"半導体光源に電流を供給する電流供給部と、前記半導体光源に流れる電流に応じた電圧を生成する電流検出部と、前記電流検出部によって生成される電圧と比較電圧との差を小さくするように前記電流供給部を制御する制御部と、前記比較電圧を生成する比較電圧生成部と、を備え、前記比較電圧生成部は、一端に前記比較電圧が印加され、他端に所定の基準電圧が印加される第1抵抗と、前記半導体光源を含むその周囲の温度に応じた電圧を生成する温度検出部と、第2抵抗を含み、前記温度検出部によって生成された電圧を前記第2抵抗の抵抗値によって定まる係数で電流に変換する電圧電流変換部と、前記電圧電流変換部によって変換された電流に対応する電流を前記第1抵抗に流す電流適用部と、を含むことを特徴とする半導体光源点灯回路。前記所定の基準電圧を第1基準電圧と呼ぶとき、前記温度検出部は、第3抵抗と前記半導体光源を含むその周囲の温度に応じて抵抗値が変化する温度センサとで所定の第2基準電圧を分圧し、分圧された電圧を前記半導体光源を含むその周囲の温度に応じた電圧として生成することを特徴とする請求項1に記載の半導体光源点灯回路。前記電流適用部は、前記電圧電流変換部によって変換された電流に対応する電流の経路上に設けられた第4抵抗を有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体光源点灯回路。前記比較電圧生成部は、前記半導体光源を含むその周囲の温度がしきい値温度よりも低い場合は前記比較電圧の変動を制限するよう構成された変動制限部をさらに含むことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体光源点灯回路。しかしながら、特許文献1や2に記載の回路構成では、温度に対するLEDに流れる電流の低減の割合はサーミスタの特性によって制限されてしまう。したがってこれらの回路構成は、前照灯の配光要件などによりより急峻な変化が要求される場合には不向きである。本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体光源に流れる電流を温度によって制御する際、電流と温度との関係の、使用される温度センサの特性への依存の度合いを低減できる半導体光源点灯回路の提供にある。本発明のある態様は、半導体光源点灯回路に関する。この半導体光源点灯回路は、半導体光源に電流を供給する電流供給部と、半導体光源に流れる電流に応じた電圧を生成する電流検出部と、電流検出部によって生成される電圧と比較電圧との差を小さくするように電流供給部を制御する制御部と、比較電圧を生成する比較電圧生成部と、を備える。比較電圧生成部は、一端に比較電圧が印加され、他端に所定の基準電圧が印加される第1抵抗と、半導体光源を含むその周囲の温度に応じた電圧を生成する温度検出部と、第2抵抗を含み、温度検出部によって生成された電圧を第2抵抗の抵抗値によって定まる係数で電流に変換する電圧電流変換部と、電圧電流変換部によって変換された電流に対応する電流を第1抵抗に流す電流適用部と、を含む。この態様によると、第2抵抗の抵抗値によって比較電圧を調整できる。なお、以上の構成要素の任意の組み合わせや、本発明の構成要素や表現を装置、方法、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。本発明によれば、半導体光源に流れる電流を温度によって制御する際、電流と温度との関係の、使用される温度センサの特性への依存の度合いを低減できる。以下、本発明を好適な実施の形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、信号には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、各図面において説明上重要ではない部材の一部は省略して表示する。また、電圧、電流あるいは抵抗などに付された符号は、必要に応じてそれぞれの電圧値、電流値あるいは抵抗値を表すものとして用いることがある。本明細書において、部材Aが、部材Bと接続された状態とは、部材Aと部材Bが物理的に直接的に接続される場合のほか、部材Aと部材Bが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。LEDなどの半導体光源を点灯するための半導体光源点灯回路において、LEDに直流電流を供給する直流電流源を制御する制御部を汎用ICIntegratedCircuitに実装することが多い。汎用ICには、LEDに流れるLED電流の経路上に設けられた電流検出抵抗の一端または両端の電圧が直接入力される電流検出電圧入力端子を有し、その電圧から電流検出抵抗に生じる電流検出電圧を検出してフィードバック制御を行うものがある。このような汎用ICを有する半導体光源点灯回路に温度ディレーティング機能を追加する場合、電流検出電圧入力端子の前段に温度ディレーティングのための回路を設けることが考えられる。しかしながら、このような汎用ICは電流検出電圧入力端子に電流検出抵抗の端子の電圧が直接入力されることを前提に設計されているので、電流検出電圧入力端子の前段に別の回路を挿入することは好ましくない。また、電流検出電圧はLED電流と温度の両方によって影響を受けることとなるため、実際に製造した半導体光源点灯回路によって所望の制御特性が得られない場合に、それが電流検出電圧の生成の段階によるものなのかまたは温度ディレーティングの段階によるものなのかを判別することはより困難となる。したがって、例えば上記のような汎用ICを使用してLED電流の制御を行っている半導体光源点灯回路に汎用IC自体の構成を変えることなく温度ディレーティング機能を追加する場合、電流検出電圧と比較される比較電圧を温度によって変更するほうが好ましい。比較例ただし、比較電圧を温度によって変更する場合にも工夫が必要である。以下に本発明者の独自の検討によって得られた比較例に係る半導体光源点灯回路900を説明する。図1は、比較例に係る半導体光源点灯回路900およびそれに接続されるLED902の構成を示す回路図である。半導体光源点灯回路900は、DC/DCコンバータ904と、制御部906と、比較電圧生成部908と、電流検出抵抗910と、入力電圧端子PINと、第1LED接続端子PLED1と、第2LED接続端子PLED2と、を備える。入力電圧端子PINには外部、例えば車載用のバッテリからバッテリ電圧Vbatが入力電圧として印加される。LED902は、車載用のLEDを3つ直列に接続して構成される。LED902のアノード側、カソード側はそれぞれ第1LED接続端子PLED1、第2LED接続端子PLED2と接続される。LED902に流れる電流をLED電流ILEDと称す。半導体光源点灯回路900およびLED902は例えば車両用灯具に搭載される。DC/DCコンバータ904はLED902に直流のLED電流ILEDを供給する電流供給部である。DC/DCコンバータ904は非絶縁型のスイッチングレギュレータであり、第1キャパシタ912と、第1インダクタ914と、第1スイッチング素子916と、第1ダイオード918と、第2キャパシタ920と、を含む。第1キャパシタ912の一端および第1インダクタ914の一端は入力電圧端子PINと接続される。第1キャパシタ912の他端は接地される。第1スイッチング素子916は例えばNチャンネルMOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistorで構成されており、第1インダクタ914の他端は第1ダイオード918のアノードおよび第1スイッチング素子916のドレインと接続される。第1スイッチング素子916のソースは接地される。第1ダイオード918のカソードは第2キャパシタ920の一端と接続されると共にDC/DCコンバータ904からの出力として第1LED接続端子PLED1と接続される。第2キャパシタ920の他端は接地される。第1スイッチング素子916のゲートはIC946のゲート端子PGと接続され、制御部906からパルス幅変調されたPWM信号SPWMを受ける。PWM信号SPWMは、DC/DCコンバータ904からLED902に出力されるLED電流ILEDを制御するための信号である。電流検出抵抗910の一端は第2LED接続端子PLED2およびIC946の電流検出電圧入力端子PISと接続され、他端は接地される。LED電流ILEDが電流検出抵抗910を流れることによって、電流検出電圧入力端子PISには電流検出抵抗910の抵抗値をR910と表記するとR910×ILEDに相当する電流検出電圧VISが印加される。その意味で、電流検出抵抗910は、LED電流ILEDに応じた電流検出電圧VISを生成する電流検出部である。制御部906は、電流検出抵抗910によって生成される電流検出電圧VISと比較電圧生成部908によって生成される比較電圧VCOMPとの差を小さくするようにDC/DCコンバータ904を制御する。制御部906は、PWM信号生成部922と、エラーアンプ924と、を含む。エラーアンプ924の非反転入力端子は、比較電圧VCOMPをIC946の外部から調整するための調整端子PCTRLに、反転入力端子は電流検出電圧入力端子PISに、それぞれ接続される。エラーアンプ924は、電流検出電圧VISと比較電圧VCOMPとを比較し、その差を所定の係数で増幅した大きさを有する誤差電圧VerrをPWM信号生成部922に出力する。PWM信号生成部922は、エラーアンプ924によって出力される誤差電圧Verrに応じたパルス幅を有するPWM信号SPWMをゲート端子PGを介して第1スイッチング素子916のゲートに出力する。特にPWM信号生成部922は、誤差電圧Verrの大きさを小さくするようにPWM信号SPWMのパルス幅を変調する。比較電圧生成部908は比較電圧VCOMPを生成する。比較電圧生成部908は、変動制限部926と、基準設定部928と、電流軽減部930と、を含む。基準設定部928は、第1基準電圧源938と、第1抵抗940と、を有する。第1基準電圧源938は、第1抵抗940の一端に第1基準電圧Vref1を印加する。第1抵抗940の他端は調整端子PCTRLと接続され、その他端には比較電圧VCOMPが印加される。変動制限部926は、LED902を含むその周囲の温度が所定のしきい値温度よりも低い場合は比較電圧VCOMPの変動を制限するよう構成される。変動制限部926は、第1演算増幅器932と、第2ダイオード934と、第2基準電圧源936と、を有する。第2基準電圧源936は第1演算増幅器932の非反転入力端子に第1基準電圧Vref1よりも低い第2基準電圧Vref2を印加する。第1演算増幅器932の出力端子は第2ダイオード934のカソードと接続される。第1演算増幅器932の反転入力端子は第2ダイオード934のアノードおよび調整端子PCTRLと接続される。電流軽減部930は、第2抵抗942と、温度センサであるNTCサーミスタ944と、を有する。NTCサーミスタ944はLED902を含むその周囲の温度、特にLED902が搭載された車両用灯具内のLED902周辺の温度以下、LED温度TLEDと称すに対してその抵抗値が減少するように、LED902の近傍に配置される。言い換えると、LED温度TLEDはNTCサーミスタ944の抵抗値に対応する。NTCサーミスタ944の一端は接地され、他端は第2抵抗942の一端と接続される。第2抵抗942の他端は調整端子PCTRLと接続され、その他端には比較電圧VCOMPが印加される。制御部906、変動制限部926および基準設定部928はDC/DCコンバータ904や電流軽減部930とは別にひとつのIC946に実装される。IC946は、ゲート端子PGと、電流検出電圧入力端子PISと、調整端子PCTRLと、を含む。電流軽減部930は調整端子PCTRLと接続される。図2は、NTCサーミスタ944の抵抗値RTHをLED温度TLEDの関数として示すグラフである。LED温度TLEDの上昇に伴い決まった傾きB定数、サーミスタ定数などと呼ばれるで抵抗値が減少することが分かる。なお、NTCサーミスタであれば一般に右肩下がりの曲線になるが、抵抗値-温度曲線の形状はNTCサーミスタごとに異なるのが一般的である。以上の構成による半導体光源点灯回路900の動作を説明する。図3は、図1の半導体光源点灯回路900における、LED温度TLEDに対する各パラメータの変化を示す説明図である。ジャンクション温度TjはLED902の各LEDのジャンクション部の温度である。定格ジャンクション温度Tj,MAXはジャンクション温度Tjの定格値または許容しうる最大値である。LED温度TLEDが低い場合は、NTCサーミスタ944の抵抗値RTHは大きい。したがって、第1基準電圧Vref1の電圧値を第1抵抗940と第2抵抗942およびNTCサーミスタ944とで分圧した電圧値が第2基準電圧Vref2よりも高くなる。その結果、エラーアンプ924に入力される比較電圧VCOMPは第2基準電圧Vref2で一定となり、LED電流ILEDはLED温度TLEDに対して一定となる領域A。NTCサーミスタ944の抵抗値RTHは温度の上昇に伴い低下して行く。そしてLED温度TLEDが所定の第1しきい値温度T1を上回ると、第1基準電圧Vref1の電圧値を第1抵抗940と第2抵抗942およびNTCサーミスタ944とで分圧した電圧値が第2基準電圧Vref2よりも低くなる。すると、比較電圧VCOMPはその分圧した電圧値となるので、NTCサーミスタ944の抵抗値RTHの減少に伴いLED電流ILEDが減少する領域B。この場合、LED温度TLEDの上昇に伴うLED電流ILEDの減少の割合は、NTCサーミスタ944の特性によって決定されるため、減少の割合には制限がある。第1抵抗940、第2抵抗942の抵抗値をそれぞれR940、R942と表記する。領域Aについて、の場合、となり、LED電流ILEDはで一定となる。領域Bについて、の場合、となり、LED電流ILEDはとなる。このため、領域BではLED温度TLEDが上昇してNTCサーミスタ944の抵抗値RTHが減少するとLED電流ILEDも減少する。このように比較例に係る半導体光源点灯回路900では、LED温度TLEDが第1しきい値温度T1に達するまでは、LED電流ILEDを一定のまま維持する。LED温度TLEDがそれ以上の温度となると、LED温度TLEDに応じてLED電流ILEDを減少させる。この手法では、領域BにおけるLED温度TLEDに対するLED電流ILEDの減少の割合すなわち傾きは、NTCサーミスタ944のB定数および第2抵抗942の抵抗値R942によって決定される。この傾きをより急峻にしたいと考えた場合の傾きの限界値は、第1抵抗940は変えないとするとR942=0の場合にNTCサーミスタ944のB定数によって与えられる値である。したがって、本比較例は、このようにして与えられる限界値よりも急峻な傾きを要求される場合には不向きである。これに対して以下に説明される実施の形態に係る半導体光源点灯回路によると、サーミスタの特性によらずにLED温度TLEDに対するLED電流ILEDの軽減曲線を自由に設計することが可能となる。図4は、実施の形態に係る半導体光源点灯回路100およびそれに接続されるLED902の構成を示す回路図である。比較電圧生成部102は、変動制限部926と、基準設定部928と、電流軽減部104と、を含む。電流軽減部104は、IC946の調整端子PCTRLからLED温度TLEDに応じた調整電流ICTLを受け取るまたは調整端子PCTRLに調整電流ICTLを与えることによって比較電圧VCOMPを調整する。電流軽減部104は、電流適用部106と、電圧電流変換部108と、温度検出部110と、を有する。温度検出部110は、LED温度TLEDに応じたサーミスタ分圧電圧Vdを生成する。温度検出部110は、NTCサーミスタ112と、第5抵抗114と、第4基準電圧源116と、を有する。NTCサーミスタ112はNTCサーミスタ944と同様にLED温度TLEDの上昇に対してその抵抗値が減少するように、LED902の近傍に配置される。第4基準電圧源116は第4基準電圧Vref4を第5抵抗114の一端に印加する。第5抵抗114の他端はNTCサーミスタ112の一端および第2演算増幅器118の非反転入力端子と接続される。NTCサーミスタ112の他端は接地される。したがって温度検出部110は、第5抵抗114とNTCサーミスタ112とで第4基準電圧Vref4を分圧し、分圧されたサーミスタ分圧電圧VdをLED温度TLEDに応じた電圧として生成し、電圧電流変換部108に供給する。電圧電流変換部108は、第2演算増幅器118と、第3基準電圧源120と、第6抵抗122と、第2バイポーラトランジスタ124と、を有する。電圧電流変換部108は、温度検出部110によって生成されたサーミスタ分圧電圧Vdを第6抵抗122の抵抗値R122によって定まる係数でサーミスタ分圧電流Idに変換する。第3基準電圧源120は第4基準電圧Vref4よりも低い第3基準電圧Vref3を第6抵抗122の一端に印加する。第2バイポーラトランジスタ124はPNP型のバイポーラトランジスタであり、そのベースは第2演算増幅器118の出力端子と接続される。第6抵抗122の他端は第2演算増幅器118の反転入力端子および第2バイポーラトランジスタ124のエミッタと接続される。第2バイポーラトランジスタ124のコレクタは、第4抵抗126の一端および第3演算増幅器128の非反転入力端子と接続される。第2バイポーラトランジスタ124のコレクタから第4抵抗126にサーミスタ分圧電流Idが流れる。電流適用部106は、電圧電流変換部108によって生成されたサーミスタ分圧電流Idと実質的に同じ大きさの調整電流ICTLを第1抵抗940に流す。電流適用部106は、第4抵抗126と、第3演算増幅器128と、第1バイポーラトランジスタ130と、第3抵抗132と、を有する。第4抵抗126の他端は接地される。第1バイポーラトランジスタ130はNPN型のバイポーラトランジスタであり、そのベースは第3演算増幅器128の出力端子と接続される。第1バイポーラトランジスタ130のエミッタは第3演算増幅器128の反転入力端子および第3抵抗132の一端と接続される。第3抵抗132の他端は接地される。調整電流ICTLは調整端子PCTRLから第1バイポーラトランジスタ130、第3抵抗132を経由してグランドに流れる。すなわち、第3抵抗132は、調整電流ICTLの経路上に設けられる。第3抵抗132の抵抗値R132と第4抵抗126の抵抗値R126は実質的に同じに設定される。以上の構成による半導体光源点灯回路100の動作を説明する。図5は、図4の半導体光源点灯回路100における、LED温度TLEDに対する各パラメータの変化を示す説明図である。ICTL,MAXは調整電流ICTLの最大値を示す。LED温度TLEDが低い場合は、NTCサーミスタ112の抵抗値RTHは大きい。この状態では、第3基準電圧Vref3は、第4基準電圧Vref4を第5抵抗114とNTCサーミスタ112とで分圧することによって得られるサーミスタ分圧電圧Vdよりも低いので、第2バイポーラトランジスタ124はオフとなる。その結果、エラーアンプ924に入力される比較電圧VCOMPは第2基準電圧Vref2で一定となり、LED電流ILEDはLED温度TLEDに対して一定となる領域C。NTCサーミスタ112の抵抗値RTHは温度の上昇に伴い低下して行く。そしてLED温度TLEDが所定の第2しきい値温度T2を上回ると、第3基準電圧Vref3はサーミスタ分圧電圧Vdよりも高くなる。すると、調整電流ICTLが流れ始める。調整電流ICTLの値は第3基準電圧Vref3およびサーミスタ分圧電圧Vdによって決まる。ただし、調整電流ICTLが流れてもの値が第2基準電圧Vref2より高い場合は比較電圧VCOMPは第2基準電圧Vref2で一定となり、LED電流ILEDはLED温度TLEDに対して一定となる領域D。さらにLED温度TLEDが上昇すると、NTCサーミスタ112の抵抗値RTHの減少に伴い調整電流ICTLが増加していく。そしてLED温度TLEDが所定の第3しきい値温度T3を上回ると、の値が第2基準電圧Vref2よりも低くなる。すると比較電圧VCOMPはとなり、LED電流ILEDはLED温度TLEDが上昇すると減少する領域E。さらにLED温度TLEDが上昇して所定の第4しきい値温度T4を上回ると、調整電流ICTLはに達してそれ以上上昇しなくなる。このとき比較電圧VCOMPはとなり、これ以上比較電圧VCOMPは低下しなくなるため、ふたたびLED電流ILEDはLED温度TLEDに対して一定となる領域F。領域C、領域Dについて、の場合、となり、LED電流ILEDはで一定となる。第5抵抗114の抵抗値をR114と表記すると、調整電流ICTLはと表される。領域Eについて、の場合、となり、LED電流ILEDはとなる。したがって、領域EではNTCサーミスタ112の抵抗値RTHの減少に伴い調整電流ICTLが増加する。その結果、LED電流ILEDが減少する。領域Fについて、の場合、比較電圧VCOMPはで一定となるので、LED電流ILEDは、で一定となる。このLED電流ILEDの値は、領域Cおよび領域Dにおける値よりも小さい。本実施の形態に係る半導体光源点灯回路100によると、LED電流ILEDをLED温度TLEDによって制御する際、LED電流ILEDとLED温度TLEDとの関係の、使用されるNTCサーミスタ112の特性への依存の度合いを低減できる。また、本実施の形態に係る半導体光源点灯回路100によると、温度ディレーティングにおけるLED電流ILEDの減少の開始温度や減少の割合を電流軽減部104に含まれる抵抗の抵抗値によって自由に設定することができる。特に領域EにおけるLED電流ILEDの減少の割合は第6抵抗122の抵抗値R122の逆数に比例するので、この抵抗値R122を小さくすることで減少の割合を任意に大きくできる。したがって、NTCサーミスタ112のB定数によって定まる減少の割合の限界値よりも大きな減少の割合を設定することができる。また、第5抵抗114の抵抗値R114によってもLED電流ILEDの温度特性を調整できる。また、第3抵抗132の抵抗値R132によって電流軽減の下限の電流値すなわち領域FにおけるLED電流ILEDの一定値を自由に設定できる。以上、実施の形態に係る半導体光源点灯回路の構成と動作について説明した。これらの実施の形態は例示であり、その各構成要素や各処理の組み合わせにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。実施の形態では、電流供給部としてDC/DCコンバータ904を使用する場合について説明したが、これに限られない。例えばDC/DCコンバータ904の代わりに電流クランプ回路を使用してもよい。図6は、第1変形例に係る半導体光源点灯回路200およびそれに接続されるLED902の構成を示す回路図である。半導体光源点灯回路200は、電流クランプ回路212と、制御部204と、比較電圧生成部102と、電流検出抵抗910と、入力電圧端子PINと、第1LED接続端子PLED1と、第2LED接続端子PLED2と、を備える。制御部204、変動制限部926および基準設定部928は電流クランプ回路212や電流軽減部104とは別にひとつのIC202に実装される。電流クランプ回路212は、LED902に直流のLED電流ILEDを供給する電流供給部である。電流クランプ回路212は、第2スイッチング素子206と、第3バイポーラトランジスタ208と、第7抵抗210と、を含む。第2スイッチング素子206は例えばNチャンネルMOSFETで構成される。第3バイポーラトランジスタ208はNPN型のバイポーラトランジスタである。第2スイッチング素子206のソースは入力電圧端子PINと接続される。第2スイッチング素子206のドレインは第1LED接続端子PLED1と接続される。第2スイッチング素子206のゲートは第3バイポーラトランジスタ208のコレクタと接続される。第3バイポーラトランジスタ208のエミッタは第7抵抗210の一端と接続される。第7抵抗210の他端は接地される。制御部204はエラーアンプ924を含む。エラーアンプ924は、誤差電圧Verrをゲート端子PGを介して第3バイポーラトランジスタ208のベースに出力する。このように、電流供給部には種々のバリエーションが可能である。実施の形態では、温度センサとしてNTCサーミスタ112を使用する場合について説明したが、これに限られない。例えばNTCサーミスタ112の代わりにPTCサーミスタを使用してもよい。図7は、第2変形例に係る半導体光源点灯回路300およびそれに接続されるLED902の構成を示す回路図である。半導体光源点灯回路300は、DC/DCコンバータ904と、制御部906と、比較電圧生成部310と、電流検出抵抗910と、入力電圧端子PINと、第1LED接続端子PLED1と、第2LED接続端子PLED2と、を備える。比較電圧生成部310は、変動制限部926と、基準設定部928と、電流軽減部308と、を含む。電流軽減部308は、電流適用部106と、電圧電流変換部108と、温度検出部306と、を有する。温度検出部306は、第4基準電圧源116と、PTCサーミスタ302と、第8抵抗304と、を有する。PTCサーミスタ302はLED温度TLEDの上昇に対してその抵抗値が増加するように、LED902の近傍に配置される。第4基準電圧源116は第4基準電圧Vref4をPTCサーミスタ302の一端に印加する。PTCサーミスタ302の他端は第8抵抗304の一端および第2演算増幅器118の非反転入力端子と接続される。第8抵抗304の他端は接地される。したがって温度検出部306は、PTCサーミスタ302と第8抵抗304とで第4基準電圧Vref4を分圧し、分圧されたサーミスタ分圧電圧VdをLED温度TLEDに応じた電圧として生成し、電圧電流変換部108に供給する。このように、使用される温度センサには種々のバリエーションが可能である。実施の形態では、電流軽減部104を演算増幅器を使用して構成する場合について説明したが、これに限られない。例えば、電流軽減部をディスクリート部品を使用して構成してもよい。図8は、第3変形例に係る半導体光源点灯回路400およびそれに接続されるLED902の構成を示す回路図である。半導体光源点灯回路400は、DC/DCコンバータ904と、制御部906と、比較電圧生成部402と、電流検出抵抗910と、入力電圧端子PINと、第1LED接続端子PLED1と、第2LED接続端子PLED2と、を備える。比較電圧生成部402は、変動制限部926と、基準設定部928と、電流軽減部404と、を含む。電流軽減部404は、電流適用部406と、電圧電流変換部408と、温度検出部110と、を有する。電圧電流変換部408は、第3基準電圧源120と、第6抵抗122と、第6バイポーラトランジスタ416と、第7バイポーラトランジスタ410と、第9抵抗418と、を有する。第6バイポーラトランジスタ416はNPN型のバイポーラトランジスタであり、第7バイポーラトランジスタ410はPNP型のバイポーラトランジスタである。第3基準電圧源120は、第6抵抗122の一端および第6バイポーラトランジスタ416のコレクタに第3基準電圧Vref3を印加する。第6バイポーラトランジスタ416のベースには温度検出部110からサーミスタ分圧電圧Vdが印加される。第6バイポーラトランジスタ416のエミッタは第9抵抗418の一端および第7バイポーラトランジスタ410のベースと接続される。第9抵抗418の他端は接地される。第6抵抗122の他端は第7バイポーラトランジスタ410のエミッタと接続される。第7バイポーラトランジスタ410のコレクタは第5バイポーラトランジスタ414のコレクタと接続されると共に、第4バイポーラトランジスタ412、第5バイポーラトランジスタ414のベースと共通接続される。電流適用部406は、第4バイポーラトランジスタ412と、第5バイポーラトランジスタ414と第3抵抗132と、第4抵抗126と、を有する。第4バイポーラトランジスタ412、第5バイポーラトランジスタ414はいずれもNPN型のバイポーラトランジスタである。第5バイポーラトランジスタ414のエミッタは第4抵抗126の一端と接続される。第4抵抗126の他端は接地される。第4バイポーラトランジスタ412のエミッタは第3抵抗132の一端と接続される。第3抵抗132の他端は接地される。第4バイポーラトランジスタ412のコレクタは調整端子PCTRLと接続される。このように、電流軽減部の構成には種々のバリエーションが可能である。"