"原料ガス及びパージガスを供給して、半導体基板上に原料ガスを主成分とする結晶を成長させる半導体製造装置であって、前記半導体基板を搬入搬出するための第1の開口が形成された外部チャンバと、前記第1の開口を開閉自在に閉塞する弁体と、前記半導体基板を搬入搬出するための第2の開口が形成された部材を含む複数の部材から構成され、前記複数の部材のうち、互いに隣り合う前記部材間の隙間の少なくとも一部が覆われた状態で前記外部チャンバ内に配置された内部チャンバと、前記内部チャンバ内に配置され、前記半導体基板を上面に載置して温調するサセプタと、前記原料ガスを前記内部チャンバ内へ供給し、パージガスを前記外部チャンバと前記内部チャンバとの間に供給するガス供給部と、を備える半導体製造装置。前記内部チャンバは、前記第2の開口及び前記第2の開口の周囲から前記外部チャンバ側に向かって突出した突出部が形成された第1の部材と、一端側が前記第1の開口内に嵌合され、他端側が前記突出部の端部まで延在して前記半導体基板の通路を形成する中空の第2の部材と、前記突出部と、前記他端側との隙間の少なくとも一部を覆う第3の部材と、を有する請求項1に記載の半導体製造装置。前記第3の部材は、前記第1の部材の前記突出部及び前記第2の部材の外周面に沿って延在して前記隙間を覆う矩形管状の部材である請求項2に記載の半導体製造装置。前記第3の部材は、前記第1の部材の前記突出部及び前記第2の部材の上面に沿って延在して前記隙間の上面を覆う板形状の部材である請求項2に記載の半導体製造装置。前記第3の部材は、前記第1の部材の前記突出部及び前記第2の部材の上面及び側面に沿って延在して前記隙間の上面及び両側面を覆う断面形状がコ字型の部材である請求項2に記載の半導体製造装置。前記第3の部材は、前記第1の部材の前記突出部及び前記第2の部材の内周面に沿って延在して前記隙間を覆う矩形管状の部材である請求項2に記載の半導体製造装置。前記内部チャンバは、前記第2の開口及び前記第2の開口の周囲から前記外部チャンバ側に向かって突出した突出部が形成された第1の部材と、一端側が前記第1の開口内に嵌合され、他端側が前記突出部の端部まで延在して前記半導体基板の通路を形成する中空の第2の部材と、を有し、前記第1の部材の前記突出部の先端には、前記第2の部材の他端と嵌合して、前記第2の部材との隙間を覆う覆い部が設けられている請求項1に記載の半導体製造装置。前記内部チャンバは、前記第2の開口及び前記第2の開口の周囲から前記第1の開口に向かって突出した突出部が形成された第1の部材と、一端側が前記第1の開口内に嵌合され、他端側が前記突出部の端部まで延在して前記半導体基板の通路を形成する中空の第2の部材と、を有し、前記第2の部材の前記他端側の先端には、前記第1の部材の前記突出部の先端と嵌合して、前記第1の部材との隙間を覆う覆い部が設けられている請求項1に記載の半導体製造装置。前記内部チャンバの前記複数の部材は、石英製である請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の半導体製造装置。ところで、エピタキシャル成長装置の内部チャンバは、石英製であるため、複雑な形状を作成することが難しい。このため、内部チャンバは、通常、複数のパーツを組み合わせて構成されている。このようなエピタキシャル成長装置では、各パーツ間の隙間から内部チャンバ内にパージガスが流入するのを抑制するため、各パーツ間に生じる隙間が最小限となるように設計されている。しかしながら、石英製の内部チャンバは、定期メンテナンスフッ酸水による洗浄によりに表面が徐々にエッチングされるため、使用により、内部チャンバを構成する各チャンバ間の隙間が大きくなる。また、内部チャンバを構成する各パーツを複数のエピタキシャル装置で共通に使用している場合にも、各パーツの組み合わせによっては、パーツ間の隙間が大きくなる場合がある。さらに、エピタキシャル成長装置の駆動部が動作する際に生じる振動によって、各パーツ間の隙間が大きくなる場合がある。上述のように、内部チャンバの隙間が大きくなると、内部チャンバ内に流入するパージガスの量が増大し、半導体基板上へ供給される原料ガスの濃度が薄くなる。その結果、結晶の成膜速度が低下する問題が生じる。本発明の実施形態は、内部チャンバ内へのパージガスの流入を抑制し、半導体基板上にエピタキシャル層を安定して形成できる半導体製造装置を提供することを目的とする。実施形態の半導体製造は、原料ガス及びパージガスを供給して、半導体基板上に原料ガスを主成分とする結晶を成長させる半導体製造装置であって、半導体基板を搬入搬出するための第1の開口が形成された外部チャンバと、第1の開口を開閉自在に閉塞する弁体と、半導体基板を搬入搬出するための第2の開口が形成された部材を含む複数の部材から構成され、複数の部材のうち、互いに隣り合う部材間の隙間の少なくとも一部が覆われた状態で外部チャンバ内に配置された内部チャンバと、内部チャンバ内に配置され、半導体基板を上面に載置して温調するサセプタと、原料ガスを内部チャンバ内へ供給し、パージガスを外部チャンバと内部チャンバとの間に供給するガス供給部と、を備える。以下、図面を参照して、各実施形態について詳細に説明する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る半導体製造装置1以下、半導体製造装置1と称するの断面図である。図2は、第1の実施形態に係る半導体製造装置の一部構成図である。図2aは、半導体製造装置1の一部上面図である。図2bは、図2aの線分X-Xでの断面図である。半導体製造装置1は、原料ガスをチャンバ内へ供給し、該原料ガスを主成分とする結晶を半導体基板W以下、ウェハWと称する上にエピタキシャル成長させる枚葉式のエピタキシャル成長装置である。以下、図1及び図2を参照して半導体製造装置1の構成について説明する。半導体製造装置1の構成半導体製造装置1は、外部チャンバ110と、ゲートバルブ120弁体と、内部チャンバ130と、整流板140と、サセプタ150と、リフト機構160と、回転機構170と、ガス供給部180と、排気部190とを備える。外部チャンバ110は、チャンバ111及びリッド蓋112から構成されるステンレススチールSUS製の容器である。チャンバ111には、ウェハWを搬入搬出するための開口111a第1の開口が形成されている。また、チャンバ111とリッド112との間には、外部チャンバ110内の気密を保持するため封止部材113例えば、O-ringが介在する。さらに、チャンバ111の底部には、後述する回転機構170の回転軸171との間に、外部チャンバ110内の気密を保持するため封止部材114例えば、O-ring、磁性流体が介在する。ゲートバルブ120は、チャンバ111の開口111aの外周部を取り囲む封止部材121例えば、O-ringを備え、チャンバ111の開口111aを開閉自在に閉塞する。内部チャンバ130は、複数の部材パーツから構成される石英製の容器であり、外部チャンバ110内に配置される。この実施形態では、内部チャンバ130は、上部チャンバ131、下部チャンバ132、ゲートカバー133及びカバー134から構成される。上部チャンバ131には、ウェハWを搬入搬出するための開口131a第2の開口と、開口131aの周囲から外部チャンバ110側に向かって突出した突出部131bとが形成されている。ゲートカバー133は、一端側がチャンバ111の開口111a内に嵌合され、他端側が上部チャンバ131の突出部131bの端部まで延在し、ウェハWの通路を形成する中空の石英部材である。カバー134は、上部チャンバ131の突出部131b及びゲートカバー133の外周面に沿って延在し、上部チャンバ131の突出部131bとゲートカバー133の他端側との隙間を覆う矩形管状の石英部材である。整流板140は、上部チャンバ131の上部に配置される。整流板140には、ガス供給部180から供給されるガスを拡散及び整流するための複数の貫通孔140aが形成されている。サセプタ150は、熱源151例えば、カーボンCや炭化ケイ素SiC製の電熱線やランプヒータを内部に備え、上面150aに載置されたウェハWを所望の温度例えば、1100°Cに温調する。リフト機構160は、サセプタ150内に配置される。リフト機構160は、複数のリフトピン161と、このリフトピン161を上下方向に駆動する駆動軸162とを備え、ウェハWの搬送ロボットであるハンドラ図示せずとの間で、ウェハWの受け渡しを行う。なお、駆動軸162は、後述の回転機構170の回転軸171内を通って、図示しない駆動機構例えば、エアシリンダに接続されており、この駆動機構により上下方向に駆動される。回転機構170は、サセプタ150の底部に接続された回転軸171と、該回転軸171を回転させるモータ172とを備える。回転機構170は、サセプタ150の上面150aに載置されたウェハW上に結晶を成長させている間、サセプタ150を所望の回転速度rpmで回転させる。サセプタ170の回転によりウェハWも回転するため、ウェハW上に成長する結晶の膜厚の均一性が向上する。ガス供給部180は、内部チャンバ130内へ原料ガス例えば、ジクロロシランSiH2Cl2とキャリアガス例えば、水素H2とを供給する第1の供給系統181と、外部チャンバ110と内部チャンバ130との間にパージガス例えば、水素H2を供給する第2の供給系統182とを備える。各供給系統181,182は、系統内を流れるガス流量を制御する流量制御機例えば、マスフローコントローラを備える不図示。なお、原料ガス例えば、ジクロロシランSiH2Cl2とキャリアガス例えば、水素H2に加えて塩素HClを第1の供給系統181から供給してもよい。また、原料ガスに、ドーパント例えば、ジボランP型、ホスフィンN型、アルシンN型等を添加してもよい。排気部190は、真空ポンプ191例えば、ドライポンプルーツ型、ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプと、外部チャンバ110の底部に接続された真空配管192と、外部チャンバ110と真空ポンプ191との間に設けられた流量制御バルブ193例えば、バタフライバルブ、スロットルバルブ、スライドバルブとを備える。排気部190は、外部チャンバ110内を排気し、外部チャンバ110内を所望の圧力に保つ。半導体製造装置1の動作次に、半導体製造装置1の動作について説明する。なお、サセプタ150は、熱源151この実施形態では、電熱線により予め所望の温度例えば、1100°Cに温調されているものとする。初めに、リフトピン161を上昇させてハンドラ図示せずからウェハWを受け取った後、リフトピン161を下降させてウェハWをサセプタ150の上面150aに載置する。ウェハWを載置した後、サセプタ150が備える熱源151この実施形態では、電熱線へ流す電流値を制御して、ウェハWを所望の温度例えば、1100°Cに温調する。ウェハWが所望の温度に到達したら、ガス供給部180の第1の供給系統181から、原料ガス例えば、ジクロロシランSiH2Cl2とキャリアガス例えば、水素H2とを内部チャンバ130内へ供給し、ガス供給部180の第2の供給系統182から、パージガス例えば、水素H2を外部チャンバ110と内部チャンバ130との間に供給する。また、排気部190は、外部チャンバ110内を排気し、外部チャンバ110内を所望の圧力に保つとともに、回転機構170は、所望の回転数rpmでサセプタ150を回転させる。ガス供給部180の第1の供給系統181から原料ガスを供給することで、サセプタ150により温調されたウェハW上面に原料ガスを主成分とする結晶本実施形態では、シリコンSiが成長し、ウェハW上面にシリコンSiのエピタキシャル層が形成される。なお、ガス供給部180の第2の供給系統182から、パージガスを外部チャンバ110と内部チャンバ130との間に供給する際に、サセプタ150の上面150aに載置されたウェハWの上流側に位置する上部チャンバ131の突出部131bと、突出部131bに隣り合うゲートカバー133の他端との隙間からパージガスが内部チャンバ130内へ流入し、ウェハWへ供給される原料ガスの濃度が薄くなることが考えられる。しかしながら、半導体製造装置1は、上部チャンバ131の突出部131b及びゲートカバー133の外周面に沿って延在し、上部チャンバ131の突出部131bとゲートカバー133の他端側との隙間を覆う矩形管状の石英部材であるカバー134を備えている。このため、上部チャンバ131の突出部131bとゲートカバー133の他端側との隙間から内部チャンバ130内へパージガスが流入するのを効果的に抑制することができる。結果、ウェハW上へ供給される原料ガスの濃度が薄くなることを防止して、結晶の成膜速度が低下することを効果的に抑制できる。なお、内部チャンバ130の上部チャンバ131と下部チャンバ132との間にも隙間が存在する。しかしながら、該隙間は、サセプタ150の上面150aに載置されたウェハWよりも下流側に位置する。このため、該隙間から内部チャンバ130内へ流入したパージガスは、ウェハW側へ逆流することなく排気部190が接続された外部チャンバ110の底部から排気される。従って、内部チャンバ130の上部チャンバ131と下部チャンバ132と隙間は、ウェハW上への結晶の成膜速度に大きな影響を与えない。以上のように、この第1の実施形態では、サセプタ150の上面150aに載置されたウェハWよりも上流側に位置する上部チャンバ131の突出部131bとゲートカバー133の他端側との隙間を覆うカバー134を備えているので、上部チャンバ131の突出部131bとゲートカバー133との隙間から内部チャンバ130内へパージガスが流入するのを効果的に抑制することができる。結果、ウェハW上へ供給される原料ガスの濃度が薄くなることを防止して、結晶の成膜速度が低下することを効果的に抑制できる。第1の実施形態の変形例1図3は、第1の実施形態の変形例1に係る半導体製造装置1A以下、半導体製造装置1Aと称するの一部構成図である。図3aは、半導体製造装置1Aの一部上面図である。図3bは、図3aの線分X-Xでの断面図である。この半導体装置1Aは、図1,図2を参照して説明したカバー134の代わりに、図3に示すカバー134Aを備える点が、図1,図2を参照して説明した半導体装置1と異なる。半導体製造装置1Aのその他の構成は、図1及び図2を参照して説明した半導体製造装置1の構成と同じであるため、同一の構成には同一の符号を付して重複した説明を省略する。図1,図2に示すように、半導体製造装置1が備えるカバー134は、上部チャンバ131の突出部131bとゲートカバー133の他端側との隙間の上面、側面及び裏面すべてを覆うように矩形管状の部材としている。これに対して、半導体製造装置1Aが備えるカバー134Aは、図3に示すように、上部チャンバ131の突出部131bとゲートカバー133の他端側との隙間の上面のみを覆う板形状の部材である。パージガスは、外部チャンバ110と内部チャンバ130との間を上から下へと流れているため、内部チャンバ130内へ流入するパージガスの大部分は、上部チャンバ131の突出部131bとゲートカバー133の他端側との隙間の上面から流入しているものと考えられる。このため、図3に示すように、半導体製造装置1Aが備えるカバー134Aを上部チャンバ131の突出部131bとゲートカバー133の他端側との隙間の上面のみを覆う板形状の部材としても、内部チャンバ130内に流入するパージガスの流量を効果的に抑制することが可能である。その他の効果は、図1及び図2を参照して説明した半導体製造装置1と同じである。第1の実施形態の変形例2図4は、第1の実施形態の変形例2に係る半導体製造装置1B以下、半導体製造装置1Bと称するの一部構成図である。図4aは、半導体製造装置1Bの一部上面図である。図4bは、図4aの線分X-Xでの断面図である。この半導体装置1Bは、図1,図2を参照して説明した半導体製造装置1のカバー134の代わりに、図4に示すカバー134Bを備える点が、図1,図2を参照して説明した半導体製造装置1と異なる。半導体製造装置1Bのその他の構成は、図1,図2を参照して説明した半導体製造装置1の構成と同じであるため、同一の構成には同一の符号を付して重複した説明を省略する。図4に示すように、半導体製造装置1Bが備えるカバー134Bは、上部チャンバ131の突出部131bとゲートカバー133の他端側との隙間の上面及び両側面を覆う図4aの線分X-Xでの断面形状がコ字型の部材である。この半導体製造装置1Bでは、カバー134Bが上部チャンバ131の突出部131bとゲートカバー133の他端側との隙間の上面及び側面を覆っているので、より効果的に内部チャンバ130内に流入するパージガスの流量を効果的に抑制することが可能である。その他の効果は、図1及び図2を参照して説明した半導体製造装置1と同じである。第2の実施形態図5は、第2の実施形態に係る半導体製造装置2以下、半導体製造装置2と称するの断面図である。半導体製造装置2は、サセプタ150の上面150aに載置されたウェハWの上流側に位置する上部チャンバ131の突出部131bとゲートカバー133の他端との隙間を、上部チャンバ131の突出部131b及びゲートカバー133の内周面に沿って延在するカバー234で覆っている点が、図1及び図2を参照して説明した半導体製造装置1と異なる。なお、半導体製造装置2のその他の構成は、図1及び図2を参照して説明した半導体製造装置1の構成と同じであるため、同一の構成には同一の符号を付して重複した説明を省略する。以上のように、半導体製造装置2は、上部チャンバ131の突出部131b及びゲートカバー133の内周面に沿って延在し、サセプタ150の上面150aに載置されたウェハWの上流側に位置する上部チャンバ131の突出部131bとゲートカバー133の他端との隙間を覆うカバー234を備えている。このため、上部チャンバ131の突出部131bとゲートカバー133との隙間から内部チャンバ130内へパージガスが流入するのを効果的に抑制することができる。結果、ウェハW上へ供給される原料ガスの濃度が薄くなることを防止して、結晶の成膜速度が低下することを効果的に抑制できる。第3の実施形態図6は、第3の実施形態に係る半導体製造装置3以下、半導体製造装置3と称するの断面図である。図6に示すように、半導体製造装置3は、上部チャンバ131の突出部131bの先端に、ゲートカバー133の他端側の先端と嵌合して、ゲートカバー133との隙間を覆う覆い部131cが設けられている点及びカバー134を有さない点が、図1及び図2を参照して説明した半導体製造装置1と異なる。なお、半導体製造装置3のその他の構成は、図1及び図2を参照して説明した半導体製造装置1の構成と同じであるため、同一の構成には同一の符号を付して重複した説明を省略する。以上のように、半導体製造装置3は、上部チャンバ131の突出部131bの先端にゲートカバー133の他端側の先端と嵌合して、ゲートカバー133との隙間を覆う覆い部131cが設けられている。このため、サセプタ150の上面150aに載置されたウェハWの上流側に位置する上部チャンバ131の突出部131bとゲートカバー133との隙間から、内部チャンバ130内へパージガスが流入するのを効果的に抑制することができる。結果、ウェハW上へ供給される原料ガスの濃度が薄くなることを防止して、結晶の成膜速度が低下することを効果的に抑制できる。また、図1及び図2を参照して説明したカバー134が必要なくなるので、半導体製造装置3を構成する部品点数を減らすことができる。第4の実施形態図7は、第4の実施形態に係る半導体製造装置4以下、半導体製造装置4と称するの断面図である。図7に示すように、半導体製造装置4は、ゲートカバー133の他端側の先端に、上部チャンバ131の突出部131bの先端と嵌合して、上部チャンバ131の突出部131bとの隙間を覆う覆い部133aが設けられている点及びカバー134を有さない点が、図1及び図2を参照して説明した半導体製造装置1と異なる。なお、半導体製造装置4のその他の構成は、図1及び図2を参照して説明した半導体製造装置1の構成と同じであるため、同一の構成には同一の符号を付して重複した説明を省略する。以上のように、半導体製造装置4は、ゲートカバー133の他端側の先端に、上部チャンバ131の突出部131bの先端と嵌合して、上部チャンバ131の突出部131bとの隙間を覆う覆い部133aが設けられている。このため、サセプタ150の上面150aに載置されたウェハWの上流側に位置する上部チャンバ131の突出部131bとゲートカバー133との隙間から、内部チャンバ130内へパージガスが流入するのを効果的に抑制することができる。結果、ウェハW上へ供給される原料ガスの濃度が薄くなることを防止して、結晶の成膜速度が低下することを効果的に抑制できる。また、図1及び図2を参照して説明したカバー134が必要なくなるので、半導体製造装置4を構成する部品点数を減らすことができる。次に、実施例を挙げて、上記実施形態をより詳細に説明する。発明者らは、図1及び図2を参照して説明した半導体製造装置1を使用して複数の実験A~Dを行った。以下、発明者らが行った実験A~Dについて説明する。実験A初めに、発明者らは、図1及び図2を参照して説明した半導体製造装置1からカバー134を外した状態で、複数枚のウェハ上にシリコンSiをエピタキシャル成長させ、その膜厚を確認した。なお、各ウェハの処理時間成膜時間は同じである。また、成膜時の原料ガス及びキャリアガスの流量は、以下のとおりである。原料ガスSiH2Cl2:170SCCMキャリアガスH2:34SLMSLMは、0°Cにおける1分間辺りの流量をリットルで表示した単位、SCCMは、0°Cにおける1分間辺りの流量をccで表示した単位である。実験Aの結果を図8に示す。図8の縦軸は、ウェハ上に成膜した単結晶シリコンSiの膜厚を表している。図8の横軸は、連続処理したウェハの枚数を表している。なお、図8の縦軸は、ターゲット目標とする膜厚を1として正規化されている。図8に示す結果からは、初めの数枚程度は、ウェハ上に成膜した単結晶シリコンSiの膜厚が略一定であるが、同じ成膜時間であるにも関わらず、途中のウェハから成膜した単結晶シリコンSiの膜厚が薄くなっていることがわかる。実験B次に、発明者らは、成膜した単結晶シリコンSiの膜厚が薄くなった状態の半導体製造装置1を用いて、外部チャンバ110と内部チャンバ130との間に流すパージガスの流量を3段階に変化させて、ウェハ上にシリコンSiをエピタキシャル成長させた。この際、発明者らは、各ガス流量ごとにウェハを1枚ずつ処理し、エピタキシャル成長させたシリコンSiの膜厚を計測した。なお、成膜時の原料ガスSiH2Cl2:及びキャリアガスH2の流量及び各ウェハの処理時間成膜時間は、実験Aと同じである。また、半導体製造装置1からはカバー134は外されている。実験Bの結果を図9に示す。図9の縦軸は、ウェハ上に成膜した単結晶シリコンSiの膜厚を表している。図9の横軸は、パージガスH2の流量を表している。なお、図9の縦軸は、通常のプロセスで流す流量を1として正規化されている。また、図9の横軸は、ターゲット目標とする膜厚を1として正規化されている。図9に示す結果からは、外部チャンバ110と内部チャンバ130との間に流すパージガスの流量を減少させると、ウェハ上に成膜した単結晶シリコンSiの膜厚が回復、つまり厚くなることがわかる。実験C発明者らは、上記実験A及びBの実験結果より、内部チャンバ130図1参照の隙間からパージガスH2が内部チャンバ130内に流入することが、ウェハに成膜される単結晶シリコンSiの膜厚が薄くなる原因であると考え、図1及び図2を参照して説明した半導体製造装置1にカバー134を取り付けた状態で、複数枚のウェハ上にシリコンSiをエピタキシャル成長させ、その膜厚を確認した。なお、成膜時の原料ガスSiH2Cl2:及びキャリアガスH2の流量及び各ウェハの処理時間成膜時間は、実験Aと同じである。実験Cの結果を図10に示す。図10の縦軸は、ウェハ上に成膜した単結晶シリコンSiの膜厚を表している。図10の横軸は、連続処理したウェハの枚数を表している。なお、図10の縦軸は、ターゲット目標とする膜厚を1として正規化されている。図10に示す結果からは、最初から最後のすべてのウェハにおいて、成膜した単結晶シリコンSiの膜厚が略一定で安定していることがわかる。実験D最後に、発明者らは、成膜した単結晶シリコンSiの膜厚が薄くなった状態の半導体製造装置1を用いて、以下の4条件条件α,β,γ,δで、ウェハ上にシリコンSiをエピタキシャル成膜させ、その膜厚を測定した。この際、発明者らは、条件α,β,γ,δ毎にパージガスH2の流量を3段階に変化させた。なお、発明者らは、各ガス流量ごとにウェハを1枚ずつ処理し、エピタキシャル成長させたシリコンSiの膜厚を計測している。また、成膜時の原料ガスSiH2Cl2及びキャリアガスH2の流量及び各ウェハの処理時間成膜時間は、実験Aと同じである。以下の表1は、条件α~条件δの各条件をまとめたものである。表1において、項目Aは、カバー134の有無を示している。条件α~条件δの項目AがYesであれば、図1及び図2を参照して説明した製造装置1に、上部チャンバ131の突出部131bとゲートカバー133の他端側との隙間を覆うカバー134が取り付けられていることを示している。また、条件α~条件δの項目AがNoであれば、上部チャンバ131の突出部131bとゲートカバー133の他端側との隙間を覆うカバー134が取り付けられていないことを示している。表1において、項目Bは、上部チャンバ131の突出部131bとゲートカバー133の他端側との隙間の有無を示している。条件α~条件δの項目BがYesであれば、ゲートカバー133を所定の位置からずれており、図1及び図2を参照して説明した上部チャンバ131の突出部131bとゲートカバー133の他端側との隙間が1mm以上となっていることを示している。また、条件α~条件δの項目BがNoであれば、図1及び図2を参照して説明した上部チャンバ131の突出部131bとゲートカバー133の他端側との隙間が1mm未満であることを示している。実験Dの結果を図11に示す。図11の縦軸は、ウェハ上に成膜した単結晶シリコンSiの膜厚を表している。図11の横軸は、パージガスH2の流量を表している。なお、図11の縦軸は、通常のプロセスで流す流量を1として正規化されている。また、図11の横軸は、ターゲット目標とする膜厚を1として正規化されている。表1の条件及び図11に示す結果からは、条件α及び条件βの場合、つまり項目AがYesである場合、項目BがYesであってもNoであっても、パージガスH2の流量に関係なくウェハ上に成膜される単結晶シリコンSiの膜厚が安定していることがわかる。一方、条件γの場合、つまり項目AがNo、項目BがNoの場合、パージガスH2の流量が、正規化した値で0.1及び0.5の間は、ウェハ上に成膜される単結晶シリコンSiの膜厚は安定している。しかしながら、パージガスH2の流量を、正規化した値で1とした場合、ウェハ上に成膜される単結晶シリコンSiの膜厚が薄くなることがわかる。また、条件δの場合、つまり項目AがNo、項目BがYesの場合、パージガスH2の流量が正規化した値で0.1の時に、すでにウェハ上に成膜される単結晶シリコンSiの膜厚が薄くなっており、パージガスH2の流量が多くなるに従い、ウェハ上に成膜される単結晶シリコンSiの膜厚がますます薄くなることがわかる。以上より、上部チャンバ131の突出部131b及びゲートカバー133の外周面に沿って延在し、上部チャンバ131の突出部131bとゲートカバー133の他端側との隙間を覆う矩形管状の石英部材であるカバー134を取り付けることにより、上部チャンバ131の突出部131bとゲートカバー133との隙間から内部チャンバ130内へパージガスが流入するのを抑制でき、ウェハ上へ単結晶シリコンSiを安定して成膜できることがわかった。その他の実施形態以上のように、本発明のいくつかの実施形態について説明したが、上記実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図するものではない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を変更しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態や変形が、発明の範囲や要旨に含まれるのと同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。例えば、上記第1~第4の実施形態では、枚葉式のエピタキシャル成長装置を例に本発明について発明したが、複数枚のウェハを一度に処理するバッチ式のエピタキシャル成長装置にも適用が可能である。"