一方の基板表面の導体層に形成された外層パターン、内層である一乃至複数の導体層に形成された内層パターン、前記外層パターンと前記内層パターンとの間に、前記内層パターンを非貫通に形成されて、グランドに接続されるベリードビアホール、前記ベリードビアホールの内側に形成された管状の絶縁体、及び、前記管状絶縁体の管内面に形成され、前記外層パターンと前記内層パターンとを少なくとも接続する貫通ビアホールを備えることを特徴とする多層基板。前記管状絶縁体は、前記内層パターン、前記貫通スルーホール、及び、前記外層パターンの間のインピーダンス整合を図るために定められた管厚を有することを特徴とする請求項1に記載の多層基板。前記外層パターンと前記内層パターンとの間に位置する複数の導体層からなる第1の導体層群と、前記内層パターンを形成した第2の導体層群を備え、前記ベリードビアホールは、貫通した前記第1の導体層群の断面が露出する内面を有する第1の穴、及び、前記第1の穴の内面に形成された第1のメッキ層を備え、少なくとも前記第1の穴に露出した前記第1の導体層群を互いに接続し、前記第1の穴と異なる口径を有し、貫通した前記内層パターンの断面が露出する内面を有し、前記第1の穴と連接して当該多層基板を貫通する第2の穴を備え、前記貫通ビアホールは、前記第2の穴の内面、前記第1及び第2の穴の段差面、及び、前記管状絶縁体の管内に少なくとも形成された第2のメッキ層からなることを特徴とする請求項1及び請求項2のいずれかに記載の多層基板。前記ベリードビアホール及び貫通ビアホールからなる組を複数備えることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の多層基板。前記ベリードビアホール及び貫通ビアホールからなる組を2組備え、一方の組は差動信号の正位相信号を印加するための貫通ビアホールを備え、他方の組は前記差動信号の逆位相信号を印加するための貫通ビアホールを備えることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の多層基板。請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の多層基板を備える半導体装置。グランドに接続されるベリードビアホールを、一方の基板表面と、内層である一乃至複数の導体層に形成された内層パターンとの間に、前記内層パターンを非貫通に形成する段階と、前記ベリードビアホールの内側に管状の絶縁体を形成する段階と、前記管状絶縁体の管内面に、前記一方の基板表面に形成される外層パターンと前記内層パターンとを少なくとも接続するための貫通ビアホールを形成する段階とを含むことを特徴とする多層基板の製造方法。前記管状絶縁体は、前記内層パターン、前記貫通スルーホール、及び、前記外層パターンの間のインピーダンス整合を図るために定められた管厚を有することを特徴とする請求項7に記載の多層基板の製造方法。前記多層基板は、前記一方の基板表面と前記内層パターンとの間に位置する複数の導体層からなる第1の導体層群と、前記内層パターンを形成した第2の導体層群を備え、前記ベリードビアホールは、貫通した前記第1の導体層群の断面が露出する内面を有する第1の穴、及び、前記第1の穴の内面に形成された第1のメッキ層を備え、少なくとも前記第1の穴に露出した前記第1の導体層群を互いに接続し、前記第1の穴と異なる口径を有し、貫通した前記内層パターンの断面が露出する内面を有し、前記第1の穴と連接して当該多層基板を貫通する第2の穴を備え、前記貫通ビアホールは、前記第2の穴の内面、前記第1及び第2の穴の段差面、及び、前記管状絶縁体の管内に少なくとも形成された第2のメッキ層からなることを特徴とする請求項8及び請求項9のいずれかに記載の多層基板の製造方法。前記ベリードビアホール及び貫通ビアホールからなる組を複数形成することを特徴とする請求項7乃至請求項9のいずれかに記載の多層基板の製造方法。本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、本発明が解決しようとする課題は、多層基板の内層と外層とを接続する貫通ビアホールのインピーダンスを制御することである。上述の課題を解決するため、本発明は、その一態様として、一方の基板表面の導体層に形成された外層パターン、内層である一乃至複数の導体層に形成された内層パターン、前記外層パターンと前記内層パターンとの間に、前記内層パターンを非貫通であって、グランドに接続されるベリードビアホール、前記ベリードビアホールの内側に形成された管状の絶縁体、及び、前記管状絶縁体の管内面に形成され、前記外層パターンと前記内層パターンとを少なくとも接続する貫通ビアホールを備えることを特徴とする多層基板を提供する。また、本発明は、他の一態様として、一方の基板表面と、内層である一乃至複数の導体層に形成された内層パターンとの間に、前記内層パターンを非貫通であって、グランドに接続されるベリードビアホールを形成する段階と、前記ベリードビアホールの内側に管状の絶縁体を形成する段階と、前記管状絶縁体の管内面に、前記一方の基板表面に形成される外層パターンと前記内層パターンとを少なくとも接続するための貫通ビアホールを形成する段階とを含むことを特徴とする多層基板の製造方法を提供する。本発明によれば、ベリードビアホール内部の管状絶縁体の更に内部に形成された貫通ビアホールを介して、ベリードビアホールの開口部を有する側の多層基板の外層パターンと、内層パターンとの間を、インピーダンス制御可能な貫通ビアホールを介して接続することができる。本発明の一実施の形態である多層基板の製造方法について説明する。基板1は導体層と絶縁体層が交互に積層した多層基板であり、6つの導体層2~7の間、導体層2の導体層の上、導体層7の導体層の下をそれぞれ絶縁体で覆っている。導体層2は不図示の配線によりグランドに接続されている。このうち、2つの導体層2、5を接続するベリードビアホールburiedviaholeBVH、及び、基板1の上面に形成される外層パターンと導体層6の内層パターンとを接続する貫通ビアホールを、以下のような手順で形成する。尚、説明の便宜上、基板1の図中上側の面を表面、下側の面を裏面と呼ぶものとする。1図1に示すように基板1に貫通穴8を形成する。このとき、貫通穴8の内面には導体層2の一部が露出部2aとして露出している。同様に導体層5の一部が露出部5aとして貫通穴8の内面に露出している。2貫通穴8を形成した基板1に対し、図2のように、基板1の表面、貫通穴8の内面、基板1の裏面にかけてメッキを施して導体層10、11、12を形成する。これにより、基板1の表面導体層10から貫通穴8導体層11を経て裏面導体層12に至り、その過程で露出部2a、5aを電気的に接続して、導体層2を介して導体層5、10~12をグランドに接続する。次に導体層10、12に対してエッチングを施す。これにより、導体層10、11、12からなる図3のような貫通ビアホールTVH1を形成する。3図4に示すように、基板1の裏面から穴加工を行ない、導体層12、及び、導体層6上部の絶縁層の深さまでの導体層11を除去して、基板1を貫通しない非貫通穴13を形成する。穴加工後の貫通ビアホールTVH1は、導体層10、11からなるベリードビアホールBVH1となる。非貫通穴13は貫通穴8と連接する。本例では、貫通穴8、非貫通穴13は共に同心の円孔であり、非貫通穴13は貫通穴8よりも大きい口径を有する。非貫通穴13は導体層6を貫通し、導体層6の直上の絶縁層は貫通しない。導体層6の一部は露出部6aとして非貫通穴13の内面に露出する。4図5に示すように、樹脂剤等の絶縁材料を貫通穴8及び非貫通穴13に充填して絶縁体柱20を形成すると共に、基板1の表面及び裏面に絶縁層21、22を形成し、更に、各絶縁層の上に導体層23、24を形成する。絶縁体柱20は、貫通穴8に充填された絶縁材料からなる円柱と、非貫通穴13に充填された絶縁材料からなる円柱を積み重ねた形状、即ち、直径が異なる2つの円柱を同心に積み重ねた形状となる。5導体層23、絶縁体柱20、導体層24を貫通する穴加工を行ない、導体層11を覆う絶縁体を残すようにして貫通穴30を形成する。例えば貫通穴30を貫通穴8と同心かつ貫通穴8よりも口径が小さくすれば、導体層11を覆う絶縁体を残しつつ貫通穴30を形成することができる。貫通穴30の内面には絶縁体柱20の外周部が絶縁層31として残る。6基板1の裏面側から絶縁体柱20に対して穴加工を行ない、非貫通穴32を形成する。非貫通穴32は貫通穴30と連接し、貫通穴30を介して基板の表面側と繋がるように形成される。貫通穴30と非貫通穴32の段差面に絶縁層33が残るように、非貫通穴32を非貫通穴13よりも浅く形成する。このため、非貫通穴13は、絶縁層33の層厚、導体層6の基板1裏面からの深さ、導体層6の層厚を特に考慮した深さを有することが好ましい。また、非貫通穴32の内面に露出部6aが露出するように形成される。例えば、非貫通穴32は非貫通穴13と同心に、かつ、非貫通穴13と同じ或いはより大きい口径を有するように形成される。絶縁体柱20に貫通穴30及び非貫通穴32を形成した後の状態を図6に示す。貫通穴30及び非貫通穴32の形成により、絶縁体柱20は管状の絶縁層31となる。7図7に示すように、貫通穴30の内面、貫通穴30と非貫通穴32との段差面、非貫通穴32の内面にメッキを施し、導体層40、41、42からなる貫通ビアホールTVH2を形成する。これにより、導体層6と導体層23、24とを接続する導体経路が形成される。6で述べたように、露出部6aは非貫通穴32の内面に露出しているので、導体層6は露出部6aを介して導体層42と電気的に接続される。8最後に、図8に示すように、導体層23、24にエッチングを施して所望の外層パターンを形成する。ベリードビアホールBVH1は、導体層2を介して不図示のグランドに接続される一方、導体層6に形成された内層パターンは、貫通ビアホールTVH2を介して、導体層23、24に形成された外層パターンに接続される。ベリードビアホールBVH1と貫通ビアホールTVH2の間には、管状絶縁体31が挟まれているので、管状絶縁体31の材質や管厚を適宜選択することにより、貫通ビアホールTVH2のインピーダンスを制御することが可能である。このようにして、外層パターン導体層23、24と内層パターン導体層6とを、インピーダンス制御可能な貫通ビアホールTVH2にて接続することができるので、外層パターン、貫通ビアホール、内層パターンの区間でインピーダンスの整合を図ることができる。また、ここで用いた工程はいずれも現在の製造設備を用いて実現可能であり、特殊な製造設備を新たに用意することなく上述のような多層基板を製造することができる。次に、図9を参照して上述の多層基板の変形である多層基板50について説明する。外層基板50は、上述のベリードビアホールBVH1と貫通ビアホールTVH2からなる組を2組備え、差動信号を適用する。TVH2aには正位相信号を印加し、TVH2bにはその逆位相信号を印加する。図8の多層基板と同様、ベリードビアホールBVH1aと貫通ビアホールTVH2aの間の絶縁体の材質、厚さを適宜選択し、貫通ビアホールTVH2aのインピーダンスを制御することにより、外層パターン51a、貫通ビアホールTVH2a、内層パターン52aの区間のインピーダンス整合を図ることができる。また同様にして、外層パターン51b、貫通ビアホールTVH2b、内層パターン52bの区間のインピーダンス整合を図ることができる。尚、ベリードビアホールBVH1a、BVH1b、貫通ビアホールTVH2a、TVH2bはいずれも円孔の内面に沿ってメッキ層を形成してなることが考えられるが、これ以外にも、円孔の代わりに楕円孔を用いて、楕円孔の内面にメッキ層を形成してなることとしてもよい。円孔の貫通ビアホールを2つ並べる場合と、楕円孔の貫通ビアホールを短手方向に2つ並べる場合とを比較する。どちらの場合も、円孔及び楕円孔の円周の長さは等しく、円孔または楕円孔間の間隔は等しいものとする。このとき、楕円孔を短手方向に2つ並べたものは、円孔を2つ並べたものに比べて狭い面積に配置することができるので、基板密度の向上に寄与する。また、インピーダンス制御の観点からは、外層パターンと、グランドに接続された内層の導体層とが、なるべく互いに重なるように配置することが好ましいが、貫通ビアホールの開口部には外層パターンも内層パターンも存在しないので、開口部が広くなるほど外層パターンと内層導体層とが互いに重ならない部分が大きくなり、好ましくない。この点で上述のような円孔と楕円孔の貫通ビアホールとを互いに比較すると、楕円孔の短径は円孔の直径よりも短いので、その分、楕円孔の貫通ビアホールから伸びた外層パターンと、グランドに接続された内層導体層とが重なる領域が長くなる。このため、インピーダンス制御の観点からも楕円孔に形成した導体層からなる貫通ビアホールは好ましい。上記の実施形態及び実施例の一部又は全部は以下の付記のようにも記載されうるが、これらに限定されるものではない。付記1一方の基板表面の導体層に形成された外層パターン、内層である一乃至複数の導体層に形成された内層パターン、前記外層パターンと前記内層パターンとの間に、前記内層パターンを非貫通に形成されて、グランドに接続されるベリードビアホール、前記ベリードビアホールの内側に形成された管状の絶縁体、及び、前記管状絶縁体の管内面に形成され、前記外層パターンと前記内層パターンとを少なくとも接続する貫通ビアホールを備えることを特徴とする多層基板。付記2前記管状絶縁体は、前記内層パターン、前記貫通スルーホール、及び、前記外層パターンの間のインピーダンス整合を図るために定められた管厚を有することを特徴とする付記1に記載の多層基板。付記3前記外層パターンと前記内層パターンとの間に位置する複数の導体層からなる第1の導体層群と、前記内層パターンを形成した第2の導体層群を備え、前記ベリードビアホールは、貫通した前記第1の導体層群の断面が露出する内面を有する第1の穴、及び、前記第1の穴の内面に形成された第1のメッキ層を備え、少なくとも前記第1の穴に露出した前記第1の導体層群を互いに接続し、前記第1の穴と異なる口径を有し、貫通した前記内層パターンの断面が露出する内面を有し、前記第1の穴と連接して当該多層基板を貫通する第2の穴を備え、前記貫通ビアホールは、前記第2の穴の内面、前記第1及び第2の穴の段差面、及び、前記管状絶縁体の管内に少なくとも形成された第2のメッキ層からなることを特徴とする付記1及び付記2のいずれかに記載の多層基板。付記4前記ベリードビアホール及び貫通ビアホールからなる組を複数備えることを特徴とする付記1乃至付記3のいずれかに記載の多層基板。付記5前記ベリードビアホール及び貫通ビアホールからなる組を2組備え、一方の組は差動信号の正位相信号を印加するための貫通ビアホールを備え、他方の組は前記差動信号の逆位相信号を印加するための貫通ビアホールを備えることを特徴とする付記1乃至付記3のいずれかに記載の多層基板。付記6付記1乃至付記5のいずれかに記載の多層基板を備える半導体装置。付記7グランドに接続されるベリードビアホールを、一方の基板表面と、内層である一乃至複数の導体層に形成された内層パターンとの間に、前記内層パターンを非貫通に形成する段階と、前記ベリードビアホールの内側に管状の絶縁体を形成する段階と、前記管状絶縁体の管内面に、前記一方の基板表面に形成される外層パターンと前記内層パターンとを少なくとも接続するための貫通ビアホールを形成する段階とを含むことを特徴とする多層基板の製造方法。付記8前記管状絶縁体は、前記内層パターン、前記貫通スルーホール、及び、前記外層パターンの間のインピーダンス整合を図るために定められた管厚を有することを特徴とする付記7に記載の多層基板の製造方法。付記9前記多層基板は、前記一方の基板表面と前記内層パターンとの間に位置する複数の導体層からなる第1の導体層群と、前記内層パターンを形成した第2の導体層群を備え、前記ベリードビアホールは、貫通した前記第1の導体層群の断面が露出する内面を有する第1の穴、及び、前記第1の穴の内面に形成された第1のメッキ層を備え、少なくとも前記第1の穴に露出した前記第1の導体層群を互いに接続し、前記第1の穴と異なる口径を有し、貫通した前記内層パターンの断面が露出する内面を有し、前記第1の穴と連接して当該多層基板を貫通する第2の穴を備え、前記貫通ビアホールは、前記第2の穴の内面、前記第1及び第2の穴の段差面、及び、前記管状絶縁体の管内に少なくとも形成された第2のメッキ層からなることを特徴とする付記8及び付記9のいずれかに記載の多層基板の製造方法。付記10前記ベリードビアホール及び貫通ビアホールからなる組を複数形成することを特徴とする付記7乃至付記9のいずれかに記載の多層基板の製造方法。付記11前記ベリードビアホール及び貫通ビアホールからなる組を2組形成し、一方の組では差動信号の正位相信号を印加するための貫通ビアホールを形成し、他方の組では前記差動信号の逆位相信号を印加するための貫通ビアホールを形成することを特徴とする付記7乃至付記9のいずれかに記載の多層基板の製造方法。