基板のエッジを処理するための装置であって、レーザビームを供給するためのレーザと、前記レーザビームを成形し且つ集束するための1つ又は複数のファイバ出力カプラーと、前記基板を回転させるための装置と、前記基板の上面エッジ、先端エッジ、下側エッジ、又は斜面エッジの2つ又はそれ以上に前記レーザビームを送るための光ファイバアセンブリとを含む、基板のエッジを処理するための装置。前記レーザの波長が190nmから770nmである、請求項1に記載の装置。前記レーザから前記レーザビームを受け取って2つ又はそれ以上の光ファイバに供給するように構成されたビームスプリッタを更に含む、請求項1に記載の装置。2つ又はそれ以上の出力カプラーが、回転する基板の2つ又はそれ以上のエッジにレーザビームを同時に送る、請求項3に記載の装置。2つ又はそれ以上の光ファイバへレーザビームを逐次に送るためのビーム切り替えデバイスを更に含む、請求項1に記載の装置。2つ又はそれ以上の出力カプラーが、前記基板の2つ又はそれ以上のエッジにレーザビームを逐次に送る、請求項5に記載の装置。前記出力カプラーが所定位置に固定されている、請求項4に記載の装置。前記出力カプラーが移動可能である、請求項4に記載の装置。単一の出力カプラーが、前記基板の2つ又はそれ以上のエッジに平行の且つ当該エッジから等距離のトラックに沿って移動可能である、請求項8に記載の装置。前記出力カプラーがレンズを含む、請求項4に記載の装置。前記レンズが集束レンズである、請求項10に記載の装置。前記レンズがビーム成形レンズである、請求項10に記載の装置。前記ビーム成形レンズが、アナモルフィック屈折要素を含む、請求項12に記載の装置。前記ビーム成形レンズが、回折光学要素を含む、請求項12に記載の装置。前記光ファイバアセンブリは、前記基板の2つ又はそれ以上のエッジが同時に露光されるように構成されている、請求項1に記載の装置。反応副産物を除去するために配置され、2つ又はそれ以上の位置に軸方向に移動可能である排気アセンブリを更に含む、請求項15に記載の装置。レーザ放射線にさらされている前記基板のエッジに流体の流れを送るために配置された噴射器アセンブリを更に含む、請求項15に記載の装置。前記装置が、スタンドアロンの半導体ウェハーエッジ処理システムの一部である、請求項1に記載の装置。前記光ファイバアセンブリが、半導体ウェハーエッジ処理システムで使用するためのモジュールへ組み込まれている、請求項1に記載の装置。基板のエッジを処理するための方法であって、光ファイバを介して、前記基板の上面エッジ、先端エッジ、下側エッジ、及び斜面エッジの2つ又はそれ以上にレーザ放射線のビームを加え、前記光ファイバ手段および前記基板を互いに対して移動させ、前記ビームが前記基板のエッジに加えられている間に、前記基板のエッジの反応領域に流体の流れを供給し、排気流により反応副産物を除去することを含む、方法。