炭化珪素単結晶を成長させる円筒形状の坩堝8内に、炭化珪素単結晶基板からなる種結晶5が貼り付けられる台座10aが備えられた台座部10を配置すると共に、前記台座10aに貼り付けた前記種結晶5の下方から炭化珪素の原料ガス3を供給することにより、前記種結晶5の表面に前記炭化珪素単結晶を成長させると共に、前記原料ガス3のうちの未反応ガスを前記坩堝8の内周面と前記台座部10の外周面との間を排出経路として排出させる炭化珪素単結晶の製造装置において、前記排出経路を構成する前記坩堝8の内周面と前記台座部10の外周面とにパージガス拡散導入部材9、10cが備えられ、該パージガス拡散導入部材9、10cを通じて前記未反応ガスを希釈化するパージガス15が前記排出経路に導入される構成とされ、前記パージガス拡散導入部材9、10cは、多孔質物質もしくは繊維状物質で構成されており、かさ密度が0.7×103kg/mm3以下とされていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。前記パージガス拡散導入部材9、10cは、2000°C以上の耐熱性を有する材料によって構成されていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。前記パージガス拡散導入部材9、10cは、高融点金属炭化物の低密度焼結体で構成される多孔質物質あるいは繊維状物質とされていることを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。前記パージガス拡散導入部材9、10cは、多孔質カーボンもしくは繊維状カーボンで構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。炭化珪素単結晶を成長させる円筒形状の坩堝8内に、炭化珪素単結晶基板からなる種結晶5が貼り付けられる台座10aが備えられた台座部10を配置すると共に、前記台座10aに貼り付けた前記種結晶5の下方から炭化珪素の原料ガス3を供給することにより、前記種結晶5の表面に前記炭化珪素単結晶を成長させると共に、前記原料ガス3のうちの未反応ガスを前記坩堝8の内周面と前記台座部10の外周面との間を排出経路として排出させる炭化珪素単結晶の製造装置において、前記排出経路を構成する前記坩堝8の内周面と前記台座部10の外周面とにパージガス拡散導入部材9、10cが備えられ、該パージガス拡散導入部材9、10cを通じて前記未反応ガスを希釈化するパージガス15が前記排出経路に導入される構成とされ、前記パージガス拡散導入部材9、10cは、前記パージガス15の入口となる複数の連通孔9c、10dと、前記排出経路側に突出させられた複数の突出部9b、10caとを有し、前記複数の連通孔9c、10dを通過した前記パージガス15が前記複数の突出部9b、10caの間において拡散させられたのち、前記複数の突出部9b、10caの間を出口として噴出させられるガス拡散噴出口にて構成されていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。前記入口となる前記複数の連通孔9c、10dの総面積よりも前記出口となる前記複数の突出部9b、10caの間の総面積の方が大きくされていることを特徴とする請求項5に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。前記複数の突出部9b、10caの先端部の総面積よりも前記出口となる前記複数の突出部9b、10caの間の総面積の方が大きくされていることを特徴とする請求項5または6に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。前記パージガス拡散導入部材9、10cのうち排出経路側の壁面が高融点金属炭化物でコーティングされていることを特徴とする請求項5ないし7のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。しかしながら、単に台座や坩堝に設けた複数の穴からエッチングガスを導入しただけでは、穴の近傍でのSiC多結晶の堆積が抑制できても、穴と穴の間や穴よりも上方部分でのSiC多結晶の堆積を防ぐことができない。このため、排出経路の詰まりの抑制が十分ではなく、SiC単結晶を長時間成長を十分に行うことができなかった。本発明は上記点に鑑みて、排出経路の詰まりをより広い範囲で抑制し、よりSiC単結晶を長時間成長させることが可能なSiC単結晶製造装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、排出経路を構成する坩堝8の内周面と台座部10の外周面とにパージガス拡散導入部材9、10cが備えられ、該パージガス拡散導入部材9、10cを通じて未反応ガスを希釈化するパージガス15が排出経路に導入される構成とされ、パージガス拡散導入部材9、10cは、多孔質物質もしくは繊維状物質で構成されており、かさ密度が0.7×103kg/mm3以下とされていることを特徴としている。このように、原料ガス3のうちの未反応ガスの排出経路にパージガス拡散導入部材9、10cを配置し、パージガス拡散導入部材9、10cのほぼ全域でパージガス15を導入できるようにしている。このため、排出経路の詰まりをより広い範囲で抑制することが可能となり、よりSiC単結晶を長時間成長させることが可能な構成のSiC単結晶製造装置にできる。具体的には、パージガス拡散導入部材9、10cをかさ密度が0.7×103kg/mm3以下の多孔質物質もしくは繊維状物質で構成することで、パージガス拡散導入部材9、10cの内部に存在する無数の隙間を通じてパージガス15が広範囲に拡散されるようにすることができる。請求項2に記載の発明では、パージガス拡散導入部材9、10cは、2000°C以上の耐熱性を有する材料によって構成されていることを特徴としている。このように、パージガス拡散導入部材9、10cを2000°C以上の耐熱性を有する材料とすることで、SiC単結晶の成長温度でも耐え得るものとすることができる。例えば、請求項3に記載したように、パージガス拡散導入部材9、10cを高融点金属炭化物の低密度焼結体で構成される多孔質物質あるいは繊維状物質にて構成することができる。また、請求項4に記載したように、パージガス拡散導入部材9、10cを多孔質カーボンもしくは繊維状カーボンで構成しても良い。請求項5に記載の発明では、排出経路を構成する坩堝8の内周面と台座部10の外周面とにパージガス拡散導入部材9、10cが備えられ、該パージガス拡散導入部材9、10cを通じて未反応ガスを希釈化するパージガス15が排出経路に導入される構成とされ、パージガス拡散導入部材9、10cは、パージガス15の入口となる複数の連通孔9c、10dと、排出経路側に突出させられた複数の突出部9b、10caとを有し、複数の連通孔9c、10dを通過したパージガス15が複数の突出部9b、10caの間において拡散させられたのち、複数の突出部9b、10caの間を出口として噴出させられるガス拡散噴出口にて構成されていることを特徴としている。このように、原料ガス3のうちの未反応ガスの排出経路にパージガス拡散導入部材9、10cを配置し、パージガス拡散導入部材9、10cのほぼ全域でパージガス15を導入できるようにしている。このため、排出経路の詰まりをより広い範囲に渡って抑制することが可能となり、よりSiC単結晶を長時間成長させることが可能な構成のSiC単結晶製造装置にできる。具体的には、パージガス15の入口となる複数の連通孔9c、10dと、排出経路側に突出させられた複数の突出部9b、10caとを有し、複数の連通孔9c、10dを通過したパージガス15が複数の突出部9b、10caの間において拡散させられたのち、複数の突出部9b、10caの間を出口として噴出させられるガス拡散噴出口によってパージガス拡散導入部材9、10cを構成することができる。具体的には、請求項6に記載したように、入口となる複数の連通孔9c、10dの総面積よりも出口となる複数の突出部9b、10caの間の総面積の方が大きくされるようにすることで、複数の連通孔9c、10dを通過したパージガス15が複数の突出部9b、10caの間において拡散させられるようにできる。請求項7に記載の発明では、複数の突出部9b、10caの先端部の総面積よりも出口となる複数の突出部9b、10caの間の総面積の方が大きくされていることを特徴としている。このような構成とすれば、パージガス拡散導入部材9、10cのうちの排出経路側の壁面の総面積出口の総面積と突出部9b、10caの先端部の総面積の和に対する出口の総面積の割合を大きくでき、より広い範囲においてパージガス15を噴出させられると共に、入口から出口に至るまでに広い範囲でパージガス15を拡散させることが可能となる。請求項8に記載の発明では、パージガス拡散導入部材9、10cのうち排出経路側の壁面が高融点金属炭化物でコーティングされていることを特徴としている。これにより、パージガス拡散導入部材9、10cが熱エッチングされることを抑制することも可能となる。なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。第1実施形態図1に、本実施形態のSiC単結晶製造装置1の部分断面斜視図を示す。以下、この図を参照してSiC単結晶製造装置1の構造について説明する。図1に示すSiC単結晶製造装置1は、底部に備えられた流入口2を通じてキャリアガスと共にSiおよびCを含有するSiCの原料ガス3例えば、シラン等のシラン系ガスとプロパン等の炭化水素系ガスの混合ガスを供給し、上部の流出口4を通じて排出することで、SiC単結晶製造装置1内に配置したSiC単結晶基板からなる種結晶5上にSiC単結晶を結晶成長させるものである。SiC単結晶製造装置1には、真空容器6、断熱材7、坩堝8、パージガス拡散導入部材9、台座部10、外周断熱材11、回転引上ガス導入機構12および第1、第2加熱装置13、14が備えられている。真空容器6は、石英ガラスなどで構成され、中空円筒状を為しており、キャリアガスや原料ガス3の導入導出が行え、かつ、SiC単結晶製造装置1の他の構成要素を収容すると共に、その収容している内部空間の圧力を真空引きすることにより減圧できる構造とされている。この真空容器6の底部に原料ガス3の流入口2が設けられ、上部具体的には側壁の上方位置に原料ガス3の流出口4が設けられている。断熱材7は、円筒形状を為しており、真空容器6に対して同軸的に配置され、中空部により原料ガス導入管7aを構成している。断熱材7は、例えば黒鉛で構成されるが、表面をTaC炭化タンタルやNbC炭化ネオジウムなどの高融点金属炭化物にてコーティングした黒鉛などで構成されるようにすれば、熱エッチングを抑制することもできる。坩堝8は、加熱容器8aと外周容器8bとを備えた構成とされている。加熱容器8aは、原料ガス3を加熱分解する加熱室を構成しており、例えば黒鉛で構成されるが、表面をTaC炭化タンタルやNbC炭化ネオジウムなどの高融点金属炭化物にてコーティングした黒鉛などで構成されるようにすれば、熱エッチングを抑制することもできる。この加熱容器8aは、原料ガス3の流動方向における台座部10よりも上流側に配置されている。この加熱容器8aにより、流入口2から供給された原料ガス3を種結晶5に導くまでに、原料ガス3に含まれたパーティクルを排除しつつ、原料ガス3を分解している。具体的には、加熱容器8aは、中空円筒状部材を有した構造とされ、本実施形態の場合は有底円筒状部材で構成されている。加熱容器8aには、底部に断熱材7の中空部と連通させられるガス導入口8cが備えられ、断熱材7の中空部を通過してきた原料ガス3がガス導入口8cを通じて加熱容器8a内に導入される。外周容器8bは、中空部を有する円筒状部材によって構成され、中空部内に加熱容器8aが収容されることで、加熱容器8aの外周を囲むように配置される。外周容器8bの中心軸は、加熱容器8aの中心軸に対して同軸的に配置され、外周容器8bの内径が加熱容器8aの外径に対して所定寸法大きくされている。このため、外周容器8bと加熱容器8aとの間に隙間が形成されており、この隙間を通じてパージガス15が流動させられるようになっている。また、外周容器8bのうちの上部、つまりパージガス15の流動方向下流側の端部には、外周容器8bの内径が縮小されたストッパ部8dが備えられている。このストッパ部8dと加熱容器8aのうち原料ガス3の流動方向下流側の端部との間に、次に説明するパージガス拡散導入部材9を配置している。パージガス拡散導入部材9は、パージガス15を広範囲に拡散させながら通過させて、台座部10の周囲に供給する部材である。パージガス15は、ArやHeなどの不活性ガスやH2やHClなどのエッチングガスにて構成され、原料ガス3のうちの未反応ガスを希釈化してSiC多結晶の付着を防止する付着防止ガスとして機能する。パージガス拡散導入部材9は、加熱容器8aよりも原料ガス3の流動方向の下流側において、台座部10の周囲を囲むように備えられている。具体的には、パージガス拡散導入部材9は、例えば中空部を有する円筒形状で構成されており、パージガス拡散導入部材9の中空部は、加熱容器8aの中空部と連通させられている。本実施形態では、パージガス拡散導入部材9の内径と加熱容器8aの内径とが一致させられており、パージガス拡散導入部材9の内壁面と加熱容器8aの内壁面とが段差無く繋がった状態になっている。パージガス拡散導入部材9は、多孔質物質もしくは繊維状物質で構成されており、かさ密度が0.7×103kg/mm3以下とされ、パージガス15を広範囲に拡散させながら通過させられる材料で構成されている。また、パージガス拡散導入部材9は、SiC単結晶の成長温度2000~2200°C以上に対する耐熱性を有する材料とされ、例えば高融点金属炭化物TaC炭化タンタルやNbC炭化ネオジウムなどの低密度焼結体で構成される多孔質物質あるいは繊維状物質とされている。真空容器6の底面にパージガス導入孔16が備えられており、パージガス導入孔16から導入されたパージガス15が加熱容器8aと外周容器8bとの間の隙間を通じてパージガス拡散導入部材9側に流動したのち、パージガス拡散導入部材9の内部を通過して台座部10の周囲に供給されるようになっている。このとき、パージガス拡散導入部材9が多孔質物質もしくは繊維状物質で構成されるようにしてあるため、内部に存在する無数の隙間を通じてパージガス15が広範囲に拡散され、パージガス拡散導入部材9の内周面の全域から台座部10の周囲に向かってパージガス15を導入することが可能となる。台座部10は、加熱容器8aの中心軸と同軸的に配置された円柱状部材であり、加熱容器8a側の先端部を台座10aとして、台座10aの表面に種結晶5が下向きに貼り付けられることで種結晶5の表面にSiC単結晶を成長させる。台座部10の側面、つまり台座10aよりも原料ガス3の流動方向の下流側では、パージガスを導入できるようになっており、台座10aの周囲や台座10aよりも原料ガス3の流動方向の下流側においてSiC多結晶が堆積することが防止できるようになっている。また、台座部10は、台座10aの裏面側にパージガス供給経路を構成するガス供給部10bを備えていると共に、ガス供給部10bの外周を囲むように配置されたパージガス拡散導入部材10cを備えている。ガス供給部10bは、中空部を有するパイプ状部材によって構成されており、一端が台座10aによって閉塞されていると共に、側壁に中空部の内外を連通する複数の断面円形状の連通孔10dが形成されており、中空部に導入されたパージガス15がこの連通孔10dを通じて外周方向へ流動する構造とされている。ガス供給部10bのうち台座10aとは反対側の端部は部分的に外径が拡大されたフランジ部10eとされており、このフランジ部10eにおいて回転引上ガス導入機構12に接続されている。なお、本実施形態では、台座部10のうちのパージガス拡散導入部材10c以外の部分は、例えば黒鉛で構成されるが、表面をTaC炭化タンタルやNbC炭化ネオジウムなどの高融点金属炭化物にてコーティングした黒鉛などで構成されるようにすれば、熱エッチングを抑制することもできる。パージガス拡散導入部材10cは、フランジ部10eと台座10aとの間に配置されている。パージガス拡散導入部材10cは、円筒形状を成しており、ガス供給部10bから供給されるパージガス15を広範囲に拡散させながら通過させて、台座部10の周囲に供給する。このパージガス拡散導入部材10cは、多孔質物質もしくは繊維状物質で構成されており、かさ密度が0.7×103kg/mm3以下とされ、パージガス15を通過させられる材料で構成されている。また、パージガス拡散導入部材10cは、SiC単結晶の成長温度2000~2200°C以上に対する耐熱性を有する材料とされ、例えば高融点金属炭化物TaC、NbCなどの低密度焼結体で構成される多孔質物質あるいは繊維状物質とされている。外周断熱材11は、坩堝8の外周面と真空容器6の内周面との間において、坩堝8の外周を囲むように配置されている。この外周断熱材11により、坩堝8と真空容器6との間の断熱が成され、坩堝8の保温が行われている。回転引上ガス導入機構12は、パイプ材12aを介して台座部10の回転および引上げを行う。パイプ材12aは、一端が台座部10のうちのフランジ部10e側の端部に接続されており、他端が回転引上ガス導入機構12の本体に接続されている。このパイプ材12aは、例えば黒鉛によって構成されるが、表面をTaC炭化タンタルなどの高融点金属炭化物にてコーティングした黒鉛などで構成されるようにすれば、熱エッチングを抑制することもできる。このような構成により、パイプ材12aと共に台座部10、種結晶5およびSiC単結晶の回転および引き上げが行え、SiC単結晶の成長面が所望の温度分布となるようにしつつ、SiC単結晶の成長に伴って、その成長表面の温度が常に成長に適した温度に調整できる。また、回転引上ガス導入機構12は、パイプ材12aの内部にArやHeなどの不活性ガスやH2やHClなどのエッチングガスにて構成されるパージガス15を導入し、パイプ材12aの先端に接続された台座部10のガス供給部10bに対してパージガス15を供給する。この回転引上ガス導入機構12から供給されるパージガス15がガス供給部10bからパージガス拡散導入部材10cを通じて台座部10の周囲に導入される。第1、第2加熱装置13、14は、誘導加熱用コイルやヒータによって構成され、真空容器6の周囲を囲むように配置されている。これら第1、第2加熱装置13、14は、それぞれ独立して温度制御できるように構成されている。このため、より細やかな温度制御を行うことができる。第1加熱装置13は、加熱容器8aと対応した位置に配置されている。第2加熱装置14は、台座部10と対応した位置に配置されている。このような配置とされているため、第1、第2加熱装置13、14を制御することにより、SiC単結晶の成長表面の温度分布をSiC単結晶の成長に適した温度に調整できる。このような構造により、本実施形態にかかるSiC単結晶製造装置1が構成されている。続いて、本実施形態にかかるSiC単結晶製造装置1を用いたSiC単結晶の製造方法について説明する。まず、台座部10に種結晶5を取り付けたのち、第1、第2加熱装置13、14を制御し、所望の温度分布を付ける。すなわち、種結晶5の表面において原料ガス3が再結晶化されることでSiC単結晶が成長しつつ、加熱容器8a内において再結晶化レートよりも昇華レートの方が高くなる温度となるようにする。また、真空容器6を所望圧力にしつつ、必要に応じてArやHeなどの不活性ガスによるキャリアガスやH2やHClなどのエッチングガスを導入しながら原料ガス導入管7aを通じて原料ガス3を導入する。これにより、図1中の実線矢印で示したように、原料ガス3が流動し、種結晶5に供給されてSiC単結晶を成長させることができる。そして、原料ガス3のうちの未反応ガスについては、台座部10の外周面と坩堝8の内周面との間を排出経路として上方に流動させられ、流出口4を通じて排出させられる。このとき、回転引上ガス導入機構12や図示しないガス供給源より、パイプ材12aやパージガス導入孔16を通じてArやHeなどの不活性ガスやH2やHClなどのエッチングガスにて構成されるパージガス15を導入している。これにより、図1中の破線矢印に示したように、パージガス15が坩堝8の加熱容器8aと外周容器8bの間の隙間やパイプ材12aおよび台座部10内に形成されたガス導入経路を通じて、台座部10の外周に供給される。このため、原料ガス3のうちの未反応ガスがパージガス拡散導入部材9、10cの間を排出経路として流出口4から排出される際に、排出経路にSiC多結晶が堆積することを抑制することが可能となる。このとき、パージガス拡散導入部材9、10cをかさ密度が0.7×103kg/mm3以下とされた多孔質物質もしくは繊維状物質で構成されるようにしているため、パージガス15が広範囲に拡散させて通過させることができる。したがって、原料ガス3のうちの未反応ガスの排出経路を構成するパージガス拡散導入部材9、10cのほぼ全域でパージガス15を導入でき、排出経路の詰まりをより広い範囲に渡って抑制することが可能となる。以上説明したように、原料ガス3のうちの未反応ガスの排出経路にパージガス拡散導入部材9、10cを配置し、パージガス拡散導入部材9、10cのほぼ全域でパージガス15を導入できるようにしている。このため、排出経路の詰まりをより広い範囲に渡って抑制することが可能となり、SiC単結晶製造装置1をよりSiC単結晶を長時間成長させることが可能な構成にできる。第2実施形態本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してパージガス拡散導入部材9、10cをガス拡散噴出口にて構成したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。図2は、本実施形態にかかるSiC単結晶製造装置1の部分断面斜視図である。また、図3は、図2の領域Rの部分拡大図である。これらの図を参照して、本実施形態にかかるSiC単結晶製造装置1について説明する。図2に示されるように、本実施形態では、パージガス拡散導入部材9、10cをガス拡散噴出口によって構成し、このガス拡散噴出口によってパージガス15を広範囲に拡散させる。図2に示すように、パージガス拡散導入部材9は、円筒形状の外周壁9aとこの外周壁9aの内周面を部分的に突出させた突出部9bとを有した構成とされている。外周壁9aは、両端が加熱容器8aと外周容器8bのストッパ部8dとの間に挟まれるように配置されている。この外周壁9aには、内周面と外周面とを貫通する複数の断面円形状の連通孔9cが形成され、この複数の連通孔9cを通じてパージガス15を台座部10の周囲に導入できるようにしてある。突出部9bは、外周壁9aの内周を1周するように設けられていると共に、中心軸に平行な方向において等間隔に複数個備えられることでフィン形状とされている。上記した複数の連通孔9cは、隣り合う突出部9bの間、例えば隣り合う突出部9bの中央位置に設けられ、周方向に等間隔に配置されている。そして、図3に示すように、連通孔9cを入口とし、各突出部9bの間をパージガス15の出口とするガス拡散噴出口が構成され、加熱容器8aと外周容器8bとの間の隙間を通じて供給されたパージガス15が連通孔9cを通じてガス拡散噴出口内に入り、各突出部9bの間で拡散されてから出口を通じて噴出される。入口となる複数の連通孔9cのコンダクタンスが加熱容器8aと外周容器8bとの間の隙間によって構成されるパージガス15の流路のコンダクタンスと比較して大きくなるようなサイズに設計してあり、すべての連通孔9cから偏り無くパージガス15が噴出させられるようにしてある。また、各突出部9bの間に構成される出口の総面積が各突出部9bの先端部の総面積よりも大きくなるようにしてあり、かつ、出口の総面積が入口の総面積よりも大きくなるようにしてある。このため、パージガス拡散導入部材9のうち排出経路側の壁面の総面積出口の総面積と突出部9bの先端部の総面積の和に対する出口の総面積の割合を大きくでき、より広い範囲においてパージガス15を噴出させられると共に、入口から出口に至るまでに広い範囲でパージガス15を拡散させることが可能となる。このような構成によれば、複数の連通孔9cから導入されたパージガス15が各突出部9bの間の空間内で広範囲に均等に拡散されてから出口より噴出される。このため、パージガス拡散導入部材9のほぼ全域でパージガス15を導入でき、排出経路の詰まりをより広い範囲に渡って抑制することが可能となる。一方、パージガス拡散導入部材10cは、ガス供給部10bの外周面を部分的に突出させた突出部10caによって構成されている。突出部10caはガス供給部10bの外周面を1周するように設けられていると共に、中心軸に平行な方向において等間隔に複数個備えられることでフィン形状とされている。上記した複数の連通孔10dは、隣り合う突出部10caの間、例えば隣り合う突出部10caの中央位置に配置され、周方向において等間隔に配置されている。そして、連通孔10dを入口とし、各突出部10caの間をパージガス15の出口とするガス拡散噴出口が構成され、ガス供給部10bを通じて供給されたパージガス15が連通孔10dを通じてガス拡散噴出口内に入り、各突出部10caの間で拡散されてから出口を通じて噴出される。入口となる複数の連通孔10dのコンダクタンスがガス供給部10b内に構成されるパージガス15の流路のコンダクタンスと比較して大きくなるようなサイズに設計してあり、すべての連通孔10dから偏り無くパージガス15が噴出させられるようにしてある。また、各突出部10caの間に構成される出口の総面積が各突出部10caの先端部の総面積よりも大きくなるようにしてあり、かつ、出口の総面積が入口の総面積よりも大きくなるようにしてある。このため、パージガス拡散導入部材10cの外周面の総面積出口の総面積と突出部10caの先端部の総面積の和に対する出口の総面積の割合を大きくでき、より広い範囲においてパージガス15を噴出させられると共に、入口から出口に至るまでに広い範囲でパージガス15を拡散させることが可能となる。このような構成によれば、複数の連通孔10dから導入されたパージガス15が各突出部10caの間の空間内で広範囲に均等に拡散されてから出口より噴出される。このため、パージガス拡散導入部材10cのほぼ全域でパージガス15を導入でき、排出経路の詰まりをより広い範囲に渡って抑制することが可能となる。以上説明したように、パージガス拡散導入部材10cをガス拡散噴出口によって構成することもできる。このようにしても、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態の場合、パージガス拡散導入部材9、10cに備えられる各突出部9b、10caが周方向に1周備えられた構造とされているため、隣り合う各突出部9b、10caの間に構成されるガス拡散噴出口の出口も周方向に1周繋がった構造となる。したがって、パージガス15の流れは均等に分散され、パージガス拡散導入部材9の全域において径方向外側から内側に向かう向きの流れが形成されると共に、パージガス拡散導入部材10cの全域において径方向内側から外側に向かう向きの流れが形成される。このため、より広範囲に偏り無くパージガス15を導入でき、排出経路の詰まりをより広い範囲に渡って抑制することが可能となる。なお、このような構造のパージガス拡散導入部材9、10cについては、第1実施形態と異なり、多孔質物質や繊維状物質などではない一般的な黒鉛などによって形成することができる。さらに、パージガス拡散導入部材9、10cのうち排出経路側の壁面突出部9b、10caの各面や突出部9b、10caが形成されていない部分の面をTaC、NbCなどの高融点金属でコーティングすることもできる。このような構成とすれば、パージガス拡散導入部材9、10cが熱エッチングを抑制することも可能となる。他の実施形態上記各実施形態では、SiC単結晶製造装置1の構造の一例を説明したが、ここで説明した構造以外の構造であっても良い。すなわち、円筒形状の坩堝8内に、種結晶5が貼り付けられる台座10aが備えられた台座部10を配置すると共に、種結晶5の下方から原料ガス3を供給することによりSiC単結晶を成長させ、坩堝8の内周面と台座部10の外周面との間を排出経路として未反応ガスを排出させる構造であれば良い。そして、このような構造において、排出経路を構成する坩堝8の内周面と台座部10の外周面とにパージガス拡散導入部材9、10cが備えられ、該パージガス拡散導入部材9、10cを通じて未反応ガスを希釈化するパージガス15が排出経路に導入されるようにすればよい。上記第1実施形態では、パージガス拡散導入部材9、10cを構成する多孔質物質もしくは繊維状物質の一例として、例えば高融点金属炭化物の低密度焼結体で構成される多孔質物質あるいは繊維状物質を例に挙げた。しかしながら、これに限るものではなく、例えば、パージガス拡散導入部材9、10cを多孔質カーボンや繊維状カーボンによって構成することもできる。また、上記第2実施形態では、パージガス拡散導入部材9のガス拡散噴出口を構成するために用いられる連通孔9cや、パージガス拡散導入部材10cのガス拡散噴出口を構成するために用いられる連通孔10dを断面円形状としたが、それに限るものではない。図4および図5は、パージガス拡散導入部材9のガス拡散噴出口を構成するための連通孔9cの形状を変えたときの様子を示した斜視模式図であり、aは複数の連通孔9c近傍の透過斜視図、bは1つの連通孔9cを通じてのパージガス15の拡散の様子を示した図、cはパージガス拡散導入部材9を中心から見たときの各出口のレイアウトの模式図である。図5aに示すように、連通孔9cの断面形状を四角形とすることもできる。このようにする場合、図5bに示すように、連通孔9cを入口として各突出部9bの間を出口としたパージガス15の流動部分の形状が略四角錐状となり、図5cに示すように、各出口が隣接し合うように連通孔9cの間隔を設定すると、ほぼパージガス拡散導入部材9の内周面の全域にパージガス15を拡散させることが可能となる。また、図6aに示すように、連通孔9cの断面形状を三角形とすることもできる。このようにする場合、図6bに示すように、連通孔9cを入口として各突出部9bの間を出口としたパージガス15の流動部分の形状が略三角錐状となり、隣り合う連通孔9cの三角形の上下方向での向きを交互に入れ替えるようにすれば、図6cに示すように、各出口が隣接し合うようにでき、ほぼパージガス拡散導入部材9の内周面の全域にパージガス15を拡散させることが可能となる。なお、ここではパージガス拡散導入部材9のガス拡散噴出口を構成するために用いられる連通孔9cの形状を変更する場合の一例を挙げたが、ここで挙げた形状以外の形状としても良い。勿論、パージガス拡散導入部材10cのガス拡散噴出口を構成するために用いられる連通孔10dについても、連通孔9cと同様の形状を適用できる。