半極性及び無極性のいずれか一方の主面を有する六方晶系の窒化ガリウム単結晶ベースを含み搭載面を有するサブマウントと、前記サブマウントの前記搭載面の上に設けられたIII族窒化物半導体レーザとを含む窒化物半導体レーザ装置と、前記窒化物半導体レーザ装置を搭載するステムと、を備え、前記III族窒化物半導体レーザは、六方晶系の窒化ガリウム系半導体からなる主面を有する基板と、前記基板の前記主面の上に設けられ活性層を含むエピタキシャル半導体積層と、前記エピタキシャル半導体積層の上に設けられた電極を含み、前記基板の前記主面は、前記窒化ガリウム系半導体のc軸に直交する第1基準面に対して傾斜を成し、前記III族窒化物半導体レーザの発振波長は、400nm以上550nm以下の範囲にある、光モジュール。前記エピタキシャル半導体積層は、前記電極が接触を成すp型窒化ガリウム系半導体層を含み、前記基板の前記主面は、前記第1基準面に対して10度以上の角度で傾斜する、請求項1に記載された光モジュール。前記サブマウントの前記搭載面は熱膨張係数の異方性を示し、前記基板の前記窒化ガリウム系半導体の前記c軸と前記サブマウントの前記窒化ガリウム単結晶ベースのc軸のなす角が45度以内である、請求項1又は請求項2に記載された光モジュール。前記III族窒化物半導体レーザはエピダウン形態で前記サブマウントの前記搭載面に実装されている、請求項1~請求項3のいずれか一項に記載の光モジュール。前記III族窒化物半導体レーザを前記サブマウントの前記搭載面に実装する導電性接着部材を更に備える、請求項1~請求項4のいずれか一項に記載された光モジュール。前記III族窒化物半導体レーザの発振波長は480nm以上540nm以下の範囲にある、請求項1~請求項5のいずれか一項に記載された光モジュール。前記III族窒化物半導体レーザの発振波長は510nm以上540nm以下の範囲にある、請求項1~請求項6のいずれか一項に記載された光モジュール。前記基板の前記窒化ガリウム系半導体の前記c軸は、該窒化ガリウム系半導体のa軸及びm軸のいずれか一方の方向に傾斜を成す、請求項1~請求項7のいずれか一項に記載された光モジュール。前記エピタキシャル半導体積層は光ガイド層を含み、前記光ガイド層は前記活性層と接触を成し、前記活性層と前記光ガイド層との界面は、前記窒化ガリウム系半導体の前記c軸に直交する基準面から角度ALPHAの傾斜を成す、請求項1~請求項8のいずれか一項に記載された光モジュール。前記角度ALPHAは、63度以上80度未満の範囲にある、ことを特徴とする請求項9に記載の光モジュール。前記搭載面は前記窒化ガリウム単結晶ベースのc面から10度以上の角度で傾斜する、請求項1~請求項10のいずれか一項に記載された光モジュール。前記搭載面は前記窒化ガリウム単結晶ベースのc面から80度以上の角度で傾斜する、請求項1~請求項11のいずれか一項に記載された光モジュール。前記搭載面は、前記搭載面に沿った第1面内方向に関する第1サブマウント熱膨張係数と、前記搭載面に沿った第2面内方向に関する第2サブマウント熱膨張係数とを有し、前記第1面内方向は前記第2面内方向に直交し、前記サブマウントの前記第1サブマウント熱膨張係数は前記サブマウントの前記第2サブマウント熱膨張係数より大きく、前記III族窒化物半導体レーザは、前記第1面内方向に関する第1素子熱膨張係数と、前記第2面内方向に関する第2素子熱膨張係数とを有し、前記III族窒化物半導体レーザの前記第1素子熱膨張係数は前記III族窒化物半導体レーザの前記第2素子熱膨張係数より大きい、請求項1~請求項12のいずれか一項に記載された光モジュール。前記サブマウントの前記窒化ガリウム単結晶ベースのc軸は、前記窒化ガリウム単結晶ベースの前記主面の法線軸に対してゼロより大きい角度を成し、前記III族窒化物半導体レーザのレーザ導波路は、前記サブマウントの前記窒化ガリウム単結晶ベースの前記c軸と前記窒化ガリウム単結晶ベースの前記主面の前記法線軸とによって規定される基準平面に沿って延在する、請求項1~請求項13のいずれか一項に記載された光モジュール。前記基板は前記窒化ガリウム単結晶ベースと同じ材料からなる、請求項1~請求項14のいずれか一項に記載された光モジュール。前記ステムは、前記窒化物半導体レーザ装置を搭載する側面を有する金属台座と、前記金属台座を搭載する主面と裏面とを有する金属ベースとを含み、前記ステムは、前記金属ベースの前記主面から前記裏面に向かう方向に延在する貫通孔と、該貫通孔に保持されたリード端子とを含む、請求項1~請求項15のいずれか一項に記載された光モジュール。前記サブマウントは、前記窒化ガリウム単結晶ベースの前記主面の上に設けられた金属層を含み、前記III族窒化物半導体レーザは、導電性接着部材により前記サブマウントの前記金属層に固定されている、請求項1~請求項16のいずれか一項に記載された光モジュール。窒化物半導体レーザ装置であって、半極性及び無極性のいずれか一方の主面を有する窒化ガリウム単結晶ベースを含み搭載面を有するサブマウントと、前記サブマウントの前記搭載面の上に設けられたIII族窒化物半導体レーザと、を備え、前記III族窒化物半導体レーザは、III族窒化ガリウム系半導体からなる主面を有する基板と、前記基板の前記主面の上に設けられ活性層を含むエピタキシャル半導体積層とを含み、前記基板の前記主面は、前記窒化ガリウム系半導体のc軸に直交する基準面に対して傾斜を成し、前記III族窒化物半導体レーザの発振波長は、400nm以上550nm以下の範囲にある、窒化物半導体レーザ装置。前記III族窒化物半導体レーザは、前記搭載面に沿った第1面内方向に関する第1素子熱膨張係数と、前記搭載面に沿った第2面内方向に関する第2素子熱膨張係数とを有し、前記第1面内方向は前記第2面内方向に直交し、前記III族窒化物半導体レーザの前記第1素子熱膨張係数は前記III族窒化物半導体レーザの前記第2素子熱膨張係数より大きく、前記搭載面は、前記第1面内方向に関する第1サブマウント熱膨張係数と、前記第2面内方向に関する第2サブマウント熱膨張係数とを有し、前記サブマウントの前記第1サブマウント熱膨張係数は前記サブマウントの前記第2サブマウント熱膨張係数より大きい、請求項18に記載された窒化物半導体レーザ装置。半導体レーザを搭載するためのサブマウントであって、前記サブマウントは、半極性又は無極性の主面を有する窒化ガリウム単結晶ベースを含み、また搭載面を有し、前記搭載面は、該搭載面に沿った第1面内方向に関する第1熱膨張係数と、該搭載面に沿った第2面内方向に関する第2熱膨張係数とを有し、前記第1面内方向は前記第2面内方向に直交し、前記第1熱膨張係数は前記第2熱膨張係数と異なる、サブマウント。特許文献1では、高熱伝導ステムは、接合樹脂により、サブマウントの高熱伝導ステム側表面に接合される。接合樹脂は、炭化ケイ素、窒化アルミニウム等からなるサブマウントと、銅等からなり金メッキされた高熱伝導ステムとを接合する。接合樹脂は、熱伝導度が高いものであるのが好ましいが、LD活性層で発生した熱はサブマウント内で広がるので、半田材よりも熱伝導率が低い樹脂を使用しても、放熱性にはさほど影響はない。特許文献1は、サブマウントが炭化ケイ素、窒化アルミニウム等からなることを開示する。次いで、窒化ガリウム系半導体からなる緑色半導体レーザを例示として、半導体レーザとサブマウントとの関係を説明する。緑色半導体レーザは、窒化ガリウム系半導体基板の半極性主面を使用する。半極性主面を使用すると、窒化ガリウム系半導体基板の表面及び裏面における熱膨張係数は異方性を示す。これ故に、等方的な熱膨張係数を有するサブマウントは、レーザ導波路に平行な方向に関する熱膨張係数とレーザ導波路に垂直な方向に関する熱膨張係数とのいずれかの向きにおいて半導体レーザの熱膨張係数と異なることになる。利用可能なサブマウントの材料は、例えば炭化ケイ素及び窒化アルミニウムであり、これらのサブマウントは多結晶からなる。これ故に、特許文献1のサブマウントは、異方的な熱膨張係数を有さない。また、サブマウントの材料は、例えばSiC及びAlNに限られることなくダイヤモンドもあり、このダイヤモンドも多結晶からなる。窒化ガリウム系半導体からなる青色半導体レーザは、c面サファイア基板、c面SiC基板、c面GaN基板等を用いて作製される。これらのc面基板は、等方的な熱膨張係数を有する。したがって、等方的な熱膨張係数の青色半導体レーザには、等方的な熱膨張係数を有するサブマウントを用いることが好適である。本発明は、このような事情を鑑みて為されたものであり、窒化ガリウム系半導体のc軸に直交する第1基準面に対して傾斜する基板主面を用いるIII族窒化物半導体レーザとサブマウントとの間の熱膨張係数差及び熱膨張係数の異方性に係る、III族窒化物半導体レーザの特性変動を低減可能な光モジュールを提供することを目的とし、光モジュールのための窒化物半導体レーザ装置を提供することを目的とし、III族窒化物半導体レーザのためのサブマウントを提供することを目的とする。本発明に係る光モジュールは、a半極性又は無極性の主面を有する六方晶系の窒化ガリウム単結晶ベースを含み搭載面を有するサブマウントと、前記サブマウントの前記搭載面の上に設けられたIII族窒化物半導体レーザとを含む窒化物半導体レーザ装置と、b前記窒化物半導体レーザ装置を搭載するステムとを備える。前記III族窒化物半導体レーザは、六方晶系の窒化ガリウム系半導体からなる主面を有する基板と、前記基板の前記主面の上に設けられ活性層を含むエピタキシャル半導体積層と、前記エピタキシャル半導体積層の上に設けられた電極を含み、前記基板の前記主面は、前記窒化ガリウム系半導体のc軸に直交する第1基準面に対して傾斜を成し、前記III族窒化物半導体レーザの発振波長は、400nm以上550nm以下の範囲にある。この光モジュールによれば、III族窒化物半導体レーザの基板の主面は、基板の窒化ガリウム系半導体のc軸に直交する基準面に対して傾斜を成すので、III族窒化物半導体レーザは、熱膨張係数に関して異方性を有する。また、このIII族窒化物半導体レーザが、半極性又は無極性の主面を有する六方晶系の窒化ガリウム単結晶ベースを含むサブマウントの搭載面上に設けられる。窒化ガリウム単結晶ベースの主面が、熱膨張係数に関して異方性を有する。これ故に、異方的な熱膨張係数を示すIII族窒化物半導体レーザを、異方的な熱膨張係数を示す窒化ガリウム単結晶ベースを含むサブマウントの搭載面上に搭載できる。また、III族窒化物半導体レーザの熱膨張係数はサブマウントの熱膨張係数に近くできる。本発明に係る窒化物半導体レーザ装置は、a半極性又は無極性の主面を有する窒化ガリウム単結晶ベースを含み搭載面を有するサブマウントと、b前記サブマウントの前記搭載面の上に設けられたIII族窒化物半導体レーザとを備える。前記III族窒化物半導体レーザは、III族窒化ガリウム系半導体からなる主面を有する基板と、前記基板の前記主面の上に設けられ活性層を含むエピタキシャル半導体積層とを含み、前記基板の前記主面は、前記窒化ガリウム系半導体のc軸に直交する基準面に対して傾斜を成し、前記III族窒化物半導体レーザの発振波長は、400nm以上550nm以下の範囲にある。この窒化物半導体レーザ装置によれば、III族窒化物半導体レーザの基板の主面は、基板の窒化ガリウム系半導体のc軸に直交する第1基準面に対して傾斜を成すので、III族窒化物半導体レーザの基板は、熱膨張係数に関して異方性を有する。また、このIII族窒化物半導体レーザが、半極性又は無極性の主面を有する六方晶系の窒化ガリウム単結晶ベースを含むサブマウントの搭載面上に設けられる。窒化ガリウム単結晶ベースの主面が、熱膨張係数に関して異方性を有する。これ故に、異方的な熱膨張係数を示すIII族窒化物半導体レーザを、異方的な熱膨張係数を示す窒化ガリウム単結晶ベースを含むサブマウントの搭載面上に搭載できる。また、材料としての熱膨張係数については、III族窒化物半導体レーザの熱膨張係数はサブマウントの熱膨張係数に近くなる。本発明に係る光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置では、前記エピタキシャル半導体積層は、前記電極が接触を成すp型窒化ガリウム系半導体層を含み、前記基板の前記主面は、前記第1基準面に対して10度以上の角度で傾斜することが好ましい。この光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置によれば、エピタキシャル半導体積層が基板の主面上に設けられるので、電極とp型窒化ガリウム系半導体層との接合面も第1基準面に対して上記の角度で傾斜する。半極性又は無極性の主面を有する六方晶系の窒化ガリウム単結晶ベースを含み搭載面を有するサブマウントは、上記のような熱劣化及び熱変動を低減できる。本発明に係る光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置では、前記基板の前記窒化ガリウム系半導体の前記c軸と前記サブマウントの前記窒化ガリウム単結晶ベースのc軸のなす角が45度以内であることが好ましい。この光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置によれば、基板の窒化ガリウム系半導体のc軸とサブマウントの窒化ガリウム単結晶ベースのc軸のなす角が45度以内であるので、基板の窒化ガリウム系半導体のc軸の傾斜が窒化ガリウム単結晶ベースのc軸の傾斜と近くできる。本発明に係る光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置では、前記III族窒化物半導体レーザはエピダウン形態で前記サブマウントの前記搭載面に実装されていることができる。この光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置によれば、窒化ガリウム系半導体と異なる材料から成るサブマウントを用いるならば、このとき、サブマウント材料とIII族窒化物半導体レーザとの熱膨張係数の違いに起因して実装の際の熱応力を、III族窒化物半導体レーザの電極が受ける。しかしながら、サブマウントが、窒化ガリウム単結晶ベースを含んで異方的な熱膨張係数を有するので、実装の際の熱応力を低減できる。このため、電極の熱劣化を低減できる。本発明に係る光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置では、前記III族窒化物半導体レーザを前記サブマウントの前記搭載面に実装する導電性接着部材を更に備えることができる。この光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置によれば、導電性接着部材を用いた実装に際に熱がIII族窒化物半導体レーザに加わるけれども、熱応力に起因した熱劣化がIII族窒化物半導体レーザの電極に生じることを低減できる。本発明に係る光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置では、前記III族窒化物半導体レーザの発振波長は480nm以上540nm以下の範囲にあることが好ましい。この光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置によれば、III族窒化物半導体レーザは、緑色及びその隣接色の光を示す上記波長範囲内のレーザ発振を提供できる。本発明に係る光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置では、前記III族窒化物半導体レーザの発振波長は510nm以上540nm以下の範囲にあることが好ましい。この光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置によれば、III族窒化物半導体レーザは、緑色光を示す上記波長範囲内のレーザ発振を提供できる。本発明に係る光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置では、前記基板の前記窒化ガリウム系半導体の前記c軸は、該III族窒化物半導体のa軸又はm軸の方向に傾斜を成すことが好ましい。この光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置によれば、III族窒化物半導体レーザは、a軸又はm軸の方向に傾斜したc軸の基板を用いて作製されるとき、III族窒化物半導体レーザは異方的な熱膨張係数を有する。本発明に係る光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置では、前記エピタキシャル半導体積層は光ガイド層を含み、前記光ガイド層は前記活性層と接触を成し、前記活性層と前記光ガイド層との界面は、前記窒化ガリウム系半導体のc軸に直交するc面から角度ALPHAの傾斜を成すことができる。この光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置によれば、活性層と光ガイド層との界面が窒化ガリウム系半導体のc軸に直交するc面から、ゼロより大きな角度ALPHAの傾斜を成すとき、III族窒化物半導体レーザでは、角度ALPHAは活性層の面方位を規定する。本発明に係る光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置では、前記角度ALPHAは、63度以上80度未満の範囲にあることが好ましい。この光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置によれば、角度ALPHAが63度以上80度未満の範囲にあるとき、緑色及びその隣接波長の光を生成するIII族窒化物半導体レーザの作製に好適である。本発明に係る光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置では、前記サブマウント主面は前記窒化ガリウム単結晶ベースのc面から10度以上の角度で傾斜することが好ましい。この光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置によれば、サブマウント主面が10度以上の角度でc面から傾斜するとき、サブマウントに異方的な熱膨張係数を提供することに好適である。本発明に係る光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置では、前記サブマウント主面は前記窒化ガリウム単結晶ベースのc面から80度以上の角度で傾斜することが好ましい。この光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置によれば、サブマウント主面が80度以上の角度でc面から傾斜するとき、窒化ガリウムの無極性面に近い異方的な熱膨張係数をサブマウントに提供することに好適である。本発明に係る光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置では、前記搭載面は、前記搭載面に沿った第1面内方向に関する第1サブマウント熱膨張係数と、前記搭載面に沿った第2面内方向に関する第2サブマウント熱膨張係数とを有し、前記第1面内方向は前記第2面内方向に直交し、前記サブマウントの前記第1サブマウント熱膨張係数は前記サブマウントの前記第2サブマウント熱膨張係数より大きく、前記III族窒化物半導体レーザは、前記第1面内方向に関する第1素子熱膨張係数と、前記第2面内方向に関する第2素子熱膨張係数とを有し、前記III族窒化物半導体レーザの前記第1熱膨張係数は前記III族窒化物半導体レーザの前記第2熱膨張係数より大きいことができる。この光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置によれば、III族窒化物半導体レーザにおける異方的な熱膨張係数に、サブマウントの異方的な熱膨張係数に整合させることができる。本発明に係る光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置では、前記サブマウントの前記窒化ガリウム単結晶ベースのc軸は、前記窒化ガリウム単結晶ベースの主面に対する法線軸に対してゼロより大きい角度を成し、前記III族窒化物半導体レーザのレーザ導波路は、前記サブマウントの前記窒化ガリウム単結晶ベースの前記c軸と前記窒化ガリウム単結晶ベースの前記主面の前記法線軸とによって規定される基準平面に沿って延在することが好ましい。この光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置によれば、III族窒化物半導体レーザのレーザ導波路が窒化ガリウム単結晶ベースのc軸と窒化ガリウム単結晶ベースの主面に対する法線軸とによって規定される基準平面に沿って延在するので、III族窒化物半導体レーザにおける熱膨張係数の異方性の向きを、サブマウントにおける熱膨張係数の異方性の向きに整合させることができる。本発明に係る光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置では、前記基板は前記窒化ガリウム単結晶ベースと同じ材料からなることが好ましい。この光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置によれば、基板及び窒化ガリウム単結晶ベースは同じ材料からなるので、III族窒化物半導体レーザの熱膨張係数が窒化ガリウム単結晶ベースの材料に近くなる。本発明に係る光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置では、前記サブマウントは、前記窒化ガリウム単結晶ベースの前記主面の上に設けられた金属層を含み、前記III族窒化物半導体レーザは、前記導電性接着部材により前記サブマウントの前記金属層に固定されていることが好ましい。この光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置によれば、サブマウントにおける熱膨張係数の異方性はサブマウントの金属層を通して発揮される。本発明に係る光モジュールでは、前記ステムは、前記窒化物半導体レーザ装置を搭載する側面を有する金属台座と、前記金属台座を搭載する主面と裏面とを有する金属ベースとを含み、前記ステムは、前記金属ベースの前記主面から前記裏面に向かう方向に延在する貫通孔と、該貫通孔に保持されたリード端子とを含むことは好ましい。この光モジュールによれば、窒化物半導体レーザ装置のIII族窒化物半導体レーザからの熱は金属台座を介して金属ベースに伝導する。本発明に係る窒化物半導体レーザ装置では、前記III族窒化物半導体レーザは、前記搭載面に沿った第1面内方向に関する第1素子熱膨張係数と、前記搭載面に沿った第2面内方向に関する第2素子熱膨張係数とを有し、前記第1面内方向は前記第2面内方向に直交し、前記III族窒化物半導体レーザの前記第1熱膨張係数は前記窒化ガリウム系半導体レーザの前記第2熱膨張係数より大きく、前記搭載面は、前記第1面内方向に関する第1サブマウント熱膨張係数と、前記第2面内方向に関する第2サブマウント熱膨張係数とを有し、前記サブマウントの前記第1サブマウント熱膨張係数は前記サブマウントの前記第2サブマウント熱膨張係数より大きい。本発明に係る、半導体レーザを搭載するためのサブマウントは、半極性又は無極性の主面を有する窒化ガリウム単結晶ベースを含み搭載面を有し、前記搭載面は、該搭載面に沿った第1面内方向に関する第1熱膨張係数と、該搭載面に沿った第2面内方向に関する第2熱膨張係数とを有し、前記第1面内方向は前記第2面内方向に直交し、前記第1熱膨張係数は前記第2熱膨張係数と異なる。本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。以上説明したように、本発明によれば、窒化ガリウム系半導体のc軸に直交する第1基準面に対して傾斜する基板主面を用いるIII族窒化物半導体レーザとサブマウントとの間の熱膨張係数差及び熱膨張係数の異方性に係る、III族窒化物半導体レーザの特性変動を低減可能な光モジュールが提供される。また、本発明によれば、光モジュールのための窒化物半導体レーザ装置が提供される。さらに、本発明によれば、窒化物半導体レーザ装置のためのサブマウントが提供される。引き続いて、添付図面を参照しながら、光モジュール、半導体レーザ装置、サブマウントに係る本発明の実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。図1は、本実施の形態に係る光モジュールを模式的に示す図面である。図2は、本実施の形態に係る光モジュール及び窒化物半導体レーザ装置を模式的に示す図面である。図1及び図2を参照すると、窒化物半導体レーザ装置1及び光モジュール10が示され、また半導体発光素子として、III族窒化物半導体レーザ11が示される。光モジュール10は窒化物半導体レーザ装置1を含む。光モジュール10は窒化物半導体レーザ装置1を搭載するステム10aと、ステム10a上の窒化物半導体レーザ装置1を覆うキャップ10bとを含む。窒化物半導体レーザ装置1はサブマウント3及びIII族窒化物半導体レーザ11を含む。サブマウント3は、搭載面3aを有し、また半極性又は無極性の主面を有する六方晶系の窒化ガリウム単結晶ベース3dを含む。このサブマウント3は、熱膨張係数の異方性を有する搭載面3aを有する。サブマウント3の搭載面3aには、必要な場合には、第1の電極5a及び第2の電極5bが、窒化ガリウム単結晶ベース3d上の主面上に設けられることができる。サブマウント3の搭載面3aはIII族窒化物半導体レーザ11といった窒化物半導体発光素子を搭載する。図1のb部は、本実施の形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子の構造を概略的に示す図面である。III族窒化物半導体レーザ11は、レーザ構造体13及び電極15、41を含む。III族窒化物半導体レーザ11は、利得ガイド型の構造を有するけれども、本実施の形態は、利得ガイド型の構造に限定されるものではなく、例えばリッジ型の構造を適用される。III族窒化物半導体レーザ11は、レーザ構造体13及び電極15を備える。レーザ構造体13は、III族窒化物半導体からなるエピタキシャル半導体積層以下、半導体積層と記す19及び該半導体積層19を搭載する基板17を含む。半導体積層19は基板17の主面17a上に設けられる。電極15は半導体積層19上に設けられる。基板17は、六方晶系の窒化ガリウム系半導体からなり、また主面17a及び裏面17bを有する。また、基板17の主面17aは、基板17の窒化ガリウム系半導体のc軸に直交する第1基準面例えば面Scに対して傾斜を成し、またc面の極性と異なる極性特性を有する。半導体積層19は活性層25を含み、一実施例では、活性層25は、III族窒化物半導体レーザ11の発振波長が400nm以上550nm以下の範囲にあるように設けられる。半導体積層19におけるc軸ベクトルVCの方向に向く軸は基板17の主面17aに対する法線軸NXに対して傾斜する。この光モジュール10によれば、III族窒化物半導体レーザ11の基板17の主面17aは、基板17の窒化ガリウム系半導体のc軸に直交する基準面に対して傾斜を成すので、III族窒化物半導体レーザ11の基板17は、熱膨張係数に関して異方性を有する。また、このIII族窒化物半導体レーザ11が、半極性又は無極性の主面を有する六方晶系の窒化ガリウム単結晶ベースを含むサブマウント3の搭載面3a上に設けられる。窒化ガリウム単結晶ベース3dの主面が、熱膨張係数に関して異方性を有する。これ故に、異方的な熱膨張係数を示すIII族窒化物半導体レーザ11を、異方的な熱膨張係数を示す窒化ガリウム単結晶ベース3dを含むサブマウント3の主面3a上に搭載できる。また、材料としての熱膨張係数について、III族窒化物半導体レーザ11の熱膨張係数はサブマウント3の熱膨張係数に近づけることができる。本実施例では、窒化物半導体レーザ装置1はステム10a上に搭載される。III族窒化物半導体レーザ11はエピダウン形態でサブマウント3の主面3aに実装されていることができる。窒化物半導体レーザ装置1は、III族窒化物半導体レーザ11をサブマウント3の搭載面3aに実装する導電性接着部材7を更に備えることができる。窒化物半導体レーザ装置1によれば、導電性接着部材7を用いた実装に際に熱応力が加わるとき、熱応力に起因した熱劣化が電極に生じることを低減できる。この光モジュール10及び窒化物半導体レーザ装置1によれば、が窒化ガリウム系半導体と異なる材料から成るサブマウントを用いてIII族窒化物半導体レーザ11を実装するならば、このサブマウント材料とIII族窒化物半導体レーザ1の材料との熱膨張係数の違いに起因して実装の際の熱を、III族窒化物半導体レーザ11の電極15が受ける。しかしながら、本実施の形態では、サブマウント3が、窒化ガリウム単結晶ベース3dを含んで異方的な熱膨張係数を有するので、実装の際の熱応力を低減できる。このため、電極15の熱劣化を低減できる。III族窒化物半導体レーザ11はサブマウント3の第1の電極5a上に位置し、窒化物半導体発光素子のアノードは、第1の電極5aに接着される。第1の電極5aは金属層を含む。第1の電極5aをボンディングワイヤといった導電部材を介してリード端子に接続されていても良い。また、窒化物半導体発光素子11のカソードは、ボンディングワイヤといった導電部材9を介して第2の電極5bに接続されていてもよく、第2の電極5bを別のボンディングワイヤといった導電部材を介してステムのリード端子に接続されていても良い。第2の電極5bは金属層を含む。一実施例では、電極5a、5bのための金属層は、窒化ガリウム単結晶ベース3dの主面上に設けられることができる。III族窒化物半導体レーザ11は、導電性接着部材7によりサブマウント3の電極5aに固定されていることが好ましい。この窒化物半導体レーザ装置1及び光モジュール10によれば、サブマウント3における熱膨張係数の異方性はサブマウント3の電極5aを通して発揮される。光モジュール10及び窒化物半導体レーザ装置1では、サブマウント3の窒化ガリウム単結晶ベース3dのc軸は、窒化ガリウム単結晶ベース3dの法線軸に対してゼロより大きい角度を成し、III族窒化物半導体レーザ11のレーザ導波路は、サブマウント3の窒化ガリウム単結晶ベース3dのc軸と窒化ガリウム単結晶ベース3dの主面の法線軸とによって規定される基準平面に沿って延在することが好ましい。この光モジュール10及び窒化物半導体レーザ装置1によれば、III族窒化物半導体レーザ11のレーザ導波路が窒化ガリウム単結晶ベース3dのc軸と窒化ガリウム単結晶ベース3dの主面に対する法線軸とによって規定される基準平面に沿って延在するので、III族窒化物半導体レーザ11における熱膨張係数の異方性の向きを、サブマウント3における熱膨張係数の異方性の向きに整合させることができる。光モジュール10及び窒化物半導体レーザ装置1では、基板17の窒化ガリウム系半導体のc軸ベクトルVCは、該III族窒化物半導体のa軸又はm軸の方向に傾斜を成すことができる。III族窒化物半導体レーザ11がa軸又はm軸の方向に傾斜したc軸の基板17を用いて作製されるとき、III族窒化物半導体レーザ11は異方的な熱膨張係数を有する。図2に示されるサブマウント3の搭載面3aにおいて、搭載面3aに沿った第1面内方向図2ではX軸方向及びY軸方向の一方及び搭載面3aに沿った第2面内方向図2ではX軸方向及びY軸方向の他方を規定する。窒化物半導体レーザ装置1及び光モジュール10では、搭載面3aは、第1面内方向例えば図2におけるY軸方向に関する第1サブマウント熱膨張係数CM1Exと、第2面内方向例えば図2におけるX軸方向に関する第2サブマウント熱膨張係数CM2Exとを有する。第1面内方向は第2面内方向に直交する。III族窒化物半導体レーザ1は、第1面内方向例えば図2におけるY軸方向に関する第1素子熱膨張係数CS1Exと、第2面内方向例えば図2におけるX軸方向に関する第2素子熱膨張係数CS2Exとを有する。例えば、サブマウント3の第1サブマウント熱膨張係数CM1Exがサブマウントの第2サブマウント熱膨張係数CM2Exより大きく且つIII族窒化物半導体レーザ11の第1熱膨張係数CS1ExがIII族窒化物半導体レーザ11の第2熱膨張係数CS2Exより大きいように、サブマウント3上にIII族窒化物半導体レーザ11を搭載できる。或いは、サブマウント3の第1サブマウント熱膨張係数CM1Exがサブマウントの第2サブマウント熱膨張係数CM2Exより小さく且つIII族窒化物半導体レーザ11の第1熱膨張係数CS1ExがIII族窒化物半導体レーザ11の第2熱膨張係数CS2Exより小さくように、サブマウント3上にIII族窒化物半導体レーザ11を搭載できる。このような形態の光モジュール10及び窒化物半導体レーザ装置1によれば、III族窒化物半導体レーザ11における異方的な熱膨張係数を、サブマウント3の異方的な熱膨張係数に整合させることができる。III族窒化物半導体レーザ11の基板17は窒化ガリウム単結晶ベース3dと同じ材料からなることが好ましい。この形態では、基板17及び窒化ガリウム単結晶ベース3dが同じ材料からなるので、III族窒化物半導体レーザ11の熱膨張係数及びその異方性を窒化ガリウム単結晶ベース3dの材料に近づけることができる。光モジュール10及び窒化物半導体レーザ装置1では、サブマウント主面3aは窒化ガリウム単結晶ベース3dのc面から10度以上の角度で傾斜することが好ましい。サブマウント主面3aが上記の角度範囲c面から傾斜するとき、サブマウント3に異方的な熱膨張係数を提供することに好適である。また、光モジュール10及び窒化物半導体レーザ装置1では、サブマウント主面3aは窒化ガリウム単結晶ベース3dのc面から80度以上の角度で傾斜することが好ましい。サブマウント主面3aが80度以上の角度でc面から傾斜するとき、窒化ガリウムの無極性面の異方的な熱膨張係数をサブマウントに提供することに好適である。また、サブマウント主面3aは窒化ガリウム単結晶ベース3dのc面から90度以下の角度で傾斜することが好ましい。また、窒化物半導体レーザ装置1及び光モジュール10のためのIII族窒化物半導体レーザ11では、半導体積層19は、電極15が接触を成すp型窒化ガリウム系半導体層例えば層33を含み、基板17の主面17aは、第1基準面例えばScに対して10度以上の角度で傾斜することが好ましい。この光モジュール10及び窒化物半導体レーザ装置1によれば、半導体積層19が基板17の主面17a上に設けられるので、電極15とp型窒化ガリウム系半導体層との接合面30aも基準面例えば面Scに対して10度以上の角度で傾斜する。また、接合面30aも基準面例えば面Scに対して90度以下の角度で傾斜する。基板18の半極性面17aが該六方晶系のIII族窒化ガリウム系半導体のc軸に対してm軸の方向に63度以上80度以下の範囲内の角度ALPHAで傾斜するとき、電極15と該電極15が接触を成すp型コンタクト層33との界面も、上記の角度ALPHAで傾斜する。このとき、窒化物半導体レーザ装置1では、基板17の窒化ガリウム系半導体のc軸ベクトルVCの方向とサブマウント3の窒化ガリウム単結晶ベース3dのc軸のなす角が45度以内であることが好ましい。この窒化物半導体レーザ装置1によれば、基板17の窒化ガリウム系半導体のc軸とサブマウント3の窒化ガリウム単結晶ベース3dのc軸のなす角が上記角度以内であるとき、基板17の窒化ガリウム系半導体のc軸の傾斜が窒化ガリウム単結晶ベースのc軸の傾斜と近くできる。上記の角度範囲では、III族窒化物半導体レーザ11のp側の電極15は、電流-電圧特性の劣化を引き起こしやすい。電流-電圧特性の劣化の一例では、良好なオーミック特性が失われて、電極15の電流-電圧特性がショットキー特性又はショットキー特性に近い特性を示すように劣化する。このような電極特性劣化は、発明者の知見によれば、窒化ガリウム系半導体の半極性面上に形成される電極15において顕著に生じる。III族窒化物半導体レーザ11が、例えば製造後の摂氏200度程度のプロセス温度によるストレスにさらされるとき、電極15の電流-電圧特性は容易に劣化してしまう。また、このような電極の特性劣化つまり、熱劣化だけでなく、別の劣化の例では、等方的な熱膨張係数を有するAlNサブマウント上にIII族窒化物半導体レーザ11を半田材を用いて実装するとき、AlNサブマウント上に実装されたIII族窒化物半導体レーザ11の順方向電圧Vfにおいて、実装後の値は実装前の値に対してプラス0.2ボルト50mAの注入電流程度大きくなる。しかし、半極性又は無極性の主面を有する六方晶系の窒化ガリウム単結晶ベース3dを含み搭載面3aを有するサブマウント上にIII族窒化物半導体レーザ11を実装するとき、実装後の値と実装前の値との差はほぼ0ボルトである。これ故に、電極の熱劣化だけでなく電極の特性変動つまり、熱変動もまた、半極性又は無極性の主面を有する六方晶系の窒化ガリウム単結晶ベース3dを含み搭載面3aを有するサブマウント3は、上記のような熱劣化及び熱変動を低減できる。電極15は、レーザ構造体13の半導体積層19上に設けられる。半導体積層19は、第1のクラッド層21と、第2のクラッド層23と、活性層25とを含む。第1のクラッド層21は、第1導電型の窒化ガリウム系半導体からなり、例えばn型AlGaN、n型InAlGaN等からなる。第2のクラッド層23は、第2導電型の窒化ガリウム系半導体からなり、例えばp型AlGaN、p型InAlGaN等からなる。活性層25は、第1のクラッド層21と第2のクラッド層23との間に設けられる。活性層25は窒化ガリウム系半導体層を含み、この窒化ガリウム系半導体層は例えば井戸層25aである。活性層25は窒化ガリウム系半導体からなる障壁層25bを含み、井戸層25aは障壁層25bの間に設けられており、これら層25a、25bは交互に配列されている。井戸層25aは、例えばInGaN等からなり、障壁層25bは例えばGaN、InGaN等からなる。活性層25は量子井戸構造を含むことができる。第1のクラッド層21、第2のクラッド層23及び活性層25は、半極性の主面17aの法線軸NXに沿って配列されている。半極性の主面17aの利用により、波長480nm以上540nm以下の光の発生に好適である。この窒化物半導体レーザ装置1及び光モジュール10によれば、III族窒化物半導体レーザ11は、緑色及びその隣接色の光を示す上記波長範囲内のレーザ発振を提供できる。また、III族窒化物半導体レーザ11では、活性層25は510nm以上540nm以下の範囲に発振波長を有するように設けられることが好ましい。この窒化物半導体レーザ装置1及び光モジュール10によれば、III族窒化物半導体レーザ11は、緑色光を示す上記波長範囲内のレーザ発振を提供できる。本実施例におけるIII族窒化物半導体レーザ11では、六方晶系III族窒化物半導体のc軸は六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に傾斜している。これ故に、レーザ構造体13は、六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び法線軸NXによって規定されるm-n面に交差する第1の端面27及び第2の端面29を含む。なお、六方晶系III族窒化物半導体のc軸は六方晶系III族窒化物半導体のa軸の方向に傾斜していることができ、この傾斜のとき、レーザ構造体13の第1の端面27及び第2の端面29は、六方晶系III族窒化物半導体のa軸及び法線軸NXによって規定されるa-n面に交差し、へき開面ではない割断面からなる。或いは、第1の端面27及び第2の端面29は、基板17の主面17aとm-n面又はa-n面との両方に直交する面に交差していてもよい。図2を参照すると、直交座標系S及び結晶座標系CRが描かれている。法線軸NXは、直交座標系SのZ軸の方向に向く。主面17aは、直交座標系SのX軸及びY軸により規定される所定の平面に平行に延在する。また、代表的なc面Scが描かれている。基板17の六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、六方晶系III族窒化物半導体のm軸の方向に法線軸NXに対してゼロより大きい角度ALPHAで傾斜している。III族窒化物半導体レーザ11は、絶縁膜31を更に備える。絶縁膜31はレーザ構造体13の半導体積層19の表面19aを覆っており、半導体積層19は絶縁膜31と基板17との間に位置する。基板17は六方晶系III族窒化物半導体からなる。絶縁膜31は開口31aを有し、開口31aは半導体積層19の表面19aと上記のm-n面との交差線LIXの方向に延在し、例えばストライプ形状を成す。電極15は、開口31aを介して半導体積層19の表面19a例えば第2導電型のコンタクト層33に接触を成しており、上記の交差線LIXの方向に延在する。III族窒化物半導体レーザ11では、レーザ導波路は、第1のクラッド層21、第2のクラッド層23及び活性層25を含み、また上記の交差線LIXの方向に延在する。電極15及び絶縁膜31上には、サブマウントに接合する形成するために使用されるパッド電極16が設けられる。基板17の主面17aは六方晶系窒化ガリウム系半導体からなり、基板17の主面17は該六方晶系窒化ガリウム系半導体のc軸に対して傾斜した半極性面を有する。半導体積層19は基板17の主面17a上にエピタキシャルに成長された複数の半導体層21、20、23、33を含む。この窒化物半導体レーザ装置によれば、六方晶系窒化ガリウム系半導体の半極性面上に半導体積層を作製可能である。基板17の主面17aは六方晶系窒化ガリウムからなることが好ましい。この窒化物半導体レーザ装置1によれば、良好な結晶品質のGaN上に半導体積層を作製可能である。III族窒化物半導体レーザ11では、既に説明したように、c軸がm軸の方向に傾斜するとき、第1の端面27及び第2の端面29は、六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び法線軸NXによって規定されるm-n面に交差する或いは、c軸がa軸の方向に傾斜するとき、第1の端面27及び第2の端面29は、六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び法線軸NXによって規定されるa-n面に交差する。III族窒化物半導体レーザ11のレーザ共振器は第1及び第2の端面27、29を含み、第1の端面27及び第2の端面29の一方から他方への導波路軸の方向に、レーザ導波路が延在している。レーザ構造体13は第1の面13a及び第2の面13bを含み、第1の面13aは第2の面13bの反対側の面である。これらの端面は、c軸の傾斜方向とレーザ導波路の延在方向とに応じて、へき開面或いは割断面であることができる。第1及び第2の端面27、29は、第1の面13aのエッジ13cから第2の面13bのエッジ13dまで延在する、本実施例では、レーザ導波路はn-m面にそって延在しており、第1及び第2の端面27、29は、c面、m面又はa面といったこれまでのへき開面とは異なり、光共振器のための割断面からなる。基板17は、例えばGaN等からなることができる。該窒化ガリウム系半導体からなる基板を用いるとき、共振器として利用可能な端面27、29を得ることができる。このIII族窒化物半導体レーザ11によれば、レーザ共振器を構成する第1及び第2の端面27、29がm-n面に交差する。これ故に、m-n面と半極性面17aとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を設けることができる。これ故に、III族窒化物半導体レーザ11は、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有することになる。第1及び第2の端面27、29の少なくとも一方、又はそれぞれに設けられた誘電体多層膜43a、43bを更に備えることができる。これらの端面27、29にも端面コートを適用できる。誘電体多層膜43a、43bにより、端面コートにより反射率を調整できる。III族窒化物半導体レーザ11は、n側光ガイド層35及びp側光ガイド層37を含む。n側光ガイド層35は、第1の部分35a及び第2の部分35bを含み、n側光ガイド層35は例えばGaN、InGaN等からなる。p側光ガイド層37は、第1の部分37a及び第2の部分37bを含み、p側光ガイド層37は例えばGaN、InGaN等からなる。キャリアブロック層39は、例えば第1の部分37aと第2の部分37bとの間に設けられる。基板17の裏面17bには別の電極41が設けられ、電極41は例えば基板17の裏面17bを覆っている。上記の光ガイド層35、37及び活性層25は、発光層20を構成する。半導体積層19は光ガイド層35を含み、光ガイド層35は活性層25と接触を成し、活性層25と光ガイド層35との界面30bは、窒化ガリウム系半導体のc軸に直交するc面から角度ALPHAの傾斜を成すことができる。活性層25と光ガイド層35との界面30bが上記の傾斜を成すとき、III族窒化物半導体レーザ11では、角度ALPHAは活性層25の面方位を規定する。例えば、角度ALPHAが63度以上80度未満の範囲にあるとき、緑色及びその隣接波長の光を生成するIII族窒化物半導体レーザの作製に好適である。III族窒化物半導体レーザ11では、半導体積層19は、第1導電型III族窒化物半導体領域例えば半導体層21、35a、発光層20及び第2導電型III族窒化物半導体領域例えば半導体層37a、23、33を含む。第1導電型III族窒化物半導体領域例えば半導体層21、35a、発光層20及び第2導電型III族窒化物半導体領域例えば半導体層37b、23、33は法線軸NXの方向に順に配列されている。電極15は、第2導電型III族窒化物半導体領域例えば半導体層37a、23、33の主面に接触を成す。第1導電型III族窒化物半導体領域例えば半導体層21、35a、発光層20及び第2導電型III族窒化物半導体領域例えば半導体層37b、23、33は、それぞれ、法線軸NXに直交する第1~第3の基準平面R1、R2、R3に沿って延在する。III族窒化物半導体レーザ11は、法線軸NXに直交する第1の方向に関する第1の熱膨張係数CS1Exと、法線軸NX及び第1の方向に直交する第2の方向に関する第2の熱膨張係数CS2Exとを有する。III族窒化物半導体レーザ11は、第1の熱膨張係数CS1Exが第2の熱膨張係数CS2Exより大きいことを示す熱膨張係数の異方性を有する。この異方性は、c軸が基板17の主面17aの法線軸に対して大きく傾斜することに因る。III族窒化物半導体レーザ11は、サブマウント3の熱膨張係数の異方性に合わせて向き付けされてサブマウント3の主面3a上に搭載されている。第1の方向は、例えばレーザ導波路の延在方向であることができ、また第2の方向は例えば端面27、29の延在方向であることができる。サブマウント3は、その主面3aの法線に直交する第3の方向に関する第1の熱膨張係数CM1Exと、上記法線及び第3の方向に直交する第4の方向に関する第2の熱膨張係数CM2Exとを有する。サブマウント3は、第1の熱膨張係数CM1Exが第2の熱膨張係数CM2Exより大きいこを示す熱膨張係数の異方性を有する。サブマウント3の主面3a上には、サブマウント3の熱膨張係数の異方性に合わせた向きでIII族窒化物半導体レーザ11が搭載される。例えば、第3の方向は第1の方向に一致するように規定することができ、第4の方向は第2の方向に一致するように規定することができる。この窒化物半導体レーザ装置1によれば、レーザ構造体13はIII族窒化物半導体からなる半導体積層19及び該半導体積層19を搭載する基板17を含み、この半導体積層19におけるc軸ベクトルVCの方向は基板17の主面17aに対する法線軸NXに対して傾斜している。これ故に、III族窒化物半導体レーザ11の半導体積層19は、基板17のc面ではなく半極性面17a上に作製される。また、単結晶窒化ガリウムベース3dのc軸の傾斜方向は、ベクトルVCと法線軸NXとによって規定される基準面に沿った方向である。サブマウント3は、例えば搭載部材主面3aの第1の熱膨張係数CM1Exが搭載部材主面3aの第2の熱膨張係数CM2Exより大きいことを示す熱膨張係数の異方性を有する。また、III族窒化物半導体レーザ11は、III族窒化物半導体レーザ11の第1の熱膨張係数CS1Exが半導体発光素子の第2の熱膨張係数CS2Exより大きいことを示す熱膨張係数の異方性を有する。この半導体レーザ素子はサブマウント3の熱膨張係数の異方性に合わせて向き付けされて、熱膨張係数の異方性を有する搭載部材主面3a上に搭載されている。したがって、III族窒化物半導体レーザ11は、熱膨張係数の異方性を有する搭載部材主面3a上に搭載されるとき、等方的な熱膨張係数を有する搭載部材主面3a上に搭載されることに比べて、窒化物半導体レーザ装置1では、III族窒化物半導体レーザ11とサブマウント3との熱膨張係数差に起因する応力がIII族窒化物半導体レーザ11において低減される。窒化物半導体レーザ装置1では、例えばIII族窒化物半導体レーザ11の半導体積層19が基板17とサブマウント3との間に設けられていてもよい。この窒化物半導体レーザ装置1では、いわゆるエピダウン形態でIII族窒化物半導体レーザ11が実装される。活性層25が基板17に比べてサブマウント3の主面3aに近い。サブマウント3の異方性について説明する。窒化物半導体レーザ装置1では、サブマウント3の主面3aは窒化ガリウムの半極性面又は無極性面からなることができ、半極性面又は無極性面上に設けられた薄い金属層からなることができる。六方晶系の単結晶窒化ガリウムの半極性面又は無極性面は、異方的な熱膨張係数をサブマウント3に提供できる。また、サブマウント3の主面3aが半極性面からなるとき、LDチップの異方性がある熱膨張係数x軸方向、y軸方向両方に適合することができる。サブマウント3の主面3aが無極性面からなるとき、LDチップの異方性がある熱膨張係数x軸方向、y軸方向両方にほぼ適合することができ、c面で成長したGaNインゴットから切り出す過程で半極性面サブマウントより作製しやすい。単結晶窒化ガリウムの半極性面又は無極性面は、異方的な熱膨張をサブマウント3に提供できる。窒化物半導体レーザ装置1は、III族窒化物半導体レーザ11の電極例えば電極15とサブマウント3の主面3aとの間に位置する例えば、半田導電性接着部材7を介して熱的に接合される。電極15はサブマウント3の第1の電極5aに導電性接着部材7を介して固定される。導電性接着部材7を用いた固定の際に加わる熱によりIII族窒化物半導体レーザ11の膨張及び収縮は異方的である。この固定が、サブマウント3単結晶窒化ガリウムの半極性面又は無極性面上へ行われるとき、サブマウント3の膨張及び収縮も異方的である。したがって、単結晶窒化ガリウムのサブマウント3の熱膨張係数及びその異方性とIII族窒化物半導体レーザ11の熱膨張係数及びその異方性との僅かな違いにより、非常に小さい異方的な残留応力が窒化物半導体レーザ装置1に残る可能性がある。しかしながら、この残留応力は十分に小さくできる。窒化物半導体レーザ装置1では、半極性の主面17aは、該六方晶系窒化ガリウム系半導体のc軸に対して10度以上170度以下の範囲内の角度ALPHAで傾斜していることが好ましい。この窒化物半導体レーザ装置1によれば、上記の角度範囲においては、c面からの傾斜に起因した熱膨張の異方性が顕著になる。基板18の半極性の主面17aが該六方晶系窒化ガリウム系半導体のc軸に対してm軸の方向に10度以上170度以下の範囲内の角度ALPHAで傾斜するとき、活性層25の発光のピーク波長は500nm以上540nm以下の範囲にあることができる。III族窒化物半導体レーザ11の半導体積層19がc面ではなく主面17a上に作製されるので、このIII族窒化物半導体レーザ11は上記の波長範囲の発光例えば緑色の発光を提供できる。図3は、本実施の形態に係る窒化物半導体レーザ装置を作製する方法における主要な工程を示す図面である。この作製方法の工程フロー100では、図1及び図2に示された窒化物半導体レーザ装置1の一形態を作製する。工程S101において、熱膨張係数の異方性を示す主面を有する搭載部材を準備する。この搭載部材として、例えば図1に示されたサブマウント3を使用できる。サブマウント3は、単結晶窒化ガリウムベース3dを含み、単結晶窒化ガリウムベース3dのGaNは例えばn導電性を示す。後の工程において、サブマウント3の搭載面3a上には窒化物半導体発光素子が搭載される。具体的に説明すると、サブマウント3の搭載面3aは、第3の方向に関する第1の熱膨張係数CM1Exと、第3の方向に直交する第4の方向に関する第2の熱膨張係数M2Exとを有する。サブマウント3の搭載面3aは、例えばサブマウント3の第1の熱膨張係数CM1Exがサブマウント3の第2の熱膨張係数CM1Exより大きい熱膨張係数の異方性を有する。サブマウント3の材料は、単結晶GaNを用い、その面方位は、例えば{20-21}面m面方向にc面が75度の角度で傾斜する面であり、この面方位は、サブマウントに搭載される半導体レーザのGaN基板に対応する。搭載する半導体デバイスの面方位から-15度~45度の角度範囲の面方位を有するサブマウントを利用することが好ましい。工程S102では、窒化物半導体発光素子を準備する。この窒化物半導体発光素子として、例えばIII族窒化物半導体レーザ11を使用できる。理解を容易にするために、引き続く説明において、III族窒化物半導体レーザ11の構造物においては、図1に示された参照符号を付する。III族窒化物半導体レーザ11はレーザ構造体13及び電極15を含む。本実施例におけるIII族窒化物半導体レーザ11は、例えばレーザ導波路の延在方向における第1の熱膨張係数CS1Exと、レーザ導波路の方向及び法線方向の両方に直交する第2の方向に関する第2の熱膨張係数CS2Exとを有する。半導体発光素子は熱膨張係数の異方性を有し、この異方性では、一例として第1の熱膨張係数CS1Exが第2の熱膨張係数CS2Exより大きい或いは、第2の熱膨張係数CS2Exが第1の熱膨張係数CS1Exより大きい。工程S103では、半導体発光素子の搭載に先立って、サブマウント3上に導電性接着部材7を設けることができる。導電性接着部材7は例えば半田であることができ、半田として、例えばAu-Sn、Ag-Sn等を用いることができる。必要な場合には、導電性接着部材7は、サブマウント3の電極上に予め設けておくことができ、このサブマウント3を用いるときは、工程S103は行われない。工程S104では、サブマウント3の熱膨張係数の異方性に合わせて、半導体発光素子の向き付けを行う。例えば、半導体発光素子の第1の方向がサブマウント3の第1の方向に整列するように、サブマウント3を基準にして半導体発光素子を向き付けされる。サブマウント3はこの向き付けのためのマーク例えば図1におけるマーク3cを有することができる。工程S105では、半導体発光素子の向き付けを行った後に、サブマウント3の主面3a上に半導体発光素子を搭載する。サブマウント3上に導電性接着部材7が設けられている場合、半導体発光素子を搭載する工程では、導電性接着部材7を介して半導体発光素子がサブマウント3に固定される。搭載に際して、サブマウント3の温度を半田の溶融より高い温度に上昇させて、半田を溶融させる。溶融している導電性接着材上に、向き付けした素子を配置した後に、サブマウント3及び素子の温度を半田の溶融より低い温度に降下させて、半田を固化する。この実施例では、導電性接着部材7としては、例えばAu-Sn半田融点:摂氏300度、Sn-Ag半田融点:摂氏200度を用いる。実装温度の範囲は例えば摂氏205度~摂氏340度の範囲であることが好ましい。この作製方法では、導電性接着部材7を用いた固定の際の熱応力が窒化物半導体レーザ装置1の異方的な残留応力を増加させる可能性があるけれども、異方的な熱膨張係数を有するサブマウント3を用いることによって、残留応力の影響を低減できる。この作製方法によれば、レーザ構造体13はIII族窒化物半導体からなる半導体積層19及び該半導体積層19を搭載する基板17を含み、この半導体積層19におけるc軸は基板17の主面17aに対する法線軸NXに対して傾斜している。これ故に、半導体積層19は、c面ではない主面17a上に作製される。III族窒化物半導体レーザ11は、III族窒化物半導体レーザ11の第1の熱膨張係数CS1Exが第2の熱膨張係数CS2Exと異なることを示す熱膨張係数の異方性を有する。このIII族窒化物半導体レーザ11はサブマウント3の熱膨張係数の異方性に合わせて向き付けされて、熱膨張係数の異方性を有するサブマウント3の搭載面3a上に搭載されている。したがって、III族窒化物半導体レーザ11は、熱膨張係数の異方性を有する搭載面3a上に搭載されるとき、等方的な熱膨張係数を有する搭載面3a上にIII族窒化物半導体レーザ11が搭載される装置に比べて、窒化物半導体レーザ装置1では熱膨張係数に起因する応力がIII族窒化物半導体レーザ11において低減される。図4は、図3に示された工程フローに通して作製された参照すると、半導体レーザモジュールを示す図面である。図4のa部を参照すると、半導体レーザモジュール71aが示される。ステム73aは、第1方向に延在する貫通孔及び該貫通孔に保持されたリード端子77a、77b、77cを含む金属ベースと、該金属ベースの上に設けられ側面を有する金属台座75とを含む。半導体レーザ装置61aは、ステム73aの金属ベース上の金属台座ヒートシンク75の側面上に搭載される。III族窒化物半導体レーザ12はサブマウント3に導電性接着剤を介してしっかりと固定される。III族窒化物半導体レーザ12は、リッジ構造を有する点を除いてIII族窒化物半導体レーザ11と同じ構造を有することができる。ステム73a上に、レンズ74を保持するレンズキャップ73bが設けられ、ステム73a及びレンズキャップ73bはパッケージ73を構成する。金属製のステム73aは例えば鉄製であり、レンズキャップ73bの金属部分も鉄製である。金属台座ヒートシンク75は熱伝導性に優れた例えば銅製である。ステム73aはリード端子77a、77b、77cを支持している。リード端子77aは、ボンディングワイヤ79aを介してヒートシンク9に接続され、ヒートシンク9の電極層を介してIII族窒化物半導体レーザ11のアノード電極に接続される。リード端子77bは、サブマウント3の搭載面3a上の電極層にボンディングワイヤ79bを介して接続される。リード端子77cは、ステム73に接続される。ヒートシンク9はIII族窒化物半導体レーザ12のアノード電極と導電性接着剤7を介してしっかりと接着される。この光モジュール71aによれば、窒化物半導体レーザ装置1のIII族窒化物半導体レーザ12からの熱は金属台座75を介して金属ベースに伝導する。実施例1窒化物半導体レーザ装置の一実施例を説明する。III族窒化物半導体レーザ素子を準備する。本実施例では、III族窒化物半導体レーザ素子を以下の工程により形成することによって準備する。III族窒化物半導体レーザ素子の作製図5に示すレーザダイオード構造を作製する。c軸がm軸方向に75度オフしたGaNウエハ90を準備した。このGaNウエハ90の主面の面方位は{20-21}面である。GaNウエハ90を成長炉に配置した後に、アンモニア及び水素の雰囲気中で熱処理を行う。熱処理温度は摂氏1100度であり、熱処理時間は約10分である。熱処理の後に、TMG98.7μmol/分、TMA8.2μmol/分、NH36slm、SiH4を成長炉に供給して、クラッド層のためのn型AlGaN層91をGaNウエハ90上に摂氏1150度で成長する。n型AlGaN層91の厚さは2300nmである。n型AlGaN層91の成長速度は46.0nm/分である。n型AlGaN層91のAl組成は0.04である。次いで、TMG98.7μmol/分、NH35slm、SiH4を成長炉に供給して、n型AlGaN層91上にn型GaN層92を摂氏1150度で成長する。n型GaN層92の厚さは50nmである。n型GaN層92の成長速度は58.0nm/分である。TMG24.4μmol/分、TMI4.6μmol/分、NH36slmを成長炉に供給して、光ガイド層のためのアンドープInGaN層93aをn型GaN層94上に摂氏840度で成長する。n型InGaN層93aの厚さは65nmである。n型InGaN層93aの成長速度は6.7nm/分である。アンドープInGaN層93aのIn組成は0.05である。次いで活性層94を形成する。TMG15.6μmol/分、TMI29.0μmol/分、NH38slmを成長炉に供給して、アンドープInGaN井戸層を摂氏745度で成長する。InGaN層の厚さは3nmである。InGaN層の成長速度は3.1nm/分である。次いで、成長炉の温度を摂氏745度に維持しながら、TMG15.6μmol/分、TMI0.3μmol/分、NH38slmを成長炉に供給して、アンドープGaN層をInGaN層上に摂氏745度で成長する。GaN層の厚さは1nmである。GaN層の成長速度は3.1nm/分である。アンドープGaN層を成長した後に、成長炉の温度を摂氏745度から摂氏870度に変更する。TMG24.4μmol/分、TMI1.6μmol/分、NH36slmを成長炉に供給して、障壁層のためのアンドープInGaN層をアンドープInGaN井戸層上に摂氏870度で成長する。InGaN層の厚さは15nmである。InGaN層の成長速度は6.7nm/分である。アンドープInGaN層のIn組成は0.02である。次いで、成長炉の温度を摂氏870度から摂氏745度に変更する。この後に、TMG15.6μmol/分、TMI29.0μmol/分、NH38slmを成長炉に供給して、アンドープInGaN井戸層をInGaN層上に摂氏745度で成長する。InGaN層の厚さは3nmである。InGaN層の成長速度は3.1nm/分である。アンドープInGaN層のIn組成は0.25である。井戸層及び障壁層の成長を2回繰り返して行う。この後に、TMG13.0μmol/分、TMI4.6μmol/分、NH36slmを成長炉に供給して、光ガイド層のためのアンドープInGaN層93bを活性層94上に摂氏840度で成長する。InGaN層93bの厚さは65nmである。InGaN層93bの成長速度は6.7nm/分である。次いで、TMG98.7μmol/分、NH35slmを成長炉に供給して、アンドープGaN層96をInGaN層93b上に摂氏1100度で成長する。GaN層96の厚さは50nmである。GaN層96の成長速度は58.0nm/分である。アンドープInGaN層93bのIn組成は0.05である。次いで、TMG16.6μmol/分、TMA2.8μmol/分、NH36slm、Cp2Mgを成長炉に供給して、p型AlGaN層97をGaN層96上に摂氏1100度で成長する。AlGaN層97の厚さは20nmである。AlGaN層97の成長速度は4.9nm/分である。p型AlGaN層97のAl組成は0.15である。TMG36.6μmol/分、TMA3.0μmol/分、NH36slm、Cp2Mgを成長炉に供給して、p型AlGaN層98をp型AlGaN層97上に摂氏1100度で成長する。AlGaN層98の厚さは400nmである。Alの組成は0.06である。AlGaN層98の成長速度は13.0nm/分である。また、TMG34.1μmol/分、NH35slm、Cp2Mgを成長炉に供給して、p型GaN層99をp型AlGaN層98上に摂氏1100度で成長する。GaN層99の厚さは50nmである。p型GaN層99の成長速度は18.0nm/分である。これらの工程によってエピタキシャルウエハが作製される。このエピタキシャルウエハ上にアノードAN及びカソードCTを形成して基板生産物を作製した後に、基板生産物を分離して個々のレーザダイオードを作製できる。アノード電極は、例えば10マイクロメートル幅のストライプ窓を有する絶縁膜を介してp型GaN層に電気的に接続される。この基板生産物をa面及びa面に垂直な面において切断して、一対の共振器のための端面をa面とする600マイクロメートル長及び2マイクロメートル幅のレーザダイオードLD0を作製する。このレーザダイオードLD0の熱膨張係数を測定する。このレーザダイオードLD0は、GaNのc軸がGaNのm軸の方向に75度の角度オフ角とも呼ばれるで傾斜するGaNウエハを用いて作製される。レーザダイオードLD0のレーザ導波路の延在方向例えばa軸方向の熱膨張係数CS1Exは5.6×10-6/Kであり、レーザ共振器端面の延在方向の熱膨張係数CS2Exは4.6×10-6/Kである。レーザダイオードのレーザ導波路の延在方向はレーザ共振器端面の延在方向例えばm-n面の方向に直交する。サブマウントのためのGaN単結晶とAlN多結晶の特性を比較する。GaN単結晶において、c軸に直交する方向の熱膨張係数は5.59×10-6/Kであり、c軸に平行な方向の熱膨張係数は3.17×10-6/Kであり、熱伝導率は130W/mKである。一方、このAlNサブマウントの熱伝導率は170~250W/mKであり、AlNサブマウントの熱膨張係数は4.7×10-6/Kである。熱抵抗の測定及びMTTFの見積もり図6は、窒化ガリウム単結晶ベースを含むサブマウントの厚さ100μm及び300μmにおいて、熱伝導率と熱抵抗との関係を示す。発明者の実験によれば、AlNサブマウントを使用したpダウン実装における窒化物半導体レーザ装置の熱抵抗は、22°C/Wである一方で、単結晶GaNサブマウントを使用したpダウン実装における窒化物半導体レーザ装置の熱抵抗は、26°C/Wである。この結果は、投入電力1ワットWにおいて、サブマウントの違いは、4ケルビンKのジャンクション温度差を生じさせる。発明者は、窒化物半導体レーザ装置における熱膨張率差と平均故障寿命MTTFとの関係を見積もっており、この見積もりによれば、4ケルビンKのジャンクション温度の上昇は、MTTFにおけるレーザ寿命は1の悪化になる。{20-21}面の面方位のGaN基板上に作成された2個の実質的に同等な窒化物半導体レーザLDチップを準備する。その一方を該窒化物半導体レーザLDチップのGaN基板の面方位と同じ面方位の単結晶窒化ガリウムベースを含むサブマウント上にpダウン実装して窒化物半導体レーザ装置GNを作製すると共に、他方の窒化物半導体レーザを入手可能なAlNサブマウント上にpダウン実装して窒化物半導体レーザ装置以下、ANとして参照するを作製する。窒化物半導体レーザ装置以下、GNとして参照するでは、LDチップと単結晶GaNサブマウントとの間で熱膨張係数差が実質的に無い。窒化物半導体レーザ装置ANでは、LDチップとAlNサブマウントとの間で熱膨張係数差が残る。これらの窒化物半導体レーザ装置GN及び窒化物半導体レーザ装置ANのLD寿命試験の結果のMTTFを比較すると、窒化物半導体レーザ装置ANは窒化物半導体レーザ装置GNに比べて10程度寿命が短い。したがって、上記の実装形態では、数度程度のジャンクション温度の上昇があっても、窒化物半導体レーザの熱膨張係数に近く且つその熱膨張係数の異方性に整合した熱膨張係数を有する単結晶窒化ガリウムケースのサブマウントを使用することが、LD寿命の点で優れている。引き続く説明では理解を容易にするために図1及び図2の参照符号を用いて説明する。単結晶窒化ガリウムサブマウント3の搭載面の第1の熱膨張係数CM1Exが搭載面3aの第2の熱膨張係数CM2Exより大きいことを示す熱膨張係数の異方性を有する。また、III族窒化物半導体レーザ11は、III族窒化物半導体レーザ11の第1の熱膨張係数CS1Exが半導体発光素子の第2の熱膨張係数CS2Exより大きいことを示す熱膨張係数の異方性を有する。この半導体レーザ素子はサブマウント3の熱膨張係数の異方性に合わせて向き付けされて、熱膨張係数の異方性を有する搭載部材主面3a上に搭載されている。III族窒化物半導体レーザ11は、熱膨張係数の異方性を有する単結晶GaNサブマウント3の搭面3a上に搭載され、等方的な熱膨張係数を有する搭載面3a上に搭載されることに比べて、窒化物半導体レーザ装置1では、III族窒化物半導体レーザ11とサブマウント3との熱膨張係数差に起因する応力がIII族窒化物半導体レーザ11において低減される。上記の実験を含み他の実験の結果から、窒化物半導体レーザのGaN基板図1の基板17の主面17aの傾斜角は60度~90度の角度範囲にあることが好ましく、また窒化物半導体レーザのGaN基板のc軸と単結晶窒化ガリウムベースのc軸との角度差は-15度~45度の角度範囲にあることが好ましい。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。