導電性を有する無底冷却ルツボにシリコン原料を投入し、無底冷却ルツボを囲繞する誘導コイルから電磁誘導加熱するとともに、プラズマトーチから不活性ガスを噴出しつつプラズマアークを発生させてプラズマ加熱することによりシリコン原料を融解させ、この溶融シリコンを無底冷却ルツボから引き下げながら凝固させてシリコンインゴットを鋳造するシリコンインゴットの電磁鋳造方法において、プラズマトーチと溶融シリコンとの間隔を、シリコン原料を投入する高さの1/2以上とすることを特徴とするシリコンインゴットの電磁鋳造方法。前記プラズマトーチと溶融シリコンとの間隔を、シリコン原料を投入する高さの1/2以上とする際に、プラズマトーチから噴出される不活性ガスの流量を変更してプラズマトーチと溶融シリコンとの間隔を調整することを特徴とする請求項1に記載のシリコンインゴットの電磁鋳造方法。前述のとおり、電磁鋳造法によるシリコンインゴットの鋳造では、インゴット鋳造中にプラズマトーチに通電される電流の電圧値が閾値を超えてインターロック機構が作動し、プラズマアークの失火が発生する場合がある。この場合、鋳造されたインゴットのうちプラズマアークの失火が発生した際に凝固した部分は、不純物が高濃度で含まれることから、製品不良となって製造歩留りを低下させる。また、電磁鋳造法によるシリコンインゴットの鋳造において、前記特許文献2で提案されるインゴットの鋳造方法を適用した場合でも、プラズマアークの失火が発生して問題となる。本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、シリコンインゴットの鋳造中にプラズマアークの失火が発生するのを低減することができるシリコンインゴットの電磁鋳造方法を提供することを目的としている。本発明者らは、上記課題を解決するため、電磁鋳造法によるシリコンインゴットの鋳造中にプラズマアークの失火が発生する原因について調査し、その結果、付着シリコンがプラズマアークの失火を誘発していることを見出した。ここで、付着シリコンとは、溶融シリコンがシリコン原料を冷却ルツボ内に投入する際の落下に伴い跳ね上げられてプラズマトーチの先端部に付着し、長時間にわたる鋳造で跳ね上げられた溶融シリコンがさらに付着して肥大化したものである。図7は、電磁鋳造法におけるプラズマトーチへのシリコンの付着率とプラズマアークの失火発生率の相関を表す円グラフを示す図であり、グラフaはプラズマトーチへのシリコンの付着率、グラフbはシリコンが付着しなかった場合の失火発生率、グラフcはシリコンが付着した場合の失火発生率をそれぞれ示す。同図では、インゴットの鋳造が完了した後、プラズマトーチの先端部を確認し、直径20mm以上の付着シリコンが確認された場合に付着シリコン有りと判定し、シリコンの付着率を算出した。同図から、付着シリコンが観察されなかった場合、プラズマアークの失火発生率は39であるのに対し、付着シリコンが観察された場合、プラズマアークの失火発生率は74であった。このように、プラズマトーチにシリコンが付着した場合は、シリコンが付着しなかった場合と比べ、プラズマアークの失火発生率が倍近くになることから、付着シリコンがプラズマアークの失火を誘発していることが確認される。前述のとおり、付着シリコンは、冷却ルツボ内へのシリコン原料の投入に伴い溶融シリコンが跳ね上げられてプラズマトーチの先端部に付着し、肥大化したものである。このため、本発明者らは、プラズマトーチへのシリコンの付着率と、プラズマトーチと溶融シリコンとの間隔以下、単にプラズマトーチ高さともいうとの関係について調査した。その結果、本発明者らは、後述する図3に示すように、プラズマトーチ高さを、シリコン原料を投入する高さの1/2以上とすることにより、プラズマトーチにシリコンが付着するのを抑制できることを知見した。一方、プラズマトーチ高さは、プラズマトーチに通電される電流の電圧値と密接な関係があり、プラズマ加熱に要求される入熱量により設定された電圧値に応じて調整する必要がある。すなわち、プラズマトーチ高さを変更すると、プラズマトーチに通電される電流の電圧値が変化することから、従来は、プラズマトーチに通電される電流の電圧値を一定とした状態で、プラズマトーチ高さを調整することはできなかった。また、原料導入管の配置に装置構造上の制限があるので、シリコン原料を投入する高さを調整して低くするのは限界がある。そこで、本発明者らは、プラズマトーチに通電される電流の電圧値を変化させることなく、プラズマトーチ高さを調整し、プラズマトーチ高さをシリコン原料を投入する高さの1/2以上とする方法について検討した。ここで、従来の電磁鋳造法によるシリコンインゴットの鋳造では、プラズマトーチからの不活性ガスは、プラズマトーチ先端の噴出圧力が一定となるように制御されて噴出されていた。本発明者らは、プラズマトーチから噴出される不活性ガスの流量を計測する流量計を電磁鋳造装置に設け、プラズマトーチに通電される電流の電圧値を一定にした状態で、プラズマトーチから噴出される不活性ガスの流量と、プラズマトーチ高さとの関係について調査した。その結果、本発明者らは、プラズマトーチに通電される電流の電圧値を一定にした場合、後述する図4に示すように、プラズマトーチから噴出される不活性ガスの流量とプラズマトーチ高さとは相関関係を有し、不活性ガスの流量が減少するほど、プラズマトーチ高さが高くなることを明らかにした。言い換えると、プラズマトーチから噴出される不活性ガスの流量を変更することにより、プラズマトーチに通電される電流の電圧値を一定にした状態で、プラズマトーチ高さを調整できることを知見した。本発明は、これらの知見に基づいて完成したものであり、下記1および2のシリコンインゴットの電磁鋳造方法を要旨としている。1導電性を有する無底冷却ルツボにシリコン原料を投入し、無底冷却ルツボを囲繞する誘導コイルから電磁誘導加熱するとともに、プラズマトーチから不活性ガスを噴出しつつプラズマアークを発生させてプラズマ加熱することによりシリコン原料を融解させ、この溶融シリコンを無底冷却ルツボから引き下げながら凝固させてシリコンインゴットを鋳造するシリコンインゴットの電磁鋳造方法において、プラズマトーチと溶融シリコンとの間隔プラズマトーチ高さを、シリコン原料を投入する高さの1/2以上とすることを特徴とするシリコンインゴットの電磁鋳造方法。2前記プラズマトーチと溶融シリコンとの間隔を、シリコン原料を投入する高さの1/2以上とする際に、プラズマトーチから噴出される不活性ガスの流量を変更してプラズマトーチと溶融シリコンとの間隔を調整することを特徴とする上記1に記載のシリコンインゴットの電磁鋳造方法。本発明のシリコンインゴットの電磁鋳造方法において、シリコン原料を投入する高さとは、投入されるシリコン原料を自由落下させる高さを意味する。例えば、後述する図1に示すように原料導入管11により冷却ルツボ7にシリコン原料12を投入する場合、シリコン原料を投入する高さZtは、溶融シリコンの上面に対する原料導入管11の下端の高さとなる。本発明のシリコンインゴットの電磁鋳造方法は、プラズマトーチと溶融シリコンとの間隔を、シリコン原料を投入する高さの1/2以上とすることにより、プラズマトーチにシリコンが付着するのを抑制できる。これにより、本発明のシリコンインゴットの電磁鋳造方法は、シリコンインゴットの鋳造中にプラズマアークの失火が発生するのを低減可能であり、製造歩留りを向上することができる。上述のとおり、本発明のシリコンインゴットの電磁鋳造方法は、導電性を有する無底冷却ルツボにシリコン原料を投入し、無底冷却ルツボを囲繞する誘導コイルから電磁誘導加熱するとともに、プラズマトーチから不活性ガスを噴出しつつプラズマアークを発生させてプラズマ加熱することによりシリコン原料を融解させ、この溶融シリコンを無底冷却ルツボから引き下げながら凝固させてシリコンインゴットを鋳造するシリコンインゴットの電磁鋳造方法において、プラズマトーチと溶融シリコンとの間隔プラズマトーチ高さを、シリコン原料を投入する高さの1/2以上とすることを特徴とする。以下に、本発明のシリコンインゴットの電磁鋳造方法を、上記のように規定した理由および好ましい実施形態について説明する。図1は、電磁鋳造法によりシリコンインゴットを鋳造する際に跳ね上げられた溶融シリコンの挙動を説明する模式図であり、同図aは従来法により鋳造する場合、同図bは本発明により鋳造する場合をそれぞれ示す。同図aに示すように、プラズマトーチ14の先端と溶融シリコン13の上面との間隔であるプラズマトーチ高さZが、シリコン原料を投入する高さZtの1/2未満であると、シリコン原料の投入により跳ね上げられた溶融シリコンの大部分が、プラズマトーチ14に到達することから、プラズマトーチ14にシリコンが付着して肥大化し易い。一方、同図bに示すように、プラズマトーチ高さZをシリコン原料を投入する高さZtの1/2以上とすると、シリコン原料の投入により跳ね上げられた溶融シリコンの大部分は、プラズマトーチ14の先端部に到達することなく、落下する。これにより、跳ね上げられた溶融シリコンがプラズマトーチに付着して肥大化するのを抑制できる。このように本発明のシリコンインゴットの電磁鋳造法は、プラズマトーチにシリコンが付着して肥大化するのを抑制できることから、付着シリコンにより誘発されて発生するプラズマアークの失火を低減することができる。前述のとおり、本発明のシリコンインゴットの電磁鋳造方法において、シリコン原料を投入する高さは、投入されるシリコン原料を自由落下させる高さとし、図1に示すように原料導入管11により冷却ルツボ7にシリコン原料12を投入する場合、溶融シリコン13の上面に対する原料導入管11の下端の高さとする。電磁鋳造法によるインゴットの鋳造では、通常、チャンバーの上方に配置された原料供給装置から切り出されたシリコン原料を原料導入管に通過させて冷却ルツボに投入する。この場合、原料導入管を通過させる際にシリコン原料は重力を受けて加速する一方で、引き下げ軸に対して所定の角度を有する原料導入管の投入部と接触して減速することから、原料導入管の下端位置におけるシリコン原料の鉛直方向速度は微少である。ここで、投入されるシリコン原料により溶融シリコンが跳ね上げられる高さは、シリコン原料が溶融シリコンの上面に到達した際の鉛直方向の速度による影響が大きいと考えられる。上述のとおり、原料導入管の下端位置におけるシリコン原料の垂直方向速度は微少であることから、シリコン原料が溶融シリコンの上面に到達した際の垂直方向の速度は、原料導入管の下端を通過した後で自由落下する際に受ける重力による加速の影響が大きい。このため、本発明のシリコンインゴットの電磁鋳造方法では、シリコン原料を投入する高さは、便宜的に投入されるシリコン原料が、部材と接触することなく、自由落下する高さとする。本発明のシリコンインゴットの電磁鋳造法は、プラズマトーチ高さを、シリコン原料を投入する高さの1/2以上とする際に、プラズマトーチから噴出される不活性ガスの流量を変更してプラズマトーチ高さを調整するのが好ましい。後述する図4に示すとおり、プラズマトーチに通電される電流の電圧値を一定とした状態において、プラズマトーチから噴出される不活性ガスの流量とプラズマトーチ高さとは相関関係を有し、不活性ガスの流量を減少させることにより、プラズマトーチ高さを高くすることができる。図2は、プラズマトーチから噴出される不活性ガスの流量によるプラズマアークの発生挙動を説明する模式図であり、同図aは流量を増加させた場合、同図bは流量を減少させた場合をそれぞれ示す。同図では、図示しないプラズマ電源装置の一方の極に接続されたプラズマトーチ14の先端部と、他方の極に接続された溶融シリコン13の上面とを示す。同図に示すプラズマトーチ14は、プラズマ電源装置に接続されるプラズマ電極14aと、供給される不活性ガスを噴出する噴出口14bとを備える。このようなプラズマトーチ14で、噴出口14bから不活性ガスを噴出しつつ同図の破線で示す矢印参照、プラズマ電極14aに通電を行うと、溶融シリコン13との間に同図に太線で示すようにプラズマアークが発生する。ここで、噴出口14bから不活性ガスを噴出すると、同図aに螺旋状矢印で示すように、噴出された不活性ガスの一部が旋回しつつプラズマ電極14a内を上昇する。プラズマトーチから噴出される不活性ガスの流量を増加させた場合、プラズマ電極14a内を旋回し上昇する流れが強くなることから、発生するプラズマアークは、同図aに示すように、プラズマアークの起点がプラズマ電極14aの上部となる。一方、プラズマトーチから噴出される不活性ガスの流量を減少させた場合、プラズマ電極内を旋回し上昇する流れが弱まり、同図bに示すように、プラズマアークの起点がプラズマ電極14aの下部となる。プラズマトーチに通電される電圧値を一定とした場合、噴出される不活性ガスの流量にかかわらず、同図aおよびbに示すように、プラズマアークの起点から溶融シリコンの上面までの距離であるプラズマアークの起点高さZoは同程度となる。しかし、噴出される不活性ガスの流量が変化すると、プラズマアークの起点位置がプラズマ電極14a内で上下に移動することから、プラズマトーチの高さZが変化する。このため、プラズマトーチから噴出される不活性ガスの流量を変更することにより、プラズマトーチ高さZを調整することが可能となる。前述のとおり、装置構造上の制約から、シリコン原料を投入する高さを調整するのは困難である。また、従来のシリコンインゴットの電磁鋳造方法では、プラズマトーチ高さは、プラズマトーチに供給される電流の電圧値と密接な関係があることから、プラズマ加熱に要求される入熱量により設定された電圧値に応じて調整していた。このため、プラズマトーチ高さを、本発明で規定されるシリコン原料を投入する高さの1/2以上とするのは困難であった。本発明のシリコンインゴットの電磁鋳造方法において、上述のようにプラズマトーチから噴出される不活性ガスの流量を変更してプラズマトーチ高さを調整し、プラズマトーチ高さを、シリコン原料を投入する高さの1/2以上とれば、本発明のシリコンインゴットの電磁鋳造方法を容易に実施することができる。本発明のシリコンインゴットの電磁鋳造方法は、プラズマトーチから噴出される不活性ガスの流量を、マスフローコントローラーにより一定の値に制御するのが好ましい。これにより、プラズマトーチから噴出される不活性ガスの流量を変更してプラズマトーチ高さを調整する作業を、省力化して行うことができる。本発明のシリコンインゴットの電磁鋳造方法の効果を確認するため、電磁鋳造法によりインゴットを鋳造する試験を行った。1.プラズマトーチ高さの検証試験[試験条件]本試験では、前記図5に示す電磁鋳造装置を用い、導電性を有する冷却ルツボ7にシリコン原料12を投入し、冷却ルツボ7を囲繞する誘導コイルから電磁誘導加熱するとともに、冷却ルツボ7の上方に配置されたプラズマトーチ14から不活性ガスを噴出しつつプラズマアークを発生させてプラズマ加熱してシリコン原料12を融解させ、この溶融シリコン13を冷却ルツボ7から引き下げながら凝固させてインゴット3を鋳造した。この際、電磁鋳造装置の原料導入管11は、インゴットの引き下げ軸と原料導入管の投入部とがなす角αを30°にして設け、シリコン原料を投入する高さは300~500mmとした。シリコン原料は、粒径が0.1~20mmのものを用いた。不活性ガスとしてアルゴンガスを用い、プラズマトーチから噴出されるアルゴンガスは、プラズマトーチ先端の噴出圧力が138kPaで一定となるように調整して噴出させた。プラズマトーチに供給される電流の電圧値は127V、電流値は1100Aで一定とするため、プラズマトーチによるプラズマ加熱を開始する際にプラズマトーチと溶融シリコンとの間隔プラズマトーチ高さを調整した。その結果、各試験でのプラズマトーチ高さは、180~200mmであった。本試験では、合計30本のインゴットを鋳造し、本発明例では、プラズマトーチ高さをシリコン原料を投入する高さの1/2以上として15本のインゴットを鋳造し、比較例では、プラズマトーチ高さをシリコン原料を投入する高さの1/2未満として15本のインゴットを鋳造した。1本のインゴットの鋳造が完了する都度、プラズマトーチの先端部を確認し、付着シリコンの有無を調査した。プラズマトーチに直径20mm以上の付着シリコンが確認された場合に付着シリコン有りと判定した。本発明例および比較例ともに、鋳造したインゴットの本数に対する付着シリコン有りと判定されたインゴットの本数の百分率であるシリコン付着率を算出した。[試験結果]図3は、本発明例および比較例におけるシリコン付着率を示す図である。同図から、比較例では、プラズマトーチ高さをシリコン原料を投入する高さの1/2未満とし、シリコン付着率は72であった。一方、本発明例では、プラズマトーチ高さをシリコン原料を投入する高さの1/2以上とし、シリコン付着率は25であった。したがって、本発明のシリコンインゴットの電磁鋳造方法は、プラズマトーチ高さをシリコン原料を投入する高さの1/2以上とすることにより、プラズマトーチにシリコンが付着して肥大化するのを抑制できることが確認できた。2.プラズマアークの失火発生を確認する試験[試験条件]本試験では、本発明例および比較例ともにシリコン原料を投入する高さは500~550mmとした。比較例では、プラズマトーチから噴出されるアルゴンガスは、プラズマトーチ先端の噴出圧力が186kPaで一定となるように調整し、その結果、不活性ガスの流量は110~125l/minであった。この状態で、プラズマトーチに供給される電流の電圧値は127V、電流値は1100Aで一定とするため、プラズマトーチによるプラズマ加熱を開始する際にプラズマトーチ高さを調整した。その結果、プラズマトーチ高さは、250~267mmであった。本発明例では、プラズマトーチに供給される電流の電圧値は127V、電流値は1100Aで一定とした状態で、プラズマトーチ高さをシリコン原料を投入する高さの1/2以上に調整するため、プラズマトーチから噴出されるアルゴンガスの流量と、プラズマトーチ高さの関係を調査した。図4は、プラズマトーチから噴出される不活性ガスの流量と、プラズマトーチ高さとの関係を示す図である。同図から、シリコン原料を投入する高さの1/2以上に調整するには、不活性ガスの流量を100l/min以下に変更する必要があることが確認され、本発明例では、不活性ガスの流量をいずれも95l/minに設定した。その結果、プラズマトーチ高さは、278~289mmであった。本発明例および比較例ともに、それぞれ10本のインゴットを鋳造した。これら以外の試験条件は、本発明例および比較例ともに、1.プラズマトーチ高さの検証試験と同じにした。本発明例および比較例ともに、インゴット鋳造中にプラズマアークの失火が発生した回数をカウントするとともに、プラズマトーチへの付着シリコンの有無を確認した。ここで、直流電源が備えるインターロック機構の電圧閾値は上限135V、下限107Vに設定し、付着シリコンの有無の判定は、1.プラズマトーチ高さの検証試験と同様の基準で行った。表1に、区分、試験番号、プラズマトーチ高さ、プラズマアークの失火回数および付着シリコンの有無について示す。[試験結果]表1から、比較例では、いずれもプラズマトーチ高さがシリコン原料を投入する高さの1/2未満として10本のインゴットを鋳造し、そのうち8本のインゴットの鋳造で付着シリコンが確認された。また、比較例で付着シリコンが確認された8本のインゴットの鋳造のうち、5本のインゴットの鋳造でプラズマアークの失火が1~3回発生した。一方、本発明例では、いずれもプラズマトーチ高さをシリコン原料を投入する高さの1/2以上として10本のインゴットを鋳造し、そのうち1本のインゴットの鋳造で付着シリコンが確認された。また、本発明例では、1本のインゴットの鋳造でプラズマアークの失火が1回だけ発生した。これらから、本発明のシリコンインゴットの電磁鋳造方法は、プラズマトーチ高さをシリコン原料を投入する高さの1/2以上とすることにより、プラズマトーチにシリコンが付着して肥大化するのを抑制できることが確認できた。これにより、本発明のシリコンインゴットの電磁鋳造方法は、シリコンインゴットの鋳造中にプラズマアークの失火が発生するのを低減することができることが明らかになった。さらに、プラズマトーチから噴出される不活性ガスの流量を変更することにより、プラズマトーチ高さを調整できることが確認できた。