"基板上方に形成される凸凹構造の回折格子ベース層と、前記回折格子ベース層の凸凹構造を埋め戻すように形成され、3元素以上からなるIII-V族半導体を含む回折格子カバー層と、を備え、前記回折格子カバー層は、第1の屈折率を有するIII-V族半導体の組成比で前記回折格子ベース層の凹部上方に形成された第1の領域と、前記第1の屈折率よりも小さい第2の屈折率を有するIII-V族半導体の組成比で前記回折格子ベース層の凸部上方に形成された第2の領域と、を含み、前記回折格子ベース層は、前記第1の屈折率よりも小さい第3の屈折率を有するIII-V族半導体を含む光半導体素子。前記第3の屈折率は、前記第2の屈折率よりも小さい請求項1記載の光半導体素子。前記第1の屈折率と、前記第2の屈折率および前記第3の屈折率の加重平均屈折率との差は、0.02以上である請求項1または2記載の光半導体素子。前記回折格子ベース層および前記回折格子カバー層は、AlGaAsを含む請求項1~3いずれか1項記載の光半導体素子。さらに、前記基板上方には活性層を備え、前記活性層は、前記回折格子ベース層の下方に形成される請求項1~4いずれか1項記載の光半導体素子。さらに、前記基板上方には活性層を備え、前記活性層は、前記回折格子ベース層および前記回折格子カバー層と直列して形成される請求項1~4いずれか1項記載の光半導体素子。前記活性層は、InGaAsを含むウェル層と、GaAsを含むバリア層と、を含む多重量子井戸構造である請求項5または6記載の光半導体素子。基板上方に形成される活性層と、前記活性層に近接して形成される凸凹構造の回折格子ベース層と、前記回折格子ベース層の凸凹構造を埋め戻すように形成され、3元素以上からなるIII-V族半導体を含む回折格子カバー層と、前記活性層に電流を注入する一対の電極と、を備え、前記回折格子カバー層は、第1の屈折率を有するIII-V族半導体の組成比で前記回折格子ベース層の凹部上方に形成された第1の領域と、前記第1の屈折率よりも小さい第2の屈折率を有するIII-V族半導体の組成比で前記回折格子ベース層の凸部上方に形成された第2の領域と、を含み、前記回折格子ベース層は、前記第1の屈折率よりも小さい屈折率を有するIII-V族半導体を含む半導体レーザ。さらに、前記一対の電極を介して電流を注入することにより、前記活性層から出射されるレーザ光の光路上に配置される高調波発生素子と、を含む請求項8記載の半導体レーザ。成長基板上方にIII-V族半導体を含む回折格子ベース層をエピタキシャル成長し、前記回折格子ベース層を凸凹周期構造に成形し、前記回折格子ベース層の凸凹周期構造を埋めるように3元素以上からなるIII-V族半導体を含む回折格子カバー層をエピタキシャル成長し、前記回折格子カバー層を形成する際、前記回折格子ベース層の凹部上および凸部上でエピタキシャル成長の速度が変化し、該凹部上で第1の屈折率を有する第1の組成比のIII-V族半導体が成長し、該凸部上で前記第1の屈折率よりも小さい第2の屈折率を有する第2の組成比のIII-V族半導体が成長し、前記回折格子ベース層は、前記第1の屈折率よりも小さい屈折率を有するIII-V族半導体で形成される光半導体素子の製造方法。本発明の課題は、回折格子層の結合係数をより改善した光半導体素子、その光半導体素子を含む半導体レーザ、およびその光半導体素子の製造方法を提供することにある。本発明の一観点によれば、基板上方に形成される凸凹構造の回折格子ベース層と、前記回折格子ベース層の凸凹構造を埋め戻すように形成され、3元素以上からなるIII-V族半導体を含む回折格子カバー層と、を備え、前記回折格子カバー層は、第1の屈折率を有するIII-V族半導体の組成比で前記回折格子ベース層の凹部上方に形成された第1の領域と、前記第1の屈折率よりも小さい第2の屈折率を有するIII-V族半導体の組成比で前記回折格子ベース層の凸部上方に形成された第2の領域と、を含み、前記回折格子ベース層は、前記第1の屈折率よりも小さい第3の屈折率を有するIII-V族半導体を含む光半導体素子、が提供される。本発明の他の観点によれば、基板上方に形成される活性層と、前記活性層に近接して形成される凸凹構造の回折格子ベース層と、前記回折格子ベース層の凸凹構造を埋め戻すように形成され、3元素以上からなるIII-V族半導体を含む回折格子カバー層と、前記活性層に電流を注入する一対の電極と、を備え、前記回折格子カバー層は、第1の屈折率を有するIII-V族半導体の組成比で前記回折格子ベース層の凹部上方に形成された第1の領域と、前記第1の屈折率よりも小さい第2の屈折率を有するIII-V族半導体の組成比で前記回折格子ベース層の凸部上方に形成された第2の領域と、を含み、前記回折格子ベース層は、前記第1の屈折率よりも小さい屈折率を有するIII-V族半導体を含む半導体レーザ、が提供される。本発明の他の観点によれば、成長基板上方にIII-V族半導体を含む回折格子ベース層をエピタキシャル成長し、前記回折格子ベース層を凸凹周期構造に成形し、前記回折格子ベース層の凸凹周期構造を埋めるように3元素以上からなるIII-V族半導体を含む回折格子カバー層をエピタキシャル成長し、前記回折格子カバー層を形成する際、前記回折格子ベース層の凹部上および凸部上でエピタキシャル成長の速度が変化し、該凹部上で第1の屈折率を有する第1の組成比のIII-V族半導体が成長し、該凸部上で前記第1の屈折率よりも小さい第2の屈折率を有する第2の組成比のIII-V族半導体が成長し、前記回折格子ベース層は、前記第1の屈折率よりも小さい屈折率を有するIII-V族半導体で形成される光半導体素子の製造方法、が提供される。回折格子層の結合係数がより改善された光半導体素子、その光半導体素子を含む半導体レーザ、およびその光半導体素子の製造方法が提供される。図1Aは、本発明者らが検討を行ったDFBレーザ素子の構造を概略的に示す斜視図である。このDFBレーザ素子1は、基板10上に、第1導電型のクラッド層12、活性層20、ベース層およびカバー層を含む第2導電型の回折格子層40、リッジ構造を有する第2導電型のクラッド層51、コンタクト層52、および上下電極70,71、などが積層された構造である。なお、第1導電型のバッファ層11は、第1導電型のクラッド層12の下地層であり、成長面を整える層である。第2導電型のクラッド層30は活性層20に対して、光閉じ込め、キャリア閉じ込めの機能を有する層である。酸化シリコン膜60は、電極コンタクト領域を画定する絶縁層であり、また保護膜としても機能する。回折格子層40の凸凹周期および等価屈折率は、活性層20における発光波長がブラッグ波長になるよう設定される。電極70,71を介して電流を注入すると、活性層20における発光および回折格子層40における共振により、活性層20の端面から単一縦モードのレーザ光が出射される。また、クラッド層51およびコンタクト層52を所定幅Wのリッジ構造とすることで、電流狭窄効果により横基本モードのみのレーザ光が出射される。DFBレーザ素子の諸特性は、回折格子層40の結合係数κと、共振器長Lの積κLにより主に決定される。図1Bは、本発明者らが検討を行ったDFBレーザ素子の回折格子層の拡大断面図である。回折格子層40は、表面に周期的な凸凹構造を有するベース層43と、ベース層43の凸凹構造を埋め戻す凹凸構造のカバー層44と、によって回折格子を構成し、回折格子周期pおよび回折格子深さdを有する。光工学に基づく法則によれば、回折格子層40の結合係数κは、回折格子深さd、およびベース層43とカバー層44の屈折率差に比例する。例えば、ベース層43およびカバー層44は、AlGaAsアルミニウムガリウム砒素で形成される。AlGaAsの屈折率は、含有するAl組成比と負の相関関係を有する。ベース層43およびカバー層44を異なるAl組成比のAlGaAsで形成することにより、回折格子層40の屈折率差、つまり回折格子層40の結合係数κを変化させることが可能である。本発明者らは、レファレンスサンプルとして、設計組成がGaAsのベース層とAl0.26Ga0.74Asのカバー層を含むDFBレーザ素子を作製し、回折格子層の屈折率差について検討を行った。以下、図2~5を参照しながら作製したDFBレーザ素子のより詳細な構成、および作製方法を示す。なお、作製するレファレンスサンプルは、発振波長が約1064nmとなるよう設計を行った。図2Aおよび2Bは、成長基板10上に、バッファ層11、第1導電型を有する第1クラッド層12、活性層20、第2導電型を有する第2クラッド層30を順次積層形成する様子を示す。n型GaAsガリウム砒素基板10を用意し、n型GaAs基板10上にn型GaAsバッファ層11をエピタキシャル成長させる。有機金属気相成長法MOCVD:metalorganicchemicalvapordepositionにより、層厚約300nmのn型GaAsバッファ層11を形成した。原料ガスにはトリエチルガリウムTEGa,アルシンAsH3、n型不純物ガスにはモノシランSiH4を用い、成長温度は約600°Cとした。形成したn型GaAsバッファ層11上に、n型Al0.30Ga0.70Asクラッド層12をエピタキシャル成長させる。MOCVDにより、層厚約2000nmのn型Al0.30Ga0.70Asクラッド層12を形成した。原料ガスにはTEGa,トリメチルアルミニウムTMAl,AsH3、n型不純物ガスにはSiH4を用い、成長温度は約600°Cとした。形成したn型Al0.30Ga0.70Asクラッド層12上に、活性層20を形成する。図2Bは、図2Aにおける活性層20の拡大断面図である。活性層20をノンドープGaAsバリア層21a~21c、およびノンドープIn0.26Ga0.74Asインジウムガリウム砒素ウェル層22a,22bからなる多重量子井戸構造MQW:multiquantumwellとした。MOCVDにより、層厚約40nmのバリア層21a、層厚約6.5nmのウェル層22a、層厚約20nmのバリア層21b、層厚約6.5nmのウェル層22b、層厚約40nmのバリア層21cを形成した。バリア層21a~21cの形成においては、原料ガスにはTEGa,AsH3を用い、成長温度は約640°Cとした。また、ウェル層22a,22bの形成においては、原料ガスにTEGa,トリメチルインジウムTMIn,AsH3を用い、成長温度は約640°Cとした。なお、活性層は、シングルヘテロ構造、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造または3層以上のMQWでもかまわない。図2Aに戻り説明を続ける。形成した活性層20上に、p型Al0.26Ga0.74Asクラッド層30をエピタキシャル成長させる。MOCVDにより、層厚約150nmのp型Al0.26Ga0.74Asクラッド層30を形成した。原料ガスにTEGa,TMAl,AsH3、p型不純物ガスにジエチル亜鉛DEZnを用い、成長温度は640°Cとした。図3A~3Cは、第2導電型の第2クラッド層30上に、ベース層43およびカバー層44を含む第2導電型の回折格子層40を積層形成する様子を示す。図3Aを参照する。p型Al0.26Ga0.74Asクラッド層30上に、p型GaAs膜41をエピタキシャル成長させる。MOCVDにより、層厚約40nmのp型GaAs膜41を形成した。原料ガスにTEGa,AsH3,p型不純物ガスにDEZnを用い、成長温度は640°Cとした。形成したp型GaAs膜41上に、一般的に市販されている電子ビーム露光用レジスト膜、または干渉露光用レジスト膜を形成する。電子ビームEB露光法、または干渉露光法により、当該レジスト膜に周期約155.6nmの格子縞状パターンを投影し、露光工程を実施する。この工程により、露光された部分のレジスト膜が除去され、パターン化されたレジスト層42が形成される。パターン化されたレジスト層42をマスクとして、エッチングによりp型GaAs膜41を回折格子構造に成形する。図3Bを参照する。p型GaAs膜を回折格子構造に成形し、回折格子ベース層43を形成する。ウエットエッチング法により、格子溝の深さ回折格子深さdが約25nmになるようエッチングを行った。エッチャントには、例えばアンモニア水、過酸化水素水および水の混合溶液を用いることができる。その後、パターン化されたレジスト層42を除去する。なお、ウエットエッチング法において、格子溝の深さは、エッチャントの浸漬時間を調整することにより制御可能である。図3Cを参照する。周期的な凸凹構造であるp型GaAsベース層43上に、p型Al0.26Ga0.74Asカバー層44をエピタキシャル成長させる。MOCVDにより、ベース層43の凹部からの厚みが約50nmのp型Al0.26Ga0.74Asカバー層44を形成した。原料ガスにTEGa,TMAl,AsH3、p型不純物ガスにDEZnを用い、成長温度は640°Cとした。なお、カバー層44のAl組成比は、原料ガスの流量比を調整することにより制御可能である。以上により、p型GaAlベース層43とp型Al0.26Ga0.74Asカバー層44とを含む回折格子層40が完成する。図4A~4Cは、回折格子層40上に、エッチストップ層50、リッジ構造を有する第2導電型の第3クラッド層51およびコンタクト層52を順次積層形成する様子を示す。図4Aを参照する。回折格子層40上に、p型In0.48GaPインジウムガリウムリンエッチストップ層50をエピタキシャル成長させる。MOCVDにより、層厚約10nmのp型In0.48GaPエッチストップ層50を形成した。原料ガスにはTEGa,TMIn,ホスフィンPH3、p型不純物ガスにはDEZnを用い、成長温度は約640°Cとした。形成したp型InGaPエッチストップ層50上に、p型Al0.35Ga0.65Asクラッド層51aをエピタキシャル成長させる。MOCVDにより、層厚約1000nmのp型Al0.35Ga0.65Asクラッド層51aを形成した。原料ガスにはTEGa,TMAl,AsH3、p型不純物ガスにはDEZnを用い、成長温度は約640°Cとした。形成したp型Al0.35Ga0.65Asクラッド層51a上に、p型GaAsコンタクト層52aをエピタキシャル成長させる。MOCVDにより、層厚約300nmのp型GaAsコンタクト層52aを形成した。原料ガスにはTEGa,AsH3、p型不純物ガスにはDEZnを用い、成長温度は約550°Cとした。図4Bを参照する。p型GaAsコンタクト層52a上に、二酸化シリコンSiO2膜およびレジスト膜を順次積層形成する。レジスト膜に露光工程、および現像工程を実施し、共振器長方向に幅W約1.5μmで延在するパターン化されたレジスト層54を形成する。さらに、パターン化されたレジスト層54をマスクとして、SiO2膜を、例えば緩衝フッ酸溶液により除去し、パターン化されたSiO2層53を形成する。図4Cを参照する。パターン化されたSiO2層53およびレジスト層54をマスクとして、例えばウエットエッチング法により、p型Al0.35Ga0.65Asクラッド層51a、およびp型GaAsコンタクト層52aをリッジ構造に成形する。エッチャントには、例えばアンモニア水、過酸化水素水および水の混合溶液を用いることができる。なお、エッチストップ層50は、これらのエッチャントによりエッチングされないため、エッチストップ層50より下層がエッチングされることはない。パターン化されたSiO2層53およびレジスト層54を除去し、リッジ構造が完成する。図5は、第3クラッド層51およびコンタクト層52の側壁、ならびにエッチストップ層50を覆うように保護膜60を形成し、上下電極70,71を形成する様子を示す。成形したリッジ構造を覆うようにSiO2を成膜し、例えば緩衝フッ酸溶液により、p型GaAsコンタクト層52上面のSiO2のみを選択的に除去し、SiO2保護膜60を形成する。さらに、SiO2保護膜60上に、Tiチタン-Ptプラチナ-Au金積層の上部電極70を、例えば電子ビーム蒸着法等により形成する。次に、n型GaAs基板10を厚さが約150μmになるよう研磨し、AuGe金ゲルマ合金-Au積層の下部電極71を、例えば電子ビーム蒸着法等により形成する。さらに、共振器長Lが600μmになるように素子の両端面をへき開し、一方のへき開端面に反射率1以下の無反射コーティングを、他方のへき開端面に反射率94の反射膜をコーティングする。以上の工程により、レファレンスサンプルであるDFBレーザ素子が完成する。本発明者らは、レファレンスサンプルにおける回折格子層40の屈折率差について評価を行った。本発明者らの評価によれば、レファレンスサンプルの屈折率差は約0.013程度と見積もられた。レファレンスサンプルの回折格子層40は、設計組成がGaAsのベース層43とAl0.26Ga0.74Asのカバー層44により構成される。GaAsとAl0.26Ga0.74Asの屈折率差の理論値は約0.155である。レファレンスサンプルの屈折率差が、理論値と比べ著しく低減していることがわかった。図6Aおよび6Bは、作製した回折格子層の拡大断面図、および光学的に等価な回折格子を示すモデル図である。本発明者らは、透過型電子顕微鏡およびエネルギー分散型X線分光法により、回折格子層のAl組成分布の評価を行った。その結果、ベース層43凹部上方に形成されるカバー層44a図6Aの破線で囲う領域のAl組成比は、想定したAl0.26Ga0.74Asよりも低くなり、概ねAl0.20Ga0.80As程度になることがわかった。また、ベース層43凸部上方に形成されるカバー層44b図6Aの一点差線で囲う領域のAl組成比は、想定したAl0.26Ga0.74Asよりも高くなり、概ねAl0.35Ga0.65As程度になることがわかった。なお、表面が平坦化された後のカバー層44cカバー層44の上層領域、図6Aの二点差線で囲う領域の組成は想定したAl0.26Ga0.74Asであることがわかった。凸凹構造のベース層43を埋め戻すようにカバー層44をエピタキシャル成長させると、ベース層43の凸部と凹部での成長速度の違いにより、カバー層44のAl組成比が位置により変化すると考えられる。ここで、ベース層43凹部上方に位置するカバー層44aの屈折率をn1、ベース層43凸部上方に位置するカバー層44bの屈折率をn2、ベース層43の屈折率をn3、と定義する。ベース層43に作製した格子の深さd約25nmおよび周期p約155.6nmは、活性層20における発光の波動関数の拡がりよりも十分に小さい。したがって、回折格子層40は、図6Bに示すように、光学的には屈折率n1を有する領域40a、および屈折率n2と屈折率n3の平均屈折率n4を有する領域40bで構成される回折格子と等価に見なすことが可能であると考えられる。なお、平均屈折率n4は、所定の厚みを有するカバー層44bの屈折率n2と、深さdを有するベース層凸部43aの屈折率n3の加重平均屈折率である。回折格子層40の屈折率差を増大させるためには、n1とn4の実効的な屈折率差Δneを大きくすることが望ましいと考えられる。つまり、各領域の屈折率の関係は、n1>n2かつn1>n3、より言えばn1>n2≧n3であることが望ましいと考えられる。本発明者らの検討によれば、作製したカバー層44のAl組成比の分布は、カバー層44aで平均20Al0.20Ga0.80As程度になり、カバー層44bで平均35Al0.35Ga0.65As程度になる。レファレンスサンプルのベース層43のAl組成比はほぼ0GaAsである。AlGaAsのAl組成比はその屈折率と負の相関関係を有するため、レファレンスサンプルの各領域の屈折率の関係はn3>n1>n2になると考えられる。レファレンスサンプルにおいて、n2とn3の平均屈折率n4は、n1との実効屈折率差Δneが小さくなる方向に平均化されるため、回折格子層40の屈折率差が、理論値と比べ著しく低減したと考えられる。以上の検討を踏まえ、本発明者らは、n3をより小さくした、つまりベース層43のAl組成比をより大きくしたDFBレーザ素子を作製し、評価を行った。具体的には、ベース層43の組成がAl0.35Ga0.65Asであるテストサンプルを作製し、評価を行った。なお、テストサンプルは、図3Aに示したベース層形成工程において、原料ガスにTEGa,TMAl,AsH3、p型不純物ガスにGEZnを用いたMOCVDにより作製することが可能である。また、ベース層43のAl組成比は、原料ガスの流量比を調整することにより制御可能である。本発明者らの評価によれば、テストサンプルの屈折率差は約0.081程度であり、レファレンスサンプルの屈折率差約0.013よりも改善していることがわかった。本発明者らの検討によれば、作製したカバー層44のAl組成比の分布は、カバー層44aで平均20Al0.20Ga0.80As程度になり、カバー層44bで平均35Al0.35Ga0.65As程度になる。テストサンプルのベース層43のAl組成比はほぼ35Al0.35Ga0.65Asである。したがって、テストサンプルの各領域の屈折率の関係はn1>n2=n3になると考えられる。テストサンプルにおいて、n2とn3の平均屈折率n4は、n1との実効屈折率差Δneが小さくなる方向に平均化されないため、テストサンプルの屈折率差が、レファレンスサンプルの屈折率差よりも改善したと考えられる。本発明者らの考察に基づけば、n3をさらに小さくする、つまりベース層のAl組成比をさらに大きくすることにより、実効的な屈折率差はさらに改善されると考えられる。次に、本発明者らは、レファレンスサンプルの構成GaAsベース層、Al0.26Ga0.74Asカバー層およびテストサンプルの構成Al0.35Ga0.65Asベース層、Al0.26Ga0.74Asカバー層において、それぞれ回折格子深さdが15,20,25nmであるDFBレーザ素子を作製し、回折格子層の結合係数κと回折格子深さdとの関係について検討を行った。図7は、回折格子層の結合係数κの回折格子深さd依存性を示すグラフである。グラフ中の□ドットが、レファレンスサンプルの構成における結合係数κの回折格子深さd依存性を示し、○ドットが、テストサンプルの構成における結合係数κの回折格子深さd依存性を示す。このグラフから、テストサンプルの構成における結合係数κが、レファレンスサンプルの構成における結合係数κよりも4~5倍程度大きくなっていることがわかる。また、テストサンプルの構成における結合係数κは、回折格子深さdとほぼ比例の関係が見られるのに対し、レファレンスサンプルの構成における結合係数κは、回折格子深さdとの顕著な相関が見られないことがわかる。これは、レファレンスサンプルにおいて、回折格子深さdを大きくしても、各領域の屈折率の関係が整合していないn3>n1>n2ため十分な実効屈折率差が生じないからだと考えられる。次に、本発明者らは、ベース層ないしカバー層のAl組成比を変化させて、回折格子層の実効屈折率差が約0.014,0.040,0.054,0.067,0.081であるDFBレーザ素子を作製し、回折格子層の結合係数κと実効屈折率差Δneとの関係について検討を行った。図8は、回折格子層の結合係数κの実効屈折率差Δne依存性を示すグラフである。光工学に基づく法則が示す通り、回折格子層の結合係数κと実効屈折率差Δneの間にはほぼ比例の関係があることが確認される。一般的に、回折格子層の結合係数κは10cm-1以上、好ましくは20cm-1以上あることが望ましい。したがって、回折格子層の実効屈折率差Δneが少なくとも0.02以上、好ましくは0.04以上になるようベース層、およびカバー層の設計を行うことが望ましいであろう。以上、AlGaAsを含むベース層およびカバー層からなる回折格子層において、凸凹構造のベース層を埋めるようにカバー層をエピタキシャル成長させると、ベース層の凸部上部と凹部上部で成長速度が変化し、位置により異なるAl組成比のカバー層が成長することがわかった。さらに、Al組成比の変化に伴う屈折率変化を利用して、回折格子層の実効屈折率差が大きくなるようベース層の組成を設計することにより、回折格子層の結合係数がより改善されることがわかった。なお、ベース層およびカバー層は、AlGaAsに限らずInGaPやInGaAsPインジウムガリウム砒素リンなどの3元素以上からなるIII-V族化合物半導体でもかまわない。ベース層の凸凹構造を埋めるようにこれら化合物半導体をエピタキシャル成長させることにより、位置により異なる化合物半導体組成比および屈折率のカバー層が成長することになるであろう。さらに、このカバー層内の化合物半導体組成比および屈折率の変化を利用して、回折格子層の実効屈折率差が大きくなるようベース層の組成を設計することにより、回折格子層の結合係数がより改善されたDFBレーザ素子を得ることができるであろう。このように作製したDFBレーザ素子を用いることにより、高いレーザ出力効率および信頼性を有し、かつより小型化したDFBレーザ素子を得ることが可能となる。さらに、このようなDFBレーザ素子は、SHG素子と組み合わせて、より短い波長のレーザ光を出射する半導体レーザを構成することが可能である。図9は、波長1060nm帯の赤外線DFBレーザ素子を用いた波長530nm帯の緑色半導体レーザの構成を示すブロック図である。この半導体レーザは、テストサンプルのDFBレーザ素子と、そのDFBレーザ素子から出射されるレーザ光の光路上に配置された、例えば周期分極反転リチウムニオベートLiNbO3結晶などのSHG素子と、を含む構成である。例えば、図に示すように、電流をDFBレーザ素子1に注入し、出射される波長1060nm帯の赤外線レーザ80を、集光レンズ等の光学系90を介してSHG素子91に入射することにより、SHG素子から波長530nm帯の緑色レーザ81が出射される。例えば、このような緑色半導体レーザに加え、赤色および青色半導体レーザ等を組み合わせることにより、プロジェクタ等を構成することも可能であろう。以上、実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、実施例では、DFBレーザ素子各層のエピタキシャル成長に主にMOCVD法を用いたが、分子線エピタキシー法等を用いてもかまわない。また、半導体基板にはn型GaAs基板を用いたが、p型GaAs基板でもよく、より言えばGaAs基板に限らずInP基板などでもかまわない。さらに、出射されるレーザ光の波長は1060nm帯に限られず、980nm帯や1300nm帯でもかまわない。活性層の構成および回折格子層の凸凹構造周期を調整することにより、所望の波長のレーザ光を得ることが可能である。図10A~10Cは、本発明者らが提供する光半導体素子のほかの例を示す概略斜視図、概略側面図および活性層の拡大側面図である。光半導体素子は、図10Aに示すように、埋め込み層65を含むメサ構造であってもかまわないし、回折格子層40を活性層20に接して基板10側に形成してもかまわない。また、図10Bに示すように、回折格子層40を活性層20に接して直列に形成し、DBRレーザ素子として利用してもかまわない。さらに、活性層20は、図10Cに示すように、バリア層25と、量子ドット26と、バリア層27と、を含む量子ドット活性層にしてもかまわない。例えば、波長1300nm帯のレーザ光を得る場合には、量子ドット活性層20を、層厚約5nmのノンドープGaAsバリア層25と、バリア層25上にノンドープInAsインジウム砒素層を数原子層成長させることで得られる高さ約5nmのInAs量子ドット26と、InAs量子ドット26を覆ってキャップする層厚約35nmのノンドープGaAsバリア層27と、を含む構成にすればよい。なお、このとき、回折格子層の回折格子周期は190nm程度とすることが好ましい。その他種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。"