"マグネシウム、アルミニウム、酸素及び窒素を主成分とするセラミックス材料であって、CuKα線を用いたときのXRDピークが少なくとも2θ=47~50°に現れるマグネシウム-アルミニウム酸窒化物相を主相とする、セラミックス材料。前記2θは47~49°である、請求項1に記載のセラミックス材料。酸化マグネシウムに窒化アルミニウムが固溶したMgO-AlN固溶体の結晶相を副相とする、請求項1又は2に記載のセラミックス材料。前記MgO-AlN固溶体は、CuKα線を用いたときの200面及び220面のXRDピークが酸化マグネシウムの立方晶のピークと窒化アルミニウムの立方晶のピークとの間である2θ=42.9~44.8°,62.3~65.2°に現れる、請求項3に記載のセラミックス材料。前記MgO-AlN固溶体は、CuKα線を用いたときの111面のXRDピークが酸化マグネシウムの立方晶のピークと窒化アルミニウムの立方晶のピークとの間である2θ=36.9~39°に現れる、請求項4に記載のセラミックス材料。AlN結晶相を含まない、請求項1~5のいずれか1項に記載のセラミックス材料。請求項1~6のいずれか1項に記載のセラミックス材料を利用した第1構造体と、窒化アルミニウム、酸化イットリウム及び酸化アルミニウムのうち少なくとも1種を主相とする第2構造体と、が積層又は接合された構造を有する、積層体。前記第1構造体と前記第2構造体とが中間層を介して接合されている、請求項7に記載の積層体。前記第1構造体と前記第2構造体との線熱膨張係数差が0.3ppm/K以下であり、前記第1構造体と前記第2構造体とが直接接合されている、請求項7に記載の積層体。請求項1~6のいずれか1項に記載のセラミックス材料からなる、半導体製造装置用部材。請求項1~6のいずれか1項に記載のセラミックス材料からなる、スパッタリングターゲット部材。磁気トンネル接合素子のトンネル障壁の作製に使用される、請求項11に記載のスパッタリングターゲット部材。ハードディスクの磁気ヘッド及び磁気抵抗ランダムアクセスメモリのうち少なくとも1つの前記磁気トンネル接合素子の作製に使用される、請求項12に記載のスパッタリングターゲット部材。本発明のセラミックス材料は、マグネシウム、アルミニウム、酸素及び窒素を主成分とし、CuKα線を用いたときのXRDピークが少なくとも2θ=47~50°に現れるマグネシウム-アルミニウム酸窒化物相を主相とするものである。このマグネシウム-アルミニウム酸窒化物は、ハロゲン系プラズマに対する耐食性がスピネルと同等かそれより高いため、この酸窒化物を主相とする本発明のセラミックス材料も耐食性が高くなったと考えられる。また、このマグネシウム-アルミニウム酸窒化物は、スピネルと同等の耐食性を持ちながらスピネルよりも線熱膨張係数が低いものとすることもできる。本発明のセラミックス材料は、酸化マグネシウムに窒化アルミニウムが固溶したMgO-AlN固溶体の結晶相を副相として含んでいてもよい。このMgO-AlN固溶体も耐食性が高いため、副相として含まれていても問題ない。このMgO-AlN固溶体は、CuKα線を用いたときの200面及び220面のXRDピークが酸化マグネシウムの立方晶のピークと窒化アルミニウムの立方晶のピークとの間である2θ=42.9~44.8°,62.3~65.2°に現れるものとしてもよく、更に、111面のXRDピークが酸化マグネシウムの立方晶のピークと窒化アルミニウムの立方晶のピークとの間である2θ=36.9~39°に現れるものとしてもよい。111面のピークが他の結晶相のピークとの判別を行いにくい場合があることから、200面及び220面のXRDピークのみ上記範囲に現れるものとしてもよい。同様に、200面または220面のピークも他の結晶相のピークとの判別を行いにくい場合がある。本発明のセラミックス材料は、スピネルと同等かそれよりも高い耐食性を得るには、副相としてAlN結晶相を含むと耐食性が低下する傾向があるため、AlN結晶相は少ないことが好ましく、含まないことがより好ましい。また、スピネルは、アルミナやAlN結晶よりも耐食性が高いため、少量を含有してもよい。但し、スピネルは、本発明のマグネシウム-アルミニウム酸窒化物相、及びMgO-AlN固溶体よりも耐食性が劣るため、より少ないことが好ましい。一方、スピネルと同等の耐食性を持ちながら線熱膨張係数を低くするには、スピネルやAlN結晶相を少量含有していてもよい。本発明のセラミックス材料は、スピネルと同等かそれよりも高い耐食性を得るには、原料粉末中のマグネシウム/アルミニウムのモル比が0.20以上2以下であることが好ましいが、マグネシウム/アルミニウムのモル比が0.75以上2以下であることがより好ましい。マグネシウム/アルミニウムのモル比が0.20未満であると窒化アルミニウム、スピネル、酸化アルミニウムのいずれかの生成量が多くなり、高耐食な特徴が失われることが懸念される。マグネシウム/アルミニウムのモル比が2を超えるとMgO-AlN固溶体が主相になりやすい。一方、スピネルと同等の耐食性を持ちながら線熱膨張係数を低くするには、原料粉末中のマグネシウム/アルミニウムのモル比が0.05以上15以下であることが好ましいが、マグネシウム/アルミニウムのモル比が0.1以上1以下であることがより好ましい。本発明のセラミックス材料において、開気孔率は5以下であることが好ましい。ここでは、開気孔率は、純水を媒体としたアルキメデス法により測定した値とする。開気孔率が5を超えると、強度が低下するおそれや材料自身が脱粒によって発塵し易くなるおそれがあり、更に材料加工時等で気孔内に発塵成分がたまり易くなるため好ましくない。また、開気孔率は、できるだけゼロに近いほど好ましい。このため、特に下限値は存在しない。本発明のセラミックス材料は、上述したセラミックス材料を利用した第1構造体と、窒化アルミニウム、酸化イットリウム及び酸化アルミニウムのうち少なくとも1種を主相とする第2構造体と、を有する積層体に用いるものとしてもよい。また、この第1構造体と第2構造体とが積層又は接合された構造を有するものとしてもよい。こうすれば、耐食性の高い第1構造体と、第1構造体と異なる特性例えば伝熱性や機械的強度などを有する第2構造体とにより、耐食性に加えて他の特性をより高めることができる。ここで、第1構造体は、上記セラミックス材料によって形成された薄膜や板状体、層状体としてもよい。また、第2構造体は、窒化アルミニウム、酸化イットリウム及び酸化アルミニウムを主相とする薄膜や板状体、層状体としてもよい。なお、接合はどのような態様で行われたものでもよく、例えば焼結により接合されていてもよいし、接着剤により接合されていてもよい。このとき、本発明の積層体は、第1構造体と第2構造体とが中間層を介して接合されていてもよい。こうすれば、中間層によって、例えば熱膨張率の違いによる第1構造体と第2構造体との剥離などをより抑制することができる。この中間層は、第1構造体と第2構造体との中間の性質を有する層としてもよい。この中間層は、例えば、第1構造体の主相と第2構造体の主相とを混合した層としてもよい。また、この中間層は、含有する成分、若しくは成分比の異なる複数の層を含むものとしてもよい。こうすれば、傾斜材料的な特性とすることができる。また、本発明の積層体は、第1構造体と第2構造体との線熱膨張係数差が0.3ppm/K以下であり、第1構造体と第2構造体とが直接接合されていてもよい。こうすれば、第1構造体と第2構造体との線熱膨張係数差が小さいため、両構造体を高温で接合例えば焼結により接合した際やこの積層体の高温-低温での使用を繰り返したりした際にクラックや剥離が生じるおそれがない。本発明のセラミックス材料は、半導体製造装置用部材に利用することができる。半導体製造装置用部材としては、例えば、半導体製造装置に用いられる静電チャックやサセプター、ヒーター、プレート、内壁材、監視窓、マイクロ波導入窓、マイクロ波結合用アンテナなどが挙げられる。これらは、ハロゲン元素を含む腐食性ガスのプラズマに対する優れた耐腐食性が必要とされるため、本発明のセラミックス材料を用いるのが好適といえる。本発明のセラミックス材料において、主相をなすマグネシウム-アルミニウム酸窒化物の40~1000°Cの線熱膨張係数は、6~7ppm/Kである。そこで、副相成分のMgO-AlN固溶体12~14ppm/Kや、スピネル8~9ppm/K、窒化アルミニウム5~6ppm/Kの比率を変えることにより、高耐食性を維持したまま、線熱膨張係数を5.5~10ppm/Kに制御することができる。但し、スピネルや窒化アルミニウムは、マグネシウム-アルミニウム酸窒化物やMgO-AlN固溶体よりも耐食性が低いことから、より少ないことが好ましい。このような熱膨張の調整によって、酸化アルミニウム、酸化イットリウム及び窒化アルミニウムなど、半導体製造装置部材として用いられている材料との熱膨張を合わせる、または、熱膨張差を小さくすることができる。これによって、本発明のセラミックス材料と従来材料との積層や貼り合わせが可能となる。こうすれば、表面第1構造体のみを本発明の高い耐食性を有するセラミックス材料とし、下部第2構造体の基材に従来材料を使用することができる。特に、一体焼結においてこのような積層構造及び熱膨張調整は有効となる。なかでも、第2構造体の基材に窒化アルミニウムを主体とした材料を用いることにより、高熱伝導を維持することができ、高耐食であるセラミックス材料の表面温度を均一に保ちやすくなる。このような構成は、特にヒーター内蔵型の半導体製造装置において有効である。また、本発明のセラミックス材料は、スパッタリングターゲット部材に利用することができる。即ち、本発明のスパッタリングターゲット材は、マグネシウム、アルミニウム、酸素及び窒素を主成分とするセラミックス材料であって、CuKα線を用いたときのXRDピークが少なくとも2θ=47~50°に現れるマグネシウム-アルミニウム酸窒化物相を主相とする、セラミックス材料からなるものとしてもよい。本発明のセラミックス材料は、酸化マグネシウムより低い電気抵抗を有するため、スパッタリングターゲット部材に用いることが好ましい。スパッタリングターゲット部材としては、例えば、磁気トンネル接合素子のトンネル障壁の作製に使用されるものとしてもよい。このとき、本発明のセラミックス材料は、ハードディスクの磁気ヘッド及び磁気抵抗ランダムアクセスメモリのうち少なくとも1つの磁気トンネル接合素子の作製に使用されることが好ましい。これらは、低い電気抵抗や高い磁気抵抗比が必要とされるため、本発明のセラミックス材料を用いるのが好適といえる。本発明のセラミックス材料は、酸化マグネシウムとアルミナと窒化アルミニウムとの混合粉末を、成形後焼成することにより製造することができる。例えば、スピネルと同等かそれよりも高い耐食性を得るには、酸化マグネシウムを15質量以上66.2質量以下、アルミナを63質量以下、窒化アルミニウムを57.7質量以下となるように混合した粉末を成形後焼成してもよい。更には、酸化マグネシウムを37質量以上66.2質量以下、アルミナを63質量以下、窒化アルミニウムを57.7質量以下となるように混合した粉末を成形後焼成してもよい。一方、スピネルと同等の耐食性を持ちながら線熱膨張係数を低くして均熱性を高くするには、酸化マグネシウムを5質量以上60質量以下、アルミナを60質量以下、窒化アルミニウムを90質量以下となるように混合した粉末を成形後焼成してもよい。また、焼成温度は1750°C以上とすることが好ましい。焼成温度が1750°C未満では、目的とするマグネシウム-アルミニウム酸窒化物が得られないおそれがあるため好ましくない。なお、焼成温度の上限は、特に限定するものではないが、例えば1850°Cとか1900°Cとしてもよい。また、焼成はホットプレス焼成を採用することが好ましく、ホットプレス焼成時のプレス圧力は、50~300kgf/cm2で設定することが好ましい。焼成時の雰囲気は、酸化物原料の焼成に影響を及ぼさない雰囲気であることが好ましく、例えば窒素雰囲気やアルゴン雰囲気、ヘリウム雰囲気などの不活性雰囲気であることが好ましい。成形時の圧力は、特に制限するものではなく、形状を保持することのできる圧力に適宜設定すればよい。以下に、本発明の好適な適用例について説明する。MgO原料、Al2O3原料及びAlN原料は、純度99.9質量以上、平均粒径1μm以下の市販品を使用した。ここで、AlN原料については1程度の酸素の含有は不可避であるため、酸素を不純物元素から除いた純度である。なお、MgO原料は、純度99質量以上のものを使用した場合でも純度99.9質量以上のものを使用した場合と同等のセラミックス材料が作製できた。1.セラミックス材料まず、マグネシウム、アルミニウム、酸素及び窒素を主成分とするセラミックス材料について説明する実験例1~19。なお、実験例1~3、6~16が本発明の実施例に相当し、実験例4,5,17~19が比較例に相当する。[実験例1~3]調合MgO原料、Al2O3原料及びAlN原料を、表1に示す質量となるように秤量し、イソプロピルアルコールを溶媒とし、ナイロン製のポット、直径5mmのアルミナ玉石を用いて4時間湿式混合した。混合後スラリーを取り出し、窒素気流中110°Cで乾燥した。その後30メッシュの篩に通し、調合粉末とした。なお、この調合粉末のMg/Alのモル比は1.2である。成形調合粉末を、200kgf/cm2の圧力で一軸加圧成形し、直径35mm、厚さ10mm程度の円盤状成形体を作製し、焼成用黒鉛モールドに収納した。焼成円盤状成形体をホットプレス焼成することによりセラミックス材料を得た。ホットプレス焼成では、プレス圧力を200kgf/cm2とし、表1に示す焼成温度最高温度で焼成し、焼成終了までAr雰囲気とした。焼成温度での保持時間は4時間とした。[実験例4]MgO原料及びAl2O3原料を、表1に示す質量となるように秤量した以外は、実験例1と同様にしてセラミックス材料を得た。[実験例5]焼成温度を1650°Cに設定した以外は、実験例1と同様にしてセラミックス材料を得た。[実験例6~12]MgO原料、Al2O3原料及びAlN原料を、表1に示す質量となるように秤量し、焼成温度を、表1に示す温度とした以外は、実験例1と同様にしてセラミックス材料を得た。[実験例13~19]MgO原料、Al2O3原料及びAlN原料を、表1に示す質量となるように秤量し、焼成温度を、表1に示す温度とし、焼成雰囲気をN2にした以外は、実験例1と同様にしてセラミックス材料を得た。[評価]実験例1~19で得られた各材料を各種評価用に加工し、以下の評価を行った。各評価結果を表1に示す。なお、実験例1~19では、直径50mmのサンプルも作製したが、それらについても表1と同様の評価結果が得られた。1嵩密度開気孔率純水を媒体としたアルキメデス法により測定した。2結晶相評価材料を乳鉢で粉砕し、X線回折装置により結晶相を同定した。測定条件はCuKα,40kV,40mA,2θ=5-70°とし、封入管式X線回折装置ブルカーエイエックスエス製D8ADVANCEを使用した。3エッチングレート各材料の表面を鏡面に研磨し、ICPプラズマ耐食試験装置を用いて下記条件の耐食試験を行った。段差計により測定したマスク面と暴露面との段差を試験時間で割ることにより各材料のエッチングレートを算出した。ICP:800W、バイアス:450W、導入ガス:NF3/O2/Ar=75/35/100sccm0.05Torr6.67Pa、暴露時間:10h、試料温度:室温4構成元素EPMAを用いて、構成元素の検出及び同定と、各構成元素の濃度分析を行った。5平均線熱膨張係数40~1000°Cディラトメーターブルカーエイエックスエス製を用いてアルゴン雰囲気中で測定した。6曲げ強度JIS-R1601に準拠した曲げ強度試験によって測定した。7体積抵抗率測定JIS-C2141に準じた方法により、大気中、室温25°Cにて測定した。試験片形状は、直径50mm×0.5~1mmとし、主電極は直径20mm、ガード電極は内径30mm、外径40mm、印加電極は直径40mmとなるよう各電極を銀で形成した。印加電圧は2kV/mmとし、電圧印加後1分時の電流値を読み取り、その電流値から室温体積抵抗率を算出した。また、実験例7と実験例19MgO焼結体について、真空下0.01Pa以下、600°Cにて測定した。試験片形状は直径50mm×0.5~1mmとし、主電極は直径20mm、ガード電極は内径30mm、外径40mm、印加電極は直径40mmとなるよう各電極を銀で形成した。印加電圧は500V/mmとし、電圧印加後1時間時の電流値を読み取り、その電流値から体積抵抗率を算出した。なお、表1の体積抵抗率において、aEbはa×10bを表し、例えば1E16は1×1016を表す。[評価結果]図1に実験例1のXRD解析チャートを示す。なお、実験例2,3のXRD解析チャートは実験例1とほぼ同じだったため、図示を省略する。また、実験例1~19で検出された結晶相をまとめて表1に示す。図1に示すように、実験例1~3のセラミックス材料のXRD解析チャートは、同定不能な複数のピーク図1中□と酸化マグネシウムに窒化アルミニウムが固溶したMgO-AlN固溶体のピーク図1中○で構成されていた。同定不能ピーク□はマグネシア、スピネル、窒化アルミニウムのいずれにも合致しない2θ=47~49°47~50°にピークを有しており、マグネシウム-アルミニウム酸窒化物と推定された。なお、これらのマグネシウム-アルミニウム酸窒化物のピークは、例えば、参考文献1JAmCeramSoc932322325や参考文献2特開2008-115065に示されているMgAlON又はマグアロンのピークとは一致しない。一般に、これらのMgAlONはスピネルにN成分が固溶したものとして知られており、本発明のマグネシウム-アルミニウム酸窒化物とは異なる結晶構造を有すると考えられる。MgO-AlN固溶体の111面、200面及び220面のXRDピークは、酸化マグネシウムの立方晶のピークと窒化アルミニウムの立方晶のピークとの間である2θ=36.9~39°,42.9~44.8°,62.3~65.2°に現れた。図2に実験例1のEPMA元素マッピング像を示す。図2より、実験例1は図1に示したマグネシウム-アルミニウム酸窒化物x部とMgO-AlN固溶体y部の2相で構成されることが確認され、前者が主相であることが分かった。ここで、主相とは、体積割合において50以上を有する成分をいい、副相とは、主相以外でXRDピークが同定された相をいう。断面観察における面積比は体積割合を反映すると考えられるため、主相はEPMA元素マッピング像で50以上の面積を有する領域とし、副相は主相以外の領域とする。図2より、マグネシウム-アルミニウム酸窒化物の面積比は約66であり、マグネシウムアルミニウム酸窒化物が主相であることがわかった。なお、x部がマグネシウム-アルミニウム酸窒化物であると特定した根拠は、Mg、Al、O、Nの4成分で構成され、実験例4のスピネル材z部と比較してMg、N濃度は高く、Al濃度は同程度、O濃度は低かったからである。すなわち、このマグネシウム-アルミニウム酸窒化物はスピネルよりも多くのMgを含む特徴がある。その他の実験例についても同様の解析を行い、例えば実験例10のマグネシウムアルミニウム酸窒化物の面積比は約87であり、マグネシウムアルミニウム酸窒化物が主相であることがわかった。また、ここでは、一例として、主相と副相との判定をEPMA元素マッピングにて行うものとしたが、各相の体積割合を識別できる方法であれば、他の方法を採用してもよい。なお、EPMA元素マッピング像は、濃度に応じて、赤橙黄黄緑緑青藍に色分けされており、赤が最も高濃度、藍が最も低濃度、黒はゼロを表す。しかし、図2はモノクロで表示されているため、以下に図2の本来の色について説明する。実験例1では、Mgはx部が黄緑でy部が赤、Alはx部が橙でy部が青、Nはx部が橙でy部が青、Oはx部が水色でy部が橙だった。実験例4では、Mgは全体z部が緑、Alは全体が橙、Nは全体が黒、Oは全体が赤だった。また、実験例4では、窒化アルミニウムを用いなかったため、上述したマグネシウム-アルミニウム酸窒化物が生成せず、そのセラミックス材料は、主相としてスピネルMgAl2O4を含むものであった。実験例5では、焼成温度が低かったため、上述したマグネシウム-アルミニウム酸窒化物が生成せず、そのセラミックス材料は、主相として酸化マグネシウム、副相としてスピネルや窒化アルミニウムを含むものであった。図3に実験例7のXRD解析チャートを示し、図4に実験例10のXRD解析チャートを示す。図3、4より、実験例7,10共に2θ=47~49°又は47~50°にピークを有するマグネシウム-アルミニウム酸窒化物図中□が主として検出され、実験例7はスピネル図中△、実験例10はMgO-AlN固溶体図中○を副相とすることが分かった。なお、実験例6,8,9,11,12については、XRD解析チャートの図示を省略し、主相と副相を表1に示した。そして、実験例1~3、6~8のセラミックス材料のエッチングレートは、実験例4の80以下、実験例9~12のエッチングレートは、実験例4の90以下という低い値であり、耐食性が非常に高いものであることがわかった。実験例5は耐食性が低いスピネルや窒化アルミニウムを多く含むため、エッチングレートが高くなった。なお、実験例18に示したアルミナのエッチングレートは、実験例4のセラミックス材料スピネルよりも更に高い値である。また、実験例1~3,6~8のセラミックス材料は、曲げ強度や体積抵抗率も十分高い値を持つものである。また、高温でのエッチングレートも測定した。ここでは、実験例2及び実験例10のセラミックス材料について、各材料の表面を鏡面に研磨し、ICPプラズマ耐食試験装置を用いて下記条件の高温での耐食試験を行った。そして、段差計により測定したマスク面と暴露面との段差を試験時間で割ることにより、各材料のエッチングレートを算出した。その結果、各材料のエッチングレートは、アルミナの13倍以下、窒化アルミニウムの15倍以下、スピネルと同レベルであり、高温下でのプラズマ耐食性も良好であった。ICP:800W、バイアス:なし、導入ガス:NF3Ar=300/300sccm0.1Torr、暴露時間:5h、試料温度:650°C実験例12~16のセラミックス材料では、エッチングレートが実験例4のスピネルとほぼ同等212~270nm/hであり、線熱膨張係数がスピネルより低かった5.8~6.9ppm/K。つまり、実験例12~16のセラミックス材料は、スピネルと同等の耐食性を持ちながら線熱膨張係数が低いものであるといえ、静電チャック材やヒーター材、特にヒーター材として有用といえる。なお、実験例17は、原料組成を実験例6と同一としたが、焼成温度が低かったため、マグネシウムアルミニウム酸窒化物ではなくスピネルが主相となったため、実験例6に比べて耐食性が低くなると共に線熱膨張係数が高くなった。また、実験例12~16のセラミックス材料は、曲げ強度や体積抵抗率も十分高い値を持つものである。また、実験例7と実験例19の600°Cでの体積抵抗率はそれぞれ5×108Ωcm、2×1012Ωcmであり、XRDピークが少なくとも2θ=47~49°又は47~50°に現れるマグネシウム-アルミニウム酸窒化物相を主相とするセラミックス材料はMgOに比べて低い電気抵抗を有することがわかった。以上のことから、実験例1~3,6~16で作製したセラミックス材料も、酸化マグネシウムより低い電気抵抗を有すると予測される。このため、本材料をスパッタリングターゲットとして、例えば、ハードディスクの磁気ヘッド及び磁気抵抗ランダムアクセスメモリなどの磁気トンネル接合素子を作製した場合において、電気抵抗及び又は磁気抵抗比の特性向上が予測される。2.積層焼結次に、上述したセラミックス材料を利用した第1構造体と第2構造体とを積層焼結した積層体について説明する実験例20~26。なお、実験例20~24が本発明の実施例に相当し、実験例25,26が比較例に相当する。実験例20、21実験例4,6~12のセラミックス材料は、40~1000°Cの平均線熱膨張係数が7~9ppm/Kであった。実験例20,21では、表2に示すように、実験例10のセラミックス材料を第1構造体とすると共に、窒化アルミニウムを第2構造体とし、第1及び第2構造体を積層し直径50mmに成形した試料にて積層焼結を行った。この窒化アルミニウムには酸化イットリウムを焼結助剤として外配で5質量添加したものつまりAlN100質量部に対してY2O35質量部の割合で添加したもの、AlN[1]という、または50質量添加したものつまりAlN100質量部に対してY2O350質量部の割合で添加したもの、AlN[2]というを用いた。窒化アルミニウム、酸化イットリウム原料は、それぞれ純度99.9質量以上、平均粒径1μm以下の市販品を使用した。ここで、AlN原料については1質量程度の酸素の含有は不可避であるため、酸素を不純物元素から除いた純度である。また、40~1000°Cの平均線熱膨張係数は、AlN[1]が5.7ppm/K、AlN[2]が6.2ppm/Kであることから、第1構造体と第2構造体との間には熱膨張差が生じる。このため、第1構造体と第2構造体との間に、AlN[1]あるいはAlN[2]と実験例10の原料とを混合した中間層を設けた。この中間層により、熱膨張差を緩和することができる。中間層は、AlN[1]を用いた実験例20では、質量比25:75、50:50、75:25で混合した3層とし、AlN[2]を用いた実験例21では質量比40:60、60:40で混合した2層とした。以下、調合、成形、焼成の各工程について詳説する。調合第1構造体の原料は、上記の実験例10と同様の手法で作製した調合粉末を用いた。第2構造体の原料は、窒化アルミニウムを主相とし、以下のように調合した。第2構造体のAlN[1]では、まず、窒化アルミニウム粉末、酸化イットリウム粉末を100質量、5.0質量の割合で秤量し、イソプロピルアルコールを溶媒とし、ナイロン製のポット、ナイロン製玉石を用いて4時間湿式混合した。混合後スラリーを取り出し、窒素気流中110°Cで乾燥した。その後、30メッシュの篩に通し、調合粉末とした。さらに、得られた調合粉末を450°Cで5時間以上、大気雰囲気中で熱処理し、湿式混合中に混入したカーボン成分を焼失除去した。AlN[1]を用いた積層体の中間層は、以下のように調合した。まず、実験例10の調合粉末と上記の窒化アルミニウムの調合粉末とを質量比75:25中間層1、50:50中間層2、25:75中間層3の割合で秤量し、イソプロピルアルコールを溶媒とし、ナイロン製のポット、ナイロン製玉石を用いて4時間湿式混合した。混合後スラリーを取り出し、窒素気流中110°Cで乾燥した。その後30メッシュの篩に通し、調合粉末とした。第2構造体のAlN[2]では、窒化アルミニウム粉末、酸化イットリウム粉末を100質量、50質量の割合で秤量した他はAlN[1]と同様の方法で調合した。また、AlN[2]を用いた積層体の中間層は、実験例10の調合粉末と上記の窒化アルミニウムの調合粉末を質量比60:40中間層1、40:60中間層2の割合で秤量した他はAlN[1]の場合と同様の方法で調合した。成形最初に第2構造体の原料である窒化アルミニウム調合粉末を直径50mmの金型内に充填し、200kgf/cm2の圧力で一軸加圧成形した。窒化アルミニウム成形体は型抜きせず、その上部に窒化アルミニウム比が多い順に中間層の調合粉末を充填し、200kgf/cm2の圧力で充填毎に一軸加圧成形した。最後に第1構造体の原料である実験例10の調合粉末を充填し、200kgf/cm2にて加圧成形を行った。AlN[1]を用いた積層体については、第2構造体の窒化アルミニウム層が10mm、中間層が各1mm×3層、第1構造体の実験例10の層が10mmからなる計23mmの円盤状成形体とした。また、AlN[2]を用いた積層体については、第2構造体の窒化アルミニウム層が10mm、中間層が各1mm×2層、第1構造体の実験例10の層が10mmからなる計22mmの円盤状成形体とし、これら積層した円盤状成形体を焼成用黒鉛モールドに収納した。焼成焼成用黒鉛モールドに収納した円盤状成形体をホットプレス焼成することにより、一体焼成したセラミックス材料を得た。ホットプレス焼成では、プレス圧力を200kgf/cm2とし、焼成温度1800°Cで焼成し、焼成終了までAr雰囲気とした。焼成温度での保持時間は4時間とした。なお、実験例20、21については焼成温度1750°Cでの焼成も実施した実験例20-1,21-1。上述の製造方法で得られた焼結体は、AlN[1]を用いた積層体実験例20,20-1、AlN[2]を用いた積層体実験例21、21-1共に、上部が高耐食なマグネシウム-アルミニウム酸窒化物、焼結体の下部が高熱伝導な窒化アルミニウムを主とする焼結体で構成され、その中間に中間層が配置されていた。中間層は、第1構造体から第2構造体に近づくにつれてAlNの含有量が高くなるように傾斜させたものである。これらの焼結体には、各層間のクラック、ヒビ等はなかった。これは、第1構造体と第2構造体との間に中間層を有することで焼成中の熱応力が回避されたと考えられた。また、基材である窒化アルミニウムの熱膨張率を制御することで、基材とマグネシウムアルミニウム酸窒化物間に生じる熱応力が小さくなり、中間層を薄くすることができた。このような焼結体は、例えば、静電チャックやサセプター、ヒーター、プレート、内壁材、監視窓、マイクロ波導入窓、マイクロ波結合用アンテナなどの半導体製造装置用部材に好適に用いられると推察された。実験例22~24実験例22では、表2に示すように、実験例6のセラミックス材料を第1構造体、酸化アルミニウムを第2構造体とし、中間層なしでN2雰囲気で積層焼結したこと以外は、実験例20と同様にして積層体を得た。実験例23では、表2に示すように、実験例6のセラミックス材料を第1構造体、酸化イットリウムを第2構造体とし、中間層なしでN2雰囲気で積層焼結したこと以外は、実験例20と同様にして積層体を得た。実験例24では、表2に示すように、実験例13のセラミックス材料を第1構造体、窒化アルミニウムAlN[1]を第2構造体とし、中間層なしでN2雰囲気で積層焼結したこと以外は、実験例20と同様にして積層体を得た。実験例22~24のいずれにおいても、層間にクラックやヒビ等はみられなかった。また、実験例22~24では、いずれも第1構造体と第2構造体との線熱膨張係数差が0.3ppm/K以下と小さかったため、中間層なしでクラックやヒビ等の発生を防止することができた。これらの積層体も、実験例20,21と同様、静電チャックやサセプター、ヒーター、プレート、内壁材、監視窓、マイクロ波導入窓、マイクロ波結合用アンテナなどの半導体製造装置用部材に好適に用いられると推察された。なお、実験例22~24においても、実験例20,20-1,21、21-1のように中間層を設けても構わない。[実験例25,26]実験例25では、表2に示すように、アルミナを第1構造体、窒化アルミニウムAlN[1]を第2構造体とし、N2雰囲気で積層焼結したこと以外は実験例20と同様にして積層体を得た。実験例26では、表2に示すように、スピネルを第1構造体、窒化アルミニウムAlN[1]を第2構造体とし、N2雰囲気で積層焼結したこと以外は実験例20と同様にして積層体を得た。実験例25,26のいずれにおいても、層間にクラックが発生した。これは、第1構造体と第2構造体との線熱膨張係数差が大き過ぎ、その結果、中間層を設けたにもかかわらず、熱膨張差によるクラックを防止しきれなかったと考えられる。本出願は、2010年10月25日に出願された日本国特許出願第2010-239000号、2011年6月17日に出願された日本国特許出願第2011-135312号及び2011年8月29日に出願された国際出願PCT/JP2011/69479を優先権主張の基礎としており、引用によりその内容の全てが本明細書に含まれる。"