水銀フリー高輝度ガス放電ランプであって、a一対の離間に配置された対向電極が内部に設けられ、放電チャンバを画定する放電容器と、b前記放電容器内に充填されたイオン化可能な充填材料と、c前記放電容器の周りに配置された外部エンベロープであって、前記外部エンベロープの内面上に形成された少なくとも1つの光散乱ストライプを有し、前記光散乱ストライプは、前記ランプの通電状態時に前記放電容器の前記2つの対向電極間に生じるアーク放電に略平行に、かつ前記一対のうちの一方の電極の領域から他方の電極の領域に連続的に延び、幅が前記外部エンベロープの最大横断寸法の約0.5~15の範囲にある、外部エンベロープと、を備えるランプ。前記少なくとも1つの光散乱ストライプによって、アーク放電像の断面輝度分布は、前記アーク放電像の前記断面輝度分布関数のピーク輝度の20点間の距離として画定される幅Sが、約0.7~1.5mmの範囲になるように変更される請求項1に記載のランプ。前記少なくとも1つの光散乱ストライプによる光散乱の程度は、前記断面アーク放電像の前記ピーク輝度が約30メガカンデラ/m2以上となるように制御される請求項1に記載のランプ。前記少なくとも1つの光散乱ストライプによる光散乱の程度は、前記断面アーク放電像の前記ピーク輝度が約50メガカンデラ/m2以上となるように制御される請求項1に記載のランプ。前記少なくとも1つの光散乱ストライプによる光散乱損失は、約5パーセント5未満に抑えられる請求項1に記載のランプ。前記少なくとも1つの光散乱ストライプによる光散乱損失は、約3パーセント3未満に抑えられる請求項1に記載のランプ。前記放電チャンバ内の前記2つの対向電極間の実質的に中間で測定される前記アーク放電像の曲がりの程度が、前記少なくとも1つの光散乱ストライプが前記外部エンベロープ上にない場合のランプ内の前記アーク像の曲がりと比べて、約10~30の範囲の量だけ減少する請求項1に記載のランプ。前記少なくとも1つの光散乱ストライプは複数の光散乱ストライプを含む請求項1に記載のランプ。自動車のヘッドランプ用の水銀フリー高輝度ガス放電ランプであって、a一対の離間に配置された対向電極が内部に設けられ、放電チャンバを画定する放電容器と、b前記放電容器内に充填されたイオン化可能な充填材料と、c前記放電容器の周りに配置された外部エンベロープであって、前記外部エンベロープの内面上にそれぞれ形成された第1および第2の光散乱ストライプを有し、前記第1および第2の光散乱ストライプは、前記ランプの通電状態時に前記放電容器の前記2つの対向電極間に生じるアーク放電に略平行に、かつ前記一対のうちの一方の電極の領域から他方の電極の領域に連続的に延び、前記外部エンベロープの円周上で実質的に反対側に配置される、外部エンベロープと、を備える放電ランプ。前記外部エンベロープの円周上の実質的に反対側に配置された前記第1および第2の光散乱ストライプの一方は、他方から、前記略管状の外部エンベロープの実質的に円形断面の幾何学的中心点で測定される中心角の範囲を定める量によって、対向する180度180°方向から約15度15°だけずれている請求項9に記載の放電ランプ。前記第1および第2の光散乱ストライプは、幅が前記外部エンベロープの最大横断寸法の約0.5~15パーセントである請求項9に記載の放電ランプ。前記第1および第2の光散乱ストライプはそれぞれ、幅が短い複数の光散乱ストライプを含む請求項9に記載の放電ランプ。水銀フリー高輝度ガス放電ランプ中のアーク放電像を拡散して真っ直ぐにする方法であって、a放電容器を用意して、イオン化可能な充填材料が充填された放電チャンバを内部に形成し、一対の離間に配置された対向電極を内部に配置することと、b前記放電容器の周りに外部エンベロープを配置することと、c前記外部エンベロープの内面上に少なくとも1つの光散乱ストライプを形成して、前記少なくとも1つのストライプを、前記ランプの通電状態時に前記放電容器の前記2つの対向電極間に生じるアーク放電に略平行に配向し、前記少なくとも1つのストライプを、前記一対のうちの一方の電極の領域から他方の電極の領域に連続的に延び、幅が前記外部エンベロープの最大横断寸法の約0.5~15となるように構成することと、を含む方法。前記少なくとも1つの光散乱ストライプを形成するステップは、前記アーク放電像の断面輝度分布を、幅S前記アーク放電像の前記断面輝度分布関数のピーク輝度の20点間の距離として画定されるが約0.7~1.5mmの範囲となるように変更することを含む請求項13に記載の方法。前記少なくとも1つの光散乱ストライプを形成するステップは、前記断面アーク放電像の前記ピーク輝度が約30メガカンデラ/m2以上となるように光散乱の程度を制御するように前記少なくとも1つのストライプのテクスチャを構成することを含む請求項13に記載の方法。前記少なくとも1つの光散乱ストライプを形成するステップは、前記断面アーク放電像の前記ピーク輝度が約50メガカンデラ/m2以上となるように光散乱の程度を制御するように前記少なくとも1つのストライプのテクスチャを構成することを含む請求項13に記載の方法。前記少なくとも1つの光散乱ストライプを形成するステップは、前記光散乱損失を約5パーセント5未満に抑えるように前記少なくとも1つのストライプのテクスチャを構成することを含む請求項13に記載の方法。前記少なくとも1つの光散乱ストライプを形成するステップは、前記光散乱損失を約3パーセント3未満に抑えるように前記少なくとも1つのストライプの前記テクスチャを構成することを含む請求項13に記載の方法。前記少なくとも1つの光散乱ストライプを形成するステップは、前記少なくとも1つのストライプの前記テクスチャを、前記放電チャンバ内の前記2つの対向電極間の実質的に中間で測定される前記アーク放電像の曲がりの程度を、前記少なくとも1つの光散乱ストライプが前記外部エンベロープ上にない場合のランプ内の前記アーク像の曲がりと比べて約10~30の範囲の量だけ減少させるように構成することを含む請求項13に記載の方法。前記少なくとも1つの光散乱ストライプを形成するステップは、前記少なくとも1つのストライプを幅が短いストライプの集合として構成する複数の光散乱ストライプを形成することを含む請求項13に記載の方法。前述したように、アークからの光線によって構成される望ましいアーク像空間輝度分布を得ることを、ランプのコストを著しく増加させることなく高輝度アーク放電ランプの製造に容易に取り入れられる方法で行なうために、水銀フリー放電アークの湾曲および細さの増大を補償することが求められている。本開示では、コンパクトな高輝度水銀フリーアーク放電ランプ、特に、自動車のヘッドランプ用途に適したランプであって、第1のテクスチャ加工された光散乱ストリップまたはストライプを、外部エンベロープまたは外部バルブの内部表面の一方の側で用い、第2のテクスチャ加工された光散乱ストライプを、外部エンベロープの実質的に反対側で用い、各ストライプは放電容器の一方の電極から対向電極へ延びるランプについて説明する。テクスチャ加工された光散乱ストライプは、アーク長に沿って連続的であるとともにアーク放電に実質的に平行であり、アークの空間輝度分布をその横断面内においてより均一にする、すなわち、アーク放電像をより真っ直ぐにしてより幅広くする。同時に、テクスチャ加工された光散乱ストライプによって、電極に隣接するアークのより高温領域しばしば焦点と言われるからのアーク輝度不均一効果が減少する。あるバージョンでは、第1および第2のストライプが、テクスチャ加工された表面として外部エンベロープの内部表面上に形成されて、それぞれ外部エンベロープの実質的に反対側にあり、また他のバージョンでは、2つの複数または組のストライプが、所望の間隔だけ離れて実質的に外部エンベロープの反対側に形成されて、設けられていても良い。本開示の水銀フリー高輝度放電ランプは、テクスチャ加工された光散乱ストライプが電極間を連続的に延びるとともに放電容器の長手軸に沿ってアーク放電と実質的に平行に進むものであるが、ストライプの幅が、外部エンベロープの最大横断寸法の約0.5~15の範囲である。本開示の水銀フリーHIDアーク放電ランプでは、アーク放電像の断面輝度分布が変更されて、アーク放電像の断面輝度分布関数のピーク輝度の20点間の距離として画定される幅Sが約0.7~1.5mmの範囲にある。さらなる優位性として、本開示の水銀フリーHIDランプによって、放電チャンバ内の2つの対向電極間の実質的に中間で測定されるアーク放電像の曲がりの程度が、テクスチャ加工された光散乱ストライプが外部エンベロープ上にない場合のランプ内のアーク像の曲がりの程度と比べて、約10~30の範囲の量だけ減少する。あるバージョンにおける本開示のHIDランプでは、断面アーク放電像のピーク輝度が約30メガカンデラ/m2以上となるように光散乱の程度を制御下に維持するストライプが提供され、別のバージョンでは、約50メガカンデラ/m2以上となるように提供される。開示内容の本実施において、あるバージョンの光散乱損失は約5未満に抑えられ、別のバージョンでは約3未満に抑えられている。したがって、本水銀フリー高輝度放電ランプの外部エンベロープの内部のテクスチャストライピングによって、アーク湾曲が最小限になり、アーク像の輝度が広がってより一様に分布して、ヘッドランプ用途に対してビームを配向フォーカスすることが容易になる。図4を参照して、本開示の水銀フリー高輝度放電HIDランプのあるバージョンが、全体的に100で示されている。ランプは、アーク放電チャンバ104を形成する透明なエンクロージャ102を備えている。アーク放電チャンバ104は、その対向する端部に、左側電極106と、左側電極106と離間にかつ対向して配置された対応する右側電極108とを配置し、これらはその壁を封止配置で通って外側に延びている。電極106、108にはそれぞれ電気リード線それぞれ110、112が取り付けられていて、電位源図示せずへの接続が図られている。電気リード線110、112は一般的に、アークチューブ端部に真空気密封止部分114、116を構成する複合部品を含んでおり、その構造は、アークチャンバ材料と電気リード線110および112の構成部品との熱膨張係数の不整合によって誘起されるすべての機械的応力に耐えるものとなっている。エンクロージャ102とチューブ114、116とは、水銀フリーアーク放電ランプの放電容器を構成しており、外部の透明なエンベロープまたはチューブ118内に配置されている。エンクロージャ102には、イオン化可能な材料たとえば希ガス水銀の代わりとなる好適な材料とランプの望ましい電気および光学特性を得るための必要な他の充填成分とが、当該技術分野で知られた仕方で充填されて封止されている。水銀フリー高輝度放電ランプが通電されると、アークが電極106、108間に形成される。図4において、アークを全体的に120で暗い陰影によって、電極106、108間の距離に沿って見られるような略湾曲した構成を有するとして示す。テクスチャ加工された第1のストライプが、全体的に122で示され、エンベロープ118の内部表面に沿って形成されている。第1のストライプは、幅が参照文字Wによって示され、テクスチャ加工された構成が、長手方向に連続して、かつ2つの対向電極106、108間に生じるアーク放電と実質的に平行に延びている。図6を参照して、テクスチャ加工された光散乱ストライプ122を示す。ストライプ122は、エンベロープ118の断面を通る水平線に沿って配置され、同様の構成およびテクスチャの第2のストライプ123が、エンベロープ118の実質的に反対側に沿って配置されている。しかし、ストライプ123は、水平方向から約15°の量だけ起きたところに配置されている。本実施においては、テクスチャ加工されたストライプを、ランダムに粗面化された表面として形成するかまたは規則的な光学格子状構造によって形成することが、満足のいくものであることが分かっている。ストライプ122、123は、幅Wが外部エンベロープ118の最大横断寸法の約0.5~15の範囲である。またストライプ122、123によって、アーク放電像の断面輝度分布関数の20ピーク輝度点間の距離として画定される放電アーク像の幅S’が、約0.7~1.5mmの範囲に減少する。本実施において、断面アーク放電像のピーク輝度が、あるバージョンでは約30カンデラ/mm2以上となり、別のバージョンでは50カンデラ/mm2以上となるように、ストライプ122、123によって光散乱の程度が制御下に維持される。ストライプ122、123によって生じる光散乱損失は、約5未満、好ましくは約3未満に抑えられている。図6の左側の図を参照して、テクスチャ加工されたストライプ122を通ったアーク放電像の輝度分布の図式表現を例示する。2つのプロットを示している。細い方の線は、ストライプ122がない場合のアーク像の輝度分布を例示しており、距離Sは、アーク放電像の断面輝度分布関数の20ピーク輝度の点の幅を示している。太い方の線プロットの距離S’は、ストライプ122がある場合のアーク像の20ピーク輝度点の点間の対応する距離S’を示す。これらの2つのプロットによれば、アーク放電像の中央部分で輝度が減少していること、および中央部分に横方向に隣接する領域で輝度が上がって輝度分布が広がっていることが、図式的に例示されている。図6の右側の図式表現を参照して、ストライプ123がない場合のアーク放電像に対して、アーク放電像の断面輝度分布関数の20ピーク輝度点間の幅Sの輝度分布の同様の表現を示し、ストライプ123の存在によって形成されるアーク像に対しては幅S’の分布によって示す。図7を参照して、本開示の水銀フリーHIDランプの別の実施形態を全体的に200で示す。ランプは、透明な密閉エンクロージャ202によって形成されるアーク放電チャンバ203を有している。チャンバ203は、イオン化可能な材料が充填され、一対の離間に配置された対向電極を有している。電極の一方は204で示され、内部に配置されて、外部の透明なエンベロープ206によって囲まれている。外部エンベロープ206は、合計幅Wの一対のテクスチャ加工されたストライプ208、210が、エンベロープ206の内面の一方の側に形成され、少なくとも電極たとえば電極204の長さを含む距離だけ、エンベロープの長さに沿って軸方向に延びている。ストライプ212、214からなる同様の組が、エンベロープ206の内部表面上の反対側に、合計幅Wを有して設けられている。ストライプ212、214の組は、外部エンベロープ206の円周上の実質的に反対側に配置されているが、正確に反対の180度180°方向から約15度15°だけずれている。図7のバージョン200のストライプの合計幅Wおよび光散乱特性は、図6のバージョン100のそれらと同様である。図7の左側および右側の図式表現を参照して、各側面図での2つの図式表現から分かることは、ストライプ208、210および212、214によって、断面輝度分布関数の20ピーク輝度点間の距離としての幅S’によって示されるアーク放電像の同様の広がりが得られ、幅S’は実質的に、ストライプ208、210および212、214がない場合の高輝度放電ランプに対する幅Sの同様の分布よりも幅が広いということである。以上、本開示の水銀フリー高輝度ガス放電ランプによって、アーク放電像として、中央のピーク輝度がわずかに減少しているが、幅がかなり広く、断面輝度分布が一様に分布しているアーク放電像が、外部エンベロープの内部に設けられた少なくとも1つのテクスチャ加工されたストライプによる光散乱によって得られる。加えて、テクスチャ加工されたストライプが一方の電極から対向電極へ連続的にかつアーク放電と平行に延びているため、より真っ直ぐなアーク像が得られるとともに、電極に隣接するアークの焦点または高温領域の強度が低下する。したがって、本開示の水銀フリー高輝度ガス放電ランプによって、ランプの空間アーク輝度分布を改善して、ランプを特に自動車のヘッドランプ装置に適したものにするための簡単で低コストな技術が提供される。自動車のヘッドランプ装置では、具体的に画定されたビームを、道路表面上での照明の領域および強度を制御するためのレンズまたはリフレクタによって発生させなければならない。本発明を、好ましい実施形態を参照して説明してきた。明らかに、前述の詳細な説明を読んで理解すれば、変更および修正が他の者に想起される。本発明を、このような変更および修正をすべて含むものと解釈することが意図されている。