"量子井戸活性層を一定間隔でエッチングした不連続に分離した活性層を有し、前記活性層が形成するDFB共振器の一部にシフト量がλ/10以上かつλ/4以下の位相シフトを設けたことを特徴とする活性層分離型位相シフトDFBレーザ。前記DFB共振器の前方からの長さに対し0.32以上かつ0.40以下の位置に前記位相シフトを設けたことを特徴とする請求項1に記載の活性層分離型位相シフトDFBレーザ。前記DFB共振器の前方からの長さに対し0.34以上かつ0.38以下の位置に前記位相シフトを設けたことを特徴とする請求項2に記載の活性層分離型位相シフトDFBレーザ。前記位相シフトのシフト量をλ/8としたことを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の活性層分離型位相シフトDFBレーザ。上述のλ/4位相シフトDFBレーザは、高い単一モード発振歩留りを実現するために、共振器の両端面に無反射膜が形成されており、両端から同じ出力のレーザ光が出射される構造となっている。したがって、λ/4位相シフトDFBレーザは、優れた単一モード発振特性を有しているものの、利用可能な光出力は1/2になってしまうという欠点がある。この欠点を解決するために、一方の端面に無反射膜を形成し、他方の端面に高反射膜を形成する方法や、λ/4位相シフト位置を中央から前方にずらす方法が提案されている例えば、上記特許文献1参照。これらは、片方の端面の反射率を、もう一方の端面の反射率よりも高くすることにより、非対称な光出力を得る方法である。しかし、これらの非対称反射構造では、レーザ端面での回折格子の位相を十分制御できず、端面の光の位相によって単一モード安定性が大きく変化してしまうため、単一モード発振歩留りが低下するという課題がある。また、λ/8位相シフトと無反射膜/高反射膜とを組み合わせる構造では、モード安定性がλ/8位相シフトの導入位置に対し敏感になるという欠点がある。特に、高反射膜側にλ/8位相シフトが導入されると、図19に示すように、非対称高出力動作が高反射膜側の端面位相に強く依存することとなり、高い歩留まりが得られなくなるという課題がある。一方、活性層分離型DFBレーザは、低電流高効率な半導体レーザである例えば、上記非特許文献1参照。活性層分離型DFBレーザは、活性層が周期的に分離されている構造上の特徴から、屈折率結合係数が従来の構造に比べ2桁大きい値を得ることが可能であることから、低しきい値電流や、高い外部微分量子効率を実現することができる。しかし、単一モードは均一な分離活性層でも実現可能であるが、低消費電力小型化高い単一モード性が十分ではないという課題がある。つまり、高い単一モード性を維持したまま小型化するためには、共振器内に位相シフトを導入する必要があるが、位相シフトの導入位置によっては単一モード性を低下させることになるため、どの程度の位相シフトを共振器のどの位置に導入するかは解決すべき課題であった。したがって、本発明は、低消費電力で小型なDFBレーザの中で、特に、前方光出力が高く、単一モード特性の高い活性層分離型位相シフトDFBレーザを提供することを目的とする。上記の課題を解決するための第1の発明に係る活性層分離型位相シフトDFBレーザは、量子井戸活性層を一定間隔でエッチングした不連続に分離した活性層を有し、前記活性層が形成するDFB共振器の一部にシフト量がλ/10以上かつλ/4以下の位相シフトを設けたことを特徴とする。上記の課題を解決するための第2の発明に係る活性層分離型位相シフトDFBレーザは、第1の発明に係る活性層分離型位相シフトDFBレーザにおいて、前記DFB共振器の前方からの長さに対し0.32以上かつ0.40以下の位置に前記位相シフトを設けたことを特徴とする。上記の課題を解決するための第3の発明に係る活性層分離型位相シフトDFBレーザは、第2の発明に係る活性層分離型位相シフトDFBレーザにおいて、前記DFB共振器の前方からの長さに対し0.34以上かつ0.38以下の位置に前記位相シフトを設けたことを特徴とする。上記の課題を解決するための第4の発明に係る活性層分離型位相シフトDFBレーザは、第2の発明又は第3の発明に係る活性層分離型位相シフトDFBレーザにおいて、前記位相シフトのシフト量をλ/8としたことを特徴とする。本発明によれば、低消費電力で小型なDFBレーザの中で、特に、前方光出力が高く、単一モード特性の高い活性層分離型位相シフトDFBレーザを提供することができる。以下、本発明に係る活性層分離型位相シフトDFBレーザを実施するための形態について説明する。本発明に係る活性層分離型位相シフトDFBレーザは、不連続に分離した活性層を有し、共振器の一部にλ/8位相シフトを設けることを特徴としている。これにより、単一モード性をλ/4位相シフトDFBレーザと同程度に維持しながら、光出力を増加させることができる。特に、λ/8位相シフトを共振器の前方から0.38の位置に設けることにより、高い単一モード性を保持したまま、前方からの高い光出力を実現することができる。したがって、本発明に係る活性層分離型位相シフトDFBレーザによれば、活性層分離構造を用いることにより、位相シフトの位置を中央からずらした非対称出力のレーザを作製した場合であっても、位相シフトを中央に配置した量子井戸型λ/4位相シフトと比較して、単一モード発振の劣化のない、高い歩留まりを持つレーザを作製することが可能となる。言い換えると、位相シフトの位置を、単一モード発振を犠牲にすることなく光の非対称化に最適な位置とすることができる。そして、活性層分離構造においては、発振モード間における共振器軸方向の光閉じ込めの差により、最低しきい値で動作するシフトはλ/4位相シフトではなくλ/8位相シフトとなり、そのときのしきい値はλ/4位相シフトの時よりも小さくなるため、低注入電流にてレーザ発振が始まるため、高効率動作を実現することができる。以下、本発明に係る活性層分離型位相シフトDFBレーザの実施例について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施例に係る活性層分離型位相シフトDFBレーザの構成を示した模式図である。図1に示すように、本実施例に係る活性層分離型位相シフトDFBレーザは、連続構造の活性層ではなく、不連続の分離した活性層により構成されている。また、活性層以外の構造は、通常のDFBレーザと同様に、p-InP基板10上にi-GaInAsP光閉じ込め層11、i-GaInAsP二重量子井戸活性層井戸層6nm、障壁層10nm12、n-GaInAsP光閉じ込め層13、n-InPクラッド層14,15、InGaAsコンタクト層16が積層され、SiO2絶縁膜17、Au/Sn上部電極18、Au/Zn下部電極19から構成されている。導波路の両側は、電流遮断層としてp-InP20、n-InP21、p-InP22のpn埋め込み構造となっている。図2は、本実施例に係る活性層分離型位相シフトDFBレーザにおける導波路のSEM像を示した図である。また、図3は、本実施例に係る活性層分離型位相シフトDFBレーザにおける導波路の構造を示した模式図である。図2,3に示すように、導波路は、活性層幅WS2μm、細線幅W90nm、活性層周期Λ240nmの分離活性層構造であり、エッチング除去された領域はi-InPで埋め込んである。図2に示す作製した導波路のSEM像から、分離活性層の形成を確認することができる。なお、分離活性層は、λ/8位相シフト領域以外は、均一の周期で配置されている。なお、本実施例に係る活性層分離型位相シフトDFBレーザは、細線状活性層を有しており、それによる利得整合効果から、一般的なλ/4位相シフトよりもλ/8程度の小さめの位相シフト量の方が低しきい値で発振が可能であるため、より適した構造ではあるが、λ/4位相シフトの構造であってもよい。図4~11は、本実施例に係る活性層分離型位相シフトDFBレーザの作製プロセスを示した模式図である。はじめに、第1工程として、図4に示すように、p-InP基板10上に有機金属気相成長法OMVPEを用いてi-GaInAsP光閉じ込め層11、i-GaInAsPの二重量子井戸構造1圧縮歪量子井戸:6nm、0.15引っ張り歪バリア層:10nm活性層12、n-GaInAsP光閉じ込め層13、InGaAsコンタクト層30を順次積層後、ドライエッチングのマスクとなるSiO2マスク31をCVD法により約20nm堆積し、電子線レジスト32を用いてλ/8位相シフトが所定の位置導入されるように周期240nmの量子線パターンを電子線描画する。次に、第2工程として、図5に示すように、電子線レジスト32パターンは、CF4反応性イオンエッチングによりSiO2に転写し、ドライエッチングのマスク31とする。次に、第3工程として、図6に示すように、CH4/H2ドライエッチングと酸素アッシングを数回行い垂直性に優れた量子細線構造を形成後、エッチング表面のダメージ層の除去のため、ウェットエッチングによるクリーニング処理を行う。次に、第4工程として、図7に示すように、バッファードフッ酸BHFによるSiO2マスク31除去後、OMVPE法により溝部分をOMVPEによりi-InP33により埋め込み、その上にn-InGaAsP光閉じ込め層13を成長させる。次に、第5工程として、図8に示すように、ストライプ状のSiO2マスク34をCVD法により形成し、CH4/H2反応性イオンエッチングによりストライプ構造を作製した。続いて、ドライエッチングによる損傷層をウェットエッチングにより除去する。次に、第6工程として、図9に示すように、p-InP20、n-InP21、p-InP22により構成されるpnp電流ブロック層を選択成長により形成し、SiO2マスク34除去後、n-InPクラッド層15、InGaAsコンタクト層16を積層する。次に、第7工程として、図10に示すように、SiO2絶縁膜17を形成する。最後に、第8工程として、図11に示すように、電極窓開けの後、金属蒸着によりAu/Sn上部電極18、Au/Zn下部電極19を作製する。なお、活性層周期Λの典型値は242.50nmで、細線幅Wは目標値90nmで通常80~100nm程度に製作する。また、位相シフトは、図12に示すように、位相シフトをλ/8分60nm縮めた構造であっても、図13に示すように、細線幅をλ/8分60nm伸ばした構造であっても導入可能である。結合波理論上記非特許文献2参照は、回折格子などの周期的に分布した屈折率及び利得の構造中を光が伝搬する様子を解析するもので、回折格子構造の屈折率分布及び利得の分布を正弦波関数で近似的に表記し、その構造中での光の伝搬が解析できる。図14は、結合波理論を用いたプログラムによる計算に用いた活性層分離型DFBレーザの回折格子構造を示した図である。また、図15は、結合波理論を用いたプログラムによる計算に用いた量子井戸型DFBレーザの回折格子構造を示した図である。図14,15に示すように、活性層幅WS2μmのInPBH構造、屈折率の高い領域と低い領域の屈折率は、図14に示す活性層分離型でそれぞれ3.22,3.19κi=360cm1、図15に示す量子井戸型でそれぞれ3.22,3.2123κi=100cm1とし、活性層への光閉じ込め係数は1層当り1とした。共振器長は、活性層分離型と量子井戸型でそれぞれ170μm,400μmで、位相シフトが中央にあるときのそれぞれのミラー損失は7.5cm1とした。図16は、本実施例に係る本実施例に係る活性層分離型位相シフトDFBレーザにおける副モードと主モードとのミラー損失の差Δαmと副モードのミラー損失αmsubの比Δαm/αthsub及び両端面の光出力に対する高出射側光出力の出力比を示した図である。図16より、量子井戸型DFBレーザと活性層分離型DFBレーザのどちらの場合も、位相シフト位置がより前方にある方が、前方からの光出力は増大し単一モード性は減少するように見える。図17は、本実施例に係る本実施例に係る活性層分離型位相シフトDFBレーザにおけるサイドモード抑圧比SMSRの計算結果であり単一モードの安定性を示した図である。SMSRは単一モード性の1つの指標であり、SMSRが高ければ副モード発振がなく単一モード性が高いといえる。SMSRは、外部微分量子効率ηd,副モードとの主モードのミラー損失の差Δαm,副モードのミラー損失αmsubにより次のように表すことができる。図17において、縦軸は、下記式により表されるλ/4シフトを中央に入れた量子井戸型DFBレーザのサイドモード抑圧比SMSR0とシフト位置をずらしたレーザのサイドモード抑圧比SMSRの比であり、SMSRの改善度改悪の場合はペナルティを表している。図17は、λ/4シフトを中央に入れた量子井戸型DFBレーザのサイドモード抑圧比を基準としており、量子井戸型DFBレーザの計算結果はλ/4シフトが中央位置L1/L1L2=0.5より前方に位置するに従いSMSRは低下し、単一モード性が低下することを示している。一方、活性層分離型DFBレーザでは、λ/8シフト位置が前方から0.38のところまで緩やかにSMSRが上昇し、0.38の位置で極大となり、そこから徐々に低下するSMSR特性を示しめしている。このことから、前方から0.38の位置にλ8位相シフト導入した活性層分離型DFBレーザの単一モード性が最も優れていることがわかる。図16では、位相シフト位置がより前方にある方が単一モード性は減少するように見えたが、単一モード性の1つの指標であるSMSRで計算すると、単一モード性の高い領域のあることがわかる。図20は、シフト位置及びシフト量に対する許容範囲の検討結果を示している。図20に示されているように、シフト位置0.34~0.38においてシフト量λ/10~λ/4を導入した場合、単一モード性の劣化がなくSMSR>0dB、非対称出力出力比>0.8が同時に満たされていることがわかる。シフト位置0.38~0.40又は0.32~0.34でも両方を満たすシフト量は存在するが、許容されるシフト量は狭い範囲に限られてくる。図18は、本実施例に係る活性層分離型位相シフトDFBレーザにおける高出射側の外部微分量子効率の計算結果を示した図である。図18より、位相シフト位置が前方にある方が、外部微分量子効率が高いことが分かる。図16,17の結果から、λ/4位相シフトを中央に入れた量子井戸型DFBレーザシフトと同一の単一モード性が得られるλ/8位相シフト位置は、前方から0.32の位置であり、その位置での前方出力比は約95.6である。また、単一モード性が最も優れるλ/8位相シフト位置0.38においては、前方出力比は約88.6である。すなわち、λ/8位相シフトを前方から0.32~0.38付近に導入した活性層分離型DFBレーザは、単一モード性を高く維持したまま前方端面からの高出力を実現できる。一方、λ/4位相シフトを中央に入れた量子井戸型DFBレーザは、位相シフト位置が0.4より前方になると単一モード性が急激に低下し、前面からの高出力を実現しようとすると単一モード性を維持できないことがわかる。λ/8位相シフトを前方から0.32~0.38付近に導入した活性層分離型DFBレーザと、λ/4位相シフトを中央に入れた量子井戸型DFBレーザとの違いは、図16に示すように、活性層分離構造の方がシフト位置をずらしたときに副モードとの差Δαm0/αm,sub0の減少が小さいことと、図18に示すように、発振波長がブラッグ波長でない分、シフト位置が非対称になっていくときの共振器のQの減少が相対的に敏感なためであると考えられる。以上説明したように、本発明に係る活性層分離型位相シフトDFBレーザによれば、不連続に分離した活性層を有し、共振器の一部にλ/8位相シフトを設けてあるため、λ/4位相シフトDFBレーザと同等の単一モード性における光出力を増加させることができる。特に、共振器の長さに対し前方から0.32~0.38の位置にλ/8位相シフトを設けることで、高い単一モード性を有したまま前方からの高出力を実現でき、λ/8位相シフト位置0.38で最良の単一モード性が実現できる。さらに、λ/8位相シフト位置や発振波長が多少変動しても、高い単一モード性と高出力は維持されるので、作製プロセス等により起因する歩留まり低下を防止できる。"