"電気光学効果を有する基板と、光導波路と、該光導波路の少なくとも一部に沿った電気導波路を有する光変調手段と、変調電気信号を生成する駆動手段と、前記電気導波路の一端および前記駆動手段の間に電気的に接続され、前記駆動手段から出力される変調電気信号を前記電気導波路の一端に導く電気線路および該電気線路上に挿入された電気フィルタ回路を有する中継手段と、前記電気導波路を伝播して他端から出力される前記変調電気信号を終端する終端手段と、を備えた光変調器であって、前記電気導波路の一端は、接地電位に対して開放されており、前記電気フィルタ回路のインピーダンスと前記終端手段のインピーダンスとの和が前記駆動手段のインピーダンスに略等しく、かつ、前記終端手段のインピーダンスと前記電気導波路の特性インピーダンスとが略等しいことを特徴とする光変調器。請求項1に記載の光変調器であって、前記電気フィルタ回路は、前記駆動手段から出力される変調電気信号の低周波側の成分を減衰させることを特徴とする光変調器。請求項1または2に記載の光変調器であって、前記電気フィルタ回路は、コンデンサおよび抵抗が並列に接続されたフィルタ回路であることを特徴とする光変調器。請求項1~3のいずれか1つに記載の光変調器であって、直流電源から供給されるDCバイアスを前記電気導波路の他端に印加するバイアスティ回路をさらに備えることを特徴とする光変調器。しかしながら、上記図12に示したような従来の光変調器では、低周波成分を減衰させる透過特性を持つフィルタ回路130を設けたことにより、低周波領域における電気回路全体のインピーダンスの上昇を招き、図13下段の左側に示すように電気反射特性S11の劣化を引き起こしてしまう。この電気反射特性の劣化により、例えば駆動回路110とフィルタ回路130の間での電気信号の多重反射が生じるようになり、光変調動作に悪影響を及ぼしてしまうという問題があった。このような低周波領域における電気反射特性の劣化に対して、上記の従来技術では、例えば図14に示すようにコンデンサC1および抵抗R1の並列回路にシャント抵抗RSを接続して定抵抗フィルタ回路130’を形成することで、低周波領域でのS11を小さくする構成が示されている。しかし、このような定抵抗フィルタ回路130’は構成が複雑化することに加えて次のような問題が発生する。すなわち、電気光学効果を利用した光変調器の駆動においては、前述したようにDCバイアスVBを電気導波路102に印加する必要があるが、上記の定抵抗フィルタ回路130’を挿入した場合、シャント抵抗RSの存在によりDCバイアスVBを電気導波路102に効率的に印加することができなくなる。このため、図14に示した構成例では、変調電気信号S’が印加される電気導波路102とは別に独立させて、DCバイアスVBを印加するための電極102’を基板100上に形成している。したがって、光変調器のサイズが大きくなってしまうという問題が発生する。また、上述した従来の光変調器では、フィルタ回路130,130’の構成部品としてチップコンデンサやチップ抵抗などが用いられるため、高周波での特性劣化や、チップ部品の実装等の製造性の悪化、フィルタ回路の大型化などを招くという欠点もある。本発明は上記の点に着目してなされたもので、光応答の周波数特性を平坦化するために変調電気信号に対して電気フィルタ回路を適用した場合でも、低周波領域における電気反射特性の劣化を簡略な回路構成により確実に抑えることのできる小型の光変調器を提供することを目的とする。上記の目的を達成するため本発明の一態様は、電気光学効果を有する基板と、光導波路と、該光導波路の少なくとも一部に沿った電気導波路を有する光変調手段と、変調電気信号を生成する駆動手段と、前記電気導波路の一端および前記駆動手段の間に電気的に接続され、前記駆動手段から出力される変調電気信号を前記電気導波路の一端に導く電気線路および該電気線路上に挿入された電気フィルタ回路を有する中継手段と、前記電気導波路を伝播して他端から出力される前記変調電気信号を終端する終端手段と、を備えた光変調器であって、前記電気導波路の一端は、接地電位に対して開放されており、前記電気フィルタ回路のインピーダンスと前記終端手段のインピーダンスとの和が前記駆動手段のインピーダンスに略等しく、かつ、前記終端手段のインピーダンスと前記電気導波路の特性インピーダンスとが略等しいことを特徴とする。上記のような構成の光変調器では、駆動手段から出力される変調電気信号が、光変調手段の電気導波路の一端との間に電気的に接続された中継手段を介して、該光変調手段の電気導波路の一端に導かれる。光変調手段では、電気導波路の一端に与えられた変調電気信号に基づく電気光学効果により光導波路の屈折率が制御され、該光導波路を伝播する光が変調される。この光変調動作において、電気導波路の一端に与えられる変調電気信号は、中継手段の電気線路上に設けられた電気フィルタ回路で処理されているため、前述した従来の場合と同様に、光変調手段における光応答の周波数特性が平坦化される。また、これと同時に、電気フィルタ回路のインピーダンスと終端手段のインピーダンスとの和が駆動手段のインピーダンスに略等しく、言い換えると、電気フィルタ回路のインピーダンスに応じて終端手段のインピーダンスを駆動手段のインピーダンスよりも小さく設定し、かつ、終端手段のインピーダンスと電気導波路の特性インピーダンスとが略等しくなるように設計を行うことで、従来問題となっていた低周波領域における電気反射特性の劣化が低減されるようになる。さらに、電気導波路の一端が接地電位に対して開放されていることで、前述の図14に示したシャント抵抗RSを接続する構成とは異なり、電気導波路の他端にDCバイアスを印加することができるので、光変調器の小型化を図ることが可能になる。このように本発明によれば、電気フィルタ回路を適用して光応答の周波数特性を平坦に保ちつつ、低周波領域における電気反射特性を改善することのできる簡略な構成で小型の光変調器を実現することが可能になる。以下、本発明の光変調器を実施するための最良の形態について添付図面を参照しながら説明する。なお、全図を通して同一の符号は同一または相当部分を示すものとする。図1は、本発明による光変調器の一実施形態を示す構成図である。図1において本光変調器は、例えば、光変調手段としての光導波路11および電気導波路12が形成された基板10と、変調電気信号Sを発生する駆動手段としての駆動回路20と、基板10上の電気導波路12に駆動回路20から出力される変調電気信号Sを導くための中継手段としての中継基板30と、電気導波路12の伝播した電気信号を終端する終端基板40と、を備えて構成される。基板10は、例えばニオブ酸リチウムLiNbO3等の電気光学効果を有する材料が用いられ、その表面若しくは内部にマッハツェンダ型の光導波路11が形成されている。光導波路11は、基板10の一端面から入力される連続光LINを2つに分岐する光分岐部11Aと、該光分岐部11Aで2分岐された各光がそれぞれ与えられる平行な2本のアーム部11B,11Cと、各アーム部11B,11Cを伝播した光を合波して基板10の他端面から出力する光合波部11Dと、を有する。この光導波路11の一方のアーム部11B上には電気導波路進行波電極12が形成されている。電気導波路12は、光入力側に位置する一端と中継基板30とが電気的に接続され、光出力側に位置する他端と終端基板40とが電気的に接続されている。この電気導波路12の特性インピーダンスZは、終端基板40上に設けられた後述する終端抵抗RTの抵抗値と略等しくなるように予め設計されている。駆動回路20は、例えば発振器OSおよびコンデンサC2を有し、所要の変調方式およびビットレートに対応した変調電気信号Sを発生し、該変調電気信号Sを中継基板30に出力する。この駆動回路20は、例えば50Ω等のインピーダンスを有するものとする。ただし、本発明における駆動回路20のインピーダンスは50Ωに限定されるものではなく、任意のインピーダンスを有する駆動回路を用いることが可能である。中継基板30は、駆動回路20から出力される変調電気信号Sの低周波成分を減衰させることが可能な電気フィルタ回路を備えており、該電気フィルタ回路を通過した変調電気信号S’が基板10上の電気導波路12の一端に与えられる。この中継基板30は、具体的には例えば、セラミック基板上にマイクロストリップ線路またはコプレナー線路等の電気線路を形成し、さらに、その電気線路の途中に設けた信号電極上にコンデンサC1および抵抗R1を形成してC,Rの並列フィルタ回路を構成する。コンデンサC1の容量および抵抗R1の抵抗値は、上述の図12に示した従来技術の場合と同様に、変調電気信号のビットレートに応じて設定される周波数帯域において光応答特性が平坦化されるように予め決定されている。図2~図4は、上記中継基板30の具体的な構成例を列挙したものである。図2に示す中継基板30Aは、例えば、セラミック基板31上に形成された帯状の電気線路32の途中にTi2N等の薄膜抵抗33が形成され、この薄膜抵抗33が図1に示した並列フィルタ回路の抵抗R1となる。また、薄膜抵抗33の一端に隣接する電気線路32の一部および薄膜抵抗33上にSiO2等の絶縁膜34が形成され、さらに、絶縁膜34の上面には、薄膜抵抗33の他端に隣接する電気線路32に短絡された金Au電極35が形成され、絶縁膜34を電気線路32および金電極35の間で挟み込むことで、図1に示した並列フィルタ回路のコンデンサC1が構成される。このようにして構成されたC,Rの並列フィルタ回路は、従来のチップ部品を用いた構成と比べて、簡単に製造でき、かつ、優れた高周波特性を実現することが可能である。ただし、薄膜抵抗33と絶縁膜34上に形成された金電極35との間に容量性結合が生じ、理想的なC,Rの並列フィルタ回路より特性がずれる可能性がある点に注意を要する。図3に示す中継基板30Bは、上記の容量性結合を低減するために、図2の構成における薄膜抵抗33を2つの部分に分け、金電極35の下方に位置する部分には薄膜抵抗が形成されないようにした応用例である。この中継基板30Bでは、絶縁膜34が電気線路32上にのみ形成され、該絶縁膜34の上面に形成される金電極35が基板31上を通って電気線路32に短絡されている。このような構成によれば、理想的なC,Rの並列フィルタ回路に近い特性を得ることができるようになる。ただし、薄膜抵抗33の抵抗値を下げ難いため、C,Rの並列フィルタ回路の設計自由度が低いという欠点がある。図4に示す中継基板30Cは、図2の構成について、薄膜抵抗33の一端に隣接する電気線路32の一部の上にのみ絶縁膜34を形成し、薄膜抵抗33上には絶縁膜34を形成しないようにした応用例である。このような構成によれば、薄膜抵抗33の抵抗値の設計自由度を保ちつつ、前述した容量性結合を低減して理想的なC,Rの並列フィルタ回路に近い特性を得ることができるようになる。終端基板40は、基板10上の電気導波路12を伝播した変調電気信号S’を終端する終端手段としての終端抵抗RTと、直流電源から供給されるDCバイアスVBを電気導波路12に印加するための抵抗R2およびコンデンサC3からなるバイアスティ回路とが形成されている。終端抵抗RTの抵抗値は、中継基板30上に形成された電気フィルタ回路のインピーダンスとの和が、駆動回路20のインピーダンスに略等しくなるように予め設計されている。すなわち、終端抵抗RTの抵抗値は、電気フィルタ回路のインピーダンスの設計値に応じて、駆動回路20のインピーダンスよりも小さくなるように設定される。この終端抵抗RTの抵抗値は、前述したように基板10上に形成される電気導波路12の特性インピーダンスZの設計基準値となり、好ましくは、終端抵抗RTの抵抗値と電気導波路12の特性インピーダンスZとが等しくなるように、電気導波路12の設計が行われる。次に、本実施形態の動作について説明する。上記のような構成の光変調器では、基板10上の光導波路11の一端に与えられた入力光LINが光分岐部11Aで2分岐されて各アーム部11B,11Cにそれぞれ送られる。各アーム部11B,11Cを伝播する光は、電気導波路12に印加される変調電気信号S’に応じてアーム部11Bの屈折率が変化することで相対的な位相が制御されて光合波部11Dで合波される。これにより、変調電気信号S’に従って強度変調された出力光LOUTが光導波路11の他端から出力される。このような光変調動作において、電気導波路12に印加される変調電気信号S’は、例えば図5に示すような電気透過特性S21を有する電気フィルタ回路により、駆動回路20から出力される変調電気信号Sの低周波成分を減衰させた信号となっているため、所要の周波数帯域について平坦化された光応答特性が得られるようになる。なお、図5の透過特性は、10Gbpsの変調電気信号Sに対して適用されるC,Rの並列フィルタ回路の一例を示したものであり、本発明に用いられる電気フィルタ回路の透過特性は上記の一例に限定されるものではない。また、C,Rの並列フィルタ回路のインピーダンスと終端抵抗RTの抵抗値との和が駆動回路20のインピーダンス例えば50Ωに略等しくなるように、終端抵抗RTの抵抗値を従来設定の50Ωよりも下げ、かつ、該終端抵抗RTの抵抗値と略等しくなるように電気導波路12の特性インピーダンスZを設計しておくことにより、従来問題となっていた低周波領域における電気反射特性の劣化が改善されるようになる。図6~図9は、終端抵抗RTおよび電気導波路12のインピーダンスZの具体的な設計値に対応させて、周波数に対する電気反射特性S11および光応答特性をそれぞれ例示したものである。なお、ここでは、50Ω系の駆動回路20を10Gbpsのビットレートで使用し、並列フィルタ回路のコンデンサC1を3pF、抵抗R1を20Ωに設定している。終端抵抗RTおよび電気導波路12のインピーダンスZを45Ωに設定した図6の特性、40Ωに設定した図7の特性、35Ωに設定した図8の特性、30Ωに設定した図9の特性それぞれについて、上述の図13下段に示した従来構成RT=Z=50Ωの場合と比較すると、光応答の周波数特性を平坦に保ちつつ、低周波領域における電気反射特性が改善されていることが分かる。よって、上記のような設定条件では終端抵抗RTおよび電気導波路12のインピーダンスZを概ね30~45Ωの範囲内に設定することにより、良好な光応答特性および電気反射特性の両立が可能となる。このように本実施形態の光変調器によれば、駆動回路20から出力される変調電気信号Sを中継基板30上に形成した電気フィルタ回路により低周波成分を減衰させた変調電気信号S’とし、その変調電気信号S’を基板10上の電気導波路12に与えることで、光応答の周波数特性の平坦化を実現することができると共に、電気フィルタ回路のインピーダンスに応じて終端抵抗RTの抵抗値を駆動回路20のインピーダンスよりも小さくし、かつ、終端抵抗RTの抵抗値に略等しくなるように電気導波路12の特性インピーダンスZを設定したことで、低周波領域における電気反射特性の改善を図ることが可能になる。また、上述の図14に示したシャント抵抗RSを用いる場合とは異なり、変調電気信号S’が伝播する電気導波路12に対してDCバイアスVBを印加することができるので、光変調器の小型化を図ることが可能である。さらに、図2~図4に示したような構成を適用することにより、優れた高周波特性および良好な製造性を有する小型のフィルタ回路を実現できる。なお、上述した実施形態では、電気光学効果を有する基板上に形成されたマッハツェンダ型光導波路の一方のアーム部に対して電気導波路を設けた構成例を示したが、双方のアーム部に対して電気導波路をそれぞれ設ける構成についても、上述した実施形態の場合と同様にして本発明を適用することが可能である。また、マッハツェンダ型光導波路を用いて入力光LINを強度変調する場合を示したが、例えば図10に示すように、電気光学効果を有する基板上に形成された1本の光導波路11’に沿って電気導波路12’を形成して入力光LINを位相変調する構成についても本発明は有効である。さらに、上述した実施形態では、コンデンサC1および抵抗R1からなる並列フィルタ回路を用いて変調電気信号Sの低周波成分を減衰させる一例を示したが、本発明に適用される電気フィルタ回路は上記の一例に限らず、光応答の周波数特性の平坦化に有効な公知の構成の電気フィルタ回路を適用することが可能である。"