"MOSトランジスタで構成され2以上の入力端子を有し反転ゲートとして機能する奇数個のゲート回路が、1つのゲート回路の出力端子と他の1つのゲート回路の第1の入力端子とを接続するというように順次接続され、全体としてリング状となるようにされ、任意の1つのゲート回路の出力端子から発振出力を取り出すよう構成されたリング発振器において、発振または非発振を制御するための発振制御信号を入力する発振制御入力端子を、各ゲート回路の第2の入力端子と接続し、ゲート回路中にあって発振時にオンオフして発振出力を生ぜしめるのに寄与する2つのMOSトランジスタのうちの一方が、非発振時にはオフ状態となるよう前記発振制御信号が印加される構成としたことを特徴とするリング発振器。ゲート回路として2入力のNAND回路を用いて構成したことを特徴とする請求項1記載のリング発振器。ゲート回路として2入力のNOR回路を用いて構成したことを特徴とする請求項1記載のリング発振器。1つのゲート回路として2入力のNAND回路を用い、他のゲート回路として2入力のExOR回路を用い、該ExOR回路にあっては第1の入力端子としてトランスファーゲート部を経て出力端子と接続されている方の入力端子を選定し、第2の入力端子としてはそうでない方の入力端子を選定して構成したことを特徴とする請求項1記載のリング発振器。1つのゲート回路として2入力のNOR回路を用い、他のゲート回路として2入力のExNOR回路を用い、該ExNOR回路にあっては第1の入力端子としてトランスファーゲート部を経て出力端子と接続されている方の入力端子を選定し、第2の入力端子としてはそうでない方の入力端子を選定して構成したことを特徴とする請求項1記載のリング発振器。ゲート回路として4入力OR-NAND回路を用い、その2つの入力端子を一括して第2の入力端子とし、他の1つの入力端子を第1の入力端子とし、残る1つの入力端子は発振制御信号を反転するインバータを介して発振制御入力端子と接続されていることを特徴とする請求項1記載のリング発振器。MOSトランジスタで構成され2以上の入力端子を有し反転ゲートとして機能する奇数個のゲート回路が、1つのゲート回路の出力端子と他の1つのゲート回路の第1の入力端子とを接続するというように順次接続され、全体としてリング状となるようにされ、任意の1つのゲート回路の出力端子から発振出力を取り出すよう構成されたリング発振器において、ゲート回路の1つに3入力ゲート回路を用い、発振または非発振を制御するための発振制御信号を入力する発振制御入力端子を、各ゲート回路の第2の入力端子と接続し、発振開始信号を入力する発振開始信号端子を前記3入力ゲート回路の第3の入力端子に接続し、ゲート回路中にあって発振時にオンオフして発振出力を生ぜしめるのに寄与する2つのMOSトランジスタのうちの一方が、非発振時にはオフ状態となるよう前記発振制御信号が印加される構成とし、発振を指示する発振制御信号が入力された後、発振開始信号が入力されることにより発振が開始されるようにしたことを特徴とするリング発振器。1つの3入力ゲート回路としては3入力NAND回路を用い、それ以外のゲート回路としては2入力NAND回路を用いて構成したことを特徴とする請求項7記載のリング発振器。1つの3入力ゲート回路としては3入力NOR回路を用い、それ以外のゲート回路としては2入力NOR回路を用いて構成したことを特徴とする請求項7記載のリング発振器。1つの3入力ゲート回路としては3入力NAND回路を用い、それ以外のゲート回路としては2入力ExOR回路を用い、該ExOR回路にあっては第1の入力端子としてトランスファーゲート部を経て出力端子と接続されている方の入力端子を選定し、第2の入力端子としてはそうでない方の入力端子を選定して構成したことを特徴とする請求項7記載のリング発振器。1つの3入力ゲート回路としては3入力NOR回路を用い、それ以外のゲート回路としては2入力ExNOR回路を用い、該ExNOR回路にあっては第1の入力端子としてトランスファーゲート部を経て出力端子と接続されている方の入力端子を選定し、第2の入力端子としてはそうでない方の入力端子を選定して構成したことを特徴とする請求項7記載のリング発振器。1つの3入力ゲート回路としては3入力NAND回路を用い、それ以外のゲート回路としては4入力OR-NAND回路を用い、該4入力OR-NAND回路にあってはその2つの入力端子を一括して第2の入力端子とし、他の1つの入力端子を第1の入力端子とし、残る1つの入力端子は発振制御信号を反転するインバータを介して発振制御入力端子と接続されていることを特徴とする請求項7記載のリング発振器。トランジスタで構成されオンすると出力がハイレベルになる複数の独立したプルアップ回路を含み、入力を反転した出力を出すゲート回路を奇数個リング状に接続して構成されるリング発振器であって、前記プルアップ回路の1つは非発振時にはプルアップ機能を果たし発振時には果たさぬよう、リング状のゲート回路を伝播する信号とは独立して、発振制御入力信号により制御されるよう構成され、前記プルアップ回路の他の1つは発振時にはリング状のゲート回路を伝播する信号により反転タイプのゲート回路として機能し、非発振時にはプルアップ機能を果たさないよう制御されるよう構成されたことを特徴とするリング発振器。トランジスタで構成されオンすると出力がローレベルになる複数の独立したプルダウン回路を含み、入力を反転した出力を出すゲート回路を奇数個リング状に接続して構成されるリング発振器であって、前記プルダウン回路の1つは、非発振時にはプルダウン機能を果たし発振時には果たさぬよう、リング状のゲート回路を伝播する信号とは独立した発振制御入力信号により制御される構成とされ、前記プルダウン回路の他の1つは、リング状のゲート回路を伝播する信号により発振時には反転タイプのゲート回路として機能するよう制御され、非発振時にはプルダウン機能を果たさないよう制御される構成とされていることを特徴とするリング発振器。入力を反転した出力を出すゲート回路を奇数個リング状に接続して構成されるリング発振器であって、該ゲート回路中のトランジスタで発振時には発振動作のためにオンオフするトランジスタを、非発振時にはリング状のゲート回路を伝播する信号とは独立した発振制御入力信号により、オフするよう構成したことを特徴とするリング発振器。問題点LSI等の半導体集積回路に組み込まれたリング発振器は、専用の電源スイッチを有しているわけではないので、発振させる必要がない時でも電源電圧が印加された状態にある。そのため、リング発振器中に使用されているトランジスタによっては、非発振時中も能動状態にするゲート電圧が印加され続け、時間の経過につれてトランジスタ特性が劣化し、発振周期が増大言い換えれば発振周波数が次第に減少してしまうという問題点があった。発振周期が増大して来ると、リング発振器の周波数を計測に利用している場合、計測値が真の値から少しずれてしまうなどして、計測結果の信頼性が悪くなったりしていた。問題点の説明発振周期を次第に増大させる原因となっているのは、ゲート回路を構成しているトランジスタの特性の劣化である。この劣化により前記した伝播遅延時間tpdが増加して来るので、結局、発振周期T=2×tpd×nが増加してしまう。以下、それを詳しく説明する。LSI等の半導体集積回路にリング発振器を作り込む場合、MOSトランジスタが用いられることが殆どである。PチャネルのMOSトランジスタをPMOSトランジスタ、NチャネルのMOSトランジスタをNMOSトランジスタと称することにする。主要な劣化モードとして、PMOSトランジスタでは、NBTI現象NegativeBiasTemperatureInstabilityによる特性劣化がある。NMOSトランジスタでは、PBTI現象PositiveBiasTemperatureInstabilityによる特性劣化と、HC現象HotCarrierによる特性劣化とがある。NBTIは、PMOSトランジスタのゲートに基板電圧より負の電圧該トランジスタを能動状態にすべきゲート電圧が印加されている時間が長く継続すると、PMOSトランジスタの閾値の絶対値が大きくなってしまう現象である。PBTIは、NMOSトランジスタのゲートに基板電圧より正の電圧該トランジスタを能動状態にすべきゲート電圧が印加されている時間が長く継続すると、NMOSトランジスタの閾値の絶対値が大きくなってしまう現象である。これらNBTI,PBTI現象閾値の絶対値の増加は、ゲート酸化膜とシリコン基板との界面に、電荷が注入されることにより生じている。なお、NBTIやPBTIの発生メカニズムや発生条件には現時点では諸説あるため、本特許で対象とするものは上記の限りではない。ただし、いずれの場合も、トランジスタの閾値の絶対値が増加するという現象を引き起こしていることに変わりはない。閾値の絶対値が大になると、そのMOSトランジスタを構成要素として含んでいるゲート回路の伝播遅延時間tpdが増加する。ゲート回路への入力変化から出力の立上り変化出力がローLからハイHへの変化までの伝播遅延時間を立上り伝播遅延時間tpLHとし、ゲート回路への入力変化から出力の立下り変化出力がハイHからローLへの変化までの伝播遅延時間を立下り伝播遅延時間tpHLとすると、それらとそのゲート回路の伝播遅延時間tpdとの間には、下記のような関係があることが知られている。伝播遅延時間tpd=tpLHtpHL÷2なお、NBTIでは立上り伝播遅延時間tpLHの方が増加し、PBTIでは立下り伝播遅延時間tpHLの方が増加することが知られている。特性劣化を考える場合、NMOSトランジスタには、配慮すべき現象としてPBTI劣化の他にHC現象HCIと呼ばれる場合もあるによる劣化がある。HC現象は、ゲートに基板電圧より正の電圧NMOSトランジスタを能動状態にすべきゲート電圧が印加されてドレイン電流が流れているとき、Nチャネルのホットキャリア電子がゲート酸化膜に注入され、閾値の絶対値が増加する現象である。これも、NMOSトランジスタの立下り伝播遅延時間tpHLを増加させる原因となっている。なお、HCの発生メカニズムや発生条件には現時点では諸説あるため、本特許で対象とするものは上記の限りではない。ただし、いずれの場合も、トランジスタの閾値の絶対値が増加するという現象を引き起こしていることに変わりはない。次に、リング発振器において、ゲート回路を構成している各MOSトランジスタが、どのような動作状況に置かれたときに劣化が生ずるのかを説明する。上記の説明でも述べたように、劣化はゲートにそのトランジスタを能動状態にすべき電圧が印加されている時に生ずる。従って、オフにすべき電圧をゲートに印加している限り劣化はしない。発振は、所定のMOSトランジスタのオン,オフを反復させることにより行われる。従って、発振動作中に、それら所定のMOSトランジスタを交互に能動状態オンにするゲート電圧が印加されるのは、本来の目的のためであり、それによる劣化は止むを得ない。防止すべき劣化は、非発振時に生ずる劣化である。常時発振させなければならないような使い方以外では、一般に、発振している期間より非発振の期間の方が長い。その長い非発振期間中に、発振動作で使用されるMOSトランジスタを劣化させてしまい、発振周期に悪影響を及ぼすようなことは、出来るだけ防止する必要がある。図6のリング発振器ではゲート回路として2入力NAND回路を用いているので、その具体的回路によって説明する。図8はNAND回路の具体的構成例である。端子の符号は図6のものに対応し、PA,PBはPMOSトランジスタ、NA,NBはNMOSトランジスタである。PA,PBが並列接続されたものとNA,NBが直列接続されたものとが直列接続され、その接続点が出力端子Cに接続されている。PA,PB側の端部は電源VDDに接続され、NA,NB側の端部はアースに接続されている。そして、PA,NAのゲートは入力端子Aと接続され、PB,NBのゲートは入力端子Bと接続されている。なお、NAND回路の図示のような構成は公知である。図6のリング発振器では、非発振時において劣化を生じているMOSトランジスタは、次の通りである。NAND回路1では、入力端子Aに1が入力され、入力端子Bに0が入力されているので、能動にすべきゲート電圧が印加されるMOSトランジスタはNAとPBである。従って、NAにはPBTI劣化,HC劣化を生じ、PBにはNBTI劣化が生ずる。NAND回路2以降の段では、入力端子A,Bに1が入力されるNAND回路2等と、入力端子A,Bに0が入力されるNAND回路3等とが交互に連なる形となっている。入力端子A,Bに1が入力されるNAND回路2等で、能動にすべきゲート電圧が印加されるMOSトランジスタは、NA,NBである。従って、これらにPBTI劣化,HC劣化が生ずる。入力端子A,Bに0が入力されるNAND回路3等で、能動にすべきゲート電圧が印加されるMOSトランジスタは、PA,PBである。従って、これらにNBTI劣化が生ずる。発振に関与するMOSトランジスタは、発振時にゲート電圧が変化され、オン,オフ動作を繰り返すMOSトランジスタである。そういうMOSトランジスタは、図6から分かるように、入力端子Aからゲート電圧が与えられているものである。従って最初のNAND回路1ではPA,NAである。入力端子A,Bが一括接続されているNAND回路2以降の各回路では、PA,PB,NA,NB全てである。従って、PA,PB,NA,NBすべてに非発振時中に劣化を生じており、その劣化による伝播遅延時間の増大が原因となり、各ゲート回路NAND回路の伝播遅延時間tpdを増大させ、全体ではそれがn段累積されてリング発振器の発振周期を増大させている。図7のリング発振器では、非発振時において劣化を生じているMOSトランジスタは、次の通りである。NAND回路11では、入力端子Aに1が入力され、入力端子Bに0が入力されているので、能動にすべきゲート電圧が印加されるMOSトランジスタは、図8で言えばNAとPBであり、NAにはPBTI劣化,HC劣化が生じ、PBにはNBTI劣化が生ずる。NAND回路12以降の段では、入力端子A,Bに1が入力されるNAND回路12等と、入力端子Aに0,Bに1が入力されるNAND回路13等とが交互に連なる形となっている。入力端子A,Bに1が入力されるNAND回路12等で、能動にすべきゲート電圧が印加されるMOSトランジスタは、図8で言えばNA,NBである。従って、これらにPBTI劣化,HC劣化が生ずる。入力端子Aに0,Bに1が入力されるNAND回路13等で、能動にすべきゲート電圧が印加されるMOSトランジスタは、図8で言えばPA,NBである。従って、PAにはNBTI劣化が生じ、NBにはPBTI劣化,HC劣化が生ずる。発振に関与するMOSトランジスタは、発振時にゲート電圧が変化され、オン,オフ動作を繰り返すMOSトランジスタである。発振時にオンオフを繰り返し信号が与えられるのは、図7から分かるように入力端子Aであるから、入力端子Aからゲート電圧が与えられているMOSトランジスタが、オンオフを繰り返すMOSトランジスタである。それらは各NAND回路中のPA,NAである。これらPA,NAは、上記したように非発振時中に劣化を生じており、その劣化による伝播遅延時間の増大が原因となり、各ゲート回路NAND回路の伝播遅延時間tpdを増大させ、全体ではそれがn段累積されてリング発振器の発振周期を増大させている。以上のように、従来のリング発振器の発振周期は、PMOSトランジスタの劣化NBTI劣化,HC劣化など、およびNMOSトランジスタの劣化PBTI劣化などの両方が混ざった形で影響を受け、増大してしまっていた。本発明は、リング発振器において、非発振時において劣化するMOSトランジスタを少なくし、且つそれらのMOSトランジスタを、発振動作時にはオフするすなわち発振に使用しないような構成にし、発振周期の増大を出来るだけ少なくしようとするものである。前記課題を解決するため、本発明では、MOSトランジスタで構成され2以上の入力端子を有し反転ゲートとして機能する奇数個のゲート回路が、1つのゲート回路の出力端子と他の1つのゲート回路の第1の入力端子とを接続するというように順次接続され、全体としてリング状となるようにされ、任意の1つのゲート回路の出力端子から発振出力を取り出すよう構成されたリング発振器において、発振または非発振を制御するための発振制御信号を入力する発振制御入力端子を、各ゲート回路の第2の入力端子と接続し、ゲート回路中にあって発振時にオンオフして発振出力を生ぜしめるのに寄与する2つのMOSトランジスタのうちの一方が、非発振時にはオフ状態となるよう前記発振制御信号が印加される構成とした。このようなリング発振器は、ゲート回路として2入力のNAND回路のみを用いて構成することも出来るし、2入力のNOR回路のみを用いて構成することも出来る。また、異なった種類のゲート回路を組み合わせて構成することも出来る。例えば、1つのゲート回路として2入力のNAND回路を用い、他のゲート回路として2入力のExOR回路を用い、該ExOR回路にあっては第1の入力端子としてトランスファーゲート部を経て出力端子と接続されている方の入力端子を選定し、第2の入力端子としてはそうでない方の入力端子を選定して構成することが出来る。あるいは、1つのゲート回路として2入力のNOR回路を用い、他のゲート回路として2入力のExNOR回路を用い、該ExNOR回路にあっては第1の入力端子としてトランスファーゲート部を経て出力端子と接続されている方の入力端子を選定し、第2の入力端子としてはそうでない方の入力端子を選定して構成することが出来る。更に、入力端子が3以上あるゲート回路を用いて構成することも出来る。例えば、ゲート回路として4入力OR-NAND回路を用い、その2つの入力端子を一括して第2の入力端子とし、他の1つの入力端子を第1の入力端子とし、残る1つの入力端子は発振制御信号を反転するインバータを介して発振制御入力端子と接続するというようにして構成することが出来る。また、発振開始時の動作をより一層安定して行えるようにするため、次のような構成にすることも出来る。即ち、MOSトランジスタで構成され2以上の入力端子を有し反転ゲートとして機能する奇数個のゲート回路が、1つのゲート回路の出力端子と他の1つのゲート回路の第1の入力端子とを接続するというように順次接続され、全体としてリング状となるようにされ、任意の1つのゲート回路の出力端子から発振出力を取り出すよう構成されたリング発振器において、ゲート回路の1つに3入力ゲート回路を用い、発振または非発振を制御するための発振制御信号を入力する発振制御入力端子を、各ゲート回路の第2の入力端子と接続し、発振開始信号を入力する発振開始信号端子を前記3入力ゲート回路の第3の入力端子に接続し、ゲート回路中にあって発振時にオンオフして発振出力を生ぜしめるのに寄与する2つのMOSトランジスタのうちの一方が、非発振時にはオフ状態となるよう前記発振制御信号が印加される構成とし、発振を指示する発振制御信号が入力された後、発振開始信号が入力されることにより発振が開始されるようにすることが出来る。このようなリング発振器を構成するに際し、1つの3入力ゲート回路としては3入力NAND回路を用い、それ以外のゲート回路としては2入力NAND回路を用いて構成することが出来るし、1つの3入力ゲート回路としては3入力NOR回路を用い、それ以外のゲート回路としては2入力NOR回路を用いて構成することが出来る。あるいは、1つの3入力ゲート回路としては3入力NAND回路を用い、それ以外のゲート回路としては2入力ExOR回路を用い、該ExOR回路にあっては第1の入力端子としてトランスファーゲート部を経て出力端子と接続されている方の入力端子を選定し、第2の入力端子としてはそうでない方の入力端子を選定して構成することが出来る。更には、1つの3入力ゲート回路としては3入力NOR回路を用い、それ以外のゲート回路としては2入力ExNOR回路を用い、該ExNOR回路にあっては第1の入力端子としてトランスファーゲート部を経て出力端子と接続されている方の入力端子を選定し、第2の入力端子としてはそうでない方の入力端子を選定して構成することが出来る。あるいは、1つの3入力ゲート回路としては3入力NAND回路を用い、それ以外のゲート回路としては4入力OR-NAND回路を用い、該4入力OR-NAND回路にあってはその2つの入力端子を一括して第2の入力端子とし、他の1つの入力端子を第1の入力端子とし、残る1つの入力端子は発振制御信号を反転するインバータを介して発振制御入力端子と接続されている構成とすることも出来る。また、本発明のリング発振器は、トランジスタで構成されオンすると出力がハイレベルになる複数の独立したプルアップ回路を含み、入力を反転した出力を出すゲート回路を奇数個リング状に接続して構成されるリング発振器であって、前記プルアップ回路の1つは非発振時にはプルアップ機能を果たし発振時には果たさぬよう、リング状のゲート回路を伝播する信号とは独立して、発振制御入力信号により制御されるよう構成され、前記プルアップ回路の他の1つは発振時にはリング状のゲート回路を伝播する信号により反転タイプのゲート回路として機能し、非発振時にはプルアップ機能を果たさないよう制御されるよう構成することが出来る。あるいは、本発明のリング発振器は、トランジスタで構成されオンすると出力がローレベルになる複数の独立したプルダウン回路を含み、入力を反転した出力を出すゲート回路を奇数個リング状に接続して構成されるリング発振器であって、前記プルダウン回路の1つは、非発振時にはプルダウン機能を果たし発振時には果たさぬよう、リング状のゲート回路を伝播する信号とは独立した発振制御入力信号により制御される構成とされ、前記プルダウン回路の他の1つは、リング状のゲート回路を伝播する信号により発振時には反転タイプのゲート回路として機能するよう制御され、非発振時にはプルダウン機能を果たさないよう制御される構成することが出来る。更に、本発明のリング発振器は、入力を反転した出力を出すゲート回路を奇数個リング状に接続して構成されるリング発振器であって、該ゲート回路中のトランジスタで発振時には発振動作のためにオンオフするトランジスタを、非発振時にはリング状のゲート回路を伝播する信号とは独立した発振制御入力信号により、オフするようにしたリング発振器として構成することが出来る。本発明によれば、非発振時でも動作電源が印加された状態とされるリング発振器において、発振動作に関与するMOSトランジスタの一部を非発振時にはオフにする構成としたので、そのMOSトランジスタの特性は非発振時中に劣化しなくなり、特性劣化による発振周期の増大を抑制することが出来るようになった。また、リング発振器を構成するゲート回路の1つに3入力ゲート回路を用い、その第3の入力端子を発振開始信号を入力する端子とするよう構成し、その第2の入力端子に発振を指示する発振制御信号を入力した後に、該第3の入力端子に発振開始信号を入力するようにすれば、発振開始時の動作がより一層安定して行われるようになる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。第1の実施形態図1は、本発明の第1の実施形態のリング発振器である。符号は図6のものに対応し、20は発振制御入力端子、21~25はNAND回路、26,27は配線、28は出力端子である。このリング発振器の接続構成は次の通りである。奇数個の2入力NAND回路の一方の入力端子Bは、全て発振制御入力端子20に接続し、他方の入力端子Aは前段の出力端子Cと接続するというようにして、全体としてリング状となるよう構成される。そして、任意のNAND回路の出力端子Cに、発振出力を取り出す出力端子28が接続される。非発振時には、図中に記したように、発振制御入力端子20に論理値0が入力される。各入力端子Bに0が入力されるので、各NAND回路の出力の値は1となる。発振時には、発振制御入力端子20に論理値1が入力され、その値に固定される。すると、各NAND回路の出力は1→0→1→...と交互に変化し、出力端子28からは発振出力が取り出される。このように構成したリング発振器は、MOSトランジスタの劣化による発振周期の増大が抑制される。その理由を、NAND回路として図8の構成のものを用いた場合を例にとって説明する。なお、このNAND回路を図1のリング発振器に使用する場合、入力端子Bに0が入力される非発振時においてオンするPBは、出力端子Cの出力を論理値1電源VDDに引き上げるというプルアップ機能を果しているトランジスタである。図1のリング発振器で発振出力を出すためにオン,オフを繰り返すMOSトランジスタは、入力端子Aからの入力がゲートに印加されるものであり、図8で言えばPAとNAである。もし非発振時にこれらPA,NAに劣化が生じているならば、発振周期の増大をもたらす。そこで、非発振時におけるNAND回路の動作状況を点検してみるに、入力端子Aには論理値1が入力されているが、この入力が能動状態にすべきゲート電圧として作用するMOSトランジスタは、図8で言えばNAである。一方、入力端子Bには値0が入力されているが、この入力が能動状態にすべきゲート電圧として作用するMOSトランジスタはPBである。つまり、非発振時に劣化が生じているのはNAとPBである。即ち、発振動作に関与しているPA,NAのうち、非発振時に劣化が生じているものはNAでありPBTI劣化,HC劣化、PBには生じていない。従って、PBにおいてNBTI劣化が生じない分だけ、従来のものに比し、発振周期の増大を抑制することが出来る。第2の実施形態図21は、本発明の第2の実施形態のリング発振器であり、図22はそれに使用するNOR回路である。図2において、30は発振制御入力端子、31~35はNOR回路、36,37は配線、38は出力端子、D,Eは入力端子、Fは出力端子、PD,PEはPMOSトランジスタ、ND,NEはNMOSトランジスタである。このリング発振器の接続構成は次の通りである。奇数個の2入力NOR回路の一方の入力端子Eは、全て発振制御入力端子30に接続し、他方の入力端子Dは前段の出力端子Fと接続するというようにして、全体としてリング状となるよう構成される。そして、任意のNOR回路の出力端子Fに、発振出力を取り出す出力端子38が接続される。非発振時には、図中に記したように、発振制御入力端子30に論理値1が入力される。各入力端子Eには1が入力されるので、各NOR回路の出力の値は0となる。発振時には、発振制御入力端子30に論理値0が入力され、その値に固定される。すると、各NOR回路の出力は0→1→0→...と交互に変化し、出力端子38からは発振出力が取り出される。このように構成したリング発振器も、MOSトランジスタの劣化による発振周期の増大が抑制される。その理由を、NOR回路として図22の構成のものを用いた場合を例にとって説明する。PMOSトランジスタPD,PEが直列接続されたものと、NMOSトランジスタND,NEが並列接続されたものとが直列接続され、その接続点が出力端子Fに接続される。PD,PE側の端部は電源VDDに接続され、ND,NE側の端部はアースに接続される。そして、PD,NDのゲートは入力端子Dと接続され、PE,NEのゲートは入力端子Eと接続される。なお、NOR回路の図示のような接続構成は公知である。入力端子Eに1が入力される非発振時にオンするNEは、出力端子Fの出力を論理値0アースに引き下げるプルダウン機能を果しているトランジスタである。図21のリング発振器で発振出力を出すためにオン,オフを繰り返すMOSトランジスタは、入力端子Dからの入力がゲートに印加されるPDとNDである。もし非発振時にこれらPD,NDに劣化が生じているならば、発振周期の増大をもたらす。そこで、非発振時におけるNOR回路の動作状況を点検してみるに、入力端子Eには1が入力されているが、この入力が能動状態にすべきゲート電圧として作用するのはNEである。一方、入力端子Dには0が入力されているが、この入力が能動状態にすべきゲート電圧として作用するのはPDである。つまり、非発振時に劣化が生じているのはNEとPDである。発振動作に関与しているPD,NDのうち、PDには劣化NBTI劣化が生じるものの、NDには生じていない。従って、NDにおいてPBTI劣化,HC劣化が生じない分だけ、従来のものに比し、発振周期の増大を抑制することが出来る。第3の実施形態図31は、本発明の第3の実施形態のリング発振器であり、図32はそれに使用するExOR回路である。図3において、40は発振制御入力端子、41は2入力のNAND回路、42~45は2入力のExOR回路、46,47は配線、48は出力端子、49はトランスファーゲート部、A,BはNAND回路の入力端子、CはNAND回路の出力端子、G,HはExOR回路の入力端子、KはExOR回路の出力端子、PH1,PH2,PGはPMOSトランジスタ、NG,NH,NXはNMOSトランジスタである。なお、入力端子Gは、図32にあるように、ExOR回路のトランスファーゲート部49を経て出力端子Kに接続されている方の入力端子であり、Hはそうでない方の入力端子である。このリング発振器の接続構成は次の通りである。ゲート回路として1段目に2入力のNAND回路41を用い、2段目以降にExOR回路42~45を用い、全部で奇数個とする。各回路の一方の入力端子但しExOR回路にあっては入力端子Hの方は全て発振制御入力端子40に接続し、他方の入力端子但しExOR回路にあっては入力端子Gの方は前段の出力端子と接続するというようにして、全体としてリング状となるよう構成される。そして、NAND回路41,ExOR回路42~45の内の任意の出力端子に、発振出力を取り出す出力端子48を接続する。非発振時は、図中に記したように、発振制御入力端子40には0が入力されるので、各回路の出力の値は1となる。発振時には、発振制御入力端子40に1が入力され、その値に固定される。すると、各回路の出力は1と0との間で交互に変化し、出力端子48からは発振出力が出される。このように構成したリング発振器も、MOSトランジスタの劣化による発振周期の増大が抑制される。その理由を、ExOR回路として図32の構成のものを用いた場合を例にとって説明する。なお、ExOR回路の図示のような接続構成は公知であるので、その説明は省略する。入力端子Hに論理値0が入力されると、PH1がオン,NHがオフになり、NXのゲートは電源VDDに接続されてオンになると共に、PH2のゲートに0が印加されオンになる。これによりトランスファーゲート部49はオンとなる。一方、入力端子Hに論理値1が入力されると、PH1がオフ,NHがオンになり、NXのゲートはアースに接続されてオフになると共に、PH2のゲートに1が印加されオフになる。これによりトランスファーゲート部49はオフとなる。ExOR回路内で発振出力を出すためにオン,オフを繰り返すMOSトランジスタは、入力端子Gからの入力がゲートに印加されるPGとNGである。もし非発振時にこれらPGとNGに劣化が生じているならば、発振周期の増大をもたらす。なお、NAND回路41は図6のNAND回路1と同様に接続されているので、発振時にオン,オフを繰り返すMOSトランジスタは、図8のPA,NAである。それらのうち非発振時に劣化が生じるのは、図6のところで述べたように、入力端子Aから1が入力されているNAである。そこで、非発振時におけるExOR回路の動作状況を点検してみるに、入力端子Hには論理値0が入力されているが、この入力が能動状態にすべきゲート電圧として作用するのはPH1,PH2である。一方、入力端子Gには1が入力されているが、この入力が能動状態にすべきゲート電圧として作用するのはNGであるNGオンにより出力端子Kの出力を論理値1に引き上げているから、NGはプルアップ機能を果しているトランジスタである。。つまり、非発振時に劣化が生じているのはPH1,PH2とNGである。発振動作に関与しているPG,NGのうち、NGには劣化PBTI劣化,HC劣化が生じるものの、PGには生じていない。従って、PGにおいてNBTI劣化が生じない分だけ、従来のものに比し、発振周期の増大を抑制することが出来る。NAND回路41でも非発振時に劣化が生じているのは、N形のNAであり、P形のPAには生じていない。第4の実施形態図41は、本発明の第4の実施形態のリング発振器であり、図42はそれに使用するExNOR回路である。図4において、50は発振制御入力端子、51は2入力のNOR回路、52~55は2入力のExNOR回路、56,57は配線、58は出力端子、59はトランスファーゲート部、D,EはNOR回路の入力端子、FはNOR回路の出力端子、L,MはExNOR回路の入力端子、QはExNOR回路の出力端子、NL,NM1,NM2はNMOSトランジスタ、PL,PM,PXはPMOSトランジスタである。なお、入力端子Lは、図42にあるように、ExNOR回路のトランスファーゲート部59を経て出力端子Qに接続されている方の入力端子であり、Mはそうでない方の入力端子である。このリング発振器の接続構成は次の通りである。ゲート回路として1段目にNOR回路51を用い、2段目以降にExNOR回路52~55を用い、全部で奇数個とする。各回路の一方の入力端子但しExNOR回路にあっては入力端子Mの方は全て発振制御入力端子50に接続し、他方の入力端子但しExNOR回路にあっては入力端子Lの方は前段の出力端子と接続するというようにして、全体としてリング状となるよう構成される。そして、前記NOR回路51,ExNOR回路52~55の内の任意の出力端子に、発振出力を取り出す出力端子58を接続する。非発振時は、図中に記したように発振制御入力端子50には論理値1が入力され、各回路の出力の値は0とされる。発振時には、発振制御入力端子50に論理値0が入力され、その値に固定される。すると、各回路の出力は1と0との間で交互に変化し、出力端子58からは発振出力が出される。このように構成したリング発振器も、MOSトランジスタの劣化による発振周期の増大が抑制される。その理由を、ExNOR回路として図42の構成のものを用いた場合を例にとって説明する。なお、ExNOR回路の図示のような接続構成は公知であるので、その説明は省略する。入力端子Mに論理値0が入力されると、PMがオン,NM1がオフになり、PXのゲートは電源VDDに接続されてオフになると共に、NM2のゲートに0が印加されNM2もオフになる。これによりトランスファーゲート部59はオフとなる。一方、入力端子Mに1が入力されると、PMがオフ,NM1がオンになり、PXのゲートはアースに接続されてオンになると共に、NM2のゲートに1が印加されNM2もオンになる。これによりトランスファーゲート部59はオンとなる。ExNOR回路内で発振出力を出すためにオン,オフを繰り返すMOSトランジスタは、入力端子Lからの入力がゲートに印加されるPLとNLである。もし非発振時にこれらPLとNLに劣化が生じているならば、発振周期の増大をもたらす。なお、NOR回路51は図2のNOR回路31と同様に接続されているので、発振時にオン,オフを繰り返すMOSトランジスタは、図22のPD,NDである入力端子Dからゲート電圧が印加されるもの。それらのうち非発振時に劣化が生じるのは、図2のところで述べたように、入力端子Dから0が入力されているPDである。そこで、非発振時におけるExNOR回路の動作状況を点検してみるに、入力端子Mには発振制御入力端子50から1が入力されているが、この入力が能動状態にすべきゲート電圧として作用するのはNM1,NM2である。一方、入力端子Lには0が入力されているが、この入力が能動状態にすべきゲート電圧として作用するのはPLであるPLオンにより出力端子Qの出力を論理値0に引き下げているから、PLはプルダウン機能を果しているトランジスタである。。つまり、非発振時に劣化が生じているのはNM1,NM2とPLである。発振動作に関与しているPL,NLのうち、PLには劣化NBTI劣化が生じるものの、NLには生じていない。従って、NLにおいてPBTI劣化,HC劣化が生じない分だけ、従来のものに比し、発振周期の増大を抑制することが出来る。NOR回路51でも非発振時に劣化が生じているのは、P形のPDであり、N形のNDには生じていない。第5の実施形態図51は、本発明の第5の実施形態のリング発振器であり、図52はそれに使用する4入力OR-NAND回路である。図5において、60は発振制御入力端子、61はインバータ、62~64は4入力OR-NAND回路、65~67は配線、68は出力端子、R,S,T,Uは4入力OR-NAND回路の入力端子、Vは4入力OR-NAND回路の出力端子、NR,NS,NT,NUはNMOSトランジスタ、PR,PS,PT,PUはPMOSトランジスタである。このリング発振器の接続構成は次の通りである。発振制御入力端子60は、インバータ61の入力端子に接続されると共に、配線65に接続される。インバータ61の出力端子は、配線66に接続される。各4入力OR-NAND回路の入力端子R,Sは一括して配線65に接続され、入力端子Tは配線66に接続される。4入力OR-NAND回路は全部で奇数個とし、その各入力端子Uには前段の4入力OR-NAND回路の出力端子Vを接続するというようにして、全体としてリング状となるよう構成される。そして、任意の4入力OR-NAND回路の出力端子Vに、発振出力を取り出す出力端子68を接続する。非発振時は、図中に記したように発振制御入力端子60には論理値0が入力され、各4入力OR-NAND回路の出力の値は1とされる。発振時には、発振制御入力端子60に論理値1が入力され、その値に固定される。すると、各4入力OR-NAND回路の出力は1と0との間で交互に変化し、出力端子68からは発振出力が出される。このように構成したリング発振器も、MOSトランジスタの劣化による発振周期の増大が抑制される。その理由を、4入力OR-NAND回路として図52の構成のものを用いた場合を例にとって説明する。なお、この4入力OR-NAND回路の図示のような接続構成は公知であるので、その説明は省略する。4入力OR-NAND回路内で発振出力を出すためにオン,オフを繰り返すMOSトランジスタは、入力端子Uからの入力がゲートに印加されるNUとPUである。もし非発振時にこれらNUとPUに劣化が生じているならば、発振周期の増大をもたらす。そこで、非発振時における4入力OR-NAND回路の動作状況を点検してみるに、発振制御入力端子60に論理値0が入力されると、入力端子R,Sには0が入力され、PR,PSはオン,NR,NSはオフとなる。よって、出力端子Vは電源VDDの方へつながれ、出力は1となるPR,PSは、プルアップ機能を果してトランジスタである。。非発振時、入力端子Tには、発振制御入力の論理値0がインバータ61で反転された論理値1が入力される。すると、PTはオフとなる。しかし、NTには能動状態とすべきゲート電圧が印加されることとなり、オンとなる。入力端子Uには前段の出力端子Vの1が入力され、これがNU,PUのゲートに印加される。このゲート入力はPUをオフにするが、NUに対しては能動状態とすべきゲート電圧として作用する。つまり、非発振時に劣化が生じているのは、非発振時にオンとなっているMOSトランジスタNT,NU,PR,PSであるその時、これらとCMOSの対を成しているMOSトランジスタPT,PU,NR,NSは、オフとなっていて、劣化はしない。発振動作に関与しているNUとPUのうち、NUには劣化PBTI劣化,HC劣化が生じるものの、PUにはNBTI劣化生じていない。従って、PUにおいて劣化が生じない分だけ、従来のものに比し、発振周期の増大を抑制することが出来る。第6の実施形態図9は、本発明の第6の実施形態のリング発振器である。符号は図1のものに対応し、Wは端子、70は3入力NAND回路、20Yは発振開始信号端子である。この実施形態は、図1のリング発振器の変形例である。図1のリング発振器では、発振を開始するため発振制御入力端子20への入力を0→1に変化させたとき、全ゲート回路の一方の入力も0→1と変化し、全ゲート回路の出力は1→0に変化しようとする。そのため、ゲート回路によっては入出力間で論理値に矛盾が生ずることがあり、発振動作が不安定になる恐れがある。そこで、発振開始直前にまず発振動作の初期値を設定する段階を入れ、設定した後で発振開始を指令し、発振動作を安定的に開始させるよう工夫したものが、この実施形態である。図1のリング発振器では、リング状に接続されているゲート回路は全て2入力NAND回路であるが、図9の実施形態では、その内の1つを、3入力NAND回路70で置き換えたものとしている。3入力NAND回路70の入力端子A,B,Wのうち、入力端子A,Bは図1のリング発振器と同様に接続される。即ち、入力端子Aはリング状に接続されている前段のゲート回路の出力端子と接続され、入力端子Bは発振制御入力端子20と接続される。第3の入力端子Wは、新たに設けられた発振開始信号端子20Yと接続される。第6の実施形態では、発振動作の開始は次の2段階を経て行われる。第1段階...発振制御入力端子20に、発振信号を入力する。第2段階...発振開始信号端子20Yに、発振開始信号を入力する。図9中に記載されている論理値0,1は、非発振時の値である。発振制御入力端子20に入力されている信号は0、発振開始信号端子20Yに入力されている信号は0である。この時、3入力NAND回路70の3つの入力はA=1,W=0,B=0で出力C=1であり、他の2入力NAND回路の入力はA=1,B=0で出力C=1である。1発振開始の第1段階...初期値の設定発振開始の第1段階では、発振動作の初期値を設定する。この段階では、発振制御入力端子20に発振信号が入力される。図9の場合、発振信号は1であり、これが入力されると全てのゲート回路の入力端子Bに1が入力される。すると3入力NAND回路70の入力はA=1,W=0,B=1となるが、これではまだ出力Cは1に保たれたままである。NAND回路22はA=1,B=1となり、出力C=0に変る。このC=0が次のNAND回路23の入力端子Aに入力されるから、NAND回路23ではA=0,B=1となり、出力C=1のままである。その次の段以降も同様に動作するので、各ゲート回路の出力は0,1,0,...と交互に変わり、3入力NAND回路70から数えて最終段奇数段の出力は1のままとなる。従って、3入力NAND回路70の入力端子Aには1が入力され、その出力端子Cの出力は1が維持される。即ち、これ以上は変化せず、この状態で安定が保たれる。第1段階を行うことにより現出された状態は、各ゲート回路の出力が、1,0,1,0,...と交互の論理値を取るようにされたという状態である。これは、発振動作の初期状態の時の値である。リング発振器の各ゲート回路は、確実に反転作用を実行してくれることが期待されている回路であるから、交互に反転した出力を出している状態にいったんしてから発振開始が指令されれば、所期の反転を確実に行うことが出来、発振動作が不安定になることがない。逆に言えば、このような状態を現出するために第1段階が行われるわけであるが、この第1段階の状態を安定的に保持するために、ゲート回路の1つに3入力NAND回路を採用している。2発振開始の第2段階...発振開始指令発振開始の第2段階では、発振開始信号端子20Yに発振開始信号が入力される。図9の場合、発振開始信号は1である。3入力NAND回路70の入力はA=1,W=1,B=1となり、出力Cは0に変る。この変化を受けてNAND回路22以降のNAND回路の出力は次々と反転し、3入力NAND回路70から数えて最終段のNAND回路25の出力は0となる。これが、3入力NAND回路70の入力端子Aに入力され、その出力Cは反転して1となる。以後も出力の反転の連鎖は続けられ、発振が行われることになる。出力の反転の連鎖は、発振制御入力端子20に非発振信号発振停止信号である0が入力されるまで継続する。発振周期の増大が抑制される理由は、図1の場合とほぼ同じであるので、その説明は省略する。第7の実施形態図10は、本発明の第7の実施形態のリング発振器である。符号は図2のものに対応し、Xは端子、71は3入力NOR回路、30Yは発振開始信号端子である。図10中に記載されている論理値0,1は、非発振時の値である。この実施形態は、図2のリング発振器の変形例である。図2のリング発振器では、発振を開始するため発振制御入力端子30への入力を1→0に変化させたとき、全ゲート回路の一方の入力も1→0と変化し、全ゲート回路の出力は0→1に変化しようとする。そのため、ゲート回路によっては入出力間で論理値に矛盾が生ずることがあり、発振動作が不安定になる恐れがある。そこで、発振開始直前にまず発振動作の初期値を設定する段階を入れ、設定した後で発振開始を指令し、発振動作を安定的に開始させるよう工夫したものが、この実施形態である。図2のリング発振器では、リング状に接続されているゲート回路は全て2入力NOR回路であるが、図10の実施形態では、その内の1つを、3入力NOR回路71で置き換えたものとしている。3入力NOR回路71の入力端子D,X,Eのうち、入力端子D,Eは図2のリング発振器と同様に接続される。即ち、入力端子Dはリング状に接続されている前段のゲート回路の出力端子と接続され、入力端子Eは発振制御入力端子30と接続される。第3の入力端子Xは、新たに設けられた発振開始信号端子30Yと接続される。発振動作の開始は、図9の第6の実施形態の場合と同様、次の2段階を経て行われる。第1段階...発振制御入力端子30に、発振信号を入力する。第2段階...発振開始信号端子30Yに、発振開始信号を入力する。各段階での動作は、図2,図9の実施形態の動作説明より容易に類推することが出来るので、その説明は省略する。また、発振周期の増大が抑制される理由は、図2の場合とほぼ同じであるので、その説明は省略する。第8の実施形態図11は、本発明の第8の実施形態のリング発振器である。符号は図3,図9のものに対応し、72は3入力NAND回路、40Yは発振開始信号端子である。図11中に記載されている論理値0,1は、非発振時の値である。この実施形態は、図3のリング発振器の変形例である。図3のリング発振器では、発振を開始するため発振制御入力端子40への入力を0→1に変化させたとき、全ゲート回路の一方の入力も0→1と変化し、全ゲート回路の出力は1→0に変化しようとする。そのため、ゲート回路によっては入出力間で論理値に矛盾が生ずることがあり、発振動作が不安定になる恐れがある。そこで、発振開始直前にまず発振動作の初期値を設定する段階を入れ、設定した後で発振開始を指令し、発振動作を安定的に開始させるよう工夫したものが、この実施形態である。図3のリング発振器の2入力NAND回路41を、3入力NAND回路72に置き換えたものである。3入力NAND回路72の入力端子A,W,Bのうち、入力端子A,Bは図3のリング発振器と同様に接続される。即ち、入力端子Aはリング状に接続されている前段のゲート回路の出力端子と接続され、入力端子Bは発振制御入力端子40と接続される。第3の入力端子Wは、新たに設けられた発振開始信号端子40Yと接続される。発振動作の開始は、図9の第6の実施形態の場合と同様、次の2段階を経て行われる。第1段階...発振制御入力端子40に、発振信号を入力する。第2段階...発振開始信号端子40Yに、発振開始信号を入力する。各段階での動作は、図3,図9の実施形態の動作説明より容易に類推することが出来るので、その説明は省略する。また、発振周期の増大が抑制される理由は、図3の場合とほぼ同じであるので、その説明は省略する。第9の実施形態図12は、本発明の第9の実施形態のリング発振器である。符号は図4,図10のものに対応し、73は3入力NOR回路、50Yは発振開始信号端子である。図12中に記載されている論理値0,1は、非発振時の値である。この実施形態は、図4のリング発振器の変形例である。図4のリング発振器では、発振を開始するため発振制御入力端子50への入力を1→0に変化させたとき、全ゲート回路の一方の入力も1→0と変化し、全ゲート回路の出力は0→1に変化しようとする。そのため、ゲート回路によっては入出力間で論理値に矛盾が生ずることがあり、発振動作が不安定になる恐れがある。そこで、発振開始直前にまず発振動作の初期値を設定する段階を入れ、設定した後で発振開始を指令し、発振動作を安定的に開始させるよう工夫したものが、この実施形態である。図4のリング発振器の2入力NOR回路51を、3入力NOR回路73に置き換えたものである。3入力NOR回路73の入力端子D,X,Eのうち、入力端子D,Eは図4のリング発振器と同様に接続される。即ち、入力端子Dはリング状に接続されている前段のゲート回路の出力端子と接続され、入力端子Eは発振制御入力端子50と接続される。第3の入力端子Xは、新たに設けられた発振開始信号端子50Yと接続される。発振動作の開始は、図9の第6の実施形態の場合と同様、次の2段階を経て行われる。第1段階...発振制御入力端子50に、発振信号を入力する。第2段階...発振開始信号端子50Yに、発振開始信号を入力する。各段階での動作は、図4,図10の実施形態の動作説明より容易に類推することが出来るので、その説明は省略する。また、発振周期の増大が抑制される理由は、図4の場合とほぼ同じであるので、その説明は省略する。第10の実施形態図13は、本発明の第10の実施形態のリング発振器である。符号は図5,図9のものに対応し、74は3入力NAND回路、60Yは発振開始信号端子である。図13中に記載されている論理値0,1は、非発振時の値である。この実施形態は、図5のリング発振器の変形例である。図5のリング発振器では、発振を開始するため発振制御入力端子60への入力を0→1に変化させたとき、全ゲート回路の入力端子R,Sは0→1と変化し、入力端子Tは1→0と変化し、全ゲート回路の出力は1→0に変化しようとする。そのため、ゲート回路によっては入出力間で論理値に矛盾が生ずることがあり、発振動作が不安定になる恐れがある。そこで、発振開始直前にまず発振動作の初期値を設定する段階を入れ、設定した後で発振開始を指令し、発振動作を安定的に開始させるよう工夫したものが、この実施形態である。図5のリング発振器の4入力OR-NAND回路62を廃し、その代わりに3入力NAND回路74を挿設したものである。3入力NAND回路74の入力端子A,W,Bのうち、入力端子Bは発振制御入力端子60と接続され、入力端子Aはリング状に接続されている前段のゲート回路の出力端子と接続される。そして、第3の入力端子Wは、新たに設けられた発振開始信号端子60Yと接続される。発振動作の開始は、図9の第6の実施形態の場合と同様、次の2段階を経て行われる。第1段階...発振制御入力端子60に、発振信号を入力する。第2段階...発振開始信号端子60Yに、発振開始信号を入力する。各段階での動作は、図5,図9の実施形態の動作説明より容易に類推することが出来るので、その説明は省略する。また、発振周期の増大が抑制される理由は、図5の場合とほぼ同じであるので、その説明は省略する。以上述べて来た構成から自ずと明らかなように、本発明のリング発振器を構成するには、本発明用に特別な素子や回路やゲートを作る必要は全くなく、既存のセルライブラリLSI等を設計するときに通常使われる既存の素子や回路やゲートの集合で用意されているものを使って構成することが出来る。従って、PBTI劣化,NBTI劣化,HC劣化等の各種のMOSトランジスタの劣化に対して耐性のあるリング発振器を、コスト安く、容易に実現することが可能となる。なお、MOSトランジスタの劣化現象の有無は、LSI製造プロセスやLSI使用環境に依存することが知られている。従って、それらをうまく選択利用することにより、PMOSトランジスタの劣化NBTI劣化やNMOSトランジスタの劣化PBTI劣化のいずれによっても、発振周期に影響を及ぼされることのないリング発振器を実現することが出来る。例えば、図2のリング発振器は、回路構成を工夫することにより、発振周期に影響を及ぼすNMOSトランジスタに劣化が生じないPMOSトランジスタにのみ劣化が生じるようにされたリング発振器であるが、これに使用するMOSトランジスタを、PMOSトランジスタの劣化が生じないLSI製造プロセスで作られたものを用いることとすれば、前記したリング発振器を実現することが出来る。即ち、次の通りである。1NMOSトランジスタの劣化による影響...回路構成の工夫により防止2PMOSトランジスタの劣化による影響...該劣化が生じないよう工夫されたLSI製造プロセスで作られたMOSトランジスタを使用することにより防止"