"接地導体を内蔵した誘電体基板と、前記誘電体基板に形成された入力端子と、前記誘電体基板に形成された出力端子と、伝送線路を含み、一端が前記入力端子に接続された第1共振器と、伝送線路を含み、一端が前記出力端子に接続された第2共振器と、前記第1共振器の他端と前記第2共振器の他端とに一端が接続され、他端が開放端である伝送線路、または前記第1共振器の他端と前記第2共振器の他端とに一端が接続され、伝送線路と可変キャパシタとの直列接続を含み、前記可変キャパシタの他端が前記接地導体に接続されている結合部と、前記第1及び第2の共振器、及び前記結合部において電気伝播長を変更できる調整手段と、を有し、前記結合部と前記第1又は第2の共振器とを含む伝送線路の電気伝播長のうち、前記結合部が占める割合を変えることによって通過帯域幅を変えることができる可変フィルタ装置。前記調整手段が、前記第1及び第2の共振器の伝送線路、及び前記結合部の伝送線路の少なくとも1つを一方の電極とし、前記接地導体に接続された対向電極を他方の電極とする可変キャパシタを含む請求項1に記載の可変フィルタ装置。前記調整手段が、前記第1共振器の伝送線路を一方の電極とし、前記接地導体に接続された対向電極を他方の電極とする第1可変キャパシタと、前記第2共振器の伝送線路を一方の電極とし、前記接地導体に接続された対向電極を他方の電極とする第2可変キャパシタと、前記結合部の伝送線路を一方の電極とし、前記接地導体に接続された対向電極を他方の電極とする第3可変キャパシタとを含む請求項2に記載の可変フィルタ装置。前記第1の共振器が、第1のインピーダンスマッチング用可変キャパシタと第1の伝送線路の直列接続を含み、前記第2の共振器が、第2のインピーダンスマッチング用可変キャパシタと第2の伝送線路の直列接続を含む請求項1または2に記載の可変フィルタ装置。前記入力端子と前記出力端子とを結合する飛び越しキャパシタをさらに有する請求項1~4のいずれか1項に記載の可変フィルタ装置。前記飛び越しキャパシタが、可変キャパシタである請求項5記載の可変フィルタ装置。前記可変キャパシタの少なくとも1つは、前記誘電体基板上に形成され、伝送線路に接続された固定電極と、前記誘電体基板上に形成された駆動電極と、前記固定電極及び前記駆動電極上方に延在し、前記接地導体に接続された可動電極とを含む請求項2~4,6のいずれか1項に記載の可変フィルタ装置。前記可変キャパシタの少なくとも1つがバラクタを含む請求項2~4,6のいずれか1項に記載の可変フィルタ装置。前記可変キャパシタは少なくとも1つが、複数の固定キャパシタとこれらの固定キャパシタを切り替えるスイッチから構成される、デジタル制御が可能なキャパシタバンクを含む請求項2~4,6,8のいずれか1項に記載の可変フィルタ装置。前記結合部が分布定数型の伝送線路と可変キャパシタの第3キャパシタとの直列接続を含み、前記第3キャパシタの他端が前記誘電体基板に埋め込まれたビア導電体を介して前記接地導体に接続されている請求項1~9のいずれか1項に記載の可変フィルタ装置。前記誘電体基板は、低温同時焼成セラミックスで形成されている請求項1~10のいずれか1項記載の可変フィルタ装置。請求項1~11のいずれか1項記載の可変フィルタ装置を含む通信装置。従来のフィルタは、通過帯域の中心周波数を可変することが可能であるが、通過帯域幅を可変することはできない。本発明の1つの目的は、通過帯域の中心周波数とともに通過帯域幅を調整することのできるフィルタ、および通信装置を提供することである。1実施形態によれば、接地導体を内蔵した誘電体基板と、前記誘電体基板に形成された入力端子と、前記誘電体基板に形成された出力端子と、伝送線路を含み、一端が前記入力端子に接続された第1共振器と、伝送線路を含み、一端が前記出力端子に接続された第2共振器と、前記第1共振器の他端と前記第2共振器の他端とに一端が接続され、他端が開放端である伝送線路、または前記第1共振器の他端と前記第2共振器の他端とに一端が接続され、伝送線路と可変キャパシタとの直列接続を含み、前記可変キャパシタの他端が前記接地導体に接続されている結合部と、前記第1及び第2の共振器、及び前記結合部において電気伝播長を変更できる調整手段と、を有し、前記結合部と前記第1又は第2の共振器とを含む伝送線路の電気伝播長のうち、前記結合部が占める割合を変えることによって通過帯域幅を変えることができる可変フィルタ装置が提供される。通過帯域の中心周波数とともに、通過帯域幅を調整することができる。図1Aは、実施例1による可変フィルタの等価回路図である。入力端子INに第1の可変キャパシタC1と分布定数型の第1の可変伝送線路L1が接続され、出力端子OUTに第2の可変キャパシタC2と分布定数型の第2の可変伝送線路L2が接続され、伝送線路L1,L2の他端に結合部として分布定数型の第3の可変伝送線路LC1が接続されている。伝送線路LC1の結合部から見ると、一端を分岐点として、伝送線路L1の第1分岐部、伝送線路L2の第2分岐部が接続されているとも言える。伝送線路LC1の他端は、開放端である。入力端子IN,出力端子OUT間に、必須の構成要件ではないが、段間可変キャパシタCmが接続されている。伝送線路L1,L2,LC1は電気長が可変な共振器を構成する。可変フィルタは、接地層を内蔵するLTCClowtemperaturecofiredceramics等の誘電体基板上に形成される。可変キャパシタC1,C2によって、外部とのインピーダンス整合を行うことができる。段間可変キャパシタCmは通過帯域の両側に減衰極を形成し、通過帯域の形状を急峻にすることができる。第1の可変伝送線路L1、第2の可変伝送線路L2,結合部可変伝送線路LC1は,それぞれの電気長が、λ/4x、λ/4x、λ/4-xである。この可変フィルタは、入力端子INから出力端子OUTに、波長λの高周波信号を通過させる。入力端子INから入射した高周波信号は、インピーダンス調整用キャパシタC1を通過した後、分岐部の第1の伝送線路L1,結合部の伝送線路LC1へと進み、伝送線路LC1の開放端で反射する。反射した高周波信号は、伝送線路LC1を逆行し、分岐部から第1の伝送線路L1に再入射する。第1の伝送線路L1のC1側端で反射され、伝送線路L1を逆行する。つまり最初の状態と類似の状態になる。以後同様の動作を繰り返す。ここで、伝送線路LC1を逆行した高周波信号の少なくとも一部は、分岐部の第2の伝送線路L2に入射する。各伝送線路が上記の電気長を有する場合、波長λの高周波信号は、ほぼ全て第2の伝送線路に供給される。図1B,1Cは、可変伝送線路の電気長を可変にする調整構造を示す上面図および断面図である。図1Bに示すように線路Lの上方に可動電極MEが配置されている。可動電極MEの数は、必要に応じて増減でき、1つでもよい。図1Cは、1つの可動電極MEを横断するIC-IC線に沿う断面図である。図に示すように、誘電体基板20の上に例えば銅製の伝送線路Lが形成される。伝送線路Lは、底部が両側に張り出して上部より幅広くされ、張り出し部上方に可変キャパシタVCの可動電極MEを収容する空間を確保している。このような構造は、例えば外郭を規定する開口を備えたレジストパターンを用いた2回のメッキ工程で作成することができる。伝送線路Lの張り出し部が、可変キャパシタVCの固定電極FEを構成する。張り出し部上面には、絶縁層21が形成され、短絡防止と実効誘電率向上の機能を果たす。絶縁層は、無機絶縁材料で形成しても有機絶縁材料で形成してもよい。場合によって、絶縁層はなくてもよい。可動電極MEは、誘電体基板20上に形成された、例えば銅製の片持ち梁構造CLに支持される。片持ち梁CLの先端が可動電極MEを構成すると考えることもできる。このような構造は、例えば立体形状を有する開口を備えたレジストパターンを用いたメッキ工程で作成することができる。外郭を規定する開口を備えたレジストパターンを用いた2回のメッキ工程で形成してもよい。誘電体基板20上の、片持ち梁CLの可動部下方に、駆動電極DEが形成される。駆動電極は、例えば伝送線路の張り出し部と同時に作成することができる。伝送線路とは別の金属材料を別の工程で形成してもよい。この場合はスパッタリング等別のプロセスを用いてもよい。誘電体基板20は、セラミックス層21の上にAg等で形成され、接地層となる導電金属層22を配置し、その上にさらにセラミックス層23を形成した構成を有する。このような構造は、セラミックスグリーンシート層、導電層、セラミックスグリーンシート層を位置合わせして積層し、焼結することにより形成することができる。セラミックス層には層間接続用の金属ビアや、高周波信号のDC駆動パスへの漏れを防ぐための高インピダンス抵抗ビアが形成されている。セラミックスの誘電率は約3から約100の範囲で選択できる。片持ち梁CLの支持部下方、駆動電極の下方には、ビア導電体が埋め込まれる。片持ち梁CLは接地層22に接続され、駆動電極DEは貫通ビア導電体25を介して、誘電体基板20裏面に形成された端子26に接続される。誘電体基板の裏面にRF信号、DC駆動信号を入力、出力するためのパッドを形成してもよい。これらのパッドは基板内部の金属ビアと高インピダンス抵抗ビアを介して、基板表面にある構造体や基板内部の配線と接続する。図1Cの構成においては可動電極MEは接地層に接続されている。駆動電極DEに10V~100V程度の直流電圧を印加する。静電引力により、可動電極MEは固定電極FEに引き寄せられる。伝送線路Lの電気長は可変キャパシタVCの可変容量と伝送線路Lの回路定数によって決まる。可変容量を大きくすると電気長を長くすることができる。図1Dは、信号通路中に接続される可変キャパシタC1,C2,Cmの構成例を示す断面図である。誘電体基板20上に、底部に張り出し電極を有する下電極線路L01、頂部に張り出し電極を有する上電極線路L02が張り出し電極部をオーバラップさせて、可変キャパシタを形成する。上電極線路L02の張り出し電極下方には駆動電極DEが形成される。下電極線路L01の張り出し電極上面には絶縁膜28が形成されている。駆動電極DEは貫通ビア導電体25を介して、誘電体基板20裏面の端子26に接続されている。上電極線路L01の張り出し電極は片持ち梁構造であり、駆動電極に直流電圧を印加して静電引力を発生させることにより下方に変位する。可変キャパシタの例として、図1B-1C,1DにMEMSキャパシタを示したが、可変キャパシタはMEMSキャパシタに限らない。図1Eはバラクタを用いた可変キャパシタを示す。バラクタダイオードBDは逆バイアス下で容量を変化させる。逆バイアスを印加するためのインダクタL11,L12がバラクタBDの正極、負極に接続される。バラクタを通過して高周波信号を流し、直流バイアス電圧は遮断するためのキャパシタC11,C12がバラクタBDの正極、負極に接続される。MEMS可変キャパシタは、片持ち梁構造に限らない。種々の形態が可能である。図1Fは両持ち梁構造の可変キャパシタの構成例を示す。誘電体基板20上に一対の柱状導電支持部PLが形成され、その間に梁構造の可動電極MEが形成される。可動電極MEの下方の誘電体基板20上に伝送線路Lが配置される。伝送線路Lの両側の誘電体基板20上に駆動電極DEが形成される。伝送線路L、および駆動電極DEの上には誘電体層27,29が形成される。伝送線路L、および駆動電極DEの上に誘電体層27,29が無くてもよい。誘電体基板20内の構成は図1Cの構成と同様である。図2Aは、図1Aの構成において、伝送線路L1,L2,LC1の可変キャパシタに直流電圧を印加して伝送線路の電気長を増大した時の、可変フィルタの通過特性の変化を示すグラフである。横軸が周波数をGHzで示し、縦軸が通過率を単位dBで示す。1例において、印加電圧を0Vから80Vまで20Vづつ増加した時のフィルタの通過特性を示す。通過帯域の中心周波数は、約4.4GHzから約2.06GHzまで変化している。図2Bは、図1Aの構成において、結合係数kを変化させた時の可変フィルタの通過特性を示すグラフである。結合係数kは、結合路の電気長をλ/4x、共振器L1,L2の電気長をλ/4-xとした時、4分の1波長λ/4に対するxの比k=x/λ/4である。結合係数xが、0.1から0.02へと小さくなるにつれ、通過帯域幅は狭く変化している。図2Cは、結合係数xの変化に対するー3dB帯域幅の変化を取り出して示すグラフである。-3dB帯域幅は、ピークからー3dBの変化を示す帯域の幅である。結合係数の増加と共に、帯域幅がリニアに増加することが示されている。これらのグラフから、図1Aの回路が、伝送線路L1,L2,LC1の結合容量を変化させることにより、通過帯域の中心周波数と帯域幅の両者を制御できることが判る。例えば、通過帯域の中心周波数と帯域幅を伝送線路L1,L2,LC1の各結合容量の値、ないしその容量を得るための印加電圧の関数として、ルックアップテーブルとすれば、所望の中心周波数と帯域幅を得るのにどのような電圧を駆動電極に印加すればよいかを簡単に知ることができる。実施例1においては、結合部の伝送線路LC1の電気長がλ/4xであり、伝送線路の物理的長さが長い。よりコンパクトにできる構造が可能であれば好ましい。図3Aは、実施例2による可変フィルタの等価回路である。実施例1と異なる点を主に説明する。実施例1の開放端を有する伝送線路LC1が、結合部の第3の伝送線路LC2と可変キャパシタCcとビア導電体が構成する線路VIAの直列接続に交換され、線路VIAの他端は接地される。結合部のトータルの電気長は、λ/4xである。分岐部分は、実施例1と同様であり、各共振器の電気長はλ/4-xである。可変キャパシタCcを導入することにより、伝送線路LC2の電気長を短くすることができる。図3Bは、図3Aの回路を実現する構成例の斜視上面図である。入力端子INに可変キャパシタC1と伝送線路L1の直列接続が接続され、出力端子OUTに可変キャパシタC2と伝送線路L2の直列接続が接続され、可変キャパシタC1,C2間を可変キャパシタCmの電極が接続した形状を有す。伝送線路L1とL2は結合部の伝送線路LC2に接続され、結合部の伝送線路の他端は可変キャパシタCc、ビア導電体を介して接地される。伝送線路L1,L2,LC2の各々の上方5箇所に可変キャパシタが形成されている。A-A線に沿う断面は、例えば図1Dに示す構造を有する。B-B線に沿う断面は、例えば図1Cに示す構造を有する。可変キャパシタC1,C2の構造も、例えば図1Dに示す構造となる。以上実施例に沿って説明したが、本発明はこれら実施例に限られるものではない。例えば、セラミックス基板に換え、ガラスエポキシ基板を用いることも可能である。その他、種々の変更、置換、改良、組み合わせ等が可能なことは、当業者に自明であろう。"