量子サイズ領域を含み、第2の導電型の半導体入力領域に隣接する第1の面を有する、第1の導電型の半導体活性領域を備え、前記活性領域および前記入力領域に対して電位が印加されたとき前記活性領域から発光をもたらすように動作可能な発光半導体構造体とともに使用される、前記発光半導体構造体の動作を向上させる方法であって、前記活性領域の前記第1の面に対向する第2の面に隣接して、前記第1の導電型の半導体補助層を含む半導体出力領域を提供するステップと、前記補助層を、前記第1の導電型の材料の少数キャリアに対する拡散距離が前記活性領域の半導体材料の少数キャリアに対する拡散距離より実質的に短い半導体材料を含むものとして提供するステップとを含むことを特徴とする方法。前記出力領域を提供する前記ステップは、前記半導体補助層に隣接して前記第2の導電型の半導体ドレイン領域を提供することをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記出力領域を提供する前記ステップは、前記半導体補助層に隣接して前記第2の導電型の半導体コレクタ領域を提供することをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記コレクタ領域に他の領域に対して電位を印加するステップをさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。前記活性領域の前記第2の面に隣接して半導体補助層を含む前記出力領域を提供する前記ステップは、前記活性領域の前記第2の面の半導体材料と実質的に同じ元素成分を有する半導体材料の前記補助層を提供することを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。前記活性領域の前記第2の面と実質的に同じ元素成分を有する半導体材料の前記補助層を提供する前記ステップは、実質的にGaAsとして前記半導体材料の両方を提供することを含むことを特徴とする請求項5に記載の方法。光共振空洞に前記活性領域を配置するステップをさらに含み、前記発光がレーザ放射であることを特徴とする請求項1に記載の方法。半導体構造体から発光をもたらす方法であって、第1の導電型であり相対的に長い少数キャリア拡散距離特性を有する半導体ベース領域を、前記第1の導電型の領域とは反対の第2の導電型の半導体エミッタ領域と前記第2の導電型の半導体ドレイン領域との間に備える半導体構造体を提供するステップと、前記ベース領域と前記ドレイン領域との間に、前記第1の導電型であり相対的に短い少数キャリア拡散距離特性を有する半導体補助領域を提供するステップと、前記ベース領域内に、量子サイズ効果を示す領域を提供するステップと、前記エミッタ領域に結合されたエミッタ電極を提供するステップと、前記ベース領域および前記ドレイン領域に結合されたベース/ドレイン電極を提供するステップと、前記エミッタ電極および前記ベース/ドレイン電極に対して信号を印加することにより、前記半導体構造体から発光を得るステップと、を含むことを特徴とする方法。ベース/ドレイン電極を提供する前記ステップは、前記ベース領域、前記補助領域および前記ドレイン領域に結合された前記ベース/ドレイン電極を提供することを含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。前記補助領域と前記ドレイン領域との間に非ドープ半導体領域を提供するステップをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。前記第1の導電型はp型であり、前記第2の導電型はn型であることを特徴とする請求項9に記載の方法。前記半導体ベース領域を提供する前記ステップは、少なくとも約1019/cm3の平均ドーピング濃度を有するp型ベース領域を提供することを含み、前記補助層を提供する前記ステップは、少なくとも約1019/cm3の平均ドーピング濃度を有するp型材料を提供することを含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。前記第1の導電型はn型であり、前記第2の導電型はp型であることを特徴とする請求項9に記載の方法。前記半導体ベース領域を提供する前記ステップは、少なくとも約1018/cm3の平均ドーピング濃度を有するn型ベース領域を提供することを含み、前記補助層を提供する前記ステップは、少なくとも約1018/cm3の平均ドーピング濃度を有するn型材料を提供することを含むことを特徴とする請求項13に記載の方法。前記半導体ベース領域を提供する前記ステップは、前記エミッタ領域に隣接する前記量子サイズ領域の側に第1のベース領域部分を提供することと、前記補助領域に隣接する前記量子サイズ領域の側に第2のベース領域部分を提供することとを含み、前記第1のベース領域部分は、前記第2のベース領域部分よりバンドギャップが高い半導体材料として提供されることを特徴とする請求項9に記載の方法。量子サイズ効果を示す前記領域を提供する前記ステップは、少なくとも1つの量子井戸を提供することを含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。前記ドレイン領域とともにトンネル接合部を提供するステップをさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。半導体構造体から発光をもたらす方法であって、第1の導電型であり相対的に長い少数キャリア拡散距離特性を有する半導体ベース領域を、前記第1の導電型の領域とは反対の第2の導電型の半導体エミッタ領域と前記第2の導電型の半導体コレクタ領域との間に備えるトランジスタを提供するステップと、前記ベース領域と前記コレクタ領域との間に、前記第1の導電型であり相対的に短い少数キャリア拡散距離特性を有する半導体補助領域を提供するステップと、前記ベース領域内に、量子サイズ効果を示す領域を提供するステップと、前記エミッタ領域に結合されたエミッタ電極と、前記ベース領域に結合されたベース電極と、および前記コレクタ領域に結合されたコレクタ電極とを提供するステップと、前記エミッタ電極、前記ベース電極および前記コレクタ電極に対して信号を印加することにより、前記半導体構造体から発光を得るステップと、を含むことを特徴とする方法。前記第1の導電型はp型であり、前記第2の導電型はn型であることを特徴とする請求項18に記載の方法。前記半導体ベース領域を提供する前記ステップは、少なくとも約1019/cm3の平均ドーピング濃度を有するp型ベース領域を提供することを含み、前記補助層を提供する前記ステップは、少なくとも約1019/cm3の平均ドーピング濃度を有するp型材料を提供することを含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。量子サイズ領域を含む第1の導電型であり、第2の導電型の半導体入力領域に隣接する第1の面を有する半導体活性領域と、前記活性領域の前記第1の面に対向する第2の面に隣接する前記第1の導電型の半導体補助層を備える半導体出力領域であって、前記補助層は、前記第1の導電型の材料の少数キャリアに対する拡散距離が前記活性領域の半導体材料の少数キャリアに対する拡散距離より実質的に短い半導体材料を備えている、半導体出力領域と、を具備し、前記活性領域および前記入力領域に対して電位を印加することにより、前記半導体構造体の前記活性領域から発光をもたらすことを特徴とする半導体発光デバイス。前記出力領域は、前記半導体補助層に隣接する前記第2の導電型の半導体ドレイン領域をさらに備えていることを特徴とする請求項21に記載のデバイス。前記出力領域は、前記半導体補助層に隣接する前記第2の導電型の半導体コレクタ領域をさらに備えていることを特徴とする請求項21に記載のデバイス。上に参照した特許、特許出願公開および発表論文に記載されているものを含む傾斜荷電tilted-charge発光デバイスでは、光出力、動作の応答時間速度、および製造の容易性を最大限にしようとすると、デバイス設計のトレードオフが発生する。既存の傾斜荷電発光デバイスおよび方法のこれらのトレードオフおよび他の限界に対処することが、本発明の目的の中にある。傾斜荷電デバイスの高速光学性能は、デバイスの活性領域通常ベース領域において荷電傾斜を維持するデバイスの能力によって決まる。荷電傾斜は、ベース-コレクタ接合部またはベース-ドレイン接合部において初期値が小さいデバイスのエネルギー図における勾配によって特徴付けられる。この接合部に電荷蓄積がある場合、有利な荷電傾斜特性は存在しない。荷電傾斜は、所望の光再結合たとえば、量子井戸複数可、量子ドット等の領域において再結合しない少数電荷が、より高速の二次機構トランジスタのコレクタまたは傾斜荷電発光ダイオードのドレイン等によって収集されるかまたは排出されることを確実にすることによって可能となる。デバイスの固有の高速性能は、走行時間τtとしても知られる、このように二次機構にアクセスするために必要な時間によって制限される。トランジスタ、すなわちエミッタ、ベースおよびコレクタを備える構造体は、材料研究に使用される優れたデバイスであり得る。エミッタゲインβ、すなわちベース電流Ibに対するコレクタ電流Icの比の基準β=Ic/Ibを、ベース走行時間にわたるベース再結合時間の比τB/τtとしても与えることができる。したがって、同等の接合特性、同様の物理的寸法およびベース抵抗率であるトランジスタの場合、ベータが低いデバイスほど、通常、小さいしたがって高速なベース再結合寿命を示す。本出願人は、ベース材料の再結合寿命を研究するためにトランジスタ技法を使用することにより、高濃度ドープ半導体材料の欠陥レベルを、ドーピング濃度、ガス流および成長温度等の成長変動を通して制御することができることを見出した。層における欠陥レベルを増大させることにより、その層の再結合速度が増大し、結果としてデバイスはβがはるかに低くなる。本出願人はまた、AlGaAs等の合金の方が、GaAs等の二成分系に比較した場合に、こうした再結合寿命の低減が起こりやすいことも分かった。後に扱うように、半導体材料の少数キャリアに対する拡散距離は、材料の欠陥密度に反比例する。本出願人はまた、βが0.01程度に低いすなわち、ベース領域の単一パス内で少数キャリアの99が再結合したトランジスタを達成することができることを見出し、それは、非常に高速の非発光性再結合材料が欠陥制御defectengineeringを介して可能であることを示す。重要なことには、欠陥の制御を、層の多数キャリア電気特性抵抗率を劣化させることなく行うことができる。この高速再結合特性は、特別設計のengineered高欠陥層または特別設計の短拡散距離層を、過剰な少数キャリアの収集/排出用の有効な二次機構として使用することができることを示す。また、傾斜荷電発光デバイスの設計における特別設計の高欠陥密度層短拡散距離層のうちの1つまたは複数と1つまたは複数の特別設計の低欠陥密度層長拡散距離層との組合せが、実質的な利点を提供することができる。上述したように、半導体材料における少数キャリアの拡散距離は、材料の欠陥密度に反比例する。本発明で採用するいくつかの層を説明するために、欠陥密度またはその反比例する拡散距離のいずれかを使用することができるが、拡散距離が、後続する説明および本発明の特許請求の範囲で主に使用される基準となる。しかしながら、全体を通して、逆の意味で採用する欠陥密度は、暗示された代替物であることが理解されよう。本発明の一形態は、量子サイズ領域を含み、第2の導電型の半導体入力領域に隣接する第1の面を有する、第1の導電型の半導体活性領域を備え、前記活性領域および前記入力領域に対して電位が印加されたとき前記活性領域から発光をもたらすように動作可能な発光半導体構造体とともに使用するように適用可能である。前記発光半導体構造体の動作を向上させる方法であって、前記活性領域の前記第1の面に対向する第2の面に隣接して、前記第1の導電型の半導体補助層を含む半導体出力領域を提供するステップと、前記補助層を、前記第1の導電型の材料の少数キャリアに対する拡散距離が前記活性領域の半導体材料の少数キャリアに対する拡散距離より実質的に短い半導体材料を含むものとして提供するステップとを含む方法が提供される。本発明のこの形態の実施形態では、前記出力領域を提供するステップは、前記半導体補助層に隣接して前記第2の導電型の半導体ドレイン領域を提供することをさらに含む。本発明のこの形態の別の実施形態では、前記出力領域を提供するステップは、前記半導体補助層に隣接して前記第2の導電型の半導体コレクタ領域を提供することをさらに含む。また、本発明のこの形態の実施形態では、前記活性領域の前記第2の面に隣接して半導体補助層を含む前記出力領域を提供するステップは、前記活性領域の前記第2の面の半導体材料と実質的に同じ元素成分を有する半導体材料の前記補助層を提供することを含む。本発明の一実施形態では、前記半導体材料の両方が実質的にGaAsであるが、それぞれ欠陥の密度は異なっているしたがって、少数キャリアに対する拡散距離が異なる。本発明の別の形態では、半導体構造体から発光をもたらす方法であって、第1の導電型であり相対的に長い少数キャリア拡散距離特性を有する半導体ベース領域を、前記第1の導電型の領域とは反対の第2の導電型の半導体エミッタ領域と前記第2の導電型の半導体ドレイン領域との間に備える半導体構造体を提供するステップと、前記ベース領域と前記ドレイン領域との間に、前記第1の導電型であり相対的に短い少数キャリア拡散距離特性を有する半導体補助領域を提供するステップと、前記ベース領域内に、量子サイズ効果を示す領域を提供するステップと、前記エミッタ領域に結合されたエミッタ電極を提供するステップと、前記ベース領域および前記ドレイン領域に結合されたベース/ドレイン電極を提供するステップと、前記エミッタ電極および前記ベース/ドレイン電極に対して信号を印加することにより、前記半導体構造体から発光を得るステップとを含む方法が示されている。本発明のこの形態の実施形態では、ベース/ドレイン電極を提供するステップは、前記ベース領域、前記補助領域および前記ドレイン領域に結合された前記ベース/ドレイン電極を提供することを含む。この実施形態では、第1の導電型はp型であり、第2の導電型はn型であり、前記半導体ベース領域を提供する前記ステップは、少なくとも約1019/cm3の平均ドーピング濃度を有するp型ベース領域を提供することを含み、前記補助層を提供する前記ステップは、少なくとも約1019/cm3の平均ドーピング濃度を有するp型材料を提供することを含む。本発明のさらなる形態では、半導体構造体から発光をもたらす方法であって、第1の導電型であり相対的に長い少数キャリア拡散距離特性を有する半導体ベース領域を、前記第1の導電型の領域とは反対の第2の導電型の半導体エミッタ領域と前記第2の導電型の半導体コレクタ領域との間に備えるトランジスタを提供するステップと、前記ベース領域と前記コレクタ領域との間に、前記第1の導電型であり相対的に短い少数キャリア拡散距離特性を有する半導体補助領域を提供するステップと、前記ベース領域内に、量子サイズ効果を示す領域を提供するステップと、前記エミッタ領域に結合されたエミッタ電極と、前記ベース領域に結合されたベース電極と、および前記コレクタ領域に結合されたコレクタ電極とを提供するステップと、前記エミッタ電極、前記ベース電極および前記コレクタ電極に対して信号を印加することにより、前記半導体構造体から発光を得るステップとを含む方法が示されている。半導体発光デバイスの実施形態であって、量子サイズ領域を含む第1の導電型であり、第2の導電型の半導体入力領域に隣接する第1の面を有する半導体活性領域と、前記活性領域の前記第1の面に対向する第2の面に隣接する前記第1の導電型の半導体補助層を備える半導体出力領域であって、前記補助層は、前記第1の導電型の材料の少数キャリアに対する拡散距離が前記活性領域の半導体材料の少数キャリアに対する拡散距離より実質的に短い半導体材料を備えている、半導体出力領域とを備え、前記活性領域および前記入力領域に対して電位を印加することにより、前記半導体構造体の活性領域から発光をもたらす、実施形態もまた示されている。一実施形態では、出力領域は、前記半導体補助層に隣接する前記第2の導電型の半導体ドレイン領域をさらに備え、別の実施形態では、出力領域は、前記半導体補助層に隣接する前記第2の導電型の半導体コレクタ領域をさらに備えている。本発明のさらなる特徴および利点は、添付図面とともに以下の詳細な説明からより容易に明らかとなろう。半導体デバイスの材料における少数キャリアの拡散距離Lは、として与えられ、式中、Dは、半導体におけるキャリア移動度によって決まる拡散係数であり、μは、で表され、式中、qは電荷であり、Tは温度であり、kはボルツマン定数である。キャリア移動度μは、多くの要素もあるが特に、ドーピング濃度、欠陥密度および半導体材料組成たとえば、GaAs対AlGaAs二成分対合金またはGaAs対InP異なる材料系に依存する平均散乱時間に比例する。少数キャリア寿命τもまた、他の要素もあるが特に、自由キャリア濃度ドーピング濃度に関連する、欠陥エネルギーレベルおよび欠陥密度に依存する。少数キャリア拡散距離が短い領域では、少数キャリアは、単位距離当たりの多数キャリアとの再結合の可能性が高い。傾斜荷電デバイスは、1つの極性の組み込まれた自由多数キャリアを含む活性領域を有し、この活性領域に対する1つの入力では、別の極性の1種の少数キャリアのみが注入され、活性領域にわたって拡散することができる。この活性領域は、多数キャリアの伝導と少数キャリアの再結合とを促進する特徴を有している。その領域の出力側では、その後、少数キャリアが、別個のより高速な機構により、収集され、排出され、消耗され、または再結合される。このフル機能の領域に、電気接点が結合される。本発明の実施形態は、傾斜荷電デバイス、たとえば発光トランジスタ、傾斜荷電発光ダイオードまたはトランジスタレーザにおいて小数の拡散距離が短い層を採用する。本実施形態では、活性領域は、相対的に長い少数キャリア拡散距離ELDLを有するように特別設計のドープ層と、光再結合用の量子サイズ領域複数可とを備えている。好ましい実施形態では、特別設計の相対的に短い少数キャリア拡散距離ESDL層が、傾斜荷電デバイスの出力領域において、活性領域の後に設けられる。ESDL層およびELDL層は、導電型が同様であるようにたとえばp型材料直接または間接的にドープされる。本発明の実施形態の技法により、より高速動作に対して小さい活性領域が好ましい状況において、多数キャリアの伝導度を、活性領域厚さを増大させることなく上昇させることができる。これにより、電気接点を確実に結合し、したがって多数キャリアを活性領域に輸送するのに必要な厚さを依然として有していながら、非常に小さい活性領域たとえば約25nm未満を使用することも可能である。図1の簡易図は、傾斜荷電発光半導体デバイスにおける特別設計の長拡散距離ELDL層および特別設計の短拡散距離ESDL層の有利な使用を示している。図1の図では、デバイスの入力領域はエミッタ110である。デバイスの活性領域は、特別設計の長拡散距離ELDL層121、123内の非ドープバリアかまたは低濃度ドープバリアの間に1つまたは複数の量子井戸122を含む。デバイスの出力領域は、特別設計の短拡散距離ESDL層131および電気コレクタ132を含み、電気コレクタ132は、たとえば、発光トランジスタのコレクタかまたは傾斜荷電発光ダイオードのドレインであり得る。この傾斜荷電デバイスの活性領域は、豊富な組込みキャリアたとえば高濃度ドープp型領域における正孔と、少数キャリアが活性領域に注入される入力領域とを有している。出力領域では、少数キャリアが、活性領域より高速な機構を介して、消耗されかつ/または再結合されかつ/または収集される。以下に述べるように、電極を、2端子動作の場合は入力領域および出力領域に、3端子動作の場合は活性領域にも加えることができる。傾斜荷電デバイスの速度を上昇させるために、走行時間τTを最適化しなければならない。走行時間は、それが走行している領域の幅の二乗Wtransit2拡散定数等の他の要素もあるが特にに比例するため、ベース領域全体Wbase=Wtransitが概して薄くなる。したがって、たとえばn型エミッタを有する光学傾斜荷電デバイスでは、これにより、p型ベース領域における正孔の伝導に対して横方向抵抗が比較的大きくなる高抵抗率。こうした大きい抵抗は、デバイスの動作を、エミッタメサの縁に沿った小さい領域に制限する傾向がある。図1に表すように、本発明の実施形態では、過剰な多数キャリアを収集/排出し除去する二次機構として作用する、低抵抗率p型材料の特別設計の短拡散距離ESDLの補助層131を導入することにより、p型領域全体ベースを含むの抵抗率を低下させながら、走行時間を維持することができる。これにより、走行幅を増大させることなくベース幅が有効に増大するすなわち、Wbase>Wtransit。p型材料は、好ましくは、少なくとも1E19cm-3のドーピング濃度たとえば炭素ドーピングを有している。その後、さらなる収集または排出機構を含めることができる。p型エミッタおよびn型ベースを備えた光学傾斜荷電デバイスにも同じ原理を適用することができ、その場合、ESDL補助層のドーピング濃度は少なくとも1E18cm-3であることが理解されよう。図2は、図1の構造体の実施形態を特徴付けるタイプのエネルギーバンド図を示す。図2の例では、エミッタに隣接する領域121は、領域123より比較的バンドギャップが高い材料を採用して、非対称ベースを形成することができる同時係属の特許文献12を参照されたい。先に示したように、層121の材料は、少数キャリアに対する特別設計の長拡散距離ELDLである。領域122は、非ドープバリアかまたは低濃度ドープバリアを含む1つまたは複数の量子井戸を含み、活性領域の層123の部分もまたELDLである。補助層131は、バンドギャップが領域123と同様かまたはそれより低い、特別設計の短拡散距離ESDL材料である。上述したように、相対的に短い拡散距離の欠陥密度が高い材料は、多数キャリアを収集/排出する二次機構として作用するため、領域131は、多数キャリア用の追加の低抵抗率経路すなわち、増大したWbaseを提供する役割を果たす一方で、走行幅Wtransitを実質的に増大させない。たとえば金属酸化物化学気相成長MOCVD法または分子ビームエピタキシMBE法による、半導体エピ層の成長には、ガス流速度、成長速度、成長温度および真空を含むいくつかの変量の正確な制御が必要である。成長後プロセスはまた、半導体の結果としての全体的な材料特性にも影響を与える可能性がある。本発明の一例では、半導体の成長温度を変化させる一方で他の変量を可能な限り一定に維持することにより、材料品質を調整しまたは最適化することができる。こうした調整により、図8に示すような拡散距離特性を有する典型的なエピ層がもたらされる。少数キャリア拡散距離を測定するためにいくつかの既知の方法がある。上述した1つの方法は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ構造体のベース領域として、研究された層を組み込むというものである。図8は、温度変動の関数としてのp型GaAs材料における少数キャリア電子の拡散距離のグラフである。結果としての材料は、およそ同じシート抵抗を有している。この例では、約4E19cm-3のドーパント濃度および約165Ω/sq.のシート抵抗がある。図8は、少数キャリアの材料の拡散距離を最大化するために、特定の条件の組に対して最適な成長温度が存在することを示している。この最適な温度からずらすことにより、材料のシート抵抗の変化をわずかにして、拡散距離を短縮することができる。この例では、特定の成長速度および真空設定に対して選択されたガス流速度でMOCVDプロセスが使用され、成長温度は、所望の拡散距離特性を有するエピ層を得るように調整される。したがって、たとえば相対的に長い少数キャリア拡散距離のp型GaAs半導体を得るために適切な場合は、成長後ドーピングプロセスおよびアニーリングプロセスも採用することができることが理解される、図8のグラフに示すように、得られる最大の拡散距離を実質的に得るために、約580°Cの成長温度を使用することができる。これは、たとえば、図1の例のELDL層121、123を形成する方法であり得る。この例では、特別設計の短拡散距離ESDL材料のエピ層を成長させることが望ましい場合、たとえば555°Cまたは605°Cの温度を使用して、得られる最大拡散距離の約半分である少数キャリアの拡散距離、すなわち、層121、123のELDL材料の拡散距離の約半分であるESDL材料たとえば、図1の層131に対しを得ることができる。好ましくは、ESDL材料は、材料の層厚さの約0.7倍未満である拡散距離を有し、ELDL材料は、材料の層厚さより大きい拡散距離を有する。図9は、ベース厚さが100nmでありシート抵抗が約165Ω/sq.であるInGaP/GaAsHBTのエミッタ電流ゲインが、拡散距離の関数としていかに変化するかを示す。これは、拡散距離が長い材料ほど、比例して高いβ、したがって少数キャリアの再結合が少ないことを示すことを論証している。図3は、底面発光に対する、p型の特別設計の短拡散距離ESDL補助層を採用する傾斜荷電発光ダイオードの実施形態を示す。この例では、非ドープGaAs基板310の上で、最初にGaAsバッファ層315が成長する。このバッファ層を、非ドープ層かまたはp型の特別設計の長拡散距離層とすることができる。次に、バッファ層の上で、ドレインとしての役割を果たす、p型のGaAsの特別設計の短拡散距離層ESDL320が成長する。次に、特別設計の長拡散距離層330として、p型のGaAsベース2領域330が成長する。非ドープバリア層または低濃度ドープバリア層を含む単一のまたは複数の量子井戸領域340が成長する。この例では、量子井戸複数可はGaAsバリアを含むInGaAsである。そして、GaAsのp型ELDL層を含むベース1領域として、ベース領域が完成する。ベース1領域は、ベース2領域よりバンドギャップが大きくても大きくなくてもよい対称ベース領域対非対称ベース領域、ここでもまた同時係属の特許文献12を参照されたい。そして、相対的にバンドギャップの大きいInGaPまたはInAlGaPのn型エミッタ370が成長し、その後、コンタクト層および任意選択的な酸化可能なAlGaAs層を含むn型エミッタクラッド層380が成長して、電気的閉込め開口部が形成される。そして、p型ベース領域の露出面においてTi-Pt-AuまたはAuGeが金属化して、p型ベース材料に対するコンタクト352を形成する。この後、エミッタメサに、光を下方に反射するミラーとしても機能するAuGeコンタクトメタライゼーション382が続く。最後に、その後、薄化したGaAs基板に、コリメートレンズまたは集束レンズ305が成形されるかまたは取り付けられる。デバイスは、順バイアス状態下で動作し、そこでは、ベースバイアス電圧VBおよびエミッタバイアス電圧VEは、VBE>EQWであるようにバイアスがかけられ、EQWは量子井戸のエネルギーギャップである。この構造体に、部分DBR空洞または完全DBR空洞を組み込むことも可能である。本発明の本実施形態および他の実施形態を、適切な共振光空洞を提供することにより、レーザとして動作させることも可能である。図4を参照すると、上面発光のために、p型の特別設計の短拡散距離ESDLを採用する傾斜荷電発光ダイオードの実施形態が示されている。この実施形態では、層310、315、320、340、315、320、340、350および370ならびにコンタクト352を、図3の同様の参照数字のそれらの対応するものと同様とすることができる。上面発光の場合、本実施形態では、n型エミッタクラッド層480において環状酸化領域483によって画定される酸化物開口部を採用する。光を上方に反射するために、底部分布ブラッグ反射器distributedBraggreflectorDBR412が使用される。任意選択的な上部DBR自発動作の場合は低抵抗率でありレーザ動作の場合は高抵抗率を、共振空洞設計に対してエミッタクラッド層480に組み込むことができる。エミッタコンタクトメタライゼーション482は、環状リングの形態である。そして、上面に、コリメートレンズまたは集束レンズが成形されるかまたは取り付けられる。この場合もまた、動作を順バイアスモードとすることができる。図5は、特別設計の短拡散距離ESDL補助/ドレイン領域と高インピーダンスコレクタとをともに組み込んだ3端子発光トランジスタの形態の傾斜荷電デバイスの実施形態を示す。この実施形態では、デバイスは、非ドープGaAs基板510、コンタクト522を有するn型サブコレクタ520、高インピーダンス非ドープコレクタ525およびp型ESDL補助/ドレイン層540を備えている。層330、340、350、370および380ならびにコンタクト352および382を、図3の同様の参照数字のそれらの対応するものと同様とすることができる。デバイスを、共通ベース、共通コレクタまたは共通エミッタモードで動作させることができる。図6は、特別設計の短拡散距離ESDL層を含む傾斜荷電発光ダイオードの実施形態を示す。この実施形態では、ベース2層330、バッファ領域340を含む量子井戸、ベース1層350、エミッタ層370、エミッタレーディングlading382およびエミッタコンタクトとともに、非ドープGaAs基板310および底部コリメートレンズまたは集束レンズ305を、図3の実施形態の同様の参照数字のそれらの対応するものと同様とすることができる。本実施形態では、基板の上にn型サブドレイン層620が成長し、その後非ドープドレイン層622が成長する。ドレイン層622の上に補助ドレイン層625が堆積し、それは特別設計の短拡散距離ESDL層として成長する。上述したようなさらなる層の堆積が実施され、図示するようにメサが形成される。そして、エミッタコンタクト382およびベース/ドレインコンタクト392に対してメタライゼーションが形成され、それは、ベース層350およびサブドレイン層620のそれぞれの棚と接触する環状上部および下部と、介在する層の周縁と接触する側部とを有している。図7は、特別設計の短拡散距離ESDL層が組み込まれた別の傾斜荷電発光ダイオードの実施形態を示す。全体的な構成および層構造は、図6の実施形態のものに対応する要素を示す同様の参照数字によって示されるように類似しているが、図7の実施形態は、図6のドレイン層622の代りにトンネル接合部722を有している。トンネル接合部722は、高濃度ドープn領域724に隣接する高濃度ドープp領域723を含む。トンネル接合部を採用する傾斜荷電発光デバイスの説明に対して、特許文献11を参照することができる。動作時、ESDL補助ドレイン層625は、細くなっている矢印幅によって図に表されているようにベース-ドレイン電子電流の流れを低減することによりトンネル接合部を横切るアバランシェ電流を低減する役割を果たす。