"陽極と、電子放射性物質を備えたタングステンからなる陰極本体を備えた陰極と、石英ガラス製の発光管とを具備してなるデジタルプロジェクター用のキセノンショートアークランプであって、前記陰極は、先端面における表層に、タングステンWの相中にタングステンの炭化物の縞状の相を有してなり、前記発光管の内部に、炭素および/または炭化物を備えると共に、前記発光管における内表面のOH基濃度が100wt-ppm以上であり、前記発光管の内部に水素選択性を有するゲッターを備えていることを特徴とするデジタルプロジェクター用のキセノンショートアークランプ。前記水素選択性ゲッターは、水素透過性を有する気密容器と、該気密容器内部に封入されたゲッター材とからなることを特徴とする請求項1記載のデジタルプロジェクター用のキセノンショートアークランプ。前記気密容器は、パラジウムPd、ニッケルNi、鉄Fe、400系ステンレス、鉄ニッケル合金、ニッケル銅Cu合金のいずれかよりなることを特徴とする請求項2に記載のデジタルプロジェクター用のキセノンショートアークランプ。前記水素選択性ゲッターは、ゲッター材と、当該ゲッター材の表面を覆うめっき層とからなることを特徴とする請求項1記載のデジタルプロジェクター用のキセノンショートアークランプ。前記ゲッター材は、ジルコニウムZr、ジルコニウム合金、チタンTi、タンタルTa、イットリウムYのうち少なくとも一つからなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のデジタルプロジェクター用のキセノンショートアークランプ。前記水素選択性ゲッターは、前記発光管における封止管部の内部に設けられることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のデジタルプロジェクター用のキセノンショートアークランプ。ところで、映画館の上映システムにおいては、近年、映像品質が向上するデジタル技術を用いた高度なCG化が可能になり、フィルム劣化が無く、フィルム作製に伴うコストを削減できる、といった利点から、デジタルシネマが普及し、これにあわせてDLPデジタルライトプロセッシング:登録商標技術を利用したデジタルプロジェクターへの置き換えが急速に進んでいる。このようなデジタルプロジェクターDLP用プロジェクターの構成例を図12に示す。このデジタルプロジェクター80においては、キセノンランプ81からの光を楕円反射面をもつ反射鏡82によって集光し、カラーフィルタ83、インテグレーターロッド84、および集光レンズ85a,85bを介してDMDデジタルマイクロミラーデバイス:登録商標と呼ばれる画像素子を照射する。そして、DMD86によって反射された光を投射レンズ87によってスクリーン88上に投射し、映像を映し出す。このようなデジタルプロジェクター80においては、キセノンランプ81からの光を、高い効率で集光してインテグレーターロッド84の端面に入射させなければならない。このように光を高効率に集光させなければならない理由は、通常インテグレーターロッド84の端面は、DMD86と同程度の寸法であり、対角で0.7~1インチ17.8~25.4mm程度と小さいため、従来のフィルム用のプロジェクターと同程度の明るさの映像をスクリーンに映し出すには、フィルム用プロジェクターの場合と比較して、面積で35~70という小さい範囲に集光させなければならないからである。反射鏡82による照射面積は、アークの断面積に略比例することから、デジタルプロジェクター用のキセノンランプ81は、アーク長を短くし、かつ、アークを細くするため、封入キセノン圧力をいっそう高めたものを用いる必要がある。この結果、キセノンランプ81のアーク長は約2~7mmとなり、またそのキセノンガスの封入圧力は、常温換算では1MPa以上、具体的には1~2MPaの範囲のものが要求される。そして、ランプ点灯時の高い動作圧力に耐えるため、発光管を従来よりも小型化する必要性が生じ、結果的に、デジタルプロジェクター用のキセノンランプの管壁負荷は、30W/cm2以上にまで高まり、具体的には30~40W/cm2という範囲のものが要求される。これは、従来のフィルムプロジェクター用のキセノンランプと比較しても、格段に高いものである。なおここで、反射鏡82による照射面積を小さくするための方法として、楕円反射面の焦点間の距離F1~F2の距離を短くすることも考えられる。しかしながらその場合、光軸89に対して大きな角度をもつ光線の割合が増えて、DMD素子に到達しない光線が増え、光の利用率が低下することになり、この方法を採用することができない。言い換えると、照射面積が小さくなった場合に、光学系を工夫するのみでは、集光効率を高めることは難しい。また更に、デジタルプロジェクターにおけるより明るい映像への要求から、キセノンランプ81にはランプの光出力を増やす必要がある。このため、アークからの光線のうち陰極によって遮られるものを減らすという観点から、従来のものより陰極先端径が小さいものが要求され、デジタルプロジェクター用のランプにおける陰極先端径は従来のものよりも小さく、例えば0.35~0.7mmになっている。この結果、陰極先端における電流密度もまた高くなり、具体的には119A/mm2以上、実用的な範囲では119~210A/mm2となっている。このような仕様に関して、定格消費電力が4kWのデジタルプロジェクター用のキセノンランプを例に具体的な数値を挙げると、アーク長は3.5mm、陰極の先端径は0.6mm、封入キセノン圧力は1.8MPa、電流密度は119A/mm2であり、管壁負荷は37.5W/cm2となっている。なお、電流密度とは、上述したようにランプ電流を陰極先端から0.5mmの位置の断面積で除した電流密度であり、管壁負荷とは、ランプ電力を発光管部の内表面積で除した単位面積あたりの電力である。以上のデジタルプロジェクター用のキセノンショートアークランプの特徴を要約すると、封入キセノンガスの圧力が高いこと、高い動作圧力に耐えるため発光管が小型化された結果、管壁負荷ランプ電力を発光管の膨らんだ部分における内表面積で割った値が高いこと、陰極先端径を小さくした結果、電流密度が大きくなっていることを挙げることができる。このような事項について、具体的な数値を用いて述べると、キセノンガスの封入圧力が1MPa以上、管壁負荷が30W/cm2以上、陰極の先端面の電流密度が119A/mm2以上という、非常に厳しいスペックが要求される。そして、上述したような仕様を満足しようとすると、キセノンランプは陰極の先端温度が更に上昇し、陰極先端部の消耗と変形の進行が著しく速く、ランプ点灯後、短時間で陰極の先端面が大きくなって凹凸が形成され、早期にフリッカーが発生してしまう。そして、従来公知の技術、例えば、炭化層の形成や陰極先端の形状により、キセノンランプのフリッカー寿命の改善を図ったとしても、点灯後わずか200~350hという極めて短い期間で寿命が到来してしまう。本発明は、このような問題を解決するためになされたものであって、ランプ点灯後、長時間にわたって陰極の先端面に凹凸ができるのを防止し、フリッカー現象の発生を長時間抑制した使用寿命の長いデジタルプロジェクター用のキセノンショートアークランプを提供することにある。上記課題を解決するため、本願発明は、下記構成を備えることを特徴とする。1陽極と、電子放射性物質を備えたタングステンからなる陰極本体を備えた陰極と、石英ガラス製の発光管とを具備してなるデジタルプロジェクター用のキセノンショートアークランプであって、前記陰極は、先端面における表層に、タングステンWの相中にタングステンの炭化物の縞状の相を有してなり、前記発光管の内部に、炭素および/または炭化物を備えると共に、前記発光管における内表面のOH基濃度が100wt-ppm以上であり、前記発光管の内部に水素選択性を有するゲッターを備えていることを特徴とする。2また、前記水素選択性ゲッターは、水素透過性の気密容器と、該気密容器内部に封入されたゲッター材とからなることを特徴とする。また、前記気密容器は、パラジウムPd、ニッケルNi、鉄Fe、400系ステンレス、鉄ニッケル合金、ニッケル銅Cu合金のいずれかよりなることを特徴とする。3また、前記水素選択性ゲッターは、ゲッター材と、当該ゲッター材の表面を覆うめっき層とからなることを特徴とする。4また、前記ゲッター材は、ジルコニウムZr、ジルコニウム合金、チタンTi、タンタルTa、イットリウムYのうち少なくとも一つからなることを特徴とする。5また、前記水素選択性ゲッターは、前記発光管における封止管部の内部に設けられることを特徴とする。本願発明に係るデジタルプロジェクター用キセノンショートアークランプによれば、陰極は、先端面における表層にタングステンWの相中にタングステンの炭化物の縞状の相を有し、発光管の内部に、炭素および/または炭化物を備えると共に、前記発光管における内表面のOH基濃度が100wt-ppm以上であるので、陰極先端に凹凸が形成されにくく、アークのチラツキに由来して生じるフリッカー現象の発生を長時間抑制することができて、ランプの使用寿命を長くすることができ、更に、前記発光管の内部に、水素を選択的に吸収する水素選択性ゲッターを備えているので、発光管にOH基を多量に含むことに由来して生じる点灯始動性の低下を抑制することができるようになる。しかも、炭素を陰極先端に供給するための役割を担う酸素および酸化物が、ゲッターに吸蔵されて減少することがなく、炭素を円滑に陰極に供給することができるようになる。この結果、ランプの点灯中、タングステンの炭化物が溶融して陰極先端部分のみが溶融して表面張力によって滑らかな球面を再形成することにより、先端の形状を所期の滑らかな形状に調えられ、ランプの消灯後は、陰極先端の表層に、タングステンWの相に、複数の線状のタングステンの炭化物が縞状の相となって現れる。このようなキセノンショートアークランプによれば、陰極先端に凹凸が形成されにくく、アークのチラツキに由来して生じるフリッカー現象の発生を長時間抑制することができ、使用寿命の長いデジタルプロジェクター用キセノンショートアークランプとすることができる。図1は、本発明の実施形態を説明するデジタルプロジェクター用キセノンショートアークランプ以下、キセノンランプまたは単にランプともいう。の構成を示す、説明用断面図である。キセノンランプ10は、中央付近に設けられ膨らんだ形状のガラス管よりなる発光管部12およびその両端に連設された封止管部13を備えてなる石英ガラス製の発光管11と、発光管部12の内部において、各々先端が互いに対向するよう設けられた陰極14および陽極15により、構成されている。陰極14における本体部分14aは、電子放射性物質を備えたタングステンからなり、陽極15における本体部分15aは、タングステンからなる。このように、電極の本体部分14a,15aを構成する材質として、主としてタングステンが採用される理由は、高融点であるという点、蒸気圧が低いという点、熱伝導率が高いという点で、本発明において優位な物質だからである。無論、ここでいう電極陰極本体14a,15aの材質については、各材質成分を100備えたものに限定されるものではなく、不可避に混入する不純物を含有する場合を含むことはもちろん、陰極本体14aおよび/または陽極本体15aに炭化層や、その他の物質を付加的に設けるような場合をも含んでいる。このような陰極本体14a、陽極本体15aは、発光管部12の中央に位置されるよう、それぞれ電極棒14b,15bに装着されて保持されている。電極棒14b,15bは、各々発光管部12と封止管部13の間の絞込み部13a内に固定された肉厚円筒状の石英ガラス体16の穴に挿通されると共に、封止管部13の両端に形成された段継ぎガラス部13bにおいて気密に封着されて保持されている。この電極棒14b,15bは、発光管11の外方端部から外方に突出して伸びており、当該キセノンランプ10に電力を供給する給電用のリード部分を兼ねている。また、発光管11の内部には、発光物質としてのキセノンガスが封入されている。このような本発明に係るデジタルプロジェクター用のキセノンショートアークランプは、標準的に下記の仕様を満足するものである。キセノンの封入圧力が1MPa以上、管壁負荷が30W/cm2以上、陰極の先端面の電流密度が119A/mm2以上である。このようなスペック上の要求は、すべてDLP用のデジタルプロジェクターに使用される光源として、DMD素子と同程度の照射エリア、具体的には対角で0.7~1インチ17.8~25.4mm程度と小さい領域に高効率に光を集光すること、および、スクリーンをいっそう明るく照らすこと、の両方を満足するために、最低限必要になる。また、上述した大きな電流密度を実現するためにも、陰極14に含まれる電子放射性物質としてはトリアThO2を用いることが望ましく、陰極本体部分14aはトリエーテッドタングステンから構成されることが望ましい。また、陽極15においても、陽極本体15aはアークを受けると共に、電子を受けとることで高温になることから、陽極本体15aの材質としては高融点のタングステンからなるのが望ましい。更に、本発明に係るキセノンショートアークランプ10においては、ランプの始動性を改善する目的で、発光管11の内部に、ゲッター17を備えている。この実施形態において、ゲッター17は、水素透過性を有する気密容器17Bおよびこの容器17Bの内部に封入されたゲッター材17Aからなるものであって、例えば同図に示すように電極の芯棒15bに密着させて金属線で固定される。このゲッター17の役割については、後段で詳細に説明する。図2は、本発明に係る陰極構造の先端部分の1実施形態を示すものである。陰極本体14aにおける先端部分は、表面のテーパ面稜線を仮想的に結んだ先端のコーン角度が60°であり、先端の径が0.35~1.0mmの範囲であって、太径部の径が4~12mmである。陰極先端の径をこのように小さく形成することで、アークからの光線のうち陰極自身によって遮られるものを減らしてランプからの光出力を増大することができるようになる。陰極の先端において、アークの内部に取り込まれる部分に炭素Cを供給するため、このキセノンランプ10には、発光管11内部に炭素が具備される。その一形態として、例えば図2に示すように陰極14aにおける先端の近傍に炭化タングステンW2C層141を設けることにより、炭素を配置することができる。炭化タングステン層141が形成される部分は、例えば陰極14aの先端面から電極の軸Lに沿って少なくとも2mm後退した位置であり、層の厚みとしては30~100μmである。このように陰極先端に炭化タングステン層141を形成しない形成してはならない理由は、融点の低い炭化タングステンW2Cを、約30μm以上という厚み範囲で形成していた場合には、陰極先端部の溶融量が過大になり、陰極先端径が短時間で大きくなって輝度が低下するという問題や、炭化タングステンW2Cの蒸発によって発光管内表面が黒化し、放射光の強度が低下することにより、早期にランプの寿命が到来するという問題が引き起こされるからである。発光管11の内部に炭素の供給源としての炭素または炭素を含む化合物を配置する手段としては、上述の形態に限定されるものではなく、発光管の内部における金属部分に取り付ける方法でありさえすればどのよう形態でもよく、例えば陽極本体15aに炭化タングステンW2C層を設けてもよいし、電極14,15における軸部14b,15bに炭化物を配置することでも実現できる。なお、陽極本体15aに炭化層を設ける場合には、陰極本体14aに設ける場合と同様、その先端部領域を除いて配置することが望ましい。発光管11の内部に固体状態の炭素または炭素を含む化合物を配置するのみでは、炭素を気相の状態として陰極14aの先端まで安定的に供給することを実現することは難しい。炭素を、例えば炭酸ガスのような気相状態とする手段としては、種々の方法を検討することができ、その一例としては、発光管11内に酸素Oを具備させることでCOを生成させることができ、炭素を確実に陰極先端面に供給することができる。その一形態としては、発光管11を構成する石英ガラスにOH基を多量に含有させることである。その好ましい態様としては、発光管11の内表面に、OH基濃度が100wt-ppm以上である層を形成することである。この内表面層におけるOH基濃度とは、内表面から150μmまでの厚み範囲において、平均の濃度によって定義したものである。また、更に好ましい形態としては、発光管11に含まれるOH基の量を、ランプの内容積1cm3あたり、0.15μmol以上とすることである。このようなキセノンショートアークランプによれば、発光管11内表面層の石英ガラスに含まれるOH基が、ランプ点灯中に例えば水H2Oとして放電空間内に放出され、発光管11の内部に具備された炭素の供給源すなわち、炭素または炭素化合物と反応し、一酸化炭素ガスCOを生成する。このCOが、発光管11内に気相状態で拡散することにより、その一部がアークの中に入る。COは、アークの中では高温のために分解されて、Cイオンを生成する。このCイオンはアーク中の電界によって陰極先端面へ運ばれ、そこで陰極14aのタングステンと反応して、W2CやWCなどのタングステンの炭化物を生成する。このタングステンの炭化物は陰極14aの高温に曝され溶融するが、その溶融量はCが気相からもたらされたものであるために極めて少ない。そのため、陰極14a先端が短時間で大きくなって輝度が低下する問題や、タングステンの炭化物の蒸発によって発光管内表面が黒化するといった問題を生じることはない。そして、このような少量の炭素が存在すると、ランプの消灯時には、タングステンの陰極先端面に、複数の線状のタングステンの炭化物が、縞状の模様を形成して生成する。陰極先端面の微小範囲に残留する程度に生成されたタングステンの炭化物が、ランプ点灯中溶融することで、陰極の先端に凹凸が形成されたとしても、陰極の先端が表面張力によって滑らかな球面を成形し、再び滑らかな面を形成する。図3に、陰極先端の表層部を拡大して示す電子顕微鏡写真を示す。ここで、同図aは先端部を拡大した写真であり、bは同図中、丸Pで囲んだ部分の拡大写真を示している。具体的には、図3に示すように、タングステンの炭化物が、本体部分の主成分であるタングステンW相の上に、多数の線状に並んで生成することにより、縞状の相を形成している。この縞状のタングステンの炭化物の相は、幅が約0.1~0.5μmであり、多数の相が約0.5~3μmの間隔で形成されている。陰極先端において炭素が占める割合は、約1wt程度であり、炭素の割合としては陰極先端の表層が最も大きく、先端から後退した位置になるほど小さくなる。これは、陰極の先端に炭素が気相によって運ばれてきたことを裏付けるものであり、陰極先端にタングステン炭化物の縞状の相を備えていることはすなわち、ランプ点灯中、気相を介して炭素が陰極先端に運ばれてきたことと同じということが可能である。気相におけるC供給を確実に実現するため、発光管の内部に備わる炭素Cの量は、発光管の内容積に対し、2.4μmol/cm3以上であることが好ましい。ランプの内容積1cm3あたり、2.4μmol以上の炭素を具備させることで、陰極先端に到達する気相状態の炭素を常に供給することができるようになり、フリッカー寿命を伸ばすことができる。なおここで言う炭素量とは、発光管部及び封止管部を含めた発光管の内部において、金属からなる部材に付着した全ての炭素および炭素化合物から、炭素Cとしての総量を求めてモル量に換算し、発光管の内容積で除した数値である。上述したように、気相により炭素を陰極先端に供給することを実現するため、発光管を構成する石英ガラスにOH基を多量に含有させることが必要となる。しかしながら、発光管の内部にOH基を多量に含ませると、反応の過程でOH基に由来してH2が生成し、ランプ点灯中は放電に問題を生じないが、始動時に存在するとランプ始動性を悪くしてしまう。そこで、本発明においては、上述したようにH2を吸蔵するゲッター材を、水素選択透過性の気密容器内に封入した状態として発光管の内部に設けることにより、水素選択性を有するゲッターとして機能させている。図4に、本発明に水素選択性を有するゲッターの一例を示す。同図は気密容器の管の軸方向に切断した断面図である。H2を吸蔵するためのゲッター材17Aとしては、水素ガスを良好に吸収、除去することができる物質であり、具体的には、ジルコニウムZr、Zr-V-Feなどのジルコニウム合金、チタンTi、タンタルTa、イットリウムYなどを用いることができる。このようなゲッター材料は、単一の物質で構成しても良いし複数の物質を組合わせて構成しても良い。本発明において、このようなゲッター材17Aを気密容器の内部に封入して配置する理由は、次の通りである。すなわち、水素吸蔵特性を備えるゲッター材17Aは、H2と同様に、COやO2を吸収する特性を備えている。このため、ランプの始動特性の改善が見込める程度までゲッター材17Aの量を増やした場合には、Cを陰極先端に運ぶための酸素が減少し、陰極先端へCを供給する機能が阻害されてしまう。一方、Cを運ぶための機能を重視すると、ゲッター材17Aの絶対量が足りなくなり、始動性の低下を改善することができなくなる。そこで本発明においては、上述したようなゲッター材料を、H2を透過しやすいがCOやO2を吸収、透過しにくい材料で構成された気密容器17Bの内部に気密に封入することにより、水素を選択的に透過する水素選択性を具備したゲッターを構成し、発光管の内部に配置する。その結果、気密容器17Bの壁がH2に対して透過性を有することで、H2はこの壁を透過してゲッター17Aに吸収されるがCOやO2は透過できないため、または吸収されにくいため、COやO2が内部のゲッター17Aに吸収されることなく本来の炭素のキャリアーとしての機能を発揮することができる。この結果、発光管の内部にCO、O2を残存させた状態でH2を選択的に除去することができ、気相を介してCを陰極先端に運ぶという機能を維持しつつ、OHを備えることで不可避に発生してしまうランプの始動特性の低下を、大いに改善することができるようになる。このような水素選択性を具備するゲッターとしては、図4に示すように、細長い管状の気密容器17Bと、この内部に封入されたゲッター材17とにより構成される場合、特に気密容器17Bに使用される材質には、500°CにおけるH2の透過率が10-5ccN.T.P/cm2s以上である材料からなることが好ましい。図5に、物質の水素H2および酸素O2の透過率をまとめたものを示す。同図で示した水素透過率および酸素透過率は、1熊谷寛夫,富永五郎,辻泰,堀越源一著、真空の物理と応用裳華房発行、昭和55年10月25日発行および2W.H.KohlHANDBOOKofMATERIALSandTECHNIQUESforVACUUMDEVICESの記載に基いている。気体分子の透過率は、厚さ1mmの材料の両面の圧力差が1気圧のとき、1cm2あたりの1秒間の透過量を標準状態=N.T.P:1atm-0°Cにおける気体分子の体積ccで表している。図5で引用した2つの文献で同一物質の透過率が記載されている場合は両方の数値を記載した。具体的にいうと、例えばパラジウムPdであるが、その水素透過率はKohlの文献によれば10-5ccN.T.P/cm2s、熊谷の文献によれば8.7×10-3ccN.T.P/cm2sであった。なお、上記した物質の場合、気密容器を構成する材料によって吸収されるCOやO2はわずかなものである。なぜなら、一部のCOやO2は容器の表面おいて原子に分解して容器の材料に溶解するものと考えられるが、これらの材料中におけるCやOの拡散係数は無視できる程度に小さいHの拡散係数より5桁程度小さいため、容器の表層に溶解した後は、それ以上には溶解しないからである。ここで、酸素Oは、容器の材料と反応して酸化物を形成することによっても、容器に吸収されるが、上記のように酸素Oの拡散係数が小さいため、上記の酸化物の形成が容器のごく表面層に限られる。この過程によって放電空間から失われる酸素はごく少量である。ここで、水素透過率が高い気密容器の材質として具体的なものを列挙すると、パラジウムPd、ニッケルNi、鉄Fe、400系ステンレス、鉄ニッケル合金Fe-Ni、ニッケル:銅Ni-Cu合金である。無論、ここで列挙した物質以外にも、上記したH2の透過率を一つのとして水素透過性を備えた物質を用いても構わない。パラジウムPd、ニッケルNi、鉄Fe、400系ステンレス、鉄ニッケル合金、ニッケル銅Cu合金のいずれかからなる気密容器に、ジルコニウムZr、Zr-AlやZr-V-Feなどのジルコニウム合金、チタンTi、タンタルTa、イットリウムYなどのゲッター材を封入することによって、水素選択性ゲッターを構成することができる。また、上述した水素選択性ゲッターにおいては、図6に示すようにゲッター材の表面全体にめっき層を設けて水素選択性を具備させことも可能である。このような場合、ゲッター材17の表面を被覆する物質としては、ニッケルNi、パラジウムPdなどを好適に使用することができる。前記した水素選択性を備えるゲッターは、前記ランプの点灯時に温度が500~800°Cになる位置に設けるのが好ましい。なぜなら、温度が低すぎると、水素H2が気密容器を透過する速度が低下して、水素の除去が不十分になり、一方、温度が高すぎると、水素がゲッター材から放電空間へ放出されてしまうからである。当該ランプにおいては、封止管部の内部に水素選択性ゲッターを設けることでゲッター材の温度の条件が満たされ、効率良く所期の作用、効果が奏されるようになる。以下、本発明について実験例をもとに説明する。図1で示す基本的な構成に基づいて、それぞれ仕様が異なるキセノンショートアークランプ1~9を作製した。ランプ1~9の仕様については図7で示す表1にまとめて示す。ランプ1は本発明の参照例に係るランプであり、従来のフィルム用プロジェクター用のキセノンランプであった。定格消費電力は3500W、陰極先端径は0.9mm、電流密度は104A/cm2、管壁負荷は20.6A/cm2、陰極先端のコーン角度は40°である。この発光管の内表面積は170cm3、内容積は217cm3であり、キセノンガスの封入圧力は常温25°Cに換算して0.6MPaであった。ランプ2~9はいずれもDLP用デジタルプロジェクター用のキセノンランプであり、基本的な仕様は同じである。すなわち、定格消費電力は4000W、陰極先端径は0.6mm、電流密度は119A/cm2、管壁負荷は37.5A/cm2、陰極先端のコーン角度は60°であった。この発光管の内表面積は107cm3、内容積は135cm3であり、キセノンガスの封入圧力は常温25°Cに換算して1.6MPaであった。このような仕様は、対角で0.7~1インチ17.8~25.4mmという小さい領域に光を効率よく集光することを可能とし、デジタルプロジェクター用の光源として、好適なキセノンショートアークランプを得るために必須の要件となる。また、図6の表における各項目については、下記のように定義する。電流密度とは、ランプ電流を陰極先端から0.5mmの位置の断面積で除した電流密度であり、単位はA/mm2である。管壁負荷とは、ランプ電力を発光管の膨らんだ部分発光管部における内表面積で割った値の内表面積で割った値であり、単位はW/cm2である。発光管内面OH濃度とは、発光管内表面から150μmの厚さ範囲における平均のOH基濃度である。また、発光管内部のOH濃度とは、発光管の内外表面の中央厚みの約1/2部分におけるOH基濃度である。このような発光管の石英ガラスにおけるOH基濃度は、発光管の内側をフッ酸エッチングし、エッチングの深さと赤外線の吸光度との関係から算定することができる。OH基量/内容積とは、発光管部発光管における膨らんだ部分のみの内面150μmに存在するOH基量を、発光管部及び封止管部を含むランプの全内容積で除した単位体積あたりのモル数である。また、フリッカー寿命は、フリッカーの発生によるランプの輝度分布の変動はランプ電圧の変動と相関があり、ランプ電圧の変動幅が1Vを超えると、スクリーン上のフリッカーとして視認されることから、一律に、ランプ電圧の変動幅が1Vに達した点灯時間として測定した。[参照例1]ランプ1参照例1は、フィルム用プロジェクターの光源に使用されるキセノンショートアークランプである。発光管は、成形工程において発光管を膨らませる際に乾燥した気体N2を用いて製作した。発光管内部のOH濃度と発光管内面のOH濃度がいずれも5wt-ppmと同等であることから分かるように、発光管内表面のOH基の濃度は、成形前の原材料の水準に維持されたものであった。また、ランプ1の陰極には、本体部分における先端を除くテーパ部分の表面に、従来知られる方法により炭化層を形成し、H2を吸蔵してランプの始動性を改善する目的で、タンタルゲッターを陰極軸部と陽極軸部の陰極本体と陽極本体15aのすぐ後ろの位置に取り付けた。なおタンタルは単体で構成したものであった。このランプ1を点灯したところ、フリッカー寿命は3500hであり、長い使用寿命を得ることができた。更に、ランプ1を分析したところ、発光管の内部には、陰極先端の炭化層を含め、発光管発光管部と封止管部の両方を含めるの内容積あたり、1.8μmol/cm3の炭素が存在していたことが明らかとなった。[参照例2]ランプ2参照例2は、DLP用のデジタルプロジェクター用キセノンショートアークランプであり、高輝度ランプとするために封入圧力、陰極先端の電流密度、管壁負荷を高く設定したものであった。具体的な仕様については上述した通りである。発光管の成形工程において、発光管を膨らませる際、上記ランプ1と同様乾燥した気体N2を用いており、発光管内面におけるOH基の濃度は成形前の原材料の水準を維持し、5wt-ppmと低いものであった。また、ランプ1と同様にして、陰極本体のテーパ部分の表面に、従来知られる方法により炭化層を形成すると共に、タンタルゲッターを発光管内部に配置した。なおタンタルは単体で構成したものであった。このようなランプ2を点灯したところ、フリッカー寿命は260時間になり、ランプ1と比較して、極めて短寿命であった。更に、ランプ2を分析したところ、発光管の内部の総炭素量は発光管内容積1cm3あたり2.1μmolであった。なお、ゲッターを構成するタンタルの炭素に対するモル比は31であった。図8に、ランプ2参照例2におけるキセノンショートアークランプのフリッカー現象を観察した陰極先端の変形の様子を模式的に示す。点灯後200hでは滑らかな状態が維持されているが、やがて陰極先端が変形して凹凸が形成されると、凸部と凸部の間を放電起点が移動アークジャンプして、フリッカーが発生し始めることが確認された。すなわち、陰極先端が消耗して先端面が大きくなっても放電は安定しているが、更に変形が進み、先端面に凹凸ができてしまうと、凸部と凸部の間で放電起点が移動してフリッカーを発生する。本参照例にかかるランプの用に高負荷の仕様のランプでは、陰極先端部の温度が高く、このような変形が速く進むため、フリッカー寿命が短いものと考えられる。更に、ランプ2と同じ仕様のランプを複数本点灯し、フリッカーが発生する前のランプの陰極とフリッカー発生後のランプの陰極とをX線光電子分光装置XPSによって分析した。この結果、前者のフリッカーが発生する前のランプの陰極先端部にはタングステンの炭化物が存在したが、後者のフリッカー発生後のランプの陰極先端部には存在しなかった。このことから発明者らは、炭素が陰極先端部へ輸送されてタングステンの炭化物が生成すると陰極先端面に凹凸ができないが、タングステンの炭化物が生成されなくなると陰極先端面に凹凸ができて、フリッカーの発生に至る、と推察した。つまりこのような現象についてまとめると、次のようになる。発光管内の水分と発光管内の炭素とが反応してCOが生成し、放電空間内の気相中を拡散して陰極先端部へ輸送される。更に詳細には、COが気中を拡散してアーク内に入ると、高温のために分解と電離が起こり、Cイオンがアーク中の電場によって陰極先端面へ輸送される。したがって、フリッカー寿命を改善するためには、COの生成が長時間にわたって維持されることが必要である。[参照例3]ランプ3参照例3は、長時間にわたる水の供給源として、内表面層のOH基濃度を高くした発光管を用いたランプとしたものである。ランプ3は、このOH基の濃度にかかる構成を除いて、他の構成はランプ2と同様にして製作した。ここで、発光管ガラス内表面にOH基濃度の高い層は、例えば以下のようにして形成することができる。すなわち、発光管を膨らませる発光管成形工程において、作業温度以上に加熱した石英ガラス管内に水蒸気を含む加圧気体を吹き入れることによって、発光管ガラス内表面にOH基濃度の高い層を形成することができる。加圧気体は、水中をくぐらせることによって水蒸気を含ませることができると共に、その水温を調節することによって加圧気体が含む水分量および発光管内表面層のOH基濃度を制御することができる。例えば、25°Cの水中をくぐらせた加圧気体窒素を用いて、2500°Cに加熱した石英ガラス管を膨らませると、約2分間で、約150μmの厚さの平均のOH基濃度を約100wt-ppmに高めた発光管内表面層を形成することができる。また、水温を80°Cとすると、他の加工条件は同じ場合、約150μmの厚さの平均のOH基濃度は約350wt-ppmとなる。このような手段により、約150μmの厚さの平均のOH基濃度を発光管のOH基濃度を100wt-ppmまで高めたものを製作した。仕様について詳細を先に示した図7の表に示す。しかしながら、このランプ3においても、フリッカー寿命の改善効果は僅かなものにとどまった。この理由は、COを生成するための水の供給は増加したものの、炭素量が不十分であったためと考えられる。[参照例4]そこで、発光管内の炭素の量を増やしたランプ4参照例4を製作した。なお、ランプ4参照例4においても、長時間にわたる水の供給源として、内表面層のOH基濃度を高くした発光管を用いた点はランプ3参照例3と同様である。ここで、炭素の量を増やすための方法としては種々検討されるが、本実施例では、陰極表面を炭化する面積を増やすことによった。発光管内部に存在する炭素の量、すなわち、陰極先端の炭化層陰極または陽極に配置される炭素の量は、例えば炭化層形成工程において、炭素を含む塗布剤の量、炭化層を形成する領域の面積、高温浸炭処理の温度などによって調節することができる。このランプ4の点灯試験を実施したところ、フリッカー寿命が470hに伸び、これまでにない改善が認められた。これは、十分な炭素量と発光管内表面から放出される水分によって、COの生成と陰極先端への炭素の供給が長時間にわたって維持されるようになったためと考えられる。更にランプ4を分析した結果、発光管内部に存在する炭素の量は、発光管の内容積1cm3に対して、2.4μmolであった。[参照例5]上記ランプ4参照例4のランプとは陰極への浸炭の量を更に増やしたことを除いて同様の構成の、ランプ5参照例5を、作製した。このランプ5を点灯したところ、フリッカー寿命は540hであり、更に使用寿命を伸ばすことができた。このランプ5における炭素の量を分析したところ、発光管の内容積1cm3に対して、3.0μmolであった。[参照例6]続いて、上記ランプ5参照例5のランプとは発光管内表面層のOH基濃度を更に増やしたことを除いて、同様の構成のランプ6参照例6を作製した。ランプ6の発光管内面のOH基濃度は350wt-ppmであった。図9に、ランプ6参照例6の陰極先端形状の変化の様子を示す。このランプ6のフリッカー寿命は650hであり、更に使用寿命を伸ばすことができた。このランプ6における炭素の量を分析したところ、発光管の内容積に対して0.54μmol/cm3であった。[参照例7]上記ランプ6参照例6のランプとは陰極への浸炭の量を更に増やしたことを除いて、同様の構成のランプ7参照例7を作製した。図10に、ランプ7参照例7のランプにおける陰極先端形状の変化の様子を示す。このランプ7のフリッカー寿命は910hであり、更に使用寿命を伸ばすことができた。このランプ6における炭素の量を分析したところ、発光管の内容積に対して5.2μmol/cm3であった。以上のランプ4~7参照例4、5、6、7について検討すると、炭素の量が多くなるほど、更にOH基濃度が高くなるほど、フリッカー寿命は長くなることが分かる。また、図8,9の比較から参照されるように、炭素量の多いランプ7参照例7の方が、陰極先端に凹凸の発生が遅くなっていることが分かる。ところで、上記ランプ1~ランプ7においては、標準的に、単体のタンタルからなるゲッターを備えたものであった。このタンタルゲッターは、ランプ中に水分が存在するとH2が生成して、ランプの始動性が悪くなることから、これを防止するために設けられるものである。しかしながら、タンタルゲッターは水素以外にもCO、O2も吸蔵するため、陰極先端へ炭素を供給する機能をも阻害することが考えられる。そこで、本発明者らは、タンタルのように単体でゲッターを構成するゲッター材を、水素透過率が高い気密容器内に封入して発光管内部に配置することを試みた。[実施例1]ランプ8実施例1は、ゲッター材としてのタンタルを気密容器に封入して構成した水素透過性を有するゲッターを発光管の内部に配置したキセノンショートアークランプである。なおゲッター以外の基本的仕様は上記ランプ6と同様であった。本実施形態に係るゲッター17においては、気密容器17Bとして両端が封止されたニッケルNi製の細長い管を用い、その内部にゲッター材としての粉末状のイットリウムYを封入して構成した。この気密容器を陽極軸部に固定して封止管部内部に配置した。なお、気密容器17Bを構成するニッケル管内部に封入したタンタルの量は、炭素に対するモル比に換算して22であった。ランプ8実施例1を評価したところ、フリッカー寿命を820hまでの伸ばすことができた。すなわち、ゲッターを除いてほぼ同仕様のランプ6と比較して170h長くなった。これは、ゲッター材が水素ガスH2を吸蔵して放電空間から水素を除去するため始動性が改善すると共に、更に、ゲッター材を酸化物に対して透過性が低い気密容器に封入したことで、ゲッター材に吸蔵されるCOが減少し、陰極先端への炭素の供給が確実に行われた結果、陰極先端形状の変形を長時間にわたって抑制することができたからと考えられる。しかも、ランプ8においては絶縁破壊電圧の上昇が抑制され、ゲッター材を露出した状態で発光管内に配置したランプ6やランプ7と比較して、始動性を良好に維持することができた。更に、本発明者らは、上記ランプ6参照例6と比較して、ゲッターの構成を変更し、その他は同じ仕様のランプ9実施例2を製作した。実施例2に係るゲッターにおいては、気密容器17Bとして両端が封止されたパラジウムPd製の細長い管を用い、その内部にゲッター材としての粉末状のタンタルを封入して構成した。なお、気密容器17Bを構成するパラジウム管内部に封入されたタンタルの炭素に対する量はモルに換算した比率で22であった。このランプ9実施例2のランプによれば、ランプ6と比較してフリッカー寿命が約130h長い780hであり、この例においても水素選択性ゲッターを用いることで寿命が改善することが確認された。さらには絶縁破壊電圧の上昇が抑制され、始動性に優れていることが確認された。なお、このランプ9における炭素の量を分析したところ、発光管の内容積に対して3.0μmol/cm3であった。以上の実施例に係るランプ8、9においては、ゲッター材としてイットリウム及びタンタルを用いたが、これに限定されず、ジルコニウムZr、ジルコニウム合金、チタンTiなど、他の物質を採用することもできる。また、気密容器としては、上述したニッケルNi、パラジウムPdのほかにも、鉄Fe、400系ステンレス、鉄ニッケル合金、ニッケル銅Cu合金など、水素透過性の物質を用いることも可能である。なお、気密容器を構成する物質としては、500°CにおけるH2の透過率が10-5ccN.T.P/cm2s以上であるものが望ましい。また、ゲッター材を気密容器に封入する構成にとどまらず、ゲッター材の表面全体にめっき層を施す形態とすることができる。ところで、以上の参照例及び実施例にかかるランプ1~ランプ9においては、炭素Cの供給源として、主に陰極の表面層に炭化層を形成することにより設けた。本発明者らは更に、陽極本体、陰極軸部、陽極軸部などの電極部等のランプ内部の金属部分に炭素の供給源を配置し、フリッカー寿命を伸ばせるかどうか検証したところ、いずれも形態によっても、陰極に炭化層を設けた場合と同様の効果が得られると確認した。そして、このような水素選択性を有するゲッターを取り付ける箇所については、図1で示した構成に限定されるものではないことは言うまでもない。本願発明にかかる水素選択性ゲッターは、これを構成する気密容器、めっき層およびゲッター材などの気体吸蔵特性と温度との関係を考慮した上で、発光管内の配置位置を適宜調節されればよいものであり、本明細書に記載した範囲にとどまるものではない。"