通電により発熱する発熱体を内蔵するグロープラグと、上記発熱体への通電を外部からの駆動信号にしたがって開閉制御する制御部と、先端側で上記発熱体を保持して、被加熱流体中に固定すると共に、基端側に上記発熱体及び上記制御部に外部電源から駆動電圧の供給及び上記駆動信号の伝達可能とするコネクタ部を保持する略筒状のハウジング部とを具備して、上記グロープラグと上記制御部とを一体化した制御部一体型グロープラグであって、上記制御部が、少なくとも、上記発熱体の下流側に配設し、接地せしめたnチャンネルMOSFETからなる半導体開閉素子と、該半導体開閉素子を上記駆動信号にしたがって開閉駆動する下流側駆動回路とを具備し、上記ハウジング部と上記コネクタ部との間に区画した制御部収容空間に、該制御部を配設せしめたことを特徴とする制御部一体型グロープラグ。上記nチャンネルMOSFETが、二重拡散構造DMOSを有するパワーMOSFETである請求項1に記載の制御部一体型グロープラグ。上記コネクタ部が内側に上記駆動信号を伝達する駆動信号端子と上記駆動電圧を伝達する駆動電圧端子とを収容し、上記駆動信号端子と上記制御部とを接続する駆動信号線の一部と、上記駆動電圧端子と上記制御部とを接続する電力線の一部と、上記駆動電圧端子と上記グロープラグの入力端子とを接続する電力線の一部とに伸縮可能な伸縮部を設けた請求項1又は2に記載の制御部一体型グロープラグ。上記制御部が、上記発熱体に流れる電流を検出する電流検出手段と、該電流検出手段によって検出した電流を閾値判定し、上記グロープラグの異常を検出する自己診断部を具備する請求項1ないし3のいずれかに記載の制御部一体型グロープラグ。ところが、nチャンネルMOSFETは、ゲート電圧をソース電圧よりも高くしないとドレインソース間に電流を流すことができないので、特許文献1、2等にあるように、スイッチング素子としてnチャンネルMOSFETを制御部一体型グロープラグに採用し、グロープラグを構成する発熱体の上流側に設けた場合、nチャンネルMOSFETを駆動するハイサイドゲートドライバには、特許文献3にあるようにチャージポンプを設けて、ゲート電圧を高くする必要がある。また、nチャンネルMOSFETのドレインソース間に流れる電流量を多くするためには、チャージポンプに、比較的大きな容量のコンデンサを用いる必要があり、ゲートドライバ内に内蔵できる容量のコンデンサでは、容量不足となるため、容量の大きなコンデンサをゲートドライバの外部に載置することとなる。このため、必然的に、グロープラグへの通電を開閉制御するためのnチャンネルMOSFETを駆動するハイサイドゲートドライバには、外部に設けたコンデンサとの接続を図るための入出力端子が必要となり、制御素子の体格増大を招く虞がある。特に、半導体素子の耐熱温度は、150~175°Cであるのに対して、チャージポンプに用いられる外部コンデンサの耐熱温度は、105~120°C程度であるため、高温に発熱するグロープラグからの熱の影響をできるだけ廃除するのが望ましく、このようなハイサイドゲートドライバをグロープラグの頭部に一体的に収容する際には、収容部の容積を大きくする必要も生じ、制御部一体型のグロープラグ全体の体格を小型化するのが困難となる虞がある。また、従来のグロープラグでは、絶縁体の内部に収容した発熱体に接続された一対のリード部の内、一方の端を絶縁体の側面に引き出して接地電極を形成し、絶縁体を保持する筒状の金属スリーブにロウ付け等によって接続することによって、発熱体を保持すると共に、発熱体の一端を接地状態としている。このため、グロープラグが発熱したときや、被加熱流体である燃焼室内の気体の温度が高温となったときに、金属スリーブの熱膨張係数と絶縁体の熱膨張数の差によって、接地電極と金属スリーブとの接続部分に引っ張り応力が作用し、接地電極と金属スリーブとの間の接触抵抗が大きくなったり、長期の使用によって、接地電極を構成する金属が絶縁体内に拡散するマイグレーション現象等を引き起こしたりして、グロープラグが劣化し、発熱温度の低下を招く虞もある。そこで、本発明は、かかる実情に鑑み、制御部と発熱部とが一体となった制御部一体型グロープラグにおいて、簡易な構成とすることにより、さらなる小型化と耐久性の向上とを図る制御部一体型グロープラグを提供すること目的とするものである。請求項1の発明では、通電により発熱する発熱体を内蔵するグロープラグと、上記発熱体への通電を外部からの駆動信号にしたがって開閉制御する制御部と、先端側で上記発熱体を保持して、被加熱流体中に固定すると共に、基端側に上記発熱体及び上記制御部に外部電源から駆動電圧の供給及び上記駆動信号の伝達可能とするコネクタ部を保持する略筒状のハウジング部とを具備して、上記グロープラグと上記制御部とを一体化した制御部一体型グロープラグであって、上記制御部が、少なくとも、上記発熱体の下流側に配設し、接地せしめたnチャンネルMOSFETからなる半導体開閉素子と、該半導体開閉素子を上記駆動信号にしたがって開閉駆動する下流側駆動回路とを具備し、上記ハウジング部と上記コネクタ部との間に区画した制御部収容空間に、該制御部を配設せしめたことを特徴とする。請求項2の発明では、上記nチャンネルMOSFETが、二重拡散構造DMOSを有するパワーMOSFETである。請求項3の発明では、上記コネクタ部が内側に上記駆動信号を伝達する駆動信号端子と上記駆動電圧を伝達する駆動電圧端子とを収容し、上記駆動信号端子と上記制御部とを接続する駆動信号線の一部と、上記駆動電圧端子と上記制御部とを接続する電力線の一部と、上記駆動電圧端子と上記グロープラグの入力端子とを接続する電力線の一部とに伸縮可能な伸縮部を設ける。請求項4の発明では、上記制御部が、上記発熱体に流れる電流を検出する電流検出手段と、該電流検出手段によって検出した電流を閾値判定し、上記グロープラグの異常を検出する自己診断部を具備する。本発明によれば、nチャンネルMOSFETのソースは接地されており、上記下流側駆動回路の出力電圧は、電源電圧まで容易に引き上げることが可能であるので、nチャンネルMOSFETをオンする際に、チャージポンプを用いずとも、ソース電圧よりも高いゲート電圧を印加することができるので、下流側駆動回路の構成を簡素化することができ、容易に制御部一体型グロープラグの小型化を図ることができる。また、高温環境下に晒されるグロープラグとハウジング部との間で直接的に接地する必要がなく、グロープラグの入力側端子も接地側端子も、上記制御部収容空間内の120度~170程度の比較的安定した温度環境下で上記駆動電圧及び上記制御部との接続が図られるので、断線等の異常が発生し難く、信頼性の高い制御部一体型グロープラグが実現できる。一方、本発明によらず、半導体開閉素子をグロープラグの上流側に設け、半導体開閉素子としてnチャンネルMOSFETを用いた場合には、nチャンネルMOSFETをオンさせるためには、ゲート電圧をソース電圧より高くする必要があるが、負荷の上流側に設けられているためnチャンネルMOSFETオン時のソースには電源電圧が印加されることになり、ゲート電圧をソース電圧よりも高くするためのチャージポンプが必要となり、電流制御部の体格が大きくなる。また、本発明によらず、半導体開閉素子をグロープラグの上流側に設け、半導体開閉素子としてpチャンネルMOSFETを用いた場合には、チャージポンプは不要となるが、移動速度の遅い正孔がキャリアとなるpチャンネルMOSFETは、移動速度の速い電子がキャリアとなるnチャンネルMOSFETに比べ、オン抵抗が大きく、駆動信号にしたがって負荷への通電をオンオフさせたときの損失が大きく、グロープラグの発熱温度を所望の温度に制御するのが困難となる虞がある。また、本発明によらず、半導体開閉素子を、グロープラグの上流側に設けた場合、グロープラグの下流側を接地することになり、従来のように、グロープラグの側面に引き出した接地電極をハウジング部等に接続すると、グロープラグの熱膨張率とハウジング部等との熱膨張率の差によって接地電極とハウジング部との接続部分に引っ張り応力や、外部からの振動が作用し、接地電極とハウジング部との密着強度の低下を引き起こす虞もある。本発明の第1の実施形態における制御部一体型グロープラグ6について、図1、図2を参照して説明する。本発明の制御部一体型グロープラグ6は、図1に示すように、図略の内燃機関7の各気筒70に設けられ、発熱部10が被加熱流体中に固定されるグロープラグ1と、グロープラグ1への通電を制御する制御部4と、外部電源からの駆動電圧や駆動信号などの電気信号を伝達可能とするコネクタ部5とによって構成され、図2に示すように、外部のエンジン制御装置ECU9とワイヤハーネス8を介して接続可能となっている。本発明の制御部一体型グロープラグ6は、被加熱流体700として、内燃機関燃焼室内の混合気の加熱に用いられ、低温始動時に混合気を加熱し、着火性の向上を図るプリグロー制御や、燃焼排気の浄化を図るべく、始動時以外にも排気温度を上昇させるアフターグロー制御が行われる。グロープラグ1は、図1aに示すように、通電により発熱する発熱体10と、発熱体10と外部との接続を図る一対のリード部11、12と、これらを覆う絶縁体13とによって構成され、略柱状に形成されている。発熱体10は、例えば、窒化珪素及び二硅化モリブデン等からなる電導性セラミック抵抗体によって略U字形に形成され、リード部11、12は、タングステン等の耐熱性導電材料が用いられ、絶縁体13は、窒化珪素等のセラミック材料が用いられ、ホットプレス焼成等の公知の製法によって略柱状に形成され、絶縁体13の外部にリード部11、12の端部が引き出されている。グロープラグ1は、筒状の金属製スリーブ15内に挿入され、ロウ付け部151によって保持固定されている。さらに、金属製スリーブ15は、略筒状のハウジング部16の先端側筒状部162に挿入、保持されている。金属スリーブ15とハウジング部16とは、嵌め合い、レーザ溶接、ネジ締め等の公知の手段によって互いに固定されている。ハウジング部16の先端側筒状部162の外周には、ネジ部163及びシール部164が形成され、図略の内燃機関7の各気筒70の燃焼室シリンダヘッドに螺結され、気密を保持しつつ、グロープラグ1を被加熱流体700中の所定位置に固定している。ハウジング部16の基端側外周には、ネジ部163をネジ締めするための六角部160が形成され、さらに基端側には、後述するコネクタ5を嵌着固定するためのボス部161が形成されている。ボス部161の内側には、制御部4を収容するための制御部収容空間500が区画されている。コネクタ5は、熱可塑性樹脂からなり略有底筒状に形成されたコネクタ部50と、コネクタ部50と共に、インサート成形された駆動信号端子51と電力供給端子52とによって構成されている。コネクタ部50の先端側には、ハウジング部ボス部161との嵌合や螺合によりコネクタ5をハウジング部16に固定するコネクタ保持部54が形成されている。コネクタ5の中間には、コネクタ基底部53が形成され、駆動信号端子51と電力供給端子52とが保持固定されている。さらに、コネクタ基底部53の先端側の筒状部分は、ボス部161の内側と共に制御部4を収容する制御部収容空間500を形成している。コネクタ5の基端側には、筒状のコネクタ部50雌コネクタが形成され、ワイヤハーネス8の端部に設けられたハーネス側コネクタ部80雄コネクタとの嵌合により、コネクタ部50の内側に露出した駆動信号端子51と電力供給端子52とからなる雄端子51、52と、図1c、dに示すような、ハーネス側コネクタ部80の内側に収容された駆動信号端子81と電力供給端子82とからなる雌端子81、82とを接続することにより、導通状態となり、外部に設けたECU9からの駆動信号SIの伝達と、電源電圧Bの供給と、を可能としている。制御部収容空間500内に載置された制御部4は、少なくとも、発熱体10への通電を開閉制御する半導体開閉素子nチャンネルMOSFET、以下n-MOSと称す。2と、n-MOS2を駆動する下流側駆動回路ローサイドゲートドライバ、以下、適宜LGDと称す。3とを含み、モールド樹脂によってパッケージされ、リードフレームによって所定の入出力端子が引き出されている。具体的には、図1に示すように、駆動信号端子51とSI端子とが駆動信号線130を介して接続され、GND端子とハウジング部16のボス部161とが接地用信号線140を介して接続され、電力供給端子52とB端子とが電力線121を介して接続され、さらに電力供給端子52とグロープラグ1の一方のリード部12とが導通線120を介して接続され、VDD端子と発熱体1の他方のリード部11とが導通線110を介して接続されている。また、制御部4は、ヒートシンクを設けて、ハウジング部16のボス部161の内周に密着させ、ハウジング部16を介して、n-MOS2で発生した熱を気筒70に放熱するようにしても良い。本実施形態における制御部4は、図2に示すように、発熱体10への通電を開閉制御するn-MOS2と、n-MOS2を駆動するLGD3とによって構成されている。n-MOS2は、基本構造として、DMOSDoubleDiffusedMOSFETと呼ばれるn型不純物の濃度の高いn基板の表面に形成したn型不純物の濃度の低いn-エピタキシャル層に表面に、低濃度のp型層と高濃度のn層とが形成された二重拡散構造を有し、大電流の制御を可能とするn―チャンネルパワーMOSFETが用いられている。n-MOS2は、グロープラグ1の下流側に設けられ、LGD3によって開閉駆動されるように配設されている。n-MOSのドレイン端子Dは、発熱体1の一方のリード部11と通電線110を介して接続されている。n-MOS2のソース端子Sは、通電線140を介して、ハウジング部16に接続され、ハウジング部16を介して接地された状態となっている。n-MOS2のゲート端子Gは、LGD3の出力VOUTと接続されている。LGD3は、駆動電圧として電源電圧Bが駆動電圧端子B端子に入力され、外部に設けたエンジン制御装置ECU9から内燃機関7の運転状況に応じて発信される駆動信号SIを入力として、駆動信号SIのHi、Loにしたがって、電源電圧Bに等しい電圧を最大電圧とする出力電圧VOUTとして、n-MOS2のゲート端子Gに印加する。一方、n-MOS2のドレイン端子Dは、負荷となる発熱体10の下流側に接続され、ソース端子Sは、接地されているので、駆動信号SIのHiLoにしたがって、ゲート閾値電圧よりも高いゲート電圧VGGが印加されることになるので、n-MOS2の安定した駆動が行われる。本実施形態において、金属スリーブ15と絶縁体13との間で、従来のように、電気的な接続を考慮する必要がなく、リード部11、12は、通電線110、120を介してVDD端子及び電力供給端子52に接続されており、図1に示すように、通電線110、120の一部をコイル状に巻いて伸縮可能とすることも可能で、温度変化によるリード部11、12の伸縮を通電線110、120の伸縮部の弾性によって完全に吸収し、接続部分の剥離を回避し耐久性を向上させることもできる。なお、本実施形態においては、n―MOS2と、LGD3とを一つのパッケージ内に収容した構成を示してあるが、n-MOS2と、LGD3とをパッケージ内に収容することなく、ベアチップを制御部収容空間500内に載置するようにして、制御部収容空間500の容積を小さくし、さらなる小型化を図ることもできる。また、制御部収容空間500内に、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂等の絶縁性樹脂と炭化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、マグネシア、アルミナ、結晶性シリカ、溶融シリカ等の絶縁性で高熱伝導性のフィラーと充填して、制御部4の放熱性の向上と、外部からの振動に対する耐久性の向上を図るようにしても良い。ここで、図3、図4を参照して、比較例として、絶縁体13zの内部に埋設した発熱体10zに接続された一対のリード部11z、12zの一方の端を、絶縁体13zの基端側側面に引き出して、金属スリーブ15zに接続して、接地状態とした従来のグロープラグ1zの上流側に制御部4zを設けた場合の問題点について詳述する。なお、比較を容易にするため上記実施形態における制御部一体型グロープラグ6と同じ構成については同じ符号を付し、対応する構成において相違点のあるものについては、同じ符号に枝番としてzの符号を追加して示してある。グロープラグ1zでは、接地電極110zを絶縁体13zの基端側側面に引き出して、絶縁体13zをロウ付け部151zによって金属スリーブ15zに接続すると同時に、接地電極110zを金属スリーブ15zに接続し、ハウジング部16zを介して気筒70に接地状態としている。このため、グロープラグ1zの発熱したときや、被加熱流体700が高温となったときなどに金属スリーブ15zの熱膨張係数と絶縁体13zの熱膨張係数の差によって、接地電極110zと金属スリーブ15zとの接続部分に引っ張り応力が作用し、接地電極110zと金属スリーブ15zとの間の接触抵抗が大きくなったり、比較的高温に晒され易い金属スリーブ15zに接続された接地電極11zを構成する金属が、長期の使用によって、絶縁体13z内に拡散するマイグレーション現象等を引き起こしたりして、グロープラグが劣化し、発熱温度の低下を招く虞がある。制御部4zでは、n-MOS2zのドレインソース間に流れる電流量を多くするためには、チャージポンプCGP31zに、比較的大きな容量のコンデンサC1、C2を用いる必要があり、HGD3z内に内蔵できる容量のコンデンサでは、容量不足となるため、外部に容量の大きなコンデンサC1、C2を載置することとなる。比較例において、CGP31zは、Bに接続された第1のダイオードD1と、第1のダイオードD1に直列に接続された第2のダイオードD2と、とHGD3zの出力VOUTから、第1のダイオードD1と第2の第オードD2との間に接続され、HGD3zの外部に載置される第1のコンデンサC1と、第2のダイオードD2と接地GNDとの間に接続され、HGD3zの外部に載置される第2のコンデンサC2とによって構成されており、外部から発信された駆動信号SIのHiLo切換に同期して、発振回路310zから発振された、例えばパルス周期変調PFM信号にしたがって、駆動信号SIがHiのときには、第1のダイオードD1を経由して第1のコンデンサC1に入力電圧Bを充電し、入力電圧が第1のコンデンサC1の電圧と等しくなる。駆動信号SIがLoのときには、第1のコンデンサC1に充電された電圧Bに、入力電圧Bが重畳して、入力電圧Bの2倍の電圧が第2のコンデンサC2が充電され、駆動信号SIがHiとなったときに、第2のコンデンサC2から入力電圧Bの2倍の出力電圧VCCGがHGD30zの駆動電圧として印加され、駆動信号SIに同期して、入力調整回路300zから発振された、例えば、パルス幅変調PWM信号に従って、HGD30zからn-MOS2zのゲート電圧VGGとして、電源電圧Bの2倍の電圧を印加することができる。しかし、グロープラグ1zへの通電を開閉制御するためのn-MOS2zを上流側で駆動するHGD3zには、外部に設けたコンデンサC1、C2との接続を図るための入出力端子が必要となり、必然的に制御部4zの体格増大を招くことになる。特に、n-MOS2zの耐熱温度は、150~175°Cであるのに対して、CGP31zに用いられる外部コンデンサC1、C2の耐熱温度は、105~120°C程度であるため、高温に発熱するグロープラグ1からの熱の影響をできるだけ廃除するのが望ましく、このようなHGD3zをグロープラグ1の頭部に一体的に収容する場合に収容部500zの容積を大きくする必要が生じる。このため、図3に示すように、駆動信号端子51zと、制御部4zのB端子とが駆動信号線130zを介して接続され、電力供給端子52zと制御部4zのB端子とが電力線121zを介して接続され、制御部4zのVSS端子とグロープラグ1zの一方のリード部12と電力線120zを介して接続され、制御部4zの出力VOUTと第1のコンデンサC1の一方の端子VOUT端子とが電力線131zを介して接続され、第1のコンデンサC1の他方の端子VL端子と制御部4zの入力VL端子とが電力線132zを介して接続され、制御部4zのチャージ出力VCCGと第2のコンデンサC2のVCCG端子とが電力線142zを介して接続され、第2のコンデンサC2のGND端子と制御部4zのGND端子とが電力線141zを介して接続され、さらに制御部4zのGND端子とハウジング部16zのボス部161zとが接地用信号線140zを介して接続されている。このように、負荷グロープラグ1zの上流側に制御部4zを設けた場合、図1に示した本願の実施例に比べて遙かに配線が複雑となり、その分だけ製造コストも増加する。また、制御部4zから発生する熱の影響が少なくなるように、十分な距離を設けて第1のコンデンサC1、第2のコンデンサC2を配設するなどの、第1のコンデンサC1、第2のコンデンサC2、及び制御部4zの放熱性を考慮して配置し、固定するための手間と、制御部収容空間500zの容積を大きくすることも必要となる。図5を参照して、本発明の第2の実施形態における制御部一体型グロープラグ6aについて説明する。上記実施形態においては、制御部4をLGD3とn-MOS2とによって構成した、最も基本的なものを示したが、本実施形態においては、制御部4aにグロープラグ1の断線や過電流を検出し、異常の有無を判定する自己診断装部DIU32を設けた点が相違する。本実施形態においては、制御部4aとして、上記第1の実施形態と同様の構成に加えて、グロープラグ1と、下流側に設けたn-MOS2との間に電流検出手段として、シャント抵抗RSを介装し、シャント抵抗RSの両端の電位差を検出する第1の電位差検出手段CMP1と、第1の電位差検出手段CMP1の出力結果を閾値判定して異常の有無を判定し、自己診断信号DIとして発信する第2の電位差検出手段CMP2を設け、コネクタ5内に、電源入力端子51、駆動信号入力端子52、自己診断信号出力端子53を設けてある。このような構成においても、上記実施形態と同様、負荷グロープラグ1の下流側に制御部4aを設けることにより、制御部4aを簡素化することが可能で、n-MOS2と、LGD30と、DIU32とを一つのICチップ内に形成することができる。図6を参照して、本発明の第3の実施形態における制御部一体型グロープラグ6bについて説明する。上記第2の実施形態においては、電流検出手段として、シャント抵抗RSを設けた例を示したが、本実施形態においては、n-MOSの内部にカレントミラー回路を設け、これを電流検出手段として利用した自己診断部DIU32bを設けた点が相違する。グロープラグ1に発熱体10として、電導性セラミック抵抗体を用いた、いわゆるセラミックグロープラグにおいては、発熱体10の抵抗値が温度上昇と共に極めて広い範囲で変化し、突入時には、100A程度の大電流が流れ、安定制御時には、数A程度に下がる。このため、上記第2の実施形態のように、シャント抵抗RSをグロープラグ1の電力供給ライン上に介装して電流検出を行う場合に、シャント抵抗RSの抵抗値を、高い電流値に合わせて小さい抵抗値に設定すると、低い電流値の検出が困難となる虞があり、また、低い電流値に合わせて比較的大きな抵抗値に設定すると、始動時の突入電流によるエネルギーロスが増加し、グロープラグ1の昇温スピードも遅くなる虞がある。一方、実際のn―MOS2においては、一般的に、複数n個のトランジスタセルを並列に形成して大きな電流を制御できるようになっている。そこで、本実施形態においては、n-MOS2を構成する複数のトランジスタセルの一部を利用して、本図に示すようにカレントミラー回路を構成し、ミラー電流ILD/nを検出することによって、グロープラグ1への通電に損失を与えることなくグロープラグ1に流れる電流ILDを算出し、異常の有無を検出するように構成してある。本実施形態におけるDIU32は、n-MOS2のトランジスタセルの一部に流れる電流ILD/nをミラー回路側に設けたシャント抵抗RSによって検出し、これを、閾値判定また、本実施形態において、複数のミラー回路を利用して、電流値の大きな変化に対して測定レンジの異なる複数の電流検出抵抗RSを設けることによって、より一層精度良くグロープラグ1に流れる電流ILDを検出することが可能となり、異常検出に利用することができる。なお、一般的に、n-MOS2bは、ドレインとなるn層をベース基板として、多層構造で作り込まれるため、本実施形態において、DIU32bをn-MOS同時に作り込むためには、本図に示すように、DIU32bは、ソース側に形成することになる。したがって、n-MOS2b、LGD30、DIU32bをそれぞれ独立の素子で形成しパッケージに収める場合には、DIU32bをn-MOS2bの上流側に接側しても良い。本発明は、制御部の簡素化による小型化の効果に加え、いわゆるセラミックグロープラグと制御部とを一体化した場合に、グロープラグの上流側に制御部を設けた場合のように、熱膨張係数の異なる発熱体の接地電極と金属スリーブとを接続する必要がないので、耐久性向上に特に優れた効果を発揮し得るものであり、上記実施形態においては、発熱体して、セラミック抵抗体を用いた例について説明したが、本発明を、特許文献1にあるような発熱体として金属抵抗体を用いた場合に適用することも可能である。この場合においても、制御部を簡素化し、装置の小型を可能とする効果を発揮できる。