"銅線に対してメッキ前処理を行うメッキ前処理手段と、銅線の表面に半田メッキを施すメッキ手段と、表面にメッキを施した銅線を巻取る巻取り手段とで構成される半田メッキ線の製造装置であって、前記銅線を、純銅系材料で形成し、前記メッキ前処理手段に、銅線を軟化焼鈍して低耐力化する軟化焼鈍手段を備え、低耐力化した前記銅線を、該銅線の耐力よりも低い巻取り力で前記巻取り手段により巻取る構成とし、前記軟化焼鈍手段、前記メッキ手段、及び、前記巻取り手段を、銅線の走行方向の上流側からこの順に一連配置し、前記メッキ手段では、銅線を薄メッキでメッキする薄メッキ設定と、薄メッキ設定の場合のメッキ厚よりも厚いメッキ厚となる厚メッキ設定とのうち、いずれかの設定で行い、前記薄メッキ設定を、銅線を走行させる速度を低速走行速度の下で銅線に対してメッキを施す設定とし、前記厚メッキ設定を、銅線を走行させる速度を、前記低速走行速度よりも高速である高速走行速度の下で銅線に対してメッキを施す設定とするとともに、前記高速走行速度において半田温度とメッキ厚との所定の関係に基づいて前記半田温度に応じたメッキ厚で銅線にメッキを施す設定とすることを特徴とする半田メッキ線の製造装置。前記洗浄手段と前記軟化焼鈍手段との間に、該軟化焼鈍手段を通過する直前の銅線を加熱するプレ加熱手段を備え、前記メッキ手段での設定が前記厚メッキ設定において、前記メッキ手段は、前記プレ加熱手段と前記軟化焼鈍手段とを通過後の銅線に対してメッキを施すことを特徴とする請求項1に記載の半田メッキ線の製造装置。銅線に対してメッキ前処理を行うメッキ前処理工程と、銅線の表面に半田メッキを施すメッキ工程と、表面にメッキを施した銅線を巻取る巻取り工程とを経て製造される半田メッキ線の製造方法であって、前記銅線には、純銅系材料で形成したものを用い、前記メッキ前処理工程では、銅線を軟化焼鈍して低耐力化する軟化焼鈍工程を行い、前記巻取り工程を、低耐力化した前記銅線の耐力よりも低い巻取り力で巻取る工程とし、前記巻取り工程の間、前記軟化焼鈍工程と前記メッキ工程とを連続して行い、前記メッキ工程では、銅線を薄メッキでメッキする薄メッキ設定と、薄メッキ設定の場合のメッキ厚よりも厚いメッキ厚となる厚メッキ設定とのうち、いずれかの設定で行い、前記薄メッキ設定を、銅線を走行させる速度を低速走行速度の下で銅線にメッキを施す設定とし、前記厚メッキ設定を、銅線を走行させる速度を、前記低速走行速度よりも高速である高速走行速度の下でメッキを施す設定とし、前記高速走行速度において半田温度とメッキ厚との所定の関係に基づいて、前記半田温度に応じたメッキ厚で銅線に対してメッキを施す設定とすることを特徴とする半田メッキ線の製造方法。前記低速走行速度を約4m/min程度に設定し、高速走行速度を約13m/min程度に設定した請求項3に記載の半田メッキ線の製造方法。前記高速走行速度において、前記半田温度を約240°C程度に設定した請求項3、又は4に記載の半田メッキ線の製造方法。前記メッキ工程を、前記厚メッキ設定で行うとき、前記洗浄工程と前記軟化焼鈍工程との間に、該軟化焼鈍工程を行う直前の銅線を加熱するプレ加熱工程を行い、前記プレ加熱工程後に前記軟化焼鈍工程を行った銅線に対して前記メッキ工程を行う請求項3から請求項5のうちいずれか1項に記載の半田メッキ線の製造方法。そこで本発明は、0.2耐力値を十分に低下させた所望の品質のメッキ線を得ることができ、このようなメッキ線を安定して得ることで、製品歩留まりを向上させることができ、また、製造効率を向上させることができる半田メッキ線の製造方法及び製造装置の提供を目的とする。本発明は、銅線に対してメッキ前処理を行うメッキ前処理手段と、銅線の表面に半田メッキを施すメッキ手段と、表面にメッキを施した銅線を巻取る巻取り手段とで構成される半田メッキ線の製造装置であって、前記銅線を、純銅系材料で形成し、前記メッキ前処理手段に、銅線を軟化焼鈍して低耐力化する軟化焼鈍手段を備え、低耐力化した前記銅線を、該銅線の耐力よりも低い巻取り力で前記巻取り手段により巻取る構成とし、前記軟化焼鈍手段、前記メッキ手段、及び、前記巻取り手段を、銅線の走行方向の上流側からこの順に一連配置し、前記メッキ手段では、銅線を薄メッキでメッキする薄メッキ設定と、薄メッキ設定の場合のメッキ厚よりも厚いメッキ厚となる厚メッキ設定とのうち、いずれかの設定で行い、前記薄メッキ設定を、銅線を走行させる速度を低速走行速度の下で銅線に対してメッキを施す設定とし、前記厚メッキ設定を、銅線を走行させる速度を、前記低速走行速度よりも高速である高速走行速度の下で銅線に対してメッキを施す設定とするとともに、前記高速走行速度において半田温度とメッキ厚との所定の関係に基づいて前記半田温度に応じたメッキ厚で銅線にメッキを施す設定とすることを特徴とする。ここで、上述した銅線の耐力よりも低い巻取り力で前記巻取り手段により巻取る構成とは、銅線を前記巻取り手段のみで巻取る構成に限定せず、例えば、該巻取り手段による巻取りを補助する送りキャプスタンを巻取り手段よりも上流側に配置し、前記巻取り手段と該送りキャプスタンとで銅線を巻取る構成も含むものとする。また、前記一連配置したとは、走行方向の上流側から下流側に沿って連続的か断続的かに関わらず連なって、いわゆるタンデムで配置したことを示す。前記純銅系材料とは、不純物が少なく、導電率が高い純銅系導体材料であれば特に限定せず、例えば、無酸素銅OFC、タフピッチ銅、リン脱酸銅といった酸化物などの不純物を含まない純度が99.9以上であることが好ましい。前記銅線は、形状、サイズは限定しないが、平角線であることが好ましい。前記銅線を、上述した純銅系導体材料により平角線で形成することにより、表面にメッキ処理を施すことで、シリコン結晶ウェハSiセルの所定領域に接続する接続用リード線として、すなわち、太陽電池用はんだメッキ線として用いることができるためである。この発明の態様として、前記メッキ手段での設定が前記厚メッキ設定において、前記洗浄手段と前記軟化焼鈍手段との間に、該軟化焼鈍手段を通過する直前の銅線を加熱するプレ加熱手段を備え、前記メッキ手段は、前記プレ加熱手段と前記軟化焼鈍手段とを通過後の銅線に対してメッキを施すことができる。また本発明は、銅線に対してメッキ前処理を行うメッキ前処理工程と、銅線の表面に半田メッキを施すメッキ工程と、表面にメッキを施した銅線を巻取る巻取り工程とを経て製造される半田メッキ線の製造方法であって、前記銅線には、純銅系材料で形成したものを用い、前記メッキ前処理工程では、銅線を軟化焼鈍して低耐力化する軟化焼鈍工程を行い、前記巻取り工程を、低耐力化した前記銅線の耐力よりも低い巻取り力で巻取る工程とし、前記巻取り工程の間、前記軟化焼鈍工程と前記メッキ工程とを連続して行い、前記メッキ工程では、銅線を薄メッキでメッキする薄メッキ設定と、薄メッキ設定の場合のメッキ厚よりも厚いメッキ厚となる厚メッキ設定とのうち、いずれかの設定で行い、前記薄メッキ設定を、銅線を走行させる速度を低速走行速度の下で銅線にメッキを施す設定とし、前記厚メッキ設定を、銅線を走行させる速度を、前記低速走行速度よりも高速である高速走行速度の下でメッキを施す設定とし、前記高速走行速度において半田温度とメッキ厚との所定の関係に基づいて、前記半田温度に応じたメッキ厚で銅線に対してメッキを施す設定とすることを特徴とする。この発明の態様として、前記低速走行速度を約4m/min程度に設定し、高速走行速度を約13m/min程度に設定することができる。またこの発明の態様として、前記高速走行速度において、前記半田温度を約240°C程度に設定することができる。またこの発明の態様として、前記メッキ工程を、前記厚メッキ設定で行うとき、前記洗浄工程と前記軟化焼鈍工程との間に、該軟化焼鈍工程を行う直前の銅線を加熱するプレ加熱工程を行い、前記プレ加熱工程後に前記軟化焼鈍工程を行った銅線に対して前記メッキ工程を行うことができる。この発明によれば、0.2耐力値を十分に低下させた所望の品質のメッキ線を得ることができ、このようなメッキ線を安定して得ることで、製品歩留まりを向上させることができ、また、製造効率を向上させることができる半田メッキ線の製造方法及び製造装置を提供することができる。この発明の一実施形態を、以下図面を用いて説明する。本実施形態の半田メッキ線の製造装置10は、図1に示すように、被メッキ線1aに対してメッキ前処理を行うメッキ前処理手段2と、被メッキ線1aの表面に半田メッキを施すメッキ手段61と、表面にメッキを施したメッキ線1bを巻取る巻取り手段71とで構成している。被メッキ線1aには、別途備えた平角線製造機図示せずにより、無酸素銅OFCを厚みが0.05~0.5mm、幅が0.8~10mmに、より好ましくは、厚みが0.08~0.24mm、幅が1~2mm圧延した平角銅線を用いている。前記メッキ前処理手段2は、主にサプライヤ12、加熱処理炉22、酸洗浄槽31、超音波水洗浄槽41、及び、軟化焼鈍炉51で構成している。サプライヤ12は、ドラムに巻き付けた状態の被メッキ線1aをドラムが回転することで、順に解いていきながら製造ラインに供給している。サプライヤ12は、必要に応じてダンサー機能付きの構成であってもよく、また、通常の横繰り出しで繰り出す構成であってもよい。加熱処理炉22は、後述する軟化焼鈍炉51と同様の構成で構成し、厚み方向に対して走行方向に長い直方体形状をした外観形状で構成している。加熱処理炉22は、走行方向に沿って走行方向の下流側端部が上流側端部よりも低位置になるよう傾斜配置している。加熱処理炉22の内部は、200°Cの設定温度の蒸気雰囲気としている。また、加熱処理炉22に対して走行方向の下流側には、加熱処理炉22の内部を通過した被メッキ線1aを冷却する冷却水槽23を設置している。加熱処理炉22の下流側端部と冷却水槽23は、加熱処理炉22から導出した被メッキ線1aが空気に触れないよう冷却水槽23まで案内する連結管24で互いに連結されている。酸洗浄槽31は、被メッキ線1aの表面を酸洗浄するリン酸系洗浄液32を貯溜している。超音波水洗浄槽41では、被メッキ線1aの表面の表面に付着した水溶性潤滑剤やその他の不純物を、別途備えた超音波水洗浄機を用いて洗浄するための水43を貯留している。超音波水洗浄槽41の底面には、被メッキ線1aの走行方向に沿って超音波水洗浄機42の一部を構成する超音波振動板42aを配置している。なお、超音波水洗浄槽41の上方には、被メッキ線1aの走行する軌道上の側方から被メッキ線1aに向けてエアを吹き付けるエアワイパ45を設置している。前記軟化焼鈍炉51は、図2に示すように、走行方向の上流側端部よりも下流側端部が徐々に低位置になるよう傾斜配置している。前記軟化焼鈍炉51は、加熱処理炉22と同様に直方体形状で構成した軟化焼鈍炉本体52と、該軟化焼鈍炉本体52を貫通するように配置し、被メッキ線1aの挿入を許容する内径を有するパイプ状の鞘管53と、軟化焼鈍炉本体52の内部を加熱するヒータ54とで構成している。鞘管53は、軟化焼鈍炉本体52の内部空間を走行方向に沿って配置され、軟化焼鈍炉本体52の長さ方向走行方向の両端部、すなわち、長さ方向の上端部、及び、下端部から軟化焼鈍炉本体52に対して突出している。鞘管53における軟化焼鈍炉本体52の上端部から突出した鞘管上側突出部分55の上端には、上端開口部55uを形成している。上端開口部55uは、鞘管53の内部へ被メッキ線1aの導入を許容するとともに、後述するが、鞘管53の内部に充填された還元ガスGを排出する。鞘管53における軟化焼鈍炉本体52の下端部から突出した鞘管下側突出部分56の下端には、下端開口部55dを形成している。下端開口部55dは、被メッキ線1aが鞘管53からの導出することを許容する。鞘管下側突出部分56は、連結管55に直列に連結されている。さらに、鞘管下側突出部分56の途中部分には、分岐部分を構成し、該分岐部分を鞘管53の内部に還元ガスGを供給する還元ガス供給部57として構成している。なお、還元ガス供給部57には、図示しないが、圧力調節バルブ、圧力計などを備え、前記軟化焼鈍炉51の内部の還元ガスGの濃度に応じて、還元ガス供給部57では、還元ガスGの流入量を調節可能としている。鞘管53の内部は、還元ガス供給部57から還元ガスGを流入することで内部を還元ガス雰囲気としている。ヒータ54は、直線の棒状に構成したものを複数本備え、軟化焼鈍炉本体52の内部空間において鞘管53を隔てて対向するように、鞘管53に対して上方側空間と下方側空間に配置している。ヒータ54は、被メッキ線1aの走行方向に対して直交方向、詳しくは、図2の紙面を正面視したとき図2の紙面に対して垂直な方向に相当する方向に設置し、複数本のヒータ54は、上方側空間と下方側空間とのそれぞれにおいて、走行方向に沿って所定間隔ごとに並列配置している。軟化焼鈍炉51の内部は、ヒータ54により、800°Cまたはそれ以上の温度設定に設定している。鞘管下側突出部分56を、連結管55に直列に連結することによって、軟化焼鈍炉51を通過した被メッキ線1aが、溶融半田メッキ液63中に浸入するまで空気に触れないように走行させることができる。メッキ手段61は、溶融半田メッキ液63が貯溜された溶融半田メッキ槽62で構成し、溶融半田メッキ液63は、260°Cの設定温度とし、溶融錫Sn-3.0Ag-0.5Cuを用いている。溶融半田メッキ槽62の内部には、表面に溶融半田メッキ液63が付着したメッキ線1bの走行方向を鉛直上方へ方向転換する槽中方向転換ローラ64を配置している。さらに、槽中方向転換ローラ64の鉛直上方には、メッキ線1bを鉛直上方への走行方向から巻取り手段71に向かう方向へ転換する槽上方向転換ローラ65を備えている。槽中方向転換ローラ64、及び、槽上方向転換ローラ65は、通常のφ20mm程度のローラよりも大径である例えば、φ100mm程度のローラで構成している。さらに、槽中方向転換ローラ64、及び、槽上方向転換ローラ65は、それぞれに備えた図示しない駆動モータによって、巻取り手段71に備えた後述するダンサーローラ74やボビン76の回転速度と略同じ回転速度で自ら積極的に能動回転し、巻取り手段71による巻取り速度と同調するように、メッキ線1bの方向転換を行う。続いて巻取り手段71について説明する。巻取り手段71は、巻取り張力調節機72、及び、ボビントラバース方式巻取り機75で構成している。巻取り張力調節機72は、固定ローラ73に掛け渡したメッキ線1bに加わる張力に応じて上下方向に可動させて張力の具合を調節するダンサーローラ74を備えている。さらに図示しないが、掛け渡したメッキ線1bの張力を検出する張力検出センサと、該張力検出センサが検出した張力に応じて張力が安定するように制御する制御部と、制御部の指令に基づいてダンサーローラ74を可動させるローラ可動機とで構成している。ボビントラバース方式巻取り機75は、図3aに示すように、メッキ線1bの幅に対して幅広に構成したボビン76と、該ボビン76の軸方向に沿って該ボビン76を揺動させるモータ77、及び、モータ77の駆動を伝達するボールネジなどの伝達手段78で構成している。さらに、ボビントラバース方式巻取り機75は、ボビン76による巻取り力を検出する巻取り力検出センサ79と、該巻取り張力検出センサ79で検出した巻取り力に応じて該張力が安定するように制御する制御部81と、制御部81の指令に基づいてボビン76を回転させるモータ82とで構成している。このように構成した半田メッキ線の製造装置10は、メッキ前処理手段2としてのサプライヤ12、加熱処理炉22、酸洗浄槽31、超音波水洗浄槽41、及び、軟化焼鈍炉51と、メッキ手段61としての溶融半田メッキ槽62と、巻取り手段71とのそれぞれを、被メッキ線1a、及び、メッキ線1bの走行方向の上流側からこの順にタンデムで一連配置している。さらに、半田メッキ線の製造装置10は、メッキを施す前に被メッキ線1aの0.2耐力値を低下させ、その後、この低耐力化した被メッキ線1aにメッキを施し、これら工程を行う間、該メッキ線1bの耐力よりも低い巻取り力で前記巻取り手段71により巻取る構成としている。具体的には、巻取り手段71として上述した巻取り張力調節機72、及び、ボビントラバース方式巻取り機75を採用するとともに、巻取り手段71の巻取りを補助する第1送りキャプスタン91と第2送りキャプスタン92とを設置している。第1送りキャプスタン91と第2送りキャプスタン92とは、いずれも低耐力化する前の被メッキ線1aの走行を送り補助するように軟化焼鈍炉51の上流側に設置している。詳しくは、第1送りキャプスタン91は、加熱処理炉22と酸洗浄槽31との間に備えるとともに、第2送りキャプスタン92は、超音波水洗浄槽41と軟化焼鈍炉51との間に備えている。なお、メッキ線1bの巻取り速度が遅すぎたり、速すぎたりするとメッキ線1bにかかる負荷が大きくなる。特に、巻取り速度が速すぎると、線ブレという問題も生じることになるため、第1送りキャプスタン91、及び、第2送りキャプスタン92では、巻取り手段71での巻き取り速度よりも僅かに速い速度、例えば、巻き取り速度に対して1m/min程度速い送り速度で被メッキ線1a及びメッキ線1bを下流側に送り出している。また、巻取り手段71には、上述した巻取り張力調節機72、及び、ボビントラバース方式巻取り機75の近傍においてメッキ線1bを架け渡す複数の固定ローラ73を適宜、備えている。巻取り手段71に配置した複数の固定ローラ73のうち、最も走行方向上流側に設置した固定ローラ73を巻取り手段上流側配置ローラ73Aに設定する。巻取り手段上流側配置ローラ73Aは、槽上方向転換ローラ65により方向転換後に、巻取り手段71の側へ走行してきたメッキ線1bを巻取り手段71の側で最初に架け渡すローラである。槽上方向転換ローラ65は、巻取り手段上流側配置ローラ73Aよりも高い位置に配置している。続いて半田メッキ線の製造方法について説明する。半田メッキ線の製造方法は、被メッキ線1aに対してメッキ前処理を行うメッキ前処理工程と、被メッキ線1aの表面に半田メッキを施すメッキ工程と、表面にメッキを施したメッキ線1bを巻取る巻取り工程とを経て製造される。メッキ前処理工程は、加熱処理工程、酸洗浄工程、水洗浄工程、及び、軟化焼鈍工程をこの順で行う工程である。加熱処理工程では、蒸気雰囲気とした加熱処理炉22の内部において被メッキ線1aを走行させることで、被メッキ線1aの表面を蒸気洗浄する工程である。この蒸気洗浄により、被メッキ線1aの表面に付着した水溶性潤滑剤やその他の不純物を除去し易いように表面から分離させることができる。加熱処理工程では、加熱処理炉22内での焼鈍温度を、一般の650°C程度の焼鈍温度よりも低い200°Cに設定し、この低い温度に設定した加熱処理炉22内を蒸気雰囲気とし、被メッキ線1aを走行させて、被メッキ線1aに対して水蒸気洗浄を行う。加熱処理工程では、上述したように、被メッキ線1aに対して水蒸気洗浄を行うことに加えて、被メッキ線1aを焼鈍することにより低耐力化させることも行っている。但し、加熱処理工程では、焼鈍温度を例えば、200°Cなどの低温に設定することで、被メッキ線1aを低耐力化する度合いを抑制している。また、加熱処理炉22を通過後の被メッキ線1aは、連結管24を通過後に冷却水槽23の内部に貯溜した冷却水を走行することにより、所定の温度まで冷却される。酸洗浄工程では、酸洗浄槽31に貯留したリン酸系の洗浄液32中を走行させることでこの中を走行した被メッキ線1aの表面の酸洗浄を行う。水洗浄工程では、超音波水洗浄槽41において被メッキ線1aの表面を超音波水洗浄し、該被メッキ線1aの表面に付着した水溶性潤滑剤やその他の不純物を除去する。軟化焼鈍工程では、内部を還元ガス雰囲気とした軟化焼鈍炉51の内部に被メッキ線1aを走行させることで該被メッキ線1aを軟化焼鈍して低耐力化するとともに、被メッキ線1aの表面の酸化層を還元する工程である。詳しくは、図2に示すように、軟化焼鈍工程では、走行方向の上流側よりも下流側が低位置になるように傾斜配置した軟化焼鈍炉51の鞘管53の内部に、鞘管下側突出部分56に設けた還元ガス供給部57から還元ガスGとして例えば、窒素ガスに水素ガスを混合した混合ガスを供給し、鞘管53の内部を還元性ガス雰囲気としておく。さらに、ヒータ54によって、軟化焼鈍炉本体52の内部空間を約800°Cにまで加熱している。このような還元ガス雰囲気とした鞘管53の内部において、上端開口部55uから導入した被メッキ線1aを、還元ガスGが上昇してくる方向d1と逆方向である下方向Dへ向けて走行させている図2中の一部拡大図に示した矢印d1、矢印D参照。続くメッキ工程では、被メッキ線1aが、溶融半田メッキ槽62に貯溜された溶融半田メッキ液63中を走行することで、被メッキ線1aの表面に溶融錫を付着させる。軟化焼鈍炉51の下端開口部55dから導出された被メッキ線1aは、連結管55の内部を走行することで空気に接触することがなく溶融半田メッキ液63中に浸入するまで案内される。溶融半田メッキ液63に浸入した被メッキ線1aは、表面に溶融半田メッキ液63が付着し、表面全体が溶融半田メッキ液63で被覆されたメッキ線1bとなる。メッキ線1bは、溶融半田メッキ槽62の内部を走行する過程で溶融半田メッキ槽62中に備えた槽中方向転換ローラ64により、溶融半田メッキ槽62を走行する過程で鉛直上方に方向転換され、溶融半田メッキ槽62から鉛直上方に向けて導出される。メッキ線1bは、溶融半田メッキ槽62から導出された後、槽上方向転換ローラ65により方向転換され、巻取り手段71側へ走行する。巻取り工程では、被メッキ線1aに対して上述したメッキ前工程及びメッキ工程を行っている間、これら工程を経たメッキ線1bを、巻取り張力調節機72のダンサーローラ74の制御によりメッキ線1bの張力の調節を行いながらボビントラバース方式巻取り機75に備えたボビン76に整列巻きしていく。詳しくは、図3a,bに示すように、ボビントラバース方式巻取り機75のボビン76を軸回りに回転させながら該ボビン76の軸方向へ揺動させることでメッキ線1bを、ボビン76の軸方向に沿って並列巻きすることができ、複数層に重なり合うようにして巻取ることができる。上述した半田メッキ線の製造装置10および製造方法は、以下のように様々な作用、効果を得ることができる。半田メッキ線の製造装置10は、メッキ前処理手段2としてのサプライヤ12、加熱処理炉22、酸洗浄槽31、超音波水洗浄槽41、及び、軟化焼鈍炉51と、メッキ手段61としての溶融半田メッキ槽62と、巻取り手段71を、それぞれメッキ線1bの走行方向の上流側から下流側へこの順に一連配置している。このように各手段を一連配置することで、製造中に低耐力化したメッキ線1bを無駄な距離を走行させることを防ぐことができ、走行中にメッキ線1bにかかる負荷を低減させることができる。従って、0.2耐力値を十分に低下させた所望の品質のメッキ線1bを得ることができ、このようなメッキ線1bを安定して得ることで、製品歩留まりを向上させることができ、また、製造効率を向上させることができる。さらにまた、半田メッキ線の製造方法では、メッキ前処理工程としての加熱処理工程、酸洗浄工程、水洗浄工程、及び、軟化焼鈍工程と、メッキ処理工程と、巻取り工程との各工程を連続して行う。このように各工程を連続して行うことで例えば、所定の工程を経る度にメッキ線1b被メッキ線1aの走行を中断し、次の工程を行うために別の走行ラインにメッキ線1b被メッキ線1aを移行するといった手間を要しないため、メッキ線1bにかかる負荷を大幅に緩和でき、所望の品質のメッキ線1bを安定して得ることができる。また、半田メッキ線の製造装置10、及び、製造方法によれば、メッキ手段61では、被メッキ線1aを薄メッキでメッキする薄メッキ設定と、薄メッキ設定の場合のメッキ厚よりも厚いメッキ厚となる厚メッキ設定とのうち、いずれかの設定で行うことができる。ここで、前記薄メッキ設定を、被メッキ線1aを走行させる速度を低速走行速度の下で被メッキ線1aに対してメッキを施す設定とする。一方、前記厚メッキ設定を、被メッキ線1aを走行させる速度を、前記低速走行速度よりも高速である高速走行速度の下で被メッキ線1aに対してメッキを施す設定とするとともに、前記高速走行速度において半田温度とメッキ厚との所定の関係に基づいて前記半田温度に応じたメッキ厚で被メッキ線1aにメッキを施す設定とすることを特徴としている。上述した半田メッキ線1bの製造装置10および製造方法により、0.2耐力値を十分に低下させた所望の品質のメッキ線1bを得ることができ、このようなメッキ線1bを安定して得ることで、製品歩留まりを向上させることができ、また、製造効率を向上させることができる。さらに、0.2耐力値を十分に低下させた所望の品質のメッキ線1bを、効率よく製造できるため、太陽電池用のリード線として好適な低耐力化したメッキ線1bの大量生産を図ることができる。詳述すると、巻取り手段71によってメッキ線1bの巻き取り速度を調節するなどして、メッキ工程において、被メッキ線1aを、低速走行速度、或いは、高速走行速度のいずれかの線速で走行させるかによって、被メッキ線1aに対してメッキ厚を厚く形成したり薄く形成したりすることが可能となる。具体的には、低速走行速度に設定した場合には、薄メッキ厚設定となり、被メッキ線1aに対してメッキ厚の薄いメッキ膜を形成することができる。高速走行速度に設定した場合には、厚メッキ厚設定となり、被メッキ線1aに対してメッキ厚の厚いメッキ膜を形成することができる。これにより、メッキ線1bの使用目的、用途に応じて厚メッキ狙い、或いは、薄メッキ狙いとするいずれかのメッキ厚のメッキ線1bを構成することができる。特に、高速走行速度に設定した場合においては、半田温度とメッキ厚とが所定の関係を示すことを見出したため、この関係に基づいて半田温度を変更することによって、厚メッキの中でも、メッキ厚の厚みをより厚くしたり、より薄くしたりといった微妙な厚み調節を行うことが可能となる。以上により、線速や半田温度の設定に応じて、0.2耐力値が十分に低下し、均一、且つ、所望のメッキ厚を有するメッキ線1bを得ることができる。さらに、このような高品質なメッキ線1bを安定して得ることができるため、製品歩留まりを向上させることができ、また、製造効率を向上させることができる。また、低速走行速度は、約4m/min程度に設定することが好ましい。このように、低速走行速度を約4m/min程度に設定することで、例えば、約14.0~24.0μm程度の薄いメッキ厚のメッキ線1bを得ることができる。一方、高速走行速度は、約13m/min程度に設定することが好ましい。このように、高速走行速度を約13m/min程度に設定することで、例えば、約28.5~67μm程度の厚いメッキ厚のメッキ線1bを形成することができる。すなわち、線速を上述した低速走行速度、或いは、高速走行速度のいずれかの速度に設定するかに応じて、メッキ厚の度合いを大きく異ならせることができるため、メッキ線1bの用途、仕様に対応する所望のメッキ厚を有するメッキ線1bを作成することができる。さらにまた、線速を高速走行速度とし、厚メッキ設定の下でメッキ工程を行うことで、被メッキ線1aの表面に形成するメッキ厚を厚くすることができるが、メッキ工程での半田温度が高い場合、薄メッキ設定の場合と比較してメッキ線1bの表面の外観荒れが生じ易くなる傾向がある。このため、メッキ工程における半田温度を約240°C程度に設定することで、メッキ線1bの表面のメッキ膜に凹凸などが生じことがなく、表面が滑らかで、均一なメッキ厚のメッキ線1bを得ることができる。以下、効果確認実験として行った半田工程の条件の違いによる低耐力特性確認試験について説明する。半田工程の条件の違いによる低耐力特性確認試験本実験では、薄メッキ設定、及び、厚メッキ設定のそれぞれの条件とした場合の半田温度と、メッキ厚及び引張特性との関係を明らかにし、本実施形態の製造方法の有効性を確認した。薄メッキ設定、及び、厚メッキ設定のそれぞれにおいて、半田温度は、240°C、260°C、280°Cの3種類に設定し、銅線は、いずれもOFCであり、サイズが0.2mm×1.0mm、0.16mm×2.0mm、0.2mm×2.0mmの3種類の平角線を用いた。薄メッキ設定の場合は、線速を4m/minの低速設定とした低速走行速度の下でメッキ工程を行った。一方、厚メッキ設定の場合は、線速を13m/minの高速設定とした高速走行速度の下でメッキ工程を行った。本実験結果として、上述した設定の下、薄メッキ設定、及び、厚メッキ設定のそれぞれの条件における半田温度と、メッキ厚及び引張特性との関係を表1a、bに示す。なお、表1aは、薄メッキ設定の下での半田温度と、メッキ厚及び引張特性との関係を示すとともに、表1bは、厚メッキ設定の下での半田温度と、メッキ厚及び引張特性との関係を示す。線速の設定が4m/minである低速走行速度の下でメッキ工程を行った場合と、線速の設定が13m/minである高速走行速度の下でメッキ工程を行った場合とで、それぞれ対応する平角サイズ、温度の条件ごとにメッキ厚について比較した。その結果、いずれも低速走行速度の方が高速走行速度の場合と比較してメッキ厚が薄くなるように被メッキ線1aに対してメッキ膜を形成できることを確認できた。薄メッキ設定の場合の結果に着目すると、3種類の平角サイズや、温度の設定に影響されず、上述したようにメッキ厚を薄くでき、また、厚メッキ設定の場合と比較して0.2耐力値を低くすることができた。しかも、3種類の平角サイズや半田温度との組み合わせがいずれの場合においても、メッキ膜の表面に外観荒れが生じることなく、高品質のメッキ線1bを得られることを確認できた。一方、厚メッキ設定の場合の結果に着目すると、種類の平角サイズや、温度の設定に影響されず、いずれも50Mpa前後の値にまで0.2耐力値を低くすることができた。厚メッキ設定の場合のメッキ厚については、例えば、サイズが0.2mm×1.0mmの平角線において、半田温度が280°Cの場合には、メッキ厚は29.5~32.0μmとなった。一方、半田温度が240°C以外の場合には、メッキ厚は31.5~38.0μmとなった。さらに、サイズが0.16mm×2.0mmの平角線において、半田温度が280°Cの場合には、メッキ厚は44.0~47.0μmとなった。一方、半田温度が240°Cの場合には、メッキ厚は47.5~73.5μmとなった。このような結果より、特に、厚メッキ設定の場合には、メッキ温度が低い方が、メッキ厚が厚くなる傾向を示すという半田温度とメッキ厚との関係を見出すことができた。よって、このような半田温度とメッキ厚との関係により、厚メッキ設定の中でも、半田温度の設定に応じてメッキ厚の微妙な調節ができることを確認できた。例えば、サイズが0.2mm×1.0mmの平角線において、厚メッキ設定の中でも、メッキ厚を比較的薄く設定したい場合は、半田温度を280°Cに設定すればよく、逆に、厚メッキ設定の中でも、メッキ厚を比較的厚く設定したい場合は、半田温度を240°Cに設定すればよく、これらの間の厚みに設定したい場合は、半田温度を260°Cに設定すればよい。また、サイズが例えば、0.16mm×2.0mmの平角線において、半田温度が260°Cや280°Cの設定の場合には、メッキ線1bの表面に外観荒れが生じるため、このような事態を回避するために、半田温度を240°Cに設定すればよいことになる。このように、半田温度とメッキ厚との所定の関係に基づいて、半田温度を設定することで、所望のメッキ厚、及び、外観となる高品質なメッキ線1bを得ることができる。また、上述した半田メッキ線の製造装置および半田メッキ線の製造方法は、上述した構成に限定せず、様々な構成で構成することができる。例えば、他の実施形態における製造装置10Aには、図4a,bに示すように、超音波水洗浄槽41と軟化焼鈍炉51との間にプレ加熱炉51Pを設けることができる。プレ加熱炉51Pは、図4bに示すように、被メッキ線1aの走行時間、及び、走行距離が短い場合においても、被メッキ線1aの温度を急激に高めることに特化して構成している。具体的には、プレ加熱炉51Pは、プレ加熱炉本体52Pに鞘管53Lを備えている。該鞘管53Lは、被メッキ線1aの走行方向に沿って直線状に構成した中空管であり、被メッキ線1aがプレ加熱炉51Pと軟化焼鈍炉51とを通過する際に、該被メッキ線1aが空気に触れて酸化しないようにプレ加熱炉本体52Pと軟化焼鈍炉本体52とのそれぞれの内部に連通した配置形態としている。プレ加熱炉51Pの内部には、軟化焼鈍炉51と同様に、プレ加熱炉本体52Pの内部に、鞘管53Lの長手方向に沿って複数本のヒータ54Pを備えているが、軟化焼鈍炉51において配置したヒータ54の配置間隔よりも狭ピッチで配置している。これにより、線速を速めて被メッキ線1aを走行させても、軟化焼鈍工程の直前にプレ加熱工程として、プレ加熱炉51Pで被メッキ線1aを加熱することができ、加熱した状態の被メッキ線1aを軟化焼鈍炉51に供給することができる。よって、被メッキ線1aの線速の高速化に対応して、軟化焼鈍工程において、被メッキ線1aを確実、且つ、十分に低耐力化した状態とすることができる。従って、上述した製造装置10A、及び、製造方法によれば、厚メッキ設定、或いは、薄メッキ設定のいずれの設定の下で製造したメッキ線1bであっても、低耐力特性が要求される太陽電池のリード線として用いることができる。また、鞘管53Lにおける軟化焼鈍炉51とプレ加熱炉51Pとの間部分には、鞘管53Lの長さ方向におけるプレ加熱炉51Pに相当する部分に還元ガスを供給するプレ還元ガス供給部57Pを構成している。上述した還元ガス供給部57では、還元ガスGとして水素と窒素との混合ガスを鞘管53Lに供給し、鞘管53Lの軟化焼鈍炉51に相当する内部空間を混合ガス雰囲気としたが、プレ還元ガス供給部57Pでは、還元ガスGとして窒素ガス、或いは、水蒸気ガススチームガスを、鞘管53Lのプレ加熱炉51Pに相当する内部空間に供給し、該内部空間を窒素ガス雰囲気、或いは、水蒸気ガス雰囲気としている。これにより、プレ加熱炉51Pを通過する際に被メッキ線1aの表面が酸化することを防ぐことができるとともに、プレ加熱炉51Pでは、還元ガスGとして水素ガスを用いずに、窒素ガス、或いは、水蒸気ガスを用いることで、安全であり、ガスの扱いが容易となる。詳述すると、上述した低耐力特性確認試験で用いた表1a,b中における0.2耐力値に着目すると、厚メッキ設定の場合は、薄メッキ設定の場合と比較して、いずれの平角サイズ、温度においても0.2耐力値が高い結果となった。その理由として、線速を高速走行速度とした場合、メッキ工程において厚メッキ設定とすることができる一方で、線速が速くなるため、メッキ工程の前に行う軟化焼鈍工程において、被メッキ線1aに対して軟化焼鈍を完全に行うまでにメッキ線1bが軟化焼鈍炉51を通過してしまい、結果的に、被メッキ線1aに対して軟化焼鈍を十分に行うことができないといった事態が生じるためである。この場合、メッキ工程を、厚メッキ設定で行うことで、被メッキ線1aの表面に厚いメッキ厚を形成できても、線速が高速走行速度であるため、薄メッキ設定の場合と比較して0.2耐力値が高いメッキ線1bが作成されることになる。これに対して、上述した製造装置10Aのように、すなわち、図4a,bに示すように、超音波水洗浄槽41と軟化焼鈍炉51との間にプレ加熱炉51Pを設けた構成とすることにより、プレ加熱工程でプレ加熱炉51Pによって被メッキ線1aに対して十分に加熱した上で、軟化焼鈍工程を行うことができる。このため、線速を高速走行速度とし、被メッキ線1aを高速走行させた場合であっても、軟化焼鈍工程において、被メッキ線1aを確実に低耐力化することができる。従って、最終的に、0.2耐力値が低く、厚メッキ設定に対応する厚いメッキ厚を有するメッキ線1bを得ることができる。また、このように、軟化焼鈍炉51と超音波水洗浄槽41との間にプレ加熱炉51Pを設置することにより、該プレ加熱炉51Pで十分に被メッキ線1aを加熱し、軟化焼鈍炉51において、加熱した被メッキ線1aに対して軟化焼鈍を行うことができ、0.2耐力値を所望の値まで低下させることができる。軟化焼鈍炉51の上流側近傍に設置したプレ加熱炉51Pは、上述したように、被メッキ線1aの加熱性能に特化した構成とし、内部に、窒素ガス、或いは、水蒸気ガスを供給した安全で扱い易いガス雰囲気としている。このため、被メッキ線1aを高速走行させた場合であっても、軟化焼鈍炉51において軟化焼鈍時間を確保する手段として、例えば、軟化焼鈍炉51を長尺化して構成するといった対策を講じる必要がなく、軟化焼鈍炉51の上流側手前にプレ加熱炉51Pを設置する構成は、軟化焼鈍炉51を長尺化する構成と比較して、設置スペースやコストが増大することがない。従って、既存設備を活かした設計変更レベルの簡易な構成の追加によって線速の高速化を図ることができ、厚メッキ設定、或いは、薄メッキ設定のいずれの設定の下で製造したメッキ線1bであっても、十分な低耐力化を図ることができ、低耐力特性が要求される太陽電池のリード線として用いることができる。また、上述した実施形態の製造装置10,10Aは、加熱処理炉22を必須の構成とせず、図5に示すように、走行方向におけるサプライヤ12と酸洗浄槽31との間に加熱処理炉22を設置しない構成としてもよい。さらにまた、加熱処理炉22は、走行方向におけるサプライヤ12と酸洗浄槽31との間に設置するに限らず、軟化焼鈍炉51よりも上流側であれば、他の部位に設置してもよい。例えば、他の実施形態の製造装置として、上述した加熱処理炉22を設置せずに、上述したプレ加熱炉51Pのみを設置し、プレ加熱炉51Pの内部に供給する還元ガスとして水蒸気ガスを用いた構成としてもよい。この構成により、プレ加熱炉51Pでは、上述したように、軟化焼鈍炉51の直前でプレ加熱を行うという機能に加えて、上述した加熱処理炉22により行う機能の双方を兼ね備えることができる。よって、設備コストの削減を図ることができることは勿論、被メッキ線1aの走行距離の短縮化をより一層、図ることができ、0.2耐力値が低い高品質のメッキ線1bを生産することができる。なお、上述したように、軟化焼鈍炉51の内部を還元ガス雰囲気としているが、この還元ガスGには、上述したように、窒素ガス、或いは、窒素ガスと水素ガスとの混合ガスに限らず、他の成分を含有してもよい。また、窒素ガスや水素ガス以外の還元ガスで構成してもよい。この発明の構成と、上述した実施形態との対応において、銅線は、被メッキ線1a、及び、メッキ線1bに対応し、以下同様に、プレ加熱炉51Pは、この発明のプレ加熱手段に対応するものとし、本発明は、上述した実施形態に限定せず、様々な実施形態で構成することができる。"