高周波信号の入出力方向に対向配置された入出力端子対、この入出力端子対間の主面、およびこの主面に凹設され評価対象の高周波素子が着脱自在に載置される凹部を有する導電性の土台と、この土台の入力端子対側に設けられ、前記主面に接地する接地導体、この接地導体上の誘電体基材およびこの誘電体基材上のストリップ導体を有する入力側基板と、この入力側基板と前記凹部を挟んで前記土台の出力端子対側に設けられ、前記土台の主面に接地する接地導体、この接地導体上の誘電体基材およびこの誘電体基材上のストリップ導体を有する出力側基板と、それぞれこれらの出力側基板および入力側基板の各接地導体の裏面および前記土台の主面間に挟持され、前記各接地導体の裏面および主面の何れかに接触する凸状部を有する複数の導電性の被挟持部と、これらの被挟持部を挟んで出力側基板及び前記土台間および前記入力側基板及び前記土台間を締結し、各接地導体を前記土台の主面上に密着固定させる締結具と、この締結具の締結力によってマイクロストリップ線路を成す各ストリップ導体に前記高周波素子の入出力リードを接触させた状態で前記高周波素子に上方から下方へ向かう力を作用させる押圧機構と、を備え、この押圧機構による押圧および前記締結具による締結により前記複数の被挟持部は前記凸状部が凸状先端に有する平坦面部を前記各接地導体の裏面又は前記主面に押し付けることを特徴とする高周波特性評価治具。前記被挟持部は、前記土台の主面上で前記入力側基板の下方においてこの入力側基板の前記接地導体の裏面に向かって上方に湾曲した入力側の部分と、前記土台の主面上で前記出力側基板の下方においてこの出力側基板の前記接地導体の裏面に向かって下方に湾曲した出力側の部分とを有することを特徴とする請求項1記載の高周波特性評価治具。前記被挟持部は、前記入力側基板の前記接地導体の裏面側が前記土台の主面に向かって下方に湾曲しており、前記出力側基板の前記接地導体の裏面側が前記土台の主面に向かって下方に湾曲していることを特徴とする請求項1記載の高周波特性評価治具。前記入力側基板の前記誘電体基材の基材厚みは前記入出力方向と直交する基板幅方向に均一であり、この誘電体基材下の前記接地導体の導体厚みは前記基板幅方向で変化しており、前記出力側基板の前記誘電体基材の基材厚みは前記基板幅方向に均一であり、この誘電体基材下の前記接地導体の導体厚みは前記基板幅方向で変化していることを特徴とする請求項3記載の高周波特性評価治具。前記被挟持部は、前記土台とは別体に構成されており、この被挟持部の材質は電気伝導性に富む材料であることを特徴とする請求項1記載の高周波特性評価治具。前記土台の主面が湾曲しており、この主面の湾曲の曲率は、前記入出力方向と直交する方向についての前記入力側基板の基板幅又は前記出力側基板の基板幅から独立した大きさであることを特徴とする請求項1記載の高周波特性評価治具。前記締結具は、前記入力側基板および前記出力側基板の各裏面のうち少なくとも前記マイクロストリップ線路を構成する部分に押し付け力を作用させることを特徴とする請求項1記載の高周波特性評価治具。しかしながら、製品を客先に提供する前に入出力側基板と土台とをはんだ付け固定することはできないため、例えば12GHz以上の周波数帯域用の高周波素子の特性評価では、入力側基板及び土台間の接地と、出力側基板及び土台間の接地とを確実に行えない。良好な電気的接触を確保することができない。このような課題を解決するため、一実施形態によれば、高周波信号の入出力方向に対向配置された入出力端子対、この入出力端子対間の主面、およびこの主面に凹設され評価対象の高周波素子が着脱自在に載置される凹部を有する導電性の土台と、この土台の入力端子対側に設けられ、前記主面に接地する接地導体、この接地導体上の誘電体基材およびこの誘電体基材上のストリップ導体を有する入力側基板と、この入力側基板と前記凹部を挟んで前記土台の出力端子対側に設けられ、前記土台の主面に接地する接地導体、この接地導体上の誘電体基材およびこの誘電体基材上のストリップ導体を有する出力側基板と、それぞれこれらの出力側基板および入力側基板の各接地導体の裏面および前記土台の主面間に挟持され、前記各接地導体の裏面および主面の何れかに接触する凸状部を有する複数の導電性の被挟持部と、これらの被挟持部を挟んで出力側基板及び前記土台間および前記入力側基板及び前記土台間を締結し、各接地導体を前記土台の主面上に密着固定させる締結具と、この締結具の締結力によってマイクロストリップ線路を成す各ストリップ導体に前記高周波素子の入出力リードを接触させた状態で前記高周波素子に上方から下方へ向かう力を作用させる押圧機構と、を備え、この押圧機構による押圧および前記締結具による締結により前記複数の被挟持部は前記凸状部が凸状先端に有する平坦面部を前記各接地導体の裏面又は前記主面に押し付けることを特徴とする高周波特性評価治具が提供される。以下、実施の形態に係る高周波特性評価治具について、図1乃至図9を参照しながら説明する。尚、各図において同一箇所については同一の符号を付すとともに、重複した説明は省略する。実施の形態に係る高周波特性評価治具はマイクロ波帯域の高周波信号の電力半導体増幅素子を評価するマイクロ波帯用の治具である。図1はマイクロ波帯用治具の斜視図である。図2aはマイクロ波帯用治具の上面図である。図2bは図2aのマイクロ波帯用治具のAA′線に沿う縦断面図である。図2cは同マイクロ波帯用治具のBB′線に沿う縦断面図である。これらの図中、同一の符号を付した要素は互いに同じ要素を表す。マイクロ波帯用治具10は、入出力端子対11、12、入出力端子対11、12間の主面13、及び主面13に凹設された凹部14を有する導電性の土台15と、土台15上で入力端子対11側に設けられた入力側基板16と、この入力側基板16と凹部14を挟んで対向するように土台15上で出力端子対12側に設けられた出力側基板17と、それぞれ入力側基板16及び出力側基板17の各裏面18及び主面13間に挟持され、これらの裏面18に接触する凸状部を有する2つの導電性の被挟持部19とを備えている。更にマイクロ波帯用治具10は、これらの被挟持部19を挟み出力側基板17及び土台15間及び入力側基板16及び土台15間を締結する複数本のネジ20締結具と、これらのネジ20が締結し評価対象の高周波素子21の入出力リード22、23を接触させた状態でこの高周波素子21に上方から下方へ向かう力を作用させる押圧機構24とを備えている。土台15はアルミニウムや銅などの金属からなるベース材である。入出力端子対11、12は、高周波信号の入出力方向に対向配置されている。入力端子対11、出力端子対12にはそれぞれコネクタや配線類を介して図示しない測定器に接続されるようになっている。土台15はその上面を主面13としており、凹部14はこの主面13の面高さよりも低い凹底を有する。この凹部14は例えば溝状であり、この内部に高周波素子21が着脱自在に載置される。高周波素子21の素子パッケージが接地されるようにされている。入力側基板16はプリント基板であり、土台15の主面13に接地する接地導体25、この接地導体25上の誘電体基材26及びこの誘電体基材26上のストリップ導体27を有する。接地導体25及びストリップ導体27は金属層である。誘電体基材26にはPTFEポリテトラフルオロエチレンが用いられ、例えばテフロン登録商標が用いられる。この入力側基板16のパターニングは、ストリップ導体27として生成される領域にメッキを施し、この領域以外の非配線パターンとして生成される領域にフォトレジストを用いてエッチング処理するなどして生成されている。出力側基板17も入力側基板16の例と同様な処理により配線がパターニングされたプリント基板である。出力側基板17は、土台15の主面13に接地する接地導体28、この接地導体28上の誘電体基材29及びこの誘電体基材29上のストリップ導体30を有する。接地導体28及びストリップ導体30は金属層である。誘電体基材29にはPTFEが用いられる。また、入力側基板16及び出力側基板17の各周辺縁部には貫通ネジ孔が形成されている。裏面18は接地導体25、28の各裏面である。2つの被挟持部19の凸状部は土台15の長手方向に直交する断面内で上に凸の円弧状に湾曲している。これらの凸状部の凸部先端面は、マイクロ波信号の伝播方向即ち入出力端子対11、12方向を長手方向とする平坦面である。これらの平坦な面部によって2つの被挟持部19は各接地導体25、28の裏面と接触する。各被挟持部19はともに土台15と一体に形成されており、アルミニウムや銅などの金属からなる。入力側一方の被挟持部19の長手方向の長さは、入力側基板16の基板長さと等しい。基板長さとは高周波信号の入出力方向に沿う入力側基板16の長さを指す。出力側他方の被挟持部19の長手方向の長さは出力側基板17の基板長さと等しい。図2bの被挟持領域44破線部参照は、入力側基板16の基板面領域よりもやや大きい領域サイズを有し、土台15の上部、被挟持部19及び入力側基板16の下部を囲む空間領域である。被挟持領域44の領域内に、曲面を有する被挟持部19が設けられる。上下の入力側基板16及び土台15のうち、少なくとも下側の入力側基板16が曲面を有し、入力側基板16が押し付け機能を発揮するようになっている。また、図2cの被挟持領域45破線部参照は、出力側基板17の基板面領域よりもやや大きい領域サイズを有し、土台15の上部、他方の被挟持部19及び出力側基板17の下部を囲む空間領域である。被挟持領域45でもその領域内に他方の被挟持部19が存在する。被挟持領域45においても、上下のうち少なくとも下側の出力側基板16が曲面を有し、出力側基板16が押し付けを行う。複数本のネジ20は、入力側基板16の接地導体25を土台15の一方の主面13上に密着固定させ、出力側基板17の接地導体28を他方の主面13上に密着固定させる。これらのネジ20による締結力は、接地導体25及び主面13間の接地面と、接地導体28及び主面13間の接地面とを何れも圧着させる。この締結力は入力側基板16のストリップ導体27と、出力側基板17のストリップ導体30とを高周波信号に対するマイクロストリップ線路として機能させるようにしている。押圧機構24はレバーやばね圧で押さえ付ける力を発生させる部材である。一例として、押圧機構24はマイクロ波帯用治具10に対して上下動自在な部材からなり、突起部31等により高周波素子21に上方から下方へ付勢するものである。つまり、マイクロ波帯用治具10は、入力側基板16及び出力側基板17を土台15の主面13上のこれらの基板と接する部分に、頂部が平坦且つ上に凸の曲面部を持たせ、各曲面部は入力側基板16及び出力側基板17の各裏面18に土台15側から均一に押し付ける力が働くようにされており、更にネジ止めされて構成されている。上述の構成のマイクロ波帯用治具10の凹部14に、ピンセット等によって人が評価対象の高周波素子21を位置決めする。図3は押圧機構24が高周波素子21へ押圧する箇所を示す高周波素子21の上面図である。同図に示す符号のうち既述の符号はそれらと同じ要素を表す。高周波素子21は接地用の素子パッケージ32を有する。この素子パッケージ32が凹部14の凹底に接地した状態において、押圧機構24による押圧及びネジ止めによる締結が入力側基板16及び出力側基板17の各裏面18に下方から上方へと向かう押し付け力を作用させる。押圧機構24は高周波素子21の入力リード22を入力側基板16側のストリップ導体27に接触させ、出力リード23を出力側基板17側のストリップ導体30に接触させ、高周波素子21に押圧力を与える。具体的には押圧機構24は高周波素子21のA1、A2、B及びCの各部分にのみ押圧する。部分A1、A2への押圧により、押圧機構24は素子パッケージ32の裏面及び凹部14の凹底の間を圧接する。部分Bへの押圧により、ストリップ導体27の上面及び入力リード22の間を密着する。部分Cへの押圧により、ストリップ導体30の上面及び出力リード23の間を密着する。各被挟持部19は上に凸の曲面を有している。またこの曲面はマイクロ波信号が伝播する方向に平坦となっており、この方向で傾斜をしていない。入力側基板16、出力側基板17は何れも弾性を有する。各裏面18の全領域のうち、少なくともマイクロストリップ線路の電磁界が伝播する部分に押し付け力が作用するようにネジ止めされているため、該曲面の面高さが最も高い部分以外の箇所でこれらの入力側基板16、出力側基板17をネジ20によって固定することにより、電磁界の伝播領域を土台15の主面13上へ押し付ける力が働き、良好な電気的接触が得られる。この状態で、測定器は入力端子対11からマイクロ波帯用治具10に、例えば数十Wの電力を持つ高周波信号を高周波素子21へ加える。出力端子対12から測定器は高周波信号を印加し、相互変調歪や高周波パラメータなどの特性を評価する。ネジ止め及び被挟持部19によって均一に力が入力側基板16、出力側基板17に加わるようにして測定器は評価を行う。高周波素子21が製造された後、全ての高周波素子21を検査する。高周波素子21の顧客が実装する前、高周波素子21の製造者は高周波素子21をはんだ付けできない。このため、マイクロ波帯用治具10が必要とされる。高周波素子21は例えばGaNガリウムナイトライド系の電力半導体増幅素子である。高周波素子21は14GHz以上の周波数帯域のマイクロ波信号を増幅する。この高周波素子21の消費電力は大きい。マイクロ波帯用治具10により押さえ付けられている部分に大電力が通電すると、高周波素子21は発熱する。発熱などにより入力側基板16、出力側基板17が劣化したとしても、ネジ20を緩めてこれらの入力側基板16、出力側基板17を外して新品の入力側基板16、出力側基板17に交換することによって土台15ごと治具を交換するといった無駄を省くことができる。高周波素子21を人が交換し何回にも亘って測定系のセッティングをし、評価を実行すると、マイクロ波帯用治具10は劣化してくる。例えば入出力リード22、23や、入力側基板16、出力側基板17上の電極が発熱により劣化してくる。誘電体基材26、29の材質は高周波数帯において良好な特性を得るためPTFEを主体としており一般の誘電体材料よりも軟らかい。機械的な押し付け力が入力側基板16、出力側基板17に加えられた状態で、複数回に亘って測定に用いられると、PTFE材は、その力が作用する部位が変形することがある。従来例による高周波特性評価治具を使って12GHz以上の周波数帯域での評価を行う場合、はんだ付けにより土台の主面と、入力側基板、出力側基板の各裏面とを固定する。一旦、入出力側基板及び土台間をはんだ付けすると、これらの入出力側基板と土台とを剥離することができない。評価時、大電力の高周波信号の通電によって治具は発熱し、入出力側基板が劣化する。例えば入出力側基板の電極や、誘電体基材の変形が生じる。入出力側基板及び土台間の電気的接触が要求される測定精度を得られない。特性の評価時、特性が劣化したときには入力側基板、出力側基板のみを交換することが出来ない。はんだ付けにより入出力側基板に接続された土台も交換を要する。土台及び入力側基板、出力側基板を含む治具全体を新規に作り直さなければならない。また、従来例による高周波特性評価治具を使って12GHz以下の周波数帯域での評価を行う場合、入力側基板、出力側基板と、土台とを締結するネジ止め可能な治具が用いられている。入力側基板、出力側基板だけを交換可能にされている。図4に、12GHz以下の周波数の増幅器の評価用治具の例を示す。図4aは比較例のマイクロ波帯用治具の入力側基板の平面図である。図4bは図4aの入力側基板のCC′線に沿う縦断面図である。これらの図中、左右方向は高周波信号の入出力方向に対応する。既述の符号はそれらと同じ要素を表す。ストリップ導体200の長手方向に沿ってプリント基板201を直接土台15上にネジ止めする場合、プリント基板201には反りが生じる。図4bに示すように、ネジ止めされた複数の箇所のうち、隣接するネジ20の中間部が土台主面より浮き上がる。従来の治具ではプリント基板201と対面する相手側固定面が土台15側であり、プリント基板201の周辺縁部をネジ止めしたときにネジ止めされていない箇所が浮き上がる。これに対して、マイクロ波帯用治具10によれば、マイクロストリップ線路を確保するための電気的な接触の度合いを良好に得ることができる。マイクロ波帯用治具10を交換する場合、土台15ごと交換することなしに、土台15を残して入力側基板16、出力側基板17だけを交換することができるようになる。第1の変形例図5aは第1の変形例に係る高周波特性評価治具の縦断面図である。同図は図2aのAA′線に沿う入力側基板16の縦断面を示す。図5bは図2aのDD′線に沿う縦断面図である。第1の変形例に係る高周波特性評価治具は、図1から図3に示す要素のうち、図5に示されているもの以外の要素を有する。図5に示す高周波特性評価治具はネジ止めを、それぞれネジ長が長い複数本のネジ33と、それぞれこれらのネジ33用の貫通ネジ孔を有し、入力側基板16の主面上に締結固定される2個のスペーサ34とを備えている。2個のスペーサ34は絶縁性の構造物であり、例えば直方体の合成樹脂が用いられる。これらのスペーサ34の入出力方向の長さは入力側基板16の基板長さと同じである。各スペーサ34の基板幅方向の厚みは入力側基板16の周辺縁部の領域の大きさあるいはネジ33の太さ等により決められる。出力側基板17の例も入力側基板16の構造と同じである。このような構成によって、押圧機構24は高周波素子21に上方から下方へ力を与える。ネジ33による締結力を各スペーサ34が基板長方向に均一化させる。各スペーサ34が締結力を分散させて、入力側基板16及び出力側基板17が固定される。より良好な電気的接触が得られるようになる。第2の変形例図6は第2の変形例に係る高周波特性評価治具の縦断面図である。同図は図2aのAA′線に沿う入力側基板16の縦断面を示す。第2の変形例に係る高周波特性評価治具は、図1から図3に示す要素のうち、図6に示されているもの以外の要素を有する。第2の変形例に係る高周波特性評価治具は被挟持部35を有する。この被挟持部35は断面視半月板の導電性部材である。被挟持部35は、入力側基板16の基板長の方向に、この基板長と同じ部材長を有する。被挟持部19と異なり被挟持部35は土台15とは別体に構成されている。被挟持部35は上に凸の曲面を有する。この被挟持部35の材質は電気伝導性に富む材料が用いられている。高周波特性評価治具は、土台15と入力側基板16との間に被挟持部35を挟み込んでいる。また、被挟持領域46破線部参照は、入力側基板16の基板面領域よりもやや大きい領域サイズを有し、土台15の上部、被挟持部35及び入力側基板16の下部を囲む空間領域である。被挟持領域46の領域内に、曲面を有する被挟持部35が存在している。被挟持部35を挟んでネジ33が土台15及び入力側基板16、出力側基板17間を締結固定した場合であっても、上記一実施形態及び第1変形例の効果と同様の効果が得られる。また被挟持部35は延性に富む性質を持つ材質を用いても良い。被挟持部35が延性を持つ場合、入力側基板16の裏面18の表面粗さと、土台15の主面13の表面粗さとによる電気的接触の劣化を防ぐことが可能となる。出力側基板17の例も同様である。第3の変形例図7は第3の変形例に係る高周波特性評価治具の縦断面図である。既述の符号はそれらと同じ要素を表す。第3の変形例に係る高周波特性評価治具は主面の湾曲曲率が大きい土台36を有する。この曲率は、入力側基板16の基板幅から独立した大きさを有する。土台36の主面37の湾曲の大きさは、この土台36が固定される入力側基板16の大きさに依存しない。出力側基板17の例も同様である。第4の変形例上記実施形態及び各変形例と異なり、曲面部を持たせる側を土台15でなく、入出力側基板16、17の裏面側に曲面部を持たせてもよい。マイクロ波信号の電磁界が伝播する領域が電気的に良好な接触が確保されるようにする。図8は第4の変形例に係る高周波特性評価治具の縦断面図である。既述の符号はそれらと同じ要素を表す。同図は図2aのAA′線に沿う入力側基板16の縦断面と同等である。第4の変形例に係る高周波特性評価治具は、図1から図3に示す要素のうち、図8に示されているもの以外の要素を有する。入力側基板38は、接地導体39、誘電体基材40及びストリップ導体41を有する。接地導体39の裏面側が土台15の主面13に向かって下方に湾曲している。接地導体39の主面の湾曲面部と、誘電体基材40の裏面の湾曲面部とが面一になるように、これらの接地導体39及び誘電体基材40が形成されている。誘電体基材40の主面側は平坦であり、この誘電体基材40の基材厚みは基板幅方向に連続的に変化するように形成されている。誘電体基材40の基板幅方向中央部における基材厚みは、同じ誘電体基材40の基板幅方向で両サイドの縁端における基材厚みよりも大きい。特性インピーダンスを補正するために、ストリップ導体41の基板幅方向の導体幅は、ストリップ導体27の導体幅よりも太くされている。出力側基板の例も入力側基板38の例と同じである。第5の変形例また、入力側基板38の土台15と接地する側が下に凸の曲面を有する他の例を図9に示す。図9は第5の変形例に係る高周波特性評価治具の縦断面図である。既述の符号はそれらと同じ要素を表す。入力側基板42は、接地導体43、誘電体基材26及びストリップ導体27を有する。接地導体43の裏面側が下方に湾曲しており、この接地導体43の主面側は平坦である。誘電体基材26の基板厚みは基板幅方向で均一であり、接地導体43の金属層の厚みにより曲面部を変化させている。出力側基板も入力側基板38と同様である。上記図8のように入力側基板38を構成する誘電体基材40の中央部を厚くする構成、または図9のように接地導体43の中央部の導体層の厚みを厚くする構成において、ネジ止めによって締結し、入力側基板38及び図示しない出力側基板が固定される。より良好な電気的接触が得られる。その他上記実施形態では、押圧機構24の形状、構造は種々変更可能である。また、被挟持部19、35の相手面部との接触部分の形状は、種々の形状をとり得る。平坦面部のサイズ、湾曲の度合いや比率を変更させてもよい。これらの形状等を変更したに過ぎない実施品に対して本実施形態に係る高周波特性評価治具の優位性は何ら損なわれるものではない。凹部14は主面13の面高さよりも低い凹底を有していたが、評価対象によっては、主面13の面高さと同じかそれ以上にすることもありうる。誘電体基材26には、PTFEAl2O3やBTレジン、PPOなどを使うことができる。スペーサ34は、マイクロ波特性に影響を与えなければ、Al、Cu等の金属を用いることも可能である。いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。