"加工対象物にイオンビームを照射するイオンビーム光学システムと、イオンビームの照射によって前記加工対象物に流れる吸収電流を検出する吸収電流検出装置と、前記イオンビーム光学システムを制御する中央処理装置と、前記イオンビームの走査信号と前記加工対象物の吸収電流に基づいて前記加工対象物の形状を求める形状生成処理部と、前記形状生成処理部によって得られた前記加工対象物の像に加工パターンを配置する加工パターン配置処理部と、前記イオンビーム照射による前記加工対象物の加工中に前記加工対象物の像と前記加工パターンの比較結果から、前記イオンビーム照射を停止するイオンビーム停止処理部と、を備えることを特徴とするイオンビーム装置。請求項1のイオンビーム装置において、前記イオンビーム停止処理部は、前記加工対象物の像の外形と前記加工パターンの外形の間の寸法が所定の値より小さくなったときに、前記イオンビーム照射を停止することを特徴とするイオンビーム装置。請求項1のイオンビーム装置において、前記イオンビーム停止処理部は、前記加工対象物の像の外形の変化に従って前記加工パターンの外形を変化させ、該加工パターンの寸法が所定の値より小さくなったときに、前記イオンビーム照射を停止することを特徴とするイオンビーム装置。請求項1のイオンビーム装置において、微小試料を取り付けることができるニードル型試料台と、該ニードル型試料台を回転移動及び直線移動させる回転軸を備えた試料ステージが設けられ、前記加工対象物は、前記ニードル型試料台の先端であることを特徴とするイオンビーム装置。請求項1のイオンビーム装置において、前記加工対象物は、試料、試料台又はプローブであることを特徴とするイオンビーム装置。試料を保持する試料ステージと、試料にイオンビームを照射するイオンビーム光学システムと、イオンビームの照射によって試料に流入する電流を検出する吸収電流検出装置と、前記イオンビーム光学システムを制御する中央処理装置と、を有し、前記中央処理装置は、前記吸収電流検出装置によって検出した吸収電流に基づいて試料の形状を検出する試料形状生成処理と、前記試料の形状より試料の先端位置を検出する試料先端座標抽出処理と、前記試料形状生成処理によって得られた試料像に加工パターンを配置する加工パターン配置処理と、前記イオンビーム照射による前記試料の加工中に前記試料像と前記加工パターンの比較結果からイオンビーム照射の停止を行うイオンビーム停止処理と、を実行することを特徴とするイオンビーム装置。請求項6記載のイオンビーム装置において、前記イオンビーム停止処理では、加工中の試料像をモニタし、試料像と加工パターンを比較し、加工パターンと試料像の外形の間の寸法が所定の値より小さくなったときに、イオンビーム照射を停止するように構成されているイオンビーム装置。請求項6記載のイオンビーム装置において、前記イオンビーム停止処理では、加工中の試料像をモニタし、試料像が変化したら、それに従って加工パターンを変化させ、加工パターンの幅が所定の値より小さくなったときに、イオンビーム照射を停止するように構成されているイオンビーム装置。請求項6記載のイオンビーム装置において、前記試料形状生成処理では、前記吸収電流に基づいて2値化した画像信号を生成し、該2値化した画像信号から試料の形状を検出することを特徴とするイオンビーム装置。請求項6記載のイオンビーム装置において、前記試料ステージは、微小試料を装着することができるニードル型試料台を有し、前記吸収電流検出装置は、イオンビームの照射によってニードル型試料台に流入する電流を検出し、前記中央処理装置は、前記吸収電流検出装置によって検出した吸収電流に基づいてニードル型試料台の先端の形状を検出する形状生成処理と、前記ニードル型試料台の形状よりニードル型試料台の先端位置を検出する先端座標抽出処理と、前記形状生成処理によって得られたニードル型試料台像に加工パターンを配置する加工パターン配置処理と、前記ニードル型試料台像と前記加工パターンの比較結果からイオンビーム照射の停止を行うイオンビーム停止処理と、を実行することを特徴とするイオンビーム装置。加工対象物の形状を生成する加工対象物形状生成ステップと、前記加工対象物形状から加工対象物先端を検出する加工対象物先端検出ステップと、前記加工対象物先端に加工パターンを配置する加工パターン配置ステップと、前記加工パターンに基づいてイオンビームを照射し、該加工パターンの領域にある加工対象物を除去するイオンビーム照射ステップと、前記加工対象物の加工中に前記加工対象物の像と前記加工パターンを比較し、比較結果から、前記イオンビーム照射を停止するイオンビーム停止ステップと、を有するイオンビーム加工方法。請求項11のイオンビーム加工方法において、前記加工対象物形状生成ステップでは、前記イオンビームの走査信号と前記加工対象物の吸収電流を同期して得られた画像信号に基づいて、加工対象物の形状を検出することを特徴とするイオンビーム加工方法。請求項11記載のイオンビーム加工方法において、前記イオンビーム停止ステップでは、前記加工対象物の像の外形と前記加工パターンの外形の間の寸法が所定の値より小さくなったときに、イオンビーム照射を停止するように構成されているイオンビーム加工方法。請求項11記載のイオンビーム加工方法において、前記イオンビーム停止ステップでは、前記加工対象物の像が変化したら、それに従って前記加工パターンを変化させ、前記加工パターンの幅が所定の値より小さくなったときに、イオンビーム照射を停止するように構成されているイオンビーム加工方法。イオンビーム装置では、試料を加工する際にSIM像を頼りに加工パターンを配置していた。そのため試料の加工を自動化することは不可能である。微小試料片を載置するためのニードル型試料台では、試料台の試料接接着面が試料底面と同等の面積であることが望まれる。そのため作業者は載置する微小試料の大きさに合わせて試料接着面を整形する必要がある。試料、及び、試料台等の加工では、作業者がイオンビーム装置と駆動機構を操作する必要がある。このため、作業者には高レベルな装置操作スキルが必要とされる。本発明の目的は、高い装置操作スキルを必要とせず、試料、プローブや試料台等の加工対象物を加工することができる装置および方法を提供する。本発明によると、先ず、イオンビームの走査信号と加工対象物の吸収電流に基づいて加工対象物の形状を求める形状生成処理を行い、次に、加工対象物の像に加工パターンを配置する加工パターン配置処理を行い、更に、イオンビーム照射による加工対象物の加工中に加工対象物の像と加工パターンの比較結果から、イオンビーム照射を停止するイオンビーム停止処理を行う。本発明によると、高い装置操作スキルを必要とせず、試料、プローブや試料台等の加工対象物を加工することができる装置および方法を提供する。図1に本発明によるイオンビーム装置の第1例の基本構成を示す。本例のイオンビーム装置は、試料2にイオンビーム9を照射するイオンビーム光学システム1と、試料2を載置する試料ステージ3Aと、試料2の吸収電流を検出する吸収電流検出装置6と、試料2からの二次電子を検出する二次電子検出器8と、表示装置10と、入力装置13と、中央処理装置11を有する。イオンビーム光学システム1は、試料2上にイオンビーム9を走査する偏向器12を有する。試料ステージ3Aは、真空排気された試料室20に配置され、イオンビーム9による加工や観察に必要な箇所をイオンビーム照射位置に移動させることができる。二次電子検出器8によって検出された二次電子検出信号によって、画像が得られ表示装置10によって表示される。中央処理装置11は、イオンビーム光学システム1、試料ステージ3A、表示装置10等を制御する。吸収電流検出装置6は、加工対象物の形状を検出するために加工対象物の吸収電流を検出する。本例では、加工対象物は、試料ステージ3Aに装着された試料2である。従って、吸収電流検出装置6は試料2の吸収電流を検出する。吸収電流検出装置6は試料2の吸収電流を増幅し、吸収電流検出信号を生成し、それを中央処理装置11に送る。中央処理装置11は、試料2の吸収電流検出信号から試料像を生成し、試料像の先端の位置座標を検出する。試料像の先端位置に予め登録している加工パターンを配置する。イオンビーム光学システム1は加工パターンに基づいて試料の先端を加工する。本例によると、加工パターンを配置するために、試料の吸収電流から生成した画像を用いる。それによって簡単に且つ正確に加工パターンを配置することができる。しかしながら、加工パターンを配置するために走査イオン顕微鏡像SIM像を用いても良い。図2を参照して、本発明のイオンビーム装置における処理の流れを説明する。図2は、イオンビーム装置のうち、吸収電流検出装置6、中央処理装置11、偏向器12、表示装置10、入力装置13、及びイオンビーム光学システム1からなるブロック図である。吸収電流検出装置6は、試料2への吸収電流Ipを検出し、それを増幅し、画像信号Spを生成し、中央処理装置11に供給する。偏向器12はイオンビーム走査信号Sdを生成し、それを中央処理装置11に供給する。入力装置13を介して、加工パターン情報Siを中央処理装置11に供給する。加工パターン情報Siは、作業者が、入力装置13を介して入力してもよいが、予めメモリに格納しておき、それを読み出してもよい。中央処理装置11は、試料形状生成処理21、試料画像格納処理22、試料先端座標抽出処理23、加工パターン配置処理24、及び、イオンビーム停止処理25を実行する。図3A~図3Eを参照して、本発明のイオンビーム装置における処理を説明する。試料形状生成処理21では、画像信号Spとイオンビーム走査信号Sdから、試料の形状を検出する。図1に示すように、試料2の先端の下側には試料室20の底がある。イオンビーム9を試料2に走査すると、試料2の先端の下側にある試料室20にもイオンビームが走査される。イオンビーム9が試料2上を走査しているときには、吸収電流検出信号Ipはゼロとならない。従って、画像信号Spはゼロとならない。Sp≠0である。イオンビーム9が試料2上を通り過ぎて、試料室20の底を走査しているときは、吸収電流検出信号Ipはゼロとなる。従って、画像信号Spはゼロとなる。Sp=0である。画像信号Spを検出することによって、イオンビーム9が試料2上を走査しているのか、試料2上を通り過ぎて試料室20の底を走査しているのかが判る。画像信号SpがSp≠0からSp=0に変化する点を結ぶことによって、試料2の外形を描くことができる。本例では、2値化した画像信号Spを用いるため、ノイズの混入を防止することができる。図3Aは、試料形状生成処理21によって得られた試料像31を示す。試料像31は、試料2の外形の輪郭線の座標として得られる。次に、試料画像格納処理22では、試料形状生成処理21にて得られた試料像31を、メモリに格納する。メモリに格納された試料像31は、表示装置10にて表示される。尚、試料像31をメモリに保存しないで、表示装置10に直接表示することも可能である。試料先端座標抽出処理23では、試料像31から試料像の先端32の位置を検出し、その座標を読み取る。試料像31から試料像の先端32の位置座標を検出する方法は後に説明する。図3Bは、試料先端座標抽出処理23によって、試料像31の先端32が検出された状態を示す。加工パターン配置処理24では、試料像31に加工パターン201を配置する。入力装置13にて登録された加工パターン情報Siに基づいて、加工パターン201の目標点202を設定する。図3Cは、加工パターン201と目標点202を示す。加工パターン201は、イオンビーム9を照射し、それによって試料2を除去すべき領域を示す。目標点202と試料像31の先端32の位置座標が一致するように、加工パターン201を配置する。図3Dは、試料像31に加工パターン201が配置された状態を示す。イオンビーム光学システム1は、中央処理装置11によって設定された加工パターン201に基づいて、FIB加工を行う。図3Eは、FIB加工によって得られた試料の先端の例を示す。加工パターン201の領域をFIB加工することによって除去すると、予め登録された加工パターン201に沿った形状の試料像31が得られる。中央処理装置11は、次に、イオンビーム停止処理25を行う。本例によると、イオンビーム停止処理25は2つの場合を含む。以下に、イオンビーム停止処理25の例を説明する。図4A、図4B及び図4Cを参照して、イオンビーム停止処理25の第1の場合を説明する。本例では、加工中に試料像31をモニタし、試料像31の外形を検出する。試料像31の外形の検出方法は、試料形状生成処理21にて説明した。こうして試料像31の外形の輪郭の座標が得られる。試料像31と加工パターン201を比較し、加工パターン201を表す矩形の内側の長辺と試料像31の外形の間の寸法が所定の値より小さくなったときに、自動的にイオンビーム照射を停止する。図4Aは、加工開始前における加工パターン201の中の試料像31の外形31aを示す。図4Bは、FIB加工により、試料像の外形31aが変形した状態を示す。FIB加工を行うと、加工パターン201を表す矩形の内側の長辺201aと試料像の外形31aの間の寸法が小さくなる。図4Cは、FIB加工により試料像が小さくなり、試料像の外形31aが変化した状態を示す。FIB加工が進み、加工パターン201を表す矩形の内側の長辺201aと試料像の外形31aの間の寸法31bが所定の値より小さくなったら、イオンビーム照射を停止する。本例では、試料像31をモニタしながらFIB加工するので、高精度にて、加工パターンの部分を除去することができる。しかしながら、本例では、加工パターンの形状と位置は固定されている。そのため、図4Cに示すように、試料像が小さくなると、加工パターン201における試料像以外の空間が大きくなる。FIB加工では、加工パターン201の範囲にイオンビーム9を照射する。即ち、加工パターン201内なら、試料2が存在してもしなくてもイオンビーム9を照射する。従って、試料2が存在しない領域では、イオンビーム9の照射は無駄となる。そこで、次の例では、FIB加工が進むにつれて、加工パターン201を変化させる。図5A~図5Dを参照して、イオンビーム停止処理25の第2の場合を説明する。本例では、加工中に試料像31をモニタし、試料像31の外形を検出する。試料像31の外形の検出方法は、試料形状生成処理21にて説明した。こうして試料像31の外形の輪郭の座標が得られる。試料像31の外形が変化したら、それに従って加工パターン201を変化させる。例えば、試料像31の変化量を計測し、それが所定値になったら、加工パターン201を修正してよい。それによって、加工パターン201は、試料像31の変化に追従して変化する。FIB加工が進むほど、加工パターン201の寸法、特に、幅が小さくなる。加工パターン201の幅が所定の値より小さくなったときに、自動的にイオンビーム照射を停止する。図5Aは、加工前の加工パターン201を示す。加工パターン201の横の寸法をX0、縦の寸法をY0とする。図5Bは、加工開始後の加工パターン201を示す。試料像31が小さくなっており、更に、その外形は平坦となっている。加工パターンの横の寸法をX1、縦の寸法をY1とする。加工パターンの横の寸法X1は変化していないが、縦の寸法Y1は小さくなっている。図5Cは、更に、加工が進んだ状態の加工パターン201を示す。試料像31が更に小さくなっている。加工パターン201の横の寸法をX2、縦の寸法をY2とする。加工パターン201の横の寸法X2は変化していないが、縦の寸法Y2は更に小さくなっている。図5Dは、更に、加工が進んだ状態の加工パターン201を示す。試料像31が更に小さくなっている。加工パターン201の横の寸法をX3、縦の寸法をY3とする。加工パターン201の横の寸法X3は変化していないが、縦の寸法Y3は極めて小さくなっている。そこで加工パターン201の縦の寸法Y3が所定の値より小さくなったら、自動的にイオンビーム照射を停止する。本例では、加工が進行し、試料像31が小さくなると、それに応じて、加工パターン201の縦の寸法Yを小さくする。加工パターン201は、加工パターン201内の試料像31の割合は一定になるように、加工パターン201の2本の長辺のうち、内側の長辺の位置は固定され、外側の長辺の位置が変化する。図6を参照して、本発明による試料の自動加工の処理を説明する。ステップS101にて、試料の吸収電流を画像信号へ変換する。ステップS102にて、試料形状生成処理21を実行する。即ち、画像信号と走査信号より試料形状情報を生成する。ステップS103にて、試料画像格納処理22を実行する。即ち、試料形状情報をメモリに貯える。ステップS104にて、試料先端座標抽出処理23を実行する。即ち、試料形状情報から試料の先端の座標を抽出する。ステップS105にて、登録してある加工パターンを呼び出す。ステップS106にて、加工パターン配置処理24を実行する。即ち、試料の先端の座標と加工パターンの目標点が整合するように、加工パターンを配置する。ステップS107にて、加工パターンに基づいて、試料をFIB加工する。ステップS108にて、イオンビーム照射を停止するか否かを判定する。上述のように本例では、2つの場合がある。イオンビーム照射を停止すべきであると判定したときは、ステップS109に進み、イオンビーム停止処理25を行う。本発明によると、試料自動加工は、中央処理装置11において、ソフトウェアで実行させてもよい。以上のように、本例のイオンビーム装置では、試料形状生成処理21、試料画像格納処理22、試料先端座標抽出処理23、加工パターン配置処理24、及び、イオンビーム停止処理25を自動的に実行する。本例では、作業者の高い作業スキルを必要とせずに容易かつ高速、確実に試料を加工することができる。また試料をプローブに、試料ステージをプローブ駆動装置に、加工パターンをプローブ整形用の加工パターンに置き換えることで、プローブの整形を容易にかつ高速、確実に行うことができる。図7に本発明によるイオンビーム装置の第2例の基本構成を示す。本例のイオンビーム装置は、図1の第1例と比較して、第2試料ステージ3Bと、プローブ4を備えたマニピュレータプローブ駆動装置5と、デポジションガス源7とが追加されている点が異なる。第2試料ステージ3Bは、回転軸を有し、その先端にニードル型試料台3Cが搭載されている。回転軸は、中心軸線周りの回転と直進運動が可能である。従って、ニードル型試料台3Cに装着された試料は、回転運動と直進運動が可能である。吸収電流検出装置6は、加工対象物の形状を検出するために加工対象物の吸収電流を検出する。本例では、ニードル型試料台3Cの先端を加工する。従って、吸収電流検出装置6は、ニードル型試料台3Cの吸収電流を検出する。尚、ニードル型試料台3Cの先端に接着された試料の形状を検出する場合には、ニードル型試料台3Cの先端に接着された試料の吸収電流を検出し、プローブの先端を加工する場合には、プローブの吸収電流を検出する。マニピュレータプローブ駆動装置5は、プローブ4を任意の位置に移動させるように構成されている。デポジションガス源7からはイオンビームアシストデポジション用ガスが供給される。本例のイオンビーム装置は、試料にイオンビームを照射して、観察部位を含む微小試料を摘出マイクロサンプリングすることができる。図8A~図8D、図9A~図9C、図10A~図10Cを参照して、本例のイオンビーム装置を用いたマイクロサンプリングの例を説明する。図8A~図8Dは、試料2にイオンビーム9を照射し、観察部位を含む微小試料を摘出する工程を示し、図9A~図9Cは、ニードル型試料台3Cの先端を加工する工程を示し、図10A~図10Cは、微小試料をニードル型試料台3Cの先端に固定する工程を示す。尚、これらの図は、表示装置10に表示される画像を表すが、説明の便宜上、試料像、ニードル型試料台像、プローブ像等の参照符号として、試料、ニードル型試料台、プローブ等の参照符号と同一のものが用いられている。以下に、順に説明する。1図8Aは、試料2の上の観察部位71を示す。試料2の観察部位71がイオンビーム9の光軸に整合するように、第1試料ステージ3Aに装着された試料2を移動させる。2図8Bに示すように、試料2の観察部位71を含む領域にデポジションガス源7を用いたビームアシストデポジションにより堆積膜72を形成する。この膜は摘出する微小試料の保護膜として機能する。3図8Cに示すように、少なくとも2方向からイオンビームを照射し、観察部位71の周囲を、その一部を残して削り取る。こうして、微小試料74が形成される。但し、微小試料74は、周囲の一部の接続箇所により、試料2に接続されており、試料から完全に分離されていない。観察部位71の周囲に形成された溝73の少なくとも一部は、深さ方向に対して傾斜している。次に、プローブ4の先端を微小試料74に接触又は近接させる。ビームアシストデポジションにより、プローブ4の先端を覆うように、微小試料74上に堆積膜75を形成し、微小試料74とプローブを接続する。4図8Dに示すように、試料2と微小試料74の接続箇所をイオンビーム照射で除去する。観察部位71の周囲を囲むように、溝73が形成される。微小試料74は、試料2から完全に分離される。5図9Aに示すように、第2試料ステージ3Bを回転軸周りに回転させて、第2試料ステージ3Bのニードル型試料台3Cの中心軸線がイオンビーム9の光軸に対して直交するように配置する。ニードル型試料台3Cの先端77の座標を検出する。ニードル型試料台3Cの先端77の座標を検出する方法の例は後に説明する。6図9Bに示すように、ニードル型試料台3Cの先端77の座標に、加工パターン203の目標点が整合するように、加工パターン203を配置する。加工パターン203については後に詳細に説明する。7図9Cに示すように、ニードル型試料台3Cの先端を加工パターン203に基づいて、イオンビーム9で除去する。ニードル型試料台3Cの先端に、平坦な試料接着面が形成される。8図10Aに示すように、第2試料ステージ3Bを回転軸周りに回転させて、第2試料ステージ3Bのニードル型試料台3Cの中心軸線がイオンビーム9の光軸に整合するように配置する。プローブ4を移動させて、プローブ4の先端に接続された微小試料74を、ニードル型試料台3Cの試料接着面に接触させる。9図10Bに示すように、ビームアシストデポジションにより、微小試料74とニードル型試料台3Cが接続するように、堆積膜79を形成する。10図10Cに示すように、プローブ4の先端にイオンビーム9を照射し、プローブ4と微小試料74を分離する。図11A、図11B、及び、図11Cを参照して、ニードル型試料台3Cの先端を加工するために使用する加工パターンの形状を説明する。図11Aは、試料2の観察部位の周囲を削り取り、微小試料74を摘出した状態を示す。微小試料74を囲むように溝73が形成されている。微小試料74の一辺の長さL1とする。図11Bは、ニードル型試料台3Cの先端を示す。ニードル型試料台3Cの先端の角度をθ1とする。図11Cは、ニードル型試料台用の加工パターン203を示す。加工パターンの形状は、微小試料74の寸法L1とニードル型試料台3Cの先端の角度θ1を用いて作成される。加工パターン203の目標点204の位置座標を設定する。本例では、加工パターン203は三角形であるが、その頂点は尖がっていていてもよいが、僅かに削られた形状であってもよい。加工パターン203を表す三角形の底辺の寸法は、微小試料74の寸法L1に基づいて設定されるが、微小試料74の寸法L1と同一である必要はなく、例えば、それより所定の寸法だけ大きくてよい。微小試料74の一辺の長さL1は、イオンビーム9を照射し、観察部位を含む微小試料74を試料2から分離する時の加工データから得られる。微小試料74の一辺の長さL1は、このような加工データを用いて自動的に入力されてもよいし、作業者が入力してもよい。ニードル型試料台3Cの形状及び寸法は規格化されているため、ニードル型試料台の先端の角度θ1は一定である。図12は、ニードル型試料台3Cの先端の試料接着面に微小試料74が固定された状態を示す。ニードル型試料台3Cの試料接着面と微小試料74の底面の大きさが同等であるため、イオンビームによってニードル型試料台3Cがスパッタされて微小試料74表面が汚染されるのを防ぐことができる。ニードル型試料台に搭載された微小試料は、集束イオンビームFIB加工により薄膜化する。この微小試料の搭載した、第2試料ステージを引き抜き、第2試料ステージごと透過電子顕微鏡や走査電子顕微鏡に装着する。こうして高分解能観察および微小領域の元素分析を行うことが可能となる。本例では、ニードル型試料台の先端の加工を、微小試料の大きさに合わせて自動加工されるので、作業スキルを必要とせず容易に行うことができる。ニードル型試料台3Cの先端の試料接着面を形成するには、図2及び図3A~図3Eを参照して説明した試料の先端の加工方法と同様な方法が用いられる。ここでは、ニードル型試料台3Cの先端の試料接着面を形成する場合のイオンビーム停止処理25について説明する。図13A、図13B、及び、図13Cを参照して、ニードル型試料台3Cの先端の試料接着面を形成する場合のイオンビーム停止処理25の第1の場合を説明する。本例では、加工中のニードル型試料台3Cの先端像をモニタし、先端像33と加工パターン203を比較し、加工パターン203を表す三角形の底辺と試料像31の先端の外形の間の差が所定の値より小さくなったときに、自動的にイオンビーム照射を停止する。図13Aは、加工開始前に、加工パターン203をニードル型試料台3Cの先端像33に重ね合わせた状態を示す。加工パターン203の目標点204が、ニードル型試料台3Cの先端に整合するように、加工パターン203を配置する。図13Bは、FIB加工により、ニードル型試料台3Cの先端像33の頂点33aが削れた状態を示す。FIB加工を行うと、加工パターン203を表す三角形の底辺とニードル型試料台3Cの先端像33の頂点33aの間の寸法が小さくなる。図13Cは、FIB加工によりニードル型試料台3Cの先端像33が小さくなり、頂点33aが更に削れた状態を示す。FIB加工が進み、加工パターン203を表す三角形の底辺とニードル型試料台3Cの先端像33の頂点33aの間の寸法33bが所定の値より小さくなったら、イオンビーム照射を停止する。図14A、図14B、及び、図14Cを参照して、ニードル型試料台3Cの先端の試料接着面を形成する場合のイオンビーム停止処理25の第2の場合を説明する。本例では、加工中のニードル型試料台3Cの先端像33をモニタし、先端像33が変化したら、それに従って加工パターン203を変化させる。FIB加工が進むほど、加工パターン203の寸法、特に、幅が小さくなる。加工パターン203の幅が所定の値より小さくなったときに、自動的にイオンビーム照射を停止する。図14Aは、加工前の加工パターン203を示す。加工パターン203の横の寸法をX0とする。図14Bは、加工開始後の加工パターン203を示す。ニードル型試料台3Cの先端像33が削られ、その先端が平坦となっている。加工パターンの横の寸法をX1とする。加工パターンを表す三角形の底辺の寸法は変化していないが、横の寸法X1は小さくなっている。図14Cは、更に、加工が進んだ状態の加工パターン203を示す。ニードル型試料台3Cの先端像33が更に平坦になっている。加工パターンを表す三角形の底辺の寸法は変化していないが、横の寸法X1は極めて小さくなっている。そこで加工パターン203の横の寸法X1が所定の値より小さくなったら、自動的にイオンビーム照射を停止する。図15A、図15B、及び、図15Cを参照して、試料像の先端を検出する方法の例を説明する。図15Aは、2値化0と1とするした画像信号Spによって表示された試料の画像を表す。白い部分は試料像を表し、画像信号Sp=1であり、暗い部分は、試料像でないことを表し、画像信号Sp=0である。図15Bは図15Aの画像を格納したメモリの内容を模式的に示した図である。この画像は、N×M個の画素によって構成されている。画素の座標はXi,Yji,jは整数で表される。但し、i=0~N、j=0~Mである。NはX方向の視野のデジタル分割数であり、MはY方向の視野のデジタル分割数である。図15Cは、所定のYについて、X方向に沿って画像信号Spを読み出した結果を模式的に示す。高いレベルは、Sp=1、低いレベルは、Sp=0である。例えば、Y=Y0~Ym-1までは、全てのXに対して画像信号Sp=0である。Y=Ym~YMでは、所定のXの範囲に対して画像信号Sp=1である。この情報から、試料像の先端を検出することができる。例えば、Y=Y0~Ymにおいて、各行の画像信号Spを読み出し、立ち上がり0→1と立ち下がり1→0のX間隔が最も小さいところが先端であると判断してよい。図示の例では、座標Xn,Ymが試料像の先端座標と判定する。図16Aに示すように、試料像が横向きの場合には、上述のような方法では、試料像の先端を検出することができない。図16Bは、図16Aの画像を格納したメモリの内容を模式的に示したものである。この場合、各Y値についてX方向に沿って画像信号Spを読み出すと、立ち上がり0→1を検出することはできるが、立ち下がり1→0を検出することはできない。そこで、図16C及び図16Dに示すように、各X値に対してY方向に沿って画像信号Spを読み出せばよい。立ち上がりと立ち下がりのY間隔が最も小さいところを取出せば、その座標が試料像の先端の座標となる。本例の試料像の先端位置同定法は、吸収電流検出信号Ipに基づく画像信号Spを用いて試料像を生成している。従って、試料像以外の領域にて画像信号Sp=1となることはない。そのため、高精度にて、試料像を得ることができる。従って、SIM像から画像パターン認識によって試料像を得る場合と比較して、高精度にて試料像を得ることができる。本例では、画像信号Spを2値化することにより、ノイズを除去することができる。しかしながら、試料像以外の領域にSp=1の特異点が存在し、上述の方法では先端位置を検出することができない場合には、メモリ内の全画素に対して各画素の周辺の画素との平均をとり、スムージング化を行うことで特異点を除去することができる。ここでは、試料像の先端を検出する場合を説明したが、ニードル型試料台3Cの先端像の頂点を検出する場合も同様である。上述の例では、試料を加工する場合及びニードル型試料台3Cの先端を加工する場合を説明した。しかしながら、プローブの先端を加工する場合も同様に本発明を適用することができることは当業者であれば容易に理解されよう。また、上述の例では、加工パターンを生成するために、吸収電流検出信号Ipを用いる場合を説明した。しかしながら、吸収電流検出信号Ipの代わりに走査イオン顕微鏡像SIM像を用いてもよい。以上本発明の例を説明したが本発明は上述の例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲にて様々な変更が可能であることは、当業者によって容易に理解されよう。"