配線基板と、該配線基板上に実装され、上方に光を発光する発光素子と、前記配線基板上かつ前記発光素子側面に上面の高さを越えない位置で接するように周辺部に設けられた第1の熱伝導樹脂層と、前記配線基板上かつ前記第1の熱伝導樹脂層の外周部に接し、かつ前記発光素子を上面以上の高さで囲むように設けられた第2の熱伝導樹脂層とを具備する発光装置。前記発光素子は素子基板及び前記素子基板上に設けられたエピタキシャル層よりなる発光ダイオード素子であり、前記第1の熱伝導樹脂層が前記発光ダイオード素子に接するのは前記素子基板側面である請求項1に記載の発光装置。さらに、前記配線基板上かつ前記第2の熱伝導樹脂層の一部と接するように外側に設けられた第3の熱伝導樹脂層を具備し、前記第3の熱伝導樹脂層は前記発光素子を駆動するための制御回路チップを樹脂封止する請求項1に記載の発光装置。前記第2の熱伝導樹脂層は配光制御レンズを固定する枠として作用する請求項1に記載の発光装置。しかしながら、上述の従来のLEDモジュールにおいては、LED素子から蓄熱層まで放熱性はよくなく、かつ蓄熱層は放熱対策としては一時的にしか解決できず、しかも、ストロボのフラッシュ光源として非常に大きい電流供給のもとで連続的パルス点灯を行うと、発生した熱は蓄熱層の熱容量をオーバする可能性がある。また、蓄熱層に蓄えられた熱はアノード電極及びカソード電極によって拡散して伝達しているが、空気に対するアノード電極及びカソード電極の熱放射面積が小さく、主に絶縁性基板からしか放熱できない。従って、放熱効率が低いという課題がある。さらに、放熱効率が低いと、配光制御レンズが変形することもある。上述の課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、配線基板と、配線基板上に実装され、上方に光を発光する発光素子と、配線基板上かつ発光素子側面に上面の高さを越えない位置で接するように周辺部に設けられた第1の熱伝導樹脂層と、配線基板上かつ第1の熱伝導樹脂層の外周部に接し、かつ発光素子を上面以上の高さで囲むように設けられた第2の熱伝導樹脂層とを具備するものである。これにより、発光素子からの熱は第1の熱伝導樹脂層を介して第2の熱伝導樹脂層に拡散する。本発明によれば、発光素子からの熱は第1、第2の熱伝導樹脂層によって発光装置全体に拡散するので、放熱効率を大幅に向上できる。図1は本発明が適用される薄膜型LED素子の一例を示し、Aは写真、Bは断面図である。図1において、LED素子1は、シリコン基板11、及びシリコン基板11上にGaNよりなるエピタキシャル層12により構成されている。エピタキシャル層12は、その詳細を図示しないが、n型GaN層、活性層、p型GaN層等を含んで構成される。シリコン基板11の厚さは500μm程度であるが、エピタキシャル層12の厚さは6μm程度であるので、エピタキシャル層12の側面の面積は小さい。従って、エピタキシャル層12の上面から光量が主でエピタキシャル層12の側面からの光量は少ない。図2は本発明に係るLEDモジュールの実施の形態を示し、Aは平面図、BはAのB-B線断面図である。図2において、図1のLED素子1が配線基板2上に実装され、ボンディングワイヤ3によって配線基板2上の電極層4に電気的に接続される。LED素子1上には蛍光体層5が設けられ、LED素子1が青色LEDであれば、蛍光体層5により白色光に変換される。LED素子1のシリコン基板11の周辺部には、LED素子1のシリコン基板11と同一高さの高熱伝導樹脂層6が設けられている。高熱伝導樹脂層6がLED素子1のシリコン基板11より高いと、蛍光体層5からの放射された光が高熱伝導樹脂層6によって遮断されて光学的効率が低下する。逆に、高熱伝導樹脂層6がLED素子1のシリコン基板11より低いと、高熱伝導樹脂層6の熱伝導効率が低下する。すなわち、光学的効率から高熱伝導樹脂層6が接するのはシリコン基板11の側面であってエピタキシャル層12の側面は解放されていることが好ましく、さらに熱伝導効率から高熱伝導樹脂層6はLED素子1のシリコン基板11と同一高さを有するのが最適である。高熱伝導樹脂層6の外周部には配光制御レンズ7の固定用枠として作用する高熱伝導樹脂層8がLED素子1を、その上面よりも高く設けられ包囲している。高熱伝導樹脂層6、8は熱が伝わるよう接した状態となっている。配光制御レンズ7の固定用枠としての高熱伝導樹脂層8の外側の一部と接するように高熱伝導樹脂層9が形成され、その内側にはストロボの制御回路チップ10が樹脂封止される。図2の高熱伝導樹脂層6、8、9の材料としては、熱可塑性プラスチックであるポリフェミレンスルフィドPPSたとえば出光製KW158商標を用いる。図3に示すごとく、通常の樹脂たとえばアクリル樹脂、ポリカーボネートPCの熱伝導率は019WmKと小さいのに対し、KW158は2WmKと非常に大きいことが分る。他に高熱伝導樹脂層に用いる樹脂にはNT783などが適用可能である。本発明における高熱伝導樹脂層とは図3にあるように10WmK以上の熱伝導率を持つものをさす。図4は図2のLEDモジュールにおける熱伝導動作を説明するための図で、Aは平面図、BはAのB-B線断面図である。図4に示すように、LED素子1のシリコン基板11より発生した熱は高熱伝導樹脂層6を介して全周囲に放熱され、また、高熱伝導樹脂層8を介して外周部に放熱され、さらに、高熱伝導樹脂層8の一部を通過した熱は高熱伝導樹脂層9を介して放熱される。このとき、空気に対する高熱伝導樹脂層6、8、9の熱放射面積が大きい。尚、電極層4も熱伝導効果を有する。このように、LED素子1から発生した熱はLEDモジュール全体に拡散されて放熱されるので、放熱効率が高くなる。また、配光制御レンズ7は熱の影響による変形を受けにくくなる。図5は図2のLEDモジュールの変更例を示す。図5においては、図2の蛍光体層5代りに蛍光体層5’を設けてある。図1に示すごとく、LED素子1のエピタキシャル層12の側壁も僅かな光を発生する。このため、蛍光体層5’はLED素子1のエピタキシャル層12の側面まで覆うことにより色むらを防止する。本発明で使用する発光素子は図1の薄膜型LED素子に限らないが、少なくとも高熱伝導樹脂層6は発光の妨げにならないように発光面である上面の高さを越えないように設けられる。尚、本発明はLEDモジュール以外でも上方に光を放出する発光装置に適用し得る。