石英基板と、前記基板上のタングステンを用いた、ゲート配線として機能する遮光膜と、前記下部遮光膜上の酸化シリコン膜を用いた下地絶縁膜と、前記下地絶縁膜上の結晶質シリコン膜を用いた半導体層と、前記半導体層上の酸化シリコン膜を用いたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の不純物元素を導入した結晶質シリコン膜を用いたゲート電極と、前記ゲート電極上の珪素を含む絶縁膜を用いた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上の保持容量素子と、前記保持容量素子上の酸化シリコン膜を用いた平坦化膜と、前記平坦化膜上に設けられ、前記平坦化膜の開孔を介して前記保持容量素子と電気的に接続するITOを用いた画素電極と、を有する画素部を有し、前記保持容量素子は、前記半導体層と前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極とからなる画素TFTと重なって設けられた下部電極、保持容量絶縁膜、上部電極とを有することを特徴とする表示装置。基板と、前記基板上のゲート配線として機能する遮光膜と、前記下部遮光膜上の下地絶縁膜と、前記下地絶縁膜上の半導体層と、前記半導体層上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、前記ゲート電極上の層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上の保持容量素子と、前記保持容量素子上の平坦化膜と、前記平坦化膜上に設けられ、前記平坦化膜の開孔を介して前記保持容量素子と電気的に接続する画素電極と、を有する画素部を有し、前記保持容量素子は、前記半導体層と前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極とからなる画素TFTと重なって設けられた下部電極、保持容量絶縁膜、上部電極とを有することを特徴とする表示装置。請求項1又は2において、前記基板上に駆動回路部を有し、前記駆動回路部に設けられたTFTの下部には、前記下部遮光膜と同一の材料層からなる遮光膜が設けられていることを特徴とする表示装置。請求項1乃至3のいずれか一項において、前記画素電極上に配向膜を有することを特徴とする表示装置。請求項1乃至4のいずれか一項において、前記画素電極上に配向膜を有することを特徴とする表示装置。請求項1乃至5のいずれか一項において、前記表示装置を表示部に用いたプロジェクター。そこで、素子基板側に遮光膜を形成し、形成することで生じた段差を平坦化させて、画素電極を形成する方法が考えられた。しかし、この方法では、遮光膜と画素電極との間で保持容量素子を形成しようとする場合、図1Bに示したように遮光膜と画素電極との層間距離が離れてしまい、容量素子として機能する領域が狭くなってしまい、保持容量が十分に確保できないという問題があった。TFTをオフさせている間に流れるわずかなオフリーク電流が、コントラストの低下やパネルとしての画質の不均一をもたらしてしまうため、これを補うためには、どうしても保持容量素子を形成しなければならない。しかし、別の領域で保持容量素子を形成しようとすると、例えば、図1Cに示すようにTFTの活性層を延長して、半導体層、ゲート絶縁膜およびゲート絶縁膜上の導電層からなる保持容量素子を形成すると、画素の開口率が小さくなってしまい、明るさの面において、表示能が落ちてしまう。以上のような問題を鑑みて、液晶の配向不良を抑制するために画素電極を平坦化し、開口率を下げずに十分な保持容量を得られる容量素子を有する半導体装置を実現することを課題とする。本発明は、薄膜トランジスタおよび保持容量素子を有する半導体装置であって、薄膜トランジスタ上の遮光膜、前記遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜上の導電層および前記導電層上の絶縁膜、前記絶縁膜上の画素電極を有する半導体装置であって、前記導電層と前記画素電極とは電気的に接続されており、前記保持容量素子は、前記遮光膜、前記容量絶縁膜および前記導電層からなることを特徴としている。また本発明は、薄膜トランジスタ上の遮光膜、前記遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜上の導電層、前記導電層上の絶縁膜および前記絶縁膜上の画素電極を有し、前記保持容量素子は、前記遮光膜、前記容量絶縁膜および前記導電層からなり、前記絶縁膜に設けられた開孔部を介して前記導電層と前記画素電極とが接しており、前記開孔部は、前記遮光膜の上に形成されていることを特徴としている。また本発明は、薄膜トランジスタおよび保持容量素子を有する半導体装置であって、前記薄膜トランジスタ上の遮光膜、前記遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜上の導電層、前記導電層上の絶縁膜および前記絶縁膜上の画素電極を有し、前記保持容量素子は、前記遮光膜、前記容量絶縁膜および前記導電層からなり、前記絶縁膜に設けられた開孔部を介して前記導電層と前記画素電極とが接しており、前記絶縁膜は、前記容量絶縁膜および前記導電層による前記画素電極の段差を平坦化しており、前記開孔部の内壁および前記段差は、前記遮光膜上にあることを特徴としている。また本発明は、薄膜トランジスタおよび保持容量素子を有する半導体装置であって、前記薄膜トランジスタ上の遮光膜、前記遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜上の導電層、前記導電層上の絶縁膜、前記絶縁膜上の画素電極を有し、前記保持容量素子は、前記遮光膜、前記容量絶縁膜および前記導電層からなり、前記絶縁膜に設けられた開孔部で前記導電層と前記画素電極とは接しており、ある画素電極と、その画素電極に隣接している画素電極との間の段差が絶縁膜で平坦化されていることを特徴としている。また本発明は、薄膜トランジスタおよび保持容量素子を有する半導体装置であって、前記薄膜トランジスタ上の遮光膜、前記遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜上の導電層、前記導電層上の絶縁膜および前記絶縁膜上の画素電極を有し、前記保持容量素子は、前記遮光膜、前記容量絶縁膜および前記導電層からなり、前記絶縁膜に設けられた開孔部で前記導電層と前記画素電極とは接しており、前記導電層と前記画素電極とは、隣接する画素と画素との間において、端面が揃っていることを特徴としている。また本発明は、薄膜トランジスタおよび保持容量素子を有する半導体装置であって、前記薄膜トランジスタ上の遮光膜、前記遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜上の導電層、前記導電層上の絶縁膜および前記絶縁膜上の画素電極を有し、前記保持容量素子は、前記遮光膜、前記容量絶縁膜および前記導電層からなり、前記絶縁膜に設けられた開孔部で前記導電層と前記画素電極とは接しており、前記容量絶縁膜、前記導電層および前記画素電極は、各画素において独立して形成されており、隣接した画素との間での端面が揃っていることを特徴としている。容量絶縁膜上に形成された導電層は、画素電極と同電位になるように電気的に接続されており、遮光膜、前記遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜上の導電層とからなる保持容量素子を適応することにより、開口率を低減することなく十分な保持容量を得ることができる。また、導電層上には、光が透過する領域表示に寄与する領域の画素電極表面の段差や凹凸による液晶の配向不良を防ぐために、絶縁膜からなる平坦化膜が形成されている。この平坦膜を形成することにより、前記画素電極の段差が前記遮光膜上に形成されるので、万が一配向膜のラビング処理にムラが生じて配向不良が起こっても、表示には影響しないようになっている。なお、本発明は、一対の基板で液晶を挟み込み、各画素のスイッチング素子として薄膜トランジスタを用いておりFPCやTAB等のコネクターを接続して駆動回路と接続された液晶表示装置、同一基板上に画素部および駆動回路が一体形成された液晶表示装置以下、一体形成型液晶表示装置という、一体形成型液晶表示装置に駆動回路を駆動し画素部に画像を表示させるための機能を有するコントローラーが接続された液晶表示装置およびコントローラを制御するマイコンを有する液晶表示装置すべてに適応することができる。また、本明細書では、これらすべての液晶表示装置を半導体装置ともいう。本発明で開示したように、遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜上の導電層、前記導電層と画素電極とを電気的に接続して同電位になるように形成することにより、遮光膜と画素電極とが重なった領域をすべて保持容量素子として有効に用いることができる。また本発明を用いることにより、画素の開口率を落とすことなく十分な容量を有する保持容量素子を形成することができる。なお、本発明は、TFTの形状によらず、TFTを遮光するための導電性を有する材料からなる遮光膜上に容量配線、容量配線上に導電層を形成し、画素電極から導電層に電位を与えることにより、保持容量素子として機能させることができるため有効である。本実施形態では、本発明の半導体装置の画素部の構造について説明する。本発明の半導体装置の構成を図2Aに示す。基板10上にTFT11が形成されている。TFTは、少なくともチャネル形成領域およびソース領域またはドレイン領域を有する半導体層12、半導体層12上に形成されたゲート絶縁膜13、ゲート絶縁膜13上に形成されたゲート電極14を含み、さらに各TFTを電気的に接続するためのソース配線およびドレイン配線15a、15bが形成されている。ソース配線15aおよびドレイン配線15bは半導体層12の高濃度に不純物元素が添加された領域ソース領域またはドレイン領域にそれぞれ接続されている。また、ゲート電極14、ソース配線15aおよびドレイン配線15b上には層間絶縁膜16が形成されており、前記層間絶縁膜16上にTFT特にチャネル形成領域の遮光膜17が形成されている。遮光膜17上には容量絶縁膜18が形成されている。容量絶縁膜18上には、導電層19が形成される。導電層19を形成した後、絶縁材料からなる平坦化膜20を形成し、続いて画素電極21を形成する。導電層19と画素電極21とは、平坦化膜20に形成されたコンタクトホールを介して接しており、同電位となるように形成されている。以上のようにして、遮光膜17を絶縁膜で覆うことにより生じる段差遮光膜17の端部22が、光が透過する領域ではなく遮光膜17上になるような構造である。本発明で開示する画素構造は、遮光膜17上の容量絶縁膜18、容量絶縁膜18上の導電層19により保持容量が形成されていることを特徴としている。また、光が透過する領域における段差による液晶の配向乱れを抑制していることを特徴としている。なお、遮光膜17は、Al、Ti、W、Crから選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料を用いて、単層または積層して形成すればよい。また、容量絶縁膜18は、CVD法やスパッタ法などで成膜した酸化シリコン膜や、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により形成すればよい。ただし、高い誘電率かつ低いリーク電流という特性を有する有機絶縁膜があれば、有機絶縁膜を用いてもかまわない。また、導電層19は、Al、Ti、Wから選ばれた元素、前記元素を主成分とする合金材料またはITOを用いて形成すればよい。なお、TFTへの遮光性を重視する場合には、遮光性の高いAl、Ti、Wから選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料を用いて形成すればよい。さらに、ドレイン配線15b上の層間絶縁膜16、層間絶縁膜16上の遮光膜17により保持容量を形成することも可能である。また、絶縁膜からなる平坦化膜20は、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜またはSOGスピンオングラスと呼ばれる溶液塗布系材料等の無機絶縁膜を用いて形成すればよい。またはアクリル、ポリイミド等の有機絶縁膜から選ばれた一種または複数種の材料を用いて形成すればよい。本発明のように導電層19を設けて、画素電極と導電層とを同電位とすることにより、上部遮光膜と画素電極が重なる領域を無駄なく保持容量素子として機能できる領域とすることができるため、図1Bに示した従来の構造と比較して保持容量を大きくすることができる。実際のマスク図を図2Bに、本発明の一例として示すなお、14μm×14μmで設計された1画素に、簡単のために遮光膜と画素電極ITOを示している。ここで上部遮光膜、容量絶縁膜および導電層画素電極と同電位からなる保持容量素子として機能する面積を計算してみると、63.645μm2となる。図1Bで示した導電層のない従来の構造は、上部遮光膜と画素電極とが重なっていても実際に保持容量素子として機能する面積は、本発明と比較するとずいぶん狭くなってしまう。図3Bに、図2Bと同様に14μm×14μmで設計された1画素の簡単のために遮光膜と画素電極ITOとで保持容量素子として機能する領域を破線で示した。従来の構造で保持容量素子として機能する面積は、34.905μm2となり、本発明と比較すると、本発明は、開口率を下げることなく保持容量素子として機能する面積を1.82倍にすることができる。以上のように、工程数を増やすことなく画素電極の光透過領域における段差をなくすことができる。これにより、画素電極の段差や凹凸により配向膜のラビング処理が十分にできないということもなくなるため、液晶の配向乱れによる光もれの現象を抑制することができる。さらに、導電層19を形成することにより、導電層を形成していない従来の構造と比較して、開口率を下げることなく約2倍の容量を確保することができるため、本発明は有効である。なお、本発明は本実施例で示したTFTに限定されることなく適応することができる。本実施例ではアクティブマトリクス基板の作製方法について図4~図6を用いて説明する。なお、本明細書において、駆動回路、画素部のスイッチング素子画素TFTおよび保持容量素子とが同一基板上に形成された基板を、便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。コーニング社の7059ガラスや1737ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスからなる基板、または、石英基板や単結晶シリコン基板、金属基板またはステンレス基板の表面に絶縁膜を形成したものを基板として用いればよい。また、本実施例の処理温度に耐えうる耐熱性が有するプラスチック基板を用いてもよい。なお、本実施例では石英ガラス基板を用いる。次いで、石英基板100上に下部遮光膜101を形成する。本実施例の処理温度に耐え得るTa、W、Cr、Mo等の導電性材料およびその積層構造により300nm程度の膜厚で下部遮光膜101を形成する。なお、下部遮光膜101はゲート配線としての機能も有するため、以下ではゲート線とも称する。本実施例では膜厚75nmの結晶質珪素膜を形成し、続いて膜厚150nmのWSixx=2.0~2.8を成膜した後、不要な部分をエッチングして下部遮光膜ゲート線101を形成する。なお、下部遮光膜101は、単層構造でも、上記したような導電性材料から2層以上に積層させた構造を用いても良い。また、基板からの汚染物質の拡散を防ぐために、下地遮光膜101を形成する前に、絶縁膜を形成してもよい。そして基板100および下部遮光膜ゲート線101上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜またはLPCVD法を用いて800°C程度の高温で成膜される酸化シリコン膜などの絶縁膜から成る膜厚10~650nm好ましくは50~600nmの下地絶縁膜102を形成する。本実施例では下地絶縁膜102として単層構造を用いるが、汚染防止のために絶縁膜を2層以上積層させた構造を用いても良い。プラズマCVD法を用い、SiH4、NH3、及びN2Oを反応ガスとして成膜される酸化窒化シリコン膜組成比Si=32、O=27、N=24、H=17を400°Cにて膜厚580nmに形成してもよい。次いで、下地絶縁膜102上に非晶質半導体膜103を形成する図4A。非晶質半導体膜103は、非晶質構造を有する半導体膜を公知の手段スパッタ法、LPCVD法、またはプラズマCVD法等により、25~80nm好ましくは30~60nmの厚さで形成する。半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウムSiGe合金などで形成すると良い。そして、ニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化法を行って、半導体膜を結晶化する。また、ニッケルなどの触媒元素を用いた熱結晶化法の他に、公知の結晶化処理レーザ結晶化法、熱結晶化法等を組み合わせて行ってもよい。本実施例では、酢酸ニッケル溶液重量換算濃度10ppm、体積5mlをスピンコートにより膜上全面に塗布して触媒元素含有層を形成し、温度600°Cの窒素雰囲気中に12時間さらして加熱処理を行う。また、触媒元素を添加する熱結晶化法にレーザ結晶化法を併せて結晶化を行ってもよい。レーザ結晶化法も適用する場合には、パルス発振型または連続発振型の気体レーザまたは固体レーザを用いればよい。気体レーザとしては、エキシマレーザ、Arレーザ、Krレーザ等があり、固体レーザとしては、YAGレーザ、YVO4レーザ、YLFレーザ、YAlO3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ti:サファイアレーザなどが挙げられる。これらのレーザを用いる場合には、レーザ発振器から放射されたレーザ光を光学系で線状、矩形状もしくは楕円形状に集光し半導体膜に照射すればよい。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものであるが、エキシマレーザを用いる場合はパルス発振周波数300Hzとし、レーザーエネルギー密度を100~800mJcm2とする。また、YAGレーザを用いる場合にはその第2高調波を用いパルス発振周波数1~300Hzとし、レーザーエネルギー密度を300~1000mJcm2とすると良い。そして幅100~1000μm、例えば400μmで線状に集光したレーザ光を基板全面に渡って照射すればよい。また、YVO4レーザを用いる場合、出力10Wの連続発振のYVO4レーザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換して、共振器の中にYVO4結晶と非線型光学素子を入れて、高調波を射出してもよい。このとき光学系により矩形状または楕円形状にして照射すればよく、エネルギー密度は、0.01~100MWcm2程度好ましくは、0.1~10MWcm2が必要である。そして、0.5~2000cms程度の速度でレーザ光に対して相対的に半導体膜を移動させて照射すればよい。半導体膜の結晶化工程に触媒元素を用いた場合は、続いて、活性領域となる半導体層から、結晶化を助長するために用いた触媒元素を移動させてその濃度を低減させるためのゲッタリング処理を行う。ゲッタリングについては特開平10-270363号公報に開示している方法や、結晶質半導体膜上にオゾン水で処理することによりケミカルオキサイド膜を形成し、該ケミカルオキサイド膜上に希ガス元素を含むゲッタリングサイトを形成して加熱処理をすることにより触媒元素をゲッタリングサイトに移動させる方法のいずれかを適用すればよい。本実施例では、マスクとして、膜厚50nmの酸化珪素膜を形成し、パターニングを行って、所望の形状のマスク104a~104cを得る。そして、半導体膜に選択的に15族に属する元素代表的にはPリンを導入して不純物領域105a~105dを形成する。なお、不純物元素の導入の方法は、プラズマドーピング法、イオン注入法、イオンシャワードーピング法から選ばれた一種または複数種の方法により導入すればよい。そして、第1の加熱処理を行うことで、活性領域となる半導体層から不純物領域105a~105dへ触媒元素を移動させ、半導体特性に影響しない程度にまで低減することができる。このようにして作製した活性領域を有するTFTはオフ電流値が下がり、結晶性が良いことから高い電界効果移動度が得られ、良好な特性を達成することができる図4B。そして、結晶質半導体膜にエッチングを行って、半導体層を形成する。ここで、絶縁膜を形成して半導体膜の結晶性を向上させるために加熱処理を行って、半導体層の上部を熱酸化させるのが望ましい。例えば、減圧CVD装置で20nmの酸化珪素膜を成膜した後、ファーネスアニール炉で加熱処理を行う。この処理により、半導体層の上部は酸化される。そして、酸化珪素膜および半導体層の酸化した部分をエッチングして除去し、結晶性の向上した半導体層106~108を得ることができる。また、半導体層106~108を形成した後、TFTのしきい値を制御するために微量な不純物元素ボロンまたはリンを導入してもよい。そして、レジストからなるマスク109a~109cを形成し、第2の不純物元素の導入を行って、半導体層にn型を付与する不純物元素を導入する。n型を付与する不純物元素として15族に属する元素、典型的にはリンPまたは砒素Asを用いるが、ここではリンPを用いる。このとき、マスク109a~109cが形成されているため、半導体層の選択された領域に不純物が添加されて、高濃度不純物領域110~112が形成される。高濃度不純物領域110~112には1×1018~1×1020cm3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素以下、n型不純物元素というが添加される図4C。次いで、半導体層106~108を覆ってゲート絶縁膜113を形成する。ゲート絶縁膜113はプラズマCVD法またはスパッタ法を用い、厚さを20~150nmとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施例では、プラズマCVD法により35nmの厚さで酸化窒化珪素膜組成比Si=32、O=59、N=7、H=2で形成した。もちろん、ゲート絶縁膜は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を用いても良い。また、酸化珪素膜を用いる場合には、プラズマCVD法でTEOSTetraethylOrthoSilicateとO2とを混合し、反応圧力40Pa、基板温度300~400°Cとし、高周波13.56MHz電力密度0.5~0.8Wcm2で放電させて形成することができる。このようにして作製される酸化珪素膜は、その後400~500°Cの熱アニールによりゲート絶縁膜として良好な特性を得ることができる。なお、ゲート絶縁膜113を形成してから、不純物元素の導入を行って、不純物領域を形成してもよい。そして、各TFTを電気的に接続するための配線を半導体層に接続するコンタクトホールおよびゲート電極とゲート線101とを接続するコンタクトホールを形成した後、膜厚100~500nmの耐熱性を有する導電膜を形成する。本実施例では、Wのターゲットを用いたスパッタ法で膜厚400nmのW膜を形成する。その他に6フッ化タングステンWF6を用いる熱CVD法で形成することもできる。なお、導電膜は特にWに限定されるわけではなく、Ta、W、Ti、Mo、Cu、Cr、Ndから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい。また、リン等の不純物元素を導入した結晶質珪素膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また、AgPdCu合金を用いてもよい。また、本実施例では単層構造としたが、導電膜を2層以上積層して形成してもよい。また、Al等の耐熱性の低い導電膜を耐熱性の高い導電膜で挟んだ3層構造としてもよい。次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストからなるマスク図示せずを形成し、電極及び配線を形成するためのエッチング処理を行う。本実施例ではエッチング条件として、ICPInductivelyCoupledPlasma:誘導結合型プラズマエッチング法を用い、エッチング用ガスにCF4とCl2とO2とを用い、それぞれのガス流量比を25:25:10sccmとし、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF1356MHz電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行った。基板側試料ステージにも150WのRF1356MHz電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。こうしてゲート電極114~116、配線117~121を形成する図5A。次いで、電極114~116および配線117~121を覆う第1の層間絶縁膜122を形成する。この第1の層間絶縁膜122としては、プラズマCVD法またはスパッタ法を用い、厚さを100~200nmとして珪素を含む絶縁膜で形成する。本実施例では、プラズマCVD法により膜厚150nmの酸化窒化珪素膜を形成する。もちろん、第1の層間絶縁膜122は酸化窒化珪素膜に限定されるものでなく、他の珪素を含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。なお、必要に応じて、マスクを用いて半導体層に低濃度に不純物元素を含む半導体領域を形成してもよい。例えば、レジストからなるマスクで半導体層の選択された領域を露出し、ドーズ量を1×1013~5×1014cm2とし、加速電圧を5~80keVとして、n型を付与する不純物元素として15族に属する元素、典型的にはリンPまたは砒素Asを添加する。これにより、半導体層の選択的領域に低濃度不純物領域を形成することができる。低濃度不純物領域には1×1018~1×1020cm3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加する。次いで、加熱処理を行って、半導体層の結晶性の回復、それぞれの半導体層に添加された不純物元素の活性化を行う。この加熱処理は炉を用いる熱アニール法で行う。熱アニール法としては、酸素濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下の窒素雰囲気中で400~1000°Cで行えばよく、本実施例では950°C、4時間の加熱処理で活性化処理を行った。なお、熱アニール法の他に、YAGレーザ等を用いたレーザアニール法、またはラピッドサーマルアニール法RTA法を適用することができる。なお、この加熱処理は、第1の層間絶縁膜を形成する前に加熱処理を行っても良い。ただし、用いた配線材料が熱に弱い場合には、本実施例のように配線等を保護するため第1の層間絶縁膜を形成した後で加熱処理を行うことが好ましい。さらに、加熱処理300~550°Cで1~12時間の加熱処理を行って、水素化処理を行う。この工程は第1の層間絶縁膜122に含まれる水素により半導体層のダングリングボンドを終端する工程である。もちろん、第1の層間絶縁膜の存在に関係なく半導体層を水素化することもできる。水素化の他の手段として、プラズマ水素化プラズマにより励起された水素を用いるや、3~100の水素を含む雰囲気中で300~450°Cで1~12時間の加熱処理を行っても良い。次いで、第1の層間絶縁膜122上に無機絶縁膜材料または有機絶縁物材料から成る第2の層間絶縁膜123を形成する。前記第2の層間絶縁膜123は表面が平坦化する膜を用いるのが望ましい。また、表面の平坦性を向上させる公知の技術、例えばCMPケミカルメカニカルポリッシングと呼ばれる研磨工程を用いてもよい。第2の層間絶縁膜123として膜厚1μmのアクリル樹脂膜を形成し、エッチングを行って、ゲート電極、ソース配線およびドレイン配線上に形成されている前記第1の層間絶縁膜の一部を露呈させ、前記第1の層間絶縁膜および前記第2の層間絶縁膜とにより表面を平坦化してもよい。なお、本実施例では、第1の層間絶縁膜および第2の層間絶縁膜を形成しているが、もちろん、単層構造としてもよい。この場合においても、表面が平坦化する膜を用いるのが望ましい。なお、ドレイン配線121と後に形成する遮光膜との間でも保持容量素子として機能させたい場合は、CMP等を用いて層間絶縁膜の膜厚を薄くし、遮光膜とドレイン配線との距離を縮めればよい。そして、第2の層間絶縁膜123上にAl、Ti、W、Crから選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料を所望の形状にパターニングして上部遮光膜124を形成する。この上部遮光膜124は画素の開口部以外を遮光するように網目状に配置する。また、駆動回路にも遮光膜125を形成した。続いて、上部遮光膜上に窒化酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜からなる絶縁膜以下、容量絶縁膜というを膜厚50~100nm程度に形成する。容量絶縁膜は、窒素の割合が高いと誘電率が高くなるが同時にリーク電流も大きくなってしまうため、窒素と酸素と含有比率を1:8~2:1程度とすることで、膜厚50~100nmの容量絶縁膜を形成する。続いて、容量絶縁膜上に導電層を膜厚100~150nm程度で形成する。導電層は、Al、Ti、Wから選ばれた元素、前記元素を主成分とする合金材料またはITOを用いて形成すればよい。この後、公知の方法を用いて所定の形状にエッチングして、上部遮光膜124、125、容量絶縁膜126、127および導電層128、129を形成すればよい。図5B。続いて、酸化シリコン膜、ポリイミドまたはアクリルなどの絶縁膜を用いて、光が透過する領域の画素電極が平坦化するように膜以下、平坦化膜という130を形成する。そして、平坦化膜に画素電極と導電層とを接続させるための開孔部を形成し、さらに、画素電極とドレイン電極とを接続させるためのコンタクトホールを平坦化膜130および層間絶縁膜122、123に形成する。続いて、画素電極131を形成する。画素電極131は、透明導電膜ITOを用いて100nm厚で形成すればよい。これにより画素電極131と導電層128とは同じ電位となる。また、画素電極形成工程において、駆動回路における取り出し電極132を形成する。以上のようにして、上部遮光膜124、容量絶縁膜126および導電層128画素電極131と同電位からなる保持容量素子が形成される図6。本発明のように、容量絶縁膜126上に導電層126を形成することにより、保持容量素子として電荷の蓄積が可能な領域の面積を従来の約2倍にすることができる。続いて、導電層126を画素電極131をマスクにしてエッチングして、隣接した画素との連続を断ち、画素毎に独立させる。以上の様にして、nチャネル型TFT201、202のNMOS回路からなる駆動回路204と、画素TFT203を有する画素部205が同一基板上に形成されたアクティブマトリクス基板が完成する。なお、画素部には、画素TFT203を遮光するための上部遮光膜124、容量絶縁膜126、導電層128画素電極131と同電位からなる保持容量206が形成されている。このようにして形成されたアクティブマトリクス基板はゲート電極、ソース配線およびドレイン配線が同一工程で形成されているため、従来よりも工程数を削減することを可能としている。そのため、歩留まりが向上し、コストの低減も実現できる。また、上部遮光膜と半導体膜との物理的な距離が短縮されるため、光漏れや光の回折などによるリーク電流の発生を防ぐことが可能となる。さらに、ソース配線が直接半導体膜と接続することでコンタクトホールの数を最小限に留め、液晶表示装置を作製したときの開口率を向上させることが可能となる。本実施例では、実施例1と異なる構造の半導体装置を作製する工程について、図7を用いて説明する。実施例1にしたがって、平坦化膜130上に導電層128と電気的に接続する画素電極131を形成する。続いて、図7に示すように第2の層間絶縁膜123上に形成された遮光膜124、容量絶縁膜126、導電層128および画素電極131により発生する隣接する画素と画素との間に形成される大きな段差50nm以上をアクリル、ポリイミド等からなる絶縁膜401により平坦化する。次いで、配向膜402を形成するが、絶縁膜401で、隣接する画素と画素との間の段差を埋めて平坦化しているため、配向膜402表面に、凹凸が生じにくい。この後、ラビング処理を行い、シール材封止材を用いてTFTが形成された基板と対向基板とを貼り合わせる。そして、その間に液晶を保持させてアクティブマトリクス型液晶表示装置を作製する。なお、このセル組み工程は公知の手段を用いれば良いので詳細な説明は省略する。以上のように凹部に絶縁膜を形成することで、基板上に種々の材料を積層して形成されアクティブマトリクス基板表面の凹凸の差を小さくすることができる。これにより、配向膜を形成した後に行われるラビング処理の際に、ラビングムラを最小限に抑えることができ、液晶の配向不良を発生しにくくすることができる。本実施例では、実施例1と異なる構造の半導体装置を作製する工程について、図8を用いて説明する。実施例1にしたがって、遮光膜301、容量絶縁膜302、導電層303を形成する。その後、導電層303が図8Aの矢印で示すように、遮光膜301および容量絶縁膜302より若干内側に入るようにエッチングする。マスクを用いたエッチング、もしくはオーバーエッチングすればよい。これにより、遮光膜301と導電層303が接してリーク電流が発生してしまうことを防ぐことができる。またさらに、図8Bに示すように遮光膜311、容量絶縁膜312、導電層313の順に段が付くようにオーバーエッチングする、またはマスクを用いてエッチングすることにより、積層をなだらかにすることができ、平坦化膜314を形成した後に形成する画素電極315の段差や凹凸をさらに低減することができる。なお、315aは、隣接する画素の画素電極である。以上のようにすることで、十分な保持容量を有し、良好な表示が行える液晶表示装置を実現することができる。本発明で開示する遮光膜、容量絶縁膜および画素電極と同電位になるように形成された導電層からなる保持容量素子は、実施例1で示したようなTFT以外を遮光する遮光膜上に形成しても構わない。本実施例では、図9、10を用いて、一例を示す。基板50上に、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等の絶縁膜を形成し図示せず、ゲート電極を形成するために導電膜を形成し、所望の形状にパターニングしてゲート電極51a~51cを得る。導電膜には、Ta、Ti、W、Mo、CrまたはAlから選ばれた元素またはいずれかの元素を主成分とする導電膜を用いればよい。基板には、バリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスからなる基板、石英基板、単結晶シリコン基板、金属基板、ステンレス基板の表面に絶縁膜を形成したもの、また、本実施例の処理温度に耐えうる耐熱性が有するプラスチック基板のいずれかを用いればよい。次いで、ゲート絶縁膜52a、52bを形成する。ゲート絶縁膜は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜の単層、もしくはいずれかの膜の積層構造にしてもよい。次いで、非晶質半導体膜としてアモルファスシリコン膜53を熱CVD法、プラズマCVD法、減圧CVD法、蒸着法またはスパッタリング法により10~1150nm厚に形成する。なお、ゲート絶縁膜52とアモルファスシリコン膜53とは、同じ成膜法で形成することが可能であるため、両者を連続形成してもよい。連続形成することで、一旦大気に曝すことがなくなり、表面の汚染を防ぐことができ、作製するTFTの特性バラツキやしきい値電圧の変動を低減することができる図9A。次いで、アモルファスシリコン膜53を結晶化するために結晶化を促進する触媒元素を塗布触媒元素含有層54を形成する。この後、加熱処理を行い、結晶質シリコン膜を形成する図9B。なお、半導体膜の結晶化は、触媒元素を用いた加熱処理以外にも、連続発振またはパルス発振の気体レーザもしくは固体レーザを用いた結晶化方法を用いてもよい。そのような気体レーザとしては、エキシマレーザ、Arレーザ、Krレーザなどがあり、固体レーザとしては、YAGレーザ、YVO4レーザ、YLFレーザ、YAlO3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ti:サファイアレーザなどが挙げられる。非晶質半導体膜の結晶化に際して、大粒径の結晶を得るためには、連続発振が可能な固体レーザを用いて、基本波の第2高調波~第4高調波を適応するのが好ましい。代表的には、Nd:YVO4レーザ基本波1064nmの第2高調波波長532nmや第3高調波波長355nmを用いればよい。結晶化工程が終わったら、後の不純物添加工程において結晶質シリコン膜チャネル形成領域を保護する絶縁膜55を100~400nm厚で形成する。この絶縁膜は、不純物元素を添加する時に結晶質シリコン膜が直接プラズマに曝されないようにするためと、さらに、微妙な濃度制御を可能にするために形成される。次いで、レジストからなるマスクを用いて、後のnチャネル型TFTの活性層となる結晶質シリコン膜にn型を付与する不純物元素を添加して高濃度にn型不純物元素を含んだ領域後のソース領域またはドレイン領域56、57を形成する。続いて、後のpチャネル型TFTの活性層となる結晶質シリコン膜にp型不純物元素を添加して、p型不純物元素を高濃度に含んだ領域後のソース領域またはドレイン領域58を形成する。なお、nチャネル型TFTおよびpチャネル型TFTにおいて、不純物元素を低濃度に含む領域LDD領域を形成してもよい図9C。次いで、結晶質シリコン膜に添加された不純物元素を活性化する工程を行う。活性化と同時に、結晶化工程でシリコン膜に塗布した触媒元素の捕獲ゲッタリングも行う。加熱処理条件として、酸素濃度が5ppmの雰囲気で、450~950°Cで処理を行えばよい。次いで、結晶質シリコン膜上の絶縁膜を除去し、結晶質シリコン膜を所望の形状にパターニングしてエッチングし、半導体層59~61を得る。続いて、層間絶縁膜62を形成する。層間絶縁膜62は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等の絶縁膜から500~1500nm厚で形成する図9D。その後、それぞれのTFTのソース領域またはドレイン領域に達するコンタクトホールを形成して、各TFTを電気的に接続するための配線63~67を形成する。続いて、配線63~67を覆う層間絶縁膜68を形成する図10A。次いで、TFTに光が照射されないように遮光するための遮光膜69を形成する。なお、遮光膜69は、Al、Ti、W、Crから選ばれた元素、前記元素を主成分とする合金材料、または黒色樹脂等の高い遮光性を持つ膜を100~200nm程度の膜厚で成膜すればよい。その後、遮光膜69上に容量絶縁膜70を形成する。容量絶縁膜70としては、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜のいずれかを用いればよく、その膜厚は、50~100nmとすればよい。続いて、容量絶縁膜70上に導電層71を形成する。導電層71は、Al、Ti、Wから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料を用いればよい。また、透明導電性膜例えば、ITOを用いてもよい。次いで、画素電極の光が透過する領域を平坦化するための膜平坦化膜72を絶縁膜を用いて形成する。平坦化膜72は、酸化シリコン膜を膜厚100~200nm程度に形成して、CMPChemicalMechanicalPolishing化学的機械研磨を用いて平坦化する。またその他、ポリイミド、アクリルといった熱硬化する樹脂を用いて平坦化してもよい。平坦化膜72形成後、導電層71と画素電極とを接続させるためのコンタクトホールを平坦化膜72に、画素電極とドレイン電極となる配線67とを電気的に接続するためのコンタクトホールを平坦化膜72と層間絶縁膜68とに形成し、画素電極73を形成する。なお、画素電極73形成後、導電層71をパターニングしてエッチングし、隣接する画素に形成された導電層71との連続性を断つ図10B。このようにして、遮光膜69、容量絶縁膜70および画素電極73と同電位となる導電層71とからなる保持容量素子が形成される。導電層71を形成することにより、遮光膜69と画素電極73とが重なる領域を無駄なく保持容量素子として機能させることができる。また、本発明のように平坦化膜72を形成することにより、画素電極73の段差が遮光膜69上に形成されるため、画素電極73の段差や凹凸が原因となる配向乱れや光もれを防ぐことができる。以上のように、本発明はTFTの形状に依存することなく適応させることができる。本実施例では、薄膜トランジスタおよび保持容量素子を有する実施例1に示した構造の半導体装置において、薄膜トランジスタのチャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域を含む半導体層を高温で加熱処理して得られた半導体代表的にはシリコン膜以下、高温ポリシリコン膜というを用いて作製する例について説明する。耐熱性の高い石英基板基板上に実施例1にしたがって、ゲート線としても機能する下部遮光膜および下地絶縁膜を形成する。続いて、下地絶縁膜上にLPCVD法、PCVD法またはスパッタ法など公知の方法を用いて非晶質半導体膜を形成する。次いで、炉を用いて600°Cで24時間の加熱処理を行い、結晶質半導体膜を形成する。なお、この結晶化処理において半導体膜表面に酸化シリコン膜が形成されるが、エッチング等で除去できるごく薄い膜であるため問題はない。次いで、結晶質半導体膜の表面に形成された酸化膜を除去した後、ゲート絶縁膜を形成するための加熱処理を行う。結晶質半導体膜を900~1050°Cにて加熱処理し、結晶質半導体膜の表面に酸化膜を形成する。この酸化シリコン膜をゲート絶縁膜に用いる。最終的に結晶質半導体膜の膜厚が30~50nmになるように結晶質半導体膜を加熱処理することによりその表面に酸化シリコン膜を形成すればよい。このようにして高温加熱処理により得られた結晶質半導体膜は、結晶性が高く、さらに高い電界効果移動度が得られる半導体膜をチャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域を含む半導体層に用いることにより、優れた特性をもつTFTを実現でき、さらにこのTFTを回路に用いることで高い信頼性を有する半導体装置を実現することができる。本実施例は、実施例1~4と組み合わせて用いることが可能である。本実施例では、薄膜トランジスタおよび保持容量素子を有する実施例1に示した構造の半導体装置において、薄膜トランジスタのチャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域を含む半導体層を、レーザ光を照射することにより得られた結晶質半導体膜を用いて作製する例について説明する。基板上に実施例1にしたがって、ゲート線としても機能する下部遮光膜および下地絶縁膜を形成する。続いて、下地絶縁膜上にLPCVD法、PCVD法またはスパッタ法など公知の方法で非晶質半導体膜を形成する。なお、基板はコーニング社の7059ガラスや1737ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスからなる基板を用いる。また、石英基板や単結晶シリコン基板、金属基板またはステンレス基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。また、高い耐熱性を有するプラスチック基板を用いてもよい。続いて、非晶質半導体膜にレーザ光を照射する。使用するレーザとしては、連続発振またはパルス発振の気体レーザもしくは固体レーザを用いる。気体レーザとして、エキシマレーザ、Arレーザ、Krレーザなどがあり、固体レーザとして、YAGレーザ、YVO4レーザ、YLFレーザ、YAlO3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ti:サファイアレーザなどが挙げられる。なお、固体レーザとしては、Cr、Nd、Er、Ho、Ce、Co、Ti又はTmがドーピングされたYAG、YVO4、YLF、YAlO3などの結晶を使ったレーザが適用される。当該レーザの基本波はドーピングする材料によって異なり、1μm前後の基本波を有するレーザ光が得られる。基本波に対する高調波は、非線形光学素子を用いることで得ることができる。非晶質半導体膜の結晶化に際し、大粒径に結晶を得るためには、連続発振が可能な固体レーザを用い、基本波の第2高調波~第4高調波を適用するのが好ましい。代表的には、NdYVO4レーザー基本波1064nmの第2高調波532nmや第3高調波355nmを適用する。ここで、一例として、YVO4レーザを用いて結晶化を行う方法について説明する。出力10Wの連続発振のYVO4レーザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換する。また、共振器の中にYVO4結晶と非線形光学素子を入れて、高調波を射出するしてもよい。そして、好ましくは光学系により照射面にて矩形状または楕円形状のレーザ光に成形して、被処理体に照射する。このときのエネルギー密度は0.01~100MW/cm2程度好ましくは0.1~10MW/cm2が必要である。そして、0.5~2000cm/s程度の速度でレーザ光に対して相対的に半導体膜を移動させて照射する。このようにしてレーザ光を照射することにより得られた結晶質半導体膜は、結晶性が高く、さらに高い電界効果移動度が得られる半導体膜をチャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域を含む半導体層に用いることにより、優れた特性をもつTFTを実現でき、さらにこのTFTを回路に用いることで高い信頼性を有する半導体装置を実現することができる。本実施例は、実施例1~4と組み合わせて用いることが可能である。本発明を用いて、アクティブマトリクス型液晶表示装置液晶ディスプレイを表示部にんだ組み込んだ様々な電気器具を完成させることができる。その様な電気器具としては、プロジェクターリア型またはフロント型、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイゴーグル型ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等などが挙げられる。それらの一例を図11、図12及び図13に示す。図11Aはフロント型プロジェクターであり、投射装置2601、スクリーン2602等を含む。図11Bはリア型プロジェクターであり、本体2701、投射装置2702、ミラー2703、スクリーン2704等を含む。なお、図11Cは、図11A及び図11B中における投射装置2601、2702の構造の一例を示した図である。投射装置2601、2702は、光源光学系2801、ミラー2802、2804~2806、ダイクロイックミラー2803、プリズム2807、液晶表示装置2808、位相差板2809、投射光学系2810で構成される。投射光学系2810は、投射レンズを含む光学系で構成される。本実施例は三板式の例を示したが、特に限定されず、例えば単板式であってもよい。また、図11C中において矢印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するためのフィルム、IRフィルム等の光学系を設けてもよい。また、図11Dは、図11C中における光源光学系2801の構造の一例を示した図である。本実施例では、光源光学系2801は、リフレクター2811、光源2812、レンズアレイ2813、2814、偏光変換素子2815、集光レンズ2816で構成される。なお、図11Dに示した光源光学系は一例であって特に限定されない。例えば、光源光学系に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するフィルム、IRフィルム等の光学系を設けてもよい。本発明を用いれば、遮光膜により薄膜トランジスタに照射される光を遮光することができるため、プロジェクターに用いられる強力な光によっても光リーク電流の発生を抑えることができ、十分な保持容量を有する容量素子が形成されているため、信号を保持することができ表示ムラが起こらず、精細で良好な表示を行うことができる。またさらに、開口率を低下させずに十分な容量素子を形成できるため、輝度も十分で、光源の低消費電力化もはかることができる。図12Aはパーソナルコンピュータであり、本体2001、画像入力部2002、表示部2003、キーボード2004等を含む。本発明の液晶表示装置を表示部2003に適用して、パーソナルコンピュータを完成させることができる。また、図12Bはモバイルコンピュータモービルコンピュータであり、本体2101、カメラ部2102、受像部2103、操作スイッチ2104、表示部2105等を含む。本発明の液晶表示装置を表示部2105に適応して、モバイルコンピュータを完成させることができる。図12Cはプログラムを記録した記録媒体以下、記録媒体と呼ぶを用いるプレーヤーであり、本体2201、表示部2202、スピーカ部2203、記録媒体2204、操作スイッチ2205等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてDVDDigtialVersatileDisc、CD等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。本発明の液晶表示装置を表示部2402に適応して記録媒体を用いるプレーヤーを関せさせることができる。これらの電気器具は、本発明により、画素電極の光透過領域における段差や凹凸による液晶の配向不良を無くすことができ、さらに十分な保持容量を得られる容量素子を形成することができるため、リーク電流が生じても表示信号を保持することができ、表示ムラのない精細な表示を実現することができる。またさらに、容量素子を形成しても高い開口率を維持することができるため、高輝度化が可能で、表示のために用いる光源の消費電力を低減することができる。これは、電気器具全体としての低消費電力化につながる。図12Dはビデオカメラであり、本体2301、表示部2302、音声入力部2303、操作スイッチ2304、バッテリー2305、受像部2306等を含む。本発明の液晶表示装置を表示部2302に適用して、ビデオカメラを完成させることができる。図12Eはデジタルカメラであり、本体2401、表示部2402、接眼部2403、操作スイッチ2404、受像部図示しない等を含む。本発明の液晶表示装置を表示部2402に適用することができる。図12Dはゴーグル型ディスプレイであり、本体2501、表示部2502、アーム部2503等を含む。本発明の液晶表示装置を表示部2502に適用することができる。図13Aは携帯電話であり、3001は表示用パネル、3002は操作用パネルである。表示用パネル3001と操作用パネル3002とは接続部3003において接続されている。接続部3003における、表示用パネル3001の表示部3004が設けられている面と操作用パネル3002の操作キー3006が設けられている面との角度θは、任意に変えることができる。さらに、音声出力部3005、操作キー3006、電源スイッチ3007、音声入力部3008を有している。本発明の液晶表示装置を表示部3004に適用して携帯電話を完成させることができる。図13Bは携帯書籍電子書籍であり、本体3101、表示部3102、3103、記憶媒体3104、操作スイッチ3105、アンテナ3106等を含む。本発明の液晶表示装置を表示部3102に適応して携帯書籍を完成させることができる。このように本発明により、液晶の配向不良を低減できるため、表示ムラのない精細な表示を実現できる。さらに、高い開口率を維持して容量素子を形成することができるため、高輝度化が可能で、表示のために用いる光源の消費電力を低減することができる。これは、電気器具全体としての低消費電力化が実現できるため、バッテリーの重量も小型なものを採用すればよくなるため、電気器具全体を軽量化することもできる。図13Cはディスプレイであり、本体3201、支持台3202、表示部3203等を含む。本発明の液晶表示装置を表示部3203に適用してディスプレイを完成させることができる。本発明により、画素電極の光透過領域表示に寄与する領域を平坦化し、段差を遮光膜上にすることができるため、液晶の配向不良をなくし、表示ムラをなくすことができる。また、開口率を下げずに保持容量素子を形成することができるため、高輝度、高精細な表示を実現することができる。以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電気器具を完成させるために本発明を適用することができる。また、本実施例の電気器具は実施例1~6を組み合わせて作製された液晶表示装置のいずれを用いても実現することができる。