第1電極と、前記第1電極上に第1半導体層、活性層及び第2半導体層を含む発光構造物と、前記発光構造物上に第2電極と、及び前記発光構造物を制御するために前記発光構造物上に制御スイッチと、を含むことを特徴とする発光素子。前記制御スイッチは、制御信号に応答して前記発光構造物の動作を制御することを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記制御信号は、オンオフ制御信号及び階調制御信号のうちで何れか一つであることを特徴とする請求項2に記載の発光素子。前記制御スイッチは、半導体スイッチであることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記半導体スイッチは、MOSFETスイッチ、JFETスイッチ、CMOSスイッチ及びBJTスイッチのうちで何れか一つであることを特徴とする請求項4に記載の発光素子。前記制御スイッチは、前記発光構造物の周縁の一部の領域に形成されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記制御スイッチは、第1ドーパントを含む胴体部と、前記胴体部に第2ドーパントを含むソース領域とドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記胴体部上にゲート絶縁膜と、及び前記ゲート絶縁膜上にゲート電極と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記胴体部は、前記発光構造物を支持するための基板から形成されたことを特徴とする請求項7に記載の発光素子。前記胴体部は、シリコン及びサファイアのうちで何れか一つを含むことを特徴とする請求項7に記載の発光素子。前記第1ドーパントは、前記第1半導体層と同一の極性を有することを特徴とする請求項7に記載の発光素子。前記第2ドーパントは、前記第2半導体層と同一の極性を有することを特徴とする請求項7に記載の発光素子。前記ソース領域と前記ドレイン領域上に前記ソース電極及びドレイン電極、をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の発光素子。前記ソース電極と前記ドレイン電極のうちで何れか一つと前記第2電極との間にワイヤ、をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の発光素子。前記第1電極及び前記発光構造物の間に反射層及びオーミック接触層のうちで少なくとも一つ、をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記第2電極が接する前記発光構造物上に凹凸、をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。本発明の目的は、新しい構造を有する発光素子及び発光素子パッケージを提供することにある。本発明の他の目的は、スイッチ機能を含む発光素子を提供することにある。本発明に従う発光素子は、第1電極と、該第1電極上に発光構造物と、前記発光構造物上に第2電極と、及び前記発光構造物を制御するために前記発光構造物上に制御スイッチを含む。本発明によれば、発光素子は、第1電極と、該第1電極上に第1電極上の第1半導体層、該第1半導体層上の活性層及び該活性層上に第2半導体層を含む発光構造物と、該発光構造物上に第2電極と、前記発光構造物上に胴体部と、該胴体ソース領域とドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記胴体部上にゲート絶縁膜と、及び前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を含んで、前記第2電極は前記ソース領域と前記ドレイン領域のうちで何れか一つに電気的に連結される。また、本発明によれば、発光素子パッケージは、胴体と、該胴体に設置された発光素子と、及び前記発光素子を囲むモールディング部材を含んで、前記発光素子は、第1電極と、該第1電極上に発光構造物と、該発光構造物上に第2電極と、及び前記発光構造物を制御するために前記発光構造物上に制御スイッチを含む。本発明を説明するに当たって、各層、領域、パターン、または構造物が基板、各層、領域、パッド、またはパターンの上に、または下のに形成されることと記載される場合において、上と下のは、直接directlyまたは他の層を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。以下、添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明すると、次の通りである。図面において、各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するものではない。図1は、本発明の第1実施形態に従う発光素子の断面図で、図2は前記発光素子の平面図である。図1及び図2を参照すると、第1実施形態に従う発光素子100は、第1電極160、該第1電極160上に接着層158、前記第1電極160または前記接着層158上面まわりに保護部材155、前記接着層158上に反射層157、該反射層157上にオーミック接触層156、前記保護部材155及び前記オーミック接触層156上に発光構造物145、前記発光構造物145上に第2電極170及び制御スイッチ120、を含むことができる。前記第1電極160は、その上に形成される複数の層を支持するだけでなく、電極としての機能を有することができる。言い換えれば、前記第1電極160は伝導性を有する支持部材を含むことができる。前記第1電極160は前記第2電極170とともに前記発光構造物145に電源を供給することができる。前記第1電極160は、例えば、チタン、クロム、ニッケル、アルミニウム、白金、金、タングステン、銅、モリブデン、銅タングステン及びキャリアウェハーからなるグループから選択された少なくとも一つ、または複数を含むことができる。前記第1電極160は、前記発光構造物145下にメッキまたは及び蒸着されるか、またはシート形態で付着することができるが、これに対して限定しない。前記第1電極160上には前記接着層158が形成されることができる。前記接着層158はボンディング層として、前記反射層157の下に形成される。前記接着層158は外側面が露出して、前記反射層157に接触されて、前記反射層157と前記第1電極160との間の接着力を強化にする媒介体の役割をすることができる。前記接着層158はバリア金属、またはボンディング金属などを含むことができる。前記接着層158は、例えば、Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag及びTaからなるグループから選択された少なくとも一つまたは複数を含む。但し、前記第1電極160がボンディング方式ではなく、メッキまたは蒸着方式によって形成する場合、前記接合層158は形成されないこともある。前記反射層157の上面の周縁領域には、前記保護部材155が形成されることができる。すなわち、前記保護部材155は前記発光構造物145と、前記オーミック接触層156と、前記反射層157との間の周縁領域に形成されることができる。前記保護部材155は電気絶縁性を有する材質または前記発光構造物145に比べて低い電気伝導性を有する材質に形成されることができる。例えば、前記保護部材155は、SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3及びTiO2からなるグループから選択された少なくとも一つを含むことができる。このような場合、前記保護部材155は前記発光構造物145と前記第1電極160との間の電気的なショートを防止して、発光素子100の信頼性を向上することができる。または、前記保護部材155は、接着力が良い金属材質、例えば、Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir及びWからなるグループから選択された少なくとも一つを含むことができる。このような場合、前記保護部材155は前記発光構造物145と前記反射層157との間の接合力を強化して、前記発光素子100の信頼性を向上することができる。また、前記保護部材155はチップ分離工程で複数個のチップを個別チップ単位で分離するレーザースクライビング工程と基板をとり除くレーザーリフトオフ工程時、前記保護部材155が割れるか、または破片が発生しなくなるので、前記発光素子100の信頼性を向上することができる。また、前記保護部材155が前記第1導電型半導体層150とオーミック接触を形成する場合、前記保護部材155を通じて電流が流れることができるので、前記保護部材155上に垂直方向に重畳される前記活性層140でも光が生成されることができるようになって、前記発光素子100の発光効率をよりさらに向上することができる。例えば、前記第1導電型半導体層150がp型半導体層である場合、前記保護部材155は前記p型半導体に対してオーミック接触を形成するTi、Ni、Wなどのような金属を含むことができるが、これに対して限定しない。前記第1電極160、または前記接着層158上面の周縁領域には前記保護部材155が形成されることができる。前記保護部材155は前記発光構造物145と前記第1電極160がお互いに電気的にショートされることを防止することができる。前記保護部材155は、電気絶縁性を有する材質、例えば、SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2、ITO、AZO、ZnOなどでなされた群から少なくとも一つが選択されて形成されることができる。前記接着層158上には前記反射層157が形成されることができる。前記反射層157は、前記発光構造物157から入射された光を反射させることで前記発光素子100の発光効率を向上することができる。前記反射層157は、反射効率が高い材質、例えば、銀、アルミニウム、白金、パラジウムまたは銅のうち少なくとも一つを含む金属または合金で形成されることができる。前記反射層157は、高反射率を有する材質、例えば、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au及びHfからなるグループから選択された少なくとも一つまたは二つ以上の合金を含むことができるが、これに対しては限定しない。また前記反射層157は前記金属とともにIZO、GZO、AZO、AGZO、IGZO、IZTO、IAZO、IGTO、ATOなどの透明な伝導性物質を用いて多層で形成することができる。すなわち、前記反射層157は、例えば、IZONi、AZOAg、IZOAgNi、AZOAgNiのような多層で構成されることができる。前記反射層157上には前記オーミック接触層156が形成されることができる。前記オーミック接触層156は、前記発光構造物145の第1導電型半導体層150にオーミック接触されて、前記発光構造物145に電源が円滑に供給されるようにする。具体的には、前記オーミック接触層156は、透明な伝導性物質と金属を選択的に使用することができるし、ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、IrOx、RuOx、RuOxITO、Ni、Ag、NiIrOxAu及びNiIrOxAuITOからなるグループから選択された少なくとも一つ以上を用いて単層または多層で具現することができる。一方、前記反射層157が前記発光構造物145とオーミック接触される場合、前記オーミック接触層156は形成されないこともある。前記オーミック接触層156及び前記保護部材155上には前記発光構造物145が形成されることができる。前記発光構造物145は複数の3族乃至5族元素の化合物半導体材料を含むことができる。前記発光構造物145は第1導電型半導体層150、該第1導電型半導体層150上に活性層140、該活性層140上に第2導電型半導体層130を含むことができる。前記第1導電型半導体層150は、前記保護部材155の一部領域と前記オーミック接触層156上に形成されることができる。前記第1導電型半導体層150はp型ドーパントを含むp型半導体層であることができる。前記p型半導体層は3族乃至5族元素の化合物半導体材料、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP及びAlGaInPからなるグループから選択された一つを含むことができる。前記p型ドーパントはMg、Zn、Ga、Sr、Baなどであることができる。前記第1導電型半導体層150は単層または多層に形成されることができるが、これに対して限定しない。前記第1導電型半導体層150は、複数のキャリアを前記活性層140に供給する役割をする。前記活性層140は、前記第1導電型半導体層150上に形成されて、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造、量子点構造または量子線構造のうちで何れか一つを含むことができるが、これに対しては限定しない。前記活性層140は、前記第2導電型半導体層130を通じて注入される電子と前記第1導電型半導体層150を通じて注入される正孔が再結合して、前記活性層140の形成物質に従うエネルギーバンドのバンドギャップに相応する波長の光を放出させる。前記活性層140の量子井戸構造に形成された場合、例えばInxAlyGa1-x-yNの組成式を有する井戸層とInaAlbGa1-a-bNの組成式を有する障壁層を有する単一または量子井戸構造を有することができる。前記井戸層は前記障壁層のエネルギーバンドギャップより低いエネルギーバンドギャップを有する物質に形成されることができる。前記活性層140は3族乃至5族元素の化合物半導体材料を用いて井戸層と障壁層の周期に形成されることができる。前記活性層140として使用するための化合物半導体材料としては、GaN、InGaN、AlGaNであることができる。よって、前記活性層140は、例えばInGaN井戸層GaN障壁層の周期、InGaN井戸層AlGaN障壁層の周期、InGaN井戸層InGaN障壁層の周期などを含むことができるが、これに対しては限定しない。図示しなかったが、前記活性層140の上または及び下には導電型クラッド層が形成されることもでき、前記導電型クラッド層はAlGaN系半導体に形成されることができる。例えば、前記第1導電型半導体層150と前記活性層140との間にはp型ドーパントを含むp型クラッド層が形成されて、前記活性層140と前記第2導電型半導体層130との間にはn型ドーパントを含むn型クラッド層が形成されることができる。前記導電型クラッド層は、前記活性層140に供給された複数のホールと複数の電子が第1導電型半導体層150と第2導電型半導体層130に移動されないようにするガイドの役割をする。よって、前記導電型クラッド層によって前記活性層140に供給されたホールと電子がより多く再結合して、発光素子100の発光効率を向上することができる。前記第2導電型半導体層130は、前記活性層140上に形成されることができる。前記第2導電型半導体層130はn型ドーパントを含むn型半導体層であることができる。前記第2導電型半導体層130は3族乃至5族元素の化合物半導体材料、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP及びAlGaInPからなるグループから選択された一つを含むことができる。前記n型ドーパントはSi、Ge、Sn、Se、Teなどであることができる。前記第2導電型半導体層130は単層または多層に形成されることができるが、これに対して限定しない。前記第2導電型半導体層130の上面には光抽出効率のためにラフネスや凹凸131が形成されることができる。前記ラフネスや凹凸131は、湿式蝕刻によって形成されたランダムなパターンに形成されるか、またはパターニング工程によって形成された光結晶構造のように周期的なパターンに形成されることもでき、これに対して限定しない。前記ラフネスや凹凸131は、凹な形状と凸な形状を周期的に有することができる。前記凹な形状と前記凸な形状すべてはラウンド面を有するか、または頂点で会う両側傾斜面を有することができる。例えば、前記ラフネスや凹凸131は、特定波長帯の光を選択的に透過または反射する光結晶構造を有することができるし、50nm乃至3000nmの周期を有することができるが、これに対して限定しない。一方、前記第1導電型半導体層150下に前記第1導電型半導体層150の極性と反対である半導体層が形成されることができる。前記第1導電型半導体層150がp型半導体層であり、前記第2導電型半導体層130がn型半導体層であることができるし、その逆も可能である。よって、前記発光構造物145はN-P接合、P-N接合、N-P-N接合及びP-N-P接合構造のうちで少なくとも一つを含むことができる。前記第2導電型半導体層130は、n型半導体層のみを含むか、または前記n型半導体層上にアンドープド半導体層などをさらに含むこともできるが、これに対して限定しない。前記アンドープド半導体層は、導電型ドーパントがドーピングされなくて、前記n型半導体層または前記第2導電型半導体層130に比べて顕著に低い電気伝導性を有する層で、前記第2導電型半導体層130の結晶性向上のために成長される層である。また、前記第1導電型半導体層150及び前記第2導電型半導体層130内の導電型ドーパントのドーピング濃度は均一または不均一に形成されることができる。すなわち、前記発光構造物145の構造は多様に形成されることができるし、これに対して限定しない。前記第2導電型半導体層130上には、前記第2電極170及び前記制御スイッチ120が形成されることができる。前記第2電極170は、前記第1電極160とともに、前記発光素子100に電源を提供することができる。前記第2電極170は、チタン、クロム、ニッケル、アルミニウム、白金、金、タングステン、銅及びモリブデンからなるグループから選択された少なくとも一つを含む単層または多層構造に形成されることができるが、これに対して限定しない。前記第2電極170は蒸着またはメッキ方法によって形成されることができる。前記制御スイッチ120は前記第2導電型半導体層130上に形成されることができる。望ましくは、前記制御スイッチ120は前記発光構造物145から放出される光の吸収を最小化するために前記第2導電型半導体層130の周縁領域に形成されることができる。前記制御スイッチ120は、外部から印加される制御信号によって前記発光素子100のオンオフ動作を制御することができる。すなわち、実施形態に従う発光素子100は、前記制御スイッチ120を含んで外部から印加される制御信号によって自らオンオフ動作が制御されることができるので、前記発光素子100を駆動するためのドライバーICチップの数量を減少させることができるし、簡単な配線によってそれぞれの発光素子100単位で細密なオンオフ動作の制御が可能である。前記制御スイッチ120は、前記発光構造物145の第2導電型半導体層130上面に簡単な製造工程によって形成されることができる。例えば、前記制御スイッチ120は半導体製造工程を取り入れて、シリコンにドーピングを実施することで微細な大きさで形成することができるので、前記発光素子100の発光効率を阻害せずに、本来の目的を達成することができる。前記制御スイッチ120は、シリコン材質に形成されてp型ドーパントが注入された胴体部121と、該胴体部121の上部領域にn型ドーパントをそれぞれ注入して形成されたソース領域122及びドレイン領域123と、前記胴体部121、ソース領域122及びドレイン領域123の上面にゲート絶縁膜126と、該ゲート絶縁膜126上にゲート電極127と、前記ソース領域122上にソース電極124と、前記ドレイン領域123上にドレイン電極125を含むことができる。すなわち、前記制御スイッチ120は、MOSFETスイッチであってよく、その場合、前記制御スイッチ120は、前記ゲート電極127に印加される制御信号によって前記発光素子100のオンオフ動作及び輝度を調節することができる。但し、実施形態では、前記制御スイッチ120がMOSFETの場合を中心に説明するが、前記制御スイッチ120の種類に対して限定するものではなく、前記制御スイッチ120は、例えば、JFETスイッチ、CMOSスイッチ、BJTスイッチなどを含む半導体スイッチのうちで何れか一つであってよい。前記胴体部121は、シリコン材質に形成されることができるし、後述するシリコン基板をエッチングなどによって選択的にとり除くことで簡単に製造されることができる。すなわち、前記発光構造物145を成長するのに使われる前記シリコン基板を選択的にとり除いて、前記保護素子115の胴体部121で形成することで、製造工程を簡単で効率的に実施することができる。また、前記胴体部121にはp型ドーパントが注入されて、前記胴体部121はp型半導体をなすことができる。前記p型ドーパントは、例えば、Mg、Be、Bのうちで少なくとも一つを含むことができる。前記胴体部121の上部には前記ソース領域122及びドレイン領域123が形成されることができる。前記ソース領域122及びドレイン領域123は、前記胴体部121の上部領域にn型ドーパントを注入することで形成されることができる。前記n型ドーパントは、例えば、N、P、As、Sbのうちで少なくとも一つを含むことができる。一方、前記第1導電型半導体層150がn型半導体層であり、前記第2導電型半導体層130がp型半導体層である場合、前記胴体部121にn型ドーパントが注入されて、前記ソース領域122及びドレイン領域123にp型ドーパントが注入されることもできる。前記胴体部121、ソース領域122及びドレイン領域123の上面には前記ゲート絶縁膜126が形成されて、前記ゲート絶縁膜126上には前記ゲート電極127が形成されることができる。前記ゲート電極127には制御信号が印加されるようになって、前記ゲート絶縁膜126は、前記ゲート電極127を前記胴体部121、ソース領域122及びドレイン領域123と絶縁させる。前記ゲート電極127は、例えば、Al、Cr、Ni、Ti、Cu、Pt、Ag、Pd、Rh及びAuからなるグループから選択された少なくとも一つを含むことができる。前記ゲート絶縁膜126は、例えば、SiO2、HfOx、Al2O3、Si3N4及びTiOxからなるグループから選択された少なくとも一つを含むことができる。前記ゲート絶縁膜126の厚さは、前記ゲート電極127に加えられる制御信号によって前記ソース領域122及びドレイン領域123の間にチャネルが形成されることができるように調節されることができる。前記チャネルを通じて流れる電流によって前記発光素子100のオンオフが制御されるようになる。前記ソース電極124及びドレイン電極125は、それぞれ前記ソース領域122及び前記ドレイン領域123にそれぞれ接触して形成されることができる。前記ソース電極124及び前記ドレイン電極125は、例えば、Al、Cr、Ni、Ti、Cu、Pt、Ag、Pd、Rh及びAuからなるグループから選択された少なくとも一つを含むことができる。前記制御スイッチ120がスイッチとして機能することができるように、前記ソース電極124及びドレイン電極125のうち何れか一つは前記発光構造物145の上面に形成された前記第2電極170に、例えば、第1ワイヤ181によって電気的に連結されて、前記ソース電極124及びドレイン電極125のうち他の一つは、例えば、第2ワイヤ182によって外部電源に連結されることができる。前記ゲート電極127には、例えば、第3ワイヤ183が連結されて制御信号を供給するまた他の外部電源に連結されることができる。以下、第1実施形態に従う発光素子の動作原理に対して詳しく説明する。図3は、第1実施形態に従う発光素子の動作原理を示す回路図である。図3を参照すると、前記制御スイッチ120と前記発光構造物145はお互いに直列で連結されることができる。前記制御スイッチ120は前記ゲート電極127に印加される制御信号によって前記発光構造物145を制御するMOSFETスイッチ、JFETスイッチまたはBJTスイッチのような半導体スイッチを含むことができる。前記制御信号は単純に前記発光素子100のオンオフ動作のみを制御するハイロー制御信号であるか、または前記発光素子100のオンオフ動作のみならず輝度まで調節することができる階調制御信号であることができるが、これに対して限定しない。オンオフ制御信号である場合、このようなオンオフ制御信号によって前記制御スイッチ121がターンオンオフされて、ソース電極124、チャネル層、ドレイン電極125及び第2電極170を経由した電圧、または電圧が前記発光構造物145の第2導電型半導体層130への供給が制御されることができる。この時、前記第1電極160に電圧、または電圧が提供されるので、前記発光構造物145は第1電極160に供給された電圧または電圧と第2電極170に供給された電圧または電圧によって光が放出されることができる。階調制御信号である場合、前記制御スイッチ120のターンオン時間とターンオン時間の回数が調節されて、これによって前記発光構造物145の光がパルス形態に放出されるようになって、階調が表現されることができる。このような階調表現方法はさまざまな形態が可能であって、実施形態はこれに対して限定しない。前記制御信号によって前記制御スイッチ120のソース領域122とドレイン領域123との間に形成されたチャネルに電流が流れることができるので、前記発光素子100のオンオフ動作または及び輝度が制御されることができる。例えば、前記制御信号がハイ信号である場合、前記制御スイッチ120に形成されたチャネルに電流が流れるようになって、前記制御スイッチ120がターンオンされて、前記発光素子100はオンになるようになる。すなわち、前記発光構造物145に光の放出のための電圧が供給されることができる。反面に、前記制御信号がロー信号である場合、前記制御スイッチ120に形成されたチャネルに電流が流れなくなって、前記制御スイッチ120がターンオフされて、前記発光素子100はオフされるようになる。すなわち、前記発光構造物145でどのような電圧も供給されない。前述したところのように、前記発光構造物145の上面に簡単で効率的な製造工程によって前記制御スイッチ120を形成することで、前記発光素子100のオンオフ動作または及び輝度を効率的に制御することができる。以下、第1実施形態に従う発光素子の製造工程に対して詳しく説明する。図4乃至図12は、第1実施形態に従う発光素子の製造工程を説明する図面である。図4を参照すると、シリコン基板110上に前記発光構造物145を形成する。前記発光構造物145は、例えば、前記第2導電型半導体層130、活性層140及び第1導電型半導体層150を順次に積層することで形成することができる。前記シリコン基板110は、シリコン材質を含んで形成されることができる。前記シリコン基板110は、サファイア基板などに比べて価格が安いのみではなく、加工が容易な長所などがある。前記発光構造物145は、前記シリコン基板110上に有機金属化学蒸着法、化学蒸着法、プラズマ化学蒸着法、分子線成長法、水素化物気相成長法などの方法を用いて形成されることができるし、これに対して限定しない。一方、前記第2導電型半導体層130と前記シリコン基板110の間の格子定数の差及び熱膨張率差を緩和するために、二つの層の間にはバッファ層が形成されることができる。前記バッファ層は、例えば、InxAlyGa1-x-yNの組成式を有する半導体材料に形成されることができるし、単層または多層構造に形成されることができる。図5を参照すると、前記保護部材155は、電気絶縁性を有する材質または前記発光構造物145に比べて低い電気伝導性を有する材質に形成されることができる。例えば、前記保護部材155はSi02、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3及びTiO2からなるグループから選択された少なくとも一つを含むことができる。このような場合、前記保護部材155は前記発光構造物145と前記第1電極160との間の電気的なショートを防止して、発光素子100の信頼性を向上することができる。または、前記保護部材155は、接着力が良い金属材質、例えば、Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir及びWからなるグループから選択された少なくとも一つを含むことができる。このような場合、前記保護部材155は前記発光構造物145と前記反射層157との間の接合力を強化して、前記発光素子100の信頼性を向上することができる。また、前記保護部材155はチップ分離工程で複数個のチップを個別チップ単位で分離するレーザースクライビング工程、および基板をとり除くレーザーリフトオフ工程時において前記保護部材155が割れるか、または破片が発生しなくなるので、前記発光素子100の信頼性を向上することができる。また、前記保護部材155が前記第1導電型半導体層150とオーミック接触を形成する場合、前記保護部材155を通じて電流が流れることができるので、前記保護部材155上に垂直方向に重畳される前記活性層140でも光が生成されることができるようになって、前記発光素子100の発光効率をよりさらに向上することができる。例えば、前記第1導電型半導体層150がp型半導体層である場合、前記保護部材155は前記p型半導体に対してオーミック接触を形成するTi、Ni、Wなどのような金属を含むことができるが、これに対して限定しない。前記保護部材155はスパッタリング、PECVDなどの蒸着方式によって形成されることができるが、これに対して限定しない。図6を参照すると、前記発光構造物145上に前記オーミック接触層156が形成されて、前記オーミック接触層156上に前記反射層157が形成されることができる。前記オーミック接触層156及び前記反射層157はスパッタリング、PECVD、電子ビーム蒸着などの蒸着方式によって形成されることができる。前記オーミック接触層156は、例えば、ITO、Ni、Pt、Ir、Rh、Agのうちで少なくとも一つを含むように形成されることができる。また、前記反射層157は、例えば、銀、アルミニウム、白金、パラジウムまたは銅のうち少なくとも一つを含む金属または合金に形成されることができる。図7を参照すると、前記反射層157及び前記保護部材155上には前記接着層158が形成されて、前記接着層158上に前記第1電極160が形成されることができる。前記第1電極160は伝導性を有する支持部材を含むことができる。前記接着層158は前記第1電極160と前記発光構造物145との間の界面接合力を向上するために形成されることができるし、例えば、Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、AgまたはTaのうちで少なくとも一つを含むように形成することができる。前記第1電極160は、別途のシート形態で用意して、前記接着層158上にボンディングされることができる。または、前記第1電極160はメッキ方式または蒸着方式によって形成されることもでき、この場合、前記接着層158は形成されないこともある。前記第1電極160は、チタン、クロム、ニッケル、アルミニウム、白金、金、タングステン、銅、モリブデンまたは不純物が注入された半導体基板のうちで少なくとも何れか一つを含むように形成されることができる。図8を参照すると、前記シリコン基板110を選択的にとり除いて前記制御スイッチの胴体部121を形成することができる。前記胴体部120は、望ましくは前記発光構造物145下面の周縁領域に形成されることができるが、これに対して限定しない。前記シリコン基板110は、例えば、エッチング工程などによって選択的に除去されて前記胴体部121が提供されることができる。前記胴体部121は示されたように、多角柱形態に形成されることができるが、その形態や製造工程に対して限定しない。以後、前記胴体部121は、p型ドーパントが注入されてp型半導体に形成されることができる。または、発光構造物145を形成する前に図4のシリコン基板110にp型ドーパントが注入されることもできる。言い換えれば、p型ドーパントは発光構造物145を形成する前に前記シリコン基板110に注入されるか、または胴体部120が形成された後に前記胴体部120に注入されることができる。前記シリコン基板110は、前記エッチング工程によって容易に除去されることができるので、レーザーリフト工程のように発光素子の収率を減少させることができる工程が省略されることができて、前記発光素子100の製造工程の信頼性が向上することができる。一方、発光構造物を、前記シリコン基板をベース基板にして形成しないで、例えば、サファイア基板などをベース基板にして形成して、前記サファイア基板をLLOによってとり除いた後、前記発光構造物145に蒸着方法などによって前記胴体部121を形成することもでき、これに対して限定しない。図9を参照すると、前記胴体部121の下部領域に選択的にn型ドーパントを注入することで、前記ソース領域122及びドレイン領域123を形成することができる。前記ソース領域122及びドレイン領域123をそれぞれ所望する領域に形成するため、前記胴体部121にマスクパターンを形成した後、前記マスクパターンに沿って前記n型ドーパントをイオン注入法、熱拡散法などによって注入することができる。但し、これに対して限定しない。図10を参照すると、前記胴体部121、ソース領域122及びドレイン領域123に接触するように前記ゲート絶縁膜126を形成して、前記ゲート絶縁膜126上に前記ゲート電極127を形成することができる。また、前記ソース領域122上に前記ソース電極124を形成して、前記ドレイン領域123上に前記ドレイン電極125を形成することができる。これによって、前記制御スイッチ120が提供されることができる。前記ゲート絶縁膜126は、例えば、CVD、ALDなどの蒸着方法によって蒸着されることができる。前記ゲート電極127、ソース電極124及びドレイン電極125は、例えば、CVD、電子ビーム蒸着、スパッタリングなどによって形成されることができる。但し、これに対して限定しない。図11を参照すると、前記発光構造物145にアイソレーションエッチングを実施して、前記発光構造物145の下面、すなわち、前記第2導電型半導体層130の上面に前記ラフネスや凹凸131を形成することができる。また、前記第2導電型半導体層130の上面に前記第2電極170を形成することで、第1実施形態に従う発光素子100が提供されることができる。前記アイソレーションエッチングによって複数個の発光素子チップが個別チップ単位に区分されることができる。前記アイソレーションエッチングによって前記発光構造物145の側面が傾くようにエッチングされることができる。これと共に、前記発光構造物145の上面、すなわち前記第2導電型半導体層130の上面に前記ラフネスや凹凸132を形成することができる。前記アイソレーションエッチングは、例えば、ICPのような乾式蝕刻方法によって実施されることができる。前記ラフネスや凹凸132は、湿式蝕刻によってランダムな形状を有するように形成されるか、またはマスクパターンに沿って光結晶構造などを有するように形成されることもでき、これに対して限定しない。前記第2電極170は、例えば、CVD、電子ビーム蒸着、スパッタリングなどの方法によって形成されることができる。図12を参照すると、前記制御スイッチ120がスイッチとして機能することができるように例えば、ワイヤによる配線が実施されることができる。但し、このような配線は実施形態に従う発光素子100を基板などに搭載した後実施されることができるし、これに対して限定しない。例えば、図12に示すように、前記ソース電極124及びドレイン電極125のうち何れか一つは前記発光構造物145の上面に形成された前記第2電極170に第1ワイヤ181によって電気的に連結されて、前記ソース電極124及びドレイン電極125のうち他の一つは、第2ワイヤ182によって外部電源などに連結されることができる。また、前記ゲート電極127には第3ワイヤ183が連結されて制御信号を供給するまた他の外部電源に連結されることができる。以下、第2実施形態に従う発光素子及びその製造方法に対して詳しく説明する。図13は、第2実施形態に従う発光素子の断面図である。第2実施形態に従う発光素子100Bは、第1実施形態に従う発光素子100に比べて電極の構造を除いては同一である。よって、第2実施形態で第1実施形態と同一の構成要素は同一の図面番号を付与して詳細な説明を略する。図13を参照すると、第2実施形態に従う発光素子100Bは、第1電極160、該第1電極160上に接着層158、前記第1電極160または前記接着層158上面まわりのある一領域に保護部材155、前記接着層158上に反射層157、前記反射層157上にオーミック接触層156、前記保護部材155及び前記オーミック接触層156上に発光構造物145、該発光構造物145上に制御スイッチ120及び前記制御スイッチ120と前記発光構造物145の上面に形成されて前記制御スイッチ120及び前記発光構造物145を電気的に連結する第2電極171を含むことができる。前記制御スイッチ120は、シリコン材質に形成されてp型ドーパントが注入された胴体部121と、該胴体部121の上部領域にn型ドーパントをそれぞれ注入することで形成されたソース領域122及びドレイン領域123と、前記胴体部121、ソース領域122及びドレイン領域123の上面にゲート絶縁膜126と、該ゲート絶縁膜126上にゲート電極127と、前記ソース領域122及びドレイン領域123のうち何れか一つ上にソース電極124を含むことができる。前記ソース領域122及びドレイン領域123のうち他の一つには前記第2電極171が形成されて前記発光構造物145と電気的に連結されることができる。このような場合、前記第2電極171が前記胴体部121と電気的に連結されないようにするために、前記第2電極と少なくとも前記胴体部121の側面との間に絶縁層175が形成されることができる。前記第2電極171が前記胴体部121に電気的に連結される場合、制御スイッチ120の誤動作が発生されることができる。前記絶縁層175は前記胴体部121の上面の一部領域と側面、そして前記支持パターン121に接する前記第2導電型半導体層130の上面の一部領域に形成されることができる。前記絶縁層はSi02、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3及びTiO2からなるグループから選択された少なくとも一つを含むことができる。前記第2電極171は前記ソース領域122と前記ドレイン領域123のうち何れか一つと前記発光構造物145の第2導電型半導体層130に電気的に連結されることができる。前記第2電極171は前記第2導電型半導体層130に電気的に連結されて、前記第2導電型半導体層130から延長されて前記ソース領域122と前記ドレイン領域123のうち何れか一つに電気的に連結されることができる。前記第2電極171は前記絶縁層175上に形成されて、一端は前記第2導電型半導体層130に電気的に連結されて、他端は前記ソース領域122と前記ドレイン領域123のうち何れか一つに電気的に連結されることができる。前記絶縁層175によって前記第2電極171が前記制御スイッチ120の胴体部121に電気的に連結されなくなって、制御スイッチ120の誤動作が発生されなくなる。すなわち、第1実施形態では、前記ソース領域122及びドレイン領域123のうち何れか一つと発光構造物を電気的に連結するため、別途のワイヤによる配線を実施したが、第2実施形態に従う発光素子100Bは前記第2電極171を形成することでソース領域122及びドレイン領域123のうち何れか一つと発光構造物を電気的に連結するためのワイヤを略することができる。このようなワイヤの除去によって、ワイヤによる光進行の邪魔を遮断することができる。図14は、実施形態らによる発光素子を含む発光素子パッケージの断面図である。図14を参照すると、実施形態に従う発光素子パッケージは、パッケージ胴体20と、該パッケージ胴体20に設置された第1リード電極31、第2リード電極32及び第3リード電極33と、前記パッケージ胴体20に設置されて、前記第1リード電極31及び第2リード電極32から電源の供給を受けて、前記第3リード電極33から制御信号の供給を受ける実施形態に従う発光素子100と、該発光素子100を囲むモールディング部材40を含む。前記パッケージ胴体20は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成されることができる。前記胴体20は右から見る時に内部に傾斜面53を有するキャビティ50を有する。前記第1乃至第3リード電極31、32、33は、お互いに電気的に分離することができる。例えば、前記第1及び第3リード電極31、33に電源が供給されて、第2リード電極32に制御信号が供給されることができる。前記第1及び第2リード電極31、32は、前記パッケージ胴体20内部を貫通するように形成されることができる。すなわち、前記第1電極リード31及び前記2電極リード32は、一側末端は前記キャビティ50内部に配置されて、他側末端は前記胴体20の外部面に付着して外部に露出するようになる。前記第3リード電極33は、第1及び第2リード電極31、32の間の前記パッケージ胴体20上に配置されることができる。また、前記第1、2、3リード電極31、32、33は、前記発光素子100で発生された光を反射させることができる反射層がそれらの表面にそれぞれコーティングされて光効率を増加させることができるし、前記発光素子100で発生された熱を外部に排出させる役割をすることもできる。前記発光素子100は、胴体上に直接形成されるか、または前記第1乃至第3リード電極31、32、33のうち何れか一つの上に設置されることができる。例えば、前記発光素子100の第1電極160は、前記第3リード電極33上に配置されて、第2ワイヤ183によって制御スイッチ120のソース電極124と前記第1リード電極31が電気的に連結されて、第3ワイヤ183によって制御スイッチ120のゲート電極127と第2リード電極32が電気的に連結されることができる。前で説明したところのように、第1ワイヤ181によって制御スイッチ120のドレイン電極125と第2電極170が電気的に連結されることができる。前記発光素子100の電極連結構造に対して限定しない。前記モールディング部材40は、前記発光素子100をかこんで前記発光素子100を保護することができる。また、前記モールディング部材40には蛍光体が含まれて、前記発光素子100で放出された光の波長を変化させることができる。実施形態に従う発光素子または発光素子パッケージは、ライトユニットに適用されることができる。前記ライトユニットは複数の発光素子または発光素子パッケージがアレイされた構造を含んで、図15及び図16に示された表示装置、図17に示された照明装置を含んで、照明灯、信号灯、車両のヘッドライト、電光板などが含まれることができる。図15は、実施形態に従う表示装置の分解斜視図である。図15を参照すると、表示装置1000は、導光板1041と、該導光板1041に光を提供する発光モジュール1031と、前記導光板1041下に反射部材1022と、前記導光板1041上に光学シート1051と、該光学シート1051上に表示パネル1061と、前記導光板1041、発光モジュール1031及び反射部材1022を収納するボトムカバー1011を含むことができるが、これに限定されない。前記ボトムカバー1011、反射シート1022、導光板1041、光学シート1051は、ライトユニット1050に定義されることができる。前記導光板1041は、前記発光モジュール1031から提供された光を拡散させて面光源化させる役割をする。前記導光板1041は透明な材質でなされて、例えば、PMMAのようなアクリル樹脂系列、PET、PC、COC及びPEN樹脂のうちで一つを含むことができる。前記発光モジュール1031は、前記導光板1041の少なくとも一側面に配置されて前記導光板1041の少なくとも一側面に光を提供して、窮極的には表示装置の光源として作用するようになる。前記発光モジュール1031は、少なくとも一つを含んで、前記導光板1041の一側面で直接または間接的に光を提供することができる。前記発光モジュール1031は、基板1033と前記に開示された実施形態に従う発光素子パッケージ30を含んで、前記発光素子パッケージ30は前記基板1033上に所定間隔にアレイされることができる。前記基板は印刷回路基板であることがあるが、これに限定しない。また、前記基板1033はメタルコアPCB、軟性PCBなどを含むこともでき、これに対して限定しない。前記発光素子パッケージ30は前記ボトムカバー1011の側面または放熱プレート上に搭載される場合、前記基板1033は除去されることができる。前記放熱プレートの一部は前記ボトムカバー1011の上面に接触されることができる。よって、発光素子パッケージ30で発生された熱は放熱プレートを経由してボトムカバー1011に放出されることができる。前記複数の発光素子パッケージ30は、前記基板1033上に光が放出される出射面が前記導光板1041と所定距離が離隔されるように搭載されることができるし、これに対して限定しない。前記発光素子パッケージ30は、前記導光板1041の一側面である入光部に光を直接または間接的に提供することができるし、これに対して限定しない。前記導光板1041下には前記反射部材1022が配置されることができる。前記反射部材1022は前記導光板1041の下面に入射された光を反射させて前記表示パネル1061に供給することで、前記表示パネル1061の輝度を向上することができる。前記反射部材1022は、例えば、PET、PC、PVCレジンなどに形成されることができるが、これに対して限定しない。前記反射部材1022は、前記ボトムカバー1011の上面であることができるし、これに対して限定しない。前記ボトムカバー1011は、前記導光板1041、発光モジュール1031及び反射部材1022などを収納することができる。このために、前記ボトムカバー1011は、上面が開口されたボックス形状を有する収納部1012が具備されることができるし、これに対して限定しない。前記ボトムカバー1011はトップカバーと結合されることができるし、これに対して限定しない。前記ボトムカバー1011は、金属材質または樹脂材質に形成されることができるし、プレス成形または圧出成形などの工程を用いて製造されることができる。また、前記ボトムカバー1011は熱伝導性が良い金属または非金属材料を含むことができるし、これに対して限定しない。前記表示パネル1061は、例えば、LCDパネルとして、お互いに対向される透明な材質の第1及び第2基板、そして、第1及び第2基板の間に介在された液晶層を含む。前記表示パネル1061の少なくとも一面には偏光板が付着することができるし、このような偏光板の付着構造に限定しない。前記表示パネル1061は前記発光モジュール1031から提供された光を透過または遮断させて情報を表示するようになる。このような表示装置1000は各種携帯端末機、ノートブックコンピューターのモニター、ラップトップコンピューターのモニター、テレビなどに適用されることができる。前記光学シート1051は、前記表示パネル1061と前記導光板1041との間に配置されて、少なくとも一枚以上の投光性シートを含む。前記光学シート1051は、例えば拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートなどのようなシートのうちで少なくとも一つを含むことができる。前記拡散シートは入射される光を拡散させ、前記水平または及び垂直プリズムシートは入射される光を前記表示パネル1061に集光し、前記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度が向上する。また、前記表示パネル1061上には保護シートが配置されることができるし、これに対して限定しない。前記発光モジュール1031の光経路上には光学部材として、前記導光板1041、及び光学シート1051を含むことができるし、これに対して限定しない。図16は、実施形態に従う表示装置を示した図面である。図16を参照すると、表示装置1100は、ボトムカバー1152、前記に開示された発光素子パッケージ30がアレイされた基板1120、光学部材1154、及び表示パネル1155を含む。前記基板1120と前記発光素子パッケージ30は、発光モジュール1060で定義されることができる。前記ボトムカバー1152、少なくとも一つの発光モジュール1060、光学部材1154はライトユニットで定義されることができる。前記ボトムカバー1152には収納部1153を具備することができるし、これに対して限定しない。前記光学部材1154はレンズ、導光板、拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートなどで少なくとも一つを含むことができる。前記導光板はPC材質またはPMMA材質でなされることができるし、このような導光板は除去されることができる。前記拡散シートは入射される光を拡散させ、前記水平及び垂直プリズムシートは入射される光を前記表示パネル1155に集光させ、前記輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度が向上する。前記光学部材1154は前記発光モジュール1060上に配置されて、前記発光モジュール1060から放出された光を面光源するか、または拡散、集光などを遂行するようになる。図17は、実施形態に従う照明装置の斜視図である。図17を参照すると、照明装置1500は、ケース1510と、該ケース1510に設置された発光モジュール1530と、前記ケース1510に設置されて、外部電源から電源の提供を受ける連結端子1520を含むことができる。前記ケース1510は、放熱特性が良好な材質に形成されることが望ましくて、例えば金属材質または樹脂材質に形成されることができる。前記発光モジュール1530は、基板1532と、該基板1532に搭載される実施形態に従う発光素子パッケージ30を含むことができる。前記発光素子パッケージ30は、複数個がマトリックス形態または所定間隔に離隔されてアレイ配列されることができる。前記基板1532は、絶縁体に回路パターンが印刷されたものであることができるし、例えば、一般印刷回路基板、メタルコアPCB、軟性PCB、セラミックスPCB、FR4基板などを含むことができる。また、前記基板1532は、光を効率的に反射する材質で形成されるか、または表面が、光が効率的に反射するカラー、例えば白色、シルバーなどのコーティング層になることができる。前記基板1532上には少なくとも一つの発光素子パッケージ30が搭載されることができる。前記発光素子パッケージ30それぞれは少なくとも一つのLEDチップを含むことができる。前記LEDチップは赤色、緑色、青色または白色などのような可視光線帯域の発光ダイオードまたは紫外線を発光するUV発光ダイオードを含むことができる。前記発光モジュール1530は、色感及び輝度を得るために多様な発光素子パッケージ30の組み合わせを有するように配置されることができる。例えば、高演色性を確保するために白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード及び緑色発光ダイオードを組み合わせて配置することができる。前記連結端子1520は、前記発光モジュール1530と電気的に連結されて電源を供給することができる。前記連結端子1520はソケット方式で外部電源に回して挟まれて結合されるが、これに対して限定しない。例えば、前記連結端子1520はピン形態に形成されて、外部電源に挿入されるか、または配線によって外部電源に連結されることもできるものである。実施形態によれば、発光素子製造方法は、シリコン基板上に第2導電型半導体層、活性層及び第2導電型半導体層を順次に積層して発光構造物を形成する段階と、前記発光構造物上に伝導性支持部材を形成する段階と、前記シリコン基板を選択的にとり除いてn型またはp型の導電型ドーパントのうちで何れか一つを注入して制御スイッチの胴体部を形成する段階と、前記胴体部の下部領域に前記n型またはp型の導電型ドーパントのうちで他の一つを注入して、ソース領域及びドレイン領域を形成する段階と、及び前記胴体部、ソース領域及びドレイン領域に接触するようにゲート絶縁膜を形成して、前記ゲート絶縁膜の下にゲート電極を形成する段階と、を含む。実施形態によれば、発光構造物の上面に簡単で効率的な製造工程によって制御スイッチを形成することで、前記発光素子のオンオフ動作または及び輝度を効率的に制御することができる。実施形態によれば、スイッチ含む発光素子によって、発光素子の動作を制御するための別途のスイッチを別途の部品で発光素子と連結する必要がない。実施形態によれば、簡単な構造と製造工程を通じてスイッチを含む発光素子が製造されることができて、発光素子の応用範囲を拡大することができる。実施形態によれば、発光素子内にスイッチを形成することで、別途のスイッチ部品と発光素子の間の電気的連結不良可能性を基本的に遮断することができる。以上、実施形態を中心として説明したが、これは単に例示であり、本発明を限定するのでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本実施形態の本質的な特性から外れない範囲で以上に例示されていない種々の変形及び応用が可能であることが分かる。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形及び応用に関連した差異点は特許請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。