"半導体発光素子を搭載するパッド部と、前記半導体発光素子と電気接続するリード部とを金属板で形成し、前記金属板の前記パッド部と前記リード部との間の空隙部分に充填樹脂が充填され、前記充填樹脂の表面と前記充填樹脂より露出した前記金属板の前記パッド部と前記リード部の表面とが面一に形成されて成る半導体発光装置用リードフレームであって、前記充填樹脂から露出した前記金属板の表面に貴金属めっき層が形成され、前記充填樹脂と接する前記金属板の表面の酸化膜が前記充填樹脂の極性基と結合することで前記充填樹脂と前記金属板との密着性が高められ前記充填樹脂と前記金属板の間の隙間への水分の浸入を妨げたことを特徴とする半導体発光装置用リードフレーム。請求項1記載の半導体発光装置用リードフレームであって、前記貴金属めっき層は、前記充填樹脂の表面にオーバーハング状にめっき部分を突出させためっき層であり、前記オーバーハング状のめっき部分が前記充填樹脂と前記貴金属めっき層との界面の隙間を塞ぐことで、前記充填樹脂と前記金属板の間の隙間への水分の浸入を妨げたことを特徴とする半導体発光装置用リードフレーム。請求項1又は2に記載の半導体発光装置用リードフレームであって、前記貴金属めっき層が、少なくとも、前記金属板側の銀めっき層と、該銀めっき層の上に銀合金めっき層が積層され、前記銀合金めっき層はX成分として、Zn,Au,Pd,Mg,Ce,Rh,Cu,In,Snのうち一つ以上を含有し、前記銀合金めっき層の厚さを下層である前記銀めっき層の厚さより薄くしたことを特徴とする半導体発光装置用リードフレーム。請求項1乃至3の何れか一項に記載の半導体発光装置用リードフレームであって、前記金属板側から、硬質の下地めっき層と、前記下地めっき層の上に前記貴金属めっき層が積層されたことを特徴とする半導体発光装置用リードフレーム。半導体発光素子を搭載するパッド部と、前記半導体発光素子と電気接続するリード部を金属板で形成し、前記金属板の前記パッド部と前記リード部との間の空隙部分に充填樹脂を充填し、該充填樹脂の表面と前記充填樹脂より露出した前記金属板の前記パッド部と前記リード部の表面とを面一に形成されて成る半導体発光装置用リードフレームの製造方法であって、金属板をエッチングすることで前記パッド部と前記リード部を形成する工程と、前記金属板の前記パッド部と前記リード部との間の空隙部分に充填樹脂を充填する工程と、前記充填樹脂から露出した前記金属板の表面に貴金属めっき層を形成する工程を有し、前記充填樹脂と接する前記金属板の表面の酸化膜を前記充填樹脂の極性基と結合させることで前記金属板と前記充填樹脂の密着性を高め前記充填樹脂と前記金属板の間の隙間への水分の浸入を妨げたことを特徴とする半導体発光装置用リードフレームの製造方法。請求項5記載の半導体発光装置用リードフレームの製造方法であって、前記貴金属めっきを形成する工程が、前記充填樹脂から露出した前記金属板の表面に、前記充填樹脂の表面にオーバーハング状にめっき部分を突出させた貴金属めっき層を形成する工程であり、前記オーバーハング状のめっき部分により前記充填樹脂と前記貴金属めっき層との界面の隙間を塞ぐことで、前記充填樹脂と前記金属板の間の隙間への水分の浸入を妨げたことを特徴とする半導体発光装置用リードフレームの製造方法。しかし、特許文献5の技術では、リードフレームの基体の金属板の全面に貴金属めっき層を形成するため、製造費用が高くなる欠点がある。また、リードフレームの基体である金属板の全面に貴金属めっき層を形成した後、リフレクター用の光反射率の高い白色樹脂たとえば樹脂に酸化チタン粉末を含有させ白色に、熱膨張係数を調整するためにSiO2などの微粒子などと混合させたで所定の形状にモールド成型すると、その貴金属めっきはモールド成型した白色樹脂との密着性が低いという問題がある。LEDモジュールでは、白色樹脂をモールド成型したリードフレームにLEDチップを搭載後、金線によるワイヤーボンディングでリード部とLEDチップとを電極配線してから、光透過性に優れたシリコーン系透明樹脂、エポキシ系透明樹脂などでLEDチップと金線を被覆する。しかし、この透明樹脂及びモールド成型した白色樹脂と、金属板表面に形成した貴金属めっきとの密着性が劣るため、透明樹脂及び白色樹脂と金属板の貴金属めっきとの界面に隙間を生じる問題がある。その隙間ができると、その隙間を通して水分、即ち、水が浸入してLEDチップ表面に凝集し、LEDチップ10の表面の発光層を腐食する問題がある。すなわち、LEDチップ10の発光層が腐食されるのでLEDチップ10の発光効率が低下し、光学部材としての長期安定性が低下する問題がある。時には、発光効率が基準値を大きく下回り、寿命を損なう事もある問題がある。又、従来の技術では、金属板の全面に貴金属めっきを行った後に充填樹脂を充填し、その後に、貴金属めっきの表面を汚染している微量の充填樹脂をバリ除去処理で除去するので、そのバリ除去処理の際にめっき剥がれを生じないように、めっき領域のバリ除去を最低限度で行う細心の注意を要する工程が必要であった。また、そのバリ除去工程の結果、貴金属めっきの表面に樹脂の汚染が残留していないことを確認する細心の注意を要する検査工程が必要であった。更に、バリ除去処理の際に貴金属めっきの表面から貴金属めっきを若干量削り取るため、その分だけ余分に貴金属を使用する必要があり、貴金属の使用量が多くなり製造コストを高くする問題があった。本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、半導体発光装置のLEDチップからの光を反射するべくリードフレームの表面に形成した貴金属めっきと白色樹脂の界面に隙間を生じ、その隙間を通して水分が浸入する問題を解決することを目的とする。上記の課題を解決するために鋭意研究の結果、従来の技術で、貴金属めっきとモールド成型した白色樹脂との密着性が低い原因は、以下のものである知見を得た。すなわち、貴金属めっき層は表面に酸化膜を形成しないので、白色酸化物を含有させた樹脂であるエポキシ、シリコーン樹脂、液晶ポリマー樹脂、PPS樹脂、芳香族ポリアミドPPA樹脂などの極性基との密着性に劣ることになるという知見を得た。本発明は、その知見に基づき、モールド成型して金属板の間隙に充填する白色樹脂と接する金属板の面に酸化膜を形成する。それにより、その酸化膜を白色樹脂の極性基と結合させることで、金属板の面と充填樹脂の密着性を高めることを特徴とする。すなわち、本発明は、半導体発光素子を搭載するパッド部と、前記半導体発光素子と電気接続するリード部とを金属板で形成し、前記金属板の前記パッド部と前記リード部との間の空隙部分に充填樹脂が充填され、前記充填樹脂の表面と前記充填樹脂より露出した前記金属板の前記パッド部と前記リード部の表面とが面一に形成されて成る半導体発光装置用リードフレームであって、前記充填樹脂から露出した前記金属板の表面に貴金属めっき層が形成され、前記充填樹脂と接する前記金属板の表面の酸化膜が前記充填樹脂の極性基と結合することで前記充填樹脂と前記金属板との密着性が高められ前記充填樹脂と前記金属板の間の隙間への水分の浸入を妨げたことを特徴とする半導体発光装置用リードフレームである。また、本発明は、上記の半導体発光装置用リードフレームであって、前記貴金属めっき層は、前記充填樹脂の表面にオーバーハング状にめっき部分を突出させためっき層であり、前記オーバーハング状のめっき部分が前記充填樹脂と前記貴金属めっき層との界面の隙間を塞ぐことで、前記充填樹脂と前記金属板の間の隙間への水分の浸入を妨げたことを特徴とする半導体発光装置用リードフレームである。また、本発明は、上記の半導体発光装置用リードフレームであって、前記貴金属めっき層が、少なくとも、前記金属板側の銀めっき層と、該銀めっき層の上に銀合金めっき層が積層され、前記銀合金めっき層はX成分として、Zn,Au,Pd,Mg,Ce,Rh,Cu,In,Snのうち一つ以上を含有し、前記銀合金めっき層の厚さを下層である前記銀めっき層の厚さより薄くしたことを特徴とする半導体発光装置用リードフレームである。また、本発明は、上記の半導体発光装置用リードフレームであって、前記金属板側から、硬質の下地めっき層と、前記下地めっき層の上に前記貴金属めっき層が積層されたことを特徴とする半導体発光装置用リードフレームである。また、本発明は、半導体発光素子を搭載するパッド部と、前記半導体発光素子と電気接続するリード部を金属板で形成し、前記金属板の前記パッド部と前記リード部との間の空隙部分に充填樹脂を充填し、該充填樹脂の表面と前記充填樹脂より露出した前記金属板の前記パッド部と前記リード部の表面とを面一に形成されて成る半導体発光装置用リードフレームの製造方法であって、金属板をエッチングすることで前記パッド部と前記リード部を形成する工程と、前記金属板の前記パッド部と前記リード部との間の空隙部分に充填樹脂を充填する工程と、前記充填樹脂から露出した前記金属板の表面に貴金属めっき層を形成する工程を有し、前記充填樹脂と接する前記金属板の表面の酸化膜を前記充填樹脂の極性基と結合させることで前記金属板と前記充填樹脂の密着性を高め前記充填樹脂と前記金属板の間の隙間への水分の浸入を妨げたことを特徴とする半導体発光装置用リードフレームの製造方法である。また、本発明は、上記の半導体発光装置用リードフレームの製造方法であって、前記貴金属めっきを形成する工程が、前記充填樹脂から露出した前記金属板の表面に、前記充填樹脂の表面にオーバーハング状にめっき部分を突出させた貴金属めっき層を形成する工程であり、前記オーバーハング状のめっき部分により前記充填樹脂と前記貴金属めっき層との界面の隙間を塞ぐことで、前記充填樹脂と前記金属板の間の隙間への水分の浸入を妨げたことを特徴とする半導体発光装置用リードフレームの製造方法である。本発明によれば、モールド成型して金属板1aの間隙に充填する充填樹脂4と接する金属板1aの表面に酸化膜1eを形成し、その酸化膜1eと充填樹脂4の極性基とを結合させることで、金属板1aと充填樹脂4の密着性を高めることができる効果がある。それにより、充填樹脂4と金属板1aの間の隙間への水分の浸入を避けることができる効果がある。また、本発明によれば、リードフレーム1の充填樹脂4から露出した金属板1aの表面に貴金属めっき層を形成し、その貴金属めっき層を充填樹脂4の表面にオーバーハング状にめっき部分を突出させて、オーバーハング状のめっき部分Hにて充填樹脂4と貴金属めっき層との界面の隙間を塞ぐことで、充填樹脂4と金属板1aの間の隙間への水分の浸入を避けることができる効果がある。また、本発明では、エッチング後の金属板1aに充填樹脂4を充填する際に金型の隙間から漏れ出してリードフレーム1の表面を覆う微量の樹脂を機械的又は化学的な処理で除去した後に、充填樹脂4より露出した金属板1aの所定部位の表面に貴金属めっき層を形成する。そのため、貴金属めっき層の表面を清浄に保つことができる。また、本発明では、充填樹脂4の充填の後に金属板1aに貴金属めっき層を形成するため、バリ除去処理は確実に樹脂の汚染を除去できる強さで行うため、細心の注意をもって樹脂の汚染の残留を検査する必要が無く、製造コストを低減できる。また、金属板1aへの金属めっきに用いる貴金属がバリ除去処理で削り取られることも無いので貴金属の使用量も少なくできるので半導体発光装置用リードフレームの製造費用を低減できる効果がある。<第1の実施形態>本発明の第1の実施形態を図1~図10を用いて説明する。図1aは、金属板1aをエッチングして製造し、充填樹脂4を充填する以前のリードフレーム1の側断面図を示す。図1bは、充填樹脂4を充填した後のリードフレーム1の側断面図を示す。図1cは、充填樹脂4の充填後に、充填樹脂4から露出する金属板1aの面に貴金属めっき1bを施した半導体発光装置用リードフレーム1の側断面図を示し、図5は、その上面図を示す。図2dは、リードフレーム1にLEDチップ10を設置し、ワイヤーボンディングしてLEDチップ10の電極端子とリードフレーム1をワイヤーWで電気接続した構造を示す。図2eは、LEDチップ10とワイヤーWを透明樹脂5で被覆した構造を示す。図3と図4は、図1cにおける、半導体発光装置用リードフレーム1の金属板1aの上下の面に形成した貴金属めっき1bの層構成を示す断面図である。図6は、図2eの半導体発光装置用リードフレームを複数個の多面付け状態から個片に分割して得る半導体発光装置LEを示す上面図である。また、図7は、図6中のX1-X1線における側断面図を、図8は、図6中のX2-X2線における側断面図を、図9は図6中のY-Y線における側断面図を各々示す。また、図10は、本発明の半導体発光装置用リードフレームのモールド成型による製造方法を示す側断面図である。リードフレームの構造図1aに示すリードフレーム1は、枚葉状あるいは帯状の金属板1aに、図5の点線Z部で示す1単位フレームZ毎にパッド部2及びリード部2aとを形成し、その1単位フレームZを縦横方向に多面付け配列したシート状に形成する。リードフレーム1は、金属合金製の金属板1aを、その表面側と裏面側からフォトエッチング加工して製造する。リードフレーム1の構成は、図1aに示すように、金属合金製の厚さt1例えば0.2mmの板状の基材を両面からフォトエッチング加工することにより形成された表面側の高さt2例えば0.1mmの上部構造と、高さt3例えば0.1mmの裏面側の下部構造のパターンから構成し、パッド部2とリード部2aでは上部構造と下部構造を一体に形成する。リードフレーム1は、板状の鉄-ニッケル等の合金薄板又は銅-ニッケル-錫等の合金薄板を金属板1aとして用いるが、金属板1aとして熱伝導率が高い銅又は銅合金を用いる方が放熱性が向上するため好ましい。その他の金属板1aとしては、アルミニウム合金等の金属板1aをリードフレーム1の材料として用いることも可能である。リードフレーム1の板状の金属合金製の金属板1aとして、厚さt1例えば0.2mmの銅材を用いて、厚さ0.015mm~0.030mmのエッチングレジスト層のパターンを金属板1aの両面に形成して金属板1aの両面からエッチングを行うことにより図1aに断面を示すように金属板1aの上下面の断面が鈍角な形状をしたリードフレーム1を製造する。そのエッチング処理の際に、酸素成分が溶解しているエッチング液を用いてエッチングすることで、その酸素成分により金属板1aが酸化される。それにより、金属板1aの表面に厚さが1nm程度の薄い酸化膜1e図3、図4に図示が形成される。図5に、リードフレーム1の平面パターンを、それに充填した充填樹脂4とともにあらわす。図1aと図5に示すように、リードフレーム1の高さt2の上部構造のパターンは、パッド部2と、それから離反して所定の間隔で隣接する1乃至複数箇所に形成されたリード部2aと、それらを連結する吊りバー20とタイバー30を備えている。すなわち、図5の平面図のように、エッチング後にリードフレーム1の各1単位フレームZが金属板1aから脱離することを防止するために、各1単位フレームZを連結する格子状の枠部のタイバー30を形成する。また、1単位フレームZの構成要素のパッド部2とリード部2aを、吊りバー20でタイバー30と連結することで、1単位フレームZを枠部であるタイバー30と連結する。この吊りバー20により、パッド部2及びリード部2aがリードフレーム1のエッチング加工処理後に金属板1aから脱落するのを防止して、必要な期間、パッド部2及びリード部2aを金属板1aに連結保持する。なお、仕様によっては、吊りバー20を形成せずに、1単位フレームZとタイバー30とを直接に連結させることであっても構わない。高さt3の下部構造のパターンは、パッド部2に裏面側で一体である放熱部3放熱板と、リード部2aに裏面側で一体である放熱部3a放熱板としている。金属板1aは、常温で大気に曝すことでも、その表面に酸化膜1eが形成される。例えば、純鉄の金属板1aは、その清浄表面を常温の大気中に1分間曝すと、厚さが1.1nmの酸化膜1eが形成される。銅の金属板1aでは、その清浄表面を常温の大気中に17分曝すと、厚さが0.3nmの酸化銅Cu20の酸化膜1eが形成される。次に、図1bのように、その金属板1aに対し、金型を用いた樹脂モールド成型を行うことで、金属板1aのパッド部2とリード部2aの間の間隙に充填樹脂4を充填する。充填樹脂4は、エポキシ、シリコーン樹脂、液晶ポリマー樹脂、PPS樹脂、芳香族ポリアミドPPA樹脂などの極性基を持つため、これらの工程により、充填樹脂のその極性基が、金属板1aに形成された酸化膜1eと結合されて、金属板1aと充填樹脂4との密着性が優れる効果がある。すなわち、充填樹脂4を金属板1aに形成した酸化膜1eと接触させることで、充填樹脂4と金属板1aの界面の密着性を優れたものにし、耐湿信頼性の高いリードフレーム1が得られる効果がある。この樹脂モールド成型では、金属板1aのパッド部2の半導体発光素子搭載用表面Aと放熱用裏面Bのそれぞれの面、リード部2aの電気的接続エリアCと放熱用裏面Dのそれぞれの面を充填樹脂4から露出させ、かつ、露出した金属面と充填樹脂4の表面とを面一に形成する。パッド部2の半導体発光素子搭載用表面Aと、リード部2aの電気的接続エリアCの面とは、リードフレーム1の同一の金属板から形成されるため同一平面上にあり高さが同じである。また、パッド部2の裏面と一体の下部構造の放熱部3放熱板の放熱用裏面Bと、リード部2aの裏面と一体の下部構造の放熱部3a放熱板の放熱用裏面Dとは同一平面上にあり高さが同じである。金属板上の貴金属めっき層の断面形状次に、図1cのように、充填樹脂4の充填後に充填樹脂4から露出した金属板1aの表面に貴金属めっき層1bを形成する。図3と図4に、図1cのリードフレーム1における金属板1aと金属めっき層の断面の層構成を示す。図3aでは、リードフレーム1の、充填樹脂4から露出した金属板1aの表面上面と下面に、その金属板1aの表面の酸化膜1eを除去して清浄な表面を形成した上で、その表面に貴金属めっき層1bを形成する。その貴金属めっき1b層は、LEDチップ10のダイボンディング性と金線Wによるワイヤーボンディング性を有する貴金属であるAu、Ag、Pd、Rhなどの貴金属の一種あるいはこれらの貴金属の2種以上の合金を金属めっきによって、厚さが0.5μm以上8μm以下の貴金属めっき層1bを形成する。ここで、金属板1aの半導体発光素子搭載用表面Aの表面に形成された貴金属めっき層1bにより、半導体発光素子搭載用表面Aの光の反射率が高くなり、LEDチップ10が発光した光を反射させて半導体発光装置LEの輝度を高めることができる。これにより、LEDチップ10から発せられた光を効率よく利用することができる効果がある。また、電気的接続エリアCの表面は、貴金属めっき層1bが施されることで、ワイヤーボンディングやチップボンディング等により、LEDチップ10とリード部2aとの電気的接続を行う際の接続性が向上する。図3aのように、充填樹脂4の充填後に充填樹脂4から露出した金属板1aの表面に貴金属めっき層1bを形成する。これにより、金属板1aの表面を覆うめっきとともに、その貴金属めっき層1bに、金属板1aの上面から、金属板1aと充填樹脂4の境界線部Pを覆わせる、その境界線部Pを越えて充填樹脂4の表面に貴金属めっき層1bの厚さ相当の距離までめっきが広がるオーバーハング状のめっき部分Hが形成される。本実施形態では、このように、モールド成型により金属板1aのパッド部2とリード部2aとの間の空隙部分に充填樹脂4を充填した後に、充填樹脂4から露出した金属板1aの金属面のみに貴金属めっき層1bを形成し、従来技術のように金属板1aの側面、すなわち、金属板1aと充填樹脂4との境界部分に貴金属めっきを形成しないので、めっきに使用する貴金属の消費量が低減できる効果がある。又、本実施形態では、貴金属めっき層1bにオーバーハング状のめっき部分Hを形成することで、金属板1aと充填樹脂4の界面の隙間への水分の浸入を防ぐ効果が増す知見を実験により得た。この効果が得られる原因は、水分が金属板1aと充填樹脂4の界面の隙間へ至る水分透過経路が、オーバーハング状のめっき部分Hの厚さで遮られる障壁が加わるためと考えられる。すなわち、オーバーハング状のめっき部分Hが隙間無く充填樹脂4と金属板1aとの境界面を覆うことで水分の金属板1aと充填樹脂4の界面の隙間に至る水分透過経路が遮られるため、水分の浸入を防ぐ効果が増すためと考えられる。変形例1変形例1として、図3bのように、リードフレーム1の、充填樹脂4から露出した金属板1aの表面上面と下面に、先ず、光沢あるいは半光沢のNiニッケルの下地めっき1cあるいはCoコバルトめっき等の硬質の下地めっき層1cを形成することでオーバーハング状のめっき部分Hの一部を下地めっき1cで形成し、その上に貴金属めっき層1bを形成することでオーバーハング状のめっき部分Hの残りの部分を形成する。すなわち、充填樹脂4から露出した金属板1aの表面に形成した下地めっき層1cと貴金属めっき層1bにより、金属板1aの上面から、金属板と樹脂の境界線部Pを越えて、充填樹脂4の表面に下地めっき層1cと貴金属めっき層1bの厚さ相当の距離までめっきが広がるオーバーハング状のめっき部分Hを形成する。そのオーバーハング状のめっき部分Hにより金属板と樹脂の境界線部Pを覆う。この下地めっき層1cを貴金属めっき層1bと金属板1aの間に設けることで、銅合金などから成る金属板1aの銅金属成分が銀めっきなどの貴金属めっき層1bに熱拡散して貴金属めっき層1bを変色させることを防ぐ金属熱拡散バリアとして働く効果があり、高価な銀めっきなどの貴金属めっき層1bの膜厚を薄く形成することができ、銀めっきなどの貴金属めっき層1bの形成コストを低減できる効果がある。また、オーバーハング状のめっき部分Hが形成されることで、金属板1aと充填樹脂4の界面の隙間への水分の浸入を防ぐ効果がある。変形例2変形例2として、図4cのように、充填樹脂4から露出した金属板1aの表面上面と下面に銀めっきによる貴金属めっき層1bを形成することでオーバーハング状のめっき部分Hを形成し、その上に、X成分として、耐硫化性を有するZn,Au,Pd,Mg,Ce,Rh,Cu,In,Snのうち一つ以上を含有し、その成分の含有量が0.1wt以上5wt以下である銀合金めっき層、すなわちAg-X合金めっき層1dを形成する。充填樹脂4から露出した金属板1aの表面に形成した貴金属めっき層1bとAg-X合金めっき層1dにより、金属板1aの上面から、金属板と樹脂の境界線部Pを越えて、充填樹脂4の表面に貴金属めっき層1bとAg-X合金めっき層1dの厚さ相当の距離までめっきが広がるオーバーハング状のめっき部分Hが形成される。そして、そのオーバーハング状のめっき部分Hが金属板と樹脂の境界線部Pを覆う。オーバーハング状のめっき部分Hが形成されることで、金属板1aと充填樹脂4の界面の隙間への水分の浸入を防ぐ効果がある。このAg-X合金めっき層1dは、銀めっきによる貴金属めっき層1bの表面に合金めっきして形成する。このAg-X合金は、その厚さを銀めっきによる貴金属めっき層1bの厚さ以下の膜に、厚さが0.02μm以上3μm以下に形成する。これらZn,Au,Pd,Mg,Ce,Rh,Cu,In,Snの1つ以上から成るX成分を含むAg-X合金めっき層1dは、高い反射率を有するとともに、銀中に微量含有したX成分が大気中のS硫黄成分と銀との結合を抑制することで、良好な耐硫化性を有する。そのため、Ag-X合金めっき層1dが銀めっきによる貴金属めっき層1bの表面を保護してめっき膜の耐硫化性を向上させ、めっき膜の高光反射率を維持できる効果がある。銀めっきによる貴金属めっき層1bのみでは、大気中に含まれる極微量のS成分と結びつき容易に黒変化硫化Agする欠点があったが、変形例2では、その欠点を、銀めっきによる貴金属めっき層1bの表面上にAg-X合金めっき層1dを重ねて形成して大気から保護する2層のめっき層を形成することで改善する。それにより、銀めっきによる貴金属めっき層1bの高光反射率を大気中で長期間維持することができる効果がある。これらのX成分を含むAg-X合金めっき層1dの膜は硬く、応力を加えると破損し易い問題があるが、変形例2では、Ag-X合金めっき層1dの膜の厚さを銀めっきによる貴金属めっき層1bの厚さ以下にして銀めっきによる貴金属めっき層1bの表面に形成することにより、Ag-X合金めっき層1dに加えられる応力を下地の銀めっきによる貴金属めっき層1bがクッションとなって吸収することで、硬いAg-X合金めっき層1dが応力により破損し易い欠点を改善できる効果がある。特に、変形例2では、Ag-X合金めっき層1dのX成分の含有量を5wt以下にすることで、下地の銀めっきによる貴金属めっき層1bの銀の結晶の格子定数と近い格子定数を有する膜にAg-X合金めっき層1dを形成することで、Ag-X合金めっき層1dが下地の銀めっきによる貴金属めっき層1bと良く馴染んでAg-X合金めっき層1dと銀めっきによる貴金属めっき層1bが強く結合してその界面で剥離しないように一体化できる効果がある。すなわち、X成分が0.1wt以上5wt以下において、Ag-X合金めっき層1dの厚さが0.02μm以上3μm以下の厚さにおいて、耐硫化性が改善され、また、ワイヤーボンディング性が維持される。変形例2でワイヤーボンディング性が維持されるのは以下の理由による。すなわち、Ag-X合金めっき層1dの表面から金線のワイヤーWをワイヤーボンディングする際に、金線のワイヤーWが銀めっきによる貴金属めっき層1bより薄いAg-X合金めっき層1dを突き破って銀めっきによる貴金属めっき層1bに達して銀めっきによる貴金属めっき層1bと直接接合させる。このように、Ag-X合金めっき層1dの厚さを銀めっきによる貴金属めっき層1bの厚さより薄くすることで、ワイヤーボンディングのワイヤーWが薄いAg-X合金めっき層1dの膜を突き破って銀めっきによる貴金属めっき層1bに達して銀めっきによる貴金属めっき層1bへ直接接合することができ、ワイヤーWの接合部を強固に接合できる効果がある。また、以上に説明した効果に加え、Ag-X合金めっき層1dは、銀めっきによる貴金属めっき層1bの表面を保護して銀のイオン化を抑制することで、銀めっきによる貴金属めっき層1bの銀のマイグレーションを抑制できる効果がある。変形例3変形例3として、図4dのように、充填樹脂4から露出した金属板1aの表面上面と下面に、3層の金属めっき層を形成する。すなわち、金属板1aの表面上面と下面に、先ずNiニッケルめっきあるいはCoコバルトめっき等の硬質の下地めっき層1cを形成し、その上に銀めっきによる貴金属めっき層1bを形成し、更にその上に、X成分として、耐硫化性を有するZn,Au,Pd,Mg,Ce,Rh,Cu,In,Snのうち一つ以上を含有した銀合金めっき層であるAg-X合金めっき層1dを形成する。変形例3は変形例1と変形例2を合わせた構成であり、変形例1の効果に変形例2の効果加えた効果を得ることができる。半導体発光装置LELEDチップの搭載次に、図2dのように、1単位フレームZが連結しているシート状のリードフレーム1に対して、そのリードフレームの金属板1aのパッド部2の半導体発光素子搭載用表面A上にLEDチップ半導体発光素子10を搭載する。LEDチップ10の厚さは0.05mmから0.1mm程度である。次に、そのLEDチップ10上の電極端子とリード部2aの電気的接エリアCに、ワイヤーボンディングで金線のワイヤーWを接続する。これにより、LEDチップ10とリード部2aが電気接続される。次に、図2eのように。LEDチップ10とワイヤーWを透明樹脂5で被覆する。個片への分割次に、図5のように、1単位フレームZ毎にLEDチップ10を搭載したシート状のリードフレーム1を、1単位フレームZの分割線BXとBYとで前後左右に分割することで個片に分割する。分割された個片が、個々の半導体発光装置LEになる。図6から図9は、図2eの半導体発光装置用リードフレームを個片に分割して得る半導体発光装置LEを示す図であり、図6はその上面図であり、図7から図9はその側断面図である。エッチング後の金属板の詳細な形状図7のように、本実施形態のリードフレーム1のエッチング後の金属板1aは、パッド部2の表面上面の半導体発光素子搭載用表面Aは、LEDチップ10を搭載するための面積S1を有する。パッド部2において、その上部構造と対向する裏面側の放熱部3の放熱用裏面B放熱板は、LEDチップ10本体から発生する駆動熱やLEDチップ10の周囲環境条件による熱を放散させて、ICチップ10に熱が蓄積されないように、パッド部2裏面側から外界側に熱を放散させるための面積S2を有する。リードフレーム1のパッド部2の半導体発光素子搭載用表面Aの面積S1と、パッド部2の、半導体発光素子搭載用表面Aと対向する放熱用裏面Bの面積S2との関係は、0<S1<S2とし、その半導体発光素子搭載用表面Aの面積よりも放熱用裏面Bの面積が広くなるように設定する。このようにすることで、放熱部位が広く設定でき、放熱性に優れた半導体発光装置LEが得られる効果がある。また、リードフレーム1のパッド部2とリード部2aの上部構造の側面部には、その上部構造の表面半導体発光素子搭載用表面A及び電気的接続エリアCを含む面側から下部構造の裏面放熱用裏面B及び放熱用裏面Dを含む面側の方向に拡がる、段差状部又はテーパー状部Eを形成する。この段差状部又はテーパー状部Eは、樹脂モールド時の充填樹脂4を保持する。リードフレーム1のパッド部2とリード部2aの下部構造の放熱部3及び3aの側面部には、その下部構造の裏面側から上部構造の表面側の方向に拡がるテーパー状部E1を形成する。このテーパー状部E1は、樹脂モールド時の充填樹脂4を保持する。また、本実施形態のリードフレーム1においては、図1に示すように、リード部2aで、上部構造が例えば高さt2=0.1mmで下部構造が高さt3=0.1mmの放熱部3a放熱板とが一体になったリード部2aの構造を、高さt2の上部構造と高さt3の下部構造が一体となったパッド部2から離反させて1乃至複数箇所に備えている。図8に示すリード部2aの表面の電気的接続エリアCは、パッド部2の半導体発光素子搭載用表面Aと同じ高さの面であり、LEDチップ10と電気配線する金線のワイヤーWがボンディングされるワイヤーボンディング領域となる領域であり、その面積はS3である。また、リード部2aの電気的接続エリアCに対向する放熱部3aの面は放熱用裏面D放熱板であり、その面積はS4である。リードフレーム1の電気的接続エリアCの面積S3と放熱用裏面Dの面積S4との関係は、0<S3<S4にする。すなわち、ワイヤーボンディングする電気的接続エリアCの面積よりも放熱用裏面Dの面積が広くなるように設定する。このようにすることで、放熱部位が広く設定でき、放熱性に優れた半導体発光装置LEが得られる効果がある。そして、電気的接続エリアCと放熱用裏面Dとの間における上部構造のリード部2aの側面側には、その電気的接続エリアCから放熱用裏面Dの方向に拡がる段差状部又はテーパー状部Eを形成し、樹脂モールド時の充填樹脂4をフレーム表面側から裏面側の方向に脱落しないように保持するようにしている。一方、下部構造の放熱部3放熱板の側面部には、その放熱用裏面Dから電気的接続エリアCの方向に拡がるテーパー状部E1を形成し、樹脂モールド時の充填樹脂4をフレーム裏面側から表面側の方向に脱落しないように保持するようにしている。このリードフレーム1は、上部構造部のテーパー状部Eのテーパーは例えばハの字状であり、下部構造部のテーパー状部E1のテーパーは例えば逆ハの字状と、上部構造部と下部構造部の各々のテーパー方向は逆方向となっている。そのため、例えば、パッド部2とリード部2aとで挟まれた部位の充填樹脂4は、上側の面上部構造部側の面と下側の面下部構造部側の面との間にくびれた部位を有するようになり、図9に示すように断面視で鼓状あるいは、砂時計状となる。リードフレーム1は、このくびれ部の上下で各々逆の方向のテーパ部となった側面で充填樹脂4を保持するため、充填樹脂4のリードフレーム1からの脱落を防止できる効果がある。リードフレーム1は、LEDチップ10を搭載するためのパッド部2を下部構造の放熱部3と重ならせて形成し、パッド部2と離反させたリード部2aを下部構造の放熱部3aと重ならせて形成し、それらを、図1aの側面図と図5の平面図で示すように形成した吊りバー20とタイバー30で接続する。図1aの側面図のように、吊りバー20とタイバー30はリードフレーム1の上部構造で形成し、それが下部構造の放熱部3又は放熱部3aと重なる領域では、それらの下部構造と一体に形成し、それ以外の領域では、リードフレーム1の上部構造のみで形成する。リードフレームの製造方法次に本実施形態による半導体発光装置用リードフレームの製造方法を説明する。金属板のエッチング工程まず、鉄-ニッケル等の合金薄板又は銅-ニッケル-錫等の金属合金製の金属板1aの表面に、フォトレジスト感光性樹脂を塗布してフォトレジスト層を形成する。次いで、パッド部2の面積S1からなる半導体発光素子搭載用表面A、及びリード部2aの面積S3からなる電気的接続エリアC、吊りバー20とタイバー30を形成する部分にレジストパターンを形成するために、所定のパターンを有するパターン露光用フォトマスクを介してフォトレジスト層にパターンを露光する。次いで、フォトレジスト層に現像、必要に応じて硬膜処理を行う。これにより、パッド部2の半導体発光素子搭載用表面A及びリード部2aの電気的接続エリアCとなる部分と吊りバー20とタイバー30となる部分を残してフォトレジストが現像除去される。そして、パッド部2の半導体発光素子搭載用表面Aを形成する部位、リード部2aの電気的接続エリアC、及び、吊りバー20とタイバー30を形成する部位にレジストパターンが形成される。同様に、金属板1aの裏面にもフォトレジストを塗布してフォトレジスト層を形成後、パターン露光、現像等という一連の処理を行う。パターン露光にあたっては、放熱部3の面積S2からなる放熱用裏面B、及び放熱部3aの面積S4からなる放熱用裏面Dを形成するためのパターンを露光し、次に現像する。これにより、放熱部3の放熱用裏面Bとなる部分、及び放熱部3aの放熱用裏面Dとなる部分を残して、フォトレジストが現像除去されたレジストパターンが形成される。次に、金属板1aの裏面に耐腐食用の樹脂フィルムを貼着し、金属板1aの表面側から表面のフォトレジスト非形成部を所定の深度図1aに示す高さt2まで塩化第二鉄等のエッチャントを用いてエッチング加工処理ハーフエッチング処理を行う。次に、洗浄後にその表面に耐腐食用の樹脂フィルムを貼着する。次に、金属板1aの裏面の耐腐食用の樹脂フィルムを剥がし、金属板1aの裏面側から、裏面のフォトレジスト非形成部を所定の深度図1aに示す深さt3まで塩化第二鉄等のエッチャントを用いてエッチング加工処理を行う。これにより、図1aのように、表面、裏面に各々対応するレジストパターンが形成されていない金属部位に貫通部が形成されたリードフレーム1が形成される。上述した説明では、リードフレーム1を形成するエッチング加工は、表裏の面に各々1回ずつ行い、計2回行っているが、表裏から同時に1回のエッチングで金属板1aにエッチング加工を行っても構わない。なお、以上の処理でリードフレーム1をエッチングして形成する際、レジストパターンから露出した金属板1a部位には等方的にエッチングが行われる。そのため、金属板1aの両面から各々エッチングを行うことで、テーパー状部Eのテーパー方向と、テーパー状部E1のテーパー方向とが逆となったリードフレーム1が得られる。すなわち、半導体発光素子搭載用表面Aと放熱用裏面Bとの間におけるパッド部の側面部に、その半導体発光素子搭載用表面Aから放熱用裏面Bの方向に拡がる、モールド時に充填される充填樹脂4を保持するための段差状部E又はテーパー状部Eが形成される。また、電気的接続エリアCと放熱用裏面Dとの間におけるリード部2aの側面側には、その電気的接続エリアCから放熱用裏面Dの方向に拡がる、モールド時に充填される充填樹脂4を保持するための段差状部E又はテーパー状部Eが形成されたリードフレーム1が形成される。充填樹脂のモールド成型工程次に、このようにして形成したリードフレーム1に対し、以下に説明するように、金型を用いた樹脂モールド成型を行うことで充填樹脂4を成型し、図1bのように、半導体発光素子搭載用表面Aと放熱用裏面Bのそれぞれの面、電気的接続エリアCと放熱用裏面Dのそれぞれの面が充填樹脂4から露呈するように充填樹脂4が充填されたリードフレーム1を製造する。樹脂モールド成型で用いる金型は、図10のように、リードフレーム1を収める所定の内部形状とした凹部を予め形成している金型を用いる。金型は、図10に示すように、蓋となる板状の上金型40と下金型41とで1組の金型を形成する構成にする。下金型41には、溶融する充填樹脂4を注入する注入口42と、リードフレーム1を装填可能な凹部43を内部空間として形成しておく。なお上金型40には、充填樹脂4の上部に約0.3mmの高さの光反射リング4aを形成するための型となる、深さ約0.3mmの光反射リング用凹部40aを内部空間として形成しておく。樹脂モールド成型は、先ず、下金型41の凹部43にリードフレーム1を装填し、次に、上金型40で下金型41上に蓋をして型締めする。次に、注入口42から、凹部43と光反射リング用凹部40aとの内部空間内に加熱溶融した充填樹脂4を注入して、装填されたリードフレーム1に充填樹脂4をモールド成型して樹脂が充填されたリードフレームを得る。ここで、充填樹脂4が金型に注入される際、リードフレーム1のうち、樹脂の注入口42の近傍の1単位フレームZから、注入口から離れた部位にある1単位フレームZへと、順次に樹脂が流れていき、樹脂モールドされていく。また、樹脂モールドの際にリードフレーム1の表面と裏面に充填樹脂4が付着しないよう、下金型41の凹部43の深さ内部空間の高さはリードフレーム1の厚みと略同一に形成する。それにより、金型内にリードフレーム1を装填した際に、リードフレーム1の表面は上金型40の面に密着させ、裏面は下金型41の面に密着させる。そうすることで、凹部内部空間に樹脂を注入した際に、リードフレーム1の表面と裏面とへの樹脂の付着を防止し、リードフレーム1の表面半導体発光素子搭載用表面A、電気的接続エリアと裏面放熱用裏面とを各々充填樹脂4から露出させる。これにより、充填樹脂4が、パッド部2の半導体発光素子搭載用表面Aとリード部2aの電気的接続エリアCの高さから、それに対向する放熱用裏面Bと放熱用裏面Dの高さまでの範囲のリードフレーム1の厚さに充填されてモールド成型される。また、これにより、上金型40に形成した光反射リング用凹部40aに充填樹脂4を注入して、その充填樹脂4を光反射リング4aの形に成形する。すなわち、上金型40は、光反射リング4aが、半導体発光素子搭載用表面Aと電気的接続エリアCの高さから放熱用裏面Bと放熱用裏面Dの高さまでの充填樹脂4と一体化した構造となって、リードフレーム1の上面の上に突出するように形成される形にする。これにより、図1bのように、この樹脂モールドで形成する充填樹脂4によって、リードフレーム1の上面の上に突出させて形成する光反射リング4aと、リードフレーム1の上面と下面の間の空間と充填樹脂4で一体化された構造で半導体発光装置用リードフレームを形成する。すなわち、光反射リング4aと、リードフレーム1のパッド部2とリード部2a間に充填された充填樹脂4とは、一体化して形成し、両者の間に樹脂の界面は存在させない。そのため、充填樹脂4の光反射リング4aと充填樹脂4の本体とは強固に接続され密着性が高い。また、光反射リング4aと充填樹脂4の本体との間に界面が無いので、界面に水蒸気が拡散して剥離し易くなることも無く、接続信頼性の高い光反射リング4aが得られる効果がある。更に、光反射リング4aを充填樹脂4の他の充填部分と同時に形成するため、一回の樹脂モールド成型で済む。充填樹脂4で形成する反射リング4aの形については、図6から図9のように、リードフレーム1上に、リード部2aの外側に、中心の円形の領域を取り囲む傾斜面ですり鉢状の斜面を有する外壁状の形に形成する。すなわち、図6のように、設置したLEDチップ10の発光部LEDを中心とする、平面視で円状の中心領域を、充填樹脂4のすり鉢状の傾斜面で囲む。そして、その傾斜面の外側の傾斜面の上部を平坦な台地状に形成する。その台地状の領域に、個片への分割線BXとBYを設定する。あるいは、すり鉢状の斜面の外側の傾斜面の上部を一定の幅の平坦な台地上に形成し、その外側を光反射リング4aの外側の同心円状の壁面に形成しても良い。すなわち、光反射リング4aの外側の壁面の外の充填樹脂4をリードフレーム1の金属板1aの上面の高さと同じ高さにしても良い。充填樹脂4の光反射リング4aの内周面の具体的形状としては、光を効率よく反射できるように、円錐面、楕円錐面、球面または放物面の一部としてもよい。なお、この光反射リング4aの平面視での形状は、円環に限定されず、LEDチップ10の発光部を中心にした楕円形の環状に形成しても良い。また、発光部が円環の中心に近ければ、光反射リング4aである円環の中心は発光部から少しずれていても良い。光反射リング4aの傾斜面の断面形状は、LEDチップ10の発光部に対向する傾斜面である内周面を、半導体発光素子搭載用表面Aと電気的接続エリアCの成す面から30度から85度傾斜した斜面に形成する。それにより、光反射リング4aの傾斜面に入射する反射光を効率よく再反射させることが可能になり、さらには、LEDチップ10から発せられた光が直接に光反射リング4aの傾斜面に入射する場合であっても、入射光を効率よく外部に向け反射させることが可能になる。このモールド成型で用いる充填樹脂4には、光反射効率の高い白色樹脂を用いるのが望ましい。また、充填樹脂4は、その他に、耐熱性、耐光性、熱導電性、高い光拡散性を有することも望ましい。充填樹脂は熱可塑性樹脂、あるいは、熱硬化性樹脂を用いることができる。そのため、充填樹脂4として、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シルセシキオキサン系樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネイト樹脂、芳香族系ポリエステル樹脂不飽和ポリエステル樹脂、ポリアミド系樹脂芳香族ポリアミドPPA、ポリフタルアミドPPA、液晶ポリマLCP、シクロオレフィン系樹脂などの有機高分子材料が望ましく、1種の樹脂又は、複数種の樹脂の混合樹脂を用いて構わない。また、充填樹脂4として、上記の1種の樹脂又は複数種の樹脂の混合樹脂を主体とする樹脂に、粉状物質の添加剤を混合した光拡散性樹脂を使用するのが望ましい。充填樹脂4に添加する添加剤としては、例えば、SiO2、TiO2、Al2O3、酸化ジルコニウム、酸化鉛、セラミック材などの白色粉末、又はそれらの混合物などの微粒子が上げられ、主体樹脂に対する添加剤の混合比率は本発明においては適宜に設定することができる。例えば1~20、若しくはそれ以上である。かかる充填樹脂4は、その添加剤により光拡散性を高くできる効果がある。それとともに、充填樹脂4は、その添加剤により屈折率nを2以上にすることができる。それにより、後に充填樹脂4上に形成する透明樹脂5よりも屈折率を高くできる。その屈折率差により、充填樹脂4と透明樹脂5との境界面における高い光反射性が得られる効果がある。充填樹脂4の例として、白色のTiO2粉末を含有させて白色にし、SiO2粉末を含有させて熱膨張係数を調整した充填樹脂4を構成できる。図1aに示すように、リードフレーム1に形成された各1単位フレームZの上部構造のパッド部2及びリード部2aは、高さt3の下部構造の上に形成するため、その上面の下部構造の裏面に対する高さは金属板1aの厚みと略同一のt1である。一方、吊りバー20、タイバー30の厚さは金属板1aの厚みt1よりも薄い上部構造の高さt2に設定する。これにより、充填樹脂4の注入時に、樹脂は吊りバー20、タイバー30と金型との間に出来た隙間を流れることができ、樹脂の流れが妨げられず、また、堰き止められない効果がある。その結果、リードフレーム1に、充填樹脂4に気泡を入れずにモールド成型することが可能になり、半導体発光装置用リードフレームの品質を良くできる効果がある。また、充填樹脂4は、その添加剤により屈折率nを2以上にし、充填樹脂4の光屈折率n1と透明樹脂5の光屈折率n2との関係を、n1>n2にする。その屈折率差により、充填樹脂4と透明樹脂5との境界面における高い光反射性が得られる効果がある。屈折率の差が大きいほど高い光反射を行える。通常の樹脂の屈折率は概ね2以下であり、樹脂だけで屈折率差を大きくするには限界が有るが、充填樹脂4に、添加剤として、SiO2、TiO2、Al2O3、酸化ジルコニウム、セラミック材、又はそれらの混合物などの微粒子を添加し、主体樹脂に対する添加剤の混合比率を例えば1~20、若しくはそれ以上添加することで、充填樹脂4の屈折率を2以上にし、透明樹脂5との屈折率差を大きくすることができる。それにより、充填樹脂4と透明樹脂5との境界面における高い光反射性が得られる効果がある。このように、充填樹脂4に高い光反射率を持たせることで、LEDチップ10から発せられた光を効率よく外部に放出させることが可能となる。さらに充填樹脂4の表面に、光反射率の優れたセラミックインクなどをコーティングすることも、LEDチップ10から発せられた光を効率よく利用する上で好ましい。充填樹脂4をリードフレーム1の金属板1aの空隙に充填してモールド成型した後、上金型40を外し、樹脂が充填されたリードフレームを下金型41から取り出す。これにより、図1bのようにリードフレーム1のパッド部2とリード部2a間に充填樹脂4が充填され、タイバー30及び吊りバー20の下に充填樹脂4の層が形成される。そして、金属板1aの表面の、半導体発光素子搭載用表面Aと放熱用裏面B、及び、電気的接続エリアCと放熱用裏面Dが充填樹脂4から外面に露呈し、かつ、充填樹脂4より露出した金属面と充填樹脂4の表面とが面一となった半導体発光装置用リードフレームが形成される。樹脂バリ除去工程金型によるモールド成型で充填樹脂4を金属板1aの空隙に充填する際に、金型の隙間から微量の樹脂が漏れ出し、所定のエリア外のリードフレーム表面を覆う。そのため、充填樹脂4のモールド成型工程の次に、樹脂バリ除去工程により、金属板1aの表面を薄く覆う樹脂を、機械的或いは化学的な操作により取り除く。金属めっき工程次に、図4dのように、充填樹脂4から露出した金属板1aの表面に、耐熱拡散性に優れた光沢或いは半光沢のNiニッケルめっきあるいはCoコバルトめっき等の硬質の下地めっき層1cを0.5~8μmの厚さに形成する。特に、このように、金属板1aの空隙を充填樹脂4で充填した後に充填樹脂4から露出した金属板1aの表面に金属めっき層を形成する製造方法によると、充填樹脂4を充填した際に金属板1aの表面の一部に充填樹脂4が薄く残留していた場合、金属板1aの表面のその部分には金属めっき層が形成され無いため、金属板1aの表面へ充填樹脂4が残留して汚染していることの検証が容易になり、結果として生産性に優れている利点がある。次に、下地めっき層1cの上に厚さ0.5~8μmの銀めっきによる貴金属めっき層1bを形成する。そして、銀めっきによる貴金属めっき層1bの上に、X成分として、Zn,Au,Pd,Mg,Ce,Rh,Cu,In,Snの耐硫化成分のうち一つ以上を含有し、該X成分の含有量が0.1wt以上5wt以下であるAg-X合金めっき層1dを、その厚さを銀めっきによる貴金属めっき層1bよりも薄く、0.02μm~3μm程度設ける。この結果、金属板1aの表面より3μmから10μmの厚さの金属めっき膜を設ける。この金属めっき膜の形成時に、充填樹脂4より露出した金属板1aの金属面の輪郭線から外方向に突出したオーバーハング状のめっき部分Hが形成される。この下地めっき層1cを銀めっきによる貴金属めっき層1bと金属板1aの間に設けることで、銅合金などから成る金属板1aの銅金属成分が銀めっきによる貴金属めっき層1bに熱拡散して銀めっきによる貴金属めっき層1bを変色させることを防ぐ金属熱拡散バリアとして働く効果があり、高価な銀めっきによる貴金属めっき層1bの膜厚を薄く形成することができ、銀めっきによる貴金属めっき層1bの形成コストを低減できる効果がある。以上の、リードフレーム1への金属めっき層の形成処理により、LEDチップ10を搭載する1乃至複数箇所のパッド部2と、LEDチップ10との電気的接続を行う電気的接続エリアCを有するリード部2aとを同一平面に備えた半導体発光装置用リードフレームを得る。なお、本実施例では、貴金属めっき1bを金属板1aの両面に行った例を記述したが、貴金属めっき1bは、LEDチップ10の搭載面側の金属板1aの面のみに行うことでも構わない。変形例4変形例4として、金属板1aの表面に形成する3層のめっき層のうち、最上層のAg-X合金めっき層1dの形成方法として、銀めっきによる貴金属めっき層1bの表面に蒸着やスパッタリング、あるいは、イオンプレーティング等の乾式めっきによりX成分を成膜して、加熱してX成分を下地の銀めっきによる貴金属めっき層1bに熱拡散させることでAg-X合金めっき層1dを形成することも可能である。特に、Ag-X合金めっき層1dにする銀の量の30分の1の量のX成分を銀めっきによる貴金属めっき層1bの表面に成膜して、加熱してX成分を下地の銀めっきによる貴金属めっき層1bに熱拡散させることで、目的のAg-X合金めっき層1dを銀めっきによる貴金属めっき層1bの表面に形成することができる。変形例5変形例5として、金属板1aの表面に形成する3層のめっき層のうち、最上層のAg-X合金めっき層1dの形成方法として、銀めっきによる貴金属めっき層1bの表面に、Ce系光沢剤とZn成分を含む低シアン銀めっき液を用いた湿式めっきにより、X成分としてZnとCeの混合成分を含むAg-X合金めっき層1dを形成する。変形例5は、光沢剤のCeを含むことで、Ag-X合金めっき層1dの表面が平滑化されLEDチップ10の発する光の反射効率を高めることができる効果がある。変形例6変形例6として、金属板1aの表面に形成する3層のめっき層のうち、最下層の下地めっき層1cとして、金属板1aの表面にAu、Pd、Znなどの耐硫化性に優れたストライクめっきを厚さを0.02μmから0.5μm設けることで下地めっき層1cを形成し、その下地めっき層1cの上に先に述べた2層の金属めっき層を形成する。すなわち、この下地めっき層1cの上に、0.5~8μmの銀めっきによる貴金属めっき層1bを設け、更にその上にAg-X合金めっき層1dの厚さを銀めっきによる貴金属めっき層1bよりも薄く、0.02μm~3μm程度設ける。これにより、変形例6は、銀めっきによる貴金属めっき層1bが表面側からはAg-X合金めっき層1dで保護され、金属板1a側ではストライクめっきから成る下地めっき層1cで保護され、金属板1a側の銅などの金属成分が銀めっきによる貴金属めっき層1bに熱拡散して銀めっきによる貴金属めっき層1bを変色させることを防ぐ効果があり、また、銀めっきによる貴金属めっき層1bを上下面両面とも保護して硫化を妨げることができる効果がある。LEDチップ搭載工程こうして得た半導体発光装置用リードフレームのパッド部2の上面に、例えば導電接着剤によりLEDチップ10を貼着ダイボンドし、その後にワイヤーボンダーにより、LEDチップ10の上面の端子と他方のリード部2aの上面の電気的接続エリアCに金線等のワイヤーWをワイヤーボンディングすることで、LEDチップ10とリードフレーム1を電気接続する。こうして、半導体発光装置用リードフレームにLEDチップ10を搭載する。透明樹脂のモールド成型工程次に、図2eのように、LEDチップ10を搭載した半導体発光装置用リードフレームに対し、金型を用いた樹脂モールド成型を行うことで、パッド部2の半導体発光素子搭載用表面Aより上面側、及びリード部2aの電気的接続エリアCより上面側のLEDチップ10と、電気的接続エリアCにボンディングした金線のワイヤーWと、光反射リング4aを被覆する透明樹脂5を形成する。透明樹脂5には、光透過性のあるアクリル系樹脂ポリメタメチルアクリレート樹脂、シリコーン系透明樹脂、エポキシ系透明樹脂などの透明性の良好な樹脂を用いる。それにより、LEDチップ10が透明樹脂層5の層内に埋設された状態で発光する際に、LEDチップ10から発せられた光が透明樹脂5から外側に出射するにあたり高い光利得性を持たせることができる。なお、図2eでは、透明樹脂5は層状に形成しているが、ドーム状に形成しても構わない。個片への分割工程次に、図5のように、LEDチップ10を搭載したシート状のリードフレーム1を、個片への分割線BXとBYとで前後左右に分割して個片に分割することで、個々の半導体発光装置LEを製造する。なお、本発明は、以上の実施形態に限定されず、光反射リング4aは、充填樹脂4で一体成型せずに、別途形成した光反射リング4aをリードフレームに貼り合わせて半導体発光装置用リードフレームを形成しても良い。あるいは、光反射リング4aを形成しない半導体発光装置用リードフレームを形成することも可能である。"