FZ法による単結晶製造装置に具備される誘導加熱コイルの両コイル端部を互いに分離するスリットに挿入され、該スリットにおいて生じる放電を防止するための絶縁部材であって、少なくとも、該絶縁部材の、前記スリットに挿入された際に前記コイル端部と対向する表面上に、1以上の溝が形成されたものであることを特徴とする絶縁部材。前記絶縁部材は、石英ガラスからなるものであることを特徴とする請求項1に記載の絶縁部材。前記溝は、前記絶縁部材が前記スリットに挿入された際に前記コイル端部と対向する両表面上において、それぞれ異なる高さ位置に交互に形成されるか、または同じ高さ位置に形成されるか、もしくはどちらか片側の表面上のみに形成されるものであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の絶縁部材。FZ法による単結晶製造装置であって、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の絶縁部材がスリットに挿入された誘導加熱コイルを有するものであることを特徴とする単結晶製造装置。FZ法による単結晶製造方法であって、請求項4に記載の単結晶製造装置を用いて単結晶を製造することを特徴とする単結晶製造方法。誘導加熱コイルのスリット間での放電は、絶縁部材を挿入した場合、絶縁部材内部を絶縁破壊して起こるものではなく、電圧の高い片側のコイル端部から、絶縁部材表面に沿って電流が流れ、もう片方のコイル端部に到達する事によって起こる沿面放電である。従って絶縁部材の、誘導加熱コイルの下面からはみ出す長さが長い程、放電防止に効果がある。しかし、誘導加熱コイルの下面には浮遊帯域が存在するため、誘導加熱コイルの下面から絶縁部材がはみ出す長さは、この浮遊帯域の位置によって制限される。近年、単結晶の大口径化の要求は益々強くなってきている。そのため、FZ法においても製造する単結晶の大口径化が進んでいる。ところが、FZ法により直径150mm以上、特には、直径200mm以上の大口径の単結晶を製造しようとする場合、スリット間電圧が高く、例えば直径200mmの単結晶の育成では、消費電力が160kWを超えるような高い電力が必要となる場合がある。このような場合に、図2に示すような従来の放電対策を採用しても、誘導加熱コイルの下面から絶縁部材がはみ出す長さを、スリット間での放電を防止できる程長くする事ができないため、放電がさけられず、高品質の単結晶を安定して製造することが出来なかった。本発明はこのような問題に鑑みてなされたもので、FZ法により大口径の単結晶を製造する場合であっても、誘導加熱コイルのスリットにおいて生じる放電を効果的に防止できる絶縁部材及び該絶縁部材がスリットに挿入された誘導加熱コイルを有し、高い単結晶化率で安定して高品質の単結晶を製造することのできる単結晶製造装置並びに該単結晶製造装置を用いた単結晶製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、FZ法による単結晶製造装置に具備される誘導加熱コイルの両コイル端部を互いに分離するスリットに挿入され、該スリットにおいて生じる放電を防止するための絶縁部材であって、少なくとも、該絶縁部材の、前記スリットに挿入された際に前記コイル端部と対向する表面上に、1以上の溝が形成されたものであることを特徴とする絶縁部材を提供する。このようなものであれば、誘導加熱コイルのスリットにおいて生じる放電は沿面放電であるため、絶縁部材の表面に沿って流れる電流が、一方のコイル端部からもう一方のコイル端部に到達するまでの距離以下、絶縁距離ということもあるを長くすることができ、これによって効果的に放電を防止することができる。また、絶縁部材自体の長さを長くする必要もないため、絶縁部材が浮遊帯域に近づきすぎる事に起因する放電、若しくは浮遊帯域に接触する事による有転位化又は不純物汚染等も防止することができる。さらに、従来までの絶縁部材に溝を設けるだけで良いため、容易に且つ安価に構成することができ、且つ上記のような効果を得ることができる。またこのとき、前記絶縁部材は、石英ガラスからなるものであることが好ましい。石英ガラスは絶縁性及び耐熱性に優れ、また純度の高いものを容易に入手することができるため、本発明の絶縁部材の材質として特に有効である。またこのとき、前記溝は、前記絶縁部材が前記スリットに挿入された際に前記コイル端部と対向する両表面上において、それぞれ異なる高さ位置に交互に形成されるか、または同じ高さ位置に形成されるか、もしくはどちらか片側の表面上のみに形成されるものとすることができる。このように溝を形成することにより、簡単な構成でより効果的に誘導加熱コイルのスリットにおいて生じる放電を防止することができる。また、スリット幅が狭く、両表面上に十分な大きさの溝を形成できない場合は、片側の表面上のみに形成することもでき、本発明の効果を得ることができる。また本発明は、FZ法による単結晶製造装置であって、本発明の絶縁部材がスリットに挿入された誘導加熱コイルを有するものであることを特徴とする単結晶製造装置を提供する。また本発明は、FZ法による単結晶製造方法であって、本発明の単結晶製造装置を用いて単結晶を製造することを特徴とする単結晶製造方法を提供する。このような単結晶製造装置及び製造方法であれば、誘導加熱コイルのスリットにおける放電によって単結晶の無転位化を阻害されることなく、また絶縁物質が浮遊帯域に近づきすぎる事に起因する放電、若しくは浮遊帯域に接触する事による単結晶の有転位化又は不純物汚染を防止しながら、大口径且つ高品質の単結晶を安定して製造することができる。以上説明したように、本発明によれば、誘導加熱コイルのスリットにおいて生じる放電を効果的に防止することができる。また、絶縁部材が、浮遊帯域に近づきすぎる事に起因する放電、若しくは浮遊帯域に接触する事による単結晶の有転位化又は不純物汚染も防止することができる。さらに、従来までの絶縁部材に溝を設けるだけで良いため、容易に且つ安価に構成して上記のような効果を得ることができる。また、このような絶縁物質がスリットに挿入された誘導加熱コイルを有する単結晶製造装置によって単結晶を製造することにより、単結晶の有転位化や不純物汚染を防止しながら、大口径且つ高品質の単結晶を安定して製造することができる。以下、本発明について図面を参照して詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。まず、図5に示したような、本発明が適用される、FZ法による単結晶製造装置30について説明する。この単結晶製造装置30は、原料結晶棒1及び、下端に絞り部9が形成された単結晶棒2を収容するチャンバー20と、原料結晶棒1と単結晶棒2の間の浮遊帯域10を形成するための加熱源となる複巻誘導加熱コイル7と、複巻誘導加熱コイル7に電力を供給する高周波発振機と、原料結晶棒1を保持するための上部保持治具4と、原料結晶棒1を回転移動させるための上軸3と、種結晶8を保持するための下部保持治具6と、種結晶8を回転移動させるための下軸5と、を有するものである。ここで、前記誘導加熱コイル7は、図1に示したように、両コイル端部13を分離するスリット14に絶縁部材16が挿入されている。さらに、この絶縁部材16の、スリット14に挿入された際にコイル端部13と対向する表面上には、溝17が形成されている。この溝17が形成されることにより、絶縁部材16は碍子構造を有する。尚、ここで用いられる誘導加熱コイル7は、単巻または複巻のどちらであっても良い。また、少なくともコイル端部13と対向する表面に溝が形成されていればよく、さらにそれ以外の表面上にも溝が形成されていても良い。また、放電はコイル内周部に比べて外周部に発生しやすいため、溝は外周部のみに形成してもよい。この溝17の存在により、スリット14における沿面放電に対する絶縁距離を長くすることができ、これによって効果的に、また容易に且つ安価に放電を防止することができる。また、絶縁部材自体の長さを長くする必要もないため、絶縁部材が浮遊帯域に近づきすぎる事に起因する放電、若しくは浮遊帯域に接触する事による有転位化又は不純物汚染も防止することができる。尚、ここで言う碍子構造とは、コロナ放電や火花放電等が発生するために必要な、導電体同士の間の適度な隙間放電ギャップとも言うに絶縁体が存在する場合、この絶縁体の表面に沿って電流が流れる沿面放電に対する絶縁距離を長くするために、絶縁体の表面に凹凸が設けられた構造のことを言う。ここで、前記絶縁部材16の材質としては、特には限定されないが、絶縁性及び耐熱性に優れ、また純度の高いものを容易に入手することができる等の利点があるため、石英ガラスを用いることが好ましい。また、前記溝17の構造としては、特には限定されないが、例えば前記絶縁部材16の、コイル端部13に対向する両表面上において、図1bに示したように、それぞれ異なる高さ位置に交互に形成されたものとするか、または図1cに示したように、同じ高さ位置に形成されたものとすることができる。また、スリット14の幅が狭く、両表面上に十分な大きさの溝17を形成できない場合であっても、図1dに示したように、どちらか片側の表面上のみに溝17を形成することができる。尚、図1b~dは、図1aに示されている面ABにおける誘導加熱コイル7の断面図である。さらに、溝17の形状や数についても特には限定されず、図1b~dに示したような、断面角形状であって、両表面上にそれぞれ同数形成されるもののみならず、断面半円、三角形状等であっても良いし、また両表面上でそれぞれ異なった形状及び数にしても良い。以下に、上記のような本発明の単結晶製造装置を用いた単結晶製造方法の一例について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。先ず、シリコン原料結晶棒1の溶融を開始する部分をコーン形状に加工し、加工歪みを除去するために表面のエッチングを行う。その後、図5に示すFZ法による単結晶製造装置30のチャンバー20内にシリコン原料結晶棒1を収容し、チャンバー20内に設置された上軸3の上部保持治具4にネジ等で固定する。一方、下軸5の下部保持治具6には種結晶8を取り付ける。この時、図1に示されるように、誘導加熱コイル7のスリット14に、表面に溝17が形成された絶縁部材16を挿入する。このとき、絶縁部材16の材質としては、例えば石英ガラスを用いることができる。また溝17の構造としては、絶縁部材16の、スリット14に挿入された際にコイル端部13と対向する両表面上において、例えば、図1bに示したようにそれぞれ異なる高さ位置に交互に形成するか、または図1cに示したように同じ高さ位置に形成することができる。スリット14の幅が狭い場合には、図1dに示したようにどちらか片側の表面上のみに形成することができる。次に、シリコン原料結晶棒1のコーン部の下端をカーボンリング不図示で予備加熱する。その後、チャンバー20の下部から窒素ガスを含んだArガスを供給し、チャンバー20上部より排気して、例えば圧力を0.01~0.20MPa、Arガスの流量を20~50L/min、チャンバー内窒素濃度を0.1~0.5とする。そして、シリコン原料結晶棒1を誘導加熱コイル7で加熱溶融した後、コーン部先端を種結晶8に融着させ、絞り部9により無転位化し、上軸3と下軸5を回転させながらシリコン原料結晶棒1を相対的に下降させることで、浮遊帯域10をシリコン原料結晶棒1の上端まで移動させてゾーニングし、シリコン単結晶棒2を成長させる。このとき、本発明では、溝付き絶縁部材をスリット14に挿入しているので、高電圧が必要な150mm以上といった大口径の単結晶を製造する場合であっても、スリット間での放電を防止して、安定して単結晶を製造することができる。尚、シリコン原料結晶棒1を育成する際に回転中心となる上軸3と、単結晶化の際に単結晶の回転中心となる下軸5をずらして偏芯させて単結晶を育成することが好ましい。このように両中心をずらすことにより、単結晶化の際に溶融部を攪拌させ、製造する単結晶の品質を均一化することができる。偏芯量は単結晶の直径に応じて設定すればよい。以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例図5に示したような単結晶製造装置を用いて、直径170mmのCZシリコン単結晶をシリコン原料結晶棒として、炉内圧を0.18MPa、Arガス流量を50L/min、チャンバー内窒素ガス濃度を0.1、成長速度を2.2mm/min、偏芯量を10mmとしてFZ法によりゾーニングを行い、直径205mm、直胴長さ60cmのシリコン単結晶を製造した。このとき、外径300mm、内径50mmの誘導加熱コイルのスリットには、図1b及び図1b’に示したような、石英ガラスからなり、コイル端部と対向する表面上に、溝深さ1.0mm、溝幅0.8mm、溝数は両表面上にそれぞれ5箇所ずつとして溝が形成されることによって、碍子構造を有する絶縁部材を挿入した。尚、誘導加熱コイルの下面にはみ出した絶縁部材の厚さは20mmで、長さはコイル外周部が24mmで内周部が1.0mmであった。このようなFZ法によるシリコン単結晶の育成を20回実施した。その結果、誘導加熱コイルのスリット間で放電は一度も発生せず、有転位化や不純物汚染の無い高品質のシリコン単結晶を製造することができた。比較例図2bに示したような、溝が形成されていない以外は同一形状の絶縁部材を誘導加熱コイルのスリットに挿入したこと以外は実施例1と同様に、直径205mm、直胴長さ60cmのシリコン単結晶を製造した。このようなFZ法によるシリコン単結晶の育成を10回実施した。その結果、誘導加熱コイルのスリット間で10回とも放電が発生し、シリコン単結晶の無転位化が阻害され、製造を行うことができなかった。実施例及び比較例の結果より、溝が設けられることによって碍子構造を有する絶縁部材を誘導加熱コイルのスリットに挿入することにより、溝が設けられていない絶縁部材に比べ、絶縁部材自体の長さを長くすることなく沿面放電に対する絶縁距離を長くすることができ、スリット間における放電の発生を防止し、有転位化や不純物汚染の無い高品質のシリコン単結晶を安定して製造できることがわかった。尚、実施例においては、図1bに示したような溝を形成した絶縁部材を用いたが、もちろん図1cに示したような、コイル端部と対向する両表面上に、それぞれ同じ高さ位置に溝が形成された絶縁部材や、場合によっては図1dに示したような、どちらか片側の表面上のみに溝が形成された絶縁部材を用いても、溝の無いものに比べ、十分に良い結果を得ることができる。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載した技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。