入射する露光光線が被転写体へ向けて透過する基板と、前記基板上に形成された、前記露光光線を遮光する遮光膜と、を備え、前記遮光膜の通常パターン領域とパターンが形成されない空白領域との間のパターン端部領域には、第1の開口部が形成され、前記遮光膜の前記通常パターン領域には、前記第1の開口部とは面積が異なる第2の開口部が形成される、フォトマスク。前記第1の開口部の面積は、前記第2の開口部の面積よりも大きいことを特徴とする、請求項1に記載のフォトマスク。前記パターン端部領域には、前記通常パターン領域と前記空白領域を画するように、複数の前記第1の開口部が列状に形成されていることを特徴とする、請求項2に記載のフォトマスク。前記第1の開口部の形状は、前記第2の開口部の形状の相似形であることを特徴とする、請求項2又は3に記載のフォトマスク。前記第1の開口部及び前記第2の開口部の形状は真円形であり、前記第1の開口部の直径は、前記第2の開口部の直径よりも大きいことを特徴とする、請求項4に記載のフォトマスク。前記第1の開口部及び前記第2の開口部の形状は凸mmは、3以上の整数角形であり、前記第1の開口部の最長の対角線は、前記第2の開口部の最長の対角線よりも長いことを特徴とする、請求項4に記載のフォトマスク。前記第1の開口部の形状は、前記第2の開口部の形状と異なることを特徴とする、請求項2又は3に記載のフォトマスク。前記第1の開口部の形状は凸mmは、3以上の整数角形であり、前記第2の開口部の形状は真円形であることを特徴とする、請求項7に記載のフォトマスク。前記遮光膜の前記パターン端部領域には、正nnは、3以上の整数角形の頂点のそれぞれを中心とするn個の前記第1の開口部が形成され、前記遮光膜の前記通常パターン領域には、前記正n角形の外心を中心として前記第2の開口部が形成され、前記n個の前記第1の開口部及び前記第2の開口部は、単位格子を形成することを特徴とする、請求項1乃至8のいずれか一項に記載のフォトマスク。入射する露光光線が被転写体へ向けて透過する基板上に、前記露光光線を遮光する遮光膜を形成し、前記遮光膜の通常パターン領域とパターンが形成されない空白領域との間のパターン端部領域に、第1の開口部を形成し、前記遮光膜の前記通常パターン領域に、前記第1の開口部とは面積が異なる第2の開口部を形成する、フォトマスクの製造方法。ところが、発明者らは、半導体光デバイスにおける微細構造パターンの作製においては、以下のような課題が有ることを見出した。上述のフォトニック結晶のような使用波長に比べて十分小さい周期的なパターンを有する構造においては、パターンを無限に続けて形成することはできない。よって、有限の領域内に、必ずパターン端部が形成される。上述のようなフォトマスクを用いた縮小投影露光やEB露光により形成されるパターンは、有限の大きさを有する単位領域がマトリックス状に配置されたものとみなせる。よって、マトリックスの外縁に配置された単位領域は、パターン形成がされていない領域と隣接することとなる。図13は、一般的なフォトマスク400の要部を拡大した上面図である。フォトマスク400は、図13に示すように、円形の開口部41が三角形の格子状に形成されている。遮光部42は、開口部41の間を覆っている。フォトマスク400では、開口部41が形成されていない中央の空白領域45に隣接する開口部41と下端の開口部41とが、パターン端部領域43となる。なお、図示しないが、図13の上側及び左右外側には、開口部41が連続して形成されている。ここでは、開口部41の直径をd4とし、開口部41の中心間距離を周期a4とする。以下では、パターン端部領域43及び空白領域45以外の、開口部41が形成されている領域を通常パターン領域44と称する。パターン端部領域43は、開口部41が形成された通常パターン領域44及び開口部41が形成されていない空白領域45と隣接する。換言すれば、パターン端部領域43では、通常パターン領域44及び空白領域45を画すように、複数の開口部41が、列状に形成されている。そのため、被転写体上における開口部41透過後のレジスト膜中の露光光線の強度が、被転写体上のパターン中心を通る軸に対し、パターン端部側と通常パターン部側で非対称となる。その結果、被転写体上におけるパターンの寸法や形状に揺らぎが生じる。図14は、フォトマスク400を用いて露光した場合の被転写体上におけるレジスト形状を示す電子顕微鏡写真である。図14に示すように、パターン端部領域43のレジスト形状は、通常パターン領域44と比べて、歪みが生じる。レジストをマスクとしたエッチングによりフォトニック結晶を形成する場合には、空白領域45は光導波路として機能する。特に、空白領域45の左右に隣接するパターン端部領域43でのレジスト形状には揺らぎが生じ、通常パターン領域44と比べて大きくなっている。これにより、光導波路を伝搬する導波光に対する実効的な屈折率が設計値と異なってしまう。その結果、フォトニック結晶を作製しても、所要の光学特性を得ることができない。これまで、フォトニック結晶の構造は微細であるため、普及している安価なステッパ縮小投影露光装置例えば、i線ステッパ縮小投影露光装置とバイナリマスクでは解像力が不足する。そのため、フォトニック結晶の作製へのフォトリソグラフィ工程の適用は困難であった。その結果、上述の様な、露光強度の非対称性に起因したパターン揺らぎの課題は顕在化してこなかった。しかし、フォトニック結晶をはじめとした微細な半導体光デバイスを量産するためには、EB露光に比べて優れたスループットを有するステッパ縮小投影露光装置の適用が不可欠である。一方で、フォトリソグラフィの高解像度化のために、先端CMOSで使われているArFやKrFなどのエキシマレーザを光源とするステッパ縮小投影露光装置、位相シフトマスク及び光近接効果補正マスクの導入は、非常に高コストである。さらに、ステッパ縮小投影露光装置に適合する基板の寸法が限定されてしまう。よって、現状の半導体光デバイスの販売価格と半導体光デバイスの作製に用いる基板とを考慮すると、現実的ではない。従って、普及している安価なステッパ縮小投影露光装置及びバイナリマスクにより形成されるパターン揺らぎを抑制する手法の開発が必須である。換言すれば、微細な半導体光デバイスの量産工程に適応可能であり、パターン端部での寸法や形状の揺らぎを抑制して理想的な光学特性を有するフォトニック結晶を作製できる手法は、現状では確立されていない。本発明は、上記の事情に鑑みて為されたものであり、本発明の目的は、均一な寸法のパターンを作製することができるフォトマスク及びその製造方法を提供することである。本発明の一態様であるフォトマスクは、入射する露光光線が被転写体へ向けて透過する基板と、前記基板上に形成された、前記露光光線を遮光する遮光膜と、を備え、前記遮光膜の通常パターン領域とパターンが形成されない空白領域との間のパターン端部領域には、第1の開口部が形成され、前記遮光膜の前記通常パターン領域には、前記第1の開口部とは面積が異なる第2の開口部が形成されるものである。本発明の一態様であるフォトマスクの製造方法は、入射する露光光線が被転写体へ向けて透過する基板上に、前記露光光線を遮光する遮光膜を形成し、前記遮光膜の通常パターン領域とパターンが形成されない空白領域との間のパターン端部領域に、第1の開口部を形成し、前記遮光膜の前記通常パターン領域に、前記第1の開口部とは面積が異なる第2の開口部を形成するものである。本発明によれば、パターン端部を有する場合でも均一な寸法のパターンを作製することができるフォトマスク及びその製造方法を提供することができる。以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。各図面においては、同一要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略される。まず、本発明を理解するための準備として、フォトマスクを用いた露光プロセスの概要について説明する。図1は、フォトマスクを用いた露光プロセスの概要を説明するための一般的な半導体露光装置500の要部の断面図である。一般的な半導体露光装置としては、ステッパやスキャナなどの縮小投影露光装置が広く用いられる。縮小投影露光装置は、フォトマスクに描画されたパターンを被転写体に縮小投影することにより、露光パターンを形成する。半導体基板1は、半導体露光装置内のステージ不図示上に保持され、高精度に位置制御される。例えば、半導体基板1は、Si、SiGe、InP又はGaAsなどの材料からなる。図1に示すように、半導体基板1上には、誘電体膜2が成膜されている。誘電体膜2上には、使用する露光光線の波長に対して感光性を有したフォトレジスト膜3が形成されている。フォトレジスト膜3は、例えば、スピン塗付により形成される。但し、フォトレジスト膜3の形成方法については、スピン塗付に限定されない。フォトレジスト膜3の上方には、例えばマスクホルダー不図示により、フォトマスク10が固定される。フォトマスク10は、透過性基板4上に遮光膜5が形成されている。透過性基板4は、露光光線6を透過させる基板であり、一般に、ガラスや合成石英により構成される。遮光膜5は、露光光線6を遮光する膜であり、一般に、クロムにより構成される。つまり、露光光線6は、遮光膜5が形成されていない部分である開口部7を透過して、フォトレジスト膜3に到達する。また、露光光線6は、遮光膜5が形成されている部分である遮光部8によって遮られる。従って、露光光線6は、遮光部8の下方のフォトレジスト膜3には到達しない。これにより、フォトレジスト膜3には、開口部7を透過した露光光線6が明暗パターンとして照射される。これにより、現像後のフォトレジスト膜3には、フォトマスク10に対応した露光パターンが形成される。なお、開口部7は、厳密には露光光線6のすべてを透過させる必要はなく、フォトレジスト膜3が露光される以上の量の露光光線を透過させればよい。すなわち、フォトレジスト膜3が露光される光の量を感光しきい値Ith、露光光線6の量に対する透過光の量の比を透過率と定義すると、開口部7の透過率は、感光しきい値Ithを露光光線6の量で割った値以上であればよい。また、遮光膜5も、厳密には露光光線6のすべてを遮光する必要はなく、感光しきい値Ithよりも少ない量の露光光線であれば透過させてもよい。すなわち、露光光線6の量に対する、遮光光される露光光線の量の比を遮光率と定義すると、開口部7の遮光率は、Ithを露光光線6の量で割った値よりも小さい値であればよい。なお、図1は半導体露光装置の模式図である。従って、図1に示す半導体露光装置500は、実際の半導体露光装置とは異なる寸法比率で示されている。また、図面の簡略化のため、図1では、露光光線6が通過するコンデンサレンズや投影レンズなどが省略されている。実施の形態1本発明の実施の形態1にかかるフォトマスク100について説明する。上述で説明したように、理想的なフォトニック結晶構造を得るためには、パターン端部領域と通常パターン領域の形状の差異、すなわち平均的な屈折率の差を低減する必要がある。そのため、本実施の形態にかかるフォトマスク100では、パターン端部領域に形成された第1の開口部と、通常パターン領域に形成された第2の開口部とが、それぞれ異なる面積を有する。特に、本実施の形態では第1の開口部及び第2の開口部の形状は相似形であり、かつその寸法が異なる。以下、本実施の形態にかかるフォトマスク100の構成について、具体的に説明する。図2は、実施の形態1にかかるフォトマスク100の要部を拡大した上面図である。フォトマスク100は、図2に示すように、第1の開口部11及び第2の開口部12を有する。第1の開口部11は、パターン端部に相当する凸nnは、3以上の整数角形の各頂点を中心として形成される。第2の開口部12は、通常パターンに相当する凸n角形の外心を中心として形成される。遮光部13は、第1の開口部11と第2の開口部12との間を覆っている。第1の開口部11が形成されている領域が、パターン端部領域14である。第2の開口部12が形成されている領域が、通常パターン領域15である。パターン端部領域14の周囲が、空白領域16である。図2では、基本となる単位格子の一例としてn=3の場合、すなわち正三角形の頂点を中心とする3個の第1の開口部11を配置した場合を示す。以下、第1の開口部11の直径をd11、第2の開口部12の直径をd12、第1の開口部11及び第2の開口部12の中心間の距離を周期a1とする。フォトマスク100のその他の構成は、フォトマスク10と同様であるので、説明を省略する。図2では、フォトマスク100の第1の開口部11及び第2の開口部12の形状は真円形であるが、開口部の形状はこれに限定されない。すなわち、開口部の形状は、真円形ではなく、楕円形であってもよい。また、図2では、パターン端部領域14及び通常パターン領域15の最小構成の例を表している。そのため、フォトマスク100にかかる構成を現実的な素子に適用する場合には、本最小構成を単位格子として、単位格子を組み合わせた構成とすることができる。なお、本実施の形態では正三角形の頂点を中心とする3個の第1の開口部11を配置する例について説明するが、第1の開口部11の配置はこの例に限られない。よって、任意の凸nnは、3以上の整数角形の頂点を中心とするn個の第1の開口部11を配置することが可能である。さらに、パターン端部領域及び通常パターン領域の配置はこれに限定されない。すなわち、図12に示すように、パターン端部領では、通常パターン領域及び空白領域を画すように、複数の第1の開口部が、列状に形成されていればよい。以下、本実施の形態1にかかるフォトマスク100を適用した場合の効果を計算によって検証した結果を示す。一般に、フォトマスク100における第1の開口部11の直径d11及び第2の開口部12の直径d12を露光光線の波長λの近傍まで小さくすると、露光光線の回折効果が大きくなるため、回折効果を取り入れて計算を行う必要がある。ここで、フォトマスク100から被転写体例えば、図1のフォトレジスト膜3までの実効的な焦点距離をRとする。また、被転写体上における露光光線の光軸からの距離をrとする。この場合、1つの真円形の第1の開口部11又は第2の開口部12を透過した露光光線の被転写体上における光強度分布Irは、以下の式1及び2で表される。なお、式1において、J1は第1種1次Bessel関数を示す。式1で表される光強度分布Irは、一般にエアリーディスクと呼ばれ、同心円上に光強度分布が広がる。この広がりの尺度を示す、光強度の最初の零点の光軸からの距離r0は、以下の式3で表される。実際の被転写体上の光強度分布は、複数の第1の開口部11と第2の開口部12とを透過した露光光線の重ね合わせである。よって、実際の被転写体上での光強度分布Itotalは、以下の式4及び5で表される。式3より、第1の開口部11の直径d11及び第2の開口部12の直径d12が露光光線の波長λに対して十分大きくない場合には、被転写体上における光強度分布Irの開口径第1の開口部11の直径d11及び第2の開口部12の直径d12に対する広がりが顕著になる。ここで、一般的なフォトマスク400を用いて露光した場合の被転写体上における2次元的な光強度分布を求めるため、式4を用いて計算を行った。なお、この計算においては、開口部41の直径d4を1.2μm、周期a4を2.1μmとした。また、露光光線の波長λを365nm水銀ランプのi線の露光波長、露光に使用する縮小投影露光装置の縮小倍率を1/5とした。以下、特に断りが無い限り、上記と同様の露光光線の波長及び縮小倍率を適用した計算結果を示すこととする。なお、同一のパターンでの効果の差異を確認するために、パターン端部領域及び通常パターン領域の配置及び開口部の形状は、本実施の形態1にかかるフォトマスク100と同一とした。ただし、フォトマスク400では、パターン端部領域43の開口部41及び通常パターン領域44の開口部41の面積及び形状が同じであるので、これらの直径も同じとなる。図3は、フォトマスク400を用いて露光した場合の被転写体上における2次元的な光強度分布の計算結果を示す平面図である。図3に示すように、パターン端部領域43に形成される正三角形の頂点を中心とする開口部と、通常パターン領域44に形成される正三角形の外心を中心とする開口部とでは、光強度分布が顕著に異なることがわかる。図4は、図3に示す被転写体上のIVa-IVb線、IVc-IVd線及びIVe-IVf線における光強度分布を示すグラフである。図4に示すIthは、被転写体であるフォトレジストの感光しきい値を示す。光強度分布が感光しきい値Ithよりも大きい領域では、フォトレジストが感光する。そのため、光強度分布を示すピークと感光しきい値Ithを示す直線とが交わる2つの交点間の距離が、パターン寸法となる。なお、図4での感光しきい値Ithの大きさは例示に過ぎない。また、光強度分布の縦軸方向、すなわち光強度の絶対値は、露光装置によって制御することが可能である。フォトマスク400を用いた場合には、図4に示すように、光強度の絶対値や感光しきい値Ithをどのように調整しても、IVa-IVb線、IVc-IVd線及びIVe-IVf線における光強度分布を一致させることができない。そのため、等しい感光寸法を得ることはできない。すなわち、上述の計算により、パターン端部と通常パターンとでは、レジスト形状に差異が生じることが理解できる。続いて、実施の形態1にかかるフォトマスク100を用いて露光した場合の被転写体上における2次元的な光強度分布を求めるため、式4を用いて計算を行った。フォトマスク100では、パターン端部の第1の開口部11と通常パターンの第2の開口部12とで面積が異なる。つまり、第1の開口部11の直径d11は、第2の開口部12のd12と異なる。ここでは、直径d11を1.25μm、直径d12を1.2μm、周期a1を2.1μmとして計算を行った。図5は、フォトマスク100を用いて露光した場合の被転写体上における2次元的な光強度分布の計算結果を示す平面図である。図5に示すように、パターン端部領域14に形成された正三角形の頂点を中心とする第1の開口部11と、通常パターン領域15に形成された正三角形の外心を中心とする第2の開口部12とでは、光強度分布が近似することがわかる。なお、図5での感光しきい値Ithの大きさは例示に過ぎない。また、光強度分布の縦軸方向、すなわち光強度の絶対値は、露光装置によって制御することが可能である。図6は、図5に示す被転写体上のVIa-VIb線、VIc-VId線及びVIe-VIf線における光強度分布を示すグラフである。図6に示すIthは、図4と同様、被転写体であるフォトレジストの感光しきい値を示す。図6に示すように、VIa-VIb線、VIc-VId線及びVIe-VIf線の光強度分布はほぼ等しい。従って、ほぼ等しいパターン寸法が得られる。すなわち、フォトマスク100を用いることにより、パターン形状の揺らぎを抑制し、パターン端部と通常パターンとで、ほぼ等しいレジスト形状を得ることができる。さらに、第1の開口部と第2の開口部の面積の関係について、計算結果を示して説明する。以下ではフォトマスク400と同様の正6角形格子が組み合わされて配置され、左端と下端がパターン端部となっている場合について説明する。図7Aは、第1の開口部11の面積が第2の開口部12の面積より小さいフォトマスク100を用いて露光した場合の被転写体上における2次元的な光強度分布の計算結果を示す平面図である。図7Aにおいては、第1の開口部11の直径d11を1.25μm、第2の開口部12の直径d12を1.35μm、周期a1を2.1μmとして計算を行った。図7Aに示すように、パターン端部と通常パターンとで、大きな光強度の揺らぎが生じていることがわかる。一方、図7Bは、第1の開口部11の面積が第2の開口部12の面積より大きいフォトマスク100を用いて露光した場合の被転写体上における2次元的な光強度分布の計算結果を示す平面図である。図7Bにおいては、第1の開口部11の直径d11を1.45μm、第2の開口部12の直径d12を1.35μm、周期a1を2.1μmとして計算を行った。図7Bに示すように、パターン端部と通常パターン部とで光強度分布の差が少なく、一様であることから、ほぼ等しいレジスト形状を得ることができると考えられる。ここで、フォトマスク100を用いて露光を行った場合の物理的効果について、詳細に説明する。以下では、微細な屈折率の周期構造の例として、半導体基板を用いて作製されたフォトニック結晶構造300について説明する。図8は、半導体基板を用いて作製されたフォトニック結晶構造300の要部を拡大した上面図である。フォトニック結晶構造300は、半導体基板30に、第1の屈折率領域31及び第2の屈折率領域32が形成されている。第1の屈折率領域31及び第2の屈折率領域32の屈折率は、半導体基板30の屈折率と異なる。第1の屈折率領域31は、パターン端部領域に相当し、その形状は真円形である。第1の屈折率領域31のそれぞれは、凸nnは、3以上の整数角形の各頂点を中心として形成される。第2の屈折率領域32は、通常パターン領域に相当し、その形状は真円形である。第2の屈折率領域32は、凸n角形の外心を中心として形成される。以下では、第1の屈折率領域31の面積をS31とし、第2の屈折率領域32の面積をS32とする。図8では、基本となる単位格子の一例として、基本となる単位格子の一例としてn=3の場合、すなわち正三角形の頂点を中心とする3個の第1の屈折率領域31が形成された場合を示す。フォトニック結晶構造300は、第1の単位領域33及び第2の単位領域34を有する。第1の単位領域33は、第1の屈折率領域31を含み、第1の屈折率領域31の周辺部分は半導体基板30により構成される。第2の単位領域34は、第2の屈折率領域32を含み、第2の屈折率領域32の周辺部分は半導体基板30により構成される。すなわち、第1の単位領域33及び第2の単位領域34は、屈折率が異なる少なくとも2つの領域により構成される。フォトニック結晶構造300では、第1の単位領域33及び第2の単位領域34は互いの辺が接する正六角形である。また、第1の単位領域33の面積は第1の単位領域34の面積と等しく、その面積をS0とする。ここで、半導体基板30は、InP基板により構成されているものとし、InPの屈折率をnInPとする。また、第1の屈折率領域31及び第2の屈折率領域32は、それぞれエッチング加工により形成された空孔開口部であるものとし、開口部の屈折率をnAirとする。以上の条件のもとでは、第1の単位領域33の平均屈折率<n1>及び第2の単位領域34の平均屈折率<n2>は、それぞれ式6及び7で表される。ここで、ΔSは第1の屈折率領域31の面積を補正するための項である。フォトマスク100を用いて露光を行った場合、被転写体上におけるパターン端部領域及び通常パターン領域で同等の光学特性を得るためには、式8に示すように、平均屈折率<n1>及び<n2>が等しければよい。式6及び7を式8に代入して整理すると、式9が得られる。よって、式9が成立するようにΔSを定めることにより、パターン端部の第1の屈折率領域31の面積S31と通常パターンである第1の屈折率領域32の面積S32との差異を補償することができる。ΔSの値の調整は、第1の屈折率領域31の形状をそのままとして寸法を変えるか、又は第1の屈折率領域31の形状を変えることで実現することができる。フォトニック結晶構造300では、第1の屈折率領域31及び第2の屈折率領域32の形状を真円形としているが、第1の屈折率領域31及び第2の屈折率領域32の形状はこれに限定されない。第1の屈折率領域31及び第2の屈折率領域32の形状は、凸m角形mは、3以上の整数であってもよい。また、図8では、パターン端部と通常パターンを含んだ最小の構成を表している。そのため、実際のフォトニック結晶構造では、本最小の構成である単位格子を組み合わせた構成とすることができる。なお、本実施の形態では正三角形の頂点を中心とする3個の第1の屈折率領域31を配置する例について説明するが、第1の屈折率領域31の配置はこの例に限られない。よって、任意の凸nnは、3以上の整数角形の頂点を中心とするn個の第1の屈折率領域31を配置することが可能である。フォトニック結晶構造300の第1の屈折率領域31は、フォトマスク100の第1の開口部11に相当する。フォトニック結晶構造300の第2の屈折率領域32は、フォトマスク100の第2の開口部12に相当する。つまり、フォトマスク100においては、ΔSを調整することは、第1の開口部11の面積を第2の開口部12の面積と異ならせることに相当する。従って、フォトマスク100は、被転写体上におけるパターン端部領域及び通常パターン領域の光学的効果を等しくすることができる。その結果、本実施の形態にかかるフォトマスク100によれば、パターン端部領域のパターン形状の揺らぎを抑制し、パターン形状を均一化することができる。また、本実施の形態にかかるフォトマスク100は、通常のフォトマスク作製方法により、第1の開口部11及び第2の開口部12の形状及び寸法を変更するのみで作製することができる。つまり、位相シフトマスクなどの高価なマスクや、電子線照射装置、先端プロセスに適用される露光装置などの高価な装置を要することなく、フォトニック結晶を作製することができる。従って、本実施の形態にかかるフォトマスク100を微細な半導体光デバイスの量産工程に適用することにより、安価にパターン端部での寸法及び形状の揺らぎが抑制されたフォトニック結晶を得ることができる。実施の形態2次に、本発明の実施の形態2にかかるフォトマスクについて、具体的な構成例を示して説明する。図9は、実施の形態2にかかるフォトマスク200の要部を拡大した上面図である。フォトマスク200は、パターン端部領域での開口部の形状と通常パターン領域の開口部の形状が異なる。フォトマスク200は、図9に示すように、第1の開口部21及び第2の開口部22を有する。第1の開口部21は正六角形の形状を有し、凸nnは、3以上の整数角形の各頂点を中心として形成される。第2の開口部22は真円形の形状を有し、凸n角形の外心を中心として形成される。遮光部23は、第1の開口部21と第2の開口部22との間を覆っている。第1の開口部21が形成されている領域が、パターン端部領域24である。第2の開口部22が形成されている領域が、通常パターン領域25である。パターン端部領域24の周囲が、空白領域26である。図9では、基本となる単位格子の一例としてn=3の場合、すなわち正三角形の頂点を中心とする3個の第1の開口部21を配置した場合を示す。本実施の形態では、パターン端部領域24の第1の開口部21の最大径をd21、通常パターン領域25の第2の開口部22の直径をd22、第1の開口部21の中心と第2の開口部22の中心との間の距離を周期a2とする。なお、第1の開口部21の最大径d21は、正六角形の最も長い対角線の長さを示す。フォトマスク200のその他の構成は、フォトマスク100と同様であるので、説明を省略する。上述の例では、フォトマスク200の第1の開口部21の形状を正六角形としているが、第1の開口部21の形状はこれに限定されない。すなわち、第1の開口部21の形状は、正六角形ではなく、凸m角形mは、3以上の整数であってもよい。また、図9では、パターン端部と通常パターンを含んだ最小の構成を表している。そのため、フォトマスク100にかかる構成を現実的な素子に適用する場合には、本最小の構成を単位格子として、単位格子を組み合わせた構成とすることができる。なお、本実施の形態では正三角形の頂点を中心とする3個の第1の開口部21を配置する例について説明するが、第1の開口部21の配置はこの例に限られない。よって、任意の凸nnは、3以上の整数角形の頂点を中心とするn個の第1の開口部21を配置することが可能である。以下、本実施の形態2にかかるフォトマスク200を適用した場合の効果を計算によって検証した結果を示す。なお、計算の基本となる手法は、実施の形態1にかかるフォトマスク100の場合と同じであるため、ここでは説明を省略する。フォトマスク200では、フォトマスク100と同様に、パターン端部領域24の第1の開口部21の面積は、通常パターン領域25の第2の開口部22の面積と異なる。但し、第1の開口部21及び第2の開口部22の面積の相違は、第1の開口部21及び第2の開口部22の形状の差異によって実現されている。ここでは、最大径d21を1.25μm、直径d22を1.2μm、周期a2を2.1μmとして計算を行った。図10は、フォトマスク200を用いて露光した場合の被転写体上における2次元的な光強度分布の計算結果を示す平面図である。図10に示すように、パターン端部領域24に形成された正三角形の頂点を中心とする第1の開口部21と、通常パターン領域25に形成された正三角形の外心を中心とする第2の開口部22とでは、光強度分布が近似することがわかる。なお、図10での感光しきい値Ithの大きさは例示に過ぎない。また、光強度分布の縦軸方向、すなわち光強度の絶対値は、露光装置によって制御することが可能である。図11は、図10に示す被転写体上のXa-Xb線、Xc-Xd線及びXe-Xf線での光強度分布を示すグラフである。図11に示すIthは、図4と同様、被転写体であるフォトレジストの感光しきい値を示す。図11に示すように、Xa-Xb線、Xc-Xd線及びXe-Xf線の光強度分布はほぼ等しい。従って、露光量を適切に調整することで、ほぼ等しいパターン寸法が得られることが理解できる。すなわち、フォトマスク200を用いることにより、パターン形状の揺らぎを抑制し、パターン端部と通常パターンとで、ほぼ等しいレジスト形状を得ることができる。実施の形態1で説明したフォトニック結晶構造300の第1の屈折率領域31は、フォトマスク200の第1の開口部21に相当する。フォトニック結晶構造300の第2の屈折率領域32は、フォトマスク200の第2の開口部22に相当する。つまり、フォトマスク200においては、ΔSを調整することは、第1の開口部21の面積を第2の開口部22の面積と異ならせることに相当する。フォトマスク200では、第1の開口部21の形状を第2の開口部22の形状と変えることで、第1の開口部21の面積を第2の開口部22の面積と異ならせている。従って、フォトマスク200は、被転写体上におけるパターン端部領域と通常パターン領域の光学的効果を等しくすることができる。その結果、本実施の形態にかかるフォトマスク200によれば、パターン端部領域におけるパターン形状の揺らぎを抑制し、パターン形状を均一化することができる。また、本実施の形態にかかるフォトマスク200は、実施の形態1にかかるフォトマスク100と同様に、通常のフォトマスク作製方法により、第1の開口部21及び第2の開口部22の形状及び寸法を変更するのみで作製することができる。つまり、位相シフトマスクなどの高価なマスクや、電子線照射装置、先端プロセスに適用される露光装置などの高価な装置を要することなく、フォトニック結晶を作製することができる。従って、本実施の形態にかかるフォトマスク200を微細な半導体光デバイスの量産工程に適用することにより、実施の形態1にかかるフォトマスク100と同様に、安価にパターン端部での寸法及び形状の揺らぎが抑制されたフォトニック結晶を得ることができる。その他の実施の形態なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、上述の実施の形態では、周期的なフォトニック結晶構造を形成するためのパターンを示したが、あくまで例示であって、本発明のフォトマスクに形成するパターンはこれに限定されない。例えば、一般的な電子回路に加え、イメージセンサや液晶パネルなど大面積を端部まで高精度にパターンニングする際に有効である。上述の実施の形態におけるフォトマスクの断面構成及び材料はあくまで例示であって、フォトマスクの構成及び材料はこれに限定されない。上述の実施の形態における露光光線の波長を365nmとしたが、あくまで例示である。すなわち、水銀ランプのg線又はh線又はエキシマレーザ例えば、ArF、KrF又はF2によるレーザ光などの、他の波長の露光光線を用いることができる。また縮小倍率を1/5としたが、あくまで例示であって、他の縮小倍率も適用可能である。一般に、縮小倍率が低い方が、解像度が高くなる。以上の説明から明らかなように、上述の実施の形態にかかるフォトマスクは、パターン端部領域及び通常パターン領域において、パターンの周囲を含んだ単位領域の平均屈折率が互いに等しくなるように、開口部の面積又は寸法を変えるだけでよく、パターンの配置、数、形状等は、原理的には特に限定されない。すなわち、パターンの形状は、正n角形や真円形に限定されず、多角形や楕円形であってもよい。ただし、多角形は凸多角形であることが望ましい。一般の凸多角形の場合は、最も長い対角線の長さを開口部の最大径とすればよい。図12は、任意の凸多角形の開口部の配置例を示す上面図である。例えば、フォトマスク上に、図12に示すようなパターン端部領域の第1の開口部61a~61c及び通常パターン領域の第2の開口部62を形成することも可能である。上記の実施の形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載され得るが、以下には限られない。付記1入射する露光光線が被転写体へ向けて透過する基板と、前記基板上に形成された、前記露光光線を遮光する遮光膜と、を備え、前記遮光膜の通常パターン領域とパターンが形成されない空白領域との間のパターン端部領域には、第1の開口部が形成され、前記遮光膜の前記通常パターン領域には、前記第1の開口部とは面積が異なる第2の開口部が形成される、フォトマスク。付記2前記第1の開口部の面積は、前記第2の開口部の面積よりも大きいことを特徴とする、付記1に記載のフォトマスク。付記3前記パターン端部領域には、前記通常パターン領域と前記空白領域を画するように、複数の前記第1の開口部が列状に形成されていることを特徴とする、付記2に記載のフォトマスク。付記4前記第1の開口部の形状は、前記第2の開口部の形状の相似形であることを特徴とする、付記2又は3に記載のフォトマスク。付記5前記第1の開口部及び前記第2の開口部の形状は真円形であり、前記第1の開口部の直径は、前記第2の開口部の直径よりも大きいことを特徴とする、付記4に記載のフォトマスク。付記6前記第1の開口部及び前記第2の開口部の形状は凸mmは、3以上の整数角形であり、前記第1の開口部の最長の対角線は、前記第2の開口部の最長の対角線よりも長いことを特徴とする、付記4に記載のフォトマスク。付記7前記第1の開口部の形状は、前記第2の開口部の形状と異なることを特徴とする、付記2又は3に記載のフォトマスク。付記8前記第1の開口部の形状は凸mmは、3以上の整数角形であり、前記第2の開口部の形状は真円形であることを特徴とする、付記7に記載のフォトマスク。付記9前記遮光膜の前記パターン端部領域には、正nnは、3以上の整数角形の頂点のそれぞれを中心とするn個の前記第1の開口部が形成され、前記遮光膜の前記通常パターン領域には、前記正n角形の外心を中心として前記第2の開口部が形成され、前記n個の前記第1の開口部及び前記第2の開口部は、単位格子を形成することを特徴とする、付記1乃至8のいずれか一に記載のフォトマスク。付記10複数の前記単位格子が、前記空白領域を介してアレイ状に配置されることを特徴とする、付記9に記載のフォトマスク。付記11入射する露光光線が被転写体へ向けて透過する基板上に、前記露光光線を遮光する遮光膜を形成し、前記遮光膜の通常パターン領域とパターンが形成されない空白領域との間のパターン端部領域に、第1の開口部を形成し、前記遮光膜の前記通常パターン領域に、前記第1の開口部とは面積が異なる第2の開口部を形成する、フォトマスクの製造方法。