"表面に凹部および/または凸部を有するモールドに硬化性組成物を接触させた状態で該硬化性組成物を硬化させ、前記モールドと前記硬化性組成物とを剥離して前記硬化性組成物の凹部および/または凸部を有するパターンを得るパターン形成方法であって、i前記モールドと前記硬化性組成物の硬化物との間に且つそれぞれに接触するように、ガス発生剤を有するガス発生領域を設ける工程、ii前記i工程で設けられた前記ガス発生領域からガスを発生させる工程、iii前記ii工程と同時またはその後に、前記モールドと前記硬化性組成物の硬化物とを剥離する工程、を有することを特徴とするパターン形成方法。前記iiの工程において、前記硬化性組成物からガスは発生しないが、前記ガス発生領域からガスが発生するように前記ガス発生領域が設けられていることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。前記硬化性組成物は、光を受けて硬化する光硬化性組成物である請求項1または2に記載のパターン形成方法。前記ガス発生剤が、圧力を受けてガスを発生するガス発生剤であり、前記ii工程は、前記ガス発生領域に圧力を付与する工程である請求項1に記載のパターン形成方法。前記ガス発生剤が、圧力を受けて連鎖反応でガスを発生するガス発生剤である請求項4に記載のパターン形成方法。被加工基板上に前記光硬化性組成物を配置する工程と、前記被加工基板上の前記光硬化性組成物を前記モールドに接触させる工程と、前記モールドに光硬化性組成物を接触させた状態で光を照射して前記光硬化性組成物を硬化させる工程と、を更に有しており、前記接触させる工程の前に、前記モールドの表面に前記ガス発生領域が予め配置されている請求項4または5のいずれかに記載のパターン形成方法。前記圧力を付与する工程は、前記接触させる工程よりも前記被加工基板と前記モールドとを近づける工程である請求項6に記載のパターン形成方法。前記モールドにガス発生層を配置する工程が、前記ガス発生剤を前記モールドの表面に共有結合または水素結合により結合させる工程である請求項6または7に記載のパターン形成方法。請求項1から8のいずれかに記載のパターン形成方法により得られる前記パターン形状に基づいてエッチングまたはイオン注入を行い、前記パターン形状に基づいて被加工基板に回路構造を形成する回路基板の製造方法。特許文献1の気体発生剤は光又は熱によってガスを発生させるものであり、組成物が有する重合性モノマーを光で硬化させる際に気体発生剤がガスを発生させてしまう。その結果組成物の硬化中に泡が生じてしまい転写欠陥につながる。特許文献2の方法は、加圧および減圧により光硬化性樹脂内にガスを発生させる機構であるため、その両者を行うためのチャンバの使用は避けられず、また時間と手間のかかる工程にならざるを得なかった。従って本発明は、このような従来技術の有する問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、離型力が小さいパターン形成方法を提供することにある。上記の課題を解決するために、本発明に係るパターン形成方法は、表面に凹部および/または凸部を有するモールドに硬化性組成物を接触させた状態で該硬化性組成物を硬化させ、前記モールドと前記硬化性組成物とを剥離して前記硬化性組成物の凹部および/または凸部を有するパターンを得るパターン形成方法であって、i前記モールドと前記硬化性組成物の硬化物との間に且つそれぞれに接触するように、ガス発生剤を有するガス発生領域を設ける工程、ii前記i工程で設けられた前記ガス発生領域からガスを発生させる工程、iii前記ii工程と同時またはその後に、前記モールドと前記硬化性組成物の硬化物とを剥離する工程、を有することを特徴とする。本発明によれば、モールドと硬化性組成物との間に設けられたガス発生領域から選択的にガスが発生するので、離型力が小さいパターン形成方法が提供できる。以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下の実施の形態に対し適宜変更、改良等が加えられたものも本発明の範囲に入ることが理解されるべきである。なお、本発明でいう光ナノインプリント方法は、好ましくは、1nm~10mmのサイズのパターン形成のことと定義し、より好ましくは、およそ10nm~100μmのサイズのパターン形成のことと定義する。パターン形成方法本発明に係るパターン形成方法は、表面に凹部および/または凸部を有するモールドに硬化性組成物を接触させた状態で該硬化性組成物を硬化させ、前記モールドと前記硬化性組成物とを剥離して前記硬化性組成物の凹部および/または凸部を有するパターンを得るパターン形成方法であって、i前記モールドと前記硬化性組成物の硬化物との間に且つそれぞれに接触するように、ガスを発生するガス発生剤を有するガス発生領域を設ける工程、ii前記i工程で設けられた前記ガス発生領域からガスを発生させる工程、iii前記ii工程と同時またはその後に、前記モールドと前記硬化性組成物の硬化物とを剥離する工程、を有している。また、iiの工程において前記硬化性組成物からガスは発生しないが、ガス発生領域からガスが発生するようにガス発生領域が設けられている。以下に、本発明のパターン形成方法の実施形態について詳細に説明する。本実施形態に係るパターン形成方法は、図1に示すように、被加工基板上に硬化性組成物からなる被形状転写層を配置する工程塗布工程図11と、モールドの表面に前記ガス発生領域を配置するために、モールドにガス発生剤を塗布する工程モールド表面処理工程図12と、硬化性組成物被形状転写層にモールドを接触させる工程モールド接触工程図13と、モールドを接触させたままモールドを介して被形状転写層を露光する工程光照射工程図14と、モールドを接触させたまま被形状転写層に圧力を加える工程加圧工程図15と、形状転写層からモールドを剥離する工程離型工程図16と、を有している。すなわち、上記図1の塗布工程から光照射工程までの各工程を経ることで、iモールドと硬化性組成物の硬化物との間に且つそれぞれに接触するように、ガスを発生するガス発生剤を有するガス発生領域が層として設けられる。その後、加圧工程5を行うことで、ガス発生領域からガスを発生させている。そして、ガス発生領域を硬化性組成物の硬化物とは別の領域として配置することで、加圧工程において硬化性組成物からガスは発生しないが、ガス発生領域からガスが発生するように構成することができ、該ガス発生領域のみから離型に有用なガスが発生し、離型工程時の離型力を低減させることができる。これにより転写欠陥が少なく、且つ離型力の低いパターン形成方法を実現することができる。特に、ガス発生剤が、圧力を受けてガスを発生するガス発生剤であり、ii工程は、ガス発生領域に圧力を付与する工程であることが好ましい。また、ガス発生剤が、圧力を受けて連鎖反応でガスを発生するガス発生剤であると良い。また、上述のように、被加工基板上に前記硬化性組成物を配置する工程と、被加工基板上の前記硬化性組成物を前記モールドに接触させる工程と、前記モールドに硬化性組成物を接触させた状態で光を照射して前記硬化性組成物を硬化させる工程と、を更に有しており、前記接触させる工程の前に、前記モールドの表面に前記ガス発生領域が予め配置されていることが好ましい。また、圧力を付与する工程は、接触させる工程よりも被加工基板とモールドとを近づける工程であるとよい。また、モールドにガス発生領域を配置する工程が、ガス発生剤をモールドの表面に共有結合または水素結合により結合させる工程であるとよい。なお、離型工程の後に、被形状転写層の凹部に残った膜をエッチングにより取り除き、パターン凹部において被加工基板表面を露出させる、残膜除去工程図17を更に含む方法が好ましい。次に本実施形態に係るパターン形成方法の各工程を説明する。硬化性組成物を配置する工程図11硬化性組成物を配置する工程として本実施形態では塗布工程を挙げる。被加工基板上に硬化性組成物を塗布する。被加工基板としては、シリコンウエハを挙げることができる。その他、アルミニウム、チタン-タングステン合金、アルミニウム-ケイ素合金、アルミニウム-銅-ケイ素合金、酸化ケイ素、窒化ケイ素等の材料で出来た半導体デバイス用基板であってもよい。被加工基板はその表面が処理されていても良い。処理により硬化性組成物との密着性を高めることができる。塗布方法としては、例えば、インクジェット法、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコード法、グラビアコート法、エクストルージョンコート法、スピンコート法、スリットスキャン法等を挙げることができる。なお、被形状転写層の膜厚は、使用する用途によっても異なるが、例えば、0.01~100.0μmである。モールド表面処理工程図12モールド表面処理工程では、本発明の感圧ガス発生剤をモールド表面に塗布する。感圧ガス発生剤の塗布方法は、モールド表面に塗布できれば特に限定されないが、例えば、インクジェット法、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコード法、グラビアコート法、エクストルージョンコート法、スピンコート法、スリットスキャン法等を用いることができる。感圧ガス発生剤の膜厚は、使用する感圧ガス発生剤の種類によっても異なるが、例えば、0.001~100.0μmが好ましく、0.01μm~10μmがより好ましい。膜厚が0.001μmより薄いと、感圧ガス発生剤から発生するガスが少なくなり、離型力の低減効果が得られない。膜厚が100μmより厚いと、モールドの凹凸パターンに硬化性組成物を充填出来ず、精度良くパターンの凹凸を転写できない恐れがある。感圧ガス発生剤のガス発生量は、使用する感圧ガス発生剤の分子量や圧力への反応の程度によっても異なるため特に限定しないが、例えば、感圧ガス発生剤としてアジド化合物をモールド表面に塗布すると、後述の加圧行程において、感圧ガス発生剤のおよそ2~50倍の体積となる窒素ガスが発生し、光ナノインプリント用硬化性組成物とモールドの界面に窒素ガスが充填され、光ナノインプリント用硬化性組成物からモールドを引き離す圧力が発生する。光ナノインプリント用硬化性組成物からモールドを引き離す圧力が、光ナノインプリント用硬化性組成物とモールドを引き離す力となり、離型力が低減する。光ナノインプリント用硬化性組成物からモールドを引き離す圧力は特に限定されないが、上記感圧ガス発生剤の塗布する膜厚の範囲内において、種々光ナノインプリント用硬化性組成物とモールドを引き離すのに要する力に応じて光ナノインプリント用硬化性組成物からモールドを引き離す圧力となるガス発生量に調節するのが好ましい。モールド接触工程図13モールドを硬化性組成物に接触させる工程として、本実施形態ではモールド接触工程を挙げる。型としてモールドの表面に形成された凹凸微細パターン中に硬化性組成物が充填される。モールドは、光透過性の材料で構成される必要がある。具体的には、ガラス、石英、PMMA、ポリカーボネート樹脂等の光透明性樹脂、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサン等の柔軟膜、光硬化膜、金属膜等を挙げることができる。ガス発生剤は、モールド接触工程ではガスを発生せず、モールド接触工程より高い圧力を加えた後述の加圧工程でガスを発生するものが好ましい。そのため、モールド接触工程の際の圧力は特に限定されないが、モールド接触工程時の圧力は0.1MPa~20MPaの範囲にあることが好ましいが、より低いことが好ましい。モールド接触工程時の圧力が大きいと、本発明の感圧ガス発生剤のガスが発生しない圧力の下限値を高くする必要がある。ガス発生剤は、モールド接触工程において硬化性組成物からなる被形状転写層に溶け出してもよく、溶け出す割合によって前述のモールド表面処理工程において塗布するガス発生剤の膜厚を厚くすることが好ましい。ガス発生剤がモールド接触工程において硬化性組成物からなる被形状転写層に溶け出さない場合は、前述のモールド表面処理工程において塗布するガス発生剤の膜厚を薄くすることができ、モールドの凹凸パターンを精度良く転写できるためより好ましい。モールド接触工程の時間は特に限定されないが、通常、1~600秒であり、1~300秒であることが好ましく、1~180秒であることがより好ましく、1~120秒であることが特に好ましい。接触する時間が短いと、レジストの充填が十分に行われない恐れがあり、接触する時間が長いと、光インプリント工程のスループットが低くなる。モールド接触工程は、大気雰囲気下、減圧雰囲気下、不活性ガス雰囲気下で行うことができる。不活性ガスの具体例としては、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、アルゴン、各種フロンガスなど、あるいはこれらの混合ガスが挙げられる。好ましい圧力は0.0001気圧から10気圧である。酸素や水分による光硬化反応への影響を防ぐことができるため、減圧雰囲気下や不活性ガス雰囲気下が好ましい。光照射工程図14光照射工程の実施形態は、モールドを接触させたまま被形状転写層を露光する工程である。モールド接触工程によってモールド表面に形成された凹凸中に充填された硬化性組成物が硬化する。照射する光は特に限定されず、用いる硬化性組成物の感度波長に応じて選択されるが、150から400nm程度の波長の紫外光や、X線、電子線などを適宜選択して使用することが好ましい。光重合開始剤Bとして紫外光に感度を有する多種多様な感光性化合物が容易に入手可能であることから、紫外光が特に好ましい。紫外光を発する光源としては、例えば、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、低圧水銀灯、Deep-UVランプ、炭素アーク灯、ケミカルランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザ、F2エキシマレーザなどが挙げられ、超高圧水銀灯が特に好ましい。これら放射線は1つまたは複数で使用できる。また、光照射は被形状転写層の全面に行ってもよく、一部領域にのみ行ってもよい。また、モールドを光透過性の材料で構成することでモールドを介して露光することが可能となり好ましいが、基材が透明であれば基材側から露光する構成でも良い。使用するガス発生剤と光の波長の関係によっては、硬化性組成物を硬化する際に若干のガスを発生することがある。硬化性組成物の硬化物の硬化不良など、機械的特性が低下しない程度のガス発生に止めることが好ましく、ガス発生剤からガスが実質的に発生しない光の波長を選択するのがより好ましい。また、被形状転写層が熱硬化性を有する場合には、加熱硬化を更に行ってもよい。熱硬化を行う場合、加熱雰囲気及び加熱温度等は特に限定されないが、例えば、不活性雰囲気下又は減圧下で、40~200°Cで加熱することができる。加熱は、ホットプレート、オーブン、ファーネス等を用いて行うことができる。加圧工程図15加圧工程は、モールドに塗布されたガス発生剤に前述のモールド接触工程よりも大きい圧力を加える工程である。モールド接触工程より大きな圧力を加えることにより、ガス発生剤からガスが発生し、ガスはその体積を広げようとするので、光硬化性樹脂とモールドとの間の密着力は弱められ、後述の剥離工程において離型力が低減する。モールド接触工程よりも大きい圧力を加える方法は、特に限定されない。例えば、接触させる工程よりも被加工基板とモールドとを近づける、具体的には被加工基板をモールド側に移動させることによってガス発生剤に圧力を加えてもよく、あるいはモールドを被加工基板側に移動させることによってガス発生剤に圧力を加えても良い。また、被加工基板をモールド側に移動させ、かつモールドを被加工基板側に移動させても良い。圧力を加える時間は特に限定しないが、光インプリント工程の時間短縮を考えれば、より短い時間でモールド接触工程よりも大きい圧力を加えることが好ましい。圧力の上限については特に限定しないが、被形状転写層すなわち硬化性組成物の硬化物が形状を保持できる圧力であることが好ましい。例えば、圧力は20MPa~100MPaの範囲にあることが好ましい。圧力を加える回数は特に限定しないが、モールドまたは被加工基板のいずれかまたは両方を複数回移動させることによって圧力を加えても良い。離型工程図16離型工程は、被形状転写層からモールドを剥離する工程である。離型工程によって、モールド上に形成された微細パターンの反転パターンが、硬化性組成物の硬化物のパターンとして得られる。剥離方法は特に限定されず、各種条件等も特に限定されない。即ち、例えば、被加工基板を固定してモールドを被加工基板から遠ざかるように移動させて剥離してもよく、モールドを固定して被加工基板をモールドから遠ざかるように移動させて剥離してもよく、これらの両方を逆方向へ引っ張って剥離してもよい。残膜除去工程図17残膜除去工程は、被形状転写層の凹部に残った凸部より薄い膜をエッチングにより取り除き、パターン凹部において被加工基板表面を露出させる工程である。エッチング方法としては、特に限定されるものではなく、従来公知の方法、例えば、ドライエッチングを行うことで形成することができる。ドライエッチングには、従来公知のドライエッチング装置を用いることができる。そして、ドライエッチング時のソースガスは、被エッチ膜の元素組成によって適宜選択されるが、O2、CO、CO2等の酸素原子を含むガス、He、N2、Ar等の不活性ガス、Cl2、BCl3等の塩素系ガス、H2、NH3のガス等を使用することができる。なお、これらのガスは混合して用いることもできる。基板加工工程図17被加工基板表面の露出は、加工前の表面の露出だけでなく、さらにエッチングなどを行い凹部を形成することも含まれる。露出工程で得られたパターンは、例えば、LSI、システムLSI、DRAM、SDRAM、RDRAM、D-RDRAM等の半導体素子の層間絶縁膜用膜、半導体素子製造時におけるレジスト膜等として利用することができる。具体的には、図16で示すように、露出工程で露出した部分に対して、エッチングまたはイオン注入等を行うことにより、硬化性組成物のパターンに基づく回路構造を被加工基板に形成する。これにより、半導体素子などの回路基板を製造することができる。最終的には、加工された基板から硬化性組成物のパターンを除去しても良いが、素子を構成する部材として残す構成も好ましい。本形態において、モールドのパターンの凹部の断面が矩形状であると良い。これにより、パターン形状は断面が矩形状である凸部を有することができる。これにより、エッチングにより形成されるパターンの断面形状も矩形することができるようになり、精度良く配線パターン等を形成することができる。また、表面に凹凸のパターンを有する光学素子として利用することもできる。すなわち、基材と、該基材上に配置された硬化性組成物の硬化物と、を有する物品として提供することができる。以下に本発明のパターン形成方法において、使用できるガス発生剤および硬化性組成物について、詳細に述べる。ガス発生剤について本発明において使用するガス発生剤は、所望の圧力を与えることによって、二酸化炭素、窒素、酸素、水素などのガスが発生する化合物である。特に、圧力により分解されて、その分解が連鎖的におこり爆発的に窒素が発生するガス発生剤であることが好ましい。圧力により分解されるガス発生剤は、圧力による体積変化が隣のユニットに影響するので、ユニット以外への瞬間的な連鎖反応が伝達され、短い時間でガスが発生することができる。これに対して、光による分解は連鎖反応がなく、1ユニットずつに光hνエネルギーが必要となり、すなわちガス発生時間がかかる。すなわち、主に光によってガスが発生する引用文献1のナフトキノンアジド化合物のようなガス発生剤よりも、連鎖的な爆発が生じるガス発生剤を用いることで、短時間かつ簡便に離型力低減効果を得ることができる。また、ガス発生剤に圧力を与えることは、モールドを接触工程よりさらに押すという簡便なプロセスで実現できるので、光硬化工程との分離も容易となる。すなわち、パターン形成方法で使用する光硬化組成物として好ましいものである。圧力により分解されて、その分解が連鎖的におこり爆発的に窒素が発生するガス発生剤は、例えば、アジド化合物である。アジド化合物は圧力を加えると分解し、一旦分解が始まると連鎖反応を起こし、爆発的に窒素ガスを放出する。このような化合物としては、例えば、3-アジドメチル-3-メチルオキセタン、テレフタルアジド、p-tert-ブチルベンズアジド;3-アジドメチル-3-メチルオキセタンを開環重合することにより得られるグリシジルアジドポリマー等のアジド基を有するポリマー等が挙げられるが、これらに限定されない。発生するガスは重合性モノマー等の硬化性組成物が有する成分が劣化しないようにするために窒素であることが好ましい。本発明に用いる感圧ガス発生剤は、モールド表面と共有結合または水素結合を形成してもよい。硬化組成物について本発明において使用する硬化性組成物は、重合性モノマーA、重合開始剤Bを有する。以下に構成ABについて説明する。重合性モノマーA重合性モノマーとしては、ラジカル重合性モノマーまたはカチオン重合性モノマーが挙げられる。以下の本実施形態においては、光を受けることで重合する光硬化性組成物について詳細に説明するが、熱により重合する熱硬化性組成物などの光以外の刺激を受けて重合する硬化性組成物であってもよい。本実施形態では、ラジカル重合性モノマーはアクリロイル基またはメタクリロイル基を1つ以上有する化合物が好ましい。アクリロイル基またはメタクリロイル基を1つ有する単官能メタアクリル化合物としては、例えば、フェノキシエチルメタアクリレート、フェノキシ-2-メチルエチルメタアクリレート、フェノキシエトキシエチルメタアクリレート、3-フェノキシ-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2ーフェニルフェノキシエチルメタアクリレート、4-フェニルフェノキシエチルメタアクリレート、3-2-フェニルフェニル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、EO変性p-クミルフェニルメタアクリレート、2-ブロモフェノキシエチルメタアクリレート、2,4-ジブロモフェノキシエチルメタアクリレート、2,4,6-トリブロモフェノキシエチルメタアクリレート、EO変性フェノキシメタアクリレート、PO変性フェノキシメタアクリレート、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルメタアクリレート、イソボルニルメタアクリレート、ボルニルメタアクリレート、トリシクロデカニルメタアクリレート、ジシクロペンタニルメタアクリレート、ジシクロペンテニルメタアクリレート、シクロヘキシルメタアクリレート、4-ブチルシクロヘキシルメタアクリレート、アクリロイルモルホリン、2-ヒドロキシエチルメタアクリレート、2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2-ヒドロキシブチルメタアクリレート、メチルメタアクリレート、エチルメタアクリレート、プロピルメタアクリレート、イソプロピルメタアクリレート、ブチルメタアクリレート、アミルメタアクリレート、イソブチルメタアクリレート、t-ブチルメタアクリレート、ペンチルメタアクリレート、イソアミルメタアクリレート、へキシルメタアクリレート、ヘプチルメタアクリレート、オクチルメタアクリレート、イソオクチルメタアクリレート、2-エチルヘキシルメタアクリレート、ノニルメタアクリレート、デシルメタアクリレート、イソデシルメタアクリレート、ウンデシルメタアクリレート、ドデシルメタアクリレート、ラウリルメタアクリレート、ステアリルメタアクリレート、イソステアリルメタアクリレート、ベンジルメタアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタアクリレート、ブトキシエチルメタアクリレート、エトキシジエチレングリコールメタアクリレート、ポリエチレングリコールモノメタアクリレート、ポリプロピレングリコールモノメタアクリレート、メトキシエチレングリコールメタアクリレート、エトキシエチルメタアクリレート、メトキシポリエチレングリコールメタアクリレート、メトキシポリプロピレングリコールメタアクリレート、ジアセトンメタアクリルアミド、イソブトキシメチルメタアクリルアミド、N,N-ジメチルメタアクリルアミド、t-オクチルメタアクリルアミド、ジメチルアミノエチルメタアクリレート、ジエチルアミノエチルメタアクリレート、7-アミノ-3,7-ジメチルオクチルメタアクリレート、N,N-ジエチルメタアクリルアミド、N,N-ジメチルアミノプロピルメタアクリルアミドなどが挙げられるが、これらに限定されない。これら単官能メタアクリル化合物は例えば以下の製品から入手できる:アロニックスM101、M102、M110、M111、M113、M117、M5700、TO-1317、M120、M150、M156以上、東亞合成製、LA、IBXA、2-MTA、HPA、ビスコート150、155、158、190、192、193、220、2000、2100、2150以上、大阪有機化学工業製、ライトアクリレートBO-A、EC-A、DMP-A、THF-A、HOP-A、HOA-MPE、HOA-MPL、PO-A、P-200A、NP-4EA、NP-8EA、エポキシエステルM-600A以上、共栄社化学製、KAYARADTC110S、R-564、R-128H以上、日本化薬製、NKエステルAMP-10G、AMP-20G以上、新中村化学工業製、FA-511A、512A、513A以上、日立化成製、PHE、CEA、PHE-2、PHE-4、BR-31、BR-31M、BR-32以上、第一工業製薬製、VPBASF製、ACMO、DMAA、DMAPAA以上、興人製などが挙げられるが、これらに限定されない。アクリロイル基またはメタクリロイル基を2つ以上有する多官能メタアクリル化合物としては、例えば、トリメチロールプロパンジメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタアクリレート、EO変性トリメチロールプロパントリメタアクリレート、PO変性トリメチロールプロパントリメタアクリレート、EO,PO変性トリメチロールプロパントリメタアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタアクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタアクリレート、エチレングリコールジメタアクリレート、テトラエチレングリコールジメタアクリレート、ポリエチレングリコールジメタアクリレート、ポリプロピレングリコールジメタアクリレート、1,4-ブタンジオールジメタアクリレート、1,6-へキサンジオールジメタアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタアクリレート、トリス2-ヒドキシエチルイソシアヌレートトリメタアクリレート、トリスアクリロイルオキシイソシアヌレート、ビスヒドロキシメチルトリシクロデカンジメタアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタメタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタアクリレート、EO変性2,2-ビス4-メタアクリロキシフェニルプロパン、PO変性2,2-ビス4-メタアクリロキシフェニルプロパン、EO,PO変性2,2-ビス4-メタアクリロキシフェニルプロパンなどが挙げられるが、これらに限定されない。多官能メタアクリル化合物は例えば以下の製品から入手できる:ユピマーUVSA1002、SA2007以上、三菱化学製、ビスコート195、230、215、260、335HP、295、300、360、700、GPT、3PA以上、大阪有機化学工業製、ライトアクリレート4EG-A、9EG-A、NP-A、DCP-A、BP-4EA、BP-4PA、TMP-A、PE-3A、PE-4A、DPE-6A以上、共栄社化学製、KAYARADPET-30、TMPTA、R-604、DPHA、DPCA-20、-30、-60、-120、HX-620、D-310、D-330以上、日本化薬製、アロニックスM208、M210、M215、M220、M240、M305、M309、M310、M315、M325、M400以上、東亞合成製、リポキシVR-77、VR-60、VR-90以上、昭和高分子製などが挙げられるが、これらに限定されない。これらラジカル重合性モノマーは、単独で又は2種類以上を用いることができる。なお、上記において、メタアクリレートとはアクリレート及び/またはメタクリレートを意味し、メタアクリロイル基とはアクリロイル基及び/またはメタクリロイル基を意味し、EOはエチレンオキサイドを示し、EO変性された化合物はエチレンオキサイド基のブロック構造を有するものである。また、POはプロピレンオキサイドを示し、PO変性された化合物はプロピレンオキサイド基のブロック構造を有するものである。重合性モノマーA-カチオン重合性成分次に重合性モノマーAのうちの、カチオン重合性モノマーとしてはビニルエーテル基、エポキシ基またはオキセタニル基を1つ以上有する化合物が好ましい。ビニルエーテル基を1つ有する化合物としては、例えば、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル、n-ブチルビニルエーテル、t-ブチルビニルエーテル、2-エチルヘキシルビニルエーテル、n-ノニルビニルエーテル、ラウリルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、シクロヘキシルメチルビニルエーテル、4-メチルシクロヘキシルメチルビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、ジシクロペンテニルビニルエーテル、2-ジシクロペンテノキシエチルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエチルビニルエーテル、ブトキシエチルビニルエーテル、メトキシエトキシエチルビニルエーテル、エトキシエトキシエチルビニルエーテル、メトキシポリエチレングリコールビニルエーテル、テトラヒドロフリフリルビニルエーテル、2-ヒドロキシエチルビニルエーテル、2-ヒドロキシプロピルビニルエーテル、4-ヒドロキシブチルビニルエーテル、4-ヒドロキシメチルシクロヘキシルメチルビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、ポリエチレングリコールビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテル、クロルブチルビニルエーテル、クロルエトキシエチルビニルエーテル、フェニルエチルビニルエーテル、フェノキシポリエチレングリコールビニルエーテルなどが挙げられるが、これらに限定されない。ビニルエーテル基を2つ以上有する化合物としては、例えば、エチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、ポリエチレングリコールジビニルエーテル、プロピレングリコールジビニルエーテル、ブチレングリコールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、ビスフェノールAアルキレンオキサイドジビニルエーテル、ビスフェノールFアルキレンオキサイドジビニルエーテルなどのジビニルエーテル類;トリメチロールエタントリビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ジトリメチロールプロパンテトラビニルエーテル、グリセリントリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ジペンタエリスリトールペンタビニルエーテル、ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテル、エチレンオキサイド付加トリメチロールプロパントリビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加トリメチロールプロパントリビニルエーテル、エチレンオキサイド付加ジトリメチロールプロパンテトラビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加ジトリメチロールプロパンテトラビニルエーテル、エチレンオキサイド付加ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、エチレンオキサイド付加ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテル、プロピレンオキサイド付加ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテルなどの多官能ビニルエーテル類などが挙げられるが、これらに限定されない。エポキシ基を1つ有する化合物としては、例えば、フェニルグリシジルエーテル、p-tert-ブチルフェニルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル、2-エチルヘキシルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、1,2-ブチレンオキサイド、1,3-ブタジエンモノオキサイド、1,2-エポキシドデカン、エピクロロヒドリン、1,2-エポキシデカン、スチレンオキサイド、シクロヘキセンオキサイド、3-メタクリロイルオキシメチルシクロヘキセンオキサイド、3-アクリロイルオキシメチルシクロヘキセンオキサイド、3-ビニルシクロヘキセンオキサイドなどが挙げられるが、これらに限定されない。エポキシ基を2つ以上有する化合物としては、例えば、ビスフェノールAジグリシジルエーテル、ビスフェノールFジグリシジルエーテル、ビスフェノールSジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールAジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールFジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールSジグリシジルエーテル、エポキシノボラック樹脂、水添ビスフェノールAジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールFジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールSジグリシジルエーテル、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-3’,4’-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、2-3,4-エポキシシクロヘキシル-5,5-スピロ-3,4-エポキシシクロヘキサン-メタ-ジオキサン、ビス3,4-エポキシシクロヘキシルメチルアジペート、ビニルシクロヘキセンオキサイド、4-ビニルエポキシシクロヘキサン、ビス3,4-エポキシ-6-メチルシクロヘキシルメチルアジペート、3,4-エポキシ-6-メチルシクロヘキシル-3’,4’-エポキシ-6’-メチルシクロヘキサンカルボキシレート、メチレンビス3,4-エポキシシクロヘキサン、ジシクロペンタジエンジエポキサイド、エチレングリコールのジ3,4-エポキシシクロヘキシルメチルエーテル、エチレンビス3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジ-2-エチルヘキシル、1,4-ブタンジオールジグリシジルエーテル、1,6-ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル類、1,1,3-テトラデカジエンジオキサイド、リモネンジオキサイド、1,2,7,8-ジエポキシオクタン、1,2,5,6-ジエポキシシクロオクタンなどが挙げられるが、これらに限定されない。オキセタニル基を1つ有する化合物としては、例えば、3-エチル-3-ヒドロキシメチルオキセタン、3-メタアリルオキシメチル-3-エチルオキセタン、3-エチル-3-オキセタニルメトキシメチルベンゼン、4-フルオロ-1-3-エチル-3-オキセタニルメトキシメチルベンゼン、4-メトキシ-1-3-エチル-3-オキセタニルメトキシメチルベンゼン、1-3-エチル-3-オキセタニルメトキシエチルフェニルエーテル、イソブトキシメチル3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、イソボルニルオキシエチル3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、イソボルニル3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、2-エチルヘキシル3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、エチルジエチレングリコール3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、ジシクロペンタジエン3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、ジシクロペンテニルオキシエチル3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、ジシクロペンテニル3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、テトラヒドロフルフリル3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、テトラブロモフェニル3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、2-テトラブロモフェノキシエチル3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、トリブロモフェニル3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、2-トリブロモフェノキシエチル3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、2-ヒドロキシエチル3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、2-ヒドロキシプロピル3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、ブトキシエチル3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、ペンタクロロフェニル3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、ペンタブロモフェニル3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、ボルニル3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテルなどが挙げられるが、これらに限定されない。オキセタニル基を2つ以上有する化合物としては、例えば、3,7-ビス3-オキセタニル-5-オキサ-ノナン、3,3’-1,3-2-メチレニルプロパンジイルビスオキシメチレンビス-3-エチルオキセタン、1,4-ビス3-エチル-3-オキセタニルメトキシメチルベンゼン、1,2-ビス[3-エチル-3-オキセタニルメトキシメチル]エタン、1,3-ビス[3-エチル-3-オキセタニルメトキシメチル]プロパン、エチレングリコールビス3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、ジシクロペンテニルビス3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、トリエチレングリコールビス3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、テトラエチレングリコールビス3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、トリシクロデカンジイルジメチレン3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、トリメチロールプロパントリス3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、1,4-ビス3-エチル-3-オキセタニルメトキシブタン、1,6-ビス3-エチル-3-オキセタニルメトキシヘキサン、ペンタエリスリトールトリス3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、ペンタエリスリトールテトラキス3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、ポリエチレングリコールビス3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、ジペンタエリスリトールヘキサキス3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、ジペンタエリスリトールペンタキス3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、ジペンタエリスリトールテトラキス3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサキス3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールペンタキス3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、ジトリメチロールプロパンテトラキス3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、EO変性ビスフェノールAビス3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、PO変性ビスフェノールAビス3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、EO変性水添ビスフェノールAビス3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、PO変性水添ビスフェノールAビス3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル、EO変性ビスフェノールF3-エチル-3-オキセタニルメチルエーテル等の多官能オキセタンなどが挙げられるが、これらに限定されない。これらカチオン重合性モノマーは、単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。なお、上記において、EOはエチレンオキサイドを示し、EO変性された化合物はエチレンオキサイド基のブロック構造を有するものである。また、POはプロピレンオキサイドを示し、PO変性された化合物はプロピレンオキサイド基のブロック構造を有するものである。また、水添とはベンゼン環などのC=C二重結合に対して水素原子を付加させることである。重合開始剤B重合開始剤Bは、重合性モノマーAがラジカル重合性モノマーの場合は光赤外線、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、電子線等の荷電粒子線などの放射線によりラジカルを発生する重合開始剤であり、重合性モノマーAがカチオン重合性モノマーの場合は光により酸を発生する重合開始剤である。ラジカル発生剤は、として挙げられる化合物は、例えば、2-o-クロロフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2-o-クロロフェニル-4,5-ジメトキシフェニルイミダゾール二量体、2-o-フルオロフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2-o-又はp-メトキシフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体等のような置換されていてもよい2,4,5-トリアリールイミダゾール二量体;ベンゾフェノン、N,N′-テトラメチル-4,4′-ジアミノベンゾフェノンミヒラーケトン、N,N′-テトラエチル-4,4′-ジアミノベンゾフェノン、4-メトキシ-4′-ジメチルアミノベンゾフェノン、4-クロロベンゾフェノン、4,4’-ジメトキシベンゾフェノン、4,4’-ジアミノベンゾフェノンのようなベンゾフェノン誘導体;2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルホリノフェニル-ブタノン-1,2-メチル-1-4-メチルチオフェニル-2-モルホリノ-プロパノン-1-オンなどの芳香族ケトン誘導体;2-エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、2-t-ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、1,2-ベンズアントラキノン、2,3-ベンズアントラキノン、2-フェニルアントラキノン、2,3-ジフェニルアントラキノン、1-クロロアントラキノン、2-メチルアントラキノン、1,4-ナフトキノン、9,10-フェナンタラキノン、2-メチル-1,4-ナフトキノン、2,3-ジメチルアントラキノン等のキノン類;ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル誘導体;ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン、プロピルベンゾインなどのベンゾイン誘導体;ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体;9-フェニルアクリジン、1,7-ビス9,9′-アクリジニルヘプタンなどのアクリジン誘導体;N-フェニルグリシンなどのN-フェニルグリシン誘導体;アセトフェノン、3-メチルアセトフェノン、アセトフェノンベンジルケタール、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノンなどのアセトフェノン誘導体;チオキサントン、ジエチルチオキサントン、2-イソプロピルチオキサントン、2-クロロチオキサントンなどのチオキサントン誘導体:キサントン、フルオレノン、べンズアルデヒド、フルオレン、アントラキノン、トリフェニルアミン、カルバゾール、1-4-イソプロピルフェニル-2-ヒドロキシ-2-メチルプロパン-1-オン、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニルプロパン-1-オン、2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、ビス-2,6-ジメトキシベンゾイル-2,4,4-トリメチルペンチルフォスフィンオキシドなどが挙げられるが、これらに限定されない。これらは、単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。ラジカル発生剤は例えば以下の製品から入手できる:Irgacure184、369、651、500、819、907、784、2959、CGI-1700、-1750、-1850、CG24-61、Darocurl116、1173以上、チバジャパン製、LucirinTPO、LR8893、LR8970以上、BASF製、ユベクリルP36UCB製などが挙げられるが、これらに限定されない。光により酸を発生する重合開始剤として用いられる化合物としては、例えば、オニウム塩化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、スルホンイミド化合物、ジアゾメタン化合物などが挙げられるが、これらに限定されない。本実施形態ではオニウム塩化合物を用いることが好ましい。オニウム塩化合物としては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げることができる。オニウム塩化合物の具体例としては、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム2-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムn-ドデシルベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムp-トルエンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムn-オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムn-ドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムp-トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウムn-オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムピレンスルホネート、トリフェニルスルホニウムn-ドデシルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムp-トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート、トリフェニルスルホニウムn-オクタンスルホネート、ジフェニル4-t-ブチルフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニル4-t-ブチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル4-t-ブチルフェニルスルホニウム2-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニル4-t-ブチルフェニルスルホニウムピレンスルホネート、ジフェニル4-t-ブチルフェニルスルホニウムn-ドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニル4-t-ブチルフェニルスルホニウムp-トルエンスルホネート、ジフェニル4-t-ブチルフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、ジフェニル4-t-ブチルフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート、ジフェニル4-t-ブチルフェニルスルホニウムn-オクタンスルホネート、トリス4-メトキシフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリス4-メトキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス4-メトキシフェニルスルホニウム2-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリス4-メトキシフェニルスルホニウムピレンスルホネート、トリス4-メトキシフェニルスルホニウムn-ドデシルベンゼンスルホネート、トリス4-メトキシフェニルスルホニウムp-トルエンスルホネート、トリス4-メトキシフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、トリス4-メトキシフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート、トリス4-メトキシフェニルスルホニウムn-オクタンスルホネートなどが挙げられるが、これらに限定されない。スルホン化合物としては、例えば、β-ケトスルホン、β-スルホニルスルホンや、これらのα-ジアゾ化合物等を挙げることができる。スルホン化合物の具体例としては、フェナシルフェニルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビスフェニルスルホニルメタン、4-トリスフェナシルスルホンなどが挙げられるが、これらに限定されない。スルホン酸エステル化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等を挙げることができる。スルホン酸エステル化合物の具体例としては、α-メチロールベンゾインパーフルオロ-n-ブタンスルホネート、α-メチロールベンゾイントリフルオロメタンスルホネート、α-メチロールベンゾイン2-トリフルオロメチルベンゼンスルホネートなどが挙げられるが、これらに限定されない。スルホンイミド化合物の具体例としては、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシスクシンイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシフタルイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシナフチルイミド、N-10-カンファースルホニルオキシスクシンイミド、N-10-カンファースルホニルオキシフタルイミド、N-10-カンファースルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-10-カンファースルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-10-カンファースルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-10-カンファースルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシイミド、N-10-カンファースルホニルオキシナフチルイミド、N-4-メチルフェニルスルホニルオキシスクシンイミド、N-4-メチルフェニルスルホニルオキシフタルイミド、N-4-メチルフェニルスルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-4-メチルフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-4-メチルフェニルスルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-4-メチルフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシイミド、N-4-メチルフェニルスルホニルオキシナフチルイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシスクシンイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシフタルイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシナフチルイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシスクシンイミド、N-4-フルオロフェニルフタルイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシ-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン-5,6-オキシ-2,3-ジカルボキシイミド、N-4-フルオロフェニルスルホニルオキシナフチルイミドなどが挙げられるが、これらに限定されない。ジアゾメタン化合物の具体例としては、ビストリフルオロメチルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビスフェニルスルホニルジアゾメタン、ビスp-トルエンスルホニルジアゾメタン、メチルスルホニルp-トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル1,1-ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、ビス1,1-ジメチルエチルスルホニルジアゾメタンなどが挙げられるが、これらに限定されない。光により酸を発生する重合開始剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。重合開始剤Bは、本発明の重合性モノマーAの全量に対して、0.01重量以上10重量以下、好ましくは0.1重量以上7重量以下である。0.01質量未満であると、硬化速度が低下して反応効率が低くなることがある。一方、10重量を超えると、硬化性組成物の硬化物の機械的特性の点で劣ることがある。その他添加成分本発明の硬化性組成物は、上述の重合性モノマA、光重合開始剤Bの他に、所望の離型力を損なわない範囲で、増感剤、酸化防止剤、溶剤、ポリマ成分等その他の添加成分を含んでいてもよい。これらのうち増感材は、重合反応促進や反応転化率の向上を目的添加してもよいものである。増感材は例えば水素供与体や増感色素である。水素供与体は、重合開始剤Bから発生した開始ラジカルや、重合生長末端のラジカルと反応し、より反応性が高いラジカルを発生する化合物である。重合開始剤Bが光ラジカル発生剤である場合に添加することが好ましい。水素供与体の具体例としては、N-ブチルアミン、ジ-n-ブチルアミン、トリ-n-ブチルホスフィン、アリルチオ尿素、s-ベンジルイソチウロニウム-p-トルエンスルフィネート、トリエチルアミン、ジエチルアミノエチルメタクリレート、トリエチレンテトラミン、4,4’-ビスジアルキルアミノベンゾフェノン、N,N-ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、N,N-ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエステル、ペンチル-4-ジメチルアミノベンゾエート、トリエタノールアミン、N-フェニルグリシンなどのアミン化合物、2-メルカプト-N-フェニルベンゾイミダゾール、メルカプトプロピオン酸エステルなどのメルカプト化合物、などが挙げられるが、これらに限定されない。増感色素は、特定の波長の光を吸収することにより励起され、重合開始剤Bへ作用する化合物である。ここでいう相互とは、励起状態の増感色素から重合開始剤Bへのエネルギー移動や電子移動などである。増感色素の具体例としては、アントラセン誘導体、アントラキノン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、カルバゾール誘導体、ベンゾフェノン誘導体、チオキサントン誘導体、キサントン誘導体、チオキサントン誘導体、クマリン誘導体、フェノチアジン誘導体、カンファキノン誘導体、アクリジン系色素、チオピリリウム塩系色素、メロシアニン系色素、キノリン系色素、スチリルキノリン系色素、ケトクマリン系色素、チオキサンテン系色素、キサンテン系色素、オキソノール系色素、シアニン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム塩系色素、などが挙げられるが、これらに限定されない。増感剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。硬化性組成物における増感剤は、重合性モノマーAの全量に対して0~20重量であることが好ましく、0.1~5.0重量であることが好ましく、0.2~2.0重量であることがさらに好ましい。増感剤の含量を0.1重量以上とすることにより、増感剤の効果をより効果的に発現することができる。また、増感剤の含量を5.0重量以下とすることにより、重合性モノマーの光により硬化した物の分子量が十分に高く、また、溶解不良や保存安定性の劣化を抑えることができる。硬化性組成物の配合時の温度硬化性組成物の混合溶解は、0°C~100°Cの範囲で行えばよい。硬化性組成物の粘度硬化性組成物の粘度は、溶剤を除く成分の混合物において23°Cで1~100cPであることが好ましい。より好ましくは5~50cP、さらに好ましくは6~20cPである。粘度が100cPより高いと、後述するモールド接触工程において、モールド上の微細パターン凹部への組成物の充填に長時間が必要となったり、充填不良によるパターン欠陥が生じたりする。粘度が1cPより低いと、後述する塗布工程において塗りムラを生じたり、後述するモールド接触工程において、モールド端部から組成物が流れ出したりする恐れがある。硬化性組成物の表面張力硬化性組成物の表面張力は、溶剤を除く成分の23°Cにおいて5~70mN/mであることが好ましい。より好ましくは7~35mN/m、さらに好ましくは10~32mN/mである。表面張力が5mN/mより低いと、後述する型接触工程において、型表面上の凹凸への組成物の充填に長時間が必要となる。表面張力が70mN/mより高いと、表面平滑性が低い。硬化性組成物に混入しているパーティクル硬化性組成物は、混入したパーティクルによる重合性モノマーAの硬化物が有する凹凸における欠陥発生を防止するため、前記各成分を混合した後、例えば、孔径0.001μm~5.0μmのフィルタで濾過することが好ましい。濾過は、多段階で行ったり、多数回繰り返すことがさらに好ましい。また、濾過した液を再濾過することもできる。濾過に使用するフィルタの材質は、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、フッ素樹脂、ナイロン樹脂などのものが使用できるが、特に限定されるものではない。硬化性組成物に混入している金属不純物半導体集積回路を製造するための硬化性組成物においては、製品の動作を阻害しないようにするため、硬化性組成物中の金属不純物の混入を極力避けることが好ましい。このため、硬化性組成物における金属不純物の濃度としては、10ppm以下が好ましく、100ppb以下にすることがさらに好ましい。以下に、実施形態を用いてより詳細に説明する。実施形態1被加工基板1として、シリコンウエハを用いる。図11に示すように、被加工基板上に光硬化性樹脂が塗布される。光硬化性組成物は、重合性モノマーとして1,6-へキサンジオールジアクリレートを100重量部、重合開始剤として2-o-クロロフェニル-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体を3重量部含むものである。図12に示すように、表面に凹凸のパターンを形成した石英ガラスのモールドを用意し、表面に3-アジドメチル-3-メチルオキセタンを塗布し、ガス発生層を形成する。つづいて、図13に示すようにモールドを基板側に近づけ、モールドと光硬化性組成物とを接触させる。接触させた状態で、図14のように、波長313nmの光で照射を行い、光硬化性組成物を硬化させる。その後、モールドを更に基板に近づけることで、モールドと基板との間に圧力を印加し、ガス発生領域のガス発生剤からガスを発生させる。図15ガス発生領域で発生したガスにより、モールドと光硬化性組成物の硬化物との間の密着性は悪化し、離型力は低減されるので、図16に示すような離型工程をより少ない力で行い、凹凸のパターンを基板上に形成することができる。これにより、離型させる際のパターンに割れ等の欠陥の発生や、硬化物を有する基板が載置されているステージから浮き上がって位置合わせ精度の低下を抑制できる。また、光硬化性組成物からガスは発生せず、ガス発生領域からガスが発生するようにガス発生領域を設ける。得られたパターンを有する被加工基材に対して、ドライエッチングを行い、光硬化性組成物の凹部に残った薄い膜を取り除く。これにより、図17のように、パターン凹部において被加工基板表面を露出させる。露出した被加工基板表面に対して、ホウ素などのイオンを注入し、回路パターンが形成された半導体基板を製造する。実施形態2実施形態1と異なる点は、ガス発生領域を形成する3-アジドメチル-3-メチルオキセタンをモールドの凹凸表面に塗布するのではなく、基板上の光硬化性組成物に塗布する。基板上の光硬化組成物を覆うように塗布された上記溶液と、モールドを接触させることで、図13に示すモールドと硬化性組成物との間に且つそれぞれに接触するように、ガスを発生するガス発生剤を有するガス発生領域を設ける。この状態で、光硬化を行うことで配置関係は維持され、モールドと硬化性組成物の硬化物との間に且つそれぞれに接触するように、ガスを発生するガス発生剤を有するガス発生層が設けられる。この後の工程は、実施形態1と同様に行うことができる。"