"投影光学系を介して基板上にパターンの像を形成するためのマスクであって、前記パターンが形成され、所定軸周りに配置されたパターン形成面と、前記パターン形成面を有し、前記基板の少なくとも所定の一次元方向への移動と同期して、前記所定軸を回転軸として回転可能な円筒体と、を備え、前記パターン形成面における前記マスクの直径をD、前記一次元方向における前記基板の最大の長さをL、前記投影光学系の投影倍率をβ、円周率をπとしたとき、D≧β×L/πの条件を満足するマスク。投影光学系を介して基板上にパターンの像を形成するためのマスクであって、前記パターンが形成され、所定軸周りに配置されたパターン形成面と、前記パターン形成面を有し、前記基板の少なくとも所定の一次元方向への移動と同期して、前記所定軸を回転軸として回転可能な円筒体と、を備え、前記パターン形成面における前記マスクの直径をD、前記一次元方向における前記基板の最大の長さをL、前記投影光学系の投影倍率をβ、円周率をπとしたとき、β×L/π>D≧β×L/2×πの条件を満足するマスク。前記パターンは、前記パターン形成面の周方向に沿って並ぶ複数のパターンを有する請求項1又は2記載のマスク。前記基板上には、前記パターンの像が投影される複数のショット領域が少なくとも前記一次元方向に沿って設けられ、前記複数のパターンの数は、前記パターン形成面の周方向に沿って、少なくとも前記一次元方向における前記ショット領域の最大数である請求項3記載のマスク。前記基板は、略円形状を有し、前記長さLは、前記基板の直径を含む請求項1~4のいずれか一項記載のマスク。前記パターン形成面を覆うように円筒状に形成されたペリクルと、前記ペリクルを支持する支持部材とをさらに備えた請求項1~5のいずれか一項記載のマスク。前記支持部材は、前記パターン形成面の前記所定軸方向の一端側及び他端側のそれぞれにおける所定領域において、前記所定軸を囲むように前記パターン形成面の周方向に沿って形成されている請求項6記載のマスク。請求項1~請求項7のいずれか一項記載のマスクを用いて、該マスク上に形成されたパターンの像で基板を露光する露光装置であって、前記マスクを前記所定軸を回転軸として回転可能なマスク駆動装置と、前記マスクの回転と同期して、前記基板を少なくとも所定の一次元方向に移動可能な基板駆動装置と、前記マスクのパターンの像を前記基板上に投影する投影光学系と、を備えた露光装置。前記マスクの側面を着脱可能に保持する保持部材をさらに備え、前記マスク駆動装置は、前記マスクを保持した前記保持部材を回転可能なアクチュエータを含む請求項8記載の露光装置。パターンの像で基板を露光する露光装置において、前記パターンが形成され、所定軸周りに配置されたパターン形成面を有する円筒状のマスクの側面を着脱可能に保持する保持部材を備えた露光装置。前記保持部材は、前記マスクの側面を吸着可能な吸着機構を有する請求項9又は10記載の露光装置。前記保持部材を前記所定軸を回転軸として回転可能に支持する軸部材をさらに備え、前記保持部材は、前記軸部材の一端側に配置される請求項9~11のいずれか一項記載の露光装置。前記マスクを保持した保持部材を前記所定軸を回転軸として回転可能であるとともに、前記マスクを保持した保持部材を6自由度の方向に移動可能であるマスク駆動装置をさらに備えた請求項9~12のいずれか一項記載の露光装置。パターンの像で基板を露光する露光装置において、前記パターンが形成され、所定軸周りに配置されたパターン形成面を有する円筒状のマスクを保持する保持部材と、前記マスクを保持した保持部材を6自由度の方向に移動可能なマスク駆動装置と、を備えた露光装置。前記マスク駆動装置は、ローレンツ力によって駆動可能なアクチュエータを含む請求項13又は14記載の露光装置。前記マスクを保持した前記保持部材を、前記所定軸を回転軸として回転可能に支持する軸部材を備え、前記マスク駆動装置は、前記保持部材を少なくとも前記回転方向に移動可能な第1駆動機構と、前記軸部材を所定方向に移動可能な第2駆動機構とを含む請求項13~15のいずれか一項記載の露光装置。前記第1駆動機構は、前記保持部材側に取り付けられた可動子と、前記軸部材側に取り付けられた固定子とを有する請求項16記載の露光装置。前記保持部材の移動に伴う振動を抑える防振装置をさらに備えた請求項13~17のいずれか一項記載の露光装置。前記防振装置は、前記保持部材の回転に伴う反力を吸収するカウンタマスを含む請求項18記載の露光装置。パターンの像で基板を露光する露光装置において、前記パターンが形成され、所定軸周りに配置されたパターン形成面を有する円筒状のマスクを、前記所定軸を回転軸として回転可能なマスク駆動装置と、前記マスクの回転に伴う反力を吸収するカウンタマスと、を備えた露光装置。前記カウンタマスは、前記マスクの回転に伴う反力によって該マスクとは反対方向に回転する請求項19又は20記載の露光装置。前記カウンタマスを所定量だけ変位可能に保持する保持機構をさらに備えた請求項21記載の露光装置。前記保持機構は、前記カウンタマスの所定量以上の回転を抑える請求項22記載の露光装置。前記保持機構は、ローレンツ力によって駆動するアクチュエータを含む請求項22又は23記載の露光装置。前記保持機構は、前記カウンタマスの位置を調整可能である請求項24記載の露光装置。前記マスクを保持する保持部材と、前記保持部材を前記所定軸を回転軸として回転可能に支持する軸部材と、前記軸部材を回転可能に支持する支持部材とをさらに備え、前記カウンタマスは、前記軸部材を含む請求項21~25のいずれか一項記載の露光装置。軸部材の一端側に配置された唾部材をさらに備え、前記保持部材は、前記軸部材の他端側に配置され、前記支持部材は、前記保持部材と前記錘部材との間に配置されている請求項26記載の露光装置。パターンの像で基板を露光する露光装置において、前記パターンが形成され、所定軸周りに配置されたパターン形成面を有する円筒状のマスクを保持する保持部材と、前記保持部材を前記所定軸を回転軸として回転可能に支持する軸部材であり、その一端側に前記保持部材が配置される前記軸部材と、前記軸部材を回転可能に支持する支持部材と、前記軸部材の他端側に配置された錘部材であり、前記保持部材との間に前記支持部材が配置される前記唾部材と、を備える露光装置。前記マスクを保持した保持部材を6自由度の方向に移動可能なマスク駆動装置をさらに備え、前記マスク駆動装置は、前記保持部材を少なくとも前記回転方向に移動可能な第1駆動機構と、前記支持部材を前記軸部材と一緒に所定方向に移動可能な第2駆動機構とを含む請求項28記載の露光装置。前記マスクのパターン形成面を露光光で照明する照明系をさらに備え、前記パターン形成面に照射され、該パターン形成面で反射した前記露光光が前記基板上に照射される請求項8~29のいずれか一項記載の露光装置。前記マスクを前記所定軸を回転軸として回転しつつ、前記パターン形成面に露光光が照射される請求項8~30のいずれか一項記載の露光装置。請求項8~請求項31のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。板状のマスクを用いる場合のみならず、円筒状又は円柱状のマスクを用いて基板を露光する場合においても、マスクと基板との位置関係を精確に調整する必要がある。マスクと基板との位置関係を精確に調整できなかったり、振動等によってマスクと基板との位置関係が変動すると、マスクのパターンの像で基板を良好に露光できなくなる可能性が高くなる。また、例えばマスクの移動と同期して基板を移動しつつその基板を露光する場合、基板を良好に露光するために、マスク及び/又は基板の加速終了後、発生した振動が収束し、速度が一定になるまでの待ち時間静定時間を設ける必要が生じる場合がある。このような場合において、マスクの移動方向及び/又は基板の移動方向が頻繁に変化すると、それだけ加速動作が増えるため、静定時間を多く設けなければならなくなる。その場合、露光に寄与しない時間が増えることとなり、スループットが低下する可能性がある。スループットの劣化を抑制するためには、マスク及び/又は基板の移動方向の変化の回数を抑制し、発生した振動を素早く収束することが望ましい。本発明は、スループットの低下を抑え、基板上にパターンの像を良好に形成することができるマスクを提供することを目的とする。また本発明は、スループットの低下を抑え、パターンの像で基板を良好に露光することができる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。本発明の第1の態様に従えば、投影光学系PLを介して基板P上にパターンMPの像を形成するためのマスクであって、パターンMPが形成され、所定軸J周りに配置されたパターン形成面MFと、パターン形成面を有し、基板Pの少なくとも所定の一次元方向への移動と同期して、所定軸Jを回転軸として回転可能な円筒体と、を備え、パターン形成面MFにおけるマスクMの直径をD、一次元方向における基板Pの最大の長さをL、投影光学系PLの投影倍率をβ、円周率をπとしたとき、D≧β×L/πの条件を満足するマスクMが提供される。本発明の第1の態様によれば、スループットの低下を抑え、基板上にパターンの像を良好に形成することができる。本発明の第2の態様に従えば、投影光学系PLを介して基板P上にパターンMPの像を形成するためのマスクであって、パターンMPが形成され、所定軸J周りに配置されたパターン形成面MFと、パターン形成面を有し、基板Pの少なくとも所定の一次元方向への移動と同期して、所定軸Jを回転軸として回転可能な円筒体と、を備え、パターン形成面MFにおけるマスクMの直径をD、一次元方向における基板Pの最大の長さをL、投影光学系PLの投影倍率をβ、円周率をπとしたとき、β×L/π>D≧β×L/2×πの条件を満足するマスクMが提供される。本発明の第2の態様によれば、スループットの低下を抑え、基板上にパターンの像を良好に形成することができる。本発明の第3の態様に従えば、上記態様のマスクMを用いて、マスクM上に形成されたパターンMPの像で基板Pを露光する露光装置であって、マスクMを所定軸Jを回転軸として回転可能なマスク駆動装置2と、マスクMの回転と同期して、基板Pを少なくとも所定の一次元方向に移動可能な基板駆動装置4と、マスクMのパターンMPの像を基板P上に投影する投影光学系PLと、を備えた露光装置EXが提供される。本発明の第3の態様によれば、スループットの低下を抑え、パターンの像で基板を良好に露光することができる。本発明の第4の態様に従えば、パターンMPの像で基板Pを露光する露光装置において、パターンMPが形成され、所定軸J周りに配置されたパターン形成面MFを有する円筒状のマスクMの側面MSを着脱可能に保持する保持部材1を備えた露光装置EXが提供される。本発明の第4の態様によれば、スループットの低下を抑え、パターンの像で基板を良好に露光することができる。本発明の第5の態様に従えば、パターンMPの像で基板Pを露光する露光装置において、パターンMPが形成され、所定軸J周りに配置されたパターン形成面MFを有する円筒状のマスクMを保持する保持部材1と、マスクMを保持した保持部材1を6自由度の方向に移動可能なマスク駆動装置2と、を備えた露光装置EXが提供される。本発明の第5の態様によれば、スループットの低下を抑え、パターンの像で基板を良好に露光することができる。本発明の第6の態様に従えば、パターンMPの像で基板Pを露光する露光装置において、パターンMPが形成され、所定軸J周りに配置されたパターン形成面MFを有する円筒状のマスクMを、所定軸Jを回転軸として回転可能なマスク駆動装置2と、マスクMの回転に伴う反力を吸収するカウンタマス46と、を備えた露光装置EXが提供される。本発明の第6の態様によれば、スループットの低下を抑え、パターンの像で基板を良好に露光することができる。本発明の第7の態様に従えば、パターンMPの像で基板Pを露光する露光装置において、パターンMPが形成され、所定軸J周りに配置されたパターン形成面MFを有する円筒状のマスクMを保持する保持部材1と、保持部材1を所定軸Jを回転軸として回転可能に支持する軸部材20であり、その一端側に保持部材1が配置される前記軸部材と、軸部材20を回転可能に支持する支持部材21と、軸部材20の他端側に配置された錘部材22であり、保持部材1との間に支持部材21が配置される前記唾部材と、を備える露光装置EXが提供される。本発明の第7の態様によれば、スループットの低下を抑え、パターンの像で基板を良好に露光することができる。本発明の第8の態様に従えば、上記態様の露光装置EXを用いるデバイス製造方法が提供される。本発明の第8の態様によれば、スループットの低下を抑え、パターンの像で基板を良好に露光することができる露光装置を用いてデバイスを製造することができる。本発明によれば、スループットの低下を抑え、パターンの像で基板を良好に露光することができる。したがって、所望の性能を有するデバイスを高い生産性で製造することができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内における所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれに直交する方向すなわち鉛直方向をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸周りの回転傾斜方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。<第1実施形態>第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る露光装置EXを示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、パターンMPを有するマスクMを保持するマスク保持部材1と、マスクMを保持したマスク保持部材1を移動可能なマスク駆動装置2と、基板Pを保持する基板保持部材3と、基板Pを保持した基板保持部材3を移動可能な基板駆動装置4と、マスクMの位置情報及び基板Pの位置情報を取得可能な検出システム5と、マスクMのパターンMPを露光光ELで照明する照明系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンMPの像を基板P上に投影する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置6とを備えている。マスクMは、基板P上に投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。本実施形態においては、マスクMは、円筒状である。円筒状のマスクMは、中心軸Jと、中心軸J周りに配置された外周面MFと、外周面MFの両側のそれぞれに配置された側面MSとを有している。本実施形態においては、パターンMPは、マスクMの外周面MFに形成されている。本実施形態においては、パターンMPは、マスクMの外周面MFの周方向に沿って複数形成されている。マスクMの外周面MFには、その外周面MFの周方向に沿って、パターンMPが形成されたパターン形成領域MAが設定されている。以下の説明においては、マスクMのうち、パターンMPが形成され、中心軸J周りに配置された外周面MFの少なくとも一部を適宜、パターン形成面MF、と称する。また、本実施形態においては、マスクMとして反射型のマスクを用いる。基板Pは、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材上に感光材フォトレジストの膜が形成されたもの、あるいは感光材に加えて保護膜トップコート膜などの各種の膜を塗布したものを含む。本実施形態においては、基板Pは、略円板状である。基板Pは、その表面露光面とXY平面とが略平行となるように、基板保持部材3に保持される。基板保持部材3に保持された基板Pは、XY平面内において、略円形状である。基板P上には、パターンMPの像が形成される露光対象領域である複数のショット領域SS1~S26がマトリクス状に設けられている。本実施形態においては、マスク駆動装置2は、例えばボイスコイルモータ及びリニアモータ等、ローレンツ力によって駆動可能なアクチュエータを含み、マスクMを保持したマスク保持部材1を、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向に移動可能である。また、本実施形態においては、基板駆動装置4は、例えばボイスコイルモータ及びリニアモータ等、ローレンツ力によって駆動可能なアクチュエータを含み、基板Pを保持した基板保持部材3を、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向に移動可能である。本実施形態においては、検出システム5は、マスクMの位置情報、ひいてはパターンMPパターン形成領域MAに関する位置情報を取得可能な第1検出システム5Aと、基板Pの位置情報、ひいてはショット領域Sの位置情報を取得可能な第2検出システム5Bとを含む。第1検出システム5Aは、エンコーダシステム51、及びフォーカスレベリング検出システム52を含む。第2検出システム5Bは、レーザ干渉計システム53、フォーカスレベリング検出システム54、及びアライメントシステム55を含む。本実施形態においては、エンコーダシステム51及びフォーカスレベリング検出システム52を含む第1検出システム5Aは、マスクMパターンMPのX軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向の位置情報を取得可能である。また、本実施形態においては、レーザ干渉計システム53、フォーカスレベリング検出システム54、及びアライメントシステム55を含む第2検出システム5Bは、基板Pショット領域SのX軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向の位置情報を取得可能である。露光装置EXは、例えばクリーンルーム内の床面FL上に設けられた第1コラムCL1、及び第1コラムCL1上に設けられた第2コラムCL2を含むボディBDを備えている。第1コラムCL1は、複数の第1支柱11と、それら第1支柱11に防振装置10を介して支持された第1定盤7とを備えている。第2コラムCL2は、第1定盤7上に設けられた複数の第2支柱12と、それら第2支柱12に防振装置13を介して支持された第2定盤8とを備えている。照明系ILは、パターンMPが形成されたマスクMのパターン形成面MFを露光光ELで照明する。照明系ILは、マスクMのパターン形成面MF上に所定の照明領域IAを設定可能であり、その照明領域IAに均一な照度分布で露光光ELを照射可能である。照明系ILは、光源装置から射出された露光光ELの照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、及び照明領域IAを設定する視野絞りブラインド機構等を有している。照明系ILから射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線g線、h線、i線及びKrFエキシマレーザ光波長248nm等の遠紫外光DUV光、ArFエキシマレーザ光波長193nm及びF2レーザ光波長157nm等の真空紫外光VUV光などが用いられる。本実施形態においてはArFエキシマレーザ光が用いられる。マスク保持部材1は、パターンMPが形成され、中心軸J周りに配置されたパターン形成面MFを有する円筒状のマスクMを保持する。マスク駆動装置2は、マスクMを保持したマスク保持部材1を、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向に移動可能である。マスク保持部材1と、そのマスク保持部材1を移動可能なマスク駆動装置2の少なくとも一部とは、第2定盤8の上面に支持されている。マスク保持部材1は、マスクMを保持した状態で、第2定盤8上で、6自由度の方向に移動可能である。第2定盤8は、露光光ELを通過させるための開口8Kを有している。照明系ILから射出され、マスクMのパターン形成面MFを照明した露光光ELは、マスクMのパターン形成面MFで反射し、第2定盤8の開口8Kを通過した後、投影光学系PLに入射する。本実施形態においては、マスク保持部材1は、マスクMの中心軸JとX軸とがほぼ平行となるように、マスクMを保持する。したがって、マスクMがマスク保持部材1に保持された状態においては、マスクMのパターン形成面MFは、X軸とほぼ平行な軸周りに配置される。マスク駆動装置2は、マスクMを保持したマスク保持部材1を、中心軸Jを回転軸としてθX方向に回転可能であるとともに、マスクMを保持したマスク保持部材1を、6自由度の方向に移動可能である。マスク保持部材1に保持されたマスクMは、マスク駆動装置2によって、中心軸Jを回転軸として、少なくともθX方向に回転可能である。検出システム5の第1検出システム5Aは、パターン形成面MFの周方向θX方向におけるマスクMのパターンMPの位置情報、及び中心軸J方向X軸方向におけるマスクMのパターンMPの位置情報の少なくとも一方を取得可能なエンコーダシステム51と、中心軸Jと垂直な方向Z軸方向におけるマスクMのパターン形成面MFの位置情報を取得可能なフォーカスレベリング検出システム52とを含む。制御装置6は、エンコーダシステム51及びフォーカスレベリング検出システム52を含む第1検出システム5Aの検出結果に基づいて、マスク駆動装置2を駆動し、マスク保持部材1に保持されているマスクMの位置を制御する。投影光学系PLは、マスクMのパターンMPの像を所定の投影倍率βで基板Pに投影する。投影光学系PLは、複数の光学素子を有しており、それら光学素子は鏡筒15で保持されている。鏡筒15はフランジ15Fを有しており、投影光学系PLは、フランジ15Fを介して、第1定盤7に支持されている。また、第1定盤7と鏡筒15との間に防振装置を設けることができる。本実施形態の投影光学系PLは、その投影倍率が例えば1/4、1/5、1/8等の縮小系である。また、本実施形態の投影光学系PLは、マスクMのパターンMPの倒立像を基板P上に投影する。なお、投影光学系PLは、縮小系、等倍系、及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。基板保持部材3は、感光材の膜を有する円板状の基板Pを保持する。基板保持部材3は、基板Pを吸着して保持する吸着機構を有している。本実施形態においては、基板保持部材3には凹部3Cが形成されている。基板Pを吸着して保持する吸着機構の少なくとも一部、及び基板Pの裏面を保持する保持面は、その凹部3Cに配置されている。また、凹部3C以外の基板保持部材3の上面3Fは、保持面吸着機構に保持された基板Pの表面とほぼ同じ高さ面一となる平坦面である。基板駆動装置4は、基板Pを保持した基板保持部材3を、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向に移動可能である。基板保持部材3と、その基板保持部材3を移動可能な基板駆動装置4の少なくとも一部とは、第3定盤9の上面に支持されている。第3定盤9は、床面FL上に防振装置14を介して支持されている。基板保持部材3は、基板Pを保持した状態で、第3定盤9上で、6自由度の方向に移動可能である。本実施形態においては、基板保持部材3は、基板Pの表面露光面とXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。基板駆動装置4は、基板Pを保持した基板保持部材3を、少なくとも所定の一次元方向に移動可能である。基板保持部材3に保持された基板Pは、基板駆動装置4によって、少なくとも所定の一次元方向に移動可能である。検出システム5の第2検出システム5Bは、X軸、Y軸、及びθZ方向における基板Pを保持した基板保持部材3ひいては基板Pの位置情報を取得可能なレーザ干渉計システム53と、Z軸、θX、及びθY方向における基板保持部材3に保持されている基板Pの表面の面位置情報を取得可能なフォーカスレベリング検出システム54とを含む。制御装置6は、レーザ干渉計システム53及びフォーカスレベリング検出システム54を含む第2検出システム5Bの検出結果に基づいて、基板駆動装置4を駆動し、基板保持部材3に保持されている基板Pの位置を制御する。また、本実施形態においては、露光装置EXは、基板P上に形成されたアライメントマークAM等を検出するオフアクシス方式のアライメントシステム55を備えている。アライメントシステム55の少なくとも一部は、投影光学系PLの先端の近傍に配置されている。本実施形態のアライメントシステム55は、例えば特開平4-65603号公報対応する米国特許5,493,403号に開示されているような、基板P上の感光材を感光させないブロードバンドな検出光を対象マーク基板P上に形成されたアライメントマークAM等に照射し、その対象マークからの反射光によって受光面に結像された対象マークの像と指標アライメントシステム55内に設けられた指標板上の指標マークの像とをCCD等の撮像素子を用いて撮像し、それらの撮像信号を画像処理することでマークの位置を計測するFIAFieldImageAlignment方式のアライメントシステムを採用する。図2は、本実施形態の露光装置EXを示す模式図である。本実施形態の露光装置EXは、マスクMと基板Pとをそれぞれ所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクMのパターンMPの像を基板P上に投影する走査型露光装置いわゆるスキャニングステッパである。本実施形態においては、基板Pの走査方向同期移動方向をY軸方向とし、マスクMの走査方向同期移動方向をθX方向とする。露光装置EXは、マスク駆動装置2及び基板駆動装置4のそれぞれを用いて、マスクMのθX方向への移動回転と同期して、基板PをY軸方向に移動しつつ、マスクMのパターンMPの像を投影光学系PLを介して基板P上に投影する。露光装置EXは、基板Pのショット領域Sを投影光学系PLの投影領域ARに対してY軸方向に移動するとともに、その基板PのY軸方向への移動と同期して、照明系ILの照明領域IAに対してマスクMのパターン形成面MFを中心軸Jを回転軸としてθX方向に移動回転しつつ、照明領域IAを露光光ELで照明し、投影光学系PLを介して投影領域ARに露光光ELを照射することによって、投影領域ARに形成されるパターンMPの像で基板P上のショット領域Sを露光する。上述のように、本実施形態においては、投影光学系PLは、マスクMのパターンMPの倒立像を基板P上に投影する。基板Pのショット領域SにマスクMのパターンMPの像を投影する際、図2の矢印で示すように、制御装置6は、例えば基板Pの-Y方向への移動と同期して、マスクMをY軸からZ軸へ向かう向きX方向からマスクMを見た場合、反時計回りに回転する。以下の説明において、Y軸からZ軸へ向かう向きX方向からマスクMを見た場合、反時計回りへの回転方向を適宜、θX方向、と称し、その逆方向を適宜、-θX方向、と称する。図2に示すように、本実施形態においては、照明系ILは、マスクMと投影光学系PLとの間に配置された反射光学素子18を備えている。また、本実施形態においては、照明系ILは、反射光学素子18に対して光源装置側に配置され、露光光ELを反射光学素子18に導く第1シリンドリカルレンズ17と、第1シリンドリカルレンズ17によって反射光学素子18に導かれ、その反射光学素子18で反射した露光光ELが入射されるとともに、その露光光ELをマスクMのパターン形成面MFに導く第2シリンドリカルレンズ19とを備えている。第1シリンドリカルレンズ17は、照明系ILの視野絞り等によって設定された露光光ELの断面形状を補正する。反射光学素子18は、第1シリンドリカルレンズ17からの露光光ELを反射し、露光光ELの光路の向きを変える。第2シリンドリカルレンズ19は、反射光学素子18からの露光光ELの断面形状を補正する。本実施形態においては、第1シリンドリカルレンズ17及び第2シリンドリカルレンズ19を含む照明系ILは、マスクMのパターン形成面MF上における照明領域IAを、X軸方向を長手方向とするスリット状矩形状に設定する。また本実施形態においては、照明系ILは、円筒状のマスクMのパターン形成面MFの最下部BTを露光光ELで照明する。上述したように、本実施形態においては、マスクMとして反射型のマスクを用いる。照明系ILによってパターン形成面MFに照射され、そのパターン形成面MFで反射した露光光ELが、投影光学系PLを介して基板P上に照射される。マスクMのパターンMPの像は、投影光学系PLを介して基板P上に形成される。制御装置6は、マスクMのパターンMPの像を基板P上に投影してその基板Pを露光するために、マスク駆動装置2を用いて、マスクMを中心軸Jを回転軸として回転しつつ、照明系ILを用いて、マスクMのパターン形成面MFに露光光ELを照射する。次に、マスクMについて説明する。図3は、マスクMを示す斜視図、図4Aは、マスクMのパターン形成面MFの模式図、図4Bは、マスクMのパターン形成面MFをXY平面上に展開した図である。図3に示すように、マスクMは、円筒状である。マスクMは、パターンMPが形成され、中心軸J周りに配置されたパターン形成面MFを有する。図3において、中心軸Jは、X軸と平行である。マスクMは、マスク駆動装置2の駆動によって、中心軸Jを回転軸として、θX方向に回転可能である。円筒状のマスクMは、内部空間MKと、その内部空間MKと外部空間とを接続するように内部空間MKの両側X側及び-X側に形成された開口MKaとを備えている。円筒状のマスクMは、パターン形成面MFの両側のそれぞれに側面MSを有している。マスクMの側面MSは、YZ平面内において略円環状であり、開口MKaを囲むように配置されている。図3において、マスクMの側面MSは、YZ平面とほぼ平行である。本実施形態においては、マスクMは、内部空間MKを有した中空構造であるので、マスクMの軽量化を図ることができる。パターンMPは、パターン形成面MFの周方向に沿って複数形成されている。マスクMのパターン形成面MFには、そのパターン形成面MFの周方向に沿って、パターンMPが形成されるパターン形成領域MAが複数設けられている。複数のパターン形成領域MAのそれぞれに、基板Pに投影されるべきパターンMPが形成されている。パターン形成面MFをXY平面上に展開したときの、そのパターン形成面MFに形成されているパターンMPの形状は、投影光学系PLを介して基板P上に形成されるパターンMPの像の形状と相似である。本実施形態においては、パターン形成領域MAには、一例として、文字Fの形状を有するパターンMPが形成されている。また、図4Bに示すように、本実施形態においては、照明系ILの照明領域IAは、X軸方向を長手方向とするスリット状に設定されている。マスクMは、石英等のガラス材料、又はセラミックス低膨張セラミックス等によって形成された円筒状の基材上に、例えばクロムCr等からなる金属膜を用いて所定のパターンMPを形成したものである。また、本実施形態においては、マスクMの外周面MFの中心軸J方向X軸方向の一端側X側及び他端側-X側のそれぞれにおけるパターン形成領域MAの外側には、検出システム5によって検出されるマークが形成されたマーク形成領域MBが配置されている。なお、図面を見やすくするため、図3及び図4A及び図4Bにはマークを図示していない。図3に示すように、マスクMは、パターン形成面MFを覆うように円筒状に形成されたペリクル100と、ペリクル100を支持する支持部材ペリクル枠101とを備えている。支持部材101は、マスクMのパターン形成面外周面MFの中心軸J方向X軸方向の一端側及び他端側のそれぞれにおけるマーク形成領域MBの外側の所定領域において、中心軸Jを囲むようにパターン形成面外周面MFの周方向に沿って形成されている。支持部材101に支持されたペリクル100と、マスクMのパターン形成面MFとは離れている。本実施形態においては、支持部材101は円環状の部材である。支持部材101は、例えばポリ四フッ化エチレン等、柔軟性可撓性を有する材料で形成されており、曲面であるパターン形成面MFに良好に接続することができる。支持部材101は、マスクMのパターン形成面MFの中心軸J方向X軸方向の一端側及び他端側のそれぞれにおけるマーク形成領域MBの外側の所定領域において、マスクMのパターン形成面MFに接続されている。本実施形態においては、パターン形成面MFを覆うようにペリクル100が設けられているので、パターン形成面MFに対する異物の付着を抑制し、パターン形成面MFを保護することができる。図5は、基板保持部材3の平面図である。図5に示すように、基板P上には、露光対象領域である複数のショット領域SS1~S26がマトリクス状に設けられているとともに、各ショット領域S1~S26のそれぞれに対応するように複数のアライメントマークAMが設けられている。また、図5に示すように、本実施形態においては、投影光学系PLの投影領域ARは、X軸方向を長手方向とするスリット状に設定されている。また、基板Pは、XY平面内において、略円形状である。基板Pのショット領域S1~S26のそれぞれを露光するとき、制御装置6は、図5中、例えば矢印y1で示すように、投影光学系PLの投影領域ARと基板Pとを相対的に移動しつつ、投影領域ARに露光光ELを照射することによって、基板P上に露光光ELを照射する。制御装置6は、投影領域ARが基板Pに対して矢印y1に沿って移動するように、基板駆動装置4を用いて、基板保持部材3の動作を制御する。また、基板保持部材3の上面の所定位置には、上述のアライメントシステム55で検出される基準マークFMが形成されている。また、投影光学系PLの像面側光射出面側に配置可能な基板保持部材3の上面において、基準マークFMに対して所定位置には、開口56Kが形成されている。そして、この開口56Kの下方-Z方向には、投影光学系PL及び開口56Kを介した光を受光可能な受光装置56の少なくとも一部が配置されている。本実施形態においては、受光装置56は、例えば特開2002-14005号公報対応する米国特許出願公開第2002/0041377号明細書等に開示されているような、空間像計測器を含む。本実施形態においては、パターン形成面MFにおけるマスクMの直径をD、基板Pの走査方向本実施形態においてはY軸方向における基板Pの最大の長さをL、投影光学系PLの投影倍率をβ、円周率をπとしたとき、D≧β×L/π...1の条件が満足されている。本実施形態においては、1式の条件を満足するように、基板Pの最大の長さL及び投影光学系PLの投影倍率βに応じて、パターン形成面MFにおけるマスクMの直径Dが定められている。ここで、上述したように、本実施形態においては、基板Pは、XY平面内において、略円形状である。本実施形態においては、基板Pの走査方向Y軸方向における基板Pの最大の長さLは、基板Pの直径である。また、図5に示したように、基板P上には、マスクMのパターンMPの像が投影されるショット領域Sが、少なくとも基板Pの走査方向Y軸方向に沿って複数設けられている。そして、マスクMのパターンMPは、パターン形成面MFの周方向に沿って、少なくとも基板Pの走査方向Y軸方向におけるショット領域Sの最大数だけ形成されている。本実施形態においては、図5に示したように、4つのショット領域S1~S4がY軸方向に沿って設けられ、6つのショット領域S5~S10がY軸方向に沿って設けられ、6つのショット領域S11~S16がY軸方向に沿って設けられ、6つのショット領域S17~S22がY軸方向に沿って設けられ、4つのショット領域S23~S26がY軸方向に沿って設けられている。したがって、本実施形態においては、Y軸方向におけるショット領域Sの最大数は、6である。マスクMのパターンMPが形成されたパターン形成領域MAは、パターン形成面MFの周方向に沿って、6つ形成されている。次に、マスク保持部材1及びマスク駆動装置2について説明する。図6は、マスク保持部材1及びマスク駆動装置2の近傍の側断面図である。図6において、露光装置EXは、マスクMを保持するマスク保持部材1と、マスクMを保持したマスク保持部材1を移動可能なマスク駆動装置2とを備えている。マスク保持部材1及びマスク駆動装置2の少なくとも一部は、第2定盤8上に設けられている。また、露光装置EXは、マスクMを保持するマスク保持部材1を、中心軸Jを回転軸として回転可能に支持する軸部材20と、軸部材20を回転可能に支持する支持部材21とを備えている。支持部材21は、略筒状の部材である。マスク保持部材1は、軸部材20の少なくとも一部を配置するための孔16を有している。孔16は、少なくとも-X側に開口16Kaを有している。本実施形態においては、孔16は、マスク保持部材1の一部をX軸方向に貫通するように形成され、孔16の両側X側及び-X側のそれぞれに開口16Ka、16Kbが形成されている。マスク保持部材1は、軸部材20の一端側X側に配置されている。また、露光装置EXは、軸部材20の他端側-X側に配置された錘部材22を有している。錘部材22は、軸部材20の他端に接続されている。軸部材20と錘部材22とは一体である。軸部材20を回転可能に支持する支持部材21は、マスク保持部材1と錘部材22との間に配置されている。支持部材21は、ベース部材23の上面に支持されている。支持部材21は、ベース部材23の上面に接続されている。支持部材21とベース部材23とは一体である。支持部材21を支持するベース部材23は、防振装置24を介して、第2定盤8の上面に支持されている。防振装置24は、マスク保持部材1の移動に伴う振動を抑えることができる。防振装置24は、ローレンツ力によって駆動可能なアクチュエータと、エアマウント等のダンパ機構とを含む。マスク保持部材1は、パターンMPが形成され、中心軸J周りに配置されたパターン形成面MFを有する円筒状のマスクMの側面MSを着脱可能に保持する。マスク保持部材1は、マスクMの側面MSを吸着可能な吸着機構25を有する。マスク保持部材1は、-X側のマスクMの側面MSと対向するように配置され、そのマスクMの-X側の側面MSを着脱可能に保持する保持面26を備えている。吸着機構25は、マスクMの側面MSを保持面26に吸着可能である。マスク保持部材1の保持面26は、後述する基材27の第1面27A、ピン部材29の端面、第1周壁部材30の端面、及び第2周壁部材31の端面を含む。図7A及び7Bは、マスク保持部材1を示す図であって、図7Aは、マスク保持部材1のXZ平面と平行な断面図、図7Bは、マスク保持部材1をX側から見た図である。マスク保持部材1は、基材27と、基材27上に形成され、マスクMの側面MSを支持可能なピン部材29と、基材27上に形成され、マスクMの側面MSの外縁領域と対向可能な第1周壁部材30と、基材27上に形成され、マスクMの側面MSの内縁領域開口MKaの近傍の領域と対向可能な第2周壁部材31と、基材27上に形成され、気体を吸引可能な吸引口32を備えている。マスク保持部材1の基材27は、マスクMに応じた形状を有している。上述のように、本実施形態においては、マスクMの側面MSは、YZ平面内において略円環状である。マスクMの側面MSと対向可能な基材27の第1面27Aは、マスクMの側面MSに対応するように、YZ平面内において略円環状に形成されている。本実施形態においては、基材27の第1面27Aは、X側を向いている。保持面26は、基材27の第1面27A側に配置されている。また、本実施形態においては、マスク保持部材1は、保持面26よりもX側に突出するように形成された突出部28を有している。突出部28は、基材27のYZ平面内における中央部分と接続されている。軸部材20を配置するための孔16は、基材27及び突出部28をX軸方向に貫通するように形成されている。突出部28の少なくとも一部は、保持面26に保持されたマスクMの内部空間MKに配置可能である。第1周壁部材30は、基材27の第1面27Aの外縁領域に形成されている。第1周壁部材30は、マスクMの側面MSの外形に応じて略円環状に形成されている。第1周壁部材30は、マスクMの側面MSの外径よりも僅かに小さい外径を有している。第1周壁部材30は、マスク保持部材1に保持されるマスクMの側面MSの外縁領域と対向可能な端面を有している。第1周壁部材30の端面は、平坦であって、所定の幅を有している。第2周壁部材31は、基材27の第1面27Aの内縁領域に形成されている。第2周壁部材31は、マスクMの側面MSの開口MKaに応じて略円環状に形成されている。第2周壁部材31は、マスクMの側面MSに囲まれた開口MKaの外径よりも僅かに大きい外径を有している。第2周壁部材31は、マスク保持部材1に保持されるマスクMの側面MSの内縁領域と対向可能な端面を有している。第2周壁部材31の端面は、平坦であって、所定の幅を有している。ピン部材29は、基材27の第1面27Aに複数に形成されている。第1周壁部材30は、第2周壁部材31を囲むように配置されており、ピン部材29は、第1周壁部材30と第2周壁部材31との間における基材27の第1面27Aにおいて、複数一様に配置されている。ピン部材29のそれぞれは、マスクMの側面MSと対向可能な端面を有している。ピン部材29の端面は、平坦である。複数のピン部材29の端面のそれぞれは、X軸方向においてほぼ同じ位置に設けられている。本実施形態においては、ピン部材29の端面と第1周壁部材30の端面と第2周壁部材31の端面とは、X軸方向においてほぼ同じ位置に設けられている。すなわち、複数のピン部材29の端面、第1周壁部材30の端面、及び第2周壁部材31の端面は、ほぼ同一平面上YZ平面上に位置しており、面一となっている。ピン部材29の端面、第1周壁部材30の端面、及び第2周壁部材31の端面は、マスクMの側面MSに接触可能である。図6に示すように、ピン部材29の端面、第1周壁部材30の端面、及び第2周壁部材31の端面のそれぞれとマスクMの側面MSとが接触することにより、マスクMの-X側には、マスクMの側面MSと第1周壁部材30と第2周壁部材31と基材27とで囲まれた空間33が形成される。吸引口32は、マスクMを吸着して保持するためのものである。吸引口32は、第1周壁部材30と第2周壁部材31との間における基材27の第1面27Aにおいて、複数の所定位置のそれぞれに形成されている。吸引口32は、基材27の第1面27Aのうち、ピン部材29以外の複数の所定位置にそれぞれ設けられている。マスクMの側面MSを吸着可能な吸着機構25は、基材27の第1面27Aに形成された吸引口32と、その吸引口32を介して気体を吸引可能な真空系等を含む吸引装置34とを含む。図7Aに示すように、吸引装置34は、マスク保持部材1の外部に設けられており、吸引口32のそれぞれは、流路35を介して吸引装置34と接続されている。吸引口32のそれぞれと吸引装置34とを接続する流路35の少なくとも一部は、基材27の内部に形成されている。吸引装置34は、マスクMの側面MSと第1周壁部材30と第2周壁部材31と基材27とで囲まれた空間33を負圧化することができる。すなわち、吸引装置34は、吸引口32を介して空間33の気体を吸引することによって、空間33の圧力を、空間33の外側の空間の圧力例えば大気圧よりも低下させることができる。本実施形態においては、マスク保持部材1は、ピン部材29を有しており、いわゆるピンチャック機構を有する。制御装置6は、吸着機構25の吸引装置34を駆動し、空間33の気体を吸引して、この空間33を負圧にすることによって、マスクMを、ピン部材29の端面、第1周壁部材30の端面、及び第2周壁部材31の端面を含む保持面26で吸着して保持する。また、制御装置6は、吸引装置34を含む吸着機構25を制御して、吸着機構25によるマスクMの吸着を解除することにより、マスクMを保持面26から離すことができる。このように、本実施形態においては、制御装置6は、マスク保持部材1に設けられた吸着機構25を制御することによって、マスクMをマスク保持部材1の保持面26に取り付けたり、マスクMをマスク保持部材1の保持面26から取り外したりすることができる。なお、本実施形態においては、吸着機構25は、マスクMを真空吸着する真空吸着機構を備えているが、静電気の力を用いた静電吸着機構を備えていてもよい。静電吸着機構によっても、マスク保持部材1は、マスクMを着脱可能に保持することができる。図6に示すように、軸部材20の少なくとも一部は、マスク保持部材1の孔内部空間16に配置可能である。軸部材20のX側の端は、マスク保持部材1の保持面26よりもX側に配置される。また、軸部材20の外面と、マスク保持部材1突出部28の孔16の内面とは対向する。マスク保持部材1のうち、保持面26よりもX側に配置された軸部材20及びマスク保持部材1突出部28の少なくとも一部は、保持面26に保持されたマスクMの内部空間MKに配置可能である。また、本実施形態においては、マスク保持部材1の保持面26に保持されたマスクMと、そのマスクMの内部空間MKに配置されたマスク保持部材1突出部28及び軸部材20とは離れている。図6に示すように、露光装置EXは、マスク保持部材1と軸部材20との間に形成された第1気体軸受36と、軸部材20と支持部材21との間に形成された第2気体軸受37及び第3気体軸受38とを有する。上述のように、突出部28を含むマスク保持部材1は、軸部材20の外面と対向する内面を有している。孔16は、XY平面内において円形状である。軸部材20のうち、少なくとも孔16の内側に配置される部分も、XY平面内において円形状である。軸部材20のうち、孔16の内側に配置される部分の外径は、孔16の内径よりも僅かに小さい。マスク保持部材1の内面と軸部材20の外面との間には、所定の間隔第1ギャップG1が形成される。第1気体軸受36は、マスク保持部材1の内面と、軸部材20の外面との間に形成されている。マスク保持部材1は、第1気体軸受36によって、軸部材20に対して非接触支持される。第1気体軸受36によって、マスク保持部材1の内面と軸部材20の外面との間隔第1ギャップG1が略一定に維持される。軸部材20は、マスク保持部材1を、中心軸Jを回転軸として回転可能に支持する。本実施形態においては、第1気体軸受36によって、第1ギャップG1が略一定に維持されており、軸部材20に対するマスク保持部材1のY軸、Z軸、θY、及びθZ方向に関する移動が規制される。マスク保持部材1は、軸部材20に対して、X軸、及びθX方向のみに移動可能である。支持部材21は、略筒状の部材である。支持部材21は、軸部材20の少なくとも一部を配置可能な孔内部空間39を有している。孔39は、支持部材21をX軸方向に貫通するように形成されている。軸部材20の少なくとも一部は、筒状の支持部材21の孔39の内側に配置される。支持部材21は、軸部材20の外面と対向する内面を有している。孔39は、XY平面内において円形状であり、軸部材20のうち、少なくとも孔39の内側に配置される部分も、XY平面内において円形状である。そして、軸部材20のうち、孔39の内側に配置される部分の外径は、孔39の内径よりも僅かに小さい。支持部材21の内面と軸部材20の外面との間には、所定の間隔第2ギャップG2が形成される。第2気体軸受37は、支持部材21の内面と、軸部材20の外面との間に形成されている。軸部材20は、第2気体軸受37によって、支持部材21に対して非接触支持される。第2気体軸受37によって、支持部材21の内面と軸部材20の外面との間隔第2ギャップG2が略一定に維持される。支持部材21は、軸部材20を、中心軸Jを回転軸として回転可能に支持する。支持部材21は、X側を向く第1側面21Aと、-X側を向く第2側面21Bとを有している。第1側面21A及び第2側面21Bのそれぞれは、平坦である。軸部材20は、支持部材21のX側の第1側面21Aと対向する対向面41Aを有する第1フランジ41と、支持部材21の-X側の第2側面21Bと対向する対向面42Aを有する第2フランジ42とを有している。第1側面21A、第2側面21B、対向面41A、対向面42Aのそれぞれは、YZ平面とほぼ平行である。第1側面21Aと第2側面21BとのX軸方向における距離は、第1フランジ41の対向面41Aと第2フランジ42の対向面42AとのX軸方向における距離よりも僅かに小さい。第1側面21Aと対向面41Aとの間には、所定の間隔第3ギャップG3が形成され、第2側面21Bと対向面42Aとの間には、所定の間隔第4ギャップG4が形成される。第3気体軸受38は、支持部材21の第1側面21Aと第1フランジ41の対向面41Aとの間、及び支持部材21の第2側面21Bと第2フランジ42の対向面42Aとの間のそれぞれに形成されている。第3気体軸受38によって、支持部材21の第1側面21Aと第1フランジ41の対向面41Aとの間隔第3ギャップG3が略一定に維持されるとともに、支持部材21の第2側面21Bと第2フランジ42の対向面42Aとの間隔第4ギャップG4が略一定に維持される。本実施形態においては、第2気体軸受37及び第3気体軸受38によって、第2ギャップG2、第3ギャップG3、及び第4ギャップG4のそれぞれが略一定に維持される。本実施形態においては、第2気体軸受37及び第3気体軸受38によって、支持部材21に対する軸部材20のX軸、Y軸、Z軸、θY、及びθZ方向に関する移動が規制される。軸部材20は、支持部材21に対して、θX方向のみに移動可能回転可能である。上述のように、本実施形態においては、露光装置EXは、マスクMを保持したマスク保持部材1を中心軸Jを回転軸としてθX方向に回転可能であるとともに、マスクMを保持したマスク保持部材1を6自由度の方向に移動可能なマスク駆動装置2を備えている。マスク駆動装置2は、マスク保持部材1を少なくとも回転方向θX方向に移動可能な第1駆動機構61と、軸部材20を所定方向に移動可能な第2駆動機構62とを含む。第1駆動機構61は、マスク保持部材1側に取り付けられた可動子61Aと、軸部材20側に取り付けられた固定子61Bとを有し、マスク保持部材1を少なくとも回転方向θX方向に移動する。第1駆動機構61は、ローレンツ力で駆動する回転モータを含む。本実施形態においては、第1駆動機構61の可動子61Aは、マグネットユニットを有し、固定子61Bは、コイルユニットを有する。本実施形態においては、可動子61Aは、マスク保持部材1の基材27の第2面27Bに取り付けられている。基材27の第2面27Bは、第1面27Aとは反対側の面であって、-X側を向いている。また、本実施形態においては、軸部材20は、基材27の第2面27Bと対向する対向面43Aを有する第3フランジ43を有しており、固定子61Bは、第3フランジ43の対向面43Aに取り付けられている。第2面27B及び対向面43Aのそれぞれは、YZ平面とほぼ平行である。第2面27Bと対向面43Aとの間には、所定の間隔第5ギャップG5が形成される。固定子61Bは、中心軸Jを囲むように対向面43Aに配置された複数のコイルコイル列を含む。可動子61Aは、コイルの配列方向と同方向に極性が交互に変化するように、中心軸Jを囲むように第2面27Bに配置された複数の磁石磁石列を含む。制御装置6は、固定子61Bの複数のコイルに、正弦波状の三相交流を供給する。これにより、コイルの配列方向、すなわち、中心軸J周りの回転方向θX方向に推力が発生する。制御装置6は、コイル列と磁石列との相対位置に応じて三相交流を供給するコイルを切り替えることにより、コイルの配列方向に沿ってコイル列と磁石列との相対位置を連続的に変化させることができる。可動子61Aの磁石列によって形成される磁界がコイルの配列方向に沿ってコイルの配列周期で正弦波状に変化することによって、コイル列に三相交流を印加するとコイルの配列方向に一定の推力が発生する。制御装置6は、可動子61A及び固定子61Bを含む第1駆動機構61を制御することによって、マスク保持部材1を、中心軸J周りの回転方向θX方向に回転可能である。また、制御装置6は、第1駆動機構61を制御することによって、可動子61Aと固定子61BとのX軸方向における距離を調整することができる。制御装置6は、例えば固定子61Bのコイルに供給する電力を調整することによって、軸部材20の第3フランジ43の対向面43Aとマスク保持部材1の基材27の第2面27BとのX軸方向における間隔第5ギャップG5を調整することができる。すなわち、制御装置6は、第1駆動機構61を制御することによって、軸部材20第3フランジ43に対してマスク保持部材1基材27をX軸方向に移動することができ、軸部材20に対するマスク保持部材1のX軸方向における位置を調整することができる。このように、本実施形態においては、マスク駆動装置2の第1駆動機構61は、マスクMを保持するマスク保持部材1を中心軸J周りの回転方向θX方向に移動可能であるとともに、中心軸J方向X軸方向に移動可能である。第2駆動機構62は、ベース部材23支持部材21側に取り付けられた可動子62Aと、第2定盤8側に取り付けられた固定子62Bとを有し、ベース部材23及びそのベース部材23と一体の支持部材21を、所定方向に移動可能である。第2駆動機構62は、ローレンツ力で駆動するボイスコイルモータを含む。本実施形態においては、第2駆動機構62の可動子62Aは、マグネットユニットを有し、固定子62Bは、コイルユニットを有する。本実施形態においては、可動子62Aは、ベース部材23の複数の所定位置のそれぞれに取り付けられている。固定子62Bは、第2定盤8の複数の所定位置のそれぞれに、可動子62Aと対応するように取り付けられている。本実施形態においては、可動子62Aは、ベース部材23の少なくとも6箇所のそれぞれに取り付けられ、固定子62Bは、可動子62Aのそれぞれに対応するように、第2定盤8の6箇所のそれぞれに取り付けられている。なお、図6においては、可動子62A及びその可動子62Aに対応する固定子62Bが2つずつ示されており、残りの可動子62A及び固定子62Bの図示は省略してある。制御装置6は、複数の可動子62A及び固定子62Bを含む第2駆動機構62を制御することによって、ベース部材23及びそのベース部材23と一体の支持部材21を、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向に移動可能である。また、上述したように、軸部材20は、支持部材21に対して、θZ方向のみに移動可能回転可能である。第2気体軸受37及び第3気体軸受38によって、支持部材21に対する軸部材20のX軸、Y軸、Z軸、θY、及びθZ方向に関する移動は規制される。したがって、ベース部材23及び支持部材21のX軸、Y軸、Z軸、θY、及びθZ方向への移動に伴って、軸部材20も、X軸、Y軸、Z軸、θY、及びθZ方向に移動する。換言すれば、軸部材20と支持部材21ベース部材23とは、X軸、Y軸、Z軸、θY、及びθZ方向に関して一緒に移動する。第2駆動機構62は、支持部材21を所定方向に移動することによって、支持部材21を軸部材20と一緒に所定方向に移動可能である。したがって、制御装置6は、第2駆動機構62を制御して、支持部材21を移動することによって、軸部材20を支持部材21と一緒に、θX方向以外の方向、すなわちX軸、Y軸、Z軸、θY、及びθZ方向に移動することができる。また、上述したように、マスク保持部材1は、軸部材20に対して、X軸、及びθX方向のみに移動可能である。第1気体軸受36によって、軸部材20に対するマスク保持部材1のY軸、Z軸、θY、及びθZ方向に関する移動は規制される。したがって、軸部材20のY軸、Z軸、θY、及びθZ方向への移動に伴って、マスク保持部材1も、Y軸、Z軸、θY、及びθZ方向に移動する。換言すれば、マスク保持部材1と軸部材20とは、Y軸、Z軸、θY、及びθZ方向に関して一緒に移動する。したがって、第2駆動機構62は、支持部材21を軸部材20と一緒にY軸、Z軸、θY、及びθZ方向に移動することによって、マスク保持部材1を軸部材20と一緒にY軸、Z軸、θY、及びθZ方向に移動することができる。また、制御装置6は、第1駆動機構61を用いて第5ギャップG5を調整しつつ例えば一定値に維持しつつ、第2駆動機構62を用いて支持部材21を軸部材20と一緒に移動することによって、マスク保持部材1と軸部材20とを、X軸、Y軸、Z軸、θY、及びθZ方向に関して一緒に移動可能である。そして、制御装置6は、第1駆動機構61及び第2駆動機構62を含むマスク駆動装置2を制御することによって、マスクMを保持するマスク保持部材1をX軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向に移動可能である。制御装置6は、マスク駆動装置2を制御することによって、マスク保持部材1の6自由度の方向の位置を調整可能であり、そのマスク保持部材1に保持されたマスクM、ひいてはパターンMPの6自由度の方向の位置を調整可能である。本実施形態においては、マスク駆動装置2は、ローレンツ力で駆動するコイルユニットとマグネットユニットとを有し、それらコイルユニットとマグネットユニットとは非接触状態で駆動する。これにより、マスク保持部材1を移動するマスク駆動装置2による振動の発生が抑制されている。また、本実施形態においては、露光装置EXは、マスク保持部材1の移動に伴う振動を抑える防振装置24を備えている。マスク保持部材1の移動に伴う振動は、防振装置24によって抑制される。本実施形態においては、防振装置24は、ローレンツ力によって駆動可能なアクチュエータを有する第2駆動機構62の少なくとも一部と、エアマウント等のダンパ機構とを含む。上述のように、第2駆動機構62は、ベース部材23支持部材21の6自由度の方向に関する位置を調整可能な複数のアクチュエータを備えている。不図示の加速度センサ又は変位センサの検出結果に基づいて、アクチュエータを駆動することによって、マスク保持部材1の所定方向6自由度の方向の移動に伴う振動を抑えることができる。例えば、制御装置6は、加速度センサ又は変位センサで第2定盤8の加速度又は変位を検出し、その検出結果に基づいて、マスク保持部材1の移動に伴う第2定盤8の振動を抑えるように、防振装置24を制御する。これにより、制御装置6は、ボディBD、投影光学系PL等の固有振動数の励起を抑え、振動を抑制できる。また、本実施形態においては、防振装置24は、マスク保持部材1のθX方向への回転に伴う慣性力の反力を吸収するカウンタマス46を含む。本実施形態においては、カウンタマス46は、軸部材20及びその軸部材20に接続された錘部材22を含む。この錘部材22は、マスク保持部材1にマスクMが保持された時に、重量バランスを保つ機能を有するものである。軸部材20を含むカウンタマス46は、マスクMの回転に伴う慣性力の反力によって、運動量保存側に従って、そのマスクMとは反対方向に回転する。例えば、マスクMを保持したマスク保持部材1が、マスク駆動装置2の第1駆動機構61による駆動によって、θX方向に回転した場合、そのマスク保持部材1に対して非接触状態の軸部材20を含むカウンタマス46は、-θX方向に回転する。これにより、マスク保持部材1及びマスクMの回転時に励起される振動を抑えることができる。例えば、マスクMを保持したマスク保持部材1を回転するために、第1駆動機構61を駆動したとき、その与えた力積をカウンタマス46の質量で除した量だけ、カウンタマス46が、マスクM及びマスク保持部材1の回転方向とは反対方向に回転する。このカウンタマス46の移動回転により、マスクMを保持したマスク保持部材1を移動回転するための、あるいはマスクMを保持したマスク保持部材1の移動後回転後の姿勢を保つための駆動に伴う反力が相殺される。カウンタマス46の作用により、マスクMを保持したマスク保持部材1を回転したことにより生じる振動が吸収され、その振動が第2定盤8に伝わることを抑制することができる。なお、本実施形態においては、第1駆動機構61の可動子61Aと固定子61Bとの物理的相互作用電磁相互作用によって駆動力が発生し、その可動子61Aと固定子61Bとが協働して駆動力を発生する。本実施形態においては、ローレンツ力電磁力によって、固定子61Bは可動子61Aと反対方向に僅かに移動する。本実施形態においては、相対的な移動量が多い方の部材を、可動子、と称し、相対的な移動量が少ない方の部材を、固定子、と称する。また、本実施形態においては、露光装置EXは、カウンタマス46を所定量だけ変位可能に保持する保持機構47を備えている。保持機構47は、カウンタマス46を所定量だけ変位可能回転可能に保持し、カウンタマス46の所定量以上の回転を抑える。また、アクチュエータを含む保持機構46は、カウンタマス47の位置を調整可能である。本実施形態においては、保持機構47は、ローレンツ力によって駆動するボイスコイルモータ等のアクチュエータを含む。具体的には、保持機構47は、軸部材20側に取り付けられたマグネットユニットを含む可動子47Aと、第2定盤8側に取り付けられたコイルユニットを含む固定子47Bとを有する。保持機構47は、いわゆるトリムモータを含む。本実施形態においては、軸部材20は、第2フランジ42と錘部材22との間に形成された第4フランジ44を有している。可動子47Aは、第2定盤8の上面と対向する第4フランジ44の下面に取り付けられている。固定子47Bは、可動子47Aに対応するように、第2定盤8の上面の所定位置に取り付けられている。可動子47A及び固定子47Bを有するボイスコイルモータを含む保持機構47は、軸部材20を含むカウンタマス46をθX方向に移動可能回転可能である。すなわち、固定子47Bのコイルユニットに電力が供給されると、第4フランジ44に取り付けられている可動子47Aには、θX方向への駆動力が作用する。上述のように、カウンタマス46は、マスクMを保持したマスク保持部材1の回転に伴う反力によって、そのマスク保持部材1とはθX方向に関して反対方向に移動回転する。ここで、例えば走査露光条件によっては、マスク保持部材1がθX方向のみに移動し続ける可能性があり、その場合、カウンタマス46が、基準位置初期位置、中立位置から-θX方向に大きく回転し、その位置が大きくずれる可能性がある。カウンタマス46の軸部材20のθX方向の位置が大きくずれると、例えば、その軸部材20の一部に取り付けられている第1駆動機構61のアクチュエータボイスコイルモータの制御性が劣化する等、制御性に影響を与える可能性がある。そこで、制御装置6は、カウンタマス46が基準位置から所定量以上に回転したとき、換言すれば、カウンタマス46と支持部材21あるいはマスク保持部材1とのθX方向の相対位置が許容値以上にずれたとき、保持機構47のボイスコイルモータを駆動し、軸部材20を含むカウンタマス46のθX方向の位置を、例えば基準位置に戻すように調整補正する。ここで、保持機構47のボイスコイルモータの駆動は、例えば基板交換時、第1のショット領域を露光した後とその次の第2のショット領域を露光する前との間の時等、露光動作中以外の所定のタイミングで実行可能である。また、本実施形態においては、保持機構47は、走査露光中第1駆動機構61によるマスク保持部材1の回転中においても、カウンタマス46を所定量だけ変位可能なように、駆動力を発生し、カウンタマス46を柔らかく保持している。換言すれば、保持機構47は、第1駆動機構61によるマスク保持部材1の回転中においても、カウンタマス46の所定量以上の回転を抑えることができる範囲内で、カウンタマス46を柔らかく保持するように、駆動力を発生している。保持機構47を設けず、カウンタマス46がθX方向に回転自在な場合、第1駆動機構61のアクチュエータによるマスク保持部材1のθX方向への推力制御を良好に行うことができなくなる可能性がある。そこで、本実施形態においては、走査露光中第1駆動機構61によるマスク保持部材1の回転中においても、保持機構46がカウンタマス46を所定量だけ変位可能な範囲内で柔らかく保持することによって、上述の不具合の発生を抑制する。また、走査露光開始時、あるいはキャリブレーション動作時等において、軸部材20を含むカウンタマス46のθX方向の位置を基準位置に配置したい場合がある。そのような場合、制御装置6は、保持機構47のアクチュエータを用いて、カウンタマス46のθX方向の位置を調整することができる。次に、マスクMを交換する交換システム64について説明する。図8A及び8Bは、マスクMを交換する交換システム64を示す図である。図8A及び8Bにおいて、露光装置EXは、マスク保持部材1に対してマスクMを交換する交換システム64を備えている。上述のように、マスク保持部材1は、マスクMを着脱可能に保持し、制御装置6は、交換システム64を用いて、マスク保持部材1に対してマスクMを交換可能である。交換システム64は、マスク保持部材1に設けられ、マスクMを保持面26に対して着脱可能に吸着する吸着機構25と、マスクMをマスク保持部材1と所定位置例えばマスクMを収容可能な収容装置との間で搬送する搬送装置65とを含む。本実施形態においては、搬送装置65は、マスクMのうち、マスク保持部材1の保持面26と対向する-X側の側面MSとは反対側のX側の側面MSを吸着して保持する保持面を有するアーム部材66を備えている。搬送装置65は、アーム部材66でマスクMの側面MSを保持して移動可能である。図8Aは、搬送装置65がマスクMをマスク保持部材1に取り付けている状態ロードしている状態を示す図である。図8Aに示すように、搬送装置65は、アーム部材66を用いて、マスクMのX側の側面MSを保持した状態で、軸部材20の一端側X側から、軸部材20及びマスク保持部材1の突出部28に挿入するように、マスク保持部材1に対してマスクMをロード搬入する。図8Bに示すように、マスク保持部材1は、保持面26で、マスクMの-X側の側面MSを吸着して保持する。マスク保持部材1がマスクMを保持した後、搬送装置65のアーム部材66は、マスク保持部材1に保持されたマスクMから退避する。また、マスク保持部材1に保持されているマスクMをマスク保持部材1からアンロード搬出する場合には、搬送装置65のアーム部材66が、軸部材20の一端側X側から、マスク保持部材1に保持されているマスクMのX側の側面MSに接近し、マスクMのX側の側面MSを吸着して保持する。アーム部材66がマスクMを保持すると、マスク保持部材1によるマスクMの保持が解除される。搬送装置65のアーム部材66は、マスクMを保持した状態で、軸部材20及びマスク保持部材1の突出部28からマスクMを引き抜くように、X側に移動する。これにより、マスクMは、搬送装置65によって、マスク保持部材1から取り外される。このように、搬送装置65及び吸着機構25を含む交換システム64は、軸部材20の一端側X側から、軸部材20及びマスク保持部材1の少なくとも一部に挿脱させるように、マスク保持部材1へのマスクMの搬入及びマスク保持部材1からのマスクMの搬出の少なくとも一方を実行可能である。次に、マスクMの位置情報を取得可能な第1検出システム5Aについて説明する。図9は、第1検出システム5Aを説明するための模式図である。第1検出システム5Aは、マスクMを介した光を検出し、その検出結果に基づいて、マスクMの位置情報、ひいてはパターンMPに関する位置情報を取得する。本実施形態においては、第1検出システム5Aは、エンコーダシステム51及びフォーカスレベリング検出システム52を含む。エンコーダシステム51及びフォーカスレベリング検出システム52を含む第1検出システム5Aは、マスクMパターンMPのX軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向の位置情報を取得可能である。エンコーダシステム51は、外周面パターン形成面MFの周方向におけるマスクMのパターンMPの位置情報、及び中心軸J方向X軸方向におけるマスクMのパターンMPの位置情報の少なくとも一方を取得可能である。エンコーダシステム51は、マスクMの回転量回転角度を検出可能である。フォーカスレベリング検出システム52は、中心軸Jと垂直な方向Z軸方向におけるマスクMのパターン形成面MFの位置情報を少なくとも取得可能である。第1検出システム5Aのエンコーダシステム51は、外周面MFのマーク形成領域MBに、パターンMPに対して所定位置関係で形成された位置検出用マークEMを介した光を検出し、その検出結果に基づいて、パターンMPに関する位置情報を取得する。エンコーダシステム51は、光学式エンコーダを含む。図10Aは、マスクMの外周面MFの一部をXY平面上に展開した図、図10Bは、図10Aのマーク形成領域MBの一部を拡大した図である。図10A及び10Bに示すように、マスクMは、外周面MFのマーク形成領域MBにパターンMPに対して所定位置関係で形成され、パターンMPに関する位置情報を取得するためのマークEM、RMを備えている。マーク形成領域MBは、マスクMの外周面MFの中心軸J方向X軸方向の一端側X側及び他端側-X側のそれぞれにおけるパターン形成領域MAの外側に配置されている。パターンMPが形成されたパターン形成領域MAは、中心軸Jを囲むように、外周面MFの周方向に連続的に配置されている。マーク形成領域MBは、パターン形成領域MAに対応するように、中心軸Jを囲むように、外周面MFの周方向に連続的に配置されている。マーク形成領域MBに形成されているマークは、エンコーダシステム51によって検出される位置検出用マークEMと、投影光学系PLの像面側光射出面側に配置される受光装置56によって検出されるアライメントマークRMとを含む。本実施形態においては、検出システム5は、受光装置56も含む。エンコーダシステム51によって検出される位置検出用マークEMは、外周面MFの周方向θX方向におけるパターンMPの位置情報、及び中心軸J方向X軸方向におけるパターンMPの位置情報の少なくとも一方を取得するためのマークである。制御装置6は、エンコーダシステム51を用いて、位置検出用マークEMを介した光を検出して、外周面MFの周方向におけるパターンMPの位置情報、及び中心軸J方向におけるパターンMPの位置情報の少なくとも一方を取得可能である。受光装置56によって検出されるアライメントマークRMは、投影光学系PLを介したパターンMPの像と、投影光学系PLの像面側光射出面側に配置される基板P上のショット領域Sとの位置関係に関する情報を取得するためのマークである。制御装置6は、受光装置56を用いて、アライメントマークRMを介した光を検出して、パターンMPの像とショット領域Sとの位置関係に関する情報を取得可能である。エンコーダシステム51によって検出される位置検出用マークEMは、外周面MFの周方向に連続的に形成されている。受光装置56によって検出されるアライメントマークRMは、外周面MFの周方向に断続的に形成されている。マークEM、RMはそれぞれ複数形成されている。マークEM、RMは、複数のパターンMPのそれぞれに対応するように形成されている。エンコーダシステム51によって検出される位置検出用マークEMは、所定方向に沿って複数形成されたラインパターンラインアンドスペースパターンを含む。図10Bに示すように、位置検出用マークEMは、X軸方向を長手方向とし、外周面MFの周方向θX方向に沿って所定ピッチで複数形成されたラインパターンと、θX方向図10A及び10Bの展開図においてはY軸方向を長手方向とし、X軸方向に沿って所定ピッチで複数形成されたラインパターンとを含む。これらラインパターンは、エンコーダシステム51によって検出されるスケール回折格子として機能する。以下の説明においては、X軸方向を長手方向とし、外周面MFの周方向θX方向に沿って所定ピッチで複数形成されたラインパターンを含むマーク群ライン群を適宜、第1マークEM1、と称し、θX方向を長手方向とし、X軸方向に沿って所定ピッチで複数形成されたラインパターンを含むマーク群ライン群を適宜、第2マークEM2、と称する。第1マークEM1は、中心軸Jを囲むように、外周面MFの周方向に所定ピッチで配置された複数のラインパターンを含む。第2マークEM2は、X軸方向に所定ピッチで配置され、中心軸Jを囲むように外周面MFの周方向に沿って形成された複数のラインパターンを含む。これら第1マークEM1及び第2マークEM2は、パターン形成領域MAの両側の2つのマーク形成領域MBのそれぞれに形成されている。図9に示すように、エンコーダシステム51は、第1マークEM1及び第2マークEM2のそれぞれに対応するように配置されている。本実施形態においては、エンコーダシステム51は、X側のマーク形成領域MBの第2マークEM2を検出する第1エンコーダ51Aと、X側のマーク形成領域MBの第1マークEM1を検出する第2エンコーダ51Bと、-X側のマーク形成領域MBの第1マークEM1を検出する第3エンコーダ51Cと、-X側のマーク形成領域MBの第2マークEM2を検出する第4エンコーダ51Dとを備えている。これら第1、第2、第3、第4エンコーダ51A、51B、51C、51Dは、光学式エンコーダである。第1エンコーダ51A及び第4エンコーダ51Dのそれぞれは、第2マークEM2を検出することによって、中心軸J方向X軸方向におけるマスクMの位置情報、ひいてはパターンMPの位置情報を検出することができる。第2エンコーダ51B及び第3エンコーダ51Cのそれぞれは、第1マークEM1を検出することによって、外周面MFの周方向θX方向におけるマスクMの位置情報を検出することができる。第1、第2、第3、第4エンコーダ51A、51B、51C、51Dそれぞれの検出結果は、制御装置6に出力される。制御装置6は、各エンコーダ51A、51B、51C、51Dの検出結果に基づいて、マスクMのパターンMPの位置情報を取得することができる。本実施形態においては、制御装置6は、第1エンコーダ51A及び第4エンコーダ51Dの少なくとも一方の検出結果に基づいて、外周面MFをXY平面上に展開した状態におけるパターンMPのX軸方向における位置情報を取得可能である。また、制御装置6は、第2エンコーダ51B及び第3エンコーダ51Cの少なくとも一方の検出結果に基づいて、外周面MFをXY平面上に展開した状態におけるパターンMPのY軸方向すなわち外周面MFの周方向における位置情報を取得可能である。また、制御装置6は、第2エンコーダ51B及び第3エンコーダ51Cの両方の検出結果に基づいて、外周面MFをXY平面上に展開した状態におけるパターンMPのθZ方向における位置情報を取得可能である。図11は、第2エンコーダ51Bを示す模式図である。第2エンコーダ51Bは、第1マークEM1が形成されたマーク形成領域MBに検出光を投射する投光装置501と、マスクMのマーク形成領域MBに投射され、そのマスクMのマーク形成領域MBを介した検出光を受光可能な受光装置502とを備えている。本実施形態においては、第2エンコーダ51Bは、投光装置501からマーク形成領域MBに投射され、そのマーク形成領域MBで反射した検出光を受光装置502で受光する。第2エンコーダ51Bは、投光装置501よりレーザ光を第1マークEM1回折格子に投射し、このレーザ光を用いた干渉現象によって、第1マークEM1を検出する。第1マークEM1の各ラインパターンは所定ピッチで形成されており、マスクMが回転すると、投光装置501から投射される検出光の照射領域には、ライン部分と非ライン部分とが交互に配置され、受光装置502の受光状態が変動する。これにより、第2エンコーダ51Bは、受光装置502の受光結果に基づいて、マスクMの回転方向の位置回転量、回転角度を求めることができる。また、投光装置501の発光素子を複数設け、それら各発光素子による検出光の照射領域を、マーク形成領域MBの周方向において所定間隔例えば各ラインパターンのピッチの1/4程度で形成するとともに、各発光素子照射領域に対応するように、受光装置502の受光素子を複数設けることよって、第2エンコーダ51Bは、各受光素子の受光結果に基づいて、マスクMの回転方向を検出することができる。また、第2エンコーダ51Bは、単位時間当たりに検出した各ラインパターンの数と、既知であるラインパターンのピッチとに基づいて、マスクMの回転速度を検出することができる。なお、図11を用いた説明においては、第2エンコーダ51B及びその第2エンコーダ51Bに対応する第1マークEM1を例にして説明したが、第2エンコーダ51B以外の他のエンコーダ51A、51C、51D及びそれらエンコーダ51A、51C、51Dに対応する各マークEM1、EM2も同等の構成を有する。また、本実施形態においては、基板Pの所定の一次元方向Y軸方向への移動と同期して、マスクMの外周面MFが中心軸Jを回転軸として回転されつつ、複数のパターンMPの像が基板P上に順次形成される。そして、本実施形態においては、マスクMは、基板Pの移動と同期して外周面MFが回転する際の回転開始位置に関する情報を取得するためのマークEMSを備えている。以下の説明においては、基板Pの移動と同期して外周面MFが回転する際の回転開始位置に関する情報を取得するためのマークEMSを適宜、回転開始位置マークEMS、と称する。図12は、回転開始位置マークEMSが形成されているマスクMの外周面MFの近傍をXY平面上に展開した図である。図12及び図10Bに示すように、回転開始位置マークEMSは、マスクMのマーク形成領域MBに形成されている。回転開始位置マークEMSは、マスクMの外周面MFの周方向において一箇所に形成されている。図12及び図9に示すように、第1検出システム5Aのエンコーダシステム51は、回転開始位置マークEMSを検出する第5エンコーダ51Sを備えている。第5エンコーダ51Sは、第1~第4エンコーダ51A~51Dと同等の構成を有し、回転開始位置マークEMSが形成されたマーク形成領域MBに検出光を投射する投光装置と、マスクMのマーク形成領域MBに投射され、そのマスクMのマーク形成領域MBを介した検出光を受光可能な受光装置とを備えている。マスクMが回転し、第5エンコーダ51Sの投光装置から投射される検出光の照射領域に回転開始位置マークが配置されると、受光装置の受光状態が変動する。これにより、第5エンコーダ51Sは、受光装置の受光結果に基づいて、基板Pの移動と同期してマスクMが回転する際のマスクMの回転開始位置を検出できる。このように、第1検出システム5Aは、回転開始位置マークEMSを介した検出光を検出して、基板Pの移動と同期してマスクMが回転する際の回転開始位置に関する情報を取得可能である。制御装置6は、第5エンコーダ51Sを含む第1検出システム5Aの検出結果に基づいて、マスク駆動装置2を制御して、マスク保持部材1に保持されているマスクMの位置を、基板Pの移動と同期して回転する際の回転開始位置に設定することができる。本実施形態においては、回転開始位置マークEMSは、エンコーダシステム51がマスクMの回転方向における位置を検出する際の基準位置基準マークとして機能する。第1検出システム5Aのフォーカスレベリング検出システム52は、中心軸Jと垂直な方向Z軸方向におけるマスクMのパターン形成面MFの位置情報を取得可能である。フォーカスレベリング検出システム52は、マスクMのパターン形成面MFのうち、照明系ILによって露光光ELが照射される領域すなわち照明領域IAにおける位置情報を取得可能である。上述のように、本実施形態においては、マスクMのパターン形成面MFの最下部BTが露光光ELで照明され、フォーカスレベリング検出システム52は、その最下部BTの位置情報を取得する。本実施形態においては、マスクMの位置情報を取得するためのフォーカスレベリング検出システム52は、斜入射方式のフォーカスレベリング検出システムを含む。図9に示すように、フォーカスレベリング検出システム52は、マスクMのパターン形成面MFに斜め方向から検出光を投射する投光装置52Aと、マスクMのパターン形成面MFに投射され、そのマスクMのパターン形成面MFで反射した検出光を受光可能な受光装置52Bとを有している。また、本実施形態においては、フォーカスレベリング検出システム52は、例えば特開平11-045846号公報に開示されているように、複数の検出光光束を投射可能な投光装置52Aを有し、マスクMのパターン形成面MFの複数の所定位置のそれぞれに検出光を照射可能である。本実施形態においては、フォーカスレベリング検出システム52は、投光装置52Aを用いて、マスクMのパターン形成面MFの最下部BTの近傍の複数の所定位置のそれぞれに検出光を照射する。フォーカスレベリング検出システム52は、マスクMのパターン形成面MFに投光装置52Aより射出した検出光を照射するとともに、そのパターン形成面MFを介した検出光を受光装置52Bで検出し、その検出結果に基づいて、パターン形成面MFの面位置情報を取得する。フォーカスレベリング検出システム52の検出結果受光装置52Bの受光結果は、制御装置6に出力される。制御装置6は、受光装置52Bの受光結果に基づいて、マスクMのパターンMPの位置情報パターンMPが形成されたパターン形成面MFの位置情報を取得することができる。本実施形態においては、制御装置6は、パターン形成面MFの最下部BT又はその近傍に照射された検出光を受光した受光装置52Bの受光結果に基づいて、パターン形成面MFをXY平面上に展開した状態におけるパターンMPのZ軸方向における位置情報を取得可能である。また、制御装置6は、パターン形成面MFの最下部BT又はその近傍を含む所定領域の複数の所定位置のそれぞれに照射された複数の検出光のそれぞれを受光した受光装置52Bの受光結果に基づいて、パターン形成面MFをXY平面上に展開した状態におけるパターンMPのθX方向における位置情報、及びθY方向における位置情報を取得することができる。このように、本実施形態においては、制御装置6は、エンコーダシステム51の検出結果に基づいて、パターン形成面MFをXY平面上に展開した状態におけるパターンMPのX軸、Y軸、及びθZ方向における位置情報を取得可能であり、フォーカスレベリング検出システム52の検出結果に基づいて、パターン形成面MFをXY平面上に展開した状態におけるパターンMPのZ軸、θX、及びθY方向における位置情報を取得可能である。すなわち、本実施形態においては、エンコーダシステム51及びフォーカスレベリング検出システム52を含む第1検出システム5Aは、パターンMPのX軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向の位置情報を取得可能である。次に、基板保持部材3及び基板駆動装置4について説明する。図13は、基板保持部材3及び基板駆動装置4の近傍を示す図である。基板駆動装置4は、エアベアリングによって第3定盤9の上面に対して非接触支持されているベース部材4Bを第3定盤9上でX軸、Y軸、及びθZ方向に移動することによって、そのベース部材4B上に搭載されている基板保持部材3をX軸、Y軸、及びθZ方向に移動可能な第1駆動系4Hと、ベース部材4Bに対して基板保持部材3をZ軸、θX、及びθY方向に移動可能な第2駆動系4Vとを備えている。第1駆動系4Hは、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含み、第3定盤9に非接触支持されているベース部材4BをX軸、Y軸、及びθZ方向に駆動可能である。第2駆動系4Vは、ベース部材4Bと基板保持部材3との間に設けられた、例えばボイスコイルモータ等のアクチュエータと、各アクチュエータの駆動量を計測する不図示の計測装置エンコーダなどとを含む。図13に示すように、基板保持部材3は、少なくとも3つのアクチュエータによってベース部材4B上に支持されている。アクチュエータのそれぞれは、ベース部材4Bに対して基板保持部材3をZ軸方向に独立して駆動可能である。制御装置6は、3つのアクチュエータそれぞれの駆動量を調整することによって、ベース部材4Bに対して基板保持部材3を、Z軸、θX、及びθY方向に駆動する。このように、第1、第2駆動系4H、4Vを含む基板駆動装置4は、基板保持部材3を、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向に移動可能である。制御装置6は、基板駆動装置4を制御することによって、基板保持部材3に保持された基板Pの表面のX軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向に関する位置を制御可能である。次に、基板Pの位置情報を取得可能な第2検出システム5Bについて説明する。図13において、第2検出システム5Bは、基板保持部材3に設けられた計測ミラーを用いて基板保持部材3ひいては基板PのX軸、Y軸、及びθZ方向に関する位置情報を取得可能なレーザ干渉計システム53と、基板保持部材3に保持されている基板Pの表面の面位置情報Z軸、θX、及びθY方向に関する位置情報を取得可能なフォーカスレベリング検出システム54とを含む。フォーカスレベリング検出システム54は、例えば特開平8-37149号公報対応する米国特許第6327025号に開示されているような、斜入射方式のフォーカスレベリング検出システムを含み、基板Pの表面に斜め方向から検出光を投射する投光装置54Aと、基板Pの表面に投射され、その基板Pの表面で反射した検出光を受光可能な受光装置54Bとを有している。なお、フォーカスレベリング検出システム54は、静電容量型センサを用いた方式のものを採用してもよい。制御装置6は、レーザ干渉計システム53及びフォーカスレベリング検出システム54を含む第2検出システム5Bの検出結果に基づいて、基板駆動装置4を駆動し、基板保持部材3に保持されている基板Pの位置を制御する。このように、本実施形態においては、制御装置6は、レーザ干渉計システム53の検出結果に基づいて、基板Pの表面のX軸、Y軸、及びθZ方向における位置情報を取得可能であり、フォーカスレベリング検出システム52の検出結果に基づいて、基板Pの表面のZ軸、θX、及びθY方向における位置情報を取得可能である。すなわち、本実施形態においては、レーザ干渉計システム53及びフォーカスレベリング検出システム54を含む第2検出システム5Bは、基板PのX軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向の位置情報を取得可能である。次に、上述した構成を有する露光装置EXを用いて基板Pを露光する方法について、図14のフローチャート図、及び図15、図16、図17の模式図を参照して説明する。露光シーケンスが開始され、マスクMがマスク保持部材1にロードされ、基板Pが基板保持部材3にロードされるとステップSA1、制御装置6は、所定の計測処理を開始する。例えば、制御装置6は、基板Pを保持した基板保持部材3に関する計測処理を開始する。本実施形態においては、計測処理には、アライメントシステム55を用いた検出動作が含まれる。制御装置6は、基板駆動装置4を用いて基板Pを保持した基板保持部材3をXY方向に移動し、図15に示すように、アライメントシステム55の検出領域に、基板保持部材3上の基準マークFMを配置する。そして、制御装置6は、レーザ干渉計システム53を用いて、基板保持部材3のX軸方向及びY軸方向の位置情報を計測しつつ、アライメントシステム55を用いて、基板保持部材3上に設けられた基準マークFMを検出するステップSA2。これにより、制御装置6は、レーザ干渉計システム53によって規定される座標系内における基板保持部材3上の基準マークFMのX軸方向及びY軸方向に関する位置情報を求めることができる。また、制御装置6は、レーザ干渉計システム53を用いて、基板Pを保持した基板保持部材3のX軸方向及びY軸方向の位置情報を計測しつつ、図16に示すように、アライメントシステム55を用いて、基板P上に設けられた所定数のアライメントマークAMを検出するステップSA3。これにより、制御装置6は、レーザ干渉計システム53によって規定される座標系内における各アライメントマークAMのX軸方向及びY軸方向に関する位置情報を求めることができる。制御装置6は、ステップSA3で求めた、基板P上の各アライメントマークAMの位置情報に基づいて、アライメントシステム55の検出基準位置に対する、基板P上の複数のショット領域S1~S26のそれぞれの位置情報を演算処理によって求めるステップSA4。基板P上の複数のショット領域S1~S26のそれぞれの位置情報を演算処理によって求める際には、例えば特開昭61-44429号公報に開示されているような、いわゆるEGAエンハンスドグローバルアライメント方式を用いて求めることができる。これにより、制御装置6は、アライメントシステム55を用いて、基板P上のアライメントマークAMの検出を行い、レーザ干渉計システム53で規定されるXY座標系内における基板P上に設けられた複数のショット領域S1~S26それぞれの位置座標配列座標を決定することができる。すなわち、制御装置6は、レーザ干渉計システム53で規定されるXY座標系内において、アライメントシステム55の検出基準位置に対して、基板P上の各ショット領域S1~S26がどこに位置しているのかを知ることができる。制御装置6は、エンコーダシステム51を用いて、マスク保持部材1に保持されたマスクMの位置情報を検出するとともに、レーザ干渉計システム53を用いて、基板Pを保持した基板保持部材3の位置情報を計測しつつ、基板保持部材3に設けられた受光装置56を用いて、マスクMに設けられているアライメントマークRMの像投影像、空間像を検出するステップSA5。すなわち、制御装置6は、図17に示すように、投影光学系PLと基板保持部材3上の開口56Kとを対向させた状態で、マスクMに設けられているアライメントマークRMを露光光ELで照明する。これにより、マスクMに設けられているアライメントマークRMの空間像は、投影光学系PLを介して開口56Kを含む基板保持部材3の上面3Fに投影され、基板保持部材3に設けられている受光装置56は、マスクMに設けられているアライメントマークRMの空間像を検出することができる。これにより、制御装置6は、レーザ干渉計システム53によって規定される座標系内における空間像投影像のX軸方向及びY軸方向の位置を、基板保持部材3に設けられた受光装置56開口56Kを用いて求めることができる。また、受光装置56でアライメントマークRMの空間像を計測しているときのマスクMの位置情報は、エンコーダシステム51によって検出される。エンコーダシステム51は、位置検出用マークEM第1マークEM1を検出することによって、基準マーク回転開始位置マークRMSを基準としたアライメントマークRMの位置情報、ひいてはパターンMPの位置情報を検出する。すなわち、制御装置6は、エンコーダシステム51の検出結果に基づいて、基準マーク回転開始位置マークRMSに対して、マスクM上の各パターンMPがどこに位置しているのかを知ることができる。マスクMのパターンMPとアライメントマークRMとは、所定の位置関係で形成されており、基板保持部材3上の基準マークFMと開口56K受光装置56との位置関係も既知である。また、検出システム5のエンコーダシステム51の検出値とレーザ干渉計システム53の検出値とは対応付けられている。したがって、制御装置6は、ステップSA5の検出結果に基づいて、レーザ干渉計システム53によって規定される座標系内での所定の基準位置とマスクMのパターンMPの像の投影位置との関係を導出することができるステップSA6。制御装置6は、ステップSA4で求めた、レーザ干渉計システム53によって規定される座標系内での所定の基準位置と基板P上の各ショット領域S1~S26との位置関係所定の基準位置に対するショット領域S1~S26の配列情報、及びステップSA6で求めた、レーザ干渉計システム53によって規定される座標系内での所定の基準位置とマスクMのパターンMPの像の投影位置との関係に基づいて、レーザ干渉計システム53によって規定される座標系内でのマスクMのパターンMPの像の投影位置と、基板P上の各ショット領域S1~S26との関係を導出するステップSA7。このように、本実施形態においては、制御装置6は、マスクMのアライメントマークRMを介した光を受光装置56で検出して、マスクMのパターンMPの像と基板P上のショット領域S1~S26との位置関係に関する情報を取得することができる。制御装置6は、基板Pの露光を開始するために、レーザ干渉計システム53を用いて、基板Pを保持した基板保持部材3の位置情報ひいては基板P上のショット領域Sの位置情報を計測しつつ、基板駆動装置4を用いて、基板保持部材3に保持されている基板Pを最初の露光開始位置へ移動する。本実施形態においては、制御装置6は、複数のショット領域S1~S26のうち、第1のショット領域S1が投影領域ARの-Y側の近傍に配置されるように、基板保持部材3に保持されている基板Pを移動する。また、制御装置6は、基板Pの露光を開始するために、エンコーダシステム51を用いて、マスク保持部材1に保持されたマスクMの位置情報ひいてはマスクMのパターンMPの位置情報を計測しつつ、マスク駆動装置2を用いて、マスク保持部材1に保持されているマスクMを露光開始位置回転開始位置へ移動する。制御装置6は、第1検出システム5Aの第5エンコーダ51Sを用いて、回転開始位置マークEMSを介した検出光を検出して、基板Pの移動と同期してマスクMを回転する際の回転開始位置に、マスクMを移動回転する。本実施形態においては、制御装置6は、複数6つのパターン形成領域MAのうち、第1のパターン形成領域MAが照明領域IAのY側の近傍に配置されるように、マスク保持部材1に保持されているマスクMを移動するステップSA8。また、制御装置6は、フォーカスレベリング検出システム54の検出結果に基づいて、基板Pの表面露光面と投影光学系PLの像面とが所定の位置関係となるように調整する。また、制御装置6は、フォーカスレベリング検出システム52の検出結果に基づいて、マスクMの最下部BTと投影光学系PLの物体面とが所定の位置関係となるように調整する。マスクMの最下部BTは、投影光学系PLに関して、基板Pの表面と光学的に共役な位置に配置される。制御装置6は、基板駆動装置4を制御して、基板PのY方向への移動を開始するとともに、マスク駆動装置2を制御して、マスクMの-θX方向への移動回転を開始する。基板PのY方向への移動速度、及びマスクMの-θX方向への回転速度角速度のそれぞれが一定となり、第1のショット領域S1のY側の端部が投影領域ARに達すると、制御装置6は、照明系ILから露光光ELを射出する。制御装置6は、マスク駆動装置2及び基板駆動装置4のそれぞれを用いて、マスクMの-θX方向への移動回転と同期して、基板PをY方向に移動しつつ、マスクMのパターンMPを露光光ELで照明し、マスクMのパターンMPの像を投影光学系PLを介して基板P上に投影する。制御装置6は、マスクMを中心軸Jを回転軸として回転しつつ、マスクMのパターンMPを露光光ELで照明する。走査露光時には、投影領域ARにマスクMの一部のパターンMPの像が投影されている状態で、投影光学系PLに対して、マスクMの最下部BTにおけるパターンMPがほぼ-Y方向に速度Vで移動するのに同期して、基板PがY方向に速度βVβは投影倍率で移動する。パターンMPは、マスクMのパターン形成面MFの周方向に沿って複数形成されている。制御装置6は、基板Pのショット領域Sを投影光学系PLの投影領域ARに対してY軸方向に移動するとともに、その基板PのY軸方向への移動と同期して、照明系ILの照明領域IAに対してマスクMのパターン形成面MFをθX方向に移動回転しつつ、露光光ELを照射することによって、投影領域ARに形成されるパターンMPの像で基板P上のショット領域Sを露光する。基板PのY軸方向への移動と同期して、中心軸Jを回転軸としてマスクMを回転しつつ、マスクMのパターンMPを露光光ELで照明することによって、複数のマスクMのパターンMPの像が、基板P上に順次形成されるステップSA9。制御装置6は、検出システム5の第1検出システム5Aを用いて、マスクMパターンMPの位置情報をモニタするとともに、第2検出システム5Bを用いて、基板Pショット領域Sの位置情報をモニタしつつ、マスクM及び基板Pを駆動して、マスクMのパターンMPの像で基板Pを露光する。すなわち、制御装置6は、検出システム5の検出結果に基づいて、マスク駆動装置2及び基板駆動装置4を制御して、マスクMのパターンMPの像を基板P上に形成する際のマスクM及び基板Pの駆動を制御する。具体的には、第1検出システム5Aは、マスクMが回転している状態で、エンコーダシステム51の各エンコーダ51A~51Dの各投光装置501よりマスクMのマーク形成領域MBに検出光を投射し、そのマスクMのマーク形成領域MBを介した検出光を各受光装置502で検出する。また、第1検出システム5Aは、マスクMが回転している状態で、フォーカスレベリング検出システム52の投光装置52AよりマスクMのパターン形成領域MAに検出光を投射し、そのマスクMのパターン形成領域MAを介した検出光を受光装置52Bで検出する。すなわち、第1検出システム5Aは、マスクMが回転している状態で、マスクMを介した検出光を検出し、その検出結果に基づいて、マスクMのパターンMPの6自由度の方向に関する位置情報を取得する。また、第2検出システム5Bは、基板Pが移動している状態で、レーザ干渉計システム53より基板Pを保持した基板保持部材3の計測ミラーに検出光を投射し、その計測ミラーを介した検出光を検出する。また、第2検出システム5Bは、基板Pが移動している状態で、フォーカスレベリング検出システム54の投光装置54Aより基板Pの表面に検出光を投射し、その基板Pの表面を介した検出光を受光装置54Bで検出する。すなわち、第2検出システム5Bは、基板Pが移動している状態で、基板Pを介した検出光を検出し、その検出結果に基づいて、基板Pのショット領域Sの6自由度の方向に関する位置情報を取得する。制御装置6は、第1検出システム5Aを用いて取得した、パターン形成面MFの周方向θX方向を含むマスクMのパターンMPの6自由度に関する位置情報に基づいて、マスクMのパターンMPの像を基板P上に形成する際のマスクMの中心軸J周りθX方向を含む6自由度の方向に関する駆動を制御する。また、制御装置6は、第2検出システム5Bを用いて取得した、基板Pのショット領域Sの6自由度に関する位置情報に基づいて、マスクMのパターンMPを基板P上に形成する際の基板Pの6自由度の方向に関する駆動を制御する。このように、制御装置6は、検出システム5を用いて取得したマスクM及び基板Pの6自由度の方向に関する位置情報に基づいて、マスクM及び基板Pの6自由度の方向に関する位置マスクMと基板Pとの相対位置関係を調整しつつ、基板P上にマスクMを介した露光光ELを照射する。本実施形態においては、マスクMには、パターン形成面MFの周方向に沿って6つのパターンMPが形成されているため、マスクMがほぼ60度回転すると、第1のショット領域S1の露光が終了する。最初に露光すべき第1のショット領域S1に対する走査露光が終了すると、制御装置6は、マスクMを保持したマスク保持部材1及び基板Pを保持した基板保持部材3それぞれの減速を行うことなく、マスクMの-θX方向への回転を継続するとともに、基板PのY方向への移動を継続する。制御装置6は、第1のショット領域S1の-Y側に配置されている第2のショット領域S2の露光を、第1のショット領域S1と同様に行う。制御装置6は、マスクMを保持したマスク保持部材1及び基板Pを保持した基板保持部材3それぞれの減速を行うことなく、マスクMの-θX方向への回転を継続するとともに、基板PのY方向への移動を継続し、第3のショット領域S3及び第4のショット領域S4のそれぞれを連続的に露光する。このように、本実施形態では、制御装置6は、一度の走査で、Y軸方向に配列された1列分のショット領域S1~S4の露光を継続して実行する。第4のショット領域S4の露光が終了すると、制御装置6は、基板保持部材3を減速する。制御装置6は、1枚の基板Pの露光が終了したかどうか、つまり基板P上の全ての露光を終えたかどうかを判断するステップSA10。ここでは、第1~第4のショット領域S1~S4の露光のみを終えたばかりであり、他に露光すべきショット領域が残っている。ステップSA10において、基板P上の全ての露光を未だ終えていないと判断した場合、制御装置6は、レーザ干渉計システム53を用いて、基板Pを保持した基板保持部材3の位置情報ひいては基板P上のショット領域Sの位置情報を計測しつつ、基板駆動装置4を用いて、基板保持部材3に保持されている基板Pを次の露光開始位置へ移動する。本実施形態においては、制御装置6は、複数のショット領域S1~S26のうち、第5のショット領域S5が投影領域ARのY側の近傍に配置されるように、基板保持部材3に保持されている基板Pを移動する。また、制御装置6は、基板Pの露光を開始するために、エンコーダシステム51を用いて、マスク保持部材1に保持されたマスクMの位置情報ひいてはマスクMのパターンMPの位置情報を計測しつつ、マスク駆動装置2を用いて、マスク保持部材1に保持されているマスクMを露光開始位置回転開始位置へ移動する。制御装置6は、第1検出システム5Aの第5エンコーダ51Sを用いて、回転開始位置マークEMSを介した検出光を検出して、基板Pの移動と同期してマスクMを回転する際の回転開始位置に、マスクMを移動回転する。本実施形態においては、制御装置6は、複数6つのパターン形成領域MAのうち、第1のパターン形成領域MAが照明領域IAの-Y側の近傍に配置されるように、マスク保持部材1に保持されているマスクMを移動するステップSA11。本実施形態においては、制御装置6は、基板Pの露光開始位置への移動の少なくとも一部と並行して、マスクMの回転開始位置への移動を実行する。また、制御装置6は、マスクMの回転開始位置への移動中には、マスクMに対する露光光ELの照射を停止する基板Pの露光を一旦停止する。また、ここでは、第1~第4のショット領域S1~S4を露光するために、マスクMは、-θX方向に回転されており、第4のショット領域S4の露光が終了した後、第1~第4のショット領域S1~S4の露光時と同じ方向、すなわち、-θX方向への回転を継続した方が、逆方向、すなわちθX方向に回転した場合に比べて、回転開始位置に素早く到達することができる。マスクM及び基板Pのそれぞれの露光開始位置への移動が完了すると、制御装置6は、マスクMを保持したマスク保持部材1の移動方向回転方向を逆方向に設定するとともに、基板Pを保持した基板保持部材3の移動方向を逆方向に設定するステップSA12。制御装置6は、基板駆動装置4を制御して、基板Pの-Y方向への移動を開始するとともに、マスク駆動装置2を制御して、マスクMのθX方向への移動回転を開始する。基板Pの-Y方向への移動速度、及びマスクMのθX方向への回転速度のそれぞれが一定となり、第5のショット領域S5の-Y側の端部が投影領域ARに達すると、制御装置6は、照明系ILから露光光ELを射出する。制御装置6は、マスクMのθX方向への移動回転と同期して、基板Pを-Y方向に移動しつつ、マスクMのパターンMPを露光光ELで照明し、マスクMのパターンMPの像を投影光学系PLを介して基板P上に投影する。制御装置6は、マスクMを中心軸Jを回転軸として回転しつつ、マスクMのパターンMPを露光光ELで照明する。基板PのY軸方向への移動と同期して、中心軸Jを回転軸としてマスクMを回転しつつ、マスクMのパターンMPを露光光ELで照明することによって、複数のマスクMのパターンMPの像が、基板P上に順次形成されるステップSA9。この場合においても、制御装置6は、検出システム5を用いて取得したマスクM及び基板Pの6自由度の方向に関する位置情報に基づいて、マスクM及び基板Pの6自由度の方向に関する位置マスクMと基板Pとの相対位置関係を調整しつつ、基板P上にマスクMを介した露光光ELを照射する。第5のショット領域S5に対する走査露光が終了すると、制御装置6は、マスクMを保持したマスク保持部材1及び基板Pを保持した基板保持部材3それぞれの減速を行うことなく、マスクMのθX方向への回転を継続するとともに、基板Pの-Y方向への移動を継続する。制御装置6は、第5のショット領域S5のY側に配置されている第6のショット領域S6の露光を、第5のショット領域S5と同様に行う。制御装置6は、マスクMを保持したマスク保持部材1及び基板Pを保持した基板保持部材3それぞれの減速を行うことなく、マスクMのθX方向への回転を継続するとともに、基板Pの-Y方向への移動を継続し、第7、第8、第9、第10のショット領域S7、S8、S9、S10のそれぞれを連続的に露光する。このように、本実施形態では、制御装置6は、一度の走査で、Y軸方向に配列された1列分のショット領域S5~S10の露光を継続して実行する。上述のように、本実施形態においては、マスクMのパターンMPは、パターン形成面MFの周方向に沿って、少なくとも基板Pの走査方向Y軸方向におけるショット領域Sの最大数本実施形態においては6つだけ形成されている。したがって、制御装置6は、マスクMを360度回転一回転することによって、Y軸方向に並んだ1列分のショット領域S5~S10の露光を実行することができる。以下同様に、制御装置6は、Y軸方向に配列された1列のショット領域SS11~S16、S17~S22、S23~S26の露光を終える度に、マスクMの回転方向を逆方向に設定する反転するとともに、基板Pの移動方向を逆方向に設定して、列単位での露光処理を実行するステップSA9~SA12。以上の動作を繰り返し、ステップSA10において、基板P上の全ての露光を終えたと判断した場合、制御装置6は、基板保持部材3に保持されている基板PをアンロードするステップSA13。そして、制御装置6は、次に露光すべき基板Pが有るかどうかを判断するステップSA14。ステップSA14において、露光すべき基板Pが有ると判断した場合、制御装置6は、ステップSA1以降の処理を繰り返す。一方、ステップSA14において、露光すべき基板Pが無いと判断した場合、制御装置6は、露光シーケンスを終了する。以上説明したように、本実施形態においては、上述の1式の条件を満足するように、マスクMが形成されているので、スループットの低下を抑え、基板P上にパターンMPの像を良好に形成することができる。すなわち、例えばマスクMの直径Dが非常に小さく、マスクMの周方向の長さπ×Dが基板Pの最大の長さLに比べて非常に小さい場合、基板P上の複数のショット領域Sを露光するために、例えばマスクMを複数回転させたり、あるいはマスクMの回転方向を頻繁に変化させたりする必要が生じる可能性がある。例えば、マスクMの周方向の長さπ×Dが小さく、パターンMPをパターン形成面MFの周方向に沿って1つだけしか形成できない場合、例えば、ショット領域S5~S10を露光するために、マスクMを6回転させる必要がある。また、パターンMPがパターン形成面MFの周方向に沿って1つだけしか形成されていない場合において、例えば、第5、第16、第17のショット領域S5、S16、S17の順に露光するために、第5のショット領域S5を露光するために、マスクMをθX方向に回転した後、第16のショット領域S16を露光するために、マスクMを-θX方向に回転し、次いで第17のショット領域S17を露光するために、マスクMをθX方向に回転する必要が生じる可能性がある。マスクMを複数回転したり、あるいはマスクの移動方向及び/又は基板の移動方向を頻繁に変化させることによって、振動が発生し、露光精度が劣化する可能性がある。マスクMの移動と同期して基板Pを移動しつつその基板Pを精度良く露光するためには、マスク及び/又は基板の加速終了後、発生した振動が収束し、速度が一定になるまでの待ち時間静定時間を多く確保しなければならない。その場合、露光に寄与しない時間が増えることとなり、スループットが低下する可能性がある。また、ショット領域Sの大きさは、製造しようとするデバイスに応じて変化するが、例えばマスクMの直径Dが非常に小さく、マスクMの周方向の長さπ×Dが基板Pの最大の長さLに比べて非常に小さい場合、マスクMに形成されるパターンMPの大きさ周方向の大きさが制約を受け、例えばY軸方向において所望の大きさを有するショット領域Sを良好に形成できなくなる可能性がある。また、振動抑制等を目的として、マスクMの回転方向が頻繁に変化することを抑えたり、あるいはマスクMを可能な限り等速で回転しつつショット領域Sを露光しようとする場合、マスクMの周方向の長さπ×Dが小さく、マスクMの周方向におけるパターンMPの大きさ及び配置等が制約を受けると、基板P上でのショット領域Sの配置も制約を受け、例えば基板P上のY軸方向におけるショット領域Sどうしの間隔が大きくなってしまったり、形成可能なショット領域Sの数が低減する等、基板P上に無駄な領域が多く形成されてしまう不具合が生じる可能性もある。一方、製造しようとするデバイスショット領域Sの大きさに応じて、マスクMの大きさ直径Dを変更することは、露光精度を維持するための処理が煩雑となったり、複数種類の大きさのマスクMを製造しなければならないことに伴う製造コストの上昇を招く可能性がある。例えば、マスクMの回転軸中心軸Jの位置を変えずに、マスクMの直径Dを変えた場合、投影光学系PLとマスクMとの位置関係、具体的には投影光学系PLの物体面と露光光ELが照射されるマスクMの最下部BTとの位置関係が変動するので、マスクMの大きさが変わる毎に、投影光学系PLの光学特性を変更しなければならない可能性が生じる。また、マスクMの大きさ直径Dを変更し、マスクMの回転軸中心軸Jの位置を変えることによって、投影光学系PLの物体面と露光光ELが照射されるマスクMの最下部BTとの位置関係を維持した場合でも、マスクMの曲率が変わることとなるので、その場合も、投影光学系PLの光学特性を補正しなければならない可能性が生じる。本実施形態においては、1式の条件を満足するように、マスクMが形成されているので、上述の不具合の発生を抑制し、スループットの低下を抑え、基板P上にパターンMPの像を良好に形成することができる。すなわち、マスクMを一回転360度回転するだけで、基板Pの最大の長さLの部分に並んでいる複数6つのショット領域を円滑に露光することができる。また、基板Pの最大の長さL部分以外の部分に並んでいるショット領域例えば第1~第4のショット領域S1~S4を露光する場合においても、マスクMは、一回転することなく、すなわち約240度回転するだけで、振動等の発生を抑えつつ、第1~第4のショット領域S1~S4を円滑に露光することができる。第4のショット領域S4を露光した後には、上述のように、基板Pの露光開始位置への移動の少なくとも一部と並行して、マスクMの回転開始位置への移動を実行することによって、スループットの低下を抑制することができる。また、1式の条件を満足するように、マスクMを形成することによって、マスクMの曲率半径を大きくすることができ、パターンMPの湾曲を低減することができる。また、1式の条件を満足するように、マスクMを形成することによって、マスクMの慣性モーメントを大きくすることができ、マスクMの回転を安定させることができる。また、パターンMPは、マスクMのパターン形成面MFに沿って複数形成されているので、マスクMの移動方向の変化切り換えの回数、及びそのマスクの移動方向の変化に伴う基板Pの移動方向の変化切り換えの回数を抑制しつつ、一度の走査で、複数のパターンMPの像を基板P上に形成することができる。また、パターンMPは、マスクMのパターン形成面MFの周方向に沿って、Y軸方向における基板P上のショット領域Sの最大数だけ形成されているので、マスクMを一回転することによって、Y軸方向に並んだ1列分のショット領域Sの露光を実行することができる。また、本実施形態においては、マスク保持部材1は、マスクMの側面MSを着脱可能に保持するので、例えばスループットの低下を招くことなく、マスクMを円滑に交換することができる。また、マスク保持部材1は、そのマスク保持部材1を回転可能に支持する軸部材20の一端側X側に配置されているので、その軸部材20の一端側からマスク保持部材1にマスクMを円滑にロードできるとともに、マスク保持部材1に保持されているマスクMをその軸部材20の一端側から円滑にアンロードすることができる。また、本実施形態においては、マスクMを保持したマスク保持部材1を6自由度の方向に移動可能なマスク駆動装置2が設けられているので、マスクMの位置の調整を行うことができ、マスクMと基板Pとの位置関係を精確に調整して、マスクMのパターンMPの像で基板Pを良好に露光することができる。また、本実施形態においては、マスクMを保持したマスク保持部材1の移動回転に伴う振動を抑えるためのカウンタマス46を含む防振装置24が設けられている。したがって、振動に起因してマスクMと基板Pとの位置関係が変動することを抑制することができ、振動に起因する露光精度の劣化を抑制することができる。また、本実施形態においては、マスクMを保持するマスク保持部材1は、軸部材20の一端側X側に配置され、その軸部材20の他端側-X側には、錘部材22が配置されている。軸部材20を回転可能に支持する支持部材21は、マスク保持部材1と錘部材22との間に配置されている。錘部材22は、いわゆるバランスウエイトとして機能し、軸部材20の一端側のみに荷重がかかることを抑制している。したがって、偏荷重に起因して、第2ギャップG2、第3ギャップG3、及び第4ギャップG4等が変動したり、軸部材20と支持部材21とが接触することを抑制することができる。したがって、振動の発生を抑制しつつ、軸部材20を円滑に回転することができる。また、本実施形態においては、軸部材20と錘部材22とは一体であるが、軸部材20の他端側に、錘部材22を着脱可能に保持する保持機構を設け、錘部材22を交換可能としてもよい。錘部材22はバランスウエイトとして機能するので、互いに異なる重さの錘部材22を複数用意しておき、使用するマスクMの大きさ重さに応じて、最適な重さの錘部材22を軸部材20の他端側に取り付けるようにしてもよい。なお、マスクMの重さに応じて、錘部材22を省略してもよい。<第2実施形態>次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。上述の第1実施形態においては、1式の条件を満足するように、マスクMが形成されているが、パターン形成面MFにおけるマスクMの直径をD、基板Pの走査方向本実施形態においてはY軸方向における基板Pの最大の長さをL、投影光学系PLの投影倍率をβ、円周率をπとしたとき、β×L/π>D≧β×L/2×π...2の条件を満足するように、マスクMが形成されていてもよい。例えば、上述1式の条件を満足するようにマスクMを形成して、マスクMが大型化する場合には、2式の条件を満足するようにマスクMを形成することによって、スループットの低下の抑制と、露光精度の劣化の抑制とを両立することができる。2式の条件を満足するようにマスクMを形成した場合、例えば基板Pの最大の長さLの部分のショット領域Sを露光するために、マスクMを一回転以上但し二回転以下する必要が生じる可能性があるが、2式の条件を満足するようにマスクMを形成することによって、マスクMの大型化に伴って発生する不具合の抑制と、スループットの低下の抑制と、露光精度の劣化の抑制とのそれぞれを実現することができる。また、D≧β×L/2×πの条件を満足することによって、所望のスループットを維持しつつ、マスクMの小型化に伴う不具合の発生を抑制することができる。すなわち、マスクMが過剰に小型化した場合、所望のスループットが得られなかったり、マスクMの曲率半径が小さくなってパターンMPの湾曲が増大したり、マスクMの慣性モーメントが小さくなってマスクMの回転が不安定になる可能性があるが、2式を満足することによって、そのような不具合の発生を抑制することができる。なお、上述の各実施形態においては、基板PがXY平面内において略円形状である場合を例にして説明したが、基板Pは例えば矩形状長方形状等、円形状以外の形状であってもよい。基板PのXY平面内における形状が円形状以外の形状であっても、基板Pの走査方向Y軸方向における基板Pの最大の長さLに基づいて、1式又は2式の条件を満足するように、マスクMを形成することで、スループットの低下を抑え、基板上にパターンの像を良好に形成することができる。なお、上述の各実施形態においては、マスクとして反射型のマスクを用いているが、透過型のマスクを用いてもよい。その場合、照明系ILは、例えばマスクMの最上部に露光光ELを照明する。そして、マスクMを通過し、マスクMの最下部BTを通過した露光光ELが、投影光学系PLに入射する。なお、上述の各実施形態においては、マスクMは円筒状であるが、円柱状であってもよい。この場合、マスク保持部材1のうち、保持面26よりもX側に突出する突出部28、及び軸部材20の一部が省略される。なお、上述の各実施形態においては、パターンMPは、マスクMのパターン形成面MFの周方向に沿って複数形成されているが、例えば製造しようとするデバイスショット領域Sの大きさ等に応じて、必ずしもマスクMの周方向に沿って複数形成されていなくてもよい。例えばパターンMPが1つであっても、1式又は2式の条件を満足するように、マスクMを形成することによって、スループットの低下を抑え、基板P上にパターンMPの像を良好に形成することができる。なお、上述の各実施形態において、パターンMPは、マスクMの中心軸J方向X軸方向に沿って複数形成されていてもよい。なお、上述の各実施形態において、例えば国際公開第99/49504号パンフレットに開示されているような、液浸法を適用してもよい。すなわち、投影光学系PLと基板Pとの間の露光光ELの光路空間、換言すれば、投影光学系PLの先端の光学素子の像面射出面側の光路空間を液体で満たした状態で、基板P上に、マスクM、投影光学系PL、及び液体を介した露光光ELを照射して、マスクMのパターンMPの像を基板P上に投影するようにしてもよい。また、液浸法を適用する場合には、例えば国際公開第99/49504号パンフレットに開示されているような、基板P上の一部の領域に、投影領域ARを覆うように、投影領域ARよりも大きく且つ基板Pよりも小さい液体の液浸領域を形成する局所液浸方式を採用してもよいし、例えば特開平6-124873号公報、特開平10-303114号公報、米国特許第5,825,043号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行うグローバル液浸方式を採用してもよい。また、液体としては、水純水でもよいし、過フッ化ポリエーテルPFPE、フッ素系オイル等のフッ素系流体、セダー油など、水以外のものであってもよい。また、液浸法を適用する場合には、例えば国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、先端の光学素子の物体面入射面側の光路空間も液体で満たすようにしてもよい。液浸法を適用した露光装置において、投影光学系PLの光学素子最終光学素子などは、例えば石英シリカで形成される。あるいは、光学素子は、フッ化カルシウム蛍石、フッ化バリウム、フッ化ストロンチウム、フッ化リチウム、及びフッ化ナトリウム等のフッ化化合物の単結晶材料で形成されてもよい。あるいは、光学素子は、石英及び蛍石よりも屈折率が高い例えば1.6以上材料で形成してもよい。屈折率が1.6以上の材料としては、例えば、国際公開第2005/059617号パンフレットに開示されるサファイア、二酸化ゲルマニウム等、あるいは、国際公開第2005/059618号パンフレットに開示される塩化カリウム屈折率は約1.75等を用いることができる。さらに、光学素子の表面の一部少なくとも液体との接触面を含む又は全部に、親液性及び/又は溶解防止機能を有する薄膜を形成してもよい。なお、石英は液体との親和性が高く、かつ溶解防止膜も不要であるが、蛍石は少なくとも溶解防止膜を形成することができる。純水よりも屈折率が高い例えば1.5以上の、液浸用の液体としては、例えば、屈折率が約1.50のイソプロパノール、屈折率が約1.61のグリセロールグリセリンといったC-H結合あるいはO-H結合を持つ所定液体、ヘキサン、ヘプタン、デカン等の所定液体有機溶剤、あるいは屈折率が約1.60のデカリンなどが挙げられる。また、液体は、これら液体のうち任意の2種類以上の液体を混合したものでもよいし、純水にこれら液体の少なくとも1つを添加混合したものでもよい。さらに、液体は、純水にH、Cs、K、Cl-、SO42-、PO42-等の塩基又は酸を添加混合したものでもよいし、純水にAl酸化物等の微粒子を添加混合したものでもよい。なお、液浸用液体としては、光の吸収係数が小さく、温度依存性が少なく、投影光学系、及び/又は基板の表面に塗布されている感光材又はトップコート膜あるいは反射防止膜などに対して安定なものであることが好ましい。基板には、液体から感光材や基材を保護するトップコート膜などを設けることができる。なお、上述の各実施形態においては、露光光ELとしてArFエキシマレーザ光を用いているが、マスクMとして反射型マスクを用いる場合、露光光ELとして軟X線EUVを用いてもよい。反射型マスクのパターンMPは、例えば特開平7-153672号公報に開示されているように、EB露光機を用いたEB描画法に基づいて形成可能である。反射型マスクは、石英、セラミックス等の基材上に、Mo、Si等を含む多層膜を形成し、その多層膜上に、Cr、W、Ta等を含むEUVに対して吸収性を有する吸収体パターンを形成することによって、形成可能である。なお、上記各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版合成石英、シリコンウエハ、またはフィルム部材等が適用される。また、基板はその形状が円形に限られるものでなく、矩形など他の形状でもよい。露光装置EXとしては、マスクMの移動と同期して基板Pを移動しつつマスクMのパターンMPの像で基板Pを走査露光するステップアンドスキャン方式の走査型露光装置スキャニングステッパの他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンMPの像で基板Pを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップアンドリピート方式の投影露光装置ステッパにも適用することができる。さらに、ステップアンドリピート方式の露光において、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第1パターンの縮小像を基板P上に転写した後、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第2パターンの縮小像を第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光してもよいスティッチ方式の一括露光装置。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップアンドスティッチ方式の露光装置にも適用できる。また、本発明は、特開平10-163099号公報、特開平10-214783号公報対応米国特許第6341007号、第6400441号、第6549269号及び第6590634号、特表2000-505958号公報対応米国特許第5969441号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたマルチステージ型ツインステージ型の露光装置にも適用できる。更に、例えば特開平11-135400号公報対応国際公開第1999/23692号パンフレット、特開2000-164504号公報対応米国特許第6,897,963号等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び/又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子CCD、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。また、例えば特表2004-519850号公報対応米国特許第6,611,316号に開示されているように、2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、1回の走査露光によって基板上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。なお、法令で許容される限りにおいて、上記各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許などの開示を援用して本文の記載の一部とする。以上のように、露光装置EXは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図18に示すように、マイクロデバイスの機能性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスクレチクルを製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、上述の実施形態に従って、マスクのパターンの像で基板に露光し、露光した基板を現像する基板処理露光処理を含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む205、検査ステップ206等を経て製造される。"