"入射光を光電変換して信号電荷を発生する複数の光検出器を半導体基板上に配置し、ポリシリコン層の厚みが0の仮想電極と前記ポリシリコン層を有する複数のゲート電極とで構成されたバーチャルフェーズCCD構造により前記電荷を転送する転送電極を前記光検出器の各々に同じ構成で設け、前記光検出器の各々に対応したマイクロレンズの光軸上に前記転送電極を構成するいずれかの電極を配置したリニアイメージセンサを複数個備え、前記リニアイメージセンサの各々が異なる波長帯の入射光を検出する固体撮像装置において、前記光軸上に配置した電極の前記ポリシリコン層の厚みは、前記リニアイメージセンサ間で異なったものが含まれている固体撮像装置。ゲート電極は、ポリシリコン層の厚みが異なる電極を含んだことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。光軸上に配置した電極は、検出する波長帯を光検出器で吸収する吸収率が最も高い電極であることを特徴とする請求項1または2のいずれか1項に記載の固体撮像装置。リニアイメージセンサは、行列状に配置した光検出器の信号電荷を転送電極によって列方向に時間遅延積分しながら転送するTDI方式のCCDイメージセンサであることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。しかしながら、異なる波長帯の各波長帯を検出するリニアイメージセンサを1チップに集積した固体撮像装置においては、ポリシリコン電極の膜厚と波長帯との関係で変化する光の干渉効果により、転送電極を透過して基板に入射する光の基板による吸収率が変化するので、1の波長帯については感度が高いが、他の波長帯については感度が低くなるという問題がある。本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、異なる波長帯を検出するリニアイメージセンサの各々の感度を向上することができる固体撮像装置を提供することを目的とするものである。本発明の固体撮像装置は、入射光を光電変換して信号電荷を発生する複数の光検出器を半導体基板上に配置し、ポリシリコン層の厚みが0の仮想電極とポリシリコン層を有する複数のゲート電極とで構成されたバーチャルフェーズCCD構造により電荷を転送する転送電極を光検出器の各々に同じ構成で設け、光検出器の各々に対応したマイクロレンズの光軸上に転送電極を構成するいずれかの電極を配置したリニアイメージセンサを複数個備え、リニアイメージセンサの各々が異なる波長帯の入射光を検出する固体撮像装置において、光軸上に配置した電極のポリシリコン層の厚みは、リニアイメージセンサ間で異なったものが含まれている固体撮像装置である。本発明の固体撮像装置によれば、入射光を光電変換して信号電荷を発生する複数の光検出器を半導体基板上に配置し、ポリシリコン層の厚みが0の仮想電極とポリシリコン層を有する複数のゲート電極とで構成されたバーチャルフェーズCCD構造により電荷を転送する転送電極を光検出器の各々に同じ構成で設け、光検出器の各々に対応したマイクロレンズの光軸上に転送電極を構成するいずれかの電極を配置したリニアイメージセンサを複数個備え、リニアイメージセンサの各々が異なる波長帯の入射光を検出する固体撮像装置において、光軸上に配置した電極のポリシリコン層の厚みは、リニアイメージセンサ間で異なったものが含まれているので、リニアイメージセンサの各々の感度を向上することができる。以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。本発明の実施の形態では、固体撮像装置の一例として、異なる波長帯の各波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサを1チップに集積したマルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサを用いて説明する。実施の形態1.最初に、図1から図3に従って本発明の実施の形態1の固体撮像装置の構成について説明する。図1は、この発明における固体撮像装置の一例であるマルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサの構成の概略を示す概略図である。図2は、マルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサを構成するTDI方式CCDイメージセンサの回路構成を示す概略平面図である。図3Aは、TDI方式CCDイメージセンサにアレイ状に配置された画素の拡大平面図である。図3Bは、図3Aに示した画素にマイクロレンズを重ねた拡大平面図である。図1を参照して、マルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサ100は、複数の異なる波長帯を検出可能に構成されている。マルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサ100は、3種の波長帯をそれぞれ検出する3つのTDI方式CCDイメージセンサ101,102,103を有している。第1から第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101,102,103は、CCDの垂直方向への電荷転送方向である垂直方向D1を一致させて並列に配置され、1チップに集積されている。TDI方式CCDイメージセンサ101,102,103は各々異なる波長帯の入射光を検出する。例えば、TDI方式CCDイメージセンサ101,102,103の各々は、異なる透過帯域を有するフィルタを光の入射側に設け、フィルタを透過した波長帯の光のみ入射するように構成されても良い。TDI方式CCDイメージセンサ101,102,103の各々は、異なる波長帯に感度を有する画素で構成されても良い。なお、本実施の形態では3種の波長帯を検出する場合について説明するが、2種又は4種以上の波長帯を検出することも可能である。例えば、2種の波長帯を検出する場合には、第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ103が除かれる。4種の波長帯を検出する場合には、第4の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサがさらに設けられる。次に、マルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサ100を構成するTDI方式CCDイメージセンサ101,102,103の回路構成、及び画素の構成について説明する。以下、主に第1の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101について説明する。第2及び第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ102、103もそれぞれ第1の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101と同様の構成を有している。図2を参照して、第1の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101では、半導体基板20の表面にVPCCD構造を有する画素1とVPCCD構造を有しない転送用画素2とが各々行列状に設けられている。半導体基板20は、例えば、Siシリコン基板である。画素1は入射光を光電変換して信号電荷を発生する光検出器からなる。画素1及び転送用画素2が行列状に配置された画素領域は、受光部39と転送部40に分けられる。受光部39は画素1を行列状に配置した領域で、図2中に矢印で示した範囲が受光部39の垂直方向D1の範囲を表している。転送部40は転送用画素2を行列状に配置した領域で、図2中に矢印で示した範囲が転送部40の垂直方向D1の範囲を表している。受光部39と転送部40は半導体基板20上に隣接して設けられている。図2においては、画素1と転送用画素2に相当する部分を、各々1画素分、太線の四角形で示している。受光部39には、垂直6画素×水平10画素の画素1が行列状に配置されている。転送部40には、垂直2画素×水平10画素の転送画素2が行列状に配置されている。画素1は水平方向D2に延在し、垂直方向D1へ電極が4つ並設された転送電極9を有している。転送電極9は画素1に発生した信号電荷を電荷蓄積部4に転送する垂直転送ゲートを構成している。転送電極9は、VPCCD構造を有しており、第1のゲート電極7a、第2のゲート電極7b,7d、及び仮想電極8を有している。これにより、4相駆動にすることができる。第1のゲート電極7a、第2のゲート電極7b,7dは、例えば、ポリシリコン多結晶シリコンなどで形成されている。第2のゲート電極7b,7dの各々は同一の膜厚で形成されている。ポリシリコンなどで形成された第1のゲート電極7a、第2のゲート電極7b,7dと異なり、仮想電極8にはポリシリコン層が設けられていない。転送用画素2は水平方向D2に延在し、垂直方向D1へ電極が4つ並設された転送電極10を有している。転送電極10は画素1に発生した信号電荷を電荷蓄積部4に転送する垂直転送ゲートを構成している。転送電極10は、仮想電極8を含んでおらず、第1のゲート電極7a、第2のゲート電極7b,7d、及び転送部ゲート電極7cを有している。第2のゲート電極7b,7dの各々は同一の膜厚で形成されている。図示されていないが、転送用画素2の上方には被写体からの光が入射しないように遮光膜が設けられている。転送用画素2は、仮想電極8の代わりに転送部ゲート電極7cを有している点で画素1と異なる。画素1、及び転送用画素2の転送に与える駆動用の垂直転送クロックφ1,φ2,φ3,φ4は、配線12a,12b,12c,12d、コンタクト13a,13b,13c,13d、配線14a,14b,14c,14dを介して電気的に接続された入力ピン15a,15b,15c,15dから与えられる。ここでは、添え字のa,b,c,dが一致する配線、コンタクト、及び入力ピンがそれぞれ接続される。配線14aは第1のゲート電極7aと電気的に接続されている。配線14bは一方の第2のゲート電極7bと電気的に接続されている。配線14cは転送部ゲート電極7cと電気的に接続されている。配線14dは他方の第2のゲート電極7dと電気的に接続されている。なお、仮想電極8はいずれの配線とも電気的に接続されていない。行列状に設けられた画素1及び転送用画素2の各画素列間に画素分離領域11が形成されている。受光部39と転送部40とを含む画素領域の転送部40側の端には水平CCD3が設けられ、画素領域と水平CCD3との間には電荷蓄積部4が設けられている。水平CCD3と反対側の端には、過剰電荷を排出するための電荷排出部5が設けられている。水平CCD3には出力アンプ6が接続されている。主に図3Aを参照して、画素1の構造を説明する。半導体基板20の表面に不純物領域からなる垂直転送チャネル19が形成されている。各画素列の垂直転送チャネル19と隣接する垂直転送チャネル19との間に画素分離領域11が形成されており、画素分離領域11に横型オーバーフロードレインが形成されている。なお、横型オーバーフロードレインは形成されていなくてもよい。画素分離領域11として、高濃度不純物領域からなる電荷排出ドレイン16、高濃度不純物領域からなるチャネルストップ17及び不純物領域18が形成されている。上述において、半導体基板20としてP型Si基板、垂直転送チャネル19としてN型不純物領域、電荷排出ドレイン16として高濃度N型不純物領域、チャネルストップ17として高濃度P型不純物領域、不純物領域18としてP型不純物領域がそれぞれ適用され得る。主に図3Bを参照して、画素1とマイクロレンズ30の構造を説明する。画素1の入射光の入射側には、入射光を光軸31の付近に集光するマイクロレンズ30が画素1の各々に対応して設けられている。マイクロレンズ30は、画素1と同じピッチで形成され、アレイ化されている。マイクロレンズ30は、画素1と独立して作成し、画素1の上部に貼り付けても良い。また、マイクロレンズ30は、半導体技術により画素1の上部に直接形成しても良い。続いて、第1の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101の転送動作について説明する。再び図2を参照して、入射光の光電変換により画素1の内部に発生した信号電荷は、時間遅延積分TDI動作により垂直方向D1へ転送される。受光部39において時間遅延積分された信号電荷は、転送部40を電荷蓄積部4へ向かって垂直方向D1へと転送される。電荷蓄積部4にいったん蓄積された信号電荷は、1水平期間ごとに水平CCD3へと転送され、次に水平CCD3内を水平方向D2へと転送されて、出力アンプ6から読み出される。次に、マルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサを構成する第1から第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサの画素とマイクロレンズの構成について図4から図9に従い説明する。図4から図6は、図3Bに示した画素とマイクロレンズのIV-IV線に沿った断面図である。図7から図9は、図4から図6に示した画素とマイクロレンズの平面図である。図4から図6を参照して、マルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサでは、第1の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101は第1の画素1aを有し、第2の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ102は第2の画素1bを有し、第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ103は第3の画素1cを有している。第1から第3の画素1a,1b,1cはそれぞれ異なる波長帯を検出可能に構成されている。第1から第3の画素1a,1b,1cの各々は第1のゲート電極7a、第2のゲート電極7b,7d及び仮想電極8を有している。第1のゲート電極7aと第2のゲート電極7b,7dとは異なる厚みを有している。すなわち第1のゲート電極7aの第1の厚みt1と第2のゲート電極7b,7dの第2の厚みt2とは異なる厚みに形成されている。なお、仮想電極8は、第1のゲート電極7a及び第2のゲート電極7b,7dを形成するポリシリコン層の膜厚が0ゼロの場合に相当する。図4を参照して、第1の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101の画素1aでは、第1のゲート電極7aを形成する1層目ポリシリコン層の厚み膜厚t1と、第2のゲート電極7b,7dを形成する2層目ポリシリコン層の厚み膜厚t2とは異なる厚みで形成されている。第2のゲート電極7bと第2のゲート電極7dとは互いに同じ第2の厚みt2で形成されている。図5及び図6を参照して、第2及び第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ102,103の第2の画素1b及び第3の画素1cでも、それぞれ第1のゲート電極7aを形成する1層目ポリシリコン層の厚み膜厚t1と、第2のゲート電極7b,7dを形成する2層目ポリシリコン層の厚み膜厚t2とは異なる厚みで形成されている。第2のゲート電極7bと第2のゲート電極7dとは互いに同じ第2の厚みt2で形成されている。第1から第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101,102,103は1チップ上に集積されており、半導体の製造プロセスにおいて、それぞれの1層目ポリシリコン層が同時に形成されるので、それぞれの1層目ポリシリコン層の厚みt1は同一膜厚となる。第1から第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101,102,103の2層目ポリシリコン層の厚みt2についても、同様に同一膜厚となる。一方、第1から第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101,102,103では、それぞれにおいて1層目ポリシリコン層の厚みt1と2層目ポリシリコン層の厚みt2とは異なる膜厚となる。ポリシリコン層が形成されている部分は、ポリシリコン層の膜厚により光の干渉効果が変化する。したがって、第1から第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101,102,103の第1から第3の画素1a,1b,1cでは、ポリシリコン層の膜厚により変化する光の干渉効果にあわせて、第1のゲート電極7a、第2のゲート電極7b,7d及び仮想電極8のポリシリコン層の膜厚はそれぞれ、第1から第3の波長帯のそれぞれに対応した吸収率の高い厚みに形成されている。図4から図9を参照して、第1から第3の画素1a,1b,1cの各々の上方には、入射光を集光するマイクロレンズ30が第1から第3の画素1a,1b,1cと同じピッチで形成されている。画素1の各々に対応したマイクロレンズ30を形成することにより、入射光はマイクロレンズ30の光軸31の周辺に集光され、第1から第3の画素1a,1b,1cの各々へ効率よく導かれるので、第1から第3の画素1a,1b,1cの各々における受光効率を高めることができる。マイクロレンズ30の配置位置は、第1から第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101,102,103の各々が検出する波長帯に応じて選択される。図4及び7を参照して、第1の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101の画素1aでは、マイクロレンズ30の光軸31上に仮想電極8が配置されている。図5及び8を参照して、第2の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ102の画素1bでは、マイクロレンズ30の光軸31上に第2のゲート電極7bが配置されている。図6及び9を参照して、第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ103の画素1cでは、マイクロレンズ30の光軸31上に第1のゲート電極7aが配置されている。すなわち、第1から第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101,102,103において、マイクロレンズ30の光軸31上に設けられる電極は、TDI方式CCDイメージセンサごとに異なるように形成されている。第1から第3の画素1a,1b,1cの各々の転送電極9に含まれる電極のポリシリコン層の厚みは第1から第3のいずれかの波長帯の吸収率の高い厚みに形成されている。そこで、第1から第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101,102,103の第1から第3の画素1a,1b,1cの各々に対応するマイクロレンズ30の光軸31上に、第1から第3の波長帯のそれぞれに対応した吸収率の高い厚みの電極を配置する。このように配置することにより、検出する波長帯の吸収率の高い電極の位置により多くの光を集めることができるので、入射光の光電変換を効率よく行うことができる。図4及び7を参照して、第1の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101の第1の画素1a内において、マイクロレンズ30の光軸31は転送電極9に含まれる電極のうち仮想電極8と交差するように設けられている。転送電極9に含まれる電極では、第1の波長帯に対して、ポリシリコン層の厚みがゼロの場合にSi基板20での光の吸収率が最も高くなる。そのため、第1の画素1aでは、ポリシリコン層の厚みがゼロに相当する仮想電極8をマイクロレンズ30の光軸31上に配置することで第1の波長帯の光の吸収率が高くなる。図5及び8を参照して、第2の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ102の第2の画素1b内において、マイクロレンズ30の光軸31は転送電極9に含まれる電極のうち第2のゲート電極7bと交差するように設けられている。転送電極9に含まれる電極では、第2の波長帯に対して、ポリシリコン層の厚みt2の場合にSi基板20での光の吸収率が最も高くなる。そのため、第2の画素1bでは、ポリシリコン層の厚みt2の第2のゲート電極7bをマイクロレンズ30の光軸31上に配置することで第2の波長帯の光の吸収率が高くなる。図6及び9を参照して、第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ103の第3の画素1c内において、マイクロレンズ30の光軸31は転送電極9に含まれる電極のうち第1のゲート電極7aと交差するように設けられている。転送電極9に含まれる電極では、第3の波長帯に対して、ポリシリコン層の厚みt1の場合にSi基板20での光の吸収率が最も高くなる。そのため、第3の画素1cでは、ポリシリコン層の厚みt1の第1のゲート電極7aをマイクロレンズ30の光軸31上に配置することで第3の波長帯の光の吸収率が高くなる。以上のように、本実施の形態1のマルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサでは、第1から第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101,102,103の第1から第3の画素1a,1b,1cおいて、ポリシリコン層の膜厚が異なる電極をマイクロレンズ30の光軸上に配置し、光の吸収率をそれぞれ高くすることで、第1から第3の波長帯の全てに対して感度が高くなる。なお、マイクロレンズ30を形成する際には、第1から第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101,102,103又はマイクロレンズ30のいずれか一方の位置を相対的にシフトすることによって、マイクロレンズ30の光軸31と交差する電極を変えてもよい。また、TDI方式CCDイメージセンサとマイクロレンズ30の相対位置は固定として、転送電極9に含まれる第1のゲート電極7a、第2のゲート電極7b,7d、及び仮想電極8の形成順序やレイアウトなどを変更することによって、マイクロレンズ30の光軸31と交差する電極を変えてもよい。また、マイクロレンズ30は、入射光を1点に集光する効果を有するレンズとして説明してきたが、入射光を線状に集光する効果を有するシリンドリカル型のレンズを用いても良い。また、本実施の形態では、画素を行列状に配置し、時間遅延積分動作により信号電荷が垂直方向D1へ転送されるTDI方式のイメージセンサを複数個備えた固体撮像装置について説明した。しかしTDI方式に限らず、画素を一列に配置したリニアイメージセンサを複数個備えた固体撮像装置であっても同様の作用効果が得られる。また、本実施の形態では、第1のゲート電極7aと第2のゲート電極7b、7dの厚みが異なる構成について説明してきた。しかし、2種の波長帯を検出する場合には、第1のゲート電極7aのポリシリコン層の厚みt1と第2のゲート電極7b,7dのポリシリコン層の厚みt2は、必ずしも異なる厚みにする必要はない。次に、図10から図13に従って本実施の形態の作用効果について比較例と比較して説明する。図10は、ポリシリコン層の膜厚と各波長帯におけるSi基板での光の吸収率との関係を示すグラフである。図11から図13は、比較例のマルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサの画素とマイクロレンズの概略断面図である。まず、TDI方式CCDイメージセンサの各波長帯におけるSi基板での光の吸収率透過率について、ポリシリコン電極膜厚依存性を説明する。図10を参照して、各波長帯におけるSi基板での光の吸収率について、ポリシリコン電極膜厚依存性を計算した結果が示されている。グラフの横軸はポリシリコン電極の膜厚、縦軸は光の吸収率である。図10は、図4から図6で示した第1から第3の画素1a,1b,1cにおいて、1層目ポリシリコン層の膜厚t1と、2層目ポリシリコン層の膜厚t2とを同一膜厚とし、その膜厚を可変させたときの、各波長帯におけるSi基板での吸収率の変化がプロットされている。図10で示されるSi基板での吸収率の高低により、感度の高低が生じる。図10に示されるように、各波長帯でポリシリコン電極膜厚により光の干渉特性が異なることから、第1の波長帯で高い吸収率が得られるポリシリコン電極膜厚であっても、第2、第3の波長帯では、吸収率のピーク位置からはずれ、高い吸収率が得られない。続いて、図11から図13を参照して、比較例のマルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサについて説明する。比較例のマルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサでは、第1から第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ201,202,203はそれぞれ第1から第3の画素1a,1b,1cを有している。第1から第3の画素1a,1b,1cは、それぞれ同じ構造に形成されている。第1から第3の画素1a,1b,1cでは、第1のゲート電極7aを形成する1層目ポリシリコン層の厚み膜厚t1と、第2のゲート電極7b,7dを形成する2層目ポリシリコン層の厚み膜厚t2とは同じ厚みで形成されている。また、第1から第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ201,202,203の第1から第3の画素1a,1b,1cの各々の上方に形成されたマイクロレンズ30の光軸31上には、いずれも仮想電極8が配置されている。比較例の第1の画素1aと第2の画素1bとのそれぞれでは、マイクロレンズ30の光軸31は同一の電極と交差している。すなわち、比較例の第1の画素1aと第2の画素1bとのそれぞれにおいて、マイクロレンズ30の光軸31が交差する電極のポリシリコン層の厚みは等しい。ポリシリコン層の膜厚に応じて光の干渉効果が変化するので、第1の画素1aと第2の画素1bのそれぞれは、一方の波長帯については感度が高いが、他方の波長帯については感度が低くなる。そのため、比較例のマルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサでは、第1から第3の画素1a,1b,1cにおいて、第1から第3の波長帯の検出感度を全て高くすることはできない。それに対して、本実施の形態のマルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサによれば、異なる波長帯を検出可能な2以上のTDI方式CCDリニアイメージセンサの各々に設けられた3以上の転送電極9は、ポリシリコン層の厚みの異なる第1のゲート電極7a及び第2のゲート電極7b,7dと仮想電極8とを含んでいる。さらに少なくとも第1の画素1a内におけるマイクロレンズ30の光軸31と交差する電極が第2の画素1b内におけるマイクロレンズ30の光軸31と交差する電極と異なっている。ポリシリコン層の厚みがゼロの仮想電極8が設けられ、また第1のゲート電極7aと第2のゲート電極7b,7dとのポリシリコン層の厚みが異なるので、第1の画素1a及び第2の画素1bのそれぞれにおいて、転送電極9に含まれる電極のうちマイクロレンズ30の光軸31と交差させる電極のポリシリコン層の厚みを各波長帯に対応した吸収率の高い厚みにすることができる。これにより、第1の画素1aにより1の波長帯の感度を向上することができ、かつ第2の画素1bにより他の波長帯の感度を向上することができる。これにより、少なくとも2つの波長帯について感度を向上することができる。また、本実施の形態のマルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサでは、第1、第2及び第3の画素1a,1b,1c内において、マイクロレンズ30の光軸31と交差させる電極がそれぞれ異なっているので、3つ以上の波長帯について感度を向上することができる。なお、2つの波長帯を検出する場合には、図11から図13に示した比較例のように1層目ポリシリコン層の厚みt1と2層目ポリシリコン層の厚みt2とが同じ厚みで形成されていても、第1の画素1a及び第2の画素1bのそれぞれにおいてマイクロレンズ30の光軸31上に異なる電極を配置することにより、2つの波長帯について感度を向上することができる。例えば、1の波長帯がポリシリコン層の厚みゼロの場合にSi基板20での光の吸収率が高く、他の波長帯が第1のゲート電極7aと第2のゲート電極7b,7dのポリシリコン層の厚みの場合にSi基板20での光の吸収率が高ければ、第1の画素1a及び第2の画素1bのそれぞれにおいて、マイクロレンズ30の光軸31と交差させる電極のポリシリコン層の厚みを各波長帯に対応した吸収率の高い厚みにすることができる。これにより、第1の画素1aにより1の波長帯の感度を向上することができ、かつ第2の画素1bにより他の波長帯の感度を向上することができる。また、本実施の形態のTDI方式CCDイメージセンサでは、半導体基板20は、Siシリコン基板を含み、転送電極9に含まれる電極のうち3以上の電極は、多結晶シリコン電極を含んでいる。これにより、上述のSi基板での光の吸収率についてのポリシリコン電極膜厚依存性を有効に利用することができる。さらに、本実施の形態のTDI方式CCDイメージセンサでは、転送用画素2は、仮想電極8を含んでおらず、転送部ゲート電極7cを含んでいる。これにより、転送用画素2で信号電荷を転送することができる。以下、さらに詳しく本実施の形態の作用効果について説明する。例えば、図10に示される第1から第3の波長帯がマルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサ100で検出される波長帯である場合、図10に示されるように第1の波長帯については、ポリシリコン電極膜厚がゼロに相当する仮想電極において、Si基板での吸収率が最も高い。第2の波長帯については、図10に示されるようにポリシリコン電極膜厚がTaの場合にSi基板での吸収率が最も高い。第3の波長帯については、図10に示されるようにポリシリコン電極膜厚がTbの場合にSi基板での吸収率が最も高い。そのため、図4から図6、及び図10を参照して、第1のゲート電極7aを形成する1層目ポリシリコン層の厚みt1が第3の波長帯で感度が最高となるポリシリコン電極膜厚Tbとされ、第2のゲート電極7b,7dを形成する2層目ポリシリコン層の厚みt2が第2の波長帯で感度が最高となるポリシリコン電極膜厚Taとされる。第1の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101については、仮想電極8においてSi基板での吸収率が最高となるので、マイクロレンズ30の光軸上に仮想電極8が配置されるように構成することで、第1の波長帯の光の吸収率を高くすることができる。このため、第1の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101の感度を高くすることができる。第2の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ102については、第2のゲート電極7b,7dにおいてSi基板での吸収率が最高となるので、マイクロレンズ30の光軸上に第2のゲート電極7b,7dが配置されるように構成することで、第2の波長帯の光の吸収率を高くすることができる。このため、第2の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ102の感度を高くすることができる。第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ103については、第1のゲート電極7aにおいてSi基板での吸収率が最高となるので、マイクロレンズ30の光軸上に第1のゲート電極7aが配置されるように構成することで、第3の波長帯の光の吸収率を高くすることができる。このため、第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ103の感度を高くすることができる。すなわち、第1から第3の画素1a,1b,1cにおいて、第1から第3の波長帯に対して、Si基板での吸収率が最も高いポリシリコン電極膜厚で形成された電極にマイクロレンズ30の光軸を交差させることで大きく感度を向上させることができる。上述のように、本実施の形態のマルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサによれば、各波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ101,102,103全ての感度を向上させることができる。実施の形態2.この発明の実施の形態2におけるマルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサの構成について、図14から図16を用いて説明する。この実施の形態においては、実施の形態1と比較して第2のゲート電極の構成が主に異なっている。なお、本実施の形態のこれ以外の構成は上述した実施の形態1と同様であるので、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。図14から図16は、この発明の実施の形態2におけるTDI方式CCDイメージセンサの画素とマイクロレンズの断面図である。図14から図16を参照して、本実施の形態のマルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサでは、第1から第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ301,302,303の第1から第3の画素1a,1b,1cの各々は、第1のゲート電極7a、第2のゲート電極7b及び仮想電極8を有している。本実施の形態では、第1から第3の画素1a,1b,1cの各々において、実施の形態1と異なり、第2のゲート電極7bが1つである。すなわち、実施の形態1と異なり、第2のゲート電極7bと同じポリシリコン電極膜厚の第2のゲート電極7dが形成されていない。本実施の形態のマルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサによれば、3相駆動にすることができる。本実施の形態のマルチスペクトルTDI方式CCDイメージセンサにおいても、第1から第3の波長帯を検出するTDI方式CCDイメージセンサ301,302,303の各々はポリシリコン層の膜厚が異なる仮想電極8、第1のゲート電極7a、及び第2のゲート電極7bを備え、検出する波長帯の吸収率が高い電極がマイクロレンズ30の光軸上に配置されるように構成されているので、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものでは無いと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明では無くて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。"