基板上の第一の電極膜、発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成するレーザ加工工程と、レーザ加工工程にて形成した分離溝の一方側の側縁部において第一の電極膜及び発電層を被覆する絶縁体を塗布する絶縁処理工程と、絶縁処理工程にて塗布した絶縁体に重ねて、分離溝の一方側の側縁部に位置する第二の電極膜と分離溝の他方側の側縁部に位置する第一の電極膜とを電気的に短絡する導電体を塗布する短絡処理工程とを具備する薄膜太陽電池の製造方法。前記絶縁処理工程にて、前記絶縁体にレーザ光を照射して絶縁体の焼成、焼結、乾燥または硬化を行う請求項1記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記短絡処理工程にて、前記導電体と前記分離溝の他方側の側縁部に位置する第二の電極膜との短絡を断絶する凹溝を形成する請求項1または2記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記絶縁処理工程にて、前記レーザ加工工程で形成した分離溝の略全域を埋めるように絶縁体を塗布し、前記短絡処理工程にて、前記絶縁体を切削して凹溝を形成しこの凹溝内に前記分離溝の他方側の側縁部に位置する第一の導電膜を露出させるとともに、この凹溝を介して前記導電体を前記第一の導電膜に短絡させる請求項1または2記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記絶縁処理工程にて、前記レーザ加工工程で形成した分離溝の略全域を埋めるように絶縁体を塗布し、前記短絡処理工程にて、前記分離溝の他方側の側縁部に位置する発電層及び第二の導電膜を切削して凹溝を形成しこの凹溝内に前記分離溝の他方側の側縁部に位置する第一の導電膜を露出させるとともに、この凹溝を介して前記導電体を前記第一の導電膜に短絡させる請求項1または2記載の薄膜太陽電池の製造方法。請求項1、2、3、4または5記載の薄膜太陽電池の製造方法を実施するためのものであって、基板上の第一の電極膜、発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成するレーザ加工工程用のレーザ光照射手段と、レーザ加工工程にて形成した分離溝の一方側の側縁部において第一の電極膜及び発電層を被覆する絶縁体を塗布する絶縁処理工程用の塗布手段と、絶縁処理工程にて塗布した絶縁体に重ねて、分離溝の一方側の側縁部に位置する第二の電極膜と分離溝の他方側の側縁部に位置する第一の電極膜とを電気的に短絡する導電体を塗布する短絡処理工程用の塗布手段と、を具備する薄膜太陽電池製造装置。前記絶縁処理工程にて前記絶縁体にレーザ光を照射して絶縁体の焼成、焼結、乾燥または硬化を行うレーザ光照射手段を具備する請求項6記載の薄膜太陽電池製造装置。前記短絡処理工程にて前記導電体と前記分離溝の他方側の側縁部に位置する第二の電極膜との短絡を断絶する凹溝を形成するレーザ光照射手段を具備する請求項6または7記載の薄膜太陽電池製造装置。前記短絡処理工程にて前記絶縁体を切削して凹溝を形成しこの凹溝内に前記分離溝の他方側の側縁部に位置する第一の導電膜を露出させるレーザ光照射手段を具備する請求項6または7記載の薄膜太陽電池製造装置。前記短絡処理工程にて前記分離溝の他方側の側縁部に位置する発電層及び第二の導電膜を切削して凹溝を形成するレーザ光照射手段を具備する請求項6または7記載の薄膜太陽電池製造装置。本発明は、製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らせる、及び/または、発電効率の向上を見込めるような、新たな薄膜太陽電池の製造プロセスを提供しようとするものである。本発明に係る薄膜太陽電池の製造方法は、基板上の第一の電極膜、発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成するレーザ加工工程と、レーザ加工工程にて形成した分離溝の一方側の側縁部において第一の電極膜及び発電層を被覆する絶縁体を塗布する絶縁処理工程と、絶縁処理工程にて塗布した絶縁体に重ねて、分離溝の一方側の側縁部に位置する第二の電極膜と分離溝の他方側の側縁部に位置する第一の電極膜とを電気的に短絡する導電体を塗布する短絡処理工程とを具備する。本製造方法によれば、第一の電極膜、発電層及び第二の電極膜の製膜工程をレーザ加工工程の前に配置することができる。つまり、レーザ加工工程の間に製膜工程を挟まなくてよくなる。結果、太陽電池製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らすことが可能となる。さらには、第一の電極膜を分割する分離溝、発電層を分割する分離溝及び第二の電極膜を分割する分離溝を一括に形成できることから、セルとセルとの境界領域に所在する分離溝の本数が一本となり、薄膜太陽電池製品における非発電領域を狭めることが容易になる。前記絶縁処理工程では、前記絶縁体にレーザ光を照射して絶縁体の焼成、焼結、乾燥または硬化を行うことが好ましい。また、前記短絡処理工程にて導電体を塗布する際、その導電体が前記分離溝の他方側の側縁部に位置する第二の電極膜に短絡してしまうことがあり得る。さすれば、セルとセルとを直列接続する構造が損なわれ、発電性能が損なわれる。そこで、短絡処理工程にて、必要に応じ、前記導電体と前記分離溝の他方側の側縁部に位置する第二の電極膜との短絡を断絶する凹溝を形成することが好ましい。前記絶縁処理工程にて、前記レーザ加工工程で形成した分離溝の略全域を埋めるように絶縁体を塗布し、前記短絡処理工程にて、前記絶縁体を切削して凹溝を形成しこの凹溝内に前記分離溝の他方側の側縁部に位置する第一の導電膜を露出させるとともに、この凹溝を介して前記導電体を前記第一の導電膜に短絡させるようにすれば、絶縁体及び導電体のそれぞれの塗布位置の制御に対する要求精度が低下する。あるいは、前記絶縁処理工程にて、前記レーザ加工工程で形成した分離溝の略全域を埋めるように絶縁体を塗布し、前記短絡処理工程にて、前記分離溝の他方側の側縁部に位置する発電層及び第二の導電膜を切削して凹溝を形成しこの凹溝内に前記分離溝の他方側の側縁部に位置する第一の導電膜を露出させるとともに、この凹溝を介して前記導電体を前記第一の導電膜に短絡させるようにしてもよい。本製造方法を実施するための製造装置としては、基板上の第一の電極膜、発電層及び第二の電極膜をセル単位に分割する分離溝を形成するレーザ加工工程用のレーザ光照射手段と、レーザ加工工程にて形成した分離溝の一方側の側縁部において第一の電極膜及び発電層を被覆する絶縁体を塗布する絶縁処理工程用の塗布手段と、絶縁処理工程にて塗布した絶縁体に重ねて、分離溝の一方側の側縁部に位置する第二の電極膜と分離溝の他方側の側縁部に位置する第一の電極膜とを電気的に短絡する導電体を塗布する短絡処理工程用の塗布手段とを具備するものが考えられる。このような製造装置であれば、レーザ加工加工工程、絶縁処理工程及び短絡処理工程をまとめて実行することが可能である。前記製造装置は、前記絶縁処理工程にて前記絶縁体にレーザ光を照射して絶縁体の焼成、焼結、乾燥または硬化を行うレーザ光照射手段を具備することが好ましい。前記製造装置は、前記短絡処理工程にて前記導電体と前記分離溝の他方側の側縁部に位置する第二の電極膜との短絡を断絶する凹溝を形成するレーザ光照射手段を具備するものであってもよい。前記製造装置は、前記短絡処理工程にて前記絶縁体を切削して凹溝を形成しこの凹溝内に前記分離溝の他方側の側縁部に位置する第一の導電膜を露出させるレーザ光照射手段を具備するものであってもよい。あるいは、前記製造装置が、前記短絡処理工程にて前記分離溝の他方側の側縁部に位置する発電層及び第二の導電膜を切削して凹溝を形成するレーザ光照射手段を具備していてもよい。本発明によれば、薄膜太陽電池の製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らすことができ、及び/または、薄膜太陽電池製品の発電効率の向上を見込める。本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。以下に述べる各実施形態は、主としてシリコン系薄膜太陽電池の製造を念頭に置いている。但し、CIGS系や有機薄膜系等の太陽電池の製造に本発明を適用することを妨げるものではない。<第一実施形態>図1ないし図7に示す本実施形態の薄膜太陽電池の製造方法には、以下の工程が含まれる。a透明導電膜の製膜bシリコン膜の製膜c裏面電極膜の製膜d透明導電膜、シリコン膜及び裏面電極膜の分離溝形成e分離溝内での透明導電膜と裏面電極膜との間の絶縁f分離溝内での透明導電膜と裏面電極膜との間の短絡図1に示すように、製膜工程aでは、第一の電極膜たる透明導電膜1特に、TCO膜を、CVD法等により透明基板0上に蒸着する。但し、今日では、太陽電池等の製造用に予め透明導電膜1が製膜されたガラス基板が市販されている。そのような基板を入手できる場合、aの工程は省略することができる。製膜工程bでは、発電層たるシリコン膜2非晶質半導体膜、非晶質半導体膜と微結晶半導体膜との重層等を、CVD法等により透明導電膜1上に蒸着する。このとき、シリコン膜2の構成材料が、先に透明導電膜1に形成した分離溝11内に入り込む。製膜工程cでは、第二の電極膜たる裏面電極膜特に、メタル膜3を、スパッタリング法等によりシリコン膜2上に蒸着する。図2に示すように、レーザ加工工程dでは、レーザ光41、42を照射して、透明導電膜1、シリコン膜2及び裏面電極膜3をセル単位に分割する複数本の分離溝11、21を切削形成する。レーザ光41、42は、例えば波長1064nmの近赤外レーザや、波長532nmの第二高調波可視光緑色レーザとする。レーザ光41、42は、透明基板0側から、透明基板0を透過させて照射する。波長1064nmのレーザ光41は、主として透明導電膜11を切削する。翻って、波長532nmのレーザ光42は、透明導電膜1には殆ど吸収されず、専らシリコン層2に吸収される。レーザ光42のエネルギを吸収したシリコン膜2は、その上に重なっている裏面電極膜3もろとも吹き飛ぶ。よって、裏面電極膜3とシリコン膜2とをともに貫く深底の分離溝21が、一括に形成されることとなる。裏面電極膜3及びシリコン膜を貫く分離溝21の溝幅は、透明導電膜1に形成されこれに連通する分離溝11の溝幅よりも大きい。波長532nmのレーザ光42の照射位置または、レーザ光軸は、波長1064nmのレーザ光41のそれに重ね合わせる。レーザ光41とレーザ光42とは、同時に照射することも、何れか一方を先に照射して他方を後に照射することもできる。分離溝11、21を形成するためのレーザ光を、裏面電極膜3側から照射しても構わない。図3に示すように、絶縁処理工程eでは、dで形成した分離溝11、21の一方側図中右方。以下同じの側縁部において、透明導電膜1及びシリコン膜2を被覆する絶縁体6を塗布する。絶縁体6は、分離溝21の一方側の側縁部に位置する裏面電極膜3と、分離溝11の同じ側の側縁部に位置する透明導電膜1との電気的な短絡を阻止するためのものである。絶縁体6の塗布は、液体吐出装置であるディスペンサやインクジェットノズルヘッド等81を塗布手段として用いて行う。この塗布手段は、裏面電極膜3側から液体またはペースト状の絶縁体6を分離溝11、21内に向けて吐出する。吐出された絶縁体6は、一部が分離溝11内に入り込み、残りが分離溝21の一方側の側縁部に位置するシリコン膜2の上を覆う。分離溝11に入り込んだ絶縁体6は、図3中右方に示しているように、分離溝11を完全に埋めてしまってもよいし、図3中左方に示しているように、分離溝11を完全には埋めない状態となってもよい。その後、塗布した絶縁体6を硬化させる。図4に示すように、本実施形態では、絶縁体6にレーザ光43を照射することで、この絶縁体6を焼成または、焼結することとしている。レーザ光43は、例えば波長1064nmの近赤外レーザや、波長532nmの第二高調波可視光レーザ、波長10.6μmの炭酸ガスレーザの如き長波長のレーザ等とする。このレーザ光43は、図4中左方に示しているように透明基板0側から透明基板0を透過させて照射してもよいし、図4中右方に示しているように裏面電極膜3側から透明基板0を透過させることなく直接に照射してもよい。図5に示すように、短絡処理工程fでは、eで塗布した絶縁体6に重ねて、当該絶縁体6を被覆する導電体7特に、銀を塗布する。導電体7は、分離溝21の一方側の側縁部に位置する裏面電極膜3と、分離溝11の他方側図中左方。以下同じの側縁部に位置する透明導電膜1とを電気的に短絡するためのものである。導電体7の塗布もまた、液体吐出装置であるディスペンサやインクジェットノズル等82を塗布手段として用いて行う。この塗布手段は、裏面電極膜3側から液体またはペースト状の導電体7を分離溝21内に向けて吐出する。吐出された導電体7は、絶縁体6に覆い被さるようにして、分離溝21の一方側の側縁部に位置する裏面電極膜3に接する。さらに、導電体7は、図5中右方に示しているように、分離溝11の他方側の側縁部に位置する透明電極膜1に覆い被さることでこれに接するか、あるいは図5中左方に示しているように、分離溝11内に入り込むことで分離溝11の他方側の側縁部に位置する透明電極膜1に接する。何れにせよ、分離溝21の他方側の側縁部に位置する裏面電極膜3と導電体7との間には間隙を形成して、両者が短絡しないよう保つ必要がある。その後、塗布した導電体7を硬化させる。図6に示すように、本実施形態では、導電体7にレーザ光44を照射することで、この導電体7を焼成または、焼結することとしている。レーザ光44は、例えば波長1064nmの近赤外レーザや、波長532nmの第二高調波可視光レーザとする。このレーザ光44は、図6中左方に示しているように透明基板0側から透明基板0を透過させて照射してもよいし、図6中右方に示しているように裏面電極膜3側から透明基板0を透過させることなく直接に照射してもよい。以上の工程aないしfを経て、図7中矢印で表しているように、fで塗布した導電体7を通じた電荷の通り道が完成する。非発電領域は、dで形成した分離溝21の溝幅の範囲となる。本実施形態の製造方法に含まれる工程dないしfは、一基の製造装置によって実施することが可能である。レーザ加工工程d、絶縁処理工程e及び短絡処理工程fを実施するための製造装置は、透明導電膜1、シリコン膜2及び裏面電極膜3に分離溝11、21を形成するレーザ光41、42を照射する分離溝11、21形成用のレーザ光照射手段と、形成した分離溝11、21の一方側の側縁部において透明導電膜1及びシリコン膜2を被覆する絶縁体6を塗布する絶縁体6の塗布手段と、塗布した絶縁体6を焼成する焼成用のレーザ光照射手段と、焼成した絶縁体6に重ねて分離溝21の一方側の側縁部に位置する裏面電極膜3と分離溝11の他方側の側縁部に位置する透明導電膜1とを電気的に短絡する導電体7を塗布する導電体7の塗布手段とを具備する。分離溝11、12形成用のレーザ光照射手段は、レーザ発振器が発振する波長1064nm及び波長532nm第二高調波のパルスレーザを伝搬させる光学系と、光学系を介して供給されるパルスレーザを基板0の被加工面に製膜された積層膜1、2、3に向けて出射させる加工ノズル51とを組み合わせてなる。光学系は、光ファイバ、ミラー、レンズ等の任意の光学要素を用いて構成することができる。既に述べた通り、波長1064nmのレーザ光41は透明導電膜1に分離溝11を切削形成するものであり、波長532nmのレーザ光42は裏面電極膜3及びシリコン膜2を貫く分離溝21を切削形成するものである。波長1064nmのレーザ光41と波長532nmのレーザ光42とは、図2に示しているように同一の加工ノズル51から出射させてもよく、別個の加工ノズルから出射させてもよい。絶縁体6の塗布手段は、裏面電極膜3側から絶縁体6を分離溝11、21内に向けて吐出する、ディスペンサまたはインクジェットノズル等81を有してなる。絶縁体6焼成用のレーザ光照射手段は、レーザ発振器が発振する波長1064nmまたは532nmのパルスレーザを伝搬させる光学系と、光学系を介して供給されるパルスレーザを基板0の被加工面に塗布された絶縁体6に向けて出射させる加工ノズル52とを組み合わせてなる。これらの光学系及び加工ノズル52は、分離溝11、21形成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル51と共通化しても構わない。導電体7の塗布手段は、裏面電極膜3側から導電体7を分離溝11、21内に向けて吐出する、ディスペンサまたはインクジェットノズル等82を有してなる。導電体7焼成用のレーザ光照射手段は、レーザ発振器が発振する波長1064nmまたは532nmのパルスレーザまたはCW連続波レーザを伝搬させる光学系と、光学系を介して供給されるレーザを基板0の被加工面に塗布された絶縁体6に向けて出射させる加工ノズル53とを組み合わせてなる。これらの光学系及び加工ノズル53は、分離溝11、21形成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル51や、絶縁体6焼成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル52と共通化しても構わない。加工ノズル51、52、53、ディスペンサまたはインクジェットノズル等81、82はそれぞれ、基板0に対して相対変位可能に設ける。典型的には、薄膜1、2、3に形成する分離溝11、21が延伸するY軸方向に往復走行でき、かつY軸方向とは直交するX軸方向光起電力素子として機能するセルが並ぶ方向、セルとセルとを分かつ分離溝11、21が並ぶ方向にピッチ送り移動できるリニアモータ台車等に、加工ノズル51、52、53及びディスペンサまたはインクジェットノズル等81、82を支持させる。分離溝11、21によって多数のセルを区画する都合上、これら加工ノズル51、52、53及びディスペンサまたはインクジェットノズル等81、82はX軸方向に複数基配列させて設置することが望ましい。因みに、不動の基板0に対して加工ノズル51、52、53及びディスペンサまたはインクジェットノズル等81、82をX軸方向及び/またはY軸方向に移動させるのに替えて、基板0自体を加工ノズル51、52、53及びディスペンサまたはインクジェットノズル等81、82に対してX軸方向及び/またはY軸方向に移動させ得る機構を実装することも考えられる。本実施形態によれば、基板上0の第一の電極膜1、発電層2及び第二の電極膜3をセル単位に分割する分離溝11、21を形成するレーザ加工工程dと、レーザ加工工程にて形成した分離溝11、21の一方側の側縁部において第一の電極膜1及び発電層2を被覆する絶縁体6を塗布する絶縁処理工程eと、絶縁処理工程にて塗布した絶縁体6に重ねて、分離溝21の一方側の側縁部に位置する第二の電極膜3と分離溝11の他方側の側縁部に位置する第一の電極膜1とを電気的に短絡する導電体7を塗布する短絡処理工程fとを具備する薄膜太陽電池の製造方法を実施することとしたため、第一の電極膜1、発電層2及び第二の電極膜3の製膜工程a、b、cをレーザ加工工程dの前に配置することができる。つまり、レーザ加工工程の間に製膜工程を挟まなくてよくなる。結果、太陽電池製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らすことが可能となり、製造ラインが占有するスペースの縮小につながる。製造ラインがシンプルになれば、製造ラインの中途で製品基板0が滞留することが少なくなり、タクトタイムの短縮、製造コストの削減に資する。加えて、セルとセルとの境界領域に形成する分離溝11、21の本数が、従来の三本から一本に減少する。これにより、薄膜太陽電池製品における非発電領域を縮小、即ち有効発電領域を拡大して、発電効率を一層向上させることも可能となる。本実施形態の製造方法による留意点としては、短絡処理工程fにおいて、塗布する導電体7を分離溝21の他方側の側縁部に位置する第二の電極膜3に短絡させてはならないことが挙げられる。導電体7と分離溝21の他方側の側縁部に位置する第二の電極膜3とが短絡してしまうと、一つのセルにおける第一の電極膜1と第二の電極膜3とが短絡することとなり、当該セルが太陽電池として機能しなくなって発電性能の低下を招くからである。塗布した導電体7が分離溝21の他方側の側縁部に位置する第二の電極膜3に短絡してしまった場合には、図8に示すように、短絡処理工程fの一部として、導電体7と第二の電極膜3との短絡を断絶する凹溝31を形成する追加処置を遂行する。この凹溝31は、短絡箇所における導電体7及び/または第二の導電膜3を切削してなるものである。図示例では、導電体7及び第二の導電膜3だけでなく発電層2をも切削している。凹溝31は、短絡箇所にレーザ光45を照射して形成する。レーザ光45は、例えば波長1064nmの近赤外レーザや、波長532nmの第二高調波可視光レーザとする。このレーザ光45は、図8中左方に示しているように透明基板0側から透明基板0を透過させて照射してもよいし、図8中右方に示しているように裏面電極膜3側から透明基板0を透過させることなく直接に照射してもよい。レーザ加工装置が具備するべき、凹溝31形成用のレーザ光照射手段は、レーザ発振器が発振する波長1064nmまたは532nmのパルスレーザまたは連続波レーザを伝搬させる光学系と、光学系を介して供給されるレーザを導電体7と第二の電極膜3との短絡箇所に向けて出射させる加工ノズル54とを組み合わせてなる。これらの光学系及び加工ノズル54は、分離溝11、21形成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル51や、絶縁体6焼成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル52、及び/または、導電体7焼成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル53と共通化しても構わない。<第二実施形態>図9ないし図14に示す本実施形態の薄膜太陽電池の製造方法には、以下の工程が含まれる。a透明導電膜の製膜bシリコン膜の製膜c裏面電極膜の製膜d透明導電膜、シリコン膜及び裏面電極膜の分離溝形成e’分離溝内での透明導電膜と裏面電極膜との間の絶縁f’分離溝内での透明導電膜と裏面電極膜との間の短絡製膜工程a、b、c、分離溝を形成するレーザ加工工程dについては、図1及び図2に示し、第一実施形態の説明にて述べた通りである。図9に示すように、絶縁処理工程e’では、dで形成した分離溝11、21の一方側の側縁部において、透明導電膜1及びシリコン膜2を被覆する絶縁体6を塗布する。第一実施形態との相異は、第一実施形態では分離溝21の他方側の側縁部と絶縁体6との間に空隙を設けておくのに対し、本実施形態では分離溝21の他方側の側縁部と絶縁体6との間に空隙を設けず、分離溝11、21を絶縁体6によって埋めてしまう点にある。即ち、第一実施形態と比較して、絶縁体6の塗布位置の制御の要求精度が低い。また、絶縁体6が、分離溝11、21の他方側の側縁部において透明導電膜1及びシリコン膜2を覆ってしまってもよい。絶縁体6の塗布は、液体吐出装置であるディスペンサやインクジェットノズル等81を塗布手段として用いて行う。この塗布手段は、裏面電極膜3側から液体またはペースト状の絶縁体6を分離溝11、21内に向けて吐出する。吐出された絶縁体6は、分離溝11、21内に入り込みつつ、分離溝21の両側縁部に位置するシリコン膜2を被覆する。その後、第一実施形態と同様に、塗布した絶縁体6を硬化させる。図10に示すように、絶縁体6にレーザ光43を照射することで、この絶縁体6を焼成または、焼結する。レーザ光43は、図10中左方に示しているように透明基板0側から透明基板0を透過させて照射してもよいし、図10中右方に示しているように裏面電極膜3側から透明基板0を透過させることなく直接に照射してもよい。図11及び図12に示すように、短絡処理工程f’では、まず、絶縁体6にレーザ光46を照射して絶縁体6を切削し凹溝61を形成することにより、凹溝61内に分離溝11の他方側の側縁部に位置する透明導電膜1を露出させる。レーザ光46は、例えば波長1064nmの近赤外レーザや、波長532nmの緑色レーザとする。レーザ光46は、図11中左方に示しているように透明基板0側から透明基板0を透過させて照射してもよいし、図11中右方に示しているように裏面電極膜3側から透明基板0を透過させることなく直接に照射してもよい。加えて、凹溝61は、図11中右方に示しているように絶縁体6のみを切削して形成してもよいし、図11中左方に示しているように絶縁体6とともに透明導電膜1をも切削して形成してもよい。しかして、凹溝61内及び先に塗布した絶縁体6に重ねて、当該絶縁体6を被覆する導電体7を塗布する。この導電体7は、凹溝61を介して、分離溝21の一方側の側縁部に位置する裏面電極膜3と、分離溝11の他方側の側縁部に位置するそして、凹溝61内に露出する透明導電膜1とを電気的に短絡するものとなる。導電体7の塗布は、液体吐出装置であるディスペンサやインクジェットノズル等82を塗布手段として用いて行う。この塗布手段は、裏面電極膜3側から液体またはペースト状の導電体7を分離溝21及び凹溝61内に向けて吐出する。吐出された導電体7は、絶縁体6に覆い被さるようにして、分離溝21の一方側の側縁部に位置する裏面電極膜3に接する。さらに、導電体7は、図12中右方に示しているように、凹溝61の底にある透明電極膜1に覆い被さることでこれに接するか、あるいは図12中左方に示しているように、凹溝61の他方側の側端にある透明電極膜1に接する。何れにせよ、分離溝21の他方側の側縁部に位置する裏面電極膜3と導電体7とが短絡しないように保つ必要はある。その後、塗布した導電体7を硬化させる。図13に示すように、本実施形態では、導電体7にレーザ光44を照射することで、この導電体7を焼成または、焼結することとしている。レーザ光44は、例えば波長1064nmの近赤外レーザや、波長532nmの第二高調波可視光レーザとする。このレーザ光44は、図13中左方に示しているように透明基板0側から透明基板0を透過させて照射してもよいし、図13中右方に示しているように裏面電極膜3側から透明基板0を透過させることなく直接に照射してもよい。以上の工程aないしf’を経て、図14中矢印で表しているように、f’で塗布した導電体7を通じた電荷の通り道が完成する。非発電領域は、dで形成した分離溝21の溝幅の範囲となる。本実施形態の製造方法に含まれる工程dないしf’は、一基の製造装置によって実施することが可能である。レーザ加工工程d、絶縁処理工程e’及び短絡処理工程f’を実施するための製造装置は、透明導電膜1、シリコン膜2及び裏面電極膜3に分離溝11、21を形成するレーザ光41、42を照射する分離溝11、21形成用のレーザ光照射手段と、形成した分離溝11、21の一方側の側縁部において透明導電膜1及びシリコン膜2を被覆する絶縁体6を塗布する絶縁体6の塗布手段と、塗布した絶縁体6を焼成する焼成用のレーザ光照射手段と、絶縁体6に凹溝61を形成するレーザ光照射手段と、絶縁体6に重ねて分離溝21の一方側の側縁部に位置する裏面電極膜3と分離溝11の他方側の側縁部に位置する透明導電膜1とを電気的に短絡する導電体7を塗布する導電体7の塗布手段とを具備する。分離溝11、12形成用のレーザ光照射手段、絶縁体6の塗布手段、絶縁体6焼成用のレーザ光照射手段、導電体7の塗布手段及び導電体7焼成用のレーザ光照射手段はそれぞれ、第一実施形態と同様に構成することができる。凹溝61形成用のレーザ光照射手段は、レーザ発振器が発振する波長1064nmまたは532nmのパルスレーザまたは連続波レーザを伝搬させる光学系と、光学系を介して供給されるレーザを基板0の被加工面に塗布された絶縁体6に向けて出射させる加工ノズル55とを組み合わせてなる。これらの光学系及び加工ノズル55は、分離溝11、21形成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル51や、絶縁体6焼成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル52、及び/または、導電体7焼成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル53と共通化しても構わない。加工ノズル51、52、53、55、ディスペンサまたはインクジェットノズル等81、82はそれぞれ、基板0に対して相対変位可能に設ける。典型的には、薄膜1、2、3に形成する分離溝11、21が延伸するY軸方向に往復走行でき、かつY軸方向とは直交するX軸方向にピッチ送り移動できるリニアモータ台車等に、加工ノズル51、52、53、55及びディスペンサまたはインクジェットノズル等81、82を支持させる。分離溝11、21によって多数のセルを区画する都合上、これら加工ノズル51、52、53、55及びディスペンサまたはインクジェットノズル等81、82はX軸方向に複数基配列させて設置することが望ましい。因みに、不動の基板0に対して加工ノズル51、52、53、55及びディスペンサまたはインクジェットノズル等81、82をX軸方向及び/またはY軸方向に移動させるのに替えて、基板0自体を加工ノズル51、52、53、55及びディスペンサまたはインクジェットノズル等81、82に対してX軸方向及び/またはY軸方向に移動させ得る機構を実装することも考えられる。本実施形態によれば、基板上0の第一の電極膜1、発電層2及び第二の電極膜3をセル単位に分割する分離溝11、21を形成するレーザ加工工程dと、レーザ加工工程にて形成した分離溝11、21の一方側の側縁部において第一の電極膜1及び発電層2を被覆する絶縁体6を塗布する絶縁処理工程e’と、絶縁処理工程にて塗布した絶縁体6に重ねて、分離溝21の一方側の側縁部に位置する第二の電極膜3と分離溝11の他方側の側縁部に位置する第一の電極膜1とを電気的に短絡する導電体7を塗布する短絡処理工程f’とを具備する薄膜太陽電池の製造方法を実施することとしたため、第一の電極膜1、発電層2及び第二の電極膜3の製膜工程a、b、cをレーザ加工工程dの前に配置することができる。つまり、レーザ加工工程の間に製膜工程を挟まなくてよくなる。結果、太陽電池製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らすことが可能となり、製造ラインが占有するスペースの縮小につながる。製造ラインがシンプルになれば、製造ラインの中途で製品基板0が滞留することが少なくなり、タクトタイムの短縮、製造コストの削減に資する。加えて、前記絶縁処理工程e’にて、前記レーザ加工工程dで形成した分離溝11、21の略全域を埋めるように絶縁体6を塗布し、前記短絡処理工程f’にて、前記絶縁体6を切削して凹溝61を形成しこの凹溝61内に前記分離溝11の他方側の側縁部に位置する第一の導電膜1を露出させるとともに、この凹溝61を介して前記導電体7を前記第一の導電膜1に短絡させるようにしているので、ディスペンサまたはインクジェットノズル等81、82による絶縁体6及び導電体7の塗布位置の制御の精度が必ずしも高くなくても、十分な発電性能を発揮する太陽電池を作製することが可能となる。本実施形態の製造方法による留意点としては、短絡処理工程f’において、塗布する導電体7を分離溝21の他方側の側縁部に位置する第二の電極膜3に短絡させてはならないことが挙げられる。導電体7と分離溝21の他方側の側縁部に位置する第二の電極膜3とが短絡してしまうと、一つのセルにおける第一の電極膜1と第二の電極膜3とが短絡することとなり、当該セルが太陽電池として機能しなくなって発電性能の低下を招くからである。塗布した導電体7が分離溝21の他方側の側縁部に位置する第二の電極膜3に短絡してしまった場合には、図15に示すように、短絡処理工程f’の一部として、導電体7と第二の電極膜3との短絡を断絶する凹溝31を形成する追加処置を遂行する。この凹溝31は、短絡箇所における導電体7及び/または第二の導電膜3を切削してなるものである。図示例では、導電体7及び第二の導電膜3だけでなく発電層2をも切削している。凹溝31は、短絡箇所にレーザ光45を照射して形成する。レーザ光45は、例えば波長1064nmの近赤外レーザや、波長532nmの第二高調波可視光レーザとする。このレーザ光45は、図15中左方に示しているように透明基板0側から透明基板0を透過させて照射してもよいし、図15中右方に示しているように裏面電極膜3側から透明基板0を透過させることなく直接に照射してもよい。レーザ加工装置が具備するべき、凹溝31形成用のレーザ光照射手段は、レーザ発振器が発振する波長1064nmまたは532nmのパルスレーザまたは連続波レーザを伝搬させる光学系と、光学系を介して供給されるレーザを導電体7と第二の電極膜3との短絡箇所に向けて出射させる加工ノズル54とを組み合わせてなる。これらの光学系及び加工ノズル54は、分離溝形成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル51や、絶縁体6焼成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル52、凹溝61形成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル55、及び/または、導電体7焼成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル53と共通化しても構わない。<第三実施形態>図16ないし図20に示す本実施形態の薄膜太陽電池の製造方法には、以下の工程が含まれる。a透明導電膜の製膜bシリコン膜の製膜c裏面電極膜の製膜d透明導電膜、シリコン膜及び裏面電極膜の分離溝形成e’分離溝内での透明導電膜と裏面電極膜との間の絶縁f’’分離溝内での透明導電膜と裏面電極膜との間の短絡製膜工程a、b、c、分離溝を形成するレーザ加工工程dについては、図1及び図2に示し、第一実施形態の説明にて述べた通りである。また、絶縁処理工程e’については、図9及び図10に示し、第二実施形態の説明にて述べた通りである。図16及び図17に示すように、短絡処理工程f’’では、まず、分離溝21の他方側の側縁部に位置するシリコン膜2及び裏面電極膜3にレーザ光47を照射してシリコン膜2及び裏面電極膜3を切削し凹溝22を形成することにより、この凹溝22内に分離溝11の他方側の側縁部に位置する透明導電膜1を露出させる。レーザ光47は、例えば波長1064nmの近赤外レーザや、波長532nmの緑色レーザとする。レーザ光47は、図16中左方に示しているように透明基板0側から透明基板0を透過させて照射してもよいし、図16中右方に示しているように裏面電極膜3側から透明基板0を透過させることなく直接に照射してもよい。加えて、凹溝22は、図16中右方に示しているようにシリコン膜2及び裏面電極膜3に限り切削して透明導電膜1を切削せずに形成してもよいし、図16中左方に示しているようにシリコン膜2及び裏面電極膜3とともに透明導電膜1をも切削して形成してもよい。しかして、凹溝22内及び先に塗布した絶縁体6に重ねて、当該絶縁体6を被覆する導電体7を塗布する。この導電体7は、凹溝22を介して、分離溝21の一方側の側縁部に位置する裏面電極膜3と、分離溝11の他方側の側縁部に位置するそして、凹溝22内に露出する透明導電膜1とを電気的に短絡するものとなる。導電体7の塗布は、液体吐出装置であるディスペンサやインクジェットノズル等82を塗布手段として用いて行う。この塗布手段は、裏面電極膜3側から液体またはペースト状の導電体7を分離溝21及び凹溝22内に向けて吐出する。吐出された導電体7は、絶縁体6に覆い被さるようにして、分離溝21の一方側の側縁部に位置する裏面電極膜3に接する。さらに、導電体7は、図17中右方に示しているように、凹溝22の底にある透明電極膜1に覆い被さることでこれに接するか、あるいは図17中左方に示しているように、凹溝22の他方側の側端にある透明電極膜1に接する。なお、図示例ではそうなっていないが、凹溝22の他方側、即ち分離溝21から遠い側の側縁部に位置する裏面電極膜3と導電体7とが短絡しないように導電体7を塗布してもよい。さすれば、図19に示す凹溝31の切削形成手順が不要となる。その後、塗布した導電体7を硬化させる。図18に示すように、本実施形態では、導電体7にレーザ光44を照射することで、この導電体7を焼成または、焼結することとしている。レーザ光44は、例えば波長1064nmの近赤外レーザや、波長532nmの第二高調波可視光レーザとする。このレーザ光44は、図18中左方に示しているように透明基板0側から透明基板0を透過させて照射してもよいし、図18中右方に示しているように裏面電極膜3側から透明基板0を透過させることなく直接に照射してもよい。さらに、塗布した導電体7が凹溝22の他方側の側縁部に位置する第二の電極膜3に短絡してしまっているので、図19に示すように、短絡処理工程f’’の一部として、導電体7と第二の電極膜3との短絡を断絶する凹溝31を形成する追加処置を遂行する。この凹溝31は、短絡箇所における導電体7及び/または第二の導電膜3を切削してなるものである。図示例では、導電体7及び第二の導電膜3だけでなく発電層2をも切削している。凹溝31は、短絡箇所にレーザ光45を照射して形成する。レーザ光45は、例えば波長1064nmの近赤外レーザや、波長532nmの第二高調波可視光レーザとする。このレーザ光45は、図19中左方に示しているように透明基板0側から透明基板0を透過させて照射してもよいし、図19中右方に示しているように裏面電極膜3側から透明基板0を透過させることなく直接に照射してもよい。以上の工程aないしf’’を経て、図20中矢印で表しているように、f’’で塗布した導電体7を通じた電荷の通り道が完成する。非発電領域は、dで形成した分離溝21及びf’’で形成した凹溝22の溝幅の範囲となる。本実施形態の製造方法に含まれる工程dないしf’’は、一基の製造装置によって実施することが可能である。レーザ加工工程d、絶縁処理工程e’及び短絡処理工程f’’を実施するための製造装置は、透明導電膜1、シリコン膜2及び裏面電極膜3に分離溝11、21を形成するレーザ光41、42を照射する分離溝11、21形成用のレーザ光照射手段と、形成した分離溝11、21の一方側の側縁部において透明導電膜1及びシリコン膜2を被覆する絶縁体6を塗布する絶縁体6の塗布手段と、塗布した絶縁体6を焼成する焼成用のレーザ光照射手段と、絶縁体6に凹溝22を形成するレーザ光照射手段と、絶縁体6に重ねて分離溝21の一方側の側縁部に位置する裏面電極膜3と分離溝11の他方側の側縁部に位置する透明導電膜1とを電気的に短絡する導電体7を塗布する導電体7の塗布手段とを具備する。分離溝11、12形成用のレーザ光照射手段、絶縁体6の塗布手段、絶縁体6焼成用のレーザ光照射手段、導電体7の塗布手段及び導電体7焼成用のレーザ光照射手段はそれぞれ、第一実施形態と同様に構成することができる。凹溝22形成用のレーザ光照射手段は、レーザ発振器が発振する波長1064nmまたは532nmのパルスレーザまたは連続波レーザを伝搬させる光学系と、光学系を介して供給されるレーザを基板0の被加工面に塗布された絶縁体6に向けて出射させる加工ノズル56とを組み合わせてなる。これらの光学系及び加工ノズル56は、分離溝11、21形成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル51や、絶縁体6焼成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル52、及び/または、導電体7焼成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル53と共通化しても構わない。凹溝31形成用のレーザ光照射手段は、レーザ発振器が発振する波長1064nmまたは532nmのパルスレーザまたは連続波レーザを伝搬させる光学系と、光学系を介して供給されるレーザを導電体7と第二の電極膜3との短絡箇所に向けて出射させる加工ノズル54とを組み合わせてなる。これらの光学系及び加工ノズル54は、分離溝形成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル51や、絶縁体6焼成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル52、凹溝22形成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル56、及び/または、導電体7焼成用のレーザ光照射手段の光学系及び加工ノズル53と共通化しても構わない。加工ノズル51、52、53、54、56、ディスペンサまたはインクジェットノズル等81、82はそれぞれ、基板0に対して相対変位可能に設ける。典型的には、薄膜1、2、3に形成する分離溝11、21が延伸するY軸方向に往復走行でき、かつY軸方向とは直交するX軸方向にピッチ送り移動できるリニアモータ台車等に、加工ノズル51、52、53、54、56及びディスペンサまたはインクジェットノズル等81、82を支持させる。分離溝11、21によって多数のセルを区画する都合上、これら加工ノズル51、52、53、54、56及びディスペンサまたはインクジェットノズル等81、82はX軸方向に複数基配列させて設置することが望ましい。因みに、不動の基板0に対して加工ノズル51、52、53、54、56及びディスペンサまたはインクジェットノズル等81、82をX軸方向及び/またはY軸方向に移動させるのに替えて、基板0自体を加工ノズル51、52、53、54、56及びディスペンサまたはインクジェットノズル等81、82に対してX軸方向及び/またはY軸方向に移動させ得る機構を実装することも考えられる。本実施形態によれば、基板上0の第一の電極膜1、発電層2及び第二の電極膜3をセル単位に分割する分離溝11、21を形成するレーザ加工工程dと、レーザ加工工程にて形成した分離溝11、21の一方側の側縁部において第一の電極膜1及び発電層2を被覆する絶縁体6を塗布する絶縁処理工程e’と、絶縁処理工程にて塗布した絶縁体6に重ねて、分離溝21の一方側の側縁部に位置する第二の電極膜3と分離溝11の他方側の側縁部に位置する第一の電極膜1とを電気的に短絡する導電体7を塗布する短絡処理工程f’’とを具備する薄膜太陽電池の製造方法を実施することとしたため、第一の電極膜1、発電層2及び第二の電極膜3の製膜工程a、b、cをレーザ加工工程dの前に配置することができる。つまり、レーザ加工工程の間に製膜工程を挟まなくてよくなる。結果、太陽電池製造ラインに配設すべきレーザ加工機の数を減らすことが可能となり、製造ラインが占有するスペースの縮小につながる。製造ラインがシンプルになれば、製造ラインの中途で製品基板0が滞留することが少なくなり、タクトタイムの短縮、製造コストの削減に資する。加えて、前記絶縁処理工程e’にて、前記レーザ加工工程dで形成した分離溝11、21の略全域を埋めるように絶縁体6を塗布し、前記短絡処理工程f’’にて、前記絶縁体6を切削して凹溝22を形成しこの凹溝22内に前記分離溝11の他方側の側縁部に位置する第一の導電膜1を露出させるとともに、この凹溝22を介して前記導電体7を前記第一の導電膜1に短絡させるようにしているので、ディスペンサまたはインクジェットノズル等81、82による絶縁体6及び導電体7の塗布位置の制御の精度が必ずしも高くなくても、十分な発電性能を発揮する太陽電池を作製することが可能となる。本実施形態の製造方法による留意点としては、短絡処理工程f’’において、塗布する導電体7を凹溝22の他方側の側縁部に位置する第二の電極膜3に短絡させてはならないことが挙げられる。導電体7と凹溝22の他方側の側縁部に位置する第二の電極膜3とが短絡してしまうと、一つのセルにおける第一の電極膜1と第二の電極膜3とが短絡することとなり、当該セルが太陽電池として機能しなくなって発電性能の低下を招くからである。なお、本発明は以上に詳述した実施形態に限られるものではない。上記実施形態では、塗布した絶縁体6や導電体7をレーザ焼成または、焼結によって硬化させていたが、これらをレーザ焼成以外の手法によって硬化させることも可能である。導電体6や導電体7の材質によっては、レーザ焼成以外の方法で乾燥、固化または定着させる方が有利となることがある。例えば、絶縁体6または導電体7を混成した塗布剤を速乾性を有するものとして塗布後に自然乾燥させたり、紫外線を照射してUV硬化させたり、ヒータ等で加熱して熱乾燥または熱硬化させたりする手法が考えられる。今日、絶縁体6についてはUV硬化や熱硬化等が多く、導電体7については熱乾燥や自然乾燥等が多い。このような場合、レーザ加工工程、絶縁処理工程及び短絡処理工程を実施する製造装置には、絶縁体6及び/または導電体7の焼成用のレーザ光照射手段に替えて、紫外線照射ライト、LED、ヒータまたは乾燥機等を実装することとなる。塗布した絶縁体6及び/または導電体7を乾燥その他の方法で固化させる設備乾燥炉等を、レーザ光照射手段を備える製造装置の外部に設けてもよい。絶縁処理工程e、e’や短絡処理工程f、f’、f’’において、レーザ光以外の手段とレーザ光とを組み合わせたダブルキュア、デュアルキュアを行い、塗布した絶縁体6及び/または導電体7を固化させるようにしてもよい。即ち、UV硬化、熱硬化、乾燥等によって絶縁体6及び/または導電体7をある程度固化させた後、仕上げとして絶縁体6及び/または導電体7にレーザ光を照射するのである。このような場合、絶縁処理工程及び短絡処理工程を実施する製造装置には、絶縁体6及び/または導電体7をUV硬化等させるための手段と、絶縁体6及び/または導電体7にレーザ光を照射するレーザ光照射手段とをともに実装することとなる。絶縁処理工程及び短絡処理工程に先んじて、前処理工程を行ってもよい。図21及び図22に示す変形例では、分離溝11、21を形成するレーザ加工工程の後、分離溝11、21の他方側の側縁部に絶縁体6を塗布して固化させる工程、その絶縁体に重ねて導電体7を塗布して固化させる工程を行う。これら前処理工程を実施した状態を、図21に示している。しかる後、上記各実施形態と同様に、絶縁処理工程として絶縁体6を塗布して固化させ、短絡処理工程として導電体を塗布して固化させる。これら絶縁処理工程及び短絡処理工程を実施した状態を、図22に示している。前処理工程で塗布した導電体7は、短絡処理工程による、分離溝21の一方側の側縁部にある第二の電極膜2と分離溝11の他方側の側縁部にある第一の電極膜1との短絡接続に寄与する。前処理工程で塗布した絶縁体6は、前処理工程x2で塗布した導電体7と、分離溝21の他方側の側縁部にある第二の導電膜2との短絡を阻止する。図23ないし図25に示す変形例では、分離溝11、21を形成するレーザ加工工程に先んじて、内に第一の電極膜1を露出させる凹溝23のレーザスクライブによる形成を行い、その凹溝23内に導電体7を塗布する。そして、導電体7を埋設した凹溝23の一方側の側縁部に、分離溝11、21を形成する。これら前処理工程及びレーザ加工工程を実施した状態を、図23に示している。その上で、分離溝11、21の少なくとも一方側の側縁部を被覆する絶縁体6を塗布して固化させる絶縁処理工程、その絶縁体に重ねて導電体7を塗布して固化させる短絡処理工程を行う。これら絶縁処理工程及び短絡処理工程を実施した状態を、図24に示している。前処理工程で塗布した導電体7は、短絡処理工程による、分離溝21の一方側の側縁部にある第二の電極膜2と分離溝11の他方側の側縁部にある第一の電極膜1との短絡接続に寄与する。さらに、図25に示しているように、凹溝23の他方側の側縁部にある第二の導電膜2と、短絡処理工程で塗布した導電体7との短絡を断絶する凹溝31をレーザスクライブにより形成する追加処理を行う。上記実施形態では、シリコン系薄膜太陽電池の製造を念頭に置いていたが、本発明に係る製造方法をCIGS系薄膜太陽電池等の製造に適用することも当然に可能である。CIGS系太陽電池を製造する場合、第一の電極膜1がMo等の裏面電極膜、発電層2がCIGS、CIGSS、CIS、CZTS等の半導体膜、第二の電極膜3がTCO等の透明導電膜となる。この場合、発電層2だけを切削するP2加工や、第二の電極膜3だけを切削するP3加工が容易ではないが、発電層2及び第二の電極膜3を一挙に切削することが許される本発明の採用により、当該太陽電池の量産化に資する。有機薄膜太陽電池を製造する場合には、発電層2が導電性ポリマー、フラーレンその他の有機薄膜半導体等となる。換言すれば、第一の電極膜、発電層及び第二の電極膜はそれぞれ、一意には特定されない。シリコン系太陽電池の例及びCIGS系太陽電池の例から明らかなように、第一の電極膜1と第二の電極膜3とのうち何れが透明導電膜であり何れが裏面電極膜であるかも、限定されないことは言うまでもない。レーザ加工工程、絶縁処理工程及び短絡処理工程の各々で用いるレーザ光の波長もまた、上記実施形態のそれには限定されない。パルスレーザであるか連続波レーザであるかも問われない。また、第一の電極膜と発電層の間や、発電層と第二の電極膜との間に、別途中間層を敷設することもあり得る。その他各部の具体的構成は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形が可能である。