"複数の絶縁層を厚さ方向に積層した多層基板と、該多層基板に設けられ巻線形状のループパターンからなるコイルと、前記多層基板に設けられ該コイルによる検出信号を伝送するための伝送線路部と、前記絶縁層を挟んで互いに絶縁された状態で対向した2個の平行平板電極パターンからなり前記コイルに直列接続されたコンデンサとを備え、前記コンデンサは、前記コイルおよび前記伝送線路部とは異なる位置に配置してなる磁界プローブ。前記コンデンサは前記コイルに複数個直列接続し、これら複数個のコンデンサは互いに異なる位置に配置してなる請求項1に記載の磁界プローブ。前記ループパターンは、前記多層基板の絶縁層を挟んで厚さ方向の異なる位置に複数個設けられ、厚さ方向で隣合うループパターンはビアホールを用いて互いに直列に接続する構成としてなる請求項1または2に記載の磁界プローブ。前記複数個のループパターンは、いずれも略同じ巻線形状に形成してなる請求項3に記載の磁界プローブ。ところで、特許文献1による磁界プローブでは、検出部のループパターンと伝送線路部との間に隙間を設け、この隙間によって容量を形成している。このため、容量の大小に応じて、検出部のインダクタンスや伝送線路部の特性インピーダンスに影響を与え易く、所望の周波数帯域で磁界の検出感度を向上させることが難しい傾向がある。本発明は上述した従来技術の問題に鑑みなされたもので、本発明の目的は、共振周波数を所望の周波数帯域に合わせることが容易な磁界プローブを提供することにある。上述した課題を解決するために、請求項1の発明による磁界プローブは、複数の絶縁層を厚さ方向に積層した多層基板と、該多層基板に設けられ巻線形状のループパターンからなるコイルと、前記多層基板に設けられ該コイルによる検出信号を伝送するための伝送線路部と、前記絶縁層を挟んで互いに絶縁された状態で対向した2個の平行平板電極パターンからなり前記コイルに直列接続されたコンデンサとを備え、前記コンデンサは、前記コイルおよび前記伝送線路部とは異なる位置に配置している。請求項2の発明では、前記コンデンサは前記コイルに複数個直列接続し、これら複数個のコンデンサは互いに異なる位置に配置している。請求項3の発明では、前記ループパターンは、前記多層基板の絶縁層を挟んで厚さ方向の異なる位置に複数個設けられ、厚さ方向で隣合うループパターンはビアホールを用いて互いに直列に接続する構成としている。請求項4の発明では、前記複数個のループパターンは、いずれも略同じ巻線形状に形成している。請求項1の発明によれば、絶縁層を挟んで互いに絶縁された状態で対向した2個の平行平板電極パターンによってコンデンサを構成すると共に、該コンデンサをコイルに直列接続したから、コイルとコンデンサとが直列共振する共振周波数の周辺帯域では高感度に磁界を検出することができる。また、コンデンサは、コイルおよび伝送線路部とは異なる位置に配置したから、コンデンサの平行平板電極パターンがコイルのループパターンや伝送線路部に重なり合うことがない。このため、コイルのインダクタンスや伝送線路部の特性インピーダンスに対するコンデンサの影響を抑制することができ、コンデンサの容量、コイルのインダクタンスおよび伝送線路部の特性インピーダンスを相互に独立して設定することができる。この結果、これらを容易に所望の値に設定することができ、共振周波数を所望の周波数帯域に合わせることができる。請求項2の発明によれば、コンデンサをコイルに複数個直列接続したから、複数個のコンデンサによる合成容量を小さくすることができる。このため、各コンデンサの容量を大きくすることができるから、それぞれの平行平板電極パターンを大きくすることができ、磁界プローブ毎に平行平板電極パターンの形状や配置等にばらつきが生じても、複数個のコンデンサの合成容量のばらつきを小さくすることができる。この結果、コイルとコンデンサとが直列共振する共振周波数のばらつきを抑制することができる。また、複数個のコンデンサは互いに異なる位置に配置したから、複数個のコンデンサ間で平行平板電極パターンが重なり合うことがなく、不要な容量の発生を抑制することができる。このため、複数個のコンデンサによる合成容量を所望の値に容易に設定することができ、予め設定した所望の周波数帯域の感度を向上させることができる。請求項3の発明によれば、多層基板には厚さ方向の異なる位置にループパターンを複数個設けると共に、厚さ方向で隣合うループパターンはビアホールを用いて互いに直列に接続する構成とした。このため、複数個のループパターンを直列接続して2回巻以上のコイルを構成することができ、1回巻のコイルに比べてインダクタンスを大きくして磁界の検出感度を高めることができる。請求項4の発明によれば、複数個のループパターンはいずれも略同じ巻線形状に形成したから、ループパターンが互いに異なる巻線形状となった場合に比べて、コイルのインダクタンスを大きくすることができる。以下、本発明の実施の形態による磁界プローブを添付図面を参照しつつ詳細に説明する。図1ないし図8は実施の形態による磁界プローブ1を示している。この磁界プローブ1は、例えば非磁性の絶縁材料からなる筒状のケース2に収容されると共に、信号処理回路3に電気的に接続されている。この信号処理回路3は、磁界プローブ1の検出部23に発生する電圧、電流等の検出信号に基づいて、検出部23の近傍に発生する磁界の検出を行う。また、磁界プローブ1は、後述する多層基板4、伝送線路部13、検出部23等によって構成されている。多層基板4は、互いに直交するX軸方向、Y軸方向およびZ軸方向のうち例えばX軸方向およびZ軸方向に対して平行に広がる平板状に形成されている。この多層基板4は、例えば6層の絶縁層5~10を厚さ方向となるY軸方向に積層することによって構成されている。このとき、多層基板4は、幅方向となるX軸方向に対して例えば数mm程度の幅寸法を有すると共に、長さ方向となるZ軸方向に沿って延び、その長さ寸法は例えば数cm程度になっている。また、各絶縁層5~10は、例えば絶縁性の樹脂材料を用いて層状に形成されている。そして、多層基板4の先端部4Aは、Z軸方向の一側図1中の下側に位置して後述の検出部23が設けられている。一方、多層基板4の基端側は、Z軸方向の他側図1中の上側に向けて延びている。多層基板4のうちY軸方向の両端側に位置する表面および裏面には、例えば導電性の金属薄膜からなるグランド電極11,12がそれぞれ設けられている。このグランド電極11,12は、例えば信号処理回路3等のグランドに接続されてグランド電位に保持されると共に、多層基板4のうちコンデンサ20,30およびコイル27が設けられた先端部4A側の部位を除いて多層基板4の略全面を覆っている。伝送線路部13は、図1および図2に示すように、多層基板4に設けられ、後述する検出部23と信号処理回路3との間を接続している。この伝送線路部13は、例えば導電性の金属薄膜等からなる細長い導体パターンとしてのストリップ導体14信号電極を有している。そして、伝送線路部13は、ストリップ導体14と多層基板4の両面に設けられたグランド電極11,12とからなるストリップ線路によって構成されている。なお、伝送線路部13は、ストリップ線路に限らず、例えば一方のグランド電極を省いたマイクロストリップ線路によって構成してもよい。ストリップ導体14は、絶縁層7,8の間に配置されると共に、多層基板4のうちX軸方向の中央部分に位置してZ軸に沿って直線状に延びている。このストリップ導体14の先端側は、X軸方向の一側に向けて斜めに傾斜して延びると共に、複数のビアホール15および接続パターン16を通じて後述の平行平板電極パターン21に電気的に接続されている。接続パターン16は、絶縁層6,7の間と絶縁層5,6の間にそれぞれ位置して、ストリップ導体14と同様な導体パターンによって形成され、Z軸方向に斜めに傾斜して延びている。絶縁層6,7の間に位置する接続パターン16の基端側は、ビアホール15を通じてストリップ導体14の先端側に接続され、絶縁層6,7の間に位置する接続パターン16の先端側は、ビアホール15を通じて絶縁層5,6の間に位置する接続パターン16の基端側に接続されている。また、絶縁層5,6の間に位置する接続パターン16の先端側は、グランド電極11,12よりも多層基板4の先端部4A側に位置して、ビアホール15を通じて平行平板電極パターン21の接続部21Bに接続されている。このように、複数の接続パターン16は、多層基板4の内部から表面に徐々に近付くように配置されている。これにより、複数の接続パターン16は、多層基板4の厚さ方向の中心側に位置するストリップ導体14と、多層基板4の表面に位置する平行平板電極パターン21との間を電気的に接続している。一方、グランド電極11,12は、複数のビアホール17,18および接続パターン19を通じて後述の平行平板電極パターン32に電気的に接続されている。接続パターン19は、絶縁層7,8の間、絶縁層8,9の間および絶縁層9,10の間にそれぞれ位置して、ストリップ導体14と同様な導体パターンによって形成され、Z軸方向に延びている。絶縁層7,8の間に位置する接続パターン19は、その基端側が多層基板4を厚さ方向に貫通するスルーホールビアとしてのビアホール17を通じてグランド電極11,12に接続され、その先端側がビアホール18を通じて絶縁層8,9の間に位置する接続パターン19の基端側に接続されている。また、絶縁層8,9の間に位置する接続パターン19の先端側は、絶縁層9,10の間に位置する接続パターン19の基端側に接続されている。さらに、絶縁層9,10の間に位置する接続パターン19の先端側は、グランド電極11,12よりも多層基板4の先端部4A側に位置して、ビアホール18を通じて平行平板電極パターン32の接続部32Bに接続されている。このように、複数の接続パターン19は、多層基板4の内部から裏面に徐々に近付くように配置されると共に、多層基板4を貫通するビアホール17を介してグランド電極11,12に電気的に接続されている。これにより、複数の接続パターン19は、多層基板4の両面に位置するグランド電極11,12と、多層基板4の裏面に位置する平行平板電極パターン32との間を電気的に接続している。第1のコンデンサ20は、2個の平行平板電極パターン21,22によって構成されている。第1のコンデンサ20は、伝送線路部13およびコイル27と異なる位置に配置されている。具体的には、第1のコンデンサ20は、Z軸方向のうちグランド電極11,12とループパターン24~26との間に位置して、グランド電極11,12およびループパターン24~26とは厚さ方向で重なり合わない部位に配置されている。平行平板電極パターン21は、絶縁層5の表面でグランド電極11よりも先端部4A側に配置され、導電性の金属薄膜を用いて形成されている。この平行平板電極パターン21は、図5に示すように、長方形状をなす平板部21Aと、平板部21AのX軸方向の一側図5中の左側から略直線状をなしてZ軸方向に延びた接続部21Bとによって構成されている。平板部21Aは、X軸方向とZ軸方向に広がる略長方形状に形成され、絶縁層5のうち中央部分よりもX軸方向の一側に配置されている。また、平板部21AにはZ軸方向の基端側図5中の上側に向けて延びた接続部21Bが接続されている。接続部21Bは、細長い電極パターンを用いて形成され、その一端側がビアホール15および接続パターン16を通じてストリップ導体14に電気的に接続されている。平行平板電極パターン22は、平行平板電極パターン21と厚さ方向で対向して絶縁層6と絶縁層7との間に配置されると共に、平行平板電極パターン21と同様に導電性の金属薄膜を用いて形成されている。この平行平板電極パターン22は、図5および図6に示すように、長方形状をなす平板部22Aと、平板部22AのX軸方向の一側図6中の左側から略直線状をなしてZ軸方向に延びた接続部22Bとによって構成されている。平板部22Aは、平行平板電極パターン21の平板部21Aと厚さ方向で対向した位置に配置されている。このため、平板部22Aは、X軸方向とZ軸方向に広がる略長方形状に形成され、絶縁層5のうち中央部分よりもX軸方向の一側に配置されている。また、平板部22AにはZ軸方向の先端側図5中の下側に向けて延びた接続部22Bが接続されている。接続部22Bは、細長い電極パターンを用いて形成され、後述するループパターン24に電気的に接続されている。なお、平行平板電極パターン21の平板部21Aは平行平板電極パターン22の平板部22Aとは互いに同じ大きさに形成してもよく、いずれか一方を大きく形成してもよい。例えば図5に示すように、平板部22Aを平板部21Aよりも大きく形成した場合には、製造時に平行平板電極パターン21と平行平板電極パターン22との間で位置ずれが生じても、互いの対向面積をほぼ一定に保持することができ、コンデンサ20の容量のばらつきを抑制することができる。検出部23は、多層基板4の先端部4Aに配置され、後述する3個のループパターン24~26によって構成されるコイル27を備えている。ループパターン24は、絶縁層6と絶縁層7との間に配置され、図5および図6に示すように、導電性の金属薄膜からなる細長い電極パターンを用いて形成されている。このループパターン24は、略四角形の枠状に形成されている。ループパターン24の一端側は、X軸方向の一側図6中の左側に位置して、Z軸方向に延びる接続部24Aとなっている。この接続部24Aは、平行平板電極パターン22の接続部22Bに連続して形成されている。また、ループパターン24の他端側には接続部24Bが設けられている。この接続部24Bは、接続部24AよりもX軸方向の他側図6中の右側に位置して、ビアホール28を通じて隣合うループパターン25に電気的に接続されている。そして、ループパターン24は、X軸方向とZ軸方向に延び、XZ平面に平行な略長方形の枠形状をなすと共に、絶縁層7を挟んでループパターン25と厚さ方向で対向している。ビアホール28は、厚さ方向でループパターン24,25の間に位置して、絶縁層7を貫通して、その内壁が例えば金属材料等の導体材料によって被覆されることによって形成されている。このビアホール28は、ループパターン24の接続部24Bおよびループパターン25の接続部25Aと対応した位置に配置され、ループパターン24およびループパターン25を電気的に直列接続している。ループパターン25は、絶縁層7と絶縁層8との間に配置され、図6および図7に示すように、例えばループパターン24と略同じ幅寸法をもった導電性の金属薄膜からなる細長い電極パターンを用いて形成されている。このループパターン25は、一部を切欠いた四角形の枠状をなすと共に、隣合うループパターン24と略同じ四角形の巻線形状に形成されている。また、ループパターン25は、その両端がX軸方向に離間して配置され、一端側から他端側に向けてループパターン24に沿って延びている。ループパターン25の一端側には、ループパターン24の接続部24Bと対向した位置に接続部25Aが設けられている。この接続部25Aは、ビアホール28を通じて隣合うループパターン24の接続部24Bに電気的に接続されている。一方、ループパターン25の他端側には接続部25Bが設けられ、この接続部25Bは、接続部25AよりもX軸方向の他側図7中の右側に位置している。接続部25Bは、ビアホール29を通じて隣合うループパターン26に電気的に接続されている。そして、ループパターン25は、ループパターン24と同様に、X軸方向とZ軸方向に延び、XZ平面に平行な略長方形の枠形状をなすと共に、絶縁層8を挟んでループパターン26と厚さ方向で対向している。ビアホール29は、厚さ方向でループパターン25,26の間に位置して、絶縁層8を貫通して、ビアホール28と同様に形成されている。このビアホール29は、ループパターン25の接続部25Bおよびループパターン26の接続部26Aと対応した位置に配置され、ループパターン25およびループパターン26を電気的に直列接続している。ループパターン26は、絶縁層8と絶縁層9との間に配置され、図7および図8に示すように、例えばループパターン25と略同じ幅寸法をもった導電性の金属薄膜からなる細長い電極パターンを用いて形成されている。このループパターン26は、一部を切欠いた四角形の枠状をなすと共に、隣合うループパターン25と略同じ四角形の巻線形状に形成されている。また、ループパターン26は、その両端がX軸方向に離間して配置され、一端側から他端側に向けてループパターン25に沿って延びている。ループパターン26の一端側には、ループパターン25の接続部25Bと対向した位置に接続部26Aが設けられている。この接続部26Aは、ビアホール29を通じて隣合うループパターン25の接続部25Bに電気的に接続されている。一方、ループパターン26の他端側は、接続部26AよりもX軸方向の他側図8中の右側に位置して、Z軸方向に延びる接続部26Bとなっている。この接続部26Bは、平行平板電極パターン31の接続部31Bに連続して形成されている。そして、ループパターン26は、ループパターン25と同様に、X軸方向とZ軸方向に延び、XZ平面に平行な略長方形の枠形状をなしている。なお、全てのループパターン24~26は同じ幅寸法を有すると共に、同じ巻線形状に形成してもよいが、一部のループパターンが異なる幅寸法を有してもよく、異なる巻線形状に形成してもよい。以上により、ループパターン24~26は、略同じ巻線形状に形成されると共に、多層基板4のX軸方向とZ軸方向に対して、略同じ位置に配置されている。これにより、ループパターン24~26は、略全長にわたって厚さ方向に対して互いに重なり合い、略3回巻3ターンのコイル27を構成している。このコイル27は、ループパターン24~26の内部を通過するY軸方向厚さ方向の磁界を検出し、磁束変化に応じた電圧等の検出信号を出力するものである。第2のコンデンサ30は、2個の平行平板電極パターン31,32によって構成されている。第2のコンデンサ30は、伝送線路部13、検出部23および第1のコンデンサ20と異なる位置に配置されている。具体的には、第2のコンデンサ30は、第1のコンデンサ20と同様に、Z軸方向のうちグランド電極11,12およびループパターン24~26との間に位置して、グランド電極11,12およびループパターン24~26とは厚さ方向で重なり合わない部位に配置されている。また、第2のコンデンサ30は、多層基板4のうちX軸方向の他側図8中の右側に位置して、平行平板電極パターン21,22とは厚さ方向で重なり合わない部位に配置されている。平行平板電極パターン31は、絶縁層8と絶縁層9との間に位置してグランド電極12よりも先端部4A側に配置され、平行平板電極パターン21,22と同様に導電性の金属薄膜を用いて形成されている。この平行平板電極パターン31は、図8に示すように、長方形状をなす平板部31Aと、平板部31AのX軸方向の他側図8中の右側から略直線状をなしてZ軸方向に延びた接続部31Bとによって構成されている。平板部31Aは、X軸方向とZ軸方向に広がる略長方形状に形成され、絶縁層9のうち中央部分よりもX軸方向の他側に配置されている。また、平板部31AにはZ軸方向の先端側図8中の下側に向けて延びた接続部31Bが接続されている。接続部31Bは、細長い電極パターンを用いて形成され、その一端側がループパターン26の接続部26Bに電気的に接続されている。平行平板電極パターン32は、平行平板電極パターン31と厚さ方向で対向して絶縁層10の裏面に配置されると共に、例えば平行平板電極パターン31と同様に導電性の金属薄膜を用いて形成されている。この平行平板電極パターン32は、図8に示すように、長方形状をなす平板部32Aと、平板部32AのX軸方向の他側図8中の右側から略直線状をなしてZ軸方向に延びた接続部32Bとによって構成されている。平行平板電極パターン32は、例えば平行平板電極パターン21とX軸方向の中心位置を通るZ軸方向と平行な直線に関して線対称な形状左,右対称な形状に形成されている。なお、平行平板電極パターン32は、平行平板電極パターン21と線対称な形状に限らず、非対称な形状に形成してもよく、任意の形状に形成することができる。平板部32Aは、平行平板電極パターン31の平板部31Aと厚さ方向で対向した位置に配置されている。このため、平板部32Aは、X軸方向とZ軸方向に広がる略長方形状に形成され、絶縁層10のうち中央部分よりもX軸方向の他側に配置されている。また、平板部32AにはZ軸方向の基端側図8中の上側に向けて延びた接続部32Bが接続されている。接続部32Bは、細長い電極パターンを用いて形成され、その一端側がビアホール17,18および接続パターン19を通じてグランド電極11,12に電気的に接続されている。これにより、コイル27およびコンデンサ20,30は、電気的に互いに直列接続されている。このとき、コンデンサ20の一端側は接続部21Bを通じて伝送線路部13のストリップ導体14に電気的に接続され、コンデンサ20の他端側はコイル27の一端側に電気的に接続されている。コイル27の他端側は、コンデンサ30の一端側に電気的に接続されている。コンデンサ30の他端側は、接続部32B等を通じてグランド電極11,12に電気的に接続されている。なお、平行平板電極パターン31の平板部31Aは平行平板電極パターン32の平板部32Aとは互いに同じ大きさに形成してもよく、いずれか一方を大きく形成してもよい。本実施の形態による磁界プローブ1は上述の如き構成を有するもので、次にその作動について説明する。まず、磁界プローブ1の先端部4Aを、測定対象例えば被測定基板の表面に近接した状態で配置する。そして、磁界プローブ1を測定対象の表面上で移動させる。ここで、磁界プローブ1の近傍に位置して測定対象の表面にY軸方向の磁界が発生すると、この磁界は検出部23のループパターン24~26等の内部を通過する。これにより、例えばコイル27に検出信号としての電圧が生じるため、この電圧を検出することによって、測定対象の表面に生じる磁界を検出することができる。然るに、本実施の形態では、絶縁層5,6を挟んで互いに絶縁された状態で対向した平行平板電極パターン21,22によってコンデンサ20を構成すると共に、絶縁層9,10を挟んで互いに絶縁された状態で対向した平行平板電極パターン31,32によってコンデンサ30を構成した。これに加え、これらのコンデンサ20,30をコイル27に直列接続したから、コイル27とコンデンサ20,30とが直列共振する共振周波数の周辺帯域では高感度に磁界を検出することができる。また、コンデンサ20,30は、コイル27および伝送線路部13とは異なる位置に配置したから、コンデンサ20,30の平行平板電極パターン21,22,31,33がコイル27のループパターン24~26や伝送線路部13に重なり合うことがない。このため、コイル27のインダクタンスや伝送線路部13の特性インピーダンスに対するコンデンサ20,30の影響を抑制することができ、コンデンサ20,30の容量、コイル27のインダクタンスおよび伝送線路部13の特性インピーダンスを相互に独立して設定することができる。この結果、これらを容易に所望の値に設定することができ、共振周波数を所望の周波数帯域に合わせることができる。また、コンデンサ20,30はコイル27に複数個直列接続したから、複数個のコンデンサ20,30の合成容量を小さくすることができ、この合成容量のばらつきを抑制することができる。即ち、各コンデンサ20,30の容量を大きくすることができるから、それぞれの平行平板電極パターン21,22,31,32を大きな面積をもって形成することができ、磁界プローブ1毎に平行平板電極パターン21,22,31,32の形状や配置等にばらつきが生じても、複数個のコンデンサ20,30の合成容量のばらつきを小さくすることができる。この結果、コイル27とコンデンサ20,30とが直列共振する共振周波数のばらつきを抑制することができ、予め設定した所望の周波数帯域の感度を向上させることができる。また、2個のコンデンサ20,30は互いに異なる位置に配置したから、コンデンサ20の平行平板電極パターン21,22とコンデンサ30の平行平板電極パターン31,32とが重なり合うことがなく、不要な容量の発生を抑制することができる。このため、2個のコンデンサ20,30による合成容量を所望の値に容易に設定することができ、予め設定した所望の周波数帯域の感度を向上させることができる。また、多層基板4には厚さ方向の異なる位置にループパターン24~26を複数個設けると共に、厚さ方向で隣合うループパターン24~26はビアホール28,29を用いて互いに直列に接続する構成とした。このため、複数個のループパターン24~26を直列接続して2回巻以上のコイル27を構成することができ、1回巻のコイルに比べてインダクタンスを大きくして磁界の検出感度を高めることができる。さらに、複数個のループパターン24~26はいずれも略同じ巻線形状に形成したから、ループパターン24~26が互いに異なる巻線形状となった場合に比べて、コイル27のインダクタンスを大きくすることができる。なお、前記実施の形態では、2個のコンデンサ20,30をコイル27に直列接続した場合を例に挙げて説明したが、3個以上のコンデンサをコイルに直列接続する構成としてもよい。この場合、コンデンサの構成位置は、厚さ方向に配置された複数個のループパターンのうちいずれのループパターン間に配置してもよい。また、2個のコンデンサ20,30のうちいずれか一個を省いて、1個のコンデンサをコイルに直列接続する構成としてもよい。また、前記実施の形態では、ループパターン24~26は略四角形に形成したが、例えば三角形、五角形等の他の多角形状としてもよく、円形、半円形、楕円形等に形成してもよい。また、ループパターン24~26を直列接続して略3回巻のコイル27を形成したが、1回巻または2回巻のコイルでもよく、4回巻以上のコイルを形成してもよい。"