一端が高電位線に接続された第1の抵抗と、ベースが入力端子に接続され、コレクタが前記第1の抵抗の他端に接続され、エミッタが低電位線に接続される第1のnpnトランジスタと、一端が高電位線に接続された第2の抵抗と、ベースが前記第1の抵抗の他端と前記第1のnpnトランジスタのコレクタの間のノードに接続され、コレクタが前記第2の抵抗の他端に接続される第2のnpnトランジスタと、ベースが定電流源に接続され、コレクタが前記第2のnpnトランジスタのエミッタに接続され、エミッタが前記第1のnpnトランジスタのコレクタに接続される第3のnpnトランジスタと、ベースが前記第2のnpnトランジスタのエミッタと前記第3のnpnトランジスタのコレクタの間のノードに接続され、コレクタが出力端子に接続され、エミッタが低電位線に接続される出力トランジスタと、を備える半導体出力回路。しかしながら、図2の回路は、入力がHIGHのときであっても、第2のnpnトランジスタ85はオンとなるため、高電位線90から第2の抵抗83の経路に電流が流れ続けてしまい、消費電力が増大してしまうという問題があるので、近年の低消費電力化の要求を十分に満たすことができない。本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討した結果、一端が高電位線に接続された第1の抵抗と、ベースが入力端子に接続され、コレクタが前記第1の抵抗の他端に接続され、エミッタが低電位線に接続される第1のnpnトランジスタと、一端が高電位線に接続された第2の抵抗と、ベースが前記第1の抵抗の他端と前記第1のnpnトランジスタのコレクタの間のノードに接続され、コレクタが前記第2の抵抗の他端に接続される第2のnpnトランジスタと、ベースが定電流源に接続され、コレクタが前記第2のnpnトランジスタのエミッタに接続され、エミッタが前記第1のnpnトランジスタのコレクタに接続される第3のnpnトランジスタと、ベースが前記第2のnpnトランジスタのエミッタと前記第3のnpnトランジスタのコレクタの間のノードに接続され、コレクタが出力端子に接続され、エミッタが低電位線に接続される出力トランジスタと、を備える半導体出力回路により上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。本発明によれば、入力信号に対して出力信号が高速に応答し、かつ、半導体出力回路の消費電力を低減させることが可能である。特に入力がHIGHの時の半導体出力回路の消費電力を低減せしめることが可能である。以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。図1は、本発明の実施形態による半導体出力回路の回路図である。図1に示した半導体出力回路は、一端が高電位線100に接続された第1の抵抗110と、ベースが入力端子10に接続され、コレクタが前記第1の抵抗110の他端に接続され、エミッタが低電位線101に接続される第1のnpnトランジスタ210と、一端が高電位線100に接続された第2の抵抗120と、ベースが前記第1の抵抗110の他端と前記第1のnpnトランジスタ210のコレクタの間のノードN1に接続され、コレクタが前記第2の抵抗120の他端に接続される第2のnpnトランジスタ220と、ベースが定電流源300に接続され、コレクタが前記第2のnpnトランジスタ220のエミッタに接続され、エミッタが前記第1のnpnトランジスタ210のコレクタに接続される第3のnpnトランジスタ230と、ベースが前記第2のnpnトランジスタ220のエミッタと前記第3のnpnトランジスタ230のコレクタの間のノードに接続され、コレクタが出力端子20に接続され、エミッタが低電位線101に接続される出力トランジスタ240と、を備える。図1の回路の動作について以下に説明する。<入力がLOWの動作>入力がLOWとなる動作を説明する。なお、説明を簡略化するために、低電位線101はグラウンド電位とした。また、定電流源300は数μAの低い定電流を流す電流源とした。入力端子10にはLOWの信号が入力され、第1のnpnトランジスタ210はオフとなる。よって、ノードN1の電位は高電位線100側に張りついて第2のnpnトランジスタ220はオンとなる。第2のnpnトランジスタ220がオンすることにより、出力トランジスタ240もオンするので、出力端子にはLOWが出力される。このとき、第3のnpnトランジスタ230のコレクタ電圧とエミッタ電圧を比較すると、コレクタ電圧は出力トランジスタ240のVBE飽和領域でのベース-エミッタ間電圧で、一般に約0.7Vとなり、エミッタ電圧は出力トランジスタ240のVBEと第2のnpnトランジスタ220のVBEを足した電圧一般に約1.4Vとなる。この電圧の関係により、定電流源300から供給される定電流は、第3のnpnトランジスタ230のベース-コレクタ間のPNダイオードを介して出力トランジスタ240のベースに流れる。<入力がHIGHの動作>入力端子10にHIGHの信号が入力されると、第1のnpnトランジスタ210は飽和領域でオンとなる。よって、ノードN1の電位は飽和領域で動作する第1のnpnトランジスタ210のコレクタ-エミッタ間電圧一般に約0.1Vとなるので、第2のnpnトランジスタ220はオフとなる。ここで、第3のnpnトランジスタ230は定電流源300からの定電流によってオンの状態を保つため、第3のnpnトランジスタ230および第1のnpnトランジスタ210のコレクタ-エミッタ間を介して出力トランジスタ240のベースから急速に電流を引き抜くので、出力トランジスタ240は入力がHIGHとなったことにより、高速応答でオフとなり、出力端子20の電位は高電位線100側に張り付きHIGHが出力される。そして、入力端子10にHIGHの信号が入力されている間は第2のnpnトランジスタ220はオフの状態を保持し続けるため、図2に示した従来の半導体出力回路で消費電力を増大させる原因となっていた高電位線から第2の抵抗の経路に流れる電流が、図1に示した本実施形態の半導体出力回路では流れない。従って、消費電力を低減させることが可能となる。すなわち、本発明の実施形態の半導体出力回路によれば、入力信号に対して出力信号が高速応答し、かつ、入力信号がHIGHの間に従来の半導体出力回路と比較して大幅な低消費電力動作が実現可能となる。