"厚み方向の一表面側に固定接点が設けられたベース基板と、前記ベース基板の前記一表面側に配置されたカバー基板と、前記カバー基板に収納された電磁石装置と、前記ベース基板と前記カバー基板との間に配置された第1可動部形成基板と、前記ベース基板と前記第1可動部形成基板との間に配置された第2可動部形成基板とを備え、前記第1可動部形成基板は、前記第2可動部形成基板と前記カバー基板との間に介在するフレーム部と、前記フレーム部の内側に配置され前記フレーム部に第1支持ばね部を介して揺動自在に支持された第1可動部と、前記第1可動部における前記電磁石装置側である一面側に配置され前記電磁石装置とともに磁気回路を構成する磁性体板からなるアーマチュアとを有し、前記第1可動部において前記固定接点に対向する部位から前記固定接点側へ凸部が突設されてなり、前記第2可動部形成基板は、前記ベース基板と前記第1可動部形成基板との間に介在するベース部と、前記ベース部において前記固定接点を露出させる開口部の内側に配置され前記固定接点に接離する可動接点が前記固定接点側に設けられた第2可動部と、前記ベース部と前記第2可動部とを連結し前記第2可動部を前記ベース部の厚み方向に変位可能とする複数の第2支持ばね部とを有し、前記第2可動部が前記凸部により押圧された状態で前記可動接点が前記固定接点に接触することを特徴とするMEMSリレー。前記第2可動部における前記第1可動部側に、衝撃緩和層が設けられてなることを特徴とする請求項1記載のMEMSリレー。前記凸部の表面が凸曲面状に形成されてなることを特徴とする請求項1または請求項2記載のMEMSリレー。前記第2可動部形成基板は、前記第2可動部に対して少なくとも3つの前記支持ばね部を備えることを特徴とする請求項1記載のMEMSリレー。前記第2支持ばね部は、前記第2可動部の厚み方向に沿った前記第2可動部の中心線の回りで捩れ変形が可能な形状であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のMEMSリレー。前記第2支持ばね部は、前記第2可動部の外側面および前記開口部の内側面から離間し前記第2可動部の外周方向に沿って配置された円弧状の第1部位と、前記第1部位の一端部と前記第2可動部とを連結した第2部位と、前記第1部位の他端部と前記ベース部とを連結した第3部位とを有し、前記第2可動部に連結された前記第2支持ばね部は、前記第2可動部の厚み方向に沿った前記第2可動部の中心線に対して回転対称となるように形成されてなることを特徴とする請求項5記載のMEMSリレー。上述のマイクロリレーでは、可動部201が揺動動作して可動接点212が一対の固定接点112に対して接離するので、可動接点212と各固定接点112との接触面積の各々が、可動接点212と各固定接点112との対向面積よりも小さくなり、接触抵抗が増加してしまう懸念がある。また、上述のマイクロリレーでは、上述の接触面積が小さいことにより、可動接点212が一対の固定接点112に接触しているときの接触抵抗、接触圧などが、ばらついて、動作特性や寿命がばらついてしまう懸念がある。本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、動作安定性を向上させることが可能なMEMSリレーを提供することにある。本発明のMEMSリレーは、厚み方向の一表面側に固定接点が設けられたベース基板と、前記ベース基板の前記一表面側に配置されたカバー基板と、前記カバー基板に収納された電磁石装置と、前記ベース基板と前記カバー基板との間に配置された第1可動部形成基板と、前記ベース基板と前記第1可動部形成基板との間に配置された第2可動部形成基板とを備え、前記第1可動部形成基板は、前記第2可動部形成基板と前記カバー基板との間に介在するフレーム部と、前記フレーム部の内側に配置され前記フレーム部に第1支持ばね部を介して揺動自在に支持された第1可動部と、前記第1可動部における前記電磁石装置側である一面側に配置され前記電磁石装置とともに磁気回路を構成する磁性体板からなるアーマチュアとを有し、前記第1可動部において前記固定接点に対向する部位から前記固定接点側へ凸部が突設されてなり、前記第2可動部形成基板は、前記ベース基板と前記第1可動部形成基板との間に介在するベース部と、前記ベース部において前記固定接点を露出させる開口部の内側に配置され前記固定接点に接離する可動接点が前記固定接点側に設けられた第2可動部と、前記ベース部と前記第2可動部とを連結し前記第2可動部を前記ベース部の厚み方向に変位可能とする複数の第2支持ばね部とを有し、前記第2可動部が前記凸部により押圧された状態で前記可動接点が前記固定接点に接触することを特徴とする。このMEMSリレーにおいて、前記第2可動部における前記第1可動部側に、衝撃緩和層が設けられてなることが好ましい。このMEMSリレーにおいて、前記凸部の表面が凸曲面状に形成されてなることが好ましい。このMEMSリレーにおいて、前記第2可動部形成基板は、前記第2可動部に対して少なくとも3つの前記支持ばね部を備えることが好ましい。このMEMSリレーにおいて、前記第2支持ばね部は、前記第2可動部の厚み方向に沿った前記第2可動部の中心線の回りで捩れ変形が可能な形状であることが好ましい。このMEMSリレーにおいて、前記第2支持ばね部は、前記第2可動部の外側面および前記開口部の内側面から離間し前記第2可動部の外周方向に沿って配置された円弧状の第1部位と、前記第1部位の一端部と前記第2可動部とを連結した第2部位と、前記第1部位の他端部と前記ベース部とを連結した第3部位とを有し、前記第2可動部に連結された前記第2支持ばね部は、前記第2可動部の厚み方向に沿った前記第2可動部の中心線に対して回転対称となるように形成されてなることが好ましい。本発明のMEMSリレーにおいては、動作安定性を向上させることが可能となる。実施形態1以下、本実施形態のMEMSリレーについて図1~図7を参照しながら説明する。MEMSリレーは、ベース基板1と、ベース基板1の厚み方向の一表面側に配置されたカバー基板3と、カバー基板3に形成された収納部36に収納された電磁石装置4と、ベース基板1とカバー基板3との間に配置された第1可動部形成基板2と、ベース基板1と第1可動部形成基板2との間に配置された第2可動部形成基板5とを備えている。要するに、MEMSリレーは、ベース基板1に近い側から順に、第2可動部形成基板5、第1可動部形成基板2、カバー基板3が配置されている。このMEMSリレーは、第1可動部形成基板2に設けられた磁性体板からなるアーマチュア24を電磁石装置4によって動かすことにより、ベース基板1の上記一表面側に設けられた固定接点14と第2可動部形成基板5に設けられた可動接点54とが接離する。つまり、MEMSリレーは、電磁駆動式のリレーである。なお、本実施形態のMEMSリレーでは、ベース基板1と第2可動部形成基板5と第1可動部形成基板2とカバー基板3とで、外形サイズを同じに設定してある。以下、MEMSリレーの各構成要素について詳細に説明する。ベース基板1は、絶縁性基板の一種であるガラス基板からなる第1の基板10を用いて形成されている。第1の基板10は、ガラス基板に限らず、例えば、高抵抗率のシリコン基板や、低温同時焼成セラミック基板LowTemperatureCofiredCeramicSubstrate:LTCC基板を用いてもよい。第1の基板10として用いるガラス基板のガラス材料としては、硼珪酸ガラスを採用しているが、これに限らず、ソーダガラス、無アルカリガラス、石英ガラスなどを採用してもよい。硼珪酸ガラスとしては、例えば、パイレックス登録商標やテンパックス登録商標を採用することができる。また、高抵抗率のシリコン基板としては、例えば、MEMSリレーを高周波信号の伝送用に用いる場合、抵抗率がより高い方が好ましく、例えば、伝送対象の高周波信号の周波数が6GHzであれば、抵抗率が100Ωcm以上であることが好ましく、1000Ωcm以上であることがより好ましい。また、伝送対象の高周波信号の周波数が高いほど、抵抗率が高い方が好ましい。上述のベース基板1は、矩形板状に形成されており、上記一表面側において第1の基板10の長手方向の両端部それぞれに一対の信号線13,13が形成されている。ここで、各一対の信号線13,13は、ベース基板1の上記一表面側において第1の基板10の短手方向に沿って配置されている。また、ベース基板1は、各信号線13それぞれの一端部に、上述の固定接点14が設けられ、各信号線13それぞれの他端部が、第1の基板10の厚み方向に貫設された貫通孔配線15図2参照と電気的に接続されている。なお、本実施形態のMEMSリレーは、ベース基板1と第2可動部形成基板5と第1可動部形成基板2とカバー基板3とに亘って形成され信号線13を囲む接地導体図示せずを備えている。また、信号線13は、金属層例えば、Au層により構成されている。信号線13の材料としては、Auを採用しているが、Auに限らず、例えば、Au、Ni、Cu、Pd、Rh、Pt、Ir、Osの群から選択される1種あるいはこれらの合金を採用してもよい。固定接点14の材料としては、例えば、Auなどの導電性が良好な金属材料を採用することが好ましい。また、固定接点14は、例えば、スパッタ法、電気めっき法、真空蒸着法などを利用して形成すればよい。なお、固定接点14は、単層構造に限らず、多層構造でもよい。また、固定接点14の材料は、例えば、Au、Ag、Cr、Ti、Pt、Ru、Rh、Co、Ni、Cuや、これらの合金などを採用してもよい。また、ベース基板1において上述の貫通孔配線15が内側に設けられた第1貫通孔図示せずは、ベース基板1の上記一表面から上記他表面に近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ形状に形成されている。ここで、貫通孔配線15は、第1貫通孔の内面に沿って形成されベース基板1の上記一表面側において第1貫通孔を閉塞している。カバー基板3は、ガラス基板からなる第2の基板30を用いて形成されているが、第2の基板30は、第1の基板10と同様に、ガラス基板に限らず、高抵抗率のシリコン基板や、LTCC基板を用いてもよい。上述のカバー基板3は、中央部に、上述の電磁石装置4が収納する収納部36が形成されている。ここで、カバー基板3は、第2の基板30の中央部に、厚み方向に貫通し電磁石装置4が挿入される開口部37が形成されている。また、カバー基板3は、第2の基板30における第1可動部形成基板2側の一表面側に、開口部37を閉塞する蓋体部38が接合されている。要するに、カバー基板3は、開口部37の内周面と蓋体部38とで囲まれた空間が収納部36を構成している。しかして、本実施形態のMEMSリレーは、ベース基板1と第2可動部形成基板5のベース部51と第1可動部形成基板2のフレーム部21とカバー基板3とで囲まれた空間を、気密空間とすることが可能となる。なお、蓋体部38の材料としては、Siを採用している。蓋体部38の厚さは、電磁石装置4からアーマチュア24に作用させる吸引力などの観点から5μm~50μm程度が好ましく、蓋体部18の機械的強度などの観点から20μm~30μm程度がより好ましい。カバー基板3の開口部37は、第2の基板30の上記一表面から他表面に近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ形状となっている。しかして、カバー基板3は、第1可動部形成基板2側とは反対側から電磁石装置4を挿入し易く、且つ、第2の基板30の上記一表面における開口部37の開口面積を比較的小さくすることができる。なお、上述の開口部37は、例えば、サンドブラスト法やエッチング法などによって形成すればよい。電磁石装置4は、U字状のヨーク40と、ヨーク40に巻回された2つのコイル42,42とを備えている。ヨーク40は、両コイル42,42が直接巻回される細長の矩形板状のコイル巻回部40aと、コイル巻回部40aの長手方向の両端部それぞれからコイル巻回部40aの厚み方向に延設された側片40b,40bとを有している。そして、ヨーク40は、コイル42,42への励磁電流に応じて一対の側片40b,40bの互いの先端面が異極に励磁される。なお、ヨーク40は、電磁軟鉄などの鉄板を曲げ加工、鋳造加工、プレス加工などにより加工することによって形成されており、両側片40b,40bの断面が矩形状となっている。また、電磁石装置4は、ヨーク40の両側片40b,40bの間でコイル巻回部40aの長手方向の中央部に重ねて配置された矩形板状の永久磁石41を備えている。しかして、電磁石装置4は、永久磁石41とヨーク40の側片40b,40bとによって、コイル巻回部40aの長手方向への各コイル42,42の移動が規制される。上述の電磁石装置4は、2つのコイル42,42に励磁電流を通電したときに電磁力を発生するものであり、当該電磁力によって、矩形板状のアーマチュア24の長手方向の両端部のうちの一方を吸引する吸引力、当該両端部のうちの他方を反発する反発力を発生させることができる。永久磁石41は、厚み方向の両面それぞれの磁極面が異極に着磁されており、一方の磁極面がヨーク40のコイル巻回部40aに当接し、他方の磁極面がヨーク40の両側片40b,40bの先端面と同一平面上に位置するように厚み寸法を設定してある。ここにおいて、電磁石装置4は、ヨーク40の両側片40bの各先端面および永久磁石41の上記他方の磁極面が蓋体部38に当接する形で収納部36に収納されている。しかして、MEMSリレーは、電磁石装置4における永久磁石41の上記他方の磁極面とヨーク40の両側片40bの各先端面とを同一平面上に位置させることができるので、電磁石装置4とアーマチュア24との間のギャップ長の精度を高めることが可能となる。また、電磁石装置4は、絶縁性樹脂からなる断面U字状の端子保持部44の両側片44bの各々からコイル端子45が突出した端子ブロック46を備えている。電磁石装置4は、平面視において、端子保持部44の中央片44aがヨーク40のコイル巻回部40aと直交するようにコイル巻回部40aにおける永久磁石41側とは反対側に配設されている。ここにおいて、各コイル端子45には、各コイル42の端末が接続されており、一対のコイル端子45間に電圧を印加することで、両コイル42に電流が流れる。また、カバー基板3は、第1可動部形成基板2側とは反対側の表面に各コイル端子45の各々が電気的に接続される金属膜からなる配線パターン導体パターン34が形成されている。そして、電磁石装置4は、各配線パターン34の各々の一端部に、コイル端子45が半田付けなどによって接合され電気的に接続されている。一方、各配線パターン34の各々の他端部は、ベース基板1の上記他表面側に設けられた駆動用の外部接続電極19図3参照と電気的に接続されている。ここにおいて、各配線パターン34と駆動用の各外部接続電極19とは、カバー基板3、第1可動部形成基板2、第2可動部形成基板5、ベース基板1それぞれに形成された通電用の貫通孔配線315、215、515、115を介して電気的に接続されている。なお、カバー基板3の貫通孔配線315と第1可動部形成基板2の貫通孔配線215とは、カバー基板3と第1可動部形成基板2との互いの対向面側に形成されている接続用金属層図示せず同士を接合することにより電気的に接続されている。同様に、第1可動部形成基板2の貫通孔配線215と第2可動部形成基板5の貫通孔配線515とは、第1可動部形成基板2と第2可動部形成基板5との互いの対向面側に形成されている接続用金属層図示せず同士を接合することにより電気的に接続されている。同様に、第2可動部形成基板5の貫通孔配線515とベース基板1の貫通孔配線115とは、第2可動部形成基板5とベース基板1との互いの対向面側に形成されている接続用金属層図示せず同士を接合することにより電気的に接続されている。第1可動部形成基板2は、後述のように第1半導体基板20を用いて形成されており、第1半導体基板20に形成されている第1絶縁膜図示せずにより、第1半導体基板20の同じ面側に形成されている接続用金属層が互いに電気的に絶縁されている。各接続用金属層は、第1絶縁膜上に形成されたTi膜と当該Ti膜上に形成されたAu膜との積層膜により構成されている。各接続用金属層は、Au膜と第1絶縁膜との間に密着性改善用の密着層としてTi膜を介在させてあるが、密着層の材料はTiに限らず、例えば、Cr、Nb、Zr、TiN、TaNなどでもよい。また、各接続用金属層は、Au膜の代わりに、例えば、Al膜やCu膜を採用してもよい。また、Ti膜の膜厚は例えば15nm~50nm程度の範囲、Ti膜上のAu膜の膜厚は例えば200~500nm程度の範囲で適宜設定すればよい。対応する接続用金属層同士を例えば常温接合法により接合する場合、Au膜の膜厚は、接合歩留まりの向上を図るうえで、200nm~500nmの範囲においては、より大きな値の方が好ましい。ところで、第1可動部形成基板2は、一表面側におけるフレーム部21の周部の全周に亘って、カバー基板3と接合するための接合用金属層238図2および図5a参照が形成され、他表面側におけるフレーム部21の周部の全周に亘って、第2可動部形成基板5と接合するための接合用金属層218図5b参照が形成されている。これに対して、カバー基板3は、第1可動部形成基板2との対向面側の周部の全周に亘って、接合用金属層238に接合される接合用金属層図示せずが形成されている。また、第2可動部形成基板5は、第1可動部形成基板2との対向面側の周部の全周に亘って、接合用金属層218に接合される接合用金属層538図7a参照が形成され、ベース基板1との対向面側の周部の全周に亘って、ベース基板1の接合用金属層118図2参照に接合される接合用金属層518図7b参照が形成されている。接合用金属層518は、Ti膜と当該Ti膜上に形成されたAu膜との積層膜により構成されている。接合用金属層518は、Au膜と第1の基板10との間に密着性改善用の密着層としてTi膜を介在させてあるが、密着層の材料はTiに限らず、例えば、Cr、Nb、Zr、TiN、TaNなどでもよい。また、接合用金属層518は、Au膜の代わりに、Al膜やCu膜を採用してもよい。また、Ti膜の膜厚は例えば15nm~50nm程度の範囲、Ti膜上のAu膜の膜厚は例えば200nm~500nm程度の範囲で適宜設定すればよい。また、第1可動部形成基板2の各接合用金属層218,238は、第1絶縁膜上に形成されたTi膜と当該Ti膜上に形成されたAu膜との積層膜により構成されている。各接合用金属層218,238は、Au膜と第1絶縁膜との間に密着性改善用の密着層としてTi膜を介在させてあるが、密着層の材料はTiに限らず、例えば、Cr、Nb、Zr、TiN、TaNなどでもよい。また、各接合用金属層218,238は、Au膜の代わりに、Al膜やCu膜を採用してもよい。また、Ti膜の膜厚は例えば15nm~50nm程度の範囲、Ti膜上のAu膜の膜厚は例えば200nm~500nm程度の範囲で適宜設定すればよい。また、第2可動部形成基板5は、後述のように第2半導体基板50を用いて形成されており、第2半導体基板50に形成されている第2絶縁膜図示せずにより、第2半導体基板50の同じ面側に形成された接続用金属層が互いに電気的に絶縁されている。各接続用金属層は、第2絶縁膜上に形成されたTi膜と当該Ti膜上に形成されたAu膜との積層膜により構成されている。各接続用金属層は、Au膜と第2絶縁膜との間に密着性改善用の密着層としてTi膜を介在させてあるが、密着層の材料はTiに限らず、例えば、Cr、Nb、Zr、TiN、TaNなどでもよい。また、各接続用金属層は、Au膜の代わりに、例えば、Al膜やCu膜を採用してもよい。また、Ti膜の膜厚は例えば15nm~50nm程度の範囲、Ti膜上のAu膜の膜厚は例えば200~500nm程度の範囲で適宜設定すればよい。対応する接続用金属層同士を例えば常温接合法により接合する場合、Au膜の膜厚は、接合歩留まりの向上を図るうえで、200nm~500nmの範囲においては、より大きな値の方が好ましい。また、第2可動部形成基板5の各接合用金属層518,538は、第2絶縁膜上に形成されたTi膜と当該Ti膜上に形成されたAu膜との積層膜により構成されている。各接合用金属層518,538は、Au膜と第2絶縁膜との間に密着性改善用の密着層としてTi膜を介在させてあるが、密着層の材料はTiに限らず、例えば、Cr、Nb、Zr、TiN、TaNなどでもよい。また、各接合用金属層518,538は、Au膜の代わりに、Al膜やCu膜を採用してもよい。また、Ti膜の膜厚は例えば15nm~50nm程度の範囲、Ti膜上のAu膜の膜厚は例えば200nm~500nm程度の範囲で適宜設定すればよい。なお、第1可動部形成基板2と第2可動部形成基板5およびカバー基板3との接合方法、第2可動部形成基板5とベース基板1との接合方法は、互いの接合表面を活性化してから互いの接合表面を重ね合わせて常温下で適宜の荷重を印加することにより直接接合する上述の常温接合法に限らず、例えば、互いの接合表面を活性化した後で50~300°C程度の加熱を行いながら適宜の荷重を印加することにより接合する直接接合法を採用してもよい。第1可動部形成基板2は、高抵抗率のシリコン基板からなる第1半導体基板20を用いて形成されている。ここで、高抵抗率のシリコン基板としては、例えば、MEMSリレーを高周波信号の伝送用に用いる場合、抵抗率がより高い方が好ましく、例えば、伝送対象の高周波信号の周波数が6GHzであれば、抵抗率が100Ωcm以上であることが好ましく、1000Ωcm以上であることがより好ましい。また、伝送対象の高周波信号の周波数が高いほど、抵抗率が高い方が好ましい。第1半導体基板20は、高抵抗率のシリコン基板に限らず、例えば、シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層の3層構造を有するSOISiliconOnInsulator基板や、シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層の5層構造ダブルSOI構造を有するダブルSOI基板などを用いてもよいが、各シリコン層は高抵抗率のシリコン層であることが好ましい。第1可動部形成基板2は、第2可動部形成基板5とカバー基板3との間に介在するフレーム部21と、フレーム部21の内側に配置されフレーム部21に4つの第1支持ばね部22を介して揺動自在に支持された第1可動部23とを有している。また、第1可動部形成基板2は、第1可動部23における一面側電磁石装置4側に配置され電磁石装置4とともに磁気回路を構成する上述のアーマチュア24と、アーマチュア24の中央部との間に第1可動部23を挟んで配置されたプレート25とを有している。アーマチュア24を構成する磁性体板の材料としては、鉄-コバルト合金からなる磁性体材料を採用しているが、これに限らず、例えば、電磁軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイなどの磁性体材料であればよい。また、プレート25の材料としては、フェライト系ステンレス鋼の一種であるSUS430を採用しているが、これに限らず、例えば、SUS430以外のステンレス鋼や、金属、合金などを採用してもよい。プレート25は、第1可動部23の厚み方向に貫通した第2貫通孔29図2、図5および図6参照を通してアーマチュア24に溶接されている。プレート25をアーマチュア24に溶接するにあたっては、第1可動部23の上記一面側にアーマチュア24を配置し他面側にプレート25を配置した状態で、プレート25において第2貫通孔29に対応する部分にレーザ光を照射してプレート25を局所的に溶融させてアーマチュア24に溶接させるようにしている。要するに、プレート25は、アーマチュア24にレーザ溶接法により溶接されている。なお、レーザ溶接法により溶接する際のレーザ光源としては、例えば、YAGレーザを用いればよいが、これに限定するものではなく、例えば、プレート25の材料に応じて適宜変更してもよい。ここで、第1可動部23には、上述の第2貫通孔29が2つ形成されている。これら2つの第2貫通孔29は、第1可動部23の長手方向の中央部において第1可動部23の短手方向に沿った中心線上で並んで形成されている。また、各第2貫通孔29は、円形状の開口形状となっている。これに対して、プレート25は、長手方向の寸法が、第1可動部23の短手方向の寸法よりも大きな値に設定されている。また、プレート25は、長手方向の中間部における短手方向の寸法が、第2貫通孔29の内径よりも大きな値に設定されている。なお、第2貫通孔29の開口形状は特に限定するものではない。要するに、プレート25の短手方向の寸法は、第1可動部23の長手方向における第2貫通孔29の最大寸法よりも大きな値であればよい。そして、プレート25は、アーマチュア24に2箇所が溶接されている。なお、溶接箇所は、2箇所に限定するものではない。ところで、第1可動部形成基板2は、第1可動部23とアーマチュア24とプレート25とを含む部分が、第1可動部23の短手方向に沿った中心線に対して対称となり、且つ、第1可動部23の長手方向に沿った中心線に対して対称となるように、第1可動部23におけるアーマチュア24の配置領域を規定し、第1可動部23におけるプレート25の配置領域を規定している。要するに、本実施形態のMEMSリレーでは、第1可動部23の重心とアーマチュア24およびプレート25各々の重心とが一直線上に位置するように上記各配置領域を規定している。さらに、第1可動部形成基板2は、フレーム部21の内側のブロック全体が、第1可動部23の短手方向に沿った中心線に対して対称となり、且つ、第1可動部23の長手方向に沿った中心線に対して対称となるように、各第1支持ばね部22、各第2突片28の形状および配置を規定してある。また、第1可動部形成基板2は、図6に示すように、アーマチュア24を位置決めする第1突起23fと、プレート25を位置決めする第2突起23gとを、第1可動部23に一体に設けることが好ましい。第1突起23fの突出寸法は、第1突起23fがアーマチュア24の揺動範囲を狭めないように、アーマチュア24の厚さ寸法よりも小さい方が好ましい。例えば、アーマチュア24の厚さ寸法が100μmの場合、第1突起23fの突出寸法は、10μm程度であれば十分である。なお、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。また、第2突起23gの突出寸法は、第2突起23gがプレート25の揺動範囲を狭めないように、プレート25の厚さ寸法よりも小さい方が好ましい。例えば、プレート25の厚さ寸法が100μmの場合、第2突起23gの突出寸法は、10μm程度であれば十分である。なお、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。また、第1可動部形成基板2は、第1突起23fおよび第2突起23gの各々を複数備えていることが好ましい。要するに、第1可動部形成基板2は、複数の第1突起23fが、アーマチュア24の外周に沿って配置され、複数の第2突起23gが、プレート25の外周に沿って配置されていることが好ましい。各第1突起23fおよび各第2突起23gは、各々、平面形状を矩形状としてあるが、これらの形状は矩形状に限らず、例えば、円形状、三角形状、多角形状でもよい。上述のアーマチュア24およびプレート25については、各々、打ち抜き加工などの機械加工技術を利用して形成してある。一方、第1可動部形成基板2は、アーマチュア24およびプレート25以外の構成要素を、マイクロマシニング技術などを利用して形成してある。つまり、第1可動部形成基板2のアーマチュア24およびプレート25以外の構成要素の大部分は、半導体プロセス技術を利用して形成してある。第1可動部形成基板2は、第1可動部23の厚みがフレーム部21の厚みよりも薄く、アーマチュア24の厚み寸法を、第1可動部形成基板2とカバー基板3とを固着した状態においてアーマチュア24とカバー基板3との間に適宜の空隙が形成されるように設定してある。また、プレート25の厚み寸法は、第1可動部23と第2可動部形成基板5との間に適宜の空隙が形成されるように設定されている。本実施形態では、フレーム部21の厚さを200μm、第1可動部23の厚さを50μm、アーマチュア24の厚さを100μm、プレート25の厚さを100μmに設定してあるが、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。例えば、第1半導体基板20としてシリコン基板を用いる場合、このシリコン基板の基礎となるシリコンウェハの厚さに応じて適宜変更してもよく、例えば、50μm~1000μm程度の範囲で設定してもよく、第1半導体基板20の厚さ寸法に基づいて、第1可動部23の厚さ、アーマチュア24の厚さ、およびプレート25の厚さ、それぞれを適宜変更すればよい。ただし、アーマチュア24の厚さ寸法は、電磁石装置4による所望の吸引力を確保するように設定する必要がある。これに対して、第1可動部23およびプレート25それぞれの厚さ寸法は、MEMSリレーの小型化を図るなどの観点からは小さい方が好ましい。上述の第1可動部形成基板2は、フレーム部21が、矩形枠状に形成され、第1可動部23が、矩形板状に形成されている。また、アーマチュア24は、第1可動部23よりも小さな矩形板状に形成されている。また、プレート25は、長手方向の寸法が第1可動部23の短手方向の寸法よりもやや大きな細長の板状に形成されており、長手方向の両端部が先細り状の形状となっている。そして、プレート25は、第1可動部23の長手方向の中央部において、プレート25の長手方向を可動部23の短手方向に合わせて配置されている。なお、プレート25の形状は、特に限定するものではなく、例えば、長方形状でもよいし、菱形状でもよい。第1支持ばね部22は、第1可動部23の短手方向の両側縁側の各々において第1可動部23の長手方向に離間した2箇所に形成されている。各第1支持ばね部22は、一端部が第1可動部23に連結され他端部がフレーム部21の内周面に連結されている。各第1支持ばね部22は、平面形状において上記一端部と上記他端部との間の部位を同一面内で蛇行した形状に形成することにより長さ寸法を長くしてある。これにより、第1可動部形成基板2は、第1可動部23が揺動する際に各第1支持ばね部22の各々に発生する応力を各々で分散させることが可能となり、各第1支持ばね部22が破損するのを抑制することが可能となる。また、第1可動部形成基板2は、第1可動部23の短手方向の両側縁それぞれの中央部から矩形状の第1突片23aが1つずつ延設されている。ここにおいて、第1可動部23の同一の側縁側にある2つの第1支持ばね部22は、同一の側縁から延設されている第1突片23aの両側に位置している。第1可動部形成基板2は、第1可動部23の各第1突片23aにおけるカバー基板3との対向面に、支点突起23c図2参照が突設されている。この支点突起23cは、第1可動部23が第1可動部23に一体化されているアーマチュア24とともに揺動回動する際の支点として機能する。要するに、第1可動部形成基板2は、第1可動部23の短手方向において離間して配置された2つの支点突起23cがカバー基板3における第1可動部形成基板2側の一表面に当接しており、一対の支点突起23c,23cを結ぶ直線を回動軸として回動可能となっている。要するに、第1可動部形成基板2は、支点突起23cが、第1突片23aとカバー基板3との間に介在しており、第1可動部23が、支点突起23cを介してカバー基板3に支持されることとなる。また、第1可動部形成基板2は、第1可動部23の長手方向への第1可動部23の移動を規制する4つの移動規制部21cがフレーム部21から内方へ突設されている。また、第1可動部形成基板2の第1可動部23は、長手方向の両端部の各々から延設された第2突片28を有しており、各第2突片28において一対の固定接点14,14に対向する部位から一対の固定接点14,14側へ凸部27が突設されている。なお、図1の例では、凸部27の先端面を平面状の形状としてある。第2可動部形成基板5は、ベース基板1と第1可動部形成基板2との間に介在するベース部51を有している。また、第2可動部形成基板5は、ベース51の長手方向の中央部に矩形状の開口部52以下、第1開口部52と称するが形成されており、ベース51の長手方向の両側の各々に、一対の固定接点14,14を露出させる開口部53以下、第2開口部53と称するが形成されている。また、第2可動部形成基板5は、各開口部53の各々の内側に配置された第2可動部55を有している。各第2可動部55におけるベース基板1側一対の固定接点14,14側には、一対の固定接点14,14に接離する可動接点54図7b参照が設けられている。また、第2可動部形成基板5は、各開口部53の内側に、ベース部51と第2可動部55とを連結し第2可動部55をベース部51の厚み方向に変位可能とする複数ここでは、2つの第2支持ばね部56を有している。そして、第2可動部形成基板5は、第2可動部55が第1可動部形成基板2の凸部27により押圧された状態で可動接点54が一対の固定接点14,14に接触するように、第2可動部55および第2支持ばね部56の形状および寸法を設定してある。可動接点54の先端面以下、可動接触面とも称するおよび一対の固定接点14,14の先端面以下、固定接触面とも称するは、平面状に形成されている。また、第2可動部55は、可動接触面と固定接触面とが略平行になるように、上述の複数の支持ばね部56により支持されている。ここにおいて、第2可動部55に連結された第2支持ばね部56は、第2可動部55の厚み方向に沿った第2可動部55の中心線に対して回転対称となるように形成されている。可動接点54は、固定接点14と同様に、Auなどの導電性が良好な金属材料からなる金属膜により構成されている。なお、可動接点54は、スパッタ法や、電気めっき法、真空蒸着法などを利用して形成すればよい。可動接点54は、単層構造に限らず、多層構造でもよく、例えば、Ti膜とAu膜との積層膜でもよい。また、可動接点54の材料は、Auに限らず、例えば、Au、Ag、Cr、Ti、Pt、Ru、Rh、Co、Ni、Cuや、これらの合金などを採用してもよい。第2可動部55の厚さ寸法は、ベース部51の厚さ寸法よりも小さく且つ第2支持ばね部56の厚さ寸法よりも大きな値に設定してある。また、厚み方向において重なる第2可動部55と可動接点54とを合わせた厚さ寸法も、このような条件を満たす値に設定してある。各第2可動部55は、平面視形状が矩形状であり、短手方向がベース部51の長手方向に一致するように配置されている。第2支持ばね部26は、一端部がベース部51における第2開口部53の内側面に連結され、他端部が第2可動部55の側縁に連結されており、上記一端部と上記他端部との間の中間部を、第2可動部55の厚み方向に直交する面内で蛇行した形状としてある。また、各第2支持ばね部56の長さは、同じとしてある。しかして、本実施形態のMEMSリレーでは、各第2支持ばね部56の長さを適当な長さとして各第2支持ばね部56のばね力を適宜設定することにより、可動接点54と対応する一対の固定接点14,14との接点圧を所望の大きさに設定することが可能となり、可動接点54と対応する一対の固定接点14,14との接触信頼性を向上させることが可能となる。第2可動部形成基板5は、ベース部51の周部が、ベース基板1および第1可動部形成基板2と接合されている。これにより、第2可動部形成基板5は、各可動接点54が、対応する一対の固定接点14,14に対向し当該一対の固定接点14,14間を短絡する位置と開放する位置との間で変位可能となっている。ここで、説明を簡単にするために、図2において右側に位置している一対の固定接点14,14を一対の第1固定接点14a,14a、第1固定接点14a,14aに対応する可動接点54を第1可動接点54a、図2において左側に位置している一対の固定接点14,14を一対の第2固定接点14b,14b、第2固定接点14b,14bに対応する可動接点54を第2可動接点54bと称することもある。第2可動部形成基板5は、アーマチュア24の動作揺動に伴って、第1可動接点54aが一対の第1固定接点14a,14a間を短絡し且つ第2可動接点54bが一対の第2固定接点14b,14b間を開放した第1状態と、第1可動接点54aが一対の第1固定接点14a,14a間を開放し且つ第2可動接点54bが一対の第2固定接点14b,14b間を短絡した第2状態とが交互に現われる。第2可動部形成基板5は、高抵抗率のシリコン基板からなる第2半導体基板50を用いて形成されている。ここで、高抵抗率のシリコン基板としては、例えば、MEMSリレーを高周波信号の伝送用に用いる場合、抵抗率がより高い方が好ましく、例えば、伝送対象の高周波信号の周波数が6GHzであれば、抵抗率が100Ωcm以上であることが好ましく、1000Ωcm以上であることがより好ましい。また、伝送対象の高周波信号の周波数が高いほど、抵抗率が高い方が好ましい。第2半導体基板50は、高抵抗率のシリコン基板に限らず、例えば、シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層の3層構造を有するSOISiliconOnInsulator基板や、シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層の5層構造ダブルSOI構造を有するダブルSOI基板などを用いてもよいが、各シリコン層は高抵抗率のシリコン層であることが好ましい。ここで、第2可動部形成基板5の基礎となる第2半導体基板50として、SOI基板やダブルSOI基板などを用いれば、可動接点54と対応する一対の固定接点14,14とが開放されている状態での可動接点54と一対の固定接点14,14との間の距離絶縁距離を高精度に設定することが可能となる。ここで、本実施形態のMEMSリレーの動作について説明する。本実施形態のMEMSリレーでは、コイル42,42への通電が行われると、磁化の向きに応じてアーマチュア24の長手方向の一端部がヨーク40の一方の側片40bに吸引される。これにより、MEMSリレーは、アーマチュア24の他端部に近い第2突片28の凸部27により第2可動部55が押圧され第2可動部55の可動接点54が対応する一対の固定接点14,14に接触し、且つ、アーマチュア24の上記一端部に近い第2突片28の凸部27により第2可動部55が押圧されず第2可動部55の可動接点54が対応する一対の固定接点14,14から離れた状態となる。この状態では、コイル42,42への通電を停止しても、永久磁石41の発生する磁束により、アーマチュア24の上記一端部に対する吸引力が維持され、アーマチュア24の上記他端部に近い可動接点54と対応する一対の固定接点14,14とが接触した状態が保持される。また、本実施形態のMEMSリレーでは、コイル42,42への通電方向を逆向きにすると、アーマチュア24の長手方向の上記他端部がヨーク40の他方の側片40bに吸引され、アーマチュア24の上記一端部に近い可動接点54が対応する一対の固定接点14,14に接触し、且つ、アーマチュア24の上記一端部に近い第2突片28の凸部27により第2可動部55が押圧され第2可動部55の可動接点54が対応する一対の固定接点14,14に接触し、且つ、アーマチュア24の上記他端部に近い第2突片28の凸部27により第2可動部55が押圧されず第2可動部55の可動接点54が対応する一対の固定接点14,14から離れた状態となる。この状態では、コイル42,42への通電を停止しても、永久磁石41の発生する磁束により、アーマチュア24の上記一端部に対する吸引力が維持され、アーマチュア24の上記一端部に近い可動接点54と対応する一対の固定接点14,14とが接触した状態が保持される。なお、本実施形態のMEMSリレーは、アーマチュア24を動かす電磁石装置4として、永久磁石41を備えた有極型の電磁石装置を用いているので、ラッチング型のリレーマイクロリレーを構成している。ただし、MEMSリレーは、電磁石装置4として永久磁石41を備えていない無極型の電磁石装置を用いてもよい。以上説明したように、本実施形態のMEMSリレーでは、第1可動部形成基板2の第1可動部23において一対の固定接点14,14に対向する部位から、一対の固定接点14,14側へ凸部27が突設されている。さらに、本実施形態のMEMSリレーは、第2可動部形成基板5が、ベース基板1と第1可動部形成基板2との間に介在するベース部51と、ベース部51において一対の固定接点14,14を露出させる開口部53の内側に配置され一対の固定接点14,14に接離する可動接点54が一対の固定接点14,14側に設けられた第2可動部55と、ベース部51と第2可動部55とを連結し第2可動部55をベース部51の厚み方向に変位可能とする複数の第2支持ばね部56とを有している。そして、本実施形態のMEMSリレーは、第2可動部55が凸部27により押圧された状態で可動接点54が一対の固定接点14,14に接触する。しかして、本実施形態のMEMSリレーでは、可動接点54が固定接点14,14に接触しているときの接触抵抗を低減することや、接触圧、接触抵抗などのばらつきを抑制すること可能となり、動作安定性を向上させることが可能となる。また、本実施形態のMEMSリレーの構成を採用することにより、個々のMEMSリレー間の動作特性や寿命のばらつきを低減することが可能となる。また、本実施形態のMEMSリレーでは、第2可動部55が、可動接触面と固定接触面とが略平行になるように、上述の複数の第2支持ばね部56により支持されているので、可動接点54が対応する一対の固定接点14,14から離れている状態での絶縁距離ギャップ長が、ばらつくのを抑制することが可能となり、動作特性や寿命がばらつくのを抑制することが可能となる。本実施形態のMEMSリレーでは、第2可動部55における第1可動部23側に、衝撃緩和層図示せずを設けることが好ましい。この衝撃緩和層は、例えば、ポリイミド樹脂などの弾性を有する樹脂により形成することが好ましい。本実施形態のMEMSリレーでは、衝撃緩和層を設けることにより、第1可動部23の第2突片28の凸部27が第2可動部55に衝突する際の衝撃を緩和することが可能となり、凸部27の摩耗を抑制することが可能となる。これにより、本実施形態のMEMSリレーでは、凸部27の摩耗粉などが、可動接点54と一対の固定接点14,14との間に入り込むことや、凸部27、第2可動部55などに衝撃に起因した破損が発生することなどを抑制することが可能となり、信頼性を向上させることが可能となる。実施形態2以下、本実施形態のMEMSリレーについて図8に基づいて説明する。本実施形態のMEMSリレーの基本構成は実施形態1と略同じであり、第1可動部形成基板2の凸部27の表面が凸曲面状に形成されている点が相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。以下、凸部27の形成方法について図9を参照しながら説明するが、第1可動部形成基板2の基礎となる第1半導体基板20として、p形のシリコン基板を用いる場合について説明する。まず、第1半導体基板20の一表面側図9aの下面側に後述の陽極酸化工程で利用する陽極257図9b参照の基礎となる所定膜厚例えば、1μmの導電性膜例えば、Al膜、Al-Si膜などからなる導電性層を形成する導電性層形成工程を行う。この導電性層形成工程では、例えばスパッタ法によって第1半導体基板20の上記一表面上に導電性層を成膜した後、N2ガスおよびH2ガス雰囲気中で導電性層のシンタ熱処理を行うことで、導電性層と第1半導体基板20とのオーミック接触を得る。なお、導電性層の成膜方法はスパッタ法に限らず、例えば蒸着法などを採用してもよい。導電性層形成工程の後、導電性層に円形状の開孔部257aを設けるように導電性層をパターニングするパターニング工程を行うことによって、図9bに示す構造を得る。このパターニング工程では、まず、フォトリソグラフィ技術を利用して第1半導体基板20の上記一表面側に開孔部257aに対応する部位が開孔されたレジスト層図示せずを形成する。その後、レジスト層をマスクとして導電性層の不要部分を例えばウェットエッチング技術あるいはドライエッチング技術によってエッチング除去して開孔部257aを設けることにより導電性層の残りの部分からなる陽極257を形成する。その後、レジスト層を除去する。また、上述の導電性層形成工程とパターニング工程とで、所望の曲面形状ここでは、凸部27の凸曲面状に応じて第1半導体基板20との接触パターンを設計した陽極257を第1半導体基板20の上記一表面側に形成する陽極形成工程を構成している。上述の陽極形成工程の後、陽極酸化用の電解液中で第1半導体基板20の他表面側図9aの上面側に対向配置される陰極図示せずと陽極257との間に通電して第1半導体基板20の上記他表面側に除去部位となる多孔質シリコンからなる多孔質部258を形成する陽極酸化工程陽極酸化処理を行うことによって、図9cに示す構造を得る。なお、電解液としては、第1半導体基板20の構成元素であるSiの酸化物であるSiO2をエッチング除去する溶液として、55wtのフッ化水素水溶液とエタノールとを1:1で混合したフッ酸系溶液を用いているが、フッ化水素水溶液の濃度やフッ化水素水溶液とエタノールとの混合比は特に限定するものではない。また、フッ化水素水溶液と混合する液体もエタノールに限らず、メタノール、プロパノール、イソプロパノールIPAなどのアルコールなど、陽極酸化反応で発生した気泡を除去できる液体であれば、特に限定するものではない。ところで、p形のシリコン基板からなる第1半導体基板20を上述の陽極酸化工程において多孔質化する際には、ホールをh、電子をe-とすると、以下の反応が起こっていると考えられる。Si2HF2-nh→SiF22Hne-SiF22HF→SiF4H2SiF42HF→SiH2F6すなわち、p形のシリコン基板の陽極酸化では、Fイオンの供給量とホールhの供給量との兼ね合いで多孔質化あるいは電解研磨が起こることが知られており、Fイオンの供給量の方がホールの供給量よりも多い場合には多孔質化が起こり、ホールhの供給量がFイオンの供給量よりも多い場合には電解研磨が起こる。したがって、第1半導体基板20としてp形のシリコン基板を用いている場合には、陽極酸化による多孔質化の速度はホールhの供給量で決まるから、第1半導体基板20中を流れる電流の電流密度で多孔質化の速度が決まり、多孔質部258の厚みが決まることになる。本実施形態では、第1半導体基板20の上記他表面側では、陽極257の開孔部257aの中心線第1半導体基板20の厚み方向に沿った中心線から離れるほど電流密度が徐々に大きくなるような電流密度の面内分布を有することとなる。したがって、第1半導体基板20の上記他表面側に形成される多孔質部258は、陽極257の開孔部257aの中心線に近くなるほど徐々に薄くなっている。なお、上述の電流密度の面内分布は、陽極257と陰極との間に通電しているときに陽極257と第1半導体基板20との接触パターンなどにより決まる第1半導体基板20内の電界強度の分布に応じて発生し、電界強度が強いほど電流密度が大きくなり、電界強度が弱いほど電流密度が小さくなる。上述の陽極酸化工程の終了後、多孔質部258を除去する多孔質部除去工程を行う。ここにおいて、多孔質シリコンからなる多孔質部258を除去するエッチング液としてアルカリ系溶液例えば、KOH、NaOH、TMAHなどの水溶液やHF系溶液を用いれば、多孔質部258を除去する多孔質部除去工程において、Al膜やAl-Si膜により形成されている陽極257もエッチング除去することができ、図9dに示すような凸曲面状の表面を有する凸部27を形成することができる。なお、多孔質部258を除去する多孔質部除去工程と、陽極257を除去する陽極除去工程とを別々に行ってもよい。また、多孔質シリコンからなる多孔質部258を除去する多孔質部除去工程においてエッチング液としてアルカリ系溶液を用いる場合には、エッチング液を加熱せずに室温でも多孔質部258をエッチング除去することができる。上述の凸部27の形成方法によれば、陽極形成工程にて形成する陽極257と第1半導体基板20との接触パターンにより陽極酸化工程において第1半導体基板20に流れる電流の電流密度の面内分布が決まる。したがって、陽極酸化工程にて形成する多孔質部258の厚みの面内分布を制御することができて厚みが連続的に変化した多孔質部258を形成することが可能であり、当該多孔質部258を多孔質部除去工程にて除去することで所望の凸曲面状の表面を有する凸部27が形成されるから、任意形状で且つ滑らかな凸曲面状の表面を有する凸部27を容易に形成することができる。上述の凸部27の形成方法では、陽極形成工程において円形状の開孔部257aが設けられた陽極257を形成しており、凸部27の凸曲面状を非球面状の一部により構成される形状としてあるが、これに限らず、球面の一部により構成される形状としてもよい。また、開孔部257aの形状を円形状ではなくて長方形状の形状とすれば、凸部27として半円柱状の凸部27を形成することも可能である。以上説明した本実施形態のMEMSリレーでは、第1可動部形成基板2の凸部27の表面が凸曲面状に形成されているので、実施形態1に比べて、可動接点54が固定接点14,14に接触しているときの接触抵抗を低減すること、接触抵抗、接触圧などのばらつきを抑制することが可能となり、動作安定性を向上させることが可能となる。ところで、実施形態1,2では、1つの第2可動部55に対して2つの第2支持ばね部56を設けてあるが、第2支持ばね部56の数は2つに限らず、例えば、図10に示すように、4つでもよい。ここで、図10の例では、第2可動部55の平面視形状を円形状としてあるが、第2可動部55の平面視形状は特に限定するものではない。なお、可動接点54を固定接点14,14に安定して接触させる観点からは、第2支持ばね部56の数は2つよりは3つ以上が好ましい。ただし、第2支持ばね部56の形状によっては、第2支持ばね部56を1つとしてもよい。例えば、第2支持ばね部56をスパイラル状の形状とすれば、第2支持ばね部56を1つとしても、可動接点54が固定接点14,14に接触しているときの接触抵抗を低減すること、接触抵抗、接触圧などのばらつきを抑制することが可能となり、動作安定性を向上させることが可能となる。また、第2支持ばね部56の形状は、第2可動部55の厚み方向に直交する面内で蛇行した形状やスパイラル状の形状に限らず、例えば、図11や図12に示すように、第2可動部55の厚み方向に沿った第2可動部55の中心線の回りで捩れ変形が可能な形状でもよい。図11と図12とは、第2支持ばね部56の形状が同じで数が相違するだけである。すなわち、図11では、第2可動部55に対して2つの第2支持ばね部56が連結され、図12では、第2可動部55に対して3つの第2支持ばね部56が連結されている。ここで、図11および図12の各例では、第2可動部55の平面視形状を円形状としてある。図11や図12に示した第2支持ばね部56は、第2可動部55の外側面および開口部53の内側面から離間し第2可動部55の外周方向に沿って配置された円弧状の第1部位56aと、第1部位56aの一端部と第2可動部55とを連結した第2部位56bと、第1部位56aの他端部とベース部51とを連結した第3部位56cとを有している。また、第2可動部55に連結された第2支持ばね部56は、第2可動部55の厚み方向に沿った第2可動部55の中心線に対して回転対称となるように形成されている。図11では、第2支持ばね部56が、2回回転対称となるように形成され、図12では、第2支持ばね部56が、3回回転対称となるように形成されている。図11や図12の第2可動部形成基板5を用いれば、第2支持ばね部26が、第2可動部55の厚み方向に沿った第2可動部55の中心線の回りで捩れ変形が可能な形状に形成されているので、可動接点54を一対の固定接点14,14から離す際に可動接点54が一対の固定接点14,14から離れやすくなる。これにより、可動接点54が一対の固定接点14,14に固着されて離れなくなる不具合が発生するのを抑制することが可能となり、信頼性を向上させることが可能となる。ところで、実施形態1,2では、2つの可動接点54と、各可動接点54の各々に対して対応する一対の固定接点14,14が設けられているが、対応する可動接点54と固定接点14との数は1対2に限らず、例えば、1対1でもよい。また、可動接点54と対応する固定接点14との組も2組に限らず、1組でもよい。また、実施形態1,2では、ベース基板1と第2可動部形成基板5と第1可動部形成基板2とカバー基板3とで、外形サイズを同じに設定してあるが、これに限らない。例えば、ベース基板1とカバー基板3との各々の外形サイズを第2可動部形成基板5および第1可動部形成基板2よりも大きく設定し、且つ、カバー基板3に第2可動部形成基板5および第1可動部形成基板2を囲む枠状の外側フレーム部を一体に設けてカバー基板3をキャップ状の形状とし、カバー基板3の外側フレーム部をベース基板1に接合するようにしてもよい。"