第1の基板と、前記第1の基板と対向する面に凹部を有する第2の基板と、前記第1の基板の、前記第2の基板と対向する面に形成された第1の金属膜と、前記凹部内に形成された第2の金属膜とを備え、前記凹部内において接合材料により前記第1の金属膜と前記第2の金属膜を接合させた接合部の構造において、前記第1の基板に垂直な方向から見た前記第1の金属膜の幅のうちいずれか少なくとも1つの方向における前記第1の金属膜の幅をW1、前記第1の金属膜の幅と同じ方向における前記凹部の幅をWrとするとき、次の条件1Wr>W11を満たし、前記第1の金属膜の体積をV1、前記第2の金属膜の体積をV2、前記接合材料の体積をV3、前記凹部の体積をVrとするとき、次の条件2Vr≧V1V2V32を満たすことを特徴とする接合部の構造。前記第1の基板の、前記第2の基板に対向する面と、前記第2の基板の、前記第1の基板に対向する面とが互いに接触することを特徴とする、請求項1に記載の接合部の構造。前記第2の基板の、前記第1の基板に対向する面に一対の凸部が突設され、前記凸部間に前記凹部が形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の接合部の構造。前記第1の基板と前記第2の基板のうち少なくとも一方の基板に凸部が突設され、両基板に設けられた前記凸部どうし、あるいはいずれか一方の基板に設けられた前記凸部と他方の基板とが接触することを特徴とする、請求項1に記載の接合部の構造。前記凸部は、金属膜によって形成されていることを特徴とする、請求項4に記載の接合部の構造。前記第1の金属膜の幅をW1、前記第1の金属膜の幅と同じ方向における前記第2の金属膜の幅をW2とするとき、次の条件3W2>W13を満たすことを特徴とする、請求項1に記載の接合部の構造。前記凹部の幅をWr、前記第1の金属膜の幅と同じ方向における前記第2の金属膜の幅をW2とするとき、次の条件4Wr>W24を満たすことを特徴とする、請求項1に記載の接合部の構造。前記第2の金属膜の端は、前記凹部の開口面よりも引っ込んでいることを特徴とする、請求項1に記載の接合部の構造。前記第2の基板に設けた配線の一部が前記凹部の底面に位置し、前記第2の金属膜が前記凹部内において前記配線の上に形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の接合部の構造。表面に第1の金属膜を形成された第1の基板を準備する工程と、表面に凹部を有するとともに、前記凹部内に第2の金属膜を形成された第2の基板を準備する工程と、前記第1の基板の前記第1の金属膜を形成された面と、前記第2の基板の前記凹部を形成された面を対向させ、前記凹部内において接合材料により前記第1の金属膜と前記第2の金属膜を接合させる工程とを備えた接合部の接合方法において、前記第1の基板に垂直な方向から見た前記第1の金属膜の幅のうちいずれか少なくとも1つの方向における前記第1の金属膜の幅をW1、前記第1の金属膜の幅と同じ方向における前記凹部の幅をWrとするとき、次の条件1Wr>W11を満たし、前記第1の金属膜の体積をV1、前記第2の金属膜の体積をV2、前記接合材料の体積をV3、前記凹部の体積をVrとするとき、次の条件2Vr≧V1V2V32を満たすことを特徴とする接合部の接合方法。前記第1の金属膜の幅をW1、前記第1の金属膜の幅と同じ方向における接合前における前記接合材料の幅をW3とするとき、次の条件5W1≧W35を満たすことを特徴とする、請求項10に記載の接合部の接合方法。前記第1の金属膜の厚みをH1、前記第2の金属膜の厚みをH2、接合前における前記接合材料の厚みをH3、前記凹部の深さをHrとするとき、次の条件6H1H2H3≧Hr6を満たすことを特徴とする、請求項10に記載の接合部の接合方法。前記接合材料は、接合前においては、前記第1の金属膜の表面に固着されていることを特徴とする、請求項10に記載の接合部の接合方法。請求項1に記載した接合部の構造によって前記第1の基板と前記第2の基板を接合し、前記第1の基板と前記第2の基板との間に形成された空間内に素子を収容したことを特徴とする電子部品。前記第2の基板に溝状をした前記凹部を連続的に形成し、前記凹部に沿って前記凹部内に前記第2の電極膜を連続的に形成し、前記第2の電極膜に対向させて前記第1の基板に前記第1の電極膜を連続的に形成し、前記第1の電極膜と前記第2の電極膜とを全長にわたって前記接合材料により接合させたことを特徴とする、請求項14の電子部品。本発明は、上記のような技術的課題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、接合部から接合材料が溢れ出したり飛散したりしてその近傍を汚染することがなく、また接合材料内にボイドが発生してボイドに起因する接合材料の劣化が起こりにくい接合部の構造とその接合方法を提供することにある。また、接合材料の厚みが薄くなりすぎて接合部の接合強度が低下しにくい接合部の構造とその接合方法を提供することにある。本発明に係る接合部の構造は、第1の基板と、前記第1の基板と対向する面に凹部を有する第2の基板と、前記第1の基板の、前記第2の基板と対向する面に形成された第1の金属膜と、前記凹部内に形成された第2の金属膜とを備え、前記凹部内において接合材料により前記第1の金属膜と前記第2の金属膜を接合させた接合部の構造において、前記第1の基板に垂直な方向から見た前記第1の金属膜の幅のうちいずれか少なくとも1つの方向における前記第1の金属膜の幅をW1、前記第1の金属膜の幅と同じ方向における前記凹部の幅をWrとするとき、次の条件1Wr>W11を満たし、前記第1の金属膜の体積をV1、前記第2の金属膜の体積をV2、前記接合材料の体積をV3、前記凹部の体積をVrとするとき、次の条件2Vr≧V1V2V32を満たすことを特徴とする。なお、本発明において凹部や第1及び第2の金属膜、接合材料の体積というときには、これら凹部や第1及び第2の金属膜、接合材料が円柱状や多角形柱状などの柱形状である場合には、それぞれの体積を指す。これに対し、凹部が溝状に長く伸びており、第1及び第2の金属膜や接合材料も凹部に沿って長く伸びている場合には、凹部、第1及び第2の金属膜及び接合材料の体積としては、それぞれの全体の体積全長の体積を用いてもよく、単位長さあたりの体積を用いてもよい。本発明の接合部の構造は、第2の基板に設けた凹部内において第1の基板の第1の金属膜と第2の基板の第2の金属膜とが接合されるものであり、上記条件2を満たしているので、接合材料の体積V3が凹部内の空間の体積よりも小さくなっており、接合材料が凹部から溢れ出ることがない。また、第1の金属膜の幅W1が凹部の幅Wrよりも小さくなっているすなわち、条件1:Wr>W1ので、第1の金属膜の濡れ性に導かれて接合材料が凹部の外へ広がりにくく、接合時の圧力で接合材料が凹部の外へ飛び散るのを防ぐことが可能になる。そのため、凹部から広がった接合材料によって回路や回路配線に短絡が生じたり、センサの動作不良が発生したりするのを防止できる。さらに、第1の金属膜の濡れ性に導かれて接合材料が凹部の外へ広がることがないので、接合材料によって凹部の内外の通気が遮断されず、接合材料の内部にボイドが生じにくくなる。そのため、ボイドに起因して接合材料にクラックが発生したり、接合強度が低下したりする不具合を防ぐことができる。本発明に係る接合部の構造のある実施態様は、前記第1の基板の、前記第2の基板に対向する面と、前記第2の基板の、前記第1の基板に対向する面とが互いに接触することを特徴とする。かかる実施態様によれば、第1の基板と第2の基板が接触することで、両基板の対向面間の距離のばらつきをなくし、一定距離に保つことができる。また、第1の金属膜と第2の金属膜との間の接合材料が薄くなり過ぎて接合強度が得られなくなるのを防ぐことができる。本発明に係る接合部の構造の別な実施態様は、前記第2の基板の、前記第1の基板に対向する面に一対の凸部が突設され、前記凸部間に前記凹部が形成されていることを特徴とする。かかる実施態様によれば、第2の基板に凹部を掘り込む以外の方法によって凹部を形成でき、あるいは凹部を深くすることができる。本発明に係る接合部の構造のさらに別な実施態様は、前記第1の基板と前記第2の基板のうち少なくとも一方の基板に凸部が突設され、両基板に設けられた前記凸部どうし、あるいはいずれか一方の基板に設けられた前記凸部と他方の基板とが接触することを特徴とする。かかる実施態様によれば、凸部どうしが接触することにより、あるいは凸部が相手方の基板に接触することにより、両基板の対向面間の距離のばらつきをなくし、一定距離に保つことができる。また、第1の金属膜と第2の金属膜との間の接合材料が薄くなり過ぎて接合強度が得られなくなるのを防ぐことができる。本発明に係る接合部の構造のさらに別な実施態様は、前記凸部が、金属膜によって形成されていることを特徴とする。かかる実施態様では、凸部と第1又は第2の金属膜とを同時に形成することができるので、接合部を作製する工程が簡単になる。本発明に係る接合部の構造のさらに別な実施態様は、前記第1の金属膜の幅をW1、前記第1の金属膜の幅と同じ方向における前記第2の金属膜の幅をW2とするとき、次の条件3W2>W13を満たすことを特徴とする。かかる実施態様によれば、凹部の開口側に位置する金属膜第1の金属膜の幅が凹部の奥に位置する金属膜第2の金属膜の幅よりも狭くなっているので、接合材料の広がりも凹部の奥よりも凹部の開口側で狭くなり、接合材料が凹部の外へはみ出しにくくなる。本発明に係る接合部の構造のさらに別な実施態様は、前記凹部の幅をWr、前記第1の金属膜の幅と同じ方向における前記第2の金属膜の幅をW2とするとき、次の条件4Wr>W24を満たすことを特徴とする。かかる実施態様によれば、凹部の奥で接合材料が凹部の側面まで広がりにくくなるので、凹部の側面を伝って接合材料が凹部の外へはみ出しにくくなる。本発明に係る接合部の構造のさらに別な実施態様は、前記第2の金属膜の端が、前記凹部の開口面よりも引っ込んでいることを特徴とする。第2の金属膜は凹部の側面まで延びていてもよいが、凹部の開口面まで達していると接合材料が凹部の外へはみ出し易くなるので、第2の金属膜は凹部の開口端に達しないことが望ましい。本発明に係る接合部の構造のさらに別な実施態様は、前記第2の基板に設けた配線の一部が前記凹部の底面に位置し、前記第2の金属膜が前記凹部内において前記配線の上に形成されていることを特徴とする。かかる実施態様によれば、第2の金属膜を配線と接続させる必要がある場合、第2の基板の製作工程数を削減でき、また第2の基板の面積を小さくすることができる。本発明に係る接合部の接合方法は、表面に第1の金属膜を形成された第1の基板を準備する工程と、表面に凹部を有するとともに、前記凹部内に第2の金属膜を形成された第2の基板を準備する工程と、前記第1の基板の前記第1の金属膜を形成された面と、前記第2の基板の前記凹部を形成された面を対向させ、前記凹部内において接合材料により前記第1の金属膜と前記第2の金属膜を接合させる工程とを備えた接合部の接合方法において、前記第1の基板に垂直な方向から見た前記第1の金属膜の幅のうちいずれか少なくとも1つの方向における前記第1の金属膜の幅をW1、前記第1の金属膜の幅と同じ方向における前記凹部の幅をWrとするとき、次の条件1Wr>W11を満たし、前記第1の金属膜の体積をV1、前記第2の金属膜の体積をV2、前記接合材料の体積をV3、前記凹部の体積をVrとするとき、次の条件2Vr≧V1V2V32を満たすことを特徴とする。本発明の接合部の接合方法は、第2の基板に設けた凹部内において第1の基板の第1の金属膜と第2の基板の第2の金属膜とを接合するものであり、上記条件2を満たしているので、接合材料の体積V3が凹部内の空間の体積よりも小さくなっており、接合材料が凹部から溢れ出ることがない。また、第1の金属膜の幅W1が凹部の幅Wrよりも小さくなっているすなわち、条件1:Wr>W1ので、第1の金属膜の濡れ性に導かれて接合材料が凹部の外へ広がりにくく、接合時の圧力で接合材料が凹部の外へ飛び散るのを防ぐことが可能になる。そのため、凹部から広がった接合材料によって回路や回路配線に短絡が生じたり、センサの動作不良が発生したりするのを防止できる。さらに、第1の金属膜の濡れ性に導かれて接合材料が凹部の外へ広がることがないので、接合材料によって凹部の内外の通気が遮断されず、接合材料の内部にボイドが生じにくくなる。そのため、ボイドに起因して接合材料にクラックが発生したり、接合強度が低下したりする不具合を防ぐことができる。本発明に係る接合部の接合方法のある実施態様は、前記第1の金属膜の幅をW1、前記第1の金属膜の幅と同じ方向における接合前における前記接合材料の幅をW3とするとき、次の条件5W1≧W35を満たすことを特徴とする。かかる実施態様によれば、接合後に第1の金属膜上で接合材料が第1の金属膜の幅よりも広がりにくくなる。本発明に係る接合部の接合方法の別な実施態様は、前記第1の金属膜の厚みをH1、前記第2の金属膜の厚みをH2、接合前における前記接合材料の厚みをH3、前記凹部の深さをHrとするとき、次の条件6H1H2H3≧Hr6を満たすことを特徴とする。かかる実施態様によれば、接合材料を第1の金属膜と第2の金属膜との間で潰すことができ、接合材料を第1及び第2の基板に確実に接合させることができる。本発明に係る接合部の接合方法のさらに別な実施態様は、前記接合材料が、接合前においては、前記第1の金属膜の表面に固着されていることを特徴とする。接合材料は、接合前に第1の金属膜の表面に固着させておくことも、第2の金属膜の表面に固着させておくことも可能であるが、凹部のない第1の基板側にある第1の金属膜に固着させておくことにより接合部材を金属膜に固着させる作業が容易になる。本発明に係る電子部品は、本発明に係る接合部の構造によって前記第1の基板と前記第2の基板を接合し、前記第1の基板と前記第2の基板との間に形成された空間内に素子を収容したことを特徴とする。本発明の電子部品にあっては、接合材料がセンサや半導体集積回路などの素子を汚染するおそれが小さくなるので、電子部品の歩留まりが向上する。本発明に係る電子部品のある実施態様は、前記第2の基板に溝状をした前記凹部を連続的に形成し、前記凹部に沿って前記凹部内に前記第2の電極膜を連続的に形成し、前記第2の電極膜に対向させて前記第1の基板に前記第1の電極膜を連続的に形成し、前記第1の電極膜と前記第2の電極膜とを全長にわたって前記接合材料により接合させたことを特徴とする。かかる実施態様によれば、第1の基板と第2の基板の間の空間に素子を気密封止又は真空封止することができる。なお、本発明における前記課題を解決するための手段は、以上説明した構成要素を適宜組み合せた特徴を有するものであり、本発明はかかる構成要素の組合せによる多くのバリエーションを可能とするものである。以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々設計変更することができる。実施形態1以下、図4-図6を参照して本発明の実施形態1を説明する。図4Aは、本発明の実施形態1による電子部品21の概略断面図であって、その接合部24の断面を図4Bに拡大して表わしている。この電子部品21においては、図4に示すように、ベース基板31第1の基板とカバー基板35第2の基板によってケーシング22が構成されている。カバー基板35は、シリコン基板やガラス基板からなる主基板35aの下面全体にシリコン酸化膜SiO2からなる絶縁膜36を成膜し、絶縁膜36の下にシリコン窒化膜SiNからなる絶縁膜39を形成したものである。カバー基板35の下面外周部を除く領域においては絶縁膜39が除去されており、それによってカバー基板35の下面に窪み40が形成されている。したがって、カバー基板35の下面外周部には、窪み40を囲むようにして絶縁膜39が額縁状に形成されている。さらに、カバー基板35の下面外周部には、絶縁膜39の幅方向中央部を除去することにより、絶縁膜39の長さ方向に沿って溝状をした凹部38が環状に形成されている。溝状をした凹部38の天面には、凹部38の長さ方向に沿って帯状をした接合用の金属膜37シード層;第2の金属膜が連続的に成膜されている。金属膜37としては、たとえばTi/Au、Cr/Au、Ti/Cu、Cr/Cu、Ti/Ni/Au各金属層は、絶縁膜36に近いものから順に並べて記載している。などの多層膜を用いる。ベース基板31は、シリコン基板やガラス基板からなる主基板31aの上面全体に、シリコン酸化膜SiO2からなる絶縁膜32を成膜したものである。ベース基板31の上面外周部には、カバー基板35の金属膜37と対向させて帯状をした接合用の金属膜33シード層;第1の金属膜が連続的に成膜されている。金属膜33も、たとえばTi/Au、Cr/Au、Ti/Cu、Cr/Cu、Ti/Ni/Au各金属層は、絶縁膜32に近いものから順に並べて記載している。などの多層膜を用いる。ベース基板31の金属膜33とカバー基板35の金属膜37は、凹部38内で接合材料34によって共晶接合されていて、電子部品21の外周部に接合部24が形成されている。接合材料34としては、AuSn、AuIn、SnAg、SnCuなどの共晶ハンダを用いることができる。接合部24においては、絶縁膜39の下面がベース基板31絶縁膜32の上面に接触している。接合部24は窪み40を囲むように形成しているので、窪み40によってベース基板31とカバー基板35の間に形成された空間41は、接合部24によって気密封止され、あるいは空間41を真空又は低圧に保って真空封止されている。ケーシング22の空間41内には、素子23MEMS素子やIC素子が納められている。素子23の種類は特に限定されるものではなく、センサや半導体集積回路ICなど任意の素子を納めることができる。図4Aでは、ベース基板31の上面において、支持部42によって素子23を支持しているが、素子はシリコン基板からなる主基板31aや主基板35aの内面に一体的に作り込まれていてもよい。図5A及び図5Bは、上記接合部24の構造を示す断面図であって、図5Aは接合前の構造を示し、図5Bは接合後の構造を示す。ベース基板31とカバー基板35を接合させる前の状態では、ほぼ矩形状の断面を有する所定量の接合材料34が金属膜33の上面に固着されている。なお、接合材料34は金属膜37の下面に固着させておいてもよいが、凹部38内において金属膜37に接合材料34を堆積させるよりも、金属膜33の上に接合材料34を堆積させる方が容易である。図5Aに示すように、金属膜33、37、接合材料34及び凹部38は、金属膜33の幅第1の金属膜の幅をW1、金属膜37の幅第2の金属膜の幅をW2、溶融前の接合材料34の幅をW3、凹部38の幅をWrとするとき、以下のような条件C1を満たすように調製されている。Wr=W2>W1≧W3条件C1ここで、金属膜37の幅W2は凹部38の幅Wrと等しくなっているが、凹部38の天面に金属膜37を形成する際に側面にも金属膜材料が付着することがあり、また凹部38の内面に金属膜を形成して凹部38の側面の金属膜材料を除去する場合でも側面に金属膜が残ることがある。したがって、金属膜37は凹部38の開口端にまで達していなければ、凹部38の側面にも形成されていても差し支えない。上記条件C1の利点はつぎのとおりである。まず、金属膜33の幅W1が凹部38の幅Wrよりも小さいWr>W1ので、ベース基板31とカバー基板35を接合させるとき、図5Bに示すように金属膜33が凹部38内に納まってカバー基板35絶縁膜39の下面がベース基板31絶縁膜32の上面に接触する。そのため、空間41の空間高さのばらつきを小さくでき、接合材料34の厚みが薄くなり過ぎて接合強度が低下したり、素子23がカバー基板35と干渉したり、電子部品21の厚みが大きくなったりするのを防ぐことができる。よって、絶縁膜39がベース基板31に接触する程度の圧力を加えるだけで、均一な品質で接合部24を接合させることができる。また、金属膜33が凹部38の外にはみ出さないので、金属膜33の濡れ性に導かれて接合材料34が凹部38の外へ広がりにくく、凹部38の外へ広がった接合材料34が接合時の圧力で接合部24の外へ飛び散ることがなくなる。そのため、飛び散った接合材料34が素子23や回路配線に付着して短絡が生じたり、センサなどの素子23が動作不良を起こしたりするのを防止できる。さらに、金属膜33が凹部38の外にはみ出さないので、金属膜33の濡れ性に導かれて接合材料34が凹部38の外へ広がりにくく、広がった接合材料34で凹部38の周囲が塞がれにくくなる。一方、絶縁膜39の下面はベース基板31の上面に接触しているが、この接触面は接合されていないので、接触面を通って凹部38内の空気が凹部38の外へ追い出される。そのため、接合材料34の内部にボイドが生じにくくなり、ボイドに起因して接合材料34にクラックが発生したり、接合強度が低下したりする不具合を防止できる。また、溶融した接合材料34は金属膜との濡れ性が良好であるので、接合時には、溶融した接合材料34は、図6A-図6Cに示すように金属膜33の全体に広がるが、金属膜33の端で接合材料34の広がりが止まる。同様に、接合材料34が金属膜37に接触すると、接合材料34は金属膜37の全体に広がるが、金属膜37の端で広がりが止まる。よって、金属膜33の幅W1が金属膜37の幅W2よりも小さくW2>W1なっていると、凹部38の開口側で接合材料34の広がりが小さく、凹部の奥で接合材料34の広がりが大きくなる。その結果、接合材料34が凹部38の外へ漏れ出しにくくなる。また、接合前における接合材料34の幅W3は、金属膜33の幅W1以下となっているW1≧W3、好ましくはW1>W3ので、接合材料34が凹部38の側面に付着しにくくなり、また接合後に接合材料34が金属膜33の幅よりも広がりにくくなる。次に、金属膜33の単位長さあたりの体積第1の金属膜の体積をV1、金属膜37の単位長さあたりの体積第2の金属膜の体積をV2、接合材料34の単位長さあたりの体積をV3、凹部38の単位長さあたりの体積金属膜37が占めている部分の体積を含む。をVr=Wr×Hrとするとき、次のような条件C2を満たすように調製されている。Vr≧V1V2V3条件C2特に、この条件は、Vr>V1V2V3であることが好ましい。条件C2を満たしていれば、接合材料34の体積V3が凹部38内の空間の体積Vr-V1-V2よりも小さくなるので、接合材料34が凹部38から溢れ出にくくなる。また、接合強度が低下しない限度で、接合材料34の体積V3と空間の体積Vr-V1-V2との差を大きくすることにより、プロセスマージンを広くできる。なお、当該実施形態においては、凹部38や金属膜33、37、接合材料34は帯状に伸びたものを想定しているので、これらの体積としては上記のように単位長さあたりの体積を考えたが、凹部38や金属膜33、37、接合材料34が帯状であると柱状であるとにかかわりなく、これらそれぞれの全体の体積を考えてもよい。次に、金属膜33の厚み第1の金属膜の厚みをH1、金属膜37の厚み第2の金属膜の厚みをH2、溶融前における34の厚みをH3、凹部38の深さ図示例では、絶縁膜36の下面と絶縁膜39の下面との距離をHrとするとき、次の条件C3を満たすように調製している。H1H2H3≧Hr条件C3特に、この条件は、H1H2H3>Hrであることが望ましい。この条件は、接合材料34を金属膜33と金属膜37の間で押さえて接合材料34を金属膜33、37に確実に接合させるために必要である。以上より、実施形態1によれば、接合材料が周囲に漏れ出たり、飛散したりして周囲を汚染しにくくなり、しかも接合部の接合強度の低下を防ぐことができ、かつ、均一な品質の接合部を作製することができる。変形例図7A及び図7Bは実施形態1の変形例を示す断面図であって、図7Aは接合前における接合部の構造を示す断面図、図7Bは接合後における接合部の構造を示す断面図である。この変形例では、主基板35aに凹部38を凹設し、主基板35aの表面と凹部38の天面にシリコン酸化膜等からなる絶縁膜36を形成している。これ以外の点については、実施形態1と同様であるので、同一構成部分には同一符号を付すことにより説明を省略する。実施形態2図8A及び図8Bは実施形態2による接合部51の構造を示す断面図であって、図8Aは接合前における接合部の構造を示し、図8Bは接合後における接合部の構造を示す。実施形態2の接合部51においては、絶縁膜39に凹部38を形成し、さらに凹部38の周囲全体において絶縁膜39の下面に金属膜からなる凸部52を額縁状に形成して凹部38をさらに深くしている。すなわち、凹部38は、絶縁膜39と凸部52によって形成されている。また、凸部52と対向してベース基板31の上面には、金属膜からなる凸部53が額縁状に形成されている。しかして、実施形態2の場合には、凸部52と凸部53を接触させるようにして重ねた状態で接合材料34によって金属膜33と金属膜37を共晶接合させている。こうして接合した状態では、凸部53の内側の空間も凹部38の一部となる。かかる接合部51の構造によれば、凸部52、53どうしが接触することにより、両基板31、35の対向面間の距離のばらつきをなくし、一定距離に保つことができる。また、金属膜33、37間の接合材料34が薄くなり過ぎて接合強度が得られなくなるのを防ぐことができる。この接合部51でも、実施形態1と同様に条件C1-C3を満足させることにより、実施形態1と同様な作用効果を得ることができる。ただし、凹部38は絶縁膜39、凸部52、53によって形成されるので、これらの条件C1-C3を適用するにあたっては、絶縁膜39における凹部の深さをh、凸部52、53の厚みをそれぞれhs、htとしたとき、凹部38の深さHrを、Hr=hhshtとして適用する。また、凹部38の単位長さあたりの体積Vrは、凹部38の幅をWrとして、Vr=Wr×Hr=Wr×hhshtとする。また、凸部52は金属膜からなるので、金属膜37と同時に作製することができる。たとえば、絶縁膜39に凹部を形成した後、絶縁膜39の表面全体と凹部の底面に金属膜を形成し、この金属膜をエッチングすることによって金属膜37と凸部52を形成すれば、接合部の製造工程を簡略化することができる。同様に、ベース基板31の上面全体に金属膜を形成し、この金属膜をエッチングすることによって金属膜33と凸部53を形成することにより、金属膜33と凸部53を同時に作製でき、接合部の製造工程を簡略化できる。変形例図9A及び図9Bは実施形態2の変形例を示す断面図であって、図9Aは接合前における接合部56の構造を示す断面図、図9Bは接合後における接合部56の構造を示す断面図である。この変形例では、カバー基板35の下面にのみ凸部52を設け、基板どうしを接合させる際には凸部52をベース基板31の上面に接触させるようにする。この接合部56でも、条件C1-C3を満足させることにより、実施形態1と同様な作用効果を得ることができる。ただし、凹部38は絶縁膜39と凸部52によって構成されるので、これらの条件C1-C3を適用するにあたっては、絶縁膜39における凹部の深さをh、凸部52の厚みをそれぞれhsとしたとき、凹部38の深さHrを、Hr=hhsとして適用する。また、凹部38の単位長さあたりの体積Vrは、凹部38の幅をWrとして、Vr=Wr×Hr=Wr×hhsとすればよい。図10A及び図10Bは実施形態2の別な変形例を示す断面図であって、図10Aは接合前における接合部57の構造を示す断面図、図10Bは接合後における接合部57の構造を示す断面図である。この変形例では、ベース基板31の上面にのみ凸部53を設け、基板どうしを接合させる際には凸部53をカバー基板35の下面に接触させるようにする。この接合部57でも、条件C1-C3を満足させることにより、実施形態1と同様な作用効果を得ることができる。ただし、凹部38は絶縁膜39と凸部53によって構成されるので、これらの条件C1-C3を適用するにあたっては、絶縁膜39における凹部の深さをh、凸部53の厚みをそれぞれhtとしたとき、凹部38の深さHrを、Hr=hhtとして適用する。また、凹部38の単位長さあたりの体積Vrは、凹部38の幅をWrとして、Vr=Wr×Hr=Wr×hhtとすればよい。実施形態3図11A及び図11Bは実施形態3による接合部61の構造を示す断面図であって、図11Aは接合前における接合部61の構造を示し、図11Bは接合後における接合部61の構造を示す。実施態様3においては、金属膜37の幅W2を凹部38の幅Wrよりも狭くしている。すなわち、Wr>W2条件C4を満たしている。かかる実施態様によれば、凹部38の天面で接合材料34が凹部38の側面まで広がりにくくなるので、凹部38の側面を伝って接合材料34が凹部38の外へ漏れ出にくくなる。実施形態4図12は実施形態4による接合部71の構造を示す接合前の断面図である。この実施形態は、接合用の金属膜37をカバー基板35内に設けられた回路配線72基板内配線と接続させるようにしたものである。このカバー基板35の内部には導体の回路配線72が形成されている。たとえば、この回路配線72は、電子部品内に収容されている素子と電気的に導通している。回路配線72の一部は凹部38の天面に位置しており、金属膜37を形成する前の段階においては、凹部38の天面に露出している。凹部38内に形成される金属膜37は回路配線72の下面に形成されるので、回路配線72と金属膜37は電気的に導通している。よって、接合材料34によって金属膜37と金属膜33を接合することにより、金属膜33も回路配線72と電気的に接続されることになる。カバー基板35と同様に、ベース基板31の金属膜33もベース基板31の内部に形成された回路配線や、ベース基板31の外面に設けられた電極などにつながっていてもよい。図12のようにして回路配線72と金属膜37を接続させるようにすれば、当該接続部分を省スペース化小面積化することができ、電子部品の小型化を図れる。図13Aは、回路配線72と金属膜37を電気的に接続させるための従来構造81を表している。この従来構造81では、接合用の金属膜37を延長させた接続電極部82をテーパー状の凹部38内へ導き、凹部38内で接続電極部82を回路配線72に接続している。このような従来構造81では、金属膜37から接続電極部82を延長させて回路配線72に接続させているので、接合用の領域と接続用の領域とが別々に必要となり、広いスペースが必要となって電子部品の小型化が妨げられる。これに対し、図12のような構造であれば、接合用の領域と接続用の領域とが縦積みとなり、電子部品の小型化に寄与する。また、図12のような構造によれば、接合用の金属膜37と回路配線72を接続するための工程数を少なくできる。図13Bは、回路配線72と金属膜37を電気的に接続させるための別な従来構造91を表している。この従来構造91では、回路配線72と金属膜37との間にスルーホール92を開口し、スルーホール92内に充填した貫通電極93によって回路配線72と金属膜37を電気的に接合している。このような従来構造91では、接合用の金属膜37と回路配線72を接続するための工程数が多くなり、製造コストが高くつく。これに対し、図12に示す実施形態4の構造によれば工程数を少なくでき、製造コストを下げることができる。図14A-図14Hは、図12の構造と図13Bの構造を作製するための工程を比較して示した図であり、向かって右側が図13Bの構造の製造工程を示し、向かって左側が図12の構造を作製するための工程を示す。図14Aは、絶縁膜36の上に回路配線72を所定パターンに形成する工程を表す。図14Bは、回路配線72をさらに絶縁膜36で覆って回路配線72を絶縁膜36内に埋め込む工程を表す。図14Cは、絶縁膜36の表面を研磨して平坦化する工程を表す。図14Dは、絶縁膜36の表面を絶縁膜39で覆う工程を表す。図14Eは、絶縁膜39及び絶縁膜36に凹部38又はスルーホール92を開口する工程を表す。図14Fは、絶縁膜39の表面に電極材料94を堆積させ、電極材料94によってスルーホール92内に貫通電極93を形成し、貫通電極93を回路配線72に接続させる工程を表す。図14Gは、絶縁膜39の表面の電極材料94を研磨等によって剥離除去させる工程を表す。図14Hは、絶縁膜39の表面に金属膜37を所定パターンに形成して、貫通電極93を介して金属膜37を回路配線72に電気的に接続する工程を表している。図13Bのような従来構造91では図14A-図14Hのすべての工程が必要になるが、実施形態4のような構造であれば、図14C、図14F及び図14Gの工程が必要なく、工程を簡略にすることができる。実施形態5図15は、本発明の実施形態5による電子部品101、たとえば真空封止型の赤外線アレイセンサの概略断面図である。この電子部品101においては、実施形態1とは反対に、カバー基板35が第1の基板となり、ベース基板31が第2の基板となっている。図15に示すように、ベース基板31第2の基板とカバー基板35第1の基板によってケーシング22が構成されている。ベース基板31は、シリコン基板やガラス基板からなる主基板31aの上面全体に、シリコン酸化膜SiO2からなる絶縁膜32を成膜し、絶縁膜32の上にシリコン窒化膜SiNからなる絶縁膜39を形成したものである。絶縁膜39の外周部は額縁状に除去されており、ベース基板31の上面外周部には溝状をした凹部38が環状に形成されている。溝状をした凹部38の底面には、凹部38の長さ方向に沿って帯状をした接合用の金属膜33第2の金属膜が連続的に成膜されている。金属膜33としては、たとえばTi/Au、Cr/Au、Ti/Cu、Cr/Cu、Ti/Ni/Au各金属層は、絶縁膜32に近いものから順に並べて記載している。などの多層膜を用いる。ベース基板31の主基板31aの上面には複数個のリセス102が形成されていて、アレイ状に配列されている。各リセス102の底面にはセンサ、ICなどが作製されていて、アレイ状の素子23が形成されている。また、絶縁膜39には、各リセス102に対応して開口窓103が開口されている。カバー基板35は、シリコン基板やガラス基板からなる主基板35aの下面全体にシリコン酸化膜SiO2からなる絶縁膜36を成膜したものである。カバー基板35の下面外周部を除く領域においては絶縁膜36と主基板35aの一部が除去されており、それによってカバー基板35の下面に窪み104が形成されている。カバー基板35の下面外周部には、ベース基板31の金属膜33と対向させて帯状をした接合用の金属膜37第1の金属膜が連続的に成膜されている。金属膜37も、たとえばTi/Au、Cr/Au、Ti/Cu、Cr/Cu、Ti/Ni/Au各金属層は、絶縁膜36に近いものから順に並べて記載している。などの多層膜を用いる。ベース基板31の金属膜33とカバー基板35の金属膜37は、凹部38内で接合材料34によって共晶接合されており、電子部品101の外周部に接合部24が形成されている。接合部24においては、絶縁膜39の上面がカバー基板35絶縁膜36の下面に接触している。接合部24は窪み104を囲むように形成されているので、窪み104によってベース基板31とカバー基板35の間に形成された空間105ひいては素子23は、接合部24によって気密封止又は真空封止される。図16A及び図16Bは、上記接合部24の構造を示す断面図であって、図16Aは接合状態を示し、図16Bは接合前の構造を示す。ベース基板31とカバー基板35を接合する前の状態では、ほぼ矩形状の断面を有する所定量の接合材料34が金属膜37の下面に固着されている。なお、接合材料34は金属膜33の上面に固着させておいてもよいが、凹部38内において金属膜33に接合材料34を堆積させるよりも、金属膜37の下面に接合材料34を堆積させる方が容易である。しかして、図16Bに示した接合部の構造において金属膜33と金属膜37を接合させる場合には、接合材料34を金属膜33に接触させ、接合部を加熱しながら基板間に圧力を加えてカバー基板35の下面を絶縁膜39の上面に接触させ、金属膜33と金属膜37が接合材料34によって共晶接合されたら、接合部24を冷却する。実施形態5においても、金属膜37の幅第1の金属膜の幅をW1、金属膜33の幅第2の金属膜の幅をW2、溶融前の接合材料34の幅をW3、凹部38の幅をWrとするとき、前記条件C1を満たしている。Wr=W2>W1≧W3条件C1なお、金属膜33は凹部38の開口端にまで達していなければ、凹部38の側面にも形成されていても差し支えない。また、金属膜37の単位長さあたりの体積第1の金属膜の体積をV1、金属膜33の単位長さあたりの体積第2の金属膜の体積をV2、接合材料34の単位長さあたりの体積をV3、凹部38の単位長さあたりの体積金属膜37が占めている部分の体積を含む。をVr=Wr×Hrとするとき、前記条件C2を満たしている。Vr≧V1V2V3条件C2特に、この条件は、Vr>V1V2V3であることが好ましい。さらに、金属膜37の厚み第1の金属膜の厚みをH1、金属膜33の厚み第2の金属膜の厚みをH2、溶融前における34の厚みをH3、凹部38の深さ図示例では、絶縁膜36の下面と絶縁膜39の下面との距離をHrとするとき、次の条件C3を満たしている。H1H2H3≧Hr条件C3特に、この条件は、H1H2H3>Hrであることが望ましい。実施形態5の電子部品101において、接合部24が上記条件C1-C3を満たしていれば、実施形態5の電子部品101も実施形態1の電子部品21と同様な作用効果を奏することができる。また、実施形態5の電子部品101においても、実施形態1の変形例や実施形態2、実施形態2の変形例、実施形態3、実施形態4などにおいて示した接合部の構造を用いることもできる。なお、以上においては種々の実施形態を説明したが、これらの接合部は、必ずしも基板間を封止するためのものである必要はない。したがって、第1の金属膜金属膜37や第2の金属膜金属膜33、凹部、接合材料は、帯状に伸びたものである必要はなく、円柱状や多角形柱状などの柱形状をしたものを1組又は複数組設けたものであってもよい。さらに、図示例では、金属膜33、37や凹部38、接合材料34の中心は垂直方向に一致しているが、これらの中心は本発明の効果を奏する範囲内であれば互いにずれていても差し支えない。