"汚染物質粒子を検出するための物品の検査方法であって、前記物品の少なくとも一部分を、1つ以上の第1波長の一次放射で照明することと、結像光学システムおよびイメージセンサにより、前記照明された物品の画像を形成および検出することと、前記結像光学システムにおいて前記複数の第1波長の放射をフィルタ除去し、前記検出された画像が前記第1波長とは異なる1つ以上の第2波長の放射のみを使用して形成されるようにすることにより、前記一次放射に反応して汚染物質粒子の材料により放出された二次放射を使用して、汚染物質粒子の存在および場所を示す画像を得ることと、を含む、方法。前記一次放射は、複数の別々の波長の放射である、請求項1に記載の方法。前記フィルタリングステップは、前記一次放射における前記複数の波長のうちの少なくとも2つに対応する複数の別々の阻止帯域を含むスペクトル応答を有するフィルタにより、実行される、請求項2に記載の方法。前記結像光学システムは、並行して動作する複数のブランチを備え、各ブランチが、フィルタによって前記二次放射から選択された異なる1つまたは複数の波長の放射を使用して画像を形成および検出する一方、前記一次放射をフィルタ除去する、請求項1~3のいずれかに記載の方法。前記異なる複数のブランチで検出された複数の画像を合わせて分析して検査結果を出力することをさらに含む、請求項4に記載の方法。前記検査結果は、前記複数の画像のうちの少なくとも1つにおいて検出された画像フィーチャの場所に応じて、汚染の存在を示す、請求項5に記載の方法。前記検査結果は、前記検出された複数の画像のうちのどれがその粒子の画像を含むかに応じて、異なる材料の複数の汚染物質粒子を判別する、請求項5または6に記載の方法。前記フィルタ除去された一次放射の少なくとも一部分は、中間瞳面内に空間フィルタを有する暗視野結像システム内へと進路変更され、それにより検査中の前記物品の暗視野画像を形成および検出する、請求項1~7のいずれかに記載の方法。前記空間フィルタは、検査中の前記物品の周期的なフィーチャに関連した複数の空間周波数成分を遮蔽する、請求項8に記載の方法。前記空間フィルタは、異なる複数の物品を検査する際に、異なる複数の空間周波数成分を遮蔽するように動作可能なプログラマブル空間光変調器である、請求項9に記載の方法。前記第1および第2波長は、金属酸化物材料の汚染物質粒子を検出するように選択される、請求項1~10のいずれかに記載の方法。前記第1および第2波長は、有機材料の汚染物質粒子を検出するように選択される、請求項1~11のいずれかに記載の方法。前記第1および第2波長は、Al、SnおよびFeなどの非貴金属の汚染物質粒子を検出するように選択される、請求項1~12のいずれかに記載の方法。前記一次放射は、YAGレーザ放射の2つ以上の高調波を含む、請求項1~13のいずれかに記載の方法。前記物品は、複数のEUV波長に対して対照的な光学特性を持つ複数の反射部分および複数の吸収部分を有するパターニングデバイスを含む、請求項1~14のいずれかに記載の方法。前記検査された物品は、光リソグラフィで使用するためのパターニングデバイスを含む、請求項1~15のいずれかに記載の方法。前記パターニングデバイスは、EUVリソグラフィレチクルである、請求項16に記載の方法。デバイス製造方法であって、物品の少なくとも一部分を、1つ以上の第1波長の一次放射で照明することと、結像光学システムおよびイメージセンサにより、前記照明された物品の画像を形成および検出することと、前記結像光学システムにおいて、前記複数の第1波長の放射をフィルタ除去し、前記検出された画像が前記第1波長とは異なる1つ以上の第2波長の放射のみを使用して形成されるようにすることにより、前記一次放射に反応して汚染物質粒子の材料により放出された二次放射を使用して、汚染物質粒子の存在および場所を示す画像を得ることと、を含み、検査の結果に応じて、前記パターニングデバイスをクリーニングし、またはクリーニングせず、前記パターニングデバイスを使用して、リソグラフィ装置内のデバイス基板にデバイスパターンを付与する、デバイス製造方法。物品を検査して汚染物質粒子を検出かつ位置特定するための検査装置であって、1つ以上の第1波長の一次放射を生成するための放射源と、前記一次放射を受光し、かつ前記物品の少なくとも一部分を前記一次放射で照明する照明光学系と、結像光学システムおよびイメージセンサにより、前記照明された物品の画像を形成および検出する結像光学システムと、前記結像光学システム内に配置され、前記複数の第1波長の放射を除去して、前記検出された画像が前記第1波長とは異なる1つ以上の第2波長の放射のみを使用して形成されるようにすることにより、前記一次放射に反応して汚染物質粒子の材料により放出された二次放射を使用して、汚染物質粒子の存在および場所を示す画像を得る、フィルタと、を備える、検査装置。前記放射源は、複数の別々の波長にて前記一次放射を生成するように配置される、請求項19に記載の装置。前記フィルタは、前記一次放射における前記複数の波長のうちの少なくとも2つに対応する複数の別々の阻止帯域を含むスペクトル応答を有する、請求項20に記載の装置。前記結像光学システムは、並行して動作する複数のブランチを備え、各ブランチが、それぞれのフィルタによって前記二次放射から選択された異なる1つまたは複数の波長の放射を使用して画像を形成および検出する一方、前記一次放射をフィルタ除去する、請求項19~21のいずれかに記載の装置。前記異なる複数のブランチで検出された複数の画像を合わせて分析して検査結果を出力する処理ユニットをさらに備える、請求項22に記載の装置。前記検査結果は、前記複数の画像のうちの少なくとも1つにおいて検出された画像フィーチャの場所に応じて、汚染の存在および場所を示す、請求項23に記載の装置。前記検査結果は、前記検出された複数の画像のうちのどれがその粒子の画像を含むかに応じて、異なる材料の複数の汚染物質粒子を判別する、請求項23または24に記載の装置。前記フィルタ除去された一次放射の少なくとも一部分を受ける暗視野結像光学システムであって、中間瞳面内に空間フィルタを有することにより検査中の前記物品の暗視野画像を形成および検出する暗視野結像光学システムをさらに備える、請求項19~25のいずれかに記載の装置。前記空間フィルタは、検査中の前記物品の周期的なフィーチャに関連した複数の空間周波数成分を遮蔽する、請求項26に記載の装置。前記空間フィルタは、異なる複数の物品を検査する際に、異なる複数の空間周波数成分を遮蔽するように動作可能なプログラマブル空間光変調器である、請求項27に記載の装置。前記第1および第2波長は、金属酸化物材料の汚染物質粒子を検出するように選択される、請求項19~28のいずれかに記載の装置。前記第1および第2波長は、有機材料の汚染物質粒子を検出するように選択される、請求項19~29のいずれかに記載の装置。前記第1および第2波長は、Al、SnおよびFeなどの非貴金属の汚染物質粒子を検出するように選択される、請求項19~30のいずれかに記載の装置。前記一次放射は、YAGレーザ放射の2つ以上の高調波を含む、請求項19~31のいずれかに記載の装置。リソグラフィ装置であって、パターニングデバイスのためのサポートと、基板のためのサポートと、前記パターニングデバイスから前記基板へパターンを転写するための投影光学システムと、検査システムと、を備え、前記検査システムは、1つ以上の第1波長の一次放射を生成するための放射源と、前記一次放射を受光し、かつ前記物品の少なくとも一部分を前記一次放射で照明する照明光学系と、結像光学システムおよびイメージセンサにより、前記照明された物品の画像を形成および検出する結像光学システムと、前記結像光学システム内に配置され、前記複数の第1波長の放射を除去して、前記検出された画像が前記第1波長とは異なる1つ以上の第2波長の放射のみを使用して形成されるようにすることにより、前記一次放射に反応して汚染物質粒子の材料により放出された二次放射を使用して、前記汚染物質粒子の存在および場所を示す画像を得る、フィルタと、を備え前記検査システムは、前記リソグラフィ装置から前記パターニングデバイスを取り外すことなく前記パターニングデバイスを検査するように動作可能である、リソグラフィ装置。物品を検査して汚染物質粒子を検出するための方法であって、前記物品を1つ以上の第1波長の一次放射で照明することと、それぞれがイメージセンサを有しかつその画像を前記照明された物品から受光した放射の異なる部分により形成する、結像光学システムの複数のブランチのそれぞれを使用して、前記照明された物品の複数の画像を形成および検出することと、前記検出された複数の画像のうちの2つ以上からの情報を組み合わせ、汚染物質粒子の存在および場所を報告することと、を含む、方法。前記複数のブランチのうちの少なくとも1つにおいて、前記第1波長の放射がフィルタ除去され、前記検出された画像が前記第1波長とは異なる1つ以上の第2波長の放射のみを使用して形成されるようにすることにより、前記一次放射に反応して前記汚染物質粒子の材料により放出された二次放射を使用して、前記汚染物質粒子の存在および場所を示す画像を得る、請求項34に記載の方法。前記複数のブランチのうちの少なくとも2つにおいて、前記1次波長の放射がフィルタ除去され、前記検出された画像が前記第1波長とは異なる1つ以上の第2波長の放射のみを使用して形成されるようにし、前記2つのブランチのそれぞれが、前記一次放射に反応して前記汚染物質粒子の材料により放出された二次放射の異なる複数の波長を使用する、請求項34または35に記載の方法。検査の報告は、前記複数の検出された画像のどれがその粒子の画像を含むかに応じて、異なる材料の複数の汚染物質粒子を判別する、請求項34、35または36に記載の方法。前記複数のブランチのうちの少なくとも1つは、暗視野結像システムを備え、かつ前記フィルタ除去された一次放射の少なくとも一部分を受光し、前記暗視野結像システムは、中間瞳面内に空間フィルタを有し、それにより検査中の前記物品の暗視野画像を形成および検出する、請求項34~37のいずれかに記載の方法。前記空間フィルタは、検査中の前記物品の周期的なフィーチャに関連した複数の空間周波数成分を遮蔽する、請求項38に記載の方法。前記空間フィルタは、異なる複数の物品を検査する際に、異なる複数の空間周波数成分を遮蔽するように動作可能なプログラマブル空間光変調器である、請求項39に記載の方法。物品を検査して汚染物質粒子を検出かつ位置特定するための検査装置であって、1つ以上の第1波長の一次放射を生成するための放射源と、前記一次放射を受光し、かつ前記物品の少なくとも一部分を前記一次放射で照明する照明光学系と、結像光学システムの複数のブランチのそれぞれを使用して、前記照明された物品の複数の画像を形成および検出する結像光学システムであって、各ブランチがイメージセンサを有し、かつその画像を前記照明された物品から受光した放射の異なる部分により形成する、結像光学システムと、前記検出された複数の画像のうちの2つ以上からの情報を組み合わせて、汚染物質粒子の存在および場所を報告するプロセッサと、を備える、検査装置。前記複数のブランチのうちの少なくとも1つにおいて、前記第1波長の放射がフィルタ除去され、前記検出された画像が前記第1波長とは異なる1つ以上の第2波長の放射のみを使用して形成されるようにすることにより、前記一次放射に反応して前記汚染物質粒子の材料により放出された二次放射を使用して、前記汚染物質粒子の存在および場所を示す画像を得る、請求項41に記載の装置。前記複数のブランチのうちの少なくとも2つにおいて、前記第1波長の放射がフィルタ除去され、前記検出された画像が前記第1波長とは異なる1つ以上の第2波長の放射のみを使用して形成されるようにし、前記2つのブランチのそれぞれが、前記一次放射に反応して前記汚染物質粒子の材料により放出された異なる複数の波長の前記二次放射を使用する、請求項41または42に記載の装置。前記プロセッサは、前記検出された複数の画像のうちのどれがその粒子の画像を含むかに応じて、異なる材料の複数の汚染物質粒子を判別する検査報告を生成する、請求項41、42または43に記載の装置。前記複数のブランチのうちの少なくとも1つは、暗視野結像システムを備え、かつ前記フィルタ除去された一次放射の少なくとも一部分を受光し、前記暗視野結像システムは、中間瞳面内に空間フィルタを有し、それにより検査中の前記物品の暗視野画像を形成および検出する、請求項41~44のいずれかに記載の装置。前記空間フィルタは、検査中の前記物品の周期的なフィーチャに関連した複数の空間周波数成分を遮蔽する、請求項45に記載の装置。前記空間フィルタは、異なる複数の物品を検査する際に、異なる複数の空間周波数成分を遮蔽するように動作可能なプログラマブル空間光変調器である、請求項46に記載の装置。0036本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ1つ以上の実施形態を開示する。開示される実施形態は本発明を例示するに過ぎない。本発明の範囲は開示される実施形態に限定されない。0037説明される1つ以上の実施形態、および明細書中の一実施形態、ある実施形態、例示的な実施形態等への言及は、説明される実施形態が特定の特徴、構造、または特性を含み得ることを示すが、必ずしもすべての実施形態がその特定の特徴、構造、または特性を含んでいなくてもよい。また、かかる表現は、必ずしも同じ実施形態を指すものではない。また、特定の特徴、構造、または特性がある実施形態に関連して説明される場合、かかる特徴、構造、または特性を他の実施形態との関連においてもたらすことは、それが明示的に説明されているか否かにかかわらず、当業者の知識内のことであると理解される。0038本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはそれらのあらゆる組合せにおいて実施され得る。本発明の実施形態はまた、機械可読媒体に記憶され、1つまたは複数のプロセッサにより読み出され実行され得る命令として実施されてもよい。機械可読媒体は、機械例えばコンピュータデバイスによって読み取りが可能な形態で情報を記憶または送信するためのあらゆるメカニズムを含み得る。例えば、機械可読媒体は、読出し専用メモリROM、ランダムアクセスメモリRAM、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、または電気、光、音、もしくはその他の形態の伝搬信号例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号等、などを含み得る。また、本明細書において、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令が何らかの動作を行うと説明されることがある。しかし、そのような説明は単に便宜上のものであり、かかる動作は実際には、コンピュータデバイス、プロセッサ、コントローラ、またはファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令等を実行する他のデバイスによるものであることが理解されるべきである。0039このような実施形態をより詳細に説明する前に、本発明の実施形態が実施され得る例示的な環境を提示することが有益である。0040図1は、本発明の一実施形態に係る放射源コレクタモジュールSOを備えたリソグラフィ装置100を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームB例えば、EUV放射を調整するように構成された照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えば、マスクまたはレチクルMAを支持するように構築され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに連結されたサポート構造例えば、マスクテーブルMTと、基板例えば、レジストコートウェーハWを保持するように構築され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに連結された基板テーブル例えば、ウェーハテーブルWTと、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば、1つ以上のダイを含む上に投影するように構成された投影システム例えば、反射投影レンズシステムPSと、を備える。0041照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。0042サポート構造MTは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスMAを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。0043パターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。0044パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型位相シフト、およびハーフトーン型位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。0045投影システムは、照明システムと同様に、使われている露光放射にとって、あるいは真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、または他のタイプの光学コンポーネント、またはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光学コンポーネントを含むことができる。EUV放射では、他のガスが放射の多くを吸収するおそれがあるため、真空を使用することが望ましいことがある。したがって、真空壁および真空ポンプを使って、ビームパス全体に真空環境を提供してもよい。0046本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの例えば、反射型マスクを採用しているものである。0047リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルおよび/または2つ以上のマスクテーブルを有する型のものであってもよい。そのようなマルチステージ機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を1つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の1つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。0048図1を参照すると、照明システムILは、放射源コレクタモジュールSOから極端紫外線放射を受ける。EUV光を生成する方法としては、例えば、キセノン、リチウムまたはスズなどといった、EUV範囲内の1つ以上の輝線を有する元素を少なくとも1つ有する材料を、プラズマ状態へと変換することが含まれるが、必ずしもこれに限定されない。そのような方法のうちの1つであり、しばしばレーザ生成プラズマLPPと呼ばれる方法では、所望の輝線を放出する元素を有する材料の小滴、流れまたはクラスタなどの燃料をレーザビームで照射することにより所望のプラズマを生成することができる。放射源コレクタモジュールSOは、燃料を励起するレーザビームを提供するためのレーザ図1中図示なしを含むEUV放射システムの一部であってもよい。結果として得られるプラズマは、例えばEUV放射などの出力放射を放出し、この出力放射は放射源コレクタモジュール内に配置される放射コレクタを使って集光される。例えば、CO2レーザを使用して燃料励起のためのレーザビームを提供する場合、レーザおよび放射源コレクタモジュールは別個の構成要素とすることができる。0049そのような場合には、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、レーザから放射源コレクタモジュールへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合、例えば、放射源がしばしばDPP源と呼ばれる放電生成プラズマEUVジェネレータである場合においては、放射源は、放射源コレクタモジュールの一体部分とすることもできる。0050イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常、それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるを調節することができる。さらに、イルミネータILは、ファセットフィールドfacettedfieldおよび瞳ミラーデバイスといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。0051放射ビームBは、サポート構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されているパターニングデバイス例えば、マスクMA上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス例えば、マスクMAから反射された後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点をあわせる。第2ポジショナPWおよび位置センサPS2例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサを使って、例えば、さまざまなターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置決めするように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサPS1を使い、パターニングデバイス例えば、マスクMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス例えば、マスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1およびM2と、基板アライメントマークP1およびP2とを使って、位置合わせされてもよい。0052例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。1.ステップモードにおいては、サポート構造例えば、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影するすなわち、単一静的露光。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。2.スキャンモードにおいては、サポート構造例えば、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影するすなわち、単一動的露光。サポート構造例えば、マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの縮小拡大率および像反転特性によって決めることができる。3.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造例えば、マスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0053上述の使用モードの組合せおよび/またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。0054図2は、放射源コレクタモジュールSO、照明システムILおよび投影システムPSを含む装置100をより詳細に示している。放射源コレクタモジュールSOは、放射源コレクタモジュールSOの閉鎖構造220内に真空環境を維持することができるように構築および配置されている。EUV放射放出プラズマ210は、放電生成プラズマ源により形成することができる。EUV放射は、例えばXeガス、Li蒸気またはSn蒸気などのガスまたは蒸気により生成され得るが、この蒸気またはガス内で、非常に高温のプラズマ210が作り出され、電磁スペクトルのEUV範囲の放射を放出する。非常に高温のプラズマ210は、例えば、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを引き起こす放電によって作り出される。放射を効率的に生成するには、Xe、Li、Sn蒸気または他の好適なガスもしくは蒸気の、例えば10Paの分圧が必要となり得る。ある施形態では、EUV放射を生成するために励起されたスズSnのプラズマが提供される。0055高温のプラズマ210により放出される放射は、放射源チャンバ211から、放射源チャンバ211の開口部内またはこの開口部の後方に位置決めされた任意選択のガスバリアまたは汚染物質トラップ230場合によっては汚染物質バリアまたはフォイルトラップとも呼ばれるを介して、コレクタチャンバ212内へと通過する。汚染物質トラップ230は、チャネル構造を含み得る。汚染トラップ230は、また、ガスバリアまたはガスバリアとチャネル構造との組み合わせを備えてもよい。本明細書においてさらに示される汚染物質トラップまたは汚染物質バリア230は、当技術分野で周知のように、少なくともチャネル構造を含む。0056コレクタチャンバ211は、いわゆる斜入射型コレクタであり得る放射コレクタCOを含んでもよい。放射コレクタCOは、上流放射コレクタ側251および下流放射コレクタ側252を有する。コレクタCOを横断する放射は、格子スペクトルフィルタ240で反射され、仮想放射源点IFに合焦され得る。仮想放射源点IFは、通常、中間焦点と呼ばれ、放射源コレクタモジュールは、この中間焦点IFが閉鎖構造220の開口部221に位置する、または該開口部221付近に位置するように配置される。仮想放射源点IFは、放射放出プラズマ210の像である。0057続いて、放射は照明システムILを横断する。照明システムILは、パターニングデバイスMAにおいて放射ビーム21に所望の角度分布を提供し、かつパターニングデバイスMAにおいて放射強度に所望の均一性を提供するように配置されたファセットフィールドミラーデバイス22およびファセット瞳ミラーデバイス24を含んでもよい。放射ビーム21がサポート構造MTに保持されたパターニングデバイスMAで反射されると、パターン付きビーム26が形成され、このパターン付きビーム26は、反射要素28、30を介してウェーハステージまたは基板テーブルWTに保持された基板W上に投影システムPSにより結像される。0058一般に、照明光学系ユニットILおよび投影システムPS内には、図示されるよりも多い要素が存在し得る。リソグラフィ装置のタイプに応じて、格子スペクトルフィルタ240を任意で存在させてもよい。さらに、図に示されるよりも多いミラーが存在してもよく、例えば、図2に示されるよりも1~6個多い追加の反射要素が投影システムPS内に存在してもよい。0059図2に図示されるコレクタ光学系COは、単にコレクタまたはコレクタミラーの一例として、斜入射リフレクタ253、254および255を有する入れ子型コレクタnestedcollectorとして示されている。斜入射リフレクタ253、254および255は、光軸Oを中心に軸対称に配置され、このタイプのコレクタ光学系COは、しばしばDPP源と呼ばれる放電生成プラズマ源と組み合わせて使用されるのが好ましい。0060あるいは、放射源コレクタモジュールSOは、図3に示すようなLPP放射システムの一部であり得る。レーザLAは、キセノンXe、スズSnまたはリチウムLiなどの燃料内に、レーザエネルギを与え、数十eVの電子温度を有する高度にイオン化されたプラズマ210を作り出す。これらイオンの脱励起および再結合中に生成されるエネルギ放射は、プラズマから放出され、近法線入射nearnormalincidenceコレクタ光学系COによって集光され、閉鎖構造220の開口部221上に合焦される。0061図4は、EUVリソグラフィ装置の別の構成を示し、このEUVリソグラフィ装置において、スペクトル純度フィルタSPFは、反射型の格子ではなく、透過型である。この場合、放射源コレクタモジュールSOからの放射は、コレクタから中間焦点IF仮想放射源点までまっすぐな経路を辿る。図示されない別の実施形態では、スペクトル純度フィルタ11は、仮想放射源点12上またはコレクタ10と仮想放射源点12との間のいずれかの点に位置決めされ得る。フィルタは、放射経路内の別の場所、例えば仮想放射源点12の下流に置かれてもよい。複数のフィルタを採用してもよい。前述の例のように、コレクタCOは、斜入射タイプ図2でもよいし、正反射リフレクタdirectreflectorタイプ図3であってもよい。0062光ルミネッセンスPL信号の有無を、半導体基板上の欠陥の有無を示すものとして使用することが提案されている。例えば、参照することでその全体が本明細書に組み込まれる特開2007-258567または特開平11-304717を参照のこと。しかし、これらの技術の粒子検出能力の改善は、望ましい。2009年8月4日出願の米国仮特許出願第61/231,161号の優先権を主張する、2010年7月2日出願の国際特許出願PCT/EP2010/059460号出願人参照番号P-3485.010-WOこれらの出願は、参照することでその全体が本明細書に組み込まれるでは、EUVリソグラフィレチクル上の汚染物質の検出に対する分光学的なアプローチが提案されている。特に、時間分解分光法が記載されている。レチクル上の汚染物質粒子の正確な位置を決定するためには、検査される領域を徐々に小さくする検索プロセスが提案される。これは、いくつもの測定工程を要し、検査に要する時間が大幅に増す。参照することでその全体が本明細書に組み込まれる我々の米国仮特許出願第号出願人参照番号P-3710.000-USでは、汚染物質を優先的に隠す蛍光マーカー染料を追加し、より高い感度で汚染を検出できるようにすることが提案されている。参照することでその全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願公開第2009/0303450A号は、液晶LCデバイスを適応フィルタとして使用して、レチクルのパターンを取り除き、それにより汚染物質粒子のおおよその場所を示す画像が得られるようにする検査方法を開示する。0063以下の説明は、物体上の粒子の検出を可能にする物体検査のシステムおよび方法を提示する。検出対象の物体は、例えば、集積回路内の個々の層上に形成される回路パターンを生成するためのリソグラフィパターニングデバイスであり得る。パターニングデバイスの例には、マスク、レチクル、または動的パターニングデバイスが含まれる。このシステムで使用可能なレチクルには、例えば、周期パターンを有するレチクルおよび非周期パターンを有するレチクルが含まれる。レチクルは、例えばEUVリソグラフィおよびインプリントリソグラフィといったあらゆるリソグラフィプロセス内でも使用することができる。0064図5は、典型的なEUVレチクル500を断面図で図示するものであり、このEUVレチクルは、図1~4のリソグラフィ装置のいずれかのパターニングデバイスMAであってよい。レチクル500は、基板502、多層コーティング504、およびパターン層506を含む。0065一例の実施形態において、レチクル500は、石英または別の低熱膨張材料から形成される基板502と、モリブデンとシリコンの交互層を含む反射多層コーティング504とを含むEUVレチクルであり得る。多層コーティング504は、例えば、数十層を含んでよく、一例では、約200nmの厚さを有し得る。また、多層の上面には、例えばルテニウムまたはシリコンから形成されるキャップ層508が設けられてもよい。0066パターン層506は、レチクル500のパターンを画定する。EUVレチクルの場合では、パターン層506は、アブゾーバ層である。同様に、EUVレチクルの多層504は、反射性である。0067EUVレチクルのパターン層506は、例えば、窒化タンタルTaNから形成され得る。TaNOの表面層が存在してもよい。アブゾーバの高さは、一例では、およそ70ナノメートルであり、およそ100nmの幅を有し得るこれは、リソグラフィシステムのクリティカルディメンジョンCDのおよそ4倍であるが、その倍率は、ウェーハとレチクルとの間の縮小係数に依存する。0068パターン層によって画定されるパターンは、原則的には、任意であり、ラインと、コンタクトホールと、周期的パターンおよび非周期的パターンから構成され得る。以下で詳細に説明する本発明の特定の実施形態では、レチクルの特定の領域に周期的パターンが存在することを利用して、一部の汚染物質粒子の検出は可能である。しかし、パターンに関係なく汚染物質を検出する技術が求められる。0069図面には、汚染物質粒子510、512および514も示されている。これらは、レチクル500の一部ではなく、ある状況下でレチクル500に吸着または堆積したものであり得る。リソグラフィ装置は、複雑で、かつ多くの異なる材料を使用するため、原則的には、あらゆるタイプの粒子がレチクル500上に堆積する可能性がある。これらの粒子は、導電性のこともあれば絶縁性のこともあり、あらゆる形状またはサイズで、導電コーティング504またはパターン層506上に堆積し得る。堆積する可能性のある粒子のタイプの例には、有機粒子、金属粒子および金属酸化物粒子が含まれる。0070電磁放射が固体の表面に入射すると、放射の通常の反射に加えて、光子の二次放射が発生する。固体の表面上での二次光子放射の生成プロセスは、多数存在する。本願の分野において関心の持たれる3つのプロセスとして、光ルミネッセンスPL、非弾性光散乱プロセスラマン散乱および表面増強ラマン散乱SERSなど、および、弾性光散乱がある。非線形生成などの他のプロセスは、他の用途において有用であることもある。これらの現象のそれぞれの効率は、関連する材料のタイプに左右される。リソグラフィ装置で使用されるレチクルなどのパターニングデバイスの表面上に集まる粒子は、一般的に、パターニングデバイスを形成する材料とは異なるタイプの材料の粒子である。以下で説明する例図6~11では、この事実を利用して、汚染物質粒子のタイプの少なくともいくつかによって示される1つ以上のタイプの光ルミネッセンスを利用することにより、汚染物質粒子を検出する。本発明者らは、光ルミネッセンス技術およびラマン分光法技術を使用して、異なる材料の異なる反応を分析した。これらの実験は、スペクトルの例と共に、参照することによりその全体が本明細書に組み込まれる、前出のPCT出願PCT/EP2010/059460に提示される。この情報は、本発明を理解するための背景として、参照することにより本明細書に組み込まれる。[第1実施形態]0071図6は、本明細書で開示される粒子検出方法の原理を例示する。本発明の第1実施形態に係る検査装置600が提供される。検査装置600は、照明光学系を介してレチクル500を照明する放射源602を備える。照明光学系には、本例では、検査装置の視野FOVを所望の範囲の角度から誘導された放射で照明する1つ以上のミラー604が含まれる。放射源602は、1つ以上のタイプの汚染物質粒子において、光ルミネッセンスの好適な励起波長となるように選択される波長λPで1つ以上のタイプの一次放射を提供する。実用上は、一次放射は、λP1、λP2などと示すことができるいくつかの波長を含み得る。この照明により、汚染物質粒子は励起状態にされ、その後、1つ以上の光ルミネッセンスメカニズムにより異なる波長λSで二次放射を放出することができる。実用上は、2つ以上の異なる波長の二次放射を使用して、汚染物質粒子の検出を改善することが好ましい場合がある。これらの異なる波長は、λS1、λS2などと示すことができ、異なるタイプの汚染物質粒子によって放出される複数の波長、または同一の材料内で異なる光ルミネッセンスプロセスによって放出される複数の波長であり得る。対物レンズ606および結像レンズ608を含む検出光学系は、放出された放射を集光し、それをセンサ610へと送る。センサ610は、本例では、二次放射波長に高感度を有する、二次元アレイの画素を有するカメラセンサである。センサ610に当たった放射により形成された画像は、画素データに変換され、処理ユニットPUにおいて処理される。この計測器の視野FOVは、センサ610上のイメージフィールドFOV’に結像される。この概略図では、倍率は示されていないが、実際のシステムでは、イメージフィールドは、視野FOVよりも大きいこともあれば、小さいこともある。実用上は、倍率があるものと考えられる。センサ上の大きい集光領域は、入射パワー密度を小さく維持することになる。スループットは、通常、エタンデュが大きく、ディテクタ領域に大きく依存した光学システムで最大になる。0072上述した先行出願に記載されるように、パターン層506の高さによって引き起こされるシャドーイング効果により、パターン層506を形成するアブゾーバ材料の部分間に隠れた粒子を照明するのが難しくなるおそれがある。先行出願のように、シャドーイングを避けるために、照明を真上からレチクル500に誘導してもよい。その代わりに、またはそれに加えて、放射を、レチクル表面において完全に陰になる部分がないような範囲の角度から斜めにレチクルに誘導してもよい。放射源602からの放射は、検出光学系の一部である対物レンズ606を通過してもよいし、または、完全に独立して進んでもよい。照明光学系は、反射要素および/または透過要素を含み得る。先行出願PCT/EP2010/059460における異なる形態の照明光学系の開示は、参照することによりその全体が本明細書に組み込まれる。0073対物レンズ606で受光した放射は、比較的大量の散乱一次放射を含むことになり、汚染物質により放出された二次放射は、あったとしても、非常に弱い信号を示す。そこで、フィルタ612が検出光学系内に設けられ、このフィルタ612は、一次放射波長λPを遮蔽する一方、二次放射波長λSを通過させるように設計されている。上述した先行出願では、レチクル表面の結像は行われていない。むしろ、計測器の視野内でレチクルの全体から散乱および放出された放射が1つの光学信号に統合され、光ファイバを介してスペクトロメータに送られる。スペクトロメータは、受光した放射を、そのエネルギ波長または周波数ドメイン内で分析して、スペクトルを得る。レチクルパターンによって単に散乱された放射を含む主要な信号は、照明と同一のスペクトルを有するため、観察されたスペクトルから容易に差し引くことができる。レチクル自体の材料により放出された二次放射もまた、前もって予測し、十分に特徴付けておくことができる。レチクルにより放出された二次放射は、図中、波長λSMとして符号付けされている。図中に符号付けされたあらゆる波長成分と同様に、これは、実際はレチクルの1つの材料または複数の材料に起因する波長の集まりであってよく、符号λSMは、この波長の集まりの省略表現として使用される。これらの成分λSMおよびλPを、本装置の処理ユニットPUに類似した処理ユニットにおいて、観察された信号から差し引いた後、残った残留信号が、粒子である異物に属すると想定される。0074図6の装置および以下でさらに説明する実施形態により、先行出願に記載された装置の特定の限界が克服される。分光学的なアプローチの限界の1つとして、比較的大きい領域この文脈では、おそらく1mm2からのすべての放射が1つの信号に統合されるため、汚染物質粒子の場所は、その領域のサイズ内では分解されない点が挙げられる。先行出願に記載されるように、サブ領域のスキャンを複数回実行することはできるが、それにより検査時間は増してしまう。分光装置の実用上の実施形態における別の欠点は、分光法で採用されるディテクタが、通常、二次元アレイの画素を有するCCD電荷結合素子イメージセンサであり、その二次元アレイの一方の軸しかスペクトルを分解するのに使用されないことである。センサの他方の次元では、全画素の信号が合わせて統合されて、1波長の周波数でスペクトルの値を得る。しかし、同時に、これらの画素の暗電流もまた統合される。これにより、計測器の単位波長あたりの雑音が増加し、それにより、汚染物質信号に対する感度が低下する。さらに、空間分解能を使用すると、データ解釈がより容易になる。事実、粒子放射は非常に局所化されているため、我々が、粒子を見ているのか、あるいは、通常は局所化されず空間的座標の全体に対して存在する何らかの人工物を見ているのかは、直ちに明白になる。0075先行出願に記載された装置のさらなる限界は、一般的に、スペクトログラフの小さいエタンデュから生じる。このエタンデュは、通常、0.13以下の範囲の開口数NAとおよそ2×6mm2の使用可能な入口開口とによって特徴付けられる。より大きいエタンデュのスペクトログラフは存在するが、それらは、普通、他の限界を抱えている。これらの欠点を避けるために、図6の検査装置および以降のさらなる実施形態では、スペクトルを取得し、ソフトウェアでフィルタリングを実行する代わりに、フィルタ612を使用して光学ドメインにフィルタリングを適用する。本発明者らは、実用上、フィルタ除去されるべきスペクトル範囲主に、一次放射波長は、十分に狭いため、信号をスペクトルに分解する必要なく、バンドフィルタを使って、結像光学系のビームパスに沿って分離することができることを認識した。したがって、スペクトログラフの必要性がなくなり、装置は、単に、標準のCCDまたは類似の2次元のイメージセンサ上にレチクルを結像する。この方法により、装置は、取得エタンデュacquisitionetendueが大幅に増加し、結果として、感度を高め、かつ/または、検査時間の短縮させることができる。放射源602が、一次放射として、光ルミネッセンスを使用したレチクルの検査にとって望ましくない波長で放射を生成する場合、任意で、これらの望ましくない波長を、検出光学系内ではなく、放射源でフィルタ除去してもよい。しかし、特定タイプの汚染物質による二次放射の放出を増加させ、または異なる複数の材料により二次放出を引き起こし、それにより装置がより多くのタイプの汚染物質粒子を検出できるようにするために、異なる複数の一次放射波長λP1、λP2などが望まれる場合もある。0076フィルタ612の設計は、それぞれが特定のノッチ周波数または通過帯域を規定する1つ以上の要素612a、612bの組み合わせからフィルタ612を作製することで、簡素化することができる。望まれる放射の一部分は、概して、フィルタの境界面で消失してしまうため、一般的に、できるだけ少ない要素を使用することが望まれる。多帯域フィルタ応答について、図8に例示し、以下で詳細に説明する。同時に、通過され、かつイメージセンサ610により検出される波長は、実のところ、おそらく紫外線UVから赤外線までと非常に広範囲にわたる場合があり、光学システムの設計を非常に難しくしている。したがって、その様な場合は、結像光学系のコストおよび/性能が望ましくないこともある。これらの状況において、設計の自由度を増加させるために採用し得るいくつかの変更および対策を以下で詳細に説明する。0077図7aは、図6の装置により検査中のレチクル500の平面図である。前述したように、装置の視野は、レチクル表面全体よりもいくらか小さいため、完全な検査を実行するためには複数の画像を得る必要がある。図示を簡素化するために、図7では、レチクルの全体が一度に結像できるかのように示されている。実用上は、検査装置の視野FOVは、レチクル領域の小さい部分であり、段階的な間隔で一連の画像を撮影して、対象の領域全体をカバーすることになる。これらの画像は、希望に応じて、個別に処理されてもよいし、あるいは、1つの大きい画像につなぎ合わされてもよい。ステッピングではなく、いわゆる時間遅延積分またはTDI技術を使ってスキャンすることによって、高速の取得を行うことができる。TDIは、CCDベースのカメラの読出しと移動との特別な同期を使用して、動いている対象を結像するための公知の技術である。TDIは、より高速ではあるものの、感度を犠牲にし得るため、どの技術を使用するかは、実験および設計上の選択の問題である。0078図7bにおいて、500’は、検査装置のイメージセンサ610上に形成され、かつこのイメージセンサによって検出されたレチクル領域の画像を表す。イメージセンサ上の軸X’およびY’は、レチクル上の実際の軸xおよびyに対応する。レチクル上のパターン層506によって形成されたパターンフィーチャは、図7aにおいてハッチングで示されている。散乱した一次放射およびレチクル材料によって放出された二次放射は、フィルタ612により遮蔽されるため、パターンフィーチャは、図7bに示すレチクルの画像には影響しない。一方で、汚染物質510および512は、フィルタ612により遮蔽されない波長で二次放射を放出することで一次放射に反応するため、これらの粒子の画像510’および512’は、図7bのセンサ画像内で、十分に目立ち、処理ユニットPUにより検出することができる。0079なお、514と符号の付けられた別のタイプの汚染物質粒子は、画像500’の中には現れないため、この簡素な実施形態の装置では検出されない。フィルタ設計により、レチクル自体の材料と同一または類似の材料の汚染物質粒子は、本例では、当然検出されない。粒子514などのより多くのタイプの粒子を検出可能にするためには、別の状況が考慮され得る。第1タイプの状況では、粒子514は、レチクルとは異なる材料であり、粒子510および512が検出された条件と同一の条件下では検出するのに十分な量の二次放射を放出しない材料のものである。典型的に汚染物質として発見され、検出対象になる異なる複数のタイプの材料を把握することで、放射源602は、実用において、いくつかの個別のレーザ源602aおよび602bを備え、それらの放射を614で光学的に結合させて、一次波長成分λP1、λP2などを提供することができる。汚染物質粒子の検出を改善するために、2つ以上の異なる波長λS1、λS2などの二次放射を使ってレチクルを結像することが望ましい場合がある。これらの波長は、異なるタイプの汚染から放出される波長または一次放射の異なる波長成分に反応して同一の汚染から放出される波長であり得る。その場合、異なる波長λS1、λS2などで結像することで、より多くのタイプの汚染物質粒子を検出することが可能になる。異なる複数の波長の二次放射は、場合により異なる複数の波長の一次放射に反応して、同一タイプの汚染物質粒子内で異なる光ルミネッセンスメカニズムにより放出されることもある。その場合、異なる波長λS1、λS2などを使って結像することで、より高い確実性で汚染物質粒子を検出することが可能になる。図6の実施形態のフィルタ612は、したがって、全ての求められる波長λS1、λS2などの二次放射を通過させるべきである。フィルタ612の設計は、繰り返しになるが、1つ以上の要素612a、612bの組み合わせからこのフィルタを作製することにより、簡素化することができる。一部の放射はフィルタの境界面で消失してしまうため、一般的には、できるだけ少ない要素を使用するのが望ましい。0080処理ユニットPUは、検査結果をオペレータまたはリソグラフィ装置の自動制御システムへと送るための出力615を有する。PUが、より大きい装置の制御ユニットと物理的に同一の実施形態では、その結果は、当然内部に送られる。結果は、専用のハードウェア出力上で送られてもよいし、あるいは、メッセージとして多目的通信チャネル上で送られてもよい。検査結果は、疑われる汚染の少なくとも存在および場所を示す。任意で、検査結果は、検出物のより詳細なパラメータ、例えば、強度情報を提供してもよい。0081図8は、市販のマルチノッチフィルタについて、透過率T対波長における性能を示す。水平アクセスは、波長において、スペクトルの紫外線UV部の300nmから、可視範囲VISを通って、近赤外線NIR内に入り、右側で1100nmの波長に到っている。透過率Tは、各通過帯域内で90を超える一方、通過帯域外では、ほぼゼロまで非常に急激に降下することが見て取れる。これらの特徴を有するフィルタは、多くの供給業者から入手可能である。図8に図示した特徴は、ニューヨーク州14624ローチェスタのSemrock社wwwsemrockcomにより製造および販売されているフィルタに関連する。この会社からは、単一または複数の通過帯域を有するフィルタ、単一または複数のノッチを有するフィルタなどが入手可能である。フィルタは、特に、ラマン分光法をサポートするのに利用することができる。00821つのフィルタ内に複数の通過および/または遮蔽帯域を有するフィルタを使用することで、有用な放射が境界面で消失するのを減少させる。結像光学システムのうち平行な放射光線を有する一部にフィルタ612が採用されているという事実により、全光線にわたって一定したフィルタ応答が保証される。上述の利点を実用上の実施形態において実現させるためには、まず、レチクル材料の反応が十分に把握されており、λSMの影響がフィルタ612により確実に差し引かれることが想定され得る。また、このことは、レチクルまたは、検査中の他の基板からの二次放射が電磁スペクトルの比較的狭い帯域に限定される場合に役立つ。そうでない場合、少なくとも一部のレチクルの二次放射は、容易には差し引くことができず、実質的にベースライン雑音を増加させるため、検査プロセスの感度を低下させることになる。この条件は、予備実験から典型的なEUVレチクルについて確証されたと見られ、また、検査され得る他のタイプの製品に対してもテストされ得る。0083フィルタは、所望の応答を提供するべく、非常に精密な多層構造でカスタム設計されてもよい。図8において一例として使用された市販のフィルタは、グラフ内で、440nm、520nm、600nmおよび680nmあたりに視認できる非常に明確な通過帯域を有する。本願では、カスタムフィルタが必要になることが見込まれる。以降で詳細に説明する本発明の例では、YAGレーザの第4、第3、第2高調波である励起波長266、355、532nmを阻止するマルチノッチフィルタについて述べたい。レチクル材料からの著しい二次放射の影響がある場合は、阻止/通過帯域フィルタおよび/またはエッジフィルタが提供され得る。0084スペクトログラフを用いた実施形態とは異なり、検査装置600のエタンデュは、関連した光学系のコストおよび複雑性と共に、主にセンサ610のサイズおよび受光角によって制限される傾向がある。幸い、良好な受光角を有する非常に大きいCCDアレイであって、必要な場合は数十メガピクセルを有し、数平方センチメートルの領域を測定するCCDアレイが利用可能である。したがって、スペクトログラフ技術と比較すると、スループットおよび/または感度において、桁違いに大きい改善を見込むことができる。大きいセンササイズと、潜在的に大きいNAの両方が、この格段に大きいエタンデュに寄与する。0085図6の簡素な実施形態では、フィルタ612は、求められる二次放射波長λS1、λS2などの全てを通過させる必要があり、イメージセンサ610もまた、異なる波長λS1、λS2などの放射に高感度である必要がある。図9および10に図示され、以降で説明される実施形態は、これらの設計上の制約を緩和する変更を含んでいる。精通した読者には明らかなように、多くの変形およびさらなる変更、ならびにこれらの実施形態の組み合わせが可能である。ここに示す実施形態は、当業者によって特定の検査用途に適用することができる原理を紹介する。[第2実施形態]0086図9は、本発明の第2実施形態における検査装置800の概略図である。第1実施形態の検査装置600の全てのコンポーネントが存在し、上述した符号と同様に符号付けされているが、それらの特徴は、以下に記載する理由により変更されている場合がある。装置800は、第2ブランチを追加したことにより変更され、この第2ブランチでは、結像光学系808、イメージセンサ810、およびフィルタ成分812aおよび812bが、第1ブランチのコンポーネント608、610、612aおよび612bと同様の機能を果たす。ダイクロイックフィルタ816が2つのブランチ間の合流点に設けられ、イメージセンサ610につながる第1ブランチが、より短い波長放射本例では、紫外線および可視線のみを処理し、イメージセンサ810につながる第2ブランチがより長い波長赤外線を処理するようになっている。第2イメージセンサ810上では、第2画像500’’が形成される。例示のみを目的として、第1ブランチは、波長λS1を有する光線を結像し、第2ブランチが波長λS2を受光し、これを使用してレチクルを結像するように示されている。既に説明したように、これら波長の符号のそれぞれは、1つの波長、複数の波長の集まり、または、いくつかの光ルミネッセンスもしくは他の二次放出プロセスの特徴を表し得る。00872つの別々のブランチを設けることの第1の利点は、検出対象の波長スペクトル全体にわたって適切な性能を有するセンサを見つけ出す必要がある代わりに、イメージセンサ610および810を、それぞれの波長帯における性能に応じて選択することができる点である。その結果、対象の帯域において、センサ610および810の感度および雑音性能は、より良好になることが見込まれる。同様に、そのような広いスペクトル全体で収差の小さい結像光学系を提供するには非常にコストがかかり、かつ困難であることから、結像光学系608、808の設計も、より簡単になる。第3の利点は、要素612a、612b、812a、812bを備えたフィルタの設計もまた緩和される点である。各ブランチ内のフィルタ要素の数は、少なくすることができ、さらに/あるいは、各ブランチによって処理される波長帯内で、性能がより高く、かつ/または、コストのより低いフィルタを提供することができる。図面には示されていないが、一次放射波長λP1、λP2などの一部または全部を遮蔽するためのフィルタを、対物レンズ606とダイクロイックフィルタ816との間に設け、1つのコンポーネントで、両ブランチに対してその機能を果たすようにしてもよい。0088第2実施形態に対する多くの変更が可能であり、それらの一部については既に言及した。基本的に、ブランチの数は2つに限定されない。また、ダイクロイックフィルタ816を使用して同時検出をすることで、複数のブランチを検査プロセスのスループットを低下させることなく分離することが可能になるが、移動鏡または同等の光学切り替え要素を使用することにより、複数のブランチ間で交互に切り替えが行われる別の実施形態を想定することもできる。あるいは、異なる複数の波長帯用の複数のフィルタを同一ブランチの中と外とで切り替えて、同一のセンサ610または810などを使って異なる複数のスペクトル選択型の画像を得るようにしてもよい。0089図10は、その下位図a、b、cにおいて、レチクル領域500と、第1ブランチのイメージセンサ610および第2ブランチのセンサ810上で形成される画像500’および画像500’’と、をそれぞれ示す。第1ブランチの像図10bは、第1実施形態図7bと同一であると想定されるが、単に、本例においても同じことが言えることを示す。この画像において、粒子510および512は、それぞれ明るい点510’および512’として検出することができる。第2ブランチのセンサ810からの画像において、画像500’’は、粒子512に対応する画像512’’を含むが、粒子510に対応する画像は含まない。これは、粒子512の放出が、粒子510の画像とは異なる波長の二次放射を含むことを示している。これらの異なるスペクトル選択型の画像を比較することで、スペクトル情報が得られ、それにより、異なるタイプの粒子、場合によっては異なるサイズの粒子を見分けることが可能になる。0090各ブランチは、そのブランチに含まれる特定範囲の波長に対してより特化したフィルタコンポーネント、結像コンポーネント、感知コンポーネントを有するため、画像500’および500’’のそれぞれにおける感度および信号対雑音比が、第1実施形態の単一の画像500’と比較して改善されることが見込まれる。したがって、第2実施形態では、より弱い信号を与えるより小さい粒子および/または材料が、検出される可能性が高い。[第3実施形態]0091図11は、上記と同様に装置600に基づき、同様に第2ブランチを含むように変更された別の検査装置900を図示する。本実施形態の第2ブランチは、結像光学系908、イメージセンサ910、および任意でフィルタ912を備える。散乱一次放射波長λPを、第2ブランチ内へと進路変更させ、第2ブランチにおいて、この放射を合焦させてセンサ910上に画像500’’を形成させるダイクロイックミラー916が設けられる。第2ブランチ内では、空間光変調器918が結像光学系908の前に設けられ、処理ユニットPUにより制御される。空間光変調器918は、以降で簡単に説明する機能を有する。本例の散乱一次放射は最強信号であり、かつ、センサ910上に結像するために必要とされる信号を表すため、フィルタ912は任意で設けられる。第1ブランチは、第1実施形態のように、一般的に、二次放出の特徴であるより長い波長λSを受光し、センサ610上にスペクトル選択型の画像500’を形成する。0092レチクル検査にSLMによるフーリエフィルタリングを使用する背景については、例えば、参照することによりその内容が本明細書に組み込まれる米国特許出願公開第2007/0258086号などの先行出願において、より詳細に記載されている。SLM918は、例えば、アレイ状の画素または他のアドレス指定可能なセグメントに配置される液晶LCデバイスを備える。SLM918は、結像光学系908の中間瞳面内に位置付けられ、これは、その面内の場所が、結果的に得られる画像500’’’内の場所に対応せず、その画像内の空間周波数成分に対応することを意味する。つまり、SLM918の面内における放射強度の分布は、画像500’’’の空間フーリエ変換であり、SLM918は、フーリエフィルタとも呼ぶことができる。SLM内の一部の画素が不透明に、その他の画素が透明になるようにプログラムすることにより、異なる複数の空間周波数成分の画像500’’’に対する影響を制御することができる。結像光学系の光軸上にある画素の中央グループは、ゼロ次数の散乱放射を遮蔽し、暗視野画像を提供する。SLM918の領域にわたって他の場所を遮蔽することで、異なる周期性のパターンをその画像から除去することもできる。実際の半導体製品向けのレチクルパターンの多くは、例えば、マイクロプロセッサデバイスにおけるバスライン、メモリアレイにおけるワード/ビットラインなどに代表される周期性の高いフィーチャを有する大きい領域を含み、不透明な画素の好適なパターンをSLM918内にプログラム化することで、1次以上の回折次数のスペクトルをこれらの周期性に対して遮蔽するようにすることができる。これにより、センサ910上に形成される画像500’’’から周期的なフィーチャが除去される。基本的に、プログラマブルSLM918は、検査対象の各物体レチクルに対応した透明度に置き換えられ得る。言うまでもなく、多数の異なるパターニングデバイスまたは他の物体が検査される場面では、ソフトウェア制御によりプログラム可能なSLM918の方がより実用的である傾向がある。この説明では、SLMは、透過型であることが想定されているが、同様に、例えばLCデバイスまたはマイクロミラーアレイ変形可能ミラーデバイスDMDなどの反射型のものであってもよい。0093図12は、aにおいて、前記同様に多様な汚染物質粒子510、512、514と、さらに粒子516を有するレチクル500の図を示す。本例において、粒子514および516は、例えば、レチクル材料に非常に類似した特性を有する金属粒子であり、それゆえ、スペクトル選択型の結像のみを適用した第1および第2実施形態では検出が困難な粒子とみなされる。本例のレチクルパターンは、その大半の領域において周期性が高いが、領域518でのみ周期性が崩れている無周期的非周期的または異なる周期性を有するものと想定される。粒子516は、この周期性の崩れた領域518内にあり、粒子514は、高周期性領域にある。0094図12bは、500’において、第1ブランチのセンサ610上に形成されたスペクトル選択型の画像であり、例えば、唯一第1実施形態の画像500’と同一の画像を示す。粒子510および512は、この画像において、点510’および512’として識別できる。粒子514および516は、散乱するため、かつ/または、フィルタ612により遮蔽される放射のみを放出するため、この画像では視認できない。0095図12cは、装置900の第2ブランチ内のセンサ910によって検出された画像500’’’を示し、このセンサ910は、プログラマブル空間光変調器の空間フィルタリング特性を利用している。暗視野画像500’’’では、SLM918の不透明部分に対応した周期性を有する周期性の高いレチクルパターンの領域は、おおかた空白に見える。実際の画像では、これらの空白領域は黒い領域である一方、その他のフィーチャはより高強度の画素を表すことになり、実質上、図面上に示されるもののネガを表すことになる。同様のネガ表示は、当然のことながら、図7および9にも当てはまる。粒子514は、周期性領域においてパターンの周期を有さないため、明るい点514’’’が画像500’’’内に現れることで、この粒子を、第1および第2実施形態では不可能であった方法で検出可能にしている。他方、周期性の崩れた領域518内にある同様の粒子516は、SLM918の非透明部分に対応しない周期性を有する全てのパターンフィーチャの明るい画像518’’’によりマスキングされている。SLM918に適用すべき正しいパターンは、把握されているレチクルパターンの設計、装置自体により成される実験、または、別の装置において行われる空間周波数成分の測定から、計算により決定することができる。0096レチクル設計に基づいて適切なパターンを割り出したり計算したりすることを必要とする代わりに、簡単な適応メカニズムによってSLM内にフーリエフィルタリングパターンを生成するために、要素920および922を設けることができる。920において、中間瞳面内の散乱光のごく一部を、主要なパスから進路変更し、SLM918によるフィルタリングの前に散乱放射のフーリエ変換を記録するCCDまたは他のイメージセンサ922へと誘導される。この信号は、PUによって、SLMを駆動し、所定の閾値よりも明るい画素を抑制するのに使用され得る。なお、所定時間における検査装置の視野は、全レチクル領域のごく一部であるため、大抵の場合、信号は、明確に定義された周期性を有する部分から来るか、そうでないかのいずれかであることを留意されたい。ユニットPUは、センサ910からの信号が、レチクルパターンをフィルタ除去できない領域内で、汚染を示すものと解釈されることがないように、周期性領域と非周期性領域とを判別する役割を担う。外部から提供される情報924をこの目的に使用することができる。情報924は、排除すべきレチクルの領域を明確に識別することができるか、あるいは、パターンに関するより一般的な情報を含むことができる、この情報が、その後、どの領域を排除すべきかを決定する際に、ユニットPUにより解釈される。その代わりに、またはそれに加えて、センサ922からの情報を統計学的に分析して、検査中の領域が十分に周期的でないことを特定し、汚染物質粒子が確実に見分けられるようにしてもよい。0097この第3実施形態から、空間光変調器および暗視野結像を使用して汚染物質粒子を検出すること自体は、高度に周期的なパターンのみに適用可能であることから、レチクル検査の問題を完全に解決するものではないが、他の検査技術に追加するものとして有用であり得ることがわかる。本発明者らは、異なる技術を同時に適用する検査装置を提供することで、汚染物質粒子を検出する機会、特に他の技術では見逃されたであろう粒子を検出する機会が増すことを認識した。検査装置に入射する放射の異なるサブセットを使用して同時に2つの画像が撮影されるため、より高い測定スループットを得ることができる。また、異なる画像500’と500’’’を比較対照することにより、粒子検出の確実性が増し、異なるタイプの汚染物質を同一のプロセスで判別することができる。過剰感度を有する検査装置による汚染の誤検出のリスクを減少させることができる。0098汚染物質の個体数をより高い割合で検出することに関して、暗視野結像技術は、設けられたパターンが周期的であるという条件下でのみ、全タイプの粒子を検出することができる。スペクトル判別型の結像技術第1ブランチは、二次放出が存在する場合にのみ、全タイプのパターン上の粒子を検出することができる。これらの技術を組み合わせて使用することで、各技術単体よりも多くの粒子を検出することができる。唯一の制限は、パターンの非周期的部分上の粒子が、二次放出が存在し、かつ、分光法技術により検出可能である場合以外では検出できないという点である。[追記]0099例えば、両装置800および900の特徴を有するように実施形態を組み合わせて、汚染物質粒子の個体数全体のより高い割合を検出するため、かつ、異なるタイプの汚染をより細かく判別するために、3つ以上の画像500’、500’’および500’’’を比較対照できるようにすることが可能である。存在する汚染のタイプに関する情報は、例えば、汚染除去クリーニングプロセスの選択および制御に対して有用であり得る。汚染のタイプに関する情報は、また、汚染源を究明し、将来的に汚染を減少させる対策を取る際にも有用であり得る。汚染物質タイプ間のより高度な判別が必要な場合、一つの選択肢として、我々の先行出願に記載したような完全な分光法技術を、結像検査装置600、800または900から得た画像500’などから識別される特定の対象領域に適用することが挙げられる。完全な分光法技術は、対象の汚染物質が検出された場合にのみ適用されるため、検査プロセス、ひいてはリソグラフィプロセス自体の日常的なスループットに対する効果は少なくなる。可動ミラーを使用することによって放射を完全な分光法検査機器へと進路変更し、あるいは、分光法検査機器の入力を検査装置内の別の場所に設置して、1つ以上の検出された画像500’などにおける汚染物質の場所を参照した処理ユニットPUの指令で、レチクルまたは他の検査すべき物体の関連部分を検査装置の下に設置することができる。0100一例として、一次放射波長λPは、266nmの波長を有するUV放射であり得る。一次放射を含むものの、現在は光ルミネッセンス/ラマン放出による二次放射でもある散乱および放出された放射は、装置、例えば第3実施形態の装置900によって集光される。266nmよりも長い波長を有することになる二次放射は、装置の第1ブランチでフィルタ処理され、一次放射とレチクル自体からの二次放射λSMが除去される。装置900および類似の実施形態の場合、一次放射は、空間光変調器により形成されたフーリエフィルタを通って誘導され、レチクルパターンの周期性成分が除去され、レチクルの周期的な領域上に存在する汚染物質粒子が見分けられるようになる暗視野画像が得られる。0101YAGレーザの第4、第3、第2高調波である複数の励起波長λP1、λP2など、例えば、266、355、532nmの励起波長を使用して、異なる複数の粒子材料の励起効率を向上させることができる。この場合、同一の結像ブランチ内に、追加のスペクトルノッチフィルタを追加して、355nmおよび532nm、ならびに266nmの散乱光を除去することができる。あるいは、追加のダイクロイックミラーを複数の結像ブランチで使用して、複数の暗視野画像および/または複数の光ルミネッセンス画像を記録できるようにしてもよい。言い換えると、個々の波長266、355および532nmでの暗視野画像は、同時に記録することができ、266~355nm、355~532nmおよび532nm以上の範囲の二次放射の画像も同時に記録することができる。この多数の独立した画像は、同時に得ることができるが、そのデータ間の相関性が、それらの分光的特徴に基づいて材料を識別することを可能にし、さらに検出効率を高め、誤警報を減少させることも可能にしている。波長の選択は、レチクル材料および一次放射から汚染物質材料を判別する能力を含む、汚染物質粒子の検出を最適化するための実験事項である。その様な実験の開始点として、大抵の有機材料が266nmなどの紫外線波長によって励起されることが知られている。355nmは、酸化物として存在するアルミニウムに有効である。532nmは、ラマン放射および特定の有機物に有効である。[リソグラフィへの適用]0102図13は、図1~4に示すようなリソグラフィ装置を使ったEUVリソグラフィプロセスにおいて、レチクルに適用される検査レジームの主要なプロセスステップを示す。このプロセスは、他のタイプのリソグラフィにおけるレチクルおよび他のパターニングデバイスの検査、ならびに、リソグラフィパターニングデバイス以外の物体の検査に適合させることができる。0103上述した実施形態の装置600、800または900などの検査装置は、リソグラフィ装置のレチクルハウジング内に一体化され、検査中のレチクルが、リソグラフィ動作中に使用される同一のサポート構造マスクテーブルMT上に載置されるようにしてもよい。マスクテーブルを検査装置の下で移動させてもよいし、同等に、検査装置を既にレチクルがロードされている場所まで移動させてもよい。あるいは、レチクル500をサポート構造MTのすぐ近くから取り除き、検査装置が位置付けられた別の検査チャンバへと移動してもよい。この後者の選択肢では、リソグラフィ装置が追加の機器で密集するのを防ぎ、さらに、リソグラフィ装置自体の内部で実行することが許容されていない、あるいは実行が望ましくないプロセスを使用することが可能になる。検査チャンバは、望む通りに、リソグラフィ装置に密接に連結されてもよく、あるいは、リソグラフィ装置からかなり離れていてもよい。同一のチャンバまたは別のチャンバ内に別の検査装置が含まれ、異なるタイプの粒子を異なるプロセスにより検出できるようにすることもできる。0104図13を参照すると、ステップ1000において、リソグラフィ装置で使用されるパターニングデバイスの例であるレチクル500が検査装置にロードされるまたは、検査装置が、レチクルが既にロードされた場所に移動される。レチクルは、検査前に、リソグラフィプロセスで使用されていてもよいし、使用されていなくてもよい。ステップ1002において、検査装置600などを使用して、垂直の1つ以上の画像が得られる。前述したように、これらは、レチクル領域全体の1つの画像であってもよく、個別に処理されるか、あるいは1つのより大きい画像につなぎ合わされる、1組のサブ領域の画像であってもよい。得られた画像は、1つ以上の波長帯の二次放射を検出するために別々にフィルタ処理された画像であってもよく、かつ/または、レチクルによって散乱された一次放射を使った暗視野画像であってもよい。装置800、900、およびそれらの変形を使用して、これらの異なる複数の画像を、検査のスループットに影響を及ぼすことなく同時に得ることができる。0105ステップ1004において、処理ユニットPUまたは外部のコンピュータは、複数の検査画像を個別に、かつ組み合わせて分析し、レチクルのさらなる処理を決定する。レチクルがクリーンであることが判明した場合、そのレチクルは、ステップ1006において、リソグラフィプロセスでの使用に向けてリリースされる。破線の矢印によって示されるように、レチクルは、その後、一定の動作期間の後に検査に戻されることになる。ステップ1004の分析で、レチクルのクリーニングが必要であることが示された場合、ステップ1008においてクリーニングプロセスが開始される。このクリーニングプロセスの後、レチクルは、再使用に向けて自動的にリリースされるか、または、クリーニングが成功したことを確認するための検査へと戻される。ステップ1004において考えられる第3の分析結果として、さらなる検査の指示がある。上述したように、例えば、完全な分光装置を使用した検査が望ましい場合がある。あるいは、レチクルが汚れていることが判明した場合、レチクルは、リソグラフィツールから取り除かれて、例えばSEM走査電子顕微鏡などの他のツールを使用してより完全に検査されることもある。これは、リソグラフィ装置の領域における問題を診断するためか、あるいは、実際にレチクルが使用に向けてリリースできると決定するために、異なる粒子サイズ間および/または異なる材料タイプ間の判別を行うためのものであり得る。なお、異なる材料は、異なる品質および異なる強度の二次放射を示すため、分光画像500’、500’’などのうちの1つにおいて別の粒子よりも明るく見える汚染物質粒子は、実際、それほど明るく見えない粒子よりも物理的に小さい場合がある。画像内で検出された粒子が、実際は十分に小さいことから、あるいはその位置にある限り、リソグラフィプロセスに問題を生じさせないという判断が下されることもある。0106また、本開示の方法および装置の実施形態では、パターン付きレチクル上の粒子を、パターン自体の分解を必要とせず、かつ、信号を参照信号と比較せずとも、検出することもできる。これにより、複雑な、ダイ対データベースの検査が必要ないため、単一のダイのレチクルを検査することも可能になる。さらに、2つの参照物体の比較を避けることで、関連する画像のアライメント問題も回避される。0107本開示の方法および装置の実施形態は、原則的に、あらゆるタイプのパターンまたはマスクや、実質上、EUVリソグラフィパターニングデバイスに限定されないあらゆる物体に対して使用することができる。また、この方法は、例えば、100ナノメートル未満、50ナノメートル未満、または20ナノメートル未満といった小さい粒子を検出するのに使用可能であり、さらに、EUVレチクルなどの基板のパターン形成された側にある全てのそれら粒子の検出に使用可能である。汚染物質材料によって放出された二次放射を集光および検出する光学システムは、個別の粒子を分解する能力を有する必要はない。二次放射波長の放射の存在は、所与の領域における汚染の十分な証拠である。0108上述の通り、検査装置600、800または900は、ツール内デバイスとして、つまりリソグラフィシステム内に設けられてもよいし、別の装置として設けられてもよい。別装置としては、レチクル検査の目的で例えば、出荷前に使用することができる。ツール内デバイスは、リソグラフィプロセスにレチクルを使用する前の簡易検査を実行することができる。特に、例えば、N回の露光ごとに、レチクルが依然としてクリーンか否かを調べるために、リソグラフィプロセス間に検査を実行するのに有用であり得る。0109センサからの信号の処理は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはそれらのあらゆる組合せにおける処理ユニットPUによって実施され得る。ユニットPUは、リソグラフィ装置の制御ユニットと同じでもよく、あるいは、別のユニットでもよく、あるいはそれら2つの組み合わせであってもよい。発明の多様な構成部分の本発明の実施形態はまた、機械可読媒体に記憶され、1つまたは複数のプロセッサにより読み出され実行され得る命令として実施されてもよい。機械可読媒体は、機械例えばコンピュータデバイスによって読み取りが可能な形態で情報を記憶または送信するためのあらゆるメカニズムを含み得る。例えば、機械可読媒体は、読出し専用メモリROM、ランダムアクセスメモリRAM、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、または電気、光、音、もしくはその他の形態の伝搬信号例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号等、などを含み得る。また、本明細書において、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令が何らかの動作を行うと説明されることがある。しかし、そのような説明は単に便宜上のものであり、かかる動作は実際には、コンピュータデバイス、プロセッサ、コントローラ、またはファームウェア、ソフトウェア、ルーチンまたは命令等を実行する他のデバイスによるものであることが理解されるべきである。0110発明の概要および要約の欄は、発明者によって検討された本発明の1つ以上の全てではない例示的な実施形態を記載し得るため、本発明および添付の請求の範囲をどのような形であれ制限することを意図したものではない。0111以上、本発明を、特定の機能およびそれら機能の関係の実現を例示する機能的なビルディングブロックを使って説明してきた。本明細書において、これら機能的なビルディングブロックの境界は、説明の便宜上、任意で規定した。特定の機能およびそれら機能の関係が適切に実行される限り、別の境界を規定することもできる。0112上述した特定の実施形態の説明は、本発明の一般的性質を完全に明らかにしているため、当業者の知識を適用することによって、他者が、過度な実験を行うことなく、また本発明の一般概念から逸脱することなく、容易に該特定の実施形態を、変更し、かつ/または多様な用途に適用することができる。したがって、そのような適用および変形は、本明細書に示す教示および指導に基づいて、開示した実施形態の均等物の意味および範囲内であることが意図される。当然のことながら、本明細書の用語使いまたは言い回しは、制限ではなく説明を目的としたものであるため、本明細書の用語使いまたは言い回しは、当業者によって、本明細書の教示および指導を考慮して解釈されることになる。0113本発明の広さおよび範囲は、上述した例示的な実施形態のいずれによっても制限されるべきではなく、以下の請求の範囲およびそれらの均等物によってのみ定義されるべきものである。"