"透明基板と、前記透明基板に形成され、X線回折XRDパターンのデータを基準に、0002結晶面に対する結晶面が3以上存在する、ドーパントがドーピングされた酸化亜鉛ZnO薄膜層と、を含むことを特徴とする太陽電池基板。前記酸化亜鉛ZnO薄膜層は、前記酸化亜鉛ZnOにドーピングされるドーパントが0.1重量以上、15重量以下含有され、薄膜の膜厚が450nm以上、900nm以下であることを特徴とする請求項1記載の太陽電池基板。前記酸化亜鉛ZnOにドーピングされるドーパントは、アルミニウムAl、ガリウムGa、インジウムIn、チタンTi、ホウ素Bのいずれか一種、又は二種以上であることを特徴とする請求項1記載の太陽電池基板。前記透明基板と酸化亜鉛ZnO薄膜層との間に形成され、前記透明基板の内部から異物が溶出されることを防ぐ異物溶出防止膜をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の太陽電池基板。前記異物溶出防止膜が、酸化ケイ素SiO2又は酸化チタンTiO2のいずれか一種により具現されることを特徴とする請求項4記載の太陽電池基板。請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の太陽電池基板を含むことを特徴とする、太陽電池。前記太陽電池が、タンデムTandem型太陽電池、化合物太陽電池、色素増感型太陽電池のいずれかであることを特徴とする請求項6記載の太陽電池。本発明は、上記のような背景から提案されたもので、その目的は、太陽電池に使用可能であり且つ長波長領域において優れた光透過率特性を有する太陽電池基板及びその太陽電池基板を含む太陽電池を提供することである。また、本発明の付加的な目的は、光電変換効率の高い太陽電池基板及びその太陽電池基板を含む太陽電池を提供することである。上記のような目的を達成するために、本発明の一態様に係る太陽電池基板は、透明基板と、透明基板に形成され、X線回折XRDパターンのデータを基準に、0002結晶面に対する結晶面が3以上存在する、ドーパントがドーピングされた酸化亜鉛ZnO薄膜層とを含む。前記構成によれば、0002結晶面が多い酸化亜鉛ZnO薄膜の内部へのドーパントの挿入の際にドーパントと亜鉛原子及び酸素原子間の共鳴現象が発生し、長波長領域における光吸収が生じて、透過率が低下するようになるが、結晶面が存在すると、結晶面間の極性を遮断することでドーパントと亜鉛原子及び酸素原子間の共鳴現象が低下し、長波長領域、特に900nm以上、1100nm以下の波長領域における光透過率が80以上を満たすという有用な効果がある。以下、添付図面を参照して、前述した態様、そして追加的な態様を記述した好適な実施例を通じ、本発明を当業者が容易に理解して再現することができるよう、詳細に説明することとする。図4は、本発明の一実施例に係る太陽電池基板の製造方法を図示したものである。図示したところのように、本発明に係る太陽電池基板の製造方法は、まず、透明基板を用意するS411。一例として、透明基板は、蒸着される物質により具現されているスパッタリングターゲットが設置されたスパッタリングチャンバに設置されてよい。その後、透明基板に異物溶出防止膜を形成するS412。異物溶出防止膜は、透明基板の内部から異物が溶出されることを防ぐ役割をする。一例として、異物溶出防止膜は、酸化ケイ素SiO2又は酸化チタンTiO2のいずれか一種により具現することができる。その後、透明基板に、X線回折XRDパターンのデータを基準に0002結晶面に対する結晶面が3以上存在する、ドーパントがドーピングされた酸化亜鉛ZnO薄膜層を形成するS413。一例として、酸化亜鉛ZnOにドーピングされるドーパントは、アルミニウムAl、ガリウムGa、インジウムIn、チタンTi、ホウ素Bのいずれか一種であればよい。ここで、X線回折XRDパターンのデータを基準に0002結晶面に対する結晶面が3以上すなわち、XRDパターンのピークの強度が3以上存在させるために、一例として、スパッタリングチャンバの圧力を10mTorr以上、50mTorr以下に維持させつつ、透明基板の温度を200°C以上、300°C以下に維持させる。次いで、酸化亜鉛ZnO薄膜層が形成された透明基板を、該透明基板の転移温度未満の加熱温度で1分以上、30分以下加熱するS414。一例として、加熱温度は、250°C以上、500°C以下が好ましい。一例として、熱処理工程は、RTArapidthermalannealing、レーザー照射を利用した加熱法などにより行われてよい。また、熱処理工程は、窒素、ヘリウム、またはアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で行われる。図5は、本発明の一実施例に係る太陽電池基板の構造を図示したものである。図示したところのように、本発明に係る太陽電池基板510は、透明基板511と、ドーパントがドーピングされた酸化亜鉛ZnO薄膜層512とを含んで具現することができる。透明基板511は、薄膜太陽電池セルを支持するガラスであって、厚さ5mm以下、光透過率90以上のガラスにより具現することができる。他の例として、透明基板511は、熱硬化又はUV硬化が可能な有機フィルムであって、主にポリマー系の物質、例えば、ポリエチレンテレフタレートPolyEtyleneTerephthalate,PET、アクリルAcryl、ポリカーボネートPolycabonate,PC、ウレタンアクリレートUrethaneAcrylate、ポリエステルPolyester、エポキシアクリル酸塩EpoxyAcrylate、臭化アクリレートBrominateAcrylate、ポリ塩化ビニルPolyVinylChloride,PVCにより具現することができる。酸化亜鉛ZnO薄膜層512は、光電変換によって発生する電流を流すもので、高い導電性と光透過率を有する金属物質により具現される。一般に、優れた光電変換効率を得るためには、酸化亜鉛ZnO薄膜層512の面抵抗を通常15Ω/□以下にする必要がある。酸化亜鉛ZnO薄膜層512の面抵抗は、次の表1に表すように酸化亜鉛ZnO薄膜層512の膜厚と関係がある。表1に表すように、酸化亜鉛ZnO薄膜層512は、その膜厚が450nm以上である場合、面抵抗は通常15Ω/□以下になる。酸化亜鉛ZnO薄膜層512は、膜厚が900nm以上である場合は、面抵抗は小さくなるものの、光透過率が落ちることで太陽電池セルの光電変換効率が低下し、導電膜を形成するための製造費用が高くなるという短所がある。酸化亜鉛ZnO薄膜層512は、ドーピングが容易であり、狭い伝導帯域をもっているのでドーパントによる電気伝導度及び光学的性質の調整が容易である。酸化亜鉛ZnOの電気的性質は、ほぼ不導体に近いため、電気伝導性を付与するために、ドーパントdopantがドーピングされた酸化亜鉛ZnOが使用される。ところが、酸化亜鉛ZnOにドーパントが15重量以上含まれる場合、結晶性の低下が生じて酸化亜鉛ZnO薄膜層512の結晶粒のサイズが小さくなる。そのため、酸化亜鉛ZnO薄膜層512は、酸化亜鉛ZnOにドーパントが0.1重量以上、15重量以下含まれる。好ましくは、0.1重量以上、5重量以下含まれる。ここで、酸化亜鉛ZnOにドーピングされるドーパントとしては、アルミニウムAl、ガリウムGa、インジウムIn、チタンTi、ホウ素Bのうち少なくともいずれか一種であればよい。一例として、酸化亜鉛ZnOにドーピングされたドーパントが二種以上のコドーピングCo-dopingでも可能である。好ましくは、酸化亜鉛ZnOにドーピングされたドーパントは、耐湿性が相対的に優れたガリウムGa又はアルミニウムAlであればよい。酸化亜鉛ZnO薄膜層512は、パルスレーザー蒸着PulsedLaserDeposition、PLD、分子ビーム蒸着MolecularBeamEpitaxy、プラズマ化学気相蒸着PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition、PECVD、低圧化学気相蒸着LowPressureChemicalVaporDeposition、LPCVD、常圧化学気相蒸着AtmosphericPressureChemicalVaporDeposition、APCVD、スパッタリングSputteringなどで形成すればよい。ドーパントがドーピングされた酸化亜鉛ZnO薄膜層512は、熱処理によって結晶構造内の酸素空格子oxygenvacancy及び格子間位置interstitialsiteに位置した亜鉛が減少し、格子間位置interstitialsiteに位置したドーパントが亜鉛格子位置に移動して、ドーパントによる外部電子供与体extrinsicdonorの濃度が増加する。すなわち、自由電荷吸収freecarrierabsorptionに寄与する格子間ドーパントinterstitialdopantatoms、酸素空格子、格子間亜鉛interstitialZnatomsは減少する。これにより、発明に係る太陽電池基板510は、熱処理工程により長波長帯領域における光透過率を改善させることができる。一例として、熱処理工程は、RTArapidthermalannealing、レーザー照射を利用した加熱法などにより行われてよい。また、熱処理工程は、窒素、ヘリウム、またはアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下において、透明基板511の転移温度未満の熱処理温度で、1分以上、30分以下行われてよい。好ましくは、熱処理温度は、250°C以上、500°C以下である。本発明の付加的な態様に係る太陽電池基板510は、異物溶出防止膜513をさらに含んで具現することができる。異物溶出防止膜513は、透明基板511と酸化亜鉛ZnO薄膜層512の間に形成され、透明基板511、例えば、ソーダ石灰ガラスSiO2-CaO-Na2O又はアルミノシリケートガラスSiO2-Al2O-Na2Oの内部から異物、例えば、ナトリウムNaイオンのようなアルカリイオンが溶出することを防ぐ。好ましくは、異物溶出防止膜513は、酸化ケイ素SiO2又は酸化チタンTiO2のいずれか一種により具現することができる。異物溶出防止膜513は、膜厚の調節を通じて、透明基板511との屈折率のマッチングが可能である。これにより、異物溶出防止膜513は、透明基板511表面から入射光が反射されることを防ぐことができる。透明基板511としてホウ珪酸ガラスBorosilicateglassを使用した場合、別途の異物溶出防止膜を設けることなく、酸化亜鉛ZnOを主成分とする透明導電膜のコーティングも可能である。図6は、本発明に係る太陽電池基板のX回折パターンXRDデータ特性に関するグラフであり、図7は、本発明に係る太陽電池基板に使用されるドーパントがドーピングされた酸化亜鉛ZnO薄膜の波長による光透過特性に関するグラフである。ここで、太陽電池基板は、ガリウムGaドーパントがドーピングされた酸化亜鉛ZnO薄膜層を含むことを例示する。図6のAは、ガリウムGaドーパントがドーピングされた酸化亜鉛ZnO薄膜層を含む太陽電池基板への熱処理前のX回折パターンXRDデータを、図6のBは、ガリウムGaドーパントがドーピングされた酸化亜鉛ZnO薄膜層を含む太陽電池基板への熱処理後のX回折パターンXRDデータを図示するものである。図6のAに示す、ガリウムGaドーパントがドーピングされた酸化亜鉛ZnO薄膜層のX回折パターンXRDデータでは、34.2°近傍で0002ピークが現れ、33.7°近傍で1000ピークが現われた。これに対し、図6のBに示す、ガリウムGaドーパントがドーピングされた酸化亜鉛ZnO薄膜層のX回折パターンXRDデータでは、34.2°近傍で0002ピークが現れ、37.5°近傍でピークが現われた。図7における参照番号721は、ガリウムGaドーパントがドーピングされた酸化亜鉛ZnO薄膜層への熱処理前の光透過率データ曲線であり、参照番号722は、ガリウムGaドーパントがドーピングされた酸化亜鉛ZnO薄膜層への熱処理後の光透過率データ曲線である。参照番号722の光透過率データ曲線を見ると、900nm以上、1100nm以下の波長領域における光透過率が80以上であることが分かる。ここまで、本明細書においては、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を容易に理解して再現できるよう、図面に図示した実施例を参考に説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、かつ、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の実施例から多様な変形および均等な他の実施例が可能であるという点が理解できよう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、添付の特許請求の範囲によってのみ定められるべきである。"