放射をモニタリングするための積層サーモパイルであって、第1および第2の層が交互になって上方に垂直に重なる複数の平坦な層を含む多重層スタックであって、前記第1の層は正のゼーベック係数を有する半導体材料を含むように形成され、また前記第2の層は負のゼーベック係数を有する半導体材料を含むように形成され、前記スタックは、前記第1の層と前記第2の層との間に絶縁層をさらに含んでいる多重層スタックと、前記スタックの第1の側端に沿って形成された第1の電気コネクタであって、前記第1のコネクタは、第1の半導体層から第2の半導体層へ垂直上方に延びている第1の電気コネクタと、前記スタックの第2の側端に沿って形成された第2の電気コネクタであって、前記第2のコネクタは、第2の半導体層から第1の半導体層へ垂直上方に延びており、前記第1および第2の電気コネクタが組み合わされて前記スタック中の第1の半導体層と第2の半導体層との間に直列接続を形成しており、前記スタックの一方の側端は前記スタックのホットエンドを定義し、前記スタックの他方の側端は前記スタックのコールドエンドを定義しており、それによって前記スタックの前記ホットエンドが放射に曝されるときに、前記スタックの前記コールドエンド上のコネクタ両端間に発生する電圧が、前記スタックの前記ホットエンドにおける露出放射量に対応するようになる第2の電気コネクタとを含む積層サーモパイル。請求項1に記載の積層サーモパイルであって、第1および第2の側端が垂直配列状に揃えられている前記積層サーモパイル。請求項1に記載の積層サーモパイルであって、第1および第2の側端が水平配列状に揃えられている前記積層サーモパイル。請求項1に記載のサーモパイルであって、第1および第2の側端が配列状に揃えられ、垂直からオフセット角度をなして位置している前記サーモパイル。請求項4に記載のサーモパイルであって、垂直からのオフセット角度が10から60度の範囲にある前記サーモパイル。請求項1に記載のサーモパイルであって、複数の上方に垂直に重なる平坦な層が、10個またはそれ以上の第1の半導体層および10個またはそれ以上の第2の半導体層を含んでいる前記サーモパイル。センサであって、半導体基板であって、半導体基板内部にキャビティが形成されている半導体基板と、前記半導体基板上に形成された垂直に積層されたサーモパイルであって、第1および第2の層が交互になって上方に垂直に重なる複数の平坦な層であって、前記第1の層は正のゼーベック係数を有する半導体材料を含むように形成され、前記第2の層は負のゼーベック係数を有する半導体材料を含むように形成され、前記スタックは、前記第1の層と前記第2の層との間に絶縁層をさらに含んでいる複数の上方に垂直に重なる平坦な層と、複数の上方に垂直に重なる平坦な半導体層の間に電気的接続を形成する複数の金属コンタクトと、を含む垂直に積層されたサーモパイルと、前記キャビティの上に位置する吸収体メンブレンであって、前記垂直に積層されたサーモパイルの第1の部分が前記吸収体メンブレンに接触しており、また前記垂直に積層されたサーモパイルが、前記吸収体メンブレンから受信する放射に相当する電圧を発生するように動作可能であり、前記電圧が受信した放射量に対応している吸収体メンブレンと、を含むセンサ。請求項7に記載のセンサであって、前記センサは、前記半導体基板上に形成された垂直に積層されたサーモパイルを含み、前記複数の垂直に積層されたサーモパイルの各サーモパイルの少なくとも一部分が前記吸収体メンブレンに接触している前記センサ。請求項8に記載のセンサであって、前記複数の垂直に積層されたサーモパイルが、直列接続、並列接続および直列と並列の組合わせ接続を含むグループから選ばれた配置に接続されている前記センサ。請求項8に記載のセンサであって、前記複数の垂直に積層されたサーモパイルが、十字形状、矩形形状および星形形状を含むグループから選ばれた形状に配置されている前記センサ。請求項7に記載のセンサであって、前記複数の上方に垂直に重なる平坦な層が、10個またはそれ以上の第1の層および10個またはそれ以上の第2の層を含んでいる前記センサ。複数個のセンサを含むセンサアレイであって、前記複数のセンサの各センサが請求項7に記載のセンサであり、前記複数のセンサが同じ半導体基板上に形成されているセンサアレイ。垂直に積層されたサーモパイルを製造するための方法であって、半導体基板を供給する工程と、前記半導体基板中に第1のキャビティをエッチングする工程と、前記第1のキャビティ中に、第1および第2の層が交互になった複数の上方に垂直に重なる平坦な層を堆積させる工程であって、前記第1の層は正のゼーベック係数を有する半導体材料から形成され、前記第2の層は負のゼーベック係数を有する半導体材料から形成され、前記スタックは、前記第1の層と前記第2の層との間に複数の絶縁層をさらに含んでいる堆積工程と、前記第1の半導体層と第2の半導体層との間に直列接続を形成する第1の複数の金属コンタクトを堆積させる工程と、複数の上方に垂直に重なる平坦な層および前記第1の複数の金属層を覆って第1の絶縁層を堆積させる工程であって、前記第1の複数の金属層の少なくとも一部分が、前記第1の絶縁層によって覆われないようにする堆積工程と、前記第1の絶縁層の上に第2の複数の金属コンタクトを堆積させる工程であって、前記第2の複数の金属コンタクトの少なくとも一部分が、前記第1の絶縁層によって覆われていない前記第1の複数の金属層の少なくとも一部分に接続されるようにする堆積工程と、前記第1の絶縁層の一部分、前記複数の上方に垂直に重なる平坦な層の一部分および前記複数の絶縁層の一部分をエッチングしてサーモパイルストリップを形成する工程と、前記第2の複数の金属コンタクト、前記第1の絶縁層および前記サーモパイルストリップを覆って第2の絶縁層を堆積させる工程であって、前記第2の複数の金属コンタクトの少なくとも一部分が前記第2の絶縁層によって覆われないようにする堆積工程と、前記半導体基板の少なくとも一部分および前記サーモパイルストリップの少なくとも一部分の上に吸収材料を堆積させる工程と、前記半導体基板中に第2のキャビティをエッチングする工程であって、前記第2のキャビティが、前記吸収材料および前記サーモパイルストリップの少なくとも一部分の下に位置するようにするエッチング工程と、を含む方法。請求項13に記載の方法であって、前記複数の上方に垂直に重なる平坦な層の各層が0.05から0.1ミクロンの範囲の厚さを有する前記方法。請求項13に記載の方法であって、前記サーモパイルストリップが10から100ミクロンの範囲の長さを有する前記方法。請求項13に記載の方法であって、前記複数の上方に垂直に重なる平坦な層が10層またはそれ以上の第1の層および10層またはそれ以上の第2の層を含む前記方法。請求項13に記載の方法であって、前記第1の絶縁層および第2の絶縁層が窒化物層である前記方法。このように、正確な測定を行うことのできるコンパクトなサーモパイルセンサが望まれる。概要放射をモニタリングするための垂直に積層されたサーモパイルが開示される。垂直に積層されたサーモパイルは、第1および第2の層が交互になり上方に垂直に重なる平坦な複数の層を含む多重層スタックであって、前記第1の層が正のゼーベック係数を有する材料を含み、また前記第2の層が負のゼーベック係数を有する材料を含み、前記スタックがさらに前記第1の層と前記第2の層との間の絶縁層を含んでいる多重層スタックと、スタックの第1の側端に沿って形成された第1の電気コネクタであって、第1の層から第2の層へ垂直上方に延びる第1のコネクタと、スタックの第2の側端に沿って形成された第2の電気コネクタであって、第2の層から第1の層へ垂直上方に延びる第2のコネクタとを含み、前記第1の電気コネクタおよび第2の電気コネクタが組み合わされてスタック中で第1の層と第2の層との間に直列接続を形成し、ここでスタックの一方の側端がスタックのホットエンドを定義し、またスタックの他方の側端がスタックのコールドエンドを定義し、それによって、スタックのホットエンドが放射に曝されたときに、スタックのコールドエンド上のコネクタ両端に発生する電圧がスタックのホットエンドにおける露出放射量に対応するようになる。一例で、第1および第2の側端は、垂直配列状に揃えられる。別の例では、第1および第2の側端は水平配列状に揃えられる。さらに別の例では、第1および第2の側端は配列状に揃えられて、垂直からオフセットされた角度に配置される。一例で、垂直からのオフセット角度は10度から60度の範囲にある。一例で、上方に垂直に重なる平坦な複数の層は、10層以上の第1の層および10層以上の第2の層を含む。1または複数の垂直に積層されたサーモパイルを含むセンサが開示される。センサは、半導体基板であって内部にキャビティを形成された半導体基板と、半導体基板上に形成された垂直に積層されたサーモパイルであって、第1および第2の層が交互になった複数の上方に垂直に重なる平坦な層であって、前記第1の層が正のゼーベック係数を有する材料を含み、また前記第2の層が負のゼーベック係数を有する材料を含み、前記スタックがさらに前記第1の層と第2の層との間に絶縁層を含んでいる複数の上方に垂直に重なる平坦な層と、複数の上方に垂直に重なる平坦な層の間に直列接続を形成する複数の金属コンタクトとを含む垂直に積層されたサーモパイルと、キャビティ上に位置する吸収体メンブレンとを含み、垂直に積層されたサーモパイルの第1の部分が吸収体メンブレンと接触しており、また垂直に積層されたサーモパイルが吸収体メンブレンから受信される放射に応じて電圧を発生するように動作し、電圧は受信した放射量に対応する。一例で、センサは、半導体基板上に形成された複数の垂直に積層されたサーモパイルを含む。複数の垂直に積層されたサーモパイルは、直列、並列あるいは直列および並列の組合せに接続される。複数の垂直に積層されたサーモパイルは、さらにクロス形、矩形、および星形などの形に配置される。一例で、複数の上方に垂直に重なる平坦な層は、10層以上の第1の層および10層以上の第2の層を含む。一例で、センサアレイは単一の半導体基板上に形成された複数のセンサを含む。垂直に積層されたサーモパイルを製造する方法が開示される。方法は、半導体基板を供給する工程と、半導体基板中に第1のキャビティをエッチングする工程と、第1のキャビティ中に第1および第2の層が交互になった複数の上方に垂直に重なる平坦な層を堆積させる工程であって、前記第1の層が正のゼーベック係数を有する材料を含み、前記第2の層が負のゼーベック係数を有する材料を含んでいて、前記スタックがさらに前記第1の層と第2の層との間に絶縁層を含むようになった堆積工程と、第1の層と第2の層との間に直列接続を形成する第1の複数の金属コンタクトを堆積する工程と、複数の上方に垂直に重なる平坦な層および第1の複数の金属コンタクトを覆って窒化物層を堆積させる工程であって、第1の複数の金属層の少なくとも一部分が窒化物層によって覆われないようにする工程と、窒化物層の上に第2の複数の金属コンタクトを堆積させる工程であって、第2の複数の金属コンタクトの少なくとも一部分が、窒化物層によって覆われていない第1の複数の金属層の少なくとも一部分に接続されるようにする工程と、窒化物層の一部分、複数の上方に垂直に重なる平坦な層および絶縁層をエッチングして、サーモパイルストリップを形成する工程と、第2の複数の金属コンタクト、窒化物層およびサーモパイルストリップの上にパッシベーション用の窒化物層を堆積させる工程であって、第2の複数の金属コンタクトの少なくとも一部分がパッシベーション用窒化物層によって覆われないようにする堆積工程と、半導体基板の少なくとも一部分およびサーモパイルストリップの少なくとも一部分の上に吸収材料を堆積させる工程と、半導体基板内に第2のキャビティをエッチングする工程であって、第2のキャビティが吸収材料およびサーモパイルストリップの少なくとも一部分の下方に位置するようにする工程とを含む。一例で、複数の上方に垂直に重なる平坦な層の各層は、0.05から0.1ミクロンの範囲の厚さを有する。別の例では、サーモパイルストリップは、10から100ミクロンの範囲の長さを有する。さらに別の例では、複数の上方に垂直に重なる平坦な層は、10層以上の第1の層および10層以上の第2の層を含む。詳細な説明以下の説明は、当該技術の通常知識を有する人に対して、各種の実施の形態を作製および使用することを可能にするために提供される。特定のデバイス、技術および応用の説明は、単なる一例として提供される。ここに述べられる例に対する各種の修正は、当業者には容易に明らかになるであろうし、またここに定義される一般的な原理は、各種の実施の形態の精神および範囲から外れることなしに、他の例および応用にも適用される。従って、各種の実施の形態は、ここに説明し図示される例に制限されるべきでなく、請求の範囲に整合する範囲に従うべきである。各種の実施の形態は、以下で垂直に積層されたサーモパイルおよび前記垂直に積層されたサーモパイルを使用するIRセンサに関して説明する。特に、垂直に積層されたサーモパイルは、従来のサーモパイルセンサと比べてより大きい出力電圧、および全体的に優れたセンサ性能を得るために複数の熱電対を含んでもよい。さらに垂直に積層されたサーモパイルは、サーモパイルを互いの上に垂直に積層することによってセンサの半導体基板上でより小さい表面積を占める。このように、複数の熱電対を単一の熱電対と同じセンサエリアに配置でき、小型のセンササイズを可能にする。そのような構造は、センサエリアおよびサイズが制限されるとき、例えば画素化したイメージセンサを形成するためにそのようなセンサを多数接近して配置するサーモパイルイメージングデバイスにおいて有利である。さらに、熱電対は、直列、並列あるいは直列および並列の組合せで接続することができる。図1は、例示的積層サーモパイル101の断面図を示す。積層サーモパイル101は、積層サーモパイル101に対して機械的支えを提供する支持メンブレン104を含む。さらに支持メンブレン104は、窒化シリコン、二酸化シリコン、有機プラスティックまたは同様な低い熱伝導度を有する材料を含む。そのような材料を選ぶことによって積層サーモパイル101の一端から他端へ支持メンブレンによって伝えられる熱量が制限される。積層サーモパイル101は、さらに1または複数の熱電対を含み、各対は、異なるゼーベック係数を有する熱電層を含む。例えば、熱電層は、N形ポリシリコンおよびP形ポリシリコンのように異種の導体または半導体材料を含む。これらの熱電層は、垂直に交互に積層され、間を絶縁層によって分離される。例示された実施の形態で、層103、105および107は、N形ポリシリコン材料を表し、層109、111および113は、P形ポリシリコン材料を表す。絶縁層例えば、絶縁層115、117、119、121および123は、ポリオキサイド、二酸化シリコンまたは同様な任意の誘電体材料を含む。一例で、積層サーモパイル101は、3個の熱電対を含む。第1の熱電対は、支持メンブレン104の垂直上方に形成されたN形ポリ層103、N形ポリ層103の垂直上方に形成された絶縁層115および絶縁層115の垂直上方に形成されたP形ポリ層109を含む。第1の熱電対は、さらにN形ポリ層103をP形ポリ層109に電気的に接続するための金属コンタクト125を含む。金属コンタクト125は、アルミニウム、金または同様な任意の導電性金属を含む。積層サーモパイル101は、さらに第1の熱電対の垂直上方に形成された絶縁層117を含む。第2の熱電対は、絶縁層117の垂直上方に形成される。第2の熱電対は、絶縁層117の垂直上方に形成されたN形ポリ層105、N形ポリ層105の垂直上方に形成された絶縁層119および絶縁層119の垂直上方に形成されたP形ポリ層111を含む。第2の熱電対は、さらにN形ポリ層105をP形ポリ層111に電気的に接続するための金属コンタクト127を含む。金属コンタクト127は、金属コンタクト125と同じ材料または類似の材料を含むことができる。積層サーモパイル101は、さらに第1の熱電対を第2の熱電対と直列に電気的に接続するための金属コンタクト131を含む。金属コンタクト131は、金属コンタクト125と同じ材料または類似の材料を含むことができる。熱電対を直列に構成することによって、積層サーモパイル101は、単一の熱電対を含むか、あるいは並列接続された複数の熱電対を含むサーモパイルよりも大きい振幅を有する出力電圧を発生する。上で述べたように、より大きい電圧はより正確な温度測定をもたらす。積層サーモパイル101は、さらに第2の熱電対の垂直上方に形成された絶縁層121を含む。第3の熱電対は、絶縁層121の垂直上方に形成される。第3の熱電対は、絶縁層121の垂直上方に形成されたN形ポリ層107、N形ポリ層107の垂直上方に形成された絶縁層123および絶縁層123の垂直上方に形成されたP形ポリ層113を含む。第3の熱電対は、さらにN形ポリ層107をP形ポリ層113に電気的に接続するための金属コンタクト129を含む。金属コンタクト129は、金属コンタクト125と同じ材料または類似の材料を含むことができる。積層サーモパイル101は、さらに第2の熱電対を第3の熱電対と直列に電気的に接続するための金属コンタクト133を含む。金属コンタクト133は、金属コンタクト125と同じ材料または類似の材料を含むことができる。熱電対を直列に構成することによって、積層サーモパイル101は、単一の熱電対を含むか、あるいは並列接続された複数の熱電対を含むサーモパイルよりも大きい出力電圧を発生する。上で述べたように、より大きい電圧はより正確な温度測定をもたらす。一例で、金属コンタクト125、127および129は、吸収体137に接触するように構成される。吸収体137は、IR放射を吸収するように構成され、カーボンブラック、金黒BlackGold、その他の化合物や有機化合物あるいは混合物または同様な任意の熱吸収材料を含むことができる。金属コンタクト125、127および129は、吸収体137からサーモパイル101のポリ層へ熱を伝える。吸収体137に接触しているサーモパイル101の側面をここでホットジャンクションと呼ぶ。ホットジャンクションの反対側のサーモパイル101の側面をここでコールドジャンクションと呼ぶ。積層サーモパイル101は、さらに全熱電対の両端間の電圧降下を測定するための測定コンタクト102および135を含む。測定コンタクト102および135は、金属コンタクト125と同じかあるいは類似の材料を含むことができる。一例で、測定コンタクト102は、N形ポリ層103のコールドジャンクションエンド上に配置され、また測定コンタクト135は、P形ポリ層113のコールドジャンクションエンド上に配置される。このように、測定コンタクト102および135は、直列接続された熱電対のいずれかのエンド上に配置される。従って、測定コンタクト102と135との間の電圧は、3個の熱電対N形ポリ層103、105および107と、P形ポリ層109、111および113両端間の組み合わされた電圧を表す。一例で、N形ポリ層、P形ポリ層および絶縁層は、0.05から0.5ミクロンの範囲の厚さを有する。さらに各層の長さは、10から100ミクロンの範囲にある。しかし、任意の厚さおよび長さを有する層を使用することができることは、当業者であれば誰でも理解することができる。一例で、サーモパイル101の熱電対は、これまでとは違って並列に接続されるか、あるいは直列および並列の組合せに接続される。別の例では、複数の積層サーモパイル101が、互いに直列、並列あるいは直列および並列の組合せに接続される。積層サーモパイル101は、3個の熱電対を有するように示されているが、当業者であれば理解されるように、上で述べたように、任意の個数の熱電対を垂直に積層して積層サーモパイル101に加えてもよい。例えば一例として、サーモパイル101は、10個またはそれ以上の熱電対を含んでもよい。図2から4は、異なるように構成された側面を有するその他の例示的積層サーモパイルを示す。陰影領域は、絶縁層を表し、右上がり斜線の領域は、正のゼーベック係数を有する材料を表し、右下がり斜線の領域は、負のゼーベック係数を有する材料を表す。図2は、傾いた側面を有する例示的積層サーモパイル201積層サーモパイル101と同様のものを示す。積層サーモパイル201の側面を傾けることによって、各々のポリ層の露出側面の表面積が増大する。増大した表面積は、金属コンタクトを付着させる場合のより大きな標的を提供する。積層サーモパイル201は、サーモパイル201のコールドジャンクションエンド上に位置する測定コンタクト203および205を含む。一例で、積層サーモパイル201の側面部分の角度は、少なくとも部分的に金属コンタクトの配置での製造分解能に依存する。例えば、積層サーモパイル201の側面部分への金属コンタクトの配置が高い精度すなわち、配置におけるずれが小さいでなされるときは、大きい角度を選択することができ、従って端部を急峻にすることができ、積層サーモパイル201の側面部分に関する表面積は小さくなる。しかし、積層サーモパイル201の側面部分での金属コンタクトの配置のずれが大きい場合には、小さい角度が選ばれ、それによってより緩やかな端部が形成され、積層サーモパイル201の側面部分に関する表面積は大きくなる。いくつかの例で、角度は、水平から30から80度の範囲にある。さらに、いくつかの例で、積層サーモパイル201の層の長さは10から100ミクロンの範囲にあり、積層サーモパイル201の各層の厚さは0.05から0.1ミクロンの範囲にある。しかし、当業者であれば理解されるように、任意の長さおよび厚さを有する層を使用することが可能である。図3は、垂直な側面を有する別の例示的積層サーモパイル301を示す。スタックの最上部の熱電層がスタックの底付近の熱電層よりも短くなっているサーモパイル201と違って、積層サーモパイル301の各層は、同じ長さか、あるいは少なくとも同等の長さを有する。このようにすれば、積層サーモパイル201の場合のように熱電層の長さが減少することによって熱電対の個数が制限されることがないので、任意の個数の熱電対を積層することができる。積層サーモパイル301は、サーモパイル301のコールドジャンクションエンド上に位置する測定コンタクト303および305を含む。図4は、水平な側面を有する別の例示的積層サーモパイル401を示す。この例では、積層サーモパイル401の層は、シリコン基板中にエッチングされた窪みに形成される。窪みの端部は、エッチングによって積層サーモパイル401の側面として望ましい角度を持たせられる。積層サーモパイル401の側面部分に角度が付いているため、各ポリ層の露出した側面の表面積が増大する。しかし、積層サーモパイル201と違って、積層サーモパイル401の金属コンタクトは、角度の付いた面ではなくて水平な表面上に配置される。積層サーモパイル401は、サーモパイル401のコールドジャンクションエンドに位置する測定コンタクト403および405を含む。一例で、シリコン基板中の窪みのエッチング角度は、少なくとも部分的に金属コンタクトの配置に関する製造精度に依存する。例えば、金属コンタクトが積層サーモパイル401の側面部分に高い精度ですなわち、配置におけるずれが小さい配置されるときは、大きいエッチング角度が選ばれて、それにより急峻な端部が生じ、積層サーモパイル401の側面部分の表面積は、小さくなる。しかし、積層サーモパイル401の側面部分への金属コンタクトの配置に大きいずれがある場合には、より小さいエッチング角度が選ばれ、それによってより緩やかな端部が生じ、積層サーモパイル401の側面部分の表面積は、大きくなる。いくつかの例で、窪みの端部の角度は、水平から30から80度の範囲にある。さらにいつくかの例で、積層サーモパイル401の層の長さは10から100ミクロンの範囲にあり、積層サーモパイル401の各層の厚さは0.01から0.1ミクロンの範囲にある。しかし、当業者であれば理解できるように、任意の長さおよび厚さを有する層を採用してもよい。図5は、複数の積層サーモパイル501を有する、IR検出用の例示的センサ500の俯瞰図を示す。センサ500は、IR放射を吸収するための吸収体509を含む。吸収体509は、カーボンブラック、金黒BlackGold、その他の化合物や有機化合物または混合物または同様な任意の熱吸収材料を含むことができる。吸収体509は、吸収体509のための少なくとも部分的な熱絶縁を提供するために、キャビティ505の上方に設置される。センサ500は、さらに吸収体509と基準温度との間の温度差を測定するための1または複数の積層サーモパイル501を含む。積層サーモパイル501は、これまで図1から図4に関連して説明してきた例示的サーモパイルの任意のものでよい。センサ500は、基準温度と、1または複数の積層サーモパイル501によって測定された温度とに基づいて、吸収体509の温度を測定する。一例で、2個またはそれ以上の積層サーモパイル501が互いに接続される。積層サーモパイル501は、直列、並列あるいは直列および並列の組合せに接続される。さらに、12個の積層サーモパイル501が示されているが、当業者であれば理解できるように、任意の個数の積層サーモパイル501をセンサ500に含めてよい。図6は、1つの積層サーモパイル501の長さに沿って眺めたセンサ500の断面図を示す。図6に示されているように、積層サーモパイル501は、基板503およびメンブレン507の上に形成される。基板503は、半導体デバイスで普通に使用されるシリコン基板でよい。積層サーモパイルセンサ500は、積層サーモパイル501の下の基板503の一部分がエッチングで除去されたあとに、積層サーモパイル501に対する機械的支えを提供するための、基板503上に形成されたメンブレン507を含む。メンブレン507は、窒化シリコン、二酸化シリコン、有機プラスティックまたは同様な低い熱伝導度を有する材料で作製してもよい。そのような材料を選択することによって、メンブレン507によって積層サーモパイル501の一端から他端へ運ばれる熱量が制限される。一例として、上で図1に関連して説明したように、吸収体509はメンブレン507の上に設置されて、積層サーモパイル501の少なくとも一部分と重なっていてもよい。一例として、基板503中で、吸収体509および積層サーモパイル501の少なくとも一部分の両方の下方にキャビティ505が形成されてもよい。キャビティ505は、吸収体509のための少なくとも部分的な熱絶縁を提供する。キャビティ505は、例えば異方性エッチングのような任意の既知のエッチング方法を用いて形成できる。一例で、積層サーモパイル501は、10から100ミクロンの範囲の長さ、1から5ミクロンの範囲の幅、そして0.5から2ミクロンの範囲の合計厚さを有する。しかし、積層サーモパイル501は、所望の用途に応じて任意の長さ、幅または厚さを有してもよいことを理解すべきである。さらに、図5では12個の積層サーモパイル501が十字形に配置されているが、センサ500中に任意の個数のサーモパイル層を使用した任意の個数の積層サーモパイル501を、任意の形に配置できることを理解すべきである。例えば、積層サーモパイル501は、吸収体509の周囲に対称に配置して、吸収体509から外側に向かって放射状に延びるように配置してもよい。その他の例では、積層サーモパイル501は、星形、矩形または同様な形に構成してもよい。センサ500は、近接検出器、温度計、セキュリティ検出器、監視機器および同様な多くの異なる用途に使用できる。例えば、複数個のセンサ500をグリッド状に配置して、各々のセンサ500がイメージの1つのピクセルを代表するようにしてもよい。センサ500の出力は、注目する対象物の熱画像を生成するために使用できる。これは、航空機に搭乗する乗客を選り分けるためや、室内において温かい人体の存在をモニタリングするため等の用途に使用されてもよい。一例では、複数個のセンサ500が同じ半導体基板上に形成されてもよい。図7A-図7B、図8A-図8B、図9A-図9B、図10A-図10Bおよび図11は、センサ500を作製するための例示的工程を示す。特に、図7A-図7B、図8A-図8B、図9A-図9B、図10A-図10Bおよび図11は、製造工程の各種段階における、図5に示されたセンサ500の四分の一の部分を示す。図7Aは、積層サーモパイルを形成するための窪み703を形成するために、シリコン基板701の一部分がエッチングで除去される、プロセスの最初の工程を示す。図7Bは、複数のポリシリコン層および絶縁層705がくぼみ703に堆積される、プロセスの次の工程を示す。図1に関して上で説明したように、複数のポリシリコン層および絶縁層705が積層される。図8Aはプロセスの次の工程を示し、ポリシリコン層を所望のように接続するために金属コンタクト707が堆積される。例えば、金属コンタクト707は、図4によって示されるのと類似の構成で熱電対を直列に接続するように配置されてもよい。図8Bはプロセスの次の工程を示し、絶縁用の窒化物層709がシリコン基板701の最上面およびポリシリコン層および絶縁層705の上に堆積される。金属コンタクト707およびその下のサーモパイルスタックと接触させるための窓711が、窒化物層709にパターニングされる。図9Aはプロセスの次の工程を示し、第2の金属層713が窒化物層709の上に堆積され、窓711の上に位置してその下のサーモパイルのターミナルポイントと接触する。図9Bはプロセスの次の工程を示し、図7A-図7B、図8A-図8B、図9Aで堆積された材料が、積層サーモパイルストリップ715を形成するためにエッチングにより除去される。図10Aは、パッシベーション用の窒化物層717で表面全体が被覆される、プロセスの次の工程を示しているが、ここでコンタクトビア用およびサーモパイルを切り離すために基板を化学的にエッチングする領域のための窓719が設けられる。窓719は、図4の測定コンタクト403および405と類似の測定コンタクトとして機能してもよい。図10Bはプロセスの次の工程を示し、吸収されてサーモパイルストリップ715に転送される熱量を増やすために、サーモパイルストリップ715およびシリコン基板701の一部分がカーボンブラック、金黒BlackGold、その他の化合物あるいは有機化合物または混合物または同様な熱吸収材料721で被覆される。図11はプロセスの次の工程を示し、吸収材料721の下および積層サーモパイルストリップ715の少なくとも一部分の下の基板701中に、キャビティ723がエッチングされる。キャビティ723は、吸収材料721の熱絶縁性を改善するために設けられる。多様な形状の垂直に積層されたサーモパイルおよび垂直に積層されたサーモパイルを有するセンサが上記の例に提供されている。当業者に明らかなように、熱電層が互いの上に積層されるようになっている限り、その他の形状も可能である。特徴は、特別な実施の形態に関連して説明されたように見えるが、当業者が理解できるように、ここに述べた実施の形態の各種の特徴を組み合わせることもできる。さらに、1つの実施の形態に関連して説明した態様は、単独で用いてもよい。