"GaAs基板上に1対の電極がギャップを設けて形成されてなるアンテナと、前記1対の電極間に電圧を印加する電圧印加手段と、前記アンテナのギャップに波長1490~1640nmの光パルスを照射する光照射手段と、を備えることを特徴とするテラヘルツ波発生装置。前記光照射手段は、前記1対の電極の両方または一方の近傍のみに前記光パルスを照射することを特徴とする請求項1に記載のテラヘルツ波発生装置。前記光パルスのビーム径は、前記ギャップの離間距離よりも小さいことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のテラヘルツ波発生装置。前記アンテナはダイポールアンテナであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のテラヘルツ波発生装置。前記電圧は直流電圧であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のテラヘルツ波発生装置。しかしながら、非特許文献1の報告例では、光伝導アンテナを構成する基板にInGaAs基板を用いているため、光パルスにより生じたキャリアに対する基板の電気抵抗値が低く、その結果として、発生したテラヘルツ波にノイズが多く含まれてしまう、という問題がある。本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ノイズの少ないテラヘルツ波を発生させることが可能なテラヘルツ波発生装置を提供することにある。本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、GaAs基板上に1対の電極がギャップを設けて形成されてなるアンテナと、前記1対の電極間に電圧を印加する電圧印加手段と、前記アンテナのギャップに波長1490~1640nmの光パルスを照射する光照射手段と、を備えることを特徴とするテラヘルツ波発生装置である。また、上記テラヘルツ波発生装置において、前記光照射手段は、前記1対の電極の両方または一方の近傍のみに前記光パルスを照射することを特徴とする。また、上記テラヘルツ波発生装置において、前記光パルスのビーム径は、前記ギャップの離間距離よりも小さいことを特徴とする。また、上記テラヘルツ波発生装置において、前記アンテナはダイポールアンテナであることを特徴とする。また、上記テラヘルツ波発生装置において、前記電圧は直流電圧であることを特徴とする。本発明によるテラヘルツ波発生装置は、光伝導アンテナを構成する半導体基板としてGaAs基板を用いている。GaAs基板はInGaAs基板よりも電気抵抗値が高い。したがって、本発明によるテラヘルツ波発生装置はノイズの少ないテラヘルツ波を発生させることが可能である。以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳しく説明する。図1は、本発明の実施形態によるテラヘルツ波発生装置1の構成を示す図である。テラヘルツ波発生装置1は、光伝導アンテナ10とバイアス電源20を有する。光伝導アンテナ10は、低温300°C程度以下でGaAs膜を成長させたGaAs基板101の一方の面M1上に、ダイポールアンテナ102を形成した構成である。ダイポールアンテナ102には、バイアス電源20が接続される。このバイアス電源20によって、ダイポールアンテナ102のギャップG間に直流のバイアス電界を印加する。また、GaAs基板101のダイポールアンテナ102が形成された面M1側から、フェムト秒の光パルスをダイポールアンテナ102のギャップGに照射する。すると、GaAs基板101内には光パルスによって寿命が~300fs程度のキャリア自由電子が生成され、このキャリアが直流バイアス電界により加速されて、~ps程度の時間幅を有するパルス状の瞬時電流が生じる。この瞬時電流によって、瞬時電流の時間微分に比例した強度分布を持つ電磁波、すなわちテラヘルツ波が放射される。GaAs基板101は従来用いられていたInGaAs基板よりも電気抵抗値が高いため、ノイズの少ないテラヘルツ波を得ることが可能である。キャリアを生成するための光パルスは、1.5μm帯1490nm~1640nmのフェムト秒パルスレーザ光パルス幅:~100fsを用いる。この光パルスは、不図示のレンズ等の集光手段によって、ダイポールアンテナ102のギャップ間隔Lgより小さいスポットに集光されて、ダイポールアンテナ102のギャップGへ照射される。図2に、光パルスをダイポールアンテナ102のギャップGに照射した様子を示す。同図に示されるように、ダイポールアンテナ102は、ダイポール長Ldが例えば50μmであり、電極間のギャップ間隔Lgが例えば10μmである。そして、光パルスは、スポットが例えば5μm<Lg程度に絞り込まれて、ダイポールアンテナ102のプラス側の電極102Aにスポットの一部がオーバーラップするようにして照射される。このとき、GaAs基板101の光パルスが照射された領域、すなわちダイポールアンテナ102のプラス電極102A近傍に、自由電子がキャリアとして生成され、生成された自由電子は直流バイアス電界によってプラス電極102Aへ引き寄せられて、テラヘルツ波の放射源である瞬時電流jを生じさせる。このように、テラヘルツ波はダイポールアンテナ102の一方の電極近傍の局所的な瞬時電流jによって発生するため、光パルスを照射するのは、必ずしもダイポールアンテナ102のギャップGの全体両方の電極102A,102Bに光パルスのスポットが重なるようにではなく、キャリアがバイアス電界で移動していく方の電極近傍だけでよい。よって、光パルスは、ダイポールアンテナ102のギャップGの大きさによらず、ギャップGよりも小さなスポットに集光して光伝導アンテナ10に照射することができ、これにより、テラヘルツ波の発生効率を向上させることができる。その理由は、GaAsのバンドギャップエネルギーは波長1.5μm帯の光子エネルギーの約2倍であり、GaAs基板101中では二光子吸収過程によってキャリア自由電子が励起されるので、光パルスのパワー密度を高くするほど、発生するキャリア数が増加するからである。なお、光子エネルギーがGaAsのバンドギャップエネルギーと同程度の波長帯、例えば波長780nmの光パルスを用いた場合には、二光子吸収過程が起きないため、光パルス照射により発生するキャリア数は光パルスのパワー密度に無依存となる。図3,図4に、波長1560nmの光パルスを用いてテラヘルツ波を発生させた実験結果の例を示す。実験は、光パルスのスポットビーム径φをそれぞれ6.9μm,3.5μm,3.0μmに集光して図2のように光伝導アンテナ10に照射して行った。但し、光パルスのパワーは一定とした。図3は、発生したテラヘルツ波の時間波形を計測したものであり、横軸は時間、縦軸はテラヘルツ波検出装置でテラヘルツ波を計測して得られた電流値テラヘルツ波の強度に相当を表す。図4は、図3の時間波形の振幅ピークとピークの差を縦軸にとり、ビーム径を横軸にとったものである。図3,図4から、光パルスのスポットを小さくするほど、すなわち、光パルスのパワー密度が高いほど、発生するテラヘルツ波の強度を大きくすることができることが分かる。図5A,Bに、本実施形態によるテラヘルツ波発生装置1の光伝導アンテナ10に適用可能なダイポールアンテナの変形例を示す。同図Aはボウタイ型、同図Bはスパイラル型の構成である。なお、光伝導アンテナ10の形状はこの例に限定されず、光パルスが照射される領域において電極間にギャップを有するものであればよい。図6に、テラヘルツ波発生装置の変形例を示す。光パルスは、シングルモード光ファイバ、GRINコリメータレンズ、GRINコンデンサレンズを介してGaAs基板101上のダイポールアンテナ102のギャップに照射される。発生したテラヘルツ波は、半球レンズを介して外部へ取り出される。このように光ファイバ、レンズ、および基板を一体化した構成、すなわち空間系とは異なるインライン型の構成を用いて光パルスを入射させることで、非常に微細な金属パターンであるダイポールアンテナへの異物の混入を防ぎ、短絡等の不具合を防止することができる。また、基板へ照射される光パルスは基板上のミクロンオーダーの微小部分に照射する必要があるため高精度で安定した光学系が要求されるが、本構成のように各部品が接着剤等で強固に固定されることで、基板へ照射される光パルスの位置ずれを抑制することができる。以上、図面を参照してこの発明の一実施形態について詳しく説明してきたが、具体的な構成は上述のものに限られることはなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲内において様々な設計変更等をすることが可能である。"