X線導波路と、前記X線導波路から出射されるX線を照射する試料を支持するための試料ホルダーとを有するX線光学システムであり、前記X線導波路が物質の屈折率実部が1以下となる波長帯域のX線を導波させるためのコアとクラッドからなり、前記コアが屈折率実部が異なる複数の物質が周期的に配列された周期構造からなり、前記周期構造が導波路のX線の導波方向に垂直な面内において1次元または2次元の屈折率実部の周期性を有し、前記周期構造におけるX線に対する前記周期性に起因するブラッグ角が、前記コアとクラッドの界面における全反射臨界角よりも小さく、前記周期構造をなす複数の物質に存在する界面での全反射臨界角よりも大きくなるように構成されていることを特徴とするX線光学システム。前記試料ホルダーの位置を制御し、前記X線導波路から出射されるX線に対する前記試料の相対的な位置を制御するための試料駆動手段を具備することを特徴とする請求項1に記載のX線光学システム。前記試料から出射されるX線を検出するための検出手段と、前記検出手段により検出されるX線の情報を解析するための解析手段を具備することを特徴とする請求項1または2に記載のX線光学システム。前記試料と前記検出手段との間に分光手段を具備することを特徴とする請求項3に記載のX線光学システム。前記コアが、屈折率実部が異なる物質が1次元方向に周期的に繰り返された周期性多層膜であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかの項に記載のX線光学システム。前記コアが、周期性メソ構造体材料よりなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかの項に記載のX線光学システム。しかしながら、特許文献1のポリキャピラリを用いたガイドチューブを集光素子とした光学システムでは、集光素子が大きいためシステムそのものが大型となることや、集光スポットを小さくできない、試料に照射されるX線ビームのコヒーレンスが低いなどの問題がある。また、特許文献2のフレネルゾーンプレートの原理を用いたX線導波路では、X線の導波方向および導波路素子の面に垂直な方向における、導波路のコアのサイズが小さいのでX線ビームの強度が小さいものとなる。また、面内型のフレネルゾーンプレートの原理を用いたX線導波路の作製過程自体が複雑なものとなる。集光素子を用いてX線の微小スポット領域を形成する方法を用いた光学系には、上記のような課題が存在する。本発明は、この様な背景技術に鑑みてなされたものであり、試料の任意の微小領域にX線を照射することがでる、小型で簡易な構成のX線光学システムを提供するものである。上記の課題を解決するX線光学システムは、X線導波路と、前記X線導波路から出射されるX線を照射する試料を支持するための試料ホルダーとを有するX線光学システムであり、前記X線導波路が物質の屈折率実部が1以下となる波長帯域のX線を導波させるためのコアとクラッドからなり、前記コアが屈折率実部が異なる複数の物質が周期的に配列された周期構造からなり、前記周期構造が導波路のX線の導波方向に垂直な面内において1次元または2次元の屈折率実部の周期性を有し、前記周期構造におけるX線に対する前記周期性に起因するブラッグ角が、前記コアとクラッドの界面における全反射臨界角よりも小さく、前記周期構造をなす複数の物質に存在する界面での全反射臨界角よりも大きくなるように構成されていることを特徴とする。本発明によれば、試料の任意の微小領域にX線を照射することがでる、小型で簡易な構成のX線光学システムを提供することができる。以下、本発明を詳細に説明する。本発明のX線光学システムは、X線導波路と、前記X線導波路から出射されるX線を照射する試料を支持するための試料ホルダーとを有するX線光学システムである。前記X線導波路が物質の屈折率実部が1以下となる波長帯域のX線を導波させるためのコアとクラッドからなる。また、前記コアが屈折率実部が異なる複数の物質が周期的に配列された周期構造からなり、前記周期構造が導波路のX線の導波方向に垂直な面内において1次元または2次元の屈折率実部の周期性を有している。さらに、前記周期構造におけるX線に対する前記周期性に起因するブラッグ角が、前記コアとクラッドの界面における全反射臨界角よりも小さく、前記周期構造をなす複数の物質に存在する界面での全反射臨界角よりも大きくなるように構成されていることを特徴とする。本発明のX線光学システムは、X線分析技術、X線撮像技術、X線露光技術などにおけるX線光学系において、試料の任意の微小領域にX線を照射しうる、小型で簡易な構成のX線光学システムである。本発明において、X線とは物質の屈折率実部が1以下となる波長帯域の電磁波である。具体的には、本発明におけるX線とは、極端紫外光ExtremeUltraVioletEUV光を含む100nm以下の波長の電磁波を指す。またこのような短い波長の電磁波の周波数には、非常に高く物質の最外殻電子が応答できないため、紫外光の波長以上の波長をもつ電磁波可視光や赤外線の周波数帯域と異なり、X線に対しては物質の屈折率の実部が1より小さくなることが知られている。このようなX線に対する物質の屈折率nは一般的に、下記の式1で表されるように、実数部の1からのずれ量δ、吸収に関係する虚数部のを用いて表される。δは物質の電子密度ρeに比例するため電子密度の大きい物質ほど屈折率の実部が小さくなることになる。また、屈折率実部は、となる。さらに、ρeは原子密度ρaと原子番号Zに比例する。このようにX線に対する物質の屈折率は複素数で表されるが、その実部を本明細書中では屈折率実部または屈折率の実部と称し、虚部を屈折率虚部または屈折率の虚部と称する。本発明において導波モードの位相がそろうということは、導波方向に垂直な面内での電磁場の位相差が0であるということだけではなく、周期構造の空間的な屈折率分布に対応して電磁場の位相差が周期的に-πとπの間で変化していることをも意味する。本発明のX線光学システムを構成するX線導波路は、コアとクラッドの界面における全反射によりX線をコアに閉じ込めてX線を導波させるものであり、X線の導波方向は直交座標系を用いてz方向と定義する。本発明のX線導波路において、コアとクラッドの界面付近におけるコアの屈折率実部がクラッドの屈折率実部より大きく、コアとクラッドの界面における全反射臨界角よりも小さい角度でコアとクラッドの界面に突入するX線は、この界面で全反射されてコア中に閉じ込められる。このときの全反射臨界角を、導波方向に平行かつコアとクラッドとの界面に垂直な面内における界面の角度として、θCと表す。クラッドとコアの界面におけるクラッド側の物質の屈折率実部をnclad、コア側の物質の屈折率実部をncoreとした場合の、膜の面に平行な方向からの全反射臨界角θC°は、nclad<ncoreとして、下記の式2で表される。ただし、本発明におけるX線導波路のコアは、周期構造でありその周期、要素構造が非常に小さい。そのために、式2におけるncoreは、クラッドとコアの界面におけるコア側の物質の厳密な屈折率実部に等しいわけではなく、厳密な屈折率実部と周期構造全体での平均的な屈折率実部との間の値をとると考えることができる。また本発明のX線導波路は、X線の導波方向に垂直な面において、クラッドがコアを挟むように、またはクラッドがコアを取り囲むように、クラッドとコアが配置されている構成からなる。図1は、本発明におけるX線導波路の一実施態様を示す概略図である。図1は、クラッドがコアを挟むように構成されている場合の例を表す。図は、z方向として本明細書中で定義した導波方向に垂直な面における、導波路の断面図であり、コア101をクラッド102とクラッド103が挟んで導波路を構成している。このことにより、クラッドとコアの界面で全反射臨界角以下で反射するX線を全反射により、1次元方向においてコアに閉じ込めてX線を導波することが可能である。図2は、本発明におけるX線導波路の他の実施態様を示す概略図である。図2は、クラッドがコアを取り囲むように配置されている場合の例を説明する図である。図2は、X線の導波方向であるz方向に垂直な面すなわち、図中x-y面に平行な面でのX線導波路の断面を表す例である。X線の導波方向に垂直な面においてクラッドがコアを取り囲むということは、コア201中の任意の一点である点Aとコア201外の任意の一点である点Bを結ぶ線分ABを基準として、線分ABと角度ψをなす半直線をACとした場合、0°から360°のすべてのψに対して、半直線ACがクラッド202と交わるということを意味する。このことにより、クラッドとコアの界面で全反射臨界角以下で反射するX線を全反射により、2次元方向においてコアに閉じ込めてX線を導波することが可能である。本発明におけるX線導波路のコアは、屈折率実部の異なる複数の物質が周期的に配置されたものである。このようなX線導波路において、周期性の影響が大きい周期共鳴導波モードが存在する。本明細書中において周期共鳴導波モードとは、X線の周期構造による多重回折の結果、X線が周期構造と強く共鳴する導波モードである。周期共鳴導波モードは、周期構造と共鳴するモードであり、周期構造が1次元のものであれば1次元の、2次元のものであれば最大で2次元の、3次元のものであれば最大で3次元のブラッグ回折に関係するものとなる。また本発明のX線導波路のコアとクラッドは、導波方向に垂直な少なくとも一つの方向における、周期構造の周期性に起因するブラッグ角が、クラッドとコアの少なくとも1つの界面における全反射臨界角よりも、小さくなるように構成されている。このことにより、ブラッグ回折に起因する周期構造と共鳴する導波モードをコアとクラッドの界面における全反射によりコアに閉じ込め、周期共鳴導波モードを形成することができる。図3は、本発明におけるX線導波路の他の実施態様を示す概略図である。図3は、1次元の周期構造の場合の例を示す。X線の導波方向は図中z方向であり、図3は本例のX線導波路の一部を示すものである。コア301は屈折率実部が小さい物質からなる低屈折率実部層304と屈折率実部が大きい物質からなる高屈折率実部層305からなる要素構造303が周期dで周期的にy方向に複数積層された構造で、1次元周期構造となっている。y方向において、クラッド302がコア301を挟みこむように配置されている。y方向においてX線に対する周期性の影響が最も強くなる。306はコア301とクラッド302の界面においてこの界面から測られた全反射臨界角θCを示しており、この全反射臨界角θCよりも小さな角度で界面において反射されるコア中のX線は全反射され、y方向において閉じ込められることになる。このようにして閉じ込められたX線は、y-z面に平行な方向において導波モードを形成し、それぞれの導波モードの基本波はそれぞれ異なる有効伝搬角度をもつ。図4は、本発明におけるX線導波路中の導波モードの基本波の波数ベクトルを説明する図である。図4に示すように、コア中での各導波モードの波数ベクトルのz成分、つまり伝搬定数をkz、真空中での波数ベクトルをk0とした場合、有効伝搬角度を、と定義する。つまり、有効伝搬角度は、おおよそ導波モードの基本波と導波方向のなす角度であると考えることができる。そして、形成される各導波モードの基本波はコアとクラッドとの界面においてほぼ有効伝搬角度で反射されるものと考えることができ、目的とする導波モードを形成するためには、その有効伝搬角度がθcよりも小さくなくてはならないことがわかる。本明細書中の基本波とは、導波モードを形成している電磁波を一般化して一つの平面波として考えた場合に、導波方向z方向に対して、有効伝搬角度で伝搬すると仮定される電磁波のことである。また、図4中において、導波方向z方向と垂直な方向における基本波の波数ベクトルを波数ベクトルの垂直成分k⊥と称することとする。本発明のX線導波路において用いる導波モードは周期共鳴導波モードであり、この周期共鳴導波モードの有効伝搬角度は周期構造の周期性に起因するブラッグ角θBに近い値となる。そのため、周期共鳴導波モードを形成するためには、周期構造の周期性に起因するブラッグ角が、クラッドとコアの少なくとも1つの界面における全反射臨界角θCよりも小さくなるなるように、クラッドとコアの構成は、θB<θCという条件を満たさなくてはならない。さらに、要素構造をなす異なる屈折率実部をもつ物質界面においてX線が、全反射されてはならない。つまり、要素構造をなす異物質界面での全反射臨界角をθC-multiとした場合、θC-multi<θBでなくてはならない。以上のように、本発明のX線導波路は、特定の方向において、θB<θCおよびθC-multi<θBを満たすように、各物質が選択され、構成されている。このことにより、周期共鳴導波モードを形成してX線を導波することができる。図5は、本発明におけるX線導波路中の導波モードの損失に関するグラフである。図5は例として、周期構造の周期数が25の場合の図4の構成のX線導波路中に形成される導波モードの損失を、各導波モードのもつ有効伝搬角度に対してプロットしたグラフである。導波モードの損失は伝搬定数の虚部Im[kz]に比例するので、縦軸をIm[kz]としてある。502はブラッグ反射の角度帯域に相当し、503は導波モードのもつ有効伝搬角度帯域、504はクラッドとコアとの界面での全反射臨界角を超える放射モードの角度帯域に相当する。周期共鳴導波モードの損失501は周期共鳴導波モードの有効伝搬角度周辺の有効伝搬角度を有する他の導波モードの損失に比較して非常に小さくなる。そのため、θB<θCおよびθC-multi<θBを満たす構成のX線導波路中において、周期共鳴導波モードが導波モードとして支配的なものとなり、非常に損失の小さいX線の導波が可能である。本発明では周期構造を利用することによりコアの領域を大きくすることができるとともに、より損失の低い周期共鳴導波モードを特定の方向における単一の導波モードとして形成することができる。本明細書中で、モードにかかる単一のという表現の意味するところは、他のモードに比較して最も選択されやすいため、単一に近いとかほぼ単一ということに相当し、いくつかのモードの中で一つが支配的になるということである。図6は、本発明におけるX線導波路中と、周期共鳴導波モードの電場分布を説明する図である。図6aでは、コア601が屈折率実部の大きい物質屈折率虚部が小さい物質604と屈折率実部が小さい物質屈折率虚部が大きい物質603からなる要素構造605が1次元周期的に積層されたものからなる。図6aは、前記コア601として、コア601を挟み込むクラッド602が設けられたX線導波路の例であり、θB<θCおよびθC-multi<θBを満たすように構成されている。また図6aは、構成がわかりやすいように、、周期構造の周期数が少ない場合を描いたものである。図6bのグラフは、図6aのX線導波路中に形成される周期共鳴導波モードの電場の実部の分布を実線606で表す図であり、y軸は図6aと対応させてある。図6からわかるように、周期共鳴導波モードの電場は、コア601中の屈折率実部が大きい物質603つまり吸収損失の小さい物質中に集中する。この際、電場の位相はyの変化に伴い、周期構造の周期と同期して変化し、πと-πの間で周期的に変化し、屈折率虚部が大きい物質中において位相が0となる。すなわち、周期共鳴導波モードは空間的に位相がそろった導波モードであるということができる。また、図6b中の点線607で表わされる周期共鳴導波モードの電場分布の包絡関数は、コア中央付近でより電場が強くなることを示す形状となり、、クラッドへのしみ出しが小さくなり、より損失が下がるものとなる。また、周期数を増やすことによりクラッドへの染み出しをより低減することができる。これらにより、周期共鳴導波モードの損失は非常に小さいものとなる。導波方向に垂直な方向において導波路の構成がより対称性の高いものであれば、図6bのように、周期共鳴導波モードの包絡曲線はコア中央付近で電場が大きくなることを示す形状となるが、導波路の構成を対称構造からずらすことにより、電場の大きくなる位置をコア中で変化させることも可能である。周期共鳴導波モードとして伝搬するX線が導波路の端面から出射された場合、その出射X線の発散角は非常に小さくなる。図7は、本発明におけるX線導波路から出射されるX線の遠視野領域における電場強度を回折角に対して表したグラフである。図7は、例として、周期18ナノメートルで周期数50の1次元周期構造をコアとするX線導波路から出射されるX線の遠視野領域での電場強度を発散角に対してグラフ化したものを示す。701、702が遠視野領域で得られる電場強度分布の主ピークであり、それぞれの半値幅は約0.015°であり、非常に小さな発散角となる。このことにより、周期共鳴導波モードを形成可能なX線導波路を用いれば、特別な集光光学系を用いなくても十分小さな領域を照射可能なX線を形成することができることがわかる。図8は、本発明におけるX線導波路から出射されるX線の遠視野領域における電場強度を位置に対して表したグラフである。図8には、同様のX線導波路から出射されるX線が、導波路の出射端面から距離1センチメートルでのy方向での電場分布を示す。出射されるX線の発散角が小さいことにより、出射端面から遠視野領域まで離れた距離においても、出射X線のピークの半値幅は数マイクロメートルと、非常に微小なものとなる。例えば、このX線を距離1センチメートルの試料に直接照射することにより、試料の微小領域だけを照射することができることになる。X線の導波方向に垂直な面内における周期構造が2次元的なものである場合は、1次元の場合と同様の考え方により、2次元の周期性に起因する2次元方向で制御された周期共鳴導波モードを形成することができる。この場合、周期構造の周期性が2次元であるので、形成可能な周期共鳴導波モードは1次元、または2次元の方向で制御されたものである。導波モードの励起の仕方にもよるが、特に、コアを取り囲むようにクラッドを配置し、2次元方向においてX線をコアに閉じ込める場合には、2次元の周期共鳴導波モードが導波モードとして支配的になる。2次元の周期共鳴導波モードは、1次元の周期共鳴導波モードの場合と同様に、導波方向に垂直な面内において、周期構造の屈折率実部が大きい物質中に、より集中する電場分布を有し、この分布は周期構造の2次元の周期性に一致した周期性をもつものとなる。1次元の周期共鳴導波モードの電場の遠視野パターンは、周期構造の周期性のある方向と同じ1次元の方向において、発散角が非常に小さなものとなる。2次元の周期共鳴導波モードの電場の遠視野パターンは、周期構造のもつ2次元の周期性に依存するので、遠視野領域において、導波方向に垂直な面内で2次元方向において非常に小さな発散角をもつ。これは、導波路からの出射X線が遠視野領域のx-y面内で小さなスポット状の電場分布をもつことを意味し、試料の任意の微小領域にX線を照射可能であることを意味する。図9は、本発明のX線光学システムの一実施態様を表す概略図である。本発明のX線光学システムは、上記のX線導波路916と、前記X線導波路から出射されるX線を照射する試料908を支持するための試料ホルダー909とを有することを特徴とする。試料ホルダー909には、試料ホルダー909の位置を制御する試料駆動手段910が設けられている。試料駆動手段910は、入射X線901が入射したX線導波路916から出射される出射X線920に対する前記試料の相対的な位置を制御する。さらに、試料ホルダー909に支持されている試料908を通過して出射される出射X線を検出するための検出手段914と、前記検出手段914により検出されるX線の情報を解析するための解析手段915を具備している。前記試料と前記検出手段との間に分光手段921を具備することが好ましい。本発明のX線光学システムが試料ホルダー909を具備していることにより、上記X線導波路から出射される発散角の小さいX線を試料ホルダーに支持された試料の微小領域に照射することができる。また、本発明のX線光学システムの試料ホルダーに、X線導波路から出射されるX線に対する、試料の相対的な位置を制御するための試料駆動手段910を設けることにより、試料の任意の微小領域にX線を照射することができる。さらに、試料駆動手段を用いて、X線導波路から出射されるX線に対して相対的に、試料を走査させることにより、試料に対してX線を走査しながら照射することができる。この場合の走査は、ラスタースキャンに限らず、任意の場所をなぞるように移動させることを一般的に指す。つまり、試料のうちの必要とされる領域にだけ、X線を照射することが可能である。駆動手段の例としては、ピエゾ素子、ピエゾドライバ、ピエゾドライバーを制御するためのコンピューターからなるものなどが挙げられる。その他、ピエゾ素子以外に、ステッピングモーターなどを用いたものによっても、駆動手段を構成可能である。また、試料の微小領域に照射され、試料から出射されるX線を検出するための検出手段914と、前記検出手段により検出されるX線の情報を解析するための解析手段915を、本発明のX線光学システムに設けることにより、試料のX線が照射された任意の微小領域の構造や物性の情報を得ることができる。検出手段の例としては、アバランシェフォトダイオードや、CCD電荷結合素子、ChargeCoupledDevice検出器、2次元CCDアレイデバイスなどが挙げられる。これら検出手段により得られる情報をコンピューターなどを用いた解析手段により解析することにより、検出されるX線の強度や位相情報を得ることができ、試料のX線が照射された領域の構造や物性を知ることが可能となる。また、前記試料と前記検出手段との間に分光手段921を本発明のX線光学システムに設けることにより、試料から出射されるX線のエネルギースペクトルを得ることができる。分光手段としては、試料から出射されるX線の平均的な伝搬方向に平行でない方向において、回転可能な、多層膜反射鏡などが挙げられる。分光手段により空間的に分光されたX線を例えば、2次元CCDアレイデバイスで検出することにより、試料から出射されるX線のエネルギースペクトルを得ることができる。本発明のX線光学システムを構成するX線導波路のコアをなす1次元の周期構造としては、屈折率実部の大きい材料と屈折率実部の小さい材料を交互に積層した1次元周期多層膜や、1次元方向の周期性を定義できるそれ以外の周期構造が挙げられる。つまり、周期性のある一方向だけに着目すれば2次元、3次元の周期構造なども1次元周期構造として用いることができる。前記コアが、屈折率実部が異なる物質が1次元方向に周期的に繰り返された周期性多層膜であることが好ましい。また、前記コアが、周期性メソ構造体材料よりなることが好ましい。1次元の周期多層膜としては、屈折率実部の大きい材料として、カーボンC、ボロンカーバイトB4C、ボロンナイトライドBN、ベリリウムBeなど、屈折率実部の小さい材料として、酸化アルミニウムAl2O3、酸化マグネシウムMgO、シリコンカーバイトSiC、シリコンナイトライドSi3N4、酸化チタンTiO2などを用い、屈折率実部の大きい材料と屈折率実部の小さい材料を交互に積層したものや、自己組織化プロセスにより作製される周期性メソ構造体材料が挙げられる。1次元の周期性メソ構造体材料としては、シリカSiO2と有機物が薄膜の面に垂直な方向に周期的に配列したものや、面に垂直な方向に周期性をもつ面内での配向性をもたない2次元のメソポーラス材料などが挙げられる。また、2次元の周期構造としては、上記屈折率実部の小さい材料と大きい材料をスパッタ法などにより交互に周期的に積層したものを、電子線リソグラフィー、エッチングなどの半導体プロセスにより面内で周期的なパターニングをしたものや、1軸配向性の2次元周期性メソ構造体材料などが挙げられる。さらに、3次元の周期構造としては数ナノメートルから数10ナノメートルの直径をもつ空洞または3次元周期性メソ構造体材料や、その他の材料としては、例えば、直径約50ナノメートルほどのポリスチレン球が自己組織的に六方細密充填構造で配列したいわゆる3次元周期構造の人工オパール構造などが挙げられる。周期共鳴導波モードを形成するための周期構造の周期は、導波路を構成している複数の材料の屈折率の関係にもよるが、約9ナノメートル以上が望ましい。周期性メソ構造体は、界面活性剤を用いたゾルゲル法により作製されるもので、元となる材料、これを含む溶液の濃度、環境条件などにより、その周期性が1次元、2次元、3次元と制御される。1次元の周期性メソ構造体をなす物質としては、有機物と無機物質が交互に積層されている多層膜構造が主流である。2次元の周期性メソ構造体材料としては、無機物質中に1方向にのびる孔が、この1方向に垂直な面内で1次元または2次元周期的に配列した構造をもつ材料である。孔内の材料は主に、有機物または空気であるが、金などの無機物とすることもできる。3次元の周期性メソ構造体材料としては、無機物中で、有機物または空気の微小領域が3次元の周期構造を形成している材料となる。微小領域の物質を金などの無機物や別の有機物とすることもできる。上記周期性メソ構造体材料をなす無機物の例としては、酸化ケイ素、酸化スズ、酸化ジルコニア、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化アルミニウム、酸化タングステン、酸化ハフニウム、酸化亜鉛を挙げることができる。周期共鳴導波モードを形成する条件であるθB<θCおよびθC-multi<θBを満たすために、クラッドをなす物質の屈折率実部が、コアをなす複数の物質のすべての物質の屈折率実部よりも小さくなるように、コアをなす物質に対してクラッドをなす物質を選ぶ必要がある。このようにして選ぶ限り多くの物質をクラッドをなす物質として選択することが可能である。コアをなす物質によるものであるが、クラッドをなす物質としては電子密度の高い物質を選択することにすると、例えば、金Au、タングステンW、チタンTi、白金Pt、ニッケルNiなど数多くの種類の物質をクラッドとして用いることが可能である。実施例1図10は、本発明の実施例1にかかるX線光学システムを表す概略図である。901は入射X線であり、光子エネルギーを8キロエレクトロンボルトとする。X線導波路916は、シリコン基板902上にスパッタ法により作製されたもので、厚さ約20ナノメートルのタングステンからなる下部クラッド903と上部クラッド904により、周期構造であるコア905が挟まれた構造となっている。上部クラッド904は図中導波領域919において、厚さが約20ナノメートル、結合領域918において厚さが約2ナノメートルであり、入射X線を導波方向図中z方向に対して導波路上方から角度θ°をなすように入射し、結合領域918においてコアへしみだすエバネッセント波を用いて、入射X線を周期共鳴導波モードに結合する。X線の入射時における反射X線を除去するため、導波領域919の上部にストッパーとなる鉛ガラス917を設けてある。入射角度θ°を、周期構造におけるブラッグ角に近い周期共鳴導波モードの有効伝搬角度である約0.35°に近くなるように設定することにより、X線を周期共鳴導波モードへを効率よく結合することができる。X線導波路916のコア905をなす周期構造は、厚さ約12ナノメートルのボロンカーバイトB4C906と厚さ約3ナノメートルの酸化アルミニウムAl2O3907が交互に積層され、周期は約15ナノメートル、周期数は100である。このX線導波路から出射されるX線が遠視野において形成する主ピークの導波方向に対する角度は、約0.3°で、このピークの半値全幅は0.01°以下となる。z方向において、X線導波路から距離約5センチメートルの場所において、このピークのy軸上での空間的な半値幅は、5マイクロメートル以下となる。試料908のX線を入射する側の表面の位置が、z方向においてX線導波路916のX線出射面からおよそ1ミリメートルとなるように、試料908を設置する。試料908は、ピエゾ素子試料駆動手段910上に設置された試料ホルダー909により支持されており、コンピューター912によりピエゾドライバ911を介して、試料908を空間的に、X線導波路916からの出射X線に対して相対的に駆動可能となっている。このことにより、試料の任意の微小な領域にX線を照射可能となる。試料908から出射されるX線は2次元CCDアレイデバイス914により検出される。本実施例では2次元CCDアレイデバイス914がピエゾ素子913に設置されており、ピエゾドライバ911により2次元CCDアレイデバイスを空間的に駆動可能としている。試料908と2次元CCDアレイデバイス914を、x-y面内で同様に動かすことができ、試料908のX線が照射される部分の位置情報も同時に検出できる仕組みとなっている。x-y面内における試料908の所望の領域にわたって、試料908に対してX線を走査することにより同時に、試料のX線を走査した領域全体からのX線を2次元CCDアレイデバイスにより検出することができる。本実施例は、2次元CCDアレイデバイスにより得られたx-y面内での2次元のX線の強度分布を、解析手段915により解析することにより、試料908のX線を走査した領域の構造および物性を明らかにするものである。図中、太い実線は電気的な接続を、太い波線矢印は試料から出射されるX線の一部を示すものである。実施例2図11は、本発明の実施例1にかかるX線光学システムを表す概略図である。実施例1と同様、X線導波路1004中のX線の導波方向をzとする。また、1001は本システムへの入射X線であり、光子エネルギーを8キロエレクトロンボルトとする。X線導波路1004はSi基板上に厚さ約20ナノメートルのタングステンのクラッド1003が配置され、このクラッドが周期構造であるコア1005を取り囲むように構成されている。コア1005はメソポーラスシリカ材料であり、シリカSiO21006中にz方向にのびる空孔1007が導波方向に垂直な面内で、三角格子状の周期構造を形成している。周期構造を形成するメソポーラスシリカ材料部分の厚さは、およそ500ナノメートルである。図12はこの周期構造の一部を表し、その周期性は図12中例えば二つの矢印で示された基本ベクトルで表すことができる。この場合、2次元の周期共鳴導波モードの電場は、屈折率実部が大きくて損失の小さい空孔1007の中により集中した分布となる。基本ベクトルの大きさは約17ナノメートルである。周期構造が2次元の周期性を有するので、遠視野領域におけるX線の発散角は2次元方向x-y方向で小さなものとなり、空間的にはx-y面内における電場強度分布は、スポット状の主ピークを形成する。例えば、X線導波路の出射端面から距離1センチメートルの位置で、xおよびy方向における電場強度分布は、5マイクロメートル以下のサイズのスポットを形成する。X線導波路1004から出射されるX線は、遠視野領域でのx-y面内において主ピーク以外にも高次回折などによるスポット状のピークを形成するが、x-y面内でこのような不必要なX線をカットするためのスリット1016を設けることにより、必要な主ピークのX線などのみを試料へ入射させることが可能である。X線導波路1004から出射されたX線を、X線導波路1004のX線出射端面からz方向において1センチメートル隔てて配置された試料1008へ入射する。実施例1と同様に、試料1008は試料ホルダー1009に支持され、試料ホルダー1009はピエゾ素子1010に設置されている。コンピューター1012によりピエゾドライバ1011を介してピエゾ素子1010を制御することにより、試料1008に入射するX線に対して相対的に試料1008を駆動することができる。ピエゾ素子1010とピエゾドライバ1011、およびコンピューター1012よりなる構成が駆動手段である。これにより、試料の任意の微小領域にX線を照射することが可能である。本実施例では、試料1008と2次元CCDアレイデバイス1014との間に分光手段としてシリコンSiとモリブデンMoからなる多層膜ミラー1013を配置することにより、試料1008から出射されるX線を分光することができる。多層膜ミラー1013からのX線は2次元CCDアレイデバイス1014により検出する。検出した情報を解析手段1015により解析することで、多層膜ミラーからの出射角度を得て、試料1008から出射されるX線のエネルギースペクトルを知ることができる。図中、太い実線は電気的な接続を、太い波線矢印は試料から出射されるX線の一部を示す。