磁束密度が一様な磁界内にホール素子を配置して、該ホール素子により角度θを検出する角度検出装置において、前記磁束の方向と平行な中線に対し角度±φ傾いたφ軸と-φ軸に沿ってそれぞれ配置したホール素子から成る第1、第2センサと、前記磁束の方向に対し前記中線が相対的に角度θ傾いた場合に、前記第1、第2センサの出力Va、Vbを求める検出回路と、該検出回路の出力からtanθ=tanφVa-Vb/VaVbを演算して角度θを求める演算回路とを有することを特徴とする角度検出装置。前記φ軸、-φ軸はV字溝の両斜辺としたことを特徴とする請求項1に記載の角度検出装置。前記角度θが微小角の場合にtanθ≒θとすることを特徴とする請求項1又は2に記載の角度検出装置。前記中線を前記磁束の方向に一致させたθ=0において、前記出力Va、VbがVa=Vbとなるように零点調整することを特徴とする請求項1~3の何れか1つの請求項に記載の角度検出装置。無磁界状態において、前記出力Va、VbがVa=Vb=0となるように出力Va、Vbに含まれるオフセット電圧を補正することを特徴とする請求項1~4の何れか1つの請求項に記載の角度検出装置。一般に、ホール素子は周囲の温度変化等に起因して、ホール係数K等が変化し、出力Vが変動する虞れがある。そのために、正確な角度θを求めるためには、温度検出センサを備えるなどして、温度補正演算を行うことが好ましい。しかし、特許文献1の回転角度検出器では、2つのホール素子を用いてホール係数の温度の影響を或る程度相殺することができる。この特許文献1の回転角度検出器は一般的な広い範囲の角度検出を目的としており、微小角度の検出については精度良く測定することはできない。この特許文献1においては、測定すべき角度θが0付近では、一方のホール素子の角度検出面の向きは0 ゚方向に、他方のホール素子の向きは90 ゚方向となる。このような角度センサでは、測定角が0 ゚又は90 ゚付近では両ホール素子の条件が大きく異なるため測定精度が悪い。また特許文献1では、2つのホール素子の出力の比を基に測定を行っているが、2つの出力が大きく異なる場合には、これらの出力に含まれる誤差の影響が測定値に大きく現れる。本発明の目的は、上述の問題点を解消し、2つのホール素子を用いて、測定範囲において両ホール素子の条件を揃えて、更に出力の差分を基に算出を行うことにより、微小角度の高精度な検出を行い得る角度検出装置を提供することにある。上記目的を達成するための本発明に係る角度検出装置は、磁束密度が一様な磁界内にホール素子を配置して、該ホール素子により角度θを検出する角度検出装置において、前記磁束の方向と平行な中線に対し角度±φ傾いたφ軸と-φ軸に沿ってそれぞれ配置したホール素子から成る第1、第2センサと、前記磁束の方向に対し前記中線が相対的に角度θ傾いた場合に、前記第1、第2センサの出力Va、Vbを求める検出回路と、該検出回路の出力からtanθ=tanφVa-Vb/VaVbを演算して角度θを求める演算回路とを有することを特徴とする。本発明に係る角度検出装置によれば、2つのホール素子を用いて温度変化による影響を受ける要因を除去し、ホール素子の出力の差分により角度を求め、特に微小な角度測定が好適に実施できる。本発明を図1~図4に図示の実施例に基づいて詳細に説明する。実施例の角度検出装置においては、図1に示すように、周囲の固定のマグネット保持体11に対して中心のシャフト12の回転角θを測定するものであり、例えばシャフト12は液面計のフロートの上下動を微小な回転角度の変位として検出するようになっている。透磁性材料から成るマグネット保持体11には、一対のマグネット13a、13bが取り付けられ、マグネット13a、13b間には、N極からS極に向う平行磁束による一様な磁界が形成されている。シャフト12にはV字溝14が設けられ、図2の拡大図が示すようにシャフト12のV字溝14の両斜辺は、中線Nを中心にその両側に角度±φφは90 ゚以下、好ましくは10 ゚~15 ゚だけ傾斜している。V字溝14の両斜辺にホール素子から成る第1センサ15a、第2センサ15bが基板を介して又は直接にそれぞれ取り付けられている。第1、第2センサ15a、15bは磁束検出面である平面をV字溝14の斜辺に平行して、例えば図示しないセンサ回路基板と共に接着されている。このφ軸、-φ軸に沿って、第1センサ15a、第2センサ15bの磁束検出面がそれぞれ配置されている。そして、中線Nが磁束と平行な場合をシャフト12の角度θが0となるようにしている。なお、マグネット保持体11とシャフト12の関係は相対的なものであり、マグネット保持体11が回転し、シャフト12が固定であってもよい。図3は回路構成図であり、第1センサ15a、第2センサ15bの基板に搭載されたセンサ回路を介しての出力Va、Vbは、それぞれ検出回路16a、16bを介して演算回路17に接続され、更に表示回路18に接続されている。また、第1センサ15a、第2センサ15bのセンサ回路には、電流供給回路19から定電流Iが供給されている。図4は原理的説明図であり、磁束密度Bの一様な磁界内において、シャフト12を図4に示すように角度φよりも小さい角度θだけ回転させると、第1、第2センサ15a、15bの出力Va、Vbは、Ka、Kbをそれぞれのホール係数、da、dbを厚み、供給電流をI、磁束密度をBとすると、1式を基に、それぞれ2、3式となる。Va=IBsinφθ...2Vb=IBsinφ-θ...3この2、3式に、sinα±β=sinαcosβ±cosαsinβの三角公式を導入すると、次の2、3式が得られる。Va=IBsinφcosθcosφsinθ...2Vb=IBsinφcosθ-cosφsinθ...3ここで、出力Va、Vbの差Va-Vbを求めると次の4式となり、出力Va、Vbの和VaVbを求めると次の5式となる。Va-Vb=2IBcosφsinθ...4VaVb=2IBsinφcosθ...5ホール素子が同じ種類であれば、通常はKa=Kb、da=dbである、しかし、ホール係数Ka、Kb、厚みda、dbは厳密には若干異なり、シャフト12の中線Nを磁束方向と一致させたθ=0においても、Va≠Vbとなる。この場合においては、θ=0の状態、つまり零点調整において、第1センサ15aと第2センサ15bの出力Va、Vbを求め、Va=Vbとなるように定数を補正して正規化する。このようにして、出力Va、Vbを正規化して、Va-Vb/VaVbを求めると、次の6、7式が得られる。Va-Vb/VaVb=cosφsinθ/sinφcosθ=tanθ/tanφ...6∴tanθ=tanφVa-Vb/VaVb...7このように7式においては、第1、第2センサ15a、15bのホール係数Ka、Kb、厚みda、db、供給電流I、磁束密度Bは相殺されることになる。しかし、出力Va、Vbを正規化しても、ホール係数Ka、Kbは温度により変動することがあり、その影響は7式の測定値に及ぶこともある。このため、個々のホール素子の温度特性を調べて、温度係数が近似した対となるホール素子を選択して用いれば、第1、第2センサ15a、15bの温度変化による影響を更に少なくすることができる。なお、tanφは定数であるから、出力Va、Vbによる7式の演算によりtanθが得られ、三角関数表等から角度θを求めることができる。また、角度θが十分に微小角であれば、sinθ≒θ、cosθ≒1なので、tanθ=θとなり、7式から次の7’式が得られる。θ=tanφVa-Vb/VaVb...7’また、第1、第2センサ15a、15bの出力Va、Vbに、2、3式のような磁束密度とは無関係で、供給電流Iと関係するオフセット電圧Oa、Obが重畳していることがある。Va=IBsinφθOa...2Vb=IBsinφ-θOb...3この場合には、マグネット13a、13bを取り除いた磁束密度0の無磁界状態において、第1、第2センサ15a、15bに電流Iを供給することにより、オフセット電圧Oa、Obを求めることができる。そこで、予め出力Va、Vbからこのオフセット電圧Oa、Obを差し引いておけばよい。