"金属酸化物半導体を含有する感ガス体と、コイル状の電極とを備え、前記感ガス体が前記コイル状の電極の内部を満たし、或いは更に前記コイル状の電極の外側を覆い、前記感ガス体の径が、前記コイル状の電極の径の120以下である半導体ガスセンサ素子。請求項1に記載の半導体ガスセンサ素子の製造方法であって、金属酸化物半導体の粉末を含有する成形材料をコイル状の電極の内側に注入することで、前記成形材料で前記コイル状の電極の内部を満たし、或いは更にこのコイル状の電極の内部からはみ出す成形材料で前記コイル状の電極の外側を覆う工程と、前記成形材料を焼成する工程とを含む半導体ガスセンサ素子の製造方法。請求項1に記載の半導体ガスセンサ素子を備えるガス検出装置。しかし、半導体ガスセンサ素子は雰囲気中に含まれるシロキサン、有機ケイ素化合物、ケイ素樹脂などといったケイ素化合物によって被毒されやすいという問題がある。半導体ガスセンサ素子を備えるガス検出装置は、ガスクロマトグラフの検出器や燃料電池の制御のための検出器などへの用途の拡大が期待されており、このため半導体ガスセンサ素子のケイ素化合物に対する耐久性を簡易な構成によって達成することが強く求められている。本発明は上記の事由に鑑みてなされたものであり、簡易な構成を備えると共にケイ素化合物に対する耐久性が高い半導体ガスセンサ素子、この半導体ガスセンサ素子の製造方法、及びこの半導体ガスセンサ素子を備えるガス検出装置を提供することを目的とする。本発明に係る半導体ガスセンサ素子は、金属酸化物半導体を含有する感ガス体と、コイル状の電極とを備え、前記感ガス体が前記コイル状の電極の内部を満たし、或いは更に前記コイル状の電極の外側を覆い、前記感ガス体の径が、前記コイル状の電極の径の120以下である。本発明に係る半導体ガスセンサ素子の製造方法は、金属酸化物半導体の粉末を含有する成形材料をコイル状の電極の内側に注入することで、前記成形材料で前記コイル状の電極の内部を満たし、或いは更にこのコイル状の電極の内部からはみ出す成形材料で前記コイル状の電極の外側を覆う工程と、前記成形材料を焼成する工程とを含む。本発明に係るガス検出装置8は、前記半導体ガスセンサ素子1を備える。本発明によれば、簡易な構成を備えると共にケイ素化合物に対する耐久性が高い半導体ガスセンサ素子が得られる。ガス検出装置8は、半導体ガスセンサ素子1、リード線5,6,7、端子8,9,10、及びセンサ筐体13を備えている。図1に半導体ガスセンサ素子1を、図3にこの半導体ガスセンサ素子1を備えるガス検出装置8を、それぞれ示す。半導体ガスセンサ素子1は、酸化スズ、酸化タングステン、酸化インジウム、酸化亜鉛等の金属酸化物半導体を含有する感ガス体4と、電極2,3とから構成される。この半導体ガスセンサ素子1は、電極2,3として、コイル状のヒータ兼用電極2と芯線状電極3を備える。ヒータ兼用電極2は、例えばその直径R1が0.1~0.5mm、長さが0.05~0.7mm、ターン数が2~11の範囲に形成される。尚、長さとは、径方向と直交する方向の寸法である。芯線状電極3はコイル状のヒータ兼用電極2の内側にこのヒータ兼用電極2を貫通するように設けられている。この電極は例えば白金や白金合金などからなる線材から形成される。感ガス体4は金属酸化物半導体の粉末を含む成形材料が成形、焼成されることにより形成される。感ガス体4はコイル状のヒータ兼用電極2の内部を満たし、更にこのコイル状のヒータ兼用電極2の外側を覆っている。尚、感ガス体4がヒータ兼用電極2の内部を満たしてさえいれば、この感ガス体4がコイル状のヒータ兼用電極2の外側を覆っていなくてもよい。感ガス体4がヒータ兼用電極2の内部を満たすとは、ヒータ兼用電極2を構成する線材と感ガス体4との間に隙間が生じないことをいう。このような隙間が存在しないのであれば、ヒータ兼用電極2の両端又は一端に、感ガス体4が存在しない部分があってもよい。尚、ヒータ兼用電極2の両端又は一端に、感ガス体4が存在しない部分があると、この部分は実際にはヒータや電極としては機能しないが、本明細書においては、感ガス体4と接触していない部分を含めたコイル状の構造全体を、コイル状のヒータ兼用電極2と呼ぶ。この感ガス体4の直径R2は、コイル状のヒータ兼用電極2の直径R1の120以下である。すなわち、感ガス体4は、コイル状のヒータ兼用電極2の直径R1の120の寸法の直径を有する円筒の内部に収まるような寸法及び形状を有している。感ガス体4の長さは、例えば0.05~1.00mmの範囲に形成される。感ガス体4には、コイル状のヒータ兼用電極2からその長さ方向にはみ出す部分が少ないことが好ましく、特に感ガス体4がコイル状のヒータ兼用電極2からその長さ方向にはみ出さないことが好ましい。すなわち、感ガス体4の長さが特にコイル状のヒータ兼用電極2の長さ以下或いはコイル状のヒータ兼用電極2の長さ未満であり、且つ感ガス体4がコイル状のヒータ兼用電極2からその長さ方向にはみ出さないことが好ましい。尚、感ガス体4の長さがコイル状のヒータ兼用電極2の長さ未満であると、ヒータ兼用電極2には、その両端又は一端に、感ガス体4が存在しない部分が生じる。特に感ガス体4は、図2に示すように、コイル状のヒータ兼用電極2の内側でこのヒータ兼用電極2を構成する線材に接触すると共に、コイル状のヒータ兼用電極2の外側にははみ出さない感ガス体4がヒータ兼用電極2の外側を覆わない形状であり、且つヒータ兼用電極2の両端には感ガス体4が存在しない部分があることが好ましい。このような構成の感ガス体4は、ケイ素化合物に被毒されにくくなる。その理由の一つとして、感ガス体4の外表面とコイル状のヒータ兼用電極2とが近接するために、感ガス体4の加熱時に感ガス体4の外表面の温度が上昇しやすくなることが、考えられる。このため、感ガス体4がケイ素化合物に曝露されても、ガス検出時の検知感度や応答性の低下が抑制される。この効果は、アルコールガスなどの分子サイズが大きいガスの検出時に特に顕著に現れる。リード線5,6,7は半導体ガスセンサ素子1を支持する。このリード線5,6,7は半導体ガスセンサ素子1の電極2,3に電気的に接続されている。このリード線5,6,7は例えば白金や白金合金から形成される。本実施形態ではガス検出装置8が三つのリード線5,6,7を備えている。このうち二本のリード線5,6は、ヒータ兼用電極2の両端から感ガス体4の外方へ突出している。すなわち、リード線5,6及びヒータ兼用電極2は一本の線材から形成され、このリード線5,6の間にヒータ兼用電極2が形成される。残りのリード線7は芯線状電極3の端部から感ガス体4の外方へ突出している。すなわち、リード線7及び芯線状電極3は一本の線材から形成され、この線材の片側の端部が芯線状電極3、この芯線状電極3以外の部分がリード線7となっている。これらのリード線5,6,7、並びにヒータ兼用電極2及び芯線状電極3の線径は、15~25μmの範囲であることが好ましい。このリード線5,6,7の各端部が、3本の端子8,9,10にそれぞれ固定され、各端子8,9,10に電気的に接続されている。端子8,9,10は、センサ筐体13の底部を兼ねる樹脂製のベース11を貫通してその一端部がセンサ筐体13の内側へ、他端部がセンサ筐体13の外側へ突出するように設けられている。これにより各端子8,9,10がセンサ筐体13で支持されている。ベース11と共にセンサ筐体13を構成するキャップ体12は、上下が開口した筒状に形成されており、上部開口には防曝用のステンレス製の金網14が設けられている。このキャップ体12の下部開口にベース11が取着されることで、前記下部開口がベース11で閉塞され、これによりセンサ筐体13が構成されている。このセンサ筐体13の内側に半導体ガスセンサ素子1が配置される。このガス検出装置8は、例えば測定用回路に接続された状態で使用される。測定用回路は、端子8,9及びリード線5,6を介して、半導体ガスセンサ素子1のヒータ兼用電極2に電圧を印加してこのヒータ兼用電極2を通電加熱する回路である。更にこの測定用回路は、感ガス体4に生じる電気抵抗値の変化に基づいて、検出対象ガスの濃度信号を出力する。すなわち、例えば測定用回路はヒータ兼用電極2への電圧の印加を間欠的に休止し、その間にヒータ兼用電極2、芯線状電極3、及び適宜の抵抗が直列に接続された回路に一定電圧を印加し、このときにヒータ兼用電極2と芯線状電極3との間に発生する電圧降下量を測定し、この測定値をA/D変換してマイクロコンピュータなどへ伝送する。この電圧降下量は、感ガス体4の電気抵抗値の変化に応じて変動するため、検出対象ガスの濃度と相関する。検出対象ガスの検出時には、まず測定用回路が端子8,9及びリード線5,6を介してヒータ兼用電極2に電圧を印加することでヒータ兼用電極2を加熱する。これにより、感ガス体4の温度が検出対象ガスの検出に適した温度まで加熱される。この状態でガス検出装置8が検出対象ガスを含有する気体に曝露されると、気体は防曝用の金網14をを介してセンサ筐体13内に導入され、これにより感ガス体4が気体に曝露される。この感ガス体4の電気抵抗値が、気体中の検出対象ガスの濃度に応じて変動する。このヒータ兼用電極2と芯線状電極3との間での感ガス体4の電気抵抗値に基づいて、測定用回路が検出対象ガスの濃度信号を出力する。このガス検出装置8における半導体ガスセンサ素子1の作製にあたっては、例えば金属酸化物半導体の粉末を含有するペースト状の成形材料が使用される。この成形材料には必要に応じて適宜の有機溶剤、骨材、触媒、バインダー、その他の添加剤が添加される。コイル状のヒータ兼用電極2の内側に芯線状電極3が配置されている状態で、成形材料がコイル状のヒータ兼用電極2の内側に注入される。成形材料の注入量は、感ガス体4に望まれる寸法等に応じて適宜調整される。これにより成形材料がヒータ兼用電極2の内部を満たし、或いは更にこのコイル状のヒータ電極の内部から成形材料がはみ出してこの成形材料でコイル状の電極の外側を覆う。このようにして電極2,3に成形材料が付着した状態でこの成形材料が加熱されると、成形材料が焼結し、感ガス体4が形成される。このような半導体ガスセンサ素子1の作製方法では、従来におけるようなヒータ兼用電極2の外側に成形材料を塗布する工程が省かれているため、半導体ガスセンサ素子1を作製する工程が簡便化されている。[実施例1]図1に示す構成のガス検出装置8を使用した。このガス検出装置8の半導体ガスセンサ素子1を作製するにあたり、線径20μmの白金線から、リード線5,6,7、ヒータ兼用電極2及び芯線状電極3を形成した。ヒータ兼用電極2の長さは0.5mm、直径は0.3mm、ターン数は7とした。また、酸化スズ粉末とα-アルミナ粉末を混合し、これに溶剤を加えることで、ペースト状の成形用組成物を得た。この成形用組成物を、ヒータ兼用電極2の内側に芯線状電極3が配置されている状態でこのヒータ兼用電極2の内部に注入することで、ヒータ兼用電極2の内部を成形用組成物で満たすことで、ヒータ兼用電極2の外側を成形用組成物で覆った。この成形用組成物を焼成することで、長さ0.35mm、直径0.3mmの寸法を有する、図2に示すような形状の感ガス体4を形成した。[比較例1]実施例1において、半導体ガスセンサ素子を作製するにあたり、線径20μmの白金線から、リード線、ヒータ兼用電極及び芯線状電極を形成した。ヒータ兼用電極の長さは0.5mm、直径は0.3mm、ターン数は7とした。また、酸化スズ粉末とα-アルミナ粉末を混合し、これに溶剤を加えることで、ペースト状の成形用組成物を得た。この成形用組成物をヒータ兼用電極の内部に注入し、更に成形用組成物をヒータ兼用電極に外側から塗布することで、ヒータ兼用電極全体を成形用組成物で包み込んだ。この成形用組成物を焼成することで、長さ0.35mm、直径0.4mmの寸法を有し、且つ内部にヒータ兼用電極が埋設された、楕円体状の感ガス体を形成した。[評価試験]実施例1及び比較例1で得られた各ガス検出装置を測定用回路に接続し、ヒータ兼用電極に通電して半導体ガスセンサ素子を420°Cに加熱した状態で、このガス検出装置を空気雰囲気中に配置した。続いてこの雰囲気中に水素を10ppmの濃度となるように注入し、続いてこの雰囲気中に更に水素を20ppmの濃度となるように注入した。続いてガス検出装置の周囲の水素を含むガスを排気してガス検出装置を再び空気雰囲気中に配置した。次いで、ガス検出装置の周囲に雰囲気中にエタノール蒸気を10ppmの濃度となるように注入した。。続いてガス検出装置の周囲のエタノールを含むガスを排気してガス検出装置を再び空気雰囲気中に配置した。この場合に測定されたヒータ兼用電極2と芯線状電極3との間の電気抵抗値Rsと、空気雰囲気中におけるヒータ兼用電極2と芯線状電極3との間の電気抵抗値R0との比Rs/R0の変化を、図4のグラフに示す。次に、実施例1及び比較例1で得られた各ガス検出装置のヒータ兼用電極に通電して感ガス体を加熱した状態で、この感ガス体を、ヘキサメチルジシロキサンを10ppm含む雰囲気中に27日間曝露した。次に、前記の処理が施された各ガス検出装置を用いて、再び同様に水素及びエタノールの測定をおこなった。この場合に測定されたヒータ兼用電極と芯線状電極との間の電気抵抗値Rsと、空気雰囲気中におけるヒータ兼用電極と芯線状電極との間の電気抵抗値R0との比Rs/R0の変化を、図5のグラフに示す。この結果、実施例1、比較例1のいずれの場合も、水素ガスの検知感度や応答性には大きな変化は見られなかったが、エタノール検知時には検知感度及び応答性が低下した。これは、ケイ素化合物により感ガス体が被毒されることで、特に分子サイズの大きいアルコールの検知特性が低下したためであると考えられるが、実施例1では比較例1よりも検知特性の低下が抑制され、ケイ素化合物に対する耐久性が向上していることが確認できた。"