"リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、前記流体ハンドリング構造の外側の領域に液浸液を封じ込めるように構成された空間の境界に、使用時に、基板及び/又は前記基板を支持する基板テーブルの方へ誘導される第1の列内に配置された細長い開口又は複数の開口と、第2の列内の細長いアパーチャを有するガスナイフデバイスと、前記ガスナイフデバイスに隣接する細長い開口又は複数の開口と、を連続して有する流体ハンドリング構造。前記第1及び第2の列が、前記液浸液を封じ込めるように構成された前記空間を取り囲み、前記ガスナイフデバイスに隣接する前記細長い開口又は複数の開口が、前記ガスナイフデバイスの全長にわたって提供され、前記第1の列、前記第2の列と前記ガスナイフデバイスに隣接する前記細長い開口又は複数の開口との間のそれぞれの離間距離が、前記液浸液を封じ込めるように構成された前記空間の周辺のすべての場所で実質的に同じである、請求項1に記載の流体ハンドリング構造。前記ガスナイフデバイスに隣接する前記開口が、細長い開口である、請求項1又は2に記載の流体ハンドリング構造。前記ガスナイフデバイスに最も近い前記ガスナイフデバイスに隣接する開口の縁部が、前記第1と第2の列に挟まれ、前記ガスナイフデバイスに隣接する開口の先にある前記流体ハンドリング構造の表面に対して斜めの角度αに提供され、そのためガスナイフに隣接する前記開口の幅が前記表面からの距離に応じて減少する、請求項3に記載の流体ハンドリング構造。前記ガスナイフデバイスに隣接する前記開口が、多孔質材料で覆われた、請求項1から4のいずれか1項に記載の流体ハンドリング構造。前記第1の列内の前記細長い開口又は複数の開口及び前記ガスナイフデバイスに隣接する前記細長い開口又は複数の開口が前記流体ハンドリング構造へのガス及び/又は液体の通路の入口である、請求項1から5のいずれか1項に記載の流体ハンドリング構造。前記第1の列内の前記細長い開口又は複数の開口が、使用時に負圧源に接続され、前記ガスナイフデバイスに隣接する前記細長い開口又は複数の開口が、使用時に負圧源に接続される、請求項1から6のいずれか1項に記載の流体ハンドリング構造。前記第1の列内の前記細長い開口又は複数の開口に接続された前記負圧源及び/又は前記ガスナイフデバイスに隣接する前記細長い開口又は複数の開口に接続された負圧源に接続された、又は接続可能なコントローラをさらに備え、前記コントローラが、前記第1の列内の前記細長い開口又は複数の開口及び/又は前記ガスナイフデバイスに隣接する前記細長い開口又は複数の開口を通過するガスの流量が、使用時に、前記第2の列内の細長いアパーチャを有する前記ガスナイフデバイスからのガスのフローが前記第1及び第2の列の間の前記流体ハンドリング構造の表面に実質的に垂直になる程度の量である、請求項7に記載の流体ハンドリング構造。前記第2の列内の細長いアパーチャを有する前記ガスナイフデバイスに隣接する前記細長い開口又は複数の開口の先に、前記流体ハンドリング構造が境界において、第3の列内の細長い開口又は複数の開口と、第4の列内の細長いアパーチャを有する第2のガスナイフデバイスと、をさらに連続して有し、前記第1から第4の列が、前記液浸液を封じ込めるように構成された前記空間を連続して取り囲み、それぞれの列の間の離間距離が、前記液浸液を封じ込めるように構成された前記空間の周辺のすべての場所で実質的に同じである、請求項1から8のいずれか1項に記載の流体ハンドリング構造。前記第3の列内の前記細長い開口又は複数の開口が、使用時に負圧源に接続され、前記流体ハンドリング構造が、前記負圧源に接続された、又は接続可能なコントローラをさらに備え、前記第3の列内の前記細長い開口又は複数の開口を通過するガスの流量が、前記第4の列内のアパーチャから流出してガスナイフを形成するガスの流量以上になるように、前記コントローラが負圧源を制御する、請求項9に記載の流体ハンドリング構造。前記第2及び第4の列内のアパーチャが、使用時にガス供給装置に接続され、前記流体ハンドリング構造が、前記ガス供給装置に接続された、又は接続可能なコントローラをさらに備え、前記第4の列内のアパーチャから流出して前記ガスナイフを形成するガスの流量が、前記第2の列内のアパーチャから流出して前記ガスナイフを形成するガスの流量よりも大きくなるように、前記コントローラが前記ガス供給装置を制御する、請求項9又は10に記載の流体ハンドリング構造。リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、前記流体ハンドリング構造の外側の領域に使用時に液浸液が閉じ込められる空間の境界において、流体を抽出し、使用時に、例えば、基板及び/又は前記基板を支持するように構成された基板テーブルの対向面の方へ誘導される第1の列内に配置された細長い開口又は複数の開口と、第2の列内のガスナイフの細長いアパーチャと、液体を抽出し、前記ガスナイフの細長いアパーチャに隣接して形成された細長い開口又は複数の開口と、を連続して有する流体ハンドリング構造。前記第1の列内の前記細長い開口又は複数の開口が、前記液浸液のメニスカスを前記空間内にピン止めするためのものである、請求項12に記載の流体ハンドリング構造。前記請求項のいずれか1項に記載の流体ハンドリング構造を備えるリソグラフィ装置。投影システムの最終要素と基板及び/又は前記基板を支持する基板テーブルとの間の空間に液浸液を提供するステップと、前記投影システムの最終要素と前記基板及び/又は基板テーブルとの間から第1の列に配置された細長い開口又は複数の開口を通して液浸液を取り出すステップと、第2の列内のアパーチャを通してガスナイフを形成するガスを供給することで前記第1の列内の前記細長い開口又は複数の開口へ向けて液浸液を押し出すステップと、前記ガスナイフに隣接し、前記第1の列内の前記細長い開口又は複数の開口と逆の前記ガスナイフの側にある細長い開口又は複数の開口を通してガス及び残留液浸液を抽出するステップと、を含むデバイス製造方法。0029図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、-放射ビームB例えばUV放射又はDUV放射を調節するように構成された照明システムイルミネータILと、-パターニングデバイス例えばマスクMAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造例えばマスクテーブルMTと、-基板例えばレジストコートウェーハWを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Wを正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTと、-パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば1つ又は複数のダイを含むに投影するように構成された投影システム例えば屈折投影レンズシステムPSとを含む。0030照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。0031支持構造MTはパターニングデバイスを保持する。支持構造MTは、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、及び他の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書においてレチクル又はマスクという用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語であるパターニングデバイスと同義と見なすことができる。0032本明細書において使用するパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。0033パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。0034本明細書において使用する投影システムという用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において投影レンズという用語を使用した場合、これはさらに一般的な投影システムという用語と同義と見なすことができる。0035本明細書で示すように、本装置は透過タイプである例えば透過マスクを使用する。あるいは、装置は反射タイプでもよい例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する。0036リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ又はそれ以上の基板テーブル及び/又は2つ以上のパターニングデバイステーブルを有するタイプでよい。このようなマルチステージ機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、1つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に1つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。0037図1を参照すると、イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源SOがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び/又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムBDの助けにより、放射源SOからイルミネータILへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源SO及びイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDとともに放射システムと呼ぶことができる。0038イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタADを備えていてもよい。通常、少なくともイルミネータの瞳面における強度分布の外側及び/又は内側半径範囲一般にそれぞれ、σouter及びσinnerと呼ばれるを調節することができる。また、イルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータILを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。0039放射ビームBは、支持構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されたパターニングデバイス例えば、マスクMAに入射し、パターニングデバイスMAによってパターニングされる。パターニングデバイスMAを横断した放射ビームBは、投影システムPSを通過し、投影システムPSは、ビームを基板Wのターゲット部分C上に合焦させる。第2のポジショナPWと位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサの助けを借りて、基板テーブルWTは、例えば、様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第1のポジショナPMと別の位置センサ図1には明示されていないを用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームBの経路に対してパターニングデバイスMAを正確に位置決めできる。一般に、支持構造MTの移動は、第1のポジショナPMの部分を形成するロングストロークモジュール粗動位置決め及びショートストロークモジュール微動位置決めの助けにより実現できる。同様に、基板テーブルWTの移動は、第2のポジショナPWの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合スキャナとは対照的に、支持構造MTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスMA及び基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分Cの間の空間に位置してもよいスクライブレーンアライメントマークとして周知である。同様に、パターニングデバイスMA上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。0040図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも1つにて使用可能である。1.ステップモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影されるすなわち単一静的露光。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。2.スキャンモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影されるすなわち単一動的露光。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大縮小及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Cの非スキャン方向における幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Cのスキャン方向における高さが決まる。3.別のモードでは、支持構造MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。0041上述した使用モードの組合せ及び/又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。0042投影システムPSの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は、3つの一般的なカテゴリに分類できる。これらは、浴槽タイプの構成と、いわゆる局所液浸システムと、オールウェット液浸システムである。浴槽タイプの構成では、実質的に基板Wの全体と、任意選択で基板テーブルWTの一部が液体の浴槽に浸される。0043局所液浸システムは、液体が基板の局所区域のみに提供される液体供給システムを使用する。液体によって充填された空間は基板の上面よりも平面視で小さい。液体が充填した容積又は空間は、基板Wがその区域の下を移動する間、投影システムPSに対して実質的に静止している。図2~図5は、そのようなシステムで使用することができる様々な供給デバイスを示す。0044オールウェット構成では、液体は閉じ込められない。基板上面の全体と基板テーブルの全部又は一部が液浸液に覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜などの膜であってもよい。液浸液は、投影システムと投影システムに対向する対向面そのような対向面は基板及び/又は基板テーブルの表面であってもよいの領域に、又はその領域内に供給することができる。下記の図2~図5の液体供給デバイスのいずれもそのようなシステムで使用することができる。しかし、封止特徴部は存在せず、活性化されず、通常より有効でなく、又はその他の点で液体を局所領域にのみ封止する効果がない。0045図2~図5には、4つの異なるタイプの局所液体供給システムが示されている。図2及び図3に示すように、液体は、矢印により示したように、少なくとも1つの入口によって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給される。液体は、矢印により示したように、投影システムの下を通過した後に少なくとも1つの出口によって除去される。基板が要素の下で-X方向にスキャンされるにつれて、液体は要素のX側で供給され、-X側で取り上げられる。図2は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示す。矢印は、液体のフローの方向を示す。図2では、液体は、最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給されるが、必ずしもそうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な向き及び数が可能であり、一例が図3に示され、ここでは、矢印により示したように、両側に出口を有する4組の入口が、最終要素の周囲に規則的パターンで提供される。0046局所液体供給システムを備える液浸リソグラフィのさらなる解決法が、図4に示されている。液体が、投影システムPSのいずれかの側にある2つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の別個の出口によって除去される。入口は、投影される投影ビームが通る穴が中心にあるプレートに配置することができる。液体は、投影システムPSの一方側にある1つの溝入口によって供給され、投影システムPSの他方側にある複数の別個の出口によって除去されて、投影システムPSと基板Wの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。入口と複数の出口のどの組合せを使用するかの選択は、基板Wの動作方向によって決定することができる入口と複数の出口の他の組合せは動作しない。流体のフローの方向と基板Wの方向は図4に矢印で示されていることに留意されたい。0047提案されている別の構成は、液体供給システムに液体閉じ込め構造を提供する構成である。液体閉じ込め構造は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。そのような構成を図5に示す。矢印はフローの方向を示す。0048図5は、投影システムPSの最終要素と対向面例えば、基板テーブルWT又は基板Wとの間の空間11の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め構造12を備えた局所液体供給システム又は流体ハンドリング構造を概略的に示す。以下の説明で、基板Wの表面という表現は、明示的に断りのない限り、追加的に又は代替的に、基板テーブルWTの表面も意味することに留意されたい。別のオブジェクト、例えば、投影システムに対する基板の移動という場合、明示的に断りのない限り、同じオブジェクトに対する基板テーブルの移動を意味する場合を含む。液体閉じ込め構造12は、投影システムPSに対してXY平面で実質的に静止しているが、Z方向光軸方向には相対的に多少動くことができる。ある実施形態では、液体閉じ込め構造12と基板Wの表面との間には封止が形成される。封止は、ガスシールガスシールを備えたそのようなシステムは、米国特許出願公開US2004-0207824号に開示されている又は流体シールなどの非接触封止でよい。0049液体閉じ込め構造12は、投影システムPSの最終要素と基板Wとの間の空間11内に少なくとも部分的に液体を封じ込める。液体が基板Wの表面と投影システムPSの最終要素との間の空間11内に閉じ込められるように、基板Wへのガスシール16などの非接触封止を投影システムPSのイメージフィールドの周囲に形成することができる。空間11は、投影システムPSの最終要素の下に位置し、それを取り囲む液体閉じ込め構造12によって少なくとも部分的に形成される。液体は、投影システムPSの下の空間11、及び液体入口13によって液体閉じ込め構造12内に流し込まれる。液体は、液体出口13によって除去することができる。液体閉じ込め構造12は、投影システムPSの最終要素から上に少し延在することができる。液体のバッファが提供されるように、液面は最終要素より上に上昇する。ある実施形態では、液体閉じ込め構造12は、上端で、投影システムPS又はその最終要素の形状にぴったりと一致する、例えば円形又は他の任意の好適な形状の内周を有する。底部で、内周は、イメージフィールドの形状、例えば矩形にぴったりと一致するが、これはそうでなくてもよい。0050液体は、使用時に、液体閉じ込め構造12の底部と基板Wの表面との間に形成されるガスシール16によって空間11内に封じ込められる。ガスシール16は、ガス、例えば、空気又は合成空気によって形成されるが、ある実施形態では、N2又はその他の不活性ガスによって形成される。ガスシール16内のガスは、入口15を介して液体閉じ込め構造12と基板Wとの間のギャップに加圧下で提供される。ガスは、出口14を介して抽出される。内側に液体を閉じ込める高速のガスのフローが存在するように、ガス入口15上の過圧、出口14上の真空レベル及びギャップの幾何構造が配置されている。液体閉じ込め構造12と基板Wとの間の液体上のガスの力で、液体は空間11内に封じ込められる。入口/出口は、空間11を取り囲む環状の溝であってもよい。環状の溝は、連続的であっても又は不連続的であってもよい。ガスのフローは、液体を空間11内に封じ込める効果がある。そのようなシステムは、参照により全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開US2004-0207824号に開示されている。別の実施形態では、液体閉じ込め構造12はガスシールを有さない。0051本発明のある実施形態は、メニスカスがある地点を超えて進むことを実質的に防止する流体ハンドリング構造で使用する特定のタイプの抽出器に関する。すなわち、本発明のある実施形態は、例えば液体メニスカスの形の液体の縁部を投影システムの最終要素と基板及び/又は基板テーブルとの間の空間11内の実質的に所定位置にピン止めするメニスカスピニングデバイスに関する。メニスカスピニング構成は、例えば、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開第2008/0212046号に記載されたいわゆる気体抵抗抽出器原理に依拠する。そのシステムでは、抽出器の孔を角が付いた形状に配置することができる。それぞれの角は、投影システムと基板及び/又は基板テーブルとの間の相対運動の方向、例えば、ステップ及びスキャン方向に整列している。これは、2つの出口が相対運動の方向に垂直に整列している場合と比較して相対運動の方向に所与の速度で2つの出口の間のメニスカスにかかる力が低減する助けとなる。しかし、本発明のある実施形態は、平面視で任意の形状を有する流体ハンドリング構造又は任意の形状に配置された抽出開口などのコンポーネントを有する流体ハンドリング構造に適用することができる。そのような形状は、非限定的に列挙すると、楕円形円形など、直線形例えば正方形などの矩形、又は菱形などの平行四辺形あるいは4つより多い角を有する角のある形例えば4つ以上の尖った先がある星印を含んでいてもよい。0052本発明のある実施形態が関連するUS2008/0212046号のシステムの変形形態では、開口が配置された角がある形状の幾何学構造によって、鋭角の角約60°~90°の範囲、望ましくは75°~90°の範囲、最も望ましくは75°~85°の範囲から選択したが存在し、それぞれの角が相対運動の両方の好ましい方向、例えば、スキャン及びステップ方向に整列する。これによって、各々の整列した角の方向の速度が増大する。これは、スキャン方向の不安定なメニスカスのために液滴の形成が低減されるためである。角がスキャン及びステップ方向の両方に整列する場合、それらの方向で増加した速度が達成できる。望ましくは、スキャン及びステップ方向の移動の速度は実質的に等しい。0053図6は、本発明のある実施形態で使用する流体ハンドリング構造の一部のメニスカスピニングフィーチャの概略平面図を示す。例えば図5のメニスカスピニング構成14、15、16に取って代わることができるメニスカスピニングデバイスのフィーチャが示されている。図6のメニスカスピニングデバイスは、第1の列又はピニング列に配置された複数の離散的な開口50を含む。これらの開口50の各々は円形として示されているが、これはそうでなくてもよい。実際、開口50のうちの1つ以上は、円形、正方形、矩形、楕円形、三角形、細長いスリットなどのうちの1つ以上であってもよい。各々の開口は、平面視で、0.2mmより大きい長さ寸法すなわち、1つの開口から隣接する開口への方向の、望ましくは0.5mm又は1mmより大きい、ある実施形態では、0.1mm~10mmの範囲から選択された、ある実施形態では、0.25mm~2mmの範囲から選択された長さ寸法を有する。ある実施形態では、長さ寸法は、0.2mm~0.5mmの範囲から選択され、望ましくは0.2mm~0.3mmの範囲から選択される。ある実施形態では、各開口の幅は、0.1mm~2mmの範囲から選択される。ある実施形態では、各開口の幅は、0.2mm~1mmの範囲から選択される。ある実施形態では、各開口の幅は、0.35mm~0.75mmの範囲から選択され、望ましくは約0.5mmである。0054図6のメニスカスピニングデバイスの開口50の各々は、別々の負圧源に接続されていてもよい。代替的に又は追加的に、複数の開口50の各々は、それ自体が加圧下に保持された共通のチャンバ又はマニホールド環状であってもよいに接続されていてもよい。こうして、各々の又は複数の開口50での均一な加圧が達成できる。開口50は真空源に接続されていてもよく、及び/又は流体ハンドリング構造又はシステム又は閉じ込め構造、バリア部材もしくは液体供給システムを取り囲む雰囲気の圧力を増大させて所望の圧力差を生成してもよい。0055図6の実施形態では、開口は流体抽出開口である。開口50は、ガス及び/又は液体を流体ハンドリング構造内に通過させる入口である。すなわち、開口は空間11の出口と考えてもよい。これを以下に詳述する。0056開口50は、流体ハンドリング構造12の表面に形成されている。その表面は、使用時に基板及び/又は基板テーブルに対向する。一実施形態では、開口は、流体ハンドリング構造の平坦な面にある。別の実施形態では、基板に対向する流体ハンドリング構造の表面に隆起があってもよい。ある実施形態では、開口は隆起にあってもよい。ある実施形態では、開口50は、針又は管によって画定されていてもよい。針、例えば、隣接する針のいくつかの本体を結合してもよい。針を結合して単一の本体を形成することができる。単一の本体は、角がある形状をしていてもよい。0057図7から分かるように、開口50は、例えば管又は細長い通路55の端部であってもよい。望ましくは、開口は、使用時に開口が基板Wに対向するように配置される。開口50の縁すなわち、表面の出口は、基板Wの上面に実質的に平行である。使用時に、開口は、基板W及び/又は基板を支持するように構成された基板テーブルWTの方を向いている。これを考える別の方法は、開口50が接続された通路55の長軸が基板Wの上面に実質的に垂直である垂直から/-45°以内、望ましくは35°、25°又は15°以内ということである。0058各開口50は、液体とガスとの混合物を抽出するように設計されている。液体は空間11から抽出されるが、ガスは液体への開口50の反対側の雰囲気から抽出される。これによって、矢印100で示すガスフローが生成され、このガスフローは、図6に示すように、開口50の間の実質的に所定位置にメニスカス90をピン止めする効果がある。ガスフローは、運動量ブロック、ガスフローに誘発された圧力勾配及び/又は液体上のガスフローの抵抗せん断力によって閉じ込められた液体を維持するのに役立つ。0059開口50は、流体ハンドリング構造が液体を供給する空間を取り囲む。すなわち、開口50は、基板及び/又は基板テーブルに対向する流体ハンドリング構造の表面の周囲に分散していてもよい。開口は、その空間の周囲に実質的に連続的に離間していてもよいある実施形態では、隣接する開口のいくつかの間の間隔は同じでよいが、隣接する開口50の間の間隔は異なっていてもよい。ある実施形態では、液体は角があってもよい形状の周囲に沿って抽出されてもよい。液体は、実質的に形状に突き当たる地点で抽出される。これは、開口50が形状内の空間の周囲に沿って形成されているために達成される。こうして、液体を空間11内に閉じ込めることができる。動作中に、開口50によってメニスカスをピン止めできる。0060図6から分かるように、開口50は、平面視で、角がある形状すなわち、角52がある形状を形成するように配置してもよい。図6の例では、形状は、湾曲した縁部又は辺54を備えた菱形例えば、正方形のような四辺形である。縁部54は、負の半径を有していてもよい。縁部54は、角がある形状の中心に向かって、例えば、角52から離れた縁部54の一部に沿って湾曲していてもよい。しかし、相対運動の方向に対する縁部54のすべての地点の角度の平均値を湾曲のない直線で表される平均角度線と呼んでもよい。0061形状の主軸110、120は、投影システムの下の基板Wの主移動方向に整列していてもよい。これによって、開口50が移動方向が円形などの形状の軸に整列していない形状に配置された場合と比較して最大スキャン速度が確実に高速になる。これは、主軸が相対運動の方向に整列している場合に2つの開口50の間のメニスカスにかかる力が低減するためである。例えば、低減は、cosθ倍であってもよい。θは、基板Wが動いている方向に対して2つの開口50を結ぶ線がなす角度である。0062正方形の形状を使用することでステップ及びスキャン方向の移動が実質的に等しい最大速度で実行される。これは、形状の角52の各々をスキャン及びステップ方向110、120に整列させることで達成することができる。一方の方向、例えば、スキャン方向の移動は、他方の方向、例えば、ステップ方向の移動よりも高速であることが好ましい。したがって、形状は菱形であってもよい。そのような構成では、菱形の主軸は、スキャン方向に整列していてもよい。菱形の形状では、角の各々は鋭角であってもよいが、例えば、ステップ方向の相対運動方向に対して菱形の2つの隣接する辺又は縁部の平均角度線がなす角度は、鈍角、すなわち、90°より大きくてもよい例えば、90°~120°の範囲から選択した、ある実施形態では90°~105°の範囲から選択した、ある実施形態では85°~105°の範囲から選択した角度であってもよい。0063開口50の形状の主軸を基板の主移動方向普通はスキャン方向に整列させ、別の軸を基板の他方の主移動方向普通はステップ方向に整列させることでスループットを最適化することができる。θが90°と異なるいかなる構成も少なくとも1つの移動方向に利点となることが理解されよう。したがって、主移動方向との主軸の正確な整列は重要でない。0064負の半径を備えた縁部を提供する利点は角をより鋭利にできるという点である。75°~85°の範囲から選択した角度又はそれよりも小さい角度が、スキャン方向に整列した角52とステップ方向に整列した角52の両方について達成可能である。このフィーチャがなかったら、両方の方向に整列した角52が同じ角度を有するために、それらの角度は90°を有さなければならないであろう。角に90°未満の角度を与えたい場合、相対運動方向に整列した90°未満の角を選択しなければならないであろう。その他の角は90°より大きい角度を有するであろう。0065開口は星形に配置してもよい。星型のある実施形態では、縁部は湾曲する代わりに直線的である。縁部はある地点、例えば、2つの角52の間の直線の半径方向内向きの中間の角で接合していてもよい。この構成は、開口を結ぶ線によって画定された2つの隣接する角52の間の縁部が滑らかである構成と同程度に高い相対速度でメニスカスをピン止めすることができない場合がある。開口50によって画定されたそのような線は角がある形状を画定することができ、連続的であり、連続して変化する方向を有している。星形の実施形態では、形状の辺に沿った中間の角はメニスカスをピン止めできる。角が鋭利になるほど、メニスカスをピン止めする力は角に集中する。鋭利な角では、ピニング力は形状の縁部の短い長さに集中する。鋭い角、例えば、より大きい曲率半径を備えた角よりも滑らかな曲線を備えた角はより長い長さを有し、角の長い曲線に沿って、すなわち、角の周囲にピニング力を分散させる。したがって、基板と流体ハンドリング構造との間のある相対速度で、両方の角に加わる有効メニスカスピニング力は同じである。しかし、縁部の画定された長さでは、鋭い角の有効ピニング力は滑らかに湾曲する角よりも大きい。鋭い角にピン止めされたメニスカスは、基板と流体ハンドリング構造との間の相対速度が小さい場合に、滑らかに湾曲する角によってピン止めされたメニスカスよりも不安定である。0066図7は、開口50が流体ハンドリング構造の下面51に提供されていることを示す。しかし、これはそうでなくてもよく、開口50は流体ハンドリング構造の下面の突起に設けてもよい。矢印100は、流体ハンドリング構造の外部から開口50に関連する通路55へのガスのフローを示す。矢印150は、空間から開口50への液体の通過を示す。通路55と開口50とは、望ましくは2相抽出すなわち、ガスと液体が環状フローモードで実行されるように設計されることが望ましい。環状ガスフローでは、ガスは実質的に通路55の中心を通過してもよく、液体は実質的に通路55の壁面に沿って通過してもよい。その結果、脈動の発生が抑えられた滑らかなフローが得られる。0067開口50の半径方向内向きのメニスカスピニングフィーチャはなくてもよい。メニスカスは、開口50へのガスフローによって誘発された抵抗力によって開口50の間にピン止めされる。約15m/s、望ましくは20m/sより大きい気体抵抗速度で十分である。基板からの液体の蒸発量を低減して、液体のはねと熱膨張/収縮効果の両方を低減することができる。0068複数の離散的な針各々が開口50と通路55とを含んでいてもよい、例えば、各々が1mmの直径を備え3.9mmだけ離間した少なくとも36本の針で有効にメニスカスをピン止めできる。ある実施形態では、112の開口50が存在する。開口50は、一辺の長さが0.5mm、0.3mm、0.2mm又は0.1mmの正方形であってもよい。0069流体ハンドリング構造の底面のその他の幾何学構造も可能である。例えば、米国特許出願公開US2004-0207824号に開示された構造のいずれかを本発明のある実施形態で使用することができる。0070図6から分かるように、開口50の外側に細長いアパーチャ61スリット状であってもよいが提供される。細長いアパーチャ61は、第1の列に配置された開口50よりも液浸流体を含む空間から遠くにあってもよい。アパーチャ61は、開口50が配置された第1の列に実質的に平行であってもよい。細長いアパーチャは、第2の列又はナイフ列を形成してもよい。第2の列は、開口50によって形成された形状の周囲を取り囲んでいてもよい。ある実施形態では、細長いアパーチャは、連続的で第1の列によって形成された形状を完全に取り囲んでいてもよい。使用時に、アパーチャ61は正圧源に接続される。アパーチャ61から流出するガスは、開口50によって形成されたメニスカスピニングシステムを取り囲むガスナイフ60を形成してもよい。このガスナイフの機能を以下に説明する。ある実施形態では、細長いアパーチャは、形状の一辺54に沿って複数の離散的なアパーチャ細長くてもよいを含む。複数のアパーチャは、直列に配置されていてもよい。0071ある構成では、液体ハンドリングデバイスは上記の通りであるが、ガスナイフ60を含まない。そのような構成では、基板テーブルWTが移動して、そのため液浸液のメニスカスが親液性の領域、すなわち、比較的疎液性が小さいすなわち、基板又は基板テーブルの表面の他の部分よりも液浸液に対して小さい接触角を有する領域を横断すると、液浸液は疎液性が小さい領域上に膜となって拡散する場合がある。水がある場合、疎液性とは疎水性を指し、親液性があるとは親水性があるという意味である。0072膜の形成は、液体メニスカスと基板又は基板テーブルとの相対運動の速度スキャン速度が臨界速度よりも大きいか否かによって変わる。開口50によってピン止めされたメニスカスに関して、臨界速度は、流体ハンドリング構造12とその上部でメニスカスがもはや安定していない基板及び/又は基板テーブルに対向する表面との間の相対速度である。臨界速度は、対向面の特性によって変わる。一般に対向面の接触角が大きいほど、臨界速度は大きい。膜の形成が開始すると、基板が移動したとしても膜は成長を続け、メニスカスは、より大きい接触角で区域を覆う。接触角がより大きいそのような区域では、臨界速度はより大きい。基板がメニスカスが以前に接触していた区域の臨界速度ですなわち、より小さい接触角で移動する場合、スキャン速度は現在の臨界スキャン速度より小さくてもよい。0073短い遅延後のいくつかの例では、膜は望ましくない大きい液滴に分解する。場合によっては、基板テーブルのその後の移動によって液滴はメニスカスと衝突し、それによって液浸液内に泡が生成されることがある。比較的小さい疎液性例えば、水がある場合には疎水性を有する領域は、基板の縁部、基板テーブル上の除去可能なフィーチャ例えば、ステッカーなどの接着性板状部材、位置決めフィーチャ例えば、エンコーダ格子又はアライメントマーク及び/又はセンサ例えば、ドーズセンサ、画像センサ又はスポットセンサを含んでいてもよい。ある実施形態では、コーティング又は表面処理の段階的変化によって比較的小さい疎液性例えば、水がある場合には疎水性を有する領域が形成される場合がある。コーティング又は表面処理を提供してそれが提供される表面の疎液性例えば、水がある場合には疎水性を増大させることができる。0074ある実施形態では、ガスナイフ60は、基板又は基板テーブル上に残されたあらゆる液膜の厚さを低減する機能を果たしてもよい。膜の厚さを低減することで膜が液滴に分解する可能性が低減する。追加的に又は代替的に、ガスナイフ60からのガスフローは、液体を開口50へ向けて駆動し、抽出することができる。0075ある実施形態では、ガスナイフ60は膜の形成を低減する作用をする。これを達成するために、ガスナイフアパーチャ61の中心線とメニスカスピニング開口50との間の距離が1.5mm~4mm、望ましくは2mm~3mmの範囲から選択されることが望ましい。ある実施形態では、ガスナイフアパーチャ61は複数のアパーチャ61を有する。アパーチャ61が配置された第2の列は一般に開口50が形成された第1の列に続くため、隣接するアパーチャ61と開口50との間の距離は上記範囲内である。第2の列は開口50の列に平行であってもよいが、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする2009年9月3日出願の米国特許出願US61/239,555号に記載されるように、これはそうでなくてもよい。0076隣接するアパーチャ61第2の列に沿って複数のアパーチャが存在すると隣接する開口50との間に一定の離間距離を維持することが望ましい。ある実施形態では、アパーチャ61と開口50の中心線の全長にわたってこれが実施されることが望ましい。ある実施形態では、一定の離間距離は、流体ハンドリングデバイスの1つ又は複数の角の領域内にあってもよい。0077図6及び図7に関連して上述したような構成では、液浸液の液滴は、例えば、空間に対向する表面内の段差の空間の下の相対運動中に液浸液が閉じ込められる空間から漏れることがある。これは、例えば、基板の縁部と基板を支持する基板テーブルの凹部の縁部との間のギャップで、又はセンサの表面で発生することがある。液滴の漏れは、特に、流体ハンドリング構造と対向面との相対速度、例えば、スキャン速度が臨界速度よりも大きい時に発生することがある。そのような相対速度は、より大きいスキャン速度又はスループットが必要な時に必要になることがある。そのような臨界速度は、対向面の少なくとも1つの特性に依存していてもよい。0078空間11内の液浸液からの漏出時に、流体ハンドリング構造と対向面基板又は基板を支持する基板テーブルなどのとの間の液浸液のメニスカスから液滴が分離する。メニスカスは、上記のように2相流体流で液体とガスとを抽出可能な流体抽出開口によって流体ハンドリング構造にピン止めすることができる。液滴は、対向面の移動に対して液浸空間の立下り側から漏出し得る。0079流体ハンドリング構造に対して対向面と共に移動する際、液滴は液滴を液体抽出器に押し戻すガスナイフに遭遇することがある。しかし、液滴は、ガスナイフによってメニスカスからさらに遠ざかることを阻止される状況が発生することもある。そのような液滴は、ガスナイフを越えて先へ移動することがある。ある実施形態では、液滴は、流体ハンドリング構造のコンポーネントの影響を受けない。別の実施形態では、液滴は、液滴を抽出し、及び/又は液滴をメニスカスから遠ざけないようにする別の抽出器及びガスナイフに遭遇する。0080対向面の平面内のスキャン又はステップ方向の流体ハンドリング構造と対向面との間の相対運動がその後変化すると、そのような液滴は、流体ハンドリング構造に対して液体メニスカスの方へ戻ることができる。液滴は、メニスカスからの漏出時に最初に通過したガスナイフによって少なくとも部分的に阻止できる。液滴は、メニスカスへ向けてガスナイフを通過できる大きさであってもよい。液滴は、空間内に閉じ込められた液浸液の縁部又は境界に又は少なくともその付近に提供された抽出開口を通して抽出によって抽出できる。しかし、そのような液滴が完全に抽出されないと、液滴は空間内に閉じ込められた液体のメニスカスと衝突して泡を形成することがある。0081場合によって液滴は、メニスカスへ向けてガスナイフを通過するのに十分な大きさがなく、及び/又は相対速度が不十分である。液滴は、サイズが小さい1つ又は複数の液滴と融合してガスナイフの前により大きい液滴を形成することがある。この場合、ガスナイフは、液浸液がオーバロードして融合した液滴の通過を可能にすることがある。そのような液滴は、流体ハンドリング構造に対してメニスカスへ向けて移動し、これと衝突する可能性があり、1つ又は複数の泡を形成する可能性がある。0082ある実施形態では、スキャン方向の変化中にガスナイフを通過してメニスカスへ向かう液滴の量とサイズの大幅な縮小が、例えば図7と同様であるが、抽出装置300が追加された図8に示すように、ガスナイフの極めて近くに別の抽出装置300を追加することで達成可能である。抽出装置は、液浸液11から離れたガスナイフ61の開口に隣接していてもよい。本明細書で説明する図7に示す構成の変形形態も図8に示す実施形態に適用できることは理解されるであろう。0083別の抽出装置は、ガスナイフの飽和又は破壊を防止できる。したがって、ガスナイフは、液滴がメニスカスに到達するのを阻止する効力すなわち、所望の液滴阻止力を保つことができる。例えば、別の抽出装置は、スキャン方向が変化した時にガスナイフが収集する又は運搬する液浸液を除去することができる。抽出される液浸液の量はきわめて少ないが、ガスナイフのオーバロードを防止するには十分である。この状況では、ガスナイフは、液浸液を運搬するか収集された液浸液を押し出さなければならない。そのためには、ガスナイフのフローは、液浸液を封じ込める空間の縁部の抽出装置を通過するフローよりも大きい必要がある。別の抽出装置300を提供することでこの状況が防止され、ガスナイフのフローは大きい必要はなくなる。0084別の抽出装置300は、液浸液を封じ込める空間の縁部の抽出装置と連携して使用されるガスナイフデバイスに隣接する細長い開口302又は複数の開口によって提供できる。例えば、別の抽出装置の1つ又は複数の開口302は、ガスナイフ60の細長いアパーチャ61に隣接していてもよい。抽出に使用される開口の2本の列とガスナイフの列との間の離間距離は、液浸液を封じ込める空間の周辺のすべての場所で実質的に同じであってもよい。0085図9に示すように、ガスナイフデバイス60に最も近いガスナイフデバイスに隣接する別の抽出装置300の開口302の縁部301を第1と第2の列に挟まれ、ガスナイフデバイスに隣接する開口の先にある流体ハンドリング構造12の表面51に対して斜めの角度αに提供してもよい。この構成では、ガスナイフに隣接する開口の幅は、表面からの距離が増すにつれて減少する。0086ある実施形態では、流体ハンドリング構造12の表面51に対する開口302の縁部301の角度αは、10°~60°の範囲、又は10°~45°の範囲から選択され、あるいは望ましくは20°である。別の抽出装置300の開口302の角度が付いた縁部301の提供は、それによって開口302の縁部をガスナイフデバイス60のアパーチャ61の縁部に可能な限り近づけることができるため有益である。しかし、同時に、確実に別の抽出装置300を提供するチャネルからアパーチャ61を隔てる壁303の厚さが追加の製造上の問題を引き起こすほど薄くないようにしてもよい。0087ガスナイフデバイス60の細長いアパーチャ61の最も近い縁部と追加の抽出装置300の、すなわち、ガスナイフデバイス60に隣接する細長い開口又は複数の開口301との間の離間距離は、0.25mm~0.75mmの範囲から選択でき、望ましくは0.5mmであってもよい。一般に、追加の抽出装置300の1つ又は複数の開口は、ガスナイフデバイス60のアパーチャ61に可能な限り近くてもよい。これによってガスナイフに隣接する小液滴の融合によって形成できる液滴のサイズが最小化できる。次いで、これによってガスナイフ60を通過できる液滴のサイズが低減でき、液滴がメニスカスと衝突した時に泡が液浸液内に形成される可能性が低減される。しかし、上記のように、離間距離を低減したいという欲求は、ガスナイフデバイス60のアパーチャ61から別の抽出装置300の開口を隔てる壁303が薄すぎる場合に、流体ハンドリング構造12を製造する工程に導入される可能性がある困難さと釣り合いをとらなければならない。0088別の抽出装置300の開口302の幅は、例えば、30μm~200μm、又は100μm~150μmの範囲から選択してもよい。0089図7及び図8に示す実施形態では、第2の列内のアパーチャ61を通過してガスナイフ60を形成するガスの流量を制御するコントローラ63が提供される。ある実施形態では、コントローラ63は、第1の列内の開口50を通過するガスの流量を制御できる。コントローラ63は、また、正圧源64例えば、ポンプ及び/又は負圧源65例えば、ポンプ、できれば正圧を提供するものと同じポンプを制御できる。コントローラ63は、所望の流量を達成するために1つ又は複数の好適なフロー制御弁に接続されていてもよい。コントローラは、抽出されたフローの流量を測定する1つ又は複数の開口50に関連付けられた1つ又は複数の2相流量計、又は供給されたガスの流量を測定するアパーチャ61に関連付けられた流量計、あるいはその両方に接続されていてもよい。2相流量計の好適な構成は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする、2009年6月30出願の米国特許出願US61/213,657号に記載されている。0090ある実施形態では、図8に示すように、別の抽出装置300の1つ又は複数の開口302は、負圧源305例えば、ポンプ、できれば正圧源64及び負圧源65の一方又は両方を提供するものと同じポンプを制御できる。図8に示すように、追加の抽出装置300用の負圧源305は、正圧源64及び/又は負圧源65を制御するのに使用される同じコントローラ63によって制御できる。同様に、所望の流量を達成するために、コントローラ63を上記の1つ又は複数の好適な流量弁及び/又は流量計に接続してもよい。また、負圧源及び正圧源64、65、305のうちの1つ以上に別々のコントローラを提供してもよいことも理解されるであろう。0091ある実施形態では、コントローラ63は、細長いアパーチャ61及び抽出装置からの1つ又は複数の開口50及び別の抽出装置300の1つ又は複数の開口302を通したガスナイフ60の流量が、ガスナイフデバイス60からのガスのフローが第1及び第2の列の間の流体ハンドリング構造の表面に実質的に垂直になる程度の量であるように構成されている。これは、例えば、第1の列内の1つ又は複数の開口50と別の抽出装置300の1つ又は複数の開口302を通した抽出速度を平衡させ、総抽出量とガスナイフデバイス60のガスフローとの平衡をとることで達成することができる。0092ガスナイフデバイス60からのガスのフローが流体ハンドリング構造の表面、したがって、基板テーブルWT及び/又は基板Wの対向面に対して垂直又はほぼ垂直であるようにガスフローを制御することで、ガスナイフデバイスの所与のガス流量についてのガスナイフデバイスの性能が向上する。その結果、使用されるスキャン速度が増加する。0093ある実施形態では、第2の列内のアパーチャ61から流れて第1のガスナイフデバイス60を形成するガスの流量は、毎分100リットル以下、例えば、毎分75リットル以下であってもよい。第1の列内の1つ又は複数の開口50から抽出されたガスの流量は、毎分75リットル以下、例えば、毎分50リットル以下であってもよい。追加の抽出装置300のガスの流量は、少量の液体だけを抽出しているので、より大きい値であってもよい。例えば、追加の抽出装置300のガスの流量は、毎分約75リットルであってもよい。0094ガスナイフは、開口50の間の空間全体に圧力勾配を生成するように開口50に十分に近いことが望ましい。液体の層すなわち、液膜、又は液滴が例えば流体ハンドリング構造12の下に堆積する停滞域が存在しないことが望ましい。ある実施形態では、開口50を通過するガスの流量を、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする2009年9月3日出願の米国特許出願US61/239,555号及び米国特許出願公開US2007-0030464号に記載の細長いアパーチャ61を通過するガスの流量に結合してもよい。したがって、ガスの流量は、アパーチャ61から開口50へ実質的に内向きに誘導される。開口50とアパーチャ61とを通過するガスの流量が同じ場合、流量は平衡がとれていると呼ぶことができる。平衡がとれたガスのフローは、残液、例えば膜の厚さを最小限にするので望ましい。一方向のスキャンの際には、膜などの残留液体の厚さを最小限にする平衡ガスフローが望ましい。0095ある実施形態では、第1の列内の開口50と第2の列のアパーチャ61とを通るガスの流量は、流体ハンドリング構造に対向する表面がメニスカスから遠ざかる第1の方向のスキャンの際に流体ハンドリング構造12の片側で平衡がとれることがある。逆方向の移動の場合、ガスナイフ60のガスの流量は、第1の列内の開口50と別の抽出装置300を通る抽出ガスの流量の総計と平衡がとれる。0096本明細書の別の箇所に記載するように、開口50を配置して、例えば、平行四辺形、菱形、矩形、正方形、又は円などの楕円形を含む四辺形を非限定的に含む任意の閉じた形状を形成することができる。いずれの場合も、ガスナイフ60のアパーチャ61は、開口50が形成する形状と実質的に同様の形状を有していてもよい。本発明のある実施形態では、空間から流体ハンドリング構造への液体の抽出に使用するための複数の開口50の代わりに細長い開口を第1の列内に提供してもよい。1つ又は複数の開口50が形成する形状の縁部とアパーチャ61が形成する形状との間の離間距離は上記範囲内である。ある実施形態では、離間距離は望ましくは一定である。0097一般に、ある実施形態では、流体ハンドリング構造12の構成は、別の抽出装置300の性能ができる限り高いか、又は最大限であるように、すなわち、ガスナイフ60に隣接する液体を抽出する際に確実に効果的であるように構成することができることは理解されるであろう。上記のように、これは、別の抽出装置300を通過する抽出流体のフローが確実に十分に高くなるようにすることで達成することができる。代替的に又は追加的に、これは、追加の抽出装置300が確実にガスナイフデバイス60のアパーチャ61の縁部にできるだけ近くなるようにすることで達成することができる。代替的に又は追加的に、これは、ガスナイフデバイス60を通過するガスのフローが十分に大きく外向きの、すなわち、別の抽出装置300の方向のガスの半径方向のフローが確実に生まれるようにすることで達成することができる。代替的に又は追加的に、流体ハンドリング構造とリソグラフィ装置の動作を考慮に入れて、できる限り低いフライハイトで流体ハンドリング構造12を動作させることで、すなわち、これは、流体ハンドリング構造12の下面51が確実に基板W及び/又は基板テーブルWTの表面にできる限り近いようにすることで達成することができる。0098図10は、図7に示す構成の発展形である流体ハンドリング構造の一部の概略断面図である。液体が封じ込められた空間11と流体ハンドリング構造の外側の領域との境界、例えば、流体ハンドリング構造の外側の周囲雰囲気内で、上記の方法で1つ又は複数の開口50とアパーチャ61とを配置することができる。空間から流体ハンドリング構造へ液体を抽出する際に使用する第1の列に1つ又は複数の開口50を配置することができる。第2の列にアパーチャ61を提供して配置し、ガスナイフデバイスを形成することができる。ガスナイフから流出するガスは、第1の列の開口50へ向けて液体を押し出す。0099第1及び第2の列よりも液浸液から離れた場所に第3の列、又は液滴列内に1つ又は複数の開口71を提供してもよい。第2のガスナイフデバイスが第4の列、又は液滴ナイフ列に配置されたアパーチャ72によって形成される。ある実施形態では、アパーチャ72は複数のアパーチャ72を有する。第4の列は、液浸液を封じ込める空間11から第3の列よりも遠い場所に配置されている。第2のガスナイフデバイスを通過するガスフローは主として内向きに誘導されるので、その大半は開口71を通過する。ある実施形態では、1つ又は複数の開口71と第2のガスナイフのアパーチャ72とを通過するガスフローは平衡がとれている。00100この実施形態の流体ハンドリング構造は、第1の複数の開口50と連携して動作する第1のガスナイフデバイスを含む。この組合せは、液浸液の主要な抽出を実行する。00101流体ハンドリング構造は、開口71の第3の列と協働する第2のガスナイフデバイスを有する。1つ又は複数の開口と関連するガスナイフの追加の組合せの提供は予想外に有益であることが分かっている。00102単一のガスナイフデバイスと開口の単一の関連する列とを備えた図7に示すような構成では、基板W及び/又は基板テーブルWTの表面上に残液が残されることがある。残液は、液膜又は複数の液滴の形であり得る。しばらくすると、膜は複数の液滴に分解することがある。液滴はより大きい液滴に成長し、容認できないほど大きくなることがある。本明細書で説明するように、対向面の一部に対してスキャン速度が臨界スキャン速度を超えると、残液が残されることがある。これは、例えば、表面の臨界スキャン速度を超えた連続する接触角を備えた面に対してスキャン速度が増大した時に発生することがある。スキャン速度が一定であっても、接触角が変化してその部分の臨界スキャン速度が減少し、スキャン速度が臨界スキャン速度を超えた場合に、表面の一部の場所に残液が残されることがある。そのような部分は例えば、液体メニスカスが縁部を横断する瞬間などのフィーチャの縁部、例えば、基板、シャッター部材、センサ又はセンサターゲットの縁部であってもよい。00103大気圧への結合、例えば、大気に結合し、ガスナイフデバイスと開口50、71との間に位置する空間によってガスナイフデバイスが開口50、71の列から分離される構成では、別の問題が発生する可能性がある。液体は、ガスナイフデバイスと開口との間に蓄積し、大きい液滴を形成することがある。投影システムPSと流体ハンドリング構造とに対する基板W及び/又は基板テーブルWTからの移動方向が変化すると、そのような大きい液滴が液浸液の前進するメニスカスと衝突することがある。液滴のメニスカスとの衝突によってガスが混入し、小さいか又はより大きい泡が形成されることがある。さらに、衝突によって引き起こされるメニスカスの擾乱も泡を形成することがある。泡の形成は望ましくない。本明細書に記載する一構成は、上記の又はその他の問題の1つ以上を低減する助けとなる。00104流体ハンドリング構造内に2つのガスナイフデバイスと抽出のための関連する開口とを提供することで、異なっていてもよい各々の組合せの特定の目的のために各々の組合せの工程制御パラメータの設計及び/又は設定を選択することができる。第1のガスナイフを形成する第2の列のアパーチャ61からのガスの流量は、第2のガスナイフデバイスを形成する第4の列のアパーチャ72からのガスの流量より少なくてもよい。00105ある実施形態では、第1のガスナイフデバイスのガスの流量は比較的少なくてもよいことが望ましい場合がある。これは、上記のように、第1の列の複数の開口50が2相で、大量の液体を備えるからである。第2の列のアパーチャ61と第1の列の複数の開口50とを通過する流量が不安定な2相流体制の場合、例えば、流量が多すぎる結果となり、2相流は力が変動し、例えば振動することがあり、望ましくない。他方、フロー体制が安定しているほど、例えば、第2の列のアパーチャ61及び/又は第1の列の複数の開口50を通過する流量が少ないほど、投影システムPSと流体ハンドリング構造に対する基板W及び/又は基板テーブルWTの所与の移動速度でガスナイフデバイスを通過する液浸液の漏れは大きくなる。したがって、単一のガスナイフ構成内のガスの流量は、本質的にこれら2つの矛盾する要求の妥協点であった。00106流体ハンドリング構造に第2のガスナイフデバイスと関連する抽出とを提供することで、有益なことに、第1のガスナイフデバイスでより小さい流量を使用することができる。第2のガスナイフデバイスを用いて第1のガスナイフデバイスを超える液滴を除去することができる。さらに、第4の列のアパーチャ72と第3の列の1つ又は複数の開口71とを通過するガスの流量は比較的多くてもよい。これは、フローの大部分がガスであることによる。有益なことに、この増大した流量によって、基板W及び/又は基板WTの表面からの液滴の除去性能が向上する。00107一構成では、第2の列のアパーチャ61から流出して第1のガスナイフデバイスを形成するガスの流量は、毎分100リットル以下、望ましくは毎分75リットル以下、望ましくは毎分約50リットル以下である。特定の構成では、第4の列のアパーチャ72から流出して第2のガスナイフデバイスを形成するガスの流量は毎分60リットル以上、望ましくは毎分100リットル以上、望ましくは毎分約125リットル以上である。00108図10に示すような構成は、有益には第1の列内の1つ又は複数の開口50と第3の列内の1つ又は複数の開口71との間に蓄積できる液体を低減できるが、そのような液体の蓄積を解消はできない。したがって、本発明のある実施形態で図11に概略的に示すような流体ハンドリング構造を提供することができる。図示のように、この構成は、図10に示す構成に対応するが、第1のガスナイフデバイス60の細長いアパーチャ61に隣接する追加の抽出装置300を含む。図8に示す構成と同様、特に基板テーブルWT及び/又は基板Wのスキャン方向が流体ハンドリング構造に対して逆転した時に、追加の抽出装置300によって大きい液滴がガスナイフデバイス60の近くに蓄積することが防止できる。図8及び図10に関連する上記構成の変形形態が図11に示す追加の抽出装置300を含む構成に適用できる。00109アパーチャ72を通過するガスの流量を制御するコントローラ73上記コントローラ63と同じであってもよいが提供される。コントローラ73は、1つ又は複数の開口71を通過するガスの流量も制御する。コントローラ73は、正圧源74例えば、ポンプ及び/又は負圧源75例えば、ポンプ、できれば正圧を提供するポンプと同じポンプを制御することができる。所望の流量を提供するために、コントローラ73に接続されコントローラ73によって制御される1つ又は複数の好適な制御弁があってもよい。コントローラは、1つ又は複数の開口71を通過するフローを測定するように配置された1つ又は複数の2相流量計、又はアパーチャ72を通過するフローを測定するように配置された1つ又は複数の流量計、あるいはその両方によって供給されるフロー測定値に基づいて値を制御することができる。そのような構成は、第1及び第2の列に関連するフローコンポーネントの構成と同様であってもよい。00110関連するガスナイフのガスの流量に比例して開口50、302、71を通過するガスフローを制御するようにコントローラ63、73の一方又は両方を構成することができる。ある実施形態では、ガスナイフを通過するガスの流量は、関連する開口50、302、71を通過する総流量とは最大20又は最大10だけ異なっている。ある実施形態では、開口50、302、71を通過するガスの流量を制御して関連する1つ又は複数のアパーチャ61、72を通過するガスのフローに合わせることができる。ある実施形態では、第2のガスナイフの細長いアパーチャ72を通過するガスの流量は、例えば、開口71を通過するガスナイフの流量に一致してもよく、例えば、実質的に同じであってもよい。同様に、図8に示す構成の説明に関連して上述したように、第1のガスナイフ60の両側の片方又は両方の組の開口50、302を通過するガスの流量に一致してもよい。00111図8、図9及び図11に示す本発明の実施形態の構成はいくつかの変形形態を含んでいてもよいことは理解されるであろう。00112ある実施形態では、コントローラ63、73は、必要に応じて活動状態になるように、一方又は両方のガスナイフの起動を制御することができる。言い換えれば、適当な所定の条件下でガスナイフをオフにすることができる。例えば、スキャン速度が安全には臨界速度より下の時にガスナイフをオフにでき、スキャン速度が現在メニスカスの下にあるか又はメニスカスに接近している表面でスキャン速度が臨界速度を超えたか超えそうである時にガスナイフはオンにされる。例えば、基板の中央部分が流体ハンドリング構造12の下で移動している場合、ガスナイフの一方又は両方をオフにすることができる。基板のこの部分上で接触角は一定であり、この部分の臨界スキャン速度は十分に高いので超えられることはない。空間のメニスカスが例えば基板、センサ、シャッター部材又はセンサのターゲットの縁部を超える前、その瞬間、及び/又はその後に、ガスナイフデバイスの一方又は両方が動作可能であってもよい。00113それに沿って1つ又は複数の開口71及びアパーチャ72を配置することができる第3及び第4の列は、一般に、それに沿って1つ又は複数の開口50とアパーチャ61が形成される第1及び第2の列に続いてもよい。ある実施形態では、1つ又は複数の開口71が形成する形状は、1つ又は複数の開口50が形成する形状とは異なる。第3及び第4の列、例えばある実施形態では、第1~第4の列は平行で、列の間に一定の離間距離があることが望ましい。00114ある実施形態では、第2のガスナイフデバイスを形成するための第4の列のアパーチャ72は、第2の列のアパーチャ61に関連して説明した同じフィーチャを有していてもよい。第1のガスナイフデバイスのアパーチャ61と同様、アパーチャ72は、単一のスリット又は複数の細長いアパーチャとして形成されていてもよい。00115第3の列の1つ又は複数の開口71は、単一の細長いスリット又は複数の細長い開口として形成されてもよい。00116ある実施形態では、流体ハンドリング構造の下面51は、下面の外側部分51aが第4の列のアパーチャ72から離れて延在するように配置されてもよい。00117図11に示す実施形態では、流体ハンドリング構造の下面51に凹部80が提供される。凹部80を第2及び第3の列の間の第5の列又は凹部列内に提供してもよい。ある実施形態では、凹部80は、第1~第4の列のいずれにも平行に、望ましくは少なくとも第2の列、又は第3の列、あるいはその両方に平行になるように配置される。00118凹部80はガス導管82によって、周囲雰囲気などの大気に、例えば、流体ハンドリング構造の外部領域に接続された1つ又は複数の開口81を含むことができる。凹部80は、望ましくは外部雰囲気に接続された時に、第2のガスナイフデバイスと第3の列の関連する1つ又は複数の開口71から第1のガスナイフデバイスと第1の列の関連する1つ又は複数の開口50を分離する機能を果たしてもよい。凹部80は、いずれの側のコンポーネントの動作を分離する。したがって、凹部の半径方向内向きのフィーチャは、半径方向外向きのフィーチャから分離される。00119凹部80の両側に、流体ハンドリング構造の下面51のそれぞれの部分51b、51cがあってもよい。それぞれの部分51b、51cはそれぞれ、第3の列の1つ又は複数の開口71と第2の列のアパーチャ61の縁部から凹部80の縁部を分離してもよい。アパーチャ61と1つ又は複数の開口71の上記縁部は第2及び第3の列ではないことに留意されたい。何故ならば、列は開口の断面の中心を通過するからである。したがって、縁部は列から離れている。凹部80の両側の流体ハンドリング構造の下面51の部分51b、51cは、基板W及び/又は基板テーブルWTの表面と組み合わせて、それぞれのダンパーとして機能することができる。そのようなダンパーは、第1及び第2のガスナイフから流出したガスフローが確実にそれぞれの開口50、71へ向かって流れるための助けとなる。ある実施形態では、表面51b、51cの一方又は両方は、ダンパーとして機能することができる。00120凹部80内の液体の蓄積の可能性を低減するのを助けるために、凹部に鋭い縁部がない形状を与えてもよい。表面は滑らかに角を丸めてもよい。液体が容易に蓄積するので鋭い縁部は望ましくない。例えば、凹部80の形状は、凹部の表面の周囲の任意の地点の最小曲率半径が少なくとも0.1mm、望ましくは0.2mmより大きくなるように構成されてもよい。00121ある実施形態では、流体ハンドリング構造は、ガス導管によって周囲雰囲気などの大気に、例えば、流体ハンドリング構造の外部領域に接続された1つ又は複数の開口を流体ハンドリング構造の下面51に含んでいてもよい。例えば、大気に接続されたそのような開口を上記のような凹部を含まない実施形態に提供してもよい。そのような構成を用いて第2のガスナイフと第3の列の関連する1つ又は複数の開口71から第1のガスナイフと第1の列の関連する1つ又は複数の開口50を分離することができる。00122上記のように、流体ハンドリング構造の下面51上、特に第2の列のアパーチャ61と第3の列の1つ又は複数の開口71との間の液体の蓄積は望ましくない。投影システムと流体ハンドリング構造に対する基板W及び基板テーブルWTの相対運動の方向が変化すると蓄積した液体が問題を引き起こすことがある。ある実施形態では、本明細書に記載する流体ハンドリング構造を含むリソグラフィ装置は、基板テーブルWTとその上に保持した基板Wとを移動させるように構成されたポジショナPWのアクチュエータシステムを制御するように配置されたコントローラPWCを含んでいてもよい。00123コントローラPWCは、投影システムPSに対する基板テーブルWTの速度が特定の速度を超えた場合に上記の蓄積した液体によって引き起こされる問題を低減する手段が講じられるように構成可能である。速度は、例えば対向面の一部に対する第1のガスナイフデバイスの臨界速度に対応させて、又はこの臨界速度よりもわずかに下になるように選択することができる。臨界速度は、ガスナイフを通した、例えば半径方向外向きの液浸液の漏れが所与の量を超える投影システムPSに対する基板テーブルWTの速度として考えることができる。そのような臨界速度は、ガスナイフデバイスの構成、ガスナイフデバイスのガスの流量及び/又はその地点での基板及び/又は基板テーブルWTの表面の性質によって変化することがあることが理解されよう。00124投影システムPSに対する基板テーブルWTの速度は、所与の速度より大きくてもよい。場合によって、投影システムに対する基板テーブルの移動方向を変える必要がある。ある実施形態では、速度が所与の速度より上で基板テーブルの移動方向を変える必要がある場合に、コントローラPWCが最初に投影システムPSに対する基板テーブルの移動速度を所与の速度より下に低減するようにコントローラPWCが構成される。次にコントローラPWCは、方向転換を開始することができる。したがって、例えば、第1のガスナイフデバイスの臨界速度より上で方向が変化することはなく、第1及び第2のガスナイフデバイスの間に蓄積した液浸液によって引き起こされる問題は最小限にされるか又は低減される。00125図12は、本発明のある実施形態による流体ハンドリング構造を示す。図示のように、この実施形態の流体ハンドリング構造は、図11に示す流体ハンドリング構造と同様である。しかし、この実施形態では、大気に接続された凹部は提供されない。その代わりに、流体ハンドリング構造の下面51は、第1のガスナイフデバイスを形成するアパーチャ61と第3の列の1つ又は複数の開口71との間で連続している。言い換えれば、この領域では、流体ハンドリング構造12の下面51に開口又はアパーチャは存在しない。00126この実施形態では、第2の列のアパーチャ61を通過するガスフローは、第1の列の1つ又は複数の開口50を通過するガスフロー及び追加の抽出装置300を通過するガスフローと平衡がとれていてもよい。第4の列のアパーチャ72を通過するガスフローは、第3の列の1つ又は複数の開口71を通過するガスフローと平衡がとれていてもよい。したがって、これらの構成を下面51から半径方向内向きに、且つ半径方向外向きに分離する必要はない。したがって、有益なことに、図11の凹部80は必要なく、第2の列のアパーチャ61と第3の列の1つ又は複数の開口71との間の空間に液体が蓄積する可能性が低減するか、又はこの領域に蓄積する液体の量が低減する。この例では、第2の列のアパーチャ61と第3の列の1つ又は複数の開口71との間の離間距離は1mm~4mmの範囲から選択することができ、例えば、2mmであってもよい。00127図13は、本発明のある実施形態による流体ハンドリング構造を示す。図示のように、この実施形態の流体ハンドリング構造は、図11に示す流体ハンドリング構造と同様である。分かりやすくするため、各実施形態の相違点について以下に説明する。図11に示す実施形態に関連して上述した変形形態も図13に示す実施形態に適用可能であることが理解されよう。00128図13に示すように、流体ハンドリング構造12の下面151は、使用時に、下面151の異なる部分151a、151b、151cと基板W及び/又は基板テーブルWTの上面との間の離間距離が同じでないように配置することができる。図示の実施形態では、第1の列の開口50、第2の列のガスナイフデバイス60アパーチャ61及び別の抽出装置300の開口302の領域の下面151の部分151cと基板W及び/又は基板テーブルWTとの間に離間距離D2がある。第3の列の1つ又は複数の開口71に隣接する下面の部分151a、151b及び第4の列のアパーチャ72と基板W及び/又は基板テーブルWTとの間に離間距離D3があってもよい。00129離間距離D2は、離間距離D3より大きくてもよい。これは、流体ハンドリング構造の下面51が一般に平面である図11に示す実施形態とは対照的である。下面は、第1~第4の列に開口50、302、71とアパーチャ61、72が提供されている以外は平面であってもよい。したがって、図11の実施形態では、基板W及び/又は基板テーブルWTの上面からの第1~第4の列の開口50、302、71及びアパーチャ61、72の周囲の下面51の各々の部分の離間距離は実質的に同じである。別の実施形態では、離間距離D3は、離間距離D2より大きくてもよい。00130図13に示すような構成、すなわち、対向面と下面151との間の距離が異なる構成は有益である。これは、流体ハンドリング構造12の下面151と基板W及び/又は基板テーブルWTの上面との間の最適な離間距離に様々な要因が影響しているためである。例えば、第1の列の1つ又は複数の開口50の周囲の流体ハンドリング構造の下面151と基板W及び/又は基板テーブルWTの上面との間の離間距離はできるだけ大きいことが望ましい。これによって、液滴がメニスカスに衝突した時の泡の形成の可能性が低減されるか又は最小化される。この状況は、例えば、基板W及び/又は基板テーブルWTのスキャン方向の変化の間に発生することがある。00131しかし、第2のガスナイフを形成するための第4の列のアパーチャ72の周囲の流体ハンドリング構造12の下面151の離間距離を最小限にすることが望ましい。例えば、離間距離が小さいほど、必要な流量は少なく、及び/又は有効な乾燥を提供するためにアパーチャ72はより広くなる。00132したがって、基板W及び/又は基板テーブルWTの上面からの第1の列の周囲の下面151の離間距離が基板W及び/又は基板テーブルWTの上面からの第4の列の周囲の下面151の離間距離と異なるように、流体ハンドリング構造12の下面151を配置してもよい。したがって、下面151のすべての部分と基板W及び/又は基板テーブルWTの上面との間の単一又は実質的に一定の離間距離を選択するのではなく、流体ハンドリング構造の両方の部分の性能を向上させることが可能である。2つの矛盾する要件の間で妥協する必要を回避することができる。00133ある実施形態では、本発明の実施形態のいずれかの流体ハンドリング構造12の下面51、151、251と基板W及び/又は基板テーブルWTの上面との間の離間距離は、50μm~250μmの範囲から選択することができる。00134図13に示すようなある実施形態では、第1の列の1つ又は複数の開口50の周囲の下面151と基板W及び/又は基板テーブルWTの上面との間の離間距離D2は、130μm~250μmの範囲、又は180μm~250μmの範囲から選択することができ、又は約230μmであってもよい。図13に示すようなある実施形態では、第2のガスナイフを形成するための第4の列のアパーチャ72に隣接する下面151と基板W及び/又は基板テーブルWTの上面との間の離間距離D3は、50μm~180μmの範囲から選択することができ、又は約130μmであってもよい。00135しかし、流体ハンドリング構造の下面151の異なる部分と基板W及び/又は基板テーブルWTの上面との間の最適な離間距離は、基板W及び/又は基板テーブルWTの上面の性質に依存することがある。例えば、関連する要因は、非限定的に列挙すると、液体との後退接触角、基板W及び/又は基板テーブルWTのスキャン速度及びガスナイフのうちの少なくとも1つのガスナイフの流量であってもよい。00136本明細書に記載するように、第1の列内の1つ又は複数の開口50の周辺の下面151と基板W及び/又は基板テーブルWTの上面との間の離間距離D2を最適化する、例えば、最大化することが望ましい。しかし、最大実用離間距離があってもよいことをさらに理解されたい。使用可能な最大実用離間距離を超えると、液体の漏れが過剰になることがある。00137図13に示すように、基板W及び/又は基板テーブルWTの上面からの第2の列のアパーチャ61第1のガスナイフを形成するのに使用される及び別の抽出装置300の開口302の周囲の流体ハンドリング構造12の下面151の離間距離は、基板W及び/又は基板テーブルWTの上面からの第1の列の1つ又は複数の開口50の周囲の下面151の離間距離と同じであってもよい。しかし、これはそうでなくてもよいことを理解されたい。00138図13に示すように、第4の列のアパーチャ72第2のガスナイフを形成するためのに隣接する流体ハンドリング構造12の下面151の離間距離は、第3の列の1つ又は複数の開口71に隣接する流体ハンドリング構造12の下面151と基板W及び/又は基板テーブルWTの上面との間の離間距離と同じであってもよい。したがって、そのような構成によって、第3の列の1つ又は複数の開口71に隣接する流体ハンドリング構造12の下面151と基板W及び/又は基板テーブルWTの上面との間の離間距離を最小限にすることができる。これは、抽出が可能な限り有効であることを確実にする助けとなる。しかし、これはそうでなくてもよい。00139図14は、本発明のある実施形態による流体ハンドリング構造12を示す。図示のように、流体ハンドリング構造12は、図12に示す流体ハンドリング構造12と同様である。この実施形態の流体ハンドリング構造は凹部80を含まない。しかし、この実施形態の流体ハンドリング構造と図12に示す実施形態との間には、図13及び図10に示す流体ハンドリング構造の相違点と同様の相違点がある。00140流体ハンドリング構造12の下面251の異なる部分251a、251b、251cは、少なくとも1つの部分が使用時に基板W及び/又は基板テーブルWTの上面からの異なる離間距離を有するように配置することができる。1つ又は複数の開口50に隣接する流体ハンドリング構造12の下面251と対向面の上面との間の離間距離D2は、アパーチャ72に隣接する流体ハンドリング構造12の下面251と対向面の上面との間の離間距離D3より大きくてもよい。例えば図12及び図13に示す実施形態に関連して本明細書に記載する各々の変形形態は、図14に示す実施形態に適用される。00141図14に示す実施形態では、基板W及び/又は基板テーブルWTの上面と下面251との間の離間距離が、アパーチャ61と1つ又は複数の開口71との間の区域内で変化するように流体ハンドリング構造12の下面251を配置してもよい。下面251と対向面との間の離間距離は、第2及び第3の列で異なる場合がある。第2の列から第3の列へ離間距離は変化する、例えば、減少することがある。しかし、一般に、離間距離の変化は、1つ又は複数の開口51とアパーチャ72との間の任意の又はすべての区域で提供することができる。下面251と対向面との間の離間距離は、第1及び第4の列の間で変化する、例えば、減少することがある。00142いずれにせよ、上記のように、流体ハンドリング構造12の下面251は液体が蓄積する鋭い角がないように配置することができる。下面は、第1及び第2の列の間、第2及び第3の列の間、第3及び第4の列の間、及び隣接する列の間の表面の組合せの間で実質的に連続していてもよい。したがって、上述のように、流体ハンドリング構造の下面251は、表面の任意の地点の最小曲率半径が少なくとも0.1mm、望ましくは0.2mmを超えるように配置することができる。00143以上、2相抽出器として動作する1つ又は複数の開口50、302、71の使用について説明してきたが、本明細書に記載する変形形態のいずれかに基づくある実施形態では、第1又は第4の列の又は別の抽出装置300の1つ又は複数の開口を、例えば参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開US2006-0038968号に記載されているような多孔質部材又はマイクロシーブと置き換えることができる。各々の多孔質部材は動作して液体を単相、又は2相の流体フローで抽出することができる。ある実施形態では、ガスフローは、半径方向内向きに誘導されてもよく、多孔質部材を通して抽出する代わりに、ガス供給アパーチャと多孔質部材との間にあるガス抽出開口によって抽出してもよい。そのような実施形態では、ガスフローは、ガスナイフデバイスによって対向面上に残された残液を低減する助けとなる。したがって、本発明のある実施形態はそのような構成で実施することができ、上記実施形態によって達成されるのと同様の利益を達成する。上記任意のフィーチャを任意の他のフィーチャと一緒に使用することができ、本願が対処とするのは明示された組合せに限定されないことを理解されたい。00144本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書でウェーハ又はダイという用語を使用している場合、それぞれ、基板又はターゲット部分という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール、メトロロジーツール及び/又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。00145本明細書で使用する放射及びビームという用語は、紫外線UV放射例えば、365nm、248nm、193nm、157nm若しくは126nm、又はこれら辺りの波長を有するを含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。レンズという用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指す。00146以下の条項によって本発明の実施形態を記述する。条項1.リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、前記流体ハンドリング構造の外側の領域に液浸液を封じ込めるように構成された空間の境界に、使用時に、基板及び/又は前記基板を支持するように構成された基板テーブルの方へ誘導される第1の列内に配置された細長い開口又は複数の開口と、第2の列内の細長いアパーチャを有するガスナイフデバイスと、前記ガスナイフデバイスに隣接する細長い開口又は複数の開口と、を連続して有する流体ハンドリング構造。条項2.前記第1及び第2の列が、前記液浸液を封じ込めるように構成された前記空間を取り囲み、前記ガスナイフデバイスに隣接する前記細長い開口又は複数の開口が、前記ガスナイフデバイスの全長にわたって提供され、前記第1の列、前記第2の列と前記ガスナイフデバイスに隣接する前記細長い開口又は複数の開口との間のそれぞれの離間距離が、前記液浸液を封じ込めるように構成された前記空間の周辺のすべての場所で実質的に同じである、条項1に記載の流体ハンドリング構造。条項3.前記ガスナイフデバイスに隣接する前記細長い開口又は複数の開口の最も近い縁部と前記ガスナイフデバイスの前記細長いアパーチャの最も近い縁部との離間距離が、0.25mm~0.75mmの範囲から選択され、望ましくは0.5mmである、条項1又は2に記載の流体ハンドリング構造。条項4.前記ガスナイフデバイスに隣接する前記開口が、細長い開口である、条項1から3のいずれか1項に記載の流体ハンドリング構造。条項5.前記ガスナイフデバイスに隣接する前記開口の幅が、30μm~200μm又は100μm~150μmの範囲から選択される、条項4に記載の流体ハンドリング構造。条項6.前記ガスナイフデバイスに最も近い前記ガスナイフデバイスに隣接する開口の縁部が、前記第1と第2の列に挟まれ、前記ガスナイフデバイスに隣接する開口の先にある前記流体ハンドリング構造の表面に対して斜めの角度αに提供され、そのためガスナイフに隣接する前記開口の幅が前記表面からの距離に応じて減少する、条項4又は5に記載の流体ハンドリング構造。条項7.前記流体ハンドリング構造の表面に対する前記ガスナイフデバイスに隣接する前記開口の前記縁部の角度が、10°~60°又は10°~45°の範囲から選択されるか、又は望ましくは20°である、条項6に記載の流体ハンドリング構造。条項8.前記ガスナイフデバイスに隣接する前記開口が、多孔質材料で覆われた、条項1から7のいずれか1項に記載の流体ハンドリング構造。条項9.前記第1の列内の前記細長い開口又は複数の開口及び前記ガスナイフデバイスに隣接する前記細長い開口又は複数の開口が前記流体ハンドリング構造へのガス及び/又は液体の通路の入口である、条項1から8のいずれか1項に記載の流体ハンドリング構造。条項10.前記第1の列内の前記細長い開口又は複数の開口が、使用時に負圧源に接続され、前記ガスナイフデバイスに隣接する前記細長い開口又は複数の開口が、使用時に負圧源に接続される、条項1から9のいずれか1項に記載の流体ハンドリング構造。条項11.前記第1の列内の前記細長い開口又は複数の開口に接続された前記負圧源及び/又は前記ガスナイフデバイスに隣接する前記細長い開口又は複数の開口に接続された負圧源に接続された、又は接続可能なコントローラをさらに備え、前記コントローラが、前記第1の列内の前記細長い開口又は複数の開口及び/又は前記ガスナイフデバイスに隣接する前記細長い開口又は複数の開口を通過するガスの流量が、使用時に、前記第2の列内の細長いアパーチャを有する前記ガスナイフデバイスからのガスのフローが前記第1及び第2の列の間の前記流体ハンドリング構造の表面に実質的に垂直になる程度の量である、条項10に記載の流体ハンドリング構造。条項12.前記第2の列内の細長いアパーチャを有する前記ガスナイフデバイスに隣接する前記細長い開口又は複数の開口の先に、前記流体ハンドリング構造が境界に、第3の列内の細長い開口又は複数の開口と、第4の列内の細長いアパーチャを有する第2のガスナイフデバイスと、をさらに連続して有する、条項1から11のいずれか1項に記載の流体ハンドリング構造。条項13.前記第1から第4の列が、前記液浸液を封じ込めるように構成された前記空間を連続して取り囲み、それぞれの列の間の離間距離が、前記液浸液を封じ込めるように構成された前記空間の周辺のすべての場所で実質的に同じである、条項12に記載の流体ハンドリング構造。条項14.前記第3の列内の前記細長い開口又は複数の開口が、前記流体ハンドリング構造へのガス及び/又は液体の通路の入口である、条項12又は13に記載の流体ハンドリング構造。条項15.前記第3の列内の前記細長い開口又は複数の開口が、使用時に負圧源に接続され、前記流体ハンドリング構造が、前記負圧源に接続された、又は接続可能なコントローラをさらに備え、前記第3の列内の前記細長い開口又は複数の開口を通過するガスの流量が、前記第4の列内のアパーチャから流出してガスナイフを形成するガスの流量以上になるように、前記コントローラが負圧源を制御するように構成される、条項12から14のいずれか1項に記載の流体ハンドリング構造。条項16.前記第2及び第4の列内のアパーチャが、使用時にガス供給装置に接続され、前記流体ハンドリング構造が、前記ガス供給装置に接続された、又は接続可能なコントローラをさらに備え、前記第4の列内のアパーチャから流出して前記ガスナイフを形成するガスの流量が、前記第2の列内のアパーチャから流出して前記ガスナイフを形成するガスの流量よりも大きくなるように、前記コントローラが前記ガス供給装置を制御するように構成される、条項12から15のいずれか1項に記載の流体ハンドリング構造。条項17.使用時に、基板及び/又は前記基板を支持するように構成された基板テーブルの上面にほぼ平行である下面をさらに有し、前記第1~第4の列内の開口及びアパーチャが前記下面に形成される、条項12から16のいずれか1項に記載の流体ハンドリング構造。条項18.使用時に、前記第1~第4の列内の開口及びアパーチャの周辺の前記下面の区域と基板及び/又は基板テーブルの上面との離間距離が実質的に同じである、条項17に記載の流体ハンドリング構造。条項19.使用時に、前記第1の列内の前記細長い開口又は複数の開口の周辺の前記下面の区域と前記基板及び/又は基板テーブルの前記上面との離間距離が、前記第4の列内の前記アパーチャの周辺の前記下面の区域と前記基板及び/又は基板テーブルの前記上面との離間距離よりも大きい、条項17に記載の流体ハンドリング構造。条項20.前記流体ハンドリング構造が、前記第2及び第3の列の間の第5の列内に配置された前記下面の凹部を有する、条項17から19のいずれか1項に記載の流体ハンドリング構造。条項21.前記凹部が、ガス導管によって前記流体ハンドリング構造の外側の領域に接続された少なくとも1つの開口を有する、条項20に記載の流体ハンドリング構造。条項22.リソグラフィ装置用の流体ハンドリング構造であって、前記流体ハンドリング構造の外側の領域に使用時に液浸液が閉じ込められる空間の境界に、流体を抽出し、使用時に、例えば、基板及び/又は前記基板を支持するように構成された基板テーブルの対向面の方へ誘導される第1の列内に配置された細長い開口又は複数の開口と、第2の列内のガスナイフの細長いアパーチャと、液体を抽出し、前記ガスナイフの細長いアパーチャに隣接して形成された細長い開口又は複数の開口と、を連続して有する流体ハンドリング構造。条項23.前記第1の列内の前記細長い開口又は複数の開口が、前記液浸液のメニスカスを前記空間内にピン止めするためのものである、条項22に記載の流体ハンドリング構造。条項24.前記条項のいずれか1項に記載の流体ハンドリング構造を備えるリソグラフィ装置。条項25.投影システムの最終要素と基板及び/又は前記基板を支持するように構成された基板テーブルとの間の空間に液浸液を提供するステップと、前記投影システムの最終要素と前記基板及び/又は基板テーブルとの間から第1の列に配置された細長い開口又は複数の開口を通して液浸液を取り出すステップと、第2の列内のアパーチャを通してガスナイフを形成するガスを供給することで前記第1の列内の前記細長い開口又は複数の開口へ向けて液浸液を押し出すステップと、前記ガスナイフに隣接し、前記第1の列内の前記細長い開口又は複数の開口と逆の前記ガスナイフの側にある細長い開口又は複数の開口を通してガス及び残留液浸液を抽出するステップと、を含むデバイス製造方法。00147以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の1つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスクの形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、2つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。2つ以上のコンピュータプログラムを、1つ又は複数の異なるメモリ及び/又はデータ記憶媒体に記憶することができる。001481つ又は複数のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも1つのコンポーネント内にある1つ又は複数のコンピュータプロセッサによって読み出される時に、本明細書に記載するコントローラは各々、又は組み合わせて動作可能になる。コントローラは各々、又は組み合わせて、信号を受信、処理、送信するのに適した任意の構成を有する。1つ又は複数のプロセッサは、コントローラの少なくとも1つと通信するように構成されている。例えば、各コントローラは、上記方法のための機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行する1つ又は複数のプロセッサを含むことができる。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び/又はそのような媒体を収容するハードウェアを含むことができる。したがって、コントローラは、1つ又は複数のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作することができる。00149本発明の1つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、基板及び/又は基板テーブル上に閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び/又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び/又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。00150本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び/又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組合せでよい。これは、1つ又は複数の構造、1つ又は複数の液体開口を含む1つ又は複数の流体開口、1つ又は複数の気体開口あるいは1つ又は複数の2相流用の開口の組合せを含んでよい。これらの開口は、各々、液浸空間への入口又は流体ハンドリング構造からの出口あるいは液浸空間からの出口又は流体ハンドリング構造への入口であってもよい。ある実施形態では、空間の表面が基板及び/又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び/又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、空間が基板及び/又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する1つ又は複数の要素をさらに含むことができる。ある実施形態では、液浸液は水であってもよい。00151上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。"