正方形シリコンチップ厚さ725μmとラミネート層厚さ1000μmとが、正方形シリコンチップ上に配置されているところのlowk層配線層BEOLの絶縁層を介して、正方形シリコンチップとラミネート層との間に2次元アレイ状に配置された複数のはんだバンプの溶融後の硬化により接続されている、積層体であって、正方形シリコンチップの4つの辺に相当する外周から所定の割合まで内側にわたって配置された部分的な複数のはんだバンプについては、他の部分の複数のはんだバンプよりも弾性率が相対的に低くなるようにフィラーを入れて調整されていることを特徴とする、積層体。正方形シリコンチップの辺の長さチップサイズが、3.0mm~20mm程度の範囲内であることを特徴とする、請求項1に記載の積層体。所定の割合が、辺の外周から、辺の長さを100パーセントとした場合の、辺の長さの35パーセントを示す領域であることを特徴とする、請求項1に記載の積層体。所定の割合が、辺の外周から、辺の長さを100パーセントとした場合の、辺の長さの25パーセントを示す領域であることを特徴とする、請求項1に記載の積層体。積層体の製造方法であって、ラミネート層厚さ1000μmを用意するステップと、ラミネート層上に、複数のはんだを2次元アレイ状に配置するステップであって、正方形シリコンチップの4つの辺に相当する外周から所定の割合まで内側にわたって配置された複数のはんだバンプについては、弾性率が相対的に低くなるようにフィラーを入れて調整されたはんだバンプにする、配置するステップと、正方形シリコンチップ厚さ725μmを、正方形シリコンチップ上に配置されているところのlowk層配線層BEOLの絶縁層を複数のはんだバンプに向けて、複数のはんだバンプを覆うステップと、複数のはんだバンプを溶融させるステップと、複数のはんだバンプを硬化させるステップとを有する、方法。請求項5に記載の製造方法で製造された、積層体。はんだバンプを配置する方法であって、ラミネート層厚さ1000μmまたは正方形シリコンチップ厚さ725μmを用意するステップと、ラミネート層上に、または、正方形シリコンチップ上に配置されているところのlowk層配線層BEOLの絶縁層を複数のはんだバンプに向けて、複数のはんだを2次元アレイ状に配置するステップであって、正方形シリコンチップの4つの辺に相当する外周から所定の割合まで内側にわたって配置された複数のはんだバンプについては、弾性率が相対的に低くなるようにフィラーを入れて調整されたはんだバンプにする、配置するステップとを有する、方法。本発明の目的は、シリコンチップの層間絶縁膜に機械的強度の低い脆いlow-k材料が用いられる構造においても、シリコンチップ上にかかる応力を軽減するような低応力のはんだバンプ接続を実現することにある。正方形シリコンチップ厚さ725μmとラミネート層厚さ1000μmとが、正方形シリコンチップ上に配置されているところのlowk層配線層BEOLの絶縁層を介して、正方形シリコンチップとラミネート層との間に2次元アレイ状に配置された複数のはんだバンプの溶融後の硬化により接続されている、積層体として、正方形シリコンチップの4つの辺に相当する外周から所定の割合まで内側にわたって配置された部分的な複数のはんだバンプについては、他の部分の複数のはんだバンプよりも弾性率が相対的に低くなるようにフィラーを入れて調整されている、ことを特徴とするものである。最大応力を20まで下げることが可能である。図1は、はんだバンプによる積層体の構造と、その製造プロセスを示す模式図である。図1Aは、積層体の側面図である。サイズ、スケールともに誇張して描かれている部分があることに留意されたい。ラミネート層厚さt=1000μmの上に、シリコンチップ厚さt=725μmが3次元的に積層されているが、これらの間には複数のはんだバンプが配置されている。実際には、シリコンチップは、ほとんどの場合、上から見ると正方形であるが、ここでは側面図であるので、正方形であることまでは分からない。図1Bは、ひとつのはんだバンプ付近の構造を拡大した模式図である。ラミネート層の上には金属パッドが設けられている。はんだバンプが溶融後に硬化することによって、はんだバンプと金属パッドとの間が機械的かつ電気的に接合される。シリコンチップ上の配置は特徴的であり、lowk層という絶縁層が設けられている。これは配線層BEOLの絶縁層であり、このlowk層を介して金属パッドが設けられている。この図では、はんだバンプはシリコンチップ側の金属パッド上に予め配置されているが、はんだバンプがラミネート層側の金属パッド上に予め配置されるような態様であってもよい。はんだバンプは、はんだボール等として別体として提供される場合もある。積層させていくプロセスは、積層体の製造方法として具現化することもできる。積層体を製造する前準備として、はんだバンプを配置する方法としても特徴がある。図1Cは、はんだバンプの弾性率ヤング率をフィラーを入れて調整すること、および、はんだバンプの溶融後の硬化によって生じうる現象を説明する模式図である。母体m:matrixのはんだバンプの弾性率をEmとすると、フィラーf:fillerを入れて調整された弾性率Efは、Ef<Emの関係となる。混合材料c:compositeとしての、はんだバンプフィラーは、Ec<Emであるが、線膨張係数CTEも母体のはんだバンプよりも小さい。はんだバンプを溶融させて硬化させるプロセスを経ると、はんだバンプと金属パッドとの間で金属間化合物IMCが形成されてしまうこともある。金属間化合物IMCに状態が遷移すると、融点が高くなり、弾性率が高くなることも知られている。しかし、脆いlow-k層へかかってしまう応力の負担を考えると、弾性率が高くなることは必ずしも好ましいことではない。図2は、混合材料の弾性率ヤング率について説明する図である。図2Aのように、母体がすずSnから成るはんだバンプを考え、銅Cuから成る金属パッドを考える。すると、これらの混合材料Cまたは金属間化合物IMCは、Cu-Sn系金属間化合物Cu3Sn、Cu6Sn5ということになる。また、フィラーfについては、シリカSiO2を考える。図2Bは、混合材料の弾性率を計算する計算式である。図2Cは、混合材料の各材料の機械的特性を表にしたものである。図2Dは、フィラーの含有率による弾性率ヤング率の変化を示すグラフである。図2Bの計算式に従って導出することができる。図3は、正方形シリコンチップ上に2次元アレイ状に配置された複数のはんだバンプを示す図である。図1Aに示す積層体の平面図に相当する。図3Aでは、はんだバンプの数を誇張してかなり少なめに模式的に描いているが、実際には、非常に多数にわたる微細なはんだバンプが、2次元平面にわたってアレイ状に並んでいる。本発明では、図3Bのように、複数のはんだを2次元アレイ状に配置するにあたって、正方形シリコンチップの4つの辺に相当する外周から所定の割合まで内側にわたって配置された複数のはんだバンプについては、弾性率が相対的に低くなるようにフィラーを入れて調整されたはんだバンプにする、所定の割合は、シリコンチップの幅サイズすなわち辺と辺とを結ぶ距離を100パーセントとした場合の、xエックスパーセントを示す部分的な領域として表現することができる。図4は、本発明の効果を検証するために、有限要素法FEMによるシミュレーションをするモデルを説明する図である。図4に説明している通りの、寸法サイズ、スケール、条件をもってモデリングして、シミュレーション数値実験を行っている。図5は、有限要素法FEMによるシミュレーションの結果を示す図である。シリコンチップ上にかかる応力を軽減する目的に沿って、通常のはんだバンプを用いてシリコンチップ上にかかる最大応力を100と正規化した場合に対し、フィラー入りのはんだバンプを用いていくと、相対的な最大応力が減っていくことが読み取れる。図6は、本発明を適用した、有限要素法FEMによるシミュレーションの結果を示す図である。3種類のチップサイズについて、図3Bのようにフィラー入りバンプを、部分的に異なるはんだバンプとして配置した結果、辺から35の領域までより好ましくは、辺から25の領域までフィラー入りバンプを使用すれば、最大応力を20まで下げることが可能であることがわかった。したがって、3.0mm~20mm程度の範囲内検証できている最大の範囲としては12.6mmであるが、それ以上の範囲については十分適用可能と類推できるのチップサイズに有効であることが検証できている。