"形成するマーク長に応じたパルス数とされ、少なくとも先頭パルスと最終パルス以外の中間パルスは、パルスレベルが順次低下していくパルス列としたレーザ駆動パルスを生成し、該レーザ駆動パルスに基づいてレーザ発光を行い、記録媒体上に対するレーザ照射による熱記録としてマーク形成を行う記録方法。上記レーザ駆動パルスの生成のためのライトストラテジ決定処理として、中間パルスから最終パルスまでのパルスレベルの低下の度合いが異なる複数の候補ストラテジを用意し、上記候補ストラテジを用いてレーザ駆動パルスを生成し、記録媒体に対するテストライトを行い、上記候補ストラテジについて、上記テストライトによって記録媒体上に形成されるマーク長を調整するための最終パルスのレベル補正を行い、上記レベル補正の補正量に基づいて、上記複数の候補ストラテジのうちで一の候補ストラテジを選択し、選択した候補ストラテジを、上記レーザ駆動パルスの生成のためのライトストラテジとする請求項1に記載の記録方法。上記レベル補正の補正量が最も小さい候補ストラテジを、上記レーザ駆動パルスの生成のためのライトストラテジとする請求項2に記載の記録方法。上記レーザ駆動パルスは、中間パルスのパルスレベルが一定比率で順次低下していくパルス列である請求項1に記載の記録方法。形成するマーク長に応じたパルス数とされ、少なくとも先頭パルスと最終パルス以外の中間パルスは、パルスレベルが順次低下していくパルス列としたレーザ駆動パルスを生成するレーザ駆動パルス発生部と、上記レーザ駆動パルスに基づいてレーザ発光を行い、記録媒体上に対するレーザ照射による熱記録としてマーク形成を行う記録ヘッド部と、を備えた記録装置。上記レーザ駆動パルスの生成のためのライトストラテジ決定処理を行う制御部をさらに備え、上記制御部は、中間パルスから最終パルスまでのパルスレベルの低下の度合いが異なる複数の候補ストラテジを用意し、上記レーザ駆動パルス発生部において上記候補ストラテジを用いてレーザ駆動パルスを生成させて、上記記録ヘッド部による記録媒体に対するテストライトを実行させ、上記候補ストラテジについて、上記テストライトによって記録媒体上に形成されるマーク長を調整するための最終パルスのレベル補正を行い、上記レベル補正の補正量に基づいて、上記複数の候補ストラテジのうちで一の候補ストラテジを選択し、選択した候補ストラテジを、上記レーザ駆動パルスの生成のためのライトストラテジとする請求項5に記載の記録装置。光ディスクの再生時には、レーザ光をピット列に照射した際の反射光を受光し、その反射光から再生信号を得る。このためピット形状は再生信号の品質に影響する。本開示の技術は、マスタリング等の記録動作において、より品質のよい再生信号を得ることができるピットマークを形成することを目的とする。本開示の記録方法は、形成するマーク長に応じたパルス数とされ、少なくとも先頭パルスと最終パルス以外の中間パルスは、パルスレベルが順次低下していくパルス列としたレーザ駆動パルスを生成し、該レーザ駆動パルスに基づいてレーザ発光を行い、記録媒体上に対するレーザ照射による熱記録としてマーク形成を行う。本開示の記録装置は、形成するマーク長に応じたパルス数とされ、少なくとも先頭パルスと最終パルス以外の中間パルスは、パルスレベルが順次低下していくパルス列としたレーザ駆動パルスを生成するレーザ駆動パルス発生部と、上記レーザ駆動パルスに基づいてレーザ発光を行い、記録媒体上に対するレーザ照射による熱記録としてマーク形成を行う記録ヘッド部とを備える。このような本開示では、レーザ駆動パルスとして少なくとも中間パルスのパルスレベルが順次低下していくパルス列を用いて熱記録を行う。熱記録の場合、レーザ照射位置から周辺への記録媒体上での蓄熱量によってマーク形状が決まる。長いマークを形成する場合ほど、マーク終端側で蓄熱量が多くなり、トラック直交方向ディスクメディアであればディスク半径方向へマークが広がる傾向がある。そこでライトストラテジとして先頭パルスと最終パルスの間に複数の中間パルスを用いるパルストレインで長いマークを記録する場合については、各中間パルスのレベルは徐々に低下させ、レーザパワーを徐々に低下させる。これによりマーク後半での蓄熱量を抑え、マーク幅が略均一なマークピットを形成するようにする。本開示によれば、蓄熱の影響によりマーク幅が徐々に広くなるような減少を抑えることができる。これによりマーク幅の整ったマークピット形成を行うことができ、再生時に品質のよい再生信号が得られるマーク列又はピット列を形成できるという効果がある。以下、実施の形態を次の順序で説明する。<1.マスタリング装置の構成><2.ディスク製造工程><3.ピット形状が不安定化することの説明><4.実施の形態のライトストラテジ及び長円形ピットの説明><5.ストラテジ決定処理><6.変形例><1.マスタリング装置の構成>実施の形態では、請求項でいう記録方法を実行する記録装置として、光ディスクの原盤に露光マークを形成するマスタリング装置を例に挙げる。なお、後述のディスク製造工程において説明するが、光ディスクは、原盤の凹凸ピットパターンが転写されたスタンパを用いて製作される。従って光ディスクに形成される凹凸ピットエンボスピットは、原盤に形成された凹凸ピットと略同一の形状となる。また実施の形態では、無機系のレジスト材料を用いたPTM方式のマスタリングを行うものとするが、この場合、原盤上でマスタリング装置によって露光された部分が現像されて凹凸ピットとなる。これらを考慮して、説明上、原盤上でレーザ光により露光された部分を露光マーク又は単にマークといい、現像により露光マーク部分が凹状とされた部分をピットという。さらに当該原盤のピットが、スタンパを介して転写された光ディスクの凹状部分もピットという。最終的な光ディスクのピット形状は、原盤における露光マーク形状やピット形状と略同一と考えることができる。実施の形態では、マスタリング装置において露光マークの形状が適切な形状となるようにするものであるが、これは結局、最終製品である光ディスクのピット形状が適切な形状となるようにするものである。図1にマスタリング装置の構成例を示す。露光ヘッド46内には、露光用のレーザ光源及び必要な光学系が搭載される。レーザ光源は、レーザドライバ41からの駆動信号に基づいて発光を行う。記録データ生成部43は、ディスク原盤上に記録露光すべき変調信号を生成する。記録データは、最終的に製造される光ディスクにおいてピットパターンで表現されることになるデータである。記録データ生成部43は、記録データについて、例えばRLL1-7ppRLL;RunLengthLimited、PP:ParitypreserveProhibitrmtrなどの変調方式で変調を行い、変調信号として、例えば2T~9Tなどの、ラン長が制限されたデータパターンを出力する。この変調信号は、レーザ駆動パルス生成部42に入力され、熱記録の為のパルストレイン状のレーザ駆動信号ストラテジパターンに変換される。ストラテジパターンは、例えば2T~9Tまでのピット長に対応したパターンである。具体的な例は後述する。レーザパルス発生部42は、レーザ駆動パルスをレーザドライバ41に供給する。レーザドライバ41は、レーザ駆動パルスに基づいて、露光ヘッド46内の露光用のレーザ光源に駆動信号を供給する。これにより露光用のレーザ光源からの記録レーザ光は、レーザ駆動パルスに応じた変調光となり、原盤100にはピット列に相当する露光マーク列が形成されることになる。原盤100は、スピンドルモータ44によって回転駆動される。スピンドルモータ44は、スピンドルサーボ/ドライバ47によって回転速度が制御されながら回転駆動される。これによって原盤100は例えば一定線速度又は一定角速度で回転される。スライダ45は、スライドドライバ48によって駆動され、原盤100が積載された、スピンドル機構を含む基台全体を移動させる。即ち、スピンドルモータ44で回転されている状態の原盤100は、スライダ45で半径方向に移動されながら上記光学系によって露光されていくことで、露光されるマーク列によるトラックがスパイラル状に形成されていくことになる。スライダ45による移動位置、即ち原盤100の露光位置ディスク半径位置:スライダ半径位置はセンサ49によって検出される。センサ49による位置検出情報はコントローラ40に供給される。コントローラ40は、このマスタリング装置の全体を制御する。即ち、記録データ生成部43によるデータ出力、レーザ駆動パルス発生部42でのパルス生成パラメータの制御、レーザドライバ41に対してのレーザパワー設定、スピンドルサーボ/ドライバ47によるスピンドル回転動作制御、スライドドライバ48によるスライダ45の移動動作の制御等を行う。特に本実施の形態の場合、レーザ駆動パルスの生成に用いるライトストラテジパターンは、少なくとも先頭パルスと最終パルス以外の中間パルスは、パルスレベルが順次低下していくパルス列としたレーザ駆動パルスを生成するためのパターンとされる。後述するが、コントローラ40は、このライトストラテジの決定のための処理も行う。メモリ部51は、ROMReadOnlyMemory、RAMRandomAccessMemory、不揮発性メモリ等を包括的に示している。不揮発性メモリは、フラッシュROMやEEPROMElectricallyErasableandProgrammableReadOnlyMemory等である。メモリ部51におけるROMや不揮発性メモリは、コントローラ40の動作プログラムや固定的な処理係数情報、テーブル情報等の記憶に用いられる。また後述のライトストラテジ決定処理に用いる候補ストラテジの記憶にも用いられる。メモリ部51におけるRAMは、コントローラ40の処理のワーク領域として用いられる。再生部52は後述するストラテジ決定処理の際に、試し書きを行ったテストライト領域の再生時に得られる再生信号処理を行う。露光ヘッド46には、光学系として、レーザ光を照射した際の反射光を検出する光路及びフォトディテクタが設けられている。再生時には、コントローラ40はレーザドライバ41に再生レベルの連続光としてのレーザ発光駆動を指示する。そしてコントローラ40の指示により露光ヘッド46がテストライトにより露光マークが形成された部分の再生走査を実行する場合、その反射光情報が再生部52に供給される。再生部52は、反射光情報から再生信号を生成し、その再生信号のエッジタイミング等を検出して、そのエッジタイミング情報をコントローラ40に供給する。コントローラ40は、この動作により、露光マークのマークエッジ位置もしくはマークエッジ位置から判定されるマーク長形成されるピット長を検出することができる。<2.ディスク製造工程>光ディスクの製造工程について図2,図3で説明する。まず原盤作成のため、上述のマスタリング装置を用いてマスタリングが行われる。例えば図2Aに示すように、無機レジストによるレジスト層RGが形成された原盤100に対して、露光ヘッド46から記録情報に応じて変調されたレーザ光を照射し、形成するピットパターンに応じた露光を行う。これにより図2Bに示すように、露光部分Rが形成される。次に図2Bのように露光されたディスク原盤に対して現像を行い、図2Cのように露光部分が凹状のピットとなった原盤100を作製する。次にスタンパを作成する。例えば原盤100を用いたニッケル電鋳処理により、原盤100の凹凸が転写されたスタンパ101を作製する図2D。スタンパ101の凹凸パターン101aではピット相当部分が凸形状となっている図3A。次にスタンパ101を用いたディスク基板製造を行う。図3Aのようにスタンパ101を基板成形用の金型に配置させる。この金型は、下キャビティ120と上キャビティ121から成り、下キャビティ120に、ピット列を転写するためのスタンパ101が配置される。このような金型を用いて例えばポリカーボネート樹脂の射出成形で基板1を成形するが、成形される基板1は図3Bのようになる。即ちポリカーボネート樹脂による基板1は、その中心はセンターホール2とされるとともに、情報読出面側は、金型内のスタンパ101に形成された凹凸パターン101aが転写されたピットパターン3となる。続いて、このように形成された基板1に対して成膜が行われる。まずスパッタにより、スタンパ101から転写されたピットパターン上に、反射膜4の成膜が行われる。即ち図3Cに示すように、ピットパターン3が形成された信号読出面側に例えばAg合金の反射膜4を形成する。さらに、例えば紫外線硬化型樹脂のスピンコートにより、図3Dのようにカバー層5を形成する。なお、カバー層5の表面にさらにハードコート処理を施す場合もある。また、ここでは記録層が1つの1層ディスクの場合を示しているが、2層以上の多層の場合は、さらに各記録層の形成工程が加わる。以上のように成膜工程を経たら、その後、レーベル面側の印刷等を行い、光ディスクが完成される。ここで本実施の形態では、マスタリングにおいて、原盤100の無機レジストに対する熱記録として露光マーク形成を行う。このPTM方式のマスタリングについて簡単に説明しておく。原盤100には無機レジストによるレジスト層RGが、例えばスパッタリングにより形成される。レジスト材料としては、遷移金属の不完全酸化物が用いられ、具体的な遷移金属としては、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Nb、Cu、Ni、Co、Mo、Ta、W、Zr、Ru、Ag等が挙げられる。なお、レジスト層RGの露光感度の改善のために原盤基板とレジスト層RGとの間に所定の中間層を形成しても良い。レジスト材料としての、遷移金属の不完全酸化物は、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成より酸素含有量が少ない方向にずれた化合物のこと、すなわち遷移金属の不完全酸化物における酸素の含有量が、上記遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より小さい化合物のことと定義する。例えば、遷移金属の酸化物として化学式MoO3を例に挙げて説明する。化学式MoO3の酸化状態を、組成状態を組成割合Mo1xOxに換算すると、x=0.75の場合が完全酸化物であるのに対して、0<x<0.75で表される場合に化学量論組成より酸素含有量が不足した不完全酸化物であるといえる。また、遷移金属では1つの元素が価数の異なる酸化物を形成可能なものがあるが、この場合には、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成より実際の酸素含有量が不足している場合とする。例えばMoは、先に述べた3価の酸化物MoO3が最も安定であるが、その他に1価の酸化物MoOも存在する。この場合には組成割合Mo1xOxに換算すると、0<x<0.5の範囲内であるとき化学量論組成より酸素含有量が不足した不完全酸化物であるといえる。なお、遷移金属酸化物の価数は、市販の分析装置で分析可能である。このような遷移金属の不完全酸化物は、紫外線又は可視光に対して吸収を示し、紫外線又は可視光を照射されることでその化学的性質が変化する。この結果、無機レジストでありながら現像工程において露光部と未露光部とでエッチング速度に差が生じる、いわゆる選択比が得られる。また、遷移金属の不完全酸化物からなるレジスト材料は、膜材料の微粒子サイズが小さいために未露光部と露光部との境界部のパターンが明瞭なものとなり、分解能を高めることができる。ところで、遷移金属の不完全酸化物は、酸化の度合いによってそのレジスト材料としての特性が変化するので、適宜最適な酸化の度合いを選択する。例えば、遷移金属の完全酸化物の化学量論組成より大幅に酸素含有量が少ない不完全酸化物では、露光工程で大きな照射パワーを要したり、現像処理に長時間を有したりする等の不都合を伴う。このため、遷移金属の完全酸化物の化学量論組成より僅かに酸素含有量が少ない不完全酸化物であることが好ましい。上述のようにレジスト材料を構成する具体的な遷移金属としては、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Nb、Cu、Ni、Co、Mo、Ta、W、Zr、Ru、Ag等が挙げられる。この中でも、Mo、W、Cr、Fe、Nbを用いることが好ましく、紫外線又は可視光により大きな化学的変化を得られるといった見地から特にMo、Wを用いることが好ましい。PTM方式では、無機レジストを塗布した原盤100に対して、半導体レーザからのレーザ光を照射し、熱記録としての露光を行う。この場合、レーザ照射による熱の蓄積を抑圧してピット幅の均一化を計るために、通常、後述の図4のようなレーザ駆動パルスに基づく発光動作で露光する。即ちこの場合には、一般にクロックに同期したNRZ変調信号が、そのHレベルの長さに応じてクロック周期より短い時間幅のパルス信号へ変換され、変換されたパルス変調信号に同期して直接変調可能な半導体レーザーへ電力供給される。これによって、ピット長に応じたパルス発光としてレーザ出力が行われる。そしてこのパルス発光による熱記録としての露光を行った後、現像処理を行うと、図2Cで説明したように凹凸のピット形状が形成される。<3.ピット形状が不安定化することの説明>光ディスクへの書き込み方法として、パルス列を用いたライトストラテジ波形を使用することは一般的である。本実施の形態でも、上述のマスタリング装置では、レーザ駆動パルス発生部42は、記録するピット長に応じたライトストラテジ波形に基づいてレーザ駆動パルスを生成している。また書き込み後において、信号のエッジ位置を測定し、その位置を所定の場所になるべく近づけるよう、ライトストラテジ波形を調整フィードバックすることも一般的である。しかしながら、パルス列により形成されたピット形状に関して、そのエッジ位置長さ方向は正しく調整できるとしても、その幅方向に関しては、これまでSEM走査型電子顕微鏡:scanningelectronmicroscopeなどによる観察で確認するなどの方法しかなかった。一般的なライトストラテジ波形の例を図4に示している。これは、2T~9TTはチャネルクロック周期の各ピット長に対応するライトストラテジ波形の一例である。通常、チャンネルクロック長nTのピットに対してn-1個のパルスを発生させるような手法を用いる。2Tに対応するストラテジパターンは、或るレベル及びパルス幅に設定されたファーストパルス先頭パルスFPで構成される。3Tに対応するストラテジパターンは、それぞれ或るレベル及びパルス幅に設定されたファーストパルスFPとラストパルス最終パルスLPで構成される。4T~9Tに対応するストラテジパターンは、それぞれ或るレベル及びパルス幅に設定されたファーストパルスFPと、マルチパルス中間パルスMPと、ラストパルスLPで構成される。4T~9Tのそれぞれは、ファーストパルスFPとラストパルスLPの間に配置されるマルチパルスMPの数が異なるパターンとなる。マルチパルスMPとラストパルスLPは同じパルスレベルとされている。例えばマスタリング装置のレーザ駆動パルス発生部42では、このような2T~9Tのストラテジパターンを発生させ、記録データ生成部43から供給される変調信号のラン長に応じてストラテジパターンを選択し、レーザ駆動パルスとして出力することになる。これに基づいて露光ヘッド46がレーザ照射を行うことで、原盤100には、記録データに応じたピット長のピットを形成するための露光マークが形成される。ところが、上述のようにピットマークのエッジ位置調整は行われても、ピットマークの幅調整は困難である。仮にSEM観察を繰り返して、ピット幅調整を行うことは多大な労力を要することにもなる。このため、形成されるピットのエッジ位置を調整してピット長を適正化するのみを行っていたのが現状であるが、そのためにピット形状として液滴状の形状などが形成されることなどが頻繁に発生していた。図5で模式的に説明する。図5Aは、図5の9Tのライトストラテジ波形で露光マークピットを形成した場合を示している。パルスに応じてレーザ発光が行われるが、破線で示した円は、レーザスポット照射位置で、熱記録として露光される範囲を、あくまでレーザスポットに応じたイメージとして示している。即ち模式的に、各パルス発光に対し同心円状のピットが形成されるイメージとしている。ピット形状は、この各円をつないだ太線で示すような形状となる。この模式は1次的にはほぼ正しいモデルと考えられる。ピット露光マーク形成において、その形成の方法が熱的な現象である場合、原盤面上おいて保持している熱量もピット形成には影響を与える。近年の高速な書き込みにおいては、直前のパルスによって与えられた熱が拡散し終わる前に次のパルス発光が起こるため、原盤面内に徐々に熱がたまってゆく傾向となる。このような効果により、図5Aで示したような、同一形状、同一強さのパルス列でのライトストラテジ波形では、露光マークが後ろ側に向かって徐々に大きくなってゆく傾向がよく見られる。つまり形成されるマークの形状はマーク先頭側の幅W1より、終端側の幅W2の方が大きな液滴状となる。このような露光が行われる結果、形成されるピット形状も同様の液滴状となる。なお、ピット長については調整が比較的容易に可能である。例えば図5Aの場合、後半での蓄熱量の増加により、ピット長Lpit1が、目標とする本来の9Tピット長より長くなった状態としている。ピット長については、ピット形成後に再生を行って再生信号のエッジ検出でピットのエッジ位置を測定できる。そこで、ピット長が適正ではない場合は、ライトストラテジ波形を調整することが行われる。例えば図5Bのように、ラストパルスLPのレベルを補正レベルLV-Hに調整する。これによって図示のように、長さ方向の蓄熱範囲を減じ、ピット長LpitHとして示すようにピット長を適正化する。但しこのようにピット長を調整しても、幅方向に関しては、ピット形状は均一とは成っていない。調整しているのはピット終端エッジ位置のみである。終端部分に達するまでのピット形状は後ろ方向に大きくなっており、液滴状の形状は修正されない。このことから、所定のピット長への調整後のライトストラテジ波形において、調整されたパルスと直前のパルスのその発光強度に極端な差がある場合、蓄熱の効果などにより各パルス発光においてのピット形成が同一の大きさではなかったことが推測される。なお、各パルス発光において形成されるピットは長さ方向と幅方向はほぼ同一と近似でき、ピット終端部分による長さ方向に調整が必要な場合、幅方向にも不均一が起こっているたとえば徐々に幅が広がるなどことが推測される。ピット形状が液滴状となると、再生装置の光ピックアップで情報読み取り時において、ピット幅の細い部分での立ち上がり/立ち下がり応答と、ピット幅の太い部分での応答の条件が異なるため、ピットの立ち上がりと立ち下がりで非対称な応答となる。図6に例を示す。図6Aは液滴状のピットPに対して再生レーザスポットSPで走査を行った場合の再生信号RF信号波形を示している。図示のように、RF信号波形はトラック線方向に非対称な波形となりやすい。このように再生信号品質が低下することで、信号の読み取りや、読み取り最適化の際に不具合が生じることがあった。理想的には、図6Bに示すように、ピット幅が均一なピットPを形成することがよい。この場合、RF信号波形は非対称性がなくなった高品質な信号波形とできる。<4.実施の形態のライトストラテジ及び長円形ピットの説明>そこで実施の形態では、パルス列を用いたライトストラテジ波形を用いたマークピット形成において、その長さ方向のエッジ位置を測定し、簡易的に幅方向の情報を得ることで、SEMなどの測定を行わずに、ピットの幅方向制御を行う。これによりピット形状が図6Bのような長円形となるようにし、上述の液滴状となった場合の問題を解消する。実施の形態では、レーザ駆動パルスは、形成するマーク長に応じたパルス数とされ、少なくとも先頭パルスと最終パルス以外の中間パルスは、パルスレベルが順次低下していくパルス列とする。マスタリング装置では、レーザ駆動パルス発生部42で、このようなレーザ駆動パルスを生成する。そしてこのレーザ駆動パルスに基づいて露光ヘッド46がレーザ発光を行い、記録媒体である原盤100に対するレーザ照射による熱記録として露光マーク形成その後のピット形成を行う。例えばレーザ駆動パルスとして、形成するマーク長に応じたパルス数とされ、中間パルスのパルスレベルが一定比率で順次低下していくパルス列とする場合の、2T~9Tの各ピット長に対応するライトストラテジ波形を図7に示す。チャンネルクロック長nTのピットに対してn-1個のパルスを発生させることは、上記図4と同様である。2Tに対応するストラテジパターンは、或るレベル及びパルス幅に設定されたファーストパルスFPで構成される。3Tに対応するストラテジパターンは、それぞれ或るレベル及びパルス幅に設定されたファーストパルスFPとラストパルスLPで構成される。4T~9Tに対応するストラテジパターンは、それぞれ或るレベル及びパルス幅に設定されたファーストパルスFPと、マルチパルスMPと、ラストパルスLPで構成される。4T~9Tのそれぞれは、ファーストパルスFPとラストパルスLPの間に配置されるマルチパルスMPの数が異なるパターンとなる。そしてこのパルス構成において、マルチパルスMPとラストパルスLPについて、各パルスの高さが一定比率で徐々に低下されている。水平の破線は最初のマルチパルスMPのレベルであり、斜めの破線は、各パルスの頂点レベルを結んだ線としている。このように基本的には、マルチパルスMPとラストパルスLPについて、後方に行くほどレベルが低くなるように設定されている。なお、ラストパルスLPについては、後述するストラテジ決定処理の過程などでレベル補正が加えられる。補正レベルLV-Hを破線で示しているが、この補正レベルLV-Hによっては、ラストパルスLPは、直前のマルチパルスから一定比率で低下されたものとはならないし、場合によっては直前のマルチパルスMPより高いレベルとなることもある。ラストパルスLPのレベル補正量は、各Tで異なる。このため最終的なラストパルスLPのレベルは不定であるが、マルチパルスMPについては、各パルスの高さが一定比率で徐々に低下されている。上記図5と同様の模式図により図8で説明する。図7のようなライトストラテジ波形は、記録媒体上に蓄熱の効果があることを想定して、各パルス発光でのピット形成が均一な大きさとなるように調整を施したものである。即ち蓄熱の効果をキャンセルするために、ピットの後ろ方向に向かって徐々にレーザ光のパルス発光強度を弱くしている。この結果、図8に示すように、長さ方向に幅W1が維持された長円形のピット形状が実現できる。必要に応じてラストパルスLPのレベルが補正レベルLV-Hとされてピット長Lpitが調整されるが、ほぼ長円形のピット形状が実現できる。このように、少なくとも中間パルスは、パルスレベルが順次低下していくパルス列としたレーザ駆動パルスに基づいてレーザ発光を行い、記録媒体上に対するレーザ照射による熱記録として露光マーク形成を行うことで、理想的な形状に近いマーク及びその後のピットが実現できる。ピット形状がほぼ長円形とされれば、図6Bのような対称性のよい再生信号を得ることができ、再生信号品質を向上させることができる。但し、実際には、どの程度の度合いでパルスを低下させていくと、図のような理想的な形状のピット形成ができるかはわからない。実際、記録媒体である原盤100上のレジスト層RGの無機レジスト材料の違い、層構成の違い、或いは露光ヘッド46からのレーザ照射に関する光学系特性、スポットサイズ等によっても異なる。そこで実際の記録動作マスタリングに先だって、次に説明するストラテジ決定処理を行う。<5.ストラテジ決定処理>上述のとおり、パルス強度をどの程度弱くしていけば幅が均一なピット形成ができるかは一意に決定することはできない。そこで適切なライトストラテジ波形を設定するため、ストラテジ決定処理を行う。本実施の形態のマスタリング装置では、コントローラ40が次の手順で、レーザ駆動パルスの生成のためのライトストラテジ決定処理を行う。まず、マルチパルスMPからラストパルスLPまでのパルスレベルの低下の度合いが異なる複数の候補ストラテジを用意する。そして各候補ストラテジを用いてレーザ駆動パルスを生成し、記録媒体に対するテストライトを行う。次に各候補ストラテジについて、テストライトによって記録媒体上に形成されるマーク長を適正化するための最終パルスのレベル補正を行う。その後、レベル補正の補正量に基づいて、複数の候補ストラテジのうちで一の候補ストラテジを選択し、選択した候補ストラテジを、レーザ駆動パルスの生成のためのライトストラテジとする。このようなストラテジ決定処理の具体例を図9~図13を用いて説明する。図9はストラテジ決定処理を実行するためのコントローラ40の処理を示している。まずステップF101で、コントローラ40は複数の候補ストラテジTPTP1~TPnを準備する。各候補ストラテジTPは、マルチパルスMP及びラストパルスLPのレベル低下の度合いが異なるものである。図10に例えば3つの候補ストラテジTP1~TP3を用いる例を示している。図からわかるように、候補ストラテジTP1、TP2、TP3は、それぞれ破線の傾きで示すように一定比率で順次パルスレベルが低下されていくものであるが、そのパルスレベル低下度合いが異なる。この例では、候補ストラテジTP1が最も低下の度合いが小さく、候補ストラテジTP3が最も低下の度合いが大きい例としている。例えば候補ストラテジTP1は、マルチパルスMPからラストパルスLPにかけて、5ずつパルスレベルが低下され、候補ストラテジTP2は7ずつ低下され、候補ストラテジTP3は10ずつ低下される、などというように、それぞれ一定比率でパルスレベルが低下されるものであって、それぞれの低下の度合いが異なる。なお、この図10では9Tマークに対応するストラテジ波形のみを示しているが、1つの候補ストラテジとは、図7のような2T~8Tのライトストラテジ波形のセットである。例えば候補ストラテジTP1として、2T~9Tの各ライトストラテジ波形が用意される。例えば候補ストラテジTP1の8Tの波形は、図10に示す9Tの波形のラストパルスLPが存在せず、その直前のマルチパルスMPがそのレベルのままラストパルスLPとされたものである。ストラテジ決定処理に使用する候補ストラテジTP1~TPnは、例えばメモリ部51に記憶させておき、ストラテジ決定処理の際に、コントローラ40がメモリ部51から読み出せばよい。なお、3つの候補ストラテジTP1~TP3を用いるのは一例であり、2つでもよいし、4つ以上でもよい。候補ストラテジTP1~TPnを用意したら、コントローラ40はステップF102で変数xを1にセットし、ステップF103に進む。ステップF103でコントローラ40は候補ストラテジTPxでテストライト試し書きを実行させる。具体的には、2T~9Tの各ピットパターンを有するテストライトデータを記録データ生成部43から出力させる。そして、レーザ駆動パルス発生部42に候補ストラテジTPxを設定し、テストライトデータに応じて候補ストラテジTPxのパルスを発生させ、それをレーザ駆動パルスとしてレーザドライバ41に供給させる。露光ヘッド46では、当該候補ストラテジTPxのパルスに応じてレーザ光源が駆動されて、原盤100に対してレーザ照射が行われる。これにより原盤100上に各T長の露光マークが形成されていく。変数x=1の時点では、このようなテストライトを、候補ストラテジTP1を用いて行うこととなる。ステップF104では、コントローラ40は、テストライトした原盤100上の領域を再生させて、露光マーク長の検出を行う。テストライトでは、無機レジストによるレジスト層RG上にレーザスポットによる露光を行うわけであるが、無機レジスト材料の場合、露光部分が変質して隆起する性質がある。図13Aは、例えば9Tピットのライトストラテジ波形を示しているが、このパルスによってレーザ変調を行い、露光を行うと、図13Bのような原盤100上のレジスト層RGは、図13Cのように隆起する。実際の製造工程では、その後の現像処理により、図13Dに示すように露光部分が凹状のピットになるわけであるが、図13Cの隆起状態は、逆に凸状のピットが形成されたような状態になっている。ステップF104の段階では、テストライトによる露光部分は、この図13Cのように隆起している。このような露光マーク列に対して再生パワー無機レジストに熱による変質を生じさせないパワーのレーザ光連続照射を行うことで、露光部分と非露光部分で異なる反射光量を検出することができる。これはディスク原盤100に形成されるピット/ランドとしてのピット列の情報の再生信号となる。再生部52は、この再生信号を生成し、その再生信号のエッジタイミングを検出する。そしてエッジタイミングの情報をコントローラ40に供給することで、コントローラ40は、形成された露光マークのマーク長もしくはマークエッジ位置を検出することができる。例えば候補ストラテジTP1によるテストライトでは、2T~9Tの露光マークが形成されるが、2T~9Tのそれぞれの露光マークについて、マーク長が検出できる。ステップF105でコントローラ40は、マーク長が適正か否かを判定する。例えば2T~9Tの露光マークのマーク長が、それぞれ全て。所定の目標マーク長を中心とする許容範囲内か否かを判別する。もしマーク長が許容範囲内にないマークが存在する場合は、コントローラ40はステップF106に進み、ストラテジ補正を行う。これは候補ストラテジTPxのラストパルスのレベルを調整する。例えば具体的には、候補ストラテジTP1における2T~9Tの各波形のラストパルスLPのレベルを補正する。即ち例えば9Tマークのマーク長が、目標9Tマーク長を中心とする許容範囲より長い場合、候補ストラテジTP1における9T用ライトストラテジ波形のラストパルスLPのレベルを減少させる。レベル低下量は、判定されたマーク長と目標の9Tマーク長の差に応じて設定すればよい。逆に例えば9Tマークのマーク長が、目標9Tマーク長を中心とする許容範囲より短い場合、候補ストラテジTP1における9T用ライトストラテジ波形のラストパルスLPのレベルを増加させる。レベル増加量は、判定されたマーク長と目標の9Tマーク長の差に応じて設定すればよい。図12には、形成されるピット長Lpitが本来の9Tピット長より短かった場合を示しているが、このような場合、ラストパルスLPのレベルが図のように増加されることで、目標ピット長LpitHの露光マークを形成させるようにできる。このようなレベル補正を、2T~9Tの各ライトストラテジ波形について、必要に応じて行う。そして候補ストラテジTP1について補正を行ったら、ステップF103に戻り、再び候補ストラテジTP1を用いてテストライトを行う。従って、まず候補ストラテジTP1を用いたテストライトが、各マーク長が適正化されるまで、ストラテジ補正を行いながら実行される。或る時点で、各Tのマーク長が適正化されたと判定されたら、コントローラ40はステップF105からF107に進み、補正量Hxを記憶する。補正量とは、最終的にマーク長が適正化された時点の、候補ストラテジTPxに与えられた補正の量を示す値とする。例えばこの時点で候補ストラテジTP1については、ステップF106の処理で図7に例示するように、各TについてラストパルスLPが補正レベルLV-Hとされている。ここでHxこの場合x=1のためH1として記憶する補正量は、2T~9Tの各ライトストラテジ波形の各ラストパルスLPの、補正レベルLV-Hと最初のパルスレベルの差分の総和、或いは当該差分の平均値などが考えられる。実際には蓄熱によるピット幅の広がりを推定する意味もあることから、例えば4T~9Tの各ライトストラテジ波形の各ラストパルスLPの、補正レベルLV-Hと最初のパルスレベルの差分の総和、或いは当該差分の平均値などとしてもよい。或いは、9T用或いは他のT用のライトストラテジ波形を代表値として、9T用ライトストラテジ波形におけるラストパルスLPの補正レベルLV-Hと補正前の最初のパルスレベルの差分としてもよい。このように補正量H1を記憶したら、続いてステップF108で変数xが候補ストラテジTPの総数nに達したか否かを確認し、達していなければステップF109で変数xをインクリメントしてステップF103に戻る。即ちコントローラ40は、続いて候補ストラテジTP2を用いて、ステップF103~F107の処理を行う。これにより候補ストラテジTP2によりテストライトが行われ、所定のピット長が得られるように、候補ストラテジTP2の各Tのライトストラテジ波形が補正される。そして補正量H2が記憶される。また候補ストラテジTP2についてステップF103~F107の処理を完了したら、ステップF109で変数xをインクリメントしてステップF103に戻る。即ちコントローラ40は、続いて候補ストラテジTP3を用いて、ステップF103~F107の処理を行う。これにより候補ストラテジTP3によりテストライトが行われ、所定のピット長が得られるように、候補ストラテジTP3の各Tのライトストラテジ波形が補正される。そして補正量H3が記憶される。図10に例示したように3種類の候補ストラテジTP1~TP3を用いる場合は、候補ストラテジTP3を用いてのステップF103~F107の処理を完了した時点で、変数xが候補ストラテジ数nに達し、ステップF108からF110に進むこととなる。この時点では、各候補ストラテジTP1~TP3の波形が、それぞれ最適ピット長を形成する状態に補正されている。例えば図11には、各候補ストラテジTP1~TP3における9T用のライトストラテジ波形のラストパルスLPが補正レベルLV-Hとされた状態を例示している。そしてこの時点では、補正量H1,H2,H3として、各候補ストラテジTP1~TP3におけるピット長適正化のために行った補正量が記憶されている。コントローラ40は、この補正量H1,H2,H3に基づいて、一の候補ストラテジを選択し、選択した候補ストラテジを、レーザ駆動パルスの生成のための最適ライトストラテジとする。例えば具体的には、補正量H1,H2,H3を比較し、最も補正量の値が小さい候補ストラテジを、レーザ駆動パルスの生成のための最適なライトストラテジとする。このように最適なライトストラテジ波形を決定して図9の処理を終える。その後、実際のマスタリング時には、この最適なライトストラテジ波形がレーザ駆動パルス発生部42に設定され、当該ライトストラテジ波形を用いてマスタリング露光が実行される。結局この場合、2T~9Tについて、図8に示したような、幅が略均一な露光マーク現像後のピットが形成されるようにできる。以下の理由による。本実施の形態では、ライトストラテジ波形としてのパルス列は、基本的には、マルチパルスMPからラストパルスLPにかけて、徐々にレベルが低下するパルス列としている。こうすることで、蓄熱の影響によりマーク幅が徐々に広くなるような減少を抑えることができる。但し、蓄熱量の影響の測定は困難であり、従って実際に露光マーク形成を行うライトストラテジ波形におけるパルスレベルの低下の度合いは、どの程度が最適であるかはわからない。そこでパルスレベルの低下度合いを異ならせた複数の候補ストラテジTP1~TPnにより試し書きを行いながら、各Tのマーク長が目標長さとなるように、候補ストラテジTPに補正を加える。ここで、先にも述べたように、各パルス発光において形成されるマークピットは長さ方向と幅方向はほぼ同一と近似できる。そのためピット終端部分による長さ方向に調整が必要な場合とは、幅方向にも不均一が起こっているたとえば徐々に幅が広がるなどことが推測される。これを考え合わせると、テストライトによって各候補ストラテジTP1~TPnにおいてピット長調整のために与えられる補正量が大きいほど、幅方向の変化が大きいと推定できる。換言すれば、補正量が大きい候補ストラテジTPは、パルスレベルの低下の度合いが適切ではないと考えることができる。例えば図11の候補ストラテジTP1の場合、ピット長調整のためにラストパルスLPを比較的大きく低下させている。これは、当該候補ストラテジTP1のマルチパルスMPからラストパルスLPまでのレベル低下は、その低下の度合いが小さすぎ、結果として蓄熱の影響でピット幅が徐々に広くなっていると推定できる。また、候補ストラテジTP3の場合、ピット長調整のためにラストパルスLPを比較的大きく増加させている。これは、当該候補ストラテジTP3のマルチパルスMPからラストパルスLPまでのレベル低下は、その低下の度合いが大すぎ、蓄熱の影響があったとしても、マーク形成のエネルギーが徐々に小さくなって、ピット幅が徐々に狭くなっていると推定できる。それらに対し、候補ストラテジTP2では、ラストパルスLPの補正量は少ない。補正量が少ないということは、当該候補ストラテジTP2の各パルスレベルによって、マーク長がほぼ適正に近い状態となったということである。すると、幅方向もほぼ均一と推定できる。つまり、候補ストラテジTP2のマルチパルスMPからラストパルスLPまでのレベル低下の度合いが適度であって、蓄熱の影響とのバランスを保ってマーク形成エネルギーが比較的均一に推移することで、ピット幅がほぼ一定に形成されると推定できる。このことから補正量が最も小さい候補ストラテジTPが最適なライトストラテジ波形と推定することができる。このライトストラテジ波形を用いることで、蓄熱量が測定できなくとも、長円状で幅が略均一なピットを形成することが可能となり、もって再生信号品質のよいピットを形成できる。図14Bは実際にこのような調整を行ってピット形状の幅を制御したピットのSEM写真である。なお図14Aは、図5のような均一なレベルのパルスラストパルスLPのみピット長調整のための補正を行ったパルスによるピットである。図14Aの幅方向の調整を行わなかった例では、SEM写真上でも後ろ方向右方向に幅が大きくなっている液滴状のピット形状が観測される。一方本実施の形態の手法を用いた図14Bの場合、ほぼ均一なピット幅が得られている。<6.変形例>以上、実施の形態について説明してきたが、本開示の技術は実施の形態に限定されず、多様な変形例が考えられる。まずストラテジ決定処理については、上記図9の処理に限らず、多様な例が想定される。例えば図9の場合は、用意した候補ストラテジTP1~TPnの全てについてテストライトを行い、最終的に補正量を比較した。これ以外に、例えば候補ストラテジTP1から順にテストライト及びラストパルスLPの補正を行うことは同一であるが、或る候補ストラテジTPの処理の際に、最終的な補正量Hxが、所定範囲以内であれば、その時点でテストライトを終了させ、当該候補ストラテジTPを最適ストラテジとする例も考えられる。例えば、候補ストラテジTP1~TP5を用意した場合に、候補ストラテジTP3において補正量H3が所定範囲内の小さい値であったら、その時点で候補ストラテジTP3を最適なライトストラテジ波形とし、以降の候補ストラテジTP4,TP5のテストライトは行わないで終了するというような例である。こうすることでストラテジ決定処理の時間を短縮できる可能性が高まる。また、テストライトには、簡易的な手法として、例えば2T~9Tに対応するライトストラテジ波形の全てを用いない場合も考えられる。例えばテストライトにおいて4T~9Tのマーク露光を行うようにしたり、9Tのみのマーク露光を行うようにしてもよい。ライトストラテジ波形におけるパルスレベルの減少度合いは、一定比率の例としたが、一定比率としない例も考えられる。例えば6T~9Tのような長いマークのライトストラテジ波形については、マーク前半部分のパルスはレベル減少度合いを抑え、後半部分のパルスはレベル減少度合いを大きくするような例も考えられる。実施の形態では、本開示の技術をマスタリング装置に適用した例で述べたが、いわゆる記録可能型の光ディスクに対する記録装置にも適用できる。例えば現在普及しているBD-RBlurayDiscRecordableMedia、BD-REBlurayDiscRewritableMedia等の光ディスクでは、記録面に記録トラックの案内溝となるグルーブが形成されているが、次世代光ディスクとして、記録面にグルーブが存在しない光ディスクシステムも開発されている。特にグルーブが存在しない光ディスクの場合、形成されるマークの幅方向は、グルーブによって制限されないため、マーク幅の均一化の制御は有用となる。そこで実施の形態のように徐々にパルスレベルの低下するライトストラテジ波形を用いるという技術を、記録可能型の次世代光ディスクに対応する記録装置に採用することは好適である。また本開示の技術は、光ディスク記録媒体だけではなく、光記録カード或いは半導体用露光マスクなどのカード型非円形型の記録媒体や、体積型記録媒体例えば体積型ホログラム型記録媒体など、各種の記録媒体に対する記録装置、マスタリング装置等に適用できる。即ち記録媒体の形状や種別にかかわらず、その記録媒体に形成されるマークの幅方向制御に適用できる。また、幅方向の制御が可能であることは、マークピットによる所望の形状、文字、記号等の描画を行う装置にも好適である。例えばマーク形状を長円形に適正化できることで、ピットを用いた細密描画の精度を向上させることができる。さらには、敢えてマークピット形状を液滴状にするなどの技術にも応用できる。特にパルスレベル低下の度合いを変更することで、液滴状、長円状、逆液滴状などのピット形状を制御できるため、そのようなピット形状を用いた自由度の高い描画を実現できる。また、このようにマークピット形状を制御することによれば、例えばウォーターマークなどの付加的な情報付与に利用することもできる。例えばピット列により情報を記録することに加え、各ピットの形状を変化させ、そのピット形状の組み合わせにより、通常の再生装置では再生できないような情報を埋め込むことができる。なお本技術は以下のような構成も採ることができる。1形成するマーク長に応じたパルス数とされ、少なくとも先頭パルスと最終パルス以外の中間パルスは、パルスレベルが順次低下していくパルス列としたレーザ駆動パルスを生成し、該レーザ駆動パルスに基づいてレーザ発光を行い、記録媒体上に対するレーザ照射による熱記録としてマーク形成を行う記録方法。2上記レーザ駆動パルスの生成のためのライトストラテジ決定処理として、中間パルスから最終パルスまでのパルスレベルの低下の度合いが異なる複数の候補ストラテジを用意し、上記候補ストラテジを用いてレーザ駆動パルスを生成し、記録媒体に対するテストライトを行い、上記候補ストラテジについて、上記テストライトによって記録媒体上に形成されるマーク長を調整するための最終パルスのレベル補正を行い、上記レベル補正の補正量に基づいて、上記複数の候補ストラテジのうちで一の候補ストラテジを選択し、選択した候補ストラテジを、上記レーザ駆動パルスの生成のためのライトストラテジとする上記1に記載の記録方法。3上記レベル補正の補正量が最も小さい候補ストラテジを、上記レーザ駆動パルスの生成のためのライトストラテジとする上記2に記載の記録方法。4上記レーザ駆動パルスは、中間パルスのパルスレベルが一定比率で順次低下していくパルス列である上記1乃至3に記載の記録方法。"