半導体基板に作用する力学量を測定可能な測定部が前記半導体基板の中央部に設けられ、前記半導体基板が被測定物に貼り付けられて前記被測定物に作用する力学量を間接的に測定する力学量測定装置において、前記半導体基板の前記中央部の外側の外周部に、互いに近接するように少なくとも一箇所に集まっている集まりを形成する複数の不純物拡散抵抗を有し、前記集まりの1つを形成する複数の前記不純物拡散抵抗は、互いに接続されホイートストンブリッジを形成していることを特徴とする力学量測定装置。素子又は回路が半導体基板の中央部に設けられている半導体装置において、前記半導体基板の前記中央部の外側の外周部に、互いに近接するように少なくとも一箇所に集まっている集まりを形成する複数の不純物拡散抵抗を有し、前記集まりの1つを形成する複数の前記不純物拡散抵抗は、互いに接続されホイートストンブリッジを形成していることを特徴とする半導体装置。半導体基板の外周部に、互いに近接するように少なくとも一箇所に集まっている集まりを形成する複数の不純物拡散抵抗を有し、前記集まりの1つを形成する複数の前記不純物拡散抵抗は、互いに接続されホイートストンブリッジを形成していることを特徴とする剥離検知装置。素子又は回路が半導体基板に設けられている半導体装置が、モジュール基板に貼り付けられているモジュールにおいて、請求の範囲第3項に記載の剥離検知装置が、前記モジュール基板内の前記半導体装置の近傍に貼り付けられていることを特徴とするモジュール。前記半導体基板は、平面視で四角形であり、前記四角形の四隅の少なくとも一箇所に、前記ホイートストンブリッジが形成されていることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の力学量測定装置。前記半導体基板の端部から中心へ向かう方向に沿って、複数の前記ホイートストンブリッジが配置されていることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の力学量測定装置。前記ホイートストンブリッジは、複数形成され、前記半導体基板の端部までの距離が互いに異なっていることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の力学量測定装置。前記集まりの1つを形成する複数の前記不純物拡散抵抗は、第1不純物拡散抵抗と、前記第1不純物拡散抵抗の一端に一端が接続する第2不純物拡散抵抗と、前記第2不純物拡散抵抗の他端に一端が接続する第3不純物拡散抵抗と、前記第3不純物拡散抵抗の他端に一端が接続し、前記第1不純物拡散抵抗の他端に他端が接続する第4不純物拡散抵抗とを含んでいることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の力学量測定装置。前記第1不純物拡散抵抗は、前記半導体基板内において、前記第2不純物拡散抵抗と前記第4不純物拡散抵抗より、外側に配置されていることを特徴とする請求の範囲第8項に記載の力学量測定装置。前記第3不純物拡散抵抗は、前記半導体基板内において、前記第2不純物拡散抵抗と前記第4不純物拡散抵抗より、外側に配置されていることを特徴とする請求の範囲第9項に記載の力学量測定装置。前記第2不純物拡散抵抗と、前記第4不純物拡散抵抗とは、それぞれ、長手方向に電流を流すことができ、前記第2不純物拡散抵抗の長手方向と、前記第4不純物拡散抵抗の長手方向とは、略平行であり、前記第2不純物拡散抵抗の両端と、前記第4不純物拡散抵抗の両端が、近接するようにそろえて並べられていることを特徴とする請求の範囲第9項又は第10項に記載の力学量測定装置。前記第2不純物拡散抵抗と前記第4不純物拡散抵抗の長手方向は、前記半導体基板の表面内の中心を中心とする円の径方向に、略平行であることを特徴とする請求の範囲第11項に記載の力学量測定装置。前記第1不純物拡散抵抗と、前記第3不純物拡散抵抗とは、それぞれ、長手方向に電流を流すことができ、前記第1不純物拡散抵抗の長手方向と、前記第3不純物拡散抵抗の長手方向とは、略平行であることを特徴とする請求の範囲第11項又は第12項に記載の力学量測定装置。前記第1不純物拡散抵抗と前記第3不純物拡散抵抗の長手方向は、前記半導体基板の表面内の中心を中心とする円の径方向に、略直角に交わることを特徴とする請求の範囲第13項に記載の力学量測定装置。前記第1不純物拡散抵抗の両端と、前記第3不純物拡散抵抗の両端が、近接するようにそろえて並べられていることを特徴とする請求の範囲第14項に記載の力学量測定装置。前記半導体基板は、平面視で四角形であり、前記第1不純物拡散抵抗と前記第3不純物拡散抵抗は、それぞれ、前記四角形の対角線に対して線対称な形状になっていることを特徴とする請求の範囲第8項に記載の力学量測定装置。前記半導体基板は、平面視で四角形であり、前記第2不純物拡散抵抗と前記第4不純物拡散抵抗は、互いに、前記四角形の対角線に対して線対称になるように配置されていることを特徴とする請求の範囲第8項に記載の力学量測定装置。前記半導体基板は、表面が001面であるシリコンの単結晶基板であることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の力学量測定装置。前記不純物拡散抵抗の導電型は、p型であり、前記不純物拡散抵抗の長手方向が、<110>方向になっていることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の力学量測定装置。前記不純物拡散抵抗の導電型は、n型であり、前記不純物拡散抵抗の長手方向が、<100>方向になっていることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の力学量測定装置。剥離は、ひずみセンサチップ力学量測定装置の四隅で発生し、中央に向かって広がってゆくので、その四隅に剥離監視用センサの不純物拡散抵抗を配置し、発生初期の剥離を検出することは望ましいことである。しかしながら、従来のひずみセンサチップ力学量測定装置では、剥離が起こっても場合によっては、ホイートストンブリッジからのセンス出力の変化が小さく、剥離を検知できない場合があると考えられた。例えば、四隅が同時に剥離したり、二隅が同時に剥離したりすると、剥離している隅に配置されている不純物拡散抵抗の抵抗値が同時に変化するために、ホイートストンブリッジ内の電位の変化が打ち消され、ホイートストンブリッジからのセンス出力の出力変化が検出できず、剥離を検知できないと考えられた。そこで、ひずみセンサチップ力学量測定装置は、確実に自らの剥離を検知できることが望ましいと考えられる。また、これら四隅の不純物拡散抵抗をつないで形成されるホイートストンブリッジは、一巻きのコイルと見なしたときの断面積が大きいので、被測定物に作用する力学量を測定するための不純物拡散抵抗から生じる電磁波や、装置外部からの電磁波により、ノイズが発生しやすく、正確に剥離を検出できないと考えられた。これに対しても、ひずみセンサチップ力学量測定装置は、確実に自らの剥離を検知できることが望ましいと考えられる。なお、力学量測定装置は、被測定物に貼り付けられるが、半導体装置も電気抵抗や熱抵抗を低減させるためにモジュール基板に貼り付けられている。そこで、半導体装置が自らの剥離を検知できれば有用である。また、力学量測定装置や半導体装置の剥離を、自らの剥離を検知することで間接的に検知する剥離検知装置があれば有用である。そして、それら力学量測定装置、半導体装置、剥離検知装置が搭載されたモジュールは、自らの剥離を検知することで、他の半導体装置のモジュール基板からの剥離を推測できるので有用である。そこで、本発明の目的は、確実に自らの剥離を検知することができる力学量測定装置、半導体装置および剥離検知装置と、それらが搭載されたモジュールを提供することにある。前記目的を達成するために、本発明は、半導体基板に作用する力学量を測定可能な測定部が前記半導体基板の中央部に設けられ、前記半導体基板が被測定物に貼り付けられて前記被測定物に作用する力学量を間接的に測定する力学量測定装置において、前記半導体基板の前記中央部の外側の外周部に、互いに近接するように少なくとも一箇所に集まっている集まりを形成する複数の不純物拡散抵抗を有し、前記集まりの1つを形成する複数の前記不純物拡散抵抗は、互いに接続されホイートストンブリッジを形成していることを特徴としている。また、本発明は、素子又は回路が半導体基板の中央部に設けられている半導体装置において、前記半導体基板の前記中央部の外側の外周部に、互いに近接するように少なくとも一箇所に集まっている集まりを形成する複数の不純物拡散抵抗を有し、前記集まりの1つを形成する複数の前記不純物拡散抵抗は、互いに接続されホイートストンブリッジを形成していることを特徴としている。また、本発明は、半導体基板の外周部に、互いに近接するように少なくとも一箇所に集まっている集まりを形成する複数の不純物拡散抵抗を有し、前記集まりの1つを形成する複数の前記不純物拡散抵抗は、互いに接続されホイートストンブリッジを形成している剥離検知装置であることを特徴としている。また、本発明は、素子又は回路が半導体基板に設けられている半導体装置が、モジュール基板に貼り付けられているモジュールにおいて、前記剥離検知装置が、前記モジュール基板内の前記半導体装置の近傍に貼り付けられていることを特徴としている。本発明によれば、確実に自らの剥離を検知することができる力学量測定装置、半導体装置および剥離検知装置と、それらが搭載されたモジュールを提供することができる。次に、本発明の実施形態について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、共通する部分には同一の符号を付し重複した説明を省略する。また、本発明は、ここで取り上げた複数の実施形態の個々に限定されることはなく、適宜組み合わせてもよい。第1の実施形態図1に、本発明の第1の実施形態に係る力学量測定装置又は、半導体装置、剥離検知装置100の平面図を示す。力学量測定装置又は、半導体装置、剥離検知装置100は、平面視で四角形矩形、正方形の半導体基板1を有している。半導体基板1としては、表面が001面であるシリコンの単結晶基板を用いることができる。力学量測定装置又は、半導体装置、剥離検知装置100の半導体基板1の中央部1cには、測定部素子又は回路、スペース7が設けられている。半導体基板1の中央部1cに設けられるものが、測定部、素子又は回路、スペース7のいずれかによって、主機能が変わり、力学量測定装置、半導体装置、剥離検知装置100のように、発明の名称が変わることになる。具体的に、力学量測定装置100の半導体基板1の中央部1cには、半導体基板1に作用する力学量を測定可能な測定部7が設けられている。半導体基板1は、被測定物に貼り付けられ、被測定物に作用する力学量は、半導体基板1に作用する力学量として、間接的に測定することができる。また、具体的に、半導体装置100の半導体基板1の中央部1cには、素子又は回路7が設けられている。素子又は回路7は、外部の装置に接続され所定の機能を実行する。また、具体的に、剥離検知装置100の半導体基板1の中央部1cには、必ずしも素子や回路が設けられている必要はなく、単に、スペース7が設けられていればよい。力学量測定装置又は、半導体装置、剥離検知装置100の半導体基板1の中央部1cの外側の外周部1eには、複数の不純物拡散抵抗3、4が配置されている。不純物拡散抵抗3、4の導電型は、p型になっている。複数の不純物拡散抵抗3、4は、互いに近接するように、少なくとも一箇所例えば、図1では8箇所に集まっている集まり5を形成している。集まり5には、4この不純物拡散抵抗3、4が集まっている。集まり5には、不純物拡散抵抗3から第1不純物拡散抵抗3aと第3不純物拡散抵抗3bと、不純物拡散抵抗4から第2不純物拡散抵抗4aと第4不純物拡散抵抗4bとが集まっている。集まり5の1つを形成する4つの不純物拡散抵抗3a、3b、4a、4bは、配線6によって互いに接続され、ホイートストンブリッジ22a、2bを形成している。第1不純物拡散抵抗3aの一端に、第2不純物拡散抵抗4aの一端が接続している。第2不純物拡散抵抗4aの他端に、第3不純物拡散抵抗3bの一端が接続している。第3不純物拡散抵抗3bの他端に、第4不純物拡散抵抗4bの一端が接続している。第4不純物拡散抵抗4bの他端に、第1不純物拡散抵抗3aの他端が接続している。第1不純物拡散抵抗3aと第3不純物拡散抵抗3bは、半導体基板1の表面内において、第2不純物拡散抵抗4aと第4不純物拡散抵抗4bより、外側に配置されている。第1不純物拡散抵抗3aと、第2不純物拡散抵抗4aと、第3不純物拡散抵抗3bと、第4不純物拡散抵抗4bとは、それぞれの長手方向の両端に配線6が接続されており、この長手方向に電流を流すことができる。第1不純物拡散抵抗3aの長手方向と、第3不純物拡散抵抗3bの長手方向とは、略平行になっている。第1不純物拡散抵抗3aの長手方向の両端と、第3不純物拡散抵抗3bの長手方向の両端が、近接するようにそろえて並べられている。第1不純物拡散抵抗3aと第3不純物拡散抵抗3bの長手方向は、半導体基板1の表面内の中心を中心とする円の径方向図1の例では対角線1aの方向に一致に、略直角に交わっている。なお、半導体基板1の表面内の中心は、例えば、図1では、半導体基板1の表面の形状が略正方形であるので、2本の対角線1aの交点に一致している。第1不純物拡散抵抗3aと第3不純物拡散抵抗3bの長手方向は、半導体基板1の結晶方位の<110>方向になっている。なお、半導体基板1の表面の四角形の辺が、半導体基板1の結晶方位<100>に、略平行であるか略直角に交わっている。また、第1不純物拡散抵抗3aと第3不純物拡散抵抗3bは、それぞれ、対角線1aに対して線対称な形状になっている。なお、第1の実施形態の説明や、後記する他の実施形態の説明では、半導体基板1における結晶面や結晶方位の指定を行うが、この指定にはミラー指数を用いている。そして、半導体基板1内において、等価である結晶面や結晶方位を表す場合には、同じ表記を用いている。具体的に、半導体基板1の表面の四角形の辺の縦の辺と横の辺とは方向が異なっているが、それぞれの辺の方向が一致する結晶方位は、等価であり、どちらも結晶方位<100>になっている。第2不純物拡散抵抗4aの長手方向と、第4不純物拡散抵抗4bの長手方向とは、略平行になっている。第2不純物拡散抵抗4aの長手方向の両端と、第4不純物拡散抵抗4bの長手方向の両端が、近接するようにそろえて並べられている。第2不純物拡散抵抗4aと第4不純物拡散抵抗4bの長手方向は、半導体基板1の表面内の中心を中心とする円の径方向対角線1aの方向に、略平行になっている。第2不純物拡散抵抗4aと第4不純物拡散抵抗4bの長手方向は、半導体基板1の結晶方位の<110>方向になっている。第1不純物拡散抵抗3aと第3不純物拡散抵抗3bの長手方向と、第2不純物拡散抵抗4aと第4不純物拡散抵抗4bの長手方向とは、略直角に交わっている。なお、第1不純物拡散抵抗3aと第3不純物拡散抵抗3bの長手方向と、第2不純物拡散抵抗4aと第4不純物拡散抵抗4bの長手方向とが、共に、半導体基板1の結晶方位の<110>方向になっているのは、互いに等価の方向だからである。また、第2不純物拡散抵抗4aと第4不純物拡散抵抗4bは、互いに、対角線1aに対して線対称になるように配置されている。ホイートストンブリッジ22a、2bは、半導体基板1の平面視した四角形の四隅の少なくとも一箇所例えば、図1では4箇所全てに、形成されている。ホイートストンブリッジ22a、2bを、一巻きのコイルと見なしたときの断面積は、小さく、そのコイルの外側に測定部素子又は回路、スペース7が配置されているので、測定部素子又は回路、スペース7から生じる電磁波や、装置外部からの電磁波によって、ホイートストンブリッジ22a、2bに発生するノイズを抑制することができる。特に、測定部7は、ひずみセンサやアンプ回路、ロジック回路等で構成される場合があり、これらから、電磁波が放射される場合があるが、このような場合でも、ホイートストンブリッジ22a、2bに発生するノイズを抑制することができる。ホイートストンブリッジ22a、2bは、半導体基板1の端部から中心へ向かう方向に沿って、複数例えば、図1では2つ配置されている。ホイートストンブリッジ22a、2bは、半導体基板1の平面視した四角形の対角線1aに沿って、複数例えば、図1では対角線1a毎に4つずつ配置されている。ホイートストンブリッジ2aと2bとでは、半導体基板1の端部までの距離が互いに異なっている。ホイートストンブリッジ2aの半導体基板1の端部までの距離は、ホイートストンブリッジ2bの半導体基板1の端部までの距離より、短くなっている。ホイートストンブリッジ2aは、ホイートストンブリッジ2bより、半導体基板1の表面内の外側に配置されている。図2に、ホイートストンブリッジ22a、2bの回路図を示す。第1不純物拡散抵抗3aと第2不純物拡散抵抗4aの接続点ノードには、外部の定電圧源Vddが接続されている。第3不純物拡散抵抗3bと第4不純物拡散抵抗4bの接続点は、グランドGNDに接続され接地されている。第1不純物拡散抵抗3aと第4不純物拡散抵抗4bの接続点は、外部端子に接続し、ホイートストンブリッジ22a、2bのセンス出力として、この接続点の電位を出力する。第2不純物拡散抵抗4aと第3不純物拡散抵抗3bの接続点は、外部端子に接続し、ホイートストンブリッジ22a、2bのセンス出力-として、この接続点の電位を出力する。ホイートストンブリッジ22a、2bの回路図において、第1不純物拡散抵抗3aと第3不純物拡散抵抗3bとが対向するように配置され、第2不純物拡散抵抗4aと第4不純物拡散抵抗4bとが対向するように配置されている。図3Aに、被測定物モジュール基板8に貼り付けられた力学量測定装置又は、半導体装置、剥離検知装置100の剥離の進行の様子を示す。剥離は、半導体基板1を平面視した四角形の角部で発生し、その剥離の剥離界面Fは、半導体基板1を平面視した四角形の中心に向かって、その中心を中心とする同心円状に、温度サイクルや負荷の度に進行してゆく。ホイートストンブリッジ2a2は、半導体基板1を平面視した四角形の角部四隅に配置されているので、剥離発生の直後に、剥離界面Fが、ホイートストンブリッジ2a2の直下を通過することになる。これにより、ホイートストンブリッジ2a2によれば、剥離の発生を迅速に検知することができる。また、ホイートストンブリッジ2b2は、剥離の進行において、ホイートストンブリッジ2a2の先方に位置し、測定部素子又は回路、スペース7の手前に位置しているので、剥離界面Fが、ホイートストンブリッジ2b2の直下を通過することで、剥離の進行状況を検知することができる。なお、図3Aに示すように、ホイートストンブリッジ2aと2bのどちらにおいても、剥離は、半導体基板1の外側から内側への方向に進行している。また、図1に示すように、不純物拡散抵抗3第1不純物拡散抵抗3a、第3不純物拡散抵抗3bは、不純物拡散抵抗4第2不純物拡散抵抗4a、第4不純物拡散抵抗4bより、外側に配置されている。これらにより、剥離は、まず、不純物拡散抵抗3第1不純物拡散抵抗3a、第3不純物拡散抵抗3bの直下を通過し、次に、不純物拡散抵抗4第2不純物拡散抵抗4a、第4不純物拡散抵抗4bの直下を通過することになる。不純物拡散抵抗3第1不純物拡散抵抗3a、第3不純物拡散抵抗3bと不純物拡散抵抗4第2不純物拡散抵抗4a、第4不純物拡散抵抗4bの直下が剥離すると、被測定物モジュール基板8から半導体基板1第1不純物拡散抵抗3a、第3不純物拡散抵抗3b、第2不純物拡散抵抗4a、第4不純物拡散抵抗4bに作用する力学量が減少するので、第1不純物拡散抵抗3a、第3不純物拡散抵抗3b、第2不純物拡散抵抗4a、第4不純物拡散抵抗4bの抵抗が変化する。例えば、剥離によって、第1不純物拡散抵抗3a、第3不純物拡散抵抗3b、第2不純物拡散抵抗4a、第4不純物拡散抵抗4bの抵抗が低下する場合を考える。図2を参照すると、剥離が進行し、まず、不純物拡散抵抗3第1不純物拡散抵抗3a、第3不純物拡散抵抗3bの直下を通過し、次に、不純物拡散抵抗4第2不純物拡散抵抗4a、第4不純物拡散抵抗4bの直下を通過する。これにより、まず、剥離界面Fが、不純物拡散抵抗3第1不純物拡散抵抗3a、第3不純物拡散抵抗3bの直下を通過した段階で、第1不純物拡散抵抗3aと第3不純物拡散抵抗3bにかかる電圧が低下し、センス出力の電位は上昇し、センス出力-の電位は降下する。この電位の上昇降下によって剥離を検出できるが、センス出力の電位とセンス出力-の電位の電位差電圧:センス出力差を計測することで、より大きな電圧電位の上昇変動を検出でき、確実に剥離を検出することができる。剥離界面Fが、不純物拡散抵抗3第1不純物拡散抵抗3a、第3不純物拡散抵抗3bの直下を通過し、次に、不純物拡散抵抗4第2不純物拡散抵抗4a、第4不純物拡散抵抗4bの直下に達する段階になると、第2不純物拡散抵抗4aと第4不純物拡散抵抗4bにかかる電圧も低下し、センス出力の電位は上昇から降下に転じ、センス出力-の電位は降下から上昇に転じる。センス出力の電位とセンス出力-の電位の電位差電圧:センス出力差を計測することで、電圧は大きな上昇から大きな降下に転じ、大きなピーク波形を検出することができる。そして、このピーク波形の検出をもって、剥離の検出とすることができる。図3Bに、図3AのA-A方向の矢視断面図を示す。半導体基板1は、被測定物モジュール基板8に、接着剤9で貼り付けられている。なお、接着剤9としては、導電材、例えば、半田等も含んでいる。図3Bでは、接着剤9に剥離が発生し、剥離界面Fは、ホイートストンブリッジ2a2の位置Paに達しようとしている様子を示している。ここで、ホイートストンブリッジ2a2の位置Paに達した時刻を、例えば、前記ピーク波形を検出した時刻ピーク時刻として計測しておき、また、剥離界面Fが進行して、ホイートストンブリッジ2b2の位置Pbに達した時刻を、例えば、前記ピーク波形を検出した時刻ピーク時刻として計測しておく。ホイートストンブリッジ2a2の位置Paと、ホイートストンブリッジ2b2の位置Pbの間の距離進行距離L1は、予め計測取得しておくことができる。また、剥離界面Fがホイートストンブリッジ2b2の位置Pbに達した時刻ピーク時刻から、剥離界面Fがホイートストンブリッジ2a2の位置Paに達した時刻ピーク時刻を引くと、剥離界面Fがホイートストンブリッジ2a2の位置Paからホイートストンブリッジ2b2の位置Pbへの進行に要した時間を算出することができる。進行距離L1をこの進行に要した時間で割れば、剥離界面Fの進行速度を算出することができる。さらに、ホイートストンブリッジ2b2の位置Pbと、測定部素子又は回路、スペース7の端部の位置Pcの間の距離残された距離L2は、予め計測取得しておくことができる。残された距離L2を、算出した進行速度で割れば、剥離界面Fがホイートストンブリッジ2b2の位置Pbから測定部素子又は回路、スペース7の端部の位置Pcへの進行に要する時間を算出することができる。そして、この時間を、剥離界面Fがホイートストンブリッジ2b2の位置Pbに達した時刻ピーク時刻に加えることで、剥離界面Fが測定部素子又は回路、スペース7の端部の位置Pcに到達する到達時刻を算出することができる。すなわち、故障が発生しやすくなる時刻を、算出し、予測することができる。なお、第1の実施形態では、剥離が測定部素子又は回路、スペース7に達するまでの剥離の進行方向上に、2つのホイートストンブリッジ2aと2bを配置したので、ホイートストンブリッジ2aと2bの間の剥離界面Fの進行速度によって、剥離界面Fが測定部素子又は回路、スペース7の端部の位置Pcに到達する時刻を推測したが、進行方向上に、3つ以上のホイートストンブリッジ22a、2bを配置すれば、複数のホイートストンブリッジ22a、2bの間の進行速度を算出取得できるので、より正確に剥離界面Fが測定部素子又は回路、スペース7の端部の位置Pcに到達する時刻を推測することができる。図4に、本発明の第1の実施形態に係る力学量測定装置又は、半導体装置、剥離検知装置100を含んで構成される剥離検知システム14の構成図を示す。剥離検知システム14は、前記した剥離を検知したり、剥離界面Fが測定部素子又は回路、スペース7の端部の位置Pcに到達する時刻を推測したりする。剥離検知システム14は、力学量測定装置又は、半導体装置、剥離検知装置100と、制御部13を有している。力学量測定装置又は、半導体装置、剥離検知装置100には、複数のホイートストンブリッジ2aと2bが形成されている。ホイートストンブリッジ2aと2bのセンス出力の電位は制御部13に出力されるようになっている。ホイートストンブリッジ2aと2bのセンス出力-の電位は制御部13に出力されるようになっている。ホイートストンブリッジ2aと2bは、制御部13を介して、外部の定電圧源Vddに接続できるようになっている。ホイートストンブリッジ2aと2bは、制御部13を介して、グランドGNDに接続され接地されるようになっている。図5Aに、剥離検知システム14が実施する剥離検知方法のフローチャートを示す。まず、ステップS1で、制御部13が、ホイートストンブリッジブリッジ22a、2b毎のピーク時刻又は裾時刻を取得する。ピーク時刻又は裾時刻の取得方法の詳細は、図5Bに示すピーク時刻又は裾時刻の取得方法のフローチャートを用いて説明する。なお、このピーク時刻又は裾時刻の取得方法のフローは、ホイートストンブリッジブリッジ22a、2b毎に、実施され、複数のフローが同時に実施されている。まず、ステップS11で、制御部13が、初期化を実施するか否か判定する。まだ初期化が実施されていない場合に、初期化を実施すると判定されステップS11、Yes、ステップS12へ進む。既に初期化が実施されている場合は、初期化を実施しないと判定されステップS11、No、ステップS13へ進む。ステップS12で、制御部13が、初期化を実施する。図6に、ホイートストンブリッジブリッジ22a、2bから出力されるセンス出力の電位とセンス出力-の電位の電位差センス出力差の波形を示すが、初期化では、制御部13は、この初期の時刻のセンス出力差を、初期値として記憶し、また、前回出力として記憶する。また、制御部13は、オペレータによる入力等によって、図3Bに示す位置Pa、Pb、Pcを取得する。ステップS13で、制御部13は、センス出力差を、今回出力として取得する。ステップS14で、制御部13は、今回出力が、前回出力より大きいか今回出力>前回出力否か判定する。今回出力が前回出力より大きいと判定した場合はステップS14、Yes、図6のブリッジ22a、2bの出力の上昇傾向が検出でき、この上昇傾向は、剥離の進行を検出したとして、ステップS16へ進む。今回出力が前回出力より大きいと判定しない場合はステップS14、No、剥離を検出していないとして、ステップS16へ進み、所定時間待機した後に、ステップS13に戻る。ステップS16で、制御部13は、今回出力を前回出力に上書きし、今回出力を、前回出力として記憶する。ステップS17で、ステップS13と同様に、制御部13は、センス出力差を、今回出力として取得する。ステップS18で、制御部13は、今回出力が、前回出力より小さいか今回出力<前回出力否か判定する。今回出力が前回出力より小さいと判定した場合はステップS18、Yes、図6のブリッジ22a、2bの出力センス出力差のピーク波形上昇の後、降下する波形を検出したとして、ステップS20へ進む。今回出力が前回出力より小さいと判定しない場合はステップS18、No、まだ図6のブリッジ22a、2bの出力センス出力差が上昇過程にあるとして、ステップS19へ進み、所定時間待機した後に、ステップS16に戻る。このように、ステップS14でも、ステップS18でも、剥離を検出できていることがわかる。そして、単独のホイートストンブリッジ22a、2bによって、剥離が検出できていることがわかる。すなわち、ホイートストンブリッジ22a、2bが配置されている場所において、剥離が発生すれば、ホイートストンブリッジ22a、2bがその剥離を検出することができる。したがって、剥離が四隅に同時に発生した場合でも、それぞれの剥離を、ホイートストンブリッジ22a、2bが配置されている限りにおいて検出することができる。なお、図6のブリッジ22a、2bの出力センス出力差のピーク波形の、上昇時の傾きは、降下時の傾きより、大きくなっている。これは、図3Aに示す剥離の進行方向に対して、図1に示す不純物拡散抵抗3の長手方向は、直角に交わっているが、図1に示す不純物拡散抵抗4の長手方向は、平行になっているからである。不純物拡散抵抗3に対しては、剥離界面Fは短い距離を移動するだけで通過することができるので、短時間に通過することができ、上昇時の傾きが大きく急になる。一方、不純物拡散抵抗4に対しては、剥離界面Fは長い距離を移動しないと通過することができないので、通過に長時間を要し、降下時の傾きが小さく緩やかになる。このように、ピーク波形において、最初に、急峻に上昇させることで、剥離を検出したか否かの判定を早期に行うことができる。そして、いったん上昇したピーク波形を、緩やかに降下させることで、ピーク波形を見逃し難くしている。ステップS20で、制御部13は、内蔵するタイマを用いて、現在の時刻を計測し、現在の時刻を、図6のブリッジ22a、2bの出力センス出力差のピーク波形に示すように、ピーク時刻tp1、tp2として記憶する。これにより、出力ピークピーク波形が検出されたことになる。そして、ホイートストンブリッジ2毎のステップS20の実施の終了をトリガとして、図5AのステップS2の割り込み処理をスタートさせる。ステップS21で、ステップS13と同様に、制御部13は、センス出力差を、今回出力として取得する。ステップS22で、制御部13は、今回出力が、初期値より小さいか今回出力<初期値否か判定する。今回出力が初期値より小さいと判定した場合はステップS22、Yes、センス出力差の波形が、上昇の後に降下し、剥離界面Fがホイートストンブリッジ2を概ね通過したとして、ステップS24へ進む。今回出力が初期値より小さいと判定しない場合はステップS22、No、まだ剥離界面Fはホイートストンブリッジ2を通過していないとして、ステップS23へ進み、所定時間待機した後に、ステップS21に戻る。なお、剥離は、被測定物モジュール基板8の作用している力学量から、不純物拡散抵抗3、4半導体基板1を開放するだけでなく、接着時の残留ひずみまで解放されるために、センス出力差は初期値より低下する。図3A、図3Bと図6に示したようなブリッジ2a、2bの出力変化と剥離進行の関係は、発明者らが、超音波非破壊検査法で剥離の状態を観察しながら、センス出力差の測定を行った結果、見出したものである。ステップS24で、制御部13は、内蔵するタイマを用いて、現在の時刻を計測し、現在の時刻を、図6のブリッジ22a、2bの出力センス出力差のピーク波形に示すように、裾時刻tb1、tb2として記憶する。これにより、出力ピークピーク波形の裾が検出されたことになる。前記で、ピーク時刻tp1、tp2又は裾時刻tb1、tb2の取得方法のフローは終了する。そして、ホイートストンブリッジ2毎のステップS24の実施の終了をトリガとして、図5AのステップS2の割り込み処理をスタートさせてもよい。なお、S20のピーク時刻tp1、tp2を、図5Aの剥離検知方法で採用し、S24の裾時刻を採用しない場合は、ステップS21~S24を省くことができる。図5Aのフローチャートに戻って説明する。ステップS1では、制御部13が、ホイートストンブリッジブリッジ22a、2b毎に、ピーク時刻tp1、tp2又は裾時刻tb1、tb2を取得する。このため、ステップS2では、制御部13が、ステップS20のピーク時刻tp1、tp2の記憶、又は、ステップS24の裾時刻tb1、tb2の記憶の度に、いわゆる割り込み処理として、記憶されたピーク時刻tp1、tp2又は裾時刻tb1、tb2の個数をカウントする。次に、ステップS3で、制御部13が、カウントが2以上かカウント≧2否か判定する。カウントが2以上であると判定した場合はステップS3、Yes、2つ以上のホイートストンブリッジブリッジ22a、2bについて、ピーク時刻tp1、tp2又は裾時刻tb1、tb2が取得されているので、剥離の進行に要した時間が算出できるとして、ステップS4へ進む。カウントが2以上であると判定しない場合はステップS3、No、次の割り込み処理ステップS2が発生するまで待機する。ステップS4で、制御部13が、ホイートストンブリッジ2bからのピーク時刻tp2又は裾時刻tb2から、ホイートストンブリッジ2aからのピーク時刻tp1又は裾時刻tb1を引いて、剥離のホイートストンブリッジ2aからホイートストンブリッジ2bまでの進行に要した時間を算出する。ステップS5で、制御部13が、位置Pa、Pb、Pcに基づいて、進行距離L1と残された距離L2を算出する。ステップS6で、制御部13は、進行距離L1を進行に要した時間で割って進行速度を算出する。さらに、制御部13は、残された距離L2を進行速度で割って、残された距離L2を剥離が進行するのに要する時間を算出する。最後に、ホイートストンブリッジ2bのピーク時刻tp2又は裾時刻tb2に、残された距離L2を剥離が進行するのに要する時間を加えて、剥離が測定部素子又は回路、スペース7に到達する到達時刻を算出する。ステップS7で、制御部13は、カウントが所定値に等しいか達したかカウント=所定値否か判定する。所定値としては、半導体基板1の端部から中央部1cの方向に並べられているホイートストンブリッジ22a、2bの個数を予め設定しておくことが好ましい。第1の実施形態図1の例では、所定値は2個となる。カウントが所定値に等しいと判定した場合はステップS7、Yes、剥離検知方法を終了する。カウントが所定値に等しいと判定しない場合はステップS7、No、次の割り込み処理ステップS2が発生するまで待機し、ステップS3~S6を実施することで、より精度の高い到達時間を算出することができる。第2の実施形態図7に、本発明の第2の実施形態に係る力学量測定装置又は、半導体装置、剥離検知装置100の平面図を示す。第2の実施形態に係る力学量測定装置又は、半導体装置、剥離検知装置100が、第1の実施形態に係る力学量測定装置又は、半導体装置、剥離検知装置100と異なっている点は、半導体基板1内において、第3不純物拡散抵抗3bが、第2不純物拡散抵抗4aと第4不純物拡散抵抗4bより、内側に配置されている点である。これによれば、配線6の長さを短くできる。また、ホイートストンブリッジ22a、2bを一巻きのコイルと見なしたときの断面積を小さくすることができ、一層、ノイズの発生を抑制することができる。ただ、ピーク波形は、剥離が第1不純物拡散抵抗3aを通過して上昇した後に、第1の実施形態のように第3不純物拡散抵抗3bを通過してさらに上昇するのでなく、第2不純物拡散抵抗4aと第4不純物拡散抵抗4bを通過して降下に転じてしまうので、センス出力差の変化量は半分程度になり検出感度が低下する。第3の実施形態図8に、本発明の第3の実施形態に係る力学量測定装置又は、半導体装置、剥離検知装置100の平面図を示す。第3の実施形態に係る力学量測定装置又は、半導体装置、剥離検知装置100が、第1の実施形態に係る力学量測定装置又は、半導体装置、剥離検知装置100と異なっている点は、半導体基板1内において、第1不純物拡散抵抗3aと第3不純物拡散抵抗3bが、第2不純物拡散抵抗4aと第4不純物拡散抵抗4bより、内側に配置されている点である。これによれば、ピーク波形剥離検出過程において、まず、降下して、逆さのピークの後に、上昇する。そして、最初に現れる降下の傾きは緩やかで、次に現れる上昇の傾きは急になる。なお、図8において、第1不純物拡散抵抗3aと第2不純物拡散抵抗4aとの位置を入れ替え、第3不純物拡散抵抗3bと第4不純物拡散抵抗4bとの位置を入れ替えると、ピーク波形において、まず、上昇して、ピークの後に、降下する。そして、最初に現れる上昇の傾きは緩やかで、次に現れる降下の傾きは急にすることができる。これらによっても、センス出力差の大きな変化量に基づいて、剥離を高精度に検出することができる。第4の実施形態図9に、本発明の第4の実施形態に係る力学量測定装置又は、半導体装置、剥離検知装置100の平面図を示す。第4の実施形態に係る力学量測定装置又は、半導体装置、剥離検知装置100が、第1の実施形態に係る力学量測定装置又は、半導体装置、剥離検知装置100と異なっている点は、第2不純物拡散抵抗4aと第4不純物拡散抵抗4bとが互いに、対角線1aに対して線対称に配置されていない点である。このように配置されても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、同様に、第1不純物拡散抵抗3aと第3不純物拡散抵抗3bとが、それぞれ、対角線1aに対して線対称に配置されていなくても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。これらによれば、第1不純物拡散抵抗3aと第3不純物拡散抵抗3bと第2不純物拡散抵抗4aと第4不純物拡散抵抗4bのレイアウト上の自由度を向上させることができる。第5の実施形態図10に、本発明の第5の実施形態に係る力学量測定装置又は、半導体装置、剥離検知装置100の平面図を示す。第5の実施形態に係る力学量測定装置又は、半導体装置、剥離検知装置100が、第1の実施形態に係る力学量測定装置又は、半導体装置、剥離検知装置100と異なっている点は、不純物拡散抵抗3、4の導電型が、n型になっている点である。導電型がn型の不純物拡散抵抗3、4では、長手方向を、半導体基板1の結晶方位の<100>方向に一致させると、作用する力学量に対する電気抵抗の変化率を最も大きくできる、すなわち、いわゆる感度を最も高くできる。これに伴い、ホイートストンブリッジ22a、2bを、半導体基板1の四隅に配置するために、半導体基板1の表面の四角形の辺を、半導体基板1の結晶方位<110>に、略平行であるか略直角に交わるように設定している。これによっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、第1の実施形態等のように、導電型がp型の不純物拡散抵抗3、4では、長手方向を、半導体基板1の結晶方位の<110>方向に一致させると、作用する力学量に対する電気抵抗の変化率を最も大きくできる、すなわち、いわゆる感度を最も高くできる。そして、第1の実施形態等では、ホイートストンブリッジ22a、2bを、半導体基板1の四隅に配置するために、半導体基板1の表面の四角形の辺を、半導体基板1の結晶方位<100>に、略平行であるか略直角に交わるように設定している。第6の実施形態図11に、本発明の第6の実施形態に係る力学量測定装置又は、半導体装置、剥離検知装置100の平面図を示す。第6の実施形態に係る力学量測定装置又は、半導体装置、剥離検知装置100が、第5の実施形態に係る力学量測定装置又は、半導体装置、剥離検知装置100と異なっている点は、半導体基板1の表面の四角形の辺を、第1の実施形態等と同じように半導体基板1の結晶方位<100>に、略平行であるか略直角に交わるように設定している点である。これに伴い、ホイートストンブリッジ22a、2bを、半導体基板1の四隅ではなく、辺の中央付近に配置している。このような配置によっても、導電型がn型の不純物拡散抵抗3、4の長手方向を、半導体基板1の結晶方位の<100>方向に一致させることができ、不純物拡散抵抗3、4を高感度の状態で使用することができる。また、不純物拡散抵抗3の長手方向が、半導体基板1の表面の中心を中心とする円の径方向に直角に交わっているので、剥離の進行方向とは直角に交わり、第1の実施形態と同様に、ピーク波形剥離検知過程において、急峻な上昇波形を得ることができる。第7の実施形態図12に、本発明の第7の実施形態に係り、第1~第6の実施形態に記載した剥離検知装置又は、力学量測定装置、半導体装置100を搭載したモジュール101の斜視図を示す。モジュール101は、モジュール基板12を有している。モジュール基板12上には、半導体装置例えば、インバータチップ10と、半導体装置例えば、ダイオードチップ11と、力学量測定装置半導体装置、剥離検知装置100とが、貼り付けられている。この貼り付けは、半田等を含むような接着剤9によって貼り付けられるのであるが、詳細な一例としては、半田や金等の複数のバンプで、導電性を確保しつつ貼り付け、さらに、バンプ間を樹脂等の絶縁性のアンダーフィルで充填することでも貼り付け、複合的に貼り付けられている。半導体装置10が、例えば、インバータチップであれば、モジュール101は、インバータモジュールとして機能することになり、半導体装置10、11が搭載する素子又は回路によって、半導体装置10、11の機能だけでなく、モジュール101の機能が決定される。力学量測定装置半導体装置、剥離検知装置100は、モジュール基板12内の半導体装置10、11の近傍に貼り付けられている。半導体装置10、11は通電されて使用されるが、その通電によって、半導体装置10、11は発熱する。この発熱により、半導体装置10、11とモジュール基板12を貼り付ける半田等に大きな熱ひずみが生じ、半田等に剥離が発生進行する場合があると考えられる。この場合、最終的には断線故障等に至ることになる。半導体装置10、11で発生発熱した熱は、モジュール基板12を介しての伝導や、輻射により、力学量測定装置半導体装置、剥離検知装置100を加熱する。力学量測定装置半導体装置、剥離検知装置100とモジュール基板12を貼り付ける半田等に大きな熱ひずみが生じ、半田等に剥離が発生進行すると考えられる。この剥離を、力学量測定装置半導体装置、剥離検知装置100を用いて検知することで、同時に起きているであろう半導体装置10、11とモジュール基板12間の剥離を、間接的に検知することができる。また、剥離の進行速度等を算出することで、半導体装置10、11やモジュール101の故障の発生する時期を予測することができ、事前に、それらを取り換えることが可能となる。また、力学量測定装置半導体装置、剥離検知装置100を、モジュール基板12内で、最も高温になるところに貼り付けておいてもよい。この場合、放熱の状況によっては、半導体装置10、11より、力学量測定装置半導体装置、剥離検知装置100が高温になる場合があり、力学量測定装置半導体装置、剥離検知装置100を、半導体装置10、11より剥離が発生し進行しやすい状況におくことができる。力学量測定装置半導体装置、剥離検知装置100による剥離の検知の際に、半導体装置10、11やモジュール101を取り替えれば、使用中におけるそれらの断線故障等を発生させることはない。なお、力学量測定装置半導体装置、剥離検知装置100側に、半導体装置10、11と比べて、同時かより早く剥離を発生させ、同じかより速い進行速度で剥離を進行させるために、貼り付けに用いる半田等は、材料成分や厚さ等の貼り付け条件を、全く同等にする。また、力学量測定装置半導体装置、剥離検知装置100の厚さや表面形状も、半導体装置10、11と同等にしておくことが望ましい。