圧電振動素子と、一対の電極を両端に有する電子素子と、第1の主面に前記圧電振動素子が搭載され、前記第1の主面の反対側の第2の主面に前記電子素子が搭載される絶縁基板と、を備え、前記絶縁基板は、第1の主面側に前記圧電振動素子搭載用の第1の電極パッドと、第2の主面側に前記電子素子搭載用の第2の電極パッド、及び複数の実装端子と、を有し、前記第2の主面側は、前記実装端子に導通固定され、前記第2の電極パッドに搭載された前記電子素子よりも背高の実装用導電部材と、を備え、少なくとも1つの前記実装端子と前記第1の電極パッドとは、第1の熱伝導部材により電気的及び熱的に接続され、他の少なくとも1つの前記実装端子と前記第2の電極パッドとは、第2の熱伝導部材により電気的及び熱的に接続されていることを特徴とする圧電デバイス。前記絶縁基板の第1の主面側の周縁にシールリングを設けたことを特徴とする請求項1に記載の圧電デバイス。圧電振動素子と、温度を検出する感温部品と、前記圧電振動素子を収容する収容部を有する容器と、を備えた圧電デバイスであって、前記容器は、第1の主面側に前記圧電振動素子搭載用の第1の電極パッドを有し、第2の主面側に前記感温部品搭載用の第2の電極パッド、及び複数の実装端子を有する第1の絶縁基板と、前記第1の絶縁基板の第1の主面側に対して底部を積層固定されて前記収容部を形成する環状の第2の絶縁基板と、前記実装端子に導通固定され、前記第2の電極パッドに搭載された前記感温部品よりも背高の実装用導電部材と、を備え、少なくとも1つの前記実装端子と前記第1の電極パッドとは、第1の熱伝導部材により電気的及び熱的に接続され、他の少なくとも1つの前記実装端子と前記第2の電極パッドとは、第2の熱伝導部材により電気的及び熱的に接続されていることを特徴とする圧電デバイス。前記第1の主面側は、前記圧電振動素子を覆うよう凹状の蓋部材により密閉され、前記蓋部材は、前記容器の内部を貫通する第3の熱伝導部材により前記感温部品と接続する実装端子と電気的及び熱的に接続されていることを特徴とする請求項2に記載の圧電デバイス。前記収納部を気密封止する蓋部材を備え、前記蓋部材は、前記容器の内部を貫通する第3の熱伝導部材により前記感温部品と接続する実装端子と電気的及び熱的に接続されていることを特徴とする請求項3に記載の圧電デバイス。前記第1、第3の熱伝導部材は、少なくとも一部が前記第1の絶縁基板の内部に貫通配置されていることを特徴とする請求項2乃至5のうち何れか一項に記載の圧電デバイス。前記絶縁基板は、側面にキャスタレーションを備え、当該キャスタレーションの表面には金属層が設けられ、前記第1、第3の熱伝導部材の少なくとも何れか一方の少なくとも一部は、前記金属層容器の外側面に設けられたキャスタレーション内に配置と接続されていることを特徴とする請求項2乃至5のうち何れか一項に記載の圧電デバイス。前記第1、第3の熱伝導部材のうちの一方の少なくとも一部は、前記第1の絶縁基板の内部に貫通配置され、他方の少なくとも一部は前記容器の外側面に設けられたキャスタレーション内に配置されていることを特徴とする請求項2乃至5のうち何れか一項に記載の圧電デバイス。前記第2の絶縁基板の代わりに、環状の金属製基板を採用し、前記環状の金属製基板の開口部を気密封止する蓋部材を備え、前記蓋部材は、前記容器の内部を貫通する第3の熱伝導部材、或いは、前記キャスタレーションの表面に設けた前記金属層により、前記感温部品と接続する実装端子と電気的及び熱的に接続されていることを特徴とする請求項1乃至8のうち何れか一項に記載の圧電デバイス。前記圧電振動素子の圧電基板は、水晶の結晶軸である電気軸としてのX軸と、機械軸としてのY軸と、光学軸としてのZ軸と、からなる直交座標系の前記X軸を中心として、前記Z軸を前記Y軸の-Y方向へ所定の角度だけ傾けた軸をZ’軸とし、前記Y軸を前記Z軸のZ方向へ前記所定の角度だけ傾けた軸をY’軸とし、前記X軸と前記Z’軸に平行な面で構成され、前記Y’軸に平行な方向を厚みとする水晶基板であり、前記X軸に平行な辺を長辺とし、前記Z’軸に平行な辺を短辺とした水晶基板を用いたATカット水晶振動素子であることを特徴とする請求項1乃至9のうち何れか一項に記載の圧電デバイス。前記圧電振動素子は、音叉型水晶振動素子であることを特徴とする請求項1乃至9のうち何れか一項に記載の圧電デバイス。前記圧電振動素子は、ATカット水晶振動素子と音叉型水晶振動素子とが前記収容部に併置されていることを特徴とする圧電デバイス。請求項1乃至12のうち何れか一項に記載の圧電デバイスを内蔵したことを特徴とする電子機器。しかしながら、上記の圧電デバイスでは、圧電振動素子を収容する第1の収納部は、その底部セラミック製を介して反対側の第2の収納部に感温部品サーミスタを搭載する構造をしており、容器が絶縁性のセラミックであるため、熱伝導性の点から、第1の収納部内の圧電振動素子の温度と、第2の収納部内の感温部品が検出する温度との間に温度差が生じるという問題があった。また、特許文献10に開示の構造では圧電振動素子の実際の温度と、サーミスタが検出する温度との間に温度差が生じるという問題と、ハンドリング時に破損や、脱落の虞があるという問題がある。また、特許文献11に開示の構造では、圧電振動素子に特性不良あると、サーミスタも廃棄させざるを得ず、コスト高となるという問題があった。また、特許文献12、13では圧電振動子の温度と、その温度を感知する感温素子との温度差については言及していない。つまり、開示された構造では、本願発明者が検証した結果からは、携帯電話に搭載されるGPS用の規格を満たすには不十分であり、更なる改善が必要とされることが明らかとなった。本発明は上記に鑑みてなされたものであり、圧電振動素子の温度を高精度に検出することを可能とし、主回路基板マザーボード上に搭載された補償回路と組合せることにより、高安定、高精度の周波数温度特性の発振器を可能とする、表面実装型の小型圧電デバイスを提供することを目的としている。本発明は、上記の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。[適用例1]本発明に係る圧電デバイスは、圧電振動素子と、一対の電極を両端に有する電子素子と、第1の主面に前記圧電振動素子が搭載され、前記第1の主面の反対側の第2の主面に前記電子素子が搭載される絶縁基板と、を備え、前記絶縁基板は、第1の主面側に前記圧電振動素子搭載用の第1の電極パッドと、第2の主面側に前記電子素子搭載用の第2の電極パッド、及び複数の実装端子と、を有し、前記第2の主面側は、前記実装端子に導通固定され、前記第2の電極パッドに搭載された前記電子素子よりも背高の実装用導電部材と、を備え、少なくとも1つの前記実装端子と前記第1の電極パッドとは、第1の熱伝導部材により電気的及び熱的に接続され、他の少なくとも1つの前記実装端子と前記第2の電極パッドとは、第2の熱伝導部材により電気的及び熱的に接続されていることを特徴とする圧電デバイスである。この構成によれば、圧電デバイスの低背化とコスト低減とに効果があると共に、第1、及び第2の熱伝導部材を適切に設定することにより実装端子から伝わる熱の流れ熱伝導の速度は速く、短い時間で圧電振動素子の温度と、感温部品が検出する温度との温度差を縮小できるという効果がある。[適用例2]また圧電デバイスは、前記絶縁基板の第1の主面側の周縁にシールリングを設けたことを特徴とする適用例1に記載の圧電デバイスである。この構成によれば、圧電デバイスの低背化、コスト低減、圧電振動素子と電子素子との温度差の縮小に効果があると共に、蓋部材が接地されることによりシールド効果があるという利点がある。[適用例3]また圧電デバイスは、圧電振動素子と、温度を検出する感温部品と、前記圧電振動素子を収容する収容部を有する容器と、を備えた圧電デバイスであって、前記容器は、第1の主面側に前記圧電振動素子搭載用の第1の電極パッドを有し、第2の主面側に前記感温部品搭載用の第2の電極パッド、及び複数の実装端子を有する第1の絶縁基板と、前記第1の絶縁基板の第1の主面側に対して底部を積層固定されて前記収容部を形成する環状の第2の絶縁基板と、前記実装端子に導通固定され、前記第2の電極パッドに搭載された前記感温部品よりも背高の実装用導電部材と、を備え、少なくとも1つの前記実装端子と前記第1の電極パッドとは、第1の熱伝導部材により電気的及び熱的に接続され、他の少なくとも1つの前記実装端子と前記第2の電極パッドとは、第2の熱伝導部材により電気的及び熱的に接続されていることを特徴とする圧電デバイスである。上記の構成によれば、実装端子と第1の電極パッドとを導通接続する第1の熱伝導部材の径と長さと、実装端子と第2の電極パッドとを導通接続する第2の熱伝導部材の長さ幅と、を適切に設定することにより、圧電振動素子の温度と、感温部品の検出する温度との温度差を縮小することが可能となる。その結果、短い時間で圧電振動素子の温度と、感温部品の検出する温度との温度差を縮小することが可能となり、外部回路と接続されて、優れた周波数ドリフト特性短期安定度を有する温度補償型圧電発振器が実現できるので、GPS等の性能を改善できるという効果がある。[適用例4]また圧電デバイスは、前記第1の主面側は、前記圧電振動素子を覆うよう凹状の蓋部材により密閉され、前記蓋部材は、前記容器の内部を貫通する第3の熱伝導部材により前記感温部品と接続する実装端子と電気的及び熱的に接続されていることを特徴とする適用例2に記載の圧電デバイスである。上記の構成によれば、第3の熱伝導部材により蓋部材と実装端子と導通接続され、接地されることにより、シールド効果が生じるという利点がある。[適用例5]また圧電デバイスは、前記収納部を気密封止する蓋部材を備え、前記蓋部材は、前記容器の内部を貫通する第3の熱伝導部材により前記感温部品と接続する実装端子と電気的及び熱的に接続されていることを特徴とする適用例3に記載の圧電デバイスである。上記の構成によれば、圧電振動素子と感温部品との温度差が縮小されるという効果と、第3の熱伝導部材により蓋部材と実装端子と導通接続され、接地されることにより、シールド効果が生じるという利点がある。[適用例6]また圧電デバイスは、前記第1、第3の熱伝導部材は、少なくとも一部が前記第1の絶縁基板の内部に貫通配置されていることを特徴とする適用例2乃至5のうち何れか一項に記載の圧電デバイスである。上記の構成によれば、実装端子から伝わる熱は、第1、第3の熱伝導部材を経由するため、熱の流れ熱伝導の速度は速く、極めて短い時間で圧電振動素子の温度と、感温部品の検出する温度との温度差を縮小できるという効果がある。[適用例7]また圧電デバイスは、前記絶縁基板は、側面にキャスタレーションを備え、当該キャスタレーションの表面には金属層が設けられ、前記第1、第3の熱伝導部材の少なくとも何れか一方の少なくとも一部は、前記金属層容器の外側面に設けられたキャスタレーション内に配置と接続されていることを特徴とする適用例2乃至5のうち何れか一項に記載の圧電デバイスである。上記の構成によれば、第1、第3の熱伝導部材の少なくとも何れか一方をキャスタレーション内に設けることにより、実装端子から伝わる熱の流れ熱伝導の速度は速く、極めて短い時間で圧電振動素子の温度と、感温部品が検出する温度との温度差を縮小できるという効果がある。[適用例8]また圧電デバイスは、前記第1、第3の熱伝導部材のうちの一方の少なくとも一部は、前記第1の絶縁基板の内部に貫通配置され、他方の少なくとも一部は前記容器の外側面に設けられたキャスタレーション内に配置されていることを特徴とする適用例2乃至5のうち何れか一項に記載の圧電デバイスである。上記の構成によれば、実装端子から伝わる熱の流れ熱伝導は、第1の絶縁基板の肉厚部内に設けた第1及び第3の熱伝導部材と、容器の側面に設けたキャスタレーション電極と、を経由するため熱伝導の速度が速く、極めて短い時間で圧電振動素子の温度と、感温部品の検出する温度との温度差を縮小できるという効果がある。[適用例9]前記第2の絶縁基板の代わりに、環状の金属製基板を採用し、前記環状の金属製基板の開口部を気密封止する蓋部材を備え、前記蓋部材は、前記容器の内部を貫通する第3の熱伝導部材、或いは、前記キャスタレーションの表面に設けた前記金属層により、前記感温部品と接続する実装端子と電気的及び熱的に接続されていることを特徴とする適用例1乃至8のうち何れか一項に記載の圧電デバイスである。上記の構成によれば、環状の金属製基板を用いているので、圧電デバイスの低背化とコスト低減に効果がある。[適用例10]また圧電デバイスは、前記圧電振動素子の圧電基板が、水晶の結晶軸である電気軸としてのX軸と、機械軸としてのY軸と、光学軸としてのZ軸と、からなる直交座標系の前記X軸を中心として、前記Z軸を前記Y軸の-Y方向へ所定の角度だけ傾けた軸をZ’軸とし、前記Y軸を前記Z軸のZ方向へ前記所定の角度だけ傾けた軸をY’軸とし、前記X軸と前記Z’軸に平行な面で構成され、前記Y’軸に平行な方向を厚みとする水晶基板であり、前記X軸に平行な辺を長辺とし、前記Z’軸に平行な辺を短辺とした水晶基板を用いたATカット水晶振動素子であることを特徴とする適用例1乃至9のうち何れか一項に記載の圧電デバイスである。上記の構成によれば、例えば圧電基板にATカット水晶基板を用いることにより、圧電デバイスの周波数温度特性は優れた3次特性となり、長く積み上げられた温度補償技術が活用されるために、良好な周波数温度特性が得られる。また、ATカット水晶基板のエッチング手法も長い経験があり、歩留まりもよく、高周波で小型の圧電基板が量産できるため、圧電デバイスのコストを低減できるという利点がある。[適用例11]また圧電デバイスは、前記圧電振動素子が、音叉型水晶振動素子であることを特徴とする適用例1乃至9のうち何れか一項に記載の圧電デバイスである。上記の構成によれば、圧電振動素子に音叉型水晶振動素子を用いることにより、高周波を分周することなく、温度特性の優れた所要の基準低周波が得られるという利点がある。[適用例12]また圧電デバイスは、前記圧電振動素子が、ATカット水晶振動素子と音叉型水晶振動素子とが前記収容部に併置されていることを特徴とする圧電デバイスである。上記の構成によれば、外部回路と併用することにより、高周波と低周波の2つの周波数が温度補償され、高安定で短期安定度の優れた2つの基準周波数が得られるという効果がある。[適用例13]本発明の電子機器は、適用例1乃至12のうち何れか一項に記載の圧電デバイスを内蔵したことを特徴とする電子機器である。上記の圧電デバイスを用いて電子機器を製作すると、高安定で短期安定度の優れた基準周波数源が容易に構成できるという効果がある。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る圧電デバイス1の構成を示す概略図である。図1aは蓋部材を省略した平面図であり、同図bはaのQ-Q断面図であり、同図cは底面図である。圧電デバイス1は、図1bに示すように、外部の発振回路及び補償回路主回路基板上に搭載された発振回路部品及び補償回路部品と接続されて、所望の周波数を出力する圧電振動素子10と、圧電振動素子10の温度を検出する感温部品30と、表部図1bでは上部に圧電振動素子10を収容する収容部27を有し、底面側に感温部品30を固着させる一対の電極パッドを有する容器パッケージ本体20と、収容部27を封止する蓋部材38と、を備えている。容器20の一例は、図1bに示すように、矩形平板状の第1の絶縁基板20aと、平板環状体の第2の絶縁基板20bと、を積層焼成して形成されている。第1の絶縁基板20aの表部と、第1の絶縁基板20aの表部に対して底部を積層固定された環状体の第2の絶縁基板20bと、により圧電振動素子10を収容する収容部キャビティー27が形成される。なお、第1の絶縁基板20a、第2の絶縁基板20bの角隅部の側壁面には、キャスタレーションC1、C2、C3、C4が形成されている。図2は、図1bに示した容器20に用いる第1の絶縁基板20aの表面の構成を示す概略平面図である。第1の絶縁基板20aの表面の長手方向図中横方向の一端部寄りには、圧電振動素子10を搭載する一対の第1の電極パッド28a、28bが短手方向に併置されている。図2bは、第1の絶縁基板20aの裏面の構成を示す裏面図であり、裏面の4つの隅部に夫々実装端子2222a、22b、22c、22dが形成されている。更に、第1の絶縁基板20aの裏面の中央部には、長手方向図中横方向と直交して一対の第2の電極パッド29a、29bが配置されており、実装端子22c、22dと、第2の電極パッド29b、29aとが、夫々第2の配線パターン26b、26bにより導通接続されている。ここで、第1の絶縁基板20aの表部表面を第1の主面、底部底面を第2の主面とも言う。なお、図1bに示すように、第2の絶縁基板20bは、中央部を中空とした環状体であり、環状体の上部周縁にシールリング図示せずが焼成された絶縁基板である。第1の絶縁基板20aの絶縁体内部には、ビア電極ビアホール貫通孔にビア電極ペーストを充填し、焼成形成した導体が形成されている。図1に示す実施形態例を図2a、bを参照して説明する。第1の絶縁基板20aの肉厚内部には、裏面に形成された実装端子22a、22bと、表面に形成された圧電振動素子10用の一対の第1の電極パッド28a、28bと、を夫々導通接続するビア電極23a、23bが貫通形成されている。つまり、実装端子22a、22bは、夫々ビア電極23a、23bを経由して表部に設けた圧電振動素子10搭載用の一対の第1の電極パッド28a、28bと電気的及び熱的に導通し、実装端子22c、22dは、夫々第2の配線パターン26b、26bを介してして裏面に設けた感温部品30搭載用の一対の第2の電極パッド29b、29aと電気的及び熱的に導通している。ここで、一対の第1の電極パッド28a、28bに接続するビア電極23a、23bを第1の熱伝導部材と称し、一対の第2の電極パッド29a、29bに接続する第2の配線パターン26b、26bを第2の熱伝導部材と称する。なお、図2a、bに示す第1の絶縁基板20aと、図1bに示す第2の絶縁基板20bとの角隅部の側壁面にはキャスタレーションC1~C4が形成されている。本発明に係る圧電デバイス1は、図1b、cに示すように、一対の第2の電極パッド29a、29bに搭載される感温部品30よりも背高の第1の絶縁基板20a裏面からの突出長が大きい実装用導電部材36、例えば球形、立方体又は直方体形の導電部材が、夫々実装端子2222a、22b、22c、22dに固着されている。実装端子に搭載された実装用導電部材36の高さ厚さは、実装端子に搭載された感温部品30の高さ厚さよりも高く厚くし、圧電デバイス1がマザーボードに実装される際に、マザーボードの表面と感温部品30の裏面図1bの下面との間に間隙ができるような高さ厚さとする。実装用導電部材36の高さ厚さは、全て同一の高さ厚さとし、実装されたときに容器20がマザーボード面に対し、並行平行なることが望ましい。なお、実装用導電部材36は金属部材で構成してもよいし、樹脂部材にメッキを施して導電極部材としたものでもよい。マザーボード上の所定の端子は、実装用導電部材36を介して容器20の実装端子22a、22bと導通接続し、ビア電極23a、23bを経由して一対の第1の電極パッド28a、28bと導通接続している。また、マザーボード上の所定の端子は、実装用導電部材36を介して容器20の実装端子22c、22dと導通接続し、第2の配線パターン26b、26を経由して一対の第2の電極パッド29a、29bと導通接続している。圧電デバイス1の構成手順は、初めに容器20の第1の電極パッド28a、28bに導電性接着剤35を塗布し、その上に圧電振動素子10を載置し、軽く押さえる。これを乾燥炉に入れて所定の温度で所定の時間加熱した後、真空中、又は不活性ガスの雰囲気中で、容器20の上部周縁を蓋部材38でシーム溶接して密封封止して圧電振動子を構成する。次に、圧電振動子の容器20の底面の第2の電極パッドに感温部品30を搭載して半田等で固定し、実装端子22に実装用導電部材36を、例えば半田等で固着して圧電デバイス1を構成する。容器20の底面と実装用導電部材36とで、容器20の底面側に感温部品30の収容箇所を構成すると、容器20の構成がシンプル化してコストが低減できること、収容部27には圧電振動子10のみを収容するために、収容部27に感温部品30を収容する場合に比べ、脱ガスの影響を大幅に低減でき、周波数経年変化特性が良くなること等の利点がある。また、感温部品30の厚さに応じて、実装用導電部材36の高さを適切に選定すればよく、容器20の寸法は変更する必要がないという利点もある。図3aは他の例に係る圧電デバイス1に用いられる第1の絶縁基板20a1の平面表面図であり、同図bは裏面図である。図2に示した第1の絶縁基板20aと、図3に示した他の例に係る第1の絶縁基板20a1との違いは、図3に示す絶縁基板20a1では、キャスタレーションC1~C4の側面に金属膜が焼成されてキャスタレーション電極Ce1~Ce4となっている点である。更に、第1の絶縁基板20a1の表面では、一対の第1の電極パッド28a、28bと、キャスタレーション電極Ce1、Ce2とを夫々導通接続する第1の配線パターン26a、26aが形成されている点と、裏面では、実装端子22a、22b、22c、22dと、キャスタレーション電極Ce1、Ce2、CE3、Ce4とが夫々導通されている点が異なっている。つまり、実装端子22a、22bが、ビア電極23a、23bを経由して第1の電極パッド28a、28bと導通接続すると共に、キャスタレーション電極Ce1、Ce2と第1の配線パターン26a、26aとを経由して導通接続している点である。実装端子22c、22dは、第2の配線パターンを介して第2の電極パッド29b、29aと導通接続している。なお、一対の第1の電極パッド28a、28bに導通接続する第1の配線パターン26a、26aも第1の熱伝導部材と称する。つまり、実装端子22a、22bから第1の電極パッド28a、28bへの熱の伝導経路としては、ビア電極23a、23b第1の熱伝導部材を経由して伝導する経路と、キャスタレーション電極Ce1、Ce2を経て第1の配線パターン26a、26a第1の熱伝導部材を経由して伝導する経路とがある。図4aは他の例に係る圧電デバイス1に用いられる第1の絶縁基板20a2の表面図であり、同図bは裏面図である。図4に示すキャスタレーションの側面には金属膜が焼成されてキャスタレーション電極Ce1~Ce4が形成されている。しかし、第1の絶縁基板20a2の肉厚部内を貫通するビア電極は設けられていない。従って、実装端子22a、22bと、第1の電極パッド28a、28bとの電気的導通、熱的な伝導は、実装端子22a、22bからキャスタレーション電極Ce1、Ce2と、第1の配線パターン26a、26aとを経由して行われる。また、実装端子22c、22dと、第2の電極パッド29b、29aとの電気的導通、熱的な伝導は、第2の配線パターン26b、26bを経由して導通、伝導される。図5aは他の例に係る圧電デバイス1に用いられる第1の絶縁基板20a3の表面図であり、同図bは裏面図である。第1の絶縁基板20a3の特徴は、圧電振動素子10用の実装端子22a、22cが第1の絶縁基板20a3の裏面に対角状に配置されている点である。感温部品30用の実装端子22b、22dも第1の絶縁基板20a3の裏面に対角状に配置されている。つまり、実装端子22aは、肉厚絶縁体を貫通するビア電極23aにより表面の第1の電極パッドの一方の電極パッド28aと導通接続し、実装端子22cは、絶縁体を貫通するビア電極23bを経て表面の中継パッド40に接続し、第1の配線パターン26aを経由して第1の電極パッドの他方の電極パッド28bと導通接続している。また、実装端子22b、22dは夫々裏面の第2の配線パターン26b、26bを経て第2の電極パッド29b、29aに導通接続している。容器20の実装端子2222a、22b、22c、22dと、第1の熱伝導部材ビア電極23a、23b、第1の配線パターン26a、及び第2の熱伝導部材第2の配線パターン26bとに用いる金属材料としては、例えばタングステン材を例示することができる。第2の絶縁基板20bの上面周縁に形成されるメタライズ部としてもタングステン材を用いることができる。図1、図2に示した圧電デバイス1の構成例では、実装端子22a、22bと圧電振動素子10とは、ビア電極第1の熱伝導部材23a、23bを経由して電気的導通と熱的伝導を図り、実装端子22c、22dと感温部品30とは、第2の配線パターン第2の熱伝導部材26bを経由して電気的導通と熱的伝導を実現している。容器20として図3に示した第1の絶縁基板20a1を用いる圧電デバイス1では、実装端子22a、22bと圧電振動素子10とは、ビア電極第1の熱伝導部材23a、23b経由する経路と、キャスタレーション電極Ce1、Ce2を経て第1の配線パターンを経由する経路と、の2つの経路で電気的導通と熱的伝導とを図っている。実装端子22c、22dと感温部品30とは、第2の配線パターン第2の熱伝導部材26bを経由して電気的導通と熱的伝導とを図っている。また、容器20として図4に示した第1の絶縁基板20a2を用いる圧電デバイス1では、実装端子22a、22bと圧電振動素子10とは、キャスタレーション電極Ce1、Ce2と第1の配線パターン26a、26aとを経由して電気的導通と熱的伝導を図っている。実装端子22c、22dと感温部品30とは、第2の配線パターン第2の熱伝導部材26bを経由して電気的導通と熱的伝導とを図っている。また、容器として図5に示した第1の絶縁基板20a2を用いる圧電デバイス1では、裏面に対角状に配置された実装端子22a、22cは、前者はビア電極23aを経由し、後者はビア電極23b、中継パッド40、第1の配線パターン26aを経由して、第1の電極パッド28a、28bと電気的導通と熱的伝導とを図っている。実装端子22b、22dは、第2の配線パターン26b、26bにより電気的導通と熱的伝導を図っている。図1の実施形態例に用いられる圧電振動素子10には、例えばATカット水晶振動素子がある。水晶等の圧電材料は三方晶系に属し、図6に示すように互いに直交する結晶軸X、Y、Zを有する。X軸、Y軸、Z軸は、夫々電気軸、機械軸、光学軸と呼称される。ATカット水晶基板12は、XZ面をX軸の回りに角度θだけ回転させた平面に沿って、水晶から切り出された平板である。ATカット水晶基板12の場合は、θは略35°15′である。なお、Y軸及びZ軸もX軸の周りにθ回転させて、夫々Y’軸、及びZ’軸とする。従って、ATカット水晶基板12は、直交する結晶軸X、Y’、Z’を有する。ATカット水晶基板12は、厚み方向がY’軸であって、Y’軸に直交するXZ’面X軸及びZ’軸を含む面が主面であり、厚みすべり振動が主振動として励振される。ATカット以外にカットアングルは異なるが、例えばBTカット等も用いることができる。即ち、図1に示す圧電基板12の一例は、図6に示すようにX軸電気軸、Y軸機械軸、Z軸光学軸からなる直交座標系のX軸を中心として、Z軸をY軸の-Y方向へ傾けた軸をZ’軸とし、Y軸をZ軸のZ方向へ傾けた軸をY’軸とし、X軸とZ’軸に平行な面で構成され、Y’軸に平行な方向を厚みとするATカット水晶基板からなる。ATカット水晶基板の外形形状は、一般的にX軸方向を長手方向とする矩形状であり、共振周波数はY’軸方向の厚さに依存する。周波数が高く、X辺比X/t、XはX軸方向の長さ、tは厚さ、又はZ辺比Z/t、ZはZ’軸方向の長さが大きい場合には、平板形状の水晶基板12が用いられる。また、周波数が低く、X辺比X/t、又はZ辺比Z/tが小さい場合には、メサ型水晶基板周辺部に比べ中央部を厚くした水晶基板12が用いられる。図7はメサ型水晶振動素子の一例であり、同図aは平面図であり、同図bはQ-Q断面図である。メサ型水晶基板12は、その中央に位置し主たる振動領域となる励振部13と、励振部13より薄肉で励振部13の周縁に沿って形成された、従たる振動領域となる周辺部15と、を有している。つまり、振動領域は、励振部13と、周辺部15の一部に跨っている。図7に示す例では、圧電基板12の長手方向図中横方向には2段の段差があり、短手方向図中縦方向には図6bに示すように1段の段差が形成されたメサ型圧電基板を用いた圧電振動素子10の例である。水晶基板12の励振部13の表裏に励振電極14a、14bを形成し、励振電極14a、14bの夫々から、水晶基板12の端部に設けた端子電極18a、18bに向かって延びるリード電極16a、16bを形成する。励振電極14a、14bに交番電圧を印加すると、水晶振動素子10は固有の振動周波数共振周波数で励振される。また、図1に示す圧電デバイス1に用いる感温部品30は、温度変化に応じて物理量、例えば電気抵抗が変わるサーミスタ等を用いる。サーミスタ30の電気抵抗を外部回路で検出し、サーミスタ30の検知する温度が測定できる。本発明に係る圧電デバイス1の特徴は、圧電振動素子10の温度と感温部品30の検出する温度とがほぼ等しくなるように、圧電振動素子10、感温部品30の熱容量を考慮し、第1の熱伝導部材ビア電極23a、23bと、第2の熱伝導部材第2の配線パターン26bの各長さ、厚さ等を適切に設定することである。例えば、圧電振動素子10、導電性接着剤35、一対の第1の電極パッド28a、28b、及び第1の熱伝導部材ビア電極23a、23bを含む全熱容量Aと、感温部品30、第2の電極パッド29a、29b、第2の配線パターン26b、26bを含む全熱容量Bとが同じ熱容量になるように設定する。圧電振動素子10と感温部品30とは一般的に熱容量が異なる場合が多いので、第1の熱伝導部材の熱伝導率、径と長さと、第2の熱伝導部材の熱伝導率、長さ及び幅と、を適切に設定し、全熱容量A、Bが等しくなるようにする。言い換えると、圧電振動素子10の温度と感温部品30の温度とがほぼ等しくなるように、即ち両者の熱的平衡状態が素早く達成されるように、上記部材の種類、寸法形状を適切に設定することである。しかし、全熱容量A、全熱容量Bが等しくできない場合には、熱容量の小さい方の熱の伝導経路の熱抵抗を大きくし、圧電振動素子10の温度と、感温部品30の温度と、がほぼ等しくなるように、熱伝導部材の熱抵抗を適切に設定する必要がある。図8aは、圧電デバイス1の熱の主伝導経路を示す断面図であり、同図bは圧電デバイス1に使用される部材の熱伝導率を示す表である。圧電デバイス1を包む雰囲気内の空気の熱伝導率は極めて小さい。また、容器20を主に構成するセラミック材Al2O3の熱伝導率は、例えば第1、第2の熱伝導部材ビア電極23a、23b、第2の配線パターン26bに用いるタングステンWの熱伝導率に比べて1/10程度である。従って、主回路基板マザーボードの各種の増幅器等から生じる熱Hの大部分は、実装端子22から第1、第2の熱伝導部材を経由して圧電振動素子10、感温部品30に伝導する。圧電振動素子10の温度上昇に関与する経路としては、主回路基板マザーボードの増幅器等から発生した熱が実装用導電部材36を介して実装端子22a、22bに伝達し、ビア電極23a、23bを経由して一対の第1の電極パッド28a、28b、導電性接着剤35を介して圧電振動素子10の端子電極18b、18a、リード電極16b、16aを経て励振電極14b、14aに伝わり、圧電基板12の温度を上昇させる。また、感温部品30の温度上昇に関与する経路としては、主回路基板の熱が実装用導電部材36を介して実装端子22c、22dに伝達し、第2の配線パターン第2の熱伝導部材26b、26bを経由して一対の第2の電極パッド29b、29aに達し、半田層を経て感温部品30に伝導して、感温部品30の温度を上昇させる。しかし、圧電振動素子10、感温部品30夫々に同じ熱量が伝導したとしても、両者の熱容量により温度上昇に差が生じるので、両者の熱容量を考慮して夫々に流れ込む熱量を設定するようにする。容器20の形状寸法と、第1、及び第2の熱伝導部材のメタライズ材を設定した後は、圧電振動素子10、感温部品30の夫々の熱容量に応じて実装端子22から所要の熱が流れるように、第1の絶縁基板20aの第1の熱伝導部材ビア電極23a、23bの径と、第2の熱伝導部材第2の配線パターン26bと、を圧電振動素子10と感温部品30との温度が夫々ほぼ等しくなるように設定する。つまり、ビア電極23a、23bの径φ、第2の配線パターンの厚さ、幅等を適切に設定し、短い時間で圧電振動素子10と、感温部品30との温度がほぼ等しくなるようにする。図1の実施形態に示す圧電デバイスは、圧電振動素子10、感温部品30の熱容量を考慮して、実装端子22と第1の電極パッド28a、28bとを導通接続する第1の熱伝導部材ビア電極23a、23bの径と長さと、実装端子22と第2の電極パッド29a、29bとを導通接続する第2の熱伝導部材第2の配線パターン26bの長さと幅とを適切に設定するにより、圧電振動素子10の温度と感温部品30の検出する温度との温度差を縮小することが可能となる。また圧電振動素子10と感温部品30とを外部回路に接続して動作させることにより、良好な周波数温度特性が得られ、また優れた周波数ドリフト特性短期安定度を有する温度補償型圧電発振器が実現できるという効果がある。また、周波数ドリフト特性短期安定度が改善されることにより、携帯電話のGPSの性能を改善できるという効果がある。また、例えば圧電基板にATカット水晶基板を用いることにより、圧電デバイスの周波数温度特性は優れた3次特性となり、長く積み上げられた温度補償技術が活用されるために、良好な周波数温度特性が得られる。また、ATカット水晶基板のエッチング手法も長い経験があり、歩留まりもよく、高周波で小型の圧電基板が量産できるため、圧電デバイス1のコストを低減できるという利点がある。図9は、図3に示した第1の絶縁基板20a1を用いた第2の実施形態例である圧電デバイス2の断面図と、その図に重ねて熱の伝導経路を白抜き矢印で示した図である。図1の圧電デバイス1と異なる点は、図3の第1の絶縁基板20a1に示すように、第1、第2の熱伝導部材ビア電極23a、23bと第2の配線パターン26bに加え、キャスタレーション電極Ce1~Ce4を併用した点である。つまり、第1、及び第2の熱伝導部材とは別に、実装端子22a、22bからキャスタレーション電極Ce1、Ce2と、第1の配線パターン26a、26aとを経由して、圧電振動素子10へ伝導される熱も考慮に入れている点である。圧電振動素子10、感温部品30の夫々の熱容量を考慮して、圧電振動素子10、感温部品30の夫々の温度がほぼ同一温度になるように、ビア電極23a、23bの径φ、第1の及び第2の配線パターン26a、26bの夫々の幅W1、W2、及びを適切に設定する。また、図9に示す圧電デバイス2の変形例として、キャスタレーション電極Ce1~Ce4と、容器20の上部周縁に焼成したシールリング図示せずと、を導通接続するように構成する。この構成では、熱の伝導はキャスタレーション電極Ce1~Ce4を介して蓋部材38に伝導され、蓋部材38の輻射熱により圧電振動素子10の温度が上昇する。つまり、圧電振動素子10と感温部品30との温度平衡状態が速くなる。実装端子22から伝わる熱の経路には、第1、第2の熱伝導部材を経由する経路と、キャスタレーション電極Ce1、Ce2を経由する経路と、があるため、熱の流れ熱伝導の速度は速く、極めて短い時間で圧電振動素子の温度と、感温部品の検出する温度との温度差を縮小できるという効果がある。第1の熱伝導部材の少なくとも一方をキャスタレーション内に設けることにより、実装端子から伝わる熱の流れ熱伝導を調整し、圧電振動素子の温度と、感温部品が検出する温度との温度差を縮小できるという効果がある。また、キャスタレーション電極Ce1~Ce4とシールリングとを接続することにより、熱はキャスタレーション電極Ce1~Ce4から蓋部材38に伝導し、圧電振動素子10の温度の上昇を速めることができるという効果がある。図10aは、第3の実施形態例の圧電デバイス3の蓋部材を省略した平面図であり、同図bはQ-Q断面図であり、同図cは底面図である。図1に示す圧電デバイス1では、圧電振動素子10と導通接続する実装端子22a、22bは、第1の絶縁基板20aの裏面の短手方向図中縦方向に沿って配置されている。図10に示す実施形態例の圧電デバイス3では、圧電振動素子10用の実装端子22a、22cが第1の絶縁基板20a3の裏面に対角状に配置されており、感温部品30用の実装端子22b、22dも第1の絶縁基板203の裏面に対角状に配置されている点が異なる。圧電デバイス3に用いられる第1の絶縁基板20aの表面図は図5aに、裏面図は同図bに示している。図5a、bと、図10cに示すように、実装端子22aはビア電極23aを介して第1の電極パッドの一方の電極パッド28aと電気的及び熱的に導通接続している。実装端子22cは、ビア電極23bを介して表部の中継パッド40に接続し、第1の配線パターン26aを経由して第1の電極パッドの他方の電極パッド28bに、電気的及び熱的に導通接続されている。また、実装端子22b、22dは、第2の配線パターン26b、26bを介して一対の第の電極パッド29b、29aに電気的及び熱的に導通接続している。図1に示す実施形態の圧電デバイス1では、実装端子22a22bは、ビア電極23a23bを介して一対の第1の電極パッド28a28bに接続し、第1の電極パッド28a28bに搭載された圧電振動素子10に導通接続している。更に、実装端子22c22dは、第2の配線パターン26b、26bを介して一対の第2の電極パッド29b29aに接続し、第2の電極パッド29b29aに搭載された感温部品30に導通接続している。これに対し、図10に示す実施形態の圧電デバイス3では、実装端子22a22cは、第1の絶縁基板20a3を貫通するビア電極23a23bを経て、ビア電極23aは直接第1の電極パッド28aに接続し、ビア電極23bは中継パッド40、第1の配線パターン26aを経由して第1の電極パッド28bに電気的及び熱的に導通接続している。また、実装端子22b22dは、第1の絶縁基板20a3の裏面に設けた第2の配線パターン26b26bを介して一対の第2の電極パッド29b、29aに電気的及び熱的に導通接続されている。図11は、第4の実施形態例の圧電デバイス4の構成を示す断面図である。圧電デバイス4が図1に示す実施形態例の圧電デバイス1と異なる点は、第1の絶縁基板20a4と第2の絶縁基板20b4との夫々の肉厚内部で貫通するビア電極25第3の熱伝導部材を設けている点である。図11に示すように、ビア電極25の一方の端部と実装端子22c接地用とを接続し、且つ他方の端部とシールリング図示せずとを接続することにより、シールリングに抵抗溶接される蓋部材38は、実装端子22cを介して接地されることになる。また、感温部品30の一方の端子電極は接地して用いる場合が多く、実装端子22cと第2の電極パッド29bとは、実装端子22cを接地することにより、感温部品30の一方の端子電極は接地される。蓋部材38がビア電極25により、接地されることにより圧電デバイス4からの高周波雑音の放射を防止できる。圧電デバイス感温部品内蔵の振動子において、感温部品サーミスタ30と蓋部材38とを接続する利点は、次の通りである。即ち、蓋部材38と圧電振動素子10とは近接しているので温度分布的に近い温度となる。実装端子22cと感温部品30とは導通接続されており、装端子22cと蓋部材38とを第3の熱伝導部材ビア電極25で導通接続することにより、圧電振動素子10の温度と感温部品30との温度差が小さくなることが期待できる。つまり、圧電振動素子10と感温部品30とは、短い時間で熱的平衡状態に近づくことが推測される。更に感温部品30の一方の端子電極が接続する実装端子を接地すると、主回路基板からの熱は接地の実装端子から多く伝導されるので、この実装端子を経由して感温部品30と蓋部材38に熱が伝導し、熱的平衡状態が早まる。また、蓋部材38を接地することによりシールド効果も同時に得られる。感温部品サーミスタ30用に2つの実装端子と、圧電振動素子10用に2つの実装端子の計4つの実装端子22で感温部品30に一方の端子に繋がる実装端子22cを接地すればよく、接地用の独立の実装端子を設けなくてもよい。図11の実施の形態の圧電デバイス4では、実装端子22から圧電振動素子10、感温部品30への主な熱の伝導経路として、ビア電極23a、23b第1の熱伝導部材、第2の配線パターン26b第2の熱伝導部材、ビア電極25第3の熱伝導部材である。他の実施例として、図11のビア電極25に加え、キャスタレーション電極Ce1~Ce4を経由して第1の電極パッド28a、28bと、蓋部材38とを導通接続した圧電デバイスを構成してもよい。この場合は第2の電極パッドに接続する第2の配線パターンの幅を広くし、熱抵抗を低減する。この実施例では、圧電振動子10と感温素子30との温度平衡状態が、図11の場合より速くなることが期待できる。図11に示す実施の形態の圧電デバイス4では、実装端子22から伝わる熱は、第1、第3の熱伝導部材23a、23b、25を経由するため、熱の流れ熱伝導の速度は速く、極めて短い時間で圧電振動素子10の温度と、感温部品30の検出する温度との温度差を縮小できるという効果がある。また、熱の伝導経路として、第1、第3の熱伝導部材の少なくとも何れか一方をキャスタレーション内に設けることにより、実装端子から伝わる熱の流れ熱伝導の速度は速く、極めて短い時間で圧電振動素子の温度と、感温部品が検出する温度との温度差を縮小できるという効果がある。また、実装端子22から伝わる熱の流れ熱伝導は、第1の絶縁基板の肉厚部内に設けた第1及び第3の熱伝導部材23a、23b及び25と、容器の側面に設けたキャスタレーション電極とを経由するため熱伝導の速度が速く、極めて短い時間で圧電振動素子の温度と、感温部品の検出する温度との温度差を縮小できるという効果がある。図12aは、第5の実施形態例の圧電デバイス5の構成を示す断面図であり、同図bは、容器20の第1の絶縁基板20a5の平面図であり、同図cは、bのQ-Q断面図である。圧電デバイス5の構成が図1に示す圧電デバイス1の構成と異なる点は、図1に示す第2の絶縁基板20bを用いずに、図12に示すように、第1の絶縁基板20a5の表面の周縁部に厚肉環状のシールリング42を焼成した点である。第1の絶縁基板20a5の表面と、厚肉環状のシールリング42とで収容部27を構成している。シールリング42の上部にコバール等の蓋部材38をシーム溶接することにより、収容部27を気密封止することができる。気密封止した後に、感温部品30と、実装用導電部材36と、を容器20の底部に固着するのは、圧電デバイス1の場合と同様である。圧電デバイス5の方が圧電デバイス1より低背化が可能となる。図13は、第6の実施形態の圧電デバイス6を用いるデジタル携帯電話100の構成を示す概略ブロック図である。圧電デバイス6は、既に図1で説明した容器20を用い、収容部27に音叉型水晶振動素子50を収容し、蓋部材38で収容部27を真空密封した後、感温部品30を容器の底部に形成した第2の電極パッド29a、29に搭載し、実装端子22に実装用導電部材36を固着して圧電デバイス6を構成する。図13に示すデジタル携帯電話100で音声を送信する場合、使用者が自分の音声をマイクロフォンに入力すると、信号はパルス幅変調符号化の回路と変調器/復調器の回路を経てトランスミッター、アンテナスイッチを介しアンテナから送信される。一方、他者から送信された信号は、アンテナで受信され、アンテナスイッチ、受信フィルターアンプ回路等を経て、レシーバー回路に入り、このレシーバー回路から変調器/復調器回路に入力される。そして、復調器回路で復調された信号がパルス幅変調符号化回路を経てスピーカーから音声として出力されるように構成されている。アンテナスイッチや変調器/復調器ブ回路等を制御するためにコントローラーが設けられている。このコントローラーは、上述の機能の他に表示部であるLCDや、数字等の入力部であるキー、さらにRAMやROM等も制御するため、用いられる音叉型水晶振動子の周波数は、高精度、高安定度であることが求められる。この要求に応えるべく、音叉型水晶振動素子10を容器20の収容部27に収容し、感温部品30を容器20の底部に搭載した圧電デバイスが、図14に示す圧電デバイス6である。つまり、第6の実施形態例の圧電デバイス6と、図1に示す圧電デバイス1との異なる点は、圧電デバイス1では、圧電振動素子10は厚みすべり振動素子を用いているが、圧電デバイス6では屈曲振動をする音叉型水晶振動素子を用いている点が異なる。高周波の基準周波数が必要とされる場合は、圧電デバイス1が適し、低周波の基準周波数が要求される場合は圧電デバイス6が適している。圧電振動素子10に音叉型水晶振動素子を用いることにより、高周波を分周することなく所望の低周波得られるという利点がある。また、圧電デバイス8を用いて電極機器を製作すると、高安定で短期安定度の優れた基準周波数源が容易に構成できるという効果がある。圧電デバイス1~6を用いて電子機器を製作すると、高安定で短期安定度の優れた基準周波数源が容易に構成できるという効果がある。音叉型圧電振動素子について簡単に説明する。図15aは、音叉型圧電振動素子50の平面図であり、同図bはaのP-P断面図である。圧電基板52は、フォトリソグラフィ技術とエッチング手法を用いて形成される。図15aに示すように、音叉型圧電振動素子50は、互いに並行平行して直線状に延びる細幅帯状の複数の振動腕55a、55bと、各振動腕55a、55bの一方の端部基端部間を連接する基部54と、各振動腕55a、55bの振動中心線に沿った表面及び裏面に夫々形成された溝部57a、57b、58a、58bと、を備えている。図15bは、同図aのP-P断面図であり、各振動腕55a、55bに夫々形成された励振電極60、62、64、66の配置を示す断面図である。励振電極60、64は、各溝部57a57b、58a8bの表面、及び側面に形成され、励振電極62、66は各振動腕55a、55bの夫々両側面に形成されている。励振電極60、66と、励振電極62、64とは、互いに異符号の電圧が基部54の電極パッド図示せずを介して印加されるように構成されている。つまり、励振電極60、66に電圧が印加されるとき、励振電極62、64には-電圧が印加され、図15bの矢印で示すような電界が生じ、圧電振動素子50の重心を通る中心線に対し対称な音叉振動屈曲振動が励振される。なお、溝部57a57b、58a58bを形成することにより、電界強度が強まり、音叉振動をより効率的に励振することができる。即ち、圧電振動素子のCIクリスタルインピーダンスを小さくすることができる。図16は、第7の実施形態例の圧電デバイス7の構成を示す図である。図16aは平面図であり、同図bはaのQ-Q断面図である。圧電デバイス7が、図1に示す圧電デバイス1と異なる点は、第1の絶縁基板20a6の表面と、第2の絶縁基板20b6の環状体で形成される収容部27に、厚みすべり振動の圧電振動素子10aと、屈曲振動の音叉型圧電振動素子10bと、を併置して収容した点である。2つの圧電振動素子10a、10bを併置したので、第1の電極パッド28a~28dは4個必要となり、これに対応するビア電極も4つ必要となる。また、ビア電極の個数が増えるのに応じ、実装端子の数も多くなる。圧電デバイス7は、低周波と高周波の2つの基準周波数を必要とする電子機器には有用であり、1つの感温部品30で2つの高精度の周波数を得ることができる。圧電デバイス9を用いると、外部回路を用いることにより、高周波と低周波の2つの圧電発振器が温度補償され、高安定で短期安定度の2つの優れた基準周波数が得られるという効果がある。図17aは、第8の実施形態例の圧電デバイス8の構成を示す断面図である。圧電デバイス8は、周波数を決める圧電振動素子10と、一対の電極を両端に有する電子素子30a、例えば温度を検出するサーミスタと、第1の主面表部に圧電振動素子10が搭載され、第1の主面表部の反対側の第2の主面底面に電子素子30aが搭載される絶縁基板20a7と、を備えている。更に、絶縁基板20a7は、第1の主面表部側に圧電振動素子10搭載用の一対の第1の電極パッド28a、28bを有し、第2の主面底面側に電子素子30a搭載用の一対の第2の電極パッド29a、29b、及び複数の実装端子2222a、22b、22c、22dと、を有している。第2の主面側底面は、実装端子22に導通固定され、第2の電極パッド29a、29bに搭載された電子素子30aよりも背高の実装用導電部材36と、を備えている。そして、実装端子22a、22bと第1の電極パッド28a、28bとは、第1の熱伝導部材ビア電極23a、23bにより電気的及び熱的に接続されている。また、実装端子22c、22dと第2の電極パッド29a、29bとは、第2の熱伝導部材配線パターン26bにより電気的及び熱的に接続されている。蓋部材38は金属板が凹部状バスタブ状にプレス加工されており、例えば絶縁基板20a7の第1の主面表部の周縁に塗布された低融点ガラスに接着、固定されて、圧電振動素子10を密封封止している。図17bは、同図aに示した圧電デバイス8の変形例であり、第1の主面表部の周縁にはシールリング42が形成され、このシールリング42に凹部状の蓋部材38が溶接されて、圧電振動素子を密封封止している。更に電子素子30a、例えばサーミスタ等の一方の端子に導通接続された実装端子22cと、シールリング42とは第3の熱伝導部材25により導通接続され、且つ実装端子22cを接地することにより、シールド効果の機能を持たせている。図18は、第9の実施形態例の圧電デバイス9の構成を示す断面図である。図17bの圧電デバイス8’と異なる点は、蓋部材38の構成である。図18の蓋部材38は絶縁材料、例えばセラミック、ガラス等で形成され、内部壁面にはメタライズが施されている。メタライズ面と実装端子22cとは、第3の熱伝導部材25により導通接続されている。図17a、b、又は図18のように構成すれば、圧電デバイスの低背化とコスト低減とに効果があると共に、第1、及び第2の熱伝導部材、第3の熱伝導部材を適切に設定することにより実装端子から伝わる熱の流れ熱伝導の速度は速く、短い時間で圧電振動素子の温度と、感温部品が検出する温度との温度差を縮小できるという効果がある。