"支持基板を有する支持構造体と発光層を有する発光構造体とが接合層を介して接合され、前記発光構造体は、前記接合層の上に配置され、金属材料からなる反射層と前記発光層が発する光の波長に対して光学的に透明な材料からなる透明層とを備える第1反射部と、前記第1反射部の上に配置され、一部が光取り出し面となる面を有する第1導電型クラッド層と前記第1導電型とは異なる導電型の第2導電型クラッド層との間に挟まれる前記発光層を備える半導体積層部と、前記第1導電型クラッド層の光取り出し面となる面側の一部に配置される電極と、を有し、前記半導体積層部は、前記電極と前記第1導電型クラッド層との間に、屈折率の異なる2以上の半導体層を積層した第2反射部を備えることを特徴とする半導体発光素子。前記電極は、前記半導体積層部の上面の一部に形成される表面電極であり、前記支持構造体は、前記支持基板の下面に形成される裏面電極を有し、前記発光構造体は、前記透明層の一部に形成され、前記表面電極と前記裏面電極とを電気的に接続する界面電極を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。前記半導体積層部の積層方向に投じた前記表面電極の射影が、前記界面電極とは重なり合わないことを特徴とする請求項2に記載の半導体発光素子。前記電極は、前記半導体積層部の上面の一部に形成される第1電極であり、前記発光構造体は、前記第1電極と同一面側に、前記半導体積層部とは非接触に形成された第2電極と、前記透明層の一部に形成され、前記第1電極と前記第2電極とを電気的に接続する界面電極と、を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。前記第2反射部は、前記発光層側から前記第2反射部へと0°より大きい所定入射角で斜めに入射する前記発光層が発する波長の光を反射するよう設計されていることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の半導体発光素子。前記第2反射部は、次式1より求められる厚さTAの第1半導体層と、前記第1半導体層とは異なる屈折率を有し、次式2より求められる厚さTBの第2半導体層と、を1つのペアとして積層される複数のペア層を有し、前記第1導電型クラッド層側の最下層の前記ペア層のうち、前記第2半導体層が前記第1導電型クラッド層と接する側に配置されることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の半導体発光素子。ここで、式1及び式2中、λPは前記発光層が発する光のピーク波長であり、θは前記第1導電型クラッド層から、前記第1導電型クラッド層に接する前記第2半導体層へと入射する前記光の入射角但し、0<θであり、ninは前記第1クラッド層の屈折率であり、nAは前記第1半導体層の屈折率であり、nBは前記第2半導体層の屈折率である。前記第2反射部は、複数の入射角θのそれぞれについて、前記式1よりそれぞれ求められる厚さTAの前記第1半導体層と、前記式2よりそれぞれ求められる厚さTBの前記第2半導体層と、を各ペアとして積層される前記ペア層を前記各入射角θにつき1ペア以上有することを特徴とする請求項6に記載の半導体発光素子。前記半導体積層部は、前記第1導電型クラッド層の光取り出し面となる面側の一部に配置される前記電極と前記電極側の最上層の前記ペア層との間に第1導電型コンタクト層を備え、最上層の前記ペア層のうち、前記第1導電型コンタクト層と接する側に配置される前記第1半導体層は、AlAsからなり、前記第1導電型コンタクト層と、最上層の前記ペア層の前記第2半導体層とは、GaAsからなることを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体発光素子。しかしながら、例えば特許文献1においては、発光層が発した光や反射層により反射された光の一部は表面電極により吸収されてしまう。このため、充分な光取り出し効率が得られない場合があった。また、例えば特許文献2のようなDBR層は、垂直方向から入射する特定波長の光に対してのみ高い反射率を有するため、支持基板側及び上部電極側の双方において、斜め方向から入射する光を反射することができず、光取り出し効率を充分に高めることは困難であった。また、DBR層には、成長基板のGaAsと格子整合する材料が用いられるが、特許文献2では、上部電極側のDBR層を、活性層発光層を含む各層を順次成長させた後に、GaAsとは格子定数の異なるp型GaP電流拡散層上に成長させている。このため、DBR層での電気抵抗が高くなってしまっていた。本発明の目的は、光取り出し効率を向上させることが可能な半導体発光素子を提供することである。本発明の第1の態様によれば、支持基板を有する支持構造体と発光層を有する発光構造体とが接合層を介して接合され、前記発光構造体は、前記接合層の上に配置され、金属材料からなる反射層と前記発光層が発する光の波長に対して光学的に透明な材料からなる透明層とを備える第1反射部と、前記第1反射部の上に配置され、一部が光取り出し面となる面を有する第1導電型クラッド層と前記第1導電型とは異なる導電型の第2導電型クラッド層との間に挟まれる前記発光層を備える半導体積層部と、前記第1導電型クラッド層の光取り出し面となる面側の一部に配置される電極と、を有し、前記半導体積層部は、前記電極と前記第1導電型クラッド層との間に、屈折率の異なる2以上の半導体層を積層した第2反射部を備える半導体発光素子が提供される。本発明の第2の態様によれば、前記電極は、前記半導体積層部の上面の一部に形成される表面電極であり、前記支持構造体は、前記支持基板の下面に形成される裏面電極を有し、前記発光構造体は、前記透明層の一部に形成され、前記表面電極と前記裏面電極とを電気的に接続する界面電極を有する第1の態様に記載の半導体発光素子が提供される。本発明の第3の態様によれば、前記半導体積層部の積層方向に投じた前記表面電極の射影が、前記界面電極とは重なり合わない第2の態様に記載の半導体発光素子が提供される。本発明の第4の態様によれば、前記電極は、前記半導体積層部の上面の一部に形成される第1電極であり、前記発光構造体は、前記第1電極と同一面側に、前記半導体積層部とは非接触に形成された第2電極と、前記透明層の一部に形成され、前記第1電極と前記第2電極とを電気的に接続する界面電極と、を有する第1の態様に記載の半導体発光素子が提供される。本発明の第5の態様によれば、前記第2反射部は、前記発光層側から前記第2反射部へと0°より大きい所定入射角で斜めに入射する前記発光層が発する波長の光を反射するよう設計されている第1~第4の態様のいずれかに記載の半導体発光素子が提供される。本発明の第6の態様によれば、前記第2反射部は、次式1より求められる厚さTAの第1半導体層と、前記第1半導体層とは異なる屈折率を有し、次式2より求められる厚さTBの第2半導体層と、を1つのペアとして積層される複数のペア層を有し、前記第1導電型クラッド層側の最下層の前記ペア層のうち、前記第2半導体層が前記第1導電型クラッド層と接する側に配置される第1~第5の態様のいずれかに記載の半導体発光素子が提供される。ここで、式1及び式2中、λPは前記発光層が発する光のピーク波長であり、θは前記第1導電型クラッド層から、前記第1導電型クラッド層に接する前記第2半導体層へと入射する前記光の入射角但し、0<θであり、ninは前記第1クラッド層の屈折率であり、nAは前記第1半導体層の屈折率であり、nBは前記第2半導体層の屈折率である。本発明の第7の態様によれば、前記第2反射部は、複数の入射角θのそれぞれについて、前記式1よりそれぞれ求められる厚さTAの前記第1半導体層と、前記式2よりそれぞれ求められる厚さTBの前記第2半導体層と、を各ペアとして積層される前記ペア層を前記各入射角θにつき1ペア以上有する第6の態様に記載の半導体発光素子が提供される。本発明の第8の態様によれば、前記半導体積層部は、前記第1導電型クラッド層の光取り出し面となる面側の一部に配置される前記電極と前記電極側の最上層の前記ペア層との間に第1導電型コンタクト層を備え、最上層の前記ペア層のうち、前記第1導電型コンタクト層と接する側に配置される前記第1半導体層は、AlAsからなり、前記第1導電型コンタクト層と、最上層の前記ペア層の前記第2半導体層とは、GaAsからなる第6又は7の態様に記載の半導体発光素子が提供される。本発明によれば、光取り出し効率を向上させることが可能となる。<本発明の第1実施形態>以下に、本発明の第1実施形態に係る半導体発光素子及びその製造方法について説明する。1半導体発光素子の構造本発明の第1実施形態に係る半導体発光素子の構造について、図1を用いて以下に説明する。図1は、本実施形態に係る半導体発光素子1を示す図であって、aは半導体発光素子1の断面図であり、bは半導体発光素子1が有するn型DBR層130の積層構造を示す断面図である。図1に示すように、半導体発光素子1は、例えば支持基板200を有する支持構造体20と、発光層142を有する発光構造体10と、が支持構造体20側の接合層220及び発光構造体10側の接合層180を介して接合され、金属材料からなる反射層としての金属層163を有するMRMetalReflector型の半導体発光素子として構成されている。また、半導体発光素子1は、発光構造体10が有する表面電極310c側にも、第2反射部としてのn型DBR層分布ブラッグ反射層:DistributedBraggReflector130を有している。半導体発光素子1は、表面電極310c側から、支持構造体20が支持基板200の下面に有する裏面電極320c側へと電流を導入すると、発光層142が所定波長の光を発するよう構成されている。n型DBR層130により、発光層142が発した光の一部を金属層163側へと反射させることで、表面電極310c側での光の吸収を抑制し、半導体発光素子1の光取り出し効率を向上させることができる。[支持構造体]支持構造体20は、例えばp型Si等の導電性を有する半導体材料からなる支持基板200を有する。支持基板200の接合層220側とは反対側の面、つまり、支持基板200の下面には、例えばTi及びAu等の金属材料からなる裏面電極320cが形成されている。裏面電極320cは、例えばダイボンディング用電極として構成され、支持基板200とオーミック接合している。支持構造体20は、裏面電極320c側とは反対側となる支持基板200上に、支持基板200側から順に、例えばTi等の導電性材料からなるコンタクト電極210と、例えばAu等の導電性材料からなる接合層220と、を有している。支持構造体20側の接合層220は、例えば熱圧着法等により、発光構造体10側の接合層180と電気的機械的に接合されている。発光構造体10側の接合層180は、例えばAu等、支持構造体20側の接合層220と同一の材料から構成される。接合層220,180はそれぞれ、例えば500nm以上2000nm以下の厚さを有している。[発光構造体]第1反射部発光構造体10は、接合層180上に、例えばPt等の導電性材料からなるバリア層170を有している。また、発光構造体10は、バリア層170を介して接合層180の上に配置され、金属材料からなる反射層としての金属層163と発光層142が発する光の波長に対して光学的に透明な材料からなる透明層161とを備える第1反射部を有する。金属層163は、例えば発光層142が発する所定波長の光に対して所定以上の反射率を有するAu等の導電性材料からなり、発光層142から支持基板200側へと発した光やn型DBR層130により反射されてきた光を、半導体発光素子1の光取り出し面141s側へと反射させる。反射率の高い金属層163により光を反射させることで、半導体発光素子1の光取り出し効率を向上させることができる。透明層161は、例えば発光層142が発する所定波長の光に対して高い透過性を有するSiO2等の電気絶縁性を有する材料からなり、透明層161における上記光の吸収損失を抑えることができる。透明層161の厚さは、透明層161での光の吸収が少なくなるよう設定されている。また、透明層161の一部には、表面電極310cと裏面電極320cとを電気的に接続する界面電極162が形成されている。界面電極162は、例えば表面電極310cの直下の位置を避け、ドット状に分散して配置される。また、界面電極162は、例えばAuZn合金等の金属材料からなり、後述するp型コンタクト層150とオーミック接合している。半導体積層部発光構造体10が有する半導体積層部10sは、後述するように、例えばGaAs基板等の成長基板上で成長させた複数のエピタキシャル層から構成され、半導体積層部10sが備える各層は、例えば後述の成長基板を構成するGaAsに格子整合する材料からなる。以下に、半導体積層部10sの詳細構造について説明する。ダブルヘテロ構造半導体積層部10sは、透明層161上に、例えばp型GaP等の化合物半導体からなる第2導電型コンタクト層としてのp型コンタクト層150を備える。また、半導体積層部10sは、p型コンタクト層150を介して第1反射部の上に配置され、一部が光取り出し面141sとなる面を有する第1導電型クラッド層としてのn型クラッド層141と第1導電型とは異なる導電型の第2導電型クラッド層としてのp型クラッド層143との間に挟まれる発光層142を備える。半導体積層部10sが備える上記構造は、例えばAlGaInP系等のIII-V族化合物半導体のダブルヘテロ構造となっており、発光層142は、外部から電流が供給されると、所定波長の光、例えばピーク波長が630nmの赤色光を発するよう構成されている。より具体的には、p型コンタクト層150上のp型クラッド層143は、例えばp型AlGaInP等からなり、発光層142は、例えばアンドープのAlGaInP系等からなり、発光層142上のn型クラッド層141は、例えばn型AlGaInP等からなる。p型コンタクト層150及びp型クラッド層143は、それぞれ所定のp型不純物を所定濃度含む。p型不純物としては、例えばMg,Zn,C等を用いることができる。また、発光層142には不純物の添加を行わず、アンドープの化合物半導体から構成するが、半導体積層部10sが有する各層を製造する工程において、不純物が不可避的に混入する場合が有り得る。混入による発光層142中の不純物濃度は、例えば1013cm-3~1016cm-3程度である。また、n型クラッド層141は、所定のn型不純物を所定濃度含む。n型不純物としては、例えばSi,Se,Te等を用いることができる。表面電極310cが形成される領域を除くn型クラッド層141の上面は、光取り出し面141sとなっている。光取り出し面141sは、例えば発光層142が発した光の一部を乱反射させるような凹凸部141rを有する。凹凸部141rは、例えばn型クラッド層141の表面を粗面化して得られた規則的、或いは不規則な凹凸形状を有する。凹凸部141rにより、発光層142側から光取り出し面141sに到達した光が光取り出し面141sで全反射されることを低減でき、半導体発光素子1の光量が増加する。上記のように、半導体発光素子1を、n型クラッド層141側を光取り出し面141sとする、所謂、nサイドアップの半導体発光素子とすることで、表面電極310c側のDBR層をn型DBR層130とすることができる。よって、DBR層の形成時における残留ドーパントによるメモリ効果や、DBR層の形成後におけるドーパント拡散が、p型DBR層の場合よりも抑えられる。第2反射部また、半導体積層部10sは、半導体積層部10sの上面の一部に形成される表面電極310cとn型クラッド層141との間に、屈折率の異なる2以上の半導体層を積層した第2反射部としてのn型DBR層130を備える。n型DBR層130の詳細構造については後述する。また、半導体積層部10sは、表面電極310cとn型DBR層130との間に、例えばn型GaAs等の化合物半導体からなる第1導電型コンタクト層としてのn型コンタクト層120を更に備える。n型コンタクト層120は、例えばSi,Se,Te等の所定のn型不純物を所定濃度含む。表面電極発光構造体10は、n型クラッド層141の光取り出し面141sとなる面側の一部、例えばn型クラッド層141の光取り出し面141s側の略中央部に配置される表面電極310cを有する。表面電極310cは、例えば矩形に形成された半導体発光素子1の略中央部に、例えば直径が100μm程度の円形形状に形成されている。表面電極310cは、例えば矩形の半導体発光素子1の対角線上に延びる十字の枝部等を有していてもよい。また、表面電極310cは、n型コンタクト層120側から順に、例えばAuGe層、Ni層、Au層が積層されてなり、n型コンタクト層120とオーミック接合している。表面電極310c上には、例えば円形の表面電極310cと同心円状に、パッド電極310pが形成されている。パッド電極310pの直径は、表面電極310cの直径と略同一とすることができる。或いは、パッド電極310pが表面電極310cより小さく形成されていてもよい。また、パッド電極310pは、表面電極310c側から順に、例えばTi層、Au層が積層されてなる。パッド電極310pは、例えばワイヤボンディング用パッド電極として構成されている。2第2反射部の詳細構造と作用上述したように、本発明の第1実施形態に係る第2反射部としてのn型DBR層130は、例えば屈折率の異なる2以上の半導体層を備える。これにより、発光層142から光取り出し面141s側に放射された光や、発光層142から支持基板200側に放射され、金属層163で反射された光の一部がn型DBR層130へと入射してきた際、上記2以上の半導体層での光干渉により、入射してきた光を反射させる。反射させる光の波長は、各半導体層の屈折率及び厚さを設定することで選択することができる。以下に、n型DBR層130の詳細構造および作用について説明する。第2反射部の詳細構造n型DBR層130は、図1bに示すように、例えばn型AlAsからなる所定厚さの第1半導体層131xと、第1半導体層131xとは異なる屈折率を有するn型AlNGa1-NAsからなる所定厚さの第2半導体層132xと、を1つのペアとして積層される複数のペア層133xを有する。但し、第1半導体層131xは、図中、131a,131b,131jで示される任意の第1半導体層である。第2半導体層132x及びペア層133xについても同様である。また、n型コンタクト層120側の最上層のペア層133aのうち、第1半導体層131aがn型コンタクト層120と接する層であり、n型クラッド層141側の最下層のペア層133jのうち、第2半導体層132jがn型クラッド層141と接する層である。第1半導体層131x、第2半導体層132x及びペア層133xをa~jまでとしたのは一例であって、各層の積層数は様々に選択可能である。また、第2半導体層132xを構成するn型AlNGa1-NAsのAl組成比Nは、例えば0<N<1の範囲で選択することができる。第2半導体層132xのAl組成比Nを小さくしていくことで、第1半導体層131xとの屈折率差を大きくして反射率を高めることができる。また、所定角度で入射する発光層142が発する波長の光を反射させる第1半導体層131xの厚さTA及び第2半導体層132xの厚さTBは、次式1,2によりそれぞれ算出することができる。ここで、式1,2中、λPは、発光層142が発する光のピーク波長である。また、θは、n型クラッド層141から、n型クラッド層141に接する第2半導体層132jへと入射する上記光の入射角である。ここで、入射角θは入射面の法線に対する角度である。また、ninは、n型クラッド層141の屈折率である。また、nAは第1半導体層131xの屈折率であり、nBは第2半導体層132xの屈折率である。上記の特許文献2特開2001-036132号公報のDBR層をはじめ、従来の半導体発光素子が備える半導体多層反射層は、垂直方向入射角θ=0°から入射する光に対して高い反射率が得られるよう設計されていた。しかしながら、例えば斜め方向から入射する光に対しては設計上の考慮がほとんどなされていないため、0°より大きい入射角で入射する光の光量が大きい場合などには反射量が少なく、半導体発光素子の光取り出し効率が低下してしまっていた。本実施形態では、入射角θを含む上記の式1,2に基づき、第1半導体層131xの厚さTA及び第2半導体層132xの厚さTBを定めることとしたので、0°より大きい垂直入射以外の所定入射角で入射する光の光量が大きい場合であっても、所定の入射角θに対応するペア層133xを積層することができ、半導体発光素子1の光取り出し効率を向上させることができる。第2反射部の作用次に、異なる入射角θの光に対応してそれぞれ設計されたn型DBR層130の作用について、図2を用いて説明する。図2は、本実施形態に係る半導体発光素子1が有する金属層163及びn型DBR層130による光の反射について説明する図であって、aは表面電極310cから導入される電流の経路を例示する半導発光体素子1の断面図であり、b1は垂直に入射する光を反射するよう設計されたn型DBR層130を有する半導発光体素子1の断面図であり、b2はb1のn型DBR層130が光を反射する様子を示す模式図であり、c1は斜めに入射する光を反射するよう設計されたn型DBR層130を有する半導発光体素子1の断面図であり、c2はc1のn型DBR層130が光を反射する様子を示す模式図である。図2aに示すように、表面電極310cから裏面電極320cに向けて電流を導入すると、図中に例示する電流E1,E2のように、電流は透明層161の一部に形成された界面電極162を介して流れ、その際、電流の通過位置で発光層142から放射状に光を発する。図2b1,c1に示すように、上記光の一部は光取り出し面141sから半導体発光素子1の外部へと放射されるほかL1、表面電極310cの下面側L2や、金属層163側へ図示せずと向かう光も存在する。従来の特許文献1特開2009-200178号公報のような、表面電極側にDBR層等の反射層を有さない半導体発光素子では、表面電極の下面側へと向かった光は、n型コンタクト層とオーミックコンタクトする表面電極で吸収されてしまい、半導体発光素子の光取り出し効率を低下させていた。しかしながら、本実施形態においては、表面電極310c及びn型コンタクト層120と、n型クラッド層141との間に第2反射部としてのn型DBR層130を設けている。これにより、表面電極310cの下面側へと進行してきた光L2の少なくとも一部を第1反射部側へと反射させ、表面電極310c等による光の吸収を抑制することができる。また、従来の特許文献2特開2001-036132号公報のように、表面電極側にDBR層を設けた場合であっても、従来のDBR層では、例えば斜め方向から入射する光を高反射率で反射することができない。上述のように、界面電極162は、例えば表面電極310cの直下を除く位置に形成されているため、発光層142では、主に表面電極310cの直下から外れた位置で発光が起きる。したがって、発光層142から表面電極310c側へと向かう光の多くは、n型DBR層130に斜めから入射することとなる。そこで、本実施形態では、図2c1のように、上述の式1,2を用いて斜めに入射する光を反射するようn型DBR層130を設計し、例えば従来のDBR層や、図2b1の垂直に入射する光を反射するよう設計されたn型DBR層130よりも光L2の反射量を高め、光の取り出し効率をいっそう向上させることができる。ここで、図中、光の進路を示す矢印において、破線で描かれた部分は光量の低下を表す。入射角の異なる光に対する反射率の違いを更に説明するため、図2b2、c2に、それぞれのn型DBR層130が垂直または斜めに入射する光を反射する様子を示す。垂直に入射する光を反射するよう設計された図2b2に示すn型DBR層130では、斜めに入射する光Ltの反射率が低く、垂直に入射する光Lvの反射率が高い。また、斜めに入射する光を反射するよう設計された図2c2に示すn型DBR層130では、垂直に入射する光Lvの反射率が低く、斜めに入射する光Ltの反射率が高い。このように、本実施形態では、上述の式1,2により、所定の入射角θの光を反射するようn型DBR層130を設計することができるので、表面電極310cのサイズ、形状、位置、表面電極310cと界面電極162との位置関係、発光層142における発光強度分布等に応じて、入射量の大きい入射角θの光をより多く反射できるようにn型DBR層130を設けることができる。例えば、入射角θが0°の光を反射するn型DBR層130は、設計や取扱いが容易である点で優れている。また、例えば本実施形態に係る半導体発光素子1のように、表面電極310cの位置と発光層142での発光強度が高い位置との水平方向における空間配置が異なる場合には、n型DBR層130は、0°より大きい所定入射角θで入射する光を反射するよう設計されていることが好ましい。n型DBR層130から第1反射部側へと反射された光L2のうち、一部は半導体積層構造10sを通過する際に半導体層に吸収されるが、一部は発光層142が第1反射部側へと発した光図示せずとともに第1反射部へと到達し、第1反射部が備える金属層163により反射されて、光取り出し面141sから半導体発光素子1の外部へと放射される。従来の特許文献2特開2001-036132号公報のように、支持基板側と表面電極側との両方にDBR層を用いた場合と異なり、本実施形態では、支持基板200側をDBR層より反射率の高い金属層163としたので、より広範囲の波長や入射角の光を高効率に反射することができ、光取り出し効率をより一層、向上させることができる。3半導体発光素子の変形例上述のようなn型DBR層130においては、第1半導体層131xと第2半導体層132xとを屈折率差の大きい材料の組み合わせペアとして反射率を高めたり、各半導体層に光吸収係数の小さい材料を用いて光吸収を抑えたりすることで、光の反射量を高めることができる。例えば、上述したn型のAlAs/AlNGa1-NAs0<N<1のペアは、屈折率差も比較的大きく、発光層142が有する赤色光の発光波長に対して透明である光吸収が少ないが、これより更に屈折率差を大きくするには、例えばAlAs/GaAsの組み合わせが考えられる。しかし、GaAsのようにエネルギーギャップの小さな材料は、大きい光吸収係数を有する。よって、n型DBR層中にGaAsを用い、その層数や層厚を増加させると、高屈折率差で得られる高反射率の効果は、光吸収による光量低下で相殺されてしまう。このように、屈折率差が大きい組み合わせと光吸収係数が小さい組み合わせとは両立せず、n型DBR層を構成する半導体材料の選定には困難が伴う。そこで、本発明者等は、n型DBR層130中、発光層142に近い下層側では入射する光の光量が大きく、表面電極310cに近い上層側では下層側での反射により到達する光の光量が落ちていることに着目した。そして、下層側では、入射光の光量をできるだけ落とさず上層に到達させるべく、吸収係数が小さい半導体材料を用い、上層側では、光量の弱まった光をできるだけ反射させるべく、屈折率差の大きい半導体材料を用いることに想到した。上記の点に鑑みて構成される本発明の第1実施形態の変形例に係る半導体発光素子について、図1bを参照しながら以下に説明する。本変形例に係るn型DBR層130においては、表面電極310c側のn型コンタクト層120と接する最上層のペア層133aの第1半導体層131aには、上述の実施形態と同様、n型AlAsを用いる。また、第2半導体層132aには、n型AlAsとの屈折率差が大きくなるよう、Al組成比NがN=0のn型AlNGa1-NAs、すなわち、n型GaAsを用いる。また、最上層のペア層133aよりも下層側のペア層133b~133jには、上述の実施形態と同様、第1半導体層131b~131jにn型AlAsを用い、第2半導体層132b~132jにn型AlNGa1-NAsを用いて、光吸収係数が小さいn型のAlAs/AlNGa1-NAs0<N<1の組み合わせとする。このとき、Al組成比Nは、比較的大きい値とすることが好ましい。また、このとき、n型DBR層130の反射率をさらに向上させるため、上述の式1,2を用いて、各ペア層133xを複数の入射角θに対応する設計とすることができる。具体的には、最上層のペア層133aと、下層のペア層133b~133jとを、任意に選定した2種類の入射角θにそれぞれ対応するよう設計することができる。さらに、各ペア層133b~133jを複数種類の入射角θにそれぞれ対応させてもよい。このとき、n型コンタクト層120側からn型クラッド層141側へと入射角θが大きくなるように設定することが好ましい。すなわち、反射率向上の観点からは、例えば複数の入射角θのそれぞれについて、上述の式1よりそれぞれ求められる厚さTAの第1半導体層131xと、上述の式2よりそれぞれ求められる厚さTBの第2半導体層132xと、を各ペアとして積層されるペア層133xを各入射角θにつき1ペア以上有するようn型DBR層130を構成することが好ましい。このように、第1半導体層131xおよび第2半導体層132xの厚さ対応する入射角θにより異なるや材料を様々に変更し、組み合わせ、複数種類のペア層133xを積層することで、n型DBR層130の反射率を一層高め、半導体発光素子1の光取り出し効率を向上させることができる。4半導体発光素子の製造方法本発明の第1実施形態に係る半導体発光素子1は、GaAs基板等の成長基板上で成長させた複数のエピタキシャル層を、貼り合せによりSi等の支持基板に移し替えることで形成される。以下に、本実施形態に係る半導体発光素子1の製造方法について、図3及び図4を用いて説明する。図3及び図4は、本実施形態に係る半導体発光素子1の製造工程を示す断面図である。エピタキシャルウエハの製造まずは、図3aに示すように、例えばMOVPE法により、成長基板100上に複数のエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルウエハ1eを製造する。すなわち、例えばn型GaAs基板等の成長基板100上に、n型AlGaInP等からなるエッチングストップ層110、n型GaAs等からなるn型コンタクト層120、n型のAlAs/AlNGa1-NAs等からなるn型DBR層130、n型AlGaInP等からなるn型クラッド層141、アンドープAlGaInP等からなる発光層142、p型AlGaInP等からなるp型クラッド層143、p型GaP等からなるp型コンタクト層150を、この順に成長させる。これにより、例えばピーク波長が630nmの赤色光を発するエピタキシャルウエハ1eが得られる。上記各層のうち、n型コンタクト層120からp型コンタクト層150までの各層により、半導体積層部10sが構成される。従来の特許文献2特開2001-036132号公報では、上部電極表面電極側のDBR層は、活性層発光層の上層に形成される。このような構造上の制約から、DBR層をp型GaP電流拡散層上に成長させることとなってしまう。GaPと、成長基板であり且つ支持基板でもあるGaAs基板を構成するGaAsとは格子定数が異なっており、p型GaP電流拡散層上のDBR層についてはDBR層を構成する半導体材料が制限されることとなる。或いは、特許文献2のように、GaAsと格子整合する半導体材料からなるDBR層を成長させた場合には、DBR層での電気抵抗が高くなってしまう。しかしながら、本実施形態においては、半導体積層部10sの構造を含む上記複数のエピタキシャル層は、後に貼り合わせにより、Si等の支持基板200に移し替えられて、本実施形態に係る半導体発光素子1が製造される。したがって、上記のように、各エピタキシャル層を形成する際には、発光層142よりも先にn型DBR層130を形成することとなり、n型DBR層130にはn型AlAsやn型AlNGa1-NAs等、成長基板100を構成するGaAsに格子整合する格子整合系材料を、電気抵抗を増大させる懸念なく用いることができる。このように、表面電極310c側に、電気抵抗の低いn型DBR層130を容易に形成することが可能となる。なお、上記各層のMOVPE法による形成は、MOVPE装置内に成長基板100を搬入して設置し、成長圧力、成長温度を所定値に保った状態で、所定の原料ガスを所定流量供給して行う。原料ガスには、例えばGa源としてトリメチルガリウムTMGaやトリエチルガリウムTEGa等の有機金属ガスを使用する。また、例えばAl源にはトリメチルアルミニウムTMAl等の、In源にはトリメチルインジウムTMIn等の有機金属ガスをそれぞれ使用する。また、As源としてアルシンAsH3等の、P源としてホスフィンPH3等の水素化物ガスをそれぞれ使用する。このとき、TMGaやTMAl等のIII族原料ガスのモル数を分母とし、AsH3やPH3等のV族原料ガスのモル数を分子とする比率商、すなわち、V/III比を、所定値とする。また、各層の導電型の決定に用いる導電型決定不純物の添加は、例えば所定の添加ガスを原料ガスに添加することにより行う。p型不純物のMg,Zn等を添加するには、例えばビスシクロペンタジエニルマグネシウムCp2Mg、ジメチルジンクDMZn、ジエチルジンクDEZn等を用いる。n型不純物のSi,Se,Te等を添加するには、例えばモノシランSiH4、セレン化水素H2Se、ジエチルテルルDETe、ジメチルテルルDMTe等を用いる。第1反射部の形成以上のように各層が形成されたエピタキシャルウエハ1eを、MOVPE装置から搬出した後、プラズマを用いた化学気相蒸着CVD:ChemicalVaporDeposition法等により、p型コンタクト層150上の全面に、例えばSiO2等からなる透明層161を形成する。続いて、例えばフォトリソグラフィ法等を用いて所定のレジストパターン161pを透明層161上に形成し、図3bに示すように、透明層161の一部を貫通させて開口部162hを設ける。次に、真空蒸着法やスパッタ法等を用いて、レジストパターン上及び透明層161の開口部162h内に、例えばAuZn合金等を蒸着する。更に、リフトオフ法によりレジストパターン161pを除去することで、図3cに示すように、開口部162h内にAuZn合金等からなる界面電極162を形成する。次に、真空蒸着法やスパッタ法等を用いて、図3dに示すように、例えばAu等からなる金属層163を蒸着する。以上の構造により、反射層としての金属層163と一部に界面電極162が形成された透明層161とを備える第1反射部が構成される。続いて、図3eに示すように、真空蒸着法やスパッタ法等を用いて、例えばPt等からなるバリア層170と、Au等からなる接合層180とを、この順に蒸着する。以上の構造により、発光構造体10の主要部が構成される。貼り合わせウエハの製造一方、図3fに示すように、例えばp型Si等からなる支持基板200上に、真空蒸着法やスパッタ法等を用いて、Ti等からなるコンタクト電極210と、Au等からなる接合層220とを、この順に蒸着する。以上の構造により、支持構造体20の主要部が構成される。次に、例えば熱圧着法等により、上記支持基板200と先の成長基板100とを貼り合わせる。すなわち、図3fに示すように、支持基板200上に形成された支持構造体20側の接合層220と、上述の成長基板100上に形成された発光構造体10側の接合層180とを向かい合わせて重ね、所定圧力を加えつつ、所定温度で所定時間保持して貼り合わせる。以上により、図3gに示すように、接合層220,180が電気的機械的に接合された貼り合せウエハ1bが製造される。この後、図4h,iに示すように、貼り合わせウエハ1bから成長基板100とエッチングストップ層110とを、例えば機械的研磨やエッチング液等、又はその組み合わせにより除去する。表面電極の形成次に、図4jに示すように、n型コンタクト層120の上面の一部に、表面電極310cを形成する。すなわち、エッチングストップ層110が除去され、露出したn型コンタクト層120上に、例えばフォトリソグラフィ法を用いてレジストパターン図示せずを形成する。続いて、真空蒸着法やスパッタ法等により、例えばAuGe合金、Ni、Auをこの順に蒸着し、リフトオフ法によりレジストパターンを除去する。これにより、例えば円形の表面電極310cが素子ごとに形成される。更に、表面電極310cをマスクとして、n型コンタクト層120及びn型DBR層130をエッチングし、n型クラッド層141の上面の一部を露出させる。n型クラッド層141の一部が露出した面には、フォトリソグラフィ法等により周期的なドット状のレジストパターン図示せずを形成してエッチング液に浸漬し、その後レジストパターンを除去して、図4kに示す凹凸部141rを形成する。これにより、発光層142等からの光を乱反射させる凹凸部141rを有する光取り出し面141sが、n型クラッド層141の上面の一部に形成される。裏面電極の形成次に、図4lに示すように、支持基板200の下面裏面に裏面電極320cを形成する。すなわち、真空蒸着法やスパッタ法等により、支持基板200の裏面の全面に、例えばTiとAuとをこの順に蒸着する。その後、表面電極310c及び裏面電極320cが形成された貼り合せウエハ1bをアロイ工程にて加熱し、表面電極310c、裏面電極320c、界面電極162を各電極が接する半導体層にオーミックコンタクトさせる。続いて、例えばフォトリソグラフィ法及び真空蒸着法やスパッタ法等を用いたリフトオフ法により、表面電極310c上に、例えばTiとAuとをこの順に蒸着して、パッド電極310pを形成する。その後、複数形成した表面電極310cのそれぞれが中央部に位置するよう、例えば貼り合せウエハ1bをダイシングしてチップに切り出し、図1に示す半導体発光素子1を複数個得る。以上により、本実施形態に係る半導体発光素子1が製造される。5本発明の第1実施形態に係る効果本実施形態によれば、以下に示すひとつ又は複数の効果が得られる。a本実施形態によれば、半導体積層部10sは、表面電極310cとn型クラッド層141との間に、屈折率の異なる2以上の半導体層を積層したn型DBR層130を備える。これにより、表面電極310c側での光吸収を抑制し、半導体発光素子1の光取り出し効率を向上させることができる。bまた、本実施形態によれば、n型DBR層130は、n型DBR層130へと所定入射角で入射する発光層142が発する波長の光を反射するよう設計されている。すなわち、n型DBR層130は、上述の式1より求められる厚さTAの第1半導体層131xと、第1半導体層131xとは異なる屈折率を有し、上述の式2より求められる厚さTBの第2半導体層132x0≦N<1と、を1つのペアとして積層される複数のペア層133xを有する。これにより、半導体発光素子1の構造や、半導体発光素子1に対する各種要求に応じて入射量の大きい入射角θの光を反射するn型DBR層130を設けることができ、半導体発光素子1の光取り出し効率を一層向上させることができる。cまた、本実施形態によれば、上記所定入射角を0°より大きい入射角θとする。これにより、表面電極310cの位置と発光層142での発光強度が高い位置との水平方向における空間配置が異なる半導体発光素子1に対して、入射量の大きい入射角θの光を反射するn型DBR層130を設けることができる。dまた、本実施形態によれば、複数の入射角θのそれぞれについて、上述の式1,2よりそれぞれ求めた厚さを有する各半導体層を各ペアとして積層されるペア層133xを、各入射角θにつき1ペア以上有する。これにより、n型DBR層130の反射率をさらに向上させることができる。eまた、本実施形態によれば、最上層のペア層133aのうち、n型コンタクト層120と接する側に配置される第1半導体層131aはAlAsからなり、n型コンタクト層120と第2半導体層132aとは、GaAsからなる。このように、光の吸収量は増加するものの、屈折率差の大きい第1半導体層131aと第2半導体層132aとの組み合わせを、光の入射量がもともと小さい表面電極310c側に用いることで、n型DBR層130の反射率をより一層高めることができる。fまた、本実施形態によれば、上記eの構成において、ペア層133aの下層のペア層133b~133jは、AlAs/AlNGa1-NAs0<N<1の組み合わせペアとする。このように、屈折率差はAlAs/GaAsの組み合わせほど大きくないものの、光吸収係数の小さい第1半導体層131xと第2半導体層132xとの組み合わせを、光の入射量が大きい発光層142側に用いることで、n型DBR層130の反射率をより一層高めることができる。gまた、本実施形態によれば、n型DBR層130は、第1半導体層131xおよび第2半導体層132xの材料、厚さの少なくともいずれかが異なる3種類以上のペア層133xを有する。これにより、n型DBR層130の反射率がより一層向上する。hまた、本実施形態によれば、半導体発光素子1は、支持基板200を有する支持構造体20と発光層142を有する発光構造体10とが接合層220,180を介して接合される。また、n型DBR層130は、n型GaAs基板である成長基板100上で成長させたエピタキシャル層であり、GaAsに格子整合する材料からなる。このように、発光層142より先に、GaAs格子整合系材料からなるn型DBR層130を成長させることで、n型DBR層130での電気抵抗を低減することができる。iまた、本実施形態によれば、第1反射部は金属層163を備える。このように、反射率の高い金属製の反射層とすることで、半導体発光素子1の光取り出し効率をより一層向上させることができる。<本発明の第2実施形態>図5に示すように、本発明の第2実施形態に係る半導体発光素子2は、表面電極310c側のみならず、界面電極162の直上にも第3反射部としてのp型DBR層130dを備える。p型DBR層130dを構成するペア層に含まれる各半導体層は、導電型をp型とすれば、上述の実施形態や変形例と同様の材料及び構成を用いることができる。半導体発光素子2の製造方法としては、上述の実施形態と同様の手法で、p型コンタクト層150までを成長させた後、p型DBR層130dをさらに成長させ、フォトリソグラフィ法等を用いて例えばドット状にパターニングする。その後、p型DBR層130dのパターンが形成されたp型コンタクト層150上の全面に、p型DBR層130dと界面電極162との合計の厚さに略等しくなるよう、透明層161を形成し、開口して、p型DBR層130d上に、例えばドット状に点在する界面電極162を形成する。以後の製造方法は、上述の実施形態と同様である。本実施形態によれば、界面電極162上にもp型DBR層130dを設けたので、界面電極162側での光吸収も抑制することができる。<本発明の第3実施形態>図6aに示すように、本発明の第3実施形態に係る半導体発光素子3aは、半導体積層部10sの上面に形成される電極を第1電極310aとし、第1電極310aと同一面側に、半導体積層部10sとは非接触に形成された第2電極320aを有する。すなわち、半導体発光素子3aでは透明層161の一部が露出され、透明層161の露出部分に第2パッド電極320pが形成されている。第2パッド電極320pの近傍の金属層163が電極の役割を果たし、第2電極320aを構成している。また、図6bには、本発明の第3実施形態の他の例に係る半導体発光素子3bを示す。図6bに示すように、半導体発光素子3bにおいては、第1電極310bと同一面側に形成される第2電極320bは、露出したp型クラッド層143の一部に形成される。また、半導体発光素子3bでは、第1電極310bから半導体積層部10sを介して第2電極320bへと電流が流れるため、界面電極は省略された構成となっている。また、金属層163よりも下層のバリア層以下の構造も省略し、例えば発光構造体10と支持構造体20との双方に設けられた接合層230を互いに接合させて、半導体発光素子3bを得ることができる。半導体発光素子3a,3bにおいては、第1電極310a,310b及び第2電極320a,320bを素子の同一面に有するので、実装が容易である等の利点を有する。ここで、半導体発光素子3aを例にとって、係る構造におけるn型DBR層130及び金属層163の光の反射について、図7を用いて説明する。半導体発光素子3aにおいても、半導体積層部10sの積層方向に投じた第1電極310aの射影が、界面電極162とは重なり合わないよう構成されている。また、第1電極310aに対して、第2電極320aは斜め下方に配置されている。したがって、図7aに示すように、発光層142の水平方向における電流の通過位置は、上述の実施形態に係る半導体発光素子1よりも偏っており、第1電極310aに斜めに入射する光の光量がさらに増す構造となっている。上記の場合であっても、本実施形態の構造での入射量が大きくなる入射角θが0°ではない斜め入射の光を反射するn型DBR層130を設けることで、図7bに示すように、第1電極310a側での光の吸収を抑制し、光取り出し効率を向上させることができる。<本発明の他の実施形態>以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、成長基板100を構成するGaAsと整合する半導体材料としては、AlAs~GaAsまでのAlNGa1-NAs0≦N≦1や、AlInP~GaInPまでのAlNGa1-NXIn1-XP0≦N≦1、或いはAlGaInAsP等がある。上述の実施形態においては、n型DBR層130やp型DBR層130dをAlAs/AlNGa1-NAs0≦N<1で構成することとしたが、他にも上記GaAs格子整合系材料の中から選択される材料を用いることができる。例えば、AlInP/AlNGa1-NAs0≦N<1の組み合わせペアにおいても、屈折率差が比較的大きく、赤色光の吸収の少ないDBR層が得られる。また、発光層についても、上述のAlGaInPの他に、上記GaAs格子整合系材料の中から、例えばGaAs、AlGaAs、AlGaInAsP等を用いることができる。また、上述の実施形態においては、GaAs基板を成長基板100とし、半導体積層構造10sを含む複数の半導体層をGaAs格子整合系材料により構成したが、InP基板を成長基板として、各半導体層をInP格子整合系材料により構成することも可能である。また、上述の実施形態においては、n型クラッド層141側を光取り出し面141sとしたが、上下の各層の導電型を逆にして、p型クラッド層を光取り出し面としてもよい。また、上述の実施形態においては、半導体積層構造10sを含む複数の半導体層をMOVPE法により成長させることとしたが、液相成長LPE:LiquidPhaseEpitaxy法や、分子線エピタキシーMBE:MolecularBeamEpitaxy法等を用いることも可能である。また、上述の実施形態においては、金属層163はAuからなるとしたが、Al,Cu,Ag等や、Au,Al,Cu,Ag等の少なくとも1つを含む合金材料など、高い反射率を有する金属材料であれば用いることができる。また、上述の実施形態においては、透明層161は電気絶縁性を有するSiO2等からなるとしたが、Si3N4、Ta2O5、MgF2、HfO2、In2O3等や、ITO等の導電性材料も用いることができる。透明層をITO等の導電性材料で構成した場合には、界面電極は不要となる。また、上述の実施形態においては、略円形の表面電極310cを形成することとしたが、この他、四角形、菱形、多角形等、表面電極は種々の形状とすることができる。また、上述の実施形態においては、界面電極162をドット状に分散して配置することとしたが、例えば線状の界面電極を放射状や櫛歯状に分散して配置してもよい。このとき、表面電極の直下の位置を避けるよう配置することが好ましい。次に、本発明に係る実施例について比較例とともに説明する。上述の第1実施形態と同様の手法で、実施例1~実施例5に係る半導体発光素子を製作した。成長基板および支持基板には、それぞれ直径3インチのn型GaAs基板およびp型Si基板を用いた。各素子は、300μm×300μmの略正方形の形状とした。実施例1,2の半導体発光素子は、第1実施形態に基づき、n型のAlAs/Al0.5Ga0.5Asにより構成されるn型DBR層を有する。実施例3,4の半導体発光素子は、第1実施形態の変形例に基づき、最上層のペア層のみがn型のAlAs/GaAsにより構成される。また、複数の入射角θに対応する各ペア層を有する。実施例5は、その他の実施形態の記載に基づき、n型のAlInP/Al0.5Ga0.5Asにより構成されるn型DBR層を有する。また、表面電極側にn型DBR層を設けない比較例に係る半導体発光素子を製作した。実施例1~実施例5に係る半導体発光素子の詳細構造を、表1~表4に示す。表1の構造をn型DBR層のない構造としたものが、比較例の半導体発光素子にあたる。また、各実施例におけるn型DBR層の構成を示す表2~表4において、a~jまでの10ペアのペア層のうち、ペア層aがn型コンタクト層側のペア層であり、ペア層jがn型クラッド層側のペア層である。入射角が0°~40°に対応する各ペア層の第1,第2半導体層の層厚は、上述の式1,2より求めた。このとき、発光層142のピーク波長λP、n型クラッド層の屈折率nin、第1半導体層の屈折率nA、第2半導体層の屈折率nBには、それぞれ以下の数値を用いた。λP=630nmnin=3.127Al0.7Ga0.30.5In0.5PnA=3.111AlAs表2~表3nA=3.180Al0.5In0.5P表4nB=3.500Al0.5Ga0.5As次に、実施例1~実施例5及び比較例に係る半導体発光素子を、TO-18ステム上にダイボンディング及びワイヤボンディングして実装し、ベアチップの状態で20mAの電流を通電して発光出力及び動作電圧の測定値を得た。係る測定値を、表5に示す。AlGaAs系の材料を含む実施例1~実施例4に係るいずれの半導体発光素子においても、比較例に係る半導体発光素子よりも発光出力が大きくなっており、n型DBR層を設けることで、半導体発光素子の光取り出し効率が向上したことがわかる。また、AlInP系の材料を含む実施例5においても、比較例よりも大きな発光出力がみられ、AlInP系の材料であってもn型DBR層を設けた効果が得られている。なお、比較例と比べて各実施例における動作電圧が増加したのは、素子全体の半導体層の積層数が増えた影響による。また、実施例2の発光出力は実施例1よりも大きく、表面電極と発光層の発光強度が高い位置との水平方向における空間配置が異なる素子構造では、斜めに入射する光を反射するよう設計されたn型DBR層を用いることが有効であることが確認された。また、実施例3の発光出力は実施例2よりも大きく、最上層のペア層を屈折率差の大きな組み合わせペアとするn型DBR層を用いることが有効であることが確認された。また、実施例4の発光出力は実施例3よりも大きく、複数の入射角θに対応する各ペア層を有するn型DBR層を用いることが有効であることが確認された。"