"光軸と、電子ビームを発生するビーム発生器と、前記電子ビームを検査される物体に集束させる対物レンズと、前記光軸に沿って物体側に配置され、前記物体により放出される電子を検出する第1の検出器であって、前記電子ビームが通過する穴を有する第1の検出器と、前記光軸に沿ってビーム発生器側に配置され、前記物体により散乱される電子を検出する第2の検出器と、前記第2の検出器に割り当てられ、前記第2の検出器の前記物体側に配置された少なくとも一つの逆電界格子とを備え、前記物体により放出され前記第1の検出器の前記穴を通過した前記電子の一部が、前記逆電界格子により偏向され、前記第2の検出器により検出されないように、前記逆電界格子に電圧が印加されることを特徴とする電子ビーム装置。前記電子ビームを前記物体に導くための走査手段を備える、請求項1に記載の電子ビーム装置。前記走査手段は、電子ビーム装置の面につき少なくとも2つの走査要素を有する、請求項2に記載の電子ビーム装置。前記逆電界格子と前記第2の検出器とは、前記光軸の外側に設けられる、請求項1に記載の電子ビーム装置。前記電子ビームを前記光軸から導き出し、この光軸に導き入れるための少なくとも1つの偏向ユニットを含む少なくとも1つの偏向手段を備える、請求項1に記載の電子ビーム装置。前記偏向ユニットは、磁気ユニットとして形成されている、請求項5に記載の電子ビーム装置。前記偏向ユニットは、前記電子ビーム装置内で、前記物体と前記ビーム発生器との間の領域に設けられている、請求項5に記載の電子ビーム装置。前記偏向手段は、前記電子ビームを前記光軸から導き出すための第1の偏向ユニットと、前記電子ビームを前記光軸に導き入れるための第2の偏向ユニットとを有する、請求項5に記載の電子ビーム装置。前記偏向手段は、前記電子ビームを前記光軸から導き出すための第1の偏向ユニットと、前記電子ビームを前記光軸の方向に向けるための第2の偏向ユニットと、前記電子ビームを前記光軸に導き入れるための第3の偏向ユニットとを有する、請求項5に記載の電子ビーム装置。前記検出器は、少なくとも2つの検出領域を有する、請求項1に記載の電子ビーム装置。前記両検出器は、少なくとも1つの逆電界格子を有する、請求項1に記載の電子ビーム装置。前記電子ビームの電子を所定のエネルギに加速及び減速させるための並びに加速後に前記エネルギを維持するための電子エネルギ制御装置が設けられている、請求項1に記載の電子ビーム装置。前記第2の検出器は、前記物体において後方散乱される電子を検出する、請求項1に記載の電子ビーム装置。前記第1の検出器は、環状の検出面を備えることを特徴とする請求項1に記載の電子ビーム装置。本発明の課題は、選択を特に後方散乱電子及び二次電子に従って容易に行なうことができる検出装置を有する電子ビーム装置を提供することである。同時に、検出装置によって出来る限り多くの電子を検出することが意図されている。上記課題は請求項1の特徴を有する電子ビーム装置によって解決される。電子を検出するための、本発明に係わる検出装置は、請求項28の特徴によって示されている。好都合な実施の形態は従属請求項の特徴から明らかである。本発明に基づいて、電子ビーム以下、一次電子ビームともいうを発生するビーム発生器と、一次電子ビームを物体に集束させる対物レンズと、物体において散乱されるか又は物体から放出される電子を検出するための少なくとも1つの検出器とを有する電子ビーム装置、特に走査形電子顕微鏡が形成されている。この場合、以下、散乱される電子という概念は、特に、物体から後方散乱される電子を意味する。更に、電子ビーム装置は検出器に関連して設けられている調節可能な絞りを有する。調節可能な絞りは、特に、電子ビーム装置において自らの位置が調節可能である絞り及び/又は調節可能な絞り開口部を有する絞りを意味する。このことを、再度、下で説明する。本発明に係わる電子ビーム装置は、二次電子及び後方散乱電子が、上記の異なったエネルギの故に、夫々異なった位相空間を占めるという思想から出発する。この位相空間は一方ではパルスによって及び他方では電子の座標によって定義されており、パルスは二次電子及び後方散乱電子の発散を表わしている。異なった位相空間に基づき、二次電子ビーム中の大部分の二次電子を遮蔽することが可能である。このとき、大部分後方散乱電子のみが絞りを通過し、そのとき、検出器によって検出されることができる。かようにして検出された後方散乱電子の数が、従来の技術から知られた装置に比較して著しく多いことが明らかになった。大部分の二次電子の遮蔽に基づき、二次電子は、結像のために検出器によって形成される信号に最早大して影響を及ぼさない。更に、絞りを、常に、電子ビーム装置における位置であって、多数の後方散乱電子が検出されることができる位置にもたらすことが可能である。絞りの好ましい位置は、所望のエネルギを有する後方散乱電子の、そのビームのクロスオーバにあるかその付近にある。絞りの位置を調節するために、電子ビーム装置は、好ましくは、例えば手動で又はモータで制御可能な少なくとも1つの調節手段を有する。調節手段によって、絞りをあらゆる方向に、例えば、光軸に沿って又は二次ビームの光路に沿って調節することが可能である。調節手段によって絞りを二次ビームの光路から出すか、あるいは光路に入れることができるのも利点である。上で既に述べたように、絞りは、好ましくは、電子を通過させる少なくとも1つの絞り開口部を有する。この絞り開口部の大きさが調節可能であることは好ましい。このことは後方散乱電子の出来る限り高い収量を達成する他の可能性を規定する。本発明に係わる電子ビーム装置は特に走査形電子顕微鏡として形成されている。この実施の形態では、当然乍ら、一次電子ビームを物体に導くための走査手段が設けられている。走査手段が、電子ビーム装置の面につき2つの走査要素を有することは好ましい。絞りが、後方散乱電子を検出器へと通過させる少なくとも1つの絞り開口部を有する機械的な絞りであることは、好ましい。特別な実施の形態では、絞りに、複数の絞り開口部が設けられていてもよい。小さな角度で物体から散乱される後方散乱電子以下、小角度後方散乱電子ともいうを検出するために、絞り及び検出器が電子ビーム装置の光軸の外に設けられていることは好ましい。この場合、光軸は、一次電子ビームが偏向ユニットによって光軸から外へ導かれることなく、一次電子ビームの電子がビーム発生器から物体へと導かれてなる光軸を意味する。電子ビーム装置の特別な実施の形態では、電子ビーム装置は、一次電子ビームを光軸から導き出し、この光軸に導き入れるための少なくとも1つの偏向ユニットを有する少なくとも1つの偏向手段を具備する。この実施の形態は、絞り及び検出器が電子ビーム装置の光軸の外に設けられているとき、特に非常に適切である。偏向手段によって、一次電子ビームは二次ビーム二次電子及び後方散乱電子から分離される。偏向手段の偏向ユニットを磁気ユニットとして形成することが、特に提案されている。偏向ユニットが電子ビーム装置で物体とビーム発生器との間の領域に設けられていることは好ましい。特別な実施の形態では、偏向手段は一次電子ビームを光軸から導き出すための第1の偏向ユニットと、一次電子ビームを光軸に導き入れるための第2の偏向ユニットとを有する。偏向手段が電子ビームを光軸から導き出すための第1の偏向ユニットと、電子ビームを光軸の方向に向けるための第2の偏向ユニットと、電子ビームを光軸に導き入れるための第3の偏向ユニットとを有してなる配列Anordnungは特に適切であることが明らかになった。ビーム発生器及び物体が実質的に直線つまり光軸に上下に設けられている、走査形電子顕微鏡の通常の構造が、前記配列によって保たれている。検出器は好ましくはセグメント化されて形成されている。このことは、検出器が少なくとも2つの検出領域を有し、一方の検出領域が、二次ビームの、光軸の近くに戻る電子を検出するために、設けられていることを意味する。他方の検出領域は、電子ビーム装置内で光軸の近くに戻らない戻りの電子を検出するために、設けられている。本発明に係わる電子ビーム装置の他の実施の形態では、既述の検出器に追加して、電子ビーム装置に他の検出器が設けられている。以下に更に下で詳述するように、2つの検出器のうち少なくとも一方は、特に逆磁界格子の形の、絞りを有する。この他に、他の追加の検出器は、好ましくは、上記の絞りとして形成されていることができ、二次電子を検出するために用いられる。絞りに関連して設けられた検出器は、通常、同様に、一次電子ビーム用の貫通孔を有する。何故ならば、検出器は、大抵、電子ビーム装置の光軸に沿って設けられているからである。実験では、後方散乱電子の一部が、検出器によって検出されることなく、この貫通孔を通っていくことが確認された。後方散乱電子又はほぼ光軸に沿って延びている電子を改善するために、本発明の特別な実施の形態は、物体から散乱されるか又は物体から放出される電子を反射させる反射器が、検出器に設けられていることを提案する。絞り自体が反射器として成形されていることは好ましい。この場合、所定の電子のみが検出器へと反射され、これに対し、他の電子は二次ビームから遮蔽される。かくて、他の場合には失われてしまう多数の後方散乱電子が検出される。後方散乱電子が当たるとき、後方散乱電子は反射器において散乱され、それから、検出器の有効な検出面に当たる。反射器は好ましくは検出器の開口部に収容されている。検出器がシンチレータと光ガイド及びフォトマルチプライヤとの組合せとして形成されている場合には、金属製の管が穴に挿入されており、この管は絶縁性のシンチレータを一次電子ビームに対し遮る。この場合、反射器が金属製の管に収容されていることが提案されていることは好ましい。絞りは多数の形を取ることができ、特に、電子ビーム装置内での据付場所に従って、選択される。しかし、絞り、特に、反射器として形成されている絞りが基礎面を有し、この基礎面には複数の側面が設けられており、これらの側面は基礎面の上に設けられた点の方向に延びていることが提案されていることは好ましい。例えば、三角形の又は少なくとも部分的に錐形の形状は、絞りに含まれる。これの他に又はこれに加えて、絞りが少なくとも部分的にウェーハ状に形成されていることが提案されている。出来る限り多数の電子を吸収するために、絞りが小さな元素番号を有する物質で製造されていることは好ましい。これに対し、出来る限り多数の電子を反射させることが提案されているとき、絞りは大きな元素番号を有する物質で製造されている。本発明は、機械的に形成される絞り、例えば、貫通孔を有するウェーハ状の絞りにのみ限定されてはいない。むしろ、本発明の他の実施の形態では、絞りを少なくとも1つの逆磁界格子を有する装置として形成することが提案されている。適切な、印加された電圧によって、電子、特に二次電子及び後方散乱電子を分離することができる。本発明の好ましい実施の形態では、少なくとも2つの検出器が設けられている。そのうちの少なくとも1がこのような逆磁界格子を有する。2つの検出器が逆磁界格子を有することは好ましい。本発明の他の実施の形態では、電子ビームの電子を所定のエネルギに加速及び減速させるための並びに加速後にエネルギを維持するための電子エネルギ制御装置が設けられている。出願人は、自らが販売している電子ビーム装置の中に、いわゆるビームブースタを用いる。このビームブースタは、一次電子ビームの電子の高いエネルギが、完全な進路に沿って、電子ビームカラムを通って保たれていることを保証する。走査手段及び集束ユニットの通過後に、電子は、所望のエネルギに減速される。更に、本発明は、少なくとも1つの検出器を有し、この検出器には電子をこの検出器に反射させる反射器が設けられてなる、特に電子ビーム装置用の、電子を検出する検出装置に関する。通常、検出器は、一次電子ビーム用の貫通孔を有する。何故ならば、検出器は、大抵、電子ビーム装置内で、電子ビーム装置の光軸に沿って設けられているからである。実験では、二次ビームの大部分の電子が、検出器によって検出されることなく、この貫通孔を通っていくことが確認された。これらの電子を検出するために、電子を反射器へと反射し、かくて有効性を高める反射器を検出器に設けることが提案されている。反射器は、既述のように、検出器に設けられており、上記の形を有することができる。更に、検出器に関連して、上に既述した絞りが設けられていることができる。以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳述する。例として走査形電子顕微鏡を参照して本発明を以下に説明する。しかし、本発明は走査形電子顕微鏡に限定されず、あらゆる電子ビーム装置のために適切である。図1は走査形電子顕微鏡に二次電子及び後方散乱電子を有する異なった位相空間を示している。走査形電子顕微鏡は一次電子ビームを発生しかつサンプルに導く電子源を有する。一次電子ビームがサンプルに当たるとき、相互作用が起こる。相互作用の際に、特に二次電子及び後方散乱電子が生じる。これらの電子の全体が二次ビームを形成し、この二次ビームは同様に走査形電子顕微鏡を通過し、1つ又は複数の検出器によって検出される。上に既述のように、後方散乱電子は、この場合、50eVから物体における一次電子ビームの電子のエネルギまでの範囲のエネルギを有する。これに対し、二次電子は50eVよりも低いエネルギを有する。これらの異なるエネルギに基づいて、二次電子及び後方散乱電子は、図1に示されている、異なった位相空間を有する。位相空間1は後方散乱電子に関し、これに対し、位相空間2は二次電子の位相空間である。二次電子の位相空間の量は後方散乱電子の量と著しく異なっている。調節手段によって走査形電子顕微鏡において調節されることができる位置を有する絞りによって、大部分の二次電子を二次ビームから遮蔽することが可能である。絞りによって、透過領域6のみが通過され、これに対し、領域5は絞りによって遮蔽される。絞りの好ましい位置は後方散乱電子のビームのクロスオーバにあるかその付近にある。調節手段によって、絞りをあらゆる方向に、例えば、光軸に沿って又は二次ビームの光路に沿って調節することが可能である。調節手段によって絞りを二次ビームの光路から出し又は光路に入れることができることも利点である。絞りは、所望のエネルギの後方散乱電子の収量が非常に良いところの位置で、位置決めされる。絞りの使用は、場合によっては、後方散乱電子の所定の領域3も遮蔽する。しかし乍ら、後方散乱電子の、絞りを通過することができる部分透過領域4が圧倒的に多い。従って、絞りによって、二次ビームから後方散乱電子及び二次電子を選び出すか又は大部分の二次電子を後方散乱電子から分離することが可能である。絞りを通過する後方散乱電子の数は二次電子の数よりも著しく多い。図2は走査形電子顕微鏡7の略図を示している。走査形電子顕微鏡7は電子源8カソードの形のビーム発生器と、抽出電極Extraktionselektrode9とアノード10とを有し、このアノードは同時に走査形電子顕微鏡7のビーム案内管11の一端である。電子源8が熱形フィールドエミッタであることは好ましい。電子源8から放出される電子は、電子源8とアノード10の間の電位差に基づいて、アノード電位で加速される。ビーム案内管11では、電子のエネルギが維持され、サンプルへの突き当たりの直前に、所望のエネルギへ減速される。このことを以下に更に詳述する。前記作用を有する装置は、出願人によって、対応の走査形電子顕微鏡に組み込まれ、ビームブースタと呼ばれる。ビーム案内管11は、対物レンズとして作用する磁気レンズの磁極片13に形成されている孔中を延びている。磁極片13には、既に久しい前から知られているコイル14が設けられている。ビーム案内管11の後方には静電形の遅延装置が接続されている。この遅延装置は単極17及び管形電極Rohrelektorde16からなる。この管形電極は、ビーム案内管11の、サンプル18に対向している端部に設けられている。かくて、管形電極16が、ビーム案内管11と共に、アノード電位にあるのに対し、単極17及びサンプル18はアノード電位に比較して低い電位にある。かようにして、一次電子ビームの電子を、サンプル18の検査のために必要な所望の低いエネルギへ減速することができる。更に、一次電子ビームを偏向させて、サンプル18の上面を走査することができる走査手段15が設けられている。一次電子ビームとサンプル18との相互作用に基づいて生じる二次電子又は後方散乱電子を検出するために、検出器19及び検出器21を有する検出装置がビーム案内管11に設けられている。この場合、検出器19は、サンプル側で、光軸23に沿ってビーム案内管11に設けられている。これに対し、検出器21は光軸23に沿って電子源側に設けられている。更に、2つの検出器19,21は走査形電子顕微鏡7の光軸23の方向に互いにずれて設けられており、夫々に、環状の検出面を有する。この場合、検出器21は、知られるように、グラスファイバ光導波路Glaslichtleiter及び後方に接続されたフォトマルチプライヤを有するシンチレータとして形成されている。グラスファイバ光導波路は、知られるように、光子をフォトマルチプライヤへと導く。グラスファイバ光導波路は、光伝導の高い有効性のために、光軸23の方向に比較的大きな厚さを有するので、一次電子ビームが通過するための、グラスファイバ光導波路を通る孔は、通常2乃至3mmの直径を有する。その目的は、一次電子ビームがグラスファイバ光導波路によって影響を受けないようにするためである。検出器19は、比較的大きな立体角でサンプル18から放出する電子を検出するために用いられる。これらの電子は、まず第1に、二次電子である。これに対し、サンプル18からの放出の際に二次電子に比較して比較的高い運動エネルギを有する、サンプル18において後方散乱される電子後方散乱電子は、検出器19によって、非常に僅かな割合しか検出されない。何故ならば、加速の方向を通過する後方散乱電子は、光軸23のかなり近くでレンズによって集束され、かくて、検出器19の穴を通過することができるからである。検出器19を通過した後、二次ビームは、かくて、二次電子及び後方散乱電子を有する。しかし乍ら、サンプル18から放出される大部分の二次電子が二次ビームには最早存在しない。絞り20は検出器21に関連して設けられており、調節手段22によってビーム案内管11の中で全方向に動かされる。絞り20は、適切にも、高い原子番号を有する物質、例えば金で製造されている。二次ビームが絞り20の裏側に当たるとき、二次電子は、自らのエネルギ分布に基づき、二次ビームから遮蔽される。従って、絞り20の穴を通って、主に後方散乱電子のみが透過して、後方散乱電子は、次に、検出器21によって検出されることができる。この場合、検出器21はセグメント化されており、2つの検出領域38及び39を有する。これらの検出領域の機能は既に上で説明した。検出された後方散乱電子は、画像形成の際に、物質コントラストの増大に関連して用いられる。この場合、調節手段22は、所望のエネルギの出来る限り多数の後方散乱電子を検出すべく、絞り20の位置を最適に調整するために用いられる。絞り20の開口部の大きさは、図示しない装置によって、調節可能である。図3は走査形電子顕微鏡7の他の実施の形態を示している。この実施の形態は図1に示した実施の形態とほぼ同一である。従って、以下、同一の部材には同一の参照符号で記述する。図3に示した実施の形態は、図2に示した実施の形態とは、絞り20が検出器21上に設けられていることでのみ異なっている。このことが、調節手段22によって、絞り20を、走査形電子顕微鏡においてあらゆる任意の位置へもたらすことができることを明示することが意図されている。図4は走査形電子顕微鏡7の他の実施の形態を示している。同一の部材には、同様に、同一の参照符号が付されている。図4に示した実施の形態は、同様に、2つの検出器すなわち検出器19及び25からなる検出装置を有する。検出器19がサンプル側に設けられているのに対し、検出器25は電子源側に設けられている。絞り20は、同様に、既に上述のように、検出器25に関連して設けられている。これまで述べた実施の形態と異なって、検出器25は環状の変換電極Konversionselektrodeとして形成されている。変換電極は、図示しない調整手段によって、光軸に直角に2方向に調整可能である。検出器25は、小さい元素番号を有する物質例えばアルミニウムからなる、0.1乃至1mmの厚さを有する薄板として、形成されており、一次電子ビームを通すための小さな中心孔を有する。孔の直径は通常200μm乃至400μmである。孔の直径が小さいが故に、検出器25は一次電子ビームに対し開口を制限するように作用し、かくて、同時に開口絞りとして作用する。二次ビームが検出器25に当たるとき、検出器25からは二次電子が発せられる。二次電子は検出器33へと吸引され、そこで検出器33において検出される。検出器25から検出器33への二次電子の吸引及び加速は久しい間知られており、ここではこれ以上記述されない。図5は2つの検出器19及び21を有する検出装置を具備する走査形電子顕微鏡7の他の実施の形態を示している。既に上記の如く、検出器19はほぼ二次電子のみを検出する。ここでは、光軸における検出器19の配置は、実質的に後方散乱電子のみが検出器19を通過するように、選択されている。検出器21が同様に開口部を有するので、幾つかの後方散乱電子はこの開口部を通過することができる。このとき、これらの後方散乱電子は検出されず、結像のために失われる。この理由から、検出器21には、好都合にも原子番号の大きな物質例えば金から形成されている反射器の形の、錐形の絞り26が設けられている。検出器19を通過する電子は反射器で散乱され、検出器19の検出面の方向に向けられる。図6に示した検出器21の他の実施の形態を参照して、反射器の機能方法を再度明らかにする。図6は検出面としてシンチレータ29を有する検出器21を示しており、このシンチレータには光ガイド28が続いている。フォトマルチプライヤ図示せずは光ガイド28に後置されており、検出器21の側方に設けられている。検出器21は、上で既述の如く、開口部を有する。開口部には、金属製の管27が挿入されており、この管を通って一次電子ビームは検出器21を通過することができる。管27の内径は通常2mmである。この直径は、絶縁したシンチレータ28を一次電子ビームに対して守るため、必要であり、管を酸化物なしに保つことができるように、管を十分に研磨するほどに、管を形成することを可能にする。錐形に形成された反射器26は管27に挿入されている。後方散乱電子が反射器26に当たるとき、後方散乱電子は反射器26において散乱され、あるいは検出器詳しくは検出器のシンチレータ29へ反射される。反射器26の錐形の形成が一層険しくなればなるほど及び反射器26が形成されている元になっている物質の元素番号が大きくなればなるほど、電子の収量検出器の有効性はそれだけ一層大きい。図6に記載された装置管27を有しない場合もあるは後方散乱電子を検出するために適切であるのみならず、むしろ、二次電子もこのような検出器を用いて検出されることもできる。例えば、検出器19はかように形成されていることができる。反射器26の前記構成は、あらゆる電子の電子収量を検出器において高めるために適切である。光軸23に対し非常に小さな角度でサンプル18において散乱される後方散乱電子を検出するために、図7に示す実施の形態は、検出器21と、この検出器に関連して設けられたピンホール20とを、光軸23の外側に設けることを提案している。この目的のためには、走査形電子顕微鏡は、偏向ユニット30,31及び32からなる偏向手段を有する。すべての偏向ユニットは光軸23に沿って設けられており、磁気ユニットとして形成されている。電子源8によって発生される一次電子ビーム34は偏向ユニット30によって光軸23から偏向される。偏向ユニット31によって、一次電子ビーム34は再度光軸23へと導かれ、続いて、偏向ユニットがなければ取るであろうコースを取る。次に、走査手段15によって、一次電子ビーム34はサンプル18の上面に亘って走査される。次に、相互作用により生じる二次電子及び後方散乱電子は、再度、二次電子ビーム35として、走査形電子顕微鏡のビーム案内管に入る。二次電子及び後方散乱電子は、偏向ユニット32に基づき、ローレンツ力の法則に従って、一次電子ビーム34のハーフスペースHalbraumに補完しかつ検出器21があるハーフスペースへと偏向される。絞り20によって、二次電子が遮蔽されるので、検出器21はほぼ後方散乱電子のみを検出する。図8は本発明に係わる走査形電子顕微鏡の他の実施の形態を示している。この実施の形態は、図1に示した実施の形態に対しほぼ同一である。従って、以下、同一の部材を同一の参照符号で記述する。検出器21は逆磁界格子Gegenfeldgitter36を有する。サンプル18との相互作用の故に生じる二次電子及び後方散乱電子は、再度、走査形電子顕微鏡のビーム案内管11に導き入れられる。逆磁界格子に印加される電圧は、二次電子が逆磁界格子36によって偏向されることができ、二次電子が検出器21に当たらないように、選択されている。この場合、後方散乱電子のみが逆磁界格子36を通過して、検出器21に当たる。このとき、発生された信号は結像のために用いられる。例えば、逆磁界格子36は、100ボルトの電圧を有する。後方散乱電子は、そのエネルギの故に、格子を通過する。通常は<50eVのエネルギを有する二次電子は、印加された電圧の故に、検出器21へ達することができない。図8に示した実施の形態で用いられることができる、検出器21の特別な実施の形態は、図9に示されている。検出器21はウェーハ状に形成されており、シンチレータ29を有する。シンチレータの上面に亘って光ガイド28が設けられている。光ガイド28は同様にフォトマルチプライヤ図示せずに接続されている。検出器21は開口部を有し、この開口部には金属管が収容されており、この金属管には一次電子ビームが光軸23に沿って延びている。サンプル18との相互作用の故に生じる二次電子及び後方散乱電子は再度走査形電子顕微鏡のビーム案内管に導き入れられる。シンチレータ29の前方には逆磁界格子36が設けられている。逆磁界格子36に印加された電圧は、二次電子が逆磁界格子36から偏向されることができて、シンチレータ29に当たることがないように、選択されている。この場合、後方散乱電子のみが逆磁界格子36を通過して、シンチレータ29に当たる。このとき、発生された信号は結像のために用いられる。本発明に係わる走査形電子顕微鏡の他の実施の形態は図10に示されている。この実施の形態は図8に示した実施の形態に実際に対応する。後者の実施の形態と異なり、図10に示した実施の形態では、検出器21は逆磁界格子36を有し、検出器19は逆磁界格子37を有する。本発明に係わる走査形電子顕微鏡の類似の実施の形態は、図11に示されている。ここでも、2つの検出器19及び21は逆磁界格子36及び37を有する。更に、サンプル18の上面に亘って一次電子ビームを走査するための2つの走査要素15及び40が設けられている。つまり、≧165°の散乱角を有する後方散乱電子が、一次電子ビームの高い方のエネルギの場合に、高精細度映像に適切でないことが明らかになった。このことの原因は、後方散乱電子の、増大された多重散乱に帰することができる。しかし乍ら、対物レンズ及びビーム案内管の形状寸法に基づき、≧165°の散乱角を有する後方散乱電子のみが検出される。2つの走査要素15,40二重走査要素によって、ビーム案内管の内法の幅が拡大される。それ故に、150°より下の角度で散乱される後方散乱電子も検出されることができる。これらの後方散乱電子は二重散乱への僅かな蓋然性を有するので、より鮮明な画像をもたらす。更に、電子の透過の増大が達成される。"