第1導電型のシリコン基板の受光面に、第2導電型のドーパント及びチタン系化合物を少なくとも含む溶液を塗布し熱処理することにより、第2導電型半導体層及び前記ドーパントを含む反射防止膜を形成する第1工程と、前記シリコン基板の受光面と反対の面に、第1導電型のドーパントを少なくとも含むペーストを塗布し熱処理することにより、第1導電型半導体層を形成する第2工程と、前記反射防止膜上から前記第2導電型半導体層に複数回レーザを照射することによって、前記第1導電型半導体層と前記第2導電型半導体層とを電気的に分離するための溝を形成する第3工程とを備えた太陽電池の製造方法。前記溝は、前記シリコン基板の外周縁に形成される請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記第2導電型のドーパントは、リンである請求項1または2に記載の太陽電池の製造方法。前記第3工程において、前記シリコン基板の裏面側から前記レーザ照射を行う請求項1~3のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。前記レーザは、パルスレーザである請求項1~4のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。特許文献2に開示されている太陽電池の特性をより良くするには、マスク材311の幅を狭くしてp層308の領域を広げることが考えられる。そこで、p層308の領域を広げるため、マスク材311形成を行わず、レーザ照射によるPN分離が考えられる。しかしながら、特許文献2に示されている方法で太陽電池の受光面構造を形成した場合、p型シリコン基板の裏面及び側面にn層が形成されると共に反射防止膜も形成されてしまう。この反射防止膜には、n層を形成するためのドーパントが含まれているので、p型シリコン基板の受光面、または裏面の反射防止膜上からレーザ照射によりPN分離を行うと、溝が形成されるとともに、反射防止膜に含まれる上記ドーパントによって新たなn型半導体層がp型シリコン基板に形成されてしまい、PN分離の妨げになった。本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、反射防止膜にドーパントを含む太陽電池において、反射防止膜上からレーザ照射を行っても、PN分離を行うことが可能な太陽電池の製造方法を提供することにある。本発明の太陽電池の製造方法は、第1導電型のシリコン基板の受光面に、第2導電型のドーパント及びチタン系化合物を少なくとも含む溶液を塗布し熱処理することにより、第2導電型半導体層及びドーパントを含む反射防止膜を形成する第1工程と、シリコン基板の受光面と反対の面に、第1導電型のドーパントを少なくとも含むペーストを塗布し熱処理することにより、第1導電型半導体層を形成する第2工程と、反射防止膜上から第2導電型半導体層に複数回レーザを照射することによって、第1導電型半導体層と第2導電型半導体層とを電気的に分離するための溝を形成する第3工程とを備える。ここで、本発明の太陽電池の製造方法は、溝は、シリコン基板の外周縁に形成されてもよい。また、本発明の太陽電池の製造方法は、第2導電型のドーパントは、リンであってもよい。また、本発明の太陽電池の製造方法は、第3工程において、シリコン基板の裏面側からレーザ照射を行ってもよい。また、本発明の太陽電池の製造方法は、レーザは、パルスレーザであってもよい。本発明によれば、反射防止膜にドーパントを含む太陽電池において、反射防止膜上からレーザを複数回照射することで、PN分離するための溝を形成することができるため、多くの工程を必要としないので、効率的に製造することが可能な太陽電池の製造方法を提供することができる。図1は、本発明の太陽電池の一例の断面図を表す模式図である。図1aに示す太陽電池21は、第1導電型のp型シリコン基板1の受光面にPN分離のための溝8を形成したものであり、図1bに示す太陽電池22は、p型シリコン基板1の裏面にPN分離のための溝8を形成したものである。2は第2導電型のn型半導体層、3は反射防止膜、4は受光面電極、5はアルミニウム電極、6は裏面電極、7は第1導電型のp型半導体層であるBSF層であり、第1導電型のp型半導体層である。図2は、図1aに示す本発明の太陽電池21の製造方法の一例である。まず、図2aに示すように、テクスチャエッチング処理により凹凸構造を形成したp型シリコン基板1の受光面に、ドーパントであるリンを含む五酸化リンとチタン系化合物とアルコールの混合液を少なくとも含むPTGPhosphoricTitanateGlass液9をスピンコータで塗布する。その後、塗布したPTG液9の乾燥を行う。この際、PTG液の塗布の状態によっては、PTG液がp型シリコン基板1の裏面に回りこんでしまうことがある。なお、図2では、受光面側の凹凸構造を省略している。次に、図2bに示すように、p型シリコン基板1を800°C以上で熱処理し、リンを拡散したn型半導体層2及びリンを含むチタン酸化物膜である反射防止膜3を形成する。上記に示したp型シリコン基板1の裏面に回りこんだPTG液は、p型シリコン基板1の裏面にn型半導体層を形成することになる。また、熱処理中に、p型シリコン基板1に塗布されたPTG液よりアウトディフュージョンされたリンによって、p型シリコン基板1の裏面には、リン濃度の薄いn型半導体層15が形成されてしまう。次に、図2cに示すように、p型シリコン基板1の裏面に、アルミニウムペーストと銀ペーストを塗布し、乾燥する。また、p型シリコン基板1の受光面の反射防止膜3上に銀ペーストを塗布し、乾燥する。その後、p型シリコン基板1を500°C以上で焼成して、p型シリコン基板1の受光面には、n型半導体領域2上に受光面電極4を形成する。焼成の際に、銀ペーストはファイヤースルーにより反射防止膜3を貫通して受光面電極4を形成し、n型半導体層2と接続する。また、p型シリコン基板1の裏面には、アルミニウム電極5、裏面電極6、BSF層7をそれぞれ形成する。ここで、アルミニウムペーストを塗布し乾燥した領域では、n型半導体層15のn型ドーパントであるリンよりも高い濃度の、p型ドーパントであるアルミニウムが、焼成により拡散するので、BSF層7を形成することができる。次に、図2dに示すように、反射防止膜3上からレーザ照射することにより、受光面電極4と接続しているn型半導体層2と、アルミニウム電極5を介して裏面電極6と接続しているBSF層7とをPN分離するための溝8をp型シリコン基板1の受光面側に形成する。この際、レーザはパルスレーザを用いた。パルスレーザは、CWContinuousWaveレーザより制御しやすく、出力密度の高いレーザ光を得ることができる。溝8は、n型半導体層2に形成し、p型シリコン基板1の受光面の外周縁に形成した。しかし、1回のレーザ照射ではPN分離することができなかった。図3は、PN分離のための溝を形成する箇所を拡大した模式図である。図3aは、1回目のレーザ照射後の模式図であり、図3bは、2回目のレーザ照射後の模式図である。図3aに示すように、1回目のレーザ照射で、照射箇所のn型半導体層2と反射防止膜3の多くは、昇華し取り除かれ溝11を形成するが、反射防止膜3に含まれているリンの一部が熱拡散してしまい、新たにn型半導体層12を形成することになる。そして、図3bに示すように、n型半導体層12を取り除くための2回目のレーザ照射を行う。n型半導体層12の多くは、昇華し取り除かれ溝8を形成するが、n型半導体層12に含まれているリンの一部が熱拡散してしまい、新たにn型半導体層を形成することになる。しかしながら、この新たなn型半導体層図示せずのリン濃度は、n型半導体層12のリン濃度よりも低く、太陽電池の光電変換特性に影響を与えないことを確認した。よって、2回のレーザ照射で、太陽電池の光電変換特性に影響を与えないPN分離するための溝を形成することができた。上記のレーザ照射条件は1回目、2回目とも同じ条件である。なお、レーザ照射の出力が高すぎると、レーザで形成された溝付近のシリコンが溶け、n型ドーパントであるリンが混ざり固化してしまい、PN分離を行うことができない。また、レーザ照射の出力が低すぎると、溝は形成されるが、電気的な分離ができない。なお、分離するための溝を形成することができれば、必ずしも、1回目と2回目のレーザ照射条件は同じでなくてもよい。このようにして、同じ箇所にPN分離を行うようなレーザ照射を2回行うことによって、PN分離のための溝形成を行い太陽電池21を作製した。なお、図1bに示す太陽電池22の場合の作製方法は、レーザ照射による溝8形成をp型シリコン基板1の裏面側に行う以外は、太陽電池21の作製方法と同様である。この際の溝8形成は、n型半導体層2に形成し、p型シリコン基板1の裏面の外周縁に対して行った。図4は、図1に示す本発明の太陽電池の製造方法の他の一例である。図4の製造方法は、リンを拡散したn型半導体層2及びリンを含むチタン酸化物膜である反射防止膜3を形成した後、電極を形成する前に反射防止膜3上からレーザ照射することによりPN分離のための溝8を形成する以外は、図2の製造方法と同様である。図4a、図4bは、図2a、図2bと同様であるので、図4cより説明する。図4cに示すように、反射防止膜3上からレーザ照射することにより、受光面電極4と接続するp型シリコン基板1の受光面に形成したn型半導体層2と、BSF層7と接続するp型シリコン基板1に形成されたn型半導体層2とをPN分離するための溝8をp型シリコン基板1の受光面側に形成する。この際、実施例1と同様にレーザはパルスレーザを用いた。溝8は、n型半導体層2に形成し、p型シリコン基板1の受光面の外周縁に形成した。また、1回のレーザ照射ではPN分離することができなかったので、同じ箇所にPN分離を行うようなレーザ照射を2回行うことによって、PN分離のための溝形成を行い太陽電池21を作製した。ここで、レーザ照射条件は1回目、2回目とも同じ条件である。なお、上記に示したように、必ずしも、1回目と2回目のレーザ照射条件は同じでなくてもよい。次に、図4dに示すように、p型シリコン基板1の裏面に、アルミニウムペーストと銀ペーストを塗布し、乾燥する。また、反射防止膜3上に銀ペーストを塗布し、乾燥する。その後、p型シリコン基板1を500°C以上で焼成して、p型シリコン基板1の受光面には、n型半導体領域2上に受光面電極4を形成する。焼成の際に、銀ペーストはファイヤースルーにより反射防止膜3を貫通して受光面電極4を形成し、n型半導体層2と接続する。また、p型シリコン基板1の裏面には、アルミニウム電極5、裏面電極6、BSF層7をそれぞれ形成する。ここで、アルミニウムペーストを塗布し乾燥した領域では、n型半導体層15のn型ドーパントであるリンよりも高い濃度の、p型ドーパントであるアルミニウムが、焼成により拡散するので、BSF層7を形成することができる。また、この製造方法での図1bに示す太陽電池22の作製方法は、レーザ照射によるPN分離のための溝8形成をp型シリコン基板1の裏面側に行う以外、図4の作製方法と同様である。この際の溝8形成は、n型半導体層2に形成し、p型シリコン基板1の裏面の外周縁に対して行った。よって、実施例1、2から、反射防止膜にn型半導体層を形成するドーパントを含む太陽電池において、反射防止膜上からレーザを2回照射することで、PN分離のための溝を形成することができるため、多くの工程を必要としない。また、2回のレーザ照射は、同じ設備を使用するので、別々の設備を必要としない。次に、実施例1と比較例の太陽電池の光電変換効率を比較した。比較例1は、特許文献1に開示されている図7の製造方法で作製した太陽電池、そして、比較例2は、実施例1の製造方法において、レーザ照射を1回だけにして作製した太陽電池である。実施例1、比較例2で用いた1回のレーザ照射条件を下記に示す。レーザ:ファイバレーザ:ネオジムNd添加ファイバを増幅器として用い、光路を光ファイバで構成したレーザレーザ出力:40W以下パルス幅:180μs以下表1に結果を示す。表1は、実施例1、比較例1、比較例2、それぞれ10サンプルについて測定を行い、その平均値とし、比較例1を1.000とした場合の値である。表1の結果から、実施例1は、比較例1に対し1光電変換効率が高くなることがわかる。また、比較例2は、比較例1に対し3光電変換効率が低くなっているので、1回のレーザ照射では、PN分離のための溝が光電変換効率に影響を与えていることがわかる。したがって、PN分離のための溝を形成するために、多くの工程数を必要としないので、効率的に太陽電池を製造することができる。今回、p型シリコン基板について記載したが、n型シリコン基板を用いることも可能である。その場合は、n型シリコン基板の受光面にp型半導体層を形成し、反射防止膜はp型のドーパントが含まれた膜となる。