高濃度n型炭化珪素基板上に、低濃度n型ドリフト層をエピタキシャル成長により形成する工程と、該低濃度n型ドリフト層上に高濃度p型層をエピタキシャル成長により形成する工程と、該高濃度p型層の一部を除去して互いに離間した複数の高濃度p型ゲート領域及びこれに連なるゲート電極領域を形成する工程と、互いに隣り合った前記高濃度p型ゲート領域の間に位置するチャネル領域、前記高濃度p型ゲート領域及びこれに連なるゲート電極領域の全面を覆うとともに該低濃度n型ドリフト層よりも低い不純物濃度の低濃度n型領域をエピタキシャル成長により形成する工程と、ゲート電極が形成される領域の該低濃度n型領域を除去する工程と、残された該低濃度n型領域の表面にn型不純物イオンを注入し高濃度n型ソース領域を形成する工程と、該高濃度n型ソース領域上にソース電極を形成する工程と、前記高濃度n型炭化珪素基板の裏面にドレイン電極を形成する工程と、該ゲート電極領域に電気的に接続されたゲート電極を形成する工程とを含むことを特徴とする炭化珪素トランジスタ装置の製造方法。高濃度n型炭化珪素基板上に、低濃度n型ドリフト層をエピタキシャル成長により形成する工程と、該低濃度n型ドリフト層上に高濃度p型層をエピタキシャル成長により形成する工程と、該高濃度p型層の一部を除去して互いに離間した複数の高濃度p型ゲート領域及びこれに連なるゲート電極領域を形成する工程と、互いに隣り合った前記高濃度p型ゲート領域の間に位置するチャネル領域、前記高濃度p型ゲート領域及びこれに連なるゲート電極領域の全面を覆うとともに該低濃度n型ドリフト層よりも低い不純物濃度の低濃度n型領域をエピタキシャル成長により形成する工程と、該低濃度n型領域の表面の全面にn型不純物イオンを注入し高濃度n型領域を形成する工程と、ソース領域となる該高濃度n型領域を残して該高濃度n型領域及びその下の低濃度n型領域を除去する工程と、該高濃度n型ソース領域上にソース電極を形成する工程と、前記高濃度n型炭化珪素基板の裏面にドレイン電極を形成する工程と、ゲート電極領域に電気的に接続されたゲート電極を形成する工程とを含むことを特徴とする炭化珪素トランジスタ装置の製造方法。高濃度n型炭化珪素基板上に、低濃度n型ドリフト層をエピタキシャル成長により形成する工程と、該低濃度n型ドリフト層にp型不純物をイオン注入し、その表面に高濃度p型層を形成する工程と、該高濃度p型層の一部を除去して互いに離間した複数の高濃度p型ゲート領域及びこれに連なるゲート電極領域を形成する工程と、互いに隣り合った前記高濃度p型ゲート領域の間に位置するチャネル領域、前記高濃度p型ゲート領域及びこれに連なるゲート電極領域の全面を覆うとともに該低濃度n型ドリフト層よりも低い不純物濃度の低濃度n型領域をエピタキシャル成長により形成する工程と、ゲート電極が形成される領域の該低濃度n型領域を除去する工程と、残された該低濃度n型領域の表面にn型不純物イオンを注入し高濃度n型ソース領域を形成する工程と、該高濃度n型ソース領域上にソース電極を形成する工程と、前記高濃度n型炭化珪素基板の裏面にドレイン電極を形成する工程と、該ゲート電極領域に電気的に接続されたゲート電極を形成する工程とを含むことを特徴とする炭化珪素トランジスタ装置の製造方法。高濃度n型炭化珪素基板上に、低濃度n型ドリフト層をエピタキシャル成長により形成する工程と、該低濃度n型ドリフト層にp型不純物をイオン注入し、その表面に高濃度p型層を形成する工程と、該高濃度p型層の一部を除去して互いに離間した複数の高濃度p型ゲート領域及びこれに連なるゲート電極領域を形成する工程と、互いに隣り合った前記高濃度p型ゲート領域の間に位置するチャネル領域、前記高濃度p型ゲート領域及びこれに連なるゲート電極領域の全面を覆うとともに該低濃度n型ドリフト層よりも低い不純物濃度の低濃度n型領域をエピタキシャル成長により形成する工程と、該低濃度n型領域の表面の全面にn型不純物イオンを注入し高濃度n型領域を形成する工程と、ソース領域となる該高濃度n型領域を残して該高濃度n型領域及びその下の低濃度n型領域を除去する工程と、該高濃度n型ソース領域上にソース電極を形成する工程と、前記高濃度n型炭化珪素基板の裏面にドレイン電極を形成する工程と、ゲート電極領域に電気的に接続されたゲート電極を形成する工程とを含むことを特徴とする炭化珪素トランジスタ装置の製造方法。上記高濃度n型炭化珪素基板として0001面、又は000-1面から傾斜した表面を有する六方晶系炭化珪素基板を使用するとともに、互いに離間した上記複数の高濃度p型ゲート領域の長手方向が、前記高濃度n型炭化珪素基板の傾き方向に対して平行になるように形成されることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の炭化珪素トランジスタ装置の製造方法。本発明では、以上挙げたような問題点を克服し、容易にデバイスサイズを微細化し、デバイスのオン特性を改善することができる炭化珪素トランジスタ装置の製造方法を提供することを課題とする。上記の課題を解決するための手段は、次のとおりである。1高濃度n型炭化珪素基板上に、低濃度n型ドリフト層をエピタキシャル成長により形成する工程と、該低濃度n型ドリフト層上に高濃度p型層をエピタキシャル成長により形成する工程と、該高濃度p型層の一部を除去して互いに離間した複数の高濃度p型ゲート領域及びこれに連なるゲート電極領域を形成する工程と、互いに隣り合った前記高濃度p型ゲート領域の間に位置するチャネル領域、前記高濃度p型ゲート領域及びこれに連なるゲート電極領域の全面を覆うとともに該低濃度n型ドリフト層よりも低い不純物濃度の低濃度n型領域をエピタキシャル成長により形成する工程と、ゲート電極が形成される領域の該低濃度n型領域を除去する工程と、残された該低濃度n型領域の表面にn型不純物イオンを注入し高濃度n型ソース領域を形成する工程と、該高濃度n型ソース領域上にソース電極を形成する工程と、前記高濃度n型炭化珪素基板の裏面にドレイン電極を形成する工程と、該ゲート電極領域に電気的に接続されたゲート電極を形成する工程とを含むことを特徴とする炭化珪素トランジスタ装置の製造方法。2高濃度n型炭化珪素基板上に、低濃度n型ドリフト層をエピタキシャル成長により形成する工程と、該低濃度n型ドリフト層上に高濃度p型層をエピタキシャル成長により形成する工程と、該高濃度p型層の一部を除去して互いに離間した複数の高濃度p型ゲート領域及びこれに連なるゲート電極領域を形成する工程と、互いに隣り合った前記高濃度p型ゲート領域の間に位置するチャネル領域、前記高濃度p型ゲート領域及びこれに連なるゲート電極領域の全面を覆うとともに該低濃度n型ドリフト層よりも低い不純物濃度の低濃度n型領域をエピタキシャル成長により形成する工程と、該低濃度n型領域の表面の全面にn型不純物イオンを注入し高濃度n型領域を形成する工程と、ソース領域となる該高濃度n型領域を残して該高濃度n型領域及びその下の低濃度n型領域を除去する工程と、該高濃度n型ソース領域上にソース電極を形成する工程と、前記高濃度n型炭化珪素基板の裏面にドレイン電極を形成する工程と、ゲート電極領域に電気的に接続されたゲート電極を形成する工程とを含むことを特徴とする炭化珪素トランジスタ装置の製造方法。3高濃度n型炭化珪素基板上に、低濃度n型ドリフト層をエピタキシャル成長により形成する工程と、該低濃度n型ドリフト層にp型不純物をイオン注入し、その表面に高濃度p型層を形成する工程と、該高濃度p型層の一部を除去して互いに離間した複数の高濃度p型ゲート領域及びこれに連なるゲート電極領域を形成する工程と、互いに隣り合った前記高濃度p型ゲート領域の間に位置するチャネル領域、前記高濃度p型ゲート領域及びこれに連なるゲート電極領域の全面を覆うとともに該低濃度n型ドリフト層よりも低い不純物濃度の低濃度n型領域をエピタキシャル成長により形成する工程と、ゲート電極が形成される領域の該低濃度n型領域を除去する工程と、残された該低濃度n型領域の表面にn型不純物イオンを注入し高濃度n型ソース領域を形成する工程と、該高濃度n型ソース領域上にソース電極を形成する工程と、前記高濃度n型炭化珪素基板の裏面にドレイン電極を形成する工程と、該ゲート電極領域に電気的に接続されたゲート電極を形成する工程とを含むことを特徴とする炭化珪素トランジスタ装置の製造方法。4高濃度n型炭化珪素基板上に、低濃度n型ドリフト層をエピタキシャル成長により形成する工程と、該低濃度n型ドリフト層にp型不純物をイオン注入し、その表面に高濃度p型層を形成する工程と、該高濃度p型層の一部を除去して互いに離間した複数の高濃度p型ゲート領域及びこれに連なるゲート電極領域を形成する工程と、互いに隣り合った前記高濃度p型ゲート領域の間に位置するチャネル領域、前記高濃度p型ゲート領域及びこれに連なるゲート電極領域の全面を覆うとともに該低濃度n型ドリフト層よりも低い不純物濃度の低濃度n型領域をエピタキシャル成長により形成する工程と、該低濃度n型領域の表面の全面にn型不純物イオンを注入し高濃度n型領域を形成する工程と、ソース領域となる該高濃度n型領域を残して該高濃度n型領域及びその下の低濃度n型領域を除去する工程と、該高濃度n型ソース領域上にソース電極を形成する工程と、前記高濃度n型炭化珪素基板の裏面にドレイン電極を形成する工程と、ゲート電極領域に電気的に接続されたゲート電極を形成する工程とを含むことを特徴とする炭化珪素トランジスタ装置の製造方法。5上記高濃度n型炭化珪素基板として0001面、又は000-1面から傾斜した表面を有する六方晶系炭化珪素基板を使用するとともに、互いに離間した上記複数の高濃度p型ゲート領域の長手方向が、前記高濃度n型炭化珪素基板の傾き方向に対して平行になるように形成されることを特徴とする1ないし4のいずれかに記載の炭化珪素トランジスタ装置の製造方法。請求項1ないし4に係る発明によれば、高濃度p型ゲート領域4を完全に埋め込んでしまう構造を実現することにより、図2に示す従来型のSITに必要な露光合わせ精度や余分な設計マージンを取る必要が無く、デバイスの極限までの微細化が初めて可能となる。また、高濃度n型ソース領域5をイオン注入により形成することにより、制御性良く該領域5の不純物導入を行うことができる上に、エピタキシャル成長で該領域5を形成するよりも一桁以上シート抵抗値を下げることが可能となり、結果的にデバイスのオン特性の大幅な改善が可能となる。また、低濃度n型チャネル領域7と低濃度n型領域19を同一のエピタキシャル成長工程で、同一不純物濃度を有するように形成することにより、エピタキシャル成長中に精密な不純物制御を行う必要が無く、デバイスプロセスの大幅な簡素化が可能となる。さらに、このように、低濃度n型チャネル領域7の不純物濃度を、低濃度n型ドリフト層3の不純物濃度よりも低くすることによって、デバイスの耐圧設計とは独立してブロッキングゲインを向上させることが可能となり、究極的にノーマリオフ特性を実現することが可能となる。請求項5に係る発明によれば、低濃度n型チャネル領域7と、高濃度p型ゲート領域4及び低濃度n型チャネル領域7上部の低濃度n型領域19をエピタキシャル成長により形成する際に、オフ基板成長特有のファセット成長を抑制したエピタキシャル成長が可能となり、デバイス通電時の電流集中等の問題点を解決することができる。図1に炭化珪素トランジスタ装置の断面構造を示す。以下、図1に従って炭化珪素トランジスタ装置の構成について説明する。炭化珪素トランジスタ装置には、例えば10×1018~10×1020cm3の不純物濃度を有するn型炭化珪素基板2上に、例えば10×1014cm3~10×1017cm3の不純物濃度を有するn型ドリフト層3が備えられている。n型ドリフト層3の直上には互いに離間した、例えば10×1017cm3~10×1020cm3の不純物濃度を有するp型ゲート領域4、及び互いに隣り合ったp型ゲート領域4の間にエピタキシャル成長により形成された、例えば10×1014cm3~10×1017cm3の不純物濃度を有するn型チャネル領域7が備えられ、更に、p型ゲート領域4及びn型チャネル領域7の直上にn型チャネル領域7と同じ不純物濃度を有する低濃度n型領域19が備えられている。n型チャネル領域7、及び低濃度n型領域19は図3に示すように、トレンチ構造上へのエピタキシャル成長により同時に形成され、同一の不純物濃度を有している。低濃度n型領域19の直上にはn型不純物のイオン注入により形成された、例えば10×1019cm3~10×1021cm3の不純物濃度を有するn型ソース領域5が備えられている。n型ソース領域5上にはソース電極6が、n型炭化珪素基板2の裏側にはドレイン電極1が備えられている。また、図1bは図1aに対して紙面に垂直な方向の断面を示した図であるが、図1bに示すようにデバイスセルの外部においてn型ソース領域5、及び低濃度n型領域19を例えばドライエッチング法により除去しp型ゲート領域を最表面に露出させた領域にゲート電極8が備えられている。該炭化珪素トランジスタ装置において、ゲート電極8に負バイアスを印可することにより、p型ゲート領域4より空乏層が伸び、n型チャネル領域7に電位障壁が形成され、ドレイン電極1からソース電極6へ流れる電流が遮断される。一方、ゲート電極8に正バイアスを印可することにより、空乏層による電位障壁は形成されないため電流が流れる。つまり、ゲートバイアスにより電流量を調整することができる。次に、図1に示す炭化珪素トランジスタ装置の製造方法の一例について、図4に示す製造工程に従って説明する。図4aの工程において、高濃度n型炭化珪素基板2上に低濃度n型ドリフト層3をエピタキシャル成長により形成する。この際、低濃度n型ドリフト層3の厚みと不純物濃度はデバイスの耐圧設計により決定される。更に、低濃度n型ドリフト層3上にエピタキシャル成長により高濃度p型層10を形成する。図4bの工程において、高濃度p型層10上に金属又はSiO2等のエッチングマスク材を積層し、次工程である図4cのエピタキシャル成長工程において低濃度n型チャネル領域7が形成される部分のみをリソグラフィーにより開口し、該開口部を低濃度n型ドリフト層3の最表面が露出するまでドライエッチングを行う。これにより、互いに離間した高濃度p型ゲート領域4が形成される。この際、高濃度n型炭化珪素基板2として、0001面、又は000-1面から傾斜した表面を有する六方晶型炭化珪素基板を使用する場合、高濃度p型ゲート領域4の長手方向が、高濃度n型炭化珪素基板2のオフ方向に対して平行になるようにエッチングを行う。もし図6aの工程のように、高濃度p型ゲート領域4の長手方向が、高濃度n型炭化珪素基板2のオフ方向に対して垂直になるようにエッチングした場合、次工程の低濃度n型チャネル領域7及び低濃度n型領域211をエピタキシャル成長させる際に、図6bに示すような、高濃度n型炭化珪素基板2のオフ角に準じたc面ファセット成長が起こり、左右非対称な構造が形成される。このような構造上にデバイスを作製した場合、デバイスの動作中に電流パスの不均一性から電流集中が発生しやすくなり、良好なデバイス特性が得られない。これに対し、図6cの工程のように、高濃度p型ゲート領域4の長手方向が、高濃度n型炭化珪素基板2のオフ方向に対して平行になるようにエッチングした場合、次工程のエピタキシャル成長工程において、図6dに示すようにc面ファセット成長は起こらず、左右対称の構造が得られる。このような構造の場合、デバイスの動作中に電流集中は起こらず、良好なデバイス特性が得られる。図4cの工程において、前工程において形成されたトレンチ構造上、及びデバイスセル外のエッチングされずに残った高濃度p型層10上に、エピタキシャル成長により低濃度n型チャネル領域7及び低濃度n型領域211を形成する。図3に示すように低濃度n型チャネル領域7及び低濃度n型領域211は同一のエピタキシャル成長工程で形成されるため、同一の不純物濃度を有している。低濃度n型領域211は、次々工程である図3eのイオン注入工程において、高濃度n型ソース領域5と低濃度n型領域19に分割される。また、低濃度n型チャネル領域7及び低濃度n型領域19の不純物濃度が、低濃度n型ドリフト層3の不純物濃度よりも低くする。これにより、デバイスの耐圧設計とは独立してブロッキングゲインを向上させることが可能となり、究極的にノーマリオフ特性を実現することが可能となる。図4dの工程において、低濃度n型領域211上に金属又はSiO2等のエッチングマスク材を積層し、次々工程である図4fの電極形成工程においてゲート電極8が形成されるデバイスセルの外周部のみをリソグラフィーにより開口し、開口部を高濃度p型層10の最表面が露出するまでドライエッチングを行う。図4eの工程において、前工程において形成した表面上にレジスト、又はSiO2のイオン注入マスク材を積層し、高濃度n型ソース領域5が形成される部分のみをリソグラフィーにより開口し、開口部にリン、又は窒素等のn型不純物をイオン注入することにより、高濃度n型ソース領域5を形成する。この際、高濃度p型ゲート領域4、及び低濃度n型チャネル領域7の上部に低濃度n型領域19が残るように、イオン注入のエネルギーを調整する必要がある。低濃度n型領域19が存在することにより、ソースゲート間の耐圧を確保することができる。またイオン注入を行う際、基板温度は室温であってもよいし、1000°C以下の温度に昇温してもよい。イオン注入する際の温度を上げることにより、結晶性を維持した状態で高ドーズ注入が可能となり、高濃度n型ソース領域5のシート抵抗を大幅に低下させることができる。イオン注入終了後、基板をAr等の不活性ガス雰囲気中で1500°C以上の高温でアニールすることにより、高濃度n型ソース領域5を電気的に活性化させる。また、このイオン注入工程は、図4c工程の直後に行われてもよい。その際は、イオン注入用のマスク材は必要なく基板全面にイオン注入を行うことができるため、デバイスプロセスは大幅に簡略化される。図4fの工程において、図4e工程において形成した高濃度n型ソース領域5の直上にソース電極6を、図4d工程において形成したデバイスセル外の高濃度p型層10が露出している領域にゲート電極8をリソグラフィーを利用したリフトオフ、又はエッチングにより形成し、更に高濃度n型炭化珪素基板2の裏面にドレイン電極を形成する。最終的にAr等の不活性ガス雰囲気中で1000°C以下のシンタリングアニールを行うことにより、炭化珪素トランジスタ装置が完成する。本発明に係る炭化珪素トランジスタ装置では、高濃度p型ゲート領域4を完全に埋め込んでしまう構造を実現することにより、従来型のSITに必要な露光合わせ精度や余分な設計マージンを取る必要が無く、デバイスの極限までの微細化が初めて可能となり、大幅なデバイスのオン抵抗削減が実現する。また、高濃度n型ソース領域5をイオン注入により形成することにより、更なる大幅なデバイスのオン特性の改善が可能となる。また、低濃度n型チャネル領域7及び低濃度n領域19の不純物濃度を、低濃度n型ドリフト層3の不純物濃度と独立に制御が可能であるため、ノーマリオフノーマリオンのスイッチングデバイスの動作モードを含めた、幅広いデバイス設計が可能となる。次に、炭化珪素トランジスタ装置の他の製造方法を説明する。ここでは、図4に示す炭化珪素トランジスタ装置の製造方法と変更した部分のみを説明する。炭化珪素トランジスタ装置の製造方法における図4aの工程と同様に、図5aに示すように、高濃度n型炭化珪素基板2上に低濃度n型ドリフト層3をエピタキシャル成長により形成する。続いて、図5bに示すように、低濃度n型ドリフト層3へ、アルミニウム又はホウ素等のp型不純物をイオン注入することにより高濃度p型層10を形成する。その後、基板をAr等の不活性ガス雰囲気中で1600°C以上の高温でアニールすることにより、高濃度p型層10を電気的に活性化させる。その後の工程は図4の工程と同様であるので省略する。この製造方法では、エピタキシャル成長ではなく、イオン注入により高濃度p型層10を形成することにより、製造工程が簡略化される。ただしこの場合、予めエピタキシャル成長させた前記低濃度n型ドリフト層3の一部が、イオン注入により高濃度p型層10に転換されるため、イオン注入により消滅する低濃度n型ドリフト層3の厚みを予め考慮に入れた上で、デバイスの耐圧設計を行う必要がある。