少なくとも大きな微粒子と小さな微粒子の2種類を含有し、各微粒子がバインダーで基板の一主面である下地面上に固定されている下地層を有する透光性凹凸基板であって、前記大きな微粒子の平均粒径は0.4μm以上1.5μm以下であり、かつ、大きな微粒子は基板の粒子被覆率が10以上80以下となるように下地層中に単層で存在し、前記小さな微粒子の平均粒径は50nm以上150nm以下であり、かつ小さな微粒子は実質的に前記大きな微粒子の周囲に隣接して存在し、さらに、前記大きな微粒子の上部に存在する前記小さな微粒子の量は、その他の部分に存在する小さな微粒子の量に対して20以下であることを特徴とする、透光性凹凸基板。前記の大きな微粒子と小さな微粒子が同一の材料からなることを特徴とする、請求項1に記載の透光性凹凸基板。前記小さな微粒子が前記下地面とは反対側の基板の一主面にも固定されており、前記下地面とは反対側の基板の一主面における反射率が2以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の透光性凹凸基板。請求項1乃至3のいずれかに記載の透光性凹凸基板の製造方法であって、下地面に大きな微粒子を固定した後、小さな微粒子を含有する溶液中に当該基板をディッピングして小さな微粒子を固定することを特徴とする、透光性凹凸基板の製造方法。前記大きな微粒子をディッピング法で下地面に塗布し、固定することを特徴とする、請求項4に記載の透光性凹凸基板の製造方法。本発明者らは、特許文献2に開示の基板に相当する凹凸付きガラス基板を用いて薄膜太陽電池を作製したところ、光閉じ込め効果による薄膜太陽電池の発電電流すなわち短絡電流密度Jscの増加は確認されたが、同時にその凹凸に起因すると思われる開放電圧Vocと曲線因子FFの低下が観察され、結果的に薄膜太陽電池の変換効率が向上しないという問題が確認された。従って、微粒子を用いて表面凹凸を形成したガラス基板については改善する余地があると言える。本発明の目的は、例えば、薄膜太陽電池に本発明に係る透光性凹凸基板を適用した場合に、基板の凹凸に起因する薄膜太陽電池のVocおよびFFを低下させることなく、Jscを向上させることができ、薄膜太陽電池の変換効率を向上できる、透光性凹凸基板を提供することにある。本発明者らは、前記課題に基づき鋭意検討を行った結果、透光性基板の一主面である下地面において、大きな微粒子の上部に小さな微粒子を付着させることなく、大きな微粒子の周囲に小さな微粒子を固定させることで、薄膜太陽電池の変換効率が向上することを見出し、本発明を完成させるに至った。すなわち本発明の第1は、少なくとも大きな微粒子と小さな微粒子の2種類を含有し、各微粒子がバインダーで基板の一主面である下地面上に固定されている下地層を有する透光性凹凸基板であって、前記大きな微粒子の平均粒径は0.4μm以上1.5μm以下であり、かつ、大きな微粒子は基板の粒子被覆率が10以上80以下となるように下地層中に単層で存在し、前記小さな微粒子の平均粒径は50nm以上150nm以下であり、かつ小さな微粒子は実質的に前記大きな微粒子の周囲に隣接して存在し、さらに、前記大きな微粒子の上部に存在する前記小さな微粒子の量は、その他の部分に存在する小さな微粒子の量に対して20以下であることを特徴とする、透光性凹凸基板に関する。好ましい実施態様は、前記の大きな微粒子と小さな微粒子が同一の材料からなることを特徴とする、前記の透光性凹凸基板に関する。好ましい実施態様は、前記小さな微粒子が前記下地面とは反対側の基板の一主面にも固定されており、前記下地面とは反対側の基板の一主面における反射率が2以下であることを特徴とする、前記いずれかの透光性凹凸基板に関する。本発明の第2は、前記いずれかの透光性凹凸基板の製造方法であって、基板の下地面に大きな微粒子を固定した後、小さな微粒子を含有する溶液中に当該基板をディッピングして小さな微粒子を固定することを特徴とする、透光性凹凸基板の製造方法に関する。好ましい実施態様は、前記大きな微粒子をディッピング法で下地面に塗布し、固定することを特徴とする、前記の透光性凹凸基板の製造方法に関する。本発明によれば、透光性凹凸基板を、例えば薄膜太陽電池用の基板として光入射側に用いることで、薄膜太陽電池の変換効率を向上させることができる。特に、本発明に係る透光性凹凸基板においては、急峻な凹凸を緩和させているため、当該基板を用いて形成される薄膜太陽電池のVocおよびFFを低下させることなく、太陽光の主波長域400~1200nmで高い拡散透過率と全光線透過率が得られ、Jscを向上できる。本発明は透光性凹凸基板に関し、当該基板の一主面である下地面上に、少なくとも大きな微粒子と小さな微粒子の2種類の特定微粒子がバインダーで固定された下地層を形成しているものである。なお、本発明において上記下地面とは、引き続きその面側に透明電極や光電変換層などが製膜される側の基板の一主面を意味する。本発明の透光性凹凸基板の形成に用いることのできる基板としては、所謂透光性があれば特に限定されるものではないが、例えば、公知のガラス板や、透明樹脂から成る板状部材またはシート状部材などを好適に用いることができる。特に、透光性基板としてガラス基板を用いれば、それが高い透過率を有しかつ安価であるので好ましい。すなわち、本発明に係る透光性凹凸基板を薄膜太陽電池用の基板として用いる場合、当該基板は薄膜太陽電池の光入射側に位置するので、より多くの太陽光を透過させて光電変換層に光を吸収させるために、基板はできる限り透明であることが好ましい。本発明の透光性凹凸基板の形成に用いることのできる微粒子は、例えば、シリカSiO2ともいう、酸化チタンTiO2ともいう、酸化アルミニウムAl2O3ともいう、酸化ジルコニウムZrO2ともいう、フッ化マグネシウムMgF2ともいう、を例示することができる。微粒子の屈折率の値としては、透光性の観点から、1.4~2.5のものが好ましく、更には1.4~2.0の範囲がより好ましい。微粒子は、好ましくは、ガラス基板上に形成されるため、ガラス基板と微粒子との界面の反射を低減できる観点から、ガラス基板と同じ材料であるシリカであることがより好ましい。前記大きな微粒子の平均粒径は、0.4μm以上1.5μm以下の範囲が好ましく、0.7μm以上1.2μm以下の範囲がより好ましい。一方、前記小さな微粒子の平均粒径は、大小の微粒子層上に形成する透明電極の結晶成長に適している観点から、50nm以上150nm以下の範囲が好ましく、70nm以上120nm以下の範囲がより好ましい。小さな微粒子の平均粒径が150nmよりも大きい場合、大きな微粒子で形成した凹凸による光散乱効果を打ち消すおそれがある。一方、小さな微粒子の平均粒径が50nmよりも小さい場合、微粒子間の相互作用が強くなり、微粒子の分散状況が悪化するおそれがあり、基板上へ下地層を形成する際にハンドリングの難易度が上がるといった問題が懸念される。前記の大小の微粒子の形状としては、できるだけ微細な凹凸を均一に形成するために、球状であることがより好ましい。なお、本発明において平均粒径とは、走査型電子顕微鏡SEMともいう画像で観察される各粒子の直径の平均であり±10の誤差を含む。本願発明における透光性凹凸基板の下地層には、少なくとも大きな微粒子と小さな微粒子の2種類が含まれるが、例えば、その中間の大きさの平均粒径を有する微粒子など3種類以上が含まれていてもよい。その場合は、0.4μm以上1.5μm以下の範囲で最も平均粒径の大きな微粒子を本発明でいう大きな微粒子とし、50nm以上150nm以下の範囲で最も平均粒径の小さな微粒子を本発明でいう小さな微粒子とする前記大きな微粒子は、基板の粒子被覆率が、10以上80以下、更には20以上60以下であることが好ましい。なぜなら、この範囲外では基板上での表面凹凸形成効果が少なく、十分な拡散透過率を得ることができないからである。なお、本発明で言う粒子被覆率とは、基板表面に対する基板表面上に塗布された微粒子の占有面積である。算出方法としては、微粒子が塗布された基板表面を基板表面に対して垂直の方向から観察した画像にて算出できる。例えば、走査型電子顕微鏡SEMともいうで基板表面に対して垂直の方向から観察した画像において、画像解析ソフトであるイメージメトロロジー社製のSPIPで、バックグラウンドノイズを除去処理した後に、粒子部分に相当する白色部分を画像全体に占める割合から割り出すことがあげられる。また、前記大きな微粒子は、急峻な凹凸に起因する諸問題を抑制する観点から、下地層中に単層で存在することが好ましい。例えばディッピング法を用いて大きな微粒子を被覆する場合には、大きな微粒子を含む溶液中における微粒子濃度塗布溶液濃度や基板引き上げ速度を調節することで、大きな微粒子の単層での製膜や被覆率の制御を容易に行うことができる。本発明においては、前記の小さな微粒子は、実質的に大きな微粒子の周囲に隣接して存在することが好ましい。これは、大きな微粒子によって形成される急峻な凹凸を小さな微粒子によって緩和し、急峻な凹凸に起因する諸問題を抑制することができるからである。例えば、本発明の透光性凹凸基板を薄膜太陽電池用基板として用いた場合、薄膜太陽電池のVoc、FFの低下を抑制する効果がある。なお、ここで大きな微粒子の周囲に隣接とは、大きな微粒子から100nm以内に小さな微粒子が存在することを意味する。また、小さな微粒子が‘‘実質的に’’大きな微粒子の周囲に隣接して存在するとは、大きな微粒子の周囲から大きな微粒子の粒径の20以内の範囲に小さな微粒子が存在しないような、所謂単独で存在する大きな微粒子が全体の10以下、好ましくは5以下であることを意味する。本発明においては、前記の大きな微粒子の上部に存在する小さな微粒子の量は、その他の部分に観察される小さな微粒子の量と比較して、20以下であることが好ましく、5以下であることがより好ましく、全く存在しないことが最も好ましい。これは、大きな微粒子の上部に小さな微粒子が存在すると、実質的に大きな微粒子の周囲に隣接して小さな微粒子が存在することによる凹凸の急峻さを緩和する効果が減少するためである。なお、本発明において、大きな微粒子の上部とは、基板表面からの大きな微粒子の高さを基準とした場合に、85以上の高さにある表面を意味する。上記の下地層を形成する方法については、例えば、小さな微粒子をディッピング法によって塗布することで、大きな微粒子の周囲に小さな微粒子を隣接させることができ、またディッピング法における基板引き上げ速度や塗布溶液濃度などを調節することで大きな微粒子の上部に小さな微粒子を存在させないようにすることができる。前記の大きな微粒子と小さな微粒子は、同一の材料から形成されることが好ましい。同一の材料であれば、光学特性が同じであるため、光散乱量の設計が容易になるからである。本発明の透光性凹凸基板の製造方法は、基板の一主面である下地面にあらかじめ大きな微粒子を固定させておき、その後、小さな微粒子をディッピング法で塗布して、下地面に固定することが好ましい。これは、大きな微粒子が固定された基板を、溶媒と透光性バインダーそして小さな微粒子を有する溶液が入ったディッピング槽から引き上げた際に、基板に塗布された溶媒の蒸発が起こり、溶媒が大きな微粒子の周囲に最後まで残ることで、溶液中に存在する小さな微粒子が優先的に大きな微粒子の周囲に付着し固定される傾向があるためである。なお、ハンドリングの容易さの観点から、溶媒としては、例えばイソプロパノールやメチルエチルケトン等の有機溶媒が好ましく、透光性バインダーとしては、例えばエチルシリケート等のシリケート類が好ましい。小さな微粒子を大きな微粒子が固定されている基板の一主面である下地面の反対面に塗布することなく、大きな微粒子が固定されている下地面に塗布する場合は、例えば、塗布しない面にフィルム等でマスキングすることが好ましい。使用するマスキング材は溶媒に対して耐性があり、マスキング材を取り外したときに基板にマスキング材の粘着物質由来の異物が残留しなければ特に限定はないが、ハンドリングの観点から、カネロン化学工業株式会社製のBE705に代表される高密度ポリエチレンの保護シートが好ましい。大きな微粒子を基板に付着させる方法は、基板との密着性の観点から、溶媒を含んだ透光性バインダー形成材料と共に微粒子を存在させた溶液を塗布する方法が望ましく、例えばディッピング法、スピンコート法、バーコート法、スプレー法、ダイコート法、ロールコート法、フローコート法などが挙げられる。なかでも、ディッピング槽からの基板の引き上げ速度を調節することで粒子被覆率を容易に調整できるディッピング法がより好ましい。なお、当該溶液中に含まれる溶媒や透光性バインダー形成材料は前記と同様のものが使用できる。大きな微粒子を基板にディッピング法で付着させる場合は、塗布面下地面と反対側面をフィルム等でマスキングする必要があり、使用するマスキング材は溶媒に対して耐性があり、マスキング材を取り外したときに基板にマスキング材の粘着物質由来の異物が残留しなければ特に限定はない。前記と同様に、カネロン化学工業株式会社製のBE705に代表される保護シートが好ましい。例えば、大きな微粒子を基板表面に付着させる前に、表面付着炭素分やガラスヤケを除去し、大きな微粒子の固定密着力を向上するために基板を洗浄することが望ましい。ガラス基板を用いる場合の洗浄方法としては、例えば、プラズマ洗浄、アルカリ洗浄、セリコ洗浄等が上げられ、ガラス基板に表面に異物が残留せず、表面形状が変化しない観点から、セリコ洗浄が特に好ましい。なお、セリコ洗浄とは、水と酸化セリウムを主成分とする研磨スラリーを用いて研磨洗浄する方法である。基板の洗浄から大きな微粒子の塗布、さらに小さな微粒子のディッピング塗布までの工程は、基板洗浄効果が有効である時間内に行うことがより望ましく、クリーンルーム内の室温で2時間以内がより好ましい。大きな微粒子をディッピング法でガラス基板に付着させる場合は、ガラス基板の片面にマスキングをし、もう片面を洗浄し、エアブローで乾燥させた後に、大きな微粒子をディッピング塗布する。その後、短期的に大きな微粒子をガラス基板に付着させるために加熱乾燥させることが好ましい。加熱乾燥後、十分にガラス基板が冷却した後に、小さな微粒子をディッピング塗布し、マスキング材を取り外した後に公知の方法で焼成を行い、微粒子を基板の下地面上に固定させればよい。図1は、本発明の透光性凹凸基板を用いた実施形態の1つである薄膜太陽電池の模式的な断面図である。ガラス基板1上に、透光性バインダーを含む大小の微粒子層下地層2、透明電極層3、非晶質光電変換ユニット4、裏面電極層5を順に積層したシングル型薄膜太陽電池である。非晶質光電変換ユニット4は、一導電型層41、真性非晶質光電変換層42および逆導電型層43が含まれる。非晶質光電変換ユニット4は、例えばpin型の順にプラズマCVD法により各半導体層を積層して形成されうる。具体的には、例えば導電型決定不純物原子であるボロンが0.01原子以上ドープされたp型非晶質シリコン系層、光電変換層となる真性非晶質シリコン系層、および導電型決定不純物原子であるリンが0.01原子以上ドープされたn型非晶質シリコン系層をこの順に堆積すればよい。大小の微粒子層2上の透明電極層3の材料としては、例えば、SnO2、ZnO、ITO等が挙げられ、より好ましくはZnOである。なぜなら、ZnOは耐プラズマ性が高く、低圧熱CVD法やスパッタ法といった低温での形成が可能なことから、低コストで高性能な薄膜太陽電池の製造が期待できるからである。例えば、透明電極層に低圧熱CVD法で形成されるZnOを用いた場合、下地であるガラス基板の温度である基体温度が150°C以上、圧力5~1000Pa、原料ガスとしてジエチル亜鉛DEZともいう、水、ドーピングガス、および希釈ガスで形成されうる。裏面電極層5としては、例えば、Al、Ag、Au、Cu、PtおよびCrから選ばれる少なくとも一つの材料を、少なくとも一層の金属薄膜としてスパッタ法または蒸着法により形成することができる。また、1以上の光電変換ユニットとの間に、ITO、SnO2、ZnO等の導電性酸化物層を裏面電極層5の一部として形成することもできる。この導電性酸化物層は、1以上の光電変換ユニットと裏面電極層5との間の密着性を高めるとともに、裏面電極層5の光反射率を高め、さらに、光電変換ユニットの化学変化を防止する機能を有する。図2は、本発明の透光性凹凸基板を用いた実施形態の1つである薄膜太陽電池の模式的な断面図である。ガラス基板1上に、透光性バインダーを含む大小の微粒子層2、透明電極層3、非晶質光電変換ユニット4、結晶質光電変換ユニット6、裏面電極層5を順に積層したタンデム型薄膜太陽電池である。結晶質光電変換ユニット6には、一導電型層61、結晶質真性光電変換層62および逆導電型層63が含まれる。結晶質光電変換ユニット6としては、太陽光の主波長域400~1200nmに吸収を有するものが好ましく、例えば結晶質シリコン系薄膜を結晶質真性光電変換層とした結晶質シリコン系光電変換ユニット6としてもよい。また、シリコン系の材料には、シリコンに加え、シリコンカーバイドやシリコンゲルマニウムなど、シリコンを含むシリコン合金半導体材料も含まれうる。なお、変換効率の高い薄膜太陽電池を得るために、非晶質光電変換ユニットと結晶質光電変換ユニットの間に、中間透明反射層を形成してもよい。また、高電圧で高出力を生じ得る大面積の薄膜太陽電池を製造する場合、基板上に形成された薄膜光電変換装置の複数個を配線で直列接続するのではなく、歩留まりをよくするために大きな基板上に形成された薄膜光電変換ユニット層を複数のセルに分割し、それらのセルをパターニングによって直列接続して集積化するのが一般的であり、例えば図3のような集積構造とするのが好ましい。集積化には、レーザースクライブを用いるのが簡便でよい。また、本発明に係る透光性凹凸基板は、例えばタッチパネル用基板や光検出器用基板など、薄膜太陽電池用以外のその他の用途にも適宜用いることができる。以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はその趣旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。実施例1厚さ4mmの旭硝子株式会社製の白板ガラス基板の片面にカネロン化学工業株式会社製のBE705フィルムを用いてマスキングし、もう片面をセリコ洗浄してガラス表面を親水性にした後、シリカ微粒子6重量濃度、引き上げ速度100mm/minの条件におけるディッピング法で、平均粒径1080nmのシリカ微粒子を粒子被覆率20で塗布した。なお、シリカ微粒子の数平均粒径はSEM画像から求めた。ディッピングにおける塗布液の成分は、シリカ微粒子の他にイソプロパノール、水、エチルシリケート40加水分解物平均4量体のテトラエトキシシラン加水分解部分縮合物、濃塩酸である。なお、各成分の重量はシリカ微粒子780g、イソプロパノール12kg、水690g、エチルシリケート40加水分解物240g、濃塩酸24gである。80°Cの雰囲気下で30分加熱乾燥を行った後、当該基板を、平均粒径80nmのシリカ微粒子を1.5重量濃度で含む塗布液中に浸漬し、引き上げ速度275mm/minにて、大きな微粒子と同様に小さなシリカ微粒子を再度ディッピング塗布した。なお、上記塗布液成分は、イソプロパノール12kg、水690g、エチルシリケート40加水分解物240g、濃塩酸24gである。その後、マスキング材を外した後、200°Cで2時間加熱し、微粒子を基板に固定した。得られた透光性凹凸基板の表面をSEMで観察したところ、図4に示すように、平均粒径1080nmの大きなシリカ微粒子の周囲に隣接し、平均粒径80nmのシリカ微粒子が実質的に堆積されて固定されていた。また、平均粒径1080nmの大きなシリカ微粒子の上部に付着した小さなシリカ微粒子は、その他の部分と比較して1以内であった。実施例2~4および比較例1実施例1と同様にして、粒子被覆率20で平均粒径1080nmの大きなシリカ微粒子を塗布した厚さ4mmのガラス基板に、ディッピング法の引き上げ速度を275mm/min、1000mm/min、とそれぞれ変えて平均粒径80nmの小さなシリカ微粒子をディッピング塗布したサンプルを2点作製実施例2、3し、さらに引き上げ速度1000mm/minでディッピング塗布を2度繰り返したサンプルを1点実施例4作製した。なお、ディッピング塗布を繰り返す際には、1度目と2度目のディッピング塗布の間に80°Cの雰囲気下で30分の加熱乾燥を行った。さらに、比較例1として平均粒径80nmシリカ微粒子を塗布しなかったサンプルも1点作製した。これら4点のサンプルの微粒子層に水を滴下し、カバーガラスをかけて、カバーガラスとは反対の面のガラス基板側から波長400~1200nmまでの平均透過率を測定した。なお、本方法のような液体を凹凸部に滴下して測定した透過率を、以後浸液透過率と記載する。実施例2~4および比較例1の4点のサンプルに、堆積温度160°C、原料ガスとしてジエチル亜鉛DEZおよび水、ドーパントガスとしてジボランガスを用いて、それぞれの大小微粒子塗布ガラス基板に低圧熱CVD法で透明導電膜を製膜した。透明導電膜のシート抵抗は、いずれも18Ω/□程度であった。実施例2~4、比較例1のサンプルについて、レーザー顕微鏡で面内粗さSq二乗平均平方根を測定し、屈折率1.7のヨウ化メチレン溶液を用いて浸液透過率を測定した。図5は、浸液透過率を縦軸とし、透明電極製膜後の面内粗さSqを横軸にとったときのプロットで、白丸は透明電極製膜前、黒丸は透明電極製膜後を示す。なお、平均粒径80nmのシリカ微粒子の塗布量を増やす平均粒径80nmの微粒子ディッピング塗布における引き上げ速度を上げると、平均粒径1080nmの微粒子で形成された凹凸を緩和することにより、Sqは減少する。図5より、白丸で示される透明電極製膜前の浸液透過率では、Sqによって顕著な違いは観察されないが、黒丸で示される透明電極製膜後の浸液透過率では、Sqの減少によって浸液透過率の増加が観察される。参考例1また、図6はガラス基板上に大きな微粒子である平均粒径450nmの微粒子のみを塗布し、ZnOの透明導電膜を製膜した断面透過型電子顕微鏡TEMともいう画像であり、微粒子間に空洞を確認できる。平均粒径450nmのシリカ微粒子200gを使用し、シリカ微粒子の重量パーセント濃度1.5、その他の成分としてイソプロパノール12kg、水690g、エチルシリケート40加水分解物平均4量体のテトラエトキシシラン加水分解部分縮合物240g、塩酸24gを含む塗布液に、引き上げ速度700mm/minの条件で、比較例1と同様にディップし、透明導電膜を製膜したサンプルである。図5および図6より、大きな微粒子の間に小さな微粒子を埋めることで、大きな微粒子間にできる透明電極製膜後の空洞を小さな微粒子で埋めることができ、これにより浸液透過率が向上したと考えられる。実施例5~7および比較例2実施例5~7および比較例2として、図1に示されているようなシングル型薄膜太陽電池を作成した。実施例2~4および比較例1で作製した4つの透明電極基板それぞれに厚さ10nmのp型微結晶シリコン層と厚さ15nmのp型非晶質シリコンカーバイト層との積層からなるp型層、厚さ350nmのi型非晶質シリコン光電変換層及び厚さ15nmのn型微結晶シリコン層を順次プラズマCVD法により積層して光電変換ユニットを形成した。その後、5×5個ある1cm角の金属製マスクを製膜したシリコンに貼り付け、厚さ90nmのAlドープZnO層と厚さ200nmのAg層をスパッタ法にて順次堆積した。金属製マスクを取り外した後に、スパッタ製膜された1cm角部分の周囲を半田で透明電極層まで貫通させ、1cm角のセルを作成した。こうして得られたシングル型薄膜太陽電池セルにAM1.5の光を100mW/cm2の光量で照射して出力特性を測定した。得られた出力特性結果を表1に示す。薄膜太陽電池の各物性値は面内粗さSq=0.4のサンプル比較例2の各物性を1としたときの相対値である。大きなシリカ微粒子付き基板に小さなシリカ微粒子をディッピングすることで、大きなシリカ微粒子のみを付着させた基板比較例2と比較してVoc、FFの増加が確認できる。またJscの増加は、微粒子塗布ガラス基板に透明電極層としてZnOを製膜した際に、大きな微粒子間でZnOが製膜されなかった箇所空洞を小さな微粒子が埋めて浸液透過率が上がったためであると考えられる。実施例9および比較例3実施例9および比較例3として、図2に示されているようなガラス基板の光入射面に反射防止層ARコートを有するハイブリッド型の薄膜太陽電池を作製した。すなわち、本実験例9、比較例3においては、ガラス基板1上に、大小のシリカ微粒子層下地層2、透明電極層3、非晶質シリコン光電変換ユニット4、結晶質シリコン光電変換ユニット6、および裏面電極層5を順次形成することによってハイブリッド型薄膜太陽電池を作製し、レーザースクライブを利用して、ハイブリッド型薄膜太陽電池モジュールを作成した。なお、レーザースクライブは図3に示されるように実施した。実施例1と同様にして、厚さ4mmのガラス基板の片面にカネロン化学工業株式会社製のBE705フィルムを貼ってマスキングをし、もう片面をセリコ洗浄した後に、ディッピング法で平均粒径1080nmの大きなシリカ微粒子を粒子被覆率20で片面に塗布した。マスキング材を取り外し、80°Cの雰囲気下で30分加熱乾燥した後、当該基板を、平均粒径80nmの小さなシリカ微粒子を1.5重量パーセント濃度で含む塗布液に浸漬し、引き上げ速度275mm/minの条件でディッピング塗布した。ガラス基板の両面に平均粒径80nmの微粒子を塗布し、200°Cで2時間加熱した。このようにして基板の光入射面にARコートを形成させた。その後、堆積温度160°C、原料ガスとしてジエチル亜鉛DEZ、水の原料ガス、ドーパントガスとしてジボランガスを用いて、大小微粒子塗布ガラス基板に低圧熱CVD法で透明電極層3を製膜した。透明電極層3のシート抵抗は、18Ω/□程度であった。得られた透明電極層は波長1064nmのYAGイットリウムアルミニウムガーネットレーザーを用いて、透明電極層3に分離溝101を形成し、その後に透明電極層のついた基板の洗浄と乾燥を行なった。そのレーザー加工された透明電極層上に厚さ10nmのp型微結晶シリコン層と厚さ15nmのp型非晶質シリコンカーバイト層との積層からなるp型層、厚さ300nmのi型非晶質シリコン光電変換層及び厚さ15nmのn型微結晶シリコン層を順次プラズマCVD法で積層して前方光電変換ユニットを形成した。さらに厚さ15nmのp型微結晶シリコン層、厚さ3.0μmのi型結晶質シリコン光電変換層、および厚さ15nmのn型微結晶シリコン層を順次プラズマCVD法で積層して後方光電変換ユニット7を形成した。その後、YAGレーザーの第二高調波波長:532nmを用いて、前方光電変換ユニット4、後方光電変換ユニット6を貫通する接続溝102を形成した。接続溝102の形成後においては、後方光電変換ユニット6上の裏面電極層5として、厚さ90nmのAlドープZnO層と厚さ200nmのAg層をスパッタ法にて順次堆積した。このとき、接続溝102は、その裏面電極層によって埋め込まれた。最後に、YAGレーザーの第二高調波を用いて、前方光電変換ユニット4、中間透過反射層、後方光電変換ユニット6、および裏面電極層5を貫通する分離溝103を形成した。こうして得られた実験例9の薄膜光電変換モジュールにAM1.5の光を100mW/cm2の光量で照射して出力特性を測定した。また比較例3として、平均粒径1080nmのシリカ微粒子のみが下地層に粒子被覆率20で塗布され、光入射面のみに平均粒径80nmのシリカ微粒子のARコートを実施例9と同様の方法で形成した。透明電極層以下の工程が実施例9と同様の方法にて、薄膜太陽電池モジュールを製造し、同様に評価した結果を表2に示す。表2より、平均粒径80nmのシリカ微粒子を平均粒径1080nmの微粒子の間に埋めることで、Voc、FF、Jsc及びEffが増加することが確認される。以上に説明した通り、本発明の透光性凹凸基板は、急峻な凹凸を緩和させているため、薄膜太陽電池用基板として用いた場合に、Voc、FFを低下させることなく、太陽光の主波長域400~1200nmで高い拡散透過率と全光線透過率が得られ、優れた変換効率が得られる。