"明細書に記載の発明。すでに述べたように、表示装置のバックプレーンを、半導体製造技術を用いて製造する。しかしながら、このような技術の現在の状態は、バックプレーンの製造に最適なものではない。半導体製造技術は、コンピュータで中央処理装置CPUや他の論理演算装置として用いられる大量の複雑な集積回路チップを製造する必要によるものであった。このようなCPUでは各装置に何百万ものトランジスタを備える必要があり、CPU内での放熱を最小限にすることと、処理する各半導体ウェハでできるだけ多くのCPUを製造する経済的な必要性ウェハ処理のコストは、製造するCPUの数と基本的に無関係であるという2つの要件により、トランジスタの集積密度が非常に高くなった。最新型のCPUの製造技術は、それぞれの部品が約0.13μmと小さく、個々のトランジスタの大きさが約1μm四方で、隣接するトランジスタの間の間隔が同じ大きさである。表示装置のバックプレーンでは、このように小型のトランジスタで高集積密度である必要はなく、通常ではピクセルを有するので、トランジスタまたは他の非線形装置の間隔は約0.1mmである。また、バックプレーンは通常、約100mm四方もっと大きくすることができるなので、チップよりもサイズがずっと大きくなる。その結果、バックプレーンを製造する単位面積当りのコストを減らす大きな必要性がある。本発明は、バックプレーンおよびその製造プロセスにおける各種の改良を提供する。従って、一面では、本発明は、電気光学表示装置用バックプレーンを提供する。バックプレーンは、ピクセル電極と、電圧をピクセル電極に供給するように配列された電圧供給線と、電圧供給線とピクセル電極との間に配置されたマイクロメカニカルスイッチとを備え、マイクロメカニカルスイッチは、開状態では電圧供給線をピクセル電極に電気的に接続せず、閉状態では電圧供給線をピクセル電極に電気的に接続する。本発明のこの面を、以下では便宜上、本発明のMEMSバックプレーンということもある。このようなMEMSバックプレーンの一形態では、マイクロメカニカルスイッチが、第1の電極と接触するあるいはしないように動作可能な片持ばりと、片持ばりを動作させるように配列された第2の電極とを備える。このようなMEMSバックプレーンはさらに、キャパシタ電極と第1の電極とがキャパシタを形成するように、第1の電極と隣接して配置されているキャパシタ電極を備えることもできる。MEMSバックプレーンには、マイクロメカニカルスイッチを覆う封止材料層を備えることもできる。本発明は、MEMSバックプレーンを備える電気光学表示装置MEMS表示装置におよぶ。従って、別の面では、本発明は以下を備える電気光学表示装置を提供する。少なくとも1つの光学的特性が異なる第1および第2の表示装置状態を有する電気光学媒体の層であって、媒体に対する電界の印加によりその第1の表示装置状態から第2の表示装置状態へ変化可能な電気光学媒体と、電気光学媒体の層と隣接して配置されたバックプレーンであって、電圧を印加することにより、電気光学媒体に電界を印加するように配列されたピクセル電極と、電圧をピクセル電極に供給するように配列された電圧供給線と、電圧供給線とピクセル電極との間に配置されたマイクロメカニカルスイッチとをさらに備え、マイクロメカニカルスイッチは、開状態では電圧供給線をピクセル電極に電気的に接続せず、閉状態では電圧供給線をピクセル電極に電気的に接続する。このようなMEMS表示装置はさらに、バックプレーンから電気光学媒体層の反対側に設けられている光透過性電極を備えることもできる。MEMS表示装置の電気光学媒体は、上述の任意の種類とすることもできる。従って、例えば電気光学媒体を、回転する2色部材またはエレクトロクロミック媒体とすることもできる。あるいは、電気光学媒体高分子分散型、あるいはマイクロセル型の真のカプセル壁内に電気泳動粒子が封止されているような種類の封止電気泳動媒体とすることもできる。本発明はまた、電気光学表示装置用バックプレーンを形成するためのプロセスを提供する。プロセスは以下を含む。基板を用意して、第1、第2および第3の電極を間隔をおいて基板に形成して、その後、犠牲層を基板に形成して、犠牲層は第1の電極および第2の電極を覆うが、少なくとも第3の電極の一部を露出したままにして、その後、第3の電極の露出部分と接触する第1の部分と、少なくとも第2の電極および第1の電極それぞれの一部に延長するように犠牲層に延設した第2の部分とを有する片持ばり部材を形成するように、導電材料を基板に成膜して、その後、犠牲層を除去することにより、第2の電極に印加する電圧の影響下で、片持ばり部材の第2の部分が、自在に第1の電極と接触するようになる。このプロセスでは、導電材料を基板に成膜するステップが、片持ばり部材と間隔をおくが、第1の電極の重複部分が、キャパシタ電極および第1の電極が共にキャパシタを形成するように、キャパシタ電極を成膜することを含むこともできる。このプロセスはまた、犠牲層を除去した後、少なくとも片持ばり部材を覆うように、封止材料層を基板に成膜することを含むこともできる。別の面では、本発明は、電子回路の少なくとも1つの電子構成部品を基板に形成するプロセスを提供する。このプロセスは以下を含む。基板に、少なくとも1つの電子構成部品を形成可能な構成部品材料の層を形成して、エンボス加工可能な材料の層を構成部品材料の層に形成して、エンボス加工可能な材料の層をイメージ的にエンボス加工して、少なくとも1つの第1の部分と、少なくとも1つの第1の部分よりも厚さが厚い少なくとも1つの第2の部分とを形成して、エンボス加工可能な材料をエッチングして、その少なくとも1つの第1の部分を除去して、その少なくとも1つの第2の部分に存在するエンボス加工可能な材料を残すことにより、エンボス加工可能な材料の少なくとも1つの第1の部分の下にある構成部品材料を露出して、その後、構成部品材料の露出部分をエッチングすることにより、構成部品材料の層をパターン形成して、その中に少なくとも1つの電子構成部品を形成する。本発明のこの面を、以下では便宜上、本発明のエンボス加工プロセスということもある。エンボス加工プロセスは、構成部品材料層のパターン形成後に、残余のエンボス加工可能な材料を基板から除去することを含むこともできる。エンボス加工可能な材料をイメージ的にエンボス加工することは、ローラにより実行することもできる。エンボス加工可能な材料は、フォトレジストを含むこともできる。フォトレジストから溶剤を除去するために、フォトレジストを、イメージ的にエンボス加工する前に加熱するソフトベークすることもできる。あるいはまたは、構成部品材料をエッチングする前に、エッチングを行って少なくとも1つの第1の部分を除去した後で、フォトレジストを加熱するハードベークすることもできる。エンボス加工可能な材料は、少なくとも1つのベース可溶性単量体由来の反復単位を有する共重合体を含むこともできる。この少なくとも1つのベース可溶性単量体は、酸の存在下で非ブロック化するブロック基を含むこともできる。この目的のための好ましい共重合体は、4-水酸化スチレンおよびメタクリレート由来の反復単位を有するものを含む。最後に、本発明は、電気光学表示装置用バックプレーンを提供する。このバックプレーンは以下を含む。基板と、基板に形成したトランジスタと、トランジスタを覆うパッシベーション層と、トランジスタからパッシベーション層の反対側に設けられたピクセル電極と、パッシベーション層を貫通して、トランジスタをピクセル電極に電気的に接続する導電性バイアと、パッシベーション層が、エポキシ、ポリウレタン、シリコンポリアクリレートおよびポリイミドポリマーからなる基から選択する高分子を含む。本発明のこの面を、以下では便宜上、本発明の埋込みトランジスタバックプレーンということもある。このような埋込みトランジスタバックプレーンでは、パッシベーション層を熱硬化性ポリマーまたは放射線硬化性ポリマーから形成することもできる。このような埋込みトランジスタバックプレーンから好ましいものは、基板は、絶縁層で覆われた金属膜を備え、トランジスタは絶縁層上に形成されている。基板は例えば、ポリイミド絶縁層で覆われたステンレス箔を備えることもできる。本発明は、埋込みトランジスタバックプレーンを含む電気光学表示装置にわたる。従って、本発明は、以下を備える電気光学表示装置を提供する。少なくとも1つの光学的特性が異なる第1および第2の表示装置状態を有する電気光学媒体の層であって、媒体への電界の印加により、その第1の表示装置状態から第2の表示装置状態へ変更可能な電気光学媒体と、電気光学媒体層に隣接して配置され、電圧をそのピクセル電極に印加することにより、電界を電気光学媒体へ印加するように配置した本発明の埋込みトランジスタバックプレーン。この電気光学表示装置は、任意の種類の前述の電気光学媒体を用いることもできる。すでに示したように、本発明は異なった面をいくつか有している。それぞれ、電気光学表示装置用バックプレーンにおける改良を提供する。本発明のいくつかの面についても、他の応用例に有益である。以下に、本発明の主要な面について個別に説明するが、本発明の2つ以上の面を、1つのバックプレーンの製造または他の電子構成部品の製造に用いることもできることを理解されたい。例えば、本発明のMEMSバックプレーンを、本発明のエンボス加工方法を用いて製造することもできる。パートA:MEMSバックプレーンすでに述べたように、従来技術のアクティブマトリックス表示装置は、各ピクセルに非線形トランジスタまたはダイオードスイッチ要素を必要とする。現在、非線形トランジスタ要素は、アモルファスシリコン、ポリシリコンおよび有機半導体から製造することができる。ダイオードスイッチ要素は、金属-絶縁体-半導体MIM、金属-半導体-絶縁体MSI、ショットキーおよびNINダイオードを含む。電気光学表示装置を駆動することができるが、これらのスイッチ要素にはある欠点がある。アモルファスおよび多結晶シリコンベースのトランジスタは、安定した装置を製造するには比較的高温>200°Cの成膜ステップを必要とする。このような高温処理を必要とすることにより、実際には、製造に用いることができるフレキシブル基板の最大サイズに限度がある。熱膨張係数差により、特定のサイズを超える位置ずれを起こすことになる。上記のように、ある種類の電気光学表示装置の魅力的な特徴の1つは、フレキシブル基板上に製造できることなので、従来の液晶表示装置では不可能なフレキシブルで、頑丈な表示装置を提供できる。金属箔等の寸法上安定したフレキシブル基板は、ポリシング、平坦化およびパッシベーション等、さらに処理工程が必要である。有機トランジスタは低温で製造することができるが、動作寿命が短いという傾向があり、酸素および水分に対しデリケートである。いずれの種類のスイッチ要素のオン/オフ比は望ましいものではなく、半導体層のシリコン移動度のために限界があるアモルファスシリコンでは<1.0cm2/Vs、多結晶シリコンでは<300cm2/Vsである。トランジスタスイッチは比較的大きなゲート対ピクセル浮遊容量を有しているが、電圧結合が生じてしまいピクセルでのDC電圧が不均衡になるので、表示した画像に不要のアーチファクトが生じることもある。ダイオードは、ピクセル寄生容量に対し非常に大きな選択線を有しているので、厳格な設計ルールを必要とする。また、前述の国際公開01/07961号で説明した理由により、ピクセル全体に駆動電圧を維持するためにバックプレーンの各ピクセルにキャパシタを備えることは利点があるが、ダイオードベースのバックプレーンにこのようなキャパシタを設けることは難しい。本発明のMEMSバックプレーンは、従来技術のバックプレーンのこれらの問題を低減したり、解消したりする。このようなMEMS電気光学表示装置用バックプレーンの好ましい形態は、複数のマイクロエレクトロメカニカルシステムMEMSスイッチを有し、電気泳動表示装置等のフラットパネル表示装置をアドレッシングするのに役立つ。項目1電気光学表示装置用バックプレーンであって、バックプレーンは、ピクセル電極104と、電圧をピクセル電極104に供給するように配列された電圧供給線Cとを備え、バックプレーンは、CBで、電圧供給線Cとピクセル電極104との間に配置されたマイクロメカニカルスイッチ106、112を備え、マイクロメカニカルスイッチ106、112は、開状態では電圧供給線Cをピクセル電極104に電気的に接続せず、閉状態で電圧供給線Cをピクセル電極104に電気的に接続する。項目2マイクロメカニカルスイッチ106、112が、第1の電極104と接触するあるいはしないように動作可能な片持ばり112と、片持ばり112を動作させるように配列された第2の電極106とを備える、項目1に記載のバックプレーン。項目3キャパシタ電極114と第1の電極とがキャパシタを形成するように、第1の電極と隣接して配置されているキャパシタ電極114を特徴とする項目2に記載のバックプレーン。項目4封止材料層116がマイクロメカニカルスイッチ106、112を覆っていることを特徴とする上述の項目のいずれか1に記載のバックプレーン。項目5以下を備える、電気光学表示装置。少なくとも1つの光学的特性が異なる第1および第2の表示装置状態を有する電気光学媒体の層であって、媒体に対する電界の印加によりその第1の表示装置状態から第2の表示装置状態へ変化可能な電気光学媒体と、電気光学媒体の層と隣接して配置されたバックプレーンであって、電圧を印加することにより、電気光学媒体に電界を印加するように配列されたピクセル電極104と、電圧をピクセル電極104に供給するように配列された電圧供給線Cとをさらに備えるバックプレーンとを備え、電気光学表示装置は、電圧供給線Cとピクセル電極104との間に配置されたマイクロメカニカルスイッチ106、112を特徴とし、マイクロメカニカルスイッチ106、112は、開状態では電圧供給線Cをピクセル電極104に電気的に接続せず、閉状態では電圧供給線Cをピクセル電極104に電気的に接続することを特徴とする。項目6マイクロメカニカルスイッチ106、112が、第1の電極104と接触するあるいはしないように動作可能な片持ばり112と、片持ばり112を動作させるように配列された第2の電極106とを備える、項目5に記載の電気光学表示装置。項目7封止材料層116がマイクロメカニカルスイッチを覆っていることを特徴とする項目5または6に記載の電気光学表示装置。項目8バックプレーンから電気光学媒体層の反対側に設けられている光透過性電極を特徴とする項目5乃至7のいずれか1に記載の電気光学表示装置。項目9電気光学媒体が、回転する2色部材またはエレクトロクロミック媒体である、項目5乃至8のいずれか1に記載の電気光学表示装置。項目10電気光学媒体が、封止電気泳動媒体である、項目5乃至8のいずれか1に記載の電気光学表示装置。項目11電気光学表示装置用バックプレーンを形成するためのプロセスであって、以下を特徴とするプロセス。第1の電極108、第2の電極106および第3の104電極を間隔をおいて基板102に形成して、その後、犠牲層110を基板102に形成して、犠牲層110は第1の電極108および第2の106電極を覆うが、少なくとも第3の電極104の一部を露出したままにして、その後、第3の電極104の露出部分と接触する第1の部分と、少なくとも第2の電極106および第1の電極108それぞれの一部に延長するように犠牲層110に延設した第2の部分とを有する片持ばり部材112を形成するように、導電材料を基板に成膜して、その後、犠牲層110を除去することにより、第2の電極106に印加する電圧の影響下で、片持ばり部材112の第2の部分が、自在に第1の電極108と接触するようになる。項目12導電材料を基板102に成膜するステップがさらに、片持ばり部材112と間隔をおくが、第1の電極108の重複部分が、キャパシタ電極114および第1の電極が共に108キャパシタを形成するように、キャパシタ電極114を成膜することを含む、項目11に記載のプロセス。項目13犠牲層110を除去した後、少なくとも片持ばり部材112を覆うように、封止材料層116を基板102に成膜することを特徴とする項目11または12に記載のプロセス。項目14電子回路の少なくとも1つの電子構成部品を基板402に形成するプロセスであって、プロセスは以下を特徴とする。基板402に、少なくとも1つの電子構成部品を形成可能な構成部品材料404の層を形成して、エンボス加工可能な材料の層406を構成部品材料の層404に形成して、エンボス加工可能な材料の層406をイメージ的にエンボス加工して、少なくとも1つの第1の部分406Bと、少なくとも1つの第1の部分406Bよりも厚みが厚い少なくとも1つの第2の部分406Aとを形成して、エンボス加工可能な材料406をエッチングして、その少なくとも1つの第1の部分406Bを除去して、その少なくとも1つの第2の部分406Aに存在するエンボス加工可能な材料を残すことにより、エンボス加工可能な材料の少なくとも1つの第1の部分406Bの下にある構成部品材料404を露出して、その後、構成部品材料の露出部分404をエッチングすることにより、構成部品材料の層をパターン形成して、その中に少なくとも1つの電子構成部品を形成する。項目15構成部品材料の層404のパターン形成後に、残余のエンボス加工可能な材料406Aを基板402から除去することを特徴とする項目14に記載のプロセス。項目16エンボス加工可能な材料406が、フォトレジストを含む項目14または15に記載のプロセス。項目17エンボス加工可能な材料406が、少なくとも1つのベース可溶性単量体由来の反復単位を有する共重合体を含む、項目14乃至16のいずれか1に記載のプロセス。項目18少なくとも1つのベース可溶性単量体が、酸の存在下で非ブロック化するブロック基を含む、項目21に記載のプロセス。項目19電気光学表示装置用バックプレーンであって、以下を備えるバックプレーン。基板と、基板に形成したトランジスタと、トランジスタを覆うパッシベーション層と、トランジスタからパッシベーション層の反対側に設けられたピクセル電極と、パッシベーション層を貫通して、トランジスタをピクセル電極に電気的に接続する導電性バイアとを備え、バックプレーンは、パッシベーション層が、エポキシ、ポリウレタン、シリコンポリアクリレートおよびポリイミドポリマーからなる基から選択する高分子を含むことを特徴とする。項目20基板が、絶縁層で覆われた金属膜を備え、トランジスタが絶縁層上に形成されている、項目19に記載のバックプレーン。項目21基板が、ポリイミド絶縁層で覆われたステンレス箔を備える、項目20に記載のバックプレーン。項目22以下を備える、電気光学表示装置。少なくとも1つの光学的特性が異なる第1および第2の表示装置状態を有する電気光学媒体の層であって、媒体への電界の印加により、その第1の表示装置状態から第2の表示装置状態へ変更可能な電気光学媒体と、電気光学媒体層に隣接して配置され、電圧をそのピクセル電極に印加することにより、電界を電気光学媒体へ印加するように配置した項目19乃至21に記載のバックプレーン。添付の図面を参照して、このようなMEMSバックプレーンの本発明の好ましい製造プロセスについて説明するが、これは説明のためだけである。図1A~図1Dは、製造プロセスの各種の段階における1つのMEMSスイッチの概略側面図であり、図2は、完成したバックプレーンの一部を示す上面図である。図2からアクティブマトリックス表示装置製造の当業者にとって明らかなように、MEMSスイッチの存在を別にして、図2に示すバックプレーンは、従来のトランジスタベースのアクティブマトリックスバックプレーンに非常によく似ている。バックプレーンは、任意の一時点に行電極Rの1つを選択するようにすなわち、それに印加する動作電圧を有するように、従来の設計の行ドライバ図示せずに接続している複数の並列行電極Rを備え、他の行は通常、図示したバックプレーンから電気光学媒体の反対側に設けられた1つの共通電極と同じ電圧に設定されている。所定の間隔の後、各行電極Rを周期的なやり方で順に選択するように、もともと選択した行電極Rの選択を取り消し、次の行電極Rを選択して、このシーケンスが連続する。バックプレーンはさらに、列電極Cを備える。これらはお互いに並列に延びているが、行電極に、第1の、つまりピクセル電極104に垂直である。このうちの1つだけが図2に図示されている。ピクセル電極104は、各ピクセル電極を、1つの行電極Rと1つの列電極Cとの交差部分に一意に対応付けられるように、矩形のアレイ状に配列されている。ピクセル電極104は、その対応付けられた列電極CにMEMSスイッチを介して接続している。スイッチは、片持ばり112と、アクチュエータつまり第2の電極106対応付けられた行電極Rが延設した形態を有すると、対応付けられた列電極Cが延設した形態を有するソースつまり第3の電極108とを備える。MEMSスイッチに精通している者に明らかなように、アクチュエータ電極106に動作電圧を印加していないと、ソース電極108から間隔をおいた片持ばり112の自由端図2の左側端でMEMSスイッチが開いた位置にあるので、このピクセル電極104と対応付けられた列電極Cとの間に電気的接触はない。しかしながら、行ドライバが特定の行を選択して動作電圧を選択した行電極Rに印加すると、動作電圧がアクチュエータ電極106に現れ、その自由端がソース電極108と接触するように片持ばり112が下方に引かれるので、このピクセル電極104と対応付けられた列電極Cとの間に電気的接触が行われ、ピクセル電極104が対応付けられた列電極Cと同じ電圧になる。従って、選択する行のピクセル電極すなわち、選択した行電極Rに対応付けられた電極だけが、対応付けられた列電極Cと同じ電圧になって、表示装置に隣接して設けられた電気光学媒体の書き込みが、従来のトランジスタベースのバックプレーンの書き込みと全く同様に、ラインごとのやり方で進められる。図2に示すバックプレーンはさらに、各ピクセル電極104に対応付けられたキャパシタ電極114を備え、1つのキャパシタ電極114は列電極Cの隣接する部分とキャパシタを構成する。図2に示すバックプレーンの製造プロセスについて、図1A~図1Dを参照して説明する。図1Aに示すように、プロセスは、例えば高分子フィルムまたは高分子をコーティングした金属箔の絶縁基板102から開始する。プロセスの第1の段階では、任意の都合の良い方法で薄い金属層を基板102に成膜してパターン形成して、3つの電極、すなわちピクセル電極104、ゲートつまりアクチュエータ電極106およびソース電極108を形成して、図1Aに示す構造を製造する。プロセスの好ましい形態では、金属層は、金を約100nmの厚さにスパッタで成膜する。次に、犠牲層110を図1Bに示す形態で成膜してアクチュエータおよびソース電極を覆うが、ピクセル電極104は露出したままにしておく。図1Bに示すように、この犠牲層110は部分的に覆うもので、ピクセル電極104とアクチュエータ電極106との間のギャップをすべて覆うものではないことに留意する。犠牲層110を望ましくは、銅を室温で約1μmの厚さにスパッタで成膜する。次に、犠牲層をエッチングして、機械的な片持ばりのベース領域を形成して、金属の2つの基板のキャパシタの支柱をサポートする。フォトレジスト層を追加してパターン形成して、アパーチャを残して、そして片持ばり112およびキャパシタ電極114をメッキする。好ましくは、室温で電気メッキ溶液および金等の低応力材料を用いる理解しやすいように、図1A~図1Dのキャパシタ電極114の位置をずらしているビーム112の厚さは、望ましくは約2~4μmである。最後に、フォトレジスト層を剥離して、図1Cに示す構造を形成して、次に、好ましくはウェットエッチングを用いて犠牲層110を除去するので、片持ばり112が遊離する。用いる電気光学媒体の種類によるが、MEMSスイッチと電気光学媒体との間を物理的に分離して維持することは望ましく、あるいは不可欠なことである。この目的のため、保護封止層をバックプレーンに追加して、犠牲層を削除した後でMEMSスイッチが誤って破損しないようにすることもできる。図3に示すように、このような保護封止層の好ましい形態は、MEMSスイッチにそろえられ、基板に接着した、前もってパターン形成したポリイミドまたは他の高分子封止材料116を備える。MEMSベースの本発明のバックプレーンにより、重要な技術的利点をいくつか提供する。MEMSスイッチは、オン状態では低いインピーダンスで、オフ状態では非常に高いインピーダンスになる。従って、優れたオン/オフ比が得られるので、他の種類の非線形要素を通過するリーク電流に伴う問題を回避できる。上述のように図1A~図1Dを参照して、3つまたは4つのマスクを用い、高温処理工程を全く必要としない簡単なプロセスで、MEMSスイッチを製造することができる。従って、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルムといった、低コストのフレキシブル基板にこのプロセスを用いることができる。また、上記のMEMS製造プロセス薄膜トランジスタまたはダイオードに基づくバックプレーンの製造プロセスよりも、処理中に環境的汚染受ける可能性が低い。これにより、必要とするクリーンルーム設備のコストを低減するようになる。また、MEMSベースのバックプレーンの製造プロセスにより、粗いパターン形成ステップのいくつかを利用できるようになる。MEMSスイッチは、ピクセル静電容量に対する非常に細い選択線を有しているので、MEMSベースのバックプレーンは、同様のトランジスタまたはダイオードベースのバックプレーンよりも、このような静電容量によるDC不均衡が小さく、このDC不均衡の低減は、いくつかの種類の電気光学媒体、特に粒子ベースの電気泳動媒体の動作寿命および/または表示装置特性を延長するのに重要である。また、MEMSベースの表示装置における選択線およびデータ線の重複領域が空気で分離できるので図1Dおよび図2を参照のこと、空気の比誘電率がほぼ正確に1で、得られる低減した静電容量により、表示装置の消費電力が低減することと、消費電力の大きな部分がデータ線に対応付けられた静電容量の充放電によるので、このような重複領域の単位面積当りの不要の静電容量を絶対最小値にしておける。MEMSベースの本発明のバックプレーンの変更した形態では、図1D、図2および図3に示す片持ばりを、MEMSダイアフラムに置換することもできる。これは、片持ばりよりも静摩擦の影響を受ける可能性が低い。パートB:本発明のエンボス加工プロセスすでに述べたように、バックプレーンの製造には、基板上に小型部品のパターン形成を必要とする。表1に示すように、各種のパターン形成の応用例に必要なクリティカルディメンション長さのスケールの範囲があり、これらの寸法を正しく達成するために技術範囲として用いられてきた。また、すでに述べたように、非常に小型の部品を製造するには、例えばクリティカルディメンションが<25μmでは、主要な技術として明らかにフォトリソグラフィがあげられる。この数十年にわたる大規模な調査によれば、フォトリソグラフィ技術は、0.13μmプロセスが本格的な生産になるまで改良され、0.10μmプロセスが研究中である。フォトリソグラフィは、大規模な工業的な応用が可能なスケーラブル技術として改良されているが、多くの工程があることと、フォトリソグラフィ製造設備に伴う資本経費が高いこととで一般的に費用がかかると考えられている。前述のように、本発明の第2の面は、別のパターン形成技術、すなわち、バックプレーンの構成部品および他の電子装置をパターン形成する、エンボス加工レジストプロセスに関する。エンボス加工レジストプロセスにより、従来のフォトリソグラフィプロセスよりも利点をいくつか提供し、高いスループットのロールツーロール処理を可能にし、1μmを下回る部品サイズを可能にし、処理コストの固定費または変動費の低減を可能にする。添付の図面の図4A~図4Eは、本発明のエンボス加工プロセスを示す。図4Aに示すように、基板402をまず、材料404でコーティングしてパターン形成する。この材料は、金属、絶縁体、半導体または任意の他の種類のパターン形成可能な材料とすることができる。エンボス加工可能な材料層以下では、便宜上レジストという406を次に、材料404に塗布して、マスタスタンプ好ましくは、図4Aに示すようなエンボス加工ローラ408の形態であるを用いてレジストをエンボス加工して、レジストをテクスチャまたはパターン形成する。図4Bからよくわかるように、このエンボス加工ステップにより、レジスト406を厚い第2の領域406Aと薄い第1の領域406Bとに成形し、ローラ408のパターン形成により、任意の所望のやり方で、レジスト406を所定の2つの種類の領域に分離する。このプロセスの次のステップでは、薄い領域406Bを除去して基底材料404を十分露出する程度に、パターン形成したレジストをわずかにエッチング半導体製造技術の当業者に周知の任意の従来のエッチングプロセスを用いてするが、材料404が厚い領域406Aを覆う部分を残すようにするので、図4Cに示す構造を形成する。次に基板を第2のエッチング工程にかけて、材料404の露出部分を所望の分量エッチングするので、図4Dに示す構造を形成する。最後に、図4Eに示すように、レジストを基板から剥離して、最終的なパターン形成材料404を基板402に残す。表面に塗布したエンボス加工可能な材料を、パターン形成ステップを最適化するように選択することもできる。市販のフォトレジストを、エンボス加工可能な材料として用いることもできる。フォトレジストを、そのガラス転移温度Tgを越える温度でエンボス加工することもできるし、ウェットまたはドライエッチングを行って基底材料を露出することもできる。レジストを、基底材料のエッチングに用いる化学薬品に耐性のものを選択することもできるし、基底材料のパターン形成後にその表面から容易に剥離するものを選択することもできる。ある場合では、レジストをエンボス加工する前にレジストをソフトベークして溶剤を除去することは必要または望ましいことである。また、ある場合では、エッチングして薄い領域406Bを除去した後、基底材料のエッチングにレジストが確実に耐えることができるように、レジストをハードベークすることは好ましいことである。溶融材料高分子または別のものを、エンボス加工可能な材料またはレジストとして用いることもできる。例えば、ろう状材料例えば、オクタコサン、ノナデカン等のアルカン等を用いることもできる。これらのろう状材料を、加熱スロットダイ、凹版、スピンコーティングチャック、オフセット印刷ローラ、またはこの分野の当業者が周知の他の同様の装置を用いて、液相でコーティングすることもできる。溶融材料は通常成膜すると、薄い、エンボス加工可能なフィルム状に固化し、次にウェットまたはドライエッチング技術を用いて、エンボス加工しエッチバックすることもできる。パターン形成したレジスト膜は、基底材料のエッチングマスクとしての役割を果たし、すでに述べたように、基底材料のエッチングに続いて剥離する。ヘキサン等の溶剤は、前述のろう状材料を効果的に剥離するので、このようなプロセスには利点がある。成膜後にレジストから溶剤を乾燥させる必要がないからである。また、用いる化学薬品を適切に選択する最適化することにより、パターン形成が完了した後、比較的非毒性の溶剤を用いて、ろう状材料を基底材料から剥離することもできる。エンボス加工レジストの発想に最適化した重合体を用いることもできる。例えば、図5Aに示す4-水酸化スチレンおよびブチル-メタクリレート重合体である。このブロック共重合体の4-ヒドロキシスチレンの成分は塩基可溶性で、共重合体は酸の存在下で非ブロック化する。その結果、共重合体は、エンボス加工レジストプロセスで有益な特性をいくつか示す。第一に、高分子の分子量を調整することにより、そのガラス転移温度を約100から約150°Cの範囲内に調整することができるので、許容できるエンボス加工温度範囲になる。第二に、弱塩基溶液を用いてパターン形成した共重合体をエッチバックすることもできるので、基底材料を露出する。最も普通の基底材料金属,半導体、絶縁体をエッチングするのに用いる酸は、基底材料のエッチングの間に共重合体を非ブロック化するので、エッチングが完了した後、レジストを容易に除去することができる。あるいは、エンボス加工レジスト共重合体で、図5Bに示すメタクリレートベースのブロックを、図5Aに示すブチルメタクリレートブロックの代わりに用いることもできる。この異なるブロックを用いることにより、エンボス加工レジストを約175~180°Cの温度で熱によって非ブロック化することができる。基底材料のパターン形成を上記のように従来の酸性エッチング化学薬品を用いないでエッチングを行う場合に、熱による非ブロック化は、有用な別の方法である。本発明のプロセスのエンボス加工処理に用いられるマスタスタンプを、様々な従来技術の超微細加工技術を用いて形成することもできる。好ましくは、マスタスタンプは、コンパクトディスク製造業者がコンパクトディスクCDやDVDの製造に用いるニッケルマスタスタンプの作成に一般的に利用する技術を用いて作成する。これらの技術には、ニッケルマスタスタンプの電鋳に対して、フォトリソグラフィで形成した鋳型の作成が必要である。CDおよびDVDのマスタリングプロセスから得られるニッケル箔は、本発明に用いるのに非常に適しているが、従来のCD/DVDプロセスのいくつかを変更する必要がある。まず、CD上のピットは通常、250nmより浅いが、約1~10μm深さのマスタスタンプ上に部品を作成するには通常望ましいものの、本発明では、優れた刻印を形成するには、スタンプ部品はレジスト厚さの約2~5倍必要で、通常約100~1000nmになる。このような深さの部品をマスタ上に作成するには、マスタ製造は、厚い膜処理に最適化したフォトレジストを用いる必要がある。例えば、SU-8レジストを用いて、100μm以上もの厚さの膜を形成することもできる。ニッケルマスタをその鋳型から確実に簡単に外すために、傾斜を付けた側壁をマスタの部品部分に形成することが好ましい。傾斜側壁の技術を、高スループット薬品検出システムを繰り返すために用いるマスタの形成に利用していたが、エンボス加工レジストプロセスには明らかに用いられていなかった。マスタスタンプの幾何学的機能として、別の技術、高度化MEMS装置の製造に従来から行われているように、例えば、反応性イオンエッチングRIEまたはレーザアブレーションを用いてシリコンウェハまたはガラス基板を所望の部品を有するようにエッチングすることは有益である。本発明のエンボス加工プロセスにより、材料のパターン形成について、従来のフォトリソグラフィ技術よりも明らかな利点をいくつか提供する。エンボス加工プロセスにより、リソグラフィよりも低い固定費および変動費が見込まれるのは、従来のリソグラフィ用紫外線露光装置を機械的エンボス加工装置に置き換え、従来のフォトレジストを安価な化学的に単純な材料と置き換えるからである。本発明のエンボス加工プロセスは、部品の特徴的な寸法を6~10nmという小ささで達成できることを示している。これは、高度のフォトリソグラフィプロセスで達成可能なものよりも5~10倍小さい。溶融高分子レジストを利用する本発明の実施の形態を用いる場合、フォトリソグラフィに必要なソフトベークステップおよびハードベークステップを完全に省くことができる。ミクロンスケールに小さくなる部品サイズでは、オールウェットプロセスを用いてエンボス加工レジストプロセスを正常に完了することもできる。すなわち、高価な真空ステップを全く必要としない。最後に、エンボス加工レジストプロセスは、図4Aに示すように、マスタスタンプとしてローラを用いる高スループットのロールツーロールパターン形成に非常に適している。パートC:埋込みトランジスタバックプレーン前述のように、電気光学表示装置の製造において、表示装置のバックプレーンおよび前面部は通常、別々の装置として製造して、共に積層して、最終的な表示装置を作成する。このような積層は通常、積層用接着剤を用いて、バックプレーンを表示装置の前面部に接着する必要がある。従って、最終的な表示装置では、製造したバックプレーンの露出表面が積層用接着剤に対し露出する。多くの場合、積層用接着剤には、バックプレーンの露出表面上のトランジスタまたは他の非線形装置の性能に有害となるような影響を与える材料が含まれている。例えば、特定の市販のポリウレタン積層用接着剤をアモルファスシリコンTFTのチャネルに直接塗布すると、トランジスタを完全に破壊してしまうことがわかっている。添付の図面の図6に示すように、このようなある実験では、トランジスタのオン/オフ比が106から約10に低減したことがわかった。また、ある種類の電気光学媒体は流動化学種を含んでいて、これは、積層用接着剤を移動可能でトランジスタまたは他の非線形装置に悪影響を与えることになる。例えば、粒子ベースの電気泳動媒体は、炭化水素溶剤を含み、これは、このように移動可能で、アモルファスシリコントランジスタの特性に悪影響を与えることもある。最後に、アモルファスシリコンTFTはまたTFTに電気光学媒体を介して侵入する光や水分により、劣化することもある。封止粒子ベースの電気泳動媒体等の多くの電気光学媒体は通常不透光であると考えられているが、ある種の光は、例えばカプセルの間の小さなギャップを介して、このような媒体を通過するものもある。このような問題を回避するために、非線形装置と電気光学媒体との間にバリア層またはパッシベーション層を介在させることが知られている。例えば、前述の2002/0119584号には、いわゆる埋込みトランジスタ設計のバックプレーンが記載されている。このような設計では、積層の前に、ピクセル電極だけが最終的なバックプレーンに露出する。バックプレーンのトランジスタは、パッシベーション層の下に埋め込まれていて、トランジスタのドレインは、パッシベーション層を貫通する導電性バイアにより、それらに対応付けられたピクセル電極に接続している。前述の公開出願に記載されているこの設計の好ましい形態では、パッシベーション層は、プラズマ促進化学蒸PECVDで成膜した、約5μmを越える窒化ケイ素を備える。この比較的厚い層により、トランジスタのチャネルとデータ線とを覆う必要がある。クラックをまったく発生させることなくこのような厚い窒化物層を成膜することは困難である。従って、パッシベーション層としての窒化ケイ素と置換する別の材料を発見することが望ましい。エポキシ、ポリウレタン、シリコン、ポリアクリレートおよびポリイミドポリマーをパッシベーション層としての窒化ケイ素の代わりとして用いて、電気光学表示装置に用いられるバックプレーンのトランジスタまたは他の非線形装置を封止して保護できることがわかっている。好ましいポリマーは、スクリーン印刷によりバックプレーンに塗布することができる。これは、PECVDよりも複雑でなく、より少ない設備ですむプロセスである。本発明で用いる高分子封止材料は、熱または放射線、好ましくは紫外線放射のいずれかで硬化可能である。好ましい熱硬化性材料として、エポキシテクノロジEpoxyTechnology社製エポテックEpoTekH70E-2LCと、デュポンエレクトロニックマテリアルズ社製デュポンDuPont5036とが含まれる。好ましい紫外線硬化材料として、アライドフォトケミカルAlliedPhotochemicalInc社製TGH1003×2と、クリエーティブマテリアルズCreativeMaterialsInc社製CM116-20とが含まれる。これらの材料の特性および硬化条件について、以下の表2にまとめている。これらの材料を、基本的に前述の2002/0019081号に記載のように、ポリイミド層でコーティングしたステンレス膜上に製造したアモルファスシリコンを用いてテストした。直径20~180μmのTFT封止材料の液摘を、プローブステーションを用いてTFTのチャネル領域に塗布した。熱硬化性コーティングを、表2に記載の必要条件で、通常のオーブンで硬化した。紫外線硬化コーティングとして、ELC-4000光硬化装置を用いて、硬化時間は1~2分であった。封止材料の硬化に続いて、TFTの電流/電圧曲線を、従来のやり方で生成した。結果をそれぞれ、図7~図10に示す。比較のため、図11にエポテックH62を用いて封止されているTFTを示しエポテックH70E-2LCと同じ製造業者の熱硬化性ポリマー、図12に、エレクトロダッグElectrodag452SSを用いて封止されているTFTアチソンインダストリーズAchesonIndustries,Inc社製の紫外線硬化ポリマーの同様の曲線を示す。図7~図10は、上記の表2に記載の材料がすべて要項な結果であったことを示している。デュポン5036で封止した後は、オフ電流が低下している。封止材料としてエポテックH70E-2LCを用いる場合は、TFTの性能は同じである。TGH1003×2をコーティングしたTFTは、制御装置と比較して、同じ性能であった。CM116-20で封止されているTFTは、制御装置よりも良いサブスレショルド勾配である。しかしながら、図11および図12には、間違った封止材料を選択すると何が起きるが示されている。図11は、エポテックH62で封止した場合は、アモルファスシリコンTFTがほとんど破壊されたことを示し、図12は、エレゥトロダッグ452SSで封止した場合はTFTが劣化して、TFTが高いオフ電流でリークしやすくなることが示している。本発明は従って、電気光学表示装置のバックプレーンに用いられるトランジスタおよび他の非線形装置を保護する低コストのプロセスを提供する。用いる高分子封止材料を、スクリーン印刷で成膜してパターン形成する。上述の従来技術のプロセスで用いられるPECVD窒化ケイ素成膜およびフォトリソグラフィパターン形成プロセスと比較して、低コストのプロセスである。本発明の各種の面について、封止粒子ベースの電気泳動媒体と共に用いることについて主に説明してきたが、上述の任意の種類の電気光学媒体を、本発明の電気光学表示装置に用いることができることが理解されるであろう。"