支持基板と、前記支持基板の上に形成された第一の樹脂層と、前記第一の樹脂層の上に形成された第一の蛍光体層とを備え、前記第一の樹脂層は、ゲルからなる粘着層であり、前記第一の蛍光体層は、量子ドット蛍光体からなり、前記量子ドット蛍光体の最外層を構成するリガンドと前記粘着層とが接している波長変換膜。前記第一の樹脂層が前記支持基板と接する面積は、前記第一の樹脂層が前記第一の蛍光体層と接する面積よりも大きい請求項1に記載の波長変換膜。さらに、前記第一の蛍光体層の上に形成された第二の樹脂層を備え、前記第二の樹脂層は、ゲルからなる粘着層である請求項1又は2に記載の波長変換膜。前記第一の蛍光体層は、第一の発光波長の量子ドット蛍光体と、前記第一の発光波長とは異なる第二の発光波長の量子ドット蛍光体とからなる請求項1~3のいずれか1項に記載の波長変換膜。さらに、前記第二の樹脂層を覆うように形成された酸素バリア層を備え、前記酸素バリア層は、酸素ゲッター材を含んだ透明樹脂、又は、透明無機材料からなる請求項4に記載の波長変換膜。さらに、前記支持基板と前記酸素バリア層とを接着する接着層を備え、前記接着層は、少なくとも酸素バリア性又は水蒸気バリア性を有する有機高分子材料からなる接着剤である請求項5に記載の波長変換膜。さらに、前記第二の樹脂層の上に形成された第二の蛍光体層を備え、前記第二の蛍光体層は、量子ドット蛍光体からなり、前記第二の蛍光体層を構成する前記量子ドット蛍光体の最外層を構成するリガンドと、前記第二の樹脂層を構成する前記粘着層とが接している請求項3に記載の波長変換膜。さらに、前記第二の蛍光体層の上に形成された第三の樹脂層を備え、前記第三の樹脂層は、ゲルからなる粘着層である請求項7に記載の波長変換膜。前記第一の蛍光体層は、第一の発光波長の量子ドット蛍光体からなり、前記第二の蛍光体層は、前記第一の発光波長とは異なる第二の発光波長の量子ドット蛍光体からなる請求項7又は8に記載の波長変換膜。前記第一の蛍光体層は、前記量子ドット蛍光体を含む樹脂からなり、前記量子ドット蛍光体の最外層を構成するリガンドの双極子モーメントと前記樹脂の双極子モーメントとは同じ値である請求項1に記載の波長変換膜。支持基板と、前記支持基板の上に形成された第一の樹脂層と、前記第一の樹脂層の上に形成された第一の蛍光体層とを備え、前記第一の蛍光体層は、樹脂と量子ドット蛍光体とからなり、前記量子ドット蛍光体の最外層を構成するリガンドの双極子モーメントと前記樹脂の双極子モーメントとは同じ値である波長変換膜。凹部を有するパッケージと、前記凹部に実装された発光素子と、前記パッケージ上に形成された請求項1~11のいずれか1項に記載の波長変換膜とを備え、前記発光素子が発する光は、前記波長変換膜によって波長変換される発光装置。発光素子と、請求項1~11のいずれか1項に記載の波長変換膜とを備え、前記発光素子が発する光は、前記波長変換膜によって波長変換される照明装置。上記の従来技術によると、量子ドット蛍光体を用いる場合には、無極性で、かつ酸素バリア性の高い樹脂材料中に含有させて白色LEDを構成することが望ましい。しかしながら、現在、白色LEDに用いられている樹脂材料はシリコーンもしくはエポキシであり、これらの樹脂の分子構造は極性を有する。したがってこれらの樹脂に量子ドット蛍光体を含有させた場合、量子ドット蛍光体の発光効率を低下させるという課題を有する。さらにシリコーンは酸素バリア性が非常に低く、量子ドット蛍光体をシリコーンに含有させて白色LEDを形成した場合、量子ドット蛍光体の発光効率は短期間で急減に低下する。一方、量子ドット蛍光体を量子効率が高い状態で白色LEDに搭載する方法として、量子ドット蛍光体をヘキサンなどの無極性な被分散媒体中に分散し封止した小型容器を作製し搭載することが考えられるしかしながら、このような小型容器は白色LEDの部品として扱いにくく、また様々な用途に合わせて再設計しにくい。本発明は、このような問題を鑑みてなされたものであり、極性を有する樹脂を用いても、量子ドット蛍光体の発光効率が低下することがなく、かつ白色LEDの部品として搭載しやすい波長変換膜、及びそれを用いた発光装置並びに照明装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明に係る波長変換膜の一態様は、支持基板と、前記支持基板の上に形成された第一の樹脂層と、前記第一の樹脂層の上に形成された第一の蛍光体層とを備え、前記第一の樹脂層は、ゲルからなる粘着層であり、前記第一の蛍光体層は、量子ドット蛍光体からなり、前記量子ドット蛍光体の最外層を構成するリガンドと前記粘着層とが接していることを特徴とする。本態様によれば、量子ドット蛍光体の最外層を構成しているリガンドと、ゲルからなる粘着層の表面とが接しているので、量子ドット蛍光体をアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの樹脂に分散させるために極性リガンドの置換を行う必要がない。その結果、極性リガンドの分子極性が量子ドット蛍光体の発光効率に影響し、量子ドット蛍光体の発光効率が低下することを抑制できる。また、本発明に係る波長変換膜の一態様において、前記第一の樹脂層が前記支持基板と接する面積は、前記第一の樹脂層が前記第一の蛍光体層と接する面積よりも大きいことが好ましい。この構成により、第一の蛍光体層を構成する量子ドット蛍光体の全てを粘着層と接触させることができるので、量子ドット蛍光体の発光効率の低下をさらに抑制することができる。また、本発明に係る波長変換膜の一態様において、さらに、前記第一の蛍光体層の上に形成された前記第二の樹脂層を備え、前記第二の樹脂層は、ゲルからなる粘着層であることが好ましい。この構成により、第一の蛍光体層の上面にも粘着層が形成されるので、第一の蛍光体層を構成する量子ドット蛍光体の最外層のリガンドは、下層の粘着層だけではなく、上層の粘着層とも接する。これにより、量子ドット蛍光体の発光効率の低下を一層抑制することができる。また、本発明に係る波長変換膜の一態様において、前記第一の蛍光体層は、第一の発光波長の量子ドット蛍光体と、前記第一の発光波長とは異なる第二の発光波長の量子ドット蛍光体とからなることが好ましい。これにより、1層の蛍光体層を、発光波長の異なる複数種の量子ドット蛍光体によって構成することができる。また、本発明に係る波長変換膜の一態様において、さらに、前記第二の樹脂層を覆うように形成された酸素バリア層を備え、前記酸素バリア層は、酸素ゲッター材を含んだ透明樹脂、又は、透明無機材料からなることが好ましい。この構成により、波長変換膜の信頼性を向上させることができる。また、本発明に係る波長変換膜の一態様において、さらに、前記支持基板と前記酸素バリア層とを接着する接着層を備え、前記接着層は、少なくとも酸素バリア性又は水蒸気バリア性を有する有機高分子材料からなることが好ましい。この構成により、波長変換膜の信頼性を向上させることができる。また、本発明に係る波長変換膜の一態様において、さらに、前記第二の樹脂層の上に形成された第二の蛍光体層を備え、前記第二の蛍光体層は、量子ドット蛍光体からなり、前記第二の蛍光体層を構成する前記量子ドット蛍光体の最外層を構成するリガンドと、前記第二の樹脂層を構成する前記粘着層とが接していることが好ましい。この構成により、量子ドット蛍光体からなる2つの蛍光体層を備える波長変換膜を実現することができる。また、本発明に係る波長変換膜の一態様において、さらに、前記第二の蛍光体層の上に形成された前記第三の樹脂層を備え、前記第三の樹脂層は、ゲルからなる粘着層であることが好ましい。この構成により、第一の蛍光体層及び第二の蛍光体層を構成する量子ドット蛍光体の最外層のリガンドは、上下の層のいずれの粘着層にも接する。これにより、量子ドット蛍光体の発光効率の低下を一層抑制することができる。また、本発明に係る波長変換膜の一態様において、前記第一の蛍光体層は、第一の発光波長の量子ドット蛍光体からなり、前記第二の蛍光体層は、前記第一の発光波長とは異なる第二の発光波長の量子ドット蛍光体からなることが好ましい。この構成により、発光波長ごとに蛍光体層が2層に分けられているので、二つの異なる発光波長を持つ量子ドット蛍光体を混ぜた1層の蛍光体層とするよりも、色むらが抑制された波長変換膜を実現することができる。また、本発明に係る波長変換膜の一態様において、前記第一の蛍光体層は、前記量子ドット蛍光体を含む樹脂からなり、前記量子ドット蛍光体の最外層を構成するリガンドの双極子モーメントと前記樹脂の双極子モーメントとは同じ値であることが好ましい。この構成により、量子ドット蛍光体のダングリングボンドと結合しているリガンドの極性と、量子ドット蛍光体を分散させる樹脂材料の極性とが適合するので、量子ドット蛍光体のリガンドが十分に置換されなかったりリガンドが離脱したりすることを、さらに抑制することができる。従って、量子ドット蛍光体の発光効率が低下することを一層抑制することができる。また、本発明に係る波長変換膜の別の一態様は、支持基板と、前記支持基板の上に形成された第一の樹脂層と、前記第一の樹脂層の上に形成された第一の蛍光体層とを備え、前記第一の蛍光体層は、樹脂と量子ドット蛍光体とからなり、前記量子ドット蛍光体の最外層を構成するリガンドの双極子モーメントと前記樹脂の双極子モーメントとは同じ値であることを特徴とする。この構成により、量子ドット蛍光体のダングリングボンドと結合しているリガンドの極性と、量子ドット蛍光体を分散させる樹脂材料の極性とが適合するので、量子ドット蛍光体のリガンドが十分に置換されなかったりリガンドが離脱したりすることを抑制することができる。従って、量子ドット蛍光体の発光効率が低下することを抑制することができる。また、本発明に係る発光装置の一態様は、凹部を有するパッケージと、前記凹部に実装された発光素子と、前記パッケージ上に形成された上記いずれかの波長変換膜とを備え、前記発光素子が発する光は、前記波長変換膜によって波長変換されることを特徴とする。このように、本発明に係る波長変換膜は、LED白色光源等の発光装置として実現することができる。また、本発明に係る照明装置の一態様は、発光素子と、上記いずれかの波長変換膜とを備え、前記発光素子が発する光は、前記波長変換膜によって波長変換されることを特徴とする。このように、本発明に係る波長変換膜は、LED電球等の照明装置として実現することができる。本発明によれば、半導体微粒子である量子ドット蛍光体のリガンドの置換不足及びリガンドの離脱による量子ドット蛍光体の発光効率の低下を抑制することができる。以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものであり、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。本発明は、特許請求の範囲の記載に基づいて特定される。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、本発明の課題を達成するのに必ずしも必要ではないが、より好ましい形態を構成するものとして説明される。また、図面において、実質的に同一の構成、動作、及び効果を表す要素については、同一の符号を付す。また、本発明の各実施の形態において、波長変換膜を構成している半導体微粒子からなる量子ドット蛍光体は、450nm~700nmの間の波長で発光するのが好ましい。さらに、本実施の形態における量子ドット蛍光体は、青色光を励起光として蛍光発光するものであり、上記波長の範囲のうち、例えば波長が530nmで発光する量子ドット蛍光体と、波長が620nmで発光する量子ドット蛍光体とを用いる場合について説明する。第1の実施の形態まず、本発明の第1の実施の形態に係る波長変換膜1について、図1を用いて説明する。図1は、本発明の第1の実施の形態における波長変換膜の構成を示す断面図である。図1に示すように、本実施の形態に係る波長変換膜1は、支持基板11と、支持基板11の上に形成された粘着ゲル層12a第一の樹脂層と、粘着ゲル層12aの上に形成された蛍光体層13第一の蛍光体層とを備える。支持基板11は、薄膜状の透明な樹脂基板であり、例えば、透明ポリイミド樹脂からなる樹脂フィルムによって構成することができる。粘着ゲル層12aは、ゲルからなる粘着層であり、例えば、アクリル系粘着剤によって構成することができる。本実施の形態において、粘着ゲル層12aは、支持基板11との接触面積が蛍光体層13との接触面積よりも大きくなるように構成されている。蛍光体層13は、複数の半導体微粒子からなる半導体微粒子層であり、例えば、粒径が20nm以下の量子ドット蛍光体によって構成されている。量子ドット蛍光体は、粒径が数nmから数十nmのナノサイズの半導体微粒子からなり、量子サイズ効果によって同一材料の微粒子であっても粒径を制御することで可視光領域における所望の波長帯の蛍光スペクトルを得ることができる。本実施の形態において、蛍光体層13を構成する量子ドット蛍光体の最外層のリガンドと粘着ゲル層12aとは接している。また、本実施の形態において、波長変換膜1は、粘着ゲル層12a及び蛍光体層13を覆うように形成された粘着ゲル層12b第二の樹脂層を備えることが好ましい。粘着ゲル層12bは、蛍光体層13の上部及び側面にわたって形成されている。粘着ゲル層12bは、ゲルからなる粘着層であって、下層の粘着ゲル層12aと同様の材料を用いることができる。本実施の形態において、粘着ゲル層12bは、粘着ゲル層12aと同様にアクリル系粘着剤によって構成されている。このように蛍光体層13の上面に粘着ゲル層12bを形成することによって、蛍光体層13を構成する量子ドット蛍光体の最外層のリガンドは、粘着ゲル層12bとも接する。さらに、波長変換膜1において、粘着ゲル層12bの上部及び側面を覆うように酸素バリア層15を形成することが好ましい。酸素バリア層15は、例えば、透明無機材料として酸窒化シリコン膜SiONを用いることができ、10nm以上の膜厚で形成することが好ましい。また、酸素バリア層15は、酸素ゲッター材を含んだ透明樹脂によって構成することもできる。なお、本実施の形態に係る波長変換膜1では、支持基板11と酸素バリア層15とを接着する接着剤16を設けることが好ましい。本実施の形態において、接着剤16接着層は、支持基板11の側面と酸素バリア層15の側面とを覆うように形成されている。また、接着剤16は、少なくとも酸素バリア性又は水蒸気バリア性を有する有機高分子材料によって構成することが好ましく、例えばエポキシ接着剤を用いることができる。以上、本発明の第1の実施の形態に係る波長変換膜1によれば、粘着ゲル層12aの表面に直接に量子ドット蛍光体半導体微粒子からなる蛍光体層13が形成されている。特に、本実施の形態では、蛍光体層13の量子ドット蛍光体の最外層を構成しているリガンドと粘着ゲル層12aの表面とが接している。これにより、従来のように、量子ドット蛍光体をアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの樹脂中に分散するために処理していたリガンドの置換を行う必要がなくなる。このため、リガンドの置換不足を無くすことができるとともに、リガンドの離脱をも抑制することができる。従って、量子ドット蛍光体の発光効率の低下を抑制することができる波長変換膜を実現することができる。また、本実施の形態では、量子ドット蛍光体半導体微粒子からなる蛍光体層13は粘着ゲル層12bにも接している。これにより、量子ドット蛍光体の発光効率の低下をさらに抑制することができる。また、本実施の形態では、粘着ゲル層12aと支持基板11との接触面積が、粘着ゲル層12aと蛍光体層13との接触面積よりも大きくなるように構成されている。これにより、蛍光体層13を構成する量子ドット蛍光体の全てを粘着ゲル層12aと接触させることができるので、量子ドット蛍光体の発光効率の低下をさらに抑制することができる。なお、本実施の形態において、粘着ゲル層12a及び12bとしてはアクリル系粘着剤を用いたが、これに限らない。粘着ゲル層12a及び12bとしては、その他に、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、エポキシ系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、又は、フッ素系粘着剤などの公知の粘着剤を用いることができる。また、酸素バリア層15は、上述のとおり、透明無機材料又は酸素ゲッター材を添加した透明有機材料を用いることができる。本実施の形態では、透明無機材料として、酸窒化シリコン膜を用いたが、シリコン酸化物SiO2、錫が添加された酸化インジウムITO、アンチモンが添加された酸化錫、又は、酸化亜鉛を用いることもできる。一方、透明有機材料によって酸素バリア層15を構成する場合、例えば、電着技術を用いたアクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ビニルアルキルエーテル系樹脂、又は、フッ素系樹脂を用いることができる。また、透明有機材料を用いた場合、その中に酸素を吸着する酸素ゲッター材として、例えばチタン酸化物TiOx、ニオブ酸化物NbOx、ハフニウム酸化物HfOx、インジウム酸化物In2Ox、タングステン酸化物WOx、スズ酸化物SnOx、亜鉛酸化物ZnOx、ジルコニア酸化物ZrOx、マグネシウム酸化物MgO、アンチモン酸化物SbOx、ゼオライトアルミノケイ酸塩、又は、銀酸化物Ag2Oなどを添加することが好ましい。なお、各組成式において、いずれもx>0である。また、本実施の形態において、支持基板11として、透明ポリイミド樹脂を用いたが、非導電性透明樹脂膜、導電性透明樹脂膜、導電性透明金属膜、透明ガラス基板、サファイア基板、GaN基板、又は、SiC基板を用いても構わない。また、蛍光体層13における量子ドット蛍光体の構成としては、コア型、コア/シェル型、又は、量子井戸型などが挙げられるが、本実施の形態では、いずれの構成でも適用することができる。また、この量子ドット蛍光体を構成しているコア及びシェルの材料としては、例えば、II-VI族化合物の場合は、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnZe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnZeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSS、HgZnSeTe、HgZnSTeなどから選択される少なくとも1つが挙げられる。また、III-V族化合物の場合は、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlGaN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、InGaN、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSbなどから選択される少なくとも1つが挙げられる。次に、本発明の第1の実施の形態に係る波長変換膜1の製造方法について、図1を参照して以下に説明する。まず、例えば透明ポリイミド樹脂フィルムからなる支持基板11上に、1層目の粘着層として例えばアクリル系粘着剤を有する樹脂シートからなる粘着ゲル層12aを貼り付ける。次に、1層目の粘着ゲル層12aよりも一回り小さい領域のみが開口され且つフッ素加工されたマスクを、1層目の粘着ゲル層12aの上部に配置する。その後、スクリーン印刷法により、発光波長が530nmである量子ドット蛍光体と発光波長が620nmである量子ドット蛍光体とを含む有機溶媒を塗布することにより、粒径20nm以下の半導体微粒子からなる蛍光体層13を形成する。この時、半導体微粒子からなる蛍光体層13は、有機溶媒に量子ドット蛍光体が分散した状態である。なお、量子ドット蛍光体は、コア材料をCdSeとし、シェル材料をZnSとした。その後、マスクを取り外し、乾燥して有機溶媒を気化させる。これにより、量子ドット蛍光体は、1層目の粘着ゲル層12aと接して固定される。このときに、量子ドット蛍光体の最外層を構成しているリガンドと粘着ゲル層12aの表面とが接する。次に、蛍光体層13の面積よりも一回り大きい2層目の粘着ゲル層12bによって蛍光体層13を覆う。粘着ゲル層12bとしては、アクリル系粘着剤を有する樹脂シートを用いた。次に、1層目の粘着ゲル層12aと2層目の粘着ゲル層12bのいずれよりも一回り大きく開口されたマスクを支持基板11の上部に配置する。その後、スパッタ装置を用いて、2層目の粘着ゲル層12bを覆うように、シリコン酸窒化膜SiONからなる酸素バリア層15を支持基板11上に形成する。酸素バリア層15は、2層目の粘着ゲル層12bの上面及び側面から支持基板11の上面にわたって形成される。酸素バリア層15は10nm以上の膜厚で成膜する。その後、所定の大きさに切り分けることによって波長変換膜1を作製することができる。なお、接着剤16によって支持基板11と酸素バリア層15とを接着する場合は、例えば、支持基板11及び酸素バリア層15の側面を覆うように、エポキシ接着剤からなる接着剤16を形成し、その後、所定の大きさに切り分ける。このように、支持基板11と酸素バリア層15とを接着剤16によって接着することで、経年劣化による樹脂シート粘着ゲル層12a及び12bのはがれを抑制することが可能となる。このように製造された波長変換膜1は、粘着ゲル層12a及び12bとの界面に直接、量子ドット蛍光体半導体微粒子からなる蛍光体層13が形成されている。これにより、従来の方法のように、量子ドット蛍光体を樹脂中に分散するために必要であったリガンドの置換が不要となる。これにより、リガンドの置換不足が発生することがないとともに、リガンドの離脱をも抑制することができる。従って、量子ドット蛍光体の発光効率の低下を抑制することができる波長変換膜を実現することができる。第2の実施の形態次に、本発明の第2の実施の形態に係る波長変換膜2について、図2を用いて説明する。図2は、本発明の第2の実施の形態における波長変換膜の構成を示す断面図である。図2に示すように、本実施の形態に係る波長変換膜2は、第1の実施の形態に係る波長変換膜1に、さらに、蛍光体層14第二の蛍光体層と粘着ゲル層12c第三の樹脂層とを備えるものである。すなわち、波長変換膜2では、蛍光体層13の上部に蛍光体層14が形成されるとともに、蛍光体層14及び粘着ゲル層12bを覆うように粘着ゲル層12cが形成されている。粘着ゲル層12cは、粘着ゲル層12a及び12bと同様に、ゲルからなる粘着層であって、例えばアクリル系粘着剤によって構成することができる。また、蛍光体層14は、下層の蛍光体層13と同様に、半導体微粒子からなる半導体微粒子層であって、粒径が20nm以下の量子ドット蛍光体によって構成されている。なお、酸素バリア層15は、最上層の粘着ゲル層12cの上部及び側面を覆うように形成されている。なお、本実施の形態における蛍光体層13は、第1の実施の形態における蛍光体層13とは異なる。すなわち、第1の実施の形態において、蛍光体層13は、発光波長の異なる2種類の量子ドット蛍光体によって構成されていたが、本実施の形態では、蛍光体層13と蛍光体層14とは、それぞれが発光波長の異なる量子ドット蛍光体のみによって構成されている。つまり、蛍光体層13を構成する量子ドット蛍光体半導体微粒子と、蛍光体層14を構成する量子ドット蛍光体半導体微粒子とは、発光波長が異なる。以上、本発明の第2の実施の形態に係る波長変換膜2によれば、粘着ゲル層12a及び粘着ゲル層12bとの界面に量子ドット蛍光体半導体微粒子からなる蛍光体層13が直接形成されているとともに、粘着ゲル層12b及び粘着ゲル層12cとの界面に量子ドット蛍光体半導体微粒子からなる蛍光体層14が直接形成されている。すなわち、蛍光体層13及び14における量子ドット蛍光体の最外層を構成しているリガンドと粘着ゲル層12a~12cの表面とが接している。これにより、リガンドの置換を行う必要がないので、リガンドの置換不足を無くすことができるとともに、リガンドの離脱をも抑制することができる。従って、量子ドット蛍光体の発光効率の低下を抑制することができる波長変換膜を実現することができる。また、本実施の形態によれば、発光波長の異なる量子ドット蛍光体を、発光波長ごとに蛍光体層13と蛍光体層14とに分けている。このように構成にすることで、二つの異なる発光波長を持つ量子ドット蛍光体半導体微粒子を混ぜた蛍光体層とするよりも色むらが抑制された波長変換膜を実現することができる。この場合、蛍光体層13及び蛍光体層14の発光波長の大小関係は、蛍光体層13の方が蛍光体層14よりも長波長となるように設定してもよく、逆に、蛍光体層13の方が蛍光体層14よりも短波長となるように設定してもよい。前者のように蛍光体層13の方が蛍光体層14よりも長波長となるように設定すると、光の再吸収が少ないため、高発光効率が期待できる。一方、後者のように蛍光体層13の方が蛍光体層14よりも短波長となるように設定すると、再吸収が発生するものの、励起波長に対するストークスロスを低減することができるため発熱による効率低下を抑制することができる。次に、本発明の第2の実施の形態に係る波長変換膜2の製造方法について、図2を参照して以下に説明する。まず、例えば透明ポリイミド樹脂フィルムからなる支持基板11上に、1層目の粘着層として例えばアクリル系粘着剤を有する樹脂シートからなる粘着ゲル層12aを貼り付ける。次に、1層目の粘着ゲル層12aよりも一回り小さい領域のみが開口され且つフッ素加工されたマスクを、1層目の粘着ゲル層12aの上部に配置する。その後、スクリーン印刷法により、例えば発光波長が620nm、コアにCdSe、シェルにZnSを用いた量子ドット蛍光体を含む有機溶媒を塗布することにより、第一の蛍光体層として、粒径20nm以下の半導体微粒子からなる蛍光体層13を形成する。この時、蛍光体層13は、有機溶媒に量子ドット蛍光体が分散した状態である。その後、マスクを取り外し、乾燥して有機溶媒を気化させる。これにより、量子ドット蛍光体は、1層目の粘着ゲル層12aと接して固定される。このとき、蛍光体層13の量子ドット蛍光体の最外層を構成しているリガンドと粘着ゲル層12aの表面とが接する。次に、蛍光体層13の面積よりも一回り大きい2層目の粘着ゲル層12bによって蛍光体層13を覆う。粘着ゲル層12bとしては、アクリル系粘着剤を有する樹脂シートを用いた。次に、2層目の粘着ゲル層12bよりも一回り小さい領域のみが開口され且つフッ素加工されたマスクを、2層目の粘着ゲル層12bの上部に配置する。その後、スクリーン印刷法により、例えば発光波長が530nm、コアにCdSe、シェルにZnSを用いた量子ドット蛍光体を含む有機溶媒を塗布することにより、第二の蛍光体層として、粒径20nm以下の半導体微粒子からなる蛍光体層14を形成する。この時、蛍光体層14は、有機溶媒に量子ドット蛍光体が分散した状態である。その後、マスクを取り外し、乾燥して有機溶媒を気化させる。これにより、量子ドット蛍光体は、2層目の粘着ゲル層12bと接して固定される。このとき、蛍光体層14の量子ドット蛍光体の最外層を構成しているリガンドと粘着ゲル層12bの表面とが接する。次に、蛍光体層14の面積よりも一回り大きい3層目の粘着ゲル層12cによって蛍光体層14を覆う。粘着ゲル層12cとしては、アクリル系粘着剤を有する樹脂シートを用いた。次に、1~3層目の粘着ゲル層12a~12cのいずれよりも一回り大きく開口されたマスクを支持基板11の上部に配置する。その後、スパッタ装置を用いて、3層目の粘着ゲル層12cを覆うように、シリコン酸窒化膜SiONからなる酸素バリア層15を支持基板11上に形成する。酸素バリア層15は、3層目の粘着ゲル層12cの上面及び側面から支持基板11の上面にわたって形成される。酸素バリア層15は10nm以上の膜厚で成膜する。その後、所定の大きさに切り分けることによって波長変換膜2を作製することができる。なお、接着剤16によって支持基板11と酸素バリア層15とを接着する場合、例えば、支持基板11及び酸素バリア層15の側面を覆うように、エポキシ接着剤からなる接着剤16を形成し、その後、所定の大きさに切り分ける。このように、支持基板11と酸素バリア層15とを接着剤16によって接着することで、経年劣化による樹脂シート粘着ゲル層12a~12cのはがれを抑制することが可能となる。このように製造された波長変換膜2は、粘着ゲル層12a及び12bとの界面及び粘着ゲル層12b及び12cとの界面に直接、量子ドット蛍光体半導体微粒子からなる蛍光体層13及び14が形成されている。これにより、従来の方法のように、量子ドット蛍光体を樹脂中に分散するために必要であったリガンドの置換が不要となる。これにより、リガンドの置換不足が発生することが無くなるとともに、リガンドの離脱も抑制することができる。従って、量子ドット蛍光体の発光効率の低下を抑制することができる波長変換膜を実現することができる。また、本実施の形態では、蛍光体層13及び14を構成する量子ドット蛍光体は、発光波長ごとに各層に分けられているので、第1の実施の形態よりも色むらを抑制することができる。なお、本実施の形態において、蛍光体層13を発光波長が620nmの量子ドット蛍光体で構成し、蛍光体層14を発光波長が530nmの量子ドット蛍光体で構成したが、逆にして、蛍光体層13を発光波長が620nmの量子ドット蛍光体で構成し、蛍光体層14を発光波長が530nmの量子ドット蛍光体で構成しても良い。この場合、励起波長に対するストークスロスによる発熱を抑制することができ、量子ドット蛍光体の発光効率の低下をさらに抑制することができる。また、本実施の形態において、粘着ゲル層12a~12cはアクリル系粘着剤によって構成したが、第1の実施の形態に列挙した材料を用いても良い。同様に、酸素バリア層15及び支持基板11についても第1の実施の形態に列挙した材料を用いても良い。また、本実施の形態においても、量子ドット蛍光体の構成としては、コア型、コア/シェル型、又は、量子井戸型などのいずれでもよく、量子ドット蛍光体を構成しているコア及びシェルの材料も、第1の実施の形態に列挙した材料を用いることができる。第3の実施の形態次に、本発明の第3の実施の形態に係る波長変換膜3について、図3を用いて説明する。図3は、本発明の第3の実施の形態における波長変換膜の構成を示す断面図である。図3に示すように、本実施の形態に係る波長変換膜3は、支持基板11と、支持基板11の上に形成された粘着ゲル層12aと、粘着ゲル層12aの上に形成された蛍光体層13Aとを備える。支持基板11は、薄膜状の透明な樹脂基板であり、第1の実施の形態と同様に、例えば透明ポリイミド樹脂からなる樹脂フィルムによって構成することができる。また、粘着ゲル層12aは、ゲルからなる粘着層であり、第1の実施の形態と同様に、例えばアクリル系粘着剤によって構成することができる。本実施の形態における蛍光体層13Aは、樹脂13aと、樹脂13a内に分散された半導体微粒子13bとからなる。半導体微粒子13bは、例えば粒径が20nm以下の量子ドット蛍光体である。本実施の形態では、量子ドット蛍光体の最外層を構成しているリガンドの極性、すなわち双極子モーメントの値と樹脂13aの双極子モーメントの値とが同じとなるように、樹脂13a又は量子ドット蛍光体のリガンドが調整されている。また、第1の実施の形態と同様に、粘着ゲル層12a及び蛍光体層13Aを覆うように粘着ゲル層12bが形成されている。さらに、粘着ゲル層12bの上部及び側面を覆うようにシリコン酸化膜からなる酸素バリア層15が形成され、また、支持基板11の側面と酸素バリア層15の側面とを覆うようにエポキシ接着剤からなる接着剤16が形成されている。本実施の形態において、蛍光体層13Aにおける量子ドット蛍光体の最外層を構成しているリガンドは、例えば作製時に用いられているトリオクチルフォスフィンオキサイドtri-n-octylphosphineoxide:TOPO、あるいは、トリオクチルフォスフィンtri-n-octylphoshine:TOPが用いられる。これらのリガンドの炭化水素基が繋がっている箇所は無極性であり、双極子モーメントは0である。そのため、蛍光体層13Aにおける樹脂13aとしては、無極性樹脂であればよく、例えば透明ポリスチレン、透明ポリプロピレン、ポリオレフィン、ポリメチルペンテン、ポリ4フッ化エチレン、ポリブタジエンなどの樹脂などを用いればよい。以上、本発明の第3の実施の形態に係る波長変換膜3によれば、蛍光体層13Aにおける半導体微粒子13b量子ドット蛍光体のリガンドの極性双極子モーメントと樹脂13aの双極子モーメントとがほぼ同じ値となるように、樹脂13a又は量子ドット蛍光体のリガンドが調整されている。これにより、量子ドット蛍光体のダングリングボンドと結合しているリガンドの極性と、量子ドット蛍光体を分散させる樹脂材料の極性とが適合するので、量子ドット蛍光体のリガンドが十分に置換されなかったりリガンドが離脱したりすることを抑制することができる。従って、量子ドット蛍光体の発光効率が低下することを抑制することができる。なお、白色LED光源における蛍光体含有樹脂に用いられている樹脂として、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂又はエポキシ樹脂などがあるが、これらの樹脂は双極子モーメントが0よりも大きい極性を有する材料である。そのため、量子ドット蛍光体の最外層を構成しているリガンドの双極子モーメントを、樹脂の極性、すなわち樹脂の双極子モーメントと同じにすればよい。これにより、量子ドット蛍光体のリガンドと樹脂との間における極性の差、すなわち双極子モーメントの差によって生じるリガンドの離脱や量子ドット蛍光体の凝集を抑制することが可能となる。次に、本発明の第3の実施の形態に係る波長変換膜3の製造方法について、図3を参照して以下に説明する。まず、例えば透明ポリイミド樹脂フィルムからなる支持基板11上に、例えばアクリル系粘着剤を有する樹脂シートからなる粘着ゲル層12aを貼り付ける。次に、1層目の粘着ゲル層12aよりも一回り小さい領域のみが開口され且つフッ素加工されたマスクを、1層目の粘着ゲル層12aの上部に配置する。その後、スクリーン印刷法により、発光波長が530nmである量子ドット蛍光体からなる半導体微粒子13bと発光波長が620nmである量子ドット蛍光体からなる半導体微粒子13bとが分散された樹脂13aを塗布することにより、蛍光体層13Aを形成する。本実施の形態において、半導体微粒子13bとしては、粒径が20nm以下の量子ドット蛍光体であり、例えば、コアにCdSe、シェルにZnSを用いるとともに、無極性双極子モーメント=0デバイのリガンドとしてTOPOを用いた。また、樹脂13aとしては、ポリオレフィンを用いた。その後、マスクを取り外し、乾燥して樹脂13aを硬化させる。これにより、蛍光体層13Aは、粘着ゲル層12aと接して固定されるので、フィルムからの剥離等を抑制することができる。次に、蛍光体層13Aの面積よりも一回り大きい2層目の粘着ゲル層12bによって蛍光体層13Aを覆う。次に、粘着ゲル層12a及び12bのいずれよりも一回り大きく開口されたマスクを支持基板11の上部に配置する。その後、スパッタ装置を用いて、2層目の粘着ゲル層12bを覆うようにシリコン酸窒化膜SiONからなる酸素バリア層15を支持基板11上に形成する。酸素バリア層15は、粘着ゲル層12bの上面及び側面において膜厚10nm以上で成膜する。その後、所定の大きさに切り分けることによって波長変換膜3を作製することができる。なお、接着剤16によって支持基板11と酸素バリア層15とを接着する場合は、例えば、支持基板11及び酸素バリア層15の側面を覆うように、エポキシ接着剤からなる接着剤16を形成し、その後、所定の大きさに切り分ける。このように、支持基板11と酸素バリア層15とを接着剤16によって接着することで、経年劣化による樹脂シート粘着ゲル層12a及び12bのはがれを抑制することができる。なお、本実施の形態において、粘着ゲル層12a及び12bとしてはアクリル系粘着剤を用いたが、第1の実施の形態に列挙した材料を用いても良い。同様に、酸素バリア層15及び支持基板11についても第1の実施の形態に列挙した材料を用いてもよい。また、本実施の形態においても、半導体微粒子13bである量子ドット蛍光体の構成としては、コア型、コア/シェル型、又は、量子井戸型などのいずれでもよく、量子ドット蛍光体を構成している材料も、第1の実施の形態に列挙した材料を用いることができる。また、本実施の形態において、発光波長が530nmの量子ドット蛍光体からなる半導体微粒子13bと、発光波長が620nmの量子ドット蛍光体からなる半導体微粒子13bとを、樹脂13aに分散させることによって1層の蛍光体層13Aを構成しているが、第2の実施の形態のように、蛍光体層を2層にしても構わない。この場合、1層目の蛍光体層を530nmの量子ドット蛍光体からなる半導体微粒子のみを樹脂に分散して構成し、2層目の蛍光体層を620nmの量子ドット蛍光体からなる半導体微粒子のみを樹脂に分散して構成してもよく、逆に、1層目の蛍光体層を620nmの量子ドット蛍光体からなる半導体微粒子のみを樹脂に分散して構成し、2層目の蛍光体層を530nmの量子ドット蛍光体からなる半導体微粒子のみを樹脂に分散して構成しても良い。以上、本実施の形態における構成は、第1の実施の形態に適用することができる。すなわち、第1の実施の形態において、量子ドット蛍光体が樹脂に含まれるようにして蛍光体層を構成し、量子ドット蛍光体の最外層を構成するリガンドの双極子モーメントと樹脂の双極子モーメントとを同じ値とすることができる。第4の実施の形態次に、本発明の第4の実施の形態に係る発光装置について、図4を用いて説明する。図4は、本発明の第4の実施の形態における発光装置の構成を示す断面図である。本実施の形態に係る発光装置20は、第1の実施の形態に係る波長変換膜1を用いた発光装置であって、図4に示すように、凹部キャビティを有するパッケージ21と、パッケージ21の凹部に実装された発光素子22と、パッケージ21の上部に形成された波長変換膜1とを備える。パッケージ21LEDパッケージは、例えば白色樹脂によって構成されており、凹部の内側面は発光素子22が発する光を光取り出し方向波長変換膜1側に反射させるように傾斜された反射面となっている。パッケージ21の凹部には、散乱材23aが分散された樹脂23bがポッティングによって充填されている。また、パッケージ21の凹部の底面部には、導体からなるリードフレーム24が埋め込まれている。リードフレーム24の一部は、パッケージ21の凹部内の底面部に露出し、第1電極及び第2電極として、発光素子22と電気的に接続されている。発光素子22は、パッケージ21の凹部の底面部に実装されており、LEDチップを用いることができる。なお、波長変換膜1の蛍光体層13は、530nmで発光する量子ドット蛍光体と620nmで発光する量子ドット蛍光体とからなるので、発光素子22は、発光波長が380nm~480nmのLEDチップを用いることが好ましい。散乱材23aは、発光素子22が発する光を散乱させる機能を有し、例えば、二酸化チタンTiO2等の白色微粒子からなる光散乱微粒子を用いることができる。また、樹脂23bとしては、シリコーン樹脂等の透明樹脂を用いることができる。波長変換膜1は、パッケージ21の上部において、パッケージ21の凹部の開口を覆うように配置されており、パッケージ21の上面領域に合わせた面積分の大きさで形成されている。波長変換膜1の構成は、第1の実施の形態と同様であり、蛍光体層13は量子ドット蛍光体によって構成されている。なお、パッケージ21と波長変換膜1とは、接着剤16によって接着されている。以上、本発明の第4の実施の形態に係る発光装置20によれば、散乱材23aと量子ドット蛍光体とがパッケージ21の内外において分離されているので、量子ドット蛍光体と散乱材23aとの分散状態に不具合を生じさせることなく、放射角による色むらの発生を抑制することができる。すなわち、従来は、樹脂に量子ドット蛍光体を分散したものをパッケージの凹部にポッティングしていたが、この方法では、放射角によって色むらが発生するという課題があった。そこで、量子ドット蛍光体とともに散乱材を樹脂に混ぜ合わせることで、放射角による色むらの発生を抑制することが考えられていた。しかし、この場合、散乱材の粒径は直径で10μm以上であり、一方、量子ドット蛍光体の粒径は直径が20nm以下であるので、樹脂内において散乱材と量子ドット蛍光体とがうまく分散されないという問題があった。これに対し、本実施の形態では、散乱材23aはパッケージ21の凹部内の樹脂23b内に分散されているとともに、量子ドット蛍光体はパッケージ21外の波長変換膜1に形成されている。これにより、散乱材23aと量子ドット蛍光体とが分離されるので、樹脂23b内において、粒径が大きく異なる量子ドット蛍光体と散乱材23aとが混在することがない。従って、散乱材と量子ドット蛍光体とが樹脂内においてうまく分散されないという課題を生じさせることなく、放射角による色むらの発生を抑制することができる。次に、本発明の第4の実施の形態に係る発光装置20の製造方法について、図4を参照して以下に説明する。まず、パッケージ21の凹部に発光波長が450nmのLEDからなる発光素子22を実装し、その後、シリコーン樹脂からなる樹脂23bに散乱材23aとして二酸化チタンTiO2を分散したものをポッティングして、パッケージ21の凹部に散乱材23aが分散された樹脂23bを充填する。次に、160°Cで加熱し、樹脂23bを硬化させる。その後、第1の実施の形態と同様の方法によって、接着剤16で接着する前までの状態の波長変換膜1を作製する。次に、パッケージ21の上面に波長変換膜1を配置し、波長変換膜1とパッケージ21とをエポキシ接着剤からなる接着剤16によって接着する。このとき、接着剤16によって支持基板11及び酸素バリア層15の側面も接着される。以上により、本実施の形態に係る発光装置20を作製することができる。なお、本実施の形態では、散乱材23aとして二酸化チタンを用いたが、これに限らない。散乱材23aとしては、ニオブ酸化物NbOx、ハフニウム酸化物HfOx、インジウム酸化物In2Ox、タングステン酸化物WOx、スズ酸化物SnOx、亜鉛酸化物ZnOx、ジルコニア酸化物ZrOx、マグネシウム酸化物MgO、アンチモン酸化物SbOx、ゼオライトアルミノケイ酸塩、又は、銀酸化物Ag2Oなどを用いてもよい。なお、各組成式において、いずれもx>0である。また、散乱材23aとして、光反射性微粒子ではなく、YAG又はSiAlONなどの粒径が大きい蛍光体を用いても良い。このように散乱材23aとして蛍光体を用いると、波長変換膜1では、量子ドット蛍光体によって530nm及び620nmの発光を示し、パッケージ21では、樹脂23b内のYAG又はSiAlONの散乱材23aによって550nm付近の発光を示すので、色再現性を高めることができる。第4の実施の形態の変形例1次に、本発明の第4の実施の形態の変形例1に係る発光装置20Aについて、図5を用いて説明する。図5は、本発明の第4の実施の形態の変形例1における発光装置の構成を示す断面図である。上述の図4に示す第4の実施の形態では、図1に示す波長変換膜1を用いてパッケージ型の発光装置を構成したが、本変形例では、図2に示す波長変換膜2を用いてパッケージ型の発光装置を構成している。すなわち、本変形例に係る発光装置20Aと図4に示す発光装置20とは、波長変換膜の構成のみが異なる。具体的に、本変形例に係る発光装置20Aは、図5に示すように、パッケージ21と、パッケージ21の凹部に実装された発光素子22と、パッケージ21の上部に形成された波長変換膜2とを備える。パッケージ21の凹部には、散乱材23aが分散された樹脂23bが充填されている。また、波長変換膜2は、パッケージ21の凹部の開口を覆うように配置されており、パッケージ21の上面領域に合わせた面積分の大きさで形成されている。なお、パッケージ21と波長変換膜2とは、接着剤16によって接着されている。以上、本変形例に係る発光装置20Aによれば、2層の蛍光体層を有する波長変換膜を用いるとともに、散乱材23aと量子ドット蛍光体とがパッケージ21の内外で分離されているので、量子ドット蛍光体と散乱材23aとの分散状態に不具合を生じさせることなく、放射角による色むらの発生を抑制することができる。すなわち、従来は、樹脂に量子ドット蛍光体を分散したものをパッケージの凹部にポッティングしていたが、この方法では、放射角によって色むらが発生するという課題があった。そこで、量子ドット蛍光体とともに散乱材を樹脂に混ぜ合わせたり、波長の異なる量子ドット蛍光体層を形成したりすることで、放射角による色むらの発生を抑制することが考えられていた。しかし、この場合、散乱材の粒径は直径で10μm以上であり、一方、量子ドット蛍光体の粒径は直径が20nm以下であるので、樹脂内において散乱材と量子ドット蛍光体とがうまく分散されないという課題、あるいは、例えば2種類の量子ドット蛍光体を用いて樹脂内に2層の蛍光体層を形成する場合は、樹脂内における各層の厚みの制御に課題があった。これに対し、本変形例では、二つの異なる発光波長を持つ量子ドット蛍光体半導体微粒子からなる蛍光体層を別々に設けた波長変換膜を形成し、さらに、散乱材23aと各層の量子ドット蛍光体とが分離されている。従って、散乱材と量子ドット蛍光体とが樹脂内においてうまく分散されないという課題を生じさせることなく、放射角による色むらの発生を抑制することができる。次に、本変形例に係る発光装置20Aの製造方法について、図5を参照して以下に説明する。まず、パッケージ21の凹部に発光波長が450nmのLEDからなる発光素子22を実装し、その後、シリコーン樹脂からなる樹脂23bに散乱材23aとして二酸化チタンTiO2を分散したものをパッケージ21の凹部にポッティングして、パッケージ21の凹部に散乱材23aが分散された樹脂23bを充填する。次に、160°Cで加熱し、樹脂23bを硬化させる。その後、第2の実施の形態と同様の方法によって、接着剤16で接着する前までの状態の波長変換膜2を作製する。次に、パッケージ21の上面に波長変換膜2を配置し、波長変換膜2とパッケージ21とをエポキシ接着剤からなる接着剤16によって接着する。このとき、接着剤16によって支持基板11及び酸素バリア層15の側面も接着される。以上により、本変形例に係る発光装置20Aを作製することができる。なお、本変形例では、散乱材23aとして二酸化チタンを用いたが、第4の実施の形態と同様に、ニオブ酸化物NbOx、ハフニウム酸化物HfOx、インジウム酸化物In2Ox、タングステン酸化物WOx、スズ酸化物SnOx、亜鉛酸化物ZnOx、ジルコニア酸化物ZrOx、マグネシウム酸化物MgO、アンチモン酸化物SbOx、ゼオライトアルミノケイ酸塩、又は、銀酸化物Ag2Oなどを用いてもよい。また、第4の実施の形態と同様に、散乱材23aとして、YAG又はSiAlONなどの粒径が大きい蛍光体を用いても良い。散乱材23aとして蛍光体を用いると、波長変換膜2では、1層目の蛍光体層13における量子ドット蛍光体によって620nmの発光を示すとともに2層目の蛍光体層14における量子ドット蛍光体によって530nmの発光を示し、パッケージ21では、樹脂23b内のYAG又はSiAlONの散乱材23aによって550nm付近の発光を示すので、色再現性を高めることができる。第4の実施の形態の変形例2次に、本発明の第4の実施の形態の変形例2に係る発光装置20Bについて、図6を用いて説明する。図6は、本発明の第4の実施の形態の変形例2における発光装置の構成を示す断面図である。上述の図4に示す第4の実施の形態では、図1に示す波長変換膜1を用いてパッケージ型の発光装置を構成したが、本変形例では、図3に示す波長変換膜3を用いてパッケージ型の発光装置を構成している。すなわち、本変形例に係る発光装置20Bと図4に示す発光装置20とは、波長変換膜の構成のみが異なる。具体的に、本変形例に係る発光装置20Bは、図6に示すように、パッケージ21と、パッケージ21の凹部に実装された発光素子22と、パッケージ21の上部に形成された波長変換膜3とを備える。パッケージ21の凹部には、散乱材23aが分散された樹脂23bが充填されている。また、波長変換膜3は、パッケージ21の凹部の開口を覆うように配置されており、パッケージ21の上面領域に合わせた面積分の大きさで形成されている。なお、パッケージ21と波長変換膜2とは、接着剤16によって接着されている。以上、本変形例に係る発光装置20Bによれば、散乱材23aと量子ドット蛍光体とがパッケージ21の内外において分離されているので、量子ドット蛍光体と散乱材23aとの分散状態に不具合を生じさせることなく、放射角による色むらの発生を抑制することができる。すなわち、従来は、樹脂に量子ドット蛍光体を分散したものをパッケージの凹部にポッティングしていたが、この方法では、放射角によって色むらが発生するという課題があった。そこで、量子ドット蛍光体とともに散乱材を樹脂に混ぜ合わせたり、波長の異なる量子ドット蛍光体層を形成したりすることで、放射角による色むらの発生を抑制することが考えられていた。しかし、この場合、散乱材の粒径は直径で10μm以上であり、一方、量子ドット蛍光体の粒径は直径が20nm以下であるので、樹脂内において散乱材と量子ドット蛍光体とがうまく分散されないという問題、あるいは、例えば2種類の量子ドット蛍光体を用いて樹脂内に2層の蛍光体層を形成する場合は、樹脂内における各層の厚みの制御に課題があった。これに対し、本変形例では、散乱材23aはパッケージ21の凹部内の樹脂23b内に分散されているとともに、量子ドット蛍光体はパッケージ21外の波長変換膜1に形成されている。これにより、散乱材23aと量子ドット蛍光体とが分離されるので、樹脂23b内において、粒径が大きく異なる量子ドット蛍光体と散乱材23aとが混在することがない。従って、散乱材と量子ドット蛍光体とが樹脂内においてうまく分散されないという課題を生じさせることなく、放射角による色むらの発生を抑制することができる。次に、本変形例に係る発光装置20Bの製造方法について、図6を参照して以下に説明する。まず、パッケージ21の凹部に発光波長が450nmのLEDからなる発光素子22を実装し、その後、シリコーン樹脂からなる樹脂23bに散乱材23aとして二酸化チタンTiO2を分散したものをパッケージ21の凹部にポッティングして、パッケージ21の凹部に散乱材23aが分散された樹脂23bを充填する。次に、160°Cで加熱し、樹脂23bを硬化させる。その後、第3の実施の形態と同様の方法によって、接着剤16で接着する前までの状態の波長変換膜3を作製する。次に、パッケージ21の上面に波長変換膜3を配置し、波長変換膜3とパッケージ21とをエポキシ樹脂剤からなる接着剤16によって接着する。このとき、接着剤16によって支持基板11及び酸素バリア層15の側面も接着される。なお、本変形例では、散乱材23aとして二酸化チタンを用いたが、第4の実施の形態と同様に、ニオブ酸化物NbOx、ハフニウム酸化物HfOx、インジウム酸化物In2Ox、タングステン酸化物WOx、スズ酸化物SnOx、亜鉛酸化物ZnOx、ジルコニア酸化物ZrOx、マグネシウム酸化物MgO、アンチモン酸化物SbOx、ゼオライトアルミノケイ酸塩、又は、銀酸化物Ag2Oなどを用いてもよい。また、第4の実施の形態と同様に、散乱材23aとして、YAG又はSiAlONなどの粒径が大きい蛍光体を用いても良い。散乱材23aとして蛍光体を用いると、波長変換膜3では、樹脂13a内の半導体微粒子13b量子ドット蛍光体によって530nm及び620nmの発光を示し、パッケージ21では、樹脂23b内のYAG又はSiAlONの散乱材23aによって550nm付近の発光を示すので、色再現性を高めることができる。第5の実施の形態次に、本発明の第5の実施の形態に係る照明装置30、40、50について、図7、図8A、図8B及び図9を用いて説明する。図7は、本発明の第5の実施の形態に係る第1の照明装置の構成を示す一部切り欠き側面図である。図8A及び図8Bは、本発明の第5の実施の形態に係る第2の照明装置の構成を示す一部切り欠き側面図及び上面図である。図9は、本発明の第5の実施の形態に係る第3の照明装置の構成を示す一部切り欠き側面図及び上面図である。図7~図9に示すように、本実施の形態における第1~3の照明装置30、40、50は、電球形のLEDランプであって、電球カバー31グローブと、電球筐体32と、口金33と、放熱部材34と、LED光源発光装置とを備える。電球カバー31は、LED光源から放出される光をランプ外部に放射するための半球状でガラス製の透光性カバーである。電球カバー31は、LED光源から放出される光を拡散させるために、すりガラス処理等の光拡散処理が施されている。電球筐体32は、上下方向に2つの開口部を有する金属製の筒状のヒートシンク放熱体である。電球筐体32は、例えば、アルミニウム合金材料で構成することができ、また、その表面はアルマイト処理が施されている。また、電球筐体32の内部には、LED光源を点灯させるための点灯回路が収納されている。点灯回路は、整流用のダイオードブリッジ及び平滑用のコンデンサ等からなり、口金33から受電した交流電力を直流電力に変換してLED光源に供給する。口金33は、二接点によって交流電力を受電するための受電部である。口金33で受電した電力はリード線不図示を介して点灯回路に入力される。口金33は、例えば、E26形又はE17形を用いることができる。放熱部材34は、LED光源から発生する熱を電球筐体32に伝導させるための放熱体であるとともに、LED光源を配置するための光源取り付け部材である。放熱部材34は、例えば、アルミナからなる円盤状の基板であり、電球筐体32の電球カバー31側の開口部に装着されている。そして、図7に示すように、第1の照明装置30では、放熱部材34の上に、LED光源として図4に示す発光装置20が1個又は複数個実装されており、その周りは、電球カバー31によって封止されている。このように、第1の照明装置30の構成によれば、LED光源発光装置20が放熱部材34の上に実装されているので、発光素子22LEDの発熱によって量子ドット蛍光体の発光効率が低下することを抑制できる。なお、図7において、LED光源として、図4に示す発光装置20の代わりに、図5に示す発光装置20A又は図6に示す発光装置20Bを用いても構わない。また、図8A及び図8Bに示すように、第2の照明装置40では、発光素子が実装されたパッケージから波長変換膜を離すとともに、波長変換膜を電球カバー31の開口面に形成している。具体的には、放熱部材34の上に、LED光源として図4における波長変換膜1を形成していない状態の発光装置20を4個実装している。また、電球カバー31の開口部分を覆うように、図1に示す構成の波長変換膜1が形成されている。なお、電球カバー31と波長変換膜1とは封止接着剤35によって封着されている。このように、第2の照明装置40の構成によれば、発光素子22LEDが実装されたパッケージ21が放熱部材34の上に実装されているので、発光素子22の発熱によって量子ドット蛍光体の発光効率が低下することを抑制できる。なお、図8A及び図8Bにおいて、図1に示す波長変換膜1の代わりに、図2に示す波長変換膜2又は図3に示す波長変換膜3を用いても構わない。また、図9に示すように、第3の照明装置50では、発光素子が実装されたパッケージから波長変換膜を離すとともに、波長変換膜を電球カバー31の内面に形成している。具体的には、第2の照明装置40と同様に、放熱部材34の上に、LED光源として図4における波長変換膜1を形成していない状態の発光装置20を4個実装している。また、電球カバー31の内面には、その内面形状に従って、図1に示す波長変換膜1における各膜が積層されており、電球カバー31の内面から、粘着ゲル層12a、蛍光体層13、粘着ゲル層12b及び酸素バリア層15が形成されている。なお、図9において、電球カバー31が波長変換膜の支持基板として機能する。このように、第3の照明装置50の構成によれば、放射角による色むらを抑制することができるとともに、電球カバー31の内面に形成された波長変換膜が、発熱体である発光素子22LEDから十分に遠ざけられて離されているので、発光素子22の発熱によって量子ドット蛍光体の発光効率が低下することを抑制できる。なお、図9において、波長変換膜LED光源として、図1に示す波長変換膜1の構成要素の代わりに、図2に示す波長変換膜2の構成要素又は図3に示す波長変換膜3の構成要素を用いて積層膜を形成しても構わない。なお、第1の照明装置30、第2の照明装置40及び第3の照明装置50において、電球カバー31で封止する際、電球カバー31内に窒素を充填して封入することが好ましい。電球カバー31内に窒素で充填することで、酸素バリア層による酸素バリア性及び水蒸気バリア性の効果に加えてさらに波長変換膜の長期信頼性を実現することができる。また、第1~第3の照明装置30、40、50において、発光素子22の数は、1つであってもよく、又は複数個であっても良い。また、電球カバー31は、すりガラス処理がなされたガラス製ではなく、二酸化チタンTiOx、ニオブ酸化物NbOx、ハフニウム酸化物HfOx、インジウム酸化物In2Ox、タングステン酸化物WOx、スズ酸化物SnOx、亜鉛酸化物ZnOx、ジルコニア酸化物ZrOx、マグネシウム酸化物MgO、アンチモン酸化物SbOx、ゼオライトアルミノケイ酸塩、又は、銀酸化物Ag2Oからなる散乱材が含有されたプラスチックからなる樹脂製であってもよい。この場合、電球カバー31の樹脂材料としては、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、フッ素系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、又は、ビニルアルキルエーテル系樹脂などを用いることができる。次に、本実施の形態に係る第1~第3の照明装置30、40、50の各製造方法について、図7~図9を参照して以下に説明する。まず、第1の照明装置30については、図7に示すように、まず、第4の実施の形態と同様の方法によって、発光装置20を作製する。具体的には、パッケージ21の凹部に発光波長が450nmのLEDからなる発光素子22を実装し、その後、シリコーン樹脂からなる樹脂23bに散乱材23aとして二酸化チタンTiO2を分散したものをパッケージ21の凹部にポッティングして、パッケージ21の凹部に散乱材23aが分散された樹脂23bを充填する。その後、160°Cで加熱し、樹脂23bを硬化させる。その後、第1の実施の形態と同様の方法によって、接着剤16で接着する前までの状態の波長変換膜1を作製する。その後、パッケージ21の上面に波長変換膜3を配置し、波長変換膜1とパッケージ21とをエポキシ樹脂剤からなる接着剤16によって接着する。次に、波長変換膜1を備える発光装置20を例えば1素子、電球筐体32の上部に設けたアルミナからなる放熱部材34の上部に実装する。その後、窒素雰囲気中において、電球カバー31と電球筐体32とをエポキシ接着剤からなる封止接着剤35によって封止する。これにより、第1の照明装置30を作製することができる。また、第2の照明装置40については、図8A及び図8Bに示すように、まず、パッケージ21の凹部に発光波長が450nmのLEDからなる発光素子22を実装し、その後、シリコーン樹脂からなる樹脂23bに散乱材23aとして二酸化チタンTiO2を分散したものをパッケージ21の凹部にポッティングし、パッケージ21の凹部に散乱材23aが分散された樹脂23bを充填する。その後、160°Cで加熱し、樹脂23bを硬化させる。その後、第1の実施の形態と同様の方法によって、接着剤16で接着する前までの状態の波長変換膜1を作製する。次に、電球筐体32の開口部に、図1に示すような構成の波長変換膜1を形成し、その後、電球カバー31と波長変換膜1とを、エポキシ接着剤からなる封止接着剤35によって接着及び封止する。これにより、第2の照明装置40を作製することができる。また、第3の照明装置50については、図9に示すように、まず、パッケージ21の凹部に発光波長が450nmのLEDからなる発光素子22を実装し、その後、シリコーン樹脂からなる樹脂23bに散乱材23aとして二酸化チタンTiO2を分散したものをパッケージ21の凹部にポッティングし、パッケージ21の凹部に散乱材23aが分散された樹脂23bを充填する。その後、160°Cで加熱し、樹脂23bを硬化させる。その後、電球カバー31を支持基板として、第1の実施の形態と同様の方法によって波長変換膜1を作製する。最後に、波長変換膜1を形成した電球カバー31と電球筐体32とを、エポキシ接着剤からなる封止接着剤35によって接着及び封止する。これにより、第3の照明装置50を作製することができる。なお、本実施の形態において、電球カバー31と電球筐体32とを接着する際、封止ガスとして空気を用いても構わないが、より長期信頼性を確保するためには、上述のように、窒素ガスを封入することが好ましい。以上、本発明に係る波長変換膜、発光装置及び照明装置について、実施の形態及び変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態及び変形例に限定されるものではない。例えば、上記の実施の形態では、発光素子22としてLEDを例示したが、半導体レーザ、有機ELElectroLuminescence又は無機EL等の発光素子を用いてもよい。また、上記の実施の形態では、発光素子22として発光波長が450nmの青色LEDを用いたが、これに限らない。また、発光素子22の発光色と蛍光体層の量子ドット蛍光体の蛍光色との組み合わせは、上記の実施の形態に限定されるものではない。例えば、青色光を放出する青色LEDと、青色光により励起されて黄色光を放出する量子ドット蛍光体とによって白色光を放出するように構成してもよい。あるいは、青色LEDよりも短波長である紫外光を放出する紫外LEDと、主に紫外光により励起されて、それぞれ青色光、赤色光及び緑色光を放出する量子ドット蛍光体とによって白色光を放出するように構成してもよい。これにより、演色性の高い発光装置及び照明装置を実現することができる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で当業者が思いつく各種変形を施したものも本発明の範囲内に含まれる。また、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、複数の実施の形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。