"ポリイミド樹脂で形成された絶縁基材の前駆体は、表面深さ方向にCu、Ni、Ag、Pdいずれかの金属イオンの濃度勾配を有するポリイミド前駆体のポリアミド酸系樹脂層であって、前記濃度勾配はポリアミド酸系樹脂層の表面方向に低く深さ方向に高いという特徴を有しており、前記ポリアミド酸系樹脂層に含ませた金属イオンを還元し、ポリイミド酸系樹脂層をベークすることにより、ポリイミド樹脂で形成された絶縁基材の表面に金属薄膜を形成する方法。ポリアミド酸系樹脂層の金属イオンの濃度勾配は、金属イオンの含有の量が異なる複数層のポリアミド酸系樹脂層を表面深さ方向に積層することにより構成されていることを特徴とする、請求項1記載のポリイミド樹脂で形成された絶縁基材の表面に金属薄膜を形成する方法。ポリアミド酸系樹脂層の金属イオンの濃度勾配は、金属イオンの含有の量が異なる2層ポリアミド酸系樹脂層から成る、請求項1,2記載のポリイミド樹脂で形成された絶縁基材の表面に金属薄膜を形成する方法。しかしながら前記従来の方法では、金属薄膜の厚さを増加させる場合、前記工程2において樹脂層に導入する金属イオンの量を増やす必要があるが、金属薄膜の厚さを増加させると、ポリイミド樹脂で形成された絶縁基材の表面と金属薄膜との間の密着性が低下するという問題が生じる。例えば、樹脂層中の金属イオンの量を増やすことにより、前記工程3で析出する金属薄膜を構成する金属粒子の径が増大する非特許文献1。金属薄膜の密着性は薄膜を構成する金属粒子径に依存するため、粒子径が増大すると密着性が低下する非特許文献2。すなわち、特許文献1の技術では金属薄膜の厚みを増大させると、ポリイミド樹脂で形成された絶縁基材の表面と金属薄膜との間の密着性が低下するという課題がある。本発明は、前記従来の課題を解決するもので、ポリアミド酸系樹脂層中の金属イオン濃度に勾配をつけることにより、ポリイミド樹脂で形成された絶縁基材の表面と金属薄膜との間の高い密着性を保持しながら、金属薄膜を厚膜化することができる方法を提供することを目的とする。前記従来の課題を解決するために、本発明のポリイミド樹脂で形成された絶縁基材の表面に形成した金属薄膜はその形成途中段階において、ポリイミド樹脂で形成された絶縁基材の前駆体は、表面深さ方向に金属イオンの濃度勾配を有するポリイミド前駆体のポリアミド酸系樹脂層であって、前記濃度勾配はポリアミド酸系樹脂層の表面方向に低く深さ方向に高いという特徴を有しており、前記ポリアミド酸系樹脂層に含ませた金属イオンを還元することにより、ポリイミド樹脂で形成された絶縁基材の表面に金属薄膜を形成する。ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミド酸系樹脂層は表面深さ方向に金属イオンの濃度勾配を有し、前記濃度勾配はポリアミド酸系樹脂層の表面方向に低く、深さ方向に高いという特徴を有している。本発明の金属イオンの濃度勾配を有するポリアミド酸系樹脂層によれば、金属イオンがポリアミド酸系樹脂層の表面に析出し、還元される際の初期速度を小さくすることによって金属薄膜を構成する金属粒子径の増大を抑えることができると同時に、ポリアミド酸系樹脂層はその表面に形成される金属薄膜の厚さを十分に厚くすることができる程の量の金属イオンを含有するため、ポリイミド樹脂で形成された絶縁基材の表面と金属薄膜との間の高い密着性を保持しながら、金属薄膜を厚膜化することができる。以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。実施の形態1図1は、本発明の実施の形態1における金属イオンの濃度勾配を有するポリアミド酸系樹脂層の模式図である。前記金属イオン14の濃度勾配は、金属イオン14の含有の量が異なる2層のポリアミド酸系樹脂層1213を表面深さ方向に積層することにより構成されている。図1において、ポリアミド酸系樹脂層は基板15上に形成されている。ポリアミド酸系樹脂層は、金属イオン14の濃度の薄いポリアミド酸系樹脂層12と金属イオン14の濃度の高いポリアミド酸系樹脂層13より構成されている。基板15は、電気絶縁性であってもよく、ポリアミド酸系樹脂層の層数は2層以上でもよい。続いて、金属イオン14の含有の量がそれぞれ大きく異なる2層のポリアミド酸系樹脂層の形成工程を示す。基板15の表面にカチオン交換基を有するポリアミド酸系樹脂層13を形成し、ポリアミド酸系樹脂層13と金属イオン14を接触させてポリアミド酸系樹脂層13に金属イオン14を含有させる。続いてポリアミド酸系樹脂層13上にカチオン交換基を有するポリアミド酸系樹脂層12を形成し、ポリアミド酸系樹脂層12と金属イオン14を接触させてポリアミド酸系樹脂層12に金属イオン14を含有させる。ポリアミド酸系樹脂層12の金属イオン14の含有の量はポリアミド酸系樹脂層13の金属イオン14の含有の量よりも少なくなければならない。金属イオン14の種類は形成したい金属薄膜22に応じて選択可能である。金属イオン14のポリアミド酸系樹脂層への含有は金属イオン14の水溶液にポリアミド酸系樹脂層を浸漬することにより行う。ポリアミド酸系樹脂層の金属イオン14の含有の量は金属イオン14の水溶液中の金属イオン14の濃度、金属イオン14の水溶液に浸漬する時間、金属イオン14の水溶液の温度によって制御する。還元処理工程このようにして形成されたポリアミド酸系樹脂層1213を還元処理することにより、金属イオン14を還元し、金属薄膜22を形成する。詳しくは、所定の還元剤溶液に浸漬することによって、ポリアミド酸系樹脂層1213に含有された金属イオン14を還元して、ポリアミド酸系樹脂層12の表面に金属薄膜22を析出させる。金属イオン14を還元する工程において、金属イオン14の含有の量がそれぞれ大きく異なる2層のポリアミド酸系樹脂層1213によれば、金属イオン14がポリアミド酸系樹脂層の表面に析出し還元される際の初期速度を小さくすることによって金属薄膜22を構成する金属粒子径の増大を抑え、金属薄膜22とポリアミド酸系樹脂層12の間に高い密着性を保持する。さらにポリアミド酸系樹脂層13に含有された金属イオン14を還元することで金属薄膜22を厚膜化する。還元剤の種類は従来より使用されているホウ素化合物が使用され、特にホウ素含有有機化合物が好ましい。イミド化工程ポリアミド酸系樹脂層12を350°Cで2時間ベーキングすることによりイミド化し、ポリイミド樹脂23とする。上記方法で形成された金属薄膜22とポリイミド樹脂23の断面図を図2に示す。本実施の形態において、金属イオン14の濃度勾配を有するポリアミド酸系樹脂層1213により、図2に示すようにポリイミド樹脂23で形成された絶縁基材の表面に密着性の高い金属薄膜22を形成することができた。"