"1個又は複数の画素を有する固体撮像装置であって、基板上に画素を構成する島状半導体が形成され、前記島状半導体は、電磁エネルギー波の照射により発生した信号電荷を蓄積するダイオードよりなる信号電荷蓄積部と、前記島状半導体の上下部にソースとドレインを有し、前記ダイオードをゲートとして、前記ダイオードに蓄積された信号電荷の蓄積量に応じた信号を読み出す接合トランジスタからなる信号電荷読み出し部と、前記ダイオードと前記接合トランジスタのチャネル内に存在する光電変換部と、前記信号電荷蓄積部に蓄積された前記信号電荷を前記画素の外部に除去する信号電荷除去部と、少なくとも前記光電変換部を包囲するとともに、前記島状半導体に入射された電磁エネルギー波を反射する反射導体層と、前記島状半導体上に形成されたマイクロレンズと、前記マイクロレンズと前記島状半導体との間に形成された光透明中間層と、を備え、前記マイクロレンズの焦点が、前記光透明中間層の内部に位置する、ことを特徴とする固体撮像装置。前記島状半導体上部の中央表層部に、凹部又は凸部が形成され、前記凹部の凹状の面又は前記凸部の凸状の面を境界面として互いに接する2つの物質領域の光屈折率が互いに異なることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記複数の画素が正方格子状、矩形格子状、又は千鳥状に配列されており、前記画素は、基板上に形成された第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域上に形成され、該第1の半導体領域と反対の導電型又は固有半導体である第2の半導体領域と、前記第2の半導体領域の上部側面領域に形成され、前記第1の半導体領域と同じ導電型である第3の半導体領域と、前記第3の半導体領域及び前記第2の半導体領域の下部側面領域の外周部に形成された絶縁層と、前記絶縁層の外周部に形成され、前記第2の半導体領域の下部領域にチャネルを形成する導体層と、前記第2の半導体領域及び前記第3の半導体領域上に形成され、前記第2の半導体領域と同じ導電型である第5の半導体領域と、を有しており、前記反射導体層は、前記導体層を除く前記第3の半導体領域及び前記絶縁層の外周部に形成され、前記マイクロレンズは、前記第5の半導体領域上に形成され、前記光電変換部が、前記第2の半導体領域及び前記第3の半導体領域から構成され、前記信号電荷蓄積部が、前記第2の半導体領域及び前記第3の半導体領域からなるダイオードを有し、前記信号電荷読み出し部が、前記第5の半導体領域、前記第2の半導体領域の下部領域をそれぞれドレイン、ソース、又は、ソース、ドレインとし、前記ダイオードをゲートとした接合トランジスタから構成され、前記信号電荷除去部が、前記第2の半導体領域と、前記島状半導体の外周部に設けた導体層と、前記第2の半導体領域と前記導体層の間に配置された絶縁層と、を有するMOSトランジスタから構成され、少なくとも前記第3の半導体領域と前記第5の半導体領域とは、前記島状半導体内に形成され、前記複数の画素の内、縦方向に配列されている複数の画素における前記第1の半導体領域を互いに電気的に接続するとともに、縦方向に延びる複数の第1の導体配線と、前記複数の画素の内、横方向に配列されている複数の画素における前記導体層を互いに電気的に接続するとともに、横方向に延びる複数の第2の導体配線と、前記複数の画素の内、横方向に配列されている複数の画素における前記反射導体層を互いに電気的に接続するとともに、横方向に延びる複数の反射導体配線と、をさらに備え、前記第2の導体配線と、前記反射導体配線とが、前記複数の画素への電磁エネルギー波の照射方向から見て、互いに上下に重ならないように、かつ、縦方向に交互に配列されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像装置。前記マイクロレンズの外周部の1点から入射し、該マイクロレンズの中心線及び前記光透明中間層を通過して、前記島状半導体上部の外周部の1点に到達する光線と、前記島状半導体の上表面と直交する線とがなす角度θiが、ブリュースター角θb=tan-1N1/N2;ここで、N1:前記光透明中間層の屈折率、N2:前記島状半導体の屈折率よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記複数の画素のそれぞれにおける前記反射導体層は、前記信号電荷蓄積部、前記信号電荷読み出し部、及び前記信号電荷除去部のいずれとも電気的に分離されているとともに、前記複数の画素が存在する画素領域において、互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像装置。図12Aに示す固体撮像装置は、1個の画素が1個の島状半導体30により形成されるので、高画素密度化に適している。したがって、先端微細加工技術を適用すれば、光照射面から見た平面上の画素サイズの高画素密度化を図ることができる。例えば、200nmの加工技術によれば、400×400nm2の画素サイズが実現できる。更に、微細加工技術の開発によって高画素密度化が可能となる。しかし、非特許文献1に記載の条件を適用すると、図12Bのグラフによれば、フォトダイオード領域の高さLdは2.5~3μmが必要である。このフォトダイオード領域に必要な高さLdは、画素の高密度化が進んでも変わらないため、高密度画素化が進むと、相当に高いアスペクト比上部1辺長とダイオードの高さとの比になるように島状半導体30を形成する必要がある。つまり、幅が細く、深い半導体の溝内にMOSトランジスタのゲート導体層34a34bを形成する必要がある。また、島状半導体30の底部に信号線N層31を形成することも困難である。このように、島状半導体30による画素構造の形成が困難であることが、固体撮像装置の高画素密度化を困難にさせる原因となっている。このため、固体撮像装置において、感度の低下を生じることなく、フォトダイオード領域の高さLdを低くする技術が求められている。また、図12Aに示す従来例の固体撮像装置では、画素島状半導体30に斜め方向から入射する光線38は、当該画素に隣接する画素のダイオード領域に入射することがある。この1個の画素内での収光率の低下により、本来は1個の画素で発生するべき信号電荷が周辺の画素に分散して発生する。これにより固体撮像装置の解像度の低下、またはカラー撮像における混色を発生する。この混色はカラー再生画像の画質を低下させるので、低混色化が求められている。一方、特許文献2は、フォトダイオード領域41の上に設けた金属壁39a,39bを設けて収光率を上げる技術である。この技術ではフォトダイオード領域41の上部においては、当該画素に隣接する画素への光漏洩を減少させて収光率を向上できる。しかしながら、フォトダイオード領域41に斜め方向に入射した光の一部が、当該画素に隣接する画素に入射するため、固体撮像装置の解像度の低下、またはカラー撮像における混色を避けることはできない。このような事情は、特許文献3および特許文献4に記載の従来例の固体撮像装置においても同様である。この収光率の低下は、高画素密度化されるほど大きくなる。このため、フォトダイオード領域41の表面に入射する光の収光率の低下を改善する技術が求められている。本発明は、上記の事情を鑑みてなされたものであり、特に、高画素密度、高解像度、低混色、高感度を可能にする固体撮像装置を実現することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明に係る固体撮像装置は、1個又は複数の画素を有する固体撮像装置であって、基板上に画素を構成する島状半導体が形成され、前記島状半導体は、電磁エネルギー波の照射により発生した信号電荷を蓄積するダイオードよりなる信号電荷蓄積部と、前記島状半導体の上下部にソースとドレインを有し、前記ダイオードをゲートとして、前記ダイオードに蓄積された信号電荷の蓄積量に応じた信号を読み出す接合トランジスタからなる信号電荷読み出し部と、前記ダイオードと前記接合トランジスタのチャネル内に存在する光電変換部と、前記信号電荷蓄積部に蓄積された前記信号電荷を前記画素の外部に除去する信号電荷除去部と、少なくとも前記光電変換部を包囲するとともに、前記島状半導体に入射された電磁エネルギー波を反射する反射導体層と、前記島状半導体上に形成されたマイクロレンズと、前記マイクロレンズと前記島状半導体との間に形成された光透明中間層と、を備え、前記マイクロレンズの焦点が、前記光透明中間層の内部に位置する、ことを特徴とする。また、本発明の好ましい態様では、前記島状半導体上部の中央表層部に、凹部又は凸部が形成され、前記凹部の凹状の面又は前記凸部の凸状の面を境界面として互いに接する2つの物質領域の光屈折率が互いに異なる、ことを特徴とする。また、本発明の好ましい態様では、前記複数の画素が正方格子状、矩形格子状、又は千鳥状に配列されており、前記画素は、基板上に形成された第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域上に形成され、該第1の半導体領域と反対の導電型又は固有半導体である第2の半導体領域と、前記第2の半導体領域の上部側面領域に形成され、前記第1の半導体領域と同じ導電型である第3の半導体領域と、前記第3の半導体領域及び前記第2の半導体領域の下部側面領域の外周部に形成された絶縁層と、前記絶縁層の外周部に形成され、前記第2の半導体領域の下部領域にチャネルを形成する導体層と、前記第2の半導体領域及び前記第3の半導体領域上に形成され、前記第2の半導体領域と同じ導電型である第5の半導体領域と、を有しており、前記反射導体層は、前記導体層を除く前記第3の半導体領域及び前記絶縁層の外周部に形成され、前記マイクロレンズは、前記第5の半導体領域上に形成され、前記光電変換部が、前記第2の半導体領域及び前記第3の半導体領域から構成され、前記信号電荷蓄積部が、前記第2の半導体領域及び前記第3の半導体領域からなるダイオードを有し、前記信号電荷読み出し部が、前記第5の半導体領域、前記第2の半導体領域の下部領域をそれぞれドレイン、ソース、又は、ソース、ドレインとし、前記ダイオードをゲートとした接合トランジスタから構成され、前記信号電荷除去部が、前記第2の半導体領域と、前記島状半導体の外周部に設けた導体層と、前記第2の半導体領域と前記導体層の間に配置された絶縁層と、を有するMOSトランジスタから構成され、少なくとも前記第3の半導体領域と前記第5の半導体領域とは、前記島状半導体内に形成され、前記複数の画素の内、縦方向に配列されている複数の画素における前記第1の半導体領域を互いに電気的に接続するとともに、縦方向に延びる複数の第1の導体配線と、前記複数の画素の内、横方向に配列されている複数の画素における前記導体層を互いに電気的に接続するとともに、横方向に延びる複数の第2の導体配線と、前記複数の画素の内、横方向に配列されている複数の画素における前記反射導体層を互いに電気的に接続するとともに、横方向に延びる複数の反射導体配線と、をさらに備え、前記第2の導体配線と、前記反射導体配線とが、前記複数の画素への電磁エネルギー波の照射方向から見て、互いに上下に重ならないように、かつ、縦方向に交互に配列されている、ことを特徴とする。また、本発明の好ましい態様では、前記マイクロレンズの外周部の1点から入射し、該マイクロレンズの中心線及び前記光透明中間層を通過して、前記島状半導体上部の外周部の1点に到達する光線と、前記島状半導体の上表面と直交する線とがなす角度θiが、ブリュースター角θb=tan-1N1/N2;ここで、N1:前記光透明中間層の屈折率、N2:前記島状半導体の屈折率よりも小さい、ことを特徴とする。また、本発明の好ましい態様では、前記複数の画素のそれぞれにおける前記反射導体層は、前記信号電荷蓄積部、前記信号電荷読み出し部、及び前記信号電荷除去部のいずれとも電気的に分離されているとともに、前記複数の画素が存在する画素領域において、互いに電気的に接続されている、ことを特徴とする。本発明によれば、高画素密度、高解像度、低混色、高感度を可能にする固体撮像装置を提供することができる。以下、本発明の実施形態に係る固体撮像装置について図面を参照しながら説明する。第1の実施形態図1Aに本発明の第1の実施形態に係る固体撮像装置の画素島状半導体1aの構造を示す。図1Aに示すように、各画素1aには、基板上で第1の走査方向に延びる信号線図1Aには図示せずに電気的に接続された第1の半導体N領域2が形成されている。第1の半導体N領域2上には、第1の半導体N領域2と反対の導電型である第2の半導体P領域3が形成されている。第2の半導体P領域3の上部側面領域には、第1の半導体N領域2と同じ導電型である第3の半導体N領域6a,6bが形成されている。第3の半導体N領域6a,6b及び第2の半導体P領域3の下部側面領域の外周部には絶縁層4a,4bが形成されている。絶縁層4a,4bの外周部には、第2の半導体P領域3の下部領域にチャネルを形成する導体層5a,5bが形成されている。導体層5a,5bは、金属を用いて単層構造に形成され、電流を流すゲート導体層、及び、赤外線、可視光線、紫外線などの光を反射する光反射層として機能する。画素1aには、第2の半導体P領域3と、絶縁層4a,4bと、導体層5a,5bとを有するMOSトランジスタが形成されている。このMOSトランジスタでは、導体層5a,5bに電圧が印加されることにより、チャネルが第2の半導体P領域3に形成される。そして、このMOSトランジスタに繋がるように、第2の半導体P領域3と第3の半導体N領域6a,6bとからなるフォトダイオード領域7が形成されている。フォトダイオード領域7の表層部には、第4の半導体P領域8a,8bが形成されている。第4の半導体P領域8a,8bは、第3の半導体N領域6a,6bと絶縁層4a,4bとの間に絶縁層4a,4bに接するように形成されている。第4の半導体P領域8a,8bの外周部には、絶縁層4a,4bを介して、光を反射する光反射導体層9a,9bが形成されている。光反射導体層9a,9bは、導体層5a,5bを除く第3の半導体N領域6a,6b及び絶縁層4a,4bの外周部に形成されている。光反射導体層9a,9bは、金属を用いて単層構造に形成され、電流を流す導体層及び光を反射する光反射層として機能する。第3の半導体N領域6a,6b及び第4の半導体P領域8a,8b上には、第3の半導体N領域6a,6b及び第4の半導体P領域8a,8bと電気的に接続され、第2の半導体P領域3と同じ導電型である第5の半導体P領域10が形成されている。第5の半導体P領域10は、画素領域の第1の走査方向と直交する方向に延びる画素選択線図1Aでは図示せずに電気的に接続されている。第5の半導体P領域10は、光反射導体層9a,9bに電気的に接続されている。このため、光反射導体層9a,9bは画素選択線としても機能する。また、少なくともフォトダイオード領域7が形成される領域は、島状半導体内に形成されている。このフォトダイオード領域7が形成される領域は、第2の半導体P領域3において第3の半導体N領域6a,6bが形成されている上部領域、第3の半導体N領域6a,6b、第4の半導体P領域8a,8b、及び第5の半導体P領域10からなる。なお、少なくとも第3の半導体N領域6a,6bと第5の半導体P領域10とは、島状半導体内に形成されていることが好ましい。第5の半導体P領域10上には、光を透過する材料からなる光透過中間領域24が形成され、この光透過中間領域24上に、第5の半導体P領域10の上表面近傍に焦点が位置するマイクロレンズ11が形成されている。本実施形態の固体撮像装置では、図1Aに示すように、第5の半導体P領域10の上表面近傍に位置する、マイクロレンズ11の焦点に光線が集光される。この集光された光線の内、マイクロレンズ11の中心部に垂直に入射した光線以外の、画素島状半導体1aに入射した光線12a,12bは、光反射導体層9a,9bと導体層5a,5bにより反射され、画素1aの下方に伝播する。このため、感光領域であるフォトダイオード領域7での光伝播長は、フォトダイオード領域の高さLdより長くなる。このように、感光領域であるフォトダイオード領域7での光伝播長を長くできることは、図12Aに示す従来例の画素構造の固体撮像装置と比較して、フォトダイオード領域の高さLdを低くしながら同じ感度が得られることを意味している。これにより、画素1aのアスペクト比上部1辺長とダイオード高さとの比を低くできるので、画素構造の加工が容易になる。加えて、本実施形態では、マイクロレンズ11の中心部に垂直に入射した光線だけでなく、画素1aに斜め方向から入射された光線12a,12b図1A参照も、光反射導体層9a,9bと導体層5a5bで反射されるので、光線12a,12bが、当該画素に隣接する画素に漏洩することが防止される。これにより、固体撮像装置の解像度の低下と、カラー撮像における混色の原因となることが防止される。図1Bに、図1Aに示す本実施形態の固体撮像装置の画素1aが、隣接する2個の画素1b,1cからなる場合の立体模式図を示す。図1Bに示すように、この画素1b,1cには、画素1aの第1の半導体N領域2に対応する第1の半導体N領域2a,2bが存在する。この第1の半導体N領域2a,2bは、基板上で第1の走査方向に延びる信号線N層2aa,2bbに電気的に接続されている。図1Bに示すように、画素1aにおけるMOSトランジスタのゲート導体層である導体層5a,5b図1A参照に対応する導体層5aa,5bbが、画素1b,1cの外周を囲むように形成されている。導体層5aa,5bbは、信号線N層2aa,2bbに直交する方向に延びるMOSゲート配線5abに電気的に接続されている。画素1aの光反射導体層9a,9bに対応する光反射導体層9aa,9bbが、画素1b,1cの外周を囲むように形成されている。光反射導体層9aa,9bbは、信号線N層2aa,2bbに直交する方向に延びる画素選択線9abに電気的に接続されている。光反射導体層9aa,9bbは、画素1aの第5の半導体P領域10に対応する第5の半導体P領域10a,10bに電気的に接続されている。第5の半導体P領域10a,10b上には、画素1aのマイクロレンズ11に対応するマイクロレンズ11a,11bが配置されている。信号線N層2aa,2bb上に形成されている画素1b,1cは島状半導体を構成し、この島状半導体を包囲するように、導体層5aa,5bb,光反射導体層9aa,9bbが形成されている。第1の半導体N領域2a,2b及び信号線N層2aa,2bbは十分にドナー不純物がドープされた層であるため、第1の半導体N領域2a,2b及び信号線N層2aa,2bbに入射した光によって信号電荷は発生しない。これによりマイクロレンズ11a,11bから画素1b,1cに入射した光は、当該画素1b,1cに隣接する画素への光漏洩がなく、それぞれ、導体層5aa,5bb、光反射導体層9aa,9bbで反射されながら島状半導体内を伝播し、第1の半導体N領域2a,2b及び信号線N層2aa,2bbに到達する。これにより、島状半導体の高さを低くすることができ、画素構造の加工性が高められ、高画素密度化が実現されるとともに、解像度の低下、カラー撮像での混色のない固体撮像装置が提供できる。第1の実施形態において、第2の半導体P領域3は、P型導電型の半導体からなるものとしたが、その変形例として、図1Cに示すように、第2の半導体P領域3に代えて、当該領域は、固有半導体からなる固有半導体i領域3aであってもよい。ここでの固有半導体とは、母体中に不純物が混入されていない半導体であり、そのフェルミ順位が伝導体下端と価電子帯上端とのエネルギギャップの中心近傍に位置するものである。固有半導体は、実際には完全には不純物が含まれていないものは作成することが困難であるので、その不純物レベルに応じ、アクセプタ不純物が微量含まれていればP-型、不純物が全く含まれていない純粋なシリコンであれば真性型、ドナー不純物が微量含まれていればN-型となる。固有半導体は、高抵抗体であり、第5の半導体P領域10と、信号線N層2aa,2bbとの間に電圧が印加されたときに内部に電位勾配が発生し、このチャネル内に前記第5の半導体P領域から注入した正孔ホールが信号線N層2aa,2bbに向かって流れるので、接合トランジスタのチャネルとして機能する。図1A、図1Cに示す画素構造においては、フォトダイオード領域7は、画素1aを構成する島状半導体中への入射光により信号電荷を発生する点で光電変換部であり、第2の半導体P領域3又は固有半導体領域3aと、第3の半導体N領域6a,6bとからなるダイオードであるフォトダイオードは、その光電変換部で発生した信号電荷を蓄積する点で信号電荷を蓄積する信号電荷蓄積部である。また、第5の半導体P領域10、信号線N層2近傍の第2の半導体P領域3又は固有半導体領域3aをソースドレインとし、フォトダイオード領域7をゲートとした増幅接合トランジスタは、信号電荷読み出し部である。第2の半導体P領域3又は固有半導体領域3aと、絶縁層4a,4bと、導体層5a,5bとを有するMOSトランジスタは、フォトダイオード領域7に蓄積された信号電荷を信号線N層2に除去するための信号電荷除去部である。第1の実施形態においては、島状半導体中に、光電変換部と、信号電荷蓄積部と、信号読出し部と、信号電荷除去部とが形成され、少なくとも光電変換部が形成されている島状半導体の外周部が、光反射層で覆われていることを特徴としている。このため、図1A,1B,1Cでは導体層5a,5b,5aa,5bbと光反射導体層9a,9b,9aa,9bbとは電気的に分離したが、導体層5a,5b,5aa,5bbと光反射導体層9a,9b,9aa,9bbとは電気的に接続されるとともに、導体層5a,5b,5aa,5bb及び光反射導体層9a,9b,9aa,9bbと、第5の半導体P領域10とは電気的に分離されていても良い。また、光反射導体層9a,9b,9aa,9bbが他の導電領域と分離され、独立した構造においても、本第1の実施形態と同様な効果が得られる。第2の実施形態図2Aに本発明の第2の実施形態に係る固体撮像装置の画素構造を示す。図2Aに示すように、本実施形態の固体撮像装置は、図1Aに示す第1の実施形態の固体撮像装置の画素島状半導体1aの下方に、光を反射するとともに導電体からなる光反射導体層14a,14bがさらに形成されている点以外は、第1の実施形態の固体撮像装置と同様な画素構造を有している。図2Aに示す本実施形態の固体撮像装置では、図1Aに示す第1の実施形態の固体撮像装置における画素1aの下方に絶縁層13が形成され、その絶縁層13の下方に、金属などから形成され、光を反射するとともに導電体からなる光反射導体層14aが形成されている。光反射導体層9a,9bと導体層5a,5bにより反射され、画素1aの下方に伝播し、この絶縁層13に入射した光線12cは、光反射導体層14aで反射され、再び画素1a内のフォトダイオード領域7に到達して信号電荷を発生させる。これは、図1Aに示す第1の実施形態の固体撮像装置と比較して、フォトダイオード領域7の高さLdが同じであっても、さらに高い感度が得られることを意味する。また、本実施形態の固体撮像装置では、その感度を第1の実施形態の固体撮像装置と同じとすると、第1の実施形態の固体撮像装置よりもさらにフォトダイオード領域7の高さLdを低くすることができる。これにより、画素構造の加工が容易となり、固体撮像装置の高画素密度化が実現される。さらに、本実施形態の固体撮像装置では、フォトダイオード領域7の高さLdは、単にその高さを低くするだけでなく、その高さを適宜に調整することで、感光領域であるフォトダイオード領域7での光伝播長を長くすることができるので、光反射導体層14aからの反射光12eにより発生した信号電荷を、感度向上に寄与させることもできる。図2Bに第2の実施形態の変形例を示す。図2Bに示すように、本変形例では、図1Aに示す画素1aの下部に、絶縁層を介することなく直接に光反射導体層14bが形成されている。この画素構造によっても、該光反射導体層14bで反射された反射光12eが、再び画素1aのフォトダイオード領域7に入射して信号電荷を発生する。これにより、図2Aに示す第2の実施形態の固体撮像装置と同様な効果が得られる。これにより、第2の実施形態及びその変形例によれば、高画素密度、高解像度、低混色、高感度が得られる固体撮像装置が実現される。第3の実施形態図3Aに本発明の第3の実施形態に係る固体撮像装置の画素構造を示す。図3Aに示すように、本実施形態の固体撮像装置は、図1Aに示す第1の実施形態の固体撮像装置の画素島状半導体1aの下方に、SiO2膜などの絶縁体から形成され、光を透過する光透過絶縁層SiO2膜15と、光透過絶縁層15の下方に、Siシリコンなどから形成され、入射光の一部を吸収する光吸収層Si層16とが形成されている点以外は、第1の実施形態の固体撮像装置と同様な画素構造を有している。光透過絶縁層15に入射した光線17は、図3Aに示すように、光透過絶縁層15内で多重反射を発生し、光吸収層16の表面での反射光18a,18bと、光吸収層16への入射光19a,19b,を生じる。この場合、光透過絶縁層15内で多重反射され、フォトダイオード領域7に戻る光量は、光透過絶縁層15の厚さ、SiとSiO2の光吸収率、屈折率、入射光の波長、入射角度などに依存して変化する。図3Bに光透過絶縁層15の表面に45度の角度で入射した緑色光λ=550nm、赤色光λ=650nmの、光吸収層16による反射率のSiO2膜の膜厚依存性を計算した結果を示す。なお、青色光は画素1aの表面近傍のフォトダイオード領域7で吸収されるので、このような膜厚依存性はみられない。この反射率は、光透過絶縁層15への入射光量に対するフォトダイオード領域7への戻り光量の割合を示す。図3Bに示すように、緑色光、赤色光は、SiO2膜の厚さに依存して反射率が高くなったり低くなったりする。例えば、SiO2膜厚を0.5μm程度にすると、緑色光、赤色光ともに反射率を相対的に大きくすることができる。一方、例えば、SiO2膜厚を0.2μm程度にすると、緑色光の反射率を相対的に大きくするとともに、赤色光の反射率を相対的に小さくすることができる。このようなSiO2膜厚の変更により、カラー撮像で青緑赤色光の信号出力のバランスを調整する信号処理においては、SiO2膜厚を0.2μm程度とし、緑色光の感度を上げ、赤色光の感度を下げることによりカラー固体撮像装置の感度向上に寄与させることができる。また、SiO2膜厚を0.5μm程度とし、緑色光、赤色光ともに反射率を高めると、白黒撮像における感度向上に寄与させることができる。このように、SiO2膜厚の変更により、光の波長によって反射率を変更できることは、SiO2膜厚の変更により、入射光の波長と、固体撮像装置の感度の関係を示す分光感度特性が制御できることを意味する。実際の固体撮像装置では、SiO2層の表面にいろいろな入射角度で光が入射し、またマイクロレンズの設計によっても、図3Bの特性は変化する。また、カラー撮像、白黒撮像によっても要求される分光感度特性は異なる。このように、光透過絶縁層SiO2膜15の厚さを変化させ、光の波長によって反射率を変更する技術は、所望する分光感度特性を得る上で、効果的な手法を提供する。第4の実施形態図4Aに本発明の第4の実施形態に係る固体撮像装置の画素構造を示す。図4Aに示すように、本実施形態の固体撮像装置は、図1Aに示す第1の実施形態の固体撮像装置の画素島状半導体1aにおける第5の半導体P領域10の中央表層部に凹部20a又は凸部20bを形成するとともに、凹部20aの凹状の面又は凸部20bの凸状の面を境界面として互いに接する2つの物質領域の光屈折率を互いに異ならせた点以外は、第1の実施形態の固体撮像装置と同様な画素構造を有している。図4Aに図1Aに示す画素1aにおける第5の半導体P領域10の中央表層部に三角錐状の凹部20aが形成されている例を示す。図1Aに示す画素構造では、第5の半導体P領域10の中央表層部に凹部20aが存在しない。このため、マイクロレンズ11の中央部に垂直に入射した光線21a,21cは、そのまま、光反射導体層9a,9bで反射されることなく、画素1aの内部に入射する。このため、マイクロレンズ11の中央部に垂直に入射する光線21a,21cに対しては、感光領域であるフォトダイオード領域7における光伝播長は、フォトダイオード領域の高さLdより長くすることはできない。これに対し、図4Aに示す画素構造では、マイクロレンズ11の中心線から入射する光線21bを除いて、マイクロレンズ11の中央部から第5の半導体P領域10に入射する入射光21bは、凹部20aによって光反射導体層9a,9b側に屈折する。これにより、この屈折された光線22aが光反射導体層9a,9bで反射され、フォトダイオード領域7での光伝播長が長くなり、固体撮像装置の感度が向上する。この凹部20aにおける光線の屈折は、第5の半導体P領域10の材料であるSiシリコンの屈折率と、マイクロレンズ11の材料である透明樹脂材料の屈折率との差異により生じる。図4Bに図1Aに示す画素構造における第5の半導体P領域10の中央表層部に三角錐状の凸部20bが形成されている例を示す。図4Bに示すように、第5の半導体P領域10の中央表層部には、図4Aに示す凹部20aの代わりに凸部20bを形成してもよい。この場合も、マイクロレンズ11の中心線から入射する光線21cを除いて、マイクロレンズ11の中央部から第5の半導体P領域10に入射する入射光21bは、凸部20bによって光反射導体層9a,9b側に屈折する。これにより、この屈折された光線22aが光反射導体層9a,9bで反射され、フォトダイオード領域7での光伝播長が長くなり、固体撮像装置の感度が向上する。本実施形態では、凹部20aの凹状の面又は凸部20bの凸状の面を境界面として互いに接する2つの物質領域の光屈折率が互いに異なるようにした。これに限られず、凹部20a又は凸部20b自体が、第5の半導体P領域10の材料であるSi又はマイクロレンズ11の透明樹脂材料とは異なる屈折率を有する材料で形成されていてもよい。これによっても、マイクロレンズ11の中央部から第5の半導体P領域10に入射する入射光は、凹部20a又は凸部20bによって光反射導体層9a,9b側に屈折する。そして、感光領域であるフォトダイオード領域7での光伝播長が長くなり、固体撮像装置の感度が向上する。本実施形態では、図4A,図4Bを参照して、凹部20a及び凸部20bの形状は、いずれも三角錐状とした。これに限られず、マイクロレンズ11の中央部に入射した光線が、凹部20a又は凸部20bで屈折し、光反射導体層で反射される形状であれば、その他の形状、例えば、円錐状、四角錘状、半円状であってもよい。第5の実施形態図5に本発明の第5の実施形態に係る固体撮像装置の画素構造を示す。図5に示すように、本実施形態の固体撮像装置は、図1Aに示す第1の実施形態の固体撮像装置の画素島状半導体1aにおいて、マイクロレンズ11の焦点23が第5の半導体P領域10の上表面よりも上方側の光透過中間領域24内に位置する点以外は、第1の実施形態の固体撮像装置と同様な画素構造を有している。図5に示す画素構造において、マイクロレンズ11の焦点23は第5の半導体P領域10より上部の光透過中間領域24内に形成されている。本実施形態の固体撮像装置では、このような画素構造を有することで、マイクロレンズ11から入射し、光透過中間領域24の内部の焦点23に集光される光線25bは、第5の半導体P領域10の上表面に焦点が位置する場合第1の実施形態の画素構造の場合の光線25aよりも、最初に光反射導体層9a,9bに到達する位置が、第5の半導体P領域10の上表面にさらに接近する。これは、本実施形態の画素構造による光線25bの方が、第1の実施形態の画素構造における光線25aよりもフォトダイオード領域7での光伝播長がさらに長くできることを意味する。したがって、本実施形態の固体撮像装置によれば、第1の実施形態の固体撮像装置と比べ、感度がさらに向上するようになる。第6の実施形態図6に本発明の第6の実施形態に係る固体撮像装置の画素構造を示す。図6に示すように、本実施形態の固体撮像装置は、図1Aに示す第1の実施形態の固体撮像装置の画素島状半導体1aにおいて、マイクロレンズ11の外周部の1点26から入射し、マイクロレンズ11の中心線27を通過して、第5の半導体P領域10の外周部の1点28に到達する光線29と、第5の半導体P領域10の上表面と直交する線とがなす角度θiが、ブリュースターBrewster角θbより小さいことを特徴としている。図12A、図13に示す従来例の固体撮像装置においては、フォトダイオード領域が光を反射する物質で完全に囲まれていないため、フォトダイオード領域に大きい入射角で入射する光線は、当該画素に隣接する画素に漏洩することが想定される。これに対して、図1Aに示したように、本実施形態の画素構造では、フォトダイオード領域7にどのような角度で光が入射しても、フォトダイオード領域7全体が第1及び光反射導体層5aa,5bb,9aa,9bbで完全に包囲されているため、隣接する画素への光漏洩をなくすことが可能になる。これは、マイクロレンズ11から入射する全ての入射光が、第5の半導体P領域10の表面に到達することのみで、その入射光を全て有効に信号電荷の発生に寄与させることができることを意味する。図6に本発明の第6の実施形態に係る固体撮像装置の画素構造を示す。図6に示すように、マイクロレンズ11の外周部の1点26から入射し、マイクロレンズ11の中心線27及び光透過中間領域24を通過して、第5の半導体P領域10の外周部の1点28に到達する光線29と、第5の半導体P領域10の表面と直交する角度θiが、ブリュースター角θbより小さくなっている。ブリュースター角θbは、光透過中間領域24の屈折率をN1、第5の半導体P領域10の屈折率をN2とすると次式で示される。θb=tan-1N1/N2上述した角度θiが、ブリュースター角θbより大きいと、マイクロレンズ11から入射し、光透過中間領域24を通過した入射光は、第5の半導体P領域10の表面で全反射され、第5の半導体P領域10内に進入しない。このように、角度θiをブリュースター角θbよりも小さくすることにより、マイクロレンズ11に入射し、光透過中間領域24を通過した全ての光線がフォトダイオード領域7に有効に導かれるようになる。ここで、光線を有効に導くとは、第5の半導体P領域10の表面に入射した光線は全反射することなく第5の半導体P領域10内に入射することを意味する。これにより、固体撮像装置の感度向上が実現できる。図7に第1~第6の実施形態に係る固体撮像装置における画素領域に形成された3×3個=9個の画素P11~P33の配列状態を光照射面から見た模式平面図を示す。図7に示すように、光照射面から、マイクロレンズを上面に有する画素P11~P33と、図1Bに示す画素選択線9abに対応する画素選択線9ab1,9ab2,9ab3と、図1Bに示す信号線N層2aa,2bbに対応する信号線N層S1,S2,S3とが形成されている。この信号線N層S1,S2,S3は、図2Bに示す画素構造では、光反射導体層14bが対応する。図1Bに示すMOSゲート配線5abに対応するMOSゲート配線5ab1,5ab2,5ab3が、画素選択線9ab1,9ab2,9ab3の下方に形成されている。即ち、画素選択線9ab1,9ab2,9ab3と、MOSゲート配線5ab1,5ab2,5ab3とが上下に重なるように形成されている。図7では、画素選択線9ab1,9ab2,9ab3間に形成された間隙G1,G2,G3,G4の内、一例として間隙G3に入射した光線100は画素P11~P33が形成されている基板上の信号線N層S1に到達する。図8に示すように、間隙G3に入射した光線100は、画素11aの下方に位置する信号線N層2aaに入射する。光線100の内の一部の光線102は、屈折率の異なる2つの絶縁層によって挟まれている信号線N層2aaと、それに隣接する信号線N層2bb信号線N層S1,S2,S3内で多重反射光101a,101b,101c,101dを生じる。多重反射光101a,101b,101c,101dは、画素11aに隣接する画素11bのフォトダイオード領域7図1A参照に入射して信号電荷を発生する。この隣接する画素11bへの光漏洩は、固体撮像装置の解像度の低下とカラー撮像での混色を発生する。第7の実施形態以下、図9A、図9Bを参照しながら、本発明の第7の実施形態に係る固体撮像装置を説明する。上述したように、図7に示す固体撮像装置では、画素選択線9ab1,9ab2,9ab3と、MOSゲート配線5ab1,5ab2,5ab3とが上下に重なるように形成され、信号線N層S1,S2,S3内での多重反射によって解像度の低下とカラー撮像での混色を生じていた。これに対し、図9Aに示す本実施形態の固体撮像装置では、画素P11~P33は、正方格子状又は矩形格子状に配列されている。詳しくは、画素選択線9ab1,9ab2,9ab3と、MOSゲート配線5ab1,5ab2,5ab3とは上下に重ならないように配列されている。即ち、画素選択線9ab1,9ab2,9ab3は、MOSゲート配線5ab1,5ab2,5ab3間に形成された間隙G1,G2,G3,G4内において、光反射導体層9a,9b図1A参照に対応する画素P11~P33における導体層に電気的に接続された状態で配線されている。この構成によって、固体撮像装置の画素領域の全域において、光照射面から入射した入射光は、画素選択線9ab1,9ab2,9ab3によって進路を阻まれ、直接に多重反射を生じる信号線N層S1,S2,S3に到達することが防止される。これにより、本実施形態の固体撮像装置によれば、解像度の低下と、カラー撮像における混色が防止される。図9Bに示す本実施形態の変形例では、画素P11~P33は、上下方向に一列に配置されず、千鳥状に配置されている。このように画素P11~P33が千鳥状に配置されるに伴い、信号線N層S1,S2,S3は、上下方向に千鳥状に蛇行しながら各画素P11~P33を繋げている。図9Aに示す第7の実施形態と同様に、画素選択線9ab1,9ab2,9ab3は、MOSゲート配線5ab1,5ab2,5ab3間に形成された間隙G1,G2,G3,G4内において、光反射導体層9a,9b図1A参照に対応する画素P11~P33の光反射導体層に電気的に接続された状態で配線されている。これによって、固体撮像装置の画素領域の全域において、画素選択線9ab1,9ab2,9ab3によって、入射光が直接に多重反射を生じる信号線配線N層S1,S2,S3に到達することが防止される。これにより、本変形例の固体撮像装置によれば、解像度の低下と、カラー撮像における混色が防止される。なお、図9A、図9Bでは、光照射面から見た状態で、画素選択線9ab1,9ab2,9ab3と、MOSゲート配線5ab1,5ab2,5ab3との間に微小な隙間が形成されているが、上下方向の画素P11~P33間の離間距離を長くすることにより、画素選択線9ab1,9ab2,9ab3と、MOSゲート配線5ab1,5ab2,5ab3とを上下に重なるように形成することができる。これによって、固体撮像装置の画素領域の全域において、入射光は、画素選択線9ab1,9ab2,9ab3によって、直接に多重反射を生じる信号線N層S1,S2,S3に到達することがより確実に防止される。これにより、本変形例の固体撮像装置によれば、解像度の低下と、カラー撮像における混色が防止される。第8の実施形態以下、図10A、図10Bを参照しながら、本発明の第8の実施形態に係る固体撮像装置を説明する。図1Aに示す第1の実施形態の固体撮像装置の画素構造では、フォトダイオード領域7を包囲する光反射導体層9a,9bは、第5の半導体P領域10に電気的に接続されていた。これに対し、本実施形態の固体撮像装置の画素構造では、図10Aに示すように、第5の半導体P領域10は、画素選択線10aa,10bbに電気的に接続されるとともに、光反射導体層9a,9bに対応する光反射導体層99a,99bとは電気的に分離されている点で異なっている。なお、図10Aでは、光反射導体層99a,99bは、光反射導体配線層99c,99dに電気的に接続されている。本実施形態の固体撮像装置では、第5の半導体P領域10の上表面近傍に位置する、マイクロレンズ11の焦点に集光された光線の内、マイクロレンズ11の中心部に垂直に入射した光線以外の、画素1aに入射した光線12a,12bは、光反射導体層99a,99b及び導体層5a,5bにより反射され、画素1a内を下方に伝播する。このため、感光領域であるフォトダイオード領域7での光伝播長は、フォトダイオード領域の高さLdより長くなる。これにより、第1の実施形態の固体撮像装置と同様、画素構造の加工が容易になり、高画素密度化が実現されるとともに、固体撮像装置の感度が向上する。図10Bに、図10Aにおける光反射導体層99c,99dのA-A’線で示す領域を、光照射面から見た状態を示す。この光反射導体層99a,99bは、画素選択線としては機能しないので、固体撮像装置の画素領域を覆うように、光反射導体配線層99c,99dが一体的に繋がるようにしてもよい。これによって、図10Bに示すように、光反射導体配線層99c,99dは、固体撮像装置の全画素領域で、一体の光反射導体層99を形成する。これにより、光照射面から画素P11~P33間に入射した光は、多重反射を生じる信号線N層S1,S2,S3に到達することがより確実に防止される。これにより、本実施形態の固体撮像装置によれば、解像度の低下と、カラー撮像における混色が防止される。なお、上記実施形態では、画素領域に1個、2個、又は3×3個=9個で配列された画素を用いて、固体撮像装置の画素構造及びその動作について説明した。しかしこれに限られず、本発明の技術的思想は、それ以外の複数の画素が画素領域に1次元又は2次元状に配列された固体撮像装置に適用できることは勿論である。上記実施形態では、島状半導体中に、光電変換部であるフォトダイオード領域7、信号電荷蓄積部であるフォトダイオード、信号電荷読み出し部である接合トランジスタ、信号電荷除去部であるMOSトランジスタを有する画素構造としたが、島状半導体中には、それ以外の構成によって、光電変化部、信号電荷蓄積部、信号読出し部、信号電荷除去部を設けた構造であっても、本発明の技術思想に含まれることは言うまでもない。上記実施形態では、画素1a,1b、画素P11~P33における島状半導体の構造は、いずれも円柱状のものとした。これに限られず、四角柱状、多角柱状であってもよい。上記実施形態では、第1の半導体N領域2及び第3の半導体N領域6a,6bはN型導電型とし、第2の半導体P領域3はP型導電型とし、かつ、第4の半導体P領域8a,8b及び前記第5の半導体P領域10はP型導電型とした。しかしこれに限られず、第1の半導体領域2及び第3の半導体領域6a,6bはP型導電型とし、第2の半導体領域3はN型導電型とし、かつ、第4の半導体領域8a,8b及び前記第5の半導体領域10はN型導電型とすることもできる。上記実施形態では、第1の半導体N領域2は、MOSトランジスタの下部全体に形成したが、図11に示すように、この第1の半導体領域2を第6の半導体P領域2cと、第2の半導体P領域3によって第6の半導体P領域2cから分離された第7の半導体N領域2dとから構成し、第6の半導体P領域2cを増幅接合トランジスタのドレインとし、第7の半導体N領域2dを、フォトダイオードに蓄積された信号電荷を除去するためのリセットドレインとした構造としてもよい。この場合、第6の半導体P領域2cと、第7の半導体N領域2dによって挟まれた領域は、第8の半導体P領域となる。また、図11において、増幅接合トランジスタの第6の半導体P領域2cは、第9の半導体N領域2cに置換することも可能である。この場合、第9の半導体N領域2cと、第7の半導体N領域2dによって挟まれた領域は、第8の半導体P領域となる。上記実施形態では、MOSトランジスタのチャネルは第2の半導体P領域3に電界により形成したエンハンストメント型。これに限られず、MOSトランジスタのチャネルは、例えば、第2の半導体P領域3にイオン注入などで不純物を注入することデプレッション型、または埋め込みチャネルによって形成することもできる。上記実施形態では、光透過中間領域24は単層構造としたが、光透過中間領域は複数の層で形成されていてもよく、さらには、光透過中間領域にカラーフィルタ層が含まれていてもよい。上記実施形態では、光反射導体層9a,9bは、第5の半導体P領域10と電気的に接続したが、これは、本発明の実施形態に必須の構造ではない。光反射導体層9a,9bは、フォトダイオード領域7を囲むように形成されていればよい。例えば、図10Aに示した画素構造のように、第5の半導体P領域10は、画素選択線10aa,10bbに電気的に接続されるとともに、光反射導体層99a,99bとは電気的に分離されていてもよい。上記実施形態では、第5の半導体P領域10は、フォトダイオード領域7における第5の半導体P領域8a,8bに電気的に接続したが、両者は電気的に分離されていてもよい。上記実施形態では、第5の半導体P領域10は、フォトダイオード領域7における第3の半導体N領域6a,6bに電気的に接続したが、両者は電気的に分離されていてもよい。上記実施形態では、導体層5a,5b、光反射導体層9a,9b、99a,99bは、単層の金属膜から形成したが、複数層の金属膜から形成してもよい。また、導体層5a,5b、光反射導体層9a,9b、99a,99bは,金属に限られず、不純物ドープされた多結晶Siや、シリサイドのように長波長光を反射する材料層を金属の一部に含ませて形成してもよく、不純物ドープされた多結晶Siや、シリサイドのみで形成してもよい。図7、図9A、図9Bでは、信号線N層S1,S2,S3はN層としたが、図2Bに示すように、第1の半導体N領域2の下方に、絶縁層を介することなく直接に金属からなる光反射導体層14bが形成されている場合では、信号線N層S1,S2,S3の抵抗はこの光反射導体層14bによって低下するので、信号線N層S1,S2,S3はN層でなくともよい。この場合も、間隙G1,G2,G3,G4に入射した光線100は、光反射導体層14bで反射され、その一部が当該画素に隣接する画素のフォトダイオード領域に漏洩することが防止される。上記実施形態では、導体層5a,5b、光反射導体層9a,9b、99a,99bは、画素島状半導体1aを薄膜で包囲する構造としたが、金属材料を用いて画素間を埋めるような構造であってもよい。上記実施形態では、導体層5a,5b,5aa,5bb、光反射導体層9a,9b,9aa,9bbは、電磁エネルギー波電磁波の一種である光赤外線、可視光線、紫外線を反射するものとしたが、光反射導体層は、固体撮像装置の使用目的に応じて、その他の電磁エネルギー波、例えば、X線、ガンマ線、電子線などを反射するものとしても機能するものでもよい。なお、本発明は、本発明の広義の精神と範囲を逸脱することなく、様々な実施形態及び変形が可能とされるものである。また、上述した実施形態は、本発明の一実施例を説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。"