表面にバンプが形成されたウェーハの裏面側を研削する研削方法であって、該ウェーハの表面側から、該バンプが埋没するように、外的刺激を受けて硬化する樹脂を該ウェーハの表面に塗布する樹脂塗布ステップと、該外的刺激を受けて硬化する樹脂を、接着性が残った半硬化状態にさせる樹脂半硬化ステップと、該樹脂半硬化ステップの後に、該外的刺激を受けて硬化する樹脂の表面側から該バンプに到達しない深さを切削して該外的刺激を受けて硬化する樹脂の表面を平坦化させる樹脂表面平坦化ステップと、平坦化した該外的刺激を受けて硬化する樹脂の表面に支持基板を圧着するとともに該外的刺激を受けて硬化する樹脂を完全硬化させて、該外的刺激を受けて硬化する樹脂を介して該支持基板を該ウェーハ表面に貼着する支持基板貼着ステップと、該支持基板に貼着した該ウェーハの裏面側から該ウェーハの薄化研削を行う研削ステップと、からなるウェーハの研削方法。しかし、3次元実装に用いる半導体ウェーハは、表面にバンプ等が形成され凹凸があるため、ウェーハの表面全体を覆うように樹脂を塗布し、サポートプレートを樹脂表面に圧着して樹脂を硬化させると、バンプの凹凸に対応した凹凸が樹脂表面に表出した状態でサポートプレートが貼着されてしまう。そして、樹脂表面に凹凸が表出した状態で貼着されたサポートプレートに支持された半導体ウェーハの裏面を研削すると、残留した凹凸の影響により研削後の半導体ウェーハ裏面の平坦度が悪化してしまうという問題がある。本発明は、上記問題にかんがみなされたもので、その目的は、表面に凹凸を有する半導体ウェーハの裏面を研削する場合において、当該裏面の平坦度を向上させることにある。本発明は、表面にバンプが形成されたウェーハの裏面側を研削する研削方法に関するもので、以下の各ステップにより構成される。1ウェーハの表面側から、バンプが埋没するように、外的刺激を受けて硬化する樹脂をウェーハの表面に塗布する樹脂塗布ステップ、2外的刺激を受けて硬化する樹脂を、接着性が残った半硬化状態にさせる樹脂半硬化ステップ、3樹脂半硬化ステップの後に、外的刺激を受けて硬化する樹脂の表面側からバンプに到達しない深さを切削して外的刺激を受けて硬化する樹脂の表面を平坦化させる樹脂表面平坦化ステップ、4平坦化した外的刺激を受けて硬化する樹脂の表面に支持基板を圧着するとともに外的刺激を受けて硬化する樹脂を完全硬化させて、外的刺激を受けて硬化する樹脂を介して支持基板をウェーハ表面に貼着する支持基板貼着ステップ、5支持基板に貼着したウェーハの裏面側からウェーハの薄化研削を行う研削ステップ。本発明は、バンプが埋没するようにウェーハ表面に樹脂を塗布し、その樹脂を半硬化させた後に、バンプに到達しない深さを切削して樹脂の表面を平坦化するため、バンプに対応する凹凸が樹脂の表面に現れることがない。そして、平坦化した樹脂の表面に支持基板を貼着し、平坦な支持基板側が支持された状態でウェーハ裏面の研削を行うため、ウェーハ表面の凹凸の影響を受けずに、研削後のウェーハ裏面を高精度に平坦化することができる。図1に示す半導体ウェーハ1は、その内部の表面1a側に電極10が埋め込まれて構成されており、各電極10には、表面1aから突出形成されたバンプ11が接続されている。以下では、この半導体ウェーハ1の裏面1bを研削して薄化する方法について説明する。1樹脂塗布ステップ図2に示すように、最初に、バンプ11が形成された表面1aに樹脂2を塗布する。この樹脂2は、バンプ11が樹脂2の中に埋没するように、バンプ11の高さよりも厚く塗布する。樹脂2は、外的刺激を受けることにより硬化して接着性が低下するタイプのものであり、例えば、加熱により硬化する熱硬化性樹脂、紫外線の照射を受けて硬化する紫外線硬化性樹脂等を使用することができるが、これらに限定されるものではない。以下では、樹脂2として熱硬化性樹脂を使用する場合について説明する。2樹脂半硬化ステップ樹脂塗布ステップの後、樹脂2に対して外的刺激の一種である熱を加えて加熱することにより、樹脂2を半硬化状態Bステージ状態とする。例えば、図3に示すように、半導体ウェーハ1の裏面1bをヒータ3aの上に載置するとともに、樹脂2の上方にヒータ3bを近づけることにより、樹脂2の両面側から加熱を行う。樹脂2を半硬化状態とするために、全硬化状態とする場合よりもヒータ3a、3bの温度を低く設定する。このようにして樹脂2を加熱して半硬化状態とする。3樹脂表面平坦化ステップ樹脂半硬化ステップの後、例えば図4に示すバイト切削装置4を用いて樹脂2の表面2a側を切削する。バイト切削装置4は、回転軸40の下端部のホイール41の下面にバイト42が固定され、全体として昇降可能に構成されている。バイト42は、超鋼合金等の下端にダイヤモンド等で形成された切削刃が形成されて構成されている。また、バイト切削装置4は、被加工物を保持する保持テーブル43を備えている。なお、バイト切削装置4としては、例えば特開2005-340592号公報に記載された構成のものを使用することができる。樹脂2の切削時は、半導体ウェーハ1の裏面1bを保持テーブル43において保持し、半導体ウェーハ1をバイト42の側方に位置させておく。そして、バイト42の下端がバンプ11の上端よりも上に位置するように設定し、その状態で、ホイール41を図4における矢印A方向に回転させるとともに、半導体ウェーハ1をバイト42に近づける方向矢印B方向に移動させていく。そうすると、図4に示すように、樹脂2は、バンプ11に達しない深さが切削され、樹脂2の表面2aが削り取られ平坦化されて平坦面2bが形成される。樹脂2は半硬化状態となっているため、切削による平坦化が可能であるとともに、後の支持基板貼着ステップにおいて支持基板を貼着可能な状態となっている。4支持基板貼着ステップ樹脂表面平坦化ステップの後、図5に示すように、樹脂2の平坦面2bに支持基板5を圧着する。支持基板5としては、例えばガラスのような剛性が高い材料で形成された平板を用いる。樹脂2は半硬化状態であり接着性が残されているため、圧着により支持基板5と半導体ウェーハ1とを一体化させることが可能である。なお、樹脂2として紫外線硬化性樹脂を使用した場合は、樹脂2に対して後に紫外線を照射するために、支持基板5として透明又は半透明のものを使用する。支持基板5を樹脂2に圧着した後、樹脂2を加熱することにより樹脂2を完全硬化させ、樹脂2を介して支持基板5を半導体ウェーハ1の表面1aに貼着して固定する。なお、樹脂2の加熱は、例えば、樹脂半硬化ステップと同様に、ヒータを用いて樹脂2の両面側から加熱を行う。樹脂表面平坦化ステップにおいて樹脂2を切削して平坦面2bを形成したため、バンプ11の凹凸が樹脂2の表面に現れることがない。したがって、支持基板5の全面を確実に樹脂2の平坦面2bに貼着することができる。5研削ステップ支持基板貼着ステップの後、図6に示すように、例えば研削装置6を使用して半導体ウェーハ1の裏面1bを研削する。研削装置6は、回転軸60の下端部のホイール61の下面に砥石62が円環状に固着されて構成されており、全体として昇降可能となっている。また、研削装置6には、被加工物を保持する保持テーブル63を備えている。半導体ウェーハ1の裏面1bを上に向けた状態で、支持基板5側を保持テーブル63において保持する。そして、保持テーブル63を図6における矢印D方向に回転させながら、ホイール61を矢印C方向に回転させて下降させ、回転する砥石62を半導体ウェーハ1の裏面1bに接触させて押圧することにより裏面1bを研削する。このとき、樹脂表面平坦化ステップにおいて樹脂2を切削して平坦面2bを形成したため、半導体ウェーハ1の表面1aから突出したバンプ11の凹凸の影響を受けることなく研削を行うことができる。したがって、研削面を高精度に平坦面とすることができる。また、樹脂2が完全硬化しているため、半導体ウェーハ1が安定的に支持された状態で研削を行うことができる。このようにして薄化研削を行い、電極10が露出して半導体ウェーハWが所望の厚さに形成されると、ホイール61を上昇させて研削を終了する。研削終了後は、半導体ウェーハ1の表面1aから樹脂2を剥離することにより、裏面側から電極10が露出し表面からバンプが突出形成された半導体ウェーハが形成される。