基板と、基板の上に後面電極層と、前記後面電極層の上に光吸収層と、前記光吸収層の上にバッファ層と、前記バッファ層の上にウィンドウ層が形成された複数個のセルと、を含み、前記複数個のセルの各々の幅をW1とし、前記ウィンドウ層の厚さをW2とした時、W2=A×W1の式を満たし、前記Aは1×10-4乃至1.7×10-4の値を有することを特徴とする、太陽電池。前記ウィンドウ層は3mm乃至6mmの厚さで形成されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。前記ウィンドウ層は、ジンクオキサイドzincoxide、インジウムチンオキサイドinduimtinoxide;ITO、インジウムジンクオキサイドinduimzincoxide;IZO、アルミニウムドーピングされたジンクオキサイドAldopedzincoxide;AZO、またはガリウムドーピングされたジンクオキサイドGadopedzincoxide;GZOのうち、少なくとも1つを含むことを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。前記バッファ層とウィンドウ層との間に形成される高抵抗バッファ層を含むことを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。前記複数個のセルの間に形成される貫通溝をさらに含み、前記貫通溝は80μm乃至200μmの幅で形成されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池。基板の上に裏面電極層を形成するステップと、前記裏面電極層の上に光吸収層、バッファ層、及びウィンドウ層を形成するステップと、前記光吸収層、バッファ層、及びウィンドウ層の一部を除去して多数個のウィンドウ及び複数個のセルC1、C2...が定義されるように貫通溝を形成するステップと、を含み、前記複数個のセルの各々の幅をW1とし、前記ウィンドウ層の厚さをW2とした時、W2=A×W1の式を満たし、前記Aは1×10-4乃至1.7×10-4の値を有するように形成することを特徴とする、太陽電池製造方法。前記バッファ層とウィンドウ層との間に高抵抗バッファ層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項6に記載の太陽電池製造方法。本発明の目的は、セルC1、C2...の幅によってウィンドウ層の厚さを一定の割合で調節することによって、ウィンドウ層の厚さの減少を通じて生産性を向上することにある。本発明の他の目的は、ウィンドウ層の厚さが減少して透過率が向上するので、光-電変換効率が向上した太陽電池及びその製造方法を提供することにある。本発明に従う太陽電池は、基板、基板の上に後面電極層、上記後面電極層の上に光吸収層、上記光吸収層の上にバッファ層、及び上記バッファ層の上にウィンドウ層を含む複数個のセルを含み、上記複数個のセルの各々の幅をW1とし、上記ウィンドウ層の厚さをW2とした時、W2=A×W1の式を満たし、上記Aは1×10-4乃至1.7×10-4の値を有する。本発明に従う太陽電池の製造方法は、基板の上に裏面電極層を形成するステップ、上記裏面電極層の上に光吸収層、バッファ層、及びウィンドウ層を形成するステップ、及び上記光吸収層、バッファ層、及びウィンドウ層の一部を除去して多数個のウィンドウ及び複数個のセルC1、C2...が定義されるように貫通溝を形成するステップを含み、上記複数個のセルの各々の幅をW1とし、上記ウィンドウ層の厚さをW2とした時、W2=A×W1の式を満たし、上記Aは1×10-4乃至1.7×10-4の値を有するように形成する。本発明によれば、各セルC1、C2...の幅によってウィンドウ層の厚さを一定の割合で調節することによって、ウィンドウ層の厚さの減少を通じて生産性が向上できる。また、ウィンドウ層の厚さが減少して透過率が向上するので、光-電変換効率が向上する。本発明を説明するに当たって、各支持基板、層、膜、または電極などが、各支持基板、層、膜、または電極などの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の層を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各構成要素のサイズは説明の便宜のために誇張することがあり、実際に適用されるサイズを意味するものではない。図1は本発明の実施形態に従う太陽光発電装置を示す平面図であり、図2は図1のA-A’に沿って切断した断面を示す断面図である。図2を参照すると、実施形態に従う太陽電池は、支持基板100、上記支持基板100の上に裏面電極層200、上記裏面電極層200の上に光吸収層300、上記光吸収層300の上にバッファ層400、及び高抵抗バッファ層500、上記高抵抗バッファ層500の上にウィンドウ層600を含む。上記支持基板100はプレート形状を有し、上記裏面電極層200、光吸収層300、バッファ層400、高抵抗バッファ層500、及びウィンドウ層600を支持する。上記支持基板100は絶縁体でありうる。上記支持基板100は、ガラス基板、プラスチック基板、または金属基板でありうる。より詳しくは、上記支持基板100はソーダライムガラスsodalimeglass基板でありうる。上記支持基板100がソーダライムガラスの場合、ソーダライムガラスに含まれたナトリウムNaが太陽電池の製造工程中にCIGSで形成された光吸収層300に拡散されることがあるが、これによって、光吸収層300の電荷濃度が増加することがある。これは、太陽電池の光電変換効率を増加させることができる要因になることができる。その他、支持基板100の材質に、アルミナのようなセラミック基板、ステンレススチール、柔軟性のある高分子などが使用できる。上記支持基板100は透明であることがあり、リジッドであるか、またはフレキシブルであることができる。上記裏面電極層200は、上記支持基板100の上に配置される。上記裏面電極層200は導電層である。上記裏面電極層200は、太陽電池のうち、上記光吸収層300で生成された電荷が移動するようにして太陽電池の外部に電流を流れるようにすることができる。上記裏面電極層200は、このような機能を遂行するために電気伝導度が高く、比抵抗が小さくなければならない。また、上記裏面電極層200は、CIGS化合物の形成時に伴われる硫黄SまたはセレニウムSe雰囲気下での熱処理時、高温安定性が維持されなければならない。また、上記裏面電極層200は熱膨張係数の差によって上記支持基板100と剥離現象が発生しないように上記支持基板100と接着性に優れなければならない。このような裏面電極層200は、モリブデンMo、金Au、アルミニウムAl、クロムCr、タングステンW、及び銅Cuのうち、いずれか1つで形成できる。このうち、特にモリブデンMoは他の元素に比べて上記支持基板100と熱膨張係数の差が小さいため、接着性に優れて剥離現象の発生を防止することができ、前述した裏面電極層200に要求される特性を全般的に満たすことができる。上記裏面電極層200は、2つ以上の層を含むことができる。この際、各々の層は同一な金属で形成されるか、互いに異なる金属で形成できる。上記裏面電極層200には第1貫通溝TH1が形成される。上記第1貫通溝TH1は、上記支持基板100の上面の一部を露出するオープン領域である。上記第1貫通溝TH1は平面視して、一方向に延びる形状を有することができる。上記第1貫通溝TH1により露出された支持基板100の幅は約80μm乃至200μmである。上記第1貫通溝TH1によって上記裏面電極層200は多数個の裏面電極に区分される。即ち、上記第1貫通溝TH1によって裏面電極が定義される。上記裏面電極はストライプ形態に配置される。これとは異なり、上記裏面電極はマトリックス形態に配置できる。この際、上記第1貫通溝TH1は平面視して、格子形態に形成できる。上記裏面電極層200の上には光吸収層300が形成できる。上記光吸収層300はp型半導体化合物を含む。より詳しくは、上記光吸収層300はI-III-VI族系化合物を含む。例えば、上記光吸収層300は、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn、GaSe2;CIGS系結晶構造、銅-インジウム-セレナイド系、または銅-ガリウム-セレナイド系結晶構造を有することができる。上記光吸収層300の上にはバッファ層400及び高抵抗バッファ層500が形成できる。CIGS化合物を光吸収層300として有する太陽電池はp型半導体であるCIGS化合物薄膜とn型半導体であるウィンドウ層600の薄膜の間にpn接合を形成する。しかしながら、2つ物質は格子定数とバンドギャップエネルギーの差が大きいため、良好な接合を形成するためには、バンドギャップが2つ物質の中間に位置するバッファ層が必要である。上記バッファ層400を形成する物質には、CdS、ZnSなどがあり、太陽電池の発電効率の面においてCdSが相対的に優れる。上記高抵抗バッファ層500は不純物がドーピングされていないジンクオキサイドi-ZnOを含む。上記高抵抗バッファ層500のエネルギーバンドギャップは約3.1eV乃至3.3eVである。上記高抵抗バッファ層500の上にウィンドウ層600が形成される。上記ウィンドウ層600は透明で、導電層である。また、上記ウィンドウ層600の抵抗は上記裏面電極層200の抵抗より高い。上記ウィンドウ層600は酸化物を含む。例えば、上記ウィンドウ層600は、ジンクオキサイドzincoxide、インジウムチンオキサイドinduimtinoxide;ITO、またはインジウムジンクオキサイドinduimzincoxide;IZOなどを含むことができる。また、上記酸化物は、アルミニウムAl、アルミナAl2O3、マグネシウムMg、またはガリウムGaなどの導電性不純物を含むことができる。より詳しくは、上記ウィンドウ層600は、アルミニウムドーピングされたジンクオキサイドAldopedzincoxide;AZO、またはガリウムドーピングされたジンクオキサイドGadopedzincoxide;GZOなどを含むことができる。従来、ウィンドウ層600の厚さW2は上記セルC1、C2...の各々の幅W1と一定の割合で形成された。これを式で表せば、例えば、次の通りである。W2=A×W1即ち、セルC1、C2...の各々の幅W1が3mmの場合、ウィンドウ層600の厚さW2は600nmであり、セルC1、C2...の各々の幅W1が4mmの場合、ウィンドウ層600の厚さW2は800nmであり、セルC1、C2...の各々の幅W1が5mmの場合、ウィンドウ層600の厚さW2は1000nmの値を有するように形成された。既存のウィンドウ層600の厚さW2は、上記のように上記セルC1、C2...の各々の幅W1と対比して厚く形成されたので、生産費用及び時間の面において改善の余地があり、厚いウィンドウ層600の厚さW2によって透過率の低下などの問題が存在した。また、厚さが増加すれば、第3貫通溝TH3を形成する時、ウィンドウ層600のパーティクルparticleによって短絡される可能性も増加するようになる。そして、セルC1、C2...の各々の幅W1が減少すれば、開放電圧Vocが増加することができるが、同時に合線電流Iscが減少するようになって、これによって太陽電池の効率が減少することがあり、幅W1が必要以上に増加すれば、開放電圧Vocが減少することがあるので、このような点を考慮して3mm乃至6mmの範囲に形成することが好ましい。上記セルC1、C2...の各々の幅W1の範囲と生産性を向上させるためのウィンドウ層600の厚さW2を最適化した関係式は、次の通りである。W2=A×W1上記Aの値が1×10-4以下に減少すれば、上記ウィンドウ層600の抵抗特性が悪化することがあり、1.5×10-4以上に増加すれば、上記ウィンドウ層600の厚さが増加するようになって、透過率が減少し、生産費用が増加するようになる。上記セルの各々の幅W1は1つの第3貫通溝TH3とこれと隣接した他の第3貫通溝TH3との間の間隔を意味する。したがって、上記Aは1×10-4乃至1.7×10-4の値を有することができる。好ましくは、1.2×10-4乃至1.3×10-4の値を有することができる。即ち、セルC1、C2...の各々の幅W1が3mmの場合、ウィンドウ層600の厚さW2は375nmであり、セルC1、C2...の各々の幅W1が4mmの場合、ウィンドウ層600の厚さW2は500nmであり、セルC1、C2...の各々の幅W1が5mmの場合、ウィンドウ層600の厚さW2は625nmの値を有するように形成された。実施形態によれば、各セルC1、C2...の幅によってウィンドウ層の厚さを一定の割合で調節することによって、ウィンドウ層の厚さ減少を通じて生産性が向上できる。また、ウィンドウ層の厚さが減少して透過率が向上するので、これによって光-電変換効率が向上する。図3乃至図6は、本発明の実施形態に従う太陽光発電装置の製造方法を示す断面図である。本製造方法に関する説明は前述した太陽光発電装置に対する説明を参考にする。図3を参考すると、支持基板100の上に裏面電極層200が形成され、上記裏面電極層200はパターニングされて第1貫通溝TH1が形成される。これによって、上記支持基板100の上に多数個の裏面電極が形成される。上記裏面電極層200はレーザーによってパターニングされる。上記第1貫通溝TH1は上記支持基板100の上面を露出し、約80μm乃至約200μmの幅を有することができる。また、上記支持基板100及び上記裏面電極層200の間に拡散防止膜などのような追加的な層が介されることができ、この際、上記第1貫通溝TH1は上記追加的な層の上面を露出するようになる。上記第1貫通溝TH1は、例えば、約200乃至600nmの波長を有するレーザーによって形成できる。図4を参考すると、上記裏面電極層200の上に光吸収層300、バッファ層400、及び高抵抗バッファ層500が形成される。上記光吸収層300はスパッタリング工程または蒸発法等により形成できる。例えば、上記光吸収層300を形成するために、銅、インジウム、ガリウム、セレニウムを同時または区分して蒸発させながら銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn、GaSe2;CIGS系の光吸収層300を形成する方法と金属プリカーソル膜を形成させた後、セレニゼーションSelenization工程により形成させる方法が幅広く使われている。金属プリカーソル膜を形成させた後、セレニゼーションすることを細分化すれば、銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程により上記裏面電極200の上に金属プリカーソル膜が形成される。以後、上記金属プリカーソル膜は、セレニゼーションselenization工程により銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn、GaSe2;CIGS系の光吸収層300が形成される。これとは異なり、上記銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及び上記セレニゼーション工程は同時に進行できる。これとは異なり、銅ターゲット及びインジウムターゲットのみを使用したり、銅ターゲット及びガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程、及びセレニゼーション工程によりCIS系またはCIG系光吸収層300が形成できる。以後、硫化カドミウムがスパッタリング工程または溶液成長法chemicalbathdepositon;CBDなどにより蒸着され、上記バッファ層400が形成される。以後、上記光吸収層300、バッファ層400、及び高抵抗バッファ層500の一部が除去されて第2貫通溝TH2が形成される。上記第2貫通溝TH2は、チップなどの機械的な装置またはレーザー装置などにより形成できる。例えば、約40μm乃至約180μmの幅を有するチップによって、上記光吸収層300及び上記バッファ層400はパターニングできる。また、上記第2貫通溝TH2は約200乃至600nmの波長を有するレーザーにより形成できる。この際、上記第2貫通溝TH2の幅は約100μm乃至約200μmでありうる。また、上記第2貫通溝TH2は上記裏面電極層200の上面の一部を露出するように形成される。図5を参考すると、上記光吸収層300の上及び上記第2貫通溝TH2の内側にウィンドウ層600が形成される。即ち、上記ウィンドウ層600は、上記バッファ層400の上及び上記第2貫通溝TH2の内側に透明な導電物質が蒸着されて形成される。この際、上記第2貫通溝TH2の内側に上記透明な導電物質が詰められ、上記ウィンドウ層600は上記裏面電極層200に直接接触するようになる。この際、上記ウィンドウ層600は無酸素雰囲気で、上記透明な導電物質が蒸着されて形成できる。より詳しくは、上記ウィンドウ層600は酸素を含まない不活性気体雰囲気でアルミニウムがドーピングされたジンクオキサイドが蒸着されて形成されることができ、ガリウムとアルミニウムとが同時にドーピングされたジンクオキサイドが蒸着されて形成されることもできる。上記接続部700は、上記第2貫通溝TH2の内側に配置される。上記接続部700は上記ウィンドウ層600から下方に延びて、上記裏面電極層200に接続される。例えば、上記接続部700は、上記第1セルのウィンドウから延びて、上記第2セルの裏面電極に接続される。したがって、上記接続部700は互いに隣接するセルを連結する。より詳しくは、上記接続部700は互いに隣接するセルC1、C2...に各々含まれたウィンドウ層600と裏面電極とを連結する。上記接続部700は、上記ウィンドウ層600と一体に形成される。即ち、上記接続部700で使われる物質は、上記ウィンドウ層600に使われる物質と同一である。図6を参照すると、上記バッファ層400、高抵抗バッファ層500、及び上記ウィンドウ層600の一部が除去されて第3貫通溝TH3が形成される。これによって、上記ウィンドウ層600はパターニングされて、多数個のウィンドウ及び多数個のセルC1、C2...が定義される。上記第3貫通溝TH3の幅は約80μm乃至約200μmである。このように、実施形態によれば、厚さが減少したウィンドウ層を形成して生産性を向上させることができ、透過率が向上して光-電変換効率が向上した太陽電池を提供することができる。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。