"等周波数曲線の傾きが互いに相補的である少なくとも2つの異方性媒質を有し、超高波数を伝達するように前記少なくとも2つの異方性媒質を積層してなる超高波数伝達素子。前記少なくとも2つの異方性媒質を、各異方性媒質の光学軸が同じ方向となるように積層してなる、請求項1に記載の超高波数伝達素子。前記異方性媒質は、誘電率に異方性がある、請求項1又は2に記載の超高波数伝達素子。前記等周波数曲線の形状が双曲線である第1の異方性媒質と、前記等周波数曲線の形状が楕円である第2の異方性媒質と、を含む、請求項1~3のいずれか一項に記載の超高波数伝達素子。前記等周波数曲線の形状が楕円である前記第2の異方性媒質は、前記等周波数曲線の形状が双曲線である前記第1の異方性媒質よりも低損失である、請求項4に記載の超高波数伝達素子。請求項1~5のいずれか一項に記載の超高波数伝達素子であって、Nは、異方性媒質の積層数で、2以上の整数であり、θ1,θ2,,θNは、各異方性媒質の等周波数曲線の法線が光学軸に対してなす角度を示し、d1,d2,,dNは、前記各異方性媒質の厚さを示し、λは、前記超高波数伝達素子に入射する光の波長を示すとき、少なくとも1つの波数ベクトルについて、を満たす、超高波数伝達素子。試料に照明光を射出するための光照射部と、光を受光する受光部と、前記光照射部の射出側および前記受光部の入射側のうち少なくとも何れか一方に配置され、近接場光を生成または選択的に透過させる微細構造と、請求項1~6のいずれか一項に記載の超高波数伝達素子と、を備える近接場光学顕微鏡。メタマテリアルを利用するサブ波長イメージングの技術は光学分野での応用が期待されるが、光の吸収が大きいため、結像素子を厚くすることができない。実際に設計試作されている金属誘電体多層膜の厚さは数百nmに留まっており、近接場光学的デバイスに対して明らかに優位であるとは言えない。一方、金属ナノワイヤーアレイの構造は吸収率が比較的低く、10μm程度の厚い素子が試作されているが、結像性能に劣る。このような問題は、サブ波長イメージングに限らず、超高波数を検出する検出系においても同様である。本発明はこのような問題に着目し、超高波数を高効率で伝達できる、超高波数伝達素子を提供することを課題とする。上記目的を達成する本発明に係る超高波数伝達素子は、等周波数曲線の傾きが互いに相補的である少なくとも2つの異方性媒質を有し、超高波数を伝達するように前記少なくとも2つの異方性媒質を積層してなることを特徴とする。さらに、本発明に係る超高波数伝達素子は、前記少なくとも2つの異方性媒質を、各異方性媒質の光学軸が同じ方向となるように積層してなることを特徴とする。さらに、本発明に係る超高波数伝達素子において、異方性媒質は、誘電率に異方性があることを特徴とする。さらに、本発明に係る超高波数伝達素子は、前記等周波数曲線の形状が双曲線である第1の異方性媒質と、前記等周波数曲線の形状が楕円である第2の異方性媒質と、を含むことを特徴とする。さらに、本発明に係る超高波数伝達素子は、前記等周波数曲線の形状が楕円である前記第2の異方性媒質は、前記等周波数曲線の形状が双曲線である前記第1の異方性媒質よりも低損失であることを特徴とする。さらに、本発明に係る超高波数伝達素子は、Nは、異方性媒質の積層数で、2以上の整数であり、θ1,θ2,,θNは、各異方性媒質の等周波数曲線の法線が光学軸に対してなす角度を示し、d1,d2,,dNは、前記各異方性媒質の厚さを示し、λは、前記超高波数伝達素子に入射する光の波長を示すとき、少なくとも1つの波数ベクトルについて、を満たすことを特徴とする。上記目的を達成する本発明に係る近接場光学顕微鏡は、試料に照明光を射出するための光照射部と、光を受光する受光部と、前記光照射部の射出側および前記受光部の入射側のうち少なくとも何れか一方に配置され、近接場光を生成または選択的に透過させる微細構造と、上述のいずれかの超高波数伝達素子と、を備えることを特徴とする。本発明によれば、吸収率が低く、超高波数を高効率で伝達できる、超高波数伝達素子を提供することができる。以下、本発明による超高波数伝達素子およびそれを用いた近接場光学顕微鏡の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。第1実施形態図1は本発明の第1実施形態による超高波数伝達素子の概略構成を示す斜視図である。本実施形態に係る超高波数伝達素子100は、厚さd1の第1異方性媒質101および厚さd2の第2異方性媒質102を有する。第2異方性媒質102は、第1異方性媒質101の上に積層されている。超高波数伝達素子100は、光学的情報をz軸方向に伝達するものである。図2は、第1異方性媒質および第2異方性媒質の光学的性質を等周波数曲線として示す図である。ここで、等周波数曲線とは、周波数を一定とした場合における、波数ベクトルの各成分の変化を示すものである。図中、横軸は、波数ベクトルのx軸方向成分を示し、縦軸は、波数ベクトルのz軸方向成分を示す。第1異方性媒質101および第2異方性媒質102は、それぞれ誘電率がz軸を光学軸とするような異方性を示すものとする。すなわち、超高波数伝達素子100は、光学軸が一致する向きに積層された第1異方性媒質101及び第2異方性媒質102を有するものである。後述するが、第1異方性媒質101及び第2異方性媒質102は、等周波数曲線の傾きが互いに相補的であるように選択される。このように、超高波数伝達素子100は、等周波数曲線の傾きが互いに相補的である第1異方性媒質101及び第2異方性媒質102が、光学軸が一致する向きに、すなわち超高波数を高効率で伝達するように積層されてなる。第1異方性媒質101の誘電率テンソルε1および第2異方性媒質102の誘電率テンソルε2は、下式によって表される。ただし、ε^は、εの上に^が付いていることを示す。ここで、ε1Tとε1Z、ε2Tとε2Zはそれぞれ異なる値をとりうる。ここでは、第1異方性媒質101が双曲型の分散を、第2異方性媒質102が楕円型の分散をそれぞれ示す場合を考える。つまり、ε1Tとε1Zは互いに異なる符号をもち、ε2Tとε2Zはともに正の値である。なお、第2異方性媒質102は特別な場合として、ε2T=ε2Zの等方性媒質をも含みうることに注意されたい。異方性媒質中でのTMTransverseMagnetic波、つまり磁場がy軸方向に振動する電磁波の伝搬は、に従うことが知られている。ここで、nは、超高波数伝達素子100を構成する各媒質を区別するための変数である。図1に示した超高波数伝達素子100は、第1異方性媒質101および第2異方性媒質102を含むため、本実施形態では、nには1又は2が代入される。ここでは、第n媒質中での波数ベクトルをkn=knx,kny,knzとして示す。ただし、波数ベクトルおよびその成分は真空中での波数k0=ω/cで、誘電率および透磁率テンソルの成分は真空中の誘電率ε0および透磁率μ0で、それぞれ規格化した値を用いている。ωは電磁波の角振動数であり、cは真空中での光速である。このように、周波数をある値に固定した場合、波数ベクトルの成分の軌跡すなわち、等周波数曲線は2次曲線を描き、第1異方性媒質101の等周波数曲線の形状が双曲線であり、第2異方性媒質102の等周波数曲線の形状が楕円であることが示される。さらに、透磁率μについて数式1の関係が成り立てば、TETransverseElectric波について同じことを示すことができる。また、ε、μの両方について数式1の関係が成り立てば、どちらの偏光に対しても、等周波数曲線の形状をそれぞれ双曲線、楕円にすることができる。さらに、図2では、空気、ガラス、および2種類の双曲型分散を示す媒質以下、双曲型分散媒質と称するに対する等周波数曲線を示すが、楕円型分散を示す媒質以下、楕円型分散媒質と称するの一例としてガラスを、双曲型分散媒質の一例として双曲型1を参照し、これらについてさらに詳述する。従来、双曲型2のように、比較的平坦な等周波数曲線を有する媒質を調整するために金属を用いて構成されるため媒質を透過する際の光エネルギー等のロスが大きかった。本発明の第2実施形態にて後述するような近接場光学顕微鏡に適用されて、結像素子として機能する場合、本実施形態に係る超高波数伝達素子100は、観察対象である試料面物体面上の光学的情報を像面に伝達する。光学的情報は、様々なkxの値をもつ波によって像面へと伝達されるが、あるkxの値に対応する波に着目すると、この値は異なる媒質間でも変化せずに保存される。一方、媒質中でエネルギーが伝わる方向は群速度Vgの向きに一致し、それは図2に示したような等周波数曲線の法線に一致する。図2では、楕円型分散媒質の一例であるガラスの曲線の法線の一つの例として、VgEを示す。また、双曲型分散媒質の一例である双曲型1の曲線の法線の一つの例として、VgHを示す。上述した数式1にてε1T>0かつε1Z<0のときに、等周波数曲線は双曲線となるが、特に、が大きな値をとる場合には、双曲型2のように、曲率の低い、つぶれた形状となる。このとき、群速度の向きはkxの値によらずほぼ一定方向となるため、任意の光学的情報がほとんど変化することなく物体面から像面へ伝達され、高精度のサブ波長イメージングが可能となる。しかし、金属誘電体多層膜や金属ナノワイヤーアレイで双曲型分散を実現する場合、αを大きな値にすることは難しく、双曲型1のような形状とならざるを得ない。すると、kxの値の異なる波が、それぞれ像面上の異なる位置へ伝達され、結像性能が劣化してしまう。そこで、図3A及び図3Bに示すように、双曲型分散媒質である第1異方性媒質101と楕円型分散媒質である第2異方性媒質102を積層させた構造を考える。図3Aは、超高波数伝達素子100に点光源103を密着させて配置した構成を示す図であり、図3Bは超高波数伝達素子100との間にギャップを設けて点光源103を配置した構成を示す図である。図3Aでは、第2異方性媒質102に密着して点光源103が配置されている。点光源103を発した光線は、図2に示したような双曲型分散を示す第1異方性媒質101の中と、楕円型分散を示す第2異方性媒質102の中では異なる向きに伝搬する。したがって、第1異方性媒質101及び第2異方性媒質102のそれぞれの誘電率テンソルと厚さを好適に設計すれば、像面上で点像104として光線群を集中させることが可能となる。点光源103は、例えば、電気双極子により構成され、エバネッセント場を生成する。図3Bに示すように、第2異方性媒質102と点光源103との間にギャップを設けて配置した場合であっても同様に、両異方性媒質の誘電率テンソル及び厚さを好適に設計することで、像面上で点像104として光線群を集中させることが可能となる。この場合、第2異方性媒質102及び点光源103のギャップの大きさは、例えば、25nmであり、電気双極子等で構成される点光源103からのエバネッセント場が減衰しない程度の距離として定められる。以下、図3B及び図4を参照して、有限要素法に基づいた電磁界シミュレーション結果について説明する。解析モデルは図3Bに示す構造であり、第1異方性媒質101の厚さd1と第2異方性媒質102の厚さd2とをd1d2=1,000nmのもとで変化させた。それぞれの媒質の誘電率テンソルは、ε1T=ε2T=ε2Z=10i,ε1Z=-10i3とした。これらの値に対応する等周波数曲線は、図4に示す双曲型および楕円型3である。点光源点光源物体103としてx方向に振動する電気双極子を用い、周波数を600THz真空中の波長に換算して500nmとした。また、光源103と第1異方性媒質101、および第2異方性媒質102と点像104の形成される像面との間のギャップはともに25nmである。図5は、像面上でのエネルギー密度の分布を示す図である。それぞれの媒質の厚さを、双曲型ではd1=1,000nm、d2=0nm、複合型ではd1=700nm、d2=300nm、楕円型ではd1=0nm、d2=1,000nmとした。双曲型と楕円型に対し、複合型においてより良好な単一ピークが得られていることがわかる。点像の品質を定量化するため、中央x=0nmのピークの半値全幅fullwidthathalfmaximumFWHMを算出したところ、双曲型の169nmに対し、複合型では131nmであった。さらに、第1異方性媒質101および第2異方性媒質102の厚さと、第2異方性媒質102の誘電率とを変化させ、同じ条件のシミュレーションを行った結果を図6に示す。縦軸は図5に示した像面上でのエネルギー密度の変化のFWHMを示し、横軸は楕円型の分散を示す媒質の厚さを示す。第2異方性媒質102の誘電率は、εZ=10に固定し、εTをεT=3,5,10と変化させた。これらの値に対応する等周波数曲線は図4の楕円型1、2、及び3であるが、εTの値が大きくなるほど群速度の傾きθが大きくなるため、双曲型分散媒質を補償するのに必要な楕円型分散媒質は薄くてよい。この関係は図6の結果に反映されており、εTが大きいほど、FWHMを最小にする楕円型分散媒質の厚さは薄くなっていることがわかる。εTの値がいずれの場合であっても、双曲型媒質または楕円型媒質のいずれか一方のみで構成された媒質よりも点像の品質は良好であった。たとえば、εT=3の場合、楕円型分散媒質の厚さが400nmおよび500nmの構造で最小のFWHMとなる118nmが得られた。本実施形態による超高波数伝達素子100を、第2実施形態として後述したような近接場光学顕微鏡に適用することで、近接場光学顕微鏡の結像性能が向上される点像104のサイズが小さくなる理由は、エネルギー伝搬の向きに沿って行った光線追跡図3Bによって説明された。この因果関係が正しいことを示すため、超高波数伝達素子100を構成する積層構造の層数を変化させて、同様の電磁界シミュレーションを行った。図5および図6に示したように、第2異方性媒質102の誘電率がε2T=ε2Z=10iのとき、最小のFWHM131nmを与える構造は、第1異方性媒質101の厚さが700nm、第2異方性媒質102の厚さが300nmであった。この条件を変えずに、超高波数伝達素子100全体の層数を変えて、同様の電磁界シミュレーションを行った。電磁界シミュレーションにおいて、各層の厚さを、点光源103に近い方から順に以下のように設定した。2層構造:双曲型700nm/楕円型300nm3層構造:双曲型350nm/楕円型300nm/双曲型350nm4層構造:双曲型350nm/楕円型150nm/双曲型350nm/楕円型150nmこれらの構造を電気双極子点光源103で励振した場合の、像面におけるエネルギー密度分布を図7に示す。層の数によらず、すべての設定について、ほぼ同一の分布が得られており、双曲型と楕円型の分散をもつ媒質がエネルギー伝搬に基づく光線追跡的な観点で相補的に機能していることがわかる。ここで、本実施形態に係る超高波数伝達素子100の作用を明確にするために、図8を参照して、超高波数伝達素子100中の光線追跡図について説明する。図8は、図3Aと同様に点光源103が第1異方性媒質101に接して配置された場合の光線追跡図を示す。点光源103からは無数の光線が射出するが、光軸に関して対称な2本の光線のみを図示する。点光源103から射出される所定の光線がどの向きに伝搬するかは、図4の等周波数曲線から求めることができる。あるkxの値をもつ光線光波は、例えば楕円型3の分散関係を示す媒質中では、図4の等周波数曲線で与えられるkzの値と、図中の矢印VgEで与えられる群速度の向き等周波数曲線の法線方向に等しいにしたがって伝搬する。楕円型分散媒質中を伝搬してきた光線が双曲型分散媒質へ入射する際には、波面の連続性が保たれるためにkxの値は変化しない。したがって、楕円型分散媒質の場合と同様にして双曲型分散媒質中でのkzの値と群速度の方向を求めることができる。今、図8に示すように、双曲型分散を示す第1媒質の厚さをd1、群速度の傾きをθ1、楕円型分散を示す第2媒質の厚さをd2、群速度の傾きをθ2とすると、d1tanθ1d2tanθ2=04のときに2つの光線は双曲型分散媒質の上側表面で、例えば、後述する本発明の第2実施形態のような、超高波数伝達素子100を備える近接場光学顕微鏡の光軸を通ることになる。ここで、数式4は、N層の異方性媒質が積層された超高波数伝達素子について一般化することができる。超高波数伝達素子を構成するN個Nは2以上の異方性媒質の、それぞれの等周波数曲線の法線が光学軸に対してなす角度をθ1,θ2,,θN、各異方性媒質の厚さをd1,d2,,dNとするとき、となるような波数ベクトルが超高波数伝達素子を経て光学情報を伝達する。つまり、双曲型分散媒質の上側表面像面上に理想的な点像が形成される。ただし、群速度の傾きθは符号も考慮して定義され、例えば図8の例では、θ1<0,θ2>0である。以上は説明の都合上、1つの点光源に対する結像を議論したが、楕円型分散媒質の下側表面物体面に多数の点光源が分布している場合でも個々の点光源について、同様の関係が成り立つ。つまり、数式5が成り立つ場合には、物体面上の2次元的な光学的情報が、像面へ高精度に伝達される。以上は、点光源103に対する結像の議論であったが、現実的な光源には有限の大きさが必ずあり、したがって、光線にも有限の太さがある。光源を射出した多数の光線の中心が像面上で1点に集まったとしても、光線自身に太さがあるため、分解能は有限の値各光線の太さ程度となる。逆に言えば、結像システムの分解能をδとすると、δ程度の太さをもつ光線の集合度で結像性能を議論することになる。顕微鏡や光記録システムの光学系を設計する際、光線収差が波長程度にまで小さくなると、収差補正によってそれ以上の性能向上は望めず、得られる分解能やスポット径は回折限界によって決まる。これと同じで、太さδの光線をどれだけ近くに結像させるかという設計上の目標値は、δを目安とすればよい。したがって、現実の光学系設計では、|d1tanθ1d2tanθ2<δ6が満たされていればよい。サブ波長イメージングを可能とする結像素子では、δは一般に波長λより小さい。従来の、高性能の光学顕微鏡の場合、δの値はλ/2以上であり、より高い分解能を実現することは難しかった。数式6の左辺が大きいほど結像性能が低下し、分解能はこの左辺の値に略等しくなる。従って、従来の光学顕微鏡分解能は回折限界により、最良でもλ/2に比べて良好な分解能を得るには、少なくとも1つの波数ベクトルにおいて、下式を満たす必要がある。ここで、Nは、異方性媒質の積層数で、2以上の整数であり、θ1,θ2,,θNは、各異方性媒質の等周波数曲線の法線が光学軸に対してなす角度を示し、d1,d2,,dNは、各異方性媒質の厚さを示し、λは、超高波数伝達素子に入射する光の波長を示す。尚、数式7は、実際に波数ベクトルのある限られた範囲において満たされる。図4に示したように、双曲型と楕円型の等周波数曲線は、定義域内の任意のkxに対して傾きの符号が異なっており、伝搬により生じる光線の横方向のシフト量を互いに補償できる関係にある。このような関係を相補的という言葉で表現する。つまり、双曲型分散媒質と楕円型分散媒質とは相補的な媒質であると言える。必ずしも群速度の傾きの絶対値が一致する必要はなく、双方の媒質中での群速度の傾きθ1およびθ2に応じて、数式6を満たすように厚さd1およびd2を決めればよい。同様に、異方性媒質の積層数が3以上の場合、各層の異方性媒質中での群速度の傾きθiに応じて、数式7を満たすように、厚さdiが定められればよい。図4に示したように、隣接する異方性媒質の等周波数曲線の形状が異なるということは、数式6または数式7が満たされるのは、所定のkxの範囲に限られることを意味する。数式6または数式7を満たすkxの範囲は大きいほど望ましいが、仮にこの範囲がさほど大きくない場合でも、物体面上の光学的情報に含まれる空間周波数が概ねこの範囲に含まれるようにしておけば、良好な結像性能を得ることができる。また、本実施形態においては積層される各異方性媒質の光学軸が完全に一致する場合で考えたが、これは各異方性媒質の光学軸が同じ方向に積層している場合の一態様である。ここで、各異方性媒質の光学軸が同じ方向に積層しているというのは、各異方性媒質の光学軸が完全に一致しなくとも7式を満たす程度に揃っていることを意味し、必ずしも厳密に各光学軸が一致する場合に限られない。好ましくは、前記各異方性媒質の光学軸が一致する向きに揃っているとなお良く、この場合、図4に示されているように、光軸であるkx0を中心にして、正と負で対称な形状になるため、正と負の波数ベクトルにおいて伝搬により生じる光線の進行方向が対称となり、より超高葉数の伝達するための異方性媒質の積層の設計や制御がしやすくなる。本実施形態に記載される超高波数伝達素子は、とりわけ、用いる光の波長に比べて精細な光学的情報を伝達させるべく設計されているので、数式7を満たす波数ベクトルが|kx|≧1の範囲にあることが望ましい。等周波数曲線はkxの偶関数であるから、このことは、少なくとも2つのkxの値に対して数式7が満たされることを意味する。さらに、図4からわかるように、kx=0の近傍ではθ1≒θ2≒0となることから、数式7が満たされる。このように、互いに1以上離れた3つのkxの値に対して数式7が満たされる場合、等周波数曲線の形状双曲線および楕円が滑らかであることと考え合わせれば、比較的広いkxの値の範囲に対して数式7の左辺が小さな値となり、良好な結像性能を得ることができる。もちろん、より多くのkxの値に対して数式7が満たされれば、それだけ良好な結像性能が期待される。双曲型分散媒質や楕円型分散媒質などの異方性媒質が、金属誘電体多層膜や金属ナノワイヤーアレイで実現できることはすでに述べたが、その具体的な例について説明する。非特許文献2や非特許文献3に示されているように、金属誘電体多層膜に対して有効媒質近似を行った場合の有効誘電率は、以下の数式で与えられる。ここで、εMは金属の誘電率、εDは誘電体の誘電率であり、fは金属の充填率fillingfactor、つまり媒質全体の体積に占める金属の体積比を表す。上述した金属誘電体多層膜の一例として、AgとAl2O3の多層膜を考える。波長365nmにおける誘電率は、εM=-2.40.249i,εD=3.22であるので、これらを数式8へ代入し、得られるεTおよびεZの実数部の値をfの関数としてグラフに示したのが図9である。そして、0<f<0.43の範囲ではεT>0εZ>0であり、媒質は楕円型分散媒質としてふるまうことがわかる。一方、0.43<f<0.57の範囲ではεT>0εZ<0となり、媒質は双曲型分散媒質としてふるまう。このように、材料や動作帯域波長が決まっていても、充填率を変化させることによって等周波数曲線の形状を大きく変化させることができる。さらに、材料や動作帯域を変えれば、さらに多様な有効媒質を得ることができる。金属ナノワイヤーアレイに対する有効媒質近似の取り扱いについても、非特許文献3をはじめ、多くの文献に記載されている。本実施形態では異方性を示す材料を用いているが、異方性の程度という観点からすると、楕円型分散を示す異方性媒質よりも双曲型分散を示す異方性媒質の方が特異な性質であるとみなすことができる。例えば誘電率の異なる誘電体を用いて、多層膜やワイヤーアレイの構造を構成すると、多くの場合でεTおよびεZがともに正の値をとり、楕円型分散を示すが、双曲型分散を示すことはない。金属はある限られた帯域で負の誘電率を示すが、例えば、結像を行う所定範囲の帯域で負の誘電率を示す金属を用いて所定の異方性構造を構成したときに限って、εTおよびεZの一方を負とする、つまり双曲型分散を得ることができる。このことは、多層膜構造については数式8に示されており、例えばεMとεDがともに正の値である場合、0以上1以下の範囲の充填率fに対して、εTおよびεZはいずれも正の値しかとらないことがわかる。ワイヤーアレイについても非特許文献3などに示されている式を用いて同じように説明することができる。上記の事情により、楕円型分散は比較的容易に得ることができ、図9の例でもより広い範囲の充填率に対して楕円型分散が得られている。しかも、双曲型分散の領域に比べて充填率の値が小さいこともわかり、これは金属の比率が低く、低損失であることを意味している。そもそも、上述のように透明な2種類の誘電体だけで楕円型分散を得ることができるので、この場合にはほぼ非損失となる。金属が必須であり損失が不可避な双曲型分散に対して、非損失あるいは低損失な楕円型分散を組み合わせて結像性能を向上させる構成は、損失の面でも好ましい。図5では、双曲型に対して混合型の結像性能が向上する例を示した。図5ではいずれの媒質にも同程度の損失があるとしてシミュレーションを行ったが、実際に媒質を設計する際には楕円型分散媒質の方が損失の低い媒質として設計することができる。このように、本実施形態に係る超高波数伝達素子100によれば、双曲型分散の媒体と、光エネルギー等の損失の少ない楕円型分散の媒体とを光学軸が同じ向きに積層して超高波数伝達素子を形成するので、全体として損失を低く抑え、高効率に伝達することができる。従って、結像素子として用いた場合に、優れた結像性能を有する厚い光学素子を提供することができる。超高波数伝達素子が一定以上の厚さで形成されることで、後述する近接場光学顕微鏡等への実装に際して、生産性が向上すると共に、光学素子としての耐久性が向上する。第2実施形態図10は、上述したような超高波数伝達素子を備えた近接場光学顕微鏡のシステム構成の一例を示したものである。近接場光学顕微鏡200は、走査部201と、近接場光源205と、超高波数伝達素子206と、受光部212と、ハーフミラー213と、結像レンズ214と、撮像素子215と、光学顕微鏡用照明部以下、光顕用照明部と称する216と、を備える。超高波数伝達素子206は、試料207と開口部204との間に配置される。受光部212は、対物レンズ208と、ダイクロイックミラー209と、フィルタ210と、受光素子211とを備える。試料207に照明光を射出するための光照射部を構成する光源202から射出された光波長Eλは遮光部材203へ照射される。遮光部材203には光の波長より小さな開口部204が設けられているため、開口部204を通過した光は近接場光として遮光部材203の裏側へしみ出す。すなわち、微細構造により構成される開口部204は、光照射部を構成する光源202の射出側に配置されて近接場光を生成する。以下、この近接場光を照明光と称する。遮光部材203の下方には波長より小さな間隔を介して超高波数伝達素子206が配置されており、照明光の一部は超高波数伝達素子206へ侵入する。超高波数伝達素子206は、誘電率または透磁率が異方性を示し、近接場光を伝達するものである。なお、超高波数伝達素子の光学的性能については後述する。超高波数伝達素子206は、空気中では近接場光となるような照明光も伝搬光として遠方へ伝えることができるため、結局、光源202から発せられた光の一部を試料207に到達させることになる。すなわち、超高波数伝達素子206は微細構造を構成する開口部204で生成された近接場光を伝達して試料207に照明光として射出する。ここで、試料207には波長Eλの光で励起されると波長Fλの蛍光を発する蛍光色素が拡散されているものとする。試料207中の蛍光色素は、光源202から開口部204、超高波数伝達媒質を介して照射された光によって励起される。蛍光色素は試料207の中に直接拡散していてもよいし、蛍光ビーズのような加工された状態で試料207に含まれていてもよい。あるいは、GFPGreenFluorescentProteinなどの蛍光タンパク質を試料207に結合させ、試料207の中の特定の部位や機能を観察できるようにしてもよい。蛍光色素が発した波長Fλの蛍光の一部は、対物レンズ208を通過したのちに、ダイクロイックミラー209により反射され、フィルタ210へ入射する。一般に、蛍光色素や量子ドットを用いて蛍光を発生させる場合、励起光に対して蛍光の強度は非常に弱い。したがって図10に示すシステム構成においても、蛍光だけでなくそれより高強度の励起光も対物レンズ208へ入射させる。しかし、フィルタ210は励起光を除去し、蛍光を透過させるよう設計されているため、蛍光だけが受光素子211によって検出される。これらの蛍光及び励起光、又は試料を透過した透過光のように、試料207に関する情報信号を含む光を、以下、信号光と称する。受光部212は、試料207からの光信号光を受光するものである。超高波数伝達素子206によって試料207まで運ばれた照明光は、空気中あるいは試料中では近接場光であるため、試料207へ入射した点の近傍にだけ広がり、それ以上遠方へ伝わることはない。つまり、試料207に蛍光色素がまんべんなく拡散していたとしても、近接場光が入射した点のごく近傍にある蛍光色素だけが励起されるため、受光部212は照明光の波長より小さな領域の局所的な情報今の場合は蛍光色素の空間分布だけを検出することになる。したがって、上記のような信号光検出の過程を所定の時間だけ続ければ、試料表層の微小領域で起きている現象がどのように時間変化するかを調べることができる。とりわけ、生細胞のように柔らかく形状不安定な試料に対して、こうした局所的観察を行うための手段は例がなく、本実施形態に係る近接場光学顕微鏡200を用いることによってそうした観察が可能となる。また、試料207から放射された信号光は、試料207により反射、散乱、回折された光、あるいは照明光により励起されて試料207中の蛍光色素が発した蛍光であり、試料207中の反射率分布、光散乱係数分布、回折効率分布などの光学的物性に関する情報、あるいは蛍光色素の空間分布といった生化学的情報を保持している。以後、光学的物性に関する情報と生化学的情報をまとめて光学的情報と呼ぶ。次に、試料207の表面の2次元的な像を得るための方法について、やはり図10を用いて説明する。光源202、遮光部材203、および遮光部材203に設けられた開口部204は、一体として構成されていてもよく、これを近接場光源205と呼ぶことにする。近接場光源205は、試料に照明光を射出するための光照射部を構成する。開口部204は、近接場光を生成する微細構造により構成される。走査部201は、例えばモーターで駆動されるMEMSMicroElectroMechanicalSystemsスキャナや、ピエゾ素子を用いた電動ステージで構成されており、超高波数伝達素子206の表面に沿って近接場光源205の位置を連続的に変化させることができる。このとき、照明光が照射される試料表面の位置も変化するため、受光素子211により検出される信号光の時間変化を試料207の表面上の位置に対応させることによって、試料207の表面の蛍光色素分布等を得ることができる。本実施形態に係る近接場光学顕微鏡の動作時に、微細構造を構成する開口部204と、超高波数伝達素子206との間隔は、照明光の波長以下に保たれる。これにより、複数の観察位置のそれぞれにおける解像力を一定とするだけではなく、受光部212により光学的情報が正確に検出できるようにする。光源202と開口部204とが独立な素子として構成されている場合には、両者を一体に移動させてもよいが、開口部204だけを移動させてもよい。というのは、光源202を発して開口部204へ照射される光は回折限界によって制約されているため、少なくともその波長程度の領域に広がっている。したがって、その大きな領域の中で開口部204を多少動かしても、開口部204からしみ出す近接場光照明光の強度はほとんど変化しないからである。以上は、蛍光観察を例にとって近接場光学顕微鏡200の動作を説明したが、それ以外の光学過程に対しても同様の機能が期待される。例えば、試料207の表面に凹凸がある場合、あるいは試料207中に密度や組成のゆらぎがある場合、照明光は試料207の表面で散乱される。このとき生じる散乱が、ラマン散乱などのように光周波数の変化を伴う散乱である場合には、さきほどの蛍光と同様にして、照明光と散乱光とをフィルタ210によって分離することができる。一方、レイリー散乱やミー散乱のような弾性散乱である場合には、そのようなフィルタ210の効果は期待できない。しかしながら、蛍光やラマン散乱に比べて、弾性散乱された光の強度はきわめて大きいので、信号光と一緒に検出される照明光は許容水準のノイズ光として扱うことができる。他方、光顕用照明部216から射出された照射光は、ハーフミラー213、ダイクロイックミラー209を経て対物レンズ208によって試料207上の観察領域に照射される。そして、試料207に作用した光が試料207から放射される。この光は、その一部が再び対物レンズ208に入射し、特定波長の光がダイクロイックミラー209で反射されてフィルタ210を経て受光素子211によって受光される。ダイクロイックミラー209を透過した光は、ハーフミラー213で反射されて結像レンズ214により撮像素子215に結像される。図示しないが、撮像素子215の出力は、画像処理図示しないで画像処理され、モニタ等に供給される。これにより、試料207の状態をリアルタイムで観察することが可能となる。こうした光学的観察方法は、落射照明による従来の光学顕微鏡と同じ動作である。試料207が透過性を有する場合等には、試料207を介して光学顕微鏡と反対側に、試料207を透過照明するための照明手段を配置することができる。このように、本実施形態による近接場光学顕微鏡によれば、超高波数伝達素子206により、光の波長よりずっと小さな光スポットを数μmかそれ以上の距離まで伝達することができる。このため、従来の近接場光学顕微鏡よりも高解像度で試料を観察することができる。なお、図10に示した構成では、微細構造を構成する開口部204を試料207と光源202との間、すなわち、光照射部である光源202の射出側に配置した。しかし、開口部204は、試料207と受光部212との間、すなわち、受光部212の入射側に配置することも可能である。本発明は、上記実施形態にのみ限定されるものではなく、幾多の変形または変更が可能である。第1実施形態では、2層の異方性媒質が積層されて形成された超高波数伝達素子について図面を参照しながら説明した。しかし、例えば、図7で電磁界シミュレーション結果に示したように、3層以上の異方性媒質を積層させて超高波数伝達素子を製造することももちろん可能である。第2実施形態では、本発明に係る超高波数伝達素子が近接場光学顕微鏡装置に備えられるものとして説明した。しかし、本発明に係る超高波数伝達素子の用途は、近接場光学顕微鏡装置に限定されるものではなく、高分解能での観察が必要とされる様々な検査装置にも適用されうることは明らかである。第1実施形態では、TM波に関する高分解能性について述べてきたが、数式1に示したεに関する条件をμに適用すれば、TE波に関して同じことがいえる。そして、数式1に示した条件がε、μの両方に対してあてはまる場合はTM、TEの両方の成分について高分解能性を得ることができる。"