"結晶性半導体シートを成長させる方法であって、前記方法は、結晶性シート成長炉を提供することであって、前記炉は、材料導入領域と、複数の結晶シート成長レーンを含む結晶成長領域とから構成されているるつぼを含み、前記るつぼは、前記導入領域から、前記材料導入領域から最も離れた前記結晶シート成長レーンに向かう材料の略一方向性の流動を生成するように構成されている、ことと、前記材料導入領域において、p-型ドーパントおよびn-型ドーパントでドープされたシリコンを受け取ることであって、前記p-型ドーパントに対する前記n-型ドーパントの重量による濃度の比率は、0.1を超え、前記ドープされたシリコンは、融液を形成する、ことと、少なくとも2つの結晶性シート生成レーンにおいて、p-型結晶性シートを前記融液から成長させることとを含む、方法。前記p-型ドーパントは、ホウ素を含み、前記n-型ドーパントは、リンを含む、請求項1に記載の方法。前記p-型ドーパントに対する前記n-型ドーパントの重量による濃度の比率は、0.4から1.0の範囲内である、請求項2に記載の方法。前記p-型ドーパントは、ホウ素を含み、前記n-型ドーパントは、ヒ素を含む、請求項1に記載の方法。前記p-型ドーパントに対する前記n-型ドーパントの重量による濃度の比率は、0.9から2.5の範囲内である、請求項4に記載の方法。材料除去領域において、前記るつぼから材料を除去することであって、前記結晶成長領域は、前記材料導入領域と前記材料除去領域との間に位置し、除去される材料の割合は、前記材料導入領域において導入される前記材料の0.5以上である、ことをさらに含む、請求項1に記載の方法。結晶性半導体シートを成長させる方法であって、前記方法は、結晶性シート成長炉を提供することであって、前記炉は、材料導入領域と、複数の結晶シート成長レーンを含む結晶成長領域とから構成されているるつぼを含み、前記るつぼは、前記導入領域から、前記材料導入領域から最も離れた前記結晶シート成長レーンへの材料の略一方向性の流動を生成するように構成されている、ことと、前記材料導入領域において、p-型ドーパントおよびn-型ドーパントでドープされたシリコンを受け取ることであって、前記n-型ドーパントに対する前記p-型ドーパントの重量による濃度の比率は、0.1を超え、前記ドープされたシリコンは、融液を形成する、ことと、少なくとも2つの結晶性シート成長レーンにおいて、n-型結晶性シートを前記融液から成長させることとを含む、方法。前記p-型ドーパントは、ガリウムを含み、前記n-型ドーパントは、リンを含む、請求項7に記載の方法。前記n-型ドーパントに対する前記p-型ドーパントの重量による濃度の比率は、4.0から30.0の範囲内である、請求項8に記載の方法。前記p-型ドーパントは、ガリウムを含み、前記n-型ドーパントは、ヒ素を含む、請求項9に記載の方法。前記n-型ドーパントに対する前記p-型ドーパントの重量による濃度の比率は、1.0から13.0の範囲内である、請求項10に記載の方法。材料除去領域において、前記るつぼから材料を除去することであって、前記結晶成長領域は、前記材料導入領域と前記材料除去領域との間に位置し、除去される材料の割合は、前記材料導入領域において導入される前記材料の0.5以上である、ことをさらに含む、請求項7に記載の方法。結晶性半導体シートを成長させる方法であって、前記方法は、結晶性シート成長炉を提供することであって、前記炉は、材料導入領域と、複数の結晶シート成長レーンを含む結晶成長領域とから構成されているるつぼを含み、前記るつぼは、前記導入領域から、前記材料導入領域から最も離れた前記結晶シート成長レーンへの材料の略一方向性の流動を生成するように構成されている、ことと、前記材料導入領域において、p-型ドーパントおよびn-型ドーパントでドープされたシリコンを受け取ることであって、前記n-型ドーパントの量は、痕跡量を超え、前記ドープされたシリコン中の前記p-型ドーパントの量は、痕跡量を超え、前記ドープされたシリコンは、融液を形成する、ことと、少なくとも2つの結晶性シート成長レーンにおいて、前記融液から結晶性シートを成長させることとを含む、方法。前記p-型ドーパントは、ホウ素を含み、前記n-型ドーパントは、リンを含む、請求項13に記載の方法。前記p-型ドーパントは、ホウ素を含み、前記n-型ドーパントは、ヒ素を含む、請求項13に記載の方法。前記p-型ドーパントは、ガリウムを含み、前記n-型ドーパントは、リンを含む、請求項13に記載の方法。前記p-型ドーパントは、ガリウムを含み、前記n-型ドーパントは、リンを含む、請求項13に記載の方法。材料除去領域において、前記るつぼから材料を除去することであって、前記結晶成長領域は、前記材料導入領域と前記材料除去領域との間に位置し、除去される材料の割合は、前記材料導入領域において導入される前記材料の0.5以上である、ことをさらに含む、請求項13に記載の方法。本発明のある実施形態では、結晶性半導体シートは、多レーン炉内で成長させられる。炉は、材料導入領域と、複数の結晶シート成長レーンを含む結晶成長領域とから構成されているるつぼを含む。るつぼは、導入領域から、材料導入領域から最も離れた結晶シート成長レーンに向かう材料の略一方向性の流動を生成するように構成される。p-型ドーパントおよびn-型ドーパントで共ドープされたシリコンは、材料導入領域において受け取られる。p-型ドーパントに対するn-型ドーパントの重量による濃度の比率は、0.1を超える。ドープされたシリコンは、るつぼ内に融液を形成し、p-型結晶性シートは、少なくとも1つの結晶性シート成長レーンにおいて、融液から成長させられる。適切なレベルのドーパントでのシリコンの共ドーピングは、炉の種々のレーンにおいて成長させられた結晶性シート間の抵抗率のばらつきを減少させることができる。本発明の特定の実施形態では、p-型ドーパントは、ホウ素であり、n-型ドーパントは、リンであり、ホウ素に対するリンの重量による濃度の比率は、0.4から1.0の範囲である。本発明の別の特定の実施形態では、p-型ドーパントは、ホウ素であり、n-型ドーパントは、ヒ素であり、ホウ素に対するヒ素の重量による濃度の比率は、0.9から2.5の範囲である。本発明の別の実施形態では、結晶性半導体シートは、多レーン炉内で成長させられる。炉は、材料導入領域と、複数の結晶シート成長レーンを含む結晶成長領域とから構成されているるつぼを含む。るつぼは、導入領域から、材料導入領域から最も離れた結晶シート成長レーンに向かう材料の略一方向性の流動を生成するように構成される。p-型ドーパントおよびn-型ドーパントで共ドープされたシリコンは、材料導入領域において受け取られる。n-型ドーパントに対するp-型ドーパントの重量による濃度の比率は、0.1を超える。ドープされたシリコンは、るつぼ内に融液を形成し、n-型結晶性シートは、少なくとも1つの結晶性シート成長レーンにおいて、融液から成長させられる。適切なレベルのドーパントでのシリコンの共ドーピングは、炉の種々のレーンにおいて成長させられる結晶性シート間の抵抗率のばらつきを減少させることができる。本発明の特定の実施形態では、p-型ドーパントは、ガリウムであり、n-型ドーパントは、リンであり、リンに対するガリウムの重量による濃度の比率は、4.0から30.0の範囲である。本発明の別の特定の実施形態では、p-型ドーパントは、ガリウムであり、n-型ドーパントは、ヒ素であり、ヒ素に対するガリウムの重量による濃度の比率は、1.0から13.0の範囲である。本発明のさらに好ましい実施形態では、結晶性半導体シートは、多レーン炉内で成長させられる。炉は、材料導入領域と、複数の結晶シート成長レーンを含む結晶成長領域とから構成されているるつぼを含む。るつぼは、導入領域から、材料導入領域から最も離れた結晶シート成長レーンに向かう材料の略一方向性の流動を生成するように構成される。p-型ドーパントおよびn-型ドーパントで共ドープされたシリコンは、材料導入領域において受け取られる。p-型ドーパントおよびn-型ドーパントは、痕跡量を上回って、原料中に存在する。ドープされたシリコンは、るつぼ内で融液を形成し、結晶性シートは、少なくとも1つの結晶性シート成長レーンにおいて、融液から成長させられる。適切なレベルのドーパントでのシリコンの共ドーピングは、炉の種々のレーン内で成長させられる結晶性シート間の抵抗率のばらつきを減少させることができる。本発明のさらなる実施形態では、前述の説明される実施形態のいずれかはさらに、るつぼ内に、材料導入領域において導入された材料の0.5以上が除去される材料除去領域を含み得る。そのような材料除去は、主に、結晶性シート中の金属不純物を減少させる。本願は、参照することによって、全体として本明細書に組み込まれる、SystemsandMethodofFormingaCrystalと題された米国特許出願第11/741,372号に関する。本発明の好ましい実施形態では、方法は、多レーン成長炉内で生成された半導体結晶性シートの抵抗率のばらつきを減少させる。結晶性シートを成長させるための炉は、材料導入領域と、複数の結晶シート成長レーンを含む結晶成長領域とを伴うるつぼを含むように提供される。るつぼは、導入領域から、材料導入領域から最も離れた結晶性シート成長レーンに向かう材料の略一方向性の流動を生成するように構成される。痕跡量を上回る、p-型ドーパントおよびn-型ドーパント両方でドープされたシリコンは、材料導入領域中に導入される。ドープされたシリコンは、るつぼ内に、融液と呼ばれる、溶融物質を形成する。結晶性シートは、結晶成長領域内の各成長レーンにおいて形成される。適切なレベルのドーパントでのシリコン原料の共ドーピングは、各レーンにおいて形成される結晶性シート間の抵抗率のばらつきを減少させることができる。るつぼは、随意に、溶融材料が、るつぼから除去される、材料除去領域を有し得る。結晶性シート成長レーンは、典型的には、材料除去領域と材料導入領域との間に位置する。図1は、本発明の例証的実施形態とともに使用され得る、結晶性シート成長炉10を図式的に示す。炉10は、とりわけ、実質的に、酸素がない燃焼を防止するために、密閉された内部を形成する、筐体12を有する。酸素の代わりに、内部は、アルゴン等のある濃度の別のガス、またはガスの組み合わせを有する。筐体内部はまた、とりわけ、るつぼ14と、実質的に、同時に、4つのシリコン結晶性シート32を成長させるための他の構成要素そのいくつかは、以下に論じられるとを含む。結晶性シート32は、多重結晶、単結晶、多結晶、マイクロ結晶、または半結晶等、種々の結晶型のいずれかであり得る。筐体12の送給入口18は、シリコン原料を内部るつぼ14に方向付けるための手段を提供する一方、随意の窓16は、内部構成要素の検査を可能にする。シリコン結晶性シート32の議論は、例証であることに留意されたい。例えば、結晶は、シリコン以外の材料、またはシリコンおよびいくつかの他の材料の組み合わせから形成され得る。別の実施例として、例証的実施形態は、非結晶性シートを形成し得る。さらに、本発明の例証的実施形態は、一列に、概して、互に平行なシートを用いた、4つの成長レーンを伴う炉に関して説明されるが、他の実施形態は、より多い成長レーンまたはより少ない成長レーンを採用し得、互に対する成長レーンの配置は異なり得る。図2は、図1に示される結晶性シート成長炉10の部分的切り取り図を図式的に示す。この図は、とりわけ、筐体12内の内部構造基盤20上に支持され、実質的に、平坦上部表面を有する、前述のるつぼ14を示す。図3Aに示されるように、るつぼ14は、その長さに沿って並んだ、シリコン結晶性シート32を成長させるための領域を伴う細長い形状を有する。本発明の例証的実施形態は、概して、一列に互に平行であるシートを用いた、4つの成長レーンを伴うこの例示的炉に関して説明されるが、本発明の実施形態とともに使用するための他の炉は、より多くの成長レーンまたはより少ない成長レーンを採用し得、互に対する成長レーンの配置は、異なり得る。るつぼ14は、黒鉛から形成され、シリコンをその融点を上回って維持可能な温度まで抵抗加熱される。るつぼ内における一方向性の液体の流動を改善するために、るつぼ14は、その幅を遥かに上回る長さを有する。例えば、るつぼ14の長さは、その幅の3倍以上であり得る。当然ながら、他の事例では、るつぼ14は、このように、伸長ではない。例えば、るつぼ14は、略正方形形状または非矩形形状を有し得る。るつぼ14は、3つの別個であるが、連続的領域、すなわち、1シリコン原料を筐体送給入口18から受け取るための導入領域22、24つの結晶性シート32を成長させるための結晶領域24、および3るつぼ14によって含まれる溶融シリコンの一部を除去するための除去領域26すなわち、廃棄動作を行うためを有するものとして検討され得る。示される例示的炉では、除去領域26は、シリコン除去を促進するためのポート34を有する。以下に詳細に論じられるように、しかしながら、他の例証的炉は、そのようなポート34を有していない。結晶領域24は、各々、単一結晶性シート32を成長させる、4つの別個の結晶小区域を形成するものとして検討され得る。そのために、各結晶小区域は、それぞれ、最終的には、成長シリコン結晶性シート32の縁領域を形成する、2つの高温フィラメントを受け取るための一対のフィラメント孔28を有する。さらに、各小区域はまた、一対の随意の流動制御リッジ30によって規定されるように検討され得る。故に、各小区域は、その境界を形成する、一対のリッジ30と、フィラメントを受け取るための一対のフィラメント孔28とを有する。図3Bに示されるように、中央結晶小区域は、リッジ30を隣接する結晶小区域と共有する。さらに、結晶小区域の分割に加えて、リッジ30はまた、溶融シリコンの流動に対して、ある程度の流体抵抗を提示し、したがって、るつぼ14に沿って、流体流動を制御するための手段を提供する。図3Bは、浅い周縁壁31を伴うるつぼ14の実施例を図式的に示す。加えて、この図は、液体シリコンを含み、4つのシリコンシート結晶32を成長させるるつぼ14のこの実施形態を示す。示されるように、第1の小区域と称される、導入領域22に最も近い結晶小区域は、シートDを成長させる一方、第2の小区域は、シートCを成長させる。第3の小区域は、シートBを成長させ、除去領域26に最も近い第4の小区域は、シートAを成長させる。当業者によって公知のように、連続的シリコン結晶性シート成長は、るつぼ14内のフィラメント孔28を通して、高温材料の2つのフィラメントを導入することによって行われてもよい。フィラメントは、成長する結晶性シート32の縁を安定させ、前述のように、最終的には、成長する結晶性シート32の縁領域を形成する。図3Bに示されるように、上向きに引き上げられる溶融シリコンは、溶融シリコンの上部表面直上において、フィラメントおよび既にある凝固された結晶性シート32と合体する。この場所界面と称されるにおいて、固体結晶性シート32が、典型的には、その結晶性構造から、不純物の一部を除外する。とりわけ、そのような不純物として、鉄、炭素、およびタングステンが挙げられ得る。不純物は、したがって、溶融シリコン中に戻され、その結果、結晶領域24内の不純物濃度を増加させる。このプロセスの間、各結晶性シート32は、好ましくは、超低速において、溶融シリコンから引き上げられる。例えば、各結晶性シート32は、1分あたり約1インチの速度において、溶融シリコンから引き抜かれ得る。るつぼ14は、導入領域22から、除去領域26に向かって、超低速において、溶融シリコンを流動させるように構成される。この流速が、速過ぎた場合、成長するリボンの下の融液領域は、高混合力を受けるであろう。この低流動は、結晶領域24から、除去領域26に向かって、成長する結晶によって除外されたものを含む、溶融シリコン内の不純物の一部を流動させる。いくつかの要因が、除去領域26に向かう溶融シリコンの流速に寄与する。これらの要因の各々は、シリコンをるつぼ14に添加すること、そこから除去することに関連する。具体的には、これらの要因の1つ目は、単に、融液を通してのフィラメントの物理的上向き移動によって生じるシリコンの除去である。例えば、1分あたり1インチの速度における、4つのシート結晶32各シート結晶32は、約3インチの幅および約190ミクロンから約300ミクロンの範囲の厚さを有するの除去は、1分あたり約3グラムの溶融シリコンを除去する。流速に影響を及ぼすこれらの要因の2つ目は、除去領域26からの溶融シリコンの選択的除去/廃棄である。その結果、実質的に一定の融液高を維持するために、システムは、るつぼ14内の所望の融液高の関数として、新しいシリコン原料を添加する。そのために、他の方法のなかでもとりわけ、システムは、それが含む融液の関数であるるつぼ14の電気抵抗の変化を検出し得る。故に、システムは、るつぼ14の抵抗および融液レベルに基づいて、必要に応じて、新しいシリコン原料をるつぼ14に添加し得る。例えば、いくつかの実装では、融液高は、概して、約1秒毎に約数ミリメートルの直径を有する1個の略球状シリコン塊を添加することによって、維持され得る。るつぼ14へのシリコン原料の添加および融液高の維持に関連する追加の情報については、例えば、以下の米国特許その開示は、参照することによって、その全体として、本明細書に組み込まれるを参照されたい:第US6,090,199号、第US6,200,383号、および第US6,217,649号。るつぼ14内の溶融シリコンの流速は、したがって、るつぼ14へおよびそこからのシリコンのこの略連続的/断続的添加および除去によって生じる。適切な低流速において、種々の形態のるつぼ14の幾何学形状および形状が、略一方向性の流動によって、除去領域26に向かって、溶融シリコンを流動させるはずであることが予測される。この略一方向性の流動を有することによって、溶融シリコンの実質的大部分実質的に、全溶融シリコンが、直接、除去領域26に向かって流動する。原料共ドーピング前述の炉等の多レーン結晶性シート成長炉では、シリコン原料は、多くの場合、僅か痕跡レベルのp-型およびn-型ドーパントを伴って調達される。原料は、従来、p-型結晶性シートを作製するためのp-型ドーパントまたはn-型結晶性シートを作製するためのn-型ドーパントのいずれかでドープされる。例えば、シリコン原料は、るつぼへの導入に先立って、p-型ドーパントホウ素でドープされ、p-型結晶性シートを生成することができる。発明者らに公知の他の理由の中でもとりわけ、共ドーピングは、単一ドーパント方法と比較して、追加のコストを被るため、2つ以上のドーパント型すなわち、共ドーピングでの原料のドーピングは、概して、行われていないことに留意されたい。以下の条件で、導入されたシリコン原料を伴う4つのレーン炉の場合、約95重量ppbのホウ素p-型ドーパント濃度約0.1重量ppb痕跡量のリンn-型ドーパント濃度融液廃棄物除去率=1、シミュレーションによって、これらのパラメータによって成長させられたシートの抵抗率は、以下となるであろうことが示された。注記:レーンDは、材料導入領域に隣接する一方、レーンAは、材料導入領域から最も遠い。融液の流動は、概して、レーンDからレーンAへと一方向である。結晶性シートの抵抗率に対して、本明細書において与えられる全結果は、物理的測定ではなく、シミュレーションから導出される。また、本明細書および任意の添付の請求項では、痕跡量のホウ素またはリンは、重量あたり10ppb未満の原料中のこれらのドーパントの任意の濃度であることに留意されたい。4つのレーンにおいて成長させられた結晶性シートの平均抵抗率は、1.88ohm-cmである。抵抗率は、材料導入領域からのレーン位置が増加するにつれて、成長させられるシートに対して低下する。この抵抗率の低下は、融液中のホウ素の濃度が、レーンDからレーンAへと増加するために生じる。レーンからレーンへの融液中のホウ素の濃度の増加は、1概して、レーンDからレーンAへの融液の一方向流動が存在し、2ホウ素の析出係数が、1未満約0.8であるために生じる。したがって、レーン内の融液中のホウ素の一部のみ、そのレーンにおける結晶性シートの成長によって除去される。融液中のホウ素濃度は、レーンからレーンへと増加するにつれて、結晶性シート内のキャリア濃度の正味差異[B]-[P]は、それに準じて、増加する。[B]-[P]の増加は、レーンDにおいて成長させられたシートから、レーンAにおいて成長させられたシートへと、抵抗率を約0.7ohm-cm降下させる。シリコン原料は、スピンコーティング等の当技術分野において公知の任意の方法を使用して、ホウ素ドーパントでドープされることができる。A.減少された抵抗率範囲を伴うP-型結晶性シートを産出する共ドーピング1.ホウ素およびリンドーパント本発明の好ましい実施形態では、シリコン原料は、p-型結晶性シートに対して、0.1を上回る、Bに対するPの濃度比を達成するために、必要に応じて、ホウ素および/またはリンでドープされるすなわち、共ドーピング。原料のドーピングは、例えば、スピンコーティング等、当技術分野において公知の任意の手段によってもたらされ得る。図4は、共ドープされたシリコンをるつぼ400に添加し、炉402のレーンにおいて、結晶性シートを形成し、随意に、周期的に、シリコン融液をるつぼ404から廃棄するプロセスを示す。例えば、以下の条件で、導入されたシリコン原料を伴う4つのレーン炉の場合、約115重量ppbのホウ素p-型ドーパント濃度約70重量ppbのリンn-型ドーパント濃度融液廃棄物除去率=1。したがって、材料導入領域において、[P]/[B]=0.61である。シミュレーションによって、これらのパラメータによって成長させられたシートの抵抗率は、以下となるであろうことが示された。4つのレーンにおいて成長させられたシートに対する平均抵抗率は、これらの条件に対して、共ドーピングを伴わない場合の以前のシミュレーションと同一であるが、4つのレーンにおいて成長させられたシートに対する抵抗率の広がりは、0.19ohm-cmまで減少され、72の減少となる。非痕跡量におけるシリコン原料中のn-型ドーパントリンおよびp-型ドーパントホウ素両方の存在共ドーピングは、炉のいくつかのレーンにおいて成長させられた結晶性シートの抵抗率の広がりを減少させるよう作用する。前述のように、これらの条件下で成長させられた結晶性シートの抵抗率は、正味キャリア濃度p-n≒[B]-[P]、したがって、結晶性シート中のホウ素およびリンドーパント濃度に依存する。析出係数の差異のため、ホウ素は、リンより多くの量において、融液から結晶性シートに抽出されるであろう。したがって、原料が、レーンD近傍の導入からレーンAに向かって、融液中を流動するにつれて、融液中の[B]の増加は、Pの析出係数が、Bの析出係数の半分未満であるため、融液中の[P]の増加よりゆっくりとなるであろう。[P]のより迅速な増加は、ホウ素の濃度と比較して、導入点におけるリンの濃度の適切な選択によって加減され、例えば、リンは、ホウ素より原料中に低い濃度で存在する。これらの2つの対抗要因は、炉内の異なるレーンにおいて成長させられる結晶性シート間の[B]-[P]のばらつきを減少させるよう作用する。前述の結果は、1の融液廃棄物除去率によって達成され、融液廃棄物除去率は、るつぼの除去領域から除去される、材料導入領域において導入された原料の割合である。本発明の他の実施形態では、原料中の[B]に対する[P]の比率は、レーン間の抵抗率の広がりの変化に対応する異なる比率に設定されることができる。例えば、以下の条件で、導入されたシリコン原料を伴う4つのレーン炉の場合、約115重量ppbのホウ素p-型ドーパント濃度約46重量ppbのリンn-型ドーパント濃度融液廃棄物除去率=1。したがって、材料導入領域において、[P]/[B]=0.40である。シミュレーションによって、これらのパラメータによって成長させられたシートの抵抗率は、以下となるであろうことが示された。4つのレーンの平均抵抗率は、1.88ohm-comのままである。抵抗率の範囲は、共ドーピングを伴わない抵抗率の範囲未満であるが、減少は、[P]/[B]=0.61の場合より顕著ではない。さらなる実施例では、以下の条件で、導入されたシリコン原料を伴う4つのレーン炉の場合、約138重量ppbのホウ素p-型ドーパント濃度約138重量ppbのリンn-型ドーパント濃度融液廃棄物除去率=1。したがって、材料導入領域において、[P]/[B]=1.0である。シミュレーションによって、これらのパラメータによって成長させられたシートの抵抗率は、以下となるであろうことが示された。4つのレーンにおいて成長させられたシートの抵抗率の平均は、1.88ohm-comのままである。この場合、抵抗率の範囲は、共ドーピングを伴わない抵抗率における抵抗率の範囲未満であるが、範囲減少はまた、[P]/[B]=0.61の場合より顕著ではない。実際、[P]/[B]の比率が、約1.1を超えて増加するにつれて、抵抗率の範囲は、シリコン原料中のリンの増加した濃度が、ホウ素と比較して、より低いリンの析出係数を過補償するため、共ドーピングを伴わない場合と比較して、増加し得る。PおよびBに対するドーピングレベルは、限定ではなく、一例としてのみ提供されることに留意されたい。共ドーパントPおよびBのレベルは、種々のレーンにおいて成長させられる結晶性シートに対する他の所望の平均抵抗率を達成するように調節されることができる。さらに、前述の実施例は、4つのレーン炉に対するものであるが、本発明の実施形態は、複数の結晶性シート成長レーンを伴う任意の炉に適用可能である。本発明の特定の実施形態では、原料は、重量によるリンとホウ素との濃度比が、0.4から1.0の範囲であるように、ドープされる。これらのばらつきはすべて、添付の請求項に説明されるように、本発明の範囲内である。2.ホウ素およびヒ素ドーパント本発明の他の実施形態では、シリコン原料は、リンおよびホウ素以外のドーパントでドープされ、p-型結晶性シートを達成する。例えば、p-型ドーパントは、ホウ素を含み得る一方、n-型ドーパントは、ヒ素を含み得る。以下の条件下、導入されるシリコン原料を伴う、共ドーピングを行わない4つのレーン炉の場合、約63重量ppbのホウ素p-型ドーパント濃度約0.1重量ppbのヒ素n-型ドーパント、痕跡量のみ濃度融液廃棄物除去率=0.5、シミュレーションによって、これらのパラメータによって成長させられた結晶性シートの抵抗率が、以下となるであろうと示された。これらのp-型結晶性シートの平均抵抗率は、約2.75ohm-cmである。以下の条件で、導入されるシリコン原料を伴う共ドーピングを行う、4つのレーン炉の場合、約69重量ppbのホウ素p-型ドーパント濃度約62重量ppbのヒ素n-型ドーパント濃度融液廃棄物除去率=0.5。したがって、材料導入領域において、[As]/[B]=0.9である。シミュレーションによって、これらのパラメータによって成長させられた結晶性シートの抵抗率が、以下となるであろうと示された。全シートに対する平均抵抗率は、2.75ohm-cmである。結晶性シートにおける抵抗率の範囲は、したがって、原料の共ドーピングを行わないシートの形成と比較して、約50減少される。以下の条件で、導入されるシリコン原料を伴う共ドーピングを行う、4つのレーン炉の場合、約83重量ppbのホウ素p-型ドーパント濃度約208重量ppbのヒ素n-型ドーパント濃度融液廃棄物除去率=5。したがって、材料導入領域において、[As]/[B]=2.49である。シミュレーションによって、これらのパラメータによって成長させられた結晶性シートの抵抗率が、以下となるであろうと示された。結晶性シートにおける抵抗率の範囲は、したがって、原料の共ドーピングを行わないシートの形成と比較して、約80減少される。本発明の特定の実施形態では、重量によるヒ素とホウ素ドーパントとの濃度比は、0.9から2.5の範囲である。シリコンに対するホウ素-リンおよびホウ素-ヒ素共ドーパントは、抵抗率範囲減少に及ぼす共ドーピングの影響を示すために、限定ではなく、一例としてもたらされる。共ドーピングシリコン原料によるp-型結晶性シートの抵抗率範囲の減少は、他のp-型およびn-型ドーパントの組み合わせにも適用可能である。すべてのそのような組み合わせは、添付の請求項に説明されるように、本発明の範囲内である。B.減少した抵抗率範囲を伴うN-型結晶性シートを産生する共ドーピング類似方式において、共ドーピングが、多レーン炉のレーンにおいて成長させられるn-型結晶性シート間の抵抗率の範囲を減少させるために採用されることができる。1.ヒ素およびガリウムドーパント例えば、本発明のさらなる実施形態では、n-型ドーパントは、ヒ素を含み得る一方、p-型ドーパントは、ガリウムを含み得る。以下の条件で、導入されるシリコン原料を伴う共ドーピングを行わない、4つのレーン炉の場合、約216重量ppbのヒ素n-型ドーパント濃度約0.1重量ppbのガリウムp-型ドーパント、痕跡量のみ濃度融液廃棄物除去率=1、シミュレーションによって、これらのパラメータによって成長させられた結晶性シートの抵抗率が、以下となるであろうと示された。これらのn-型結晶性シートの平均抵抗率は、約2.75ohm-cmである。本発明の別の実施形態では、以下の条件で、導入されたシリコン原料を伴う4つのレーン炉の場合、約243重量ppbのヒ素n-型ドーパント濃度約438重量ppbのガリウムp-型ドーパント濃度融液廃棄物除去率=0.5。したがって、材料導入領域において、[Ga]/[As]=1.8である。シミュレーションによって、これらのパラメータによって成長させられたシートの抵抗率は、以下となるであろうことが示された。結晶性シートにおける抵抗率の範囲は、したがって、原料の共ドーピングを行わない、シートの形成と比較して、約31減少される。シートの平均抵抗率は、2.75ohm-cmのままである。本発明の別の実施形態では、以下の条件で、導入されたシリコン原料を伴う4つのレーン炉の場合、約290重量ppbのヒ素n-型ドーパント濃度約1105重量ppbのガリウムp-型ドーパント濃度融液廃棄物除去率=1。したがって、材料導入領域において、[Ga]/[As]=3.81である。シミュレーションによって、これらのパラメータによって成長させられたシートの抵抗率は、以下となるであろうことが示された。結晶性シートにおける抵抗率の範囲は、したがって、原料の共ドーピングを行わない、シートの形成と比較して、約59減少される。シートの平均抵抗率は、2.75ohm-cmのままである。本発明の別の実施形態では、以下の条件で、導入されたシリコン原料を伴う4つのレーン炉の場合、約513重量ppbのヒ素n-型ドーパント濃度約6265重量ppbのガリウムp-型ドーパント濃度融液廃棄物除去率=5。したがって、材料導入領域において、[Ga]/[As]=12.2である。シミュレーションによって、これらのパラメータによって成長させられたシートの抵抗率は、以下となるであろうことが示された。結晶性シートにおける抵抗率の範囲は、したがって、原料の共ドーピングを行わない、シートの形成と比較して、約64減少される。シートの平均抵抗率は、2.75ohm-cmのままである。本発明の特定の実施形態では、重量によるガリウムとヒ素ドーパントとの濃度比は、1.0から13.0の範囲である。2.リンおよびガリウムドーパント類似方式において、共ドーピングが、多レーン炉のレーンにおいて成長させられるn-型結晶性シート間の抵抗率の範囲を減少させるために採用されることができ、n-型ドーパントは、リンを含み得る一方、p-型ドーパントは、ガリウムを含み得る。以下の条件で、導入されるシリコン原料を伴う共ドーピングを行わない、4つのレーン炉の場合、約0.1重量ppbのガリウムp-型ドーパント、痕跡量のみ濃度約79重量ppbのリンn-型ドーパント濃度融液廃棄物除去率=0.5、シミュレーションによって、これらのパラメータによって成長させられた結晶性シートの抵抗率が、以下となるであろうと示された。これらのn-型結晶性シートの平均抵抗率は、約2.75ohm-cmである。本発明の別の実施形態では、以下の条件で、導入されたシリコン原料を伴う4つのレーン炉の場合、約378重量ppbのガリウムp-型ドーパント濃度約90重量ppbのリンn-型ドーパント濃度融液廃棄物除去率=0.5。したがって、材料導入領域において、[Ga]/[P]=4.2である。シミュレーションによって、これらのパラメータによって成長させられたシートの抵抗率は、以下となるであろうことが示された。結晶性シートにおける抵抗率の範囲は、したがって、原料の共ドーピングを行わない、シートの形成と比較して、約33減少される。シートの平均抵抗率は、2.75ohm-cmのままである。本発明の別の実施形態では、以下の条件で、導入されたシリコン原料を伴う4つのレーン炉の場合、約4955重量ppbのガリウムp-型ドーパント濃度約170重量ppbのリンn-型ドーパント濃度融液廃棄物除去率=0.5。したがって材料導入領域において、[Ga]/[P]=29.1である。シミュレーションによって、これらのパラメータによって成長させられたシートの抵抗率は、以下となるであろうことが示された。結晶性シートにおける抵抗率の範囲は、したがって、原料の共ドーピングを行わない、シートの形成と比較して、約62減少される。シートの平均抵抗率は、2.75ohm-cmのままである。本発明の特定の実施形態では、重量によるガリウムとヒ素ドーパントとの濃度比は、4.0から30.0の範囲である。ガリウム-リンおよびガリウム-ヒ素共ドーパントは、限定としてではなく、一例として提供される。共ドーピング原料によって、n-型結晶性シートにおける抵抗率範囲の減少は、他のp-型およびn-型ドーパントの組み合わせにも適用可能である。すべてのそのような組み合わせは、添付の請求項によって説明されるように、本発明の範囲内である。前述の本発明の実施形態は、単に、例示的であると意図される。多数の修正が、当業者に明白となるであろう。例えば、多レーン成長炉は、材料除去領域を有する必要はなく、方法は、前述の例示的炉以外の成長炉の他の構成にも適用可能である。すべてのそのような範囲および修正は、任意の添付の請求項に定義されるように、本発明の範囲内であると意図される。"