"エアベアリング面における端面の形状が台形である主磁極と、記録トラック幅方向における前記主磁極の両側に離間配置された2つのサイドシールドと、前記主磁極のトレーリング側に離間配置されると共に前記2つのサイドシールドに連結されたトレーリングシールドとを備え、前記主磁極の端面は、リーディングエッジと、そのリーディングエッジから前記主磁極の高さMPhに相当する距離を隔てて平行に離間されると共に前記リーディングエッジよりも広い幅のトレーリングエッジと、前記リーディングエッジおよび前記トレーリングエッジの垂直二等分線に対して傾斜した2つのサイドエッジとにより画定され、前記2つのサイドシールドは、前記垂直二等分線に対して左右対称に配置されると共に、前記サイドエッジから離間された内側エッジを有し、各サイドシールドのうち、トレーリング側に位置する部分の前記内側エッジは前記サイドエッジに対して平行であると共に、リーディング側に位置する部分の前記内側エッジは前記サイドエッジに対して非平行であり、そのリーディング側に位置する部分の前記内側エッジは、前記垂直二等分線に対して角度αをなすようにリーディング方向に向かって外側に傾斜している、垂直磁気記録ヘッド。前記主磁極と前記2つのサイドシールドとの間の隙間はサイドギャップであり、その隙間はサイドギャップ材料により満たされている、請求項1記載の垂直磁気記録ヘッド。前記主磁極と前記トレーリングシールドとの間の隙間は記録ギャップであり、その隙間は記録ギャップ材料により満たされている、請求項1記載の垂直磁気記録ヘッド。前記主磁極のうちの前記トレーリング側に位置する部分により挟まれた部分の高さhは前記高さMPhの20以上80以下である、請求項1記載の垂直磁気記録ヘッド。前記角度αは0°以上30°以下である、請求項1記載の垂直磁気記録ヘッド。前記サイドギャップ材料および前記記録ギャップ材料はAl2O3、SiO2およびRuのうちの少なくとも1種の非磁性材料である、請求項2または請求項3に記載の垂直磁気記録ヘッド。前記サイドギャップ材料および前記記録ギャップ材料は15nm以上100nm以下の厚さの単層となるように堆積されている、請求項6記載の垂直磁気記録ヘッド。前記主磁極のリーディング側に離間配置されると共に前記2つのサイドシールドに連結されたリーディングシールドを備える、請求項1記載の垂直磁気記録ヘッド。基体の上に、第1材料および第1厚さの下層と第2材料および第2厚さの上層とを含む誘電層を形成し、第1エッチングプロセスにより前記誘電層を部分的に除去して、前記下層に設けられた下開口部と前記上層に設けられた上開口部とを含むと共に前記上層から前記下層に向かって次第に幅が狭くなるように、前記基体の垂線に対して左右対称な第1開口部を形成し、少なくとも前記第1開口部の内側面を均一な厚さの非磁性金属材料で被覆して、その第1開口部の内部に第2開口部を形成し、少なくとも前記第2開口部に磁性材料を埋設して主磁極を形成し、少なくとも前記磁性材料の過剰部分を除去して前記誘電層および前記主磁極を平坦化し、フォトマスクを用いた第2エッチングプロセスにより、前記誘電層のうち、前記主磁極の周辺部分よりも外側の部分を、その誘電層の残存部分の側面が前記垂線に対して角度αをなすように前記基体が露出するまで除去し、前記第3エッチングプロセスにより、前記誘電層の残存部分のうちの前記上層を除去し、少なくとも前記第3エッチングプロセス後に残存している前記下層、前記非磁性金属材料および前記主磁極を均一な厚さの記録ギャップ材料で被覆し、少なくとも前記記録ギャップ材料の上に磁性材料を鍍金して、記録トラック幅方向における前記主磁極の両側に位置する2つのサイドシールドと前記主磁極のトレーリング側に位置すると共に前記2つのサイドシールドに連結されたトレーリングシールドとを形成し、各サイドシールドのうち、トレーリング側に位置する部分の内側エッジを前記主磁極のサイドエッジに対して平行にすると共に、リーディング側に位置する部分の内側エッジを前記サイドエッジに対して非平行にし、そのリーディング側に位置する部分の前記内側エッジを、前記垂線に対して角度αをなすようにリーディング方向に向かって外側に傾斜させる、垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記第1および第2エッチングプロセスにおいて反応性イオンエッチングを用いる、請求項9記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記第3エッチングプロセスにおいて、前記誘電層の残存部分のうちの前記上層だけを除去できるウェットエッチングを用いる、請求項9記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記基体は反応性イオンエッチングに対してエッチング耐性を示すRuにより形成されたエッチングストップ層である、請求項9記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記基体は前記主磁極のリーディング側に離間配置されると共に前記2つのサイドシールドに連結されたリーディングシールドである、請求項9記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記第1材料はMOMは前記上層の形成時に酸化される元素以外の元素である。で表される酸化物である、請求項9記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記第1材料はSiO2である、請求項14記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記第2材料はAl2O3である、請求項9記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記第3エッチングプロセスにおいて、エチルジアミン四酢酸をエッチング溶液とするウェットエッチングを用いる、請求項16記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記非磁性金属材料はRuであると共に40nm以上120nm以下の厚さとなるように堆積される、請求項9記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記第1開口部の断面形状は台形である、請求項9記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記第2厚さは少なくとも前記記録ギャップ材料の堆積厚さWGと前記主磁極のうちの前記トレーリング側に位置する部分により挟まれた部分の高さhとの和=WGhであると共に、その高さhは前記主磁極の高さMPhの20以上80以下である、請求項9記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記第1厚さは少なくとも前記主磁極の高さMPhと前記主磁極のうちの前記トレーリング側に位置する部分により挟まれた部分の高さhとの差=MPh-hであると共に、その高さhは前記高さMPhの20以上80以下である、請求項9記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記角度αは0°以上30°以下である、請求項9記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記角度αは、前記第2エッチングプロセスにおいて反応性イオンエッチングのエッチング強度を変化させること、または反応ガスの流量を変化させることにより調整される、請求項10記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記記録ギャップ材料はRuまたはAl2O3であると共に原子層堆積法または化学蒸着堆積法により100nm以下の厚さとなるように堆積される、請求項9記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記上開口部の幅は0.2μm以上0.4μm以下であると共に、前記下開口部の幅は0μmよりも大きいと共に0.2μm以下である、請求項9記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記基体が前記記録ギャップ材料により部分的に被覆されずに露出するようにし、前記2つのサイドシールドおよび前記トレーリングシールドを形成して、その2つのサイドシールドを前記基体に連結させる、請求項13記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。前記記録ギャップ材料のうち、前記第3エッチングプロセス後に残存している前記下層、前記非磁性金属材料および前記主磁極の周辺に位置する部分を除去して前記基体を露出させる、請求項26記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。リフトオフステンシルマスクを用いて前記記録ギャップ材料を選択的に堆積させて、前記第3エッチングプロセス後に残存している前記下層、前記非磁性金属材料および前記主磁極の周辺では前記記録ギャップ材料を堆積させずに前記基体を露出させる、請求項26記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。iSS構造を有するサイドシールドを用いると、クロストラック方向においてフリンジ磁界が減少するため、オフトラック性能が向上する反面、ダウントラック方向において磁界強度が減少するため、オントラック性能が低下してしまう。これに対して、NCiSS構造を有するサイドシールドを用いると、ダウントラック方向において磁界強度が増加するため、オントラック性能が向上する反面、クロストラック方向においてフリンジ磁界が増加するため、オフトラック性能が低下してしまう。よって、従来は、PMRヘッドにおけるオントラック性能の向上とオフトラック性能の向上とを両立させることが困難であった。また、サイドギャップの幅は、主磁極とサイドシールドとの間の距離を決定するため、シールド型のPMRヘッドでは、2つのサイドギャップの幅を互いに等しくする必要がある。しかしながら、従来は、2つのサイドギャップの幅を互いに等しくすることが困難であり、サイドシールドが非対称に配置されてしまうため、PMRヘッドの性能を向上させることが困難であった。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第1目的は、オントラック性能およびオフトラック性能の双方を向上させることが可能な垂直磁気記録ヘッドおよびその製造方法を提供することである。また、本発明の第2目的は、2つのサイドシールドが非対称に配置されることを抑制することが可能な垂直磁気記録ヘッドおよびその製造方法を提供することである。さらに、本発明の第3の目的は、主磁極が少なくとも三方からシールドにより囲まれた垂直磁気記録ヘッドおよびその製造方法を提供することである。本発明の垂直磁気記録ヘッドは、エアベアリング面における端面の形状が台形である主磁極と、記録トラック幅方向における主磁極の両側に離間配置された2つのサイドシールドと、主磁極のトレーリング側に離間配置されると共に2つのサイドシールドに連結されたトレーリングシールドとを備えるものである。主磁極の端面は、リーディングエッジと、そのリーディングエッジから主磁極の高さMPhに相当する距離を隔てて平行に離間されると共にリーディングエッジよりも広い幅のトレーリングエッジと、リーディングエッジおよびトレーリングエッジの垂直二等分線に対して傾斜した2つのサイドエッジとにより画定される。2つのサイドシールドは、垂直二等分線に対して左右対称に配置されると共に、サイドエッジから離間された内側エッジを有する。各サイドシールドのうち、トレーリング側に位置する部分の内側エッジはサイドエッジに対して平行であると共に、リーディング側に位置する部分の内側エッジはサイドエッジに対して非平行であり、そのリーディング側に位置する部分の内側エッジは、垂直二等分線に対して角度αをなすようにリーディング方向に向かって外側に傾斜している。本発明の垂直磁気記録ヘッドの製造方法は、以下の工程による。基体の上に、第1材料および第1厚さの下層と第2材料および第2厚さの上層とを含む誘電層を形成する。第1エッチングプロセスにより誘電層を部分的に除去して、下層に設けられた下開口部と上層に設けられた上開口部とを含むと共に上層から下層に向かって次第に幅が狭くなるように、基体の垂線に対して左右対称な第1開口部を形成する。少なくとも第1開口部の内側面を均一な厚さの非磁性金属材料で被覆して、その第1開口部の内部に第2開口部を形成する。少なくとも第2開口部に磁性材料を埋設して主磁極を形成する。少なくとも磁性材料の過剰部分を除去して誘電層および主磁極を平坦化する。フォトマスクを用いた第2エッチングプロセスにより、誘電層のうち、主磁極の周辺部分よりも外側の部分を、その誘電層の残存部分の側面が垂線に対して角度αをなすように基体が露出するまで除去する。第3エッチングプロセスにより、誘電層の残存部分のうちの上層を除去する。少なくとも第3エッチングプロセス後に残存している下層、非磁性金属材料および主磁極を均一な厚さの記録ギャップ材料で被覆する。少なくとも記録ギャップ材料の上に磁性材料を鍍金して、記録トラック幅方向における主磁極の両側に位置する2つのサイドシールドと主磁極のトレーリング側に位置すると共に2つのサイドシールドに連結されたトレーリングシールドとを形成する。これにより、各サイドシールドのうち、トレーリング側に位置する部分の内側エッジを主磁極のサイドエッジに対して平行にすると共に、リーディング側に位置する部分の内側エッジをサイドエッジに対して非平行にし、そのリーディング側に位置する部分の内側エッジを、垂線に対して角度αをなすようにリーディング方向に向かって外側に傾斜させる。本発明の垂直磁気記録ヘッドまたはその製造方法によれば、2つのサイドシールドのうち、トレーリング側に位置する部分の内側エッジは主磁極のサイドエッジに対して平行であるのに対して、リーディング側に位置する部分の内側エッジは主磁極のサイドエッジに対して非平行であり、そのリーディング側に位置する部分の内側エッジはリーディング方向に向かって外側に傾斜している。これにより、クロストラック方向においてフリンジ磁界が減少しつつ、ダウントラック方向において磁界強度が増加するため、オントラック性能およびオフトラック性能の双方を向上させることができる。また、基体の上に下層および上層を含む誘電層を形成し、その誘電層に設けられた第2開口部に主磁極を形成したのち、誘電層のうちの主磁極の周辺部分よりも外側の部分を除去し、その周辺部分のうちの上層だけを除去してから記録ギャップ材料を介して2つのサイドシールドおよびトレーリングシールドを形成しているので、2つのサイドシールドが非対称に配置されることを抑制できると共に、主磁極が少なくとも三方からシールドにより囲まれた垂直磁気記録ヘッドを実現できる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。[PMRヘッドの構成]まず、本発明の一実施形態のPMRヘッドの構成について説明する。図1aは、ABS側から見たシールド型のPMRヘッドの平面構成を表している。なお、図1aおよび以降の図面では、図中の上側をトレーリング側、下側をリーディング側とする。PMRヘッドは、主磁極10と、その主磁極10を三方から囲むシールド60とを備えている。この三方とは、記録トラック幅方向クロストラック方向における両側右側および左側およびトレーリング側である。このPMRヘッドのシールド構造は、主磁極10がシールド60によりリーディング側を除く三方から囲まれている部分シールド型である。ABSにおける主磁極10の端面の形状は、破線15仮想線に対して左右対称であると共にその破線15と直交する破線77に対して上下対称でない台形である。この主磁極10の端面は、リーディングエッジ19と、そのリーディングエッジ19よりも広い幅のトレーリングエッジ17と、破線15に対して傾斜した2つのサイドエッジ11とにより画定されている。トレーリングエッジ17は、リーディングエッジ19に対して平行であると共に、そのリーディングエッジ19から主磁極10の高さMPhに相当する距離を隔てて離間されている。この高さMPhは、トレーリングエッジ17とリーディングエッジ19との間の距離である。なお、上記した破線15は、互いに平行なトレーリングエッジ17およびリーディングエッジ19を二等分する線垂直二等分線である。シールド60は、2つのサイドシールド90と、その2つのサイドシールド90に連結されたトレーリングシールド40とを含んでおり、そのシールド60中に示された破線77仮想線は、サイドシールド90とトレーリングシールド40との境界を表している。なお、ここでは2つのサイドシールド90とトレーリングシールド40とが一体化一体形成されているが、別体化分離形成されていてもよい。2つのサイドシールド90は、クロストラック方向における主磁極10の両側に配置されており、サイドギャップ55,57を介して主磁極10から離間されている。この2つのサイドシールド90は、破線15に対して左右対称に配置されていると共に、主磁極10のサイドエッジ11から離間された内側エッジ31,24を有している。サイドシールド90には、内側エッジ31,24により画定される開口部が形成されており、その開口部には、サイドギャップ55,57を介して主磁極10が収容されている。各サイドシールド90は、トレーリング側に位置する部分トレーリング側部分70と、リーディング側に位置する部分リーディング側部分80とを含んでおり、そのシールド90中に示された破線75仮想線は、トレーリング側部分70とリーディング側部分80との境界を表している。このため、トレーリング側部分70は、シールド60のうち、破線75,77の間に位置する部分である。なお、ここではトレーリング側部分70とリーディング側部分80とが一体化されているが、別体化されていてもよい。トレーリング側部分70の内側エッジ31は、サイドエッジ11に対して等角平行である。このため、トレーリング部分70の幅は、リーディング側に向かって次第に大きくなっている。これに対して、リーディング部分80の内側エッジ24は、サイドエッジ11に対して非等角非平行であり、その内側エッジ24は、破線15に対して角度αをなすようにリーディング方向に向かって外側に傾斜している。この角度αは、例えば、0°~30°である。このため、リーディング側部分80の幅は、リーディング側に向かって次第に小さくなっている。なお、主磁極10のうち、2つのトレーリング側部分70により挟まれた部分の高さhは、その主磁極10の高さMPhの20~80であることが好ましい。クロストラック方向においてフリンジ磁界を減少させつつ、ダウントラック方向において磁界強度を増加させることができるからである。すなわち、内側エッジ31がサイドエッジ11に対して平行であるのに対して、内側エッジ24がサイドエッジ11に対して非平行であるため、サイドシールド90は、上記したiSS構造とNCiSS構造とを組み合わせた構造を有していると言える。ここでは、例えば、リーディング側部分80の最大幅がトレーリング部分70の最大幅よりも小さくなっているため、トレーリング側部分70とリーディング側部分80との境界に段差が形成されている。この段差構造を有するサイドシールド90の形状は、上記した高さhおよび角度αなどの条件により決定される。トレーリングシールド40は、主磁極10のトレーリング側に配置されており、記録ギャップ59を介して主磁極10から離間されている。主磁極10と2つのサイドシールド90との間の隙間は、上記したようにサイドギャップ55,57であり、その隙間は、サイドギャップ材料により満たされている。サイドギャップ55は、主磁極10とトレーリング部分70との間の隙間であり、サイドギャップ57は、主磁極10とリーディング部分80との間の隙間である。このサイドギャップ材料は、例えば、Al2O3、SiO2およびRuなどのうちの少なくとも1種の非磁性材料であると共に、30nm~200nm、好ましくは15nm~100nmの厚さの単層となるように形成されている。主磁極10とトレーリングシールド40との間の隙間は、上記したように記録ギャップであり、その隙間は、記録ギャップ材料により満たされている。この記録ギャップ材料は、例えば、サイドギャップ材料を同様であると共に、15nm~100nm、好ましくは15nm~40nmの厚さの単層となるように形成されている。図1bは、ABS側から見た他のシールド型のPMRヘッドの平面構成を表しており、図1aに対応している。なお、図1bでは、図1aと同一の構成要素に同一の符号を付している。ここで説明するPMRヘッドは、シールド60に代えてシールド65を備えることを除き、図1aと同様の構成を有している。このPMRヘッドは、主磁極10と、その主磁極10を四方から囲むシールド65とを備えている。この四方とは、クロストラック方向における両側、トレーリング側およびリーディング側である。このPMRヘッドのシールド構造は、主磁極10がシールド65によりシーディング側を含む四方から囲まれている完全シールド型である。シールド65は、主磁極10のリーディング側に配置されたリーディングシールド100を含んでいることを除き、シールド60と同様の構成を有している。このリーディングシールド100は、リーディングギャップ95を介して主磁極10から離間されていると共に、2つのサイドシールド90に連結されている。シールド65中に示された破線35仮想線は、サイドシールド90とリーディングシールド100との境界を表している。なお、ここでは2つのサイドシールド90とリーディングシールド100とが一体化されているが、別体化されていてもよい。[PMRヘッドの製造方法]次に、上記したPMRヘッドの製造方法について説明する。図2a~図2gは、図1aに示した部分シールド型のPMRヘッドの製造方法を説明するためのものであり、図1aに対応する平面構成を示している。PMRヘッドを製造するためには、最初に、図2aに示したように、基体200の上に、第1材料および第1厚さの下層300と第2材料および第2厚さの上層400とを含む誘電層900を形成する。基体200は、例えば、後述する反応性イオンエッチングRIE:reactiveionetchingに対してエッチング耐性を示すRuなどにより形成されたエッチングストップ層であり、その厚さは、例えば、20nm~200nmである。下層300の形成材料第1材料は、例えば、MOMは上層400の形成時に酸化される元素以外の元素である。で表される酸化物である。このMは、例えば、Al以外の元素であり、酸化物の具体例は、SiO2などである。この下層300の厚さ第1厚さは、少なくとも高さMPhと後述する主磁極550のうちの2つのサイドシールドトレーリング側部分により挟まれた部分の高さhとの差=MPh-hであり、その高さhは、例えば、高さMPhの20~80である。上層400の形成材料第2材料は、例えば、Al2O3などである。この上層400の厚さ第2厚さは、少なくとも後述する記録ギャップ材料600の堆積厚さWGと主磁極550のうちの2つのサイドシールドトレーリング側部分により挟まれた部分の高さhとの和=WGhであり、例えば、150nm~400nmである。この高さhは、例えば、上記したように、高さMPhの20~80である。続いて、第1エッチングプロセスにより、基体200が露出するまで誘電層900下層300および上層400を部分的に除去して、図2bに示したように、基体200の垂線または図1aに示した破線15に対して左右対称な第1開口部700を形成する。この第1エッチングプロセスでは、例えば、RIEを用いる。第1開口部700は、下層300に設けられた下開口部と、上層400に設けられると共に下開口部よりも広い上開口部とを含む。この第1開口部700の幅は、上層400から下層300に向かって次第に狭くなる。この場合には、例えば、第1開口部700の断面形状が台形となるようにする。上開口部の幅は、例えば、0.2μm~0.4μmであると共に、下開口部の幅は、例えば、0μmよりも大きいと共に0.2μm以下の範囲である。続いて、少なくとも第1開口部700の内側面基体200の露出面および誘電層900の壁面を均一な厚さの非磁性金属材料500で被覆する。これにより、第1開口部700の内部に、その第1開口部700よりも狭い第2開口部710が形成される。この非磁性金属材料500は、例えば、Ruなどであると共に、40nm~120nmの厚さとなるように堆積される。第2開口部710の深さは、例えば、50nm~200nmであり、その深さは、実質的に主磁極550の高さMPhを決定する。続いて、少なくとも第2開口部710に磁性材料を埋設して、主磁極550を形成する。この磁性材料は、例えば、CoFe、FeNiまたはCoNiFeなどである。なお、主磁極550は、上記した主磁極10図1aに対応するものである。続いて、少なくとも非磁性金属材料500および主磁極550の過剰部分を除去して、図2cに示したように、誘電層900および主磁極550を平坦化する。この平坦化方法としては、例えば、化学機械研磨CMP:chemicalmechanicalpolishing法などを用いる。この場合には、誘電層900および主磁極550だけでなく誘電層900まで研磨してもよい。こののち、必要に応じて、主磁極550の上面を部分的にエッチングして、その主磁極550の厚さがABSよりも後方の位置からそのABSに向かって次第に小さくなるようにテーパ面を形成してもよい。このエッチング方法としては、例えば、イオンビームミリングなどを用いる。続いて、フォトマスク図示せずを用いた第2エッチングプロセスにより、図2dに示したように、誘電層900のうち、主磁極550の周辺部分よりも外側の部分を除去して、基体200を露出させる。フォトマスクは、主磁極550の周辺部分を覆うように形成されるが、図2dに示した破線は、フォトマスクの形成位置の一例を表している。この第2エッチングプロセスでは、例えば、RIEを用いる。この場合には、主磁極550の周辺部分下層300の残存部分310および上層400の残存部分410の側面が基体200の垂線に対して角度α図1aをなすようにする。なお、図2dでは、例えば、角度αがα=0°になる場合を示しているが、図1aに示したように、角度αは0°<α≦30°でもよい。この角度αは、第2エッチングプロセスにおいて、RIEのエッチング強度プラズマ強度などを変化させたり、反応ガスの流量を変化させることで調整可能である。この残存部分310,410の形状により、後述するシールド800の形状が実質的に決定される。続いて、図2eに示したように、第3エッチングプロセスにより、残存している誘電層900残存部分310,410のうちの上層400残存部分410だけを除去する。この第3エッチングプロセスでは、例えば、残存部分410だけを選択的に除去できる選択比を実現可能なウェットエッチングを用いる。この第3エッチングプロセスでは、エッチャントエッチング溶液としてエチルジアミン四酢酸EDTA:EthyleneDiamineTetraaceticAcidなどを用いる。続いて、図2fに示したように、少なくとも第3エッチングプロセス後に残存している下層300残存部分310、非磁性金属材料500および主磁極550を均一な厚さの記録ギャップ材料600で被覆する。この記録ギャップ材料600は、RuまたはAl2O3などの非磁性材料であると共に、ALD法または化学蒸着堆積CVD:chemicalvapordeposition法により、100nm以下、好ましくは15nm~100nmの厚さとなるように形成される。最後に、図2gに示したように、少なくとも記録ギャップ材料600の上に磁性材料を鍍金して、クロストラック方向における主磁極550の両側に位置する2つのサイドシールドと、その主磁極550のトレーリング側に位置すると共に2つのサイドシールドに接続されたトレーリングシールドを含むように、シールド800を形成する。なお、シールド800は、上記したシールド60に対応するものである。なお、図1bに示した完全シールド型のPMRヘッドを製造する場合には、例えば、基体200としてリーディングシールド100図1bを用いる。この場合には、記録ギャップ材料600を堆積させたのち図2f、シールド8002つのサイドシールドおよびトレーリングシールドを形成する前に、その記録ギャップ材料600を部分的に除去して基体200を露出させたのち、シールド800を形成して基体200に連結させる。これにより、2つのサイドシールドがリーディングシールド100に連結される。この場合には、記録ギャップ材料600のうち、第3エッチングプロセス後に残存している残存部分310、非磁性金属材料500および主磁極550の周辺領域610:図2gに存在する部分を除去する。このエッチング方法としては、例えば、イオンビームミリングを用いる。なお、記録ギャップ材料600を事後的に除去して基体200を露出させる代わりに、例えば、リフトオフステンシルマスク図示せずを用いて記録ギャップ材料600を当初から選択的に堆積させて基体200を露出させてもよい。この場合には、第3エッチングプロセス後に残存している残存部分310、非磁性金属材料500および主磁極550の周辺領域610には記録ギャップ材料600を堆積させずに、基体200を露出させる。リフトオフステンシルマスクは、領域610に形成されるが、図2gに示した破線は、リフトオフステンシルマスクの形成位置の一例を表している。[PMRヘッドおよびその製造方法の作用効果]このPMRヘッドおよびその製造方法によれば、2つのサイドシールド90のうち、トレーリング側部分70の内側エッジ31は主磁極10のサイドエッジ11に対して平行であるのに対して、リーディング側部分80の内側エッジ24は主磁極10のサイドエッジ11に対して非平行であり、そのリーディング側部分80の内側エッジ24はリーディング方向に向かって外側に傾斜している。これにより、クロストラック方向においてフリンジ磁界が減少しつつ、ダウントラック方向において磁界強度が増加するため、オントラック性能およびオフトラック性能の双方を向上させることができる。また、基体200の上に下層300および上層400を含む誘電層900を形成し、その誘電層900に設けられた第2開口部710に主磁極550を形成したのち、誘電層900のうちの主磁極550の周辺部分残存部分310,410よりも外側の部分を除去し、その残存部分410だけを除去してから記録ギャップ材料を介して2つのサイドシールドおよびトレーリングシールドを形成している。よって、残存部分310により段差が形成されるため、段差構造を有する2つのサイドシールドを高精度かつ容易に形成できると共に、膜厚制御に優れたALD法などを用いて記録ギャップ材料を堆積させれば、2つのサイドシールドが非対称に配置されることを抑制できる。これにより、主磁極10が少なくとも三方からシールド60により囲まれたPMRヘッドを実現できる。上記した作用効果は、図1aに示した部分シールド型のPMRヘッドだけでなく、図1bに示した完全シールド型のPMRヘッドでも同様に得られる。本技術の具体的な実施例について、詳細に説明する。図3は、PMRヘッドに関する最大磁界強度Hy103/4πA/m=Oeと高さhnmとの相関を表すシミュレーション結果であり、破線は従来の部分シールド型図5a、実線△は本発明の部分シールド型図1aをそれぞれ表している。ただし、サイドギャップ幅=80nmである。図4は、PMRヘッドに関するオーバーライトOWと高さhnmとの相関を表すシミュレーション結果であり、破線は従来の部分シールド型図5a、実線△は本発明の部分シールド型図1aをそれぞれ表している。ただし、サイドギャップ幅=80nm、イレース幅=80nmである。図3および図4の結果から、従来の部分シールド型では、高さhを変化させてもヘッド性能最大磁界強度HyおよびオーバーライトOWは変化しないが、本発明の部分シールド型では、高さhが小さくなるにしたがってヘッド性能が向上することが確認された。以上、実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は実施形態において説明した態様に限られず、種々の変形が可能である。例えば、本発明における各構成要素の構成、形成材料および形成方法などは、適宜変更可能である。"