"第III-V族化合物半導体ウエハーのクリーニング方法であって、1ウエハーを、希釈アンモニア、過酸化水素および水の混合物を用いて、20°Cより高くない温度において処理するステップ;2ウエハーを、脱イオン水を用いて洗浄するステップ;3ウエハーを、オキシダントを用いて処理するステップ;4ウエハーを、脱イオン水を用いて洗浄するステップ;5ウエハーを、希釈酸溶液または希釈アルカリ溶液を用いて処理するステップ;6ウエハーを、脱イオン水を用いて洗浄するステップ;および7得られたウエハーを乾燥するステップを含む、クリーニング方法。ステップ1は、15°Cより高くない温度、好ましくは5°C乃至15°Cで実施される請求項1に記載のクリーニング方法。ステップ1の処理に要する時間は、2乃至25分間、好ましくは3乃至20分間、より好ましくは5乃至18分間である請求項1又は2に記載のクリーニング方法。前記希釈アンモニア、過酸化水素および水の混合物は、前記アンモニアと過酸化水素が、それぞれ0.2乃至10.0および0.2乃至3.0、好ましくはそれぞれ0.2乃至50および0.2乃至2.5の量を含む請求項1又は2に記載のクリーニング方法。ステップ3で使用される前記オキシダントは、過酸化水素、有機過酸化物または水含有オゾンである請求項1又は2に記載のクリーニング方法。ステップ3の処理に要する時間は、1乃至45分間、好ましくは3乃至30分間、より好ましくは5乃至15分間である請求項1又は2に記載のクリーニング方法。ステップ5における前記希釈酸溶液または希釈アルカリ溶液は、塩酸、フッ化水素酸または硝酸の希釈溶液、またはアンモニア、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムの希釈溶液である請求項1又は2に記載のクリーニング方法。ステップ1乃至ステップ6の全部または一部がメガソニック波の助けを借りて実施される請求項1または2に記載のクリーニング方法。第III-V族化合物はヒ化ガリウムである請求項1又は2に記載のクリーニング方法。ステップ1において、表面活性剤、HFおよびキレート化剤からなる群から選ばれた添加剤を前記混合物中に添加する請求項1又は2に記載のクリーニング方法。[実施例]実験機器:メガソニックジェネレータPCT社製、米国、9400型ウエットクリーニングスタンドエッチングタンクおよび急速方法ですすぎ水を放出することができるすすぎタンクを含む回転式ウエハー乾燥機セミツール社製、米国、101型SRD水質テスト方法:ヤマダブライトライト光度は100,000ルクスよりも大きい;ウエハー表面分析器ケーエルエーテンコール社製、米国、6220型;および原子間力顕微鏡AFMデジタルインスメント社製、米国、ナノスコープIIIa型垂直分解能0.03nmおよび分析領域5μmx5μm被洗浄ウエハー:150.04mm6インチのガリウムヒ素ウエハー、厚さ650μm、粗く研磨され且つ細かく研磨されたもの。ブライトライトによる検査で、ウエハー表面上に可視粒子およびへイズ曇りが存在しないことが確認された。TENCOR6220による検査で、0.3μmより大きい粒子の数は1000個より多く、曇り価度は13ppmであることが確認された。原子間力顕微鏡による検査で、表面の微小粗度はRaが0.18nmであることが確認された。実施例1ウエハーは、0.3のNH3および1.3のH2O2を含む、メガソニック波が与えられた水溶液中に10°Cで5分間浸され、全工程の間、メガソニック波周波数780KHzでエネルギー密度は0.00125W/mm2が適用された。ウエハーは、すすぎタンクに入れられ、急速放出のスプレーを組み合わせたオーバーフローすすぎ注入すすぎにより、ウエハー表面は抵抗値1.75x107Ωcmの純水により10°Cで3分間洗浄され、全工程の間、メガソニック波が適用された。洗浄されたウエハーは、10のH2O2のメガソニック波が与えられた水溶液中に20°Cで5分間浸され、全工程の間、メガソニック波周波数780KHzでエネルギー密度は0.00125W/mm2が適用された。次にウエハーは、すすぎタンクに入れられ、急速放出のスプレーを組み合わせたオーバーフローすすぎにより、ウエハー表面は抵抗値1.75x107Ωcmの純水を用いて15°Cで3分間洗浄され、全工程中でメガソニック波が適用された。洗浄されたウエハーは、10のアンモニアのメガソニック波が与えられた水溶液中に20°Cで5分間浸され、全工程の間、メガソニック波周波数780KHzでエネルギー密度は0.00125W/mm2が適用された。次にウエハーは、すすぎタンクに入れられ、急速放出のスプレーを組み合わせたオーバーフローすすぎにより、ウエハー表面は抵抗値1.75x107Ωcmの純水により15°Cで3分間洗浄され、全工程の間、メガソニック波が適用された。洗浄されたウエハーは、回転式ウエハー乾燥機に入れられて加温窒素ガスにより乾燥された。乾燥されたウエハーの表面は、ブライトライト、TENCOR6220および原子間力顕微鏡を使って検査された。ブライトライトによる検査で、ウエハー表面上に可視粒子およびへイズ曇りが存在しないことが確認された。TENCOR6220による検査で、粒子のうちの38個は0.3μmより大きく、曇り価度は0.3ppmであることが確認された。原子間力顕微鏡による検査で、表面の微小粗度はRaが0.15nmであることが確認された。実施例2ウエハーは、0.5のNH3および0.3のH2O2を含む水溶液中に20°Cで10分間浸された。ウエハーはすすぎタンクに入れられ、急速放出のスプレーを組み合わせたオーバーフローすすぎにより、ウエハー表面は抵抗値1.75x107Ωcmの純水を用いて20°Cで5分間洗浄された。洗浄されたウエハーは、過酸化ベンゾイルの飽和溶液中に20°Cで10分間浸された。次にウエハーはすすぎタンクに入れられ、急速放出のスプレーを組み合わせたオーバーフローすすぎにより、ウエハー表面は抵抗値1.75x107Ωcmの純水を用いて20°Cで5分間洗浄され、全工程の間、メガソニック波が適用された。洗浄されたウエハーは、5塩酸水溶液中に20°Cで10分間浸漬された。次にウエハーはすすぎタンクに入れられ、急速放出のスプレーを組み合わせたオーバーフローすすぎにより、ウエハー表面は抵抗値1.75x107Ωcmの純水を用いて20°Cで3分間洗浄され、全工程の間、メガソニック波が適用された。洗浄されたウエハーは、回転式ウエハー乾燥機に入れられて加温窒素ガスにより乾燥された。乾燥されたウエハーの表面は、ブライトライト、TENCOR6220および原子間力顕微鏡を使って検査された。ブライトライトによる検査で、ウエハー表面上に可視粒子およびへイズ曇りが存在しないことが確認された。TENCOR6220による検査で、粒子のうちの106個は0.3μmより大きく、曇り価度は3.1ppmであることが確認された。原子間力顕微鏡による検査で、表面の微小粗さはRaが0.16nmであることが確認された。実施例3ウエハーは、3.5のNH3および2.0のH2O2を含むメガソニック波が与えられた水溶液中に15°Cで5分間浸され、全工程の間、メガソニック波周波数700KHzでエネルギー密度は0.0014W/mm2が適用された。ウエハーは、すすぎタンクに入れられ、急速放出のスプレーを組み合わせたオーバーフローすすぎにより、ウエハー表面は抵抗値1.75x107Ωcmの純水を用いて10°Cで3分間洗浄され、全工程の間、メガソニック波が適用された。洗浄されたウエハーは、12のH2O2のメガソニック波が与えられた水溶液中に20°Cで5分間浸され、全工程の間、メガソニック波周波数700KHzでエネルギー密度は0.0014W/mm2が適用された。次にウエハーは、すすぎタンクに入れられ、急速放出のスプレーを組み合わせたオーバーフローすぎにより、ウエハー表面は抵抗値1.75x107Ωcmの純水を用いて20°Cで5分間洗浄され、全工程の間、メガソニック波が適用された。洗浄されたウエハーは、10のアンモニアのメガソニック波が与えられた周波数700KHzでエネルギー密度は0.0014W/mm2水溶液中に10°Cで10分間浸された。次にウエハーは、すすぎタンクに入れられ、急速放出のスプレーを組み合わせたオーバーフローすすぎにより、ウエハー表面は抵抗値1.75x107Ωcmの純水を用いて20°Cで3分間洗浄され、全工程の間、メガソニック波が適用された。洗浄されたウエハーは、回転式ウエハー乾燥機に入れられて加温窒素ガスにより乾燥された。乾燥されたウエハーの表面は、ブライトライト、TENCOR6220および原子間力顕微鏡を使って検査された。ブライトライトによる検査で、ウエハー表面上に可視粒子およびへイズ曇りが存在しないことが確認された。TENCOR6220による検査で、粒子のうちの51個は0.3μmより大きく、曇り価度は3.49ppmであることが確認された。原子間力顕微鏡による検査で、表面の微小粗度はRaが0.17nmであることが確認された。実施例4ウエハーは、0.4のNH3および0.8のH2O2を含むメガソニック波が与えられた水溶液中に8°Cで10分間浸され、全工程の間、メガソニック波周波数680KHzでエネルギー密度は0.0015W/mm2が適用された。ウエハーは、すすぎタンクに入れられ、急速放出のスプレーを組み合わせたオーバーフローすすぎにより、ウエハー表面は抵抗値1.75x107Ωcmの純水を用いて10°Cで3分間洗浄され、全工程の間、メガソニック波が適用された。洗浄されたウエハーは、12のH2O2のメガソニック波が与えられた水溶液中に10°Cで5分間浸され、全工程の間、メガソニック波周波数680KHzでエネルギー密度は0.0015W/mm2が適用された。次にウエハーは、すすぎタンクに入れられ、急速放出のスプレーを組み合わせたオーバーフローすすぎにより、ウエハー表面は抵抗値1.75x107Ωcmの純水を用いて15°Cで3分間洗浄され、全工程の間、メガソニック波が適用された。洗浄されたウエハーは、12のアンモニアのメガソニック波が与えられた周波数680KHzでエネルギー密度は0.0015W/mm2水溶液中に20°Cで5分間浸された。次にウエハーはすすぎタンクに入れられ、急速放出のスプレーを組み合わせたオーバーフローすすぎにより、ウエハー表面は抵抗値1.75x107Ωcmの純水を用いて15°Cで5分間洗浄され、全工程の間、メガソニック波が適用された。洗浄されたウエハーは、回転式ウエハー乾燥機に入れられ加温窒素ガスにより乾燥された。乾燥されたウエハーの表面は、ブライトライト、TENCOR6220および原子間力顕微鏡を使って検査された。ブライトライトによる検査で、ウエハー表面上に可視粒子およびへイズ曇りが存在しないことが確認された。TENCOR6220による検査で、粒子のうちの46個は0.3μmより大きく、曇り価度は0.31ppmであることが確認された。原子間力顕微鏡による検査で、表面の微小粗さはRaが0.15nmであることが確認された。実施例5ウエハーは、0.5のNH3および0.5のH2O2を含むメガソニック波が与えられた水溶液中に10°Cで15分間浸され、全工程の間、メガソニック波周波数800KHzでエネルギー密度は0.0014W/mm2が適用された。ウエハーは、すすぎタンクに入れられ、急速放出のスプレーを組み合わせたオーバーフローすすぎにより、ウエハー表面は抵抗値1.75x107Ωcmの純水を用いて15°Cで3分間洗浄され、全工程の間、メガソニック波が適用された。洗浄されたウエハーは、O3を2ppm含有するメガソニック形成オゾン水中に15°Cで5分間浸され、全工程中でメガソニック波周波数800KHzでエネルギー密度は0.0014W/mm2が適用された。次にウエハーは、すすぎタンクに入れられ、急速放出のスプレーを組み合わせたオーバーフローすすぎにより、ウエハー表面は抵抗値1.75x107Ωcmの純水を用いて、15°Cで3分間洗浄され、全工程中でメガソニック波が適用された。洗浄されたウエハーは、10NaOHのメガソニック形成周波数780KHzでエネルギー密度は0.00125W/mm2水溶液中に20°Cで5分間浸された。次にウエハーは、すすぎタンクに入れられ、急速放出のスプレーを組み合わせたオーバーフローすすぎにより、ウエハー表面は抵抗値1.75x107Ωcmの純水を用いて15°Cで3分間洗浄され、全工程の間、メガソニック波が適用された。洗浄されたウエハーは、回転式ウエハー乾燥機に入れられて加温窒素ガスにより乾燥された。乾燥されたウエハーの表面は、ブライトライト、TENCOR6220および原子間力顕微鏡を使って検査された。ブライトライトによる検査で、ウエハー表面上に可視粒子およびへイズ曇りが存在しないことが確認された。TENCOR6220による検査で、粒子のうちの45個は0.3μmより大きく、曇り価度は0.27ppmであることが確認された。原子間力顕微鏡による検査で、表面の微小粗さはRaが0.14nmであることが確認された。"