"光沢度が80~110であるSnめっき、Niめっき、Agめっき、Ag-Sn合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきが表面に施された熱伝導率が150~400W/mKである凸凹部を有する銅或いは銅合金異形断面板と、当該異形断面板の凹部の底面に形成されたカソードパターニング回路およびアノードパターニング回路と、前記凹部の底面に直接実装され前記カソードパターニング回路およびアノードパターニング回路の間に直列或いは並列に接続された複数個の発光素子と、当該複数個の発光素子を覆うように前記凹部内を封止する透明樹脂とから構成されたことを特徴とするバックライト用発光装置。前記凹部の側面の少なくとも下部の断面形状が、両側面どうしの間隔を上方に向かうにしたがって漸次広げるように、円弧曲線或いは放物線からなる凹状曲線に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のバックライト用発光装置。前記めっきの表面の算術平均粗さRaが0.03~0.09μmであり、最大高さRzが0.40~0.85μmであり、二乗平均平方根粗さRqと最大高さRzの比率Rq/Rzが0.10~0.25であることを特徴とする請求項1又は2に記載のバックライト用発光装置。戦記異形断面板の上に前記発光素子に被せるように配置され、熱伝導率が150~400W/mKである銅或いは銅合金製の天板を備え、前記天板は、前記複数個の発光素子の間隔に合わせて形成される各発光素子に対峙する複数の開口部が形成されており、少なくとも下面及び前記開口部の内周面に光沢度が80~110であるSnめっき、Niめっき、Agめっき、Ag-Sn合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきが施され、前記透明樹脂は、前記異形断面板と前記天板との間に形成された空間部に注入されることにより前記発光素子を樹脂封止する構成とされることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のバックライト用発光装置。請求項1から4のいずれか一項に記載のバックライト用発光装置が機器内のバックライト発光装置固定部に接着或いはビス止めにより直接固定されたことを特徴とする液晶を使用する電子或いは電気機器。上述の特許文献に開示されるバックライト装置は、放熱性及び耐久性が充分とは言えず、製造コストも安価ではなかった。本発明では、放熱性が良好で長期使用時の耐久性に優れた製造コストの安価なバックライト用発光装置を提供する。また、本発明は、光の指向性に優れ、対象となる表示部へ的確に光を照射することが出来るバックライト用発光装置を提供する。本発明者らは鋭意検討の結果、放熱性が良好で長期使用時の耐久性に優れた製造コストの安価なバックライト用発光装置を提供するには、次の事項が重要であることを見出した。1熱伝導率を向上させるには、LEDチップが直接搭載される基板として、熱伝導率が150W/mK以上である銅或いは銅合金板を使用する。2耐久性、特に樹脂封止される反射層の耐久性を向上させるには、反射層として、銅或いは銅合金板の表面に高耐久及び耐熱性で光沢度が80~110であるSnめっき、Niめっき、Agめっき、Ag-Sn合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきを施す。3構造を簡略化し製造コストを下げ表示部へ的確に光を照射するには、基板上に後から樹脂などにより反射部を形成するのではなく、銅或いは銅合金板の片側に凸凹を有する異形断面形状として反射部を一体成形し、その表面に光沢度が80~110であるSnめっき、Niめっき、Agめっき、Ag-Sn合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきを施し、凹部の底面に複数個の発光素子を直接的に搭載し、凹部の側面を反射部として使用し、その凹部内を透明樹脂で封止する必要がある。特に、凹部の側面の少なくとも下部の断面形状が、両側面どうしの間隔を上方に向かうにしたがって漸次広げるように、円弧曲線或いは放物線からなる凹状曲線により形成されていると、その凹状曲線によるパラボラ効果にて反射光の指向性が高まり、対象となる表示部へ的確に反射光を照射することが可能である。更に、施されためっきの表面の表面粗さとして、算術平均粗さRaが0.03~0.09μmであり、最大高さRzが0.40~0.85μmであり、二乗平均平方根粗さRqと最大高さRzの比率Rq/Rzが0.10~0.25であると、鏡面反射率が高まり反射光の直進性が増して、より効率良く対象となる表示部へ的確に光を照射することが可能となる。また、発光素子の間隔に合わせて形成した各発光素子に対峙する複数の開口部を有する熱伝導率が150W/mK以上である銅或いは銅合金製の天板を、異形断面板の上に樹脂封止がなされた発光素子に被せるように配置し、その開口部と天板の内面に、光沢度が80~110であるSnめっき、Niめっき、Agめっき、Ag-Sn合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきを施すことにより、対象となる表示部へ、より効率的に更に的確に光を照射することが可能となる。また、銅或いは銅合金異形断面板の裏側の平板部を電子機器部内のバックライト装置固定部に直接接着或いはビス留めしてバックライト用発光装置として使用することにより、取り扱いが非常に容易となる。即ち、本発明のバックライト用発光装置は、光沢度が80~110であるSnめっき、Niめっき、Agめっき、Ag-Sn合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきが表面に施された熱伝導率が150~400W/mKである凸凹部を有する銅或いは銅合金異形断面板と、当該異形断面板の凹部の底面に形成されたカソードパターニング回路およびアノードパターニング回路と、前記凹部の底面に直接実装され前記カソードパターニング回路およびアノードパターニング回路の間に直列或いは並列に接続された複数個の発光素子と、当該複数個の発光素子を覆うように前記凹部内を封止する透明樹脂とから構成されたことを特徴とする。本発明において、銅或いは銅合金断面条材の表面に施されるめっきは、耐熱性、樹脂に対する耐硫化性の観点から、Snめっき、Niめっき、Agめっき、Ag-Sn合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきであり、反射率の観点から、その光沢度は80~110である。光沢度が80未満では反射効果が不足し、110を超えると反射効果が飽和して無駄となる。めっきの厚みは0.2~3.0μmが好ましく、0.2μm未満では耐熱性、耐硫化性が不足し、3.0μmを超えると効果が飽和し、高価なAgを使用する場合はコスト的にも無駄となる。また、銅或いは銅合金断面条材の熱伝導率は、150W/mK未満では、効果が充分ではなく、400W/mKを超えると効果が飽和し、製造コストの観点から無駄である。更に、本発明の本発明のバックライト用発光装置は、前記凹部の側面の少なくとも下部の断面形状が、両側面どうしの間隔を上方に向かうにしたがって漸次広げるように、円弧曲線或いは放物線からなる凹状曲線により形成されていることを特徴とする。円弧曲線或いは放物線形状を有していることにより、パラボラ効果が生じて反射光の指向性が高まり、対象となる表示部へ的確に反射光を照射することが可能となる。更に、本発明のバックライト用発光装置は、前記めっきの表面の算術平均粗さRaが0.03~0.09μmであり、最大高さRzが0.40~0.85μmであり、二乗平均平方根粗さRqと最大高さRzの比率Rq/Rzが0.10~0.25であることを特徴とする。めっきの表面の算術平均粗さRa、最大高さRz、二乗平均平方根粗さRqと最大高さRzの比率Rq/Rzが、上記の範囲内であることにより、めっき表面部の鏡面反射率が高まり、反射光の直進性が増して、前記のパラボラ効果による反射光の指向性の高まりと相俟って、より効率良く対象となる表示部へ的確に光を照射することが可能となる。本発明では、表面に施されるめっきの種類により鏡面反射率は異なるが、鏡面反射率は55~85であり、Raが0.03μm未満、或いは、Rzが0.40μm未満、或いは、Rq/Rzが0.10未満では、効果が飽和して製造コスト的に無駄であり、Raが0.09μm、或いは、Rzが0.85μm、或いはRq/Rzが0.25を超えると、鏡面反射率が低下して直進性が低下する。本発明で意味する鏡面反射率とは、分光測色計を用いて、観察視野10°、波長範囲360~740nmの可視光領域について、全反射率と乱反射率を測定し、全反射率から乱反射率を差し引いた数値を鏡面反射率とした。更に、本発明のバックライト用発光装置は、前記異形断面板の上に前記発光素子に被せるように配置され、熱伝導率が150~400W/mKである銅或いは銅合金製の天板を備え、前記天板は、前記複数個の発光素子の間隔に合わせて形成される各発光素子に対峙する複数の開口部が形成されており、少なくとも下面及び前記開口部の内周面に光沢度が80~110以上であるSnめっき、Niめっき、Agめっき、Ag-Sn合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきが施され、前記透明樹脂は、前記異形断面板と前記天板との間に形成された空間部に注入されることにより前記発光素子を樹脂封止する構成とされることを特徴とする。対象となる表示部へより効率的に更に的確に光を照射するための光投射口を有する従来のこの種の天板は、樹脂製であることが多く、耐久性および熱伝導性に問題があった。天板を熱伝導率が150W/mK以上である銅或いは銅合金とすることにより、耐久性及び熱伝導性を改良することができ、更には、かしめ等の接続手段により、異形断面板と容易に接続することが可能となる。更に、本発明の液晶を使用する電子或いは電気機器は、本発明のバックライト用発光装置が機器内のバックライト発光装置固定部に接着或いはビス止めにより直接固定されたことを特徴とする。本発明のバックライト用発光装置は、銅或いは銅合金異形断面板の裏側が平板部であり、液晶を使用する電子或いは電気機器部内のバックライト装置固定部に、この平板部を直接的に接着或いはビス留めすることにより、複雑な取り付け機構なしに簡単に取り付けることが出来る。本発明により、放熱性が良好で長期使用時の耐久性に優れ、また、光の指向性に優れ、対象となる表示部へ的確に光を照射できる製造コストの安価なバックライト用発光装置を提供することができる。図1を参照に本発明の第1実施形態のバックライト用発光装置を説明する。第1実施形態のバックライト用発光装置1は、光沢度が80~110であるSnめっき、Niめっき、Agめっき、Ag-Sn合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきが表面に施された熱伝導率が150~400W/mKである凸凹部を有する銅或いは銅合金異形断面板2と、銅或いは銅合金異形断面板2の凹部3の底面に直接実装COBされた複数個の発光素子4,4a,4bと、凹部3の内底面に形成されたカソードパターニング回路5bおよびアノードパターニング回路5aと、複数個の発光素子4,4a、4b間を直列接続する配線6と、直列接続された複数個の発光素子の先頭の素子4aをアノードパターニング回路5aに接続する配線7aおよび末端の素子4bをカソードパターニング5b回路に接続する配線7bと、複数個の発光素子4,4a,4bを覆うように凹部3内を封止する透明樹脂8とから構成される。カソードパターニング回路5bおよびアノードパターニング回路5aは、図示されていない電源と接続されている。銅或いは銅合金異形断面板2の素材となる銅或いは銅合金は、放熱性の観点から、熱伝導率が150~400W/mKであり、耐熱性、耐久性、放熱性のバランスの観点より、特にFe;1.5~2.6質量、P;0.008~0.15質量及びZn;0.01~0.5質量を含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる組成を有していることが好ましく、また、強度を向上させるために、本組成に加えNi;0.003~0.5質量及び又はSn;0.003~0.5質量を含有しても良い。銅或いは銅合金異形断面板2の表面に施されているSnめっき、Niめっき、Agめっき、Ag-Sn合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきは、耐熱性、樹脂に対する耐硫化性の観点から、厚みが0.2~3.0μmあり、反射率の観点から、その光沢度は80~110である。光沢度が80未満では反射効果が不足し、110を超えると反射効果が飽和して無駄となる。めっきの厚みが0.2μm未満では耐熱性、耐硫化性が不足し、3.0μmを超えると効果が飽和しコスト的に無駄となる。また、めっきは、反射率、耐熱性を重視すると、Ag-Sn合金めっきであることが特に好ましく、コスト、耐久性、耐熱性を考慮すると、下地層を有する2層或いは3層のめっきとすることが好ましい。次に、下地層を有するAg-Sn合金めっきを使用したバックライト用発光装置1につき説明する。銅或いは銅合金平板を圧延により厚肉部と薄肉部とが幅方向に並んだ異形断面板を作製して焼鈍し、仕上げ圧延して所定形状に成形した異形断面板2の表面に、3層めっきの場合は、Niめっき、Cuめっき、Snめっきを順に施し、これらをリフロー処理した後に、電気化学還元法にて表面の酸化膜を除去し、その表面にシアン系化合物を使用したAgストライクめっき法にてAg-Sn合金めっきを施す。下地層を2層めっきとする場合は、Niめっきは不要である。この場合、電気化学還元法にて弱アルカリ電解液中でSnめっき層の酸化膜を還元して完全に除去することにより、Snめっき層のSn金属面を露出させ、次のAgめっきを密着させることができる。また、Agめっきを施した後に合金化処理を施すことにより、AgとSnとの相互拡散を確実にすることができる。Agストライクめっきの条件は、表1に示す通りである。ここで、シアン化銀カリウムの濃度は1g/L未満であると、Snめっき層に対して所望の面積被覆率が得られず、また8g/Lを超えると、Agめっき表面が粗くなるので、1~8g/Lが好ましい。Agストライクめっき後の合金化処理条件は、表2に示す通りである。この合金化処理により、表面のAgとその下のSnとが相互拡散して合金化し、表面にAg3Sn合金層が形成される。また、封止に使用する樹脂の硫化に対する耐久性を増す為に、Ag3Sn合金層の表面に5~20nmの透明な酸化錫皮膜を形成することが好ましい。以上のようなめっき方法により、Niめっき層とCu-Sn合金層とAg-Sn合金めっき層を有する銅或いは銅合金異形断面板2が完成され、最表面のAg-Sn合金めっき層は、表面の光沢度が80~110とされる。これにより銅或いは銅合金異形断面板2の凹部3の側面11は、耐久性及び耐熱性を有する良好な反射板として作用し、優れたバックライト装置を形成する。また、銅或いは銅合金異形断面板2の裏面9、外部側面10、凸部上面12には、この様なめっきが施されていなくても良い。このAg-Sn合金めっきが表面に施された銅合金異形断面板2の凹部3の底面には、複数個の発光素子4,4a,4bが直接実装される。この場合、発光素子4,4a,4bの凹部3の底面と接する面にAu-Snはんだを蒸着し、押圧しながら240~310°Cの温度で加熱することにより、Ag-Sn合金めっき層との間で3元系のAu-Ag-Sn合金層が形成され、発光素子4が強固に実装される。ボイド等の欠陥がなく高い接合強度となるAu-Ag-Sn合金層を得るために、240°C以上の加熱温度とするのが好ましい。加熱温度が310°Cを超えても、接合強度のそれ以上の向上は期待できないとともに、熱応力が大きくなるので好ましくない。アノードパターニング回路5a及びカソードパターニング回路5bは、絶縁性接着テープまたは接着樹脂にて、Ag-Sn合金めっきが表面に施された銅或いは銅合金異形断面板2の凹部3の底面に接着される。また。耐久性、耐熱性の観点から、アノードパターニング回路5a及びカソードパターニング回路5bは、Ag或いはAg-Sn合金めっきが表面に施された銅ストリップ上に形成されることが好ましい。複数個の発光素子4,4a,4bの間は配線金ワイヤー6で直列接続され、末端部の発光素子4a,4bは各パターニング回路5a、5bに配線7a,7b金ワイヤーで接続される。パターニング回路5a、5bは、図示しない配線により電源に接続される。更に、凹部3内は複数個の発光素子4,4a,4bを覆うように透明樹脂8で封止される。透明樹脂8の材質は特に限定されないが、透明性、耐久性、耐熱性などを考慮するとシリコーン樹脂であることが好ましい。この様な本発明のバックライト用発光装置1は、裏面9の平面部を電子機器部内のバックライト装置固定部図示しないに、接着剤により直接接合、或いは、両端に形成したビス止め穴13を介して直接接合して使用される。次に、図2及び図3を参照に本発明の第2実施形態のバックライト用発光装置を説明する。図2及び図3のバックライト用発光装置21は、光沢度が80~110であるSnめっき、Niめっき、Agめっき、Ag-Sn合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきが表面に施された熱伝導率が150~400W/mKである凸凹部を有し、その凹部22の側面23の少なくとも下部は断面形状が、両側面23どうしの間隔を上方に向かうにしたがって漸次広げるように、円弧曲線或いは放物線からなる凹状曲線24を有している銅或いは銅合金異形断面板25と、銅或いは銅合金異形断面板25の凹部22の底面に直接実装COBされた複数個の発光素子26,26a,26bと、凹部22の内底面に形成されたカソードパターニング回路27bおよびアノードパターニング回路27aと、複数個の発光素子26,26a、26b間を直列接続する配線28と、直列接続された複数個の発光素子の先頭の素子26aをアノードパターニング回路27aに接続する配線29aおよび末端の素子26bをカソードパターニング27b回路に接続する配線29bと、複数個の発光素子26,26a,26bを覆うようにパラボラ形状を有している凹部22内を封止する透明樹脂30とから構成される。カソードパターニング回路27bおよびアノードパターニング回路27aは、図示されていない電源と接続されている。図3では、凹部22の側面23の断面下部における凹状曲線24が、凹部22の底面から側面23の下部にかけて単一の曲率半径Rの円弧曲線である例として図示している。銅或いは銅合金異形断面板25の素材となる銅或いは銅合金は、放熱性の観点から、熱伝導率が150~400W/mKであり、耐熱性、耐久性、放熱性のバランスの観点より、特にFe;1.5~2.6質量、P;0.008~0.15質量及びZn;0.01~0.5質量を含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる組成を有していることが好ましく、また、強度を向上させるために、本組成に加えNi;0.003~0.5質量及び又はSn;0.003~0.5質量を含有しても良い。銅或いは銅合金異形断面板25の表面に施されているSnめっき、Niめっき、Agめっき、Ag-Sn合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきは、耐熱性、樹脂に対する耐硫化性の観点から、厚みが0.2~3.0μmあり、反射率の観点から、その光沢度は80~110である。光沢度が80未満では反射効果が不足し、110を超えると反射効果が飽和して無駄となる。めっきの厚みが0.2μm未満では耐熱性、耐硫化性が不足し、3.0μmを超えると効果が飽和しコスト的に無駄となる。また、めっきの表面の算術平均粗さRaが0.03~0.09μmであり、最大高さRzが0.40~0.85μmであり、二乗平均平方根粗さRqと最大高さRzの比率Rq/Rzが0.10~0.25である。めっきの表面の算術平均粗さRa、最大高さRz、二乗平均平方根粗さRqと最大高さRzの比率Rq/Rzが、上記の範囲内であることにより、めっき表面部の鏡面反射率が高まり、反射光の直進性が増して、前記のパラボラ効果による反射光の指向性の高まりと相俟って、より効率良く対象となる表示部へ的確に光を照射することが可能となる。本発明では、表面に施されるめっきの種類により鏡面反射率は異なるが、鏡面反射率は55~85が好ましい。Raが0.03μm未満、或いは、Rzが0.40μm未満、或いはRq/Rzが0.10未満では、効果が飽和して製造コスト的に無駄であり、Raが0.09μm、或いは、Rzが0.85μm、或いはRq/Rzが0.25を超えると、鏡面反射率が低下して直進性が低下する。また、めっきは、反射率、耐熱性を重視すると、Ag-Sn合金めっきであることが特に好ましく、コスト、耐久性、耐熱性を考慮すると、下地層を有する2層或いは3層のめっきとすることが好ましい。次に、下地層を有するAg-Sn合金めっきを使用したバックライト用発光装置21につき説明する。銅或いは銅合金平板を圧延により厚肉部と薄肉部とが幅方向に並んだ異形断面板を作製して焼鈍し、仕上げ圧延し、更に凹部22の側面23の少なくとも下部の断面形状が凹部22の両側面23どうしの間隔を上方に向かうにしたがって漸次広げるように凹状曲線24を有する所定形状に加工成形する。この異形断面板25の表面に、3層めっきの場合は、Niめっき、Cuめっき、Snめっきを順に施し、これらをリフロー処理した後に、電気化学還元法にて表面の酸化膜を除去し、その表面にシアン系化合物を使用したAgストライクめっき法にて、めっきの表面の表面粗さ算術平均粗さRaが0.03~0.09μmであり、最大高さRzが0.40~0.85μmであり、二乗平均平方根粗さRqと最大高さRzの比率Rq/Rzが0.10~0.25であるAg-Sn合金めっきを施した。下地層を2層めっきとする場合は、Niめっきは不要である。この場合、電気化学還元法にて弱アルカリ電解液中でSnめっき層の酸化膜を還元して完全に除去することにより、Snめっき層のSn金属面を露出させ、次のAgめっきを密着させることができる。また、Agめっきを施した後に合金化処理を施すことにより、AgとSnとの相互拡散を確実にすることができる。Agストライクめっきの条件は、表3に示す通りである。ここで、シアン化銀カリウムの濃度は1g/L未満であると、Snめっき層に対して所望の面積被覆率が得られず、また5g/Lを超えると、Agめっき表面が粗くなるので、1~5g/Lが好ましい。Agストライクめっき後の合金化処理条件は、表4に示す通りである。この合金化処理により、表面のAgとその下のSnとが相互拡散して合金化し、表面にAg3Sn合金層が形成される。また、封止に使用する樹脂の硫化に対する耐久性を増す為に、Ag3Sn合金層の表面に5~20nmの透明な酸化錫皮膜を形成することが好ましい。以上のようなめっき方法により、Niめっき層とCu-Sn合金層とAg-Sn合金めっき層を有し、その凹部22の内部側面23の少なくとも下部の断面形状が両側面23どうしの間隔を上方に向かうにしたがって漸次広げるように、放物線の凹状曲線24から構成されるパラボラ形状を有している銅或いは銅合金異形断面板25が完成され、最表面のAg-Sn合金めっき層は、表面の光沢度が80~110であり、表面の算術平均粗さRaが0.03~0.09μmであり、最大高さRzが0.40~0.85μmであり、二乗平均平方根粗さRqと最大高さRzの比率Rq/Rzが0.10~0.25である。これにより、銅或いは銅合金異形断面板25の凹部22の内部側面23は、耐久性及び耐熱性を有し、光の指向性に優れ対象となる表示部へ的確に光を照射することが可能な反射板として作用し、優れたバックライト装置を形成する。また、銅或いは銅合金異形断面板25の裏面31、外部側面32、凸部上面33には、この様なめっきが施されていなくても良い。このAg-Sn合金めっきが表面に施された銅合金異形断面板25の凹部22の平坦な底面には、複数個の発光素子26,26a,26bが直接実装される。この場合、発光素子26,26a,26bの凹部22の底面と接する面にAu-Snはんだを蒸着し、押圧しながら240~310°Cの温度で加熱することにより、Ag-Sn合金めっき層との間で3元系のAu-Ag-Sn合金層が形成され、発光素子26,26a,26bが強固に実装される。ボイド等の欠陥がなく高い接合強度となるAu-Ag-Sn合金層を得るために、240°C以上の加熱温度とするのが好ましい。加熱温度が310°Cを超えても、接合強度のそれ以上の向上は期待できないとともに、熱応力が大きくなるので好ましくない。アノードパターニング回路27a及びカソードパターニング回路27bは、絶縁性接着テープまたは接着樹脂にて、Ag-Sn合金めっきが表面に施された銅或いは銅合金異形断面板25の凹部22の底面に接着される。また。耐久性、耐熱性の観点から、アノードパターニング回路27a及びカソードパターニング回路27bは、Ag或いはAg-Sn合金めっきが表面に施された銅ストリップ上に形成されることが好ましい。複数個の発光素子26,26a,26bの間は配線金ワイヤー28で直列接続され、末端部の発光素子26a,26bは各パターニング回路27a、27bに配線29a,29b金ワイヤーで接続される。パターニング回路27a、27bは、図示しない配線により電源に接続される。更に、凹部22内は複数個の発光素子26,26a,26bを覆うように透明樹脂30で封止される。透明樹脂30の材質は特に限定されないが、透明性、耐久性、耐熱性などを考慮するとシリコーン樹脂であることが好ましい。この様な本発明のバックライト用発光装置21は、裏面31の平面部を電子機器部内のバックライト装置固定部図示しないに、接着剤により直接接合、或いは、両端に形成したビス止め穴34を介して直接接合して使用される。上述の第1及び第2実施形態では、複数の発光素子を直列に接続したものとして示したが、図4に示す第3実施形態のように発光素子を並列に接続してもよい。この第3実施形態のバックライト用発光装置41では、銅或いは銅合金からなる異形断面板は第2実施形態のものと同じであり、この異形断面板及びその他の図2と共通部分には同一符号を付して説明を省略する。アノードパターニング回路42a及びカソードパターニング回路42bが異形断面板25の凹部22の底面に、凹部22の長さ方向に沿って平行に延びており、これらアノードパターニング回路42a及びカソードパターニング回路42bの間に配置するように複数の発光素子43が凹部22の底面上に直接実装され、各発光素子43がアノードパターニング回路42a及びカソードパターニング回路42bに配線44によりそれぞれ接続されることにより、アノードパターニング回路42a及びカソードパターニング回路42bの間に発光素子43が並列に接続された状態とされている。なお、これら第2実施形態及び第3実施形態において、その異形断面板は、凹部の内部側面の下部のみ断面が凹状曲線となるように形成しているが、内部側面の全体の断面が凹状曲線となるように形成してもよい。次に、図5から図8を参照に、本発明の第4~第6実施形態のバックライト用発光装置を説明する。図5及び図6に示す第4実施形態のバックライト用発光装置51は、上記の第1実施形態の異形断面板2と同様の銅或いは銅合金からなる異形断面板52と、この異形断面板52に直接実装された複数個の発光素子53に被せるように、配置された銅或いは銅合金製の天板54とを備えている。なお、図1に示す第1実施形態のバックライト用発光装置1と共通部分には同一符号を付して説明を省略する。天板54は、実装される複数個の発光素子53の間隔に合わせて、それら発光素子53に対峙する複数の開口部55が形成され、その開口部55の内周面は、天板54の厚み方向に平行に形成されている。天板54も、異形断面板52と同じ材料により構成されており、銅或いは銅合金板により形成され、放熱性の観点から、熱伝導率が150~400W/mKであり、耐熱性、耐久性、放熱性のバランスの観点より、特にFe;1.5~2.6質量、P;0.008~0.15質量、Zn;0.01~0.5質量を含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる組成を有していることが好ましい。また、強度を向上させるために、本組成に加え、Ni;0.003~0.5質量及びSn;0.003~0.5質量のいずれか一方もしくは両方を含有させてもよい。また、天板54の透明樹脂8が注入される部分透明樹脂8と接触する部分の表面に、Snめっき、Niめっき、Agめっき、Ag-Sn合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきが施されており、図5及び図6に示すバックライト用発光装置51では、異形断面板52の凹部3の表面底面、内部側面11、天板54の下面及び開口部55の内周面に、めっきが施されている。なお、異形断面板52の裏面9、側面、凸部上面12、天板54の上面、外部側面には、このようなめっきが施されていなくてもよい。天板54は、異形断面板52の凹部3内に設けられた複数個の発光素子53に被せられるように異形断面板52の凸部上面12に配置される。そして、異形断面板52及び天板54は、これら両外部側面に設けられたカシメ形状部56でかしめられて、接合されている。異形断面板52と天板54との間に形成された空間部には、透明樹脂8が注入されており、発光素子53が樹脂封止されている。このように、異形断面板52の上に天板54を設けることで、さらに耐熱性、耐久性、放熱性を向上させることができる。また、天板54の開口部55の内周面にもめっきを施すことにより高光沢度に形成しており、発光素子53から出射した光を開口部55の内周面で反射させて指向性を付与することができる。図7は、本発明の第5実施形態のバックライト用発光装置を示している。第4実施形態のバックライト用発光装置51においては、天板54に形成された開口部55の内周面を、天板54の厚み方向に平行に構成したが、図7に示す第5実施形態のバックライト用発光装置61のように、開口部65の内周面が、天板64の内面から該面に向かうにしたがって拡径する120度以内の拡がり角度を有するテーパ状に形成することにより、光の指向性を高めた充分な光が得られる。図8は、本発明の第6実施形態のバックライト用発光装置を示している。第6実施形態のバックライト用発光装置71は、異形断面板72及び天板74の両方を、凹部を設けて構成している。つまり、天板74も異形断面板によって形成している。これらの凹部72a,74aで形成される空間部に発光素子53を収納することができ、天板74の発光素子53と対峙する箇所に開口部75が形成される。第4~第6実施形態のその他の構成は、第1実施形態のものと同じであり、共通部分に同一符号を付して説明を省略する。三菱伸銅株の商品名、C151-ESHCu;99.82質量以上、Zr0.05~0.15質量、残部が不可避不純物、TAMAC194Cu;97質量以上、Fe;2.1~2.6質量、P;0.015~0.15質量、Zn;0.05~0.20質量、残部が不可避不純物の2種類の銅合金平板を使用し、圧延により厚肉部と薄肉部とが幅方向に並んだ異形断面板を作製して焼鈍後、更に仕上げ圧延して、図1に示す諸寸法が、長さL;10mm、全体幅W;5mm、凹部底面の幅W1;2.5mm、全体高さH;1.5mm、凹部底面までの高さH1;0.7mm、凹部の底面と内部側面との角度θ;75°である各異形断面板を作製した。次に、この異形断面板の表面を洗浄後、Cuめっき、Snめっきを順に施し、加熱してリフロー処理することにより、Cu-Sn合金層、その上層にSnめっき層が形成された2層めっき異形断面板を作製し、更に、そのSnめっき表面を、電気化学還元法にて、電解液中でSnめっき層の酸化膜を除去し、表1に示す条件にて、膜厚を変化させてAgストライクめっきを施し、表2に示す条件にて、ベンゾチアゾール化合物を含む水溶液中にて合金化及び変色防止処理を施し、表5及び表6に示すめっき厚と光沢度を有するAg-Sn合金層を表面に有する各異形断面板を作製した。次に、このAg-Sn合金めっきが施された異形断面板の凹部の底面上に、CREE社製のLEDチップ縦0.9mm×横0.9mm×高さ200μmで底面に接合の為のAu-Snはんだが蒸着されている3個を6mm間隔で直列配置し、押圧しながら240~310°Cの温度で加熱し、凹部の底面と直接接合した。次に、Ag-Sn合金めっきが施された異形断面板の凹部のLEDチップが接合されていない底面上に、カソード及びアノードパターニング回路表面がメッキ処理された銅ストリップを絶縁性接着テープにて貼り付け、直列配置された両端のLEDチップの電極とカソードおよびアノードパターニング回路を金ワイヤーにてボンディングした。各LEDチップ間も金ワイヤーにてボンディングした。次に、このLEDチップが直接搭載された凹部内を完全に覆うように信越化学株社製のシリコーン樹脂にて封止して硬化させ、表5及び表6の実施例1~6、比較例1~4実施例11~16、比較例11~14に示すバックライト用発光装置を作製した。この様に作製されたバックライト用発光装置のカソードパターニング回路およびアノードパターニング回路に通電し、放熱性及び耐久性を測定した。測定結果を表5及び表6に示す。放熱性は、発光装置をバックライトの筐体を模したアルミ板縦200mm、横65mm、厚さ0.8mmに接着樹脂にて貼り付け、1000時間通電した後、素子1個当りに電圧3.3V、電流350mAを負荷し発光させ、素子温度ジャンクション温度Tjを赤外線サーモグラフィNEC三栄社製TH9100にて測定した。耐久性は、加速試験を実施し、85°C/85RHの雰囲気中で1000時間通電した後の輝度を測定し、初期輝度に対する輝度の低下率を算出した。輝度は輝度計コニカミノルタセンシング社製CS-100Aにて測定した。表5及び表6の結果より、本発明のバックライト用発光装置は、放熱性が良好で長期使用時の耐久性、特に、樹脂封止された反射層の耐久性に優れ、輝度が低下し難いことがわかる。三菱伸銅株の商品名、C151-ESHCu;99.82質量以上、Zr0.05~0.15質量、残部が不可避不純物、TAMAC194Cu;97質量以上、Fe;2.1~2.6質量、P;0.015~0.15質量、Zn;0.05~0.20質量、残部が不可避不純物の2種類の銅合金平板を使用し、圧延により厚肉部と薄肉部とが幅方向に並んだ異形断面板を作製して焼鈍後、仕上げ圧延し、更に凹部内に曲面加工を施し、図2に示す諸寸法が、長さL;10mm、全体幅W;5mm、凹部底面の幅W1;2.5mm、全体高さH;1.5mm、凹部底面までの高さH1;0.7mm、凹部の底面と内部側面との角度θ;75°、凹状曲線が単一の曲率半径2.5mmである異形断面板を作製した。次に、この異形断面板の表面を洗浄後、Cuめっき、Snめっきを順に施し、加熱してリフロー処理することにより、Cu-Sn合金層、その上層にSnめっき層が形成された2層めっき異形断面板を作製し、更に、そのSnめっき表面を、電気化学還元法にて、電解液中でSnめっき層の酸化膜を除去し、表3に示す条件にて、膜厚を変化させてAgストライクめっきを施し、表4に示す条件にて、ベンゾチアゾール化合物を含む水溶液中にて合金化及び変色防止処理を施し、表7及び表8に示す算術平均粗さRa、最大高さRz、二乗平均平方根粗さRqと最大高さRzの比率Rq/Rz、めっき厚、光沢度、鏡面反射率を有するAg-Sn合金層を表面に有する各異形断面板を作製した。算術平均粗さRa、最大高さRz、二乗平均平方根粗さRqは、レーザー顕微鏡オリンパス社製OLS300を用いて測定した。光沢度は、堀場製作所株のハンディ光沢計:グロスチェッカIG302を使用して測定した。鏡面反射率は、分光測色計Minolta-CM-2500dを用いて、観察視野10°、波長範囲360~740nmの可視光領域について、全反射率と乱反射率を測定し、全反射率から乱反射率を差し引いた値を鏡面反射率とした。次に、このAg-Sn合金めっきが施された異形断面板の凹部の平底面上に、CREE社製のLEDチップ縦0.9mm×横0.9mm×高さ200μmで底面に接合の為のAu-Snはんだが蒸着されている3個を6mm間隔で直列配置し、押圧しながら240~310°Cの温度で加熱し、凹部の底面と直接接合した。次に、Ag-Sn合金めっきが施された異形断面板の凹部のLEDチップが接合されていない平底面上に、カソード及びアノードパターニング回路表面がメッキ処理された銅ストリップを絶縁性接着テープにて貼り付け、直列配置された両端のLEDチップの電極とカソードおよびアノードパターニング回路を金ワイヤーにてボンディングした。各LEDチップ間も金ワイヤーにてボンディングした。次に、このLEDチップが直接搭載された凹部内を完全に覆うように信越化学株社製のシリコーン樹脂にて封止して硬化させ、実施例21~26、比較例21~24、及び実施例31~36比較例31~34に示すバックライト用発光装置を作製した。この様に作製されたバックライト用発光装置のカソードパターニング回路およびアノードパターニング回路に通電し、放熱性及び耐久性を測定した。測定結果を表7、表8に示す。放熱性は、発光装置をバックライトの筐体を模したアルミ板縦200mm、横65mm、厚さ0.8mmに接着樹脂にて貼り付け、1000時間通電した後、素子1個当りに電圧3.3V、電流350mAを負荷し発光させ、素子温度ジャンクション温度Tjを赤外線サーモグラフィNEC三栄社製TH9100にて測定した。耐久性は、加速試験を実施し、85°C/85RHの雰囲気中で1000時間通電した後の輝度を測定し、初期輝度に対する輝度の低下率を算出した。輝度は輝度計コニカミノルタセンシング社製CS-100Aにて測定した。表7及び表8の結果より、本発明のバックライト用発光装置は、放熱性が良好で長期使用時の耐久性、特に、樹脂封止された反射層の耐久性に優れ、輝度が低下し難く、鏡面反射率が高いことがわかる。更に、この実施例の21~26、31~36のバックライト用発光装置は、[実施例1]の実施例1~6、11~16のバックライト用発光装置に比べ、1.3~1.8倍の輝度にて、目的とする表示部へ的確に光を照射することが出来た。更に、上記の実施例21~26、31~36のバックライト用発光装置の異形断面板の上に天板を設けて放熱性及び耐熱性を測定した。天板は、異形断面板と同様に、三菱伸銅株の商品名、C151-ESHCu;99.82質量以上、Zr;0.05~0.15質量、残部が不可避不純物、TAMAC194Cu;97質量以上、Fe;2.1~2.6質量、P;0.015~0.15質量、Zn;0.05~0.20質量、残部が不可避不純物の2種類の銅合金平板を使用し、表9及び表10に示す表面粗さの各天板を作製した。また、天板は圧延した平板を用いて作製し、焼鈍後にさらに仕上げ圧延して作製した。天板の厚さは1.0mm、開口部の直径は0.8mmとした。この天板の表面を洗浄後、Cuめっき、Snめっきを順に施し、加熱してリフロー処理することにより、Cu-Sn合金層、その上層にSnめっき層が形成された2層めっき銅合金板を作製した。さらに、そのSnめっき表面を、電気化学還元法にて電解液中でSnめっき層の酸化膜を除去し、表3に示す条件にて膜厚を変化させてAgストライクめっきを施し、表4に示す条件にて、ベンゾチアゾール化合物を含む水溶液中にて合金化及び変色防止処理を施し、対応する異形断面板と同様のめっき厚と光沢度を有するAg-Sn合金層を表面に有する天板を作製した。異形断面板上のLEDチップに被せるように天板を配置し、異形断面板と天板との間の空間部を完全に覆うように信越化学株社製のシリコーン樹脂にて封止して硬化させ、バックライト用発光装置を作製した。この天板を設けたバックライト用発光装置は、実施例21~26、31~36のバックライト用発光装置に比べ、2.0~2.5倍の輝度にて、目的とする表示部へ的確に光を照射することが出来た。また、本発明のバックライト装置は構造が簡略化されているので製造コストが安価であり、電子機器部内のバックライト装置固定部に直接接着或いはビス留めして簡単に使用することができる。以上、本発明の実施形態の製造方法について説明したが、本発明はこの記載に限定されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。"