"基板と、基板上に配置された半導体集積回路と、基板上に配置された樹脂部と、前記半導体集積回路上及び前記樹脂部上に配置された被覆部と、前記被覆部上に配置され、前記半導体集積回路を囲む領域に、前記半導体集積回路に外接するかそれより拡大した円形又は楕円形の少なくとも一部の形状を有する反り防止部とを有する配線基板。前記半導体集積回路に外接する円もしくは楕円又はこれらを拡大したものは、前記被覆部の領域に内接する円又は楕円である請求項1に記載の配線基板。前記反り防止部の断面は、コの字形状、U字形状、V字形状のいずれか1つであり、開口を有する面において被覆部と接続している請求項1から2のいずれかに記載の配線基板。前記反り防止部の線膨張係数が、前記被覆部の線膨張係数より小さい請求項1から3のいずれかに記載の配線基板。前記被覆部の線膨張係数が、前記樹脂部の線膨張係数より小さい請求項1から4のいずれかに記載の配線基板。前記被覆部の線膨張係数が、前記半導体集積回路の線膨張係数よりも大きい請求項1から5のいずれかに記載の配線基板。前記反り防止部の形状をPとしたときに、Pが下記式で表される請求項1から6のいずれかに記載の配線基板。P={x,y|23/27r2≦x2y2≦r2}式中、rは前記半導体集積回路4の中心を中心とする円の半径を表し、x、yはそれぞれ、前記被覆部の上面をxy平面と見立て、前記半導体集積回路の中心をOとしたときのx方向の座標値、y方向の座標値を表す。前記半導体集積回路の形状は四角形であり、前記反り防止部は、前記四角形の中心から、前記四角形の各頂点を結ぶ各線の延長線上の領域に配置される請求項1から7のいずれかに記載の配線基板。前記反り防止部の中心が、前記半導体集積回路の領域内に位置する請求項1から8のいずれかに記載の配線基板。基板上に半導体集積回路を配置し、前記半導体集積回路を囲むように前記基板上に樹脂部を配置し、前記半導体集積回路上及び前記樹脂部上に被覆部を配置し、前記被覆部上に、前記半導体集積回路を囲む領域に、前記半導体集積回路に外接するかそれより拡大した円形又は楕円形の少なくとも一部の形状を有する反り防止部を配置する配線基板の製造方法。しかしながら、特許文献1に開示された配線基板500では、補強材502により配線基板500の反りを防止することはできるが、基板部501上の大部分の領域を補強材502が覆ってしまうため、基板上を有効活用することができない、という問題があった。図13a、図13bに示すように、基板部501上の大部分の領域は、補強材502に覆われている。しかしながら、昨今の製品の小型化を実現するためには基板部上の領域を有効活用する必要があり、例えば、基板部上に電子部品を搭載するための面積が必要となる。本発明は、配線基板の反りを防止する部材を有すると、基板上の領域を有効活用することができないという課題を解決する配線基板及び配線基板の製造方法を提供する。本発明の配線基板は、基板と、基板上に配置された半導体集積回路と、基板上に配置された樹脂部と、半導体集積回路上及び樹脂部上に配置された被覆部と、被覆部上に配置され、半導体集積回路を囲む領域に、半導体集積回路に外接するかそれより拡大した円形又は楕円形の少なくとも一部の形状を有する反り防止部とを有する。また、本発明の配線基板の製造方法は、基板上に半導体集積回路を配置し、半導体集積回路を囲むように基板上に樹脂部を配置し、半導体集積回路上及び樹脂部上に被覆部を配置し、被覆部上に、半導体集積回路を囲む領域に、半導体集積回路に外接するかそれより拡大した円形又は楕円形の少なくとも一部の形状を有する反り防止部を配置する。本発明の配線基板及び配線基板の製造方法によれば、配線基板の反りを防止する部材を有していても、基板上の領域を有効活用することができる。第1の実施形態以下、本発明の第1の実施形態の配線基板について説明する。本実施形態の配線基板100は、図1bに示すように、基板107と、半導体集積回路104と、樹脂部106と、被覆部105と、反り防止部102とを有する。半導体集積回路104は基板107上に配置される。樹脂部106は基板107上に配置される。被覆部105は、半導体集積回路104上及び樹脂部106上に配置される。反り防止部102は被覆部105上に配置される。反り防止部102は、配線基板100の反りを防止する。さらに、反り防止部102は、被覆部上に配置され、半導体集積回路を囲む領域に半導体集積回路に外接するかそれより拡大した円形又は楕円形の少なくとも一部の形状を有し、図1aに示すように本実施形態の反り防止部102は、半導体集積回路104に外接する円を拡大したものの形状を有する。配線基板100は、前述したとおり、被覆部105上に反り防止部102を有する。反り防止部102は、半導体集積回路104に外接する円又は楕円を拡大したものの弧の形状を有する。このため、配線基板100では、反り防止部102が基板部101上を覆う領域を最小限に抑えつつ、配線基板100の反りを防止することができる。次に、本実施形態の配線基板について、具体例を用いて説明をする。本実施形態の別の配線基板0は、図2に示すように、基板7と、半導体集積回路4と、樹脂部6と、被覆部5と、反り防止部2と、ダイアタッチフィルム3と、半田バンプ8とを有する。図2aは、上面図であり、図2bは断面図である。被覆部5とは、例えば、ヒートシンクである。反り防止部2は被覆部5上に配置される。基板7の下面には、配線基板0と他の装置との電気的接続を図るための半田バンプ8が実装されている。図2bに示すように、樹脂部6には開口が設けられており、その開口に半導体集積回路4を内蔵することで配線基板0を薄型化している。半導体集積回路4上にはダイアタッチフィルム3が貼られている。このダイアタッチフィルム3は、半導体集積回路4と被覆部5との緩衝材の役割を果たしている。被覆部5は例えば銅で構成される。配線基板0では、反り防止部2を被覆部5上に搭載することで、配線基板0の反りを防止することができる。これは、反り防止部2が配線基板0の反りを防止する性質を有するためである。反り防止部2がこのような性質を有するためには、例えば、反り防止部2の線膨張係数を被覆部5の線膨張係数よりも小さくすれば良い。例えば、反り防止部2の材料として被覆部5の材料よりも線膨張係数が小さい部材を使用すれば良い。これにより反り防止部2は、被覆部5よりも反りにくい性質を具備することになる。よって、被覆部5が反ろうとしても、被覆部5上に配置された反り防止部2は反らない。結果、反り防止部2が被覆部5の反りを防ぐこととなる。さらに反り防止部2は、図2aに示すように、半導体集積回路4に外接する円又は楕円を拡大したものの弧の形状を有する。この形状は、反り防止部2が配線基板0の反りを防止するための最適な形状である。反り防止部がこのような形状を有することにより、配線基板0では、反り防止部2に配線基板0の反りを防止する性質を具備させつつ、反り防止部2が覆う基板部1上の領域を最小限に抑えることができる。反り防止部2が配線基板0の反りを防止するための最適な形状であることは、以下に説明する有限要素法解析の結果から分かったことである。はじめに、基板部1の詳細構造ダイアタッチフィルム3、LSI4、被覆部5、樹脂6、基板7を有し、かつ、基板厚み方向xy対称となる1/4形状の有限要素モデルを作成した。次に、このモデルに対し、時刻ごとに一様な温度分布を与え、各部材の弾性特性としてヤング率、ポアソン比、線膨張係数をそれぞれ考慮した静的な有限要素法解析を実施した。本有限要素法解析では、モデルに対して与える温度分布の初期温度を162°Cとした。次いで、3分掛けて、この温度分布を260°Cまで上昇させた。次いで、3分掛けて、この温度を162°Cまで下降させた。次いで、3分掛けてこの温度分布を24°Cまで下降させた。次いで、3分掛けて、この温度分布を-55°Cまで下降させた。温度分布が-55°Cの時のモデルの様子を図3a、モデル中の半導体集積回路4と樹脂部6の位置関係を示すものを図3bに示す。これらの図は、1/4モデルであり、図3bに示すとおり、図中の基板部の左下の角は半導体集積回路4を内蔵する箇所に相当する。本モデルの変形形状は、モデルの変形量を実変形量の50倍にしたときのものを表す。図中のバーは高さ方向の変位を表す。図3b中に記載のchipは半導体集積回路4に相当する。図3b中に記載のresinは樹脂5に相当する。本モデル中、変位が最も大きかった領域は、図3aに示す変位量が3.407e-2から3.830e-2であると示された領域である。図中、この領域は破線で囲われている。また、変位が最も小さかった領域は、変位量が-4.009e-3から2.215e-4であると示された領域である。本有限要素法解析により、温度分布が基板部1に与えられた場合、図3aに示されるように、破線で囲われた弧の形状を有する色の薄いコンター領域が最も変位することが分かった。このことから、-55°Cの温度分布が基板部1に与えられた場合、この領域が最も変形することが予測できる。よって、-55°Cの温度分布が基板部1に与えられた場合、この領域に反りが発生しやすく、疲労が最も蓄積しやすい、と考えられる。ここで、図3aに示した1/4モデルの有限要素法解析の結果を全体モデルに置き換えて、有限要素法解析の結果を考察する。全体モデルで考えた場合、最も変位が大きかった領域として上述した弧の形状を有する色の薄いコンター領域は、図4に示すように、環状領域Aとなる。ここで、環状領域Aは、半導体集積回路4に外接する円もしくは楕円又はこれらを拡大したものの弧の形状を有する。最も変位が大きかった領域がこのような形状を有する領域となったのは、半導体集積回路4、被覆部5、樹脂部6のそれぞれの位置関係と線膨張係数の違いに起因すると考えられる。一般的に線膨張係数が大きい場合、温度変化による物体の伸縮が大きく、線膨張係数が小さい場合、温度変化による物体の伸縮が小さい。本モデルの場合、半導体集積回路4の線膨張係数は3ppm/°Cであった。被覆部5の線膨張係数は17.7ppm/°Cであった。樹脂部6の線膨張係数は、ガラス転移点である156°C以下の場合は46ppm/°C、156°C以上の場合は120ppm/°Cであった。これらのことから、温度変化による物体の伸縮は、半導体集積回路4、被覆部5、樹脂部6の順に大きくなるということがわかる。図3aに示す結果は一様な温度分布を24°Cから-55°Cへ下降させたときのモデルであることから、このとき、半導体集積回路4、被覆部5、樹脂部6のそれぞれには収縮が生じていると考えられる。各部の線膨張係数の大小関係から、被覆部5は半導体集積回路4よりも収縮する。このため、基板部1の領域の中で半導体集積回路4と被覆部5が積層された領域では、図3aの下方向に凸の反り変形が生じる。一方、被覆部5は樹脂部6よりも収縮しない。このため、基板部1の領域の中で被覆部5と樹脂部6とが積層された領域では、図3aの上方向に凸の反り変形が生じる。このように、半導体集積回路4と被覆部5が積層された領域では、図3aの下方向に凸の反り変形が生じ、被覆部5と樹脂部6とが積層された領域では、上方向に凸の反り変形が生じる。このような変形が生じた結果、最も変位が大きかった領域が環状領域Aに示すような弧の形状になったと考えられる。これらのことから、基板部1上の領域の中で環状領域Aに反り防止部2を配置すれば、反りを最も効果的に防止することができると考えることができる。すなわち、環状領域Aに反り防止部品を配置することで、基板部1上を覆う領域を必要最小限に抑えつつも、効果的に反りを防止することができると考えられる。基板部1を覆う領域を必要最小限に抑えることが出来れば、基板1上に、自由な領域を確保することができ、例えば、多くの電子部品を基板部1上に搭載することができるようになる。反り防止部2の大きさは、図5に示すとおり、半導体集積回路4の中心からの外径rと外円からの幅rrを用いて定義される。外円とは、反り防止部2の外側の円を指す。また、外径とは外円の半径を指す。反り防止部2の大きさは、図6に示すように、下記式で表されるものであるのが望ましい。下記式では、図6の基板1上面をxy平面と見立て、その上面の中心を原点O、基板1上面縦方向の座標値をy、基板1上面横方向の座標値をxとしている。ここで、原点Oは、半導体集積回路4の中心でもある。P={x,y|23/27r2≦x2y2≦r2}上記式で表される大きさの反り防止部2を用いて、図3aに示す変位量が3.407e-2から3.830e-2の領域、すなわちモデル中、最も大きく変位した領域を被覆することができる。これにより、反りを効果的に防止することができる。また、反り防止部2の大きさは下記式で表されるものであるのが、より望ましい。Q={x,y|23/27r2≦x2y2≦26/27r2}反り防止部102の線膨張係数は、被覆部105の線膨張係数より小さい方が望ましい。これにより、被覆部105の反りをより確実に防止することが可能となる。被覆部105の線膨張係数は樹脂部106の線膨張係数より小さくても良い。また、被覆部105の線膨張係数は半導体集積回路104の線膨張係数より大きくても良い。反り防止部102の形状は、図1aに示すように、被覆部102が存在する領域に内接する円又は楕円であっても良い。反り防止部102をこのような形状にすることにより、配線基板100aの反りをより確実に防ぐことができる。図7に示す配線基板100aのように、反り防止部102aの形状は半導体集積回路104aの外接円であっても良い。反り防止部102aにより、配線基板100aの反りを防止することができる。反り防止部102aは、被覆部105a上に配置される。図8に示す配線基板100bのように、半導体集積回路104bの中心は、被覆部105bの中心とずれていても良い。この場合で、反り防止部102bの中心を、半導体集積回路104bの中心と同じとするのが望ましい。図9に示す配線基板100cのように半導体集積回路104cが長方形の形状を有する場合、反り防止部102cの形状は、楕円であっても良い。半導体集積回路104cに外接する楕円を拡大したものの弧の形状を有するものであっても良い。また、反り防止部102cの形状は、被覆部105cに内接する円であっても良い。図10に示す配線基板100dのように、反り防止部102dの形状は、半導体集積回路104dに外接する円又は楕円を拡大したものの弧の少なくとも一部の形状であっても良い。さらに、半導体集積回路104dの形状が四角形である場合、反りをより確実に防止するために、反り防止部104dは、四角形の中心から、四角形の各頂点を結ぶ各線の延長線上の領域に配置されるのが望ましい。反り防止部102と被覆部105とは接着剤により接着されていても良い。反り防止部102eと被覆部105eとは、図11に示すように、接続部109eを用いて接続させても良い。接続部109eとは、例えば、ネジである。接続部109eは、反り防止部102eを貫通して、被覆部105eと連結しても良い。接続部109eは、基板部全体を貫通しても良い。このように、反り防止部102eと被覆部105eとを接続部109eを用いて接続することにより、これらの接続をより強くすることができる。反り防止部102fは、図7に示すように、円又は楕円状であって、その円又は楕円状の内側に十字領域を有するものであっても良い。この反り部材102fは、その十字領域が半導体装置104の真上に位置するように配置される。これにより、配線基板100の平坦性をより確実に確保することができる。環状領域Aは、半導体集積回路104の大きさや形状に応じて変わる。このため、反り防止部102の大きさや形状を、半導体集積回路104の大きさや形状に応じて適宜変えるのが望ましい。反り防止部102の中心は、半導体集積回路104の領域内に位置するのが望ましい。これにより、反り防止部102が、上述したモデルの中で変位が最も大きかった領域に配置されることとなり、反りを効果的に防止することができることとなる。さらに、反り防止部102の中心は、半導体集積回路104の中心又は重心と同じになるように基板部101上に配置されるのが望ましい。反り防止部102の材料としては、例えば、鉄、銅、アルミ、鋼、チタンの少なくともいずれか一種からなるものを用いることができる。被覆部105のヤング率は大きい方が望ましい。ヤング率が大きいと、被覆部105の応力耐性が向上する。また、樹脂106のヤング率も同様に、大きい方が望ましい。基板101は、例えば、インターポーザであっても良い。本発明は上記実施形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載した発明の範囲内で、種々の変形が可能であり、それらも本発明の範囲内に含まれるものであることはいうまでもない。第2の実施形態以下、本発明の第2の実施形態の配線基板について説明する。本実施形態の配線基板100は、図14に示すように、基板107と、半導体集積回路104と、樹脂部106と、被覆部105と、反り防止部202とを有する。第1の実施形態と同様に、半導体集積回路104、および樹脂部106は基板107上に配置されている。また被覆部105は、半導体集積回路104上及び樹脂部106上に配置されている。反り防止部202は、被覆部105上に配置されており、配線基板100の反りを防止する。ここで本実施形態における反り防止部202は、断面がコの字形状である。反り防止部202は、開口を有している面において被覆部5と接続している。その他の反り防止部202の形状は、第1の実施形態と同様であり、半導体集積回路104を囲む領域に半導体集積回路104に外接するか、それより拡大した円形又は楕円形の少なくとも一部の形状を有する。本実施形態における反り防止部202は、断面がコの字形状であり、開口を有している面において被覆部105と接続している。そのため、配線基板100の反りを防止する性質を具備させつつ、反り防止部202が基板部101上と接続する面積を最小限に抑えることができる。そして上記構造により、反り防止部202の開口内に配線や他の部品を設けることができ、より高密度の実装および小型化を実現することができる。次に、本実施形態の配線基板について、具体例を用いて説明をする。本実施形態の別の配線基板0は、図15に示すように、基板7と、半導体集積回路4と、樹脂部6と、被覆部5と、反り防止部12と、ダイアタッチフィルム3と、半田バンプ8とを有する。被覆部5とは、例えば、ヒートシンクである。第1の実施形態と同様に、反り防止部12は被覆部5上に配置される。基板7の下面には、配線基板0と他の装置との電気的接続を図るための半田バンプ8が実装されている。樹脂部6には開口が設けられており、その開口に半導体集積回路4を内蔵することで配線基板0を薄型化している。また半導体集積回路4上にはダイアタッチフィルム3が貼られている。このダイアタッチフィルム3は、半導体集積回路4と被覆部5との緩衝材の役割を果たしている。被覆部5は例えば銅で構成される。ここで本実施形態における反り防止部12は、断面がコの字形状であり、開口を有している面において被覆部5と接続している。そして反り防止部12は、半導体集積回路4に外接する円又は楕円を拡大した弧の形状を有している。反り防止部12は例えば、鋼ヤング率206GPa、ポアソン比0.29、線膨張係数12ppm/°Cで構成される。配線基板0では、反り防止部12を被覆部5上に搭載することで、配線基板0の反りを防止することができる。これは、反り防止部12が配線基板0の反りを防止する性質を有するためである。反り防止部12がこのような性質を有するためには、例えば、反り防止部12の線膨張係数を被覆部5の線膨張係数よりも小さくすれば良く、例えば、反り防止部12の材料として被覆部5の材料よりも線膨張係数が小さい部材を使用すれば良い。これにより反り防止部12は、被覆部5よりも反りにくい性質を具備することになる。よって、被覆部5が反ろうとしても、被覆部5上に配置された反り防止部12は反らない。結果、反り防止部12が被覆部5の反りを防ぐこととなる。この形状は、反り防止部12が配線基板0の反りを防止するための最適な形状である。反り防止部がこのような形状を有することにより、配線基板0では、反り防止部12に配線基板0の反りを防止する性質を具備させつつ、反り防止部12が基板部1上と接続する面積を最小限に抑えることができる。そして上記構造により、反り防止部12の開口内に配線や他の部品を設けることができ、より高密度の実装および小型化を実現することができる。なお、反り防止部12は以下のように変形した形状についても適用することができる。図16に示すように、反り防止部102gは、半導体集積回路104gに外接する円、又は楕円を拡大した弧の少なくとも一部の形状でも良い。つまり反り防止部102gは、連続して延在せずに、円または楕円の一部の形状でもよい。なお反り防止部102gの断面はコの字形状であり、開口を有している面において被覆部5と接続している。半導体集積回路104gの形状が四角形である場合、反り防止部102gは、四角形の中心から四角形の各頂点を結ぶ各線の延長線上の領域に配置することで、反りをより確実に防止することができる。図17a、bに示すように、断面がU字形状の反り防止部102hと、断面がV字形状の反り防止部102iを用いてもよい。断面がU字形状の反り防止部102h、V字形状の反り防止部102iを備えた場合においても、基板部1上を覆う領域を必要最小限に抑えつつ、効果的に反りを防止することができる。そして反り防止部102h、102iの開口内に配線や他の部品を設けることで、より高密度の実装および小型化を実現することができる。なお反り防止部102h、102iは、上記の効果を実現することができれば、コの字形状、U字形状、V字形状に限らず如何なる形状を有してもよい。図18に示すように反り防止部102jの断面はコの字形状として連続に存在しなくてもよい。反り防止部102jの断面が連続してコの字形状ではない場合の具体例について図19を用いて説明を行う。図19に示すように、断面がコの字形状の反り防止部102kが、半導体集積回路104kに外接する円、又は楕円を拡大したものの弧の少なくとも一部であってよい。例えば反り防止部102kは4箇所に分かれて不連続に配置されており、反り防止部102kの間を円又は楕円を拡大した弧の少なくとも一部の形状を有し、断面に開口のない連結部110kによって連結した構造でもよい。連結部110kは、例えば、鉄、銅、アルミ、鋼、チタンのいずれか1つ、あるいは混合物で構成される。反り防止部102kは、コの字形状であるため基板部1上を覆う領域を最小限に抑えつつ、反り防止部102kが連結部110kによって連結されることで配線基板100kの平坦性も保持され、配線基板100kの反りを防止することができる。次に実施例として、反り防止部12が配線基板0の反りを防止するための最適な形状であることを、有限要素法解析の結果を用いて説明する。配線基板0は、第1の実施形態、第2の実施形態と同様にダイアタッチフィルム3、LSI4、被覆部5、樹脂6、基板7、反り防止部12を有し、かつ基板厚み方向xy対称となる1/4形状の有限要素モデルを用いて解析を行なった。次に、有限要素モデルに対し、時刻ごとに一様な温度分布を与え、各部材の弾性特性としてヤング率、ポアソン比、線膨張係数をそれぞれ考慮した静的な有限要素法解析を実施した。なお本有限要素法解析では、モデルに対して与える温度分布の初期温度を162°Cとした。次に、3分掛けて温度分布を260°Cまで上昇させた。さらに3分掛けて、この温度を162°Cまで下降させ、3分掛けてこの温度分布を24°Cまで下降させた。最後に、3分掛けて温度分布を-55°Cまで下降させた。図20aは、温度分布が-55°C、反り防止部12のヤング率が206GPa時のモデルの様子を示す。モデル中の半導体集積回路4と樹脂部6の位置関係は図3bと同様である。これらの図は、1/4モデルであり、図中の基板部の左下の角は半導体集積回路4を内蔵する箇所に相当する。本実施例における有限要素モデルの変形形状は、モデルの変形量を実変形量の50倍にしたときのものを表す。図中のバーは高さ方向の変位を表す。図3b中に記載のchipは半導体集積回路4に相当し、resinは樹脂5に相当する。本モデル中、変位が最も大きかった領域は、図20aに示す変位量が3.066e-2から3.451e-2であると示された領域である。また、変位が最も小さかった領域は、変位量が-4.013e-3から-1.603e-4であると示された領域である。よって、モデル全体の反り量は、3.8523e-2=3.451e-24.013e-3となる。ここで、反り防止部を搭載していない有限要素モデル全体の反り量4.2309e-2と比較すると、本実施例における基板部1の反りは約10低減することがわかる。上記シミュレーションの結果から、基板部1上の領域の中で環状領域Pに反り防止部12を配置すれば、反りを効果的に防止することができると考えられる。すなわち、環状領域Pに反り防止部12を配置することで、基板部1上を覆う領域を必要最小限に抑えつつも、効果的に反りを防止することができると考えられる。基板部1を覆う領域を必要最小限に抑えることが出来れば、基板1上に、自由な領域を確保することができ、例えば、多くの電子部品を基板部1上に搭載することができるようになる。反り防止部12の大きさは、図5に示すとおり、半導体集積回路4の中心からの外径rと外円からの幅rrを用いて定義される。外円とは、反り防止部12の外側の円を指す。また、外径とは外円の半径を指す。反り防止部12の大きさは、図6に示すように、下記式で表されるものであるのが望ましい。下記式では、図6の基板1上面をxy平面と見立て、その上面の中心を原点O、基板1上面縦方向の座標値をy、基板1上面横方向の座標値をxとしている。ここで、原点Oは、半導体集積回路4の中心でもある。P={x,y|23/27r2≦x2y2≦r2}上記式で表される大きさの反り防止部12を用いて、図3aに示す変位量が3.407e-2から3.830e-2の領域、すなわち実施例1のモデル中、最も大きく変位した領域を被覆することができる。これにより、反りを効果的に防止することができる。また、反り防止部12が基板部1と非接触となる平面領域は下記式で表される。S={x,y|24/27r2≦x2y2≦26/27r2}この平面領域が確保されることで、例えば多くの電子部品を基板部1上に配置することができる。さらに、反り防止部12は、基板部1上面の領域P上に高さr/432=r/2724を有する形状から、基板部1上面の領域S上に高さr/864=r/2725を有する形状を差し引いた形状である。ここで、r/27とは、xy方向の有限要素寸法である。これは、有限要素法によるシミュレーションにおいて、基板部1の1辺を27分割したことによる。但し、本実施例は1辺を27分割することに限るものではない。反り防止部12のヤング率は大きい方が望ましく、ヤング率が大きいと、反り防止部12の応力耐性が向上する。これにより反り防止部12の配線基板0に対する反り低減の効果が向上する。しかし、反り防止部12のヤング率が大きすぎると反り防止部12の応力耐性が向上しすぎてしまい、その結果、反り防止部12の配線基板0に対する反り低減の効果が減少することもありえる。例えば、反り防止部12のポアソン比0.29、線膨張係数12ppm/°Cとした場合、ヤング率は少なくとも銅のヤング率118GPaから400Gpaであれば、配線基板0に対する反り低減の効果を実現することができる。ここで反り防止部12のヤング率が118GPaから400Gpaであれば、反り低減の効果を有することを、以下の有限要素法の結果により解析を行う。図20bは反り防止部12のヤング率が40GPa時のシミュレーション結果である。図20bに示すように、配線基板0において変位が最も大きかった領域は、変位量が3.413e-2から3.836e-2であると示された領域である。また変位が最も小さかった領域は、変位量が-4.009e-3から2.280e-4であると示された領域である。よって、モデル全体の反り量は、4.2369e-2=3.836e-24.009e-3である。図20cは反り防止部12のヤング率が118GPa時のシミュレーション結果である。図20cに示すように、配線基板0において変位が最も大きかった領域は、変位量が3.213e-2から3.615e-2であると示された領域である。また、変位が最も小さかった領域は、変位量が-4.011e-3から4.356e-6であると示された領域である。よって、モデル全体の反り量は、4.0161e-2=3.615e-24.011e-3である。図20dは反り防止部12のヤング率が173GPa時のシミュレーション結果である。図20dに示すように、配線基板0において変位が最も大きかった領域は、変位量が3.017e-2から3.397e-2であると示された領域である。また、変位が最も小さかった領域は、変位量が-4.013e-3から-2.152e-4であると示された領域である。よって、モデル全体の反り量は、3.7983e-2=3.397e-24.013e-3である。図20eは反り防止部12のヤング率が300GPa時のシミュレーション結果である。図20eに示すように、配線基板0において変位が最も大きかった領域は、変位量が2.919e-2から3.288e-2であると示された領域である。また、変位が最も小さかった領域は、変位量が-4.015e-3から-3.248e-4であると示された領域である。よって、モデル全体の反り量は、3.6895e-2=3.288e-24.015e-3である。図20fは反り防止部12のヤング率が400GPa時のシミュレーション結果である。図20fに示すように、配線基板0において変位が最も大きかった領域は、変位量が2.72e-2から3.124e-2であると示された領域である。また、変位が最も小さかった領域は、変位量が-9.158e-3から-5.118e-3であると示された領域である。よって、モデル全体の反り量は、4.0398e-2=3.124e-29.158e-3である。図20gは反り防止部12のヤング率が500GPa時のシミュレーション結果である。図20gに示すように、配線基板0において変位が最も大きかった領域は、変位量が2.523e-2から2.972e-2であると示された領域である。また、変位が最も小さかった領域は、変位量が-1.52e-2から-1.071e-2であると示された領域である。よって、モデル全体の反り量は、4.492e-2=2.972e-21.52e-2である。上記の結果より、図20hは反り防止部12の反りに関するヤング率依存性を表す。反り防止部12を搭載していない有限要素モデル全体の反り量は、4.2309e-2と比較することで、反り低減の効果を有する反り防止部のヤング率を解析する。本実施例における有限要素解析のシミュレーションにより、反り防止部12のヤング率が118GPaから400Gpaの範囲内である場合、有限要素モデル全体の反り量は、4.2309e-2よりも小さい値となる。一方、反り防止部12のヤング率が118GPaより小さい値や、400Gpaより大きい値である場合、有限要素モデル全体の祖量は、4.2309e-2よりも大きい値となる。上記の結果より、反り防止部のヤング率を118Gpaから400Gpaの範囲とすることで、反り防止部12を設けない場合と比べて、配線基板0に対する反り低減の効果を実現することができる。以上、本明細書では、10-2をe-2と表記しており、10-3をe-3と表記している。なお他の指数に関しても同様である。本発明は上記実施形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載した発明の範囲内で、種々の変形が可能であり、それらも本発明の範囲内に含まれるものであることはいうまでもない。上記の実施形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下には限られない。付記1基板と、基板上に配置された半導体集積回路と、基板上に配置された樹脂部と、前記半導体集積回路上及び前記樹脂部上に配置された被覆部と、前記被覆部上に配置され、前記半導体集積回路を囲む領域に、前記半導体集積回路に外接するかそれより拡大した円形又は楕円形の少なくとも一部の形状を有する反り防止部とを有する配線基板。付記2前記反り防止部は、前記円又は前記楕円を拡大した形状を有する付記1に記載の配線基板。付記3前記半導体集積回路に外接する円もしくは楕円又はこれらを拡大したものは、前記被覆部の領域に内接する円又は楕円である付記1又は2に記載の配線基板。付記4前記反り防止部の線膨張係数が、前記被覆部の線膨張係数より小さい付記1から3のいずれかに記載の配線基板。付記5前記被覆部の線膨張係数が、前記樹脂部の線膨張係数より小さい付記1から4のいずれかに記載の配線基板。付記6前記被覆部の線膨張係数が、前記半導体集積回路の線膨張係数より大きい付記1から5のいずれかに記載の配線基板。付記7前記反り防止部は、鉄、銅、アルミ、鋼、チタンの少なくともいずれか一種からなる付記1から6のいずれかに記載の配線基板。付記8前記被覆部は、銅からなる付記1から6のいずれかに記載の配線基板。付記9前記反り防止部の形状をPとしたときに、Pが下記式で表される付記1から8のいずれかに記載の配線基板。P={x,y|23/27r2≦x2y2≦r2}式中、rは前記半導体集積回路4の中心を中心とする円の半径を表し、x、yはそれぞれ、前記被覆部の上面をxy平面と見立て、前記半導体集積回路の中心をOとしたときのx方向の座標値、y方向の座標値を表す。付記10前記半導体集積回路の形状は四角形であり、前記反り防止部は、前記四角形の中心から、前記四角形の各頂点を結ぶ各線の延長線上の領域に配置される付記1から9のいずれかに記載の配線基板。付記11前記基板の、前記半導体集積回路が配置された面とは逆の面に半田バンプが配置される付記1から10のいずれかに記載の配線基板。付記12前記反り防止部の中心が、前記半導体集積回路の領域内に位置する付記1から11のいずれかに記載の配線基板。付記13前記反り防止部の中心が、前記半導体集積回路の中心又は重心と同じである付記1から12のいずれかに記載の配線基板。付記14前記反り防止部のヤング率は、118GPa以上、400Gpa以下であることを特徴とする付記1から13のいずれかに記載の配線基板。付記15前記反り防止部の断面は、コの字形状、U字形状、V字形状のいずれか1つであり、開口を有する面において被覆部と接続している付記1から14のいずれかに記載の配線基板。付記16反り防止部の断面の形状は不連続である付記1から15のいずれかに記載の配線基板。付記17前記四角形の各頂点を結ぶ各線の延長線上の領域に配置される反り防止部の間に、円又は楕円を拡大した弧の少なくとも一部の形状を有する連結部を設けてよい付記1から16のいずれかに記載の配線基板。付記18前記連結部としては、例えば、鉄、銅、アルミ、鋼、チタンの少なくともいずれか一種で構成される付記1から17のいずれかに記載の配線基板。付記19基板上に半導体集積回路を配置し、前記半導体集積回路を囲むように前記基板上に樹脂部を配置し、前記半導体集積回路上及び前記樹脂部上に被覆部を配置し、前記被覆部上に、前記半導体集積回路を囲む領域に、前記半導体集積回路に外接するかそれより拡大した円形又は楕円形の少なくとも一部の形状を有する反り防止部を配置する配線基板の製造方法。"