"金属配線と、前記金属配線上に形成されたビアホールと、前記ビアホールから離れた位置に形成された合わせマークとしての凹部を有する第1の絶縁層と、前記ビアホール内の前記金属配線上に形成された第1の下地層と、前記第1の下地層上に形成された第1の触媒層と、前記第1の触媒層上の前記ビアホール内に形成されたカーボンナノチューブにより構成されたビアと、前記凹部内に形成された第2の絶縁層と、を具備し、前記凹部内で前記第2の絶縁層の下方に第2の下地層と、第2の触媒層の少なくとも一つが設けられ、又は両方が設けられていないことを特徴する半導体装置。金属配線と、前記金属配線上に形成されたビアホールと、前記ビアホールから離れた位置に形成された凹部を有する第1の絶縁層と、前記ビアホール内の前記金属配線上に形成された第1の下地層と、前記第1の下地層上に形成された第1の触媒層と、前記第1の触媒層上の前記ビアホール内に形成されたカーボンナノチューブにより構成されたビアと、前記凹部内に形成された第2の絶縁層とを具備することを特徴する半導体装置。前記凹部内で前記第2の絶縁層の下方に形成された第2の下地層をさらに具備することを特徴する請求項2記載の半導体装置。前記凹部内で前記第2の絶縁層の下方に形成された第2の触媒層をさらに具備することを特徴する請求項2記載の半導体装置。前記凹部内の前記第2の下地層上に第3の触媒層が形成され、前記第3の触媒層上に形成されたカーボンナノチューブの成長を抑制する成長抑制層をさらに具備することを特徴とする請求項4記載の半導体装置。前記凹部内の前記第2の下地層上に形成された触媒不活性層と、前記触媒不活性層上に形成された第4の触媒層をさらに具備することを特徴とする請求項4記載の半導体装置。前記第1の絶縁層の前記凹部には,前記ビアホール内に形成された前記第1の下地層、又は前記第1の触媒層の少なくとも一つが設けられていないことを特徴とする請求項2乃至6のいずれかに記載の半導体装置。前記カーボンナノチューブにより構成された前記ビアの上に、前記第2の絶縁層が設けられていることを特徴する請求項1乃至7のいずれかに記載の半導体装置。前記第1の絶縁層の前記凹部のうち、前記第1の絶縁層の前記ビアホールと同層には、カーボンナノチューブが設けられていないことを特徴する請求項1乃至8のいずれかに記載の半導体装置。本実施形態は、カーボンナノチューブをビアとして用いる場合においても識別可能な合わせマークを有する半導体装置を提供するものである。本実施形態の半導体装置によれば、金属配線と、前記金属配線上に形成されたビアホールと、前記ビアホールから離れた位置に形成された凹部を有する第1の絶縁層と、前記ビアホール内の前記金属配線上に形成された第1の下地層と、前記第1の下地層上に形成された第1の触媒層と、前記第1の触媒層上の前記ビアホール内に形成されたカーボンナノチューブにより構成されたビアと、前記凹部内に形成された第2の絶縁層とを具備することを特徴する。以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態を示すものであり、半導体装置を構成する多層配線の一部の層を示している。図1において、絶縁層11は、図示せぬ半導体基板の上方に形成されている。この絶縁層11は、例えばシリコン酸化膜により構成されている。この絶縁層11の内部には、例えば銅Cuやアルミニウムなどの材料により構成された金属配線12が形成されている。この金属配線12には、炭素元素から構成される円筒状構造体としてのカーボンナノチューブにより構成された例えばビア16が接続される。すなわち、絶縁層11内には、金属配線12に対応してビアホール13が設けられ、このビアホール13の底部及び側壁には、バリアメタル層14が形成されている。このバリアメタル層14は、例えば窒化チタンTiNにより構成され、ビアホール13の底部において、金属配線12に接触されている。このバリアメタル層14は、後述するように、カーボンナノチューブを成長させるための助触媒としての機能も有している。さらに、ビアホール13の底部に位置するバリアメタル層14上には、カーボンナノチューブを成長させるための触媒層15が形成されている。この触媒層15は、例えばコバルトCoやニッケルNiにより構成されている。この触媒層15上に複数のカーボンナノチューブの束により構成されたビア16が形成されている。すなわち、カーボンナノチューブの成長条件として、金属配線12のような金属層、バリアメタル層14のような助触媒、及び触媒層15を必要とする。一方、絶縁層11の金属配線12から離れた位置で、例えばダイシングラインより内側の位置に合わせマーク17が形成されている。この合わせマーク17は、例えば絶縁層11に形成された凹部17aと、凹部17a内に形成されたバリアメタル層14aにより構成されている。すなわち、合わせマーク17を構成する凹部17a内には、上記成長条件を満たす金属層や触媒層がないため、カーボンナノチューブが形成されておらず、凹部17aの形状が保持されている。尚、凹部17aの平面形状は、例えば矩形とされているが、これに限定されるものではなく、様々な形状とすることが可能である。凹部17a内は、後述するCMP化学的機械研磨の前に、SOGSpinOnGlass18で埋め込まれる。SOG18の表面には、合わせマーク17に対応した凹部18aが形成される。絶縁層11の全面上には、上層の配線を形成するためのエッチングストッパー層19a、及び絶縁層19bが形成されている。エッチングストッパー層19aは、例えばシリコン窒化膜により構成され、絶縁層19bは、例えばシリコン酸化膜により構成されている。絶縁層19bの表面には、合わせマーク17としての凹部18aに対応して窪みが形成されている。エッチングストッパー層19a及び絶縁層19bには、ビア16に対応してコンタクトホールCHが形成されている。このコンタクトホールCHを形成する際のリソグラフィ工程において、図示せぬレジスト膜を通して、絶縁層19bに形成された合わせマーク17を光学的に検知して、露光処理が実行される。絶縁層19b上、及びコンタクトホール内には、例えばバリアメタル層19c、及び配線層19dが形成されている。バリアメタル層19cは、例えばチタンTi、窒化チタンTiN、タンタルTa、窒化タンタルTaNのうちの1つ若しくは複数の組み合わせにより構成される。配線層19dは、例えば銅Cu又はタングステンWにより構成される。次に、図2a乃至hを参照して、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。先ず、図2aに示すように、図示せぬ半導体基板の上方に形成された絶縁層11内に、金属配線12が形成される。この後、絶縁層11内に金属配線12に対応してビアホール13が形成される。このビアホール13と同時に、絶縁層11内に合わせマーク17を構成する凹部17aが形成される。凹部17aの開口面積は、ビアホール13の開口面積に比べて大きく設定され、且つ、凹部17aのアスペクト比は、ビアホール13のアスペクト比に比べて大きく設定されている。この後、全面にバリアメタル層14としての例えばTiNが、例えばPVD物理気相成長法により形成される。このバリアメタル層14は、ビアホール13の底部及び側壁、合わせマーク17を構成する凹部17aの底部及び側壁に形成される。次いで、バリアメタル層14上に、触媒層15としての例えばコバルトが、例えばスパッタリング、又は蒸着により形成される。触媒層15は、コバルトに限定されるものではなく、ニッケル等を用いることも可能である。この後、図2bに示すように、イオンミリングにより、ビアホール13の底部以外の触媒層15が除去される。すなわち、加速されたイオンが半導体基板の表面に対して、所定角度傾斜して照射され、触媒層が除去される。イオンの照射角度は、ビアホール13の例えばアスペクト比に基づき設定される。アスペクト比の小さな合わせマーク17の場合、イオンミリングにより、凹部17a内の触媒層15が全て除去され、バリアメタル層14が露出される。これに対して、アスペクト比が大きなビアホール13の場合、ビアホール13の底部に照射されるイオンが低減されるため、ビアホール13の側壁の触媒層が除去され、ビアホール13の側壁のバリアメタル層14、及びビアホール13の底部のバリアメタル層14、及び触媒層15が残される。次いで、図2cに示すように、例えばCVDにより、ビアホール13の底部の触媒層15を用いて炭素元素から構成される円筒状構造体としての複数のカーボンナノチューブが成長され、ビアホール13内にカーボンナノチューブの束により構成されたビア16が形成される。このとき、合わせマーク17を構成する凹部17a内には、触媒層15、がないため、カーボンナノチューブは形成されない。ビアホール13内に形成されたカーボンナノチューブの束のビア16は、ビアホール13から突出される程度まで成長される。この後、図2dに示すように、絶縁層11の全面に例えばSOGSpinOnGlass18が塗布され、カーボンナノチューブの束により構成されたビア16及び凹部17がSOG18により埋められる。この後、図2eに示すように、例えば絶縁層11をストッパーとしてCMPにより、SOG18、バリアメタル層14、及びカーボンナノチューブにより構成されたビア16が研磨され、ビア16の先端が絶縁層11の表面に一致するように、平坦化される。このとき、凹部17内のSOG18の表面にディッシングが生じ、SOG18の表面に合わせマーク17に対応した凹部18aが形成される。次いで、図2fに示すように、全面にエッチングストッパー層19a、及び絶縁層19bが形成される。エッチングストッパー層19aは、例えばシリコン窒化膜により構成され、絶縁層19bは、例えばシリコン酸化膜により構成されている。これらエッチングストッパー層19a、及び絶縁層19bの表面には、SOG18の凹部18aに対応して合わせマーク17としての凹部が形成されている。この後、図2gに示すように、全面にフォトレジスト膜20が形成され、合わせマーク17を光学的に検知して露光処理が行われる。次いで、現像処理が行われ、コンタクトホールを形成するためのレジストパターンが形成される。上記形成されたレジストパターンを用いて、絶縁層19b、エッチングストッパー層19aが順次エッチングされ、図2hに示すように、絶縁層19b、エッチングストッパー層19aにコンタクトホールCHが形成される。次いで、図1に示すように、絶縁層19b上、及びコンタクトホールCH内にバリアメタル層19c、及び配線層19dが形成される。上記第1の実施形態によれば、カーボンナノチューブを形成する前に、合わせマーク17に対応する凹部17aの内部から触媒層15が除去され、凹部17a内はバリアメタル層14aが露出されている。このバリアメタル層14aは、助触媒であるが、凹部17a内には、触媒層15や金属層がないため、凹部17a内には、カーボンナノチューブが成長しない。このため、ビアホール13内にカーボンナノチューブにより構成されたビア16を形成する際、カーボンナノチューブが凹部17a内に形成されることを防止することが可能である。したがって、合わせマーク17が消失することを防止できる。また、合わせマーク17を構成する凹部17aの内部には、カーボンナノチューブが形成されないため、凹部17aの内のバリアメタル14aの上に凹部18aを有するSOG18を形成することができる。したがって、凹部18a上に形成されるエッチングストッパー層19a、絶縁層19bの表面に凹部18aに対応する段差が形成される。このため、この段差を検出することにより合わせマーク17を認識することができ、カーボンナノチューブをビア16として用いる半導体装置において、合わせマーク17を確実に認識することが可能である。第2の実施形態図3は、第2の実施形態に係る半導体装置を示すものであり、第1の実施形態と同一部分には同一符号を付している。第1の実施形態において、合わせマーク17を構成する凹部17aの内部には、下地層としてのバリアメタル層14aが形成されていた。これに対して、第2の実施形態の場合、図3に示すように、凹部17aの内部には、バリアメタル層14aが形成されておらず、凹部17a内に例えばSOG18が直接形成されている。このように、凹部17a内になにも形成されていない場合、カーボンナノチューブは、シリコン酸化膜により構成された絶縁層11上に成長せず、凹部17a内にカーボンナノチューブが形成されない。図4a乃至dは、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示している。図4aに示すように、図示せぬ半導体基板の上方に形成された絶縁層11内に、金属配線12が形成される。この後、絶縁層11内に金属配線12に対応してビアホール13が形成される。このビアホール13と同時に、絶縁層11内に合わせマーク17を構成する凹部17aが形成される。凹部17aの開口面積は、ビアホール13の開口面積に比べて大きく設定され、且つ、凹部17aのアスペクト比は、ビアホール13のアスペクト比に比べて大きく設定されている。この後、ビアホール13の底部及び側壁、合わせマーク17を構成する凹部17aの底部及び側壁を含む全面にバリアメタル層14としての例えばTiNが、例えばCVDにより形成される。次いで、バリアメタル層14上に、触媒層15としての例えばコバルトが、例えばスパッタリング、又は蒸着により形成される。この後、図4bに示すように、第1の実施形態に比べてイオンミリングの処理時間を長くするか、イオンの加速度が増加されることにより、ビアホール13の底部以外の触媒層15、及びビアホール13内を除くバリアメタル層14が除去される。このため、アスペクト比の小さな合わせマーク17の場合、イオンミリングにより、凹部17a内の触媒層15及びバリアメタル層14aが全て除去される。これに対して、アスペクト比が大きなビアホール13の場合、イオンミリングにより、ビアホール13の側壁の触媒層が除去されるのみであり、ビアホール13の側壁のバリアメタル層14、及びビアホール13の底部のバリアメタル層14、及び触媒層15が残される。次いで、図4cに示すように、例えばCVDにより、ビアホール13の底部の触媒層15を用いて炭素元素から構成される円筒状構造体としての複数のカーボンナノチューブが成長され、ビアホール13内にカーボンナノチューブの束により構成されたビア16が形成される。このとき、合わせマーク17を構成する凹部17a内には、触媒層15、及びバリアメタル層14a、金属層がないため、カーボンナノチューブは形成されない。ビアホール13内に形成されたカーボンナノチューブの束のビア16は、ビアホール13から突出される程度まで成長される。この後、全面にSOG18が塗布された後、図4dに示すように、例えば絶縁層11をストッパーとしてCMPにより、SOG18、バリアメタル層14、及びカーボンナノチューブにより構成されたビア16が研磨され、ビア16の先端が絶縁層11の表面に一致するように、平坦化される。このとき、凹部17a内のSOG18の表面がディッシングされ、SOG18の表面に合わせマーク17に対応した凹部18aが形成される。次いで、図3、図2f乃至hに示すように、全面にエッチングストッパー層19a、絶縁層19bが形成され、さらに、合わせマーク17を用いたリソグラフィ工程の後、絶縁層19b上及びコンタクトホールCH内にバリアメタル層19c、配線層19dが順次形成される。上記第2の実施形態によれば、カーボンナノチューブを形成する前に、合わせマーク17に対応する凹部17aの内部から触媒層15及びバリアメタル層14aが除去され、凹部17a内はシリコン酸化膜により構成された絶縁層11が露出されている。このため、ビアホール13内にカーボンナノチューブにより構成されたビア16を形成する際、カーボンナノチューブが凹部17a内に形成されることを確実に防止することが可能である。したがって、合わせマーク17が消失することを防止できる。また、合わせマーク17を構成する凹部17aの内部には、カーボンナノチューブが形成されないため、凹部17a内の絶縁層11上に凹部18aを有するSOG18を形成することができる。したがって、凹部18aの上に形成されるエッチングストッパー層19a、絶縁層19bに、凹部18aに対応する合わせマーク17としての段差が形成される。このため、この段差を検出することにより合わせマーク17を認識することができ、カーボンナノチューブをビア16として用いる半導体装置において、合わせマーク17を確実に認識することが可能である。第3の実施形態図5乃至図6a乃至fは、第3の実施形態を示すものであり、第1、第2の実施形態と同一部分には、同一符号を付している。第1の実施形態において、合わせマーク17を構成する凹部17aの内部には、下地層としてのバリアメタル層14aが形成され、第2の実施形態において、合わせマーク17を構成する凹部17aの内部には、何も形成されていなかった。これに対して、図5に示す第3の実施形態の場合、凹部17aの内部には、バリアメタル層14aが形成されておらず、触媒層15のみが形成され、この触媒層15上に例えばSOG18が直接形成されている。このように、凹部17a内に触媒層15のみが形成されており、触媒層15の下に下地層としてのバリアメタル層や及び金属層が形成されていない場合、カーボンナノチューブは、触媒層15上に成長せず、凹部17a内にカーボンナノチューブが形成されない。このため、凹部17aの形状が保持される。したがって、凹部17a内に形成されたSOG18の表面は、凹部17aの形状に従った凹部18aを有することができ、合わせマークの消失を防止することができる。次に、図6a乃至fを用いて、第3の実施形態の製造方法について説明する。先ず、図6aに示すように、図示せぬ半導体基板の上方に形成された絶縁層11内に、金属配線12、ビアホール13、及び合わせマーク17を構成する凹部17aが形成される。凹部17aの開口面積は、ビアホール13の開口面積に比べて大きく設定され、且つ、凹部17aのアスペクト比は、ビアホール13のアスペクト比に比べて大きく設定されている。この後、ビアホール13の底部及び側壁、合わせマーク17を構成する凹部17aの底部及び側壁を含む全面にバリアメタル層14としての例えばTiNが、例えばCVDにより形成される。次いで、図6bに示すように、バリアメタル層14に対してイオンミリングが実行される。すなわち、第2の実施形態と同様に、イオンミリングの処理時間を長くするか、イオンの加速度が増加されることにより、ビアホール13の内部以外のバリアメタル層14が除去される。この結果、図6cに示すように、アスペクト比の小さな合わせマーク17の場合、イオンミリングにより、凹部17a内のバリアメタル層14aが全て除去される。これに対して、アスペクト比が大きなビアホール13の場合、ビアホール13の側壁、及び底部にバリアメタル層14が残される。この後、図6dに示すように、全面に触媒層15としての例えばコバルトが、例えばスパッタリング、又は蒸着により形成される。この結果、アスペクト比が小さい合わせマーク17の凹部17aの場合、側壁及び底部に触媒層15が形成され、アスペクト比が小さい合わせビアホール13の場合、底部に触媒層15が形成される。次いで、図6eに示すように、CVDにより、触媒層15の上にカーボンナノチューブが成長される。このとき、触媒層15の下に助触媒としてのバリアメタル層14及び金属配線12が形成されたビアホール13の内部においてのみ、複数のカーボンナノチューブが成長し、カーボンナノチューブの束によるビア16が形成される。また、触媒層15のみが形成された合わせマーク17を構成する凹部17a内において、カーボンナノチューブは成長しない。このため、凹部17aの形状が保持される。この後、全面にSOG18が塗布され、図6fに示すように、絶縁層11をストッパーとして、CMPにより、SOG18、カーボンナノチューブにより構成されたビア16、及び絶縁層11上の触媒層15が除去される。次いで、図5、図2f乃至hに示すように、全面にエッチングストッパー層19a、絶縁層19bが形成され、さらに、合わせマーク17を用いたリソグラフィ工程の後、絶縁層19b上及びコンタクトホールCH内にバリアメタル層19c、配線層19dが順次形成される。上記第3の実施形態によれば、カーボンナノチューブを形成する前に、合わせマーク17に対応する凹部17aの内部には、触媒層15のみが形成されている。このため、ビアホール13内にカーボンナノチューブにより構成されたビア16を形成する際、カーボンナノチューブが凹部17a内に形成されることを防止することが可能である。したがって、合わせマーク17が消失することを防止できる。また、合わせマーク17を構成する凹部17aの内部には、カーボンナノチューブが形成されないため、凹部17a内に凹部18aを有するSOG18を形成することができる。したがって、この凹部18aの上に形成されるエッチングストッパー層19a、絶縁層19bに、凹部18aに対応する合わせマーク17としての段差が形成される。このため、この段差を検出することにより合わせマーク17を認識することができ、カーボンナノチューブをビア16として用いる半導体装置において、合わせマーク17を確実に認識することが可能である。第4の実施形態図7乃至図8a乃至dは、第4の実施形態を示すものであり、第1乃至第3の実施形態と同一部分には、同一符号を付している。第1乃至第3の実施形態は、合わせマーク17を構成する凹部17aの内部に、バリアメタル層14と触媒層15のいずれか一方を形成するか、これらを全く形成しないことにより、凹部17aの内部にカーボンナノチューブが成長しないように構成した。これに対して、図7に示す第4の実施形態は、凹部17a内に、ビアホール13の内部と同様に、バリアメタル層14と触媒層15が形成される。さらに、凹部17a内の触媒層15の上面にカーボンナノチューブの成長を抑制する成長抑制層21が形成される。この成長抑制層21は、例えば金属又は酸化物により構成されている。このように、触媒層15上に成長抑制層21を形成することにより、凹部17a内にカーボンナノチューブが成長されることを確実に防止でき、凹部17aの消失を回避することができる。このため、凹部17a内に形成された例えばSOG18の表面は、凹部17aの形状に対応した凹部18aを有し、SOG18より上のエッチングストッパー層19a、絶縁層19bにも凹部18aに対応する段差が形成される。したがって、この段差を検出することにより、合わせマーク17を認識することが可能である。次に、図8a乃至dを参照して、上記第4の実施形態の製造方法について説明する。先ず、図8aに示すように、図示せぬ半導体基板の上方に形成された絶縁層11内に、金属配線12、ビアホール13、及び合わせマーク17を構成する凹部17aが形成される。凹部17aの開口面積は、ビアホール13の開口面積に比べて大きく設定され、且つ、凹部17aのアスペクト比は、ビアホール13のアスペクト比に比べて大きく設定されている。この後、ビアホール13の底部及び側壁、合わせマーク17を構成する凹部17aの底部及び側壁を含む全面にバリアメタル層14としての例えばTiNが、例えばCVDにより形成され、このバリアメタル層14の上に触媒層15として、例えばコバルトが、例えばスパッタリング、又は蒸着により形成される。次いで、図8bに示すように、触媒層15上に成長抑制層21として、例えばアルミニウムAlやチタンTiなどの金属、又は酸化アルミニウムAl2O3や酸化チタンTiO2等の酸化物が形成される。このとき、アスペクト比が小さな凹部17の底部及び側壁には、成長抑制層21が形成され、アスペクト比が大きなビアホール13の底部には、成長抑制層21が形成されず、側壁にのみ形成される。このため、ビアホール13の底部において、触媒層15露出され、凹部17aの内部には、触媒層15が露出されていない。この後、図8cに示すように、CVDにより、ビアホール13内に露出された触媒層15の上にカーボンナノチューブが成長される。このとき、触媒層15の下に助触媒としてのバリアメタル層14及び金属配線12が形成されたビアホール13の内部においてのみ、複数のカーボンナノチューブが成長し、カーボンナノチューブの束によるビア16が形成される。また、触媒層15が成長抑制層21により覆われた合わせマーク17を構成する凹部17a内において、カーボンナノチューブは成長しない。このため、凹部17aの形状が保持される。この後、全面にSOG18が塗布された後、図8dに示すように、絶縁層11をストッパーとして、CMPにより、SOG18、カーボンナノチューブにより構成されたビア16、及び絶縁層11上の成長抑制層21、触媒層15、バリアメタル層14が除去される。次いで、図7、図2f乃至hに示すように、全面にエッチングストッパー層19a、絶縁層19bが形成され、さらに、合わせマーク17を用いたリソグラフィ工程の後、絶縁層19b上及びコンタクトホールCH内にバリアメタル層19c、配線層19dが順次形成される。上記第4の実施形態によれば、ビアホール13と、合わせマーク17を構成する凹部17a内の膜の構成を同一とし、触媒層15が成長抑制層21から露出されたビアホール13内にのみカーボンナノチューブを成長させ、凹部17a内において、カーボンナノチューブの成長を抑制している。したがって、合わせマーク17が消失することを防止できる。また、合わせマーク17を構成する凹部17aの内部には、カーボンナノチューブが形成されないため、凹部17a内に凹部18aを有するSOG18を形成することができる。したがって、この凹部18a上に形成されるエッチングストッパー層19a、絶縁層19bに、凹部18aに対応する合わせマーク17としての段差が形成される。このため、この段差を検出することにより合わせマーク17を認識することができ、カーボンナノチューブをビア16として用いる半導体装置において、合わせマーク17を確実に認識することが可能である。さらに、ビアホール13と、合わせマーク17を構成する凹部17a内の膜の構成を同一とすることができるため、イオンミリングが不要であり、製造工程を簡単化することが可能である。第5の実施形態図9乃至図10a乃至eは、第5の実施形態を示すものであり、第1乃至第4の実施形態と同一部分には、同一符号を付している。上記第4の実施形態は、凹部17a内に、ビアホール13の内部と同様に、バリアメタル層14と触媒層15を形成し、さらに、凹部17a内の触媒層15上にカーボンナノチューブの成長を抑制する成長抑制層21を形成した。これに対して、図9に示すように、第5の実施形態は、ビアホール13と合わせマーク17を構成する凹部17aの内部に、バリアメタル層14、触媒不活性層22としての例えばアモルファスシリコン、及び触媒層15を形成し、ビアホール13の底部において、触媒層15がバリアメタル層14に接触している。このため、ビアホール13の底部の触媒層15上にカーボンナノチューブが成長する。また、凹部17a内の触媒層15は、触媒不活性層22によりバリアメタル層14から隔離されているため、凹部17a内の触媒層15上には、カーボンナノチューブが成長しない。このため、凹部17aの消失を防止できる。したがって、凹部17a内に形成された例えばSOG18の表面は、凹部17aの形状に対応する凹部18aを有し、SOG18より上のエッチングストッパー層19a、絶縁層19bにも凹部18aに対応する段差が形成される。したがって、この段差を検出することにより、合わせマーク17を認識することが可能である。次に、図10a乃至eを参照して、上記第5の実施形態の製造方法について説明する。先ず、図10aに示すように、図示せぬ半導体基板の上方に形成された絶縁層11内に、金属配線12、ビアホール13、及び合わせマーク17を構成する凹部17aが形成される。凹部17aの開口面積は、ビアホール13の開口面積に比べて大きく設定され、且つ、凹部17aのアスペクト比は、ビアホール13のアスペクト比に比べて大きく設定されている。この後、ビアホール13の底部及び側壁、合わせマーク17を構成する凹部17aの底部及び側壁を含む全面にバリアメタル層14としての例えばTiNが、例えばCVDにより形成され、このバリアメタル層14の上に触媒不活性層22としての例えばアモルファスシリコンが形成される。この触媒不活性層22は、アスペクト比が大きいビアホール13の底部の膜厚をT1とし、アスペクト比が小さい凹部17aの底部の膜厚をT2とした場合、これら膜厚T1、T2の関係は、T1<T2に設定される。次いで、図10bに示すように、触媒不活性層22がエッチバックされ、膜厚が減少される。この結果、ビアホール13の底部の触媒不活性層22は除去され、助触媒としてのバリアメタル層14が露出される。また、凹部17a内には、触媒不活性層22が残され、バリアメタル層14は触媒不活性層22により覆われている。この後、図10cに示すように、全面に触媒層15としての例えばコバルトが例えばスパッタリング、又は蒸着により形成される。ビアホール13の底部において、触媒層15は、露出されたバリアメタル層14に接触され、凹部17a内において、触媒層15は、触媒不活性層22上に形成される。この後、図10dに示すように、CVDにより、ビアホール13内の触媒層15の上にカーボンナノチューブが成長される。すなわち、触媒層15の下に助触媒としてのバリアメタル層14及び金属配線12が形成されたビアホール13の内部においてのみ、複数のカーボンナノチューブが成長し、カーボンナノチューブの束によるビア16が形成される。また、触媒層15が触媒不活性層22によりバリアメタル14から隔離された凹部17a内において、カーボンナノチューブは成長しない。このため、凹部17aの形状が保持される。この後、全面にSOG18が塗布され、図10eに示すように、絶縁層11をストッパーとして、CMPにより、SOG18、カーボンナノチューブにより構成されたビア16、及び絶縁層11上の触媒不活性層22、触媒層15、バリアメタル層14が除去される。次いで、図9、図2f乃至hに示すように、全面にエッチングストッパー層19a、絶縁層19bが形成され、さらに、合わせマーク17を用いたリソグラフィ工程の後、絶縁層19b上及びコンタクトホールCH内にバリアメタル層19c、配線層19dが順次形成される。上記第5の実施形態によれば、ビアホール13と、合わせマーク17を構成する凹部17a内の膜の構成を同一とし、触媒層15が助触媒としてのバリアメタル層14に接触しているビアホール13内にのみカーボンナノチューブを成長させ、凹部17a内において、カーボンナノチューブの成長を防止している。したがって、合わせマーク17が消失することを防止できる。また、合わせマーク17を構成する凹部17aの内部には、カーボンナノチューブが形成されないため、凹部17a内に凹部18aを有するSOG18を形成することができる。したがって、この凹部18a上に形成されるエッチングストッパー層19a、絶縁層19bに、凹部18aに対応する合わせマーク17としての段差が形成される。このため、この段差を検出することにより合わせマーク17を認識することができ、カーボンナノチューブをビア16として用いる半導体装置において、合わせマーク17を確実に認識することが可能である。第5の実施形態の変形例図11a乃至cは、第5の実施形態の変形例を示すものであり、第5の実施形態と同一部分には、同一符号を付している。第5の実施形態において、バリアメタル層14上に形成される触媒不活性層22の膜厚をビアホール13内と、凹部17aとで異ならせた。これに対して、図11aに示すように、変形例の場合、バリアメタル層14上に形成される触媒不活性層22の膜厚は、ほぼ均一とされている。すなわち、ビアホール13の底部に形成される触媒不活性層22の膜厚と、凹部17aの底部に形成される触媒不活性層22の膜厚は、ほぼ等しく設定されている。このような膜厚として触媒不活性層22を形成するためには、例えば成膜時間が第5の実施形態に比べて短縮されている。次いで、図11bに示すように、触媒不活性層22がエッチバックされ、膜厚が減少される。この結果、ビアホール13の底部の触媒不活性層22は除去され、助触媒としてのバリアメタル層14が露出される。また、凹部17a内には、触媒不活性層22は、ビアホール13内の触媒不活性層22に比べてエチングレートが遅くされ、凹部17a内に触媒不活性層22が残される。このため、バリアメタル層14は触媒不活性層22により覆われている。この後、図11cに示すように、全面に触媒層15としての例えばコバルトが例えばスパッタリング、又は蒸着により形成される。ビアホール13の底部において、触媒層15は、露出されたバリアメタル層14に接触され、凹部17a内において、触媒層15は、触媒不活性層22上に形成される。この後、図10dに示された第5の実施形態と同様に、CVDにより、ビアホール13内の触媒層15の上にカーボンナノチューブが成長される。また、触媒層15が触媒不活性層22によりバリアメタル14から隔離された凹部17a内において、カーボンナノチューブは成長しない。このため、凹部17aの形状が保持される。この後、SOG18が塗布された後、図10eに示すように、絶縁層11をストッパーとして、CMPにより、SOG18、カーボンナノチューブにより構成されたビア16、及び絶縁層11上の触媒不活性層22、触媒層15、バリアメタル層14が除去される。次いで、図9に示すように、全面にエッチングストッパー層19a、絶縁層19bが形成され、さらに、合わせマーク17を用いたリソグラフィ工程の後、絶縁層19b上及びコンタクトホールCH内にバリアメタル層19c、配線層19dが順次形成される。尚、上記各実施形態において、カーボンナノチューブのビア16及び凹部17aを埋め込む材料は、SOGに限らず、例えばCVD-Wを用いることも可能である。この場合、ビアをCVD-Wで埋めると同時に、凹型17aの中央部に段差が形成されるため、これがマーク17とされる。上記変形例によっても、第5の実施形態と同様の効果を得ることが可能である。その他、本発明は上記各実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記各実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。"