Tiターゲットに、Cu-Cr合金製バッキングプレートを接合したスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体であって、TiターゲットとCu-Cr合金製バッキングプレートとの界面に歪吸収材料からなる層を介して接合されていることを特徴とするスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体。スパッタリングをオンにした場合のフラットからの変位の最大値とスパッタリングをオフにした場合のフラットからの変位の最大値との差が1mm以下であることを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体。ターゲット-バッキングプレート接合体の接合界面の接着強度が、3kgf/mm2以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載のスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体。前記歪吸収材料がNi、Zn、Ag、Cu、Al、Cr、Sn又はこれらを主成分とする合金であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体。前記歪吸収材料からなる層が、厚さ1mm以上、6mm以下であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体。Cu-Cr合金製バッキングプレート表面が、接合前に予め旋盤で粗加工された面であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体。Tiターゲットが、4N5以上の高純度Tiからなることを特徴とする請求項1~6のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体。TiターゲットとCu-Cr合金製バッキングプレートを接合するスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体の製造方法であって、該ターゲット材とバッキングプレートとの界面に、厚さ1mm以上、6mm以下のAl若しくはAlを主成分とする合金からなる層を介在させ、温度400~550°Cで接合することを特徴とするスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体の製造方法。ターゲット-バッキングプレート接合体の接合界面を拡散させずに、接着強度を3kgf/mm2以上とすることを特徴とする請求項8記載のスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体の製造方法。本発明は、チタンTiをスパッタリングターゲット材とする際に使用するスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体、特にスパッタリング効率を上げるためにバッキングプレートとの接合強度を高め、チタンTi固有の問題とそれに適合するバッキングプレートの選択に関連する問題を解決することを課題とする。上記の課題を解決するため、以下の発明を提供するものである。1Tiターゲットに、Cu-Cr合金製バッキングプレートを接合したスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体であって、TiターゲットとCu-Cr合金製バッキングプレートとの界面に歪吸収材料からなる層を介して接合されていることを特徴とするスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体。2スパッタリングをオンにした場合のフラットからの変位の最大値とスパッタリングをオフにした場合のフラットからの変位の最大値との差が1mm以下であることを特徴とする上記1に記載のスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体。3ターゲット-バッキングプレート接合体の接合界面の接着強度が、3kgf/mm2以上であることを特徴とする上記1又は2記載のスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体。4前記歪吸収材料がNi、Zn、Ag、Cu、Al、Cr、Sn又はこれらを主成分とする合金であることを特徴とする上記1~3のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体。5前記歪吸収材料からなる層が、厚さ1mm以上、6mm以下であることを特徴とする上記1~4のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体。6Cu-Cr合金製バッキングプレート表面が、接合前に予め旋盤で粗加工された面であることを特徴とする上記1~5のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体。7Tiターゲットが、4N5以上の高純度Tiからなることを特徴とする上記1~9のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体。8TiターゲットとCu-Cr合金製バッキングプレートを接合するスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体の製造方法であって、該ターゲット材とバッキングプレートとの界面に、厚さ1mm以上、6mm以下のAl若しくはAlを主成分とする合金からなる層を介在させ、温度400~550°Cで接合することを特徴とするスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体の製造方法。9ターゲット-バッキングプレート接合体の接合界面を拡散させずに、接着強度を3kgf/mm2以上とすることを特徴とする上記11記載のスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体の製造方法。本発明は、Tiからなるターゲット材に、Cu-Cr合金からなるバッキングプレートを接合してなるスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体を作製するに際して、該ターゲット材と該バッキングプレートとの界面に歪吸収材料からなる層を介して接合するものであり、これによりスパッタリング時のターゲットとバッキングプレートとの界面の歪を吸収してターゲットの変形を抑制し、これによってハイパワーでのスパッタリングにおいても、均一な成膜を可能とし、不良率を低減し、かつ生産効率を上げることができるという大きな効果を有する。Arガスを導入したスパッタリング装置において、ターゲット側をカソードとし基板側をアノードとして、双方に電圧を印加し、Arイオンによるターゲットへの衝撃によりターゲット材を叩き出し、その飛来による基板への被覆方法、又はターゲットからスパッタされた原子がイオン化し、さらにスパッタを行ういわゆる自己スパッタによる被覆方法が、スパッタリング方法として既に知られている。多くの場合、スパッタリングターゲットはバッキングプレートに接合し、かつ該バッキングプレートを冷却して、ターゲットの異常な温度上昇を防止し、安定したスパッタリングが可能なように構成されている。このようなスパッタ装置において、生産効率を上げ、高速のスパッタリングが可能となるように、スパッタリングパワーを上昇させる傾向にある。バッキングプレートとスパッタリングターゲットは同質の材料を用いることは殆どない。通常、バッキングプレートは熱伝導性の良い材料であり、かつ一定の強度を持つ材料が使用される。さらに、スパッタリング装置の中で、バッキングプレートを冷却し、このバッキングプレートを介してターゲットにかかる熱衝撃を吸収させている。しかし、その冷却にも限界がある。特に問題となるのは、ターゲットとバッキングプレートとの熱膨張の差異による剥離又はターゲットの変形である。また、ターゲットはエロージョンを受け、形状に凹凸が生ずるが、高いパワーでスパッタリングを行う場合には、主に凹部にスパッタ時の熱により生じる熱応力が集中してターゲットが変形を起こしてユニフォーミテイが悪化すること、あるいはシールドとのアーキングが起きて異常パーテイクル発生が生じて、極端なケースではプラズマの発生が止まるという現象が生じる。このような問題の解決のため、バッキングプレートの強度を高める、あるいは材質を変更して熱応力を軽減させる等の対策をとることが考えられるが、ターゲットの材質であるTiとの適合性の問題があり、これまで適切な解決方法が見出されていなかった。本願発明のスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体は、Tiからなるターゲット材に、Cu-Cr合金からなるバッキングプレートを接合したスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体であり、該ターゲット材と該バッキングプレートとの界面にAl又はAlを主成分とする合金からなる層インサートを介して接合したものである。バッキングプレートであるCu-Cr合金は、Cr0.7~1.2wt含有する合金を使用する。このCu-Cr合金は強度が高くかつ熱伝導性に富む材料である。下記に実施例と比較例を示すが、TiとCu-Cr合金との接合する際に使用するAl又はAlを主成分とする合金はターゲットの変形を吸収し、なおかつ接合したターゲットとバッキングプレートプレートの組立体を加工する際及びスパッタリング中にも剥離が生じないという優れた効果を有する。これは、ターゲット材がTiであり、バッキングプレートがCu-Cr合金である場合の固有の問題であることが分かる。このAl層又はAlを主成分とする合金層は、ターゲット及びバッキングプレート双方に拡散接合しておらず、双方に欠陥が発生することがない。これは変形を抑制し、接合強度を高めるために必要なことである。スパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体では、接合界面の接着強度を3kgf/mm2以上とすることが可能である。本願発明は、このようなスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体を提供できる。Al層又はAl合金層の代替品として、Ni、Zn、Ag、Cu、Cr、Sn又はこれらを主成分とする合金からなる層を挙げることができる。実施例にはAl層又はNi層又はAg層について説明しているが、Al、Ni、Agを主成分とする合金、Zn、Cu、Cr、Sn又はこれらを主成分とする合金からなる層でも同等の効果が得られることを確認している。前記Al又はAlを主成分とする合金からなる層を形成する場合には、最も効率的な手法として、Al又はAlを主成分とする合金板を介在させ、これを400~550°C、プレス圧力1450kg/cm2をかけて接合することにより製作することができる。しかし、Al又はAl合金を、TiターゲットとCu-Cr合金バッキングプレートとの間に、所定の厚みに介在させることができれば、他の形成手段でも良い。例えば、スパッタリング法等の物理的蒸着法、化学的蒸着方法、めっき方法でも行うことができることは容易に理解できるであろう。近年、Tiからなるターゲット材が、4N5以上の高純度Tiが要求されているが、このTiからなるスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体として最適である。また、このAl又はAlを主成分とするAl合金からなる層は、Tiからなるターゲット材のバッキングプレートに接する面に形成するのが、ターゲットに均一にかつ確実に被覆するために、好ましい方法である。しかし、バッキングプレート又はこれらの双方に被覆することも可能である。このAl又はAlを主成分とする合金からなる層は、厚さ1mm以上、6mm以下とすることが望ましい。これは多くの実験で確かめたことであるが、多量の被覆はバッキングプレートへの熱の伝達を阻害する可能性があり、また多量の被覆は生産効率からみて、好ましいことはない。また厚さが小さい場合には、良好な歪み吸収効果が得られず、また十分な接合強度が得られないからである。本願発明では、Cu-Cr合金からなるバッキングプレート表面を、接合前に予め旋盤で粗加工して、さらに接合強度を高めることが可能である。前記Al又はAlを主成分とする合金からなる層は、下記実施例に示すようにAlを使用できるが、Alを主成分とする合金については、例えば、Al:50wt以上含有するAl合金、具体的にはCr:20wt、残部AlからなるAl合金を使用することができる。本願発明を、実施例及び比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例のみに制限されるものではない。すなわち、本発明に含まれる他の態様または変形を包含するものである。実施例1次に、実施例1を説明する。テストピースとしては、4N5ガス成分を除き、99.995wtの高純度チタンをターゲット材厚さ0.45インチ、15.654インチφとした。バッキングプレートとしては、上記Cu-Cr合金厚さ0.5インチ、15.654インチφを用いた。そして、Tiターゲットとバッキングプレートとの接合界面に、厚さ2mmのアルミAl板インサートを介在させ、テストピースとした。これらのターゲットとバッキングプレートの表面を清浄した後、真空容器に封入し、300°C、圧力1450kg/cm2で、保持時間1hr、HIPした。界面にAl板Alインサート材を介在させたターゲットとバッキングプレートの接合後、ターゲット側から超音波探傷試験を行い、内部欠陥を観察した。この超音波探傷試験では、ターゲットとバッキングプレートの界面には欠陥が全く観察されなかった。すなわち、TiターゲットとCu-Cr合金バッキングプレートとの界面にAlを被覆し場合、このスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体を、切断、切削する加工の工程で、これらの界面から剥離を生ずることは全く無かった。次に、このスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体を、中心部で1個、1/2R部で2個、外周部で2個サンプリングし、引張試験片を作製した。これらのサンプリングを使用して引張試験を実施した。この引張試験の結果、接着強度は、3~6kg/mm2の範囲となり良好な接着強度が得られた。いずれのサンプル箇所においても、本願発明の好適な条件である3kgf/mm2以上の接合強度を達成することができた。本実施例1では、界面のAl被覆層の厚さは、2mmとしたものであるが、Alからなる層が、厚さ1mm以上、6mm以下である場合において、いずれも好適な接着強度をえることが可能であった。次に、界面にAl板Alインサート材を介在させてターゲットとバッキングプレートの接合した本実施例のスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体をスパッタリング装置に取り付け各種の測定を実施した。この測定結果を表1に示す。このスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体をスパッタリング装置に取り付けバッキングプレートの外周を固定、該バッキングプレートの背面から水圧をかけて冷却水を流した。この後、38kWhで、33秒間のスパッタリングスパッタONを実施し、さらに74秒間のスパッタリング停止スパッタOFFを行った。そして、この操作を15回繰り返した。この間、冷却は続行した。この15回の繰り返しにより、スパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体の中央部の膨らみ変位量は一定となった。なお、この場合の変位量は、スパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体をスパッタリング装置に取り付け時、すなわちフラット状態からの変位量である。前記スパッタOFFの際の、フラット状態からの変位のMax値は、3.066mmとなった。他方、スパッタリングオンにおけるフラット状態からの変位のMax値は、3.379mmとなった。これらは、いずれも前記15回のオン、オフの繰り返しにより測定した平均値である。そして、これらのMax値の間の差異は、0.313mmとなり、極めて少なかった。なお、長時間スパッタOFFにした場合の変位のMax値は、3.307mmであった。参考までに表1に示す。オン、オフの繰り返しによる前記Max値の間の差異が小さくできることは、スパッタリング時のターゲットとバッキングプレートとの界面の歪を吸収してターゲットの変形を抑制していることを意味し、これによってハイパワーでのスパッタリングにおいても、均一な成膜を可能とし、不良率を低減し、かつ生産効率を上げることができるという大きな効果を有するものである。その後スパッタリング後に、水冷、水圧を取り除いたときのフラットからの変位のMax値は0.1458mm、ターゲットの固定ネジを取り除いたときの、フラット状態からの変位のMax値は-0.04945mmであったマイナスは逆反り、すなわち中央がやや凹む現象である。また、スパッタリングオフにおける温度は91.42°C、スパッタリングONにおける温度は407.9°Cであった。そして、スパッタリングオフにおける温度とスパッタリングオンにおける温度の差異は316.5°Cとなった。以上の実施例1については、アルミインサート材は、2mm厚みを有するアルミニウム板を用いたが、厚さ1mm以上、6mm以下であれば、実施例1と同等の効果を得ることができた。実施例2次に、実施例2を説明する。テストピースとしては、4N5ガス成分を除き、99.995wtの高純度チタンをターゲット材厚さ0.45インチ、15.654インチφとした。バッキングプレートとしては、上記Cu-Cr合金厚さ0.5インチ、15.654インチφを用いた。そして、Tiターゲットとバッキングプレートとの接合界面に、厚さ2mmのニッケルNi板インサートを介在させ、テストピースとした。これらのターゲットとバッキングプレートの表面を清浄した後、真空容器に封入し、300°C、圧力1450kg/cm2で、保持時間1hr、HIPした。界面にNi板Niインサート材を介在させたターゲットとバッキングプレートの接合後、ターゲット側から超音波探傷試験を行い、内部欠陥を観察した。この超音波探傷試験では、ターゲットとバッキングプレートの界面には欠陥が全く観察されなかった。すなわち、TiターゲットとCu-Cr合金バッキングプレートとの界面にNiを被覆し場合、このスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体を、切断、切削する加工の工程で、これらの界面から剥離を生ずることは全く無かった。次に、このスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体を、中心部で1個、1/2R部で2個、外周部で2個サンプリングし、引張試験片を作製した。これらのサンプリングを使用して引張試験を実施した。この引張試験の結果、接着強度は、3~5kg/mm2の範囲となり良好な接着強度が得られた。いずれのサンプル箇所においても、本願発明の好適な条件である3kgf/mm2以上の接合強度を達成することができた。本実施例2では、界面のNi被覆層の厚さは、2mmとしたものであるが、Niからなる層が、厚さ1mm以上、6mm以下である場合において、いずれも好適な接着強度をえることが可能であった。次に、界面にNi板Niインサート材を介在させてターゲットとバッキングプレートの接合した本実施例のスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体をスパッタリング装置に取り付け各種の測定を実施した。この測定結果を表1に示す。このスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体をスパッタリング装置に取り付けバッキングプレートの外周を固定、該バッキングプレートの背面から水圧をかけて冷却水を流した。この後、38kWhで、33秒間のスパッタリングスパッタONを実施し、さらに74秒間のスパッタリング停止スパッタOFFを行った。そして、この操作を15回繰り返した。この間、冷却は続行した。この15回の繰り返しにより、スパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体の中央部の膨らみ変位量は一定となった。なお、この場合の変位量は、スパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体をスパッタリング装置に取り付け時、すなわちフラット状態からの変位量である。前記スパッタOFFの際の、フラット状態からの変位のMax値は、3.073mmとなった。他方、スパッタリングオンにおけるフラット状態からの変位のMax値は、3.387mmとなった。これらは、いずれも前記15回のオン、オフの繰り返しにより測定した平均値である。そして、これらのMax値の間の差異は、0.314mmとなり、極めて少なかった。なお、長時間スパッタOFFにした場合の変位のMax値は、3.315mmであった。参考までに表1に示す。オン、オフの繰り返しによる前記Max値の間の差異が小さくできることは、スパッタリング時のターゲットとバッキングプレートとの界面の歪を吸収してターゲットの変形を抑制していることを意味し、これによってハイパワーでのスパッタリングにおいても、均一な成膜を可能とし、不良率を低減し、かつ生産効率を上げることができるという大きな効果を有するものである。その後スパッタリング後に、水冷、水圧を取り除いたときのフラットからの変位のMax値は0.1467mm、ターゲットの固定ネジを取り除いたときの、フラット状態からの変位のMax値は-0.04987mmであったマイナスは逆反り、すなわち中央がやや凹む現象である。また、スパッタリングオフにおける温度は90.92°C、スパッタリングONにおける温度は408.5°Cであった。そして、スパッタリングオフにおける温度とスパッタリングオンにおける温度の差異は316.5°Cとなった。以上の実施例2については、ニッケルインサート材は、2mm厚みを有するニッケル板を用いたが、厚さ1mm以上、6mm以下であれば、実施例2と同等の効果を得ることができた。実施例3次に、実施例3を説明する。テストピースとしては、4N5ガス成分を除き、99.995wtの高純度チタンをターゲット材厚さ0.45インチ、15.654インチφとした。バッキングプレートとしては、上記Cu-Cr合金厚さ0.5インチ、15.654インチφを用いた。そして、Tiターゲットとバッキングプレートとの接合界面に、厚さ2mmの銀Ag板インサートを介在させ、テストピースとした。これらのターゲットとバッキングプレートの表面を清浄した後、真空容器に封入し、300°C、圧力1450kg/cm2で、保持時間1hr、HIPした。界面にAg板Agインサート材を介在させたターゲットとバッキングプレートの接合後、ターゲット側から超音波探傷試験を行い、内部欠陥を観察した。この超音波探傷試験では、ターゲットとバッキングプレートの界面には欠陥が全く観察されなかった。すなわち、TiターゲットとCu-Cr合金バッキングプレートとの界面にAgを被覆し場合、このスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体を、切断、切削する加工の工程で、これらの界面から剥離を生ずることは全く無かった。次に、このスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体を、中心部で1個、1/2R部で2個、外周部で2個サンプリングし、引張試験片を作製した。これらのサンプリングを使用して引張試験を実施した。この引張試験の結果、接着強度は、7~10kg/mm2の範囲となり良好な接着強度が得られた。いずれのサンプル箇所においても、本願発明の好適な条件である3kgf/mm2以上の接合強度を達成することができた。本実施例3では、界面のAg被覆層の厚さは、2mmとしたものであるが、Niからなる層が、厚さ1mm以上、6mm以下である場合において、いずれも好適な接着強度を得ることが可能であった。次に、界面にAg板Agインサート材を介在させてターゲットとバッキングプレートの接合した本実施例のスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体をスパッタリング装置に取り付け各種の測定を実施した。この測定結果を表1に示す。このスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体をスパッタリング装置に取り付けバッキングプレートの外周を固定、該バッキングプレートの背面から水圧をかけて冷却水を流した。この後、38kWhで、33秒間のスパッタリングスパッタONを実施し、さらに74秒間のスパッタリング停止スパッタOFFを行った。そして、この操作を15回繰り返した。この間、冷却は続行した。この15回の繰り返しにより、スパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体の中央部の膨らみ変位量は一定となった。なお、この場合の変位量は、スパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体をスパッタリング装置に取り付け時、すなわちフラット状態からの変位量である。前記スパッタOFFの際の、フラット状態からの変位のMax値は、3.059mmとなった。他方、スパッタリングオンにおけるフラット状態からの変位のMax値は、3.372mmとなった。これらは、いずれも前記15回のオン、オフの繰り返しにより測定した平均値である。そして、これらのMax値の間の差異は、0.313mmとなり、極めて少なかった。なお、長時間スパッタOFFにした場合の変位のMax値は、3.299mmであった。参考までに表1に示す。オン、オフの繰り返しによる前記Max値の間の差異が小さくできることは、スパッタリング時のターゲットとバッキングプレートとの界面の歪を吸収してターゲットの変形を抑制していることを意味し、これによってハイパワーでのスパッタリングにおいても、均一な成膜を可能とし、不良率を低減し、かつ生産効率を上げることができるという大きな効果を有するものである。その後スパッタリング後に、水冷、水圧を取り除いたときのフラットからの変位のMax値は0.1451mm、ターゲットの固定ネジを取り除いたときの、フラット状態からの変位のMax値は-0.04921mmであったマイナスは逆反り、すなわち中央がやや凹む現象である。また、スパッタリングオフにおける温度は91.13°C、スパッタリングONにおける温度は407.1°Cであった。そして、スパッタリングオフにおける温度とスパッタリングオンにおける温度の差異は316.0°Cとなった。以上の実施例3については、銀インサート材は、2mm厚みを有する銀板を用いたが、厚さ1mm以上、6mm以下であれば、実施例2と同等の効果を得ることができた。比較例1次に、比較例1を説明する。テストピースとしては、4N5ガス成分を除き、99.995wtの高純度チタンをターゲット材厚さ0.45インチ、15.654インチφとした。バッキングプレートとしては、上記Cu-Cr合金厚さ0.5インチ、15.654インチφを用いた。但し、Tiターゲットとバッキングプレートとの間にインサートは介在させなかった。このテストピースとした。これらのターゲットとバッキングプレートの表面を清浄した後、真空容器に封入し、温度300°C、圧力1450kg/cm2で、保持時間1hr、HIPした。Al板Alインサート材を介在させずにターゲットとバッキングプレートの接合後、ターゲット側から超音波探傷試験を行い、内部欠陥を観察した。この超音波探傷試験では、ターゲットとバッキングプレートの界面には欠陥が観察された。次に、このスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体を、中心部で1個、1/2R部で2個、外周部で2個サンプリングし、引張試験片を作製した。これらのサンプリングを使用して引張試験を実施した。この引張試験の結果を実施した。この結果、接着強度は、1~2kg/mm2の範囲となり接着強度は不良となった。いずれのサンプル箇所においても、本願発明の好適な条件である3kgf/mm2以上の接合強度を達成することはできなかった。次に、比較例のスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体をスパッタリング装置に取り付け、実施例1と同様の各種の測定を実施した。この測定結果を表1に示す。このスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体をスパッタリング装置に取り付けバッキングプレートの外周を固定、該バッキングプレートの背面から水圧をかけて冷却水を流した。この後、38kWhで、33秒間のスパッタリングスパッタONを行い、さらに74秒間のスパッタリング停止スパッタOFFを行った。そして、この操作を15回繰り返した。この間、冷却は続行した。この15回の繰り返しにより、スパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体の中央部の膨らみ変位量は一定となった。なお、この場合の変位量は、スパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体をスパッタリング装置に取り付け時、すなわちフラット状態からの変位量である。前記スパッタOFFの際の、フラット状態からの変位のMax値は、上記の通り0.9565mmとなった。他方、スパッタリングオンにおけるフラット状態からの変位のMax値は、2.676mmとなった。これらは、いずれも前記15回のオン、オフの繰り返しにより測定した平均値である。そして、これらのMax値の間の差異は、1.7195mmとなり、差が増大し、実施例の5~6倍であった。しかしながら、スパッタOFFとスパッタONとの間の変位の量が大きいことは、好ましいことではない。オン、オフの繰り返しによる前記Max値の間の差異が大きいことは、スパッタリング時のターゲットとバッキングプレートとの界面の歪を吸収することができず、ターゲットの変形を抑制できないからである。これによってハイパワーでのスパッタリングにおいても、均一な成膜を得ることができず、不良率が増加し、かつ生産効率の低下を招く原因となる。なお、長時間スパッタOFFにした場合の変位のMax値は、0.3491mmであった。参考までに表1に示す。その後スパッタリング後に、水冷、水圧を取り除いたときのフラットからの変位のMax値は0.04566mm、ターゲットの固定ネジを取り除いたときの、フラット状態からの変位のMax値は-0.04628mmであったマイナスは逆反り、すなわち中央がやや凹む現象である。また、スパッタリングオフにおける温度は90.87°C、スパッタリングONにおける温度は406.4°Cであった。そして、スパッタリングオフにおける温度とスパッタリングオンにおける温度の差異は315.5°Cとなった。比較例2次に、比較例2を説明する。テストピースとしては、4N5ガス成分を除き、99.995wtの高純度チタンをターゲット材厚さ0.45インチ、15.654インチφとした。バッキングプレートとしては、上記Cu-Cr合金厚さ0.5インチ、15.654インチφを用いた。そして、Tiターゲットとバッキングプレートとの接合界面に、厚さ2mmのタンタルTa板インサートを介在させ、テストピースとした。これらのターゲットとバッキングプレートの表面を清浄した後、真空容器に封入し、500°C、圧力1450kg/cm2で、保持時間1hr、HIPした。界面にTa板Taインサート材を介在させたターゲットとバッキングプレートの接合後、ターゲット側から超音波探傷試験を行い、内部欠陥を観察した。この超音波探傷試験では、ターゲットとバッキングプレートの界面には欠陥が全く観察されなかった。次に、このスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体を、中心部で1個、1/2R部で2個、外周部で2個サンプリングし、引張試験片を作製した。これらのサンプリングを使用して引張試験を実施した。この引張試験の結果を実施した。この結果、接着強度は、7~10kg/mm2の範囲となり接着強度は不良となった。いずれのサンプル箇所においても、本願発明の好適な条件である3kgf/mm2以上の接合強度を達成することができた。次に、比較例のスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体をスパッタリング装置に取り付け、実施例1と同様の各種の測定を実施した。この測定結果を表1に示す。このスパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体をスパッタリング装置に取り付けバッキングプレートの外周を固定、該バッキングプレートの背面から水圧をかけて冷却水を流した。この後、38kWhで、33秒間のスパッタリングスパッタONを行い、さらに74秒間のスパッタリング停止スパッタOFFを行った。そして、この操作を15回繰り返した。この間、冷却は続行した。この15回の繰り返しにより、スパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体の中央部の膨らみ変位量は一定となった。なお、この場合の変位量は、スパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体をスパッタリング装置に取り付け時、すなわちフラット状態からの変位量である。前記スパッタOFFの際の、フラット状態からの変位のMax値は、上記の通り0.8946mmとなった。他方、スパッタリングオンにおけるフラット状態からの変位のMax値は、2.571mmとなった。これらは、いずれも前記15回のオン、オフの繰り返しにより測定した平均値である。そして、これらのMax値の間の差異は、1.6764mmとなり、差が増加し、実施例の5~6倍であった。比較例2のスパッタリング時の変形量は、実施例1に比べてやや少ないが、これはスパッタリングターゲットとバッキングプレートが拡散接合し、強固に接合されているためと考えられる。しかしながら、スパッタOFFとスパッタONとの間の変位の量が大きいことは、好ましいことではない。オン、オフの繰り返しによる前記Max値の間の差異が大きいことは、スパッタリング時のターゲットとバッキングプレートとの界面の歪を吸収することができず、ターゲットの変形を抑制できないからである。これによってハイパワーでのスパッタリングにおいても、均一な成膜を得ることができず、不良率が増加し、かつ生産効率の低下を招く原因となる。なお、長時間スパッタOFFにした場合の変位のMax値は、0.2982mmであった。参考までに表1に示す。その後スパッタリング後に、水冷、水圧を取り除いたときのフラットからの変位のMax値は0.04161mm、ターゲットの固定ネジを取り除いたときの、フラット状態からの変位のMax値は-0.04584mmであったマイナスは逆反り、すなわち中央がやや凹む現象である。また、スパッタリングオフにおける温度は90.99°C、スパッタリングONにおける温度は406.7°Cであった。そして、スパッタリングオフにおける温度とスパッタリングオンにおける温度の差異は315.7°Cとなった。以上の実施例と比較例の対比から明らかなように、チタンをターゲット材とし、バッキングプレートとしてCu-Cr合金を用いた場合、該Tiターゲットとバッキングプレートとの接合界面に、厚さ2mmのアルミAl板、ニッケルNi板および銀Ag板をインサート材として介在させた場合には、スパッタリングをオンにした場合のフラットからの変位の最大値とスパッタリングをオフにした場合のフラットからの変位の最大値との差が1mm以下となった。このように、ターゲット材がTi、バッキングプレートがCu-Cr合金であるとい特殊な材料であるにもかかわらず、スパッタリング時のターゲットとバッキングプレートとの界面の歪を吸収してターゲットの変形を抑制することができる。これによってハイパワーでのスパッタリングにおいても、均一な成膜を可能とし、不良率を低減し、かつ生産効率を上げることができるという大きな効果を有する。