基板を保持する保持装置であって、前記基板を支持する突起を備えた基台を有し、前記基台の上面は、前記突起に支持された前記基板と前記基台との間隙内の液体の減少に伴って前記間隙内の液体の毛細管圧力が増加するように構成されている、ことを特徴とする保持装置。前記基台の上面は、前記間隙内の液体と接触する領域における周辺部から中央部に向かって、前記間隙の厚さが減少するように形成されている、ことを特徴とする請求項1に記載の保持装置。前記基台の上面は、前記間隙内の液体と接触する領域における周辺部から中央部に向かって、前記液体との接触角が減少するように構成されている、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の保持装置。荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、前記基板を保持する請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の保持装置を有する、ことを特徴とする描画装置。請求項4に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、前記工程で描画を行われた基板を現像する工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。特許文献1の保持装置は、真空中での液体の蒸発の速度が速いため、当該蒸発に伴って保持力が低下してしまう。保持力は、上記の負圧が一定であると、基板と液体との間の接触面積に比例する。このため、蒸発とともに接触面積が減少すると、保持力は低下する。したがって、特許文献1の保持装置では、必要な時間例えば、保持している基板に対する露光描画等の処理に要する時間だけ必要な保持力を維持するのが困難となりうる。本発明は、保持力の維持に有利な保持装置を提供することを例示的目的とする。本発明の一側面は、基板を保持する保持装置であって、前記基板を支持する突起を備えた基台を有し、前記基台の上面は、前記突起に支持された前記基板と前記基台との間隙内の液体の減少に伴って前記間隙内の液体の毛細管圧力が増加するように構成されている、ことを特徴とする保持装置である。本発明によれば、例えば、保持力の維持に有利な保持装置を提供することができる。以下に、添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。なお、原則として、全図を通じ同一の部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。[実施形態1]本発明の基板保持装置は、荷電粒子線を用いて基板に描画を行う描画装置に適用した例を説明するが、それに限らず種々の装置に広く適用可能である。図4は、本実施形態に係る描画装置の構成図である。ここで、描画装置は、荷電粒子線として電子線を用いる描画装置を例に説明するが、イオン線等他の荷電粒子線を用いるものであってもよい。描画装置10は、真空チャンバ5と、当該真空チャンバ5内に収容された電子光学系3およびステージ4を有し、真空中で電子線を用いて基板2に描画を行うものである。ステージ4は、電子光学系3に対して基板2を位置決めするために可動に構成され、基板2を保持するための基板保持装置1単に保持装置ともいうを含む。図1は、実施形態1に係る基板保持装置の構成を示す図である。基板保持装置1は、突起支持部13を備えた基台11と、突起13により支持された基板2と基台11との間隙に液体12を供給する供給機構後述を有する。図示されたような液面には、毛細管現象液体の毛細管圧力により液体12の外側に向かう力が作用するため、基板2は、真空チャンバ5内の気圧と液体12の圧力との差に相当する圧力差圧で基台11に押しつけられる。当該差圧によって基板2と突起13との間に生じる摩擦力により、基板2が横ずれしないように、基板2は基台11に保持される。ここで、基台11の上面突起13の部分を除く基台11の上面は、液体との接触領域における周辺部から中央に向かって、基台11と基板2との間の距離間隙の厚さが減少するように形成されている。図2を参照して、本実施形態に係る構成の原理を説明する。まず、基板2と液体12とが接触する単位面積当たりの基板保持力Pは、以下の式で表わされる。P=γ×cosθ1cosθ2/h...1ここで、γは液体の表面張力、θ1は基板2と液体12との間の接触角、θ2は基台11の上面における液体12の界面と基板2に平行な面とのなす角、hは液体12の界面における基板2と基台11との間の距離である。一方、基板2と液体12との間の接触面積は、液体12の半径をRとしてπ×R2となる。基板保持力Fは、式1で示される単位面積当たりの基板保持力Pと、基板2と液体12との間の接触面積π×R2との積で表わされるから、次式2ようになる。F=P×π×R2=γ×cosθ1cosθ2/h×π×R2...2ここで、基台11の上面は、周辺部から中央部に向かって、基板2との距離が小さくなるように形成されている。よって、液体12が蒸発すると、液体12の外周部の界面が存在する位置における基台11の上面と基板2との間の距離が狭まる。すなわち、Rが減少すると、hが減少する。このため、液体12の蒸発等により基板2と液体12との間の接触面積が減少しても、hが一定の場合に比べ、基板保持力Fが低減する度合を低減できる。また、基板保持力Fを低下させないために、Rの減少に対して、R2/hが一定となるか大きくなるように構成してもよい。ここでは、θ2を一定値または、Rの変化量に対するθ2の変化量が十分に小さいとした。一般には、θ2は、基台11の上面の形状によるから、Rの関数となる。[実施形態2]図3は、実施形態2に係る基板保持装置の構成を示す図である。図3の構成では、図1の構成とは異なり、基台11の上面は、周辺部から中央部に向かって基台11と基板2との間の距離間隙の厚さが狭くなるようには形成されていない。その替わりに、液体12の接触する基台11の上面は、周辺部から中央部に向かって液体12との接触角が小さくなる親液性液体12が水の場合は親水性が高くなるような表面処理または加工を施されている。この構成によれば、Rが減少したときにcosθ1cosθ2が増加する。このため、液体12の蒸発等により基板2と液体12との間の接触面積が減少しても、cosθ1cosθ2が一定の場合に比べ、基板保持力Fが低減する度合を低減できる。ここで、基板2の下面も、周辺部から中央部に向かって液体12との接触角が小さくなるような表面処理または加工を施されていてもよい。また、基板保持力Fを低下させないために、Rの減少に対して、cosθ1cosθ2×R2が一定となるか大きくなるように構成してもよい。[実施形態3]本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程基板に描画を行う工程と、当該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、該製造方法は、他の周知の工程酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能品質生産性生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形または変更が可能である。例えば、以上の記載では、基台11の上面および基板2の下面は、周辺部から中央部に向かって、間隙の厚さが減少する、または、接触角が小さくなるようなものとした。しかしながら、基板2と基台11との間隙において液体12が離散的な複数の領域に満たされるような構成の場合は、間隙内の液体と接触する領域における周辺部から中央部に向かって基台11の上面および基板2の下面を上述のように構成してもよい。