半導体基板に形成されたPN接合部を有する受光素子と、前記受光素子を覆うLOCOS酸化膜よりなる絶縁部と、前記絶縁部上に形成された透光性導電膜と、前記透光性導電膜に接して形成され、GND電位に固定するため電極とを備える半導体受光素子。前記受光素子の周辺部に形成されるLOCOS酸化膜よりなる素子分離部をさらに備え、前記絶縁部と前記素子分離部の膜厚が略同一である請求項1記載の半導体受光素子。前記透光性導電膜は、前記絶縁部の上面のうち、周辺部を除いた中央部の上に形成されている請求項1または2記載の半導体受光素子。前記透光性導電膜は、ポリシリコン膜である請求項1~3のいずれかに記載の半導体受光素子。請求項1~4のいずれかに記載の半導体受光素子と、前記基板上に形成され、前記半導体受光素子で発生した電流信号を電圧信号に変換する増幅器とを備える半導体装置。さらに、前記増幅器または前記受光素子に接続される、前記透光性導電膜と同一材料の抵抗素子を備える請求項5記載の半導体装置。半導体基板にPN接合部を有する受光素子を形成する工程と、前記受光素子を覆うLOCOS酸化膜よりなる絶縁部を形成する工程と、前記受光素子の周辺部にLOCOS酸化膜よりなる素子分離部を形成する工程と、前記絶縁部上に透光性導電膜を形成する工程とを備え、前記絶縁部を構成するLOCOS酸化膜と前記素子分離部を構成するLOCOS酸化膜とは、同時に形成される半導体受光素子の製造方法。しかしながら、特許文献1のような構造により、受光部113aを電磁ノイズなどの外来ノイズからシールドすることが可能となるが、この従来の技術には以下の問題点がある。つまり、受光部113aとポリシリコン膜116の間の絶縁膜114および114aとして用いられるSiO2膜は、製造工程上、数十nmの厚さであるにもかかわらず、光センサー用の受光部分の面積は500um×500um以上の大きさであることが多く、そのために、SiO2膜の酸化工程のばらつきやパーティクルの影響などで絶縁膜114および114aにおいて局部的に薄い部分が発生し、最悪の場合はポリシリコン膜116と受光部113aを構成するエピタキシャル層とがショートすることで半導体受光素子としての機能を果たせなくなる可能性がある。また、受光部113aのカソード信号を出力する側としてのN型半導体とポリシリコン膜116の間に生じる寄生容量は、絶縁膜114aの厚さに反比例して大きくなるため、光入射によって発生した電流信号を電圧信号に変換する目的で半導体受光素子100に接続される増幅器に対して、入力容量負荷の増大となる。そのために、増幅動作が不安定になり、増幅器が発振してしまう可能性もある。ここで、これらの問題を回避するため、絶縁膜114および114aとして用いられるSiO2膜を単純に厚膜化する方法が考えられるが、SiO2膜の厚膜化のためには、酸化時間を長くする必要が生じると共に、半導体基板113の表面に拡散された拡散層とメタル電極のコンタクトホール形成のためのSiO2膜のエッチング時間が長くなるといった課題が発生する。そこで、本発明は、上記のような問題を解消するためのもので、第一に、入射光を遮ることなく、電磁ノイズをシールドすることができる半導体受光素子であって、受光素子とポリシリコン膜とがショートすることを回避し、かつ、受光素子のカソードとポリシリコン膜との間に発生する寄生容量を低減し、これによって、受光素子に接続される増幅器の動作の安定化を図ることができる半導体受光素子を提供することを目的とする。また、本発明は、第二には、新たに特別な工程を追加することなく上記第一の目的を実現する半導体受光素子の製造方法を提供することを目的とする。上記の課題を解決するために、本発明に係る半導体受光素子の一形態は、半導体基板に形成されたPN接合部を有する受光素子と、前記受光素子を覆うLOCOS酸化膜よりなる絶縁部と、前記絶縁部上に形成された透光性導電膜と、前記透光性導電膜に接して形成され、GND電位に固定するため電極とを備える。これにより、従来と同様なシールド構造GND電位に固定される透光性導電膜により、受光部への電磁ノイズなどの影響が低減されるだけでなく、以下の効果が奏される。つまり、受光素子と透光性導電膜との間の絶縁膜としてLOCOSLocalOxidationofSilicon酸化膜を用いることで、必要な場所にのみLOCOS酸化膜の厚膜化が行えるため、従来技術の延長で単純に酸化膜の厚膜化した場合に比べコンタクトホールの形成が容易になる。これに加えて、LOCOS酸化膜の厚膜化により、製造工程上の問題から生じる受光素子とポリシリコン膜とのショートを防止できると共に、受光素子とシールド層透光性導電膜との間に生じる寄生容量を低減することができるため、受光素子に接続される増幅器などの動作の安定化を実現することができる。よって、上記第一の目的が達成される。ここで、前記受光素子の周辺部に形成されるLOCOS酸化膜よりなる素子分離部をさらに備え、前記絶縁部と前記素子分離部の膜厚が略同一であってもよい。つまり、絶縁部と素子分離部とを同一材料で、同時に形成してもよい。これにより、特別な工程を追加することなく、本発明に係る特徴的な半導体受光素子が完成される。また、前記透光性導電膜は、前記絶縁部の上面のうち、周辺部を除いた中央部の上に形成されているのが好ましい。これにより、透光性導電膜が絶縁部の上面のうち中央部の上にだけ形成されるので、透光性導電膜が受光素子等に異常接触してしまうことが確実に回避される。また、前記透光性導電膜は、ポリシリコン膜であるのが好ましい。これにより、容易に、透光性と導電性とを兼ね備える膜透光性導電膜が製作される。また、上記の課題を解決するために、本発明に係る半導体受光素子の製造方法の一形態は、半導体基板にPN接合部を有する受光素子を形成する工程と、前記受光素子を覆うLOCOS酸化膜よりなる絶縁部を形成する工程と、前記受光素子の周辺部にLOCOS酸化膜よりなる素子分離部を形成する工程と、前記絶縁部上に透光性導電膜を形成する工程とを備え、前記絶縁部を構成するLOCOS酸化膜と前記素子分離部を構成するLOCOS酸化膜とは、同時に形成される。これにより、受光素子上のLOCOS酸化膜は、素子分離のために形成されるLOCOS酸化膜と同時に形成されるため、特別な工程を追加することなく容易に上記の特徴的な構造を備える半導体受光素子を実現することが可能となる。よって、上記第二の目的が達成される。なお、本発明は、半導体受光素子およびその製造方法として実現されるだけでなく、上述のいずれかの半導体受光素子と、前記基板上に形成され、前記半導体受光素子で発生した電流信号を電圧信号に変換する増幅器とを備える半導体装置として実現したり、その半導体装置の製造方法として実現したりすることもできる。このとき、上記半導体装置において、さらに、前記増幅器または前記受光素子に接続される、前記透光性導電膜と同一材料の抵抗素子を備えてもよい。つまり、透光性導電膜と抵抗素子とを同一材料で、同時に形成してもよい。これにより、少ない製造工程で、半導体受光素子、増幅器および抵抗素子を備える半導体装置が完成される。本発明に係る半導体受光素子等により、入射光を遮ることなく、電磁ノイズをシールドすることができるだけでなく、安定したシールド層の形成が可能になると共に、シールド構造であることで受光素子のカソードとGND間に生じる寄生容量については、低減する効果を得ることができる。また、本発明に係る半導体受光素子の製造方法により、新たに特別な工程を追加することなく、上記特徴を有する半導体受光素子を製造することができる。以下、図面を参照して本発明における実施の形態を詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。本発明は、特許請求の範囲だけによって限定される。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、本発明の課題を達成するのに必ずしも必要ではないが、より好ましい形態を構成するものとして説明される。第1の実施形態図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体受光素子20を示す断面図である。この半導体受光素子20は、主要部として、半導体基板P型基板1に形成されたPN接合部4aを有する受光素子4と、受光素子4を覆うLOCOS酸化膜5aよりなる絶縁部と、絶縁部上に形成された透光性導電膜ポリシリコン膜8と、透光性導電膜に接続され、GND電位に固定するための電極7とを備える。以下、半導体受光素子20の詳細な構造を説明する。この半導体受光素子20では、シリコン等からなる半導体基板の一例であるP型基板1上にN型エピタキシャル層3が成長されている。これにより、P型基板1とN型エピタキシャル層3とのPN接合部4aを有する受光素子4が構成される。受光素子4の周辺にはP型拡散領域2が形成され、受光素子4の表面とP型拡散領域2の上部には、LOCOS酸化膜5および5aが形成される。なお、LOCOS酸化膜5aは、受光素子4と、その上方に積層される層ここでは、ポリシリコン膜8との絶縁を確保するための絶縁部として機能する。また、LOCOS酸化膜5は、受光素子4と、隣接する回路との間を絶縁するために受光素子4の周辺部に形成された素子分離部として機能する。受光素子4上に形成されたLOCOS酸化膜5aの上面のうち、膜厚の薄い周辺部を除いた中央部の上には、不純物をドープすることよって、赤外光に対して高い透過率を持つ透光性導電膜の一例である、導電性を持つポリシリコン膜8が形成される。なお、LOCOS酸化膜5aの上面のうち中央部の上にだけポリシリコン膜8を形成するのは、透光性導電膜としてのポリシリコン膜8が受光素子4等に異常接触してしまうことを確実に回避するためである。N型エピタキシャル層3とP型拡散領域2上には、それぞれ、端子11aに接続されるカソード電極11、GNDに接続するための端子10aに接続されるアノード電極10が形成されている。また、ポリシリコン膜8上には、ポリシリコン膜8に接して電極7が形成されている。以上の構成要素の表面には、窒化シリコンなどの保護膜13が形成される。なお、アノード電極10と電極7とは電気的に接続され、端子10aを介して、GNDに接続される。このように、アノード電極10とポリシリコン膜8上の電極7とが共にGND電位に固定されることで、ポリシリコン膜8が受光素子4に対するシールド層電磁シールドの役目を果たす。以上のように、本実施の形態によれば、受光素子4とポリシリコン膜8の間に形成されるLOCOS酸化膜5aの膜厚は通常500nm程度であり、従来の酸化膜に対して数十倍の厚さであるため、製造工程上の問題から生じる受光素子4とポリシリコン膜8とのショートを防止できると共に受光素子4のカソードつまり、N型エピタキシャル層3とポリシリコン膜8の間に発生する寄生容量の値は数十分の1に低減できるため、受光素子4に接続される増幅器図示されずなどの動作の安定化が可能となる。なお、受光素子4は、N型エピタキシャル層3の代わりにN型拡散層で構成することも可能である。また、受光素子4は、P型基板1の代わりにN型基板を用い、N型エピタキシャル層3の代わりにP型エピタキシャル層もしくはP型拡散層から構成されても良い。なお本実施形態では、透光性導電膜として、赤外光に対して高い透過率を持つポリシリコン膜8を用いたが、使用する波長によっては、ポリシリコン膜8はITOIndiumTinOxideやZnOZincOxideなどの可視光に対する透過率の高い透光性導電膜であっても良い。次に、上記の半導体受光素子20の製造方法を図2A~図2Hに示す。まず、図2Aに示すように、P型基板1上にN型エピタキシャル層3を成長させる。これにより、PN接合部4aを有する受光素子4が形成される。次に、図2Bに示すように、シリコン酸化膜14を成長させた後、その上に一般的なフォトリソグラフィ法を用いて、P型拡散領域2となる部分を開口するように、シリコン酸化膜14をエッチングする。次に、図2Cに示すように、ボロンホウ素を注入後、高温アニール処理をしてP型拡散領域2を形成し、シリコン酸化膜14を除去する。次に、図2Dに示すように、表面に薄いシリコン酸化膜15、窒化シリコン膜16を続けて成長させた後、その上に一般的なフォトリソグラフィ法を用いて、LOCOS酸化膜5および5aを形成する部分を開口するようにシリコン酸化膜15、窒化シリコン膜16をエッチングする。次に、図2Eに示すように、高温酸化によって、絶縁部としてのLOCOS酸化膜5aと素子分離部としてのLOCOS酸化膜5とを同時に形成し、その後、シリコン酸化膜15、窒化シリコン膜16を除去する。次に、図2Fに示すように、ポリシリコン膜8を成長させた後、その上に一般的なフォトリソグラフィ法を用いて、ポリシリコン膜8となる部分を開口するように、フォトレジスト膜17を形成し、リンを注入する。その後フォトレジスト膜17を除去し、ポリシリコン膜8を一般的なフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いてパターニングし、ポリシリコン膜8からなる透光性導電膜を形成する。次に、図2Gに示すように、窒化シリコンなどの保護膜13を形成する。次に、図2Hに示すように、一般的なフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて、この保護膜13にコンタクトホールを設け、このコンタクトホールを通して受光素子4に接続されるアノード電極10、カソード電極11、ポリシリコン膜8に接続される電極7をそれぞれ形成する。以上の工程をまとめると、本実施形態における半導体受光素子20の製造方法は、少なくとも、半導体基板P型基板1にPN接合部4aを有する受光素子4を形成する工程図2Aと、受光素子4を覆うLOCOS酸化膜5aよりなる絶縁部を形成する工程図2B~図2Eと、受光素子4の周辺部にLOCOS酸化膜5よりなる素子分離部を形成する工程図2B~図2Eと、絶縁部上に透光性導電膜ポリシリコン膜8を形成する工程図2Fとを備え、絶縁部を構成するLOCOS酸化膜5aと素子分離部を構成するLOCOS酸化膜5とは、同時に形成される図2B~図2Eことを特徴とする。これにより、入射光を遮ることなく、電磁ノイズをシールドすることができる半導体受光素子であって、受光素子4とポリシリコン膜8とがショートすることが回避され、かつ、受光素子4のカソードN型エピタキシャル層3とポリシリコン膜8との間に発生する寄生容量が低減され、これによって、受光素子4に接続される増幅器の動作の安定化を図ることができる半導体受光素子が完成される。以上のように、本製造方法によれば、LOCOS酸化膜5による素子分離部の形成と同時に、受光素子4とポリシリコン膜8とを絶縁する絶縁部としてのLOCOS酸化膜5aが形成される。よって、特別な工程を追加することなく、本実施形態における特徴的な半導体受光素子が完成される。第2の実施形態次に、第2の実施形態として、本発明の半導体装置について説明する。図3は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置30を示す断面図である。第1の実施形態における半導体受光素子20と比べ、本実施形態では、光入射によって発生した電流信号を電圧信号に変換する目的で、受光素子4に接続される、トランジスタ等からなる増幅器12を同一基板P型基板1上に形成している点が異なる。このような構成にすることで受光素子4と増幅器12の間の配線を短くすることができるため、受光素子4と増幅器12とを個別の部品として構成した場合に比べ、より電磁ノイズ、ラインノイズなどの外来ノイズからの影響を低減することが可能となる。また、受光素子4と増幅器12との分離においても、LOCOS酸化膜5を、第1の実施形態と同様に、素子分離部として利用可能である。さらに、本実施の形態においては、透光性導電膜であるポリシリコン膜8を、抵抗素子としても利用可能であるという利点がある。つまり、ポリシリコン膜8を、受光素子4厳密には、アノード電極10に接続された抵抗素子として利用したり、図3に示されるポリシリコン膜8と同一工程で作製される別のポリシリコン膜を、受光素子4または増幅器12に接続される抵抗素子として利用したりしてもよい。以上、本発明の半導体受光素子及びこれを用いた半導体装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。例えば、本発明の半導体受光素子はリモコン、光電スイッチを含む様々な光センサーに利用可能であり、これにより、信頼性が高い半導体装置を実現することができる。つまり、本発明は、リモコン、光電スイッチを含む様々な光センサーの応用品として実現してもよい。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で当業者が思いつく各種変形を施したものも本発明の範囲内に含まれる。さらに、各実施の形態の構成要素を任意に組み合わせて得られる形態も、本発明に含まれる。たとえば、上記実施の形態では、受光素子は1個だけ形成されていたが、素子分離部で離隔された複数の領域のそれぞれに受光素子が形成されていてもよい。つまり、本発明に係る半導体受光素子は、2次元状に受光素子が配置された撮像装置等に適用してもよい。