Alx1Ga1-x1-y1Iny1N0≦x1≦1、0≦y1≦1、x1y1≦1からなり、上面に稜線部を有する半導体部と、該半導体部上に前記稜線部を覆うように設けられた、Alx2Ga1-x2-y2Iny2N0≦x2≦1、0≦y2≦1、x2y2≦1からなり、かつx1≠x2またはy1≠y2となるように設定されている半導体層と、前記上面側から平面透視して前記半導体部上に前記稜線部と重なるように設けられた、特定の物質が接触することによって該物質との間で電荷の移動が起こる検知電極と、前記半導体層上に前記検知電極を間に挟むように一対で設けられた、間の前記半導体層に流す電流における前記検知電極への電荷の移動による変化を検出する検出電極とを備えたセンサ素子。前記検知電極および前記検出電極は、それぞれが前記稜線部に跨がって、該稜線部に沿って配置されている請求項1に記載のセンサ素子。Alx1Ga1-x1-y1Iny1N0≦x1≦1、0≦y1≦1、x1y1≦1からなる錐体状の半導体部と、該半導体部の先端を覆うように設けられた、Alx2Ga1-x2-y2Iny2N0≦x2≦1、0≦y2≦1、x2y2≦1からなり、かつx1≠x2またはy1≠y2となるように設定されている半導体層と、前記先端側から平面透視して前記半導体部上に前記先端と重なるように設けられた、特定の物質が接触することによって該物質との間で電荷の移動が起こる検知電極と、前記半導体層上に前記検知電極を間に挟むように一対で設けられた、間の前記半導体層に流す電流における前記検知電極への電荷の移動による変化を検出する検出電極とを備えたセンサ素子。このような、半導体センサ素子の研究開発において、検出する特定の物質の検出感度を向上させることが課題となっている。本発明は、このような諸事情を鑑みて案出されたものであり、検出感度を向上させることが可能なセンサ素子を提供することを目的とする。本発明のセンサ素子は、Alx1Ga1-x1-y1Iny1N0≦x1≦1、0≦y1≦1、x1y1≦1からなり、上面に稜線部を有する半導体部と、該半導体部上に前記稜線部を覆うように設けられた、Alx2Ga1-x2-y2Iny2N0≦x2≦1、0≦y2≦1、x2y2≦1からなり、かつx1≠x2またはy1≠y2となるように設定されている半導体層と、前記上面側から平面透視して前記半導体部上に前記稜線部と重なるように設けられた、特定の物質が接触することによって該物質との間で電荷の移動が起こる検知電極と、前記半導体層上に前記検知電極を間に挟むように一対で設けられた、間の前記半導体層に流す電流における前記検知電極への電荷の移動による変化を検出する検出電極とを備えている。また、本発明のセンサ素子は、Alx1Ga1-x1-y1Iny1N0≦x1≦1、0≦y1≦1、x1y1≦1からなる錐体状の半導体部と、該半導体部の先端を覆うように設けられた、Alx2Ga1-x2-y2Iny2N0≦x2≦1、0≦y2≦1、x2y2≦1からなり、かつx1≠x2またはy1≠y2となるように設定されている半導体層と、前記先端側から平面透視して前記半導体部上に前記先端と重なるように設けられた、特定の物質が接触することによって該物質との間で電荷の移動が起こる検知電極と、前記半導体層上に前記検知電極を間に挟むように一対で設けられた、間の前記半導体層に流す電流における前記検知電極への電荷の移動による変化を検出する検出電極とを備えている。本発明のセンサ素子によれば、半導体部と半導体層との界面に、キャリア密度が高くなった領域を形成することができるとともに、半導体層を構成する結晶格子を半導体部によって歪ませることによって半導体層内に発生するピエゾ電界を強くすることができ、2次元キャリアガス層のキャリア濃度をさらに高めることができる。その結果、センサ素子の検出感度を向上させることができる。以下、図面を参照しつつ、本発明にかかるセンサ素子の実施形態について詳細に説明する。本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変更を施すことができる。<センサ素子の第1の実施形態>本実施形態に係るセンサ素子1は、図1および図2に示すように、基板2、半導体部3、半導体層4、検知電極5、および一対の電極からなる検出電極6を有している。基板2は、半導体部3を結晶成長させることが可能な基材を用いることができる。具体的に、基板2としては、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、シリコンカーバイド、シリコンおよび二ホウ化ジルコニウムなどを用いることができる。基板2の厚みとしては、100μm以上1000μm以下に設定することができる。基板2は、半導体層4を成長させた後、エッチングなどの方法によって除去しても良い。半導体部3は、基板2上に形成されている。半導体部3は、化学式Alx1Ga1-x1-y1Iny1N0≦x1≦1、0≦y1≦1、x1y1≦1で表わされる、窒化ガリウムによって構成されている。半導体部3は、図2に示すように、上部3Aが稜線部3A’を有している。ここで、稜線部3A’とは、半導体部3を、2か所でA-A’方向に切断した断面の上部3A同士をつなぐ線を指す。稜線部3A’は、Y軸方向に延びている。稜線部3A’は、直線状になっていてもよいし、Z軸方向に湾曲していてもよい。半導体部3は、具体的に、三角柱の側面が基板2の主面2Aに接するような形状をなしている。半導体部3の高さZ軸方向の寸法は、例えば1μm以上60μm以下となるように設定することができる。また、半導体部3の横幅X軸方向の寸法は、例えば1μm以上100μm以下となるように設定することができる。さらに、半導体部3の稜線部3A’の長さY軸方向の寸法は、例えば1μm以上1mm以下となるように設定することができる。半導体部3は、A-A’線で切断した断面の形状が台形状となっていてもよく、この場合には、半導体部3が上面を持つこととなる。半導体部3が上面を持つ場合において、稜線部3A’は上面全体を指すこととなる。なお、このように半導体部3が上面を持つ場合には、半導体部3は、五角柱の側面が基板2の主面2Aに接するような形状となっている。半導体層4は、半導体部3の上部3Aを覆うように設けられている。半導体層4は、半導体部3の側面から上部3Aにかけて、上部3Aを覆うように設けられていればよい。なお、半導体層4は、上面4Aを有していてもよい。半導体層4が、上面4Aを有する場合には、当該上面4Aに後述する検知電極5を設けることができればよく、例えば、1μm2以上5mm2以下となるように設定することができる。半導体層4は、化学式Alx2Ga1-x2-y2Iny2N0≦x2≦1、0≦y2≦1、x2y2≦1からなる材料によって構成されている。半導体層4は、半導体部3と異なる組成x1≠x2またはy1≠y2となるように設定されることによって、半導体層4は、半導体部3と異なる格子定数を有するように設定される。半導体層4は、例えば、半導体部3をGaNで形成した場合、GaNと格子定数の異なるAlGaNを用いることができる。AlGaNは、Alの組成比がGaNよりも多くなっていることから、a軸方向の格子定数をGaNと比較して小さくすることができる。このようにGaNからなる半導体部3上に、GaNと異なる格子定数を有するAlGaNからなる半導体層4を形成することで、半導体部3と半導体層4との接合界面付近においてピエゾ電界をかけることができ、図3に示すように、半導体部3の上部3A稜線部3A’と略平行な2次元方向に電子濃度が高くなった2次元電子ガス層3’を形成することができる。この原理について、図4を用いて説明する。図4aは、GaNからなる半導体部3の上部3A上に、AlGaNからなる半導体層4が形成された場合のGaNとAlGaNとの接合界面付近におけるエネルギーバンド図を示す。図4bは、aの状態に内部電界がかかった状態のエネルギーバンド図を指している。なお、図4のエネルギーバンド図は半導体部3と半導体層4の価電子帯7、フェルミ準位8、伝導帯9を模式的に表した図である。半導体部3と、半導体部3と異なる格子定数を持つ半導体層4とが接するように形成されることにより、半導体部3のエネルギーバンドと半導体層4のエネルギーバンドとの接合界面付近のエネルギーバンドが歪むこととなる。エネルギーバンドの歪みは、半導体部3のエネルギーバンドと半導体層4のエネルギーバンドとの不連続性と、半導体部3と半導体層4との格子定数の差および形状によって生じる結晶の歪みによるピエゾ電界と、によるものである。このようなエネルギーバンドの歪みにより、半導体部3と半導体層4との接合界面付近にエネルギーバンドの溝10が形成され、このエネルギーバンドの溝10に電子ガスが蓄積されて、2次元電子ガス層3’が形成される。なお、キャリアガスとして本実施形態では電子を用いたが、正孔を用いてもよい。半導体層4の厚みは、2nm以上150nm以下となるように設定される。半導体層4の厚みを、例えば20nm以上50nm以下に設定することにより、十分な2次元電子ガス層3’を形成することができる。なお、半導体層4の膜厚は、半導体層4の組成と、半導体部3と半導体層4との接合面でエネルギーバンドが歪む半導体層4の臨界膜厚と、により決めることができる。例えば、半導体部3がGaNで形成され、半導体層4がAl0.1Ga0.9Nで形成されている場合、半導体層4の膜厚は40nmに設定することができる。検知電極5は、図5に示すように、半導体層4の上面4A側からZ軸の正方向から負方向へ平面透視して、半導体部3上に稜線部3A’と重なるように設けられている。検知電極5は、2次元電子ガス層3’と重なるように、検知電極5が、半導体層4の上面4A上に設けられている。この検知電極5が、特定の物質に接触することによって、該物質との間で電荷の移動が起こり、当該物質の有無または量を検出することとなる。検知電極5の厚みは、例えば005μm以上3μm以下となるように設定することができる。また、検出する特定の物質によっては、検知電極5を設けなくてもよい。その場合、検知電極5を設ける位置を検知領域として用いればよい。このような検知領域は、例えば検知領域以外の半導体層4の露出している表面を絶縁膜などで覆うことにより形成することができる。このような絶縁膜は、厚みが、例えば100nm以上5μm以下となるように設定することができる。検知電極5の表面には、特定の物質のみが付着しやすいようにレセプタを塗布していてもよい。具体的に、特定の物質としては、例えばグルコース、DNA、プロテイン、アセチルコリンエステラーゼ、水素ガス、アンモニアガスおよびバクテリアなどがある。レセプタとしては、例えば一本鎖DNA、抗体またはタンパク質等、検出を行なう特定の物質に対して感応する材料を用いることができる。このように検知電極5の表面を加工することによって、検出する物質を付着しやすくするとともに、検出対象となっていない物質の付着を抑制することができる。また、物質と検知電極5との間で行なわれる電荷の移動によって生じる半導体層4内の電圧変化または電流変化を大きくする材料をレセプタとして用いてもよい。検出電極6は、第1検出電極6aおよび第2検出電極6bから構成されている。検出電極6は、検知電極5を間に挟むように一対で半導体層4上に設けられている。具体的には、第1検出電極6aと第2検出電極6bとの間に、検知電極5が位置するように配置されている。検出電極6は、第1検出電極6aと第2検出電極6bとの間の半導体層4に流す電流をモニタリングすることにより、特定の物質と検知電極5との間で起こる電荷の移動による電圧変化または電流変化を検出するようになっている。検知電極5および検出電極6としては、例えば、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、インジウム、錫、モリブデン、銀、金、ニオブ、タンタル、バナジウム、白金、鉛、ベリリウム、酸化錫、酸化インジウム、酸化インジウム錫、金-シリコン合金、金-ゲルマニウム合金、金-亜鉛合金、金-ベリリウム合金などの薄膜を好適に用いることができる。また、検知電極5および検出電極6は、上記材料の中から選択した層を複数層積層したものとしても構わない。さらに、検知電極5および検出電極6としては、オーミック接触することが可能な材料を選択すればよく、例えば金または銀などを用いることができる。上述の説明では、半導体部3をGaNとし、半導体層4をAlGaNとしたが、これに限られるものではなくAlGaInN系化合物半導体同士で半導体部3と半導体層4との格子定数を異なるように設定してもよい。AlGaInN系化合物半導体は、Alの組成比を増やすか、Inの組成比を減らすことにより格子定数を変えることができる。具体的には、半導体部3がAlx1Ga1-x1-y1Iny1N0≦x1≦1、0≦y1≦1、x1y1≦1により形成されている場合、半導体層4は半導体部3と異なる格子定数のAlx2Ga1-x2-y2Iny2N0≦x2≦1、0≦y2≦1、x2y2≦1、x2>x1、y1>y2により形成することができる。例えば、半導体部3としてx1=01、y1=03としたAl0.1Ga0.6In0.3Nを用いた場合には、第3半導体層4としてx2>x1となるx2=02かつy1>y2となるy2=01としたAl0.2Ga0.7In0.1Nを用いることができる。本実施形態では、半導体部3と半導体層4との接合界面付近に2次元電子ガス層3’を有する構成である。このような2次元電子ガス層3’内においては、電子の移動度が高くなっているため、第1検出電極6aと第2検出電極6bとの間で電流が流れやすくなっている。換言すると、第1検出電極6aと第2検出電極6bとの間に流れる電流のSN比を向上させることができ、小さい電流の変化も検出することができるようになっている。ここで、検知電極5の表面レセプタに特定の物質が接触して、該物質と検知電極5との間で電荷の移動が起こった場合、検知電極5付近で電界が変化することとなる。この電界の変化によって、当該検知電極5付近の2次元電子ガス層3’内における電子濃度が一部変化し、第1検出電極6aおよび第2検出電極6bの間に流れる電流が一部変化する。この検出電極6に流れる電流の変化を検出することによって、検知電極5に特定の物質が接触したことを検知することができる。すなわち、センサ素子1によって、特定の物質の有無または量を検出することができる。このようにセンサ素子1は、高い電子移動度を持つ2次元電子ガス層3’を利用することから、従来のセンサ素子よりも検出感度を向上させることができる。本実施形態では、図2に示すように、さらに半導体層4が半導体部3の上部3Aを覆うように設けられている。このことから、半導体部3の上部3Aで半導体層4を構成する結晶格子が大きく歪むこととなり、上部3A付近の半導体層4内に応力がかかるようになっている。半導体層4内にこのような応力をかけることによって、半導体層4内に発生するピエゾ電界を強くすることができ、2次元電子ガス層3’内の電子密度を高くすることができる。その結果、2次元電子ガス層3’内の電子移動度を高くすることができ、検出感度をさらに向上させることができる。さらに、稜線部3A’が、Z軸方向に湾曲して設けられていた場合には、半導体層4を構成する結晶格子がX軸方向だけでなくY軸方向にも歪ませることができ、当該稜線部3A’付近の半導体層4に応力をさらにかけることができる。これによって、半導体層4内に発生するピエゾ電界をさらに強くすることができる。その結果、2次元電子ガス層3’内の電子密度を高くすることができ、センサ素子1の検出感度をさらに向上させることができる。センサ素子の第1の実施形態の変形例1検知電極5および検出電極6は、図6に示すように、それぞれが稜線部3A’に跨って、稜線部3A’に沿って配置されていてもよい。すなわち、検出電極6を構成する第1検出電極6aおよび第2検出電極6bは、間に検知電極5が配置されているととともに、検出電極6と検知電極5とが一列状になるように半導体層4上に設けられている。このように、検知電極5および検出電極6が、稜線部3A’に跨るとともに稜線部3A’に沿って配置されていることによって、厚み方向Z軸方向に平面透視して、検知電極5および検出電極6が、2次元電子ガス層3’と重なるように配置されることとなる。これによって、検出電極6を構成する第1検出電極6aおよび第2検出電極6bの間を流れる電流が、電子移動度の高くなった2次元電子ガス層3’内を流れやすくなり、検知電極5付近での微小な電圧変化または電流変化を検出することができる。その結果、センサ素子の検出感度をさらに向上させることができる。センサ素子の第1の実施形態の変形例2図7に示すように、基板2上に下地層3を設けてもよい。下地層3は、半導体部3と同じ材料によって構成されていてもよく、半導体層4と異なる格子定数を持つ材料から選択される。下地層3は、厚みが、例えば05μm以上20μm以下となるように設定することができる。このように下地層3を基板2上に形成することにより、2次元電子ガス層3’を、下地層3と半導体層4との界面および半導体部3’と半導体層4との界面に設けることができる。そのため、半導体層4上に検出電極6を配置する場合、当該2次元電子ガス層3’を電流が流れやすくなり、検出感度をさらに向上させることができる。<センサ素子の第2の実施形態>以下、第2の実施形態に係るセンサ素子20について、図8を参照しつつ、説明をする。なお、第1の実施形態に係るセンサ素子1と重複する部分については同一符号を付し、その説明を省略する。第1の実施形態に係るセンサ素子1とは、主に半導体部の構成が異なっている。すなわち、本実施形態に係るセンサ素子20は、錐体状の半導体部21をとなっている点で、センサ素子1とは異なっている。半導体部21は、図8に示すように、錐体状によって形成されている。ここで錐体状とは、例えば、五角錐状および六角錐状などの多角錐状、または円錐状などを挙げることができる。半導体部21の高さY軸方向の寸法および横幅X軸方向の寸法は、例えば1μm以上100μm以下となるように設定することができる。また、本実施形態の錐体状には、例えば、五角錘台状および六角錐台状などの多角錐台状、または円錐台状などを用いてもよい。本実施形態では、半導体部21が六角錐形状で形成されている。半導体層22は、半導体部21の先端21Aを覆うように設けられている。半導体層22は、半導体部21の先端21Aが側面から覆われるように設けられている。このように半導体層22が半導体部21の先端21Aを覆うことにより、半導体層22を構成する結晶格子が大きく歪むこととなる。その結果、半導体層22内に応力が発生しやすくなり、半導体層22内に発生するピエゾ電界を強くすることができる。検知電極5は、半導体部3の先端21A側から平面透視して半導体部3上に、先端21Aと重なるように設けられている。また、検出電極6は、第1検出電極6aと第2検出電極6bとが、検知電極5を間に挟むように配置されている。検知電極5の表面レセプタに特定の物質が接触することによって、該物質との間で電荷の移動が起こり、検出電極6で電圧変化または電流変化を検出することとなる。本実施形態のセンサ素子20によれば、半導体部21の先端21Aを覆うように、半導体層22が設けられていることから、半導体部3と半導体層4との間に形成される2次元電子ガス層3’の電子濃度が高くなっている。その結果、センサ素子20の検出感度を向上させることができる。さらに、本実施形態では、先端21Aを覆うことから、半導体層4を構成する結晶格子がX軸方向だけでなくY軸方向にも歪むこととなり、当該先端21付近の半導体層22に応力をさらにかけることができる。これによって、半導体層4内に発生するピエゾ電界をさらに強くすることができる。その結果、2次元電子ガス層3’内の電子密度を高くすることができ、センサ素子1の検出感度をさらに向上させることができる。<センサ素子の製造方法>第1の実施形態に係るセンサ素子1の製造方法について、以下説明する。第1の工程まず、基板2上に、半導体部3を結晶成長させる。半導体部3の形状を形成する方法としては、主面2Aに凹凸が形成された基板2または主面2Aの一部がフッ素などにより加工された基板2等に結晶成長させる横方向成長法などを用いることができる。本実施形態においては、主面2Aの一部がフッ素により加工された基板2を用いて説明する。基板2は、主面2Aにおいて、表面が露出した露出表面2aと、フッ素などの基板2の主面2Aよりも表面エネルギーが小さくなる材料により加工された被覆表面2bとを有している。次に、この基板2の主面2A上に半導体部3を結晶成長させる。図9aに示すように、基板2の露出表面2aに半導体部3の構成元素からなる結晶体11を結晶成長させる。結晶体11は、基板2と比較して、例えば格子定数および熱膨張係数などが異なるため、基板2の露出表面2aから内部に延びる転位12を有するようになる。転位12は、結晶成長させる半導体の層の結晶面に、意図しない結晶面または原子ステップが発生することによって生じやすくなり、例えば刃状転位またはらせん状転位などの種類がある。結晶体11の形状は、例えば三角錐形状または六角錐形状などの多角錐形状、三角錐台形状または六角錐台形状などの多角錐台形状、円錐形状、または円錐台形状などとすることができる。結晶体11は、基板2の主面2Aから頂部までの高さを、005μm以上2μm以下に設定することができる。本実施形態において、結晶体11は六角錘形状で形成されている。結晶体11は、基板2の主面2Aに、組成比、成長温度および成長圧力などの成長条件を調整することによって結晶成長させることができる。基板2の付着表面2bにはフッ素が付着していることから、結晶体11を基板2の主面2Aに結晶成長させる際に、半導体の結晶が成長しにくくなっている。そのため、表面エネルギーの小さい基板2の付着表面2bに、半導体部3を構成する原子または分子等が飛着してきたとしても再度飛散していくか露出表面2aに移動すると考えられるからである。次に、図9bに示すように、結晶体11を横方向に成長させることにより、結晶体11を含む第2結晶体13を形成する。具体的には、基板2の露出表面2aに形成した結晶体11の側面を、平面透視して、基板2の付着表面2bを覆うように横方向へ結晶成長させて第2結晶体13を形成する。結晶体11を横方向に成長させることにより、基板2の露出表面2aから厚み方向に延びる転位12を、基板2の主面2Aと平行な平面方向に曲げることができる。第2結晶体13をさらに横方向に成長させることによって、図9cに示すように、隣接する2つの第2結晶体13が合わさるようにする。隣接する2つの第2結晶体13同士を合わせることにより、それぞれの第2結晶体13から延びる転位12を結合させて、結合箇所から厚み方向に延びる転位12の数を減らすことができる。そして、第2結晶体13をさらに横方向に成長させることにより、半導体部3となる第3結晶体14を形成する。第3結晶体14は、例えば、多角錐形状、多角錐台形状、円錐形状および円錐台形状などの立体形状、または側面同士を稜線で結んだ立体形状などに形成することができる。本実施形態では、第3結晶体14が、三角形の側面同士を稜線で結んだ立体形状によって構成されている場合について以下説明する。なお、結晶体11をそのまま半導体部3として用いてもよい。本実施形態では、半導体部3を形成する際に、基板2から延びる転位12を、基板2の主面2Aと平行な方向に曲げることから、半導体部3の上部3A付近の結晶性を高めることができる。このように半導体部3の上部3A付近の結晶性を高めることができることから、半導体層4が形成されることによって設けられる2次元電子ガス層3’において電子移動度を高くすることができる。第2の工程次に、図10に示すように、半導体部3上に半導体層4を結晶成長させる。具体的には、基板2の主面2Aおよび半導体部3の表面に、半導体部3の稜線部3A’を覆うように、半導体層4を結晶成長させればよい。半導体層4は、Alx2Ga1-x2-y2Iny2N0≦x2≦1、0≦y2≦1、x2y2≦1からなり、かつx1≠x2またはy1≠y2となるように設定されている。半導体部3から半導体層4を結晶成長させる方法として、例えば横方向成長を用いてもよい。第3の工程その後、図11に示すように、半導体層4上に、検知電極5および検出電極6を形成する。検知電極5および検出電極6を形成する方法としては、例えば金属を用いる場合は、スパッタリング法または蒸着法などを用いることができる。なお、検知電極5および検出電極6となる金属を積層した後、アニールを行なうことによってオーミック接触させてもよい。このようにして、センサ素子1を製造することができる。