"絶縁性基板の一方の面には、裏面電極層と光電変換層と透明電極層とが当該順で積層され、前記絶縁性基板の他方の面には、背面電極層が成膜され、前記絶縁性基板の両面に積層した層に対して互い違いにパターニングラインを形成することにより前記絶縁性基板が複数のユニットセルに分割され、前記透明電極層と前記背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第1の貫通孔を介して電気的に接続され、前記裏面電極層と前記背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第2の貫通孔を介して電気的に接続され、隣接するユニットセルが直列接続されている薄膜太陽電池において、少なくとも前記第2の貫通孔を取囲んだ領域の前記透明電極層を、紫外線パルスレーザにより除去する透明電極層除去部を有し、前記第2の貫通孔部において、透明電極層と背面電極層とが電気的に絶縁されていることを特徴とした薄膜太陽電池。前記絶縁性基板が、フィルム材料から形成されていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜太陽電池。前記フィルム材料が、ポリイミド又はポリアミドイミド又はポリエチレンナフタレート、の耐熱性フィルムであることを特徴とする請求項2に記載の薄膜太陽電池。前記光電変換層が、アモルファス半導体或いはアモルファス化合物半導体、色素増感形太陽電池、有機太陽電池のなかのいずれかであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の薄膜太陽電池。絶縁性基板に第2の貫通孔を形成するステップと、前記絶縁性基板の一方の面に裏面電極層を形成するとともに、前記絶縁性基板の他方の面に第1の背面電極層を形成するステップと、前記裏面電極層及び前記第1の背面電極層を形成した後に、前記絶縁性基板に第1の貫通孔を形成するステップと、前記裏面電極層の上に光電変換層を積層するステップと、前記光電変換層上に透明電極層を積層するとともに、前記絶縁性基板の他方の面側から第2の背面電極層を積層するステップと、前記絶縁性基板の両面に積層した層に対して互い違いにパターニングラインを形成して、前記絶縁性基板を複数のユニットセルに分割するステップと前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層を紫外線パルスレーザにより除去するステップを含むことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。請求項5に記載の薄膜太陽電池の製造方法において、前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層を紫外線パルスレーザにより除去したときのラマン分測定によるラマンシフトとして、480から490cm1のピーク値をIaとし、510から520cm1のピーク値をIcとした時に、Ic/Ia<2でレーザ加工を行なうことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。請求項1に記載の薄膜太陽電池を製造する方法として、前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層を紫外線パルスレーザにより除去したときのラマン分測定によるラマンシフトとして、480から490cm1のピーク値をIaとし、510から520cm1のピーク値をIcとした時に、Ic/Ia<2でレーザ加工を行なうことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。まず、上述の図12ないし図14の構成では、以下のような問題が生じる。従来の構成では、第2の貫通孔28において透明電極層25と第2の背面電極層26とが接触しないように、透明電極層25を形成する際には、第2の貫通孔28の近傍にマスク処理を行っていた。したがって、図14bに示すように、第2の貫通孔28の近傍には、透明電極層25が形成されないので、従来の構成では、透明電極層25の有効面積が制限されていた。第2の貫通孔28は、第1の背面電極層23b及び第2の背面電極層26の電気抵抗を考慮して一定間隔をあけて配置されるので、絶縁性基板22上において透明電極層25が形成できない領域が一定の間隔で設けられることになる。したがって、透明電極層25の有効面積が小さくなり、これに比例して薄膜太陽電池21の出力も低下してしまうという問題があった。そして、第2の貫通孔28の近傍をマスク処理するので、絶縁性基板22上の透明電極層25などとマスクとが接触することにより絶縁性基板22上の透明電極層25などが損傷する可能性があった。このように絶縁性基板22上にある層が損傷すると、リーク電流などが増加することになり、薄膜太陽電池21を製造する際の不良率が増加してしまうという問題もあった。さらに、特許文献2に開示された技術では、接続孔を導電性のある材料で塞いでいるので、接続孔における絶縁性が十分でなく、リーク電流が増加してしまうという問題があった。また、絶縁性表面を有する基板上に、裏面電極膜とnip接合を含む非晶質シリコン、微結晶シリコン等の薄膜半導体膜からなる光電変換層と透光性導電膜とを積層してなる光電変換素子の製造で、成膜の分離溝加工をレーザにより行なう場合で、特に透光性電極膜にエキシマレーザを照射して開溝を形成すると、特許文献4段落0018参照で開示されているように、透光性電極膜の下地層である光電変換層表面が微結晶化低抵抗化する。このため、特許文献4に開示されているように、後工程でエッチングが必要になってしまう。本発明はこのような実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、透明電極層の有効面積を広げて薄膜太陽電池の出力を増加させるとともに、第2の貫通孔における絶縁性を確保して薄膜太陽電池を製造する際の不良率を低下させることが可能な薄膜太陽電池及びその製造方法を提供することにある。上記従来技術の有する課題を解決するために、本発明は、絶縁性基板の一方の面には、裏面電極層と光電変換層と透明電極層とが当該順で積層され、前記絶縁性基板の他方の面には、背面電極層が成膜され、前記絶縁性基板の両面に積層した層に対して互い違いにパターニングラインを形成することにより前記絶縁性基板が複数のユニットセルに分割され、前記透明電極層と前記背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第1の貫通孔を介して電気的に接続され、前記裏面電極層と前記背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第2の貫通孔を介して電気的に接続され、隣接するユニットセルが直列接続されている薄膜太陽電池において、少なくとも前記第2の貫通孔を取囲んだ領域の前記透明電極層を、紫外線パルスレーザにより除去する透明電極層除去部を有し、前記第2の貫通孔部において、透明電極層と背面電極層とが電気的に絶縁されていることを特徴とする。また、前記背面電極層は、第1の背面電極層と第2の背面電極層とを当該順で前記絶縁性基板の他方の面上に積層する構成であってもよく、この場合、前記透明電極層と前記第2の背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第1の貫通孔を介して電気的に接続され、前記裏面電極層と前記第1の背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第2の貫通孔を介して電気的に接続され、第2の貫通孔周囲の透明電極を紫外線パルスレーザにより除去することで、透明電極層と第2の背面電極層とが電気的に絶縁されている構造である。そして、本発明の薄膜太陽電池によれば、前記絶縁性基板が、フィルム材料から形成され、フィルム材料が、ポリイミド又はポリアミドイミド又はポリエチレンナフタレート、の耐熱性フィルムである。また、本発明の薄膜太陽電池によれば、前記光電変換層が、アモルファス半導体或いは微結晶を含むアモルファス半導体、色素増感形太陽電池、有機太陽電池のなかのいずれかである。上記従来技術の有する課題を解決するために、本発明の薄膜太陽電池の製造方法は、絶縁性基板に第2の貫通孔を形成するステップと、前記絶縁性基板の一方の面に裏面電極層を形成するとともに、前記絶縁性基板の他方の面に第1の背面電極層を形成するステップと、前記裏面電極層及び前記第1の背面電極層を形成した後に、前記絶縁性基板に第1の貫通孔を形成するステップと、前記裏面電極層の上に光電変換層を積層するステップと、前記光電変換層上に透明電極層を積層するとともに、前記絶縁性基板の他方の面側から第2の背面電極層を積層するステップと、前記絶縁性基板の両面に積層した層に対して互い違いにパターニングラインを形成して、前記絶縁性基板を複数のユニットセルに分割するステップと前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層を紫外線パルスレーザにより除去するステップを含む。そして、本発明の薄膜太陽電池の製造方法によれば、前記第2の貫通孔の周囲の前記透明電極層を紫外線パルスレーザにより除去したときのラマン分光測定によるラマンシフトとして、480から490cm1のピーク値をIaとし、510から520cm1のピーク値をIcとした時に、Ic/Ia<2でレーザ加工を行なうことが好ましい。また、より好ましくは、Ic/Ia<1.5でレーザ加工を行なうことが良い。本発明に係る薄膜太陽電池によれば、絶縁性基板の一方の面には、裏面電極層と光電変換層と透明電極層とが当該順で積層され、前記絶縁性基板の他方の面には、背面電極層が成膜され、前記絶縁性基板の両面に積層した層に対して互い違いにパターニングラインを形成することにより前記絶縁性基板が複数のユニットセルに分割され、前記透明電極層と前記第2の背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第1の貫通孔を介して電気的に接続され、前記裏面電極層と前記背面電極層とが、前記絶縁性基板を貫通する第2の貫通孔を介して電気的に接続され、隣接するユニットセルが直列接続されている薄膜太陽電池において、少なくとも前記第2の貫通孔を取囲んだ領域の前記透明電極層を、紫外線パルスレーザにより除去する透明電極層除去部を有し、前記第2の貫通孔部において、透明電極層と背面電極層とが電気的に絶縁するようにでき、従来のように、第2の貫通孔を含む近傍をマスクして透明電極層を積層しない領域を作る場合と比べて、透明電極層の有効面積を広げて薄膜太陽電池の出力を増加させることができる。また、従来のように第2の貫通孔の近傍にマスク処理を行う必要がなくなることで、薄膜太陽電池の製造時の歩留まりが向上する。加えて、第2の貫通孔の近傍にマスク処理を行う必要がなくなるので、マスクと基板上の層とが接触して基板上の層が損傷することもなくなる。これにより、薄膜太陽電池においてリーク電流が増加することもなくなり、薄膜太陽電池を製造する際の不良率を低下させることができる。しかも、第2の貫通孔の周囲で少なくとも透明電極が分離されて、発電領域荷における透明電極層と背面電極層が分離されるため第2の貫通孔における絶縁性も確保することができる。さらに、少なくとも前記第2の貫通孔を取囲んだ領域の前記透明電極層の除去加工として、除去加工部の光電変換層の結晶化の影響が無く実施が可能であり、従来のように、加工後の結晶化部をさらにエッチング加工するなどの後工程を必要としない。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。図1は、第一実施形態に係る薄膜太陽電池の平面図である。図2のaは、図1のE-E線断面図であり、bは、aにおけるH部の拡大図である。また、図3のaは、図1のG-G線断面図であり、bは、aにおけるJの拡大図である。図1に示すように、本発明の実施形態に係る薄膜太陽電池1は、複数の第1の貫通孔7と、第2の貫通孔8が設けられており、薄膜太陽電池1の表面側受光面側が第1のパターニングライン9で、複数に分割した単位太陽電池を形成している。この第1のパターニングライン9は、第1の貫通孔7と第2の貫通孔8とのまとまりで区切るように、構成している。そして、薄膜太陽電池1の表面側非受光面側は、第1のパターニングライン9で区切られた第1の貫通孔7と第2の貫通孔8に対して、第1の貫通孔7と第2の貫通孔8を分離する位置に第2パターニングライン10が設けられて分割する構成となっている。図1で示す本発明の実施形態に係る薄膜太陽電池1と、従来の図12に示す薄膜太陽電池21との平面図での相違点は、図12では、薄膜太陽電池21の両側に透明電極層25を成膜しない領域が存在したが、図1においては、そのような箇所は無く、全面に透明電極層5が存在する点にある。次に、本発明の実施形態に係る薄膜太陽電池1の断面構造について、図2と図3により、説明する。本実施形態に係る薄膜太陽電池1は、絶縁性基板2を備えている。この絶縁性基板2は、フィルム材料から形成されており、例えば、ポリイミドやポリアミドイミド又はポリエチレンナフタレート、あるいはアラミド等の材料から形成されている。図2に示すように、絶縁性基板2の両面には、Ag等の金属からなる金属電極層3が形成されている。ここで、絶縁性基板2のF側である受光側面上の金属電極層3は、裏面電極層3aとして機能し、絶縁性基板2のR側である非受光側面上の金属電極層3は、第1の背面電極層3bとして機能する。そして、裏面電極層3a上には、光電変換層4と透明電極層5を当該順で積層し、絶縁性基板2の他方の面上の第1の背面電極層3b上には、第2の背面電極層6を積層する。図2bの第1の貫通孔7においては、その孔の内面側壁部において、透明電極層5と第2の背面電極層6が電気的に接続している。次に、第2の貫通孔8においては、図3に示すように、絶縁性基板2のF側である受光側面上にある裏面電極層3には、光電変換層4と透明電極層5とが当該順で積層されている。そして、第2の貫通孔8の外周において、透明電極層5が除去された透明電極層除去部12を設ける。この透明電極層除去部12は、透明電極層5に接してあるいは図示しない界面層を介して積層されている光電変換層4の一部までを除去することで、導電性を有する透明電極層5を完全に取り除くように構成している。図4には、本発明の実施形態における第2の貫通孔8付近の拡大平面図を示す。図4においては、第2の貫通孔8の周囲を取り巻くように、透明電極層除去部12が形成されている。図4の例においては、透明電極層除去部12が、第2の貫通孔8と同心円状までの範囲を除去してなる形状をしているが、これに限定されるものでなく、第2の貫通孔8とは中心が異なる円や楕円、正方形、矩形あるいは多角形のような形状からなる範囲を除去するように構成してもよく、特に形成形状は限定されない。すなわち、図3bの構成によって、絶縁性基板2のF側で、第2の貫通孔8周囲の透明電極層5と、第2の貫通孔8の孔の内面側壁部から絶縁性基板2のR側である非受光側面上につながって形成されている、第2の背面電極層6と、電気的に絶縁分離する。また、本発明の別の実施形態第二実施形態に係る薄膜太陽電池の平面図を図5に示す。図5における薄膜太陽電池11に関し、第一実施形態に係る薄膜太陽電池である図1との相違点は、複数の第1の貫通孔7からなる列と平行な位置に、複数の第2の貫通孔108が、列をなして形成されている点である。そして、各第2の貫通孔108には、その周囲の透明電極層を除去した透明電極層除去部112が設けられている。本発明における透明電極層除去部12は、図3bに示すように、透明電極層5をパルス発振の紫外線レーザを用い、レーザ除去加工することで、形成する。ここで、光電変換層4としては、アモルファス半導体やアモルファス化合物半導体、色素増感形太陽電池、又は有機太陽電池を用いることができる。また、図2bに示す絶縁性基板2のF側である受光側面上に積層された層裏面電極層3a、光電変換層4、透明電極層5は、図1に示すように、YAGレーザやYAGレーザ第二高調波などを用いたレーザ加工による第1のパターニングライン9により複数に分割されている。そして、絶縁性基板2のR側である非受光側面上に積層された層第1の背面電極層3b、第2の背面電極層6も同様に、図1に示すレーザ加工による第2のパターニングライン10により複数に分割されている。ここで、第1のパターニングライン9及び第2パターニングライン10は、絶縁性基板2において互い違いに配置されている。図1及び図2に示すように、絶縁性基板2には、絶縁性基板2を貫通する第1の貫通孔7が設けられている。透明電極層5と第2の背面電極層6とは、第1の貫通孔7の側壁部上で互いに重なり合うような形で接続している。これにより、絶縁性基板2のF側である受光側面上の各層とR側である非受光側面上の各層とからなるユニットセル単位太陽電池が形成されている。また、図1及び図3に示すように、絶縁性基板2には、絶縁性基板2を貫通する第2の貫通孔8が設けられている。裏面電極層3aと第1の背面電極層3bとは、第2の貫通孔8の側壁部を介して電気的に接続されている。すなわち、隣接し合うユニットセルが第2の貫通孔8により電気的に接続されている。詳細には、第1及び第2の貫通孔7,8は、第1及び第2の背面電極層3b,6→第1の貫通孔7→透明電極層5→光電変換層4→裏面電極層3a→第2の貫通孔8→第1の背面電極層3bの順に接続するために利用されている。以上のように、隣接し合うユニットセルを電気的に直列接続することにより、薄膜太陽電池1が構成されている。そして、本実施形態の特徴としては、図3に示すように、透明電極層5の発電部は第2の貫通孔8の周囲において透明電極層除去部12を形成することにより、第2の貫通孔8の側壁部を通じてつながる背面電極層6と、電気的に絶縁分離されている。次に、本発明に係る特徴部分の形成方法について、図6により説明する。本発明の薄膜太陽電池1によれば、第2の貫通孔8の外周において、透明電極層5が除去された透明電極層除去部12を設けるために、パルスレーザを用い、照射するレーザ1パルスまたは複数パルスによって透明電極層除去部12の透明電極層5除去を行なう。レーザしては、ArF,KrCl,KrF,XeBr,XeCl,XeFなどのエキシマレーザや、F2レーザなどの紫外線パルスレーザを用いることができる。このように、発振波長380nm以下の紫外光を用いた、レーザアブレーション加工とすることにより、加工部における発電層透明電極層5の変質によるショートを防ぐことも可能となる。図6では、エキシマレーザ発振機40からの紫外線レーザ光41をマスク42に当ててレーザビーム形状を変更し、反射ミラー43と凸レンズ44を通して、被加工物である薄膜太陽電池1の第2の貫通孔8周囲の透明電極層5に、レーザ光を照射する。図6において、マスク42は、透明電極層除去部12と同形状の穴が開いており、マスク42で形状変更したレーザ光41aは、凸レンズ44により、加工サイズに集光して透明電極層除去部12に照射する。この時、レーザ光学系は固定とし、図示しない被加工物を載置するステージを動かしても良いし、あるいは、被加工物の位置を固定とし、反射ミラー43を複数枚用いて、レーザビーム位置を移動するようにしても良い。また、凸レンズ44は、必ずしも必要ではない。例えば、図5のように第2の貫通孔108が隣接して多く設ける場合などでは、エキシマレーザ発振機40からのレーザビームサイズの範囲で一回で同時に加工できる複数の透明電極層除去部112を形成する位置に相当する複数の穴をマスク42に設けて、同時に複数の透明電極層除去部112を形成することもできる。また、本発明に係る特徴部分の別の形成方法として、図7のような加工を行うことも可能である。図7においては、図5に示すような、複数の第2の貫通孔108が列をなして形成されている場合に、矩形の穴を有するマスク42aを用い、シリンドリカル凹レンズ44aで、図7に示すように、第2の貫通孔108の2つの周囲の透明電極層5を除去する透明電極層除去部112aが形成できるようにすることもできる。次に、本発明の実施形態に係る薄膜太陽電池の製造方法について図面を参照して説明する。図8は、本実施形態に係る薄膜太陽電池111,11aを製造する際のフローチャートである。本実施形態に係る薄膜太陽電池1は、絶縁性基板2として上述したようなフィルム材料を用いる。薄膜太陽電池1を製造する方法としては、ロールツーロール方式やインクジェットによる印刷技術を用いる。例えば、ロールツーロール方式は、フィルム材料の基板が複数のロール搬送手段によって搬送され、連続して配置された成膜室内において基板上に連続的に薄膜を成膜する方式である。薄膜太陽電池1を製造する際には、図8に示すように、まずステップS1において、絶縁性基板2の前処理を行う。具体的には、絶縁性基板2をプラズマ中に曝す事によって表面を洗浄する等の前処理を行う。次に、ステップS2において、絶縁性基板2に第2の貫通孔8を形成する。第2の貫通孔8はパンチング穿孔法により形成する。第2の貫通孔8の形状としては、直径が1mmの円形としている。第2の貫通孔8は、円形の直径を0.05-1mmの範囲で設定され、穿孔数は設計に応じて調整することができる。次に、ステップS3において、スパッタリング処理を行うことにより絶縁性基板2の両面に裏面電極層3a及び第1の背面電極層3bを形成する。この際、裏面電極層3a及び第1の背面電極層3bが第2の貫通孔8を介して電気的に接続することになる。その後、ステップS4において、絶縁性基板2の両面に形成した層をレーザ加工により直線状に除去して1次パターングライン図示せずを形成する。この際、絶縁性基板2の両面に形成するラインは、互いにずらして形成される。そして、ステップS5において、絶縁性基板2に第1の貫通孔7を形成する。第1の貫通孔7はパンチングにより形成する。次に、ステップS6において、絶縁性基板2の裏面電極層3a上に光電変換層4を形成し、その後、ステップS7において、光電変換層4上に透明電極層5を形成する。次に、ステップS8において、絶縁性基板2の第1の背面電極層3b上に第2の背面電極層6を形成する。次に、ステップS9において、ステップS4で形成した1次パターニングライン上の光電変換層4及び透明電極層5を、レーザ加工により再度直線状に除去して第1のパターニングライン9を形成する。さらに、ステップS10において、ステップS4で形成した1次パターニングライン上の第2の背面電極層6を、レーザ加工により再度直線状に除去して第2のパターニングライン10を形成する。そして、ステップS11において、ステップ7において形成した透明電極をステップS2で形成した第2の貫通孔周囲をレーザ加工により除去する。これにより第2の貫通孔周囲の透明電極層除去部12に対し、外側の透明電極層5と金属電極層3が分離され、第1及び第2のパターニングライン9,10により絶縁性基板2上の層が複数のユニットセルに分離され、薄膜太陽電池1の直列接続が完成する。本発明の実施形態に係る薄膜太陽電池1によれば、絶縁性基板2のF側である受光側面には、裏面電極層3aと光電変換層4と透明電極層5とが当該順で積層され、絶縁性基板2のR側である非受光側の面には、第1の背面電極層3bと第2の背面電極層6とが当該順で積層され、絶縁性基板2の両面に積層した層に対して互い違いに第1及び第2のパターニングライン9,10を形成することにより絶縁性基板2が複数のユニットセルに分割され、透明電極層5と第2の背面電極層6とが、絶縁性基板2を貫通する第1の貫通孔7を介して電気的に接続され、裏面電極層3aと第1の背面電極層3bとが、絶縁性基板2を貫通する第2の貫通孔8を介して電気的に接続され、隣接するユニットセルが直列接続されている薄膜太陽電池1において、透明電極層5が第2の貫通孔8の周囲において分離もしくは除去されることで、発電領域における透明電極と裏面電極3や背面電極6と分離される。本発明の第1実施形態に係る薄膜太陽電池1の製造方法によれば、絶縁性基板2に第2の貫通孔8を形成するステップと、絶縁性基板2の一方の面2aに裏面電極層3aを形成するとともに、絶縁性基板2の他方の面2bに第1の背面電極層3bを形成するステップと、裏面電極層3a及び第1の背面電極層3bを形成した後に、絶縁性基板2に第1の貫通孔7を形成するステップと、絶縁性基板2の一方の面2a側から光電変換層4と透明電極層5とを当該順で積層するとともに、絶縁性基板2の他方の面2b側から第2の背面電極層6を積層するステップと、絶縁性基板2の両面2a,2bに積層した層に対して互い違いに第1及び第2のパターニングライン9,10を形成して、絶縁性基板2を複数のユニットセルに分割するステップと、透明電極層5を貫通孔8の周囲で分離する工程を含むので、従来のように第2の貫通孔の近傍にマスク処理を行う必要がなくなり、薄膜太陽電池1の製造時の歩留まりが向上する。加えて、第2の貫通孔8の近傍にマスク処理を行う必要がなくなるので、マスクと絶縁性基板2上の層とが接触して絶縁性基板2上の層が損傷することもなくなる。これにより、薄膜太陽電池1においてリーク電流が増加することもなくなり、薄膜太陽電池1を製造する際の不良率を低下させることができる。そして、透明電極層5を分離する透明電極層除去部12の形成を、少なくとも1つの貫通孔周囲の透明電極を1パルスあるいは複数パルス連続ショットで行うものとすると、処理時間が短くなる。更にこのパルスレーザを、ArF,KrCl,KrF,XeBr,XeCl,XeFなどのエキシマレーザや、F2レーザなどの紫外線パルスレーザとすることで、熱の影響よりも分子を切断して除去するアブレーションの効果が強くなり、ショートを防ぐレーザ加工を実現することができる。本発明では、透明電極層5を分離する透明電極層除去部12の形成において、この透明電極層除去部12が、透明電極層5に接してあるいは図示しない界面層を介して積層されている光電変換層4を所定の深さまでを除去することで、導電性を有する透明電極層5を完全に取り除くように構成するため、透明電極層除去部12のレーザ加工条件によっては、レーザ加工した光電変換層表面が結晶化することでの低抵抗化現象が起こり、第2の貫通孔8周囲の透明電極層除去部12外周の透明電極層5と、第2の貫通孔8の側壁部を通じてつながる背面電極層6とが、完全に電気的絶縁分離されず、リークが起こるという問題が発生する。すなわち、レーザ照射により、熱影響を受けると、光電変換層が結晶化し、抵抗値が下がることになる。エキシマレーザなどの紫外線レーザを用いたレーザ加工では、アブレーションの効果が強く、熱加工の影響は低いとされているが、レーザのエネルギーが高い時や、複数回レーザパルスをショットした場合などには、熱影響による光電変換層が結晶化することが起こる。ここで、光電変換層の結晶化した部分とは、光電変換層にレーザが照射されることによって、少なくとも光電変換層の一部が、アモルファス状態から結晶化された部分を言い、光電変換層を成膜する時の条件により、光電変換層を部分的に結晶化させる部分としての微結晶層とは区別される。光電変換層の結晶化は、ラマン分光測定を行なうことで評価できる。図9に、アモルファスSiからなる光電変換層にエキシマレーザを照射した時の状態におけるラマン分光測定結果を示す。図9aは、光電変換層に175mJ/cm2のレーザパワー密度でKrFレーザを照射した時で、図9bは200mJ/cm2、図9cは225mJ/cm2、図9dは250mJ/cm2のパワー密度でKrFレーザを光電変換層に照射した時のラマン分光測定結果である。また、図9eは、比較のためにレーザ加工をしない場合を示した。図9での縦軸はラマン散乱強度Intensitiyで、横軸がラマンシフトcm1として示す。ラマンシフトにおいて、480から490cm1付近がアモルファスSi相の状態を示し、510から520cm1付近が結晶Si相を示す。光電変換層へのKrFレーザをパワー密度175mJ/cm2とした図9aにおいては、結晶Si相の存在を示す510から520cm1のピークが確認できないので、レーザ加工による低抵抗化現象が起こっていないと判断できる。これに比べ、光電変換層へのKrFレーザをパワー密度200mJ/cm2とした図9bでは、510から520cm1でピークが出る場合と出ない場合があり、結晶化への影響が起こり始める付近の条件と考える。そして、さらに照射するKrFレーザのパワー密度を高くし、パワー密度225mJ/cm2とした図9cと、パワー密度250mJ/cm2とした図9dにおいては、520cm1付近でピークが確認できる。すなわち、レーザ加工によって、光電変換層に結晶Si化の現象が起こり始めていることを示す。ラマン分光測定におけるラマンシフトで、アモルファスSi相の状態を示す480から490cm1のピーク値をIaとし、510から520cm1のピーク値をIcとすると、これらの比であるIc/Iaを、結晶化に対する指標として表すことができる。光電変換層へ照射するKrFレーザのパワー密度と、図9によるIc/Iaの関係を図10に示す。図10から、光電変換層へ照射するレーザのパワー密度とIc/Iaの関係は、直線関係が得られている。次に、光電変換層の上に透明電極層を積層した長さ1cmの試験片に対し、長さ1cmで幅100μmの領域の透明電極層をKrFレーザで除去し、その除去した100μm幅の両側の透明電極層間における抵抗を測定した。その結果を図11に示す。図11からも、Ic/Iaの値が大きくなると、抵抗が小さくなり、絶縁が不十分になることが分かる。以上の結果から、図9のラマン分光測定の結果で、光電変換層表面への結晶化の影響が出始める時は、KrFレーザのパワー密度200mJ/cm2から225mJ/cm2の間となる。すなわち、Ic/Ia<2の条件、好ましくは、Ic/Ia<1.5の条件が良いことになる。実際の薄膜太陽電池を用い、第2の貫通孔の周囲の透明電極層を除去する実験を行なった。その結果を表1に示す。照射レーザはKrFを用いた。レーザのパワー密度250mJ/cm2以上で、加工箇所に黒色の変色が確認できた。したがって、表1におけるパワー密度225mJ/cm2以下の条件での加工を行う必要があり、上述のラマン分光測定の結果と一致した。また、照射するパワー密度を低くし、パワー密度200mJ/cm2までは、1パルスの照射で加工が可能であったが、パワー密度175mJ/cm2とすると、1パルスでは、透明電極層をすべて除去することができなかった。しかし、2パルスを照射することで、透明電極層をすべて除去した良好な加工が行なえた。さらに照射するパワー密度を低くし、パワー密度150mJ/cm2にすると、数パルスでは透明電極層への変化が見られなかった。以上から、紫外線パルスレーザを用い、薄膜太陽電池における第2の貫通孔周囲の透明電極層除去を行なうことができた。そして、レーザの照射条件は、ラマン分光測定によるラマンシフトで480から490cm1のピーク値をIaとし、510から520cm1のピーク値をIcとしたIc/Ia<2となるレーザ照射強度での加工が好ましいという結果を得た。"