"非水溶媒、電解質及び下記式1又は2で表される化合物を含む電解液を用いた電気化学デバイス。式中、X及びYはそれぞれ独立して水素又はシリル基を表すが、X及びYのうち少なくとも1つはシリル基を表す。シリル基がトリアルキルシリル基である、請求項1記載の電気化学デバイス。トリアルキルシリル基の3つのアルキル基の合計炭素数が3~60個である、請求項2記載の電気化学デバイス。X及びYがともにシリル基である、請求項1記載の電気化学デバイス。非水溶媒が、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ビニレンカーボネート、ブチレンカーボネート、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、3-メチル-γ-ブチロラクトン、2-メチル-γ-ブチロラクトン、グルタロニトリル、アジポニトリル、スルホラン、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、エチルメチルスルホン及びエチルプロピルスルホンからなる群より選ばれる、請求項1記載の電気化学デバイス。電解質が、テトラエチルアンモニウムテトラフルオロボレート、トリエチルメチルアンモニウムテトラフルオロボレート及び1,1’-スピロビピロリジニウムテトラフルオロボレートからなる群より選ばれる、請求項1記載の電気化学デバイス。本発明は、電解質の分解により生じたフッ化水素による集電体の腐食や電解液溶媒の分解などに起因する電気化学セルの特性劣化を抑制した電気化学デバイスを提供することを目的とする。本発明者らが鋭意検討した結果、電解液に特定のシリル化ヒドロキシカルボン酸を添加することによって、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、非水溶媒、電解質及び下記式1又は2で表される化合物を含む電解液を用いた電気化学デバイスを提供する。式中、X及びYはそれぞれ独立して水素又はシリル基を表すが、X及びYのうち少なくとも1つはシリル基を表す。本発明によれば、電解液に前記シリル化ヒドロキシカルボン酸を添加することで、電解質の分解により生じたフッ化水素を効果的に補足することができる。その結果、腐食を伴う集電極の劣化が抑制され、セルの静電容量や充放電効率などの電気特性の悪化を防止することができる。また、酸に起因する電解液の分解が抑制され、セルの膨張や内部抵抗の増大を防止することができる。本発明の電気化学デバイスは、非水溶媒、電解質及び下記式1又は2で表される化合物を含む電解液を用いる。式中、X及びYはそれぞれ独立して水素又はシリル基を表すが、X及びYのうち少なくとも1つはシリル基を表す。X及びYのシリル基としては、好ましくはトリアルキルシリル基である。トリアルキルシリル基のアルキル基は、好ましくは炭素数1~20の直鎖又は分岐アルキルであり、より好ましくは炭素数1~6の直鎖又は分岐アルキルである。また、トリアルキルシリル基の3つのアルキル基の合計炭素数は、好ましくは3~60個であり、より好ましくは6~20個である。また、トリアルキルシリル基の3つのアルキル基のうち、少なくとも1つが分岐アルキルであるのが好ましい。シリル基の例としては、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ジメチルペンチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、ジメチルオクチルシリル基、ジエチルオクチルオクチルシリル基、2-エチルヘキシルジメチルシリル基、ジメチルノニルシリル基、デシルジメチルシリル基、ジメチル-3,7-ジメチルオクチルシリル基、ドデシルジメチルシリル基などが挙げられる。なお、シリル化合物の電解液に対する溶解性や沸点などの観点から、上記シリル基の内、トリイソプロピルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、2-エチルヘキシルジメチルシリル基、ジメチル-3,7-ジメチルオクチルシリル基が好ましい。X及びYのうち少なくとも1つはシリル基を表すが、X及びYがともにシリル基であるのが好ましい。式1又は2で表される化合物の具体例としては、下記式3~8の化合物などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。リフロー工程を経た電気化学デバイスは、リフロー工程前と比較して低周波域のインピーダンスに大きな悪化は見られない。しかしながら、リフロー工程を経た電気化学デバイスに対してフロート試験一定の電圧及び温度の下でセルの特性変化を確認するキャパシタの信頼性試験を行うと、静電容量の低下は小さいものの電解質は十分に存在していることを意味する、低周波域のインピーダンスに大きな悪化が見られる。なお、リフロー工程を経ていない電気化学デバイスに関しては、フロート試験後に低周波域のインピーダンスの悪化は見られない。つまり、リフロー工程を経ることで電解質が分解し、生成した分解物フッ化水素がフロート試験中に集電極の腐食等を引き起こすと考えられる。本発明で使用する特定のシリル化ヒドロキシカルボン酸は、リフロー工程の際に生じたフッ化水素を補足するため、フロート試験によるリフロー工程を経た電気化学デバイスの低周波域のインピーダンスの悪化が抑制される。なお、リフロー工程による電解質の分解、及び本発明で使用する特定のシリル化ヒドロキシカルボン酸によるフッ化水素の補足のメカニズムは、下記のように考えられる。また、本発明で使用する特定のシリル化ヒドロキシカルボン酸とフッ化水素との反応により生じるヒドロキシカルボン酸は、活物質の酸性官能基などの作用によりラクトンに変換されると考えられる下記参照。このようにヒドロキシカルボン酸がラクトンに変換される事で、本発明で使用する特定のシリル化ヒドロキシカルボン酸がフッ化水素と反応した後においても、電解液は電気化学的に安定なものとなり得る。なお、上記の一連の反応で、水の収支に変化は無い。従来から電解質の加水分解を抑制するために水分を除去する試みが多くなされているが、リフロー工程を経なければフロート試験後の低周波域のインピーダンスの悪化が見られないことから、リフロー工程で発生したフッ化水素を補足すれば、積極的に水分を除去しなくともリフロー工程後のフロート試験による電気化学デバイスの特性の悪化は抑制できると考えられる。通常電気化学デバイスで使用される非水溶媒であれば、本発明の電気化学デバイス用の非水溶媒として使用することができる。非水溶媒としては、例えば環状炭酸エステル、鎖状炭酸エステル、環状エステル、鎖状エステル、環状エーテル、鎖状エーテル、ニトリル化合物及び含イオウ化合物などが挙げられる。これらの非水溶媒は、単独で使用することもできるし、2種以上混合して使用することもできる。環状炭酸エステルとしては、例えばエチレンカーボネート、プロピレンカーボネートPC、ブチレンカーボネートBC、ビニレンカーボネートなどが挙げられる。鎖状炭酸エステルとしては、例えばジメチルカーボネートDMC、エチルメチルカーボネートEMC、ジエチルカーボネートDEC、メチルプロピルカーボネート、メチルイソプロピルカーボネートなどが挙げられる。環状エステルとしては、例えばγ-ブチロラクトンGBL、γ-バレロラクトン、3-メチル-γ-ブチロラクトン、2-メチル-γ-ブチロラクトンなどが挙げられる。鎖状エステルとしては、例えば蟻酸メチル、蟻酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、プロピオン酸メチル、酪酸メチル、吉草酸メチルなどが挙げられる。環状エーテルとしては、例えば1,4-ジオキサン、1,3-ジオキソラン、テトラヒドロフラン、2-メチルテトラヒドロフラン、3-メチル-1,3-ジオキソラン、2-メチル-1,3-ジオキソランなどが挙げられる。鎖状エーテルとしては、例えば1,2-ジメトキシエタン、1,2-ジエトキシエタン、ジメチル2,5-ジオキサヘキサンジオエート、ジプロピルエーテルなどが挙げられる。ニトリル化合物としては、例えばアセトニトリルAN、プロパンニトリル、グルタロニトリルGLN、アジポニトリル、メトキシアセトニトリル、3-メトキシプロピオニトリルなどが挙げられる。含イオウ化合物としては、例えばスルホランSL、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、エチルメチルスルホンEMS、エチルプロピルスルホン、ジメチルスルホキシドなどが挙げられる。上記の非水溶媒の中でも、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ビニレンカーボネート、ブチレンカーボネートなどの環状炭酸エステル;γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、3-メチル-γ-ブチロラクトン、2-メチル-γ-ブチロラクトンなどの環状エステル;グルタロニトリル、アジポニトリルなどのニトリル化合物;スルホラン、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、エチルメチルスルホン、エチルプロピルスルホンなどの含イオウ化合物が好ましい。また、通常電気化学デバイスで使用される電解質であれば、本発明の電気化学デバイス用の電解質として使用することができる。電解質としては、例えばリチウム化合物、4級アンモニウム塩、4級ホスホニウム塩などが挙げられる。これらの電解質は、単独で使用することもできるし、2種以上混合して使用することもできる。リチウム化合物としては、例えばLiClO4、LiBF4、LiPF6、LiCF3SO3、LiC4F9SO3、LiNSO2CF32、LiNSO2C2F52、LiBC2O42などが挙げられる。4級アンモニウム塩及び4級ホスホニウム塩としては、例えばテトラエチルアンモニウムテトラフルオロボレート、テトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレート、トリエチルメチルアンモニウムテトラフルオロボレート、1,1’-スピロビピロリジニウムテトラフルオロボレート、テトラエチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート、テトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート、トリエチルメチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート、テトラエチルホスホニウムテトラフルオロボレート、テトラブチルホスホニウムテトラフルオロボレート、テトラエチルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、テトラブチルホスホニウムヘキサフルオロホスフェートなどが挙げられる。上記の電解質の中でも、テトラエチルアンモニウムテトラフルオロボレート、トリエチルメチルアンモニウムテトラフルオロボレート、1,1’-スピロビピロリジニウムテトラフルオロボレートが好ましい。本発明の電気化学デバイスとしては、電気化学キャパシタ、二次電池などが挙げられ、電気化学キャパシタとしては、電気二重層キャパシタ、リチウムイオンキャパシタ、レドックスキャパシタなどが挙げられる。電気化学キャパシタは、例えば正極10、負極20、及び正極10と負極20との間にセパレータ30を有する蓄電素子Bと、電解質を非水溶媒中に溶解した非水電解液と、ラミネートフィルムから形成される図1参照。また、電気化学キャパシタは、一端が蓄電素子Bに接続され、他端がフィルムパッケージ40蓄電素子B及び非水電解液が封入されているから導出している端子50を有している。金属箔からなる集電体11及び21の表面には、それぞれ導電性接着剤図示せずを介して分極性電極層12及び22が形成されている。正極10及び負極20は、例えば正極10の分極性電極層12と負極20の分極性電極層22とが向き合うように配置されている。セパレータは、セルロース、ポリプロピレン、ポリエチレン、フッ素系樹脂などの、非水電解液を含浸できる材料から形成される。セパレータ30は、向きあっている正極10及び負極20の各分極性電極層12及び22の間に配置される。なお、蓄電素子Bやフィルムパッケージ40には、フィルムパッケージタイプの電気化学キャパシタで用いられている公知の構造を適用することができる。分極性電極層12及び22は、電気化学キャパシタの分極性電極層で用いられている公知の材料及び構造を有するものが使用でき、例えばポリアセンPAS、ポリアニリンPAN、活性炭、カーボンブラック、グラファイト、カーボンナノチューブなどの活物質を含有し、電気化学キャパシタの分極性電極層に用いられる導電剤やバインダーなどの他の成分も必要に応じて含有してもよい。活性炭の原料としては、例えばおが屑、椰子殻、フェノール樹脂、各種の耐熱性樹脂、ピッチなどが挙げられる。また、耐熱性樹脂としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ビスマレイミドトリアジン、アラミド、フッ素樹脂、ポリフェニレン、ポリフェニレンスルフィドなどが挙げられる。実施例1電解液に用いる電解質をトリエチルメチルアンモニウムテトラフルオロボレートとし、溶媒にプロピレンカーボネートPC98wtと化合物32wtを混合したものを用いて、1.5mol/Lの濃度の電解液を調製した。また、薄型の電気化学キャパシタは以下の方法で作製した。PASを分極性電極材として用いた電極及びセルロースからなるセパレータをそれぞれカットした後に交互に積層し、引出し端子を超音波溶接により取り付けた図1。作成した素子を約180°Cで真空乾燥した後、電極サイズにカットした封止材に素子を入れて電解液を注入し、シール材を用いて封止材を熱融着し、約20mm×26mmのサイズのセルを作製した。なお、封止材としてはナイロン/アルミ/CPP無延伸ポリプロピレンのラミネートフィルムを用いた。実施例2電解液の溶媒をプロピレンカーボネート95wtと化合物35wtに変更した以外は、実施例1と同様の方法で電気化学キャパシタを作製した。実施例3電解液の溶媒をプロピレンカーボネート90wtと化合物310wtに変更した以外は、実施例1と同様の方法で電気化学キャパシタを作製した。実施例4電解液の溶媒をプロピレンカーボネート80wtと化合物320wtに変更した以外は、実施例1と同様の方法で電気化学キャパシタを作製した。実施例5電解液の溶媒をプロピレンカーボネート90wtと化合物410wtに変更した以外は、実施例1と同様の方法で電気化学キャパシタを作製した。実施例6電解液の溶媒をプロピレンカーボネート90wtと化合物510wtに変更した以外は、実施例1と同様の方法で電気化学キャパシタを作製した。実施例7電解液の溶媒をプロピレンカーボネート90wtと化合物610wtに変更した以外は、実施例1と同様の方法で電気化学キャパシタを作製した。実施例8電解液の溶媒をプロピレンカーボネート90wtと化合物710wtに変更した以外は、実施例1と同様の方法で電気化学キャパシタを作製した。実施例9電解液の溶媒をプロピレンカーボネート90wtと化合物810wtに変更した以外は、実施例1と同様の方法で電気化学キャパシタを作製した。実施例10電解液の溶媒をブチレンカーボネートBC90wtと化合物310wtに変更した以外は、実施例1と同様の方法で電気化学キャパシタを作製した。実施例11電解液の溶媒をγ-ブチロラクトンGBL90wtと化合物310wtに変更した以外は、実施例1と同様の方法で電気化学キャパシタを作製した。実施例12電解液の溶媒をスルホランSL90wtと化合物310wtに変更した以外は、実施例1と同様の方法で電気化学キャパシタを作製した。実施例13電解液の溶媒をスルホラン:エチルメチルスルホンEMS4:190wtと化合物310wtに変更した以外は、実施例1と同様の方法で電気化学キャパシタを作製した。比較例1電解液の溶媒をプロピレンカーボネートのみに変更した以外は、実施例3と同様の方法で電気化学キャパシタを作製した。比較例2電解液の溶媒をブチレンカーボネートのみに変更した以外は、実施例8と同様の方法で電気化学キャパシタを作製した。比較例3電解液の溶媒をγ-ブチロラクトンのみに変更した以外は、実施例9と同様の方法で電気化学キャパシタを作製した。比較例4電解液の溶媒をスルホランのみに変更した以外は、実施例10と同様の方法で電気化学キャパシタを作製した。比較例5電解液の溶媒をスルホラン:エチルメチルスルホン4:1のみに変更した以外は、実施例11と同様の方法で電気化学キャパシタを作製した。信頼性試験実施例1~13及び比較例1~5で作製した電気化学キャパシタを、それぞれ260°Cで5分間加熱した後に、初期特性として静電容量、直流抵抗及びセル厚みT1を測定した。なお、静電容量は充放電試験器東洋システム株式会社製TOSCAT-3200を用い、室温で30分間放電したセルを100mAで2.5Vまで10分間充電した後に10mAで0Vまで放電させた時の放電カーブの傾きから算出した。直流抵抗は充放電試験器東洋システム株式会社製TOSCAT-3200を用い、室温で30分間放電したセルを100mAで2.5Vまで10分間充電した後に2Aで0Vまで放電させた時の電圧降下から算出した。セル厚みはマイクロメーターを用い、セルの中央部分の厚みを計測した。次いで、150°C以上で15分間放置した後に、静電容量、直流抵抗及びセル厚みを測定したリフロー試験。さらに、60°Cの恒温槽中で1000時間2.5Vの電圧で連続充電した後に、静電容量、直流抵抗及びセル厚みT2を測定したフロート試験。結果を下記表1にまとめる。比較例1に対して、本発明の電解質を用いた実施例1~実施例9は、リフローフロート試験後の静電容量の低下、直流抵抗の増大及びセル厚みの変化が抑制される結果となった。また、実施例10と比較例2、実施例11と比較例3、実施例12と比較例4及び実施例13と比較例5の比較から分かるように、本発明で用いたシリル化ヒドロキシカルボン酸は電解液の溶媒を種々変更した場合においても同様の効果が現れることが確認された。これらの結果は、リフロー工程の際に電解質の分解によって生じたフッ化水素が本発明で用いたシリル化ヒドロキシカルボン酸によって効果的に補足され、フロート試験において集電極の腐食や電解液溶媒の分解が抑制されたために得られたものと考えられる。"