複数のダイパッド14を上面に形成した電子チップ10と、該電子チップ10の上に配置されたポリイミド軟質層22であって、各々がそれぞれのダイパッド14に対応するような複数のビア24を内部に形成したポリイミド軟質層22と、前記電子チップ10と前記ポリイミド軟質層22との間に付着させられた接着剤層23と、前記ポリイミド軟質層22の上に形成された複数の金属インタコネクト28とを備えたチップパッケージ20であって、前記複数の金属インタコネクト28の各々が、前記ポリイミド軟質層22の上面30の一部を被覆する被覆パッド31と、該被覆パッド31から下方に前記ビア24の周辺に沿って前記ビア24を通過して延在する側壁36と、該側壁36に接続されて、それぞれのダイパッド14との電気的接続を形成する底面34とを含んでおり、前記底面及び前記側壁の各々の厚みが前記接着剤層23の厚みに等しいか又はこれよりも大きい、チップパッケージ20。前記底面34及び前記側壁36の各々の厚みは、それぞれのビア24の容積が前記金属インタコネクト28により充填されるような厚みである、請求項1に記載のチップパッケージ20。前記金属インタコネクト28は柱状インタコネクト38を含んでいる、請求項2に記載のチップパッケージ20。前記ポリイミド軟質層22は、前記電子チップ10を支持するように構成されている自立型フィルムを含んでいる、請求項1に記載のチップパッケージ20。前記接着剤層23の組成は、エポキシ系誘電材料と、エポキシ樹脂と、光酸発生剤と、酸化防止剤と、前記光酸発生剤に対応する常温触媒とを含んでいる、請求項1に記載のチップパッケージ20。前記接着剤層23の前記厚みは12マイクロメートル~25マイクロメートルの範囲にある、請求項1に記載のチップパッケージ20。前記複数のビア24の各々の径は45マイクロメートル未満である、請求項1に記載のチップパッケージ20。前記被覆パッド31の厚みは前記底面34及び前記側壁36の厚みよりも大きい、請求項7に記載のチップパッケージ20。前記複数の金属インタコネクト28は、電気めっき法により前記ポリイミド軟質層22の上に形成される、請求項1に記載のチップパッケージ20。前記電子チップ10は、伏せた配向で前記接着剤層23を介して前記ポリイミド軟質層22に接着される、請求項1に記載のチップパッケージ20。IC/チップパッケージに対する作用目的が拡大し続けるにつれて、チップ表面のダイパッドの数が増大し、またパッドのピッチすなわち隣り合うダイパッドの中心間距離が小さくなって50マイクロメートル以下等になっている。これにより、デバイスへのビアインタコネクトに利用することのできる空間が小さくなり、相対的に小さいビアすなわち相対的に小径のビアを用いざるを得ない。しばしば、高周波層同士の間のインピーダンス要件又はパターンオーバレイの整列に必要とされる寸法厳密性の何れかのため、チップに施工される誘電層の厚みを小さくすることはできない。すると、ビアの径は小さくなるが、誘電層を通過して延在するビアの高さ/厚みはある程度一定に留まり、これにより、アスペクト比すなわち高さ対径の比が増大したビアが得られる。しかしながら、小径のビアほど電気めっき時に金属を充填するのが困難であり、またかかるビアの内部に存在する金属の合計容積は、所与の厚みについては相対的に大きいビアに比較して小さくなり得る。すなわち、誘電層の上面のビア開口の周りの金属被覆パッドは所与の厚みを有し得るが、小径のビアの内部に存在する金属の厚みが、相対的な小径及び増大したアスペクト比に基づいてこの所与の厚みよりも小さくなる場合があり、従って、ビアにおける金属容積が望ましい容積よりも少なくなる。縮小径を有するビアに存在する金属の容積がこのように減少すると、金属インタコネクトに耐久性の問題が起こり得る。すなわち、熱サイクル信頼性試験時に、ビアの金属と周囲の誘電材料との間の熱膨張率CTEの不一致による応力のため、遂には金属疲労及び亀裂が生じ、金属インタコネクトの損失/故障を招く。このことは、疲労を最低限にするために存在する合計金属が少なければさらに速やかに生ずる。従って、チップ表面のダイパッドへの信頼性の高い金属インタコネクト接続を提供するチップパッケージングのシステム及び方法が必要とされている。さらに、特に径が縮小しアスペクト比が増大したビアを含む高密度インタコネクトHDIICパッケージにおいて、かかる金属インタコネクトが熱応力に起因する疲労に耐えるようにする必要性が存在している。本発明の各実施形態は、チップパッケージ製造のシステム及び方法を提供することにより上述の欠点を克服し、これらのシステム及び方法では、ビアが誘電層及び接着剤層を通過して電子チップのダイパッドまで下降するように形成されており、ビアには、増大した厚みを有する耐応力性金属インタコネクトが内部に形成されている。本発明の一観点によれば、チップパッケージが、複数のダイパッドを上面に形成した電子チップと、電子チップの上に配置されたポリイミド軟質層とを含んでおり、ポリイミド軟質層は、各々がそれぞれのダイパッドに対応するような複数のビアを内部に形成している。このチップパッケージはまた、電子チップとポリイミド軟質層との間に付着させられた接着剤層と、ポリイミド軟質層の上に形成された複数の金属インタコネクトとを含んでおり、複数の金属インタコネクトの各々がさらに、ポリイミド軟質層の上面の一部を被覆する被覆パッドと、この被覆パッドから下方にビアの周辺に沿ってビアを通過して延在する側壁と、この側壁に接続されて、それぞれのダイパッドとの電気的接続を形成する底面とを含んでおり、底面及び側壁の各々の厚みは、接着剤層の厚みに等しいか又はこれよりも大きい。本発明のもう一つの観点によれば、チップパッケージを形成する方法が、集積回路ICを搭載すると共に複数のダイパッドを上面に形成したシリコンウェーハを提供するステップと、シリコンウェーハの上面に接着剤層を施工するステップと、接着剤層を介してシリコンウェーハを自立型ポリイミド軟質層に接着させるステップと、自立型ポリイミド軟質層及び接着剤層を通過する複数のビアであって、各々が複数のダイパッドのそれぞれまで延在しているような複数のビアを形成するステップとを含んでいる。この方法はまた、自立型ポリイミド軟質層の上に、複数の金属インタコネクトであって、各々がそれぞれのビアを通過して延在してそれぞれのダイパッドに電気的に接続しているような複数の金属インタコネクトを形成するステップを含んでおり、この複数の金属インタコネクトを形成するステップはさらに、接着剤層の厚みに基づいて望ましい金属インタコネクト厚みを決定するステップと、自立型ポリイミド軟質層の上で複数のビアの内部に、望ましい金属インタコネクト厚みを有する金属材料を付着させるステップと、望ましい厚みを有する複数の金属インタコネクトを形成するように金属材料にパターニング及びエッチングを施すステップとを含んでいる。本発明のさらにもう一つの観点によれば、チップパッケージが、複数のダイパッドを上面に形成したシリコンウェーハと、シリコンウェーハの上に付着させられた接着剤層と、接着剤層に固着された自立型誘電層とを含んでおり、自立型誘電層には、各々が接着剤層を通過して複数のダイパッドのそれぞれまで延在している複数のビアが当該自立型誘電層を通過して形成されている。このチップパッケージはまた、自立型ポリイミド軟質フィルムの上に形成された複数の金属インタコネクトを含んでおり、複数の金属インタコネクトの各々が、それぞれのビアを通過して延在してそれぞれのダイパッドとの電気的接続を形成している。複数の金属インタコネクトの各々はさらに、自立型ポリイミド軟質フィルムの上面の一部を被覆する被覆パッドと、それぞれのダイパッドとの電気的接続を形成する底面と、ビアの周辺に沿って被覆パッドと底面との間に延在する側壁とを含んでおり、底面及び側壁の各々が、接着剤層の厚みに等しい又はこれよりも大きい厚みを有するように構築されている。これらの利点及び特徴、並びに他の利点及び特徴は、添付図面に関連して掲げられている以下の本発明の好適実施形態の詳細な説明からさらに容易に理解されよう。本発明の各実施形態は、チップパッケージを形成するシステム及び方法を提供する。このチップパッケージは、誘電層を通過して電子チップのダイパッドまで下降するように形成されたビアを含んでおり、ビアには、増大した厚みを有する耐応力性金属インタコネクトが内部に形成されている。図1には、本発明の各実施形態と共に用いられ得るベア電子チップ又はパッケージング前の電子チップ10の上面平面図が示されている。図示のように、ベア電子チップ10は、基材12例えばシリコンウェーハと、基材12の上の複数のダイパッド14とを含んでいる。ダイパッド14は、多様な手法によって基材12の上に配置され得る。例えば、金属化法等を具現化してダイパッド14を基材12に付着させることができる。エッチング又はフォトリソグラフィのような代替的な手法を具現化してもよい。ダイパッド14は、例えばアルミニウム、銅、金、銀及びニッケル、又はこれらの組み合わせのような多様な材料を含む組成を有し得る。図1に示すように、ダイパッド14は互いに対して隔設されるようにして基材12の上に配列されている。このようなものとして、各々の連続したダイパッド14は間にピッチ16を有する。本発明の各実施形態は、図1に示すものとは異なる態様でダイパッドを配列したベア電子チップを用いてもよい。例えば、他のベア電子チップは、図1に示す単一のダイパッド14列ではなく多数の周辺ダイパッド列を有し得る。加えて、ダイパッドのアレイが基材の任意の領域に配置されているような半導体デバイスを用いてもよいし、1又は複数のダイパッド列が基材の中心領域にわたって全体的に配列されているような半導体デバイスを用いてもよい。さらに他の実施形態は、基材の周辺の全4辺よりも少ない辺に沿って配列されているダイパッドを有していてもよい。さらにまた、電子チップの実施形態は、ダイパッド同士の間の間隔が様々に配列されたダイパッドを含み得る。図2には、ベア電子チップ10を組み入れたチップパッケージ20すなわち集積回路ICパッケージの側面図が示されている。チップパッケージ20を製造するときには、ポリイミド軟質層又は回路基板22のような自立型誘電層が、間に施工された接着剤層23を介してベア電子チップ10の上面に施工され、ベア電子チップ10が伏せた配向で、ダイアタッチ機構図示されていない又は何らかの類似手順を用いて接着剤層23に取り付けられる。ポリイミド軟質層22は、ベア電子チップ10の上に配置され得る貼り合わせシート又はフィルムの予備成形物の形態にある。例えば、ポリイミド軟質層22は、Kapton登録商標、Ultem登録商標、ポリテトラフルオロエチレンPTFE、又は液晶ポリマーLCPのような他のポリマーフィルムで形成され得る。実施形態の一例によれば、接着剤層23は、エポキシ系誘電材料、エポキシ樹脂、光酸発生剤、酸化防止剤、及び光酸発生剤に対応する常温触媒で構成されており、製品の信頼性及び歩留まりを増進させる接着剤を提供している。接着剤層は、ポリイミド軟質層22と電子チップ10との間に適当な接着を提供する厚みを有するように形成され、例えば12マイクロメートル~25マイクロメートルの範囲にある厚み等を有する。接着剤層23を介してベア電子チップ10にポリイミド軟質層22を施工したら、貼り合わせ層に複数のビア24が形成される。ビア24はレーザ焼灼法又はレーザ孔あけ法によって形成され、基材12に配置されたダイパッド14に対応する位置に形成される。このように、ポリイミド軟質層22でのビア24のレーザ孔あけによってダイパッド14が露出する。ビア24を形成したら、例えばスパッタリング法、電気めっき法、又はこれら二つの組み合わせを介して金属層/材料26がポリイミド軟質層22に付着させられる。次いで、付着した金属層/材料26を金属インタコネクト28として形成する。手法の一例では、ポリイミド軟質層22の上面30からビア24を通過して下方に延在する金属インタコネクト28が形成されるように、金属層/材料26にパターニング及びエッチングを施す。金属インタコネクト28はこのようにしてダイパッド14との電気的接続を形成する。この態様で、ポリイミド軟質層22は、ダイパッド14の配列を再分配するように作用する再分配層を形成し、この層は、電子チップパッケージ20の表面に分配されたインタコネクトの面アレイとなるように各々のベア電子チップ10の周辺の周りに配列され得る図1に示すように。図3に示すように、本発明の一実施形態によれば、チップパッケージ20の構築時には、1又は複数の付加的なポリイミド軟質層32が、関連する接着剤層23を介してポリイミド軟質層22に施工される。上述のステップと同様に、例えばレーザ焼灼法又はレーザ孔あけ法を介して複数のビア24が付加的なポリイミド軟質層32に形成される。付加的なポリイミド軟質層32の各々のビア24は、金属インタコネクト28のさらなる再分配を考慮に入れて、直下に配置されたポリイミド軟質層例えばポリイミド軟質層22に取り付けられた金属インタコネクト28に対応する位置に形成される。後にあらためて説明するように、次いで、金属インタコネクトが堆積例えばスパッタリング又は電気めっき工程、並びに引き続き行なわれるパターニング及びエッチング工程を介して付加的なポリイミド軟質層32の上に再び形成され、ビア24を通過して下方に延在して、直下に配置されたポリイミド軟質層22、32の上の金属インタコネクト28と電気的に接触するように、金属インタコネクト28を変形させる。図4及び図5には、本発明の各実施形態によるチップパッケージ20の一部の詳細図が示されている。図4及び図5に図示され記載されるチップパッケージ20の実施形態の各々では、金属インタコネクト28の厚みは、基材12とポリイミド軟質層22との間に施工される接着剤層23の厚みに依存している。すなわち、ビア24に形成される金属インタコネクト28と層23を形成する接着材料との間に熱膨張率CTEの大きい不一致が存在することが認められる。このCTEの大きい不一致は、金属インタコネクト28に応力を誘発し、遂には金属疲労及び亀裂を起こして金属インタコネクトの損失/故障を招き得る。従って、相対的に大きい百分率容積のビア24を充填する又は完全にビアを充填する増大した厚みを有する金属インタコネクト28を提供して、相対的に薄い金属インタコネクトに比較して高められた金属疲労及び亀裂に対する耐久性を提供することが望ましい。図4を参照すると、本発明の一実施形態によるチップパッケージ20が掲げられており、このチップパッケージ20は、電子チップ10を固着させ得る自立型フィルムとして構築されるように25マイクロメートルの厚みtpを有して形成されるポリイミド軟質層22を含んでいる。電子チップ10とポリイミド軟質層22との間に配置された接着剤層23は、ポリイミド軟質層22及び電子チップ10との間に適当な接着を提供するように、厚みtaが約14マイクロメートルとなっている。従って、ポリイミド軟質層22及び接着剤層23を通過して形成されるビア24は、約39マイクロメートルの高さh1を有する。金属インタコネクト28が、電気めっき法、並びに引き続き行なわれるパターニング及びエッチング等による金属層/材料の施工によって、ポリイミド軟質層22の上でビア24の内部に形成される。金属インタコネクト28は、ポリイミド軟質層22の上面30に形成される被覆パッド31と、ダイパッド14との電気的接続を形成する底面部34と、底面34から上方にビア24の周辺に沿ってポリイミド軟質層22の上面30まで延在する側壁36とを含むように形成される。図4の実施形態によれば、金属インタコネクト28の底面34及び側壁36は、金属インタコネクト28を形成する金属とポリイミド軟質層22及び接着剤23を形成する周囲材料との間のCTEの不一致から金属インタコネクトに加わる応力に基づいて生じ得る金属疲労及び亀裂に対して耐久性のある金属インタコネクト28を提供するように、14マイクロメートルの範囲の厚みt1を有して形成される。すなわち、接着剤層23の厚みtaが14マイクロメートルである場合に約39マイクロメートルの高さh1を有するように形成されるビア24について、底面34及び側壁36の厚みt1が14マイクロメートルである金属インタコネクト28は、熱サイクルに起因する故障に対する耐久性を高めて信頼性を高めた金属インタコネクトを提供する。図4に関し、基材12とポリイミド軟質層22との間に14マイクロメートルよりも大きい又は小さい厚みtaを有する接着剤層23が設けられ得ることが認められる。一般的には、金属インタコネクト28の底面34及び側壁36の厚みt1は、接着剤層23の厚みtaに等しいか又はこれよりも大きいことが認められる。従って、例えば厚みtaが16マイクロメートルの接着剤層23について、本発明の一実施形態によれば、厚みt1が少なくとも16マイクロメートルである底面34及び側壁36を有する金属インタコネクト28が設けられる。厚みt1が接着剤層23の厚みtaに等しい又はこれよりも大きい底面34及び側壁36を有する金属インタコネクト28を設けると、信頼性が高く耐応力性の金属インタコネクト28が得られる。図5を参照すると、本発明のもう一つの実施形態によるチップパッケージ20が掲げられており、このチップパッケージ20は、電子チップ10を固着させ得る自立型フィルムとして構築されるように25マイクロメートルの厚みtpを有するポリイミド軟質層22を含んでいる。電子チップ10とポリイミド軟質層22との間に配置された接着剤層23は、ポリイミド軟質層22と電子チップ10との間に適当な接着を提供するように、厚みtaが約14マイクロメートルとなっている。従って、ポリイミド軟質層22及び接着剤層23を通過して形成されるビア24は、約39マイクロメートルの高さh1を有する。図5の実施形態によれば、ポリイミド軟質層22の上面30に形成された被覆パッド31を底面部及び側壁と共に有する金属インタコネクト28が、ビア24を充填する又は実質的に充填する柱状インタコネクト38の形態で設けられている。多様な中実ビアめっき金属化手法を具現化して柱状インタコネクト38を作製することができ、この作製は、ビア金属の選択的パターンめっきを具現化することによりビア24に中実金属を形成することにより行なうこともできるし、差分的なエッチング速度及びめっき速度の機構を介して、金属のめっき及びエッチングを交互に行なうパルス式めっきを具現化して行なうこともできる。このように、柱状インタコネクト38は、ビア24が実質的に又は完全に充填され、これにより柱状インタコネクトを形成するのに十分な大きい厚みを有する底面部及び側壁を有する金属インタコネクト28と記述され得る。柱状インタコネクト38はビア24を充填しているので、厚みが接着剤層23の厚みtaよりも大きく、従って、熱サイクルに起因する故障に対する耐久性を高めて信頼性を高めた金属インタコネクトを提供する。図4及び図5において記載される実施形態の各々について、ビア24の径d1及びアスペクト比高さ対径の比が電気めっき法の際の金属インタコネクト28の形成に影響を与え得ることが認められる。ダイパッド14の間のピッチ16図1を減少させた高密度インタコネクトチップパッケージでは、ダイパッド14に対応するビアの形成及びビアの間のピッチの最小化を考慮に入れるために、各々のビア24の径d1も縮小されることが認められる。しかしながら、電子チップ10のダイパッド14への電気的接続を提供するためにビア24の径d1を縮小することはできるが、高周波層同士の間のインピーダンス要件又はパターンオーバレイの整列に必要とされる寸法厳密性の何れかのため、ポリイミド軟質層22の厚みtpの縮小に関する限界が存在する例えば最小のポリイミド軟質層の厚みが25マイクロメートル等。従って、各々のビア24の径d1を縮小すると、ビアのアスペクト比すなわち高さ対径の比が増大したビアが得られる。ビア24の径d1の縮小及び高さ対径のアスペクト比の増大によって、電気めっきの際にビア24を金属で充填することがさらに困難になり、これにより金属インタコネクト28の各部分の厚みに不整合が生ずる。さらに明確に述べると、ビア24の径d1の縮小及び高さ対径のアスペクト比の増大によって、被覆パッド31の厚みtcが底面34及び側壁36の厚みt1よりも大きくなり得る。例えば、図4に示すもののように、底面の径d1を25マイクロメートルとし、高さが39マイクロメートルとして形成されたビア24について、電気めっきの際にビア24を金属で充填することの本質的な困難に基づいて、被覆パッド31の厚みtcは8マイクロメートルとなり得るが、底面34及び側壁36の厚みt1が約5.5マイクロメートルとなる場合がある。図4及び図5を続けて参照しながら図6A及び図6Bを参照して述べると、金属インタコネクトの信頼性と底面34及び側壁36の厚みt1との間の関係が図示されており、同図ではビアストリング故障率軸40が底面/側壁厚み軸42に対してプロットされている。例として、図6Aには、ビアストリング故障率が、25マイクロメートル径のビア、35マイクロメートル径のビア、及び45マイクロメートル径のビアを含めた複数のビア寸法での8マイクロメートル上面金属インタコネクトめっきすなわち金属インタコネクトの被覆パッド31の厚みについて示されており、またビアストリング故障率は750サイクル、1000サイクル、及び1250サイクルの熱サイクルについて示されている。図6Aに示すように、8マイクロメートル上面めっきによって形成される底面/側壁34、36の実際の厚みt1はビア径に基づいて変化し、25マイクロメートルのビアの底面/側壁厚みは約5.6マイクロメートルとなり、35マイクロメートルのビアの底面/側壁厚みは約6.8マイクロメートルとなり、45マイクロメートルのビアの底面/側壁厚みは約7.7マイクロメートルとなる。図6Bには、750サイクルの熱サイクルについてのビアストリング故障率が、25マイクロメートル径のビア、35マイクロメートル径のビア、及び45マイクロメートル径のビアを含めた複数のビア寸法での8マイクロメートル上面金属インタコネクトめっきについて、750サイクルの熱サイクルについて示されている。加えて、750サイクルの熱サイクルについてのビアストリング故障率が、25マイクロメートル径のビアの4マイクロメートル上面金属インタコネクトめっきについて示されている。図6Bに示すように、8マイクロメートルめっきによって形成される底面/側壁34、36の実際の厚みt1はビア径に基づいて変化し、25マイクロメートルのビアの底面/側壁厚みは約5.6マイクロメートルとなり、35マイクロメートルのビアの底面/側壁厚みは約6.8マイクロメートルとなり、45マイクロメートルのビアの底面/側壁厚みは約7.7マイクロメートルとなる。25マイクロメートルのビアの4マイクロメートルめっきについては、底面/側壁厚みは約2.9マイクロメートルとなる。図6A及び図6Bに基づいて、ビアストリング故障率すなわち金属インタコネクトの信頼性は、金属インタコネクトの底面/側壁34/36の厚みt1の関数であり、金属インタコネクトめっき厚みすなわち被覆パッド31の厚みtc及びビア径とは独立であることが分かる。すなわち、金属インタコネクト28の被覆パッド31の厚みtc及びビア24の径d1は、金属インタコネクトの信頼性に影響を与えない。寧ろ、金属インタコネクト28の信頼性及び熱サイクルに起因する故障に対する耐久性を決定するのは、ビア24の内部での金属インタコネクト底面及び側壁34、36の厚みt1であり、厚みt1の望ましい値は接着剤層23の厚みtaに基づいて決定される。このように、金属インタコネクト28を形成する際に、金属材料をポリイミド軟質層22の上でビア24の内部まで電気めっきするときに考慮されるのは、底面34及び側壁36の厚みt1であることが認められる。熱サイクル時の金属インタコネクト28の信頼性は、ビア24の内部に存在する金属の合計容積すなわち底面34及び側壁36厚みt1に依存するため、考慮されるのはポリイミド軟質層22の上面30に形成される被覆パッド31の厚みtcではなく、接着剤層23の厚みtaに対する底面34及び側壁36の厚みt1である。従って、電気めっきの際には、望ましい厚みt1すなわち接着剤層23の厚みtaに等しい又はこれよりも大きい厚みt1を有する金属インタコネクト28の底面34及び側壁36又は完全充填ビア24すなわち柱状インタコネクト38を形成するのに十分な量の金属材料26が施工され、また被覆パッド31の厚みtcは底面34及び側壁36の厚みよりも大きくなり得ることが認められる。従って、本発明の一実施形態によれば、チップパッケージが、複数のダイパッドを上面に形成した電子チップと、電子チップの上に配置されたポリイミド軟質層とを含んでおり、ポリイミド軟質層は、各々がそれぞれのダイパッドに対応するような複数のビアを内部に形成している。このチップパッケージはまた、電子チップとポリイミド軟質層との間に付着させられた接着剤層と、ポリイミド軟質層の上に形成された複数の金属インタコネクトとを含んでおり、複数の金属インタコネクトの各々がさらに、ポリイミド軟質層の上面の一部を被覆する被覆パッドと、この被覆パッドから下方にビアの周辺に沿ってビアを通過して延在する側壁と、この側壁に接続されて、それぞれのダイパッドとの電気的接続を形成する底面とを含んでおり、底面及び側壁の各々の厚みは、接着剤層の厚みに等しいか又はこれよりも大きい。本発明のもう一つの実施形態によれば、チップパッケージを形成する方法が、集積回路ICを搭載すると共に複数のダイパッドを上面に形成したシリコンウェーハを提供するステップと、シリコンウェーハの上面に接着剤層を施工するステップと、接着剤層を介してシリコンウェーハを自立型ポリイミド軟質層に接着させるステップと、自立型ポリイミド軟質層及び接着剤層を通過する複数のビアであって、各々が複数のダイパッドのそれぞれまで延在しているような複数のビアを形成するステップとを含んでいる。この方法はまた、自立型ポリイミド軟質層の上に、複数の金属インタコネクトであって、各々がそれぞれのビアを通過して延在してそれぞれのダイパッドに電気的に接続しているような複数の金属インタコネクトを形成するステップを含んでおり、この複数の金属インタコネクトを形成するステップはさらに、接着剤層の厚みに基づいて望ましい金属インタコネクト厚みを決定するステップと、自立型ポリイミド軟質層の上で複数のビアの内部に、望ましい金属インタコネクト厚みを有する金属材料を付着させるステップと、望ましい厚みを有する複数の金属インタコネクトを形成するように金属材料にパターニング及びエッチングを施すステップとを含んでいる。本発明のさらにもう一つの実施形態によれば、チップパッケージが、複数のダイパッドを上面に形成したシリコンウェーハと、シリコンウェーハの上に付着させられた接着剤層と、接着剤層に固着された自立型誘電層とを含んでおり、自立型誘電層には、各々が接着剤層を通過して複数のダイパッドのそれぞれまで延在している複数のビアが当該自立型誘電層を通過して形成されている。このチップパッケージはまた、自立型ポリイミド軟質フィルムの上に形成された複数の金属インタコネクトを含んでおり、複数の金属インタコネクトの各々が、それぞれのビアを通過して延在してそれぞれのダイパッドとの電気的接続を形成している。複数の金属インタコネクトの各々はさらに、自立型ポリイミド軟質フィルムの上面の一部を被覆する被覆パッドと、それぞれのダイパッドとの電気的接続を形成する底面と、ビアの周辺に沿って被覆パッドと底面との間に延在する側壁とを含んでおり、底面及び側壁の各々が、接着剤層の厚みに等しい又はこれよりも大きい厚みを有するように構築されている。発明を限定された数の実施形態にのみ関連して詳細に記載したが、本発明はかかる開示された実施形態に限定されないことが容易に理解されよう。寧ろ、本発明は、本書では記載されていないが発明の要旨及び範囲に沿った任意の数の変形、変更、置換又は均等構成を組み入れるように改変され得る。加えて、発明の様々な実施形態について記載したが、発明の各観点は所載の実施形態の幾つかのみを含み得ることを理解されたい。従って、本発明は、以上の記載によって制限されるのではなく、特許請求の範囲によってのみ制限されるものとする。