被測定ガスにレーザ光を照射するレーザ照射部と、前記被測定ガス中を通過したレーザ光を受光する受光部と、を備え、前記受光部で受光したレーザ光の強度から、前記被測定ガスに含まれる目的ガスの濃度を算出するガス分析装置において、前記目的ガスの複数の吸収線に関する情報と、該複数の吸収線の各々における受光強度から該目的ガスの濃度を算出するための情報と、を記憶する情報記憶手段と、前記レーザ照射部の発振波長を前記各吸収線に関する情報に基づき設定する発振波長調整手段と、前記受光部で受光したレーザ光強度と前記各濃度算出情報とに基づいて、前記目的ガスの濃度を算出する濃度算出手段と、を有することを特徴とするガス分析装置。前記発振波長調整手段が、前記レーザ照射部に流すレーザ駆動電流と該レーザ照射部の温度のいずれか一方又は両方の制御により、前記レーザ照射部の発振波長を調整することを特徴とする請求項1に記載のガス分析装置。前記受光部で受光した光の透過率又は吸収率に基づき、前記複数の吸収線の中からその目的ガスの測定に適した吸収線が自動で選択されることを特徴とする請求項1又は2に記載のガス分析装置。前記目的ガスが水分であることを特徴とする請求項1~3に記載のガス分析装置。前記水分の濃度測定に使用する複数の吸収線のうち、一つが中心波長13686μmの吸収線であり、それ以外の吸収線が13636μmから13736μmの間にあることを特徴とする請求項4に記載のガス分析装置。前記水分の濃度測定に使用する複数の吸収線のうち、一つが中心波長13686μmの吸収線であり、それ以外が中心波長13636μm、13689μm、13692μmの吸収線のいずれか一つ又は複数であることを特徴とする請求項4に記載のガス分析装置。TDLAS法によるガス濃度測定は、例えば半導体処理ガス中において有害とされる水分のモニタリングや、煙道中の一酸化炭素、二酸化窒素などのモニタリングなどに利用される。TDLAS法では被測定ガスに非接触で目的ガスの濃度を算出することができるため、既存の半導体製造装置の排気ラインや煙道などに対しても最小限の変更を施すだけでインライン測定が可能となる。しかしながら、その反面、光路長を自由に設定することができない場合がある。このような場合、例えば光路長が長すぎると、レーザ光が目的成分ガスによる吸収を受けすぎて大幅に減衰してしまい、測定精度が低下してしまったり、測定自体が不可能になってしまったりすることがある。また、半導体製造装置などでは、被測定ガスの圧力が大気圧付近から急激に且つ大きく減じるような状況の下で目的ガスの濃度測定を行うことがある。このような場合、被測定ガスの急激な圧力変化に伴って目的ガスの濃度が大きく変化し、透過光強度が大きく変化することによりレーザ光受光部の検出可能範囲を超えてしまうことがある。本発明が解決しようとする課題は、目的ガスの濃度測定の測定可能範囲を広くすることのできるTDLAS法によるガス分析装置を提供することである。上記課題を解決するために成された本発明は、被測定ガスにレーザ光を照射するレーザ照射部と、前記被測定ガス中を通過したレーザ光を受光する受光部と、を備え、前記受光部で受光したレーザ光の強度から、前記被測定ガスに含まれる目的ガスの濃度を算出するガス分析装置において、前記目的ガスの複数の吸収線に関する情報と、該複数の吸収線の各々における受光強度から該目的ガスの濃度を算出するための情報と、を記憶する情報記憶手段と、前記レーザ照射部の発振波長を前記各吸収線に関する情報に基づき設定する発振波長調整手段と、前記受光部で受光したレーザ光強度と前記各濃度算出情報とに基づいて、前記目的ガスの濃度を算出する濃度算出手段と、を有することを特徴とする。従来のTDLAS法によるガス分析装置では、所定の目的ガスの濃度を測定する際、該目的ガスの1つの吸収線のみを対象としていた。これに対し、本発明に係るガス分析装置は、対象とする吸収線を複数にしたことを特徴とする。これによって次のような効果が生じる。同じ目的ガスであっても、吸収線が異なると吸収係数が変化する。すなわち、目的ガスによるレーザ光の吸収量減衰量は吸収線毎に異なる。従って、例えば受光部で受光した光の透過率が著しく小さいすなわち光の吸収率が著しく大きい場合は吸収係数の小さい吸収線にレーザ発振波長を切り替えて測定を行い、逆に透過率が著しく大きいすなわち光の吸収率が著しく小さい場合は吸収係数の大きい吸収線にレーザ発振波長を合わせて測定を行えば、適正な透過率で濃度測定を行うことが可能となる。同様に、ガス分析装置を設置する場所によって光路長を大きく取らざるを得ない場合は、吸収係数の小さい吸収線に切り替え、また光路長を小さく取らざるを得ない場合は吸収係数の大きい吸収線に切り替えることによって、様々な使用条件に対応することが可能となる。なお、濃度を算出するためには吸収線強度及び吸収特性関数が必要となる。これらは吸収線毎に異なるため、各々の吸収線に対応して情報記憶手段に記憶され、濃度を算出する際に利用される。前記濃度算出情報としては、吸収線強度及び吸収特性関数そのものでなく、これらを算出するためのパラメータ例えばγLやγED、Srefなどであっても良い。前記発振波長調整手段は、前記レーザ照射部に流すレーザ駆動電流と該レーザ照射部の温度のいずれか一方又は両方の制御によって、前記レーザ照射部の発振波長を調整することができる。本発明に係るガス分析装置では、目的ガスの濃度を測定する際、複数の吸収線の中から測定に適した吸収線を選択して測定を行うことができる。これにより、1台のガス分析装置で様々な使用条件に対応することができる。また、従来よりも測定可能な濃度範囲を広げ、かつ高精度に測定することが可能となる。本発明に係るガス分析装置の一実施例である水分測定装置について、添付図面を参照して説明する。図1は本実施例による水分測定装置の概略ブロック図である。なお、この実施例の装置は、直接吸収分光法により被測定ガス中の水分水蒸気の濃度を測定するものであるが、特定波長でレーザ光を吸収するガスであれば、他のガス濃度の測定も可能である。本実施例の水分測定装置において、半導体レーザダイオードLD1は、制御部2の制御の下にLD駆動部3から供給される駆動電流に応じて、所定の波長範囲で波長が走査されるレーザ光を測定セル4に照射する。LD1としては例えばDFBDistributedFeedback型レーザで、水分子が吸収線をもつ13μm帯の波長のものを使用することができるが、これ以外でも、水分子の吸収線が存在する波長で発振するような波長可変レーザであれば使用することができる。もちろん、水ではなく別の目的ガスの濃度を測定する場合には、その目的ガスの吸収スペクトルが存在する波長で発振するような波長可変レーザを用いればよい。LD1はまた、制御部2の制御の下にLD温調部5により一定の温度に温調される。測定セル4には被測定ガスが連続的に導入されており、LD1から照射されたレーザ光は測定セル4を通過する間に被測定ガスに含まれる成分による吸収を受ける。そうして吸収を受けた後のレーザ光がフォトダイオードPD6に到達し、PD6は受光強度に応じた測定信号を出力する。PD6から出力された測定信号は第一A/D変換器7によりデジタル値に変換され、透過光強度Iとしてデータ処理部8に入力される。式により水分量を算出する場合、対象とする吸収線の中心周波数ν0における透過光強度Iの他に、中心周波数ν0における入射光強度I0も必要となる。入射光強度I0については、次の方法により求めることができる。図2は透過光強度Iの信号波形の一例であり、横軸は周波数偏差ν-ν0、縦軸は信号強度である。この図に示すように、周波数偏差ゼロ、すなわち中心周波数ν0付近において吸収スペクトルが観測される。入射光強度I0は目的ガスによる吸収がないときの信号強度であるから、非吸収領域において測定した透過光強度Iから近似曲線を描き、中心周波数ν0における該近似曲線の値を求めることにより、入射光強度I0を得ることができる。なお、入射光強度I0は、目的ガス本実施例では水分が存在しない状態で予め測定しておいた透過光強度を利用することもできる。測定セル4内には温度センサ9及び圧力センサ10が配設されており、被測定ガスのガス温度Tと圧力全圧Pが測定される。温度センサ9及び圧力センサ10から出力された測定信号は、それぞれ第二A/D変換器11及び第三A/D変換器12によりデジタル値に変換されたうえで、データ処理部8に入力される。なお、被測定ガスのガス温度が既知である場合には、温度センサ9及び第二A/D変換器11を図1の構成から省くことができる。同様に、被測定ガスの圧力が既知である場合には、圧力センサ10及び第三A/D変換器12を図1の構成から省くことができる。データ処理部8は、情報記憶部81、吸収線判定部82、濃度算出部83を含む。上記のように、本発明は目的ガスの濃度測定に用いる吸収線を複数にしたことを特徴とする。情報記憶部81には、水分子の濃度測定に用いる様々な情報が、各々の吸収線に対応して記憶されている。ここで、濃度測定に用いる情報とは、例えば制御部2がLD駆動部3及びLD温調部5を制御するための設定値や、吸収線判定部82における判定条件、濃度算出部83の濃度算出に用いる吸収線強度や吸収特性関数、などである。吸収線判定部82は今回の測定において対象とした水分子の吸収線が測定に適していたか否かを判定するためのものである。吸収線判定部82でその吸収線が適していないと判定された場合、情報記憶部81に保持されている複数の吸収線の情報の中から、今回対象とした吸収線とは別の吸収線の情報を1つ選択する。情報記憶部81には、各々の吸収線に対応するLD1の駆動電流及び温調温度の設定値が保持されている。この設定値は制御部2に送られ、制御部2は該設定値に基づいてLD駆動部3とLD温調部5を制御し、次の測定を開始する。吸収線判定部82において、対象とした吸収線が測定に適していると判定された場合、濃度算出部83において水分濃度の算出を行う。濃度算出部83は、情報記憶部81に保持されている、その吸収線に対応する吸収線強度及び吸収特性関数の情報を参照しつつ、透過光強度、ガス温度、圧力の各測定値に基づいて濃度を算出する。その結果は出力部13に送られ、モニタ等に該結果が出力される。本実施例の水分測定装置の測定動作について、具体例を挙げて説明する。図3は、13μm帯において吸収係数が大きい13686μm付近の吸収帯を示している。一般的なDFB型レーザの特性では、半導体素子を10°C変化させると、発振波長は1nm程度変化する。従って、中心波長が13686μmである吸収線を濃度測定に使用する場合、他の吸収線として実用的な候補となるのは、±5nm以内の吸収係数が相対的に小さい吸収線であり、とりわけ図2に示す中心波長が13682μm、13689μm、13692μmである吸収線を好適に用いることができる。もちろん、これら以外の吸収線を用いても構わない。以下の具体例では、濃度測定に用いる吸収線として中心波長がλ113686μm、λ213692μmのものを用いることにする。図4及び図5は、光路長Lを1000cm、ガス温度Tを300Kとし、レーザ光の波長を13686μm、13692μmとしたときの、水分濃度と透過率透過光強度/入射光強度の関係を示したものである。なお、図4は相対的に低濃度でppmオーダでの変化を、図5は大気中に自然に存在する水蒸気レベルで、10000ppm1前後での変化を、それぞれ示している。これらの図から、吸収係数の大きい13686μmの波長では、L1000cmの場合、ppmオーダ以下の微量水分測定には適しているものの、オーダではレーザ光が吸収されすぎてしまい、殆どPD6まで届かないことが分かる。一方の13692μmの波長では、ppmオーダの水分量変化に対しては透過率の変化が少ないものの、オーダまで透過率が変化し続けるため、1000cmの光路長で大気レベルの水蒸気量を測定しなければならないような環境では、こちらの波長の吸収線を使用する方が、広範囲且つ高精度に測定することができる。次に、測定に使用する吸収線の選択と、各吸収線に対する濃度の算出について説明する。例えば、当初、低濃度水分状態で中心波長λ113686μm中心周波数ν1の吸収線を対象として濃度測定を行っていたとする。ここで、を吸収線判定部82の判定条件とし、この判定条件が満たされていれば、中心波長λ113686μmの吸収線の選択が適切であるとして、次の式から水分濃度水分子数密度cを算出する。上式のS1及びK1はν1を中心周波数とする吸収線に対応する吸収線強度と吸収特性関数であり、情報記憶部81に格納された情報と、ガス温度の測定値Tと、圧力の測定値Pとに基づいて算出される。一方、水分濃度が上昇して式の条件が満たされなくなった場合、この吸収線では水分濃度が高過ぎると判断し、λ213692μm中心周波数ν2の吸収線を対象とした測定に切り替える。この際、駆動電流の設定は変えず、LD温調部5の温調温度の設定を6°C程度上昇させると、上記のようにLD1の発振波長が変化し、λ213692μmの吸収線を対象とした測定を行うことができる。なお、LD温調部5の温調温度の設定ではなく、駆動電流の設定によって吸収線の切り替えを行っても良い。また、両方の設定を変更することにより、吸収線の切り替えを行っても良い。一方、λ213692μmの吸収線を対象とした測定を行う場合、吸収線判定部82は、を判定条件として用いる。この判定条件が満たされていれば、中心波長λ213692μmの吸収線の選択が適切であるとして、次の式から水分濃度水分子数密度cを算出する。ここで、S2及びK2はν2を中心周波数とする吸収線に対応する吸収線強度と吸収特性関数であり、情報記憶部81に格納された情報と、ガス温度の測定値Tと、圧力の測定値Pとに基づいて算出される。水分濃度が低下して式の条件が満たされなくなった場合、この吸収線では水分濃度が低過ぎると判断し、LD温調部5の温調温度の設定を6°C程度低下させて、λ113686μmの吸収線を対象とした測定に切り替える。以上、本発明に係るガス分析装置の一実施例を示したが、本発明の趣旨の範囲で適宜に変形や修正、追加などを行っても、本願特許請求の範囲に包含されることは明らかである。例えば、上記実施例では吸収線判定部82における判定により自動で測定に適した吸収線が選択されたが、装置が出力部に選択可能な吸収線を示し、分析者が自らその中から1つを選択する構成とすることもできる。