半導体チップと、前記半導体チップを搭載するダイパッドと、前記ダイパッド上に半導体装置に接着するためのダイボンド材と、前記ダイパッドの周縁部に形成された溝構造と、前記溝構造に連結され、前記半導体チップの下面からはみ出したダイボンド材を溜める液溜まり構造と、を備えたことを特徴とする半導体装置。回路基板またはセラミック基板上に形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。リードフレーム上に形成され、溝構造と液溜まり構造との連結溝構造をダイパッド支持部上に形成した請求項1に記載の半導体装置。リードフレーム上に形成され、ダイパッド支持部上に前記液溜まり構造を備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記溝構造の断面形状が三角形形状であることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体装置。前記溝構造に用いられる表面材料のダイボンド材に対しての濡れ性が、基板表面材料に対しての濡れ性よりも高いことを特徴とする請求1から5のいずれか一項に記載の半導体装置。半導体チップ上のワイヤーボンディングパッドと、リードフレームあるいは回路基板上のワイヤーボンディングパッドとを電気的に接続するための金属ワイヤを備えたことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の半導体装置。半導体チップ、金属ワイヤー、リードフレームあるいは回路基板上のワイヤーボンディングパッドの少なくとも一部が樹脂材料によって封止されていることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体装置。しかし、特許文献1に記載の技術では余分なダイボンド材が半導体チップ上面に乗り上げてしまい、半導体チップ上面にあるパッドを汚染してしまう。このため、ワイヤーボンディング不良を防止することができない。また、特許文献2に記載の技術では、この方法でははみ出したダイボンド材が多くなると、結局溝の外側にダイボンド材がはみ出てしまい、ワイヤボンディング不良が発生する問題を解決できない。また、特許文献3に記載の技術では、半導体チップワイヤボンディングパッド間距離1mm以下と小さい場合や、ダイボンド材の粘度が低い場合、凸形状突起により導かれたダイボンド材がワイヤーディングパッドに乗り上げてしまう。そこで、本発明は、上記問題に鑑み、ワイヤボンディング不良の発生を抑制した半導体装置を提供することを目的とする。本発明に係る半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チップを搭載するダイパッドと、前記ダイパッド上に半導体装置に接着するためのダイボンド材と、前記ダイパッドの周縁部に形成された溝構造と、前記溝構造に連結され、前記半導体チップの下面からはみ出したダイボンド材を溜める液溜まり構造と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、ワイヤボンディング不良の発生を抑制した半導体装置の提供を実現することができる。本発明に係る半導体装置の実施の形態を説明する。本発明に係る半導体装置は、以下の特徴を有する。本発明に係る半導体装置は、半導体チップと、半導体チップを搭載する任意形状のダイボンドパッドと、半導体チップとダイボンドパッドを接着するダイボンド材と、ダイボンドパッド周縁部に作製された溝構造と、溝構造に作製された液溜まり構造とを有する半導体装置であり、はみ出したダイボンド材を、溝構造を伝わって液溜まり構造に導くことにより、ワイヤボンディングパッドへの乗り上げを防止することができるようにしたものである。本発明に係る半導体装置は、表面実装型の集積回路のみならず挿入型の集積回路に適用できる。<実施の形態1>上記記載の本発明の特徴について、以下の図面を用いて詳細に解説する。尚、本実施の形態では、半導体装置がBGAの場合で説明するが、本発明は、これに限定されるものではない。図1は、本発明に係る半導体装置に用いられる基板の一実施の形態を示す上面図であり、図1は、図1のIb-Ib線断面図であり、図1は、完成後の半導体装置の側面断面図の一例である。図1に示す半導体装置は、基板10と、ダイパッド11と、溝構造12と、液溜まり構造13と、ワイヤボンディングパッド1419と、ソルダーボール16と、半導体チップ17と、モールド樹脂18と、を有する。図1、に示すダイパッド11は、半導体チップ17を搭載する任意形状のパッドであり金属からなる。基板10は、例えば、ガラスエポキシかセラミックスパッケージのパッケージ部材からなる。基板10の材質がガラスエポキシの場合は、表面が樹脂材料となり、セラミクスパッケージの場合は、セラミクスとなる。基板10のダイパッド11の外周部には溝構造12が形成されている。溝構造12には液溜まり構造12が連結されている。基板10のワイヤボンディングパッド14の外周には、ワイヤボンディングパッド14とめっきスルーホールによって導通するソルダーボール11が縦横にグリッド状に配置されている。半導体チップ17をダイパッド11に固着させる際、接着材として使用されるダイボンド材が半導体チップの下面からはみ出してしまうが、はみ出したダイボンド材は溝構造12を伝って液溜まり構造13に集まって溜まるようになっている。このため、ダイボンド材が溝構造12を乗り越えてワイヤボンディングパッド14に到達することを防止することができる。このような構成により、ワイヤボンディングパッド14へのダイボンド材の乗り上げが生じないので、後工程である、金属ワイヤとしてのボンディングワイヤ20を用いたワイヤボンディング工程での不良の発生を防止することができる。なお、液溜まり構造13は、本実施の形態では矩形となっているが、溝構造12と連結し、はみ出したダイボンド材が集まる構成となっていれば良く、その形状は矩形には限定されない。また、液溜まり構造13は、本実施の形態では四隅に配置されているが、四隅に限定されない。尚、図1、の構造はリードフレームではなく、回路基板あるいはセラミック基板の場合となる。<実施の形態2>図2は、本発明に係る半導体装置に用いられるリードフレームの一例を示す上面図である。半導体装置は、不図示の半導体チップと、半導体チップを搭載するダイパッド11と、ダイパッド11の周縁部に作製された溝構造12と、溝構造12に連結され、余分なダイボンド材が溝構造12を伝わって貯蔵される液溜まり構造13と、不図示のモールド樹脂と、を有するものである。ダイパッド11を支持する支持部15上に溝構造12と液溜まり構造13とを連結する溝部が形成されている。このような構成によって、半導体チップの下面からはみ出したダイボンド材が溝構造12を伝わって液溜まり構造13に集められて溜まるため、溝構造12の外周にダイボンド材がはみ出すことは無い。従って、ダイパッド11の下面にダイボンド材が回り込むことを防止することができる。尚、図2に示すリードフレームは、ワイヤボンディングの2ndボンディングを行うリード側の電極を台形領域に形成する。台形領域にはワイヤボンディングの2ndパッドが複数整列されており、半導体チップがダイボンドパッド11にダイボンドされた場合、半導体チップのパッドと台形領域に整列した複数の2ndパッドとがボンディングワイヤにより電気的に接続される。<実施の形態3>図3は、本発明に係る半導体装置に用いられる基板の他の一例を示す上面図である。同図において、ダイパッド周縁部の溝構造12の断面形状が矩形ではなく、三角形形状の構造の本発明を実施した半導体装置の断面図である。図3に示すように、半導体チップ21をダイパッド11に搭載するときに、ダイボンド材22は半導体チップ21の下面よりはみ出す。溝構造12の断面形状が矩形形状の場合、ダイボンド材22の表面張力により、順調に溝構造12にダイボンド材22が入らないおそれがある。この場合、ワイヤーボンディングパッド14上にダイボンド材22が乗り上げたり、半導体チップ21の上に乗り上げてしまう。その結果、ワイヤボンディング不良が発生する。溝構造12を図3に示すように、三角形断面形状とすることで、ダイボンド材22が表面張力によって妨げられることなく、溝構造12に入り込む。このことにより、ダイボンド材22のワイヤボンディングパッド14への乗り上げや、半導体チップ22への乗り上げを防止することができる。その結果、ワイヤボンディング不良を防止することができる。また、この三角形断面形状を持つ溝構造12は、回路基板、セラミック基板、リードフレームのいずれの場合でも適用できる。<実施の形態4>図4は、本発明に係る半導体装置に用いられる基板の他の一例を示す上面図である。同図に示す基板は、溝構造12部分の材料をダイボンド材22が濡れやすい材料としたものである。溝構造12の材料をダイボンド材22の濡れ性が大きい材料とすることで、半導体チップ21下面からはみ出したダイボンド材22が溝構造12からワイヤボンディングパッド14方向にはみ出したとしても、ダイボンド材22が図4の矢印方向に流れやすいため、ワイヤボンディングパッド14にダイボンド材22が乗り上げることを防止できる。例えば、半導体チップと基板の線膨張係数の不一致により熱応力の緩和のため、低弾性率であるシリコーンダイボンド材が使用されている。このシリコーンダイボンド材はAu表面での濡れ性が良いため、溝構造12の表面をAuとすることにより、この効果を得られる。<作用効果>半導体チップとワイヤーボンディングパッドの距離が1mm以下と小さい場合や、ダイボンド材の粘度が低い場合にも、ダイボンド材のワイヤーボンディングパッドへの乗り上げを防止できる。これは、ダイパッドの周縁部に、半導体チップ下面をはみ出したダイボンド材が流れ込む溝構造を持ち、その溝構造に液溜まり構造を作製することにより、溝構造より外周へダイボンド材がはみ出すことが無くなるためである。以上のことより、ワイヤーボンディングパッドへのダイボンド材乗り上げを防止できる。尚、上述した実施の形態は、本発明の好適な実施の形態の一例を示すものであり、本発明はそれに限定されることなく、その要旨を逸脱しない範囲内において、種々変形実施が可能である。例えば、上述の説明では、半導体装置がBGAの場合で説明したが、LGASOPSOJCFPSOTQFPPLCCLLCCTCPLLPDFNCOBCOFCOGを含む表面実装型やDOパッケージ、TOパッケージ、DIPSIPZIPPGAを含む挿入型に適用してもよい。ここで、LGAはLandGridArrayの略であり、SOPはSmallOutlinePackageの略であり、SOJはSmallOutlineJleadedの略であり、CFPはCeramicFlatPackageの略であり、SOTはSmallOutlineTransistorの略であり、QFPはQuadFlatPackageの略である。PLCCはPlasticLeadedChipCarrierの略であり、LLCCはLeadLessChipCarrierの略であり、TCPはTapeCarrierPackageの略であり、LLPはLeadlessLeadframePackageの略であり、DFNはDualFlatpackNoleadedの略である。COBはChipOnBoardの略であり、COFはChipOnFilmの略であり、COGはChipOnGlassの略であり、SOJはSmallOutlineJleadedの略であり、CFPはCeramicFlatPackageの略であり、SOTはSmallOutlineTransistorの略である。QFPはQuadFlatPackageの略であり、PLCCはPlasticLeadedChipCarrierの略であり、LLCCはLeadLessChipCarrierの略であり、TCPはTapeCarrierPackageの略であり、LLPはLeadlessLeadframePackageの略であり、DFNはDualFlatpackageNoleadedの略である。