"書込み磁性層を提供する層の積層を備える書込み可能な磁気素子であって、前記積層が、少なくとも1つの磁性材料の中央層13、53、90であって、該少なくとも1つの磁性材料は該中央層の平面に垂直な磁化の方向を提供する、中央層を有し、該中央層は前記書込み磁性層を構成し、非磁性材料の第1の外側層12、52、91と第2の外側層14、54、92との間に挟まれ、前記第1の外側層12、52、91は第1の非磁性材料を含み、前記第2の外側層14、54、92は、前記第1の非磁性材料とは異なる第2の非磁性材料を含み、少なくとも前記第2の非磁性材料は導電性であることと、該磁気素子が、一方で、前記中央層の前記平面に平行な電流の方向において前記第2の外側層及び前記中央層のみを通って、並びに前記第1の外側層が導電性の場合のみ、場合によっては該第1の外側層を通って書込み電流を流すデバイスと、他方で、前記書込み電流が存在するとき、前記中央層13、53、90の前記平面に垂直な磁場の方向に沿って書込み磁場を印加するデバイスとを備えること、を特徴とし、前記メモリは前記印加された書込み磁場の前記方向に作用することによって、いずれか一方の方向に書き込まれる、書込み磁性層を提供する層の積層を備える書込み可能な磁気素子。前記中央層13,53、90は、0.1nm~5nmの範囲内、好ましくは2nm以下の厚さを有することを特徴とする、請求項1に記載の磁気素子。前記中央層13、53、90は、それ自体の垂直磁気異方性を提供する磁性化合物、すなわち、詳細にはFePt、FePd、CoPt、CoPdの合金、又は実際に、希土類元素及び遷移金属の合金、詳細にはGdCo、TdFeCoを含むことを特徴とする、請求項1又は2に記載の磁気素子。前記中央層13,53、90は、前記積層内に、前記界面、詳細にはCo、Fe、CoFe、Ni、CoNiによって誘導される垂直磁気異方性を提供する金属又は合金を含むことを特徴とする、請求項1又は2に記載の磁気素子。少なくとも1つの外側導電性層は、非磁性金属、すなわちPt、Pd、Cu、Au、Bi、Ir、Ru、W、又はこれらの金属の合金で作られることを特徴とする、請求項1~4のいずれか1項に記載の磁気素子。前記外側導電層の厚さは0.5nm~100nmの範囲内、より詳細には0.5nm~10nmの範囲内、好ましくは5nm以下であることを特徴とする、請求項5に記載の磁気素子。前記第1の外側層はSiOx、AlOx、MgOx、TiOx、TaOx、HfOx等の誘電性の酸化物で作られるか、又はSiNx、BNx等の誘電性の窒化物で作られることを特徴とする、請求項1~6のいずれか1項に記載の磁気素子。誘電製の酸化物からなる前記外側層の厚さは0.5nm~200nmの範囲内、より詳細には0.5nm~100nmの範囲内、好ましくは3nm以下であることを特徴とする、請求項7に記載の磁気素子。前記2つの外側層は導電性であり、双方とも前記非磁性材料又は合金のうちの異なるものから作られることを特徴とする、請求項1~6のいずれか1項に記載の磁気素子。前記電流は、104A/cm2~109A/cm2の範囲内、より詳細には105A/cm2~108A/cm2の範囲内にある電流密度を提供することを特徴とする、請求項1~9のいずれか1項に記載の磁気素子。前記印加される磁場は、0.002T~1Tの範囲内、特に0.005T~0.8Tの範囲内にある値を提供することを特徴とする、請求項1~10のいずれか1項に記載の磁気素子。前記第1の外側層52は、磁性材料の読出し層58と読出し電極59とに覆われていることを特徴とする、請求項1~11のいずれか1項に記載の磁気素子。前記第1の外側層52は非磁性金属で作られることと、前記第1の外側層52は前記中央層53、前記読出し層58、及び前記読出し電極59と共同してスピンバルブを形成することと、を特徴とする、請求項12に記載の磁気素子。前記第1の外側層52は誘電性であることと、前記第1の外側層52は前記中央層53、前記読出し層58、及び前記読出し電極59と共同して磁気トンネル接合を形成することと、を特徴とする、請求項12に記載の磁気素子。前記第1の外側層52の厚さは5nm未満であり、より詳細には3nm未満であることを特徴とする、請求項12~14のいずれか1項に記載の磁気素子。前記第1の外側層及び前記中央層はスタッドを形成することと、前記第2の外側層はトラックを形成する場合があることを特徴とする、請求項1~15のいずれか1項に記載の磁気素子。前記第2の外側層は前記スタッドの一部を形成する追加の厚さの領域を含むことを特徴とする、請求項16に記載の磁気素子。書き込み可能な磁気デバイスであって、請求項16又は17に記載の複数のスタッドを備え、該スタッドの前記第2の外側層は該スタッドに共通である前記トラックを備えることを特徴とする、書き込み可能な磁気デバイス。書き込み可能な磁気デバイスであって、前記第1の外側層と、前記中央層と、前記第2の外側層の追加の厚さの前記領域とが、請求項17に記載のスタッドを形成することと、該デバイスは、前記スタッドの前記第2の外側層の横の導電性トラックとともに複数の前記スタッドを備え、前記スタッドの各々の前記第2の外側層及び前記中央層を通して前記電流を注入し、前記第2の外側層は前記導電トラックの前記材料とは異なる導電材料から作られることと、を特徴とする、書き込み可能な磁気デバイス。本発明の目的は、磁化を反転させるためにその平面に垂直な磁化を有する磁性層が存在することだけを必要とし、積層が層の垂直に書込み電流を流すことを必要とすることなく動作する磁気的に書込み可能な素子を提供することである。このため、本発明は、書込み磁性層を提供する層の積層を備える書込み可能な磁気素子であって、前記積層が、少なくとも1つの磁性材料の中央層であって、該少なくとも1つの磁性材料は該中央層の平面に垂直な磁化の方向を提供する、中央層を有し、該中央層は前記書込み磁性層を構成し、非磁性材料の第1の外側層と第2の外側層との間に挟まれ、前記第1の外側層は第1の非磁性材料を含み、前記第2の外側層は、前記第1の非磁性材料とは異なる第2の非磁性材料を含み、少なくとも前記第2の非磁性材料は導電性であることと、該磁気素子が、一方で、前記第2の外側層及び前記中央層のみを通って、並びに前記第1の外側層が導電性の場合のみ、場合によっては該第1の外側層を通って書込み電流を流すデバイスであって、該書込み電流は少なくとも前記中央層の前記平面に平行な電流の方向に流れる、デバイスと、他方で、前記書込み電流が存在するとき、前記中央層の前記平面に垂直な磁場の方向に沿って書込み磁場を印加するデバイスとを備えることを特徴とする、書込み磁性層を提供する層の積層を備える書込み可能な磁気素子を提供する。前記メモリは前記印加された書込み磁場の前記方向に作用することによって、いずれか一方の方向に書き込まれる。中央層のパネルに垂直な磁化は、中央層の材料の本質的な異方性、又は例えば上記材料の界面によって生じる異方性の結果として得られる。電流は磁性層に平行に流れ、層に垂直に積層内を通過せず、メモリには、上記電流が存在するとき、特に電流パルスが存在するとき、印加される磁場の方向に作用することによって0又は1を書き込むことができる。以下で説明するように、本発明は、ラシュバ場に起因する有効磁場と、局所磁化に作用するs-d交換相互作用とを利用する。上記磁場は以下でスピン軌道場と呼ばれる。スピン軌道場は、積層の非対称性に起因して、電流、及び界面の平面に垂直な電界の双方に直交し、このため、本発明の形状において積層の異方性の方向に直交し、これによって2つの安定した磁化構成を分離するエネルギー障壁を低下させることが可能になる。印加される磁場は、磁化が配向される方向に配向される。この磁場の大きさは、電流が存在しないときに磁化を反転させるのに十分でないが、電流が存在するときに磁化を反転させるのに十分である。中央層は、有利には、0.1ナノメートルnm~5nmの範囲内の厚さを有し、好ましくは2nm以下である。中央層は、有利には、磁化の方向が層の平面に対して垂直である場合、中央層はそれ自体の垂直磁気異方性を提供する磁性化合物、すなわち、詳細にはFeP、FePd、CoPt、又は更には、希土類元素、及び同様にそれ自体垂直磁気異方性を提供する、GdCo若しくはTdFeCo等の遷移金属合金を含む。中央層は、有利には、界面によって誘導される垂直磁気異方性を提供する金属又は合金、特にCo、Fe、CoFe、Ni、CoNiを含む。少なくとも1つの導電性外側層は、有利には、非磁気金属、特にPd、Cd、Cu、Au、Bi、Ir、Ru、W又はこれらの金属の合金で作られる。このような導電性層の厚さは、例えば、0.5nm~100nmの範囲内、より詳細には0.5nm~10nmの範囲内にあり、好ましくは5nm以下である。この層の厚さは、中央層の厚さとは無関係に選択することができる。第1の外側層が非導電性である場合、第1の外側層は有利にはSiOx、AlOx、MgOx、TiOx、TaOx等の誘電性の酸化物であるか、又はSiNx、BNx等の誘電性の窒化物である。この外側層の厚さは、例えば0.5nm~200nmの範囲内、より詳細には0.5nm~100nmの範囲内とすることができ、特に記憶素子がトンネル磁気抵抗信号によって読み出される場合は、好ましくは3nm以下である。双方の外側層は、導電性とすることができるが、このとき外側層は上記非磁性金属又は金属合金のうちの2つの異なるものから選択される。電流密度は、例えば104A/cm2~109A/cm2の範囲内、有利には105A/cm2~108A/cm2の範囲内にある。磁場は、20エールステッドOe0.002テスラーT~10000Oe1Tの範囲内、有利には50Oe0.005T~800Oe0.8Tの範囲内にある値を提供することができる。第1の外側層は、磁性材料の読出し層及び読出し電極で覆うことができる。第1の外側層が非磁性金属で作られる場合、第1の外側層は、読出し層、読出し電極及び中央磁性層と共同してスピンバルブを形成する。第1の外側層の厚さは、10nm未満、好ましくは5nm未満である。第1の外側層が誘電体である場合、第1の外側層は、上記読出し層、読出し電極及び中央層と共同して磁気トンネル接合を形成する。第1の外側層の厚さは5nm未満、例えば0.5nm~5mmの範囲で、好ましくは3nm未満である。第1の外側層と中央層とがスタッドstudを形成し、一方、第2の外側層はトラックを形成する場合がある。一変形の実施の形態において、第2の外側層は、スタッドの一部を形成する追加の厚さの領域を含む。本発明は、複数の上記スタッドを含む、書き込み可能な磁気デバイスを提供し、この磁気デバイス内では、第2の外側層はスタッドに共通である上記トラックによって構成される。代替的には、磁気的に書込み可能なデバイスは、第1の外側層、中央層、及び第2の外側層がスタッドを形成することと、書込み可能な磁気デバイスが、複数の上記スタッドを、上記スタッドの第2の外側層と境界をなす導電性トラックとともに有し、上記スタッドの各々の第2の外側層及び中央層を通して上記電流を注入し、各第2の外側層は、導電性トラックの材料と異なる導電性材料で作られることとを特徴とする。図面を参照しながら以下の説明を読むことにより、本発明をより良好に理解することができる。本発明に関連して実施される積層、すなわち中央磁性層が磁性体でない2つの外側層間に挟まれていて、その2つの層のうちの少なくとも1つは導電性であり、2つの外側層が異なる材料からなるこの積層は、中央磁性層において非補償の電界を発生させる反転非対称性inversionasymmetryを生じさせる効果を有する。この電界中を伝搬する電子は自身の座標系において、ラシュバ場として知られる磁場に曝される。ラシュバ場は、導電性層内を流れる電流と電界との双方に対して垂直である。こうして、この磁場は伝導電子に印加される。本発明者らは、ラシュバ場と遍歴電子及び局在化電子のスピンを結合するs-d交換相互作用とからの結果としての有効磁場スピン軌道磁場と呼ばれるが局所磁化に印加されることを示した。上に述べたように、NatureMaterialsvol9p2302342010に掲載された、IoanMihaiMiron他によるCurrentdrivenspintorqueinducedbytheRashbaeffectinaferromagneticmetallayerと題する論文は、3nm厚のPtの層と、その平面に対して垂直な磁化、したがって、z軸に平行な磁化を有する0.6nm厚のCoの層と、x軸に平行に流れる電流を運ぶ2nm厚のAlOxの層とを有する積層を示している。この積層化は座標系の第3の軸、すなわちy軸に沿った有効磁場Heff又はスピン-軌道場を提供する。したがって、この構成は磁場が層の磁化と共線的ではないので、メモリを作製するには不適切である。それにもかかわらず、本発明者らは、このスピン軌道磁場によって、磁性層の磁化を反転させるために必要な印加される磁場を、予期しない形で減少させることができることを示した。本発明者らが理解しているように、2つの安定した垂直磁化構成間のエネルギー障壁は、電流が反転対称性を呈する構造に注入されるとき、スピン軌道磁場を利用することによって低下される。このとき、これらの2つの安定した構成間の磁化の反転に必要な印加される磁場は、注入電力が存在しないときの値と比べて減少される。このため、印加される磁場の方向は、磁化を配向させることが望ましい方向である。図1a~図1fは、本発明の実施態様を示している。この実施態様では、印加される磁場の方向は電流の方向及びスピン軌道場の方向に垂直であり、磁性中央層の平面に垂直な磁化の方向に平行である。参照符号15は構造体の短絡を避けるための絶縁体である基板を示している。この基板は、特に誘電性酸化物例えばSiOx、AlOx、MgOx又は窒化物、例えばSiNxによって構成することができる。この基板は、基板単独でもよいし、他の何らかの基板、例えばシリコンの上に堆積することもできる。参照符号13は平面に対して垂直な磁化の平面磁性層を示す。参照符号16は、或る方向又は反対の方向で存在することができる磁化の配向を示す。参照符号12は第1の非磁性外側層を示し、参照符号14は第2の非磁性外側層を示す。第2の外側層14は書込み電流が流れる層である。参照符号11は、層13の平面に平行な電流の方向を示し、参照符号17は印加される磁場の配向を示す。磁場の配向は、磁化の方向と平行であり、したがって中央層13の平面と垂直であり、同じ方向又は反対の方向に存在することができる。図1a及び図1bは、非構造化積層を示す。非構造化積層内の積層の層12、13、及び14はトラックを形成する。図1c~図1fは、構造化積層を示す。構造化積層内では層14は導電性であり、磁性層13及び非磁性層12だけが構造化される層であり、これによりスタッド18a図1c及び図1dを形成するか、又は構造化積層内の3つの層12、13、及び14は構造化され、導電性層14の追加の厚さ14’を集積することにより、スタッド18bを形成する。これにより、スタッドは非磁性材料の層14の厚さの小部分含む図1e及び図1f。第2の外側層に考慮すべき厚さは、層14の厚さに追加の厚さ14’を適切にプラスしたものである。追加の厚さ14’の領域は必ずしも層14と同じ導電性材料で作られている必要はなく、この場合、第2の非磁性外側層としてふるまうのは追加の厚さ14’だけであり、反転非対称性を得るためにスタック内で機能を果たすのは追加の厚さ14’の材料であることに留意すべきである。この場合、層14の金属性材料は、任意の材料とすることができる。スタッド18a又は18bを形成することにより、スタッドの中の磁化のみを反転することが可能になる。そうでない場合は、トラックの長さ全体にわたって磁化が反転されてしまうからである。磁性層13は垂直の磁化を表し、その厚さはかなり薄い。このため界面に起因する電界は無視できない。上記厚さは、通常は2nmを超えることはなく、最大でも5nmである。例えば、磁性材料自体の垂直磁気異方性に起因して垂直の磁化を示す磁性材料FePt、FePd、CoPt、等の合金;GdCo、TbFeCo、...等の希土類及び遷移金属の合金、又は界面によって誘導される垂直磁気異方性を示す磁性材料Co、Fe、CoFe、Ni、CoNi、...の全てを用いることができる。例えば、磁性半導体材料、例えばGaMnAsすなわちMnドープのGaAs等の非金属性の磁性材料等を採用することも可能である。既知の磁性半導体材料は周囲より低い温度でのみ磁性体であるということに留意すべきである。磁性材料の垂直異方性が界面によって誘導されるとき、例えば上記外側酸化物層の堆積パラメーターを変更するか、又は積層を作製した後にアニールを実施することにより、中央層の厚さに対して、及び/又は外側酸化物層の酸化状態に対して作用することによって、平面に対して垂直な磁化を得ることが可能である。例:2nm厚のPt導電性層14と、1nm厚のCo中央層13と、AlOx層12とを備える積層は、このAlOxの所与の酸化状態に対して、垂直な層磁化を提供し、一方、Co層の厚さが1.5nmに等しい場合、磁化は平面内にある。積層が真空中で300°Cにおいて60分間アニールされる場合は、Co中央層13の磁化は平面に対して垂直である。Co層の厚さが3nmより厚いと、層12がAlOxで作られている場合、アニール又は酸化パラメーターにかかわらず、平面の外部で磁化を得るのは不可能である。しかしながら、層12に用いられる誘電体がMgOxである場合、中央層の3nm以上の厚さについても、垂直の磁化を得ることが可能である。様々な酸化物AlOx、MgOx、SiOxの磁気特性に与えるコバルト層の厚さの影響は、IEEETransactionsonMagneticsVol46No6June2010において掲載されたJaeChulLee他による論文DomainpatternsandmagnetizationreversalbehaviorsinoxideCoPtfilms内で説明されている。Pt/Co/AlOx三層における磁気特性に与える酸化及びアニールの影響は、PhysicalReviewB79024423において掲載されたBRodmacq他による論文InfluenceofthermalannealingontheperpendicularmagneticanisotropyofPtCoAlOxtrilayers内で説明されている。プラチナコバルト金属酸化物三層積層におけるコバルト層の磁気特性に与える酸化物層の酸化状態の影響は、JournalofAppliedPhysics104043914において公開されたAManchon他による論文AnalysisofoxygeninducedanisotropycrossoverinPtCoMOxtrilayers内で説明されている。構造内全体に反転非対称性を作り出すために、2つの非磁性層12及び14は異なるものである必要がある。有利には、2つの異なる材料は、これらの層の層ごとに、例えば2つのうちの一方に対しては誘電体が選択され、他方に対しては金属が選択されるが、それらの各々に対して金属を選択することも可能である。構造がスタッドではなくトラックを形成する場合のみ、層12及び14の双方を誘電体とすることが可能である。このとき、トラックからなる中央層13内を直接電流が流れるようにすることが可能である。したがって、2つの非磁性層12及び14の各々は、それらの層が異なるとともに積層全体層12、13及び14が垂直の磁化を有するという条件下で、以下の材料、すなわち、誘電性酸化物SiOx、AlOx,MgOx、TiOx、TaOx、HfOx、...と、誘電性窒化物SiNx、Bnx、...と、非磁性金属Pt、Pd、Cu、Au、Bi、Ta、Ru...と、これらの金属の非磁性合金と、任意選択で有機半導体化合物必要な場合、成長バッファbuffer、例えばイリジウム等の金属に関連付けられた、例えばGaAs、Si、Ge又はグラファイトとで構成することができる。非磁性層の一方又は他方が導電性である場合、2つの外側層は同じ組成であってはならない。層12及び14の厚さは、広範囲の値にわたって選択することができ、通常は0.5nm~200nmの厚さであり、より詳細には0.5nm~100nmの範囲内とすることができる。図2a及び図2bに示すように、層12が絶縁層である場合、メモリ点がトンネル磁気抵抗信号によって読み出される場合を除いて、例えば磁性層及び電極を上記絶縁層の上に付加することによって、層12が重大な値、通常は100nmに達する値であっても害はない。そのような状況下では、絶縁層の厚さは、3nm未満となるように選択されることが好ましい。金属で作られた層12及び/又は14を有する場合、これらの導電性チャネルが並列である結果として磁性層を通過する有効電流が過度に少なくなることを避ける一方で、他方でメモリ点が巨大磁気抵抗信号によって読み出されることを可能にするために、それらの金属層は薄く、通常5nm厚未満、一般的には10nm厚未満であることが好ましい。これらの様々の層は、蒸着、スパッタリング、電気化学堆積、化学成長、...等の任意の既知の技法によって堆積することができる。或る特定の形状では、層14を省くことができる。このとき、磁性層13は非磁性層として働く絶縁基板15の上に直接堆積すべきであり、非磁性層12は反転非対称性を有するように、すなわち基板15を構成する材料とは異なる材料から選択されるべきである。それにもかかわらず、スタッドが構造化される場合、構造化されたスタッドここでは18a及び18bに電流を注入することができるように、層14が存在し、導電性の材料で構成されなければならないことに留意すべきである。そのような状況下では、追加の厚さ部分14’も導電性でなければならない。これにより、ラシュバ場を生成し、磁性中央層13に電流を注入することを可能にするために、層12と組合せて、求める反転非対称性が生成される。反転される素子は、示されているトラック図1a及び図1bであるか、又はトラック内に取付けられるか若しくは構造化されるスタッド図1c~図1fであるかにかかわらず、導電性電極に既知の方法で接続される。これにより、電流が方向11に沿って注入される。磁化の方向と共線的に、かつ磁化を配向させることが望ましい方向に印加された磁場は、電流パルスが存在しないときに磁化を反転するのに十分でないが、電流パルスが存在するときに磁化を反転するのに十分な大きさを有する。このため、磁場は、電流パルスと正確に同期しているか、又は電流パルスよりも短い持続時間のパルスの形態で提供し、電流パルス内に含めることもできるし、パルスの持続時間は電流パルスの持続時間よりも長くすることもでき、この解決法は、印加時に統合されるのがより簡単である場合がある。このため、そのような状況下で、電流注入の方向は任意に選択することができ、双方の方向が異方性障壁を下げることに同様の効果を有する。定電流を用いて、所望の方向に磁場を生成することも可能であるが、この解決法は、電気消費の観点からあまり有利でない。なぜならば、磁化は電流が存在しないときに安定し、書込みステップ中を除いて、導電性層内に電流を印加する必要がないためである。このため、定電流が用いられるとき、2つの磁化状態上方及び下方間のエネルギー障壁は常に低下され、これによって望ましくない磁化のフリップが生じるリスクがある。印加される磁場値は、材料の異方性、材料の保磁場、及び注入電流密度と関連付けられている。通常、この磁場は、20Oe0.002T~10kOe1Tの範囲内、より詳細には、0.005T~0.8Tの範囲内に存在することができる一方、電流密度は、102A/cm2~109A/cm2の範囲内、より詳細には、105A/cm2~108A/cm2の範囲内に存在することができる。書込みステップ中に適用される電流密度が高くなると、磁化を反転させるために印加する必要がある磁場の値が低くなる。磁場はまた、様々な方法で印加することができ、例えば単にコイル内を流れる電流を用いてデバイス全体にわたる全体磁場を生成するようにして印加するこの場合、電流注入によってエネルギー障壁が低下されたスタッドメモリ点のみが反転されることもできるし、従来技術のMRAMメモリにおいて用いられる種類の電流を搬送するトラックによって印加する反転は磁場によって生じることもできる。図2a及び図2bはMRAMメモリセルにおいて使用可能な積層の例を示している。参照符号53は、電気的に絶縁である基板55について上述したように、積層を作るために2つの異なる非磁性材料52及び54間任意選択の追加の厚さ54を有するに挟まれた磁性中央層を示している。参照符号57は印加される外部磁場の軸を示している。この磁場は、所望の書込みについて探索された方向に応じていずれかの方向に印加することができる。読出しの目的で、積層の上方に、磁性材料の層58と1つ又は複数の導電性層磁性的又は非磁性的とすることができるを含むことができる上部電極59とが配置されている。層58の機能は、構造53、52、及び58が、層53の磁化の方向56に基づいて異なる電気抵抗値を呈すること磁気抵抗信号を可能にすることである。これは読出しのみに関することであり、層53の磁化を操作することには影響しない。言い換えると、書込み及び読出しは独立して規定され、別々に最適化することができる。電極59は1つの層を備えることができるか、又は従来の方法では異なる機能の層の積層を備えることができる。例えば、電極59は以下の物、すなわち、操作されることになる層53に向けて放射される磁場を制限するように合成の反強磁性syntheticantiferromagnetismを画定している積層、例えば、非磁性の金属材料の非常に薄い層通常、0.3nmのルテニウムRuによって強磁性体層58と分離されている強磁性体層を備える積層であって、2つの強磁性体層の磁化の値は可能な限り互いに近い値であり、それによって、ルテニウム層の存在に起因したそれらの層間の反強磁性結合は、上記3層によって層53上へ放射される磁場が結果としてゼロになるか又は実質的にゼロになる、積層か、又はそうでない場合、このいわゆる基準層58を安定化するように、層58と交換することによって結合された反強磁性の磁性材料か、又はそうでない場合、電気的なコンタクトを形成するための非磁性の導電性材料か、又は更には、上記の様々な可能性の組合せ、例えば、強磁性体材料と反強磁性材料との間を結合することによってそれらの磁化を安定させるように、強磁性体材料に近接した反強磁性材料であって、強磁性体材料は層50から、通常は0.3nmのRuの薄い金属層によって分離され、これによって、上記2つの強磁性体層間の磁気結合が反強磁性となる、組合せ、を備えることができる。最終的には、第1の磁性材料は、例えば7nmのRuで覆われた5nmのTaのように、1つ又は複数の非磁性の導電性層で覆われる。そのような組合せの例は、例えば、IntJNanotechnologyVol7591においてBDieny他によって説明されているように、STT反転のために用いられる磁気積層内に見ることができる。2つの主な構成は層52の特性に基づいて区別することができる。すなわち、層52が非磁性金属で作られている場合、構造53、52、及び58はスピンバルブ型であり、一方、層52が誘電性の場合、構造53、52、及び58は磁気トンネル接合型である。層52が非磁性材料で作られているとき、層の厚さは10nm未満であり、好ましくは5nm未満であるのに対し、層52が誘電性であるとき、層の厚さは5nm未満であり、好ましくは3nm未満である。磁気抵抗信号は、磁気トンネル接合型構造に関してより一層強力であるので、これらの構造は好ましい構造である。同様に、磁気抵抗信号を更に最適化するために、いずれの状況下においても、好ましい構造は、層58の磁化が共線であり、層53の磁化と平行であるか、又は逆平行であることである。図2a及び図2bにおいて、A、B、Cは3つの電気的な接続端子を示している。書込み段階中、電流は端子Aと端子Bとの間に注入される又は等価な方法では、電圧が上記2つの端子間に印加され、電流の流れを発生させる。電流は磁性層53を通過して、この層内に、ラシュバ場と、局所磁化に作用するs-d交換相互作用とに起因する有効磁場を生成するMiron他による上述の論文を参照されたい。本発明によれば、有効磁場又はスピン軌道場は、印加された外部磁場と組み合わせて、2つの安定した磁化構成を分離するエネルギー障壁の低下を利用することによって磁化を操作することを可能にする。磁化は、磁場が磁化の方向と反対の方向に印加される場合に反転される。層52が誘電性の材料で構成される場合、横方向に注入された電流はその層を通過しないので、その層を損傷しない。格納される情報は、通常、層53内の磁化の配向であり、トンネル接合型構造及びスピンバルブ型構造の双方の場合に、端子Cと端子Bとの間又は等価の方法では、端子Cと端子Aとの間に低い値の電流例えば、トンネル接合の場合で数マイクロアンペアμA~数十μA程度を注入し、これらの端子間の電圧を測定することによって;又はそうでない場合、端子Bと端子Cとの間又は等価の方法では、端子Cと端子Aとの間に定電圧を印加し、これらの端子間を流れる電流を測定し、それにより、全ての場合に当該端子間の抵抗を測定することによって、読み出される。抵抗は、磁化の方向56が基準層58の磁化の方向に平行であるか又は逆平行であるかに基づいて2つの異なる値を有する。読出し電流は小さい値を有しているので、これによりトンネル障壁層52が誘電性である場合は損傷を受けない。メモリアーキテクチャーの例を、図3a~図3dを参照して以下で説明する。図3a~図3dの中で、図3b及び図3dは、図2a及び図2bの構造を実装して、電流を搬送する磁力線によって印加される磁場を生成することに関する。図3a~図3dは、説明した事例を用いてメモリの可能なアーキテクチャを示している。2つの非磁性層91及び92の間に挟まれた垂直な磁化97を有する磁性層90図1a~図1fの層12及び14並びに図2a及び図2bの2及び54に対応するを見ることができる。ここで、単純にするために、層91は、層12又は52と、トンネル接合型積層又はスピンバルブ型積層を規定する役割を果たす磁性層及び非磁性層との双方を含み、これによって図2a及び図2bの層52、58、及び59のように層90の磁化状態を読み出すことを可能にする。層90の磁化は、下部電極92内を流れる電流と、磁化軸に沿った矢印96に沿って、かつ層90内の磁化を切り替えるための方向に配向された変動する磁場とによって反転される。これを行うために、挟持構造sandwichを構成する第2の非磁性層92が、この例において電流供給トラックの形態で構造化される。このトラックは、例えば層92の下に位置する別の材料の別の層によって構築することもできる。電流注入はトランジスタによって制御される。2つの事例が例として用いられる。第1の事例において、2つのトランジスタ93a及び93bがスイッチとして用いられ、それらのスイッチの自由端子は、一方はグラウンドに接続され、他方は電圧Vddに接続され、電圧Vddは、選択された値の電流を流すように選択される。第2の事例において、1つのみのトランジスタ93aが用いられ、トラック92の他端は定電圧に接続される。この時点において、電流の方向は機構の動作に影響を及ぼさないこと、及び電流の方向にかかわらず、障壁は同様に低下することを観察することができる。このため、2つの動作方法が可能である。対称動作例えばトランジスタ93aに接続されたトラックは電圧Vdd又はグラウンドに接続される一方、トラック92の端部に接続された他方のトラックは、95においてグラウンド又はVddに接続される。この構成は、以下の構成よりも多くの電流が生成されることを可能にする。非対称動作好ましいトラック92の端部に接続されたトラックは、98によって中間電位、例えばVdd/2に接続される一方、トランジスタ93aに接続されたトラックは、所望の電流の方向に基づいて、電位Vdd又はグラウンドに引き上げられる。この構成は、上記の構成よりも、生成されることになる電流を少なくすることを可能にする。本発明は、既知の技法で用いられる領域よりはるかに小さい領域に書込みモードで書込み電流を注入することを可能にし、この書込み電流はデバイスを動作可能とするのに十分である。この実施形態では、動作によって消費される電気がより少ない。ここで説明する事例において、磁化を切り替えるのは印加される磁場である。したがって、磁場96は可変でなくてはならず、磁化の方向に平行に配向されなくてはならない。1つの可能な実施形態が図3b及び図3dに示されている。磁場は、積層のいずれかの側に配置された2つの磁力線98a及び98bによって生成される。これらの線が電流を通すとき、磁場は磁性層90内の層に垂直に生成される。或る特定の構成では、これらの磁力線のうちの一方、例えば線98bを省き、一方のみを利用することが可能である。これらの線は、例えば、構造をナノ加工するステップ中に導電膜の形態で実装することができる。図4は、例えばトンネル接合を有する二次元メモリセルアレイを形成するメモリ素子の例示的な集積電気回路図である。層の平面に垂直な磁場を印加するためのデバイスが、線116、116’116’’等によって表される。この線は例えば、注入電流の方向が磁場の方向を与える電流線であり、磁場の方向は、0を書き込みたいか又は1を書き込みたいかに依拠して上方向又は下方向すなわち、層の平面に垂直に、いずれかの一方向に配向させることができる。磁力線、例えば116によって、書込み電流のパルス中に磁場パルスを生成することが可能になる。この磁場は、線の全てのメモリ点に印加される。書込み電流が同時に注入されているこの線のメモリ点にのみ書き込むことができる。1つの方向に、トランジスタ1131、1132、1133、113’1、113’2、113’3、113’’1、113’’2等...のドレインに接続されたビット線すなわちディジット線1111、1112、1113...等が存在し、共役ビット線1121、1122、1123、...が二次元アレイを形成する。垂直方向において、ワード線を形成する、トランジスタ1131、1132、1133、113’1、113’2、113’3、113’’1、113’’2...等のゲートの制御トラック110、110’、110’’、...が存在する。ベンチマーク1141、1142、1143、114’1、114’2、114’3等...は、トンネル接合又はスピンバルブを含む本発明による積層を概略的に示している。トンネル接合又はスピンバルブは、書込み段階中にその層の平面に垂直な電流によって横切られることはなく、読出し段階中にのみその層の平面に垂直な電流によって横切られる。特性点A、B、及びCが報告されている。これらの点は、図2a及び図2b、図3c、図3d単一のトランジスタを用いて搭載されるに示される特性点に対応する。点Aは、トランジスタ1131、1132、1133、113’1、113’2等...のソースに接続される。点Bは、共役ビット線1121、1122、1123、...等に接続され、点Cはバイアス線115、115’等...に接続される。トランジスタ1131、1132、1133、113’1、113’2、...等のドレインDは、ビット線1111、1112、1113、...等に接続される。このとき、積層1141、1142、...等の底部は、磁化が書込み電流によって変更された層である。トランジスタのソース及びドレインは交換することができる。このため、トランジスタのソースは、ビット線1111、1112、1113等に接続することができ、ドレインDは点Aに接続することができる。メモリ点、例えば1141の書込み段階において、このメモリ点と関連付けられたビット線1111及び共役ビット線1121は、上述した平衡がとられた動作によって書込み電流の生成が可能になる場合、電圧Vdd又はグラウンド及びグラウンド又は電位Vddにされる。他のメモリ点と関連付けられた他のビット線1112等...及び共役ビット線1122...等は機能していない。関連付けられたワード線110がトランジスタ1131上述した図面のトランジスタ73a又は83aに等しいの閉鎖を制御するのに必要な電位にされ、トランジスタ1131を通った書込み電流の流れが可能になる。同時に、パルスがメモリ点1141に関する磁力線fieldline116を横切る。磁力線116、116’、116’’は、例えば98a及び98b図3b及び図3d等の一対の線によって構成することができる。このため、書込み電流は点A及び点Bを通過する。このセルのみに書き込むために、他方のワード線110’、110’’等...は、トランジスタを開放する電位にされる。トンネル接合型又はスピンバルブ型の積層を、その層の平面に垂直に横切る書込み電流その積層に損傷を与えるリスクがあるは存在しない。このために、積層の点Cに接続されたバイアス線115、115’等...は、この書込み段階中に機能しない又は開放している。例えばメモリロケーション1141の読出し段階において、このメモリと関連付けられた共役ビット線1121が開放され、全ての他の共役ビット線1122等...も、それらを通って電流が一切循環しないようにするために開放される。メモリセルと関連付けられたバイアス線115は、トンネル接合又はスピンバルブ内の弱読出し電流の通過を可能にする電位にされる一方、偏極の全ての他の線115’等...は切断される。関連付けられたワード線110は、トランジスタ1131を閉鎖するための電位にされ、このとき電流は点Cと点Aとの間のトンネル接合又はスピンバルブを通過することができる。このトンネル接合又はこのスピンバルブのみを読み出すために、他のワード線110’等...は開放される。トンネル接合の場合、次に、例えば従来技術に従って、増幅器により、接合部を通って流れる電流を基準電流と比較することによって読出しを実行することができる。積層の平面に垂直に流れる低電流密度のこの読出し電流は、この読出し段階中に接合部への書込みを許可しない。手順はスピンバルブの場合にも同じである。"