"坩堝と、前記坩堝の周囲に設置された誘導加熱コイルと、前記坩堝の下方に設けられた成形断熱材と、前記坩堝と前記成形断熱材の間に設けられたグラファイト製円筒耐熱材と、を備える単結晶製造装置。前記坩堝の下端が、前記誘導加熱コイルの長さ方向の中心から10mm~20mm高い位置であることを特徴とする請求項1に記載の単結晶製造装置。前記グラファイト製円筒耐熱材の長さが、前記誘導加熱コイルの長さの1/4~1/3であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の単結晶製造装置。前記グラファイト製円筒耐熱材の直径が、前記坩堝の直径と略同一であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の単結晶製造装置。前記グラファイト製円筒耐熱材及び前記坩堝の外周に、円筒形状のグラファイト製炉芯管を備え、前記グラファイト製炉芯管の下端が前記グラファイト製円筒耐熱材の下端より低いことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の単結晶製造装置。坩堝内に昇華用原料を収容させ、種結晶を設置させる工程と、成形断熱材上にグラファイト製円筒耐熱材を介して配置された坩堝を誘導加熱コイルを用いて加熱し、前記昇華用原料を昇華させ前記種結晶上に結晶成長させる結晶成長工程と、を備える単結晶の製造方法。前記坩堝の下端が、前記誘導加熱コイルの長さ方向の中心より10mm~20mm高い位置であることを特徴とする請求項6に記載の単結晶の製造方法。前記グラファイト製円筒耐熱材の長さが、前記誘導加熱コイルの長さの1/4~1/3であることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の単結晶の製造方法。前記グラファイト製円筒耐熱材の直径が、前記坩堝の直径と略同一であることを特徴とする請求項6乃至請求項8のいずれか一項に記載の単結晶の製造方法。前記グラファイト製円筒耐熱材及び前記坩堝の外周に、円筒形状のグラファイト製炉芯管を備え、前記グラファイト製炉芯管の下端が前記グラファイト製円筒耐熱材の下端より低いことを特徴とする請求項6乃至請求項9のいずれか一項に記載の単結晶の製造方法。昇華法による結晶成長では、昇華用原料を均一に高温まで加熱することが必要であり、特に坩堝の底部は2400°C付近まで加熱しなければならない。そこで坩堝の底部にフェルト断熱材を用いた場合、フェルト断熱材は繊維状であるため密度が低く、反応性が高いためエッチングされやすく、結晶成長工程中にエッチングされて温度を一定に保つことができない。また、エッチングされたフェルト断熱材は再使用できないため製造コストが高くなる。坩堝の底部に成形断熱材を用いた場合、その断熱性の再現性や均一性のばらつきにより結晶成長時の坩堝の温度分布を精密に制御することができず、高品質な単結晶を得ることができない。本発明は上記の様な問題を解決するためになされたものであり、高品質な単結晶を低コストで得ることを目的としている。本発明の単結晶製造装置は、坩堝と、坩堝の周囲に設置される誘導加熱コイルと、坩堝の下方に設けられた成形断熱材と、坩堝と成形断熱材の間に設けられたグラファイト製円筒耐熱材と、を備えるものである。本発明によれば、坩堝の下方に設けられた成形断熱材と坩堝の間にグラファイト製円筒耐熱材を備えることにより、成形断熱材の断熱性の再現性、均一性のばらつきに起因する坩堝温度のばらつきを防ぐことができる。したがって、結晶成長条件が安定化し、高品質な単結晶を得ることができる。さらに坩堝の下方に設けられた成形断熱材が坩堝底部の高温部に晒されないためエッチングにより成形断熱材の寿命が短くなることを防ぎ、成形断熱材の交換頻度を高めることなく、低コストで高品質な単結晶を得ることができる。実施の形態1.<単結晶製造装置の構成>図1を用いて本発明の実施の形態1の単結晶製造装置の構成を説明する。図1は本発明の実施の形態1に示す単結晶製造装置の断面図である。本実施の形態1の単結晶製造装置8には、蓋部に種結晶支持部を有し、昇華原料を収容する円筒形の坩堝1とその下方に成形断熱材2が備えられ、それらの間にグラファイト製円筒耐熱材3が配置されている。成形断熱材2とグラファイト製円筒耐熱材3には坩堝底部の温度をパイロメータで測定するための直径20mmの測定穴4が設けられている。これらの坩堝1、グラファイト製円筒耐熱材3及び成形断熱材2の側面にフェルト断熱材からなる側面断熱材5を複数回巻きつけて取り付け、坩堝上部にはフェルト断熱材を重ね合わせた坩堝上部断熱材6が配置されている。さらにその外側に誘導加熱発振機図示せずに接続した誘導加熱コイル7が巻かれている。本実施の形態1においては、坩堝1は、高周波による誘導加熱の表皮効果に起因する温度の不均一を無くし、且つ加工性に優れる円筒形の坩堝1を用いた。フェルト断熱材はフェルト状に縫製したレーヨンをグラファイト化したものを用いた。坩堝1は、高周波による誘導加熱を用いて加熱するため導電性を有し、且つ高温での優れた耐熱性を有することが必要であるため、等方性グラファイト製の坩堝1を用いた。またグラファイト製円筒耐熱材3も高い耐熱性が求められるため、等方性グラファイト製とした。いずれも密度は約1.82g/cm3である。グラファイト製円筒耐熱材3は、等方性グラファイトの他に、成形方法の異なる押し出しグラファイト、型押しグラファイトを用いることもできる。ただし、押し出しグラファイトと型押しグラファイトは電気的異方性を有する場合があり、方向により抵抗率が異なる。したがって、高周波による誘導加熱時に高周波の浸透深さに分布ができ、温度分布に影響を及ぼすため、グラファイト製円筒耐熱材の作成時の押し出し方向等、また使用時の設置方向等に注意が必要である。成形断熱材2はフェルト断熱材に樹脂を含浸し、成形することで製造したもので、その密度は0.138g/cm3である。本実施の形態1においては、成形断熱材2は側面断熱材5の形状と嵌合し、断熱効果を高めるように、直径の異なる円筒が階段状に重なった形状をしている。側面断熱材5、坩堝上部断熱材6はフェルト断熱材を用い、その密度は約0.1g/cm3である。坩堝1、グラファイト製円筒耐熱材3の直径はいずれも180mmであり、坩堝1は高さ230mm、グラファイト製円筒耐熱材の高さは150mmである。誘導加熱コイル7の長さL図1中の矢印は550mmである。本実施の形態1の単結晶製造装置8の坩堝1、グラファイト製円筒耐熱材3の大きさの場合、高さ10~100mmのインゴッドの製造に適している。グラファイト製円筒耐熱材3の長さは特に限定するものではないが、誘導加熱コイル7の長さの1/4以上、1/3以下であることが望ましい。グラファイト製円筒耐熱材3が短すぎると、誘導加熱コイル7の高磁束密度範囲に設置されることになり、グラファイト製円筒耐熱材3が非常に高温になり、その下方の成形断熱材2が高温となり高温劣化を招いてしまう。逆にグラファイト製円筒耐熱材3が長すぎると、単結晶製造装置8が大型化し、製造コストが高くなる。本実施の形態1においては、坩堝1とグラファイト製円筒耐熱材3の直径は同じものを用いたが、直径の異なる坩堝1とグラファイト製円筒耐熱材3を用いることもできる。ただし直径が異なった場合、直径の大きい方の端部が突出した状態となるため、誘導加熱時に誘導電流密度が高くなり、エッチングされやすくなるという問題がある。したがって、この観点からは直径を同じ、または略同一とすることが好ましい。坩堝1の下端は誘導加熱コイル7の長さ方向の中心から15mm高くなるように配置する。坩堝1の下端は誘導加熱コイル7の相対的な配置は、坩堝1の底部の温度に影響し、さらに、坩堝1内の温度勾配に影響を与えるため良好な単結晶を得るために重要である。坩堝1の下端は誘導加熱コイル7の長さ方向の中心より10~20mm高く配置することが坩堝1内の温度勾配を最適化するために適している。<単結晶の製造方法>次に単結晶の製造方法を説明する。まず、坩堝1、グラファイト製円筒耐熱材3、成形断熱材2、側面断熱材5、坩堝上部断熱材6及びこれらの周囲の誘導加熱コイル7を用いて単結晶製造装置8を組み立てる。次に昇華用原料を坩堝1内に収容し、種結晶を坩堝1上部の所定の位置に設置した後、単結晶製造装置8を圧力調整炉の中に入れ、圧力調整炉内の圧力を10-3Pa以下に減圧する。圧力調整炉内に不活性ガスを充填し、800hPaに保つ。本実施の形態1では、充填する不活性ガスはアルゴンガスを用いるが、他の不活性ガスも用いることができる。圧力調整炉内の圧力を800hPaに保持したまま、誘導加熱により坩堝1の底部温度をSiCの結晶成長温度坩堝1の底部の温度が2400°Cにまで加熱する。誘導加熱の周波数は10kHzとした。本実施の形態1においては、単結晶製造装置8を組み立て後、坩堝1内に種結晶の設置、昇華用原料の収容を行ない、圧力調整炉に入れたが、坩堝1内に種結晶の設置、昇華用原料の収容を行なったのちに単結晶製造装置8を組み立て、圧力調整炉に入れることもでき、また単結晶製造装置8を組み立て、圧力調整炉に入れた後に、坩堝1内に種結晶を設置し、昇華用原料を収容することもできる。続いて、坩堝1の温度を保ったまま、圧力調整炉内の圧力をSiCの結晶成長圧力3.3hPaまで減圧する。炉内の圧力が成長圧力に達すると種結晶上にSiC単結晶の成長が開始する。単結晶の成長時間は50時間とした。結晶成長中、坩堝底部温度は2400°Cで一定に保たれ、坩堝上部温度は2179°Cでほぼ一定であった。また、誘導加熱発振機の出力は11.5kWでほぼ一定に保たれていた。結晶成長終了後、圧力調整炉内にアルゴンガスを充填して、炉内の圧力を800hPaに上昇させる。そして炉内圧力を800hPaに保持したまま、坩堝1を約14時間かけて室温まで徐冷し、作成したSiC単結晶を坩堝1から取り出した。結晶成長工程後の成形断熱材2の重量は成長前と同じであり、エッチングされておらず、グラファイト製円筒耐熱材3を用いることで成形断熱材2の劣化が防止されていることが確認できた。また、グラファイト製円筒耐熱材3は結晶成長工程の前後で重量が約0.1しか減少しておらず、高い耐久性が確認できた。得られたSiCインゴットは高さ30mm、口径105mmであった。スライスした後、溶融KOHエッチング処理を行い、マイクロパイプ密度を求めると、0.11/cm2であり、X線回折法によるロッキングカーブの半値幅は平均で約18秒と非常に高品質であった。同じ構成で坩堝1を組み立て、同じ条件で再度成長させると、誘導加熱発振機の出力は11.5kWとなり、坩堝上部温度は2182°Cとほぼ同じ温度が得られ、再現性が有ることが確認できた。実施の形態2.実施の形態1では密度0.138g/cm3の成形断熱材2を用いたが、本実施の形態2では0.127g/cm3の成形断熱材2を用いた。その他の条件は実施の形態1に示した単結晶製造装置8と同じに設定した。実施の形態1と同じ結晶成長条件で単結晶を作成した。結晶成長中の誘導加熱コイル7の誘導加熱発振機の出力は11.2kWと実施の形態1の結晶成長工程での誘導加熱発振機の出力とほぼ同じであった。また、坩堝上部温度は2179°Cも実施の形態1での結晶成長工程とほとんど同じであった。得られたSiC単結晶は、マイクロパイプ密度は0.13/cm2,ロッキングカーブの半値幅の平均は約18秒と良好な特性のSiC単結晶を得ることができた。以上より、坩堝1と成形断熱材2の間にグラファイト製円筒耐熱材3を備えることにより、成形断熱材2の密度が0.138g/cm3から0.127g/cm3まで変化した場合であっても再現性よく高品質なSiC単結晶を得ることができることが確認できた。比較例グラファイト製円筒耐熱材3を用いず、成形断熱材2の上に直接坩堝1を配置して単結晶の作成を行なった。成形断熱材2として密度0.138g/cm3と0.127g/cm3の2種類を用いた。いずれも坩堝底部の温度は2450°Cとした。成形断熱材2の密度が0.138g/cm3の場合、坩堝上部の温度は2304°C、誘導加熱用発振機の出力は19.3kWで、成形断熱材2の密度が0.127g/cm3の場合、坩堝上部の温度が2360°C、誘導加熱用発振機の出力は21.8kWであった。成形断熱材2の密度が高いと、坩堝1の熱放射が少なく、断熱性能が高くなる。成形断熱材2の密度が高い方が、低い場合に比べ、坩堝底部の温度を2450°Cに維持するための誘導電流密度が低く、坩堝上部の温度が低下したと言える。坩堝上部の温度が変わると種結晶の温度分布も変化し、結晶成長の再現性にも大きな影響を及ぼす。また、結晶成長工程後、成形断熱材2は大きく劣化しており、再び使用することはできなかった。したがってグラファイト製円筒耐熱材3を用いることなく単結晶の製造を行なうと、結晶成長の再現性が得られず、また成形断熱材2の寿命を大幅に短くし、製造コストが高くなった。実施の形態3.図2を用いて本発明の実施の形態3の単結晶製造装置8の構成を説明する。図2は本発明の実施の形態3に示す単結晶製造装置8の断面図である。図2において、前記図1と同一の符号を付した部分は、前記図1と同一又は相当部分を示すものである。単結晶製造装置8は、実施の形態1と同様に、坩堝1、グラファイト製円筒耐熱材3、成形断熱材2、側面断熱材5、坩堝上部断熱材6及びこれらの周囲の誘導加熱コイル7から構成され、本実施の形態3においては、成形断熱材2の劣化をさらに抑制するために、グラファイト製炉芯菅9を備えている。グラファイト製炉芯菅9は、グラファイト製円筒耐熱材3と坩堝1の外周を覆う円筒形状で、導電性を有する。本実施の形態3においては、グラファイト製炉芯管9には等方性グラファイトを用いるが、押し出しグラファイト、型押しグラファイトを用いた炉芯管9であっても同様の効果を得ることができる。グラファイト製炉芯管9の下端は、グラファイト製円筒耐熱材3の下端より低くなるように設置する。このように設置することにより、グラファイト製円筒耐熱材3下端での誘導電流の集中を緩和し、グラファイト製円筒耐熱材3の下端が局所的に高温になることを防ぐことができ、成形断熱材2が高温に曝されることをより防止することができる。グラファイト製炉芯菅9の厚さは特に限定するものではなく、坩堝1とその周囲に巻きつけた側面断熱材5の間に設置することができればよい。ただし、厚すぎるとグラファイト製炉芯菅9が誘導電流によって加熱され、それにより成形断熱材2が高温に曝され寿命が短くなることが考えられるので、高周波による誘導加熱時の浸透深さの1/3以下にすることが好ましい。誘導加熱による昇華法を用いた本発明の単結晶成長装置8及びこれを用いた単結晶の製造方法は、SiCの結晶成長に限定するものではなく、窒化アルミニウム、窒化ガリウム等のいわゆるIII―V族半導体材料をはじめとする化合物半導体材料の単結晶成長にも用いることができる。本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変更、省略することができる。"