"発光素子からの光の通過と遮断とを切り換える複数の光学シャッタ手段と、前記複数の光学シャッタ手段からの光を透過する基板とを有するライトバルブ部と、前記ライトバルブ部の内部に配置され、前記発光素子から入射した光によってプラズモン結合を生じさせるプラズモン結合部と、を備え、前記プラズモン結合部は、前記発光素子から入射する光によってキャリアが生成されるキャリア生成層と、前記キャリア生成層の上に積層され、前記キャリア生成層を前記発光素子の光で励起したときに発生する光の周波数よりも高いプラズマ周波数を有するプラズモン励起層と、を有し、前記基板の上、または前記基板と前記プラズモン励起層との間に、前記プラズモン励起層によって生じた光または表面プラズモンを所定の出射角の光に変換して出射する出射層が設けられ、前記プラズモン励起層は、誘電性を有する2つの層の間に挟まれている、表示素子。前記プラズモン励起層の前記出射層側、及び前記プラズモン励起層の前記キャリア生成層側の少なくとも一方の側に隣接して設けられた誘電体層を備える、請求項1に記載の表示素子。前記プラズモン励起層は、一対の前記誘電体層の間に挟まれ、前記プラズモン励起層の前記キャリア生成層側に隣接する前記誘電体層は、前記プラズモン励起層の前記出射層側に隣接する前記誘電体層よりも誘電率が低い、請求項2に記載の表示素子。前記プラズモン結合部における前記プラズモン励起層の前記キャリア生成層側に積層された構造全体と、前記基板とを含む入射側部分の実効誘電率が、前記プラズモン励起層の前記出射層側に積層された構造全体及び前記出射層と、前記出射層または前記基板側に接する媒質とを含む出射側部分の実効誘電率よりも低い、請求項1ないし3のいずれか1項に記載の表示素子。前記プラズモン励起層は、一対の前記誘電体層の間に挟まれ、前記プラズモン励起層の前記キャリア生成層側に隣接する前記誘電体層は、前記プラズモン励起層の前記出射層側に隣接する前記誘電体層よりも誘電率が高い、請求項2に記載の表示素子。前記プラズモン結合部における前記プラズモン励起層の前記キャリア生成層側に積層された構造全体と、前記基板とを含む入射側部分の実効誘電率が、前記プラズモン励起層の前記出射層側に積層された構造全体及び前記出射層と、前記出射層または前記基板側に接する媒質とを含む出射側部分の実効誘電率よりも高い、請求項1、2、5のいずれか1項に記載の表示素子。前記実効誘電率は、複素実効誘電率εeffであって、該複素実効誘電率εeffが、前記プラズモン励起層の界面に平行な方向をx軸、y軸、前記プラズモン励起層の界面に垂直な方向をz軸、前記キャリア生成層から出射する光の角周波数をω、前記入射側部分または前記出射側部分の誘電体の誘電率分布をεω,x,y,z、積分範囲Dを前記入射側部分または前記出射側部分の三次元座標の範囲、表面プラズモンの波数のz成分をksppz、虚数単位をjとすれば、を満たし、かつ、表面プラズモンの波数のz成分ksppz、表面プラズモンの波数のx、y成分ksppが、前記プラズモン励起層の誘電率の実部をεmetal、真空中での光の波数をk0とすれば、を満たしている、請求項4または6に記載の表示素子。前記ライトバルブ部は、前記発光素子からの光が入射する導光体を有し、前記導光体は、前記発光素子からの光が前記プラズモン結合部に向けて通過する透過領域を有する、請求項1ないし7のいずれか1項に記載の表示素子。前記プラズモン結合部は、前記透過領域に対向して配置されている、請求項8に記載の表示素子。前記複数の光学シャッタ手段のそれぞれは、前記発光素子からの光が通過する透過領域を開閉可能に設けられたシャッタ部材と、前記シャッタ部材を駆動する駆動機構とを有している、請求項1ないし9のいずれか1項に記載の表示素子。前記複数の光学シャッタ手段のそれぞれは、前記基板に固定された前記プラズモン結合部と、前記発光素子からの光を前記基板に通過させる第1位置と前記発光素子からの光を遮断する第2位置とに前記プラズモン結合部を移動させる一対の電極と、を有する、請求項1ないし9のいずれか1項に記載の表示素子。前記出射層は、フォトニック結晶からなる、請求項1ないし11のいずれか1に記載の表示素子。前記プラズモン励起層は、赤に対応する画素はAuまたはそれを主成分とする合金、緑に対応する画素はAu、Agのいずれかまたはそれらのいずれかを主成分とする合金、青に対応する画素はAgまたはそれを主成分とする合金により構成されている請求項1ないし12のいずれか1項に記載の表示素子。請求項1ないし13のいずれか1項に記載の表示素子と、少なくとも1つの発光素子と、を備える表示器。請求項14に記載の表示器と、前記表示器からの出射光によって投射映像を投射する投射光学系と、を備える投射型表示装置。上述したように固体光源プロジェクタでは、ライトバルブから一定の出射角例えば放射角±15°以上で出射された光は、投射光学系に入射されずに光損失となる。特許文献1の構成では、ライトバブルからの出射光の指向性が、照明光学系からライトバブルに入射する入射光の指向性に依存している。このため、特許文献1の構成では、光源として数千ルーメンクラスの光束を放射する発光素子を利用することで、高輝度を達成できるが、表示素子からの出射光の放射角を±15°未満に狭めることが困難である。つまり、特許文献1に記載の表示素子は、出射光の指向性が乏しい問題がある。すなわち、上述した特許文献1に開示された構成では、一般的なプロジェクタに必要とされる、輝度と指向性を両立した表示素子を実現できなかった。本発明の目的は、上記関連する技術の問題を解決できる表示素子、これを備える投射型表示装置を提供することである。上述した目的を達成するため、本発明に係る表示素子は、発光素子からの光の通過と遮断とを切り換える複数の光学シャッタ手段と、複数の光学シャッタ手段からの光を透過する基板とを有するライトバルブ部を備える。また、表示素子は、ライトバルブ部の内部に配置され発光素子から入射した光によってプラズモン結合を生じさせるプラズモン結合部を備える。プラズモン結合部は、発光素子から入射する光によってキャリアが生成されるキャリア生成層と、キャリア生成層の上に積層されキャリア生成層を発光素子の光で励起したときに発生する光の周波数よりも高いプラズマ周波数を有するプラズモン励起層と、を有する。基板の上、または基板とプラズモン励起層との間に、プラズモン励起層によって生じた光または表面プラズモンを所定の出射角の光に変換して出射する出射層が設けられる。プラズモン励起層は、誘電性を有する2つの層の間に挟まれている。また、本発明に係る表示器は、本発明の表示素子と、少なくとも1つの発光素子と、を備える。また、本発明に係る投射型表示装置は、本発明の表示器と、表示器からの出射光によって投射映像を投射する投射光学系と、を備える。本発明によれば、輝度の向上と、出射光の指向性の向上を両立することができるので、高輝度かつ高指向性を有する表示素子を実現できる。以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。第1の実施形態図2に、本実施形態の表示素子の模式的な断面図を示す。なお、表示素子において、実際の個々の層の厚さが非常に薄く、またそれぞれ層の厚さの違いが大きいので、各層を正確なスケール、比率で図を描くことが困難である。このため、図面では各層が実際の比率通りに描かれておらず、各層を模式的に示している。図2に示すように、本実施形態の表示素子1は、発光素子25からの光の通過と遮断とを切り換える複数の光学シャッタ手段としての複数の光学接続機構23と、複数の光学接続機構23からの光を透過する基板22とを有するライトバルブ部10を備えている。また、表示素子1は、ライトバルブ部10の内部に配置され発光素子25から入射した光によってプラズモン結合を生じさせる複数のプラズモン結合部11を備えている。また、表示素子1は、ライトバルブ部10の基板22上に積層されプラズモン結合部11によって生じた光の波数ベクトルを変換して所定の出射角の光に変換して出射する出射層としての波数ベクトル変換層19を備えている。ライトバルブ部10は、発光素子25からの光が入射する導光体12と、この導光体12から光が出射される位置に配置された複数の光学接続機構23と、画素を構成するように2次元に規則的に配列された複数のプラズモン結合部11の上に設けられた基板22とを有している。導光体12には、図2に示すように、プラズモン結合部11側と反対側の底面に、マイクロプリズムや散乱体のような配光特性を制御する複数の構造体不図示が配置されてもよい。また、図示しないが、導光体12は、上述の底面に光拡散板が設けられる構成や、内部に散乱体を分散させて配置する構成であってもよい。図2に示すように、光学接続機構23は、基板22と導光体12との間に配置されている。光学接続機構23は、基板22と導光体12との間に所定の空間をあけるスペーサ14と、基板22に固定された複数のプラズモン結合部11を移動させるための一対の透明電極13a,13bと、を有している。光学接続機構23としては、いわゆるTMOSTimeMultiplexdOpticalShutterが用いられている。図3に、表示素子1の平面図を示す。図4に、表示素子1が備える一対の透明電極13a,13bの透視平面図を示す。図2に示すように、スペーサ14は、各画素を構成するプラズモン結合部11の間に配置されている。また、スペーサ14は、可視光に対して不透明な材料で形成されていることが望ましい。一対の透明電極13a,13bは、プラズモン結合部11を間に挟み込むように配置されている。一方の透明電極13aは導光体12上に縞状に設けられており、他方の透明電極47は、図3に示すように基板22の直下に縞状に設けられている。図4に示すように、縞状にそれぞれ設けられた透明電極13aと透明電極13bは互いに直交するように配置されている。また、本実施形態におけるプラズモン結合部11は、基板22の下方に固定されており、基板22とプラズモン結合部11との間に透明電極13bが設けられている。また、プラズモン結合部11の後述するキャリア生成層15と透明電極13aとの間には間隙があけられている。以上のように構成された光学接続機構23は、一対の透明電極13a,13bに電圧を印加することで、透明電極13aと透明電極13bとの間に静電引力を発生させ、透明電極13b及び基板22を変形させる。透明電極13b及び基板22が変形することによって、発光素子25からの光を基板22に通過させる第1位置と、発光素子25からの光を遮断する第2位置とに各プラズモン結合部11が移動される。プラズモン結合部11が第1位置に移動されたとき、プラズモン結合部11のキャリア生成層15が透明電極13aに当接される。これによって、基板22の下方に配置された所望のプラズモン結合部21と導光体12とが光学的に接続される。なお、本実施形態では、透明電極13bが基板22の、導光体12に対向する底面に設けられたが、透明電極13bが基板22上、つまり基板22の出射側の面上に設けられてもよい。しかし、光学接続機構23の駆動電圧を考慮すると、本実施形態の構成は、一対の透明電極13a,13bの間の距離を短くするによって消費電力を低減できるので、透明電極13bが基板22の、上述した底面に設けられるのが好ましい。複数のプラズモン結合部11は、ライトバルブ部10の内部である、基板22と導光体12との間に、画素を構成するようにマトリックス状に配列されている。同様に、複数のプラズモン結合部11が構成する画素にそれぞれ対応して複数の光学接続機構23が配列されている。つまり、図2では、3つの画素を構成するプラズモン結合部11を示している。また、画素の内部、つまりスペーサ14で囲まれた領域には、例えば窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガスで満たされていてもよい。また、プラズモン結合部は、透過型のライトバルブの内部であれば、どのような構造のライトバルブに適用されてもよい。図2に示すように、プラズモン結合部11は、導光体12から入射する光の一部によってキャリアが生成されるキャリア生成層15と、このキャリア生成層15上に積層され、キャリア生成層15を発光素子25の光で励起したときに発生する光の周波数よりも高いプラズマ周波数を有するプラズモン励起層17と、を備えている。また、このプラズモン結合部11は、キャリア生成層15とプラズモン励起層17との間に挟まれて設けられた第1誘電体層16と、プラズモン励起層17と透明電極13bとの間に挟まれて設けられ、第1誘電体層16よりも誘電率が高い第2誘電体層18と、を備えている。本実施形態では、発光素子25が、平板状の導光体12の側面である光入射面12aに1つ配置されている。発光素子25としては、例えば、キャリア生成層15が吸収できる波長の光を出射する発光ダイオードLED、レーザダイオード、スーパールミネッセントダイオード等が用いられる。発光素子25からの出射光としては、キャリア生成層15を励起可能な周波数で発光する素子が用いられる。例えば紫外光や短波長の青色光等である。複数種類のキャリア生成層15を備える場合は、それぞれ種類の異なるキャリア生成層15を励起可能な周波数で発光する異なる種類の発光素子25を複数個用いても良い。発光素子25は、導光体12の光入射面12aから離されて配置されてもよく、例えばライトパイプのような導光部材によって導光体12と光学的に接続される構成が採られてもよい。また、発光素子25は、導光体12の複数の側面に沿って複数配置されてもよく、導光体12の、プラズモン結合部11側と反対側の底面に沿って複数配置されてもよい。実施形態では、導光体12が平板状に形成されているが、導光体12の形状は直方体に限定されるものではない。導光体12は、例えば楔形等の他の形状でもよい。また、導光体12には、光入射面12aを除く外周面の全面、または外周面の一部に反射膜が設けられていてもよい。反射膜としては、例えば銀、アルミニウム等の金属材や、誘電体多層膜が用いられる。キャリア生成層15としては、例えば、ローダミンRhodamine6Gやスルホローダミンsulforhodamine101等の有機蛍光体や、CdSeやCdSe/ZnS量子ドット等の量子ドット蛍光体等の蛍光体や、GaN、GaAs等の無機材料半導体、チオフェン/フェニレンコオリゴマー、Alq3等の有機材料半導体材料が用いられる。また、蛍光体を用いる場合、キャリア生成層15内には、発光波長が同一、または異なる複数の波長を蛍光する材料が混在されていてもよい。また、キャリア生成層15の厚さは1μm以下が望ましい。また、複数のプラズモン結合部11がR赤、G緑、B青の画素に対応する場合、R、G、Bの画素毎にキャリア生成層15は異なる材料で形成されていてもよい。また、複数のプラズモン結合部11が単色の画素例えばRに対応する場合、画素毎のキャリア生成層15は同一の材料で形成されてもよい。この場合、複数のプラズモン結合部11が画素毎に分割されている必要はなく、一体に形成されていてもよい。プラズモン励起層17は、キャリア生成層15単体を発光素子25の光で励起したときに発生する光の周波数発光周波数よりも高いプラズマ周波数を有する材料によって形成された微粒子層または薄膜層である。言い換えれば、プラズモン励起層17は、キャリア生成層15単体を発光素子25の光で励起したときに発生する発光周波数において負の誘電率を有している。プラズモン励起層17の材料としては、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、イリジウム、鉄、錫、亜鉛、コバルト、ニッケル、クロム、チタン、タンタル、タングステン、インジウム、アルミニウム、またはこれらの合金などが挙げられる。これらの中でも、プラズモン励起層17の材料としては、金、銀、銅、白金、アルミニウム及びこれらを主成分とする合金が好ましく、金、銀、アルミニウム及びそれらを主成分とする合金が特に好ましい。また、プラズモン励起層17の厚さは、200nm以下に形成されるのが好ましく、10nm~100nm程度に形成されるのが特に好ましい。また、複数のプラズモン結合部11がR、G、Bの画素に対応する場合には、R、G、Bの画素毎にプラズモン励起層17が異なる材料で形成されていてもよい。そのとき、プラズモン励起層17はRに対しては金またはそれを主成分とする合金、Gに対しては金、銀またはそれらを主成分とする合金、Bに対しては銀またはそれを主成分とする合金が好ましい。また、必要に応じて、プラズモン励起層17、キャリア生成層15は、R、G、Bの画素において連続するように一体に形成されてもよい。また、複数のプラズモン結合部11が単色の画素に対応する場合、画素毎のプラズモン励起層17は同一の材料で形成されてもよい。そして、本実施形態における表示素子1は、プラズモン励起層17のキャリア生成層15側に積層された第1誘電体層16を含む構造全体と、導光体12を含む入射側部分以下、単に入射側部分と称するの実効誘電率が、プラズモン励起層17の波数ベクトル変換層19側に積層された第2誘電体層18を含む構造全体と、基板22、波数ベクトル変換層19、波数ベクトル変換層19に接する媒質とを含む出射側部分以下、単に出射側部分と称するの実効誘電率よりも高くなるように構成されている。なお、プラズモン励起層17のキャリア生成層15側に積層された構造全体には、第1誘電体層16、キャリア生成層15、透明電極13aが含まれる。プラズモン励起層17の波数ベクトル変換層19側に積層された構造全体には、第2誘電体層18、透明電極13b、基板22及び波数ベクトル変換層19が含まれる。つまり、第1の実施形態では、プラズモン励起層17に対する、透明電極13aキャリア生成層15、第1誘電体層16を含む入射側部分の実効誘電率が、プラズモン励起層17に対する、第2誘電体層18、透明電極13b、基板22、波数ベクトル変換層19と、波数ベクトル変換層19に接する媒質とを含む出射側部分の実効誘電率よりも高くなっている。詳細には、プラズモン励起層17の入射側部分キャリア生成層15側の複素実効誘電率の実部が、プラズモン励起層17の出射側部分波数ベクトル変換層19側の複素実効誘電率の実部よりも低く設定されている。ここで、第1誘電体層16の複素誘電率をεlλ0とし、その実部をεlrλ0、虚部をεliλ0とする。また、第2誘電体層18の複素誘電率をεhλ0とし、その実部をεhrλ0、虚部をεhiλ0とすると、1≦εlrλ0<εhrλ0の関係を満たしている。なお、λ0は、誘電体層への入射光の真空中での波長である。また、発光周波数における虚部εliλ0、及び虚部εhiλ0は、可能な限り低い方が好ましく、プラズモン結合させ易くし、光損失を低減することができる。また、第1誘電体層16の実部εlrλ0は、可能な限り低い方が好ましく、波数ベクトル変換層19へ入射する光の角度を小さくできるので、表示素子1から効率良く出射光を取り出せる。また、第2誘電体層18の実部εhrλ0は、可能な限り高い方が好ましく、波数ベクトル変換層19へ入射する光の角度を小さくできるので、表示素子1から効率良く出射光を取り出すことができる。以後、特に断らない限り誘電率とは発光周波数における複素実効誘電率の実部を指すこととする。ここで、複素実効誘電率εeffは、プラズモン励起層17の界面に平行な方向をx軸、y軸、プラズモン励起層17の界面に垂直な方向をz軸とし、キャリア生成層15から出射する光の角周波数をω、プラズモン励起層17に対する入射側部分及び出射側部分における誘電体の誘電率分布をεω,x,y,z、表面プラズモンの波数のz成分をksppz、虚数単位をjとすれば、で表される。ここで積分範囲Dは、プラズモン励起層17に対する入射側部分または出射側部分の三次元座標の範囲である。言い換えれば、この積分範囲Dにおけるx軸及びy軸方向の範囲は、入射側部分が含む構造体の外周面または出射側部分が含む構造体の外周面までの媒質を含まない範囲であり、プラズモン励起層17の界面に平行な面内の外縁までの範囲である。また、積分範囲Dにおけるz軸方向の範囲は、入射側部分または出射側部分媒質を含むの範囲である。なお、積分範囲Dにおけるz軸方向の範囲に関しては、プラズモン励起層17と、プラズモン励起層17に隣接する層との界面を、z=0となる位置とし、この界面から、プラズモン励起層17の、上記隣接する層側の無限遠までの範囲であり、この界面から遠ざかる方向を、式1におけるz方向とする。また、表面プラズモンの波数のz成分ksppz、表面プラズモンの波数のx、y成分ksppは、プラズモン励起層17の誘電率の実部をεmetal、真空中での光の波数をk0とすれば、で表される。したがって、式1、式2、式3を用い、εω,x,y,zとして、プラズモン励起層17の入射側部分の誘電率分布εinω,x,y,z、プラズモン励起層17の出射側部分の誘電率分布εoutω,x,y,zをそれぞれ代入して、計算することで、プラズモン励起層17に対する入射側部分の複素実効誘電体層εeffin、及び出射側部分の複素実効誘電率εeffoutがそれぞれ求まる。実際には、複素実効誘電率εeffとして適当な初期値を与え、式1、式2、式3を繰り返し計算することで、複素実効誘電率εeffを容易に求められる。ここで、表面プラズモンの有効相互作用距離を、表面プラズモンの強度がe-2となる距離とすれば、表面プラズモンの有効相互作用距離deffは、で表わされる。なお、キャリア生成層15、プラズモン励起層17を除き、導光体12を含めたいずれの層や、波数ベクトル変換層19に接する媒質においても、複素誘電率の虚部は可能な限り低い方が好ましい。複素誘電率の虚部を可能な限り低くすることで、プラズモン結合を生じさせ易くし、光損失を低減することができる。プラズモン結合部11の周囲の媒質、つまり導光体12や波数ベクトル変換層19に接する媒質は、固体、液体、気体のいずれであってもよく、導光体12側と波数ベクトル変換層19側とがそれぞれ異なる媒質であってもよい。第1誘電体層16としては、例えば、SiO2ナノロッドアレイフィルムや、SiO2、AlF3、MgF2、Na3AlF6、NaF、LiF、CaF2、BaF2、低誘電率プラスチック等の薄膜または多孔質膜を用いるのが好ましい。第2誘電体層18としては、例えば、ダイヤモンド、TiO2、CeO2、Ta2O5、ZrO2、Sb2O3、HfO2、La2O3、NdO3、Y2O3、ZnO、Nb2O5等の高誘電率材料を用いるのが好ましい。波数ベクトル変換層19は、図2に示すように基板22上に配置されており、図3に示すように縞状の透明電極13bに対向する位置に設けられている。つまり、本実施形態における波数ベクトル変換層19は、基板22の出射側の面の一部に、すなわちプラズモン結合部11に対応する位置に配置されている。なお、必要に応じて、波数ベクトル変換層19は、基板22の出射側の面の全域にわたって形成されてもよい。波数ベクトル変換層19は、この波数ベクトル変換層19に入射する入射光の波数ベクトルを変換することで、第2誘電体層18から基板22に入射した光を取り出し、表示素子1から光を出射すための出射層である。言い換えれば、波数ベクトル変換層19は、基板22からの光の出射角を、所定の角度に変換して表示素子1から出射する。つまり、波数ベクトル変換層19は、基板22との界面にほぼ直交するように、表示素子1から出射光を出射させる機能を奏している。波数ベクトル変換層19としては、例えば、表面レリーフ格子、フォトニック結晶に代表される周期構造、準周期構造またはそれらに欠陥を導入した構造、表示素子1からの光の波長よりも大きなテクスチャー構造、例えば粗面が形成された表面構造、ホログラム、マイクロレンズアレイ等を用いたものが挙げられる。なお、準周期構造とは、準結晶構造を指し、結晶では許されない5回対称や10回対称の特殊な秩序構造を指している。これらの中でも、フォトニック結晶に代表される周期構造、準周期構造及びそれらに欠陥を導入した構造、マイクロレンズアレイを用いるのが好ましい。これは、光の取り出し効率を高められるだけでなく、指向性を制御できるからである。また、フォトニック結晶を用いる場合には、結晶構造が三角格子構造を採ることが望ましい。また、波数ベクトル変換層19としては、平板状の基部の上に、周期構造を構成する凸部や凹部が形成された構造であってもよい。図5A~図5Fに、表示素子1が備えるプラズモン結合部11の製造工程を示す。これはあくまで一例であって、この作製方法に限定されるものではない。なお、プラズモン結合部11が形成されるライトバルブ部10としては、公知の透過型のライトバルブを利用するので、ライトバルブ部10の製造工程についての説明を省略する。まず、図5Aに示すように、ライトバルブ部10の基板22上に透明電極13bを縞状に形成するとともに、透明電極13b上にレジスト膜24を、スピンコート法を用いて塗布する。続いて、電子線またはフォトリソグラフィー技術、印刷技術等を用いて、画素に対応するプラズモン結合部11を形成する部分の、レジスト膜29の一部を除去する。次に、図5Bに示すように、基板22上に、第2誘電体層18、プラズモン励起層17、第1誘電体層16、キャリア生成層15の順に積層する。続いて、図5Cに示すように、離型剤を塗布する等の離型処理を行った金型31のキャビティ内に、波数ベクトル変換層19を形成する紫外線硬化樹脂材料を充填する。この金型31上に、基板22におけるプラズモン結合部11が形成された側と反対側の面を載置し、紫外光を照射して紫外線硬化樹脂材料を硬化させることで、波数ベクトル変換層19を基板22に形成する。一方、図5Dに示すように、導光体12上に、透明電極13aを、縞状の透明電極13aと直交する縞状に形成するとともに、フォトリソグラフィー技術、印刷技術等を用いてスペーサ14を形成する。次に、図5Eに示すように、導光体12に形成されたスペーサ14に、基板22に形成された透明電極13bを接合する。最後に、図5Fに示すように、金型31から波数ベクトル変換層19を離型させて、基板22から金型31を取り外す。これによって、導光体12と基板22との間に、プラズモン結合部11が形成される。以上のように構成された表示素子1において、発光素子25から導光体12に入射した光が、プラズモン結合部11の波数ベクトル変換層19から出射される動作を説明する。図6に、表示素子1における光の振る舞いを説明するための断面図を示す。図6に示すように、発光素子25から出射された光は、導光体12の光入射面12aを透過し、導光体12内を全反射しながら伝播する。導光体12内を伝播する光は、透明電極13aと導光体12との界面に到達する。このとき、所定の画素における光学接続機構23がON状態の場合、プラズモン結合部11のキャリア生成層15は透明電極13aに当接する第1位置に移動されており、透明電極13aを通過した光が、キャリア生成層15に入射する。一方、光学接続機構23がOFF状態の場合、導光体12からの光は、透明電極13aと、透明電極13aとキャリア生成層15間の空隙との界面で全反射されて導光体12に戻され、プラズモン結合部11に入射しない。導光体12に戻された光は、再度、光学接続機構23がON状態にされたプラズモン結合部11に入射し、波数ベクトル変換層19から出射される。これらの繰り返しによって、導光体12に入射した光の大半が、画素を構成する所望のプラズモン結合部11から出射される。また、キャリア生成層15に入射した光は、キャリア生成層15においてキャリアを生成する。生成されたキャリアは、プラズモン励起層17中の自由電子とプラズモン結合を起こす。このプラズモン結合を介して、第2誘電体層18内への放射が起こり、その光が透明電極13b、基板22を通過して波数ベクトル変換層19に入射する。波数ベクトル変換層19に入射した光は、波数ベクトル変換層19で回折されて、表示素子1の外方に出射される。プラズモン励起層17と第2誘電体層18との界面の一点から出射される光は、伝播するにつれて同心円状に広がる円環状の強度分布を有している。最も強度が高い出射角を中心出射角、中心出射角から強度が半分になる出射角までの角度幅を出射角度幅とすると、第2誘電体層18から出射する光の中心出射角と出射角度幅は、プラズモン励起層17の誘電率及びプラズモン励起層17を挟む前後の実効誘電率で決定される。ここで、波数ベクトル変換層19から出射する光の中心出射角θradは、波数ベクトル変換層19の周期構造のピッチをΛ、プラズモン励起層17の出射側部分波数ベクトル変換層19側の複素実効誘電率をεeffout、周囲媒質の誘電率をεm、波数ベクトル変換層19から出射する光の真空中での波長をλ0、とすれば、で表わされる。ここで、iは正または負の整数である。つまり、キャリア生成層15に入射した光の一部は、プラズモン結合部11の特性で決まる方向に、表示素子1から出射される。表示素子1から出射される光の配光分布は、プラズモン結合部11の特性によってのみ決まる方向に出射されるので、高い指向性が得られる。つまり、表示素子1からの出射光の配光分布は、発光素子25の配光分布に依存しない。上述したように第1の実施形態の表示素子1では、波数ベクトル変換層19から出射する光の出射角が、プラズモン励起層17を挟んでいる入射側部分の実効誘電率と、出射側部分の実効誘電率とによって決定される。このため、本実施形態の表示素子1によれば、表示素子1からの出射光の指向性が、発光素子25の指向性に制限されることがなくなる。また、本実施形態の表示素子1は、放射過程においてプラズモン結合を応用することによって、表示素子1からの出射光の放射角を狭めて出射光の指向性を高めることができる。すなわち、本実施形態によれば、発光素子25のエテンデューに依存することなく、表示素子1からの出射光のエテンデューを低減することができる。また、表示素子1からの出射光のエテンデューが、発光素子25のエテンデューによって制限されないので、複数個の発光素子25を備える場合には表示素子1からの出射光のエテンデューを小さく保ったままで、発光素子25からの入射光を合成することができる。以下、他の実施形態の表示素子を説明する。他の実施形態の表示素子は、第1の実施形態の表示素子と比べてプラズモン結合部あるいは構造の一部が異なっている。このため、他の実施形態の表示素子において、第1の実施形態の構成要素と同一の構成要素には、第1の実施形態と同一の符号を付して説明を省略する。第2の実施形態図7に、第2の実施形態の表示素子の模式的な断面図を示す。第2の実施形態の表示素子は、第1の実施形態と比べて光学接続機構の構成が異なっている。なお、第2の実施形態は、光学接続機構を除く構成が第1の実施形態と同一であるので、第1の実施形態と同一の構成部材には同一の符号を付して説明を省略する。第1の実施形態では、マトリックス状に設けられた透明電極13a,13bが用いられた。これに対し、図7に示すように、第2の実施形態の表示素子2が備える光学接続機構26は、一対の透明電極27a,27bを有しており、基板22側に配置された透明電極27bを選択的に駆動するためにTFT28が用いられている。図8に、第2の実施形態の表示素子2が備える光学接続機構26の一部の平面図を示す。図8は、9つの画素を構成する透明電極27bを示している。図8に示すように、基板22の、導光体12に対向する底面には、複数のTFT電極29aと複数のTFT電極29bが互いに直交して設けられており、TFT電極29aとTFT電極29bが交差する部分にTFT28が配置されている。TFT28は透明電極27bに電気的に接続されている。したがって、光学接続機構26が有する透明電極27aは、導光体12の、基板22に対向する面上にわたって形成されており、全ての画素で共通の電極として構成されている。TFT28の製造方法としては、公知の製造技術を用いることができる。また、第2の実施形態の表示素子2の製造方法も第1の実施形態と同様である。また、光学接続機構26の動作は、第1の実施形態における光学接続機構23の動作と同様であるので説明を省略する。以上のように構成された第2の実施形態の表示素子2によれば、第1の実施形態と同様の効果が得られ、高輝度かつ高指向性を有する表示素子を実現することができる。さらに、第2の実施形態によれば、光学接続機構26がTFT28を用いることで、消費電力の低減を図ることができる。第3の実施形態図9に、第3の実施形態の表示素子の模式的な断面図を示す。第3の実施形態の表示素子は、第1の実施形態と比べて光学接続機構の構成が異なっている。なお、第3の実施形態は、光学接続機構を除く構成が第1の実施形態と同一であるので、第1の実施形態と同一の構成部材には同一の符号を付して説明を省略する。上述した第2の実施形態では、TFT28及びTFT電極29a,29bを用いて基板22側の透明電極27bを駆動するように構成された。これに対し、図9に示すように、第3の実施形態の表示素子3が備える光学接続機構33は、一対の透明電極37a,37bを有しており、導光体12側に配置された透明電極37aを選択的に駆動するためにTFT38が用いられている。導光体12の、基板22に対向する面には、複数のTFT電極39aと複数のTFT電極39bが互いに直交して設けられており、TFT電極39aとTFT電極39bが交差する部分にTFT38が配置されている。TFT38は透明電極37aに電気的に接続されている。また、光学接続機構33が有する透明電極37bは、基板22の、導光体12に対向する底面にわたって形成されており、全ての画素で共通の電極として構成されている。以上のように構成された第3の実施形態の表示素子3によれば、第1の実施形態と同様の効果が得られ、高輝度かつ高指向性を有する表示素子を実現することができる。さらに、第3の実施形態によれば、第2の実施形態と同様に、光学接続機構33がTFT38を用いることで、消費電力の低減を図ることができる。第4の実施形態図10に、第4の実施形態の表示素子の模式的な断面図を示す。第4の実施形態の表示素子は、第1の実施形態と比べて波数ベクトル変換層の位置が異なっている。なお、第3の実施形態において、第1の実施形態と同一の構成部材には同一の符号を付して説明を省略する。図10に示すように、第4の実施形態の表示素子4は、ライトバルブ部40と、ライトバルブ部40の内部に配置された複数のプラズモン結合部11及び波数ベクトル変換層49とを備えている。上述した第1の実施形態では、波数ベクトル変換層19が基板22上に配置されて構成された。これに対し、第4の実施形態では、基板22とプラズモン励起層17との間に波数ベクトル変換層49が配置されている。ライトバルブ部40は、プラズモン結合部41を移動する光学接続機構43を有している。光学接続機構43は、波数ベクトル変換層49が埋め込まれた透明電極47を有している。透明電極47は、基板22の、導光体12に対向する底面に設けられている。透明電極47は、第1の実施形態の透明電極13bと同様に縞状に設けられており、縞状の透明電極13aと互いに直交するように配置されている。波数ベクトル変換層49は、二次元的な周期構造を有しており、透明電極47の、導光体12に対向する面に埋め込まれている。また、第4の実施形態の表示素子4においても、プラズモン励起層17に対する、第2誘電体層18、波数ベクトル変換層49、透明電極47及び基板22と、媒質とを含む出射側部分の実効誘電率が、プラズモン励起層17に対する、第1誘電体層16、キャリア生成層15及び透明電極13aを含む入射側部分の実効誘電率よりも高くなっている。第4の実施形態の表示素子4によれば、プラズモン励起層17と波数ベクトル変換層49との間の距離を近づけられるので、二次光源の発光面積を減らし、表示素子4からの出射光の広がりを更に低減できる。第5の実施形態図11に、第5の実施形態の表示素子の模式的な断面図を示す。第5の実施形態の表示素子は、第1の実施形態の表示素子1と比べてプラズモン結合部の構成が異なっている。上述した第1の実施形態の表示素子1では、プラズモン励起層17で生じた光を波数ベクトル変換層19から出射する構成であった。一方、第5の実施形態は、プラズモン励起層によって生じた表面プラズモンを光として波数ベクトル変換層から出射する構成の点で異なり、プラズモン励起層の入射側部分の実効誘電率が、プラズモン励起層の出射側部分の実効誘電率よりも高くされている。図11に示すように、第5の実施形態の表示素子5は、ライトバルブ部40と、ライトバルブ部40の内部に配置された複数のプラズモン結合部51及び波数ベクトル変換層59とを備えている。プラズモン結合部51は、ライトバルブ部40の基板22と導光体12との間に配置されており、キャリア生成層55、プラズモン励起層57の順に積層されて構成されている。そして、波数ベクトル変換層59は、二次元的な周期構造を有しており、透明電極47の、導光体12に対向する面に埋め込まれている。また、プラズモン励起層57とキャリア生成層55の間に第2誘電体層が挿入されてもよく、プラズモン励起層57と波数ベクトル変換層59の間に第1誘電体層が挿入されてもよい。第2誘電体層の誘電率は、第1誘電体層の誘電率よりも高く設定されている。また、第1誘電体層及び第2誘電体層の厚さは式4より求まる厚さよりも薄く設定する必要がある。プラズモン励起層17は、誘電性を有する2つの層の間に挟まれている。本実施形態では、これら2つの層が、キャリア生成層55と波数ベクトル変換層59に対応している。そして、本実施形態の表示素子5は、プラズモン励起層57に対する、導光体12、透明電極13a及びキャリア生成層55を含む入射側部分の実効誘電率が、プラズモン励起層57に対する、波数ベクトル変換層59、透明電極47及び基板22と、媒質とを含む出射側部分の実効誘電率よりも高くなっている。詳細には、プラズモン励起層57の入射側部分キャリア生成層55側の複素実効誘電率の実部が、プラズモン励起層57の出射側部分波数ベクトル変換層59側の複素実効誘電率の実部よりも高く設定されている。なお、キャリア生成層55、プラズモン励起層57を除き、導光体12を含めたいずれの層や、波数ベクトル変換層59に接する媒質においても、複素誘電率の虚部は可能な限り低い方が好ましい。複素誘電率の虚部を可能な限り低くすることで、表面プラズモンを生じさせ易くし、光損失を低減することができる。以上のように構成された表示素子5において、発光素子25からプラズモン結合部51に入射した光が、波数ベクトル変換層59から出射される動作を説明する。発光素子25から出射された光は、第1の実施形態の表示素子1と同様に、キャリア生成層55と透明電極13aが接触したときに、キャリア生成層55と透明電極13aの界面を通過して、画素を構成する所望のプラズモン結合部51に入射する。導光体12からキャリア生成層55に入射した光は、キャリア生成層55においてキャリアを生成する。生成されたキャリアは、プラズモン励起層57中の自由電子とプラズモン結合を起こす。このプラズモン結合を介して、プラズモン励起層57と波数ベクトル変換層59との界面に表面プラズモンが励起される。励起された表面プラズモンは、波数ベクトル変換層59で回折されて、表示素子5の外方に出射される。プラズモン励起層57と波数ベクトル変換層59との界面の誘電率が面内で均一、つまり平坦な面である場合には、この界面に生じた表面プラズモンを取り出すことはできない。本実施形態では、波数ベクトル変換層59を備えることで、界面の誘電率が面内で変化するため、表面プラズモンが回折され、光として取り出される。波数ベクトル変換層59の一点から出射される光は、伝播するにつれて同心円状に広がる円環状の強度分布を有している。最も強度が高い出射角を中心出射角としたとき、波数ベクトル変換層59から出射する光の中心出射角θradは、波数ベクトル変換層59の周期構造のピッチをΛとすれば、で表わされる。ここで、iは正または負の整数である。プラズモン励起層57と波数ベクトル変換層59との界面には、式3より求まる波数近傍の波数しか存在しないので、式6より求まる出射光の角度分布も狭くなる。以上のように構成された第5の実施形態の表示素子5においても、第1の実施形態と同様に、キャリア生成層55に入射した光の一部は、プラズモン結合部51の特性で決まる方向に、表示素子5から出射される。したがって、表示素子5から出射される光の配光分布は、プラズモン結合部51の特性によってのみ決まる方向に出射されるので、高い指向性を得ることができる。さらに、第5の実施形態は、第1の実施形態に比べて層数が少なくなるので、製造工程の削減が可能である。第6の実施形態図12に、第6の実施形態の表示素子の模式的な断面図を示す。第6の実施形態の表示素子は、第1の実施形態の表示素子1と比べてプラズモン結合部の構成が異なっている。図12に示すように、第6の実施形態の表示素子6が備えるプラズモン結合部61は、ライトバルブ部60の基板22と導光体12との間に配置されている。プラズモン結合部61は、キャリア生成層65、プラズモン励起層67の順に積層されて構成されており、プラズモン励起層67の光出射側に透明電極63が積層され、キャリア生成層65の光入射側にハードコート層66が積層されている。そして、第6の実施形態におけるプラズモン励起層67は、上述した波数ベクトル変換層19、49、59の機能を奏する周期構造67aを有している。周期構造67aは、1次元または2次元の格子構造凹凸構造によって構成されている。また、ハードコート層66及びキャリア生成層65も、プラズモン励起層67の周期構造67aに対応する周期構造を有している。また、透明電極63も、プラズモン励起層67の周期構造67aの形状に沿って周期構造が形成されている。したがって、プラズモン励起層67の一部は、透明電極63の、導光体12に対向する面に埋め込まれている。キャリア生成層65に光が入射したとき、プラズモン励起層65に接する透明電極63とプラズモン励起層67との界面、及びキャリア生成層65とプラズモン励起層67との界面で表面プラズモンが発生する。この表面プラズモンは、以下に示す式9を満たす方向にプラズモン励起層67から光として取り出すことができる。詳細には、キャリア生成層65から出射する光の真空中での角周波数をω、真空中での光速をc、プラズモン励起層67の誘電率をεmetal、キャリア生成層65の誘電率をεsub、プラズモン励起層67に接する透明電極63の誘電率をεmedi、プラズモン励起層67に接する透明電極63とプラズモン励起層67との界面における表面プラズモンの波数kspp,medi、キャリア生成層65とプラズモン励起層67との界面における表面プラズモンの波数kspp,sub、プラズモン励起層67の周期構造67aのx方向の波数ベクトルKx、y方向の波数ベクトルKy、但し、xy平面が基板22に平行な面とすれば、式9を満たす角度θの方向に、プラズモン励起層67から光が出射される。ここで、m、nは正または負の整数である。さらに、式10を満たすとき、表示素子6からの出射光の強度が最も高くなる。図13A~図13Eに、第6の実施形態の表示素子6が備えるプラズモン結合部の製造工程を示す。まず、図示しないが、スピンコート法、蒸着、スパッタ等の成膜技術を用いて、基板22上に、透明電極63、レジスト膜を成膜する。続いて、電子線またはフォトリソグラフィー技術、印刷技術を用いて、レジスト膜上に所望の周期構造のパターンを描画し、ウェットまたはドライエッチングによって、図13Aに示すように透明電極63にパターンを転写する。次に、透明電極63上からレジスト膜を除去し、透明電極63上にレジスト膜68を、スピンコート法を用いて塗布する。そして、電子線またはフォトリソグラフィー技術、印刷技術等を用いて、画素に対応するプラズモン結合部61を形成する部分の、レジスト膜68の一部を除去する。続いて、透明電極63上に、スピンコート法、蒸着、スパッタ等の成膜技術を用いて、図13Bに示すようにプラズモン励起層67、キャリア生成層65、ハードコート層66の順に積層する。次に、図13Cに示すように、基板22上から、レジスト膜68と共にこのレジスト膜68上に形成されたプラズモン結合部61を構成する各層を透明電極63から剥離する。これによって、画素に対応する、基板22の所定の位置に、プラズモン結合部61が形成される。一方、図13Dに示すように、導光体12上に、透明電極13aを、縞状の透明電極13aと直交する縞状に形成するとともに、フォトリソグラフィー技術、印刷技術等を用いてスペーサ14を形成する。次に、図13Eに示すように、導光体12に形成されたスペーサ14に、基板22に形成された透明電極63を接合する。これによって、導光体12と基板22との間に、プラズモン結合部61が形成される。なお、この製造方法は、一例であってこの製造工程に限定されるものではない。以上のように構成された第6の実施形態の表示素子6によれば、上述した実施形態と同様の効果が得られ、高輝度かつ高指向性を有する表示素子を実現することができる。さらに、第6の実施形態は、第1~第4の実施形態に比べて層数が少なくなるので、製造工程の削減が可能である。第7の実施形態図14に、第7の実施形態の表示素子の模式的な断面図を示す。第7の実施形態の表示素子は、ライトバルブ部が、発光素子からの光の通過と遮断とを切り換える光学シャッタ手段としてのシャッタ機構を備えている点が、上述した第1~第6の実施形態と異なっている。また、第7の実施形態におけるプラズモン結合部は、第1の実施形態におけるプラズモン結合部11と同一であるので、第1の実施形態と同一符号を付して説明を省略する。図14に示すように、第7の実施形態の表示素子7は、ライトバルブ部70と、ライトバルブ部70の内部に配置された複数のプラズモン結合部11及び波数ベクトル変換層79とを備えている。ライトバルブ部70は、発光素子25からの光が入射する導光体72と、この導光体72から光が出射される位置に配置された複数のシャッタ機構73と、複数のプラズモン結合部11が2次元に規則的に配列された基板75とを有している。導光体72には、底面と対向する上面に、反射膜76が設けられている。反射膜76には、複数のプラズモン結合部11に対向する位置に、導光体72から光を透過させてプラズモン結合部11に入射させる透過領域としての複数の開口76aが形成されている。反射膜76としては、例えば銀、アルミニウム等の金属材や、誘電体多層膜が用いられる。シャッタ機構73は、基板75の、導光体72に対向する底面に配置されている。シャッタ機構73は、反射膜76の開口76aを開閉可能に設けられたMEMSシャッタ77と、MEMSシャッタ77を開閉動作させるTFT薄膜トランジスタ78とを有している。MEMSシャッタ77またはMEMSシャッタ77の導光体72側の面は、反射率が比較的高い反射材料で構成されている。基板75には、導光体72に設けられた反射膜76の開口76aに対向する位置に、複数のプラズモン結合部11が、画素を構成するようにマトリックス状に配列されている。同様に、複数のプラズモン結合部11が構成する画素にそれぞれ対応して複数のシャッタ機構73が配列されている。つまり、図14では、3つの画素を構成するプラズモン結合部11を示している。プラズモン結合部11は、基板75の直下に配置されており、第2誘電体層18が、基板75の、導光体72に対向する底面に接合されている。波数ベクトル変換層79は、第2誘電体層18上に積層されており、基板75の、導光体12に対向する底面に埋め込まれている。さらに、本実施形態は導光体72を備えて構成されたが、ライトバルブ部70から導光体72が省かれてもよく、例えば発光素子25などの光源がシャッタ機構73の基板75と反対側シャッタ機構73の入射側に配置された構成であってもよい。また、第7の実施形態の表示素子7では、プラズモン励起層17の波数ベクトル変換層79側に積層された構造全体及び波数ベクトル変換層79と、基板75、基板75に接する媒質とを含む出射側部分の実効誘電率が、プラズモン励起層17のキャリア生成層15側に積層された構造全体を含む入射側部分の実効誘電率よりも高くなるように構成されている。本実施形態の表示素子7の製造工程は、第1の実施形態と同様であり、プラズモン結合部11、TFT78が形成された基板75と、MEMSシャッタ77と、構造体74及び反射膜76が形成された導光体72とを組み付けることで、表示素子7が構成される。以上のように構成された表示素子7において、発光素子25から導光体72に入射した光が、プラズモン結合部11を通り波数ベクトル変換層79から出射される動作を説明する。図15に、表示素子7における光の振る舞いを説明するための断面図を示す。図15に示すように、発光素子25から出射された光は、導光体72の光入射面72aを透過し、導光体72内を全反射しながら伝播する。導光体72内を伝播する光は、構造体74に到達したときに、伝播する向きが構造体74によって変えられ、反射膜76の開口76aに入射する。このとき、シャッタ機構73のTFT78がON状態の場合、MEMSシャッタ77が開口76aを開く位置に移動されており、開口76aを通過した光が、キャリア生成層15に入射する。一方、TFT78がOFF状態の場合に、MEMSシャッタ77によって遮られた光は、MEMSシャッタ77に反射されて導光体72に戻され、再度、反射膜76の開口76aを通過した光がプラズモン結合部11に入射し、波数ベクトル変換層79で回折されて基板75から出射される。これらの繰り返しによって、導光体72に入射した光の大半が、画素を構成する所望のプラズモン結合部11から出射される。第7の実施形態の表示素子7によれば、上述した第1の実施形態と同様の効果が得られ、高輝度かつ高指向性を有する表示素子を実現することができる。第8の実施形態図16に、第8の実施形態の表示素子の模式的な断面図を示す。第8の実施形態の表示素子は、プラズモン結合部が上述の第7の実施形態と異なっており、プラズモン結合部が第5の実施形態におけるプラズモン結合部51と同一である。第8の実施形態において、第5及び第7の実施形態と同一の構成部材には、第5及び第7の実施形態と同一符号を付して説明を省略する。図16に示すように、第8の実施形態の表示素子8は、ライトバルブ部80と、ライトバルブ部80の内部に配置された複数のプラズモン結合部51及び波数ベクトル変換層89とを備えている。ライトバルブ部80は、第7の実施形態におけるライトバルブ部70と同様に構成されているが、波数ベクトル変換層89が埋め込まれた基板85を有している。プラズモン結合部51は、基板85とプラズモン励起層57との間に配置された波数ベクトル変換層89を有している。そして、波数ベクトル変換層89は、基板85の、導光体72に対向する底面に埋め込まれている。本実施形態の表示素子8においても、第5の実施形態と同様に、プラズモン励起層57によって生じた表面プラズモンを光として波数ベクトル変換層89から出射する。したがって、表示素子8においても、プラズモン励起層17に対する、キャリア生成層15を含む入射側部分の実効誘電率が、プラズモン励起層57に対する、波数ベクトル変換層89及び基板85と、基板85に接する媒質とを含む出射側部分の実効誘電率よりも高くなっている。また、必要に応じて、プラズモン励起層57の入射側及び出射側のいずれか一方または両方に隣接する位置に誘電体層が設けられてもよい。また、プラズモン励起層57を間に挟んで隣接する位置に誘電体層をそれぞれ配置する場合、プラズモン励起層57の波数ベクトル変換層89側に隣接して第1誘電体層16が設けられ、プラズモン励起層57のキャリア生成層55側に隣接して第1誘電体層16よりも誘電率が高い第2誘電体層18が設けられる。このように第1誘電体層16及び第2誘電体層18をプラズモン励起層57に隣接して配置する場合、第1誘電体層16及び第2誘電体層18の厚さは、プラズモンとの有効相互作用距離未満に設定される。以上のように構成された第8の実施形態の表示素子8によれば、第5の実施形態と同様に表面プラズモンを利用し、上述した実施形態と同様の効果が得られ、高輝度かつ高指向性を有する表示素子を実現することができる。第9の実施形態図17に、第9の実施形態の表示素子の模式的な断面図を示す。第9の実施形態の表示素子は、プラズモン結合部が、第6の実施形態におけるプラズモン結合部61と同一である点が、上述の第7の実施形態と異なっている。なお、第9の実施形態において、第6及び第7の実施形態と同一の構成部材には、第6及び第7の実施形態と同一符号を付して説明を省略する。図17に示すように、第9の実施形態の表示素子9は、ライトバルブ部90と、ライトバルブ部90の内部に配置された複数のプラズモン結合部91とを備えている。ライトバルブ部90は、第7の実施形態におけるライトバルブ部70と同様に構成されているが、後述するプラズモン励起層97が埋め込まれた基板95を有している。本実施形態の表示素子9におけるプラズモン結合部91は、第6の実施形態と同様に表面プラズモンを利用しており、キャリア生成層95、プラズモン励起層97の順に積層されて構成されている。プラズモン励起層97の一部は、基板95の、導光体72に対向する底面に埋め込まれている。そして、第9の実施形態におけるプラズモン励起層97は、上述した波数ベクトル変換層19の機能を奏する周期構造97aを有している。また、キャリア生成層95にも、プラズモン励起層97の周期構造97aの形状に沿って周期構造が形成されている。以上のように構成された第9の実施形態の表示素子9によれば、上述した実施形態と同様の効果が得られ、高輝度かつ高指向性を有する表示素子を実現することができる。さらに、第9の実施形態は、第7及び第8の実施形態に比べて層数が少なくなるので、製造工程の削減が可能である。なお、上述した第7~第9の実施形態では、シャッタ機構が、プラズモン結合部に対する入射側に配置される構成であったが、プラズモン結合部に対する出射側に配置される構成であってもよく、上述の実施形態と同様に表示素子からの出射光の指向性を高める効果が得られる。ただし、この構成の場合には、導光体からの光が一旦、プラズモン結合部に入射することで、シャッタ機構が閉じている画素において、光損失を招いてしまうので、上述した実施形態の構成が好ましい。また、上述した第1~第9の実施形態では、プラズモン結合部が、基板と導光体との間に配置されて構成された。本発明は、この構成に限定されるものではなく、例えばプラズモン結合部のキャリア生成層の下方に、ハードコート層不図示が設けられてもよい。このハードコート層は、プラズモン結合部の一部または外周面の全域を被覆する膜として形成されてもよい。実施例1図18に、第4の実施形態の表示素子の出射光における角度分布を示す。図18において、横軸が出射光の出射角を示し、縦軸が出射光の強度を示している。導光体12としてSiO2、透明電極13としてITO、キャリア励起層15としてPVAポリビニルアルコールを母材とする蛍光体、第1誘電体層16としてポーラスSiO2、プラズモン励起層17としてAg、第2誘電体層18としてTiO2、波数ベクトル変換層49としてTiO2、透明電極13a、47としてITO、基板22としてPENポリエチレンナフタレートプラスチックをそれぞれ用い、それぞれの厚さを、5mm、100nm、50nm、50nm、50nm、10μm、950nm、200nm、0.2mmとした。また、キャリア生成層15の発光波長を460nm、プラズモン結合部11の周囲雰囲気を空気として計算した。ここで、波数ベクトル変換層18のピッチ、デューティ比はそれぞれ、262nm、0.5に設定し、ポーラスSiO2の誘電率を1.12とした。なお、簡単化のために、計算を2次元で行った。出射光の強度が半分になる角度の全幅を放射角とした場合、放射角は、波長460nmの光に対して±4.2degであった。したがって、実施形態の表示素子によれば、表示素子からの出射光の放射角の指向性を高め、かつ、波数ベクトル変換層49の格子構造を適宜調整することで、放射角を±5度以下に狭めて指向性を更に高めることが可能になる。なお、本実施形態の表示素子は、画像表示装置の表示素子として用いられるのに好適であり、投射型表示装置の表示素子や、携帯型電話機、PDAPersonalDataAssistant等の電子機器の表示素子、表示器として用いられてもよい。最後に、上述した第1~第9の実施形態の表示素子が適用される投射型表示装置としての固体光源プロジェクタの構成例について、図面を参照して説明する。図19に、実施形態の固体光源プロジェクタの模式的な斜視図を示す。図19に示すように、実施形態の固体光源プロジェクタは、複数の発光素子25a,25b,25cと、発光素子25a,25b,25cから光がそれぞれ入射する赤R光用表示素子1r、緑G光用表示素子1g、及び青B光用表示素子1bと、を備えている。また、固体光源プロジェクタは、表示素子1r、1g、1bによってそれぞれ変調されて入射されたR、G、B光を合成するクロスダイクロイックプリズム102と、このクロスダイクロイックプリズム102からの出射光をスクリーン等の投射面上に投射する投射レンズ不図示を含む投射光学系103と、を備えている。この固体光源プロジェクタは、いわゆる3板式プロジェクタに適用された構成である。また、上述した実施形態の発光素子は、図20に示すような単板式プロジェクタにも適用可能である。図20に、他の実施形態の固体光源プロジェクタの模式的な斜視図を示す。図20に示すように、他の実施形態の固体光源プロジェクタは、複数の発光素子25uと、発光素子25uから光が入射する表示素子1と、表示素子1からの出射光をスクリーン等の投射面上に投射する投射レンズ不図示を含む投射光学系103と、を備えている。表示素子1のプラズマ結合部不図示は、R、G、Bに対応する画素毎に異なる材料で形成されたキャリア生成層不図示を有している。図19及び図20に示した本実施形態の固体光源プロジェクタによれば、上述した実施形態の表示素子が適用されることで、投射映像の輝度を向上することができる。以上、実施形態を参照して本願発明を説明したが、本願発明は上記実施形態に限定されるものではない。本願発明の構成や詳細に対して、本願発明のスコープ内で当業者が理解し得る様々な変更を行うことができる。この出願は、2010年5月14日に出願された日本出願特願2010-112072を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。"