入力電源からの電力を変換し、変換した電力を出力する電力変換回路と、フィードバック制御信号に応じて、前記電力変換回路が有するスイッチング素子をオン/オフすることで、前記電力変換回路で変換する電力の出力電流を制御する第1制御回路と、該第1制御回路に出力する前記フィードバック制御信号を、PI制御又はPID制御により、入力される出力電流目標値と前記電力変換回路から出力する出力電流値との誤差に基づいて生成する第2制御回路とを備え、該第2制御回路は、前記出力電流目標値が小さくなるに従い、PI制御又はPID制御の積分制御要素のゲインを大きくすることを特徴とするスイッチング電源装置。前記第2制御回路は、前記出力電流目標値が所定値以下の場合、前記出力電流目標値が小さくなるに従い、PI制御又はPID制御の積分制御要素のゲインを大きくすることを特徴とする請求項1に記載のスイッチング電源装置。前記第2制御回路は、前記出力電流目標値及び前記出力電流値に相当するディジタル値を保持するDSPディジタル信号処理装置で構成され、前記ディジタル値に基づいて前記フィードバック制御信号を生成することを特徴とする請求項1又は2に記載のスイッチング電源装置。前記電力変換回路は、絶縁状態で電力を変換するフライバックトランスを備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のスイッチング電源装置。前記電力変換回路は、非絶縁状態で電力を変換する昇降圧コンバータであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のスイッチング電源装置。前記電力変換回路は、力率改善コンバータであることを特徴とする請求項4又は5に記載のスイッチング電源装置。請求項1乃至6のいずれか一項に記載のスイッチング電源装置と、該スイッチング電源装置により電力が供給される負荷とを備え、該負荷は、LED発光ダイオードであることを特徴とするLED照明装置。定常状態において重要な制御要素は、積分制御要素である。PID制御の積分制御において、出力値に誤差が残っている限り、当該誤差が積分されて出力値を目標値に近づける操作量に反映され、出力値を目標値と一致させることができる。目標値と出力値との誤差が大きいと単位時間当たりの積分量も大きくなり、短時間で出力値を目標値に近づけることができる。一方、目標値と出力値との誤差が小さいと単位時間当たりの積分量も小さくなり、短時間で出力値を目標値に近づけることができない。特許文献1に開示してあるスイッチング電源装置を用いてLEDに電力を供給する場合、LEDの発光輝度を大きく設定すると出力電流目標値が大きくなるので、出力電流目標値目標値と出力電流値出力値との誤差は大きくなり、PID制御の積分量が大きくなることで、短時間で出力電流値を出力電流目標値に近づけることができる。一方、LEDの発光輝度を小さく設定すると出力電流目標値が小さくなるので、出力電流目標値目標値と出力電流値出力値との誤差は小さくなり、PID制御の積分量が小さくなることで、短時間で出力電流値を出力電流目標値に近づけることができない。例えば、LEDの発光輝度を大きく設定するときの出力電流目標値が1A、小さく設定するときの出力電流目標値が0.01Aとし、それぞれの誤差が10であるとすると、LEDの発光輝度を大きく設定するときの出力電流目標値目標値と出力電流値出力値との誤差は0.1A、小さく設定するときの出力電流目標値目標値と出力電流値出力値との誤差は0.001Aとなり、両者に100倍の違いが生じる。そのため、特許文献1に開示してあるスイッチング電源装置を用いてLEDに電力を供給する場合、LEDの発光輝度を小さく設定すると、出力電流値を出力電流目標値に近づけるための時間が長くなり、例えば調光対応のLED照明に用いた場合に低輝度の調光に時間がかかるという問題があった。本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、短時間で出力電流値を出力電流目標値に近づけることができるスイッチング電源装置、及びLED照明装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために第1発明に係るスイッチング電源装置は、入力電源からの電力を変換し、変換した電力を出力する電力変換回路と、フィードバック制御信号に応じて、前記電力変換回路が有するスイッチング素子をオン/オフすることで、前記電力変換回路で変換する電力の出力電流を制御する第1制御回路と、該第1制御回路に出力する前記フィードバック制御信号を、PI制御又はPID制御により、入力される出力電流目標値と前記電力変換回路から出力する出力電流値との誤差に基づいて生成する第2制御回路とを備え、該第2制御回路は、前記出力電流目標値が小さくなるに従い、PI制御又はPID制御の積分制御要素のゲインを大きくする。第1発明では、第2制御回路は、出力電流目標値が小さくなるに従い、PI制御又はPID制御の積分制御要素のゲインを大きくするので、積分制御要素の単位時間当たりの積分量が増加し、出力電流目標値と出力電流値との誤差が小さくても、短時間で出力電流値を出力電流目標値に近づけることができる。また、第2発明に係るスイッチング電源装置は、第1発明において、前記第2制御回路は、前記出力電流目標値が所定値以下の場合、前記出力電流目標値が小さくなるに従い、PI制御又はPID制御の積分制御要素のゲインを大きくする。第2発明では、第2制御回路が、出力電流目標値が所定値以下の場合、出力電流目標値が小さくなるに従い、PI制御又はPID制御の積分制御要素のゲインを大きくするので、出力電流値を出力電流目標値に近づけるための時間が長くなる範囲でのみPI制御又はPID制御の積分制御要素のゲインを変更することができる。また、第3発明に係るスイッチング電源装置は、第1又は第2発明において、前記第2制御回路は、前記出力電流目標値及び前記出力電流値に相当するディジタル値を保持するDSPディジタル信号処理装置で構成され、前記ディジタル値に基づいて前記フィードバック制御信号を生成する。第3発明では、第2制御回路は、出力電流目標値及び出力電流値に相当するディジタル値を保持するDSPで構成され、ディジタル値に基づいてフィードバック制御信号を生成するので、PI制御又はPID制御により、第1制御回路に出力するフィードバック制御信号の生成を短時間で行うことができる。また、第4発明に係るスイッチング電源装置は、第1乃至第3発明のいずれか一つにおいて、前記電力変換回路は、絶縁状態で電力を変換するフライバックトランスを備える。第4発明では、電力変換回路は、絶縁状態で電力を変換するフライバックトランスを備えるので、入力電圧を昇圧又は降圧する電力変換回路を構成することが可能となる。また、第5発明に係るスイッチング電源装置は、第1乃至第3発明のいずれか一つにおいて、前記電力変換回路は、非絶縁状態で電力を変換する昇降圧コンバータである。第5発明では、電力変換回路は、非絶縁状態で電力を変換する昇降圧コンバータであるので、トランスが不要となり、簡単な回路で入力電圧を昇圧又は降圧する電力変換回路を構成することが可能となる。また、第6発明に係るスイッチング電源装置は、第4又は第5発明において、前記電力変換回路は、力率改善コンバータである。第6発明では、電力変換回路は、力率改善コンバータであるので、負荷に供給される電力の損失を抑え、電力を効率よく利用することができる。上記目的を達成するために第7発明に係るLED照明装置は、第1乃至第6発明のいずれか一つのスイッチング電源装置と、該スイッチング電源装置により電力が供給される負荷とを備え、該負荷は、LED発光ダイオードである。第7発明では、第1乃至第6発明のいずれか一つのスイッチング電源装置と、該スイッチング電源装置により電力が供給される負荷とを備え、負荷は、LEDであるので、LEDの発光輝度を小さく設定する場合であっても、短時間でスイッチング電源装置により供給される出力電流値を出力電流目標値に近づけることができ、短時間で所望の発光輝度を得ることができる。上記構成によれば、第2制御回路は、出力電流目標値が小さくなるに従い、PI制御又はPID制御の積分制御要素のゲインを大きくするので、積分制御要素の単位時間当たりの積分量が増加し、出力電流目標値と出力電流値との誤差が小さくても、短時間で出力電流値を出力電流目標値に近づけることができる。また、上記構成によれば、本発明のスイッチング電源装置と、該スイッチング電源装置により電力が供給される負荷とを備え、負荷は、LEDであるので、LEDの発光輝度を小さく設定する場合であっても、短時間でスイッチング電源装置により供給される出力電流値を出力電流目標値に近づけることができ、短時間で所望の発光輝度を得ることができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。実施の形態1図1は、本発明の実施の形態1に係るスイッチング電源装置の回路構成を示す回路図である。図1に示すスイッチング電源装置1は、負荷であるLED5と接続しており、スイッチング電源装置1と、該スイッチング電源装置1により電力が供給されるLED5とでLED照明装置を構成している。スイッチング電源装置1は、ダイオードブリッジDB、トランスT、スイッチング素子Q、ダイオードD、コンデンサC1、C2、第1制御回路2、第2制御回路3を備えている。ダイオードブリッジDBは、商用交流電源Vacから入力される交流電圧を全波整流する。トランスTは、フライバックトランスである。スイッチング素子Qは、トランスTの1次巻線Npと直列に接続され、スイッチング素子QとトランスTの1次巻線Npとの直列回路は、ダイオードブリッジDBの出力に接続されている。コンデンサC1は、ダイオードブリッジDBの出力に接続され、電流リップルやノイズを除去するために接続されている。ダイオードD及びコンデンサC2は、トランスTの2次巻線Nsに接続され、整流平滑回路を構成している。なお、ダイオードブリッジDB、トランスT、スイッチング素子Q、ダイオードD、コンデンサC2が電力変換回路を構成している。電力変換回路は、絶縁型のPFC力率改善コンバータである。また、負荷であるLED5の電流経路には、電力変換回路から出力する出力電流値を検出する抵抗R1が直列に接続してある。第1制御回路2は、フィードバック制御信号に応じて、スイッチング素子Qをオン/オフすることで、電力変換回路で変換する電力の出力電流を制御する。フィードバック制御信号は、絶縁手段4を介して第2制御回路3から第1制御回路2に入力される。なお、第1制御回路2は、ダイオードブリッジDBが出力する電圧該電圧の検出手段は図示せずに応じてスイッチング素子Qのオン時間又はオンデューティ比を制御して、ダイオードブリッジDBの入力端子に流れる電流が商用交流電源Vacの電圧と同位相のほぼ正弦波となるようにする。図2は、本発明の実施の形態1に係るスイッチング電源装置1の第1制御回路2の回路構成を示す回路図である。図2に示す第1制御回路2は、絶縁手段4フォトカプラの受光素子と、絶縁手段4と並列に接続されたコンデンサC3と、同じく絶縁手段4と並列に接続されたコンデンサC4と抵抗R2との直列回路とを備えている。第1制御回路2は、絶縁手段4に供給されるフィードバック制御信号に応じて、絶縁手段4に流れる電流Icompを制御して、端子FBでの電圧を変化させてスイッチング素子Qのオン時間又はオンデューティ比を制御する。図3は、本発明の実施の形態1に係るスイッチング電源装置1の第2制御回路3の構成を示すブロック図である。図3に示す第2制御回路3は、目標値決定部31、AD変換部32、誤差演算部33、比例器34、積分器35、線形結合部36、DA変換部37、及び比較部38を備えている。第2制御回路3は、第1制御回路2に出力するフィードバック制御信号を、PI制御により、入力される出力電流目標値と電力変換回路から出力する出力電流値との誤差に基づいて生成する。なお、第2制御回路3は、出力電流目標値及び出力電流値に相当するディジタル値を保持するDSPディジタル信号処理装置等の演算素子で構成されている。そのため、第2制御回路3は、PI制御により、第1制御回路2に出力するフィードバック制御信号の生成を短時間で行うことができる。次に、PI制御について説明する。ここで、出力電流値I0t、出力電流目標値Iref、出力電流目標値Irefと出力電流I0tとの誤差et=Iref-I0tとすると、PI制御により出力電流値I0tを出力電流目標値Irefに近づける操作量Utは、式1に示すように演算することができる。式1に示す操作量Utは、第1項が比例制御要素を、第2項が積分制御要素をそれぞれ表し、比例制御要素及び積分制御要素の線形結合で表されている。また、比例制御要素は、誤差etに比例制御要素のゲインKPを掛けた値で、現在の誤差etに基づく操作量を表している。積分制御要素は、過去の誤差etを積分した値に積分制御要素のゲインKIを掛けた値で、過去の誤差に基づく操作量を表している。式1から分かるように、LED5の発光輝度を大きく設定すると出力電流目標値Irefが大きくなるので、出力電流目標値Irefと出力電流値I0tとの誤差etは大きくなり、PI制御の積分量が大きくなることで、短時間で出力電流値I0tを出力電流目標値Irefに近づけることができる。一方、LED5の発光輝度を小さく設定すると出力電流目標値Irefが小さくなるので、出力電流目標値Irefと出力電流値I0tとの誤差etは小さくなり、PI制御の積分量が小さくなることで、短時間で出力電流値I0tを出力電流目標値Irefに近づけることができない。ここで、本発明の実施の形態1に係るPI制御が、離散時間のサンプル値による制御であるとして、式1をs-z変換して離散伝達関数Gzを求める。さらに、式2を差分方程式に変換して、式3に示す操作量Unを求める。図4は、式2に示す伝達関数Gzのボード線図である。図4に示す縦軸は式2に示す伝達関数Gzのゲインを、横軸は角周波数をそれぞれ示している。図4に示すボード線図から分かるように、伝達関数Gzの係数k0を大きくすると、低角周波数から中角周波数までの範囲で式2に示す伝達関数Gzのゲインが大きくなる。つまり、伝達関数Gzの係数k0を大きくすることで、式2に示す伝達関数Gzのゲインが大きくなり、PI制御の積分量を大きくすることができるので、短時間で出力電流値I0tを出力電流目標値Irefに近づけることができる。そこで、本発明の実施の形態1では、出力電流目標値Irefが小さくなるに従い、伝達関数Gzの係数k0を大きくする。なお、伝達関数Gzの係数k0は、式2から分かるように、比例制御要素のゲインKPと、積分制御要素のゲインKIとの和である。伝達関数Gzの係数k1は、比例制御要素のゲインKPである。そのため、伝達関数Gzの係数k1が一定であれば、伝達関数Gzの係数k0を大きくすることは、積分制御要素のゲインKIを大きくすることと同じになる。従って、本発明の実施の形態1では、出力電流目標値Irefが小さくなるに従い、積分制御要素のゲインKIを大きくすることで、伝達関数Gzの係数k0を大きくしている。なお、積分制御要素のゲインKIを大きくすることは、積分制御要素の単位時間当たりの積分量が増加することになる。次に、図3に示す第2制御回路3が、PI制御を行い、出力電流目標値Irefが小さくなるに従い、積分制御要素のゲインKIを大きくする場合について説明する。なお、図3に示す第2制御回路3では、出力電流目標値Irefが所定値以下LED5の発光輝度を小さく設定するの場合に、出力電流目標値Irefが小さくなるに従い、積分制御要素のゲインKIを大きくする場合について説明するが、所定値を設けずに、出力電流目標値Irefが小さくなるに従い、積分制御要素のゲインKIを大きくしても良い。目標値決定部31は、LED5の発光輝度を設定する調光パルスが入力され、入力された調光パルスから出力電流目標値Irefを決定する。AD変換部32は、抵抗R1で検出した電力変換回路から出力する出力電流値I0tをディジタル値に変換する。誤差演算部33は、目標値決定部31で決定した出力電流目標値IrefとAD変換部32でディジタル値に変換した出力電流値I0tとの差分を求め、誤差etを演算する。比例器34は、誤差演算部33で演算した誤差etに比例制御要素のゲインKPを掛けて比例制御要素の操作量を演算する。積分器35は、誤差演算部33で演算した誤差etを積分した値に積分制御要素のゲインKIを掛けて積分制御要素の操作量を演算する。線形結合部36は、比例器34で演算した比例制御要素の操作量と、積分器35で演算した積分制御要素の操作量とを線形結合して操作量Utを算出する。DA変換部37は、線形結合部36で算出した操作量Utをアナログ信号であるフィードバック制御信号に変換し、絶縁手段4フォトカプラの発光素子に出力する。絶縁手段4は、第2制御回路3が出力するフィードバック制御信号に応じて、絶縁手段4に流れる電流Ipcdが制御され発光素子の発光量が変化する。なお、DA変換部37には、一般的なDA変換回路を用いているが、線形結合部36の出力に応じて、絶縁手段4に流れる電流Ipcdを制御するスイッチング素子であっても良い。比較部38は、出力電流目標値Irefと、予め記憶させてある所定値とを比較し、出力電流目標値Irefが所定値以下の場合、積分器35に対して、出力電流目標値Irefが小さくなるに従い、積分制御要素のゲインKIを大きくするように制御信号を出力する。積分器35は、比較部38が出力した制御信号に基づき、出力電流目標値Irefが小さくなるに従い、積分制御要素のゲインKIを大きくする。図5は、本発明の実施の形態1に係るスイッチング電源装置1の積分制御要素のゲインKIの出力電流目標値Irefに対する変化を示すグラフである。図5に示す縦軸は積分制御要素のゲインKIを、横軸は出力電流目標値Irefをそれぞれ示している。図5に示す例では、出力電流目標値Irefが10mA以下になると、出力電流目標値Irefが小さくなるに従い、積分制御要素のゲインKIが1から10へと大きくなっているKI=11-Iref。出力電流目標値Irefが10mAより大きくなると、出力電流目標値Irefに係わらず、積分制御要素のゲインKIを1の一定値とするKI=1。なお、積分制御要素のゲインKIの変化は、図5に示すように一次関数となる場合に限定されるものではなく、二次関数、離散関数等であっても良い。また、積分制御要素のゲインKIは、出力電流目標値Irefが小さくなるに従って、大きくなるのではなく、出力電流目標値Irefが所定値以下の場合に、大きい値一定値に変更しても良い。例えば、出力電流目標値Irefが10mA以下の場合に、積分制御要素のゲインKIを10の一定値に変更する。次に、第2制御回路3が、積分制御要素のゲインKIを変更する処理手順について説明する。図6は、本発明の実施の形態1に係るスイッチング電源装置1の第2制御回路3が、積分制御要素のゲインKIを変更する処理手順を示すフローチャートである。第2制御回路3は、入力された調光パルスから出力電流目標値Irefを決定するステップS61。次に、第2制御回路3は、出力電流目標値Irefが所定値以下か否かを判断するステップS62。例えば、第2制御回路3は、所定値を10mAとして、出力電流目標値Irefが10mA以下か否かを判断する。第2制御回路3が、出力電流目標値Irefが所定値以下であると判断した場合ステップS62:YES、第2制御回路3は、出力電流目標値Irefが小さくなるに従い、積分制御要素のゲインKIを大きくするステップS63。例えば、第2制御回路3は、積分制御要素のゲインKIを、11から出力電流目標値Irefを引いた値となるように大きくする。第2制御回路3は、ステップS63で積分制御要素のゲインKIを大きくした後、積分制御要素のゲインKIを変更する処理を終了する。第2制御回路3が、出力電流目標値Irefが所定値より大きいと判断した場合ステップS62:NO、第2制御回路3は、出力電流目標値Irefに係わらず、積分制御要素のゲインKIを一定値とするステップS64。例えば、第2制御回路3は、積分制御要素のゲインKI=1とする。第2制御回路3は、ステップS64で積分制御要素のゲインKIを一定値とした後、積分制御要素のゲインKIを変更する処理を終了する。以上のように、本発明の実施の形態1に係るスイッチング電源装置1は、第2制御回路3が、出力電流目標値Irefが小さくなるに従い、PI制御の積分制御要素のゲインKIを大きくするので、積分制御要素の単位時間当たりの積分量が増加し、出力電流目標値Irefと出力電流値I0tとの誤差が小さくても、短時間で出力電流値I0tを出力電流目標値Irefに近づけることができる。なお、出力電流目標値Irefが所定値以下の場合に、出力電流目標値Irefが小さくなるに従い、PI制御の積分制御要素のゲインKIを大きくすることで、出力電流値I0tを出力電流目標値Irefに近づけるための時間が長くなる範囲でのみPI制御の積分制御要素のゲインKIを変更することができる。また、本発明の実施の形態1に係るスイッチング電源装置1は、第2制御回路3が、PI制御の比例制御のゲインKPを一定値にし、PI制御の積分制御要素のゲインKIのみを変更する場合に限定されるものではなく、PI制御の比例制御のゲインKPを変更しても良い。さらに、本発明の実施の形態1に係るスイッチング電源装置1の電力変換回路は、力率改善コンバータであるので、LED5に供給される電力の損失を抑え、電力を効率よく利用することができる。さらに、本発明の実施の形態1に係るスイッチング電源装置1と、該スイッチング電源装置1により電力が供給されるLED5とを備えているLED照明装置は、LED5の発光輝度を小さく設定する場合であっても、短時間でスイッチング電源装置1により供給される出力電流値I0tを出力電流目標値Irefに近づけることができ、短時間で所望の発光輝度を得ることができる。実施の形態2本発明の実施の形態2に係るスイッチング電源装置は、第2制御回路の構成が異なる以外、図1に示したスイッチング電源装置1の構成と同じであるため詳細な説明を省略する。図7は、本発明の実施の形態2に係るスイッチング電源装置の第2制御回路の構成を示すブロック図である。図7に示す第2制御回路3aは、目標値決定部31、AD変換部32、誤差演算部33、比例器34、積分器35、微分器39、線形結合部36、DA変換部37、比較部38を備えている。第2制御回路3aは、微分器39が追加されている以外、図3に示す第2制御回路3と構成が同じであるため、同じ構成要素に同じ符号を付して詳細な説明は省略する。微分器39は、誤差演算部33で演算した誤差etを微分した値に微分制御要素のゲインKDを掛けて微分制御要素の操作量を演算する。第2制御回路3aは、第1制御回路2に出力するフィードバック制御信号を、PID制御により、入力される出力電流目標値と電力変換回路から出力する出力電流値との誤差に基づいて生成する。なお、第2制御回路3aは、出力電流目標値及び出力電流値に相当するディジタル値を保持するDSPディジタル信号処理装置等の演算素子で構成されている。そのため、第2制御回路3aは、PID制御により、第1制御回路2に出力するフィードバック制御信号の生成を短時間で行うことができる。次に、PID制御について説明する。ここで、出力電流値I0t、出力電流目標値Iref、出力電流目標値Irefと出力電流I0tとの誤差et=Iref-I0tとすると、PID制御により出力電流値I0tを出力電流目標値Irefに近づける操作量Utは、式4に示すように演算することができる。式4に示す操作量Utは、第1項が比例制御要素を、第2項が積分制御要素を、第3項が微分制御要素をそれぞれ表し、比例制御要素、積分制御要素及び微分制御要素の線形結合で表される。また、比例制御要素は、誤差etに比例制御要素のゲインKPを掛けた値で、現在の誤差etに基づく操作量を表している。積分制御要素は、過去の誤差etを積分した値に積分制御要素のゲインKIを掛けた値で、過去の誤差に基づく操作量を表している。微分制御要素は、誤差etを微分した値に微分制御要素のゲインKDを掛けた値で、誤差の変化に基づく将来の操作量を表している。式4から分かるように、LED5の発光輝度を大きく設定すると出力電流目標値Irefが大きくなるので、出力電流目標値Irefと出力電流値I0tとの誤差は大きくなり、PID制御の積分量が大きくなることで、短時間で出力電流値I0tを出力電流目標値Irefに近づけることができる。一方、LED5の発光輝度を小さく設定すると出力電流目標値Irefが小さくなるので、出力電流目標値Irefと出力電流値I0tとの誤差は小さくなり、PID制御の積分量が小さくなることで、短時間で出力電流値I0tを出力電流目標値Irefに近づけることができない。ここで、本発明の実施の形態2に係るPID制御が、離散時間のサンプル値による制御であるとして、式4をs-z変換して離散伝達関数Gzを求める。さらに、式5を差分方程式に変換して、式6に示す操作量Unを求める。図8は、式5に示す伝達関数Gzのボード線図である。図8に示す縦軸は式5に示す伝達関数Gzのゲインを、横軸は角周波数をそれぞれ示している。図8に示すボード線図から分かるように、伝達関数Gzの係数k0を大きくすると、低角周波数から中角周波数までの範囲でも式5に示す伝達関数Gzのゲインが大きくなる。さらに、式5に示す伝達関数Gzのゲインに微分制御要素のゲインKDが含まれていることから、高角周波数の範囲で式5に示す伝達関数Gzのゲインが大きくなる。本発明の実施の形態2でも、伝達関数Gzの係数k0を大きくすることで、式5に示す伝達関数Gzのゲインが大きくなり、PID制御の積分量を大きくすることができるので、短時間で出力電流値I0tを出力電流目標値Irefに近づけることができる。なお、伝達関数Gzの係数k0は、式5から分かるように、比例制御要素のゲインKPと、積分制御要素のゲインKIと、微分制御要素のゲインKDとの和である。伝達関数Gzの係数k1は、比例制御要素のゲインKPと、2倍の微分制御要素のゲインKDとの和であり、伝達関数Gzの係数k2は、微分制御要素のゲインKDである。そのため、伝達関数Gzの係数k1及び係数k2が一定であれば、伝達関数Gzの係数k0を大きくすることは、積分制御要素のゲインKIを大きくすることと同じになる。従って、本発明の実施の形態2でも、出力電流目標値Irefが小さくなるに従い、積分制御要素のゲインKIを大きくすることで、伝達関数Gzの係数k0を大きくしている。本発明の実施の形態2において第2制御回路3aが、積分制御要素のゲインKIを変更する処理手順については、本発明の実施の形態1に示した処理手順と同じであるため説明を省略する。以上のように、本発明の実施の形態2に係るスイッチング電源装置は、第2制御回路3aが、出力電流目標値Irefが小さくなるに従い、PID制御の積分制御要素のゲインKIを大きくするので、積分制御要素の単位時間当たりの積分量が増加し、出力電流目標値Irefと出力電流値I0tとの誤差が小さくても、短時間で出力電流値I0tを出力電流目標値Irefに近づけることができる。なお、本発明の実施の形態2に係るスイッチング電源装置は、第2制御回路3aが、PID制御の比例制御のゲインKP及び微分制御要素のゲインKDを一定値にし、PID制御の積分制御要素のゲインKIのみを変更する場合に限定されるものではなく、PID制御の比例制御のゲインKP又は/及び微分制御要素のゲインKDを変更しても良い。実施の形態3本発明の実施の形態3に係るスイッチング電源装置は、第2制御回路におけるPID制御の伝達関数Gzが異なる以外、図1に示したスイッチング電源装置1の構成、及び図7に示した第2制御回路3aの構成と同じであるため詳細な説明を省略する。本発明の実施の形態3に係る第2制御回路は、式5に示す伝達関数Gzに代えて、式7に示す伝達関数Gzを用いてPID制御を行う。さらに、式7を差分方程式に変換して、式8に示す操作量Unを求める。図9は、式7に示す伝達関数Gzのボード線図である。図9に示す縦軸は式7に示す伝達関数Gzのゲインを、横軸は角周波数をそれぞれ示している。図9に示すボード線図から分かるように、伝達関数Gzの係数k0を大きくすると、低角周波数から中角周波数までの範囲で式7に示す伝達関数Gzのゲインが大きくなる。さらに、式7に示す伝達関数Gzのゲインに微分制御要素のゲインKDが含まれていることから、高角周波数の範囲で式7に示す伝達関数Gzのゲインが大きくなるが、極を付加することにより、高角周波数の範囲内の高い角周波数側で式7に示す伝達関数Gzのゲインが一定値となるように制限が加えてある。本発明の実施の形態3でも、伝達関数Gzの係数k0を大きくすることで、式7に示す伝達関数Gzの積分ゲインが大きくなり、短時間で出力電流値I0tを出力電流目標値Irefに近づけることができる。本発明の実施の形態3でも、出力電流目標値Irefが小さくなるに従い、伝達関数Gzの係数k0を大きくする。なお、伝達関数Gzの係数k0は、式5から分かるように、比例制御要素のゲインKPと、積分制御要素のゲインKIと、微分制御要素のゲインKDとの和である。伝達関数Gzの係数k1は、比例制御要素のゲインKPと、2倍の微分制御要素のゲインKDとの和であり、伝達関数Gzの係数k2は、微分制御要素のゲインKDである。そのため、伝達関数Gzの係数k1及び係数k2が一定であれば、伝達関数Gzの係数k0を大きくすることは、積分制御要素のゲインKIを大きくすること同じになる。従って、本発明の実施の形態3でも、出力電流目標値Irefが小さくなるに従い、積分制御要素のゲインKIを大きくすることで、伝達関数Gzの係数k0を大きくしている。なお、本発明の実施の形態3において第2制御回路が、積分制御要素のゲインKIを変更する処理手順については、本発明の実施の形態1に示した処理手順と同じであるため説明を省略する。以上のように、本発明の実施の形態3に係るスイッチング電源装置は、式7に示す伝達関数Gzを用いてPID制御を行う。第2制御回路が、出力電流目標値Irefが小さくなるに従い、PID制御の積分制御要素のゲインKIを大きくするので、積分制御要素の単位時間当たりの積分量が増加し、出力電流目標値Irefと出力電流値I0tとの誤差が小さくても、短時間で出力電流値I0tを出力電流目標値Irefに近づけることができる。なお、本発明の実施の形態3に係るスイッチング電源装置は、第2制御回路が、PID制御の比例制御のゲインKP及び微分制御要素のゲインKDを一定値にし、PID制御の積分制御要素のゲインKIのみを変更する場合に限定されるものではなく、PID制御の比例制御のゲインKP又は/及び微分制御要素のゲインKDを変更しても良い。なお、本発明の実施の形態1乃至3に係るスイッチング電源装置の電力変換回路は、絶縁型のPFCに限定されるものではなく、非絶縁型の昇降圧コンバータであっても良い。図10は、本発明の実施の形態1に係るスイッチング電源装置の電力変換回路に非絶縁型の昇降圧コンバータを電力変換回路として用いた場合の回路構成を示す回路図である。図10に示すスイッチング電源装置1aは、負荷であるLED5と接続しており、スイッチング電源装置1aと、該スイッチング電源装置1aにより電力が供給されるLED5とでLED照明装置を構成している。スイッチング電源装置1aは、ダイオードブリッジDB、インダクタL、スイッチング素子Q、ダイオードD、コンデンサC1、C2、第1制御回路2、第2制御回路3を備えている。スイッチング電源装置1aは、トランスTに代えてインダクタLを用い、第1制御回路2と第2制御回路3とが絶縁手段4を介さずに接続されている構成が図1に示すスイッチング電源装置1の構成と異なる。なお、スイッチング電源装置1aは、図1に示すスイッチング電源装置1と同じ構成要素については同じ符号を付してある。