直流電源間に配置され、複数のスイッチング素子51~56をブリッジ接続してなるインバータと、前記直流電源間に配置された平滑コンデンサ57と、前記平滑コンデンサ57の温度に応じた信号を出力する温度検出手段57aと、前記複数のスイッチング素子51~56を制御するスイッチング信号のスイッチング速度を調整するスイッチング速度調整回路30と、前記温度検出手段57aより出力される信号に基づいて推定される前記平滑コンデンサ57の温度が高くなるほど前記スイッチング信号のスイッチング速度が遅くなるように前記スイッチング速度調整回路30に指示する速度調整指示手段S106~S118と、を備えたことを特徴とする負荷制御装置。前記スイッチング速度調整回路30は、前記複数のスイッチング素子51~56の各ゲートに接続されたゲート抵抗の抵抗値を段階的に変化させて前記スイッチング信号のスイッチング速度を段階的に調整するようになっており、前記速度調整指示手段S106~S118は、前記スイッチング信号のスイッチング速度が段階的に遅くなるように前記スイッチング速度調整回路に指示することを特徴とする請求項1に記載の負荷制御装置。前記温度検出手段57aは、前記平滑コンデンサに内蔵された温度検出素子により構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の負荷制御装置。前記温度検出手段57aは、前記複数のスイッチング素子の各々に内蔵された温度検出素子、前記インバータに接続された負荷の温度を検出する温度検出素子、前記インバータに接続された負荷に流れる電流を検出する電流センサのいずれか1つにより構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の負荷制御装置。前記複数のスイッチング素子51~56の各々には、当該スイッチング素子と並列にダイオード51a~56aが接続されており、前記直流電源間に、前記スイッチング素子51~56のONスイッチング時に前記ダイオード51a~56aが流すリカバリ電流とその周波数を低減する手段を有していることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の負荷制御装置。前記インバータは、上アーム側のスイッチング素子と下アーム側のスイッチング素子を直列接続して成る直列回路51と52、53と54、55と56を3つ並列接続して構成されており、前記リカバリ電流とその周波数低減手段は、前記3つの直列回路51と52、53と54、55と56と並列に接続されたスナバコンデンサ59を有していることを特徴とする請求項5に記載の負荷制御装置。前記リカバリ電流とその周波数低減手段は、一端が前記直流電源の電源ラインに接続され、他端が前記スナバコンデンサ59の一端に接続された第1のインダクタ58aと、一端が前記直流電源のグランドラインに接続され、他端が前記スナバコンデンサ59の他端に接続された第2のインダクタ58bを有していることを特徴とする請求項6に記載の負荷制御装置。しかしながら、上記特許文献1に記載されたような装置は、矩形波モードでモータを駆動しても、更に、平滑コンデンサの温度が上昇してしまうような状況では、平滑コンデンサの温度上昇を抑制することは困難となってしまうため、平滑コンデンサを小型化するにも限界がある。また、上記特許文献1に記載されたような装置は、効率良くモータを駆動することができるPWMモードで平滑コンデンサの温度上昇を抑制するといったことはできない。このため、効率が良くないといった問題がある。本発明は上記問題に鑑みたもので、コンデンサの小型化とモータ駆動効率の向上の両立を図ることを目的とする。上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明は、直流電源間に配置され、複数のスイッチング素子51~56をブリッジ接続してなるインバータと、直流電源間に配置された平滑コンデンサ57と、平滑コンデンサ57の温度に応じた信号を出力する温度検出手段57aと、複数のスイッチング素子51~56を制御するスイッチング信号のスイッチング速度を調整するスイッチング速度調整回路30と、温度検出手段57aより出力される信号に基づいて推定される平滑コンデンサ57の温度が高くなるほどスイッチング信号のスイッチング速度が遅くなるようにスイッチング速度調整回路30に指示する速度調整指示手段S106~S118と、を備えたことを特徴としている。このような構成によれば、温度検出手段57aより出力される信号に基づいて推定される平滑コンデンサ57の温度が高くなるほどスイッチング信号のスイッチング速度が遅くなるようにスイッチング速度調整回路30に指示される。すなわち、PWMモード、矩形波モード等の動作モードと関係なく、平滑コンデンサの温度が高くなるほどスイッチング信号のスイッチング速度が遅くなり、平滑コンデンサの温度上昇が抑制される。したがって、矩形波モードでモータを駆動して、更に、平滑コンデンサの温度が上昇してしまうような状況でも、平滑コンデンサの温度を抑制することができ、平滑コンデンサの小型化を図ることができる。また、PWMモードでも、平滑コンデンサの温度が高くなるほどスイッチング信号のスイッチング速度が遅くなり、平滑コンデンサの温度上昇が抑制されるので、モータ駆動効率の向上を図ることができる。また、請求項2に記載の発明は、スイッチング速度調整回路30は、複数のスイッチング素子51~56の各ゲートに接続されたゲート抵抗の抵抗値を段階的に変化させてスイッチング信号のスイッチング速度を段階的に調整するようになっており、速度調整指示手段S106~S118は、スイッチング信号のスイッチング速度が段階的に遅くなるようにスイッチング速度調整回路に指示することを特徴としている。このように、スイッチング速度調整回路30は、複数のスイッチング素子51~56の各ゲートに接続されたゲート抵抗の抵抗値を段階的に変化させてスイッチング信号のスイッチング速度を段階的に調整するようになっており、速度調整指示手段S106~S118は、スイッチング信号のスイッチング速度が段階的に遅くなるようにスイッチング速度調整回路に指示することができる。また、請求項3に記載の発明のように、温度検出手段57aを、平滑コンデンサに内蔵された温度検出素子により構成することにより、精度良く平滑コンデンサの温度を推定することができる。また、請求項4に記載の発明のように、温度検出手段57aを、複数のスイッチング素子の各々に内蔵された温度検出素子、インバータに接続された負荷の温度を検出する温度検出素子、インバータに接続された負荷に流れる電流を検出する電流センサのいずれか1つにより構成することもできる。また、請求項5に記載の発明は、複数のスイッチング素子51~56の各々には、当該スイッチング素子と並列にダイオード51a~56aが接続されており、直流電源間に、スイッチング素子51~56のONスイッチング時にダイオード51a~56aが流すリカバリ電流とその周波数を低減する手段を有していることを特徴としている。このような構成によれば、スイッチング素子51~56のONスイッチング時にダイオード51a~56aが流すリカバリ電流とその周波数を低減し、平滑コンデンサの温度上昇を抑制することができる。また、請求項6に記載の発明は、インバータは、上アーム側のスイッチング素子と下アーム側のスイッチング素子を直列接続して成る直列回路51と52、53と54、55と56を3つ並列接続して構成されており、リカバリ電流低減手段は、3つの直列回路51と52、53と54、55と56と並列に接続されたスナバコンデンサ59を有していることを特徴としている。このように、3つの直列回路51と52、53と54、55と56と並列に接続されたスナバコンデンサ59により、スイッチング素子51~56のONスイッチング時にダイオード51a~56aが流すリカバリ電流が平滑コンデンサに流入するのを低減できる。また、請求項7に記載の発明は、リカバリ電流とその周波数を低減する手段であり、一端が直流電源の電源ラインに接続され、他端がスナバコンデンサ59の一端に接続された第1のインダクタ58aと、一端が直流電源のグランドラインに接続され、他端がスナバコンデンサ59の他端に接続された第2のインダクタ58bを有していることを特徴としている。このように、一端が直流電源の電源ラインに接続され、他端がスナバコンデンサ59の一端に接続された第1のインダクタ58aと、一端が直流電源のグランドラインに接続され、他端がスナバコンデンサ59の他端に接続された第2のインダクタ58bを備えることにより、スイッチング素子51~56のONスイッチング時にダイオード51a~56aが流すリカバリ電流とその周波数を低減することができる。なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。本発明の一実施形態に係る負荷制御装置の全体の構成を図1に示す。本負荷制御装置1には、直流電源バッテリ2および負荷としての3相高電圧交流モータ3が接続されている。なお、モータ3は、車両の走行用の動力源として用いられる。本負荷制御装置1は、通信調停用マイコン10、6つのパワー半導体駆動用マイコン15、6つのスイッチングスピード調整回路図中では、SWスピード調整回路と記す30、絶縁ゲート型トランジスタ以下、IGBTと記す51~56、平滑コンデンサ57、インダクタンス58a、58b、スナバコンデンサ59、MG-ECU60を備えている。なお、IGBT51~56は、それぞれ並列に接続されたダイオード51a~56aを備えている。また、平滑コンデンサ57には、平滑コンデンサ57の温度に応じた信号を出力する温度センサ57aが内蔵されている。具体的には、温度センサ57aは、サーミスタにより構成されている。平滑コンデンサ57は、IGBT51~56のオンオフに伴い生じるサージ電圧を抑え、また直流電源の電圧変動を小さくするためのものであり、直流電源間に設けられている。平滑コンデンサ57としては、セラミックコンデンサ、フィルムコンデンサ等が用いられる。スナバコンデンサ59は、セラミックコンデンサにより構成され、IGBT51~56により構成されるインバータと並列に接続されている。インダクタンス58aは、一端が直流電源の電源ラインに接続され、他端がスナバコンデンサ59の一端に接続されている。インダクタンス58bは、一端が直流電源のグランドラインに接続され、他端がスナバコンデンサ59の他端に接続されている。スナバコンデンサ59、インダクタンス58a、58bは、後述するIGBT51~56のONスイッチング時にダイオード51a~56aが流すリカバリ電流を平滑コンデンサに流入させにくくすると共に、リカバリ電流の周波数を低減するために設けられている。本負荷制御装置1は、IGBT51~56のゲートに正弦波PWM信号を入力してモータ3をPWM駆動する正弦波PWM制御モードと、IGBT51~56のゲートに過変調PWM信号を入力してモータ3をPWM駆動する過変調PWM制御モードと、IGBT51~56のゲートに矩形波信号を入力してモータ3を矩形波駆動する矩形波制御モードを有している。通信調停用マイコン10は、MG-ECU60と通信を行うためのものである。通信調停用マイコン10は、直流電源2の端子間電圧を検出する電圧検出回路図示せずを備え、この電圧検出回路により検出された直流電源2の端子間電圧をMG-ECU60へ通知するようになっている。なお、MG-ECU60は、通信調停用マイコン10より通知された直流電源2の端子間電圧等に基づいてモータ3を最適に駆動するための動作モード制御モードに相当するを決定し、決定した動作モードを特定するための情報を通信調停用マイコン10に通知するようになっている。また、MG-ECU60には、サーミスタ57aからの信号が入力されるようになっている。MG-ECU60は、サーミスタ57aから入力される信号に基づいて平滑コンデンサ57の温度を推定し、これに基づいてインバータをスイッチングするスイッチング信号の最適な速度の度合い低速、中速、高速を決定し、決定した速度の度合いを表すスイッチスピード特定情報を通信調停用マイコン10に通知するようになっている。通信調停用マイコン10は、MG-ECU60より動作モードを特定するための情報を受信すると、動作モードに適した各IGBT51~56のゲートに入力する信号のスイッチングスピード値を特定し、各パワー半導体駆動用マイコン15に通知する。パワー半導体駆動用マイコン15は、通信調停用マイコン10より通知されたスイッチングスピード値に応じてスイッチングスピード調整回路30を制御する。スイッチングスピード調整回路30は、IGBT51~56の各ゲートに印加する電圧の立ち上がりスピードと立ち下がりスピードを調整するための回路である。このスイッチングスピード調整回路30についても後で詳細に説明する。IGBT51~56は、3相インバータとして構成されている。本実施形態では、IGBT51はU相の上アーム、IGBT52はU相の下アーム、IGBT53はV相の上アーム、IGBT54はV相の下アーム、IGBT55はW相の上アーム、IGBT56はW相の下アームとなっている。MG-ECU60は、マイコン67を備えている。マイコン67は、前述したように、通信調停用マイコン10より通知される直流電源2の端子間電圧に基づいてモータ3を最適に駆動するための動作モードを決定し、この決定した動作モードを示す情報を通信調停用マイコン10へ通知する処理を実施する。マイコン67は、直流電源2の端子間電圧が高電圧例えば、700V程度の場合は、正弦波PWM制御モード、直流電源2の端子間電圧が中間の電圧例えば、600V程度では過変調PWM制御モード、直流電源2の端子間電圧が低電圧例えば、500V程度の場合は矩形波制御モードとなるように動作モードを決定する。図2に、図1中のA部の詳細を示す。この図には、スイッチングスピード調整回路30、半導体駆動用マイコン15およびIGBT51が示されている。スイッチングスピード調整回路30は、レベルシフト回路31、抵抗301、スピード調整回路32~35を備えている。レベルシフト回路31には、スイッチ端子SWを介して半導体駆動用マイコン15より動作モードに応じたスイッチング信号が入力される。レベルシフト回路31は、このスイッチング信号の電圧レベル例えば、5Vを、入力端子INを介して入力される定電圧の範囲例えば、0V~30Vにレベルシフトした電圧を出力する。スピード調整回路32、33は、IGBT51のゲート電圧の波形の立ち上がりを調整するための回路であり、スピード調整回路34、35は、IGBT51のゲート電圧の波形の立ち下がりを調整するための回路である。スピード調整回路32は、抵抗321、322、コンデンサ323、ダイオード324およびNチャネル型MOSトランジスタ325を備えている。同様に、スピード調整回路33は、抵抗331、332、コンデンサ333、ダイオード334およびNチャネル型MOSトランジスタ335を備えている。スピード調整回路32における抵抗321およびスピード調整回路33における抵抗331は、抵抗301と並列に接続されている。スピード調整回路32におけるトランジスタ325およびスピード調整回路33におけるトランジスタ335をオンまたはオフすることにより、抵抗301、スピード調整回路32における抵抗321およびスピード調整回路33における抵抗331から成る合成抵抗が変化して、IGBT51のゲート抵抗が変化する構成となっている。なお、抵抗301、抵抗321および抵抗331から成る合成抵抗の抵抗値が大きくなるほど、IGBT51のゲート電圧の波形の立ち上がりが緩やかになる。また、スピード調整回路34は、抵抗341、342、コンデンサ343、ダイオード344およびNチャネル型MOSトランジスタ345を備えている。同様に、スピード調整回路35は、抵抗351、352、コンデンサ353、ダイオード354およびNチャネル型MOSトランジスタ355を備えている。スピード調整回路35におけるダイオード354およびスピード調整回路34におけるダイオード344は、スピード調整回路32、33におけるダイオード324、334と接続方向が逆となっている。スピード調整回路34におけるトランジスタ345およびスピード調整回路35におけるトランジスタ355をオンまたはオフすることにより、抵抗301、抵抗341および抵抗351から成る合成抵抗が変化して、IGBT51のゲート抵抗が変化する構成となっている。なお、抵抗301、抵抗341および抵抗351から成る合成抵抗の抵抗値が大きくなるほど、IGBT51のゲート電圧の波形の立ち下がりが緩やかになる。ところで、本発明者は、実験等の結果、平滑コンデンサの発熱の主要因は、リプル電流に含まれるリカバリ電流に起因する高周波の電流成分であり、低い周波数成分は平滑コンデンサの発熱にあまり影響しないということを見出した。なお、リカバリ電流は、IGBT51~56の各ゲートに入力するスイッチング信号がオフからオンに変化し、IGBT51~56と並列に接続されたダイオード51a~56aに電流が流れている状態からダイオード51a~56aに電流が流れない状態になるときに発生する電流である。以下、リカバリ電流と平滑コンデンサの発熱の関係について説明する。図3に、平滑コンデンサ57に流れるリプル電流の計測波形の例を示す。図3中のbは、図3中の1の拡大図である。図3bには、数MHz帯の周波数成分を有するパルス電流と、十数kHz帯の周波数成分を有するパルス電流が示されている。この例では、平滑コンデンサ57に流れるリプル電流には、大きく分けて、数MHz帯、十数kHz帯の2種類のパルス電流が含まれる。これらのパルス電流のうち、数MHz帯のパルス電流がリカバリ電流による電流成分である。このリカバリ電流成分は、他のパルス電流と比較して、電流の流れている時間は短いがピーク値は数百アンペア程度の非常に大きな値となっている。ここで、平滑コンデンサの発熱量は、平滑コンデンサで消費される電力量で表すことができる。すなわち、平滑コンデンサの発熱量=平滑コンデンサに流れる電流2×直列等価抵抗として算出することができる。なお、直列等価抵抗ESREquivalentSeriesResistanceは、平滑コンデンサに流れる電流の周波数に応じてその抵抗値が変化する。図4に、平滑コンデンサのESR特性を示す。この図の例では、十数kHzのときのESRは1mオームΩ程度、数MHzのときのESRは30mオームΩ程度となっている。このように、平滑コンデンサの直列等価抵抗ESRは、周波数が高くなるほど大きくなる。つまり、電流値のピーク値が小さく、かつ、平滑コンデンサに流れ込む電流の周波数が低い場合には、平滑コンデンサの発熱量は少ないが、電流値のピーク値が大きく、かつ、平滑コンデンサに流れ込む電流の周波数が高い場合、平滑コンデンサの発熱量は大幅に増加することが分かる。したがって、電流値のピーク値が大きく、直列等価抵抗ESRが大きくなる高周波なリカバリ電流成分を低減することで、平滑コンデンサの発熱を大幅に抑制することが可能となる。上記したように、平滑コンデンサの発熱の主要因は、リプル電流に含まれるリカバリ電流に起因する高周波成分であることが分かった。そこで、本負荷制御装置1は、平滑コンデンサ57の温度を検出するサーミスタ57aより出力される信号に基づいて平滑コンデンサ57の温度を推定し、平滑コンデンサ57の温度が高くなるほど、IGBT51~56を制御するスイッチング信号のスイッチングスピードが遅くなるようにスイッチングスピード調整回路30に指示し、リカバリ電流ピーク値を低減して平滑コンデンサ57の温度上昇を抑制する。次に、図5に従って、通信調停用マイコン10の処理について説明する。なお、ここでは、通信調停用マイコン10とパワー半導体用マイコン15の処理として説明する。低圧バッテリより電源が供給されると、通信調停用マイコン10とパワー半導体用マイコン15は起動して、図5に示す処理を実施する。なお、ここでは、インバータを正弦波PWM制御モードで動作させるものとして説明する。まず、温度センサ57より出力される信号に基づいてMG-ECU60は平滑コンデンサ57の温度を推定するS100。MG-ECU60は、この温度情報に基づいてIGBT51~56のゲートに入力するスイッチング信号の最適なスイッチングスピードの度合い低速、中速、高速を決定し、決定した速度の度合いを表すスイッチスピード特定情報SWスピード特定情報を通信調停用マイコン10に通知する。本実施形態では、平滑コンデンサ57の温度が70°C未満の場合は高速、平滑コンデンサ57の温度が70°C以上で、かつ、90°C未満の場合は中速、平滑コンデンサ57の温度が90°C以上の場合は低速となるようにスイッチングスピードの度合いを決定する。通信調停用マイコン10は、スイッチスピード特定情報を受信するとS104、このスイッチスピード特定情報に基づいてスイッチスピードの判定を行うS106。ここで、推定された平滑コンデンサ57の温度が70°C未満となっておりスイッチスピード特定情報に基づいてスイッチングスピードの度合いが高速であると判定した場合、スイッチングスピードが高速になるようなゲート抵抗の組合せを特定するS108。ここでは、IGBT51~56のゲート抵抗の抵抗値が小さくなるようにスイッチングスピード調整回路30へ指示する制御信号を特定する。具体的には、図2に示したスイッチングスピード調整回路30において、スイッチング信号の立ち上がりスピードを急峻にするため、スピード調整回路32のトランジスタ325と、スピード調整回路33のトランジスタ335とがそれぞれオンするようにCnt2端子およびCnt3端子の論理レベルを特定するとともに、スイッチング信号の立ち下がりスピードを急峻にするため、スピード調整回路34のトランジスタ345と、スピード調整回路35のトランジスタ355とをそれぞれオンするように、Cnt4端子およびCnt5端子の論理レベルを特定する。この場合、スイッチング信号の立ち上がり時のIGBT51~56のゲート抵抗の抵抗値は、抵抗301と、スピード調整回路32の抵抗321と、スピード調整回路33の抵抗331とを並列接続した合成抵抗の抵抗値となる。また、スイッチング信号の立ち下がり時のIGBT51~56のゲート抵抗の抵抗値は、抵抗301と、スピード調整回路34の抵抗341と、スピード調整回路35の抵抗351とを並列接続した合成抵抗の抵抗値となる。次に、スイッチングスピードが高速となるようにスイッチングスピード調整回路30へ指示するS110。具体的には、S108にて特定した論理レベルとなるようにCnt2端子~Cnt4端子へ制御信号を出力する。これにより、IGBT51~56の各ゲートに入力するスイッチング信号の立ち上がり速度および立ち下がり速度はそれぞれ高速となる。なお、このように、スイッチング信号のスイッチングスピードを速くすることで、IGBT51~56のスイッチング損失が低減されるので、効率良くインバータを駆動することができる。次に、平滑コンデンサ57の温度が上昇して、推定された平滑コンデンサ57の温度が70°C以上で、かつ、90°C未満となり、S106にて、スイッチスピード特定情報に基づいてスイッチングスピードの度合いが中速であると判定した場合は、スイッチングスピードが中速になるようなゲート抵抗の組合せを特定するS112。ここでは、IGBT51~56のゲート抵抗の抵抗値が中間の値となるようにスイッチングスピード調整回路30へ指示する制御信号を特定する。具体的には、図2に示したスイッチングスピード調整回路30において、スイッチング信号の立ち上がりスピードを中速にするため、スピード調整回路32のトランジスタ325がオンし、スピード調整回路33のトランジスタ335がオフするようにCnt2端子およびCnt3端子の論理レベルを特定するとともに、スイッチング信号の立ち下がりスピードを中速にするため、スピード調整回路34のトランジスタ345がオンし、スピード調整回路35のトランジスタ355がオフするようにCnt4端子およびCnt5端子の論理レベルを特定する。この場合、スイッチング信号の立ち上がり時のIGBT51~56のゲート抵抗の抵抗値は、抵抗301と、スピード調整回路32の抵抗321を並列接続した合成抵抗の抵抗値となる。また、スイッチング信号の立ち下がり時のIGBT51~56のゲート抵抗の抵抗値は、抵抗301と、スピード調整回路34の抵抗341を並列接続した合成抵抗の抵抗値となる。次に、スイッチングスピードが中速となるようにスイッチングスピード調整回路30へ指示するS114。具体的には、S112にて特定した論理レベルとなるようにCnt2端子~Cnt4端子へ制御信号を出力する。これにより、IGBT51~56の各ゲートに入力するスイッチング信号の立ち上がり速度および立ち下がり速度はそれぞれ中速となる。なお、このように、スイッチング信号のスイッチングスピードを中速にすることで、平滑コンデンサ57の発熱が抑制される。また、更に、平滑コンデンサ57の温度が上昇して、推定された平滑コンデンサ57の温度が90°C以上となり、S106にて、スイッチスピード特定情報に基づいてスイッチングスピードの度合いが低速であると判定した場合は、スイッチングスピードが低速になるようなゲート抵抗の組合せを特定するS116。ここでは、IGBT51~56のゲート抵抗の抵抗値が大きくなるようにスイッチングスピード調整回路30へ指示する制御信号を特定する。具体的には、図2に示したスイッチングスピード調整回路30において、スイッチング信号の立ち上がりスピードを低速にするため、スピード調整回路32のトランジスタ325と、スピード調整回路33のトランジスタ335とがそれぞれオフするようにCnt2端子およびCnt3端子の論理レベルを特定するとともに、スイッチング信号の立ち下がりスピードを低速にするため、スピード調整回路34のトランジスタ345と、スピード調整回路35のトランジスタ355とがそれぞれオフするようにCnt4端子およびCnt5端子の論理レベルを特定する。この場合、スイッチング信号の立ち上がり時のIGBT51~56のゲート抵抗の抵抗値は、抵抗301と等しくなり、また、スイッチング信号の立ち下がり時のIGBT51~56のゲート抵抗の抵抗値も、抵抗301と等しくなる。次に、スイッチングスピードが低速となるようにスイッチングスピード調整回路30へ指示するS118。具体的には、S116にて特定した論理レベルとなるようにCnt2端子~Cnt4端子へ制御信号を出力する。これにより、IGBT51~56の各ゲートに入力するスイッチング信号の立ち上がり速度および立ち下がり速度はそれぞれ低速となる。なお、このように、スイッチング信号のスイッチングスピードを低速にすることで、平滑コンデンサ57の発熱が抑制される。そして、平滑コンデンサ57の温度が下がり、推定された平滑コンデンサ57の温度が90°C未満となり、S106にて、スイッチスピード特定情報に基づいてスイッチングスピードの度合いが中速であると判定した場合は、スイッチングスピードが中速になるようなゲート抵抗の組合せを特定しS112、スイッチングスピードが中速になるようにスイッチングスピード調整回路へ指示するS114。上記した処理を繰り返すことにより、平滑コンデンサ57の温度が高くなるとスイッチング信号のスイッチング速度が遅くなるようにスイッチング速度調整回路30に指示されるので、平滑コンデンサ57の温度上昇が抑制され、平滑コンデンサ57の温度が低くなると、スイッチング信号のスイッチング速度が速くなるようにスイッチング速度調整回路30に指示するので、インバータのスイッチング損失を小さくすることができ、すなわち、効率良く負荷を駆動することが可能となる。したがって、平滑コンデンサの温度上昇を抑えるためにコンデンサを大型にしたり、冷却能力を高めたりする必要がなくなる。また、PWM制御モード、矩形波モードといった動作モードと関係なく、平滑コンデンサ57の温度上昇を抑制することができる。図6に、スイッチング信号のスイッチングスピードを変化させた場合の平滑コンデンサ57の温度特性を示す。スイッチング信号のスイッチングスピードを遅くするほどリカバリ電流は小さくなる。この図6には、リカバリ電流のピーク値が、450アンペア、550アンペア、700アンペアの場合の平滑コンデンサ57の温度特性が示されている。図に示すように、リカバリ電流のピーク値が小さくなるほど平滑コンデンサの温度上昇が抑制されていることが分かる。次に、スナバコンデンサ59の有無による平滑コンデンサの温度特性の相違について説明する。図7に、スナバコンデンサ59の有無と平滑コンデンサの温度特性を示す。図に示すように、スナバコンデンサ59が有る場合の方が、スナバコンデンサ59が無い場合よりも平滑コンデンサ57の温度上昇が抑制されている。これは、スナバコンデンサ59により平滑コンデンサ57に流れるリカバリ電流が低減されるためである。図8に、インダクタンス58a、58bが設けていない場合と、インダクタンス58a、58bが設けられている場合の平滑コンデンサに流れるリカバリ電流のシミュレーション波形を示す。aは、インダクタンス58a、58bが設けていない場合、bは、インダクタンス58a、58bが設けられている場合が示されている。図8a、bに示すように、コンデンサに流れるリカバリ電流の波形は、インダクタンス58a、58bが設けられていない場合よりも、インダクタンス58a、58bが設けられている場合の方が周波数成分が低くなり、波形も鈍っている。これは、インダクタンス58a、58bにより、高周波のリカバリ電流が平滑コンデンサ57に流れ込みにくくなるためである。このように、スナバコンデンサ59およびインダクタンス58a、58bを備えることで、更に、平滑コンデンサ57の発熱を抑止することが可能である。上記した構成によれば、温度センサ57aより出力される信号に基づいて推定される平滑コンデンサ57の温度が高くなるほどスイッチング信号のスイッチング速度が遅くなるようにスイッチング速度調整回路30に指示される。すなわち、PWMモード、矩形波モード等の動作モードと関係なく、平滑コンデンサの温度が高くなるほどスイッチング信号のスイッチング速度が遅くなり、平滑コンデンサの温度上昇が抑制される。したがって、矩形波モードでモータを駆動して、更に、平滑コンデンサの温度が上昇してしまうような状況でも、平滑コンデンサの温度を抑制することができ、平滑コンデンサの小型化を図ることができる。また、PWMモードでも、平滑コンデンサの温度が高くなるほどスイッチング信号のスイッチング速度が遅くなり、平滑コンデンサの温度上昇が抑制されるので、モータ駆動効率の向上を図ることができる。また、IGBT51~56のONスイッチング時にダイオード51a~56aが流すリカバリ電流に起因する高周波成分の電流を低減する手段により、平滑コンデンサに流入されにくくなるので、更に、平滑コンデンサの温度上昇を抑制することができる。ここで、高周波成分の電流を低減する手段として、スナバコンデンサ59を備え、このスナバコンデンサ59により、IGBT51~56のONスイッチング時にダイオード51a~56aが流すリカバリ電流に起因する高周波成分の電流を低減することが可能である。また、一端が直流電源の電源ラインに接続され、他端がスナバコンデンサ59の一端に接続された第1のインダクタ58aと、一端が直流電源のグランドラインに接続され、他端がスナバコンデンサ59の他端に接続された第2のインダクタ58bを備えることにより、IGBT51~56のONスイッチング時にダイオード51a~56aが流すリカバリ電流に起因する高周波成分の電流を平滑コンデンサに流入するのを低減できる。なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々なる形態で実施することができる。例えば、上記実施形態では、直流電源2の端子間電圧が高い場合に正弦波PWM制御モードとなり、直流電源2の端子間電圧が低い場合に矩形波制御モードとなる例を示したが、このような動作モードの切替は一例であり、例えば、推定される平滑コンデンサ27の温度が低い場合にはPWM制御モードとし、推定される平滑コンデンサ27の温度が上昇するにつれてスイッチング信号のデューティが大きくなり、推定される平滑コンデンサ27の温度が閾値を超えると矩形波制御モードとなるように動作モードを切り替えるように構成してもよい。また、直流電源2の端子間電圧以外の各種条件に応じて動作モードを切り替えるように構成してもよい。また、上記実施形態では、3相高電圧交流モータ3を負荷として駆動する構成を示したが、このような負荷に限定されるものではない。また、上記実施形態では、温度検出手段として、平滑コンデンサの温度を直接検出する温度センサ57aを用いたが、例えば、IGBT51~56の各々に内蔵された温度センサ、モータ3の温度を検出する温度センサから平滑コンデンサの温度を推定してもよい。また、モータ3に流れる電流を検出する電流センサの出力から平滑コンデンサの温度を推定するようにしてもよい。また、上記実施形態では、IGBT51~56の各ゲートに接続されたゲート抵抗の抵抗値を段階的に変化させてスイッチング信号のスイッチング速度を段階的に調整するようにスイッチング速度調整回路30を構成し、スイッチング信号のスイッチング速度が段階的に遅くなるようにスイッチング速度調整回路30に指示するS106~S118ように構成したが、例えば、IGBT51~56の各ゲートに接続されたゲート抵抗の抵抗値を直線的に変化させてスイッチング信号のスイッチング速度を直線的に調整するようにスイッチング速度調整回路30を構成し、スイッチング信号のスイッチング速度が直線的に遅くなるようにスイッチング速度調整回路30に指示するS106~S118ように構成してもよい。