原料溶液をミストに変えて、該ミストを噴霧口から基板に噴霧する噴霧器を有し、当該噴霧器からの噴霧によって前記基板に薄膜を成膜する薄膜成膜装置であって、前記噴霧器内の前記原料溶液を冷却するための冷却手段と、前記ミストを加熱するための加熱部とを有し、前記基板は、前記加熱部の内部の下方に前記噴霧口に対向して設けられており、前記基板の上面から前記加熱部の上端までの鉛直方向の距離をLaとすると、前記噴霧口から前記基板の上面までの鉛直方向の距離Lbは、1/2La~Laであることを特徴とする薄膜成膜装置。前記距離Lbは、2/3La~5/6Laであることを特徴とする請求項1に記載の薄膜成膜装置。前記薄膜は透明導電膜であり、前記加熱部の内部の温度は、500~600°Cであることを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜成膜装置。前記加熱部の内部の温度は、530~570°Cであることを特徴とする請求項3に記載の薄膜成膜装置。前記基板は、移動機構によって移動可能であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の薄膜成膜装置。前記冷却手段は、前記噴霧器内の前記原料溶液を、該原料溶液の沸点以下に冷却することを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の薄膜成膜装置。前記冷却手段は、前記噴霧器の周辺に設けられた配管であり、前記配管によって前記噴霧器内の前記原料溶液が水冷されることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の薄膜成膜装置。基板上に薄膜を成膜するための薄膜成膜方法であって、噴霧器内の原料溶液を冷却する冷却ステップと、前記噴霧器によって前記原料溶液をミストに変え、該ミストを前記噴霧器の噴霧口から前記基板に噴霧する噴霧ステップと、加熱部によって前記ミストを加熱する加熱ステップとを含み、前記基板は、前記加熱部の内部の下方に前記噴霧口に対向して設けられており、前記基板の上面から前記加熱部の上端までの鉛直方向の距離をLaとすると、前記噴霧口から前記基板の上面までの鉛直方向の距離Lbは、1/2La~Laであることを特徴とする薄膜成膜方法。前記薄膜は透明導電膜であり、前記加熱部の内部の温度は、500~600°Cであることを特徴とする請求項8に記載の薄膜成膜方法。前記噴霧ステップでは、前記ミストを噴霧する方向と略垂直方向に前記基板を移動させることを特徴とする請求項8または9に記載の薄膜成膜方法。前記冷却ステップでは、前記噴霧器内の前記原料溶液を、該原料溶液の沸点以下に冷却することを特徴とする請求項8~10のいずれか1項に記載の薄膜成膜方法。ガラス基板上にアルカリバリア層の薄膜を成膜する第1の成膜ステップを含む薄膜太陽電池の製造方法であって、第1の成膜ステップは、請求項8~11のいずれか1項に記載の薄膜成膜方法の各ステップを含むことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。ガラス基板上にアルカリバリア層の薄膜を成膜する第1の成膜ステップと、前記アルカリバリア層上に透明導電膜の薄膜を成膜する第2の成膜ステップとを含む薄膜太陽電池の製造方法であって、第1の成膜ステップおよび第2の成膜ステップの少なくともいずれかのステップは、請求項8~11のいずれか1項に記載の薄膜成膜方法の各ステップを含むことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。上記の従来技術では、ミストが噴き付けられる基板は、ミスト中に含まれる溶媒を蒸発させるために加熱されるが、この加熱により基板に向かう方向とは逆方向に上昇気流熱対流が生じる。この上昇気流によりミストの一部が基板に到達しなくなり、成膜レートが低下するという問題がある。かかる問題を防止するために、ミストの噴霧圧力を大きくしたり、キャリアガスの流量を多くしたりすることが行なわれている。しかし、噴霧圧力を大きくすると、噴霧ノズルの寿命が短くなるという問題が生じ、キャリアガスの流量を多くすると、ミストの平均粒子径が小さくなる等の理由によって、基板に対しミストを安定して供給することができなくなるという問題が生ずる。また、加熱炉によって噴霧ノズルを熱すると、原料溶液に含まれる溶媒が蒸発し、原料溶液の濃度変化が生じたり、噴霧ノズルの目詰まりが起こったりして、均一に成膜することができなくなる。本発明は、上記のような現状に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、高い成膜レートで均一な膜質の薄膜を成膜することができる薄膜成膜装置および薄膜成膜方法を提供することにある。上記の課題を解決するために、本発明に係る薄膜成膜装置は、原料溶液をミストに変えて、該ミストを噴霧口から基板に噴霧する噴霧器を有し、当該噴霧器からの噴霧によって前記基板に薄膜を成膜する薄膜成膜装置であって、前記噴霧器内の前記原料溶液を冷却するための冷却手段と、前記ミストを加熱するための加熱部とを有し、前記基板は、前記加熱部の内部の下方に前記噴霧口に対向して設けられており、前記基板の上面から前記加熱部の上端までの鉛直方向の距離をLaとすると、前記噴霧口から前記基板の上面までの鉛直方向の距離Lbは、1/2La~Laであることを特徴としている。上記の課題を解決するために、本発明に係る薄膜成膜方法は、基板上に薄膜を成膜するための薄膜成膜方法であって、噴霧器内の原料溶液を冷却する冷却ステップと、前記噴霧器によって前記原料溶液をミストに変え、該ミストを前記噴霧器の噴霧口から前記基板に噴霧する噴霧ステップと、加熱部によって前記ミストを加熱する加熱ステップとを含み、前記基板は、前記加熱部の内部の下方に前記噴霧口に対向して設けられており、前記基板の上面から前記加熱部の上端までの鉛直方向の距離をLaとすると、前記噴霧口から前記基板の上面までの鉛直方向の距離Lbは、1/2La~Laであることを特徴としている。上記の構成によれば、噴霧器内の原料溶液を冷却するため、噴霧器内の原料溶液に含まれる溶媒が揮発されにくくなり、原料溶液の濃度を均一に保つことができる。このため、原料溶液の濃度を一定に保ちながら、薄膜を成膜することができ、もって薄膜の性質が安定する。また、距離Lbが、1/2La~Laであることにより、ミストを安定して発生させることができ、しかも熱対流が発生することなくミストを基板の上面に到達させることができる。したがって、高い成膜レートで均一な膜質の薄膜を成膜することができる薄膜成膜装置および薄膜成膜方法を提供できる。本発明に係る薄膜成膜装置では、2/3La~5/6Laであることがさらに好ましい。本発明に係る薄膜成膜装置および薄膜成膜方法では、前記薄膜は透明導電膜であり、前記加熱部の内部の温度は、500~600°Cであることが好ましい。本発明に係る薄膜成膜装置では、前記加熱部の内部の温度は、530~570°Cであることがさらに好ましい。上記の構成によれば、高い成膜レートで透明導電膜を成膜することができる。本発明に係る薄膜成膜装置では、前記基板は、移動機構によって移動可能であることが好ましい。本発明に係る薄膜成膜方法では、前記噴霧ステップでは、前記ミストを噴霧する方向と略垂直方向に前記基板を移動させることが好ましい。基板を水平方向に移動させずに固定した状態で、基板上に薄膜を成膜したときの膜厚分布では、基板面に平行に流れるミストによって成膜される領域では、膜厚が均一にならない。これに対し、上記の構成によれば、基板を移動させながら成膜を行なうので、基板全体に均一な膜質の薄膜を成膜することができる。本発明に係る薄膜成膜装置では、前記冷却手段は、前記噴霧器内の前記原料溶液を、該原料溶液の沸点以下に冷却することが好ましい。上記の構成によれば、原料溶液に含まれる溶媒の揮発を適切に制御することができ、噴霧口の詰まりを防止することができる。本発明に係る薄膜成膜装置では、前記冷却手段は、前記噴霧器の周辺に設けられた配管であり、前記配管によって前記噴霧器内の前記原料溶液が水冷されることが好ましい。上記の構成によれば、容易に原料溶液を冷却することができる。本発明に係る薄膜太陽電池の製造方法は、ガラス基板上にアルカリバリア層の薄膜を成膜する第1の成膜ステップを含み、第1の成膜ステップは、上記の薄膜成膜方法の各ステップを含むことを特徴としている。本発明に係る薄膜太陽電池の製造方法は、ガラス基板上にアルカリバリア層の薄膜を成膜する第1の成膜ステップと、前記アルカリバリア層上に透明導電膜の薄膜を成膜する第2の成膜ステップとを含み、第1の成膜ステップおよび第2の成膜ステップの少なくともいずれかのステップは、上記の薄膜成膜方法の各ステップを含むことを特徴としている。上記の構成によれば、透明導電膜および/またはアルカリバリア層をガラス基板上に均一に成膜することができるので、高性能の薄膜太陽電池を製造することができる。以上のように、本発明に係る薄膜成膜装置は、原料溶液をミストに変えて、該ミストを噴霧口から基板に噴霧する噴霧器を有し、当該噴霧器からの噴霧によって前記基板に薄膜を成膜する薄膜成膜装置であって、前記噴霧器内の前記原料溶液を冷却するための冷却手段と、前記ミストを加熱するための加熱部とを有し、前記基板は、前記加熱部の内部の下方に前記噴霧口に対向して設けられており、前記基板の上面から前記加熱部の上端までの鉛直方向の距離をLaとすると、前記噴霧口から前記基板の上面までの鉛直方向の距離Lbは、1/2La~Laである。また、本発明に係る薄膜成膜方法は、基板上に薄膜を成膜するための薄膜成膜方法であって、噴霧器内の原料溶液を冷却する冷却ステップと、前記噴霧器によって前記原料溶液をミストに変え、該ミストを前記噴霧器の噴霧口から前記基板に噴霧する噴霧ステップと、加熱部によって前記ミストを加熱する加熱ステップとを含み、前記基板は、前記加熱部の内部の下方に前記噴霧口に対向して設けられており、前記基板の上面から前記加熱部の上端までの鉛直方向の距離をLaとすると、前記噴霧口から前記基板の上面までの鉛直方向の距離Lbは、1/2La~Laである。したがって、高い成膜レートで均一な膜質の薄膜を成膜することができる薄膜成膜装置および薄膜成膜方法を提供できるという効果を奏する。以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものである。また、長さ、幅、厚さ、深さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜に変更されており、実際の寸法関係を表わすものではない。薄膜成膜装置の構成図1は、本発明の薄膜成膜装置の一例である薄膜成膜装置100を模式的に示す断面図である。薄膜成膜装置100は、基板1上に薄膜図示せずを成膜するためのものであって、加熱部3と噴霧装置6とを備えている。<加熱部3>加熱部3は、直方体の容器であり、その内部が高温に保持されている。加熱部3内部の下方に載積台2が設けられている。載積台2上には基板1が載積されており、該基板1は成膜中に加熱部3によって加熱される。載積台2は、移動機構図示せずを有しており、基板1の成膜面方向に1軸移動しながら、基板上に薄膜を成膜する。すなわち、加熱部3の内部には、基板1を含む載積台2および移動機構が収容される。なお、成膜中に載積台2は必ずしも成膜面方向に1軸移動する必要はなく、成膜中に載積台2が停止しても差し支えない。加熱部3の上面には穴が開けられており、該穴に噴霧装置6が嵌められている。これにより、噴霧装置6の下部は加熱部3に覆われている。<噴霧装置6>噴霧装置6は、ガス導入口7および排気口10を有する筐体と、該筐体の内部に取り付けられた噴霧器4とを備えている。<噴霧器4>噴霧器4は、原料溶液5をミスト9に変えて、該ミスト9をノズル8から基板1に噴霧するものであり、超音波霧化またはスプレー噴霧によってミスト9を発生させることができる。ここで、超音波霧化を用いてミストを発生させる場合、超音波振動子によってミストを発生させることが好ましい。超音波振動子は、比較的均一な平均粒子径のミストを噴霧することができるため、ミスト同士がより凝集しにくくなるという利点がある。ノズル8は、噴霧器4の先端に取り付けられており、例えば、2流体スプレーノズルで構成される。この場合、ノズル8において、圧縮空気と原料溶液とが混ざり合うことによりミスト9となる。噴霧器4の個数は、タクトタイムに必要とされる単位時間当たりの噴霧量によって変更してもよいし、成膜に必要な成膜レートに応じて変更してもよい。ここで、ミストとは、平均粒子径が0.1μm以上100μm以下の液滴が気体に分散された状態のものをいう。かかるミストの平均粒子径は、液浸法によって算出された値を採用するものとする。また、噴霧器4内には、図示しない冷却手段が設けられている。<冷却手段>本実施形態において、冷却手段は、噴霧器4内の原料溶液5を冷却するために設けられるものである。このような冷却手段によって噴霧器4内の原料溶液5を冷却することにより、噴霧器4の先端のノズル詰まりを防止することができる。ノズル詰まりを防止するという観点からは、噴霧器4内の原料溶液5を、該原料溶液5の沸点以下の温度に冷却することが好ましい。原料溶液5をこのような温度に冷却することにより、原料溶液5中の溶媒が揮発しにくくなる。よって、原料溶液5の濃度を一定に保つことができるとともに、噴霧器4の先端のノズル詰まりを防止することができる。上記の冷却手段は、噴霧器4内の原料溶液5を室温程度に冷却するものであることがより好ましい。なお、冷却手段は、空冷によって原料溶液を冷却してもよいし、水冷によって原料溶液を冷却してもよく、両者を併用しても差し支えない。空冷による冷却方法としては、ファンを挙げることができ、水冷による冷却手段としては、噴霧器の周辺に設けられた配管を挙げることができる。このように噴霧器4内の原料溶液5を冷却手段によって冷却することにより、原料溶液5に含まれる溶媒が蒸発しにくくなり、もって噴霧器4のノズル詰まりや、噴霧器4の変形を防止することができる。<原料溶液5>原料溶液5としては、亜鉛、スズ、インジウム、カドミウム、およびストロンチウムからなる群より選択される無機材料の塩化物または有機金属化合物を溶媒に溶解させたものを用いることが好ましい。原料溶液5に用いる溶媒としては、水、メタノール、エタノール、ブタノール等を挙げることができる。このような原料溶液5としては、酢酸亜鉛を含む水溶液、酸化インジウム錫を含む水溶液、酸化錫を含む水溶液等を挙げることができる。上記の原料溶液5の濃度は、特に限定されないが、一般的には0.1~3mol/Lの濃度の塩化物または有機金属化合物を含むものを用いることが好ましい。<基板1と噴霧器4との位置関係>本実施形態では、基板1の上面から加熱部3の上端までの鉛直方向の距離をLaとすると、噴霧器4の下端噴霧口から基板1の上面までの鉛直方向の距離Lbは、1/2La~Laとなっている。これにより、噴霧圧力および排気流量を適切に設定することにより、ミスト9を安定して発生させることができ、しかも熱対流が発生することなくミスト9を基板1の上面に到達させることができる。さらに好ましくは、噴霧器4の下端から基板1の上面までの鉛直方向の距離Lbは、2/3La~5/6Laである。なお、距離Lbが1/2La未満であると、噴霧される原料溶液5の加熱が不十分であるため、原料溶液5に含まれる溶媒を気化させるのに時間を要することになり好ましくない。一方、距離LbがLaを超えると、ミスト9が噴霧されるノズル8の噴霧口から基板1までの間における、温度の高い領域が占める割合が大きくなるため、ミスト9に含まれる溶媒成分が気化して、ミスト9の重力や慣性力が弱まる。これにより、ミスト9が基板1に到達しにくくなり、薄膜の成膜レートが低下する傾向がある。<加熱部3内の温度>また、加熱部3内の温度は、成膜する薄膜によって適切な温度が異なるため一律に最適な温度を規定することは困難であるが、たとえば透明導電膜を成膜する場合は、加熱部3内の温度を500~600°Cとして成膜することが好ましく、530~570°Cで成膜することがさらに好ましい。なお、加熱部3内の温度が500°C未満であると、ミスト9に含まれる溶媒が揮発しにくくなるため、透明導電膜の成膜レートが著しく低下することになる。一方、加熱部3内の温度が600°Cを超えると、ミスト9が基板1に到達する前にミスト9中の溶媒が揮発し、ミスト9が基板1の表面に到達しにくくなる。ここで、上記の透明導電膜は、透明性および導電性を要求されるものであり、たとえばITO、STO等からなるものである。これに対し、アルカリバリア層は、基板に含まれるアルカリ成分が基板外に放出されることを防止するために設けられるものである。アルカリバリア層は、基板1がアルカリ成分を含まない場合またはアルカリ成分を微量程度に含む場合は必ずしも基板1の表面に設けなくてもよく、このようなアルカリバリア層はSiO2からなるものであることが好ましい。<構成のまとめ>以上のように、薄膜成膜装置100は、図1に示されるように、原料溶液5をミスト9に変えて、該ミスト9を噴霧口から基板1に噴霧する噴霧器4を有し、噴霧器4からの噴霧によって基板1に薄膜図示せずを成膜する薄膜成膜装置であって、噴霧器4内の原料溶液5を冷却するための冷却手段と、加熱部3とを有し、基板1は、加熱部3の内部の下方に前記噴霧口に対向して設けられており、基板1の上面から加熱部3の上端までの鉛直方向の距離をLaとすると、前記噴霧口から基板1の上面までの鉛直方向の距離Lbは、1/2La~Laであることを特徴としている。上記の構成によれば、噴霧器4内の原料溶液5を冷却するため、噴霧器4内の原料溶液5に含まれる溶媒が揮発されにくくなり、原料溶液5の濃度を均一に保つことができる。このため、原料溶液5の濃度を一定に保ちながら、薄膜を成膜することができ、もって薄膜の性質が安定する。また、距離Lbが、1/2La~Laであることにより、ミスト9を安定して発生させることができ、しかも熱対流が発生することなくミスト9を基板1の上面に到達させることができる。したがって、高い成膜レートで均一な膜質の薄膜を成膜することができる。薄膜成膜装置100の動作続いて、薄膜成膜装置100の動作を説明する。薄膜成膜装置100では、まず、ガス導入口7から噴霧器4に圧縮空気を導入すると、噴霧器4が薄膜材料溶液タンクから原料溶液5を吸上げ、原料溶液5をミスト9に変えて、噴霧器4先端のノズル8からミスト9を噴出する。前記圧縮空気は、たとえば窒素、酸素、水素、およびこれらの混合ガスを用いることができる。基板1の上面においては、噴霧器4による垂直方向に流れるミスト9の成膜に加え、基板1が移動する方向に平行な水平方向に流れるミスト9によっても水平方向の成膜がなされる。成膜されなかった余分な噴霧ミストは、排気口10および図示しない除害装置を経て、排気口出口から外部に放出される。このように、薄膜成膜装置100では、キャリアガスを用いず、図1の矢印で示すように、ガス導入口7と排気口10とがほとんど直接つながっている。なお、噴霧器4に導入される圧縮空気の量、および噴霧器4から排気される排気量は、適宜設定することができる。成膜ライン200図2は、本実施形態の薄膜成膜装置100を組み込んだ成膜ライン200を模式的に示す断面図である。成膜ライン200では、基板1が、ベルトコンベア移動機構によって図中右方向に例えば10mm/secで搬送され、加熱部17に投入されて静止する。該加熱部17で加熱された基板1は、その後、薄膜成膜装置100の成膜部図1の下方導入される。この成膜部で、基板1上にアルカリバリア層または透明導電膜のような薄膜が成膜される。この成膜は、ミスト9を噴霧する方向と略垂直方向に基板1を移動させながら行ってもよい。その後、基板1は除冷部18に導入されて静止する。除冷部18において、基板1および薄膜が除冷されると、薄膜が形成された基板1が完成する。薄膜が形成された基板1は、図2の右端の取り出し口から取り出される。膜厚分布薄膜成膜装置100においては、図1に示されるように、基板1に垂直な方向のミスト9によって薄膜が成膜される領域第1成膜領域と、基板1が移動する方向に平行な水平方向に流れるミスト9によって成膜される領域第2成膜領域とがある。ここで、薄膜成膜装置100を用いて、基板1を水平方向に移動させずに固定した状態で、基板1上に透明導電膜を成膜したときの薄膜の膜厚分布を調べた。その結果を図2に示す。図3は、基板1上に形成された薄膜の膜厚分布を示すグラフである。横軸は、基板1の右端排気口10側からの距離mmであり、縦軸は、薄膜の膜厚である。図3に示されるように、基板1の右端からの距離が300~500mmの領域第1成膜領域では、1μm程度の厚みの薄膜が均一に成膜されている。これに対し、基板1の右端からの距離が100~300mmの領域第2成膜領域では、第1成膜領域から離れるほど、すなわち排気口10側に近づくほど薄膜の膜厚が1次関数的に薄くなることがわかる。薄膜成膜方法本実施形態の薄膜成膜方法は、基板上に薄膜を成膜するための薄膜成膜方法であって、噴霧器4内の原料溶液5を冷却する冷却ステップと、噴霧器4によって原料溶液5をミスト9に変え、該ミスト9を噴霧器4の噴霧口から基板1に噴霧する噴霧ステップと、加熱部3によってミスト9を加熱する加熱ステップとを含み、基板1は、加熱部3の内部の下方に噴霧口に対向して設けられており、基板1の上面から加熱部3の上端までの鉛直方向の距離をLaとすると、噴霧口から基板1の上面までの鉛直方向の距離Lbは、1/2La~Laであることを特徴としている。従来のスプレーCVD法やミストCVD法等の製造方法では、噴霧器内の原料溶液が加熱されることにより、原料溶液に含まれる溶媒の揮発が生じ、原料溶液の濃度が変わることがあった。このため、従来の成膜方法では、均一な膜質の薄膜を成膜するために、原料溶液に溶媒を適切なタイミングで添加する等の調整が必要であり、材料の利用効率が低かった。特に、ミストを噴霧して薄膜を成膜するミストCVD装置で成膜する場合に、成膜効率の低下が顕著であった。これに対し、本実施形態の薄膜成膜方法では、空冷式または水冷式によって噴霧器4内の原料溶液5を冷却するため、噴霧器4内の原料溶液5に含まれる溶媒が揮発されにくくなり、原料溶液5の濃度を均一に保つことができる。このため、原料溶液5の濃度を一定に保ちながら、薄膜を成膜することができ、もって薄膜の性能が安定するとともに、成膜コストの低減や生産性の向上にも寄与することになる。このようなメリットは、基板の面積が大きいほど得られる効果が大きくなるものと考えられる。上記の薄膜成膜方法を用いて透明導電膜を成膜する場合は、加熱部3の内部の温度は、500~600°Cに保持することが好ましい。上記の噴霧器4内の原料溶液5を冷却する冷却ステップでは、噴霧器4内の原料溶液5を、原料溶液5の沸点以下に冷却することが好ましい。これにより原料溶液5に含まれる溶媒の揮発を適切に制御することができる。また、上記の噴霧ステップは、ミスト9を噴霧する方向と略垂直方向に基板1を移動させながら行なってもよい。このように基板1を移動させながら薄膜を成膜しても、均一な特性を有する薄膜を形成することができるという点で、本実施形態の薄膜成膜方法は製造上のメリットがある。<薄膜太陽電池への適用>薄膜太陽電池を製造する場合、基板1としてガラス基板を用い、該ガラス基板上にアルカリバリア層を成膜し第1の成膜ステップ、さらに、アルカリバリア層上に透明導電膜を成膜した上で第2の成膜ステップ、半導体膜および金属膜を形成することによって作製する。このガラス基板としては、汎用的に使用され価格的にも安価なソーダライムシリカガラス板を用いるのが一般的である。このソーダライムシリカガラス板は、ナトリウム、カリウム等のアルカリ成分を10~20質量程度含むものであるが、長期間の使用によりガラス基板の下地からアルカリ成分がガラス基板の外部に拡散する。これによりガラス基板の上部に形成された透明導電膜が白濁したり、透明度が低下したり、透明導電膜の抵抗値が増大したり、化学的または物理的な耐久性が低下したりする。すなわち、ガラス基板から拡散したアルカリにより透明導電膜の表面で酸化還元反応が起こり、透明導電膜を構成する材料が変質し、さらに薄膜太陽電池自体が電気分解を起こすことにより、薄膜太陽電池が劣化する。このような不具合を防止するために、ガラス基板の表面にアルカリバリア層を形成することがある。本実施形態では、上記の薄膜成膜方法によってアルカリバリア層および透明導電膜の成膜を行なう。したがって、高性能の薄膜太陽電池を製造することができる。以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。本実施例では、薄膜太陽電池向けの透明導電膜の成膜実験を例にとり説明する。なお、本発明は以下に説明する条件のみに限られるものではなく、加熱部による加熱温度を調整するか、または原料溶液に用いる材料を調整することにより、アルカリバリア層などのさまざまな薄膜の成膜に応用することができる。<実施例1>本実施例では、図1に示される薄膜成膜装置100を用いて基板1上に透明導電膜を成膜した。図1の薄膜成膜装置100は、噴霧装置6の下部に加熱部3が接続されており、加熱部3の内部の下方には載積台2が設置されている。この載積台2上に基板1を固定した。噴霧器4としては、3個のスプレーを用いている。基板1の上面から加熱部3の上端までの鉛直方向の距離をLaとすると、この噴霧器4の下端から基板1の上面までの鉛直方向の距離Lbは1/2Laである。また、原料溶液5としては、0.9mol/LのSnCl4と、0.3MのNH4Fとを含み、30質量のHClと2.5質量のメタノールとを含む水溶液を用いた。この水溶液の沸点は約70°C程度である。そして、上記の加熱部3の内部の温度を590°Cとして、-150mmの水頭差で噴霧器4によってミスト9を60秒間噴霧することにより、1000×1400mmの基板上に透明導電膜を成膜した。このようにして成膜した透明導電膜の膜厚を触針式表面形状測定器製品名:DEKTAK株式会社アルバック製によって測定したところ、表1のような結果となった。なお、ヘイズ率とは、ヘイズ={全光線透過率-平行光線透過率}/全光線透過率で示される数値を使用し、ヘイズメーターNDH4000日本電色株式会社によって測定を行った。また、透明導電膜を成膜するときの加熱部の温度は、熱電対製品名:K熱電対アズワン株式会社製によって測定した。<実施例2>実施例1の構成において、基板1の上面から加熱部3の上端までの鉛直方向の距離Lbを1/2Laから2/3Laに代えて、透明導電膜を成膜した。その他は、実施例1と同様である。<実施例3>実施例1の構成において、基板1の上面から加熱部3の上端までの鉛直方向の距離Lbを1/2LaからLaに代えて、透明導電膜を成膜した。その他は、実施例1と同様である。<比較例1>実施例1の構成において、基板1の上面から加熱部3の上端までの鉛直方向の距離Lbを1/2Laから1/3Laに代えて、透明導電膜を成膜した。その他は、実施例1と同様である。<比較例2>実施例1の構成において、基板1の上面から加熱部3の上端までの鉛直方向の距離Lbを1/2Laから4/3Laに代えて、透明導電膜を成膜した。その他は、実施例1と同様である。<測定結果>実施例1~3および比較例1~2の測定結果を表1に示す。実施例1~3では、基板1上に成膜された透明導電膜は、距離Lbが小さいほど膜厚が大きくなる結果となった。基板1に近い距離で噴霧した場合の膜厚、すなわち比較例1で示した膜厚はもっとも大きかったが、抵抗値が大きく、膜ムラが非常に大きい結果となった。比較例2の結果では、膜厚が薄く、タクトタイムに問題があった。実施例1~3は、おおむね良好な結果であった。付記事項以上のように本発明の実施形態および実施例について説明を行なったが、上述の実施の形態および実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。今回開示された実施形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。すなわち、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。なお、本発明は以下のようにも表現することができる。本発明の薄膜成膜装置は、原料溶液をミストに変えて、該ミストを基板に噴霧するための噴霧器からの噴霧によって薄膜を成膜するための薄膜成膜装置であって、前記噴霧器内の前記原料溶液を冷却するための冷却手段と、前記ミストを加熱するための加熱部とを有し、前記加熱部は、その内部が500~600°Cに保持されており、かつその内部の下方に前記基板が設置されているか、または前記基板が移動機構によって移動されており、前記前記基板の上面から前記加熱部の上端までの鉛直方向の距離をLとすると、噴霧器の下端から前記基板の上面までの鉛直方向の距離は、1/2L~Lであることを特徴としている。本発明の薄膜成膜装置では、前記冷却手段は、前記噴霧器内の前記原料溶液を、該原料溶液の沸点以下に冷却することが好ましい。本発明の薄膜成膜装置では、前記冷却手段は、前記噴霧器の周辺に設けられた配管であり、前記配管によって前記噴霧器内の前記原料溶液が水冷されることが好ましい。本発明の薄膜成膜方法は、基板上に薄膜を成膜するための薄膜成膜方法であって、空冷式または水冷式によって噴霧器内の原料溶液を冷却するステップと、前記噴霧器によって前記原料溶液をミストに変え、該ミストを前記基板に噴霧するステップと、500~600°Cに保持された加熱部によって前記ミストを加熱するステップとを含み、前記前記基板の上面から前記加熱部の上端までの鉛直方向の距離をLとすると、噴霧器の下端から前記基板の上面までの鉛直方向の距離は、1/2L~Lであることを特徴としている。本発明の薄膜成膜方法では、前記ミストを前記基板に噴霧するステップは、前記ミストを噴き付ける方向と略垂直方向に前記基板を移動させながら行なってもよい。