整流器ブリッジ回路であって、該整流器ブリッジ回路の整流素子は、降伏時に動作する場合には逆電圧のドリフトを有している、ことを特徴とする整流器ブリッジ回路。前記整流素子は、逆方向電圧降伏を決めるMOS構造又はトレンチMOS構造を含んでいる、請求項1記載の整流器ブリッジ回路。前記整流素子は、それぞれショットキーダイオードと、MOS又はトレンチMOS構造との組合せを有している、請求項1又は2記載の整流器ブリッジ回路。前記整流素子は、TMBSダイオードトレンチMOSバリアショットキーダイオードである、請求項1から3のいずれか1項記載の整流器ブリッジ回路。前記整流素子は、0.65eV~0.7eVのショットキーバリアを有するTMBSダイオードトレンチMOSバリアショットキーダイオードである、請求項4記載の整流器ブリッジ回路。前記整流素子は、ニッケル又はケイ化ニッケルから成るショットキーバリア金属を備えたTMBSダイオードトレンチMOSバリアショットキーダイオードである、請求項1から5のいずれか1項記載の整流器ブリッジ回路。前記整流素子は、溝が1~3μm、溝と溝との間の間隔が0.5~1μmのTMBSダイオードトレンチMOSバリアショットキーダイオードである、請求項1から6のいずれか1項記載の整流器ブリッジ回路。前記整流素子は、それぞれpnダイオードと、MOS又はトレンチMOS構造との組合せを有している、請求項1又は2記載の整流器ブリッジ回路。前記整流素子は、それぞれMOSトランジスタと、MOS又はトレンチMOS構造との組合せを有している、請求項1又は2記載の整流器ブリッジ回路。前記MOS構造は、チップ全体に一様に分布するように配置されている、請求項1から9のいずれか1項記載の整流器ブリッジ回路。前記整流素子のうちの少なくとも1つは、圧入ダイオードとして形成されている、請求項1から10のいずれか1項記載の整流器ブリッジ回路。請求項1から11のいずれか1項記載の整流器ブリッジ回路を備えている、ことを特徴とする自動車発電機。本発明の課題は、ロードダンプの場合、すなわち負荷の遮断が急に生じる場合にも、ロードダンプエネルギが全てのダイオードに均等に分配される整流器ブリッジ回路を提供することである。前記課題は、請求項1に従う整流器ブリッジ回路によって解決される。本発明による整流器ブリッジ回路は、一般的なツェナーダイオードの代わりに、降伏動作時に降伏電圧UZが上昇する素子を整流素子として備えている。これによって、ダイオードの降伏電圧が動作前に種々異なっていても、整流器のダイオードの等しい降伏電圧が実現する。ロードダンプの場合、ロードダンプエネルギは全てのダイオードに均等に分配され、ひいては得られるロードダンプエネルギが最大化される。殊に、主にpn半導体構造である整流器内の単純なツェナーダイオードの代わりに、降伏電圧が降伏動作時に上昇する構造をクランプ部材として用いる素子が提案される。有利にはクランプ部材として、MOS構造が用いられる。整流器内で使用する場合には、殊に有利な形態としてTMBSダイオードトレンチMOSバリアショットキーダイオード、つまりショットキーダイオードとトレンチMOS構造とを組合わせたダイオードが提案される。その上尚この構造は、順電圧をpnダイオードの場合より低く実現することができるという利点を有している。例えば、500A/cm2の場合に0.5V~0.7Vの間の順電圧を実現することができる。図2には、第1の実施例として、チップとして構成されたTMBSダイオードが示されており、このTMBSダイオードはn基体1と、nエピタキシャル層2と、このnエピタキシャル層2へのエッチングにより形成される少なくとも2つの溝6トレンチと、アノード電極であるチップ表面にある金属層4と、カソード電極であるチップ背面にある金属層5と、溝6とチップ表面にある金属層4との間の酸化膜7とから成る。電気的には、TMBSダイオードは、MOS構造金属層、酸化膜7及びnエピタキシャル層2と、ショットキーダイオードアノードである金属層とカソードであるnエピタキシャル層2との間のショットキーバリアとの組合せである。順方向では、電流は溝6の間のメサ領域を流れる。これらの溝6自体は、電流を流すことには使用されない。TMBSダイオードは、非常に小さな逆電流しか有さない。逆方向では、MOS構造でもショットキーダイオードでも空乏層が形成される。空乏層は、電圧が上昇すると共に拡がり、TMBSダイオードの降伏電圧より低い電圧でも隣接する溝6の間の領域の中央でぶつかる。これによって、大きな逆電流の原因であるショットキー効果を遮蔽し、逆電流を低減する。この遮蔽効果は構造パラメータDt溝の深さ、Wm溝と溝との間の間隔、Wf溝の幅並びにTo酸化膜の厚さに強く依存する。TMBSダイオードを製造するときに、nエピタキシャル層2をエッチングし、酸化膜7を成長させ、ドープされた導電性のポリシリコンから成る層で溝を充填することによって溝6が形成される。選択的には、溝は金属で充填してもよい。溝6の間のメサ領域における空乏層の拡大は、溝の深さDtが溝と溝との間の間隔Wmより著しく大きい限り、疑似一次元的である。逆方向電圧降伏時に、非常に高い電界が、トレンチ底面近傍の酸化膜7内と、nエピタキシャル層2内の酸化膜のごく近傍とに形成される。結果として、逆方向電圧降伏またはアバランシェ降伏時に、ホットキャリアがnエピタキシャル層2からMOS構造の酸化膜7へ注入される。nドープされたエピタキシャル層2を備えた構造において、ホットキャリアは正孔である。このプロセスの結果、酸化膜内には正の電荷が残り、外部から加わる逆電圧の電界を遮蔽する。それ故に、シリコンにおいて降伏電界強度を実現するために、比較的高い外部電界ないし比較的高い外部電圧が必要とされる。TMBS構造の降伏電圧は上昇する。殊に有利には、チップ表面にあるショットキー金属4にはニッケルまたはケイ化ニッケルが用いられる。これによって、小さな逆電流を実現するのと同時に、0.5V~0.7Vの範囲の低い順電圧が得られる。有利には、TMBS構造は、降伏時の大電流の際にダイオードが破壊されること無しに動作することができる。この場合逆電圧は上へドリフトし、この電圧の上昇は時間と共に低下する。これは図3に示しており、蓄積された降伏電荷Qkに依存してTMBSの電圧ドリフトDの特性が示されている。降伏電荷は、降伏電力UZIZが低下する際の降伏動作における時間が経過するとともに蓄積されていく。例えば図1のB6ブリッジにおいて、ツェナーダイオードZD1~ZD6を、図3の逆電圧のドリフト特性を示す図2のTMBSダイオードと代替すると、降伏時の動作の際にTMBSダイオードの降伏電圧が等しくなる。本発明の整流器ブリッジ回路を構成要素とする自動車発電機のロードダンプ耐性が高まる。もちろん、図2の素子を備えた、交流発電機のための整流器には、3相より多い、例えば5~7相が備わっていてもよい。発電機でのロードダンプ測定が示すように、従来技術に比してさらに約20のロードダンプ電流をカットすることができる。整流構造と、降伏時に電圧ドリフトを示すトレンチMOS構造との組合せの別の実施例では、図2におけるnシリコン2とチップ表面にある金属4との間にp層が挿入されており、その降伏電圧UZPNはMOS構造の降伏電圧UZMOSより大きいのである。さらに、トレンチMOS構造の代わりに、平坦に形成されたプレーナ型MOS構造を用いてもよく、これらのMOS構造はチップ全体に一様に分布するように配置されており、このMOS構造においても逆方向電圧降伏は同様に生じる。整流素子は、溝が約1~3μm、溝と溝との間の間隔が約0.5~1μmのTMBSダイオードトレンチMOSバリアショットキーダイオードである。本発明による整流器ブリッジ回路は、回収モードを有する交流発電機においても用いることができる。