オブスキュレーション領域を有する外部装置と共に用いられるチャンバ装置であって、EUV光の生成が内部の所定の領域で行われるチャンバと、前記チャンバ内に配置され、前記所定の領域で生成されたEUV光を集光する集光ミラーと、前記集光ミラーに付着したデブリのエッチングが可能なエッチングガスを供給する少なくとも1つのエッチングガス供給部と、を備え、前記集光ミラーは、該集光ミラーのミラー面の中央部から外れた領域で該集光ミラーを貫通するように開口する少なくとも1つの第1貫通孔を含み、前記集光ミラーは、前記少なくとも1つの第1貫通孔が前記オブスキュレーション領域に実質的に対応する領域内に位置するように前記チャンバ内に固定され、前記エッチングガス供給部は、前記第1貫通孔の少なくとも1つに配置される、チャンバ装置。前記エッチングガス供給部は、前記エッチングガスを放出する吹き出し口を有し、前記吹き出し口は、前記集光ミラーの前記ミラー面と実質的に平行な方向、もしくは、前記ミラー面に前記エッチングガスを吹き付けるように、前記ミラー面に向けて傾いた方向に開口している、請求項1記載のチャンバ装置。前記所定の領域を通り且つ前記オブスキュレーション領域の長手方向と一部が実質的に平行な方向の磁場を形成する磁場生成装置をさらに備え、前記吹き出し口は、前記オブスキュレーション領域と前記ミラー面の外周端とが交わる部分へ向けて開口している、請求項2記載のチャンバ装置。前記エッチングガス供給部は、前記エッチングガスを生成する生成部と、生成された前記エッチングガスを放出する前記吹き出し口を含む放出部とを含む、請求項1記載のチャンバ装置。前記エッチングガス供給部は、前記生成部へ水素ガスを供給する水素ガス供給部と、前記生成部に接続された電源とをさらに含み、前記生成部は、フィラメントであり、前記エッチングガスは、前記水素ガスを前記電源から供給される電力で前記フィラメントを加熱することにより励起した水素ラジカルを含む、請求項4記載のチャンバ装置。前記所定の領域へターゲット物質を供給するターゲット供給部をさらに備え、前記デブリは、前記ターゲット物質をプラズマ化することで発生したデブリである、請求項5記載のチャンバ装置。前記ターゲット物質は、Snである、請求項6記載のチャンバ装置。前記所定の領域へターゲット物質を供給するターゲット供給部をさらに備え、前記ターゲット物質に外部から供給するレーザ光を照射することでプラズマ化し、該プラズマからEUV光を生成するチャンバ装置であって、前記集光ミラーは、前記ミラー面と反対側から当該集光ミラーを介して前記所定の領域へレーザ光を通過させるための第2貫通孔を備え、前記第1貫通孔は、前記第2貫通孔とは異なる位置に配置されている、請求項1記載のチャンバ装置。前記エッチングガス供給部を保持するスライドステージと、前記スライドステージをスライド可能に支持する支持部と、を備え、前記支持部は、前記第1貫通孔の延在方向と平行な方向に沿って前記スライドステージをスライド可能である、請求項1記載のチャンバ装置。請求項1記載のチャンバ装置と、レーザ光を出力するレーザ装置と、前記レーザ装置から出力された前記レーザ光を前記チャンバ装置へ導く光学系と、を備える、極端紫外光生成装置。