"基板と、該基板上に形成され、低屈折率層と高屈折率層とが積層された第1の半導体層と、該第1の半導体層上に形成され、低屈折率層と高屈折率層とが積層された第2の半導体層と、該第2の半導体層上に形成され、活性層を含む共振器と、該共振器上に形成され、低屈折率層と高屈折率層とが積層された第3の半導体層とを備え、前記第1の半導体層は、低屈折率層がAlAsからなり、高屈折率層がGaInPからなり、前記第2の半導体層は、低屈折率層が前記第1の半導体層の低屈折率層よりも酸化速度が遅い半導体材料からなり、高屈折率層がGaInPからなる面発光レーザ素子。前記第2の半導体層における低屈折率層は、AlGaAsからなる、請求項1に記載の面発光レーザ素子。前記活性層における発振光の波長は、680nmから830nmの範囲内である、請求項1又は2に記載の面発光レーザ素子。前記第1の半導体層、前記第2の半導体層及び前記第3の半導体層の導電型はn型である、請求項1~3のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子。基板と、前記基板上に配置された複数の面発光レーザ素子とを備え、前記複数の面発光レーザ素子の各々は、請求項1~4のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子からなる、面発光レーザアレイ。請求項1~4のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子、または請求項5に記載の面発光レーザアレイからなる書き込み光源を備える画像形成装置。請求項1~4のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子、または請求項5に記載の面発光レーザアレイからなる光源を備える光ピックアップ装置。請求項1~4のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子、または請求項5に記載の面発光レーザアレイからなる光源を備える光送信モジュール。請求項1~4のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子、または請求項5に記載の面発光レーザアレイからなる光源を備える光送受信モジュール。請求項1~4のいずれか一項に記載の面発光レーザ素子、または請求項5に記載の面発光レーザアレイからなる光源を備える光通信システム。しかし、発振波長が短い面発光レーザ素子では、発光部の温度上昇の抑制が十分ではない。そこで、この発明は、かかる問題を解決するためになされたものであり、その目的は、高出力で温度特性の良好な面発光レーザ素子を提供することである。また、この発明の別の目的は、高出力で温度特性の良好な面発光レーザ素子を備える面発光レーザアレイを提供することである。さらに、この発明の別の目的は、高出力で温度特性の良好な面発光レーザ素子、またはその面発光レーザ素子を用いた面発光レーザアレイを備える画像形成装置を提供することである。さらに、この発明の別の目的は、高出力で温度特性の良好な面発光レーザ素子、またはその面発光レーザ素子を用いた面発光レーザアレイを備える光ピックアップ装置を提供することである。さらに、この発明の別の目的は、高出力で温度特性の良好な面発光レーザ素子、またはその面発光レーザ素子を用いた面発光レーザアレイを備える光送信モジュールを提供することである。さらに、この発明の別の目的は、高出力で温度特性の良好な面発光レーザ素子、またはその面発光レーザ素子を用いた面発光レーザアレイを備える光送受信モジュールを提供することである。さらに、この発明の別の目的は、高出力で温度特性の良好な面発光レーザ素子、またはその面発光レーザ素子を用いた面発光レーザアレイを備える光通信システムを提供することである。この発明によれば、面発光レーザ素子は、基板と、該基板上に形成され、低屈折率層と高屈折率層とが積層された第1の半導体層と、該第1の半導体層上に形成され、低屈折率層と高屈折率層とが積層された第2の半導体層と、該第2の半導体層上に形成され、活性層を含む共振器と、該共振器上に形成され、低屈折率層と高屈折率層とが積層された第3の半導体層とを備え、前記第1の半導体層は、低屈折率層がAlAsからなり、高屈折率層がGaInPからなり、前記第2の半導体層は、低屈折率層が前記第1の半導体層の低屈折率層よりも酸化速度が遅い半導体材料からなり、高屈折率層がGaInPからなる。好ましくは、活性層における発振光の波長は、680nmから830nmの範囲である。好ましくは、第1、第2および第3の半導体層の各々の導電型は、n型である。また、この発明によれば、面発光レーザアレイは、基板と、複数の面発光レーザ素子とを備える。複数の面発光レーザ素子は、基板上に配置される。そして、複数の面発光レーザ素子の各々は、本発明の面発光レーザ素子からなる。さらに、この発明によれば、画像形成装置は、本発明の面発光レーザ素子、または本発明の面発光レーザアレイからなる書き込み光源を備える。さらに、この発明によれば、光ピックアップ装置は、本発明の面発光レーザ素子、または本発明の面発光レーザアレイからなる光源を備える。さらに、この発明によれば、光送信モジュールは、本発明の面発光レーザ素子、または本発明の面発光レーザアレイからなる光源を備える。さらに、この発明によれば、光送受信モジュールは、本発明の面発光レーザ素子、または本発明の面発光レーザアレイからなる光源を備える。さらに、この発明によれば、光通信システムは、本発明の面発光レーザ素子、または本発明の面発光レーザアレイからなる光源を備える。この発明による面発光レーザ素子は、活性層で発生した熱の放熱特性が改善され、面発光レーザ素子の出力を高くできるとともに、良好な温度特性を実現できる。また、この発明による面発光レーザアレイは、この発明による面発光レーザ素子を備えるので、配置間隔を小さくして面発光レーザ素子の配置密度を高密度にできる。さらに、この発明による画像形成装置は、この発明による面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを光源として備えるので、面発光レーザ素子の個数を多くして感光体に書き込みができる。すなわち、ドット密度を高くして感光体に書き込みができる。さらに、この発明による光ピックアップ装置は、この発明による面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを光源として備えるので、複数のレーザ光によって光ディスクに記録および/または再生できる。さらに、この発明による光送信モジュールは、この発明による面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを光源として備えるので、複数のレーザ光によって信号を送信できる。すなわち、信号の送信送速度を高くできる。さらに、この発明による光送受信モジュールは、この発明による面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを光源として備えるので、複数のレーザ光によって信号を伝送できる。すなわち、信号の伝送速度を高くできる。さらに、この発明による光通信システムは、この発明による面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを光源として備えるので、システム全体を高速化できる。本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。[実施の形態1]図1は、この発明の実施の形態1による面発光レーザ素子の概略断面図である。図1を参照して、この発明による実施の形態1による面発光レーザ素子100は、基板101と、反射層102,104と、共振器103と、選択酸化層105と、コンタクト層106と、SiO2層107、絶縁性樹脂108と、p側電極109と、n側電極110とを備える。なお、面発光レーザ素子100は、780nm帯の面発光レーザ素子である。共振器103は、共振器スペーサー層1031と、活性層1032と、共振器スペーサー層1033とを含む。基板101は、面方位が111A面方向に傾斜角15度で傾斜した100n型ガリウム砒素n-GaAsからなる。反射層102は、n-Al0.9Ga0.1As/n-Ga0.5In0.5Pの対を一周期とした場合、40.5周期の[n-Al0.9Ga0.1As/n-Ga0.5In0.5P]からなり、基板101の一主面に形成される。そして、n-Al0.9Ga0.1As及びn-Ga0.5In0.5Pの各々の膜厚は、面発光レーザ素子100の発振波長をλとした場合、λ/4である。共振器スペーサー層1031は、ノンドープAl0.7Ga0.30.5In0.5Pと、ノンドープGa0.5In0.5Pとを順次積層した構造からなり、反射層102上に形成される。活性層1032は、圧縮歪組成の量子井戸構造を有し、共振器スペーサー層1031上に形成される。共振器スペーサー層1033は、ノンドープGa0.5In0.5Pと、ノンドープAl0.7Ga0.30.5In0.5Pとを順次積層した構造からなり、活性層1032上に形成される。反射層104は、p-Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7Asの対を一周期とした場合、25周期の[p-Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7As]からなり、共振器スペーサー層1033上に形成される。そして、p-Al0.9Ga0.1AsおよびAl0.3Ga0.7Asの各々の膜厚は、λ/4である。選択酸化層105は、p-AlAsからなり、反射層104中に設けられる。そして、選択酸化層105は、非酸化領域105aと酸化領域105bとからなり、20nmの膜厚を有する。コンタクト層106は、p-GaAsからなり、反射層104上に形成される。SiO2層107は、反射層102の一部の一主面と、共振器スペーサー層1031、活性層1032、共振器スペーサー層1033、反射層104、選択酸化層105およびコンタクト層106の端面とを覆うように形成される。絶縁性樹脂108は、SiO2層107に接して形成される。p側電極109は、コンタクト層106の一部および絶縁性樹脂108上に形成される。n側電極110は、基板101の裏面に形成される。なお、面発光レーザ素子100においては、基板101は、n側電極110を介してヒートシンク111に接続される。そして、反射層102,104の各々は、活性層1032で発振した発振光をブラッグの多重反射により反射して活性層1032に閉じ込める半導体分布ブラッグ反射器を構成する。図2は、図1に示す共振器103の一部の断面図である。図2を参照して、共振器スペーサー層1031は、スペーサー層1031A,1031Bからなる。スペーサー層1031Aは、ノンドープAl0.7Ga0.30.5In0.5Pからなり、スペーサー層1031Bは、ノンドープGa0.5In0.5Pからなる。活性層1032は、井戸層1032A,1032C,1032Eと、障壁層1032B,1032Dとからなる。井戸層1032A,1032C,1032Eの各々は、GaINPAsからなり、障壁層1032B,1032Dの各々は、Ga0.5In0.5Pからなる。このように、活性層1032は、3層の井戸層と、2層の障壁層とからなる。共振器スペーサー層1033は、スペーサー層1033A,1033Bからなる。スペーサー層1033Aは、ノンドープGa0.5In0.5Pからなり、スペーサー層1033Bは、ノンドープAl0.7Ga0.30.5In0.5Pからなる。図3は、図1に示す一方の反射層102の構成を示す概略断面図である。図3を参照して、反射層102は、低屈折率層1021と、高屈折率層1022とを交互に積層した構造からなる。低屈折率層1021は、n-Al0.9Ga0.1Asからなり、高屈折率層1022は、n-Ga0.5In0.5Pからなる。そして、低屈折率層1021および高屈折率層1022は、交互に40.5周期積層される。この場合、図3において、最も下側の低屈折率層1021が基板101に接し、最も上側の低屈折率層1021が共振器103の共振器スペーサー層1031に接する。図4は、図1に示す他方の反射層104の構成を示す概略断面図である。図4を参照して、反射層104は、低屈折率層1041と、高屈折率層1042と、組成傾斜層1043とを含む。低屈折率層1041は、p-Al0.9Ga0.1Asからなり、高屈折率層1042は、p-Al0.3Ga0.7Asからなり、組成傾斜層1043は、低屈折率層1041および高屈折率層1042の一方の組成から他方の組成へ向かって組成を変化させたAlGaAsからなる。組成傾斜層1043が設けられるのは、低屈折率層1041と高屈折率層1042との間の電気抵抗を低減するためである。低屈折率層1041は、d1の膜厚を有し、高屈折率層1042は、d2の膜厚を有し、組成傾斜層1043は、d3の膜厚を有する。組成傾斜層1043を含まない急峻な界面を備えた反射層の場合には、反射層を構成する低屈折率層と高屈折率層の膜厚は、ブラッグの多重反射の位相条件を満たす様に、レーザ発振波長λ=780nmに対してλ/4nnは各半導体層の屈折率に設定される。このλ/4nの膜厚は、各半導体層中における発振光の位相変化量がπ/2となる膜厚である。面発光レーザ素子100のように、組成傾斜層1043を含む場合では、各半導体層と組成傾斜層1043を含めた厚さが、ブラッグの多重反射の条件を満たすように設定される。そして、膜厚d3は、たとえば、20nmに設定され、d1d3およびd2d3がブラッグの多重反射の条件を満たすように、膜厚d1,d2の各々が設定される。すなわち、反射層102中における発振光の位相変化量がπ/2となるように、d1d3およびd2d3の各々が設定される。図5は、熱抵抗率と、AlxGa1-xAsまたはAlxGa1-x0.5In0.5PにおけるAlモル量xとの関係を示す図である。また、図6は、エネルギーレベルと、AlxGa1-xAsまたはAlxGa1-x0.5In0.5PにおけるAlモル量xとの関係を示す図である。図5において、縦軸は、熱抵抗率を表し、横軸は、AlxGa1-xAs0≦x≦1またはAlxGa1-x0.5In0.5P0≦x≦1におけるAlモル量xを表す。そして、曲線k1は、GaAsに格子整合するAlxGa1-x0.5In0.5PにおけるAlモル量xと、熱抵抗率との関係を示し、曲線k2は、AlxGa1-xAsにおけるAlモル量xと熱抵抗率との関係を示す。また、図6において、縦軸は、エネルギーレベルを表し、横軸は、AlxGa1-xAsまたはAlxGa1-x0.5In0.5PにおけるAlモル量xを表す。そして、曲線k3は、AlxGa1-x0.5In0.5PにおけるAlモル量xと、AlxGa1-x0.5In0.5Pの伝導帯のエネルギーレベルとの関係を示し、曲線k4は、AlxGa1-xAsにおけるAlモル量xと、AlxGa1-xAsの伝導帯のエネルギーレベルとの関係を示す。また、曲線k5は、AlxGa1-xAsにおけるAlモル量xと、AlxGa1-xAsの価電子帯のエネルギーレベルとの関係を示し、曲線k6は、AlxGa1-x0.5In0.5PにおけるAlモル量xと、AlxGa1-x0.5In0.5Pの価電子帯のエネルギーレベルとの関係を示す。AlxGa1-x0.5In0.5Pの熱抵抗率は、Alモル量xの増加に伴って大きくなる。そして、Alモル量xが0であるGa0.5In0.5Pは、GaAsに格子整合するAlxGa1-x0.5In0.5Pの中で最も小さい熱抵抗率を有する曲線k1。一方、AlxGa1-xAsの熱抵抗率は、Alモル量xが0.5のとき、最も大きくなり、Alモル量xが0.5から増加しても減少しても、低下する。そして、Alモル量xが1.0であるAlAsおよびAlモル量xが0であるGaAsは、最も小さい熱抵抗率を有する。Al0.5Ga0.5Asの熱抵抗率は、AlAsまたはGaAsの熱抵抗率の約9倍である。曲線k2参照。従来の面発光レーザ素子の反射層における高屈折率層は、発振波長が780nm帯である場合、Al0.3Ga0.7Asからなり、発振波長が赤色である場合、Al0.5Ga0.5Asからなる特許文献1。面発光レーザ素子100の反射層102は、上述したように、GaAsに格子整合するAlGaInPのうち、熱抵抗率が最も小さいGa0.5In0.5Pからなる高屈折率層1022を含む。そして、Ga0.5In0.5Pの熱抵抗率は、6.36Kcm/Wであり、従来の面発光レーザ素子において、よく使用されているAl0.3Ga0.7AsおよびAl0.5Ga0.5Asの熱抵抗率8.57[Kcm/W],9.19[Kcm/W]よりも低い。このように、Ga0.5In0.5Pは、Al0.3Ga0.7AsおよびAl0.5Ga0.5Asの熱抵抗率よりも低い熱抵抗率を有し、基板101の材質であるGaAsに格子整合する。Al0.9Ga0.1AsとGa0.5In0.5Pとを交互積層して反射層102を作製した場合、Al0.9Ga0.1Asの伝導帯とGa0.5In0.5Pの伝導帯とのエネルギー差は、曲線k3上の点Aと曲線k4上の点Bとのエネルギー差に相当し、117meVである。一方、Al0.9Ga0.1AsとGa0.5In0.5Pとを交互積層して反射層102を作製した場合、Al0.9Ga0.1Asの価電子帯とGa0.5In0.5Pの価電子帯とのエネルギー差は、曲線k5上の点Cと曲線k6上の点Dとのエネルギー差に相当し、殆ど0eVである。したがって、反射層102は、反射層104のように、組成傾斜層1043を設けなくても、抵抗値の上昇は殆どない。上述したように、面発光レーザ素子100においては、反射層102の高屈折率層1022を熱抵抗率が最も小さいGa0.5In0.5Pにより構成する。そして、反射層102は、基板101側に配置される。これによって、面発光レーザ素子100の活性層1032においてレーザ光が発振し、共振器103において熱が発生しても、その発生した熱は、熱抵抗率が小さい反射層102を放熱ルートとして基板101へ伝搬し、基板101からヒートシンク111へ放射される。したがって、活性層1032の温度上昇を抑制でき、高出力で高性能な特性を得ることができる。図7、図8および図9は、それぞれ、図1に示す面発光レーザ素子100の作製方法を示す第1から第3の工程図である。図7を参照して、一連の動作が開始されると、有機金属気相成長法MOCVD:MetalOrganicChemicalVaporDepositionを用いて、反射層102、共振器スペーサー層1031、活性層1032、共振器スペーサー層1033、反射層104、選択酸化層105、およびコンタクト層106を基板101上に順次積層する図7の工程a参照。この場合、反射層102のn-Al0.9Ga0.1AsをトリメチルアルミニウムTMA、トリメチルガリウムTMG、アルシンAsH3およびセレン化水素H2Seを原料として形成し、反射層102のn-Ga0.5In0.5PをトリメチルガリウムTMG、トリメチルインジウムTMI、ホスフィンPH3およびセレン化水素H2Seを原料として形成する。また、共振器スペーサー層1031のAl0.7Ga0.30.5In0.5PをトリメチルアルミニウムTMA、トリメチルガリウムTMG、トリメチルインジウムTMIおよびホスフィンPH3を原料として形成し、Ga0.5In0.5PをトリメチルガリウムTMG、トリメチルインジウムTMI、ホスフィンPH3およびセレン化水素H2Seを原料として形成する。さらに、量子井戸活性層のGaInPAsをトリメチルガリウムTMG、トリメチルインジウムTMI、ホスフィンPH3およびアルシンAsH3を原料として形成し、障壁層のGa0.5In0.5PをトリメチルガリウムTMG、トリメチルインジウムTMIおよびホスフィンPH3を原料として形成する。さらに、共振器スペーサー層1033のGa0.5In0.5PをトリメチルガリウムTMG、トリメチルインジウムTMI、ホスフィンPH3およびセレン化水素H2Seを原料として形成し、共振器スペーサー層1033のAl0.7Ga0.30.5In0.5PをトリメチルアルミニウムTMA、トリメチルガリウムTMG、トリメチルインジウムTMIおよびホスフィンPH3を原料として形成する。さらに、反射層104のp-Al0.9Ga0.1As/p-Al0.3Ga0.7AsをトリメチルアルミニウムTMA、トリメチルガリウムTMG、アルシンAsH3および四臭化炭素CBr4を原料として形成する。さらに、選択酸化層105のp-AlAsをトリメチルアルミニウムTMA、アルシンAsH3および四臭化炭素CBr4を原料として形成し、コンタクト層106のp-GaAsをトリメチルガリウムTMG、アルシンAsH3および四臭化炭素CBr4を原料として形成する。その後、コンタクト層106の上にレジストを塗布し、写真製版技術を用いて、コンタクト層106上にレジストパターン120を形成する図7の工程b参照。レジストパターン120を形成すると、その形成したレジストパターン120をマスクとして用いて、共振器スペーサー層1031、活性層1032、共振器スペーサー層1033、反射層104、選択酸化層105およびコンタクト層106の周辺部をドライエッチングにより除去し、さらに、レジストパターン120を除去する図7の工程c参照。次に、図8を参照して、図7に示す工程cの後、85°Cに加熱した水を窒素ガスでバブリングした雰囲気中において、試料を425°Cに加熱して、選択酸化層105の周囲を外周部から中央部に向けて酸化し、選択酸化層105中に非酸化領域105aと酸化領域105bとを形成する図8の工程d参照。この場合、非酸化領域105aは、1辺が4μmである正方形からなる。その後、気相化学堆積法CVD:ChemicalVapourDepositionを用いて、試料の全面にSiO2層107を形成し、写真製版技術を用いて光出射部となる領域およびその周辺領域のSiO2層107を除去する図8の工程e参照。次に、試料の全体に絶縁性樹脂108をスピンコートにより塗布し、光出射部となる領域上の絶縁性樹脂108を除去する図8の工程f参照。図9を参照して、絶縁性樹脂108を形成した後、光出射部となる領域上に所定のサイズを有するレジストパターンを形成し、試料の全面にp側電極材料を蒸着により形成し、レジストパターン上のp側電極材料をリフトオフにより除去してp側電極109を形成する図9の工程g参照。そして、基板101の裏面を研磨し、基板101の裏面にn側電極110を形成し、さらに、アニールしてp側電極109およびn側電極110のオーミック導通を取る図9の工程h参照。これによって、面発光レーザ素子100が作製される。上述したように、面発光レーザ素子100は、Ga0.5In0.5Pを用いてn型の反射層102を作製され、活性層1032において発生した熱の放熱特性を改善する。Ga0.5In0.5Pを用いてn型の反射層102を作製した場合、反射層102における低屈折率層1021と高屈折率層1022との伝導帯のエネルギー差が117meV程度であるので、伝導帯における電子は、反射層102を膜厚方向に移動し易くなり、反射層102の抵抗が大きくなることがない。したがって、この発明においては、好ましくは、Ga0.5In0.5Pを用いてn型の反射層102を作製することにしたものである。上記においては、基板101は、面方位が111A面方向に傾斜角15度で傾斜した100n-GaAsからなると説明したが、この発明においては、これに限らず、基板101は、面方位が111A面方向に傾斜角5度~25度の範囲で傾斜した100n-GaAsからなっていればよい。また、上記においては、反射層102の高屈折率層1022は、n-Ga0.5In0.5Pからなると説明したが、この発明においては、これに限らず、反射層102の高屈折率層1022は、一般的には、n-GayIn1-yP0<y<1からなっていればよい。GaInPの熱抵抗は、AlGaAs系のAl0.15Ga0.85Asと同等であり、高屈折率層としてAl0.15Ga0.85AsよりもAl組成が大きい材料を用いる必要がある面発光レーザ素子において、それをGaInPに置き換えると放熱が改善され、活性層1032の温度上昇が抑えられ、高出力化に効果がある。反射層102の高屈折率層1022にn-Ga0.5In0.5Pを用いることによって活性層1032における温度上昇を抑制して面発光レーザ素子100の出力を高出力にできるが、これは、n-Ga0.5In0.5Pが活性層1032で発振したレーザ光を殆ど吸収しないことが必要である。n-Ga0.5In0.5Pのバンドギャップよりも100meV小さいエネルギーに相当する波長が、活性層1032で発振したレーザ光を殆ど吸収しなく目安となる。したがって、n-Ga0.5In0.5P1.91eVを用いることのできる波長は、680nmよりも長波長であり、n-Al0.15Ga0.85As1.59eVを用いることのできる波長は、830nmよりも短波長である。その結果、n-Ga0.5In0.5Pを反射層102の高屈折率層1022に用いて出力を高出力にできる面発光レーザ素子100の発振波長は、680nm~830nmの範囲である。さらに、上記においては、反射層102の低屈折率層1021は、n-Al0.9Ga0.1Asからなると説明したが、この発明においては、これに限らず、低屈折率層1021は、n-AlxGa1-xAs0<x≦1から構成されていればよい。反射層102においては、従来、高屈折率層に用いられていたn-Al0.3Ga0.7Asまたはn-Al0.5Ga0.5Asに代えて熱抵抗率がn-Al0.3Ga0.7Asまたはn-Al0.5Ga0.5Asよりも小さいn-Ga0.5In0.5Pを用いて高屈折率層1022が形成されるので、低屈折率層1021がn-AlxGa1-xAs0<x≦1から構成されていても、反射層102は、熱抵抗率が小さくなり、主な放熱ルートとして機能するからである。さらに、上記においては、Ga0.5In0.5Pは、基板101側に配置されたn型の反射層102に用いられると説明したが、この発明においては、これに限らず、Ga0.5In0.5Pは、p型の反射層104の高屈折率層1042に用いられてもよく、反射層102,104の両方の高屈折率層1022,1042に用いられてもよく、一般的には、反射層102,104の少なくとも一方の反射層の高屈折率層に用いられていればよい。そして、Ga0.5In0.5Pが高屈折率層1042に用いられる場合、反射層104は、組成傾斜層1043を含まない。さらに、上記においては、面発光レーザ素子100を構成する各半導体層の形成方法としてMOCVD法を用いると説明したが、この発明においては、これに限らず、分子線結晶成長法MBE:MolecularBeamEpitaxy等のその他の結晶成長法を用いてもよい。[実施の形態2]図10は、実施の形態2による面発光レーザ素子の概略断面図である。図10を参照して、実施の形態2による面発光レーザ素子100Aは、図1に示す面発光レーザ素子100の反射層102を反射層102Aに代えたものであり、その他は、面発光レーザ素子100と同じである。反射層102Aは、反射層112,113からなる。反射層112は、基板101上に形成され、反射層113は、反射層112上に形成される。図11は、図10に示す反射層102Aの構成を示す断面図である。図11を参照して、反射層112は、低屈折率層1121と、高屈折率層1122とが交互に積層された構造からなる。そして、低屈折率層1121および高屈折率層1122は、低屈折率層1121と高屈折率層1122との対を1周期とした場合、30.5周期、積層される。低屈折率層1121は、n-AlAsからなり、高屈折率層1122は、n-Ga0.5In0.5Pからなる。そして、低屈折率層1121および高屈折率層1122の各々は、面発光レーザ素子100Aの発振波長λ=780nmのλ/4の膜厚を有する。反射層113は、低屈折率層1131と、高屈折率層1132とが交互に積層された構造からなる。そして、低屈折率層1131および高屈折率層1132は、低屈折率層1131と高屈折率層1132との対を1周期とした場合、10周期、積層される。低屈折率層1131は、n-Al0.9Ga0.1Asからなり、高屈折率層1122は、n-Ga0.5In0.5Pからなる。そして、低屈折率層1131および高屈折率層1132の各々は、面発光レーザ素子100Aの発振波長λ=780nmのλ/4の膜厚を有する。AlAsは、GaAsに格子整合するAlxGa1-xAsの中で最も小さい熱抵抗率を有するので図5の曲線k2参照、n-AlAsおよびn-Ga0.5In0.5Pを用いて反射層112を形成することによって反射層112の熱抵抗を小さくできる。そして、反射層113は、メサ形状を作製するときに、エッチング面を反射層113中に位置させるために設けられる。n-Al0.9Ga0.1Asの酸化速度は、n-AlAsの酸化速度よりも遅いため、n-Al0.9Ga0.1Asを用いて反射層113を形成することによって、エッチング面を反射層113中で止めれば良いので、メサ形成時のエッチング深さのマージンを反射層113に持たせることができる。このように、面発光レーザ素子100Aは、GaAsに格子整合するAlxGa1-xAsの中で熱抵抗率が最も小さいAlAsを用いて形成した反射層112を基板101側に配置し、酸化速度がAlAsよりも遅いn-Al0.9Ga0.1Asを用いて形成した反射層113を反射層112よりも活性層1032側に配置することを特徴とする。そして、反射層113は、一般的には、[n-AlxGa1-xAs/n-Ga0.5In0.5P]の周期構造から構成されていればよい。なお、面発光レーザ素子100Aは、図7、図8および図9に示す工程a~hに従って作製される。上記においては、酸化速度がAlAsよりも遅い半導体としてAlxGa1-xAsを用いたが、この発明においては、これに限らず、酸化速度がAlAsよりも遅い半導体であれば、AlxGa1-xAs以外の半導体を用いてもよい。その他は、実施の形態1と同じである。[応用例]図12は、図1に示す面発光レーザ素子100を用いた面発光レーザアレイの平面図である。図12を参照して、面発光レーザアレイ200は、36個の面発光レーザ素子202を所定の間隔で基盤201に配列した構造からなる。面発光レーザ素子202は、上述した面発光レーザ素子100,100Aのいずれかからなる。面発光レーザ素子100,100Aは、面発光型であるのでアレイが容易であり、素子の位置精度も高い。また、面発光レーザ素子100,100Aは、上述したように、放熱特性を改善した構造からなる。したがって、面発光レーザアレイ200は、従来の面発光レーザアレイよりも素子間の間隔を小さくして高密度化できる。これにより、チップの取れ数が増加し、コストを低減できる。また、高出力動作が可能な面発光レーザ素子100,100Aを同一基板上に多数集積することで、書込み光学系に応用した場合、同時にマルチビームでの書込みが容易となり、書込み速度が格段に向上し、書込みドット密度が上昇しても印刷速度を落とすことなく印刷できる。そして、同じ書込みドット密度の場合は、印刷速度を早くできる。さらに、通信に応用した場合、同時に多数ビームによるデータ伝送が可能となるので、高速通信ができる。さらに、面発光レーザ素子100,100Aは、低消費電力で動作し、特に、機器の中に組み込んで利用した場合、温度上昇を低減できる。図13は、画像形成装置の概略図である。図13を参照して、画像形成装置300は、面発光レーザアレイ301と、レンズ302,304と、ポリゴンミラー303と、感光体305とを備える。面発光レーザアレイ301は、複数のビームを放射する。レンズ302は、面発光レーザアレイ301から放射された複数のビームをポリゴンミラー303へ導く。ポリゴンミラー303は、所定の速度で時計方向に回転し、レンズ302から受けた複数のビームを主走査方向および副走査方向に走査させてレンズ304へ導く。レンズ304は、ポリゴンミラー303によって走査された複数のビームを感光体305に導く。このように、画像形成装置300は、面発光レーザアレイ301からの複数のビームをレンズ302,304およびポリゴンミラー303等からなる同じ光学系を用い、ポリゴンミラー303を高速回転させるとともに、ドット位置を点灯のタイミングを調整して副走査方向に分離した複数の光スポットとして被走査面である感光体305上に集光する。図14は、図13に示す面発光レーザアレイ301の平面図である。図14を参照して、面発光レーザアレイ301は、m×n個の面発光レーザ素子3011が略菱形に配列された構造からなる。より具体的には、面発光レーザアレイ301は、縦方向に4列、横方向に10列、配列された40個の面発光レーザ素子3011からなる。そして、面発光レーザ素子3011は、面発光レーザ素子100,100Aのいずれかからなる。縦方向において、隣接する2つの面発光レーザ素子3011の間隔をdとすると、d/nによって記録密度が決定される。したがって、面発光レーザアレイ301は、記録密度を考慮して間隔dおよび主走査方向の配列数nを決定する。図14においては、40個の面発光レーザ素子3011は、副走査方向に24μmの間隔dで、主走査方向に30μmの間隔で、主走査方向に行くに従って副走査方向に2.4μmづつずれるように配列される。そして、40個の面発光レーザ素子3011の点灯のタイミングを調整することによって、感光体305上に40のドットを副走査方向に一定間隔で書込むことができる。光学系の倍率が同じである場合、面発光レーザアレイ301の副走査方向の間隔dが狭い程、高密度に書込みをできる。面発光レーザ素子3011は、面発光レーザ素子100,100Aのいずれかからなるので、面発光レーザアレイ301においては、面発光レーザ素子3011の配列密度を高密度化できる。その結果、画像形成装置300においては、高密度な書き込みができる。また、40ドットを同時に書込み可能であり、高速印刷が可能である。そして、アレイ数を増加させることでさらに高速印刷が可能である。さらに、面発光レーザ素子3011は、従来の面発光レーザ素子よりも高出力化されているので、仮に従来の面発光レーザ素子を用いて同じ素子数のアレイを形成した場合よりも印刷速度を従来よりも速くできる。なお、面発光レーザアレイ200,301または面発光レーザ素子100,100Aは、光ピックアップ装置に搭載されてもよい。これによって、光ディスクへの記録および/または再生用の光源として面発光レーザアレイ200,301または面発光レーザ素子100,100Aを用いることができる。また、面発光レーザは、端面発光型半導体レーザに比べて1桁程度消費電力が小さいことから、この発明による780nmの面発光レーザを再生用光源とした電力が長持ちするハンディタイプの光ピックアップシステムを実現できる。図15は、光送信モジュールの概略図である。図15を参照して、光送信モジュール400は、面発光レーザアレイ401と、光ファイバ402とを備える。面発光レーザアレイ401は、複数の面発光レーザ素子100,100Aを一次元に配列した構造からなる。光ファイバ402は、複数のプラスチック光ファイバPOFからなる。そして、複数のプラスチック光ファイバは、面発光レーザアレイ401の複数の面発光レーザ素子100,100Aに対応して配置される。光送信モジュール400においては、各面発光レーザ素子100,100Aから放射されたレーザ光は、対応するプラスチック光ファイバに伝送される。そして、アクリル系のプラスチック光ファイバは、650nmに吸収損失のボトムがあり、650nmの面発光レーザ素子が検討されているが、高温特性が悪く、実用化されていない。光源としてLEDLightEmittingDiodeが用いられているが、高速変調が困難であり、1Gbp超えた高速伝送の実現のためには、半導体レーザが必要である。上述した面発光レーザ素子100,100Aの発振波長は、780nmであるが、放熱特性が改善され、高出力であるとともに、高温特性にも優れており、光ファイバの吸収損失は大きくなるが、短距離であれば、伝送可能である。光通信の分野では、同時により多くのデータを伝送するために、複数の半導体レーザを集積したレーザアレイを用いた並列伝送が試みられている。これにより、高速な並列伝送が可能となり、従来よりも多くのデータを同時に伝送できるようになった。光送信モジュール400では、面発光レーザ素子100,100Aと、光ファイバとを1対1に対応させたが、発振波長の異なる複数の面発光レーザ素子を1次元または2次元にアレイ状に配置して、波長多重送信することにより、伝送速度をさらに増大させることができる。さらに、面発光レーザ素子100,100Aを用いた面発光レーザアレイと、安価なPOFとを組み合わせた光送信モジュール400を光通信システムに用いると、低コストな光送信モジュールを実現できる他、これを用いた低コストな光通信システムを実現できる。そして、極めて低コストであるので、家庭用、オフィスの室内用、および機器内等の短距離のデータ通信に有効である。図16は、光送受信モジュールの概略図である。図16を参照して、光送受信モジュール500は、面発光レーザ素子501と、光ファイバ502と、受光素子503とを備える。面発光レーザ素子501は、面発光レーザ素子100,100Aのいずれかからなり、780nmのレーザ光LB1を光ファイバ502へ放射する。光ファイバ502は、プラスチック光ファイバからなる。そして、光ファイバ502は、面発光レーザ素子501からのレーザ光LB1を受け、その受けたレーザ光LB1を受信モジュール図示せずへ伝送するとともに、他の送信モジュール図示せずから受けたレーザ光を伝送してレーザ光LB2を受光素子503へ放射する。受光素子503は、光ファイバ502からレーザ光LB2を受け、その受けたレーザ光LB2を電気信号に変換する。このように、光送受信モジュール500は、レーザ光LB1を放射して光ファイバ502によって伝送するとともに、他の送信モジュールからのレーザ光LB2を受光して電気信号に変換する。光送受信モジュール500は、面発光レーザ素子100,100Aと、安価なプラスチック光ファイバと用いて作製されるので、低コストな光通信システムを実現できる。また、光ファイバ502の口径が大きいので、面発光レーザ素子501と光ファイバ502とのカップリングが容易で実装コストを低減できる。その結果、極めて低コストな光送受信モジュールを実現できる。さらに、面発光レーザ素子501=面発光レーザ素子100,100Aは、放熱特性が改善され、高出力であるとともに高温特性に優れているので、高温まで冷却なして使用可能であり、かつ、より低コストな光送受信モジュールを実現できる。上述した面発光レーザ素子100,100Aを用いた光通信システムとしては、光ファイバを用いたLANLocalAreaNetworkなどのコンピュータ等の機器間伝送、さらに、機器内のボード間のデータ伝送、ボード内のLSI間、LSI内の素子間等、光インターコネクションとして、特に短距離通信に用いることができる。近年、LSI等の処理性能は向上しているが、これらを接続する部分の伝送速度が、今後、律則する。システム内の信号接続を従来の電気接続から光インターコネクションに変えると、たとえば、コンピュータシステムのボード間、ボード内のLSI間、およびLSI内の素子間等を光送信モジュール400または光送受信モジュール500を用いて接続すると、超高速コンピュータシステムが可能となる。また、複数のコンピュータシステム等を光送信モジュール400または光送受信モジュール500を用いて接続した場合、超高速ネットワークシステムを構築できる。特に、面発光レーザは、端面発光型レーザに比べて、桁違いに低消費電力化でき、2次元アレイ化が容易であるので、並列伝送型の光通信システムに適している。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"