"半導体基板と、上記半導体基板上に形成された半導体レーザ構造とを備え、上記半導体レーザ構造は、上記半導体基板上に形成され、上記半導体基板に対して正の格子不整合率を有する第一導電型の下クラッド層と、上記下クラッド層上に形成された活性層と、上記活性層上に形成され、上記半導体基板に対して正の格子不整合率を有する第二導電型の上クラッド層と、上記上クラッド層上に形成されたコンタクト層とを備え、上記下クラッド層および上記上クラッド層のそれぞれにおいて、上記活性層側の部分の上記半導体基板に対する格子不整合率は、上記活性層側とは反対側の部分の上記半導体基板に対する格子不整合率よりも大きいことを特徴とする半導体レーザ素子。請求項1に記載の半導体レーザ素子において、上記上クラッド層の上記半導体基板に対する格子不整合率の平均が、上記下クラッド層の上記半導体基板に対する格子不整合率の平均よりも大きいことを特徴とする半導体レーザ素子。請求項1または2に記載の半導体レーザ素子において、上記半導体レーザ構造は、第一発光波長を有する第一半導体レーザ構造と、上記第一半導体レーザ構造の側方に溝および絶縁体の少なくとも一方を介して形成され、上記第一発光波長とは異なる第二発光波長を有する第二半導体レーザ構造とを有し、上記下クラッド層は、上記第一半導体レーザ構造の一部を構成すると共に、上記半導体基板に対して正の格子不整合率を有する第一導電型の第一下クラッド層と、上記第二半導体レーザ構造の一部を構成すると共に、上記半導体基板に対して正の格子不整合率を有する第一導電型の第二下クラッド層とを有し、上記活性層は、上記第一半導体レーザ構造の一部を構成する第一活性層と、上記第二半導体レーザ構造の一部を構成する第二活性層とを有し、上記上クラッド層は、上記第一半導体レーザ構造の一部を構成すると共に、上記半導体基板に対して正の格子不整合率を有する第二導電型の第一上クラッド層と、上記第二半導体レーザ構造の一部を構成すると共に、上記半導体基板に対して正の格子不整合率を有する第二導電型の第二上クラッド層とを有し、上記コンタクト層は、上記第一半導体レーザ構造の一部を構成する第一コンタクト層と、上記第二半導体レーザ構造の一部を構成する第二コンタクト層とを有し、上記第一下クラッド層および上記第一上クラッド層のそれぞれにおいて、上記第一活性層側の部分の上記半導体基板に対する格子不整合率は、上記第一活性層側とは反対側の部分の上記半導体基板に対する格子不整合率よりも大きく、上記第二下クラッド層および上記第二上クラッド層のそれぞれにおいて、上記第二活性層側の部分の上記半導体基板に対する格子不整合率は、上記第二活性層側とは反対側の部分の上記半導体基板に対する格子不整合率よりも大きいことを特徴とする半導体レーザ素子。請求項3に記載の半導体レーザ素子において、上記第一上クラッド層の上記半導体基板に対する格子不整合率の平均が、上記第一下クラッド層の上記半導体基板に対する格子不整合率の平均よりも大きいことを特徴とする半導体レーザ素子。請求項3または4に記載の半導体レーザ素子において、上記第二上クラッド層の上記半導体基板に対する格子不整合率の平均が、上記第二下クラッド層の上記半導体基板に対する格子不整合率の平均よりも大きいことを特徴とする半導体レーザ素子。請求項3から5までのいずれか一項に記載の半導体レーザ素子において、上記第一上クラッド層および上記第一下クラッド層において上記第一活性層の発熱で温度が比較的高くなる方の上記半導体基板に対する格子不整合率の平均が、上記第一上クラッド層および上記第一下クラッド層において上記第一活性層の発熱で温度が比較的低くなる方の上記半導体基板に対する格子不整合率の平均よりも大きいことを特徴とする半導体レーザ素子。請求項3から6までのいずれか一項に記載の半導体レーザ素子において、上記第二上クラッド層および上記第二下クラッド層において上記第二活性層の発熱で温度が比較的高くなる方の上記半導体基板に対する格子不整合率の平均が、上記第二上クラッド層および上記第二下クラッド層において上記第二活性層の発熱で温度が比較的低くなる方の上記半導体基板に対する格子不整合率の平均よりも大きいことを特徴とする半導体レーザ素子。請求項3から7までのいずれか一項に記載の半導体レーザ素子において、上記第一半導体レーザ構造の共振器長方向および層厚方向に垂直な方向の幅は、上記第二半導体レーザ構造の共振器長方向および層厚方向に垂直な方向の幅よりも狭いことを特徴とする半導体レーザ素子。請求項3から8までのいずれか一項に記載の半導体レーザ素子において、上記第一上クラッド層、第二上クラッド層、第一下クラッド層および第二下クラッド層は、それぞれ、AlGaInPからなり、上記第一活性層はAlxGa1-xAs0≦x≦1からなり、上記第二活性層はInP0≦y≦1からなることを特徴とする半導体レーザ素子。請求項1から9までのいずれか一項に記載の半導体レーザ素子と、上記半導体素子の上記コンタク層側に固着されたサブマウントとを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。そこで、本発明の課題は、半導体レーザ素子自体の温度が上がっても、偏光角の温度変化を小さく抑えることができる半導体レーザ素子を提供することにある。上記課題を解決するため、本発明の半導体レーザは、半導体基板と、上記半導体基板上に形成された半導体レーザ構造とを備え、上記半導体レーザ構造は、上記半導体基板上に形成され、上記半導体基板に対して正の格子不整合率を有する第一導電型の下クラッド層と、上記下クラッド層上に形成された活性層と、上記活性層上に形成され、上記半導体基板に対して正の格子不整合率を有する第二導電型の上クラッド層と、上記上クラッド層上に形成されたコンタクト層とを備え、上記下クラッド層および上記上クラッド層のそれぞれにおいて、上記活性層側の部分の上記半導体基板に対する格子不整合率は、上記活性層側とは反対側の部分の上記半導体基板に対する格子不整合率よりも大きいことを特徴としている。本明細書において、第1導電型とは、P型またはN型を意味する。また、第2導電型とは、第1導電型がP型の場合はN型、N型の場合はP型を意味する。上記構成によれば、上記下クラッド層および上クラッド層のそれぞれにおいて、活性層側の部分の半導体基板に対する格子不整合率は、活性層側とは反対側の部分の半導体基板に対する格子不整合率よりも大きいので、結晶欠陥の発生を抑制しつつ、下クラッド層および上クラッド層のそれぞれの活性層側の部分の半導体基板に対する格子不整合率を大きくできる。したがって、上記下クラッド層および上クラッド層のそれぞれの活性層側の部分の半導体基板に対する格子不整合率を、活性層が発熱しても活性層近傍の部分において横方向層厚方向に対して垂直な方向に縮める応力が作用するように設定できる。したがって、上記半導体レーザ素子をサブマウントに搭載した状態でレーザ動作させた場合、半導体レーザ素子自体の温度上昇によっても、半導体レーザ素子を横方向に縮める応力の低減が小さく、半導体レーザ素子にかかるトータル応力を低く保つことができて、半導体レーザ素子の偏光角の温度変化を小さく抑えることができる。また、上記下クラッド層および上クラッド層のそれぞれにおいて、活性層側とは反対側の部分の半導体基板に対する格子不整合率は、活性層側の部分の半導体基板に対する格子不整合率よりも小さいので、結晶欠陥を少なく抑えて、素子寿命を長くできる。これに対して、上記特許文献1では、半導体レーザ素子自体の温度が上がっても、半導体レーザ素子に横方向に縮める応力が作用するように、クラッド層の活性層側の部分の基板に対する格子不整合率を大きくすると、クラッド層の基板側の部分の基板に対する格子不整合率も大きくなるので、結晶欠陥が多くなって、素子寿命が短くなってしまう。一実施形態の半導体レーザ素子では、上記上クラッド層の上記半導体基板に対する格子不整合率の平均が、上記下クラッド層の上記半導体基板に対する格子不整合率の平均よりも大きい。本明細書において、半導体基板に対する格子不整合率の平均とは厚みでの平均を意味し、例えば、厚みがD1である部分と、この部分上に形成され、厚みがD2である部分とからなる層において、半導体基板に対する格子不整合率の平均は、次式で求めることができる。{F1×D1F2×D2}÷D1D2F1:厚みがD1である部分の半導体基板に対する格子不整合率F2:厚みがD2である部分の半導体基板に対する格子不整合率上記実施形態によれば、上記半導体レーザ素子をジャンクションダウンでサブマウントに実装してレーザ動作させた場合、下クラッド層より上クラッド層の方が温度が高くなるが、上クラッド層の半導体基板に対する格子不整合率の平均が、下クラッド層の半導体基板に対する格子不整合率の平均よりも大きいので、上クラッド層を横方向に横方向に縮める応力の低減を防ぐことができる。一実施形態の半導体レーザ素子では、上記下クラッド層および上記上クラッド層の少なくとも一方の材料の熱膨張係数は上記半導体基板の材料の熱膨張係数より大きい。上記実施形態によれば、上記下クラッド層および上クラッド層の少なくとも一方の材料の熱膨張係数は半導体基板の材料の熱膨張係数より大きいので、活性層が発する光を閉じ込め易くするための材料で下クラッド層および上クラッド層の少なくとも一方を形成できる。一実施形態の半導体レーザ素子では、上記下クラッド層および上記上クラッド層のそれぞれにおいて、上記活性層側の部分の上記半導体基板に対する格子不整合率は、0.10~0.20の範囲内である。上記実施形態によれば、上記下クラッド層および上クラッド層のそれぞれにおいて、活性層側の部分の半導体基板に対する格子不整合率は、0.10~0.20の範囲内であるので、レーザ動作時、下クラッド層および上クラッド層を横方向に横方向に縮める応力の低減を確実に防ぐことができる。一実施形態の半導体レーザ素子では、上記下クラッド層および上記上クラッド層のそれぞれにおいて、上記活性層側とは反対側の部分の上記半導体基板に対する格子不整合率は、0.00~0.10の範囲内である。上記実施形態によれば、上記下クラッド層および上クラッド層のそれぞれにおいて、活性層側とは反対側の部分の半導体基板に対する格子不整合率は、0.00~0.10の範囲内であるので、結晶欠陥を確実に少なくできる。一実施形態の半導体レーザ素子では、上記半導体レーザ構造は、第一発光波長を有する第一半導体レーザ構造と、上記第一半導体レーザ構造の側方に溝および絶縁体の少なくとも一方を介して形成され、上記第一発光波長とは異なる第二発光波長を有する第二半導体レーザ構造とを有し、上記下クラッド層は、上記第一半導体レーザ構造の一部を構成すると共に、上記半導体基板に対して正の格子不整合率を有する第一導電型の第一下クラッド層と、上記第二半導体レーザ構造の一部を構成すると共に、上記半導体基板に対して正の格子不整合率を有する第一導電型の第二下クラッド層とを有し、上記活性層は、上記第一半導体レーザ構造の一部を構成する第一活性層と、上記第二半導体レーザ構造の一部を構成する第二活性層とを有し、上記上クラッド層は、上記第一半導体レーザ構造の一部を構成すると共に、上記半導体基板に対して正の格子不整合率を有する第二導電型の第一上クラッド層と、上記第二半導体レーザ構造の一部を構成すると共に、上記半導体基板に対して正の格子不整合率を有する第二導電型の第二上クラッド層とを有し、上記コンタクト層は、上記第一半導体レーザ構造の一部を構成する第一コンタクト層と、上記第二半導体レーザ構造の一部を構成する第二コンタクト層とを有し、上記第一下クラッド層および上記第一上クラッド層のそれぞれにおいて、上記第一活性層側の部分の上記半導体基板に対する格子不整合率は、上記第一活性層側とは反対側の部分の上記半導体基板に対する格子不整合率よりも大きく、上記第二下クラッド層および上記第二上クラッド層のそれぞれにおいて、上記第二活性層側の部分の上記半導体基板に対する格子不整合率は、上記第二活性層側とは反対側の部分の上記半導体基板に対する格子不整合率よりも大きい。上記実施形態によれば、上記半導体レーザ構造は、第一発光波長を有する第一半導体レーザ構造と、第一半導体レーザ構造の側方に溝および絶縁体の少なくとも一方を介して形成され、第一発光波長とは異なる第二発光波長を有する第二半導体レーザ構造とを有するので、第一半導体レーザ構造に例えば780nm帯のレーザ光を出射させると共に、第二半導体レーザ構造に例えば650nm帯のレーザ光を出射させることができる。また、上記第一下クラッド層および第一上クラッド層のそれぞれにおいて、第一活性層側の部分の半導体基板に対する格子不整合率は、第一活性層側とは反対側の部分の半導体基板に対する格子不整合率よりも大きいので、第一半導体レーザ構造のレーザ動作時、第一下クラッド層および第一上クラッド層を横方向に横方向に縮める応力が低減するのを防ぐことがでると共に、第一半導体レーザ構造に結晶欠陥が生じるのを抑制できる。また、上記第二下クラッド層および第二上クラッド層のそれぞれにおいて、第二活性層側の部分の半導体基板に対する格子不整合率は、第二活性層側とは反対側の部分の半導体基板に対する格子不整合率よりも大きいので、第二半導体レーザ構造のレーザ動作時、第二下クラッド層および第二上クラッド層を横方向に横方向に縮める応力が低減するのを防ぐことがでると共に、第二半導体レーザ構造に結晶欠陥が生じるのを抑制できる。一実施形態の半導体レーザ素子では、上記第一上クラッド層の上記半導体基板に対する格子不整合率の平均が、上記第一下クラッド層の上記半導体基板に対する格子不整合率の平均よりも大きい。上記実施形態によれば、上記半導体レーザ素子をジャンクションダウンでサブマウントに実装してレーザ動作させた場合、第一下クラッド層より第一上クラッド層の方が温度が高くなるが、第一上クラッド層の半導体基板に対する格子不整合率の平均が、第一下クラッド層の半導体基板に対する格子不整合率の平均よりも大きいので、第一上クラッド層を横方向に横方向に縮める応力の低減を防ぐことができる。一実施形態の半導体レーザ素子では、上記第二上クラッド層の上記半導体基板に対する格子不整合率の平均が、上記第二下クラッド層の上記半導体基板に対する格子不整合率の平均よりも大きい。上記実施形態によれば、上記半導体レーザ素子をジャンクションダウンでサブマウントに実装してレーザ動作させた場合、第二下クラッド層より第二上クラッド層の方が温度が高くなるが、第二上クラッド層の半導体基板に対する格子不整合率の平均が、第二下クラッド層の半導体基板に対する格子不整合率の平均よりも大きいので、第二上クラッド層を横方向に横方向に縮める応力の低減を防ぐことができる。一実施形態の半導体レーザ素子では、上記第一上クラッド層および上記第一下クラッド層において上記第一活性層の発熱で温度が比較的高くなる方の上記半導体基板に対する格子不整合率の平均が、上記第一上クラッド層および上記第一下クラッド層において上記第一活性層の発熱で温度が比較的低くなる方の上記半導体基板に対する格子不整合率の平均よりも大きい。上記実施形態によれば、上記第一上クラッド層および第一下クラッド層において第一活性層の発熱で温度が比較的高くなる方の半導体基板に対する格子不整合率の平均が、第一上クラッド層および第一下クラッド層において第一活性層の発熱で温度が比較的低くなる方の半導体基板に対する格子不整合率の平均よりも大きいので、第一上クラッド層および第一下クラッド層において第一活性層の発熱で温度が比較的高くなる方を横方向に横方向に縮める応力の低減を防ぐことができる。一実施形態の半導体レーザ素子では、上記第二上クラッド層および上記第二下クラッド層において上記第二活性層の発熱で温度が比較的高くなる方の上記半導体基板に対する格子不整合率の平均が、上記第二上クラッド層および上記第二下クラッド層において上記第二活性層の発熱で温度が比較的低くなる方の上記半導体基板に対する格子不整合率の平均よりも大きい。上記実施形態によれば、上記第二上クラッド層および第二下クラッド層において第二活性層の発熱で温度が比較的高くなる方の半導体基板に対する格子不整合率の平均が、第二上クラッド層および第二下クラッド層において第二活性層の発熱で温度が比較的低くなる方の半導体基板に対する格子不整合率の平均よりも大きいので、第二上クラッド層および第二下クラッド層において第二活性層の発熱で温度が比較的高くなる方を横方向に横方向に縮める応力の低減を防ぐことができる。一実施形態の半導体レーザ素子では、上記第一半導体レーザ構造の共振器長方向および層厚方向に垂直な方向の幅は、上記第二半導体レーザ構造の共振器長方向および層厚方向に垂直な方向の幅よりも狭い。上記実施形態によれば、上記第一半導体レーザ構造の共振器長方向および層厚方向に垂直な方向の幅は、第二半導体レーザ構造の共振器長方向および層厚方向に垂直な方向の幅よりも狭いが、1ウエハから取れる半導体素子の数を増やして、半導体レーザ素子の価格を低減できる。一実施形態の半導体レーザ素子では、上記第一上クラッド層、第二上クラッド層、第一下クラッド層および第二下クラッド層は、それぞれ、AlGaInPからなり、上記第一活性層はAlxGa1-xAs0≦x≦1からなり、上記第二活性層はInP0≦y≦1からなる。上記実施形態によれば、上記第一上クラッド層および第一下クラッド層は、それぞれ、AlGaInPからなり、上記第一活性層はAlxGa1-xAs0≦x≦1からなるので、第一半導体レーザ構造が有する第一発光波長を、CDの情報の読み出し、CDへの情報の書き込みに適した波長例えば780nmにできる。また、上記第二上クラッド層および第二下クラッド層は、それぞれ、AlGaInPからなり、第二活性層はInP0≦y≦1からなるので、第二半導体レーザ構造の第二発光波長を、DVDの情報の読み出し、DVDへの情報の書き込みに適した波長例えば660nmにできる。本発明の半導体レーザ装置は、本発明の半導体レーザ素子と、上記半導体素子の上記コンタク層側に固着されたサブマウントとを備えたことを特徴としている。上記構成によれば、上記サブマウントに半導体素子のコンタク層側を固着するので、半導体レーザ素子の放熱性を高めることができる。一実施形態の半導体レーザ装置では、上記半導体基板の材料の熱膨張係数は上記サブマウントの材料の熱膨張係数より大きい。上記実施形態によれば、上記半導体基板の材料の熱膨張係数がサブマウントの材料の熱膨張係数より大きくても、半導体レーザ素子の偏光角の温度変化を小さく抑えることができる。本発明の半導体レーザ素子によれば、下クラッド層および上クラッド層のそれぞれにおいて、活性層側の部分の半導体基板に対する格子不整合率が、活性層側とは反対側の部分の半導体基板に対する格子不整合率よりも大きいことによって、半導体レーザ素子にかかるトータル応力を低く保つことができるので、半導体レーザ素子自体の温度が上がっても、偏光角の温度変化を小さく抑えることができる。また、上記下クラッド層および上クラッド層のそれぞれにおいて、活性層側とは反対側の部分の半導体基板に対する格子不整合率が、活性層側の部分の半導体基板に対する格子不整合率よりも小さいので、結晶欠陥が生じるのを抑制できる。以下、本発明の半導体レーザ素子および半導体レーザ装置を図示の実施の形態により詳細に説明する。実施例1図1に、本発明の実施例1の赤色半導体レーザ素子1の概略断面図を示す。上記赤色半導体レーザ素子1は、半導体基板の一例としてのn型GaAs基板101上に形成されたn型GaAs第1バッファ層102、n型GaInP第2バッファ層103、第一導電型の下クラッド層の一例としてのn型AlGaInP第1クラッド層104、活性層の一例としてのアンドープGaInP/AlGaInP多重量子井戸活性層105、第二導電型の上クラッド層の一例としてのp型AlGaInP第2クラッド層106、p型GaInP中間層107、および、コンタクト層の一例としてのp型GaAsキャップ層108を備え、660nm帯のレーザ光を出射する。ここでは、上記第1バッファ層102、第2バッファ層103、第1クラッド層104、多重量子井戸活性層105、第2クラッド層106、中間層107およびキャップ層108が、半導体レーザ構造の一例を構成している。上記多重量子井戸活性層104は、図示しないが、アンドープAlGaInPガイド層、GaInPウェル層、AlGaInPバリア層、GaInPウェル層、AlGaInPバリア層、GaInPウェル層およびアンドープAlGaInPガイド層をこの順で積層して得られる。上記第2クラッド層106、中間層107およびキャップ層108のそれぞれの一部によって、共振器長方向に延びるリッジ110を形成している。このリッジ110の両側面はSiO2層109で覆われている。本実施例1では、第1クラッド層104と第2クラッド層105は、Al組成比が同じ0.7で、第1クラッド層104の厚みは2.5μm、第2クラッド層105の厚みは1.3μmである。また、上記赤色半導体レーザ素子1は、基板101の下面に接続されたn側電極111と、リッジ110の上面に接続されたp側電極112とを備えている。以下、上記赤色半導体レーザ素子1の製造方法について説明する。まず、ウエハ上に、赤色半導体レーザ素子1の構造を形成するための複数の層を例えばMOCVD有機金属気相成長装置で結晶成長する。そして、この結晶成長で得られるエピウエハをバー分割して、共振器長が1500μmであるレーザバーを複数形成する。次に、上記レーザバーにおいて共振器端面の一部となる領域例えば幅40μmに、フォトリソ工程によってZnOを選択的に形成して、レーザバーの上面をSiO2でカバーした後、窒素雰囲気中で熱処理することで、上記領域にZnを拡散させることにより、共振器端面近傍の部分を混晶化させて端面窓領域にする。次に、フォトリソ工程によりリッジ110を形成し、レーザバーの上面においてリッジ110の上面を除く領域をSiO2で覆った後、レーザバーの上面、下面に電極を形成する。最後に、上記レーザバーをチップ分割して、チップ幅が110μmである赤色半導体レーザ素子1を複数形成する。なお、上記チップ幅は図1の左右方向の長さに相当する。本実施例1では、基板101として15度オフのn型GaAs基板を用いている。リッジ110を形成する場合、リッジ110の幅、および、リッジ110内外の屈折率差を制御するため、リッジ110のエッチングはドライエッチングとウエットエッチングを組み合わせて行い、第2クラッド層中に設けたエッチングストップ層でリッジエッチングを停めた。この方法で形成したリッジ110は、基板101の傾斜の影響により、チップ幅方向図1の左右方向ので非対称な形状になる。図2に、上記第1,第2クラッド層104,106の基板101に対する格子不整合率を示す。上記第1クラッド層104では、基板101側の端から多重量子井戸活性層105に向かって2μmまでの領域の基板101に対する格子不整合率を0.05に、残りの領域の基板101に対する格子不整合率を0.1に設定している。また、上記第2クラッド層106では、多重量子井戸活性層105側の端から中間層107に向かって0.5μmまでの領域の基板101に対する格子不整合率を0.1に、残りの領域の基板101に対する格子不整合率を0.05に設定している。すなわち、上記第1,第2クラッド層104,106の多重量子井戸活性層105に近い側の領域の基板101に対する格子不整合率を0.1に設定する一方、第1,第2クラッド層104,106の残りの領域の基板101に対する格子不整合率を0.05に設定している。図3に、本発明の実施例1のフレームパッケージ型半導体レーザ装置の要部の概略断面図を示す。上記半導体レーザ装置は、赤色半導体レーザ素子1と、この赤色半導体レーザ素子1を搭載する例えばAlNサブマウント2とを備えている。上記赤色半導体レーザ素子1のリッジ110側は、例えばAuSnなどの接着剤3でサブマウント2に固着されている。すなわち、上記赤色半導体レーザ素子1はジャンクションダウンでサブマウント2に実装されている。一般に、上記赤色半導体レーザ素子1をサブマウント2に固着した時に生じる応力は、赤色半導体レーザ素子1のチップ幅方向図3の左右方向の中央では小さく、赤色半導体レーザ素子1のチップ幅方向の端になるほど大きくなる。そのため、本実施例1では、リッジ110を応力の影響が少ないチップ幅の中央に形成している。しかし、上述のように、リッジ形状が非対称になると、応力もリッジ110に非対称に加わる結果、少ない応力でも偏光角を大きくし、温度による偏光角の変化も大きい。図4に、上記半導体レーザ装置のフレーム面の温度と赤色半導体レーザ素子1の偏向角とのの関係を示す。なお、上記関係は、半導体レーザ装置の出力を3mWに固定し、半導体レーザ装置のフレーム面の温度を変えて、半導体レーザ装置の偏向角を測定して求めている。なお、上記フレーム面の温度とは、サブマウント2が固着された金属板図示せずの温度を指す。上記半導体レーザ装置は、●で示すように、フレーム面の温度が上昇しても、偏向角の増加を抑えることができる。これに対して、比較例は、△で示すように、フレーム面の温度が上昇すると、偏向角が大きく増加してしまう。なお、上記比較例は、基板に対する第1,第2クラッド層の格子不整合率が一様に0.05に設定されている点以外は本実施例1の半導体レーザ装置と同じ構成の半導体レーザ装置である。なお、上記実施例1では、第2クラッド層106の基板101に対する格子不整合率の平均が、第1クラッド層104の基板101に対する格子不整合率の平均よりも大きくなっている。具体的に言うと、上記第2クラッド層106の基板101に対する格子不整合率の平均は、{0.05×0.80.1×0.5}÷0.80.5=0.069...であり、第1クラッド層104の基板101に対する格子不整合率の平均は、{0.05×2.00.1×0.5}÷2.00.5=0.060となっている。上記実施例1では、第2クラッド層106の基板101に対する格子不整合率の平均を、第1クラッド層104の基板101に対する格子不整合率の平均よりも大きくしていたが、第2クラッド層106の基板101に対する格子不整合率の平均を、第1クラッド層104の基板101に対する格子不整合率の平均と同じにしてもよい。上記実施例1において、多重量子井戸活性層105に換えて、単一量子井戸活性層や、量子井戸構造を有さない活性層を用いてもよい。実施例2図5に、本発明の実施例2の二波長半導体レーザ素子11の概略断面図を示す。上記二波長半導体レーザ素子11は、半導体基板の一例としてのn型GaAs基板201と、第一半導体レーザ構造の一例としての赤外レーザ構造213Aと、第二半導体レーザ構造の一例としての赤色半導体レーザ構造213Bとを備え、チップ幅図5の左右方向の長さが250μmとなっている。上記二波長半導体レーザ素子11のチップ幅方向図5の左右方向において、赤外レーザ構造213Aと赤色半導体レーザ構造213Bは、絶縁体の一例としてのSiO2絶縁膜209と、幅30μmの溝214とによって、電気的に分離されている。この赤外レーザ構造213Aと赤色半導体レーザ構造213Bの間のSiO2絶縁膜209は、赤外レーザ構造213Aの赤色半導体レーザ構造213B側の側面と、赤色半導体レーザ構造213Bの赤外レーザ構造213A側の側面と、基板201の上面の一部とを覆っている。上記赤外半導体レーザ構造213Aは、基板201上に形成されたn型GaAs第1バッファ層202A、n型GaInP第2バッファ層203A、第一導電型の第一下クラッド層の一例としてのn型AlGaInP第1クラッド層204A、第一活性層の一例としてのアンドープGaAs/AlGaAs多重量子井戸活性層205A、第二導電型の第一上クラッド層の一例としてのp型AlGaInP第2クラッド層206A、p型GaInP中間層207A、および、第一コンタクト層の一例としてのp型GaAsキャップ層208Aを備え、第一発光波長の一例としての780nm帯のレーザ光を出射する。また、上記赤外半導体レーザ構造213Aは、共振器長図5の紙面に垂直な方向の長さが1700μm、幅図5において左右方向の長さが100μmに設定されている。上記多重量子井戸活性層204Aは、図示しないが、アンドープAlGaAsガイド層、GaAsウェル層、AlGaAsバリア層、GaAsウェル層およびアンドープAlGaAsガイド層をこの順で積層して得られる。上記第2クラッド層206A、中間層207Aおよびキャップ層208Aのそれぞれの一部は、共振器長方向図5の紙面に垂直な方向に延びるリッジ210Aを形成している。このリッジ210Aの両側面はSiO2絶縁膜209で覆われている。上記赤色半導体レーザ構造213Bは、n型GaAs基板201上に形成されたn型GaAs第1バッファ層202B、n型GaInP第2バッファ層203B、第一導電型の第二下クラッド層の一例としてのn型AlGaInP第1クラッド層204B、第二活性層の一例としてのアンドープGaInP/AlGaInP多重量子井戸活性層205B、第二導電型の第二上クラッド層の一例としてのp型AlGaInP第2クラッド層206B、p型GaInP中間層207B、および、第二コンタクト層の一例としてのp型GaAsキャップ層208Bを備え、第2発光波長の一例としての660nm帯のレーザ光を出射する。また、上記赤色半導体レーザ構造213Bは、赤外半導体レーザ構造213Aと同じ共振器長および幅を有している。すなわち、上記赤色半導体レーザ構造213Bは、共振器長が1700μm、幅が100μmに設定されている。上記多重量子井戸活性層204Bは、図示しないが、アンドープAlGaInPガイド層、GaInPウェル層、AlGaInPバリア層、GaInPウェル層、AlGaInPバリア層、GaInPウェル層およびアンドープAlGaInPガイド層をこの順で積層して得られる。上記第2クラッド層206B、中間層207Bおよびキャップ層208Bのそれぞれの一部によって、共振器長方向に延びるリッジ210Bを形成している。このリッジ210Bの両側面はSiO2絶縁膜209で覆われている。本実施例2では、第1クラッド層204A、第2クラッド層206A、第1クラッド層204Bおよび第2クラッド層206Bは、全てAl組成比が0.7となっている。また、上記第1クラッド層204Aおよび第1クラッド層204Bの厚みは共に2.5μmである一方、第2クラッド層206Aおよび第2クラッド層206Bの厚みは共に1.3μmである。また、上記二波長半導体レーザ素子11は、基板201の下面に接続されたn側電極と、リッジ210Aの上面に接続されたp側電極212Aと、リッジ210Bの上面に接続されたp側電極212Bとを備えている。以下、上記二波長半導体レーザ素子11の製造方法について説明する。ウエハ上に、赤外半導体レーザ構造213Aを形成するための複数の層を例えばMOCVD装置で結晶成長した後、ウエハに達するエッチングで複数の層の一部を除去する。この除去で露出するウエハ上に、赤色半導体レーザ構造213Bを形成するための複数の層を例えばMOCVD装置で結晶成長する。そして、この2回の結晶成長で得られるエピウエハをバー分割して、共振器長が1700μmであるレーザバーを複数形成する。次に、上記レーザバーにおいて共振器端面の一部となる領域例えば幅40μmに、フォトリソ工程によってZnOを選択的に形成して、レーザバーの上面をSiO2でカバーした後、窒素雰囲気中で熱処理することで、上記領域にZnを拡散させることにより、共振器端面近傍の部分を混晶化させて端面窓領域にする。次に、フォトリソ工程によりリッジ210A,210Bを形成し、レーザバーの上面においてリッジ210A,210Bの上面を除く領域をSiO2で覆った後、レーザバーの上面、下面に電極を形成する。最後に、上記レーザバーをチップ分割して、それぞれの幅が100μmの赤外レーザ構造213A,赤色半導体レーザ構造213Bを備えた二波長半導体レーザ素子11を複数形成する。なお、上記幅は図5の左右方向の長さに相当する。図6に、上記第1,第2クラッド層204A,206Aの基板201に対する格子不整合率を示す。上記第1クラッド層204Aの基板201に対する格子不整合率の平均は0.060になっている一方、第2クラッド層206Aの基板201に対する格子不整合率の平均は0.069になっている。より詳しくは、上記第1クラッド層204Aでは、基板201側の端から多重量子井戸活性層205Aに向かって2μmまでの領域の基板201に対する格子不整合率を0.05に、残りの領域の基板201に対する格子不整合率を0.1に設定している。また、上記第2クラッド層206Aでは、多重量子井戸活性層205A側の端から中間層207Aに向かって0.5μmまでの領域の基板201に対する格子不整合率を0.1に、残りの領域の基板201に対する格子不整合率を0.05に設定している。すなわち、上記第1,第2クラッド層204A,206Aの多重量子井戸活性層205Aに近い側の領域の基板201に対する格子不整合率を0.1に設定する一方、第1,第2クラッド層204A,206Aの残りの領域の基板201に対する格子不整合率を0.05に設定している。図7に、上記第1,第2クラッド層204B,206Bの基板201に対する格子不整合率を示す。上記第1クラッド層204Bの基板201に対する格子不整合率の平均は0.060になっている一方、第2クラッド層206Bの基板201に対する格子不整合率の平均は0.069になっている。より詳しくは、上記第1クラッド層204Bでは、基板201側の端から多重量子井戸活性層205Bに向かって2μmまでの領域の基板201に対する格子不整合率を0.05に、残りの領域の基板201に対する格子不整合率を0.1に設定している。また、上記第2クラッド層206Bでは、多重量子井戸活性層205B側の端から中間層207Bに向かって0.5μmまでの領域の基板201に対する格子不整合率を0.1に、残りの領域の基板201に対する格子不整合率を0.05に設定している。すなわち、上記第1,第2クラッド層204B,206Bの多重量子井戸活性層205Bに近い側の領域の基板201に対する格子不整合率を0.1に設定する一方、第1,第2クラッド層204B,206Bの残りの領域の基板201に対する格子不整合率を0.05に設定している。図8に、本発明の実施例2のフレームパッケージ型半導体レーザ装置の要部の概略断面図を示す。上記半導体レーザ装置は、二波長半導体レーザ素子11と、この二波長半導体レーザ素子11を搭載するAlNサブマウント12とを備えている。このAlNサブマウント12の二波長半導体レーザ素子11側には、接続電極14A,14Bを形成している。上記二波長半導体レーザ素子11のリッジ210A,210B側は、例えばAuSnなどの接着剤13A,13Bでサブマウト12に固着されている。すなわち、上記二波長半導体レーザ素子11はジャンクションダウンでサブマウント12に実装されている。これにより、赤外レーザ構造213Aのp側電極212Aは接着剤13Aを介して接続電極14Aに電気的に接続される一方、赤色半導体レーザ構造213Bのp側電極212Bは接着剤13Bを介して接続電極14Bに電気的に接続される。図9に、上記半導体レーザ装置のフレーム面の温度と二波長半導体レーザ素子11の偏光角との関係を示す。なお、上記関係は、上記半導体レーザ装置の出力を3mWに固定し、半導体レーザ装置のフレーム面の温度を変えて、半導体レーザ装置の偏向角を測定して求めている。なお、上記フレーム面の温度とは、サブマウント12が固着された金属板図示せずの温度を指す。上記二波長半導体レーザ素子11では、リッジ210A,210Bの位置はチップ幅図9の左右方向の長さの中心からずれている。また、上記二波長半導体レーザ素子11とサブマウント12の熱膨張係数差による横方向の応力は、チップ幅の中心から左右で向きが異なり、また、チップ端ほど応力が大きくなる傾向がある。その結果、上記赤外レーザ構造213Aと赤色半導体レーザ構造213Bでは偏光角の傾く向きが互いに異なる。また、上記赤外レーザ構造213Aおよび赤色半導体レーザ構造213Bの偏光角は、上記実施例1の半導体レーザ素子1のような一波長半導体レーザ素子の偏光角よりも大きくなる。しかしながら、上記赤外レーザ構造213Aおよび赤色半導体レーザ構造213Bでは、比較例に比べて、偏向角の温度変化を小さく抑えることができる。また、上記赤外レーザ構造213Aおよび赤色半導体レーザ構造213Bは、同一の温度条件化の比較例よりも、偏向角の大きさが小さくなっている。これは、活性層に近い領域で比較例より大きな格子不整合率のクラッド層を用いたことで、格子不整合による応力がおり大きくなり、レーザチップとサブマウントの熱膨張係数差による応力を低減する作用が強くなったためである。なお、上記比較例は、基板に対する第1,第2クラッド層の格子不整合率が一様に0.05に設定されている点以外は本実施例2の半導体レーザ装置と同じ構成の半導体レーザ装置である。上記実施例2において、多重量子井戸活性層205A,205Bに換えて、単一量子井戸活性層や、量子井戸構造を有さない活性層を用いてもよい。上記実施例2では、赤外レーザ構造213Aと赤色半導体レーザ構造213BをSiO2絶縁膜209と溝214とで電気的に分離していたが、赤外レーザ構造213Aと赤色半導体レーザ構造213Bを絶縁体のみで電気的に分離するようにしてもよい、あるいは、赤外レーザ構造213Aと赤色半導体レーザ構造213Bを溝のみで電気的に分離するようにしてもよい。実施例3図10に、本発明の実施例3の二波長半導体レーザ素子21の概略断面図を示す。上記二波長半導体レーザ素子21は、半導体基板の一例としてのn型GaAs基板301と、第一半導体レーザ構造の一例としての赤外レーザ構造313Aと、第二半導体レーザ構造の一例としての赤色レーザ構造313Bとを備え、チップ幅図10の左右方向の長さが220μmとなっている。上記二波長半導体レーザ素子21のチップ幅方向図10の左右方向において、赤外レーザ構造313Aと赤色レーザ構造313Bは、絶縁体の一例としてのSiO2絶縁膜309と、幅30μmの溝314とによって、電気的に分離されている。この赤外レーザ構造313Aと赤色レーザ構造313Bの間のSiO2絶縁膜309は、赤外レーザ構造313Aの赤色レーザ構造313B側の側面と、赤色レーザ構造313Bの赤外レーザ構造313A側の側面と、基板301の上面の一部とを覆っている。上記赤外半導体レーザ構造313Aは、基板301上に形成されたn型GaAs第1バッファ層302A、n型GaInP第2バッファ層303A、第一導電型の第一下クラッド層の一例としてのn型AlGaInP第1クラッド層304A、第一活性層の一例としてのアンドープGaAs/AlGaAs多重量子井戸活性層305A、第二導電型の第一上クラッド層の一例としてのp型AlGaInP第2クラッド層306A、p型GaInP中間層307A、および、第一コンタクト層の一例としてのp型GaAsキャップ層308Aを備え、第一発光波長の一例としての780nm帯のレーザ光を出射する。また、上記赤外半導体レーザ構造313Aは、共振器長図10の紙面に垂直な方向の長さが1700μm、幅図10において左右方向の長さが70μmに設定されている。上記多重量子井戸活性層304Aは、図示しないが、アンドープAlGaAsガイド層、GaAsウェル層、AlGaAsバリア層、GaAsウェル層およびアンドープAlGaAsガイド層をこの順で積層して得られる。上記第2クラッド層306A、中間層307Aおよびキャップ層308Aのそれぞれの一部は、共振器長方向図10の紙面に垂直な方向に延びるリッジ310Aを形成している。このリッジ310Aの両側面はSiO2絶縁膜309で覆われている。上記赤色レーザ構造313Bは、n型GaAs基板301上に形成されたn型GaAs第1バッファ層302B、n型GaInP第2バッファ層303B、第一導電型の第二下クラッド層の一例としてのn型AlGaInP第1クラッド層304B、第二活性層の一例としてのアンドープGaInP/AlGaInP多重量子井戸活性層305B、第二導電型の第二上クラッド層の一例としてのp型AlGaInP第2クラッド層306B、p型GaInP中間層307B、および、第二コンタクト層の一例としてのp型GaAsキャップ層308Bを備え、第2発光波長の一例としての660nm帯のレーザ光を出射する。また、上記赤色レーザ構造313Bは、赤外半導体レーザ構造313Aと同じ共振器長および幅を有している。すなわち、上記赤色レーザ構造313Bは、共振器長が1700μm、幅が100μmに設定されている。上記多重量子井戸活性層304Bは、図示しないが、アンドープAlGaInPガイド層、GaInPウェル層、AlGaInPバリア層、GaInPウェル層、AlGaInPバリア層、GaInPウェル層およびアンドープAlGaInPガイド層をこの順で積層して得られる。上記第2クラッド層306B、中間層307Bおよびキャップ層308Bのそれぞれの一部によって、共振器長方向に延びるリッジ310Bを形成している。このリッジ310Bの両側面はSiO2絶縁膜309で覆われている。本実施例3では、第1クラッド層304A、第2クラッド層306A、第1クラッド層304Bおよび第2クラッド層306Bは、全てAl組成比が0.7となっている。また、上記第1クラッド層304Aおよび第1クラッド層304Bの厚みは共に2.5μmである一方、第2クラッド層306Aおよび第2クラッド層306Bの厚みは共に1.3μmである。また、上記二波長半導体レーザ素子21は、基板301の下面に接続されたn側電極と、リッジ310Aの上面に接続されたp側電極312Aと、リッジ310Bの上面に接続されたp側電極312Bとを備えている。図11に、上記第1,第2クラッド層304A,306Aの基板301に対する格子不整合率を示す。上記第1クラッド層304Aの基板301に対する格子不整合率の平均は0.060になっている一方、第2クラッド層306Aの基板301に対する格子不整合率の平均は0.138になっている。すなわち、上記第2クラッド層306Aの基板301に対する格子不整合率の平均は、第1クラッド層304Aの基板301に対する格子不整合率の平均よりも大きくしている。より詳しくは、上記第1クラッド層304Aでは、基板301側の端から多重量子井戸活性層305Aに向かって2μmまでの領域の基板301に対する格子不整合率を0.05に、残りの領域の基板301に対する格子不整合率を0.1に設定している。また、上記第2クラッド層306Aでは、多重量子井戸活性層305A側の端から中間層307Aに向かって0.5μmまでの領域の基板301に対する格子不整合率を0.20に、残りの領域の基板301に対する格子不整合率を0.10に設定している。図12に、上記第1,第2クラッド層304B,306Bの基板301に対する格子不整合率を示す。上記第1クラッド層304Bの基板301に対する格子不整合率の平均は0.060になっている一方、第2クラッド層306Bの基板301に対する格子不整合率の平均は0.069になっている。より詳しくは、上記第1クラッド層304Bでは、基板301側の端から多重量子井戸活性層305Bに向かって2μmまでの領域の基板301に対する格子不整合率を0.05に、残りの領域の基板301に対する格子不整合率を0.1に設定している。また、上記第2クラッド層306Bでは、多重量子井戸活性層305B側の端から中間層307Bに向かって0.3μmまでの領域の基板301に対する格子不整合率を0.1に、残りの領域の基板301に対する格子不整合率を0.05に設定している。図13に、本発明の実施例3のフレームパッケージ型半導体レーザ装置の要部の概略断面図を示す。上記半導体レーザ装置は、二波長半導体レーザ素子21と、この二波長半導体レーザ素子21を搭載するAlNサブマウント22とを備えている。このAlNサブマウント22の二波長半導体レーザ素子21側には、接続電極24A,24Bを形成している。上記二波長半導体レーザ素子21のリッジ310A,310B側は、例えばAuSnなどの接着剤23A,23Bでサブマウト12に固着されている。すなわち、上記二波長半導体レーザ素子21はジャンクションダウンでサブマウント22に実装されている。これにより、赤外レーザ構造313Aのp側電極312Aは接着剤23Aを介して接続電極24Aに電気的に接続される一方、赤色レーザ構造313Bのp側電極312Bは接着剤23Bを介して接続電極24Bに電気的に接続される。上記構成の半導体レーザ装置によれば、二波長半導体レーザ素子21をジャンクションダウンでサブマウント22に実装していることによって、多重量子井戸活性層305Aの発熱はサブマウント22側に放熱される。その結果、上記基板301側の第1クラッド層304Aよりも、サブマウント22側の第2クラッド層306Aの方が高温になるが、第1クラッド層304Aの基板301に対する格子不整合率の平均よりも、第2クラッド層306Aの基板301に対する格子不整合率の平均を大きくしているので、二波長半導体レーザ素子21とサブマウント22の熱膨張係数差による応力を低減する作用を弱めることができる。したがって、上記赤外レーザ構造213Aでは、偏向角の温度変化を確実に小さく抑えることができる。また、上記赤色半導体レーザ構造213Bの幅よりも赤外レーザ構造213Aの幅を狭くしていることによって、1ウエハからより多くの二波長半導体レーザ素子21が得られるので、二波長半導体レーザ素子21の価格を下げることができる。このように、上記赤外レーザ構造213Aの幅を狭くすると、赤外レーザ構造213Aの放熱断面積が小さくなる結果、赤外レーザ構造213Aの放熱性が悪く、第2クラッド層306Aの温度が非常に高くなるが、これによる悪影響は、第1クラッド層304Aの基板301に対する格子不整合率の平均よりも、第2クラッド層306Aの基板301に対する格子不整合率の平均を大きくしていることで低減できる。すなわち、上記赤外レーザ構造213Aの放熱性が悪くても、赤外レーザ構造213Aの偏向角の温度変化を小さくできる。上記実施例3において、多重量子井戸活性層305A,305Bに換えて、単一量子井戸活性層や、量子井戸構造を有さない活性層を用いてもよい。上記実施例3では、赤外レーザ構造313Aと赤色レーザ構造313BをSiO2絶縁膜309と溝314とで電気的に分離していたが、赤外レーザ構造313Aと赤色レーザ構造313Bを絶縁体のみで電気的に分離するようにしてもよい、あるいは、赤外レーザ構造313Aと赤色半導体レーザ構造213Bを溝のみで電気的に分離するようにしてもよい。上記実施例3において、第2クラッド層306Bの基板301に対する格子不整合率の平均を、第1クラッド層304Bの基板301に対する格子不整合率の平均よりも大きくしてもよい。本発明の具体的な実施形態について説明したが、この発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々変更して実施することができる。例えば、上記実施例1~3およびその変形例において基板および各層の導電型を全て逆にしたものを本発明の一実施例としてもよい。また、本発明の一実施例の半導体レーザ素子において、下クラッド層および上クラッド層の少なくとも一方の材料の熱膨張係数は半導体基板の材料の熱膨張係数より大きくしてもよい。また、本発明の一実施例において、下クラッド層および上クラッド層のそれぞれにおいて、活性層側の部分の半導体基板に対する格子不整合率は、0.1~0.2の範囲内にしてもよい。また、本発明の一実施例において、下クラッド層および上クラッド層のそれぞれにおいて、上記活性層側とは反対側の部分の上記半導体基板に対する格子不整合率は、0.0~0.1の範囲内にしてもよい。また、本発明の一実施例の半導体レーザ装置において、半導体基板の材料の熱膨張係数はサブマウントの材料の熱膨張係数より大きくしもよい。"