"基板と、第1の主面とその反対側に形成された第2の主面と発光層とを含み、分離溝によって前記基板上で複数に分離された半導体層と、前記基板に対する反対側の前記第2の主面における前記発光層を有する領域に設けられた第1の電極と、前記第2の主面に設けられた第2の電極と、前記半導体層の前記第2の主面側に設けられ、前記第1の電極につながる第1の開口部と前記第2の電極につながる第2の開口部とを有する第1の絶縁層と、を含む積層体における前記第1の絶縁層の前記第1の開口部に、第1の配線層を形成する工程と、前記第1の絶縁層の前記第2の開口部に、第2の配線層を形成する工程と、前記第1の配線層における前記第1の電極に対する反対側の面に、第1の金属ピラーを形成する工程と、前記第2の配線層における前記第2の電極に対する反対側の面に、第2の金属ピラーを形成する工程と、前記第1の金属ピラーの側面と前記第2の金属ピラーの側面との間に、第2の絶縁層を形成する工程と、前記第1の主面側から得られる光の発光スペクトルに基づいて、前記複数の半導体層から選択された半導体層の前記第1の主面上に、前記光に対して透明な透明材を形成する工程と、前記透明材上及び前記複数の半導体層の前記第1の主面上に、蛍光体層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。前記蛍光体層の上面が平坦になるように、前記蛍光体層を形成することを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置の製造方法。前記透明材を形成する工程は、液状の透明樹脂を前記第1の主面上に供給する工程と、前記第1の主面上に供給された透明樹脂を硬化させる工程と、を有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光装置の製造方法。前記発光スペクトルから、前記複数の半導体層を含むウェーハの面内の色度ばらつきを算出する工程をさらに備え、前記色度ばらつきに基づいて、前記透明材を形成することを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。前記蛍光体層を相対的に薄くする部分ほど、前記透明材を厚く形成することを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。前記半導体層の前記第1の主面から前記蛍光体層の上面までの距離は、前記透明材が存在する部分と、前記透明材が存在しない部分とで、ほぼ同一であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。前記透明材を形成する前に、前記基板の除去によって露出された前記第1の主面と、前記第1の配線層との間に電圧を印加して前記発光層を発光させ、前記第1の主面から放出される光の前記発光スペクトルを測定する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項1~6のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。基板と、第1の主面とその反対側に形成された第2の主面と発光層とを含み、分離溝によって前記基板上で複数に分離された半導体層と、前記基板に対する反対側の前記第2の主面における前記発光層を有する領域に設けられた第1の電極と、前記第2の主面に設けられた第2の電極と、前記半導体層の前記第2の主面側に設けられ、前記第1の電極につながる第1の開口部と前記第2の電極につながる第2の開口部とを有する第1の絶縁層と、を含む積層体における前記第1の絶縁層の前記第1の開口部に、第1の配線層を形成する工程と、前記第1の絶縁層の前記第2の開口部に、第2の配線層を形成する工程と、前記第1の配線層における前記第1の電極に対する反対側の面に、第1の金属ピラーを形成する工程と、前記第2の配線層における前記第2の電極に対する反対側の面に、第2の金属ピラーを形成する工程と、前記第1の金属ピラーの側面と前記第2の金属ピラーの側面との間に、第2の絶縁層を形成する工程と、前記第1の主面上に第1の蛍光体層を形成する工程と、前記第1の蛍光体層側から得られる光の発光スペクトルに基づいて、前記複数の半導体層から選択された半導体層上の前記第1の蛍光体層上に、前記光に対して透明な透明材を形成する工程と、前記透明材及び前記第1の蛍光体層上に、第2の蛍光体層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。前記第1の蛍光体層と前記第2の蛍光体層とは、同種の蛍光体粒子を含むことを特徴とする請求項8記載の半導体発光装置の製造方法。前記第1の蛍光体層は、前記第2の蛍光体層よりも、膜厚が薄く、且つ高濃度に蛍光体粒子を含むことを特徴とする請求項8または9に記載の半導体発光装置の製造方法。前記第1の蛍光体層及び前記第2の蛍光体層は、前記発光層が発する光に励起されて赤色光を発する赤色蛍光体粒子と、前記発光層が発する光に励起されて緑色光を発する緑色蛍光体粒子とを含み、前記第1の蛍光体層は、前記第2の蛍光体層よりも、前記赤色蛍光体粒子に対する前記緑色蛍光体粒子の相対濃度が低いことを特徴とする請求項9または10に記載の半導体発光装置の製造方法。前記透明材に前記緑色蛍光体粒子を混入することを特徴とする請求項11記載の半導体発光装置の製造方法。前記第1の蛍光体層及び前記第2の蛍光体層を、それぞれ上面が平坦になるように形成することを特徴とする請求項8~12のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。前記透明材を形成する工程は、液状の透明樹脂を前記第1の蛍光体層上に供給する工程と、前記第1の蛍光体層上に供給された透明樹脂を硬化させる工程と、を有することを特徴とする請求項8~13のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。前記第2の蛍光体層を相対的に薄くする部分ほど、前記透明材を厚く形成することを特徴とする請求項8~14のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。前記半導体層の前記第1の主面から前記第2の蛍光体層の上面までの距離は、前記透明材が存在する部分と、前記透明材が存在しない部分とで、ほぼ同一であることを特徴とする請求項8~15のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。前記第1の蛍光体層を形成した後、前記透明材を形成する前に、前記第1の金属ピラーの前記第1の配線層に対する反対側の面と、前記第2の金属ピラーの前記第2の配線層に対する反対側の面との間に電圧を印加して前記発光層を発光させ、前記第1の主面から前記第1の蛍光体層を介して放出される光の前記発光スペクトルを測定する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項8~16のいずれか1つに記載の半導体発光装置の製造方法。前記発光スペクトルに基づいて、前記透明樹脂の供給量を調整することを特徴とする請求項3または14に記載の半導体発光装置の製造方法。色ばらつきを低減した半導体発光装置の製造方法を提供する。実施形態によれば、半導体発光装置の製造方法は、半導体層と、第1の電極と、第2の電極と、第1の絶縁層と、を含む積層体における前記第1の絶縁層の第1の開口部に、第1の配線層を形成する工程を備えている。前記半導体層は、基板と、第1の主面とその反対側に形成された第2の主面と発光層とを含み、分離溝によって前記基板上で複数に分離されている。前記第1の電極は、前記基板に対する反対側の前記第2の主面における前記発光層を有する領域に設けられている。前記第2の電極は、前記第2の主面に設けられている。前記第1の絶縁層は、前記半導体層の前記第2の主面側に設けられ、前記第1の電極につながる第1の開口部と前記第2の電極につながる第2の開口部とを有する。また、実施形態によれば、前記第1の絶縁層の前記第2の開口部に、第2の配線層を形成する工程を備えている。また、実施形態によれば、前記第1の配線層における前記第1の電極に対する反対側の面に、第1の金属ピラーを形成する工程を備えている。また、実施形態によれば、前記第2の配線層における前記第2の電極に対する反対側の面に、第2の金属ピラーを形成する工程を備えている。また、実施形態によれば、前記第1の金属ピラーの側面と前記第2の金属ピラーの側面との間に、第2の絶縁層を形成する工程を備えている。また、実施形態によれば、前記第1の主面側から得られる光の発光スペクトルに基づいて、前記複数の半導体層から選択された半導体層の前記第1の主面上に、前記光に対して透明な透明材を形成する工程を備えている。また、実施形態によれば、前記透明材上及び前記複数の半導体層の前記第1の主面上に、蛍光体層を形成する工程を備えている。以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。また、工程を表す図面においては、ウェーハ状態における一部の領域を表す。図1は、第1実施形態の半導体発光装置の模式断面図である。本実施形態の半導体発光装置は、半導体層15を有する。半導体層15は、第1の主面15aと、その反対側に形成された第2の主面を有する。第2の主面側に電極、配線層及び樹脂層が設けられ、光は、主として第1の主面15aから取り出される。半導体層15は、第1の半導体層11と第2の半導体層13を有する。第1の半導体層11は、例えばn型のGaN層であり、電流の横方向経路として機能する。但し、第1の半導体層11の導電型はn型に限らず、p型であってもよい。第2の半導体層13は、発光層活性層12を、n型層とp型層とで挟んだ積層構造を有する。半導体層15の第2の主面側は凹凸形状に加工され、その第2の主面側には発光領域15bと非発光領域15cが設けられている。発光領域15bは発光層12を含む。非発光領域15cは、発光層12を含まず、例えば、発光層12の外周端部よりも外側に設けられている。発光領域15bの表面である第2の半導体層13の表面には、第1の電極としてp側電極16が設けられている。すなわち、p側電極16は、発光層12を含む発光領域15bに設けられている。非発光領域15cの表面である第1の半導体層11の表面には、第2の電極としてn側電極17が設けられている。一つのチップ半導体層15において、発光領域15bの面積の方が非発光領域15cの面積よりも広く、p側電極16の面積の方がn側電極17の面積よりも広い。したがって、発光領域を広く確保できる。半導体層15の側面及び第2の主面の一部は、絶縁層14、18で覆われている。絶縁層14、18は、p側電極16とn側電極17との間の段差部にも形成されている。絶縁層14は、例えばシリコン酸化物、シリコン窒化物である。絶縁層18は、例えば、微細開口のパターニング性に優れたポリイミド等の樹脂である。あるいは、絶縁層18としてシリコン酸化物を用いてもよい。絶縁層14は、p側電極16及びn側電極17を覆っていない。絶縁層18において、半導体層15に対する反対側の面18cに第1の配線層としてのp側配線層21と、第2の配線層としてのn側配線層22が設けられている。p側配線層21は、p側電極16に達して絶縁層18に形成された第1の開口部18aにも設けられ、p側電極16と接続されている。n側配線層22は、n側電極17に達して絶縁層18に形成された第2の開口18b部にも設けられ、n側電極17と接続されている。p側配線層21においてp側電極16に対する反対側の面には、第1の金属ピラーとしてp側金属ピラー23が設けられている。n側配線層22においてn側電極17に対する反対側の面には、第2の金属ピラーとしてn側金属ピラー24が設けられている。p側金属ピラー23の周囲、n側金属ピラー24の周囲、p側配線層21およびn側配線層22は、第2の絶縁層としての樹脂層25で覆われている。樹脂層25は、隣接するピラー間に充填されている。p側金属ピラー23及びn側金属ピラー24のそれぞれの下面は、樹脂層25から露出している。なお、第2の絶縁層と、第1の絶縁層絶縁層18とは同じ材料であってもよい。半導体層15において発光層12を含まない非発光領域15cに設けられたn側電極17と接続するn側配線層22の面積は、n側電極17側の面よりも、n側電極17とは反対側の面において大きくなっている。すなわち、n側配線層22とn側金属ピラー24とが接触する面積は、n側配線層22とn側電極17とが接触する面積より大きい。また、p側配線層21とp側金属ピラー23とが接触する面積は、p側配線層21とp側電極16とが接触する面積より大きい。あるいは、p側配線層21とp側金属ピラー23とが接触する面積が、p側配線層21とp側電極16とが接触する面積より小さい場合もある。また、n側配線層22の一部は、絶縁層18の表面18c上を、発光層12の下に重なる位置まで延在する。これにより、より広い発光層12によって高い光出力を保ちつつ、半導体層15における発光層12を含まない部分の狭い面積に設けられたn側電極17から、n側配線層22を介して、より広い引き出し電極を形成できる。第1の半導体層11は、n側電極17及びn側配線層22を介してn側金属ピラー24と電気的に接続されている。第2の半導体層13は、p側電極16及びp側配線層21を介してp側金属ピラー23と電気的に接続されている。p側金属ピラー23及びn側金属ピラー24のそれぞれの下面には、必要に応じて、防錆などを目的とした表面処理膜例えば、Ni、Auなどの無電解メッキ膜、プリコートされたはんだ等が形成される。n側配線層22、p側配線層21、n側金属ピラー24、p側金属ピラー23の材料としては、銅、金、ニッケル、銀などを用いることができる。これらのうち、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性及び絶縁材との優れた密着性を備えた銅がより好ましい。絶縁層18には、複数の微細開口部18a、18bが形成されるパターニングが行われる。このため、絶縁層18として、微細開口部のパターニング性に優れた例えばポリイミドなどの樹脂を用いるのが望ましい。樹脂層25は、低コストで厚く形成でき、且つn側金属ピラー24及びp側金属ピラー23の補強に適した樹脂を用いるのが望ましい。例えば、樹脂層25として、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂などを挙げることができる。半導体層15の第1の主面15a上には、発光層12から放出され、第1の主面15a側から得られる光に対して透明な透明材として透明樹脂27が設けられている。後述するように、透明樹脂27は設けられない場合もある。透明樹脂27上には、蛍光体層28が設けられている。蛍光体層28は、発光層12からの光を吸収し波長変換光を放出可能な蛍光体粒子を含む。このため発光層12からの光と蛍光体層28における波長変換光との混合光が放出可能となる。例えば発光層12を窒化物系とすると、その発光層12からの青色光と、例えば黄色蛍光体粒子を含む蛍光体層28における波長変換光である黄色光との混合色として白色または電球色などを得ることができる。なお、蛍光体層28は、複数種の蛍光体粒子例えば、赤色蛍光体粒子と緑色蛍光体粒子を含む構成であってもよい。ここで、黄色蛍光体粒子、赤色蛍光体粒子、緑色蛍光体粒子は、発光層12からの励起光によって、それぞれ黄色光、赤色光、緑色光を発する。発光層12から発光された光は、主に、第1の半導体層11、第1の主面15a、透明樹脂27および蛍光体層28を進んで、外部に放出される。透明樹脂27は、発光層12から放出され、第1の主面15a側から得られる光の発光スペクトルに基づいて、第1の主面15a上に設けられる。その発光スペクトルによっては、透明樹脂27が設けられない場合もある。また、透明樹脂27を設ける場合には、その厚さが、上記発光スペクトルに基づいて調整される。蛍光体層28の上面は平坦にされる。したがって、透明樹脂27の厚さ透明樹脂27がない厚さゼロの場合も含むによって、蛍光体層28の厚さが変わってくる。すなわち、蛍光体層28の供給量を一定とした場合、透明樹脂27を厚くするほど、蛍光体層28を薄くできる。本実施形態では、第1の主面15a側から得られる光の発光スペクトルに基づいて、透明樹脂27を設けるか否か、さらには設ける場合にはその厚さを調整する。測定された発光スペクトルから、例えば、複数の半導体層15を含むウェーハ面内の色度ばらつきが算出される。そして、ウェーハ面内の色度ばらつきに基づいて、蛍光体層28の厚さが制御される。蛍光体層28の厚さを、色度ばらつきに応じて適切に調整することで、外部に放出される光の色ばらつきを抑制することができる。発光層12の発光波長が同じであっても、蛍光体層28の種類が変われば、その適切な厚さも変わってくる。また、透明樹脂27を、凸状もしくは凹状に加工すれば、配光特性を制御するレンズとして機能させることもできる。p側金属ピラー23及びn側金属ピラー24の下面は、例えば、はんだ、あるいは他の金属材料からなるボールもしくはバンプ形状の外部端子を介して、実装基板もしくは配線板に形成された配線に接合可能である。これにより、半導体発光装置に電力を供給できる。n側金属ピラー24及びp側金属ピラー23のそれぞれの厚み図1において上下方向の厚みは、半導体層15、n側電極17、p側電極16、絶縁層14、18、n側配線層22およびp側配線層21を含む積層体の厚みよりも厚い。各金属ピラー23、24のアスペクト比平面サイズに対する厚みの比は1以上であることに限らず、その比は1よりも小さくてもよい。すなわち、金属ピラー23、24は、その平面サイズよりも厚みが小さくてもよい。本実施形態の構造によれば、半導体層15が薄くても、n側金属ピラー24、p側金属ピラー23および樹脂層25を厚くすることで機械的強度を保つことが可能となる。また、実装基板に実装した際、外部端子を介して半導体層15に加わる応力をn側金属ピラー24とp側金属ピラー23が吸収することで緩和することができる。次に、図2a~図5bを参照して、第1実施形態の半導体発光装置の製造方法について説明する。まず、図2aに示すように、基板10の主面上に第1の半導体層11を形成し、その上に発光層12を含む第2の半導体層13を形成し、半導体層15を形成する。半導体層15が例えば窒化物系半導体の場合、半導体層15は例えばサファイア基板上に結晶成長させることができる。次に、図示しないレジストを用いた例えばRIEReactiveIonEtching法で、図2bに示すように、半導体層15を貫通して基板10に達する分離溝9を形成する。分離溝9は、ウェーハ状態の基板10上で例えば格子状に形成され、半導体層15を複数に分離する。また、図示しないレジストを用いた例えばRIE法で、発光層12を含む第2の半導体層13の一部を除去して、第1の半導体層11の一部を露出させる。これにより、半導体層15の第2の主面側に、基板10から見て相対的に上段に位置する発光領域15bと、上段部よりも基板10側の下段に位置する非発光領域15cが形成される。発光領域15bは発光層12を含み、非発光領域15cは発光層12を含まない。基板10の主面、半導体層15の側面および第2の主面は、図2cに示す絶縁層14で覆われる。そして、絶縁層14を選択的に除去して、発光領域15bの表面第2の半導体層13の表面にp側電極16を、非発光領域15cの表面第1の半導体層11の表面にn側電極17を形成する。p側電極16とn側電極17はどちらを先に形成してもよく、あるいはp側電極16とn側電極17とを同じ材料で同時に形成してもよい。次に、基板10上の露出している部分すべてを図3aに示す絶縁層18で覆う。この後、例えばウェットエッチングにより絶縁層18をパターニングし、絶縁層18に選択的に第1の開口部18aと第2の開口部18bを形成する。第1の開口部18aは、p側電極16に達する。第2の開口部18bは、n側電極17に達する。絶縁層18は、分離溝9内に充填される。次に、絶縁層18の表面18c、第1の開口部18aおよび第2の開口部18bの内面に、連続したシードメタル19図3aにおいて破線で示すを形成する。さらに、シードメタル19上に図示しないレジストを選択的に形成し、シードメタル19を電流経路としたCu電解メッキを行う。これにより、図3bに示すように、絶縁層18の表面18c上に、選択的にp側配線層21とn側配線層22が形成される。p側配線層21は、第1の開口部18a内にも形成され、p側電極16と接続される。n側配線層22は、第2の開口部18b内にも形成され、n側電極17と接続される。p側配線層21及びn側配線層22はメッキ法により同時に形成される銅材料からなる。あるいは、p側配線層21とn側配線層22とは同時に形成することに限らず、どちらかを先に形成してもよい。n側配線層22においてn側電極17に対する反対側の面は、n側電極17と接続する面よりも大きな面積でもって、絶縁層18の表面18c上にパッド状に形成される。同様に、p側配線層21においてp側電極16に対する反対側の面は、p側電極16と接続する面よりも大きな面積でもって、絶縁層18の表面18c上にパッド状に形成される。次に、金属ピラー形成用の別のレジスト図示せずを絶縁層18上に選択的に形成し、前述したシードメタル19を電流経路としたCu電解メッキを行う。これにより、図4aに示すように、p側配線層21上にp側金属ピラー23が形成され、n側配線層22上にn側金属ピラー24が形成される。p側金属ピラー23およびn側金属ピラー24は、メッキ法により同時に形成され、例えば銅材料からなる。あるいは、p側金属ピラー23とn側金属ピラー24とは、同時に形成することに限らず、どちらかを先に形成してもよい。このメッキの後、p側配線層21、n側配線層22、p側金属ピラー23およびn側金属ピラー24をマスクにして、絶縁層18の表面18c上に露出しているシードメタル19をウェットエッチングする。これにより、p側配線層21とn側配線層22とのシードメタル19を介した電気的接続が分断される。次に、図4bに示すように、絶縁層18上に樹脂層25を形成する。樹脂層25は、p側配線層21、n側配線層22、p側金属ピラー23およびn側金属ピラー24を覆う。樹脂層25は、p側金属ピラー23の側面とn側金属ピラー24の側面との間、p側配線層21とn側配線層22との間に充填される。この後、樹脂層25を研削し、p側金属ピラー23及びn側金属ピラー24におけるそれぞれの上面絶縁層18に対する反対側の面を、樹脂層25から露出させる。なお、以下に説明する蛍光体層28を形成した後に、樹脂層25を研削して、p側金属ピラー23及びn側金属ピラー24のそれぞれの上面を露出させるようにしてもよい。この後、基板10を除去する。基板10は、例えばレーザーリフトオフ法により除去される。具体的には、基板10の裏面側から第1の半導体層11に向けてレーザ光が照射される。レーザ光は、基板10に対して透過性を有し、第1の半導体層11に対しては吸収領域となる波長を有する。レーザ光が基板10と第1の半導体層11との界面に到達すると、その界面付近の第1の半導体層11はレーザ光のエネルギーを吸収して分解する。第1の半導体層11が金属窒化物例えばGaNの場合、ガリウムGaと窒素ガスに分解する。この分解反応により、基板10と第1の半導体層11との間に微小な隙間が形成され、基板10と第1の半導体層11とが分離する。レーザ光の照射を、設定された領域ごとに複数回に分けてウェーハ全体にわたって行い、基板10を除去する。第1の主面15a上から基板10が除去されることで、光取り出し効率の向上を図れる。次に、発光層12を発光させ、第1の主面15aから放出される光の発光スペクトルを測定する。例えば、基板10の除去によって露出された第1の主面15aにグランド電位を、p側金属ピラー23の露出面に正電位を印加する。上記レーザ光の照射によるGaNの分解時に、第1の主面15a上にはガリウム膜が残り、通常、このガリウム膜は出力を低下させる原因になり得るので除去される。しかし、本実施形態では、上記測定時にはガリウム膜をまだ残しておいて、そのガリウム膜に対して負側の測定電極プローブを接触させる。これにより、GaNに対してプローブを接触させるよりも接触抵抗を低くできる。上記電圧の印加により、発光層12に対して、第2の半導体層13側から正孔が注入され、第1の半導体層11側から電子が注入される。これにより、発光層12で電子と正孔とが再結合して発光する。そして、第1の主面15aから放出される光の発光スペクトルを測定する。発光スペクトルの測定後、第1の主面15aを洗浄し、第1の主面15a上に残されたガリウム膜を除去する。また、必要に応じて第1の主面15aを粗面化して、光取り出し効率の向上を図る。そして、図5aに示すように、発光スペクトルの測定結果に基づいて、ウェーハ内の全半導体層15における選択された半導体層15の第1の主面15a上にのみ透明樹脂27を形成する。例えば、液状の透明樹脂27をディスペンサー等を用いて第1の主面15a上に供給した後、硬化させる。また、発光スペクトルの測定結果に基づいて、透明樹脂27の供給量が制御され、透明樹脂27の厚さが制御される。したがって、1枚のウェーハにおいて、厚さの異なる複数の透明樹脂27が複数箇所に形成される場合もあり得る。あるいは、1枚のウェーハにおいて、形成されたすべての透明樹脂27の厚さが同じ場合もあり得る。なお、発光スペクトルの測定結果によっては、1枚のウェーハにおいて、どの半導体層15にも透明樹脂27が形成されない場合もあり得る。透明樹脂27の形成後、図5bに示すように、透明樹脂27を覆うように、ウェーハにおけるすべての半導体層15の第1の主面15a上に一括して蛍光体層28を形成する。例えば、蛍光体粒子が分散された液状の透明樹脂発光層12及び蛍光体粒子の発光光に対して透明をスキージ印刷法で塗布した後、熱硬化させることで、蛍光体層28が形成される。蛍光体層28は、例えばスピンコート法により、ウェーハ全体にわたって上面が平坦になるように形成される。したがって、透明樹脂27が形成された部分は、形成されていない部分に比べて相対的に蛍光体層28の厚さが薄くなる。また、透明樹脂27の厚さが厚いほど蛍光体層28は薄くなる。また、半導体層15の第1の主面15aから蛍光体層28の上面までの距離は、透明材透明樹脂27が存在する部分と、透明材透明樹脂27が存在しない部分とでほぼ同一である。特に前述したレーザーリフトオフ法により基板10を剥離した場合には、半導体層15がレーザ光の照射を受ける影響で、第1の主面15aから放出される光の波長が、同じウェーハ内であってもばらつく場合がある。第1の主面15aから放出される励起光のピーク波長がずれると、蛍光体層28における蛍光発光の変換効率もしくは強度が変わり、結果として外部に放出される光の色がばらつく原因となり得る。本実施形態では、各半導体層15の第1の主面15a側から得られる光の発光スペクトルの測定結果に基づいてウェーハ面内の色度ばらつきが計算され、その色度ばらつきに基づいて透明樹脂27を設けるか否か、また設ける場合にはその厚さを調整する。このため、ウェーハ面内の色度ばらつきに応じて、蛍光体層28の厚さが適切に調整され、外部に放出される光の色ばらつきを抑制できる。なお、透明樹脂27を使わずに、第1の主面15a上への蛍光体層28の供給量を部分的に制御して、蛍光体層28の厚さをウェーハ上で部分的に変えることも考えられる。しかし、蛍光体層28は蛍光体粒子を含むため、微小径のディスペンサーから微小領域に滴下することが難しく、生産性の低下をまねくおそれがある。これに対して、本実施形態における透明樹脂27は、蛍光体粒子を含まず、液状樹脂の状態で容易に微小領域に選択的に供給することができる。個々の半導体層15の平面サイズを微小にすることで、個片化されたチップの平面サイズの小型化を図れ、また1枚のウェーハからとれるチップ数を増大させてコスト低減を図れる。第1の主面15a上に形成する透明材としては、透明樹脂27に限らず、図6aに示すように、ガラスプレート37を用いてもよい。第1の主面15a側から得られる光の発光スペクトルの測定結果に基づいて、ウェーハ内の全半導体層15における選択された半導体層15の第1の主面15a上にのみガラスプレート37を形成する。例えば、粘着層を介してガラスプレート37を第1の主面15a上に貼り付ける。また、発光スペクトルの測定結果に基づいて、ガラスプレート37の厚さが制御される。ガラスプレート37の形成後、図6bに示すように、ガラスプレート37を覆うように、ウェーハにおけるすべての半導体層15の第1の主面15a上に一括して蛍光体層28を形成する。蛍光体層28は、例えばスピンコート法により、ウェーハ全体にわたって上面が平坦になるように形成される。したがって、ガラスプレート37が形成された部分は、形成されていない部分に比べて相対的に蛍光体層28の厚さが薄くなる。また、ガラスプレート37の厚さが厚いほど蛍光体層28は薄くなる。本実施形態においても、各半導体層15の第1の主面15a側から得られる光の発光スペクトルの測定結果に基づいてウェーハ面内の色度ばらつきが計算され、その色度ばらつきに基づいてガラスプレート37を設けるか否か、また設ける場合にはその厚さを調整する。このため、ウェーハ面内の色度ばらつきに応じて、蛍光体層28の厚さが適切に調整され、外部に放出される光の色ばらつきを抑制できる。また、ガラスプレート37の場合には、液状の透明樹脂27を滴下して硬化させる場合にに比べて、所望の形状に制御しやすい。例えば、ガラスプレート37を凸状または凹状に形成することで、配光特性を制御するレンズとして機能させることもできる。透明樹脂27またはガラスプレート37の屈折率は、半導体層15の屈折率例えばGaNの場合、2.5程度と、蛍光体層28の樹脂の屈折率例えば1.5程度との間であることが望ましい。半導体層15と透明材透明樹脂27、ガラスプレート37との界面、および透明材と蛍光体層28との界面での屈折率差が小さければ、光の透過率が高くなる。蛍光体層28の形成後、分離溝9図2bの位置でダイシングし、個片化する。ダイシング時、基板10はすでに除去されている。さらに、分離溝9には、半導体層15は存在せず、絶縁層18として樹脂を埋め込んでおけば、容易にダイシングでき生産性を向上できる。さらに、ダイシング時に半導体層15が受けるダメージを回避することができる。また、個片化後に、半導体層15の側面が絶縁層18で覆われて保護された構造が得られる。個片化された半導体発光装置は、一つの半導体層チップ15を含むシングルチップ構造であってもよいし、あるいは、複数の半導体層チップ15を含むマルチチップ構造であってもよい。ウェーハ状態で複数の半導体層15を含む領域に一括して透明樹脂27を供給すると、複数の半導体層15間のダイシング領域上にも透明樹脂27が供給される。そのダイシング領域上に透明樹脂27が形成されている状態でダイシング領域を切断すると、チップのエッジ付近から蛍光体層を通過しない青色の光が放出される原因となり得る。したがって、透明樹脂27は、1つの半導体層15ごとに供給するのが好ましい。なお、マルチチップ構造では、複数の半導体層15を含む領域に一括して透明樹脂27を供給してもよい。ダイシングされる前までの前述した各工程は、ウェーハ状態で一括して行われるため、個片化された個々の半導体発光装置ごとに、電極の再配線及びパッケージングを行う必要がなく、大幅な生産コストの低減が可能になる。すなわち、個片化された状態で、すでに電極の再配線及びパッケージングが済んでいる。また、ウェーハレベルで検査することが可能となる。このため、生産性を高めることができ、その結果として価格低減が容易となる。透明材透明樹脂27またはガラスプレート37の中に微量の蛍光体粒子が含まれてもよい。その透明材の中に、赤色蛍光体粒子、緑色蛍光体粒子および黄色蛍光体粒子のいずれか1種類が含まれてもよいし、2種類あるいはすべて含まれてもよい。例えば、赤色蛍光体粒子と緑色蛍光体粒子の2種類の蛍光体粒子を使って白色を得る場合、蛍光体層の膜厚制御だけでは、赤色蛍光体粒子と緑色蛍光体粒子の2種類の蛍光体粒子が共に増減する。赤色蛍光体粒子のみまたは緑色蛍光体粒子のみを微量に含んだ透明材を使うことで、厳密な色調整が可能となる。図7a~図8bは、第2実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す。基板10は、複数の半導体層15が形成される素子領域61と、素子領域61よりも外側の外周部62とを有する。図7a及び図8aは、外周部62近傍の断面を表す。図7bは、図7aに対応する状態のウェーハ全体の上面図を表す。図8bは、図8aに対応する状態のウェーハ全体の上面図を表す。本実施形態では、p側配線層21及びn側配線層22のメッキ時に、内側配線65及び外周配線66も絶縁層18の表面18c上に同時に形成される。内側配線65は、素子領域61におけるダイシング領域分離溝9が形成された領域に、例えば格子状に形成される。外周配線66は、外周部62の絶縁層18の表面18c上に形成される。外周配線66は、外周部62の周方向に連続して形成され、素子領域61を連続した閉じたパターンで囲む。内側配線65は、p側配線層21の一部と一体につながっている。さらに、内側配線65における外周部62側の端部は外周配線66と一体につながっている。したがって、p側配線層21は、内側配線65を介して外周配線66と電気的につながっている。n側配線層22は、p側配線層21、内側配線65および外周配線66とつながっていない。さらに、p側金属ピラー23及びn側金属ピラー24のメッキ時に、外周配線66上にも金属が析出される。このメッキ時、内側配線65の上にはレジストが設けられ、内側配線65の上には金属は析出されず、内側配線65の上にはp側金属ピラー23は設けられない。したがって、外周配線66は、内側配線65より厚くなる。外周配線66の厚さ、p側配線層21とp側金属ピラー23とを合わせた厚さ、およびn側配線層22とn側金属ピラー24とを合わせた厚さは、ほぼ同じである。ウェーハの外周部62の周方向に連続して比較的厚い金属層が形成されていることで、ウェーハの機械的強度を高め、ウェーハの反りを抑制し、以降の工程における作業性が容易になる。樹脂層25を形成するときには、図8a、bに示すように、外周配線66における外周側の一部を樹脂層25から露出させる。そして、基板10の除去によって露出された第1の主面15aと、外周部62で樹脂層25から露出する外周配線66との間に電圧を印加して発光層12を発光させ、第1の主面15aから放出される光の発光スペクトルを測定する。外周配線66は、前述した内側配線65を介して、p側配線層21に接続されている。したがって、上記電圧の印加により、発光層12に対して、第2の半導体層13側から正孔が注入され、第1の半導体層11側から電子が注入される。これにより、発光層12で電子と正孔とが再結合して発光する。そして、第1の主面15aから放出される光の発光スペクトルを測定する。本実施形態では、前述したように、p側配線層21と接続された外周配線66をウェーハ外周部62に形成しておくことで、p側金属ピラー23を樹脂層25で覆った状態でも、外周配線66を通じてp側配線層21に電圧を印加することができる。このため、比較的厚い樹脂層25で強度を確保しつつ、測定作業を行え、生産性を損ねない。その後、前述した実施形態と同様、基板10の除去、蛍光体層28の形成などが行われる。この後、分離溝9の位置でダイシングし、個片化する。前述した内側配線65はダイシング領域に形成され、ダイシング幅は内側配線65の幅とほぼ同じ、もしくは内側配線65の幅よりも広い。この場合、ダイシング後、内側配線65は個片化されたチップには残らない。また、p側配線層21における内側配線65とつながった部分でカットされることになるので、結果としてp側配線層21の一部の端面が樹脂層25もしくは絶縁層18から側方に露出した構造が得られ、個片化後もすべての端面が樹脂層25に覆われているn側配線層22との識別が可能になる。個片化された半導体発光装置を実装基板に実装するにあたっては、樹脂層25から露出するp側金属ピラー23の下面及びn側金属ピラー24の下面を、それぞれの極性に応じて実装基板の配線に接合させる必要がある。したがって、p側金属ピラー23とn側金属ピラー24とを識別する必要があるが、それらの側面は樹脂層25で覆われ、露出しているのは下面だけであり、小型化すると両者の識別が困難になる。しかし、本実施形態では、p側金属ピラー23の下に設けられたp側配線層21の一部の端面が樹脂層25から側方に露出されているのに対し、n側金属ピラー24の下に設けられたn側配線層22の端面はすべて樹脂層25で覆われ露出していない。このため、金属ピラーのどちらがp側かn側かを、樹脂層25の側面側に露出する端面を目安に容易に識別することができる。結果として、実装作業が容易になり、生産性が向上し、コスト低減を図れる。次に、第3実施形態について説明する。図9は、第3実施形態の半導体発光装置の製造方法において、基板10を除去する工程以降のフローチャートを表す。図10a及びbは、第3実施形態の半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図である。上記実施形態と同様に、基板10上に、半導体層15、p側電極16、n側電極17、絶縁層14、18、p側配線層21、n側配線層22、p側金属ピラー23、n側金属ピラー24および樹脂層25が形成される。その後、上記実施形態と同様に、基板10が除去されるステップS1。次に、基板10の除去によって露出された半導体層15の第1の主面15a上に、図10aに示すように、第1の蛍光体層28aを形成するステップS2。ウェーハにおけるすべての半導体層15を含む領域に一括して第1の蛍光体層28aを形成する。第1の蛍光体層28aは、各半導体層15の第1の主面15a上およびダイシング領域上に形成される。第1の蛍光体層28aを形成する工程は、例えば、蛍光体粒子が分散された液状の透明樹脂発光層12及び蛍光体粒子の発光光に対して透明を塗布する工程と、その後液状の透明樹脂を熱硬化させる工程とを有する。第1の蛍光体層28aは、例えば真空スキージ印刷法により、ウェーハ全体にわたって上面が平坦になるように形成される。第1の蛍光体層28aの厚さは、ウェーハ面内でほぼ均一である。次に、樹脂層25を研削し、p側金属ピラー23の外部端子23a及びn側金属ピラー24の外部端子24aを露出させる。これら外部端子23a及び24aは、はんだ等を介して実装基板に実装される。なお、基板10を除去する前に、外部端子23a及び24aを露出させてもよい。次に、色度のウェーハ面内分布情報を取得するステップS3。具体的には、発光層12を発光させ、第1の蛍光体層28a側から得られる光の発光スペクトルを、各チップ半導体層15ごとに測定する。第1の蛍光体層28a側から得られる光は、たとえば、発光層12の発光光と、その発光光によって励起された第1の蛍光体層28aの発光光との混合光である。測定された発光スペクトルから、ウェーハ面内の色度分布情報が得られる。なお、すべてのチップの発光スペクトルを測定してもよいし、選択されたチップのみの発光スペクトルを測定してもよい。ウェーハプローバのプローブを外部端子23a及び24aに接触させて、それら外部端子23a及び24aを通じて発光層12に電流を供給して、発光層12を発光させる。プローブを接触させる対象である外部端子23a及び24aは、ウェーハの同じ面側で露出されているため、通常のウェーハプローバで測定が可能である。また、半導体層15の第1の主面15aは第1の蛍光体層28aで保護され、且つプローブは第1の主面15aにコンタクトしない。したがって、光学特性の測定時の半導体層15の損傷を回避できる。そして、上記色度のウェーハ面内分布情報に基づいて、図10bに示すように、ウェーハ内のすべての半導体層15の中から選択された半導体層15の第1の主面15a上の第1の蛍光体層28a上にのみ透明樹脂27を形成する。例えば、液状の透明樹脂27をディスペンサー等を用いて第1の蛍光体層28a上に供給した後、硬化させる。上記色度のウェーハ面内分布情報に基づいて、透明樹脂27の供給量が制御され、透明樹脂27の厚さが制御される。したがって、1枚のウェーハにおいて、厚さの異なる複数の透明樹脂27が複数箇所に形成される場合もあり得る。あるいは、1枚のウェーハにおいて、形成されたすべての透明樹脂27の厚さが同じ場合もあり得る。なお、発光スペクトルの測定結果によっては、1枚のウェーハにおいて、どの半導体層15上にも透明樹脂27が形成されない場合もあり得る。色度のウェーハ面内分布情報から、ウェーハ内のすべてのチップ半導体層15の色度ずれが閾値以下の場合、図9においてステップS4に進む。すなわち、透明樹脂27をどのチップ上にも形成することなく、第1の蛍光体層28a上に第2の蛍光体層28bを形成する。第2の蛍光体層28bを形成する工程は、例えば、蛍光体粒子が分散された液状の透明樹脂第1の蛍光体層28a側から得られる光に対して透明を第1の蛍光体層28a上に塗布する工程と、その液状の透明樹脂を熱硬化させる工程とを有する。第2の蛍光体層28bは、例えば真空スキージ印刷法により、ウェーハ全体にわたって上面が平坦になるように形成される。ウェーハ面内で透明樹脂27を形成しなかった場合、第2の蛍光体層28bの厚さはウェーハ面内でほぼ均一である。色度のウェーハ面内分布情報から、座標x,yのチップの色度ずれが閾値以上である場合、図9においてステップS5に進む。すなわち、座標x,yのチップ上に、上記発光スペクトルを測定して得られた色度に応じた量厚さの透明樹脂27を供給する。色度ずれが閾値以上のすべてのチップについて、色度に応じた量厚さの透明樹脂27を供給する。そして、対象とするすべてのチップ上に透明樹脂27を供給した後、ステップS6において、図10bに示すように、第2の蛍光体層28bを形成する。第2の蛍光体層28bは、透明樹脂27を覆うように、第1の蛍光体層28a上に形成される。第2の蛍光体層28bは、例えば真空スキージ印刷法により、ウェーハ全体にわたって、上面が平坦になるように形成される。したがって、透明樹脂27が形成された部分は、透明樹脂27が形成されていない部分に比べて相対的に第2の蛍光体層28bの厚さが薄くなる。また、透明樹脂27の厚さが厚いほど第2の蛍光体層28bは薄くなる。半導体層15の第1の主面15aから第2の蛍光体層28bの上面までの距離は、透明樹脂27が存在する部分と、透明樹脂27が存在しない部分とでほぼ同一である。本実施形態では、第1の蛍光体層28a側から得られる光の発光スペクトルの測定結果に基づいてウェーハ面内の色度ばらつきが計算され、その色度ばらつきに基づいて透明樹脂27を設けるか否か、また設ける場合にはその厚さを調整する。このため、ウェーハ面内の色度ばらつきに応じて、蛍光体層28の厚さが適切に調整され、外部に放出される光の色ばらつきを抑制できる。発光層12から発光された光は、主に、第1の半導体層11、第1の主面15a、第1の蛍光体層28aおよび第2の蛍光体層28bを進んで、外部に放出される。透明樹脂27は、第1の蛍光体層28a側から得られる光の発光スペクトルに基づいて、第1の主面15a上に設けられる。その発光スペクトルによっては、透明樹脂27が設けられない場合もある。また、透明樹脂27を設ける場合には、その厚さが、上記発光スペクトルに基づいて調整される。第2の蛍光体層28bの上面は平坦にされる。したがって、透明樹脂27の厚さ透明樹脂27がない厚さゼロの場合も含むによって、第2の蛍光体層28bの厚さが変わってくる。すなわち、第2の蛍光体層28bの供給量を一定とした場合、透明樹脂27を厚くするほど、第2の蛍光体層28bを薄くできる。本実施形態では、色度のウェーハ面内分布情報に基づいて、透明樹脂27を設けるか否か、さらには設ける場合にはその厚さを調整する。結果として、色度のウェーハ面内分布情報に基づいて、第1の蛍光体層28a及び第2の蛍光体層28bを含む蛍光体層全体の厚さが制御される。蛍光体層の厚さを、色度のウェーハ面内分布情報に基づいて適切に調整することで、外部に放出される光の色ばらつきを抑制することができる。本実施形態においても、透明材としては、透明樹脂27に限らず、図11に示すように、ガラスプレート37を用いてもよい。すなわち、色度のウェーハ面内分布情報に基づいて、ウェーハ内の半導体層15の中から選択された半導体層15の第1の主面15a上の第1の蛍光体層28a上にのみガラスプレート37を形成する。例えば、粘着層を介してガラスプレート37を第1の蛍光体層28a上に貼り付ける。また、色度の測定結果に基づいて、ガラスプレート37の厚さが制御される。ガラスプレート37の形成後、ガラスプレート37を覆うように、第1の蛍光体層28a上に、第2の蛍光体層28bを形成する。第2の蛍光体層28bは、例えば真空スキージ印刷法により、ウェーハ全体にわたって、上面が平坦になるように形成される。したがって、ガラスプレート37が形成された部分は、ガラスプレート37が形成されていない部分に比べて相対的に第2の蛍光体層28bの厚さが薄くなる。また、ガラスプレート37の厚さが厚いほど第2の蛍光体層28bは薄くなる。半導体層15の第1の主面15aから第2の蛍光体層28bの上面までの距離は、ガラスプレート37が存在する部分と、ガラスプレート37が存在しない部分とでほぼ同一である。本実施形態においても、色度に基づいて、ガラスプレート37を設けるか否か、また設ける場合にはその厚さを調整する。このため、色度に応じて、蛍光体層の厚さが適切に調整され、外部に放出される光の色ばらつきを抑制できる。目的の色度が得られるように、第1の蛍光体層28a及び第2の蛍光体層28bのそれぞれの膜厚、それぞれに含まれる蛍光体粒子の濃度が設定されている。第1の蛍光体層28aにおける蛍光体粒子の濃度と、第2の蛍光体層28bにおける蛍光体粒子の濃度とは、同じでも、異なっていてもよい。ここで、図12は、青色帯域の光を発光するGaN系材料を使ったLEDチップ半導体層15の発光波長のウェーハ面内分布の一例を表す。横軸は発光波長を表し、右方ほど長波長になる。縦軸は頻度を表す。このような青色LEDの発光波長のウェーハ面内分布に対して、短波長側をセンター値として、または中央値をセンター値として、または長波長側をセンター値として、蛍光体層における蛍光体粒子濃度のセンター値、膜厚のセンター値が設定される。例えば、赤色蛍光体粒子及び緑色蛍光体粒子の励起光の吸収率は、青色LEDの発光波長が長波長側にシフトすると下がる。したがって、青色LEDの発光波長のセンター値を短波長側に設定する場合には、赤色蛍光体粒子及び緑色蛍光体粒子を含む蛍光体層では、蛍光体粒子濃度をセンター値から濃くする、または膜厚をセンター値から厚くする補正をする。また、青色LEDの発光波長のセンター値を長波長側に設定する場合には、赤色蛍光体粒子及び緑色蛍光体粒子を含む蛍光体層では、蛍光体粒子濃度をセンター値から薄くする、または膜厚をセンター値から薄くする補正をする。すなわち、励起光である青色LEDの発光波長が短波長になるほど赤色蛍光体粒子及び緑色蛍光体粒子の吸収率が上がるため、青色LEDの発光波長のセンター値を長波長側に設定する場合には、相対的に透明樹脂の量を増やし、蛍光体層の量を減らすことで色度補正する。第1の蛍光体層28aに含まれる蛍光体粒子の種類と、第2の蛍光体層28bに含まれる蛍光体粒子の種類とを同じにすると、第1の蛍光体層28aを形成した段階での色度ずれを、第2の蛍光体層28bで補正することが容易になる。すなわち、第1の蛍光体層28aと第2の蛍光体層28bとの間で異なる種類の蛍光体粒子が含まれないことが好ましい。例えば、第1の蛍光体層28aが黄色蛍光体粒子を含む場合には、第1の蛍光体層28aと同じ種類の黄色蛍光体粒子を含む第2の蛍光体層28bを用いる。あるいは、第1の蛍光体層28aが赤色蛍光体粒子及び緑色蛍光体粒子を含む場合には、第1の蛍光体層28aと同じ種類の赤色蛍光体粒子及び緑色蛍光体粒子を含む第2の蛍光体層28bを用いる。蛍光体粒子濃度が薄いと、蛍光体層の膜厚のばらつきによる色度の感度が小さくなる。また、目的とする色度は蛍光体粒子の総量に依存する。そのため、蛍光体粒子濃度を薄くし過ぎると、蛍光体粒子の必要な総量を確保するために膜厚が厚くなりすぎ、配光性、パッケージ形状に影響する可能性がある。したがって、第1の蛍光体層28aは、第2の蛍光体層28bよりも、膜厚が薄く、且つ高濃度に蛍光体粒子を含むことが好ましい。逆に、第2の蛍光体層28bは、第1の蛍光体層28aよりも、膜厚が厚く、且つ低濃度に蛍光体粒子を含むことが好ましい。第2の蛍光体層28bを形成した段階では、第2の蛍光体層28b自身の膜厚ばらつきと、透明材透明樹脂27、ガラスプレート37の膜厚のばらつきが生じうる。そのため、第2の蛍光体層28bでは、蛍光体粒子濃度を第1の蛍光体層28aよりも低くして、膜厚のばらつきによる蛍光体粒子量のばらつきを抑えることが好ましい。緑色蛍光体粒子と赤色蛍光体粒子とでは、青色LEDの発光波長に対する感度が異なる。青色LEDの発光波長のずれに対して、緑色蛍光体粒子の方が赤色蛍光体粒子よりも感度が大きい。したがって、第1の蛍光体層28aにおける、膜厚のばらつき、蛍光体粒子の分散ばらつき等で、緑色蛍光体粒子による大きな色度ばらつきが生じる可能性がある。したがって、第1の蛍光体層28aは、第2の蛍光体層28bよりも、赤色蛍光体粒子に対する緑色蛍光体粒子の相対濃度を低くし、さらに、透明材透明樹脂27、ガラスプレート37に微量の緑色蛍光体粒子を混入させることで、緑色蛍光体粒子による色度ずれを抑制することができる。蛍光体層28、第1の蛍光体層28aおよび第2の蛍光体層28bとしては、以下に例示する赤色蛍光体層、黄色蛍光体層、緑色蛍光体層、青色蛍光体層を用いることができる。赤色蛍光体層は、例えば、窒化物系蛍光体CaAlSiN3:Euやサイアロン系蛍光体を含有することができる。サイアロン系蛍光体を用いる場合、特に、M1-x,Rxa1AlSib1Oc1Nd1組成式1MはSi及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、特に、Ca若しくはSrの少なくとも一方が望ましい。Rは発光中心元素であり、特に、Euが望ましい。x、a1、b1、c1、d1は、次の関係を満たす。0<x≦1、0.6<a1<0.95、2<b1<3.9、0.25<c1<0.45、4<d1<5.7を用いることが好ましい。組成式1で表されるサイアロン系蛍光体を用いることで、波長変換効率の温度特性が向上し、大電流密度領域での効率をさらに向上させることができる。黄色蛍光体層は、例えば、シリケート系蛍光体Sr,Ca,Ba2SiO4:Euを含有することができる。緑色蛍光体層は、例えば、ハロ燐酸系蛍光体Ba,Ca,Mg10PO46Cl2:Euやサイアロン系蛍光体を含有することができる。サイアロン系蛍光体を用いる場合、特に、M1-x,Rxa2AlSib2Oc2Nd2組成式2MはSi及びAlを除く少なくとも1種の金属元素であり、特に、Ca若しくはSrの少なくとも一方が望ましい。Rは発光中心元素であり、特に、Euが望ましい。x、a2、b2、c2、d2は、次の関係を満たす。0<x≦1、0.93<a2<1.3、4.0<b2<5.8、0.6<c2<1、6<d2<11を用いることが好ましい。組成式2で表されるサイアロン系蛍光体を用いることで、波長変換効率の温度特性が向上し、大電流密度領域での効率をさらに向上させることができる。青色蛍光体層は、例えば、酸化物系蛍光体BaMgAl10O17:Euを含有することができる。実施形態によれば、半導体発光装置は、第1の主面と、その反対側に形成された第2の主面と、発光層とをそれぞれ含む複数の半導体層と、前記第2の主面における前記発光層を有する領域に設けられた第1の電極と、前記第2の主面に設けられた第2の電極と、前記半導体層の前記第2の主面側に設けられ、前記第1の電極につながる第1の開口部と、前記第2の電極につながる第2の開口部とを有する第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層の前記第1の開口部に設けられ、前記第1の電極と接続された第1の配線層と、前記第1の絶縁層の前記第2の開口部に設けられ、前記第2の電極と接続された第2の配線層と、前記第1の配線層における前記第1の電極に対する反対側の面に設けられた第1の金属ピラーと、前記第2の配線層における前記第2の電極に対する反対側の面に設けられた第2の金属ピラーと、前記第1の金属ピラーの側面と前記第2の金属ピラーの側面との間に設けられた第2の絶縁層と、前記複数の半導体層から選択された半導体層のうち、一部分の前記第1の主面上のみに設けられ、前記発光層が発する光に対して透明な透明材と、前記透明材を覆うように、前記複数の半導体層すべての前記第1の主面上に設けられた蛍光体層と、を備えている。また、実施形態によれば、前記透明材は、透明樹脂である。また、実施形態によれば、前記透明材は、ガラスプレートである。また、実施形態によれば、前記蛍光体層の上面は平坦であり、前記透明材が設けられた部分の前記蛍光体層の厚さは、前記透明材が設けられていない部分の前記蛍光体層の厚さよりも薄い。また、実施形態によれば、異なる厚さの前記透明材が、複数箇所に設けられている。また、実施形態によれば、前記第1の電極の面積は、前記第2の電極の面積よりも広い。また、実施形態によれば、前記第2の配線層と前記第2の金属ピラーとが接触する面積は、前記第2の配線層と前記第2の電極とが接触する面積より大である。また、実施形態によれば、前記第1の配線層と前記第1の金属ピラーとが接触する面積は、前記第1の配線層と前記第1の電極とが接触する面積より大である。また、実施形態によれば、前記第2の配線層の一部は、前記第1の絶縁層上を、前記発光層に重なる位置まで延在している。また、実施形態によれば、前記第1の金属ピラー及び前記第2の金属ピラーのそれぞれの厚みは、前記半導体層、前記第1の電極、前記第2の電極、前記第1の絶縁層、前記第1の配線層及び前記第2の配線層を含む積層体の厚みよりも厚い。"