"第1の電極と第2の電極の間に光電変換層と、正孔輸送層または電子輸送層の少なくとも一方を有する有機光電変換素子において、該正孔輸送層または電子輸送層の少なくとも一方が、金属化合物の存在下に重合処理された有機化合物を含有することを特徴とする有機光電変換素子。前記金属化合物が金属塩または金属酸化物であることを特徴とする請求項1に記載の有機光電変換素子。前記重合処理において、処理方法は熱重合であることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機光電変換素子。前記正孔輸送層に含有されている金属酸化物はVまたはMoの金属塩または金属酸化物であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の有機光電変換素子。前記電子輸送層に含有されている金属塩はCs、Liの金属塩であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の有機光電変換素子。前記正孔輸送層が金属酸化物を含有している層であり、前記電子輸送層が金属塩を含有している層であり、かつ両方の層がそれぞれ重合処理された有機化合物を含有することを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の有機光電変換素子。前記第1の電極がカソードであり、前記第2の電極がアノードである請求項1~6のいずれか1項に記載の有機光電変換素子を具備することを特徴とする有機太陽電池。請求項1~6のいずれか1項に記載の有機光電変換素子を製造する有機光電変換素子の製造方法であって、金属化合物と反応性基を有する化合物の存在下で重合処理することを特徴とする有機光電変換素子の製造方法。しかしながら、金属塩等を中間層にドープし、ドーパントによって仕事関数を調整している素子は、本発明者らの鋭意検討の結果、長時間の光照射で光電変換素子の性能が著しく劣化することが分かった。これはドーパントが経時で光電変換層内に拡散してしまったためと考えている。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、光電変換効率が高く耐久性に優れた有機光電変換素子、その製造方法及びその有機光電変換素子を用いた太陽電池を提供することにある。本発明者らは、正孔輸送層と電子輸送層においてドーパントを用いて仕事関数を制御した場合でも、該ドーパントを含有する層の重合処理を行えばドーパントの光電変換層内への拡散を抑制することができ、有機光電変換素子の高効率と高耐久性を両立できることを見出した。1.第1の電極と第2の電極の間に光電変換層と、正孔輸送層または電子輸送層の少なくとも一方を有する有機光電変換素子において、該正孔輸送層または電子輸送層の少なくとも一方が、金属化合物の存在下に重合処理された有機化合物を含有することを特徴とする有機光電変換素子。2.前記金属化合物が金属塩または金属酸化物であることを特徴とする前記1に記載の有機光電変換素子。3.前記重合処理において、処理方法は熱重合であることを特徴とする前記1又は2に記載の有機光電変換素子。4.前記正孔輸送層に含有されている金属酸化物はVまたはMoの金属塩または金属酸化物であることを特徴とする前記1から3のいずれか1項に記載の有機光電変換素子。5.前記電子輸送層に含有されている金属塩はCs、Liの金属塩であることを特徴とする前記1から3のいずれか1項に記載の有機光電変換素子。6.前記正孔輸送層が金属酸化物を含有している層であり、前記電子輸送層が金属塩を含有している層であり、かつ両方の層がそれぞれ重合処理された有機化合物を含有することを特徴とする前記1から5のいずれか1項に記載の有機光電変換素子。7.前記第1の電極がカソードであり、前記第2の電極がアノードである前記1~6のいずれか1項に記載の有機光電変換素子を具備することを特徴とする有機太陽電池。8.前記1~6のいずれか1項に記載の有機光電変換素子を製造する有機光電変換素子の製造方法であって、金属化合物と反応性基を有する化合物の存在下で重合処理することを特徴とする有機光電変換素子の製造方法。本発明により、高い曲線因子FFと高い開放端電圧Vocの値を有し、光電変換効率が高く、耐久性に優れた有機光電変換素子、その製造方法及びその有機光電変換素子を用いた太陽電池を提供することができる。本発明は、第1の電極と第2の電極の間に光電変換層と、正孔輸送層または電子輸送層の少なくとも一方を有する有機光電変換素子において、該正孔輸送層または電子輸送層の少なくとも一方が、金属化合物が含有された層であり、かつ重合処理されていることを特徴とする有機光電変換素子に関する発明である。本発明により、高い曲線因子FFと高い開放端電圧Vocを有し光電変換効率が高く、耐久性に優れる有機光電変換素子を提供することができた。本発明では、本発明者らの鋭意検討の結果により、正孔輸送層または電子輸送層の少なくとも一方に金属化合物を用いて仕事関数を制御させた場合でも、同時に当該金属化合物を有する層を重合させることにより、経時での金属化合物の光電変換層内への拡散を抑制することができるため、高効率と高耐久性を両立した素子が得られることを見出した。有機光電変換素子の構成図1は、本発明に関わる順層型有機光電変換素子の構成の例を示す概略断面図である。有機光電変換素子10は、基板11上に、第1の電極12を有し、第1の電極12の上に正孔輸送層17を有し、正孔輸送層17の上に光電変換層14を有し、光電変換層14の上に電子輸送層18を有し、電子輸送層18の上に第2の電極13を有する構成である。本発明の一態様として、基板11及び第1の電極12は透明であり、光電変換に用いられる光は、図1の矢印の方向から入射される。光電変換層14は、光エネルギーを電気エネルギーに変換する層であって、p型半導体材料とn型半導体材料とを含有する。p型半導体材料は、相対的に電子供与体ドナーとして機能し、n型半導体材料は、相対的に電子受容体アクセプタとして機能する。ここで、電子供与体及び電子受容体は、光を吸収した際に、電子供与体から電子受容体に電子が移動し、正孔と電子のペア電荷分離状態を形成する電子供与体及び電子受容体であり、電極のように単に電子を供与あるいは受容するものではなく、光反応によって、電子を供与あるいは受容するものである。図1において、基板11を介して第1の電極12から入射された光は、光電変換層14の光電変換層14における電子受容体あるいは電子供与体で吸収され、電子供与体から電子受容体に電子が移動し、正孔と電子のペア電荷分離状態が形成される。発生した電荷は内部電界、例えば、第1の電極12と第2の電極13との仕事関数が異なる場合では第1の電極12と第2の電極13との電位差によって、電子は電子受容体間を通り、また正孔は電子供与体間を通り、それぞれ異なる電極へ運ばれ、光電流が検出される。図1の例では、第1の電極12の仕事関数は第2の電極13の仕事関数よりも大きいため、正孔は第1の電極12へ、電子は第2の電極13へ輸送される。この場合、第2の電極13には仕事関数が小さく酸化されやすい金属が用いられる。この場合、第1の電極はアノード陽極として、第2の電極はカソード陰極として機能する。図2に本発明に関わる逆層型有機光電変換素子の構成の例を示す概略断面図である。図2においては、図1の場合とは反対に、第1の電極12の仕事関数よりも第2の電極13の仕事関数を大きくすることで、電子を第1の電極12へ、正孔を第2の電極13へと輸送するように設計した場合を示した。この場合には、第1の電極12と光電変換層14との間に電子輸送層18を有し、光電変換層14と第2の電極13との間に後述する正孔輸送層17を有し、第1の電極はカソード陰極として、第2の電極はアノード陽極として機能する。本発明においては、第2の電極の耐久性の面から、特に図2に示す構成、即ち、第1の電極がカソード陰極であり、第2の電極がアノード陽極であることが好ましい態様である。本発明の太陽電池に用いる有機光電変換素子は、図2の構成が好ましい。なお、図1、図2には記載していないが、本発明の有機光電変換素子は、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子注入層、正孔注入層、あるいは平滑化層等の層を有していてもよい。更に、太陽光利用率光電変換効率の向上を目的として、このような光電変換素子を積層した、タンデム型の構成としてもよい。図3は、タンデム型の光電変換層を備える有機光電変換素子を示す断面図である。タンデム型構成の場合、基板11上に第1の電極12、第1の光電変換層14′を積層し、電荷再結合層15を積層した後、第2の光電変換層16、次いで第2の電極13を積層することで、タンデム型の構成とすることができる。第2の光電変換層16は、第1の光電変換層14′の吸収スペクトルと同じスペクトルを吸収する層でもよいし、異なるスペクトルを吸収する層でもよいが、好ましくは異なるスペクトルを吸収する層である。また、第1の光電変換層14′、第2の光電変換層16と各電極の間には、正孔輸送層17や電子輸送層18を有していてもよいが、本発明においてはタンデム構成においてもそれぞれの光電変換層は、図2に示されるような構成を有していることが好ましい。以下、本発明を詳細に説明する。金属化合物本発明において、正孔輸送層または電子輸送層の仕事関数を調整するためのドーパントとして、金属化合物を用いる。電子輸送層または正孔輸送層にドーパントを添加すると、層内にドーパントによる不純物準位が形成されるため、任意に準位を変更させることができる。本発明における金属化合物は、以下に示すような無機金属化合物または有機金属化合物の中から選択されるが、これらに限定されるものではない。無機金属化合物としては、ハロゲン化物、酸化物、硫化物、窒化物、炭酸塩が挙げられる。有機金属化合物としては、ギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸、酪酸塩、吉草酸塩、カプロン酸塩、エナント酸塩、カプリル酸塩、シュウ酸塩、マロン酸塩、コハク酸塩、安息香酸塩、フタル酸塩、イソフタル酸塩、テレフタル酸塩、サリチル酸塩、ピルビン酸塩、乳酸塩、リンゴ酸塩、アジピン酸塩、メシル酸塩、トシル酸塩、ベンゼンスルホン酸塩が挙げられ、好ましくはギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩、酪酸塩、吉草酸塩、カプロン酸塩、エナント酸塩、カプリル酸塩、シュウ酸塩、マロン酸塩、コハク酸塩、安息香酸塩、より好ましくはギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩などの脂肪族カルボン酸塩が挙げられる。電子輸送層には仕事関数を浅くする効果があるものをドーパントとして用いることができる。電子輸送層に用いる金属化合物としては、無機金属化合物及び有機金属化合物の中でも金属塩が好ましく用いられる。金属塩の金属としては、アルカリ金属が用いられることが好ましい。アルカリ金属の種類としては特に制限はないが、Li、Na、K、Csが挙げられ、好ましくはLi、Cs、さらに好ましくはCsである。金属化合物としては、フッ化Li、フッ化K、フッ化Na、フッ化Cs、炭酸Li、炭酸K、炭酸Na、炭酸Cs、ギ酸Li、ギ酸K、ギ酸Na、ギ酸Cs、酢酸Li、酢酸K、酢酸Na、酢酸Cs、プロピオン酸Li、プロピオン酸Na、プロピオン酸K、プロピオン酸Cs、シュウ酸Li、シュウ酸Na、シュウ酸K、シュウ酸Cs、マロン酸Li、マロン酸Na、マロン酸K、マロン酸Cs、コハク酸Li、コハク酸Na、コハク酸K、コハク酸Cs、安息香酸Li、安息香酸Na、安息香酸K、安息香酸Csが挙げられ、好ましくは炭酸Li、炭酸K、炭酸Na、炭酸Cs、酢酸Li、酢酸K、酢酸Na、酢酸Cs、最も好ましくは炭酸Cs、酢酸Csである。正孔輸送層には仕事関数を深くする効果があるものをドーパントとして用いることができる。正孔輸送層に用いる金属化合物の金属としては、V、Nb、Mo、Tiが挙げられ、好ましくはV、Mo、Ti、さらに好ましくはMo、Vである。正孔輸送層に用いられる金属化合物としては、金属酸化物等が挙げられ、具体的にはMoO2、MoO3、TiO、TiO2、NbO、V2O5、Nb2O5、VF3、TiCl2、NbCl5、VCl3、NbB2、VBr3、VI3、VCl3O、MoS2が挙げられる。好ましくはMoO2、TiO2、V2O5、MoS2であり、最も好ましくはMoO2、V2O5である。金属化合物の添加量としては、添加する電子輸送層や正孔輸送層の1.5~35質量であり、より好ましくは3~25質量であり、最も好ましくは5~15質量である。重合処理、重合材料本発明は該正孔輸送層または電子輸送層の少なくとも一方に、前記金属化合物の存在下に重合処理された有機化合物を含有することを特徴とする。本発明における重合処理とは、有機の重合材料が重合されるように処理することを言う。本発明に係る有機の重合材料とは、少なくとも一つの反応性基を有する化合物として定義される。反応性基としては、例えば、ビニル基、エポキシ基、オキセタン基、イソシアネート基等が挙げられる。以下に反応性基の具体的例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。これらの中でも比較的低温の熱で重合可能なビニル基、エポキシ基が好ましく用いられる。本発明に係る重合反応はエネルギー照射によって行われる。照射エネルギーとしては、紫外線、電子、イオン、熱、ラジカルビームまたは放射線のエネルギー等が挙げられ、他の有機層への影響が少ないことから熱での重合が好ましく用いられる。本発明において、反応性基を少なくとも一つ有する化合物を重合することにより不溶化された層を得ることができるが、重合度を調製するには、反応の停止が起こりやすい重合条件でモノマーの重合反応を行うことにより簡便に得ることができる。例えば、重合開始剤もしくは触媒濃度をコントロールすること、連鎖移動剤もしくは重合停止剤を併用すること、または紫外線、電子、イオン、熱、ラジカルビームまたは放射線の照射エネルギーをコントロールすること等が挙げられる。重合処理は、金属化合物の存在下に行うことが必要であるが、正孔輸送層または電子輸送層を形成する塗布液を調製する段階の何れかであっても、また塗布液を塗布して正孔輸送層または電子輸送層を形成した後重合処理を行っても良い。反応性基を有する化合物としては、例えば、スチレン、メタアクリル酸メチル、アクリル酸-2-ヒドロキシエチル、アクリルアミド、アクリロニトリル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルTMPTGE、グリセロールプロポキシレートトリグリシジルエーテルDEG、Threebond3101スリーボンド社製、紫外線硬化性樹脂等、を挙げることが出来る。電子輸送層電子輸送層とは、カソードと光電変換層の中間に位置して、光電変換層と電極との間で電子の授受をより効率的にすることのできる層のことである。本発明においては、第1の電極がカソードである場合に特に好ましく適用できる。本発明においては、電子輸送層が金属化合物を有することによって仕事関数を浅くしており、かつ重合していることが好ましい。電子輸送層における仕事関数とは電子輸送層自体のHOMO-LUMO準位を指すが、単分子膜のように極薄膜の電子輸送層の積層により隣接する電極の仕事関数が変化させる場合は電極の仕事関数を電子輸送層の仕事関数として記述した。電子輸送層の中には、バルクヘテロジャンクション型の光電変換層に用いられるp型半導体材料のHOMO準位よりも深いHOMO準位を有する電子輸送層には、バルクヘテロジャンクション層で生成した正孔をカソード側には流さないような整流効果を有する、正孔ブロック機能が付与される。このような電子輸送層は、正孔ブロック層とも呼ばれる。より好ましくは、n型半導体のHOMO準位よりも深いHOMO準位を有する材料を電子輸送層として用いることである。また、正孔を阻止する特性から、正孔移動度が10-6よりも低い化合物を用いることが好ましい。電子輸送層としては、オクタアザポルフィリン、p型半導体のパーフルオロ体パーフルオロペンタセンやパーフルオロフタロシアニン等、国際公開第04/095889号に記載のカルボリン化合物等を用いることができるが、同様に、光電変換層に用いられるp型半導体材料のHOMO準位よりも深いHOMO準位を有する電子輸送層には、光電変換層で生成した正孔をカソード側には流さないような整流効果を有する、正孔ブロック機能が付与される。より好ましくは、n型半導体のHOMO準位よりも深い材料を電子輸送層として用いることである。また、電子を輸送する特性から、電子移動度の高い化合物を用いることが好ましい。より好ましくは、電子移動度が10-4以上の化合物である。このような材料としては、バソキュプロイン等のフェナントレン系化合物、ナフタレンテトラカルボン酸無水物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ペリレンテトラカルボン酸無水物、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド等のn型半導体材料、WO2008134492公報に記載のアミン系シランカップリング剤のようなアミン化合物、及び酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ガリウム等のn型無機酸化物を用いることができる。また、光電変換層に用いたn型半導体材料単体からなる層を用いることもできる。これらの層を形成する手段としては、真空蒸着法、溶液塗布法のいずれであってもよいが、好ましくは溶液塗布法である。正孔輸送層電子ブロック層正孔輸送層とは、アノードと光電変換層の中間に位置して、光電変換層と電極との間で正孔の授受をより効率的にすることのできる層のことである。本発明においては、第1の電極がアノードである場合に特に好ましく適用できる。本発明においては、正孔輸送層が金属化合物を有することによって仕事関数を深くしており、かつ重合していることを好ましい態様としている。正孔輸送層における仕事関数とは正孔輸送層自体のHOMO-LUMO準位を指すが、単分子膜のように極薄膜の電子輸送層の積層により隣接する電極の仕事関数が変化させる場合は電極の仕事関数を正孔輸送層の仕事関数として記述した。正孔輸送材料の最高占有軌道HOMOレベルと透明電極表面の仕事関数は、例えば光電子放出測定法UPS等を用いることで求めることができる。これらの層を構成する材料としては、例えば、正孔輸送層としては、スタルクヴイテック製、商品名BaytronP等のPEDOTポリ-3,4-エチレンジオキシチオフェン-PSSポリスチレンスルホン酸、ポリアニリン及びそのドープ材料、国際公開第06/019270号等に記載のシアン化合物、等を用いることができる。なお、光電変換層に用いられるn型半導体材料のLUMO準位よりも浅いLUMO準位を有する正孔輸送層には、光電変換層で生成した電子をアノード側には流さないような整流効果を有する、電子ブロック機能が付与される。このような正孔輸送層は電子ブロック層とも呼ばれ、このような機能を有する正孔輸送層を使用する方が好ましい。このような材料としては、特開平5-271166号公報等に記載のトリアリールアミン系化合物、また酸化モリブデン、酸化ニッケル、酸化タングステン等の金属酸化物等を用いることができる。また、光電変換層に用いたp型半導体材料単体からなる層を用いることもできる。さらに上述した材料の他にも、銀ナノ粒子などの無機材料を用いることも可能である。また、これらの無機材料は、1種のみを単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。これらの層を形成する手段としては、真空蒸着法、溶液塗布法のいずれであってもよいが、好ましくは溶液塗布法である。光電変換層を形成する前に、下層に塗布膜を形成すると塗布面をレベリングする効果があり、リーク等の影響が低減するため好ましい。また、同様に正孔を輸送する特性から10-4よりも高い正孔移動度を有していることが好ましく、また電子を阻止する特性から、電子移動度が10-6よりも低い化合物を用いることが好ましい。その他の層本発明の有機光電変換素子の構成としては、光電変換効率の向上や、素子寿命の向上を目的に、各種中間層を素子内に有する構成としてもよい。中間層の例としては、正孔ブロック層、電子ブロック層、正孔注入層、電子注入層、励起子ブロック層、UV吸収層、光反射層、波長変換層等を挙げることができる。光電変換層光電変換層は、光起電力効果を利用して光エネルギーを電気エネルギーに変換する機能を有する。光電変換層は、光電変換材料として、p型有機半導体材料およびn型有機半導体材料を含有する。これらの光電変換材料に光が吸収されると、励起子が発生し、これがpn接合界面において、正孔と電子とに電荷分離される。本発明に係る光電変換層に使用されるp型有機半導体材料は、p型共役系高分子を含有する。このp型共役系高分子は、主鎖に電子供与性基ドナー性ユニットおよび電子吸引性基アクセプター性ユニットを有する共重合体である。より具体的には、p型共役系高分子は、ドナー性ユニットとアクセプター性ユニットとが交互に配列するように重合された構造を有する。このように、ドナー性ユニットとアクセプター性ユニットとが交互に配列することにより、p型有機半導体の吸収域を長波長域に拡大することができる。すなわち、p型共役系高分子は、従来のp型有機半導体の吸収域例えば、400~700nmに加え、長波長域例えば、700~100nmの光も吸収することができるため、太陽光スペクトルの広い範囲にわたる放射エネルギーを効率よく吸収させることが可能となる。p型共役系高分子に含まれうるドナー性ユニットとしては、同じπ電子数を有する炭化水素芳香環ベンゼン、ナフタレン、アントラセンなどよりもLUMO準位またはHOMO準位が浅くなるようなユニットであれば、制限なく使用できる。例えば、チオフェン環、フラン環、ピロール環、シクロペンタジエン若しくはシラシクロペンタジエンなどの複素5員環、およびこれらの縮合環を含むユニットである。具体的には、フルオレン、シラフルオレン、カルバゾール、ジチエノシクロペンタジエン、ジチエノシラシクロペンタジエン、ジチエノピロール、ベンゾジチオフェンなどを挙げることができる。ドナー性ユニットは、好ましくは下記化学式1で表される構造である。式中、Z1は、炭素原子、ケイ素原子、またはゲルマニウムを表し、R1は、それぞれ独立して、炭素原子数1~20の置換または非置換のアルキル基、炭素原子数1~20の置換または非置換のフッ化アルキル基、炭素原子数3~30の置換または非置換のシクロアルキル基、炭素原子数6~30の置換または非置換のアリール基、炭素原子数1~20の置換または非置換のヘテロアリール基、または炭素原子数1~20の置換または非置換のアルキルシリル基を表し、2つのR1は互いに結合して環を形成してもよい。また、R1は互いに異なっていても良い。また、下記化学式2で表される構造もドナー性ユニットとして好適である。式中、R2は、それぞれ独立して、炭素原子数1~20の置換または非置換のアルキル基、炭素原子数1~20の置換または非置換のアルキルエーテル基、または炭素原子数1~20の置換または非置換のアルキルエステル基を表し、2つのR2は互いに結合して環を形成してもよい。また、R2は互いに異なっていてもよい。なお、上記化学式1および化学式2において、アルキル基、フッ化アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、またはアルキルシリル基に場合によって存在する置換基としては、例えば、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、アシル基、アルキル基、フェニル基、アルコキシル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アルコキシル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、カルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、アルコキシスルホニル基、アルキルチオ基、カルバモイル基、アリールオキシカルボニル基、オキシアルキルエーテル基、シアノ基などが例示できるが、これらに限定されるものではない。上記化学式1および2で表されるドナー性ユニットは、移動度の高いチオフェン構造が縮合して大きなπ共役平面を有しつつも、置換基により溶解性が付与されている。このようなドナー性ユニットは、溶解性と移動度が共に優れているため、より一層、光電変換効率を向上させることが可能となる。一方、p型共役系高分子に含まれうるアクセプター性ユニットとしては、例えば、キノキサリン骨格、ピラジノキノキサリン骨格、ベンゾチアジアゾール骨格、ベンゾオキサジアゾール骨格、ベンゾセレナジアゾール骨格、ベンゾトリアゾール骨格、ピリドチアジアゾール骨格、チエノピラジン骨格、フタルイミド骨格、3,4-チオフェンジカルボン酸イミド骨格、イソインディゴ骨格、チエノチオフェン骨格、ジケトピロロピロール骨格、4-アシル-チエノ[3,4-b]チオフェン骨格、ピラゾロ[5,1-c][1,2,4]トリアゾール骨格などが挙げられる。なお、本形態のp型共役高分子に含まれるドナー性ユニットまたはアクセプター性は、それぞれ、1種のみを単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。本形態において、好ましいp型共役高分子としては、NatureMaterial,2006vol.5,p328に記載のポリチオフェン-チエノチオフェン共重合体、国際公開第08/000664号パンフレットに記載のポリチオフェン-ジケトピロロピロール共重合体、Adv.Mater.,2007,p4160に記載のポリチオフェン-チアゾロチアゾール共重合体、NatureMat.vol.62007,p497に記載のPCPDTBTなどのポリチオフェン共重合体などが挙げられる。なかでも下記PCPDTBTなどのポリチオフェン共重合体が特に好ましい。上記p型共役高分子の分子量は、特に制限はないが、数平均分子量が5000~500000であることが好ましく、10000~100000であることがより好ましく、15000~50000であることがさらに好ましい。数平均分子量が5000以上であると、曲線因子向上の効果がより一層顕著になる。一方、数平均分子量が500000以下であると、p型共役高分子の溶解性が向上するため、生産性を上げることができる。なお、本明細書において、数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCで測定した値を採用する。なお、本発明における光電変換層は、上述したp型共役系高分子を有するが、その他のp型有機半導体材料を含んでもよい。このようなその他のp型有機半導体材料としては、例えば、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物、ピラゾリン化合物、スチリルアミン化合物、ヒドラゾン化合物、トリフェニルメタン化合物、カルバゾール化合物、ポリシラン化合物、チオフェン化合物、フタロシアニン化合物、シアニン化合物、メロシアニン化合物、オキソノール化合物、ポリアミン化合物、インドール化合物、ピロール化合物、ピラゾール化合物、ポリアリーレン化合物、縮合芳香族炭素環化合物ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体などが挙げられる。ただし、本発明の作用効果を顕著に発現させるという観点からは、光電変換層に含まれるp型有機半導体材料に占めるp型共役系高分子の質量割合は、好ましくは5質量以上であり、より好ましくは10質量以上であり、さらに好ましくは50質量以上であり、特に好ましくは90質量以上であり、最も好ましくは100質量である。本発明において、光電変換層に含まれるp型有機半導体材料のバンドギャップは、1.8eV以下であることが好ましく、1.6~1.1eVであることがより好ましい。バンドギャップが1.8eV以下であると、幅広く太陽光を吸収できる。一方、バンドギャップが1.1eV以上であると、開放電圧VocVが出やすくなり、変換効率が向上しうる。なお、本形態において、p型有機半導体は、1種のみを単独で使用してもよいし、2種以上を併用しても勿論構わない。一方、本形態の光電変換層に使用されるn型有機半導体材料も、アクセプター性電子受容性の有機化合物であれば特に制限はなく、本技術分野で使用されうる材料を適宜採用することができる。このような化合物としては、例えば、フラーレン、カーボンナノチューブ、オクタアザポルフィリンなど、上記p型有機半導体材料の水素原子をフッ素原子に置換したパーフルオロ体例えば、パーフルオロペンタセンやパーフルオロフタロシアニンなど、ナフタレンテトラカルボン酸無水物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ペリレンテトラカルボン酸無水物、ペリレンテトラカルボン酸ジイミドなどの芳香族カルボン酸無水物やそのイミド化物を骨格として含む高分子化合物などが挙げられる。このうち、p型有機半導体材料と高速~50fsかつ効率的に電荷分離を行うことができるという観点から、フラーレンもしくはカーボンナノチューブまたはこれらの誘導体を用いることが好ましい。より具体的には、フラーレンC60、フラーレンC70、フラーレンC76、フラーレンC78、フラーレンC84、フラーレンC240、フラーレンC540、ミックスドフラーレン、フラーレンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、単層カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン円錐型など、およびこれらの一部が水素原子、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、置換されたまたは非置換の、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基、シリル基、エーテル基、チオエーテル基、アミノ基などによって置換されたフラーレン誘導体が挙げられる。特に、[6,6]-フェニルC61-ブチリックアシッドメチルエステル略称PCBM、[6,6]-フェニルC61-ブチリックアシッド-nブチルエステルPCBnB、[6,6]-フェニルC61-ブチリックアシッド-イソブチルエステルPCBiB、[6,6]-フェニルC61-ブチリックアシッド-nヘキシルエステルPCBH、[6,6]-フェニルC71-ブチリックアシッドメチルエステル略称PC71BM、Adv.Mater.,vol.202008,p2116に記載のbis-PCBM、特開2006-199674号公報に記載のアミノ化フラーレン、特開2008-130889号公報に記載のメタロセン化フラーレン、米国特許第7,329,709号明細書に記載の環状エーテル基を有するフラーレンなどのような、置換基により溶解性が向上されてなるフラーレン誘導体を用いることが好ましい。なお、本形態において、n型有機半導体材料は、1種のみを単独で使用してもよいし、2種以上を併用しても構わない。本形態の光電変換層における、p型有機半導体およびn型有機半導体の接合形態は、特に制限はなく、平面ヘテロ接合であってもよいし、バルクヘテロ接合であってもよい。平面ヘテロ接合とは、p型有機半導体を含むp型有機半導体層と、n型有機半導体を含むn型有機半導体層とが積層され、これら2つの層が接触する面がpn接合界面となる接合形態である。一方、バルクヘテロ接合バルクヘテロジャンクションとは、p型有機半導体とn型有機半導体との混合物を塗布することにより形成され、この単一の層中において、p型有機半導体のドメインとn型有機半導体のドメインとがミクロ相分離構造をとっている。したがって、バルクヘテロ接合では、平面ヘテロ接合と比較して、pn接合界面が層全体に亘って数多く存在することになる。よって、光吸収により生成した励起子の多くがpn接合界面に到達できることになり、電荷分離に至る効率を高めることができる。このような理由から、本形態の光電変換層における、p型有機半導体とn型有機半導体との接合は、バルクヘテロ接合であることが好ましい。本発明において、光電変換層に含まれるp型有機半導体材料とn型有機半導体材料との混合比は、質量比で2:8~8:2の範囲が好ましく、より好ましくは4:6~6:4の範囲である。また、光電変換層の膜厚は、好ましくは50~400nmであり、より好ましくは80~300nmである。電極本発明の有機光電変換素子においては、第1の電極と第2の電極を有するが、タンデム構成をとる場合には、中間電極を用いることでタンデム構成を達成することができる。本発明において、第1の電極は、透明な電極であることが好ましい。透明なとは、光透過率が50以上であるものをいう。光透過率とは、JISK7361-1ISO13468-1に対応のプラスチック-透明材料の全光線透過率の試験方法に準拠した方法で測定した可視光波長領域における全光線透過率をいう。本発明の第1の電極は、前述のように透明なカソード陰極であり、第2の電極はアノード陽極であることが好ましい。第1の電極本発明の第1の電極に用いられる材料としては、例えば、インジウムチンオキシドITO、AZO、FTO、SnO2、ZnO、酸化チタン等の透明金属酸化物、Ag、Al、Au、Pt等の非常に薄い金属層または金属ナノワイヤ、カーボンナノチューブ等のナノワイヤやナノ粒子を含有する層、PEDOT:PSS、ポリアニリン等の導電性高分子材料等を用いることができる。また、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリチエニレンビニレン、ポリアズレン、ポリイソチアナフテン、ポリカルバゾール、ポリアセチレン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセン、ポリフェニルアセチレン、ポリジアセチレン及びポリナフタレンの各誘導体からなる群より選ばれる導電性高分子等も用いることができる。また、これらの導電性化合物を複数組み合わせてカソードとすることもできる。第2の電極第2の電極は導電材単独層であってもよいが、導電性を有する材料に加えて、これらを保持する樹脂を併用してもよい。カソードである透明電極の仕事関数がおよそ-5.0~-4.0eVであるため、バルクヘテロジャンクション型の光電変換層で生成したキャリアが拡散してそれぞれの電極に到達するためには、ビルトインポテンシャル、すなわちアノードとカソード間の仕事関数の差がなるべく大きいことが好ましい。したがって、アノードの導電材としては、仕事関数の大きい4eV以下金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、金、銀、銅、白金、ロジウム、インジウム、ニッケル、パラジウム等が挙げられる。これらの中で、正孔の取り出し性能、光の反射率、及び酸化等に対する耐久性の点から、銀が最も好ましい。カソードはこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、膜厚は通常10nm~5μm、好ましくは50~200nmの範囲で選ばれる。また、アノード側を光透過性とする場合は、例えば、アルミニウム及びアルミニウム合金、銀及び銀化合物等のアノードに適した導電性材料を薄く1~20nm程度の膜厚で作製した後、上記透明電極の説明で挙げた導電性光透過性材料の膜を設けることで、光透過性アノードとすることができる。なお上記は耐久性向上に有利な、いわゆる逆層型素子とするための第2の電極材料に好ましい材料を記載したが、いわゆる順層型第1の電極がアノードで第2の電極がカソードとするためには、前述のように第1電極と第2の電極の仕事関数の関係を逆転させればよいが、実質的に透明な電極は種類が限られておりその仕事関数は比較的深いものが多いため、実際には第2の電極側に仕事関数の浅い-4.0eV未満金属を使用することで順層型の有機薄膜太陽電池とすることができる。そのような金属としては、たとえば、アルミニウム、カルシウム、マグネシウム、リチウム、ナトリウム、カリウム等である。一般的には反射率が高く導電性の高いアルミニウムが使用される。また、第2電極は、透明な電極であっても良い。透明なとは、前述の第1電極の記載と同様の意味を有する。中間電極また、前記図3のようなタンデム構成の場合に必要となる中間電極の材料としては、透明性と導電性を併せ持つ化合物を用いた層であることが好ましく、前記アノードで用いたような材料ITO、AZO、FTO、SnO2、ZnO、酸化チタン等の透明金属酸化物、Ag、Al、Au、Pt等の非常に薄い金属層または金属ナノワイヤ、カーボンナノチューブ等のナノワイヤやナノ粒子を含有する層、PEDOT:PSS、ポリアニリン等の導電性高分子材料等を用いることができる。なお、前述した正孔輸送層と電子輸送層の中には、適切に組み合わせて積層することで中間電極電荷再結合層として働く組み合わせもあり、このような構成とすると1層形成する工程を省くことができ好ましい。透明な基板本発明において、基板は透明な基板であるが、透明なとは前述の第1電極の記載と同様の意味を有する。基板としては、例えばガラス基板や樹脂基板等が好適に挙げられるが、軽量性と柔軟性の観点から透明樹脂フィルムを用いることが望ましい。本発明で透明基板として好ましく用いることができる透明樹脂フィルムには特に制限がなく、その材料、形状、構造、厚み等については公知のものの中から適宜選択することができる。例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、変性ポリエステル等のポリエステル系樹脂フィルム、ポリエチレンPE樹脂フィルム、ポリプロピレンPP樹脂フィルム、ポリスチレン樹脂フィルム、環状オレフィン系樹脂等のポリオレフィン類樹脂フィルム、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂フィルム、ポリエーテルエーテルケトンPEEK樹脂フィルム、ポリサルホンPSF樹脂フィルム、ポリエーテルサルホンPES樹脂フィルム、ポリカーボネートPC樹脂フィルム、ポリアミド樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、アクリル樹脂フィルム、トリアセチルセルロースTAC樹脂フィルム等を挙げることができるが、可視域の波長380~800nmにおける透過率が80以上である樹脂フィルムであれば、本発明に係る透明樹脂フィルムに好ましく適用することができる。中でも、透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、強度及びコストの点から、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルサルホンフィルム、ポリカーボネートフィルムであることが好ましく、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルムであることがより好ましい。本発明に用いられる透明基板には、塗布液の濡れ性や接着性を確保するために、表面処理を施すことや易接着層を設けることができる。表面処理や易接着層については従来公知の技術を使用できる。例えば、表面処理としては、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線処理、高周波処理、グロー放電処理、活性プラズマ処理、レーザー処理等の表面活性化処理を挙げることができる。また、易接着層としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ビニル系共重合体、ブタジエン系共重合体、アクリル系共重合体、ビニリデン系共重合体、エポキシ系共重合体等を挙げることができる。また、酸素及び水蒸気の透過を抑制する目的で、透明基板にはバリアコート層が予め形成されていてもよいし、透明導電層を転写する反対側にはハードコート層が予め形成されていてもよい。光学機能層本発明の有機光電変換素子は、太陽光のより効率的な受光を目的として、各種の光学機能層を有していてよい。光学機能層としては、例えば、反射防止膜、マイクロレンズアレイ等の集光層、カソードで反射した光を散乱させて再度発電層に入射させることができるような光拡散層等を設けてもよい。反射防止層としては、各種公知の反射防止層を設けることができるが、例えば、透明樹脂フィルムが二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムである場合は、フィルムに隣接する易接着層の屈折率を1.57~1.63とすることで、フィルム基板と易接着層との界面反射を低減して透過率を向上させることができるのでより好ましい。屈折率を調整する方法としては、酸化錫ゾルや酸化セリウムゾル等の比較的屈折率の高い酸化物ゾルとバインダー樹脂との比率を適宜調整して塗設することで実施できる。易接着層は単層でもよいが、接着性を向上させるためには2層以上の構成にしてもよい。集光層としては、例えば、支持基板の太陽光受光側にマイクロレンズアレイ上の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせたりすることにより特定方向からの受光量を高めたり、逆に太陽光の入射角度依存性を低減することができる。マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を2次元に配列する。一辺は10~100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付き、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。また、光散乱層としては、各種のアンチグレア層、金属または各種無機酸化物等のナノ粒子ナノワイヤ等を無色透明なポリマーに分散した層等を挙げることができる。パターニング本発明に係る各々の電極、光電変換層や、正孔輸送層、電子輸送層等をパターニングする方法やプロセスには特に制限はなく、公知の手法を適宜適用することができる。光電変換層、輸送層等の可溶性の材料であれば、ダイコート、ディップコート等の全面塗布後に不要部だけ拭き取ってもよいし、インクジェット法やスクリーン印刷等の方法を使用して塗布時に直接パターニングしてもよい。電極材料等の不溶性の材料の場合は、電極を真空堆積時にマスク蒸着を行ったり、エッチングまたはリフトオフ等の公知の方法によってパターニングしたりすることができる。また、別の基板上に形成したパターンを転写することによってパターンを形成してもよい。太陽電池本発明の太陽電池は、上記の有機光電変換素子を有する。本発明の太陽電池は、上記有機光電変換素子を具備し、太陽光に最適の設計並びに回路設計が行われ、太陽光を光源として用いたときに最適な光電変換が行われるような構造を有する。即ち、光電変換層に太陽光が照射されうる構造となっており、本発明の太陽電池を構成する際には、前記光電変換層及び各々の電極をケース内に収納して封止するか、あるいはそれら全体を樹脂封止することが好ましい。封止の方法としては、作製した有機光電変換素子が環境中の酸素、水分等で劣化しないために、有機光電変換素子だけでなく有機エレクトロルミネッセンス素子等で公知の手法によって封止することが好ましい。例えば、アルミまたはガラスで出来たキャップを接着剤によって接着することによって封止する手法、アルミニウム、酸化珪素、酸化アルミニウム等のガスバリア層が形成されたプラスチックフィルムと有機光電変換素子上を接着剤で貼合する手法、ガスバリア性の高い有機高分子材料ポリビニルアルコール等をスピンコートする方法、ガスバリア性の高い無機薄膜酸化珪素、酸化アルミニウム等または有機膜パリレン等を真空下で堆積する方法、及びこれらを複合的に積層する方法等を挙げることができる。以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。電子輸送層液の調製電子輸送層溶液ETL-1の調製Tiイソプロポキシド7.0mgをエタノール1mlに入れ、室温で1日中撹拌することにより、ETL-1を調製した。電子輸送層液ETL-2の調製Tiイソプロポキシドに対して、10質量のCsCO3を添加した以外はETL-1と同様にしてETL-2を調製した。電子輸送層液ETL-3の調製イソプロパノール1mlにポリエチレンイミンPEI20mgと、グリセロールプロポキシレートトリグリシジルエーテル20mgを混合し、30分間撹拌することによりETL-3を調製した。電子輸送層液ETL-4の調製ポリエチレンイミンに対し、5質量のHCOONaを添加した以外はETL-3と同様にしてETL-4を調製した。電子輸送層液ETL-5~ETL-9の調製電子輸送層液に添加する金属化合物の種類を下記の表1のように変更した以外はETL-4と同様にしてETL-5~ETL-9までそれぞれ調製した。正孔輸送層液の調製正孔輸送層溶液HTL-1の調製導電性高分子及びポリアニオンからなるPEDOT-PSSCLEVIOS登録商標PVPAI4083、ヘレオス株式会社製、導電率1×10-3S/cmを等量のイソプロパノールで希釈した液を1時間撹拌し、HTL-1を調製した。正孔輸送層液HTL-2の調製PEDOT:PPSに対して1質量の紫外線硬化型シランカップリング剤Threebond3101スリーボンド社製、紫外線硬化型を加えた以外はHTL-1と同様にしてHTL-2を調製した。正孔輸送層液HTL-3の調製PEDOT:PSSに対して5mgのトリメチロールプロパントリグリシジルエーテルTMPTGEおよび5mgのトリエチレンテトラミンTETAを加えた以外はHTL-1と同様にしてHTL-3を調製した。正孔輸送層液HTL-4の調製PEDOT:PSSに対して5質量のTiO2微粒子TECNAN社製TiO2ナノパウダー:品番TECNANPOW-TiO2を加えた以外はHTL-3と同様にしてHTL-4を調製した。正孔輸送層液HTL-5の調製正孔輸送層液に添加する金属化合物を5質量のNb2O5に変更した以外はHTL-4と同様にしてHTL-5を調製した。正孔輸送層液HTL-6の調製正孔輸送層液に添加する重合剤をPEDOT:PPSに対して1質量のThreebond3101に変更した以外はHTL-5と同様にしてHTL-6を調製した。正孔輸送層液HTL-7~HTL-8の調製正孔輸送層液に添加する金属化合物を下記の表2にあるように変更した以外はHTL-4と同様にしてHTL-7~HTL-8を調製した。正孔輸送層液HTL-9の調製PEDOT:PPSに対して5質量のMoO3を加えた以外はHTL-1と同様にしてHTL-9を調製した。仕事関数の測定ITO基板上に電子輸送層は5nm程度、正孔輸送層は100nm程度の膜厚になるように塗布したサンプルを作製し150°Cで10分間加熱処理した後、紫外光電子分光法UPSを利用した仕事関数測定法に従って仕事関数を測定した。逆層構成型光電変換素子SC-101の作製ガラス基板上に、インジウムスズ酸化物ITO透明導電膜を150nm堆積したものシート抵抗12Ω/□を、通常のフォトリソグラフィ技術と湿式エッチングとを用いて10mm幅にパターニングし、第1の電極を形成した。パターン形成した第1電極を、界面活性剤と超純水による超音波洗浄、超純水による超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。これ以降は基板をグローブボックス中に持ち込み、窒素雰囲気下で作業した。この第1の電極上に、電子輸送層液ETL-1を乾燥膜厚が約5nmになるようにブレードコーターを用いて塗布乾燥した。その後、ホットプレート上で120°C、1分間加熱処理をして、電子輸送層を製膜した。次いで、o-ジクロロベンゼンに、p型有機半導体材料であるPCPDTBTを0.6質量、n型有機半導体材料であるPC71BMフロンティアカーボン製nanomspectraE110を1.2質量で混合した溶液を調製し、オーブンで100°Cに加熱しながら撹拌60分間してPCPDTBTとPC71BMを溶解した後、0.20μmのフィルタでろ過をかけながら、乾燥膜厚が約100nmになるようにブレードコーターを用いて塗布し、80°Cで2分間乾燥して、光電変換層を製膜した。続いて、正孔輸送層として、HTL-1を乾燥膜厚が約100nmになるようにブレードコーターを用いて塗布乾燥した。その後、ホットプレート上で150°C、10分間加熱処理して、正孔輸送層を形成した。次に、10mm幅のシャドウマスクが透明電極と直交するように素子をセットし、1×10-3Pa以下にまで真空蒸着装置内を減圧した後、蒸着速度0.5nm/秒でAgメタルを200nm積層して、第2の電極を形成した。得られた積層体を窒素チャンバーに移動し、2枚の凸版印刷製透明バリアフィルムGX水蒸気透過率0.05g/m2/dの間に挟みこみ、UV硬化樹脂ナガセケムテックス株式会社製、UVRESINXNR5570-B1を用いて封止を行った後に大気下に取り出し、受光部が約10×10mmサイズの有機光電変換素子SC-101を得た。光電変換素子SC-102の作製有機光電変換素子SC-101の作製において、電子輸送層液をETL-2に変更した以外はSC-101と同様にして、有機光電変換素子SC-102を得た。光電変換素子SC-103の作製有機光電変換素子SC-101の作製において、正孔輸送層液をHTL-2に変更し、UVランプを1分間照射して正孔輸送層を重合させた以外はSC-101と同様にして、有機光電変換素子SC-103を得た。光電変換素子SC-104~105の作製有機光電変換素子SC-101の作製において、電子輸送層液と正孔輸送層液の組み合わせを以下の表3にあるように変更した以外はSC-101と同様にして、有機光電変換素子SC-104~105を得た。光電変換素子SC-106の作製有機光電変換素子SC-103の作製において、正孔輸送層液をHTL-6に変更し、UVランプを1分間照射して正孔輸送層を重合させた以外はSC-103と同様にして、有機光電変換素子SC-106を得た。光電変換素子SC-107~110の作製有機光電変換素子SC-101の作製において、電子輸送層液と正孔輸送層液の組み合わせを以下の表3にあるように変更した以外はSC-101と同様にして、有機光電変換素子SC-107~110を得た。有機光電変換素子の評価光電変換効率の評価上記の方法により作製した有機光電変換素子に、ソーラーシミュレーターAM1.5Gフィルタの100mW/cm2の強度の光を照射し、有効面積を4.0mm2にしたマスクを受光部に重ね、短絡電流密度JscmA/cm2及び開放電圧VocV、曲線因子フィルファクターFFを、同素子上に形成した4箇所の受光部についてそれぞれ測定し、平均値と最大値と最小値の差を求めた。また、Jsc、Voc、FFから下記数式1に従ってエネルギー変換効率ηを求めた。[数式1]η=JscmA/cm2×VocV×FF評価の結果を下記の表1に示す。平均値の数字が大きい程エネルギー変換効率光電変換効率が良好であることを示す。また最大値と最小値の差が小さいほど安定な変換効率が得られていることを示す。光電変換効率の耐久性評価光電変換効率の評価を行った有機光電変換素子を、陽極と陰極との間に抵抗を接続したまま80°Cに加熱し、ソーラシュミレーターAM1.5Gの光を10倍の1000mW/cm2の照射強度で100h暴露し続けた。その後、有機光電変換素子を室温に冷却し、上記と同様に同素子上に形成した4箇所の受光部についてそれぞれ光電変換効率ηを求めた。下記数式2に従って変換効率の相対効率低下を算出した。[数式2]変換効率の相対効率低下=1-暴露後の変換効率/暴露前の変換効率×100評価の結果を下記の表3に示す。平均値の数字が小さい程、エネルギー変換効率の耐久性光電変換効率の耐久性が良好であることを示す。本発明の構成により、高い変換効率と同時に高い耐久性が得られた。順層構成型光電変換素子SC-201の作製ガラス基板上に、インジウムスズ酸化物ITO透明導電膜を110nm堆積したものシート抵抗13Ω/□を、通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングとを用いて10mm幅にパターニングして、透明電極を形成した。パターン形成した透明電極を、界面活性剤と超純水による超音波洗浄、超純水による超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。次に、正孔輸送層として、HTL-1を乾燥膜厚が約50nmになるようにブレードコーターを用いて塗布乾燥した。その後、150°Cのホットプレートで10分間加熱処理して、正孔輸送層を形成した。これ以降は基板をグローブボックス中に持ち込み、窒素雰囲気下で作業した。まず、窒素雰囲気下で上記基板を140°Cで3分間加熱処理した。次いで、o-ジクロロベンゼンに、p型有機半導体材料であるPCDTBTを0.6質量、n型有機半導体材料であるPC71BMフロンティアカーボン製nanomspectraE110を1.2質量で混合した溶液を調製し、オーブンで100°Cに加熱しながら撹拌60分間してPCDTBTとPC71BMを溶解した後、0.20μmのフィルタでろ過をかけながら、700rpmで60秒、次いで2000rpmで2秒間のスピンコートを行い、100nmの膜厚の光電変換層を得た。その後120°C、5分のアニール処理を施して、光電変換層を形成した。次に、上記光電変換層を成膜した基板を真空蒸着装置内に設置した。そして、10mm幅のシャドウマスクが透明電極と直交するように素子をセットし、10-3Pa以下にまでに真空蒸着機内を減圧した後、バソキュプロインBCPを10nm蒸着し電子輸送層を形成した後、Alを80nm蒸着して、第2の電極を形成した。蒸着速度はいずれも2nm/秒とした。得られた有機光電変換素子を、窒素雰囲気下でアルミニウムキャップとUV硬化樹脂ナガセケムテックス株式会社製、UVRESINXNR5570-B1を用いて封止を行った後に大気下に取り出し、受光部が10mm角のサイズの有機光電変換素子SC-201を得た。光電変換素子SC-202、203の作製有機光電変換素子SC-201の作製において、正孔輸送層液の組み合わせを以下の表4にあるように変更した以外はSC-201と同様にして、有機光電変換素子SC-202、203を得た。有機光電変換素子の評価SC-101と同様の評価を行い、その結果を表4に示した。本発明の構成により、高い変換効率と同時に高い耐久性が得られた。"