"下記化学式1で表示される反復単位を含む高分子:前記化学式1のうち、Arは、置換または非置換のC6-C30アリーレン基及び置換または非置換のC3-C30ヘテロアリーレン基からなる群から選択され;aは、1ないし3の整数であり;-Ara-のうちaが2または3である時、それぞれのArは互いに同一または異なり;R1ないしR14及びR21ないしR27は互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、シアノ基、カルボキシル基、置換または非置換のC1-C30アルキル基、置換または非置換のC2-C30アルケニル基、置換または非置換のC2-C30アルキニル基、置換または非置換のC1-C30アルコキシ基、置換または非置換のC6-C30アリール基、置換または非置換のC3-C30ヘテロアリール基、-NQ1Q2で表示される基、及び-SiQ3Q4Q5で表示される基からなる群から選択され、前記Q1ないしQ5は互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、シアノ基、カルボキシル基、置換または非置換のC1-C30アルキル基、置換または非置換のC2-C30アルケニル基、置換または非置換のC2-C30アルキニル基、置換または非置換のC1-C30アルコキシ基、置換または非置換のC6-C30アリール基、及び置換または非置換のC3-C30ヘテロアリール基からなる群から選択され;nは、0ないし5の整数である。前記Arは、置換または非置換のフェニレン基、置換または非置換のペンタレニレン基、置換または非置換のインデニレン基、置換または非置換のナフチレン基、置換または非置換のアズレニレン基、置換または非置換のヘプタレニレン基、置換または非置換のインダセニレン基、置換または非置換のアセナフチレン基、置換または非置換のフルオレニレン基、置換または非置換のフェナレニレン基、置換または非置換のフェナントレニレン基、置換または非置換のアントラセニレン基、置換または非置換のフルオランテニレン基、置換または非置換のトリフェニレニレン基、置換または非置換のピレニレン基、置換または非置換のクリセニレン基、置換または非置換のナフタセニレン基、置換または非置換のピセニレン基、置換または非置換のペリレニレン基、置換または非置換のペンタフェニレン基、置換または非置換のヘキサセニレン基、置換または非置換のピロリレン基、置換または非置換のピラゾリレン基、置換または非置換のイミダゾリレン基、置換または非置換のイミダゾリニレン基、置換または非置換のイミダピリジニレン基、置換または非置換のイミダゾピリミジニレン基、置換または非置換のピリジニレン基、置換または非置換のピラジニレン基、置換または非置換のピリミジニレン基、置換または非置換のインドリレン基、置換または非置換のプリニレン基、置換または非置換のキノリレン基、置換または非置換のフタラジニレン基、置換または非置換のインドリジニレン基、置換または非置換のナフチリジニレン基、置換または非置換のキナゾリニレン基、置換または非置換のシノリニレン基、置換または非置換のインダゾリレン基、置換または非置換のカルバゾリレン基、置換または非置換のフェナジニレン基、置換または非置換のフェナントリジニレン基、置換または非置換のピラニレン基、置換または非置換のクロメニレン基、置換または非置換のベンゾフラニレン基、置換または非置換のチオフェニレン基、置換または非置換のベンゾチオフェニレン基、置換または非置換のイソチアゾリレン基、置換または非置換のベンゾイミダゾリレン基、及び置換または非置換のイソキサゾリレン基からなる群から選択された請求項1に記載の高分子。前記Arは、フェニレン基、C1-C10アルキルフェニレン基、ジC1-C10アルキルフェニレン基、C6-C14アリールフェニレン基、ジC6-C14アリールフェニレン基、カルバゾリレン基、C1-C10アルキルカルバゾリレン基、ジC1-C10アルキルカルバゾリレン基、C6-C14アリールカルバゾリレン基、ジC6-C14アリールカルバゾリレン基、フルオレニレン基、C1-C10アルキルフルオレニレン基、ジC1-C10アルキルフルオレニレン基、C6-C14アリールフルオレニレン基、ジC6-C14アリールフルオレニレン基、ナフチレン基、C1-C10アルキルフルオレニレン基、ジC1-C10アルキルナフチレン基、C6-C14アリールナフチレン基、ジC6-C14アリールナフチレン基、アントリレン基、C1-C10アルキルアントリレン基、ジC1-C10アルキルアントリレン基、C6-C14アリールアントリレン基、ジC6-C14アリールアントリレン基、フェナントレニレン基、C1-C10アルキルフェナントレニレン基、ジC1-C10アルキルフェナントレニレン基、C6-C14アリールフェナントレニレン基、ジC6-C14アリールフェナントレニレン基、ピリジニレン基、C1-C10アルキルピリジニレン基、ジC1-C10アルキルピリジニレン基、C6-C14アリールピリジニレン基、ジC6-C14アリールピリジニレン基、キノリレン基、C1-C10アルキルキノリレン基、ジC1-C10アルキルキノリレン基、C6-C14アリールキノリレン基、ジC6-C14アリールキノリレン基、ベンゾイミダゾリレン基、C1-C10アルキルベンゾイミダゾリレン基、ジC1-C10アルキルベンゾイミダゾリレン基、C6-C14アリールベンゾイミダゾリレン基、ジC6-C14アリールベンゾイミダゾリレン基、イミダピリジニレン基、C1-C10アルキルイミダゾピリジニレン基、ジC1-C10アルキルイミダピリジニレン基、C6-C14アリールイミダピリジニレン基、ジC6-C14アリールイミダピリジニレン基、イミダゾピリミジニレン基、C1-C10アルキルイミダゾピリミジニレン基、ジC1-C10アルキルイミダゾピリミジニレン基、C6-C14アリールイミダゾピリミジニレン基、及びジC6-C14アリールイミダゾピリミジニレン基からなる群から選択された請求項1または2に記載の高分子。前記aは、1、2、または3である請求項1~3のいずれかに記載の高分子。前記化学式1のうち、-Ara-は、下記化学式2Aないし2Kのうち一つで表示される請求項1~4のいずれかに記載の高分子:前記化学式2Aないし2Kのうち、Z1ないしZ4は、互いに独立して、水素原子、C1-C10アルキル基、及びC6-C14アリール基からなる群から選択され;p、q、r及びsは、互いに独立して1ないし8の整数であり、は、化学式1のカルバゾール環のうちNとの結合サイトであり;’は、化学式1の他のカルバゾール環のうちNとの結合サイトである。R1ないしR14及びR21ないしR27は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、シアノ基、カルボキシル基、置換または非置換のC1-C10アルキル基、置換または非置換のC2-C10アルケニル基、置換または非置換のC2-C10アルキニル基、置換または非置換のC1-C10アルコキシ基、置換または非置換のC6-C14アリール基、及び置換または非置換のC3-C14ヘテロアリール基からなる群から選択された請求項1~5のいずれかに記載の高分子。R1及びR2、R4ないしR11、R13及びR14、及びR22ないしR27は水素原子であり;R3、R12、及びR21は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、シアノ基、カルボキシル基、置換または非置換のC1-C30アルキル基、置換または非置換のC2-C30アルケニル基、置換または非置換のC2-C30アルキニル基、置換または非置換のC1-C30アルコキシ基、置換または非置換のC6-C30アリール基、置換または非置換のC3-C30ヘテロアリール基、-NQ1Q2で表示される基、及び-SiQ3Q4Q5で表示される基からなる群から選択され、前記Q1ないしQ5は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、シアノ基、カルボキシル基、置換または非置換のC1-C30アルキル基、置換または非置換のC2-C30アルケニル基、置換または非置換のC2-C30アルキニル基、置換または非置換のC1-C30アルコキシ基、置換または非置換のC6-C30アリール基、及び置換または非置換のC3-C30ヘテロアリール基からなる群から選択された請求項1~6のいずれかに記載の高分子。R1ないしR14、及びR22ないしR27は水素原子であり;R21は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、シアノ基、カルボキシル基、C1-C10アルキル基、C1-C10アルコキシ基、C6-C14アリール基、及びC3-C14ヘテロアリール基からなる群から選択された請求項1~7のいずれかに記載の高分子。nは、0、1、または2である請求項1~8のいずれかに記載の高分子。下記化学式1A、1B、及び1Cのうちいずれか一つで表示される反復単位を含む請求項1~9のいずれかに記載の高分子:前記化学式のうち、Arは、置換または非置換のC6-C30アリーレン基及び置換または非置換のC3-C30ヘテロアリーレン基からなる群から選択され;aは、1、2、または3であり;-Ara-のうちaが2または3である時、それぞれのArは、互いに同一または異なり;R3、R12、及びR21は互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、シアノ基、カルボキシル基、置換または非置換のC1-C30アルキル基、置換または非置換のC2-C30アルケニル基、置換または非置換のC2-C30アルキニル基、置換または非置換のC1-C30アルコキシ基、置換または非置換のC6-C30アリール基、置換または非置換のC3-C30ヘテロアリール基、-NQ1Q2で表示される基、及び-SiQ3Q4Q5で表示される基からなる群から選択され、前記Q1ないしQ5は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、シアノ基、カルボキシル基、置換または非置換のC1-C30アルキル基、置換または非置換のC2-C30アルケニル基、置換または非置換のC2-C30アルキニル基、置換または非置換のC1-C30アルコキシ基、置換または非置換のC6-C30アリール基、及び置換または非置換のC3-C30ヘテロアリール基からなる群から選択される。前記化学式1Aないし1Cのうち、-Ara-は、互いに独立して、下記化学式2Aないし2Kのうち一つで表示される請求項10に記載の高分子:前記化学式2Aないし2Kのうち、Z1ないしZ4は互いに独立して、水素原子、C1-C10アルキル基、及びC6-C14アリール基からなる群から選択され;p、q、r及びsは、互いに独立して1ないし8の整数であり、は、化学式1のカルバゾール環のうちNとの結合サイトであり;’は、化学式1の他のカルバゾール環のうちNとの結合サイトである。化学式1Aないし1CのうちR3、R12、及びR21が互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、シアノ基、カルボキシル基、C1-C10アルキル基、C1-C10アルコキシ基、C6-C14アリール基、及びC3-C14ヘテロアリール基からなる群から選択された請求項10または11に記載の高分子。化学式1Aないし1Cのうち、R3、R12、及びR21は、互いに独立して、水素原子であるか、直鎖型または分枝型のメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基からなる群から選択された請求項10~12のいずれかに記載の高分子。重量平均分子量は、2,000ないし1,000,000である請求項1~13のいずれかに記載の高分子。前記高分子は、両極性の特性を持って燐光ホストとして使われる請求項1~14のいずれかに記載の高分子。基板;第1電極;第2電極;及び前記第1電極と前記第2電極との間に介在されて前記請求項1~15のいずれかに記載の高分子を含む第1層;を備える有機発光素子。前記第1層は発光層であり、前記第1層は燐光ドーパントをさらに含む請求項16に記載の有機発光素子。前記燐光ドーパントは、Ir、Pt、Os、Re、Ti、Zr、Hf、及びこれらのうち2以上の組み合わせからなる群から選択された金属を含む有機金属錯体である請求項17に記載の有機発光素子。前記燐光ドーパントの含有量は1質量ないし10質量である請求項17または18に記載の有機発光素子。前記第1電極と前記第2電極との間に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、及び電子注入層からなる群から選択された一つ以上の層がさらに介在された請求項16~19のいずれかに記載の有機発光素子。しかしながら、特許文献1などに記載の既存の有機層の製造方法によって得られる有機発光素子では、なお電気的特性が十分ではないという問題があり、優れた電気的特性を提供できる有機発光素子OLED用材料の開発が求められている。そこで、本発明の目的は、上記問題点を解決してなる新規の構造を持つ高分子を提供することである。また、本発明の他の目的は、前記高分子を含む有機発光素子を提供することである。下記化学式1で表示される反復単位を含む高分子が提供される。前記化学式1のうち、Arは、置換または非置換のC6-C30アリーレン基及び置換または非置換のC3-C30ヘテロアリーレン基からなる群から選択され;aは、1ないし3の整数であり;-Ara-のうちaが2または3である時、それぞれのArは互いに同一または異なり;R1ないしR14及びR21ないしR27は互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、シアノ基、カルボキシル基、置換または非置換のC1-C30アルキル基、置換または非置換のC2-C30アルケニル基、置換または非置換のC2-C30アルキニル基、置換または非置換のC1-C30アルコキシ基、置換または非置換のC6-C30アリール基、置換または非置換のC3-C30ヘテロアリール基、-NQ1Q2で表示される基、及び-SiQ3Q4Q5で表示される基からなる群から選択され、前記Q1ないしQ5は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、シアノ基、カルボキシル基、置換または非置換のC1-C30アルキル基、置換または非置換のC2-C30アルケニル基、置換または非置換のC2-C30アルキニル基、置換または非置換のC1-C30アルコキシ基、置換または非置換のC6-C30アリール基、及び置換または非置換のC3-C30ヘテロアリール基からなる群から選択され;nは、0ないし5の整数である。また、基板;第1電極;第2電極;及び前記第1電極と前記第2電極との間に介在され、前記高分子を含む第1層を備える有機発光素子が提供される。前記化学式1で表示される反復単位を含む高分子は、正孔及び電子をいずれも輸送でき、高い三重項エネルギー準位を持つところ、これを採用した有機発光素子は、高効率、高電流密度、高輝度などの特性を持つことができる。本発明によれば、下記化学式1で表示される反復単位を含む高分子が提供される。前記化学式1のうち、Arは、置換または非置換のC6-C30アリーレン基及び置換または非置換のC3-C30ヘテロアリーレン基からなる群から選択されうる。例えば、前記Arは、互いに独立して、置換または非置換のフェニレン基、置換または非置換のペンタレニレン基、置換または非置換のインデニレン基、置換または非置換のナフチレン基、置換または非置換のアズレニレン基、置換または非置換のヘプタレニレン基、置換または非置換のインダセニレン基、置換または非置換のアセナフチレン基、置換または非置換のフルオレニレン基、置換または非置換のフェナレニレン基、置換または非置換のフェナントレニレン基、置換または非置換のアントラセニレン基、置換または非置換のフルオランテニレン基、置換または非置換のトリフェニレニレン基、置換または非置換のピレニレン基、置換または非置換のクリセニレン基、置換または非置換のナフタセニレン基、置換または非置換のピセニレン基、置換または非置換のペリレニレン基、置換または非置換のペンタフェニレン基、置換または非置換のヘキサセニレン基、置換または非置換のピロリレン基、置換または非置換のピラゾリレン基、置換または非置換のイミダゾリレン基、置換または非置換のイミダゾリニレン基、置換または非置換のイミダピリジニレン基、置換または非置換のイミダゾピリミジニレン基、置換または非置換のピリジニレン基、置換または非置換のピラジニレン基、置換または非置換のピリミジニレン基、置換または非置換のインドリレン基、置換または非置換のプリニレン基、置換または非置換のキノリレン基、置換または非置換のフタラジニレン基、置換または非置換のインドリジニレン基、置換または非置換のナフチリジニレン基、置換または非置換のキナゾリニレン基、置換または非置換のシノリニレン基、置換または非置換のインダゾリレン基、置換または非置換のカルバゾリレン基、置換または非置換のフェナジニレン基、置換または非置換のフェナントリジニレン基、置換または非置換のピラニレン基、置換または非置換のクロメニレン基、置換または非置換のベンゾフラニレン基、置換または非置換のチオフェニレン基、置換または非置換のベンゾチオフェニレン基、置換または非置換のイソチアゾリレン基、置換または非置換のベンゾイミダゾリレン基、及び置換または非置換のイソキサゾリレン基からなる群から選択されうる。前記Arは、好ましくは、置換または非置換のC6-C14アリーレン基及び置換または非置換のC3-C14ヘテロアリーレン基からなる群から選択されうるが、これらに限定されるものではない。例えば、前記Arは、互いに独立して、フェニレン基、C1-C10アルキルフェニレン基、ジC1-C10アルキルフェニレン基、C6-C14アリールフェニレン基、ジC6-C14アリールフェニレン基、カルバゾリレン基、C1-C10アルキルカルバゾリレン基、ジC1-C10アルキルカルバゾリレン基、C6-C14アリールカルバゾリレン基、ジC6-C14アリールカルバゾリレン基、フルオレニレン基、C1-C10アルキルフルオレニレン基、ジC1-C10アルキルフルオレニレン基、C6-C14アリールフルオレニレン基、ジC6-C14アリールフルオレニレン基、ナフチレン基、C1-C10アルキルフルオレニレン基、ジC1-C10アルキルナフチレン基、C6-C14アリールナフチレン基、ジC6-C14アリールナフチレン基、アントリレン基、C1-C10アルキルアントリレン基、ジC1-C10アルキルアントリレン基、C6-C14アリールアントリレン基、ジC6-C14アリールアントリレン基、フェナントレニレン基、C1-C10アルキルフェナントレニレン基、ジC1-C10アルキルフェナントレニレン基、C6-C14アリールフェナントレニレン基、ジC6-C14アリールフェナントレニレン基、ピリジニレン基、C1-C10アルキルピリジニレン基、ジC1-C10アルキルピリジニレン基、C6-C14アリールピリジニレン基、ジC6-C14アリールピリジニレン基、キノリレン基、C1-C10アルキルキノリレン基、ジC1-C10アルキルキノリレン基、C6-C14アリールキノリレン基、ジC6-C14アリールキノリレン基、ベンゾイミダゾリレン基、C1-C10アルキルベンゾイミダゾリレン基、ジC1-C10アルキルベンゾイミダゾリレン基、C6-C14アリールベンゾイミダゾリレン基、ジC6-C14アリールベンゾイミダゾリレン基、イミダピリジニレン基、C1-C10アルキルイミダゾピリジニレン基、ジC1-C10アルキルイミダピリジニレン基、C6-C14アリールイミダピリジニレン基、ジC6-C14アリールイミダピリジニレン基、イミダゾピリミジニレン基、C1-C10アルキルイミダゾピリミジニレン基、ジC1-C10アルキルイミダゾピリミジニレン基、C6-C14アリールイミダゾピリミジニレン基、及びジC6-C14アリールイミダゾピリミジニレン基からなる群から選択されうるが、これらに限定されるものではない。ここで、前記C1-C10アルキル基は、直鎖型線形または分枝型のメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、及びオクチル基を含むことができ、前記C6-C14アリール基は、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、及びフルオレニル基を含むことができるが、これらに限定されるものではない。前記aは、-Ar-の反復回数を表したものであり、1ないし3の整数でありうる。例えば、前記aは、1、2、または3であり、aが2または3である時、それぞれの-Ar-は、互いに同一または異なりうる。前記化学式1のうち、-Ara-は、互いに独立して、下記化学式2Aないし2Kのうち一つで表示されうる。前記化学式2Aないし2Kのうち、Z1ないしZ4は、互いに独立して、水素原子、C1-C10アルキル基例えば、直鎖型線形または分枝型のメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、またはオクチル基、及びC6-C14アリール基例えば、フェニル基、ナフチル基、またはアントリル基からなる群から選択されうる。前記化学式2Aないし2Kのうち、p、q、r及びsは、互いに独立して1ないし8の整数でありうる。前記化学式2Aないし2Kのうち、は、化学式1のカルバゾール環のうちNとの結合サイトであり、’は、化学式1の他のカルバゾール環のうちNとの結合サイトであり、これは、化学式1の構造を参照して容易に認識されうる。例えば、前記化学式2Aないし2Kのうち、Z1ないしZ4は、水素原子でありうる。前記化学式1のうち、R1ないしR14及びR21ないしR27は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、シアノ基、カルボキシル基、置換または非置換のC1-C30アルキル基、置換または非置換のC2-C30アルケニル基、置換または非置換のC2-C30アルキニル基、置換または非置換のC1-C30アルコキシ基、置換または非置換のC6-C30アリール基、置換または非置換のC3-C30ヘテロアリール基、-NQ1Q2で表示される基、及び-SiQ3Q4Q5で表示される基からなる群から選択されうる。ここで、前記Q1ないしQ5は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、シアノ基、カルボキシル基、置換または非置換のC1-C30アルキル基、置換または非置換のC2-C30アルケニル基、置換または非置換のC2-C30アルキニル基、置換または非置換のC1-C30アルコキシ基、置換または非置換のC6-C30アリール基、及び置換または非置換のC3-C30ヘテロアリール基からなる群から選択されうる。例えば、前記Q1ないしQ5は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、シアノ基、カルボキシル基、C1-C10アルキル基、C2-C10アルケニル基、C2-C10アルキニル基、C1-C10アルコキシ基、C6-C14アリール基、及びC3-C14ヘテロアリール基からなる群から選択されうるが、これらに限定されるものではない。例えば、前記化学式1のうち、R1ないしR14及びR21ないしR27は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、シアノ基、カルボキシル基、置換または非置換のC1-C10アルキル基、置換または非置換のC2-C10アルケニル基、置換または非置換のC2-C10アルキニル基、置換または非置換のC1-C10アルコキシ基、置換または非置換のC6-C14アリール基、及び置換または非置換のC3-C14ヘテロアリール基からなる群から選択されうる。一方、前記化学式1のうち、R1及びR2、R4ないしR11、R13及びR14、及びR22ないしR27は、水素原子であり;R3、R12、及びR21は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、シアノ基、カルボキシル基、置換または非置換のC1-C30アルキル基、置換または非置換のC2-C30アルケニル基、置換または非置換のC2-C30アルキニル基、置換または非置換のC1-C30アルコキシ基、置換または非置換のC6-C30アリール基、置換または非置換のC3-C30ヘテロアリール基、-NQ1Q2で表示される基、及び-SiQ3Q4Q5で表示される基からなる群から選択されるものの、前記Q1ないしQ5は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、シアノ基、カルボキシル基、置換または非置換のC1-C30アルキル基、置換または非置換のC2-C30アルケニル基、置換または非置換のC2-C30アルキニル基、置換または非置換のC1-C30アルコキシ基、置換または非置換のC6-C30アリール基、及び置換または非置換のC3-C30ヘテロアリール基からなる群から選択されうる。例えば、前記化学式1のうち、R1及びR2、R4ないしR11、R13及びR14、及びR22ないしR27は、水素原子であり;R3、R12、及びR21は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、シアノ基、カルボキシル基、C1-C10アルキル基例えば、直鎖型線形または分枝型のメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基など、C1-C10アルコキシ基例えば、直鎖型線形または分枝型のメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基など、C6-C14アリール基例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フルオレニル基など、及びC3-C14ヘテロアリール基例えば、カルバゾリル基、ピリジニル基などからなる群から選択されうるが、これらに限定されるものではない。前記化学式1のうち、nは、0ないし5の整数でありうる。例えば、化学式1のうち、nは0、1、または2であるが、これらに限定されるものではない。前記高分子は、下記化学式1A、1B及び1Cのうちいずれか一つで表示される反復単位を含むことができるが、これらに限定されるものではない。前記化学式1Aないし1Cのうち、Ar、a、R3、R12、及びR21についての詳細な説明は、前述したところを参照する。前記化学式1Aないし1Cのうち、aは、互いに独立して、1、2、または3でありうる。前記化学式1Aないし1Cのうち、-Ara-は、互いに独立して、前記化学式2Aないし2Kのうち一つで表示されうる。前記化学式1Aないし1Cのうち、R3、R12、及びR21は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、シアノ基、カルボキシル基、C1-C10アルキル基例えば、直鎖型線形または分枝型のメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基など、C1-C10アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基など、C6-C14アリール基例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フルオレニル基など、及びC3-C14ヘテロアリール基例えば、カルバゾリル基、ピリジニル基などからなる群から選択されうるが、これらに限定されるものではない。前記化学式1Aないし1Cのうち、R3、R12、及びR21は、互いに独立して、水素原子であるか、直鎖型線形または分枝型のメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基からなる群から選択されうるが、これらに限定されるものではない。前記化学式1Aないし1Cのうち、-Ara-は、前記化学式2Iで表示されることができ、R3及びR12は水素原子であり、R21は直鎖型線形または分枝型のメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基からなる群から選択されうる。前記高分子は、下記化学式1A-1、1B-1、及び1C-1のうちいずれか一つで表示されうる反復単位を含むことができるが、これらに限定されるものではない。前記化学式1A-1、1B-1、及び1C-1のうち、R3、R12、及びR21は、互いに独立して、水素原子であるか、直鎖型線形または分枝型のメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基からなる群から選択されうるが、これらに限定されるものではない。前記化学式1A-1、1B-1、及び1C-1のうち、Z3及びZ4は、互いに独立して、水素原子、C1-C10アルキル基例えば、直鎖型線形または分枝型のメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、またはオクチル基、及びC6-C14アリール基例えば、フェニル基、ナフチル基、またはアントリル基からなる群から選択されうる。例えば、前記Z3及びZ4は、互いに独立して、直鎖型線形または分枝型のメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、またはオクチル基でありうるが、これらに限定されるものではない。前記化学式1で表示される高分子の重量平均分子量は、ポリスチレン基準に2,000ないし1,000,000であり、多分散指数polydispersityindex:PDIは1.5ないし5であるが、これらに限定されるものではない。前記重量平均分子量及び多分散指数は、例えば、前記高分子を採用した有機発光素子の構造、具現しようとする特性などを考慮して選択されうる。前記化学式1で表示される高分子の重量平均分子量及び多分散指数は、後述する実施例に記載の方法を用いて測定することができる。前記化学式1で表示される反復単位を含む高分子は、正孔輸送特性及び電子輸送特性を一分子内で同時に持つことができる。下記化学式1-1は、化学式1の[]内に表示された反復単位の一例を2つ連続して表示したものである。前記化学式1-1のうち、Aで表示された領域のカルバゾール環は、正孔を効果的に輸送できる。例えば、Aで表示された領域のうちnを調節することによって、正孔輸送を制御できる。一方、化学式1-1のうち、Bで表示された領域のアリーレン基及び/またはヘテロアリーレン環は、電子を効果的に輸送できる。したがって、前記化学式1で表示された反復単位を含む高分子は、一分子内で正孔輸送特性及び電子輸送特性をいずれも具現できる両極性高分子であるので、正孔と電子輸送との均衡を効果的に具現及び保持できる。また、前記化学式1で表示される反復単位を含む高分子は、非常に高い三重項エネルギー準位を持つことができる。例えば、前記Aで表示された領域のうち3及び6番位置に連結されているカルバゾール環は、前記A領域で共役長conjugationlengthが長くなっても、エネルギーバンドギャップEgと三重項エネルギーETとを高いレベルに保持するのに寄与できる。したがって、例えば、前記化学式1で表示される反復単位を含む高分子は有機発光素子の発光層に燐光ドーパントと共に使われて、燐光メカニズムによる発光に寄与できる。すなわち、前記化学式1で表示される反復単位を含む高分子は両極性特性を持つことができ、有機発光素子の発光層のうち燐光ホストとして使われることができて、燐光ホスト用両極性高分子といえる。本明細書において、非置換のC1-C30アルキル基の具体的な例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、iso-アミル基、ヘキシル基などを挙げることができ、前記アルキル基のうち一つ以上の水素原子は、ハロゲン原子、C1-C30のアルキル基、C1-C30のアルコキシ基、C1-C10アルキルアミノ基、C6-C14アリールアミノ基、C6-C30アリール基、C3-C30ヘテロアリール基、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボキシル基、スルホン酸基、燐酸基などの置換基で置換されうる。本明細書において、非置換のC2-C30アルケニル基の具体的な例としては、エテニル基などがあり、前記アルケニル基のうち、一つ以上の水素原子は前述したC1-C30アルキル基の置換基と同じ置換基で置換可能である。本明細書において、非置換のC1-C30アルコキシ基の具体的な例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソブチルオキシ基、sec-ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、iso-アミルオキシ基、ヘキシルオキシ基などを挙げることができ、前記アルコキシ基のうち一つ以上の水素原子は、前述したC1-C30アルキル基の置換基と同じ置換基で置換可能である。本明細書において、非置換のC6-C30アリール基は一つ以上の環を含む炭素環式芳香族系を意味し、ここで、2以上の環はペンダント方法で共に付着互いに接続又は付着されるか、または融合結合又は縮合されうる。アリール基という用語は、フェニル基、ナフチル基、テトラヒドロナフチル基などの芳香族系を含む。前記アリール基のうち一つ以上の水素原子は、前述したC1-C30アルキル基の置換基と同じ置換基で置換可能である。本明細書において、非置換のC3-C30ヘテロアリール基は、N、O、PまたはSから選択された1、2または3個のヘテロ原子を含み、残りの環原子がCである環原子数2ないし30の1価の単環式環部分一部、モイエティ;moietyまたは前記環は、ペンダント方法で共に付着互いに接続又は付着されるか、または融合結合又は縮合されたものでありうる。前記ヘテロアリール基の例には、ピリジル基、チエニル基、フリル基などがある。前記ヘテロアリール基のうち一つ以上の水素原子は、前述したC1-C30アルキル基の置換基と同じ置換基で置換可能である。本明細書において、置換または非置換のC3-C30アリーレン基は、前記置換または非置換のC6-C30アリール基と同じ構造を持つ2価の連結基であり、置換または非置換のC3-C30ヘテロアリーレン基は、前記置換または非置換のC2-C30ヘテロアリール基と同じ構造を持つ2価の連結基である。本明細書において、置換または非置換のC6-C30アリール基及び置換または非置換のC3-C30ヘテロアリール基の例は、前述したような置換または非置換のC6-C30アリーレン基及びC3-C30ヘテロアリーレン基の具体例を参照した当業者に容易に認識されうる。前記化学式1で表示される反復単位を含む高分子は、鈴木カップリングまたは山本カップリングなどの当業界で公知の方法を用いて合成され、これは、後述する実施形態を参照して当業者に容易に認識されうることである。一方、基板;第1電極;第2電極;及び前記第1電極と前記第2電極との間に介在されて前記化学式1で表示される反復単位を含む高分子を含む第1層;を備える有機発光素子が提供される。前記第1層は、例えば、発光層の役割を行える。前記第1層が発光層の場合、前記第1層は、燐光ドーパントをさらに含むことができる。前記燐光ドーパントとしては、公知の任意の燐光ドーパントを使用できる。例えば、前記燐光ドーパントは、Ir、Pt、Os、Re、Ti、Zr、Hf、及びこれらのうち2以上の組み合わせからなる群から選択された金属を含む有機金属錯体でありうるが、これらに限定されるものではない。前記燐光ドーパントの例として、ビスチエニルピリジンアセチルアセトネートイリジウム、ビスベンゾチエニルピリジンアセチルアセトネートイリジウム、ビス2-フェニルベンゾチアゾールアセチルアセトネートイリジウム、ビス1-フェニルイソキノリンイリジウムアセチルアセトネート、トリス1-フェニルイソキノリンイリジウム、トリスフェニルピリジンイリジウム、トリス2-ビフェニルピリジンイリジウム、トリス3-ビフェニルピリジンイリジウム、トリス4-ビフェニルピリジンイリジウム、Irpq2acacここで、pqは、2-フェニルキノリンの略語であり、acacは、アセチルアセトンの略語である。Pq2Iracacとも称する。下記化合物10参照、Irppy3ppyは、フェニルピリジンの略語である。下記化合物11参照、プラチナIIオクタエチルポルフィリンPtOEP、下記化学式参照、下記化合物12、Firpic下記化合物13参照、Irpiq3下記化学式参照、Irpiq2acacpiqは、フェニルイソキノリンの略語である。下記化合物14参照、Btp2Iracac下記化学式参照、F2Irpic下記化学式参照、F2ppy2Irtmd下記化学式参照、及びIrdfppz3下記化学式参照からなる群から選択された一つ以上でありうるが、これらに限定されるものではない。前記有機発光素子は、第1電極と第2電極との間に、前述したような第1層例えば、発光層の役割を行える以外に、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送層及び電子注入層からなる群から選択された一つ以上の層をさらに含むことができる。図1は、前記有機発光素子の一実施形態10を概略的に図示したものであり、前記有機発光素子10は、基板11、第1電極12、正孔輸送層13、第1層15、電子輸送層16、電子注入層18及び第2電極19を備える。前記第1層15は、発光層の役割を行える。前記有機発光素子10及びその製造方法を説明すれば、次の通りである。先ず基板11の上部に高い仕事関数を持つ第1電極用物質を蒸着法、イオンプレーティング法、メッキ法、スパッタリング法などにより形成して第1電極12を形成する。前記第1電極12は、正孔を注入できるアノードまたは電子を注入できるカソードでありうる。ここで、基板11としては、通常、一般的な有機発光素子で使われる基板を使用できるが、機械的強度、熱的安定性、透明性、表面平滑性、取扱容易性及び防水性の優秀なガラス基板または透明プラスチック基板を使用できる。第1電極用物質としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物または金属を使用でき、通常、これらを薄膜として用いる。前記第1電極用物質としては、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びこれらの複合体の酸化インジウムスズITO、酸化インジウム亜鉛IZOなどの酸化物または金、白金、銀、銅などを利用できる。また、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体なども第1電極用物質として使用できる。前記第1電極は1層または2層以上の複数層構造を持つことができ、2種以上の相異なる物質を含むことができる。前記第1電極の厚さは、透光性及び電気伝導度を考慮して適宜に調整することができるが、例えば、10nmないし10μmでありうる。次いで、図1には図示されていないが、必要な場合、前記第1電極12がアノードである場合、前記第1電極12上に正孔注入層をさらに形成できる。前記正孔注入層は、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、インクジェットプリンティング法、LBLangmuirBlodgett法などの多様な方法を用いて形成されうる。真空蒸着法によって正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造及び熱的特性などによって異なるが、例えば、蒸着温度100ないし500°C、真空度10-8ないし10-3torr、蒸着速度0.01ないし100Å/sec範囲で適宜に選択できる。スピンコーティング法によって正孔注入層を形成する場合、そのコーティング条件は、正孔注入層の材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造及び熱的特性によって異なるが、約2000rpmないし5000rpmのコーティング速度、コーティング後溶媒除去のための熱処理温度は、約80°Cないし300°Cの温度範囲で適宜に選択できる。前記正孔注入層物質としては、公知の正孔注入材料を使用できるが、例えば、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物、m-MTDATA[4,4’,4-トリス3-メチルフェニルフェニルアミノトリフェニルアミン、下記化学式参照]、NPBN,N’-ジ1-ナフチル-N,N’-ジフェニルベンジジン、TDATA下記化学式参照、2T-NATA下記化学式参照などを使用できるが、これらに限定されるものではない。前記正孔注入層の厚さは、約100Åないし10000Å、好ましくは、100Åないし1000Åでありうる。前記正孔注入層の厚さが前述したものを満たす場合、駆動電圧の上昇なしに満足すべき正孔注入特性を得ることができる。前記第1電極12または正孔注入層の上部には、蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、インクジェットプリンティング法、LB法などの方法を用いて正孔輸送層13が形成できる。真空蒸着法及びスピンコーティング法によって正孔輸送層13を形成する場合、その蒸着条件及びコーティング条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲から選択されうる。正孔輸送層13形成用物質としては、公知の正孔輸送物質を使用できる。例えば、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1-ビフェニル]-4,4’-ジアミンTPD、下記化学式参照、N,N’-ジナフタレン-1-イル-N,N’-ジフェニルベンジジンNPD、下記化学式参照などの芳香族縮合環を持つアミン誘導体、Pani/DBSAポリアニリン/ドデシルベンゼンスルホン酸、下記化学式参照、PEDOT/PSSポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリ4-スチレンスルホネート、下記化学式参照、Pani/CSAポリアニリン/カンファースルホン酸またはPANI/PSSポリアニリン/ポリ4-スチレンスルホネートなどを使用できるが、これらに限定されるものではない。前記正孔輸送層13の厚さは、約50Åないし1000Å、好ましくは、100Åないし600Åでありうる。前記正孔輸送層の厚さが前述した範囲を満たす場合、駆動電圧の上昇なしに満足すべき正孔輸送特性を得ることができる。前記正孔輸送層13上には、発光層の役割を行う第1層15が形成されうる。前記第1層15は、スピンコーティング法、キャスト法、インクジェットプリンティング法、LB法などの方法を用いて形成されうる。スピンコーティング法により第1層15を形成する場合、その成膜条件は、使用する高分子及び/または化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲から選択される。前記第1層15は、前述したような化学式1で表示される高分子をホストとして含むことができる。また、前記第1層15は、化学式1で表示される高分子以外に燐光ドーパントをさらに含むことができる。前記燐光ドーパントの具体例は、前述したものを参照することができる。前記第1層15が化学式1で表示される高分子及び燐光ドーパントを含む場合、前記燐光ドーパントの含有量は1質量ないし10質量でありうる。前記範囲を満たす場合、濃度消光などの現象が実質的に防止されうる。前記第1層15は、前述したような化学式1で表示される高分子のみを単独で含むことができ、または、前記化学式1で表示される高分子以外に公知の蛍光ドーパントを含むことができるなど、多様な変形例が可能である。前記発光層の役割を行える第1層15の厚さは、約100Åないし1000Å、好ましくは、200Åないし900Åでありうる。前記第1層15の厚さが前述したような範囲を満たす場合、駆動電圧の上昇なしに満足すべき発光特性を得ることができる。一方、図1には図示されていないが、必要に応じて、第1層15の上部には正孔阻止層がさらに備えられうる。正孔阻止層HBLは、発光層の役割を行う第1層15の三重項励起子または正孔が第2電極19などに広がる現象を防止する役割を行える。前記正孔阻止層は、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、LB法などの方法を用いて形成できる。真空蒸着法及びスピンコーティング法により正孔阻止層を形成する場合、その条件は使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲から選択されうる。正孔阻止層HBL形成用物質としては、使用可能な公知の正孔阻止材料、例えば、オキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、TAZ下記化学式参照などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。前記正孔阻止層の厚さは、約50Åないし1000Å、好ましくは、100Åないし300Åでありうる。前記正孔阻止層の厚さが前述したような範囲を満たす場合、満足すべき正孔阻止特性を得ることができる。次いで、電子輸送層ETL16は、前記正孔阻止層または第1層15の上部に真空蒸着法、またはスピンコーティング法、キャスト法などの多様な方法を用いて形成できる。真空蒸着法及びスピンコーティング法により電子輸送層を形成する場合、その条件は、使用する化合物によって異なるが、一般的に、正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲から選択されうる。前記電子輸送層材料は、電子注入電極カソードから注入された電子を安定して輸送する機能を行うものであって、キノリン誘導体、Bphen4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、BAlq下記化学式参照、トリス8-キノリンノラトアルミニウムAlq3、ベリリウムビスベンゾキノリン-10-オレートBebq2、TPBi下記化学式参照などの公知の材料を使用することもできる。前記電子輸送層16の厚さは、約100Åないし1000Å、好ましくは、200Åないし500Åでありうる。前記電子輸送層16の厚さが前述したような範囲を満たす場合、駆動電圧上昇なしに満足すべき電子輸送特性を得ることができる。次いで、前記電子輸送層16または第1層15の上部に電子注入層18が形成されうる。電子注入層としては、LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO、BaF2などの電子注入層形成材料であって、公知の任意の物質を利用できる。前記電子注入層の蒸着条件は使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲から選択されうる。前記電子注入層18の厚さは、約1Åないし100Å、好ましくは、5Åないし50Åでありうる。前記電子注入層18の厚さが前述したような範囲を満たす場合、駆動電圧上昇なしに満足すべき電子注入特性を得ることができる。最後に電子注入層18の上部に第2電極19を形成できる。前記第2電極の形成方法は、第1電極12の形成方法を参照することができる。第2電極19は、カソードまたはアノードとして使われうる。前記第2電極19がカソードとして使われる場合、仕事関数の小さな物質が選択されうる。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウムなどのアルカリ金属、ベリリウム、マグネシウム、カリウム、ストロンチウム、バリウムなどのアルカリ土類金属、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユウロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、及びこれらのうち2つ以上の合金、またはこれらのうち1つ以上と金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、スズのうち1つ以上との合金、黒鉛、黒鉛層間化合物などが用いられる。合金としては、例えば、マグネシウム-銀合金、マグネシウム-インジウム合金、マグネシウム-アルミニウム合金、インジウム-銀合金、リチウム-アルミニウム合金、リチウム-マグネシウム合金、リチウム-インジウム合金、カリウム-アルミニウム合金などを挙げることができる。また、前記第2電極19は1層または2層以上でありうる。また、前記第2電極19の材料は1種単独で用いるか、または2種以上を併用してもよい。前記第2電極19は透明、半透明または反射電極で備えられるなど、多様な変形が可能である。前記第2電極19の厚さは、例えば、10nmないし10μmであるが、これらに限定されるものではない。以下、下記実施例を挙げて説明するが、下記実施例だけで限定されるものではない。<合成例1:化合物1の合成>下記反応式1によって化合物1を合成した。<中間体Aの合成>9-エチルカルバゾール20.13g100.0mmol、N-ブロモスクシンイミドNBS3.738g210.0mmol、及びCH2Cl2100mLを含む混合物を常温約25°Cで攪拌して、中間体A53.54g98の収率を収得した。1H-NMR300MHz、CDCl3:δ=8.121s、2H、7.568d、2H、7.281d、2H、4.319q、2H、1.419t、3H13C-NMR75MHz、CDCl3:δ=138.8、129.0、123.5、123.2、111.9、110.1、37.81、13.69<化合物1の合成>-76°Cのドライアイスバスで中間体A2.758g10.00mmolをテトラヒドロフランTHF20mLと混合し、ノルマル-ブチルリチウムn-BuLi15.6mL1.6Minヘキサン、25.00mmolを添加した後、2時間-78°Cで攪拌後、2-イソプロポキシ-4,4,5,5-テトラメチル-1.3.2-ジオキサボロラン6.3mL30mmolをTHF10mLと混合した混合物を添加した。次いで、温度を常温約25°Cに高めて攪拌して、化合物12.50g56の収率を収得した。1H-NMR300MHz、CDCl3:δ=8.700s、2H、7.957d、2H、7.439d、2H、4.435q、2H、1.477t、3H、1.418s、24H13C-NMR75MHz、CDCl3:δ=142.1、132.0、128.1、122.9、107.8、83.5、37.6、24.9、13.7<合成例2:化合物2の合成>下記反応式2によって化合物2を合成した。<中間体Bの合成>9-エチルカルバゾール20.13g100.0mmol、FeIIICl313.06g210.0mmol、及びCHCl320mLを常温約25°Cで攪拌した後、カラムクロマトグラフィーを用いて精製して中間体B34.97g90の収率を合成した。1H-NMR300MHz、CDCl3:δ=8.443s、2H、8.234d、2H、7.882d、2H、7.549m、6H、7.307d、2H、4.487q、4H、1.535t、6H13C-NMR75MHz、CDCl3:δ=140.3、139.0、133.5、125.7、125.6、123.5、123.2、120.6、119.1、118.8、108.7、108.6、37.6、14.0<中間体Cの合成>中間体B34.97g90.00mmol、N-ブロモスクシンイミドNBS40.05g225.0mmol、及びCH2Cl290mLを常温約25°Cで混合した後、カラムクロマトグラフィーを用いて精製して中間体C48.18g98の収率を合成した。1H-NMR300MHz,CDCl3:δ=8.335d、4H、7.854d、2H、7.583d、2H、7.492d、2H、7.280d、2H、4.389q、4H、1.480t、6H13C-NMR75MHz、CDCl3:δ=139.3、138.9、133.4、128.3、126.1、124.8、123.2、122.5、119.0、111.6、110.0、109.0、37.7、13.8<化合物2の合成>-78°Cのドライアイスバスで中間体C5.462g10.00mmolをテトラヒドロフランTHF20mLと混合し、ノルマル-ブチルリチウムn-BuLi15.6mL1.6Minヘキサン、25.00mmolを添加した後、2時間-78°Cで攪拌後、2-イソプロポキシ-4,4,5,5-テトラメチル-1.3.2-ジオキサボロラン6.3mL30mmolをTHF10mLと混合した混合物を添加した。次いで、温度を常温約25°Cに高めて攪拌して、化合物22.95g46の収率を収得した。1H-NMR300MHz、CDCl3:δ=8.74s、2H、8.53s、2H、7.99d、2H、7.89d、2H、7.54d、2H、7.47d、2H、4.48q、4H、1.53t、6H、1.45s、24H<合成例3:化合物3の合成>下記反応式3によって化合物3を合成した。<中間体Dの合成>カルバゾール17.06g100mmol、2,7-ジブロモ-9,9-ジヘキシル-9H-フルオレン50.75g100.0mmol、CuI1.904g10mmol、1,10-フェナントロリン1,10-phenanthroline5.460g30.00mmol、K2CO323.46g170.0mmol、及びジメチルホルムアミドDMF100mLの混合物を155°Cで12時間攪拌して、中間体D、40.50g70の収率を合成した。1H-NMR300MHz、CDCl3:δ=8.235d、2H、7.933d、1H、7.690m、4H、7.487d、4H、7.387m、2H、2.063m、4H、1.558m、12H、1.203m、10H13C-NMR75MHz、CDCl3:δ=153.2、152.2、141.0、139.3、136.8、130.2、126.3、125.9、123.4、121.8、121.5、121.2、120.9、120.4、119.9、109.7、55.7、40.2、31.5、29.6、23.8、22.5、14.0<中間体Eの合成>中間体D40.50g69.99mmol、N-ブロモスクシンイミドNBS10.85g6.499mmol、及びCH2Cl2100mLを含む混合物を常温約25°Cで攪拌して中間体E、36.82g80の収率を収得した。1H-NMR300MHz、CDCl3:δ=8.344s、1H、8.127d、1H、7.665d、1H、7.558d、1H、7.505m、7H、7.287m、2H、2.063m、4H、1.195m、12H、0.872m、10H13C-NMR75MHz、CDCl3:δ=153.9、142.7、141.1、139.5、136.3、130.8、126.3、125.7、123.5、121.8、121.5、121.3、120.4、120.9、119.8、109.6、55.5、40.3、31.3、29.1、23.8、22.8、14.5<化合物3の合成>中間体E6.575g10.00mmol、中間体F2.461g10.00mmol、CuI190mg1.00mmol、1,10-フェナントロリン546mg3.00mmol、K2CO32.346g17.0mmol、及びジメチルホルムアミドDMF20mLの混合物を155°Cで12時間攪拌して、化合物3、4.607g56の収率を合成した。1H-NMR300MHz、CDCl3:δ=8.536-7.282m、20H、2.320m、4H、1.191m、12H、0.627m、10H前記中間体Fは、下記反応式3Aによって次のように合成した。カルバゾール8.708g、50.00mmolをN-ブロモスクシンイミドNBS8.899g、50.00mmol及びテトラヒドロフランTHF100mlの混合物を常温25°Cで攪拌して、中間体F11.70g95の収率であるを収得した。1H-NMR300MHz、CDCl3:δ=11.701br、1H、8.205d、1H、8.015s、1H、7.504-7.201m、5H13C-NMR75MHz、CDCl3:δ=135.4、131.4、124.0、122.2、121.1、121.0、120.1、118.9、113.3、111.1<合成例4:高分子1の合成>下記反応式4によって高分子1を合成した。前記合成例3で合成された化合物3222mg0.2703mmol、Nicod2ここで、codは、1,5-シクロオクタジエン1,5-cyclooctadieneの略号である。186mg、0.6758mmol、2,2’-ビピリジル2,2’-bipyridyl106mg0.6758mmol、及びTHF10mLの混合物を60°Cで攪拌して、高分子1、130mgを収得した。1H-NMR300MHz、CDCl3:δ=8.527-7.192m、20H、2.318m、4H、1.201m、12H、0.637m、10H高分子1のMw重量平均分子量=114440、PDI=2.31ポリスチレン基準のゲル浸透クロマトグラフィーGPCを用いて測定した。なお、PDIは多分散指数の略号であり、PDI=Mw/Mnで表される指数であり、式中、Mwは重量平均分子量であり、Mnは数平均分子量である。であった。<合成例5:高分子2の合成>下記反応式5によって高分子2を合成した。前記合成例1で合成された化合物194mg0.2093mmol、前記合成例3で合成された化合物3172mg、0.2093mmol、パラジウムIIアセテートPdOAc210mg0.04186mmol、トリシクロヘキシルホスフィンPCy324g0.08372mmol、テトラ-n-ブチルアンモニウムヒドロキシドBu4NOH1.8mL1.8318mmol、及びトルエンtoluene20mLの混合物を100°Cで攪拌して、高分子2、182mgを収得した。1H-NMR300MHz、CDCl3:δ=8.527-7.192m、26H、4.472q、2H、2.308m、4H、1.674t、3H、1.201m、12H、0.637m、10H高分子2のMw重量平均分子量=49580、PDI=2.51ポリスチレン基準のゲル浸透クロマトグラフィーGPCを用いて測定した。であった。<合成例6:高分子3の合成>下記反応式6によって高分子3を合成した。前記合成例2で合成された化合物2137mg0.2137mmol及び前記合成例3で合成された化合物3175.8mg0.2137mmolを使用した点を除いては、前記合成例5と同じ方法を用いて高分子3、127mgを収得した。1H-NMR300MHz、CDCl3:δ=8.527-7.192m、32H、4.494q、4H、2.308m、4H、1.695t、6H、1.201m、12H、0.637m、10H高分子3のMw重量平均分子量=57300、PDI=2.33ポリスチレン基準のゲル浸透クロマトグラフィーGPCを用いて測定した。であった。<評価例1:高分子の発光特性評価溶液状態>前記高分子1ないし3のUV吸収スペクトル及びPLphotoluminescenceスペクトルを評価することによって、各高分子の発光特性を評価した。まず、高分子1をトルエンに0.2mMの濃度で希釈させて、シマズUV-350スペクトロメーターを用いてUV吸収スペクトルを測定した。これを高分子3に対しても同様に繰り返し実施して、それぞれの結果を図2に示した。一方、高分子1をトルエンに10mM濃度で希釈させて、ゼノンXenonランプが装着されているISCPC1スペクトロフルオロメーターを用いて、PLスペクトルを測定した。これを高分子3に対しても同様に繰り返し実施して、それぞれの結果を図3に示した。図2及び図3から、溶液中の高分子1及び3は優秀な発光特性を表すことを確認した。図3によれば、高分子1の最大PL発光波長は約398nmであり、高分子3の最大発光波長は約417nmであることが分かる。<実施例1>ITOIndium-tinoxideをガラス基板上にコーティングした透明電極基板をきれいに洗浄した後、ITOを感光性樹脂とエッチング液とを用いて所望の形態にパターニングし、再びきれいに洗浄した。前記ITO上部にPEDOTを含む正孔輸送層形成用組成物Bayer社製のBatronP4083を約50nm範囲の厚さに合わせてコーティングした後、200°Cで約0.5時間ベーキングして正孔輸送層を形成した。前記正孔輸送層の上部に、クロロベンゼンに前記高分子1及びIrppy35wtを含む発光層形成用組成物をスピンコーティングし、180°Cの温度で30分間ベーキング処理して高分子1及びIrppy3を含む発光層を形成した。前記正孔輸送層形成用組成物及び発光層形成用組成物は、スピンコーティング前に0.2mmフィルタでろ過した。前記正孔輸送層及び発光層の厚さは、各組成物の濃度とスピンコーティング速度とを調節することによって、それぞれ50nmと25nmとにした。前記発光層の上部に真空度を4×10-6torr以下に保持しつつ、TPBiを真空蒸着して、厚さ40nmの電子輸送層を形成した後、前記電子輸送層の上部にLiF及びAlを順次蒸着し、電子注入層厚さ1nmと第2電極厚さ100nmとを順次形成して有機発光素子を製作した。蒸着して形成した各層の膜厚さ及び膜の成長速度は、クリスタルセンサーを用いて調節した。<実施例2>発光層形成時に高分子1の代わりに高分子3を使用した点を除いては、前記実施例1と同じ方法で有機発光素子を製作した。<比較例1>発光層形成時に高分子1の代りにCBP4,4’-N,N’-ジカルバゾール-ビフェニルを使用した点を除いては、前記実施例1と同じ方法で有機発光素子を製作した。<評価例2>前記実施例1ないし2及び比較例1の有機発光素子に対してPR650SpectroscanSourceMeasurementUnit.PhotoReaserchを用いて、電気発光強度、電流密度、輝度及び電流効率評価を行った。前記実施例1、2及び比較例1で製作された有機発光素子の構造及び性能をまとめれば、下記表1の通りである。実施例1の有機発光素子の波長-電気発光強度グラフを、図4に示す。ここで、実施例2及び比較例1いずれも、発光層のドーパントとしてIrppy3を使用するので、実施例2及び比較例1の有機発光素子の波長-電気発光強度グラフも、図4と同一であることを確認した。また、実施例1、2及び比較例1の電圧-電流密度グラフ及び電圧-輝度グラフを、それぞれ図5及び6に示す。前記表1から、実施例1の有機発光素子は、6.0Vの駆動電圧下で15.1cd/Aの効率を表し、実施例2の有機発光素子は、6.2Vの駆動電圧下で26.0cd/Aの効率を表し、比較例1の有機発光素子は、6.0Vの駆動電圧下で25.0cd/Aの効率を表すことを確認できる。表1の電流効率を通じて、前記高分子1及び3は、緑色燐光ドーパントに対して燐光用ホストとして作用して、効率的にエネルギーを伝達できるということが分かる。燐光用ホストとして既知の材料のうち、緑色燐光ドーパントに対してホストとして作用できる材料の例として、前記比較例1の発光層に使われたCBPを挙げることができる。図5の電圧-電流密度グラフを通じて、前記実施例1及び2の発光層に使われた高分子1及び高分子3は、比較例1の発光層に使われたCBPより高い電荷移動速度を持つということが分かる。また、図6の電圧-輝度グラフを通じて、高分子1及び3をそれぞれ採用した実施例1及び2の有機発光素子は、CBPを採用した比較例1の有機発光素子に比べて優秀な輝度を持つということが分かる。このように図5ないし図6から、実施例1及び2の有機発光素子は優秀な電気的特性を持つことを確認できる。"