"鍋などの被加熱対象となる負荷を電磁誘導加熱する加熱手段と、この加熱手段による各種の加熱条件を設定する加熱条件設定手段と、この加熱条件設定手段で設定された加熱条件に基づいて前記加熱手段を制御する制御手段と、を有する電磁誘導加熱調理器において、前記制御手段の周囲温度を検出する温度検出手段を備える一方、前記制御手段は、前記加熱条件設定手段で設定された加熱条件の設定データや前記加熱手段に対する制御用の制御プログラムが記憶されるフラッシュメモリと、前記フラッシュメモリに格納された前記設定データや制御プログラムに基づいて前記加熱手段を制御する演算処理手段とを含み、前記演算処理手段は、前記温度検出手段で検出された周囲温度が前記フラッシュメモリへの前記設定データの書き換えに適合した仕様温度範囲内にあるかどうかを判別する温度判別手段と、この温度判別手段により前記周囲温度が前記仕様温度範囲から外れている場合には前記設定データの前記フラッシュメモリへの書き換えを禁止するデータ書換禁止手段とを備えることを特徴とする電磁誘導加熱調理器。前記データ書換禁止手段で前記設定データの書き換えが禁止される場合には、その書き換え禁止状態であることを外部に報知する第1外部報知手段を備えることを特徴とする請求項1記載の電磁誘導加熱調理器。前記演算処理手段は、前記温度判別手段により前記周囲温度が前記仕様温度範囲内にあると判別された場合には、前記加熱条件設定手段で設定される設定データの前記フラッシュメモリへのデータ書き換えが完了したかどうかを判別し、未完了の場合には前記フラッシュメモリへの設定データの再度の書き換えを実行するデータ再書換実行手段と、このデータ再書換実行手段による前記フラッシュメモリへの設定データの再度の書き換え回数を予め設定された最大試行回数と比較して再度の書き換え回数が前記最大試行回数を越えたか否かを判別する試行回数比較別手段とを含む一方、前記試行回数比較判別手段で再度の書き換え回数が前記最大試行回数を越えた場合には書き換え未完了を外部に報知する第2外部報知手段を備えることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電磁誘導加熱調理器。前記演算処理手段は、前記温度判別手段により前記周囲温度が前記仕様温度範囲から一定の許容温度分だけ外れていると判別された場合には、前記データ書換禁止手段で前記フラッシュメモリへの設定データの書き換えを禁止する代わりに、前記データ再書換実行手段による前記フラッシュメモリへの設定データの再度の書き換えを許容するとともに、前記試行回数比較別手段で比較対象とされる前記最大試行回数を前記周囲温度が前記仕様温度範囲に含まれる場合よりも小さく設定することを特徴とする請求項3記載の電磁誘導加熱調理器。前記演算処理手段は、前記温度判別手段により前記周囲温度が前記仕様温度範囲から一定の許容温度分だけ外れていると判別された場合には、前記データ書換禁止手段で前記フラッシュメモリへの設定データの書き換えを禁止する代わりに、前記データ再書換実行手段による前記フラッシュメモリへの設定データの再度の書き換えを許容するとともに、前記試行回数比較別手段で比較対象とされる前記最大試行回数を前記周囲温度が前記仕様温度範囲に含まれる場合よりも大きく設定することを特徴とする請求項3記載の電磁誘導加熱調理器。前記加熱条件設定手段で設定される設定データには、前記加熱手段により前記負荷を電磁誘導加熱する場合の最大電力を規定する設定データが含まれるものである、ことを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の電磁誘導加熱調理器。ところで、フラッシュマイコンの信頼性を確保して誤動作発生を防止するための使用可能な温度範囲は-40°C~85°C、また、フラッシュメモリのデータの書き換えを適切に行える温度範囲は-10°C~40°Cの仕様のものが多い。一方、電磁誘導加熱調理器は、厨房内で使用されるので、比較的高温の環境に晒されることが多く、その周囲温度が50°C、60°Cを越えることがある。したがって、フラッシュマイコンを搭載している場合、例えば周囲温度が45°Cの環境で使用中にフラッシュメモリに格納されている最大電力の設定データなどの書き換えを行おうとすると、フラッシュメモリの書き換えに適合した上記の仕様温度範囲-10°C~40°Cを逸脱しているため、データの書き換えを適切に行えないことが起こる。また、熱的ストレスによるフラッシュメモリの寿命低下が起こり、ひいては書き込み不足や消去不足が生じて正常な動作が確保できなくなる。すなわち、上記の特許文献1に記載の従来技術では、フラッシュメモリに対してデータ書き込みを行う際の周囲温度については何ら考慮されておらず、そのため、フラッシュメモリの書き換えに適合した仕様温度範囲-10°C~40°Cを逸脱している状態で、入力電流の設定データやスイッチング素子に加わる電圧上限値などの設定データを書き換えると、設定データを適切に書き換えることができず、所望の火力で加熱できなくなったり、スイッチング素子が故障するなどの不具合を生じる。この対策のために、例えば、フラッシュメモリの書き換えに適合した仕様温度範囲-10°C~40°Cに合致するように、電磁誘導加熱調理器の使用可能な温度範囲も-10°C~40°Cに制限してしまうと、調理器としての使用可能な温度範囲が極端に狭くなり過ぎて、40°C以上の高温環境下では調理ができなくなり、電磁誘導加熱調理器の使い勝手が悪くなるといった不都合を生じる。本発明は、上記の課題を解決するためになされたもので、フラッシュマイコンの信頼性を長期にわたって確保するとともに、フラッシュメモリへの設定データの書き換えを常に適切に行うことができ、かつ、使い勝手の良い電磁誘導加熱調理器を提供することを目的とする。上記の目的を達成するために、本発明は、鍋などの被加熱対象となる負荷を電磁誘導加熱する加熱手段と、この加熱手段による各種の加熱条件を設定する加熱条件設定手段と、この加熱条件設定手段で設定された加熱条件に基づいて前記加熱手段を制御する制御手段とを有する電磁誘導加熱調理器において、次の構成を採用している。すなわち、請求項1記載の発明では、前記制御手段の周囲温度を検出する温度検出手段を備える一方、前記制御手段は、前記加熱条件設定手段で設定された加熱条件の設定データや前記加熱手段に対する制御用の制御プログラムが記憶されるフラッシュメモリと、前記フラッシュメモリに格納された前記設定データや制御プログラムに基づいて前記加熱手段を制御する演算処理手段とを含み、前記演算処理手段は、前記温度検出手段で検出された周囲温度が前記フラッシュメモリへの前記設定データの書き換えに適合した仕様温度範囲内にあるかどうかを判別する温度判別手段と、この温度判別手段により前記周囲温度が前記仕様温度範囲から外れている場合には前記設定データの前記フラッシュメモリへの書き換えを禁止するデータ書換禁止手段とを備えることを特徴としている。また、請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明の構成において、前記データ書換禁止手段で前記設定データの書き換えが禁止される場合には、その書き換え禁止状態であることを外部に報知する第1外部報知手段を備えることを特徴としている。また、請求項3記載の発明は、請求項1または請求項2に記載の発明の構成において、前記演算処理手段は、前記温度判別手段により前記周囲温度が前記仕様温度範囲内にあると判別された場合には、前記加熱条件設定手段で設定される設定データの前記フラッシュメモリへのデータ書き換えが完了したかどうかを判別し、未完了の場合には前記フラッシュメモリへの設定データの再度の書き換えを実行するデータ再書換実行手段と、このデータ再書換実行手段による前記フラッシュメモリへの設定データの再度の書き換え回数を予め設定された最大試行回数と比較して再度の書き換え回数が前記最大試行回数を越えたか否かを判別する試行回数比較別手段とを含む一方、前記試行回数比較判別手段で再度の書き換え回数が前記最大試行回数を越えた場合には書き換え未完了を外部に報知する第2外部報知手段を備えることを特徴としている。また、請求項4記載の発明は、請求項3記載の発明の構成において、前記演算処理手段は、前記温度判別手段により前記周囲温度が前記仕様温度範囲から一定の許容温度分だけ外れていると判別された場合には、前記データ書換禁止手段で前記フラッシュメモリへの設定データの書き換えを禁止する代わりに、前記データ再書換実行手段による前記フラッシュメモリへの設定データの再度の書き換えを許容するとともに、前記試行回数比較別手段で比較対象とされる前記最大試行回数を前記周囲温度が前記仕様温度範囲に含まれる場合よりも小さく設定することを特徴としている。また、請求項5記載の発明は、請求項3記載の発明の構成において、前記演算処理手段は、前記温度判別手段により前記周囲温度が前記仕様温度範囲から一定の許容温度分だけ外れていると判別された場合には、前記データ書換禁止手段で前記フラッシュメモリへの設定データの書き換えを禁止する代わりに、前記データ再書換実行手段による前記フラッシュメモリへの設定データの再度の書き換えを許容するとともに、前記試行回数比較別手段で比較対象とされる前記最大試行回数を前記周囲温度が前記仕様温度範囲に含まれる場合よりも大きく設定することを特徴としている。また、請求項6記載の発明は、請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の発明の構成において、前記加熱条件設定手段で設定される設定データには、前記加熱手段により前記負荷を電磁誘導加熱する場合の最大電力を規定する設定データが含まれるものであることを特徴としている。本発明請求項1によれば、温度検出手段で検出されたフラッシュマイコンの周囲温度がフラッシュメモリへの設定データの書き換えに適合した仕様温度範囲から外れている場合には、データ書換禁止手段によって設定データのフラッシュメモリへの書き換えが禁止されるため、フラッシュメモリへ誤った設定データが書き込まれてしまうといった不具合発生を防止でき、フラッシュメモリへの設定データの書き換えを常に適切に行うことができる。この場合、設定データの書き換えは禁止されても、フラッシュマイコンが使用可能な温度範囲ならば電磁誘導加熱調理器による調理は続行できるので使い勝手が徒に制限されることがない。また、本発明請求項2によれば、設定データの書き換えが禁止される場合には、第1外部報知手段によってその書き換え禁止状態であることが外部に報知されるため、無理やりフラッシュメモリへ設定データを書き込むなどの誤操作を未然に防ぐことができる。また、本発明請求項3によれば、周囲温度が仕様温度範囲内にある場合において、設定データのフラッシュメモリへの書き換えを一度実行しても、適切な書き換えができなったときには、データ再書換実行手段によってデータ書き換えが再試行されるため、書き込み成功率を高めることができる。しかも、再度の書き換え回数が予め設定された最大試行回数を越えても完了しないときには、第2外部報知手段によってその旨が外部に報知されるため、フラッシュメモリに不具合が生じているのに無理やりフラッシュメモリへ設定データを書き込むなどの誤操作を未然に防ぐことができる。また、本発明請求項4によれば、周囲温度が仕様温度範囲から外れていても一定の許容温度範囲内であれば、フラッシュメモリへの設定データの書き換えを許容するとともに、周囲温度が前記仕様温度範囲に含まれる場合よりも最大試行回数を小さく設定することにより、フラッシュメモリへの熱ストレスによる負担を軽減しつつ、仕様温度範囲も広い温度域でフラッシュメモリへのデータ書き換えの成功率を確保することができる。また、本発明請求項5によれば、周囲温度が仕様温度範囲から外れていても一定の許容温度範囲内であれば、フラッシュメモリへの設定データの書き換えを許容するとともに、周囲温度が前記仕様温度範囲に含まれる場合よりも最大試行回数を大きく設定することにより、仕様温度範囲も広い温度域でフラッシュメモリへのデータ書き換えの成功確率を高くすることができる。また、本発明請求項6によれば、加熱手段で負荷を電磁誘導加熱する場合の最大電力を規定する設定データの書き換えを確実に実行できるため、使用者のニーズに合った最大電力の調整を容易に行うことができる。実施の形態1.図1は本発明の実施の形態1における電磁誘導加熱調理器の全体構成を示すブロック図、図2は同電磁誘導加熱調理器の操作パネルを示す平面図である。この実施の形態1の電磁誘導加熱調理器1は、加熱手段2、操作パネル3、および制御回路4を備える。ここに、加熱手段2は、鍋などの被加熱対象となる負荷を電磁誘導加熱する誘導加熱コイル21と、所要の周波数の交流電流を誘導加熱コイル21に通電するためのインバータ回路22とからなり、その構成自体は周知である。操作パネル3には、図2に示すように、誘導加熱コイル21に対する供給電力を調整するための火力ダウンスイッチSW3と火力アップスイッチSW4とが設けられるとともに、各スイッチSW3,SW4の操作により設定される供給電力の値に応じて点灯されるLED等からなる複数の火力表示部PL3~PL12が順次配列されている。また、これらの火力ダウンスイッチSW3、火力アップスイッチSW4、および点灯表示部PL3~PL12に隣接して、電源のオン/オフ用の電源スイッチSW1、この電源スイッチSW1の操作に伴う電源のオン/オフ状態を表示するLEDからなる電源表示部PL1、誘導加熱コイル21による電磁誘導加熱の運転/停止を切替える運転スイッチSW2、この運転スイッチSW2による運転/停止状態を表示するLEDからなる運転表示部PL2が設けられている。これにより、操作パネル3の上記火力ダウンスイッチSW3、火力アップスイッチSW4、電源スイッチSW1、運転スイッチSW2により操作部31が構成され、また、火力表示部PL3~PL12、電源表示部PL1、運転表示部PL2により表示部32が構成されている。そして、操作部31を構成する上記火力ダウンスイッチSW3、火力アップスイッチSW4、運転スイッチSW2が特許請求の範囲の加熱条件設定手段に、火力表示部PL3~PL12の内の一つ例えばPL12が特許請求の範囲の第1外部報知手段に、火力表示部PL3~PL12の内の他の一つ例えばPL9が特許請求の範囲の第2外部報知手段にそれぞれ対応している。なお、第1、第2外部報知手段としてはこのような火力表示部PL3~PL12の一部を流用する代わりに、専用の表示部を設けたり、ブザー等を設けることも可能である。また、この実施の形態1では、後述するように、火力ダウンスイッチSW3と火力アップスイッチSW4とが同時にオン操作された場合には、加熱条件を設定する設定モードへの移行指令が与えられ、この設定モードの下で火力ダウンスイッチSW3あるいは火力アップスイッチSW4が操作されることで誘導加熱コイル21に対する最大電力の設定データが選択される。また、この設定モードの下で運転スイッチSW2が操作された場合には、選択された設定データについての確定指令がフラッシュマイコン41に与えられるように構成されている。制御回路4は、一つの回路基板上にフラッシュマイコン41、温度センサ42、および入出力回路43が搭載されている。温度センサ42は、例えばサーミスタからなり、フラッシュマイコン41に近接して設けられてフラッシュマイコン41の周囲温度を検出する。また、フラッシュマイコン41は、操作部31で設定される加熱条件に基づいて加熱手段2を制御するものである。入出力回路43は、操作部31から入力される設定データをフラッシュマイコン41に取り込むとともに、その処理結果を表示部32に出力するインタフェイスの役目を果たすものである。そして、制御回路4が特許請求の範囲の制御手段に、温度センサ42が特許請求の範囲の温度検出手段にそれぞれ対応している。フラッシュマイコン41は、AD変換回路411、RAM412、フラッシュメモリ413、およびCPU414を有する。ここに、AD変換回路411は、温度センサ42で検出される周囲温度に対応した抵抗値の変化に応じて得られる電圧信号をデジタル化してCPU414に取り込むものである。なお、AD変換回路411を使用せずに、例えばコンパレータに温度センサ42の電圧信号の変化を入力し、基準電圧と比較してH/Lのレベル変化をフラッシュマイコン41に取り込むようにすることも可能である。RAM412には、操作部31により設定された加熱条件の設定データや、温度センサ42で検出された周囲温度のデータ、またフラッシュメモリ413から転送されるプログラムが一時的に格納される。フラッシュメモリ413には、操作部31で設定された加熱条件の設定データや加熱手段2の制御用の調理制御プログラム、およびこのフラッシュメモリ413に登録されているプログラム自体を書き換えるための書換用プログラムが登録されている。CPU414は、フラッシュメモリ413およびRAM412に格納されたプログラムや設定データに基づいて加熱手段2の制御や各種の演算処理を実行するもので、特許請求の範囲の演算処理手段に対応している。そして、フラッシュメモリ413に登録されている調理制御プログラムに基づき、そのプログラム実行時にCPU414によって特許請求の範囲における温度判別手段、データ書換禁止手段、データ再書換実行手段、試行回数比較判別手段がそれぞれ構成される。次に、上記構成を備えた電磁誘導加熱調理器において、フラッシュマイコン41によりフラッシュメモリ413のデータ書き換えを行う場合、特にここでは誘導加熱コイル21に供給する最大電力を規定する設定データをフラッシュメモリ413に登録する場合の処理動作について、図3に示すフローチャートを参照して説明する。なお、以下において、符号Sは各処理ステップを意味する。まず、操作パネル3の火力ダウンスイッチSW3と火力アップスイッチSW4とを同時にオン操作するとS1、これに応じて、CPU414は、加熱条件を設定する設定モードに移行するS2。そして、この設定モードの下で火力ダウンスイッチSW3あるいは火力アップスイッチSW4が操作されることで最大電力の値が選択されるS3。その際の最大電力の値は、火力表示部PL3~PL12の点灯個数によって確認することができる。例えば10個点灯なら最大電力が5kWに設定され、9個点灯なら最大電力が4.5kWに設定されたことを確認できる。そして、所望の最大電力の設定が終了した時点で運転スイッチSW2を操作することでS4、CPU414に対してその最大電力の設定データの確定指令が与えられる。これに応じて、CPU414は、この最大電力の設定データがフラッシュメモリ413に既に登録されている前回の設定データと同じかどうかを判定するS5。このとき、新たに設定しようとする最大電力の設定データがフラッシュメモリ413に既に登録されている前回の設定データと同じであれば、データの書き換えは不要であるから設定モードを終了するS14。これに対して、S5で新たに設定しようとする最大電力の設定データがフラッシュメモリ413に既に登録されている前回の設定データと異なっておれば、次に、CPU414は、温度センサ42で検出される周囲温度Tがフラッシュメモリ413のデータ書き換えに適合した仕様温度範囲-10°C~40°C内にあるかどうかを判別するS6。このとき、周囲温度Tがフラッシュメモリ413のデータ書き換えに適合した仕様温度範囲-10°C~40°Cから外れている場合には、フラッシュメモリ413のデータ書き換えは不適合であるので、その旨が外部から分かるように例えば火力表示部PL3~PL12の一つ例えばPL12を一定周期で点滅させるなどしてエラー表示を行うS16。なお、このエラー表示になった場合は、例えば電源スイッチSW1の操作により電源を一旦オフするなどしてリセットしない限り通常動作には復帰せず、エラー表示がそのまま継続されて機能が停止した状態になる。一方、S6で周囲温度Tがフラッシュメモリ413のデータ書き換えに適合した仕様温度範囲-10°C~40°Cに含まれる場合、CPU414は、フラッシュメモリ413に対して設定データの書き込みが繰り返されるたびに図示しない内部の書込みカウンタで計数される書込み回数が、予め規定されている最大試行回数N例えばN=10を越えたかどうかを判別するS7。このとき、書込み回数が最大試行回数Nに達している場合、CPU414はフラッシュメモリ413へのデータ書き換えは不可能と判断し、その旨が外部から分かるように例えば火力表示部PL3~PL12の一つ例えばPL9を一定周期で点滅させるなどしてエラー表示を行うS17。なお、このエラー表示になった場合は、例えば電源スイッチSW1の操作により電源を一旦オフするなどしてリセットしない限り通常動作には復帰せず、エラー表示がそのまま継続されて機能が停止した状態になる。一方、S7で書込みカウンタで計数される書込み回数が、予め設定されている最大試行回数N例えばN=10未満である場合、CPU414は、フラッシュメモリ413へ新たに設定された最大電力の設定データを書き込む書込みモードに移行するS8。この書込みモードにおいて、CPU414は、フラッシュメモリ413に予め登録されているプログラム自体を書き換えるための書換用プログラムをフラッシュメモリ413から読み出してRAM412に転送するS9。そして、RAM412に転送された書換用プログラムを実行してフラッシュメモリ413に対して新たに設定された最大電力の設定データをフラッシュメモリ413に書き込むS10。このように、フラッシュメモリ413からRAM412に書換用プログラムを一旦転送するのは、フラッシュメモリ413のデータ書き換え時に同時にフラッシュメモリ413のプログラムを実行することができないからである。次いで、CPU414は、フラッシュメモリ413に正しく最大電力の設定データが書き込まれたかどうかを判断するS11。その判断手法としては、フラッシュメモリ413に書き込むべき最大電力の設定データはRAM412に一時的に格納されているので、フラッシュメモリ413に書き込んだ設定データを読み出し、この値とRAM412に一時的に格納されている設定データとを比較して両設定データが一致するかどうかにより書き込みの成否を判断する。先のS11で両設定データの比較の結果、CPU414は、フラッシュメモリ413に正しく設定データが書き込まれていないと判断した場合には、書込みカウンタを1だけインクリメントしてS7に戻る。一方、S11で両設定データの比較の結果、フラッシュメモリ413に正しく設定データが書き込まれていると判断した場合には、書込みカウンタのカウント値をクリアした後S13、設定モードを終了するS14。なお、フラッシュマイコン41の使用可能温度は-40°C~85°Cの仕様になっているため、温度センサ42で検出される周囲温度Tがフラッシュメモリ413のデータ書き換えに適合した仕様温度範囲-10°C~40°Cを越えている場合でも、図3に示したような設定モードに移行する操作をしない限り、通常の調理には問題がない。例えば周囲温度が45°Cになっても何ら調理に支障はなく、高温の厨房環境でも使用可能である。また、フラッシュメモリ413に対して設定データを書き換える設定モードに移行する必要がある場合、使用者はフラッシュマイコン41の周囲温度が十分に低下して安全な書き換えが可能な仕様温度範囲-10°C~40°C内になってから改めて操作を行えばよい。本発明は上記の実施の形態1に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において各種の変形を加えることが可能である。例えば、上記の実施の形態1では、温度センサ42で検出される周囲温度Tがフラッシュメモリ413のデータ書き換えに適合した仕様温度範囲-10°C~40°Cから外れている場合には、単純にフラッシュメモリ413への設定データの書き換えを禁止するようにしているが、これに限らず、表1に示すように、例えば周囲温度Tが仕様温度範囲-10°C~40°Cから一定の許容温度分±10°Cだけ外れている場合、例えば-20°C≦T<-10°C、あるいは40°C<T≦50°Cのグレーゾーンの範囲にある場合には、フラッシュメモリ413への設定データの書き換えを禁止する代わりに、フラッシュメモリ413への設定データの再度の書き換えを許可するとともに、最大試行回数Nを周囲温度Tが仕様温度範囲に含まれる場合の値N=10よりも小さく例えばN=5に設定するようにしてもよい。このように、最大試行回数Nを小さくN=5設定すると、フラッシュメモリ413へのデータ書き換えの際の熱ストレスの負担を軽減させることができ、フラッシュメモリ413の故障発生の確率を抑えつつ、仕様温度範囲-10°C~40°Cよりも広い温度域でのデータ書き換えが可能となり、使い勝手が改善される。また、逆に、温度センサ42で検出される周囲温度Tが、例えば上記の-20°C≦T<-10°C、あるいは40°C<T≦50°Cのグレーゾーンの範囲にある場合には、フラッシュメモリ413への設定データの再度の書き換えを許可するとともに、最大試行回数Nを周囲温度Tが仕様温度範囲に含まれる場合の値N=10よりも大きく例えばN=15に設定するようにしてもよい。このように、最大試行回数Nを大きくN=15設定すると、フラッシュメモリ413へのデータ書き換えの際の熱ストレスの負担は大きくなるものの、仕様温度範囲-10°C~40°Cよりも広い温度域においてフラッシュメモリ413へのデータ書き換えの成功の確率を高くすることができる。さらに、上記の実施の形態1では、誘導加熱コイル21に供給する最大電力を規定する設定データをフラッシュメモリ413に登録する場合を例にとって説明したが、本発明はこれに限らず、例えば、表2に示すような加熱条件を設定するための各種の設定データをフラッシュメモリ413に登録する場合にも適用することが可能である。"