特定の色の光を発光する発光手段を備え、前記発光手段は、透明な基板上に設けられ特定の波長の光を発光する発光層と、前記発光層に対して光の出射側に形成されかつ前記発光層から発光される光を反射する機能を有する第1の反射層と、前記第1の反射層とで前記発光層を挟むように前記基板側に設けた第2の反射層とを備えた発光ダイオードであって、前記第1の反射層と前記第2の反射層との間に、前記発光層から発光される光を拡散させる拡散層を配置したことを特徴とするバックライト装置。前記発光手段からの光のうちの一部の光を透過するとともに、前記透過した光と混色することで白色の光となる特定の色の光に変換する波長変換手段とを備えたことを特徴とする請求項1に記載のバックライト装置。前記発光ダイオードの拡散層は、前記第1の反射層または第2の反射層と、前記発光層との間に配置したことを特徴とする請求項1に記載のバックライト装置。前記発光ダイオードの拡散層は、第2の反射層に前記発光層から発光される光を拡散させる拡散機能を設けることにより構成したものであることを特徴とする請求項1に記載のバックライト装置。前記発光ダイオードの第1の反射層は、出射角が65度以上に透過率のピークが存在するように構成したことを特徴とする請求項1に記載のバックライト装置。前記発光ダイオードの第1の反射層は、誘電体多層膜で構成したことを特徴とする請求項1に記載のバックライト装置。前記誘電体多層膜は、屈折率の異なる第1の誘電体および第2の誘電体から構成され、それぞれの光学膜厚は発光層からの光の第1の誘電体および第2の誘電体の中での波長の1/4近傍であることを特徴とする請求項5に記載のバックライト装置。前記発光手段は、発光主波長が430nm~480nmの青色の光を発光する青色の発光ダイオードであり、前記波長変換手段は、前記青色の発光ダイオードによって励起されかつ青色の光と混色することで白色の光となる特定色の光を発光する蛍光体膜を有するものである請求項2に記載のバックライト装置。前記発光手段は、発光主波長が350nm~400nmの紫外の光を発光する発光ダイオードであり、前記波長変換手段は、前記紫外の発光ダイオードによって励起されかつ赤色、青色、緑色の光を発光する蛍光体膜を有するものである請求項2に記載のバックライト装置。前記波長変換手段は、光度の極大値を有する角度近傍において厚みが厚くなるように構成した請求項2に記載のバックライト装置。特定の色の光を発光する発光手段を備えたバックライト装置と、前記バックライト装置からの出射光を背面側から入射し画像を表示する液晶パネルとを備えた液晶表示装置であって、前記発光手段は、透明な基板上に設けられ特定の波長の光を発光する発光層と、前記発光層に対して光の出射側に形成されかつ前記発光層から発光される光を反射する機能を有する第1の反射層と、前記第1の反射層とで前記発光層を挟むように前記基板側に設けた第2の反射層とを備えた発光ダイオードであって、前記第1の反射層と前記第2の反射層との間に、前記発光層から発光される光を拡散させる拡散層を配置したことを特徴とする液晶表示装置。前記バックライト装置は、前記発光手段から発光される光のうち一部の光を透過するとともに、前記透過した光と混色することで白色の光となる特定の色の光に変換する波長変換手段を備えたことを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置。前記発光ダイオードの拡散層は、前記第1の反射層または第2の反射層と、前記発光層との間に配置したことを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置。前記発光ダイオードの拡散層は、第2の反射層に前記発光層から発光される光を拡散させる拡散機能を設けることにより構成したものであることを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置。透明な基板上に設けられ特定の波長の光を発光する発光層と、前記発光層に対して光の出射側に形成されかつ前記発光層から発光される光を反射する機能を有する第1の反射層と、前記第1の反射層とで前記発光層を挟むように前記基板側に設けた第2の反射層とを備えた発光ダイオードであって、前記第1の反射層と前記第2の反射層との間に、前記発光層から発光される光を拡散させる拡散層を配置したことを特徴とする発光ダイオード。前記拡散層は、前記第1の反射層または第2の反射層と、前記発光層との間に配置したことを特徴とする請求項15に記載の発光ダイオード。前記拡散層は、第2の反射層に前記発光層から発光される光を拡散させる拡散機能を設けることにより構成したものであることを特徴とする請求項15に記載の発光ダイオード。前記拡散層は、第2の反射層の表面に光を拡散させるとともに反射させる凹凸構造を設けて構成したことを特徴とする請求項15に記載の発光ダイオード。前記第1の反射層は、出射角が65度以上に透過率のピークが存在するように構成したことを特徴とする請求項15に記載の発光ダイオード。以下、本発明の一実施の形態によるバックライト装置ついて、図面を用いて説明する。本実施の形態によるバックライト装置は、直下型バックライト装置である。図1は本発明の一実施の形態による直下型バックライト装置の概略構成を示す斜視図であり、図2は図1に示す直下型バックライト装置を用いた液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。なお、図2は、図1のx-y平面におけるLEDの光軸を含む位置での概略断面を示している。ここで、図1、図2において、x軸の方向を横方向と呼び、直下型バックライト装置1の光の出射方向であるy軸の正の方向を正面方向、y軸の負の方向を背面方向と呼び、z軸の正の方向を上方向、z軸の負の方向を下方向と呼ぶ。図1、図2に示すように、直下型バックライト装置1は、複数個のLED2がマトリックス状に均等間隔で配列されるように反射板3の前面に配置されている。そしてLED2の正面方向側には、LED2との間に間隔をあけて、各種の光学シートが配置されている。すなわち、LED2の正面方向側には、拡散シート4と波長変換シート5と輝度上昇シート6が配置されている。拡散シート4は、LED2からの光および反射板3により反射された光を拡散させ、面光源を形成するための拡散部材である。波長変換シート5は、拡散シート4を通して入射される光のうち、その一部の光を透過させ、透過させた光と混色することによって例えば白色の光のような、特定の色の光に変換する波長変換手段である。輝度上昇シート6は、出射面の法線方向に向けて集光して出射することによって出射光の正面輝度を上昇させるものである。このLED2は、直下型バックライト装置1の構成によって適宜最適な数および間隔で配置される。例えば、直下型バックライト装置1の大きさ、厚み、LED2の配光特性等に応じて決定される。また、この直下型バックライト装置1は、輝度上昇シート6の正面方向側の面を光の出射面として、白色の面状光を出射する。ここで、白色とは、色温度が3000K~10000K以内のことをいう。反射板3は、平板形状で、LED2の背面方向側に配置されている。この反射板3は、少なくともLED2が配置される前面に白色のポリエステルなどからなる拡散反射面3aを備えている。その拡散反射面3aに到達した光は拡散されて正面方向に反射する。つまり、反射板3に到達した光は、正面方向側に拡散して反射される。拡散シート4は、平板形状で、LED2の正面方向側に、LED2および反射板3との間に間隔をあけて配置されている。この拡散シート4は、LED2側、すなわち拡散シート4の背面側から入射する光を拡散する。そして、一部の光は拡散シート4を透過して前面から正面方向に出射し、一部の光は拡散シート4に反射して背面側LED2側に戻るように光を制御する。波長変換シート5は、その略平板形状の外形形状を有し、拡散シート4と後述する輝度上昇シート6との間に配置されている。波長変換シート5は、内部に蛍光体膜を有する。この蛍光体膜は、LED2が発する青色の光によって励起されて、特定色の光、すなわち本実施の形態においては、蛍光体膜の作用により、青色の光の波長を、長波長側の発光主波長が550nm~610nmの黄色の光に変換し、正面方向に光を出射するものである。すなわち、背面側から入射する青色光の一部は波長変換シート5をそのまま透過するとともに、蛍光体膜の波長変換作用によって、一部の光は黄色の光に変換されて波長変換シート5を透過する。その結果、波長変換シート5は、青色光と黄色光とを混色させることによって、白色光を出射するものである。もちろん、青色光が多い場合には青色がかった白色光となり、黄色光が多い場合には、黄色がかった白色光となる。輝度上昇シート6は、平板形状で、前記拡散シート4の前方に配置されている。輝度上昇シート6は、入射光の一部を背面方向に反射するとともに、入射光の一部を透過させて出射面の法線方向に向けて集光させ出射する。これによって、出射光の正面輝度を上昇させるものである。具体的には、例えば輝度上昇シート6の前面にプリズムを設けた構成とよって、所定の角度の光だけを出射させることができる。以上の構成部材により直下型バックライト装置1が構成さる。また、図2に示すように、この直下型バックライト装置1の正面方向に画像を表示する液晶パネル7を配置すれば、液晶表示装置が構成される。また、液晶パネル7は、透明電極とスイッチング素子としての薄膜トランジスタを形成した基板と偏向板を設けた基板との間に、液晶を封入することにより複数の画素を形成したパネルが構成されている。そして、それぞれの画素を画像信号に応じてスイッチングすることにより、パネルを透過するバックライトの光の量を調整して、所望の画像を表示するものである。ところで、図2においては、理解しやすくするために、拡散シート4、波長変換シート5、輝度上昇シート6の各シート間に隙間を設けた状態の図で示しているが、このような隙間を設けて各シートを配置する必要はない。次に、本実施の形態のバックライト装置に使用するLED2について、詳細に説明する。LED2は、発光主波長430~480nmの青色の光を発光するものでる。図3に示すように、LED2は、LEDチップ8をLEDパッケージ9内に配置し、LEDチップ8を保護するための樹脂10により封止することにより構成されている。また、LEDチップ8は、LEDパッケージ9の基板図示せずに配線部材により電気的に接続されている。なおここで、発光主波長とは、発光スペクトルにおいて発光強度の極大値を有する波長を意味している。また、図3において、点線Aは、LED2の光の出射パターンを模式的に示すものである。図4はLEDチップ8の構造を模式的に示した断面図である。図4において、11はサファイヤからなる透明な基板である。この基板11の一方の主面上には、n型のGaN膜よりなるn型コンタクト層12、n型のAlGaN膜よりなるn型クラッド層13、InGaN膜よりなる特定の波長の光を発光する活性層である発光層14、p型のAlGaN膜よりなるp型クラッド層15、p型のGaN膜よりなるp型コンタクト層16が順次積層形成されている。また、この積層体の発光層14に対して光の出射側には、発光層14から発光される光を反射する機能を有する第1の反射層としてのミラー層17が積層形成されている。このミラー層17は、後述するように、誘電体多層膜により構成されている。本実施の形態では、ミラー層17は、複数のTiO2からなる層と、SiO2からなる層とから構成されている。18は第2の反射層としての反射層であり、19はn型の電極、20はp型の電極である。反射層18は、基板11の他方の主面側に設けられており、この反射層18とミラー層17とによって発光層14が挟まれている。また、この反射層18は、酸化マグネシウムMgOにより構成されている。これにより反射層18は、発光層14から発光される光を拡散させる拡散機能と、光の反射機能とを兼ね備えている。図4において、n型の電極19とp型の電極20の間に電圧を印加することにより、発光層14が発光する。発光層14から発光される光は等方発光であるので、発光された光のうち一部は反射層18およびミラー層17に向かい、一部はLED2を構成する積層体のいずれかの界面で全反射され、また一部はLED2を構成する積層体のいずれかの材質により吸収される。ここで、ミラー層17の反射率は、反射層18の反射率より低く設定されている。発光層14で発光した光は、反射を繰り返しながらミラー層17より取り出される。図5はミラー層17の断面図を示す。図5に示すように、ミラー層17はp型コンタクト層16上に形成され、第1の誘電体である二酸化チタンTiO2からなる7層の高屈折率層17a、17b、17c、17d、17e、17f、17gと、第2の誘電体である二酸化珪素SiO2からなる6層の低屈折率層17h、17i、17j、17k、17l、17mとを交互に積層した誘電体多層膜により構成されている。そして、二酸化チタンからなる高屈折率層17aがp型コンタクト層16と接している。ここで、ミラー層17を構成する第1の誘電体からなる高屈折率層17a~17gと、第2の誘電体からなる低屈折率層17h~17mにおいて、それぞれの光学膜厚は、発光層14からの光の第1の誘電体および第2の誘電体の中での波長の1/4近傍に設定している。具体的には、p型コンタクト層16側から、高屈折率層17aが25.0nm、低屈折率層17hが83.3nm、高屈折率層17bが49.0nm、低屈折率層17iが80.0nm、高屈折率層17cが47.5nm、低屈折率層17jが78.3nm、高屈折率層17dが45.5nm、低屈折率層17kが73.3nm、高屈折率層17eが42.0nm、低屈折率層17lが66.7nm、高屈折率層17fが38.0nm、低屈折率層17mが60.0nm、高屈折率層17gが18.0nmである。ここで、二酸化チタンの波長530nmにおける屈折率は2.5、二酸化珪素の波長530nmにおける屈折率は1.5である。このように、LEDチップ8におけるミラー層17について、屈折率の異なる第1の誘電体および第2の誘電体からなる誘電体多層膜により構成することにより、波長450nmに対して、角度65度以上に透過率のピークを持つ角度分布を実現することができ、図6に示すような配光特性を有するLED2とすることができる。図6は、上述した図4、図5の構成を備えたLED2から出射される光の相対光度の角度特性の一例を示す図である。図6に示す特性においては、発光層14から発光される光は等方発光としている。また、図6に示す特性において、出射角0度、すなわち正面方向に出射する光の光度を1に規格化して示している。ところで、一般的なLEDでは、発光層を挟むように反射層を配置すると、その反射層により共振器構造が形成され、LEDから出射する光の指向性がランバーシャンに近い分布になる。すなわち、光の出射角0度で光度は最大となり、出射角のコサインに比例する角度分布となる。一方、本実施の形態におけるLED2においては、拡散機能を備えた反射層18、すなわちミラー層17との間には光拡散機能が設けられるため、発光層14を挟むように配置されたミラー層17と反射層18とによる光の干渉効果が抑制される。この結果、図6に示すように、出射角度が大きくなるにつれ光の光度が増大し、出射角が65度以上の70度近傍で光度が最大になる広配光の配光特性に容易に制御できることとなる。すなわち、本実施の形態におけるLED2においては、発光層14から発光される光のうち半分は、反射層18側に向かう。反射層18はMgOからなる拡散機能を備えた反射層であるため、反射層18で反射される光は拡散反射され、ミラー層17側に向かう。反射層18の表面はMgOであるので、反射される光は、拡散される。このような拡散機能を備えた反射層18にすることで、反射層18とミラー層17とによる光の干渉効果が抑制されるため、LED2から出射する光の配光特性は、光の出射角0度で光度が最大となるような特性とならなくなる。そして、ミラー層17の透過/反射率の角度特性、すなわち出射角が65度以上に透過率のピークが存在するような特性とするとともに、発光層14から発光される光の配光特性を考慮することで、LED2の配光特性を図6に示すような広配光の配光特性に容易に制御できることとなる。ここで、本実施の形態におけるLEDチップ8の製造方法の一例を説明する。まず、基板11の下面側の他方の主面上にMgOを塗布する。次に、基板11の上面側の一方の主面上に、MOCVD法を用いてn型コンタクト層12、n型クラッド層13、発光層14、p型クラッド層15、p型コンタクト層16を順次積層形成する。続いて、p型コンタクト層16上に、TiO2とSiO2の多層コーティングにより、第1の反射層としてのミラー層17を形成する。続いて、イオンビームエッチングにより、n型の電極19を形成する部分は、ミラー層17側からn型コンタクト層12の途中まで除去し、p型の電極20を形成する部分は、p型コンタクト層16の表面までエッチング除去を行う。続いて、n型電極19を形成するn型コンタクト層12の露出部と、p型電極20を形成するp型コンタクト層16の上に、真空蒸着して窒素中でアニールすることによりオーミック電極を形成する。以上の工程により、図4、図5に示すLEDチップ8を得ることができる。なお、図4に示す例では、基板11の他方の主面上にMgOからなる反射層18を形成することにより、反射層18に発光層14から発光される光を拡散させる拡散機能を備える構成としたが、図7に示すように、基板11の他方の主面に、表面に光を拡散させるとともに反射させる凹凸構造を設けて構成した反射層21を形成した構造でもよい。図7に示す例は、基板11の他方の主面に、例えばサンドブラスト等によりランダムな凹凸構造を形成し、その凹凸構造の表面にAgなどの金属膜21aを形成して反射層21を形成したものである。このような構成にすることによって、金属膜21aの表面が発光層14から発光される光を拡散させる拡散機能を果たすこととなる。さらに、上記例では、基板11の他方の主面側に拡散機能を備えた反射層18、21を形成する構成としたが、図8に示すように、基板11の他方の主面上にAgなどの金属からなる反射層22を形成するとともに、基板11の一方の主面上にオパール拡散板からなる拡散層23を形成することにより、発光層14と反射層22との間に、発光層14から発光される光を拡散させる拡散機能を持たせるように構成してもよい。このような構成にすることによって、発光層14側から、または反射層22側からオパール拡散板からなる拡散層23に入射した光は拡散され、上述したように反射層18とミラー層17とによる光の干渉効果が抑制される。そのため、LED2から出射する光の配光特性は、光の出射角0度で光度が最大となるような特性とはならない。図6に示すように、広配光の配光特性を持たせることができ、安価で高効率のバックライト装置を提供することができる。また、図8に示す例においては、基板11の他方の主面上にAgなどの金属からなる反射層22を形成するとともに、基板11の一方の主面上に拡散層23を形成する構成であるため、基板11に反射層22と拡散層23を形成した後、発光層14を含む積層構造体を形成するだけでよい。よって、製造が容易であるという効果が得られる。なお、図8に示す例では、オパール拡散板からなる拡散層23を基板11の一方の主面上に形成することにより、反射層22と発光層14との間に配置したが、発光層14と第1の反射層であるミラー層17との間に、オパール拡散板からなる拡散層23を配置してもよく、要は第1の反射層であるミラー層17と第2の反射層である反射層22との間に、発光層14から発光される光を拡散させる拡散層23を配置すればよい。以上説明したように、本実施の形態においては、特定の色の光を発光する発光手段であるLED2と、このLED2からの光を拡散させて面光源とするための拡散部材である拡散シート4とを備えたバックライト装置において、LED2は、透明な基板11上に設けられ特定の波長の光を発光する発光層14と、発光層14に対して光の出射側に形成されかつ発光層14から発光される光を反射する機能を有するミラー層17と、ミラー層17とで発光層14を挟むように基板11側に設けた反射層18とを備え、反射層18は、発光層14から発光される光を拡散させる拡散機能を備えた構成としている。この構成によって、反射層18とミラー層17とによる光の干渉効果が抑制されるため、ミラー層17の透過/反射率の角度特性、すなわち出射角が65度以上において透過率のピークが存在するような特性を示す。図6に示すように、広配光の配光特性に容易に制御することができ、安価で高効率のバックライト装置を提供することができる。ところで、レンズを使用せずにLED2から発光する光そのものを広配光化させた場合、図9の特性Bに示すように、LEDチップ8から発光する青色は広配光化されているが、LED2からの青色の光により蛍光体膜が励起されて発光する発光主波長が550nm~610nmの黄色の光の配光特性は、特性Yのようにランバーシャンとなる。つまり、LEDパッケージ9から出射後の青色光と黄色光の配光特性が異なり、黄色の光は、LED2の直上方向に光度の極大値を有し、青色の光は65度以上の70度付近に光度の極大値を有する。このため、LED2の直上においては黄色がかった白色となり、70度付近では青色がかった白色となり、角度によって色が異なる結果となり、色むらの原因となる。また、ミラー層17として誘電体多層膜を出射側に用いて広配光化した場合には、誘電体多層膜における光の干渉により強め合う波長と弱め合う波長が存在し、角度によって発光スペクトルが異なってしまう。図10に青色のLEDのスペクトルの一例を示している。図10に示すように、ここで、0度方向に出射する光B1に対して、60度方向に出射する光B2のスペクトルが約10nm長波長側にシフトしていることが分かる。また、この図10に示すように角度により、発光スペクトルが変化するため、色度もずれることとなる。また、図11には黄色に発光する蛍光体の吸収スペクトルの一例を示している。吸収スペクトルにおけるピークは、0度方向の発光スペクトルのピークと同じ450nm付近にあり、450nmより長波長側になると、吸収係数が減少する。つまり、蛍光体の光の吸収量が減少し、励起される黄色の蛍光体の発光強度が弱くなる。したがって、蛍光体を透過した後の0度方向は、図12Aに示すスペクトルとなり、60度方向は図12Bに示すスペクトルとなる。図12Bでは、青色LEDの発光強度に対して、黄色の蛍光体の発光強度が相対的に弱くなってしまい、0度と60度で色が変化してしまうことから、結果としてバックライト装置において色むらが発生することとなる。一方、本実施の形態におけるバックライト装置においては、上述したように、LED2から出射した青色の光は、図6に示すような配光特性を示し、このような配光特性の青色の光が拡散シート4を透過し、波長変換シート5に入射する。そして、波長変換シート5に入射した青色の光の一部は、そのまま透過し、残りの青色の光は、蛍光体の波長変換作用によって黄色の光に変換されて透過する。このとき、波長変換シート5を透過した直後の青色の光の配光特性と、蛍光体の波長変換作用によって変換された黄色の光が同じ照度分布で、しかも共にランバーシャンの配光特性となることから、青色の光と黄色の光で同じ特性となる。すなわち、上述したような色むらの発生を抑制することができ、液晶表示装置として画質の向上を図ることができる。なお、以上の説明では、波長変換シート5は、拡散シート4と輝度上昇シート6の間に配置したが、これに限定されない。例えば、反射板3と拡散シート4の間に配置することもできる。要するに、反射板3と輝度上昇シート6の間に配置されていれば、色むらを低減する効果を得ることができる。また、拡散部材として、拡散シート4の代わりに、機械的強度の高い拡散板を用いれば、この拡散板に他の光学シートを保持させることができ、この場合は拡散板と輝度上昇シート6の間に配置されればよい。また、輝度上昇シート6は、入射光の一部を後方へ反射するとともに、一部を透過して出射面の法線方向に向けて集光して出射することで出射光の正面輝度を上昇させるように構成したが、これに限定されない。例えば、入射光の一部を後方へ反射するものであれば、他のものであってもかまわない。また、液晶表示装置を構成した場合に、液晶パネル7で吸収される偏光成分のみを反射して、残りの光を透過させるような構成であってもよい。さらに、本実施の形態において、波長変換シート5は、青色の光を黄色の光に変換する蛍光体膜を設けた構成としたが、これに限定されない。例えば、青色の光を赤色の光に変換する蛍光体膜と、青色の光を緑色の光に変換する蛍光体膜とを有していてもよい。この構成によれば、発光手段であるLED2からの青色の光と、波長変換シート5で波長変換された赤色の光および緑色の光とを混色させて白色光を生成することもできる。さらには、LED2として、発光主波長が350nm~400nmの紫外の光を発光するLEDを用い、そして波長変換シート5として、図13に示すように、紫外光のLEDによって励起されかつ赤色、青色、緑色の光を発光する特性を有する蛍光体R、G、Bの膜を形成したものを用い、青色、緑色、赤色の混色により白色を実現するような構成としてもよい。この紫外光のLEDを用いて構成すると、紫外光は白色の一部として利用されないため、色むらがLEDの色度変化の影響を受けず、蛍光体の励起効率のみに影響されるため、さらに色むらの少ないバックライト装置を実現することができる。次に、他の実施の形態について説明する。図14は他の実施の形態における直下型バックライト装置を用いた液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。本実施の形態においては、波長変換手段として、光度の極大値を有する角度近傍において厚みが厚くなるように構成した波長変換シート25を用いたものである。すなわち、図14に示すように、波長変換シート25は、LED2の光軸上における厚みt1よりもLED2の光軸外で、LED2の光度の極大値を有する角度近傍における厚みt2の方が厚くなるように構成したものである。LED2の光軸上における波長変換シート25の厚みがt1であり、光軸から離れるにつれてその厚みが薄くなる。そして、色度変化の最も大きい角度においてその厚みがt1よりも厚いt2となる。LED2の光軸上における厚みt1は、各LED2で一致し、波長変換シート25の膜厚変化はLED2の光軸を中心として同心円形状に変化している。本実施の形態におけるLED2において、ミラー層17を誘電体多層膜で構成すると、光の干渉効果によって強め合う波長と弱め合う波長が存在し、また、LED2の出射角が異なると、図10に示すように光のスペクトルが異なってしまい、蛍光体の励起効率が低下することから、色むらが発生してしまう。本実施の形態の構成とすることにより、LED2の青色の光の発光強度に対する黄色の蛍光体膜の発光強度をほぼ等しくすることが可能となり、色むらの少ないバックライト装置とすることができる。