"下記式1で示される化合物Aを含むことを特徴とする感放射線性組成物。式中、X及びYは、それぞれ独立に、置換又は無置換のヒドロキシアリール基を示す。前記化合物Aが、下記式2で示される請求項1記載の感放射線性組成物。式中、R1はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、複素環基、炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、炭素数6~10のアリール基、炭素数7~30のアラルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、炭素数0~20のアミノ基、炭素数2~20のアルケニル基、炭素数1~20のアシル基、炭素数1~20のヒドロキシアルキル基、炭素数1~20のアルコキシアルキル基、炭素数2~20のアルコキシカルボニル基、炭素数1~20のアルキロイルオキシ基、炭素数7~30のアリーロイルオキシ基及び炭素数1~20のアルキルシリル基からなる群から選ばれる置換基を示し、m0、n0は1~3の整数であり、m1、n1は0~4の整数である。溶媒をさらに含む請求項1又は2に記載の感放射線性組成物。前記組成物の固形成分が1~80質量であり、固形成分の全質量に占める前記化合物Aの割合が5~99.4質量である請求項3に記載の感放射線性組成物。可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、極端紫外線EUV、X線及びイオンビームからなる群から選ばれるいずれかの放射線の照射により直接的又は間接的に酸を発生する酸発生剤Cをさらに含む請求項3又は4に記載の感放射線性組成物。酸架橋剤Gをさらに含む請求項5に記載の感放射線性組成物。酸拡散制御剤Eをさらに含む請求項6に記載の感放射線性組成物。前記固形成分が、化合物A/酸発生剤C/酸架橋剤G/酸拡散制御剤E/任意成分Fを、固形成分基準の質量で、50~99.4/0.001~49/0.5~49/0.001~49/0~49含有する請求項7に記載の感放射線性組成物。スピンコートによるアモルファス膜の形成に用いられる請求項1~8のいずれか1項に記載の感放射線性組成物。前記アモルファス膜の23°Cにおける現像液に対する溶解速度が、10Å/sec以上である請求項9に記載の感放射線性組成物。KrFエキシマレーザー、極端紫外線、電子線又はX線を照射した後の前記アモルファス膜、又は、20~250°Cで加熱した後の前記アモルファス膜についての、現像液に対する溶解速度が5Å/sec以下である請求項10に記載の感放射線性組成物。請求項1~11のいずれかに記載の感放射線性組成物を、基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜を露光する工程と、該露光したレジスト膜を現像する工程と、を備えるレジストパターン形成方法。本発明の目的は、安全溶媒に対する溶解性が高く、高感度で、かつ、良好なレジストパターン形状を与える低分子量化合物を含む感放射線性組成物、及び該感放射線性組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供することにある。本発明者らは上記課題を解決するため鋭意検討した結果、特定構造を有する低分子量化合物が安全溶媒に対する溶解性が高く、高感度で、かつ、良好なレジストパターン形状を与えることを見出し本発明に到った。すなわち、本発明はつぎの通りである。1.下記式1で示される化合物Aを含むことを特徴とする感放射線性組成物。式中、X及びYは、それぞれ独立に、置換又は無置換のヒドロキシアリール基を示す。2.上記化合物Aが、下記式2で示される第1項記載の感放射線性組成物。式中、R1はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、複素環基、炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、炭素数6~10のアリール基、炭素数7~30のアラルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、炭素数0~20のアミノ基、炭素数2~20のアルケニル基、炭素数1~20のアシル基、炭素数1~20のヒドロキシアルキル基、炭素数1~20のアルコキシアルキル基、炭素数2~20のアルコキシカルボニル基、炭素数1~20のアルキロイルオキシ基、炭素数7~30のアリーロイルオキシ基及び炭素数1~20のアルキルシリル基からなる群から選ばれる置換基を示し、m0、n0は1~3の整数であり、m1、n1は0~4の整数である。3.溶媒をさらに含む第1項又は第2項に記載の感放射線性組成物。4.前記組成物の固形成分が1~80質量であり、固形成分の全質量に占める前記化合物Aの割合が5~99.4質量である第3項に記載の感放射線性組成物。5.可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、極端紫外線EUV、X線及びイオンビームからなる群から選ばれるいずれかの放射線の照射により直接的又は間接的に酸を発生する酸発生剤Cをさらに含む第3項又は第4項に記載の感放射線性組成物。6.酸架橋剤Gをさらに含む第5項に記載の感放射線性組成物。7.酸拡散制御剤Eをさらに含む第6項に記載の感放射線性組成物。8.前記固形成分が、化合物A/酸発生剤C/酸架橋剤G/酸拡散制御剤E/任意成分Fを、固形成分基準の質量で、50~99.4/0.001~49/0.5~49/0.001~49/0~49含有する第7項に記載の感放射線性組成物。9.スピンコートによるアモルファス膜の形成に用いられる第1~第8項に記載の感放射線性組成物。10.前記アモルファス膜の23°Cにおける現像液に対する溶解速度が、10Å/sec以上である第9項に記載の感放射線性組成物。11.KrFエキシマレーザー、極端紫外線、電子線又はX線を照射した後の前記アモルファス膜、又は、20~250°Cで加熱した後の前記アモルファス膜についての、現像液に対する溶解速度が5Å/sec以下である第10項に記載の感放射線性組成物。12.第1項~11項のいずれかに記載の感放射線性組成物を、基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜を露光する工程と、該露光したレジスト膜を現像する工程と、を備えるレジストパターン形成方法。本発明により、安全溶媒に対する溶解性が高く、高感度で、かつ、良好なレジストパターン形状を与える環状化合物、その製造方法、それを含む感放射線性組成物、及び該感放射線性組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供することができる。感放射線性組成物以下、本発明を具体的に説明する。本発明による感放射線性組成物は、下記式1で示される化合物Aを含むことを特徴とする。式中、X及びYは、それぞれ独立に、置換又は無置換のヒドロキシアリール基を示す。本明細書で置換とは、別途の定義がない限り、官能基中の一つ以上の水素原子が、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、ニトロ基、複素環基、炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、炭素数6~10のアリール基、炭素数7~30のアラルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、炭素数0~20のアミノ基、炭素数2~20のアルケニル基、炭素数1~20のアシル基、炭素数1~20のヒドロキシアルキル基、炭素数1~20のアルコキシアルキル基、炭素数2~20のアルコキシカルボニル基、炭素数1~20のアルキロイルオキシ基、炭素数7~30のアリーロイルオキシ基又は炭素数1~20のアルキルシリル基で置換されていることを意味する。置換もしくは無置換の炭素数1~20のヒドロキシアリール基とは、少なくとも1つのヒドロキシ基を有し、その他の置換基を有してもよい芳香族炭化水素の芳香環から1つの水素を除いた置換基であり、例えば、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基、ヒドロキシアントラシル基等及びこれらの芳香環上の水素原子が、上述のように置換されたもの等が挙げられる。式1で示される化合物Aは、低分子量ながらも、そのアントラセン骨格由来の剛直さにより高い耐熱性を有し、高温ベーク条件でも使用可能である。また、アントラセン骨格を有するが、特異な分子構造から結晶性が低く、感放射線性組成物用の有機溶媒に対する溶解性が良好、かつスピンコートによりレジスト膜を形成しうる。さらには、低分子量であり、高温ベークが可能なことから高感度であり、良好なレジストパターン形状を付与できる。上記化合物Aが、下記式2で示される前記感放射線性組成物が好ましい。式2中、R1はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、複素環基、炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、炭素数6~10のアリール基、炭素数7~30のアラルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、炭素数0~20のアミノ基、炭素数2~20のアルケニル基、炭素数1~20のアシル基、炭素数1~20のヒドロキシアルキル基、炭素数1~20のアルコキシアルキル基、炭素数2~20のアルコキシカルボニル基、炭素数1~20のアルキロイルオキシ基、炭素数7~30のアリーロイルオキシ基及び炭素数1~20のアルキルシリル基からなる群から選ばれる置換基を示し、m0、n0は1~3の整数であり、m1、n1は0~4の整数である。炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基については、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基等が挙げられる。炭素数3~20の分岐状脂肪族炭化水素基については、例えば、イソプロピル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、ネオペンチル基、2-ヘキシル基、2-オクチル基、2-デシル基、2-ドデシル基、2-ヘキサデシル基、2-オクタデシル基等が挙げられる。炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基については、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、シクロドデシル基、シクロヘキサデシル基、シクロオクタデシル基等が挙げられる。炭素数6~10のアリール基については、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。炭素数7~30のアラルキル基については、例えば、メチルフェニル基、エチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基等が挙げられる。炭素数1~20のアルコキシ基については、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等が挙げられる。炭素数0~20のアミノ基については、例えば、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基等が挙げられる。炭素数2~20のアルケニル基については、例えば、ビニル基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、オクチニル基、デシニル基、ドデシニル基、ヘキサデシニル基、オクタデシニル基等が挙げられる。炭素数1~20のアシル基については、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基、オクタノイル基、デカノイル基、ドデカノイル基、ヘキサデカノイル基、ベンゾイル基等が挙げられる。炭素数1~20のヒドロキシアルキル基については、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、ヒドロキシブチル基、ヒドロキシペンチル基、ヒドロキシヘキシル基、ヒドロキシオクチル基、ヒドロキシデシル基、ヒドロキシドデシル基、ヒドロキシヘキサデシル基、ヒドロキシオクタデシル基等が挙げられる。炭素数1~20のアルコキシアルキル基については、例えば、メトキシメチル基、メトキシエチル基、メトキシプロピル基、メトキシブチル基、メトキシペンチル基、メトキシヘキシル基、メトキシオクチル基、メトキシデシル基、メトキシドデシル基、メトキシヘキサデシル基、メトキシオクタデシル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、オクタデシルオキシメチル基等が挙げられる。炭素数2~20のアルコキシカルボニル基については、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、デシルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、ヘキサデシルオキシカルボニル基等が挙げられる。炭素数1~20のアルキロイルオキシ基については、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、プロポキシカルボニルオキシ基、ブトキシカルボニルオキシ基、ペンチルオキシカルボニルオキシ基、ヘキシルオキシカルボニルオキシ基、オクチルオキシカルボニルオキシ基、デシルオキシカルボニルオキシ基、ドデシルオキシカルボニルオキシ基、ヘキサデシルオキシカルボニルオキシ基等が挙げられる。炭素数7~30のアリーロイルオキシ基については、例えば、ベンゾイルオキシ基、ナフチルカルボニルオキシ基等が挙げられる。炭素数1~20のアルキルシリル基については、例えば、メチルシリル基、エチルシリル基、プロピルシリル基、ブチルシリル基、ペンチルシリル基、ヘキシルシリル基、オクチルシリル基、デシルシリル基、ドデシルシリル基、ヘキサデシルシリル基、オクタデシルシリル基等が挙げられる。上記化合物Aは、公知の方法により製造できるが、例えばフェノール類又はナフトール類とアントラセン-9-カルボアルデヒドとを、酸触媒下にて反応させることによって得ることができる。フェノール類としては、例えば、フェノール、クレゾール、キシレノール、トリメチルフェノール、エチルフェノール、プロピルフェノール、ブチルフェノール、シクロヘキシルフェノール、フェニルフェノール、レゾルシノール、カテコール、ハイドロキノン、ピロガロール等が挙げられる。フェノール類については、1種類又は2種類以上を用いることができる。ナフトール類としては、例えば、ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等が挙げられる。ナフトール類については、1種類又は2種類以上を用いることができる。用いる酸触媒については、周知の無機酸、有機酸より適宜選択することができる。例えば、塩酸、硫酸、リン酸、臭化水素酸、ふっ酸等の無機酸や、シュウ酸、蟻酸、p-トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、ナフタレンジスルホン酸等の有機酸や、塩化亜鉛、塩化アルミニウム、塩化鉄、三フッ化ホウ素等のルイス酸、あるいはケイタングステン酸、リンタングステン酸、ケイモリブデン酸又はリンモリブデン酸等の固体酸が挙げられる。入手の容易さや取り扱い易さ等の製造上の観点から、塩酸又は硫酸を用いることが好ましい。また酸触媒については、1種類又は2種類以上を用いることができる。反応溶媒を用いても良い。反応溶媒としては、アントラセン-9-カルボアルデヒドとフェノール類又はナフトール類との反応が進行すれば特に制限が無いが、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン又はこれらの混合溶媒を用いることができる。これらの溶媒は、反応原料100質量部に対して0~2000質量部の範囲である。反応温度は、反応原料の反応性に応じて適宜選択することができるが、通常10~200°Cの範囲である。本発明の一般式1で示される化合物を選択性良く合成するには、温度が低い方が効果が高く、25~60°Cの範囲が好ましい。アントラセン-9-カルボアルデヒド、フェノール類又はナフトール類、触媒を一括で仕込む方法や、触媒存在下アントラセン-9-カルボアルデヒドとフェノール類又はナフトール類を滴下していく方法がある。重縮合反応終了後、系内に存在する未反応原料、触媒等を除去するために、反応釜の温度を130~230°Cにまで上昇させ、1~50mmHg程度で揮発分を除去することができる。反応は、アントラセン-9-カルボアルデヒド1モルに対し、フェノール類又はナフトール類を2モル~過剰量、及び酸触媒を0.001~1モル使用し、常圧で、20~60°Cで20分~100時間程度反応させることにより進行する。反応終了後、公知の方法により目的物を単離する。例えば、反応液を濃縮し、純水を加えて反応生成物を析出させ、室温まで冷却した後、濾過を行って分離、得られた固形物を濾過し、乾燥させた後、カラムクロマトにより、副生成物と分離精製し、溶媒留去、濾過、乾燥を行って目的化合物が得られる。また、本発明の感放射線性組成物は、スピンコートによりアモルファス膜を形成することができる。本発明の感放射線性組成物をスピンコートして形成したアモルファス膜の23°Cにおける現像液に対する溶解速度は、10Å/sec以上が好ましく、10~10000Å/secがより好ましく、100~1000Å/secがさらに好ましい。10Å/sec以上であると、現像液に溶解し、レジストとすることができる。また10000Å/sec以下の溶解速度を有すると、解像性が向上する場合もある。これは、化合物Aの露光前後の溶解性の変化により、現像液に溶解する未露光部と、現像液に溶解しない露光部との界面のコントラストが大きくなるからと推測される。またLERの低減、ディフェクトの低減効果がある。本発明の感放射線性組成物をスピンコートして形成したアモルファス膜のKrFエキシマレーザー、極端紫外線、電子線又はX線等の放射線により露光した部分の23°Cにおける現像液に対する溶解速度は、5Å/sec以下が好ましく、0.05~5Å/secがより好ましく、0.0005~5Å/secがさらに好ましい。5Å/sec以下であると現像液に不溶で、レジストとすることができる。また0.0005Å/sec以上の溶解速度を有すると、解像性が向上する場合もある。これは、前記化合物Aのミクロの表面部位が溶解し、LERを低減するからと推測される。またディフェクトの低減効果がある。本発明の感放射線性組成物は、さらに溶媒を含有することが好ましい。それぞれの含有量としては、好ましくは固形成分1~80質量及び溶媒20~99質量であり、より好ましくは固形成分1~50質量及び溶媒50~99質量、さらに好ましくは固形成分2~40質量及び溶媒60~98質量であり、特に好ましくは固形成分2~10質量及び溶媒90~98質量である。本発明の化合物Aの量は、固形成分全質量化合物A、酸発生剤C、酸架橋剤G、酸拡散制御剤E及びその他の成分Fなどの任意に使用される固形成分の総和、以下同様の5~99.4質量あることが好ましい。より好ましくは30~99.4質量、更に好ましくは55~90質量、特に好ましくは60~80質量、一層好ましくは60~70質量である。上記配合割合の場合、高解像度が得られ、ラインエッジラフネスが小さくなる。本発明の感放射線性組成物は、可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、極端紫外線EUV、X線及びイオンビームから選ばれるいずれかの放射線の照射により直接的又は間接的に酸を発生する酸発生剤Cを一種以上含むことが好ましい。酸発生剤Cの使用量は、固形成分全質量の0.001~49質量が好ましく、1~40質量がより好ましく、3~30質量がさらに好ましく、10~25質量が特に好ましい。上記範囲内で使用することにより、高感度でかつ低エッジラフネスのパターンプロファイルが得られる。本発明では、系内に酸が発生すれば、酸の発生方法は限定されない。g線、i線などの紫外線の代わりにエキシマレーザーを使用すれば、より微細加工が可能であるし、また高エネルギー線として電子線、極端紫外線、X線、イオンビームを使用すればさらに微細加工が可能である。前記酸発生剤Cとしては、下記式7-1~7-8で表される化合物からなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。式7-1中、R13は、同一でも異なっていても良く、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状、分枝状若しくは環状アルキル基、直鎖状、分枝状若しくは環状アルコキシ基、ヒドロキシル基又はハロゲン原子であり;X-は、アルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基若しくはハロゲン置換アリール基を有するスルホン酸イオン又はハロゲン化物イオンである。前記式7-1で示される化合物は、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルトリルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ジフェニル-4-メチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル-4-t-ブトキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル-4-t-ブトキシフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-フルオロフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-ヒドロキシフェニル-フェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリ4-メトキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリ4-フルオロフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムp-トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニル-p-トルエンスルホネート、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウム-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウム-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウム-2,4-ジフルオロベンゼンスルホネート、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロベンゼンスルホネート、ジフェニルナフチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウム-p-トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート及びシクロ1,3-パーフルオロプロパンジスルホンイミデートからなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。式7-2中、R14は、同一でも異なっていても良く、それぞれ独立に、水素原子、直鎖状、分枝状若しくは環状アルキル基、直鎖状、分枝状若しくは環状アルコキシ基、ヒドロキシル基又はハロゲン原子を表す。Xは前記と同様である。前記式7-2で示される化合物は、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムp-トルエンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム-2,4-ジフルオロベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムヘキサフルオロベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムp-トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウム-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム-2,4-ジフルオロベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムへキサフルオロベンゼンスルホネート、ジ4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジ4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジ4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ジ4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムp-トルエンスルホネート、ジ4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート及びジ4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホネートからなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。式7-3中、Qはアルキレン基、アリーレン基又はアルコキシレン基であり、R15はアルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基又はハロゲン置換アリール基である。前記式7-3で示される化合物は、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシスクシンイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシフタルイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシナフチルイミド、N-10-カンファースルホニルオキシスクシンイミド、N-10-カンファースルホニルオキシフタルイミド、N-10-カンファースルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-10-カンファースルホニルオキシビシクロ[2.2.1]へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-10-カンファースルホニルオキシナフチルイミド、N-n-オクタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-n-オクタンスルホニルオキシナフチルイミド、N-p-トルエンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-p-トルエンスルホニルオキシナフチルイミド、N-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシナフチルイミド、N-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシナフチルイミド、N-パーフルオロベンゼンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロベンゼンスルホニルオキシナフチルイミド、N-1-ナフタレンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1-ナフタレンスルホニルオキシナフチルイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシナフチルイミド、N-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]へプト-5-エンー2,3-ジカルボキシイミド及びN-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシナフチルイミドからなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。式7-4中、R16は、同一でも異なっていても良く、それぞれ独立に、任意に置換された直鎖、分枝若しくは環状アルキル基、任意に置換されたアリール基、任意に置換されたヘテロアリール基又は任意に置換されたアラルキル基である。前記式7-4で示される化合物は、ジフェニルジスルフォン、ジ4-メチルフェニルジスルフォン、ジナフチルジスルフォン、ジ4-tert-ブチルフェニルジスルフォン、ジ4-ヒドロキシフェニルジスルフォン、ジ3-ヒドロキシナフチルジスルフォン、ジ4-フルオロフェニルジスルフォン、ジ2-フルオロフェニルジスルフォン及びジ4-トルフルオロメチルフェニルジスルフォンからなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。式7-5中、R17は、同一でも異なっていても良く、それぞれ独立に、任意に置換された直鎖、分枝若しくは環状アルキル基、任意に置換されたアリール基、任意に置換されたヘテロアリール基又は任意に置換されたアラルキル基である。前記式7-5で示される化合物は、α-メチルスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-プロピルスルホニルオキシイミノ-4-メチルフェニルアセトニトリル及びα-メチルスルホニルオキシイミノ-4-ブロモフェニルアセトニトリルからなる群から選択される少なくとも一種類であることが好ましい。式7-6中、R18は、同一でも異なっていても良く、それぞれ独立に、1以上の塩素原子及び1以上の臭素原子を有するハロゲン化アルキル基である。ハロゲン化アルキル基の炭素原子数は1~5が好ましい。式7-7及び7-8中、R19及びR20はそれぞれ独立に、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基等の炭素原子数1~3のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等の炭素原子数1~3のアルコキシル基、又はフェニル基、トルイル基、ナフチル基等アリール基、好ましくは、炭素原子数6~10のアリール基である。L19及びL20はそれぞれ独立に1,2-ナフトキノンジアジド基を有する有機基である。1,2-ナフトキノンジアジド基を有する有機基としては、具体的には、1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホニル基、1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホニル基、1,2-ナフトキノンジアジド-6-スルホニル基等の1,2-キノンジアジドスルホニル基を好ましいものとして挙げることができる。特に、1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホニル基及び1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホニル基が好ましい。pは1~3の整数、qは0~4の整数、かつ1≦pq≦5である。J19は単結合、炭素原子数1~4のポリメチレン基、シクロアルキレン基、フェニレン基、下記式7-7-1で表わされる基、カルボニル基、エステル基、アミド基又はエーテル基であり、Y19は水素原子、アルキル基又はアリール基であり、X20は、それぞれ独立に下記式7-8-1で示される基である。式7-8-1中、Z22はそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、R22はアルキル基、シクロアルキル基又はアルコキシル基であり、rは0~3の整数である。その他の酸発生剤として、ビスpトルエンスルホニルジアゾメタン、ビス2,4ジメチルフェニルスルホニルジアゾメタン、ビスtertブチルスルホニルジアゾメタン、ビスnブチルスルホニルジアゾメタン、ビスイソブチルスルホニルジアゾメタン、ビスイソプロピルスルホニルジアゾメタン、ビスnプロピルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビスイソプロピルスルホニルジアゾメタン、1、3-ビスシクロヘキシルスルホニルアゾメチルスルホニルプロパン、1、4-ビスフェニルスルホニルアゾメチルスルホニルブタン、1、6-ビスフェニルスルホニルアゾメチルスルホニルヘキサン、1、10-ビスシクロヘキシルスルホニルアゾメチルスルホニルデカンなどのビススルホニルジアゾメタン類、24メトキシフェニル4,6ビストリクロロメチル1,3,5トリアジン、24メトキシナフチル4,6ビストリクロロメチル1,3,5トリアジン、トリス2,3ジブロモプロピル1,3,5トリアジン、トリス2,3ジブロモプロピルイソシアヌレートなどのハロゲン含有トリアジン誘導体等が挙げられる。上記酸発生剤のうち、芳香環を有する酸発生剤が好ましく、式7-1又は7-2で示され酸発生剤がより好ましい。式7-1又は7-2のX-が、アリール基若しくはハロゲン置換アリール基を有するスルホン酸イオンを有する酸発生剤がさらに好ましく、アリール基を有するスルホン酸イオンを有する酸発生剤が特に好ましく、ジフェニルトリメチルフェニルスルホニウムp-トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムp-トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロメタンスルホナートが特に好ましい。該酸発生剤を用いることで、LERを低減することができる。なお、上記酸発生剤Cは、単独で又は2種以上を使用することができる。本発明の感放射線性組成物は、酸架橋剤Gを一種以上含むことが好ましい。酸架橋剤Gとは、酸発生剤Cから発生した酸の存在下で、式1の化合物Aを分子内又は分子間架橋し得る化合物である。このような酸架橋剤Gとしては、例えば式1の化合物Aを架橋し得る1種以上の基以下、架橋性基という。を有する化合物を挙げることができる。このような架橋性基の具体例としては、例えばiヒドロキシC1-C6アルキル基、C1-C6アルコキシC1-C6アルキル基、アセトキシC1-C6アルキル基等のヒドロキシアルキル基又はそれらから誘導される基;iiホルミル基、カルボキシC1-C6アルキル基等のカルボニル基又はそれらから誘導される基;iiiジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノメチル基、ジメチロールアミノメチル基、ジエチロールアミノメチル基、モルホリノメチル基等の含窒素基含有基;ivグリシジルエーテル基、グリシジルエステル基、グリシジルアミノ基等のグリシジル基含有基;vベンジルオキシメチル基、ベンゾイルオキシメチル基等の、C1-C6アリルオキシC1-C6アルキル基、C1-C6アラルキルオキシC1-C6アルキル基等の芳香族基から誘導される基;viビニル基、イソプロペニル基等の重合性多重結合含有基等を挙げることができる。本発明の酸架橋剤Gの架橋性基としては、ヒドロキシアルキル基、及びアルコキシアルキル基等が好ましく、特にアルコキシメチル基が好ましい。前記架橋性基を有する酸架橋剤Gとしては、例えばiメチロール基含有メラミン化合物、メチロール基含有ベンゾグアナミン化合物、メチロール基含有ウレア化合物、メチロール基含有グリコールウリル化合物、メチロール基含有フェノール化合物等のメチロール基含有化合物;iiアルコキシアルキル基含有メラミン化合物、アルコキシアルキル基含有ベンゾグアナミン化合物、アルコキシアルキル基含有ウレア化合物、アルコキシアルキル基含有グリコールウリル化合物、アルコキシアルキル基含有フェノール化合物等のアルコキシアルキル基含有化合物;iiiカルボキシメチル基含有メラミン化合物、カルボキシメチル基含有ベンゾグアナミン化合物、カルボキシメチル基含有ウレア化合物、カルボキシメチル基含有グリコールウリル化合物、カルボキシメチル基含有フェノール化合物等のカルボキシメチル基含有化合物;ivビスフェノールA系エポキシ化合物、ビスフェノールF系エポキシ化合物、ビスフェノールS系エポキシ化合物、ノボラック樹脂系エポキシ化合物、レゾール樹脂系エポキシ化合物、ポリヒドロキシスチレン系エポキシ化合物等のエポキシ化合物等を挙げることができる。酸架橋剤Gとしては、さらに、フェノール性水酸基を有する化合物、並びにアルカリ可溶性樹脂中の酸性官能基に前記架橋性基を導入し、架橋性を付与した化合物及び樹脂を使用することができる。その場合の架橋性基の導入率は、フェノール性水酸基を有する化合物、及びアルカリ可溶性樹脂中の全酸性官能基に対して、通常、5~100モル、好ましくは10~60モル、さらに好ましくは15~40モルに調節される。上記範囲であると、架橋反応が十分起こり、残膜率の低下、パターンの膨潤現象や蛇行等が避けられるので好ましい。本発明の感放射線性組成物において酸架橋剤Gは、アルコキシアルキル化ウレア化合物若しくはその樹脂、又はアルコキシアルキル化グリコールウリル化合物若しくはその樹脂が好ましい。特に好ましい酸架橋剤Gとしては、下記式8-1~8-3で示される化合物及びアルコキシメチル化メラミン化合物を挙げることができる酸架橋剤G1。上記式8-1~8-3中、R7はそれぞれ独立して、水素原子、アルキル基又はアシル基を表し;R8~R11はそれぞれ独立して、水素原子、水酸基、アルキル基又はアルコキシル基を示し;X2は、単結合、メチレン基又は酸素原子を示す。R7が表すアルキル基は、炭素数1~6が好ましく、炭素数1~3がより好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基が挙げられる。R7が表すアシル基は、炭素数2~6が好ましく、炭素数2~4がより好ましく、例えばアセチル基、プロピオニル基が挙げられる。R8~R11が表すアルキル基は、炭素数1~6が好ましく、炭素数1~3がより好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基が挙げられる。R8~R11が表すアルコキシル基は、炭素数1~6が好ましく、炭素数1~3がより好ましく、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基が挙げられる。X2は単結合又はメチレン基であるのが好ましい。R7~R11、X2は、メチル基、エチル基等のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子などで置換されていてもよい。複数個のR7、R8~R11は、各々同一でも異なっていてもよい。式8-1で表される化合物として具体的には、例えば、以下に示される化合物等を挙げることができる。式8-2で表される化合物として具体的には、例えば、N,N,N,N-テトラメトキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラエトキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラn-プロポキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトライソプロポキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラn-ブトキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラt-ブトキシメチルグリコールウリル等を挙げることができる。この中で、特に、N,N,N,N-テトラメトキシメチルグリコールウリルが好ましい。式8-3で表される化合物として具体的には、例えば、以下に示される化合物等を挙げることができる。アルコキシメチル化メラミン化合物として具体的には、例えば、N,N,N,N,N,N-ヘキサメトキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサエトキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサn-プロポキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサイソプロポキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサn-ブトキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサt-ブトキシメチルメラミン等を挙げることができる。この中で特に、N,N,N,N,N,N-ヘキサメトキシメチルメラミンが好ましい。前記酸架橋剤G1は、例えば尿素化合物又はグリコールウリル化合物、及びホルマリンを縮合反応させてメチロール基を導入した後、さらにメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール等の低級アルコール類でエーテル化し、次いで反応液を冷却して析出する化合物又はその樹脂を回収することで得られる。また前記酸架橋剤G1は、CYMEL商品名、三井サイアナミッド製、ニカラック三和ケミカル株製のような市販品としても入手することができる。また、他の特に好ましい酸架橋剤Gとして、分子内にベンゼン環を1~6有し、ヒドロキシアルキル基及び/又はアルコキシアルキル基を分子内全体に2以上有し、該ヒドロキシアルキル基及び/又はアルコキシアルキル基が前記いずれかのベンゼン環に結合しているフェノール誘導体を挙げることができる酸架橋剤G2。好ましくは、分子量が1500以下、分子内にベンゼン環を1~6有し、ヒドロキシアルキル基及び/又はアルコキシアルキル基を合わせて2以上有し、該ヒドロキシアルキル基及び/又はアルコキシアルキル基が前記ベンゼン環のいずれか一、又は複数のベンゼン環に結合してなるフェノール誘導体を挙げることができる。ベンゼン環に結合するヒドロキシアルキル基としては、ヒドロキシメチル基、2-ヒドロキシエチル基、及び2-ヒドロキシ-1-プロピル基などの炭素数1~6のものが好ましい。ベンゼン環に結合するアルコキシアルキル基としては、炭素数2~6のものが好ましい。具体的にはメトキシメチル基、エトキシメチル基、n-プロポキシメチル基、イソプロポキシメチル基、n-ブトキシメチル基、イソブトキシメチル基、sec-ブトキシメチル基、t-ブトキシメチル基、2-メトキシエチル基又は2-メトキシ-1-プロピル基が好ましい。これらのフェノール誘導体のうち、特に好ましいものを以下に挙げる。上記式中、L1~L8は、同じであっても異なっていてもよく、それぞれ独立して、ヒドロキシメチル基、メトキシメチル基又はエトキシメチル基を示す。ヒドロキシメチル基を有するフェノール誘導体は、対応するヒドロキシメチル基を有さないフェノール化合物上記式においてL1~L8が水素原子である化合物とホルムアルデヒドを塩基触媒下で反応させることによって得ることができる。この際、樹脂化やゲル化を防ぐために、反応温度を60°C以下で行うことが好ましい。具体的には、特開平6-282067号公報、特開平7-64285号公報等に記載されている方法にて合成することができる。アルコキシメチル基を有するフェノール誘導体は、対応するヒドロキシメチル基を有するフェノール誘導体とアルコールを酸触媒下で反応させることによって得ることができる。この際、樹脂化やゲル化を防ぐために、反応温度を100°C以下で行うことが好ましい。具体的には、EP632003A1等に記載されている方法にて合成することができる。このようにして合成されたヒドロキシメチル基及び/又はアルコキシメチル基を有するフェノール誘導体は、保存時の安定性の点で好ましいが、アルコキシメチル基を有するフェノール誘導体は保存時の安定性の観点から特に好ましい。酸架橋剤G2は、単独で使用してもよく、また2種以上を組み合わせて使用してもよい。また、他の特に好ましい酸架橋剤Gとして、少なくとも一つのα-ヒドロキシイソプロピル基を有する化合物を挙げることができる酸架橋剤G3。α-ヒドロキシイソプロピル基を有する限り、その構造に特に限定はない。また、上記α-ヒドロキシイソプロピル基中のヒドロキシル基の水素原子を1種以上の酸解離性基R-COO-基、R-SO2-基等、Rは、炭素数1~12の直鎖状炭化水素基、炭素数3~12の環状炭化水素基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~12の1-分岐アルキル基及び炭素数6~12の芳香族炭化水素基からなる群から選ばれる置換基を表すで置換されていてもよい。上記α-ヒドロキシイソプロピル基を有する化合物としては、例えば、少なくとも1つのα-ヒドロキシイソプロピル基を含有する置換又は非置換の芳香族系化合物、ジフェニル化合物、ナフタレン化合物、フラン化合物等の1種又は2種以上が挙げられる。具体的には、例えば、下記一般式9-1で表される化合物以下、ベンゼン系化合物1という。、下記一般式9-2で表される化合物以下、ジフェニル系化合物2という。、下記一般式9-3で表される化合物以下、ナフタレン系化合物3という。、及び下記一般式9-4で表される化合物以下、フラン系化合物4という。等が挙げられる。上記一般式9-1~9-4中、各A2は独立にα-ヒドロキシイソプロピル基又は水素原子を示し、かつ少なくとも1のA2がα-ヒドロキシイソプロピル基である。また、一般式9-1中、R51は水素原子、ヒドロキシル基、炭素数2~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキルカルボニル基又は炭素数2~6の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシカルボニル基を示す。さらに、一般式9-2中、R52は単結合、炭素数1~5の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、-O-、-CO-又は-COO-を示す。また、一般式9-4中、R53及びR54は、相互に独立に水素原子又は炭素数1~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を示す。上記ベンゼン系化合物1として具体的には、例えば、α-ヒドロキシイソプロピルベンゼン、1,3-ビスα-ヒドロキシイソプロピルベンゼン、1,4-ビスα-ヒドロキシイソプロピルベンゼン、1,2,4-トリスα-ヒドロキシイソプロピルベンゼン、1,3,5-トリスα-ヒドロキシイソプロピルベンゼン等のα-ヒドロキシイソプロピルベンゼン類;3-α-ヒドロキシイソプロピルフェノール、4-α-ヒドロキシイソプロピルフェノール、3,5-ビスα-ヒドロキシイソプロピルフェノール、2,4,6-トリスα-ヒドロキシイソプロピルフェノール等のα-ヒドロキシイソプロピルフェノール類;3-α-ヒドロキシイソプロピルフェニルメチルケトン、4-α-ヒドロキシイソプロピルフェニルメチルケトン、4-α-ヒドロキシイソプロピルフェニルエチルケトン、4-α-ヒドロキシイソプロピルフェニルn-プロピルケトン、4-α-ヒドロキシイソプロピルフェニルイソプロピルケトン、4-α-ヒドロキシイソプロピルフェニルn-ブチルケトン、4-α-ヒドロキシイソプロピルフェニルt-ブチルケトン、4-α-ヒドロキシイソプロピルフェニルn-ペンチルケトン、3,5-ビスα-ヒドロキシイソプロピルフェニルメチルケトン、3,5-ビスα-ヒドロキシイソプロピルフェニルエチルケトン、2,4,6-トリスα-ヒドロキシイソプロピルフェニルメチルケトン等のα-ヒドロキシイソプロピルフェニルアルキルケトン類;3-α-ヒドロキシイソプロピル安息香酸メチル、4-α-ヒドロキシイソプロピル安息香酸メチル、4-α-ヒドロキシイソプロピル安息香酸エチル、4-α-ヒドロキシイソプロピル安息香酸n-プロピル、4-α-ヒドロキシイソプロピル安息香酸イソプロピル、4-α-ヒドロキシイソプロピル安息香酸n-ブチル、4-α-ヒドロキシイソプロピル安息香酸t-ブチル、4-α-ヒドロキシイソプロピル安息香酸n-ペンチル、3,5-ビスα-ヒドロキシイソプロピル安息香酸メチル、3,5-ビスα-ヒドロキシイソプロピル安息香酸エチル、2,4,6-トリスα-ヒドロキシイソプロピル安息香酸メチル等の4-α-ヒドロキシイソプロピル安息香酸アルキル類等が挙げられる。また、上記ジフェニル系化合物2として具体的には、例えば、3-α-ヒドロキシイソプロピルビフェニル、4-α-ヒドロキシイソプロピルビフェニル、3,5-ビスα-ヒドロキシイソプロピルビフェニル、3,3’-ビスα-ヒドロキシイソプロピルビフェニル、3,4’-ビスα-ヒドロキシイソプロピルビフェニル、4,4’-ビスα-ヒドロキシイソプロピルビフェニル、2,4,6-トリスα-ヒドロキシイソプロピルビフェニル、3,3’,5-トリスα-ヒドロキシイソプロピルビフェニル、3,4’,5-トリスα-ヒドロキシイソプロピルビフェニル、2,3’,4,6,-テトラキスα-ヒドロキシイソプロピルビフェニル、2,4,4’,6,-テトラキスα-ヒドロキシイソプロピルビフェニル、3,3’,5,5’-テトラキスα-ヒドロキシイソプロピルビフェニル、2,3’,4,5’,6-ペンタキスα-ヒドロキシイソプロピルビフェニル、2,2’,4,4’,6,6’-ヘキサキスα-ヒドロキシイソプロピルビフェニル等のα-ヒドロキシイソプロピルビフェニル類;3-α-ヒドロキシイソプロピルジフェニルメタン、4-α-ヒドロキシイソプロピルジフェニルメタン、1-4-α-ヒドロキシイソプロピルフェニル-2-フェニルエタン、1-4-α-ヒドロキシイソプロピルフェニル-2-フェニルプロパン、2-4-α-ヒドロキシイソプロピルフェニル-2-フェニルプロパン、1-4-α-ヒドロキシイソプロピルフェニル-3-フェニルプロパン、1-4-α-ヒドロキシイソプロピルフェニル-4-フェニルブタン、1-4-α-ヒドロキシイソプロピルフェニル-5-フェニルペンタン、3,5-ビスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルメタン、3,3’-ビスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルメタン、3,4’-ビスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルメタン、4,4’-ビスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルメタン、1,2-ビス4-α-ヒドロキシイソプロピルフェニルエタン、1,2-ビス4-α-ヒドロキシプロピルフェニルプロパン、2,2-ビス4-α-ヒドロキシプロピルフェニルプロパン、1,3-ビス4-α-ヒドロキシプロピルフェニルプロパン、2,4,6-トリスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルメタン、3,3’,5-トリスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルメタン、3,4’,5-トリスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルメタン、2,3’,4,6-テトラキスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルメタン、2,4,4’,6-テトラキスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルメタン、3,3’,5,5’-テトラキスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルメタン、2,3’,4,5’,6-ペンタキスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルメタン、2,2’,4,4’,6,6’-ヘキサキスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルメタン等のα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルアルカン類;3-α-ヒドロキシイソプロピルジフェニルエーテル、4-α-ヒドロキシイソプロピルジフェニルエーテル、3,5-ビスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルエーテル、3,3’-ビスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルエーテル、3,4’-ビスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルエーテル、4,4’-ビスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルエーテル、2,4,6-トリスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルエーテル、3,3’,5-トリスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルエーテル、3,4’,5-トリスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルエーテル、2,3’,4,6-テトラキスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルエーテル、2,4,4’,6-テトラキスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルエーテル、3,3’,5,5’-テトラキスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルエーテル、2,3’,4,5’,6-ペンタキスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルエーテル、2,2’,4,4’,6,6’-ヘキサキスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルエーテル等のα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルエーテル類;3-α-ヒドロキシイソプロピルジフェニルケトン、4-α-ヒドロキシイソプロピルジフェニルケトン、3,5-ビスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルケトン、3,3’-ビスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルケトン、3,4’-ビスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルケトン、4,4’-ビスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルケトン、2,4,6-トリスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルケトン、3,3’,5-トリスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルケトン、3,4’,5-トリスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルケトン、2,3’,4,6-テトラキスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルケトン、2,4,4’,6-テトラキスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルケトン、3,3’,5,5’-テトラキスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルケトン、2,3’,4,5’,6-ペンタキスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルケトン、2,2’,4,4’,6,6’-ヘキサキスα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルケトン等のα-ヒドロキシイソプロピルジフェニルケトン類;3-α-ヒドロキシイソプロピル安息香酸フェニル、4-α-ヒドロキシイソプロピル安息香酸フェニル、安息香酸3-α-ヒドロキシイソプロピルフェニル、安息香酸4-α-ヒドロキシイソプロピルフェニル、3,5-ビスα-ヒドロキシイソプロピル安息香酸フェニル、3-α-ヒドロキシイソプロピル安息香酸3-α-ヒドロキシイソプロピルフェニル、3-α-ヒドロキシイソプロピル安息香酸4-α-ヒドロキシイソプロピルフェニル、4-α-ヒドロキシイソプロピル安息香酸3-α-ヒドロキシイソプロピルフェニル、4-α-ヒドロキシイソプロピル安息香酸4-α-ヒドロキシイソプロピルフェニル、安息香酸3,5-ビスα-ヒドロキシイソプロピルフェニル、2,4,6-トリスα-ヒドロキシイソプロピル安息香酸フェニル、3,5-ビスα-ヒドロキシイソプロピル安息香酸3-α-ヒドロキシイソプロピルフェニル、3,5-ビスα-ヒドロキシイソプロピル安息香酸4-α-ヒドロキシイソプロピルフェニル、3-α-ヒドロキシイソプロピル安息香酸3,5-ビスα-ヒドロキシイソプロピルフェニル、4-α-ヒドロキシイソプロピル安息香酸3,5-ビスα-ヒドロキシイソプロピルフェニル、安息香酸2,4,6-トリスα-ヒドロキシイソプロピルフェニル、2,4,6-トリスα-ヒドロキシイソプロピル安息香酸3-α-ヒドロキシイソプロピルフェニル、2,4,6-トリスα-ヒドロキシイソプロピル安息香酸4-α-ヒドロキシイソプロピルフェニル、3,5-ビスα-ヒドロキシイソプロピル安息香酸3,5-ビスα-ヒドロキシイソプロピルフェニル、3-α-ヒドロキシイソプロピル安息香酸2,4,6-トリスα-ヒドロキシイソプロピルフェニル、4-α-ヒドロキシイソプロピル安息香酸2,4,6-トリスα-ヒドロキシイソプロピルフェニル、2,4,6-トリスα-ヒドロキシイソプロピル安息香酸3,5-ビスα-ヒドロキシイソプロピルフェニル、3,5-ビスα-ヒドロキシイソプロピル安息香酸2,4,6-トリスα-ヒドロキシイソプロピルフェニル、2,4,6-トリスα-ヒドロキシイソプロピル安息香酸2,4,6-トリスα-ヒドロキシイソプロピルフェニル等のα-ヒドロキシイソプロピル安息香酸フェニル類等が挙げられる。さらに、上記ナフタレン系化合物3として具体的には、例えば、1-α-ヒドロキシイソプロピルナフタレン、2-α-ヒドロキシイソプロピルナフタレン、1,3-ビスα-ヒドロキシイソプロピルナフタレン、1,4-ビスα-ヒドロキシイソプロピルナフタレン、1,5-ビスα-ヒドロキシイソプロピルナフタレン、1,6-ビスα-ヒドロキシイソプロピルナフタレン、1,7-ビスα-ヒドロキシイソプロピルナフタレン、2,6-ビスα-ヒドロキシイソプロピルナフタレン、2,7-ビスα-ヒドロキシイソプロピルナフタレン、1,3,5-トリスα-ヒドロキシイソプロピルナフタレン、1,3,6-トリスα-ヒドロキシイソプロピルナフタレン、1,3,7-トリスα-ヒドロキシイソプロピルナフタレン、1,4,6-トリスα-ヒドロキシイソプロピルナフタレン、1,4,7-トリスα-ヒドロキシイソプロピルナフタレン、1,3,5,7-テトラキスα-ヒドロキシイソプロピルナフタレン等が挙げられる。また、上記フラン系化合物4として具体的には、例えば、3-α-ヒドロキシイソプロピルフラン、2-メチル-3-α-ヒドロキシイソプロピルフラン、2-メチル-4-α-ヒドロキシイソプロピルフラン、2-エチル-4-α-ヒドロキシイソプロピルフラン、2-n-プロピル-4-α-ヒドロキシイソプロピルフラン、2-イソプロピル-4-α-ヒドロキシイソプロピルフラン、2-n-ブチル-4-α-ヒドロキシイソプロピルフラン、2-t-ブチル-4-α-ヒドロキシイソプロピルフラン、2-n-ペンチル-4-α-ヒドロキシイソプロピルフラン、2,5-ジメチル-3-α-ヒドロキシイソプロピルフラン、2,5-ジエチル-3-α-ヒドロキシイソプロピルフラン、3,4-ビスα-ヒドロキシイソプロピルフラン、2,5-ジメチル-3,4-ビスα-ヒドロキシイソプロピルフラン、2,5-ジエチル-3,4-ビスα-ヒドロキシイソプロピルフラン等を挙げることができる。上記酸架橋剤G3としては、遊離のα-ヒドロキシイソプロピル基を2以上有する化合物が好ましく、α-ヒドロキシイソプロピル基を2以上有する前記ベンゼン系化合物1、α-ヒドロキシイソプロピル基を2以上有する前記ジフェニル系化合物2、α-ヒドロキシイソプロピル基を2個以上有する前記ナフタレン系化合物3がさらに好ましく、α-ヒドロキシイソプロピル基を2個以上有するα-ヒドロキシイソプロピルビフェニル類、α-ヒドロキシイソプロピル基を2個以上有するナフタレン系化合物3が特に好ましい。上記酸架橋剤G3は、通常、1,3-ジアセチルベンゼン等のアセチル基含有化合物に、CH3MgBr等のグリニヤール試薬を反応させてメチル化した後、加水分解する方法や、1,3-ジイソプロピルベンゼン等のイソプロピル基含有化合物を酸素等で酸化して過酸化物を生成させた後、還元する方法により得ることができる。本発明において酸架橋剤Gの使用量は、固形成分全質量の0.5~49質量が好ましく、0.5~40質量がより好ましく、1~30質量がさらに好ましく、2~20質量が特に好ましい。上記酸架橋剤Gの配合割合を0.5質量以上とすると、レジスト膜のアルカリ現像液に対する溶解性の抑制効果を向上させ、残膜率が低下したり、パターンの膨潤や蛇行が生じたりするのを抑制することができるので好ましく、一方、50質量以下とすると、レジストとしての耐熱性の低下を抑制できることから好ましい。また、上記酸架橋剤G中の上記酸架橋剤G1、酸架橋剤G2、酸架橋剤G3から選ばれる少なくとも1種の化合物の配合割合も特に限定はなく、レジストパターンを形成する際に使用される基板の種類等によって種々の範囲とすることができる。全酸架橋剤成分において、上記アルコキシメチル化メラミン化合物及び/又は9-1~9-3で示される化合物が50~99質量、好ましくは60~99質量、より好ましくは70~98質量、さらに好ましくは80~97質量であることが好ましい。アルコキシメチル化メラミン化合物及び/又は9-1~9-3で示される化合物を全酸架橋剤成分の50質量以上とすることにより、解像度を向上させることができるので好ましく、99質量以下とすることにより、パターン断面形状として矩形状の断面形状とし易いので好ましい。本発明においては、放射線照射により酸発生剤から生じた酸のレジスト膜中における拡散を制御して、未露光領域での好ましくない化学反応を阻止する作用等を有する酸拡散制御剤Eを感放射線性組成物に配合しても良い。この様な酸拡散制御剤Eを使用することにより、感放射線性組成物の貯蔵安定性が向上する。また解像度が向上するとともに、放射線照射前の引き置き時感放射線照射後の引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れたものとなる。このような酸拡散制御剤Eとしては、窒素原子含有塩基性化合物、塩基性スルホニウム化合物、塩基性ヨードニウム化合物等の放射線分解性塩基性化合物が挙げられる。酸拡散制御剤Eは、単独で又は2種以上を使用することができる。上記酸拡散制御剤としては、例えば、含窒素有機化合物や、露光により分解する塩基性化合物等が挙げられる。上記含窒素有機化合物としては、例えば、下記一般式10:で表される化合物以下、含窒素化合物Iという。、同一分子内に窒素原子を2個有するジアミノ化合物以下、含窒素化合物IIという。、窒素原子を3個以上有するポリアミノ化合物や重合体以下、含窒素化合物IIIという。、アミド基含有化合物、ウレア化合物、及び含窒素複素環式化合物等を挙げることができる。なお、酸拡散制御剤Eは、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。上記一般式10中、R61、R62及びR63は相互に独立に水素原子、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、上記アルキル基、アリール基又はアラルキル基は、非置換でもよく、ヒドロキシル基等で置換されていてもよい。ここで、上記直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基としては、例えば、炭素数1~15、好ましくは1~10のものが挙げられ、具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル基、テキシル基、n-へプチル基、n-オクチル基、n-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基等が挙げられる。また、上記アリール基としては、炭素数6~12のものが挙げられ、具体的には、フェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、1-ナフチル基等が挙げられる。さらに、上記アラルキル基としては、炭素数7~19、好ましくは7~13のものが挙げられ、具体的には、ベンジル基、α-メチルベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等が挙げられる。上記含窒素化合物Iとして具体的には、例えば、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン、n-ドデシルアミン、シクロヘキシルアミン等のモノシクロアルキルアミン類;ジ-n-ブチルアミン、ジ-n-ペンチルアミン、ジ-n-ヘキシルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジ-n-ノニルアミン、ジ-n-デシルアミン、メチル-n-ドデシルアミン、ジ-n-ドデシルメチル、シクロヘキシルメチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジシクロアルキルアミン類;トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デシルアミン、ジメチル-n-ドデシルアミン、ジ-n-ドデシルメチルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリシクロアルキルアミン類;モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルカノールアミン類;アニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、1-ナフチルアミン等の芳香族アミン類等を挙げることができる。上記含窒素化合物IIとして具体的には、例えば、エチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノジフェニルアミン、2,2-ビス4-アミノフェニルプロパン、2-3-アミノフェニル-2-4-アミノフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-3-ヒドロキシフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-4-ヒドロキシフェニルプロパン、1,4-ビス[1-4-アミノフェニル-1-メチルエチル]ベンゼン、1,3-ビス[1-4-アミノフェニル-1-メチルエチル]ベンゼン等を挙げることができる。上記含窒素化合物IIIとして具体的には、例えば、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、N-2-ジメチルアミノエチルアクリルアミドの重合体等を挙げることができる。上記アミド基含有化合物として具体的には、例えば、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン等を挙げることができる。上記ウレア化合物として具体的には、例えば、尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリ-n-ブチルチオウレア等を挙げることができる。上記含窒素複素環式化合物として具体的には、例えば、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4-メチルイミダゾール、4-メチル-2-フェニルイミダゾール、2-フェニルベンズイミダゾール等のイミダゾール類;ピリジン、2-メチルピリジン、4-メチルピリジン、2-エチルピリジン、4-エチルピリジン、2-フェニルピリジン、4-フェニルピリジン、2-メチル-4-フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、8-オキシキノリン、アクリジン等のピリジン類;及び、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、4-メチルモルホリン、ピペラジン、1,4-ジメチルピペラジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等を挙げることができる。また、上記放射線分解性塩基性化合物としては、例えば、下記一般式11-1:で表されるスルホニウム化合物、及び下記一般式11-2:で表されるヨードニウム化合物等を挙げることができる。上記一般式11-1及び11-2中、R71、R72、R73、R74及びR75は相互に独立に水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシル基、ヒドロキシル基又はハロゲン原子を示す。Z-はHO-、R-COO-但し、Rは炭素数1~6のアルキル基、炭素数6~11のアリール基若しくは炭素数7~12のアルカリール基を示す。又は下記一般式11-3:で表されるアニオンを示す。上記放射線分解性塩基性化合物として具体的には、例えば、トリフェニルスルホニウムハイドロオキサイド、トリフェニルスルホニウムアセテート、トリフェニルスルホニウムサリチレート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムハイドロオキサイド、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムアセテート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムサリチレート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムアセテート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムアセテート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムサリチレート、4-t-ブチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルヨードニウムハイドロオキサイド、4-t-ブチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルヨードニウムアセテート、4-t-ブチルフェニル-4-ヒドロキシフェニルヨードニウムサリチレート等が挙げられる。酸拡散制御剤Eの配合量は、固形成分全質量の0.001~49質量が好ましく、0.01~10質量がより好ましく、0.01~5質量がさらに好ましく、0.01~3質量が特に好ましい。上記範囲内であると、解像度の低下、パターン形状、寸法忠実度等の劣化を防止することができる。さらに、電子線照射から放射線照射後加熱までの引き置き時間が長くなっても、パターン上層部の形状が劣化することがない。また、配合量が10質量以下であると、感度、未露光部の現像性等の低下を防ぐことができる。またこの様な酸拡散制御剤を使用することにより、感放射線性組成物の貯蔵安定性が向上し、また解像度が向上するとともに、放射線照射前の引き置き時感放射線照射後の引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れたものとなる。本発明の組成物には、本発明の目的を阻害しない範囲で、必要に応じて、その他の成分Fとして、溶解促進剤、溶解制御剤、増感剤、界面活性剤及び有機カルボン酸又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体等の各種添加剤を1種又は2種以上添加することができる。○溶解促進剤低分子量溶解促進剤は、式1で示される化合物Aの現像液に対する溶解性が低すぎる場合に、その溶解性を高めて、現像時の化合物Aの溶解速度を適度に増大させる作用を有する成分であり、本発明の効果を損なわない範囲で使用することができる。前記溶解促進剤としては、例えば、低分子量のフェノール性化合物を挙げることができ、例えば、ビスフェノール類、トリスヒドロキシフェニルメタン等を挙げることができる。これらの溶解促進剤は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。溶解促進剤の配合量は、使用する化合物Aの種類に応じて適宜調節されるが、固形成分全質量の0~49質量が好ましく、0~5質量がより好ましく、0~1質量がさらに好ましく、0質量が特に好ましい。○溶解制御剤溶解制御剤は、式1で示される化合物Aが現像液に対する溶解性が高すぎる場合に、その溶解性を制御して現像時の溶解速度を適度に減少させる作用を有する成分である。このような溶解制御剤としては、レジスト被膜の焼成、放射線照射、現像等の工程において化学変化しないものが好ましい。溶解制御剤としては、例えば、フェナントレン、アントラセン、アセナフテン等の芳香族炭化水素類;アセトフェノン、ベンゾフェノン、フェニルナフチルケトン等のケトン類;メチルフェニルスルホン、ジフェニルスルホン、ジナフチルスルホン等のスルホン類等を挙げることができる。これらの溶解制御剤は、単独で又は2種以上を使用することができる。溶解制御剤の配合量は、使用する化合物Aの種類に応じて適宜調節されるが、固形成分全質量の0~49質量が好ましく、0~5質量がより好ましく、0~1質量がさらに好ましく、0質量が特に好ましい。○増感剤増感剤は、照射された放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを酸発生剤Cに伝達し、それにより酸の生成量を増加する作用を有し、レジストの見掛けの感度を向上させる成分である。このような増感剤としては、例えば、ベンゾフェノン類、ビアセチル類、ピレン類、フェノチアジン類、フルオレン類等を挙げることができるが、特に限定はされない。これらの増感剤は、単独で又は2種以上を使用することができる。増感剤の配合量は、使用する化合物Aの種類に応じて適宜調節されるが、固形成分全質量の0~49質量が好ましく、0~5質量がより好ましく、0~1質量がさらに好ましく、0質量が特に好ましい。○界面活性剤界面活性剤は、本発明の感放射線性組成物の塗布性やストリエーション、レジストの現像性等を改良する作用を有する成分である。このような界面活性剤は、アニオン系、カチオン系、ノニオン系あるいは両性のいずれでもよい。好ましい界面活性剤はノニオン系界面活性剤である。ノニオン系界面活性剤は、感放射線性組成物の製造に用いる溶媒との親和性がよく、より効果がある。ノニオン系界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、ポリエチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類等が挙げられるが、特に限定はされない。市販品としては、以下商品名で、エフトップジェムコ社製、メガファック大日本インキ化学工業社製、フロラード住友スリーエム社製、アサヒガード、サーフロン以上、旭硝子社製、ペポール東邦化学工業社製、KP信越化学工業社製、ポリフロー共栄社油脂化学工業社製等を挙げることができる。界面活性剤の配合量は、使用する化合物Aの種類に応じて適宜調節されるが、固形成分全質量の0~49質量が好ましく、0~5質量がより好ましく、0~1質量がさらに好ましく、0質量が特に好ましい。○有機カルボン酸又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体感度劣化防止又はレジストパターン形状、引き置き安定性等の向上の目的で、さらに任意の成分として、有機カルボン酸又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体を含有させることができる。なお、酸拡散制御剤と併用することも出来るし、単独で用いても良い。有機カルボン酸としては、例えば、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。リンのオキソ酸若しくはその誘導体としては、リン酸、リン酸ジ-n-ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステルなどのリン酸又はそれらのエステルなどの誘導体、ホスホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸ジ-n-ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステルなどのホスホン酸又はそれらのエステルなどの誘導体、ホスフィン酸、フェニルホスフィン酸などのホスフィン酸及びそれらのエステルなどの誘導体が挙げられ、これらの中で特にホスホン酸が好ましい。有機カルボン酸又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体は、単独で又は2種以上を使用することができる。有機カルボン酸又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体の配合量は、使用する化合物Aの種類に応じて適宜調節されるが、固形成分全質量の0~49質量が好ましく、0~5質量がより好ましく、0~1質量がさらに好ましく、0質量が特に好ましい。○上述した添加剤溶解促進剤、溶解制御剤、増感剤、界面活性剤及び有機カルボン酸又はリンのオキソ酸若しくはその誘導体等以外のその他添加剤さらに、本発明の感放射線性組成物には、本発明の目的を阻害しない範囲で、必要に応じて、上記溶解制御剤、増感剤、及び界面活性剤以外の添加剤を1種又は2種以上配合することができる。そのような添加剤としては、例えば、染料、顔料、及び接着助剤等が挙げられる。例えば、染料又は顔料を配合すると、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を緩和できるので好ましい。また、接着助剤を配合すると、基板との接着性を改善することができるので好ましい。さらに、他の添加剤としては、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤、形状改良剤等、具体的には4-ヒドロキシ-4’-メチルカルコン等を挙げることができる。任意成分Fの合計量は、固形成分全質量の0~49質量が好ましく、0~5質量がより好ましく、0~1質量がさらに好ましく、0質量が特に好ましい。本発明の感放射線性組成物の配合化合物A/酸発生剤C/酸架橋剤G/酸拡散制御剤E/任意成分Fは、固形物基準の質量で、好ましくは50~99.4/0.001~49/0.5~49/0.001~49/0~49、より好ましくは55~90/1~40/0.5~40/0.01~10/0~5、さらに好ましくは60~80/3~30/1~30/0.01~5/0~1、特に好ましくは60~70/10~25/2~20/0.01~3/0である。各成分の配合割合は、その総和が100質量になるように各範囲から選ばれる。上記配合にすると、感度、解像度、現像性等の性能に優れる。本発明の感放射線性組成物は、通常は、使用時に各成分を溶媒に溶解して均一溶液とし、その後、必要に応じて、例えば孔径0.2μm程度のフィルター等でろ過することにより調製される。本発明の感放射線性組成物の調製に使用される前記溶媒としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ-n-プロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ-n-ブチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのエチレングリコールモノアルキルエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-n-プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-n-ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルなどのプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-プロピル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル等の乳酸エステル類;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸n-アミル、酢酸n-ヘキシル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル等の脂肪族カルボン酸エステル類;3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-メトキシ-2-メチルプロピオン酸メチル、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、3-メトキシ-3-メチルプロピオン酸ブチル、3-メトキシ-3-メチル酪酸ブチル、アセト酢酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等の他のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン類;N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン等のアミド類;γ-ラクトン等のラクトン類等を挙げることができるが、特に限定はされない。これらの溶媒は、単独で又は2種以上を使用することができる。本発明の感放射線組成物は、本発明の目的を阻害しない範囲で、樹脂を含むことができる。樹脂としては、ノボラック樹脂、ポリビニルフェノール類、ポリアクリル酸、ポリビニルアルコール、スチレン-無水マレイン酸樹脂、及びアクリル酸、ビニルアルコール、又はビニルフェノールを単量体単位として含む重合体あるいはこれらの誘導体などが挙げられる。樹脂の配合量は、使用する式1の化合物Aの種類に応じて適宜調節されるが、該化合物A100質量部当たり、30質量部以下が好ましく、より好ましくは10質量部以下、さらに好ましくは5質量部以下、特に好ましくは0質量部である。レジストパターンの形成方法本発明によるレジストパターンの形成方法は、上述した本発明の感放射線性組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程と、形成されたレジスト膜を露光する工程と、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程とを備える。本発明のレジストパターンは多層プロセスにおける上層レジストとして形成することもできる。レジストパターンを形成するには、まず、従来公知の基板上に前記本発明の感放射線性組成物を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の塗布手段によって塗布することによりレジスト膜を形成する。従来公知の基板とは、特に限定されず、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。より具体的には、シリコンウェハー、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が挙げられる。また必要に応じて、前述基板上に無機系及び/又は有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜無機BARCが挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜有機BARCが挙げられる。ヘキサメチレンジシラザン等による表面処理を行ってもよい。次に、必要に応じて、塗布した基板を加熱する。加熱条件は、感放射線性組成物の配合組成等により変わるが、20~250°Cが好ましく、より好ましくは20~150°Cである。加熱することによって、レジストの基板に対する密着性が向上する場合があり好ましい。次いで、可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、極端紫外線EUV、X線、及びイオンビームからなる群から選ばれるいずれかの放射線により、レジスト膜を所望のパターンに露光する。露光条件等は、感放射線性組成物の配合組成等に応じて適宜選定される。本発明においては、露光における高精度の微細パターンを安定して形成するために、放射線照射後に加熱するのが好ましい。加熱条件は、感放射線性組成物の配合組成等により変わるが、20~250°Cが好ましく、より好ましくは20~150°Cである。次いで、露光されたレジスト膜を現像液で現像することにより、所定のレジストパターンを形成する。前記現像液としては、使用する式1の化合物Aに対して溶解度パラメーターSP値の近い溶剤を選択することが好ましく、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤、炭化水素系溶剤又はアルカリ水溶液を用いることができる。ケトン系溶剤としては、例えば、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、アセトン、4-ヘプタノン、1-ヘキサノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート等を挙げることができる。エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等を挙げることができる。アルコール系溶剤としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール2-プロパノール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、4-メチル-2-ペンタノール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、n-デカノール等のアルコールや、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤等を挙げることができる。エーテル系溶剤としては、例えば、上記グリコールエーテル系溶剤の他、ジオキサン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。アミド系溶剤としては、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン等が使用できる。炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。上記の溶剤は、複数混合してもよいし、性能を有する範囲内で、上記以外の溶剤や水と混合し使用してもよい。但し、本発明の効果を十二分に奏するためには、現像液全体としての含水率が70質量未満であり、50質量未満であることが好ましく、30質量未満であることがより好ましく、10質量未満であることがさらに好ましく、実質的に水分を含有しないことが特に好ましい。すなわち、現像液に対する有機溶剤の含有量は、現像液の全量に対して、30質量以上100質量以下であり、50質量以上100質量以下であることが好ましく、70質量以上100質量以下であることがより好ましく、90質量以上100質量以下であることがさらに好ましく、95質量以上100質量以下であることが特に好ましい。アルカリ水溶液としては、例えば、モノ-、ジ-あるいはトリアルキルアミン類、モノ-、ジ-あるいはトリアルカノールアミン類、複素環式アミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH、コリン等のアルカリ性化合物が挙げられる。特に、現像液は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の溶剤を含有する現像液が、レジストパターンの解像性やラフネス等のレジスト性能を改善するため好ましい。現像液の蒸気圧は、20°Cにおいて、5kPa以下が好ましく、3kPa以下がさらに好ましく、2kPa以下が特に好ましい。現像液の蒸気圧を5kPa以下にすることにより、現像液の基板上あるいは現像カップ内での蒸発が抑制され、ウェハ面内の温度均一性が向上し、結果としてウェハ面内の寸法均一性が良化する。5kPa以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のエステル系溶剤、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、4-メチル-2-ペンタノール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、n-デカノール等のアルコール系溶剤、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。特に好ましい範囲である2kPa以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン等のケトン系溶剤、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のエステル系溶剤、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、4-メチル-2-ペンタノール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、n-デカノール等のアルコール系溶剤、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。現像液には、必要に応じて界面活性剤を適当量添加することができる。界面活性剤としては特に限定されないが、例えば、イオン性や非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。これらのフッ素及び/又はシリコン系界面活性剤として、例えば、特開昭62-36663号公報、特開昭61-226746号公報、特開昭61-226745号公報、特開昭62-170950号公報、特開昭63-34540号公報、特開平7-230165号公報、特開平8-62834号公報、特開平9-54432号公報、特開平9-5988号公報、米国特許第5405720号明細書、同5360692号明細書、同5529881号明細書、同5296330号明細書、同5436098号明細書、同5576143号明細書、同5294511号明細書、同5824451号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、好ましくは、非イオン性の界面活性剤である。非イオン性の界面活性剤としては特に限定されないが、フッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を用いることがさらに好ましい。界面活性剤の使用量は現像液の全量に対して、通常0.001~5質量、好ましくは0.005~2質量、さらに好ましくは0.01~0.5質量である。現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法ダイナミックディスペンス法などを適用することができる。パターンの現像を行なう時間には特に制限はないが、好ましくは10秒~90秒である。また、現像を行う工程の後に、他の溶媒に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。現像の後には、有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄する工程を含むことが好ましい。現像後のリンス工程に用いるリンス液としては、架橋により硬化したレジストパターンを溶解しなければ特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液又は水を使用することができる。前記リンス液としては、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。より好ましくは、現像の後に、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行う。さらにより好ましくは、現像の後に、アルコール系溶剤又はエステル系溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行う。さらにより好ましくは、現像の後に、1価アルコールを含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行う。特に好ましくは、現像の後に、炭素数5以上の1価アルコールを含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行う。パターンのリンスを行なう時間には特に制限はないが、好ましくは10秒~90秒である。ここで、現像後のリンス工程で用いられる1価アルコールとしては、直鎖状、分岐状、環状の1価アルコールが挙げられ、具体的には、1-ブタノール、2-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、tert-ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、1-ヘキサノール、4-メチル-2-ペンタノール、1-ヘプタノール、1-オクタノール、2-ヘキサノール、シクロペンタノール、2-ヘプタノール、2-オクタノール、3-ヘキサノール、3-ヘプタノール、3-オクタノール、4-オクタノールなどを用いることができ、特に好ましい炭素数5以上の1価アルコールとしては、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、4-メチル-2-ペンタノール、1-ペンタノール、3-メチル-1-ブタノールなどを用いることができる。前記各成分は、複数混合してもよいし、上記以外の有機溶剤と混合し使用してもよい。リンス液中の含水率は、10質量以下が好ましく、より好ましくは5質量以下、特に好ましくは3質量以下である。含水率を10質量以下にすることで、より良好な現像特性を得ることができる。現像後に用いるリンス液の蒸気圧は、20°Cにおいて0.05kPa以上、5kPa以下が好ましく、0.1kPa以上、5kPa以下がさらに好ましく、0.12kPa以上、3kPa以下が最も好ましい。リンス液の蒸気圧を0.05kPa以上、5kPa以下にすることにより、ウェハ面内の温度均一性がより向上し、さらにはリンス液の浸透に起因した膨潤がより抑制され、ウェハ面内の寸法均一性がより良化する。リンス液には、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。リンス工程においては、現像を行ったウェハを前記の有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上にリンス液を塗出しつづける方法回転塗布法、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法、などを適用することができ、この中でも回転塗布方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を2000rpm~4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。レジストパターンを形成した後、エッチングすることによりパターン配線基板が得られる。エッチングの方法はプラズマガスを使用するドライエッチング及びアルカリ溶液、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液等によるウェットエッチングなど公知の方法で行うことが出来る。レジストパターンを形成した後、めっきを行うことも出来る。上記めっき法としては、例えば、銅めっき、はんだめっき、ニッケルめっき、金めっきなどがある。エッチング後の残存レジストパターンは有機溶剤で剥離することが出来る。上記有機溶剤として、PGMEAプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート,PGMEプロピレングリコールモノメチルエーテル,EL乳酸エチル等が挙げられる。上記剥離方法としては、例えば、浸漬方法、スプレイ方式等が挙げられる。またレジストパターンが形成された配線基板は、多層配線基板でも良く、小径スルーホールを有していても良い。本発明で得られる配線基板は、レジストパターン形成後、金属を真空中で蒸着し、その後レジストパターンを溶液で溶かす方法、すなわちリフトオフ法により形成することもできる。以下、実施例を挙げて、本発明の実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に限定はされない。以下、実施例を挙げて、本発明の実施形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に限定はされない。以下の合成実施例及び比較例において、化合物の構造は1H-NMR測定で確認した。合成例1ANT-1の合成十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジムロート氏冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ300mlに、窒素気流下で、関東化学社製フェノール112.8g、1.20molと、アルドリッチ社製アントラセン-9-カルボアルデヒド49.4g,0.24molと、メタノール11.3gを投入し、メタノール溶液を調製した。この溶液を攪拌しながら水浴で40°Cまで加熱した。次いで濃塩酸355.6gを、滴下漏斗により30分かけて滴下した後、引き続き40°Cで24時間攪拌した。反応終了後、メチルイソブチルケトン169.2gに溶解し、蒸留水56.4gにて水洗を5回行なって触媒を除去した。その後、減圧下で、メチルイソブチルケトンおよびフェノールを除去し、得られた固形物を濾過し、乾燥させた後、カラムクロマトによる分離精製を行うことで、下記式で示される目的化合物ANT-1を30.2g得た。LC-MSで分析した結果、ANT-1の分子量376を示した。また400MHz-1H-NMRにより下記式の化学構造を有することを確認した。1H-NMR:d-DMSO、内部標準TMS4.9s,2H、6.6~8.4m,16H、9.2,9.8s,2Hであった。合成例2CR-1の合成温度を制御できる内容積500mlの電磁撹拌装置付オートクレーブSUS316L製に、無水HF74.3g3.71モル、BF350.5g0.744モルを仕込み、内容物を撹拌し、液温を-30°Cに保ったまま一酸化炭素により2MPaまで昇圧した。その後、圧力を2MPa、液温を-30°Cに保ったまま、4-シクロヘキシルベンゼン57.0g0.248モルとn-ヘプタン50.0gとを混合した原料を供給し、1時間保った後、氷の中に内容物を採取し、ベンゼンで希釈後、中和処理をして得られた油層をガスクロマトグラフィーで分析して反応成績を求めたところ、4-シクロヘキシルベンゼン転化率100、4-シクロヘキシルベンズアルデヒド選択率97.3であった。単蒸留により目的成分を単離し、GC-MSで分析した結果、下記式の4-シクロヘキシルベンズアルデヒドCHBALの分子量188を示した。また重クロロホルム溶媒中での1H-NMRのケミカルシフト値δppm,TMS基準は、1.0~1.6m,10H、2.6m,1H、7.4d,2H、7.8d,2H、10.0s,1Hであった。十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジムロート氏冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口フラスコ1000mlに、窒素気流下で、関東化学社製レゾルシノール22g、0.2molと、前記4-シクロヘキシルベンズアルデヒド46.0g,0.2molと、脱水エタノール200mlを投入し、エタノール溶液を調製した。この溶液を攪拌しながらマントルヒーターで85°Cまで加熱した。次いで濃塩酸3575mlを、滴下漏斗により30分かけて滴下した後、引き続き85°Cで3時間攪拌した。反応終了後、放冷し、室温に到達させた後、氷浴で冷却した。1時間静置後、淡黄色の目的粗結晶が生成し、これを濾別した。粗結晶をメタノール500mlで2回洗浄し、濾別、真空乾燥させることにより、下記式で示す生成物CR-1Aを50g得た。この生成物の構造は、LC-MSで分析した結果、分子量1121を示した。また重クロロホルム溶媒中での1H-NMRのケミカルシフト値δppm,TMS基準は0.8~1.9m,44H、5.5,5.6d,4H、6.0~6.8m,24H、8.4,8.5m,8Hであった。これらの結果から、得られた生成物を目的化合物CR-1と同定した収率91。<実施例1及び比較例1>1化合物の安全溶媒溶解度試験化合物AのプロピレングリコールモノメチルエーテルPGME及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAへの溶解度を試験し、評価を行った。評価は、以下の規準に従って行われ、結果を表1に示す。A:5.0wt≦溶解量B:3.0wt≦溶解量<5.0wtC:溶解量<3.0wt<実施例2~3及び比較例2>2レジスト性能試験表2に従って各成分を調合し、均一溶液としたのち、孔径0.1μmのテフロン登録商標製メンブランフィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。なお、上記各成分のうち、酸発生剤C、酸架橋剤G、酸拡散制御剤E及び溶媒については、以下のものを用いた。酸発生剤CP-1:トリフェニルベンゼンスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートみどり化学株酸架橋剤GC-1:ニカラックMW-100LM酸拡散制御剤EQ-1:トリオクチルアミン東京化成工業株溶媒S-1:プロピレングリコールモノメチルエーテル東京化成工業株調製した各レジスト組成物について、以下の手順で耐熱性評価を行った。レジストを清浄なシリコンウェハー上に回転塗布した後、110°Cのオーブン中でベークして、厚さ60nmのレジスト膜を形成した。それらの膜を目視で観察した。その結果、いずれの膜も欠陥の無い良好な膜であり、耐熱性は良好であることを確認した評価:○。その後、各レジスト組成物について、以下の手順でパターニング評価を行った。レジストを清浄なシリコンウェハー上に回転塗布した後、110°Cのオーブン中で露光前ベークPBして、厚さ60nmのレジスト膜を形成した。該レジスト膜を電子線描画装置ELS-7500,株エリオニクス社製を用いて、50nm、40nm及び30nm間隔の1:1のラインアンドスペース設定の電子線を照射した。照射後に、それぞれ所定の温度で、90秒間加熱し、TMAH2.38wtアルカリ現像液に60秒間浸漬して現像を行った。その後、超純水で30秒間洗浄し、乾燥して、ネガ型のレジストパターンを形成した。得られたラインアンドスペースを走査型電子顕微鏡株日立ハイテクノロジー製S-4800により観察した。そして、解像度30nmのパターンについて、パターン形状、ラインエッジラフネス及び感度が良好であるか否かについて評価を行った。それらがいずれについても良好である場合には○、いずれについても優れている場合には◎、レジストパターンを形成できなかった場合は×とし、表1に評価結果を示す。なお、パターンの解像度は形成できたパターンの最小線幅のものとした。パターン形状は矩形であれば良好と判断し、ラインエッジラフネスはパターンの凹凸が5nm未満を良好と判断し、その際のドーズ量μC/cm2を感度とし、150μC/cm2未満を良好と判断した。実施例2のレジストは、解像度30nmの良好なレジストパターンを、良好な感度で得ることができた。またそのパターンのラフネスも極めて小さく、形状は優秀であった。また実施例3のレジストは、解像度30nmの良好なレジストパターンを、良好な感度で得ることができた。またそのパターンのラフネスも小さく、形状も良好であった。一方、比較例3のレジストは、解像度40nmの良好なレジストパターンを得ることができたが、30nmは得られなかった。上記のように、本発明の化合物Aを含む感放射線性組成物は、比較化合物を含む組成物に比べて高感度で、ラフネスが小さく、かつ良好な形状のレジストパターンを形成することができる。上記した本発明の要件を満たす限り、実施例に記載したもの以外の化合物も同様の効果を示す。"