気体の放電によりプラズマ発生セルから容器内に放出される解離原子のフラックス量を測定する原子フラックス測定装置であって、互いに対向し、かつ所定の間隔を隔てて略平行に配置された第1および第2の一対のシート状電極で構成された対向電極体と、前記第1のシート状電極の内側に付着した原子を自己電離させ、前記第1および第2のシート状電極の間に電流を流すための直流電圧を印加する第1の直流電源と、前記第1および第2のシート状電極の間に、前記第1のシート状電極の内側に付着した原子の自己電離により流れる電流の値を測定する直流電流計と、を備えたことを特徴とする原子フラックス測定装置。前記第1の直流電源の起電力をEAEAは0以上の値としたとき、前記第1のシート状電極の電位VAは下記の式で与えられことを特徴とする、請求項1に記載の原子フラックス測定装置。VA=-EAVBここで、VBは前記第2のシート状電極と接地端子との間の電位であり、VBは第2の直流電源によって0以下の値に設定される。前記第1および第2のシート状電極は、金属メッシュのシートで作製されていることを特徴とする、請求項1に記載の原子フラックス測定装置。前記第1のシート状電極は金属平板で作製され、前記第2のシート状電極は金属メッシュのシートで作製されていることを特徴とする、請求項1に記載の原子フラックス測定装置。前記対向電極体は、前記第1および第2のシート状電極が、絶縁性のスペーサを挟んで渦巻状に巻回されて構成されていることを特徴とする、請求項3に記載の原子フラックス測定装置。前記第1および第2のシート状電極は、それぞれ形状が略等しい平板状の複数枚の金属メッシュシートで構成され、前記対向電極体は、前記第1および第2のシート状電極が所定の間隔を隔てて交互に重ね合わされるように配置されたものであることを特徴とする、請求項3に記載の原子フラックス測定装置。前記対向電極体は、原子フラックスの入射側に金属メッシュシートで作製された第3のシート状電極が配置され、この第3のシート状電極の電位は前記第2のシート状電極と同電位に設定されることを特徴とする、請求項3に記載の原子フラックス測定装置。前記対向電極体の原子フラックスの入射側とは反対側で前記第1のシート状電極の外側に、前記第1のシート状電極と所定の間隔を隔てて1枚の第4のシート状電極が配置され、この第4のシート状電極は前記第1のシート状電極に接続されていることを特徴とする、請求項3に記載の原子フラックス測定装置。前記直流電流計で測定された原子電流の値をデジタルデータに変換するA/D変換器と、前記A/D変換器から出力されたデジタルデータを格納するメモリと、前記メモリに格納されたデジタルデータを表示するディスプレイと、前記メモリへのデータの書き込みと読み出し、および前記ディスプレイの表示動作を制御する制御部と、を更に備えたことを特徴とする、請求項1に記載の原子フラックス測定装置。前記直流電流計で測定した原子電流の値に基づいてフラックス量を算出する演算部を更に備え、この演算部は、前記メモリにあらかじめ格納された、原子電流の値と、この原子電流の値に対応するフラックス量との関係を示すテーブルを読み出し、前記直流電流計で測定した原子電流の値を、前記メモリに格納された原子電流の値と照合して、その電流値に対応するフラックス量を算出することを特徴とする、請求項9に記載の原子フラックス測定装置。前記原子フラックスは、水素H2、窒素N2または酸素O2のいずれかの分子が解離して生成されたものであることを特徴とする、請求項1に記載の原子フラックス測定装置。上述したように、原子フラックス測定装置で測定する原子電流の値はプローブ電極が置かれた雰囲気中の原子フラックスの量に応じて変化する。このため、プローブ電極を基板2の近傍に設置すれば、基板2に照射される原子フラックスの量を、原子電流の値として算定することができる。しかし、プローブ電極から出力される原子電流の値は小さく、原子電流の値を大きくするために、プローブ電極の表面積を大きくすることが考えられるが、電極の表面積を大きくすれば測定装置が大型化し、真空チャンバ内に設置スペースを確保することが困難となる。本発明は上述の問題点に鑑みてなされたもので、プラズマ発生セルから放出される解離原子のフラックス量をモニターできる、安価で小型の原子フラックス測定装置を提供することを目的とする。本発明にかかる原子フラックス測定装置は、気体の放電によりプラズマ発生セルから容器内に放出される解離原子のフラックス量を測定する原子フラックス測定装置であって、互いに対向し、かつ所定の間隔を隔てて略平行に配置された第1および第2の一対のシート状電極で構成された対向電極体と、前記第1のシート状電極の内側に付着した原子を自己電離させ、前記第1および第2のシート状電極の間に電流を流すための直流電圧を印加する第1の直流電源と、前記第1および第2のシート状電極の間に、前記第1のシート状電極の内側に付着した原子の自己電離により流れる電流の値を測定する直流電流計と、を備えたことを特徴とする原子フラックス測定装置。本発明の原子フラックス測定装置において、前記第1の直流電源の起電力をEAEAは0以上の値としたとき、前記第1のシート状電極の電位VAは下記の式で与えられことが好ましい。VA=-EAVBここで、VBは前記第2のシート状電極と接地端子との間の電位であり、VBは第2の直流電源によって0以下の値に設定される。前記第1のシート状電極は金属平板で作製され、前記第1および第2のシート状電極、もしくは前記第2のシート状電極は金属メッシュのシートで作製されていることが好ましい。前記対向電極体は、前記第1および第2のシート状電極が、絶縁性のスペーサを挟んで渦巻状に巻回されて構成されていてもよい。もしくは、前記対向電極体は、前記第1および第2のシート状電極は、それぞれ形状が略等しい平板状の複数枚の金属メッシュシートで構成され、前記対向電極体は、前記第1および第2のシート状電極が所定の間隔を隔てて交互に重ね合わされるように配置されたものでもよい。前記対向電極体は、原子フラックスの入射側に金属メッシュシートで作製された第3のシート状電極が配置され、この第3のシート状電極の電位は前記第2のシート状電極と同電位に設定されていることが好ましい。もしくは前記対向電極体の原子フラックスの入射側とは反対側で前記第1のシート状電極の外側に、前記第1のシート状電極と所定の間隔を隔てて1枚の第4のシート状電極が配置され、この第4のシート状電極は前記第1のシート状電極に接続されていることが好ましい。本発明の原子フラックス測定装置は、前記直流電流計で測定された原子電流の値をデジタルデータに変換するA/D変換器と、前記A/D変換器から出力されたデジタルデータを格納するメモリと、前記メモリに格納されたデジタルデータを表示するディスプレイと、前記メモリへのデータの書き込みと読み出し、および前記ディスプレイの表示動作を制御する制御部と、を更に備えることが好ましい。本発明の原子フラックス測定装置は、前記直流電流計で測定した原子電流の値に基づいてフラックス量を算出する演算部を更に備え、この演算部は、前記メモリにあらかじめ格納された、原子電流の値と、この原子電流の値に対応するフラックス量との関係を示すテーブルを読み出し、前記直流電流計で測定した原子電流の値を、前記メモリに格納された原子電流の値と照合して、その直流電流値に対応するフラックス量を算定するものであることが好ましい。本発明の原子フラックス測定装置は、一対のシート状電極間に流れる原子電流の値によってRF励起セルから放出された解離原子のフラックス量を測定するものであり、一方の電極に適当な負のバイアス電圧を印加することにより、原子電流測定の感度を高めることができる。結果として、比較的安価な電流計を用いて原子電流を測定できるため、測定装置のコストを低減できる。また、シート状電極に金属メッシュのシートを使用すると共にこのシートを巻回もしくは積層することによって、対向電極体の容積を増やすことなく電極の表面積を拡大できるため、小型で測定感度の良い原子フラックス測定装置を実現できる。以下、本発明にかかる原子フラックス測定装置の好適な実施の形態について、図面を参照して説明する。実施の形態1<測定装置の構成>図1に、本発明の実施の形態1にかかる原子フラックス測定装置の基本的な構成を示す。原子フラックス測定装置1は、RF励起セル4から放出された解離窒素原子により生じる原子電流の値を測定する対向電極体11a、第1および第2の直流電源14および15、第1および第2の直流電流計16および17、第1および第2のAD変換器21および22、ならびにパーソナルコンピュータ8で構成されている。対向電極体11aは、所定の間隔を隔てて略平行に配置された第1および第2のシート状電極12および13を含み、第1のシート状電極12は第1の端子18に接続され、第2のシート状電極13は第2の端子19に接続されている。端子18と19の間には、第1の直流電源14と第1の直流電流計16が直列に接続されている。また端子19と接地端子すなわち基準電位の端子20の間には、第2の直流電源15と第2の直流電流計17が直列に接続されている。<対向電極体の具体的構成>図2に、対向電極体11aの具体的な構成の一例を示す。シート状電極12および13は、例えば高沸点のステンレス製の矩形の鋼板で作製され、その4隅に孔が形成されている。一対のシート状電極12および13は、絶縁性のスペーサ23を介して所定の間隔を隔てて互いに対向するように配置される。スペーサ23は、ボルト24を4隅に設けた孔に挿入することにより、ナット25およびワッシャ26を用いてシート状電極12および13に固定される。第1のシート状電極12側のナット25の一つにはワイヤ27の一方の端が接続され、第2のシート状電極13側のナット25の一つにはワイヤ28の一方の端が接続されている。ワイヤ27の他方の端は第1の端子18に接続され、ワイヤ28の他方の端は第2の端子19に接続されている。ワイヤ27および28の外周面はアルミナ絶縁管29によって覆われている。本実施の形態では、シート状電極12および13として、板厚が0.5mm、面積が180mmL×50mmWの矩形のステンレス鋼SUSの平板を用いた。またスペーサ23として長さ6mmのアルミナ套管を用いた。また図1に示す第1および第2の直流電流計16、17として、米国ケースレー社KEITHLEY製6487型ピコアンメータPicoammeterを用いた。第1の直流電源14には市販のバッテリ蓄電器を、第2の直流電源15には電子式直流電源を用いた。また本実施の形態では、RF励起セル4として、アリオス株式会社日本国東京製のIRFS-501RF励起窒素源商品名を使用し、これをVGSemicon社英国製VG80H-MBE製膜装置のセルポートに組み込んだ。IRFS-501RF励起窒素源は、アリオス株式会社によりRFマッチングボックスRFMatchingBox6およびRF電源7を1セットとしてIRFC504の型式で市販されている。<フラックス量測定の原理>原子フラックス測定装置1の動作を説明する前に、図1および図3を参照して、原子フラックスの量を測定する原理について説明する。前述したように、HB放電モードのプラズマに含まれる窒素の励起分子N2、励起原子Nおよび基底原子Nは、固相界面、たとえば基板表面とか金属板表面に付着し易い性質がある。従って、RF励起セル4から放出された解離窒素原子のフラックスが存在する空間中に対向電極体11aを設置すると、図3aに示すように、シート状電極12および13の内側表面に窒素分子N2、励起原子Nおよび基底原子Nが、間接照射と称するごとく、その局所空間の熱平衡蒸気圧に対応した密度で付着する。解離窒素原子が付着したシート状電極12および13のうち一方の電極12に適当な負のバイアス電圧を印加すると、電極表面に付着した粒子のうち励起原子Nおよび基底原子Nが自己電離し、図3bに示すように、負のバイアス電圧を印加したシート状電極12から電子eが放出され、電位のより高いシート状電極13に到達する。その結果、一対のシート状電極12、13間に自己電離した電子による原子電流が流れる。図1の回路において、端子18の電位=第1のシート状電極12の電位VAは第1の直流電源14の起電力EAに対応したものである。その一方、端子19の電位=第2のシート状電極13の電位VBは第2の直流電源15の起電圧EBに対応したものであり、負の電位-EBEB≧0に設定される。すなわち、第1のシート状電極12の電位VAは、VA=-EAVB0に設定される。なお、第2の直流電源15を省略する、すなわちEB=0とすることもできる。シート状電極12に印加される負の電位VA=-EAVBによってシート状電極12の内側表面に付着した解離窒素原子が自己電離し、解離窒素原子の数密度に応じた原子電流IAがシート状電極12、13間に流れて、第1の直流電流計16によりその値が測定される。一般に、原子電流IAは以下の式1で表される。IA=-γSFNVAIO1ここで、γは電極表面の自己電離係数、Sは有効電極面積、FNは電極表面の解離窒素原子のフラックス量、IOは電位0において流れる電流である。また-の符号は、負電位の電極からの電子放出電流であることを示している。式1に示すように、解離窒素原子のフラックス量は原子電流IAと直線関係にあることから、原子電流IAを測定することによって、原子フラックスの量を間接的に測定できる。前述の図17に示したように、対向電極体11aはMBE成膜装置1の真空チャンバ3内に設置される。MBE製膜装置1のRF励起セル4から放出されるHB放電モードのプラズマ、すなわち、励起分子N2や、解離窒素原子励起原子Nおよび基底原子Nを含む活性種の流れが、真空チャンバ3内のシュラウドや反射板32等で衝突および反射を繰り返した後、対向電極体11aの第1のシート状電極12と第2のシート状電極13によって画定される空間部に、四方の開口部から進入する。図3aに示したように、対向電極体11aの空間部に進入した解離窒素原子は、空間部の熱平衡蒸気圧に応じた密度分布をもって、一対のシート状電極12、13の内側表面に付着する。前述したように、第1の直流電流計16により測定される原子電流IAは、対向電極体11aを設置した局所空間における解離窒素原子の密度分布、すなわちフラックス量に対応している。従って、対向電極体11aに流れる原子電流の値を測定することによって、原子フラックスの量を算定できる。<測定結果>上述の原子フラックス測定装置1を用いて電流-電圧特性を測定した結果を図4~図6に示す。図4は、第2の端子18の電位VB=0としたときの、第1のシート状電極12と第2のシート状電極13の間に印加される電位差VA-VB=EA[横軸]と、第1の直流電流計16により測定される原子電流IA[縦軸]との関係を示したものである。図4の測定結果において、原子電流IAが検出されるのは、第1のシート状電極12に印加される電位VA=EAVBの値が負の場合に限る。VB=0に設定されているため、電位差VA-VBの負の部分が原子電流である。電位VAの絶対値が大きくなるにしたがって原子電流IAが直線的に増大しているが、電流の増加に対する変化は少ない。図4において、電位差VA-VB=-EAが正のとき、対向電極体11aの周囲の原子フラックス中に含まれる電子による電流が第1の直流電流計16に流れるが、これは原子電流とは無関係である。図5に、第2の端子19の電位VBを、0、-50V、-100V、-150Vと変化させ、その値を一定に保つと共に、第1のシート状電極12と第2のシート状電極13との間に印加される電位差VA-VB=-EA[横軸]を変化させたときの原子電流IA[縦軸]の変化を示す。グラフの右上に示したように、電位VBの値によって測定値を示す記号を変えている。図5に示す4つの測定結果VB=0、-50V、-100V、-150Vにおけるそれぞれの直線部分が互いに平行でなく、電位差VA-VB=-EAの絶対値が増大するにつれて傾きが増大している。第1のシート状電極12と第2のシート状電極13との間に印加される電位差VA-VB=EAを一定にしてグラフを書き直すと、原子電流IAは、第1の直流電源13の電位VAの大きさに依存してほぼ直線的に変化することが分かる。図6に、第1のシート状電極12と第2のシート状電極13との間に印加される電位差VA-VB=-EAを-108Vに固定し、第2の端子19の電位VBを最大-1000Vまで変化させたときの電流-電圧特性の測定結果を示す。この測定結果から、原子電流IAは第1の端子18の電位VAの上昇絶対値の減少に応じて直線的に減少することが分かる。図4~図6に示す3つの測定結果から、RF励起セル4から基板2の表面に間接照射された解離窒素原子NおよびN、すなわち、RF励起セル4から放出された後、真空チャンバ3のシュラウド等で衝突および反射を繰り返した後に基板2の表面に照射された解離窒素原子であっても、フラックス量を十分測定できることが確認できた。なお、基板2に照射される解離窒素原子NおよびNのフラックス量は、RF励起セル4の作動条件、特にRF励起セル4の励起コイル43に投入される高周波電力、MBE製膜装置1の真空チャンバ3内の活性種の蒸気圧、真空チャンバ3のシュラウドの温度等に応じて変化する。ところで、RF励起セル4から放出されたプラズマに荷電粒子、たとえば窒素分子イオンN2、窒素原子イオンN、電子e等が含まれているときには、第2のシート状電極13から接地端子20に向けて流れる電流IBが第2の直流電流計17により測定される。前述したように、原子電流は第1のシート状電極12の内側表面に付着した中性の解離窒素原子の数に対応している。第2の直流電流計17が電流IBを測定したとき、それは、プラズマ中に含まれる荷電粒子による電流に加えて、第2のシート状電極13の外部表面に付着した中性の解離窒素原子による原子電流が含まれることを意味している。このとき荷電粒子による電流は第1の直流電流計16で測定した電流IAにも含まれ、フラックス量を測定する際の誤差となる。従って、第2の直流電流計17の電流IBにより原子電流に誤差があることを確認できる。<測定装置の構成>図1の説明に戻って、第1の直流電流計16により検出された電流IAは、AD変換器21によってデジタルデータに変換された後、PC8に取り込まれる。PC8は、前述した製膜制御回路85以外に、原子フラックス測定装置10の制御部81および演算部82としても機能する。これらの機能はメモリ83に格納されたソフトウェアを読み出してCPUで実行することにより実現される。PC8に取り込まれ、メモリ83に格納されたデジタルデータは、制御部81の制御に従ってディスプレイ84に表示される。作業者は、その場で原子電流の値を確認できる。本実施の形態では、基板2に照射される原子フラックスの量を、対向電極体11aに流れる原子電流の値によってモニターしている。原子フラックスの量を直接確認したい場合には、原子電流の値をフラックスの量に変換する必要がある。その場合、同一の条件で測定した原子フラックスの量と原子電流の値に基づいて、原子電流の値を原子フラックスの量に変換するテーブルを用意し、それを予めメモリ83に格納しておく必要がある。演算部82がこのテーブルに基づいて、対向電極体11aで測定した電流値を原子フラックスの量に変換し、その値がディスプレイ84に表示されれば、その場で解離窒素原子NおよびNのフラックス量を確認できる。一方、前述のMBE製膜装置1を用いて、基板2上に単結晶Si3N4バッファ層を生成した際のバッファ層の成長速度と、対向電極体11aで測定した原子電流の値との相関関係を示すグラフを作成する。作成したグラフのデータをテーブルとして製膜制御回路85図17参照のメモリに格納すれば、製膜制御回路85は、テーブルのデータを用いて、対向電極体11aで測定した原子電流の値に基づいて単結晶Si3N4バッファ層の成長速度を制御できる。第2の直流電流計17により検出された電流値も、第1の直流電流計16と同様に、AD変換器22によってデジタルデータに変換された後、PC8に取り込まれる。なお制御部81は、上述の制御以外に、第1および第2の直流電源14および15の電圧の設定や、第1および第2の直流電流計16および17のONOFFの制御を行う。<原子フラックス測定の手順>次に、本実施の形態にかかる原子フラックス測定装置10を用いて、基板2に照射される解離窒素原子のフラックス量を測定する際の手順を説明する。前述の図17に示すMBE製膜装置1のセルポートにRF励起セル4を取り付ける一方、真空チャンバ3内の基板ホルダー31にシリコン基板2を固定し、このシリコン基板2上に単結晶Si3N4のバッファ層を成長させる。この際、RF励起セル4に、500Wの高周波電力を投入してHB放電モードで作動させる。前述したように、シリコン基板2上に単結晶Si3N4バッファ層を成長させる際は、RF励起セル4から放出された解離窒素原子基底原子Nおよび解離窒素原子Nのフラックスを基板2に間接照射することが好ましく、間接照射は以下のいずれかの方法により実現される。第1の方法は、RF励起セル4から放出される解離窒素原子のフラックスの進行方向を図示しないシャッターで閉じる方法である。この方法を採用すると、RF励起セル4のオリフィス44から放出される解離窒素原子は、シャッターや成長室真空チャンバの内側の壁に衝突と反射を繰り返した後、シャッターの周縁部の隙間から漏れ出たエネルギーの小さなフラックスが基板2の表面に照射される。第2の方法は、上述のシャッターを開け、RF励起セル4から放出される解離窒素原子のフラックスを、真空チャンバ3内に設けられた反射板32やシュラウドに衝突や反射を繰り返してから、基板2に照射する方法である。原子フラックス測定装置10の対向電極体11は、基板ホルダー31に隣接した箇所で、かつRF励起セル4のオリフィス44と基板2の表面とを直線で結ぶ領域から外れた位置に設置される。上述したように、RF励起セル2から放出された解離窒素原子は、RF励起セル2の前方に設けられたシャッター図示せず、反射板32、シュラウド等で衝突および反射を繰り返した後、原子フラックス測定装置10の対向電極体11aの空間部に進入する。そして解離窒素原子は、この空間部における熱平衡蒸気圧に応じた密度をもってシート状電極12および13の表面に付着し、電極間に原子電流を発生させる。原子フラックス測定装置10で測定した原子電流は製膜制御回路85に送られ、バッファ層の厚みを制御するためのデータとして利用される。本実施の形態では、RF励起セル4を下記の条件下で作動させながら、原子フラックス測定装置10を用いて原子電流の値を測定した。そのときに第1の直流電流計16で測定した原子電流IAと第1のシート状電極12の電位VAの関係を図7~図9に示す。1RF励起セル4の放電コイル43への投入電力:500W2RF励起セル4の放電室42に供給される窒素流量:1.38sccm3RF励起セル4内の圧力:約100Pa4真空チャンバ3の真空度:4x103Pa図7のグラフは、第2の端子19の電位VBを、それぞれ、-175V、-75Vおよび0Vに保持した状態で、第1の直流電源14の起電力EAを-108V~108Vの範囲で変化させたときの、第1の端子の電位VA=-EAVBと第1の直流電流計16により測定された原子電流IAとの関係を示す。原子電流IAは、電位VAの変化に応じて線形的に変化することが確認された。この結果から、原子電流IAの測定値と、対向電極体11aの空間部に存在する解離窒素原子NNのフラックス量との間には線形的な相関関係が存在することが確認された。図8のグラフは、4つの曲線を示している。○印の記号で表示した第1の曲線は、第1の直流電源14の起電力EAを一定-108Vに保持して第2の端子19の電位VBを-800V~0Vに変化させたときの、第1の端子18の電位VA=-EAVBと第1の直流電流計16により測定された原子電流IAとの関係を示す。印の記号で表示した第2の曲線は、第2の端子19の電位VBを一定200Vに保持して、第1の直流電源16の起電力EAを-108V~108Vに変化させたときの、第1の端子の電位VAと第1の直流電流計16により測定された原子電流IAとの関係を示す。▲印の記号で表示した第3の曲線は、第2の端子19の電位VBを一定0Vに保持して、第1の直流電源16の起電力EAを-108V~108Vに変化させたときの、第1の端子の電位VAと第1の直流電流計16により測定された原子電流IAとの関係を示す。これらの測定結果から、原子電流IAは、第1の直流電源14の起電力EAの大きさに応じて線形的に変化することが確認された。なお、◇印の記号で表示した第4の曲線は、参考として示したもので、RF励起セル4に電力を供給しないときの第1の端子の電位VAと第1の直流電流計16により測定された電流IAすなわち暗電流との関係を示す。図9のグラフは、一対のシート状電極12、13の間隔Dが異なる6mmと20mm2種類の対向電極体11aを用いたときの、第1の端子の電位VAと第1の直流電流計16により測定された原子電流IAとの関係を示したものである。○印の記号で表示した間隔Dが大きい対向電極体は、●印の記号で表示した間隔Dが小さい対向電極体より原子電流IAの値が大きい。これは、間隔Dが大きいほうが、対向電極体11aの空間部に存在する解離窒素原子NNのフラックス量が多いためと考えられる。実施の形態2図10に、本発明の実施の形態2にかかる原子フラックス測定装置の基本的な構成を示す。図中、図1に示した実施の形態1の原子フラックス測定装置と同一の機能を備えた構成要素には、同一の符号を付して説明を省略する。図10では、電極の機能を説明するためRF励起セル4を追加している。その一方、説明に用いないA/D変換器21、22およびPC8は省略している。<測定装置の構成>本実施の形態の原子フラックス測定装置は、対向電極体の構成を除いて、実施の形態1の原子フラックス測定装置と変わりがない。本実施の形態における対向電極体11bは、実施の形態1の対向電極体11aのシート状電極12および13の代わりに、金属メッシュのシートで作製された2枚のシート状電極以降、これらをメッシュ電極という51および52を使用している。以下に、シート状電極にメッシュ電極を用いる理由を説明する。実施の形態1における対向電極体11aは、間接照射された解離窒素原子のフラックス量を測定する場合には支障がない。しかし、電極がシート状の金属で形成されているため、RF励起セル4から基板2に直接照射された解離窒素原子のフラックス量を測定する場合、電極の配置方向によって、対向電極体の空間部に入り込むフラックスの量が大幅に変動する。また大半の解離窒素原子はシート状電極の表面で反射して対向電極体の外に飛び去り、対向電極体11aの空間部まで入り込んで原子電流に寄与する解離窒素原子は極めて少ない。結果として、解離窒素原子のフラックス量を正確に測定することができない。これに対し、シート状電極にメッシュ電極を用いた場合、RF励起セル4から照射された解離窒素原子のフラックスFはメッシュ電極の隙間を通過し、対向電極体11bの空間部に入り込むため空間部の熱平衡蒸気圧が高まる。この熱平衡蒸気圧に応じた密度をもって解離窒素原子が電極の表面に付着して、原子電流を生じさせる。実施の形態1と同様に、第1の直流電源14および第2の直流電源15により、第1のメッシュ電極51には負のバイアス電位VA=-EAVBが印加されている。メッシュ電極51と52の間には、メッシュ電極51の内側表面に付着した解離窒素原子NNの自己電離に基づく原子電流IAが流れる。このように対向電極体11bでは、RF励起セル4から放出された解離窒素原子NNは、間接照射によりメッシュ電極51および52の周辺開口部から入射するフラックスに限らず、RF励起セル4から直接照射され、メッシュ電極52の隙間を通過して対向電極体11bの空間部に送り込まれたフラックスの量を測定できる。<対向電極体の具体的構成>図11に、対向電極体11bの具体的な構成の一例を示す。対向電極体11bは、長さに差のある2枚の金属メッシュのシートを、互いに間隔をあけて対向させた状態で巻回したものである。このようにメッシュ電極が渦巻状に巻回された対向電極体11bを用いれば、対向電極体の容積を増大させることなくメッシュ電極51および52の表面積を拡大できる。結果として、メッシュ電極51の内面に付着するフラックスの量が増大する分、原子電流の値が大きくなり、電流測定の感度を高めてフラックス量の検出精度を高めることができる。本実施の形態では、メッシュ電極51に大きさが140mmW×300mmLで、100100番のステンレス鋼SUS404の網を用い、メッシュ電極52に大きさが140mmW×250mmLで100100番のステンレス鋼SUS404の網を用いた。そして、これらのメッシュ電極51、52を、絶縁性のスペーサである直径6mmの複数のアルミナ套管53を介し、間隔Dを6mmあけて対向させるとともに巻回した。図11a、bに示すように、セルシャッターのフランジ33にアルミ製の3本の支柱54が立設され、2枚のメッシュ電極51および52は、3本の支柱54で形成される空間部に、渦巻状に巻回した状態で挿入されている。各支柱54には絶縁用のアルミナ管55が挿入され、渦巻状のメッシュ電極51および52は、3本の支柱54の外周に耐熱性絶縁材製の固定バンド56を巻付けて固定されている。さらにメッシュ電極5および52の最内側端部は絶縁性の固定具57により間隔Dを隔てて固定され、最外側端部は、それぞれ雲母製のシート状セパレータ58を介して電気的に絶縁されている。メッシュ電極51および52はワイヤ59により、それぞれ端子18および19に接続されている。本実施の形態の対向電極体11bは、メッシュ電極体51および52を渦巻状に形成することによって容積を増加させることなく電極の面積を増大させており、解離窒素原子のメッシュ電極への付着量を増大させることができる。結果として、原子電流の測定感度を高め、ひいては原子フラックス量の測定精度を高めることができる。実施の形態3図12に、本発明の実施の形態3にかかる原子フラックス測定装置の基本的な構成を示す。図中、実施の形態1および2の原子フラックス測定装置と同一の機能を備えた構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。図10と同様に図12では、電極の機能を説明するためRF励起セル4を追加している。その一方、説明に用いないA/D変換器21、22およびPC8は省略している。<測定装置の構成>本実施の形態の対向電極体11cは、実施の形態2の対向電極体11bと同様に、金属メッシュシートで作製された2枚のメッシュ電極71および72を使用している。一方、対向電極体11cは、実施の形態2の対向電極体11bと異なり、第2のメッシュ電極72の外側に一定の間隔を隔てて、金属メッシュシートで作製された第3のメッシュ電極73を配置している。この第3のメッシュ電極73を適当な電位に保持、たとえばメッシュ電極72と同電位とすることにより、フラックスFに含まれる荷電粒子N2、e等がメッシュ電極71および72に入射するのを、ある程度阻止することができる。すなわち、メッシュ電極73は、メッシュ電極71および72を含む閉回路に流れる原子電流に、雑音や誤差電流が混入するのを阻止するフィルタとして機能する。なお、本発明の原子フラックス測定装置に必須の構成ではないが、図12に示すように、RF励起セル4のプラズマ放出口の周辺にエリミネータ電極対34を配置して、プラズマフラックスに含まれる荷電粒子を横方向に偏向させることにより、原子フラックス測定装置10に照射されるフラックスFに荷電粒子が含まれないようにすることができる。エリミネータ電極対34は一対の対向する電磁石で構成されており、RF励起セル4から放出されるプラズマフラックスと交差する静磁界を発生させてプラズマフラックスに含まれる荷電粒子を横方向に偏向させる。エリミネータ電極対34により、RF励起セル4から対向電極体11cに照射されるフラックスFには荷電粒子が含まれないため、原子フラックス測定装置における原子電流の測定誤差を軽減できる。なお、図12において、直流電源35はスイッチ36によりエリミネータ電極対34に印加する電位の方向が変えられるようになっている。<対向電極体の具体的構成>図13に、本実施の形態にかかる対向電極体11cの具体的な構成の一例を示す。また図14に、図13の対向電極体11cの模式的な回路図を示す。図13に示す対向電極体11cは、図11に示した実施の形態2の対向電極体11bと2つの点で異なっている。以下、第1の相違点について説明する。対向電極体11bでは、広い面積の2枚のメッシュ電極51および52を巻回して対向電極体を構成している。これに対し対向電極体11cでは、平板状の複数のメッシュ電極71および72を、対向した状態で、かつ間隔をあけて交互に配置することによって対向電極体を構成している。対向電極体11cは、平板状の金属メッシュシートが櫛歯状に連結された第1のメッシュ電極71と、同様の構成の第2のメッシュ電極72とが、セラミック製の絶縁スペーサ74を介して、入れ違い状に組み合わされて構成されている。なお、絶縁スペーサ74は位置がずれないようにワイヤ75で締結されている。RF励起セル4から放出される解離窒素原子のフラックスFは、周辺部からの間接照射に限らず、メッシュ電極72の前面からの直接照射によっても電極間に形成された空間部に入射され、この空間部に飛来した解離窒素原子NおよびNが第1のメッシュ電極71の内側表面に付着することによって両電極間に原子電流が流れる。対向電極体11bはメッシュ電極を巻回することによって対向電極体の小型化を図っていたが、対向電極体11cは、メッシュ電極を積層することによって対向電極体の小型化を図っている。多層のメッシュ電極71および72を用いることによって対向電極体の容積を増大することなく、メッシュ電極の面積を拡大して解離窒素原子の電極表面への付着量を増大させ、ひいては原子電流の検出感度を高めることによって、解離窒素原子フラックス量の測定精度を高めている。第2の相違点は、対向電極体の前方に櫛歯状の第3のメッシュ電極73を配置している点である。前述したようにメッシュ電極73は、メッシュ電極71および72を含む閉回路に流れる原子電流に、雑音や誤差電流が混入するのを阻止する機能を備えている。図14に示すように、対向電極体の前方から流入するフラックスFに含まれる荷電粒子N2、e等は、完全ではないが、メッシュ電極73によって対向電極体内部への入射が阻止される。なお、対向電極体11cの構成は図13に示したものに限定されない。図13に示した対向電極体では、スペーサ74を3列配置しているが、メッシュ電極間の絶縁性を維持できれば、専用の治具を用いて間隔を保持するようにしても良い。実施の形態4図15に本発明の実施の形態4にかかる原子フラックス測定装置の基本的な構成を示す。図中、実施の形態1~3の原子フラックス測定装置と同一の機能を備えた構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。その一方、説明に用いないA/D変換器21、22およびPC8は省略している。<測定装置の構成>本実施の形態の原子フラックス測定装置は、対向電極体の構成を除いて、実施の形態1および2の原子フラックス測定装置と変わりがない。本実施の形態における対向電極体11dは、電位VAに保持される第1のシート状電極に、実施の形態1と同様のシート状電極91を用い、電位VBに保持される第2のシート状電極に、実施の形態2と同様のメッシュ電極92を用いている。実施の形態2と同様に、原子フラックスが入力する側の第2のシート状電極92にメッシュ電極を用いることにより、RF励起セル4から照射された解離窒素原子のフラックスFがメッシュ電極の隙間を通過し、対向電極体11dの空間部に入り込むため、空間部の熱平衡蒸気圧が高まる。この熱平衡蒸気圧に応じた密度をもって解離窒素原子が電極の表面に付着して原子電流を生じさせる。一方、電位VAに保持される第1のシート状電極に実施の形態1と同様のシート状電極91を用いることにより、メッシュ電極92を通過して対向電極体11dの空間部に入り込んだ乖離窒素原子の大半はシート状電極91の表面に接触するため、実施の形態2の対向電極体11bに比較して原子電流の値が増大することが期待できる。<対向電極体の具体的構成>図16に、本実施の形態にかかる対向電極体11dの具体的構成における回路図を模式的に示す。図示しないが、対向電極体11dの具体的な構成は、図13に示した実施の形態3における対向電極体11cの構成とほとんど変わりがなく、第1のメッシュ電極93と第2のメッシュ電極92を交互に重ねて配置したものである。本実施の形態にかかる対向電極体11dは、電位VAに保持される第1のシート状電極を、シート状電極91とメッシュ電極93とで構成している。具体的には、図16に示すように、実施の形態3の対向電極体11cの第3のメッシュ電極73を取り除き、その代わりに、原子フラックスの入射側とは反対側の位置に、所定の間隔を隔てて平板状のシート状電極91を配置している。なお、対向電極体11cの第3のメッシュ電極73については、そのまま残してもかまわない。上述したように、メッシュ電極92および93の隙間を通過した乖離窒素原子の大半がシート状電極91の表面に接触するため、実施の形態3の対向電極体11cに比較して、原子電流の値の増大が期待できる。以上説明したように、本発明の原子フラックス測定装置は、第1のシート状電極の電位をマイナスに保持し、さらにその値を低下させることにより、原子電流測定の感度を高めることができるため、比較的安価な電流計を用いて原子電流を測定でき、結果として測定装置の製造コストを低減できる。また、シート状電極に金属メッシュのシートを使用すると共に、このシートを巻回もしくは積層することによって、対向電極体の容積を増やすことなく電極の表面積を拡大できるため、小型で測定感度の良い原子フラックス測定装置を実現できる。なお、上述の各実施の形態では、原子フラックス測定装置10を用いて、RF励起セル4から放出される窒素活性種NおよびNのフラックス量をモニターする場合について説明したが、本発明の原子フラックス測定装置の用途は、これに限定されない。RF励起セル4内に、水素ガスH2とか、酸素ガスO2を供給するとともに、RF励起セル4の励起コイル43に比較的大きい高周波電力を供給してHB放電モードで作動させ、RF励起セル4から解離水素原子HおよびHや解離酸素原子OおよびOのフラックスを放出させる。RF励起セル4から放出された後、真空チャンバ3のシュラウドや反射板32等に繰り返し衝突および反射した解離水素原子や解離酸素原子のフラックスを、例えば対向電極体11cに入射させ、原子フラックス測定装置10で原子電流を測定すれば、解離水素原子や解離酸素原子のフラックス量を算定することができる。また本発明の原子フラックス測定装置は、MBE製膜装置の真空チャンバ3内において基板表面に製膜処理する場合に限らず、真空状態下のチャンバでエッチングとか酸化処理等の処理を行う場合にも適用できることは云うまでもない。また、前記MBE製膜装置の窒素RF励起セル2のシャッターポート内部に、窒素RF励起セル4から窒素解離原子フラックスを直接照射されない位置、すなわち、間接照射位置に原子フラックス測定装置10を配置し、真空チャンバ3内の基板ホルダー31に固定したシリコン基板2に窒素RF励起セル4から窒素解離原子のフラックスを間接照射しながら、シリコン基板2の表面のSi原子と反応させる、いわゆる、表面界面反応による単結晶Si3N4バッファ層の成長過程を、原子フラックス測定装置10で測定した原子電流により観察したところ、窒素RF励起セル4から放出される窒素解離原子のシュラウド側壁部への付着量が増大するにつれて窒素解離原子の基板2への照射量が低下し、したがって、単結晶Si3N4バッファ層の成長速度が低下したものと考えられる。窒素解離原子のシュラウドへの吸着増加による成長速度低下の不都合を解消するには、発明者等が先に提案した活性度制御式窒素化合物MBE成膜装置特開2008-78200号公報参照におけると同様、窒素RF励起セル4の放電モードを、LB放電モードとHB放電モードとを適当な時間間隔デューティファクターをもって交互に切り換え、LB放電モード期間においてHB放電モード期間に発生した窒素解離原子フラックスのうちシュラウドに吸着した原子を、後続のLB放電モード期間中にフラッシュすることにより冷却されたシュラウド表面での窒素解離原子の堆積を防止して、基板表面における単結晶Si3N4バッファ層の成長速度の低下を有効に防止することができる。