絶縁基板の主面及び裏面の少なくとも一方に金属層を有する積層基板であって、前記金属層は前記絶縁基板の縁に沿った額縁部と該額縁部より内側の電極パターン形成部とを有し、前記額縁部は前記積層基板の内側から縁に至るまで前記額縁部を横断するように2以上の溝が形成されることにより複数領域に分断されたものであることを特徴とする積層基板。前記溝は、前記額縁部の前記積層基板の内側から縁までの幅以上の長さを有することを特徴とする請求項1に記載の積層基板。前記絶縁基板は、繊維基材に樹脂組成物を含浸させて硬化させたものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の積層基板。前記繊維基材はガラス繊維であり、及び/又は前記樹脂組成物はシリコーン樹脂組成物であることを特徴とする請求項3に記載の積層基板。前記積層基板は、LEDを多数個取りで製造する際に使用するものであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の積層基板。従来より、積層基板へ半導体素子を固定する際に、300°C以上のはんだリフロー温度では、額縁部の金属と絶縁基板との熱膨張係数には大きな差があるため、積層基板に反りが発生して半導体素子の固定が十分にできないという問題があった。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、高温下でも反りが発生しにくい積層基板を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明では、絶縁基板の主面及び裏面の少なくとも一方に金属層を有する積層基板であって、前記金属層は前記絶縁基板の縁に沿った額縁部と該額縁部より内側の電極パターン形成部とを有し、前記額縁部は前記積層基板の内側から縁に至るまで前記額縁部を横断するように2以上の溝が形成されることにより複数領域に分断されたものであることを特徴とする積層基板を提供する。これにより、額縁部の金属と絶縁基板の熱膨張係数に差があっても、額縁部が額縁部を横断する2以上の溝を有することにより複数領域に分断されたものであるので、高温時の膨張差が緩和され、高温下でも反りが発生しにくい積層基板となる。また、前記溝は、前記額縁部の前記積層基板の内側から縁までの幅以上の長さを有することが好ましい。これにより、本発明の積層基板を用いて半導体素子を実装した場合に、封止材が溝を介して積層基板の外へ流れ出す前に封止が完了するか、又は封止材が流動性を失う程度に硬化することが可能となるので、封止材の充填不良などを防止して半導体素子の封止を適切に行うことができる積層基板となる。さらに、前記絶縁基板は、繊維基材に樹脂組成物を含浸させて硬化させたものであることが好ましい。従来、このような繊維基板に樹脂組成物を含浸させて硬化させた絶縁基板を用いたプラスチック実装基板へ半導体素子をはんだによって固定する場合は、額縁部の金属と基板である樹脂との熱膨張係数に大きな差があるため、300°C以上のはんだリフロー温度をかけたときに基板に反りが発生して半導体の固定ができないという問題があったが、本発明の積層基板であればこのような絶縁基板であっても高温下でも反りが発生しにくいものとなる。さらに、このような絶縁基板であれば設計の自由度が高く、セラミック基板などと比較して安価であり、その上衝撃による割れ、カケなどのセラミック基板特有の問題も回避できるものとなる。また、前記繊維基材はガラス繊維であり、及び/又は前記樹脂組成物はシリコーン樹脂組成物であることが好ましい。これにより、前述の繊維基材に樹脂組成物を含浸させて硬化させた絶縁基板の利点に加えて、より耐候性、耐熱性等の特性に優れており、かつ高温下でも一層反りが発生しにくい積層基板となる。さらに、前記積層基板は、LEDを多数個取りで製造する際に使用するものであることが好ましい。このように、高温下で反りが発生しにくい本発明の積層基板を使用することで、より効率よくLEDを多数個取りで製造することが可能となる。以上説明したように、本発明の積層基板であれば、高温下でも反りが発生しにくい積層基板となる。また、絶縁基板として繊維基材に樹脂組成物を含浸させたプリプレグなどを用いたとしても反りが発生しにくく、その上、ガラス繊維やシリコーン樹脂組成物からなる絶縁基板であれば耐候性、耐熱性等の特性にも優れるものとなる。以下、本発明の積層基板について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。前述のように、高温下でも反りが発生しにくい積層基板が望まれていた。本発明者らは、上記課題を達成するため鋭意検討を重ねた結果、300°Cを超えるはんだリフロー温度をかけたときの積層基板の反り発生の要因が金属層の繋がった額縁部LED等の作製時は必要だが、ダイシング後は廃棄される部分にあることを見出し、額縁部が額縁部を横断する2以上の溝を有することにより複数領域に分断されたものであれば、300°Cを超えるはんだリフロー温度においても反りが発生しにくい積層基板となることを見出して、本発明を完成させた。以下、図面を参照して本発明についてより詳細に説明する。積層基板図1、4、5に本発明の積層基板1の第1~第3態様を示す。図1、4、5に例示するように、本発明は、絶縁基板2の主面及び裏面の少なくとも一方に金属層3を有する積層基板1であって、金属層3は絶縁基板2の縁に沿った額縁部4と該額縁部4より内側の電極パターン形成部6とを有し、額縁部4は積層基板1の内側から縁に至るまで額縁部4を横断するように2以上の溝5aが形成されることにより複数領域に分断された積層基板1である。絶縁基板本発明における絶縁基板2は、その主面及び裏面の少なくとも一方に金属層3を有するものである。このような絶縁基板2としては、特に制限はされず、LEDの実装基板または電子部品等の実装基板として用いられるセラミック基板、樹脂基板、繊維基材に樹脂組成物を含浸させて硬化させた基板などを用いることができる。この中でも、特に繊維基材に樹脂組成物を含浸させて硬化させた絶縁基板であることが好ましい。本発明の積層基板1であれば、額縁部4の金属と絶縁基板2との熱膨張係数に大きな差があっても、高温下で反りが発生しにくいものとなる。さらに、このような絶縁基板2であれば設計の自由度が高く、セラミック基板などと比較して大型化しても安価であり、その上割れなどのセラミック基板特有の問題も回避できるものとなる。繊維基材としては、特に制限されないが、例えば、ガラス繊維、炭素繊維、石英ガラス繊維、金属繊維等の無機繊維、芳香族ポリアミド繊維、ポリイミド繊維、ポリアミドイミド繊維等の有機繊維、さらには炭化ケイ素繊維、炭化チタン繊維、ボロン繊維、アルミナ繊維等が例示され、製品特性に応じていかなるものも使用することができる。また、最も好ましい繊維基材としてはガラス繊維、石英繊維、炭素繊維等が例示される。中でも絶縁性の高いガラス繊維が繊維基材として好ましい。樹脂組成物としては、特に制限されないが、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などが例示される。中でも、耐候性、耐熱性等の特性に優れており、かつ高温下でも一層反りが発生しにくい絶縁基板とするためにはシリコーン樹脂組成物が好ましい。さらに、繊維基材と樹脂組成物の組み合わせとしては、ガラス繊維とシリコーン樹脂組成物の組み合わせが好ましい。これにより、前述の繊維基材に樹脂組成物を含浸させて硬化させた絶縁基板の利点に加えて、より耐候性、耐熱性等の特性に優れており、かつ高温下でも一層反りが発生しにくい積層基板となる。その他、放熱性の向上を目的として樹脂組成物へ無機フィラー等を充填させることもできる。金属層本発明における金属層3は、絶縁基板2の主面及び裏面の少なくとも一方に形成されたものであり、絶縁基板2の縁に沿った額縁部4と該額縁部4より内側の電極パターン形成部6とを有する。このような金属層3は、特に制限されず、銅など通常の積層基板1の電極に用いられる金属を用いることができる。また、金属層3は無電解Ni-Pd-Auメッキ等のメッキを施したものであっても良い。なお、額縁部4と電極パターン形成部6を金属層3に形成する方法は特に制限されず金属層をパターンエッチングする等して行えばよい。額縁部本発明における額縁部4は、図1、4、5に示されるように積層基板1の内側から縁に至るまで額縁部4を横断するように2以上の溝5aが形成されることにより複数領域に分断されたものである。複数領域に分断されることにより、額縁部4の金属と絶縁基板2の熱膨張係数に差があっても、高温時の膨張差が緩和され、高温下でも反りが発生しにくい積層基板1となる。なお、このような溝5aを形成する方法は特に制限されずエッチング等で行えばよい。なお、額縁部4は、はんだによって半導体素子を固定する際に、積層基板1を固定するための治具を取り付ける箇所となる。また、はんだリフロー装置の高さ方向の調整をしやすくするために、額縁部4が電極7と同じ厚みであることが好ましい。さらに、額縁部4は、半導体素子を固定した積層基板1に、次工程で金型モールド成型法によってレンズ成型する場合に、金型押えとしての機能を有する。額縁部4に形成される溝の形状は額縁部を横断するものであれば特に制限されず、例えば図1、4、5に例示されるような形状とすることができる。すなわち、図4に示されるように、額縁部4の積層基板1の内側から縁までの幅と同じ長さの溝5aとすることができ、図5に示されるように、額縁部4の積層基板1の内側から縁までの幅以上の長さの溝5aとすることができ、また、図1に示されるように、積層基板1の内側から縁に至るまで額縁部4を横断した溝5aであって分岐溝5cを有するものとすることもできる。なお、額縁部4の積層基板1の内側から縁までの幅とは図4、5においてdで示すような幅を言う。特に、額縁部4に形成される溝5aの長さは、額縁部4の積層基板1の内側から縁までの幅d以上であることが好ましい。本発明の積層基板1の電極パターン形成部6に半導体素子を実装した後、電極パターン形成部6を封止材で封止するが、この際に封止材が電極パターン形成部6から溝5aを介して積層基板1の外へ流れる恐れがある。そのため、封止材が積層基板1の外へ流れ出て封止材量が減少しないように溝5aの長さを額縁部4の積層基板1の内側から縁までの幅以上とすることが好ましい。これにより、封止材が溝5aを介して積層基板1の外へ流れ出す前に封止が完了するか、又は封止材が流動性を失う程度に硬化することが可能となり、封止材9の充填不良などを防止して半導体素子8の封止をより適切に行うことができる積層基板1となる。なお、額縁部4は、積層基板1の内側から縁に至るまで額縁部4を横断する2以上の溝5aを有するものであれば、これ以外の溝を有してもよい。例えば、図1に例示されるように、額縁部4を横断しない溝5bを有しても良いし、額縁部4を横断する溝5から分岐する分岐溝5cを有しても良い。さらに、溝の断面形状も特に制限されない。丸溝、角溝、V字型溝等いずれでもよい。電極パターン形成部本発明における電極パターン形成部6は、搭載される半導体素子に応じた電極パターンが形成された部分である。既に図2、3で説明したように、この電極パターン形成部6の電極7上に半導体素子が搭載される。電極パターンの形状は半導体素子の大きさ種類等により適宜決定することができ、特に制限されない。さらに、図1、4、5で示される電極パターンからも分かるように、本発明の積層基板1は、半導体素子、特にLEDをCOBChiponBoardにて、多数個取りで製造する際に使用するものであることが好ましい。高温下で反りが発生しにくい本発明の積層基板1を使用することで、より効率よくLEDを多数個取りで製造することが可能となる。以下、実施例及び比較例を示して本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例1シリコーン樹脂組成物をガラス繊維基材に含浸させて硬化したシリコーン樹脂含浸ガラス繊維基板50mm×100mm×0.5mmを絶縁基板として用意した。この絶縁基板上に厚さ70μmの銅層を積層し、この銅層に対して無電解Ni厚さ5μm-Pd厚さ0.01μm-Au厚さ0.05μmメッキを施した。この金属層に対してエッチングにより額縁部と電極パターン形成部を形成した。さらに、額縁部に積層基板の内側から縁に至るまで額縁部を横断するように6つの溝を設け、図5に示すような積層基板Iを作製した。ここで、溝は額縁部の幅の3倍の長さ15mmとし、額縁部は繊維基板の縁から5mmの幅とした。この積層基板Iに対して、はんだリフロー温度に相当する温度300°Cで1分間放置をして積層基板の反りを測定した。反りの測定は、300°C雰囲気中から、同じく300°Cに加熱した20mm厚の鉄板上に取り出し、最も鉄板から離れた距離までを反りとして測定した。なお、3回の平均値を測定値とした。その結果を表1に示す。実施例2エポキシ樹脂組成物をガラス繊維基材に含浸させて硬化したエポキシ樹脂含浸ガラス繊維基板50mm×100mm×0.5mmを絶縁基板として用いたこと以外は実施例1と同様にして積層基板IIを作製した。積層基板IIについても実施例1と同様に反りを測定した。その結果を表1に示す。実施例3溝を額縁部の幅と同じ長さとしたこと以外は実施例1と同様にして、図4に示すような積層基板IIIを作製した。積層基板IIIについても実施例1と同様に反りを測定した。その結果を表1に示す。比較例1溝を設けないものとした以外は実施例1と同様にして積層基板IVを作製した。積層基板IVについても実施例1と同様に反りを測定した。その結果を表1に示す。比較例2額縁部に、図1に例示した額縁部を横断しない溝5bのような溝長さ3mmのみを設けたこと以外は実施例1と同様にして積層基板Vを作製した。積層基板Vについても実施例1と同様に反りを測定した。その結果を表1に示す。表1に示されるように、額縁部を横断する溝を有する本発明の積層基板であれば、はんだリフロー温度300°C以上の高温下でも反りが発生しにくい積層基板となり、さらに、絶縁基板として繊維基材に樹脂組成物を含浸させたプリプレグなどを用いたとしても反りが発生しにくいことが分かった。次に、実施例1の積層基板Iと実施例3の積層基板IIIを用いてLED素子を多数個取りで作製した。その結果、どちらの基板を用いた場合であっても、反りによる剥離なくLED素子を封止することができた。さらに、実施例1の積層基板Iを用いた場合では、額縁部の溝から基板の外へ封止樹脂が流出することがなく所望の形状にLED素子を封止することができた。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。