"透明基板上に可動式のシャッターを備えた第1基板と、他の透明基板上に光を透過するアパーチャを前記可動式のシャッターの開口に対応して備えた第2基板とを有し、前記第1基板と前記第2基板とを所定の間隔で対向配置する表示装置において、前記第2基板の前記第1基板に対向する面上には、複数の支柱が形成され、前記第1基板には、前記支柱が挿入され、前記支柱を保持するコンタクトホールが形成されていることを特徴とする表示装置。前記コンタクトホールは、前記可動式のシャッターと同じ製造プロセスで同時に形成されていることを特徴とする請求項1に記載表示装置。前記可動式のシャッターは、前記開口が形成されている平板状シャッターと、前記平板状シャッターと接続しているバネ部と、前記バネ部の前記平板状シャッタと接続している側とは反対側に接続しているアンカー部とを有し、前記透明基板上には、第1の層と前記第1の層に接して積層された第2の層とが形成され、前記コンタクトホールは、前記第1の層と前記第2の層とが積層している箇所に形成され、前記アンカー部の少なくとも一部は、前記第1の層で形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の表示装置。前記バネ部の少なくとも一部は、前記第2の層で形成されていることを特徴とする請求項3に記載の表示装置。前記第1の層と前記第2の層とは、レジスト膜で形成されていることを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の表示装置。前記コンタクトホールの高さhは、前記支柱の高さHの半分以上の高さであり、前記コンタクトホールの底面幅は、前記支柱の幅と同じに設定され、かつ前記コンタクトホールの上部開口の幅は前記底面幅よりも大きいことを特徴とする請求項1から請求項5の何れか1項に記載の表示装置。前記コンタクトホールの数は、前記支柱の数よりも少なく、前記コンタクトホールの底面に形成される膜体は、前記支柱が前記コンタクトホールを介さずに第1基板と接触する場所と同じ膜厚の膜体が形成されていることを特徴とする請求項1から請求項6の何れか1項に表示装置。MEMS表示装置では、可動式シャッターを配置した透明基板第1基板又はMEMS基板という。と、アパーチャを形成した透明基板第2基板又はAP基板という。とを所定の間隔で、精度良く配置することが必要である。このため、従来のMEMS表示装置においては、AP基板に複数の支柱を形成し、MEMS基板に該支柱を受ける台座を形成している。図3は、従来のMEMS表示装置の製造プロセスの一部を説明する図である。第1基板SUB1の上に、図3aに示すように、可動式シャッターの構造や台座の形状に合わせて、フォトレジストパターンRE1及びRE2を形成する。レジストパターンRE1は、第1基板SUB1に配置された配線から導通を得るためのコンタクトホールを形成するために、またシャッターSHや第1及び第2バネを第1基板SUB1の表面から離すために使用される。レジストパターンRE2は、シャッターSHや第1及び第2バネ等の垂直方向図3の高さ方向の形状を形成するために使用される。図3bでは、レジストパターンRE1,RE2の表面に、導電性を確保するため、半導体等の導電膜CLを形成し、さらに遮光性を確保するため金属膜ME1が積層される。次に、シャッターSHや第1及び第2バネ等の平面形状に対応したレジストパターンRE3を形成する。レジストパターンRE3を用いてエッチングを行い、シャッターSHや第1及び第2バネ等を形成し、その後、不要なレジストパターンRE1~RE3が除去され、残留した金属膜ME1や導電膜CLの表面には、図3cのように、絶縁膜INが形成される。MEMS基板に設ける台座PEは、シャッターSH、第1バネSP1、第2バネSP2及びアンカー部AN1と同様の製造工程で形成される。他方、AP基板は、透明基板SUB2に遮光膜となる金属膜ME2を形成し、次に、アパーチャに対応する開口を形成するため、フォトレジストパターンでアパーチャ部分の金属膜を除去する。そして、図3dのように、金属膜ME2上に支柱COをフォトレジストパターンで形成する。MEMS基板SUB1とAP基板SUB2とは、図3eのように、シャッターSHとアパーチャとを近接対向させるように対向配置する。この際、AP基板の支柱COをMEMS基板の台座PEで受けている。MEMS基板とAP基板の貼り合わせは、各々の基板に形成したアライメントマーク不図示によって機械的にアライメントしていた。そのためMEMS基板とAP基板のアライメント精度は,貼り合わせ装置の精度でしか実現することができなかった。また、MEMS基板に形成する台座も、AP基板に形成する支柱も、共にレジストパターンが高さ方向図面の縦方向の嵩を形成している。このように、同じ材料にも関わらず外部から衝撃を受けると、MEMS基板側に形成した台座上面で吸収しきれずに、AP基板側の支柱が台座に刺さったり、台座の表面が欠けたり、さらには、支柱と台座がズレるなどの問題が発生している。これは、対向する2つの基板各々で1つの支柱を形成しているため、同質材料の接触界面が存在することに原因があると考えられる。本発明の解決しようとする課題は、上述した問題を解消し、MEMS基板とAP基板との貼り合わせ作業におけるセルフアライメントが可能であり、外部衝撃に対する信頼性の高い表示装置を提供することである。本発明の表示装置は、上述の課題を解決するため以下のような特徴的構成を有している。1透明基板上に可動式のシャッターを備えた第1基板と、他の透明基板上に光を透過するアパーチャを前記シャッターの開口に対応して備えた第2基板とを有し、両基板を所定の間隔で対向配置する表示装置において、前記第2基板の前記第1基板に対向する面上には、複数の支柱が形成され、前記第1基板には、前記支柱が挿入され、前記支柱を保持するコンタクトホールが形成されていることを特徴とする。2上記1に記載の表示装置において、前記コンタクトホールは、前記可動式のシャッターと同じ製造プロセスで同時に形成されていることを特徴とする。3上記1又は2に記載の表示装置において、前記可動式のシャッターは、前記開口が形成されている平板状シャッターと、前記平板状シャッターと接続しているバネ部と、前記バネ部の前記平板状シャッタと接続している側とは反対側に接続しているアンカー部とを有し、前記透明基板上には、第1の層例えばレジスト膜と前記第1の層に接して積層された第2の層例えばレジスト膜とが形成され、前記コンタクトホールは、前記第1の層と前記第2の層とが積層している箇所に形成され、前記アンカー部の少なくとも一部は、前記第1の層で形成されていることを特徴とする。4上記3に記載の表示装置において、前記バネ部の少なくとも一部は、前記第2の層で形成されていることを特徴とする。5上記1乃至4に記載の表示装置において、前記コンタクトホールの高さhは、前記支柱の高さHの半分以上の高さであり、前記コンタクトホールの底面幅は、前記支柱の幅と同じに設定され、かつ前記コンタクトホールの上部開口の幅は前記底面幅よりも大きいことを特徴とする。6上記1乃至5の何れかに記載の表示装置において、前記コンタクトホールの数は、前記支柱の数よりも少なく、前記コンタクトホールの底面に形成される膜体は、前記支柱が前記コンタクトホールを介さずに第1基板と接触する場所と同じ膜厚の膜体が形成されていることを特徴とする。本発明のように、AP基板である第2基板の面上には、複数の支柱が形成され、MEMS基板である第1基板の面上には、該支柱が挿入され、該支柱を保持するコンタクトホールが形成されているため、支柱をコンタクトホールに挿入するだけで、MEMS基板とAP基板との貼り合わせに際するセルフアライメントを容易に実現することが可能となる。しかも、支柱は、AP基板に形成された支柱のみで形成しているため、従来のように支柱が台座に刺さるような不具合も生じず、外部からの衝撃にも強いMEMS表示装置を提供することが可能となる。本発明に係る表示装置について、以下に詳細に説明する。本発明は、図4乃至6に示すように、透明基板上に可動式のシャッター1を備えた第1基板SUB1と、他の透明基板上に光を透過するアパーチャを、可動式のシャッター1の構成要素の一つであるシャッターSH即ち平板状シャッターの開口に対応して備えた第2基板SUB2とを有し、両基板を所定の間隔で対向配置する表示装置において、該第2基板の該第1基板に対向する面上には、複数の支柱COが形成され、該第1基板の該可動式のシャッターが形成された面上には、該支柱が挿入され、該支柱を保持するコンタクトホールCHが形成されていることを特徴とする。図4は、MEMS基板の平面図であり、ガラス等の透明基板第1基板,SUB1の表面に、表示画素に対応して可動式のシャッター1が形成配置されている。可動式のシャッター1の構成については、図1及び2で説明したとおりである。本発明では、従来のMEMS基板では、台座が形成されている位置にコンタクトホールCHを形成している。図5は、AP基板の平面図であり、ガラス等の透明基板第2基板SUB2の表面に、遮光性を担う金属膜ME2を形成し、アパーチャを構成する開口部OP2のみ金属膜が除去されている。図4のコンタクトホールCHに対応する位置には、支柱COが形成されている。次に、図6を用いて、本発明の特徴であるコンタクトホールの製造プロセスを説明する。基本的には、レジストパターンが異なるだけで、可動式のシャッター1と同じ製造プロセスで同時に形成されている。図6aでは、シャッターSHや第1及び第2バネ、アンカー部を形成する土台となるフォトレジストパターンRE1,RE2を用いて、コンタクトホールCHの底面側部分RE1と上部RE2を形成している。レジストパターンRE1が、例えばフォトリソグラフィによって、図6aに示す形状にパターニングされる際に、アンカー部の土台を形成すると共に、支柱を受けるためのコンタクトホールを形成している。次に、レジストパターンRE2が、例えばフォトリソグラフィによって、図6aに示す形状にパターニングされる際に、第1及び第2バネの土台を形成すると共に、支柱を受けるためのコンタクトホールを、レジストパターンRE1に形成したコンタクトホールよりひと回り大きく、同じ箇所に形成している。図6bでは、図3bと同様に、レジストパターンRE1,RE2の表面に、導電性を確保するため、半導体等の導電膜CLを形成し、さらに遮光性を確保するため金属膜ME1が積層される。次に、シャッターSHや第1及び第2バネ等の平面形状に対応したレジストパターンRE3を形成する。レジストパターンRE3を用いてエッチングを行い、シャッターや第1及び第2バネ等を形成し、その後、不要なレジストパターンRE1~RE3が除去され、残留した金属膜ME1や導電膜CLの表面には、図6cのように、Al2O3やSiNなどの絶縁膜INが形成される。図6cに示すコンタクトホールCHの形状は、図6dのAP基板側の支柱COの形状高さH,幅Φとの関係から、コンタクトホールの高さhは、支柱の高さHの半分以上の高さであり、コンタクトホールの底面幅φ2は、支柱の幅Φと同じに設定され、かつコンタクトホールの上部開口の幅φ1は底面幅φ2よりも大きく設定されている。コンタクトホールCHは、MEMS基板とAP基板とを貼り合わせる際に、支柱COがシャッターSH等に接触せず、MEMS基板側で最初に接触する部材となることが好ましい。このためには、MEMS基板側の最も高い位置にコンタクトホールの頂部が位置することが必要である。しかも、コンタクトホールCHに入った支柱COが飛び出さないよう保持するためには、コンタクトホールCHの高さhを支柱の高さHの半分以上にすることが好ましい。例えば、支柱の高さHを12μmとすると、コンタクトホールの高さhは8μm程度であり、シャッターSHとアパーチャ金属膜ME2の開口部との距離は約4μm程度となる。MEMS基板側の支柱受け用のコンタクトホールCHは、底面幅底径φ2が支柱COの幅寸法Φと同等になるように形成する。また、上部側の開口幅上底のホール径φ1は貼り合わせ装置のアライメント精度の尤度を加味した寸法になるようにする。例えば支柱の幅が10μm、貼り合わせ装置のアライメント精度が±3μmの場合、支柱受け用コンタクトホールの底径が10μm、上底径が下底の中心から最小で8μmφ1=16μmとなるように形成する。図6eのように、MEMS基板SUB1とAP基板SUB2とを対向配置する際に、支柱COがコンタクトホールCHに入り込み、コンタクトホールの底面側で、支柱が挟まって保持されるため、MEMS基板とAP基板の貼り合わせをセルフアライメントで実現できる。しかも支柱COは、AP基板側のみで形成され、繋ぎ目のない支柱となるため、外部衝撃に対する信頼性も高めることが可能となる。MEMS基板とAP基板との間には、透明な液体が作動流体として封入される。作動流体としては、光の透過性が高く、絶縁性があり、誘電率が高く、MEMS基板SUB1とAP基板SUB2に近い屈折率であることが望ましく、さらにはシャッターやバネなどの稼働部品の動きを妨げないオイル等が好ましい。図4及び図5では、支柱の数とコンタクトホールの数とが同じである場合について説明したが、本発明の表示装置においては、コンタクトホールの数を、支柱の数よりも少なく設定することも可能である。これは、全ての支柱を全てのコンタクトホールに挿入可能に設定することは、製造工程において極めて高い精度が要求される。このため、例えば、コンタクトホールの数を支柱の数の半分以下、さらに好ましくは3分の1以下に設定し、コンタクトホールの無い場所では、支柱がMEMS基板に直接接触するよう構成してもよい。この際には、コンタクトホールに差し込む支柱とMEMS基板に接触する支柱とで、MEMS基板とAP基板との距離が異なると、支柱に加わる圧力にバラツキが発生するため、コンタクトホールの底面に形成される膜体は、支柱がコンタクトホールを介さずにMEMS基板第1基板と接触する場所に形成された膜体と、同じ膜厚かつ同じ種類の膜体で形成されていることが好ましい。もし、MEMS基板を構成する透明基板第1基板に支柱が直接コンタクトする場合には、コンタクトホールの底面も透明基板が露出するよう構成することが好ましい。なお、当該膜体の厚みが支柱による距離のバラツキに影響を与えない程、極めて薄い場合には、この膜体の存在を無視しても良い。"