放射ビームを調整するように構成された照明系と、前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付与された放射ビームを形成可能であるパターニングデバイスを支持するように構成された支持部と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、前記パターン付与された放射ビームを前記基板の目標部分に投影するように構成された投影系と、リソグラフィ装置の部分を冷却する冷却システムであって、冷却液を保持する冷却流路であって、前記部分と少なくとも部分的に熱接触し入口と出口を有する、冷却流路と、前記入口から前記冷却流路を通り前記出口に冷却液を輸送するように構成された冷却液輸送デバイスと、前記冷却流路の前記入口および前記出口の両方と熱接触し、前記入口に存在する冷却液から前記出口に存在する冷却液に熱を伝達する熱輸送装置と、を有する冷却システムと、を備えるリソグラフィ装置。前記熱輸送装置は熱電ヒートポンプまたは熱電子ヒートポンプであることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記冷却流路は前記部分の周りにループ状に配置され、前記部分の同一側に前記冷却流路の前記入口および前記出口が設けられており、前記熱輸送装置は前記部分に隣接して配置され、前記部分と前記熱輸送装置が前記冷却流路の二つの部分の間に挟まれていることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記冷却流路は前記リソグラフィ装置の他の部分に対向する外壁部を有しており、前記冷却システムは、前記外壁部の温度を測定する温度センサを備え、前記冷却システムは、前記温度センサの出力に基づき前記熱輸送装置を駆動する制御ユニットを好ましくは備えることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。放射ビームを調整するように構成された照明系と、前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付与された放射ビームを形成可能であるパターニングデバイスを支持するように構成された支持部と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、前記パターン付与された放射ビームを前記基板の目標部分に投影するように構成された投影系と、リソグラフィ装置の部分を冷却する冷却システムであって、冷却液を収容する冷却ユニットであって、前記部分の表面の少なくとも一部と熱接触し、入口、出口および前記部分の表面に隣接する壁を有する、冷却ユニットと、前記入口から前記冷却ユニットを通り前記出口に冷却液を輸送するように構成された冷却液輸送デバイスと、を有する冷却システムと、を備え、前記冷却ユニットは、前記部分に分配された複数の場所で、前記壁と直交する方向に前記壁からおよび前記壁に向けて冷却液を導くように構成されることを特徴とするリソグラフィ装置。前記場所の密度が平方cm当たり少なくとも1箇所であり、好ましくは平方cm当たり10箇所であり、より好ましくは平方cm当たり50箇所であることを特徴とする請求項5に記載のリソグラフィ装置。前記複数の場所は互いに流体連通することを特徴とする請求項5に記載のリソグラフィ装置。前記冷却ユニットは、前記壁の近傍に、噴流衝突および/または乱流挙動を与えるように構成されることを特徴とする請求項5に記載のリソグラフィ装置。前記入口から前記壁に冷却液を導く複数の流路または一つのチャンバが設けられ、前記流路またはチャンバの主要部が、前記部分から外方に向く前記冷却ユニットの側に設けられることを特徴とする請求項5に記載のリソグラフィ装置。放射ビームを調整するように構成された照明系と、前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付与された放射ビームを形成可能であるパターニングデバイスを支持するように構成された支持部と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、前記パターン付与された放射ビームを前記基板の目標部分に投影するように構成された投影系と、リソグラフィ装置の部分を冷却する冷却システムであって、冷却液を収容する冷却流路であって、前記部分から離して配置される冷却流路と、前記冷却流路を通して冷却液を輸送するように構成された冷却液輸送デバイスと、前記部分および前記冷却流路と熱接触し、前記部分から前記冷却流路内の冷却液に熱を伝達する熱輸送装置と、を有する冷却システムと、を備え、前記熱輸送装置は前記部分の周りの利用可能な空間に適合されることを特徴とするリソグラフィ装置。前記熱輸送装置は固体冷却板であり、アルミニウム、銅、CVDダイアモンド、ピロリティックpyroliticカーボン、銀、炭化ケイ素、銀-ダイアモンド、アルミニウム-ダイアモンド、銅-ダイアモンドのうち一つまたは複数の材料を好ましくは含むことを特徴とする請求項10に記載のリソグラフィ装置。前記熱輸送装置は、例えばヒートポンプまたはヒートパイプである二相熱輸送装置であり、該二相熱輸送装置の作動流体は、NH3、R41、N2O、CO2、エタン、R32、プロピレン、プロパン、DME、R22[6]、R134a、2-ブテン、水、メタノール、アセトン、エタノールのうち一つまたは複数の素材を好ましくは含むことを特徴とする請求項10に記載のリソグラフィ装置。前記熱輸送装置は二つの逆向きの自由端を有し、前記部分の周りにループ状に配置され、前記部分の同一側で前記自由端が前記部分から延出し、前記自由端の間に前記冷却流路が設けられることを特徴とする請求項10に記載のリソグラフィ装置。リソグラフィ装置の部分を冷却する方法であって、前記部分の周りの利用可能な空間に、前記部分の少なくとも位置部と熱接触する熱輸送装置を設けるステップと、より広い利用可能な空間がある前記部分から離れた位置に前記熱輸送装置を延出させるステップと、前記熱輸送装置と熱接触する冷却液を冷却流路に与えるステップと、冷却液輸送装置を用いて前記冷却流路を通して前記冷却液を輸送し、前記熱輸送装置を介して前記部分から前記冷却液に熱を伝達させるステップと、を含む冷却方法。リソグラフィ装置の前記部分が、前記基板または基板テーブルを位置決めするアクチュエータの部分であり、好ましくは前記部分がコイルであることを特徴とする請求項1、5または10に記載のリソグラフィ装置。リソグラフィ装置の部分を冷却する冷却能力の増大した冷却システムを有し、好ましくは他の部分の動作に干渉することなく、上記部分からリソグラフィ装置の他の部分への熱伝達を低減する、改善されたリソグラフィ装置を提供することが望ましい。本発明の一実施形態によると、この装置は、放射ビームを調整するように構成された照明系と、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付与された放射ビームを形成可能であるパターニングデバイスを支持するように構成された支持部と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン付与された放射ビームを基板の目標部分に投影するように構成された投影系と、リソグラフィ装置の部分を冷却する冷却システムとを備えるリソグラフィ装置が提供される。冷却システムは、冷却液を保持する冷却流路であって、部分と少なくとも部分的に熱接触し入口と出口を有する、冷却流路と、入口から冷却流路を通り出口に冷却液を輸送するように構成された冷却液輸送デバイスと、冷却流路の入口および出口の両方と熱接触し、入口に存在する冷却液から出口に存在する冷却液に熱を伝達する熱輸送装置と、を有する。本発明の別の実施形態によると、放射ビームを調整するように構成された照明系と、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付与された放射ビームを形成可能であるパターニングデバイスを支持するように構成された支持部と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン付与された放射ビームを基板の目標部分に投影するように構成された投影系と、リソグラフィ装置の部分を冷却する冷却システムと、を備えるリソグラフィ装置が提供される。冷却システムは、冷却液を収容する冷却ユニットであって、部分の表面の少なくとも一部と熱接触し、入口、出口および部分の表面に隣接する壁を有する、冷却ユニットと、入口から冷却ユニットを通り出口に冷却液を輸送するように構成された冷却液輸送デバイスと、を有する。冷却ユニットは、部分に分配された複数の場所で、壁と直交する方向に壁からおよび壁に向けて冷却液を導くように構成される。本発明のさらに別の実施形態によると、放射ビームを調整するように構成された照明系と、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付与された放射ビームを形成可能であるパターニングデバイスを支持するように構成された支持部と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン付与された放射ビームを基板の目標部分に投影するように構成された投影系と、リソグラフィ装置の部分を冷却する冷却システムと、を備えるリソグラフィ装置が提供される。冷却システムは、冷却液を収容する冷却流路であって、部分から離して配置される冷却流路と、冷却流路を通して冷却液を輸送するように構成された冷却液輸送デバイスと、部分および冷却流路と熱接触し、部分から冷却流路内の冷却液に熱を伝達する熱輸送装置と、を有する。熱輸送装置は部分の周りの利用可能な空間に適合される。本発明のさらなる実施形態によると、部分の周りの利用可能な空間に、部分の少なくとも位置部と熱接触する熱輸送装置を設けるステップと、より広い利用可能な空間がある部分から離れた位置に熱輸送装置を延出させるステップと、熱輸送装置と熱接触する冷却液を冷却流路に与えるステップと、冷却液輸送装置を用いて冷却流路を通して冷却液を輸送し、熱輸送装置を介して部分から冷却液に熱を伝達させるステップと、を含む、リソグラフィ装置の部分を冷却する方法が提供される。以下、対応する参照符号が対応する部分を表す添付の模式図を参照して、本発明の実施形態を例示として説明する。図1は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。この装置は、放射ビームB例えばUV放射または任意の他の適切な放射を調整するよう構成されている照明系イルミネータILと、パターニングデバイス例えばマスクMAを支持するよう構成され、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成されている第1の位置決め装置PMに接続されているマスク支持構造例えばマスクテーブルMTと、を備える。リソグラフィ装置は、基板例えばレジストでコーティングされたウェーハWを保持するよう構成され、いくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするよう構成されている第2の位置決め装置PWに接続されている基板テーブル例えばウェーハテーブルWTまたは基板支持部も備える。リソグラフィ装置は、パターニングデバイスMAにより放射ビームBに付与されたパターンを基板Wの例えば一つまたは複数のダイからなる目標部分Cに投影するよう構成されている投影系例えば屈折投影レンズPSと、をさらに備える。照明系は、放射の方向や形状の調整またはその他の制御用に、各種の光学素子例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子または他の各種光学部品を含んでもよく、あるいはこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。マスク支持構造は、パターニングデバイスを支持すなわちその重量を支える。マスク支持構造は、パターニングデバイスの向きやリソグラフィ装置の構成、あるいはパターニングデバイスが真空環境下で保持されるか否かなどの他の条件に応じた方式でパターニングデバイスを保持する。マスク支持構造は、機械的固定、真空固定、またはパターニングデバイスを保持するその他の固定用技術を用いてもよい。マスク支持構造は例えばフレームまたはテーブルであってよく、必要に応じて固定されていてもよいし移動可能であってもよい。マスク支持構造は、パターニングデバイスを例えば投影系に対して所望の位置に位置決めできるようにしてもよい。本明細書ではレチクルまたはマスクという用語を用いた場合には、より一般的な用語であるパターニングデバイスに同義であるとみなされるものとする。本明細書ではパターニングデバイスという用語は、例えば基板の目標部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与するために使用されうるいかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、基板の目標部分に所望されるパターンと厳密に対応していなくてもよい。このような場合には例えば、放射ビームのパターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合がある。一般には、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に形成される集積回路などのデバイスの特定の機能層に対応する。パターニングデバイスは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、例えばマスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルLCDパネルなどがある。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、さらに各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜されるというものがある。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与されることになる。本明細書では投影系という用語は、使用される露光光あるいは液浸や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影系をも包含するよう広く解釈されるべきである。投影系には例えば屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。以下では投影レンズという用語は、より一般的な用語である投影系と同義に用いられうる。ここに図示されるのは、例えば透過型マスクを用いる透過型のリソグラフィ装置である。これに代えて、例えば上述のようなプログラマブルミラーアレイまたは反射型マスクを用いる反射型のリソグラフィ装置を用いることもできる。リソグラフィ装置は二つ以上二つの場合にはデュアルステージと呼ばれるの基板テーブルまたは基板支持部及び/または二つ以上のマスクテーブルまたはマスク支持部を備えてもよい。このような多重ステージ型の装置においては追加されたテーブルまたは支持部が並行して使用されるか、あるいは1以上のテーブルまたは支持部で露光が行われている間に他の1以上のテーブルまたは支持部で準備工程を実行するようにしてもよい。リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が、比較的高い屈折率を有する例えば水などの液体で覆われて投影系と基板との間の空間を満たすものであってもよい。液浸液は、例えばマスクと投影系の間などのリソグラフィ装置の他の空間に適用されるものであってもよい。投影系の開口数を増大させるために液浸技術を使用することができる。本明細書では液浸という用語は、基板等の構造体が液体に完全に浸されているということを意味するのではなく、露光中に投影系と基板の間に液体が存在するということを意味するに過ぎない。図1に示されるようにイルミネータILは放射源SOから放射ビームを受け取る。例えば光源がエキシマレーザである場合には、光源とリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、光源はリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは光源SOからイルミネータILへとビーム搬送系BDを介して受け渡される。ビーム搬送系BDは例えば適当な方向変更用のミラー及び/またはビームエキスパンダを含んで構成される。あるいは光源が例えば水銀ランプである場合には、光源はリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。光源SOとイルミネータILとは、またビーム搬送系BDが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射系または放射システムと総称される。イルミネータILは放射ビームの角強度分布を調整するよう構成されたアジャスタADを備えてもよい。一般には、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも半径方向外径及び/または内径の大きさ通常それぞれシグマ-アウタσ-outer、シグマ-インナσ-innerと呼ばれるが調整される。加えてイルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の要素を備えてもよい。イルミネータはビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。放射ビームBは、支持構造例えばマスクテーブルMTに保持されるパターニングデバイス例えばマスクMAに入射して、当該パターニングデバイスによりパターンが付与される。マスクMAを通過した放射ビームBは投影系PSに進入する。投影系PSはビームを基板Wの目標部分Cに投影する。第2の位置決め装置PWと位置センサIF例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなどにより基板テーブルWTを正確に移動させることができる。基板テーブルWTは例えば放射ビームBの経路に異なる目標部分Cを順次位置決めするように移動される。同様に、第1の位置決め装置PMと他の位置センサ図1には明示せずとにより放射ビームBの経路に対してマスクMAを正確に位置決めすることができる。この位置決めは例えばマスクライブラリからのマスクの機械的交換後や露光走査中に行われる。一般にマスクテーブルMTの移動は、第1の位置決め装置PMの一部を構成するロングストロークモジュール粗い位置決め用及びショートストロークモジュール精細な位置決め用により実現される。同様に基板テーブルWTまたは基板支持部の移動は、第2の位置決め装置PWの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現される。ステッパではスキャナとは異なり、マスクテーブルMTはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。マスクMAと基板Wとは、マスクアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークが専用の目標部分を占拠しているが、アライメントマークは目標部分間のスペースに配置されてもよいこれはスクライブラインアライメントマークとして公知である。同様に、マスクMAに複数のダイがある場合にはマスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。図示の装置は例えば次のうちの少なくとも一つのモードで使用されうる。1.ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が1回の照射すなわち単一静的露光で目標部分Cに投影される間、マスクテーブルMTまたはマスク支持部及び基板テーブルWTまたは基板支持部は実質的に静止状態とされる。そして基板テーブルWTまたは基板支持部がX方向及び/またはY方向に移動されて、異なる目標部分Cが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で転写される目標部分Cのサイズを制限することになる。2.スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影される間すなわち単一動的露光の間、マスクテーブルMTまたはマスク支持部及び基板テーブルWTまたは基板支持部は同期して走査される。マスクテーブルMTまたはマスク支持部に対する基板テーブルWTまたは基板支持部の速度及び方向は、投影系PSの拡大縮小特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光での目標部分の非走査方向の幅を制限し、走査移動距離が目標部分の走査方向の長さを決定する。3.別のモードにおいては、マスクテーブルMTまたはマスク支持部がプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影される間、基板テーブルWTまたは基板支持部が移動または走査される。このモードではパルス放射源が通常用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは、基板テーブルWTまたは基板支持部の毎回の移動後、または走査中の連続放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のプログラマブルミラーアレイ等のプログラム可能パターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。上記で記載したモードの組み合わせおよび/または変形例を使用してもよいし、全く別のモードを使用してもよい。図2は、本発明の一実施形態に係る冷却システムを有するリソグラフィ装置の部分を示す。この実施形態では、この部分は、図1の基板テーブルWTを位置決めする位置決め装置のロングストロークモジュールまたはショートストロークモジュールの一部であるコイルCを備え、二つの磁石アセンブリMAGの間に配置される。この部分は、望ましくない熱発生部分または熱発生部品については特に、図1のリソグラフィ装置の任意の部分であってもよい。コイルCは、リソグラフィ装置の他の部分からコイルCを電気的に絶縁するためのエポキシEP、例えばキャプトンcaptonホイル層により封入される。今後、図2のコイルCに言及する場合、別段の定めをした場合を除き、エポキシEPが含まれる。コイルCの周りには、冷却流路CCがループ状に配置される。実際には複数の冷却流路が設けられてもよいが、簡単のために一つの流路のみが図示されている。冷却流路は入口INと出口OUTを備え、冷却液明示せずで充填されている。入口INと出口OUTは冷却液輸送装置CTDに接続される。冷却液輸送装置CTDは、入口INから冷却流路を通り出口OUTに冷却液を輸送するように構成される。冷却液から熱を取り除くために冷却流路に熱交換器が設けられてもよいが、熱交換器が冷却液輸送装置に統合されてもよい。冷却液輸送装置は、入口INの冷却液に予め定められた温度を与えるように制御されてもよい。入口INと出口OUTの間には、入口INに存在する冷却液から出口OUTに存在する冷却液に熱を輸送する熱輸送装置HTDが設けられる。熱輸送装置は、入口INから、入口INよりも温度の高い出口OUTへの熱流を強制する熱電ヒートポンプまたは熱電子thermionicヒートポンプであってもよい。この構成の利点は、入口から出口に熱を輸送することによって、冷却流路に侵入する冷却液の温度が調整されることである。この結果、他の部分の温度に合うように冷却流路の外面温度が低下し、したがってコイルからリソグラフィ装置の他の部分、例えば磁石MAGへの熱輸送が低下する。冷却流路の外面の温度を温度センサTSによって測定し、制御ユニットCUにより熱輸送装置を適切に駆動することによって、熱輸送装置HTDを通過後の冷却液の温度を制御するために使用してもよい。この構成の別の利点は、コイルの同じ側図2では右側に冷却流路の入口INと出口OUTとが設けられていることである。この結果、冷却流路を備えるコイルCの厚みを変更することなく、入口と出口の間に熱輸送装置を設けることができる。このため、本発明の適用によってアクチュエータ効率が影響を受けることはない。熱輸送装置を熱発生部分に近接させることは、本発明にとって必須ではない。入口、出口および熱輸送装置が、より空間のある離れた場所に設けられてもよい。このような実施形態も本発明の範囲内にある。図3は、本発明の別の実施形態に係る冷却システムの冷却ユニットCOUの一部を模式的に示す。冷却ユニットCOUは、例えば図1のリソグラフィ装置であるリソグラフィ装置の熱発生部分図示せずの表面に隣接する内壁W1を有する。内壁W1を横切り、熱発生部分と冷却システムとの間で熱伝達が発生してもよい。冷却ユニットは、例えば図2に示した磁石などのリソグラフィ装置の他の部分に対向してもよい外壁W2をさらに有する。冷却ユニットCOUは上記部分を少なくとも部分的に覆うことが好ましい。すなわち、冷却ユニットは上記部分の少なくとも一部と熱接触することが好ましく、上記部分の少なくとも主要部と熱接触することがさらに好ましい。内壁W1と外壁W2の間には、三つのチャンバが互いに積み重ねられてている。すなわち、入口チャンバINCは入口INに接続され、出口チャンバOUTCは出口OUTに接続され、熱交換チャンバHECは内壁W1に近接している。冷却ユニットには、入口チャンバINCから熱交換チャンバHEC内に延びる第1冷却流路CP1と、熱交換チャンバHECから出口チャンバOUTCに延びる第2冷却流路CP2とがさらに設けられる。作動している冷却ユニットは冷却液で満たされており、入口INから冷却ユニットCOUを通り出口OUTに冷却液を輸送するように構成された冷却液輸送装置図示せずに接続される。冷却液から熱を取り除くために熱交換器が設けられる可能性があるが、熱交換器が冷却液輸送装置に統合されていてもよい。冷却ユニットを通した冷却液の輸送が、対応する流線FLによって図示されている。第1冷却流路CP1および第2冷却流路CP2は交互に配置され上記部分にわたり分配されており、そのため内壁W1、すなわち熱交換チャンバHECに内壁と直交する方向で接近し離脱する複数の明確な流れが与えられる。言い換えると、冷却ユニットは、上記部分にわたり分配された複数の場所で、上記内壁と直交する方向で冷却液を内壁からおよび内壁に向けて向かわせるように構成される。明確な場所の密度は、平方cm当たり少なくとも1箇所であることが好ましく、平方cm当たり少なくとも10箇所であるとより好ましく、平方cm当たり少なくとも50箇所であると最も好ましい。この実施形態の利点は、熱交換チャンバHECに近接する冷却液およびその中の冷却液の輸送の主方向が壁W1と直交することである。この結果、生じる噴流が壁W1近くの境界層を突き抜け、これにより熱伝達が改善される。壁W1と主に平行の流れによって作り出される層流よりも高い熱伝達率を有する乱流を、熱交換チャンバHEC内に作り出すこともできる。結果として、冷却能力が増加し、リソグラフィ装置の他の部分に伝達される熱が少なくなる。入口INおよび出口OUTが交換されてもよい。これにより、図3に示す状況に対して、冷却液の輸送方向が反転する。しかしながら、図示の実施形態は、入口チャンバにおける冷却液の温度が最低であり熱発生部分に対する熱遮蔽を形成しており、したがってリソグラフィ装置の他の部分に向かう熱が少ないという利点を有している。言い換えると、冷却ユニットの外側に上記部分から離れた方を向く入口チャンバが設けられている。図4は、例えば図1のリソグラフィ装置であるリソグラフィ装置の部分PAを示す。上記部分は、図2の実施形態と同様にアクチュエータシステムのコイルである可能性がある。部分PAは、部分PAと協働可能である例えば永久磁石MAGのような他の部分によって囲まれていてもよい。他の部分、すなわち磁石MAGのために、部分PAの周囲の利用可能な空間は限られている。部分PAの周囲には、接触層CLを介して上記部分PAと熱接触する熱輸送装置HTDがループ状に配置される。接触層CLは接着剤または熱グリースであってもよく、部分PAから熱輸送装置HTDへの熱伝達を増加させる。熱輸送装置は、上記部分の同じ側で上記部分PAから延出する二つの自由端を有する。二つの自由端の間には、冷却液を収容し入口と出口を有する冷却流路CCが設けられる。入口から冷却流路を通り出口に冷却液を輸送し冷却液から熱を除去可能である冷却液輸送装置図示せずが設けられる。熱の除去は、冷却液輸送装置に統合されるかまたは冷却液輸送装置から離れて設けられる熱交換器によって行われてもよい。冷却流路も熱輸送装置HTDと熱接触しており、上記部分PAからの熱を熱輸送装置を介して冷却流路内の冷却液に伝達させることができる。冷却流路が上記部分PAから離れた利用可能な空間の多い場所に設けられているので、冷却流路は部分PAから熱をより効率的に輸送することができる。この原因は、利用可能な空間が少ない場合の層流の代わりに、冷却流路内部で乱流を作れるためであってもよい。一実施形態では、熱輸送装置は、高い熱伝達係数を有し部分PAから冷却流路CCに効率的に熱を輸送する固体冷却板である。固体冷却板は、アルミニウム、銅、CVDダイアモンド、ピロリティックpyroliticカーボン、銀、炭化ケイ素、銀-ダイアモンド、アルミニウム-ダイアモンド、銅-ダイアモンドのうち一つまたは複数の材料を含むことが好ましい。別の実施形態では、熱輸送装置は二相熱輸送装置である。二相熱輸送装置では、作動流体の蒸発によって上記部分PAから熱が抽出され、続いて作動流体が冷却流路に輸送されて、凝縮によって冷却流路内の冷却液に熱を放出する。凝縮後、作動流体は部分PAに戻る。好ましくは、二相熱輸送装置は、毛管力および蒸気圧によって部分と冷却流路との間で作動流体を循環させるように構成される。このため、能動的な作動流体輸送装置は不要である。これらのタイプの熱輸送装置は通常ヒートパイプと呼ばれる。ヒートパイプは異なる種類で利用可能である。例えば、従来のヒートパイプは芯材wickmaterialと脈動ヒートパイプを使用する。以下で説明するように、上述のタイプの両方とも熱輸送装置としての使用に適している。上記部分と冷却流路の間の距離は、1mm~250mm以上の間で変えることができる。作動流体は、以下の材料、すなわちNH3、R31、N2O、CO2、エタン、R32、プロピレン、プロパン、DME、R22[6]、R134a、2-ブテン、水、メタノール、アセトン、エタノールのうち一つまたは複数の素材を含むことが好ましい。芯材を用いるヒートパイプが図5にさらに詳細に模式的に示されている。ヒートパイプは冷却すべき部分に隣接する壁W1を備える。多孔質材、金網、または狭い溝を含む構造、すなわち芯材PMAが壁W1に隣接して設けられる。多孔質材、金網、または狭い溝を含む構造は、液相の作動流体を含む。作動液体の蒸発によって、冷却すべき部分から熱が抽出される。生じた蒸気は、曲線の矢印で示すようにチャンバCHに入り、矢印AIで示すように新たな作動流体で置換される。蒸気圧のために、蒸気はより冷たい領域、例えば冷却流路に近い領域に、矢印AOで示すように輸送される。蒸気はそこで再び液体に凝縮し、多孔質材、金網、または狭い溝を含む構造によって吸収され、毛管力によって冷却すべき部分に戻される。作動流体が高熱伝達用に最適化されることが好ましい。作動温度および環境圧力を用いて作動圧を調整することによって最適化がなされてもよい。その結果、チャンバの壁を可能な限り薄く作って熱損失および質量を最小化してもよい。一例として、冷たい側、すなわち図5のヒートパイプの左側の状態は、温度が摂氏18度であり蒸気圧が15mbarである。加熱により、温かい側すなわち図5のヒートパイプの右側の温度が摂氏22度に上昇し、それに伴い蒸気圧が25mbarに上昇したとする。蒸気圧のこの差は、温かい側から冷たい側への蒸気輸送の背後にある駆動力となる。上述のように、冷たい側から温かい側への液体輸送の背後にある駆動力は、芯材PMA内の毛管力である。図6は、図4の熱輸送装置HTDとして使用可能である脈動ヒートパイプの模式図である。脈動ヒートパイプはチューブTUを備える。この場合チューブTUは閉ループを形成しているが、代替的にチューブが開ループ回路を形成してもよい。チューブTUは、二相系が生成されるように、液体スラグLBと蒸気泡VBとの混合物で満たされている。二、三の液体スラグLBと蒸気泡VBのみが、それぞれ参照番号で示されている。脈動ヒートパイプは、冷却すべき部分と接触するように構成された熱い側HSを有する。熱い側では、チューブTU内の液体部分の蒸発によって熱を抽出することができる。この結果圧力が増加し、これにより液体および蒸気が冷たい側CSに向けて押される。冷たい側CSでは、例えば別の冷却装置によって脈動ヒートパイプ内の媒質から熱を抽出することができる。この結果、蒸気が凝縮し圧力が低下して、液体部分および蒸気部分が熱い側へと流れることが可能になり、これによって振動運動が起こる。冷たい側CSと熱い側HSの間に断熱部APが設けられてもよい。断熱部APでは、媒質と環境との間で熱交換が行われないことが好ましい。脈動ヒートパイプチューブTUの蛇行した構造のために、脈動ヒートパイプは冷却すべき部分に巻き付けるのに適しており、冷却すべき部分と例えば図4の冷却流路CCとの間に設けられる。必要に応じて曲折の数を変えられることに注意すべきである。図7は、磁石アセンブリMAGと協働する一つまたは複数のコイルCを示す。この実施形態では、コイルCの一面にのみ磁石が設けられており、そのため一面上で利用可能な空間についての問題が存在しうる。コイルCと磁石MAGとの間で最小の空間を使用してコイルCを効率的に冷却するために、高熱係数プレートHTCの間にコイルが挟まれる冷却システムが提供される。高熱係数プレートHTCは、コイルから効率的に熱を取り去ることができる。二枚のプレートHTCの間にはブリッジ構造BSが延びる。ブリッジ構造BSは、磁石MAGと対面する上プレートHTCから、磁石MAGから離れた下プレートHTCへの熱輸送を可能にする。ブリッジ構造BSは、プレートHTCと同じ高熱係数材料で作られることが好ましい。下プレートHTCは、下プレートHTCから熱を除去可能な熱輸送装置HTDと熱接触する。熱輸送装置HTDは、例えば図5または図6に係るヒートパイプであってもよい。ヒートパイプは、冷却液輸送装置によって循環される冷却液を収容する冷却流路によって冷却されてもよい。冷却システムは、温度センサTSから上プレートHTCの温度情報を受け取る制御ユニットCUによって制御されてもよい。制御ユニットCUは、温度センサTSの出力に基づき、熱輸送装置の温度または熱伝達能力を設定するように構成されてもよい。例えば上プレートHTCの所望の温度が摂氏22度である場合、上プレートと熱輸送装置との間に十分に大きな温度差が形成され上プレートの温度が摂氏22度になる値に熱伝達率を設定するように、熱輸送装置に入る媒質の温度が制御ユニットによって約摂氏17度に設定されてもよい。上述の実施形態は平坦なアクチュエータシステムとともに示されたが、回転アクチュエータシステムに対しても同一の原理を適用可能であることは当業者には明らかであろう。したがってこれらの応用形態は本発明の範囲内に入る。IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について本文書において特に言及をしてきたが、本明細書で述べたリソグラフィ装置は、他の応用形態も有していることを理解すべきである。例えば、集積された光学システム、磁気領域メモリ用の誘導及び検出パターンguidanceanddetectionpattern、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造といった応用である。当業者は、このような代替的な応用形態の文脈において、本明細書におけるウェハまたはダイという用語のいかなる使用も、それぞれより一般的な用語である基板または目標部分と同義とみなすことができることを認められよう。本明細書で参照された基板は、例えばトラック通常、レジスト層を基板に付加し、露光されたレジストを現像するツール、計測ツール及び/または検査ツールで露光の前後に加工されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示は、そのような基板処理工具または他の工具に対しても適用することができる。さらに、例えば多層ICを作製するために二回以上基板が加工されてもよく、その結果、本明細書で使用された基板という用語は、複数回処理された層を既に含む基板のことも指してもよい。光学的リソグラフィの文脈における本発明の実施形態の使用についてに特定の言及をしてきたが、本発明は、例えばインプリントリソグラフィなどの他の応用形態にも使用可能であり、文脈が許す限り光学的リソグラフィに限定されないことは理解されるだろう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィーが基板に生成されるパターンを定める。パターニングデバイスのトポグラフィーが基板に塗布されているレジスト層に押し付けられ、電磁放射、熱、圧力、またはこれらの組み合わせによってレジストが硬化される。レジストが硬化した後、パターニングデバイスがレジストから外されてパターンが残る。本明細書で使用される照射及びビームという用語は、紫外線UV照射例えば、365、248、193、157、または126nmの波長を有する、極端紫外線EUV照射例えば、5-20nmの範囲の波長を有する、並びにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含む、あらゆるタイプの電磁気照射を包含する。レンズという用語は、文脈の許す限り、屈折光学部品、反射光学部品、磁気光学部品、電磁光学部品および静電光学部品を含む様々なタイプの光学部品のうちの任意の一つまたはその組み合わせを指す場合もある。本発明の特定の実施形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよい。例えば、本発明は、上述の方法を記述する機械で読み取り可能な命令の一つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形式をとってもよいし、そのコンピュータプログラムを記録したデータ記録媒体例えば半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスクであってもよい。上述の説明は例示であり限定することを意図していない。よって、当業者であれば以下に述べる請求項の範囲から逸脱することなく本発明の変形例を実施することが可能であろう。