シリコン中の不純物の測定方法であって、調査されるべきシリコンからゾーン引き上げによって単結晶ロッドを作成し、この単結晶ロッドを、少なくとも1回の希薄化工程で、規定の炭素濃度及びドーパント濃度を有する単結晶もしくは多結晶のシリコン製のスリーブ中に導入し、そして該ロッド及びスリーブからゾーン引き上げによってシリコン製の希薄化された単結晶ロッドを作成し、その希薄化された単結晶ロッドをもとに、調査されるべきシリコン中の不純物の測定を光ルミネッセンスもしくはFTIR又はその両方を用いて行う前記測定方法。調査されるべきシリコンが、少なくとも1回の希薄化工程の前に、少なくとも1ppmaの炭素含量及び少なくとも1ppbaのドーパント含量を有する、請求項1に記載の方法。少なくとも1回の希薄化工程の後に、更なる希薄化工程を、規定の炭素濃度とドーパント濃度を有する単結晶もしくは多結晶のシリコン製の更なるスリーブと、それぞれの先行する希薄化工程の後に得られる新たなシリコン製の単結晶ロッドとを用いて行って、希薄化された単結晶シリコンロッドが作成される、請求項1又は2に記載の方法。希薄化工程を、希薄化されたシリコンロッドが1ppma未満の炭素含量と1ppba未満のドーパントの含量を有するまで行う、請求項3に記載の方法。調査されるべきシリコンが既にエレクトロニクス品質を有する場合に、先行技術で観察される問題は、光ルミネッセンス測定によっては示されない。それというのも、その汚染は十分に低い水準にあるからである。従ってここでは、かかる測定を実施しうるために、粒状シリコンに、フロートゾーン法によって別の形状、すなわちロッド形を与えることに主眼を置いている。該方法での欠点は、十分な熱伝導を保証するためには、粒子とシリコン容器との間に十分な接触が存在せねばならないということである。その際には、分析されるシリコンが汚染される危険性がある。前記の問題点から、本発明の課題が生まれた。前記課題は、シリコン中の不純物の測定方法であって、調査されるべきシリコンからゾーン引き上げによって単結晶ロッドを作成し、この単結晶ロッドを、少なくとも1回の希薄化Verduennung工程で、規定の炭素濃度及びドーパント濃度を有する単結晶もしくは多結晶のシリコン製のスリーブHuelse中に導入し、そして該ロッド及びスリーブからゾーン引き上げによって希薄化されたシリコン製の単結晶ロッドを作成し、その希薄化された単結晶ロッドをもとに、調査されるべきシリコン中の不純物の測定を光ルミネッセンスもしくはFTIR又はその両方を用いて行う前記測定方法によって解決される。好ましくは、調査されるべきシリコンは、少なくとも1回の希薄化工程の前に、少なくとも1ppmaの炭素含量及び少なくとも1ppbaのドーパント含量を有する。好ましくは、少なくとも1回の希薄化工程の後に、更なる希薄化工程を、規定の炭素濃度とドーパント濃度を有する単結晶もしくは多結晶のシリコン製の更なるスリーブと、それぞれの先行する希薄化工程の後に得られる新たなシリコン製の単結晶ロッドとを用いて行って、希薄化された単結晶シリコンロッドが作成される。好ましくは、更なる希薄化工程は、希薄化されたシリコンロッドが1ppma未満の炭素含量と1ppba未満のドーパントの含量を有するまで行われる。本方法の出発点は、炭素及びドーパントで汚染された、精錬された冶金シリコン又は多結晶シリコンである。その材料は、不純物の測定が光ルミネッセンスによっては今のところ不可能である程度に炭素及び/又はドーパントで汚染されている。出発材料は、好ましくは、シーメンス反応器中でフィラメント心棒に析出させた後に生ずるような細いロッドの形で存在する。この細いロッドから、FZフロートゾーンゾーン引き上げによって単結晶ロッドが成長される。この単結晶ロッドは、円形断面を有し、好ましくは2~35mmの直径を有する。FZ成長で2~35mmの最終直径に達する前に、好ましくは、いわゆる細いネックDuennhalsが引き出され、転位不含の成長が達成され、そして希薄化工程のためのスリーブの詰め物として好適なロッドが作り出される。出発材料から成長された単結晶ロッドは、引き続き単結晶もしくは多結晶のシリコン製のスリーブ中に導入される。シリコンスリーブ中に存在する単結晶もしくは多結晶のロッドは、次いでFZによって単結晶ロッドに変換される。ここでも、好ましくは、いわゆる細いネックが引き出されて、転位不含の成長が達成され、そして後続の希薄化工程のためのスリーブの詰め物として好適なロッドが作り出される。好ましくは、スリーブの内径は、前もって作成された単結晶ロッドの直径にほぼ相当する。しかしながら、ロッド直径がスリーブの内径よりも小さくてもよく、それは特に好ましいことである。つまり、スリーブの内壁と単結晶ロッドの側面との間に空所が存在する場合にも転位不含の成長が可能であることが示された。好ましくは、スリーブと円柱形結晶との間には接点は存在しない。かかる配置が欠陥不含の単結晶をもたらし、それが同時に更なる希薄化工程のために出発材料として利用できることは、驚くべきことである。スリーブと円柱形結晶との間に接点が存在しない場合に、さらに該円柱形結晶のあらゆる機械的加工を省くことができる。それは、とりわけ、かかる機械的加工が常に付加的な汚染の原因となりうるので好ましい。シリコンスリーブは、単結晶もしくは多結晶のロッドから穿孔によって作成することができる。元の単結晶もしくは多結晶のロッド及びシリコンスリーブから新たな単結晶のロッドを作成することによって、シリコン中の不純物濃度を希薄化することができる。スリーブの単結晶もしくは多結晶の材料は、定義された水準の炭素及びドーパントによる汚染を有している。シリコンスリーブ中の不純物の濃度は、理想的には、調査されるべきシリコン中の濃度よりも明らかに低い水準にある。ここで、スリーブと元のロッドからの新たなロッドの成長によって、不純物の希薄化が達成される。また、かかる希薄化工程を複数回行うことも好ましい。高く汚染された出発材料の場合には、光ルミネッセンスのために測定可能な範囲に進めるためには、かかる複数回の希薄化は必須である。それによって、第一の希薄化工程の後に得られる単結晶ロッドを再びシリコン製のスリーブ中に導入し、そしてロッド/スリーブを改めてFZ法に供するということを実行することができる。各々の追加の希薄化工程によって、不純物に関する濃度の更なる希薄化が達成される。第一の希薄化工程の後に、不純物の濃度が既に、濃度測定を光ルミネッセンスにより可能にする水準にある場合には、好ましくは、更なる希薄化工程は実施されない。不純物の濃度は、炭素含量が1ppma未満であり、かつドーパント含量が1ppba未満である場合に、濃度測定が光ルミネッセンスにより可能となる水準になる。光ルミネッセンスによる濃度測定に際しては、希薄化は当然のように考慮されるべきである。しかしながら、シリコンスリーブの材料の汚染の度合いは既知であり、従って光ルミネッセンスによって測定可能な範囲にあるので、ロッド/スリーブから作成された単結晶中の不純物の濃度によって、もしくはn回の希薄化工程の後に、ロッド/nスリーブから作成された単結晶中の不純物の濃度によって、調査されるべきシリコン中の不純物の正確な濃度を出すことは、当業者に問題をもたらさない。10mm/分超の高い結晶成長速度では、それが好ましいが、その際には、高い偏折係数を生ずるので、第一の近似においては、偏折を無視することができる。好ましくは2~35mmの結晶直径を有する、使用される円柱形単結晶は、好ましくは、かかる高い引き上げ速度で、かつ低い効果的な溶融物高さで製造される。ホウ素及びリンの場合には、その際、実質的に全く偏折効果を生じず、これは、先行技術においては偏折効果は常に考慮されるべきであったSEMIMF1723-1104ので該方法にかかる費用をより少なくする。本方法はまた限りなく高いドーパント濃度でも、光ルミネッセンスの方法によってドーピング元素の定量を可能にすることが示された。多結晶シリコン製の及び冶金シリコン製のロッド形状のサンプルを調査した。それらのサンプルは、約5mmの直径を有する。前記サンプルから、FZによって約12mmの直径を有する単結晶ロッドを成長させた。スリーブとして、ドープされていない多結晶シリコンスリーブ直径約19mmを使用した。4回の希薄化工程を実施した。最初の3回の希薄化工程の後に、ホウ素とリンの濃度は測定可能な範囲にはなかった。4回目の希薄化工程の後には、ドーパントの濃度は測定可能な範囲にあった。そのために、定義された単結晶の場所で測定ディスクを取り出し、これを光ルミネッセンス測定に供した。79pptaのリンと479pptaのホウ素という結果であった。そこから、元のサンプルの濃度を測定することができた。1.0ppmaのリンと6.3ppmaのホウ素という結果であった。炭素に関しては、その濃度は、既に3回目の希薄化の後で測定可能な範囲にあった。それは87ppbaという結果であった。元のサンプルについて、833ppmaの炭素が算出された。