集電体の上に酸化ケイ素を含む活物質層が形成されるように前記集電体の上に前記酸化ケイ素を堆積させる工程と、前記活物質層の不可逆容量を補償しうる量のリチウムを前記活物質層に付与する工程と、前記活物質層にリチウムを付与した後、280°C~400°Cの不活性ガス雰囲気下で前記活物質層を熱処理する工程と、を含む、リチウムイオン二次電池用電極の製造方法。前記熱処理工程における熱処理温度が300°C~400°Cの範囲にある、請求項1に記載のリチウムイオン二次電池用電極の製造方法。前記不活性ガスが、アルゴンガス及び窒素ガスから選ばれる少なくとも1つを含む、請求項1又は2に記載のリチウムイオン二次電池用電極の製造方法。リチウムを前記活物質層に付与する工程において、気相法にて前記活物質層にリチウムを堆積させる、請求項1~3のいずれか1項に記載のリチウムイオン二次電池用電極の製造方法。蒸着法、スパッタリング法又は化学気相堆積法によって前記集電体の上に前記酸化ケイ素を堆積させる、請求項1~4のいずれか1項に記載のリチウムイオン二次電池用電極の製造方法。前記酸化ケイ素の組成をSiOxとしたとき、xが0.19~0.35の範囲にある、請求項1~5のいずれか1項に記載のリチウムイオン二次電池用電極の製造方法。前記活物質層に付与するべきリチウムの量が、前記酸化ケイ素の組成及び量から理論的に計算された不可逆容量を補償するために必要十分な量である、請求項1~6のいずれか1項に記載のリチウムイオン二次電池用電極の製造方法。放電容量を最大限に確保するためには、不可逆容量を補償するために必要十分な量のリチウムを活物質層に吸蔵させることが好ましい。しかし、本発明者らが鋭意検討を進めたところ、不可逆容量を補償するために必要十分な量のリチウムを活物質層に付与したにもかかわらず、実際の放電容量が理論容量を大幅に下回る場合があった。本発明は、理論容量と同等の放電容量が発揮されるように不可逆容量を補償する技術を提供することを目的とする。すなわち、本発明は、集電体の上に酸化ケイ素を含む活物質層が形成されるように前記集電体の上に前記酸化ケイ素を堆積させる工程と、前記活物質層の不可逆容量を補償しうる量のリチウムを前記活物質層に付与する工程と、前記活物質層にリチウムを付与した後、280°C~400°Cの不活性ガス雰囲気下で前記活物質層を熱処理する工程と、を含む、リチウムイオン二次電池用電極の製造方法を提供する。本発明によれば、280°C~400°Cの不活性ガス雰囲気下で活物質層を熱処理する。この熱処理によって、リチウムが活物質層に確実に拡散し、不可逆容量が補償される。従って、本発明の方法によって製造された電極は、理論容量と同等の放電容量を発揮できる。その結果、電池のエネルギー密度を高めることができる。また、本発明によれば、不活性ガス雰囲気下で熱処理を実施する。不活性ガス雰囲気下での熱処理によれば、活物質層に十分に拡散していないリチウムをリチウムの融点以上の温度で加熱したときにリチウムが揮発することを防止できる。従って、活物質層に付与されたリチウムが活物質層に確実に拡散し、不可逆容量が補償される。また、不活性ガス雰囲気下での熱処理によれば、不活性ガスを介した十分な熱伝導が期待できるので、比較的短い時間で当該熱処理工程を完了できる可能性がある。また、不活性ガス雰囲気下での熱処理により、活物質層と集電体との密着強度を改善できる可能性もある。また、雰囲気の圧力を厳密に管理する必要がないので、不活性ガス雰囲気下での熱処理は、生産性及び作業性に優れている。以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態によって本発明が限定されるものではない。図1は、本実施形態に係るコイン電池の概略断面図である。コイン電池20は、第一電極21、第二電極23及びセパレータ22を有する。第一電極21及び第二電極23は、それぞれ、負極及び正極でありうる。第一電極21は、集電体24負極集電体及び活物質層29負極活物質層を有する。セパレータ22は、リチウムイオンを伝導する電解質を含み、第一電極21と第二電極23との間に配置されている。第一電極21及び第二電極23は、セパレータ22及び電解質とともにケース26に収納されている。集電体24とケース26との間には、第一電極21を加圧するための皿ばね25が配置されている。ケース26は、ガスケット28を有する封口板27によって封止されている。ケース26及び封口板27は、それぞれ、第一電極21及び第二電極23と電気的に接続されており、正極端子及び負極端子として機能する。図2に示すように、集電体24の第一主表面24pには、複数の凸部24tが形成されている。凸部24tは規則的に配列していてもよいし、ランダムに配列していてもよい。活物質層29は、凸部24tに担持された柱状体17aで構成されている。柱状体17aは、活物質負極活物質で構成されている。互いに隣り合う柱状体17aと柱状体17aとの間には、十分な広さの空間が形成されている。このような空間が形成されていると、活物質の膨張及び収縮に伴う不具合を防止することができる。凸部24tを有する集電体24に対し、いわゆる斜め成膜法を適用すれば、柱状体17aで構成された活物質層29を比較的容易に形成することができる。次に、図1及び図2に示す第一電極21の製造方法を説明する。電極21は、図3に示す工程を順番に実施することによって作製されうる。まず、気相法によって集電体29の上に活物質を堆積させるステップS1:堆積工程。これにより、集電体24の上に活物質層29が形成される。堆積工程は、真空中で実施することが好ましい。気相法として、蒸着法、スパッタリング法又は化学気相堆積法CVD法を採用できる。中でも、蒸着法が効率的に活物質層29を形成する観点から望ましい。図2を参照して説明したように、柱状体17aで構成された活物質層29を形成するために、いわゆる斜め成膜法を採用できる。斜め成膜法とは、基板の法線に対して傾いた方向から活物質の粒子を入射させる成膜技術を意味する。図4に真空蒸着装置の概略図を示す。真空蒸着装置50は、真空槽51、基板搬送機構56、遮蔽板57及び蒸着源58を備えている。基板搬送機構56、遮蔽板57及び蒸着源58は、真空槽51の内部に配置されている。真空槽51には真空ポンプ59及びノズル60が接続されている。蒸着時において、真空槽51の内部は真空ポンプ59によって活物質層29の形成に適した圧力例えば1.0×102Pa~1.0×104Paに保たれる。基板搬送機構56は、巻き出しローラ52、ガイドローラ54、巻き取りローラ53及びキャン55によって構成されている。基板としての長尺の集電体24が巻き出しローラ52に準備される。ガイドローラ54は、集電体24の搬送方向における上流側と下流側とのそれぞれに配置されている。上流側のガイドローラ54は、巻き出しローラ52から繰り出された集電体24をキャン55に誘導する。下流側のガイドローラ54は、蒸着後の集電体24をキャン55から巻き取りローラ53に誘導する。集電体24を逆方向に搬送する場合には、巻き出しローラ52の役割と巻き取りローラ53の役割とが逆になる。蒸着源58は、ルツボ58aに収容された活物質58bを電子ビーム加熱、電磁誘導加熱、抵抗加熱などの方法で加熱して蒸発させるように構成されている。活物質58bとしては、ケイ素を使用できる。ただし、ゲルマニウム、スズなどの他の元素が活物質層29に含まれていてもよい。遮蔽板57は、蒸着源58とキャン55との間に配置されている。遮蔽板57の開口部によって、集電体24の表面における蒸着領域61が規定されている。蒸着源58からの粒子例えば、ケイ素粒子は、集電体24に対して主に斜め方向から入射する。すなわち、凸部24tを有する集電体24に対して斜め方向から蒸着すべき材料を入射させる斜め蒸着技術によって、活物質層29を集電体24の上に形成できる。斜め蒸着によると、自己陰影効果により隙間を有する活物質層29を形成できる。活物質層29の厚さは、例えば1μm~50μmである。集電体24としては、銅製の箔又は銅合金製の箔を好適に使用できるが、これらに限定されるものではない。箔の具体例として、圧延箔、電解箔などが挙げられる。予め粗化処理を施した電解銅箔、粗化処理を施した圧延銅箔も使用できる。本実施形態では、第一主表面24pに凸部24tが形成された帯状の集電体24が使用されている。凸部24tを形成する方法は特に限定されず、例えば、箔をプレス加工すること又は箔を化学エッチングすることによって凸部24tを形成できる。ノズル60は、蒸着源58と蒸着領域61との間の空間に向かって開口している。ノズル60は、真空槽51の外部に延びており、マスフローコントローラを経由して酸素ボンベに接続されている図示省略。蒸着の際に、ノズル60から真空槽51の内部に酸素ガスが供給される。これにより、ケイ素と酸素ガスとが反応し、集電体24の上に酸化ケイ素を含む柱状体17aで構成された活物質層29が形成される。活物質層29に含まれた酸化ケイ素の組成をSiOxとしたとき、xは、例えば、0.19~0.35の範囲に調節される。このような化学組成を有する酸化ケイ素によれば、充放電に伴う膨張及び収縮を適度に抑制できるとともに、十分な放電容量も確保できる。図4に示す真空蒸着装置50によれば、巻き出し位置巻き出しローラ53から巻き取り位置巻き取りローラ56へと集電体24を搬送する工程が堆積工程に含まれる。巻き出し位置から巻き取り位置への搬送経路上で集電体24に活物質を堆積させる。このような巻き取り式の成膜方法によれば、長尺の集電体24に効率的に活物質を堆積させることができる。次に、活物質層29の不可逆容量を補償しうる量のリチウムを活物質層29に付与するステップS2:リチウム付与工程。リチウムを活物質層29に付与する方法としては、リチウム金属を活物質層29に気相法で堆積させることが挙げられる。気相法として、蒸着法、スパッタリング法又は化学気相堆積法CVD法を採用できる。中でも、効率的にリチウムを堆積させる観点から、真空蒸着法が望ましい。リチウムを蒸着するときの真空度は特に限定されないが、例えば、1.0×101Pa~1.0×104Paである。ただし、不活性ガス雰囲気などの他の雰囲気でリチウムを活物質層29に付与してもよい。不活性ガス雰囲気の圧力は、大気圧に等しくてもよいし、大気圧よりも低くてもよい。活物質層29に付与するべきリチウムの量は、不可逆容量を補償するために必要十分な量でありうる。このようにすれば、無駄なリチウムを堆積させずに済むだけでなく、放電容量を最大限に確保することが可能となる。不可逆容量は、活物質層29に含まれた酸化ケイ素の組成及び量から理論的に計算することができる。なお、不可逆容量を補償するために必要十分な量とは、理論的に計算された量に完全に一致することを必ずしも意味しない。その理由の1つとして、活物質層29に付与されたリチウムの量に不可避的にバラつきが生じることが挙げられる。例えば、理論的に計算された不可逆容量を補償するために必要十分なリチウムの量を100としたとき、その±5の範囲は、不可逆容量を補償するために必要十分な量とみなすことができる。不可逆容量は次の方法で計算できる。まず、酸化ケイ素の組成をSiOxとしたとき、リチウムを吸蔵した後の組成式はLi44SiOxとなる。次に、下記式1及び2に示すように、Li44SiOxの組成式を充放電可能なリチウムと、放電しないリチウムとに分離する。式1は、充放電可能な可逆なリチウムの量を表し、式2は、放電しない不可逆なリチウムの量を表している。つまり、不可逆容量は、酸素の比率に応じて増える。1-x/2Li44Si1x/2Li44SiO22全体の充電容量に対する理論上の不可逆容量の比率を単純化すると、x/2×100となる。先に述べたように、不可逆容量を補償するために必要十分な量のリチウムを活物質層に付与したにもかかわらず、実際の放電容量が理論容量を大幅に下回る場合がある。この理由は必ずしも明らかではないが、本発明者らは次のように考えている。まず、リチウムを活物質層に拡散熱拡散させると、酸化ケイ素が活性化し、これにより不可逆容量が補償されるものと推察される。ところが、活物質層へのリチウムの拡散が不十分な場合、酸化ケイ素の活性化も不十分となり、ひいては、不可逆容量の補償も不十分なものとなる。従って、リチウムを活物質層29に付与した後、活物質層29へのリチウムの拡散を促進するための熱処理を実施する。具体的には、活物質層29にリチウムを付与した後、280°C~400°Cの不活性ガス雰囲気下で活物質層29を熱処理するステップS3:熱処理工程。これにより、活物質層29の上に付与されたリチウムが活物質層29の内部に確実に拡散し、不可逆容量が補償される。不活性ガス雰囲気下での熱処理によれば、活物質層に十分に拡散していないリチウムをリチウムの融点以上の温度で加熱したときにリチウムが揮発することを防止できる。従って、活物質層29に付与されたリチウムが活物質層29に確実に拡散し、不可逆容量が補償される。また、不活性ガス雰囲気下での熱処理によれば、不活性ガスを介した十分な熱伝導が期待できるので、比較的短い時間で当該熱処理工程を完了できる可能性がある。また、不活性ガス雰囲気下での熱処理により、活物質層29と集電体24との密着強度を改善できる可能性もある。また、雰囲気の圧力を厳密に管理する必要がないので、不活性ガス雰囲気下での熱処理は、生産性及び作業性に優れている。熱処理工程における熱処理温度は、300°C~400°Cの範囲にあることが好ましい。熱処理温度がこの範囲にあれば、リチウムが活物質層29の内部に速やかに拡散できる。温度を上げすぎないようにすれば、集電体24の強度の低下を回避できる。集電体24の強度を維持することにより、充放電時の応力による電極21の変形を抑制できる。熱処理工程においては、アルゴンガス及び窒素ガスから選ばれる少なくとも1つを含む不活性ガスを使用できる。これらのガスは、容易に入手できるものであるとともに、取扱いも容易である。熱処理時間は特に限定されず、リチウムが活物質層29の内部に拡散するために必要な時間を適宜設定することができる。例えば、1~12時間の範囲で適切な熱処理時間を調節することができる。熱処理時間は、電極21の長さにも依存する。ロール状に巻かれた電極21の中心部を十分に加熱するためには比較的長い時間が必要である。なお、集電体24の酸化を防止するために、電極21が十分に冷却されたことを確認した後、電極21を熱処理炉から取り出すべきである。熱処理工程における雰囲気圧力も特に限定されない。大気圧に等しい雰囲気圧力で熱処理工程を実施してもよいし、大気圧よりも低い雰囲気圧力で熱処理工程を実施してもよい。本実施形態では、活物質層29にリチウムを付与する工程とは別に、活物質層29にリチウムを拡散させるための熱処理を実施する。このようにすれば、次のような利点が得られる。まず、リチウム付与工程と熱処理工程とを互いに異なる雰囲気で容易に実施できる。例えば、高真空の条件でリチウム付与工程を実施する一方、大気圧の不活性ガス雰囲気の条件で熱処理工程を実施することができる。つまり、各工程に適した雰囲気を容易に選択することができる。また、リチウム付与工程で活物質層29にリチウムを拡散させる必要がないので、リチウム付与工程における集電体24の温度管理が容易である。言い換えれば、活物質層29へのリチウムの拡散が十分に進行するかどうか不明な条件でリチウム付与工程を実施できる。例えば、活物質層29にリチウムを拡散させるために必要な温度を閾値温度としたとき、活物質層29の温度が閾値温度よりも低い温度に維持される条件にて、活物質層29にリチウムを堆積させることができる。リチウム付与工程で活物質層29の温度を高温に維持する必要がないので、気相法などの成膜方法によって、必要十分な量のリチウムを活物質層29の表面に確実に堆積させることができる。また、本実施形態によれば、熱処理工程をリチウム付与工程から切り離して実施するので、熱処理工程における温度管理が容易である。例えば、連続式の真空蒸着装置図4参照を使用して、活物質層にリチウムを付与する工程と、活物質層を熱処理する工程とを同時又は連続して実施することが考えられる。連続式の真空蒸着装置を使用してリチウム付与工程を実施する場合には、巻き出し位置から巻き取り位置への搬送経路上で活物質層にリチウムを堆積させる。このような巻き取り式の成膜方法によれば、長尺の電極に効率的にリチウムを堆積させることができる。このとき、どのような方法でリチウムを活物質層に拡散させるのかが問題となる。例えば、生産性を重視して搬送速度を上げると、電極の温度が、リチウムを拡散させるために必要十分な温度に到達しない可能性もある。そのため、リチウムを活物質層に拡散させることによって不可逆容量を確実に補償することができる技術が望まれる。このような課題に対し、本実施形態の方法は特に有効である。すなわち、リチウム付与工程の終了後、リチウム付与工程を実施するときの雰囲気とは異なる雰囲気で熱処理工程を実施することが推奨される。これにより、活物質層にリチウムを確実に拡散させることができ、ひいては、不可逆容量を確実に補償することができる。なお、リチウムが付与された活物質層を加熱するためのヒータを搬送経路上に配置することにより、巻き出し位置から巻き取り位置への搬送経路上で活物質層にリチウムを付与する工程と、熱処理工程とを実施できる可能性がある。この場合、リチウム付与工程も不活性ガス雰囲気で実施することとなる。また、気相法によってリチウム金属を活物質層29に堆積させることに代えて、リチウム金属箔を活物質層29に接触させ、熱処理を行うことによってリチウムを活物質層29に拡散させる方法も採用できる可能性がある。実施例1図4を参照して説明した真空蒸着装置を使用して負極を作製した。まず、厚さ0.025mmの帯状の銅箔からなる集電体の上に負極活物質としての酸化ケイ素を蒸着し、活物質層を形成した。ICPinductivelycoupledplasma発光分析法などの化学分析方法で酸化ケイ素の組成を分析した。その結果、酸化ケイ素はSiO028の組成を有していた。酸化ケイ素の蒸着量は、7.56mAh/cm2の理論充電容量に相当する量であった。酸化ケイ素の組成から計算された理論不可逆容量は1.06mAh/cm2であった。理論充電容量から理論不可逆容量を引くことによって得られた理論放電容量は6.5mAh/cm2であった。次に、1.06mAh/cm2の理論不可逆容量を補償するために必要十分な量のリチウムを活物質層に蒸着した。リチウムの蒸着はアルゴン雰囲気下で実施した。負極の法線に対してリチウムを概ね垂直に入射させた。リチウムの蒸着後、内径10cm、長さ70cmの石英ガラス管に負極を設置し、純度6N99.9999のアルゴンガスを1リットル/分の流量で流すことにより、石英ガラス管の内部を不活性雰囲気に置換した。次に、石英ガラス管の内部の温度が280°Cとなるように石英ガラス管を電熱ヒータで加熱した。そして、280°Cの雰囲気温度で負極を3時間加熱した。3時間の熱処理後、石英ガラス管にアルゴンガスを流して負極を十分に冷却した。石英ガラス管から負極を取り出し、直径12.5mmの円形に切断した。円形の負極を用いて、図1を参照して説明した構造のコイン電池R2016サイズを作製した。セパレータとして、26μmの厚さを有するポリエチレン微多孔膜旭化成社製を使用した。正極として、300μmの厚さを有するリチウム金属箔本荘ケミカル社製を使用した。電解液として、エチレンカーボネート及びエチルメチルカーボネートを3:7の体積比で含む混合溶媒に対し、6フッ化リン酸リチウムを1mol/リットルの濃度で溶解することによって得られたものを使用した。実施例2石英ガラス管の内部の温度を290°Cに調節したことを除き、実施例1と同じ方法でコイン電池を作製した。実施例3石英ガラス管の内部の温度を300°Cに調節したことを除き、実施例1と同じ方法でコイン電池を作製した。実施例4石英ガラス管の内部の温度を315°Cに調節したことを除き、実施例1と同じ方法でコイン電池を作製した。実施例5実施例1と同じ方法で、SiO019の組成を有する酸化ケイ素を集電体の上に蒸着した。酸化ケイ素の蒸着量は、7.83mAh/cm2の理論充電容量に相当する量であった。酸化ケイ素の組成から計算された理論不可逆容量は0.74mAh/cm2であった。理論充電容量から理論不可逆容量を引くことによって得られた理論放電容量は7.09mAh/cm2であった。次に、実施例1と同じ方法によって、0.74mAh/cm2の理論不可逆容量を補償するために必要十分な量のリチウムを活物質層に蒸着した。その後、石英ガラス管の内部の温度を300°Cに調節したことを除き、実施例1と同じ方法でコイン電池を作製した。実施例6実施例1と同じ方法で、SiO035の組成を有する酸化ケイ素を集電体の上に蒸着した。酸化ケイ素の蒸着量は、5.68mAh/cm2の理論充電容量に相当する量であった。酸化ケイ素の組成から計算された理論不可逆容量は0.99mAh/cm2であった。理論充電容量から理論不可逆容量を引くことによって得られた理論放電容量は4.69mAh/cm2であった。次に、実施例1と同じ方法によって、0.99mAh/cm2の理論不可逆容量を補償するために必要十分な量のリチウムを活物質層に蒸着した。その後、石英ガラス管の内部の温度を300°Cに調節したことを除き、実施例1と同じ方法でコイン電池を作製した。比較例1リチウムを蒸着した後の熱処理工程を省略したことを除き、実施例1と同じ方法でコイン電池を作製した。比較例2石英ガラス管の内部の温度を250°Cに調節したことを除き、実施例1と同じ方法でコイン電池を作製した。コイン電池の評価コイン電池を以下の3段階で充電した。すなわち、25°Cの環境下で、コイン電池の電圧が0Vに達するまで1mAで定電流充電を行い、次に、コイン電池の電圧が0Vに達するまで0.5mAで定電流充電を行い、さらに、コイン電池の電圧が0Vに達するまで0.1mAの定電流充電を行った。その後、コイン電池の電圧が1.5Vに達するまで定電流で放電させた。定電流放電によって得られた容量を負極の面積で割り、放電容量を計算した。理論放電容量に対する、計算された放電容量の比率を容量達成率として計算した。容量達成率が100に近ければ近いほど、理論放電容量に近い放電容量が得られたことを表す。結果を表1に示す。図5は、実施例1~4及び比較例2の結果を表すグラフである。実施例1~4の結果から理解できるように、280°C以上の熱処理によって優れた容量達成率が得られた。熱処理温度の上昇に伴って容量達成率も上昇した。特に、300°C以上で容量達成率は100に達しており、熱処理による効果が十分に得られた。実施例5及び実施例6の結果から理解できるように、酸素比率の小さい酸化ケイ素SiO019及び酸素比率の大きい酸化ケイ素SiO035を使用した場合にも、熱処理によって優れた容量達成率が得られた。これに対し、比較例1及び比較例2の結果から理解できるように、熱処理を実施しなかった場合及び熱処理温度が低かった場合には、容量達成率も芳しくなかった。なお、実施例5の容量達成率は100を超えているが、これは誤差の範囲内である。