使用する半導体ウエハのチップ領域およびダイシング領域を拡大して示す図、図4は第1の実施形態の製造方法を適用して作製した半導体パッケージを示す図である。まず、図1aに示すように、半導体ウエハ1の回路面表面1aに感光性を有する表面保護膜兼接着剤層2を形成する。表面保護膜兼接着剤層2は半導体ウエハ1の回路面1a全面に対して一様に形成される。半導体ウエハ1は複数のチップ領域Xを有しており、各チップ領域Xの回路面1aには半導体回路や配線層等を有する半導体素子部図示せずが形成されている。複数のチップ領域X間には、それぞれダイシング領域Dが設けられている。後述するように、半導体ウエハ1はダイシング領域Dに沿って切断される。半導体ウエハ1を切断してチップ領域Xを個片化することによって、複数のチップ領域Xに相当する複数の半導体チップが作製される。表面保護膜兼接着剤層2は、チップ領域Xの回路面表面1aを保護すると共に、チップ領域Xに基づく半導体チップを他の半導体チップと積層する際に接着剤として機能するものである。表面保護膜兼接着剤層2は感光性を有しているため、露光現像工程でパターニングすることが可能とされている。このような感光性を有する表面保護膜兼接着剤層2には、露光現像工程を可能にする感光性を有し、かつ半導体チップ間の接着を可能にする接着性等を有するフェノール樹脂やポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂が適用される。表面保護膜兼接着剤層2は、感光性を有する熱可塑性樹脂で形成してもよい。表面保護膜兼接着剤層2は、例えば感光性や接着性等を有する樹脂組成物感光性接着剤樹脂組成物を半導体ウエハ1の回路面1aにインクジェットやスピンコート等により塗布した後、この樹脂組成物の塗布膜を乾燥させることにより形成される。表面保護膜兼接着剤層2の形成材料としては、例えば20~40質量のフェノール樹脂と10質量以下の感光剤と10質量以下の界面活性剤と30~80質量の溶剤とを含有する樹脂組成物や、30~80質量のフェノール樹脂と10質量以下の感光剤と20~40質量の架橋剤と10質量以下の界面活性剤とを含有する樹脂組成物等が挙げられる。表面保護膜兼接着剤層2を形成するにあたって、感光性接着剤樹脂組成物の粘度塗布時の粘度は1Pas25°C以下であることが好ましい。感光性接着剤樹脂組成物の塗布方法にもよるが、25°Cにおける粘度が1Pas以下の感光性接着剤樹脂組成物液状組成物を使用することで、表面保護膜兼接着剤層2の形成性が向上すると共に、ボイドの発生等を抑制することができる。液状樹脂組成物の粘度はB型粘度計JISK7117-2で測定した値を示すものとする。乾燥後の表面保護膜兼接着剤層2中に残存する揮発成分量は30質量以下とすることが好ましく、さらに15質量以下とすることがより好ましい。これによっても、表面保護膜兼接着剤層2中のボイドが抑制され、さらに露光マスクに接触した際の膜厚バラツキの発生等が抑制される。次に、図1bに示すように、表面保護膜兼接着剤層2を所望のパターンを有するフォトマスク図示せずを用いて露光した後、表面保護膜兼接着剤層2の種類等に応じた現像液で現像処理することによって、表面保護膜兼接着剤層2に開口部3を形成する。感光性を有する表面保護膜兼接着剤層2は、ネガ型およびポジ型のいずれであってもよい。ポジ型の表面保護膜兼接着剤層2を使用する場合には、現像した後に後露光を行って硬化させて表面保護膜兼接着剤層2として機能させる。また、表面保護膜兼接着剤層2として熱硬化性樹脂を適用した場合には、半導体ウエハ1の切断工程の前に熱処理例えば120°C×1時間して半硬化状態Bステージ状態としておくことが好ましい。開口部3は、半導体ウエハ1のダイシング領域Dを露出させるように形成される。さらに、各チップ領域Xの回路面には、図3に示すように電極パッド4が設けられている。電極パッド4は他の半導体チップや配線基板、リードフレーム等の回路基材との接続部となる。このため、表面保護膜兼接着剤層2にはダイシング領域Dに加えて、電極パッド4を露出させる開口部3を形成する。図3において、電極パッド4はチップ領域Xに基づく半導体チップの1つの外形辺に沿って配置されている。この実施形態の製造方法においては、感光性を有する表面保護膜兼接着剤層2を使用しているため、複数のチップ領域Xを有する半導体ウエハ1の表面全体に表面保護膜兼接着剤層2を形成した上で、露光現像工程で開口部3を形成してダイシング領域Dおよび電極パッド4を露出させることができる。ダイシング領域Dを露出させることで、後工程の半導体ウエハ1の切断工程でダイシングブレードの目詰まりやそれに伴うチッピングの発生、さらに樹脂の飛散による不良発生等を抑制することができる。さらに、電極パッド4を露出させることで、回路基材との電気的な接続工程を安定に実施することができる。次いで、図1cに示すように、半導体ウエハ1に回路面1a側から溝5を形成する。溝5は、開口部3により表面保護膜兼接着剤層2を除去したダイシング領域Dを、その幅に応じた刃厚を有するブレードで切削することにより形成される。溝5の深さは、半導体ウエハ1の厚さより浅く、かつ半導体チップの完成時の厚さより深く設定される。半導体ウエハ1にハーフカット状態の溝5を形成する。溝5はエッチング等で形成してもよい。このような深さの溝ダイシング溝5を半導体ウエハ1に形成することで、複数のチップ領域Xはそれぞれ半導体チップの完成厚さに応じた状態で区分される。図1dに示すように、ハーフカット状態のダイシング溝5を形成した半導体ウエハ1の回路面表面1aに、表面保護膜兼接着剤層2を介して保護テープ6を貼付する。保護テープ6は、後工程で半導体ウエハ1の非回路面裏面1bを研削する際に、半導体ウエハ1の回路面1aを保護すると共に、非回路面1bの研削工程でチップ領域Xを個片化した後の半導体ウエハ1の形状ウエハ形状を維持するものである。保護テープ6としては、各種の樹脂テープ等が用いられる。次に、図1eに示すように、保護テープ6に保持された半導体ウエハ1の非回路面裏面1bを研削および研磨する。半導体ウエハ1の非回路面1bは、例えばラッピング定盤を用いて機械的に研削され、続いて研磨定盤を用いて研磨例えばドライポリッシングされる。半導体ウエハ1の非回路面1bの研削研磨工程は、回路面1a側から形成されたダイシング溝5に達するように実施される。このように、半導体ウエハ1の非回路面1bを研削することによって、各チップ領域Xは分割されて個片化される。図1eに示すように、複数のチップ領域Xはそれぞれ個片化され、これにより複数の半導体チップ7が作製される。ただし、半導体ウエハ1の全体形状は保護テープ6で保持されているため、ウエハ形状が維持されている。個片化された半導体チップ7の表面には、それぞれ表面保護膜兼接着剤層2が設けられている。表面保護膜兼接着剤層2は、半導体チップ7に設けられた電極パッド4を露出させるように形成されている。この後、図1fに示すように、個片化された半導体チップ7を有する半導体ウエハ1の非回路面1bに、ピックアップ用の支持シート8を貼付した後、保護テープ6を剥離する。図1fに示すように、複数の半導体チップ7は半導体ウエハ1の非回路面1bに貼付された支持シート8によりウエハ形状が維持されている。複数の半導体チップ7を有し、かつ全体としては支持シート8によりウエハ形状が維持されている半導体ウエハ1は、次工程のピックアップ工程に送られる。支持シート8としては、例えば紫外線硬化型粘着テープが用いられる。紫外線硬化型粘着テープは、例えばポリエチレンやポリプロピレンのようなポリオレフィン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等からなる基材シートに紫外線硬化型樹脂からなる粘着層を形成したテープである。図1c~fは、半導体ウエハ1の切断工程として、いわゆる先ダイシング工程を示している。半導体ウエハ1の切断工程は先ダイシング工程に限られるものではなく、通常のダイシング工程を適用してもよい。すなわち、開口部3が形成された表面保護膜兼接着剤層2を有する半導体ウエハ1図1bの非回路面2bに、ダイシングテープを兼ねる支持シートを貼付する。次いで、半導体ウエハ1の回路面1a側からダイシング領域Dに沿って、半導体ウエハ1をブレード等で切断する。このような切断工程によって、半導体ウエハ1を切断して複数の半導体チップ7を作製してもよい。次に、図2aに示すように、上述した表面保護膜兼接着剤層2の形成工程から切断工程までを経た半導体ウエハ1、すなわち支持シート8に貼り付けられた複数の半導体チップ7を有する半導体ウエハ1を用意し、支持シート8から複数の半導体チップ7を順にピックアップする。半導体チップ7のピックアップは、例えば支持シート8に紫外線を照射して粘着層を硬化させて粘着力を低下させてから実施される。まず、第1の半導体チップ7Aを吸着コレット9で保持して支持シート8からピックアップする。吸着コレット9は半導体チップ7を吸着して保持する吸着面9aを有している。支持シート8からピックアップされた第1の半導体チップ7Aは、次工程の実装工程に送られる。第1の半導体チップ7Aを回路基材に搭載するにあたって、図2bに示すように、配線基板10のような回路基材は加熱機構を有するステージ加熱ステージ11上に載置されている。半導体チップ7を搭載する回路基材は配線基板10に限らず、リードフレーム等であってもよい。支持シート8からピックアップされた第1の半導体チップ7Aは、加熱ステージ11上に載置された配線基板10の所定の位置に配置される。配線基板10のチップ搭載位置には、予め接着剤層12が形成されている。接着剤層12は、接着剤の塗布や接着剤フィルムの貼り付け等により形成される。第1の半導体チップ7Aを配線基板10に接着するにあって、配線基板10は予め加熱ステージ11により所定の温度に加熱されている。加熱温度は接着剤層12の接着温度に応じて設定される。接着剤層12を熱硬化性樹脂で構成した場合、例えばBステージの熱硬化性樹脂が加熱流動する温度まで加熱する。そして、配線基板10上の接着剤層12を所定の温度に加熱しつつ、吸着コレット9で第1の半導体チップ7Aを接着剤層12に押圧することによって、第1の半導体チップ7Aを配線基板10に接着する。次に、図2cに示すように、第1の半導体チップ7A上に第2の半導体チップ7Bを接着する。まず、図2aに示した工程と同様にして、第2の半導体チップ7Bを吸着コレット9で保持して支持シート8からピックアップする。支持シート8からピックアップされた第2の半導体チップ7Bは、第1の半導体チップ7Aの所定の位置に配置される。第1の半導体チップ7Aと第2の半導体チップ7Bとの接着には、第1の半導体チップ7Aの回路面に形成された第1の表面保護膜兼接着剤層2Aにより実施される。第2の半導体チップ7Bを第1の半導体チップ7A上に接着するにあって、第1の半導体チップ7Aは配線基板10を介して加熱ステージ11により所定の温度まで加熱されている。加熱温度は、表面保護膜兼接着剤層2の接着温度に応じて設定される。表面保護膜兼接着剤層2を熱硬化性樹脂で構成した場合、例えばBステージの熱硬化性樹脂が加熱流動する温度まで加熱する。そして、配線基板10上に搭載された第1の半導体チップ7Aおよび第1の表面保護膜兼接着剤層2Aを所定の温度に加熱しつつ、吸着コレット9で第2の半導体チップ7Bを第1の表面保護膜兼接着剤層2Aに押圧することによって、第2の半導体チップ7Bを第1の半導体チップ7Aに接着する。第1の半導体チップ7Aと第2の半導体チップ7Bとを接着するにあたって、第1の表面保護膜兼接着剤層2Aを加熱しつつ加圧することによって、半導体チップ7A、7B間の接着性が向上する。すなわち、第2の半導体チップ7Bに対する第1の表面保護膜兼接着剤層2Aの濡れ性が向上し、半導体チップ7A、7B間の接着信頼性を高めることができる。表面保護膜兼接着剤層2Aの接着時粘度加熱時粘度は10~10000Pasの範囲であることが好ましく、さらに10~3000Pasの範囲であることがより好ましい。このような接着時粘度を有する表面保護膜兼接着剤層2Aに半導体チップ7Bを押し付けることで、半導体チップ7A、7B間の接着信頼性を高めることができる。図5に表面保護膜兼接着剤層2Aの接着時粘度と半導体チップ7A、7B間の接着成功率との関係を示す。図5から明らかなように、表面保護膜兼接着剤層2Aを加熱して接着時粘度を10000Pas以下とすることによって、表面保護膜兼接着剤層2Aの半導体チップ7Bに対する濡れ性が向上し、半導体チップ7A、7B間の接着信頼性を高めることができる。表面保護膜兼接着剤層2Aの接着時粘度は接着信頼性等の観点から3000Pas以下とすることがより好ましい。表面保護膜兼接着剤層2Aの接着時粘度が低すぎると、溶剤等の揮発成分が発泡してボイドとなり、半導体チップ7Bの位置ずれ等が生じるおそれがあるため、表面保護膜兼接着剤層2Aの接着時粘度は10Pas以上とすることが好ましい。表面保護膜兼接着剤層2Aの接着時粘度は、JISK7244-10に定められた粘度測定法に基づいて測定するものとする。この場合、動的粘弾性測定装置平行平板振動レオメータを用いて粘度を測定できる。ところで、第2の半導体チップ7Bの表面には第2の表面保護膜兼接着剤層2Bが形成されており、吸着コレット9の吸着面9aは第2の表面保護膜兼接着剤層2Bと接しているため、第2の表面保護膜兼接着剤層2Bの状態や吸着コレット9によっては、吸着コレット9の第2の半導体チップ7Bからの離脱性が低下するおそれがある。吸着コレット9の離脱不良は、表面保護膜兼接着剤層2を用いた場合の特有の不良モードである。すなわち、通常の表面保護膜回路面と接着剤層非回路面とを用いた場合には、接着時に加熱しても吸着コレットが表面保護膜に接着するおそれはない。そこで、この実施形態では吸着コレット9の吸着面9aの第2の半導体チップ7Bに対する密着力を、第1の半導体チップ7Aと第2の半導体チップ7Bとの間の密着力より低くしている。このような第2の半導体チップ7Bに対する密着力を有する吸着面9aを備える吸着コレット9を使用することによって、第1の半導体チップ7Aと第2の半導体チップ7Bとを接着した後に、吸着コレット9が第2の半導体チップ7Bに接着して離脱できないという吸着コレット9の離脱不良の発生を防止することができる。吸着コレット9の吸着面9aは、一般的にゴムにより形成される。ゴム製吸着面9aの半導体チップ7Bに対する密着力を半導体チップ7A、7B間の密着力より低くする上で、吸着面9aはシリコーンゴムで形成することが好ましい。シリコーンゴムは離型性等に優れるため、吸着コレット9の離脱不良の発生が抑制される。さらに、ゴム製吸着面9aの表面粗さを算術平均粗さRaで0.1~100μmの範囲とすることが好ましい。このような表面粗さを有する吸着面9aを適用することで、半導体チップ7の吸着性を維持しつつ、吸着コレット9の離脱不良の発生を抑制することができる。ゴム製吸着面9aの算術平均粗さRaは、JISB0651-1976に基づいて測定するものとする。ゴム製吸着面9aの表面粗さRaが0.1μm未満であると、半導体チップ7に対する密着力が高くなりすぎて、吸着コレット9の離脱不良が発生するおそれがある。一方、ゴム製吸着面9aの表面粗さRaが100μmを超えると、半導体チップ7の吸着性が低下するおそれがある。図6にシリコーンゴム製吸着面9aの表面粗さRaと吸着コレット9の離脱成功率および半導体チップ7の吸着成功率との関係を示す。図6から明らかなように、表面粗さRaが0.1~100μmの範囲とゴム製吸着面9aを有する吸着コレット9を使用することによって、半導体チップ7の吸着性を維持しつつ、吸着コレット9の離脱不良の発生を抑制することができる。吸着コレット9のゴム製吸着面9aの表面粗さRaは1~2μmの範囲であることがより好ましい。吸着コレット9は、少なくとも吸着面9aがシリコーンゴムからなり、かつ吸着面9aの表面粗さRaが0.1~100μmの範囲であることがより好ましい。また、吸着面9aの形状は、凸状の湾曲形状であることが好ましい。このような吸着面9aは半導体チップ7Bに対する密着力が低く、半導体チップ7Bの離脱性に優れることから、吸着コレット9の離脱不良の発生をより安定的に抑制することが可能となる。なお、吸着面9aを形成する他のゴム材料としては、フッ素系ゴムポリテトロフルオロエチレン等、アクリルゴム、ウレタンゴム等が挙げられる。これらゴム材料からなる吸着面9aの表面粗さRaを0.1~100μmの範囲とすることで、吸着コレット9の離脱性を高めることができる。図7にフッ素系ゴム製吸着面9aの表面粗さRaと吸着コレット9の離脱成功率との関係を示す。この場合、フッ素系ゴム製吸着面9aの表面粗さRaは1~2μmの範囲とすることがより好ましい。さらに、吸着コレット9のゴム製吸着面9aは、JISK-6253の加硫ゴムおよび熱可塑性ゴム-硬さ試験方法に基づいて測定したゴム硬さが30~100の範囲の硬度を有することが好ましい。このような硬度を有するゴム製吸着面9aを適用することで、吸着コレット9の離脱性をより一層高めることができる。すなわち、ゴム製吸着面9aのゴム硬さを30以上とすることで、吸着コレット9の離脱性を向上させることができる。ただし、ゴム製吸着面9aのゴム硬さが高すぎると、半導体チップ7の平行吸着性が低下するため、ゴム製吸着面9aのゴム硬さは100以下とすることが好ましい。ゴム製吸着面9aのゴム硬さは50~80の範囲とすることがより好ましい。吸着コレット9の吸着面9aには、シリコーン樹脂コーティングのような表面エネルギーを低下させる表面処理を施すことも有効である。表面処理としては、シリコーン樹脂コーティング以外にフッ素系樹脂コーティング、トシカルコーティング等を適用することができる。吸着コレット9の吸着面9aは、純水に対する接触角が90~170度の範囲であることが好ましい。このような接触角を有する吸着面9aを適用することによって、吸着コレット9の離脱性を再現性よく高めることができる。吸着面9aの純水に対する接触角は110~150度の範囲であることがより好ましい。さらに、第1の半導体チップ7Aと第2の半導体チップ7Bとを接着した後、吸着コレット9を上昇させる際に、吸着コレット9を例えば0.1~50μm程度の幅でスクラブさせる処理を実施したり、また吸着コレット9に高圧エアのような冷却用気体を吹き付けて急冷する処理等を実施することも有効である。これらの処理を実施することによって、吸着コレット9の離脱性をさらに高めることができる。吸着コレット9のスクラブ処理や急冷処理は、いずれか一方を実施してもよいし、両者を同時に実施してもよい。図8に吸着コレット9の上昇時にスクラブ処理を実施した際の吸着コレット9の離脱成功率、急冷処理を実施した際の吸着コレット9の離脱成功率、これらの処理を実施しなかった場合の吸着コレット9の離脱成功率を示す。なお、吸着コレット9の吸着面9aは、いずれもシリコーンゴム製とし、その表面粗さRaは0.2μmとした。図8から明らかなように、吸着コレット9の上昇時にスクラブ処理や急冷処理を実施することによって、吸着コレット9の離脱成功率がより一層向上することが分かる。半導体チップ7の接着工程は、半導体チップ7の積層数に応じて繰り返し実施される。すなわち、図2aに示す半導体チップのピックアップ工程と、図2cに示す半導体チップ7の接着工程とを繰り返し実施し、配線基板10上に必要数の半導体チップ7を積層する。図4は配線基板10上に第1ないし第5の半導体チップ7A~7Eを積層した状態を示している。第1ないし第5の半導体チップ7A~7Eは、それぞれの電極パッド4が露出するように、配線基板10上に階段状積層されている。第1ないし第5の半導体チップ7A~7Eの電極パッド4は、それぞれ配線基板10の接続パッド接続部13と金属ワイヤ14を介して電気的に接続されている。電極パッド4と接続パッド13との接続は、金属ワイヤ14に代えて導電性樹脂等による印刷配線層により実施してもよい。半導体チップ7A~7Eに対してワイヤボンディングを実施するにあたって、予め各チップ7A~7E上の表面保護膜兼接着剤層2にキュア処理を施して硬化させておくことが好ましい。これによって、ワイヤボンディング性を高めることができる。表面保護膜兼接着剤層2のキュア処理は、必要数の半導体チップ7A~7Eを積層した後に実施することが好ましい。半導体チップ7A~7Eに対するワイヤボンディングは、表面保護膜兼接着剤層2をキュア処理した半導体チップ7A~7Eに一括して実施することが好ましい。キュア処理後の表面保護膜兼接着剤層2は、175°Cにおける貯蔵弾性率が40MPa以上であることが好ましい。表面保護膜兼接着剤層2はワイヤボンディング時に加圧および加熱されて軟化する。この際に、175°Cにおける貯蔵弾性率が40MPa未満であると、半導体チップ7が撓んで接合不良やチップ割れ等が生じるおそれがある。すなわち、175°Cにおける貯蔵弾性率が40MPa以上である表面保護膜兼接着剤層2を適用することによって、ワイヤボンディングによる接続信頼性等を高めることが可能となる。表面保護膜兼接着剤層2の175°Cにおける貯蔵弾性率は、JISK7244-4のプラスチック動的機械特性の試験方法に準拠して測定するものとする。さらに、キュア処理後の表面保護膜兼接着剤層2は、260°Cにおける貯蔵弾性率が2MPa以上であることが好ましく、260°Cにおける半導体チップ7とのダイシェア強度が0.6MPa以上であることが好ましく、温度85°C、相対湿度85の環境下に24時間放置した際の吸水率が0.8以下であることが好ましい。これらによって、半田リフロー工程における表面保護膜兼接着剤層2の信頼性等を高めることができる。すなわち、耐リフロー性を評価するリフロー性試験260°Cの水蒸気圧下で実施の際に、接着剤とチップとの界面剥離や接着剤の凝集破壊等を抑制する上で、上記した3つの条件を満足させることが好ましい。上記した3つの条件はJISK7244-4のプラスチック動的機械特性の試験方法に準拠して測定するものとする。そして、半導体チップ7A~7Eの電極パッド4と配線基板10の接続パッド13とを電気的に接続した後、半導体チップ7A~7Eを金属ワイヤ14等と共に封止樹脂層15で封止することによって、半導体パッケージ16が作製される。配線基板10の下面側には、図示を省略した半田バンプ等による外部電極が設けられる。半導体パッケージ16には各種公知の構成を適用することができる。例えば、半導体チップ7を実装する回路基材は、配線基板10に代えてリードフレーム等であってもよい。第1の実施形態の製造方法によれば、表面保護膜兼接着剤層2を用いた場合においても、半導体ウエハ2から半導体チップ7を順にピックアップして積層する通常の積層工程を適用して、信頼性に優れる積層型半導体装置を歩留りよく作製することができる。すなわち、半導体チップ7間の接着信頼性を保ちつつ、吸着コレット9の半導体チップ7からの離脱不良等による不良発生を抑制することができる。さらに、表面保護膜兼接着剤層2を用いることで、積層型半導体装置の厚さを低減することができる。なお、第1の実施形態では第1ないし第5の半導体チップ7A~7Eを配線基板10上に順に積層したが、半導体チップ7の積層数はこれに限定されるものではなく、回路基材上に搭載した半導体チップ7A上に少なくとも1つの半導体チップ7を積層する構成であればよい。第2の実施形態図9は第2の実施形態の積層型半導体装置の製造方法を適用して作製した半導体パッケージを示す断面図である。図9に示す半導体パッケージ20は、第1の実施形態と同様にして作製並びにピックアップすると共に、配線基板10上に順に積層された第1ないし第4の半導体チップ7A~7Dを有している。ただし、第1および第2の半導体チップ7A、7Bと第3および第4の半導体チップ7C、7Dの階段方向は逆向きとされている。第1および第2の半導体チップ7A、7Bは、配線基板10上に階段状に順に積層されている。第3および第4の半導体チップ7C、7Dは第2の半導体チップ7B上に、第1および第2の半導体チップ7A、7Bの階段方向とは逆方向に順に積層されている。第1ないし第4の半導体チップ7A~7Dは、いずれも第1の実施形態の半導体チップ7と同様な構成を有している。すなわち、第1ないし第4の半導体チップ7A~7Dの回路面には、それぞれ第1ないし第4の表面保護膜兼接着剤層2A~2Dを有している。表面保護膜兼接着剤層2A~2Dの具体的な構成等は、第1の実施形態と同様である。さらに、第1ないし第4の表面保護膜兼接着剤層2A~2Dには、ウエハ段階の露光現像工程図1a~bで、電極パッドを露出させる開口部が設けられている。図9に示す半導体パッケージ20の製造工程について、図10を参照して説明する。まず、図10aに示すように、図2a~cと同様な工程を実施して、配線基板10上に第1および第2の半導体チップ7A、7Bを階段状に順に積層する。次いで、第1および第2の半導体チップ7A、7Bの電極パッド4にワイヤボンディングを実施して、電極パッド4と配線基板10の接続パッド13とを金属ワイヤ14を介して電気的に接続する。この際、ワイヤボンディング性を高めるために、ワイヤボンディング工程の前に第1の表面保護膜兼接着剤層2Aをキュア処理して硬化させておくことが好ましい。第1および第2の半導体チップ7A、7Bを積層した後にキュア処理を行うと、第2の表面保護膜兼接着剤層2Bも硬化して接着性が損なわれてしまう。また、ワイヤボンディング工程の前にキュア処理を実施しなくても、ワイヤボンディング工程における熱履歴で硬化が進み、接着性が損なわれるおそれがある。そこで、図10bに示すように、第2の表面保護膜兼接着剤層2B上に接着剤層21を形成した後、第3の半導体チップ7Cを積層する。接着剤層21は、第2の表面保護膜兼接着剤層2B上に熱硬化性樹脂からなる接着剤を塗布したり、また接着剤フィルムを貼り付けることにより形成される。接着剤層21を適用することで、チップ積層体の階段方向を逆方向にする場合においても、ワイヤボンディング性を維持しつつ、半導体チップ7間の接着信頼性を高めることができる第3の半導体チップ7Cは、図2aに示した工程と同様にして、吸着コレット9で保持して支持シート8からピックアップされた後、第2の半導体チップ7Bの所定の位置に配置される。第3の半導体チップ7Cは、電極パッド4の位置が第2の半導体チップ7Bとは逆方向となるように配置される。第2の半導体チップ7Bと第3の半導体チップ7Cとの接着は、第2の表面保護膜兼接着剤層2B上に形成された接着剤層21により実施される。接着工程は第1の実施形態と同様であり、第2の半導体チップ7Bを所定の温度に加熱しつつ、吸着コレット9で第3の半導体チップ7Cを接着剤層21に押圧することによって、第3の半導体チップ7Cを第2の半導体チップ7Bに接着する。次に、図10cに示すように、第3の半導体チップ7C上に第4の半導体チップ7Dを接着する。第3の半導体チップ7Cと第4の半導体チップ7Dとの接着は、第3の半導体チップ7Cの回路面に形成された第3の表面保護膜兼接着剤層2Cにより実施される。第4の半導体チップ7Dは、電極パッド4の位置が第3の半導体チップ7Cと同方向となるように配置される。接着工程は第1の実施形態と同様である。そして、第3および第4の表面保護膜兼接着剤層2C、2Dをキュア処理して硬化させた後、第3および第4の半導体チップ7C、7Dの電極パッド4にワイヤボンディングを実施する。この後、図4に示した半導体パッケージ16と同様に、半導体チップ7A~7Dを金属ワイヤ14等と共に封止樹脂層15で封止することによって、図9に示す半導体パッケージ20が作製される。配線基板10の下面側には、図示を省略した半田バンプ等による外部電極が設けられる。図9および図10では2つの半導体チップ7を同方向に積層してチップ積層体を構成すると共に、そのような2個のチップ積層体を階段方向が逆方向となるように積層した状態を示している。チップ積層体を構成する半導体チップの数やチップ積層体の積層数は特に限定されず、それぞれ複数であればよい。なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施し得るものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同時に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。