内部シリコン標準に対して測定するとき、2θとして表される1748及び2058±020°の一方又は両方にピークを有するX線粉末回折パターンにより特徴付けられる、7クロロNベンゾbチオフェン2カルボキサミド塩酸塩一水和物の結晶形I。内部シリコン標準に対して測定するとき、2θとして表される45090414601514158016601816184419482174及び2546±020°に少なくとも1つのピークをさらに有するX線粉末回折パターンにより特徴付けられる、請求項1記載の結晶形I。内部シリコン標準に対して測定するとき、2θとして表される45090414601514158016601816184419482174及び2546±020°に少なくとも2つのピークをさらに有するX線粉末回折パターンにより特徴付けられる、請求項2記載の結晶形I。内部シリコン標準に対して測定するとき、2θとして表される45090414601514158016601816184419482174及び2546±020°に少なくとも4つのピークをさらに有するX線粉末回折パターンにより特徴付けられる、請求項2記載の結晶形I。内部シリコン標準に対して測定するとき、2θとして表される45090414601514158016601816184419482174及び2546±020°に少なくとも6つのピークをさらに有するX線粉末回折パターンにより特徴付けられる、請求項2記載の結晶形I。内部シリコン標準に対して測定するとき、2θとして表される45090414601514158016601816184419482174及び2546±020°に少なくとも8つのピークをさらに有するX線粉末回折パターンにより特徴付けられる、請求項2記載の結晶形I。内部シリコン標準に対して測定するとき、2θとして表される45090414601514158016601816184419482174及び2546±020°にピークをさらに有するX線粉末回折パターンにより特徴付けられる、請求項2記載の結晶形I。内部シリコン標準に対して測定するとき、2θとして表される2116及び2138±020°の一方又は両方にピークを有するX線粉末回折パターンにより特徴付けられる、7クロロNベンゾbチオフェン2カルボキサミド塩酸塩一水和物の結晶形II。内部シリコン標準に対して測定するとき、2θとして表される448900135815621648190219442246及び2500±020°に少なくとも1つのピークをさらに有するX線粉末回折パターンにより特徴付けられる、請求項8記載の結晶形II。内部シリコン標準に対して測定するとき、2θとして表される448900135815621648190219442246及び2500±02°に少なくとも2つのピークをさらに有するX線粉末回折パターンにより特徴付けられる、請求項9記載の結晶形II。内部シリコン標準に対して測定するとき、2θとして表される448900135815621648190219442246及び2500±02°に少なくとも4つのピークをさらに有するX線粉末回折パターンにより特徴付けられる、請求項9記載の結晶形II。内部シリコン標準に対して測定するとき、2θとして表される448900135815621648190219442246及び2500±02°に少なくとも6つのピークをさらに有するX線粉末回折パターンにより特徴付けられる、請求項9記載の結晶形II。内部シリコン標準に対して測定するとき、2θとして表される448900135815621648190219442246及び2500±02°に少なくとも8つのピークをさらに有するX線粉末回折パターンにより特徴付けられる、請求項9記載の結晶形II。内部シリコン標準に対して測定するとき、2θとして表される448900135815621648190219442246及び2500±02°にピークをさらに有するX線粉末回折パターンにより特徴付けられる、請求項9記載の結晶形II。請求項1~7のいずれかに記載の結晶形を含有する医薬組成物。請求項8~14のいずれかに記載の結晶形を含有する医薬組成物。アルファ7受容体活性化により治療又は予防され得る疾患の治療及び/又は予防のための請求項1~7のいずれかに記載の結晶形。アルファ7受容体活性化により治療又は予防され得る疾患の治療及び/又は予防のための請求項8~14のいずれかに記載の結晶形。請求項1~7のいずれかに記載の結晶形を対象に投与することを含む、アルファ7受容体活性化により治療又は予防され得る疾患の治療又は予防方法。請求項8~14のいずれかに記載の結晶形を対象に投与することを含む、アルファ7受容体活性化により治療又は予防され得る疾患の治療又は予防方法。請求項1~7のいずれかに記載の結晶形を対象に投与することを含む、対象における認知機能を改善する又は認知障害を治療する方法。対象が注意欠陥障害、注意欠陥多動性障害、及びパーキンソン病から選択される障害に罹患している、請求項21記載の方法。対象がアルツハイマー病及び統合失調症から選択される障害に罹患している、請求項21記載の方法。請求項1~7のいずれかに記載の結晶形を対象に投与することを含む、注意欠陥障害、注意欠陥多動性障害、パーキンソン病、アルツハイマー病及び統合失調症から選択される障害を治療する方法。請求項1~7のいずれかに記載の結晶形を対象に投与することを含む、アルツハイマー病、パーキンソン病及び統合失調症から選択される障害を発症するリスクのある対象を処置する方法。請求項1~7のいずれかに記載の結晶形を対象に投与することを含む、60歳を超える対象を治療する方法。請求項1~7のいずれかに記載の結晶形を対象に投与することを含む、加齢性記憶障害の治療方法。対象が60歳を超えている、請求項27記載の方法。請求項1~7のいずれかに記載の結晶形を賦形剤又は医薬的に許容される担体と組み合わせることを含む、医薬組成物の製造方法。請求項1~7のいずれかに記載の結晶形を液体と組み合わせることを含む、請求項29記載の方法。請求項1~7のいずれかに記載の結晶形を含有する組成物をカプセルに充填することを含む、医薬組成物の製造方法。請求項8~14のいずれかに記載の結晶形を対象に投与することを含む、対象における認知機能を改善する又は認知障害を治療する方法。対象が注意欠陥障害、注意欠陥多動性障害、及びパーキンソン病から選択される障害に罹患している、請求項32記載の方法。対象がアルツハイマー病及び統合失調症から選択される障害に罹患している、請求項32記載の方法。請求項8~14のいずれかに記載の結晶形を対象に投与することを含む、注意欠陥障害、注意欠陥多動性障害、パーキンソン病、アルツハイマー病及び統合失調症から選択される障害を治療する方法。請求項8~14のいずれかに記載の結晶形を対象に投与することを含む、アルツハイマー病、パーキンソン病及び統合失調症から選択される障害を発症するリスクのある対象を処置する方法。請求項8~14のいずれかに記載の結晶形を対象に投与することを含む、60歳を超える対象を治療する方法。請求項8~14のいずれかに記載の結晶形を対象に投与することを含む、加齢性記憶障害の治療方法。対象が60歳を超えている、請求項38記載の方法。請求項8~14のいずれかに記載の結晶形を賦形剤又は医薬的に許容される担体と組み合わせることを含む、医薬組成物の製造方法。請求項8~14のいずれかに記載の結晶形を液体と組み合わせることを含む、請求項40記載の方法。請求項8~14のいずれかに記載の結晶形を含有する組成物をカプセルに充填することを含む、医薬組成物の製造方法。次の工程を含む、請求項1~7のいずれかに記載の結晶形Iの製造方法:7クロロNベンゾbチオフェン2カルボキサミド塩酸塩を、含水有機溶媒中で、温度-水分活性範囲I内で、必要であれば、その温度及び/又は水分活性を低下させながら、攪拌し、実質的に純粋な結晶形Iを形成させ、及び生成した結晶形Iを単離するここで、温度-水分活性範囲Iは、下記の含水有機溶媒の温度と水分活性の関係により定義される。含水有機溶媒の水分活性が016乃至073であり;含水有機溶媒の温度がより高く、含水有機溶媒の沸騰温度より低い。工程において、含水有機溶媒中の7クロロNベンゾbチオフェン2カルボキサミド塩酸塩の初期状態が溶液であり、当該溶液が、温度-水分活性範囲I内で、その温度及び/又は水分活性を低下させながら、攪拌される、請求項43記載の方法。工程において、含水有機溶媒中の7クロロNベンゾbチオフェン2カルボキサミド塩酸塩の初期状態が懸濁液であり、当該懸濁液が、温度-水分活性範囲I内で、必要であれば、その温度及び/又は水分活性を低下させながら、攪拌される、請求項43記載の方法。工程において、7クロロNベンゾbチオフェン2カルボキサミド塩酸塩の種晶が溶液に添加される、請求項44記載の方法。種晶が7クロロNベンゾbチオフェン2カルボキサミド塩酸塩一水和物の結晶形Iである、請求項46記載の方法。水分活性が029乃至059である、請求項43~47のいずれかに記載の方法。温度が10°Cから60°Cの温度であり、次に記載するTより高い:T183x576ここで、xは含水有機溶媒の水分活性であり、Tは温度である、請求項43記載の方法。工程における終点温度が0°Cから35°Cの温度である、請求項49記載の方法。含水有機溶媒が、水及び水と混和し得る、アルコール類、ケトン類、ニトリル類及びエーテル類から選択される一又は二以上の有機溶媒の混合物である、請求項43記載の方法。含水有機溶媒が、水及び水と混和し得る、プロパノール、ブタノール、ブタノン及びアセトニトリルから選択される一又は二以上の有機溶媒の混合物である、請求項43記載の方法。次の工程を含む、請求項8~14のいずれかに記載の結晶形IIの製造方法:7クロロNベンゾbチオフェン2カルボキサミド塩酸塩を、含水有機溶媒中で、温度-水分活性範囲II内で、必要であれば、その温度及び/又は水分活性を低下させながら、攪拌し、実質的に純粋な結晶形IIを形成させ、及び生成した結晶形IIを単離するここで、温度-水分活性範囲IIは、以下に記載する含水有機溶媒の温度と水分活性の関係により定義される。含水有機溶媒の水分活性が016乃至073であり;含水有機溶媒の温度がより低く、含水有機溶媒の凝固点温度より高い。工程において、含水有機溶媒中の7クロロNベンゾbチオフェン2カルボキサミド塩酸塩の初期状態が溶液であり、当該溶液が、温度-水分活性範囲II内で、その温度及び/又は水分活性を低下させながら、攪拌される、請求項53記載の方法。工程において、含水有機溶媒中の7クロロNベンゾbチオフェン2カルボキサミド塩酸塩の初期状態が懸濁液であり、当該懸濁液が、温度-水分活性範囲II内で、任意にその温度及び/又は水分活性を低下させながら、攪拌される、請求項53記載の方法。工程において、7クロロNベンゾbチオフェン2カルボキサミド塩酸塩の種晶が溶液に添加される、請求項54記載の方法。種晶が7クロロNベンゾbチオフェン2カルボキサミド塩酸塩一水和物の結晶形IIである、請求項56記載の方法。水分活性が029乃至059である、請求項53~57のいずれかに記載の方法。温度が10°Cから60°Cの温度であり、次に記載するTより低い:T183x708ここで、xは含水有機溶媒の水分活性であり、Tは温度である、請求項53記載の方法。工程における終点温度が0°Cから35°Cの温度である、請求項59記載の方法。含水有機溶媒が、水及び水と混和し得る、アルコール類、ケトン類、ニトリル類及びエーテル類から選択される一又は二以上の有機溶媒の混合物である、請求項53記載の方法。含水有機溶媒が、水及び水と混和し得る、プロパノール、ブタノール、ブタノン及びアセトニトリルから選択される一又は二以上の有機溶媒の混合物である、請求項53記載の方法。アセトニトリル又は含水アセトニトリル中の1030重量の7クロロNベンゾbチオフェン2カルボキサミド塩酸塩を、60°Cから溶液の沸騰温度までの温度まで加熱し;任意に混合物に水を添加して、7クロロNベンゾbチオフェン2カルボキサミド塩酸塩を完全に溶解し;結晶が見えるようになるまで溶液を冷却し;結晶が見えるようになったとき、水分含量が3vvを超える場合、混合物にアセトニトリルを添加して、水分含量が3vv未満となるようにし;生成した混合物を15°C未満に冷却し;及び結晶の7クロロNベンゾbチオフェン2カルボキサミド塩酸塩一水和物を単離することを含む、請求項1記載の結晶形Iの製造方法。工程において添加される水が、混合物の水分含量を30vvを超える水分含量にしない、請求項63記載の方法。工程において、7クロロNベンゾbチオフェン2カルボキサミド塩酸塩が1525重量で存在する、請求項63記載の方法。工程において、7クロロNベンゾbチオフェン2カルボキサミド塩酸塩が1620重量で存在する、請求項63記載の方法。工程において、7クロロNベンゾbチオフェン2カルボキサミド塩酸塩が1719重量で存在する、請求項63記載の方法。結晶が見えるようになった後、結晶形Iの7クロロNベンゾbチオフェン2カルボキサミド塩酸塩一水和物を混合物に添加することをさらに含む、請求項63記載の方法を含む。工程が、溶液を55°C未満に冷却することを含む、請求項63記載の方法。工程が、溶液を50°C未満に冷却することを含む、請求項63記載の方法。2ブタノール又は含水2ブタノール中の515重量の7クロロNベンゾbチオフェン2カルボキサミド塩酸塩を、60°Cから溶液の沸騰温度までの温度まで加熱し;水分含量が5vv未満の場合、混合物に水を添加して、水分含量が5vv以上となるようにし;溶液を10°C未満に冷却し;生成した混合物を10°C未満に維持し;及び結晶の7クロロNベンゾbチオフェン2カルボキサミド塩酸塩一水和物を単離することを含む、請求項8記載の結晶形IIの製造方法。7クロロNベンゾbチオフェン2カルボキサミド塩酸塩を、アセトニトリル又は含水アセトニトリルに添加して、7クロロNベンゾbチオフェン2カルボキサミド塩酸塩1020重量の組成物を作成し;任意に組成物に水を添加して、水分含量を610にし;任意に溶液を10°C未満に冷却し;結晶を形成させ;及び結晶の7クロロNベンゾbチオフェン2カルボキサミド塩酸塩一水和物を単離することを含む、請求項8記載の結晶形IIの製造方法。