真空引き可能になされた処理容器内にシリコン含有ガスと窒素含有ガスとを供給して、被処理体の表面にシリコン窒化膜を形成する方法において、前記シリコン含有ガスとして適用可能なシリコン含有前駆体について、成膜温度と成膜速度との関係から得られるシリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーの実験値EaSi-Nexpと、第一原理計算により求める活性化エネルギーの計算値EaSi-Ncalcと、の相関性を検証した後、所定温度における前記成膜速度の対数値Ln成膜速度固定温度と前記活性化エネルギーの計算値EaSi-Ncalcとの相関性を示す一次関数から、所定の成膜温度もしくは所定の成膜速度でシリコン窒化膜を形成するために必要なシリコン含有前駆体の活性化エネルギーを算出することを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法。前記シリコン含有前駆体について、成膜温度と成膜速度との関係からシリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーの実験値EaSi-Nexpを求めるステップと、前記シリコン含有前駆体について、第一原理計算によって活性化エネルギーの計算値EaSi-Ncalcを求めるステップと、前記活性化エネルギーの実験値EaSi-Nexpと前記活性化エネルギーの計算値EaSi-Ncalcとの関係を最小二乗法によって求め、相関性を検証するステップと、所定温度における前記成膜速度の対数値Ln成膜速度固定温度と前記活性化エネルギーの計算値EaSi-Ncalcとの関係を最小二乗法によって求め、相関性を示す一次関数を得るステップと、を備え、前記一次関数から、所定の成膜温度もしくは所定の成膜速度でシリコン窒化膜を形成するために必要なシリコン含有前駆体の活性化エネルギーを算出することを特徴とする請求項1に記載のシリコン窒化膜の形成方法。シリコン窒化膜形成反応の進行に必要な活性化エネルギーの計算値EaSi-Ncalcを第一原理計算する際に、シリコン窒化膜が形成される基板の最表面の構造状態を≡Si-NH-Si≡とし、前記構造状態にシリコン含有前駆体が接近して化学吸着する反応モデルを設定することを特徴とする請求項1又は2に記載のシリコン窒化膜の形成方法。公知のシリコン含有前駆体として、少なくとも3種以上の化合物を用いることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のシリコン窒化膜の形成方法。真空引き可能になされた処理容器内にシリコン含有ガスと窒素含有ガスとを供給して、被処理体の表面にシリコン窒化膜を形成する方法において、前記シリコン含有ガスとして適用可能なシリコン含有前駆体について、2分子重合反応として想定される全ての2分子重合反応モデルの活性化エネルギーを第一原理計算によって算出するステップと、算出された全ての2分子重合反応モデルの活性化エネルギーのうち、活性化エネルギーが最も低い計算値Eapolycalcを抽出するステップと、を備え、前記計算値Eapolycalcを用いてシリコン含有前駆体の安定性を評価することを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法。真空引き可能になされた処理容器内にシリコン含有ガスと窒素含有ガスとを供給して、被処理体の表面にシリコン窒化膜を形成する方法において、シリコン含有前駆体について、シリコン窒化膜が形成される基板の最表面の構造状態を≡Si-NH-Si≡として前記構造状態にシリコン含有前駆体が接近して化学吸着する反応モデルを設定し、第一原理計算によってシリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーの計算値EaSi-Ncalcを求めるステップと、前記シリコン含有前駆体について、2分子重合反応として想定される全ての2分子重合反応モデルの活性化エネルギーを第一原理計算によって算出し、活性化エネルギーが最も低い計算値Eapolycalcを抽出するステップと、を備え、シリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーの前記計算値EaSi-Ncalcと、2分子重合反応の活性化エネルギーの前記計算値Eapolycalcと、の関係から、所望するシリコン含有前駆体を選定することを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法。しかしながら、シリコン含有前駆体の科学的安定性を下げると、保管中に重合反応が発生して変質してしまうという問題や、液材料の場合には気化装置や供給配管内で熱分解してしまうという問題があった。また、膜形成反応自体は、基板の最表面とシリコン含有前駆体との反応により形成されるものであり、上述した特許文献2の場合と同様に、実際の基板表面における反応を明らかにすることは出来ないという問題があった。このように、熱CVD法によってシリコン窒化膜を低温で形成する方法に関し、求める成膜温度や成膜速度に対し、どのようなシリコン含有前駆体を用いることで要求事項を達成できるのか、現状の評価方法では予測出来ないのが実情である。このため、実際にシリコン含有前駆体化合物を新規に合成し、成膜評価する作業が不可欠となり、多くの費用と期間が必要となるという問題があった。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、熱CVD法によってシリコン窒化膜を低温で形成する際に、評価対象のシリコン含有前駆体が、求める成膜温度や成膜速度を達成可能であるか予測することが可能なシリコン窒化膜の形成方法を提供することを目的とする。かかる課題を解決するため、請求項1にかかる発明は、真空引き可能になされた処理容器内にシリコン含有ガスと窒素含有ガスとを供給して、被処理体の表面にシリコン窒化膜を形成する方法において、前記シリコン含有ガスとして適用可能なシリコン含有前駆体について、成膜温度と成膜速度との関係から得られるシリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーの実験値EaSi-Nexpと、第一原理計算により求める活性化エネルギーの計算値EaSi-Ncalcと、の相関性を検証した後、所定温度における前記成膜速度の対数値Ln成膜速度固定温度と前記活性化エネルギーの計算値EaSi-Ncalcとの相関性を示す一次関数から、所定の成膜温度もしくは所定の成膜速度でシリコン窒化膜を形成するために必要なシリコン含有前駆体の活性化エネルギーを算出することを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法である。請求項2にかかる発明は、前記シリコン含有前駆体について、成膜温度と成膜速度との関係からシリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーの実験値EaSi-Nexpを求めるステップと、前記シリコン含有前駆体について、第一原理計算によって活性化エネルギーの計算値EaSi-Ncalcを求めるステップと、前記活性化エネルギーの実験値EaSi-Nexpと前記活性化エネルギーの計算値EaSi-Ncalcとの関係を最小二乗法によって求め、相関性を検証するステップと、所定温度における前記成膜速度の対数値Ln成膜速度固定温度と前記活性化エネルギーの計算値EaSi-Ncalcとの関係を最小二乗法によって求め、相関性を示す一次関数を得るステップと、を備え、前記一次関数から、所定の成膜温度もしくは所定の成膜速度でシリコン窒化膜を形成するために必要なシリコン含有前駆体の活性化エネルギーを算出することを特徴とする請求項1に記載のシリコン窒化膜の形成方法である。請求項3にかかる発明は、シリコン窒化膜形成反応の進行に必要な活性化エネルギーの計算値EaSi-Ncalcを第一原理計算する際に、シリコン窒化膜が形成される基板の最表面の構造状態を≡Si-NH-Si≡とし、前記構造状態にシリコン含有前駆体が接近して化学吸着する反応モデルを設定することを特徴とする請求項1又は2に記載のシリコン窒化膜の形成方法である。請求項4にかかる発明は、公知のシリコン含有前駆体として、少なくとも3種以上の化合物を用いることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のシリコン窒化膜の形成方法である。請求項5にかかる発明は、真空引き可能になされた処理容器内にシリコン含有ガスと窒素含有ガスとを供給して、被処理体の表面にシリコン窒化膜を形成する方法において、前記シリコン含有ガスとして適用可能なシリコン含有前駆体について、2分子重合反応として想定される全ての2分子重合反応モデルの活性化エネルギーを第一原理計算によって算出するステップと、算出された全ての2分子重合反応モデルの活性化エネルギーのうち、活性化エネルギーが最も低い計算値Eapolycalcを抽出するステップと、を備え、前記計算値Eapolycalcを用いてシリコン含有前駆体の安定性を評価することを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法である。請求項6にかかる発明は、真空引き可能になされた処理容器内にシリコン含有ガスと窒素含有ガスとを供給して、被処理体の表面にシリコン窒化膜を形成する方法において、シリコン含有前駆体について、シリコン窒化膜が形成される基板の最表面の構造状態を≡Si-NH-Si≡として前記構造状態にシリコン含有前駆体が接近して化学吸着する反応モデルを設定し、第一原理計算によってシリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーの計算値EaSi-Ncalcを求めるステップと、前記シリコン含有前駆体について、2分子重合反応として想定される全ての2分子重合反応モデルの活性化エネルギーを第一原理計算によって算出し、活性化エネルギーが最も低い計算値Eapolycalcを抽出するステップと、を備え、シリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーの前記計算値EaSi-Ncalcと、2分子重合反応の活性化エネルギーの前記計算値Eapolycalcと、の関係から、所望するシリコン含有前駆体を選定することを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法である。本発明のシリコン窒化膜の形成方法によれば、熱CVD法によってシリコン窒化膜を低温で形成する際に、評価対象のシリコン含有前駆体が、求める成膜温度や成膜速度を達成可能であるかを予測することが可能となる。以下、本発明を適用した一実施形態であるシリコン窒化膜の形成方法について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。<第1実施形態>本発明を適用した第1実施形態のシリコン窒化膜の形成方法は、真空引き可能になされた処理容器内にシリコン含有ガスとしてシリコン含有前駆体を、窒素含有ガスとしてアンモニアNH3を供給して、被処理体の表面にシリコン窒化膜を形成する方法熱CVD法である。この熱CVD法を用いて、シリコン窒化膜を低温で形成する方法において、シリコン含有ガスの候補となるシリコン含有前駆体化合物の所定温度における成膜速度の情報を得る方法である。ここで、図1は、シリコン含有前駆体のシリコン窒化膜形に必要な活性化エネルギーを算出するためのフロー図を示している。ステップ1先ず、図1中のS1に示すステップ1では、従来からシリコン含有前駆体として公知である3種類以上の化合物を選択する。これらのシリコン含有前駆体に対して、成膜温度TAからTBの範囲における成膜速度の情報をそれぞれ求める。ここで、上記成膜速度の情報は、文献等に記載された公知の情報であってもよいし、実際に成膜を行って実験データから求めてもよい。成膜温度TAからTBの範囲としては、シリコン窒化膜の形成に用いられる従来から公知のシリコン含有前駆体を用いて成膜することが可能な範囲であれば、特に限定されるものではない。具体的には、成膜温度TAとしては、800°C以下であることが好ましく、700°C以下であることがより好ましく、600°C以下であることがさらに好ましい。これに対して、成膜温度Tbとしては、650°C以上であることが好ましい。ステップ2次に、図1中のS2に示すステップ2では、上記ステップ1で得られた結果から、3種類のシリコン含有前駆体ごとにそれぞれ、成膜速度を気体定数で割った値の対数値であるLn成膜速度をY軸、1/TKをX軸としてプロットする。次に、Ln成膜速度と1/Tとの相関性を最小二乗法で求める。ここで、相関係数が0.98以上である場合には、図1中のS3に示すステップ3を実施する。一方、相関係数が0.98に満たない場合は、シリコン含有前駆体材料の比較が困難となるため、上記ステップ1に戻る。そして、該当するシリコン含有前駆体について、成膜温度に対する成膜速度について、他のデータを採用する。または、シリコン含有前駆体として他の化合物を選定した後、成膜速度のデータを求める。これにより、3種以上のシリコン化合物の相関係数が、全て0.98以上となることを確認する。ステップ3次に、図1中のS3に示すステップ3では、上記ステップ2で得られた最小二乗法により得られた相関式の傾きより、3種類のシリコン含有前駆体ごとに、それぞれ活性化エネルギーの実験値EaSi-Nexpを得る。なお、活性化エネルギーの実験値は、温度を変数とした成膜速度により表現されるため、活性化エネルギーの値が定まることにより、所定温度における成膜速度の情報を得ることが出来る。以上のステップ1~3により、従来からシリコン含有前駆体として公知である3種類以上の化合物について、成膜温度と成膜速度との関係からシリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーの実験値EaSi-Nexpを求める。ステップ4次に、図1中のS4に示すステップ4では、上記ステップ1において選定したシリコン含有前駆体について、第一原理計算によって活性化エネルギーの計算値EaSi-Ncalcをそれぞれ求める。ここで、図2に示すように、シリコン窒化膜が形成される基板の最表面の構造状態を≡Si-NH-Si≡とし、この構造状態にシリコン含有前駆体プリカーサが接近して化学吸着する反応モデルを設定する。そして、この反応モデルに基づいて、シリコン窒化膜形成反応の進行に必要な活性化エネルギーの計算値EaSi-Ncalcを第一原理計算する。第一原理計算を行う計算ソフトとしては、例えばGaussian03を用いることができる。また、計算方法としては、密度汎関数法B3LYPを用い、基底関数としてcc-pVDZを選定することができるが、これに限定されるものではない。また、本実施形態の反応モデルには、図2に示すように、分子内にシリコン-窒素結合構造を有するシリコン含有前駆体化合物に適用することができる。このようなシリコン含有前駆体としては、アミノシラン化合物、有機ジシラザン化合物が挙げられる。より具体的には、トリメチルジシラザン[Me3Si-NH-SiH3]、テトラメチルジシラザン[Me2HSi-NH-SiHMe2]、ビスジメチルアミノメチルシラン[SiH2NMe22]、トリスメチルアミノメチルシラン[SiMeNHMe3]、ビスメチルアミノメチルシラン[SiHMeNHMe2]、ビスメチルアミノジメチルシラン[SiMe2NHMe2]、ビスジメチルアミノシラン[SiH2NMe22]、ビスエチルメチルアミノシラン[SiH2NEtMe2]、ビスエチルアミノシラン[SiH2NHEt2]、ビスプロピルアミノシラン[SiH2NHPr2]、ビスイソプロピルアミノシラン[SiH2NHiPr2]、ビスジエチルアミノシラン[SiH2NEt22]、トリスエチルアミノシラン[SiHNHEt3]、トリスイソプロピルアミノシラン[SiHNHiPr3]、ビスイソプロピルエチルアミノシラン[SiH2NEtiPr2]、ビスジイソプロピルアミノシラン[SiH2NiPr22]、ビスプロピルエチルアミノシラン[SiH2NEtPr2]、ビスジプロピルアミノシラン[SiH2NPr22]、テトラキスエチルアミノシラン[SiNHEt4]、ビスイソプロピルメチルアミノシラン[SiH2NMeiPr2]、ビスプロピルメチルアミノシラン[SiH2NMePr2]等を例示することができる。ところで、一般に、固体を含む系を第一原理計算しようとした場合には、計算負荷が莫大に大きくなることが知られている。このため、従来の上記計算にはスーパーコンピューターの使用が避けられないという問題があった。これに対して、本実施形態では、上述した反応モデルを用いることにより、計算対象となる原子数が非常に限定的なものとなるため、一般に市販されているパーソナルコンピューターの上位機種で十分な実用性を得ることができる。ステップ5次に、図1中のS5に示すステップ5では、活性化エネルギーの実験値EaSi-Nexpと活性化エネルギーの計算値EaSi-Ncalcとの関係を最小二乗法によって求め、相関性を検証する。具体的には、3種類以上の化合物について得られたそれぞれの活性化エネルギーの実験値EaSi-NexpをY成分とし、活性化エネルギーの計算値EaSi-NcalcをX成分としてX-Y図面内にプロットする。そして、各プロットの最小二乗法による相関係数が0.9以上であることを確認する。ここで、相関係数が0.9以上である場合には、活性化エネルギーの実験値と計算値との相関性が十分に得られていると判断して、図1中のS6に示すステップ6を実施する。これに対して、相関係数が0.9に満たない場合には、実験データの条件もしくは計算対象として選定したシリコン含有前駆体化合物の種類が本実施形態の反応モデルに適合していないと判断されるため、上記ステップ1に戻る。そして、当該ステップ5において、相関係数が0.9以上となる実験データ条件もしくはシリコン含有前駆体化合物を選択する。なお、上述したステップ1において、公知のシリコン含有前駆体として、少なくとも3種以上の化合物を用いることにより、活性化エネルギーの実験値と計算値との相関性を好適に検証することが可能となる。ステップ6図1中のS6に示すステップ6では、所定温度における成膜速度の対数値Ln成膜速度固定温度と活性化エネルギーの計算値EaSi-Ncalcとの関係を最小二乗法によって求め、相関性を示す一次関数を得る。以上のステップ1~6によって得られた上記一次関数から、所定の成膜温度もしくは所定の成膜速度でシリコン窒化膜を形成するために必要なシリコン含有前駆体の活性化エネルギーを算出することができる。したがって、目標となるEaSi-Ncalcを満たす化合物を導くことができる。<第2実施形態>本発明を適用した第2実施形態のシリコン窒化膜の形成方法は、熱CVD法を用いてシリコン窒化膜を低温で形成する方法において、シリコン含有ガスの候補となるシリコン含有前駆体化合物の安定性の評価方法する方法である。本実施形態では、先ず、シリコン含有ガスとして適用可能なシリコン含有前駆体について、2分子重合反応として想定される全ての2分子重合反応モデルの活性化エネルギーを第一原理計算によって算出する。具体的には、分子内にシリコン-窒素結合構造を有するシリコン含有前駆体化合物について、2種類の2分子重合反応の活性化エネルギーを第一原理計算により求める。なお、第一原理計算については、上述した第1実施形態と同様に行うことができる。次に、算出された全ての2分子重合反応モデルの活性化エネルギーのうち、活性化エネルギーが最も低い計算値Eapolycalcを抽出する。ここで、シリコン含有前駆体は、活性化エネルギーの計算値Eapolycalcが低いほど重合反応を起こしやすくなる。すなわち、シリコン含有前駆体は、活性化エネルギーの計算値Eapolycalcが低いほど安定性が低くなる。本実施形態によれば、このようにして得られた2分子重合反応の活性化エネルギーの計算値Eapolycalcを用いて、当該シリコン含有前駆体の安定性を評価することができる。<第3実施形態>本発明を適用した第3実施形態のシリコン窒化膜の形成方法は、熱CVD法を用いてシリコン窒化膜を低温で形成する方法において、シリコン含有ガスの候補となるシリコン含有前駆体化合物を探索する方法である。本実施形態では、先ず、シリコン含有ガスとして適用可能なシリコン含有前駆体について、上述した第1実施形態と同様にして、シリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーの計算値EaSi-Ncalcを求める。次に、当該シリコン含有前駆体について、上述した第2実施形態と同様にして、2分子重合反応の活性化エネルギーの計算値Eapolycalcを求める。このようにして得られたシリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーの計算値EaSi-Ncalcと、2分子重合反応の活性化エネルギーの計算値Eapolycalcと、の関係から、所望するシリコン含有前駆体を選定する。具体的には、図4に示すように、上記計算値EapolycalcX軸、上記計算値EaSi-NcalcをY軸として、シリコン含有ガスとして適用可能な各シリコン含有前駆体の値を図中にプロットする。次に、目標となる成膜温度もしくは成膜速度を達成する活性化エネルギーの計算値を、上記プロット中より探し出すとともに、重合反応の活性化エネルギーが出来る限り高い物質を探し出す。このようにして、シリコン窒化膜を低温で形成する可能性のあるシリコン含有前駆体を選択することができる。以上説明したように、目標となるシリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーの計算値EaSi-Ncalcと、2分子重合反応の活性化エネルギーの計算値Eapolycalcとの関係が明らかとなる。したがって、目標値としたシリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーの計算値EaSi-Ncalcが得られる材料であり、かつ、前駆体自体の安定性をも考慮したシリコン-窒素結合含有前駆体を特定することが出来る。すなわち、本発明を用いることにより、今後、更なる低温化が求められるシリコン窒化膜形成工程において使用されるシリコン含有前駆体化合物に対し、前駆体化合物自体の化学的安定性を確保すると共に、望まれる成膜速度と成膜温度を実現する候補物質を絞り込むことが可能となる。以下、具体例を示す。<実施例1>先ず、シリコン-窒素結合含有前駆体として、ヘキサメチルジシラザン[Me3Si-NH-SiMe3]、トリスジメチルアミノシラン[SiHNMe23]、ビスターシャリブチルアミノシラン[SiH2NHtBu2]の3種類を選択した。次に、上記前駆体のそれぞれと、アンモニアとの混合ガスを575°Cに加熱された口径8インチのシリコン基板に供給し、熱CVDによりシリコン窒化膜を形成した。ここで、各前駆体は1sccm、アンモニアは100sccmの流量で供給し、成膜時の圧力は0.2Torrとした。各前駆体について、このような成膜処理により得られた屈折率と成膜速度とを表1に示す。選択した3種類の前駆体に対し、第一原理計算により、シリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーをそれぞれ計算した。ここで、計算ソフトとしては、Gaussian03を用いた。計算方法としては、密度汎関数法B3LYPを用い、基底関数にはcc-pVDZを選定した。各前駆体の活性化エネルギーの計算値は、ビスターシャリブチルアミノシランを1として、トリスジメチルアミノシランは1.3035、ヘキサメチルジシラザンは1.5175であった。次に、成膜速度と活性化エネルギーの計算値との関係を図3に示す。図3から、下記式1の関係が得られた。Ln相対成膜速度=-6.5081x2.4551式1ここで、式1におけるxは、シリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーの相対値である。上記式1の関係によれば、最も成膜速度の速いビスターシャリブチルアミノシランに対し、更に速度を2倍に向上できるシリコン含有前駆体は、活性化エネルギーの相対値が、0.8932であることが算出される。活性化エネルギーの相対値が0.8932であるシリコン含有前駆体化合物を探索するために、上述した第1実施形態において列挙したアミノシラン化合物及び有機ジシラザン化合物について、シリコン窒化膜形成の活性化エネルギーを算出した。同様に、前化合物に対し、第一原理計算により、重合反応の活性化エネルギーを計算した。反応経路は二つのパスとし、活性化エネルギー値Eapolycalcの低い反応を安定性指標とした。このようにして算出したシリコン窒化膜形成反応と材料の重合反応の各活性化エネルギーの関係を図4に示す。なお、シリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーEaSi-Nと材料の重合反応の活性化エネルギーEapolyとの相関性については、図4中に最少二乗法による近似関数を破線で示す。図4に示すように、一般には、シリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーを下げる方向では、材料自体の安定性も低くなる傾向となる。しかしながら、物質によっては、材料の安定性を確保しつつ、シリコン窒化膜形成の活性化エネルギーも低く出来る物質があることを確認することができる。例えば、参照物質であるビスターシャリブチルアミノシランの場合、重合反応活性化エネルギーは40kcal/mol、窒化膜形成反応活性化エネルギーは26kcal/molとなる。これに対して、更なる低温化、成膜速度増加が期待されるシリコン含有前駆体化合物としては、重合反応活性化エネルギーが同等ながら、窒化膜形成反応の活性化エネルギーが低い、ビスメチルプロピルアミノシラン、ビスエチルメチルアミノシランの2物質を選定することが出来る。図4中では、ビスエチルメチルアミノシランに顕著な傾向が見られている。この化合物によるシリコン窒化膜形成反応の相対活性化エネルギーは0.887であり、ビスエチルメチルアミノシラン比で2倍以上の成膜速度が得られることが予測される。そこで、実際に、実施例1に記載の方法により成膜した結果、ビスエチルメチルアミノシランの575°Cにおける成膜速度は、ビスターシャリブチルアミノシラン比で2.2倍の成膜速度が得られた。一方、窒化膜形成反応の活性化エネルギーEaSi-Ncalcが、ビスエチルメチルアミノシランとほぼ一致した値となるビスイソプロピルアミノシランについては、重合反応活性化エネルギーEapolycalcが大幅に低く、重合反応が極めて進行し易いために、合成によりシリコン窒化膜の純物質を得ることが出来なかった。以上説明したように、本発明による方法を用いることにより、従来、実験により検証することによってのみ明らかに出来た情報を、計算により明らかにすることが可能となることが確認された。