"チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素が官能基で置換されている、有機光電変換材料。前記官能基が少なくとも1つ以上の電子求引性基を含む請求項1に記載の有機光電変換材料。チオインジゴの4位及び6位の炭素に結合している水素が共に官能基で置換されている、請求項1に記載の有機光電変換材料。チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素が官能基で置換されている有機光電変換材料を含んで成る光電変換層を有する光電変換素子。光電変換部からなる画素が複数形成された固体撮像素子を備えた撮像装置であって、入射光を集光する集光光学部と、前記光電変換部上に配置され、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素が官能基で置換されている有機光電変換材料を含んで成る光電変換層、並びに、前記光電変換部上に配置された有機カラーフィルタ層を含み、前記集光光学部で集光した光を受光して光電変換する前記固体撮像素子と、光電変換された信号を処理する信号処理部とを備えた撮像装置。光電変換層に光が入射することにより起電力を生じる太陽電池であって、光透過性導電材料を用いた第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に挟まれ、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素が官能基で置換されている有機光電変換材料を含んで成る前記光電変換層とを備えた太陽電池。有機光電変換材料を光電変換素子に用いたイメージセンサにおいて、暗電流の低減と、光電変換効率の向上とを共に実現することが要望されている。本技術の目的は、緑色波長500~550nmの可視光を従来の材料より高い効率で吸収でき、かつ暗電流を抑制できる有機光電変換材料を提供するものである。また、この有機光電変換材料を含む光電変換素子、光電変換素子を備えた撮像装置や太陽電池を提供するものである。本技術の有機光電変換材料は、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素が官能基で置換されているものである。本技術の光電変換素子は、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素が官能基で置換されている有機光電変換材料を含んで成る光電変換層を有する。本技術の撮像装置は、光電変換部からなる画素が複数形成された固体撮像素子を備えた撮像装置である。そして、入射光を集光する集光光学部と、集光光学部で集光した光を受光して光電変換する固体撮像素子と、光電変換された信号を処理する信号処理部とを備えている。さらに、固体撮像素子は、光電変換部上に配置され、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素が官能基で置換されている有機光電変換材料を含んで成る光電変換層、並びに、光電変換部上に配置された有機カラーフィルタ層を含む。本技術の太陽電池は、光電変換層に光が入射することにより起電力を生じる太陽電池である。そして、光透過性導電材料を用いた第1の電極と、第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に挟まれ、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素が官能基で置換されている有機光電変換材料を含んで成る光電変換層とを備える。上述の本技術の有機光電変換材料の構成によれば、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素が官能基で置換されている構成、即ち、チオインジゴ誘導体である。チオインジゴ誘導体であることから、キナクリドン等の従来使用されていた有機光電変換材料と比較して、イオン化ポテンシャルが深くなる。また、チオインジゴのうち、4位又は6位の炭素に結合している水素が官能基で置換されていることにより、無置換のチオインジゴと比較して、吸収極大波長はあまり変化させないで、吸収強度のみを増大させることが可能になる。上述の本技術の光電変換素子の構成によれば、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素が官能基で置換されている有機光電変換材料を含んで成る光電変換層を有するので、光電変換層のイオン化ポテンシャルが深くなる。これにより、正孔注入性リーク電流による暗時電流の発生を抑制することができる。また、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素が官能基で置換されていることにより、無置換のチオインジゴと比較して、吸収極大波長はあまり変化させないで、吸収強度のみを増大させることが可能になる。上述の本技術の撮像装置の構成によれば、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素が官能基で置換されている有機光電変換材料を含んで成る光電変換層及び有機カラーフィルタ層を光電変換部上に配置した固体撮像素子を備えている。これにより、光電変換層において、正孔注入性リーク電流による暗時電流の発生を抑制することが可能になり、また、光吸収強度が大きくなる。上述の本技術の太陽電池の構成によれば、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素が官能基で置換されている有機光電変換材料を含んで成る光電変換層を備えている。これにより、光電変換層において、正孔注入性リーク電流による暗時電流の発生を抑制することが可能になり、また、光吸収強度が大きくなる。上述の本技術によれば、正孔注入性リーク電流による暗時電流の発生を抑制することが可能になるので、感度を向上することができる。そして、無置換のチオインジゴを使用した場合と比較して、光吸収強度が大きくなることから、緑色波長500~550nmの可視光の吸収量を大きくして、光電変換の効率を向上することができる。これにより、光電変換層を薄くしても十分な電荷を得ることが可能になる。従って、本技術によれば、十分な感度を有し、かつ光電変換層を薄くして小型化することが可能な光電変換素子や撮像装置を実現することができる。以下、本技術を実施するための最良の形態以下、実施の形態とするについて説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.本技術の概要2.第1の実施の形態光電変換素子3.第2の実施の形態固体撮像素子及び撮像装置4.第3の実施の形態太陽電池<1.本技術の概要>まず、本技術の具体的な実施の形態の説明に先立ち、本技術の概要について説明する。本技術の有機光電変換材料は、緑色吸収色素であるチオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素を、他の官能基で置換して構成する。また、本技術の有機光電変換材料を含んで成る光電変換層を有する光電変換素子を構成する。また、本技術の有機光電変換材料を含んで成る光電変換層を有する固体撮像素子を備えた撮像装置を構成する。また、本技術の有機光電変換材料を含んで成る光電変換層を備えた太陽電池を構成する。無置換のチオインジゴの化学構造は、下記の通りである。これに対して、本技術では、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素を、他の官能基で置換する。即ち、下記の化学構造の○で囲まれた、4及び4 ́と6及び6 ́とのうち、少なくとも一方の組において、水素を他の官能基で置換する。置換用の官能基としては、各種の官能基を用いることができる。例えば、ハロゲンCl,Br,I、メチル基、フェニル基、エトキシ基、シアノ基、ニトロ基、等が挙げられる。緑色吸収色素であるチオインジゴの4位、6位の炭素に結合している水素を他の官能基で置換することにより、詳細を後述するように、波長変化を抑制したままで吸収強度のみを増大させることができる。また、特に、チオインジゴの4位、6位の炭素に結合している水素を、電子求引性基で置換することが好ましい。電子求引性基で置換することにより、吸光度を保ったまま、無置換のチオインジゴと比較して、さらにイオン化エネルギーを下げることができる。これにより、光透過電極との間の障壁を高くして、暗電流を抑制することができる。電子求引性基としては、ハロゲンCl,Br,I、シアノ基-CN、ニトロ基-NO2、フェニル基等が挙げられる。例えば、Cl塩素でチオインジゴの4位及び6位の水素を置換した場合の化学構造を、次に示す。ここで、光電変換素子の光電変換層の有機光電変換材料として、チオインジゴの水素を官能基で置換した、チオインジゴ誘導体を用いた場合と、キナクリドン誘導体を用いた場合とで、暗時電流密度を比較して、図6に示す。図6からわかるように、キナクリドン誘導体を用いた場合には、電極からの注入電流のために、印加電圧を増大させると、急激に暗時電流が増加してしまう。一方、チオインジゴ誘導体を用いた場合には、電極からの注入が抑制されるため、高電圧を印加しても暗時電流はあまり増加しない。また、図6に示した光電変換層の2つの材料を用いた場合について、それぞれのエネルギー図を、図7A及び図7Bに示す。図7Aは、チオインジゴ誘導体を用いた場合のエネルギー図を示し、図7Bは、キナクリドン誘導体を用いた場合のエネルギー図を示している。いずれも、光電変換層を挟む2つの電極のうち、光入射側の光透過電極にITOを用いて、対極にAlを用いた構成としている。なお、有機膜中の主要キャリアは一般に正孔であるため、対極のAlからの電子注入の影響は小さいと予想される。図7Aに示すように、チオインジゴ誘導体を用いた場合には、光電変換層のイオン化ポテンシャル≒HOMO=6.6eVが深いので、光透過電極のITOからのホール注入が起こりにくい。一方、図7Bに示すように、キナクリドン誘導体を用いた場合には、光電変換層のイオン化ポテンシャル≒HOMO=5.4eVが浅いので、光透過電極のITOからのホール注入が起こりやすく、暗電流が増える。従って、チオインジゴ誘導体を使用することにより、従来使用されていたキナクリドン誘導体と比較して、暗電流を低減することができる。次に、チオインジゴを官能基で置換する場所や置換する官能基を変えた、様々な構造の材料について、光吸収効率を調べた。まず、第一原理計算により、それぞれの材料の吸収波長と吸収強度を求めた。計算を行った材料群の化学構造を以下に示す。まず、前記材料群のうちのM01~M12と、置換前のチオインジゴについて、緑色の可視光の波長帯波長500nm~550nmの吸収スペクトルを第一原理計算シミュレーションにより求めた。これらの材料の吸収波長ピーク波長とピーク波長における吸収強度fとの関係を、図8に示す。図8に示すように、破線で囲った、M01,M02,M04,M08,M09が高い吸収強度を示す。次に、前記材料群のうちのME1~ME6について、緑色の可視光の波長帯波長500nm~550nmの吸収スペクトルを、第一原理計算シミュレーションにより求めた。これらの材料の吸収波長ピーク波長とピーク波長における吸収強度fとの関係を、図9に示す。なお、図9は、図8とは縦軸及び横軸の数値範囲が異なるが、図9のME5の結果は、図8の置換前及びM06より0.005程度吸収強度fが大きくなっている。ME6は、吸収波長が他の5つよりも長いが、図8のM03と同程度の波長である。図9に示すように、ME1が最も吸収強度が高く、次いでME6,ME2,ME4の順となった。図8及び図9に示す計算結果から、M01,M02,M04,M08,M09,ME1~ME6については、吸収波長をあまり変化させないで、吸収強度が増大することがわかる。これらは、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素を他の官能基で置換した場合4位及び7位の炭素に結合している水素を置換した場合を含むに該当する。これに対して、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素は置換されておらず、他の5位や7位の炭素に結合している水素のみを置換した場合やM07のように置換構造が異なる場合には、吸収波長が変化するか、又は、吸収強度が増大しない。さらに、M01,M02,M04,M08,M09,ME1~ME6の中で吸収強度を比較した。すると、同じ置換基Cl等では、4位及び6位を置換>4位及び7位を置換>4位のみを置換>6位のみを置換という傾向が見られた。また、置換位置が同じ場合には、置換基の種類によって、Clのみ>ClとCH3>CH3のみという傾向が見られた。次に、M01,M02,M04,M08,M09について、実際に可視光の吸収スペクトルを測定した。また、比較対照として、未置換のチオインジゴについても、可視光の吸収スペクトルを測定した。測定結果として、各材料の可視光の吸収スペクトルを、図10に示す。図10より、置換後の530nm付近の吸光度に大きな差異は認められなかった。少なくとも、置換基の効果で計算の結果には反して、吸収光度が大きく落ち込むことはない。なお、M01やM08は、他の材料よりも吸収スペクトルが長波長側にある。M01やM08は、チオインジゴの4位及び7位の炭素に結合した水素をClやCH3Meで置換した構成である。また、未置換のチオインジゴでは、はっきりとした吸収ピークが現れず、可視光全体にわたって、置換した場合よりも低い吸光度となっている。次に、未置換のチオインジゴ及び前記材料群のそれぞれの材料について、イオン化ポテンシャルHOMO-LUMOレベルを、第一原理計算により求めた。結果を図11に示す。図11の最も左のデータが未置換のチオインジゴのデータである。図11からわかるように、電子求引性基Clのみで置換したM01,M05,ME1,ME3,ME6は、HOMOが深い。これに対して、電子供与性基OEt、Meで置換したM04,M08,M09,M14,M15,ME4,ME5は、HOMOが浅い。さらに、イオン化ポテンシャルHOMO-LUMOレベルの計算値と実験値とを比較して、図12に示す。図12より、計算値と実験値とで相関があり、計算値でも評価が可能であると考えられる。第一原理計算及び可視光吸収スペクトルの測定の結果から、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合した水素の置換によって、吸収波長をあまり変化させないで、光吸収効率が増大することがわかる。また、チオインジゴの4位及び6位の炭素に結合した水素の両方を置換した場合には、光吸収効率が特に大きく増加することがわかる。特に、イメージセンサ用途の光電変換素子では、吸収波長の変化を抑えたまま吸光度のみを向上させることにより、光電変換層をnmオーダーの薄膜としても、緑色の光を感度良く検出することが可能になる。また、HOMOレベルは、クロロ基等の電子求引性基の置換の場合に下がり、逆に原子供与性基エトキシ基やメチル基の場合に上昇することがわかる。この性質を利用することによって、電極の金属層と光電変換層との間の障壁高さを制御することができる。<2.第1の実施の形態光電変換素子>第1の実施の形態の光電変換素子の概略構成図断面図を、図1に示す。図1に示す光電変換素子10は、光透過電極11と、対極13との間に、有機材料から成る光電変換層12を挟んで構成されている。光透過電極11の材料としては、例えば、ITOインジウム錫酸化物、酸化錫、酸化亜鉛、酸化チタン等の光透過性導電材料を使用することができる。対極13の材料としては、例えば、Al,Pt,Pd,Cr,Ni,Ag,Ta,W,Cu,Ti,In,Sn,Fe,Co,Mo等の金属やこれらの金属元素を含む合金等を使用することができる。光透過性導電材料は仕事関数が大きく、光透過電極11が電子を取り出すアノード電極として作用するので、対極13には正孔を取り出すカソード電極として作用する、仕事関数の小さい材料を使用する。本実施の形態の光電変換素子10では、特に、光電変換層12の材料として、本技術の有機光電変換材料、即ち、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素を、他の官能基で置換した材料を使用する。チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素を他の官能基で置換した材料としては、例えば前述した物質群のそれぞれの材料を使用することができる。より好ましくは、置換する官能基として、電子求引性基を少なくとも1つ以上含む構成とする。電子求引性基としては、前述したように、ハロゲンCl,Br,I、シアノ基-CN、ニトロ基-NO2、フェニル基等が挙げられる。上述した物質群では、M01,M02,ME1~ME3,ME6が該当する。水素を置換する官能基として、電子求引性基を少なくとも1つ以上含むことにより、電子求引性基を含まない場合と比較して、イオン化ポテンシャルを大きくすることができる。さらに好ましくは、イオン化ポテンシャルが-6.0eV以下である材料を使用する。イオン化ポテンシャルが-6.0eV以下で、イオン化ポテンシャルの絶対値が大きいことにより、正孔注入性リーク電流の発生を抑制する効果が高くなる。また、より好ましくは、チオインジゴの4位及び6位の炭素に結合している水素が共に官能基で置換されている構成とする。チオインジゴの4位及び6位の炭素に結合している水素が共に官能基で置換されていることにより、前述したように、光吸収効率が特に大きく増加するので、光電変換の効率をさらに高くすることができる。光電変換層12の材料としてチオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素を他の官能基で置換した材料を使用することにより、この材料はイオン化ポテンシャルが大きいので、正孔注入性リーク電流の発生を抑制することができる。これにより、暗時電流を小さくして、感度を向上することが可能になる。また、この材料は、無置換のチオインジゴと比較して光吸収強度が大きいので、光電変換層12における光電変換の効率を高くすることができる。本実施の形態の光電変換素子10において、図1に示すように、光透過電極11と対極13の間に電圧をかければ、光電変換層12に電流を生じて光伝導体フォトコンダクターとなり、光センサ撮像素子等に利用することができる。そして、光Lの照射の量に対応した量の電流が得られる。一方、光透過電極11と対極13の間に電圧をかけずに、光Lの照射のみを行えば、光電変換素子10によって光起電力を取り出すことができ、光電池として作用させることができる。上述の本実施の形態の光電変換素子10の構成によれば、光電変換層12の材料に、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素を他の官能基で置換した材料を使用していることにより、光電変換層12のイオン化ポテンシャルが深くなる。これにより、光透過電極11からの正孔注入性リーク電流による暗時電流の発生を抑制することができる。このように、光電変換層12のみで正孔注入性リーク電流による暗時電流の発生を抑制することが可能になるため、正孔注入を抑制するための仕事関数調整膜等を設けて多層化する必要がなくなる。このため、光電変換素子10の構成を単純化することができ、材料コストを低減できる。また、複雑な構成の製造装置を必要とせず、製造装置を簡素化することができるので、多層化した構成と比較して製造工程数を低減することができ、製造コストの低減を図ることができる。また、本実施の形態の光電変換素子10の構成によれば、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素を他の官能基で置換した材料を使用した光電変換層12を備えている。これにより、フィルタ等による光の損失を生じることなく、入射した光を光電変換層12の内部で光電変換させることができる。さらに、多層化の必要がないため、界面抵抗による光電流の取り出し効率の低下を抑制することができる。また、光吸収強度の大きい材料を光電変換層12に使用していることから、光の利用効率を向上することができるため、光電変換層12を薄くしても十分な電荷を得ることが可能になる。従って、本実施の形態の光電変換素子10の構成によれば、十分な感度を有し、かつ光電変換層を薄くして小型化することが可能な光電変換素子10を実現することができる。<3.第2の実施の形態固体撮像素子及び撮像装置>第2の実施の形態の固体撮像素子の概略構成図一部断面を示す斜視図を、図2に示す。本実施の形態は、CMOS型の固体撮像素子及びこの固体撮像素子を備えた撮像装置に本技術を適用した場合である。図2に示す固体撮像素子30は、シリコン基板等の半導体基板31に、例えばフォトダイオードから成り、入射光Lを電気信号に変換する光電変換部32と、トランジスタ群33とを有する画素Pが多数形成されて成る。トランジスタ群33は、転送トランジスタ、増幅トランジスタ、リセットトランジスタ等であり、図2ではその一部を図示しており、ソースドレイン領域が半導体基板31内に形成され、ゲート電極が半導体基板31の下側に形成されている。なお、半導体基板31には、図示しない部分に、各光電変換部32から読み出した信号電荷を処理する信号処理部が形成されている。半導体基板31の、隣接する画素Pの間の部分には、素子分離領域34が形成されている。素子分離領域34は、例えば、光電変換部32例えばn型とは逆導電型の高濃度の半導体領域例えばp型によって形成することができる。半導体基板31の下側には、複数層の配線層37とその間の絶縁層36とから成る配線部35が形成されている。配線部35の下には、例えばシリコン基板から成る支持基板38が形成されている。半導体基板31の上側には、光透過性を有する第1電極41が形成されている。この第1電極41の上には、光電変換層として、有機光電変換材料から成る有機光電変換膜42が形成されている。さらに、有機光電変換膜42の上に、光透過性を有する第2電極43を介して、有機カラーフィルタ層44が形成されている。この有機カラーフィルタ層44は、光電変換部32に対応して形成され、例えば、シアンのカラーフィルタとイエローのカラーフィルタを配置して成る。有機カラーフィルタ層44の上には、光電変換部32に入射光Lを集光させる集光レンズ45が形成されている。光透過性を有する、第1電極41及び第2電極43の材料としては、ITOインジウム錫酸化物、酸化錫、アルミニウム亜鉛酸化物、ガリウム亜鉛酸化物、インジウム亜鉛酸化物等の光透過性導電材料を使用することができる。また、CuI,InSbO4,ZnMgO,CuInO2,MgIn2O4,CdO,ZnSnO3等を使用することもできる。第1電極41と第2電極43は、同じ材料で形成することも、異なる材料で形成することも、どちらも可能である。なお、有機光電変換膜42の下の第1電極41は、画素毎に分離された構成とすることが好ましい。第1電極41と第2電極43との間に電圧を印加した状態で、入射光Lの量に対応する電流を得て、有機光電変換膜42に入射した入射光Lの量を検出することができる。そして、本実施の形態では、特に、有機光電変換膜42の材料として、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素を他の官能基で置換した材料を使用する。より好ましくは、水素を置換する官能基として、電子求引性基を少なくとも1つ以上含む構成とする。電子求引性基としては、ハロゲンCl,Br,I、シアノ基-CN、ニトロ基-NO2、フェニル基等が挙げられる。また、より好ましくは、チオインジゴの4位及び6位の炭素に結合している水素が共に官能基で置換されている構成とする。チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素を他の官能基で置換した材料は、チオインジゴと同様にイオン化ポテンシャルが大きい。これにより、正孔注入性リーク電流の発生を抑制することができ、暗時電流を小さくして、感度を向上することが可能になる。また、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素を他の官能基で置換した材料は、無置換のチオインジゴと比較して、吸収極大波長はあまり変化させないで、吸収強度のみを増大させることが可能になる。図2に示す固体撮像素子30は、緑を有機光電変換膜42から信号を取り出し、青と赤をシアンとイエローの有機カラーフィルタ層44との組み合わせにより取り出す構成である。ここで、有機光電変換膜42と有機カラーフィルタ層44の平面的配置コーディングの一形態を、図3A及び図3Bに示す。図3Aは有機光電変換膜42を示し、図3Bは有機カラーフィルタ層44を示している。図3Aに示すように、緑を取り出す有機光電変換膜42は、全画素に配置されている。また、図3Bに示すように、シアンのカラーフィルタ44Cと、イエローのカラーフィルタ44Yとは、所謂市松配列となっている。シアンのカラーフィルタ44Cによる吸収で赤成分が除去され、有機光電変換膜42による吸収で緑成分が除去されて、残った青成分にて青を取り出すことができる。イエローのカラーフィルタ44Yによる吸収で青成分が除去され、有機光電変換膜42による吸収で緑成分が除去されて、残った赤成分にて赤を取り出すことができる。以上の構成により、本実施の形態の固体撮像素子30では、緑、青、赤の分離された色信号を出力することができる。なお、有機カラーフィルタ層44の平面的配置コーディングは、図3Bに示した市松配列に限定されるものではなく、他の配置とすることも可能である。本実施の形態では、さらに、固体撮像素子を備えた撮像装置を構成する。第2の実施の形態の撮像装置の概略構成図ブロック図を、図4に示す。図4に示すように、本実施の形態の撮像装置100は、撮像部101と結像光学系102と信号処理部103とを有して成る。そして、撮像部101には、固体撮像素子図示せずを備えている。この撮像部101の集光側には、入射光を集光する集光光学部として、像を結像させる結像光学系102が備えられ、また、撮像部101には、撮像部101を駆動する駆動回路や、固体撮像素子で光電変換された信号を画像に処理する信号処理回路等を有する、信号処理部103が接続されている。信号処理部103によって処理された画像信号は、画像記憶部図示せずによって記憶させることができる。この撮像装置100の具体的な製品としては、例えば、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、携帯電話のカメラ等がある。そして、本実施の形態では、撮像装置100の撮像部101に、図2に示した固体撮像素子30を用いる。撮像装置100の撮像部101に図2に示した固体撮像素子30を用いることから、固体撮像素子30がチオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素を他の官能基で置換した材料から成る有機光電変換膜42を有している。これにより、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素を他の官能基で置換した材料は、イオン化ポテンシャルが大きいので、正孔注入性リーク電流の発生を抑制することができ、暗時電流を小さくして、感度を向上することが可能になる。また、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素を他の官能基で置換した材料は、無置換のチオインジゴと比較して、吸収極大波長はあまり変化させないで、光吸収強度のみを増大させることが可能になる。従って、緑色波長500~550nmの可視光の吸収量を大きくして、光電変換の効率を向上することができる。これにより、有機光電変換膜42を薄くしても十分な電荷を得ることが可能になる。上述の本実施の形態の撮像装置100の構成によれば、撮像部101に、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素を他の官能基で置換した材料から成る有機光電変換膜42を有している固体撮像素子30を用いている。これにより、有機光電変換膜42において、正孔注入性リーク電流の発生を抑制できるので、正孔注入性リーク電流による暗時電流の発生を抑制して、感度を向上することができる。そして、有機光電変換膜42のみで暗時電流の発生を抑制することが可能であり、正孔注入を抑制するための仕事関数調整膜等を設ける必要がなくなる。また、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素を他の官能基で置換した材料を使用した有機光電変換膜42において、緑の光を受光検出することができる。これにより、有機光電変換膜を使用しないで有機カラーフィルタ層のみを設けた構成と比較して、有機カラーフィルタ層における緑の光の損失を低減することができ、緑の光について、利用効率を向上して、感度を向上することが可能になる。さらにまた、無置換のチオインジゴを有機光電変換膜42に使用した場合と比較して、光吸収強度が大きくなることから、緑色波長500~550nmの可視光の吸収量を大きくして、光電変換の効率を向上することができる。これにより、有機光電変換膜42を薄くしても十分な電荷を得ることが可能になるので、有機光電変換膜42を薄くして、固体撮像素子30及び固体撮像素子30を備えた撮像装置100を小型化することが可能になる。従って、本実施の形態の撮像装置100の構成によれば、単純な構成で緑の光に対して十分な感度を有し、小型化が可能な固体撮像素子及び撮像装置を実現することができる。なお、上述の実施の形態では、有機光電変換膜42を緑で形成し、青と赤をシアンのカラーフィルタ44Cとイエローのカラーフィルタ44Yとの組合せにて取り出す構成であったが、青と赤を取り出す構成は、その他の構成としても構わない。また、上述の実施の形態では、半導体基板31の光電変換部32に、配線部35とは反対の側から光を入射させる構成所謂裏面照射型の構成であったが、配線部と同じ側から光を入射させる構成所謂表面照射型の構成にも本技術を適用することができる。また、有機光電変換膜42と有機カラーフィルタ層44の積層順序を逆にして、有機カラーフィルタ層44の方が半導体基板31に近い構成としても構わない。図2の固体撮像素子30では、有機光電変換膜42が多数の画素にわたって、連続して一様に形成された構成としていた。これに対して、有機光電変換膜の画素間の部分に分離領域を形成して、有機光電変換膜が画素毎に分離された構成とすることも可能である。この分離領域としては、例えば、有機光電変換膜に、酸素、窒素、ヘリウム、アルゴン、水素等の不純物を注入して、有機光電変換膜の物性導電性、屈折率、光吸収等や分子結合を変化させた構成が可能である。また、有機光電変換膜に溝を形成して、絶縁性であり有機光電変換膜の材料とは光学特性吸収又は反射特性の異なる材料で、溝を埋めた構成も可能である。上述の実施の形態では、撮像装置100の撮像部101に図2の固体撮像素子30を用いる構成としたが、撮像部に用いる固体撮像素子の構成は、図2の固体撮像素子30の構成に限定されるものではなく、他の構成も可能である。光電変換膜の材料として、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素を他の官能基で置換した材料を用いた構成の固体撮像装置であれば、図2の固体撮像素子30と同様に、図4の撮像装置100の撮像部101に用いても構わない。固体撮像素子30は、ワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と、信号処理部又は光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。本技術において、撮像装置は、例えば、カメラや撮像機能を有する携帯機器のことを示す。また撮像は、通常のカメラ撮影時における像の撮りこみだけではなく、広義の意味として、指紋検出等も含むものである。<4.第3の実施の形態太陽電池>第3の実施の形態の太陽電池の概略構成図断面図を、図5に示す。図5に示す太陽電池50は、光透過性材料を用いた第1の電極光透過電極51と、第2の電極対極53との間に、有機材料から成る光電変換層52を挟んで構成されている。第1の電極光透過電極51の材料としては、例えば、ITOインジウム錫酸化物、酸化錫、酸化亜鉛、酸化チタン等の光透過性導電材料を使用することができる。第2の電極対極53の材料としては、例えば、Al,Pt,Pd,Cr,Ni,Ag,Ta,W,Cu,Ti,In,Sn,Fe,Co,Mo等の金属やこれらの金属元素を含む合金等を使用することができる。光透過性導電材料は仕事関数が大きく、第1の電極光透過電極51が電子を取り出すアノード電極として作用するので、第2の電極対極53には正孔を取り出すカソード電極として作用する、仕事関数の小さい材料を使用する。本実施の形態の太陽電池50では、特に、光電変換層52の材料として、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素を他の官能基で置換した材料を使用する。より好ましくは、水素を置換する官能基として、電子求引性基を少なくとも1つ以上含む構成とする。電子求引性基としては、ハロゲンCl,Br,I、シアノ基-CN、ニトロ基-NO2、フェニル基等が挙げられる。また、より好ましくは、チオインジゴの4位及び6位の炭素に結合している水素が共に官能基で置換されている構成とする。本実施の形態の太陽電池50においては、図5に示すように、光Lが照射されることにより、太陽電池50によって起電力を取り出すことができる。上述の本実施の形態の太陽電池50の構成によれば、チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素を他の官能基で置換した材料を使用した光電変換層52を備えている。これにより、入射した光Lを光電変換層52の内部で光電変換させて、起電力を得ることができる。そして、光電変換層52がチオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素を他の官能基で置換した材料を使用しているので、光電変換層52において、正孔注入性リーク電流の発生を抑制できる。そして、正孔注入性リーク電流による暗時電流の発生を抑制して、開放電圧を向上することができる。これにより、入射光の光量に対する太陽電池50の発電量の比率発電効率を向上することができる。さらに、光電変換層52がチオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素を他の官能基で置換した材料を使用しているので、無置換のチオインジゴを使用した場合と比較して、光吸収強度が大きくなる。従って、緑色波長500~550nmの可視光の吸収量を大きくして、光電変換の効率を向上することができる。これにより、光電変換層52を薄くしても十分な電荷を得ることが可能になるので、光電変換層42を薄くして、光電変換層42を備えた太陽電池50の小型化を図ることができる。さらに、多層化の必要がないため、界面抵抗による光電流の取り出し効率の低下を抑制することができる。なお、本開示は以下のような構成も取ることができる。1チオインジゴの4位又は6位の炭素に結合している水素が官能基で置換されている、有機光電変換材料。2前記官能基が少なくとも1つ以上の電子求引性基を含む前記1に記載の有機光電変換材料。3チオインジゴの4位及び6位の炭素に結合している水素が共に官能基で置換されている、前記1又は前記2に記載の有機光電変換材料。4前記1~3のいずれか1項に記載の有機光電変換材料を含んで成る光電変換層を有する光電変換素子。5光電変換部からなる画素が複数形成された固体撮像素子を備えた撮像装置であって、入射光を集光する集光光学部と、前記光電変換部上に配置され、前記1~3のいずれか1項に記載の有機光電変換材料を含んで成る光電変換層、並びに、前記光電変換部上に配置された有機カラーフィルタ層を含み、前記集光光学部で集光した光を受光して光電変換する前記固体撮像素子と、光電変換された信号を処理する信号処理部とを備えた撮像装置。6光電変換層に光が入射することにより起電力を生じる太陽電池であって、光透過性導電材料を用いた第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に挟まれ、前記1~3のいずれか1項に記載の有機光電変換材料を含んで成る前記光電変換層とを備えた太陽電池。本技術は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。"