振動板と、前記振動板上に積層された圧電体膜および上部電極からなる圧電素子と、を有し、前記圧電体膜に圧縮応力が付与されていることを特徴とする共振振動子。前記振動板は、前記圧電素子が形成されている面に対して水平方向に伸縮振動することを特徴とする請求項1に記載の共振振動子。前記圧電体膜の膜厚が1μm以上5μm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の共振振動子。前記圧電体膜の内部応力が100MPa以上の圧縮応力であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の共振振動子。前記圧電体膜の内部応力が300MPa以上の圧縮応力であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の共振振動子。前記振動板は、振動方向に対して垂直方向の側面のみで支持されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の共振振動子。前記振動板の熱膨張係数が、前記圧電体膜の熱膨張係数より大きいことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の共振振動子。振動板上に、前記振動板より熱膨張係数の低い圧電体膜を400°C以上で成膜する工程と、前記振動板および前記圧電体膜を常温に戻す工程と、を有し、前記振動板と前記圧電体膜の熱膨張係数の差により、前記圧電体膜に圧縮応力を付与することを特徴とする共振振動子の製造方法。請求項1から7のいずれか1項に記載の共振振動子を備えることを特徴とする超音波処置具。特許文献1に記載の超音波処置具は、圧電素子に、大きな振動速度が得られるようにボルト締めランジュバン振動子を使用しているが、超音波処置具として、切開、凝固などを行なうには振動速度が足りないために振動速度を拡大するホーン部が必要となっていた。しかしながら、ホーン部で振動速度を拡大するためには、処置部に対して振動部のサイズを大きくする必要がある。そのため、内視鏡内で超音波処置具を利用しようとすると、振動部のサイズは直径約2mm~3mm程度に限られてしまうため、処置部はさらに小さくなってしまい、処置に時間がかかるなどの問題があった。また、非特許文献1には、ホーン部を持たない矩形形状と、変成比が3.5のホーン部を有した構造が記載されており、振動部の振動速度が矩形形状で2m/s、ホーン部を有した形状で7m/sであることが記載されている。超音波処置具として切開、凝固を行なうためには、7m/sの振動速度が必要であるため、変成比を3.5以上にする必要がある。そのため、処置部の幅が1mmよりも小さくなってしまう。また振動のトルクは変成比の分小さくなるためトルクが小さい、という問題もあった。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、高い振動速度を得ることができる共振振動子、共振振動子の製造方法およびこの共振振動子を有する超音波処置具を提供することを目的とする。本発明は前記目的を達成するために、振動板と、前記振動板上に積層された圧電体膜および上部電極からなる圧電素子と、を有し、前記圧電体膜に圧縮応力が付与されていることを特徴とする共振振動子を提供する。圧電体膜は、一般的に圧縮強度より引張強度の方が小さく、そのため、共振振動子の振動速度は、引張強度に依存して決定される。本発明によれば、圧電体膜自体に圧縮応力を内部応力として付与しているため、圧電体膜に通常の場合と比較して高い引張応力をかけることができる。したがって、従来よりも高い振動速度を得ることができる。本発明は、前記振動板は、前記圧電素子が形成されている面に対して水平方向に伸縮振動することが好ましい。本発明によれば、振動板を圧電素子が形成されている面に対して水平方向に伸縮振動させているので、超音波処置具として使用した場合に、生体の切開作用、コアギュレーションによる止血作用を得ることができる。本発明は、前記圧電体膜の膜厚が1μm以上5μm以下であることが好ましい。本発明によれば、圧電体膜の膜厚を上記範囲とすることにより、装置を小型化することができる。本発明は、前記圧電体膜の内部応力が100MPa以上の圧縮応力であることが好ましい。本発明によれば、圧電体膜の内部応力を100MPa以上の圧縮応力としているので、矩形形状の共振振動子の振動速度を3.5m/sまで上げることができる。したがって、振動増幅部の変成比を2.0以下で設計を行なっても、振動部の振動速度を7.0m/s以上とすることができる。本発明は、前記圧電体膜の内部応力が300MPa以上の圧縮応力であることが好ましい。本発明によれば、圧電体膜の内部応力を300MPa以上の圧縮応力としているので、矩形形状の共振振動子で7.0m/s以上の振動速度を得ることができ、設計の幅を広げることができる。また、処置具の体内に挿入する部分に駆動部を設ける場合は、駆動電圧を高くすることができないが、本発明によれば、体内で安全に駆動できる電圧の範囲では、駆動電圧を上げることにより、振動速度を向上させることができる。本発明は、前記振動板は、振動方向に対して垂直方向の側面のみで支持されていることが好ましい。本発明によれば、振動板を振動方向に対して垂直方向の側面のみで支持しているので、振動板の振動を容易に行なうことができる。本発明は、前記振動板の熱膨張係数が、前記圧電体膜の熱膨張係数より大きいことが好ましい。本発明によれば、振動板の熱膨張係数が、圧電体膜の熱膨張係数より大きいので、高温で成膜した後、常温に戻す際に熱膨張係数の違いにより歪が発生する。したがって、圧電体膜に内部応力を付与することができる。本発明は前記目的を達成するために、振動板上に、前記振動板より熱膨張係数の低い圧電体膜を400°C以上で成膜する工程と、前記振動板および前記圧電体膜を常温に戻す工程と、を有し、前記振動板と前記圧電体膜の熱膨張係数の差により、前記圧電体膜に圧縮応力を付与することを特徴とする共振振動子の製造方法を提供する。本発明によれば、圧電体膜の材料として振動版より熱膨張係数の低い材料を用い、400°C以上で成膜した後、常温に戻すことで、熱膨張係数の違いにより、振動板と圧電体膜の間に歪を発生させることができるので、圧電体膜に内部応力を付与することができる。本発明は前記目的を達成するために、上記記載の共振振動子を備えることを特徴とする超音波処置具を提供する。本発明の共振振動子によれば、高い振動速度を得ることができるので、振動増幅部が不要、あるいは、振動増幅部の変成比を小さくすることができ、処置部のサイズを大きくすることができる。したがって、超音波処置具として好適に使用することができる。本発明の共振振動子、共振振動子の製造方法およびこの共振振動子を有する超音波処置具によれば、成膜時に圧電体膜に圧縮応力を付加しておくことにより、高い振動速度を得ることができる。以下、添付図面に従って本発明に係る共振振動子およびこの共振振動子を有する超音波処置具の好ましい実施の形態について詳説する。共振振動子図1aは、本発明に用いられる第1実施形態の共振振動子の構造を模式的に示す平面図であり、図1bは、第2実施形態の共振振動子の構造を模式的に示す平面図である。第2実施形態に示す共振振動子は、駆動部での振動速度を拡大する振動増幅部を備えている点で第1実施形態と異なっている。以下は、主に、第1実施形態の共振振動子を用いて説明するが、第2実施形態にかかる共振振動子は、振動増幅部を備えている点で第1実施形態と異なっているが、それ以外の構成は第1実施形態と同じである。共振振動子50は、図1に示すように、基板52上に圧電素子54を備え基板52を振動させる駆動部56、基板52の先端であり圧電素子54の駆動により振動する振動部58、駆動を支持する支持部60、および駆動部56を支持部60に固定する固定部62から構成されている。共振振動子50は、図1aにおいて、左右方向に振動する。そのため、駆動部56および振動部58は、振動方向に対して垂直方向、すなわち、図1aにおいて、上下方向側面に固定部62により支持部60に支持されていることが好ましい。また、第2実施形態においては、駆動部156で得られた振動速度を拡大して振動部158に伝えるための振動増幅部157を備えている。なお、図1及び図2においては、圧電素子54は、駆動部56と固定部62から支持部60の一部に設けられているが、これは支持部60上の圧電素子54に電極を接続するためであり、圧電素子54に電極を接続するためであり、圧電素子54を形成する位置は、駆動部56に形成されていれば特に限定されない。第2実施形態における振動増幅部の変成比は、駆動部の幅方向の長さと振動部の幅方向の長さ、ホーンの形状により決定することができる。圧電素子次に、本発明の共振振動子50に用いられる圧電素子54について説明する。圧電素子54は、図2に示すように、基板52上に、下部電極64、圧電体膜66、上部電極68が順次積層された素子であり、圧電体膜66に対して、下部電極64と上部電極68とにより厚み方向に電界が印加されるようになっている。電界が印加されると、圧電素子54の電界方向と垂直方向d31方向に伸縮するため、基板52の長手方向、すなわち、圧電素子54が形成されている面に対して水平方向に伸縮振動する。基板52の材料としては、Ti、Al、SUS、およびその合金などを挙げることができ、基板と圧電体膜との関係で圧電体膜に圧縮応力がかかるように、圧電体膜の熱膨張係数より大きい熱膨張係数を有する基板を用いることが好ましい。その中でも、Tiおよびその合金を用いることが好ましい。Tiおよびその合金を用いることにより、熱膨張係数の関係から圧電体膜に圧縮応力をかけやすくすることができる。また、後述する超音波処置具などに使用する場合に安全に使用することができる。下部電極64は必要に応じて設けることができる。例えば、基板52が金属などの導電性を有する材料で形成されている場合は、下部電極を設けず、基板52上に直接圧電体膜66を成膜することができる。下部電極64の主成分としては、特に制限はなく、Au、Pt、Ir、IrO2、RuO2、LaNiO3、及びSrRuO3等の金属又は金属酸化物、及びこれらの組合せが挙げられる。上部電極68の主成分としては特に制限なく、下部電極64で例示した材料、Al、Ta、Cr、及びCu等の一般的に半導体プロセスで用いられている電極材料、及びこれらの組合せが挙げられる。圧電体膜66としては、下記一般式Pで表される1種または複数種のペロブスカイト型酸化物を用いることができる。一般式AaBbO3P式中、A:Aサイト元素であり、Pbを含む少なくとも1種の元素、B:Bサイトの元素であり、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Sc、Co、Cu、In、Sn、Ga、Zn、Cd、Fe、Ni、及びランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、O:酸素原子。a=1.0かつb=1.0である場合が標準であるが、これらの数値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で1.0からずれてもよい。下記に示す気相成長法により圧電体膜を成膜することで、1.0≦aであるPb抜けのない組成の圧電体膜を成膜することができ、1.0<aであるPbリッチな組成の圧電体膜を提供することもできる。aの上限は特に制限がなく、1.0≦a≦1.3であれば、圧電性能が良好な圧電膜を得ることができる。下部電極64と上部電極68の厚みは特に制限なく、例えば200nm程度である。圧電体膜66の膜厚は特に制限なく、通常1μm以上であり、例えば、1~5μmである。圧電体膜の製膜方法次に圧電体膜の製膜方法について説明する。本発明の圧電体膜は、プラズマを用いる気相成長法により膜を製膜することができ、成膜温度Ts°Cと、成膜時のプラズマ中のプラズマ電位VsVとフローティング電位VfVとの差であるVs-VfVと、成膜される膜の特性との関係に基づいて製膜条件を決定することができる。適用可能な気相成長法としては、スパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、イオンプレーティング法、及びプラズマCVD法等が挙げられる。上記関係が求められる膜の特性としては、膜の結晶構造および/または膜組成が挙げられ、膜の組成を調整することで、圧電体膜のヤング率を変更することができる。図3に基づいて、スパッタリング装置を例として、プラズマを用いる成膜装置の構成例について説明する。図3aはRFスパッタリング装置の概略断面図であり、図3bは成膜中の様子を模式的に示す図である。RFスパッタリング装置200は、内部に、基板Bが装着されると共に、装着された基板Bを所定温度に加熱することが可能なヒータ211と、プラズマを発生させるプラズマ電極カソード電極212とが備えられた真空容器210から概略構成されている。ヒータ211とプラズマ電極212とは互いに対向するように離間配置され、プラズマ電極212上に成膜する膜の組成に応じた組成のターゲットTが装着されるようになっている。プラズマ電極212は高周波電源213に接続されている。真空容器210には、真空容器210内に成膜に必要なガスGを導入するガス導入管214と、真空容器210内のガスの排気Vを行うガス排出管215とが取り付けられている。ガスGとしては、Ar、又はAr/O2混合ガス等が使用される。図3bに模式的に示すように、プラズマ電極212の放電により真空容器210内に導入されたガスGがプラズマ化され、Arイオン等のプラスイオンIpが生成する。生成したプラスイオンIpはターゲットTをスパッタする。プラスイオンIpにスパッタされたターゲットTの構成元素Tpは、ターゲットから放出され中性あるいはイオン化された状態で基板Bに蒸着される。図中、符号Pがプラズマ空間を示している。プラズマ空間Pの電位はプラズマ電位VsVとなる。通常、基板Bは絶縁体であり、かつ、電気的にアースから絶縁されている。したがって、基板Bはフローティング状態にあり、その電位はフローティング電位VfVとなる。ターゲットTと基板Bとの間にあるターゲットの構成元素Tpは、プラズマ空間Pの電位と基板Bの電位との電位差Vs-Vfの加速電圧分の運動エネルギーを持って、成膜中の基板Bに衝突すると考えられる。プラズマ電位Vs及びフローティング電位Vfは、ラングミュアプローブを用いて測定することができる。プローブの電圧をフローティング電位Vfより高くしていくと、イオン電流は次第に減少し、プローブに到達するのは電子電流だけとなる。この境界の電圧がプラズマ電位Vsである。Vs-Vfは、基板とターゲットとの間にアースを設置するなどして、変えることができる。プラズマを用いる気相成長法において、成膜される膜の特性を左右するファクターとしては、成膜温度、基板の種類、基板に先に成膜された膜があれば下地の組成、基板の表面エネルギー、成膜圧力、雰囲気ガス中の酸素量、投入電極、基板/ターゲット間距離、プラズマ中の電子温度及び電子密度、プラズマ中の活性種密度及び活性種の寿命等が考えられる。また、本発明においては、上述したプラズマを用いる気相成長法のほかに、有機金属気相成長法MOCVD法およびPLDパルスレーザーデポジション法などの気相法、ゾルゲル法および有機金属分解法などの液相法、およびエアロゾルデポジション法などにより成膜することもできる。また、バルクセラミックスを直接接合で貼り合わせた後、所望の膜厚まで研磨で薄化させることで形成することもできる。基板と圧電体膜の熱膨張係数の違いを利用して、成膜温度を高温にすることで、圧縮応力を付与することができるが、本発明はこれに限定されず、圧電体膜に内部応力として圧縮応力を付与することができれば、製造方法は特に限定されない。圧電体膜の性能セラミックスでは、一般に圧縮強度より引張強度の方が小さく、例えばPZTの場合、引張強度の方が一桁ほど小さい富士セラミックス、圧電セラミックステクニカルハンドブック表79.2参照。そのため、共振振動子の速度の最大値Vmは引張強度Tmに依存し、以下の式で求めることができる。引張強度は破断する強度であることから、実際には、これよりも小さい速度でセラミックスは発熱し、発熱によるエネルギー損失により速度が低下する現象がおきる。したがって、共振振動子の速度の限界は、Vmよりも小さい値となる。したがって、初期状態で圧縮応力のバイアスを付加しておくことにより、圧電体膜の引張強度を見かけ上大きくすることができる。圧電体膜の内部応力には、圧電体膜の成膜時に基板と圧電体膜の熱膨張係数の違いに起因する熱応力と、圧電体膜の成長プロセスに起因するものがある。本発明においては、この熱応力に起因する内部応力に注目して、圧電体膜に圧縮応力を付加する。例えば、Ti-6Al-4Vの熱膨張係数は8.8ppm/°Cであり、PZT薄膜の熱膨張係数は、6.7ppm/°Cである。したがって、成膜温度から常温に戻すことにより成膜温度分の歪みが生じるため、圧電体膜に圧縮応力をかけることができる。これにより、共振振動子を振動させた際に、従来より高い引張強度を付与することができるので、高い振動速度を得ることができる。圧電体の内部応力は、圧縮応力が100MPa以上であることが好ましく、より好ましくは300MPa以上である。なお、内部応力は、レーザー干渉計で共振振動子の反り量Rから、Stonneyの式により求めた。超音波処置具次に、本発明の共振振動子を用いた超音波処置具の一例について説明する。図4は、超音波処置具の一例として、超音波ナイフを備える超音波処置具の全体構成図である。超音波処置具10は、ESD処置において、針状ナイフや周辺切開および粘膜剥離用ナイフ以下、切開剥離ナイフともいうなどの超音波ナイフメスとして機能するナイフ部12と、ナイフ部12を超音波ナイフとして機能させるように術者によって操作される操作部本体14とを有し、超音波処置具10は、ナイフ部12に高周波電圧を供給する高周波発生装置16から構成される。ここで、ナイフ部12は、刃部処置部18、圧電素子54、刃固定部22、可撓性を有するシース接続部24、第1の電極接地電位26、第2の電極28、樹脂封止材30、可撓性コード46を有する。また、操作部本体14は、刃部18の操作用のリング32a、リング32b、リング32cおよび高周波発生装置16への接続用端子であるコネクタ34を有する。なお、操作部本体14のコネクタ34と高周波発生装置16とは、高周波電圧コード38によって電気的に接続されている。ナイフ部12の刃部18は、ESD処置において、周辺切開、全周切開カットや粘膜下層の剥離などに用いられる切開剥離ナイフとして機能するもので、圧電素子54の振動により刃部18が振動可能に構成されている。刃部18は、圧電素子54に印加する電界強度を増減させて圧電素子54を伸縮させることにより、図中矢印に示す方向に超音波振動させることにより切開を行なうことができる。刃固定部22は、シース24の内部先端に固定され、刃部18を往復移動進退可能に支持する機能を有する。すなわち、刃部18のシース24の先端からの突出および退避に際し、シース24に対し、刃部18を進退可能に支持する。シース24は、可撓性を有する絶縁性材料で構成され、刃部18、圧電素子54、第1の電極26、第2の電極28を物理的かつ電気的に保護するものである。第1の電極26、第2の電極28は、圧電素子54に高周波電圧を供給するためのもので、導電性材料構成され、リング32bおよび32cに連結されている。樹脂封止材30は、シース24の生体側を封止するために設けられる。本発明においては、圧電素子54を体内に挿入する部分に設けることができるので、感電を防止するために樹脂で覆うことが好ましい。また、圧電体膜66の材料として鉛を用いることができるので、樹脂で覆うことが好ましい。シース24の封止材として樹脂を用いることで、刃部18の駆動時の共振周波数の影響を少なくすることができる。次に、操作部本体14の構成および作用について説明する。術者が操作部本体14のリング32aに親指を、操作用スライダのリング32bおよび32cに人差指と中指を挿入し、操作部本体14に対して操作用スライダをスライドさせると、このスライドにより、操作用スライダに連結している可撓性コード46を介して刃部18は、シース24から進退往復移動でききるようになっている。コネクタ34には、高周波発生装置16から高周波電圧コード38が接続されており、第1の電極26と第2の電極28が電気的に接続されているため、この高周波電圧は、第1の電極26および第2の電極28の両方に加えられ、圧電素子54が振動することで、刃部18を超音波振動させ、切開剥離ナイフとして機能させることができる。上記超音波ナイフが使用される処置具内視鏡の鉗子口径は約3mm程度である。処置部は、振動増幅部ホーン形状を設けることにより、駆動部からの振動速度を拡大することができる。しかしながら、ホーンの拡大率が大きくなると、口径のサイズが限られているため、処置部振動部のサイズが小さくなってしまう。処置部が小さくなると、処置に要する作業が多くなり、手術時間が長くなることが懸念される。現状使用されている超音波ナイフの場合は、先端径が約1mmであり、約3倍の変成比である。エクスポネンシャルホーンを想定した場合には、変成比は振動部と、処置部の径の比で求めることができるので、変成比は2倍以下とすることが好ましい。超音波メスとして求められる振動速度は、7m/s以上であるため、変成比を2倍以下とするためには、変成比を有さない矩形形状での振動速度で3.5m/s以上とすることが好ましい。なお、本発明の共振振動子は、上述した超音波ナイフに限定されず、各種アクチュエータや、レゾネータ、センサ、発振子等に用いることもできる。[実施例]引張強度が800MPaであるTi合金、Ti-6Al-4V基板を用いて図1aに示すような矩形形状の共振振動子を作製した。振動部は固定部を介して支持部に固定されている。基板の厚みは0.3mmであった。基板上に下部電極として第1層TiWを50nm、第2層Irを150nmで、スパッタリング法により成膜した。下部電極の上に、チタン酸ジルコン酸鉛PZTを成膜温度550°C実施例1、成膜温度600°C実施例2、成膜温度650°C実施例3の条件でスパッタリング法により成膜した。圧電体の厚みは4μmであった。次に上部電極として、第1層TiWを50nm、第2層をPt150nmでスパッタ法にて成膜した。成膜条件は以下の通りとした。成膜装置:Rfスパッタ装置、ターゲット:Pb1.3Zr0.52Ti0.480.88Nb0.12O3焼結体Bサイト中のNb量:12モル、基板温度:450°C、基板―ターゲット間距離:60mm、成膜圧力:0.29Pa、成膜ガス:Ar/O2=97.5/2.5モル比。製造された共振振動子の圧縮応力を求めた。また、下部電極と電気的に接続されているTi基板と、上部電極と電気的に接続されている電極パットに0.7Vの電圧を印加することで、振動部を駆動させ、共振振動子の側面の振動速度をレーザードップラー振動計で測定を行い、共振周波数を求めた。求めた共振周波数において、駆動電圧を変更することで振動速度を求めた。結果を表1、図5、6に示す。なお、実施例1から3のいずれの圧電体膜も100方向の配向度が80以上であり、圧電定数を測定したところ、d31=200~250pm/Vであった。図5より、実施例1~3のサンプル共、10V以下の領域では、ほぼ同程度の振動速度を得ることができた。実施例1においては、22Vでピークの3.7m/sの振動速度を得ることができた。しかしながら、電圧を上げていくと、28Vでは、速度が低下した。これは、圧縮応力が小さいため、振動速度が3m/s以上になると、振動時の引張応力により発熱しエネルギーの損失が大きくなるためであると考えられる。高電圧になるほど投入エネルギーが大きくなるため発生熱量は大きくなり、ある電圧をピークに振動速度が低下すると考えられる。実施例2においては、22Vで最大振動速度5.2m/sが得られた。これは、実施例1よりも圧縮応力が大きいため、実施例1よりも大きな速度を得ることができた。しかしながら、実施例2においても、22V以上の電圧をかけると、振動時の引張応力により発熱が発生し、速度は低下していた。実施例3では、28Vで最大振動速度7.8m/sが得られた。電圧を上げていっても速度の低下は見られず、駆動電圧と振動速度は比例関係にあった。図6は、圧縮応力と最大振動速度の関係を示した図である。圧縮応力と最大振動速度は直線関係にあり、近似曲線よりy=0.02x1.46となることが確認された。超音波ナイフとして求められる振動速度は、7m/s以上であることを考慮すると、矩形形状ホーンを有さない形状で3.5m/s以上必要である。したがって、圧縮応力は、100MPa以上とする必要があり、実施例1から3のサンプルを用いることにより、変成比が2.0以下の共振振動子を得ることができる。また、実施例3のように、圧電体膜の圧縮応力を300MPa以上とすることにより、振動速度を7m/s以上とすることができるので、ホーン部振動増幅部を設けなくとも超音波ナイフとして使用することができ、処置部のサイズを大きくすることができる。また、駆動部を体内に挿入する部分に形成する場合は、駆動電圧を低く抑えることが好ましく、30V以下とすることが好ましい、実施例3においては、図6に示すように、駆動電圧30V以下では、駆動電圧を上げることで振動速度が向上することが確認できた。比較例として、従来技術として挙げた非特許文献1、黒澤実、笹沼健史PZT膜を用いたマイクロ超音波メス用振動子の振動速度向上社団法人電子情報通信学会、信学技法、US2009-10921331.には、図11に基板の片面に圧電素子を形成した場合、駆動電圧20Vで振動速度が約2m/sであることが記載されている。この圧電体膜は水熱合成により成膜されたものであるため、圧電体膜に内部応力はかけられていないと考えられる。したがって、圧縮応力の低い共振振動子は充分な振動速度を得ることができていないことがわかる。