電子装置1であって、担体2と、当該担体2上の少なくとも1つの接続面6と、少なくとも、前記接続面6上にコンタクト材料4を用いて固定されている、少なくとも1つの電子デバイス3a、3b、3cと、前記担体2上の前記接続面6を包囲しているカバー面5と、被覆材料10によって覆われている、少なくとも1つの被覆領域15、16、17、18、19とを有しており、前記被覆材料10は、前記カバー面5と前記被覆領域15、16、17、18、19との間の光学的なコントラストが最小化されるように構成されている、ことを特徴とする電子装置。前記接続面6は、電気的なコンタクト面および/または接着面を含んでいる、請求項1記載の電子装置。前記光学的なコントラストは、色コントラストおよび/または輝度コントラストである、請求項1または2記載の電子装置。前記コンタクト材料4は、はんだおよび/または接着剤を有している、請求項1から3までのいずれか1項記載の電子装置。前記電子デバイスは、オプトエレクトロニクスデバイス3a、殊にLEDを含んでいる、請求項1から4までのいずれか1項記載の電子装置。前記電子デバイスは、オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス3b、3cであり、殊に、ESD半導体チップおよび/または受動的なデバイスを含んでいる、請求項1から5までのいずれか1項記載の電子装置。前記被覆領域17、19は、前記オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス3b、3cの、前記担体2と反対側の面8、8aを含んでいる、請求項6記載の電子装置。前記被覆領域15、16、17は、前記電子デバイス3a、3bの側面7を含んでいる、請求項1から7までのいずれか1項記載の電子装置。前記被覆領域15、16、17、18、19は、前記電気デバイス3a、3b、3cによって覆われていない、前記接続面6の領域を含んでいる、請求項1から8までのいずれか1項記載の電子装置。前記被覆領域15、16、17、18、19は、前記電気デバイス3a、3b、3cによって覆われていない、前記コンタクト材料4の領域を含んでいる、請求項1から9までのいずれか1項記載の電子装置。前記カバー面5は、セラミック、有利には白色材料および/またはラミネート加工されたエポキシ樹脂および/またははんだストップラックを有している、請求項1から10までのいずれか1項記載の電子装置。前記被覆材料10は色が付けられているシリコーン、および/または少なくとも1つの色が付けられているエポキシ樹脂、殊にはんだストップラック、および/または熱可塑性樹脂を含んでいる、請求項1から11までのいずれか1項記載の電子装置。前記被覆材料10は色素11によって、殊にチタン二酸化物TiO2粒子によって色が付けられている、請求項12記載の電子装置。前記チタン二酸化物粒子は、前記被覆材料10内に、70重量までの割合、有利には約25重量で設けられている、請求項13記載の電子装置。前記カバー面5および/または前記被覆材料10は、それぞれ70よりも高い反射率を有する高反射性である、請求項1から14までのいずれか1項記載の電子装置。同一の、同様の、または同じ作用を有する素子には、図において同じ参照番号が付与されている。図示された素子間の図および大きさの比は縮尺通りではなく、むしろ、個々の素子は、見やすくするためおよび分かりやすくするために過度に誇張して示されている。図1は、電子装置1の部分図を示している。担体2上には、接続面6が配置されている。オプトエレクトロニクスデバイス3aは、接続面6上に、コンタクト材料4を用いて固定されている。カバー面5は、担体2上で接続面6を包囲している。被覆領域15は、被覆材料10によって覆われている。カバー面5と被覆領域15との間の光学的なコンタクトが最小化されるように、被覆材料10は設置されている。接続面6は、電気的なコンタクト面である得る。択一的に、接続面6が、殊に非金属製の接着面であってもよい。光学的なコントラストは、色コントラストおよび/または輝度コントラストである。コンタクト材料4は、はんだまたは接着剤であってよい。オプトエレクトロニクスデバイス3aは、LEDであり得る。被覆領域15は、オプトレクトロニクスデバイス3aの側面7、オプトエレクトロニクス3aによって被覆されていない、接続面6の領域および、オプトエレクトロニクスデバイス3aによって被覆されていない、コンタクト材料4の領域を含んでいる。担体2に反している、オプトエレクトロニクスデバイス3aの面8は、被覆材料10を有していない。アクティブゾーン内で形成された電磁ビーム21は、有利には、担体2に反する面8を通じて放射される。カバー面5は、セラミック、有利には白色の材料であり得る。択一的またはこれに対して付加的に、カバー面5が、ラミネート加工されたエポキシ樹脂であってよい。択一的またはこれに対して付加的に、カバー面5ははんだストップラックまたは熱可塑性樹脂premoldPackageを有することができる。被覆材料10は、色が付けられたシリコーンであり得る。これに対して択一的または付加的に、被覆材料10が、色が付けられたエポキシ樹脂、殊に、はんだストップラックであってよい。これに対して択一的または付加的に、被覆材料10は熱可塑性樹脂を有することができる。被覆材料10は、色素11、殊にチタン二酸化物TiO2粒子によって色が付けられる。チタン二酸化物粒子は、被覆材料内に、約70重量までの割合、有利には約25重量の割合で、設けられている。カバー面5および/または被覆材料10は高反射性であり得る。この場合にそれぞれ反射率は70よりも高い。図2aは、被覆材料10を被着する前の、電子装置の平面図を示している。オプトエレクトロニクスデバイス3aは、コンタクト材料4によって、接続面6上に固定されている。オプトエレクトロニクスデバイス3aは、ワイヤー接触接続されている半導体チップとして実現されている。この接触接続は、ボンディングパッド20を介して、オプトエレクトロニクスデバイス3a上で、ボンディングワイヤー14を用いて行われる。観察者は、オプトエレクトロニクスデバイス3aを中心として、全ての面で、コンタクト材料4を識別することができる。オプトエレクトロニクス3aのボンディングパッド20上でも、コンタクト材料4が識別可能である。露出されているコンタクト材料4を有する領域と、カバー面5との間で、直接的に、接続面6が識別される。コンタクト材料4と接続面6は、カバー面5と比べて暗く色づけされており、カバー面5から、色および輝度に関して格段に際だって見えてしまう。この暗い色づけは、オプトエレクトロニクスデバイス3aを備えた電子装置1の観察者にとっては、スイッチオフ状態において、美的に障害となる。さらに、オプトエレクトロニクス3aを備えた電子装置1のこの暗い領域は、スイッチオン状態において、不所望な吸収損失を生じさせる。これら両方の問題を解決するために、ないしは低減させるために、露出している接続領域6および露出しているコンタクト材料4を有する領域15上に、被覆材料10が被着される。この結果は図2bに示されている。図2bは、被覆材料10を被着した後の電子装置の平面図を示している。領域15は完全に、被覆材料10によって覆われている。被覆材料10内の色素11および被覆材料10自体によって、被覆領域15とカバー面5との間のコントラストが、消える。従って、被覆領域15とカバー面5との間の境界は、破線で示されている。担体2とは反対側の、オプトエレクトロニクスデバイス3aの領域8は、被覆材料10を有していない。図示されていない実施例では、ボンディングワイヤー14も被覆材料10によって覆われている。図3aは電子装置を示しており、ここでは、オプトエレクトロニクスデバイスはフリップチップとして構成されている。この装置は、図2aに示されている装置と等しいが、図3aには、図2aに示されているボンディングパッド20およびボンディングワイヤー14が無い。これは、オプトエレクトロニクスデバイス3aの接触接続が完全に、オプトエレクトロニクスデバイス3aの背面を介して行われることによって実現される。図3bは電子装置を示しており、ここではオプトエレクトロニクスデバイス3aはフリップチップとして構成されており、オプトエレクトロニクスデバイス3aとカバー面5との間の露出領域が覆われている。被覆領域16は、被覆材料10によって次のように覆われている。すなわち、発光可能な半導体チップ3aとカバー面5との間に、カバー面5に対して極めて僅かなコントラストを有している領域が存在するように、覆われている。図4は、電子装置を示しており、ここでは電子デバイスはオプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス3b、殊にESD半導体チップおよび/またはマイクロチップ、例えばメモリまたはコントローラである。オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス3bは、電磁ビームを放射しない、またはセンシングしないので、担体2の反対側の、オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス3bの面8は被覆材料10によって覆われる。既に図1に示されているように、オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス3bの場合にも、側面7および露出しているコンタクト材料4と露出されている接続面6を有する領域は、被覆材料10によって覆われる。被覆領域17は、オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス3bの完全な被覆の場合には、均一な色印象を生じさせ、側面7および、オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス3bの、担体2に反している面8での吸収損失を最小化させる。図5は、電子装置を示しており、ここでは、オプトエレクトロニクスデバイス3aとオプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス3bとが直接的に、相互に隣接して、担体2上に配置されている。被覆領域15は、オプトエレクトロニクスデバイス3aおよび被覆領域17において、オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス3bの完全な被覆時には図1および図4と同じである。電子デバイス3aおよび3bが、注封材料13によって鋳込まれる。注封材料13内には、散乱中心12が入れられている。オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス3bおよび被覆領域15の完全な被覆17は、オプトエレクトロニクスデバイス3aでの、不所望な吸収損失を低減させる。オプトエレクトロニクスデバイス3aから放射された電磁ビーム21は、この散乱中心で散乱され、殊に反射される。反射されたビームの大部分は、被覆領域15および17およびカバー面5に入射する。被覆材料10およびカバー面5は、高反射性に構成されている。大規模で、反射された電磁ビームは、依然として、担体2に反している、オプトエレクトロニクスデバイス3aの面8によって吸収される。図6aは、断面図で、電子装置の一部を示している。ここで電子デバイスは、オプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス3cである。殊に、このオプトエレクトロニクスデバイスでないデバイス3cは受動的なデバイスであり得る。受動的なデバイスとしては、殊に抵抗、コンデンサまたはコイルが設けられる。ここではこれは、SMD構造を有するデバイスである。ここでは、カバー材料10によって被覆されている領域18は、受動的なデバイス3cによって覆われていない、接続面6の領域と、受動的なデバイス3cによって覆われていない、コンタクト材料4の領域とを含んでいる。受動的なデバイス3cのSMDはんだ接続面22と接続面6との間で、コンタクト材料4は電気的かつ機械的な接続を形成する。カバー面5は、これまでの図面のように、接続面6を包囲する。担体2と反対側の、受動的なデバイス3cの面8aは覆われていないままである。図6bは、被覆材料10による露出領域の被覆前の、図6aに示された電子装置の一部の平面図を示している。2つの接続面6上に受動的なデバイス3cを固定することによって、コンタクト材料4が、はんだ接続面22の境界を越えて広がる。光学的な印象は極めて不均一である。図6cは、図6bに示されている装置を示している。ここで図6cでは、接続面6およびコンタクト材料4上の露出領域が、被覆材料10によって覆われている。被覆領域18が存在する。上述の実施例において既に示されているように、露出領域の部分的な被覆によって、受動的なデバイス3cの場合にも、光学的なコントラストが低減される。担体2とは反対側の、受動的なデバイス3cの面8aと、はんだ接続面22は、図6cの実施例において、被覆材料によって覆われていない。図7aは、断面図において、電子装置の一部を示している。ここではこの電子デバイスは、図6aに示されているように、受動的なデバイス3cである。はんだ付け面22に直接的に接しているコンタクト材料4は、受動的なデバイス3cと接続面6との間の電気的および機械的なコンタクトを形成する。有利には、この機能のために、はんだがコンタクト材料4として使用される。さらに、コンタクト材料4は純粋に機械的なコンタクトを、担体2の方を向いている、受動的なデバイス3cの面8bと、担体との間に形成する。有利にはこの機能のために、接着剤がコンタクト材料4として使用される。被覆材料10は受動的なデバイス3c全体と、コンタクト材料4によって覆われている、接続面6の領域と、接続面6の露出領域とを覆う。被覆材料10は、カバー面5と同一平面を成す。この結果、受動的なデバイス3cの完全な被覆時に、被覆領域19が生じる。図7bは、被覆材料10によって露出領域が被覆される前の、図7aに示されている電子装置の一部の平面図を示している。受動的なデバイス3cを2つの接続面6上に固定することによって、コンタクト材料4が、はんだ付け面22の境界を超えて広がる。2つのはんだ付け面22の間には、担体2と、担体2の方を向いている、受動的なデバイス3cの面8bとの間にこれに関しては図7aを参照;図7bでは見えない付加的なコンタクト材料4が設けられている。この付加的なコンタクト材料4は、側方で、受動的なデバイス3cの下から超えている。接続面6とコンタクト材料4の露出領域によって、光学的な印象は極めて不均一になり、オプトエレクトロニクスデバイスとの組み合わせた際に吸収損失が生じてしまう。図7cは、平面図で、図7aに示されている電子装置の一部を示している。すなわちこれは、被覆材料10によって露出領域が被覆された後のものである。受動的なデバイス3cの完全な被覆時には、被覆領域19が生じる。カバー面5と被覆領域19との間のコントラストは最小化され、有利には、コントラストが識別されなくなる。光学的な印象は極めて均一になる。これを暗に示すために、被覆領域19の下方に位置する、受動的なデバイス3cの構造体は破線で示されている。電子装置を、基になるアイディアを分かりやすくするために、幾つかの実施例に基づいて説明した。この実施例はここで、特定の特徴の組み合わせに制限されない。幾つかの特徴および構成は、特別な実施例または個々の実施例に関連してのみ説明されているが、これをそれぞれ別の実施例の別の特徴と組み合わせることができる。同様に、一般的な技術的な教示が実現されるならば、幾つかの実施例において、個々に示されている特徴または特別な構成を省く、または付加することができる。