"基板上に積層されたn型窒化物半導体層およびp型窒化物半導体層と、前記基板の同じ平面側に前記n型窒化物半導体層にn側電極を電気的に接続するためのn側電極接続面と、前記p型窒化物半導体層にp側電極を電気的に接続するためのp側電極接続面と、を有する窒化物半導体発光素子構造体と、前記n側電極接続面に接続された前記n側電極と、前記p側電極接続面に接続された前記p側電極と、前記n側電極上および前記p側電極上に形成された金属バンプと、を有するフリップチップ型の窒化物半導体発光素子の製造方法であって、前記窒化物半導体発光素子構造体上に、絶縁性の保護層を形成する保護層形成工程と、前記n側電極接続面上および前記p側電極接続面上に開口部を有する第1レジストパターンを形成する第1レジストパターン形成工程と、前記第1レジストパターンをマスクとして、前記保護層をエッチングする保護層エッチング工程と、前記第1レジストパターン上、前記保護層から露出した前記n側電極接続面上および前記p側電極接続面上に前記n側電極および前記p側電極となる第1金属層を形成する第1金属層形成工程と、前記保護層から露出した前記n側電極接続面上および前記p側電極接続面上に開口部を有する第2レジストパターンを形成する第2レジストパターン形成工程と、前記第1金属層を電解メッキの電極として、電解メッキにより前記n側電極上の金属バンプの下部および前記p側電極上の金属バンプとなる第2金属層を形成する第2金属層形成工程と、前記n側電極接続面上に開口部を有するとともに、前記p側電極接続面上に形成された前記第2金属層を被覆する第3レジストパターンを形成する第3レジストパターン形成工程と、前記n側電極接続面上に形成された前記第2金属層を電解メッキの電極として、電解メッキにより前記n側電極上の金属バンプの上部となる第3金属層を、前記第3金属層の前記基板からの高さが前記p側電極接続面上に形成された前記第2金属層の上面の前記基板からの高さと同じになるように形成する第3金属層形成工程と、前記第1レジストパターンおよび前記第2レジストパターンを除去するレジストパターン除去工程と、が順次行われることを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。基板上に積層されたn型窒化物半導体層およびp型窒化物半導体層と、前記基板の同じ平面側に前記n型窒化物半導体層にn側電極を電気的に接続するためのn側電極接続面と、前記p型窒化物半導体層にp側電極を電気的に接続するためのp側電極接続面と、を有する窒化物半導体発光素子構造体と、前記n側電極接続面に接続された前記n側電極と、前記p側電極接続面に接続された前記p側電極と、前記n側電極上および前記p側電極上に形成された金属バンプと、を有するフリップチップ型の窒化物半導体発光素子の製造方法であって、前記窒化物半導体発光素子構造体上に、絶縁性の保護層を形成する保護層形成工程と、前記n側電極接続面上および前記p側電極接続面上に開口部を有する第1レジストパターンを形成する第1レジストパターン形成工程と、前記第1レジストパターンをマスクとして、前記保護層をエッチングする保護層エッチング工程と、前記第1レジストパターン上、前記保護層から露出した前記n側電極接続面上および前記p側電極接続面上に前記n側電極および前記p側電極となる第1金属層を形成する第1金属層形成工程と、前記n側電極接続面上に開口部を有する第2レジストパターンを形成する第2レジストパターン形成工程と、前記n側電極接続面および前記p側電極接続面の前記基板からの高さの差に相当する厚さの、前記n側電極上の金属バンプの下部となる第2金属層を、前記第1金属層を電解メッキの電極とした電解メッキにより形成する第2金属層形成工程と、前記第2レジストパターンにおいて、前記p側電極接続面上に開口部を形成する第2レジストパターン開口部形成工程と、前記第2金属層および前記第1金属層を電解メッキの電極として、電解メッキにより前記n側電極上の金属バンプの上部および前記p側電極上の金属バンプとなる第3金属層を形成する第3金属層形成工程と、前記第1レジストパターンおよび前記第2レジストパターンを除去するレジストパターン除去工程と、が順次行われることを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。基板上に積層されたn型窒化物半導体層およびp型窒化物半導体層と、前記基板の同じ平面側に前記n型窒化物半導体層にn側電極を電気的に接続するためのn側電極接続面と、前記p型窒化物半導体層にp側電極を電気的に接続するためのp側電極接続面と、を有する窒化物半導体発光素子構造体と、前記n側電極接続面に接続された前記n側電極と、前記p側電極接続面に接続された前記p側電極と、前記n側電極上および前記p側電極上に形成された金属バンプと、を有するフリップチップ型の窒化物半導体発光素子であって、前記n側電極上に形成された前記金属バンプの上面の前記基板からの高さと、前記p側電極上に形成された前記金属バンプの上面の前記基板からの高さとが同じであり、前記n側電極に形成された前記金属バンプは、平面視において上面側の面積が底面側の面積よりも小さいことを特徴とする窒化物半導体発光素子。基板上に積層されたn型窒化物半導体層およびp型窒化物半導体層と、前記基板の同じ平面側に前記n型窒化物半導体層にn側電極を電気的に接続するためのn側電極接続面と、前記p型窒化物半導体層にp側電極を電気的に接続するためのp側電極接続面と、を有する窒化物半導体発光素子構造体と、前記n側電極接続面に接続された前記n側電極と、前記p側電極接続面に接続された前記p側電極と、前記n側電極上および前記p側電極上に形成された金属バンプと、を有するフリップチップ型の窒化物半導体発光素子であって、前記n側電極上に形成された前記金属バンプの上面の前記基板からの高さと、前記p側電極上に形成された前記金属バンプの上面の前記基板からの高さとが同じであり、前記n側電極上に形成された前記金属バンプは、平面視において底面側の面積が上面側の面積よりも小さいことを特徴とする窒化物半導体発光素子。前記n側電極または前記p側電極の少なくとも一方は、平面視において、それぞれ前記n側電極上に形成された前記金属バンプの底面および前記p側電極上に形成された前記金属バンプの底面よりも広いことを特徴とする請求項3または請求項4に記載の窒化物半導体発光素子。前記窒化物半導体発光素子構造体の表面を被覆する絶縁性の保護層を有し、前記n側電極および前記p側電極の上面が前記保護層から露出していることを特徴とする請求項3ないし請求項5の何れか一項に記載の窒化物半導体発光素子。前記n側電極上に形成された金属バンプまたは前記p側電極上に形成された金属バンプの少なくとも一方は、その上端の外縁部が丸みを帯びていることを特徴とする請求項3ないし請求項6の何れか一項に記載の窒化物半導体発光素子。しかしながら、特許文献1に記載されたように無電解メッキを用いて金属バンプを形成する方法では、安定して膜厚の厚い金属バンプを形成することが難しかった。そして、特許文献2に記載されたように蒸着やスパッタリング等により金属層105を形成する方法では平坦となるように金属層105を形成することが難しかった。このため、特許文献1および特許文献2のいずれにおいても、p側電極上およびn側電極上に形成された金属バンプの高さを揃えるのは困難であった。さらに高さの異なる金属バンプを用いて実装した場合、p側電極上およびn側電極上の金属バンプに均等な力が加わらず、実装基板に対する金属バンプの接合強度が不十分となるという問題があった。そこで本発明は、かかる問題に鑑みて創案されたものであり、膜厚の厚い金属バンプを有し、信頼性が高い窒化物半導体発光素子と、その窒化物半導体発光素子の生産性を向上した製造方法とを提供することを課題とする。前記した課題を解決するために、第1の発明に係る窒化物半導体発光素子の製造方法は、基板上に積層されたn型窒化物半導体層およびp型窒化物半導体層と、基板の同じ平面側にn型窒化物半導体層にn側電極を接続するn側電極接続面と、p型窒化物半導体層にp側電極を接続するp側電極接続面と、を有する窒化物半導体発光素子構造体と、n側電極接続面に接続されたn側電極と、p側電極接続面に接続されたp側電極と、n側電極上およびp側電極上に形成された金属バンプと、を有するフリップチップ型の窒化物半導体発光素子の製造方法であって、保護層形成工程と、第1レジストパターン形成工程と、保護層エッチング工程と、第1金属層形成工程と、第2レジストパターン形成工程と、第2金属層形成工程と、第3レジストパターン形成工程と、第3金属層形成工程と、レジストパターン除去工程と、が順次行われるようにした。かかる手順によれば、まず、保護層形成工程において、窒化物半導体発光素子構造体上に、絶縁性の保護層を形成する。次に、第1レジストパターン形成工程において、n側電極接続面上およびp側電極接続面上に開口部を有する第1レジストパターンを形成する。次に、保護層エッチング工程において、第1レジストパターンをマスクとして、保護層をエッチングする。次に、第1金属層形成工程において、第1レジストパターンを除去せずに、第1レジストパターン上、保護層から露出したn側電極接続面上およびp側電極接続面上にn側電極およびp側電極となる第1金属層を形成する。これによって、n側電極およびp側電極が形成される部分以外である保護層上には、直接第1金属層が形成されない。次に、第2レジストパターン形成工程において、保護層から露出したn側接続面上およびp側接続面上に開口部を有する第2レジストパターンを形成する。このとき、第2レジストパターンの開口部を、第1レジストパターンの開口部の内側になるように狭く形成した場合は、n側電極およびp側電極の上面の周縁部に第2金属層が形成されない露出面を形成することができる。次に、第2金属層形成工程において、第1金属層を電解メッキの電極として、電解メッキによりn側電極上の金属バンプの下部およびp側電極上の金属バンプを構成する第2金属層を形成する。これによって、n側電極およびp側電極は、それぞれの電極の上面に形成される金属バンプを構成する第2金属層と直接接合する。このとき、n側電極接続面上およびp側電極接続面上には、金属バンプとなるほぼ同じ厚さの第2金属層が形成されるため、基板からの第2金属層の上面の高さは、n側電極接続面上よりもp側電極接続面上に形成された第2金属層の方が高くなる。次に、第3レジストパターン形成工程において、n側電極接続面上に開口部を有するとともに、p側電極接続面上に形成された第2金属層を被覆する第3レジストパターンを形成する。そして、第3金属層形成工程において、n側電極上の金属バンプの上部として、n側電極接続面上に形成された第2金属層上に、高さの差分に相当する第3金属層をさらに電解メッキにより成長させる。これによって、n側電極接続面上に形成される金属バンプの基板からの高さとp側電極接続面上に形成される金属バンプの基板からの高さとが同じになる。最後に、レジストパターン除去工程において、第1レジストパターン、第2レジストパターンおよび第3レジストパターンを除去する。このようにして、n側電極上の金属バンプの上面およびp側電極上の金属バンプの上面において基板からの高さが揃った窒化物半導体発光素子が製造される。また、第3金属層形成工程においてn側電極上に形成された第3金属層の上端の外縁部、および第2金属層形成工程においてp側電極上に形成された第2金属層の上端の外縁部が丸みを帯びている場合は、金属バンプの上部を切断または研磨して高さ調整をする場合と異なり、n側電極上およびp側電極上の金属バンプの上端の外縁部には、その丸みが保存される。また、第2の発明に係る窒化物半導体発光素子の製造方法は、基板上に積層されたn型窒化物半導体層およびp型窒化物半導体層と、基板の同じ平面側にn型窒化物半導体層にn側電極を接続するn側電極接続面と、p型窒化物半導体層にp側電極を接続するp側電極接続面と、を有する窒化物半導体発光素子構造体と、n側電極接続面に接続されたn側電極と、p側電極接続面に接続されたp側電極と、n側電極上およびp側電極上に形成された金属バンプと、を有するフリップチップ型の窒化物半導体発光素子の製造方法であって、保護層形成工程と、第1レジストパターン形成工程と、保護層エッチング工程と、第1金属層形成工程と、第2レジストパターン形成工程と、第2金属層形成工程と、第2レジストパターン開口部形成工程と、第3金属層形成工程と、レジストパターン除去工程と、が順次行われるようにした。かかる手順によれば、まず、保護層形成工程において、窒化物半導体発光素子構造体上に、絶縁性の保護層を形成する。次に、第1レジストパターン形成工程において、n側電極接続面上およびp側電極接続面上に開口部を有する第1レジストパターンを形成する。次に、保護層エッチング工程において、第1レジストパターンをマスクとして、保護層をエッチングする。次に、第1金属層形成工程において、第1レジストパターンを除去せずに、第1レジストパターン上、保護層か露出したn側電極接続面上およびp側電極接続面上にn側電極およびp側電極となる第1金属層を形成する。これによって、n側電極およびp側電極が形成される部分以外である保護層上には、直接第1金属層が形成されない。次に、第2レジストパターン形成工程において、n側電極接続面上に開口部を有する第2レジストパターンを形成する。このとき、第2レジストパターンの開口部を、第1レジストパターンの開口部の内側になるように狭く形成した場合は、n側電極の上面の周縁部に第2金属層が形成されない露出面を形成することができる。次に、第2金属層形成工程において、n側電極接続面上の第1金属層を電解メッキの電極として、電解メッキによりn側電極上の金属バンプの下部を構成する第2金属層を形成する。このとき、形成される第2金属層の厚さは、n側電極接続面とp側電極接続面との基板からの高さの差分と同じ厚さとする。次に、第2レジストパターン開口部形成工程において、p側電極接続面上に開口部を有する第2レジストパターンを形成する。これによって、n側電極接続面上およびp側電極接続面上に開口部を有する第2レジストパターンが形成される。このとき、第2レジストパターンの開口部を、第1レジストパターンの開口部の内側になるように狭く形成した場合は、p側電極の上面の周縁部に第2金属層が形成されない露出面を形成することができる。次に、第3金属層形成工程において、n側電極接続面上に形成された第2金属層およびp側電極接続面上の第1金属層をそれぞれ電解メッキの電極として、電解メッキによりn側電極上の金属バンプの上部およびp側電極上の金属バンプを構成する第3金属層を、n側電極接続面上およびp側電極接続面上に同じ厚さで形成する。これによって、n側電極接続面上に形成された第3金属層の上面の基板からの高さと、p側電極接続面上に形成された第3金属層の上面の基板からの高さとが一致する。最後に、レジストパターン除去工程において、第1レジストパターンおよび第2レジストパターンを除去する。このようにして、n側電極上の金属バンプの上面およびp側電極上の金属バンプの上面において基板からの高さが揃った窒化物半導体発光素子が製造される。また、第3金属層形成工程において形成された第3金属層の上端の外縁部が丸みを帯びている場合は、金属バンプの上部を切断または研磨して高さ調整をする場合と異なり、n側電極上およびp側電極上の金属バンプの上端の外縁部には、その丸みが保存される。第3の発明に係る窒化物半導体発光素子は、基板上に積層されたn型窒化物半導体層およびp型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層上に設けられたp側電極と、p側電極と基板の同一平面側であってn型窒化物半導体層上に設けられたn側電極と、n側電極上およびp側電極上に設けられ金属バンプと、を有するフリップチップ型の窒化物半導体発光素子であって、n側電極上に形成された金属バンプの上面の基板からの高さと、p側電極上に形成された金属バンプの上面の基板からの高さとが同じであり、n側電極上に形成された金属バンプは、平面視において上面側の面積が底面側の面積より小さくなるように構成した。かかる構成によれば、窒化物半導体発光素子は、n側電極上に形成された金属バンプの上面の基板からの高さと、p側電極上に形成された金属バンプの上面の基板からの高さとが同じであるため、フリップチップ実装の際に、これらの金属バンプには基板側から均等に押圧力を受けることになる。さらに、n側電極上に形成された金属バンプは、平面視において上面側の面積が小さいため、フリップチップ実装の押圧力を受けてこの金属バンプが押しつぶされる際に、この金属バンプの上端部が必要以上に横方向に広がるのを抑制することができる。第4の発明に係る窒化物半導体発光素子は、基板上に積層されたn型窒化物半導体層およびp型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層上に設けられたp側電極と、p側電極と基板の同一平面側であってn型窒化物半導体層上に設けられたn側電極と、n側電極上およびp側電極上に設けられ金属バンプと、を有するフリップチップ型の窒化物半導体発光素子であって、n側電極上に形成された金属バンプの上面の基板からの高さと、p側電極上に形成された金属バンプの上面の基板からの高さとが同じであり、n側電極上に形成された金属バンプは、平面視において底面側の面積が上面側の面積より小さくなるように構成した。かかる構成によれば、窒化物半導体発光素子は、n側電極上に形成された金属バンプの上面の基板からの高さと、p側電極上に形成された金属バンプの上面の基板からの高さとが同じであるため、フリップチップ実装の際に、これらの金属バンプには基板側から均等に押圧力を受けることになる。さらに、n側電極上に形成された金属バンプは、平面視においてn側電極側の面積が小さいため、発光に寄与する活性層およびp型窒化物半導体層の面積を大きくすることができる。第5の発明に係る窒化物半導体発光素子は、n側電極またはp側電極の少なくとも一方は、平面視において、それぞれn側電極上に形成された金属バンプの底面およびp側電極上の金属バンプの底面よりも広くなるように構成してもよい。かかる構成によれば、窒化物半導体発光素子の金属バンプは、窒化物半導体発光素子を金属バンプを介して実装基板の配線用電極に押圧接触させて接合する際に、押しつぶされて横方向に広がる。このとき、金属バンプが設けられたn側電極およびp側電極の少なくとも一方は、平面視で金属バンプの底面より広く構成されているため、金属バンプは、平面視で広く構成されたn側電極上またはp側電極上に広がる。第6の発明に係る窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体発光素子の表面を被覆する絶縁性の保護層を有し、n側電極およびp側電極の上面が保護層から露出しているように構成してもよい。かかる構成によれば、n側電極およびp側電極の金属バンプが設けられていない露出した上面は保護層で被覆されていないため、フリップチップ実装する際に、この電極の上面と横方向に広がった金属バンプとが電気的に接触し、n側電極およびp側電極と金属バンプとの接合面積が増え、n側電極およびp側電極と金属バンプとの間の接触抵抗が低下する。第7の発明に係る窒化物半導体発光素子は、n側電極上に形成された金属バンプまたはp側電極上に形成された金属バンプの少なくとも一方は、その上端の外縁部が丸みを帯びているように構成してもよい。かかる構成によれば、金属バンプの上端の外縁部が丸みを帯びているため、上面の面積が小さくなっている。このためフリップチップ実装する際に、金属バンプは、この面積の小さい上面で実装基板の配線用電極と接触して、基板側から押圧力を受けることになる。このとき、金属バンプの上端部が必要以上に横方向に広がるのを抑制することができる。本発明の製造方法によれば、n側電極上の金属バンプの上面およびp側電極上の金属バンプの上面の基板からの高さを揃えるようにしたため、フリップチップ実装する際に、基板側から押圧力を受けたときに、両方の金属バンプに均等な押圧力がかかり、必要以上に押圧力を加えることなく良好に接続をすることができる窒化物半導体発光素子を製造することができる。さらに、金属バンプの高さ調整のために、高い方の金属バンプ上部を切断するのではなく、低い方の金属バンプに、高さの差分に相当する金属層を成長させるため、不要となる材料を少なくすることができ、低コストで窒化物半導体発光素子を製造することができる。また、本発明の窒化物半導体発光素子は、n側電極上に形成された金属バンプの上面の基板からの高さと、p側電極上に形成された金属バンプの上面の基板からの高さとを揃えるようにしたため、フリップチップ実装する際に、基板側から押圧力を受けたときに、両方の金属バンプには均等に押圧力がかかり、窒化物半導体発光素子へ必要以上に押圧力を加えることなく良好に接続をすることができる。さらに平面視において、n側電極上の金属バンプの上面側の面積を小さくした場合には、実装基板の配線用電極の面積を小さくできるため、実装基板の配線設計に自由度を増すことができる。さらにまた、n側電極上に形成された金属バンプのn側電極側の面積を小さくした場合には、発光に寄与するp型窒化物半導体層の面積を広くすることができるため、窒化物半導体発光素子からより多くの光を取り出すようにすることができる。以下、本発明における窒化物半導体発光素子およびこの窒化物半導体発光素子の製造方法について説明する。<第1実施形態>窒化物半導体発光素子本発明の第1実施形態における窒化物半導体発光素子の構造を、図1を参照して説明する。本発明の第1実施形態に係る窒化物半導体発光素子1は、フリップチップ型の実装をするLEDであり、基板2と、基板2上に積層された窒化物半導体発光素子構造体10と、保護層20と、n側電極21と、p側電極22と、金属バンプ23と、金属バンプ24とを少なくとも備えている。本明細書において、窒化物半導体発光素子構造体とは、活性層12を含むn型窒化物半導体層11とp型窒化物半導体層13とが積層された積層構造体のことをいう。また、この窒化物半導体発光素子構造体10は、基板2の同じ平面側にn側電極21をn型窒化物半導体層11と電気的に接続するためのn側電極接続面10aと、p側電極22をp型窒化物半導体層13と電気的に接続するためのp側電極接続面10bとを有し、フリップチップ型の窒化物半導体発光素子1の製造に好ましい構造を備えているものである。また、本明細書において、上とは、基板2の窒化物半導体発光素子構造体10を積層した面に垂直方向であって、窒化物半導体発光素子構造体10を積層した方向をいうものとする。例えば、図1bにおいては図の上方向を指す。基板基板2は、窒化物半導体をエピタキシャル成長させることができる基板材料で形成されればよく、大きさや厚さ等は特に限定されない。このような基板材料としては、C面、R面、A面のいずれかを主面とするサファイアやスピネルMgA12O4のような絶縁性基板、また炭化ケイ素SiC、シリコン、ZnS、ZnO、Si、GaAs、ダイヤモンド、および窒化物半導体と格子接合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジウム等の酸化物基板が挙げられる。また、本実施形態における窒化物半導体発光素子1は、フリップチップ実装をするため、基板2の裏面が光取り出し面となる。したがって、窒化物半導体発光素子1で発光した光は、基板2を透過して光取り出し面から出射するため、基板2は、少なくとも、この光の波長に対して透明であることが好ましい。窒化物半導体発光素子構造体窒化物半導体発光素子構造体10は、前記したように、活性層12を含むn型窒化物半導体層11とp型窒化物半導体層13とが積層された積層構造体のことである。本実施形態においては、窒化物半導体発光素子構造体10は、p型窒化物半導体層13上に全面電極14と、カバー電極15とが積層され、基板2の同じ平面側にn側電極21をn型窒化物半導体層11と電気的に接続するためのn型窒化物半導体層11の上面であるn側電極接続面10aと、p側電極22をp型窒化物半導体層13と電気的に接続するためのカバー電極15の上面であるp側電極接続面10bとを有している。全面電極、カバー電極全面電極14は、p型窒化物半導体層13上に、p型窒化物半導体層13の略全面を覆うように設けられ、p側電極22およびカバー電極15を介して供給される電流を、p型窒化物半導体層13の全面に均一に拡散するための電極である。また、フリップチップ実装をする本実施形態における窒化物半導体発光素子1においては、活性層12で発光した光を光取り出し面である基板2の裏面側に反射するための反射層としての機能も有する。全面電極14は、p型窒化物半導体層13と電気的に良好に接続できるオーミック電極であることが好ましく、また、少なくとも活性層12で発光する光の波長に対して、良好な反射率を有することが好ましい。したがって、全面電極14としては、光の反射率の高いAgの単層膜、Agを最下層とするNi、Tiなどとの多層膜を好適に用いることができる。より好ましくは、Agを最下層p型窒化物半導体層13側とするAg/Ni/Ti/Ptの多層膜を用いることができ、この多層膜の膜厚は、例えば、それぞれ1000nm程度とすることができる。全面電極14は、これらの材料を、例えば、スパッタリングや蒸着により、順次積層して形成することができる。カバー電極15は、全面電極14の上面および側面を覆い、p側電極22を全面電極14から遮蔽し、全面電極14の構成材料の、特にAgのマイグレーションを防止するためのバリア層として機能する。カバー電極15としては、例えば、Ti、Au、Wなどの金属の単層膜やこれらの金属の多層膜を用いることができる。好ましくは、Tiを最下層全面電極14側とするTi最下層/Au/W/Tiの多層膜を用いることができ、この多層膜の膜厚は、例えば、下層側からそれぞれ2nm、1700nm、120nm、3nmとすることができる。なお、本実施形態では、全面電極14およびカバー電極15をp型窒化物半導体層13上にのみ設けるようにしたが、n型窒化物半導体層11上にも全面電極14およびカバー電極15を設けるようにしてもよい。この場合、n側電極接続面10aは、n型窒化物半導体層11の上面ではなく、カバー電極15の上面となる。n側電極、p側電極n側電極21はn型窒化物半導体層11に、p側電極22はカバー電極15および全面電極14を介してp型窒化物半導体層13に、それぞれ電気的に接続して、窒化物半導体発光素子1に外部から電流を供給するためのパッド電極である。n側電極21は、窒化物半導体発光素子構造体10のn型窒化物半導体層11の上面であるn側電極接続面10a内に設けられる。p側電極22は、窒化物半導体発光素子構造体10のカバー電極15の上面であるp側電極接続面10b内に設けられる。n側電極21およびp側電極22の上面には、それぞれ金属バンプ23および金属バンプ24が設けられている。n側電極21およびp側電極22としては、電気抵抗が低い材料が好ましく、Au、Cu、Ni、Al、Ptなどの金属やこれらの合金の単層、または多層膜を用いることができる。n側電極21およびp側電極22は、例えば、Cu単層またはCu/Ni積層膜を下層とし、AuまたはAuSn合金を上層とする多層膜とすることができる。また、n側電極21とn型窒化物半導体層11との良好な電気的コンタクトを得るために、n側電極21の最下層はTi、Al、AlCuSi合金などを用いることが好ましく、左端を最下層として、Ti/Au、Al/Ti/Au、Al/Ti/Pt/Au、Ti/Pt/Au、AlCuSi/Ti/Pt/Auなどの多層膜を用いることができる。また、AlCuSi合金を最下層として、AlCuSi/Ti/Pt/Auの多層膜とする場合は、各層の膜厚は、例えば、それぞれ500nm、150nm、50nm、700nmとすることができる。金属バンプ金属バンプ23および金属バンプ24は、それぞれn側電極21およびp側電極22の上面であって、n側電極21およびp側電極22の周縁部21aおよび周縁部22aを除く部分にそれぞれの電極に接して設けられている。すなわち図1aに示したように、平面視上面視において、n側電極21およびp側電極22が、それぞれの電極上に設けられた金属バンプ23および金属バンプ24の底面よりも広くなっている。金属バンプ23および金属バンプ24は、窒化物半導体発光素子1のn側電極21およびp側電極22と実装基板の配線用電極不図示とを電気的に接続するための電極接続層である。すなわち、窒化物半導体発光素子1を実装基板にフリップチップ実装する際に、n側電極21およびp側電極22を実装基板上の配線用電極不図示に対向させ、金属バンプ23および金属バンプ24を配線用電極に押圧接触させて、n側電極21およびp側電極22と実装基板の配線用電極不図示とを電気的に接続するためのものである。前記したように、平面視でパッド電極であるn側電極21およびp側電極22がそれぞれ金属バンプ23および金属バンプ24の底面よりも広くなるように構成されている。これは、窒化物半導体発光素子1を、金属バンプ23および金属バンプ24を介して実装基板の配線用電極に押圧接触させて接合する際に、金属バンプ23および金属バンプ24が押しつぶされて横方向に広がり、パッド電極であるn側電極21およびp側電極22の外側にはみ出ないようにするためである。すなわち、押しつぶされた金属バンプ23および金属バンプ24が、n側電極21およびp側電極22からはみ出ると接合強度が低下するが、これを防止するためである。また、n側電極21の周縁部21a上およびp側電極22の周縁部22a上は、保護層20によって被覆されておらず、露出している。これにより、窒化物半導体発光素子1を、金属バンプ23および金属バンプ24を介して実装基板の配線用電極に押圧接触させて接合する際に、金属バンプ23および金属バンプ24が押しつぶされて横方向に広がると、この横方向に広がった金属バンプ23および金属バンプ24は、それぞれパッド電極であるn側電極21の周縁部21aおよびp側電極22の周縁部22aと電気的に接触する。このため、n側電極21およびp側電極22と、それぞれ金属バンプ23および金属バンプ24との間の電気的な接触面積が増加し、それぞれの間の接触抵抗を下げることができる。また、金属バンプ23および金属バンプ24は、上端の外縁部が丸みを帯びている。すなわち、金属バンプ23および金属バンプ24の上端の中央部は平坦であり、上端の角に丸みを帯びている。この丸みを帯びた形状は、金属バンプ23および金属バンプ24を電解メッキ法で形成する場合に、電解メッキ工程において、成長端である上端の外縁部が丸みを帯びて形成される形状である。また、n側電極21上の金属バンプ23は、下部23aが太く、上部23bが細くなっている。そして、金属バンプ23の上面すなわち上部23bの上面の基板2からの高さと、p側電極22上の金属バンプ24の上面の基板2からの高さとが同じである。これにより、フリップチップ実装の際に、これらの金属バンプ23および金属バンプ24には基板2側から均等に押圧力を受けることになる。なお、本明細書において、基板からの高さとは、フリップチップ実装の際に、窒化物半導体発光素子1に押圧力を加える基板2の裏面からの高さをいうものとする。また、基板2の裏面に凹凸形状が設けられている場合は、基板2の最下面図1bにおいて、最も下になる面からの高さをいうものとする。また、本明細書において、金属バンプ23,24の高さが同じとは、完全に一致する場合に限定されるものではなく、フリップチップ実装において、金属バンプ23,24を同一平面内に配置された実装基板の配線用電極に接続させる際に、金属バンプ23,24が実質的に均等に押圧力を受ける状態をいうものとする。例えば、金属バンプ23の厚さを20μmとした場合に、金属バンプ23の上面の基板2からの高さと、金属バンプ24の上面の基板からの高さとの差が、1.5μm程度の範囲内であれば高さが同じとみなすことができる。また、n側電極21上の金属バンプ23は、平面視において上面側の面積すなわち上部23bの上面の面積が底面側の面積すなわち下部23aの底面の面積より小さくなっている。これにより、フリップチップ実装において、押圧力を受けてこの金属バンプ23が押しつぶされる際に、この金属バンプ23の上端部が必要以上に横方向に広がるのを抑制することができる。本実施形態における金属バンプ23および金属バンプ24は、n側電極21およびp側電極22をシード電極とする電解メッキにより形成される。金属バンプ23および金属バンプ24としては、電気抵抗が低く、電解メッキにより形成できるものなら特に限定されず、Au、Cu、Niなどの単層膜、またはこれらの多層膜を用いることができる。Auは、電気抵抗および接触抵抗が低く好ましいが、安価なSnとの合金であるAuSn合金を用いることができる。このAuSn合金の組成としては、例えば、Auが80、Snが20とすることができる。また、金属バンプ23および金属バンプ24の最上層は、実装基板の配線電極の材料との接合性の相性に応じて選択することができる。このとき金属バンプ23および金属バンプ24の最上層と、実装基板の配線電極の最上層がともにAuである場合は、良好な接合性を得るために、金属バンプ23および金属バンプ24の上面をCMP化学的機械的研磨などにより研磨して平坦化し、配線電極との接合面の空隙をできる限り少なくすることが好ましい。なお、金属バンプ23および金属バンプ24の最上層を、例えば、前記したAuSn合金とすることで、最上層にAuを用いた場合よりも、接合性を確保するために必要な平坦性の条件を緩和することができる。また、フリップチップ実装において、接続不良の少ない、すなわち信頼性の高い実装をするために、金属バンプ23および金属バンプ24の総膜厚は10μm以上とすることが好ましい。保護層保護層20は、窒化物半導体発光素子構造体10の露出した表面上面および側面を被覆する絶縁性の被膜であり、窒化物半導体発光素子1の保護膜および帯電防止膜として機能する。保護層20は絶縁性のSi,Ti,Taなどの酸化物を用いることができ、蒸着、スパッタリングなどの公知の方法によって形成することができる。保護層20の膜厚は100nm以上とすることが好ましく、例えば、膜厚が350nm程度のSiO2とすることができる。なお、保護層20は、n側電極21およびp側電極22の露出した上面である周縁部21aおよび周縁部22a、金属バンプ23および金属バンプ24の上面および側面は被覆していない。窒化物半導体発光素子の動作図1に示した本発明の第1実施形態における窒化物半導体発光素子1は、n側電極21およびp側電極22に、それぞれ金属バンプ23および金属バンプ24を介して接続された実装基板の配線電極不図示を通して電流が供給されると、窒化物半導体発光素子構造体10の活性層12が発光する。活性層12が発光した光は、基板2の裏面側から取り出される。活性層12が発光した光のうち、基板2の表面側に進行する光は、反射層として機能する全面電極14によって反射され、光取り出し面である基板2の裏面側から取り出される。窒化物半導体発光素子の製造方法本発明の第1実施形態における窒化物半導体発光素子の製造方法について、図2を参照して説明する。図2に示すように、第1実施形態における窒化物半導体発光素子の製造方法は、窒化物半導体発光素子構造体形成工程S10と、保護層形成工程S11と、第1レジストパターン形成工程S12と、保護層エッチング工程S13と、第1金属層形成工程S14と、第2レジストパターン形成工程S15と、第2金属層形成工程S16と、金属バンプ層高さ調整工程S17と、レジストパターン除去工程S18と、チップ分割工程S19と、を含んで構成される。以下、図3Aないし図3Dを参照適宜図1および図2参照して、各工程について詳細に説明する。なお、図3Aないし図3Dにおいて、基板2の記載は省略している。また、金属バンプ23の下部23aおよび上部23bとなる第2金属層26aおよび第3金属層27の形状は簡略化して同じ太さで示している。窒化物半導体発光素子構造体形成工程:S10まず、図3Aaに示すように、基板2上に窒化物半導体発光素子構造体10を形成する。窒化物半導体発光素子構造体10の形成工程について具体的に説明すれば、まず、サファイアなどからなる基板2上に、MOVPE法有機金属気相成長法を用いて、n型窒化物半導体層11、活性層12およびp型窒化物半導体層13を構成するそれぞれの窒化物半導体を成長させる。この後、窒化物半導体の各層を成長させた基板2以下、適宜ウェハというを窒素雰囲気で、600~700°C程度のアニールを行って、p型窒化物半導体層13を低抵抗化することが好ましい。次に、n側電極21を接続するためのn側電極接続面10aとして、n型窒化物半導体層11の一部を露出させる。アニール後のウェハ上にフォトレジストにて所定の形状のマスクを形成して、RIE反応性イオンエッチングにて、p型窒化物半導体層13および活性層12、さらにn型窒化物半導体層11の一部を除去して、n型窒化物半導体層11を露出させる。エッチングの後、レジストを除去する。本実施形態では、このn型窒化物半導体層11の露出面がn側電極接続面10aとなる。次に、ウェハの全面に、全面電極14として、例えば、Ag/Ni/Ti/Ptを順次積層してなる多層膜をスパッタリングにて成膜する。そして、フォトリソグラフィ法により所定形状の全面電極14を形成する。その後、カバー電極15として、例えば、Ti/Au/W/Tiを順次積層してなる多層膜をスパッタリングにて成膜する。そして、フォトリソグラフィ法により全面電極14を遮蔽する所定形状のカバー電極15を形成する。本実施形態では、このカバー電極15の上面がp側電極接続面10bとなる。以上により、窒化物半導体発光素子構造体10が形成される。なお、基板2上には、複数の窒化物半導体発光素子構造体10がマトリクス状に配列して形成され、窒化物半導体発光素子1が基板2上に完成後にチップに分割される。図3Aaに示した例では、n側電極接続面10aが二つ記載されているが、片方は隣接する窒化物半導体発光素子構造体10に属するものである。保護層形成工程:S11次に、図3Abに示すように、前工程で形成された窒化物半導体発光素子構造体10の表面全体に、例えば、スパッタリングにより、絶縁性のSiO2などを積層して保護層20を形成する。第1レジストパターン形成工程:S12次に、図3Acに示すように、フォトリソグラフィ法により、n側電極21を形成する領域およびp側電極22を形成する領域に、それぞれ開口部30aおよび開口部30bを有する第1レジストパターン30を形成する。保護層エッチング工程:S13次に、図3Baに示すように、第1レジストパターン30をマスクとして、開口部30aおよび開口部30bの保護層20をエッチングにより除去し、それぞれn型窒化物半導体層11およびカバー電極15を露出させる。第1金属層パッド電極層形成工程:S14次に、図3Bbに示すように、スパッタリングなどにより、Au、Cuなどの単層膜またはAlCuSi/Ti/Pt/Auなどの多層膜を、パッド電極であるn側電極21およびp側電極22となる第1金属層パッド電極層25として形成する。このとき、活性層12で発光する光の波長に対して反射率の高いAlなどを最下層とした多層膜または単層膜を形成することが好ましい。なお、この第1金属層25は、n側電極21およびp側電極22の形成領域だけでなく、第1レジストパターン30上にも形成され、第1金属層25の全面は電気的に導通している。なお、本実施形態では、保護層20を形成後にパッド電極であるn側電極21およびp側電極22となる第1金属層25を形成するため、n側電極21およびp側電極22の上面は保護層20で被覆されない。また、n側電極21およびp側電極22を形成する部分以外は、第1レジストパターン30を介して第1金属層25が形成され、保護層20上には、直接第1金属層25は形成されない。このため、後工程において第1レジストパターン30を除去した後は、保護層20上に金属膜が残留してリークの原因となることがない。第2レジストパターン形成工程:S15次に、図3Bcに示すように、第1レジストパターンを除去することなく、フォトリソグラフィ法により、第1レジストパターン30の開口部30aおよび開口部30b上に、開口部31aおよび開口部31bを有する第2レジストパターン31を形成する。なお、第2レジストパターン31は、金属バンプ23および金属バンプ24を電解メッキによって形成するために用いられるものであるから、第2レジストパターン31の膜厚は、金属バンプ23および金属バンプ24の膜厚よりも厚く形成する。この第2レジストパターン31の厚さは、例えば、20μm程度とすることができる。また、本実施形態においては、第2レジストパターン31は、ネガ型レジストを用いて形成する。このため、露光のためのマスク40は、第2レジストパターンの開口部31aおよび開口部31bとなる部分を遮光するように構成されている。このマスク40を用いて露光されたネガ型レジストは、現像により未露光部である開口部31aおよび開口部31bが除去される。また、本実施形態においては、第2レジストパターン31を形成する際に、第1レジストパターン30を除去しない。これによって、n側電極21となる第1金属層25とp側電極22となる第1金属層25とを含む全面が電気的に導通したまま第1金属層25が残ることになる。このため、この第1金属層25を、第2金属層形成工程S16において、金属バンプ23の下部23aを構成する第2金属層26aおよび金属バンプ24を構成する第2金属層26bを形成するための電解メッキのシード電極として用いることができる。なお、金属バンプ23および金属バンプ24の上部を切断や研磨することで両者の高さを揃える場合には、製造プロセスの各種バラツキを考慮して、第2金属層26aおよび第2金属層26bを40μm程度の厚さに形成する必要がある図3Ca参照。このため、第2レジストパターン31の厚さを40μm程度以上とする必要がある。これに対して、本実施形態においては、第2金属層26aおよび第2金属層26bの金属バンプ23の上面の基板2からの高さと金属バンプ24の基板2からの高さの差分に相当する金属層を電解メッキにより形成するため図3Cc参照、第2金属層26aおよび第2金属層26bを、製造しようとする金属バンプ23および金属バンプ24の厚さ以上に形成する必要がない。第2金属層形成工程:S16次に、図3Caに示すように、開口部31aおよび開口部31bにおいて第2レジストパターン31から露出した第1金属層25をシード電極として、電解メッキを行うことにより、金属バンプ23の下部23aを構成する第2金属層26aと、金属バンプ24を構成する第2金属層26bとを形成する。これによって、n側電極21となる開口部31aに形成された第1金属層25と金属バンプ23の下部23aを構成する第2金属層26aとが直接接合され、p側電極22となる開口部31bに形成された第1金属層25と金属バンプ24を構成する第2金属層26bとが直接接合される。このとき、開口部31aに形成された第2金属層26aと、開口部31bに形成された第2金属層26bとは、同じ高さに形成されるため、開口部31aに形成された第2金属層26aの上面のよりも、開口部31bに形成された第2金属層26bの上面の方が高くなる。また、ここで、第2レジストパターン31の開口部31aおよび開口部31bを、それぞれ第1レジストパターン30の開口部30aおよび開口部30bの内側に開口する狭い開口とする。これにより、第1金属層25の開口部30a上および開口部30b上に第2レジストパターン31が形成された部分には、第2金属層26aおよび第2金属層26bが形成されない。この部分が、n側電極21の周縁部21aおよびp側電極22の周縁部22aとなる。一方で、第2レジストパターン31の開口部31aおよび開口部31bを、それぞれ第1レジストパターン30の開口部30aおよび開口部30bと同じ開口若しくは広い開口とすることもできる。これにより、第2金属層26aおよび第2金属層26bの下部の側面のみに第1金属層25を形成することができる。これにより第2金属層26aおよび第2金属層26bの下部の側面に第1金属層25が形成されていないときよりも、窒化物半導体発光素子1への電流投入時の電気抵抗を下げることができる。金属バンプ層高さ調整工程:S17次に、第2金属層形成工程S16で、開口部31aに形成された第2金属層26aの上面の基板2からの高さが、開口部31bに形成された第2金属層26bの上面の基板2からの高さと同じになるように、第2金属層26a上に高さ調整のための第3金属層27図3Cc参照を形成する。そのために、まず、金属バンプ層高さ調整工程S17のサブ工程である第3レジストパターン形成工程として、図3Cbに示すように、開口部31aに形成された第2金属層26a上に開口部32aを有する第3レジストパターン32を形成する。これによって、開口部31bに形成された第2金属層26b上は、第3レジストパターンによって被覆される。なお、第3レジストパターン32は、ポジ型レジストおよびネガ型レジストの何れでも用いることができるが、本実施形態は、ポジ型レジストを用いるものである。このため、露光のためのマスク41は、第3レジストパターンの開口部32aとなる部分に開口を有するように構成されている。このマスク41を用いて露光されたポジ型レジストは、露光された開口部32aが現像によって除去される。次に、図3Ccに示すように、金属バンプ層高さ調整工程S17のサブ工程である第3金属層形成工程として、開口部31aに形成された第2金属層26aを電解メッキの電極として、高さ調整のための第3金属層27の上面の基板2からの高さが、開口部31bに形成された第2金属層26bの上面の基板2からの高さと同じになるように、電解メッキにより第3金属層27を形成する。これによって、n側電極21の上面の基板2からの高さとp側電極22の上面の基板2からの高さとの差分と同じ厚さの第3金属層27が、開口部31aに形成された第2金属層26aの上面に形成される。ここで、第3金属層27は、金属バンプ23の上部23bを構成するものである。なお、第3金属層27を電解メッキにより形成する際に、電解メッキ液の濃度や電流値が同じ場合は、形成される通電時間によって第3金属層27の厚さを制御することができる。また、電解メッキ液の濃度と電流値と通電時間とを適宜に組み合わせて第3金属層27の厚さを制御するようにしてもよい。レジストパターン除去工程:S18そして、図3Dに示すように、第1レジストパターン30、第2レジストパターン31および第3レジストパターン32を除去すると、第2金属層26aおよび第3金属層27が金属バンプ23として、第2金属層26bが金属バンプ24として、それぞれ現れる。このとき、n側電極21上の金属バンプ23の上面およびp側電極22上の金属バンプ24の上面の基板2からの高さが揃っており、さらにn側電極21上の金属バンプ23は、平面視において上面側の面積が小さくなっている図1参照。チップ分割工程:S19基板2上にマトリクス状に配列して形成された複数の窒化物半導体発光素子1をスクライブやダイシングなどによりチップに分割することにより、チップ単位の窒化物半導体発光素子1が完成する。また、チップに分割する前に、基板2の裏面から基板2を研削バックグラインドして所望の厚さとなるまで薄く加工してもよい。ここで、図4を参照適宜図1および図2参照して、n側電極21上に形成される金属バンプ23の上面側の面積上部23bの上面の面積が底面側の面積下部23aの底面の面積より小さく形成されることについて説明する。前記した第2金属層形成工程S16で形成される第2金属層26aは、上端の外縁部が丸みを帯びるように形成される。この上端の外縁部の丸みは、前記したように電解メッキによって金属層を形成する際の成長端である上端部に現れる形状である。図4aは、金属バンプ層高さ調整工程S17において、第3レジストパターン32を形成するために、ポジ型レジストを塗布した状態を示している。次に、図4bに示すように、第3レジストパターン32の開口部32aを形成するために、開口部32aとなる部分に開口を有するマスク41を用いて露光した後、現像して露光された部分のレジストを除去する。このとき、丸みを帯びた第2金属層26aの周縁部は露光が不十分となり、現像後にもレジストが残ることとなる。そして、金属メッキにより金属バンプ23および金属バンプ24の基板2からの高さを調整するために、第2金属層26aの外縁部にレジストが残ったままの状態で、電解メッキを行うと、図4cに示すように、第2金属層26aより細い第3金属層27が形成される。これは、レジストが残った第2金属層26aの外縁部では電解メッキによる第3金属層27の成長がなく、第2金属層26aの露出した中央部上に第3金属層27が成長するためである。なお、第3金属層27を、十分に長く成長させた場合は、横方向にも少しずつ成長するが、短く成長させた場合は、横方向にはほとんど成長せず、上端においても第2金属層26aより細い第3金属層27が形成される。そして、第2レジストパターン31および第3レジストパターン32を除去すると、図4dに示すように、相対的に太い下部23aと、細い上部23bとが積層された金属バンプ23が現れる。以上説明したように、本発明の第1実施形態における窒化物半導体発光素子の製造方法によれば、製造工程を短縮することができる。また、第1実施形態における窒化物半導体発光素子の製造方法によって製造される窒化物半導体発光素子1は、フリップチップ実装時の接続不良や電極間のリーク発生などの恐れのない信頼性の高い窒化物半導体発光素子とすることができる。<第2実施形態>窒化物半導体発光素子次に、本発明の第2実施形態における窒化物半導体発光素子の構造を、図5を参照して説明する。本発明の第2実施形態に係る窒化物半導体発光素子1Aは、フリップチップ型の実装をするLEDであり、基板2と、基板2上に積層された窒化物半導体発光素子構造体10と、保護層20と、n側電極21と、p側電極22と、金属バンプ23Aと、金属バンプ24とを少なくとも備えている。なお、第1実施形態における窒化物半導体発光素子1と同じ構成については、同じ符号付して説明は適宜省略する。図5に示すように、第2実施形態に係る窒化物半導体発光素子1Aは、図1に示した第1実施形態における窒化物半導体発光素子1に対して、金属バンプ23に代えて、金属バンプ23Aを備え、n側電極21上の金属バンプ23Aは、下部23Aaが上部23Abに比べて細くなっていることが異なる。すなわち、n側電極21上の金属バンプ23Aは、平面視において底面側の面積すなわち下部23Aaの底面の面積が上面側の面積すなわち上部23Abの上面の面積より小さくなっている。なお、金属バンプ23の上面すなわち上部23bの上面の基板2からの高さと、p側電極22上の金属バンプ24の上面の基板2からの高さとは同じであること、および、金属バンプ23Aおよび金属バンプ24の上端部の外縁部に丸みを帯びていることは、第1実施形態における窒化物半導体発光素子1と同様である。このように、n側電極21上の金属バンプ23Aの上面およびp側電極22上の金属バンプ24の上面の基板2からの高さが同じであるため、フリップチップ実装の際に、これらの金属バンプ23Aおよび金属バンプ24には基板2側から均等に押圧力を受けることになる。さらに、n側電極21上の金属バンプ23Aは、平面視においてn側電極21側底面側の面積が上面側の面積より小さいため、n側電極接続面10aの面積を小さくして、発光に寄与する活性層12およびp型窒化物半導体層13の面積を大きくすることができる。また、金属バンプ23Aの上面である実装基板の配線用電極と接合する実装面の面積が必要以上に小さくなることがないため、金属バンプ23Aと配線用電極との間の接合強度が大きく損なわれることがない。さらに、n側電極21側の面積に制約されずに、実装基板の配線用電極を設計することができるので好ましい。なお、第2実施形態における窒化物半導体発光素子1Aの動作は、第1実施形態における窒化物半導体発光素子1の動作と同様であるから、説明は省略する。窒化物半導体発光素子の製造方法本発明の第2実施形態における窒化物半導体発光素子の製造方法について説明する。なお、第2実施形態における窒化物半導体発光素子の製造方法は、図2に示した第1実施形態における製造方法とは、金属バンプ層高さ調整工程S17において、第3レジストパターンとして、ポジ型レジストに代えてネガ型レジストを用いること以外は同じであるため、各工程の説明は省略する。次に、図6を参照適宜図2および図5参照して、n側電極21上に形成される金属バンプ23Aの底面側の面積下部23Aaの底面の面積が上面側の面積上部23Abの上面の面積より小さく形成されることについて説明する。図6aは、金属バンプ層高さ調整工程S17において、第3レジストパターン32Aを形成するために、ネガ型レジストを塗布した状態を示している。ここで、ネガ型レジストを用いて形成された第2レジストパターン31と、第3レジストパターン32Aとは、一体のものとして示している。図6aに示すように、第3レジストパターン32Aの第2金属層26a上に開口部32Aaを形成するために、この開口部32Aaを遮光するマスク41Aを用いて強度の弱い光で露光し、ベーク処理を行うことにより、第3レジストパターン32Aの露光された部分32Abが硬化される。その後、第3レジストパターン32Aの全面を強い強度の光で露光した後に現像することにより、図6bに示すように、硬化された部分32Abおよびその下層を残して除去される。このとき、ネガ型レジストである第2レジストパターン31と一体に形成された第3レジストパターン32Aは、硬化された部分32Abの下層部32Acが、エッチングされて除去されるため、第2金属層26aより上部の第3レジストパターン32Aの開口部32Aaの内径が広がることとなる。そして、このような形状の第3レジストパターン32Aを用いて、電解メッキを行うと、図6cに示すように、上部が太くなったきのこ状の第3金属層27Aが形成される。第3金属層27Aは、電解メッキによって上方向に成長するものであるが、第3レジストパターン32Aの内径が広がった開口部32Aaにおいて、横方向にも少しずつ成長するため、上部では広がった形状となる。そして、第2レジストパターン31および第3レジストパターン32Aを除去すると、図6dに示すように、底面側の面積下部23Aaの底面の面積が上面側の面積上部23Abの上面の面積より小さく形成された金属バンプ23Aが現れる。以上説明したように、本発明の第2実施形態における窒化物半導体発光素子の製造方法によれば、製造工程を短縮することができる。また、第2実施形態における窒化物半導体発光素子の製造方法によって製造される窒化物半導体発光素子1Aは、フリップチップ実装時の接続不良や電極間のリーク発生などの恐れのない信頼性の高い窒化物半導体発光素子とすることができる。<第3実施形態>窒化物半導体発光素子次に、本発明の第3実施形態における窒化物半導体発光素子の構造を、図7を参照して説明する。第3実施形態における窒化物半導体発光素子1Bは、フリップチップ型の実装をするLEDである。本実施形態における窒化物半導体発光素子1Bは、基板2と、基板2上に積層された窒化物半導体発光素子構造体10と、保護層20と、n側電極21と、p側電極22と、金属バンプ23Bと、金属バンプ24と、を少なくとも備えている。なお、第1実施形態における窒化物半導体発光素子1と同じ構成については、同じ符号付して説明は適宜省略する。図7に示すように、第3実施形態における窒化物半導体発光素子1Bは、図1に示した第1実施形態における窒化物半導体発光素子1に対して、金属バンプ23に代えて、金属バンプ23Bを備え、n側電極21上の金属バンプ23Bは、下部23Baが上部23Bbに比べて細くなっていることが異なる。すなわち、n側電極21上の金属バンプ23Bは、平面視において上面側の面積すなわち上部23Bbの上面の面積が底面側の面積すなわ下部23Baの底面の面積より小さくなっている。なお、金属バンプ23Bの上面すなわち上部23Bbの上面の基板2からの高さと、p側電極22上の金属バンプ24の上面の基板2からの高さとは同じであること、および、金属バンプ23Bおよび金属バンプ24の上端部の外縁部に丸みを帯びていることは、第1実施形態における窒化物半導体発光素子1と同様である。このように、n側電極21上の金属バンプ23Bの上面およびp側電極22上の金属バンプ24の上面の基板2からの高さが同じであるため、フリップチップ実装の際に、これらの金属バンプ23Bおよび金属バンプ24には基板2側から均等に押圧力を受けることになる。さらに、n側電極21上の金属バンプ23Bは、平面視においてn側電極21側底面側の面積が上面側の面積より小さいため、n側電極接続面10aの面積を小さくして、発光に寄与する活性層12およびp型窒化物半導体層13の面積を大きくすることができる。また、金属バンプ23Bの上面である実装基板の配線用電極と接合する実装面の面積が必要以上に小さくなることがないため、金属バンプ23Bと配線用電極との間の接合強度が大きく損なわれることがない。さらに、n側電極21側の面積に制約されずに、実装基板の配線用電極を設計することができるので好ましい。窒化物半導体発光素子の製造方法本発明の第3実施形態における窒化物半導体発光素子の製造方法について説明する。図8に示すように、第3実施形態における窒化物半導体発光素子の製造方法は、窒化物半導体発光素子構造体形成工程S20と、保護層形成工程S21と、第1レジストパターン形成工程S22と、保護層エッチング工程S23と、第1金属層形成工程S24と、第2レジストパターン形成工程S25と、金属バンプ層高さ調整工程S26と、第2レジストパターン開口部形成工程S27と、第3金属層形成工程S28と、レジストパターン除去工程S29と、チップ分割工程S30と、を含んで構成される。第1実施形態においては、n側電極21上およびp側電極22上に、同じ厚さの第2金属層26aおよび第2金属層26bを形成した後に、基板2からの高さを調整するために、第2金属層26a上に高さ調整のための第3金属層27を形成するのに対して、第3実施形態においては、n側電極21上に高さ調整のための差分の厚さの高さ調整のための第2金属層28を先に形成し、その後、第2金属層28上およびp側電極22上に、同じ厚さの第3金属層29aおよび第3金属層29b図9Ba参照を形成するものである。以下、図9Aおよび図9Bを参照適宜図7および図8参照して、各工程について詳細に説明する。なお、図9Aおよび図9Bにおいて、基板2の記載は省略している。また、金属バンプ23Bの下部23Baとなる第2金属層28の形状と、上部23Bbとなる第3金属層29aの形状とは、簡略化して同じ太さで示している。なお、窒化物半導体発光素子構造体形成工程S20から第1金属層形成工程S24およびチップ分割工程S30は、第1実施形態における製造方法の、それぞれ窒化物半導体発光素子構造体形成工程S10から第1金属層形成工程S14およびチップ分割工程S19と同様であるから説明は省略する。第2レジストパターン形成工程:S25本実施形態においては、第1金属層形成工程S24図3Bb参照の次に、図9Aaに示すように、第1レジストパターンを除去することなく、フォトリソグラフィ法により、第1レジストパターン30の開口部30a図3Bb参照上に、開口部33aを有する第2レジストパターン33を形成する。また、第2レジストパターン33は、ポジ型レジストを用いて形成する。このため、開口部33aに開口を有するマスク42を用いて露光を行う。そして、現像することで、開口部33aにおいて、n側電極21となる第1金属層25が露出する。なお、第2レジストパターン33は、金属バンプ23Bおよび金属バンプ24を電解メッキによって形成するために用いられるものであるから、第2レジストパターン33の膜厚は、金属バンプ23Bおよび金属バンプ24の膜厚よりも厚く形成する。この第2レジストパターン33の厚さは、例えば、20μm程度とすることができる。金属バンプ層高さ調整工程第2金属層形成工程:S26次に、図9Abに示すように、第2レジストパターン33から露出されたn側電極21上の第1金属層25を電解メッキの電極として、電解メッキにより金属バンプ23Bの下部23Baを構成する高さ調整のための第2金属層28を形成する。このとき、形成される第2金属層28の厚さは、n側電極21の上面とp側電極22の上面との基板2からの高さの差分と同じ厚さとする。また、第2金属層28は、Cu、Auなどの単層膜またはCu/Ni/Auなどからなる多層膜であっても良い。なお、電解メッキは、第2レジストパターン形成工程S25まで終了したウェハをメッキ液に浸漬し、第1金属層25を負電極とし、この負電極とメッキ液に浸漬した正電極との間に電流を流すことにより行う。第2レジストパターン開口部形成工程:S27次に、図9Acに示すように、p側電極22となる第1金属層25が露出するように第2レジストパターン33に開口部33bを形成する。これによって、n側電極21上に形成された第2金属層28の上面およびp側電極22となる第1金属層25の上面に開口を有する第2レジストパターン33が形成される。第3金属層形成工程:S28次に、図9Baに示すように、開口部33aに形成された第2金属層28および開口部33bに形成された第1金属層25を電解メッキの電極として、電解メッキにより金属バンプ23Bの上部23Bbを構成する第3金属層29aと、金属バンプ24を構成する第3金属層29bとを同じ厚さで形成する。これによって、開口部33aに形成された第3金属層29aの上面の基板2からの高さと、開口部33bに形成された第3金属層29bの上面の基板2からの高さとが一致する。レジストパターン除去工程:S29そして、図9Bbに示すように、第1レジストパターン30および第2レジストパターン33を除去すると、第3金属層29aおよび第2金属層28からなる金属バンプ23Bと、第3金属層29bからなる金属バンプ24とが現れる。このとき、n側電極21上の金属バンプ23Bの上面の基板2からの高さと、p側電極22上の金属バンプ24の上面の基板2からの高さとが揃っており、さらにn側電極21上の金属バンプ23Bは、平面視においてn側電極21側底面側の面積が上面側の面積より小さくなっている。次に、図10を参照適宜図7および図8参照して、n側電極21上に形成される金属バンプ23Bの底面側の面積下部23Baの底面の面積が上面側の面積上部23Bbの上面の面積より小さく形成されることについて説明する。図10aは、金属バンプ層高さ調整工程S26において、n側電極21となる第1金属層25図9Ac参照上に、金属バンプ23Bの上面の基板2からの高さと、金属バンプ24の上面の基板2からの高さとの差分に相当する厚さの第2金属層28を形成した状態を示している。そして、p側電極22となる第1金属層25図9Ac参照上に第3金属層29bを形成できるようにするために、第2レジストパターン開口部形成工程S27において、開口部33bに開口を有するマスク43図9Ac参照を用いて露光する。このとき、n側電極21上の開口部33aの近傍の第2レジストパターン33は露光されないが、第2レジストパターン形成工程S25において露光された第2レジストパターン33の開口部33aが、第2レジストパターン開口部形成工程S27における2回目の現像によって、さらに開口部33aの内壁の一部が除去されて広がることとなる。そして、第3金属層形成工程S28において電解メッキを行うことにより、図10cに示すように、広がった開口部33aの内径に沿うように、第3金属層29aが形成される。なお、電解メッキでは、金属層は上方向に成長するが、少しずつ横方向にも成長するため、第3金属層29aの上部は、第2金属層28よりも径が太く形成されることとなる。そして、第2レジストパターン33を除去すると、図10dに示すように、底面側の面積下部23Baの底面の面積が上面側の面積上部23Bbの上面の面積より小さく形成された金属バンプ23Bが現れる。以上説明したように、本発明の第3実施形態における窒化物半導体発光素子の製造方法によれば、製造工程を短縮することができる。また、第3実施形態における窒化物半導体発光素子の製造方法によって製造される窒化物半導体発光素子1Bは、フリップチップ実装時の接続不良や電極間のリーク発生などの恐れのない信頼性の高い窒化物半導体発光素子とすることができる。次に、図11aを参照して、第1実施形態における窒化物半導体発光素子1が、実装基板にフリップチップ実装される様子について説明する。図11aは、第1実施形態における窒化物半導体発光素子1を、実装基板50にフリップチップ実装する様子を示したものである。窒化物半導体発光素子1の金属バンプ23は実装基板50の配線用電極51に対向し、また、金属バンプ24は配線用電極52に対向している。そして、窒化物半導体発光素子1の裏面側である基板2側から押圧力を受けて、金属バンプ23が配線用電極51と、金属バンプ24が配線用電極52と、それぞれ接合する。このとき、金属バンプ23の上面の基板2からの高さと、金属バンプ24の上面の基板2からの高さとが同じであるため、金属バンプ23および金属バンプ24には、基板2側から均等に押圧力を受ける。このため、金属バンプ23と配線用電極51との接合、および金属バンプ24と配線用電極52との接合において、同等の接合性を得ることができる。また、金属バンプ23は、押圧力を受けて押しつぶされ、横方向に広がることなる。そのため、配線用電極51は、この広がりを考慮して、金属バンプ23の平面視での上面配線用電極51側の面積よりも広く形成されている。金属バンプ24と配線用電極52との関係についても同様である。ここで、n側電極21上の金属バンプ23は、配線用電極51と接合する上部23bの太さが、下部23aの太さより細いため、上部23bが押しつぶされて広がる面積は、上部23bの太さが下部23aの太さと同じ場合よりも小さくなる。従って、配線用電極51は、上部23bの太さに対応して面積を小さくすることができる。これによって、実装基板50の配線設計の自由度を増すことができる。また、図11bは、第3実施形態における窒化物半導体発光素子1Bを、実装基板50にフリップチップ実装する様子を示したものである。窒化物半導体発光素子1Bの金属バンプ23Bは実装基板50の配線用電極51と対向し、金属バンプ24は配線用電極52と対向している。そして、窒化物半導体発光素子1Bの裏面側である基板2側から押圧力を受けて、金属バンプ23Bが配線用電極51と、金属バンプ24が配線用電極52と、それぞれ接合する。このとき、金属バンプ23Bの上面の基板2からの高さと、金属バンプ24の上面の基板2からの高さとが同じであるため、金属バンプ23Bおよび金属バンプ24には、基板2側から均等に押圧力を受ける。このため、金属バンプ23Bと配線用電極51との接合、および金属バンプ24と配線用電極52との接合において、同等の接合性を得ることができる。また、金属バンプ23Bは、押圧力を受けて押しつぶされ、横方向に広がることなる。そのため、配線用電極51は、この広がりを考慮して、金属バンプ23Bの平面視での上面配線用電極51側の面積よりも広く形成されている。金属バンプ24と配線用電極52との関係についても同様である。さらにまた、金属バンプ23Bの下部n側電極21側においても、横方向に広がり、n側電極21の露出した周縁部21aと接触する。ここで、n側電極21上の金属バンプ23Bは、下部23Baの太さは上部23Bbの太さより細いため、下部23Baが押しつぶされて広がる面積は、下部23Baが上部23Bbの太さと同じ場合よりも小さくなる。従って、n側電極21は、面積を小さくすることができる。これによって、窒化物半導体発光素子1Bは、n側電極21を形成するための領域を低減して、発光に寄与するp型窒化物半導体層13および活性層12の面積を増加することができる。このため、窒化物半導体発光素子1Bから、より多くの光を取り出すようにすることができる。なお、図5に示した第2実施形態における窒化物半導体発光素子1Aについても、第3実施形態における窒化物半導体発光素子1Bと同様に、n側電極21上の金属バンプ23Aは、下部23Aaの平面視での面積が、上部23Abの平面視での面積より小さいため、第3実施形態における窒化物半導体発光素子1Bと同様の効果を得ることができる。"