"少なくともシリコンと酸素と炭素とを含み、二酸化シリコンよりも誘電率の低い低誘電率絶縁膜と、前記低誘電率絶縁膜の上層に形成された有機膜と、を含む積層構造のパターンが形成された被処理基板の前記有機膜を除去する有機膜の除去方法であって、酸素又は窒素を含む第1のガスと、CxHyx,yは正の整数で示される第2のガスと、水素ガスとの混合ガスのプラズマを前記被処理基板に作用させて前記有機膜を除去することを特徴とする有機膜の除去方法。請求項1記載の有機膜の除去方法であって、前記酸素又は窒素を含む第1のガスは、酸素ガス、窒素ガス、メタノールガス、アンモニアガスのいずれかであることを特徴とする有機膜の除去方法。請求項1又は2記載の有機膜の除去方法であって、前記CxHyx,yは正の整数で示される第2のガスは、メタンガス、エタンガス、エチレンガスのいずれかであることを特徴とする有機膜の除去方法。請求項1~3いずれか1項記載の有機膜の除去方法であって、前記混合ガスがさらに希ガスを含むことを特徴とする有機膜の除去方法。少なくともシリコンと酸素と炭素とを含み、二酸化シリコンよりも誘電率の低い低誘電率絶縁膜と、前記低誘電率絶縁膜の上層に形成された有機膜と、を含む積層構造のパターンが形成された被処理基板の前記有機膜を除去する有機膜の除去方法であって、CxHyOzx,y,zは正の整数、且つ、x/z≧2で示されるガスと、水素ガスとの混合ガスのプラズマを前記被処理基板に作用させて前記有機膜を除去することを特徴とする有機膜の除去方法。請求項5記載の有機膜の除去方法であって、前記CxHyOzx,y,zは正の整数、且つ、x/z≧2で示されるガスは、エタノールガス、アセトンガスのいずれかであることを特徴とする有機膜の除去方法。請求項5又は6記載の有機膜の除去方法であって、前記混合ガスがさらに希ガスを含むことを特徴とする有機膜の除去方法。例えば、少なくともシリコン、酸素、炭素を含み、二酸化シリコンより誘電率の低い低誘電率絶縁膜Low-k膜の上層に有機膜からなるフォトレジストのパターンを形成し、これをマスクとして低誘電率絶縁膜をエッチングした場合、エッチング後のフォトレジストアッシングの際に、酸素プラズマを使用すると、低誘電率絶縁膜の中から炭素が抜けてしまい、誘電率が上がるという問題がある。このため、このような場合は、酸素プラズマではなく、水素プラズマを用いてアッシングを行う場合が多い。しかしながら、水素プラズマを用いたアッシングは、反応の進行が遅く、時間がかかるとともに、有機膜を完全に除去することができず、残渣が残ってしまう場合があるという問題がある。本発明は、上記従来の事情に対処してなされたもので、低誘電率絶縁膜の誘電率の上昇を抑制しつつ、確実に有機膜の除去を行うことのできる有機膜の除去方法を提供しようとするものである。本発明の有機膜の除去方法の一態様は、少なくともシリコンと酸素と炭素とを含み、二酸化シリコンよりも誘電率の低い低誘電率絶縁膜と、前記低誘電率絶縁膜の上層に形成された有機膜と、を含む積層構造のパターンが形成された被処理基板の前記有機膜を除去する有機膜の除去方法であって、酸素又は窒素を含む第1のガスと、CxHyx,yは正の整数で示される第2のガスと、水素ガスとの混合ガスのプラズマを前記被処理基板に作用させて前記有機膜を除去することを特徴とする。また、本発明の有機膜の除去方法の他の態様は、少なくともシリコンと酸素と炭素とを含み、二酸化シリコンよりも誘電率の低い低誘電率絶縁膜と、前記低誘電率絶縁膜の上層に形成された有機膜と、を含む積層構造のパターンが形成された被処理基板の前記有機膜を除去する有機膜の除去方法であって、CxHyOzx,y,zは正の整数、且つ、x/z≧2で示されるガスと、水素ガスとの混合ガスのプラズマを前記被処理基板に作用させて前記有機膜を除去することを特徴とする。本発明によれば、低誘電率絶縁膜の誘電率の上昇を抑制しつつ、確実に有機膜の除去を行うことのできる有機膜の除去方法を提供することができる。以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。図1は、本発明の一実施形態に使用するプラズマ処理装置1の構成を模式的に示す図である。同図に示すように、プラズマ処理装置1は、処理チャンバー10を具備している。処理チャンバー10は、表面を陽極酸化処理されたアルミニウム等から略円筒状に構成されている。処理チャンバー10の内側の底部には、半導体ウエハW等の被処理基板を載置するための載置台15が配設されている。載置台15の基板載置面には、被処理基板を吸着するための図示しない静電チャック等が設けられている。処理チャンバー10の天井部には、載置台15と対向するように、石英又はセラミックス等の誘電体絶縁体材料からなる誘電体窓13が設けられている。誘電体窓13は、円板状に形成されており、処理チャンバー10の天井部に形成された円形の開口を気密に閉塞するように配設されている。処理チャンバー10の内部には、載置台15が配置された下方のプラズマ処理室20と、上方のプラズマ生成室30とを仕切るように、隔壁部材40が配設されている。プラズマエッチング装置1には、処理チャンバー10のプラズマ生成室30内に処理ガスを供給するためのガス供給部120が設けられている。処理チャンバー10の側壁部にはガス導入口121が形成されており、ガス導入口121には、ガス供給配管123を介してガス供給源122が接続されている。ガス供給配管123の途中には、処理ガスの流量を制御するためのマスフローコントローラ124及び開閉バルブ126が介挿されている。ガス供給源122からの処理ガスは、マスフローコントローラ124により所定の流量に制御されて、ガス導入口121から処理チャンバー10のプラズマ生成室30内に供給される。処理チャンバー10の底部には、処理チャンバー10内を排気するための排気部130が排気管132を介して接続されている。排気部130は例えば真空ポンプ等によって構成され、処理チャンバー10内を所定の圧力まで減圧し得るようになっている。処理チャンバー10の側壁部には、ウエハ搬出入口32が形成されており、このウエハ搬出入口32には、ウエハ搬出入口32を気密に閉塞し、開閉自在とされたゲートバルブ31が設けられている。処理チャンバー10の天井部の外側には、誘電体窓13の外側面上側面に対向するように平面状の高周波アンテナ140が配置されており、この高周波アンテナ140を覆うように略筒状本実施形態では円筒状のシールド部材160が設けられている。高周波アンテナ140は、図2に示すように、例えば銅、アルミニウム、ステンレスなどの導体で構成された渦巻きコイル状のアンテナ素子142を、複数の挟持体144で挟持して構成されている。各挟持体144は、棒状に形成されており、3つの挟持体144が、アンテナ素子142の中央付近からその外側に向けて放射状に延在するように配置されている。アンテナ素子142は、給電ポイント142dにおいて、高周波電源150に接続されている。また、アンテナ素子142の両端、すなわち外側端部142aと内側端部142bを自由端電気的にフローティングの状態とされ、巻き方向の長さの中点又はその近傍以下、単に中点という。を接地点グラウンド142cとし、1/2波長の定在波を形成できるように構成されている。このようなアンテナ素子142によれば、高周波電源150から基準周波数例えば27.12MHzの高周波を高周波アンテナ140に印加して半波長モードで共振させると、ある瞬間ではアンテナ素子142に印加される電圧Vは、中点接地点がゼロで、一方の端部が正のピークとなり、他方の端部が負のピークとなるような波形になる。これに対して、アンテナ素子142に印加される電流Iは、電圧波形と90度位相がずれるため、中点接地点が最大で、両端部がゼロとなるような波形になる。このとき、高周波の正負のサイクル毎に互いに瞬時容量が逆方向に増減するので、アンテナ素子142に印加される電圧Vについてはアンテナ素子142上に発生する正負の電圧成分によって相殺されて平均電圧が非常に小さくなるような半波長モードの定在波が形成される。これに対して、電流Iについてはアンテナ素子142上で中点接地点が最も強く、正のみ又は負のみの電流成分による定在波が形成される。このような定在波によってアンテナ素子142の中央近傍に最大強度を有する垂直磁場Bが発生する。これによりプラズマ生成室30内に、垂直磁場Bを中心とする円形電場が励起され、プラズマ生成室30内に導入された処理ガスのプラズマが生成される。この際、アンテナ素子142に印加される平均電圧は非常に小さいので、容量結合度が極めて弱いため、電位の低いプラズマを生成することができる。このプラズマ生成室30内に励起されたプラズマ中のイオンは、隔壁部材40によって遮蔽されてプラズマ処理室20内に進入することが阻止され、プラズマ中のラジカルのみがプラズマ処理室20内に移動してラジカルによる半導体ウエハWの処理が行われる。なお、高周波電源150から出力される高周波電力の周波数は、27.12MHzに限られるものではない。例えば13.56MHz、60MHzなどであってもよい。但し、高周波電源150から出力される高周波電力の周波数に応じてアンテナ素子142の電気的長さを調整する必要がある。シールド部材160は、処理チャンバー10の天井部に固定された略円筒状の下部シールド部材161と、この下部シールド部材161の外側にスライド自在に設けられた上部シールド部材162とで構成されている。上部シールド部材162は、上面が閉塞し下面が開口する略円筒状に形成されている。上部シールド部材162は、処理チャンバー10の側壁部に設けられたアクチュエータ165によって上下にスライド駆動するようになっている。これによってアンテナ素子142とシールド部材160との間の距離を調整して浮遊容量を変化させることで、アンテナ素子142の共振周波数を調整できるようになっている。また、高周波アンテナ140も、アクチュエータ145によって高さ調整ができるようになっている。これによってプラズマとアンテナ素子142との距離を調整することでプラズマポテンシャルを調整できるようになっている。プラズマ処理装置1は、制御部全体制御装置200を具備しており、この制御部200によってプラズマ処理装置1の各部が制御されるようになっている。また、制御部200には、オペレータがプラズマ処理装置1を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、プラズマ処理装置1の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなる操作部210が接続されている。さらに、制御部200には、プラズマ処理装置1で実行される各種処理を制御部200の制御にて実現するためのプログラムやプログラムを実行するために必要なレシピなどが記憶された記憶部220が接続されている。記憶部220には、半導体ウエハWの処理を実行するための複数のレシピの他、処理チャンバー10内のクリーニング処理など必要な処理を行うためのレシピなどが記憶されている。なお、これらのレシピはハードディスクや半導体メモリに記憶されていてもよく、またCD-ROM、DVD等の記憶媒体に収容された状態で記憶部220の所定位置にセットするようになっていてもよい。制御部200は、操作部210からの指示等に基づいて所望のレシピを記憶部220から読み出して各部を制御することで、プラズマ処理装置1での所望の処理を実行する。また、操作部210からの操作によりレシピを編集できるようになっている。上記構成のプラズマ処理装置1によって、半導体ウエハWのプラズマ処理を行う場合、ゲートバルブ31を開き、ウエハ搬出入口32から処理チャンバー10のプラズマ処理室20内に半導体ウエハWを搬入し、載置台15に載置して静電チャックにより吸着する。次いで、ゲートバルブ31を閉じ、排気部130の図示しない真空ポンプ等によって、処理チャンバー10内を所定の真空度となるまで真空引する。その後、ガス供給部120によって、所定流量の処理ガスを、処理チャンバー10のプラズマ生成室30内に供給する。そして、処理チャンバー10内の圧力が、所定の圧力に維持された後、高周波電源150から、高周波アンテナ140に所定の周波数の高周波電力が印加される。これにより、プラズマ生成室30内には、処理ガスのICPプラズマが発生する。このICPプラズマ中のイオンは、電気的なチャージを有するため、隔壁部材40によって遮蔽され、プラズマ処理室20内にはほとんど到達できない。一方、ラジカルは、電気的に中性であるため、隔壁部材40の開口40aを通ってプラズマ処理室20内にまで到達する。そして、このラジカルが、載置台15上に載置された半導体ウエハWに作用することによって、半導体ウエハWのプラズマ処理、例えば、有機膜の除去処理アッシング処理等が行われる。そして、所定のプラズマ処理が終了すると、高周波電力の印加及び処理ガスの供給が停止され、上記した手順とは逆の手順で、半導体ウエハWが処理チャンバー10内から搬出される。次に、実施例に使用した半導体ウエハWの構造について図3を参照して説明する。この半導体ウエハWでは、図3aに示すように、シリコン基板300上に、下側から順に、SiO2膜301、SiCN膜302、低誘電率絶縁膜Low-k膜303、TEOS膜304、有機膜305が形成されている。そして、所定のパターンにパターニングされた有機膜305をマスクとして低誘電率絶縁膜Low-k膜303等がプラズマエッチングされた状態となっている。この後、有機膜305を除去する有機膜除去工程を実施し、図3bに示す状態とする。この有機膜305の除去は、図1,2に示したプラズマ処理装置を使用し、次のようにして行う。すなわち、半導体ウエハWを処理チャンバー10内の載置台15に配置し、処理チャンバー10内を所定の減圧雰囲気とし、酸素又は窒素を含む第1のガスと、CxHyx,yは正の整数で示される第2のガスと、水素ガスとの混合ガス、又は、CxHyOzx,y,zは正の整数、且つ、x/z≧2で示されるガスと、水素ガスとの混合ガス、或いは、これらの混合ガスにさらに希ガスを含んだガスを処理チャンバー10内に供給し、これらのガスのプラズマを発生させ、このプラズマを半導体ウエハWに作用させて有機膜305を除去する。上記の酸素又は窒素を含む第1のガスとしては、例えば、酸素ガス、窒素ガス、メタノールガス、アンモニアガスのいずれかを用いることができる。また、CxHyx,yは正の整数で示される第2のガスとしては、例えば、メタンガス、エタンガス、エチレンガスのいずれかを用いることができる。さらに、処理ガスには、例えばヘリウムHe等の希ガスが含まれていてもよい。また、上記のCxHyOzx,y,zは正の整数、且つ、x/z≧2で示されるガスとしては、例えば、エタノールガス、アセトンガスのいずれかを用いることができる。さらに、処理ガスには、例えばヘリウムHe等の希ガスが含まれていてもよい。上記のように、本実施形態に係る有機膜の除去方法では、水素の他に、酸素又は窒素と、炭素とが含まれるプラズマを作用させて有機膜の除去を行う。したがって、プラズマ中の酸素又は窒素によって有機膜305の除去が促進されるとともに、低誘電率絶縁膜Low-k膜303からの炭素の抜けに対しては、プラズマ中に炭素が存在することによって、その修復がなされる。これによって、低誘電率絶縁膜Low-k膜303の誘電率の上昇を抑制しつつ、確実に有機膜305の除去を行うことができる。実施例1実施例1として、酸素又は窒素を含む第1のガスにNH3ガス、CxHyで示される第2のガスにCH4ガスを用いて、以下の条件で有機膜305の除去を行った。処理ガス:H2/He/NH3/CH4=500/5000/10/10sccm圧力:199.5Pa1.5Torr高周波電力:3000W温度:300°C時間:160秒上記の実施例1では、有機膜305の除去を良好に行うことができた。また、上記の有機膜除去処理の後、低誘電率絶縁膜Low-k膜303からの炭素の抜けの程度を調べるため、半導体ウエハWを濃度が0.5の希フッ酸DHFに30秒浸漬した。このように、半導体ウエハWを希フッ酸DHFに浸漬すると、炭素が抜けてSiO2となった部分が溶解除去される。この結果、実施例1では、パターン幅の平均値が、希フッ酸DHF浸漬前では、52.1nm、浸漬後では51.6nmとなり、パターン幅が0.5nm平均値と僅かに減少した。比較例1比較例1として、以下の条件で有機膜305の除去を行った。処理ガス:H2/He=500/5000sccm圧力:199.5Pa1.5Torr高周波電力:3000W温度:300°C時間:150秒上記の比較例1では、有機膜305の除去が不十分となり、多くの残渣が生じた。また、上記の有機膜除去処理の後、低誘電率絶縁膜Low-k膜303からの炭素の抜けの程度を調べるため、半導体ウエハWを濃度が0.5の希フッ酸DHFに30秒浸漬したが、この場合のパターン幅の平均値は、希フッ酸DHF浸漬前で51.6nm、浸漬後で51.6nmとなり、パターン幅の減少は、0.0nmであった。比較例2比較例2として、以下の条件で有機膜305の除去を行った。処理ガス:H2/He/NH3=500/5000/10sccm圧力:199.5Pa1.5Torr高周波電力:3000W温度:300°C時間:110秒上記の比較例2では、有機膜305の除去は十分行うことができた。また、上記の有機膜除去処理の後、低誘電率絶縁膜Low-k膜303からの炭素の抜けの程度を調べるため、半導体ウエハWを濃度が0.5の希フッ酸DHFに30秒浸漬した。この結果、パターン幅の平均値は、希フッ酸DHF浸漬前で49.9nm、浸漬後で44.9nmとなり、パターン幅の減少は、5.0nm平均値と多かった。この比較例2のように、第1のガスに相当するガスを添加して、第2のガスに相当するガスを添加しなかった場合、低誘電率絶縁膜Low-k膜303からの炭素の抜けが多くなることが確認できた。実施例2実施例2として、酸素又は窒素を含む第1のガスにCH3OHガス、CxHyで示される第2のガスにCH4ガスを用いて、以下の条件で有機膜305の除去を行った。処理ガス:H2/He/CH3OH/CH4=500/5000/5/10sccm圧力:199.5Pa1.5Torr高周波電力:3000W温度:300°C時間:180秒上記の実施例2では、有機膜305の除去を良好に行うことができた。また、上記の有機膜除去処理の後、低誘電率絶縁膜Low-k膜303からの炭素の抜けの程度を調べるため、半導体ウエハWを濃度が0.5の希フッ酸DHFに30秒浸漬した。この結果、パターン幅の平均値は、希フッ酸DHF浸漬前で52.5nm、浸漬後で52.8nmとなり、パターン幅の減少は生じなかった。なお、図5aに、希フッ酸DHF浸漬前、図5bに、希フッ酸DHF浸漬後における実施例2のパターンの電子顕微鏡写真を示す。比較例3比較例3として、第1のガスに相当するCH3OHガスを添加し、第2のガスに相当するガスを添加せずに以下の条件で有機膜305の除去を行った。処理ガス:H2/He/CH3OH=500/5000/5sccm圧力:199.5Pa1.5Torr高周波電力:3000W温度:300°C時間:100秒上記の比較例3では、有機膜305の除去はある程度行うことができた。また、上記の有機膜除去処理の後、低誘電率絶縁膜Low-k膜303からの炭素の抜けの程度を調べるため、半導体ウエハWを濃度が0.5の希フッ酸DHFに30秒浸漬した。この結果、比較例3では、パターン幅の平均値が希フッ酸DHF浸漬前で50.5nm、浸漬後で46.1nmとなり、パターン幅の減少が4.4nmと多かった。この比較例3のように、第1のガスに相当するガスを添加して、第2のガスに相当するガスを添加しなかった場合、低誘電率絶縁膜Low-k膜303からの炭素の抜けが多くなることが確認できた。なお、図6aに、希フッ酸DHF浸漬前、図6bに、希フッ酸DHF浸漬後における比較例3のパターンの電子顕微鏡写真を示す。実施例3実施例3として、CxHyOzx,y,zは正の整数、且つ、x/z≧2で示されるガスにCH3COCH3ガスを用いて、以下の条件で有機膜305の除去を行った。処理ガス:H2/He/CH3COCH3=500/5000/5sccm圧力:199.5Pa1.5Torr高周波電力:3000W温度:300°C時間:220秒上記の実施例3では、有機膜305の除去を良好に行うことができた。また、上記の有機膜除去処理の後、低誘電率絶縁膜Low-k膜303からの炭素の抜けの程度を調べるため、半導体ウエハWを濃度が0.5の希フッ酸DHFに30秒浸漬した。この結果、実施例3では、パターン幅の平均値が、希フッ酸DHF浸漬前で50.6nm、浸漬後で50.5nmとなり、パターン幅の減少が0.1nmと少なかった。なお、図7aに、希フッ酸DHF浸漬前、図7bに、希フッ酸DHF浸漬後における実施例3のパターンの電子顕微鏡写真を示す。このように、H2ガスにCxHyOzx,y,zは正の整数、且つ、x/z≧2で示されるガスを添加した実施例3によっても、低誘電率絶縁膜Low-k膜303の誘電率の上昇を抑制しつつ、確実に有機膜の除去を行えることが確認できた。なお、比較例3のように、CxHyOzで示されるガスであっても、x/z≧2となっていないガスでは、このような効果は得られない。これは、炭素の酸素に対する原子数の比x/zが2以上ないと、低誘電率絶縁膜Low-k膜303からの炭素の抜けを十分修復できないためと考えられる。図4は、縦軸を誘電率k値として、低誘電率絶縁膜Low-k膜303の誘電率を、図3に示した積層構造を有する各サンプルについて測定した結果を示している。各サンプル1~7は、以下のような処理を施したものである。サンプル1処理前サンプル2エッチング処理後処理時間40秒以下同じサンプル3エッチング処理後、CO2ガスを用いた有機膜除去サンプル4エッチング処理後、H2/Heガスを用いた有機膜除去サンプル5エッチング処理後、H2/He/NH3ガスを用いた有機膜除去サンプル6エッチング処理後、H2/He/CH4ガスを用いた有機膜除去サンプル7エッチング処理後、H2/He/NH3/CH4ガスを用いた有機膜除去図4に示されるように、前述した実施例1と同様なガス系を用いて有機膜除去を行ったサンプル7では、低誘電率絶縁膜Low-k膜303の誘電率の上昇が抑制されており、有機膜除去アッシングを行う前の状態であるサンプル2と略同じ状態に維持されていることが確認できた。なお、本発明は上記実施形態及び実施例に限定されるものではなく、各種の変形が可能であることは勿論である。"