振動板と、圧電体膜および上部電極からなる圧電素子と、を有し、前記振動板のヤング率に対する、前記振動板のヤング率と前記圧電体膜のヤング率との差が20以内であることを特徴とする共振振動子。前記振動板のヤング率に対する、前記振動板のヤング率と前記圧電体膜のヤング率との差が10以内であることを特徴とする請求項1に記載の共振振動子。前記振動板はチタンTiあるいはその合金から形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の共振振動子。前記振動板は、前記圧電素子が形成されている面に対して水平方向に伸縮振動することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の共振振動子。前記圧電体膜の膜厚が1μm以上5μm以下であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の共振振動子。機械的品質係数Qmが2000以上であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の共振振動子。機械的品質係数Qmが4000以上であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の共振振動子。請求項1から7のいずれか1項に記載の共振振動子を備えることを特徴とする超音波処置具。特許文献1に記載の超音波処置具は、圧電素子に、大きな振動速度が得られるようにボルト締めランジュバン振動子を使用しているが、超音波処置具として、切開、凝固などを行なうには振動速度が足りないために振動速度を拡大するホーン部が必要となっていた。しかしながら、ホーン部で振動速度を拡大するためには、処置部に対して振動部のサイズを大きくする必要がある。そのため、内視鏡内で超音波処置具を利用しようとすると、振動部のサイズは直径約2mm~3mm程度に限られてしまうため、処置部はさらに小さくなってしまい、処置に時間がかかるなどの問題があった。また、非特許文献1には、ホーン部を持たない矩形形状と、変成比が3.5のホーン部を有した構造が記載されており、振動部の振動速度が矩形形状で2m/s、ホーン部を有した形状で7m/sであることが記載されている。超音波処置具として切開、凝固を行なうためには、7m/sの振動速度が必要であるため、変成比を3.5以上にする必要がある。そのため、処置部の幅が1mmよりも小さくなってしまう。また振動のトルクは変成比の分小さくなるためトルクが小さいという問題もあった。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、高い振動速度を得ることができる共振子振動子およびこの共振振動子を有する超音波処置具を提供することを目的とする。本発明は前記目的を達成するために、振動板と、圧電体膜および上部電極からなる圧電素子と、を有し、前記振動板のヤング率に対する、前記振動板のヤング率と前記圧電体膜のヤング率との差が20以内であることを特徴とする共振振動子を提供する。本発明は、前記振動板のヤング率に対する、前記振動板のヤング率と前記圧電体膜のヤング率との差が10以内であることが好ましい。本発明によれば、前記振動板のヤング率に対する、振動板のヤング率と圧電体膜のヤング率との差を20以内、好ましくは10以内とすることにより、振動板と圧電体膜の共振振動により振動速度を高くすることができる。本発明は、前記振動板はチタンTiあるいはその合金から形成されていることが好ましい。本発明によれば、振動板の材料として、チタンあるいはその合金を用いているので、形成される圧電体膜とのヤング率の差を小さくすることを容易に行なうことができる。また、共振振動子を、例えば超音波処置具として用いた場合に、体内で安全に使用することができる。本発明は、前記振動板は、前記圧電素子が形成されている面に対して水平方向に伸縮振動することが好ましい。本発明によれば、振動板を圧電素子が形成されている面に対して水平方向に伸縮振動させているので、超音波処置具として使用した場合に、生体の切開作用、コアギュレーションによる止血作用を得ることができる。本発明は、前記圧電体膜の膜厚が1μm以上5μm以下であることが好ましい。本発明によれば、圧電体膜の膜厚を上記範囲とすることにより、装置を小型化することができる。本発明は、機械的品質係数Qmが2000以上であることが好ましい。本発明は、機械的品質係数Qmが4000以上であることが好ましい。本発明によれば、機械的品質係数Qmを上記範囲とすることにより、共振振動子の発熱を抑えることができるので、高い振動速度を得ることができる。本発明は前記目的を達成するために、上記記載の共振振動子を備えることを特徴とする超音波処置具を提供することを目的とする。本発明の共振振動子によれば、高い振動速度を得ることができるので、ホーン部が不要、あるいは、変成比を小さくすることができるので、処置部のサイズを大きくすることができる。したがって、超音波処置具として好適に用いることができる。本発明の共振子およびこの共振子を有する超音波処置具によれば、振動板と圧電体膜のヤング率を所望の範囲とすることにより、高い振動速度を得ることができる。以下、添付図面に従って本発明に係る共振振動子およびこの共振振動子を有する超音波処置具の好ましい実施の形態について詳説する。共振振動子図1は、本発明に用いられる共振振動子50の構造の一例を摸式敵に示す平面図であり、図2は、図1に示す共振振動子50の駆動部56の基板振動板52および圧電素子54の構造を模式的に示す断面図である。共振振動子50は、図1に示すように圧電素子54を備え基板52を振動させる駆動部56、基板52の先端であり圧電素子54の駆動により振動する振動部58、駆動を支持する支持部60、および駆動部56を支持部60に固定する固定部62から構成されている。圧電素子54は、図1においては、駆動部56と固定部62から支持部60の一部に設けられているが、これは、支持部60上の圧電素子54に電極を接続するためであり、圧電素子54を形成する位置は、駆動部56に形成されていれば特に限定されない。圧電素子54は、図2に示すように、基板52上に、下部電極64、圧電体膜66、上部電極68を備えて形成されている。圧電素子次に、本発明の共振振動子50に用いられる圧電素子54について説明する。圧電素子54は、図2に示すように、基板52上に、下部電極64、圧電体膜66、上部電極68が順次積層された素子であり、圧電体膜66に対して、下部電極64と上部電極68とにより厚み方向に電界が印加されるようになっている。電界が印加されると、圧電素子54の電界方向と垂直方向d31方向に伸縮するため、基板52の長手方向、すなわち、圧電素子54が形成されている面に対して水平方向に伸縮振動する。基板52の材料としては、Ti、SUS、Al、およびその合金などを挙げることができ、基板のヤング率に対して形成される圧電体膜のヤング率と基板52のヤング率との差が20となる基板を用いる。その中でも、Tiおよびその合金を用いることが好ましい。Tiおよびその合金を用いることにより、圧電体膜とのヤング率を所望の範囲内に容易にすることができ、また、後述する超音波処置具などに使用する場合に安全に使用することができる。なお、基板に対するヤング率の差とは、基板のヤング率をa、圧電体膜のヤング率をbとした時、ヤング率の差=|a-b|/a×100により求めることができる。下部電極64は必要に応じて設けることができる。例えば、基板52が金属などの導電性を有する材料で形成されている場合は、下部電極を設けず、基板52上に直接圧電体膜66を成膜することができる。下部電極64の主成分としては、特に制限はなく、Au、Pt、Ir、IrO2、RuO2、LaNiO3、およびSrRuO3等の金属または金属酸化物、およびこれらの組合せが挙げられる。上部電極68の主成分としては特に制限なく、下部電極64で例示した材料、Al、Ta、Cr、およびCu等の一般的に半導体プロセスで用いられている電極材料、およびこれらの組合せが挙げられる。圧電体膜66としては、下記一般式Pで表される1種または複数種のペロブスカイト型酸化物を用いることができる。一般式AaBbO3...P式中、A:Aサイト元素であり、Pbを含む少なくとも1種の元素、B:Bサイトの元素であり、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Sc、Co、Cu、In、Sn、Ga、Zn、Cd、Fe、Ni、およびランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、O:酸素原子。a=1.0かつb=1.0である場合が標準であるが、これらの数値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で1.0からずれてもよい。下記に示す気相成長法により圧電体膜を成膜することで、1.0≦aであるPb抜けのない組成の圧電体膜を成膜することができ、1.0<aであるPbリッチな組成の圧電体膜を提供することもできる。aの上限は特に制限がなく、1.0≦a≦1.3であれば、圧電性能が良好な圧電膜を得ることができる。下部電極64と上部電極68の厚みは特に制限なく、例えば200nm程度である。圧電体膜66の膜厚は特に制限なく、通常1μm以上であり、例えば、1~5μmである。圧電体膜の製膜方法次に圧電体膜の製膜方法について説明する。本発明の圧電体膜は、プラズマを用いる気相成長法により膜を製膜することができ、成膜温度Ts°Cと、成膜時のプラズマ中のプラズマ電位VsVとフローティング電位VfVとの差であるVs-VfVと、成膜される膜の特性との関係に基づいて製膜条件を決定することができる。適用可能な気相成長法としては、スパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、イオンプレーティング法、およびプラズマCVD法等が挙げられる。上記関係が求められる膜の特性としては、膜の結晶構造および/または膜組成が挙げられ、膜の組成を調整することで、圧電体膜のヤング率を変更することができる。図3に基づいて、スパッタリング装置を例として、プラズマを用いる成膜装置の構成例について説明する。図3aはRFスパッタリング装置の概略断面図であり、図3bは成膜中の様子を模式的に示す図である。RFスパッタリング装置100は、内部に、基板Bが装着されると共に、装着された基板Bを所定温度に加熱することが可能なヒータ111と、プラズマを発生させるプラズマ電極カソード電極112とが備えられた真空容器110から概略構成されている。ヒータ111とプラズマ電極112とは互いに対向するように離間配置され、プラズマ電極112上に成膜する膜の組成に応じた組成のターゲットTが装着されるようになっている。プラズマ電極112は高周波電源113に接続されている。真空容器110には、真空容器110内に成膜に必要なガスGを導入するガス導入管114と、真空容器110内のガスの排気Vを行なうガス排出管115とが取り付けられている。ガスGとしては、Ar、またはAr/O2混合ガス等が使用される。図3bに模式的に示すように、プラズマ電極112の放電により真空容器110内に導入されたガスGがプラズマ化され、Arイオン等のプラスイオンIpが生成する。生成したプラスイオンIpはターゲットTをスパッタする。プラスイオンIpにスパッタされたターゲットTの構成元素Tpは、ターゲットから放出され中性あるいはイオン化された状態で基板Bに蒸着される。図中、符号Pがプラズマ空間を示している。プラズマ空間Pの電位はプラズマ電位VsVとなる。通常、基板Bは絶縁体であり、かつ、電気的にアースから絶縁されている。したがって、基板Bはフローティング状態にあり、その電位はフローティング電位VfVとなる。ターゲットTと基板Bとの間にあるターゲットの構成元素Tpは、プラズマ空間Pの電位と基板Bの電位との電位差Vs-Vfの加速電圧分の運動エネルギーを持って、成膜中の基板Bに衝突すると考えられる。プラズマ電位Vsおよびフローティング電位Vfは、ラングミュアプローブを用いて測定することができる。プローブの電圧をフローティング電位Vfより高くしていくと、イオン電流は次第に減少し、プローブに到達するのは電子電流だけとなる。この境界の電圧がプラズマ電位Vsである。Vs-Vfは、基板とターゲットとの間にアースを設置するなどして、変えることができる。プラズマを用いる気相成長法において、成膜される膜の特性を左右するファクターとしては、成膜温度、基板の種類、基板に先に成膜された膜があれば下地の組成、基板の表面エネルギー、成膜圧力、雰囲気ガス中の酸素量、投入電極、基板/ターゲット間距離、プラズマ中の電子温度および電子密度、プラズマ中の活性種密度および活性種の寿命等が考えられる。また、本発明においては、上述したプラズマを用いる気相成長法のほかに、有機金属気相成長法MOCVD法およびPLDパルスレーザーデポジション法などの気相法、ゾルゲル法および有機金属分解法などの液相法、およびエアロゾルデポジション法などにより成膜することもできる。また、バルクセラミックスを直接接合で貼り合わせた後、所望の膜厚まで研磨で薄化させることで形成することもできる。基板のヤング率に対して、成膜された圧電体膜と基板とのヤング率の差を20以内とすることができれば、成膜方法は特に限定されず成膜することができる。圧電体膜の性能上述したような成膜条件を変更し、基板に対する基板のヤング率と圧電体膜のヤング率の差を20以内とすることにより、圧電体膜が振動した時に、基板と圧電膜の界面で働く応力を小さくすることができるため、機械的品質係数Qmを高くすることができる。機械的品質係数Qmは、後述する実施例における周波数と振動速度のグラフから求めることができる。機械的品質係数Qmは、振動により弾性損失を表わす係数であり、機械的損失係数の逆数で表わされる。圧電素子が弾性振動すると、内部に損失が生じ熱に変換される。すなわち、機械的品質係数Qmが低いと、振動が発熱の要因となるため、高い振動速度を得ることができない。本発明においては、基板に対する基板のヤング率と圧電体膜のヤング率との差を20以内とすることで、機械的品質係数Qmが高くなり、発熱を抑えることができ、高い振動速度を得ることができる。好ましくは、基板のヤング率と圧電体膜のヤング率を10以内とすることが好ましい。基板に対する基板のヤング率と圧電体膜のヤング率との差を20以内とすることにより、機械的品質係数Qmを2000以上とすることができる。さらに、機械的品質Qmは4000以上とすることが好ましい。超音波処置具次に、本発明の共振振動子を用いた超音波処置具の一例について説明する。図4は、超音波処置具の一例として、超音波ナイフを備える超音波処置具の全体構成図である。超音波処置具10は、ESD処置において、針状ナイフや周辺切開および粘膜剥離用ナイフ以下、切開剥離ナイフともいうなどの超音波ナイフメスとして機能するナイフ部12と、ナイフ部12を超音波ナイフとして機能させるように術者によって操作される操作部本体14とを有し、超音波処置具10は、ナイフ部12に電圧を印加する高周波発生装置16から構成される。ここで、ナイフ部12は、刃部処置部18、圧電素子54、刃固定部22、可撓性を有するシース接続部24、第1の電極接地電位26、第2の電極28、樹脂封止材30、可撓性コード46を有する。また、操作部本体14は、刃部18の操作用のリング32a、リング32b、リング32cおよび高周波発生装置16への接続用端子であるコネクタ34を有する。なお、操作部本体14のコネクタ34と高周波発生装置16とは、高周波電圧コード38によって電気的に接続されている。ナイフ部12の刃部18は、ESD処置において、周辺切開、全周切開カットや粘膜下層の剥離などに用いられる切開剥離ナイフとして機能するもので、圧電素子54の振動により刃部18が振動可能に構成されている。刃部18は、圧電素子54に印加する電界強度を増減させて圧電素子54を伸縮させることにより、図中矢印に示す方向に超音波振動させることにより切開を行なうことができる。刃固定部22は、シース24の内部先端に固定され、刃部18を往復移動進退可能に支持する機能を有する。すなわち、刃部18のシース24の先端からの突出および退避に際し、シース24に対し、刃部18を進退可能に支持する。シース24は、可撓性を有する絶縁性材料で構成され、刃部18、圧電素子54、第1の電極26、第2の電極28を物理的かつ電気的に保護するものである。第1の電極26、第2の電極28は、圧電素子54に高周波電圧を供給するためのもので、導電性材料構成され、リング32bおよび32cに連結されている。樹脂封止材30は、シース24の生体側を封止するために設けられる。本発明においては、圧電素子54を体内に挿入する部分に設けることができるので、感電を防止するために樹脂で覆うことが好ましい。また、圧電体膜66の材料として鉛を用いることができるので、樹脂で覆うことが好ましい。シース24の封止材として樹脂を用いることで、刃部18の駆動時の共振周波数の影響を少なくすることができる。次に、操作部本体14の構成および作用について説明する。術者が操作部本体14のリング32aに親指を、操作用スライダのリング32bおよび32cに人差指と中指を挿入し、操作部本体14に対して操作用スライダをスライドさせると、このスライドにより、操作用スライダに連結している可撓性コード46を介して刃部18は、シース24から進退往復移動でききるようになっている。コネクタ34には、高周波発生装置16から高周波電圧コード38が接続されており、第1の電極26と第2の電極28が電気的に接続されているため、この高周波電圧は、第1の電極26および第2の電極28の両方に加えられ、圧電素子54が振動することで、刃部18を超音波振動させ、切開剥離ナイフとして機能させることができる。上記超音波ナイフが使用される処置具内視鏡の鉗子口径は約3mm程度である。超音波ナイフの場合は、ホーン形状を設けることにより振動部の振動速度を拡大することができる。しかしながら、ホーンの拡大率が大きくなると、口径のサイズが限られているため、処置部振動部のサイズが小さくなってしまう。処置部が小さくなると、処置に要する作業が多くなり、手術時間が長くなることが懸念される。現状使用されている超音波ナイフの場合は、先端径が約1mmであり、約3倍の変成比である。エクスポネンシャルホーンを想定した場合には、変成比は振動部と、処置部の径の比で求めることができるので、変成比は2倍以下とすることが好ましい。超音波メスとして求められる振動速度は、7m/s以上であるため、変成比を有さない矩形形状での振動速度は3.5m/s以上であることが好ましい。なお、本発明の共振振動子は、上述した超音波ナイフに限定されず、各種アクチュエータや、レゾネータ、センサ、発振子等に用いることもできる。[実施例]ヤング率が113GPaであるTi合金、Ti-6Al-4V基板で図1に示すような矩形共振振動子を作製した。振動部は固定部を介して支持部に固定されている。基板の厚みは0.3mmであった。基板上に下部電極として、第1層TiWを50nm、第2層Irを150nm、スパッタ法により成膜した。下部電極の上に、チタン酸ジルコン酸鉛PZTをスパッタリング装置の電力を500W実施例1、700W実施例2の条件でスパッタリング法により成膜した。圧電体膜の厚みは4μmであった。電力を変化させることで圧電体膜の鉛量を変化させることができ、鉛量に応じてヤング率を変化させることができる。成膜条件は以下の通りとし、成膜温度は550°Cとした。成膜装置:Rfスパッタ装置、ターゲット:Pb1.3Zr0.52Ti0.480.88Nb0.12O3焼結体Bサイト中のNb量:12モル、基板温度:450°C、基板―ターゲット間距離:60mm、成膜圧力:0.29Pa、成膜ガス:Ar/O2=97.5/2.5モル比。成膜された圧電体膜の鉛量を蛍光X線分析で測定したところ、モル比で1.05実施例1、1.10実施例2であった。またヤング率をナノインデンター法で測定したところ110GPa実施例1、101GPa実施例2であった。次に上部電極として、第1層TiWを50nm、第2層をPt150nmで、メタルマスクを用いて、振動部の端部から0.1mmの範囲全体を覆うように成膜した。また、固定部を通り、支持部に電極パットをパターニングした。下部電極と電気的に接続されているTi基板と、上部電極と電気的に接続されている電極パットに0.7Vの電圧を印加することで、振動部を駆動させた。共振振動子の側面の振動速度をレーザードップラー振動計で測定を行った。結果を図5に示す。実施例1、実施例2とも29150Hzにて最大振動速度が得られた。この周波数291.50Hzのピークから機械的品質係数を求めたところ、実施例1はQm=4908、実施例2はQm=2698であった。なお、機械的品質係数Qmは、共振の鋭さを表わす量として用いられ、下記式として共振時の振幅倍率で定義される。Qm値を求める方法として共振曲線の最大振幅から-3dBの点の周波数帯域幅Δf=f2-f1を求め、Δfと共振周波数f0の比として求めることができる。次に共振周波数である291.50Hzにて電圧を変更して振動速度を測定した。結果を図6に示す。実施例1においては、振動速度は、ほぼ印加電圧に比例して増加しており、28Vで約8m/sの振動速度を得ることができた。実施例2においては、印加電圧に比例して3m/sまでは振動速度が増加しているが、約3.5m/sでそれ以上電圧を上げても振動速度が増加しなかった。これは、機械的品質係数Qmが低いため、機械振動による発熱が影響していると考えられる。比較例として、従来技術として挙げた非特許文献1、黒澤実、笹沼健史PZT膜を用いたマイクロ超音波メス用振動子の振動速度向上社団法人電子情報通信学会、信学技法、US2009-10921331.には、図11に基板の片面に圧電素子を形成した場合、駆動電圧20Vで振動速度が約2m/sであることが記載されている。比特許文献1に記載されている圧電体膜は水熱合成により成膜されたものであり、ヤング率は約50GPaであり、Ti基板のヤング率は約100GPaであるので、基板と圧電体膜のヤング率は50であった。これに対し、実施例2では、ヤング率の差が12.9であり、駆動電圧20Vで振動速度が3.5m/sであった。これは、約1.8倍の振動速度を得ることができており、より低い変成比で切開、凝固を行なうことができる振動速度を得ることができる。また、実施例1においては、ヤング率の差が5.2であり、駆動電圧を上げることで、振動速度8m/sと充分に高い振動速度を得ることができており、ホーンを有さなくても切開を可能とすることができる。ホーンを有さなくても切開できる振動速度を得ることにより、装置の小型化をすることができるので、例えば、内視鏡の体内に挿入する部分に駆動部を設けることができ、処置具の設計の幅を広げることができる。