"ケイ素含有成分と水素を有する反応ガスを反応器中に導入することによってシリコンを析出させる、多結晶シリコンの製造法において、第1の反応器中での第1の析出プロセスからの精製された凝縮液を、第2の反応器に供給し、この第2の反応器中での第2の析出プロセスに際して使用することを特徴とする、多結晶シリコンの製造法。第1の反応器及び第2の反応器が、それぞれ別々の水素循環を包含し、そして析出プロセスにおいて消費されなかった水素をそのつど精製し、かつ関連した水素循環に返送する、請求項1記載の方法。第1の反応器のオフガスから水素を取り出し、これの不純物を分析し、そして分析の結果を第2の反応器中でのガス流の制御のために用いる、請求項1又は2記載の方法。水素の不純物をキャビティリングダウン分光法によって分析する、請求項3記載の方法。2つの反応器がシーメンス反応器であり、加熱されたフィラメントロッド上にシリコンを析出させる、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。第2の反応器が流動床反応器であり、この場合、粒状多結晶シリコンを析出させる、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。30ppba以下の炭素濃度と5ppmw以上の塩素濃度を有することを特徴とする、粒状多結晶シリコン。1ppbaより小さい炭素含有率を有することを特徴とする、多結晶シリコン。本発明の課題は、今後の純度の要求を満たす、ポリシリコンの特に経済的な製造法を提供することにあった。該課題は、請求項1に従った方法によって解決される。本発明が効を奏するために非常に重要なことは、析出反応器用の別々の水素循環を準備し、かつ第1の析出の水素循環を、第2の析出のTCSの流れを制御することができるようにコントロールすることである。本発明者は、かかる方法が、従来技術から公知のプロセスと比べて明らかに低コストであり、かつ同時にポリシリコン中の不純物の減少をもたらすことを確認した。特に好ましいのは、析出の本質的なプロセスパラメーター自体がそれによって影響を及ぼされず、ひいては該方法が、非常に融通の利くものであり、そして全ての製品規格に適していることである。プロセスガスの純度を高めるためのあらゆる努力がなされてきたにも関わらず、従来技術において、析出されたシリコンの品質を異種原子割合に関して顕著に改善することは不可能であった。第1の析出循環からの精製及び制御されたオフガスで運転される、完全な第2の析出循環の導入によって初めて、品質及び経済性に関して飛躍的な進歩が見られた。第1の析出プロセスからのオフガスは、それが第2の析出プロセスで使用される前に、先ず凝縮され、引き続き蒸留によって精製される。第1の析出からのオフガス流を直接的には第2の析出に導かず、そのため2つの析出反応器を同期調整する従来技術の方法は、煩雑性が高まること以外に、明らかな品質の損失を示す。本発明により、第1の析出プロセスからのオフガスは凝縮される。蒸留によって、四塩化ケイ素が分離される。消費されなかった水素は、本発明により、精製後の循環過程で再び使用される。それに対して、従来技術においては、第1の析出プロセスからのオフガスは、それが第2の析出プロセスに供給される前に、高純度の水素で希釈される。本発明が効を奏するために非常に重要なことは、2つの析出プロセスのために2つの別々の水素循環を準備することであった。2つの水素循環は、物理的に互いに分けられている。これは、水素の全体の消費量を明らかに減らすことができるという利点を有する。他方では、いかなる不純物も水素によって第2の析出プロセスに導入されないことが保証されている。本発明者は、第2の析出プロセスにおいて使用するために水素を単に精製しただけでは、その目的にとって十分ではないことを確認した。本方法は、特に不純物が乏しいポリシリコンをもたらす。好ましくは、該方法で使用される2つの反応器はシーメンス反応器である。第2の析出プロセスからのポリシリコンは、この場合、1ppbaより小さい炭素濃度を有する。しかしながら、第2の反応器が流動床反応器であることも有利である。第2の析出プロセスからの粒状ポリシリコンは、50ppbaより小さい炭素濃度を有する。同時に、塩素濃度は5ppmwより大きい。好ましくは、シリコン中の置換炭素Csから不純物を測定するために、FTIRFourierTransformInfraRedAbsorptionが用いられる。この方法の詳細は、DE102004014984B4の中で見出される。多重測定における検出下限値は、この場合、2.9ppbaより小さい値で示される。付加的に、SEMI規格F1391を1つの種別として考慮することもできる。測定点の数が増える場合、統計学的な理由から、多重測定における検出下限値は1ppbaで表すことができる。プロセスガス中の不純物を測定するために、好ましくはCRDSが用いられる。キャビティリングダウン分光法CRDSは、キャリアガス中の最小の不純物を測定する確立された方法である。CRDSは、波長範囲の吸収率を測定し、それゆえ、吸収振幅を測定する古典的な分光法と比べて利点を有する。なぜなら、結果は入射振幅に全く依存しないからである。CRDSは、Berden,Peetersetal.Int.ReviewsinPhysicalChemistry,2000,Vol19,No.4565~607の刊行物に詳細に記載されている。これらの測定は、有利には水素循環において使用される。実施例及び比較例比較例1シーメンスプロセスにおけるシリコンの析出後に、第2のシーメンス反応器を、今日の従来技術に応じて、第1のプロセスに由来するオフガスを用いて運転した。付加的に、第2の析出プロセスでの収率を高めるために、水素を第2の析出反応器に供給した。不純物殊に炭素に関して、品質の改善は認められなかった。炭素濃度は約5ppbaであった。この最初の比較例の2つ目の試みにおいては、第2の反応器に代わりに流動床反応器を用いた。その際、粒状ポリシリコン中で約103ppbaの炭素濃度が生じた。比較例2比較例1の方法を、第1の析出において発生したオフガスを精製し、次いで第2のシーメンス析出反応器に供給する形に変更した。ここでも、2つの反応器中での炭素による汚染の度合いは同じレベル約5ppbaにあった。実施例1意想外にも、水素供給を切り離すことを含めた析出プロセスの完全な分離によって初めて、所望の品質改善の点で進展が見られた。第2のシーメンス析出反応器の炭素の不純物レベルは、検出下限値1ppba以下であり、従って比較例の25以下であった。それに応じて、後接続された析出プロセスは、より高い所望の品質のシリコンを供給する。以下で、本発明を更に図面に基づき説明する。有利には使用される接続図は、本質的に、2つの物理的に分けられたユニット、予備析出ユニットと主要析出ユニットとを包含する。唯一の例外は、再循環されるTCSの供給である。第1のユニット予備析出には、従来技術に則って精製された通常のTCSを含有する物質流Aが送り込まれる。このTCSは、第1のユニットから再循環された水素物質流B1と一緒に、リザーバタンク1を通して析出プラント2aに供給される。場合によっては、付加的に新しい水素を供給してよい。そのようにして得られたシリコン物質流Eは、従来技術に相当する。析出装置2aからのオフガスは、第1の冷却装置中で冷却され、そして凝縮液は凝縮液タンク3内に収容される。依然として凝縮していないオフガスを圧縮機4によって圧縮した後、凝縮液は第2の冷却装置の下流で取得され、続く凝縮液タンク5内に捕集される。残存するオフガスは、吸着膜により、水素とさらに凝縮液とに分離される。水素は、物質流B1により析出2aに供給される。凝縮液は、凝縮液タンク7内に貯蔵される。凝縮液タンク3、5及び7の内容物は、STCを分離する蒸留装置8に送られ、該STCは物質流C1を介して廃棄される。蒸留において精製されたTCSは、物質流Dの形で第2のユニット主要析出に供給される。この第2のユニットは、このTCS物質流を除いて、物理的に第1のユニットから独立している。第2のユニットには、付加的に、このユニットから再循環されたTCS物質流G及び再循環された水素物質流B2が送り込まれる。場合によっては、析出装置2bの手前で、付加的に新しい水素を供給してよい。そのようにして析出されたシリコン物質流Fは、本発明によるものである。析出装置2bからのオフガスは、第1の冷却装置中で冷却され、そして凝縮液は、凝縮液タンク3内に収容される。依然として凝縮していないオフガスを圧縮機4によって圧縮した後、凝縮液は第2の冷却装置の下流で取得され、続く凝縮液タンク5内に捕集される。残存するオフガスは、吸着膜6により、水素とさらなる凝縮液とに分離される。水素は、物質流B2により析出プラント2bに供給される。凝縮液は、凝縮液タンク7内に貯蔵される。凝縮液タンク3、5及び7の内容物は、STCを分離する蒸留装置8に送られ、該STCは物質流C2を介して廃棄される。蒸留において精製されたTCSは、物質流Gの形で新たな析出に供給される。析出プラント2bにおける第2の析出が、粒状析出である場合、これは特に有利であって、炭素の濃度は、約30ppba又はそれより低く、従って比較値の約30である。塩素濃度は5ppmwより大きいppmw=質量百万分率。それゆえ、本発明は、30ppba以下の炭素濃度と5ppmwより大きい塩素濃度を有する粒状ポリシリコンにも関する。表1及び2には、実施例及び比較例の結果がまとめられている。実施例2意想外にも、吸着後の水素循環の単純なオンライン分析が、析出の品質を少なくとも定性的に特徴付けるのに非常に良好に適していることがわかった。TCS中の炭素含有量の上昇は、CRDSによって測定された、オフガス中のメタンの上昇と時間的に相関している。そのようにして、例えば、CRDSによって水素循環におけるメタン含有率の高まりを検知し、非常に早期にシリコンの炭素汚染を防止するための措置を採ることができる。該措置の具体的な誘因としては、時間的に形成された平均値からの測定された不純物例えばメタンの相対偏差の測定で十分である。例えばメタンレベルが、時間的な平均値に比べて30を超えて高まっている場合に該措置が採られる。具体的な措置は、TCS源を交換することである。このために、各々の主要析出に、TCSを有するリザーバタンクを介して、いくつかの予備析出を供給する必要がある。各々の予備析出は、好ましくは、CRDSによる固有の測定箇所を有する。各々の予備析出に際して、好ましくは、水素の不純物が測定される。このタンク中へのTCSの供給は、そのつどの予備析出において相対的に測定されたメタン値が臨界値例えば平均値の30を超過する場合に、即座に中断される。その時に過剰のTCSは、例えば予備析出のために使用することができる。"