"第1導電型の基板と、前記基板上に形成された第2導電型のエピタキシャル層と、前記基板と前記エピタキシャル層との境界部に形成された前記第1導電型の埋込層と、前記エピタキシャル層の表面から前記埋込層まで縦方向に形成された前記第1の導電型の縦方向拡散層と、前記エピタキシャル層の内部において前記縦方向拡散層から横方向に形成された前記第1の導電型の横方向拡散層と、を備え、前記横方向拡散層の上下の部分に前記エピタキシャル層の元の濃度となる領域が残存している、フォトダイオード。前記基板の前記エピタキシャル層側の表面に、前記第1導電型の高濃度エピタキシャル層が形成され、前記高濃度エピタキシャル層と前記エピタキシャル層との間に、前記第1の導電型の高抵抗エピタキシャル層が形成されている、請求項1に記載のフォトダイオード。請求項1又は2に記載のフォトダイオードと、バイポーラトランジスタとからなる半導体受光素子。第1導電型の基板の表面にイオン注入により前記第1導電型の埋込層を形成する第1のステップと、前記基板の表面に第2の導電型のエピタキシャル層を成長する第2のステップと、前記エピタキシャル層内にイオン注入により前記エピタキシャル層の表面から前記埋込層まで縦方向に前記第1の導電型の縦方向拡散層を形成する第3のステップと、前記エピタキシャル層内にイオン注入により前記縦方向拡散層から横方向に前記第1の導電型の横方向拡散層を形成する第4のステップと、を備え、前記第4のステップにおいて、前記横方向拡散層の上下の部分に前記エピタキシャル層の元の濃度となる領域が残存するようになされる、フォトダイオードの製造方法。前記基板の前記エピタキシャル層側の表面に、前記第1導電型の高濃度エピタキシャル層を形成する第5のステップと、前記高濃度エピタキシャル層と前記エピタキシャル層との間に、前記第1の導電型の高抵抗エピタキシャル層を形成する第6のステップと、を更に備える請求項4に記載のフォトダイオードの製造方法。青紫光を最適に受光する方法は様々ある。しかし、通常光ピックアップに用いられるフォトダイオードはバイポーラトランジスタ、抵抗、容量等を同一基板に集積した光電子集積回路の形で提供されるため、フォトダイオードを最適化する際には、他の素子の特性を維持するための配慮が必要となる。また、Blu-RayDiscとDVDでそれぞれ用いられる青紫光と赤色光の2つの光を1つのフォトダイオードにて受光できることが求められている。上記特許文献1においては、N型拡散層中の電界による応答速度向上については述べられているものの、N型エピタキシャル層中における光キャリアの移動については述べられていない。N型エピタキシャル層中には電界が発生していないため、光キャリアは拡散にて移動しなければならない。そのため、フォトダイオードの応答速度は、キャリアがN型エピタキシャル層を移動する距離に律速される。また、バイポーラトランジスタとの混載を考えるとき、十分な動作耐圧を得るためにはN型エピタキシャル層の厚さを最低でも1.0μm程度にする必要がある。しかし、特許文献1に係る受光素子においては、0.7μm程度の無電界領域ができるため、この領域の移動時間により光キャリアの応答速度が律速される。また、別の方法として、深さ0.3~1.2μmのN型拡散層を形成する方法が記載されているが、拡散層を深く形成すると、急峻なプロファイルを設計することができず、なだらかなプロファイルにあらざるを得ない。そのため、濃度勾配による電界が弱くなり、キャリアの応答速度が劣化することが予想される。また、この方法においてもN型エピタキシャル層の厚さは極力薄いことが望ましいが、当該層の厚さが薄いと集積するトランジスタの耐圧を維持させることが困難になる。特許文献2に係る構造を用いることで、青紫光に対する高速及び高感度を実現することができる。しかし、DVD、CDのような赤色/赤外光に対する受光感度が低くなる欠点がある。その理由は、高エネルギーイオン注入にて形成したP型拡散層はある深さに濃度のピークがあり、濃度勾配による電界のため深い位置で発生したキャリアが光電流として寄与しないためである。例えば、DVDに用いられる波長650nmの光源に対しては、P型拡散層のピーク位置を1μmとした場合、発生する光キャリアの30しか光電流として寄与しない。上記のように、従来技術においては、1つのフォトダイオードで青紫光及び赤色光赤外光を受光する場合に両光の感度を向上させること、また混載される他の素子の特性を維持することが困難である。本発明の第1の態様は、第1導電型例えばP型の基板と、前記基板上に形成された第2導電型例えばN型のエピタキシャル層と、前記基板と前記エピタキシャル層との境界部に形成された前記第1導電型の埋込層と、前記エピタキシャル層の表面から前記埋込層まで縦方向に形成された前記第1の導電型の縦方向拡散層と、前記エピタキシャル層の内部において前記縦方向拡散層から横方向に形成された前記第1の導電型の横方向拡散層とを備え、前記横方向拡散層の上下の部分に前記エピタキシャル層の元の濃度となる領域が残存しているフォトダイオードである。本発明の第2の態様は、上記フォトダイオードと、バイポーラトランジスタとからなる半導体受光素子である。本発明の第3の態様は、第1導電型の基板の表面にイオン注入により前記第1導電型の埋込層を形成する第1のステップと、前記基板の表面に第2の導電型のエピタキシャル層を成長する第2のステップと、前記エピタキシャル層内にイオン注入により前記エピタキシャル層の表面から前記埋込層まで縦方向に前記第1の導電型の縦方向拡散層を形成する第3のステップと、前記エピタキシャル層内にイオン注入により前記縦方向拡散層から横方向に前記第1の導電型の横方向拡散層を形成する第4のステップとを備え、前記第4のステップにおいて、前記横方向拡散層の上下の部分に前記エピタキシャル層の元の濃度となる領域が残存するようになされるフォトダイオードの製造方法である。上記態様によれば、N型エピタキシャル層中の無電界領域が無くなるため、光キャリアの応答が拡散により律速されることがない。これにより、光キャリアは全ての領域においてドリフトで移動することが可能となり、キャリアの応答速度が向上する。また、N型エピタキシャル層の厚さを1μm前後まで薄くすることなくN型エピタキシャル層の無電界領域を無くすことができるので、混載されるバイポーラトランジスタの耐圧を容易に維持することができる。本発明によれば、1つのフォトダイオードで青紫光及び赤色光の両方の感度を向上させることができる。また、混載される他の素子の特性を維持することが容易となる。実施の形態1以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図1は、実施の形態1に係るフォトダイオード1の構造を示している。フォトダイオード1は、P型基板2、N型エピタキシャル層3、P型埋込層4、P型縦方向拡散層5、P型横方向拡散層6、N型拡散層7、アノードコンタクト層8、カソードコンタクト層9、絶縁膜10、及び電極11を有する。P型基板2上にN型エピタキシャル層3が形成されている。このPN接合がフォトダイオード特性の基本となっている。P型基板2よりもN型エピタキシャル層3のキャリア濃度が高く、空乏層はP型基板2側に伸びている。N型エピタキシャル層3中にP型横方向拡散層6が形成されている。このPN接合もフォトダイオード特性として機能する。図2は、図1におけるX-Y断面のキャリア濃度プロファイルを示している。P型横方向拡散層6は、P型横方向拡散層6とP型基板2との間にN型エピタキシャル層3の領域が残るように形成されている。また、この部分の電位がフローティング電位ではなくカソード層と同一電位になるように、横方向にも一部N型領域が形成されている。図3は、P型横方向拡散層6の形状パターンを例示している。同図中、15はP型横方向拡散層6を形成する領域を示し、16はN型エピタキシャル濃度の領域を示している。上面視当該N型領域16の一部が残り、且つフローティング電位にならなければ、P型領域15を全面パターン21、ストライプ形状22、井桁形状23等にすることが可能である。図4~図9は、実施の形態1に係る半導体受光素子31の構造及び製造方法を示している。半導体受光素子31図9参照は、フォトダイオード領域とバイポーラトランジスタ領域とを有する図4参照。フォトダイオード領域は、上記フォトダイオード1と同様の構造を有する。先ず、図4に示すように、P型基板2上にトランジスタのコレクタ領域となるN型埋込層35と素子分離領域となるP型埋込層4,36をイオン注入にて形成する。次いで、図5に示すように、N型エピタキシャル層3を成長する。次いで、図6に示すように、N型エピタキシャル層3にイオン注入にて素子分離領域及びアノードの電極引き出し層となるP型縦方向拡散層5,37をP型埋込層4,36に接触するよう形成する。次いで、図7に示すように、N型埋込層35からのコレクタ引上層38及びベース領域39を形成する。また、フォトダイオード1となる領域にP型横方向拡散層6をイオン注入にて形成する。このとき、P型横方向拡散層6の上下にN型エピタキシャル層3の元の濃度となる領域が残される。このような領域の調整は、例えば、N型エピタキシャル層3の厚さを1.8μmとした場合、加速エネルギー400~500keVのボロンイオン注入にてP型横方向拡散層6を形成することで実現することができる。次いで、図8に示すように、カソード拡散層のN型拡散層7をイオン注入にて形成する。次いで、図9に示すように、フォトダイオード領域のアノードコンタクト領域8及びカソードコンタクト領域9を形成し、バイポーラトランジスタ領域のベースコンタクト層44、エミッタ拡散層45、及びコレクタコンタクト層46を形成する。その後、絶縁膜10及び電極11,48を形成する。これにより、フォトダイオード1とバイポーラトランジスタとが混載された半導体受光素子31が製造される。図10は、上記フォトダイオード1半導体受光素子31のフォトダイオード領域に波長405nmの青紫光を照射した場合の動作を示している。光は、表面から0.8μmの領域で入射光の95が吸収される。この場合、発生する光キャリアは、N型拡散層7からN型エピタキシャル層3の領域で発生する。N型拡散層7中にて発生したキャリアは濃度勾配により発生した電界によりドリフトで移動してN型エピタキシャル層3に到達する。当該キャリアは、N型エピタキシャル層3とP型横方向拡散層6とのPN接合の空乏層にかかる逆バイアスによって発生した電界によってドリフトで移動し、P型横方向拡散層6に到達して光電流に寄与する。図11は、上記フォトダイオード1に波長650nmの赤色光を照射した場合の動作を示している。光は、表面から約10μmの領域で入射光の95が吸収される。そのため、N型エピタキシャル層3からP型基板2の領域に渡って光キャリアが発生する。N型エピタキシャル層3で発生したキャリアは、上記青紫光の場合と同様にP型横方向拡散層6へ移動すると共に、P型基板2へ移動し、P型基板2中の空乏層をドリフトして移動し、空乏層端に到達した後光電流に寄与する。また、P型基板2で発生したキャリアはP型基板2中の空乏層をドリフトで移動し、N型エピタキシャル層3まで移動して光電流に寄与する。上述のように、青紫光により発生したキャリアは、全ての領域においてドリフトで移動し、拡散で移動する箇所が無い。そのため、青紫光に対する応答特性が向上する。また、赤色光や赤外光を照射した場合は、N型エピタキシャル層3とP型横方向拡散層6で出来るPN接合のみでなく、P型基板2によりできるフォトダイオード領域でも光キャリアを電流として取り出すことができるため、従来よりも赤色や赤外光に対する感度を飛躍的に高めることができる。また、P型横方向拡散層6を導入することで、特許文献1,2に記載されているように、N型エピタキシャル層3の厚さを1.0μm前後まで薄くすることなく、青紫光に対する応答速度を向上させることができる。これにより、N型エピタキシャル層3の厚さ不足によるバイポーラトランジスタのコレクタ-エミッタ間の耐圧低下を防ぐことができる。実施の形態2図12は、実施の形態2に係る半導体受光素子51の構造を示している。当該半導体受光素子51は、上記実施の形態1におけるP型基板2の上面側に、P型高濃度エピタキシャル層52及びP型高抵抗エピタキシャル層53を形成したものである。先ずP型基板2上にP型高濃度エピタキシャル層52を成長し、次いでP型高抵抗エピタキシャル層53を成長する。その後の製造工程は、上記実施の形態1と同様である。上述のように、P型高濃度層が存在することにより、これより深い位置で生成した光キャリアが濃度勾配による電界により光電流として寄与することができなくなる。これにより、光キャリアとして寄与するものは全てドリフトで移動することとなるため、上記実施の形態1より赤色/赤外光に対する応答速度を向上させることができる。尚、本発明は上記実施の形態に限られるものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能なものである。"