"装置であって、磁気記録媒体と相互作用するように構成されるヘッドトランスデューサと、抵抗温度係数TCRを有し、第1のセンサ信号を生成するように構成される、第1のセンサと、TCRを有し、第2のセンサ信号を生成するように構成される第2のセンサとを備え、前記第1および第2のセンサのうちの一方は、前記磁気記録媒体に対する前記ヘッドトランスデューサの接近点またはその付近に位置し、前記第1および第2のセンサのうちの他方は、前記接近点から離して設けられ、前記装置はさらに、前記第1および第2のセンサ信号を結合し、ヘッドと媒体との間隔の変化およびヘッドと媒体との接触の一方または両方を示す結合センサ信号を生成するように構成される回路を備える、装置。前記接近点またはその付近に位置するセンサは、前記接近点における熱境界条件を示す優勢信号成分を有するセンサ信号を発生させるように構成され、前記接近点から離れて設けられたセンサは、前記熱境界条件によって影響を受ける要因以外の要因による温度変化を示す優勢信号成分を有する信号を発生させるように構成される、請求項1に記載の装置。前記接近点またはその付近に位置するセンサは、ヘッドと媒体との間隔の変化およびヘッドと媒体との接触を示す優勢信号成分を有するセンサ信号を発生させるように構成され、前記接近点から離れて設けられるセンサは、ヘッドと媒体との間隔の変化およびヘッドと媒体との接触以外の要因による温度変化を示す優勢信号成分を有する信号を発生させるように構成される、請求項1に記載の装置。前記ヘッドトランスデューサを作動させて、前記接近点またはその付近に位置するセンサを前記媒体に向けて移動させるように構成される加熱器を備える、請求項1に記載の装置。前記第1のセンサは、正のTCRおよび負のTCRの一方を含み、前記第2のセンサは、正のTCRおよび負のTCRの他方を含む、請求項1に記載の装置。前記第1および第2のセンサの各々は、固定数の電気接続パッドに結合され、前記回路は、ヘッドと媒体との間隔の変化の測定およびヘッドと媒体との接触の検知の一方または両方を、さらなる電気接続パッドを加えることなく行うように構成される、請求項5に記載の装置。前記第1および第2のセンサは直列に接続される、請求項5に記載の装置。前記第1および第2のセンサは、差分抵抗温度センサを規定するように配置される、請求項1に記載の装置。前記第1および第2のセンサは、差分抵抗温度センサを規定するように配置され、前記回路は、前記第1および第2のセンサ信号を結合して、ヘッドと媒体との間隔の変化およびヘッドと媒体との接触の一方または両方を示す差分信号を生成するように構成される、請求項1に記載の装置。ヘッドと媒体との間隔の変化およびヘッドと媒体との接触の一方または両方を差分信号を使用して検知するように構成される検知器をさらに備える、請求項9に記載の装置。前記ヘッドトランスデューサを作動させて、前記接近点またはその付近に位置するセンサを前記媒体に向けて移動させるように構成される加熱器をさらに備え、前記回路は、前記結合センサ信号に対する加熱器の影響を示す前記結合センサ信号の成分を差し引くように構成される、請求項8に記載の装置。前記接近点またはその付近に位置するセンサは、前記接近点またはその付近における温度変化に応答して非線形センサ信号を生成し、前記接近点から離れて設けられるセンサは、間隔を空けられた位置における温度変化に応答して線形センサ信号を生成する、請求項8に記載の装置。方法であって、磁気記録媒体に対して相対的に移動するヘッドトランスデューサを伴い、抵抗係数TCRを有するヘッドトランスデューサの第1のセンサを使用して、ヘッドと媒体との間隔の変化およびヘッドと媒体との接触の一方または両方を感知するステップと、TCRを有する第2のセンサを使用して、ヘッドと媒体との間隔の変化およびヘッドと媒体との接触以外の要因による温度変化を感知するステップと、前記第1のセンサによる第1のセンサ信号と、前記第2のセンサによる第2のセンサ信号とを生成するステップと、前記第1および第2のセンサ信号を使用して、ヘッドと媒体との間隔の変化およびヘッドと媒体との接触の一方または両方を示す結合センサ信号を発生させるステップと、前記結合センサ信号を使用して、ヘッドと媒体との間隔の変化およびヘッドと媒体との接触の一方または両方を検知するステップとを備える、方法。前記ヘッドと媒体との間隔の変化およびヘッドと媒体との接触の一方または両方を感知するステップは、前記磁気記録媒体に関する前記ヘッドトランスデューサの接近点における熱境界条件を感知するステップを含み、前記他の要因による温度変化を感知するステップは、前記接近点から離れた位置における温度を感知するステップを含む、請求項13に記載の方法。前記第1のセンサ信号は、接近点における熱境界条件を示す優勢信号成分を含み、前記第2のセンサ信号は、前記熱境界条件による影響を受ける要因以外の要因による温度変化を示す優勢信号成分を含む、請求項14に記載の方法。前記第1のセンサを媒体に向けて移動させるように前記ヘッドトランスデューサを作動させるステップをさらに備える、請求項13に記載の方法。前記第1のセンサは、正のTCRおよび負のTCRのうちの一方を有し、前記第2のセンサは、正のTCRおよび負のTCRのうちの他方を有し、請求項13に記載の方法。前記第1および第2のセンサは、差分抵抗温度センサを規定するように配置される、請求項13に記載の方法。装置であって、磁気記録媒体と相互作用するように構成されるヘッドトランスデューサと、前記ヘッドトランスデューサによって支持される差分抵抗温度センサとを備え、前記差分抵抗温度センサは、抵抗温度係数を有し、前記磁気記録媒体に対する前記ヘッドトランスデューサの接近点またはその付近に位置する第1のセンサと、抵抗温度係数を有し、前記第1のセンサから間隔を空けられた前記ヘッドトランスデューサの部品とを含み、前記装置はさらに、前記差分抵抗温度センサによって発生された差分信号を使用して、ヘッドと媒体との間隔の変化およびヘッドと媒体との接触の一方または両方を検知するように構成される検知器とを備える、装置。前記ヘッドトランスデューサの部品は、前記ヘッドトランスデューサの書き込み要素、前記ヘッドトランスデューサの読み取り要素、および不活性の加熱器のうちの1つを含む、請求項19に記載の装置。装置であって、磁気記録媒体と相互作用するように構成されるヘッドトランスデューサと、前記ヘッドトランスデューサを作動させるように構成される加熱器と、前記ヘッドトランスデューサに位置するとともに、抵抗温度係数を有するセンサとを備え、前記センサは、前記ヘッドトランスデューサと前記媒体との間の接触を感知するように構成され、前記装置はさらに、センサおよび加熱器に結合される検知器を備え、前記検知器は、前記センサの抵抗の変化および加熱器の電力の変化に基づいた検知基準を使用して、ヘッドと媒体との接触を検知するように構成される、装置。前記検知基準は、前記センサの抵抗の変化率および前記加熱器の電力の変化率に基づく、請求項21に記載の装置。前記検知基準は、比率ΔR/ΔPによって定められ、ΔRは前記センサの抵抗の変化率であり、ΔPは前記加熱器の電力の変化率である、請求項21に記載の装置。前記検知器は、原位置におけるΔR/ΔPの直接測定を行うように構成される、請求項23に記載の装置。前記検知器は、前記検知基準の最小を検知することによってヘッドと媒体との接触を検知するように構成される、請求項21に記載の装置。前記検知器は、前記検知基準が最小に到達する前に前記検知基準における線形減少からのずれを検知することにより、ヘッドと媒体との接触の開始を検知するように構成される、請求項21に記載の装置。前記センサは、DC電流を受け取るように構成され、前記検知器は、DCセンサを使用してセンサの抵抗の変化を測定するように構成される、請求項21に記載の装置。前記検知器は、前記加熱器に結合されるとともに、変調された加熱器の電力のパラメータを発生させるように構成される変調器と、前記変調器および前記センサに結合される位相検知器とを含み、前記位相検知器は、前記変調器の変調周波数における前記センサに対する応答を測定するように構成される、請求項21に記載の装置。前記検知器は、センサ応答の変化率と変調された加熱器の電力パラメータの変化率との比率である検知基準を算出するように構成される、請求項28に記載の装置。前記加熱器は、加熱器要素と、デジタルアナログ変換器DACを有する電力回路とを含み、前記電力回路は、前記DACによって制御される特定の周波数において交流電流によって前記加熱器要素を駆動するように構成され、前記検知器は、前記特定の周波数において前記センサの応答を測定するように構成される、請求項21に記載の装置。前記ヘッドトランスデューサは、低変調または非変調の、前記媒体に対するヘッドと媒体との接触面を規定するように構成される、請求項21に記載の装置。前記ヘッドトランスデューサは、前記媒体に対する非接触記録ヘッド対媒体インターフェイスを規定するように構成される、請求項21に記載の装置。概要開示されている実施形態は、磁気記録媒体と相互作用するように構成されたヘッドトランスデューサと、抵抗温度係数temperaturecoefficientofresistanceTCRを有し、第1のセンサ信号を生成するように構成された第1のセンサと、TCRを有し、第2のセンサ信号を生成するように構成された第2のセンサとを含む装置に向けられている。第1および第2のセンサのうちの一方は、磁気記録媒体に対するヘッドトランスデューサの接近点またはその付近に位置し、第1および第2のセンサのうちの他方は、接近点から間隔が空けられる。回路は、第1および第2のセンサ信号を結合するとともに、ヘッドと媒体との間隔の変化およびヘッドと媒体との接触の一方または両方を示す結合センサ信号を生成するように構成される。第1のセンサは、正のTCRおよび負のTCRのうちの一方を含み得て、第2のセンサは、正のTCRおよび負のTCRのうちの他方を含み得る。他の実施形態によれば、第1および第2のセンサは、差分抵抗温度センサを規定するように配置される。回路は、第1および第2のセンサ信号を結合して、ヘッドと媒体との間隔の変化およびヘッドと媒体との接触の一方または両方を示す差分信号を生成するように構成される。検知器は、ヘッドと媒体との間隔の変化およびヘッドと媒体との接触の一方または両方を、差分信号を使用して検知するように構成される。様々な方法の実施形態は、磁気記録媒体に対して移動するヘッドトランスデューサを伴い、ヘッドと媒体との間隔の変化およびヘッドと媒体との接触の一方または両方を、抵抗係数TCRを有する第1のセンサを使用して感知することを含む。方法は、ヘッドと媒体との間隔の変化およびヘッドと媒体との接触以外の要因による温度の変化を、TCRを有する第2のセンサを使用して感知することも含む。第1のセンサ信号は第1のセンサによって生成され、第2のセンサ信号は第2のセンサによって生成される。方法は、ヘッドと媒体との間隔の変化およびヘッドと媒体との接触の一方または両方を示す結合センサ信号を、第1および第2のセンサ信号を使用して発生させること、およびヘッドと媒体との間隔の変化およびヘッドと媒体との接触の一方または両方を、結合センサ信号を使用して検知することをさらに含む。いくつかの実施形態においては、第1のセンサは、正のTCRおよび負のTCRのうちの一方を含み、第2のセンサは、正のTCRおよび負のTCRのうちの他方を含む。他の実施形態においては、第1および第2のセンサは、差分抵抗温度センサを規定するように配置される。様々な実施形態によれば、装置は、磁気記録媒体と相互作用するように構成されたヘッドトランスデューサと、ヘッドトランスデューサによって支持される差分抵抗温度センサとを含む。差分抵抗温度センサは、抵抗温度係数を有し、磁気記録媒体に対するヘッドトランスデューサの接近点またはその付近に位置する第1のセンサと、第1のセンサから間隔を空けられた、ヘッドトランスデューサの書き込み要素とを含む。検知器は、ヘッドと媒体との間隔の変化およびヘッドと媒体との接触の一方または両方を、差分抵抗温度センサが発生させた差分信号を使用して検知するように構成されている。他の実施形態によれば、装置は、磁気記録媒体と相互作用するように構成されたヘッドトランスデューサと、ヘッドトランスデューサを作動させるように構成された加熱器とを含む。センサは、ヘッドトランスデューサに位置し、抵抗温度係数を有する。センサは、ヘッドトランスデューサと媒体との間の接触を感知するように構成される。検知器は、センサおよび加熱器に結合されるとともに、センサの抵抗の変化および加熱器の電力の変化に基づいた検知基準を使用して、ヘッドと媒体との接触を検知するように構成される。検知基準は、センサの抵抗の変化率および加熱器の電力の変化率に基づいたものであってもよい。たとえば、検知基準は、ΔR/ΔPの比率によって定められてもよい。ここで、ΔRはセンサの抵抗の変化率であり、ΔPは加熱器の電力の変化率である。いくつかの実施形態において、検知器は、ΔR/ΔPの測定を原位置において直接的に行うように構成される。様々な実施形態におけるこれらの特徴および局面、ならびに他の特徴および局面は、以下の詳細な記載および添付の図面に鑑みて理解されるであろう。詳細な説明一般に、データ記憶システムは、記録媒体に対する読み取りと書き込みとを行う1つ以上の記録ヘッドを含む。多くの場合、記録ヘッドとその関連する媒体との間の距離または間隔は、比較的小さくすることが望ましい。この距離または間隔は、飛行高さまたはヘッドと媒体との間隔headmediaspacingとして知られる。ヘッドと媒体との間隔を減らすことによって、記録ヘッドは、典型的に媒体へのデータの書き込みおよび媒体からのデータ読み取りの両方が良好に行えるようになる。ヘッドと媒体との間隔を減らすことによって、記録媒体の表面の凹凸および他の特徴の検知など、記録媒体のトポグラフィの検査をすることもできる。様々な実施形態および図1~図3によれば、回転磁気記憶媒体160に近接してサスペンション101によって支持されるスライダ100が示される。スライダ100は、記録ヘッドトランスデューサ103と、ヘッドトランスデューサ103に熱的に結合される加熱器102とを支持する。加熱器102は、加熱器102を電流が通過すると熱を発生させる抵抗加熱器であってもよい。加熱器102は、抵抗加熱器に限られず、任意のタイプの加熱源を含んでもよい。加熱器102が発生させる熱エネルギは、ヘッドトランスデューサ103の熱膨張を引き起こす。この熱膨張を利用して、データ記憶システムにおけるヘッドと媒体との間隔107を減らすことができる。いくつかの実施形態においては、非熱的アクチュエータを使用してヘッドと媒体との間隔107を減らすことができる。示されるTCRセンサ105は、ヘッドトランスデューサ103上において磁気記録媒体160に対する接近点に位置する。接近点は、ヘッドトランスデューサ103と磁気記録媒体160との間の接触の最も近い点として概して理解される。上記のように、ヘッドトランスデューサ103の作動は、加熱器102などの熱的アクチュエータ、または他のアクチュエータたとえば、書き込み部によって実現することができる。バイアス力がTCRセンサ105に加えられることにより、センサ105およびヘッドトランスデューサ103の隣接する部分の表面温度が磁気記録媒体160の温度よりも実質的に高く上昇する。TCRセンサ105は、媒体160の凹凸およびヘッドと媒体との接触を検知するための熱流の変化を感知するように構成されるのが好ましい。開示される様々な実施形態に従うヘッドと媒体との間隔および接触の判断に関する詳細は、同一人に所有される2010年11月8日に出願された米国特許出願第12/941,461号に記載されており、引用によりここに援用される。図3に示されるように、ヘッドと媒体とが接触する前には、高温のヘッド表面と比較的低温のディスク160との間にエアギャップ107が定められる。ヘッドトランスデューサ103、エアギャップ107、および磁気記録ディスク160により、1つの水準となる熱伝達率が定められる。熱的アクチュエータまたは加熱器102の作動後など、ヘッドトランスデューサ103がディスク160と接触した場合、ヘッドトランスデューサ103およびディスク160の高熱伝導材料同士が直接的に接触することによって、熱伝達率が大きく高まる。このため、ヘッドトランスデューサ103上のTCRセンサ105は、温度の降下または温度軌道の偏位を感知し、ヘッドと媒体との接触を検知することができる。図4Aは、ヘッドトランスデューサ103と磁気記録ディスク160の表面との接触の前、最中、および後における、図1~図3に示されるタイプの記録ヘッドトランスデューサについての代表的な温度プロフィールを示す図である。この例示的な実施例において、温度プロフィールは、定常状態の直流信号として示される。ヘッドトランスデューサ103が熱的アクチュエータ102によって作動すると、ヘッドトランスデューサの表面温度は、熱的アクチュエータ102から発生する熱によって、作動とともに高まる。ヘッドトランスデューサの温度は、ディスク160の温度よりも高くなる。このため、ディスク160は、この場合においてヒートシンクとしての機能を果たす。ヘッドトランスデューサ103がディスク160と接触すると、接触によって生じる熱伝達率の変化によって、ヘッドトランスデューサの表面温度は降下する。ヘッドトランスデューサの表面温度は、熱的アクチュエータの加熱および摩擦加熱によって、上昇し続ける。温度の変化または温度軌道の偏位を用いて、ヘッドと媒体との接触を示すことができる。図4Bは、非熱的アクチュエータによって作動する記録ヘッドトランスデューサ103についての代表的な温度プロフィールを示す図である。この例示的な実施例において、TCRセンサ105のバイアス力が、ディスク160の温度よりも実質的に高い温度にTCRセンサを自己発熱させる。ディスク160は、この場合においてヒートシンクとしての機能を果たす。ディスク160に向けて下方向にヘッドトランスデューサ103が作動すると、熱伝達率が徐々に上昇し、TCRセンサの温度が徐々に低下する。ヘッドトランスデューサ103がディスク160と接触すると、熱伝達率に変化が起こり、ヘッドトランスデューサの表面温度の偏位が引き起こされる。ヘッドトランスデューサの表面上のTCRセンサ105は、この温度偏位を測定し、ヘッドと媒体との接触を検知する。ヘッドと媒体との接触に向けての作動がさらに起こると、摩擦加熱によって温度は最終的に上昇する。開示される実施形態は、異なる抵抗温度係数TCRの符号を示す2つの抵抗温度センサに基づき、ヘッドと媒体との間隔の判定およびヘッドとディスクとの接触面における接触の検知を行うための方法および装置に向けられる。開示される実施形態には、スライダ内において異なる位置に設けられた、異なる符号の抵抗温度係数を有する複数の抵抗温度センサを使用すること、センサの出力を分析すること、および出力を使用して駆動動作条件のフィードバックを提供することが含まれる。ヘッドと媒体との接触の検知および/またはヘッドと媒体との間隔の感知に関する技術は、ハードディスクドライブの性能および信頼性に関して重要である。接触検知の再現性が高ければ、アクティブクリアランスを小さくすることができ、記録密度を高めることができる。接触検知の感度が高ければ、摩耗が減り、信頼性が向上する。開示される実施形態は、ヘッドと媒体との接触の検知および間隔の感知を2つのセンサを用いて行う。2つのセンサの一方は正のTCRを有し、他方は負のTCRを有する。これにより、さらなる電気接続パッドが必要無くなり、有利である。様々な実施形態によれば、方法は、一方が正のTCRを有し、他方が負のTCRを有する2つの抵抗温度センサを使用してヘッドと媒体との接触を検知することを含む。これらのセンサは、スライダ内の異なる位置に埋め込まれるのが好ましい。たとえば、ヘッドと媒体との間隔の変化、ヘッドのディスクに対する接触、および加熱器によって引き起こされる温度上昇および/または環境温度の変動などの他の事象に対して反応が敏感となるように、一方のセンサを接近点の近くに設けることができる。他方のセンサは、加熱器によって引き起こされる温度上昇および/または環境温度の変動などの事象のみに対して反応が敏感となるように、接近点から離して設けることができる。2つのセンサが異なる符号のTCRを示しているため、抵抗およびTCRの値の特定の組み合わせを伴う2つのセンサからの結合された出力は、ヘッドと媒体との間隔および/またはヘッドのディスクに対する接触による貢献のみを含むものとなる。このため、結合した出力は、さらなる電気接続パッドを要することなく、ヘッドと媒体との間隔の変化および/または接触事象を感知するために使用することができる。この技術においてさらなる電気接続パッドが必要でないという事実は、ヘッド設計の単純化、費用の削減、および信頼性の向上に関して重要である。図5Aは、開示される実施形態に従う、ヘッドと媒体との接触および/またはヘッドと媒体との間隔の変化を検知する方法の様々な処理を示すフロー図である。磁気記録媒体に対して相対的に移動するスライダを含むヘッドトランスデューサを伴い140、方法は、第1のTCRセンサを使用して、ヘッドと媒体との間隔の変化および/またはヘッドと媒体との接触を感知し、第1のセンサ信号を生成すること142を含む。方法は、第2のTCRセンサを使用して、ヘッドと媒体との間隔および/またはヘッドと媒体との接触以外の要因による温度の変化を感知し、第2のセンサ信号を生成すること144も含む。図5Aに示される方法はさらに、ヘッドと媒体との間隔および/またはヘッドと媒体との接触を示す結合センサ信号を発生させること146、ならびに結合センサ信号を使用して、ヘッドと媒体との間隔および/またはヘッドと媒体との接触を検知すること148を含む。図5Bは、様々な実施形態に従う、ヘッドと媒体との接触および/またはヘッドと媒体との間隔の変化を検知するための方法の様々な処理を示すフロー図である。磁気記録媒体に対して相対的に移動するスライダを含むヘッドトランスデューサを伴い180、方法は、第1のTCRセンサを使用して、媒体に対するヘッドトランスデューサの接近点における熱境界条件を示す第1のセンサ信号を生成すること182を含む。方法は、第2のTCRセンサを使用して、熱境界条件による影響を受ける要因以外の要因による温度変化を示す第2のセンサ信号を生成することも含む。方法はさらに、ヘッドと媒体との間隔および/またはヘッドと媒体との接触を示す結合センサ信号を発生させること186、および結合センサ信号を使用して、ヘッドと媒体との間隔および/またはヘッドと媒体との接触を検知すること188を含む。図6Aは、開示される実施形態に従う、ヘッドと媒体との接触および/またはヘッドと媒体との間隔の変化を検知するための方法の様々な処理を示すフロー図である。磁気記録媒体に対して相対的に移動するスライダを含むヘッドトランスデューサを伴い202、第1のTCRセンサを使用して、ヘッドと媒体との間隔の変化を示す温度変化が感知される204。第1のTCRセンサは、ヘッドトランスデューサによって支持され、固定数たとえば、2つの電気接続パッドを介して接続される206。方法は、固定数たとえば、2つの電気接続パッドを介して接続される210第2のTCRセンサを使用して、ヘッドと媒体との間隔の変化および接触以外の要因による温度変化を感知すること208も含む。第1および第2のTCRセンサは異なる符号のTCRを示し、一方は正であり、他方は負である。方法はさらに、第1および第2のTCRセンサの信号出力を結合し、ヘッドと媒体との間隔の変化および/またはヘッドと媒体との接触を示す結合出力信号を生成することを含む212。ヘッドと媒体との間隔の変化および/またはヘッドと媒体との接触は、結合出力信号を使用して測定される216。とりわけ、ヘッドと媒体との接触およびヘッドと媒体との間隔の変化を温度に基づいて測定することは、さらなる電気接続パッドを追加することなく実現される214。図6Bは、様々な実施形態に従う、ヘッドと媒体との接触および/またはヘッドと媒体との間隔の変化を検知するための方法の様々な処理を示すフロー図である。磁気記録媒体に対して相対的に移動するスライダを含むヘッドトランスデューサを伴い302、方法は、固定数の電極接続パッドを有する第1のTCRセンサを使用して、ヘッドトランスデューサの接近点における熱境界の温度変化を優先的に感知すること304を含む。方法は、固定数の電極接続パッド、および第1のTCRセンサとは異なる符号を有するTCRを有する第2のTCRセンサを使用して、熱境界以外の温度変化を優先的に感知すること306も含む。第1および第2のセンサの出力信号は、ヘッドと媒体との間隔の変化および/またはヘッドと媒体との接触を示す結合出力信号を生成するために使用される308。図6Aに示される実施形態のように、さらなる電気接続パッドを追加することなく310、温度に基づいてヘッドと媒体との接触およびヘッドと媒体との間隔の変化を測定すること312が実現される。図7は、開示される実施形態に従う、磁気記憶媒体160の表面に対するディスク接触面においてヘッドトランスデューサ103を支持するスライダ100の一部を示す概略図である。図7に示される概略図は、たとえば、磁気記録ハードドライブにおけるディスク接触面を規定し得る。図7においては、高いRPMでディスクが回転し、記録ヘッド103がディスク160の表面から数ナノメートル離れて飛行し、空気ベアリングによって間隔を制御されると仮定する。ヘッド103をさらにディスク160の表面に近づけるために、ヘッド103に埋め込まれた加熱器要素102が作動して、ヘッド103が熱的に膨張し、ヘッドと媒体との間隔が減少する。加熱器要素102および/または書き込みコイルによって発生した熱によって、ヘッドトランスデューサ103の温度上昇がもたらされる。接触の前に、主な熱はディスク160とトランスデューサヘッド103との間のエアギャップ107を通ってヘッドトランスデューサ103から導出され、ディスク160に伝わる。ヘッドと媒体との間隔が減少して空気圧が高まるにつれ、エアギャップ107の熱伝導率が高まる。ヘッドトランスデューサ103がディスク160と接触すると、熱伝導率は著しく高まる。ヘッドトランスデューサ103がディスク160と接触した後、結果として起こる摩擦加熱によってさらなる熱源が発生する。たとえば加熱器要素の加熱、書き込みコイルの加熱、空気ベアリングの冷却、ディスクの冷却、および摩擦加熱などの異なる熱エネルギ伝達構造による複合効果により、加熱器要素の電力、書き込み部の電流、隙間、および/または接触事象の関数として、ヘッドトランスデューサ103における異なる位置で特徴的な温度上昇が得られる。加熱器の電力の関数として温度を測定することにより、ヘッドと媒体との間隔および/または接触の事象を監視することができる。様々な実施形態に従い、および引き続き図7を参照すると、一方のTCRセンサR1105は、接近点の近くに設けられ、他方のTCRセンサR2106は、接近点から離れた位置に設けられる。TCRセンサR1105を接近点またはその付近に置くことによって、ヘッドトランスデューサ103の接近点における熱境界で発生する温度/温度変化が優先的に感知される。TCRセンサR2106を接近点から離れた位置に置くことによってたとえば、ヘッドトランスデューサ103/スライダ100上の他の場所、接近点またはその付近以外の熱源から発生した温度/温度変化が優先的に感知される。図7に示される2つのTCRセンサの位置における温度上昇の代表例は、それぞれ図8および図9に示される。TCRセンサR1105の温度上昇ΔT1は、加熱器要素の電力Pheaterの関数としてグラフ化された温度曲線402で示される。図8に示されるように、TCRセンサR1105の温度上昇は、加熱器要素の電力範囲の全体にわたって、加熱器要素の電力の関数として高まる。エアギャップ107の熱伝導性の高まりにより、加熱器要素の電力が20mWから80mWに高まると、上昇率は徐々に低下する。近接または接触することによる効果により、冷却がさらに進むため、温度曲線402は、80mWと100mWとの間において、肩部shoulder403を示す温度曲線402上において矢印401で示される位置から始まる。100mWを過ぎると、温度上昇率は、摩擦加熱によって少し高まる。TCRセンサR2106の温度上昇ΔT2は、図9に示され、加熱器要素の電力の関数として高まるが、肩部図8に示される403を有さない。これは、接近点における熱境界条件に対するTCRセンサR2106の感度が低いためである。図8および図9に示される温度曲線は、実証のみを目的として提供されることが分かる。ヘッドトランスデューサ103における温度分布は、熱機械モデルから正確に得られるため、2つのTCRセンサR1105およびR2106の位置を決定および最適化することができる。TCRセンサR1105およびR2106の温度変化ΔT1およびΔT2は、これらのTCRセンサの抵抗に変化をもたらし、以下のとおり特徴付けられる。Ri=Ri,0Ri,0αiΔTi1ここで、αiはTCRセンサR1105の抵抗温度係数であり、Ri,0はTCRセンサR1105の周囲温度における抵抗である。異なる符号のTCRを有するセンサ材料を選択し、これらを直列または並列に結合することにより、さらなる電気接続パッドを追加することなく接触検知信号を生成することができる。図10は、様々な実施形態に従う、ヘッドと媒体との接触および/またはヘッドと媒体との間隔の変化を検知するためにヘッドトランスデューサ上に配置された2つのTCRセンサR1105およびR2106を表わす等価回路500を示す図である。図10に示される代表的な実施形態によれば、異なる符号の抵抗温度係数すなわち、一方が正であり、他方が負であるを有する2つのTCRセンサR1105およびR2106は、直列に接続されている。電流をIとして、2つのTCRセンサR1105およびR2106にわたる電圧降下は、以下の式によってもたらされる。V=IR1R2=IR1,0R1,0αiΔT1R2,0R2,0α2ΔT22ここで、ΔT1およびΔT1は、それぞれTCRセンサR1105およびR2106の温度変化であり、α1およびα2は、それぞれTCRセンサR1105およびR2106の抵抗温度係数であり、R1,0およびR2,0は、TCRセンサR1105およびR2106の周囲温度における抵抗である。接触前の加熱器要素の電力レベルの全て、すなわち図8および図9に示される例示的な実施例において60mWより小さい加熱器要素の電力に関して、以下の式を満たすようにR1,0、α1、R2,0、およびα2の適切な組み合わせを選択することにより、接近点の近くにおける熱境界条件の変化によってもたらされる抵抗の変化を増幅することができる。R1,0α1ΔT1R2,0α2ΔT2=一定3図11は、加熱器要素の電力Pheaterの関数とした、図10の回路500のポストAおよびBにわたる電圧Vを示す代表的な曲線510であり、接触が明瞭に示されている。80mV周辺から始まる電圧曲線510の突然の変化は、ヘッドと媒体との接触の開始を表わしている。図12は、様々な実施形態に従う、記録ヘッドトランスデューサ103におけるTCRセンサR1105およびR2106のレイアウト600の代表的な例を示す図である。図12に示されるレイアウト600において、TCRセンサR1105は、接近点PCに位置し、TCRセンサR2106は、接近点CPから離れた位置にある。2つのTCRセンサR1105およびR2106は、この例示的な実施形態においては、電気接続パッドまたはポスト602ポストAと606ポストBとの間においてリード614および610を介して直列に接続される。示されるリード604および608は、それぞれ電気接続パッド602および606に接続されている。図12に示されるレイアウト600は、既存のリードを使用して、さらなる電気接続パッドを追加せずに、記録ヘッドトランスデューサにTCRセンサR1105およびR2106を組み込むことができることを示している。他の実施形態によれば、図13に示される等価回路700に見られるように、異なる符号の抵抗温度係数を有するすなわち、一方が正であり、他方が負である2つのTCRセンサR1105およびR2106は、並列に接続される。結合TCRセンサR1105およびR2106にわたる電圧降下は、以下の式によって表わされる。V=IR=IR1,0R1,0α1ΔT1R2,0R2,0α2ΔT2/R1,0R1,0α1ΔT1R2,0R2,0α2ΔT24接触前の加熱器要素の電力レベルの全て、すなわち図13および図14に示される例示的な実施例において60mWよりも小さい加熱器要素の電力に関して、以下の式を満たすようにR1,0、α1、R2,0、およびα2の適切な組み合わせを選択することにより、接近点の付近における熱境界条件の変化によってもたらされる抵抗の変化を増幅することができる。α1ΔT1α2ΔT2α1ΔT1α2ΔT2=一定5およびR1,0α1ΔT1R2,0α2ΔT2=一定6上記の式5によって定められる条件は、高次項α1ΔT1α2ΔT2を省くことによって解くことができる。なぜなら、ほとんどの材料のTCRは、1よりもかなり小さいためである。図14は、加熱器要素の電力Pheaterの関数とした、図13の回路700のポストAおよびBにわたる電圧Vを示す代表的な曲線720である。この代表的な実施例においては、R1,0≒R2,0、およびα1≒α2である。図15は、様々な実施形態に従う、記録ヘッドトランスデューサにおいて並列に接続された抵抗温度センサの代表的なレイアウト750を示す。図15に示されるレイアウト750において、TCRセンサR1105およびR2106は、並列に接続されている。TCRセンサR1105は、接近点PCに位置し、TCRセンサR2106は、接近点CPから離れた位置にある。この例示的な実施形態において、2つのTCRセンサR1105およびR2106は、電気接続パッドまたはポスト752ポストAと756ポストBとの間に、リード764および760を介して並列に接続されている。示されるリード754および758は、それぞれ電気接続パッド752および756に接続されている。図15に示されるレイアウト750は、既存のリードを使用して、さらなる電気接続パッドを追加することなく、TCRセンサR1105およびR2106を記録ヘッドトランスデューサに組み込むことができることを示している。直列に接続された抵抗温度センサの配置は、並列に接続された抵抗温度センサの配置よりもかなり良好に機能する。開示される実施形態によるTCRセンサの構造に使用することができる正の抵抗温度係数を有する様々な材料には、特にCr、FeNi合金、Ni、およびWが含まれるが、これらに限定されるものではない。開示される実施形態によるTCRセンサの構造に使用することができる負の抵抗温度係数を有する様々な材料には、特にTaN、VO、およびVO2が含まれるが、これらに限定されるものではない。開示される実施形態は、ヘッドトランスデューサの温度変化を較正することによって信号対雑音比SNRを向上させる抵抗温度センサアセンブリに向けられる。開示される実施形態は、既存のヘッドトランスデューサ電気素子を使用してヘッドトランスデューサの温度変化を較正することによってSNRを向上させる抵抗温度センサアセンブリに向けられる。たとえば、様々な実施形態には、抵抗温度センサと、BCR非接触記録beyondcontactrecordingヘッドの書き込みコイルなどの記録ヘッドトランスデューサの書き込みコイルとを含む差分抵抗温度センサアセンブリが用いられる。BCRトランスデューサヘッドは、従来のトランスデューサヘッドと比較して、より小さい空気ベアリング特性を有し、後縁部においてより高い圧縮空気圧をもたらす。BCRトランスデューサヘッドは、低い接触変調contactmodulationを有する。図16Aおよび図16Bは、様々な実施形態に従う、ヘッドと媒体との接触および/またはヘッドと媒体との間隔の変化を検知するための方法の様々な処理を示すフロー図である。図16Aによれば、方法の実施形態は、磁気記録媒体に対して相対的に移動するヘッドトランスデューサと、差分抵抗温度センサの使用とを含む832。図16Aに示される方法は、第1のTCRセンサを使用してヘッドと媒体との間隔の変化および/またはヘッドと媒体との接触を感知し、第1のセンサ信号を生成すること834を含む。方法は、第2のTCRセンサを使用してヘッドと媒体との間隔および/またはヘッドと媒体との接触以外の要因による温度変化を感知し、第2のセンサ信号を生成することも含む836。図16Aに示される方法はさらに、第1および第2のセンサ信号を使用して差分センサ信号を発生させること837、および差分センサ信号を使用してヘッドと媒体との間隔および/またはヘッドと媒体との接触を検知すること838を含む。図16Bによれば、方法の実施形態は、磁気記録媒体に対して相対的に移動するヘッドトランスデューサと、差分抵抗温度センサの使用とを含む842。図16Bに示される方法は、TCRセンサを使用してヘッドと媒体との間隔の変化および/またはヘッドと媒体との接触を感知し、第1のセンサ信号を生成すること844を含む。方法は、ヘッドトランスデューサの書き込み要素を使用してヘッドと媒体との間隔および/またはヘッドと媒体との接触以外の要因による温度変化を感知し、第2のセンサ信号を生成すること846も含む。図16Bに示される方法はさらに、第1および第2のセンサ信号を使用して差分センサ信号を発生させること847、および差分センサ信号を使用してヘッドと媒体との間隔および/またはヘッドと媒体との接触を検知すること848を含む。様々な実施形態および図17A~図17Cによれば、抵抗温度センサアセンブリ808は、差分抵抗温度センサを使用して、ヘッドと媒体との接触の検知および熱的アスペリティの検知におけるSNRを向上させる。図17Aは、様々な実施形態に従う、ヘッドと媒体との接触および/またはヘッドと媒体との間隔の変化を検知するためにヘッドトランスデューサ103上に配置された2つのTCRセンサR1105およびR2106を示す。より特定的には、図17Aに示される2つのTCRセンサR1105およびR2106は、様々な実施形態に従う、ヘッドと媒体との接触および/またはヘッドと媒体との間隔の変化を検知するためにヘッドトランスデューサ103上の差分抵抗温度センサアセンブリ808として配置されるのが好ましい。図17Aにおいて、TCRセンサR1105は、ヘッドトランスデューサ103の接近点CPの付近に位置し、第2のTCRセンサR2106は、接近点CPから離れた位置にある。前述したように、TCRセンサR1105が接近点CPまたはその近くに位置することにより、接近点CPにおいて熱境界で発生する温度/温度変化が優先的に感知され、その一方で、TCRセンサR2106が接近点から離れて位置することにより、接近点CPまたはその付近以外の熱源から発生する温度/温度変化が優先的に感知される。図17Bは、差分抵抗温度センサアセンブリ808として配置された2つのTCRセンサR1105およびR2106を表わす等価回路850を示す図である。図17Bに示される代表的な実施形態において、2つのTCRセンサR1105およびR2106は、同じ符号の抵抗温度係数を示すすなわち、両方が正または負であるのが好ましい。いくつかの実施形態において、図17Bに示される差分抵抗温度センサアセンブリ808は、接地される代わりに、活性端子である中心タップを有してもよい。差分抵抗温度センサアセンブリ808は、接近点CPTCRセンサR1105を使用して測定および接近点CPから離れた位置TCRセンサR2106を使用して測定における熱境界条件の差異を感知する。図17A~図17Cに示される差分抵抗温度センサアセンブリ808によって生成される差分信号は、加熱器要素および環境によってもたらされる背景ノイズを取り除くことにより、接触検知のSNRを向上させる。コモンモードノイズは、差分信号の増幅前に相殺すべきである。差分抵抗温度センサアセンブリ808の有効性を実証するための実験が行われた。ある実験においては、図18A~図18Dを参照して、接近点CPから離れた位置にある一方の抵抗温度センサR2たとえば、TCRセンサR2106の抵抗は、加熱器要素の電力とともに線形的に変化する。センサR2の線形の抵抗応答は、図18Cにおいて見ることができる。接近点CPに位置する他方の抵抗温度センサR1たとえば、TCRセンサR1105の抵抗は、加熱器要素の電力とともに非線形的に変化する。センサR1の非線形の抵抗応答は、図18Bのプロット図に見ることができる。センサR1およびR2の出力を使用して発生した差分信号は、図18Cのプロット図に示され、ヘッドと媒体との接触の痕跡が明確に示されている。図18Aのプロット図に見られるように、ヘッドと媒体との接触の事象が80mWで現れると、摩擦力は比較的小さくたとえば、約10mgfまでなることが分かる。いくつかの実施形態に従い、および引き続き図17A~図17Cを参照すると、差分抵抗温度センサアセンブリ808は、一方の抵抗温度センサと、ヘッドトランスデューサたとえば、BCRヘッドトランスデューサの書き込みコイル、読み取り部、もしくは不活性加熱器など、TCR材料を有するヘッドトランスデューサの他の部品とを含む。TCRセンサR1105などの抵抗温度センサは、接近点CPに位置し、書き込みコイル、読み取り部、または使用されていない加熱器センサR2106に代表されるは、接近点CPから離れた標準的な位置にある。この差分抵抗温度センサの構成の有効性を実証した実験において、抵抗温度センサの加熱器要素は180Hzで変調され、ロックイン増幅器が、抵抗温度センサおよび書き込みコイルにわたる電圧降下の差異を読み取るために使用された。抵抗温度センサには164μAのバイアスがかけられ、書き込みコイルには1μAのバイアスがかけられ、ヘッドと媒体との接触前には差分応答が平坦であることが確認されたすなわち、この例において、加熱器要素の電力は50mWと80mWとの間では平坦である。図19および図20は、一方の抵抗温度センサと記録ヘッドトランスデューサの書き込みコイルとを含む差分抵抗温度センサアセンブリを使用することの有効性を実証する実験から得られたデータのプロット図である。図20の曲線880は、加熱器要素の電力の関数とした抵抗温度センサと書き込みコイルとの間における電圧降下の変化の差異である。図19の曲線870は、同時に測定された摩擦力の曲線である。抵抗温度センサと記録ヘッドトランスデューサの書き込みコイルとを含む差分抵抗温度センサの配置の実施形態は、さらなる構造またはパッドを追加する必要なくヘッドと媒体との接触検知のSNRを有利に向上させる。図17Cは、様々な実施形態に従う、記録ヘッドトランスデューサと抵抗温度センサアセンブリとを支持するスライダ800の後部を示す断面図である。図17Cにおいて、スライダ800は、隣接する磁気記録媒体図示せずの表面に対向する空気ベアリング面801を含む。スライダ800は、読み取り部810と書き込み部820とを含む記録ヘッドトランスデューサ805を支持する。読み取り部810の加熱器812は、読み取り部810を記録媒体の表面に向けて突出させて読み取り動作の際に間隔を小さくするように作動させることができる。書き込み部820は、1組以上のコイル821に対して誘導的に接続される結合された書き込み極824を含む。書き込み部820の加熱器822は、書き込み部820を記録媒体の表面に向けて突出させて書き込み動作の際に間隔を小さくするように作動させることができる。図17Cにおいては、3つの抵抗性要素が示される。抵抗性要素105および106は、ABS801上に設けられ、抵抗性要素809は、ABS801から離れた位置に設けられる。これらの3つの抵抗性要素が図17Cに示されるが、3つ全てが必要なわけではなく、様々な実施形態の記載のために含まれている。いくつかの実施形態によれば、抵抗性要素105および106はTCRセンサであり、基準抵抗器809は設けられない。この場合、読み取り部810の加熱器812が使用されると、TCRセンサ106よりもTCRセンサ105の方が接近点に近くなる。このため、TCRセンサ105は活性となり、TCRセンサ106は接近点からより離れ、基準として機能する。書き込み部820の加熱器822が使用されると、TCRセンサ105よりもTCRセンサ106の方が接近点に近くなり、書き込み部の加熱器822が使用されている間は活性となる。この場合、TCRセンサ105は、接近点からより離れ、基準として機能する。ABSから離れた位置にある基準抵抗器809の使用を含む実施形態によれば、一方のABSTCRセンサのみが設けられる。図17Cに示される構成において、TCRセンサ105は概略図において基準抵抗器809と同一面上にあり、同じ堆積工程およびエッチング工程で形成できることから、TCRセンサ105が設けられるTCRセンサ106は設けられないのが好ましい。これは、2つのTCRセンサ105および106のうち、TCRセンサ105の方が実用的であることを意味する。ここに記載される様々な実施形態は、ヘッドトランスデューサよりも媒体の温度が低い冷却事象に基づいた接触検知を含む。これは、TCRセンサが媒体よりも高温となる、より高いTCRセンサのバイアス値および導電性の媒体基板に対して通常は適用することができる。他の実施形態によれば、TCRセンサに対するバイアス力を下げ、必要に応じてヘッドトランスデューサにおいて非熱的アクチュエータを使用することによって、接触面におけるヘッドトランスデューサの表面温度を、媒体の温度よりも実質的に低くすることができる。この手法により、ヘッドと媒体との接触を表わすために使用することができる摩擦加熱の検知が向上する。このような手法は、ガラスなどの導電性の乏しい媒体基板に特に有用である。ヘッドと媒体との接触を検知するための従来の手法は、ヘッド変調によって引き起こされると考えられる抵抗温度センサからのAC信号を測定することを含む場合が多い。DC信号は、ヘッドと媒体との接触事象を検知するのに十分な信号対雑音比を有しているとは考えられないことから、除去される。全てではないが、現在実施されている最先端の空気ベアリングAABのほとんどについては、この従来の手法がヘッドと媒体との接触を検知するのに有効であることが証明された。しかしながら、より高い面密度を実現するために縮小され続けているヘッドと媒体との間隔の目標を満たすために、接触または非接触記録BCRの接触面を開発することに現在も大きな努力が費やされている。これらの接触面の重要な特徴は、ヘッドと媒体との接触における変調が非常に小さいことにある。このようなヘッドとディスクとの接触面は、抵抗温度センサを用いた現在の接触検知の手法に難題をもたらすものである。抵抗温度センサは、現在は熱的アスペリティ検知のためにヘッドに使用されることから、次世代のドライブには、低変調接触面において使用するための抵抗温度センサが設けられた既知のヘッドを採用することが強く望まれる。開示される様々な実施形態は、非変調ベースのヘッドと媒体との接触検知装置および方法に向けられる。様々な実施形態に従うヘッドと媒体との接触検知は、空気ベアリングまたはヘッドをベースとした変調を検知するよりも、抵抗温度センサに関連付けられた抵抗と電力との関係の変化に基づいて評価される。抵抗温度センサは、上記の理由から、ヘッドと媒体との接触を検知するセンサとして特に有用であることが見いだされた。抵抗温度センサは、本質的に、ポール先端上に設けられる熱的に敏感な抵抗器である。抵抗温度センサは、各種の変化の中でも、空気圧、隙間、および接触による全ての熱的な条件変化によって引き起こされる温度変化を測定する。図21は、様々な実施形態に従う、低変調もしくは非変調のヘッドと媒体との接触面についてのヘッドと媒体との接触を検知するための方法の様々な処理を示すフロー図である。磁気記録媒体に対して相対的に移動し、低変調もしくは非変調のヘッドと媒体との接触面を定めるヘッドトランスデューサを伴い900、方法の実施形態は、加熱器を使用してヘッドトランスデューサを作動させること903、およびTCRセンサを使用してヘッドトランスデューサと媒体との接触を感知すること904を含む。方法は、TCRセンサの抵抗の変化および加熱器の電力の変化に基づいた検知基準を生成すること906、および検知基準を使用してヘッドと媒体との接触を検知すること908も含む。様々な代表的な実施形態によれば、抵抗の変化ΔRと電力の変化ΔPとの比は、ΔR/ΔPで表わされ、ヘッドと媒体との間隔の評価およびヘッドと媒体との接触検知のための非変調ベースの基準を提供する。基準ΔR/ΔPは、ヘッドの媒体に対する隙間が減少することに伴って線形的に低下する。ΔR/ΔPにおける線形からのずれおよび最小値を検出することにより、ヘッドと媒体との接触およびヘッドと媒体との間の冷却および摩擦加熱が示される。このような手法は、接触検知のためのAAB変調に依存しない。実験によって、開示される実施形態に従うヘッドと媒体との間隔および接触の検知が最先端の空気ベアリングおよび非接触記録AABを用いた実施に非常に有効であることが実証された。空気ベアリングに関しては、ヘッドトランスデューサの冷却効率は、熱的伝達効率の増大によって隙間が減ることにともなって向上する。ヘッドトランスデューサの冷却効率は、媒体が効率的な熱的シンクをヘッドトランスデューサにもたらすため、ヘッドトランスデューサが媒体と接触すると最大に達する。開示される実施形態によれば、ヘッドと媒体との接触は、ヘッドの変調によっては引き起こされない接触面の冷却効率を監視することによって検知することができる。抵抗温度センサからのDC信号は、加熱器要素による加熱によって大きく影響される。接触面の冷却/加熱によって引き起こされる抵抗の変化は、抵抗温度センサの加熱器要素によって引き起こされる変化のごく一部にすぎない。図22Aのプロット図に見られるように、ヘッドと媒体との接触がどこで発生するかについて抵抗の測定に基づいて確実に知ることは通常は難しい。図22Aは、抵抗温度センサの抵抗に対する加熱器要素の電力を示すプロット図902である。ヘッドのディスクに対する接触面headtodiscinterfaceHDIの冷却条件の1つの尺度としては、加熱器の電力に対する温度上昇の比率、またはΔR/ΔPがある。ΔR/ΔPは、より良好な冷却条件に伴い小さくなる。ΔR/ΔPは、ヘッドと媒体とが接触すると最小に達する。ヘッドと媒体とが接触すると、摩擦加熱によってΔR/ΔPは再度高まる。ヘッドと媒体との接触は、ヘッド変調の代わりに基準ΔR/ΔPを監視することによって検知することができる。ヘッドと媒体との接触検知のためにΔR/ΔPを使用することの有効性を検証するために、実験が行われた。実験では、抵抗温度センサを有するBCRAABヘッドが使用された。抵抗温度センサにはソースメータからの固定電流によるバイアスがかけられた。センサの抵抗は、同じメータによって測定された。加熱器要素の電力が、第2のソースメータからの電圧と併せて加えられた。電力は、同時に同じメータを用いて測定された。抵抗温度センサの測定と同時に、アームエレクトロニクスRMSArmelectronicsRMSが取られた。実験における基準ΔR/ΔPのプロット図が、図22Bに示される。図22Bからは、ΔR/ΔPの値プロット912が、図22BにおいてMinで示される最小値に到達するまで線形的に下降し、その後に増加し始めることが分かる。ΔR/ΔPは、最小値Minに到達する前に、まず線形の下降線910から外れる下降する。この痕跡は、ヘッドと媒体との接触が開始されたことによる冷却を示している。最小点Minは、ヘッドと媒体とが完全に接触し、摩擦によって熱が発生したことを示す。DC電流を用いて正確な直接抵抗測定を行うことは、ドライブエレクトロニクスにおいては困難なものである。たとえば、接触面の加熱および冷却条件の変化に起因するセンサ抵抗の変化は、平均抵抗の10よりも通常は小さい。典型的なドライブにおけるアナログデジタル変換器ADCの分解能が8ビットであることを考慮にいれると、0.01オームよりも小さい精度で直接的に抵抗を測定することは難しい。図23を参照すると、様々な実施形態に従う1つの手法としては、ハードディスクドライブにおいて直接的にΔR/ΔPを測定することが挙げられる。このような手法では、変調器としてアナログスイッチを使用して加熱器要素の電力を変調させ、位相敏感検知PSDを使用して周波数をロックし、抵抗温度センサから抵抗の変化を検知する。ΔR/ΔPの直接的な測定は、図23に示される代表的な回路1000により実施される配列によって実現することができる。図23に示される実施形態において、アナログスイッチ1004は、加熱器要素1008の電力回路1006に接続される。ハードディスクドライブにおける加熱器要素の電力は、アナログスイッチ1004への入力1001として示されるDACカウントに比例する。加熱器要素電力回路1006の入力1005が入力1001に対する直接的なDAC出力と第2の入力1002に対するDAC出力1001からのずれΔVとの間で、固定の周波数で切り替えられるたとえば、変調されると、加熱器要素の電力は、PとP-DPとの間で変調される。プリアンプ1022を介して抵抗温度センサ1020に結合される位相敏感検知回路1024は、変調周波数での抵抗温度センサの抵抗を測定するのに使用することができ、これは、このΔPに起因するΔRである。加熱器要素1008にパルスを発生させ、PSD装置1024を使用して抵抗温度センサの応答を測定することにより、ΔR/ΔPのノイズは大きく低下する。このため、ヘッドと媒体との接触は、好ましくは接近点またはその付近に位置するTCRセンサである抵抗温度センサ1020のΔR応答を監視することにより、検知することができる。変調周波数は、10kHzより高くすることができ、ΔRについての測定は、非常に速くかつ高い精度をもって行うことができる。なぜなら、それは加熱器要素の時定数によって制限されないためである。他の実施形態は、交流の加熱器要素1008を駆動することに向けられている。たとえば、加熱器要素1008は、DACのプログラミングソフトウェアなどによって加熱器要素電力回路1006のDACを適切に構成することによって、望ましい周波数たとえば、約50kHzから約80kHzにおいて交流電流で駆動することができる。検知回路1024は、加熱器要素1008を駆動する交流電流の周波数において温度抵抗センサ応答を測定するように構成することができる。加熱器の発振をソフトウェアで制御することにより、加熱器要素1008に加えられる波形を特定するための柔軟性が高められる。これにより、接触検知信号を高めることができる正方形、正弦、三角形、または他の波形を含む、加熱器要素1008を駆動するための様々な波形を使用することができる。上記の記載においては、様々な実施形態の数多くの特徴が、実施形態の構造や機能の詳細と共に記載されたが、この詳細な記載は例示のみであり、細部についての変更は可能である。特に、添付の請求項に記載の用語の広い一般的な意味によって最大限に示される本発明の要旨内における部品の構造や配置についての変更が可能である。"