第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体と、前記第2半導体層の表面に設けられ、前記発光層から放射される発光を透過させる透明電極層と、前記透明電極層に電気的に接続された第1電極と、前記第1半導体層に電気的に接続された第2電極と、を備え、前記透明電極層の縁に沿った領域であって、前記透明電極層の厚さが中央側よりも前記縁側で薄くなるように設けられた領域を有することを特徴とする半導体発光装置。前記透明電極層の縁は、前記透明電極層の表面から前記第1半導体層の方向へ、前記透明電極層と前記第2半導体層と前記発光層とを連続してエッチングして形成された前記第2半導体層の側面に接することを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置。前記透明電極層の縁と、前記第2半導体層の縁と、が一致することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光装置。前記透明電極層の縁に沿った前記領域において、前記第2半導体層の表面に沿った方向における中央側から縁までの前記領域の幅が、前記積層体の積層方向の厚さよりも狭いことを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体発光装置。基板上に、第1導電形の第1半導体層と、発光層と、第2導電形の第2半導体層と、を順に形成する工程と、前記第2半導体層の表面に前記発光層から放出される発光を透過する透明電極層を形成する工程と、前記透明電極層の表面から前記第1半導体層の方向に、前記透明電極層と、前記第2半導体層と、前記発光層と、を連続してエッチングする工程と、を備え、前記透明電極層の縁に沿った領域であって、前記透明電極層の厚さが中央側よりも前記縁側で薄い領域を形成することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。本発明の実施形態は、高出力化を低コストで実現可能な半導体発光装置およびその製造方法を提供する。実施形態に係る半導体発光装置は、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体を備える。さらに、前記第2半導体層の表面に設けられ、前記発光層から放射される発光を透過させる透明電極層と、前記透明電極層に電気的に接続された第1電極と、前記第1半導体層に電気的に接続された第2電極と、を備える。そして、前記透明電極層の縁に沿った領域であって、前記透明電極層の厚さが中央側よりも前記縁側で薄くなるように設けられた領域を有する。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態では、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。さらに、第1導電形をn形、第2導電形をp形として説明するが、第1導電形をp形、第2導電形をn形としても良い。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る半導体発光装置100の構造を示す模式図である。図1aは、発光面を示す平面図であり、図1bは、図1aにおけるA-A断面の構造を示す。半導体発光装置100は、例えば、GaN系窒化物半導体を材料とするLEDであり、図1aに示すように、方形の外形を有し、その両端に、第1電極であるp電極13と、第2電極であるn電極15とを備える。そして、図1bに示すように、例えば、サファイア基板2の上に設けられた、第1半導体層であるn形GaN層3と、発光層5と、第2半導体層であるp形GaN層7と、を含む積層体10を備える。発光層5は、n形GaN層3とp形GaN層7との間に設けられ、例えば、InGaN井戸層とGaN障壁層とで構成される量子井戸を含む。p形GaN層7の表面には、透明電極層9が設けられる。透明電極層9は、低抵抗の導電性を有し、p形GaN層7の全面に電流を広げ発光層5に注入する。さらに、透明電極層9には、発光層5の発光を外部に取り出すために、発光に対して透明な材料を用いる。例えば、導電性酸化膜であるITOIndiumTinOxideを用いることができる。透明電極層9の表面には、p電極13が設けられる。p電極13は、例えば、ニッケルNiおよび金Auを順に積層した金属膜であり、透明電極層9に電気的に接続して設けられる。さらに、透明電極層9およびp形GaN層7、発光層5を選択的に除去して露出させたn形GaN層3の表面3aにn電極15が設けられる。n電極15は、例えば、チタンTiおよびアルミニウムAlを順に積層した金属膜であり、n形GaN層3に電気的に接続される。本実施形態に係る半導体発光装置100は、図1aに示すように、透明電極層9の縁に沿った領域9aを有する。領域9aは、透明電極層9の厚さが中央側よりも縁側において薄くなるように設けられる。例えば、図1bに示すように、中央側から縁に向かって薄くなるテーパ状に形成することができる。さらに、透明電極層9の縁は、透明電極層9の表面からn形GaN層3の方向へ、透明電極層9とp形GaN層7と発光層5とを連続してエッチングして設けられた側面10aに接している。すなわち、図1bに示すように、透明電極層9の縁と、p形GaN層7の縁とが一致する。そして、透明電極層9の縁と、p形GaN層7の縁とが、厳密な意味で一致する場合だけでなく、概ね一致する場合も含む。例えば、透明電極層9の横方向のエッチング速度と、p形GaN層7の横方向のエッチング速度と、の違いに起因して生じる程度の段差があっても良い。次に、図2および図4を参照して、半導体発光装置100の製造過程を説明する。図2a~図4は、それぞれの製造工程におけるウェーハの一部を模式的に示す断面図である。まず、図2aに示すように、サファイア基板2の上に、n形のGaN層3と、発光層5と、p形のGaN層7と、を順に形成する。これらの窒化物半導体層は、例えば、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法を用いて形成することができる。次に、図2bに示すように、p形GaN層7の表面に透明電極層9を形成する。透明電極層9は、低抵抗の導電性膜であって、発光層5から放出される発光を透過する材料を用いる。例えば、スパッタ法もしくは蒸着法を用いて形成できるITO、ZnO等の導電性酸化膜を使用する。透明電極層9の厚さは、そのシート抵抗と透過率とを勘案して決定する。例えば、透明電極層9を厚くすればシート抵抗は低くなるが、発光の透過率が下がる。一方、透明電極層9を薄く形成すれば、透過率は高くなるが、シート抵抗が大きくなってしまう。例えば、ITOの場合、250nm程度の厚さに設けることができる。次に、図3aに示すように、透明電極層9の一部を覆うエッチングマスク21を形成する。エッチングマスク21には、例えば、シリコン酸化膜SiO2を用いる。続いて、透明電極層9の表面からn形GaN層3の方向に、透明電極層9と、p形GaN層7と、発光層5とを、例えば、RIEReactiveIonEtching法を用いて連続エッチングする。図3b~図3dは、エッチングの過程を模式的に示している。エッチングガスとして塩素Cl2を使用し、垂直方向透明電極層9からn形GaN層3に向かう方向のエッチングが支配的となるエッチング条件を用いる。図3bに示すように、エッチングの最初の段階では、例えば、エッチングマスク21により、透明電極層9およびp形GaN層7が選択的にエッチングされ、垂直なエッチング面10aが形成される。同時に、エッチングマスク21もエッチングされ薄くなる。そして、エッチングマスク21の縁21aにおけるエッチングが進み、中央から縁21aの方向に薄くなる。さらに、エッチングが進むと、図3cに示すように、エッチングマスク21の縁21aにおける厚さが0となる。そして、これ以降のエッチングでは、図3dに示すように、エッチングマスク21の縁21aが中央側に後退し、透明電極層9の端部が徐々にエッチングされる。そして、エッチングマスク21の端の形状が転写され、透明電極層9の厚さが中央側から縁に向かって薄くなる。結果として、n形GaN層3の表面3aを露出させると同時に、透明電極層9の縁に沿った領域9aを形成することができる。言い換えれば、透明電極層9およびp形GaN層7、発光層5を除去してn形GaN層3の表面3aを露出させる間に、透明電極層9の端に領域9aが形成されように、エッチングマスク21の厚さを調整する。続いて、エッチングマスク21を、例えば、ウェットエッチングにより除去する。その後、図4に示すように、透明電極層9の表面にp電極13を形成し、n形GaN層3の表面3aにn電極15を形成する。p電極13は、例えば、真空蒸着法を用いて、透明電極層9の表面にNiおよびAuを順に積層し、パターニングすることにより形成できる。n電極15は、例えば、スパッタ法もしくは蒸着法を用いて、TiおよびAlを順に積層し、パターニングすることにより形成できる。上記の製造過程により半導体発光装置100が完成する。そして、サファイア基板2の裏面を研削し薄く加工した後、例えば、ダイサーを用いて個々の半導体発光装置100をウェーハから切り出す。次に、図5~図7を参照して、本実施形態に係る半導体発光装置の作用を説明する。図5a~図7cは、本実施形態に係る半導体発光装置100~120と、比較例に係る半導体発光装置200および300と、の部分断面を示す模式図である。例えば、図5aに示す半導体発光装置100では、発光層5から放射され透明電極層9の端に向かって伝播する発光L1は、領域9aを透過して外部に放出される。これに対し、図5bに示す半導体発光装置200では、透明電極層9の端に領域9aが設けられていない。そして、透明電極層9の表面に臨界角よりも大きな角度で入射する発光L2は、透明電極層9の表面、および、エッチング面10aにおいて全反射され、積層体10の内部において反射を繰り返しながら減衰する。すなわち、透明電極層9の端に向かって伝播する発光の一部は、外部に取り出すことができない。このように、本実施形態に係る半導体発光装置100では、透明電極層9の縁に沿った領域9aを設け、発光層5から放射される発光の全反射を低減して光の取り出し効率を向上させる。図6aおよびbは、半導体発光装置100および300の電流注入の例を示す模式図である。図6aは、本実施形態に係る半導体発光装置100を示し、図6bは、比較例に係る半導体発光装置300を示している。図6aに示す半導体発光装置100では、透明電極層9の縁EMは、エッチング面10aに含まれる。そして、透明電極層9の縁EMと、p形GaN層7の縁と、発光層5の縁とが一致し、透明電極層9により広げられた駆動電流IDを発光層5の端部まで注入することができる。一方、図6bに示す半導体発光装置300では、透明電極層9の縁が、p形GaN層7および発光層5の縁よりも、積層体10の内側へWEだけ後退した状態に形成されている。このため、透明電極層9によりp形GaN層7中に駆動電流IDが広げられたとしても、発光層5の端の部分に注入される電流が少なく発光強度が低い。すなわち、半導体発光装置300では、発光層5の端部において発光強度が低下し、実質的な発光面積が狭くなる。このため、半導体発光装置300の光出力は、半導体発光装置100よりも低い。半導体発光装置300の製造過程では、透明電極層9と、p形GaN層9および発光層5と、が連続的にエッチングされず、別工程で加工される。すなわち、透明電極層9をパターニングした後に、p形GaN層9および発光層5のエッチングが行われる。そして、例えば、図3aに示すエッチングマスク21が、パターニングされた透明電極層9を覆う状態に設けられる。このため、図6bに示すように、透明電極層9の縁が、p形GaN層7および発光層5の縁よりも、積層体10の内側へWEだけ後退した状態で形成される。これに対し、本実形態に係る半導体発光装置100では、透明電極層9およびp形GaN層7、発光層5を連続してエッチングすることにより、透明電極層9に縁EMと、p形GaN層7および発光層5の縁とを一致させる。これにより、発光層5における発光を放射する領域の実質的な面積を広げ、光出力の向上を図ることができる。図7a~図7cは、半導体発光装置100および110、120における電流注入の例を示す模式図である。半導体発光装置100~120では、それぞれ、p形GaN層7の表面に沿った方向横方向における中央側から縁までの領域9aの幅WP図1a参照異なる。領域9aでは、透明電極層9の厚さが中央側より縁側で薄くなるため、縁側において透明電極層9の抵抗が高くなり、駆動電流IDの縁側への広がりが制限される。このため、発光層5の端部に注入される電流が減少し発光強度が低下する。したがって、発光領域の面積を広くするためには、領域9aの幅WPを狭くする方が有利となる。一方、図5を参照して説明した光の取り出し効率の観点からは、全反射する発光の成分を低減するために、領域9aの幅WPが広い方が有利である。すなわち、領域9aの幅WPは、発光領域の面積と、光取り出し効率と、を勘案して形成される。1つの基準として、積層体10の積層方向の厚さTE1を考えることができる。例えば、発光層5の端部に注入される駆動電流IDに対して、WPを横方向の電流経路の長さと見なし、TE1を積層方向の電流経路の長さと見なすことができる。そして、WPがTE1よりも広い場合と、WPがTE1よりも狭い場合とでは、発光層5の端部に注入される電流に対する領域9aの抵抗の影響が異なる。例えば、図7aに示す半導体発光装置100では、WPは、積層体10の積層方向の厚さTE1よりも狭く設けられ、横方向の電流経路よりも積層方向への電流経路が長くなる。このため、駆動電流IDの横方向への広がりに対する透明電極層9の抵抗の影響が緩和され、発光層5の端部における発光強度の低下を抑制することができる。一方、図7bに示す半導体発光装置110では、WPは、TE1よりも広く設けられ、積層方向への電流経路よりも横方向の電流経路が長くなる。このため、領域9aの抵抗が、駆動電流IDの横方向の広がりを制限し、発光層5の端部に注入される電流を減少させる。そして、WPを広くした効果として光取り出し効率の向上が見込まれるとしても、発光層5の端部における発光強度の低下の影響が大きく、光出力の向上は限定的となる。すなわち、半導体発光装置100では、WPをTE1よりも狭くすることにより、発光層5の端部における発光強度の低下を抑制することができる。そして、WPがTE1よりも狭い範囲内において、WPを最適化することにより光取り出し効率を高くして光出力を向上させることができる。さらに、図7cに示す半導体発光装置120に示すように、発光層5の上に積層される半導体層ここでは、p形GaN層7の厚さTE2よりもWPを狭く形成しても良い。これにより、駆動電流IDの横方向の広がりが維持され、発光層5の端部における発光強度の低下をさらに抑制して光出力を向上させることができる。ここで、領域9aと、透明電極層9のエッチングされない中央部と、の間において、透明電極層9の厚さが連続的に変化する場合、その境界の位置を特定できないことがある点に留意すべきである。そこで、領域9aの幅WPとして、例えば、透明電極層9の厚さがエッチングされていない中央部の厚さよりも10薄くなった点から、透明電極層9の縁までの間隔と定義することができる。図8は、半導体発光装置100の光出力の例を示すグラフである。横軸にサンプル番号、縦軸に、光出力を示している。サンプル番号S1~S3で示す半導体発光装置では、透明電極層9の縁に領域9aが形成されず、透明電極層9の縁がp形GaN層7の縁よりも積層体10の内側に後退した構造を有する。一方、サンプル番号S2~S6の光出力は、半導体発光装置100におけるデータであり、S1~S3の光出力よりも約18高いことがわかる。図9は、半導体発光装置100の光出力の別の例を示すグラフである。横軸に、透明電極層9の縁に形成されたテーパ形状の領域9aにおけるテーパ角θ図5a参照を示し、縦軸に光出力を示している。半導体発光装置100のチップサイズは、長辺350μm、短辺300μmである。図9に示すように、テーパ角θが90°の場合領域9aが形成されない構造に対応するの光出力に比べて、θが60°、40°と小さくするに従い、光出力が向上することがわかる。これは、領域9aの幅WPを広くすることにより、光取り出し効率が向上することを示している。積層体10の厚さは約6μm、透明電極層9ITOの厚さは250nmであり、TE2>WPの範囲にある。このように、本実施形態に係る半導体発光装置100では、透明電極層9の縁に沿った領域9aにおいて、中央側から縁側へ透明電極層9の厚さを薄く設ける。これにより、光取り出し効率を高くし光出力を向上させることができる。さらに、透明電極層9およびp形GaN層7、発光層5を連続してエッチングし、透明電極層9の縁と、p形GaN層7の縁と、発光層5の縁と、を一致させることにより、発光領域の面積を拡大して光出力を向上させることができる。また、透明電極層9と、p形GaN層7および発光層5とを連続してエッチングするため、製造工程が簡略化されコストを低減することも可能となる。上記の半導体発光装置100の製造過程において、透明電極層9およびp形GaN層7、発光層5のエッチングマスク21として、SiO2膜を使用する例を示したが、レジスト膜を使用しても良い。そして、図10に示すように、エッチングマスク21をエッチング前に変形させて、中央側から縁側の方向にレジスト膜の厚さが薄くなるように形成しても良い。例えば、レジスト膜は、その軟化温度よりも高い温度で熱処理することにより、図10中に21bで示す形状に変形させることができる。第2の実施形態図11は、第2の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図である。図11aに示すように、本実施形態に係る製造方法では、SiO2膜31と、レジスト膜32を積層したエッチングマスク33を用いて、透明電極層9およびp形GaN層7、発光層5のエッチングする。同図に示すように、レジスト膜32は、SiO2膜31の表面全体を覆うように形成する。図11bは、エッチングマスク33を用いてドライエッチングしたウェーハの部分断面を例示する模式図である。同図に示すように、透明電極層9およびp形GaN層7、発光層5がエッチングされ、n形GaN層3の表面3aが露出する。そして、透明電極層9の縁に沿って領域9aが形成される。SIO2膜31とレジスト膜33を積層することにより、レジスト膜33が全てエッチングされたとしても、透明電極層9の表面にSIO2膜31が残り、透明電極層9のオーバーエッチを防ぐことができる。第3の実施形態図12は、第3の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図である。図12aに示すように、本実施形態に係る製造方法では、レジスト膜35と、レジスト膜37を積層したエッチングマスク38を用いる。レジスト膜37は、レジスト膜35の表面全体を覆うように形成する。図12bは、エッチングマスク38を用いてドライエッチングしたウェーハの部分断面を例示する模式図である。レジスト膜35とレジスト膜37を積層したことにより、レジスト膜37がエッチングされた後に透明電極層9の表面にレジスト膜35が残りオーバーエッチを防ぐ。例えば、レジスト膜35には、レジスト膜37よりもエッチング速度が遅い材料を用いる。第4の実施形態図13は、第4の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図である。図13aに示すように、本実施形態に係る製造方法では、例えば、SiO2膜41と、SiO2膜42と、SiO2膜43と、を積層した3層のエッチングマスク45を用いて、透明電極層9およびp形GaN層7、発光層5をエッチングする。同図に示すように、SiO2膜42の縁は、SiO2膜41の縁よりも内側に後退して形成され、SiO2膜43の縁がSiO2膜42の縁よりも内側に後退した状態に形成する。図11bは、エッチングマスク45を用いてドライエッチングしたウェーハの部分断面を例示する模式図である。同図に示すように、透明電極層9およびp形GaN層7、発光層5がエッチングされた後に、少なくとも、SiO2膜41が透明電極層9の上に残るようにエッチングする。これにより、透明電極層9のオーバーエッチを防ぐことができる。さらに、透明電極層9の縁に沿って形成される領域9aの形状を、SIO2膜42および43の後退幅で調整することができる。また、SiO2膜41~43に代えて、レジスト膜を用いた3層構造のエッチングマスクを用いても良い。例えば、ポジ型レジスト/ネガ型レジスト/ポジ型レジストの3層構造としても良い。上記の実施形態は、GaN系窒化物半導体を用いた半導体発光装置に限らず、他の窒化物半導体、また、AlGaInP系半導体を材料とする半導体発光装置に適用することができる。なお、本願明細書において、窒化物半導体とは、BxInyAlzGa1-x-y-zN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、0≦xyz≦1のIII-V族化合物半導体を含み、さらに、V族元素としては、N窒素に加えてリンPや砒素Asなどを含有する混晶も含むものとする。またさらに、導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、窒化物半導体に含まれるものとする。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。