"放射線露光によって蛍光を発する蛍光体からなるシンチレータ、及び該シンチレータを支持する基板を有する放射線画像変換パネルと、前記シンチレータに密接して設けられ、前記シンチレータに生じる前記蛍光を検出する画素アレイ、及び該画素アレイを支持する基板を有するセンサパネルと、前記放射線画像変換パネルの基板と前記センサパネルの基板との間に、前記シンチレータ及び前記画素アレイを囲み、その内側に隔絶された空間を形成する封止材と、を備え、前記シンチレータは、前記蛍光体の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶の群によって形成された柱状部を有し、前記柱状結晶の先端部の集合によって構成される面において前記画素アレイに非接着にて密接しており、前記放射線画像変換パネルの基板及び前記センサパネルの基板は、いずれもフレキシブルであり、前記空間が減圧されている放射線画像検出装置。請求項1に記載の放射線画像検出装置であって、前記放射線画像変換パネルの基板及び前記センサパネルの基板のうち放射線入射側とは反対側に配置される第1の基板は、前記シンチレータ又は前記画素アレイがその表面に設けられる第1の基材を含む複数の基材が積層されて構成されている放射線画像検出装置。請求項2に記載の放射線画像検出装置であって、前記封止材は、前記複数の基材のうち前記第1の基材を除く他の基材と、前記放射線画像変換パネルの基板及び前記センサパネルの基板のうち放射線入射側に配置される第2の基板との間に設けられている放射線画像検出装置。請求項3に記載の放射線画像検出装置であって、前記第1の基材と、前記複数の基材のうち前記第1の基材を除く他の基材とは、エネルギー照射によって接着強度が低下する解体型接着材によって接着されている放射線画像検出装置。請求項1~4のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、前記封止材は、エネルギー照射によって接着強度が低下する解体型接着材である放射線画像検出装置。請求項1~5のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、前記柱状結晶の先端部は、先鋭なテーパ状に形成されている放射線画像検出装置。請求項6に記載の放射線画像検出装置であって、前記柱状結晶の先端部の角度は、40°~80°である放射線画像検出装置。請求項6又は7に記載の放射線画像検出装置であって、前記柱状結晶の先端部の間に充填材が充填されている放射線画像検出装置。請求項8に記載の放射線画像検出装置であって、前記シンチレータは、防湿性の保護膜によって被覆され、前記充填材の屈折率は、前記保護膜の屈折率よりも小さい放射線画像検出装置。請求項8又は9に記載の放射線画像検出装置であって、前記充填材は、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、シアルルフタレート樹脂、の群から選ばれる放射線画像検出装置。請求項1~10のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、前記放射線画像変換パネルの基板及び前記センサパネルの基板は、フレキシブルなガラス基板である放射線画像検出装置。請求項1~11のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、前記画素アレイの各画素は、光導電層に有機光電変換膜を用いた有機光電変換素子を含んで構成されている放射線画像検出装置。請求項1に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、前記シンチレータと前記画素アレイとを対向させ、前記放射線画像変換パネルの基板と前記センサパネルの基板との間に両基板を接合する前記封止材を設けて、前記放射線画像変換パネルと前記センサパネルとを重ね合わせ、前記封止材によって前記両基板との間に形成される隔絶された空間を減圧し、前記シンチレータと前記画素アレイとを非接着にて密接させる放射線画像検出装置の製造方法。請求項1に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、前記放射線画像変換パネルの基板及び前記センサパネルの基板のうち放射線入射側とは反対側に配置される第1の基板は、前記シンチレータ又は前記画素アレイがその表面に設けられる第1の基材を含む複数の基材が積層されて構成されるものであり、前記シンチレータと前記画素アレイとを対向させ、前記第1の基材を、前記放射線画像変換パネルの基板及び前記センサパネルの基板のうち放射線入射側に配置される第2の基板に重ね合わせ、前記第1の基材及び前記複数の基材のうちの該第1の基材を除く他の基材との間に接着剤を設け、また、前記他の基材と前記第2の基板との間にそれらを接合する前記封止材を設けて、前記他の基材を前記第1の基材及び前記第2の基板に重ね合わせ、前記封止材によって前記他の基材と前記第2の基板との間に形成される隔絶された空間を減圧し、前記シンチレータと前記画素アレイとを非接着にて密接させる放射線画像検出装置の製造方法。請求項14に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、前記接着剤は、エネルギー照射によって接着強度が低下する解体型接着材である放射線画像検出装置の製造方法。請求項13~15のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、前記封止材は、エネルギー照射によって接着強度が低下する解体型接着材である放射線画像検出装置の製造方法。柱状結晶の群によって形成されるシンチレータにおいて、柱状結晶の長さが局所的に変化する場合がある。この場合に、特許文献3に記載された放射線画像検出装置において、シンチレータを支持する基板の撓みのみによっては、局所的な柱状結晶の長さの変化を吸収しきれず、シンチレータと画素アレイとの間に局所的に隙間が生じる虞がある。かかる隙間は、シンチレータから出射された蛍光の拡散を生じさせ、局所的に画像の鮮鋭度を低下させる虞がある。本発明は、上述した事情に鑑みなされたものであり、画質の均一性に優れた放射線画像検出装置を提供することを目的とする。放射線露光によって蛍光を発する蛍光体からなるシンチレータ、及び該シンチレータを支持する基板を有する放射線画像変換パネルと、前記シンチレータに密接して設けられ、前記シンチレータに生じる前記蛍光を検出する画素アレイ、及び該画素アレイを支持する基板を有するセンサパネルと、前記放射線画像変換パネルの基板と前記センサパネルの基板との間に、前記シンチレータ及び前記画素アレイを囲み、その内側に隔絶された空間を形成する封止材と、を備え、前記シンチレータは、前記蛍光体の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶の群によって形成された柱状部を有し、前記柱状結晶の先端部の集合によって構成される面において前記画素アレイに非接着にて密接しており、前記放射線画像変換パネルの基板及び前記センサパネルの基板は、いずれもフレキシブルであり、前記空間が減圧されている放射線画像検出装置。本発明によれば、シンチレータを支持する第1の基板、及び画素アレイを支持する第2の基板、並びに封止材によって形成される空間にシンチレータ及び画素アレイを収納し、この空間を減圧することによって、シンチレータと画素アレイとを非接着にて密接させる。そして、第1の基板及び第2の基板のいずれもフレキシブルとすることによって、シンチレータと画素アレイとを全体に亘って隙間なく密接させることができる。それにより、画質の均一性を高めることができる。さらに、シンチレータと画素アレイとが非接着であるので、放射線画像変換パネルとセンサパネルとを容易に分離することができる。それにより、放射線画像変換パネル及びセンサパネルのうち一方が損傷した場合に、損傷したパネルのみ交換して、放射線画像検出装置として再生することができる。図1は、本発明の実施形態を説明するための、放射線画像検出装置の一例の構成を示す。図1に示す放射線画像検出装置1は、放射線画像変換パネル2と、センサパネル3とを備えている。放射線画像変換パネル2は、フレキシブルな支持基板10と、放射線露光によって蛍光を発する蛍光体からなるシンチレータ11とを有している。シンチレータ11は、支持基板10上に設けられている。センサパネル3は、フレキシブルな絶縁性基板20と、絶縁性基板20上に設けられた画素アレイ21とを有している。画素アレイ21を構成する画素の各々は、シンチレータ11に生じる蛍光を検出する。放射線画像変換パネル2とセンサパネル3とは、シンチレータ11と画素アレイ21とを対向させて配置されており、封止材4によって接合されている。封止材4は、放射線画像変換パネル2の支持基板10とセンサパネル3の絶縁性基板20との間にあって、シンチレータ11及び画素アレイ21を囲むように設けられており、その内側に隔絶された空間Sを形成している。空間Sは、その外に比べて減圧されている。支持基板10及び絶縁性基板20の変形を伴って、シンチレータ11と画素アレイ21とは非接着にて密接している。放射線画像検出装置1は、いわゆる表面読取型ISS:IrradiationSideSamplingの放射線画像検出装置であり、放射線入射側から、センサパネル3、放射線画像変換パネル2の順に配置されている。放射線は、センサパネル3の絶縁性基板20及び画素アレイ21を透過して、放射線画像変換パネル2のシンチレータ11に入射する。蛍光を多く発生させるシンチレータ11の放射線入射側が画素アレイ21に隣設されるため、感度が向上する。図2及び図3は、センサパネル3の構成を示す。画素アレイ21は、絶縁性基板20上に複数の画素22が2次元状に配列されてなり、画素22の各々は、光電変換素子23、及びスイッチ素子24によって構成されている。光電変換素子23は、シンチレータ11の蛍光を受光して電荷を生成する光導電層25と、この光導電層25の表裏面に設けられた一対の電極26,27を有している。光導電層25のシンチレータ11側の面に設けられた電極26は、光導電層25にバイアス電圧を印加するためのバイアス電極であり、反対側の面に設けられた電極27は、光導電層25で生成された電荷を収集する電荷収集電極である。電荷収集電極27は、スイッチ素子24に接続されており、電荷収集電極27に収集された電荷は、スイッチ素子24を介して読み出される。絶縁性基板20上には、2次元状に配列された画素22の配列方向のうちの一方向行方向に延設され各画素22のスイッチ素子24をオン/オフさせるための複数本のゲート線28と、ゲート線28と直交する方向列方向に延設されオン状態のスイッチ素子24を介して電荷を読み出すための複数の信号線データ線29とが設けられている。ゲート線28及び信号線29の各々は、絶縁性基板20の縁部に設けられた接続端子部30において接続回路31に接続され、この接続回路31を介してゲートドライバ及び信号処理部を有する回路基板図示せずに接続される。スイッチ素子24は、ゲートドライバからゲート線28を介して供給される信号により行単位で順にオン状態とされる。そして、オン状態とされたスイッチ素子24によって読み出された電荷は、電荷信号として信号線29を伝送されて信号処理部に入力される。これにより、電荷が行単位で順に読み出され、上記の信号処理部において電気信号に変換され、デジタル画像データが生成される。絶縁性基板20は、例えば樹脂材料を用いて形成することができる。樹脂材料としては、耐熱性に優れるものが好ましく、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリエーテルスルホンPES、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリカーボネートPC、セルローストリアセテートTAC、セルロースアセテートプロピオネートCAP、ポリイミド、ポリアリレート、二軸延伸ポリスチレンOPS等が挙げられる。また、これらの樹脂に、有機あるいは無機のフィラーを含有させてもよい。また、低熱膨張、高強度といった、既存の樹脂材料では得られない特性を有するアラミド、バイオナノファイバーなどを用いて形成されたフレキシブルな樹脂基板や、厚さ0.1mm程度あるいはそれ以下に形成されたフレキシブルなガラス基板も好適に使用し得る。特に、ガラス基板は、低熱膨張、高強度といった特性に加えて、一般に樹脂基板に比べて防湿性やガスバリヤ性にも優れ、好ましい。光電変換素子23は、例えば、アモルファスシリコンのPN接合薄膜又はPIN接合薄膜を光導電層25に用いたアモルファスシリコンフォトダイオードとして構成することができる。また、光導電層25としては、アモルファスシリコンの他に、キナクリドンなどの有機化合物からなる有機光電変換膜も用いることができ、この場合、アモルファスシリコンに比べて低温で成膜することができ、耐熱性の観点から絶縁性基板20に使用し得る材料の選択肢が多くなり好ましい。なお、有機光電変換膜については後述する。スイッチ素子24は、例えば活性層にアモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタTFT:ThinFilmTransistorとして構成することができる。また、TFTの活性層としては、アモルファスシリコンの他に非晶質酸化物半導体材料や有機半導体材料なども用いることができ、この場合、アモルファスシリコンに比べて低温で成膜することができ、耐熱性の観点から絶縁性基板20に使用し得る材料の選択肢が多くなり好ましい。なお、非晶質酸化物半導体材料や有機半導体材料については後述する。光電変換素子23のアレイとスイッチ素子24のアレイとが一つの同じ層に形成されていてもよいし、シンチレータ11側から、スイッチ素子24のアレイ、光電変換素子23のアレイの順に互いに異なる層に形成されていてもよいが、図示の例のように、シンチレータ11側から、光電変換素子23のアレイ、スイッチ素子24の順に互いに異なる層に形成されていることが好ましい。光電変換素子23のアレイとスイッチ素子24のアレイとが互いに異なる層に形成されていることによって、光電変換素子23のサイズを大きくすることができる。そして、シンチレータ11側から、光電変換素子23のアレイ、スイッチ素子24のアレイの順に形成されていることによって、光電変換素子23のアレイをシンチレータ11に近接して配置することができ、感度が向上する。図4は、放射線画像変換パネル2の構成を示す。ISS型の放射線画像検出装置1において、支持基板10は、放射線入射側とは反対側に配置され、フレキシブルなシート状の基材が複数積層されて構成されている。本例において、支持基板10は、第1の基材13及び第2の基材14の2層で構成されている。第1の基材13の一方の表面上にはシンチレータ11が形成され、他方の表面には第2の基材14が接合されている。第2の基材14は、シンチレータ11が形成される第1の基材13を補強し、封止材4図1参照によってセンサパネル3の絶縁性基板20に接合される。第1の基材13は、後述するシンチレータ11の製造工程に関連して、例えば耐熱性に優れるフレキシブルな樹脂基板を用いることができ、そのような樹脂基板としては、センサパネル3の絶縁性基板20と同様の樹脂基板を用いることができる。また、フレキシブルなガラス基板も好適に使用し得る。第2の基材14は、放射線画像検出装置1の使用温度範囲における耐熱性を有していればよく、フレキシブルな樹脂基板やガラス基板を用いることができる。ただし、第1の基材13を補強する観点から、第1の基材13よりも剛質であることが好ましい。シンチレータ11が形成される第1の基材13の表面には、反射膜15が形成されている。反射膜15は、アルミニウムなどの光反射性を有する金属の薄膜を成膜して形成されている。金属の薄膜は、例えば蒸着などの手段によって第1の基材13の表面に成膜することができる。シンチレータ11は、蛍光体の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶43の群によって形成されている。なお、近隣の複数の柱状結晶が結合して一つの柱状結晶を形成する場合もある。隣り合う柱状結晶43の間には空隙が置かれ、柱状結晶43は互いに独立して存在する。シンチレータ11は、柱状結晶43の先端部の集合によって構成される面蛍光出射面において画素アレイ21に密接する。放射線露光によってシンチレータ11に生じた蛍光は、柱状結晶43の先端部の集合によって構成された蛍光出射面から画素アレイ21に向けて出射される。柱状結晶43の各々に発生した蛍光は、その柱状結晶43と周囲の空隙との屈折率差に起因して柱状結晶43内で全反射を繰り返すことで拡散を抑制され、画素アレイ21に導光される。それにより、画像の鮮鋭度が向上する。放射線露光によって柱状結晶43の各々に発生した蛍光のうち、画素アレイ21とは反対側に向かう蛍光は、反射膜15によって画素アレイ21側に向けて反射される。それにより、蛍光の利用効率が高まり、感度が向上する。また、柱状結晶43の先端部は、先鋭なテーパ状に形成されている。柱状結晶43の先端部が、このような凸形状に形成されていることにより、平坦若しくは凹形状に比べて光の取り出し効率が高められ、感度が向上する。先端部の角度θは40度~80度が好ましい。柱状結晶の群からなるシンチレータ11を形成する蛍光体としては、例えば、CsI:Tlタリウム賦活ヨウ化セシウム、NaI:Tlタリウム賦活ヨウ化ナトリウム、CsI:Naナトリウム賦活ヨウ化セシウム、等のアルカリハライド蛍光体を用いることができ、なかでも、発光スペクトルが、光導電層25にアモルファスシリコンやキナクリドンを用いたフォトダイオードの分光感度の極大値アモルファスシリコン:550nm付近、キナクリドン:560nm付近に適合する点で、CsI:Tlが好ましい。なお、上記のアルカリハライド蛍光体中のハロゲンが反射膜15の材料である金属を腐食させることがあるため、反射膜15が形成された第1の基材13は保護膜12aによって被覆されている。さらに、アルカリハライド蛍光体は潮解性を有しており、シンチレータ11もまた、保護膜12bによって被覆されている。保護膜12a、12bの材料としては、典型的にはポリパラキシリレンが用いられるが、ポリエチレンテレフタレートPETや、ポリエステル、ポリメタクリレレート、ニトロセルロース、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、等の透湿度の低い高分子化合物からなるフィルムも用いることができる。図5は、シンチレータ11の図4におけるV‐V断面を示す電子顕微鏡写真である。図5に明らかなように、柱状結晶43は、結晶の成長方向に対しほぼ均一な断面径を示し、且つ、その周囲に空隙を有し、互いに独立して存在することがわかる。柱状結晶43の結晶径柱径は、光ガイド効果、機械的強度、そして画素欠陥防止の観点から、2μm以上8μm以下であることが好ましい。柱径が小さすぎると、柱状結晶43の機械的強度が不足し、衝撃等により損傷する懸念があり、柱径が大きすぎると、画素毎の柱状結晶43の数が少なくなり、結晶にクラックが生じた際にその画素が欠陥となる確率が高くなる懸念がある。ここで、柱径は、柱状結晶43の成長方向上面から観察した結晶の最大径を示す。具体的な測定方法としては、柱状結晶43の成長方向上面からSEM走査型電子顕微鏡で観察することで柱径を測定する。柱状結晶43が100本から200本観察できる倍率約2000倍程度で観察し、1撮影に含まれる結晶全てに対し、柱径の最大値を測定して平均した値を採用している。柱径μmは小数点以下2桁まで読み、平均値をJISZ8401に従い小数点以下2桁目を丸めた値とする。柱状結晶43の長さシンチレータ11の厚みは、放射線のエネルギーにもよるが、シンチレータ11における放射線吸収及び画像の鮮鋭度の観点から、200μm以上700μm以下であることが好ましい。シンチレータ11の厚みが小さすぎると、放射線を十分に吸収することができず、感度が低下する虞があり、厚みが大きすぎると光拡散が生じ、柱状結晶43の光ガイド効果によっても画像の鮮鋭度が低下する懸念がある。シンチレータ11は、気相堆積法によって製造することができる。蛍光体としてCsI:Tlを用いる場合には、真空度0.01~10Paの環境下で、CsI:Tlを抵抗加熱式のるつぼに通電するなどの手段で加熱して気化させ、第1の基材13の温度を室温20°C~300°Cとして、CsI:Tlの結晶を第1の基材13上に堆積させ、多数の柱状に成長させる。そして、柱状結晶43の成長終期における第1の基材13の温度を制御することによって、柱状結晶43の先端部の形状先端角度θを制御することができる。概ね、110°Cで170度、140°Cで60度、200°Cで70度、260°Cで120度となる。以上のシンチレータ11の製造工程において、例えば、蛍光体の気相の偏りや結晶の異常成長などに起因して、柱状結晶43の長さが局所的に変化し、シンチレータ11の蛍光出射面に凹凸が形成される場合がある。以下、この凹凸を吸収して、シンチレータ11と画素アレイ21とを全体に亘って隙間無く密接させる構成について説明する。図6は、放射線画像検出装置1の製造方法の一例を示す。まず、シンチレータ11が形成された第1の基材13、及び第1の基材13と共に放射線画像変換パネル2の支持基板10を構成する第2の基材14、並びにセンサパネル3を用意する。第1の基材13をセンサパネル3に載置し、シンチレータ11の蛍光出射面を画素アレイ21に押し当てるFIG.6A。シンチレータ11の蛍光出射面に凹凸が存在する場合に、その凹凸を吸収するように第1の基材13が変形する。即ち、蛍光出射面の凸部に対しては、その凸部に重なる第1の基材13の領域及びその周囲の領域がセンサパネル3から離れるように膨隆し、蛍光出射面の凹部に対しては、その凹部に重なる第1の基材13の領域及びその周囲の領域がセンサパネル3に近づくように沈降する。次いで、第1の基材13及び第2の基材14のいずれか又は双方の接合面に接着剤5を塗布し、また、第2の基材14及びセンサパネル3の絶縁性基板20のいずれか又は双方の接合面に封止材4としての接着剤を塗布し、第2の基材14を第1の基材13及び絶縁性基板20に重ねるFIG.6B。第1の基材13と第2の基材14との間に介在する接着剤5、及び第2の基材14と絶縁性基板20との間に介在する封止材4としての接着剤が硬化するのに先だって、封止材4によって形成される空間Sを減圧する。空間Sを減圧するのに伴って、空間Sの容積を縮小するように第2の基材14及び絶縁性基板20が変形する。この第2の基材14及び絶縁性基板20の変形によって、シンチレータ11と画素アレイ21とは互いに押し付けられ、両者は全体に亘って隙間無く非接着にて密接するFIG.6C。この状態で、第1の基材13と第2の基材14との間に介在する接着剤5、及び第2の基材14と絶縁性基板20との間に介在する封止材4としての接着剤によって、それらを接合し、放射線画像検出装置1を得る。図7及び図8は、第1の基材13の変形及びシンチレータ11を形成する柱状結晶43の群の挙動を模式的に示す。第1の基材13の変形に伴って、その変形領域にある複数の柱状結晶43の先端部間の隙間は拡大され、あるいは縮小される。図7に示すように、シンチレータ11の蛍光出射面に凸部がありFIG.7A、シンチレータ11の蛍光出射面が画素アレイ21に押し当てられるのに伴って第1の基材13が膨隆する場合に、その変形領域の中央部にある複数の柱状結晶43の先端部間の隙間が縮小される。そして、それらの柱状結晶43同士が先端部において衝突すると、第1の基材13のそれ以上の変形が制限される。その結果、凸部の周囲において、シンチレータ11と画素アレイ21との間に隙間が残されるFIG.7B。そこで、絶縁性基板20もフレキシブルなものとし、シンチレータ11及び画素アレイ21を収納する空間Sを減圧することによって、シンチレータ11の蛍光出射面に倣って絶縁性基板20を変形させる。それにより、シンチレータ11と画素アレイ21とを、全体に亘って隙間無く非接着にて密接させることができるFIG.7C。また、図8に示すように、シンチレータ11の蛍光出射面に凹部があり、シンチレータ11の蛍光出射面が画素アレイ21に押し当てられるのに伴って第1の基材13が沈降する場合に、その変形領域の縁部にある複数の柱状結晶43の先端部間の隙間が縮小される。そして、それらの柱状結晶43が先端部において衝突すると、やはり第1の基材13のそれ以上の変形が制限される。その結果、凹部において、シンチレータ11と画素アレイ21との間に隙間が残されるFIG.8B。そこで、絶縁性基板20もフレキシブルなものとし、シンチレータ11及び画素アレイ21を収納する空間Sを減圧することによって、シンチレータ11の蛍光出射面に倣って絶縁性基板20を変形させる。それにより、シンチレータ11と画素アレイ21とを、全体に亘って隙間無く非接着にて密接させることができるFIG.8C。以上、説明したとおり、放射線画像検出装置1において、シンチレータ11を支持する支持基板10、及び画素アレイ21を支持する絶縁性基板20、並びに封止材4によって形成される空間Sにシンチレータ11及び画素アレイ21を収納し、この空間Sを減圧することによって、シンチレータ11と画素アレイ21とを非接着にて密接させている。そして、支持基板10及び絶縁性基板20のいずれもフレキシブルとすることによって、シンチレータ11と画素アレイ21とを全体に亘って隙間なく密接させることができる。それにより、画質の均一性を高めることができる。また、ISS型の放射線画像検出装置1において、放射線入射側とは反対側に配置される支持基板10を第1の基材13及び第2の基材14の積層構造として、放射線画像検出装置1の補強を行うことにより、放射線吸収による感度低下を生じさせることなく、耐荷重、耐衝撃性を高めることができる。また、上述した製造方法において、シンチレータ11が形成された第1の基材13を変形させ、その後に第2の基材14を第1の基材13及び絶縁性基板20に接合することによって、第1の基材13のフレキシブル性を損なわずに第1の基材13を変形させることができ、第2の基材14を第1の基材13及び絶縁性基板20に接合した後には、放射線画像検出装置1の耐荷重、耐衝撃性を確保することができる。また、シンチレータ11と画素アレイ21とが非接着であることから、放射線画像変換パネル2とセンサパネル3とを容易に分離することができ、放射線画像変換パネル2及びセンサパネル3のうち一方が損傷した場合に、損傷したパネルのみ交換して、放射線画像検出装置1として再生することができる。再生リワークの観点からは、第2の基材14と絶縁性基板20とを接合する封止材4としての接着剤、及び第1の基材13と第2の基材14とを接合する接着剤5は、いずれもエネルギー照射によって接着強度が低下する解体型接着剤であることが好ましい。それによれば、放射線画像変換パネルとセンサパネルとを一層容易に分離することができ、そして、上述した製造方法を経て、シンチレータ11と画素アレイ21とを隙間無く非接着にて密接させ、放射線画像検出装置1として再生することができる。解体型接着剤としては、例えば、熱可塑性樹脂の加熱軟化を利用した接着剤や、熱膨張するマイクロカプセルや発泡剤を混入した接着剤や、紫外線照射によって剥離する接着剤などを用いることができる。図9は、放射線画像検出装置1の変形例を示す。図9に示す放射線画像検出装置1Aにおいて、シンチレータ11は、柱状結晶43の群からなる柱状部40と、非柱状部41とで構成されており、柱状部40及び非柱状部41は、支持基板10上に非柱状部41、柱状部40の順に重なって形成されている。非柱状部41は、蛍光物質の比較的小さい粒状結晶42の群によって形成されている。なお、非柱状部41には、上記の蛍光物質の非晶質体が含まれる場合もある。非柱状部41において、粒状結晶は、不規則に結合し、あるいは重なり合って存在する。非柱状部41は、微細な空隙が散在しており、これらの空隙があることによって、上述した放射線画像検出装置1における支持基板10の反射膜15に替わるものとして機能する。また、非柱状部41は、柱状部40に比べて緻密であり、その空隙率は小さい。支持基板10と柱状部40との間に非柱状部41が介在することによって、支持基板10とシンチレータ11との密着性が向上し、シンチレータ11が支持基板10から剥離することが防止される。図10は、シンチレータ11の図9におけるXX断面を示す電子顕微鏡写真である。図10に明らかなように、非柱状部41においては、粒状結晶42が不規則に結合したり重なり合ったりしており、結晶間の明確な空隙は、柱状部40程は認めらない。非柱状部41を形成する粒状結晶42の径は、密着性及び光反射の観点から、0.5μm以上7.0μm以下であることが好ましい。結晶径が小さすぎると、空隙が0に近づき、光反射の機能が低下する懸念があり、結晶径が大きすぎると、平坦性が低下し、支持基板10との密着性が低下する懸念がある。また、非柱状部41を形成する粒状結晶42の形状は、光反射の観点から、略球状であることが好ましい。ここで、結晶同士が結合している場合の結晶径の測定は、隣接する結晶間に生じる窪み凹同士を結んだ線を結晶間の境界と見なし、結合した結晶同士を最小多角形となるように分離して結晶径を測定し、柱状部40における結晶径と同様にして平均値をとり、その値を採用する。非柱状部41の厚みは、支持基板10との密着性及び光反射の観点から、5μm以上125μm以下であることが好ましい。非柱状部41の厚みが小さすぎると、支持基板10との十分な密着性が得られない虞があり、また厚みが大きすぎると、非柱状部41における蛍光の寄与、及び非柱状部41での光反射による拡散が増大し、画像の鮮鋭度が低下する懸念がある。柱状部40及び非柱状部41は、気相堆積法によって連続して一体に形成される。具体的には、真空度0.01~10Paの環境下で、CsI:Tlを抵抗加熱式のるつぼに通電するなどの手段で加熱して気化させ、第1の基材13の温度を室温20°C~300°CとしてCsI:Tlを第1の基材13上に堆積させる。第1の基材13上にCsI:Tlの結晶相を形成する際、当初は直径の比較的小さい粒状結晶42を堆積させて非柱状部41を形成する。そして、真空度及び第1の基材13の温度の少なくとも一方の条件を変更し、非柱状部41を形成した後に連続して柱状部40を形成する。具体的には、真空度を上げる、及び/又は第1の基材13の温度を高くすることによって、柱状結晶43の群を成長させる。図11は、放射線画像検出装置1の他の変形例を示す。図11に示す放射線画像検出装置1Bにおいて、シンチレータ11を形成する柱状結晶43の群の間には、それらの先端側から充填材50が充填されている。シンチレータ11の蛍光出射面は、柱状結晶43の集合によって構成されており、柱状結晶43の各々の先端部は、光の取り出し効率の観点から先鋭なテーパ状に形成されている。そのため、充填材50がないとすると、シンチレータ11が画素アレイ21に押し当てられた際に、柱状結晶43の先端に荷重が集中して先端が変形する虞があり、また画素アレイ21が損傷する虞があるが、充填材50があることによって荷重が分散され、柱状結晶43の先端の変形及び画素アレイ21の損傷が防止される。また、柱状結晶43の群の間に充填材50が充填されていることにより、柱状結晶43の間に保護膜12bが入り込むことを防止することができる。保護膜12bとしては、上述の通りポリパラキシリレンなどが用いられるが、その屈折率は空気の屈折率1.0に比べて大きいため、柱状結晶43の群の間に保護膜12bが入り込むと、その部分における柱状結晶43と周囲の媒質との屈折率差が小さくなり、柱状結晶43の光ガイド効果が減弱し、画像の鮮鋭度が低下する。しかし、柱状結晶43の群の間に充填材50が充填されていることにより、柱状結晶43の群の間に保護膜12bが入り込むことを防止することができる。充填材50としては、シンチレータ11に生じる蛍光に対して透明であり、適度な流動性を有するエネルギー硬化性の樹脂材料が好適に用いられ、具体的には、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ジアリルフタレート樹脂などを例示することができる。保護膜12bによる柱状結晶43の光ガイド効果の減弱を抑制する観点から、充填材50としては、その屈折率が保護膜12bの屈折率よりも小さいことが好ましい。例えば、柱状結晶43を形成する蛍光体として用いられるCsI:Tlの屈折率が1.79であり、また、保護膜12bとして用いられるポリパラキシリレンの屈折率が1.639であることを考慮して、充填材50の屈折率は1.6以下であることが好ましい。充填材50として例示した上記の材料の屈折率について、グレード等によって上下するが、フェノール樹脂は1.58~1.66、ユリア樹脂は1.54~1.56、メラミン樹脂は1.6~1.7、不飽和ポリエステル樹脂は1.52~1.57、エポキシ樹脂は1.55~1.61、ジアリルフタレート樹脂1.51~1.52である。図12は、本発明の実施形態を説明するための放射線画像検出装置の構成を模式的に示す。なお、上述した放射線画像検出装置1と共通する要素には、共通する符号を付することにより、説明を省略又は簡略する。図12に示す放射線画像検出装置101は、放射線画像変換パネル102と、センサパネル103とを備えている。放射線画像変換パネル102は、フレキシブルな支持基板第1の基板110と、放射線露光によって蛍光を発する蛍光体からなるシンチレータ11とを有している。シンチレータ11は、支持基板110上に設けられている。センサパネル103は、フレキシブルな絶縁性基板第2の基板120と、絶縁性基板120上に設けられた画素アレイ21とを有している。画素アレイ21を構成する画素の各々は、シンチレータ11に生じる蛍光を検出する。放射線画像変換パネル102とセンサパネル103とは、シンチレータ11と画素アレイ21とを対向させて配置されており、封止材4によって接合されている。封止材4は、放射線画像変換パネル102の支持基板110とセンサパネル103の絶縁性基板120との間にあって、シンチレータ11及び画素アレイ21を囲むように設けられており、その内側に隔絶された空間Sを形成している。空間Sは、その外に比べて減圧されている。支持基板110及び絶縁性基板120の変形を伴って、シンチレータ11と画素アレイ21とは非接着にて密接している。放射線画像検出装置101は、いわゆる裏面読取型PSS:PenetorationSideSamplingの放射線画像検出装置であり、放射線入射側から、放射線画像変換パネル102、センサパネル103の順に配置されている。放射線は、支持基板110を透過してシンチレータ11に入射する。放射線が入射したシンチレータ11において蛍光が発生し、ここで発生した蛍光が画素アレイ21によって検出される。PSS型の放射線画像検出装置101において、放射線入射側とは反対側に配置される絶縁性基板120が、フレキシブルなシート状の第1の基材113及び第2の基材114の2層で構成されている。第1の基材113の一方の表面上には画素アレイ21が形成され、他方の表面には第2の基材114が接合されている。第2の基材114は、画素アレイ21が形成される第1の基材113を補強し、また、封止材4図1参照によって放射線画像変換パネル102の支持基板110に接合される。放射線画像検出装置101において、シンチレータ11を支持する支持基板110、及び画素アレイ21を支持する絶縁性基板120、並びに封止材4によって形成される空間Sにシンチレータ11及び画素アレイ21を収納し、この空間Sを減圧することによって、シンチレータ11と画素アレイ21とを非接着にて密接させている。そして、支持基板110及び絶縁性基板120のいずれもフレキシブルとすることによって、シンチレータ11と画素アレイ21とを全体に亘って隙間なく密接させることができる。それにより、画質の均一性を高めることができる。また、PSS型の放射線画像検出装置101において、放射線入射側とは反対側に配置される絶縁性基板120を、第1の基材113及び第2の基材114の積層構造として、放射線画像検出装置101の補強を行うことにより、放射線吸収による感度低下を生じさせることなく、対荷重、対衝撃性を高めることができる。上述した放射線画像検出装置は、放射線画像を高感度、高精細に検出しうるため、低放射線照射量で鮮鋭な画像を検出することを要求される、マンモグラフィなどの医療診断用のX線撮影装置をはじめ、様々な装置に組み込んで使用することができる。例えば、工業用のX線撮影装置として非破壊検査に用いたり、或いは、電磁波以外の粒子線α線、β線、γ線の検出装置として用いたりすることができ、その応用範囲は広い。以下、センサパネルを構成する各要素に用いることのできる材料について説明する。[光電変換素子]上述した光電変換素子23の光導電層25図2参照としては、例えば特開2009-32854号公報に記載された有機光電変換OPC;Organicphotoelectricconversion材料により形成された膜以下、OPC膜というを使用することができる。OPC膜は、有機光電変換材料を含み、蛍光体から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。このように有機光電変換材料を含むOPC膜であれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、蛍光体による発光以外の電磁波がOPC膜に吸収されることがほとんどなく、X線等の放射線がOPC膜で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。OPC膜を構成する有機光電変換材料は、蛍光体で発光した光を最も効率良く吸収するために、その吸収ピーク波長が、蛍光体の発光ピーク波長と近いほど好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長と蛍光体の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければ蛍光体から発された光を十分に吸収することが可能である。具体的には、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、蛍光体の放射線に対する発光ピーク波長との差が、10nm以内であることが好ましく、5nm以内であることがより好ましい。このような条件を満たすことが可能な有機光電変換材料としては、例えば、アリーリデン系有機化合物、キナクリドン系有機化合物、及びフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えばキナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は560nmであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、蛍光体の材料としてCsITlを用いれば、上記ピーク波長の差を5nm以内にすることが可能となり、OPC膜で発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。バイアス電極26および電荷収集電極27の間に設けられる有機層の少なくとも一部をOPC膜によって構成することができる。この有機層は、より具体的には、電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子ブロッキング部位、正孔ブロッキング部位、結晶化防止部位、電極、及び層間接触改良部位等の積み重ねもしくは混合により形成することができる。上記有機層は、有機p型化合物または有機n型化合物を含有することが好ましい。有機p型半導体化合物は、主に正孔輸送性有機化合物に代表されるドナー性有機半導体化合物であり、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは2つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。したがって、ドナー性有機化合物としては、電子供与性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。例えば、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物、ピラゾリン化合物、スチリルアミン化合物、ヒドラゾン化合物、トリフェニルメタン化合物、カルバゾール化合物、ポリシラン化合物、チオフェン化合物、フタロシアニン化合物、シアニン化合物、メロシアニン化合物、オキソノール化合物、ポリアミン化合物、インドール化合物、ピロール化合物、ピラゾール化合物、ポリアリーレン化合物、縮合芳香族炭素環化合物ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体等を用いることができる。なお、これらに限らず、n型アクセプター性化合物として用いた有機化合物よりもイオン化ポテンシャルの小さい有機化合物であればドナー性有機半導体として用いることができる。有機n型半導体化合物は、主に電子輸送性有機化合物に代表されるアクセプター性有機半導体化合物であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは2つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプター性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。例えば、縮合芳香族炭素環化合物ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体、窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含有する5ないし7員のヘテロ環化合物例えばピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、イソキノリン、プテリジン、アクリジン、フェナジン、フェナントロリン、テトラゾール、ピラゾール、イミダゾール、チアゾール、オキサゾール、インダゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、カルバゾール、プリン、トリアゾロピリダジン、トリアゾロピリミジン、テトラザインデン、オキサジアゾール、イミダゾピリジン、ピラリジン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、ジベンズアゼピン、トリベンズアゼピン等、ポリアリーレン化合物、フルオレン化合物、シクロペンタジエン化合物、シリル化合物、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体などが挙げられる。なお、これらに限らず、ドナー性有機化合物として用いた有機化合物よりも電子親和力の大きな有機化合物であればアクセプター性有機半導体として用いることができる。p型有機色素又はn型有機色素としては、公知のものを用いることができるが、好ましくは、シアニン色素、スチリル色素、ヘミシアニン色素、メロシアニン色素ゼロメチンメロシアニンシンプルメロシアニンを含む、3核メロシアニン色素、4核メロシアニン色素、ロダシアニン色素、コンプレックスシアニン色素、コンプレックスメロシアニン色素、アロポーラー色素、オキソノール色素、ヘミオキソノール色素、スクアリウム色素、クロコニウム色素、アザメチン色素、クマリン色素、アリーリデン色素、アントラキノン色素、トリフェニルメタン色素、アゾ色素、アゾメチン色素、スピロ化合物、メタロセン色素、フルオレノン色素、フルギド色素、ペリレン色素、フェナジン色素、フェノチアジン色素、キノン色素、インジゴ色素、ジフェニルメタン色素、ポリエン色素、アクリジン色素、アクリジノン色素、ジフェニルアミン色素、キナクリドン色素、キノフタロン色素、フェノキサジン色素、フタロペリレン色素、ポルフィリン色素、クロロフィル色素、フタロシアニン色素、金属錯体色素、縮合芳香族炭素環系色素ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体等が挙げられる。一対の電極間に、p型半導体層とn型半導体層とを有し、該p型半導体とn型半導体の少なくともいずれかが有機半導体であり、かつ、それらの半導体層の間に、該p型半導体およびn型半導体を含むバルクヘテロ接合構造層を中間層として有する光電変換膜感光層を好適に用いることができる。このように、光電変換膜において、バルクへテロ接合構造層を含ませることにより有機層のキャリア拡散長が短いという欠点を補い、光電変換効率を向上させることができる。なお、上記バルクへテロ接合構造については、特開2005-303266号公報において詳細に説明されている。光電変換膜の厚みは、蛍光体からの光を吸収する点では膜厚は大きいほど好ましいが、電荷分離に寄与しない割合を考慮すると、30nm以上300nm以下が好ましく、より好ましくは、50nm以上250nm以下、特に好ましくは80nm以上200nm以下である。上述したOPC膜に関するその他の構成は、例えば、特開2009-32854号公報の記載が参考となる。[スイッチ素子]スイッチ素子24の活性層としては、例えば特開2009-212389号公報に記載されたように、有機材料を使用することができる。有機TFTはいかなるタイプの構造でもよいが、最も好ましいのは電界効果型トランジスタFET構造である。このFET構造は、絶縁性基板上面の一部にゲート電極を設け、さらに該電極を覆い、かつ電極以外の部分で基板と接するように絶縁体層を設けている。さらに絶縁体層の上面に半導体活性層を設け、その上面の一部に透明ソース電極と透明ドレイン電極とを隔離して配置している。なお、この構成はトップコンタクト型素子と呼ばれるが、ソース電極とドレイン電極とが半導体活性層の下部にあるボトムコンタクト型素子も好ましく用いることができる。また、キャリアが有機半導体膜の膜厚方向に流れる縦型トランジスタ構造であってもよい。活性層ここでいう有機半導体材料とは、半導体の特性を示す有機材料のことであり、無機材料からなる半導体と同様に、正孔ホールをキャリアとして伝導するp型有機半導体材料あるいは単にp型材料、正孔輸送材料とも言う。と、電子をキャリアとして伝導するn型有機半導体材料あるいは単にn型材料、電子輸送材料とも言う。がある。有機半導体材料は一般にp型材料の方が良好な特性を示すものが多く、また、一般に大気下でのトランジスタ動作安定性もp型トランジスタの方が優れているため、ここでは、p型有機半導体材料について説明する。有機薄膜トランジスタの特性の一つに、有機半導体層中のキャリアの動きやすさを示すキャリア移動度単に移動度とも言うμがある。用途によっても異なるが、一般に移動度は高い方がよく、1.0×107cm2/Vs以上であることが好ましく、1.0×106cm2/Vs以上であることがより好ましく、1.0×105cm2/Vs以上であることがさらに好ましい。移動度は電界効果トランジスタFET素子を作製したときの特性や飛行時間計測TOF法により求めることができる。前記p型有機半導体材料は、低分子材料でも高分子材料でも良いが、好ましくは低分子材料である。低分子材料は、昇華精製や再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの様々な精製法が適用できるため高純度化が容易であること、分子構造が定まっているため秩序の高い結晶構造を取りやすいこと、などの理由から高い特性を示すものが多い。低分子材料の分子量は、好ましくは100以上5000以下、より好ましくは150以上3000以下、さらに好ましくは200以上2000以下である。このようなp型有機半導体材料としては、フタロシアニン化合物又はナフタロシアニン化合物を例示することができ、具体例を以下に示す。なお、Mは金属原子、Buはブチル基、Prはプロピル基、Etはエチル基、Phはフェニル基をそれぞれ表す。活性層以外のスイッチ素子の構成要素ゲート電極、ソース電極、又はドレイン電極を構成する材料としては、必要な導電性を有するものであれば特に制限はないが、例えば、ITOインジウムドープ酸化スズ、IZOインジウムドープ酸化亜鉛、SnO2、ATOアンチモンドープ酸化スズ、ZnO、AZOアルミニウムドープ酸化亜鉛、GZOガリウムドープ酸化亜鉛、TiO2、FTOフッ素ドープ酸化スズなどの透明導電性酸化物、PEDOT/PSSポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸などの透明導電性ポリマー、カーボンナノチューブなどの炭素材料が挙げられる。これらの電極材料は、例えば真空蒸着法、スパッタリング、溶液塗布法等の方法で成膜することができる。絶縁層に用いられる材料としては、必要な絶縁効果を有するものであれば特に制限はないが、例えば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、アルミナなどの無機材料、ポリエステルPENポリエチレンナフタレート、PETポリエチレンテレフタレートなど、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリアクリレート、エポキシ樹脂、ポリパラキシリレン樹脂、ノボラック樹脂、PVAポリビニルアルコール、PSポリスチレン、などの有機材料が挙げられる。これらの絶縁膜材料は、例えば真空蒸着法、スパッタリング、溶液塗布法等の方法で成膜することができる。上述した有機TFTに関するその他の構成は、例えば、特開2009-212389号公報の記載が参考となる。また、スイッチ素子24の活性層には、例えば特開2010-186860号公報に記載された非晶質酸化物も使用することができる。ここで、特開2010-186860号に記載された電界効果型トランジスタが有する非晶質酸化物含有の活性層について示す。この活性層は、電子またはホールの移動する電界効果型トランジスタのチャネル層として機能する。活性層は、非晶質酸化物半導体を含んだ構成とされている。この非晶質酸化物半導体は、低温で成膜可能であるために、可撓性のある基板上に好適に形成される。活性層に用いられる非晶質酸化物半導体としては、好ましくはIn、Sn、Zn、又はCdよりなる群より選ばれる少なくとも1種の元素を含む非晶質酸化物であり、より好ましくは、In、Sn、Znよりなる群より選ばれる少なくとも1種を含む非晶質酸化物、さらに好ましくは、In、Znよりなる群より選ばれる少なくとも1種を含む非晶質酸化物である。活性層に用いられる非晶質酸化物としては、具体的には、In2O3、ZnO,SnO2、CdO,Indium-Zinc-OxideIZO、Indium-Tin-OxideITO、Gallium-Zinc-OxideGZO、Indium-Gallium-OxideIGO、Indium-Gallium-Zinc-OxideIGZOが挙げられる。活性層の成膜方法としては、酸化物半導体の多結晶焼結体をターゲットとして、気相成膜法を用いるのが好ましい。気相成膜法の中でも、スパッタリング法、パルスレーザー蒸着法PLD法が適している。さらに、量産性の観点から、スパッタリング法が好ましい。例えば、RFマグネトロンスパッタリング蒸着法により、真空度及び酸素流量を制御して成膜される。成膜された活性層は、周知のX線回折法によりアモルファス膜であることが確認される。活性層の組成比は、RBSラザフォード後方散乱分析法により求められる。また、この活性層の電気伝導度は、好ましくは10-4Scm-1以上102Scm-1未満であり、より好ましくは10-1Scm-1以上102Scm-1未満である。この活性層の電気伝導度の調整方法としては、公知の酸素欠陥による調整方法や、組成比による調整方法、不純物による調整方法、酸化物半導体材料による調整方法が挙げられる。上述した非晶質酸化物に関するその他の構成は、例えば、特開2010-186860号公報の記載が参考となる。[絶縁性基板]絶縁性基板20としては、例えば光透過率に優れるプラスチックフィルムを使用することができる。プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリエーテルスルホンPES、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリカーボネートPC、セルローストリアセテートTAC、セルロースアセテートプロピオネートCAP、ポリイミド、ポリアリレート、二軸延伸ポリスチレンOPS等からなるフィルムが挙げられる。また、これらのプラスチックフィルムに、有機あるいは無機のフィラーを含有させてもよい。また、フレキシブルでかつ低熱膨張、高強度といった、既存のガラスやプラスチックでは得られない特性を有するアラミド、バイオナノファイバーなどを用いて形成されたフレキシブル基板も好適に使用しうる。これらのなかでも、耐熱性を有するポリアリレートガラス転移温度:約193°C、二軸延伸ポリスチレン分解温度:250°C、ポリイミドガラス転移温度:約300°C、アラミドガラス転移温度:約315°C等が好適に使用でき、それによれば、シンチレータを絶縁性基板に直接形成することができる。アラミドアラミド材料は、ガラス転移温度315°Cという高い耐熱性、ヤング率が10GPaという高い剛性、熱膨張率が-3~5ppm/°Cという高い寸法安定性を有する。このため、アラミド製のフィルムを用いると、一般的な樹脂フィルムを用いる場合と比べて、半導体層の高品質の成膜が容易に行える。また、アラミド材料の高耐熱性により、電極材料を高温硬化させて低抵抗化できる。さらに、ハンダのリフロー工程を含むICの自動実装にも対応できる。またさらに、ITOindiumtinoxideやガスバリア膜、ガラス基板と熱膨張係数が近いために、製造後の反りが少ない。そして、割れにくい。ここで、ハロゲンを含まないハロゲンフリーJPCA-ES01-2003の規定に適合なアラミド材料を用いることが環境負荷低減の点で好ましい。アラミドフィルムは、ガラス基板やPET基板と積層されてもよいし、デバイスの筐体に貼り付けられてもよい。アラミドの分子間の凝集力水素結合力の高さによる溶媒への低溶解性を分子設計によって解決することにより、無色透明で薄いフィルムへの成形が容易とされたアラミド材料についても、好適に用いることができる。モノマーユニットの秩序性、および芳香環上の置換基種位置を制御する分子設計により、アラミド材料の高剛性や寸法安定性に繋がる直線性の高い棒状の分子構造を維持しつつ、溶解性が良い成形の容易さが得られる。この分子設計により、ハロゲンフリーをも実現できる。また、フィルムの面内方向の特性が最適化されたアラミド材料についても、好適に用いることができる。成型中に逐次変化するアラミドフィルムの強度に応じて、溶液キャスト、縦延伸、横延伸の工程ごとに張力条件を制御することにより、直線性の高い棒状分子構造であって物性に異方性が生じやすいアラミドフィルムの面内方向の特性をバランスできる。具体的に、溶液キャスト工程では、溶媒の乾燥速度の制御による面内厚み方向の物性の等方化、溶媒を含んだ状態のフィルムの強度とキャストドラムからの剥離強度の最適化、を図る。縦延伸工程では、延伸中に逐次変化するフィルムの強度、溶媒の残留量に応じた延伸条件を精密に制御する。横延伸工程では、加熱によって変化するフィルム強度の変化に応じた横延伸の条件の制御、フィルムの残留応力を緩和するための横延伸の条件の制御を図る。このようなアラミド材料の使用により、成型後のアラミドフィルムがカールしてしまう問題を解決できる。上記の成形容易さに対する工夫、およびフィルム面内方向の特性のバランスに対する工夫のいずれにおいても、アラミドならではの直線性の高い棒状の分子構造が維持されているので、熱膨張係数を低く維持できる。製膜時の延伸条件の変更などにより、熱膨張係数をさらに低減することも可能である。バイオナノファイバーナノファイバーは、光の波長に対して十分に小さなコンポーネントは光散乱を生じないことから、透明でフレキシブルな樹脂材料の補強として用いることができる。そして、ナノファイバーの中でも、バクテリアが産出するセルロースミクロフィブリル束は、幅50nmと、可視光波長に対して約1/10のサイズでかつ、高強度、高弾性、低熱膨である特徴を有しており、このバクテリアセルロースと透明樹脂との複合材料バイオナノファイバーということがあるを好適に用いることができる。バクテリアセルロースシートにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸硬化させることで、繊維を約60~70と高い比率で含有しながら、波長500nmで約90の光透過率を示す透明バイオナノファイバーが得られる。このバイオナノファイバーにより、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数約3~7ppm、鋼鉄並の強度、および高弾性が得られる。上述したバイオナノファイバーに関する構成は、例えば、特開2008-34556号公報の記載が参考となる。以上、説明したように、本明細書には、下記1から12の放射線画像検出装置が、また下記13から16の放射線画像検出装置の製造方法が開示されている。1放射線露光によって蛍光を発する蛍光体からなるシンチレータ、及び該シンチレータを支持する基板を有する放射線画像変換パネルと、前記シンチレータに密接して設けられ、前記シンチレータに生じる前記蛍光を検出する画素アレイ、及び該画素アレイを支持する基板を有するセンサパネルと、前記放射線画像変換パネルの基板と前記センサパネルの基板との間に、前記シンチレータ及び前記画素アレイを囲み、その内側に隔絶された空間を形成する封止材と、を備え、前記シンチレータは、前記蛍光体の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶の群によって形成された柱状部を有し、前記柱状結晶の先端部の集合によって構成される面において前記画素アレイに非接着にて密接しており、前記放射線画像変換パネルの基板及び前記センサパネルの基板は、いずれもフレキシブルであり、前記空間が減圧されている放射線画像検出装置。2上記1の放射線画像検出装置であって、前記放射線画像変換パネルの基板及び前記センサパネルの基板のうち放射線入射側とは反対側に配置される第1の基板は、前記シンチレータ又は前記画素アレイがその表面に設けられる第1の基材を含む複数の基材が積層されて構成されている放射線画像検出装置。3上記2の放射線画像検出装置であって、前記封止材は、前記複数の基材のうち前記第1の基材を除く他の基材と、前記放射線画像変換パネルの基板及び前記センサパネルの基板のうち放射線入射側に配置される第2の基板との間に設けられている放射線画像検出装置。4上記3の放射線画像検出装置であって、前記第1の基材と、前記複数の基材のうち前記第1の基材を除く他の基材とは、エネルギー照射によって接着強度が低下する解体型接着材によって接着されている放射線画像検出装置。5上記1~4のいずれか一つの放射線画像検出装置であって、前記封止材は、エネルギー照射によって接着強度が低下する解体型接着材である放射線画像検出装置。6上記1~5のいずれか一つの放射線画像検出装置であって、前記柱状結晶の先端部は、先鋭なテーパ状に形成されている放射線画像検出装置。7上記6の放射線画像検出装置であって、前記柱状結晶の先端部の角度は、40°~80°である放射線画像検出装置。8上記6又は7の放射線画像検出装置であって、前記柱状結晶の先端部の間に充填材が充填されている放射線画像検出装置。9上記8の放射線画像検出装置であって、前記シンチレータは、防湿性の保護膜によって被覆され、前記充填材の屈折率は、前記保護膜の屈折率よりも小さい放射線画像検出装置。10上記8又は9の放射線画像検出装置であって、前記充填材は、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、シアルルフタレート樹脂、の群から選ばれる放射線画像検出装置。11上記1~10のいずれか一つの放射線画像検出装置であって、前記放射線画像変換パネルの基板及び前記センサパネルの基板は、フレキシブルなガラス基板である放射線画像検出装置。12上記1~11のいずれか一つの放射線画像検出装置であって、前記画素アレイの各画素は、光導電層に有機光電変換膜を用いた有機光電変換素子を含んで構成されている放射線画像検出装置。13上記1の放射線画像検出装置の製造方法であって、前記シンチレータと前記画素アレイとを対向させ、前記放射線画像変換パネルの基板と前記センサパネルの基板との間に両基板を接合する前記封止材を設けて、前記放射線画像変換パネルと前記センサパネルとを重ね合わせ、前記封止材によって前記両基板との間に形成される隔絶された空間を減圧し、前記シンチレータと前記画素アレイとを非接着にて密接させる放射線画像検出装置の製造方法。14上記1の放射線画像検出装置の製造方法であって、前記放射線画像変換パネルの基板及び前記センサパネルの基板のうち放射線入射側とは反対側に配置される第1の基板は、前記シンチレータ又は前記画素アレイがその表面に設けられる第1の基材を含む複数の基材が積層されて構成されるものであり、前記シンチレータと前記画素アレイとを対向させ、前記第1の基材を、前記放射線画像変換パネルの基板及び前記センサパネルの基板のうち放射線入射側に配置される第2の基板に重ね合わせ、前記第1の基材及び前記複数の基材のうちの該第1の基材を除く他の基材との間に接着剤を設け、また、前記他の基材と前記第2の基板との間にそれらを接合する前記封止材を設けて、前記他の基材を前記第1の基材及び前記第2の基板に重ね合わせ、前記封止材によって前記他の基材と前記第2の基板との間に形成される隔絶された空間を減圧し、前記シンチレータと前記画素アレイとを非接着にて密接させる放射線画像検出装置の製造方法。15上記14の放射線画像検出装置の製造方法であって、前記接着剤は、エネルギー照射によって接着強度が低下する解体型接着材である放射線画像検出装置の製造方法。16上記13~15のいずれか一つの放射線画像検出装置の製造方法であって、前記封止材は、エネルギー照射によって接着強度が低下する解体型接着材である放射線画像検出装置の製造方法。"