シリコン基板の主面上に量子ドット層を有する太陽電池であって、前記量子ドット層は、複数の量子ドットがマトリクス中に近接するように配置された量子ドット集合体が点在するように構成されていることを特徴とする太陽電池。前記シリコン基板を平面視したときに、前記量子ドット集合体が厚み方向に同じ面積でかつ同じ位置に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。前記シリコン基板を平面視したときに、厚み方向に最近接する前記量子ドット同士が同じ位置に配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の太陽電池。前記シリコン基板の主面上に前記量子ドット集合体を仕切るための隔壁が設けられていることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれかに記載の太陽電池。本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、シリコン基板上に量子ドット層を有する構成において発電効率を高めることのできる太陽電池を提供することを目的とする。本発明の太陽電池は、シリコン基板の主面上に量子ドット層を有する太陽電池であって、前記量子ドット層は、複数の量子ドットがマトリクス中に近接するように配置された量子ドット集合体が点在した構成を有していることを特徴とする。本発明によれば発電効率の高い太陽電池を得ることできる。図1aは、本発明の太陽電池の一実施形態を模式的に示す平面図であり、bは、aのA-A断面図である。本実施形態の太陽電池は、シリコン基板1の主面3上に積層された複数の量子ドット層5を有するものであり、その量子ドット層5は、複数の量子ドット5aがマトリクス5b中に近接するように配置された量子ドット集合体5A図1において破線枠の部分が点在するように構成されている。本実施形態の太陽電池によれば、シリコン基板1上に形成された量子ドット層5が、量子ドット5aを集積した量子ドット集合体5Aの単位で区分されて、量子ドット5aが密集した領域の面積を小さくするように配置されているために、量子ドット5aが多層に積層されても量子ドット集合体5A中におけるひずみを小さくすることができる。このため量子ドット集合体5Aを構成している量子ドット5aのサイズや量子ドット5a同士の間隔のばらつきを小さくすることができる。その結果、量子閉じ込め効果の結果として得られるエネルギー準位のばらつきやバンド構造以下、中間バンドという場合があるの連続性が高いものとなり、量子ドット層5で発生するキャリアを外部に取りだしやくなり、これにより太陽電池の発電効率を高めることができる。この場合、複数の量子ドット集合体5Aは、量子ドット5a同士の近接している最大の間隔Lよりも広い間隔L1をもって配置されていることが望ましい。量子ドット5aの形状は、楕円体、球体などの球形状、立方体や直方体などを含む多角形状、薄膜形状およびワイヤー形状など、いずれの形状でもよいが、隣接する量子ドット5aとの間で3次元的に連続したバンド構造を形成しやすいという理由から球形状が望ましい。量子ドット5aのサイズは、例えば、球形状や薄膜形状においては最大径が3nm~50nmであることが望ましく、ワイヤー形状の場合には、ワイヤーの直径が3~50nmであることが望ましい。また、量子ドット5aのサイズのばらつきはその直径を平均した値の±30以内であることが望ましい。量子ドット集合体5Aにおける量子ドット5a同士の間隔、すなわち、量子ドット5a間に形成されているマトリックス5bの幅は2~10nmであることが望ましく、また、その間隔のばらつきは量子ドット5a同士の間隔量子ドット5a間に形成されているマトリックス5bの幅を平均した値の10~50であることが望ましい。量子ドット集合体5Aを構成している量子ドット5aのサイズや量子ドット5a同士の間隔のばらつきが上記範囲であると、量子ドット集合体5A中において、複数の量子ドット5a間に電子の規則的な長周期構造が形成されやすくなり、これにより連続したバンド構造を形成することが可能となる。なお、量子ドット5aのサイズおよび各量子ドット5a間の間隔は、特定の応用および製造されるデバイスの条件に従って種々の条件を適合できる。図1aでは、断面観察したときの量子ドット5aの最大径をLm、量子ドット5a同士の間隔をLdとして表している。量子ドット5aは、半導体粒子を主体とするものからなり、エネルギーギャップEgが0.15~1.20evを有するものが好適である。具体的には、量子ドット5aの材料としては、ゲルマニウムGe、シリコンSi、ガリウムGa、インジウムIn、ヒ素As、アンチモンSb、銅Cu、鉄Fe、硫黄S、鉛Pb、テルルTeおよびセレンSeから選ばれるいずれか1種またはこれらの化合物半導体を用いることが望ましい。一方、マトリクス5bは、半導体粒子に比較して約2倍以上15倍以下のエネルギーギャップを有している材料が好ましく、エネルギーギャップEgが1.0~10.0evを有するものが好ましい。マトリックス5bの材料としては、Si、C、Ti、Cu、Ga、S、InおよびSeから選ばれる少なくとも1種の元素を含む化合物半導体、炭化物、酸化物、窒化物が好ましい。本実施形態の太陽電池では、シリコン基板1を平面視したときに、量子ドット集合体5Aが厚み方向に同じ面積でかつ同じ位置に配置されていることが望ましい。図1aおよびbに示すように、量子ドット集合体5Aが厚み方向に同じ面積でかつ同じ位置に形成されていると、量子ドット集合体5A中において、太陽光の入射側からシリコン基板1側に向けて直線性の高いバンド構造を形成でき、これにより量子ドット集合体5Aで発生するキャリアを外部に取りだしやくなり、太陽電池の発電効率をさらに高めることが可能となる。ここで、量子ドット集合体5Aが同じ面積であるとは、厚み方向に配置された量子ドット集合体5A間において±10以内の面積比を有するものをいう。また、量子ドット集合体5Aが厚み方向に同じ位置であるというのは、厚み方向に配置された量子ドット集合体5A間において、中心軸のずれ量の最大値が量子ドット集合体5Aの平均幅の10以内であるものをいう。本実施形態の太陽電池では、シリコン基板1を平面視したときに、厚み方向に最近接する量子ドット5a同士が同じ位置に配置されていることが望ましい。厚み方向に最近接する量子ドット5a同士が同じ位置に配置されていると、量子ドット集合体5A中において、太陽光の入射側からシリコン基板1側に向けてさらに直線性の高いバンド構造を形成することが可能となる。その結果、量子ドット層5で発生するキャリアを外部にさらに取りだしやすくなり、太陽電池の発電効率を一段と高めることが可能になる。ここで、量子ドット5a同士が同じ位置に配置されているとは、量子ドット5aを例えば、シリコン基板1側から投影したときに、厚み方向に配置された量子ドット5a同士が一部でも重なっている状態をいう。図2は、本発明の他の太陽電池の一実施形態を示すもので、aは平面図、bは断面図であり、シリコン基板の主面上の量子ドット集合体間に隔壁を設けた態様を示す断面模式図である。本実施形態の太陽電池では、シリコン基板1の主面3上に量子ドット集合体5Aを仕切るための隔壁7が設けられていることが望ましい。シリコン基板1の主面3上において、量子ドット集合体5Aを隔壁7によって仕切られたものにすると、量子ドット集合体5A中に形成される中間バンドの電子伝導を量子ドット集合体5Aの厚み方向に配向したものとすることが可能になり、これにより量子ドット集合体5Aからシリコン基板1側へ移動するキャリアの量をより多くすることができ、その結果、発電効率をさらに高めることができる。この場合、隔壁7は高い絶縁性を有するという理由から半導体粒子よりもエネルギーギャップが5倍以上大きい材料により形成することが望ましく、セラミックスや樹脂などが好適である。次に、本実施形態の太陽電池を製造する方法について説明する。図3は、シリコン基板の主面上にマスクを配置した状態を示す平面模式図である。本実施形態の太陽電池を製造する場合には、シリコン基板1の上面側に、図3に示したようなマスク11マスクする部分の幅:wを置き、このマスク11の開口部13にマトリクス5bとなる材料を膜状に形成し、次いで、このマトリクス5bとなる膜の表面側に量子ドット5aとなる半導体粒子を形成する。これらの工程を繰り返すことによって量子ドット5aとマトリクス5bとが積層された量子ドット集合体5Aを形成する。製法としては、CVD法、スパッタ法および蒸着法などから選ばれる1種の物理的な薄膜形成法やスピンコート法または印刷法などの化学的方法を採用することができる。量子ドット5aをマトリックスとなる膜上に均等に配置するには、細孔を有するメッシュ膜をマスクパターンとして用いるのがよく、メッシュ膜としてはアルミニウム板を陽極酸化して細孔を形成したものやメソポーラスシリカ膜等が好適である。また、半導体粒子をマトリックスとなる膜から析出させる方法を採用することもできる。例えば、半導体粒子をSiにより形成する場合、化学量論組成を有するSiO2の膜とSi比率の高い組成のSixOy膜とを交互に複数積層した後、熱処理を行うことによって、Si比率の高い組成のSixOy膜中から微粒のSiを析出させる。この場合、量子ドット集合体5Aを形成した後にマスク11をエッチングにより除去してもよいが、マスクの材料として特定のセラミックスや樹脂を選択した場合にはマスク11をそのまま隔壁7として利用することもできる。まず、N型ドープシリコン層とP型ドープシリコン層とを有するシリコン基板を準備した。次に、このシリコン基板のN型ドープシリコン層側の主面に、図3に示す形状のアルミニウム製のマスク開口部の面積:1000μm×1000μm、マスクされる部分の幅w:50μmを置き、開口部に、プラズマCVD法によりSiO2膜とSi比率の高い組成のSixOy膜とを交互にそれぞれ30層形成した。原料組成としては、SiO2およびSi1.2Oyとを用いた。プラズマCVDの条件は減圧下、400±10°Cの温度とした。膜厚はSiO2側およびSi1.2Oy側のいずれも約5nmになるように成膜した。次に、マスクを取り除いた後、SiO2膜およびSi1.2Oy膜を形成したシリコン基板を還元雰囲気中、最高温度を1200°Cとし、保持時間を1時間として熱処理を行った。こうしてシリコン基板の主面上に積層された量子ドット集合体が区分して形成された太陽電池を作製した。比較例として、マスクを用いなかった以外は同じ条件にて、シリコン基板のN型ドープシリコン層の主面の全面に量子ドット層を形成した試料を作製した。次に、作製した基板の中央部から一部を切り出し、イオンミリングによって透過電子顕微鏡観察用の試料を作製し、量子ドット集合体中に形成された半導体粒子であるSiのサイズ直径と間隔とを透過電子顕微鏡観察により評価した。作製した試料にはいずれもSiが粒子状に析出していた。次に、観察用試料の中央部における100nm×100nmの領域に存在する半導体粒子について、その試料の断面に現れた半導体粒子Siの最大径Lmおよび半導体粒子Si同士の間隔Ldを測定し、平均値を求めた。マスクを用いて作製した試料は半導体粒子の平均粒径が6nmであり、そのばらつきの最大値が平均値の30であった。また、量子ドット同士の間隔は平均で5nmであり、そのばらつきの最大値は平均値の4nmであった。一方、マスクを用いずに作製した試料は、半導体粒子の平均粒径が22nmであり、そのばらつきの最大値が110であった。また、量子ドット同士の間隔は平均で30nmであり、そのばらつきの最大値が平均値の40nmであった。