超音波振動を印加して、半導体素子を回路基板に実装するフリップチップ実装方法であって、第1基板と、前記第1基板上に形成された素子部と、前記第1基板上に素子部と電気的に接続して設けられた電極部とを備える半導体素子と、を用意する工程と、第2基板と、前記第2基板上に形成された電気配線部とを備える回路基板を用意する工程と、前記電極部に金属バンプを形成する工程と、前記半導体素子を前記回路基板に対して近接及び離反方向に移動可能なボンディングツールに固定する工程と、前記ボンディングツールを前記回路基板に近接させ、前記金属バンプを前記回路基板上に設けられた前記電気配線部上に載置する工程と、前記ボンディングツールに超音波振動を印加して、前記金属バンプを介して前記半導体素子と前記回路基板を接合する工程とを含み、前記接合前における前記金属バンプは、前記電極部との間における単位面積当たりの接合強度が、前記第1基板と前記電極部との間における単位面積当たりの接合強度より小さくなるよう形成されていることを特徴とするフリップチップ実装方法。前記電極部に金属バンプを形成する工程は、前記金属バンプと同素材の金属線を用意し、前記金属線の先端を加熱して球状部を形成し、前記球状部を前記電極部に押圧しながら超音波振動を印加して前記球状部と前記電極部を接合する工程を含み、前記金属バンプと前記電極部との間における単位面積当たりの接合強度は、当該工程における超音波振動エネルギー、前記球状部を前記電極部に押圧する荷重、接合する時間のいずれか一つ、またはそれらの組み合わせにより調整することを特徴とする請求項1に記載のフリップチップ実装方法。前記電極部と前記金属バンプ間の前記接合前におけるシェア強度は、前記電極部と前記金属バンプ間における接合面積が、前記電極部と前記金属バンプ間における接触面積と等しい場合における、前記電極部と前記金属バンプ間におけるシェア強度の70以下であり、かつ、20以上であることを特徴とする請求項1または2に記載のフリップチップ実装方法。前記電極部と前記金属バンプ間の前記接合前における接合面積が、前記電極部と前記金属バンプ間における接触面積の90以下であり、かつ、10以上であることを特徴とする請求項1または2に記載のフリップチップ実装方法。請求項1乃至4のいずれか1項に記載のフリップチップ実装方法を含む光電変換モジュールの製造方法であって、前記半導体素子は、光電変換部と、該光電変換部と電気的に接続された電極部とが基板上に搭載された光電変換素子であり、前記回路基板は、光ファイバが固定される光ファイバ保持穴が貫通形成された絶縁樹脂製基体と、該光ファイバ保持穴に挿入される前記光ファイバの先端が位置決め固定される素子搭載面に露出して形成された電気配線部とを備える光フェルールであり、前記光電変換部が前記光フェルールの前記素子搭載面における前記光フェルール保持穴の開口位置に固定される、ことを特徴とする光電変換モジュールの製造方法。請求項5に記載の光電変換モジュールの製造方法の後に、前記光ファイバ保持穴に光ファイバを挿入する工程と、前記光電変換素子と光フェルールとの間にアンダーフィル材を充填して硬化するアンダーフィル工程とをさらに備えることを特徴とする光電変換モジュールの製造方法。上記のような超音波接合法においては、電子部品の製造工程、取り扱い、試験時など、アンダーフィル処理前に金属バンプに機械的な衝撃が加わる場合があり、接合強度が劣化したり、金属バンプが欠落し、歩留まり低下の原因となる。そのため、金属バンプと電極端子及び回路パターンの接合強度を強固にすることが望まれる。金属バンプは、半導体チップ上の金属製電極端子と、回路基板上の金属製回路パターンのいずれかに形成される。一方、半導体チップの電極端子や回路基板上の回路パターンは基板上に形成される。しかし、一般に金属間結合に対して、金属と基板の接合強度は原子間力による結合であるため弱くなり易い。これを、図9を参照して説明する。半導体チップ100は第1基板101と、図示しない素子部と、第1基板101上に素子部と電気的に接合して設けられた電極端子102と、電極端子102上に形成された金属バンプ103から構成される。また、半導体チップ100が搭載される回路基板105は、第2基板107と、その表面に形成された金属製の回路パターン106から構成される。第1基板及び第2基板表面には図示しない絶縁層が形成されており、電極端子及び回路基板からの漏れ電流発生を防止する。半導体チップ100は、第1基板101の裏側からボンディングツール104に吸着固定されており、この状態でボンディングツール104から超音波振動を印加すると、超音波振動エネルギーはボンディングツール104から第1基板101、電極端子102を経て、金属バンプ103に伝導する。しかしながら、第1基板101と金属製の電極端子102は接合強度の弱いので、超音波印加時にはこの当接面において滑り現象Sが発生する。このような滑り現象Sが発生すると、ボンディングツール104に印加された超音波振動が金属バンプ103と電極端子102及び回路パターン106の当接面に充分に伝達されないので、半導体チップ100と回路基板105の接合力が不足する。充分な接合強度を得るべく超音波印加時間を長くしたり、超音波振動強度を大きくすると、過度の超音波エネルギーが半導体チップ100の第1基板101と電極端子102の当接面に加わり、滑り現象Sがより顕著となるため、半導体チップ102が損傷するという問題がある。本発明は、上記問題点を解消するためになされたものであり、超音波接合法によるフリップチップ実装において、超音波振動強度を小さく、また超音波印加時間を短くしても金属バンプと半導体チップ及び回路基板の接合強度を強固にすることが可能な超音波フリップチップ実装方法を提供することを目的とする。本発明のフリップチップ実装方法は、1第1基板と、第1基板上に形成された素子部と、第1基板上に素子部と電気的に接続して設けられた電極部とを備える半導体素子を用意する工程と、2第2基板と、第2基板上に形成された電気配線部とを備える回路基板を用意する工程と、3電極部に金属バンプを形成する工程と、4半導体素子を回路基板に対して近接及び離反方向に移動可能なボンディングツールに固定する工程と、5ボンディングツールを回路基板に近接させ、金属バンプを回路基板上に設けられた電気配線部上に載置する工程と、6ボンディングツールに超音波振動を印加して、金属バンプを介して半導体素子と回路基板を接合する工程とを含む。さらに、接合前における金属バンプは、電極部との間における単位面積当たりの接合強度が、第1基板と電極部との間における単位面積当たりの接合強度より小さくなるよう形成されていることを特徴とする。本発明のフリップチップ実装方法において、3電極部に金属バンプを形成する工程は、金属バンプと同素材の金属線を用意し、金属線の先端を加熱して球状部を形成し、球状部を電極部に押圧しながら超音波振動を印加して球状部と電極部を接合する工程を含み、金属バンプと電極部との間における単位面積当たりの接合強度は、当該工程における超音波振動エネルギー、球状部を電極部に押圧する荷重、接合する時間のいずれか一つ、またはそれらの組み合わせにより調整するのが好適である。本発明のフリップチップ実装方法において、電極部と金属バンプ間の接合前におけるシェア強度は、電極部と金属バンプ間における接合面積が、電極部と金属バンプ間における接触面積と等しい場合における、電極部と金属バンプ間におけるシェア強度の70以下であり、かつ、20以上であることが好ましい。本発明のフリップチップ実装方法において、電極部と金属バンプ間の接合前における接合面積が、電極部と金属バンプ間における接触面積の90以下であり、かつ、10以上であることが好ましい。本発明の光電変換モジュールの製造方法は、上記のフリップチップ実装方法において、1半導体素子は、光電変換部と、該光電変換部と電気的に接続された電極部とが基板上に搭載された光電変換素子であり、2回路基板は、光ファイバが固定される光ファイバ保持穴が貫通形成された絶縁樹脂製基体と、該光ファイバ保持穴に挿入される前記光ファイバの先端が位置決め固定される素子搭載面に露出して形成された電気配線部とを備える光フェルールであり、3光電変換部が光フェルールの素子搭載面における光フェルール保持穴の開口位置に固定されることを特徴とする。上記の光電変換モジュールの製造方法は、上記光電変換モジュールの製造方法の後に、1光ファイバ保持穴に光ファイバを挿入する工程と、2電変換素子と光フェルールとの間にアンダーフィル材を充填し、硬化するアンダーフィル工程とをさらに備えていてもよい。本発明のフリップチップ実装方法および光電変換モジュールの製造方法によれば、超音波振動強度を小さく、また超音波印加時間を短くしても、金属バンプと半導体素子及び回路基板の接合強度を強固にすることができるから、工程における歩留まりを向上することができる。以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複説明を省略する。半導体素子図1は、本発明の超音波フリップチップ実装方法に適用可能な半導体素子の一例を示す図である。半導体素子10は第1基板11と、第1基板11上に形成された素子部12と、第1基板11上に素子部12と電気的に接続された電極部13を備える。素子部12及び電極部13は基板の一方の面に集積して設けられているのが好適である。第1基板11は、無機材料であっても、有機材料であっても良い。無機材料である場合としては、半導体素子10が、半導体基板上に素子部が形成された半導体チップである場合や、当該半導体チップがベース基板上に固定された電子部品である場合が想定される。無機材料である第1基板11は、例えば前者の場合には半導体基板でありSiやGaAs等の半導体基板が使用でき、後者の場合にはベース基板でありアルミナや窒化アルミ、窒化シリコン等を用いることができる。第1基板11が有機材料である場合としては、半導体チップがベース基板上に固定された電子部品である場合が想定される。有機材料である第1基板11としては、例えばコスト的に有利なフェノール樹脂やエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などを主体として構成することができる。また、ベース基板は有機材料に無機材料を混合した材料であっても良く、例えばガラスやアルミナのフィラーを混合したエポキシ樹脂を用いれば、基板作製時の体積変化を抑制することができる。なお、超音波振動伝導性の観点からは、無機材料を用いることが好ましい。後に説明するように、超音波振動は第1基板11の裏面に取り付けられるボンディングツールから印加され、表面に形成される金属バンプへと伝導することとなる先出の図9において同様が、この時、半導体素子10が超音波振動に追随して振動可能であることが好ましい。即ち、一般に硬度の近い材料同士は密着力が高いから、硬度の高い無機材料を第1基板11として用いれば、硬度の高い金属製の電極部13との密着力を向上できる。その結果、超音波振動印加時に第1基板11と電極部13の接合面において滑り現象が発生することを防止でき、好適に超音波振動を伝導することができる。さらに、第1基板11が硬度の低い有機材料である場合、超音波振動により微小な形状の変動が生じやすい。つまり、超音波振動に第1基板11が追随できず、超音波振動エネルギーが第1基板11の体積変動に消費されることとなるから、超音波振動が逃げやすい。即ち、硬度の高い無機材料からなる第1基板11を用いれば、好適に超音波振動を伝導することができる。なお、硬度の高いセラミック基板等の無機材料基板では、硬度の低い有機材料基板に対し、一般に超音波振動により基板にクラックが入り易いという問題が指摘される。これは、超音波接合すべき部分後に説明する、電極部13上に形成される金属バンプに十分な超音波振動を与えるために、半導体素子10に大きな超音波振動を加える必要があるためである。しかし、後述するように、本発明によれば第1基板11から超音波接合すべき部分に至るまでに超音波振動が逃げることを防止できるから、半導体素子10に加える超音波振動そのものを小さくできる。即ち、硬度の高い無機材料からなる第1基板11を用いても、基板にクラックが入ることを防止して、超音波接合すべき部分に十分な超音波振動を与えることができる。フリップチップ実装方法図2は、本発明のフリップチップ実装方法の一例を示すフローチャートである。また、図3は半導体素子が光電変換素子例えばVCSEL、フォトダイオード等であり、回路基板が光フェルールである場合における、本発明のフリップチップ実装方法を示す概念図である。以下、この場合を例にとって本発明のフリップチップ実装方法を詳細に説明する。まず、第1基板11と、第1基板11上に形成された素子部12と、第1基板11上に素子部12と電気的に接続して設けられた電極部13とを備える半導体素子10を用意する工程S1。上述のように、半導体素子10としては種々の部材を適用できるが、本実施形態では光電変換素子である場合を例に説明する。図3aに示すように、光電変換素子30は第1基板31、第1基板31上に形成された光電変換部素子部32、第1基板31上に光電変換部32と電気的に接続された電極部33を備える。光電変換素子30は例えばフォトダイオード等の受光素子、VCSEL垂直共心型面発光レーザ等の発光素子である。次に、第2基板と、第2基板上に形成された電気配線部とを備える回路基板を用意する工程S2。回路基板は、半導体素子が実装される電気配線部が表面に露出して設けられていれば良く、種々の電子部材等を適宜適用できる。本実施形態では回路基板として、第2基板である絶縁樹脂により形成された樹脂製基体以下、単に樹脂製基体と称する42の表面に電気配線部44が露出して設けられている光フェルール40を用いる場合を例に説明する。図3bに示すように、光フェルール40は光ファイバが固定される光ファイバ保持穴41が貫通形成された樹脂製基体42からなる。樹脂製基体は絶縁性樹脂により形成されており、例えばフェノール樹脂やエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などを主体として構成することができる。また、両者を混合した材料であっても良く、例えばガラスやアルミナのフィラーを混合したエポキシ樹脂を用いれば、成形工程における寸法変化を抑制できる。光ファイバ保持穴41に挿入される光ファイバの先端が位置決め固定される素子搭載面43には、電気配線部44が露出して形成されている。素子搭載面43に形成された電気配線部44は金属バンプを介して光電変換素子30を搭載可能である。さらに、電気配線部44は素子搭載面43に隣接する交差面45に延出して連続形成されていても良い。このようにすれば、電気配線部44が接触するように上面を他の図示しない回路基板等に実装することで、電気配線部44を介して電気供給や信号取り出しが容易になる。このような光フェルール40は公知の方法により製造可能であり、例えば特開2007-279300に記載されている。次に、図3cに示すように、光電変換素子半導体素子30の電極部33上に金属バンプ34を形成する工程S3。金属バンプ34は、銅、アルミ、金等のメッキによる電極部33上に、金、アルミなどの金属を半球状に突出形成したものである。ここで、金属バンプ34は、電極部33との間における単位面積当たりの接合強度が、第1基板31と電極部33との間における単位面積当たりの接合強度より小さくなるよう形成する。このようにすることで、後に説明する光電変換素子30半導体素子と光フェルール40回路基板とを、金属バンプ34を介して超音波接合する工程S4において、超音波振動印加による金属バンプ34と電極部33との間で生じる摩擦に対し、第1基板31と電極部33の当接面において滑り現象が発生することを防止でき、好適に超音波振動を金属バンプに伝導することができる。また、超音波振動により第1基板31と電極部33の当接面に過度の摩擦が生じることを防止できるから、超音波印加により光電変換素子30が損傷することを防止できる。なお、金属バンプ34と電極部33との接合強度は、一般にシェア強度により評価できる。シェア強度は、金属バンプ34に対し接合面33に平行な力を加え、金属バンプ34が電極部33から欠落する際の力剪断力に対抗し得る強度である。このシェア強度は、例えば特開2004-221617に開示されているように、図4に示した方法により測定する。まず、例えば後述するような公知の方法により、電極部33上に金属バンプ34を形成する。次に、この金属バンプ34が形成された光電変換素子30を専用治具60上に載置する。次に、図4aに示すように、シェアツール61を光電変換素子30の第1基板31の表面に接触するまで硬化させ、図示しないテスタに表面位置を認識させ、所定距離d約0.1~0.2mmだけシェアツール61を上昇させる。次に、図4bに示すように、シェアツール61を水平方向に速度0.3mm/minで移動させ、金属バンプ34に対して横方向から圧力を加えて、金属バンプ34が電極部33から欠落させる。この時シェアツール61が金属バンプ34に加えた水平方向の力がテスタに表示され、シェア強度の測定が完了する。このシェア強度は、金属バンプ34と電極部33との接触面の面積以下、単に接触面積と称するに対する接合面の面積以下、単に接合面積と称するの比率に比例する。これを図5、6を参照して説明する。図5は電極部33上に金属バンプ34を形成し、その後金属バンプ34を電極部33から剥離し、接合部35を撮像して取得される画像の例である。接触面積とは接合部35における金属バンプ34の外周により閉じられた領域の面積図5において、斜線で示した接合面71の面積と空白部72の面積の和である。また、接合面積とは電極部33と金属バンプ34の合金層が形成された領域の面積図5において、斜線で示した接合面71の面積である。図6は、上記接触面積に対する上記接合面の面積の比率と、シェア強度の関係を示すグラフである。金属バンプ34と電極部33の接合強度は、両者の界面において合金層が形成されて接合された領域の面積に比例して大きくなるから、図6に示すように、シェア強度は接触面積に対する接合面積の比率に比例する。ここで、電極部33と金属バンプ34間のシェア強度Q1およびQ2以下、単にQとするは、電極部33と金属バンプ34間における接合面積が接触面積と等しい場合におけるシェア強度Pの70以下であって、かつ、20以上であることが好適である。70以下に設定することで、金属バンプ34に対し十分に超音波振動が伝導されるから、第1基板31が無機材料である場合は勿論、フェノール樹脂やエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂など、基板として一般に用いられる有機材料であっても、金属バンプ34と電極部33との間における接合強度が十分に確保される。一方、上記観点からすれば、金属バンプ34と電気配線部44の超音波接合前における、電極部33と金属バンプ34のシェア強度は小さい方が望ましいといえるが、小さすぎる場合には、超音波接合工程において、金属バンプ34が電極部33から欠落する問題が生じる。そこで、20以上に設定することで、このような問題を解消するのに十分な接合強度を確保できる。即ち、70以下であって、かつ、20以上となるように設定することで、歩留まりの高いフリップチップ実装方法を提供することが可能となる。また、同様に電極部33と金属バンプ34間の接合面積が接触面積の90以下であり、かつ、10以上のも好適である。電極部33と金属バンプ34間の接合面積が接触面積の90である場合、電極部33と金属バンプ34間における接合面積が接触面積と等しい場合におけるシェア強度の70程度となり、同様に電極部33と金属バンプ34間の接合面積が接触面積の20である場合、電極部33と金属バンプ34間における接合面積が接触面積と等しい場合におけるシェア強度の10程度となることが経験的に把握された。このように、シェア強度、接合面積のいずれの指標を用いても、歩留まりの高いフリップチップ実装方法を提供可能な電極部33と金属バンプ34間の接合状態を設定することができる点において、工程における自由度が高まる。なお、電極部33と金属バンプ34間における接合面積が接触面積と等しい場合におけるシェア強度は以下のようにして把握できる。図6に示すように、シェア強度は金属バンプ34と電極部33との接触面積に対する接合面積の比率に比例する。即ち、電極部33と金属バンプ34間における接合面積が接触面積と等しいサンプルを作製して、そのシェア強度を直接測定しても良いし、少なくとも2つのサンプルを作製して、それらのシェア強度Q1及びQ2と、電極部33と金属バンプ34間における接合面積及び接触面積を測定し、その比率R1及びR2を求めて、図6に示したグラフを作成することによって、電極部33と金属バンプ34間における接合面積が接触面積と等しい場合におけるシェア強度Pを算出してもよい。さらに、多数のサンプルを作成し、最小二乗法により図6に示したグラフを近似的に作成するのが好適である。このような条件に適合するように、金属バンプを半導体素子の電極部上に形成する方法として好適な実施の形態を、図7を参照して説明する。図7は半導体素子である光電変換素子30の電極部33上に金属バンプ34を形成する工程図2における工程S3をさらに詳細に説明する図である。図7aに示すように、金属バンプ34形成用治具であるキャピラリ80は超音波振動を印加可能であり、また、貫通孔81を備える。この貫通孔81に金属バンプ34と同素材の金属線82を挿入し、先端を貫通孔81から押し出す。次に、図7bに示すように、金属線82の先端をアーク放電等により加熱して、球状部83を形成する。そして、図7cに示すように、この球状部83を電極部33に押圧しながら超音波振動を印加し、球状部83と電極部33を接合する。最後に、図7dに示すように、キャピラリ80を引き上げ、球状部83から引き離すことによって金属線82を球状部83から切り離し、金属バンプ34の形成が完了する。このとき、接合時にキャピラリ80に印加される超音波振動エネルギーやキャピラリ80から球状部83と電極部33に加えられる押圧荷重、及び超音波振動による押圧接合時間を適宜設定することによって、電極部33と金属バンプ34間のシェア強度は容易に制御され得る。例えば、電極部33が金メッキにより形成され、金属バンプ34及び金属線82として金を用いる場合、超音波出力を100mW、押圧荷重を55g、接合時間を30msに設定すれば、電極部33と金属バンプ34間のシェア強度を、電極部33と金属バンプ34間における接合面積が接触面積と等しい場合におけるシェア強度の65程度に設定することができる。次に、光電変換素子30半導体素子を光フェルール40回路基板に対して近接及び離反方向に移動可能なボンディングツール50に固定する工程S4。図3dに示すように、ボンディングツール50には吸着穴51が貫通形成され、図示しない吸着器に接続されている。この吸着穴51から大気を吸引し、吸引による真空吸着力によって、光電変換素子30はボンディングツール50の下面の開口部に吸着固定される。次に、図3eに示すように、ボンディングツール50を光フェルール40の素子搭載面43に近接させる。そして、光電変換素子30の電極部33に形成された金属バンプ34を光フェルール40の素子搭載面43に設けられた電気配線部44上に載置する工程5。そして、ボンディングツール50に超音波振動を印加して、金属バンプ34を介して光電変換素子30半導体素子と光フェルール40回路基板を接合する工程S6。ボンディングツール50から第1基板31、電極部33を介して超音波振動が金属バンプ34に印加され、その際に生じる摩擦により金属バンプ34と電極部33及び電気配線部44が接合される。図3f以上の説明を総括すると、本発明によるフリップチップ実装方法によれば、半導体素子と回路基板とを、半導体素子上の電極部と回路基板の電気配線部を金属バンプを介して超音波接合する工程において、接合前における金属バンプと電極部との間における単位面積当たりの接合強度が、第1基板と電極部との間における単位面積当たりの接合強度より小さくなるよう形成されていることを特徴としている。これにより、超音波振動印加による金属バンプと電極部との間で生じる摩擦に対し、第1基板と電極部の当接面において滑り現象が発生することを防止でき、超音波振動が当該当接面において逃げることなく、金属バンプに伝導されることとなる。また、超音波振動により第1基板と電極部の当接面に過度の摩擦が生じることを防止できるから、超音波振動により半導体素子が損傷することを防止できる。即ち、超音波振動強度を小さく、また超音波印加時間を短くしても、金属バンプと半導体素子及び回路基板の接合強度を強固にすることができるから、工程における歩留まりを向上することができる。続いて、上記のようにしてフリップチップ実装が完了した光電変換素子30及び光フェルール40を用いて、光電変換モジュールを製造する方法を、図8を参照して説明する。まず、図8aに示すように、フリップチップ実装により接合された光電変換素子30及び光フェルール40を組み立て治具90に固定する。そして、光フェルール40に設けられた光ファイバ保持穴41に光ファイバを挿入し、図8bに示すように、先端を光電変換素子30の素子部32は、受光部又は発光部に位置決めする。光電変換素子30の素子部32が、光フェルール40の光ファイバ保持穴41の、素子搭載面43における開口部に位置するようにフリップチップ実装を行うことで、光ファイバ91を光ファイバ保持穴に挿入するだけで、容易に光ファイバ91の先端を素子部32に位置決めできる。この状態で、図8cに示すように、光ファイバ保持穴41に接着剤を充填硬化して光ファイバを固定する。さらに、接合された光電変換素子30と光フェルール40との間にアンダーフィル材92例えば透明な熱硬化性樹脂を充填硬化してアンダーフィル処理を行い、光電変換モジュール93の製造が完了する。この過程において、光ファイバ97の挿入時などに、金属バンプ34に機械的な衝撃が加わる場合があるが、本発明によるフリップチップ実装方法によれば、光電変換素子30と光フェルール40は強固に接合されているので、金属バンプ34の欠落が抑制される。その結果、歩留まりを向上することができる。本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では半導体素子が光電変換素子例えばVCSEL、フォトダイオード等であり、回路基板が光フェルールである場合について説明したが、半導体素子は基板表面に絶縁膜が形成された半導体基板上に電極部及び素子部を形成した半導体チップである場合の他、半導体チップが絶縁性基板上に搭載された種々の電子部品を適用することもできる。さらに、回路基板も同様に、ベース基板上に電気配線部が形成された構成を備えていれば、本発明における回路基板として適用可能である。また、上記実施形態では半導体素子に設けられた電極部上に金属バンプを形成し、半導体素子をボンディングツールに吸着させた上で回路基板に近接させ、金属バンプを回路基板上に設けられた電気配線部上に載置し、半導体素子側から金属バンプに対して超音波エネルギーを付与する場合を例示したが、回路基板に設けられた電気配線部上に金属バンプを形成し、回路基板をボンディングツールに吸着させた上で半導体素子に近接させ、金属バンプを半導体素子上に設けられた電極部上に載置し、回路基板側から金属バンプに対して超音波エネルギーを付与しても良い。