アンテナの一方の端子がトランジスタの一方の端子に接続されたセルが複数個、マトリックス状に配置されたアンテナシートと、前記トランジスタの他方の端子と接続する高周波供給回路と、前記アンテナの他方の端子と接続する電位検出回路と、前記トランジスタの制御端子に信号を送るスイッチ制御回路とを有し、前記トランジスタのチャネル形成領域が酸化物半導体でなることを特徴とする電力供給装置。請求項1において、前記アンテナはコイル状のアンテナであることを特徴とする電力供給装置。請求項1または請求項2において、前記高周波供給回路が供給する高周波の周波数は、1MHz以上であることを特徴とする電力供給装置。マトリックス状に配置された複数のセルと、高周波供給回路と、スイッチ制御回路と、電位検出回路を有し、前記セルに近接した受電装置に電力を供給する電力供給装置であって、位置検出動作により位置検出用の高周波を用いて前記受電装置が近接した前記セルを特定し、給電動作により前記特定したセルから給電用の高周波を用いて電力を供給することを特徴とする電力供給装置の駆動方法。請求項4において、前記位置検出動作の動作期間よりも、前記給電動作の動作期間が長いことを特徴とする電力供給装置の駆動方法。請求項4または請求項5において、前記位置検出用の高周波よりも、前記給電用の高周波の電力の方が大きいことを特徴とする電力供給装置の駆動方法。請求項4乃至請求項6のいずれか一項において、前記位置検出用の高周波と、前記給電用の高周波は、同じ周波数の高周波であることを特徴とする電力供給装置の駆動方法。上述の複数の給電コイル給電アンテナを有するシート状の電力供給装置は、特定の給電コイルに高周波電力以下、高周波ともいうを供給するための給電スイッチと、受電する電子機器がどの給電コイル上に配置されているかを、高周波を用いて検出するための位置検出スイッチを有している。給電スイッチには、高電圧かつ大電流を流す必要から、MEMSMicroElectroMechanicalSystem技術を用いて作製した機械式スイッチが用いられるが、動作速度が遅く、また、耐久性も悪いため長期間の使用に耐えられない問題があった。位置検出スイッチには、給電スイッチよりも高速動作が要求され、インクジェット法.などに代表される印刷法による作製が容易であることから、OFETOrganicFieldEffectTransistorが用いられている。しかしながら、OFETは駆動電圧が数十Vと大きく、位置検出動作における消費電力が大きいという問題があった。位置検出スイッチには、駆動電圧の低減と、さらなる高速動作が求められている。給電スイッチと位置検出スイッチは、異なる要求仕様を満たすため、それぞれ別に形成する必要があり、作製工程が複雑になるといった問題があった。電力を供給するための高周波と、位置を検出するための高周波で、異なる周波数を有する高周波を用いるため、電力供給用の高周波供給回路と、位置検出のための高周波供給回路をそれぞれ別に設ける必要があり、回路構成が複雑になるといった問題があった。そのため、構成部品が増え、生産性の向上やコストダウンが行いにくいという問題があった。本発明の一態様では、長期間の使用に耐え、信頼性の高い電力供給装置を提供することを目的の一とする。本発明の一態様では、生産性の良い電力供給装置を提供することを目的の一とする。本発明の一態様では、消費電力が低減された電力供給装置を提供することを目的の一とする。本明細書で開示する発明の一態様は、上記課題の少なくとも一つを解決する。本発明の一態様は、アンテナと、酸化物半導体を有するスイッチと、高周波供給回路を有する電力供給装置であって、アンテナと高周波供給回路は、酸化物半導体を有するスイッチを介して接続されていることを特徴とする電力供給装置である。本発明の一態様は、マトリックス状に配置された複数個のセルと、高周波供給回路と、スイッチ制御回路と、電位検出回路を有し、セルは、アンテナと、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを有し、アンテナの一方の電極端子は、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを介して高周波供給回路に接続され、アンテナの他方の電極端子は、電位検出回路に接続されていることを特徴とする電力供給装置である。位置検出動作により、マトリックス状に配置された複数個のセルの中から、受電装置が配置されたセルを検出し、給電動作により受電装置が配置されたセルからのみ電力を伝送することで、効率の良い電力伝送を実現する。位置検出動作と給電動作に用いる高周波は、同じ周波数の高周波を用いることができる。位置検出動作は、給電動作よりも少ない電力で行うことができる。位置検出動作と給電動作は交互に行われるが、給電動作期間を位置検出動作期間よりも長くすることが好ましい。本発明の一態様は、マトリックス状に配置された複数個の給電セルと、第1の高周波供給回路と、第2の高周波供給回路と、第1のスイッチ制御回路と、第2のスイッチ制御回路と、電位検出回路を有し、給電セルは、アンテナと、第1のスイッチと、第2のスイッチを有し、アンテナの一方の電極端子に、第1のスイッチを介して第1の高周波供給回路が接続され、第2のスイッチを介して第2の高周波供給回路が接続され、アンテナの他方の電極端子に電位検出回路が接続されていることを特徴とする電力供給装置である。第1のスイッチまたは第2のスイッチのどちらか一方、もしくは両方に、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを用いる。第1の高周波供給回路から、給電動作用の高周波が供給され、第2の高周波供給回路から、位置検出動作用の高周波が供給される。給電動作と位置検出動作で、異なる周波数の高周波を用いることで、給電動作と位置検出動作を同時に行うことができる。また、給電動作用の高周波の周波数は、位置検出動作用の高周波の周波数よりも高い周波数を用いることが好ましい。長期間の使用に耐え、信頼性の高い電力供給装置を提供することができる。消費電力が低減された電力供給装置を提供することができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。トランジスタは半導体素子の一種であり、電流や電圧の増幅や、導通または非導通を制御するスイッチング動作などを実現することができる。本明細書におけるトランジスタは、IGFETInsulatedGateFieldEffectTransistorや薄膜トランジスタTFT:ThinFilmTransistorを含む。なお、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解を簡単にするため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。なお、本明細書等において電極や配線の用語は、これらの構成要素を機能的に限定するものではない。例えば、電極は配線の一部として用いられることがあり、その逆もまた同様である。さらに、電極や配線の用語は、複数の電極や配線が一体となって形成されている場合なども含む。なお、本明細書等において接続の用語は、直接接している場合のみでなく、その目的または機能が損なわれない範囲において、間接的に接している場合を含む。なお、本明細書等における第1、第2、第3などの序数は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。なお、本明細書等において、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造や動作条件などによって互いに入れ替わるため、いずれがソースまたはドレインであるかを限定することが困難である。このため、本明細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一形態である電力供給装置の一例について図1を用いて説明する。図1Aに示す電力供給装置100は、給電スイッチ制御回路111、高周波供給回路112、及び少なくとも一つの給電セル101を有している。給電セル101は、給電アンテナ102と、給電スイッチ103を有している。給電スイッチ103には、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを用いる。給電スイッチ103は、給電アンテナ102への高周波の供給を制御するためのスイッチとして機能する。給電スイッチ103のソース電極またはドレイン電極の一方の電極端子は配線106に接続されており、給電スイッチ103のゲート電極制御端子は、配線105に接続されている。また、給電スイッチ103のソース電極またはドレイン電極の他方の電極端子は、給電アンテナ102の一方の電極端子と接続されており、給電アンテナ102の他方の電極端子は、配線104に接続されている。本実施の形態では、給電アンテナ102の形状としてコイル状のものを示すが、給電アンテナ102の形状はこれに限定されず、電力の供給に用いる高周波の周波数を考慮して適宜設定すれば良い。コイル状のアンテナ以外にも、モノポールアンテナ、ダイポールアンテナ、パッチアンテナなどを用いることができる。配線104には、共通電位やグラウンド電位が与えられるが、任意の電位を与えることもできる。また、配線104を他の回路に接続する構成としても良い。配線105は、給電スイッチ制御回路111に接続され、給電スイッチ制御回路111から、給電スイッチ103をオン状態またはオフ状態とするための信号電位を、給電スイッチ103の制御端子に送る。高周波供給回路112は、高周波を発生する高周波電源を有し、配線106及び給電スイッチ103を介して給電アンテナ102に高周波を供給する。図1Bに示す受電装置120は、受電回路121と整流回路125を有している。受電回路121は、受電アンテナ122と共振容量123を有し、LC並列共振回路を構成している。また、受電アンテナ122は配線124に接続されている。配線124には、共通電位やグラウンド電位が与えられるが、任意の電位を与えることもできる。また、配線124を他の回路に接続する構成としても良い。整流回路125は、整流素子126と平滑容量127を有している。高周波供給回路112が供給する高周波の周波数は、特定の周波数に限定されず、例えばサブミリ波である300GHz以上3THz未満、ミリ波である30GHz以上300GHz未満、マイクロ波である3GHz以上30GHz未満、極超短波である300MHz以上3GHz未満、超短波である30MHz以上300MHz未満、短波である3MHz以上30MHz未満、中波である300kHz以上3MHz未満、長波である30kHz以上300kHz未満、及び超長波である3kHz以上30kHz未満のいずれの周波数も用いることができる。ここで、電力供給装置100から受電装置120への無接点での電力供給について説明する。電力供給装置100から受電装置120への電力供給方式は、電磁結合方式又は電磁誘導方式により行うことができる。すなわち、電界密度の変化による電磁誘導現象を利用することで、電気的な接点を用いずに給電を行う。具体的には、まず、高周波供給回路112から配線106に高周波例えば、13.56MHzを供給する。続いて、給電スイッチ制御回路111から、配線105を介して給電スイッチ103の制御端子に給電スイッチ103をオン状態とする信号が送られると、給電スイッチ103がオン状態となり、給電アンテナ102に高周波が供給される。給電アンテナ102に高周波が供給されると、給電アンテナ102から、高周波の周波数に応じて密度が変化する磁界が発せられる。給電アンテナ102が発する磁界の変化は、受電回路121が有する受電アンテナ122に誘導電流を生じさせる。このようにして、電力供給装置100から受電装置120へ電力を供給することができる。また、受電回路121は、受電アンテナ122と共振容量123を組み合わせたLC並列共振回路を有しており、特定周波数の電力のみを受け取ることができる。特定周波数は、受電アンテナ122のインダクタンスと共振容量123のコンダクタンスにより決定される。異なる周波数を有する複数の磁界を同時に受信すると、電磁誘導現象が生じにくくなるため、特定周波数の電力のみを受け取ることで、効率よく電力を受け取ることができる。なお、受電回路121が受け取る電力は交流であるが、整流回路125により直流に変換することができる。直流に変換する必要が無い場合は、整流回路125を特に設けなくてもよい。電力供給方式は、電磁結合方式、電磁誘導方式以外にも、マイクロ波方式等を用いることができる。電力供給方式は、実施者が適宜使用用途を考慮して選択すればよい。本実施の形態では、給電スイッチに、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを用いる。酸化物半導体のバンドギャップは3eV以上あり、シリコンやゲルマニウムなどに比べて充分広いため、大電流を流した場合であっても、ホットキャリア劣化が起きにくく、大きな電力を供給することが可能となる。また、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは機械的な接点を有しないため、耐久性に優れ、長期間の使用に耐える信頼性の高い電力供給装置を提供することができる。また、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、チャネル幅1μmあたりのオフ電流値を室温下において10aA/μm1×10-17A/μm以下にすること、さらには、1aA/μm1×10-18A/μm以下、さらには1zA/μm1×10-21A/μm以下、さらには1yA/μm1×10-24A/μm以下にすることが可能である。従って、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを給電スイッチに用いることで、給電アンテナ102への不必要な高周波の出力を防ぐことができる。給電スイッチとして、チャネル形成領域にシリコンSi、ゲルマニウムGe、シリコンカーバイトSiCなどの無機半導体を用いたトランジスタを用いることも可能であるが、劣化が起きにくく、大電流の供給と、少ないオフ電流を同時に実現できる酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを用いることが望ましい。この様に、電力供給装置100が有する給電スイッチに、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを用いることで、大きな電力を供給することが可能で、消費電力の少ない、長期間の使用に耐える信頼性の高い電力供給装置を提供することができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態2本実施の形態では、本発明の一形態である電力供給装置に用いることができる、位置検出装置について説明する。位置検出装置を用いることで、受電装置の有無を検出することができる。図2に示す位置検出装置200は、位置検出スイッチ制御回路211、高周波供給回路212、及び少なくとも一つの位置検出セル201を有している。位置検出セル201は、位置検出アンテナ202と、位置検出スイッチ203を有している。位置検出スイッチ203には、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを用いる。位置検出スイッチ203は、位置検出アンテナ202への高周波の供給を制御するためのスイッチとして機能する。位置検出スイッチ203のソース電極またはドレイン電極の一方の電極端子は配線206に接続されており、位置検出スイッチ203のゲート電極制御端子は、配線205に接続されている。また、位置検出スイッチ203のソース電極またはドレイン電極の他方の電極端子は、位置検出アンテナ202の一方の電極端子と接続されており、位置検出アンテナ202の他方の電極端子は、電位検出回路213に接続されている。本実施の形態では、位置検出アンテナ202の形状としてコイル状のものを示すが、位置検出アンテナ202の形状はこれに限定されず、電力の供給に用いる高周波の周波数を考慮して適宜設定すれば良い。コイル状のアンテナ以外にも、モノポールアンテナ、ダイポールアンテナ、パッチアンテナなどを用いることができる。配線205は、位置検出スイッチ制御回路211に接続され、位置検出スイッチ制御回路211から、位置検出スイッチ203をオン状態またはオフ状態とするための信号電位を、位置検出スイッチ203の制御端子に送る。高周波供給回路212は、高周波を発生する高周波電源を有し、配線206及び位置検出スイッチ203を介して位置検出アンテナ202に高周波を供給する。高周波供給回路212が供給する高周波の周波数は、特定の周波数に限定されず、例えばサブミリ波である300GHz以上3THz未満、ミリ波である30GHz以上300GHz未満、マイクロ波である3GHz以上30GHz未満、極超短波である300MHz以上3GHz未満、超短波である30MHz以上300MHz未満、短波である3MHz以上30MHz未満、中波である300kHz以上3MHz未満、長波である30kHz以上300kHz未満、及び超長波である3kHz以上30kHz未満のいずれの周波数も用いることができる。続いて、位置検出装置200による受電装置120の検出方法について説明する。位置検出装置200による受電装置120の検出は、位置検出装置200に受電装置120が近接した時に生じる、位置検出セル201のインピーダンスの変化を、電位の変化として検出することで行う。具体的には、まず、対象となる位置検出セル201に受電装置120が配置されていない状態で、高周波供給回路212から配線206に高周波例えば、3.5MHzを供給し、位置検出スイッチ制御回路211から、配線205を介して位置検出スイッチ203の制御端子に位置検出スイッチ203をオン状態とする信号が送られると、位置検出スイッチ203がオン状態となり、位置検出アンテナ202に高周波が供給される。この時のノード207の電位を、電位検出回路213で検出し、記憶しておく。対象となる位置検出セル201に受電装置120が近づくと、受電装置120が有する受電アンテナ122の影響により、位置検出アンテナ202の見かけ上のインダクタンスが変化する。すなわち、位置検出セル201のインピーダンスが変化するため、ノード207の電位も変化する。ノード207の電位を、先に記憶した電位と比較することで、対象となる位置検出セル201に受電装置120が配置されているかどうかを判断することができる。位置検出セル201のインピーダンスは、位置検出に用いる高周波の周波数が高いほど大きくなるため、ノード207の電位変化も大きくなる。すなわち、位置検出に用いる高周波の周波数が高いほど、感度良く位置検出を行うことができる。位置検出に用いる高周波の周波数は、好ましくは1MHz以上、さらに好ましくは3MHz以上、より好ましくは5MHz以上である。より高い周波数の高周波を用いることで、素早く正確な位置検出を行うことができる。従来位置検出スイッチとして用いられていたOFETは、MEMSスイッチより動作速度が速いものの、5MHzより高い周波数の高周波を位置検出に用いることが難しかった。酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、OFETよりも電界効果移動度が高く、動作速度が速いため、位置検出スイッチに酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを用いることで、より高い周波数の高周波を位置検出に用いることができる。また、酸化物半導体のバンドギャップは3eV以上あり、シリコンやゲルマニウムなどに比べて充分広いため、ホットキャリア劣化が起きにくく、長期間の使用に耐える信頼性の高い位置検出装置を提供することができる。また、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、チャネル幅1μmあたりのオフ電流値を室温下において10aA/μm1×10-17A/μm以下にすること、さらには、1aA/μm1×10-18A/μm以下、さらには1zA/μm1×10-21A/μm以下、さらには1yA/μm1×10-24A/μm以下にすることが可能である。従って、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを位置検出スイッチに用いることで、位置検出アンテナ202への不必要な高周波の出力を防ぐことができる。位置検出スイッチ203として、チャネル形成領域にシリコンSi、ゲルマニウムGe、シリコンカーバイトSiCなどの無機半導体を用いたトランジスタを用いることも可能であるが、劣化が起きにくく、動作速度が速く、少ないオフ電流を同時に実現できる酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを用いることが望ましい。この様に、位置検出装置200が有する位置検出スイッチ203に、OFETに替えて酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを用いることで、位置検出に用いる高周波の周波数を高くすることができるため、素早く正確な位置検出を実現し、消費電力の少ない、長期間の使用に耐える信頼性の高い電力供給装置を提供することができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態3本実施の形態では、実施の形態1と実施の形態2で説明した、給電スイッチと位置検出スイッチを、マトリックス状に配置する例について説明する。給電セルと位置検出セルのどちらか一方または両方をマトリックス状に配置することで、アンテナシートを形成することができる。ここではまず、図3を用いて、従来の電力供給装置500の構成及びその動作について説明しておく。図3Aに示す従来の電力供給装置500は、給電セル501、第1の高周波供給回路506、第2の高周波供給回路508、給電スイッチ制御回路511、位置検出スイッチ制御回路512、及び電位検出回路510を有している。給電セル501は、コイル状のアンテナ502を給電と位置検出で共用とし、アンテナ502の一方の電極に、給電スイッチ505を介して給電のための第1の高周波供給回路506を接続し、また、位置検出スイッチ507を介して位置検出のための第2の高周波供給回路508が接続されている。給電スイッチ505にはMEMSスイッチが用いられ、位置検出スイッチ507にはOFETが用いられている。アンテナ502の他方の電極は、電位検出回路510に接続されている。また、アンテナ502と容量素子503が並列に接続されている。図3Bは、電位検出回路510の一例であり、抵抗素子522と容量素子523を有し、また、抵抗素子522と容量素子523を並列接続とした例について示している。給電スイッチ505のオンオフ動作は、給電スイッチ制御回路511により制御される。位置検出スイッチ507のオンオフ動作は、位置検出スイッチ制御回路512により制御される。第1の高周波供給回路506及び第2の高周波供給回路508は、それぞれ高周波を発生する高周波電源を有し、給電スイッチ505または位置検出スイッチ507を介してアンテナ502に高周波を供給する。第1の高周波供給回路506が供給する高周波の周波数と、第2の高周波供給回路508が供給する高周波の周波数は、それぞれ異なる周波数が用いられる。第1の高周波供給回路506からは、給電用の周波数例えば、13.56MHzを有する高周波が供給され、第2の高周波供給回路508からは、位置検出用の周波数例えば、3.5MHzを有する高周波が供給される。異なる周波数の高周波を用いることで、給電と位置検出を同時に行う。例えば、給電動作中に位置検出が行われると、給電スイッチ505と位置検出スイッチ507が同時にオン状態となり、ノード520には周波数13.56MHzと3.5MHzの高周波が重畳された高周波が与えられる。そこで、アンテナ502に容量素子503を並列接続し、LC並列共振回路を構成することで、2つの高周波が重畳された高周波から周波数13.56MHzの高周波を取り出し、給電のために用いる。また、電位検出回路510が有する抵抗素子522に容量素子523を並列接続し、電位530もしくは、ノード521の電位を検出することで、周波数3.5MHzの高周波の電位変化を検出する。図4は、図3Aで示した給電セル501を、マトリックス状に配置した従来例を示している。図4では16個の給電セル501を4行4列のマトリックス状に配置した電力供給装置500を示している。図4において、1行目の全ての給電セル501が有する位置検出スイッチ507のゲート電極は、WP-1に接続されている。また、1行目の全ての給電セル501が有する給電スイッチ505のゲート電極は、WS-1に接続されている。また、1列目の全ての給電セル501が有する位置検出スイッチ507のソース電極またはドレイン電極の一方は、BP-1に接続されている。また、1列目の全ての給電セル501が有する給電スイッチ505のソース電極またはドレイン電極の一方は、BS-1に接続されている。また、1列目の全ての給電セル501が有するアンテナ502の、位置検出スイッチ507及び給電スイッチ505と接続していない側の電極は、SL-1に接続されている。このようにして、図4では、4行4列のマトリックス状に配置された16個の給電セル501が、WP-1乃至WP-4、WS-1乃至WS-4、BP-1乃至BP-4、BS-1乃至BS-4、及びSL-1乃至SL-4に接続している。また、WP-1乃至WP-4は位置検出スイッチ制御回路512に接続され、WS-1乃至WS-4は給電スイッチ制御回路511に接続され、BP-1乃至BP-4は第2の高周波供給回路508に接続され、BS-1乃至BS-4は第1の高周波供給回路506に接続され、SL-1乃至SL-4は電位検出回路510に接続されている。給電セル501に近接した受電装置120の有無は、以下の動作により検出することができる位置検出動作。まず、WP-2乃至WP-4に位置検出スイッチ507をオフ状態とする電位を供給し、WP-1に位置検出スイッチ507をオン状態とする電位を供給し、BS-1乃至BS-4に位置検出用の周波数例えば、3.5MHzを有する高周波を供給し、SL-1乃至SL-4の電位をそれぞれ検出する。続いて、WP-1、WP-3、及びWP-4に、位置検出スイッチ507をオフ状態とする電位を供給し、WP-2に位置検出スイッチ507をオン状態とする電位を供給し、BS-1乃至BS-4に位置検出用の周波数例えば、3.5MHzを有する高周波を供給し、SL-1乃至SL-4の電位をそれぞれ検出する。このようにして、WP-1乃至WP-4を順に選択することで、受電装置120が近接している給電セル501の位置を特定することができる。そして、位置が特定された給電セル501の給電スイッチ505をオン状態とし、第1の高周波供給回路506から給電用の周波数例えば、13.56MHzを有する高周波を供給する給電動作。また、位置検出動作により、給電動作中のセルから受電装置120が離されたと判断された場合は、給電スイッチ505をオフ状態とし、第1の高周波供給回路506から当該給電セル501への給電用の高周波の供給を停止する。このようにして、位置検出動作と給電動作を行う。給電スイッチ505と、位置検出スイッチ507に、それぞれ酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを適用することで、消費電力が少なく、位置検出感度に優れ、信頼性の高い電力供給装置を提供することができる。実施の形態1で説明したように、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタはオフ電流が極めて少なく、大電流を流した場合であっても、ホットキャリア劣化が起きにくい。また、機械的な接点を有しないため、給電スイッチ505を、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタで置き換えることで、消費電力が少なく、大きな電力を供給することを可能とし、また、長期間の使用に耐える信頼性の高い電力供給装置を提供することができる。また、実施の形態2で説明したように、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタはOFETよりも電界効果移動度が高く、動作速度が速いため、位置検出スイッチ507を、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタで置き換えることで、位置検出により高い周波数の高周波を用いることができ、素早く正確な位置検出を提供することができる。酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、OFETよりも電界効果移動度が高いため動作速度が速く、給電セルの数が多くても、受電装置120が配置された給電セル501の特定を素早く行うことができる。また、より高い周波数を有する高周波を位置検出に用いることができるため、より正確な位置検出を提供することができる。ただし、給電用の周波数と、位置検出用の周波数に同じ周波数の高周波を用いると、給電動作と位置検出動作を同時に行うことができないため、給電用の周波数と、位置検出用の周波数は、異なる周波数を用いる必要がある。また、位置検出用の高周波の周波数は、給電用の周波数よりも低い周波数とすることが好ましい。続いて、図5を用いて、給電スイッチと位置検出スイッチに共通のトランジスタを用いて、給電セルが有するスイッチを1つとして給電と位置検出の機能を提供する構成について説明する。図5に示すセル301は、実施の形態1で説明した給電セル101と同様の構成を有しており、また、実施の形態2で説明した位置検出セルとしても機能する。すなわち、図5におけるアンテナ302は、給電アンテナとしても、位置検出アンテナとしても機能する。また、スイッチ303は、給電スイッチとしても、位置検出スイッチとしても機能する。図5では16個のセル301を4行4列のマトリックス状に配置した電力供給装置300を示しているが、セル301の個数や、配置形式はこれに限定されず、実施者が適宜使用用途を考慮して決めることができる。図5において、1行目の全てのセル301が有するスイッチ303のゲート電極は、WL-1に接続されている。また、1列目の全てのセル301が有するスイッチ303のソース電極またはドレイン電極の一方は、BL-1に接続されている。また、1列目の全てのセル301が有するアンテナ302の、スイッチ303と接続していない側の電極は、SL-1に接続されている。ここでは、WL-1は実施の形態1で説明した配線105に相当し、BL-1は配線106に相当し、SL-1は配線104に相当する図1A参照。このようにして、図5では、4行4列のマトリックス状に配置された16個のセル301が、WL-1乃至WL-4、BL-1乃至BL-4、SL-1乃至SL-4に接続している。また、WL-1乃至WL-4はスイッチ制御回路311に接続され、BL-1乃至BL-4は高周波供給回路308に接続され、SL-1乃至SL-4は電位検出回路310に接続されている。高周波供給回路308は、高周波を発生する高周波電源を有し、スイッチ303を介してアンテナ302に高周波を供給する。給電動作における電力供給装置300から受電装置120への給電は、全てのセル301から同時に行わず、受電装置120が近接されたセル301からのみ行う。ただし、近接する受電装置120の数や構成によっては、複数のセル301もしくは全てのセル301から給電しても構わない。受電装置120が近接されていないセル301からの給電を制限することで、不必要な給電を減らすことができるため、電力供給装置全体の消費電力を下げ、効率良く給電を行うことができる。酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、消費電力が少なく、大きな電力を供給することが可能であり、ホットキャリア劣化が起きにくい信頼性の高いトランジスタである。加えて、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、OFETよりも電界効果移動度が高く、動作速度が速い。酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを用いることで、給電スイッチと位置検出スイッチを1つのトランジスタで兼ねることができる。さらに、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、5MHz以上の周波数を有する高周波を位置検出に用いることができる。このため、消費電力が低く、信頼性が高いことに加え、位置検出用と給電用に、同じ周波数の高周波を用いることも可能となる。このため、従来位置検出用と給電用にそれぞれ設ける必要があった高周波供給回路を、1つの高周波供給回路とすることができる。また、位置検出用と給電用にそれぞれ設ける必要があったスイッチ制御回路を、1つのスイッチ制御回路とすることができる。さらに、1つの周波数の高周波で位置検出と給電を行うことができるため、容量素子を用いた高周波の分離が不要となる。このため、図3で説明した容量素子503及び容量素子523を不要とすることができる。ただし、ノイズ成分除去等の目的のため、容量素子を付加する場合はこれに限らない。1つの周波数の高周波で位置検出動作と給電動作を行う場合は、位置検出動作中に給電動作を停止させる必要がある。図5に示す構成では、例えば2列目の全ての給電セルが有するアンテナ302は、全てSL-2に接続されているため、2列目のどれかの給電セル上に受電装置が配置されていると、見かけ上全ての2列目の給電セルに受電装置が配置されているように検出されてしまう。このため、給電スイッチと位置検出スイッチを1つのトランジスタで兼ねる構成とする場合は、位置検出動作と給電動作を交互に行う必要がある。位置検出動作は、以下の様に行う。まず、スイッチ制御回路311から、WL-2乃至WL-4にスイッチ303をオフ状態とする信号を供給し、WL-1にスイッチ303をオン状態とする信号を供給し、BL-1乃至BL-4に特定周波数例えば13.56MHzの高周波を高周波供給回路308から供給し、SL-1乃至SL-4の電位を検出する。続いて、スイッチ制御回路311から、WL-1、WL-3、及びWL-4に、スイッチ303をオフ状態とする信号を供給し、WL-2にスイッチ303をオン状態とする信号を供給し、BL-1乃至BL-4に特定周波数例えば13.56MHzの高周波を高周波供給回路308から供給し、SL-1乃至SL-4の電位を検出する。このようにして、WL-1乃至WL-4を順に走査することで、受電装置120が配置されたセル301の位置を特定することができる。なお、位置検出動作は、給電動作のように電力を供給するための動作ではなく、また、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを用いることにより、位置検出のための周波数を高くすることができるため、給電動作に用いる電力よりも少ない電力で位置検出動作を行うことができる。すなわち、消費電力の少ない電力供給装置を提供することができる。次いで、給電動作を行う。給電動作は、まず、位置検出動作によって検出された、受電装置120が配置されているセル301に高周波供給回路308から給電用の高周波を供給する。次に、スイッチ制御回路311から、該セル301が有するスイッチ303の制御端子に、スイッチ303がオン状態となる信号を供給すると、アンテナ302に給電用の高周波が供給され、受電装置120に電力を供給することができる。スイッチ303に酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを用いることで、素早く正確な位置検出動作が可能となり、位置検出動作期間、すなわち、給電動作の中断期間を短くすることが可能となる。給電動作期間は、位置検出動作期間よりも長いことが好ましい。また、給電動作期間を位置検出動作期間の5倍以上、好ましくは10倍以上とすると、実質的に給電動作の中断が無いものとみなせるため、さらに好ましい。このように、給電スイッチと位置検出スイッチを1つの酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタで兼ねることにより、回路構成が簡単になり、部品点数を削減することができ、生産性の良い電力供給装置を提供することができる。また、位置検出及び給電を行うセルの占有面積を小さくすることができるため、複数のセルを高密度に配置することができ、位置検出における空間分解能を高めることができる。また、消費電力が少なく、長期間の使用に耐える信頼性の高い電力供給装置を提供することができる。実施の形態4本実施の形態では、本明細書に開示する電力供給装置に適用できるトランジスタの例を示す。本明細書に開示する電力供給装置に適用できるトランジスタの構造は特に限定されず、例えばトップゲート構造、又はボトムゲート構造のスタガ型及びプレーナ型などを用いることができる。また、トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、二つ形成されるダブルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。なお、図6A乃至D、及び図7にトランジスタの断面構造の一例を示す。本発明の一態様は、これらのトランジスタのゲート電極と対向し、ゲート絶縁層、チャネル形成領域となる半導体層、絶縁層を介して形成された導電層をバックゲート電極として用いることを特徴としている。図6A乃至D、及び図7に示すトランジスタは、チャネル形成領域となる半導体層に酸化物半導体を用いるものである。酸化物半導体を用いることのメリットは、高い移動度と低いオフ電流が得られることであるが、目的や用途によって他の半導体を用いてもよい。図6Aに示すトランジスタ2410は、ボトムゲート構造のトランジスタの一つであり、逆スタガ型トランジスタともいう。トランジスタ2410は、絶縁表面を有する基板2400上に、ゲート電極層2401、ゲート絶縁層2402、酸化物半導体層2403、ソース電極層2405a、及びドレイン電極層2405bを含む。また、これらを覆う様に絶縁層2407及び保護絶縁層2409が形成されている。なお、図7に示すようにトランジスタ2410の絶縁層2407または保護絶縁層2409の上に、チャネル形成領域と重なる様に導電層2412を形成しても良い。この導電層2412はバックゲートとして作用させることができる。バックゲートの電位を変化させることで、トランジスタのしきい値電圧を変化させることができる。トップゲート構造を除く以下の構造についても同様な構成とすることができる。図6Bに示すトランジスタ2420は、チャネル保護型と呼ばれるボトムゲート構造の一つであり逆スタガ型トランジスタともいう。トランジスタ2420は、絶縁表面を有する基板2400上に、ゲート電極層2401、ゲート絶縁層2402、酸化物半導体層2403、酸化物半導体層2403のチャネル形成領域を覆うチャネル保護層として機能する絶縁層2427、ソース電極層2405a、及びドレイン電極層2405bを含む。また、これらを覆う様に保護絶縁層2409が形成されている。図6Cに示すトランジスタ2430はボトムゲート型のトランジスタであり、絶縁表面を有する基板である基板2400上に、ゲート電極層2401、ゲート絶縁層2402、ソース電極層2405a、ドレイン電極層2405b、及び酸化物半導体層2403を含む。また、これらを覆う様に絶縁層2407及び保護絶縁層2409が形成されている。トランジスタ2430においては、ゲート絶縁層2402は基板2400及びゲート電極層2401上に接して設けられ、ゲート絶縁層2402上にソース電極層2405a、ドレイン電極層2405bが接して設けられている。そして、ゲート絶縁層2402、及びソース電極層2405a、ドレイン電極層2405b上に酸化物半導体層2403が設けられている。図6Dに示すトランジスタ2440は、トップゲート構造のトランジスタの一つである。トランジスタ2440は、絶縁表面を有する基板2400上に、絶縁層2437、酸化物半導体層2403、ソース電極層2405a、及びドレイン電極層2405b、ゲート絶縁層2402、ゲート電極層2401を含み、ソース電極層2405a、ドレイン電極層2405bにそれぞれ配線層2436a、配線層2436bが接続している。この構造にバックゲートを設けるには、酸化物半導体層2403を形成する前に導電層と絶縁層をチャネル形成領域と重なる領域に形成しておく。本実施の形態では、上述のとおり、チャネルが形成される半導体層に酸化物半導体層2403を用いる。酸化物半導体層2403に用いる酸化物半導体材料としては、四元系金属酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn-O系や、三元系金属酸化物であるIn-Ga-Zn-O系、In-Sn-Zn-O系、In-Al-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系、Al-Ga-Zn-O系、Sn-Al-Zn-O系や、二元系金属酸化物であるIn-Zn-O系、Sn-Zn-O系、Al-Zn-O系、Zn-Mg-O系、Sn-Mg-O系、In-Mg-O系、In-Ga-O系や、一元系金属酸化物であるIn-O系、Sn-O系、Zn-O系などを用いることができる。また、上記酸化物半導体にSiO2を含んでもよい。ここで、例えば、In-Ga-Zn-O系酸化物半導体とは、少なくともInとGaとZnを含む酸化物のことであり、その組成比に特に制限はない。また、InとGaとZn以外の元素を含んでもよい。また、酸化物半導体層2403は、化学式InMO3ZnOmm>0で表記される薄膜を用いることができる。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoから選ばれた一つ、または複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、またはGa及びCoなどがある。酸化物半導体層2403をチャネルが形成される半導体層として用いたトランジスタ2410、2420、2430、2440は、オフ状態における電流値オフ電流値を低くすることができる。よって、消費電力を抑制する効果を奏する。また、酸化物半導体層2403をチャネルが形成される半導体層として用いたトランジスタ2410、2420、2430、2440は、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。従って、スイッチ303が形成される基板と同一の基板上に、電位検出回路310、スイッチ制御回路311、高周波供給回路308などの高速駆動を要する駆動回路を作製することができるため、部品点数を削減することができる。基板2400には、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板の他、結晶化ガラス基板などを用いることができる。また、基板2400として、可撓性基板フレキシブル基板を用いてもよい。可撓性基板を用いる場合、可撓性基板上に、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを直接作製してもよいし、他の作製基板に、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを作製し、その後、作製基板からトランジスタを剥離し、可撓性基板に転置してもよい。なお、作製基板からトランジスタを剥離し、可撓性基板に転置するために、作製基板と、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタとの間に、剥離層を設けるとよい。可撓性を有する電力供給装置を作製するには、可撓性基板上に酸化物半導体層2403をチャネル形成領域に用いたトランジスタを直接作製してもよいし、他の作製基板に酸化物半導体層2403をチャネル形成領域に用いたトランジスタを作製し、その後、作製基板からトランジスタを剥離し、可撓性基板に転置してもよい。なお、作製基板からトランジスタを剥離し、可撓性基板に転置するために、作製基板と、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタとの間に、剥離層を設けるとよい。ボトムゲート構造のトランジスタ2410、2420、2430においては、下地層となる絶縁層を基板とゲート電極層の間に設けてもよい。下地層は、基板からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン層、酸化シリコン層、窒化酸化シリコン層、又は酸化窒化シリコン層から選ばれた一つ、又は複数の層による積層構造により形成することができる。また、下地絶縁層に、塩素、フッ素などのハロゲン元素を含ませることで、基板2400からの不純物元素の拡散を防止する機能をさらに高めることができる。下地絶縁層中に含ませるハロゲン元素の濃度は、SIMS二次イオン質量分析計を用いた分析により得られる濃度ピークにおいて、1×1015/cm3以上1×1020/cm3以下とすればよい。ゲート電極層2401には、モリブデンMo、チタンTi、クロムCr、タンタルTa、タングステンW、アルミニウムAl、銅Cu、ネオジムNd、スカンジウムSc、マクネシウムMg等の金属材料、またはこれらを主成分とする合金材料を用いることができる。また、ゲート電極層2401は単層に限らず異なる層の積層でも良い。ゲート絶縁層2402には、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、ハフニウムシリケートHfSixOyx>0、y>0、窒素が添加されたハフニウムシリケートHfSixOyNzx>0、y>0、z>0、窒素が添加されたハフニウムアルミネートHfAlxOyNzx>0、y>0、z>0等を用いることができ、プラズマCVD法やスパッタ法等で形成することができる。また、ゲート絶縁層2402は単層に限らず異なる層の積層でも良い。例えば、プラズマCVD法により第1のゲート絶縁層として窒化シリコン層SiNyy>0を形成し、第1のゲート絶縁層上に第2のゲート絶縁層として酸化シリコン層SiOxx>0を積層して、ゲート絶縁層としても良い。ソース電極層2405a、ドレイン電極層2405bに用いる導電層としては、例えば、Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、W、Mgから選ばれた元素、またはこれらの元素を含む合金等を用いることができる。また、Al、Cuなどの金属層の下側又は上側の一方または双方にTi、Mo、Wなどの高融点金属層を積層させた構成としても良い。また、アルミニウム層に生ずるヒロックやウィスカー等の発生を防止する元素Si、NdまたはScなどが添加されているアルミニウム材料を用いることで耐熱性を向上させることが可能となる。また、ソース電極層2405a、ドレイン電極層2405bに接続する配線層2436a、配線層2436bなどの導電層も、ソース電極層2405a、ドレイン電極層2405bと同様な材料を用いて形成することができる。また、ソース電極層2405a、ドレイン電極層2405bこれと同じ層で形成される配線層を含むとなる導電層としては導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウムIn2O3、酸化スズSnO2、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム酸化スズ合金In2O3―SnO2、ITOと略記する、酸化インジウム酸化亜鉛合金In2O3―ZnOまたはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。絶縁層2407、2427、2437は、代表的には酸化シリコン層、酸化窒化シリコン層、酸化アルミニウム層、または酸化窒化アルミニウム層などの無機絶縁層を用いることができる。保護絶縁層2409は、窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、窒化アルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層などの無機絶縁層を用いることができる。また、トランジスタの構造に起因する表面凹凸を低減するために保護絶縁層2409上に平坦化絶縁層を形成してもよい。平坦化絶縁層としては、ポリイミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料low-k材料等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁層を複数積層させることで、平坦化絶縁層を形成してもよい。このように、本実施の形態において、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを用いることにより、高機能な電力供給装置を提供することができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態5本実施の形態は、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタ、及び作製方法の一例を図面を用いて詳細に説明する。図8A乃至図8Eにトランジスタの断面構造の一例を示す。図8A乃至図8Eに示すトランジスタ2510は、図6Aに示すトランジスタ2410と同様なボトムゲート構造の逆スタガ型トランジスタである。本実施の形態の半導体層に用いる酸化物半導体は、ドナーとなる性質を持つ水素を酸化物半導体から極力除去し、酸化物半導体の主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することによりi型真性の酸化物半導体、又はi型真性に限りなく近い酸化物半導体としたものである。すなわち、不純物を添加してi型化するのでなく、水素や水等の不純物を極力除去したことにより、高純度化されたi型真性又はそれに近づけることを特徴としている。従って、トランジスタ2510が有するチャネル形成領域に用いられる酸化物半導体層は、高純度化され電気的にi型真性化した酸化物半導体層である。また、高純度化された酸化物半導体中にはキャリアが極めて少なくゼロに近い、キャリア密度は1×1014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3未満、さらに好ましくは1×1011/cm3未満である。酸化物半導体中にキャリアが極めて少ないため、トランジスタのオフ電流を少なくすることができる。オフ電流は少なければ少ないほど好ましい。具体的には、上述の酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、チャネル幅1μmあたりのオフ電流値を室温下において10aA/μm1×10-17A/μm以下にすること、さらには、1aA/μm1×10-18A/μm以下、さらには1zA/μm1×10-21A/μm以下、さらには1yA/μm1×10-24A/μm以下にすることが可能である。また、上述の酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタ2510は、オン電流の温度依存性がほとんど見られず、オフ電流の変化も非常に小さい。以下、図8A乃至図8Eを用い、基板2505上にトランジスタ2510を作製する工程を説明する。まず、絶縁表面を有する基板2505上に導電層を形成した後、第1のフォトリソグラフィ工程とエッチング工程でゲート電極層2511を形成する。なお、レジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。絶縁表面を有する基板2505は、実施の形態4に示した基板2400と同様な基板を用いることができる。本実施の形態では基板2505としてガラス基板を用いる。下地層となる絶縁層を基板2505とゲート電極層2511との間に設けてもよい。下地層は、基板2505からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン層、酸化シリコン層、窒化酸化シリコン層、又は酸化窒化シリコン層から選ばれた一つ、又は複数の層による積層構造により形成することができる。また、ゲート電極層2511には、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム、マグネシウム等の金属材料、又はこれらを主成分とする合金材料を用いることができる。また、ゲート電極層2511は単層に限らず異なる層の積層でも良い。次いで、ゲート電極層2511上にゲート絶縁層2507を形成する。ゲート絶縁層2507には、CVD法やスパッタリング法等を用いて得られる酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、ハフニウムシリケートHfSixOyx>0、y>0、窒素が添加されたハフニウムシリケートHfSixOyNzx>0、y>0、z>0、窒素が添加されたハフニウムアルミネートHfAlxOyNzx>0、y>0、z>0等を含む膜の単層構造または積層構造とすると良い。また、ゲート絶縁層2507の厚さは、例えば、1nm以上200nm以下、好ましくは10nm以上100nm以下とすることができる。本実施の形態の酸化物半導体は、不純物が除去され、i型化又は実質的にi型化された酸化物半導体を用いる。このような高純度化された酸化物半導体は界面準位、界面電荷に対して極めて敏感であるため、酸化物半導体層とゲート絶縁層との界面は重要である。そのため高純度化された酸化物半導体に接するゲート絶縁層は、高品質化が要求される。例えば、μ波例えば、周波数2.45GHzを用いた高密度プラズマCVDは、緻密で絶縁耐圧の高い高品質な絶縁層を形成できるので好ましい。高純度化された酸化物半導体と高品質なゲート絶縁層とが密接することにより、界面準位を低減して界面特性を良好なものとすることができるからである。もちろん、ゲート絶縁層として良質な絶縁層を形成できるものであれば、スパッタ法やプラズマCVD法など他の成膜方法を適用することができる。また、成膜後の熱処理によってゲート絶縁層の膜質、酸化物半導体との界面特性が改質される絶縁層であっても良い。いずれにしても、ゲート絶縁層としての膜質が良好であることは勿論のこと、酸化物半導体との界面準位密度を低減し、良好な界面を形成できるものであれば良い。ここではスパッタ法を用いる例について説明する。ゲート絶縁層2507、酸化物半導体層2530に水素、水酸基及び水分がなるべく含まれないようにするために、酸化物半導体層2530の成膜の前処理として、スパッタ装置の予備加熱室でゲート電極層2511が形成された基板2505、又はゲート絶縁層2507までが形成された基板2505を予備加熱し、基板2505に吸着した水素、水分などの不純物を脱離させ排気することが好ましい。なお、予備加熱室に設ける排気手段はクライオポンプが好ましい。なお、この予備加熱の処理は省略することもできる。またこの予備加熱は、絶縁層2516の成膜前に、ソース電極層2515a及びドレイン電極層2515bまで形成した基板2505にも同様の処理を行ってもよい。次いで、ゲート絶縁層2507上に、膜厚2nm以上200nm以下、好ましくは5nm以上30nm以下の酸化物半導体層2530を形成する図8A参照。なお、酸化物半導体層2530をスパッタ法により成膜する前に、アルゴンガスを導入してプラズマを発生させる逆スパッタを行い、ゲート絶縁層2507の表面に付着している粉状物質パーティクル、ごみともいうを除去することが好ましい。逆スパッタとは、ターゲット側に電圧を印加せずに、アルゴン雰囲気下で基板側にRF電源を用いて電圧を印加して基板近傍にプラズマを形成して表面を改質する方法である。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウム、酸素などを用いてもよい。酸化物半導体層2530に用いる酸化物半導体は、実施の形態4に示した四元系金属酸化物や、三元系金属酸化物や、二元系金属酸化物や、一元系金属酸化物であるIn-O系、Sn-O系、Zn-O系などの酸化物半導体を用いることができる。また、上記酸化物半導体にSiO2を含んでもよい。本実施の形態では、酸化物半導体層2530としてIn-Ga-Zn-O系酸化物ターゲットを用いてスパッタ法により成膜する。この段階での断面図が図8Aに相当する。また、酸化物半導体層2530は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガスと酸素の混合雰囲気下においてスパッタ法により形成することができる。酸化物半導体層2530をスパッタ法で作製するためのターゲットとしては、例えば、組成比として、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol数比]すなわち、In:Ga:Zn=1:1:0.5[atom比]を用いることができる。また、他にも、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]、In2O3:Ga2O3:ZnO=2:2:1[mol数比]、またはIn2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:4[mol数比]の組成比を有するターゲットを用いてもよい。また、In2O3:Ga2O3:ZnO=2:0:1[mol数比]の組成比を有するターゲットを用いることもできる。また、酸化物半導体としてIn-Zn-O系の材料を用いる場合、用いるターゲットの組成比は、原子数比で、In:Zn=50:1~1:2モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=25:1~1:4、好ましくはIn:Zn=20:1~1:1モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=10:1~1:2、さらに好ましくはIn:Zn=15:1~1.5:1モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=15:2~3:4とする。例えば、In-Zn-O系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比がIn:Zn:O=X:Y:Zのとき、Z>1.5XYとする。これらのターゲットの充填率は90以上100以下、好ましくは95以上99.9以下である。充填率の高い金属酸化物ターゲットを用いることにより、成膜した酸化物半導体層は緻密な膜となる。酸化物半導体層2530を成膜する際に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。減圧状態に保持された成膜室内に基板を保持し、基板温度を100°C以上600°C以下好ましくは200°C以上400°C以下とする。基板を加熱しながら成膜することにより、成膜した酸化物半導体層に含まれる不純物濃度を低減することができる。また、スパッタによる酸化物半導体層の損傷が軽減される。そして、成膜室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入し、上記ターゲットを用いて基板2505上に酸化物半導体層2530を成膜する。成膜室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプ、例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。また、排気手段としては、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素原子、水H2Oなど水素原子を含む化合物より好ましくは炭素原子を含む化合物も等が排気されるため、当該成膜室で成膜した酸化物半導体層に含まれる不純物の濃度を低減できる。成膜条件の一例としては、基板とターゲットとの間の距離を100mm、圧力0.6Pa、直流DC電源0.5kW、酸素酸素流量比率100雰囲気下の条件が適用される。なお、パルス直流電源を用いると、成膜時に発生する粉状物質パーティクル、ごみともいうが軽減でき、膜厚分布も均一となるために好ましい。次いで、酸化物半導体層2530を第2のフォトリソグラフィ工程とエッチング工程で島状の酸化物半導体層に加工する。ここで、島状の酸化物半導体層を形成するためのレジストマスクは、インクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。また、ゲート絶縁層2507にコンタクトホールを形成する場合、その工程は酸化物半導体層2530の加工時に同時に行うことができる。なお、ここでの酸化物半導体層2530のエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよく、両方を用いてもよい。例えば、酸化物半導体層2530のウェットエッチングに用いるエッチング液としては、燐酸、酢酸及び硝酸を混ぜた溶液、またはITO-07N関東化学社製などを用いることができる。次いで、酸化物半導体層に第1の加熱処理を行う。この第1の加熱処理によって酸化物半導体層の脱水化または脱水素化を行うことができる。第1の加熱処理は、窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガス雰囲気中で、400°C以上750°C以下、または400°C以上基板の歪み点未満の温度で行う。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下450°Cにおいて1時間の加熱処理を行い、脱水化または脱水素化した酸化物半導体層2531とする図8B参照。なお、加熱処理装置は電気炉に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を備えていてもよい。例えば、GRTAGasRapidThermalAnneal装置、LRTALampRapidThermalAnneal装置等のRTARapidThermalAnneal装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光電磁波の輻射により、被処理物を加熱する装置である。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。高温のガスには、アルゴンなどの希ガス、または窒素のような、加熱処理によって被処理物と反応しない不活性ガスが用いられる。例えば、第1の加熱処理として、650°C以上700°C以下の高温に加熱した不活性ガス中に基板を移動させて入れ、数分間加熱した後、基板を移動させて高温に加熱した不活性ガス中から出すGRTAを行ってもよい。なお、第1の加熱処理においては、加熱処理装置に導入する不活性ガスに、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、該不活性ガスの純度を、6N99.9999以上、好ましくは7N99.99999以上、即ち不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とすることが好ましい。また、第1の加熱処理で酸化物半導体層を加熱した後、同じ炉に高純度の酸素ガス、高純度のN2Oガス、又は超乾燥エア露点が-40°C以下、好ましくは-60°C以下を導入してもよい。加熱処理装置に導入する酸素ガスまたはN2Oガスの純度は、6N以上、好ましくは7N以上、即ち、酸素ガスまたはN2Oガス中の不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とすることが好ましい。特にこれらのガスには、水、水素などが含まれないことが好ましい。酸素ガス又はN2Oガスの作用によって、脱水化または脱水素化処理による不純物の排除工程で脱離してしまった酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素を供給することができる。この工程により、酸化物半導体層を高純度化させ電気的にi型真性化することができる。また、酸化物半導体層の第1の加熱処理は、島状の酸化物半導体層に加工する前の酸化物半導体層2530に行うこともできる。その場合には、第1の加熱処理後に、加熱処理装置から基板を取り出し、フォトリソグラフィ工程を行う。なお、第1の加熱処理は、上記以外にも、酸化物半導体層成膜後であれば、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を積層させた後、あるいは、ソース電極層及びドレイン電極層上に絶縁層を形成した後、のいずれで行っても良い。また、ゲート絶縁層2507にコンタクトホールを形成する場合、その工程は酸化物半導体層2530に第1の加熱処理を行う前でも行った後に行ってもよい。また、酸化物半導体を2回に分けて成膜し、2回に分けて加熱処理を行って結晶化した酸化物半導体層を用いても良い。この様な工程を行うことで、下地部材を問わず、膜表面に対して垂直にc軸配向した膜厚の厚い結晶領域単結晶領域を形成することができる。例えば、3nm以上15nm以下の第1の酸化物半導体層を成膜し、窒素、酸素、希ガス、または乾燥空気の雰囲気下で450°C以上850°C以下、好ましくは550°C以上750°C以下の第1の加熱処理を行い、表面を含む領域に結晶領域板状結晶を含むを有する第1の酸化物半導体層を形成する。そして、第1の酸化物半導体層よりも厚い第2の酸化物半導体層を形成し、450°C以上850°C以下、好ましくは600°C以上700°C以下の第2の加熱処理を行う。この工程により、第1の酸化物半導体層が種結晶となり、第2の酸化物半導体層全体を下部から上部に向かって結晶成長させることができ、結果として膜厚の厚い結晶領域を有する酸化物半導体層が形成される。次いで、ゲート絶縁層2507、及び酸化物半導体層2531上に、ソース電極層及びドレイン電極層これと同じ層で形成される配線層を含むとなる導電層を形成する。ソース電極層、及びドレイン電極層に用いる導電層としては、実施の形態4に示したソース電極層2405a、ドレイン電極層2405bと同様の材料を用いることができる。第3のフォトリソグラフィ工程により導電層上にレジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行ってソース電極層2515a、ドレイン電極層2515bを形成した後、レジストマスクを除去する図8C参照。第3のフォトリソグラフィ工程でのレジストマスク形成時の露光には、紫外線やKrFレーザ光やArFレーザ光を用いるとよい。酸化物半導体層2531上で隣り合うソース電極層の下端部とドレイン電極層の下端部との間隔幅によって後に形成されるトランジスタのチャネル長Lが決定される。なお、チャネル長L=25nm未満の場合には、数nm乃至数10nmと極めて波長が短い超紫外線ExtremeUltravioletを用いて第3のフォトリソグラフィ工程でのレジストマスク形成時の露光を行うとよい。超紫外線による露光は、解像度が高く焦点深度も大きい。従って、後に形成されるトランジスタのチャネル長Lを10nm以上1000nm以下とすることも可能であり、回路の動作速度を高速化でき、さらにオフ電流値が極めて小さいため、低消費電力化も図ることができる。また、フォトリソグラフィ工程で用いるフォトマスク数及び工程数を削減するため、多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いてエッチング工程を行ってもよい。多階調マスクは透過した光が複数の強度となるため、部分的に膜厚の異なるレジストマスクを形成することができる。該レジストマスクは、アッシングを行うことで形状を変形させることができるため、フォトリソグラフィ工程を行わずに異なる形状のレジストマスクを形成することができる。従って、露光マスク数を削減することができ、対応するフォトリソグラフィ工程も削減できるため、工程の簡略化が可能となる。なお、導電層のエッチングの際に、酸化物半導体層2531がエッチングされ、分断することのないようエッチング条件を最適化することが望まれる。しかしながら、導電層のみをエッチングし、酸化物半導体層2531を全くエッチングしないという条件を得ることは難しく、導電層のエッチングの際に酸化物半導体層2531は一部のみがエッチングされ、溝部凹部を有する酸化物半導体層となることもある。本実施の形態では、導電層としてTi層を用い、酸化物半導体層2531にはIn-Ga-Zn-O系酸化物半導体を用いるため、導電層をエッチングするためのエッチャントにはアンモニア過水31重量過酸化水素水、28重量アンモニア水、水を体積比で2:1:1で混合した水溶液を用いると良い。次いで、酸化物半導体層の一部に接する保護絶縁層となる絶縁層2516を形成する。この絶縁層2516を形成する前にN2O、N2、またはArなどのガスを用いたプラズマ処理を行い、露出している酸化物半導体層の表面に付着した吸着水などを除去してもよい。絶縁層2516は、少なくとも1nm以上の膜厚とし、スパッタ法など、絶縁層2516に水、水素等の不純物を混入させない方法を適宜用いて形成することができる。絶縁層2516に水素が含まれると、その水素が酸化物半導体層に侵入する現象や、水素が酸化物半導体層中の酸素を引き抜く現象が生じることがある。この場合、酸化物半導体層のバックチャネル側が低抵抗化N型化してしまい、寄生チャネルが形成されることがある。従って、絶縁層2516は、水素及び水素を含む不純物が含まれない方法を用いて成膜することが重要である。なお、絶縁層2516の代わり、または、絶縁層2516と酸化物半導体層の間に、酸化物半導体層の一部に接するように酸化ガリウム層を形成してもよい。酸化ガリウムは帯電しにくい材料であるため、絶縁層のチャージアップによるしきい値電圧の変動を抑えることができる。本実施の形態では、絶縁層2516として膜厚200nmの酸化シリコン層をスパッタ法を用いて成膜する。成膜時の基板温度は、室温以上300°C以下とすればよく、本実施の形態では100°Cとする。酸化シリコン層のスパッタ法による成膜は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、または希ガスと酸素の混合雰囲気下において行うことができる。また、ターゲットには、酸化シリコンまたはシリコンを用いることができる。例えば、シリコンをターゲットに用いて、酸素を含む雰囲気下でスパッタを行うと酸化シリコン層を形成することができる。酸化物半導体層に接して形成する絶縁層2516には、水分や、水素イオンや、水酸基などの不純物をほとんど含まず、これらが外部から侵入することをブロックする無機絶縁層を用いることが好ましい。代表的には酸化シリコン層、酸化窒化シリコン層、酸化アルミニウム層、または酸化窒化アルミニウム層などを用いることができる。酸化物半導体層2530の成膜時と同様に、絶縁層2516の成膜室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプクライオポンプなどを用いることが好ましい。クライオポンプを用いて排気した成膜室で成膜した絶縁層2516は、膜中に含まれる不純物の濃度を低減することができる。また、絶縁層2516の成膜室内の残留水分を除去するための排気手段としては、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。絶縁層2516を成膜する際に用いるスパッタガスは、水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。次いで、不活性ガス雰囲気下、または酸素ガス雰囲気下で第2の加熱処理好ましくは200°C以上400°C以下、例えば250°C以上350°C以下を行う。例えば、窒素雰囲気下で250°C、1時間の第2の加熱処理を行う。第2の加熱処理を行うと、酸化物半導体層の一部チャネル形成領域は絶縁層2516と接した状態で昇温される。以上の工程を経ることによって、酸化物半導体層に対して第1の加熱処理を行って水素、水分、水酸基又は水素化物水素化合物ともいうなどの不純物と同時に減少してしまった酸化物半導体を構成する主成分材料の一つである酸素を供給することができる。従って、酸化物半導体層は高純度化され電気的にi型真性化する。以上の工程でトランジスタ2510が形成される図8D参照。また、酸化物絶縁層に欠陥を多く含む酸化シリコン層を用いると、酸化シリコン層形成後の加熱処理によって酸化物半導体層中に含まれる水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化シリコン層中に拡散させることができる。つまり、酸化物半導体層中に含まれる該不純物をより低減させる効果を奏する。絶縁層2516上にさらに保護絶縁層2506を形成してもよい。例えば、スパッタ法を用いて窒化シリコン層を形成する。保護絶縁層には、水分などの不純物をほとんど含まず、更にこれらの外部からの侵入を防ぐことのできる無機絶縁層である窒化シリコン層、窒化アルミニウム層などを用いると良い。本実施の形態では、保護絶縁層2506に窒化シリコン層を用いる図8E参照。保護絶縁層2506に用いる窒化シリコン層は、絶縁層2516まで形成された基板2505を100°C以上400°C以下の温度に加熱し、水素及び水分が除去された高純度窒素を含むスパッタガスを導入し、シリコンのターゲットを用いて成膜する。この場合においても、絶縁層2516と同様に、処理室内の残留水分を除去しつつ保護絶縁層2506を成膜することが好ましい。保護絶縁層の形成後、さらに大気中で100°C以上200°C以下、1時間以上30時間以下での加熱処理を行ってもよい。この加熱処理は一定の加熱温度を保持して加熱してもよいし、室温から加熱温度への昇温と加熱温度から室温までの降温を1サイクルとする処理を複数回繰り返して行ってもよい。このように、本実施の形態を用いて作製した、高純度化された酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを用いることにより、オフ状態における電流値オフ電流値をより低くすることができる。また、高純度化された酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。従って、スイッチ303が形成される基板と同一の基板上に、電位検出回路310、スイッチ制御回路311、高周波供給回路308などの高速駆動を要する駆動回路部を作製することができるため、部品点数を削減することができる。本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態6本実施の形態では、上記実施の形態で示した電力供給装置の利用形態の一例について図9を用いて説明する。図9Aは、テーブル8100に、給電セル8110がマトリックス状に配置された電力供給装置を設ける例を示している。電力供給装置は天板最上部に設ける必要はなく、天板内部や、下部に設けることができる。すなわち、テーブル8100の外観を損なうことなく電力供給装置を設けることができる。テーブル8100上に置かれたテーブルランプ8120は受電装置を有しており、電力供給装置から伝送される電力を受電装置により受け取ることで、ランプを点灯させることができる。給電セル8110はテーブル8100の天板全体に設けられているため、テーブルランプ8120を天板上のどの位置に置いても、電源コードを気にすることなくランプを点灯させることができる。また、受電装置を有する携帯電話8210をテーブル8100上に置くことで、電気的な接点を設けることなく、携帯電話8210に内蔵された蓄電池に充電することができる。携帯電話8210に電気的な接点を設ける必要がないため、携帯電話8210に防水機能等を付与し易くなる。図9Bは、壁8300及び床8350に、給電セル8310がマトリックス状に配置された電力供給装置を設ける例を示している。電力供給装置は壁や床の内部に設けることができるため、壁や床の外観を損なうことなく電力供給装置を設けることができる。壁8300上に配置されたテレビ8320は受電装置を有しており、壁8300に設けられた電力供給装置から伝送される電力を受電装置により受け取ることで、映像を表示させることができる。壁8300全体に電力供給装置を設けることにより、電源コードを気にすることなく壁8300の任意の位置にテレビ8320を配置することができる。床8350に配置されたノート型コンピューター8370は受電装置を有しており、電力供給装置から伝送される電力を受電装置により受け取ることで、ノート型コンピューター8370を動作させることができ、内蔵された蓄電池に充電することができる。床8350全体に電力供給装置を設けることにより、電源コードを気にすることなく床8350の任意の位置でノート型コンピューター8370を動作させることができる。