p型及びn型窒化物半導体層とその間に形成された活性層を有するフリップチップ型の窒化物半導体発光素子において、前記p型窒化物半導体層上に形成されたオーミックコンタクト層と、前記オーミックコンタクト層の上に形成された光透過性の伝導性酸化物層と、前記光透過性の伝導性酸化物層上に形成された高反射性の金属層と、を備えていることを特徴とするフリップチップ型の窒化物半導体発光素子。前記オーミックコンタクト層は、銅Cu、亜鉛Zn及びマグネシウムMgからなる群から選択された少なくとも1種を含むIn2O3を用いてなることを特徴とする請求項1に記載のフリップチップ型の窒化物半導体発光素子。前記オーミックコンタクト層は、MnNi、LaNi5、ZnNi、MgNi及びZnMgからなる群から選択された合金を用いてなることを特徴とする請求項1に記載のフリップチップ型の窒化物半導体発光素子。前記オーミックコンタクト層は、ロジウムRh、ルテニウムRu、白金Pt、パラジウムPd、イリジウムIr、ニッケルNi、コバルトCo及びその合金からなる群から選択された金属または合金を用いてなることを特徴とする請求項1に記載のフリップチップ型の窒化物半導体発光素子。前記オーミックコンタクト層は約5~500Åの厚さを有することを特徴とする請求項2~4のいずれか一項に記載のフリップチップ型の窒化物半導体発光素子。前記光透過性の伝導性酸化物層は、ITOIndiumTinOxide、ZnO及びMgOからなる群から選択された少なくとも1種を用いてなることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載のフリップチップ型の窒化物半導体発光素子。前記光透過性の伝導性酸化物層は約0.1~1μmの厚さを有することを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載のフリップチップ型の窒化物半導体発光素子。前記高反射性の金属層は、アルミニウムAl、銀Ag、ロジウムRh、ルテニウムRu、白金Pt、パラジウムPd及びその合金を用いてなることを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載のフリップチップ型の窒化物半導体発光素子。前記高反射性の金属層は少なくとも0.1μmの厚さを有することを特徴とする請求項1~8のいずれか一項に記載のフリップチップ型の窒化物半導体発光素子。前記オーミックコンタクト層はCuを含むIn2O3層であり、前記光透過性の伝導性酸化物層はITO層であることを特徴とする請求項1に記載のフリップチップ型の窒化物半導体発光素子。前記高反射性の金属層はアルミニウムAlであることを特徴とする請求項10に記載のフリップチップ型の窒化物半導体発光素子。前記光透過性の伝導性酸化物層と前記高反射性の金属層との間に銅Cu、モリブデンMo、バナジウムV、タングステンWまたはその合金からなる群から選択された物質を用いてなる拡散防止層をさらに備えていることを特徴とする請求項1~11のいずれか一項に記載のフリップチップ型の窒化物半導体発光素子。前記拡散防止層は10~10000Åの厚さを有することを特徴とする請求項12に記載のフリップチップ型の窒化物半導体発光素子。前記高反射性の金属層上にタングステンWまたはその合金からなるバンピング緩和層をさらに備えていることを特徴とする請求項1~13のいずれか一項に記載のフリップチップ型の窒化物半導体発光素子。しかし、上述の透明電極は熱処理されたとしても約60ないし70と透過率が低いため、全体的に発光効率を低下させる問題がある。また、上述のように反射性金属層を導入する場合、NiまたはCoはメタルとして薄い膜に形成しても高い透過率を有することが不可能なため、反射性の金属層自体の反射率から期待される水準ほど高い輝度向上の効果を期待し難くなる。従って、当技術分野においては、フリップチップ型の窒化物半導体発光素子では反射性の金属層により不利益な影響を安定的に防止することが可能でありながら、反射金属層の反射効果を極大化し高い輝度向上の効果を期待することが可能な新たな反射性オーミックコンタクト構造が要求されて来た。本発明は、上記の従来技術の問題点を解決するものであり、その目的は光透過性の伝導性酸化物層を導入し反射性オーミックコンタクト構造の反射効果を極大化することにより高い発光輝度を有することが可能な高輝度の窒化物発光素子を提供することにある。一態様に従えば、本発明のフリップチップ型の窒化物半導体発光素子は、p型及びn型窒化物半導体層とその間に形成された活性層を有するフリップチップ型の窒化物半導体発光素子であって、上記p型窒化物半導体層上に形成されたオーミックコンタクト層と、上記オーミックコンタクト層の上に形成された光透過性の伝導性酸化物層と、上記光透過性の伝導性酸化物層上に形成された高反射性の金属層を備えていることを特徴とする。上記オーミックコンタクト層は、銅Cu、亜鉛Zn及びマグネシウムMgからなる群から選択された少なくとも1種を含むIn2O3を用いてなること好ましい。この場合、上記オーミックコンタクト層は約5~500Åの厚さを有することが好ましい。一方、上記オーミックコンタクト層は、MnNi、LaNi5、ZnNi、MgNi及びZnMgからなる群から選択された合金を用いてなるものであってもよい。また、上記オーミックコンタクト層は、ロジウムRh、ルテニウムRu、白金Pt、パラジウムPd、イリジウムIr、ニッケルNi、コバルトCo及びその合金からなる群から選択された金属またはその合金を用いてなるものであってもよい。このような金属または合金から構成されたオーミックコンタクト層は約5~500Åの厚さを有することが好ましい。本発明に採用される光透過性の伝導性酸化物層は、電流分散効果を示すと同時に高い光透過率と所定の屈折率を有する酸化物層で構成することが可能である。この酸化物層は、好ましくは、ITOIndiumTinOxide、ZnO及びMgOからなる群から選択された少なくとも1種を用いて構成される。このような光透過性の伝導性酸化物層は約0.1~1μmの厚さを有することが好ましい。上記高反射性の金属層は、アルミニウムAl、銀Ag、ロジウムRh、ルテニウムRu、白金Pt、パラジウムPd及びその合金からなる群から選択された少なくとも1種を用いてなるものであることが好ましい。充分な反射効果のため上記高反射性の金属層は少なくとも0.1μmの厚さを有することが好ましい。本発明の好ましい一実施形態において、上記オーミックコンタクト層はCuを含むIn2O3層であり、上記光透過性の伝導性酸化物層はITO層であり得る。この場合、上記高反射性の金属層は短波長光に対し相対的に高い反射率を有するアルミニウムAlであることが好ましい。本発明の一実施形態においては、上記光透過性の伝導性酸化物層と上記高反射性の金属層との間に銅Cu、モリブデンMo、バナジウムV、タングステンWまたはその合金からなる群から選択された物質を用いてなる拡散防止層をさらに備えている。特に、Alのような金属を反射性の金属層として使用する場合は、高温の熱処理で拡散され上記伝導性酸化物層の特性を低下させることが可能なため、より有益に採用することができる。このような拡散防止層は10~10000Åの厚さを有することが好ましい。本発明の他の実施形態においては、上記高反射性の金属層上にタングステンWまたはその合金からなるバンピング緩和層をさらに備えていてもよい。このようなバンピング緩和層はダイボンディング時に衝撃を緩和させ反射性オーミックコンタクト構造を保護することが可能である。本明細書において、′′反射性オーミックコンタクト構造′′という用語は、オーミックコンタクト機能と反射機能を遂行する複数の層構造を称し、本発明ではオーミックコンタクト層と、光透過性の伝導性酸化物層及び高反射性の金属層を含む意味として使用される。また、′′オーミックコンタクト層′′は直接p型窒化物半導体層に形成され、p型窒化物半導体層との接触抵抗を改善する層を称する。本発明によると、光学的アドミタンス原理を利用しオーミックコンタクト層と反射性金属層との間に高い透過率と所定の屈折率を有する光透過性酸化物層を導入し反射率を著しく向上させることにより、高輝度フリップチップ型の窒化物半導体発光素子を提供することが可能である。以下、添付の図面を参照し本発明にかかるフリップチップ型の窒化物半導体発光素子の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。図1は本発明の一実施形態によるフリップチップ型の窒化物半導体発光素子を示す断面図である。図1に図示された通り、フリップチップ窒化物発光素子20はバッファ層22が形成された基板21上に順次に形成されたn型窒化物半導体層24、活性層25及びp型窒化物半導体層26を備えている。基板21は光透過性の基板としてサファイアのような異種基板またはGaNのような同種基板であり得る。n型窒化物半導体層24の露出された上面にn側ボンディング電極ボンディングパッド28が接続され、p型窒化物半導体層26には本発明による反射性オーミックコンタクト構造を通じp側ボンディング電極ボンディングパッド29が接続される。本実施形態に採用された反射性オーミックコンタクト構造は、p型窒化物半導体層26上に順次に形成されたオーミックコンタクト層27a、光透過性の伝導性酸化物層27b及び高反射性の金属層27cを備えている。オーミックコンタクト層27aはp型窒化物半導体層26とのオーミックコンタクトを形成するために、選択された金属、合金または酸化物層で形成することができる。好ましく、オーミックコンタクト層27aは銅Cu、亜鉛Zn及びマグネシウムMgからなる群から選択された少なくとも1種を含むIn2O3を用いて構成することが可能である。このようなインジウム酸化物は比較的高い光透過性を有しながらオーミックコンタクトを形成することが可能であるという点から有益に使用することができる。このようなインジウム酸化物系オーミックコンタクト層は約5~500Åの厚さを有することが好ましい。本発明で使用可能なオーミックコンタクト層27aを構成する物質はこれに限定されず、MnNi、LaNi5、ZnNi、MgNi及びZnMgからなる群から選択された合金を使用するか、またはロジウムRh、ルテニウムRu、白金Pt、パラジウムPd、イリジウムIr、ニッケルNi、コバルトCo及びその合金からなる群から選択された金属または合金を使用することも可能である。このような金属または合金で構成されたオーミックコンタクト層27aは約5~500Åの厚さを有することが好ましい。オーミックコンタクト層として金属または合金が使用される場合は、光透過率向上のため所定の熱処理を実施することが好ましい。また、光透過性の伝導性酸化物層27bは高い光透過率と所定の屈折率を有する酸化物層であってもよい。好ましくは、ITOIndiumTinOxide、ZnO及びMgOからなる群から選択された少なくとも1種を使用する。例えば、ITOの場合は約96の高い透過率を有するだけではなく、所定の屈折率を有するため、アドミタンス原理により高反射性の金属層27cの反射効果を増大させることが可能である。これに対する反射率向上効果を、図3を参照して、より詳細に説明する。特に、光透過性の伝導性酸化物層27bは適切な厚さに形成することにより高反射性の金属層27cとして使用可能なAgのような大きい移動性を有する金属による漏れ電流発生問題を効果的に減少させることが可能である。このような側面を考慮し、光透過性の伝導性酸化物層27bは約0.1~1μmの厚さを有することが好ましい。また、光透過性の伝導性酸化物層27bは比較的高い抵抗を有するため、向上された電流分散効果を期待することが可能である。高反射性の金属層27cは、アルミニウムAl、銀Ag、ロジウムRh、ルテニウムRu、白金Pt、パラジウムPd及びその合金からなることが可能である。先に説明した通り、高反射性の金属層27cはITOのような光透過性の伝導性酸化物層27bと共に結合し反射効率を大きく向上させることが可能である。充分な反射効果のため高反射性の金属層27cは少なくとも0.1μmの厚さを有することが好ましい。本発明で採用された反射性オーミックコンタクト構造は多様な形態に変形して実施することが可能である。例えば、Alのような高い拡散率を有する金属を高反射性の反射層として使用する場合、所望しない拡散により光透過性の伝導性酸化物層の特性が低下されることがないように、さらに拡散防止層を備えていてもよい。このような拡散防止層は銅Cu、モリブデンMo、バナジウムV、タングステンWまたはその合金で構成されたグループから選択された物質からなることが可能で、タングステン合金としてはTi-Wが使用され得る。好ましくは10~10000Åの厚さを有する。また、図2-1に図示された実施形態のように、フリップチップ窒化物発光素子50をパッケージ基板61にダイボンディングする際に発生する衝撃が減少するように、さらにバンピング緩和層57dを備えていてもよい。図2-1は本発明の他の実施形態によるフリップチップ型の窒化物半導体発光素子50を示す断面図である。図2-1に図示されたフリップチップ窒化物発光素子50は、図1に示すものと類似して、バッファ層52が形成された基板51上に順次に形成されたn型窒化物半導体層54、活性層55及びp型窒化物半導体層56を備えている。n型窒化物半導体層54の露出された上面にn側ボンディング電極ボンディングパッド58が接続され、p型窒化物半導体層56には本発明による反射性オーミックコンタクト構造を通じてp側ボンディング電極ボンディングパッド59が接続されている。本実施形態に採用された反射性オーミックコンタクト構造は、図1に示された反射性オーミックコンタクト構造と類似して、p型窒化物半導体層56上に順次に形成されたオーミックコンタクト層57a、光透過性の伝導性酸化物層57b及び高反射性の金属層57cを備えている。本実施形態では、さらに高反射性の金属層57cとボンディングパッド59との間にバンピング緩和層57dを追加形成する。バンピング緩和層57dはダイボンディング時にボンディングパッドから伝達される衝撃を緩和する手段として使用され、好ましくはタングステンWまたはW-Tiのようなタングステン合金で形成される。図2-2は、図2-1に図示された窒化物発光素子がパッケージ基板にフリップチップボンディングされた形態を図示する。パッケージ基板61とその上にフリップチップボンディングされた窒化物半導体発光素子50を備えているフリップチップ発光素子パッケージ60が図示されている。窒化物半導体発光素子50のボンディングパッド58、59はパッケージ基板61の導体パターン62a、62b上にソルダ64a、64bにより接続される。このようなフリップチップパッケージの製造のためのダイボンディング工程から衝撃が発生することがあり得るが、バンピング緩和層57dはその衝撃から反射性オーミックコンタクト構造を保護することが可能である。バンピング緩和層57dは比較的熱伝導性が優秀なWまたはその合金で形成されるため、熱シンクとして作用することも可能である。これはAlのように比較的低い熱伝導性を有する金属層を使用する場合より有益に採用することができる。また、このようなフリップチップ発光素子パッケージにおいて、p型窒化物半導体層上に備えられた光透過性の伝導性酸化物層と高反射性の金属層は高反射性の金属層自体の反射率より著しく高い反射率を有することが可能である。このような高い反射率を通じ発光素子の輝度を大きく向上させることが可能である。図3は光透過性伝導性酸化物層の導入による反射効果の向上を説明するための各波長第別の反射率を示すグラフである。ここで、反射率は説明の便宜のため任意で定義した相対的な値として、シリコンの反射率を100にする時の各相対的な反射率を示す。本発明により光透過性の伝導性酸化物層と高反射性金属を組み合わせる場合、金属自体の反射率より高い反射率を示すという事実を確認するため、本発明によりITO層3800ÅとAl層2000Å、またはITO層3800ÅとAg2000Åを組み合わせた反射構造と従来に使用されたNi層30ÅとAg層2000Åを組み合わせた反射構造に対し各々反射率を測定した。また、本発明による反射構造においては、各々熱処理温度を450Å120秒と600Å240秒と異なるようにし、その結果を図3に図示した。熱処理温度により多少差はあるが、本発明で採用されるITO層とAlまたはAgを結合した形態はNi層とAg層を結合した形態に比べ15~60まで反射率が向上されることを確認した。これはITO層が93の高い透過性を有しつつ所定の屈折率を有するため、アドミタンス原理により反射性金属層の反射効果を増大させることによるものと理解し得る。特に、短波長窒化物発光素子の光波長に該当する480nmに対しでは、ITO層/Ag層に比べITO層/Al層が多少高い反射率を有することと示された。従って、反射率の向上側面で、短波長発光素子を使用する場合、高反射性の金属層としてAlがより好ましく採用される。図4は本発明に採用され得る各層物質の接触抵抗を示すグラフである。オーミックコンタクト層として使用されるCuを含有したIn2O3以下、′′CIO′′と称する50ÅとITO層3800Åを結合した形態と、上記ITO層上に好ましい高反射性の金属であるAlをスパッタリングで直接蒸着した状態及び蒸着後に各々違う温度で熱処理した状態から各々接触抵抗を蒸着した。CIO/ITO層のみ形成した場合、2.7Ωcm2の多少高い抵抗を示し、Al層は熱処理温度により多少増加されるが、比較的低い接触抵抗を有することとなった。本実現を通じAl層により比較的低い接触抵抗有することが可能であり、より低い接触抵抗を得るためには熱処理しないかまたは低い温度で熱処理する条件で形成することが好ましいことが分かる。図5は従来技術による反射性オーミックコンタクト構造従来例と本発明による反射性オーミックコンタクト構造実施例1ないし3の反射率を比較するグラフである。ここでは、図3で実施された実験とは違って、本発明による反射性オーミックコンタクト構造を完成した後反射率を測定することにより本発明による反射性オーミックコンタクト構造の改善された反射効果460nmから測定されるを確認した。ここで使用された反射率は図3のようにシリコンの実際反射率の相対的な値で定義した。まず、従来例は、特開2000-183400号公報に記載された5ÅのNi層と2500ÅのAg層を使用した。一方、実施例1ではオーミックコンタクト層と光透過性酸化物層及び高反射性の金属層として各々50ÅのCIO層と3800ÅのITO層及び2000ÅのAg/Pt層を使用した。また、実施例3ないし4では実施例1と同一なオーミックコンタクト層及び光透過性酸化物層を使用するが、高反射性の金属層に2000ÅのAl層を使用し、追加的にバンピング緩和層としてAl層上に1000ÅのTi-W層を形成した。但し、実施例3の場合は熱処理を省略したが、実施例4では約400°Cから熱処理を実施した。このようにして得られた従来例と実施例1ないし3で480nmの波長光に対する反射率を測定し、その結果を図5のグラフに図示した。図5を参照すると、実施例1ないし3は従来例の反射率より約15~25程度向上されたことを確認した。特に、Alを使用した実施例2ないし3において、Agを使用した実施例1より優秀な効果を示し、Alに対する熱処理をしない実施例2で最も優秀な反射率を有することが示された。このような高い反射率は直接的な輝度向上をもたらす。従って本発明によると、より高い輝度を有する優秀なフリップチップ型の窒化物半導体発光素子を製造することが可能であるということが確認される。このように、本発明は上述の実施例及び添付の図面により限定されるものではなく、添付の特許請求範囲のみにより限定される。また、特許請求範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内で当技術分野の通常の知識を有する者により多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、従って、これらもまた本発明の範囲に属するものである。