"誘電体層と内部電極層とが交互に積層されたコンデンサ本体と、該コンデンサ本体の前記内部電極層が露出した端面および該端面に隣接する側面に設けられた下地電極および該下地電極上に設けられた被覆電極とを含む外部電極とを具備する積層セラミックコンデンサにおいて、前記下地電極は、銅を主成分とし、かつ亜鉛を含み、緻密度が96以上であり、前記下地電極における前記コンデンサ本体の前記端面側の厚みが20μm以下であることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。ところが、金属粉末およびガラス粉末を含有する導体ペーストを用いて形成される下地電極の厚みを薄くすると、下地電極の緻密度が低いため、耐湿試験等において、水分が下地電極の内部もしくは下地電極とめっき膜との間にまで浸透しやすくなり、湿中負荷試験において不良が発生しやすくなるという問題がある。従って、本発明は、外部電極における下地電極の厚みが薄い場合でも、湿中負荷試験における不良を少なくできる積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。本発明の積層セラミックコンデンサは、誘電体層と内部電極層とが交互に積層されたコンデンサ本体と、該コンデンサ本体の前記内部電極層が露出した端面および該端面に隣接する側面に設けられた下地電極および該下地電極上に設けられた被覆電極とを含む外部電極とを具備する積層セラミックコンデンサにおいて、前記下地電極は、銅を主成分とし、かつ亜鉛を含み、緻密度が96以上であり、前記下地電極の前記コンデンサ本体の前記端面側における厚みが20μm以下であることを特徴とする。本発明によれば、下地電極の厚みが薄い場合でも、湿中負荷試験における不良の少ない積層セラミックコンデンサを得ることができる。図1は、本実施形態の積層セラミックコンデンサの一例を示す概略断面図である。図2は、図1におけるコンデンサ本体の端面付近A部を拡大した概略断面図である。本実施形態の積層セラミックコンデンサは、コンデンサ本体1の両端部に外部電極が形成されている。また、図示していないが、下地電極3上にはNi膜やSn膜等の被覆電極が形成されて外部電極が構成されている。コンデンサ本体1は略直方体状をしたもので、誘電体磁器からなる誘電体層5と内部電極層7とが交互に積層されて構成されている。コンデンサ本体1の積層方向と垂直な方向の端面1aには、露出する内部電極層7が外部電極を構成する下地電極3と接合されている。図1では誘電体層5と内部電極層7との積層状態を単純化して示しているが、本発明の積層セラミックコンデンサは誘電体層5と内部電極層7とが数百層にも及ぶ積層体となっている。なお、積層数は積層セラミックコンデンサを高容量化できるという点で、100層以上、特に、200層以上であることが好ましい。誘電体層5は、チタン酸バリウムに酸化マグネシウム、希土類元素REの酸化物および酸化マンガンなどが固溶した結晶粒子と、酸化珪素を主成分とする粒界相とから構成されている誘電体磁器からなる。なお、誘電体磁器の種類としては上述したものだけに限らず、他の誘電体磁器を用いることもできる。その平均厚みは2μm以下、特に、1μm以下が望ましい。これにより積層セラミックコンデンサを小型、高容量化することが可能となる。なお、誘電体層5の平均厚みが0.4μm以上であると、静電容量のばらつきを小さくでき、また容量温度特性を安定化させることが可能になる。内部電極層7を形成する材料としては、高積層化しても製造コストを抑制できるという点で、ニッケルNiや銅Cuなどの卑金属が望ましく、本実施形態の積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層5との同時焼成を行えるという点で、特に、ニッケルNiがより望ましい。また、内部電極層7の厚みは、外部電極3と強固に接合できるという理由から、その厚みは0.5μm以上であることが望ましく、一方、積層セラミックコンデンサの小型化に際し、積層数を増やせるという理由から2μmであることが望ましい。本実施形態の積層セラミックコンデンサを構成する外部電極は、コンデンサ本体1の内部電極層7が露出した端面1aおよび該端面1aに隣接する側面1bに設けられた下地電極3と、この下地電極3を覆う被覆電極とから構成されており、例えば、下地電極3の表面をニッケルNi膜と錫Sn含有膜とがこの順に覆うように形成されている。下地電極3は、銅を主成分とし、かつ亜鉛を含み、積層セラミックコンデンサを縦断面視したときに、端面1a側図1のA領域の厚みtが20μm以下であり、緻密度が96以上である。これにより下地電極3の厚みが薄い場合でも、湿中負荷試験における不良の無い積層セラミックコンデンサを得ることができる。この場合、下地電極3の角部図1のBの厚みt1は4μm以上であることが望ましい。ここで、下地電極3の緻密度は、下地電極3の空隙を除く領域の割合のことである。具体的には、積層セラミックコンデンサを縦断面視して、下地電極3の図2に示すような領域を走査型電子顕微鏡観察により写真に撮り、写真上に写し出された下地電極3の表面3a側とコンデンサ本体1の端面1a側とにそれぞれ沿うように線T1、T2を引き、写真の両端T3、T4とこの2つの線T1、T2とに囲まれた領域の全面積を求め、次に、空隙3bを除いた金属および無機成分の存在する領域3cの面積を求め、全面積に対する空隙3bを除いた金属および無機成分の存在する領域3cの面積割合から求める。また、本実施形態の積層セラミックコンデンサでは、コンデンサ本体1の端面1a付近の誘電体層5間には、下地電極3から銅および亜鉛が拡散しており、銅の拡散距離が端面1aから2.8~5.0μmであるとともに、亜鉛の端面1aからの拡散距離が0.9~3.3μmであることが望ましい。これにより下地電極3の最小厚みが4.0~6.0μmであっても内部電極層7の端部と外部電極3との接合面積を増やすことが可能となり、設計値に近い静電容量を示す積層セラミックコンデンサを得ることが可能になる。銅および亜鉛の拡散距離はX線マイクロアナライザによる元素のマッピング処理によって測定する。また、本実施形態の積層セラミックコンデンサにおける静電容量の設計値とは、誘電体層5を挟んで内部電極層7が上下に重なっている有効面積の領域に空隙の無い状態で得られる静電容量のことである。次に、本実施形態の積層セラミックコンデンサを製造する方法について説明する。まず、誘電体層5を形成する誘電体磁器の原料を準備する。例えば、チタン酸バリウム粉末に対して、所定量のMgO粉末、希土類元素の酸化物粉末およびMnCO3粉末を配合し、さらに、必要に応じて所望の誘電特性を維持できる範囲で焼結助剤としてガラス粉末を添加して原料粉末を得る。上記の素原料粉末に専用の有機ビヒクルを加えてセラミックスラリを調製し、次いで、ドクターブレード法またはダイコータ法などのシート成形法を用いてセラミックグリーンシートを形成する。この場合、セラミックグリーンシートの厚みは誘電体層5の高容量化のための薄層化と高絶縁性を確保するという理由から0.5~3μmが好ましい。次に、得られたセラミックグリーンシートの主面上に矩形状の内部電極パターンを1~3μmの厚みで印刷して形成する。内部電極パターンとなる導体ペーストはNiを主成分とするものが好適である。また、ニッケルの純度は98以上の純度を有するものが好ましい。なお、導体ペースト中には共材として誘電体粉末を含有していても良い。内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを所定の枚数重ねて、その上下に内部電極パターンを形成していないセラミックグリーンシートを複数枚、上下層が同じ枚数になるように重ねてシート積層体を形成する。この場合、シート積層体中における内部電極パターンは、長手方向に半パターンずつ交互にずらしてある。そして、シート積層体を格子状に切断して、内部電極パターンの端部が露出したコンデンサ本体成形体を形成する。コンデンサ本体成形体を脱脂した後、水素-窒素の混合ガス中酸素分圧:1×10-7Pa~1×10-9Paにて、1100°C~1200°Cの温度で1~4時間の焼成を行い、誘電体層5と内部電極層7とが一体的に焼結されたコンデンサ本体1を作製する。次いで、焼成して得られたコンデンサ本体1を、焼成温度よりも低い温度900~1050°Cであり、かつその焼成の還元雰囲気よりも高い酸素分圧酸素分圧:10-4Pa~10-6Paで再酸化処理を行う。次に、作製したコンデンサ本体1に対して、必要に応じてバレル研磨を行う。本発明では、コンデンサ本体1のサイズは問わないが、0402型内部電極層7に平行な面の面積が0.4mm×0.2mm~21型同面積が2mm×1mmの小型サイズの積層セラミックコンデンサに対して好適である。このようにして得られたコンデンサ本体1の端面1aに、下地電極3用の導体ペーストを塗布した後、焼成して下地電極を形成する。下地電極3の金属材料としては、CuおよびCuを主成分とする合金を用いるのが良い。これはコンデンサ本体1を再度高い温度で加熱しなくてもよく、コンデンサ本体1を構成する内部電極層7に用いた材料よりも低温で焼結できるからである。このような導体ペーストは金属粉末100質量部に対してガラス粉末を40~60質量部含み、これに有機ビヒクルを含有するものが好ましい。ガラス粉末は、ガラス粉末のガラス転移温度を低くすることができ、下地電極3を緻密化できるという点で、ZnOを含有させたものが好適であり、その組成としては、BaOが40~60質量、SiO2が5~15質量、Al2O3が5~15質量およびZnOが20~40質量であるのが良く、この中でも、ガラス転移点が450~500°Cであるものがより望ましい。また、外部電極を形成する条件としては最高温度が700~850°C、酸素分圧を0.1~50Paとすることが好ましい。次に、この下地電極3の表面に、被覆電極として電解バレルめっき法によりNiメッキ膜とSn含有めっき膜とをこの順に形成する。本実施形態の積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、下地電極3を形成するのに、銅を主成分とする金属材料および亜鉛を含むガラス粉末を含有する導体ペーストを用いるために、下地電極3の厚みが20μm以下と薄くても緻密に形成することができ、これにより湿中負荷試験における不良の少ない積層セラミックコンデンサを得ることができる。まず、原料粉末として、チタン酸バリウム粉末,MgO粉末,Y2O3粉末およびMnCO3粉末を準備した。これらの各種粉末をチタン酸バリウム粉末量100モルとしたときに、MgO粉末を0.5モル,Y2O3粉末を1モル、MnCO3粉末を0.5モル添加し、さらに、ガラス粉末SiO2=55,BaO=20,CaO=15,Li2O=10モルをチタン酸バリウム粉末100質量部に対して1質量部添加して誘電体粉末を調製した。この誘電体粉末を直径5mmのジルコニアボールを用いて、溶媒としてトルエンとアルコールとからなる混合溶媒を添加し湿式混合した。次に、湿式混合した粉末を、ポリビニルブチラール樹脂を溶解させたトルエンおよびアルコールの混合溶媒中に投入し、直径5mmのジルコニアボールを用いて湿式混合してセラミックスラリを調製し、ドクターブレード法により厚みが2.5μmのセラミックグリーンシートを作製した。次に、このセラミックグリーンシートの上面にNiを主成分とする矩形状の内部電極パターンを複数形成した。内部電極パターンを形成するための導体ペーストは、平均粒径が0.3μmのNi粉末100質量部に対してチタン酸バリウムBTの粉末を15質量部添加したものを用いた。次に、内部電極パターンを印刷したセラミックグリーンシートを200枚積層し、その上下面に内部電極パターンを印刷していないセラミックグリーンシートをそれぞれ20枚積層し、プレス機を用いて温度60°C、圧力107Pa、時間10分の条件で密着させて、積層体を作製し、しかる後、この積層体を、所定の寸法に切断してコンデンサ本体成形体を形成した。次に、コンデンサ本体成形体を大気中で脱バインダ処理した後、水素-窒素の混合ガス雰囲気にて酸素分圧が10-8Paの条件にて1140°Cで2時間の焼成を行いコンデンサ本体を作製した。作製したコンデンサ本体のサイズは1005型に相当するものであり、そのサイズはおおよそ、0.95mm×0.48mm×0.48mmであった。また、誘電体層の平均厚みは2μm、内部電極層の1層の平均厚みは1μmであった。なお、このコンデンサ本体で得られる静電容量の設計値誘電体層を挟んで内部電極層が上下で重なっている有効面積の領域に空隙が無い状態で発現する静電容量は1.15μFである。次に、作製したコンデンサ本体に窒素雰囲気中酸素分圧:10-6Pa1000°Cで5時間の酸化処理を行った。次に、作製したコンデンサ本体をバレル研磨した。バレル研磨は内容積が500mLのポリポットを用い、メディアボールとして平均粒径が5mmのアルミナボールを用い、溶媒として純水を用いて行った。このときバレル研磨した積層セラミックコンデンサの試料はいずれも内部電極層の露出した状態であった。次に、バレル研磨したコンデンサ本体の端部に表1に示すガラス粉末を含有する銅Cuを主成分とする導体ペーストガラス粉末のガラス転移温度が400~550°C、銅粉末の平均粒径は3μmを塗布して未焼結状態の下地電極を形成した。有機ビヒクルとしては、エチルセルロースをテルピネオールとフタル酸ジブチルとの混合溶媒に溶解させたものを用いた。導体ペーストはいずれも銅粉末100質量部に対して、ガラス粉末を50質量部、有機ビヒクルを50質量部混合した組成とした。次に、コンデンサ本体の端面に形成された未焼結の下地電極を平坦なステンレス製板の表面に押しつけて、コンデンサ本体の端面に形成された未焼結の下地電極の端面側の厚みを薄くする加工加圧処理を行った。次に、未焼結の下地電極を有するコンデンサ本体を温度を780°C、酸素分圧を1Pa、最高温度の保持時間を0.2時間とする条件で加熱して下地電極の焼き付けを行った。焼付け後の下地電極の平均厚みtはいずれも19~20μmであった。次に、電解バレルメッキ法により、下地電極の表面に、順に、電解めっき法によりNiメッキおよびSnメッキを行い、被覆電極としてNiメッキ膜およびSn含有メッキ膜Sn99.9を形成して積層セラミックコンデンサを作製した。このとき形成したNiメッキ膜およびSn含有メッキ膜は平均厚みがいずれも1μmであった。次に、作製した積層セラミックコンデンサについて以下の評価を行った。なお、各評価は、Niメッキ膜およびSn含有メッキ膜を形成した積層セラミックコンデンサを用いて行った。下地電極の緻密度は、作製した積層セラミックコンデンサを研磨して、下地電極の図2に示すような領域を走査型電子顕微鏡観察により写真に撮り、写真上に写し出された下地電極の表面側とコンデンサ本体の端面側とにそれぞれ沿うように線を引き、写真の両端とこの2つの直線とに囲まれた領域の全面積を求め、次に、空隙を除いた金属および無機成分の存在する領域の面積を求め、全面積に対する空隙を除いた金属および無機成分の存在する領域の面積割合から求めた。また、誘電体層間に拡散した金属成分については、作製した積層セラミックコンデンサの断面を研磨し、その断面をX線マイクロアナライザにより元素ニッケル、銅および亜鉛のマッピング分析を行って確認した。静電容量は温度25°C、周波数1.0kHz、測定電圧を1Vrmsとして測定し、その平均値とばらつきCVを求めた。静電容量のばらつきCVは、静電容量の平均値を標準偏差で除して求めた。試料数は30個とした。湿中負荷試験は、温度65°C、湿度93RH、直流電圧6.3Vの条件で48時間放置した後に積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗が5×107Ω以下を示した試料を不良と判定した。静電容量および湿中負荷試験での試料数は30個とした。表1、2の結果から明らかなように、膜厚が20μm以下の下地電極において、銅を主成分とし、亜鉛を含み、緻密度が96以上の試料No.1~12では、湿中負荷試験において不良は認められなかった。これに対し、試料No.13は、湿中負荷試験において300個中1個の不良が見られた。"