複数個のプローブ収容孔を備えたプローブブロックと;前記プローブ収容孔の各々に収容されたプローブであって、外周を前記プローブ収容孔の内周と接触させ、かつ、検査時に対象物と接触する下端部を前記プローブブロックから突出させた複数本のプローブと;前記プローブブロックを冷却する1又は2以上の冷却手段を有している電力用半導体デバイス検査用プローブ集合体。前記冷却手段の一つが前記プローブブロックに冷却用気体を吹き付ける送風装置である請求項1記載の電力用半導体デバイス検査用プローブ集合体。前記プローブブロックが冷却用フィンを備えている請求項2記載の電力用半導体デバイス検査用プローブ集合体。複数本の前記プローブが上端部を前記プローブブロックから突出させており、その突出した上端部が冷却用フィンを兼ねている請求項3記載の電力用半導体デバイス検査用プローブ集合体。前記プローブブロックがプローブブロック内及び/又はプローブブロック外に冷却室を有し、前記冷却手段の一つが前記冷却室に冷却媒体を供給する冷却媒体供給装置である請求項1~4のいずれかに記載の電力用半導体デバイス検査用プローブ集合体。前記冷却室が、前記プローブの前記下端部が前記プローブブロックから突出している方向に開口する冷却媒体出口を有しており、前記冷却媒体が気体である請求項5記載の電力用半導体デバイス検査用プローブ集合体。前記冷却手段の一つがペルチエ素子である請求項1~6のいずれかに記載の電力用半導体デバイス検査用プローブ集合体。前記プローブブロックの温度を計測する温度センサを備えている請求項1~7のいずれかに記載の電力用半導体デバイス検査用プローブ集合体。前記温度センサの出力信号に基づいて前記冷却手段の動作を調整し、前記プローブブロックの温度を制御する制御装置を備えている請求項8記載の電力用半導体デバイス検査用プローブ集合体。前記複数本のプローブがフォース用プローブを含み、前記フォース用プローブが前記プローブ収容孔の内周との接触部を介して前記プローブブロックと電気的に導通している請求項1~9のいずれかに記載の電力用半導体デバイス検査用プローブ集合体。請求項1~10のいずれかに記載の電力用半導体デバイス検査用プローブ集合体を備えてなる電力用半導体デバイス検査装置。本発明は、上記従来技術の状況に鑑みて為されたもので、電力用半導体デバイスの大電流検査において、プローブや半導体デバイスの通電による発熱に起因する温度上昇を有効に防止し、正確な測定を可能にする電力用半導体デバイス検査用プローブ集合体と、それを用いる電力用半導体デバイス検査装置を提供することを課題とするものである。本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、プローブカードに代えて、複数本のプローブを保持するプローブ収容孔を備えたプローブブロックを用い、このプローブブロックをヒートシンクとしてプローブを冷却することにより、簡単な構造でプローブを有効に冷却できることを見出した。また、冷却媒体をプローブブロックと検査対象である電力用半導体デバイスに向かって噴出させることによって、プローブと電力用半導体デバイスの双方を有効に冷却できることを見出して、本発明を完成した。すなわち、本発明は、複数個のプローブ収容孔を備えたプローブブロックと;前記プローブ収容孔の各々に収容されたプローブであって、外周を前記プローブ収容孔の内周と接触させ、かつ、検査時に対象物と接触する下端部を前記プローブブロックから突出させた複数本のプローブと;前記プローブブロックを冷却する1又は2以上の冷却手段を有している電力用半導体デバイス検査用プローブ集合体、及びそれを用いる電力用半導体デバイス検査装置を提供することによって、上記の課題を解決するものである。本発明のプローブ集合体は、プローブブロック内に複数本のプローブを各プローブの外周とプローブ収容孔の内周とを接触させた状態で収容し、プローブブロックを介してプローブを冷却するようにしているので、プローブブロックがヒートシンクとして機能し、冷却媒体をプローブに直接吹き付けて冷却する場合に比べて、より有効にプローブを冷却することができる。したがって、本発明のプローブ集合体におけるプローブブロックは熱伝導性の良い材料で構成されるのが望ましく、さらには、熱伝導性に加えて電気伝導性の良い材料で構成されているのがより好ましい。プローブブロックが熱伝導性に加えて電気伝導性の良い材料で構成されている場合には、プローブブロックを介してプローブを有効に冷却することができるばかりでなく、プローブブロックを通してプローブ、特にフォース用プローブに大電流を供給することができる。熱伝導性と電気伝導性の双方に優れた材料としては、例えば、銅、アルミニウム、銀などの金属を挙げることができる。プローブブロックを冷却する手段としては種々の手段を用いることができる。例えば、プローブブロックに冷却用気体を当ててプローブブロックを冷却する送風装置、プローブブロック内又はプローブブロック外或いはその双方に設けられた冷却室とその冷却室に冷却媒体を供給する冷却媒体供給装置、又は、プローブブロックを冷却するペルチエ素子などの冷却手段を用いることができ、これらはそれぞれ単独で用いることもできるし、2種以上を組み合わせて用いることも有効である。また、プローブブロックには冷却用気体との熱交換効率を高めるために、適宜の形状の冷却用のフィンを設けることができる。場合によっては、冷却用フィンを設ける代わりに、プローブブロックに収容される複数本のプローブの上端部をプローブブロックから突出させ、その突出したプローブ上端部を冷却用フィンとして利用するようにしても良い。電力用半導体デバイスを冷却するには、プローブブロックの冷却に用いた冷却用気体や冷却媒体を用いることができる。例えば、プローブブロックの冷却に用いた冷却用気体を用いて電力用半導体デバイスを冷却する場合には、冷却用気体をプローブブロックの上方からプローブブロックに向かって吹き付けて、冷却用気体がプローブブロックと熱交換した後にその下に位置する電力用半導体デバイスに当たるようにすれば良い。また、プローブブロックの冷却に用いた冷却媒体を用いて電力用半導体デバイスを冷却する場合には、冷却媒体が供給される冷却室に、プローブの下端部がプローブブロックから突出している方向、すなわち、検査時に電力用半導体デバイスが位置する方向に開口する冷却媒体出口を設け、冷却室に供給された冷却媒体がプローブブロックと熱交換した後に上記冷却媒体出口から噴出して下方に位置する電力用半導体デバイスに当たるようにすれば良い。この場合、用いる冷却媒体としては、電力用半導体デバイスの検査に支障がないように、気体の冷却媒体を用いるのが好ましい。さらに、本発明のプローブ集合体は、その好適な一態様において、プローブブロックの温度を計測する温度センサを備えており、プローブブロックの温度を常時監視して、プローブブロックとそれと熱的に接しているプローブの温度を常に把握することができるように構成されている。また、本発明のプローブ集合体は、その好適な一態様において、前記温度センサの出力信号に基づいて冷却手段の動作を調整し、プローブブロックの温度を制御する制御装置を備えており、常に最適なプローブ温度で電力用半導体デバイスの特性検査を行うことが可能である。本発明の電力用半導体デバイス用プローブ集合体によれば、プローブを通して電力用半導体デバイスに大電流を流した場合でも、プローブや検査対象となる電力用半導体デバイスの温度上昇が抑制されるので、温度ドリフトのない正確な測定が可能であり、電力用半導体デバイスについて、ウエハ状態で、或いはチップ状に切り出した状態での実際の使用条件に即した特性検査が可能となるという利点が得られる。また、本発明のプローブ集合体を備えた電力用半導体デバイス検査装置によれば、電力用半導体デバイスの実際の使用条件に即した特性検査を、ウエハ状態で、或いはチップ状に切り出した状態で行うことができるので、パッケージ後の最終検査で特性不良が発見される割合を著しく低減させ、製品コストの上昇や廃棄物量の増加を抑制することができるという利点が得られる。以下、本発明が対象とする電力用半導体デバイスの一例としてIGBTを例に、図面を用いて本発明を説明するが、本発明の対象がIGBTに限られないこと、また、本発明が図示のものに限られないことは勿論である。図1は、本発明のプローブ集合体を備える電力用半導体デバイス検査装置の一例を示す正面部分断面図、図2はその平面図である。図1、図2において、101は電力半導体デバイス検査装置であり、102はチャックステージ、103はチャックステージ102をその上に載置、保持する絶縁板、104は断熱板である。絶縁板103と断熱板104との間には後述するヒータが介挿されている。105は、チャックステージ102を絶縁板103及び断熱板104と共にXYZ及びθ方向に移動させるXYZ-θステージ、106は表面電極用プローブ集合体を保持するマニュピレータ、107は裏面電極用プローブ集合体を保持するマニュピレータ、108はテスタである。表面電極用プローブ集合体及び裏面電極用プローブ集合体は、それぞれマニュピレータ106及び107によって、XYZ方向に微小範囲で移動可能である。Wは検査対象となるウエハ、109はウエハWを収容するウエハカセット、110はウエハカセット109からウエハWを取り出してチャックステージ102上の後述するウエハ保持部に載置するとともに、検査が終了したウエハWをウエハ保持部から外部へと搬出するウエハ搬送装置である。ウエハ搬送装置110がウエハWを搬送する機構に関しては、ウエハWを搬送することができる限り特段の制限はなく、例えば、ベルヌーイ方式のウエハ搬送装置などを好適に用いることができる。111は検査装置101の上部ベースプレートであり、上部ベースプレート111には、長円形の穴112が設けられている。マニュピレータ106、107は、上部ベースプレート111における長円形の穴112の縁部近傍に取り付けられ、片持ち式に伸ばした腕と、その腕の先端部から長円形の穴112を通過して下方に突出した保持部によって、後述する表面電極用プローブ集合体及び裏面電極用プローブ集合体を上部ベースプレート111よりも下方の位置に保持している。113はフォース用導電性部材、114A、114Bは導電性ケーブルであり、後述する表面電極用プローブ集合体は、フォース用導電性部材113及び導電性ケーブル114Aを介してテスタ108に、裏面電極用プローブ集合体は導電性ケーブル114Bを介してテスタ108に接続されている。なお、検査装置101は、上記部材以外に、アライメント用の図示しない顕微鏡や撮像装置を備えている。図3はチャックステージ102とその周辺部だけを取り出して示す拡大正面図である。図3において、115は絶縁板103と断熱板104との間に介挿されたヒータであり、図示しない電力源から電力の供給を受けてチャックステージ102と、チャックステージ102のウエハ保持部上に載置されるウエハWとを加熱する。ウエハ保持部には図示しない温度センサが取り付けられており、その温度センサからの信号に基づいてヒータ115に供給する電力を加減することによって、チャックステージ102と、ウエハ保持部上に載置されるウエハWとを所定の温度に加熱することができる。図4は図3の平面図である。図に示すとおり、チャックステージ102の上面には、αで示されるウエハ保持部と、βで示されるプローブコンタクト領域が、互いの領域が重ならないように隣接して配置されている。ウエハ保持部αには、例えば、負圧源に接続された吸引溝などの図示しない適宜の吸引機構が設けられており、これにより、ウエハ保持部αは、その上面をウエハWの裏面と接触させた状態でウエハWを吸引、保持する。ウエハ保持部αの大きさに特段の制限はなく、検査装置101で検査することを予定している最大のウエハWを保持できる大きさであれば良い。また、ウエハ保持部αの形状は、検査対象となるウエハWは通常円形であるので、ウエハWの形状に合わせて、通常、円形であるが、ウエハWを保持することができるのであれば必ずしも円形に限られる訳ではなく、楕円形や、長円形、多角形状であっても良い。本例の検査装置101においては、チャックステージ102は防錆メッキ処理された銅などの導電性材料で構成されており、チャックステージ102の上面の一部の領域がウエハ保持部αを構成しているので、ウエハ保持部αの上面も導電性である。したがって、ウエハ保持部α上にウエハWを載置すると、ウエハ保持部αの導電性の上面がウエハWの裏面と接触することになり、このウエハ保持部αにおけるウエハWの裏面と接触する部分が導電性の接触部となる。一方、プローブコンタクト領域βは、後述する裏面電極用プローブが接触する領域であり、チャックステージ102の上面に、ウエハ保持部αと隣接して設けられており、チャックステージ102の上面の一部がプローブコンタクト領域βを構成している。本例の検査装置101においては、前述したとおり、チャックステージ102は防錆メッキ処理された銅などの導電性材料で構成されているので、プローブコンタクト領域βは導電性であり、チャックステージ102におけるウエハ保持部α及びプローブコンタクト領域β以外の部分を介して、ウエハ保持部αにおける前記接触部と電気的に導通している。プローブコンタクト領域βの大きさは、ウエハ保持部αに保持される最大のウエハWと同形かつ同大の領域を包含する大きさに選ばれる。本例においては、ウエハ保持部αに保持されるウエハWが円形で、その径は最大でもウエハ保持部αの径を超えることがないと想定しているので、プローブコンタクト領域βは、ウエハ保持部αと同じ半径の円形の領域として設定されている。ただし、プローブコンタクト領域βの形状は円形に限られず、想定される最大のウエハWと同形かつ同大の領域を包含する限り、楕円、長円、多角形等、いかなる形状であっても良い。また、プローブコンタクト領域βの大きさは、ウエハ保持部αに保持される最大のウエハWと同形かつ同大の領域を包含していれば良く、極端な場合には、ウエハ保持部αに保持される最大のウエハWと同形かつ同大であっても良いが、余裕をみて、ウエハ保持部αに保持される最大のウエハWよりも大きな面積の領域をプローブコンタクト領域βとして設定するのが好ましい。また、本例においては、チャックステージ102の導電性の上面自体がウエハ保持部αとプローブコンタクト領域βの双方を構成しているが、チャックステージ102の上面に、ウエハ保持部αに保持される最大のウエハWと同大かつ同形の部分をカバーする大きさの導電性シートを載置して、その導電性シートの上面をプローブコンタクト領域βとしても良い。このように、導線性シートをプローブコンタクト領域βとする場合には、裏面電極用プローブが多数回接触することなどによってプローブコンタクト領域βが損傷を受けた場合には、導電性シートだけを交換すれば良く、メンテナンスの手間と費用を低減することができる。なお、図に示すとおり、チャックステージ102はXYZ-θステージ105上にあり、チャックステージ102の上面にウエハ保持部α及びプローブコンタクト領域βが形成されているので、XYZ-θステージ105を作動させてチャックステージ102を移動させると、当然のことながら、ウエハ保持部αとプローブコンタクト領域βとは一体となって同じ方向に移動する。図5は本発明のプローブ集合体である表面電極用プローブ集合体及び裏面電極用プローブ集合体とウエハチャック102との関係を示す正面図、図6はその平面図である。便宜上、説明に必要な部材のみを抽出して図示してある。図5、図6において、PAは表面電極用プローブ集合体、PBは裏面電極用プローブ集合体、Wはウエハ保持部αに保持されている検査対象ウエハである。表面電極用プローブ集合体PAと裏面電極用プローブ集合体PBとは、それぞれ図示しない複数本のフォース用プローブと複数本のセンス用プローブとを有している。フォース用プローブの数は1本であっても良いが、電力用半導体デバイスの検査に際しては大電流を流す必要があるので、フォース用プローブは複数本あるのが好ましい。同様に、センス用プローブの数も1本であっても良いが、複数本あると導通チェックができるので好ましい。なお、表面電極用プローブ集合体PAは、検査対象となる半導体デバイスの種類にも依るが、通常、前記フォース用プローブとセンス用プローブに加えて、図示しないゲート用プローブ又はベース用プローブを有している。表面電極用プローブ集合体PAと裏面電極用プローブ集合体PBとは、水平方向に互いに距離Dを隔てて配置されており、チャックステージ102がXYZ-θステージ105によって上昇したときに、表面電極用プローブ集合体PAはウエハ保持部αに保持されたウエハWと接触し、裏面電極用プローブ集合体PBはプローブコンタクト領域βと接触する位置に配置されている。また、フォース用導電性部材113は、表面電極用プローブ集合体PAと裏面電極用プローブ集合体PBとを結ぶ直線に沿ってチャックステージ102の上面と平行に配置されている。本例の場合、フォース用導電性部材113は、剛性のある板状の導電性部材であり、その表面電極用プローブ集合体PA側の一端は、表面電極用プローブ集合体PAが有する複数本のフォース用プローブと電気的に接続され、他端は、導電性ケーブル114Aを介してテスタ108に接続されている。なお、裏面電極用プローブ集合体PBは導電性ケーブル114Bを介してテスタ108に接続されている。図6に示すLは、ウエハ保持部αとプローブコンタクト領域βの中心間の距離であり、本例において、距離Dは距離Lと略同じになるように設定されている。このように距離Dが距離Lと略同じに設定されており、また、プローブコンタクト領域βが、ウエハ保持部αに保持される最大のウエハWと同形かつ同大の領域を包含する大きさになっているので、XYZ-θステージ105によってチャックステージ102が移動し、表面電極用プローブ集合体PAがウエハ保持部α上に保持された検査対象ウエハW内を相対的に移動すると、裏面電極用プローブ集合体PBはプローブコンタクト領域β内を相対的に移動する。図7は、表面電極用プローブ集合体PAと裏面電極用プローブ集合体PBの移動の様子を示す平面図であり、ウエハ保持部αに保持される最大のウエハとして、ウエハ保持部αと同じ半径の円形のウエハWがウエハ保持部α上に載置、保持されている場合を示している。図7のa~dに示すとおり、チャックステージ102が図中左右上下に移動して、表面電極用プローブ集合体PAがウエハ保持部α上に保持されているウエハW内を相対的に移動すると、その移動に対応して、裏面電極用プローブ集合体PBは、表面電極用プローブ集合体PAとの間に距離Dを保ちつつ、プローブコンタクト領域β内を相対的に移動する。このように、検査装置101によれば、ウエハW上に形成されている多数の半導体デバイスを順次検査すべくXYZ-θステージ105によってチャックステージ102を移動させる場合であっても、表面電極用プローブ集合体PAが検査対象となる半導体デバイスの表面電極に接触するときには、裏面電極用プローブ集合体PBは、検査対象となる半導体デバイスの裏面電極と電気的に導通するプローブコンタクト領域βに接触し、半導体デバイスに必要な電気信号を供給して、その電気的特性をウエハ状態のままで検査することが可能である。また、ウエハW上の半導体デバイスを順次検査する場合であっても、表面電極用プローブ集合体PAと裏面電極用プローブ集合体PBは移動させる必要がないので、テスタ108と表面電極用プローブ集合体PA及び裏面電極用プローブ集合体PBとの位置関係は不変である。このため、本例の検査装置101によれば、半導体デバイスの検査をウエハ状態のままで行う場合であっても、テスタ108と表面電極用プローブ集合体PA及びテスタ108と裏面電極用プローブ集合体PBとの電気的接続経路の長さを常に一定の最短長さに維持することができるので、測定経路に発生する寄生インダクタンスを最小にすることができ、半導体デバイスの実力値に近い大電流測定や動特性試験に必要な過渡特性を得ることができるという利点が得られる。図8はフォース用導電性部材113及びチャックステージ102内を流れる電流の様子を示す概略図、図9は発生する磁界の様子を示す概略図である。検査時においては、テスタ108から導電性ケーブル114A、フォース用導電性部材113、表面電極用プローブ集合体PAのフォース用プローブを経由して、ウエハW上の半導体デバイスを通過し、さらに、ウエハ保持部αの導電性の接触部、チャックステージ102、プローブコンタクト領域β、裏面電極用プローブ集合体PB、導電性ケーブル114Bを経由してテスタ108へという回路が形成され、フォース用導電性部材113内には図中Iiで示す電流が、そして、チャックステージ102内には図中Ioで示す電流が流れる。このとき、フォース用導電性部材113は、表面電極用プローブ集合体PAと裏面電極用プローブ集合体PBとを結ぶ直線に沿ってチャックステージ102の上面と平行に配置されているので、電流Iiによって発生される磁界と電流Ioによって発生される磁界とは、図9に示すとおり向きが逆となり、互いに相殺される。したがって、表面電極用プローブ集合体PAと裏面電極用プローブ集合体PB間の電流経路における実効インダクタンスを低減することができ、より過渡特性の良い、精度の高い測定が可能となる。なお、フォース用導電性部材113は、表面電極用プローブ集合体PAと裏面電極用プローブ集合体PBとを結ぶ直線に沿ってチャックステージ102の上面と平行に配置することができるものであれば、必ずしも剛性のある板状の導電性部材に限られるものではなく、断面円形の線状部材であっても良い。しかし、電流Ioが流れるチャックステージ102が板状であるので、チャックステージ102との間に、誘電体としての空気を介在させた並列結合構造を形成すべく、フォース用導電性部材113は、フォース用導電性部材113とチャックステージ102との間隙の大きさよりも広い幅をもった板状部材とするのが好ましい。図10は、本発明のプローブ集合体の一例である表面電極用プローブ集合体PAの拡大部分断面図、図11はその組立分解図である。図10、図11において、1はプローブブロック、2はブロック蓋である。プローブブロック1は熱伝導性が良いとともに電気伝導性の良い材料で構成されており、フォース用導電性部材113と結合されることにより、フォース用導電性部材113と電気的に接続されている。3はフォース用プローブであり、フォース用プローブ3は、プローブブロック1に形成されたプローブ収容孔10に挿入固定されることによってプローブブロック1に取り付けられている。フォース用プローブ3は、その外周が前記プローブ収容孔10の内周と接触しているので、プローブブロック1と熱的に接触状態にあるとともに、プローブブロック1及びフォース用導電性部材113と電気的に導通している。一方、4はセンス用プローブであり、センス用プローブ4も、プローブブロック1に形成されたプローブ収容孔10に挿入固定されることによってプローブブロック1に取り付けられているが、センス用プローブ4の外周とプローブ収容孔10の内周との間には絶縁部材5が介在しており、センス用プローブ4とプローブブロック1及びフォース用導電性部材113とは電気的に絶縁されている。フォース用プローブ3の先端部3T及びセンス用プローブ4の先端部4Tは、各プローブ内に配置されている図示しない弾性手段によって下方に向かって付勢されており、先端部3T及び4Tに上向きの外力が加わった場合には、その外力の大きさに応じて適宜上方に移動可能である。6はセンス用プローブ4とテスタ108とを接続する導電性ケーブルである。7はプローブブロック1に設けられた冷却室であり、8は冷却媒体導入口、9は冷却媒体出口である。冷却媒体導入口8は図示しない適宜の冷却媒体供給装置に接続されている。冷却媒体供給装置から冷却媒体導入口8を介して冷却室7内に導入された冷却媒体は、プローブブロック1を介してフォース用プローブ3及びセンス用プローブ4、さらには後述するゲート用プローブを冷却するとともに、冷却媒体出口9から表面電極用プローブ集合体PAの下方に位置する検査対象である半導体デバイスに吹き付けられ、半導体デバイスを冷却する。このように、本例の表面電極用プローブ集合体PAは各プローブ及び半導体デバイスの冷却手段を備えているので、半導体デバイスに大きな測定電流を流す場合でも、半導体デバイスやプローブの過度の温度上昇を防止することができ、より安定で正確な測定が可能である。なお、冷却媒体としては、通常、空気が用いられるが、空気に限られず、窒素ガスその他の適宜の気体、更には水やその他の適宜の液体を冷却媒体として用いても良いことは勿論である。ただし、本例のように、冷却室7が、フォース用プローブ3及びセンス用プローブ4の下端部がプローブブロック1から突出している方向に開口する冷却媒体出口9を有しており、冷却媒体を冷却媒体出口9からその下方に位置する半導体デバイスに吹き付ける場合には、冷却媒体は空気などの気体であるのが望ましい。図12は、ブロック蓋2を外した状態の表面電極用プローブ集合体PAを拡大して示す平面図である。図12において、11はゲート用プローブであり、ゲート用プローブ11とプローブブロック1に設けられたプローブ収容孔10との間にも絶縁部材5が介挿されており、ゲート用プローブ11はプローブブロック1及びフォース用導電性部材113とは電気的に絶縁されている。図12に示すとおり、各プローブは碁盤目の各格子位置に配置されており、2本のセンス用プローブ4と1本のゲート用プローブ11に隣接する碁盤目の格子位置を除いて、合計14本のフォース用プローブ3が配置されている。なお、図12に示す各プローブの配置と数は一例であって、フォース用プローブ3、センス用プローブ4、及びゲート用プローブ11の配置と数は図示のものに限られない。図13は、図10に示す本例の表面電極用プローブ集合体PAの側面図である。図13において、12は接続ケーブルであり、ゲート用プローブ11は接続ケーブル12によってテスタ108に接続されている。また、図13に示すとおり、表面電極用プローブ集合体PAは、ブロック蓋2を介して、マニュピレータ106に取り付けられている。図14は、図10に示す本例の表面電極用プローブ集合体PAの動作状態を示す部分断面図である。図14において、13は冷却媒体供給装置であり、冷却媒体供給装置13から冷却媒体導入口8に供給された冷却媒体Cは、冷却室7内に充満し、プローブブロック1を介してフォース用プローブ3、センス用プローブ4、さらにはゲート用プローブ11を冷却した後、冷却媒体出口9から下方に位置するウエハW上に形成されている半導体デバイスSに吹き付けられ、半導体デバイスSを冷却する。なお、本例においては、冷却媒体出口9は、真っ直ぐの下向きではなく、各プローブの突出した先端部が存在する方向に向かってやや斜め下向きに開口しているので、冷却媒体出口9から噴出する冷却媒体Cは、まず各プローブの先端部にあたり、先端部を冷却した後に、半導体デバイスSに吹き付けられるようになっている。このため、各プローブのより十分な冷却が可能になるという利点が得られる。冷却媒体出口9を真っ直ぐ下向きに開口させ、冷却媒体出口9から噴出する冷却媒体Cを、直接、半導体デバイスSに吹き付けて半導体デバイスSを冷却するようにしても良い。また、本例において、冷却室7はプローブブロック1の内部に設けられているが、冷却室7の位置はプローブブロック1の内部に限られず、プローブブロック1と熱交換ができる状態であれば、冷却室7はプローブブロック1の外部に設けても良く、内部と外部の双方に設けるようにしても良い。図15、図16、図17は、それぞれ、本発明のプローブ集合体である表面電極用プローブ集合体PAの他の一例を示す拡大部分断面図、平面図、及び側面図である。本例の表面電極用プローブ集合体PAは、冷却室7、冷却媒体導入口8、冷却媒体出口9から構成される冷却手段に加えて、ブロック蓋2の上面に冷却用フィン14が設けられている。本例においては、冷却用フィン14は、ブロック蓋2の一部を除去し、ブロック蓋2に溝を設けることによって形成され、冷却用フィンの上面はブロック蓋2の上面と同じ高さにあるが、ブロック蓋2の上面に板状の部材を立設させて、冷却用フィン14としても良い。動作に際しては、図17に示すように、冷却用気体噴出ノズル15を表面電極用プローブ集合体PAの上方に位置させて、冷却用気体噴出ノズル15に接続された図示しない送風装置を作動させ、冷却用気体CAを冷却用気体噴出ノズル15から表面電極用プローブ集合体PAに向かって噴出させれば良い。噴出した冷却用気体CAは、各接続ケーブル6、12や、ブロック蓋2の上面と当接し、それらを冷却する。このとき、ブロック蓋2には冷却用フィン14が設けられているので、冷却用気体CAとブロック蓋2との接触面積は冷却用フィン14がない場合に比べて大きくなっており、冷却用気体CAとブロック蓋2との間での熱交換が促進され、プローブブロック1に収容されている各プローブの冷却がより効率良く行われる。なお、ブロック蓋2だけではなく、プローブブロック1に冷却用フィンを設けても良いことは勿論である。冷却用気体噴出ノズル15から冷却用気体CAを噴出させてプローブブロック1やブロック蓋2を介して各プローブを冷却すると同時に、前述した冷却媒体供給装置を作動させて、冷却媒体導入口8から冷却室7内へと冷却媒体Cを導入し、双方の冷却手段で各プローブを同時に冷却するようにしても良い。また、冷却用気体噴出ノズル15から噴出する冷却用気体CAだけでプローブブロック1とその内部に収容されている各プローブを冷却するようにしても良く、冷却が十分に行われるのであれば、冷却用フィン14はなくても良い。本例において、冷却用気体CAは、冷却用気体噴出ノズル15から下方に向かって噴出されるので、プローブブロック1及びブロック蓋2と熱交換をして各プローブを冷却した後、下方に位置する半導体デバイスにも当接し、半導体デバイスを冷却する。図18は、本発明のプローブ集合体である表面電極用プローブ集合体PAの更に他の一例を示す拡大部分断面図である。図18の例においては表面電極用プローブ集合体PAのブロック蓋2は存在せず、フォース用プローブ3の上端部3U、センス用プローブ4の上端部4U、更に図面には表れないゲート用プローブ11の上端部は、いずれも、プローブブロック1から上方に突出しており、これら各プローブの突出した上端部が冷却用フィンとして機能する。図示しない送風装置を作動させて、冷却用気体CAを図中矢印で示すように冷却用気体噴出ノズル15からに表面電極用プローブ集合体PAに向かって噴出させると、冷却用気体は、フォース用プローブ3の上端部3U、センス用プローブ4の上端部4U、更に図面には表れないゲート用プローブ11の上端部と接触し、熱交換を行い、各プローブを直接冷却する。各プローブの上端部と接触した冷却用気体は、さらにプローブブロック1と接触して、プローブブロック1を冷却し、プローブブロック1に収容されている各プローブを冷却する。各プローブの上端部とは別に、板状の冷却用フィン14をプローブブロック1の上面に立設させておいても良く、冷却用フィン14が存在する場合には、プローブブロック1を介して各プローブの冷却をより効率良く行うことができる。図19は、本発明のプローブ集合体である表面電極用プローブ集合体PAの更に他の一例を示す拡大部分断面図である。図19の例においては、図示しない冷却媒体供給装置から供給される冷却媒体Cは、冷却媒体導入口8からプローブブロック1内に形成されている冷却室7内に導入され、連続している冷却室7内を通過した後に、冷却媒体出口9から排出され、元の冷却媒体供給装置へと循環する。このように本例の表面電極用プローブ集合体PAにおいてはプローブブロック1内に形成されている連続した冷却室7内を冷却媒体Cが通過することによってプローブブロック1と熱交換を行い、プローブブロック1を通して各プローブを冷却する。本例においては冷却媒体Cが表面電極用プローブ集合体PAに当たることがないので、水やその他の適宜の流体を冷却媒体Cとして用いることができる。図20は、本発明のプローブ集合体である表面電極用プローブ集合体PAの更に他の一例を示す概略図である。図20において、16は温度センサであり、プローブブロック1の適宜の位置に配設され、プローブブロック1の温度を計測する。17は制御装置、13は冷却媒体供給装置、18は冷却媒体冷却装置、19は流量調整弁である。制御装置17は温度センサ16からの出力信号を受け、その出力信号を予め設定されている目標温度と比較し、両者の間に一定レベル以上の差異がある場合には、冷却媒体供給装置13、冷却媒体冷却装置18、又は流量調整弁19のいずれか、又は2つ以上の動作を調整し、プローブブロック1の温度、つまりは、プローブブロック1に収容されている各プローブの温度が目標温度に維持されるように制御する。本発明のプローブ集合体がこのような温度センサと制御装置を備えている場合には、プローブブロック1に収容されている各プローブの温度を知ることができるばかりでなく、各プローブの温度を予め定められた目標温度に自動的に維持することが可能となり、より正確な特性検査を行うことができる。なお、以上述べたような冷却手段に代えて、例えばペルチエ素子を冷却手段として用いることも可能であり、ペルチエ素子を用いた冷却手段と、上述した他の冷却手段の1つ若しくは2つ以上とを組み合わせて用いることも適宜可能である。以上は、表面電極用プローブ集合体PAを例に本発明のプローブ集合体について説明したが、本発明のプローブ集合を裏面電極用プローブ集合体PBとして用いても良いことは勿論であり、裏面電極用プローブ集合体PBの構造も、ゲート用プローブ11を備えていない点、さらにはフォース用プローブ3及びセンス用プローブ4の大きさや配置が若干異なる点を除けば、基本的には表面電極用プローブ集合体PAと同じである。また、以上は電力用半導体デバイスの特性をウエハ状態のままで検査する場合について説明したが、本発明のプローブ集合体や、本発明のプローブ集合体を備える検査装置は、チップ状態に切り出された電力用半導体デバイスの検査に用いても有用であることはいうまでもない。