"処理チャンバ内で基板を処理する方法であって、RF電力の存在下、炭化水素含有ガスの流れに基板をさらして、前記基板上にホウ素を含まないアモルファスカーボン膜を堆積させること、前記炭化水素含有ガスの流れを継続しながらRF電力を切ること、およびRF電力の存在下、ホウ素含有ガスの流れと、前記炭化水素含有ガスの前記流れとに前記基板をさらして、前記ホウ素を含まないアモルファスカーボン膜上にホウ素含有アモルファスカーボン膜を堆積させることを含み、前記ボロン含有アモルファスカーボン膜が、約30~60原子百分率のホウ素を含有する、方法。前記ホウ素を含まないアモルファスカーボン膜の厚さが約50Å~約1000Åであり、前記ホウ素含有アモルファスカーボン膜の厚さが約300Å~約5000Åである、請求項1に記載の方法。前記ホウ素含有アモルファスカーボン膜が約20~約50原子百分率の炭素を含有し、前記ホウ素含有アモルファスカーボン膜が約10~約25原子百分率の水素を含有する、請求項1に記載の方法。前記炭化水素含有混合ガスが、一般式CxHyを有する少なくとも1種の炭化水素化合物を備え、式中、xの範囲が1~4、yの範囲が2~10である、請求項1に記載の方法。前記炭化水素含有混合ガスが、アルゴン、窒素およびヘリウムを備える群から選択される不活性ガスおよび/またはキャリアガスをさらに備える、請求項4に記載の方法。前記ホウ素含有混合ガスが、ジボランB2H6、トリメチルホウ素TMBまたはBCH33、トリエチルホウ素TEB、メチルホウ素、ジメチルホウ素、エチルホウ素、ジエチルホウ素またはこれらの組合せを含む、請求項5に記載の方法。前記炭化水素化合物が、メタンCH4、エタンC2H6、エチレンC2H4プロピレンC3H6、プロピンC3H4、プロパンC3H8、ブタンC4H10、ブチレンC4H8およびその異性体、ブタジエンC4H6、アセチレンC2H2ならびにこれらの組合せを備える群から選択される、請求項6に記載の方法。前記基板が、複数の交互する酸化物および窒化物材料、アモルファスシリコンと交互する酸化物、ポリシリコンと交互する酸化物、ドープシリコンと交互する非ドープシリコン、ドープポリシリコンと交互する非ドープポリシリコン、ドープアモルファスシリコンと交互する非ドープアモルファスシリコン、アルミニウム、タングステン、窒化チタン、銅、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素およびこれらの組合せを備える、請求項1に記載の方法。前記ホウ素含有アモルファスカーボン膜をエッチングして、パターニングしたホウ素含有アモルファスカーボン膜を形成すること、および前記基板内に前記パターニングしたホウ素含有アモルファスカーボン膜に対応するフィーチャ画定部を形成することをさらに含む、請求項1に記載の方法。処理チャンバ内で基板を処理する方法であって、処理チャンバ内に基板を設けること、前記処理チャンバに炭化水素含有混合ガスを流すこと、前記炭化水素含有混合ガスから第1のプラズマを発生させて、約300Å~約5000Åの厚さを有するホウ素を含まないアモルファスカーボン膜を前記基板上に堆積させること、前記処理チャンバへの前記炭化水素含有混合ガスの流れを継続しながら前記第1のプラズマを切ることによって、前記処理チャンバ内の処理条件を安定させること、前記処理チャンバにホウ素含有混合ガスを流すこと、および前記炭化水素含有混合ガスおよび前記ホウ素含有混合ガスから第2のプラズマを発生させて、約300Å~約5000Åの厚さを有し、約10~約60原子百分率のホウ素を含有し、約20~約50原子百分率の炭素を含有し、約10~約25原子百分率の水素を含有するホウ素含有アモルファスカーボン膜を、前記ホウ素を含まないアモルファスカーボン膜上に堆積させること、過酸化水素および硫酸を備える溶液を用いて前記ホウ素含有アモルファスカーボン膜を除去すること、および水素含有プラズマ、酸素含有プラズマまたはこれらの組合せを用いて前記ホウ素を含まないアモルファスカーボン膜を除去することを含む、方法。約35~60原子百分率のホウ素、約20~約50原子百分率の炭素と、約10~約30原子百分率の水素とを備えるホウ素含有アモルファスカーボン膜。基板上に堆積させた、厚さが約50Å~約5000Åであるホウ素を含まないアモルファスカーボン膜と、前記ホウ素を含まないアモルファスカーボン膜上に堆積させたホウ素含有アモルファスカーボン膜であって、厚さが約300Å~約5000Åである、約10~60原子百分率のホウ素を含有するホウ素含有アモルファスカーボン膜と、前記ホウ素含有アモルファスカーボン膜上に堆積させた反射防止コーティング膜と、前記反射防止コーティング膜上に堆積させたフォトレジスト膜とを備える、半導体デバイス。処理チャンバ内で基板を処理する方法であって、RF電力の存在下、炭化水素含有ガスおよびホウ素含有ガスを備える混合ガスの流れに基板をさらして、前記基板の上にホウ素含有アモルファスカーボン膜を堆積させること、約35~約60原子百分率のホウ素を含有し、約300Å~約5000Åの厚さを有するホウ素含有アモルファスカーボン膜をエッチングして、パターニングしたホウ素含有アモルファスカーボン膜を形成すること、および前記基板内に前記パターニングしたホウ素含有アモルファスカーボン膜に対応するフィーチャ画定部を形成することを含む、方法。前記ホウ素含有アモルファスカーボン膜が、約20~約50原子百分率の炭素と、約10~約25原子百分率の水素とを含有する、請求項13に記載の方法。前記基板が、複数の交互する酸化物および窒化物材料、アモルファスシリコンと交互する酸化物、ポリシリコンと交互する酸化物、ドープシリコンと交互する非ドープシリコン、ドープポリシリコンと交互する非ドープポリシリコン、ドープアモルファスシリコンと交互する非ドープアモルファスシリコン、アルミニウム、タングステン、窒化チタン、銅、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素およびこれらの組合せを備える、請求項13に記載の方法。しかしながら、添付図面は本発明の例示的実施形態を示しているにすぎず、したがって本発明を限定すると考えられるべきではなく、本発明について他の同様に効果的な諸実施形態を認めることができることに留意されたい。本発明の諸実施形態は一般に集積回路の製造に関し、詳細には、半導体基板上へのアモルファスカーボン層の堆積に関し、より詳細には、ホウ素含有アモルファスカーボン層の堆積に関する。論理デバイスおよび記憶デバイスの構造における深いコンタクトのための高アスペクト比エッチでは、アスペクト比は10~75:1であってもよく、その場合ハードマスクは全スタック厚の10~40である。一実施形態においては、エッチ選択性を40~80向上させるホウ素含有アモルファスカーボン膜が提供され、これにより同様に対応する量だけハードマスク厚を薄くすることが可能となる。別の実施形態においては、ハードマスク厚の削減および構造のアスペクト比を可能とする現在知られている非ドープアモルファスカーボン膜よりも2倍~20倍エッチ耐性があるホウ素含有膜が提供される。本明細書中に記載の特定の実施形態では、ハードマスク形状、限界寸法制御および限界寸法均一性が改善される。様々な実施形態において、炭化水素含有ガス、ホウ素含有ガス、およびアルゴン、窒素、ヘリウムなどの不活性/キャリアガスを用いて、ホウ素含有アモルファスカーボン層を堆積させることができる。有利には、下層誘電体膜に損傷を与えることなく、産業的に受け入れられているウエットエッチング化学薬品を用いて下層材料からホウ素含有アモルファスカーボン膜を容易に剥離できることがわかっている。本発明の諸実施形態ではまた、アモルファスカーボン層と、アモルファスカーボン層上に堆積されているホウ素含有アモルファスカーボン層とを備える多層ハードマスクが提供される。一実施形態においては、ホウ素含有アモルファスカーボン膜が約10~約60原子百分率のホウ素を含有する。アモルファスカーボン層の厚さは、約50Å~約5000Åの範囲で異なることがある。ホウ素含有アモルファスカーボン膜の厚さは、約300Å~約5000Åでよい。アモルファスカーボン層の厚さが約50Å~約1000Åである場合、下層のアモルファスカーボン層は、ジボランなどのホウ素含有ガスを用いた後に続くホウ素含有アモルファスカーボン堆積中に基板上に直接アモルファスホウ素除去が困難が形成されることを回避するために、基板とホウ素含有アモルファスカーボン層との間の遷移層としての機能を果たすことができる。遷移膜としての機能を果たすことに加え、アモルファスカーボン層の厚さが約300Å~約5000Åである特定の実施形態では、ホウ素含有アモルファスカーボン層は、下層に損傷を与えることなくパターニングを完了させるように、従来の酸素プラズマを用いて容易に灰化可能な、十分に厚いアモルファスカーボン層を下に残しながら、優れたハードマスク性能たとえば、良好なCD制御およびフィーチャ形状により主要エッチプロセス中に消費され得る。当業者には理解されるはずであるが、本明細書を通して使用する用語ホウ素含有アモルファスカーボンは、炭化ホウ素の形態での、もしくはホウ素および炭素の非化学量論的混合物でのホウ素炭素ホウ化炭素材料、またはホウ素をドープしたアモルファスカーボンを全般的に網羅する。この材料を本明細書中ではアモルファスと称するが、この用語は、膜中に結晶構造が全く存在しないことを表すものではなく、現在利用可能な技術によって認識できる結晶構造がないことを示しているだけであることにも留意されたい。図1は、本明細書中に記載の諸実施形態に従ってアモルファスカーボン層堆積を行うために使用することができる基板処理システム132の概略図を示す。本発明を実施するために使用することができる基板処理システム132の一例の詳細が、Salvadorらの同一出願人により2002年4月2日に発行された米国特許第6364954号に記載されており、参照により本明細書中に組み込まれている。適切なシステムの例として、DxZ商標処理チャンバを使用することができるCENTURA登録商標システム、PRECISION5000登録商標システム、PRODUCER商標システム、PRODUCERGT商標およびPRODUCERSE商標処理チャンバが挙げられ、これらのシステムは、カリフォルニア州サンタクララのAppliedMaterials,Inc.から市販されている。他の製造業者から入手可能なシステムを含めた他の処理システムも、本明細書中に記載されている諸実施形態を実施するために適合させることができると考えられる。処理システム132は、ガスパネル130およびコントローラ110と結合されているプロセスチャンバ100を含む。プロセスチャンバ100は一般に、内部処理容積126を画定する上面124、側面101および底壁122を含む。チャンバ100の内部処理容積126内に、支持体ペデスタル150が設けられる。このペデスタル150はステム160によって支持され、典型的にはアルミニウム、セラミックおよび他の適切な材料から作製することができる。ペデスタル150は、変位機構図示せずを用いてチャンバ100の内側で鉛直方向に移動させることができる。ペデスタル150は、ペデスタル150の表面192上で支持される基板190の温度を制御するために適切な埋め込みヒーター素子170を含むことができる。ペデスタル150は、電力供給部106からヒーター素子170へと電流を流すことによって抵抗加熱することができる。ヒーター素子170は、ニッケル-鉄-クロム合金たとえばINCOLOY登録商標シース管内に封入されたニッケル-クロム線で作成することができる。電力供給部106から供給される電流をコントローラ110によって調節して、ヒーター素子170によって生じる熱を制御し、これにより膜堆積中実質的に一定の温度に基板190およびペデスタル150が維持される。供給電流を調節して、セ氏約100度~セ氏約700度でペデスタル150の温度を選択的に制御することができる。熱電対などの温度センサ172を支持体ペデスタル150に埋め込んで、従来のようにしてペデスタル150の温度をモニタすることができる。測定した温度をコントローラ110が使用して、加熱素子170に供給される電力を制御して、基板を所望の温度に維持する。チャンバ100の底部に形成されているポートに真空ポンプ102が結合されている。真空ポンプ102を使用して、プロセスチャンバ100内の所望のガス圧を維持する。真空ポンプ102はまた、チャンバ100から後処理ガスおよびプロセスの副生成物を排出する。処理システム132はさらに、チャンバ圧を制御するための追加の機器、たとえば、チャンバ圧を制御するためにプロセスチャンバ100と真空ポンプ102との間に位置するバルブたとえば、スロットルバルブおよび遮断バルブを含むことができる。複数の開孔128を有するシャワーヘッド120が、基板支持体ペデスタル150の上のプロセスチャンバ100の上部に配置されている。シャワーヘッド120の開孔128は、チャンバ100へプロセスガスを導入するために利用される。開孔128は、異なるプロセス要件のための様々なプロセスガスの流れが容易になるように、異なるサイズ、数、分布、形状、設計および径を有することができる。プロセス中、内部処理容積126へ様々なガスを供給することを可能にするガスパネル130に、シャワーヘッド120が接続されている。シャワーヘッド120を出たプロセス混合ガスからプラズマを形成して、プロセスガスの熱分解を増進させ、その結果基板190の表面191上に材料が堆積される。シャワーヘッド120および基板支持体ペデスタル150は、内部処理容積126内に一対の相隔たる電極を形成することができる。1つまたは複数のRF電源140により、整合回路matchingnetwork138を介してシャワーヘッド120へとバイアス電位が供給されて、シャワーヘッド120とペデスタル150との間でプラズマの生成が促進される。あるいは、RF電源140および整合回路138をシャワーヘッド120、基板ペデスタル150に結合させることも、またはシャワーヘッド120と基板ペデスタル150との両方に結合させることも、またはチャンバ100の外部に配置されているアンテナ図示せずに結合させることもできる。一実施形態において、RF電源140は、約50kHz~約13.6MHzの周波数で約100ワット~約3,000ワットを供給することができる。別の実施形態では、RF電源140は、約50kHz~約13.6MHzの周波数で約500ワット~約1,800ワットを供給することができる。コントローラ110は、中央演算処理装置CPU112と、メモリ116と、プロセスの順序を制御し、またガスパネル130からのガス流を調節するために利用する支援回路114とを備える。CPU112は、産業用の装置で使用することができる汎用コンピュータプロセッサの任意の形態でよい。ランダムアクセスメモリ、ROM、フロッピもしくはハードディスクドライブまたは他の形態のデジタル記憶装置などのメモリ116には、ソフトウエアルーチンを格納することができる。支援回路114は、従来通りCPU112に結合され、キャッシュ、クロック回路、入力/出力システム、電力供給部等を含むことができる。コントローラ110と処理システム132の様々な構成要素との間の双方向通信が、その一部を図1に示す信号バス118と総称される数多くの信号ケーブルを通じて取り扱われる。他の堆積チャンバもまた、本発明から利益を享受することができ、上記で列挙したパラメータは、アモルファスカーボン層を形成するために使用する特定の堆積チャンバによって変化することができる。たとえば、AppliedMaterials,Inc.から入手可能な堆積チャンバ向けに記載されているガス流量よりも大きいまたは小さいガス流量を必要とする他の堆積チャンバが、より大きな容積またはより小さな容積を有することもある。一実施形態においては、下記表1に記載のパラメータを用いる、カリフォルニア州サンタクララのAppliedMaterials,Inc.から市販されているPRODUCERSE商標またはPRODUCERGT商標処理チャンバを用いて、ホウ素含有アモルファスカーボン層を堆積させることができる。堆積時のas-depositedホウ素含有アモルファスカーボン膜中のホウ素の量/百分率は、適用例毎に異なることがある。本発明の様々な実施形態において、ホウ素含有アモルファスカーボン膜は、少なくとも8、10、15、20、25、30、35、40、45、50または55原子百分率のホウ素を含有することができる。ホウ素含有アモルファスカーボン膜は、最大15、20、25、30、35、40、45、50、55または60原子百分率のホウ素を含有することができる。ホウ素含有アモルファスカーボン膜は、約10~約60原子百分率のホウ素を含有することができる。ホウ素含有アモルファスカーボン膜は、約30~約60原子百分率のホウ素を含有することができる。ホウ素含有アモルファスカーボン膜は、少なくとも15、20、25、30、35、40、45、50、55または60原子百分率の炭素を含有することができる。ホウ素含有アモルファスカーボン膜は、最大25、30、35、40、45、50、55、60または65原子百分率の炭素を含有することができる。ホウ素含有アモルファスカーボン膜は、約20~約65原子百分率の炭素、たとえば、約35~約50原子百分率の炭素を含有することができる。ホウ素含有アモルファスカーボン膜は、少なくとも10、15、20、25原子百分率の水素を含有することができる。ホウ素含有アモルファスカーボン膜は、最大15、20、25、30または40原子百分率の水素を含有することができる。ホウ素含有アモルファスカーボン膜は、約10~約25原子百分率の水素を含有することができる。前駆体として窒素を使用する特定の実施形態においては、ホウ素含有アモルファスカーボン膜は、少なくとも5、10または15原子百分率の窒素を含有することができる。ホウ素含有アモルファスカーボン膜は、最大10、15または20原子百分率の窒素を含有することができる。一般に、下記の例示的堆積プロセスパラメータを使用して、ホウ素含有アモルファスカーボン層を形成することができる。プロセスパラメータは、ウエハ温度が約100°C~約700°C、たとえば、約200°C~約500°Cの範囲に及ぶことができる。チャンバ圧は、約1torr~約20torr、たとえば、約2torr~約10torrの範囲に及ぶことができる。炭化水素含有ガスの流量は、約200sccm~約5,000sccm、たとえば、約400sccm~約2,000sccmでよい。希釈ガスの流量は個々に、約0sccm~約20,000sccm、たとえば、約2,000sccm~約10,000sccmの範囲に及ぶことができる。不活性ガスの流量は個々に、約0sccm~約20,000sccm、たとえば、約200sccm~約2,000sccmの範囲に及ぶことができる。ホウ素含有混合ガスの流量は、約1,000sccm~約15,000sccm、たとえば、約5,000sccm~約13,000sccmでよい。RF電力は約1W/in2~約100W/in2、たとえば約3W/in2~約20W/in2などでよく、平板間隔は基板の上面とシャワーヘッドとの間の約200ミル~約600ミルでよい。ホウ素含有アモルファスカーボン層は、約300Å~約5000Åなど、約100Å~約20,000Åの厚さに堆積させることができる。上記プロセスパラメータは、約100Å/分~約10,000Å/分の範囲でホウ素含有アモルファスカーボン層のための典型的な堆積速度を提供し、カリフォルニア州サンタクララのAppliedMaterials,Inc.から入手可能な堆積チャンバ内の300mmの基板上で実施することができる。堆積時のホウ素含有アモルファスカーボン膜は、2.0未満の均一性R/2を有することができる。堆積時のホウ素含有アモルファスカーボン膜は、1.8を超える、たとえば約2.32の屈折率RI633nmを有することができる。堆積時のホウ素含有アモルファスカーボン膜は、0.1未満、たとえば約0.02の誘電率値633nmにおける誘電率を有することができる。堆積時のホウ素含有アモルファスカーボン膜は、約0~約-500MPaの、たとえば、-50MPaの応力MPaを有することができる。堆積時のホウ素含有アモルファスカーボン膜は、1.5g/ccを超える、たとえば、1.95g/ccなど約1.86g/cc以上の密度g/ccを有することができる。図2は、本明細書中に記載されている諸実施形態による、ホウ素含有アモルファスカーボン膜を堆積させるための方法200の一実施形態を示すプロセスフロー図である。方法200は、処理チャンバの内部容積に基板を設けることによって、ブロック202から開始する。処理チャンバは、図1に示す処理チャンバ100でよい。図3に示すような基板190は、実質的に平らな表面191を有する。あるいは、基板190には、パターン化構造、トレンチを有する表面、ホールまたはビアが形成されていてもよい。基板190はまた、その上または中に所望の高さで形成された構造を有する実質的に平らな表面を有することもできる。基板190を単体として示しているが、基板190は、金属接点、トレンチ隔離、ゲート、ビット線、他の任意の相互接続フィーチャなど、半導体デバイスを形成する際に使用する1種または複数種の材料を含有することができると理解される。基板190は、半導体デバイスを製造するために利用する1種または複数種の金属層、1種または複数種の誘電材料、半導体材料およびそれらの組合せを備えることができる。たとえば、基板190は、用途に応じて酸化物材料、窒化物材料、ポリシリコン材料等を含むことができる。メモリ用途が所望される一実施形態においては、基板190は、シリコン基板材料、酸化物材料および窒化物材料を、その間にポリシリコンがはさまれているかどうかにかかわらず含むことができる。別の実施形態においては、基板190は、基板図示せずの表面上に堆積される複数の交互する酸化物および窒化物材料すなわち、酸化物-窒化物-酸化物ONOを含むことができる。様々な実施形態において、基板190は、複数の交互する酸化物および窒化物材料、1種または複数種の酸化物または窒化物材料、ポリシリコンまたはアモルファスシリコン材料、アモルファスシリコンと交互する酸化物、ポリシリコンと交互する酸化物、ドープシリコンと交互する非ドープシリコン、ドープポリシリコンと交互する非ドープポリシリコン、またはドープアモルファスシリコンと交互する非ドープアモルファスシリコンを含むことができる。基板は、膜処理が行われる任意の基板または材料表面でよい。たとえば、基板190は、結晶シリコン、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素、ストレインドシリコンstrainedsilicon、シリコンゲルマニウム、タングステン、窒化チタン、ドープまたは非ドープポリシリコン、ドープまたは非ドープシリコンウエハおよびパターン化または非パターン化ウエハ、シリコンオンインシュレータSOI、炭素ドープ酸化ケイ素、窒化ケイ素、ドープシリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、ガラス、サファイア、低誘電率誘電体、これらの組合せなどの材料でよい。ブロック204では、処理容積126に炭化水素含有混合ガスを流す。ガスパネル130から処理容積126へとシャワーヘッド120を介して炭化水素含有混合ガスを流すことができる。この混合ガスは、少なくとも1種の炭化水素化合物および不活性ガスを含むことができる。炭化水素は任意の液体またはガスでよいが、好ましい前駆体は、材料計量、制御およびチャンバに対するデリバリに必要となるハードウエアを簡略化するために室温で気体である。好ましくは、炭素源は、直鎖炭化水素などのガス状炭化水素である。一実施形態においては、炭化水素化合物が一般式CxHyを有し、式中xの範囲は1~20、yの範囲は1~20である。適切な炭化水素化合物として、下記化合物、たとえば、アルカン類、メタンCH4、エタンC2H6、プロピレンC3H6、プロパンC3H8、ブタンC4H10およびその異性体イソブタン、ペンタンC5H12およびその異性体オイソペンタンおよびネオペンタン、ヘキサンC6H14およびその異性体2-メチルペンタン、3-メチルペンタン、2,3-ジメチルブタン、および2,2-ジメチルブタン等の1種または複数種が挙げられる。追加の適切な炭化水素として、エチレン、プロピレン、ブチレンおよびその異性体、ペンテンおよびその異性体等のアルケン類、ブタジエン、イソプレン、ペンタジエン、ヘキサジエン等のジエン類を挙げることができ、ハロゲン化アルケン類として、モノフルオロエチレン、ジフルオロエチレン、トリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン、モノクロロエチレン、ジクロロエチレン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン等が挙げられる。また、アセチレンC2H2、プロピンC3H4、ブチレンC4H8、ビニルアセチレンおよびこれらの誘導体などのアルキン類を炭素前駆体として使用することもできる。加えて、ベンゼン、スチレン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、アセトフェノン、安息香酸メチル、酢酸フェニル、フェノール、クレゾール、フラン等の芳香族炭化水素、α-テルピネン、シメン、1,1,3,3,-テトラメチルブチルベンゼン、t-ブチルエーテル、t-ブチルエチレン、メタクリル酸メチルおよびt-ブチルフルフリルエーテル、式C3H2およびC5H4を有する化合物、モノフルオロベンゼン、ジフルオロベンゼン、テトラフルオロベンゼン、ヘキサフルオロベンゼン等を含めたハロゲン化芳香族化合物を使用することもできる。一例では、より一層の表面移動度が可能となるより安定した中間体種が形成されることから、C2H2が好ましい。適切な希釈ガス、中でもヘリウムHe、アルゴンAr、水素H2、窒素N2、アンモニアNH3、またはこれらの組合せなどを、必要に応じて混合ガスに添加することができる。アモルファスカーボン層の密度および堆積速度を制御するためにAr、HeおよびN2を使用する。場合によっては、以下で議論する通り、アモルファスカーボン層の水素比を制御するために、N2および/またはNH3の添加を利用することができる。あるいは、堆積中、希釈ガスを使用しなくてもよい。アルゴンArおよび/またはヘリウムHeなどの不活性ガスを、炭化水素含有混合ガスと共にプロセスチャンバ100へと供給することができる。窒素N2や一酸化窒素NOなど他の不活性ガスを、アモルファスカーボン層の密度および堆積速度を制御するために使用することもできる。加えて、アモルファスカーボン材料の特性を修正するために、他の様々な処理ガスを混合ガスに添加することができる。一実施形態においては、これら処理ガスは、水素H2、アンモニアNH3、水素H2と窒素N2との混合物、またはこれらの組合せなどの反応性ガスでよい。堆積させたアモルファスカーボン層の水素比たとえば、炭素対水素比を制御するために、H2および/またはNH3の添加を利用することもできる。アモルファスカーボン膜中に存在する水素比により、反射率などの層特性の制御が行われる。ブロック206では、内部処理容積126にホウ素含有混合ガスを流す。ガスパネル130から処理容積126へとシャワーヘッド120を介してホウ素含有混合ガスを流すことができる。一実施形態において、ホウ素含有混合ガスは、ホウ素含有化合物および不活性ガスを備える。ホウ素含有化合物の例として、ジボランB2H6、トリメチルホウ素TMBまたはBCH33、トリエチルホウ素TEB、メチルホウ素、ジメチルホウ素、エチルホウ素、ジエチルホウ素および類似の化合物が挙げられる。一実施形態においては、全ホウ素含有混合ガス中のホウ素含有化合物の百分率は、約2~約20である。別の実施形態においては、全ホウ素含有混合ガス中のホウ素含有化合物の百分率は、約5~約10である。例示的なホウ素含有混合ガスとして、5B2H6/95N2、5B2H6/95He、10B2H6/90He、5B2H6/95Ar、10B2H6/90Arまたは5B2H6/95H2を挙げることができる。理論によって限定されるものではないが、ヘリウムを使用すると、窒素の使用よりも、弾性率や硬度などの機械的膜特性の向上が実現されることが発明者らによって見出されている。異なる濃度のホウ素含有混合ガスを使用すると、特定の膜特性を実現するために必要となる流量がその都度変化することがあると考えられる。たとえば、ホウ素含有ガス源として5ジボランを使用する場合には、ホウ素含有混合ガスの流量は約5,000sccm~約15,000sccm、たとえば、約13,000sccmでよい。ホウ素含有ガス源として10ジボランを使用する別の例では、ホウ素含有混合ガスの流量は約4,000sccm~約10,000sccm、たとえば、約6,000sccm~約7,000sccmでよい。ブロック208では、内部処理容積126内でRFプラズマを発生させて、基板190上にホウ素含有アモルファスカーボン膜304を堆積させる。本明細書の図2には、RFプラズマを入れる前に、内部処理容積126に炭化水素含有混合ガスおよびホウ素含有混合ガスを導入する一実施形態が示してある。そのような場合、炭化水素含有混合ガスは、約5秒~約30秒、たとえば約15秒などより長い時間かけて処理容積126へと導入することができ、この時間は基板の寸法に応じて変化することがある。ホウ素含有ガスの導入前に炭化水素含有混合ガスを流すと、処理容積126の継続的な熱安定化および圧力安定化がもたらされると考えられる。炭化水素含有混合ガスを流しながら、ホウ素含有混合ガスはその後、RFプラズマを加える前に、約0.5秒~約5秒、たとえば、約1秒~約2秒処理容積126へと流れている流れる時間は、ホウ素含有混合ガスが処理容積126に到達し始める程度に十分に長いのであれば変化することがある。炭化水素含有混合ガスおよびホウ素含有混合ガスは、ホウ素含有アモルファスカーボン膜304が所望の厚さに到達するまで流れ続ける。あるいは、内部処理容積126へのホウ素含有混合ガスの導入前に、RFプラズマを発生させることもできる。ホウ素含有アモルファスカーボン膜304の厚さは、処理の段階に応じて可変である。一実施形態においては、ホウ素含有アモルファスカーボン膜304の厚さは約100Å~約20,000Å、たとえば、約300Å~約5,000Åでよい。ホウ素含有アモルファスカーボン膜304は、標準的なフォトレジストパターニング技法を用いてパターニングすることができる。ホウ素含有アモルファスカーボン膜304は、過酸化水素および硫酸を備える溶液を用いて除去することができる。過酸化水素および硫酸を含む溶液を備える例示的な一溶液が、ピラニアPiranha溶液またはピラニアエッチとして知られている。ホウ素含有アモルファスカーボン膜304は、酸素およびハロゲンたとえば、フッ素または塩素を含有するエッチング化学薬品、たとえば、Cl2/O2、CF4/O2、Cl2/O2/CF4を用いて除去することもできる。図4は、本明細書中に記載されている諸実施形態によるホウ素含有アモルファスカーボン膜を堆積させるための別の方法400の一実施形態を示すプロセスフロー図である。図5は、本明細書中に記載されている諸実施形態による、非ドープアモルファスカーボン膜502上にハードマスク層としてホウ素含有アモルファスカーボン膜304を組み込んだ基板構造の概略断面図を示す。図4に示す方法400は、非ドープアモルファスカーボン膜502上へのホウ素含有アモルファスカーボン膜304の堆積よりも前に、基板190の表面191上に非ドープアモルファスカーボン膜502が堆積されている以外は、図2に示す方法200と同様である。ブロック402では、処理チャンバ100の内部処理容積126内に基板190を位置付ける。ブロック404では、炭化水素含有混合ガスを内部処理容積126に流す。炭化水素含有混合ガスは、方法200で使用した水素含有混合ガスと同様でよい。ブロック406では、内部処理容積126内でRFプラズマを発生させて、基板190の表面191上に非ドープアモルファスカーボンホウ素を含まない膜を堆積させる。非ドープアモルファスカーボン膜502は、ホウ素含有混合ガスの流れがない状態で上記処理条件を用いて堆積させることができる。一実施形態において、非ドープアモルファスカーボン膜502の厚さは約50Å~約1,000Åでよく、この非ドープアモルファスカーボン膜502は基板190とその後に堆積されるホウ素含有アモルファスカーボン膜304図5との間の遷移層としての役割を果たすことができる。その後のホウ素含有アモルファスカーボン膜304の堆積中、ホウ素源として使用するホウ素含有ガスジボランなどが分解され、プラズマを入れなくても、加熱された基板上にアモルファスホウ素膜除去が困難が形成されることが観測されている。堆積時の非ドープアモルファスカーボン膜502により、その後のホウ素含有アモルファスカーボン堆積中に、基板上に直接アモルファスホウ素が形成されることが回避される。別の実施形態において、非ドープアモルファスカーボン層502の厚さは、約300Å~約5000Å、たとえば、約2000Å~約3000Åより厚く、非ドープアモルファスカーボン層502図5上にその後堆積されるホウ素含有アモルファスカーボン膜304が、下層に損傷を与えることなくパターニングを完了させるように、従来の酸素プラズマを用いて容易に灰化可能な、十分に厚いアモルファスカーボン層を下に残しながら、優れたハードマスク性能たとえば、良好なCD制御およびフィーチャ形状により主要エッチプロセス中に消費され得るようになっている。この多層ハードマスク手法は、深酸化物コンタクトエッチ、DRAMコンデンサモールドエッチ、ラインおよび/またはスペースエッチなど、様々な用途に適用することができる。浅いトレンチ隔離のエッチハードマスク、ゲートエッチのハードマスク、ビット線エッチのハードマスクなど、ラインおよびスペースエッチ用途の場合には、スタック膜は、非ドープアモルファスカーボン膜502が約300Å~約1,000Å、ホウ素含有アモルファスカーボン膜304が約300Å~約1,000Åでよい。密集領域および隔離領域のエッチ選択性に応じて、層の厚さを調整することができる。基板190上に所望の厚さを有する非ドープアモルファスカーボン膜502を堆積させたら、処理容積126への炭化水素含有混合ガスの流れを継続しながらRFプラズマを切ることによって、処理チャンバを安定させることができる。RFプラズマは、処理容積126へのホウ素含有混合ガスの導入後に再開され得る。一例では、ホウ素含有混合ガスは、RFプラズマを加える前に、約0.5秒~約5秒、たとえば、約1秒~約2秒、処理容積126へと流れている流れる時間は、ホウ素含有混合ガスが処理容積126に到達し始める程度に十分に長いのであれば変化することがある。非ドープアモルファスカーボン膜502の堆積後、ブロック408では、方法200で使用したホウ素含有混合ガスと同様のホウ素含有混合ガスを、処理チャンバの内部処理容積126へと流す。一実施形態においては、非ドープアモルファスカーボン膜502の堆積に使用する処理条件を、処理チャンバ100の内部処理容積126へホウ素含有混合ガスを流しながら維持することができる。あるいは、上述のように内部処理容積126へのホウ素含有混合ガスの導入の前に、プロセス容積126への炭化水素含有混合ガスの流れを継続しながら、RFプラズマを切ることもできる。ブロック410では、非ドープアモルファスカーボン膜502上に、RFプラズマの存在下、ホウ素含有アモルファスカーボン膜304を堆積させる。一実施形態において、ホウ素含有アモルファスカーボン膜304の厚さは約100Å~約20,000Å、たとえば、約300Å~約5,000Åでよい。堆積時のホウ素含有アモルファスカーボン膜304により、マスク切子面形成maskfacetingに対する優れた耐性がもたらされ、この耐性は、主要エッチングプロセス中にCD制御およびフィーチャ形状を、また従来のアモルファスカーボンハードマスクよりも最大7倍良い、ブランケット膜試験に基づく優れたエッチ選択性を維持する際に重要である。ホウ素含有アモルファスカーボン膜304は、過酸化水素および硫酸を備える溶液を用いて除去することができる。過酸化水素および硫酸を備える例示的な一溶液が、ピラニア溶液またはピラニアエッチとして知られている。非ドープアモルファスカーボンホウ素を含まない膜502は、水素含有プラズマ、酸素含有プラズマまたはこれらの組合せを用いて除去することができる。ホウ素含有アモルファスカーボン膜304は、酸素およびハロゲンたとえば、フッ素または塩素を含有するエッチング化学薬品、たとえば、Cl2/O2、CF4/O2、Cl2/O2/CF4を用いて除去することもできる。以下の非限定的な例を、本明細書中に記載されている諸実施形態をさらに説明するために示す。しかしながら、これらの例は全く包括的なものではなく、また本明細書中に記載されている諸実施形態の範囲を限定することが意図されていない。表IIおよびIVに示す例示的な膜は、サンタクララのAppliedMaterials,Inc.から市販されているPRODUCERSE商標処理チャンバを用いて堆積させた。表IIは、本明細書中に記載されている諸実施形態による、ホウ素含有アモルファスカーボン膜試料2~9についてのプロセス条件および機械的特性を示す。試料1は、ホウ素を含有しない対照である。表IIIは、表IIに示す試料1~9についての堆積時の膜中の炭素、水素、ホウ素および窒素の百分率を示す。原子百分率at.には、元素毎にそれぞれ以下の不確実性at.および検出限界at.があり、O±3,3、N±3,3、C±4,4、B±5,4およびH±4,4である。応力の単位はMPa、密度の単位はg/cc、流量の単位はsccm、間隔の単位はミル、圧力の単位はTorr、厚さの単位はÅ、堆積速度の単位はÅ/分、温度の単位はセ氏温度である。表IVは、本明細書中に記載されている諸実施形態による、ホウ素含有アモルファスカーボン膜試料10~16についてのプロセス条件および機械的特性を示す。表Vは、表IVに示す試料10~16についての堆積時の膜中の炭素、水素、ホウ素および窒素の百分率を示す。原子百分率at.には、元素毎にそれぞれ以下の不確実性at.および検出限界at.があり、O±3,3、N±3,3、C±4,4、B±5,4およびH±5,0.3である。図6は、既知の非ドープアモルファスカーボン膜対本明細書中に記載されている諸実施形態に従って堆積させたホウ素含有アモルファスカーボン膜についてのエッチ選択性を示すプロット600である。y軸は、酸化物の上に堆積させた各膜のブランケットエッチ選択性を示す。図6に示すように、B:a-cは、ブランケットエッチ選択性が比較例の2倍改善されていることを示す。図7は、既知の非ドープアモルファスカーボン膜対本明細書中に記載されている諸実施形態に従って堆積させたホウ素含有アモルファスカーボン膜についてのブランケットエッチ選択性を示すプロット700である。y軸は、既知の非ドープアモルファスカーボン膜対ホウ素含有アモルファスカーボン膜のブランケットエッチ選択性を示す。x軸は、エッチングされる材料を示す。図7に示すように、B:a-cは、Bドープシリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素およびアモルファスシリコンa-Siを含めた下層材料について、ブランケットエッチ選択性が比較例の約2倍改善されていることを示す。上記は本発明の諸実施形態を対象としているが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他の、またさらなる諸実施形態を考案することができ、本発明の範囲は以下の特許請求の範囲によって決まる。"