"ケース内の基板に搭載された半導体チップなどの電子部品に封止樹脂を充填してなるパワーモジュールの製造方法において、充填された前記封止樹脂の表面のみを加熱硬化させることを特徴とするパワーモジュールの製造方法。請求項1に記載のパワーモジュールの製造方法において、充填された前記封止樹脂に光を照射して加熱硬化させることを特徴とするパワーモジュールの製造方法。請求項1又は2に記載のパワーモジュールの製造方法において、前記封止樹脂は、常温でも硬化が促進することを特徴とするパワーモジュールの製造方法。しかし、特許文献1に記載のように樹脂自体の特性改善では、樹脂自体が高価になる可能性があり、また硬化性がよい樹脂を使用すると、例えば樹脂を供給する注入ノズルなどで硬化が進むので取り扱いが難しいという問題がある。また、特許文献2に記載の技術では、充填する樹脂の量を調整しなければならず作業が煩雑になるという問題がある。本発明は、従来の技術が有するこのような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、熱硬化性樹脂の硬化方法を工夫することにより加熱硬化時間の短縮が図れるパワーモジュールの製造方法を提供しようとするものである。上記課題を解決すべく本発明は、ケース内の基板に搭載された半導体チップなどの電子部品に封止樹脂を充填してなるパワーモジュールの製造方法において、充填された前記封止樹脂の表面のみを加熱硬化させるものである。また、充填された前記封止樹脂にハロゲンランプなどの光を照射して加熱硬化させることができる。更に、前記封止樹脂として、常温でも硬化が促進する樹脂を用いることができる。本発明によれば、充填された封止樹脂の表面のみを加熱硬化させるので、加熱硬化時間の短縮が可能になると共に、表面を加熱硬化させることで、搬送時などの取り扱いが容易となる。また、加熱硬化時間の短縮により、タクトの短縮や中間在庫の削減が図れる。更に、加熱硬化時間の短縮により、電力消費量を抑制することができる。充填された封止樹脂にハロゲンランプなどの光を照射して加熱硬化させれば、従来一般的に用いられていた高温雰囲気での加熱硬化よりも、高速加熱が可能になり、表面のみの加熱硬化を迅速且つ円滑に行うことができる。また、封止樹脂として、常温でも硬化が促進する樹脂を用いれば、加熱により更に硬化時間を短縮させることが可能になり、内部の硬化は次の工程で行うことができる。以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。本発明により製造されるパワーモジュール1は、図1に示すように、ケース2内の基板3に搭載された半導体チップ4などの電子部品に封止樹脂5を充填してなる。6は端子である。本発明に係るパワーモジュールの製造方法は、図2に示すように、前工程10からケース2内の基板3に半導体チップ4などの電子部品を搭載したワークが樹脂充填工程11に搬送される。樹脂充填工程11では、封止樹脂5が基板3に搭載された半導体チップ4などの電子部品に充填される。封止樹脂5としては、表1に主な特性を示す加熱硬化性の2種類の材料材料Aと材料Bを用いて、加熱温度や硬化時間などを比較する。なお、表1では、2液混合式の樹脂を用いているが、1液の樹脂を用いることもできる。次いで、樹脂充填工程11で封止樹脂5が充填されたワークは、加熱硬化工程12に搬送される。加熱硬化工程12では、充填された封止樹脂5を加熱して硬化させる。加熱方式としては、雰囲気加熱と光加熱の2種類の方式を使用して封止樹脂5の表面温度と加熱時間の関係を比較する。雰囲気加熱ではオーブン等で加熱し、光加熱ではハロゲンランプなどの光を上方から照射して加熱する。材料Aと材料Bにおける加熱温度と硬化時間の関係は、図3に示すように、材料Aの方が材料Bよりも加熱温度が低くても硬化時間が短い。即ち、同じ加熱温度にすると、材料Aの方が材料Bよりも早く硬化することになる。硬化時間としては、材料をどの程度まで硬化させるかによるが、ここでは表面の20程度の加熱硬化を目標としている。また、雰囲気加熱と光加熱における加熱時間と封止樹脂5の表面温度の関係は、図4に示すように、光加熱の方が雰囲気加熱よりも表面温度の上昇速度が速い。即ち、封止樹脂5を加熱して同じ表面温度にする場合、光加熱の方が雰囲気加熱よりも加熱時間が短い。材料Aと材料Bとでは加熱硬化特性が異なるが、加熱方式による影響は生じないことが分かる。そして、材料Aと材料Bにおける加熱方式と硬化時間の関係は、同じ表面温度で比較すると、図5に示すように、材料Aの方が材料Bよりも加熱方式に関係なく、硬化時間が短い。また、光加熱方式の方が雰囲気加熱方式よりも材料A,Bに関係なく、硬化時間が短く、表面加熱には優れている。材料Aと材料Bの加熱温度と硬化時間の測定データは、図6に示すように、表わされる。例えば、材料Bを80°Cで硬化させる場合、計算上では約8分程度で硬化させることができることになる。次いで、加熱硬化工程12で充填された封止樹脂5の加熱硬化処理が終了すると、ワークは冷却工程13に搬送される。冷却工程13にて所定の温度まで冷却されると、ワークはパワーモジュール1として、次工程14へ搬送される。基板3に搭載された半導体チップ4などに充填された封止樹脂5にハロゲンランプなどの光を照射して表面のみを加熱硬化させることにより、加熱硬化工程12における加熱硬化時間や冷却工程13における冷却時間などが短縮される。更に、封止樹脂5として、常温でも硬化が促進する樹脂を用いれば、加熱により硬化時間を更に短縮させることが可能になり、内部の硬化は次の工程で行うことができる。"