ウエハが装着される少なくとも一つのポケットが形成されたサセプタを備えるチャンバー本体と、前記チャンバー本体に開閉可能に備えられ、前記サセプタとの間に反応空間を形成するチャンバーカバーと、前記サセプタ上に反応ガスが流れるように前記反応空間に前記反応ガスを供給する反応ガス供給部と、前記サセプタと前記チャンバーカバーの間で前記チャンバーカバーの表面に沿って非反応ガスが流れるように前記反応空間に前記非反応ガスを供給して前記反応ガスの前記チャンバーカバーの表面との接触を遮断する非反応ガス供給部と、を含むことを特徴とする化学気相蒸着装置。前記非反応ガス供給部は前記チャンバーカバーに備えられて外部から前記非反応ガスを導入する非反応ガス導入通路と、前記導入された非反応ガスを前記反応空間に噴射する非反応ガス噴射ホールを含むことを特徴とする請求項1に記載の化学気相蒸着装置。前記非反応ガス噴射ホールは前記反応空間に露出する前記チャンバーカバーの下部面に複数個が分散されて配置されることを特徴とする請求項2に記載の化学気相蒸着装置。前記チャンバーカバーは下部側に前記サセプタと対向し前記反応空間に露出するカバー部材を備えることを特徴とする請求項2に記載の化学気相蒸着装置。前記カバー部材は前記チャンバーカバーに着脱可能に備えられることを特徴とする請求項4に記載の化学気相蒸着装置。前記非反応ガス噴射ホールは前記反応空間に露出する前記カバー部材に複数個が分散されて配置されることを特徴とする請求項4に記載の化学気相蒸着装置。前記非反応ガス導入通路は前記カバー部材を貫通して前記サセプタに向かって伸び、前記非反応ガス噴射ホールは前記反応空間内に露出した前記非反応ガス導入通路の周りに沿って形成されて放射方向に前記非反応ガスを噴射することを特徴とする請求項4に記載の化学気相蒸着装置。前記非反応ガス導入通路と前記非反応ガス噴射ホールを連結する連結部をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の化学気相蒸着装置。前記連結部はその下端部が前記カバー部材を基準として前記サセプタに向かって前記反応空間をなす前記カバー部材と前記サセプタの間の距離の5ないし50の間に位置することを特徴とする請求項8に記載の化学気相蒸着装置。前記連結部は前記非反応ガス導入通路の長さ方向に沿って上下に互いに離隔して多層構造で配置されることを特徴とする請求項8に記載の化学気相蒸着装置。前記連結部は前記反応空間内で前記非反応ガス導入通路の長さ方向に沿って上下に互いに離隔して多層構造で配置される複数のプレート部材を含むことを特徴とする請求項10に記載の化学気相蒸着装置。前記複数のプレート部材は前記非反応ガス導入通路を中心にそれぞれ相違したサイズの半径を有する複数の同心円状に備えられ、上部から下部に向かって半径のサイズが小さくなる構造をなすことを特徴とする請求項11に記載の化学気相蒸着装置。前記複数のプレート部材は前記非反応ガス導入通路に挿入固定されるか又は前記非反応ガス導入通路と一体をなすことを特徴とする請求項11又は12に記載の化学気相蒸着装置。前記非反応ガス噴射ホールは前記反応ガス供給部から供給される前記反応ガスの流れ方向に対応して前記反応ガスの流れ方向に沿って傾斜して備えられることを特徴とする請求項2ないし6のいずれか一項に記載の化学気相蒸着装置。前記非反応ガス供給部は前記非反応ガス噴射ホールから放射方向又は逆放射方向に前記非反応ガスを前記反応空間に噴射することを特徴とする請求項2ないし6のいずれか一項に記載の化学気相蒸着装置。前記非反応ガス供給部は前記チャンバーカバー内に備えられる非反応ガス貯蔵室をさらに含むことを特徴とする請求項2ないし7のいずれか一項に記載の化学気相蒸着装置。前記非反応ガス噴射ホールは前記非反応ガス導入通路を介して前記非反応ガス貯蔵室と連通し、前記非反応ガス貯蔵室に収容される前記非反応ガスを前記反応空間に噴射することを特徴とする請求項16に記載の化学気相蒸着装置。前記非反応ガス噴射ホールは円形又はスリット構造を有することを特徴とする請求項17に記載の化学気相蒸着装置。前記非反応ガス噴射ホールは前記チャンバーカバーの中心を基準として相違したサイズの半径を有する複数の同心円に沿って複数個が互いに離隔して配列され、各同心円の円周に沿って備えられる非反応ガス噴射ホールは該当同心円の円弧状に形成されることを特徴とする請求項18に記載の化学気相蒸着装置。前記非反応ガス噴射ホールは各同心円の円周に沿って備えられる複数の非反応ガス噴射ホールとこれに隣接する同心円の円周に沿って備えられる他の複数の非反応ガス噴射ホールが互いにずれるように配置されることを特徴とする請求項19に記載の化学気相蒸着装置。前記チャンバーカバーの中心から奇数番目の同心円にそれぞれ備えられる非反応ガス噴射ホール間の距離と、偶数番目の同心円にそれぞれ備えられる非反応ガス噴射ホール間の距離は同一であることを特徴とする請求項19又は20に記載の化学気相蒸着装置。前記非反応ガス噴射ホールは前記反応ガスの流れ方向に沿って前記非反応ガス導入通路から折れ曲がって備えられることを特徴とする請求項17に記載の化学気相蒸着装置。前記チャンバーカバーは前記反応空間に露出する下面に複数の段差部が前記チャンバーカバーの中心に対して放射状に同心円をなして備えられることを特徴とする請求項17に記載の化学気相蒸着装置。前記段差部は、前記反応空間に前記非反応ガスを噴射するように前記非反応ガス噴射ホールが露出する垂直面と、前記反応ガスの流れ方向に沿って隣接する他の段差部の垂直面に向かって下向き傾斜して備えられる傾斜面を含むことを特徴とする請求項23に記載の化学気相蒸着装置。前記段差部は、前記反応空間に前記非反応ガスを噴射するように前記非反応ガス噴射ホールが露出する垂直面と、前記反応ガスの流れ方向に沿って隣接する他の段差部の垂直面まで伸びる平面を含むことを特徴とする請求項23に記載の化学気相蒸着装置。前記反応ガス供給部は、前記チャンバー本体の側端部の周りに沿って備えられて外部から導入される前記反応ガスを貯蔵する少なくとも一つの反応ガス貯蔵室と、前記反応ガス貯蔵室と前記反応空間を連通し前記反応ガス貯蔵室に貯蔵された前記反応ガスを前記反応空間に噴射する反応ガス噴射ホールを含むことを特徴とする請求項1に記載の化学気相蒸着装置。前記反応ガス貯蔵室内に少なくとも一つ備えられて前記反応ガス貯蔵室を複数の領域に区分する分離膜をさらに含むことを特徴とする請求項26に記載の化学気相蒸着装置。前記反応ガス供給部は、前記サセプタの中心軸内に少なくとも一つ備えられて外部から前記反応ガスを導入する反応ガス導入通路と、前記サセプタの中心から外周側に向かう放射状のガスの流れを形成するように前記反応ガス導入通路を通じて流入した前記反応ガスを前記反応空間に噴射する反応ガス噴射ホールを含むことを特徴とする請求項1に記載の化学気相蒸着装置。前記反応ガス供給部は、前記チャンバーカバーの中心を貫通して前記サセプタに向かって伸びるように備えられて外部から前記反応ガスを導入する反応ガス導入通路と、前記チャンバーカバーの中心から外周側に向かう放射状のガスの流れを形成するように前記反応ガス導入通路の周りに沿って備えられて前記反応ガスを前記反応空間に噴射する反応ガス噴射ホールを含むことを特徴とする請求項1に記載の化学気相蒸着装置。前記非反応ガス供給部は、前記チャンバーカバーを貫通して備えられ、前記反応ガス導入通路を内部に収容して前記反応ガス導入通路との間の空間を通じて前記非反応ガスを導入する非反応ガス導入通路と、前記非反応ガス導入通路の周りに沿って形成されて放射状に前記非反応ガスを前記反応空間に噴射する非反応ガス噴射ホールと、を含み、前記非反応ガス噴射ホールは前記チャンバーカバーと前記反応ガス噴射ホールの間に配置されることを特徴とする請求項29に記載の化学気相蒸着装置。前記反応ガス導入通路は前記非反応ガス導入通路よりも前記サセプタに向かってさらに長く伸び、前記反応ガス噴射ホールは前記非反応ガス導入通路の下端部から前記反応空間に向かって露出することを特徴とする請求項30に記載の化学気相蒸着装置。前記非反応ガス噴射ホールは複数個が前記非反応ガス導入通路の周りに沿って配列をなし、前記反応ガス噴射ホールは前記反応ガス導入通路の周りに沿って配列をなし、前記非反応ガス噴射ホールの配列と前記反応ガス噴射ホールの配列は並ぶか又はジグザグにずれるように配置されることを特徴とする請求項30又は31に記載の化学気相蒸着装置。前記チャンバーカバー内に備えられる冷媒貯蔵室をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の化学気相蒸着装置。チャンバー本体内に備えられるサセプタ上のポケットに薄膜成長のためのウエハを装着させた後に前記チャンバー本体をチャンバーカバーで覆って気密を維持させる段階と、前記チャンバーカバーに備えられる非反応ガス供給部を通じて外部から導入される非反応ガスを前記チャンバーカバーと前記サセプタの間で形成される反応空間に噴射する段階と、前記チャンバー本体に備えられる反応ガス供給部から反応ガスを前記反応空間に噴射して前記ウエハの表面に薄膜を成長させる段階と、前記チャンバー本体を開放して薄膜成長が完了した前記ウエハを交替する段階と、を含むことを特徴とする発光素子の製造方法。前記非反応ガスを噴射する段階は前記反応ガスを噴射する段階より先に行われるか又は同時に行われることを特徴とする請求項34に記載の発光素子の製造方法。前記反応ガスを噴射する段階は前記サセプタ上に前記反応ガスが流れるように前記反応空間に前記反応ガスを供給し、前記非反応ガスを噴射する段階は前記チャンバーカバーの表面に沿って前記非反応ガスが流れるように前記反応空間に前記非反応ガスを供給して前記反応ガスの前記チャンバーカバーの表面との接触を遮断することを特徴とする請求項34に記載の発光素子の製造方法。前記非反応ガスを噴射する段階は前記反応ガス供給部から供給される前記反応ガスの流れ方向に対応して前記反応ガスの流れ方向に沿って前記非反応ガスを供給することを特徴とする請求項34に記載の発光素子の製造方法。したがって、当技術分野では、反応チャンバーの上部に位置する天井のような不要な部分に蒸着物が蒸着することを防止できる化学気相蒸着装置及びこれを用いた発光素子の製造方法が求められている。また、反応チャンバー内での反応ガスの熱対流の発生を最小化してエピタキシャル薄膜の成長時に結晶性を向上させる化学気相蒸着装置及びこれを用いた発光素子の製造方法が求められている。本発明の一実施例による化学気相蒸着装置は、ウエハが装着される少なくとも一つのポケットが形成されたサセプタを備えるチャンバー本体と、上記チャンバー本体に開閉可能に備えられ、上記サセプタとの間に反応空間を形成するチャンバーカバーと、上記サセプタ上に反応ガスが流れるように上記反応空間に上記反応ガスを供給する反応ガス供給部と、上記サセプタと上記チャンバーカバーの間で上記チャンバーカバーの表面に沿って非反応ガスが流れるように上記反応空間に上記非反応ガスを供給して上記反応ガスの上記チャンバーカバーの表面との接触を遮断する非反応ガス供給部と、を含む。また、上記非反応ガス供給部は上記チャンバーカバーに備えられて外部から上記非反応ガスを導入する非反応ガス導入通路と、上記導入された非反応ガスを上記反応空間に噴射する非反応ガス噴射ホールと、を含むことができる。また、上記非反応ガス噴射ホールは上記反応空間に露出する上記チャンバーカバーの下部面に複数個分散されて配置できる。また、上記チャンバーカバーは下部側に上記サセプタと対向し上記反応空間に露出するカバー部材を備えることができる。また、上記カバー部材は上記チャンバーカバーに着脱可能に備えられることができる。また、上記非反応ガス噴射ホールは上記反応空間に露出する上記カバー部材に複数個分散されて配置できる。また、上記非反応ガス導入通路は上記カバー部材を貫通して上記サセプタに向かって伸び、上記非反応ガス噴射ホールは上記反応空間内に露出した上記非反応ガス導入通路の周りに沿って形成されて放射方向に上記非反応ガスを噴射できる。また、上記非反応ガス導入通路と上記非反応ガス噴射ホールを連結する連結部をさらに含むことができる。また、上記連結部はその下端部が上記カバー部材を基準として上記サセプタに向かって上記反応空間をなす上記カバー部材と上記サセプタの間の距離の5ないし50の間に位置できる。また、上記連結部は上記非反応ガス導入通路の長さ方向に沿って上下に互いに離隔して多層構造で配置できる。また、上記連結部は上記反応空間内で上記非反応ガス導入通路の長さ方向に沿って上下に互いに離隔して多層構造で配置される複数のプレート部材を含むことができる。また、上記複数のプレート部材は上記非反応ガス導入通路を中心にそれぞれ相違したサイズの半径を有する複数の同心円状に備えられ、上部から下部に向かって半径のサイズが小さくなる構造をなすことができる。また、上記複数のプレート部材は上記非反応ガス導入通路に挿入固定されるか又は上記非反応ガス導入通路と一体をなすことができる。また、上記非反応ガス噴射ホールは上記反応ガス供給部から供給される上記反応ガスの流れ方向に対応して上記反応ガスの流れ方向に沿って傾斜して備えられることができる。また、上記非反応ガス供給部は上記非反応ガス噴射ホールから放射方向又は逆放射方向に上記非反応ガスを上記反応空間に噴射できる。また、上記非反応ガス供給部は上記チャンバーカバー内に備えられる非反応ガス貯蔵室をさらに含むことができる。また、上記非反応ガス噴射ホールは上記非反応ガス導入通路を介して上記非反応ガス貯蔵室と連通し、上記非反応ガス貯蔵室に収容される上記非反応ガスを上記反応空間に噴射できる。また、上記非反応ガス噴射ホールは円形又はスリット構造を有することができる。また、上記非反応ガス噴射ホールは上記チャンバーカバーの中心を基準として相違したサイズの半径を有する複数の同心円に沿って複数個が互いに離隔して配列され、各同心円の円周に沿って備えられる非反応ガス噴射ホールは該当同心円の円弧状に形成できる。また、上記非反応ガス噴射ホールは各同心円の円周に沿って備えられる複数の非反応ガス噴射ホールとこれに隣接する同心円の円周に沿って備えられる他の複数の非反応ガス噴射ホールが互いにずれるように配置できる。また、上記チャンバーカバーの中心から奇数番目の同心円にそれぞれ備えられる非反応ガス噴射ホール間の距離と、偶数番目の同心円にそれぞれ備えられる非反応ガス噴射ホール間の距離は同一であることができる。また、上記非反応ガス噴射ホールは上記反応ガスの流れ方向に沿って上記非反応ガス導入通路から折れ曲がって備えられることができる。また、上記チャンバーカバーは上記反応空間に露出する下面に複数の段差部が上記チャンバーカバーの中心に対して放射状に同心円をなして備えられることができる。また、上記段差部は、上記反応空間に上記非反応ガスを噴射するように上記非反応ガス噴射ホールが露出する垂直面と、上記反応ガスの流れ方向に沿って隣接する他の段差部の垂直面に向かって下向き傾斜して備えられる傾斜面と、を含むことができる。また、上記段差部は、上記反応空間に上記非反応ガスを噴射するように上記非反応ガス噴射ホールが露出する垂直面と、上記反応ガスの流れ方向に沿って隣接する他の段差部の垂直面まで伸びる平面を含むことができる。また、上記反応ガス供給部は、上記チャンバー本体の側端部の周りに沿って備えられて外部から導入される上記反応ガスを貯蔵する少なくとも一つの反応ガス貯蔵室と、上記反応ガス貯蔵室と上記反応空間を連通し上記反応ガス貯蔵室に貯蔵された上記反応ガスを上記反応空間に噴射する反応ガス噴射ホールと、を含むことができる。また、上記反応ガス貯蔵室内に少なくとも一つ備えられて上記反応ガス貯蔵室を複数の領域に区分する分離膜をさらに含むことができる。また、上記反応ガス供給部は、上記サセプタの中心軸内に少なくとも一つ備えられて外部から上記反応ガスを導入する反応ガス導入通路と、上記サセプタの中心から外周側に向かう放射状のガスの流れを形成するように上記反応ガス導入通路を通じて流入した上記反応ガスを上記反応空間に噴射する反応ガス噴射ホールを含むことができる。また、上記反応ガス供給部は、上記チャンバーカバーの中心を貫通して上記サセプタに向かって伸びるように備えられて外部から上記反応ガスを導入する反応ガス導入通路と、上記チャンバーカバーの中心から外周側に向かう放射状のガスの流れを形成するように上記反応ガス導入通路の周りに沿って備えられて上記反応ガスを上記反応空間に噴射する反応ガス噴射ホールを含むことができる。また、上記非反応ガス供給部は、上記チャンバーカバーを貫通して備えられ、上記反応ガス導入通路を内部に収容して上記反応ガス導入通路との間の空間を通じて上記非反応ガスを導入する非反応ガス導入通路と、上記非反応ガス導入通路の周りに沿って形成されて放射状に上記非反応ガスを上記反応空間に噴射する非反応ガス噴射ホールと、を含み、上記非反応ガス噴射ホールは上記チャンバーカバーと上記反応ガス噴射ホールの間に配置できる。また、上記反応ガス導入通路は上記非反応ガス導入通路よりも上記サセプタに向かってさらに長く伸び、上記反応ガス噴射ホールは上記非反応ガス導入通路の下端部から上記反応空間に向かって露出できる。また、上記非反応ガス噴射ホールは複数個が上記非反応ガス導入通路の周りに沿って配列をなし、上記反応ガス噴射ホールは上記反応ガス導入通路の周りに沿って配列をなし、上記非反応ガス噴射ホールの配列と上記反応ガス噴射ホールの配列は並ぶか又はジグザグにずれるように配置できる。また、上記チャンバーカバー内に備えられる冷媒貯蔵室をさらに含むことができる。本発明の一実施例による発光素子の製造方法は、チャンバー本体内に備えられるサセプタ上のポケットに薄膜成長のためのウエハを装着させた後に上記チャンバー本体をチャンバーカバーで覆って気密を維持させる段階と、上記チャンバーカバーに備えられる非反応ガス供給部を通じて外部から導入される非反応ガスを上記チャンバーカバーと上記サセプタの間で形成される反応空間に噴射する段階と、上記チャンバー本体に備えられる反応ガス供給部から反応ガスを上記反応空間に噴射して上記ウエハの表面に薄膜を成長させる段階と、上記チャンバー本体を開放して薄膜成長が完了した上記ウエハを交替する段階と、を含む。また、上記非反応ガスを噴射する段階は上記反応ガスを噴射する段階より先に行われるか又は同時に行われることができる。また、上記反応ガスを噴射する段階は上記サセプタ上に上記反応ガスが流れるように上記反応空間に上記反応ガスを供給し、上記非反応ガスを噴射する段階は上記チャンバーカバーの表面に沿って上記非反応ガスが流れるように上記反応空間に上記非反応ガスを供給して上記反応ガスの上記チャンバーカバーの表面との接触を遮断できる。また、上記非反応ガスを噴射する段階は上記反応ガス供給部から供給される上記反応ガスの流れ方向に対応して上記反応ガスの流れ方向に沿って上記非反応ガスを供給できる。本発明に係る化学気相蒸着装置では、チャンバーカバーの表面に沿って非反応ガスが流れているので、反応チャンバーの天井部分への蒸着物の蒸着が抑制されることにより、反応ガスの流れに影響を与えず、安定した流れを維持できるため、より優れた品質の薄膜成長をなす効果がある。また、ダミーコーティングのような蒸着物の付着が抑制されることにより、蒸着物の除去などのための定期補修期間が長くなって生産性が向上する長所がある。また、パーティクルのような不純物の発生が減少して収率が向上し、工程再現性が向上して品質が向上する長所がある。本発明の実施例による化学気相蒸着装置及びこれを用いた発光素子の製造方法を図面を参照して説明する。しかしながら、本発明の実施例は多様な他の形態に変形でき、本発明の範囲は後述する実施例に限定されるものではない。本発明の実施例は、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面に示された構成要素の形状及びサイズなどは、より明確な説明のために誇張されることがある。なお、図面において実質的に同一の構成と機能を有する構成要素には同一の又は類似した参照符号を用いる。図1ないし図10を参照して本発明の一実施例による化学気相蒸着装置について説明する。図1は本発明の実施例による化学気相蒸着装置を概略的に示す図面であり、図2は図1の反応ガス供給部と非反応ガス供給部を通したガスの流れを概略的に説明する図面であり、図3は図1の非反応ガス供給部の他の実施例を概略的に示す図面であり、図4及び図5は図1の反応ガス供給部の他の実施例を概略的に示す図面であり、図6は図1の非反応ガス供給部の変形例を概略的に示す図面であり、図7a及び図7bは図5の反応ガス供給部に対する非反応ガス供給部のさらに他の実施例を概略的に示す図面であり、図8a及び図8bは図7の反応ガス供給部と非反応ガス供給部を一部拡大した態様を概略的に示す図面であり、図9は図7の反応ガス供給部と非反応ガス供給部の構造による反応ガスと非反応ガスの流れを概略的に示すシミュレーション結果であり、図10は図4の反応ガス供給部に対する非反応ガス供給部のさらに他の実施例を概略的に示す図面である。図1及び図2を参照すると、本発明の一実施例による化学気相蒸着装置100は、チャンバー本体10、チャンバーカバー20、反応ガス供給部30、非反応ガス供給部40を含んで構成される。チャンバー本体10は中空形の内部空間を有し、図示するように少なくとも一つのウエハWが上部に装着されるサセプタ11及び加熱手段13を内部空間に備える。そして、サセプタ11と対向する上部側には反応ガスGが化学反応を起こす反応空間15を設ける。上記チャンバー本体10は、耐磨耗性及び耐熱性と耐腐食性に優れたメタル材質SUS316L材質からなる。サセプタ11はグラファイトgraphite材質の物質からなり、その上面には蒸着対象物であるウエハWが装着されるポケット12を備える。ポケット12のサイズはウエハWのサイズに応じて変わり、ウエハWのサイズ直径に対して0.5ないし2程度大きく形成する。ポケット12のサイズがウエハWのサイズに対して2以上大きいと、ポケット12内でウエハWが左右に揺れるか又は一方の方向に偏るため、ウエハW上で成長する薄膜の均一度の特性が悪くなるという問題が発生する。ポケット12のサイズのウエハWのサイズに対する拡大が0.5未満の場合、ウエハWの装着又は着脱の際にフリー空間が足りなくなるため、作業の便宜性が落ちる問題が発生する。一方、ポケット12は、装着するウエハWの厚さに対して1ないし30程度深く形成する。ポケット12をウエハWの厚さに対して1未満の深さで形成すると、高温加熱工程中にウエハWで曲がり現象bowingが発生してウエハWが均一に加熱されないという問題と、サセプタ11の公/自転回転速度によってウエハWがポケット12から外れるという問題が発生する。ポケット12をウエハWの厚さに対して30以上深く形成する、反応ガス供給部30から供給される反応ガスGの流れがウエハWに十分に到達することができないため、蒸着の均一性及び反応ガスの効率性が低下して蒸着厚さの成長速度が低下するという問題が発生する。サセプタ11の下部に加熱手段13を備えることによりサセプタ11に輻射熱を提供し、これにより、サセプタ11のポケット12に装着されるウエハWの温度を100ないし1300度まで調節できる。加熱手段13は、電源の印加時に熱を発生させる電熱部材の一種であり、ポケット12に対応する領域に位置し、銅又はタングステン材質からなるが、これに限定されるものではない。チャンバーカバー20は、チャンバー本体10を密封して気密を維持し、チャンバー本体10に対して開閉可能に備えられる。また、チャンバーカバー20はその内部に非反応ガスgを収容する非反応ガス貯蔵室43を備え、サセプタ11との間に反応空間15を形成するカバー部材50を下部側に備える。本実施形態では、カバー部材50によってチャンバーカバー20の内部に非反応ガス貯蔵室43を形成することを示している。しかしながら、上記非反応ガス貯蔵室43は必須に形成される空間ではなく、チャンバーカバー20は内部に空間がない構造を有することもできる。この場合、カバー部材50は、チャンバーカバー20の底面に付着される。以下では、チャンバーカバー20内に非反応ガス貯蔵室43を備える構造について説明する。チャンバー本体10と結合するチャンバーカバー20の下端部には、図示されてはいないが、確実な密封を維持するためにオーリングo‐ringのような密封部材を備える。カバー部材50は、全体的にチャンバーカバー20に対応する円形の形状を有し、チャンバーカバー20の内部を覆うようにチャンバーカバー20の下部面に着脱可能に備えられてサセプタ11との間に反応空間15を形成する。このようなカバー部材50は、蒸着工程時に発生するダミーコーティングdummycoatingがチャンバーカバー20内に付着されないように反応ガスGとの接触を遮断し、且つ高温雰囲気下でチャンバーカバー20に熱変形が発生しないように熱を遮断する役割をする。カバー部材50は、耐熱性に優れた材質で形成され、例えば、石英quartz又はSiCがコーティングされた黒鉛graphiteなどからなる。上記カバー部材は、約3mmないし20mm程度の厚さで形成されるが、これに限定されるものではない。カバー部材50は、反応空間15に流れる反応ガスGが安定した層流流動laminarflowの流れを形成するようにサセプタ11と水平を維持する構造で形成される。そして、サセプタ11の上面とカバー部材50の下面との間の間隔に該当する反応空間15の高さは10mmないし100mmである。反応空間15の高さが10mmより小さいと、反応ガスの流れが安定しないため、蒸着の均一性が悪くなるという問題があり、100mmより大きいと、反応ガス供給部からウエハ上面に到達するガスの効率性が低下して蒸着速度が低下するという問題がある。カバー部材50は、複数の分割部材で分割されて各分割部材が互いに結合して形成されるか又は単一の部材で形成される。したがって、反応空間15に露出したカバー部材50の表面に付着されたダミーコーティングを除去するかクラックのような欠陥が発生したカバー部材50を交替でき、特に、複数の分割部材で結合された場合は該当分割部材のみを交替することにより維持及び補修が容易になるという長所を有する。チャンバーカバー20には後述する非反応ガス供給部40が備えられることにより、チャンバー本体10の天井をなすカバー部材50の表面に寄生蒸着による蒸着物の付着を防止する。反応ガス供給部30は、対向するサセプタ11とカバー部材50の間でサセプタ11上に反応ガスGが流れるように反応空間15に反応ガスGを供給できる。具体的には、反応ガス供給部30は、図示するように、チャンバー本体10の外周側から中心部方向に反応ガスGが流れるガスの流れを形成するようにチャンバーカバー20と結合するチャンバー本体10の上端部に逆放射形inverse‐radialtypeの構造で備えられる。反応ガスGとしてはTMGa、TEGa、TMAl、TMIn、NH3などのガスを用いる。このような反応ガス供給部30は、チャンバー本体10の側端部の周りに沿って備えられて外部から導入される反応ガスGを貯蔵する少なくとも一つの反応ガス貯蔵室31と、反応ガス貯蔵室31と反応空間15を連通し反応ガス貯蔵室31に貯蔵された反応ガスGを反応空間15に噴射する反応ガス噴射ホール32を含む。反応ガス貯蔵室31が単一の反応ガス貯蔵室31である場合は、反応ガス貯蔵室31に沿って原料ガスとキャリアガスが混合された状態で貯蔵されて噴射されるか又は原料ガスのみが噴射される。また、反応ガス貯蔵室31内に分離膜図示せずを少なくとも一つ備えることにより、反応ガス貯蔵室31を複数の領域に区分できる。この場合、反応ガスを一定の圧力で噴射し、且つ反応ガス別に区分して噴射できる。反応ガス貯蔵室31は、反応空間15の1ないし10程度のサイズで設けられる。反応ガスGを貯蔵する反応ガス貯蔵室31のサイズが1より小さいと、反応ガスGが予め十分に混合されないため、反応ガスGの均一性が低下するという問題があり、10より大きいと、チャンバー本体10のサイズが大きくなって空間効率性が落ちるという短所がある。反応ガス供給部30から反応空間15に供給された反応ガスGは、チャンバー本体10の外周側から中心へ流れ、サセプタ11の中心軸14の中心部に備えられるガス排出部60を介して外部に排気される。一方、反応ガス供給部30’、30’’は、図4及び図5のように、上記チャンバー本体10の中心部から外周側に反応ガスGが流れるガスの流れを形成するように上記チャンバーカバー20又は上記チャンバー本体10の中心軸に沿って放射形radialtypeの構造で備えられる。具体的には、図4のように、本発明の他の実施例による上記反応ガス供給部30’は、上記サセプタ11の中心軸内に少なくとも一つ以上備えられて外部から反応ガスGを導入する反応ガス導入通路33と、サセプタ11の中心から外周側に向かう放射状のガスの流れを形成するように反応ガス導入通路33を通じて流入した反応ガスGを反応空間15に噴射する反応ガス噴射ホール32と、を含む。反応ガス噴射ホール32は、1mmないし10mm程度のサイズで形成される。反応ガス噴射ホール32のサイズが1mmより小さいと、反応ガスGの流速が速すぎて均一な層流を得ることが困難であり、10mmより大きいと、反応ガスGの流速が遅すぎてガス効率性が低下して蒸着速度が低下する問題が発生する。また、図5のように、本発明のさらに他の実施例による上記反応ガス供給部30’’は、チャンバーカバー20の中心を貫通して備えられて外部から反応ガスGを導入する反応ガス導入通路33と、チャンバーカバー20の中心から外周側に向かう放射状のガスの流れを形成するように反応ガス導入通路33を通じて流入した反応ガスGを反応空間15に噴射する反応ガス噴射ホール32と、を含む。ここで、反応ガス導入通路33は、噴射される反応ガスGがサセプタ11の表面に沿って流れるようにサセプタ11に向かって所定の長さだけ伸びる。図面には反応ガス導入通路33が単一で備えることを示しているが、これに限定されず、複数備えることもできる。この場合、反応ガス別に区分して反応空間15に噴射できる。反応ガス導入通路33を通じて供給された反応ガスGは、反応ガス噴射ホール32を通してサセプタ11の中心から外周側に向かって放射状に噴射されて流れ、チャンバー本体10の側端部の周りに沿って備えられるか又は下部に備えられる不図示のガス排出部を通じて外部に排気される。非反応ガス供給部40は、サセプタ11とチャンバーカバー20の間でチャンバーカバー20の表面、具体的には、反応空間15に露出するカバー部材50の表面に沿って非反応ガスgが流れるように反応空間15に非反応ガスgを供給して反応ガスGの上記チャンバーカバー20の表面との接触を遮断する。これにより、反応空間15に流れる反応ガスGによってチャンバー本体10の天井であるカバー部材50の表面に寄生蒸着による蒸着物の付着が遮断できる。非反応ガスgとしては、H2、N2などのガスを用いる。図1に示すように、非反応ガス供給部40は、カバー部材50を貫通してサセプタ11に向かうように備えられる非反応ガス噴射ホール41を複数含む。複数の非反応ガス噴射ホール41は、カバー部材50の全領域にわたって分散されて形成されるか、反応ガス供給部30の反応ガス噴射ホール32の位置に対応して反応ガス噴射ホール32から噴射される反応ガスGの流れ方向に沿って形成されるか又は化学反応が起こるウエハWの位置に対応して形成される。カバー部材50を貫通した複数の非反応ガス噴射ホール41は、上記チャンバーカバー20内の非反応ガス貯蔵室43と連通して外部のパイプ22を介して非反応ガス貯蔵室43に貯蔵された非反応ガスgを反応空間15に噴射する。また、図3のように、カバー部材50を貫通した複数の非反応ガス噴射ホール41は、チャンバーカバー20の外部から非反応ガスgを導入する非反応ガス導入通路42と直接連通して非反応ガスgを反応空間15に噴射する。この場合、チャンバーカバー20内には、非反応ガス貯蔵室43の代わりに冷媒貯蔵室70を備えることができる。冷媒貯蔵室70内には冷却水のような冷媒Cが満たされ、カバー部材50を含んでチャンバーカバー20を冷却させ、これにより、蒸着物の発生をより抑制する。複数の非反応ガス噴射ホール41は、反応ガス供給部30から供給される反応ガスGの流れ方向に対応して反応ガスGの流れ方向に沿って傾斜して備えられることができる。具体的には、図6aのように反応ガス供給部30がチャンバー本体の側端部の周りに沿って備えられて反応ガスGが逆放射形の構造で流れる場合、非反応ガス噴射ホール41も反応ガスGの流れに沿ってチャンバーカバー20の中心に向かうように傾斜して備えられる。また、図6bのように反応ガス供給部30’がチャンバー本体10の中心軸に沿って備えられて反応ガスGが放射形の構造で流れる場合、非反応ガス噴射ホール41も反応ガスGの流れに沿ってチャンバーカバー20の外周側の縁に向かうように傾斜して備えられる。このように、非反応ガス噴射ホール41を反応ガスGの流れに対応して傾斜して形成することにより、非反応ガスgによって反応ガスGが影響を受けることなく安定した層流流動を維持し、且つ反応ガスGのカバー部材50との接触を確実に遮断できる。図7a及び図7bは、図5の反応ガス供給部に対する非反応ガス供給部のさらに他の実施例を概略的に示す図面である。具体的には、図7aのように非反応ガス供給部40’は、カバー部材50を貫通してサセプタ11に向かって伸びる非反応ガス導入通路42と、反応空間15に伸びた非反応ガス導入通路42の周りに沿って形成されて放射状に非反応ガスgを噴射する非反応ガス噴射ホール41と、を含む。非反応ガス噴射ホール41は、複数備えられる。そして、非反応ガス導入通路42は、非反応ガス貯蔵室43と連通して内部に収容された非反応ガスgを反応空間15に導入する。また、図7bのように、非反応ガス供給部40’は、カバー部材50と共に上記チャンバーカバー20を貫通して上記サセプタ11に向かって伸びる非反応ガス導入通路42と、反応空間15に伸びた非反応ガス導入通路42の周りに沿って形成されて放射状に非反応ガスgを噴射する非反応ガス噴射ホール41と、を含む。非反応ガス噴射ホール41は、複数備えられる。そして、非反応ガス導入通路42は、それ自体が上記チャンバーカバー20の外部に伸びて非反応ガスgを直接的に導入しながら反応空間15に噴射する。この場合、チャンバーカバー20内には、非反応ガス貯蔵室43の代わりに冷却水のような冷媒Cが満たされる冷媒貯蔵室70を備えることができる。一方、反応ガス供給部30’’は、図5のように、チャンバーカバー20の中心に沿って備えられて放射形の反応ガスの流れを形成する構造で備えられる。このように、反応ガス供給部30’’の反応ガス導入通路33がチャンバーカバー20の中心を貫通して備えられる場合、非反応ガス導入通路42は、反応ガス導入通路33の周りに沿って備えられる。具体的には、カバー部材50を貫通して備えられる非反応ガス導入通路42は、反応ガス導入通路33の直径より大きい直径を有して反応ガス導入通路33を内部に収容し、反応ガス導入通路33との間の空間を通じて非反応ガスgを反応空間15に導入する。非反応ガス導入通路42は、反応ガス導入通路33の長さより短く形成できる。即ち、反応ガス導入通路33は非反応ガス導入通路42の下端部からサセプタ11に向かってさらに長く伸び、反応ガス噴射ホール32は非反応ガス導入通路42の下端部から伸びた反応ガス導入通路33の側面の周りに沿って備えられて非反応ガス導入通路42の下端部から反応空間15に向かって露出する。したがって、複数の非反応ガス噴射ホール41は、カバー部材50と反応ガス噴射ホール32の間に配置され、反応ガス導入通路33に備えられた反応ガス噴射ホール32よりもカバー部材50にさらに近く配置される。具体的には、図8a及び図8bのように、複数の非反応ガス噴射ホール41は、カバー部材50に隣接し、互いに所定間隔で離隔して非反応ガス導入通路42の周りに沿って配列をなして配置される。反応ガス噴射ホール32は、非反応ガス噴射ホール41と同じく配列をなし、カバー部材50を基準として非反応ガス噴射ホール41の配列より下側サセプタに近い側に配置される。図面には、非反応ガス噴射ホール41が一つの配列をなし、反応ガス噴射ホール32が複数の配列をなすことを示しているが、これに限定されず、各配列の数を多様に変更できる。非反応ガス噴射ホール41の配列と反応ガス噴射ホール32の配列は、図8aのように並んで配置されるか、又は図8bのように互いにずれるようにジグザグに配置できる。図9は、図7の反応ガス供給部と非反応ガス供給部の構造による反応ガスと非反応ガスの流れを概略的に示すシミュレーション結果である。図9aに示すように、反応ガスGは、非反応ガスgによってカバー部材50とは接触せずにサセプタ11に隣接する下側で流れていることが確認できる。そして、図9bに示すように、非反応ガスgは、ほとんどがカバー部材50の表面に沿って流れていることが確認できる。図10は、図4の反応ガス供給部に対する非反応ガス供給部のさらに他の実施例を概略的に示す図面である。図10に示される非反応ガス供給部40’は、図7のようにカバー部材50を貫通してサセプタ11に向かって伸びる非反応ガス導入通路42と、反応空間15に伸びた非反応ガス導入通路42の周りに沿って形成されて放射状に非反応ガスgを噴射する複数の非反応ガス噴射ホール41と、非反応ガス導入通路42と非反応ガス噴射ホール41を連結する連結部44と、を含む。この場合、反応ガス供給部30’は、図4のように、サセプタ11の中心に沿って備えられて放射形の反応ガスの流れを形成する構造で備えられる。連結部44は、その下端部が、カバー部材50を基準として、サセプタ11に向かって反応空間15をなすカバー部材50とサセプタ11との間の距離の5ないし50の間に位置するように備えられる。連結部44の下端部がカバー部材50から5未満の距離に位置する場合、非反応ガスgの流量が少なくなって反応空間15の外郭まで非反応ガスgが十分に伝達されないため、非反応ガスgにより反応ガスGを遮断する効果が十分に得られない。また、連結部44の下端部がカバー部材50から50以上の距離に位置する場合は、反応ガスGの流れに過度な影響を与えるため、層流流動の妨げ及びこれによる膜均一性の特性低下の問題が発生する。このような連結部44の反応空間15内での位置範囲は、図7のように連結部44を通らずに非反応ガス導入通路42と連結されて反応空間15に露出する非反応ガス噴射ホール41に対しても適用できる。図11ないし図17を参照して本発明の他の実施例による化学気相蒸着装置について説明する。図11は本発明の他の実施例による化学気相蒸着装置を概略的に示す図面であり、図12は図11の反応ガス供給部と非反応ガス供給部を通したガスの流れを概略的に説明する図面であり、図13は図11の非反応ガス供給部の変形例を概略的に示す図面であり、図14は図13の反応ガス供給部と非反応ガス供給部を通したガスの流れを概略的に説明する図面であり、図15は図11の化学気相蒸着装置に対する他の実施例を概略的に示す図面であり、図16は図15の非反応ガス供給部の変形例を概略的に示す図面であり、図17は図11ないし図16の非反応ガス供給部の噴射スリットの構造を概略的に示す図面である。図11ないし図14を参照すると、本発明の他の実施例による化学気相蒸着装置100’は、チャンバー本体10、チャンバーカバー20、反応ガス供給部30、非反応ガス供給部40を含んで構成される。チャンバー本体10は、中空形の内部空間を有し、図示するように少なくとも一つのウエハWが上部に装着されるサセプタ11及び加熱手段13を内部空間に備える。そして、サセプタ11の上部側には、反応ガスGが化学反応を起こす反応空間15が設けられる。チャンバー本体10は、耐磨耗性及び耐熱性と耐腐食性に優れたメタル材質からなる。サセプタ11は、チャンバー本体10の中心部に位置してチャンバー本体10の中心とサセプタ11の中心軸が実質的に一致するようにし、上面には蒸着対象物であるウエハWが装着されるように陥没形成される円盤形のポケット12を少なくとも一つ以上備える。サセプタ11の下部側には加熱手段13を備えてサセプタ11に輻射熱を提供し、これにより、サセプタ11に装着されたウエハWを加熱する。加熱手段13は、電源印加時に熱を発生させる電熱部材の一種であり、ポケット12に対応する領域に位置するように配置する。チャンバーカバー20は、チャンバー本体10を密封して気密を維持し、チャンバー本体10に対して開閉可能に備えられる。そして、チャンバー本体10と結合するときにサセプタ11との間に反応空間15を形成する。チャンバー本体10と結合するチャンバーカバー20の下端部には、確実な密封を維持するためにオーリングo‐ringのような密封部材25を備える。チャンバーカバー20は、反応空間15に露出する下面に複数の段差部21がチャンバーカバー20の中心に対して放射状に同心円をなして備えられる。そして、チャンバーカバー20には、後述する非反応ガス供給部40が備えられ、チャンバー本体10の天井をなすチャンバーカバー20の表面に寄生蒸着による蒸着物の付着を防止する。非反応ガス供給部40は、段差部21に沿って反応空間15と連通して反応空間15に非反応ガスgを供給する。これに関する具体的な説明は後述する。チャンバーカバー20は、非反応ガス供給部40の他にその内部に冷媒貯蔵室70を備え、非反応ガス供給部40と共にチャンバーカバー20を冷却できる。反応ガス供給部30は、対向するサセプタ11とチャンバーカバー20の間でサセプタ11上に反応ガスGが流れるように反応空間15に反応ガスGを供給する。具体的には、反応ガス供給部30は、図示されようにチャンバー本体10の外周側から中心部に反応ガスGが流れるガスの流れを形成するようにチャンバーカバー20と結合するチャンバー本体10の上端部に逆放射形inverse‐radialtypeの構造で備えられる。反応ガスGとしては、TMGa、TEGa、TMAl、TMIn、NH3などのガスを用いる。このような反応ガス供給部30は、チャンバー本体10の側端部の周りに沿って備えられて反応ガス導入通路33を通じて外部から導入される反応ガスGを貯蔵する少なくとも一つの反応ガス貯蔵室31と、反応ガス貯蔵室31と反応空間15を連通し反応ガス貯蔵室31に貯蔵された反応ガスGを反応空間15に噴射する反応ガス噴射ホール32と、を含む。したがって、反応ガス貯蔵室31が単一の反応ガス貯蔵室31である場合は、反応ガス貯蔵室31に沿って原料ガスが混合された状態で貯蔵されて噴射されるか又は単一の原料ガスのみが噴射される。また、反応ガス貯蔵室31内に分離膜図示せずを少なくとも一つ備えることにより、反応ガス貯蔵室31を複数の領域に区分できる。この場合、反応ガスGが一定の圧力で噴射されるようにし、且つ反応ガス別に区分して噴射できる。そして、反応ガス供給部30から反応空間15に供給された反応ガスGは、チャンバー本体10の外周側から中心に流れ、サセプタ11の中心軸14内に備えられるガス排出部60を通じて外部に排気される。一方、反応ガス供給部30は、図15及び図16のようにチャンバー本体10の中心から外周側方向に反応ガスGが流れるガスの流れを形成するようにチャンバーカバー20とチャンバー本体10の中心軸に沿って放射形radialtypeの構造で備えられる。具体的には、図15のように、本発明の他の実施例による反応ガス供給部30’は、チャンバーカバー20の中心を貫通して備えられて外部から反応ガスGを導入する反応ガス導入通路33と、チャンバーカバー20の中心から外周側に向かう放射状のガスの流れを形成するように反応ガス導入通路33を通じて流入した反応ガスGを反応空間15に噴射する反応ガス噴射ホール32と、を含む。ここで、反応ガス導入通路33は、噴射される反応ガスGがサセプタ11の表面に沿って流れるようにチャンバーカバー20からサセプタ11に向かって所定長さだけ伸びることが好ましい。図面には、反応ガス導入通路33が単一で備えられることを示しているが、これに限定せず、複数備えられることができる。この場合、反応ガスG別に区分して反応空間15に噴射できる。反応ガス導入通路33を通じて供給された反応ガスGは、反応ガス噴射ホール32を通してサセプタ11の中心から外周側に向かって放射状に噴射されて流れ、サセプタ11の縁の周りに沿って隣接して備えられるガス排出部60’を通じて外部に排気される。非反応ガス供給部40は、サセプタ11とチャンバーカバー20の間で反応ガスGが流れる方向にチャンバーカバー20の表面に沿って非反応ガスgが流れるように反応空間15に非反応ガスgを供給して反応ガスGのチャンバーカバー20の表面との接触を遮断する。これにより、反応空間15に流れる反応ガスGによってチャンバー本体10の天井であるチャンバーカバー20の下部の表面に寄生蒸着による蒸着物dummycoatingの付着を遮断できる。非反応ガスgとしては、H2、N2などを用いる。図示するように、非反応ガス供給部40は、チャンバーカバー20内に備えられて外部から導入される非反応ガスgを収容する非反応ガス貯蔵室43と、複数個がチャンバーカバー20の中心に対して放射状に備えられて非反応ガス貯蔵室43と連通して非反応ガスgを反応空間15に噴射する非反応ガス噴射ホール41と、を含む。ここで、非反応ガス噴射ホール41は、円形ではなくスリット構造を有することもできる。そして、非反応ガス噴射ホール41は、非反応ガス導入通路42を介して非反応ガス貯蔵室43と連結する。非反応ガス貯蔵室43は、チャンバーカバー20の内部に形成される所定サイズの空間であり、チャンバーカバー20を貫通して備えられるパイプ22を介して外部から非反応ガスgが供給されて収容する。非反応ガス貯蔵室43は、単一構造で形成されるか、又は図16のように放射状に備えられる非反応ガス噴射ホール41に対応して複数個が環状に同心円をなして重なる構造で形成される。非反応ガス噴射ホール41は、図17のようにチャンバーカバー20の中心を基準として相違したサイズの半径を有する複数の同心円に沿って複数個が互いに一定間隔で離隔して配列され、各同心円の円周に沿って備えられる非反応ガス噴射ホール41は、該当同心円の円弧状に形成できる。図面には、各同心円に沿って非反応ガス噴射ホール41、41’が4個ずつ備えられることを示しているが、これに限定されず、非反応ガス噴射ホール41、41’の個数を多様に変化できる。特に、非反応ガス噴射ホール41を、各同心円の円周に沿って備えられる複数の非反応ガス噴射ホールとこれに隣接する同心円の円周に沿って備えられる他の複数の非反応ガス噴射ホール41’が互いにずれるように配置する。具体的には、チャンバーカバー20の中心を基準として仮想の同心円が複数図面には9個で一定間隔で離隔して描かれ、各同心円には複数図面には4個の非反応ガス噴射ホール41、41’を互いに一定間隔で離隔して配置する。そして、チャンバーカバー20の中心からそれぞれ奇数番目の同心円に備えられる非反応ガス噴射ホール41とこれに隣接する偶数番目の同心円に備えられる非反応ガス噴射ホール41’を、放射状に重ならずに互いにずれるように配置する。したがって、奇数番目の同心円に備えられる非反応ガス噴射ホール41の間に偶数番目の同心円に備えられる非反応ガス噴射ホール41’がそれぞれ位置するように配置する。ここで、奇数番目の同心円にそれぞれ備えられる非反応ガス噴射ホール41-1、41-3、41-5、41-7、41-9間の距離d例えば、一番目の同心円に備えられる非反応ガス噴射ホール41-1と三番目の同心円に備えられる非反応ガス噴射ホール41-3の間の距離と、偶数番目の同心円にそれぞれ備えられる非反応ガス噴射ホール41’-2、41’-4、41’-6、41’-8間の距離d例えば、二番目の同心円に備えられる非反応ガス噴射ホール41’-2と四番目の同心円に備えられる非反応ガス噴射ホール41’-4の間の距離は同一であることが好ましい。距離dは20mmないし50mmの間である。距離dが20mmより短い場合は、非反応ガス噴射ホール41間の間隔が狭いため、非反応ガス噴射ホール41の形成が容易ではない上、非反応ガスgの噴射量が多くなりすぎるという問題があり、距離dが50mm以上である場合は、非反応ガスgが拡散されるにつれ、チャンバーカバー20を遮断する機能が弱くなって蒸着物の発生防止効果が減るという問題がある。したがって、非反応ガスgによって蒸着物の付着防止効果が顕著な領域は、非反応ガス噴射ホール間の距離dが20mmないし50mmの間であることが分かる。一方、非反応ガス噴射ホール41は、反応ガス供給部30から供給される反応ガスGの流れ方向に対応して反応ガスGの流れ方向に沿って非反応ガス導入通路42から折れ曲がって備えられる。具体的には、図11ないし図14のように、反応ガス供給部30がチャンバー本体10の側端部の周りに沿って備えられて反応ガスGが逆放射形の構造で流れる場合、非反応ガス噴射ホール41も反応ガスGの流れに沿ってチャンバーカバー20の中心に向かうように折れ曲がって備えられる。また、図15及び図16のように、反応ガス供給部30’がチャンバー本体10の中心に沿って備えられて反応ガスGが放射形の構造で流れる場合、非反応ガス噴射ホール41も反応ガスGの流れに沿ってチャンバーカバー10の外周側の縁に向かうように折れ曲がって備えられる。このように、非反応ガス噴射ホール41を反応ガスGの流れに対応して折れ曲がるようにすることにより、非反応ガスgによって反応ガスGが影響を受けずに安定した層流流動を維持するようにし、且つ反応ガスGのチャンバーカバー20との接触をより効果的に遮断できる。上述したように、チャンバーカバー20の反応空間15に露出する下面には、複数の段差部21がチャンバーカバー20の中心に対して放射状に同心円をなして備えられる。そして、非反応ガス噴射ホール41がなす同心円は、段差部21の同心円と対応する位置に備えられる。したがって、非反応ガス噴射ホール41は、チャンバーカバー20の段差部21を介して反応空間15と連通する。具体的には、段差部は、図12のように、反応空間15に非反応ガスgを噴射するように非反応ガス噴射ホール41が露出する垂直面21-1と、反応ガスGの流れ方向に沿って隣接する他の段差部21の垂直面21-1に向かって下向き傾斜して備えられる傾斜面21-2と、を含む。また、段差部21’は、図14のように反応空間15に非反応ガスgを噴射するように非反応ガス噴射ホール41が露出する垂直面21’-1と、反応ガスGの流れ方向に沿って隣接する他の段差部21’の垂直面21’-1まで伸びる平面21’-2と、を含む。一方、図11及び図13のように、ガス排出部60がサセプタ11の中心軸14内に備えられて反応ガスが逆放射形のガスの流れを有する構造では、ガス排出部60と対向する上部にカバー部材50を備えてチャンバーカバーの表面に寄生蒸着による蒸着物の付着を遮断できる。具体的には、カバー部材50は、ガス排出部60の両側に備えられるポケット12の間の距離に相当するサイズの直径を有するように形成されて中心部に備えられる非反応ガス噴射ホール41から噴射される非反応ガスgによってカバーされない上記チャンバーカバー20の表面をカバーするようにする。カバー部材50は、石英材質からなることが好ましく、支持部51を介して上記サセプタ11上に配置できる。図18及び図19を参照して本発明のさらに他の実施例による化学気相蒸着装置について説明する。図18は本発明のさらに他の実施例による化学気相蒸着装置を概略的に示す図面であり、図19は図18の反応ガス供給部と非反応ガス供給部を通したガスの流れを概略的に説明する図面である。図18及び図19を参照すると、本発明のさらに他の実施例による化学気相蒸着装置100’’は、チャンバー本体10、チャンバーカバー20、反応ガス供給部30、非反応ガス供給部40’、カバー部材50を含んで構成される。図18及び図19に示された実施例において、化学気相蒸着装置の構成は、図15及び図16に示された実施例の場合と実質的に同一である。但し、非反応ガス供給部の構造が図15及び図16に示された実施例と異なるため、以下では、上述した実施例と重複する部分に関する説明は省略し、非反応ガス供給部に関する構成を主として説明する。図示されているように、非反応ガス供給部40’は、チャンバーカバー20の中心部を貫通してサセプタ11に向かって伸びる非反応ガス導入通路42と、非反応ガス導入通路42の周りに沿って形成されて放射状に非反応ガスgを噴射する複数の非反応ガス噴射ホール41と、非反応ガス導入通路42と非反応ガス噴射ホール41を連結する連結部44と、を含む。連結部44は、複数のプレート部材45を含み、複数のプレート部材45が反応空間15に伸びた非反応ガス導入通路42に挿入固定されて非反応ガス導入通路42の長さ方向に沿って上下に互いに離隔して配置される多層構造を有する。特に、プレート部材45は、非反応ガス導入通路42を基準としてそれぞれ相違したサイズの半径を有する複数の同心円形を有し、チャンバーカバー20からサセプタ11に向かって半径のサイズが小さくなる階段式構造をなす。この場合、隣接するプレート部材45の間の半径サイズの差は、図11ないし図17の実施例で説明した非反応ガス噴射ホール41の間の距離dだけの差を有する。プレート部材45は、熱による変形が少ない材質、例えば、石英などからなる。本実施形態では、連結部44を構成するプレート部材45が別途の構成要素であり非反応ガス導入通路42に挿入固定されると説明したが、これに限定されるものではない。プレート部材45は、非反応ガス導入通路42の外側面から伸びる構造で備えられて非反応ガス導入通路42と一体をなすこともできる。非反応ガス噴射ホール41は、多層構造で配置される連結部44を介して非反応ガス導入通路42とそれぞれ連結されて非反応ガス導入通路42を通じて導入される非反応ガスgを反応空間15に噴射する。特に、多層構造で配置される連結部44のプレート部材45は、下部のサセプタ11の方から上部のチャンバーカバー20の方に向かって半径のサイズが次第に増加する階段式構造を有するため、各連結部44を構成する各プレート部材45の端部に備えられる各非反応ガス噴射ホール41も上記増加された半径のサイズに対応して下部から上部に向かって非反応ガス導入通路42からの距離が増加するようになる。したがって、サセプタの中心から外周側へ遠くなっても、非反応ガスが噴射できるため、蒸着物の付着防止効果の減少を防止できる。反応ガス供給部30は、非反応ガス供給部40の非反応ガス導入通路42内に備えられて外部から反応ガスGを導入する反応ガス導入通路33と、反応ガス導入通路33の端部に備えられてサセプタ11の中心から外周側に向かう放射状のガスの流れを形成するように反応ガスGを噴射する反応ガス噴射ホール32と、を含む。図示されているように、反応ガス噴射ホール32は、非反応ガス導入通路42の最下側にサセプタ11に近接して配置されてサセプタ11の表面に反応ガスが流れるように反応ガスGを供給する。非反応ガス供給部40がチャンバーカバー20を貫通して備えられることにより、チャンバーカバー20内には冷媒貯蔵室70が備えられてカバー部材50を含んでチャンバーカバー20を冷却できる。一方、図20ないし図22を参照して図1ないし図19に示された化学気相蒸着装置を用いた発光素子の製造方法について説明する。図20は上記化学気相蒸着装置が用いられるシステムを概略的に示す図面であり、図21は図20のシステムによりウエハ上に成長した薄膜の構造を概略的に示す図面であり、図22は図21の薄膜に電極を形成した状態を概略的に示す図面である。図20に示されているように、化学気相蒸着装置100は、管路200を介して反応ガス貯蔵所400及び非反応ガス貯蔵所210、220とそれぞれ連結されて反応ガス及び非反応ガスを供給される。上記反応ガスと非反応ガスは、噴射マニホルド300により化学気相蒸着装置100への流れが制御される。反応ガス貯蔵所400と非反応ガス貯蔵所210、220は、化学気相蒸着装置100の排気ライン110と連結され、差圧コントロール500により外部に排気される一部の反応ガス及び非反応ガスの流れが制御される。化学気相蒸着装置100は、排気ライン110を通じて蒸着工程後の上記反応ガス及び非反応ガスを外部に放出し、放出される上記反応ガス及び非反応ガスは、フィルター600を経てスクラバー900に排気される。なお、説明していない図面符号700はスロットルバルブであり、図面符号800はポンプである。以下では、上述したシステムで上記化学気相蒸着装置を用いて製造される発光素子の製造方法について説明する。上記発光素子は、上記化学気相蒸着装置により成長した薄膜からなる発光素子ダイを含む。まず、図1ないし図19で説明したチャンバー本体10とチャンバーカバー20を含む化学気相蒸着装置100において、チャンバー本体10内に備えられるサセプタ11上の各ポケット12に薄膜成長のためのウエハWを装着させるローディング。ウエハWは、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、シリコンカーバイドSiC、シリコン、ガリウム酸化物Ga2O3、亜鉛酸化物ZnOなどを含み、サファイアとしては、c面/r面/m面サファイアなどを用いる。ウエハWとしては、サセプタ11上のポケット12のサイズに応じて2インチ、4インチ、6インチ、8インチ、12インチのウエハなどを用いる。サセプタ11は、2インチウエハの場合は全部で30ないし140枚程度のウエハWを一回に装着でき、4インチウエハの場合は、8ないし40枚、6インチウエハの場合は5ないし20枚、8インチウエハの場合は4ないし12枚、12インチウエハの場合は1ないし4枚のウエハWを装着できる。サセプタ11のポケット12の形態は、ウエハWが装着される表面は滑らかな形態であり、両端部や中間部には一つ又は多数の不図示の溝grooveが形成される。このような溝は、高温加熱時に均一に熱を分散させてウエハのBowingによる曲がりを防止できる。ウエハWがサセプタ11上に装着ローディングされた後には、チャンバーカバー20でチャンバー本体10を覆って気密を維持させる。チャンバー本体10の内部の気密は、真空ポンプなどを用いて内部の真空度が10-9ないし10-10torrを維持するようにする。真空ポンプとしては、乾式dryポンプ、スクロールscrollポンプ又はロータリーRotaryポンプなどを用いる。容量に応じて異なるが、特に、乾式ポンプは、ガス排気速度が速く、高真空度を望むときに一般に用いられる。次に、チャンバーカバー20内の非反応ガス貯蔵室21に収容される非反応ガスgを、チャンバーカバー20に装着されたカバー部材50に備えられる非反応ガス供給部40を通じてカバー部材50とサセプタ11の間で形成される反応空間15に噴射する。非反応ガスgとしては、窒素、水素、ヘリウムなどを用いる。そして、チャンバー本体10内に備えられる反応ガス供給部30を通じて反応ガスGを反応空間15に噴射してウエハWの表面に薄膜を成長させる。具体的には、反応ガスGを噴射する段階では、サセプタ11の表面に沿って反応ガスGが流れるように反応空間15に反応ガスGを供給し、非反応ガスgを噴射する段階では、カバー部材50の表面に沿って非反応ガスgが流れるように反応空間15に非反応ガスgを供給することにより、下部側に流れる反応ガスGの上部側であるカバー部材50の表面との接触を遮断する。この際、反応ガスGと非反応ガスgが円滑な流れを維持するように、非反応ガスgを、反応ガス供給部30から供給される反応ガスGの流れ方向に対応して反応ガスGの流れ方向に沿って供給する。そして、非反応ガスgを噴射する段階は、反応ガスGを噴射する段階より先に行われるか又は同時に行われる。4インチサファイアウエハW上への窒化ガリウムGaN半導体薄膜の形成を基準として工程を詳細に説明すると、加熱手段13によりサセプタ11上のウエハWの温度が500ないし1300度となるように調整し、反応空間15のウエハW上にTMGa、TEGa、NH3、TMIn、TMAl、Cp2Mg、SiH4、DTBSi、CBr4の反応ガスGを供給し、N2、H2の非反応ガスgを上記カバー部材50の表面に沿って供給してウエハW上で薄膜成長工程を行う。次に、ウエハW上で薄膜成長が完了すると、ウエハWの温度が100度程度となるまで自然冷却させた後、チャンバー本体10を開放して薄膜成長が完了したウエハWを取り出しアンローディング、新たな蒸着対象ウエハに交替する。成長が完了した薄膜L、即ち、半導体層は、図21に示されているようにサファイアウエハW上に順次積層されたバッファー層1、n-GaN層2、発光層3、電子遮断層EBL4、p-GaN層5を含む。バッファー層1は、窒化物などからなるアンドープ半導体層として用いられ、その上に成長する半導体層であるGaN層の格子欠陥を緩和させるために、GaN層の成長前に低温領域500度ないし600度でウエハW上に形成される。n-GaN層2はマイナス電極の形成のためにGaNにSiをドープして形成され、p-GaN層5はプラス電極の形成のためにGaNにMgをドープして形成される。発光層3は、n-GaN層2とp-GaN層5の間に形成され、電子と正孔の再結合によって所定エネルギーを有する光を放出する。発光層3には、量子井戸層と量子障壁層が交互に積層された多重量子井戸MQW構造、例えば、InGaN/GaN構造が用いられる。電子遮断層4は、発光層3を通過した電子を遮断するように発光層3とp-GaN層5の間に形成される。電子遮断層4が発光層3の上部に配置されて上記n-GaN層2から発光層3を通過する電子の流れを遮断するため、発光層3での電子と正孔の再結合効率を増加させる。電子遮断層4は、AlGaN、GaN、InGaNが交互に積層された超格子構造を有し、電子遮断層4を構成するAlGaN、GaN、InGaNは互いに異なる厚さで構成される。例えば、電子遮断層4は、AlGan/GaN/InGaNが繰り返し積層された構造からなり、AlGaN層は、発光層3からp-GaN層5に近いほどその厚さが減少し、GaN層及びInGaN層は、発光層3からp-GaN層5に近いほどその厚さが増加する。この場合、AlGaNは、大きなバンドギャップエネルギーを有するため、n-GaN層2から発光層3に注入される電子が発光層3を過ぎてp-GaN層5まで越えてくることを防止すると共に、p-GaN層5に近いほどその厚さが減少することにより、正孔の発光層3への注入効率を低下させない。また、GaN、InGaN層は、AlGaN層よりバンドギャップエネルギーが小さいことから、電子が発光層3を過ぎてp-GaN層5まで越えてくる可能性があるが、p-GaN層5の方に近いほど厚さが増加するため、電子が越えてくることを効果的に遮断できる。次に、半導体薄膜成長が完了したウエハWは、エッチング工程、電極形成工程、研磨工程などを経てからダイシング工程などを経て図22に示すように個別のダイDにシンギュレートされる。そして、各ダイDは、パッケージング工程を経て製品として完成する。図23に示すように、パッケージ本体1010のリードフレーム1020上に実装され、上記電極形成工程により形成された各電極6a、6bと上記リードフレーム1020をワイヤ1030により電気的に連結し、透明樹脂又は蛍光体が含有された樹脂からなるモールディング部材1040で上記ダイDをモールディングして個別の発光素子パッケージ1000として完成する。このような一連の工程を経て完成された発光素子パッケージ1000は、TVBLU、モニター、ノートパソコン、携帯電話製品などのディスプレイ用市場と室内及び室外LED照明市場、そして、ヘッドランプ、方向指示器、ダッシュボード、車両の室内灯のように、電装用市場で光源として多様に用いられる。