"ルツボの基体となる外層と、前記外層の内周面に形成された、シリコン等の溶融液と接する内層とを備えたシリカ焼結体ルツボであって、前記外層が、溶融シリカ粒子からなる層であり、前記内層が、球状のシリカ粒子及びシリカ微粉末からなる層であり、前記内層表面領域は、球状のシリカ粒子が相互に連結されると共に、球状のシリカ粒子の間に空間が存在していることを特徴するシリカ焼結体ルツボ。ルツボの基体となる外層と、前記外層の内周面に形成された、シリコン等の溶融液と接する内層とを備えたシリカ焼結体ルツボであって、前記外層が、溶融シリカ粒子を堆積させて成形し、焼成された層であり、前記内層が、前記外層の内周面に、球状のシリカ粒子及びシリカ微粉末を含有する内層用コーティング液によるコーティング層が形成され、前記コーティング層を焼成して形成された層であり、前記内層表面領域は、球状のシリカ粒子が相互に連結されると共に、球状のシリカ粒子の間に空間が存在していることを特徴するシリカ焼結体ルツボ。前記内層用コーティング液に含有される球状のシリカ粒子の平均粒子径が10μm以下であり、半値全幅が10μm以上であることを特徴とする請求項1または請求項2記載のシリカ焼結体ルツボ。前記球状のシリカ粒子が相互に連結される部分が0.1μm~9μmであることを特徴とする請求項3記載のシリカ焼結体ルツボ。ところで、単結晶引上げにおいて、前記シリカガラスルツボ内に原料のポリシリコン塊を充填し、減圧下で、前記シリカガラスルツボの周囲に配置されたヒータによって、ポリシリコン塊を加熱、溶融し、シリコン原料融液を形成している。このようにシリコン原料融液を形成する際には、前記したようにシリカガラスルツボの内部にポリシリコン塊が充填されるが、このポリシリコン塊の投入時の衝撃によって、シリカガラスルツボの内表面に欠け、割れクラック等の損傷が生じる虞があった。これらシリカガラスルツボの内表面に欠け、割れクラック等の損傷が生じると、シリコン原料融液中に、前記損傷によって生じたシリカガラスの破片が混入し、引き上げられる単結晶シリコンに取り込まれる虞があった。即ち、シリカガラスの破片の混入によって単結晶シリコンに結晶転位による有転位化結晶欠陥が生じ、単結晶化率を低下させるという技術的課題があった。また、シリカガラスルツボの内表面の割れクラック中に大気が取り込まれるため、前記大気気泡がシリコン原料融液中に混入し、引上げられるシリコン単結晶中に気泡が取込まれる虞があった。即ち、シリコン単結晶中に取り込まれる気泡によって単結晶シリコンに結晶転位による有転位化結晶欠陥が生じ、単結晶化率を低下させるという技術的課題があった。本発明者らは、上記技術的課題を解決するために、ルツボの内表面に欠け、割れクラック等の損傷が生じ難いルツボを鋭意研究した。その結果、ルツボがシリカ焼結体で形成されている場合には、従来のシリカガラスルツボに比べて柔らかく、ルツボに原料のポリシリコン塊を充填する際、ルツボの内表面が凹むという損傷を受ける可能性は有るものの、欠け、割れクラックの損傷は生じ難いことを知見した。しかも、前記シリカ焼結体からなるルツボを、ポリシリコン等の溶融熱等の加熱によってシリカ焼結体からシリカガラスに変化させてシリカガラスルツボとなし、このシリカガラスルツボを用いることによって単結晶引上げができること知見した。また、前記シリカ焼結体ルツボにおいて、ルツボの基体となる外層と、前記外層の内周面に内層が形成されたルツボであることが、ポリシリコン等の溶融液と接する内層の純度を、コストを抑制しつつ、高める上で好ましいこと知見した。更に、このように、外層及び内層を備えるシリカ焼結体ルツボにあっては、内層が外層から剥離しないように構成することが重要であることを知見した。加えて、前記シリカ焼結体からなるルツボを、ポリシリコン等の溶融熱等の加熱によってシリカ焼結体からシリカガラスに変化させてシリカガラスルツボとなす際、シリカ焼結体に含まれる空気、特に内層に含まれる空気が気泡として残存しないようになすことが重要であることを知見した。本発明は、上記事情に基づいてなされたものであり、ルツボの基体となる外層と、前記外層の内周面に形成された、ポリシリコン等の溶融液と接する内層とを備えたシリカ焼結体ルツボにおいて、前記内層が外層から剥離し難く、かつシリカガラスルツボとなした際、内層の気泡を抑制できるシリカ焼結体ルツボを提供することを目的とする。前記した課題を解決するためになされた本発明にかかるシリカ焼結体ルツボは、ルツボの基体となる外層と、前記外層の内周面に形成された、ポリシリコン等の溶融液と接する内層とを備えたシリカ焼結体ルツボであって、前記外層が、シリカ粒子からなる層であり、前記内層が、球状のシリカ粒子及びシリカ微粉末からなる層であり、前記内層表面領域は、球状のシリカ粒子が相互に連結されると共に、球状のシリカ粒子の間に空間が存在していることを特徴としている。また、本発明にかかるシリカ焼結体ルツボは、ルツボの基体となる外層と、前記外層の内周面に形成された、シリコン等の溶融液と接する内層とを備えたシリカ焼結体ルツボであって、前記外層が、シリカ粒子を堆積させて成形し、焼成された層であり、前記内層が、前記外層の内周面に、球状のシリカ粒子及びシリカ微粉末を含有する内層用コーティング液によるコーティング層が形成され、前記コーティング層を焼成して形成された層であり、前記内層表面領域は、球状のシリカ粒子が相互に連結されると共に、球状のシリカ粒子の間に空間が存在していることを特徴としている。このように、本発明にかかるシリカ焼結体ルツボの内層表面領域は、球状のシリカ粒子が相互に連結されると共に、球状のシリカ粒子の間に空間が存在している、即ち、前記空間が前記シリカ微粉末によって閉塞されていないため、シリカ焼結体が緻密化しシリカガラス化する際に、前記内層内に存在する大気気泡は前記空間を伝わって外部へ排出される。その結果、気泡が抑制された内層を有するシリカガラスルツボを得ることができる。尚、球状のシリカ粒子及びシリカ微粉末によって、球状のシリカ粒子が相互に連結されると共に、シリカ微粉末が球状のシリカ粒子の間の空間に入込み、前記空間の一部が埋められるため、所定の機械的強度を備える内層を得ることができる。このような本発明にかかるシリカ焼結体ルツボによれば、気泡の混入、剥離した内層の破片混入よる、単結晶シリコンの結晶転位による有転位化結晶欠陥を抑制でき、単結晶化率を向上させることができる。また、前記内層用コーティング液に含有される球状のシリカ粒子の平均粒子径が10μm以下であり、半値全幅が10μm以上であることが望ましい。また、前記球状のシリカ粒子が相互に連結される部分の寸法PNが0.1μm~9μmであることが望ましい。本発明によれば、ルツボの基体となる外層と、前記外層の内周面に形成された、ポリシリコン等の溶融液と接する内層とを備えたシリカ焼結体ルツボにおいて、前記内層が外層から剥離し難く、かつシリカガラスルツボとなした際、内層の気泡を抑制できるシリカ焼結体ルツボを得ることができる。以下、本発明にかかるシリカ焼結体ルツボの一実施形態について、図1に基づいて説明する。図1に示すように、本発明にかかるシリカ焼結体ルツボ1は、ルツボの基体となる外層1aと、前記外層1aの内周面に形成された、シリコン等の溶融液と接する内層1bとを備えている。この外層1aは、シリカ粒子を成形し、焼成された層であり、前記内層1bは、前記外層1aの内周面に、球状のシリカ粒子及びシリカ微粉末を含有する成形層を形成し、焼成して形成された層である。このように構成されたシリカ焼結体ルツボ1は、所定温度で所定時間加熱することにより、シリカ焼結体は緻密化し、シリカガラスに変化する。即ち、シリカガラスルツボを形成することができる。また、本発明にかかるシリカ焼結体ルツボ1の内層1bは、球状のシリカ粒子が相互に連結されると共に、球状のシリカ粒子の間の空間が存在し、前記空間が前記シリカ微粉末によって閉塞されていない。このようにシリカ粒子の間の空間がシリカ微粉末によって閉塞されていないため満たされていないため、電子顕微鏡で観察した際、球状のシリカ粒子が連結された状態が認められる。更に、電子顕微鏡写真である図2、図3に基づいて説明すると、内層1bの内表面には球状のシリカ粒子Pcが相互に連結され、シリカ粒子Pc間の空間Oが存在し、球状のシリカ粒子Pcの輪郭が認められる図2の結晶構造CA、図3a参照。前記球状のシリカ粒子Pcの平均粒子径が10μm以下であり、前記球状のシリカ粒子Pcが相互に連結される部分の長さ寸法PNが9μm以下である。これを、図4に模式的に示す。また、図2に示すように、前記内層1bの内表面から外層1a側方向に行くに従って、球状のシリカ粒子の存在が認められる結晶構造CAから鱗片状の結晶構造CBに変化する。このように、結晶構造CAから鱗片状の結晶構造CBへ変化するのは、シリカ粒子の間の空間がシリカ微粉末によって閉塞された満たされたためと考えられる図3b参照。そして、図3cに示すように、前記内層1bと外層1aの界面においても、球状のシリカ粒子の間の空間がシリカ微粉末によって閉塞され満たされ、輪郭が球状のシリカ粒子の存在は認められない。このように内層1bと外層1aの界面におけるシリカ粒子の間の空間がシリカ微粉末によって閉塞されているため、前記空間に存在するシリカ微粉末の焼結体によって前記内層及び外層が強固に結合し、剥離し難い状態になされている。また、このシリカ焼結体ルツボ1における内層1bの内径は、引上げるシリコン単結晶径により適宜設定され、外層1aの厚さ寸法は5mm~20mmに形成されている。また、内層1bの厚さ寸法は0.5mm~5mmに形成されている。前記外層の厚さ肉厚が5mm未満である場合には機械的強度が弱く、また、20mmを超える場合には、ルツボ自体が重量化し、好ましくない。また、前記内層の厚さ肉厚が0.5mm未満である場合には充填されるポリシリコン塊の衝撃を吸収できず、また、5mmを超える場合には、ポリシリコンの溶融時の変形が起こりやすく好ましくない。このように構成されたシリカ焼結体ルツボ1は、ルツボの内表面に欠け、割れの損傷を抑制することができ、仮に、ルツボ内周面に凹みの損傷を受けたとしても、シリコン等の溶融熱等の加熱によってシリカガラスに変化する際に、前記損傷が緩和もしくは修復される。特に、内層が上記特定構造を備えているため、シリカ焼結体が緻密化しシリカガラス化する際に、前記内層内に存在する大気気泡は前記空間を伝わって外部へ排出される。その結果、気泡が抑制された内層を有するシリカガラスルツボを得ることができる。また、球状のシリカ粒子及びシリカ微粉末によって、球状のシリカ粒子が相互に連結されると共に、シリカ微粉末が球状のシリカ粒子の間の空間に入込み、前記空間内の一部が埋められているため、所定の機械的強度を備える内層を得ることができ、ルツボの内表面の損傷を抑制することができる。また、内層1bと外層1aの界面におけるシリカ粒子の間の空間がシリカ微粉末によって閉塞されているため、内層が剥離し難く、このシリカ焼結体ルツボ1によれば、剥離した内層の破片混入による、単結晶シリコンの結晶転位による有転位化結晶欠陥を抑制でき、単結晶化率を向上させることができる。次に、本発明にかかるシリカ焼結体ルツボの製造方法について、図5乃至図8に基づいて説明する。本発明に係るシリカ焼結体ルツボの製造方法は、CIP冷間等方圧成形法や、いわゆる鋳込み成形加圧鋳込み法、ゲルキャスト法、スリップキャスト法などなどを製造方法が適応可能である。まず、シリカ焼結体ルツボの外層基体を製造する方法について説明する。CIP冷間等方圧成形法とは、金属製の内型マンドレルと外型であるゴム型との間に粉体を充填して、静水圧を印加して成形する方法であり、粒度配合を調製した原料粉末をゴム型に充填し、乾式成形で当方加圧するため得られた成形体の密度が均一となる成形方法である。また、スリップキャスト法とは、原料粉末と分散媒、分散剤、バインダ等を混合分散して調製したスリップ泥漿又はスラリーともいうを石膏等の多孔質体で作製された型に注型し、該型の毛細管現象によってスリップ中の液体を吸収させて、前記型表面に固体粒子を堆積させて着肉成形する方法である。[外層製造方法1]まず、シリカ焼結体ルツボの外層基体をCIP冷間等方圧成形法によって製造する方法を説明する。図5に示すように、粒径0.1μm以上5.0mm以下のシリカ粉にバインダーとしてグリコール系可塑剤を混合し、スプレードライで造粒し、顆粒原料粉末を調製する図5のS1。この顆粒原料粉末中のシリカ粉の粒径が0.1μm未満のものを含む場合、粉末粒子が微細すぎて、ルツボ成形体の強度を保持するための骨材として役割を十分に果たすことが困難となる。一方、前記粒径が5.0mmを超えるものを含む場合、粉末粒子が粗すぎて、粒子間に空隙が生じ、これに起因して、ルツボが破損しやすくなる。この原料粉末をルツボ形状となる金属製内型とゴム型との間に充填し図5のS2、バイブレーターで充填する図5のS3。その後、このゴム型を冷間静水圧加圧装置にて150MPa以下の圧力で成形する図5のS4。この成形体を型から取り外し図5のS5、前記成形体を、電気炉にて1200°C以下、大気中で焼成する図5のS6。このルツボの外層基体は、かさ比重1.6~2.2、気孔率7~15の多孔質焼結体として形成される。このルツボの外層基体の厚さ肉厚は、5mm~20mmに形成される。[外層製造方法2]次に、シリカ焼結体ルツボの外層基体をスリップキャスト法によって製造する方法を説明する。図6に示すように、粒径0.1μm以上5.0mm以下のシリカ粉を分散させたスラリーを調整する図6のS21。このスラリー中に添加されるシリカ粉の粒径が0.1μm未満のものを含むの場合、粉末粒子が微細すぎて、ルツボ成形体の強度を保持するための骨材として役割を十分に果たすことが困難となる。一方、前記平均粒径が5.0mmを超えるものを含む場合、粉末粒子が粗すぎて、粒子間に空隙が生じ、これに起因して、ルツボが破損しやすくなる。前記スラリーの調製は、ルツボの構成材料である前記シリカ粉を90重量に、イオン交換水を10重量添加し、撹拌混合することにより行う。なお、前記バインダや分散剤等のルツボの構成材料以外の添加剤には、焼成時に焼失し、溶融シリカ純度に影響を及ぼさないものを用いる。前記スラリーを、鋳込み型石膏型へ供給し図6のS22、型の毛細管現象によってスラリー中の水分を吸収させ図6のS23、前記型表面に溶融シリカ粉を堆積させて着肉成形させる。その後、成形体を型から取り外し図6のS24、乾燥させた後図6のS25、温度1200°C以下、大気中で焼成する図6のS26。このルツボの外層基体は、かさ比重1.6~2.2、気孔率7~15の多孔質焼結体として形成される。このルツボの外層基体の厚さ肉厚は、5mm~20mmに形成される。なお、前記シリカ粉は、天然シリカ粉、合成シリカ粉、溶融シリカ粉などを用いることができる。また、前記シリカ粉は、高純度シリカ粉を用いることが好ましい。このように高純度のシリカを用いることにより、アルカリ金属等による不純物汚染を抑制することができる。しかし、ルツボの外層基体を構成するシリカ粉は低純度のシリカであっても良い。後述する内層の球状のシリカ粉を高純度のものを用いることによって、不純物汚染を抑制するようになしても良い。なお、前記バインダや分散剤等のルツボの構成材料以外の添加剤には、焼成時に焼失し、溶融シリカ純度に影響を及ぼさないものを用いる。次に、前記焼結体に内層を形成する方法について説明する。この焼結体外層の内層は、いわゆるコーティング法排泥法、スプレーコーティング法、スピンコート法などによって製造される。コーティング法排泥法は、前記焼結体の内周面に、内層用コーティング液によりコーティング層を形成し、焼成することによって内層を形成するものである。スプレーコーティング法は、前記焼結体の内周面に内層用コーティング液を吹付け、焼結体の内周面に内層用コーティング液によって成形層を形成するものである。スピンコート法は、前記焼結体の内周面に内層用コーティング液を投入し、焼結体を回転させることにより、焼結体の内周面に内層用コーティング液を塗り広げ、成形層を形成するものである。[内層製造方法]内層用コーティング液は、内層原料粉末図5のS7、図6のS27とバインダ図5のS8、図6のS28、分散媒、分散剤を混合分散して調製した内層用コーティング液を形成する図5のS9、図6のS29。ここで、内層原料粉としては、球状のシリカ粒子及びシリカ微粉末が用いられる。一例を挙げれば、平均粒径が10μm以下であって半値全幅が10μm以上の球状シリカ粒子が用いられる。平均粒径が10μm以下であって半値全幅が10μm以上となるように平均粒径の異なる2以上の球状シリカ粒子を混合したものを用いても良い。この平均粒径が10μm以下であって半値全幅が10μm以上の球状シリカ粒子を用いるは、成形体の充填率を上げ、焼成収縮を減らし変形を防止するためである。前記球状シリカ粒子の中で、粒子径の大きな球状シリカが内層1bの骨格を形成し、粒子径の小さな球状シリカシリカ微粉末が、粒子径の大きな球状シリカの間の空間を閉塞する役割を果たす。また、平均粒径の異なる2以上の球状シリカ粒子を用いることにより、より微細なシリカ微粉末を含有させることができる。また、内層原料粉として用いられる球状シリカ粒子は、高純度のものを用いることが好ましい。このように高純度のものを用いることにより、引き上げられる単結晶の不純物汚染を抑制することができる。また、前記バインダとしては、例えば、アクリル系バインダーが好適に用いられる。このように調整された内層用コーティング液を撹拌し、均一に分散した状態になす図5のS10、図6のS30。そして、この内層用コーティング液を、前記製造した焼結体の内面に塗布、スプレーコーティング、スピンコートにより、焼結体外層の内周面に前記内層用コーティング液による成形層を形成する図5のS11、図6のS31。この成形層は、厚さ0.5mm~5mmに形成される。塗布された内層用コーティング液は、毛細管現象により外層に吸収されるため、シリカ微粉末である球状シリカ粒子は内層側から外層側に移動する。このシリカ微粉末が移動することにより、内層と外層の界面近傍における球状のシリカ粒子粒子径の大きな球状シリカ粉末の間の空間が、前記シリカ微粉末によって閉塞される満たされる。また、内層と外層の界面近傍における外層のシリカ粒子の間の空間も、前記シリカ微粉末によって閉塞される満たされる。一方、内層の内表面側における、球状のシリカ粒子粒子径の大きな球状シリカ粉末の間の空間は、シリカ微粉末が移動したことにより、シリカ微粉末によって閉塞されず満たされず、輪郭が球状のシリカ粒子の存在が認められる。この成形層を形成する際、図7に示すように、ルツボ1の口元部1cに成形層を形成し、前記内層1bを形成しても良い。このようにルツボ1の口元部1cに前記内層1bを形成することにより、ルツボ1の内周面に形成された内層1bの剥離を抑制することができる。口元部1cの内層1bの形成は、タンク10に貯留した内層用コーティング液Cに、前記口元部1cを漬けることにより形成することができる。また、内周面がコーティングされたこの焼結体を乾燥させた後図5のS12、図6のS32、温度1200°C以下、大気中で焼成する図5のS13、図6の33。これにより、コーティングされた内周面も多孔質焼結体として形成される。このようにして、図1乃至図3に示すような外層基体1aと内層1bがシリカ焼結体で形成されたルツボ1が製造される。また、このシリカ焼結体ルツボ1は、前記したように、シリカ焼結体ルツボの外層基体1aを、CIP冷間等方圧成形法、またはスリップキャスト法によって製造し、内層1bをコーティング法で形成するため、コスト的に安価であり、大量生産に好適である。尚、内層用コーティング液を、前記製造した焼結体の内面に塗布することにより、焼結体外層の内周面に成形層内層を形成する場合について説明したが、塗布の方法については特に限定されず、例えば、スプレーコート、刷毛塗り、浸漬する等の方法を用いることもでき、均一な厚さで内層を形成することができるものであれば良い。次に、前記シリカ焼結体ルツボを用いて、単結晶引上げる場合について説明する。尚、単結晶引き上げ装置は一般的な引上げ装置を用いることができる。尚、上記製造方法にあっては、所定粒径のシリカ粉を成形し、その成形体を焼成した後、前記焼結体の内周面に、所定粒径の球状シリカ粒子を含有する成形層を形成し、前記成形層を焼成し、前記焼結体の内周面に内層を形成した。しかしながら、本発明に係る製造方法は、上記製造方法に限定されるものではなく、所定粒径のシリカ粉を成形し、その成形体の内周面に、所定粒径の球状シリカ粒子を含有する成形層を形成し、前記成形層を形成した成形体を焼成し、前記焼結体の内周面に内層を形成しても良い。この場合、焼成工程が1度で済み効率的にシリカ焼結体ルツボを製造することができる。図8aに示すように、シリカ焼結体ルツボ1に原料のポリシリコン塊Pを充填し、焼結体ルツボの周囲に配置された、ヒータ単結晶引き上げ装置より加熱する。このとき、単結晶引き上げ装置内部は減圧状態になされており、ヒータによる加熱は減圧下でなされる。このとき、内層は、球状のシリカ粒子及びシリカ微粉末によって、球状のシリカ粒子が相互に連結されると共に、シリカ微粉末によって球状のシリカ粒子の間の空間の一部を埋める構造を備えているため、所定の機械的強度を備えている。また、前記内層1bと外層1aの界面において、シリカ粒子の間の空間がシリカ微粉末によって閉塞され満たされ、前記空間に存在するシリカ微粉末の焼結体によって、前記内層及び外層が強固に結合しているため、内層の剥離が抑制される。その結果、この後に行われる単結晶引上げにおいて、剥離した内層の破片混入による、単結晶シリコンの結晶転位による有転位化結晶欠陥を抑制でき、単結晶化率を向上させることができる。この加熱によりシリカ焼結体ルツボ1が昇温すると、シリカ焼結体ルツボ1の内層1bは緻密化し始める図中の符号1b1は緻密化部分を示す。また外層1aは原料粉に含まれている添加物により、外層の結晶化が始まる図中の符号1a1は一部結晶化した部分を示す。尚、減圧下でシリカ焼結体ルツボ1の昇温がなされているため、シリカ焼結体ルツボ1内部内層の気泡Aは外部に排出される。仮に、シリカ焼結体ルツボ1内部に気泡Aが存在していても、前記気泡Aは膨張することなく、緻密化がなされる図8b乃至e参照。そして、図8bに示すようにシリカ焼結体ルツボ1が1400°Cに昇温するポリシリコン塊が溶融を開始する前までに内層1bは緻密化を終了し、シリカ焼結体ルツボ1は、シリカガラスルツボとして形成される。また、外層1aは一部結晶化する図中の符号1a1は一部結晶化した部分を示す。即ち、前記ポリシリコン塊が溶融を開始する前に、シリカ焼結体の内層は少なくとも緻密化し、外層の一部は結晶化する。また、内層用コーティング液に結晶化剤が含まれている場合には、図8cに示すように、内層1bの結晶化クリストバラスト化が始まる。そして、シリカ焼結体ルツボ1が1420°Cを超えて昇温するポリシリコン塊が溶融を開始すると、内層1b及び外層1aは結晶化クリストバライト化が進行すると共に、原料のポリシリコンPの溶融が始まる。尚、図中、PLは原料のポリシリコンPの融液を示している。また、図中の符号1a2,1b2は結晶化部分を示す。そして、図8dに示すように、シリカ焼結体ルツボ1が1450°Cで、原料のポリシリコンPの溶融が終了し、この1450°Cの状態を2時間維持することにより、シリカ焼結体ルツボ1の内層1b及び外層1aの結晶化クリストバラスト化が終了する図8e参照。この結晶化クリストバラスト化により、内層内に気泡Aが残存した場合には、気泡Aを内包した状態になすことができる。また結晶化クリストバラスト化により、機械的強度が増し、坐折変形を抑制すると共に、低酸素濃度状態になすことができる。シリカ焼結体ルツボ1がシリカガラスルツボとして形成された後、一般的な引上げ方法により、単結晶が引き上げられる。具体的には、ルツボ回転昇降機構により前記ルツボを回転させ、引上げ機構のワイヤに設けられたチャックに取付けられた種結晶を降下させて、原料シリコンの融液に浸漬した後、引上げ機構によりワイヤを徐々に巻取り、シリコン単結晶の育成を行う。このように、シリカ焼結体ルツボ1の緻密化において、内層1b内の大気気泡を排出することができる。仮に、内層1b内に気泡が取り込まれた残存したとしても、減圧下で焼結体ルツボ1の昇温がなされているため、焼結体ルツボ1内部の気泡は膨張することがなく、前記気泡がシリコン融液PL中に混入せず、引上げられるシリコン単結晶中に気泡が取込まれることもない。また、上記したような、いわゆる泡膨れ内在する気泡の膨張が発生しないため内層1bに、剥離あるいは欠け等が生じ難く、それに伴う単結晶化率の低下を抑制することができる。しかも、アーク溶融によりシリカガラスルツボを製造するものでないため、製造時にカーボン電極を大量に消費することもなく、安価に、しかも効率的にルツボを製造することができる。尚、上記実施形態にあっては、ルツボ内周面に凹みの損傷を受けたとしても、ポリシリコン等の溶融熱によって前記損傷が修復されることを説明したが、この別の加熱手段により加熱し、シリカガラスルツボとした後に、シリコン単結晶の引き上げに用いても良い。以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は下記実施例により制限されるものではない。[実施例1]図5に示すように、粒径0.1μm以上5.0mm以下の溶融シリカ粉にバインダーとしてグリコール系可塑剤を混合し、原料粉末を調製する。この原料粉末をルツボ形状となる金属製内型とゴム型との間に充填し、バイブレーターで充填した。その後、このゴム型を冷間静水圧加圧装置にて150MPa以下の圧力で成形した。この成形体を型から取り外し、前記成形体を、電気炉にて1200°C以下、大気中で焼成した。尚、この多孔質焼結体外層の厚さを、5mm~20mmに形成した。この焼成によって得た焼結体外層の内周面に、いわゆるコーティング法排泥法によって成形層を形成した。この成形層を形成するための内層用コーティング液は、平均粒径が10μm半値全幅:15μmの球状シリカ粉と、アクリル系バインダーとを添加しスラリーを調製した。そして、この内層用コーティング液を、前記製造した焼結体外層の内周面に塗布することにより、焼結体外層の内周面に厚さ0.5mm~5.0mmの成形層を形成した。この内周面がコーティングされた焼結体を100°C以上で乾燥させた後、1200°C以下、大気中で焼成した。このようにして、外層基体と内層が多孔質シリカ焼結体で形成されたルツボを形成した。そして、このように製造されたシリカ焼結体ルツボの側壁断面を電子顕微鏡SEMで観察したところ、前記内層の内表面における球状のシリカ粒子の間の空間は、シリカ微粉末によって閉塞されず、輪郭が球状のシリカ粒子を確認することができた。尚、内層と外層の界面において、球状のシリカ粒子の間の空間がシリカ微粉末によって閉塞されていることが確認された。更に、上記条件で製造されたシリカ焼結体ルツボに、原料のポリシリコン塊を充填し、減圧下で、シリカ焼結体ルツボの周囲に配置された、ヒータ単結晶引き上げ装置より加熱した。シリカ焼結体ルツボを1450°Cの状態を2時間維持し、シリカ焼結体ルツボの内層及び外層の結晶化クリストバラスト化を行った。その後、前記ルツボを一般的な引上げ装置に設置し、所定の条件下でシリコン単結晶の引上げを行った。そして、シリコン単結晶の結晶欠陥を、透過電子顕微鏡により、測定した結果、結晶欠陥は確認されず良好であった。[実施例2]図6に示すように、粒径0.1μm以上5.0mm以下の溶融シリカ粉を分散させたスラリーを調整する。このスラリーは、水の分散媒中に、ルツボの構成材料である前記溶融シリカ粉を90重量、イオン交換水を10重量、添加し撹拌混合することにより調整する。このスラリーを、鋳込み型石膏型へ供給した後、前記型表面に溶融シリカ粒子を堆積させて成形した。この成形体を型から取り外し、前記成形体を100°C以上で乾燥させた後、温度1200°C以下、大気中で焼成した。この焼成によって得た焼結体外層の内周面に、実施例1と同様の条件によって内層を形成した。そして、このように製造されたシリカ焼結体ルツボの側壁断面を電子顕微鏡SEMで観察したところ、前記内層の内表面における球状のシリカ粒子の間の空間は、シリカ微粉末によって閉塞されず、輪郭が球状のシリカ粒子を確認することができた。尚、内層と外層の界面において、球状のシリカ粒子の間の空間がシリカ微粉末によって閉塞されていることが確認された。更に、上記条件で製造されたシリカ焼結体ルツボに、原料のポリシリコン塊を充填し、減圧下で、シリカ焼結体ルツボの周囲に配置された、ヒータ単結晶引き上げ装置より加熱した。シリカ焼結体ルツボを1450°Cの状態を2時間維持し、シリカ焼結体ルツボの内層及び外層の結晶化クリストバラスト化を行った。その後、前記ルツボを一般的な引上げ装置に設置し、所定の条件下でシリコン単結晶の引上げを行った。そして、シリコン単結晶の結晶欠陥を、透過電子顕微鏡により、測定した結果、結晶欠陥は確認されず良好であった。[比較例1]粒径0.1μm以上1.0mmの溶融シリカ粉を分散させたスラリーを調整する。このスラリーは、水の分散媒中に、ルツボの構成材料である前記溶融シリカ粉を90重量、イオン交換水を10重量、添加し撹拌混合することにより調整する。このスラリーを、鋳込み型石膏型へ供給した後、前記型表面に溶融シリカ粒子を堆積させて成形した。この成形体を型から取り外し、前記成形体を100°C以上で乾燥させた後、温度1200°C以下、大気中で焼成した。この焼成によって得た焼結体外層の内周面に、いわゆるコーティング法排泥法によって内層を形成した。この内層を形成するための内層用コーティング液は、平均粒径が2μmの球状シリカ粒子を100重量、更にアクリル系バインダーとを添加し、スラリーwp調製した。そして、この内層用コーティング液を、前記製造した焼結体外層の内周面に塗布することにより、焼結体外層の内周面に厚さ0.5mm~5.0mmの内層を形成した。また、内周面がコーティングされた焼結体を100°C以上で、乾燥させた後、電気炉にて温度1200°C以下、大気中で焼成した。このようにして、外層基体と内層がシリカ焼結体で形成されたルツボを形成した。そして、このシリカ焼結体ルツボの側壁断面を電子顕微鏡SEMで観察したところ、前記内層の内表面における球状のシリカ粒子の間の空間は、シリカ微粉末によって閉塞され、輪郭が球状のシリカ粒子を確認することができなかった。尚、内層と外層の界面において、球状のシリカ粒子の間の空間がシリカ微粉末によって閉塞されていることが確認された。そして、上記条件で製造されたシリカ焼結体ルツボに、実施例1と同様な条件下で、シリコン単結晶の引上げを行った。そして、シリコン単結晶の結晶欠陥を、透過電子顕微鏡により、測定した結果、結晶欠陥が確認された。"