電磁アクチュエータに接続されるアクチュエータ駆動回路と、外部電源電圧を昇圧して前記アクチュエータ駆動回路に出力する昇圧回路と、前記電磁アクチュエータにて発生した逆起電流を前記昇圧回路に回生させる回生回路と、前記アクチュエータ駆動回路を制御することで前記電磁アクチュエータを駆動するプロセッサと、を備えたアクチュエータ駆動装置において、前記プロセッサは、前記アクチュエータ駆動回路の制御を開始する前に、前記昇圧回路による昇圧動作を禁止した状態で前記昇圧回路の出力電圧を測定し、その電圧測定値が上限値より低い場合、前記昇圧回路による昇圧動作を許可し、前記電圧測定値が上限値以上の場合、前記昇圧回路に設けられた昇圧用コンデンサの放電処理を実行することを特徴とするアクチュエータ駆動装置。前記プロセッサは、前記昇圧用コンデンサの放電処理として、前記昇圧回路による昇圧動作を禁止した状態で前記アクチュエータ駆動回路を制御して前記電磁アクチュエータに駆動電流を流すことを特徴とする請求項1に記載のアクチュエータ駆動装置。前記プロセッサは、前記昇圧用コンデンサの放電処理実行後に、再度、前記昇圧回路の出力電圧を測定し、その電圧測定値が上限値より低い場合、前記昇圧回路による昇圧動作を許可し、前記電圧測定値が上限値以上の場合、前記昇圧回路の異常と判断して前記昇圧回路による昇圧動作の禁止状態を維持すると共に、前記アクチュエータ駆動回路の制御を禁止することを特徴とする請求項1または2に記載のアクチュエータ駆動装置。上記特許文献1に記載されているアクチュエータ駆動装置に、電磁アクチュエータにて発生した逆起電流を昇圧回路に回生させる回路を追加した場合、車両の運転中に発生した逆起電流によって昇圧回路内部の昇圧用コンデンサが充電される。そのため、前回の運転サイクル時に昇圧用コンデンサが過大な電圧まで充電された状態で今回の運転サイクルを開始すると、昇圧回路が電圧異常状態のまま、電磁アクチュエータの駆動制御が開始されてしまい、昇圧回路から電圧供給を受ける回路が故障する可能性がある。本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、前回の運転サイクル時に昇圧用コンデンサが過大な電圧まで充電された状態で今回の運転サイクルを開始した場合であっても、昇圧回路から電圧供給を受ける回路の故障を防止することが可能なアクチュエータ駆動装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明では、アクチュエータ駆動装置に係る第1の解決手段として、電磁アクチュエータに接続されるアクチュエータ駆動回路と、外部電源電圧を昇圧して前記アクチュエータ駆動回路に出力する昇圧回路と、前記電磁アクチュエータにて発生した逆起電流を前記昇圧回路に回生させる回生回路と、前記アクチュエータ駆動回路を制御することで前記電磁アクチュエータを駆動するプロセッサと、を備えたアクチュエータ駆動装置において、前記プロセッサは、前記アクチュエータ駆動回路の制御を開始する前に、前記昇圧回路による昇圧動作を禁止した状態で前記昇圧回路の出力電圧を測定し、その電圧測定値が上限値より低い場合、前記昇圧回路による昇圧動作を許可し、前記電圧測定値が上限値以上の場合、前記昇圧回路に設けられた昇圧用コンデンサの放電処理を実行する、という手段を採用する。また、本発明では、アクチュエータ駆動装置に係る第2の解決手段として、上記第1の解決手段において、前記プロセッサは、前記昇圧用コンデンサの放電処理として、前記昇圧回路による昇圧動作を禁止した状態で前記アクチュエータ駆動回路を制御して前記電磁アクチュエータに駆動電流を流す、という手段を採用する。また、本発明では、アクチュエータ駆動装置に係る第3の解決手段として、上記第1または第2の解決手段において、前記プロセッサは、前記昇圧用コンデンサの放電処理実行後に、再度、前記昇圧回路の出力電圧を測定し、その電圧測定値が上限値より低い場合、前記昇圧回路による昇圧動作を許可し、前記電圧測定値が上限値以上の場合、前記昇圧回路の異常と判断して前記昇圧回路による昇圧動作の禁止状態を維持すると共に、前記アクチュエータ駆動回路の制御を禁止する、という手段を採用する。本発明によれば、アクチュエータ駆動回路の制御を開始する前に、前記昇圧回路による昇圧動作を禁止した状態で前記昇圧回路の出力電圧を測定し、その電圧測定値が上限値より低い場合、前記昇圧回路による昇圧動作を許可し、前記電圧測定値が上限値以上の場合、前記昇圧回路に設けられた昇圧用コンデンサの放電処理を実行するので、昇圧用コンデンサの電圧が正常な状態で電磁アクチュエータの駆動制御を開始することができる。その結果、前回の運転サイクル時に昇圧用コンデンサが過大な電圧まで充電された状態で今回の運転サイクルを開始した場合であっても、昇圧回路から電圧供給を受ける回路の故障を防止することが可能となる。以下、本発明の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係るアクチュエータ駆動装置1の概略構成図である。本実施形態に係るアクチュエータ駆動装置1は、不図示のエンジン制御装置から入力されるクランクパルス信号PCLK及びTDCパルス信号PTDCを基にエンジン振動を推定し、そのエンジン振動が抑制されるようにACMのソレノイドアクチュエータ電磁アクチュエータを駆動する詳細にはソレノイドコイル2に流れる駆動電流を制御するものである。このアクチュエータ駆動装置1は、図1に示すように、ハーフブリッジ回路11、昇圧回路12、電源回路13、ドライバ電源回路14、抵抗分圧回路15、第1のAND回路16、第2のAND回路17、ハーフブリッジドライバ18、リレー出力回路19及びCPU20、ソレノイド接続端子21、22、IG電源端子23、ソレノイド電源端子24、リレー出力端子25、クランクパルス入力端子26及びTDCパルス入力端子27を備えている。なお、ソレノイド接続端子21、22は、ソレノイドアクチュエータに組み込まれたソレノイドコイル2の両端に接続されている。IG電源端子23は、イグニションスイッチ3を介してバッテリ4の正極端子に接続されている。ソレノイド電源端子24は、ソレノイド電源リレー5のスイッチ部を介してバッテリ4の正極端子に接続されている。リレー出力端子25は、ソレノイド電源リレー5のコイル部を介してIG電源端子23に接続されている。また、クランクパルス入力端子26及びTDCパルス入力端子27は、前述のように、エンジン制御装置からクランクパルス信号PCLK及びTDCパルス信号PTDCを入力するための端子である。ハーフブリッジ回路11は、CPU20による制御の下、昇圧回路12からソレノイド駆動電圧VBOOSTの供給を受けてソレノイドコイル2に駆動電流を出力するアクチュエータ駆動回路であり、例えばn型MOS-FETである第1のスイッチング素子11a、第2のスイッチング素子11b及び第3のスイッチング素子11cと、ソレノイドコイル2にて発生した逆起電流を昇圧回路12に回生させるための回生ダイオード11dとから構成されている。第1のスイッチング素子11aは、ドレイン端子が昇圧回路12の出力端子昇圧用コンデンサ12cの高圧側端子に接続され、ソース端子がソレノイド接続端子21を介してソレノイドコイル2の一端に接続され、ゲート端子がハーフブリッジドライバ18に接続されている。この第1のスイッチング素子11aは、ハーフブリッジドライバ18からゲート端子に入力される第1の制御信号パルス幅変調された信号SOL1に応じてオン/オフ状態が切替わる。第2のスイッチング素子11bは、ドレイン端子がソレノイド接続端子22を介してソレノイドコイル2の他端に接続され、ソース端子がアースに接続され、ゲート端子がハーフブリッジドライバ18に接続されている。この第2のスイッチング素子11bは、ハーフブリッジドライバ18からゲート端子に入力される第2の制御信号SOL2に応じてオン/オフ状態が切替わる。第3のスイッチング素子11cは、第1のスイッチング素子11aに対してオンオフ状態が反転するように制御されるスイッチング素子であり、ドレイン端子がソレノイド接続端子21を介してソレノイドコイル2の一端に接続され、ソース端子がアースに接続され、ゲート端子がハーフブリッジドライバ18に接続されている。この第3のスイッチング素子11cは、ハーフブリッジドライバ18からゲート端子に入力される第3の制御信号SOL3第1の制御信号SOL1に対してレベルが反転する信号に応じてオン/オフ状態が切替わる。回生ダイオード11dは、アノード端子がソレノイド接続端子22を介してソレノイドコイル2の他端に接続され、カソード端子が昇圧回路12の出力端子に接続されている。この回生ダイオード11dは、第1及び第2のスイッチング素子11a、11bの両方がオフの時にソレノイドコイル2の他端から出力される逆起電流を昇圧回路12に回生させる回生回路として設けられたものである。昇圧回路12は、ソレノイド電源端子24を介して入力される外部電源電圧、つまりソレノイド電源リレー5がオンの時にバッテリ4から入力される電圧例えば12Vをソレノイド駆動電圧VBOOST例えば30Vまで昇圧して上記のハーフブリッジ回路11に出力する回路であり、昇圧用コイル12a、ダイオード12b、昇圧用コンデンサ12c、スイッチング素子12d、抵抗素子12e、12f、昇圧制御用電源回路12g及び昇圧制御回路12hから構成されている。なお、以下では、ソレノイド電源端子24を介して入力されるバッテリ4の出力電圧をソレノイド電源電圧VIGSOLと呼ぶ。昇圧用コイル12aは、一端がソレノイド電源端子24に接続され、他端がダイオード12bのアノード端子に接続されている。ダイオード12bは、アノード端子が昇圧用コイル12aの他端に接続され、カソード端子が昇圧用コンデンサ12cの高圧側端子昇圧回路12の出力端子に接続されている。昇圧用コンデンサ12cは、高圧側端子がハーフブリッジ回路11第1のスイッチング素子11aのドレイン端子及び回生ダイオード11dのカソード端子に接続され、低圧側端子がアースに接続されている。スイッチング素子12dは、例えばn型MOS-FETであり、ドレイン端子がダイオード12bのアノード端子に接続され、ソース端子がアースに接続され、ゲート端子が昇圧制御回路12hに接続されている。このスイッチング素子12dは、昇圧制御回路12hからゲート端子に入力される昇圧制御信号cntに応じてオンオフ状態が切替わる。抵抗素子12eは、一端が昇圧用コンデンサ12cの高圧側端子に接続され、他端が抵抗素子12fの一端に接続されている。抵抗素子12fは、一端が昇圧制御回路12h及びCPU20に接続され、他端がアースに接続されている。これら抵抗素子12e、12fは、ソレノイド駆動電圧VBOOSTを5V以下に分圧して昇圧制御回路12h及びCPU20に出力する抵抗分圧回路を構成している。昇圧制御用電源回路12gは、入力端子がソレノイド電源端子24に接続され、出力端子が昇圧制御回路12h、ドライバ電源回路14及びCPU20に接続されており、ソレノイド電源端子24から入力されるソレノイド電源電圧VIGSOLを降圧して昇圧制御用電源電圧Vcc_BO例えば5Vを生成し、その昇圧制御用電源電圧Vcc_BOを昇圧制御回路12h、ドライバ電源回路14及びCPU20に出力する。昇圧制御回路12hは、昇圧制御用電源回路12gから供給される昇圧制御用電源電圧Vcc_BOによって動作する制御ICであり、抵抗素子12e、12fによって構成された抵抗分圧回路の出力電圧ソレノイド駆動電圧VBOOSTの抵抗分圧値に基づいてソレノイド駆動電圧VBOOSTの現在値を求め、その現在値が目標値例えば30Vと一致するようにスイッチング素子12dをPWM制御する昇圧制御信号cntのデューティ比を制御する。また、この昇圧制御回路12hは、CPU20から入力される昇圧イネーブル信号VCHG_ENがON例えばハイレベルの場合に、スイッチング素子12dのPWM制御を実施する一方、昇圧イネーブル信号VCHG_ENがOFF例えばローレベルの場合に、スイッチング素子12dのPWM制御を停止する昇圧制御信号cntの出力を停止する機能を有している。電源回路13は、入力端子がIG電源端子23に接続され、出力端子がCPU20に接続されており、IG電源端子23を介して入力される外部電源電圧、つまりイグニションスイッチ3がオンの時にバッテリ4から入力される電圧以下、この電圧をイグニション電源電圧VIGと呼ぶを降圧して低電圧回路用電源電圧Vcc例えば5Vを生成し、その低電圧回路用電源電圧VccをCPU20やその他の低電圧回路第1のAND回路16、第2のAND回路17も含むに出力する。ドライバ電源回路14は、一方の入力端子が昇圧回路12の出力端子に接続され、他方の入力端子が昇圧制御用電源回路12gの出力端子に接続され、出力端子がハーフブリッジドライバ18に接続されたチャージポンプ回路であり、昇圧回路12から入力されるソレノイド駆動電圧VBOOSTと、昇圧制御用電源回路12gから入力される昇圧制御用電源電圧Vcc_BOとを利用してドライバ電源電圧VCHP例えばVBOOSTVcc_BO2=40Vを生成し、そのドライバ電源電圧VCHPをハーフブリッジドライバ18に出力する。抵抗分圧回路15は、ドライバ電源回路14から出力されるドライバ電源電圧VCHPを5V以下に分圧してCPU20に出力する回路であり、ドライバ電源回路14の出力端子とアースとの間に直列接続された2つの抵抗素子15a、15bから構成されている。第1のAND回路16は、CPU20から入力されるソレノイド出力イネーブル信号SOL_ENと第1のタイミング信号T1との論理積を演算し、その演算結果に応じた信号をハーフブリッジドライバ18に出力する。第2のAND回路17は、CPU20から入力されるソレノイド出力イネーブル信号SOL_ENと第2のタイミング信号T2との論理積を演算し、その演算結果に応じた信号をハーフブリッジドライバ18に出力する。ハーフブリッジドライバ18は、ソレノイド電源電圧VIGSOLとドライバ電源回路14から供給されるドライバ電源電圧VCHPとによって動作するドライバICであり、第1のAND回路16及び第2のAND回路17から入力される信号のタイミング調整及びレベル調整等を行うことにより、第1のスイッチング素子11aに出力する第1の制御信号SOL1と、第2のスイッチング素子11bに出力する第2の制御信号SOL2と、第3のスイッチング素子11cに出力する第3の制御信号SOL3第1の制御信号SOL1に対してレベルが反転した信号を生成する。リレー出力回路19は、リレー出力端子25を介してソレノイド電源リレー5のコイル部に接続されており、CPU20から入力されるリレー制御信号SOLRLYに応じてソレノイド電源リレー5のオンオフ状態を切替える回路である。このリレー出力回路19は、リレー制御信号SOLRLYがOFF例えばローレベルからON例えばハイレベルに遷移した時に、ソレノイド電源リレー5のコイル部を通電させてソレノイド電源リレー5をオンに切替える。CPU20は、クランクパルス入力端子26を介して入力されるクランクパルス信号PCLKと、TDCパルス入力端子27を介して入力されるTDCパルス信号PTDCを基にエンジン振動を推定し、そのエンジン振動が抑制されるようにACMのソレノイドアクチュエータを駆動するソレノイドコイル2に流れる駆動電流を制御するプロセッサである。具体的には、CPU20は、不図示の駆動電流検出回路から入力される駆動電流検出値が目標値と一致するように、第1、第2及び第3のスイッチング素子11a、11b、11cをPWM制御する第1のAND回路16に出力する第1のタイミング信号T1と第2のAND回路17に出力する第2のタイミング信号T2のデューティ比を制御する。また、詳細は後述するが、このCPU20は、電源回路13から低電圧回路用電源電圧Vccの供給を受けて起動した後、ハーフブリッジ回路11の制御を開始する前ソレノイド出力イネーブル信号SOL_ENをOFF例えばローレベルからON例えばハイレベルにセットする前に、昇圧回路12による昇圧動作を禁止した状態昇圧イネーブル信号VCHG_ENをOFF例えばローレベルにセットした状態で昇圧回路12の出力電圧つまりソレノイド駆動電圧VBOOSTを測定し、その電圧測定値が上限値より低い場合、昇圧回路12による昇圧動作を許可し昇圧イネーブル信号VCHG_ENをON例えばハイレベルにセットし、上記電圧測定値が上限値以上の場合、昇圧回路12に設けられた昇圧用コンデンサ12cの放電処理を実行する機能を有している。以下では、上記のように構成されたアクチュエータ駆動装置1の動作について、図2~図5を参照しながら詳細に説明する。図2のタイミングチャートに示すように、時刻t1にイグニションスイッチ3がオンに切替わったと想定すると、バッテリ4からIG電源端子23を介して入力されるイグニション電源電圧VIGが立上がり始め、少し遅れて電源回路13から出力される低電圧回路用電源電圧Vccが立上がり始める。なお、この時、CPU20は未だ動作停止状態にあり、リレー制御信号SOLRLYはOFF例えばローレベル、ソレノイド電源リレー5はオフ状態、ソレノイド電源電圧VIGSOL、昇圧制御用電源電圧Vcc_BO、ソレノイド駆動電圧VBOOST及びドライバ電源電圧VCHPは0Vグランドレベル、昇圧イネーブル信号VCHG_EN及びソレノイド出力イネーブル信号SOL_ENはOFF例えばローレベルである。そして、低電圧回路用電源電圧Vccが5Vに到達した後、時刻t2にCPU20は起動して所定のイニシャル処理を開始する。CPU20は、イニシャル処理が終了した時刻t3に、リレー出力回路19に出力するリレー制御信号SOLRLYをOFF例えばローレベルからON例えばハイレベルにセットする。これにより、ソレノイド電源リレー5のコイル部が通電され始め、時刻t3から一定時間遅れた時刻t4にソレノイド電源リレー5がオンに切替わる。このように、時刻t4にソレノイド電源リレー5がオンに切替わると、バッテリ4からソレノイド電源端子24を介して入力されるソレノイド電源電圧VIGSOLが立上がり始め、少し遅れて昇圧制御用電源回路12gから出力される昇圧制御用電源電圧Vcc_BOが立上がり始める。この時、昇圧イネーブル信号VCHG_ENは未だOFF例えばローレベルであり、昇圧回路12による昇圧動作が禁止された状態昇圧制御回路12hからの昇圧制御信号cntの出力が停止された状態であるため、昇圧回路12から出力されるソレノイド駆動電圧VBOOSTは、時刻t4からソレノイド電源電圧VIGSOLに連動して立上がり始め、ドライバ電源回路14から出力されるドライバ電源電圧VCHPは、昇圧制御用電源電圧Vcc_BOに連動してソレノイド駆動電圧VBOOSTから少し遅れて立上がり始める。なお、図2に示すように、昇圧回路12による昇圧動作が禁止された状態では、ソレノイド駆動電圧VBOOSTは、ソレノイド電源電圧VIGSOLと同じ12Vまで上昇し、ドライバ電源電圧VCHPは、22V=VBOOSTVcc_BO2まで上昇することになる。CPU20は、ソレノイド電源リレー5がONした時刻t4から、ソレノイド電源電圧VIGSOL、昇圧制御用電源電圧Vcc_BO、ソレノイド駆動電圧VBOOST及びドライバ電源電圧VCHPが十分な値に上昇したと推定される一定時間経過後の時刻t5に、第1次異常診断を開始する。CPU20は、この第1次異常診断中において、一定の制御周期で、図3のフローチャートで示される昇圧許可処理と、図4のフローチャートで示される起動時昇圧故障診断処理とを並列的に実行する。図3に示すように、昇圧許可処理において、CPU20は、まず、リレー制御信号SOLRLYをON例えばハイレベルにセットしたか否かを判定しステップS1、Noの場合には今回の昇圧許可処理を終了する一方、Yesの場合にはステップS2の処理に移行する。CPU20は、上記ステップS1にてYesの場合、昇圧制御用電源電圧Vcc_BOが正常か否かを判定しステップS2、Noの場合には今回の昇圧許可処理を終了する一方、Yesの場合にはステップS3の処理に移行する。なお、前述のように、CPU20には昇圧制御用電源電圧Vcc_BOが入力されており、CPU20は、上記ステップS2において、昇圧制御用電源電圧Vcc_BOをA/D変換することで測定しデジタル値を取得し、その電圧測定値が所定の正常範囲内に収まっていた場合に、昇圧制御用電源電圧Vcc_BOが正常であると判定する。CPU20は、上記ステップS2にてYesの場合、起動時昇圧故障診断処理の終了フラグが1にセットされているか否かを判定しステップS3、Noの場合には今回の昇圧許可処理を終了する一方、Yesの場合にはステップS4の処理に移行する。なお、起動時昇圧故障診断処理の終了フラグは、起動時昇圧故障診断処理が規定回数実行された後に、最終的に起動時のソレノイド駆動電圧VBOOSTが正常であると判定された場合に1にセットされ、異常と判定された場合に0にセットされるフラグである。CPU20は、上記ステップS3にてYesの場合、つまり起動時のソレノイド駆動電圧VBOOSTが正常であると判定された場合、昇圧イネーブル信号VCHG_ENをON例えばハイレベルにセットすることにより、昇圧回路12による昇圧動作を許可するステップS4。なお、CPU20は、昇圧イネーブル信号VCHG_ENをON例えばハイレベルにセットした後は、次の制御周期が到来しても昇圧許可処理を実行しない。一方、図4に示すように、起動時昇圧故障診断処理において、CPU20は、まず、起動時昇圧故障診断処理の終了フラグが1にセットされているか否かを判定しステップS11、Yesの場合にはステップS25の処理に移行する一方、Noの場合にはステップS12の処理に移行する。CPU20は、上記ステップS11にてNoの場合、昇圧回路12による昇圧動作が禁止された状態か昇圧イネーブル信号VCHG_ENがOFF例えばローレベルか否かを判定しステップS12、Noの場合はステップS25の処理に移行する一方、Yesの場合にはステップS13の処理に移行する。CPU20は、上記ステップS12にてYesの場合、起動時のソレノイド駆動電圧VBOOSTが異常か否かを判定しステップS13、Yesの場合にはステップS25の処理に移行する一方、Noの場合にはステップS14の処理に移行する。CPU20は、上記ステップS13にてNoの場合、起動時昇圧故障診断処理の実行回数カウンタの値が規定回数を越えたか否かを判定しステップS14、Yesの場合にはステップS21の処理に移行する一方、Noの場合にはステップS15の処理に移行する。CPU20は、上記ステップS14にてNoの場合、昇圧回路12による昇圧動作を禁止した状態昇圧イネーブル信号VCHG_ENをOFF例えばローレベルに維持した状態で、ソレノイド駆動電圧VBOOST及びドライバ電源電圧VCHPをA/D変換することで測定するステップS15。なお、図1に示したように、CPU20には、ソレノイド駆動電圧VBOOST及びドライバ電源電圧VCHPの抵抗分圧値が入力されるので、それらの抵抗分圧値を逆算することでソレノイド駆動電圧VBOOST及びドライバ電源電圧VCHPの測定値を得ることができる。CPU20は、上記ステップS15で得られたソレノイド駆動電圧VBOOST及びドライバ電源電圧VCHPの電圧測定値に基づいて、ドライバ電源電圧VCHPが正常か否かを判定しステップS16、Noの場合にはステップS19の処理に移行する一方、Yesの場合にはステップS17の処理に移行する。なお、ステップS16において、CPU20は、ドライバ電源電圧VCHPの電圧測定値が所定の正常範囲内に収まっていた場合に、ドライバ電源電圧VCHPが正常であると判定する。CPU20は、上記ステップS16にてYesの場合、ソレノイド駆動電圧VBOOSTの電圧測定値が上限値より低いか否かを判定しステップS17、Yesの場合にはステップS19の処理に移行する一方、Noの場合にはステップS18の処理に移行する。CPU20は、上記ステップS17にてNoの場合、つまりソレノイド駆動電圧VBOOSTの電圧測定値が上限値以上の場合前回の運転サイクル時に昇圧用コンデンサ12cが過大な電圧まで充電されたと推定される場合、昇圧用コンデンサ12cの放電処理を実行した後、ステップS20の処理に移行するステップS18。ここで、CPU20は、昇圧用コンデンサ12cの放電処理として、昇圧回路12による昇圧動作を禁止した状態昇圧イネーブル信号VCHG_ENをOFF例えばローレベルに維持した状態で、ハーフブリッジ回路11を制御してソレノイドコイル2に駆動電流を流す。より詳細には、CPU20は、ソレノイド出力イネーブル信号SOL_ENをON例えばハイレベルにセットすることで、ハーフブリッジ回路11の制御を許可する状態に切替え、第1、第2及び第3のスイッチング素子11a、11b、11cをPWM制御する第1のAND回路16に出力する第1のタイミング信号T1と第2のAND回路17に出力する第2のタイミング信号T2のデューティ比を制御する。これにより、ソレノイドコイル2に駆動電流が流れて、昇圧用コンデンサ12cに蓄積された電荷がアース側に抜かれることになる。CPU20は、上記ステップS17にてYesの場合、つまりソレノイド駆動電圧VBOOSTの電圧測定値が上限値より低い場合、昇圧用コンデンサ12cの放電処理を停止した後、ステップS20の処理に移行するステップS19。CPU20は、上記ステップS18或いはS19の終了後、起動時昇圧故障診断処理の実行回数カウンタをインクリメントしてステップS25の処理に移行するステップS20。一方、CPU20は、上記ステップS14にてYesの場合、つまり起動時昇圧故障診断処理の実行回数カウンタの値が規定回数を越えた場合、昇圧用コンデンサ12cの放電処理を停止しステップS21、ソレノイド駆動電圧VBOOSTの電圧測定値が上限値より低いか否かを判定しステップS22、Yesの場合にはステップS24の処理に移行する一方、Noの場合にはステップS23の処理に移行する。CPU20は、上記ステップS22にてNoの場合、つまり起動時昇圧故障診断処理を規定回数実行し、昇圧用コンデンサ12cの放電処理を複数回実施してもソレノイド駆動電圧VBOOSTの電圧測定値が上限値以上のままである場合、最終的に起動時のソレノイド駆動電圧VBOOSTが異常であると判断した後、ステップS25の処理に移行するステップS23。また、CPU20は、上記ステップS22にてYesの場合、つまり起動時昇圧故障診断処理を規定回数実行し、昇圧用コンデンサ12cの放電処理を複数回実施してソレノイド駆動電圧VBOOSTの電圧測定値が上限値より低くなった場合、最終的に起動時のソレノイド駆動電圧VBOOSTが正常であると判断した後、ステップS25の処理に移行するステップS24。CPU20は、上記ステップS20、S23或いはS24の終了後、最終的に起動時のソレノイド駆動電圧VBOOSTが正常であると判断したか否かを判定しステップS25、Yesの場合には起動時昇圧故障診断処理の終了フラグを1にセットして起動時昇圧故障診断処理を終了しステップS26、一方、Noの場合には何も処理せずに起動時昇圧故障診断処理を終了する。CPU20は、以上のような昇圧許可処理及び起動時昇圧故障診断処理を第1次異常診断中に実行することにより、最終的に起動時のソレノイド駆動電圧VBOOSTが正常であると判断すれば、昇圧イネーブル信号VCHG_ENをON例えばハイレベルにセットして昇圧回路12による昇圧動作を許可し、最終的に起動時のソレノイド駆動電圧VBOOSTが異常であると判断すれば、昇圧イネーブル信号VCHG_ENをOFF例えばローレベルに維持して昇圧回路12による昇圧動作の禁止状態を維持する。ここで、最終的に起動時のソレノイド駆動電圧VBOOSTが正常である場合を想定すると、図2に示すように、CPU20は、ソレノイド駆動電圧VBOOSTが正常であると判断した時刻t6に第1次異常診断を終了すると共に、昇圧イネーブル信号VCHG_ENをON例えばハイレベルにセットして昇圧回路12による昇圧動作を許可する。これにより、昇圧制御回路12hがスイッチング素子12dのPWM制御を開始する昇圧制御信号cntの出力を開始するため、時刻t6からソレノイド駆動電圧VBOOSTが目標値30Vに向かって上昇し始め、ドライバ電源電圧VCHPも40V=VBOOSTVcc_BO2に向かって上昇し始める。CPU20は、昇圧イネーブル信号VCHG_ENをON例えばハイレベルにセットした時刻t6から、ソレノイド駆動電圧VBOOST及びドライバ電源電圧VCHPが十分な値に上昇したと推定される一定時間経過後の時刻t7に、第2次異常診断を開始する。具体的には、CPU20は、この第2次異常診断中において、ドライバ電源電圧VCHP及びソレノイド駆動電圧VBOOSTが正常範囲内に収まっているか否かを判断する。そして、CPU20は、ドライバ電源電圧VCHP及びソレノイド駆動電圧VBOOSTが正常範囲内に収まっていると判断した時刻t8に第2次異常診断を終了すると共に、ソレノイド出力イネーブル信号SOL_ENをON例えばハイレベルにセットしてハーフブリッジ回路11の制御を許可する状態に切替えて駆動電流制御を開始する。具体的には、CPU20は、クランクパルス信号PCLK及びTDCパルス信号PTDCを基にエンジン振動を推定し、そのエンジン振動が抑制されるような駆動電流の目標値を決定し、不図示の駆動電流検出回路から入力される駆動電流検出値が上記目標値と一致するように、第1、第2及び第3のスイッチング素子11a、11b、11cをPWM制御する第1のAND回路16に出力する第1のタイミング信号T1と第2のAND回路17に出力する第2のタイミング信号T2のデューティ比を制御する。図5aは、ソレノイド駆動電圧VBOOSTが下限値以下の状態でCPU20が起動した時のソレノイド駆動電圧VBOOSTの変化を示している。図5bは、ソレノイド駆動電圧VBOOSTが上限値と下限値との間、つまり正常範囲内に収まっている状態でCPU20が起動した時のソレノイド駆動電圧VBOOSTの変化を示している。図5cは、ソレノイド駆動電圧VBOOSTが上限値を越えている状態でCPU20が起動した時のソレノイド駆動電圧VBOOSTの変化を示している。これらの図に示すように、どのような状態からスタートした場合であっても、ソレノイド駆動電圧VBOOSTが正常範囲内に収まれば、第1次異常診断後に昇圧回路12による昇圧動作を許可し、第2次異常診断後にハーフブリッジ回路11の制御を許可する状態に移行する。なお、ソレノイド駆動電圧VBOOSTの跳ね上がりを考慮して、制御許可後は上限値に幅を持たせることが望ましい。また、ソレノイド駆動時の電圧ドロップを考慮して、制御許可後は下限値チェックを実施しないことが望ましい。また、昇圧許可後、ソレノイド駆動電圧VBOOSTが下限値を越えない場合、昇圧不足異常と判断することが望ましい。以上のように、本実施形態によれば、ハーフブリッジ回路11の制御を開始する前に、昇圧回路12による昇圧動作を禁止した状態で昇圧回路12の出力電圧ソレノイド駆動電圧VBOOSTを測定し、その電圧測定値が上限値より低い場合に昇圧回路12による昇圧動作を許可し、その電圧測定値が上限値以上の場合に昇圧用コンデンサ12cの放電処理を実行するので、昇圧用コンデンサ12cの電圧が正常な状態でソレノイドアクチュエータの駆動制御を開始することができる。その結果、前回の運転サイクル時に昇圧用コンデンサ12cが過大な電圧まで充電された状態で今回の運転サイクルを開始した場合であっても、昇圧回路12から電圧供給を受ける回路の故障を防止することが可能となる。なお、本発明は上記実施形態に限定されず、以下のような変形例が挙げられる。1上記実施形態では、車両に搭載されたACMのソレノイドアクチュエータを駆動するアクチュエータ駆動装置1を例示して説明したが、本発明はこれに限定されず、電磁アクチュエータから逆起電流が回生される昇圧回路を備えたアクチュエータ駆動装置に広く適用することができる。2上記実施形態では、回生ダイオード11dからなる回生回路を例示したが、第1及び第2のスイッチング素子11a、11bの両方がオフの時にソレノイドコイル2の他端から出力される逆起電流を昇圧回路12に回生させることができれば、回生回路の構成はこれに限定されない。例えば、特開2008-85046号公報に記載されているような逆起電流還元回路逆起電流回生回路と同義を用いても良い。3上記実施形態では、第1のスイッチング素子11aがオフ及び第2のスイッチング素子11bがオンの時にソレノイドコイル2の他端から出力される逆起電流を、アースを介してソレノイドコイル2の一端へ還流させるために第3のスイッチング素子11cを設ける場合を例示したが、例えば、特開2008-85046号公報に記載されているような還流回路を用いても良い。