"ミラー13の反射係数の測定を実行するモジュールと、信号収集及び処理用電子システム12と、データ処理及び装置制御システム14と、関連データ記憶システム15と、ユーザインターフェースシステム23と、上記システム12,13,14,15,23間の通信用システムと、外装ケーシングとを少なくとも備えていることを特徴とする太陽熱収集器1のミラーの特性測定用携帯型反射率計。ミラーの反射係数の測定を実行するモジュール13の各々が、光源としての少なくとも一つの発光ダイオード2と、適切な波長を感知する二つの光検出器3,4とを備えていることを特徴とする請求項1に記載の携帯型反射率計。光検出器3,4の後ろで二つの増幅処理19が行われ、前記増幅処理の増幅率が、それらが持つ抵抗値に依存することを特徴とする請求項2に記載の携帯型反射率計。少なくとも一つの増幅処理が、ソフトウェアコマンドを介して何時でも変更され得る増幅率を有し得ることを特徴とする請求項3に記載の携帯型反射率計。発光ダイオードの数が、太陽スペクトルに対応する300から2500nmの間のスペクトル領域の範囲内で1から24の間であることを特徴とする請求項2に記載の携帯型反射率計。エミッターが直線構造で配置されるようにエミッター配置がなされていることを特徴とする請求項2に記載の携帯型反射率計。エミッターが円形構造で配置されるようにエミッター配置がなされていることを特徴とする請求項2に記載の携帯型反射率計。各エミッターが、光ビームの最大放射方向がミラー上のシステムの入射光軸に合致するように方向決めして配置されていることを特徴とする請求項2に記載の携帯型反射率計。エミッターの出力光ビーム及びミラーの入射が、サイズ及び孔において、ダイヤフラムによって制限され、ミラー表面における照射領域のサイズが確保され、従って、測定における乱反射が制限されることを特徴とする請求項8に記載の携帯型反射率計。レンズ6がミラーにおけるビームの鏡面反射の後ろに配置され、システムの光軸に従って方向決めされ、この点においてビームのサイズの二倍であり、光検出器3上に光ビームを焦点合わせし、反射力の直接測定の信号を得ることを特徴とする請求項9に記載の携帯型反射率計。信号の電子収集及び処理システム12が、周辺光が非常に強い状況においてさえ十分な信号対ノイズ比で測定を実行することを可能にする同期検波16と、アナログデジタル変換器17と、変調発生器18とを含むことを特徴とする請求項1に記載の携帯型反射率計。同期検波16がアナログであることを特徴とする請求項11に記載の携帯型反射率計。変調発生器18が局部発振器であることを特徴とする請求項12に記載の携帯型反射率計。アナログデジタル変換器17がデータ収集基板DAQ又はマイクロコントローラによって実行されることを特徴とする請求項12に記載の携帯型反射率計。同期検波16がデジタルであることを特徴とする請求項11に記載の携帯型反射率計。変調発生器18が局部発振器であることを特徴とする請求項15に記載の携帯型反射率計。変調発生器18が、DSPデジタル信号プロセッサ、FPGAフィールドプログラマブルゲートアレイ、デジタル信号処理の能力があるマイクロコントローラ、又はコンピュータのような任意のデジタル処理システムであることを特徴とする請求項15に記載の携帯型反射率計。信号処理が、DSPデジタル信号プロセッサ、FPGAフィールドプログラマブルゲートアレイ、デジタル信号処理の能力があるマイクロコントローラ、又はコンピュータのような任意のデジタル処理システムによって実行されることを特徴とする請求項11に記載の携帯型反射率計。同期検波16及び変調発生器18において用いられるデジタル処理システムが同じものであることを特徴とする請求項11に記載の携帯型反射率計。データ処理及び装置制御システム14が、携帯型反射率計の外部にあるコンピュータであることを特徴とする請求項1に記載の携帯型反射率計。装置と外部コンピュータとの間の通信が、無線又は有線で実行されることを特徴とする請求項20に記載の携帯型反射率計。データ記憶システム15が、携帯型反射率計の外部にあるコンピュータに配置されていることを特徴とする請求項20に記載の携帯型反射率計。ユーザインターフェイスシステム23が、携帯型反射率計の外部にあるコンピュータに配置されていることを特徴とする請求項20に記載の携帯型反射率計。データ処理及び装置制御システム14が装置自身に組み込まれていることを特徴とする請求項1に記載の携帯型反射率計。装置自身に組み込まれたシステムが、信号の検出及び処理用のシステムプロセス12においても用いられる構成要素の少なくとも一つと置き換わり、これらの構成要素が、同期検波16、アナログデジタル変換器17及び変調発生器18に加えて、それらの記憶システム15及びユーザインターフェイスシステム23であることを特徴とする請求項24に記載の携帯型反射率計。装置自身に組み込まれたシステムが、記憶システム15及び/又はそれらの機能を実行するユーザインターフェイスシステム23と置き換わることを特徴とする請求項24に記載の携帯型反射率計。ミラーの反射係数を測定することを特徴とする請求項1~26の何れか一項の携帯型反射率計を使用する太陽熱発電プラントのミラーの特性測定方法であって、1.ミラー上に安定的に支持される方法で装置を位置決めするステップ2.装置のエミッターを作動させるステップ、3.連続的に、LEDエミッターの各々を測定周波数に変調するステップ、4.ミラー表面でのビームのサイズを確保するために、ミラーの方向に向けられた出力LEDエミッタービームを、ダイアフラム5による開口数で制限するステップ、5.LEDエミッター2によって発生されたビームを、ミラー表面で鏡面的に反射するステップ、6.ミラー上でのビームの鏡面反射を、その位置でビームの二倍のサイズであって、システムの光軸に従って方向決めされ、直接光測定検出器3上に光ビームを焦点合わせするレンズ6で収集するステップ、7.他方において、検出器4を用いて、システムが、別の異なる方向にLEDによって発せられた光の一部の測定から参照信号を獲得するステップ、8.各LEDの発光強度の変化の影響を取り除くために、変調されたLEDに対応する反射検出器において得られたデータをその参照信号によって標準化するステップ、9.既知の標準参照によってもその最終値が得られる、各波長に対するミラーの反射係数を獲得するステップ、10.既知の反射係数を用いてミラーを使用することを必要とする先の校正であって、この方法の最初の8つのステップに続けて実行される校正の後に、標準に対応する値を装置に記憶するステップ、11.獲得した情報の処理の後に、基本的には、ある標準を使用する校正の前の直接信号と参照信号との間の関係に基づいて波長の各々に対する反射係数の値を得ることから成るステップ、及び12.太陽スペクトルにおける前記波長に対応する重みを用いて、各波長において得られた値の重み付けにより反射率の総合的値を得るステップを備えていることを特徴とする方法。ミラー上で反射した光ビームが、反射力の直接測定の信号を得るために、レンズ6を使用することなく光検出器3によって直接収集されることを特徴とする請求項27に記載の方法。参照信号及び反射信号の測定が、各波長に対して同時に行われることを特徴とする請求項27に記載の方法。本発明をよりよく理解してもらうために、以下に、特許請求の範囲に記載した発明の好ましい実施例を説明する。本発明の第一の好ましい実施例各光チャネルに対して図1aに示した構造を有する光学系に基づく好ましい実施例が提案される。太陽熱収集器用のミラー1は、通常、セカンドフェイスミラーであり、ミラー表面上に、約3mm~5mmの間の厚さのガラスがある。これらのミラーは、平坦であり得、一点に太陽光を集中させるためのパワープラントの場合には球状に湾曲され得、又は、コアチューブ上で太陽光を集中させるような場合には円筒放物面であり得る。ミラーは、太陽スペクトルにおいて非常に高い反射係数を有しなければならない。反射測定は、LEDエミッター2によって生成されたビームがアウターガラス1’’を通過して、鏡面的なミラー表面1’で反射され、その後再びアウターガラス1’’を通過した後に、反射検出器3によって実行される測定により得られる。LED発光ダイオード2は、システムの光軸7上で、ミラー1への決められた入射角に合った方向に位置決めされ、その結果、それは、鏡面仕上げ表面の方向を備えたLEDの最大発光の方向に一致する。この好ましい実施例では、入射角は15°である。ミラーの方向に向けられたこのLED出力ビームは、ダイアフラム5による開口数で制限され、鏡面上でのビームサイズを補償する。さらにまた、システムは、検出器4によって異なる方向でLEDによって発せられた光の一部の測定から参照信号を得る。ミラー上でのビームの鏡面反射は、この位置でビームサイズの二倍のサイズのレンズ6によって収集される。このレンズ6は、システムの光軸に従って方向決めされ、直接光測定検出器3上に光ビームの焦点を合わせる。図2及び図3は、構成要素を保護する上側及び前側ケーシングを含んでいない実施例の機械的な態様を示している。図面では、二つの側面ケーシング9が含められており、この実施例では、これらが、ミラー上での装置の支持部品を形成し、特徴付けられるべきミラー上での光学系の高さを、簡単で素早い方法で、繰り返しの位置決めを可能にする。反射測定用のエミッター、検出器、ダイアフラム及びレンズを収容した部品8もまた、区別され得る。第一の好ましい実施例では、反射測定のための反射光チャンネルが直線である。エミッター2及び直接光検出器3が、部品8の上面に配置される。底面には、レンズ6及びダイアフラム5が配置される。この実施例では、ダイアフラム5は、LEDポジションにつながる同じ部材上に形成された孔である。支持部材9の底面に沿って配置されたゴム製Oリングにより、ミラー上で、それにダメージを与えることなく、装置が正確に支持される。参照検出器4はLEDエミッター2上に配置され、エミッターによって、その方向に発せられた光ビームを測定する。また、参照検出器4は、装置の電子部品が設けられた同じプリント回路基板11上で支持される。図6は、データ収集及び処理用システム12、データ処理及び装置制御システム14、データ記憶システム15及びユーザインターフェイスシステム23を含む全体の図を示している。周辺光の影響を受けることなく測定を行なうために、データ収集及び処理システム12は、各々異なる時間で複数のLEDの電源電流を正弦波的に変えることによって変調されるエミッターの信号21を用いる。この変調により、各時点で測定されるべきLEDに対応する周波数を除く全ての周波数要素を取り除き、検出器3,4が検知する信号を引き出すことが可能になる。LED変調信号21は、局部発振器によって変調発生器18で発生される。好ましい実施例では、可視スペクトルの高速統合測定のために白色光を発するLEDに加えてスペクトル関心領域をカバーする435、525、650、780及び949の5つのLED周波数が選択されている。光検出器3,4の後ろには二つの増幅器19が設けられており、これらの増幅器の増幅率は、それらの持つ抵抗の値に依存する。これら抵抗の一つは、デジタルポテンショメータであり得、その値はソフトウェアを介して制御され得、アナログデジタル変換システム17のデジタル出力20を使用中何時でも、各チャンネルの増幅率を調整することを可能にする。周波数フィルタリングは、信号検出及び処理システム12において同期検波ロックイン検出によって実行される。同期検波システムは、もっぱら変調周波数に対する信号の増幅を伴い、その周波数は電気参照信号から得られる。同期検波はアナログ又はデジタルであり得る。同期アナログ検波の場合、光検出器3,4で検出された信号は、ロックイン増幅アナログ回路で処理される。前記回路の出力連続信号は、アナログデジタル変換器17に向けられる。アナログデジタル変換は、エミッター2及び検出器3,4並びに毎回測定されるべき光チャンネルの選択の基板の電源のデジタル出力20を介した制御にも関与するデータ収集基板DAQを用いて実行される。同期デジタル検波の場合、第一のステップは、DSPデジタル信号プロセッサ、FPGAフィールドプログラマブルゲートアレイ、デジタル信号処理の能力があるマイクロコントローラ、又は同期検波アルゴリズムを実行するコンピュータのような、次の信号のデジタル処理システムへの信号の入力のための、変調信号21及びDAQを用いた光検知器3,4からの信号のデジタル化である。検出及び信号処理システム12は、従来の外部コンピュータであり得るデータ処理及び装置制御システム14と通信する。別の実施例では、制御コンピュータが、アナログデジタル変換器17に置き換えて使用することもできるマイクロコントローラのような実際の装置に組み込まれたシステムに置き換えられる。デジタル形式での処理を実行する場合、同期処理を実行するために用いられる要素と同じ要素FPGA、DSP、デジタル信号処理の能力があるマイクロコントローラが、DAP及び制御コンピュータ14の両方の代わりになり得る。後者の場合、プロセッサ要素は、変調発生器18で用いられる局部発信器の代わりにもなり得、変調信号が同じ処理システムによって発生されるので、変調信号21を獲得する必要性をなくす。図5は、装置の中に全てのシステムが組み込まれた実施例の外観を示している。データ処理装置制御システムにインストールされたプログラムは、対応するLED変調のための測定チャンネル選択並びに別の処理及び記憶装置のために獲得されたデータの読取を含む、測定処理に必要な機能を全て実行するために信号検出及び処理システム12に組み込まれたコマンドの使用を可能にする。また、それは、関連データを記憶システム15に記憶し、データ及びユーザインターフェイスシステム23を用いたコマンドを管理することを可能にする。平面鏡に対応する測定の具体例を図5に示す。装置の操作方法は、チューブの反射及び透過係数を得るための以下のステップを有する。1.ミラー上に安定的に支持される方法で装置を位置決めするステップ2.装置のエミッターを作動させるステップ3.連続的に、LEDエミッターの各々を測定周波数に変調するステップ4.ミラー表面でのビームのサイズを確保するために、ミラーの方向に向けられた出力LEDエミッタービームを、ダイアフラム5による数の孔で制限するステップ5.LEDエミッター2によって発生されたビームを、ミラー表面で鏡面的に反射するステップ6.ミラー上でのビームの鏡面反射を、その位置でビームの二倍のサイズであって、システムの光軸に従って方向決めされ、直接光測定検出器3上に光ビームを焦点合わせするレンズ6で収集するステップ7.他方において、検出器4を用いて、システムが、別の異なる方向にLEDによって発せられた光の一部の測定から参照信号を獲得するステップ8.各LEDの発光強度の変化の影響を取り除くために、変調されたLEDに対応する反射検出器において得られたデータをその参照信号によって標準化するステップ9.次いで、既知の標準参照によってもその最終値が得られる、各波長に対するミラーの反射係数を獲得するステップ10.既知の反射係数を用いてミラーを使用することを必要とする先の校正であって、この方法の最初の8つのステップに続けて実行される校正の後に、標準に対応する値を装置に記憶するステップ11.獲得した情報の処理の後に、基本的には、ある標準を使用する校正の前の直接信号と参照信号との間の関係に基づいて波長の各々に対する反射係数の値を得ることから成るステップ12.太陽スペクトルにおける前記波長に対応する重みを用いて、各波長において得られた値の重み付けにより反射率の総合的値を得るステップ本発明の第二の好ましい実施例第二の好ましい実施例は、光チャンネルの配置以外は、第一の好ましい実施例と同一であり、この配置は、図4に示したような線形の代わりに円である。従って、ミラー表面上の照明ポイントは、全てのLEDダイオードに対して同じであり、各チャンネルの反射率測定はミラー上の同じポイントに対応する。本発明の第三の好ましい実施例第三の好ましい実施例は、各測定チャンネルにおいてレンズが取り除かれ、図1bに示すように、その位置に、検出器が直接配置されていることを除いて、第一の好ましい実施例と同一である。従って、ミラー上でのビームの鏡面反射は直接光測定検出器3に直接、導かれる。本発明の第四の好ましい実施例第四の好ましい実施例は、各測定チャンネルにおいてレンズが取り除かれ、図1bに示すように、その位置に、検出器が直接配置されていることを除いて、第二実施例と同一である。従って、ビームのミラーにおける鏡面反射は、直接光測定検出器3に直接、導かれる。本発明の主たる応用は、太陽熱発電プラントの平面鏡及び円筒状放物面鏡の光特性の制御のための装置の使用であるが、測定装置と類似の特徴を必要とする他の工業分野への拡張は排除されない。"