露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理装置において、前記基板が収容され、密閉された処理空間を形成する処理容器と、前記処理空間において処理容器の外部との間で基板を搬送するための搬送領域と、前記搬送領域に隣接する隣接領域とを夫々の雰囲気が遮断されるように区画する区画状態と、前記夫々の雰囲気が開放される開放状態とを互いに切り替える区画機構と、前記処理容器の外部から搬送領域に搬送された基板が受け渡される処理用載置部と、前記開放状態の処理空間に溶剤雰囲気を供給して、前記処理用載置部に載置された基板のパターンマスクを膨潤させるための溶剤雰囲気供給部と、膨潤した前記パターンマスクを乾燥させるための乾燥機構と、前記乾燥機構により乾燥された基板を前記溶剤雰囲気を供給した後に区画状態にされた前記搬送領域から外部に取り出すと共に、処理を行う基板を外部から前記搬送領域に搬送するために前記処理容器に形成された、開閉自在な基板搬送口と、前記区画状態の搬送領域の溶剤雰囲気を排気して除去するために、当該搬送領域に開口する排気口と、を備え、前記基板搬送口が開かれるときに当該基板搬送口は、前記区画状態にされた隣接領域から区画されることを特徴とする基板処理装置。前記区画機構は、処理容器の外部と前記処理空間との間で移動自在に構成され、前記処理容器には、前記区画機構が移動するために開閉自在な移動用開口部が設けられていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。前記移動用開口部には処理空間の雰囲気と処理空間の雰囲気とを遮断するためのガス流形成部が設けられることを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。前記乾燥手段は、前記処理用載置部に載置された基板を加熱する加熱手段により構成され、前記区画機構は、前記加熱手段により加熱された基板を冷却するために載置する冷却用載置部を備え、前記処理用載置部は、前記冷却用載置部に基板を移載する移載機構を備えることを特徴とする請求項2または3記載の基板処理装置。前記区画機構は、前記冷却用載置部と、前記搬送領域を形成するために当該冷却用載置部の表面を覆うカバーと、を備え、前記排気口はこの区画機構に設けられ、カバーと冷却用載置部とに囲まれる搬送領域を排気することを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。前記区画機構は、前記搬送領域にガスを供給して溶剤雰囲気を前記排気口へパージするためのパージガス供給部を備えることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の基板処理装置。露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理方法において、密閉された処理空間を形成する処理容器に基板を収容する工程と、区画機構により前記処理空間において処理容器の外部との間で基板を搬送するための搬送領域と、前記搬送領域に隣接する隣接領域とを互いの雰囲気が遮断されるように区画する区画状態を形成する工程と、前記区画機構により前記搬送領域の雰囲気と、前記隣接領域の雰囲気とを互いに開放する工程と、前記処理容器の外部から搬送領域に搬送された基板を処理用載置部に受け渡す工程と、前記処理用載置部に載置された基板のパターンマスクを膨潤させるために溶剤雰囲気供給部により前記開放状態の処理空間に溶剤雰囲気を供給する工程と、乾燥機構により膨潤した前記パターンマスクを乾燥させる工程と、前記溶剤雰囲気を供給した後に前記乾燥機構により乾燥された基板を搬送領域から外部に取り出すと共に処理を行う基板を外部から前記搬送領域に搬送するために、前記区画状態を形成する工程と、前記区画状態の搬送領域に開口する排気口から溶剤雰囲気を排気して除去する工程と、前記処理容器に形成された基板搬送口を、前記区画状態の隣接領域から区画されるように開く工程と、を備えたことを特徴とする基板処理方法。前記区画機構を、処理容器の外部の待機領域と前記処理空間との間で移動させる工程と、処理容器において、前記区画機構を移動させるための移動用開口部を開閉する工程と、を備えることを特徴とする請求項7記載の基板処理方法。前記移動用開口部において、処理空間の雰囲気と処理空間の雰囲気とを遮断するためにガス流形成部によりガス流を形成する工程を含むことを特徴とする請求項8記載の基板処理方法。前記パターンマスクを乾燥させる工程は、前記処理用載置部に載置された基板を加熱手段により加熱する工程を含み、前記区画機構に設けられる冷却用載置部に、移載機構により前記加熱された基板を移載する工程と、冷却用載置部にて前記基板を冷却する工程と、を含むことを特徴とする請求項8または9記載の基板処理方法。前記区画機構に設けられるパージガス供給部により、前記搬送領域にガスを供給して当該搬送領域の溶剤雰囲気を前記排気口へパージする工程を含むことを特徴とする請求項8ないし10のいずれか一つに記載の基板処理方法。露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記コンピュータプログラムは、請求項8ないし11のいずれか一つに記載の基板処理方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は基板に形成されたパターンマスクの表面を平滑化させる基板処理装置において、スループットを向上させる技術を提供することである。本発明の基板処理装置は、露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板に対して、前記パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う基板処理装置において、前記基板が収容され、密閉された処理空間を形成する処理容器と、前記処理空間において処理容器の外部との間で基板を搬送するための搬送領域と、前記搬送領域に隣接する隣接領域とを夫々の雰囲気が遮断されるように区画する区画状態と、前記夫々の雰囲気が開放される開放状態とを互いに切り替える区画機構と、前記処理容器の外部から搬送領域に搬送された基板が受け渡される処理用載置部と、前記開放状態の処理空間に溶剤雰囲気を供給して、前記処理用載置部に載置された基板のパターンマスクを膨潤させるための溶剤雰囲気供給部と、膨潤した前記パターンマスクを乾燥させるための乾燥機構と、前記乾燥機構により乾燥された基板を前記溶剤雰囲気を供給した後に区画状態にされた前記搬送領域から外部に取り出すと共に、処理を行う基板を外部から前記搬送領域に搬送するために前記処理容器に形成された、開閉自在な基板搬送口と、前記区画状態の搬送領域の溶剤雰囲気を排気して除去するために、当該搬送領域に開口する排気口と、を備え、前記基板搬送口が開かれるときに当該基板搬送口は、前記区画状態にされた隣接領域から区画されることを特徴とする。本発明の具体的な態様は、例えば下記の通りである。a前記区画機構は、処理容器の外部と前記処理空間との間で移動自在に構成され、前記処理容器には、前記区画機構が移動するために開閉自在な移動用開口部が設けられている。b前記移動用開口部には処理空間の雰囲気と処理空間の雰囲気とを遮断するためのガス流形成部が設けられる。c前記乾燥手段は、前記処理用載置部に載置された基板を加熱する加熱手段により構成され、前記区画機構は、前記加熱手段により加熱された基板を冷却するために載置する冷却用載置部を備え、前記処理用載置部は、前記冷却用載置部に基板を移載する移載機構を備える。d前記区画機構は、前記冷却用載置部と、前記搬送領域を形成するために当該冷却用載置部の表面を覆うカバーと、を備え、前記排気口はこの区画機構に設けられ、カバーと冷却用載置部とに囲まれる搬送領域を排気する。e前記区画機構は、前記搬送領域にガスを供給して溶剤雰囲気を前記排気口へパージするためのパージガス供給部を備える。本発明の基板処理装置によれば、溶剤雰囲気が形成される処理空間が基板の搬入出時に区画機構により区画され、この区画された処理空間の基板の搬送領域を排気する排気口と、当該搬送領域に対して開閉する搬送口と、が設けられる。従って溶剤雰囲気の排気を行う空間の容積を抑えることができるので、速やかに排気を完了し、処理空間への基板の受け渡しを行うことができる。その結果として、スループットの向上を図ることができる。第1の実施形態本発明の実施の形態に係る基板処理装置1について、縦断側面図、横断平面図である図1、図2を参照しながら説明する。この基板処理装置1は処理容器11と、処理容器11への進入及び処理容器11からの退出が自在な排気領域形成部51とを備えている。処理容器11は扁平な角型に形成され、その内部はウエハWの処理空間12として構成されている。処理容器11の一つの側面にはウエハWの搬送口13が開口しており、この搬送口13はシャッタ14により開閉自在に構成されている。搬送口13は、処理空間12の溶剤が処理空間12の外部へ漏れることを防ぐために、その外側の開口高さが内側の開口高さよりも小さくなるように構成されている。具体的には、搬送口13は上下に対向して設けられた水平面15、15と、各水平面15から処理容器11の外側に向かうにつれてその上下の幅が狭まるように各々形成された傾斜面16、16とにより構成されている。各水平面15には搬送口13の長さ方向に沿って開口したスリット状の排気口17が形成されており、各傾斜面16には前記排気口17と並行に形成されたスリット状のガス吐出口18が設けられている。各ガス吐出口18からは処理空間12の内部側へ斜め方向にN2ガスが吐出され、処理空間12の雰囲気が搬送口13から漏れ出すことを防ぐことができる。処理容器11において、前記搬送口13が形成された側面と対向する側面には排気領域形成部51の進退口21が開口しており、移動用開口部をなすこの進退口21はシャッタ22により開閉自在に構成されている。この進退口21も前記搬送口13と同様に、処理空間12の溶剤雰囲気が外部へ漏れることを防ぐために、その外側の開口高さが内側の開口高さよりも小さくなるように構成されている。具体的には、進退口21は搬送口13と同様に上下に対向して設けられた水平面23、23と、各水平面22から処理容器11の外側に向かってその上下の幅が狭まるように各々形成された傾斜面24、24とにより構成されている。各水平面23には進退口21の長さ方向に沿ってスリット状の排気口25が形成されており、各傾斜面24には前記排気口25と並行に形成されたスリット状のガス吐出口26が設けられている。各ガス吐出口26からは処理空間12の内部側へ斜め方向にN2ガスが吐出され、処理空間12の雰囲気が進退口21から漏れ出すことを防ぐことができる。排気口17、排気口25は夫々バルブV1、V2を介して真空ポンプなどにより構成される排気手段27に接続されている。ガス吐出口18、26はガス供給系31を介してN2ガスの供給源32に接続されている。処理空間12の中央部下方には処理用載置部をなすステージ41が設けられ、このステージ41は処理を行うウエハWを水平に載置する。このステージ41内には乾燥機構である加熱手段を構成するヒータ42が埋設され、ステージ41に載置されたウエハWを所定の温度に加熱することができる。ステージ41には、当該ステージ41を厚さ方向に穿孔された3つの孔43と、各孔43に挿通された昇降ピン44とが設けられ、昇降ピン44の下端は処理容器11の底部を突き抜けて昇降機構45に接続されている。図中46は昇降機構45を覆い、前記処理容器11の底部から溶剤が拡散することを防ぐためのカバーである。処理空間12の上側にはステージ41に対向するように水平な天井形成部材47が設けられている。天井形成部材47にはヒータ48が埋設されており、このヒータ48及び前記ヒータ48の輻射熱により処理容器11で気化した溶剤が結露して処理容器11の壁面に付着することが防がれる。また、天井形成部材47においては、ウエハWの中央部と対向するようにガス吐出口49が開口している。ガス吐出口49は、ガス供給系31を介して溶剤供給源33及び前記N2ガス供給源32に接続されている。溶剤供給源33は貯留した溶剤を下流側に供給する。この溶剤としては例えば、アセトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、γブチルラクトン、ピリジン、キシレン、Nメチル2ピロリジノンNMP、乳酸エチル、2-へプタノン、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、ジエチルエーテル、アニソール、ジメチルスルホキシドDMSO、m-クレゾール等であり、レジスト膜の溶解作用を有する。ガス供給系31は、前記ガス吐出口49と溶剤供給源33とを接続する配管34を備えている。配管34には溶剤供給源33に向けて気化部35、流量制御部36A、バルブV3がこの順に介設され、溶剤供給源33から気化部35へ溶剤の供給量が制御される。また、ガス供給系31は、前記N2ガス供給源32に接続される配管37と、当該配管37に介設される加熱部38とを備えている。加熱部38は、下流側に向かうN2ガスを所定の温度に加熱し、処理容器11内の温度がN2ガスの供給により下がることを防ぐ。それによって処理容器11の壁面に溶剤が結露することが防がれる。加熱部38の下流で配管37は分岐し、この分岐した配管を37A~37Dとして図1に示している。配管37Aは前記気化部35に、配管37Bは既述のガス吐出口18に、配管37Cは既述のガス吐出口26に、配管37Dは排気領域形成部51に夫々接続されている。配管37Aは気化部35にキャリアガスとしてのN2を供給する役割を有し、気化部35で気化した溶剤溶剤蒸気はこのキャリアガスによりガス吐出口49に供給される。配管37Dから供給されるN2については排気領域形成部51と共に説明する。配管37A~37Dには、各部へのN2の供給量を制御できるように上流側にバルブV4~V7、下流側に流量制御部38A~38Dが各々介設される。区画機構である排気領域形成部51について、その分解斜視図を示した図3も参照しながら説明する。排気領域形成部51はウエハWの処理中は処理容器11の後方側の待機領域50に配置される。排気領域形成部51は、待機領域50から処理容器11に向かって引き延ばされるように形成された扁平な角形の箱状部52を備えている。この箱状部52の前方側処理容器11側は開放されており、箱状部52の内部に形成される排気領域53にこの前方側からウエハWを搬入できるように構成されている。後述のようにこの排気領域53は、処理容器11に対するウエハW搬入時及び処理容器11からのウエハWの搬出時にウエハWの搬送領域として構成される。箱状部52の底板をなす冷却板54は図示しない冷却水の流路を備えており、前記ステージ41にて加熱されたウエハWを載置する。前記ウエハWは、この冷却板54に載置されることで、前記冷却水との熱交換により冷却される。冷却板54にはその先端から後方に向けてスリット55が形成されており、排気領域53とステージ41との間でウエハWを受け渡すために、このスリット55を昇降ピン44が通過することができるように構成されている。また、箱状部52を構成する天板56の先端部には左右方向に延びるスリット状のガス吐出口57が設けられている。このガス吐出口57には上記の配管37Dが接続されている。ガス吐出口57は排気領域53を後方側に向けて斜め方向に、パージガスとしてN2ガスを吐出する。箱状部52の後方側には、箱状部52の前方側の開口部と対向するように左右方向に延びたスリット状の排気口58が開口している。この排気口58は、バルブV9を介して排気手段27に接続され、排気領域53を局所的に排気することができる。箱状部52の後方側からは下方に向けて延びる支持部59が設けられ、この支持部59の下方側は前後方向に延びるガイドレール61に係止されている。図示しない駆動機構によりこのガイドレール61に沿って排気領域形成部51は待機領域50から前進し、図4に示すように処理空間12内へ箱状部52が進入するように前進する。このとき箱状部52の先端は処理容器11の搬送口13の開口縁に当接し、排気領域53が箱状部52の外部から区画される。この状態において排気領域53は、処理容器11の外部の搬送機構との間でウエハWの搬入出を行うためのウエハWの搬送領域を構成する。また、処理空間12において、このように区画された排気領域53の外側の領域を便宜上、隣接領域10と記載する。基板処理装置1は制御部60により制御される。この制御部60は例えばコンピュータからなり、プログラム、メモリ、CPUを備えている。前記プログラムには制御部60から基板処理装置の各部に制御信号を送り、所定の表面処理を進行させるように命令各ステップが組み込まれている。このプログラムは、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、MO光磁気ディスク、メモリーカード等の記憶部に格納されて制御部60にインストールされる。ここで前記プログラムには、ガス供給系31における各バルブVの開閉、流量制御部による溶剤及びN2ガスの流量制御、各ヒータ42、48による温度制御、排気領域形成部51の移動及び昇降ピン23の昇降動作等を制御するためのプログラムも含まれており、制御部60のメモリに予め記憶されたプロセスレシピに応じて、前記各部が制御されるようになっている。続いて基板処理装置1の動作について図5~図12を参照しながら説明する。先ず、進退口21においてガス吐出口26からN2ガスが吐出されると共に排気口25から排気が行われる。それによって、ガス吐出口26から排気口25に向かうガス流ガスカーテンが形成されると共に処理空間12の雰囲気が排気される。続いて前記進退口21が開放され、前記ガス流により進退口21からの処理空間12の雰囲気が外部に漏れ出すことが防がれた状態で、排気領域形成部51が待機領域50から前記処理空間12に向けて前進する。排気領域形成部51の箱状部52の先端が処理容器11の内壁に当接し、箱状部52内の排気領域53がその外側の隣接領域10から区画されると、排気領域形成部51の移動が停止する。また、天井形成部材47とステージ41とが所定の温度に夫々上昇する。その後、ウエハWの処理が行われる。図13はウエハWの処理を行うときの基板処理装置1の各部の動作状態を示したタイムチャートであり、このタイムチャートに記載したように前記ウエハWの処理は、概略的にはウエハWの処理空間12への搬入と、溶剤蒸気によるスムージング処理と、ウエハWの冷却及びウエハWの周囲の雰囲気の置換と、処理空間12からのウエハWの搬出とを行う各区間からなる。先ず、箱状部52においてガス吐出口57からN2ガスが吐出されると共に排気口58から排気が行われ、排気領域53にガス流が形成されて当該排気領域53の溶剤濃度が低下する。このガス流の形成開始に並行して、搬送口13におけるガス吐出口18からのN2ガスの吐出及び排気口17からの排気が開始され、搬送口13にもガス流ガスカーテンが形成される図13中t1。続いて搬送口13が開放され図13中t2、ガス吐出口18から排気口17へ向かうN2ガス流により、処理空間12の雰囲気の外部への漏洩が防がれた状態で、図6に示すように搬送機構20がウエハWの周縁を保持した状態で前記搬送口13から処理空間12に進入する。昇降ピン44が上昇してウエハWの裏面を支持した後、搬送機構20が処理空間12から退避する。そして搬送口13が閉じ、前記ガス吐出口18、57からのガス供給と、排気口17、58からの排気が停止し、図7に示すように排気領域形成部51が待機領域50に後退する図13中t3。続いて進退口21が閉鎖され、ガス吐出口26からのN2ガスの吐出及び排気口25からの排気が停止する。また、このガスの吐出及び排気の停止とに並行して、昇降ピン44が下降し、ウエハWがステージ41に載置され図13中t4、前記ウエハWは溶剤、例えばPGMEAの露点温度よりも高く、当該PGMEAにより膨潤しない温度になるように加熱される。然る後、図8に示すように排気口17、25から処理空間12が排気されると共に溶剤蒸気がキャリアガスN2ガスと共にガス吐出口49から処理空間12に供給され図13中t5、処理空間12の溶剤濃度が上昇する。ここで、供給される溶剤蒸気中のPGMEAの濃度は、溶剤蒸気の露点よりも高い温度、例えば露点より10°C以上高い温度において、PGMEAがウエハW上のレジストパターン表面を膨潤するために十分な濃度に設定される。ただし、この処理空間12へ溶剤が供給されるときにはウエハWへの溶剤の結露及びそれによる膨潤が起こらない温度にウエハWの温度及び溶剤蒸気の温度が制御される。処理空間12の溶剤の濃度が所定の濃度になると、前記溶剤蒸気及びキャリアガスの供給と、排気口17、25からの排気とが停止する。そして、昇降ピン44が上昇し図13中t6、ウエハWはステージ41から離れることで次第にその温度が低下する。ウエハW表面のレジストからなるパターンマスク71が変化する様子を示した図14も参照しながら説明する。図中72は溶剤の分子である。上記のようにウエハWの温度が比較的高いときには、前記溶剤分子72は図14の1段目に示すようにパターンマスク71に衝突しても雰囲気中へと蒸発してしまい、パターンマスク71へは吸着しない。その後、ウエハWの温度が低下を続けると、図14の2段目に示すように、溶剤分子72がパターンマスク71に吸着ひいては吸収される。つまり、溶剤がパターンマスク71表面に結露する。それによってパターンマスク71のごく薄い表層部73が膨潤し、膨潤した73ではレジスト膜を構成する分子が軟化、溶解して流動し、当該表層部73の形状が均されていく。ウエハWの温度がさらに低下するにつれ、溶剤分子72の吸着量が多くなり、表層部73の膨潤が進むが、パターンマスク71の深部へ溶剤が浸透することを防ぐために昇降ピン44が下降し図13中t7、ウエハWがステージ41に載置されて溶剤による結露がなされない温度になるように加熱され、表層部73に吸収された溶剤は蒸発して表層部73が乾燥する図14中3段目。そして、図9に示すように再び昇降ピン44によりウエハWがステージ41から上昇して降温する。それによって表層部73が再び膨潤し、レジスト膜を構成する分子が流動して、表層部73がさらに平滑化される。その後、昇降ピン44が下降してウエハWが加熱されて上記のように表層部73から溶剤が除去された後、昇降ピン44によるステージ41からのウエハWの上昇、ステージ41への載置動作がさらに繰り返され、図14中4段目に示したように表層部73の平滑化がさらに進行した後、図14中5段目に示したように表層部73が乾燥される。パターンマスク71は溶剤の露点より高い温度でも前記溶剤を吸収するので、パターンマスク71が過度に膨潤することを防ぐために、上記の膨潤及び乾燥処理は露点よりも高い温度範囲で行われ、前記乾燥処理は膨潤する温度よりも例えば1°C~10°C程度高い温度で行われる。その後、ガス吐出口26からN2ガスが吐出されると共に排気口25から排気が行われて、進退口21においてガス吐出口26から排気口25に向かうガス流が形成されると共に前記排気口25から処理空間12の溶剤雰囲気が除去される図13中t8。進退口21が開放され、前記ガス流により当該進退口21からの処理空間12の雰囲気が外部に漏れ出すことが防がれた状態で、排気領域形成部51が待機領域50から前進し、箱状部52が処理空間12内に進入すると共に昇降ピン44が上昇する図13中t9。図10に示すようにウエハWが前進を続ける前記箱状部52の排気領域53に収容され、箱状部52の先端が処理容器11の内壁に接し、排気領域53が周囲の隣接領域10から区画されると昇降ピン44が下降し、ウエハWが箱状部52の冷却板54に載置されて冷却される。その後、図11に示すように箱状部52のガス吐出口57からのN2ガスの吐出と排気口58からの排気とが開始され、排気領域53にガス流が形成されると共に搬送口13のガス吐出口18からのN2ガスの吐出と、排気口17からの排気とが行われ、搬送口13にガス流が形成される図13中t10。このとき、排気領域53及び搬送口13は、その外側の隣接領域10の雰囲気の流入が遮断されるように箱状部52によって区画されている。従って、その溶剤濃度が速やかに低下する。そして、排気領域53及び搬送口13の溶剤濃度が所定の濃度以下になると、搬送口13が開放されると共に、昇降ピン44が上昇してウエハWを箱状部52の冷却板54から突き上げ図13中t11、搬送機構20がウエハWの裏面に回りこむように排気領域53に進入し、昇降ピン44が下降して搬送機構20にウエハWが受け渡されると図13中t12、図12に示すように搬送機構20が排気領域53から退避し、ウエハWが処理空間12から搬出される。この搬出時には上記のように搬送口13及び排気領域53にガス流が引き続き形成されており、各ガス流は搬送口13から見て奥側に向かって形成されているので、より確実に処理容器11の外部への溶剤雰囲気の漏洩が抑えられる。ウエハWの搬出後に搬送口13が閉じられ、ガス吐出口57、18からのN2ガスの吐出と、排気口58、17からの排気が停止し、搬送口13及び排気領域53のガス流の形成が停止する図13中t13。その後、後続のウエハWが先のウエハWと同様に処理容器11に搬送され、上記のように溶剤濃度が低下した排気領域53を介してステージ41に受け渡されて処理された後、先のウエハWと同様に排気領域53を介して処理容器11から搬出される。この基板処理装置1によれば、処理を行うウエハWを処理空間12に搬送するとき及び処理空間12から処理済みのウエハWを搬出するとき、排気領域形成部51を処理容器11内に進入させ、周囲から区画するように構成された排気領域53に対して局所的にガス吐出口57によるパージガスの供給と排気口58による排気とを行う。このように処理空間12において排気する領域が限定されるので、速やかに当該領域の溶剤濃度を低下させることができるため、処理空間12へのウエハWの搬入及び処理空間12からのウエハWの搬出を速やかに行うことができる。その結果として、スループットの向上を図ることができる。また、排気領域53を溶剤雰囲気から窒素雰囲気に置換する間に箱状部52によりウエハWを冷却するため、装置1から搬出後にウエハWを冷却する必要が無く、よりスループットを高くすることができる。ところで上記の装置1では、先のウエハWの冷却及び搬出動作を行うときに、排気口25により排気領域53の外側の空間である隣接領域10も排気されるため、後続のウエハWを排気領域53からステージ41に移載するときの処理空間12に残留する溶剤濃度が抑えられる。その結果として、溶剤が当該ウエハWに結露することが抑えられる。より確実にこの結露を防ぐために、ウエハWを溶剤の露点よりも高い温度、さらには膨潤しない温度に加熱した状態で処理容器11に搬送してもよい。溶剤の処理空間12の外部への漏洩を防ぐために、排気領域23は隣接領域10よりも溶剤の濃度が低くなるように排気される。上記の排気領域形成部51の箱状部52において天板56と冷却板54とを接続する側壁が設けられず、天板56及び冷却板54が処理空間12内に進入したときにこれら天板56及び冷却板54の側部が処理容器11の内壁に近接ないしは接触することで排気領域53が隣接領域10から区画されるようにしてもよい。ただし、隣接領域10から排気領域53への溶剤の流入を確実に防ぐために、上記の実施形態のように前記側壁を有する箱状部52により排気領域53を形成することが好ましい。パターンを平滑化する処理については上記の例に限られず、例えばガス吐出口49からの溶剤蒸気の供給及び排気口17、25からの排気を行うことで処理空間12に溶剤の蒸気流を形成し、ウエハWをこの蒸気流に曝して処理を行ってもよい。ウエハWの各部で流束分布が異なることによる処理のばらつきを抑えるために、上記のようにウエハWの処理時には溶剤蒸気の供給及び排気を停止することが好ましい。また、上記の例においてパターンマスク71を膨潤させた後、乾燥させるにあたっては、例えばガス吐出口49から乾燥したガスを供給してもよい。ただし、ウエハWの各部で流束分布のばらつきによる処理のばらつきを抑えるために、上記のようにヒータにより加熱することで乾燥を行うことが好ましい。また、処理容器11内にLED発光ダイオードを設けて、このLEDからウエハWに光エネルギーを照射して加熱による乾燥処理を行ってもよい。なお、既述の装置1の各所から吐出されるガスとしては、N2ガスの代わりに空気などの他のガスを用いることが可能である。上記の例では進退口21が開放されたときに処理容器11の外部へ溶剤雰囲気が漏洩することを防ぐために排気口25及びガス吐出口26を設けているが、このように構成する代わりに待機領域50を囲むように筐体を設け、進退口21が開放されたときにはこの筐体内を排気して溶剤雰囲気の漏洩を防いでもよい。また、区画部材を処理容器11の外部から内部へ移動させて処理空間12を区画することには限られない。図15に示す基板処理装置は、処理容器11内に駆動部81と当該駆動部81により水平に移動自在なシャッタ82とを備えている。シャッタ82により処理空間12は上側領域83と下側領域84とに区画される。シャッタ82が開いた状態で、上記のように処理が行われた後、シャッタ82が閉じて領域83、84が区画され、処理容器11の底部に設けられた排気口85、85により下側領域84が排気され、当該下側領域84の溶剤濃度が低下した後、昇降ピン44を介してウエハWは搬送機構20に受け渡され、例えば外部の装置で冷却される。図中に2つ示した排気口85のうち1つをパージガス供給口として、前記下側領域84の排気時にN2ガスなどの供給を行ってもよい。この例では、処理したウエハWの冷却は例えば当該装置の外部で行い、処理済みのウエハWは排気領域形成部51を介さずにステージ41から搬送機構20へ受け渡される。