"試料を配置するステージと、前記ステージと相対移動しながら、荷電粒子ビームを用いて前記試料にパターンを描画する複数のカラムと、前記パターンが描画される前記試料の描画領域が前記複数のカラムの中心間距離よりも小さい幅で短冊状に仮想分割された複数のストライプ領域で構成されるストライプ層を多重描画回数分作成するストライプ層作成部と、を備え、前記複数のカラムがそれぞれ担当する描画対象領域がそれぞれ異なるストライプ層を構成する複数のストライプ領域全面になるように、前記複数のカラムが、同時期に、前記試料のチップ領域に描画を行うことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。前記複数のカラムは、各ストライプ領域を描画する際における前記ステージの移動方向と直交する方向に向かって並んで配置され、前記ストライプ層作成部は、各ストライプ層を構成する複数のストライプ領域の位置が前記複数のカラムの中心間距離の整数n分の1但し、n≧3ずつずれるように、各ストライプ層を作成することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。前記複数のカラムは、各ストライプ領域を描画する際における前記ステージの移動方向と直交する方向に対して斜め方向に向かって並んで配置され、前記ストライプ層作成部は、各ストライプ層を構成する複数のストライプ領域の位置が前記複数のカラムの中心間を結ぶ線分の前記ステージの移動方向と直交する方向成分長さの整数n分の1但し、n≧1ずつずれるように、各ストライプ層を作成することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。前記描画領域の幅と長さに応じて、各ストライプ層を構成する複数のストライプ領域の位置が前記複数のカラムの中心間距離の整数n分の1但し、n≧3ずつずれるように、各ストライプ層を作成するか、各ストライプ層を構成する複数のストライプ領域の位置が前記複数のカラムの中心間を結ぶ線分の前記ステージの移動方向と直交する方向成分長さの整数n分の1但し、n≧1ずつずれるように、各ストライプ層を作成するかを選択する選択部をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。荷電粒子ビームを用いてステージ上に配置された試料にパターンを描画する複数のカラムの中心間距離よりも小さい幅で前記パターンが描画される前記試料の描画領域が短冊状に仮想分割された複数のストライプ領域で構成されるストライプ層を多重描画回数分作成する工程と、前記複数のカラムがそれぞれ担当する描画対象領域がそれぞれ異なるストライプ層を構成する複数のストライプ領域全面になるように、前記複数のカラムが、前記ステージと相対移動しながら、同時期に前記試料のチップ領域に描画を行う工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。そこで、本発明は、上述した問題点を克服し、マルチカラムで多重描画を行なう際の描画時間をより短縮可能な描画装置および方法を提供することを目的とする。本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、試料を配置するステージと、ステージと相対移動しながら、荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する複数のカラムと、パターンが描画される試料の描画領域が複数のカラムの中心間距離よりも小さい幅で短冊状に仮想分割された複数のストライプ領域で構成されるストライプ層を多重描画回数分作成するストライプ層作成部と、を備え、複数のカラムがそれぞれ担当する描画対象領域がそれぞれ異なるストライプ層を構成する複数のストライプ領域全面になるように、複数のカラムが、同時期に、試料のチップ領域に描画を行うことを特徴とする。また、複数のカラムもしくは複数のカラムの組み合わせの一部は、各ストライプ領域を描画する際におけるステージの移動方向と直交する方向に向かって並んで配置され、ストライプ層作成部は、各ストライプ層を構成する複数のストライプ領域の位置が複数のカラムの中心間距離の整数n分の1但し、n≧3ずつずれるように、各ストライプ層を作成すると好適である。また、複数のカラムもしくは複数のカラムの組み合わせの一部は、各ストライプ領域を描画する際におけるステージの移動方向と直交する方向に対して斜め方向に向かって並んで配置され、ストライプ層作成部は、各ストライプ層を構成する複数のストライプ領域の位置が複数のカラムの中心間を結ぶ線分のステージの移動方向と直交する方向成分長さの整数n分の1但し、n≧1ずつずれるように、各ストライプ層を作成すると好適である。また、描画領域の幅と長さに応じて、各ストライプ層を構成する複数のストライプ領域の位置が複数のカラムの中心間距離の整数n分の1但し、n≧3ずつずれるように、各ストライプ層を作成するか、各ストライプ層を構成する複数のストライプ領域の位置が複数のカラムの中心間を結ぶ線分のステージの移動方向と直交する方向成分長さの整数n分の1但し、n≧1ずつずれるように、各ストライプ層を作成するかを選択する選択部をさらに備えると好適である。本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、荷電粒子ビームを用いてステージ上に配置された試料にパターンを描画する複数のカラムの中心間距離よりも小さい幅でパターンが描画される試料の描画領域が短冊状に仮想分割された複数のストライプ領域で構成されるストライプ層を多重描画回数分作成する工程と、複数のカラムがそれぞれ担当する描画対象領域がそれぞれ異なるストライプ層を構成する複数のストライプ領域全面になるように、複数のカラムが、ステージと相対移動しながら、同時期に試料のチップ領域に描画を行う工程と、を備えたことを特徴とする。本発明の一態様によれば、マルチカラムで多重描画を行なう際の描画時間をより短縮できる。よって、描画装置のスループットの低下を抑制できる。以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。実施の形態1.図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型VSB型の描画装置の一例である。描画装置100は、試料101に所望するパターンを描画する。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。制御部160は、磁気ディスク装置等の記憶装置140,142、制御計算機110、メモリ112、制御回路120を備えている。制御計算機110内には、ストライプレイヤ作成部50、パターンデータ割当部54、ショットデータ生成部56、選択部58、描画制御部60、及びカラム設定部62が配置される。ストライプレイヤ作成部50、パターンデータ割当部54、ショットデータ生成部56、選択部58、描画制御部60、及びカラム設定部62といった各機能は、プログラムといったソフトウェアで構成されても良い。或いは、電子回路等のハードウェアで構成されてもよい。或いは、これらの組み合わせであってもよい。制御計算機110に必要な入力データ或いは演算された結果はその都度メモリ112に記憶される。電子鏡筒102内には、電子銃201,301,401,501、照明レンズ202、第1のアパーチャ203,303,403,503、投影レンズ204、偏向器205,305,405,505、第2のアパーチャ206,306,406,506、対物レンズ207、偏向器208,308,408,508、及び遮へい筒212,312,412,512が配置されている。ここで、電子銃201、第1のアパーチャ203、偏向器205、第2のアパーチャ206、遮へい筒212、及び偏向器208で第1のカラム2201を構成する。また、電子銃301、第1のアパーチャ303、偏向器305、第2のアパーチャ306、遮へい筒312及び偏向器308で第2のカラム3202を構成する。また、電子銃501、第1のアパーチャ503、偏向器505、第2のアパーチャ506、遮へい筒512及び偏向器508で第3のカラム3223を構成する。また、電子銃401、第1のアパーチャ403、偏向器405、第2のアパーチャ406、遮へい筒412及び偏向器408で第4のカラム2224を構成する。電子鏡筒102内では、照明レンズ202、投影レンズ204、及び対物レンズ207といったレンズ系をカラム間で共通にして、複数のカラムを搭載している。ここでは、独立した電子ビームの光路を制御するサブシステムをカラムと呼ぶ。また、描画室103内には、移動可能に配置されたXYステージ105が配置されている。また、XYステージ105上には、試料101が配置されている。試料101として、例えば、半導体装置が形成されるウェハやウェハにパターンを転写する露光用のマスクが含まれる。また、このマスクは、例えば、まだ何もパターンが形成されていないレジストが塗布されたマスクブランクスが含まれる。また、描画データが外部から入力され記憶装置140に格納されている。ここで、図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成部分について記載している。描画装置100にとって、その他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。また、図1の例では、4つのカラムが搭載されているが、これに限るものではない。2つ以上搭載されていればよい。図2は、実施の形態1における描画装置の動作を説明するための概念図である。まず、第1のカラム220側での動作について説明する。照射部の一例となる電子銃201から出た電子ビーム200は、照明レンズ202により矩形例えば長方形の開口218を持つ第1のアパーチャ203全体を照明する。ここで、電子ビーム200をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第1のアパーチャ203を通過した第1のアパーチャ像の電子ビーム200は、投影レンズ204により第2のアパーチャ206上に投影される。かかる第2のアパーチャ206上での第1のアパーチャ像の位置は、偏向器205によって偏向制御され、成形開口216によってビーム形状と寸法を変化させる可変成形させることができる。その結果、電子ビーム200は成形される。そして、第2のアパーチャ206を通過した第2のアパーチャ像の電子ビーム200は、対物レンズ207により焦点を合わせ、偏向器208により偏向される。その結果、連続移動するXYステージ105上の試料101の所望する位置に照射される。以上のようにして、第1のカラム220により電子ビーム200を用いて試料101にパターンが描画される。また、第2のカラム320側での動作もカラム220側での動作と同様、以下のように動作する。照射部の一例となる電子銃301から出た電子ビーム300は、照明レンズ202により矩形例えば長方形の開口318を持つ第1のアパーチャ303全体を照明する。ここで、電子ビーム300をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第1のアパーチャ303を通過した第1のアパーチャ像の電子ビーム300は、投影レンズ204により第2のアパーチャ306上に投影される。かかる第2のアパーチャ306上での第1のアパーチャ像の位置は、偏向器305によって偏向制御され、成形開口316によってビーム形状と寸法を変化させる可変成形させることができる。その結果、電子ビーム300は成形される。そして、第2のアパーチャ306を通過した第2のアパーチャ像の電子ビーム300は、対物レンズ207により焦点を合わせ、偏向器308により偏向される。その結果、連続移動するXYステージ105上の試料101の所望する位置に照射される。以上のようにして、第2のカラム320により電子ビーム200を用いて試料101にパターンが描画される。また、図示していないが、第3のカラム322および第4のカラム222も、カラム220,320側と同様に動作する。かかる動作により、第3のカラム322により電子ビーム200を用いて試料101にパターンが描画される。同様に、第4のカラム222により電子ビーム200を用いて試料101にパターンが描画される。図3は、実施の形態1における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図3において、実施の形態1における描画方法は、ストライプレイヤ作成工程S102と、パターンデータ割り当て工程S106と、ショットデータ生成工程S108と、カラム設定工程S110と、描画工程S112という一例の工程を実施する。図4は、実施の形態1におけるストライプレイヤの一例を示す図である。描画装置100では、チップパターンが描画される試料101の描画領域10が例えば短冊状の複数のストライプ領域20にy方向に向かって仮想分割される。もちろん、複数のチップが試料101上に描画される場合であっても構わない。その場合には、描画条件が同じであれば、複数のチップがマージ処理されて1つのチップ描画グループとして複数のストライプ領域20に仮想分割される。かかるストライプ領域20の幅は、各カラムの偏向器208,308,408,508で偏向可能な幅で分割される。ここで、描画処理はストライプ領域単位で行われる。各ストライプ領域20を描画する際には、x方向に向かって描画を進めていく。実際にはカラムに対してステージが移動するので、あるストライプ領域20を描画する際には、-x方向に向かってXYステージ105が移動することで相対的にカラムがx方向に移動することになる。これによりx方向に描画を進めていく。或いは、x方向に向かってXYステージ105が移動することで相対的にカラムが-x方向に移動することになる。これにより-x方向に描画を進めてもよい。そして、1回で描画してしまうとドーズ量が大きすぎてレジストヒーティング等を引き起こしてしまう場合や、ストライプ間のパターンのつなぎ精度を向上させるために、描画領域10を分割する複数のストライプ領域20を複数の層レイヤに分け、各レイヤの描画領域10を複数のストライプ領域に分割する。このようにして複数のストライプレイヤを作成する。図4の例では、多重度N=2の2回描画を行う場合を示している。1層目のストライプレイヤを構成する複数のストライプ領域20と2層目のストライプレイヤを構成する複数のストライプ領域22を示している。そして、1層目のストライプレイヤを構成する複数のストライプ領域20と2層目のストライプレイヤを構成する複数のストライプ領域22とで若干位置をずらすことでストライプ間のパターンのつなぎ精度を向上させることができる。まず、ストライプレイヤ作成工程S102として、ストライプレイヤ作成部50は、設定された多重度回数分のストライプレイヤを作成する。その際、各ストライプレイヤにおけるストライプレイヤ間のずらし幅を複数のカラムの配置状況に応じて設定する。ストライプレイヤ作成部50は、ストライプ層作成部の一例である。図5は、実施の形態1におけるカラムの配置状況とストライプレイヤ間のずらし幅の一例を示す図である。図5では、例えば、カラム220とカラム320がy方向に向かって並んで配置されている場合を示している。言い換えれば、複数のカラム220,320が、各ストライプ領域20,22を描画する際におけるXYステージ105の移動方向と直交する方向に向かって並んで配置される場合を示している。その他のカラム322,222は搭載されていなくても構わない。すなわち、描画装置100が2つのカラム220,320だけを搭載している場合でもよい。かかるカラム220とカラム320で描画処理を行う場合、ストライプレイヤ作成部50は、カラム220,320の中心間距離Lよりも小さい幅でストライプ領域を分割する。さらに、ストライプレイヤ作成部50は、各ストライプレイヤストライプ層を構成する複数のストライプ領域の位置が複数のカラム220,320の中心間距離Lの整数n分の1但し、n≧3ずつずれるように、各ストライプレイヤを作成する。これにより、1層目のストライプレイヤのストライプ領域20をカラム220が、2層目のストライプレイヤのストライプ領域22をカラム320が、同時期に描画することができる。言い換えれば、同じチップパターンを異なるカラムで描画することができる。かかる場合には、カラム220が、1層目のストライプレイヤのすべてのストライプ領域20を描画担当領域とし、カラム320が、2層目のストライプレイヤのすべてのストライプ領域22を描画担当領域とする。これにより、チップ内のすべてのパターンが共にカラム220,320両方で描画されることなる。図6は、実施の形態1におけるカラムの配置状況とストライプレイヤ間のずらし幅の他の一例を示す図である。図6では、例えば、カラム220とカラム222がy方向に対して斜め向かって並んで配置されている場合を示している。言い換えれば、複数のカラム220,222が、各ストライプ領域20,22を描画する際におけるXYステージ105の移動方向と直交する方向に対して斜め方向に向かって並んで配置される場合を示している。その際、カラム220,222の中心間を結ぶ長さLの線分のy方向成分長さHが、カラム220,222の中心間を結ぶ長さLの線分よりも短くなるように配置される。その他のカラム320,322は搭載されていなくても構わない。すなわち、描画装置100が2つのカラム220,222だけを搭載している場合でもよい。かかるカラム220とカラム222で描画処理を行う場合、ストライプレイヤ作成部50は、カラム220,320の中心間距離Lよりも小さい幅でストライプ領域を分割する。さらに、ストライプレイヤ作成部50は、各ストライプレイヤストライプ層を構成する複数のストライプ領域の位置が複数のカラム220,222の中心間を結ぶ長さLの線分のXYステージ105の移動方向と直交する方向成分長さHの整数n分の1但し、n≧1ずつy方向にずれるように、各ストライプレイヤを作成する。言い換えれば、カラム220,222の中心間を結ぶ長さLの線分がy方向に対して成す方向余弦の長さHの整数n分の1但し、n≧1ずつずれるように、各ストライプレイヤを作成する。これにより、1層目のストライプレイヤのストライプ領域20をカラム220が、2層目のストライプレイヤのストライプ領域22をカラム222が、同時期に描画することができる。言い換えれば、同じチップパターンを異なるカラムで描画することができる。かかる場合には、カラム220が、1層目のストライプレイヤのすべてのストライプ領域20を描画担当領域とし、カラム222が、2層目のストライプレイヤのすべてのストライプ領域22を描画担当領域とする。これにより、チップ内のすべてのパターンが共にカラム220,222両方で描画されることなる。パターンデータ割り当て工程S106として、パターンデータ割当部54は、作成された各ストライプレイヤの各ストライプに該当するパターンデータを割り当てる。ショットデータ生成工程S108として、ショットデータ生成部56は、割り当てられたパターンデータに対して複数段のデータ変換処理を行って、装置固有のショットデータを生成する。描画装置100で図形パターンを描画するためには、1回のビームのショットで照射できるサイズに各図形パターンを分割する必要がある。そこで、ショットデータ生成部56は、各パターンデータが示す図形パターンを1回のビームのショットで照射できるサイズに分割してショット図形を生成する。そして、ショット図形毎にショットデータを生成する。ショットデータには、例えば、図形種、図形サイズ、照射位置、及び照射量が定義される。これらのショットデータは、ストライプレイヤ別に、当該ストライプレイヤのストライプ毎に順に定義される。生成されたショットデータは記憶装置142に順次一時的に格納される。カラム設定工程S110として、カラム設定部62は、複数のカラムがそれぞれ担当する描画対象領域がそれぞれ異なるストライプレイヤを構成する複数のストライプ領域全面になるように、ストライプレイヤ毎に担当カラムを設定する。例えば、図5の例では、1層目のストライプレイヤをカラム220が、2層目のストライプレイヤをカラム320が担当するように設定する。例えば、図6の例では、1層目のストライプレイヤをカラム220が、2層目のストライプレイヤをカラム222が担当するように設定する。描画工程S112として、描画制御部60により制御された制御回路120がショットデータを読み出し、ショットデータに沿って、描画部150が試料101のチップ領域に描画を行う。具体的には、複数のカラムが、同時期に、試料101のチップ領域に描画を行う。かかる複数のカラムが、担当するストライプレイヤの複数のストライプ領域全面を順に描画する。以上のように構成することで、チップ内のすべてのパターンが共にカラム220,222両方或いはカラム220,320両方で描画されることなる。言い換えれば、すべてのパターンが各カラムによる描画を1回ずつ均等に受けることになる。よって、カラム間の違いによるパターンの偏向つなぎや、ドーズ量の差によるパターン寸法差等のむらを平均化できる。言い換えれば、カラム間の平均値ずれ要因を相殺、吸収できる。以上のように実施の形態1によれば、マルチカラムで多重描画を行なう際の描画時間をより短縮できる。よって、描画装置のスループットの低下を抑制できる。なお、上述した例では、少なくとも2つのカラムが図5或いは図6の配置関係になるように構成したが、これに限るものではない。以下、描画装置100が、図5及び図6の両方の配置関係になる少なくとも3つのカラムを含む複数のカラムを搭載するように構成する場合を説明する。かかる構成により、さらに、描画時間を短縮できる。図7は、実施の形態1におけるカラムの配置状況の一例を示す図である。図7では、例えば、カラム220とカラム320がy方向に向かって並んで配置例えば、垂直配置と呼ぶされ、カラム220とカラム222がy方向に対して斜め向かって並んで配置される場合を示している。その際、カラム220,222の中心間を結ぶ長さLの線分のy方向成分長さHが、カラム220,222の中心間を結ぶ長さLの線分よりも短くなるように配置例えば、略水平配置と呼ぶされる。その他のカラム322は搭載されていなくても構わない。すなわち、描画装置100が3つのカラム220,320,222だけを搭載している場合でもよい。かかるカラムの配置関係の場合には、例えば、多重度N=2の2つのストライプレイヤのいずれか一方を描画するための2つのカラムをかかる3つのカラム220,320,222の中から選択できる。かかる場合に以下のように選択すると好適である。図8は、実施の形態1における略水平配置されたカラムで描画した場合の描画時間を説明するための概念図である。略水平配置されたカラム220,222で多重描画した場合、図8に示す斜線領域が同時期に描画を行うことができる領域である。その他に、カラム220或いはカラム222だけが描画する領域がx方向に残ることになる。例えば、x方向に一定速度vで描画した場合、略水平配置されたカラム220,222で多重描画すると、描画時間Tは以下の式1で表現できる。1T={AM/v}B/D但し、描画対象となるチップ領域描画領域の幅x方向サイズをA、長さy方向サイズをB、カラム220,222の中心間を結ぶ長さLの線分のx方向成分長さをM、ストライプ幅をDとする。図9は、実施の形態1における垂直配置されたカラムで描画した場合の描画時間を説明するための概念図である。垂直配置されたカラム220,320で多重描画した場合、図9に示す斜線領域が同時期に描画を行うことができる領域である。その他に、カラム220或いはカラム222だけが描画する領域がy方向に残ることになる。ここでも同様に、例えば、x方向に一定速度vで描画した場合、垂直配置されたカラム220,320で多重描画すると、描画時間Tは以下の式2で表現できる。2T=A/v{BL/D}但し、描画対象となるチップ領域描画領域の幅x方向サイズをA、長さy方向サイズをB、カラム220,320の中心間距離をL、ストライプ幅をDとする。通常、チップ領域幅Aに対するカラム220,222のx方向成分長さMの割合が、チップ領域長さBに対するカラム220,320の中心間距離Lの割合よりも小さいので、横長チップA>Bの場合、略水平配置されたカラム220,222で多重描画した方が描画時間としては短くとなる。逆に、縦長チップA<Bの場合、垂直配置されたカラム220,320で多重描画した方が描画時間としては短くとなる。よって、実施の形態1では、描画対象となるチップ領域の領域形状に応じて使用するカラムを選択する。よって、まず、ずらし量選択工程として、選択部58は、描画領域10チップ領域の幅Aと長さBに応じて、各ストライプレイヤを構成する複数のストライプ領域の位置が複数のカラムの中心間距離の整数n分の1但し、n≧3ずつずれるように、各ストライプレイヤを作成するか、各ストライプレイヤを構成する複数のストライプ領域の位置が前記複数のカラムの中心間を結ぶ線分の前記ステージの移動方向と直交する方向成分長さの整数n分の1但し、n≧1ずつずれるように、各ストライプレイヤを作成するかを選択する。すなわち、横長チップA>Bの場合、図6で示したように、各ストライプレイヤを構成する複数のストライプ領域の位置が前記複数のカラムの中心間を結ぶ線分の前記ステージの移動方向と直交する方向成分長さの整数n分の1但し、n≧1ずつずれるように、各ストライプレイヤを作成することを選択する。逆に、縦長チップA<Bの場合、図5で示したように、各ストライプレイヤを構成する複数のストライプ領域の位置が複数のカラムの中心間距離の整数n分の1但し、n≧3ずつずれるように、各ストライプレイヤを作成することを選択する。言い換えれば、横長チップA>Bの場合、略水平配置されたカラム220,222を使用することを選択する。逆に、縦長チップA<Bの場合、垂直配置されたカラム220,320を使用することを選択する。そして、以下、ストライプレイヤ作成工程S102から描画工程S112という一例の工程を実施する。その際、ストライプレイヤ作成工程S102において、ストライプレイヤ作成部50は、選択されたずらし量で多重度回数分の各ストライプレイヤを作成する。或いは、選択されたカラムが略水平配置されたカラム220,222である場合に、図6で示したように、各ストライプレイヤを構成する複数のストライプ領域の位置が前記複数のカラムの中心間を結ぶ線分の前記ステージの移動方向と直交する方向成分長さの整数n分の1但し、n≧1ずつずれるように、各ストライプレイヤを作成する。そして、逆に、選択されたカラムが垂直配置されたカラム220,320である場合に、図5で示したように、各ストライプレイヤを構成する複数のストライプ領域の位置が複数のカラムの中心間距離の整数n分の1但し、n≧3ずつずれるように、各ストライプレイヤを作成する。以上のように構成することで、描画時間をより短縮できる。また、例えば、描画装置100に搭載される複数のカラムが略水平配置であった場合、描画装置100に入力する前の段階で、以下のように処理しても好適である。図10は、実施の形態1における描画装置に入力される描画データのチップ領域と描画装置内でストライプ分割されたチップ領域の関係の一例を示す概念図である。図10aに示すように、描画データに定義されるチップパターンが横長チップA>Bの場合、略水平配置が有利なので、そのまま、描画装置100に入力して、図10bに示すように、ストライプ分割すればよい。図11は、実施の形態1における描画装置に入力される描画データのチップ領域と描画装置内でストライプ分割されたチップ領域の関係の他の一例を示す概念図である。図11aに示すように、描画データに定義されるチップパターンが縦長チップA<Bの場合、略水平配置では不利である。そこで、描画装置100に入力する前に、図10bに示すように、チップの向きを90度回転させた描画データを生成する。そして、90度回転させた描画データを描画装置100に入力して、図11cに示すように、ストライプ分割すればよい。これにより、当初、縦長チップA<Bでも横長チップA>Bとして、描画装置100で描画できる。或いは以下のように描画してもよい。図12は、実施の形態1における描画装置に入力される描画データのチップ領域と描画装置内でストライプ分割されたチップ領域の関係の他の一例を示す概念図である。図11aに示すように、描画データに定義されるチップパターンが縦長チップA<Bの場合、略水平配置では不利である。そこで、描画装置100内では、図12bに示すように、x,y方向を逆にしてストライプ分割する。そして、描画する際には、x,y方向を逆にしてXYステージ105を移動させる。これにより、略水平配置で搭載されたカラムでも、描画時間を短縮できる。なおその際に、ストライプ分割幅は、略水平配置で搭載された複数のカラムの中心間距離Lのx方向成分の長さMの整数n分の1但し、n≧3に設定されていることはいうまでもない。逆に、例えば、描画装置100に搭載される複数のカラムが垂直配置であった場合、上述した図10から図12の説明において、略水平配置を垂直配置に、縦長を横長に、横長を縦長に、それぞれ読み替えればよい。以上の説明において、上述した実施の形態で説明したマルチカラムを搭載した描画装置100は、各電子レンズを共通にする構成となっていたが、これに限るものではない。図13は、レンズ系を独立にしたマルチカラムを搭載した描画装置の構成を示す概念図である。図13では、一例として、図1に対応する4つのマルチカラム220,320,322,222の場合について示している。また、制御系については、図示していないが図1と同様である。電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、偏向器208、及び絶縁カラム214で第1のカラム220を構成する。また、電子銃301、照明レンズ302、第1のアパーチャ303、投影レンズ304、偏向器305、第2のアパーチャ306、対物レンズ307、偏向器308、及び絶縁カラム314で第2のカラム320を構成する。また、電子銃501、照明レンズ502、第1のアパーチャ503、投影レンズ504、偏向器505、第2のアパーチャ506、対物レンズ507、偏向器508、及び絶縁カラム514で第3のカラム322を構成する。また、電子銃401、照明レンズ402、第1のアパーチャ403、投影レンズ404、偏向器405、第2のアパーチャ406、対物レンズ407、偏向器408、及び絶縁カラム414で第4のカラム222を構成する。上述した実施の形態では、照明レンズ、投影レンズ、および対物レンズといったレンズ系をカラム間で共通にしていたが、図13に示すように、レンズ系をカラム毎に独立にして、複数のカラムを搭載しても好適である。このように、それぞれ絶縁カラム内に独立した電子ビームの光路を制御するサブシステムを納めて他方と絶縁することで相手側の電場や磁場の影響を排除することができる。以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置100を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置及び方法は、本発明の範囲に包含される。"