シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成される窒化物成長用シード層と、前記窒化物成長用シード層上に、複数の窒化物が積層されて形成される発光構造体と、を含み、前記窒化物成長用シード層はGaNパウダーで形成される、ことを特徴とする窒化物系発光素子。前記GaNパウダーは、平均粒径が10nm~1μmであることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物系発光素子。前記シリコン基板は、表面に凹凸が形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物系発光素子。前記発光構造体は、前記窒化物成長用シード層の上部に形成される第1の導電型窒化物層と、前記第1の導電型窒化物層の上部に形成される発光活性層と、前記発光活性層の上部に形成され、前記第1の導電型とは反対の電気的特性を有する第2の導電型窒化物層と、を含むことを特徴とする、請求項1に記載の窒化物系発光素子。前記第1の導電型窒化物層はn―タイプのGaNで形成され、前記第2の導電型窒化物層はp―タイプのGaNで形成されることを特徴とする、請求項4に記載の窒化物系発光素子。前記シリコン基板は、n―タイプのシリコン基板であることを特徴とする、請求項5に記載の窒化物系発光素子。前記発光構造体は、前記窒化物成長用シード層と前記第1の導電型窒化物層との間に形成されるバッファ層をさらに含むことを特徴とする、請求項4に記載の窒化物系発光素子。前記バッファ層は、AlN、ZrN及びGaNから選択される1種以上の窒化物で形成されることを特徴とする、請求項7に記載の窒化物系発光素子。前記発光構造体は、前記バッファ層と前記第1の導電型窒化物層との間に形成される非ドーピング窒化物層をさらに含むことを特徴とする、請求項7に記載の窒化物系発光素子。シリコン基板上に窒化物成長用シード層を形成し、前記窒化物成長用シード層上に複数の窒化物を順次成長させて発光構造体を形成することを含み、前記窒化物成長用シード層はGaNパウダーで形成される、ことを特徴とする窒化物系発光素子の製造方法。前記シリコン基板上に窒化物成長用シード層を形成することは、前記GaNパウダーを前記シリコン基板上に載せた後、前記シリコン基板を加熱し、前記GaNパウダーを前記シリコン基板に付着させる方法で、前記窒化物成長用シード層を形成すること、であることを特徴とする、請求項10に記載の窒化物系発光素子の製造方法。前記シリコン基板上に窒化物成長用シード層形成することは、スピンコーターを用いて前記GaNパウダーを含有する溶液を前記シリコン基板上にコーティングした後で乾燥する方法で、前記GaNパウダーからなる前記窒化物成長用シード層を形成すること、であることを特徴とする、請求項10に記載の窒化物系発光素子の製造方法。本発明の第1の目的は、成長基板としてシリコン基板を使用する場合に問題となる、窒化物成長時における線欠陥の発生を低減化できる、シリコン基板を成長基板として用いる窒化物系発光素子を提供することにある。本発明の第2の目的は、窒化物成長時における線欠陥の発生を低減化できる、シリコン基板を成長基板として用いる窒化物系発光素子の製造方法を提供することにある。前記第1の目的を達成するための本発明に係る窒化物系発光素子は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成される窒化物成長用シード層と、前記窒化物成長用シード層上に、複数の窒化物層が積層されて形成される発光構造体と、を含み、前記窒化物成長用シード層はGaNパウダーで形成される、ことを特徴とする。前記シリコン基板は、n―タイプのシリコン基板であることが望ましい。前記第2の目的を達成するための本発明に係る窒化物系発光素子の製造方法は、シリコン基板上に窒化物成長用シード層を形成し、前記窒化物成長用シード層上に複数の窒化物を順次成長させて発光構造体を形成することを含む、ことを特徴とする。このとき、前記窒化物成長用シード層は、GaNパウダーで形成されることが望ましい。本発明に係る窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、窒化物系発光素子では、GaNパウダーを用いて窒化物成長用シード層が形成されているので、成長基板としてシリコン基板を用い、その場合に問題となる、窒化物の成長時における線欠陥の発生を低減化できる。また、成長基板としてシリコン基板を使用することにより、窒化物系発光素子は、シリコン自体の熱的、電気的特性などを保持することができる。また、本発明に係る窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、窒化物系発光素子にはn―タイプのシリコン基板を用いることができるので、基板を除去しなくても、容易に垂直型発光素子を提供することができる。実施形態以下、添付の図面を参照して本発明の好適な実施形態に係るシリコン基板を用いた窒化物系発光素子及びその製造方法に関して詳細に説明する。図1は、本発明の実施形態に係る窒化物系発光素子を概略的に示した図である。図1を参照すると、図示した窒化物系発光素子は、シリコン基板110、窒化物成長用シード層120及び発光構造体130を含む。シリコン基板110としては、結晶方向が100、111又は110である単結晶シリコン基板、又は多結晶シリコン基板を用いることができる。シリコン基板は、サファイア基板に比べて安価で、且つ熱的特性及び電気的特性に優れるという長所を有する。しかし、シリコンと窒化物との間の大きな格子定数の差により、シリコン基板上に窒化物を成長させる場合、線欠陥が多く発生する。これは、発光素子の光効率を低下させる要因になる。そのため、本発明では、シリコン基板110上に窒化物を成長させるときに発生する線欠陥を低減できるように、シリコン基板110上に窒化物成長用シード層120を形成した後、窒化物成長用シード層120上に窒化物を成長させる。窒化物成長用シード層120は、シリコン基板110の上部に形成され、窒化物成長に対するシードseedの役割を担う。このような窒化物成長用シード層120は、成長対象になる窒化物と格子マッチングをとることのできる物質で形成されることが望ましい。通常、窒化物系発光素子で適用される窒化物がGaNであることを勘案すると、窒化物成長用シード層120はGaNパウダーで形成されることが最も望ましい。GaNパウダーをシードにしてGaNを成長させる場合、格子マッチングにより、GaN成長時に発生する線欠陥を低減化することができる。また、GaNパウダー上で成長する窒化物は、初期は垂直方向に成長し、その後は水平方向に成長する。その結果、平坦な窒化物成長が可能である。GaNパウダーは、スピンコーティング法などによってシリコン基板110上に付着又は固定される。GaNパウダーをシリコン基板110上に容易に付着又は固定するために、シリコン基板110の表面には突部と凹部を有する凹凸が形成されてもよい。凹凸は、特定のパターンで形成されてもよく、非定型の形態で形成されてもよい。シリコン基板110の表面の凹凸は、エッチングなどの多様な方法で形成することができる。シリコン基板110の表面に凹凸が形成されている場合、GaNパウダーは、凹凸の凹部に容易に付着又は固定される。一方、前記GaNパウダーとしては、平均粒径が10nm~1μmであるものを用いることが望ましい。GaNパウダーの平均粒径が小さいほど、窒化物の成長時に発生する線欠陥の抑制効果が優れている。GaNパウダーの平均粒径が1μmを超える場合、前記線欠陥の抑制効果が不十分であり、製造される窒化物系発光素子の光効率が低くなる。ただし、GaNパウダーの平均粒径が10nm未満である場合、GaNパウダーの製造費用が非常に嵩み、窒化物系発光素子の製造費用上昇の原因になり得る。次に、発光構造体130は、窒化物成長用シード層120上に形成される。発光構造体130は、複数の窒化物層が積層されて形成される。より具体的には、発光構造体130は、第1の導電型窒化物層131、発光活性層132及び第2の導電型窒化物層133を含む。第1の導電型窒化物層131は、窒化物成長用シード層120の上部に形成される。第1の導電型窒化物層131は、ドーピングされる不純物によってn―タイプ又はp―タイプの特性を示すことができる。例えば、窒化物にシリコンSiなどの不純物がドーピングされた場合、第1の導電型窒化物層131はn―タイプの特性を示す。その一方、窒化物にマグネシウムMgなどの不純物がドーピングされた場合、第1の導電型窒化物層131はp―タイプの特性を示す。発光活性層132は、第1の導電型窒化物層131の上部に形成される。発光活性層132は、MQWMultipleQuantumWell構造を有することができる。その例として、InxGa1-xN01≦x≦03とGaNが交互に積層されている構造を提示することができる。発光活性層132では、n―タイプの窒化物層を通して流れる電子とp―タイプの窒化物層を通して流れる正孔とが再結合して光が発生する。第2の導電型窒化物層133は、発光活性層132の上部に形成され、第1の導電型窒化物層131とは反対の電気的特性を示す。例えば、第1の導電型窒化物層131がn―タイプのGaNで形成される場合、第2の導電型窒化物層133はp―タイプのGaNで形成される。n―タイプのGaNの場合、GaNにSiがドーピングされて形成されてもよく、p―タイプのGaNの場合、GaNにMgがドーピングされて形成されてもよい。前記のように、第1の導電型窒化物層131がn―タイプのGaNで形成され、第2の導電型窒化物層133がp―タイプGaNで形成される場合、シリコン基板110としてはn―タイプのシリコン基板を用いることができる。n―タイプのシリコン基板を用いる場合、発光活性層132の下部の各層がn―タイプに形成される。また、n―タイプのシリコン基板を用いる場合、シリコン基板自体をn―電極として活用することができ、n―電極形成工程を省略することができる。したがって、n―タイプのシリコン基板を用いる場合、水平型発光素子のみならず、発光面積が相対的に広いことから高輝度を容易に具現できる垂直型発光素子も容易に製造することができる。また、成長基板としてn―タイプのシリコン基板を用いると、高温での窒化物の成長時におけるシリコン基板の反り現象が微々たるものになり、高温での窒化物の均質な成長が可能である。一方、発光構造体130は、窒化物成長用シード層120の上部に形成されるバッファ層134をさらに含むことができる。この場合、第1の導電型窒化物層131はバッファ層134の上部に形成される。バッファ層134は、シリコン基板上に異種の物質である窒化物を成長させるときに発生する応力を効果的に緩和させる役割を有する。このようなバッファ層134は、AlN、ZrN、GaNなどの窒化物で形成することができる。第1の導電型窒化物層131がn―タイプである場合、バッファ層134もn―タイプに形成することができる。バッファ層134を形成する窒化物のほとんどは、大きな電気抵抗を有する。しかし、バッファ層134をn―タイプに形成する場合、バッファ層の電気抵抗が低くなる。したがって、製造される窒化物系発光素子の駆動効率を向上させることができる。特に、シリコン基板110がn―タイプの電気的特性を有する場合、シリコン基板110に注入される電子が発光活性層132まで障壁なく容易に移動できるので、発光素子の駆動効率をさらに高めることができる。また、バッファ層134の上部には、格子マッチングをより容易にするために非ドーピング窒化物層135がさらに形成される。この場合、第1の導電型窒化物層131は、非ドーピング窒化物層135の上部に形成される。非ドーピング窒化物層135は、非ドーピングシリコン基板を用いる場合に適用することが望ましい。図2は、本発明の実施形態に係る窒化物系発光素子の製造方法を概略的に示した図である。図2を参照すると、図示した窒化物系発光素子の製造方法は、窒化物成長用シード層形成段階S210及び発光構造体形成段階S220を含む。窒化物成長用シード層形成段階S210では、シリコン基板110上に窒化物成長用シード層120を形成する。このとき、前記窒化物成長用シード層120は、GaNパウダーで形成することができる。GaNパウダーを用いた窒化物成長用シード層120は、次のような方法で形成することができる。まず、スピンコーターなどを用いてシリコン基板110の上にGaNパウダーを載せる。その後、CVDChemicalVaporDepositionチャンバなどのチャンバ内でシリコン基板110をアンモニアガス雰囲気で略800~1200°Cの温度で加熱し、GaNパウダーをシリコン基板110に付着させる。この場合、シリコン基板110には、若干のエッチングが行われながら表面に凹凸が形成される。シリコン基板110の表面に形成された凹凸は、上述したようにGaNパウダーの付着又は固定を容易にする。また、GaNパウダーを用いた窒化物成長用シード層120は、前記GaNパウダーを含有する溶液を用いてシリコン基板110上にスピンコーティングした後、乾燥する方法で形成することができる。このとき、GaNパウダーを含有する溶液としては、アセトン、メタノール、エチレングリコールなどの多様な種類の溶媒を用いることができる。前記の提示されたGaNパウダーを用いた窒化物成長用シード層形成方法のうちいずれか一つの方法が選択的に適用されてもよく、二つの方法が共に適用されてもよい。例えば、GaNパウダーを含有する溶液を用いてシリコン基板110上にスピンコーティングした後で乾燥し、その後、チャンバ内でシリコン基板110を加熱することができる。次に、発光構造体形成段階S220では、窒化物成長用シード層120上に複数の窒化物を順次成長させて発光構造体130を形成する。発光構造体130は、第1の導電型窒化物層131、発光活性層132及び第2の導電型窒化物層133が順次積層される形態で形成される。場合によっては、第1の導電型窒化物層131を形成する前に、バッファ層134や非ドーピング窒化物層135をさらに形成することができる。上述したように、本発明に係る窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、シリコン基板110を成長基板として用いることによって、窒化物系発光素子はシリコン基板110自体の多くの長所をそのまま有することができる。また、本発明に係る窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、窒化物系発光素子では、GaNパウダーを用いて窒化物成長用シード層120が形成されることによって、成長基板110としてシリコン基板が用いられても、窒化物の成長時に、シリコンと窒化物との間の格子定数の差によって発生する発光構造体130の線欠陥を低減化することができる。したがって、製造される窒化物系発光素子の光抽出効率を向上させることができる。本発明は、以上の実施形態の記載に限定されるものではなく、当業者の水準で多様な変更や変形が可能である。このような変更と変形は、本発明の範囲を逸脱しない限り、本発明に属するものと言える。したがって、本発明の権利範囲は、以下で記載される特許請求の範囲によって判断しなければならない。