ルツボに収容された原料を加熱して原料融液にするためのヒーターと、該ヒーターと前記ルツボを格納するチャンバと、単結晶の育成中に昇華性ドーパントを前記原料融液に供給するドーパント供給手段とを具備するチョクラルスキー法による単結晶製造装置であって、前記ドーパント供給手段は、前記チャンバの外部に設けられ、前記ドーパントを収容する収容部と、前記チャンバの内部に設けられ、前記収容部から投入される前記ドーパントを昇華し、該昇華したドーパントを供給口から前記原料融液に供給する蒸発部と、前記収容部に収容された前記ドーパントを前記蒸発部に投入する速度を制御しながら投入する投入部とを具備し、前記ドーパント供給手段により前記ドーパントを投入速度が所定速度になるように制御しながら前記原料融液に供給しつつ、前記単結晶を育成するものであることを特徴とする単結晶製造装置。前記ドーパント供給手段の前記投入部は、前記収容部を振動させることによって前記ドーパントを前記蒸発部に投入する加振器と、該加振器の振動周波数を調整して前記ドーパントの投入速度を制御する制御装置とを有するものであることを特徴とする請求項1に記載の単結晶製造装置。前記ドーパント供給手段の前記投入部は、さらに前記収容部の重量を測定するセンサーを有し、前記制御装置は前記センサーで測定した単位時間当たりの前記収容部の重量変化から算出した実際の投入速度と前記所定投入速度の差を基に前記加振器の振動周波数を調整するものであることを特徴とする請求項2に記載の単結晶製造装置。チャンバ内に設けられたルツボに収容された原料をヒーターにより加熱して原料融液とし、該原料融液に昇華性ドーパントを供給しながら単結晶を育成するチョクラルスキー法による単結晶製造方法であって、前記チャンバの外部に設けられた収容部に前記ドーパントを収容する工程と、前記チャンバの内部に設けられた蒸発部に前記収容部から前記ドーパントを投入速度が所定速度になるように投入部によって制御しながら投入して昇華し、該昇華したドーパントを前記蒸発部の供給口から前記原料融液に供給しつつ、前記単結晶を育成する工程とを含むことを特徴とする単結晶製造方法。前記単結晶を育成する工程において、前記ドーパントの投入を加振器で前記収容部を振動させることによって行い、前記ドーパントの投入速度の制御を前記加振器の振動周波数の調整によって行うことを特徴とする請求項4に記載の単結晶製造方法。前記加振器の振動周波数の調整を、センサーで測定した単位時間当たりの前記収容部の重量変化から算出した実際の投入速度と前記所定の投入速度の差を基に行うことを特徴とする請求項5に記載の単結晶製造方法。しかし、特許文献2の方法では、ドーパントを加熱して昇華温度に到達させるか、加熱を止めて昇華温度より低い温度にするかの制御しかできず、また、融液中のドーパント濃度を高精度に調整できない。また、特許文献3の方法では、製造中に応答性良くドーパントの導入量を変更することができず、ドーパントを気化するまでの時間差の幅が狭いため、同様に融液中のドーパント濃度を高精度に調整できない。そのため、得られる単結晶の抵抗率が長さ方向で大幅に不均一となってしまう。本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、昇華性ドーパントを原料融液に供給しながら単結晶の育成をする際、ドーパントを原料融液に供給する速度を精密に制御することで融液中のドーパント濃度を高精度に調整でき、抵抗率が長さ方向で所望の範囲内となる単結晶を製造できる単結晶製造装置及び単結晶製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明によれば、ルツボに収容された原料を加熱して原料融液にするためのヒーターと、該ヒーターと前記ルツボを格納するチャンバと、単結晶の育成中に昇華性ドーパントを前記原料融液に供給するドーパント供給手段とを具備するチョクラルスキー法による単結晶製造装置であって、前記ドーパント供給手段は、前記チャンバの外部に設けられ、前記ドーパントを収容する収容部と、前記チャンバの内部に設けられ、前記収容部から投入される前記ドーパントを昇華し、該昇華したドーパントを供給口から前記原料融液に供給する蒸発部と、前記収容部に収容された前記ドーパントを前記蒸発部に投入する速度を制御しながら投入する投入部とを具備し、前記ドーパント供給手段により前記ドーパントを投入速度が所定速度になるように制御しながら前記原料融液に供給しつつ、前記単結晶を育成するものであることを特徴とする単結晶製造装置が提供される。このような単結晶製造装置であれば、投入部で収容部に収容されたドーパントを蒸発部に投入する速度を制御しながら投入することによって、ドーパントを原料融液に供給する速度を精密に応答性良く制御できるものとなる。これにより、融液中のドーパント濃度を高精度に調整し、抵抗率が長さ方向で所望の範囲内となる単結晶を製造できるものとなる。このとき、前記ドーパント供給手段の前記投入部は、前記収容部を振動させることによって前記ドーパントを前記蒸発部に投入する加振器と、該加振器の振動周波数を調整して前記ドーパントの投入速度を制御する制御装置とを有するものであることが好ましい。このようなものであれば、簡単な構成で、低コストでドーパントを原料融液に供給する速度を精密に応答性良く制御できるものとなる。またこのとき、前記ドーパント供給手段の前記投入部は、さらに前記収容部の重量を測定するセンサーを有し、前記制御装置は前記センサーで測定した単位時間当たりの前記収容部の重量変化から算出した実際の投入速度と前記所定投入速度の差を基に前記加振器の振動周波数を調整するものであることが好ましい。このようなものであれば、投入速度のフィードバック制御を実施でき、ドーパントを原料融液に供給する速度をより精密に制御できるものとなる。また、本発明によれば、チャンバ内に設けられたルツボに収容された原料をヒーターにより加熱して原料融液とし、該原料融液に昇華性ドーパントを供給しながら単結晶を育成するチョクラルスキー法による単結晶製造方法であって、前記チャンバの外部に設けられた収容部に前記ドーパントを収容する工程と、前記チャンバの内部に設けられた蒸発部に前記収容部から前記ドーパントを投入速度が所定速度になるように投入部によって制御しながら投入して昇華し、該昇華したドーパントを前記蒸発部の供給口から前記原料融液に供給しつつ、前記単結晶を育成する工程とを含むことを特徴とする単結晶製造方法が提供される。このような単結晶製造方法であれば、投入部で収容部に収容されたドーパントを蒸発部に投入する速度を制御しながら投入することによって、ドーパントを原料融液に供給する速度を精密に応答性良く制御できる。これにより、融液中のドーパント濃度を高精度に調整し、抵抗率が長さ方向で所望の範囲内となる単結晶を製造できる。このとき、前記単結晶を育成する工程において、前記ドーパントの投入を加振器で前記収容部を振動させることによって行い、前記ドーパントの投入速度の制御を前記加振器の振動周波数の調整によって行うことが好ましい。このようにすれば、簡単に実施でき、低コストでドーパントを原料融液に供給する速度を精密に応答性良く制御できる。またこのとき、前記加振器の振動周波数の調整を、センサーで測定した単位時間当たりの前記収容部の重量変化から算出した実際の投入速度と前記所定の投入速度の差を基に行うことが好ましい。このようにすれば、投入速度のフィードバック制御を実施でき、ドーパントを原料融液に供給する速度をより精密に制御できる。本発明では、単結晶製造装置において、チャンバの内部に設けられた蒸発部に収容部からドーパントを投入速度が所定速度になるように投入部によって制御しながら投入して昇華し、該昇華したドーパントを蒸発部の供給口から原料融液に供給しつつ、単結晶を育成するので、ドーパントを原料融液に供給する速度を精密に応答性良く制御でき、融液中のドーパント濃度を高精度に調整できる。そのため、多量のドーパントを必要とする低抵抗率の単結晶の製造において、単結晶化が可能な許容限界付近のドーパント濃度を維持した状態であっても、抵抗率が長さ方向で所望の範囲内となる単結晶を製造することができる。また、チャンバ内に蒸発部のみ配置すれば良く、構成を簡単にして実施できる。以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。従来より、昇華性ドーパントを原料融液に供給しながら単結晶を育成する際、融液中のドーパント濃度を高精度に調整することが課題となっている。そこで、本発明者はこの課題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、従来のようなドーパントの温度制御による方法ではなく、昇華させるドーパントの量を精密に制御する、すなわち、固体状のドーパントを投入する速度を精密に制御することにより、融液中のドーパント濃度を高精度に調整できることに想到した。そして、これらを実施するための最良の形態について精査し、本発明を完成させた。まず、本発明の単結晶製造装置について説明する。図1に示すように、本発明の単結晶製造装置1は、メインチャンバ7と、メインチャンバ7上に連接されたプルチャンバ8と、ドーパント供給手段2とを有している。メインチャンバ7内には、ルツボ9、10と、ルツボ9、10に収容された原料を加熱、融解して原料融液6にするためのヒーター11などが設けられている。プルチャンバ8の上部には、育成された単結晶12を回転させながら引き上げるための引上機構20が設けられている。このプルチャンバ7の上部に取り付けられた引上機構20からはワイヤ15が巻き出されており、その先端には種ホルダ14が接続され、種ホルダ14の先に取り付けられた種結晶13を原料融液6に接触又は浸漬し、ワイヤ15を引上機構20によって巻き取ることで種結晶13の下方に単結晶12を育成する。ルツボ9、10は、内側に原料融液6を直接収容する石英ルツボ9と、外側に該ルツボ9を支持するための黒鉛ルツボ10とから構成されている。ルツボ9、10は、単結晶製造装置1の下部に取り付けられた回転昇降動自在なルツボ回転軸16に支持されている。単結晶の育成が進むにつれルツボ内の原料融液が減少していくが、結晶直径や結晶品質が変わることのないよう融液面は一定の位置に保たれる。具体的には、ルツボ回転昇降駆動機構不図示によってルツボ9、10を単結晶12と逆方向に回転させながら単結晶12の引き上げに応じて融液が減少した分だけルツボ9、10を上昇させている。ドーパント供給手段2は単結晶の育成中に昇華性ドーパントを原料融液6に供給するものであり、メインチャンバ7及びプルチャンバ8の外部に設けられた収容部3及び投入部5、メインチャンバ7の内部に設けられた蒸発部4とを有している。収容部3には昇華後に原料融液6に供給される固体状の昇華性ドーパントが収容される。この収容部3と蒸発部4の材質は石英とするのが好ましい。図2に示すように、蒸発部4は収容部3から固体状のドーパントを投入するための投入口41と、収容部3から投入されたドーパントを昇華するための蒸発部本体42と、昇華後のドーパントを原料融液6に供給するための供給口43とから構成され、蒸発部本体42がメインチャンバ7の内部の高温域、すなわちドーパントが投入されると直ちに昇華して気化する領域内に配置される。ここで、蒸発部4は、例えば図2に示すように、蒸発部本体42に吹出管44を接続し、吹出管44の下端に供給口43を設けるように構成できる。この際、吹出管44の中心軸を融液面に対し垂直にすることが好ましい。このようにすれば、供給口43から吹き出したドーパントを原料融液6に確実に供給できる。また、図2に示すように、蒸発部本体42の下端に蒸発部本体42内部を適温にするための断熱材45を原料融液6に対向するようにして設けることもできる。供給口43から原料融液6の表面までの距離Hを、例えば10~30mmとすることができる。石英ルツボ9の内壁から供給口43までの距離Bを、例えば、石英ルツボ9の内壁から単結晶12までの距離をAとしたとき、A/2~A/5の範囲とすることができる。投入部5は収容部3に収容されたドーパントを投入する速度を制御しながら蒸発部4に投入する。上記したように、蒸発部4に投入されたドーパントは直ちに昇華するので、投入部5により制御する蒸発部4への投入速度はドーパントを原料融液6に供給する供給速度と等しくなる。そのため、ドーパントの投入速度を精密に調整することで、昇華速度も精密に制御できる。また、図1に示すように、単結晶製造装置1には、蒸発部4内の昇華後のドーパントを原料融液6の表面に導くための、例えばアルゴンなどのキャリアガスを導入するためのキャリアガス導入手段18が設けられている。キャリアガス導入手段18から導入されたキャリアガスは蒸発部本体42を経由し、昇華後のドーパントと共に原料融液6に到達する。導入するキャリアガスの流量は、昇華後のドーパントが原料融液6まで届くのに必要な流量で、かつドーパントを吹き付けることで原料融液6が振動しない範囲であることが望ましい。例えば、図2に示す吹出管44を有する蒸発部4を用いる場合、チャンバ内圧や、吹出管の断面積などにもよるが、例えば、吹出管44の管内速度が0.1~0.5msecとなるような流量とすることができる。このドーパント供給手段2によりドーパントを投入する速度が所定速度になるように制御しながら原料融液6に供給しつつ、単結晶12を育成する。このような本発明の単結晶製造装置1は、投入部5で収容部3に収容されたドーパントを蒸発部4に投入する速度を制御しながら投入することによって、ドーパントを原料融液に供給する速度を精密に応答性良く制御でき、融液中のドーパント濃度を高精度に調整できるものである。そのため、多量のドーパントを必要とする低抵抗率の単結晶の製造において、単結晶化が可能な許容限界付近のドーパント濃度を維持した状態であっても、抵抗率が長さ方向で所望の範囲内となる単結晶を製造することができる。ここで、ドーパント供給手段2の投入部5は、図3ABに示すように、収容部3を振動させることによってドーパントを蒸発部4に投入する加振器51と、該加振器51の振動周波数を調整してドーパントの投入速度を制御する制御装置52とで構成できる。また、図3Bに示すように、収容部3をV字型とし、片側に開口を形成しても良い。この場合、加振器51によって収容部3を振動させると、V字型収容部3の開口からドーパントがこぼれ落ち、蒸発部4に投入される。加振器51の振動周波数により、単位時間当たりのドーパント投入量が可変にできるため、この振動周波数により投入速度を調整できる。このようなものであれば、簡単に低コストで構成できる。さらに、図3に示すように、ドーパント供給手段2の投入部5は、ドーパントが収容された収容部3の重量を測定するセンサー53を有するものであっても良い。図4に、制御装置52における加振器51の振動周波数の調整によるドーパントの投入速度の制御方式の一例を示す。この制御方式では、センサー53で収容部3の重量を定期的に測定し、単位時間当たりの収容部3の重量変化から実際のドーパント投入速度を算出し、この算出した実際の投入速度と設定した所定投入速度の差を基に加振器51の振動周波数を調整する。具体的には、この差が所定の範囲になるように加振器51の振動周波数を調整する。このとき、実際のドーパント投入速度を算出する前にノズルフィルターに通して加振器の振動による重量の測定誤差を取り除いておく。ここで、所定投入速度の設定は単結晶製造前に一度だけ設定するようにしても良いし、単結晶製造中の任意のタイミングで設定及び変更するようにしても良い。このように投入速度のフィードバック制御を実施できるものとすれば、ドーパントを原料融液に供給する速度をより精密に制御できるものとなる。また、図1に示すように、単結晶製造装置1には、育成する単結晶12を取り囲むようにして、円筒状の整流筒17を設けることができる。ここで、整流筒17には黒鉛材が用いられ、ヒーター11や原料融液6からの単結晶12への輻射熱を遮断できる。炉内に発生した酸化物を炉外に排出する等を目的とし、プルチャンバ8上部に設けられたガス導入口不図示からアルゴンガス等の不活性ガスが導入され、整流筒17の内側を通り引き上げ中の単結晶12の近傍に整流され、原料融液6表面を通過してルツボ9、10の上端縁の上方を通過し、単結晶製造装置の下部に設けられたガス流出口不図示から排出される。これにより、引き上げ中の単結晶12がガスにより冷却されるとともに、整流筒17の内側、及びルツボ9、10の上端縁等に酸化物が堆積するのを防ぐことができる。次に、本発明の単結晶製造方法について説明する。ここでは、図1に示すような本発明の単結晶製造装置1を用いた場合について説明する。図1に示すように、まず、ヒーター11によりルツボ9、10内でシリコンの高純度多結晶原料を融点約1420°C以上に加熱、融解して原料融液6とする。単結晶12の育成中に供給する昇華性ドーパントはメインチャンバ7及びプルチャンバ8の外部に設けられた収容部3に収容しておく。ここで、昇華性ドーパントとして、例えば赤リン、ヒ素、アンチモンなどを用いることができる。そして、ワイヤ15を巻き出すことにより原料融液面の略中心部に種結晶13の先端を接触または浸漬させる。その後、ルツボ回転軸16を適宜の方向に回転させるとともに、ワイヤ15を回転させながら巻き取り、種結晶13を引き上げることにより、単結晶12の育成が開始される。そして、所望の直径、品質が得られるよう単結晶12の引き上げ速度やヒーター11の電力を制御しながら単結晶12の引き上げを行う。単結晶12の育成中には、チャンバの内部に設けられた蒸発部4に収容部3からドーパントを投入速度が所定速度になるように投入部5によって制御しながら投入して昇華し、該昇華したドーパントを蒸発部4の供給口43から原料融液6に供給する。このとき、蒸発部4の蒸発部本体42内の昇華後のドーパントを原料融液6の表面に導くために、例えばアルゴンなどのキャリアガスをキャリアガス導入手段18により導入する。導入するキャリアガスの流量は、例えば、図2に示す吹出管44を有する蒸発部4を用いる場合、チャンバ内圧や、吹出管の断面積などにもよるが、例えば、吹出管44の管内速度が0.1~0.5msecとなるような流量とすることができる。このような本発明の単結晶製造方法は、投入部5で収容部3に収容されたドーパントを蒸発部4に投入する速度を制御しながら投入することによって、ドーパントを原料融液に供給する速度を精密に応答性良く制御でき、融液中のドーパント濃度を高精度に調整できる。そのため、多量のドーパントを必要とする低抵抗率の単結晶の製造において、単結晶化が可能な許容限界付近のドーパント濃度を維持した状態であっても、抵抗率が長さ方向で所望の範囲内となる単結晶を製造することができる。ここで、ドーパントを原料融液6に供給する際、図3に示すように、ドーパントの投入を加振器51で収容部3を振動させることによって行い、ドーパントの投入速度の制御を加振器51の振動周波数の調整によって行うことができる。この場合、片側に開口を形成したV字型の収容部3を用い、加振器51によって収容部3を振動させると、V字型収容部3の開口からドーパントがこぼれ落ち、蒸発部4に投入されるようにすることができる。このような方法であれば、簡単に低コストで実施できる。なお、投入するドーパントの大きさを1辺が1~2mmと均一にすれば、投入速度をより正確に制御できるので好ましい。またこのとき、図4に示すように、加振器51の振動周波数の調整を、センサー53で測定した単位時間当たりの収容部3の重量変化から算出した実際の投入速度と所定の投入速度の差を基に行うことが好ましい。具体的には、この差が所定の範囲になるように加振器51の振動周波数を調整する。このとき、実際のドーパント投入速度を算出する前にノズルフィルターに通して加振器の振動による重量の測定誤差を取り除いておく。このようにすれば、投入速度のフィードバック制御を実施でき、ドーパントを原料融液に供給する速度をより精密に制御できる。以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例図1に示すような本発明の単結晶製造装置を用い、本発明の単結晶製造方法に従って直径200mmのシリコン単結晶インゴットを製造し、抵抗率を評価した。ドーパント供給手段として、図3に示すような加振器を有したものを用いた。直径450mmの石英ルツボにシリコン原料70kgを溶融し、融液に赤リンドーパントを300gを導入した。シリコン単結晶の育成を開始後、シリコン融液が60kgとなった時点で赤リンドーパント20gを投入速度が200mg/min100分間になるよう制御しながら融液に供給し、低抵抗率のシリコン単結晶インゴットを製造した。抵抗率の結果を図5に示す。図5に示すように、抵抗率はインゴット長さが12cmの時点でドーパントの供給を開始してからシリコン単結晶インゴットの製造が完了するまで点線で示す所定の範囲内になっており、所望の低抵抗率シリコン単結晶インゴットを製造できた。このように、本発明の単結晶製造装置及び単結晶製造方法は、昇華性ドーパントを原料融液に供給しながら単結晶の育成する際、ドーパントを原料融液に供給する速度を精密に制御することで融液中のドーパント濃度を高精度に調整でき、抵抗率が長さ方向で所望の範囲内となる単結晶を製造できることが確認できた。比較例本発明のドーパント供給手段を有さない従来の単結晶製造装置を用い、ドーパントの投入速度を制御せずにドーパントを1度に自由落下させて投入した以外、実施例と同様な条件でシリコン単結晶インゴットを製造し、実施例と同様に評価した。抵抗率の結果を図6に示す。図6に示すように、抵抗率はインゴット長さが12cmの時点でドーパントの供給を開始した後急激に減少し、点線で示す所定の範囲外になってしまった。このように、比較例では所望の低抵抗率シリコン単結晶インゴットを製造できなかった。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。