貫通電極を介して接続されたバンプ電極を有する複数の半導体チップを用意し、互いのバンプ電極どうしが突き合わされるように、第1の半導体チップの上に第2の半導体チップを積層し、前記第1の半導体チップ上のバンプ電極と、該バンプ電極と突き合わされている前記第2の半導体チップ上のバンプ電極とを仮圧着させ、互いのバンプ電極どうしが突き合わされるように、前記第2の半導体チップの上に第3の半導体チップを積層し、前記第2の半導体チップ上のバンプ電極と、該バンプ電極と突き合わされている前記第3の半導体チップ上のバンプ電極とを仮圧着させてチップ積層体を形成し、前記チップ積層体内において仮圧着されている複数のバンプ電極を一括して本圧着させる半導体装置の製造方法。互いに突き合わされている前記バンプ電極に、第1の温度の熱および荷重を加えることによって、前記バンプ電極を仮圧着させ、前記チップ積層体内において仮圧着されている複数のバンプ電極に、前記第1の温度よりも高温の第2の温度の熱および荷重を加えることによって、前記複数のバンプ電極を一括して本圧着させる請求項1に記載の半導体装置の製造方法。バンプ電極が仮圧着されている前記チップ積層体を複数形成し、それぞれの前記チップ積層体内において仮圧着されている複数のバンプ電極を一括して本圧着させる請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記複数のチップ積層体間の高さのバラツキを吸収可能なシートを介して、前記複数のチップ積層体に前記荷重を加える請求項3に記載の半導体装置の製造方法。ステージ上に並べられた前記複数のチップ積層体に前記シートを被せ、前記シートの上から前記複数のチップ積層体に荷重ツールを押し付けて前記荷重を加える請求項4に記載の半導体装置の製造方法。ステージと前記複数のチップ積層体との間に前記シートを配置した上で、前記複数のチップ積層体に荷重ツールを押し付けて前記荷重を加える請求項4に記載の半導体装置の製造方法。前記荷重を加えた後に前記シートを移動させることによって、該シート上の前記複数のチップ積層体を別工程が行われる他のステージへ搬送する請求項6に記載の半導体装置の製造方法。前記ステージと前記荷重ツールの少なくとも一方を所定温度に加熱することによって、前記熱を加える請求項5乃至請求項7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記複数のチップ積層体を基板の上に並べ、前記基板の上に並べられたそれぞれの前記チップ積層体内において仮圧着されている複数のバンプ電極を一括して本圧着させ、それぞれの前記チップ積層体を樹脂によって封止し、前記基板を樹脂によって封止された前記チップ積層体毎に切断して分割する請求項3に記載の半導体装置の製造方法。貫通電極を介して接続されたバンプ電極を有する複数の半導体チップとインターフェースチップとを用意し、互いのバンプ電極どうしが突き合わされるように、第1の半導体チップの上に第2の半導体チップを積層し、前記第1の半導体チップ上のバンプ電極と、該バンプ電極と突き合わされている前記第2の半導体チップ上のバンプ電極とに第1の温度の熱および荷重を加えてこれらバンプ電極を仮圧着させ、互いのバンプ電極どうしが突き合わされるように、前記第2の半導体チップの上に第3の半導体チップを積層し、前記第2の半導体チップ上のバンプ電極と、該バンプ電極と突き合わされている前記第3の半導体チップ上のバンプ電極とに前記第1の温度の熱および荷重を加えてこれらバンプ電極を仮圧着させ、互いのバンプ電極どうしが突き合わされるように、前記第3の半導体チップの上に第4の半導体チップを積層し、前記第3の半導体チップ上のバンプ電極と、該バンプ電極と突き合わされている前記第4の半導体チップ上のバンプ電極とに前記第1の温度の熱および荷重を加えてこれらバンプ電極を仮圧着させ、互いのバンプ電極どうしが突き合わされるように、前記第4の半導体チップの上に前記インターフェースチップを積層し、前記第4の半導体チップ上のバンプ電極と、該バンプ電極と突き合わされている前記インターフェースチップ上のバンプ電極とに前記第1の温度の熱および荷重を加えてこれらバンプ電極を仮圧着させてチップ積層体を形成し、前記チップ積層体内において仮圧着されている複数のバンプ電極に、前記第1の温度よりも高温の第2の温度の熱および荷重を加えることによって、前記複数のバンプ電極を一括して本圧着させる半導体装置の製造方法。前記第1の温度が200°C前後であり、前記第2の温度が300°C前後である請求項2乃至請求項10のいずれかの1項に記載の半導体装置の製造方法。特許文献1に記載されている上記製造方法には次のような課題があった。すなわち、上記製造方法では、半導体チップの積層と積層された半導体チップの接続固定とを複数回繰り返してチップ積層体が形成される。よって、半導体チップの積層数が増加するに従って半導体チップの加熱回数も増加する。例えば、5つの半導体チップが積層されたチップ積層体を形成する場合、一段目の半導体チップは300°C前後に4回加熱され、二段目の半導体チップは3回加熱される。このように半導体チップが何度も高温に曝されると、半導体チップの性能が低下する虞がある。本発明の半導体装置の製造方法では、バンプ電極を仮圧着させながら複数の半導体チップを積層してチップ積層体を形成した後に、チップ積層体内の複数のバンプ電極を一括して本圧着させる。具体的には、貫通電極を介して接続されたバンプ電極を有する複数の半導体チップを用意し、互いのバンプ電極どうしが突き合わされるように、第1の半導体チップの上に第2の半導体チップを積層し、前記第1の半導体チップ上のバンプ電極と、該バンプ電極と突き合わされている前記第2の半導体チップ上のバンプ電極とを仮圧着させ、互いのバンプ電極どうしが突き合わされるように、前記第2の半導体チップの上に第3の半導体チップを積層し、前記第2の半導体チップ上のバンプ電極と、該バンプ電極と突き合わされている前記第3の半導体チップ上のバンプ電極とを仮圧着させてチップ積層体を形成し、前記チップ積層体内において仮圧着されている複数のバンプ電極を一括して本圧着させる。したがって、半導体チップの積層数が増加しても、バンプ電極を本圧着させるために必要な高温の熱は1回しか加えられない。本発明によれば、半導体チップが高温に曝される回数が少なくなるので、半導体チップの性能低下を招く虞が低減される。第1の実施形態以下、本発明の半導体装置の製造方法の第1の実施形態について説明する。図1は、本実施形態に係る製造方法によって製造された半導体装置1の構成を示す断面図である。図示されている半導体装置1は、複数の半導体チップ10が積載されたチップ積層体11を有し、チップ積層体11の下にはインターフェースチップ以下、IFチップ20と呼ぶ。が配置されている。チップ積層体11の最下段の半導体チップ10は、IFチップ20を介して配線基板30に接続固定されている。各半導体チップ10およびIFチップ20は、回路が形成されている一方の面と回路が形成されていない他方の面とを有する。以下の説明では、半導体チップ10およびIFチップ20の、回路が形成されている面を表面、回路が形成されていない面を裏面と呼んで区別する。もっとも、かかる区別は説明の便宜上の区別に過ぎない。半導体チップ10の表面には、例えばメモリ回路が形成されており、IFチップ20の表面には、半導体チップ10を制御するための回路が設けられている。また、半導体チップ10およびIFチップ20の表裏面には、それぞれバンプ電極12が設けられている。さらに、各チップ10、20上のバンプ電極12は、貫通電極13を介して互いに接続されている。なお、IFチップ20は、半導体装置1の製造工程において、半導体チップ10にかかる応力を受け止めるサポート部材としての役目も果たす。具体的には、IFチップ20は、半導体チップ10内の貫通電極13の熱膨張や収縮によって発生する応力を受け止める。IFチップ20の表面上のバンプ電極12は、配線基板30上の接続パッド31の位置に対応して配置されている。以下の説明では、チップ積層体11及びIFチップ20を含む積層体を複合チップ積層体40と呼んでチップ積層体11と区別する。もっとも、かかる区別は説明の便宜上の区別に過ぎず、複合チップ積層体40も複数の半導体チップが積層されたチップ積層体である。複合チップ積層体40における半導体チップ10とIFチップ20との間の隙間は、第1の封止樹脂層14で埋められている。また、各半導体チップ10の間の隙間も第1の封止樹脂層14で埋められている。さらに、複合チップ積層体40の側面の一部も第1の封止樹脂層14で覆われている。図1に示すように、第1の封止樹脂層14の断面は、半導体装置1を側面から見たとき、略台形になっている。第1の封止樹脂層14は、例えば周知のアンダーフィル材を用いて形成される。略台形の第1の封止樹脂層14の短辺台形の上底に相当側に配置されているIFチップ20には、所定の配線が形成された配線基板30が接続固定されている。配線基板30には、例えば両面に所定の配線が形成されたガラスエポキシ基板が用いられている。配線基板30の一方の面には、複数の接続パッド31が形成され、他方の面には複数のランド33が形成されている。各接続パッド31は、ワイヤバンプ35を介して、IFチップ20上のバンプ電極12と接続されており、各ランド33の上には、半導体装置1の外部電極となる金属ボール32が設けられている。接続パッド31は、配線基板30内に設けられた配線を介して所定のランド33に接続されている。配線基板30は、接続パッド31やランド33を除いてソルダーレジスト膜等の絶縁膜34によって覆われている。ランド33は、配線基板30の上に所定の間隔で格子状に配置されている。もっとも、ランド33の配置は格子状に限られない。複合チップ積層体40と配線基板30は、NCPNonConductivePaste等の接着材15によって接着固定され、該接着材15により配線基板30上の接続パッド31とIFチップ20上のバンプ電極12との接合部位が保護されている。配線基板30上の複合チップ積層体40は、第2の封止樹脂層16によって封止されている。次に、図1に示されている半導体装置1の製造方法について図面を参照しながら説明する。図2及び図3は、図1に示されている複合チップ積層体40の製造工程の一部を示す断面図である。より具体的には、図2は、仮圧着工程を示す断面図であり、図3は、本圧着工程を示す断面図である。仮圧着工程図1に示されている半導体装置1を製造する場合、まず、複数の半導体チップ10を準備する。各半導体チップ10の構造については既述のとおりである。図2aに示すように、ステージ100上に、1段目の半導体チップ10aを載置する。半導体チップ10aは、その表面を上に向けて、ステージ100の上に載置する。載置された半導体チップ10aは、ステージ100に設けられている吸引孔101を介して不図示の真空装置により真空吸引される。図2bに示すように、ボンディングツール110を用いて、一段目の半導体チップ10aの上に、二段目の半導体チップ10bを搭載する。二段目の半導体チップ10bは、その表面を上に向けて、一段目の半導体チップ10aの上に搭載する。すなわち、一段目の半導体チップ10aの表面と、二段面の半導体チップ10bの裏面とが対向するように、2つの半導体チップ10a、10bを重ねる。なお、二段目の半導体チップ10bは、ボンディングツール110に保持されてから一段目の半導体チップ10aの上に搭載されるまでの間、ボンディングツール110の吸引孔111を介して不図示の真空装置により真空吸引されている。したがって、二段目の半導体チップ10bがボンディングツール110から脱落することはない。次に、半導体チップ10aの表面上のバンプ電極12と半導体チップ10bの裏面上のバンプ電極12とを仮圧着させる。具体的には、互いに突き合わされている、半導体チップ10a上のバンプ電極12と半導体チップ10b上のバンプ電極12に、所定温度200°C前後の熱と荷重を加える。例えば、図2bに示すボンディングツール110を200°C前後に加熱し、加熱されたボンディングツール110によって、二段目の半導体チップ10bを一段目の半導体チップ10aに押し付ける。次に、上記と同様の手順により、二段目の半導体チップ10bの上に三段目の半導体チップ10c図2cを搭載し、半導体チップ10bの表面上のバンプ電極と半導体チップ10cの裏面上のバンプ電極とを仮圧着させる。次いで、上記と同様の手順により、三段目の半導体チップ10cの上に四段目の半導体チップ10d図2cを搭載し、半導体チップ10cの表面上のバンプ電極と半導体チップ10dの裏面上のバンプ電極とを仮圧着させる。その後、図2cに示すように、四段目の半導体チップ10d上に、ボンディングツール110を用いて、IFチップ20を搭載する。IFチップ20は、その表面を上に向けて、四段目の半導体チップ10dの上に搭載する。次いで、半導体チップ10dの表面上のバンプ電極とIFチップ20の裏面上のバンプ電極とを仮圧着させる。具体的には、互いに突き合わされている、四段目の半導体チップ10d上のバンプ電極とIFチップ20上のバンプ電極に、所定温度200°C前後の熱と荷重を加える。例えば、図2cに示すボンディングツール110を200°C前後に加熱し、加熱されたボンディングツール110によって、IFチップ20を四段目の半導体チップ10dに押し付ける。以上により、チップ積層体11およびIFチップ20を有する複合チップ積層体40が得られる。この複合チップ積層体40と図1に示す複合チップ積層体40とは、上下が反転している。本圧着工程図3は、本圧着工程に用いられる装置の一例を示す模式図である。図示されている装置は、対向するステージ201および荷重ツール202と、ステージ201と荷重ツール202との間にシート203を供給する一対のリール204、205とを有する。ステージ201および荷重ツール202には加熱手段例えば、電熱ヒータ206がそれぞれ内蔵されている。第1のリール204には帯状のシート203が巻き付けられており、第2のリール205は、第1のリール204に巻き付けられているシート203を巻き取る。次に、本圧着工程について説明する。まず、図4aに示すように、複数の複合チップ積層体40をステージ201の上に並べる。その後、仮圧着されている各チップ積層体40内のバンプ電極に、所定温度300°C前後の熱と荷重を加える。例えば、図4bに示すように、加熱手段206図3によってステージ201および荷重ツール202を300°C前後に加熱した上で、荷重ツール202を複数の複合チップ積層体40に一括して押し付ける。このとき、荷重ツール202と各複合チップ積層体40との間にシート203を介在させる。かかる工程により、仮圧着されていたバンプ電極どうしが完全に圧着される。なお、製造上のバラツキやバンプ電極の高さのバラツキなどに起因して各複合チップ積層体40の高さが異なっている場合がある。しかし、本実施形態では、荷重ツール202と複合チップ積層体40との間に介在するシート203によって、複合チップ積層体間の高さのバラツキが吸収される。よって、複数の複合チップ積層体40に所定の熱および荷重を均一に加えることができる。シート203には、フッ素樹脂製のシートやフッ素樹脂によってコーティングされたシートなどが好適に用いられる。もっとも、シート203には、本圧着工程において加えられる熱に対する耐性と、複合チップ積層体間の高さのバラツキを吸収可能な弾性とを備えているすべてシートを用いることができ、特定のシートに限定されるものではない。上記一連の工程が終了した後、図3に示す第2のリール205を回転させて使用済みのシート203を巻き取り、ステージ201と荷重ツール202との間に新しいシート203を供給する。上記のように、本実施形態に係る製造方法は、加熱条件が異なる仮圧着工程と本圧着工程とを含んでいる。さらに、仮圧着工程では、半導体チップを積層する度に、積層された半導体チップに第1の温度T1を加えてバンプ電極どうしを仮圧着させる。一方、本圧着工程では、仮圧着工程によって形成されたチップ積層体に第1の温度T1よりも高い第2の温度T2を一回だけ加えてバンプ電極どうしを完全に圧着させる。したがって、半導体チップの積層数が増加しても、半導体チップに温度T2が加えられる回数は増加しない。すなわち、半導体チップが複数回に亘って高温に曝されることがない。封止工程次に、複合チップ積層体40の封止工程について説明する。図5aに示すように、複合チップ積層体40をステージ301の上に配置された塗布用シート302の上に載置する。塗布用シート302には、フッ素系シートやシリコーン系接着材が塗布されたシート等のように、第1の封止樹脂層14図1を形成する樹脂に対する濡れ性が悪い材料からなるシートが用いられる。なお、塗布用シート302は、ステージ301に直接貼る必要はない。例えば、ステージ301の上に置かれた治具等の上に塗布用シート302を配置してもよい。次に、図5bに示すように、塗布用シート302の上に載置されている複合チップ積層体40に、ディスペンサ303を用いてアンダーフィル材304を供給する。供給されたアンダーフィル材304は、複合チップ積層体40の周囲にフィレットを形成しつつ、隣接する半導体チップ10の間の隙間へ毛細管現象によって進入する。また、アンダーフィル材304は、IFチップ20と半導体チップ10との間の隙間にも進入する。本実施形態では、塗布用シート302に、アンダーフィル材304に対する濡れ性が悪い材料からなるシートを用いるため、アンダーフィル材304の広がりが抑制されてフィレット幅が大きくなることがない。次に、図5cに示すように、アンダーフィル材304によって覆われた複合チップ積層体40を所定の温度例えば150°C前後でキュア熱処理することで、アンダーフィル材304を熱硬化させる。アンダーフィル材304が熱硬化した後、複合チップ積層体40を塗布用シート302からピックアップする。本実施形態では、塗布用シート302に、アンダーフィル材304に対する濡れ性が悪い材料からなるシートを用いるため、複合チップ積層体40を塗布用シート302から容易にピックアップできる。以上により、第1の封止樹脂層14によって封止された複合チップ積層体40が得られる図5d。複合チップ積層体40にアンダーフィル材304を供給する際、複合チップ積層体40が位置ずれを起こすおそれのある場合は、樹脂接着材を用いて複合チップ積層体40を塗布用シート302に仮固定してもよい。次に、図5dに示す複合チップ積層体40を用いて図1に示す半導体装置1を組み立てる工程について図6及び図7を用いて説明する。図6及び図7は、図1に示す半導体装置1を組み立てる工程の一例を示す断面図である。なお、図6及び図7は、複数の半導体装置1を一括して組み立てる工程の一例を示している。まず、図6aに示す基板400を準備する。基板400の上には、複数の製品形成部401が格子状に配置されている。基板400上の各製品形成部401は、最終的に図1に示す配線基板30となる。各製品形成部401には、所定パターンの配線が形成されている。また、各製品形成部401の一方の面には、複数の接続パッド31が形成され、他方の面には複数のランド33が形成されている。さらに、接続パッド31の上には、AuやCu等からなるワイヤバンプ35が設けられている。接続パッド31、ランド33およびワイヤバンプ35の役割は既述のとおりである。なお、ワイヤバンプ35を配線基板30上に形成することで、チップ10、20の貫通電極13のサイズの小型化や狭ピッチ化を図ることができる。本実施形態では、複合チップ積層体40と接続パッド31との接続を容易にするため、接続パッド31の上にワイヤバンプ35を形成している。しかし、チップ10、20上のバンプ電極12と接続パッド31とを直接接続してもよい。基板400の準備が完了したら、図6aに示すように、各製品形成部401上に絶縁性の接着材15をディスペンサ500を用いて塗布する。次に、図6bに示すように、複合チップ積層体40をボンディングツール501で吸着保持し、各製品形成部401上にそれぞれ搭載する。次いで、IFチップ20上の各バンプ電極12と製品形成部401上の各ワイヤバンプ35とを、例えば熱圧着法を用いて接合する。このとき、複合チップ積層体40とそれが搭載されている各製品形成部401との間に接着材15が充填され、基板400と複合チップ積層体40とが接着固定される図6c。ここで、複合チップ積層体40の周囲にはテーパ状に第1の封止樹脂層14が形成されているので、接着材15の這い上がりが防止される。よって、ボンディングツール501へ接着材15が付着することによる複合チップ積層体40の破損や接合不良等が低減される。次に、複数の複合チップ積層体40が搭載された基板400を不図示のトランスファモールド装置の成型金型にセットする。成型金型は、上型と下型からなり、上型には、複数の複合チップ積層体40を一括して覆うキャビティが形成されている。成型金型にセットされた複数の複合チップ積層体40は、上型のキャビティ内に収容される。次に、上型のキャビティ内に加熱溶融させた封止樹脂を充填し、キャビティ内の複合チップ積層体40全体を封止樹脂で覆う。封止樹脂には、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いる。続いて、所定の温度、例えば180°C前後でキュアすることでキャビティ内の封止樹脂を熱硬化させ、複数の複合チップ積層体40を一括して覆う第2の封止樹脂層16を形成する図7a。さらに、所定の温度でベークすることで、第2の封止樹脂層16を完全に硬化させる。本実施形態では、複合チップ積層体40の各チップ間が第1の封止樹脂層14によって予め封止されているので、第2の封止樹脂層16の形成時に、各チップ間でボイドが発生するのを抑制できる。第2の封止樹脂層16が形成された後、図7aに示す構造体の上下を反転させる。その後、図7bに示すように、基板400上に形成されているランド33に金属ボール例えば、半田ボール32を搭載する。具体的には、基板400上の各ランド33に対応する複数の吸着孔を備えたマウントツール600を用いて複数の金属ボール32を吸着保持し、各金属ボール32にフラックスを転写した後、保持されている複数の金属ボール32を基板400の各ランド33上に一括して搭載する。全てのランド33に対する金属ボール32の搭載が完了した後、基板400をリフローすることで金属ボール32とランド33とを接続する。ランド33と金属ボール32との接続が完了した後、図7cに示すように、ダイシングブレード601を用いて基板400を切断し、個々の製品形成部401を分離させる。基板400は、所定のダイシングラインに沿って切断する。基板400を切断する際には、第2の封止樹脂層16にダイシングテープ602を貼着することで製品形成部401を支持する。ダイシングテープ602は、基板400を切断した後、各製品形成部401から剥がされる。以上によって、図1に示した半導体装置1が得られる。第2の実施形態本発明の半導体装置の製造方法の第2の実施形態について説明する。本実施形態に係る製造方法は、仮圧着工程に関して第1の実施形態に係る製造方法と相違する。図8は、本実施形態に係る製造方法における仮圧着工程を示す断面図である。第1の実施形態に係る製造方法における本圧着工程では、複合チップ積層体40と荷重ツール202との間にシート203を配置した図4。一方、本実施形態に係る製造方法における本圧着工程では、図8aに示すように、ステージ201と複合チップ積層体40との間に塗布用シート302を配置する。図8aに示されている塗布用シート302は、図5に示されている塗布用シート302と同一のシートである。すなわち、耐熱性を有し、アンダーフィル材304に対する濡れ性が悪い材料からなるシートである。以下、本実施形態に係る製造方法における本圧着工程について具体的に説明する。図8aに示すように、ステージ201の上に配置された塗布用シート302の上に、複数の複合チップ積層体40を所定間隔で並べる。なお、それぞれの複合チップ積層体40は仮圧着工程を経ており、バンプ電極どうしが仮圧着されている。次に、所定温度300°C前後の熱と荷重とを複数の複合チップ積層体40に一括して加える。例えば、図8bに示すように、ステージ201および荷重ツール202を300°C前後に加熱した上で、荷重ツール202を複数の複合チップ積層体40に一括して押し付ける。このとき、複合チップ積層体間の高さのバラツキは塗布用シート302によって吸収される。よって、第1の実施形態に係る製造方法と同様に、複数の複合チップ積層体40に所定の熱と荷重を均一に加えることができる。その後、塗布用シート302上に載置されているそれぞれの複合チップ積層体40に、ディスペンサ303を用いてアンダーフィル材304を供給し、各積層体40を第1の封止樹脂層14によって封止する図8cd。なお、塗布用シート302の上に複合チップ積層体40を並べる際には、アンダーフィル材304の広がりを考慮して、隣接する複合チップ積層体間の間隔を調整する。本実施形態に係る製造方法では、塗布用シートが敷かれたステージ上で本圧着工程を実行する。換言すれば、複合チップ積層体間の高さのバラツキを吸収するためのシートとして塗布用シートを利用する。このため、本圧着工程と封止工程を連続して実行することができる。具体的には、本圧着工程を経た複合チップ積層体を塗布用シートの上に移し替えることなく、封止工程を実行することができる。さらに、本圧着工程終了後、加熱状態を維持したまま封止工程を実行することができる。したがって、本圧着工程において加熱された複合チップ積層体が常温に戻る際に発生する反りよるバンプ接合部の破断が防止される。図9は、本実施形態に係る製造方法における本圧着工程に用いられる装置の一例を示す模式図である。図示されている装置は、第1のステージ201a、第2のステージ201b、第1のステージ201aと対向する荷重ツール202、ステージ201a、201bの上に塗布用シート302を供給搬送する一対のリール204、205を有する。第1のステージ201a、第2のステージ201bおよび荷重ツール202には加熱手段例えば電熱ヒータが内蔵されている。上記本圧着工程は、図9に示す第1のステージ201aの上で実行され、封止工程は第2のステージ201bの上で実行される。第2のリール205は、第1のステージ201a上における本圧着工程が終了すると、塗布用シート302を巻き取る。これにより、複合チップ積層体40が第1のステージ201aから第2のステージ201bへ搬送されると共に、第1のステージ201a上に新しい塗布用シート302が供給される。なお、複合チップ積層体40を確実に搬送するためには、塗布用シート302に粘性を与え、複合チップ積層体40を塗布用シート302に仮固定しておくことが好ましい。第3の実施形態第1の実施形態に係る製造方法では、本圧着工程を経た複合チップ積層体40を基板400の上に載置した図6。しかし、図10に示すように、仮圧着工程を経た複合チップ積層体40を基板400の上に載置し、基板400の上で本圧着工程を実行してもよい。本明細書では、4つの半導体チップと1つのIFチップが積層された半導体装置の製造方法について説明した。しかし、本発明は、貫通電極を介して接続された3つ以上のチップを有する全ての半導体装置の製造に適用可能である。また、本発明は、デバイスチップとSiインターポーザが積層された半導体装置の製造にも適用可能である。