シリコン酸化物を含む平均粒径0.1μm~0.6mmのシリコン粉をるつぼに投入し、該るつぼ内のシリコン粉を、100~6000Paの減圧雰囲気で、1480°C以上1650°C未満の温度で加熱して前記シリコン粉の融液を沸騰させることで前記シリコン酸化物中の酸素を分解、蒸発させ、次に、前記融液の温度を1410°C~1450°Cまで低下させることで沸騰を中止し、その後、チョクラルスキー法により、前記融液からシリコン系太陽電池用原料の多結晶シリコンインゴットを引き上げるシリコン系太陽電池用原料の製造方法。前記シリコン粉は、シリコン加工プロセスで発生したシリコンスラッジに含まれるものである請求項1記載のシリコン系太陽電池用原料の製造方法。前記るつぼには、前記シリコン粉とともにシリコン塊を投入する請求項1または請求項2に記載のシリコン系太陽電池用原料の製造方法。しかしながら、特許文献1によれば、酸素を含む易蒸発性成分を除去する際には、シリコンスラッジ原料を溶解し、この溶解状態を所定時間維持して、その液面から酸素を蒸発させて除去していた。ここでいう溶解とは、特許文献1の明細書の記載内容から、固体のシリコンスラッジ原料を融点まで加熱して融解させることを意味し、融解後のシリコンスラッジ原料をさらに加熱して、融液面からだけでなく融液の内部からの蒸発気化を伴う沸騰という概念までは含まれていない。その理由は、シリコンの沸点が2600°Cと極めて高く、沸点まで加熱すれば、一般に石英融点1650°C製のるつぼが融解し、太陽電池用シリコンの精製が困難になるからである。シリコンの融点付近の加熱で、シリコンスラッジ原料の融液面から、シリコン系太陽電池の原料として使用可能なレベルまで融液の酸素濃度を低減させるには、24時間を超える加熱処理が必要であった。なお、特許文献1には減圧雰囲気あるいは真空雰囲気下でのシリコンスラッジの溶解という記載がある。しかしながら、その目的については一切記載がない。おそらくは、溶解した融液面からの酸素の蒸発を促進させるための技術と思われる。また、従来法でのシリコンスラッジ原料の融解時には、副次物であるシリコン酸化物SiOxが、融液の液面上に異物として多量に浮遊していた。そのため、次にチョクラルスキー法に則り、シリコン系太陽電池用原料の多結晶シリコンインゴットを引き上げる際に、引き上げ中の多結晶シリコンインゴットの外周面にシリコン酸化物の異物が多量に付着し、この異物付着を原因として引き上げた多結晶シリコンインゴットを太陽電池用原料として利用できなくなるおそれがあった。これを解消するため、従来では原料融解中に、シリコン酸化物からなる異物の抜き取り作業を、多数回行わなければならず、サイクルタイムが増大していた。そこで、発明者は鋭意研究の結果、融液の沸騰温度と炉内圧力との相関から、炉内の減圧レベルを調整すれば、るつぼの融点未満の温度での加熱であっても、シリコンスラッジ原料のシリコン粉の沸騰が始まり、シリコンの融点付近の温度で融液を加熱する従来法に比べて、短時間でシリコン酸化物中の酸素を蒸発させ、シリコン酸化物からなる異物を消失可能なことを知見し、この発明を完成させた。この発明は、シリコンスラッジの融液の液面に浮遊するシリコン酸化物からなる異物を、短時間で蒸発させて消失可能なシリコン系太陽電池用原料の製造方法を提供することを目的としている。請求項1に記載の発明は、シリコン酸化物を含む平均粒径0.1μm~0.6mmのシリコン粉をるつぼに投入し、該るつぼ内のシリコン粉を、100~6000Paの減圧雰囲気で、1480°C以上1650°C未満の温度で加熱して前記シリコン粉の融液を沸騰させることで前記シリコン酸化物中の酸素を分解、蒸発させ、次に、前記融液の温度を1410°C~1450°Cまで低下させることで沸騰を中止し、その後、チョクラルスキー法により、前記融液からシリコン系太陽電池用原料の多結晶シリコンインゴットを引き上げるシリコン系太陽電池用原料の製造方法である。請求項2に記載の発明は、前記シリコン粉は、シリコン加工プロセスで発生したシリコンスラッジに含まれるものである請求項1記載のシリコン系太陽電池用原料の製造方法である。請求項3に記載の発明は、前記るつぼには、前記シリコン粉とともにシリコン塊を投入する請求項1または請求項2に記載のシリコン系太陽電池用原料の製造方法である。請求項1に記載の発明によれば、シリコン粉を原料とした融液から、チョクラルスキー法に則り多結晶シリコンインゴットを引き上げる前に融液を沸騰させる。これにより、融液の液面に浮遊するシリコン酸化物系の異物中の酸素が蒸発し、これが消失する。その結果、のちにチョクラルスキー法により融液から多結晶シリコンインゴットを引き上げる際、インゴットの外周面にシリコン酸化物系の異物が付着しない。よって、この異物付着を原因とした多結晶シリコンインゴットの太陽電池用原料としての不適格化の問題が発生しない。特に、請求項2に記載の発明によれば、シリコン粉として、シリコン加工プロセスで発生したシリコンスラッジに含まれるものを採用したので、本来は廃棄物となるはずのシリコンスラッジを、シリコン系太陽電池用原料を製造するための原料として再利用することができる。また、請求項3に記載の発明によれば、るつぼには、シリコン粉とシリコン塊とを混合したものを投入するので、シリコン塊が容易に溶解し、溶解時間を短縮することができる。この発明は、シリコン酸化物を含む平均粒径0.1μm~0.6mmのシリコン粉をるつぼに投入し、該るつぼ内のシリコン粉を、100~6000Paの減圧雰囲気で、1480°C以上1650°C未満の温度で加熱して前記シリコン粉の融液を沸騰させることで前記シリコン酸化物中の酸素を分解、蒸発させ、次に、前記融液の温度を1410°C~1450°Cまで低下させることで沸騰を中止し、その後、チョクラルスキー法により、前記融液からシリコン系太陽電池用原料の多結晶シリコンインゴットを引き上げるシリコン系太陽電池用原料の製造方法である。この発明によれば、チョクラルスキー法による多結晶シリコンインゴットの引き上げの前処理として、るつぼ内でシリコン粉を溶かした融液を沸騰させる。これにより、融液の液面に浮遊するシリコン酸化物系の異物から酸素が蒸発し、これが消失する。その結果、多結晶シリコンインゴットの引き上げ時、インゴットの外周面にシリコン酸化物系の異物が付着せず、この異物付着を原因とした多結晶シリコンインゴットの太陽電池用原料としての不適格化の問題が発生しない。シリコン系太陽電池用原料とは、例えば単結晶シリコン系太陽電池の原料、多結晶シリコン系太陽電池の原料である。シリコン粉としては、シリコン加工プロセスで発生したシリコンスラッジに含まれるものの他、ポリシリコン破砕工程の残などから得られたシリコン粉などを採用することができる。シリコン粉の平均粒径が0.1μm未満では、熱伝導性が悪化することからシリコン粉の融解時間が長くなる。また、0.6mmを超えれば、シリコン粉の融解は容易になるものの、0.6mmを超える粉体は、製品用原料として利用できるため、投入コストが高く、結果としてコスト高となる。シリコン粉の粒径が0.1μm~0.6mmであれば、シリコン粉の融解を比較的短時間かつ低コストで行うことができる。シリコン粉に含まれる酸化物としては、例えばシリコン粉の表層に形成されるシリコン酸化膜SiO2膜が挙げられる。シリコン酸化膜としては、自然酸化膜、熱酸化膜などが挙げられる。るつぼの素材としては、融点が1650°Cの石英SiO2を採用することができる。るつぼは、シリコン粉の融液を沸騰させて融液の液面に浮遊するシリコン酸化物から酸素を蒸発させるためのものと、チョクラルスキー法により多結晶シリコンインゴットを育成させるものとを、1つのるつぼで兼用連続使用してもよい。また、それぞれ異なるるつぼとしてもよい。シリコン酸化物中から酸素を蒸発させる場合において、炉内の減圧雰囲気が100Pa未満では、シリコン粉の溶解は容易になるものの、シリコン粉が巻き上がる。また、6000Paを超えれば、融液が1480°C以上1650°C未満の温度条件では沸騰し難くなる。炉内の好ましい減圧雰囲気は100~2500Paである。この範囲であれば、1480°C以上1650°C未満の温度条件でシリコン酸化物系の異物を安全かつ完全に消失させることができる。シリコン酸化物中から酸素を蒸発させるとき、溶融状態のシリコン粉の沸騰温度が1480°C未満ではシリコン酸化物系の異物が完全には消失しない。また、1650°C以上であれば、石英製のるつぼが変形し、より高温であれば融解してしまう。シリコン粉の好ましい沸騰温度は、1480°C~1550°Cチョクラルスキー法により多結晶シリコンインゴットを引き上げ開始時の融液温度ネッキング温度より40°C~110°C高い温度である。この範囲であれば、石英製のるつぼの変形を防止しながらシリコン酸化物系の異物を完全に消失させることができる。シリコン酸化物中から酸素を蒸発させるとき、溶融したシリコン粉を沸騰状態で保持する時間は1~5時間である。1時間未満では、シリコン酸化物系の異物が完全に消失しない。また、5時間を超えれば、熱負荷により石英製のるつぼが変形し易い。また、シリコン粉の融液を沸騰温度で維持する好ましい時間は、1~3時間である。この範囲であれば、シリコン酸化物系の異物を完全に消失させることができるとともに、石英製のるつぼおよび炉内部品への熱の影響がさらに少ない。この発明のシリコン系太陽電池用原料の製造方法では、シリコン粉として、シリコン加工プロセスで発生したシリコンスラッジや、ポリシリコンの破砕などで発生した微粉を用いる。これにより、本来は廃棄物となる粉体を再利用することができる。シリコンスラッジの発生を伴うシリコン加工プロセスとしては、例えば、単結晶シリコンインゴットまたは多結晶シリコンインゴットのブロック切断、研削砥石によるシリコンブロックの外周研削、研削砥石によるシリコンブロックのオリエンテーションフラット加工またはノッチ加工、ワイヤソーなどによるシリコンブロックのスライス、シリコンウェーハの面取り、シリコンウェーハのラッピングなどの各工程が挙げられる。また、デバイス形成後のウェーハに施されるバックグラインド工程も含まれる。シリコンスラッジとは、シリコン粉と、不純物と、水とが泥状に混ざり合った滓である。不純物とは、例えば、研削砥石などの摩耗により発生するアルミナ、シリカ、コランダム、Cu、Fe、Ni、C、酸化バリウム、酸化マグネシウム、塵などである。この発明のシリコン系太陽電池用原料の製造方法では、るつぼにはシリコン粉の他にシリコン塊を投入した方が望ましい。シリコン塊は融解し易く、融液になり易い。融液が形成されればシリコン粉の融解が促進されるため、その融解時間の短縮につながる。シリコン系太陽電池用原料となるシリコン塊としては、例えば各種のシリコン加工プロセス単結晶太陽電池用インゴット加工プロセスを含むで発生したシリコンの塊を採用することができる。具体的には、チョクラルスキー方式のシリコン結晶成長装置を用いてシリコンインゴットを引き上げた後、るつぼの底部に残ったシリコン残部、インゴット鋳造装置鋳型、電磁鋳造装置などによって鋳造された多結晶シリコン系太陽電池のトップ部最終固化部や端板鋳肌部などが挙げられる。るつぼに投入されたシリコン粉とシリコン塊との混合物100重量部のうち、シリコン粉が占める割合は1~100重量である。このシリコン粉が占める好ましい割合は、30~70重量である。この範囲であれば、溶解時間が短く、低コスト化が図れる。るつぼから引き上げられた多結晶シリコンインゴットは、破砕後、シリコン系太陽電池の融解原料となる。この融解原料は、例えば、多結晶シリコン系太陽電池用のインゴット鋳造装置に投入して融解され、例えば角柱型の多結晶シリコンインゴットが鋳造される。その後、鋳造されたインゴットをウェーハ加工し、所定の方法によりPN接合が形成されることで、シリコン系太陽電池となる。なお、融液面をヒータの加熱中心に近付けた方が、シリコン酸化物からなる異物の融解が容易となる。これは、融液面にシリコン酸化物系の異物が浮遊しており、異物を消失させるためには融液面付近を最高温度にする必要があるからである。以下、この発明の実施例を具体的に説明する。図1のフローシートを参照して、この発明の実施例1に係るシリコン系太陽電池用原料の製造方法を説明する。まず、シリコン加工プロセスで発生し、かつ平均粒径2~4μmのシリコン粉を含むシリコンスラッジ50重量と、インゴット鋳造装置によって鋳造された多結晶シリコン系太陽電池のトップ部最終固化部、端板鋳肌部からなるシリコン塊50重量とを、チョクラルスキー式6インチ単結晶引上装置内の直径18インチのるつぼに装填する。このように、シリコン粉として、シリコン加工プロセスで発生したシリコンスラッジに含まれるものを採用したので、シリコン加工プロセスで発生した廃材であるシリコンスラッジのリサイクルと、シリコン系太陽電池用原料のコストダウンという効果が得られる。また、るつぼには、シリコン粉だけでなくシリコン塊を投入するようにしたので、シリコン粉の溶解時間の短縮化が図れる。これは、シリコン塊の方がシリコン粉に比べて融解し易く、シリコン塊が融液となればシリコン粉の融解が促進され、シリコン粉の融解時間が短縮されるためである。次に、炉内圧を6000Paに減圧し、炉内に10リットル/minでアルゴンガスを流しながら、るつぼ内のシリコンを1450°C~1470°Cにヒータ加熱して溶解する。このとき、シリコンスラッジのシリコン粉のシリコン酸化膜に起因するシリコン酸化物系の異物が、融液の液面に大量に浮遊する。なお、シリコン酸化物系の異物の発生量は、全シリコン原料中のシリコンスラッジの配合比率を増やすほど増大する図2のグラフ。その後、ヒータの熱量を高め、融液を約1550°Cまで加熱する。これにより、融液の内部でシリコンの気化が発生し、融液は沸騰状態となる図3のグラフ。この状態を3時間維持することで、シリコン酸化物系の異物中の酸素が蒸発し、異物は完全に消失した。その後、ヒータの熱量を元に戻し、1450°C~1470°Cの融液中に種結晶を浸し、種結晶そのものを融解後にインゴット引き上げを開始する。これにより、直径6インチの多結晶シリコンインゴットが育成される。得られた多結晶シリコンインゴットは、その外周面に前記異物の付着は確認されなかった。そのため、このシリコン酸化物系が異物のインゴット外周面に付着し、原料として利用した場合、不良が発生することを原因とする多結晶シリコンインゴットの太陽電池用原料としての不適格化の問題は解消された。また、多結晶シリコンインゴットは、チョクラルスキー法に則った融液からの引き上げにより不純物が精製されているため、その後、高品質の多結晶ソーラー原料となる。具体的には、まず多結晶シリコンインゴットをハンマなどで拳サイズに破砕し、これをシリコン系太陽電池の融解原料とし、多結晶シリコン系太陽電池用のインゴット鋳造装置に投入する。ここで、破砕物を融解し、シリコン系太陽電池用の多結晶シリコンインゴットに鋳造する。鋳造されたインゴットは、その後、ウェーハ加工され、所定の方法によりPN接合が形成されることで、シリコン系太陽電池が製造される。次に、図4のフローシートを参照して、この発明の実施例2に係るシリコン系太陽電池用原料の製造方法を説明する。実施例2のシリコン系太陽電池用原料の製造方法の特徴は、前記融液を沸騰させるため、実施例1のように融液を約1550°Cまで高めるのではなく、1470°Cの融液温度を維持して炉内圧を100Paまでさらに負圧化する方法を採用した図3のグラフ。これにより、融液の内部でシリコンの気化が発生し、融液が激しく揺れて沸騰状態となった。その他の構成、作用および効果は実施例1と同様であるため、説明を省略する。次に、図5のフローシートを参照して、この発明の実施例3に係るシリコン系太陽電池用原料の製造方法を説明する。実施例3のシリコン系太陽電池用原料の製造方法の特徴は、前記融液を沸騰させるため、融液を1500°Cとし、かつ炉内圧を2000Paまで減圧する方法を採用した図3のグラフ。これにより、融液の内部でシリコンの気化が発生し、融液が激しく揺れて沸騰状態となった。なお、図6および図7のグラフから明らかなように、異物が消失までの時間は、炉内圧と融液温度と相関がある。すなわち、炉内圧が低下するほど、融液温度が高まるほど融液が沸騰し易く、異物は消失し易くなる。その他の構成、作用および効果は実施例1と同様であるため、説明を省略する。