"半導体発光素子を被覆する透光性部材の上に反射部材を備える半導体発光装置において、前記透光性部材に含まれる蛍光体の濃度分布が前記反射部材から下方向に向かって不均一であることを特徴とする半導体発光装置。前記透光性部材が蛍光体層と透明層の積層物であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。前記透光性部における蛍光体の濃度分布が連続的に変化することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。光を出射させない側面に側部反射部材を備えることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体発光装置。底部に底部反射部材を備えていることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体発光装置。半導体発光素子を被覆する透光性部材の上に反射部材を有し、前記透光性部材に含まれる蛍光体の濃度分布が前記反射部材から下方向に向かって不均一である半導体発光装置の側面に隣接して、前記側面から出射してくる光を前記半導体発光装置の上方に向ける光学部材を備えていることを特徴とする照明装置。前記光学部材が反射板であることを特徴とする請求項6に記載の照明装置。前記光学部材が導光板であることを特徴とする請求項6に記載の照明装置。前記半導体発光装置が光を出射する側面と光を出射しない側面を備え、前記光を出射しない側面が隣接するように複数の前記半導体発光素子を配列し、前記光を出射する側面に前記光学部材を配置することを特徴とする請求項6から8のいずれか一項に記載の照明装置。図12に示したLED装置発光ダイオード10aはLEDダイLEDチップ2の発光がそのまま側面から出射するので白色光が得られない。白色光を得るためには多くのLED装置と同様にLEDダイを青色又は近紫外光で発光させ、蛍光体を含有した透光性部材でLEDダイを被覆すれば良い。図12に示したLED装置発光ダイオード10aの場合なら、LEDダイLEDチップ2を被覆している透光性部材透光性樹脂3に蛍光体を含有させることになる。しかしながら、このようにして側面から放射する光が白色化され通常の光源として適切な形態になったとしても、光源としては単調になり装飾性を重視する用途においては変化に乏しいものとなる。そこで本発明は、この課題を解決するため、上部に反射部材を備え側面から光を放射する半導体発光装置において、装飾性を向上できる半導体発光装置及びそれを用いた照明装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するため本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子を被覆する透光性部材の上に反射部材を備える半導体発光装置において、前記透光性部材に含まれる蛍光体の濃度分布が前記反射部材から下方向に向かって不均一であることを特徴とする。半導体発光素子から出射する光線は、透光性部材を抜け、一部は反射部材で反射しながら、半導体発光装置の側面から外部に出射する。この光線は透光性部材に含まれる蛍光体により波長変換され強度が弱くなるが、強度減少の度合は光線が通過する経路に依存する。反射部材を上部とした場合、透光性部材に含まれる蛍光体の濃度分布が上下に不均一であるため、半導体発光装置の側面において光線の強度は蛍光体濃度の濃い部位で弱く、薄い部位で強くなる。反対に蛍光体が発する光は、半導体発光装置の側面から出射するとき、蛍光体濃度の濃い部位で強く、薄い部位で弱くなる。以上のようにして半導体発光装置の側面では、上下方向で半導体発光素子の発する光と蛍光体の発する光の強度比が分布し発光色の変化が現れる。この結果、装飾性を向上できる光源が得られる。前記透光性部材が蛍光体層と透明層の積層物であっても良い。前記透光性部材における蛍光体の濃度分布が連続的に変化しても良い。光を出射させない側面に側部反射部材を備えていても良い。底部に底部反射部材を備えていても良い。上記課題を解決するため本発明の半導体発光装置を備えた照明装置は、半導体発光素子を被覆する透光性部材の上に反射部材を備え、前記透光性部材に含まれる蛍光体の濃度分布が前記反射部材から下方向に向かって不均一である半導体発光装置の側面に隣接して、前記側面から出射してくる光を前記半導体発光装置の上方に向ける光学部材を備えていることを特徴とする。前述のように半導体発光素子を被覆する透光性部材の上に反射部材を備え、前記透光性部材に含まれる蛍光体の濃度分布が反射部材から下方向に向かって不均一である半導体発光装置は、側面から光を出射する際、側面の上部から下部に沿って発光色が変化する。本発明の照明装置は、この発光を半導体発光装置の側面に隣接させた光学部材により上方に向けながら平面的に広げている。このようにして平面的に発光色の変化する照明装置が得られ、装飾性が向上する。前記光学部材が反射板であっても良い。前記光学部材が導光板であっても良い。前記半導体発光装置が光を出射する側面と光を出射しない側面を有し、前記光を出射しない側面が隣接するように複数の前記半導体発光素子を配列し、前記光を出射する側面に前記光学部材を配置しても良い。以上のように本発明の半導体発光装置は側面から出射する光の色が高さ方向で変化するため装飾性を向上させられる。同様に本発明の半導体発光装置を備えた照明装置は、側面から出射する光の色が高さ方向で変化する半導体発光装置を光源としているので装飾性が向上する。以下、添付図1~11を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。さらに特許請求の範囲に記載した発明特定事項との関係をカッコ内に記載している。第1実施形態図1~4により本発明の第1実施形態を説明する。図1により本発明の第1実施形態におけるLED装置10半導体発光装置の外形を説明する。図1はLED装置10の外形図であり、aが平面図、bが正面図、cが底面図である。LED装置10を上部から眺めると長方形の反射部材11のみが見えるa。LED装置10を正面から眺めると、反射部材11から下に向かって、透明層12透光性部材、蛍光体層13透光性部材、回路基板14、及び外部接続電極15,16が見えるb。LED装置10を底面側から眺めると、回路基板14が占める領域の内側に外部接続電極15,16が見えるc。図2においてLED装置10内部構造を説明する。図2は、図1cのAA線に沿って描いたLED装置10の断面図である。回路基板14上にLEDダイ20がフリップチップ実装され、LEDダイ20を蛍光体層13が被覆し、蛍光体層13に透明層12と反射部材11が積層している。LEDダイ20は、サファイア基板21、n型半導体層22、p型半導体層23、絶縁膜24、並びにp側電極25及びn側電極26からなる。サファイア基板21の下にはn型半導体層22が形成され、さらにn型半導体層22の下にp型半導体層23が形成されている。絶縁膜24は、二つの開口部を除きn型半導体層22及びp型半導体層23を被覆しており、それぞれの開口部でp型半導体層23とp側電極25並びにn型半導体層22とn側電極26が接続している。回路基板14は上面に内部接続電極15a,16aが形成されており、内部接続電極15a,16aはスルーホール電極15b,16bを介して外部接続電極15,16と接続している。LEDダイ20のp側及びn側の電極25,26はそれぞれ内部接続電極15a,16aと接続している。サファイア基板21は透明絶縁基板であり厚さが80~120μmである。n型半導体層22はGaNバッファ層とn型GaN層からなり厚さが5μm程度である。p型半導体層23は、反射層や原子拡散防止層などを含む金属多層膜とp型GaN層からなり厚みが1μm程度である。図示していないが発光層はp型半導体層23とn型半導体層22の境界部にあり、平面形状はp型半導体層23とほぼ等しい。絶縁膜24はSiO2やポリイミドからなり厚さが数100nm~1μm程度である。p側電極25並びにn側電極26はAu又はCuをコアとするバンプであり、電解メッキ法で形成し厚さが10~30μm程度である。回路基板14は、厚さが数10μmから数100μmであり、その材料は熱伝導率や反射率等を考慮し、樹脂、セラミック、金属などから選ぶ。外部接続電極15,16および内部接続電極15a,16aは、厚さが数μmから数10μmであり、Ni及びAuメッキした銅箔である。スルーホール電極15b,16bは直径が100~300μm程度で内部に金属を充填している。p側及びn側の電極25,26と内部接続電極15a,16aは、LED装置10をマザー基板に実装する際の半田リフローで融解しないようにするためAu-Sn共晶で接続する。蛍光体層13はシリコーン樹脂に蛍光粒子を混練した蛍光樹脂を硬化させたものである。透明層12はシリコーン樹脂であり、回路基板14から透明層12の上部まで400μmから600μm程度にすることが多い。反射部材11はシリコーン樹脂に酸化チタン等の反射性微粒子を混練し硬化させたもので厚さが50~100μm程度である。また反射部材11は金属膜であっても良い。次に図3によりLED装置10の出射光について説明する。図3はLED装置10の出射光の説明図であり、図2の断面図に光線L1~L4を書き加えたものである。まずL1及びL2により側面から出射する光の色を定性的に説明する。なおn型半導体層22とp型半導体層23の境界部にある発光層図示していないでは青色発光し、蛍光体層13はこの青色光の一部を黄色に波長変換する蛍光体を含有しているものとする。光線L1は、発光層から発し、サファイア基板21及び蛍光体層13を抜け、透明層12を通り反射部材11で反射しLED装置10の側面から外部に出射する。光線L2は、発光層から発し、サファイア基板21及び蛍光体層13を抜けLED装置10の側面から外部に出射する。光線L2は、光線L1に比べ蛍光体層13を抜けるのに長い距離を進んでいため、光線L1に比べ光線L2は波長変換を多く受け、黄色の成分が多くなる。光線L1,L2による説明では光線L1,L2が変色するものとしていたが、実際は光線L1,L2の強度が低下し、蛍光体による発光との強度バランスがLED装置10の側面において図の上下方向で異なるようになる。そこで光線L3,L4により拡散的な反射及び等方的な蛍光体の発光を含む過程について説明する。光線L3は発光層から発し、サファイア基板21と抜け、蛍光体層13で波長変換されなかった青色光である。光線L3は反射部材11の下面で拡散的に反射し、LED装置10の右側面から出射する。光線L4は発光層から発し、サファイア基板21と抜け、蛍光体層13で波長変換され黄色光となる。蛍光体層13に含有される蛍光体は等方的に発光するが、図ではこれらの光のうちLED装置10の右側面から出射する成分を描いている。波長変換を受けなかった光線L3の影響で図の右側面の上部は青成分が多くなる。いっぽう波長変換された発光である光線L4の影響で右側面の下部は黄色の成分が強くなる。以上のようにLEDダイ20を被覆する透光性部材として蛍光体層13と透明層12の積層物を採用し、上下方向に蛍光体濃度の不均一な状態を形成することにより、上部側である反射部材11寄りの側面の発光は青が強く、下部側である回路基板14寄りの側面の発光色は黄色が強くなり、中間部は中間色が現れる。また、透明層12と蛍光体層13の厚さの比を変えることで色合い及びその分布を調整できる。図4によりLED装置10を備えた本発明の第1実施形態における照明装置40を説明する。図4は照明装置40の説明図であり、aが断面図、bが平面図である。aの断面図はbのBB線に沿って描いたものである。照明装置40はマザー基板42を備え、マザー基板42上に反射板41を配置している。反射板41は、マザー基板42に実装されたLED装置10の側部に配置され、LED装置10に近い側が低くなっている。LED装置10の側面から出射した光線L5,L6は反射板41の斜面で拡散反射する。bに示すように照明装置40を上方から眺めるとLED装置10の四方を反射板41がとり囲んでいる。中央に配置されたLED装置10は上部の反射部材11が見え、LED装置10と反射板41の間にはマザー基板42の表面が見える。この照明装置40を多数準備し、これらを平面的に配列させればさらに大型の照明装置を構成できる。第2実施形態図1~3で示した第1実施形態のLED装置10は、透光部材が上下方向に2層に分離していた。このようにすると側面の上側と下側ではっきりとした色の差を出しやすいが、透明層12と蛍光体層13の境界付近で色度の変化量が大きくなる。また第1実施形態の照明装置40ではLED装置10の側部に隣接させた光学部材が反射板であったが、横方向に広がる光の方向を変える光学部材としては反射板に限られない。そこで図5~7により本発明の第2実施形態として透光性部材中の蛍光体濃度分布が徐々に変化するLED装置50並びにこのLED装置50の側部に導光板を備えた照明装置70を説明する。図5により本発明の第2実施形態におけるLED装置50半導体発光装置の外形を説明する。図5はLED装置50の正面図である。なおLED装置50の平面図及び底面図は、図1a及びcで示したLED装置10の平面図及び底面図と等しいので図示していない。図5においてLED装置50を正面から眺めると反射部材51の下に蛍光体層52透光性部材、回路基板14、及び外部接続電極15,16が見える。蛍光体層52は、蛍光体を含有する透光性部材であり、蛍光体の濃度が図の上から下に向かって徐々連続的に濃くなっている。LED装置50に含まれる回路基板14及び外部接続電極15,16は第1実施形態におけるLED装置10の回路基板14及び外部接続電極15,16と同じものである。図6によりLED装置50内部構造を説明する。図6は、図1cのAA線に相当する切断線に沿って描いたLED装置50の断面図である。LEDダイ20及び回路基板14の内部接続電極15a,16a、スルーホール電極15b,16bも、図2に示したLED装置10のLEDダイ20及び回路基板14の内部接続電極15a,16a、スルーホール電極15b,16bと同じものである。図6においてLED装置50の内部でも反射部材51の下に配置した蛍光体層52は蛍光体の濃度が図の上から下に向かって徐々に濃くなっている。なおこの濃度分布は、硬化前のシリコーン樹脂に蛍光体を均一分散させ、このシリコーン樹脂でLEDダイ20を被覆してから蛍光体を沈降させ、その途中でシリコーン樹脂を硬化させることにより得られる。図6によりLED装置50の発光状況を説明する。発光層から図の上部に向かう光は蛍光体の濃度が薄いため波長変換を受ける確率が低くなるため、側面の上部から出射する光は青みがかっている。これに対し発光層から図の下部に向かう光は蛍光体の濃度が濃いため波長変換される確率が高くなり、側面の下部から出射する光は黄色みがかっている。側面の中間部から出射する光は上部と下部の中間の色合いになる。図7によりLED装置50を備えた本発明の第2実施形態における照明装置70を説明する。図7は照明装置70の断面図であり、図4bのBB線に相当する切断線に沿って描いたものである。照明装置70はマザー基板72を備え、マザー基板72上に導光板71を配置している。導光板71は、透明樹脂からなり下部にプリズム71aを備え、LED装置50の側部に配置されている。LED装置50の側面から出射した光線L7はプリズム71aの斜面で反射し図の上方に向かい、光線L8はいったん導光板71の上面で反射し、その後プリズム71aの斜面で反射し上方に向かう。本実施形態では導光板71中を伝播する光を曲げ出射させる手段としてプリズム71aを使ったが、プリズム71aの代わりに拡散面と反射層を使うこともある。プリズム71aはLED装置50から離れる方向に対し規則的な溝を形成していた。すなわち図7において紙面の表裏方向と左右方向に異方性があった。これに対しプリズム71aの代わりに拡散面を使用することがある。拡散面は、例えば半球状の微小な凹凸を形成し、この凹凸により反射させるものである。導光板の底面を拡散面とした場合、微小な凹凸は拡散面上で等方的に分布する。そこでこの導光板に穴を開け、そこにLED装置50を配置すれば照明装置70と類似した照明装置が得られる。このとき一枚の導光板に複数の穴を開け、各穴にLED装置50を配置すれば、簡単に大型の照明装置を得ることができる。第3実施形態第1及び第2実施形態におけるLED装置10,50は4つの側面から光を出射させていたが、一部の側面からだけ光を出射させても良い。またこのLED装置を光源として照明装置を構成する場合、光を出射させる側面にだけ光学部材を配置すれば良い。さらに第1及び第2実施形態におけるLED装置10,50は回路基板14を備えていたが、回路基板14の代わりに樹脂層とすることもできる。そこで図8~11により本発明の第3実施形態として一部の側部からだけ光が出射し、回路基板の代わりに樹脂層を備えるLED装置80並びにこのLED装置80の側部に反射板を備えた照明装置90を説明する。図8は本発明の第3実施形態におけるLED装置80半導体発光装置の外形を説明するための外形図であり、aが平面図、bが正面図、cが底面図である。LED装置80を上部から眺めると長方形の反射部材81のみが見えるa。LED装置80を正面から眺めると反射部材81の下部底部に底部反射部材84樹脂層及び外部接続電極85,86が見えるb。LED装置80を底面側から眺めると底部反射部材84が占める領域の内側に外部接続電極85,86が見えるc。図9においてLED装置80の光出射面を説明する。図9はLED装置80の左側面図である。反射部材81は、上部反射部材81aと側部反射部材81bからなる。反射部材81と底部反射部材84で囲まれる領域に蛍光体層83透光性部材と透明層82透光性部材が積層している。底部反射部材84の下には外部接続電極85が見える。次に図10によりLED装置80内部構造を説明する。図10は、図8cのCC線に沿って描いたLED装置80の断面図である。底部反射部材84には貫通孔があり、この貫通孔にLEDダイ20aのp側電極25aとn側電極26aがはまり込んでいる。p側電極25aとn側電極26aと接続する外部電極85,86が底部反射部材84の下面に形成されている。蛍光体層83透光性部材がLEDダイ20aを被覆し、蛍光体層83上に透明層82透光性部材と上部反射部材81aが積層している。LEDダイ20aはサファイア基板21a、n型半導体層22a、p型半導体層23a、絶縁膜24a、並びにp側及びn側の電極25a,26aを備えている。LEDダイ20aと図2で示したLEDダイ20の主な違いは、LEDダイ20aにおけるp側及びn側の電極25a,26aである。LED装置80は、インターポーザとして機能する回路基板がなく、p側及びn側の電極25a,26aが直接的に外部電極85,86と接続しているため、予めp側及びn側の電極25a,26aの位置を調整しておく必要がある。そのためLEDダイ20に比べLEDダイ20aではp側電極25aを小型化し、n側電極26aをp型半導体層23aに乗り上げるようにして大型化している。なおp側及びn側の電極25a,26aの厚さを除いてLEDダイ20aの各部材の材料及び厚さはLEDダイ20と等しい。p側及びn側の電極25a,26aの厚さは、底部反射部材84の反射率を高くするため50μm程度にする。反射部材81及び底部反射部材84は酸化チタン等の反射性微粒子を混練して硬化させたシリコーン樹脂であり、透明層82及び蛍光体層83は図2で示した透明層12及び蛍光体層13と等しい。このLED装置80は側部反射部材81bがあるので、図10の左右方向にしか光を出射しない。このとき第1実施形態のLED装置10と同様にLED装置80は、光を出射する側面において上部から下部にかけて発光色が変化する。LED装置80の作り方を説明する。まず複数のLEDダイ20aを準備し、p側及びn側の電極25a,26aを粘着層に沈み込ませるようにしてLEDダイ20aを粘着シート上に配列する。次に蛍光体層83と透明層82を粘着シート全体に亘って形成したら、側部反射部材81bを形成する部分をハーフダイシングし、このハーフダイシングで形成した溝及び透明層82を覆うように反射部材81を塗布し硬化させる。続いて粘着シートを剥がす。このときLEDダイ20aの底面は露出している。続いてLEDダイ20aの電極面側に底部反射部材84を塗布し硬化させ、研磨等でp側及びn側の電極25a,26aの表面を露出させたらメッキ法で外部接続電極85,86を形成する。最後に切断してLED装置80を得る。図11によりLED装置80を備えた本発明の第3実施形態における照明装置90を説明する。図11は照明装置90の平面図である。照明装置90はマザー基板92上に2枚の反射板91を配置したもので、2枚の反射板91の間に複数のLED装置80がそれぞれの側部反射部材81b図9参照を隣接させるようにして一列に並んでいる。LED装置80は図の左右方向に光を出射し、反射板91は紙面の手前側に光を向ける。LED装置80は紙面の表裏方向に発光色の分布があるため、照明装置90には平面的な発光色の分布ができる。第1及び第3実施形態におけるLED装置10,80は蛍光体層13,83と透明層12,82を積層して、透光性部材における蛍光体の濃度分布を不均一にしていたが、積層する層をさらに増やしても良い。例えば最下層を赤発光する蛍光体層、中間を緑発光する蛍光体層、最上層を透明層としても良い。また積層する順番を変えても良い。第2実施形態におけるLED装置50では蛍光体の沈降を途中で止めることにより蛍光体層52の蛍光体濃度を徐々に変化させていたが、蛍光体濃度の異なる層を積層しても良い。この方法であれば回路基板側14の蛍光体濃度を薄くし反射部材51側の蛍光体濃度を濃くできる。"