種結晶が固定された坩堝蓋で密閉される坩堝内に原料を配置して、前記原料を昇華させて単結晶を製造する単結晶の製造方法であって、前記坩堝蓋に固定された前記種結晶の露出面を覆うように、予め、前記種結晶が昇華しない温度領域で結晶薄膜を形成する成膜工程と、前記結晶薄膜が形成された前記坩堝蓋で前記坩堝を密閉して、前記原料を昇華させて単結晶を成長させる成長工程と、を有することを特徴とする単結晶の製造方法。前記成膜工程が、CVD法、PVD法又はLPE法を用いることを特徴とする請求項1記載の単結晶の製造方法。前記結晶薄膜が単結晶であることを特徴とする請求項1又は2記載の単結晶の製造方法。前記結晶薄膜と、前記単結晶とが、同種の物質であることを特徴とする請求項1~3のうちのいずれかの請求項に記載の単結晶の製造方法。しかしながら、上記特許文献1に記載の単結晶の製造方法では、保護膜が種結晶SiCの裏面を覆うと、裏面からSi原子が脱離する代わりに種結晶側面や表面外周部からのSi原子の脱離が促進される。そのため、昇華法による単結晶の成長が進むにつれて、種結晶側面や表面外周部からSi原子が脱離し、その結果、種結晶側面や表面外周部にボイドが発生してしまう。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、種結晶の側面や表面外周部からの原子の脱離を抑えることができ、高品質な単結晶の作製が可能な単結晶の製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、種結晶自体に着目して鋭意検討した。その結果、種結晶上に、結晶薄膜を形成することで、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち本発明は、種結晶が固定された坩堝蓋で密閉される坩堝内に原料を配置して、原料を昇華させて単結晶を製造する単結晶の製造方法であって、坩堝蓋に固定された種結晶の露出面を覆うように、予め、種結晶が昇華しない温度領域で結晶薄膜を形成する成膜工程と、結晶薄膜が形成された坩堝蓋で坩堝を密閉して、原料を昇華させて単結晶を成長させる成長工程と、を有することを特徴とする単結晶の製造方法である。この単結晶の製造方法によれば、昇華法で単結晶を成長させる前に、坩堝蓋に固定された種結晶の露出面を覆うように、予め、種結晶が昇華しない温度領域で結晶薄膜を形成する事で、昇華法で単結晶を成長する時に、種結晶が昇華する温度域であっても、種結晶が結晶薄膜で覆われているので、種結晶からの原子の脱離を抑えることができる。このため、種結晶の側面や表面外周部からの原子の脱離を抑えることができ、より平坦な種結晶面上で単結晶を作製できる。その結果、高品質な単結晶の作製が可能になる。また、本発明は、前記成膜工程が、CVD法、PVD法又はLPE法を用いることを特徴とする単結晶の製造方法である。この単結晶の製造方法によれば、昇華法よりも成長速度を遅くすることができ、原子層オーダーで膜厚を制御することができるため、より高品質な結晶界面を得ることが可能となる。このため、昇華法により単結晶を成長させる成長工程で、高品質な単結晶の作製が可能となる。上記単結晶の製造方法においては、前記結晶薄膜が単結晶であることが好ましい。この場合、昇華法による単結晶成長の際に、単結晶の薄膜を用いることで、高品質な単結晶の作製が可能となる。上記単結晶の製造方法においては、前記結晶薄膜と、前記単結晶とが、同種の物質であることが好ましい。ここで、結晶薄膜と同種の物質を用いて単結晶を成長させると、種結晶と成長させる結晶との格子定数が一致する。このため、異種の物質を用いた場合に比べ、単結晶と結晶薄膜との格子不整合度をより低減することができ、歪による結晶の割れを防ぐことができるため、高品質な単結晶の作製が可能となる。本発明によれば、種結晶の側面や表面外周部からの原子の脱離を抑えることができ、高品質な単結晶の作製が可能な単結晶の製造方法が提供される。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。図1に示すように、単結晶の製造装置以下、単に製造装置と呼ぶ事がある。100は、単結晶4の成長が行われる結晶成長部1と、結晶成長部1を収容し、加熱を行う場所である加熱炉本体2と、加熱炉本体2の周囲に巻回される高周波コイル3とを備えている。結晶成長部1は、単結晶4を成長させる成長容器5を備えており、成長容器5は、原料6が収容される坩堝7と、坩堝7を密閉する蓋体8とを有している。この蓋体8には、種結晶9が収容される種結晶収容部10が形成されている。この種結晶収容部10の開口形状は、収容する種結晶9の外形と一致しており、種結晶9が隙間なく収まるように加工されている。また、種結晶収容部10の深さ方向の寸法は、種結晶9の厚さ寸法と一致している。そのため、種結晶9が収容された状態では、蓋体8の表面に対して種結晶9の露出面が一致している。この蓋体8は、種結晶収容部10に種結晶9が固定された状態で、種結晶9が内側になるように坩堝7を密閉するように固定される。この蓋体8の固定面を表面と定義する。坩堝7及び蓋体8を構成する材料としては、熱伝導性の材料で構成されていればよく、例えばグラファイト、アルミナ、マグネシア、ジルコニアおよび石英などが用いられる。ここで、経済的、高温耐熱の観点からグラファイトを用いるのが好ましい。なお、グラファイトを用いると、焼成中に生起される炭素雰囲気によって単結晶が分解昇華するため、これを防ぐために、坩堝7の内壁面7aおよび蓋体8の表面が、窒化タングステン等の金属窒化物で被覆されることが好ましい。加熱炉本体2には、ガス導入口11と、ガス排出口12とが形成されており、結晶成長中に、坩堝7の内壁面7aおよび蓋体8の表面に被覆されている金属窒化物が昇華するのを防ぐため、坩堝7および加熱炉本体2の内部はガスで充填されている。不活性ガスは、不活性ガス供給装置図示せずからガス導入口11を通して導入F1され、加熱炉本体2内のガスが、減圧装置例えば真空ポンプによってガス排出口12を通して排出F2されるようになっている。ここで、不活性ガスとしては、例えばアルゴン、ヘリウムもしくはネオン等の希ガス又は窒素ガスが挙げられる。また、加熱炉本体2には、結晶成長部1を収容するための開口部図示せずも形成されている。さらに、加熱炉本体2の上下端部には、成長容器5の下面および上面の温度を測定するための放射温度計13が設けられている。高周波コイル3は、加熱炉本体2の周囲に螺旋状に巻かれており、高周波電流を印加することで、誘導加熱によって、熱伝導性の材料からなる成長容器5を発熱させる役割を持つ。なお、上記実施形態では、坩堝7は、高周波コイル3の誘導加熱によって発熱しているが、高周波コイル3は必ずしも必要ではない。例えば抵抗加熱によって坩堝7を発熱させることも可能である。さらに、上記実施形態では、製造装置100は結晶成長部1のほか、加熱炉本体2、高周波コイル3を備えているが、結晶成長部1のみで構成されてもよい。次に、図2を参照して上記製造装置100を用いた本実施形態に係る単結晶の製造方法について説明する。図2は、本発明に係る単結晶の製造方法を示すフロー図である。まず、蓋体8に種結晶9を固定するステップS1。種結晶9は、後述する保護膜14により接着させ、種結晶収容部10と種結晶9との間が離間しないように固定する。ここで、種結晶9の裏面には、原子の脱離を防止する目的で、保護膜14を施している。保護膜14を構成する材料としては、単結晶の成長温度における昇華速度が種結晶以下である材料であれば特に制限がない。例えば、感光レジストといった有機薄膜を炭化処理した炭素薄膜などが挙げられる。種結晶9としては、単結晶を成長させることができるものであれば特に限定されないが、例えば、Si、Geなどの単元素半導体からなる半導体結晶基板又はSiC、SiGeなどのIV族化合物半導体からなる半導体結晶基板又はAl2O3、MgAl2O4、ZnO、MgOもしくはSiO2などの酸化物半導体からなる半導体結晶基板又はGaAs、GaP、InP、BN、もしくはAlxInyGa1-x-yNただし、0≦x≦1、0≦y≦1、および0≦xy≦1などのIII-V族化合物半導体などからなる半導体結晶基板を用いることができる。なかでも、欠陥の少ない高品質の単結晶を効率的に製造する観点から、熱特性に優れる種結晶が好ましく、例えば、SiC、Al2O3又はAlxInyGa1-x-yNただし、0≦x≦1、0≦y≦1、および0≦xy≦1からなる半導体結晶基板を用いることが好ましい。次に、蓋体8に固定された種結晶9の露出面を覆うように、結晶薄膜15を成膜するステップS2;成膜工程。結晶薄膜15の成膜方法としては、種結晶9が昇華しない温度領域、即ち、種結晶9における原子の脱離が起こり始める温度以下で結晶薄膜を成膜できる方法であれば特に限定するものではないが、例えば、HVPE法ハイドライド気相成長法もしくはMOCVD法等のCVD法化学気相成長法、MBE法等のPVD法物理気相成長法又はLPE法液相成長法などが挙げられる。これによれば、昇華法よりも成長速度を遅くすることができ、原子層オーダーで膜厚を制御することができるため、より高品質な結晶薄膜15の結晶界面を得ることが可能となる。これらの成膜法は、高品質な単結晶の作製が実現できるように、真空度が10-2Pa以下の高真空領域で成長させるのが好ましい。また、昇華法による単結晶成長の際に、高品質な単結晶4が得られるように、成膜された結晶薄膜15が単結晶であることが好ましい。さらに、結晶薄膜15と単結晶4とが、同種の物質であることが好ましい。結晶薄膜15と同種の物質を用いて単結晶4を成長させると、種結晶と成長させる結晶との格子定数が一致する。このため、異種の物質を用いた場合に比べ、単結晶4と結晶薄膜15との格子不整合度をより低減することができ、歪による結晶の割れを防ぐことができるため、高品質な単結晶の作製が可能となる。そして、成長容器5内に原料6を収容するステップS3。本実施形態により得られる単結晶4は、例えば、SiC単結晶、AlN単結晶およびGaN単結晶などが挙げられる。そして、これらの原料としては、これらの粉末の結晶が用いられる。さらに、結晶薄膜15を成膜した蓋体8によって坩堝7を密閉するステップS4。このとき、蓋体8の表面を坩堝7の内壁面7a側に向けて坩堝7を密閉する。この状態で、結晶成長部1を、加熱炉本体2の開口部から内部に収容する。次に、加熱炉本体2を減圧装置により真空引きして脱気するステップS5。その後、ガス導入口11から加熱炉本体2に不活性ガスを導入するとともにガス排出口12から加熱炉本体2内のガスを排出させる。こうして、結晶成長部1の周囲を不活性ガス雰囲気下に置く。次に、高周波コイル3に高周波電流を印加することで、成長容器5に高周波磁場が印加される。すると、成長容器5に誘導電流が流れ、成長容器5が発熱する。このとき、原料6の温度を種結晶9の温度よりも高温に制御し、成長容器5内部の温度勾配を設定することで、坩堝7の熱が原料6に伝わり、原料6が加熱されて分解、昇華される。成長温度は、吸着原子の表面マイグレーションを促進できるように、成膜工程時よりも高温であることが望ましい。具体的には、例えばAlN単結晶を得る場合は、1500~2000°C程度である。これにより、昇華した原料のガスが、ガス導入口11から流入した不活性ガスと混合する。そして、この混合ガスが蓋体8に固定された種結晶9を覆っている結晶薄膜15に付着して再結晶し、単結晶4が成長するステップS6;成長工程。坩堝7内部の雰囲気温度は種結晶9の温度よりも高温になっているので、上記混合ガスは、坩堝7の側面に付着しにくくなり、種結晶9に向かって付着しやすくなる。製造装置100によって成長される単結晶4は、昇華性の単結晶であればいかなるものもよい。以下、図3を参照して本実施形態の作用効果を説明する。ここでは一例として、種結晶9にSiCを、結晶薄膜15および単結晶4にAlNを用いた場合で説明する。図3は、本実施形態における作用を説明する概念図であって、aは図1の蓋体8を用いた場合の種結晶9の状態を示す概念図、bは従来の単結晶の製造方法における種結晶9の状態を示す概念図である。図3bに示すように、従来においては、保護膜14をSiC種結晶の裏面に施すことで1500°C以上の高温成長であってもSiC種結晶の裏面からはSi原子の脱離を抑制することができる。しかし、裏面を保護膜14で覆うことで、裏面からSi原子が脱離する代わりにSiC種結晶の側面や主面からのSi原子の脱離が促進される。このため、Si原子が抜けたことによって、種結晶側面や主面にボイドが発生してしまう。そこで図3aに示すように、種結晶収容部10に隙間なくSiC種結晶を納める。そして、SiC種結晶が露出面である主面を覆うようにAlN結晶薄膜を成膜すると、SiC種結晶9の露出面は、AlN結晶薄膜で覆われることになる。さらに、SiC種結晶9の側面および裏面は蓋体8で保護されているので、脱離しようとするSi原子がブロックされて抜けなくなるために、ボイドの発生が抑制される。したがって、種結晶SiCの側面や主面からのSi原子の脱離を抑えることができ、高品質なAlN単結晶の作製が可能となる。なお、CVD法、PVD法もしくはLPE法を用いたAlN結晶薄膜の適切な成膜温度条件は、SiC種結晶からSi原子が脱離しない1500°C以下であることが望ましい。次に他の実施形態について説明する。図4は、他の実施形態に用いられる製造装置の蓋体を用いた場合の種結晶9の状態を示す概略図である。即ち、図4に示すように、種結晶9を直接表面に固定した蓋体8を用いてもよい。この場合、前述した保護膜14により接着させることで、蓋体8の表面と種結晶9の裏面とに隙間が形成されないように固定する。そして、種結晶9の露出面、即ち、種結晶9における固定面の反対側の主面と、側面とに結晶薄膜15を形成する。この蓋体8で坩堝7を密閉固定して、上記実施形態と同様の手順で単結晶を製造しても良い。以下、この他の実施形態の効果について説明する。ここでは一例として、種結晶9にSiCを、結晶薄膜15および単結晶4にAlNを用いた場合で説明する。図4に示すように、蓋体8にSiC種結晶を、前述した保護膜14により接着させ、直接表面に固定する。そして、SiC種結晶9の側面と主面の露出面を覆うようにAlN結晶薄膜を成膜すると、SiC種結晶9の側面と主面は、AlN結晶薄膜で覆われているので、脱離しようとするSi原子がブロックされて抜けなくなるために、ボイドの発生が抑制される。したがって、種結晶SiCの側面や主面からのSi原子の脱離を抑えることができ、高品質なAlN単結晶の作製が可能となる。