"第1の基板を第2の基板に結合するステップであって、前記第1の基板が、前記第2の基板と接触する第1の面と、前記第1の面と反対側の第2の面とを有しているステップ、前記第2の基板および前記第1の基板をキャリアヘッドアセンブリに位置決めするステップであって、前記キャリアヘッドアセンブリが、前記第2の基板と接触している膨張性膜と、前記膨張性膜の周りに円周方向に配置された支持リングとを含んでいるステップ、ならびに前記第1の基板の前記第2の面の表面粗さを減ずるために、前記第1の基板の前記第2の面を研磨パッドに接触させるステップを含む方法。前記支持リングが、前記膨張性膜の、実質的にすべての横方向の動きは制限するが、前記膨張性膜が垂直方向に動くことは可能にする大きさである、請求項1に記載の方法。前記支持リングと前記キャリアヘッドアセンブリの内部面との間の平均距離が約1000分の10インチより小さい、請求項1に記載の方法。前記キャリアヘッドアセンブリの内部面が基本的に平面からなっている、請求項3に記載の方法。前記第1の基板が、エポキシを用いて前記第2の基板に結合されている、請求項4に記載の方法。前記第1の基板が、シリコン貫通ビアと、前記第1の面の上に形成されたデバイスフィーチャとを含んでいる、請求項5に記載の方法。前記第1の基板の前記第2の面を研磨パッドに接触させる前記ステップの前に、前記第1の基板の厚さを減ずるために前記第1の基板の前記第2の面の一部を除去するステップをさらに含む、請求項6に記載の方法。第1の基板の第1の面を第2の基板に結合するステップ、前記第2の基板および前記第1の基板をキャリアヘッドアセンブリに位置決めするステップであって、前記キャリアヘッドアセンブリが、テクスチャ付きの面を含む、前記第2の基板と接触している膨張性膜と、前記膨張性膜および前記第2の基板の周りに円周方向に配置された支持リングであって、研磨中に前記第1の基板が前記キャリアヘッドアセンブリの内部面に接触しないように前記膨張性膜および前記第2の基板の横方向の動きを減ずるよう位置決めされている支持リングとを含むステップ、ならびに前記第1の基板の第2の面の表面粗さを減ずるために、前記第1の基板の前記第2の面を研磨パッドに接触させるステップを含む方法。前記キャリアヘッドにおける前記膨張性膜の横方向の動きが実質的にない、請求項8に記載の方法。前記支持リングと前記キャリアヘッドアセンブリの内部面との間の平均距離が約1000分の10インチより小さく、前記キャリアヘッドアセンブリの内部面が基本的に平面からなる、請求項9に記載の方法。前記第1の基板の第2の面を研磨パッドに接触させる前記ステップの前に、前記第1の基板の厚さを減ずるために前記第1の基板の前記第2の面の一部を除去するステップをさらに含む、請求項10に記載の方法。第1の基板が、エポキシを用いて前記第2の基板に結合されており、前記支持リングが、前記第2の基板の側壁の少なくとも約25パーセントに接触している、請求項11に記載の方法。前記支持リングが、前記第2の基板の側壁の少なくとも約50パーセントに接触している、請求項12に記載の方法。エポキシを用いて第1の基板の第1の面を第2の基板に結合するステップであって、前記第1の基板の前記第1の面が第2の面の反対側にあり、前記第1の面が、前記第1の面の上に形成されたデバイスフィーチャを有するステップ、前記第2の基板および前記第1の基板をキャリアヘッドアセンブリに位置決めするステップであって、前記キャリアヘッドアセンブリが、前記第2の基板と接触している膨張性膜と、前記膨張性膜および前記第2の基板の周りに円周方向に配置された支持リングであって、前記膨張性膜の実質的にすべての横方向の動きは制限するが、前記膨張性膜が垂直方向に動くことは可能にする大きさである支持リングとを含むステップ、ならびに前記第1の基板の前記第2の面の表面粗さを減ずるために、前記第1の基板を研磨パッドに接触させるステップを含む方法。前記支持リングが、前記第2の基板の側壁の少なくとも約25パーセントに接触しており、前記膨張性膜が、前記第2の基板と接触するテクスチャ付きの面を含む、請求項14に記載の方法。本発明の実施形態は、概して、基板の化学機械研磨のための方法に関する。これらの方法は、概して、研磨される第1の基板をダミー基板に結合するステップと、第1の基板の厚さを減ずるために第1の基板の裏側の一部を除去するステップとを含む。第1の基板およびダミー基板は、膨張性膜と支持リングとを含むキャリアヘッドアセンブリに位置決めされる。第1の基板は、第1の基板の裏側の表面粗さを減ずるために研磨パッドに接触して配置される。支持リングは、第1の基板がキャリアヘッドアセンブリの内部面に接触しないように、膨張性膜の横方向の動きを制限する。この支持リングは、キャリアヘッドアセンブリ内における膨張性膜の垂直方向の動きを可能にする大きさである。本発明の実施形態は、シリコン貫通ビアの用途に有用な基板を処理することに対して有益である。基板の化学機械研磨を行なうための好適な装置は、カリフォルニア州サンタクララのAppliedMaterials,Inc.より入手可能なREFLEXIONLK商標およびREFLEXIONGTCMPシステムである。市販されている他の化学機械研磨システムが、本明細書で開示されている実施形態を有利に利用可能であることが考えられている。図1は、キャリアヘッド本体104を含む研磨ステーション100の一実施形態の部分断面図である。研磨ステーション100は、キャリアヘッドアセンブリ102およびプラテンアセンブリ120を含む。研磨中には、キャリアヘッドアセンブリ102に第1の基板110と第2の基板112が配置されている。キャリアヘッドアセンブリ102は、概して、プラテンアセンブリ120に配置された研磨パッドアセンブリ130に第1の基板110を押し付けて保持する。キャリアヘッドアセンブリ102またはプラテンアセンブリ120の少なくとも一方は、回転するか、そうでない場合には、第1の基板110と研磨パッドアセンブリ130との相対的な動きを提供するように動く。図1に示されている実施形態では、キャリアヘッドアセンブリ102は、軸118周りでの少なくとも回転の動きを基板110に提供するアクチュエータまたはモータ150に結合されている。また、モータ150は、キャリアヘッドアセンブリ102を振動させることができ、それによって基板110は、研磨パッドアセンブリ130の面132にわたって横方向に前後に動く。研磨パッドアセンブリ130は、パッドとしてプラテンアセンブリ120の上に配置される、発砲ポリマーなどの従来の材料を含むことができる。一実施形態では、従来の研磨材料は発砲ポリウレタンである。一実施形態では、このパッドは、デラウェア州ニューアークのRodelInc.より入手可能なIC1010ポリウレタンパッドである。IC1010ポリウレタンパッドは、約2.05mmの厚さと、約2の圧縮率とを通常有する。用いることのできる他のパッドには、下側に追加の圧縮性底部層を有するIC1000パッド、および、下側に追加の圧縮性底部層を有さないIC1000パッド、下側に追加の圧縮性底部層を有するIC1010パッド、ならびに、他のメーカーより入手可能な研磨パッドが含まれる。本明細書で説明される組成物は、基板の化学機械研磨に寄与するために、パッドの上に配置される。一実施形態では、キャリアヘッドアセンブリ102は、基板受容ポケットを画定するキャリアヘッド本体104を含む。この基板受容ポケットは、第1の基板110および第2の基板112が基板受容ポケット内に配置されることを可能にする。基板受容ポケットには膜114が配置されており、この膜114は、第2の基板112をキャリアヘッドアセンブリ102に拘持するchuckために真空にし、第1の基板110が研磨パッドアセンブリ130に押し付けられるとき第1の基板110の下向きの力を調節するように加圧することができる。この膜114は、支持リング106によって円周方向に取り囲まれている。一実施形態では、キャリアヘッドは、マルチゾーンキャリアヘッドでもよい。好適なキャリアヘッドアセンブリ102の1つは、カリフォルニア州サンタクララにあるAppliedMaterials,Inc.より入手可能なTITANHEAD商標キャリアヘッドである。プラテンアセンブリ120は、軸117周りでのプラテンアセンブリ120の回転を円滑にするベアリング156によって、ベース154に支えられている。モータ158は、プラテンアセンブリ120に結合されており、研磨パッドアセンブリ130がキャリアヘッドアセンブリ102に対して動くようにプラテンアセンブリ120を回転させる。組み合わせのスラリ/リンスアームアセンブリ、または、流体送出アームアセンブリ140は、スラリ供給部161からチューブ163を介して研磨パッドアセンブリ130の面132にスラリを送出するために利用される。代替実施形態では、リンス流体および処理流体は、別々の送出アームアセンブリを介して研磨パッドアセンブリ130に供給されてもよい。図1に示されている実施形態では、流体送出アームアセンブリ140は、支柱144から延びているアーム142を含む。モータ146は、支柱144のセンターライン周りでのアーム142の回転を制御するために設けられている。調整装置147は、研磨パッドアセンブリ130の作業面に対する、アーム142の遠位端148の高さを調節するために設けることができる。この調整装置147は、プラテンアセンブリ120に対する、アーム142の遠位端148の高さを調節するためにアーム142または支柱144の少なくとも一方に結合されたアクチュエータでもよい。流体送出アームアセンブリ140は、研磨パッドアセンブリ130の面にリンス流体のスプレーおよび/またはストリームを均一に送出するように構成された複数のリンス放出ポート160を含むことができる。リンス放出ポート160は、流体送出アームアセンブリ140を通っているチューブ162によってリンス流体供給部164に結合されている。一実施形態では、流体送出アームは、12個から15個の間のポートを有することができる。リンス流体供給部164は、相変化合金phasechangealloyを含む基板を研磨する前、間、および/もしくは、後に、ならびに/または、研磨パッドアセンブリ130を洗浄するために基板110が取り除かれた後に、リンス流体を研磨パッドアセンブリ130に供給する。また、研磨パッドアセンブリ130は、ダイヤモンドディスクまたはダイヤモンドブラシ図示せずなどのコンディショニング素子を用いて研磨パッドをコンディショニングした後に、リンス放出ポート160からの流体を用いて洗浄されてもよい。また、研磨ステーション100は、研磨パッドアセンブリ130の状態を維持するためのパッドコンディショナ装置図示せずを含むこともできるため、第1の基板110を効果的に研磨することになる。このパッドコンディショナは、アーム142に結合されていてもよく、または、別のアーム図示せずに結合されていてもよい。アーム142の遠位端にはノズルアセンブリ166が配置されている。ノズルアセンブリ166は、流体送出アームアセンブリ140を通っているチューブ168によって、スラリ供給部161に結合されている。スラリ供給部161は、一般に、任意の処理流体を供給することができる。処理供給流体は、研磨スラリでもよく、または研磨剤でもよい。ノズルアセンブリ166は、アームに対して選択的に調整され得るノズル170を含むため、ノズル170を出る流体を研磨パッドアセンブリ130の特定部分に選択的に送ることができる。一実施形態では、ノズル170は、スラリのスプレーを生成するように構成されている。別の実施形態では、ノズル170は、スラリのストリームを生成するように適合している。別の実施形態では、ノズル170は、約200ml/秒から約500ml/秒の間のレートで、研磨面にスラリのストリームおよび/またはスプレーを供給するように構成されている。図1に示されている実施形態では、第1の基板110は、シリコン貫通ビアの用途に用いられる基板でもよい。第1の基板110は、典型的には約100ミクロン以下の厚さを有する。第1の基板110は、薄く可撓性があるため、支持のために第2の基板112に結合されている。第2の基板は、約2インチの厚さを有することができる。第1の基板110の面にデバイスフィーチャdevicefeatureが形成されている場合には、デバイスフィーチャが2枚の基板の間に配置されるように、例えば、形成されたデバイスフィーチャを有する、第1の基板110の面が、第2の基板112の方を向くように、第1の基板110および第2の基板112は、互いに結合する。このように基板を向けることによって、第1の基板110の上に形成されたデバイスフィーチャは、以降のプロセスの間、保護される。第1の基板110と第2の基板112とを結合する場合、これらの2枚の基板は、エポキシ、または、これらの基板に悪影響を及ぼすことのない任意の他の好適な材料によって、固定して結合することができる。第2の基板112は、一般に、ガラスのダミー基板、すなわち犠牲基板sacrificialsubstrateである。第1の基板110と第2の基板112とを結合された後、第1の基板110の化学機械研磨の前に、第1の基板110の一部を除去することができる。第1の基板110の厚さは、機械研削またはエッチングを用いて減ずることができる。厚さの減少した第1の基板110によって、TSVの用途および積層チップの用途において使用することが可能となる。一般に、第1の基板は、厚さを減ずる前には、第2の基板とほぼ等しい当初の厚さを有する。第1の基板110の厚さを減ずるために用いられるプロセスは、通常、第1の基板の裏側に粗い面を残す。第1の基板110の裏側の表面粗さを減ずるために、化学機械研磨を用いることができる。第1の基板110の厚さが減ることによって、第1の基板110は、可撓性をもち、また脆くなる。そのため、第1の基板110は、第1の基板110の研削および研磨の間、支持の付加手段としての第2の基板112に結合されている。図2Aは、基板処理に用いるための研磨ヘッドアセンブリの概略断面図である。この研磨ヘッドアセンブリは、基板受容ポケットを画定するキャリアヘッド本体204aを有する。この基板受容ポケットは、化学機械研磨プロセスの間、第1の基板210aおよび第2の基板212aを含むように適合している。この基板受容ポケット内には膜214aが配置されている。この膜214aは、可撓性のある弾性膜である。一実施形態では、膜214aは、高強度のシリコンゴムでもよい。膜214aの面213aは、膜214aと第2の基板212aとの間の摩擦を増やすために、一般にテクスチャが付けられている。テクスチャ付きの面213aによってもたらされる摩擦は、第2の基板212a、または、第2の基板212aに結合された第1の基板210aが、キャリアヘッド本体204aの基板受容ポケットに配置されたときに膜214aに対して動くか、またはずれることを防止する。第2の基板212aが膜214aに対して動くか、またはずれると、第1の基板210aは、キャリアヘッド本体204aに接触する可能性がある。先に述べたように、第1の基板210aは薄く、また可撓性があるために、簡単に壊れる可能性がある。第1の基板210aがキャリアヘッド本体204aに接触すると、第1の基板210aの外側エッジは、第1の基板210aの欠け、ひび、折れ、または破壊の原因となり得る増大した応力を受ける。膜214aの周りには円周方向に支持リング206aが配置されている。支持リングの目的は、キャリアヘッドアセンブリ202a内における膜214aの水平方向の動きを制限しつつ、膜214aの垂直方向の動きを可能にすることである。さらに、支持リング206aは、横方向の支持と堅さを膜214aに与え、膜214aが膜214a自体の形状を維持し、水平方向に曲がりすぎないことを可能にする。膜214aは、可撓性のある材料で形成されており、十分な支持が行なわれていない場合には、研磨中にキャリアヘッド本体204aの内部側壁208aに第1の基板210aを接触させる可能性がある。例えば、第1の基板210aは、キャリアヘッドアセンブリ202aに加えられた揺動によって、キャリアヘッド本体204aに接触する可能性がある。支持リング206aは、弾性材料で形成されて、膜214aに固定されてもよい。支持リング206aと、キャリアヘッド本体204aの内部側壁208aとの間の距離は、膜214aが垂直方向に浮くが、実質的には横方向の動きを有しないことを可能にするのにちょうど十分であることが好ましい。例えば、支持リング206aとキャリアヘッド本体204aとの間の距離は、膜がキャリアヘッドアセンブリ202aの中心にある場合には、約1000分の10インチでもよい。別の実施形態では、支持リングの内径が小さくなっており、支持リング206aを膜214aに固定するために膜のクランプは用いられない。したがって、圧力が膜に加えられると、膜が膨張し、膜214aと側壁208aとの間隙をさらに縮める。さらに、この膨張は、膜の剛性または堅さを高め、第1の基板210aおよび第2の基板212aがキャリアヘッド本体204aの中心に実質的にとどまることを可能にする。支持リング206aをキャリアヘッド本体の内径と実質的に同じ外径にすることによって、膜の動きは、水平方向において制限される。水平方向におけるこの制限は、第1の基板210aが第2の基板212aに中心から離れて付着している場合に、第1の基板210aを保護することに有用である。例えば、第1の基板210aの一部が第2の基板212aの外径を越えて延びているか、または突出するように第1の基板210aが第2の基板212aに結合されている場合、第1の基板210aがキャリアヘッド本体204aに接触する可能性がいくらかあり得る。しかし、支持リング206aが、膜の水平方向の動きすべてを実質的に防止し、それにより第1および第2の基板が摩擦によって保持される場合には、第1の基板210aがキャリアヘッド本体204aに接触する可能性は低くなる。例えば、キャリアヘッド本体204aの内部径と実質的に等しいか、またはわずかに小さい外部径を有する、厚さの増した支持リングは、第1の基板210aのエッジを保護することに役立つ。膜214aの横方向の動きを制限するための支持リングの厚さの増加と、第2の基板を適切な位置に維持するための面213aの摩擦の増加との組み合わせによって、第1の基板210aにかかるエッジの応力は低減される。さらに、キャリアヘッド本体204aの内部側壁208aは、実質的に平面である。例えば、キャリアヘッド本体204aの内部側壁208aは、基本的には実質的に平らな面からなっていてもよい。側壁208aには、流体の流れを円滑にする任意の溝、または、任意の他の変形を有しないことが好ましい。溝があると、第1の基板210aまたは第2の基板212aが、この溝に接触することがある。これにより、第1および第2の基板が時折溝に接触する所で、不均一に摩耗したスポットが形成されるおそれがある。さらに、第1の基板210aが溝に接触すると、その接触が、第1の基板の欠けまたはひびの原因となり得る。膜214aは垂直方向に動くことが可能であるため、第1の基板210aは、溝が接触するまで側壁208aの上でこすれ、傷つけられる可能性がある。図2Bは、基板処理に用いるためのキャリアヘッドアセンブリの概略断面図である。図2Bの実施形態では、キャリアヘッドアセンブリ202bは、基板受容ポケットを画定するキャリアヘッド本体204bを有する。この基板受容ポケット内には、膜214bが配置されている。この膜は、比較的高い摩擦係数をもつ、テクスチャ付きの面213bを有する。テクスチャ付きの面213bは、第1の基板210bに結合されている第2の基板212bに接触して配置されている。膜214bの、テクスチャ付きの面213bは、膜214bに接触して配置されると、第2の基板212bが膜214bに対して動くことを防止する。支持リング206bは、膜214bおよび第2の基板212bに接触して、それらの周りに円周方向に配置されている。図2Bの支持リング206bは、第2の基板212bのほとんどの側壁に沿って延びているように示されているが、支持リングは、第2の基板212bの実質的にすべての側壁と接触している必要はない。例えば、支持リング206bは、第2の基板212bの側壁の少なくとも約25パーセント、少なくとも約50パーセント、または、少なくとも約75パーセントと接触していてもよい。支持リング206bは、膜214bに固定されて、その支持リング206b内に第2の基板が研磨のために挿入されることを可能にしてもよい。図2Bに示されているように延びている支持リングは、膜214bに対する適切な位置で第2の基板を保持するように付加的に用いられている。例えば、支持リング206bは、膜214bの中心における第2の基板212bを保持することができる。テクスチャ付きの面213bおよび支持リング206bは共に、第1の基板210bがキャリアヘッド本体204bの内部側壁208bに接触しないように用いることができる。図3Aは、研磨ヘッドの膜に用いるための膜支持構造体の一実施形態の概略斜視図である。この膜支持構造体は、複数の同心円315a~315dを含む。ブラダーbladderなどの、膨張するように適合している膜図示せずは、これらの同心円を取り囲むことができる。同心円315a~315dは、化学機械研磨中に膜の横方向の動きを少なくするためにさらなる剛性を提供する。これらの同心円315a~315dは、膜と同じ材料から通常形成されており、膜内における動きを減ずるために、膜の内部面に結合されていてもよい。さらに、同心円315a~315dは、これらの同心円315a~315dの間の空間が、膨張して基板を研磨パッドに押し付けて保持するために加圧されるか、または、基板をキャリアヘッドに拘持するために真空にされることを可能とするために、これらの同心円315a~315dを貫通する孔図示せずを有していてもよい。同心円315a~315dは、化学機械研磨中に加えられる揺動のために膜が変形すること、または斜めになることを防ぐのに役立つ。膜が斜めになると、研磨されている基板は、研磨ヘッドの側壁と接触して傷む可能性がある。図3Bおよび図3Cは、研磨ヘッドに用いるための膜の、テクスチャ付きの面の概略図である。図3Bでは、膜314bの面の中心近くから半径方向に広がっている一組の溝316a~316cによって、テクスチャが付けられている。これらの溝は、半径方向に対称でもよく、または、クロスハッチパターンを形成してもよく、または、ランダムでもよい。図3Bの実施形態では、3つの溝が示されている。しかし、溝の数、大きさ、および位置は、特定の用途に応じて異なってもよい。図3Cの実施形態では、膜314cの面から突出しているこぶbump319cによって、テクスチャが付けられている。これらのこぶは、パターンを形成してもよく、または、膜314cの面上にランダムに形成されてもよい。例えば、こぶ319cは、同心円、螺旋を形成することができ、または、領域内に形成されてもよい。図3Cの実施形態では、こぶは、膜314cの面の中心から直線で放射状に広がっている。しかし、こぶが十分なテクスチャを提供する以上は、他の変形も可能である。さらに、こぶ319cは、膜314cの面にわたって均一な密度を有していてもよく、または、異なる密度の領域を有していてもよい。こぶ319cは、均一な高さを有していてもよく、または、異なる高さを有していてもよい。図4Aは、キャリアヘッドアセンブリ400aの概略断面図である。キャリアヘッド本体404aに配置された膜414aは、十分な剛性と、支持用の内部の同心円との両方を欠いている。そのため、膜414aは、第1の基板410aが化学機械研磨プロセスを受ける際に、キャリアヘッド本体404a内で斜めの形状をとる。膜414aが斜めになるため、第1の基板410aは、キャリアヘッド本体404aの側壁408aと接触する場合がある。この接触は、ひび、欠け、または破壊につながる、第1の基板410aのエッジにおける応力を増大させる。膜414aの剛性を高め、また膜414aの曲がりを減ずるために適切な大きさの支持リング406aを用いることができることに留意されたい。さらに、第2の基板412aが膜414aに対して動く場合があるため、基板410aは、キャリアヘッド本体404aの内部側壁408aと接触する場合がある。第2の基板412aは、第2の基板412aと、膜の面415aとの間に十分な摩擦がない場合、膜414aに対してずれるか、または動く可能性がある。さらに、支持リング406aと、キャリアヘッド本体404aの内部側壁408aとの間に広い間隙を作る、支持リング406aの比較的小さいサイズに起因して、膜414aは、広範な横方向の動きを有する。広範な水平方向の動きによって、第1の基板410aは、内部側壁408aと接触する場合がある。このことは、第1の基板410aが第2の基板412aの中心からずれている場合、および/または、第2の基板412aが膜414aの中心からずれている場合には、特に問題となる可能性がある。図4Bは、キャリアヘッドアセンブリ400bの概略断面図である。膜414bは、化学機械研磨プロセス中に斜めにならないように、または、水平方向に曲がらないように、十分な剛性を有する。しかし、膜414bは、垂直方向に動くことは依然として可能であり、垂直方向の動きは、膜414b内の圧力の量によって影響または調節され得る。支持リング406bは、第1の基板410bおよび第2の基板412bがキャリアヘッド本体404bの内部側壁408bと接触することができないように、十分な厚さを有する。さらに、膜の面415bは、研磨中に第2の基板412bが膜414bに対して動かないように、十分なテクスチャと、十分に高い摩擦係数とを有する。膜414bの剛性と、支持リング406bと、膜の面415bにテクスチャを付けることとの組み合わせによって、第1の基板がキャリアヘッド本体404bに接触することが防止される。本明細書で説明された実施形態は、薄く、可撓性があり、または脆い基板の化学機械研磨のための方法および装置を提供する。キャリアヘッド内の膨張性膜の動きを制限することによって、脆い基板は、キャリアヘッドに接触することがなく、そのため、基板を壊すおそれのある増大したエッジの応力を受けない。また、適切な大きさの支持リングは、第1の基板が第2の基板に中心からずれて付着している場合に、第1の基板がキャリアヘッドに接触することを防ぐのに役立つ。さらに、膨張性膜のテクスチャ付きの面は、膨張性膜と接触している第2の基板が中心からずれてキャリアヘッドに接触することを防ぐのに役立つ。第1の基板とキャリアヘッドとの接触を減ずることによって、第1の基板が受けるダメージまたは応力の量を減ずることができる。このことによって、基板へのダメージを最小にすることによる全体的に高い歩留まりの、また高品質の基板がもたらされる。上記は本発明の実施形態に関するが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく本発明の他のさらなる実施形態を考案することができ、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって定められている。"