"超伝導コイルと、この超伝導コイルを包囲するように配置され、一本以上のスリットが形成された輻射シールドと、前記超伝導コイルと前記輻射シールドを内包する真空容器と、を備えた超伝導磁石装置において、前記輻射シールドは、前記スリットに前記輻射シールドと同等材で形成したスペーサを、絶縁層を介して嵌め込んで固定していることを特徴とする超伝導磁石装置。超伝導コイルと、この超伝導コイルを包囲するように配置され、一本以上のスリットが形成された輻射シールドと、前記超伝導コイルと前記輻射シールドを内包する真空容器と、を備えた超伝導磁石装置において、前記輻射シールドの前記スリットの対向する面が、絶縁層を介して接触していることを特徴とする超伝導磁石装置。前記輻射シールド及び前記スペーサは、アルミニウム合金からなり、前記絶縁層は、アルミナ製の皮膜からなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の超伝導磁石装置。前記絶縁層は、樹脂で構成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の超伝導磁石装置。前記絶縁層は、めっきによって構成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の超伝導磁石装置。前記絶縁層は、前記スリット内に複数に分割して配置されていることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の超伝導磁石装置。請求項1ないし請求項6に記載の超伝導磁石装置であって、前記超伝導磁石装置は、MRI装置に設けられていることを特徴とするMRI装置。しかしながら、前記特許文献1に記載されたMRI装置用超伝導磁石装置は、輻射シールドにスリットを設けても、渦電流がなくなるということではなく、むしろ複雑な形で渦電流が流れるようになり、その渦電流により電磁力が働いて、輻射シールドが振動するという問題点があった。また、輻射シールドの各スリットの軸方向両端側に存する連結部分だけでは、振動に対する拘束が不十分な場合がある。このような場合には、超伝導コイルがクエンチすると、輻射シールドが損傷したり、あるいは、変形したりするという問題点があった。そのため、特許文献1に記載されたMRI装置用超伝導磁石装置は、FRPFiberReinforcedPlastics層を追加して剛性を上げる対策を実施している。一般的にFRP層は、アルミニウム合金より剛性が低く、ある程度の剛性向上は見込めるものの、構造的に特性が不連続な部分ができるという問題点があった。また、クエンチ時には、冷却時の熱収縮差による熱応力に加えて、輻射シールドが温度上昇して熱膨張することによる負荷が重畳するため、十分な強度がないと、スリットが変形して電気絶縁物にダメージを与えるという問題点があった。また、FRP層は、電磁気的な遮蔽効果がないため、スリットからヘリウム容器の方へ傾斜磁場コイルからの漏れ磁場が入り、ヘリウム容器で渦電流が発生してヘリウム消費量が増加するという問題点があった。そこで、本発明は、スリットを有する輻射シールドの強度を向上させた超伝導磁石装置及びこれを備えたMRI装置を提供することを課題とする。上記課題を解決するために、本発明に係る超伝導磁石装置は、超伝導コイルと、この超伝導コイルを包囲するように配置され、一本以上のスリットが形成された輻射シールドと、前記超伝導コイルと前記輻射シールドを内包する真空容器と、を備えた超伝導磁石装置において、前記輻射シールドは、前記スリットに前記輻射シールドと同等材で形成したスペーサを、絶縁層を介して嵌め込んで固定していることを特徴とする。ここで、同等材とは、熱膨張率熱収縮率及び縦弾性係数ヤング率が近い値の材料をいう。例えば、同等材は、この二つの部材の熱膨張率の差が2×10-6/°C以下例えば、アルミニウム合金の場合、22.5×10-6/°C~24.5×10-6/°Cで、縦弾性係数の差が10GPa以下例えば、アルミニウム合金の場合、68~78GPaの材料を使用することが好ましく、さらに、熱膨張率の差が1×10-6/°C以下例えば、アルミニウム合金の場合、23×10-6/°C~24×10-6/°Cで、縦弾性係数の差が5GPa以下例えば、アルミニウム合金の場合、70~75GPaの材料を使用することがより好ましい。この構成によれば、超伝導磁石装置は、輻射シールドのスリットに、輻射シールドと同等材で形成したスペーサを、絶縁層を介して嵌め込んで固定していることにより、超伝導コイルがクエンチした場合でも、輻射シールドが過大な渦電流で損傷を受けたり、変形したりするのを減少させることができると共に、また、電磁力によって発生する振動を抑制できる高い剛性を持たせることができる。これにより、超伝導コイルによって発生する磁場を安定化させることができる。また、前記超伝導磁石装置は、MRI装置に設けられていることを特徴とする。前記超伝導磁石装置は、MRI装置に設けられていることによって、クエンチの際に輻射シールドが振動したり、変形したりするのを抑制することができる。本発明は、スリットを有する輻射シールドの強度を向上させた超伝導磁石装置及びこれを備えたMRI装置を提供することができる。以下、本発明の実施形態に係る超伝導磁石装置及びこれを備えたMRI装置ついて説明する。図1に示すように、本発明に係る超伝導磁石装置2は、輻射シールド6を備えたMRI装置1やNMR装置図示省略に適用可能であるが、以下、その一例として、MRI装置1に使用した場合を例に挙げて説明する。≪MRI装置の構成≫図1に示すように、MRI装置1は、医療用の画像診断を行う際に使用されるいわゆる磁気共鳴撮像装置であり、所定の静磁場下に置かれた患者被検体の被撮像部位に、所定のパルスシーケンスでRFパルス、傾斜磁場を印加し、これによって発生したエコー信号を収集後処理して磁気共鳴画像を得るものである。MRI装置1は、例えば、略円筒形の超伝導磁石装置2と、被検体を載せるベッド11と、超伝導磁石装置2に着脱可能に設けられた冷凍機12と、超伝導磁石装置2及び冷凍機12を制御する制御装置13と、を備えて超伝導磁石システムを構成している。<ベッド、冷凍機及び制御装置の構成>ベッド11は、略円筒状の超伝導磁石装置2内の診断空間9に挿入される移動式ベッドである。冷凍機12は、輻射シールド6を冷却するための冷凍機であり、例えば、冷凍機内部の蓄冷剤の入ったピストンを上下駆動させてヘリウムガスを断熱膨張させることで、液体冷媒を使用することなく極低温まで冷却可能なGM冷凍機等の機械式冷凍機からなる。制御装置13は、超伝導磁石装置2を用いて被検体からの核磁気共鳴信号を解析し断層像化する装置であり、表示装置及び入力装置を備えている。≪超伝導磁石装置の構成≫図5に示すように、前記超伝導磁石装置2は、中心軸となるコイル軸が水平方向の円筒状の複数の超伝導コイル3と、この超伝導コイル3を冷媒4と共に収納した冷媒容器5と、この冷媒容器5を包囲するように設けられた輻射シールド6と、この輻射シールド6を包囲し、内部を真空の状態に保持している真空容器7と、この真空容器7のコイル軸側に配置された傾斜磁場コイル8と、を有している図2に示すように、超伝導磁石装置2は、円筒状のアルミニウム合金で形成した輻射シールド6に2本のスリット62を長手方向に向けて形成し、そのスリット62に輻射シールド6の円筒体61と同等材のアルミニウム合金で形成したスペーサ63を嵌め込んで固定した構造になっている。≪輻射シールドの構成≫まず始めに、超伝導磁石装置2の輻射シールド6について説明する。輻射シールド6は、円筒体61と、スリット62と、スペーサ63と、絶縁層64絶縁材とを有し、例えば、略円筒状のアルミニウム合金から形成されている。輻射シールド6は、この輻射シールド6の内側に冷媒容器5が収納され、輻射シールド6の外側が真空容器7によって覆われている。輻射シールド6は、冷凍機12で冷却されることにより、輻射による冷媒容器5内の冷媒4の蒸発量を低減させることができる。<円筒体の構成>円筒体61は、例えば、輻射シールド6のコイル軸側内径側に組み込まれるか、または、一体形成される円筒形状の部材であり、伝熱性及び電気伝導度が高く、非磁性材料であるアルミニウム合金等からなる。円筒体61は、スリット62に円筒体61と同等材で形成したスペーサ63を、絶縁層64を介して嵌め込んで固定されている。<スリットの構成>図2に示すように、スリット62は、クエンチの際に、過電流によって発生する電磁力で輻射シールド6が破損あるいは変形するのを減少させるために、例えば、左右の側壁に形成されている。このスリット62は、例えば、円筒状の輻射シールド6の外周部からその内側まで貫通して形成され、コイル軸に沿って前後方向に細長く矩形に形成されている。スリット62は、輻射シールド6が円筒形状の場合、円筒体61の軸対称となる左右の位置に配置され、輻射シールド6の全体構造及び形状の対称性が保たれて、均一な条件となるので、渦電流の影響や変形に対して有利である。このように、スリット62は、円筒体61の対称な位置に形成することが望ましい。なお、スリット62は、輻射シールド6が円筒形状でない場合であっても、同様に構造の対称性が崩れない位置に配置することが望ましい。また、スリット62の数は、1本以上あればよく、その数は特に限定されない。図5に示すように、スリット62は、画像診断に用いるのに必要となる撮像領域90への影響を抑えるために、その撮像領域90の長さd1と同じ長さL1とすればよい。また、それ以上に長く形成することができれば、より効果がある。例えば、撮像領域90が直径500mmの球形とした場合、スリット62の長さL1は、それと同じ500mmか、それ以上とすれば、輻射シールド6に流れる渦電流の影響を十分に抑制することができる。<スペーサの構成>図2に示すように、スペーサ63は、スリット62に内嵌される細長い部材であり、上下左右の各表面に絶縁層64絶縁材が形成されている。このようにスリット62に、電気絶縁性の絶縁層64で嵌合面を形成したスペーサ63を嵌め込むことによって、スペーサ63は、クエンチの際に、輻射シールド6が振動するのを抑制するのに寄与する。このスペーサ63は、円筒体61と同等材で形成されている。前記同等材とは、熱膨張率熱収縮率及び縦弾性係数が近い材料のことを指し、例えば、アルミニウム合金であれば、JIS記号がA1050の純アルミニウム系のアルミニウム合金、JIS記号がA5083のAl-Mgのアルミニウム合金溶接構造用合金、JIS記号がA2024のAl-Cu系のアルミニウム合金超ジュラルミン等のいずれの組み合わせからなる。例えば、輻射シールド6とスペーサ63の両者をJIS記号がA1050のアルミニウム合金としてもよい。また、輻射シールド6を溶接構造で作成する場合には、輻射シールド6は溶接に適するJIS記号がA5083のアルミニウム合金を使用し、スペーサ63はアルマイト処理に適したJIS記号がA1050のアルミニウム合金を使用した組み合わせにしてもよい。<絶縁層の構成>絶縁層64絶縁材は、スリット62とスペーサ63との間を絶縁状態にするための絶縁部材であり、スリット62の内壁面とスペーサ63の外嵌面との間に介在されて、スリット62とスペーサ63とを互いに絶縁した状態で隙間なく固着されている。例えば、スペーサ63がアルミニウム合金製の場合、スペーサ63に対してアルマイト処理を行い、絶縁層64には、アルミナの酸化皮膜陽極酸化皮膜を用いる。アルマイト処理は、条件を適正化することにより、膜厚を精度よく制御することが可能であるため、必要な性能に応じて絶縁層64の膜厚を設定する。絶縁層64の膜厚を厚くした場合は、電気絶縁性が向上し信頼性が確保し易い。なお、絶縁層64をアルマイト処理によってアルミナの酸化膜を形成する手法を説明したが、それ以外のアルミニウム酸化膜を形成する手法を用いて絶縁層64を形成してもよい。また、絶縁層64は、めっきによる方法や、樹脂の絶縁皮膜を形成する方法を用いて形成しても構わない。絶縁層64は、通常、数~10μm程度の膜厚を形成すれば、十分な電気抵抗を持ち、剥離しない強度を備えることになる。なお、絶縁層64は、十分な電気抵抗が得られるのであれば、数~10μm程度より薄い膜厚でもよい。また、絶縁層64は、渦電流が大きく、より高い電気抵抗が必要な場合、数~10μm程度以上の膜厚としてもよい。このような皮膜からなる絶縁層64を被着したスペーサ63をスリット62に挿入する際には、絶縁層64が損傷したり、剥離しないようにする必要がある。その方法としては、例えば、スペーサ63を冷却して、冷やし嵌めにより嵌め込む手法がある。このような組立方法をとることによって必要な絶縁層64の皮膜状態を維持することができる。また、その他の組立方法としては、組立前に、輻射シールド6とスペーサ63との間に僅か隙間をあけた状態として、輻射シールド6を成形する際に、スリット62にスペーサ63をプレスによってかしめることで、スペーサ63を輻射シールド6に強く接触させた状態にして組み立てる方法を用いてもよい。また、それ以外の組立方法でも、絶縁層64の皮膜が損傷や剥離せず、絶縁層64として機能する方法であればよい。これらの構造に用いるアルミニウム合金としては、例えば、JIS記号がA1050の純アルミニウム系板材や、JIS記号がA5083のアルミニウム合金系板材を用いることができる。このようなアルミニウム合金は、非磁性であることにより、超伝導磁石の発生する磁場に影響を与えることがなく、また、熱伝導率が高いため、冷凍機12によって効率よく冷却できるので、輻射シールド6の材料として適している。≪超伝導コイルの構成≫超伝導コイル3は、コイル軸を中心として円筒状に形成され、冷媒容器5に内設されている。超伝導コイル3は、コイル軸を含む面での縦断面形状が、正方形または長方形のような矩形に形成されている。≪冷媒及び冷媒容器の構成≫冷媒4は、例えば、液体ヘリウム等の不活性材からなり、冷媒容器5内において、超伝導コイル3の外周部に充填されている。冷媒容器5は、超伝導コイル3の周辺を不活性の冷媒4液体ヘリウムで覆った状態で、超伝導コイル3及び冷媒4を収納する収納容器であり、この収納容器を形成する中空部を有する略円筒状の部材からなる。この冷媒容器5は、輻射シールド6によって覆われている。≪真空容器及び傾斜磁場コイルの構成≫真空容器7は、輻射シールド6の外側に配置されて、この輻射シールド6を真空断熱した状態で覆う密閉容器である。傾斜磁場コイル8は、診断空間9において、画像情報を取り出す際に、位置的な情報を得るために利用されるコイルであり、真空容器7のコイル軸線側に組み込まれている。≪作用≫次に、図2~図5を主に参照して、本発明の実施形態に係る超伝導磁石装置2の作用を説明する。超伝導磁石装置2は、輻射シールド6の円筒体61に、コイル軸線に沿って対称な位置に形成されたスリット62内に、外周部に絶縁層64を被着させたスペーサ63を嵌め込ませて固着されている。このため、輻射シールド6に穿設されたスリット62は、絶縁層64によって絶縁された状態でスペーサ63が内嵌されて塞がれている。その結果、クエンチの際に、渦電流によって発生した電磁力により輻射シールド6が振動するのを抑制することができる。スリット62及び絶縁層64は、輻射シールド6に、コイル軸線に対して対称に配置されると共に、撮像領域90の位置に合致させて配置されていることによって、輻射シールド6が電磁力を受けた際に軸対称にバランスよく安定した状態で変形するようにできるため、歪等が発生し難い構造になる。輻射シールド6とスペーサ63は、一体的に固着されているので、画像情報を得るために、傾斜磁場コイル8の印加によって輻射シールド6に渦電流が流れて電磁力が作用したとしても、スペーサ63が絶縁層64を介在して輻射シールド6のスリット62内に密着固定されている。このため、輻射シールド6の円筒体61の振動が抑制されて、渦電流による磁場の振動も抑制されて、振動による画像へのノイズを断ち切ることができる。[第1変形例]以上、本発明について、実施形態に基づいて説明したが、本発明は、上記実施形態に記載した構成に限定されるものではなく、実施形態に記載した構成を適宜組み合わせ乃至選択することを含め、その趣旨を逸脱しない範囲において適宜その構成を変更することができるものである。なお、既に説明した構成は同じ符号を付してその説明を省略する。図6は、本発明の実施形態に係る超伝導磁石装置の第1変形例を示す概略縦断面図である。前記実施形態では、図5に示すように、スリット62を、撮像領域90に合わせてこの撮像領域90が対向する輻射シールド6の円筒体61の対向部位に形成して、そのスリット62にスペーサ63を嵌め込んで固着させたことを説明したが、これに限定されるものではない。図6に示すように、輻射シールド6Aは、円筒体61Aのコイル軸側の内壁面6Aaにスリット62A1、左右の端面6Ab,6Acにスリット62A3,62A3を設けても構わない。図6に示すように、クエンチ時の電磁力を低減させるためには、超伝導コイル3の幅L2と高さH1をカバーする範囲にスリット62A1,62A2,62A3それぞれを形成すれば、効果を得ることができる。例えば、超伝導コイル3は、内径が900mm、外径が1000mm、幅が100mmの円筒形状の場合は、輻射シールド6Aの超伝導コイル3に隣接する付近に、内径側に幅が100mm以上のスリット62A1を形成し、超伝導コイル3の側面側の端面6Ab,6Acに、超伝導コイル3の高さH1をカバーする範囲に100mm以上のスリット62A2,62A3を形成すれば、十分な効果が得られる。なお、それぞれのスリット62A1,62A2,62A2は、繋がっていなくても効果は得られるが、互いに繋がっているとより高い効果が得られる。このように絶縁層64A1,64A2,64A3を介在して、輻射シールド6Aとスペーサ63A1,63A2,63A3を同等材で作成して、嵌め込む構造とすることにより、電気的に不連続であるが、構造的に一様な構造体とにすることができる。それに加え、クエンチ時に輻射シールド6Aに渦電流が流れて温度が上昇しても、アルミナからなる絶縁層64A1,64A2,64A3は、FRP等と比較して大幅に熱伝導率が高く、周囲の部材との温度差が小さく、スペーサ63A1,63A2,63A3とそれ以外の部分で熱ひずみ差がないため、局所的に過剰な熱応力が発生するおそれがない。また、スリット62A1,62A2,62A3は、金属部材であるスペーサ63A1,63A2,63A3及び絶縁層64A1,64A2,64A3で埋めることにより、撮像時に傾斜磁場コイル8で発生する漏れ磁場を遮蔽する効果が高まり、冷媒容器5内の渦電流による発熱を抑制することができるため、冷媒4液体ヘリウムの消費量を低減させることができる。[第2変形例]図7は、本発明の実施形態に係る超伝導磁石装置の第2変形例を示す図であり、輻射シールドの概略側面図である。前記実施形態では、スペーサ63を1部品として説明した図2~図4参照。しかし、スペーサ63Bは、1部品に限定されるものではなく、例えば、図7に示すように、複数に分割して輻射シールド6Bの円筒体61Bに配置した分割構造にして、スリット62B内に分離して配置する構造としてもよい。このようにすることによって、傾斜磁場コイル8図5参照の漏れ磁場を遮蔽する効果は低減するが、部品の製作や組立が容易になり、コストの低減を図ることができる。なお、図7では、スペーサ63Bが二つの場合について示したが、それ以上の個数であってもよい。スペーサ63Bをスリット62B内に挿入する箇所も、スリット62内の長手方向の前後の端部だけでなく、中央位置や、その他の位置にも配置すれば、設置個所が多くなった分だけ、さらに、輻射シールド6Bの剛性を向上させることができる。この場合も、スペーサ63Bは、絶縁層64Bを介在してスリット62B内に溶接手段か、あるいは、接着剤によって固着される。[第3変形例]図8は、本発明の実施形態に係る超伝導磁石装置の第3変形例を示す図であり、輻射シールドの概略側面図である。また、図8のように、スペーサ63Cは、二つに分割したスペーサ63C1,63C2同士を、隔壁状の絶縁層64C2を介在して、それらの外周部を囲むようして外周面に被着した外周の絶縁層64C1で一体化させて、外周の絶縁層64C1をスリット62C内に溶接や接着剤等により固定する構造としてもよい。このような組立方法で、複数のスペーサ63C1,63C2を一つに一体化させてから1つのスリット62Cに固着する場合、スペーサ63Cをスリット62Cに固着する前の段階で、スペーサ63C及び絶縁層64Cの絶縁抵抗を計測して確認することができると共に、その後にスペーサ63Cをスリット62C内に固定する際に、隔壁状の絶縁層62C2を損傷させることがなく、絶縁層64Cの性能を安定した状態に維持させることができる。なお、図8では、スペーサ63Cを二つスペーサ63C1,63C2に短手方向に二分割した例を説明したが、長手方向に二分割、あるいは、二つ以上に複数に分割してもよい。寸法の取り合いの制限などで嵌め込みでの製作が困難である場合には、このような構造で製作することも可能である。この場合の分割は、なるべく分割数を少なく、均等に分割することが好ましい。[第4変形例]図9は、本発明の実施形態に係る超伝導磁石装置の第4変形例を示す図であり、輻射シールドに設置したスペーサの設置状態を示す要部概略断面図である。また、図9のように、輻射シールド6Dのスリット62Dの内面に固着させる絶縁層64Dは、予めスリット62Dの内面62Daに固着させた後、この絶縁層64Dにスペーサ63Dを固着させてもよい。このようにしても、前記実施形態、第1~第3変形例と同様の効果が得られる。なお、スペーサ63D側にも、絶縁層64Dを形成すると、さらに、高い絶縁性能が得られる。[第5変形例]図10は、本発明の実施形態に係る超伝導磁石装置の第5変形例を示す図であり、輻射シールドに設置したスペーサの設置状態を示す要部概略断面図である。前記実施形態では、図2~図5に示す輻射シールド6及びスペーサ63をアルミニウム合金で形成したことを説明したが、これに限定されるものではい。例えば、超伝導磁石装置2Eは、円筒状の銅合金で形成した輻射シールド6Eにスリット62Eを形成し、そのスリット62Eに円筒体61Eと同等材の銅合金で形成したスペーサ63Eを嵌め込んで固着した構造のものであってもよい。この場合、輻射シールド6のスリット62Eと、スペーサ63Eとは、絶縁層64Eを介在して絶縁状態にして固着される。ここで、スペーサ63Eを銅合金で形成した場合、スペーサ63Eに対して絶縁層64Eは、絶縁性の材料をめっき処理によって形成した絶縁性の皮膜であっても構わない。このようなめっきで形成した皮膜を有するスペーサ63Eをスリット62Eに挿入する際には、前記実施形態と同様に冷やし嵌めや、かしめによる組立方法を用いることができる。また、それ以外の手法でも、皮膜は、組み付けの際に、損傷や剥離せず、絶縁層64Eとして機能する方法であればよい。また、絶縁層64Eは、絶縁性の樹脂で膜状に形成した絶縁皮膜をスペーサ63Eの表面に被着させたものであってもよい。この場合、樹脂の種類は、絶縁性と、必要な電気抵抗と、接着強度と、低温における強度を有するものであれば、エポキシでもよいし、導線の皮膜に使われるエナメルなどでもよい。また、溶射などのそれ以外の方法で、絶縁層64Eを形成してもよい。この場合も、組立時に絶縁層64Eが損傷や剥離しないように組み立てる必要がある。前記輻射シールド6E及びスペーサ63Eを銅合金で形成した場合は、非磁性であるので、超伝導磁石の発生する磁場に影響を与えることがなく、また、熱伝導率が高いため、冷凍機12により効率よく冷却できる。輻射シールド6E及びスペーサ63Eを銅合金の場合も、熱膨張率及び縦弾性係数が近い材料同等材とする。例えば、輻射シールド6Eとスペーサ63Eとを銅合金同士で形成した場合は、一般的に用いられている銅合金の組み合わせでもよいし、両者をタフピッチ銅としてもよいし、輻射シールド6Eにタフピッチ銅を用い、スペーサ63Eに無酸素銅を用いるという組み合わせにしてもよい。このような構成にしても、前記実施形態と同様の効果が得られる。[第6変形]図11は、本発明の実施形態に係る超伝導磁石装置の第6変形例を示す図であり、輻射シールドに設置したスペーサの設置状態を示す要部概略断面図である。図12は、本発明の実施形態に係る超伝導磁石装置の第6変形例を示す図であり、輻射シールドに設置したスペーサの設置状態を示す要部概略側面図である。前記実施形態で使用した絶縁層64Fは、図11に示すように、絶縁性の樹脂で形成しても構わない。この場合、輻射シールド6Fとスペーサ63Fは、同等材を用い、その両者の間に適切に厚さを管理して形成した樹脂を絶縁層64Fとする。図11及び図12に示すように、輻射シールド6Fとスペーサ63Fとは、スリット62Fとスペーサ63Fとの間に厚さ管理用のFRP等の絶縁性の第1樹脂部材64F1でスペーサ63Fとスリット62Fの内面との隙間を管理した状態で、樹脂で両者を接着する。この場合、第1樹脂部材64F1は、スペーサ63Fの前後、上下の四方に均等な間隔で配置する。このとき、第1樹脂部材64F1は、前後、上下の四方に一つずつ設けても、それ以上の数のものを適宜に設けても構わない。第2絶縁層64F2を形成する樹脂の厚さは、薄くしすぎると部分的に導通部ができるおそれがある一方で、厚くすぎると第2絶縁層64F2と輻射シールド6Fとの特性の違いの影響が大きくなるため、0.01~0.1mm程度とすることが望ましい。ただし、精度よく樹脂の厚さを管理でき、十分な絶縁性能が確保できる場合には、これより薄くしてもよい。樹脂製の絶縁層64Fは、このような構造にすることにより、樹脂層で輻射シールド6Fとスペーサ63Fを接着すると共に、絶縁層64Fとしての機能も確保できるため、組立前の絶縁処理が不要になり、効率よく形成することができる。なお、絶縁層64Fは、予めスペーサ63Fの外周部に絶縁層64F1を形成した上で、さらに、樹脂層からなる絶縁層64F2スペーサ63Fをスリット62Fの内面に接着するようにすれば、さらに、絶縁性をより高くすることができるため、併用してもよい。この第6変形例においては、輻射シールド6Fとスペーサ63Fの材料は、アルミニウム合金同士の組み合わせと、銅合金同士の組み合わせのいずれの材料でもよい。また、これ以外でも、非磁性で、熱伝導率が高い材料であれば、使用することが可能である。このような構成にしても、前記した実施形態と同様の効果が得られる。[第7変形]図13は、本発明の実施形態に係る超伝導磁石装置の第7変形例を示す図であり、輻射シールドに設置したスペーサの設置状態を示す要部概略断面図である。また、図13に示すように、輻射シールド6Gのスリット62G内に設けるスペーサ63Gは、スリット62Gの対向する内面を接触させるようにして、その間に形成した絶縁層64Gを介在して絶縁層64Gで兼用させた構造としてもよい。この場合、輻射シールド6Gにアルミニウム合金を用いるときは、スリット62Gをアルマイト処理することによりアルミナの酸化皮膜を形成して、その後、輻射シールド6G全体をかしめることによって、スリット62Gの対向する面を接触させて、機械的に連続した構造にする。また、それ以外にもこのようなスリット62Gにアルミナの酸化皮膜を形成することができれば、ほかの成膜方法を用いてもよい。また、めっきや樹脂皮膜をスリット62Gに形成した後、スリット62Gの対向する内面を接触させてもよい。これらの方法をとる場合、アルミニウム合金以外の材質を用いても構わない。また、スリット62Gに樹脂を流し込み、スリット62Gの対向する内面を接着させることにより、その樹脂を絶縁層64Gとして用い、スリット62G内の対向面を連続するように樹脂で埋めた状態にした構造としても同様である。このようにスペーサ63Gをなくして絶縁層64Gでスペーサ63Gを兼用させた構造とした場合は、製作性が低下することもあるが、スペーサ63Gをなくすことができるため、より簡易な構造にすることができる。このような構造にしても、前記した実施形態と同様の効果が得られる。前記した実施例は、医療用の画像診断を行う超伝導コイルを有する装置の例で示したが、これらの装置と類する超伝導コイルや輻射シールドを有する構造の装置においても、同様の輻射シールドを用いることにより、同様の効果が得られる。"