"含有量が94質量以上97質量以下の酸化アルミニウムと、酸化珪素と、酸化カルシウムおよび酸化マグネシウムの少なくとも1種とを含む発光素子搭載用セラミックス基体であって、基体の表面の9.074×105μm2の表面積の部分において、円相当径0.8μm以上の気孔について見たときに、気孔率が2.5以上4.5以下であり、気孔数が7000個以上11000個以下であり、気孔分布における円相当径1.6μm以下の累積相対度数が70以上であることを特徴とする発光素子搭載用セラミックス基体。円相当径0.8μm以上の気孔について見たときに、前記基体の表面側よりも中央部側の気孔数が多いことを特徴とする請求項1に記載の発光素子搭載用セラミックス基体。前記酸化珪素の含有量が1質量以上3質量以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の発光素子搭載用セラミックス基体。前記表面における平均気孔径が1.0μm以上1.95μm以下であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の発光素子搭載用セラミックス基体。請求項1~4のいずれかに記載の発光素子搭載用セラミックス基体上に発光素子を載置したことを特徴とする発光装置。しかしながら、特許文献1に開示された窒化アルミニウムからなる発光素子搭載用セラミック基体は、可視光の長い波長から赤外線領域までの反射率については開示されておらず、さらには、主成分である窒化アルミニウムが高価であるという問題が残っていた。また、特許文献2に開示された発光素子収納パッケージは、アルミナ100質量であると焼結温度が高くなるという問題があった。さらに、焼結温度を下げるために添加剤として加える炭酸バリウムの量が多くなるとコストが高くなるという問題が残っていた。さらに、特許文献3に開示された半導体発光素子用の高反射白色セラミック基板は、波長が450~750nmの反射率が90以上のものが得られてはいるものの、実施例に示されているように高価なバリウムを3重量含むものであるのでコストが高くなるという問題が残っていた。また、特許文献4に開示された発光素子収納用パッケージは、このパッケージに使用されるセラミックスの反射率がセラミックス内部の気孔に起因することについては記載がなかった。本発明は、上記課題を解決するために案出されたものであり、その目的は、基体となるセラミックス焼結体の低コスト化を図り、発光素子搭載用の基体としての高反射率が得られる発光素子搭載用セラミックス基体を提供することである。本発明の発光素子搭載用セラミックス基体は、含有量が94質量以上97質量以下の酸化アルミニウムと、酸化珪素と、酸化カルシウムおよび酸化マグネシウムの少なくとも1種とを含む発光素子搭載用セラミックス基体であって、基体の表面の9074×105μm2の表面積の部分において、円相当径08μm以上の気孔について見たときに、気孔率が25以上45以下であり、気孔数が7000個以上11000個以下であり、気孔分布における円相当径16μm以下の累積相対度数が70以上であることを特徴とするものである。本発明の発光素子搭載用セラミックス基体によれば、含有量が94質量以上97質量以下の酸化アルミニウムと、酸化珪素と、酸化カルシウムおよび酸化マグネシウムの少なくとも1種とを含む基体であって、この基体の表面の9074×105μm2の表面積の部分において、円相当径08μm以上の気孔について見たときに、気孔率が25以上45以下であり、気孔数が7000個以上11000個以下であり、気孔分布における円相当径16μm以下の累積相対度数が70以上であることから、発光素子からの光が基体の表面で反射せずに基体の内部に入射しても、上記気孔率、気孔数、気孔分布を示す気孔を有していることにより、基体内部における反射光を増加させられるため、基体の反射率を向上し易くできる。以下、本発明の発光素子搭載用セラミックス基体の実施の形態の例を説明する。図1は本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体に発光素子を載置した発光装置の構成の一例を示す断面図である。本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1以下、基体1ともいう。を用いた発光装置21は、発光素子2が搭載される基体1の一方の表面1aに厚膜印刷法を用いて、カソード電極およびアノード電極用の電極表電極3c,3dを被着させ、電極3c,3dが形成された一部に、電極パッド3a,3bをメッキ等により形成し、この電極パッド3aの上に半導体からなる発光素子2を載置している。そして、発光素子2のアノード電極不図示またはカソード電極不図示と電極パッド3bをボンディングワイヤ32により電気的に接合している。なお、ここでは、電極パッド3aと発光素子2との接合については、電気的に接合できるものであれば、導電性接着剤を用いた接合、ボンディングワイヤ32による接合または半田バンプによる接合であっても何ら構わない。そして、発光素子2および電極パッド3a,3bを含む電極3c,3dを樹脂等からなる封止部材31で被覆し、この封止部材31が発光素子2の保護とレンズ31aの機能を併せ持っている。なお、電極3c,3dおよびパッド電極3a,3bの露出部分には通常、透明のオーバーコートガラスを保護層として被着するが、ここでは説明を省略する。また、電極表電極3c,3dは、基体1に貫通した電極貫通導電層3e,3fを経由して、基体1の他方の表面1a’に形成された電極裏電極3g,3hと電気的に接合されている。そして、この電極裏電極3g,3hに外部の直流電源不図示またはAC-DCスイッチング電源不図示を接続して、カソード電極側に正の電圧をアノード電極側に負の電圧を印加することにより発光素子2のP-N接合部が発光する。このとき、封止部材31は、発光素子2の保護のみならず光の波長を選択的に変換する機能を持たせたものも多く、さらに封止部材31の外殻であるレンズ31aにより光を拡散および放射する構造である。本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1の組成は、酸化アルミニウムの含有量が94~97質量で、酸化珪素と、酸化カルシウムおよび酸化マグネシウムの少なくとも1種とを含有している。さらに、発光素子搭載用セラミックス基体1の表面の9074×105μm2の表面積の部分において、円相当径08μm以上の気孔について見たときに、円相当径08μm以上の気孔による気孔率が25~45の範囲であり、円相当径08μm以上の気孔の気孔数が7000~11000個の範囲であり、円相当径08μm以上の気孔の気孔分布における円相当径16μm以下の累積相対度数が70以上であることが重要である。図2は、本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体の表面への入射光が散乱する状態を示す概念図である。図2に示すように、本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1は、断面を結晶のサイズのレベルで見たとき、アルミナ粒子4と、酸化珪素等からなるガラス相粒界相5と、気孔6とを有している。なお、これらのアルミナ粒子4とガラス相5との間を界面7、気孔6とガラス相5との界面8としてある。本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1の表面1aに照射された入射光11は、基体1によって反射する反射光13と、基体1の内部を透過して、入射光11が照射された一方の表面1aとは反対側の他方の表面1a’から透過光12となる。また、入射光11は、その一部が表面1aで入射角度に対し同じ角度で逆方向に反射される正反射光13aと、表面1aで不特定な方向へ反射される拡散反射光13dとなるが、残りは基体1の内部に入り、アルミナ粒子4,気孔6およびガラス相5の少なくともいずれかを透過する透過光12となる。そして、この透過光12は、基体1内でアルミナ粒子4とガラス相5との間の界面7で一部は拡散反射光13bとなり、また、気孔6とガラス相5との界面8で拡散反射光13cとなり、残りの光は、さらに基体1内部を透過光12となって進行していき、アルミナ粒子4とガラス相5との間の界面7と、気孔6とガラス相5との界面8とでの拡散反射光13b,13cを生み出し表面1aからの反射光13となる。そして、一部の光は、他方の表面1a’から透過光12として出てくる。また、光の反射率を向上させるには、基体1の表面1aに照射された入射光11は、表面1aで正反射光13aおよび拡散反射光13dとなるのがもっとも好ましく、表面側に存在する気孔6数を従来の発光素子搭載用セラミックス基体に比較し大幅に増やし、さらに、中央部側に向かうほどさらに、気孔6の存在数を増やすことにより、気孔6とガラス相5との界面8で透過光12の拡散反射光13cの発生の機会が増え、表面1aからの反射光13を増加することができ反射率が向上し易くなる。本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1は、主成分である酸化アルミニウムの含有量が94~97質量の範囲内であることから、不可避不純物を除く酸化珪素と、酸化カルシウムおよび酸化マグネシウムの少なくとも1種との合計の含有量が残部の3~6質量となり、材料コストの高いバリウムを使用することなく、さらに通常の焼成温度よりも低い温度である1420~1540°Cの温度で焼成したとしても焼結性が十分高められることから、基体1の低コスト化を図ることができる。なお、バリウムを含むものであってはならないものではない。また、アルミナ粒子4同士の間には酸化珪素等からなるガラス相5が形成されているために、基体1の発光素子2を搭載する一方の表面1aに、電極3c,3dを形成するための厚膜ペーストを塗布して厚膜焼成するとペーストに含まれる金属成分が表面1aからガラス相5を伝わって内部に拡散するために、電極3c,3dと基体1の密着強度を高めやすくなる。さらに、基体1の発光素子2を搭載する表面1aの9074×105μm2の表面積の部分において、円相当径08μm以上の気孔について見たときに、気孔率が25以上45以下であり、気孔数が7000個以上11000個以下としたことから、気孔率を高くすることなく気孔数を増やしてガラス相5と気孔6との界面8の面積を広くすることができ、その結果、図2を用いて説明したように、基体1の表面1aでの正反射光13aおよび拡散反射光13dならびに基体1の内部での拡散反射光13b,13cを増やして入射光11が入射した側の表面1aの外部に反射するようにできる。また、基体1の内部のアルミナ粒子4を伝って他方の表面1a’側に透過しようとする光もガラス相5を透過するときに、気孔率と気孔数とを本実施形態の範囲にすることによって、ガラス相5と気孔6との界面8でより多くの光が拡散して反射するようにできることから、入射光11が入射した反対側の表面1a’から透過して出てくる光は少なくなって表面1aに放出される反射光13を大幅に増加させやすく基体1の反射率を向上させやすくできる。このため、高価なバリウムを用いる必要がなく反射率を高められやすくできる。さらにまた、基体1の発光素子2を搭載する表面1aの9074×105μm2の表面積の部分において、円相当径08μm以上の気孔について見たときに、気孔分布における円相当径16μm以下の累積相対度数が70以上であることから、大きな気孔6があることによる機械的強度の低下を低減し易くなり、ガラス相5と気孔6との界面8の面積を広くすることができるので、反射光13を増加させやすくなる。ここで、本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1の表面1aの9074×105μm2の表面積の部分における気孔6の気孔数は、機械的特性と反射率との双方が最良となる9000個以上11000個以下であり、円相当径08μm以上の気孔分布における円相当径16μm以下の累積相対度数が75以上とすることがより好ましく、焼結温度を1420~1540°C程度とし、焼成時間を36~21時間の範囲で行ない、基体1となる焼結体がより均一に焼結されるように焼成炉内の温度バラツキを抑えるとともに、成形体の重ね枚数を少なくして昇温降温の温度プロファイルの厳密な制御を行なうことによって、このような基体1となる焼結体を得ることができる。なお、気孔6の平均気孔径,気孔数,気孔率および気孔分布の測定については、基体1の試料の表面1aを、例えば10μmの深さまで鏡面研磨加工し、倍率を100倍にした金属顕微鏡の画像をCCDカメラに取り込み、画像解析装置を用いて解析して数値化する。具体的には、画像解析のソフトウェアには株三谷商事製の型名WinROOFを使用し、9074×105μm2の表面積に対して、円相当径08μmを閾値として各測定値を算出すればよい。また、光の反射率の測定は、分光光度計例えば株島津製作所製の分光光度計型名UV-315と付属品の積分球ユニット型名ISR-3100を用い、光源に50Wハロゲンランプと重水素ランプとを使用し、波長範囲を200~1000nmとし、測定範囲は拡散反射率スリット20nm時7×9mmとして、マスクの使用はなしで、基準に硫酸バリウム粉体を用いて測定した。本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1は、円相当径08μm以上の気孔について見たときに、基体1の表面側よりも中央部側の気孔数が多いことが好ましい。ここで、本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1の表面側と中央部側とについて説明する。まず表面側とは、図3に示す基体1の一方の表面1aまたは他方の表面1a’から厚み方向に10μm程度までの表層の部分を表面側とする。これは、一般的な厚膜ペースト印刷用のアルミナからなる基体俗称:厚膜基板において、導体である金属成分がペーストに添加されている導体密着用成分例えばビスマスなどとともにアルミナ基板の表面から内部に侵入する深さが約10μmであることから、この範囲の表層を表面側とした。次に中央部側とは、基体1を厚み方向に3等分したときの真ん中の部分を中央部側とした。そして、基体1の発光素子2を搭載する表面1aの9074×105μm2の表面積の部分において、円相当径08μm以上の気孔について見たときに、気孔率が25以上45以下、気孔数が7000個以上11000個以下であって、かつ、円相当径08μm以上の気孔6について見たときに、基体1の表面側よりも中央部側の気孔数が多いときには、基体1の表面1aから内部に透過中の光は、アルミナ粒子4とガラス相5との間を界面7と、気孔6とガラス相5との界面8とで、光の一部が拡散反射光13b,13cとなり、残りの光はさらに透過中の光となり進行していくが、基体1の中央部側に近付くにつれ、気孔数が表面側よりも多くなることから、気孔6とガラス相5の界面8の面積も広くなり、拡散反射光13cの発生頻度が増加する。したがって、表面1aへ放出される反射光13が増加する。また、本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1の両表面側と中央部側との気孔数の関係は同等であることから、例えば、発光素子2は表面1a,1a’のいずれに搭載しても構わないため、発光装置21の製造工程において、基体1の表裏の方向性を考慮する必要がなく生産性を向上できる。本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1は、酸化珪素の含有量が1質量以上3質量以下であることが好ましい。酸化珪素の含有量が1質量以上3質量以下であれば、図2に示すように、気孔6を除くアルミナ粒子4間の粒界に十分ガラス相5を形成することができる。また、通常の焼成温度より低い温度である1420~1540°Cの温度で基体1の表面1a,1a’は、電子部品用基板としては問題ない程度に焼結することから、基体1としての機械的強度は確保できる。また、基体1の表面1a,1a’には、発光素子2を搭載するためにカソード電極およびアノード電極を始めとして図1に示すような電極3c,3d,3gおよび3hが形成されるが、厚膜ペーストを塗布して厚膜焼成して形成したときに、ペーストに含まれる金属が基体1の表面1a,1a’から、ガラス相5を伝わって内部に拡散して焼き付くことにより、印刷した電極3が基体1の表面1a,1a’に強固に密着し易くなる。このときに、酸化珪素の含有量が1質量未満であると、アルミナ粒子4間に十分なガラス相5が形成されないことから、電極3に含まれる金属が表面1a,1a’からガラス相5に十分に拡散しないために、電極3の密着強度が低下し易くなる。また、酸化珪素の含有量が3質量を超えると、ガラス相5の割合が増すために機械的強度曲げ強度および硬度が低下し易くなる。さらに、ムライトなどの異常結晶が晶出するおそれがあり、これらの晶出物は電気的特性を低下させる原因になることがあるので、電子部品用基板としては酸化珪素の含有量が1質量以上3質量以下であることが好ましい。また、本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1は、表面1a,1a’における気孔の平均気孔径が10μm以上195μm以下であることが好ましい。図2に示すように、基体1の一方の表面1aに照射された入射光11は、基体1によって反射する反射光13と、一部の光は、基体1の内部を透過して、入射光11が照射された表面1aとは反対側の基体1の他方の表面1a’から透過光12として出てくる。ここで、本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1によれば、気孔6とガラス相5との界面8でも、アルミナ粒子4とガラス相5との界面7で生じる拡散反射光13bと同様な拡散反射光13cが発生することにより、基体1の外部への反射光13の放出する機会が格段に増えるために、光の反射率が向上するものと考えられる。ここでさらに、気孔6の平均気孔径が10~195μmの範囲内であれば、基体1の内部での拡散反射光13bおよび拡散反射光13cが好適に発生するとともに、それらが基体1の表面1aから外部に放出される機会が増加するものと考えられる。次に、本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体の製造方法の一例を説明する。まず、発光素子搭載用セラミックス基体1を作製するための、平均粒径が14~18μm程度の酸化アルミニウムAl2O3の粉末と、酸化珪素SiO2と、酸化カルシウムCaOおよび酸化マグネシウムMgOの少なくとも1種の粉末とを準備し、各粉末の合計含有量が100質量となるように秤量した混合粉末を水等の溶媒とともに回転ミルに投入して、混合する。次に、これにポリビニルアルコール,ポリエチレングリコール,アクリル樹脂またはブチラール樹脂等の中から一種の成形用バインダを、混合粉末100質量に対して4~8質量程度を添加し、高純度のアルミナボールを用いて、さらに回転ミルで混合してスラリーを得る。次に、このスラリーを用いて、ドクターブレード法でシートを成形するか、このスラリーをスプレードライヤを用いて作製した造粒体を使用してロールコンパクション法によってセラミックスのシートを形成する。次に、製品形状とするための金型による加工もしくはレーザ加工によって未焼成の成形体を作製する。このとき成形体は、最終的に発光素子が搭載される基体1の単品でも良いが、量産性を考慮すれば多数個取りの成形体とするのがより好ましい。そして、得られた成形体を、大気酸化雰囲気の焼成炉例えば、ローラー式トンネル炉,バッチ式雰囲気炉およびプッシャー式トンネル炉を用いて、最高温度が1420~1540°Cとなるように設定して焼成することによって、本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1を作製することができる。また、焼成時間を変更することによっても気孔数を増減することもできる。以下、本発明の実施例を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。まず、酸化アルミニウムAl2O3として平均粒径が16μm程度の粉末と、酸化珪素SiO2と、酸化カルシウムCaOおよび酸化マグネシウムMgOの少なくとも1種の粉末とを準備する。そして、各粉末の合計含有量が100質量となるように秤量した混合粉末を水等の溶媒とともに回転ミルに投入して混合する。次に、これにアクリル樹脂の成形用バインダを添加し、高純度のアルミナボールを用いて、さらに回転ミルで混合してスラリーを得る。ここで、成形用バインダの添加量は混合粉末100質量に対して4~8質量程度とする。この範囲内であれば、成形体の強度および可撓性に問題がなく、また、焼成時に成形用バインダの脱脂が不十分となることによる不具合も発生しない。次に、得られたスラリーを公知のドクターブレード法でシート状に成形し、このシートを金型で製品形状の寸法に加工する。次に、この製品形状の成形体を焼結させるために、プッシャー式トンネル炉にて表1に示す温度条件にて焼成を行ない、基体1の厚みが0635mmであり、表1に示す様な試料No.1~33の発光素子搭載用セラミックス基体の試料を得た。また、焼成時間は、試料No.1~23は9時間であり、試料No.24~33は36~21時間の範囲で増減させて焼成させたものである。この得られた発光素子搭載用セラミックス基体の試料について、気孔率,気孔数,気孔分布の累積相対度数,曲げ強度,導体の密着強度および反射率の測定を以下の方法で行なった。基体1の気孔率,気孔数および気孔分布の累積相対度数の測定は、各試料の表面を表面から10μmの深さまで鏡面研磨加工し、倍率が100倍の金属顕微鏡の画像をCCDカメラによって取り込み、画像解析装置を用いて数値化した。具体的には、金属顕微鏡には株キーエンス製のマイクロスコープ型名VHX-500を用い、CCDカメラには株ニコン製のデジタルSIGHT型名DS-2Mvを用いて、画像解析のソフトウェアには株三谷商事製の型名WinROOFを使用して、9074×105μm2の表面積に対して、円相当径08μmを閾値として各測定値を算出した。なお、測定数は各試料数1個で、1回毎の測定面積が22685×105μm2であり、計4箇所を測定して、測定総面積が9074×105μm2の表面積に対する各データを求めた。なお、他の装置等を用いて気孔数を算出するときには、測定面積当たりの気孔数を9074×105μm2当たりの気孔数に換算した値が7000個以上11000個以下となればよい。また、各試料と同一組成、同一焼成条件で、JISR1601に準拠して、予め長さが30mm、幅が10mm、厚みが08mmの焼結体を作製し、焼結体のスパンが20mmの中央部に、05mm/分の荷重を印加し、焼結体が破壊するまでの最大荷重を測定して、三点曲げ強度を算出した。なお、測定数は試料数10個について測定し、その平均値を求めた。次に、図3は、本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体の表面へ被着させた導体に対する密着強度の測定方法を示す断面図である。図3に示すように、基体1の表面へ被着させた導体33に対する密着強度の測定方法は、被測定物である基体1の表面1aに、厚膜ペースト図示せずを印刷して焼成後の寸法が2mm角で厚みが10μmの銀パラジウム田中貴金属工業株社製型番TR4846からなる導体33を形成し、約850°Cで焼成した。次に、導体33の表面に、Sn-Pb6:4半田系で全体に対してAgを2質量とした半田34を用い、フラックスは、ロジン系合成樹脂にケトンとアルコール系溶剤とを混合したもので、商品名がXA-100タムラ化研株社製を用い、225±5°Cの温度で径が06mmのメッキ導線銅線にSnメッキ35を半田付けして、測定用試料を準備した。次に、このメッキ導線35を762mm/分の速度で引っ張り、導体33が基体1から剥離するときの強度を測定して、基体1に対する導体の密着強度とした。この試験装置は、ダイシェアリングテスタANZATECH社製型番520Dを使用した。また、測定数は各試料数10個について測定し、その平均値を求めた。なお、メッキ銅線35が導体33から剥離した場合はデータから除外し、導体33が基体1から剥離したときのみのデータを導体33の密着強度とした。次に、反射率の測定は、測定器図示せずは株島津製作所製の分光光度計型名:UV-315と積分球ユニット型名ISR-3100とを用い、光源に50Wハロゲンランプと重水素ランプとを使用し、波長範囲を200~1000nmとし、測定範囲は拡散反射率スリット20nm時7×9mmとしてフィルターおよびマスクは使用しないで、反射率の基準として硫酸バリウム粉体を用いて測定した。なお、測定試料数は基体1の厚みが0635mmのもの各1個について表面1aの1箇所について測定した。なお、試料No.3~7,9,10,12,13および15~33は、本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1の実施例であり、試料No.1,2,8,11および14は比較例である。また、各試料の総合評価は、曲げ強度が310MPa以上であって、かつ、導体33の密着強度が19MPa以上であって、さらに、波長350~1000nm範囲の反射率が90以上を満足したものを合格とし、いずれか1つ以上の項目を満足しないものを不合格とした。得られた結果を表1および表2に示す。表1,2に示す結果から分かるように、比較例の試料No.1,2,8,11,14は、上記総合評価の各項目ののなかで、いずれか1つ以上の項目を満足しなかったために不合格であった。まず、試料No.1は、焼成温度が高かったために気孔率および気孔数が少なくなり反射率が90未満であった。試料No.2は、酸化アルミニウムの含有量が935と低く、第2成分である酸化珪素と、酸化カルシウムおよび酸化マグネシウムの少なくとも1種との合計の含有量が多いため、気孔率と気孔数とが低くなり、反射率はどの波長帯においても90未満と低かった。試料No.8は、酸化カルシウムおよび酸化マグネシウムのいずれも含有していないものであることから、焼結時の結晶粒成長が抑止できず、気孔率は高く、気孔数が少なくなり、反射率はどの波長帯においても90未満と低くなり、さらに曲げ強度が他の試料に比べて低い値となったことが分かる。また、試料No.11は、酸化珪素の含有量が05質量と少ないため、導体33の密着強度が105MPaと低かった。試料No.14は、焼成温度をさらに低くしたことにより、アルミナ粒子の焼結不足となり、気孔数が多く、各波長帯における反射率は高いものの、曲げ強度がやや低い結果となった。これに対して、本発明の実施例の試料No.3~7,9,10,12,13および15~33は、含有量が94質量以上97質量以下の酸化アルミニウムと、酸化珪素と、酸化カルシウムおよび酸化マグネシウムの少なくとも1種とを含む発光素子搭載用セラミックス基体であって、基体の表面の9074×105μm2の表面積の部分において、円相当径08μm以上の気孔について見たときに、気孔率が25以上45以下であり、気孔数が7000個以上11000個以下であり、気孔分布における円相当径16μm以下の累積相対度数が70以上であることから、波長350~1000nmの光の反射率が90以上であって、曲げ強度が310MPa以上であり、導体33の密着強度も19MPa以上であり、総合評価は合格であった。また、試料No.4~6,9,10,12,13,17~24,26,27,29,30,32および33は、表面1aの9074×105μm2の表面積の部分における円相当径08μm以上の気孔の気孔数が9000~11000個であり、通常反射率の評価で使用される波長500nmにおける反射率が全て91以上という、特に良い結果であった。このことから、円相当径08μm以上の気孔の気孔数のより好ましい範囲は9000~11000個であることが分かる。また、本実施形態において、酸化カルシウムと酸化マグネシウムとは、少なくとも1つが含有されていることが必須であるが、酸化珪素は焼結性と、厚膜印刷による導体の密着強度と、反射率とのいずれも満足させるための必須成分であり、特に好ましい範囲は1~3質量であることが分かる。次に、発光素子搭載用セラミックス基体1の表面側よりも中央部側の気孔数が多いことによる反射率との関係を調べた。まず、実施例1で作製した試料No.12と同一の原料を用いて、実施例1と同様の工程で成形体を作製し、表3に示す焼成温度と焼成時間の増減率の条件で焼成して基体1を作製した。気孔率の測定方法は実施例1と同一である。但し、中央部側の気孔数を測定するときは、基体1の厚みが0635mmであることから、基体1を表面1aから約032mm研磨して、この研磨面について実施例1と同様な方法で測定した。また、反射率は、ここでは波長500nmについてのみ測定した。得られた結果を表3に示す。表3の結果から分かるように、表面側よりも中央部側の気孔数が多くなるにつれて反射率が増加していることから、発光素子搭載用セラミックス基体として良好に使用できることが分かる。実施例3実施例1で作製した比較例である試料No.1および14と、本実施形態の実施例である試料No.5,12および13とについて、実施例1の測定方法で、平均気孔径と、波長200~350nmの反射率との測定を行なった。得られた結果を表4に示す。表4の結果から分かるように、平均気孔径が202μmと大きい比較例の試料No.1は、波長350nm以下の反射率が急激に低くなっている。また、平均気孔径が095μmと小さい場合の反射率は、波長250nm以下の反射率が低くなっている。本実施形態の実施例の試料No.5,12および13は、平均気孔径が100~195μmの範囲であり、反射率は、波長300nmまでは80以上で、波長250nmまでは60以上であり、課題となっている紫外線領域の反射率も著しく向上できている。この結果における平均気孔径の作用は分からないものの、平均気孔径が1~195μmの範囲であれば、近紫外線領域の反射率の向上に寄与することが分かる。以上のように、本実施形態の発光素子搭載用セラミックス基体1は、材料コストの高いバリウムを使用することなく、さらに通常の温度より低い温度である1420~1540°Cの温度でも焼結性が高められることから、基体1の低コスト化を図ることができる。さらに、曲げ強度が高く、基体1に直接電極を厚膜印刷しても十分な導体の密着強度を有し、しかも可視光領域の全域から紫外線領域および赤外線領域の一部にもわたる広い範囲の波長において高反射率が得られるとともに、高反射率と機械的特性との双方を十分に満足することができる発光素子搭載用に好適なセラミックス基体である。"