"実装面に一の配列方向にて交互に配列され、それぞれ前記配列方向と直交する方向に延びる複数の基板側第1電極及び基板側第2電極を有する回路基板と、前記回路基板に実装され、前記実装面と対向する面に、複数の入出射部、並びに、前記入出射部の各々に対応して設けられた前記基板側第1電極に接続される素子側第1電極及び前記基板側第2電極に接続される素子側第2電極を有する光電変換アレイ素子と、前記回路基板に実装され、前記基板側第1電極及び前記基板側第2電極を通じて前記光電変換アレイ素子と接続されるICチップとを備え、前記回路基板は、前記基板側第1電極を相互に連結する連結部と、前記基板側第1電極及び前記連結部のうち一方に連なり、試験用の1つの第1電極用プローブとの接触に供される1つの第1電極用ランド部とを前記実装面に有する、光電変換モジュール。前記第1電極用ランド部は、前記基板側第1電極のうち、前記配列方向にて端に位置にする基板側第1電極の前記ICチップ側に連なる、請求項1に記載の光電変換モジュール。前記基板側第2電極の各々は、試験用の第2電極用プローブとの接触に供される、自身の他の部分よりも幅広の第2電極用ランド部を有する、請求項1又は2に記載の光電変換モジュール。前記連結部は、前記基板側第1電極が延びる方向にて、前記ICチップとは反対側の前記光電変換アレイ素子の端から離間している、請求項1乃至3の何れか一項に記載の光電変換モジュール。前記光電変換アレイ素子は発光素子である請求項1乃至4の何れか一項に記載の光電変換モジュール。実装面に一の配列方向にて交互に配列され、それぞれ前記配列方向と直交する方向に延びる複数の基板側第1電極及び基板側第2電極を有する回路基板と、前記回路基板に実装され、前記実装面と対向する面に、複数の入出射部、並びに、前記入出射部の各々に対応して設けられた前記基板側第1電極に接続される素子側第1電極及び前記基板側第2電極に接続される素子側第2電極を有する光電変換アレイ素子と、前記回路基板に実装され、前記基板側第1電極及び前記基板側第2電極を通じて前記光電変換アレイ素子と接続されるICチップとを備え、前記回路基板は、前記基板側第1電極を相互に連結する連結部と、前記基板側第1電極及び前記連結部のうち一方に連なり、試験用の1つの第1電極用プローブとの接触に供される1つの第1電極用ランド部とを前記実装面に有する、光電変換モジュールの製造方法であって、前記光電変換アレイ素子の素子側第1電極及び素子側第2電極を前記回路基板の基板側第1電極及び基板側第2電極にそれぞれ接続した後であって、前記回路基板に前記ICチップを実装する前に、前記基板側第2電極の各々に第2電極用プローブを当接させるとともに、前記第1電極用ランド部に前記第1電極用プローブを当接させ、前記第1電極用プローブ及び前記第2電極用プローブを介して前記光電変換アレイ素子の動作を検査する工程を備える、光電変換モジュールの製造方法。VCSELには、複数の光出射部を有するアレイ素子があり、アレイ素子には、回路基板にフリップチップ実装されるものがある。すなわち、アレイ素子には、一方の面に、複数の光出射部、並びに、各光出射部に対応して設けられる素子側第1電極及び素子側第2電極を有するものがある。そして、高速伝送用の光電変換モジュールにおいては、フリップチップ実装されたアレイ素子の近傍に、アレイ素子の駆動用のICチップが実装される。この場合、回路基板には、アレイ素子とICチップとを接続するために、基板側第1電極及び基板側第2電極がストライプ状にて交互に設けられる。回路基板に実装されたアレイ素子のバーンイン試験は、アレイ素子の実装後であってICチップの実装前に行われることがある。このバーンイン試験では、基板側第1電極及び基板側第2電極の各々にプローブを当接させ、プローブを通じてアレイ素子に電力が供給される。しかしながら、基板側第1電極と基板側第2電極のピッチは、例えば約125μmであり、プローブを基板側第1電極と基板側第2電極に正確に当接させることは困難である。このためバーンイン試験に長時間を要してしまい、光電変換アレイ素子の信頼性の確保に時間がかかるという問題があった。本発明は、上述した事情に鑑みてなされ、その目的とするところは、入出射部と同じ面に素子側第1電極及び素子側第2電極を有する光電変換アレイ素子を備え、光電変換アレイ素子の信頼性が容易に確保される光電変換モジュール、及び、光電変換モジュールの製造方法を提供することにある。上記目的を達成するため、本発明の一態様によれば、実装面に一の配列方向にて交互に配列され、それぞれ前記配列方向と直交する方向に延びる複数の基板側第1電極及び基板側第2電極を有する回路基板と、前記回路基板に実装され、前記実装面と対向する面に、複数の入出射部、並びに、前記入出射部の各々に対応して設けられた前記基板側第1電極に接続される素子側第1電極及び前記基板側第2電極に接続される素子側第2電極を有する光電変換アレイ素子と、前記回路基板に実装され、前記基板側第1電極及び前記基板側第2電極を通じて前記光電変換アレイ素子と接続されるICチップとを備え、前記回路基板は、前記基板側第1電極を相互に連結する連結部と、前記基板側第1電極及び前記連結部のうち一方に連なり、試験用の1つの第1電極用プローブとの接触に供される1つの第1電極用ランド部とを前記実装面に有する、光電変換モジュールが提供される。また本発明の一態様によれば、実装面に一の配列方向にて交互に配列され、それぞれ前記配列方向と直交する方向に延びる複数の基板側第1電極及び基板側第2電極を有する回路基板と、前記回路基板に実装され、前記実装面と対向する面に、複数の入出射部、並びに、前記入出射部の各々に対応して設けられた前記基板側第1電極に接続される素子側第1電極及び前記基板側第2電極に接続される素子側第2電極を有する光電変換アレイ素子と、前記回路基板に実装され、前記基板側第1電極及び前記基板側第2電極を通じて前記光電変換アレイ素子と接続されるICチップとを備え、前記回路基板は、前記基板側第1電極を相互に連結する連結部と、前記基板側第1電極及び前記連結部のうち一方に連なり、試験用の1つの第1電極用プローブとの接触に供される1つの第1電極用ランド部とを前記実装面に有する、光電変換モジュールの製造方法であって、前記光電変換アレイ素子の素子側第1電極及び素子側第2電極を前記回路基板の基板側第1電極及び基板側第2電極にそれぞれ接続した後であって、前記回路基板に前記ICチップを実装する前に、前記基板側第2電極の各々に第2電極用プローブを当接させるとともに、前記第1電極用ランド部に前記第1電極用プローブを当接させ、前記第1電極用プローブ及び前記第2電極用プローブを介して前記光電変換アレイ素子の動作を検査する工程を備える、光電変換モジュールの製造方法が提供される。本発明によれば、入出射部と同じ面に素子側第1電極及び素子側第2電極を有する光電変換アレイ素子を備え、光電変換アレイ素子の信頼性が容易に確保される光電変換モジュール、及び、光電変換モジュールの製造方法が提供される。以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図1は、光アクティブケーブル10の外観を概略的に示す斜視図である。光アクティブケーブル10は、光電気複合ケーブル11と、光電気複合ケーブル11の両端に取り付けられた光送信器12及び光受信器14とからなる。光アクティブケーブル10は、例えば、デジタルAV機器間の接続に適用される。図2は、光電気複合ケーブル11の一部とともに、光送信器12を拡大して示す斜視図である。光送信器12は例えば金属製のハウジング16を有し、ハウジング16は例えば箱形状を有する。ハウジング16の一端からは、シール部材18を介して光電気複合ケーブル11が延出する一方、ハウジング16の他端には、開口が形成されている。ハウジング16の開口内には、例えば1枚のリジッドな回路基板20の端部が位置している。回路基板20の端部は、デジタルAV機器に設けられたスロットに挿入可能である。図3は、光送信器12を分解して概略的に示す斜視図であり、ハウジング16は、例えば相互に分離可能な第1ケース16a及び第2ケース16bからなる。回路基板20は、例えばガラスエポキシ製のリジッドな基板であって、第2ケース16bに対して固定されている。回路基板20には、例えば銅等の金属からなる所定の導体パターンが形成されており、導体パターンは、回路基板20の端部に配置された複数の電極端子22を含む。電極端子22は、デジタルAV機器に設けられた電極端子と電気的に接続される。回路基板20には、信号処理用のLSI大規模集積回路23とともにコネクタ24が取り付けられている。光電気複合ケーブル11は、複数本の導線25を含み、導線25は、シール部材18を通じて、ハウジング16の内部まで延びている。そして、ハウジング16の内部に位置する導線25の先端部は、回路基板20に半田付けされている。コネクタ24及び導線25は、導体パターンを通じてLSI23に電気的に接続され、LSI23が電極端子22に電気的に接続されている。一方、光電気複合ケーブル11は、例えば4本の光ファイバー28を含み、光ファイバー28も、シール部材18を通じて、ハウジング16の内部まで延びている。そして、ハウジング16の内部に位置する光ファイバー28の先端は、一実施形態の光電変換モジュール26の一端に固定されている。光電変換モジュール光電変換モジュール26の他端はコネクタ24に接続される。光送信器12の光電変換モジュール26は、デジタルAV機器から受け取った電気信号を光信号に変換して光ファイバー28に伝送する機能を有する。なお、光受信器14の光電変換モジュール26は、光ファイバー28から受け取った光信号を電気信号に変換して、デジタルAV機器に伝送する機能を有する。図4は、光電変換モジュール26の第1ケース16a側を示す斜視図である。光電変換モジュール26は、FPC基板フレキシブルプリント回路基板30を含み、FPC基板30は、例えば、ポリイミド製の可撓性及び透光性を有するフィルム32と、フィルム32に設けられた例えば銅等の金属からなる導体パターンとからなる。なお透光性は、フィルム32に孔を形成することによって確保されていてもよい。FPC基板30の一方の面には、光ファイバー28が固定される側の端部に、シート状のポリマー光導波路部材34が一体に設けられている。ポリマー光導波路部材34の端部には、光ファイバー28の数に対応して、ストライプ状に4本の溝が形成され、各溝内に光ファイバー28の先端部が配置されている。また、FPC基板30一方の面には、ミラー部材36が接着剤を用いて固定されている。接着剤としては、例えば、熱硬化型樹脂又はUV硬化型樹脂を用いることができる。そして、ミラー部材36及びポリマー光導波路部材34上には、接着剤を用いて例えば金属やガラス製の補強板38が固定されている。なお図4において、補強板38は、一点鎖線にて示されている。図5は、光電変換モジュール26の第2ケース16b側を示す斜視図である。FPC基板30の導体パターンは、フィルム32の一端部に形成された複数の電極端子40を含み、電極端子40がコネクタ24に接続される。なお導体パターンは、例えば、フィルム32に成膜された金属膜をエッチングすることにより作製することができる。FPC基板30の他方の面には、所定の位置にIC集積回路チップ42及び光電変換アレイ素子44が例えばフリップチップ実装され、ICチップ42及び光電変換アレイ素子44は導体パターンに電気的に接続されている。光電変換アレイ素子44は、ICチップ42の一辺の近傍に沿うように並べられている。光送信器12の光電変換モジュール26では、光電変換アレイ素子44は、LDレーザダイオード等の発光素子であって、ICチップ42は、発光素子のための駆動回路を構成している。なお、光受信器14の光電変換モジュール26では、光電変換アレイ素子44は、PDフォトダイオード等の受光素子であって、ICチップ42は、受光素子からの電気信号を増幅する増幅回路を構成している。光電変換アレイ素子44は、面発光型若しくは面受光型であり、光電変換アレイ素子44は、自身の光の出射面若しくは入射面がFPC基板30の面と対向するように配置されている。図6は、図5のICチップ42及び光電変換アレイ素子44の周辺を拡大して概略的に示す平面図である。ICチップ42と光電変換アレイ素子44とは、FPC基板30の導体パターンの一部を構成する、それぞれ複数の基板側アノード電極46及び基板側カソード電極48を通じて電気的に接続されている。そして、ICチップ42は、導体パターンの一部を構成する複数の電極50を通じて、電極端子40と電気的に接続されている。図7は、図6中のVII-VII線に沿う、光電変換モジュール26の部分的な断面を概略的に示す図である。なお、図7において、補強板38は省略されている。ポリマー光導波路部材34は、アンダークラッド層52、コア54、及び、オーバークラッド層56を含む。アンダークラッド層52は、FPC基板30に積層され、光信号の進行方向から見た断面形状が四角形のコア54がアンダークラッド層52上を延びている。コア54の数は、光ファイバー28の数に対応して4本であり、4本のコア54は相互に離間して平行に配置され、光ファイバー28の先端部と同軸上に位置している。オーバークラッド層56は、アンダークラッド層52と協働してコア54を囲むように、アンダークラッド層52及びコア54の上に積層されている。アンダークラッド層52、コア54、及び、オーバークラッド層56の材料としては、特に限定されることはないが、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂及びポリイミド系樹脂等を用いることができる。コア54の両端は、ポリマー光導波路部材34において、溝の端面及びミラー面58と対向する端面にて表出している。そして、コア54の一端は、光ファイバー28の端部と当接して光学的に結合され、コア54の他端は、対向するミラー部材36のミラー面58と光学的に結合されている。ミラー面58は、光電変換アレイ素子44とコア54との間を延びる光路上に配置され、光路を90度曲げている。つまり、光路は、FPC基板30を貫通している。ミラー部材36は、例えば、樹脂を一体成形してから、樹脂の壁面に、ミラー面58を構成する金等の金属膜を蒸着して製造される。ICチップ42及び光電変換アレイ素子44は、それぞれ、例えばAu等からなるバンプ60,62,64を介して、電極50、基板側アノード電極46、及び、基板側カソード電極48に接続されている。ICチップ42及び光電変換アレイ素子44とFPC基板30との間には、隙間を埋めるように、透光性を有する樹脂からなる充填部材アンダーフィル66,68がそれぞれ設けられ、充填部材66,68は、FPC基板30に対するICチップ42及び光電変換アレイ素子44の接続強度を確保している。図8は、FPC基板30と対向する光電変換アレイ素子44の出射面を概略的に示す平面図である。光電変換アレイ素子44は、複数の光電変換要素70を一体に形成したアレイ素子であり、本実施形態では、光ファイバー28の数に対応して4つの光電変換要素70を含んでいる。各光電変換要素70は、出射面に、例えば2つの素子側カソード電極72と、素子側アノード電極74と、入出射部76とを有する。なお、素子側カソード電極72のうち一つは、ダミー電極であってもよい。各光電変換要素70は、発光素子である場合、素子側カソード電極72と素子側アノード電極74の間に電圧が印加されると、入出射部76から光を出射する。なお、光電変換アレイ素子44が受光素子である場合、受光素子は、入出射部76で光を受光する。図9は、FPC基板30の基板側カソード電極48及び基板側アノード電極46を拡大して示す概略的な平面図である。基板側カソード電極48及び基板側アノード電極46は、それぞれ帯状をなし、ICチップ42と光電変換アレイ素子44の離間方向に延びている。基板側カソード電極48及び基板側アノード電極46は、相互に平行であり、離間方向と直交する方向配列方向にて一定のピッチPeにて交互に配列されている。ピッチPeは、例えば約125μmである。ICチップ42側において、基板側カソード電極48及び基板側アノード電極46の端は揃っているが、光電変換アレイ素子44側では、基板側カソード電極48の端が、基板側アノード電極46の端を超えて延出している。そして、光電変換アレイ素子44側の基板側カソード電極48の端部は、基板側カソード電極48と一体の連結部78によって相互に連結されている。連結部78は、FPC基板30の導体パターンの一部を構成しており、基板側カソード電極48及び基板側アノード電極46の配列方向に延びている。連結部78は、例えば、基板側カソード電極48及び基板側アノード電極46よりも幅広の帯状をなしている。好ましくは、ICチップ42と光電変換アレイ素子44の離間方向でみて、即ち、基板側カソード電極48及び基板側アノード電極46が延びている方向でみて、連結部78と光電変換アレイ素子44とは離間している。このため、基板側カソード電極48間に区画される隙間79は、連結部78側において、光電変換アレイ素子44の外側まで延びて開口している。また、配列方向にて端に位置する基板側カソード電極48には、ICチップ42側に、例えば四角形のカソード電極用ランド部80が一体に形成されている。カソード電極用ランド部80は、基板側カソード電極48よりも幅広である。カソード電極用ランド部80も、FPC基板30の導体パターンの一部を構成しており、配列方向にて、外側に突出している。なお以下の説明では、基板側カソード電極48、連結部78及びカソード電極用ランド部80をまとめて、カソード電極パターンともいう。ここで、図9において、一点鎖線にて示した円82,84は、バンプ64,62によって、素子側カソード電極72,72及び素子側アノード電極74と接続される領域を示している。また、円86は、バンプ60によって、ICチップ42に接続される領域を示している。更に、円88は、バーンイン試験のためのプローブ探針の先端が当接させられる領域を示している。バーンイン試験以下、光電変換モジュール26の製造工程にて行われる、バーンイン試験の方法について説明する。バーンイン試験は、FPC基板30に光電変換アレイ素子44をフリップチップ実装し、充填部材68を充填した後であって、ICチップ42を実装する前に行われる。そして、バーンイン試験は、光電変換アレイ素子44が実装されたFPC基板30を恒温槽内に配置し、恒温槽を所定の温度にして行われる。図10は、FPC基板30における、光電変換アレイ素子44近傍を概略的に示す平面図である。図10に示したように、本実施形態では、5本のプローブ90の先端が、4つの基板側アノード電極46及びカソード電極用ランド部80にそれぞれ当接させられる。本実施形態では、好ましい態様として、5本のプローブ90が、基板側カソード電極48及び基板側アノード電極46の配列方向に沿って配列されている。プローブ90のピッチPpは、例えば、約250μmであり、基板側カソード電極48と基板側アノード電極46のピッチPeの2倍である。5本のプローブ90は、定電流電源92に接続されており、定電流電源92は、5本のプローブ90を通じて、4つの光電変換要素70の各々に対し、並列にて定電流を所定の時間供給して、バーンイン試験が実施される。バーンイン試験では、光電変換アレイ素子44の入出射部76から出射された光が監視されており、出射光の強度に応じて、試験結果の良否が判定される。つまり、4つの入出射部76のうち1つからでも光が出射されず、或いは、経時的に出射されなくなれば、所定の出射強度を満たさない光学変換素子44は不良品であると判定され、廃棄される。上述した一実施形態の光電変換モジュール26では、製造工程でバーンイン試験を行うことによって、不良の光電変換アレイ素子44が排除される。このため、光電変換モジュール26は、高い信頼性を有する。一方、この光電変換モジュール26のカソード電極パターンでは、複数の基板側カソード電極48が連結部78によって連結され、且つ、カソード電極用ランド部80が設けられている。このため、バーンイン試験の際、基板側カソード電極48については、基板側カソード電極48の数に拘わらず、1本のプローブカソード電極用プローブ90をカソード電極用ランド部80に当接させればよい。そして、基板側アノード電極46については、基板側カソード側電極48と基板側アノード電極46のピッチPeではなく、基板側アノード電極46同士のピッチにて、残りの4本のプローブアノード電極用プローブ90を当接させればよい。従って、このカソード電極パターンによれば、プローブ90を当接させるのが容易であり、バーンイン試験の実施が容易である。この結果として、この光電変換モジュール26では、光電変換アレイ素子44の信頼性の確保が容易である。また、バーンイン試験が短時間で行われるために生産性が高く、光電変換モジュール26は低コストにて提供される。上述した一実施形態の光電変換モジュール26では、好ましい態様として、連結部78が、光電変換アレイ素子44の端から離れており、隙間79が光電変換アレイ素子44の外側で開口している。このため、充填部材68を形成するときに、充填部材68の材料である樹脂が、開口を通じて、FPC基板30と光電変換アレイ素子44の隙間に容易に注入される。この結果として、この光電変換モジュール26は生産性が高い。本発明は、上述した一実施形態に限定されることはなく、一実施形態に変更を加えた形態も含む。例えば、上述した一実施形態の光電変換モジュール26では、基板側アノード電極46が、それぞれ一定の幅を有していたけれども、図11に示したように、プローブ90が当接させられる領域を幅広に形成し、アノード電極用ランド部94を設けてもよい。これにより、プローブ90を基板側アノード電極46に一層容易に当接させられる。なおこの場合、必要に応じて、図11に示したように、アノード電極用ランド部94と隣り合う基板側カソード電極48の領域を幅狭に形成してもよい。上述した一実施形態の光電変換モジュール26では、基板側カソード電極48の各々がICチップ42に接続されていたけれども、図12に示したように、1つのカソード電極用ランド部96を通じて、全ての基板側カソード電極48をICチップ42と接続してもよい。この場合、ICチップ42側の基板側カソード電極48の端は、基板側アノード電極46の端と揃っている必要はない。上述した一実施形態の光電変換モジュール26では、カソード電極用ランド部80は、好ましい態様として、5本のプローブ90を一列に配列できる位置に設けられていたが、他の位置に設けられていてもよい。例えば、カソード電極用ランド部80は、連結部78に連なっていてもよい。上述した一実施形態の光電変換モジュール26では、光電変換アレイ素子44が4つの光電変換要素70を含んでいたが、光電変換アレイ素子44は、2つ以上の光電変換要素70を含んでいればよい。最後に、本発明の光電変換モジュールは、光アクティブケーブル以外にも適用可能であり、また、デジタルAV機器以外に、ネットワーク機器、携帯電話、及び、パーソナルコンピュータ等にも適用可能であるのは勿論である。"