基板にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、基板にパターンを描画するための第1個数の荷電粒子線を通過させる前記第1個数のアパーチャを含むアパーチャプレートを含む電子光学系と、前記基板を保持する基板保持部と、前記アパーチャプレートをクリーニングするクリーニングユニットと、前記電子光学系および前記基板保持部を収容するチャンバと、を備え、前記クリーニングユニットは、前記第1個数よりも少ない第2個数の放出孔を有する放出孔プレートを含む容器と、前記容器の中で活性種を発生する活性種源と、前記容器を移動させる駆動機構とを含み、前記チャンバの中に配置された前記容器の内部空間の圧力と前記容器の外部空間の圧力との差によって前記活性種が前記第2個数の放出孔から放出され、前記駆動機構は、前記第1個数よりも少ない前記第2個数の放出孔から放出される活性種によって前記第1個数のアパーチャがクリーニングされるように、前記電子光学系に前記放出孔プレートが対面した状態で前記容器を移動させる、ことを特徴とする荷電粒子線描画装置。前記アパーチャプレートをクリーニングする場合、前記容器は、前記電子光学系の物体面側の第1端と像面側の第2端のうち前記第2端に前記放出孔プレートが対面するように配置される、ことを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子線描画装置。前記アパーチャプレートをクリーニングする場合に、前記駆動機構は、前記基板保持部が退避された状態で、前記電子光学系に前記放出孔プレートが対面するように前記容器を移動させる、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の荷電粒子線描画装置。前記駆動機構は、前記基板保持部を駆動するように構成され、前記アパーチャプレートをクリーニングする場合に、前記基板保持部によって前記容器が保持され、前記駆動機構が前記基板保持部を移動させることによって前記容器が移動する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の荷電粒子線描画装置。デバイスを製造するデバイス製造方法であって、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の荷電粒子線描画装置によって基板にパターンを描画する工程と、前記工程でパターンを描画された前記基板を現像する工程と、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。荷電粒子線描画装置において、活性種活性種の概念にはラジカルが含まれるものとする。が流れる経路にアパーチャを有するアパーチャプレートが存在すると、その部分のコンダクタンスが小さいために、活性種が失活して、アパーチャの内部を十分にクリーニングすることができない。活性種を増やすために、活性種を発生させるためのガスの量を増加させると、チャンバ内の圧力が高くなる。すると、クリーニングの終了後にチャンバ内を減圧するために要する時間が長くなり、ダウンタイムが増加しうる。本発明は、アパーチャのクリーニングにあたりチャンバ内の圧力の上昇の小ささの点で有利な技術を提供することを目的とする。本発明の1つの側面は、基板にパターンを描画する荷電粒子線描画装置に係り、荷電粒子線描画装置は、基板にパターンを描画するための第1個数の荷電粒子線を通過させる前記第1個数のアパーチャを含むアパーチャプレートを含む電子光学系と、前記基板を保持する基板保持部と、前記アパーチャプレートをクリーニングするクリーニングユニットと、前記電子光学系および前記基板保持部を収容するチャンバと、を備え、前記クリーニングユニットは、前記第1個数よりも少ない第2個数の放出孔を有する放出孔プレートを含む容器と、前記容器の中で活性種を発生する活性種源と、前記容器を移動させる駆動機構とを含み、前記チャンバの中に配置された前記容器の内部空間の圧力と前記容器の外部空間の圧力との差によって前記活性種が前記第2個数の放出孔から放出され、前記駆動機構は、前記第1個数よりも少ない前記第2個数の放出孔から放出される活性種によって前記第1個数のアパーチャがクリーニングされるように、前記電子光学系に前記放出孔プレートが対面した状態で前記容器を移動させる。本発明によれば、アパーチャのクリーニングにあたりチャンバ内の圧力の上昇の小ささの点で有利な技術が提供される。図1~図3を参照しながら本発明の第1実施形態の荷電粒子線描画装置100を説明する。荷電粒子線によって基板Wにパターンを描画するように構成される。ここで、典型的には、基板Wは、その表面にレジスト膜を有し、該レジスト膜にパターンが描画される。ここでは、荷電粒子線として電子線を使用する例を説明するが、他の荷電粒子線、例えば、イオン線を使用してもよい。荷電粒子線描画装置100は、例えば、電子銃荷電粒子源101と、コリメータレンズ103と、電子光学系ELOと、基板Wを保持する基板保持部基板チャックを有する基板ステージ111と、基板保持部111を駆動する駆動機構110とを含む。基板保持部111および駆動機構110によって基板Wを位置決めする位置決め機構ステージ機構が構成されている。電子銃101は、クロスオーバ102を形成する。クロスオーバ102から発散した電子119は、コリメータレンズ103によって平行な電子線となり、電子光学系ELOに入射する。電子光学系ELOは、例えば、電子銃101の側から順に、アパーチャアレイ104、静電レンズアレイ105、ブランカーアレイ106、ストッピングアパーチャアレイ107、ディフレクターアレイ108、静電レンズアレイ109を含みうる。ここで、電子光学系ELOを構成する部品104~109は、それぞれ、基板Wにパターンを描画するための電子線の数第1個数と同数のアパーチャAPを含むアパーチャプレートの例である。コリメータレンズ103からの平行な電子線は、電子光学系ELのアパーチャアレイ104に入射する。アパーチャアレイ104は、マトリクス状に配列された複数第1個数の円形状のアパーチャAPを含み、アパーチャアレイ104により複数の電子線EBが生成される1つ束の電子線から複数の電子線EBが切り出される。アパーチャアレイ104を通過した複数の電子線EBは、静電レンズアレイ105に入射する。静電レンズアレイ105は、複数第1個数の円形状のアパーチャAPを有する3枚の電極板図1~図5では、3枚の電極板が一体として示されているで構成されうる。静電レンズアレイ105のアパーチャAPを通過した電子線が最初にクロスオーバを形成する面には、マトリクス状に配列された複数第1個数のアパーチャAPを含むストッピングアパーチャアレイ107が配置されている。静電レンズアレイ105とストッピングアパーチャアレイ107との間には、ブランカーアレイ106が配置されている。ブランカーアレイ106は、マトリクス状に配列された複数第1個数のアパーチャおよびブランカー偏向器を含む。ブランカーによって偏向された電子線は、ストッピングアパーチャアレイ107によって遮断され、基板Wには入射しない。一方、ブランカーによって偏向されない該電子線は、ストッピングアパーチャアレイ107のアパーチャAPを通過して基板Wに入射する。このようにして基板Wに電子線を入射させるか否かを制御することは、ブランキングと呼ばれる。ストッピングアパーチャアレイ107を通過した各電子線は、静電レンズアレイ109により収束され、基板W上にクロスオーバ102の像が形成される。静電レンズアレイ109は、図1~図5では、3枚の電極板が一体として示されているが、実際には、図6に例示されるように、複数第1個数の円形状のアパーチャAPを有する3枚の電極板301、302、303で構成されうる。ここで、電極板301、302、303のそれぞれについても、複数のアパーチャAPを有するアパーチャプレートとして理解することができる。基板Wに対するパターンの描画中は、基板保持部111によって保持された基板Wは、X方向に駆動機構110によって連続的に移動し、基板Wに入射する電子線は、ディフレクターアレイ108のディフレクターによってY方向に偏向される。これにより、基板Wの表面のレジストにパターンが描画され、潜像が形成される。電子線の減衰および高電圧による放電を防ぐために、荷電粒子線描画装置100の本体部分電子銃101、コリメータレンズ103、電子光学系ELO、基板保持部111および駆動機構110を含む部分は、チャンバ115の中に収容されている。チャンバ115の内部空間の圧力は、例えば10-5Pa以下に維持されうる。特に、電子銃101、コリメータレンズ103および電子光学系ELOが配置されている第1空間SP1は、高い真空度が要求される。したがって、第1空間SP1は、レジストなどからのガスの発生が多い位置決め機構基板保持部111、駆動機構110が配置された第2空間SP2とは別の排気系によって排気されうる。第1空間SP1は、排気口117を介して排気され、第2空間SP2は、排気口118を介して排気されうる。第1空間SP1と第2空間SP2とは、静電レンズアレイ109によって区切られうるが、空間的に完全には分離されない。基板Wのレジストに電子線が照射されると、レジストから有機成分ガスが放出される。また同時に、レジストからは二次電子が放出される。したがって、レジストに近いアパーチャプレート、特に静電レンズアレイ109には、その表面およびアパーチャの側面にガスの分解生成物などの堆積物208が形成されうる。堆積物208は、例えば、カーボンを主成分とする物質でありうる。そこで、このような堆積物208を除去するために、荷電粒子線描画装置100は、電子光学系ELO、より詳しくは、それを構成する部品アパーチャプレート104~109は、クリーニングするクリーニングユニット200を備えている。堆積物208の生成によって電子光学系ELOの特性が変化し描画精度が基準値より悪化する前に、描画処理を停止して電子光学系ELOをクリーニングする。アパーチャプレートのクリーニングの際は、例えば、図2に例示されるように、基板保持部111が電子光学系ELOの下の領域から退避される。アパーチャプレートのクリーニングには、クリーニングユニット200が使用される。クリーニングユニット200は、容器203と、活性種源210と、駆動機構220とを含む。容器203は、基板Wにパターンを描画するための電子線の数である第1個数よりも少ない第2個数の放出孔201を有する放出孔プレート202を含む。クリーニングの際に、電子光学系ELOの物体面側電子銃101側の第1端と像面側基板が配置される側の第2端のうち該第2端に放出孔プレート202が対面するように容器203が配置される。活性種源210は、容器203の中で活性種を発生する。活性種源210には、供給部204より活性種の元となる原料ガスが供給される。供給部204は、例えば、チャンバ115の外部空間に配置された原料ガスの供給源に接続されたフレキシブルチューブ等のチューブを含みうる。駆動機構220は、クリーニングの際に、電子光学系ELOの下の領域に容器203を移動させる。クリーニング時は、チャンバ115に中に配置された容器203の内部空間の圧力と容器203の外部空間の圧力との差によって第2個数の放出孔201から活性種ASが放出される。容器203の放出孔プレート202に設けられた放出孔201の個数第2個数が基板Wにパターンを描画するための電子線の数である第1個数よりも少ないことは、容器203の内部空間の圧力を高くするために有利である。容器203の内部空間の圧力を高くすることにより、放出口201から放出される活性種の密度を高くし、クリーニング対象に対して高い密度の活性種を供給することができる。これにより、静電レンズアレイ109などのアパーチャプレートのアパーチャAPの奥まで活性種を供給することができる。また、活性種の密度を高くすることは、クリーニングユニット200から見て2番目以降のアパーチャプレートのクリーニングにも効果的である。例えば、図6に例示される静電レンズアレイ109の構成において、活性種の密度を高くすることは、クリーニングユニット200から見て1番目の電極板303のほか、2番目、3番目の電極板302、301のクリーニングにも有利である。駆動機構220は、容器203を移動させるように構成される。容器203は、少なくともクリーニング時は、チャンバ115の中に配置される。容器203は、基板Wへのパターンの描画処理の際にもチャンバ115の中に配置されていてもよい。あるいは、容器203は、クリーニング処理の時に不図示のロードロックを介してチャンバ115の中に挿入されてもよい。前述のように、容器203の放出孔プレート202に設けられた放出孔201の個数第2個数は、基板Wにパターンを描画するための電子線の数である第1個数よりも少ない。そこで、駆動機構220は、放出孔201から放出される活性種によって静電レンズアレイ109の第1個数のアパーチャAPのすべてがクリーニングされるように、電子光学系ELOに放出孔プレート202が対面した状態で容器203を移動させる。図2および図3は、容器203を移動させながら静電レンズアレイ109の第1個数のアパーチャAPのすべてをクリーニングする様子を模式的に示している。ここで、放出孔201の配列ピッチが静電レンズアレイ109等のアパーチャプレートのアパーチャAPの配列ピッチと一致していることが望ましく、この場合、各放出孔201から放出された活性種ASが対応するアパーチャAPに供給されやすい。荷電粒子線描画装置100は、クリーニング対象のアパーチャプレートとクリーニングユニット200の容器203とを位置合わせより具体的には、アパーチャAPと放出口201するための位置決めユニットを備えうる。位置決めユニットは、例えば、発光部151と受光部152とを含み、一方がアパーチャプレートに取り付けられ、他方が容器203に取り付けられうる。発光部151から受光部152が受光する光の強度が最大になる発光部151と受光部152との相対位置に基づいてアパーチャプレート例えば、静電レンズアレイ109と容器203とを位置合わせすることができる。クリーニングユニット200の容器203の中で発生した活性種ASは、容器203の内部空間と外部空間との圧力差によって放出孔201から放出され電子光学系ELOを構成するアパーチャプレートのアパーチャAPを通して第1空間SP1に至る。ここで、図6に例では、電極板301とディフレクターアレイ108との間の空間と第1空間SP1との間にアパーチャSP以外の流路が存在する。このような場合には、アパーチャAPのほか、その流路を通して、活性種ASが第1空間SP1に流れうる。静電レンズアレイ109などのアパーチャアレイのアパーチャAPに進入した活性種ASは、アパーチャAPの側面の堆積物208と反応して揮発性ガスとなって廃棄されうる。静電レンズアレイ109などのアパーチャアレイの表面に提供される活性種ASも、同様に、当該表面の堆積物208と反応して揮発性ガスとなって廃棄されうる。活性種ASを生成する原料ガスは、例えば、水素、アンモニア、酸素、オゾンの少なくとも1つでありうる。活性種源210による活性種の発生方法は、種々の方法を採用することができ、活性種源210は、例えば、プラズマ発生部またはホットフィラメントを含みうる。静電レンズアレイ109などのアパーチャプレートのクリーニングが終了すると、クリーニングユニット200の容器203が駆動機構220によって電子光学系ELOの下の領域から退避させられる。その後、基板Wへのパターンの描画処理は、排気口117、118を通してチャンバ115の内部空間のガスを排気し、チャンバ115の内部空間の圧力が描画処理のために要求される圧力まで減圧された後に実施されうる。ここでは、電子光学系ELOを構成するアパーチャアレイのうち図6に例示的に示す静電レンズアレイ109の3枚の電極板301、302、303をクリーニングの対象とする例を説明する。活性種の平均自由工程がクリーニング対象の電極板301、302、303のうち容器203からの距離が最も遠い電極板301のアパーチャの上端と容器203との距離Lより大きければ、電極板301のアパーチャAPの側面をクリーニングすることができる。活性種ASとしての水素ラジカル水素の活性種の平均自由行程λaは次の式で計算できる。ここで、各パラメータは次の通りである。daは水素ラジカルの原子半径cm、dbは水素分子の分子半径cm、naは水素ラジカルの原子密度/cm3、nbは水素分子の分子密度/cm3、Maは水素原子の質量数、Mbは水素分子の質量数である。ここで、50Paでの水素ラジカルの平均自由行程λaは、2.3mmである。ただし、da=6.20×10-9cm、db=1.24×10-8cmとした。また、水素原子の濃度を1とした。この例では、第1空間SP1および第2空間SP2の圧力を50Pa以下とし、放出孔201から電極板301の上端までの距離Lが2.3mm以下であれば、水素ラジカルは電極板301のアパーチャの上端まで失活せずに到達する。次に、図4、図5を参照しながら本発明の第2実施形態の荷電粒子線描画装置100を説明する。ここで特に言及しない事項は第1実施形態に従いうる。第2実施形態では、クリーニングユニット200の容器203を駆動する駆動機構が基板保持部111を駆動する駆動機構110と兼用されている。即ち、容器203は、基板保持部111を駆動する駆動機構110によって駆動される。具体的には、基板Wへのパターンの描画時は、図4に例示的に示すように基板保持部111によって基板Wが保持される。一方、静電レンズアレイ109等のアパーチャプレートのクリーニング時は、図5に例示されるように、電子光学系ELOに放出孔プレート202が対面するように基板保持部111によって容器203が保持される。そして、駆動機構110が基板保持部111を移動させることによって容器203が移動させられる。基板保持部111への容器203の搬送および基板保持部111からの容器203の搬送は、搬送ロボット230によってなされうる。第2実施形態によれば、クリーニング時に基板保持部111を退避させる必要がないので、チャンバ115あるいは荷電粒子線描画装置100を小型化することができる。以下、具体的な実施例を説明する。実施例1供給部204から容器203に水素ガスをQ=1.35Pam3/secの流量で供給して活性種源210に水素ラジカルを発生させ放出孔201を通して放出させる。水素ラジカルは、静電レンズアレイ109電極板301、302、303のアパーチャを通過する。この際に、水素ラジカルの一部は堆積物208と反応して揮発性ガスが発生する。揮発性ガスや水素ガスは、排気口117を通してチャンバ115から排気される。ここで、電極板301側での排気速度が0.1m3/secとなるように排気口117からの排気を調整することにより、排気口117から排出される水素ガスの量と容器203の放出孔201から放出される水素ガス水素ラジカルを含むの量とが同じになった。放出孔201の直径は60μm、放出孔プレート202の厚さは300μmである。静電レンズアレイ109の電極板301、302、303のアパーチャの直径は120μm、電極板301、302、303の厚さは300μmである。アパーチャの個数第1個数は40X40個、静電レンズアレイ109は100×100個の正方配列である。上記の条件で各部の圧力を計算すると、容器203の内部空間の圧力は300Pa、チャンバ115の内部の第2空間SP2の圧力は30Pa、チャンバ115の内部の第1空間SP1の圧力は15Paである。放出孔201から放出された水素ラジカルは、直進し、効率よく堆積物208が除去される。また、容器203の内部空間の圧力が十分に高いので、十分な量の水素ラジカルを発生させることができる。次に、容器203の駆動のシーケンスを例示的に説明する。最初に、受光部152の受光強度が最大になる容器203の位置を検出し、その位置を原点位置とする。この位置は、第1実施形態においては、駆動機構220の位置制御システム又は位置計測システム不図示から提供され、第2実施形態においては、基板保持部111の位置計測システム不図示から提供されうる。次に、放出孔201の配列情報に基づいて、容器203の少なくとも1つの放出孔201と静電レンズアレイ109のクリーニング対象のアパーチャとがXY方向に関して位置合わせされるように容器203が位置決めされる。これにより、放出孔201から放出される活性種ASによってクリーニング対象のアパーチャがクリーニングされる。容器203の駆動は、第1実施形態では駆動機構220によりなされ、第2実施形態では駆動機構110によりなされる。クリーニング対象のアパーチャが十分にクリーニングされる時間の経過後、容器203の少なくとも1つの放出孔201と次のクリーニング対象のアパーチャAPとがXY方向に関して位置合わせされるように容器203が位置決めされる。これにより、放出孔201から放出される活性種ASによって当該次のクリーニング対象のアパーチャAPがクリーニングされる。以上のような処理は、第1個数のアパーチャAPのすべてがクリーニングされるまで、クリーニング対象のアパーチャAPを変更しながら実施される。実施例2実施例2では、図7aに模式的に示される静電レンズアレイ109が図7bに模式的に示される放出孔プレート202を有する容器203を含むクリーニングユニットを用いてクリーニングされる。最初に、実施例1と同様にして原点位置を決定する。放出孔201の配列情報に基づいて、容器203の放出孔201と静電レンズアレイ109のクリーニング対象のアパーチャAPのグループとがθr方向XY方向に関して位置合わせされるように容器203が位置決めされる。これにより、放出孔201から放出される活性種ASによってクリーニング対象のアパーチャAPのグループがクリーニングされる。容器203の駆動は、第1実施形態では駆動機構220によりなされ、第2実施形態では駆動機構110によりなされる。クリーニング対象のアパーチャが十分にクリーニングされる時間の経過後、次のクリーニング対象のアパーチャAPのグループに放出孔201が対面するように、容器203をZ軸まわりでπ/6だけ回転駆動する。これにより、放出孔201から放出される活性種ASによって当該次のクリーニング対象のアパーチャAPのグループがクリーニングされる。以上のような処理は、第1個数のアパーチャのすべてがクリーニングされるまで、クリーニング対象のアパーチャAPのグループを変更しながら実施される。つぎに、本発明の一実施形態のデバイス製造方法について説明する。デバイスは、例えば、半導体デバイスでありうる。半導体デバイスは、ウエハ半導体基板に集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程とを経ることにより製造される。前工程は、前述の荷電粒子線描画装置を用いて、感光剤が塗布されたウエハにパターンを描画する工程と、そのウエハを現像する工程とを含みうる。後工程は、アッセンブリ工程ダイシング、ボンディングと、パッケージング工程封入とを含みうる。