共振器構造を有する半導体基板上の半導体レーザにおいて、前記共振器構造が、前記共振器構造の両端面に関する対称軸を有し、前記共振器構造の両端面から出射される光出力が等しいことを特徴とする半導体レーザ。前記共振器構造の前記両端面にそれぞれ第1及び第2の出力導波路が接続されており、前記第1及び第2の出力導波路は、前記半導体基板の単一の端面で、前記両端面から出射される第1及び第2の光出力をそれぞれ出力することを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。前記共振器構造の前記両端面は、前記半導体基板の単一の端面に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。半導体基板上の共振器構造を有する半導体レーザにおいて、前記共振器構造の両端面にそれぞれ第1及び第2の出力導波路が接続されており、前記第1及び第2の出力導波路は、前記半導体基板の単一の端面で、前記両端面から出射される第1及び第2の光出力をそれぞれ出力し、前記第1及び第2の出力導波路の前記単一の端面における出力は等しいことを特徴とする半導体レーザ。前記半導体レーザは、発振波長を変えることができる波長可変レーザであることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の半導体レーザ。前記単一の端面からの2つの光出力を合波するための合波器と、前記合波器が合波した光を出力するための第3の出力導波路とをさらに備えることを特徴とする請求項2から5のいずれかに記載の半導体レーザ。前記単一の端面からの2つの光出力を合波するための合波器と、前記合波器が合波した光を出力するための第3の出力導波路とをさらに備え、前記第1及び第2の出力導波路の少なくとも一方に位相制御領域をさらに備えることを特徴とする請求項2又は4に記載の半導体レーザ。請求項1に記載の半導体レーザと、前記両端面から出射される第1及び第2の光出力がそれぞれ光結合する第1及び第2の出力光ファイバとを備えることを特徴とする半導体レーザモジュール。請求項2から5のいずれかに記載の半導体レーザと、前記半導体レーザの前記同一の端面における2つの光出力がそれぞれ入力光として用いられる光回路とを接続したことを特徴とするハイブリット光集積回路。両端面へき開により構成したファブリペローレーザや、共振器中央にλ4シフトを有するDFBレーザのように、半導体レーザの共振器構造が対称の場合、図1の半導体レーザにおける前方光出力と後方光出力は等しく出射される。また、各種非対称構造を導入して前方光出力を大きくしたとしても、後方からの光出力を完全に無くすことは不可能である。このように、半導体レーザでは必ず共振器の両側から光が出力される。後方に出力されてしまう光は、PDを集積して光出力モニタ用として用いることも可能であるが、後方に出力される光の分だけ信号光として用いる前方光出力は低下してしまう。さらには、光通信用光源として最も使われているλ4シフトを有するDFBレーザの場合、非対称構造とすることで単一モード特性が劣化する。良好な単一モード特性を得るためにλ4シフトを共振器中央に配置すると対称構造となるため、前後均等に光が出力され、信号光として用いる前方光出力は低下してしまう。本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、共振器構造を有する半導体基板上の半導体レーザであって、単一モード特性を損なうことなく、光出力の使用割合を増大させることのできる半導体レーザを提供することにある。このような目的を達成するために、本発明の第1の態様は、共振器構造を有する半導体基板上の半導体レーザにおいて、前記共振器構造が、前記共振器構造の両端面に関する対称軸を有し、前記共振器構造の両端面から出射される光出力が等しいことを特徴とする。また、本発明の第2の態様は、第1の態様において、前記共振器構造の前記両端面にそれぞれ第1及び第2の出力導波路が接続されており、前記第1及び第2の出力導波路は、前記半導体基板の単一の端面で、前記両端面から出射される第1及び第2の光出力をそれぞれ出力することを特徴とする。また、本発明の第3の態様は、第1の態様において、前記共振器構造の前記両端面が、前記半導体基板の単一の端面に配置されていることを特徴とする。また、本発明の第4の態様は、半導体基板上の共振器構造を有する半導体レーザにおいて、前記共振器構造の両端面にそれぞれ第1及び第2の出力導波路が接続されており、前記第1及び第2の出力導波路は、前記半導体基板の単一の端面で、前記両端面から出射される第1及び第2の光出力をそれぞれ出力し、前記第1及び第2の出力導波路の前記単一の端面における出力は等しいことを特徴とする。また、本発明の第5の態様は、第1から第4のいずれかの態様において、前記半導体レーザが発振波長を変えることができる波長可変レーザであることを特徴とする。また、本発明の第6の態様は、第2から第5のいずれかの態様において、前記単一の端面からの2つの光出力を合波するための合波器と、前記合波器が合波した光を出力するための第3の出力導波路とをさらに備えることを特徴とする。また、本発明の第7の態様は、第2又は第4の態様において、前記単一の端面からの2つの光出力を合波するための合波器と、前記合波器が合波した光を出力するための第3の出力導波路とをさらに備え、前記第1及び第2の出力導波路の少なくとも一方に位相制御領域をさらに備えることを特徴とする。また、本発明の第8の態様は、第1の態様の半導体レーザと、前記両端面から出射される第1及び第2の光出力がそれぞれ光結合する第1及び第2の出力光ファイバとを備えることを特徴とする半導体レーザモジュールである。また、本発明の第9の態様は、第2から第5のいずれかの態様の半導体レーザと、前記半導体レーザの前記同一の端面における2つの光出力がそれぞれ入力光として用いられる光回路とを接続したことを特徴とするハイブリット光集積回路である。本発明によれば、共振器構造を有する半導体基板上の半導体レーザにおいて、当該共振器構造が、その両端面に関する対称軸を有し、当該両端面から出射される光出力が等しいことにより、単一モード特性を損なうことなく、光出力の使用割合を増大させることのできる半導体レーザを提供することができる。以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。第1の実施形態図2は、本発明の第1の実施形態に係る半導体レーザモジュールを示す図である。共振器構造を有する半導体基板上の半導体レーザと、共振器構造の両端面から出射される第1及び第2の光出力がそれぞれ光結合する第1及び第2の出力光ファイバとを備える。半導体レーザの共振器構造は、共振器構造の両端面に関する対称軸を有し、共振器構造の両端面から出射される光出力が等しい。図面上、半導体レーザの共振器は左右方向に構成されており、第1の端面から出力される第1の光出力は、第1の出力光ファイバに、第2の端面から出力される第2の光出力は第2の出力光ファイバに光学的に結合される。例えば、それぞれ第1のレンズ及び第2のレンズを介して光学的に結合することができる。また、反射光が戻るのを防止するために、半導体レーザと第1又は第2の出力光ファイバとの間にアイソレータ等を挿入してもよい。半導体レーザの例として、InP基板上にGaInAsP多層量子井戸層を有する発振波長1.55μmの単一モードレーザを挙げることができる。DFBレーザにおいて、共振器構造の中央部にλ4位相シフトを配置することで、単一モード特性を良好にし、かつ2つの出力を均等にすることができる。両端面は、端面反射位置により非対称性が生じるのを防止する目的で、ARコートを施すことができる。また、結合係数と共振器長の積κLは例えば1.3とすることができる。半導体レーザの共振器構造がその両端面に関する対称軸を有することで、第1の出力光ファイバと第2の出力光ファイバの光出力を等しくすることができる。例えば、ファブリペローレーザの場合、両端面の端面反射率を等しくすることで対称構造を実現できる。DFBレーザやDBRレーザの場合は、κLの値を共振器前後で同一にすることで対称構造を実現できる。逆に、第1の出力光ファイバと第2の出力光ファイバの光出力に差を設けたい場合には、適切な非対称性を有する共振器構造を用いればよい。DFBレーザを用いた場合、共振器中央部の位相シフトは必ずしもλ4である必要は無い。左右均等出力を得るためには、位相シフト位置を中央にすれば、位相シフト量はλ8や、3λ8等他の位相シフトでも良い。面発光レーザにおいては、共振器は基板垂直方向に形成され、光は基板の上下に出力されるが、出力光ファイバを基板上下に接続することで上記発明を適用可能である。第1の実施形態の半導体レーザモジュールは、図3に示す光回路等の入力光として用いることができる。図3は、ニオブ酸リチウムLiNbO3:LNのマッハツェンダーMZ光変調器の模式図であり、差動4値位相変調DifferentialQuadraturePhaseShiftKeying:DQPSK用の光変調器として用いられる。本発明の半導体レーザモジュールから出力される第1の光出力および第2の光出力は、波長が等しく位相差を安定に保つこと容易である。図3で示されるようなDQPSK用の光変調器の場合、波長が同じで位相差が一定の光を第1のMZ変調器と第2のMZ変調器に導入する必要があるため、通常は一つの入力光を二つに分岐して第1の入力光と第2の入力光として用いる。しかし、本実施形態に係る半導体レーザモジュールを用いれば、半導体レーザの第1及び第2の光出力を、そのまま第1及び第2の入力光として用いることが可能となり、はじめに入力光を分岐するという手順を一段省くことができる。また、半導体レーザの両端面から出力される光を両方とも使うことができるため、光出力を有効に活用することが可能となる。なお、本実施形態に係る半導体レーザモジュールに接続する光回路は、必ずしも一つの光回路に二つの光入力ポートがある必要は無く、例えば、図3の第1のMZ変調器、第2のMZ変調器、及び第3の合波器が別々の基板上に構成されていてもよい。本実施形態に係る半導体レーザモジュールは、図3の光回路だけでなく、波長が同一で、位相差が一定の二つの入力光が必要な光回路に対して有効に使うことができる。第2の実施形態図4は、本発明の第2の実施形態に係る半導体レーザを示す図である。半導体レーザの共振器の両端にそれぞれ出力導波路を設け、光出力を半導体基板の単一の端面から出力させている。半導体レーザとしては、λ/4位相シフトを設けたDFBレーザを用いることができ、κLは例えば1.5とすることができる。第1の出力導波路よりも第2の出力導波路の方が長くなる構成であり、第2の光出力の導波路損失が大きくなる。そこで、位相シフト位置を若干第2の出力導波路の側に寄せることで、第2の出力導波路側への出力が大きくなるようにし、半導体レーザ外に出力される第1の光出力と第2の光出力が等しくなるようにする。位相シフト位置から見た共振器長の比は、第1の出力導波路側が0.52、第2の出力導波路側が0.48である。第1の光出力と第2の光出力を半導体基板の同一方向から出すことで、光出力の方向による制限をなくすことができ、ファイバの引き回し距離を削減することができる。また、出力導波路の間隔を適切に設計することで、1枚のレンズを使用しファイバアレイに結合することも可能となるため、モジュールのコンパクト化や、部品点数の削減が可能となる。第3の実施形態図5は、本発明の第3の実施形態に係る半導体レーザを示す図である。半導体レーザからの出力を半導体基板の単一の端面から取り出し、かつ、半導体レーザの共振器の対称性を保ちつつ、第1の光出力と第2の光出力を等しくするために、半導体レーザと第1及び第2の出力導波路の方位を90度傾ける。これにより、第1の出力導波路と第2の出力導波路を等しくすることが可能となる。第3の実施形態では、半導体レーザとしてλ4位相シフトを中央に設けたDFBレーザを用いることができる。また、半導体基板をペルチェ素子により温度制御可能である。半導体は温度により屈折率が変わるため、回折格子により選択される波長も屈折率変化により変化する。つまり、温度を変えることでDFBレーザの発振波長を変化させることができる。本実施形態の構成であれば、半導体レーザを波長可変レーザとした場合であっても、第1の出力導波路と第2の出力導波路が等長であるため、第1の光出力と第2の光出力の位相差は常に一定となる。波長可変レーザの構造は温度制御型のDFBレーザに限らず、DBRレーザなどの電流注入型の波長可変レーザなどでもよい。また、本実施形態の応用例として、図6のような構成も考えられる。つまり、出力導波路を設けず、共振器構造を構成する導波路自体を曲げることで、共振器構造の両端面からの第1及び第2の光出力を同一方向から出射させることができる。本実施形態の半導体レーザは、単体で光ファイバを二本備えた半導体レーザモジュールとすることも可能であるが、図7に示すような光回路と接続することもできる。図7は、石英導波路による平面光回路PLCであり、第1及び第2の入力導波路と、合波器と、第3の出力導波路とを備える。合波器に入力する第1の入力導波路と第2の入力導波路からの光の位相が反転するように設計することで、半導体レーザからの2つの出力を足し合わせ、第3の出力導波路から出力することができる。これにより、半導体レーザからの両端面からの第1及び第2の光出力を1つの光出力として有効に利用することが可能となる。こうすることによって、DFBレーザの単一モード性の課題は原理上発生しなくなり、エネルギー利用効率が高く、かつ、単一モード性に優れたレーザ光を得ることができる。なお、本実施形態では光回路として石英導波路によるPLCを用いて説明したが、Si導波路等の他材料系、あるいは半導体レーザと同じ材料系で構成された光導波路によるPLCでもよい。つまり、半導体レーザと光回路とを別々に作製し、これを組み合わせるハイブリッド集積であればよい。これにより半導体レーザと光回路それぞれに最適な製造方法を採用でき、また良品のみを選別して集積できることから、半導体レーザモジュールとしての性能を向上させやすい一方で、モジュールとしての歩留まりを向上させることが可能である。第4の実施形態図8は、本発明の第4の実施形態に係る半導体レーザを示す図である。半導体レーザの共振器からの出力が第1及び第2の出力導波路を通り、合波器により合成され第3の出力導波路により出力される。図7で説明した第3の実施形態の適用例を半導体基板上に集積したものと言える。半導体基板上に集積するため結合損失をなくすことができる。また、石英等に比べると屈折率の大きな半導体で作製するため、回路面積を小さくすることができる。本実施形態の半導体レーザは、図8中の合波器の左側、つまり合波器に入力する前で、共振器を構成する必要があり、半導体レーザと合波器は独立している必要がある。また、合波器が合波した光を出力するための出力導波路は1つである必要はなく、例えば図9のように、2つの出力導波路を備える構造としてもよい。第5の実施形態図10は、本発明の第5の実施形態に係る半導体レーザを示す図である。第4の実施形態の第1の出力導波路側に位相制御部を設けた構造となっている。これにより、第1の出力導波路と第2の出力導波路から合波器に入力する光の位相差を制御することができるため、作製誤差等による光路長のずれを補正することが可能となる。また、位相制御部を用いて光の位相を高速に変調することで、第3の出力導波路からの光出力を高速に変調することが可能となり、MZ変調器と同様の効果を得ることができる。位相制御部は第1の出力導波路に設けるだけでなく、第2の出力導波路に設置してもよいし、両方に設けることもできる。このように、本実施形態に係る半導体レーザは、共振器の両端からの光をただ合波するのではなく、マッハツェンダー変調器等の位相制御部を介して変調してから合波することができるため、例えば、DQPSKDifferentialQuadracturePhaseShiftKeying用光変調器を従来型よりも分波器を省略して構成することできる。