"電気的制御可能な光及び/又はエネルギー透過特性を有する電気化学デバイス1であって、第1の電極被膜4と、第2の電極被膜12と、前記第1の電極被膜4上に形成され前記第1の電極被膜4と前記第2の電極被膜12との間に位置していて、異なる光及び/又はエネルギー透過特性を有する第1の状態と第2の状態との間をイオンの注入及び抽出により可逆的に切り替えることができる無機材料からなる電気化学活性層6と、前記電気化学活性層6と前記第2の電極被膜12との間の電解質8と、を含むタイプのものであり、前記電気化学活性層6の材料は、前記第1の状態と前記第2の状態の切り替えの間前記イオンの注入及び抽出が当該材料のプラズマ波長λの変動に対応する材料であり、かつ前記材料は、前記第1の状態及び前記第2の状態において前記プラズマ波長λにあって1μm以下の吸収スペクトルの半値全幅Δλを有する、電気的制御可能な光及び/又はエネルギー透過特性を有する電気化学デバイス1。前記電気化学活性層6の材料が、前記第2の状態において、当該材料が0.7μm≦λ-Δλ/2≦1.4μm、好ましくは0.7μm≦λ-Δλ/2≦0.9μmの関係を満たす吸収スペクトルを有するような自由電荷キャリア濃度を有する、請求項1に記載のデバイス1。前記電気化学活性層6の材料が、前記第1の状態において、当該材料がλ-Δλ/2≧1.5μm、好ましくはλ-Δλ/2≧1.8μm、より好ましくはλ-Δλ/2≧2μmの関係を満たす吸収スペクトルを有するような自由電荷キャリア濃度を有する、請求項1又は2に記載のデバイス1。前記電気化学活性層6の材料が、前記第1の状態及び前記第2の状態において、50以上、好ましくは70以上の光透過率D65を有する、請求項1~3のいずれか一項に記載のデバイス1。前記第1の状態から前記第2の状態への切り替えが前記材料の還元に対応する、請求項1~4のいずれか一項に記載のデバイス1。前記注入されるイオンがカチオンである、請求項1~5のいずれか一項に記載のデバイス1。前記電気化学活性層6の材料が金属酸化物を基にしている、請求項1~6のいずれか一項に記載のデバイス1。前記電気化学活性層6の材料がZnОxを基にしており、ここでのxは0.5と1.5の間、好ましくはxは0.8と1.2の間である、請求項7に記載のデバイス1。前記電気化学活性層6の材料がZnОx:Mを基にしており、ここでのMはドーパントである、請求項8に記載のデバイス1。前記化合物ZnОx:MにおけるドーパントMの重量パーセント含有量が0.1と5の間、好ましくは0.1と3の間である、請求項9に記載のデバイス1。前記ドーパントMがアルミニウムAl、ホウ素B、ガリウムGa、ゲルマニウムGe及びケイ素Siから選ばれる、請求項9又は10に記載のデバイス1。前記イオンを可逆的に注入/抽出することができる第2の電気化学活性層10を含み、前記イオンの前記第1の電気化学活性層6への注入が前記イオンの前記第2の電気化学活性層10からの抽出に対応し、その逆も同様であり、前記電解質8が前記第1の電気化学活性層6と前記第2の電気化学活性層10との間にある、請求項1~11のいずれか一項に記載のデバイス1。当該デバイス1がオールソリッドステートタイプのものであり、前記第1の電極被膜4が基材2上に形成され、前記第1の電気化学活性層6が前記第1の電極被膜4上に形成され、前記電解質8が前記第1の電気化学活性層6上に形成され、前記第2の電気化学活性層10が前記電解質8上に形成され、前記第2の電極被膜12が前記第2の電気化学活性層10上に形成されている、請求項12に記載のデバイス1。当該デバイスが対向基材16及び積層中間層14を含み、前記積層中間層14を用いて、前記電気化学活性層が前記基材2と前記対向基材16との間に位置するように前記対向基材16及び前記基材2が一緒に積層されており、前記積層中間層14が好ましくは前記第2の電極被膜12を電気的に接続する手段をもたらしている、請求項1~13のいずれか一項に記載のデバイス1。請求項1~14のいずれか一項に記載のデバイス1を含む窓ガラス。電気的制御可能な光及び/又はエネルギー透過特性を有する電気化学デバイス1の製造方法であって、電極被膜4を基材2上に被着させる工程、前記電極被膜4上に、異なる光及び/又はエネルギー透過の第1の状態と第2の状態とをイオンの注入及び抽出により可逆的に切り替えることができる無機の電気化学活性層6を被着させる工程、を含み、前記電気化学活性層6の材料が、前記第1の状態と前記第2の状態との切り替えの際の前記イオンの注入及び抽出が当該材料のプラズマ波長λの変動に対応する材料であり、かつ当該材料が、前記第1の状態及び前記第2の状態において前記プラズマ波長λにあって1μm以下の前記吸収スペクトルの半値全幅Δλを有する、電気的制御可能な光及び/又はエネルギー透過特性を有する電気化学デバイス1の製造方法。本発明の1つの目的は、良好な熱調節と光透過性能を示す、電気的制御可能な光及び/又はエネルギー透過特性を有する電気化学デバイスを提供することである。この目的のために、本発明が対象とするものの1つは、電気的制御可能な光及び/又はエネルギー透過特性を有する電気化学デバイスであって、第1の電極被膜と、第2の電極被膜と、前記第1の電極被膜上に形成され前記第1の電極被膜と前記第2の電極被膜との間に位置し、異なる光及び/又はエネルギー透過特性を有する第1の状態と第2の状態の間をイオンの注入及び抽出により可逆的に切り替えることができる無機材料からなる電気化学活性層と、前記電気化学活性層と前記第2の電極被膜との間の電解質と、を含むタイプのものであり、前記電気化学活性層の材料は、前記第1の状態と第2の状態との切り替えの際にそのイオンの注入及び抽出が前記材料のプラズマ波長λの変動に対応する材料であり、前記材料は、前記第1の状態及び第2の状態において前記プラズマ波長λにあって1μm以下の吸収スペクトルの半値全幅Δλを有する、電気的制御可能な光及び/又はエネルギー透過特性を有する電気化学デバイスである。そのような材料を用いることで、イオンの注入が自由電荷キャリアの数の有意の増加をもたらし、したがって材料のプラズマ波長の比較的大きなシフトをもたらす。このプラズマ波長のシフトは近赤外範囲を遮断するのに十分なものである。こうして、材料のプラズマ波長のシフトにより近赤外での材料の反射率を制御することができる。さらに、そのような材料は可視範囲において良好な透明性、すなわち少なくとも50の光透過率D65を維持し、それにより、建物内の照明を感知できるほどに損なうことなくエネルギーの透過を制御することが可能になる。なお、本書全体を通して、材料の光透過率という表現は、材料を透過する光の部分、すなわち材料により吸収されずその2つの界面で反射されない光の部分を意味すると理解される。具体的に言うと、これらのデバイスは、可視範囲において比較的高い透明性光透過率を持ちつつ近赤外範囲において光の透過を制御することができる。言うまでもなく、そのようなデバイスは、自動車、鉄道、車両、航空機等の窓のような他の多くの分野や、可視範囲において透明性を維持したままエネルギー透過の制御を必要とするあらゆるデバイスに適用することができる。なお、技術的背景の実例として、フランス国特許出願公開第2934062号明細書に3μmと5μmの間の範囲中赤外において電気化学的に活性な材料が記載されている。同様に、JeffreyS.Haleらによる論文Prospectsforemissivitycontrolusingelectrochromicstructures,ThinSolidFilms339,174-180199には、2μmと14μmの間の範囲中赤外で作動する電気化学デバイスが記載されている。しかしながら、デバイスの2つの状態間での日射制御係数gの対比により評価することができる熱調節性能は限られたままであるデバイスの日射係数gはデバイスを透過するエネルギーの総量に対応する。先行技術により知られるHxWO3の場合、イオン例えばプロトンの注入がWO3のバンドギャップに1つ以上のエネルギーバンドを作り出し、これらのエネルギー準位において光の吸収をもたらす、ということに注目すべきである。それに対し、本発明によるデバイスにおいては、イオンの注入がバンドギャップのより浅い準位又は半導体の伝導帯を有する縮退状態で電荷キャリアを作り出し、したがって追加の吸収を生じることなく材料の電気伝導に関与する自由電荷キャリアを作り出す。本発明の特定の実施形態によると、本発明によるデバイスはさらに、単独で又は技術的に可能ないずれかの組み合わせでもって、以下の特徴の1つ以上を含む。前記電気化学活性層の材料は、前記第2の状態において、当該材料が0.7μm≦λ-Δλ/2≦1.4μm、好ましくは0.7μm≦λ-Δλ/2≦0.9μmの関係を満たす吸収スペクトルを有するような自由電荷キャリア濃度を有する。前記電気化学活性層の材料は、前記第1の状態において、当該材料がλ-Δλ/2≧1.5μm、好ましくはλ-Δλ/2≧1.8μm、より好ましくはλ-Δλ/2≧2μmの関係を満たす吸収スペクトルを有するような自由電荷キャリア濃度を有する。前記電気化学活性層の材料は、前記第1の状態及び第2の状態において、50以上、好ましくは70以上の光透過率D65を有する。前記第1の状態から前記第2の状態への切り替えは前記材料の還元に対応する。注入されるイオンはカチオンである。前記電気化学活性層の材料は金属酸化物を基にする。前記電気化学活性層の材料はZnОxを基にするものであり、ここではxは0.5と1.5の間であり、好ましくはxは0.8と1.2の間である。前記電気化学活性層の材料はZnОx:Mを基にするものであり、ここでのMはドーパントである。前記化合物ZnОx:MにおけるドーパントMの重量パーセント含有量は0.1と5の間、好ましくは0.1と3の間である。前記ドーパントMはアルミニウムAl、ホウ素B、ガリウムGa、ゲルマニウムGe及びケイ素Siから選ばれる。前記デバイスは前記イオンを可逆的に注入/抽出することができる第2の電気化学活性層を含み、このイオンの第1の電気化学活性層への注入が前記イオンの第2の電気化学活性層からの抽出に対応し、その逆も同様であり、前記電解質は第1の電気化学活性層と第2の電気化学活性層との間にある。前記デバイスはオールソリッドステートタイプであり、第1の電極被膜が基材上に形成され、第1の電気化学活性層が第1の電極被膜上に形成され、電解質が第1の電気化学活性層上に形成され、第2の電気化学活性層が電解質上に形成され、第2の電極被膜が第2の電気化学活性層上に形成される。前記デバイスは対向基材及び積層中間層を含み、この積層中間層を用いて、前記電気化学活性層が前記基材と前記対向基材との間に位置するように前記対向基材及び前記基材が一緒に積層され、前記積層中間層が好ましくは前記第2の電極被膜を電気的に接続する手段をもたらす。本発明が対象とするものは、上述のデバイスを含む窓ガラスglazingでもある。本発明がさらに対象とするものは、電気的制御可能な光及び/又はエネルギー透過特性を有する電気化学デバイスの製造方法であって、電極被膜を基材上に被着させる工程、前記電極被膜上に、異なる光及び/又はエネルギー透過の第1の状態と第2の状態とをイオンの注入及び抽出により可逆的に切り替えることができる無機の電気化学活性層を被着させる工程、を含み、前記電気化学活性層の材料は、前記第1の状態と第2の状態とを切り替える間の前記イオンの注入及び抽出が当該材料のプラズマ波長λの変動に対応する材料であり、前記材料は、前記第1の状態及び第2の状態において前記プラズマ波長λにあって1μm以下の吸収スペクトルの半値全幅Δλを有する、電気的制御可能な光及び/又はエネルギー透過特性を有する電気化学デバイスの製造方法である。本発明の特定の実施形態によると、本発明による方法はさらに、単独又は技術的に可能な組み合わせでもって、以下の特徴の1つ以上を含む。前記電気化学活性層の材料は、前記第2の状態において、当該材料が0.7μm≦λ-Δλ/2≦1.4μm、好ましくは0.7μm≦λ-Δλ/2≦0.9μmの関係を満たす吸収スペクトルを有するような自由電荷キャリア濃度を有する。前記電気化学活性層の材料は、前記第1の状態において、当該材料がλ-Δλ/2≧1.5μm、好ましくはλ-Δλ/2≧1.8μm、より好ましくはλ-Δλ/2≧2μmの関係を満たす吸収スペクトルを有するような自由電荷キャリア濃度を有する。前記電気化学活性層の材料は、前記第1の状態及び第2の状態において、50以上、好ましくは70以上の光透過率D65を有する。前記第1の状態から前記第2の状態への切り替えが前記材料の還元に対応する。注入されるイオンはカチオンである。前記電気化学活性層の材料は金属酸化物を基にする。前記電気化学活性層の材料はZnОxを基にするものであり、ここではxは0.5と1.5の間であり、好ましくはxは0.8と1.2の間である。前記電気化学活性層の材料はZnОx:Mを基にするものであり、ここでのMはドーパントである。前記化合物ZnОx:MにおけるドーパントMの重量パーセント含有量は0.1と5の間、好ましくは0.1と3の間である。前記ドーパントMはアルミニウムAl、ホウ素B、ガリウムGa、ゲルマニウムGe及びケイ素Siから選ばれる。前記材料はマグネトロンスパッタリングにより、例えば、酸素を含有する反応性雰囲気中で亜鉛Znターゲット及びドーパントMのターゲットから、得られる。前記方法は、前記イオンを可逆的に注入/抽出することができる第2の電気化学活性層を被着させる工程を含み、当該イオンの前記第1の電気化学活性層への注入が当該イオンの前記第2の電気化学活性層からの抽出に対応し、その逆も同様であって、前記電解質は前記第1の電気化学活性層と前記第2の電気化学活性層との間にある。前記デバイスはオールソリッドステートタイプのものであり、第1の電極被膜が基材上に被着され、第1の電気化学活性層が第1の電極被膜上に被着され、電解質が第1の電気化学活性層上に被着され、第2の電気化学活性層が電解質上に被着され、第2の電極被膜が第2の電気化学活性層上に被着される。前記デバイスは対向基材及び積層中間層を含み、前記方法は当該積層中間層を用いて対向基材を基材と積層する工程を含み、当該対向基材は前記電気化学活性層が前記基材と前記対向基材との間に位置するように配置され、前記積層中間層が好ましくは前記第2の電極被膜を電気的に接続する手段をもたらす。本発明は、添付の図面を参照し、単に実例として提示する以下の説明を読むことによってよりよく理解される。添付図面の図1は本発明による電気化学デバイスの概略断面図である。例えば基材と他の層の厚さの違いが大きく、それらは例えば約500倍異なるため、図面の縮尺は説明を明確にするため正確なものではない。例示された電気化学デバイス1は、以下のものを以下の順に含む。基材2第1の電極被膜4電気的制御可能な光及び/又はエネルギー透過特性を有する第1の電気化学活性層6電解質8任意選択的である、第2の電気化学活性イオン貯蔵層10第2の電極被膜12任意選択的である、積層中間層14対向基材16本書全体を通して、電極被膜という表現は少なくとも1つの電子導電層を含んでなる電流供給被膜、すなわち電気伝導性が電子の移動性によりもたらされ、イオンの移動性による電気伝導性とは区別されるもの、を意味すると理解される。例示されたデバイス1はオールソリッドステートタイプのものであり、すなわち第1の電極被膜4、第1の電気化学活性層6、電解質8、第2の電極被膜12が、且つ該当する場合第2の電気化学活性層10が、固体であるもの、すなわち層が全てを1つの同じ基材上に被着されてそれに付着するのに十分な機械的強度を有するものである。層は順に重ねて形成される。このために、機能的システムの層は、例えば、無機層であるか、あるいはPEDOTのような十分な機械的強度を有する特定の有機材料から作製される。なお、本書全体を通して、層B上に形成された又は被着された層Aという表現は、層B上に直接、したがって層Bに接触して形成された層A、あるいは層Aと層Bとの間に1つ以上の層を介在させて層B上に形成された層Aを意味すると理解される。しかしながら一般的に、デバイス1は、任意の適切なタイプのものであり、必ずしもオールソリッドステートタイプのものではない。例えば、それはハイブリッド電気化学デバイス、すなわち電気化学層が固体無機製又はポリマー材料製であり電気化学層を分離する電解質が有機のゲル又は溶液を基にしているものでもよい。例を挙げると、ヨーロッパ特許出願公開第0253713号明細書、ヨーロッパ特許出願公開第0670346号明細書、ヨーロッパ特許出願公開第0382623号明細書、ヨーロッパ特許出願公開第0518754号明細書及びヨーロッパ特許出願公開第0532408号明細書に、ハイブリッド電気化学デバイスが記載されている。ハイブリッドデバイスの場合、第2の電極被膜12と任意選択的な第2の電気化学層10は対向基材16上に形成される。第1の電気化学活性層6と任意選択的な第2の電気化学活性層10は可逆的にイオンを注入することができる。電極被膜4と12の間に第1の電位を印加すると、イオン、例えばカチオン、特にHもしくはLi又は他のアルカリ金属イオンのようなイオンを、第1の電気化学活性層6に注入することになり、同じイオンを第2の電気化学活性層10から抽出することになる。反対符号の電位を印加すると、第1の電気化学活性層6からイオンを抽出し、第2の電気化学活性層10にイオンを注入することになる。電解質8は、注入/抽出しようとするイオンの移動性をもたらし、電子の移動性を妨げる。オールソリッドステートデバイスの場合、電解質8は例えば、第1の電気化学活性層6上に被着された1以上の無機層から形成される。前述のように、電気化学活性層6の材料は、第1の状態と第2の状態との切り替えの際イオンの注入及び抽出が当該材料のプラズマ波長の変動に対応する材料であり、この材料は、プラズマ波長において、第1の状態と第2の状態で1ミクロン以下の半値全幅を有する。そのような層は、可視範囲において透明性を維持したまま、窓ガラスを通り抜けるエネルギーの透過率、特に日射係数gを変動させることができる。本書全体を通して、材料の日射係数gという表現は、太陽放射線Sλのうちの材料を透過した部分、及び太陽放射線Sλのうちの材料に吸収され内部太陽放射線が入射する側と反対側に向かって再放射される部分を意味すると理解され、ここで太陽放射線Sλはデバイスの太陽光に面して配置される側に入射する。日射係数gの測定はよく知られており、特に1997年のprEN410規格により規定されている。スペクトル分布Sλはその規格に記載されている。本書全体を通して、材料のプラズマ波長λは、700nmを超える範囲における、材料を通過した太陽放射線Sλの最大吸収に対応する波長である1997年のprEN410規格参照。半値全幅Δλ又はFWHMは、定義により、従属変数がその最大値の半分に等しい独立変数の2つの極値間の差、すなわち、プラズマ波長に最も近く吸収がプラズマ波長での吸収の50に等しい、プラズマ波長の両側の吸収スペクトルの横座標における2点間の距離である。第1の電気化学活性層6は、第1の状態及び第2の状態において、50以上の光透過率TLD65を有する。第1の電気化学活性層6は、第1の状態において、材料がλ-Δλ/2≧1.5μm、好ましくはλ-Δλ/2≧1.8μm、より好ましくはλ-Δλ/2≧2μmの関係を満たす吸収スペクトルを有するような自由電荷キャリア濃度、及び、第2の状態において、材料が0.7μm≦λ-Δλ/2≦1.4μm、好ましくは0.7μm≦λ-Δλ/2≦0.9μmの関係を満たすエネルギー吸収スペクトルを有するような自由電荷キャリア濃度、を有するのが有利である。第1の電気化学活性層6は無機であり、例えば金属酸化物を基にしている。なお、本書全体を通して、無機という用語は、有機でなくしたがって炭素と水素の両方を含まず、かつ金属又は有機金属錯体でない材料を意味すると理解される。第1の電気化学活性層6は、例えば酸化亜鉛を基にした材料であり、そしてイオンを抽出された状態において、酸化亜鉛を少なくとも50、好ましくは酸化亜鉛を少なくとも90含むことが好ましい。使用する酸化亜鉛は、例えばZnОxであり、ここでのxは0.5と1.5の間、好ましくはxは0.8と1.2の間である。酸化亜鉛を基にした材料は、例えばドーパントMがドープされており、例えばアルミニウムAl、ホウ素B、ガリウムGa、ゲルマニウムGe又はケイ素Siがドープされている。好ましい材料はZnОx:Mであり、ここでのxは0.5と1.5の間、好ましくはxは0.8と1.2の間であり、ドーパントMの重量パーセント含有量は0.1と5の間、好ましくは0.1と3の間である。上記の材料は、例えば、亜鉛Znターゲット及びドーパントMのターゲットからマグネトロンスパッタリングにより、例えば酸素を含有する反応性雰囲気中で、形成される。被着チャンバ内の雰囲気は、例えば、第1の電気化学活性層にイオンの形で注入される化学元素のガスをさらに含有する。上述の材料の場合、第1の状態は材料の酸化状態に対応し、一方で第2の状態は材料の還元状態に対応することに注目すべきである。注入されるイオンは、例えばカチオン、例として水素又はリチウムイオン、あるいは他のアルカリ金属イオンである。電極被膜4、12は、任意の適切なタイプの材料で作製される。それらは、例えばITO又はSnO2:F、あるいは銀層を含む多層積重体で作製される。電極被膜4、12は1つ以上の電気伝導性層を含む。銀層を含む多層積重体の場合、銀層は例えばITO層で保護される。第1の電極被膜4は、例えば、基材2上に直接被着される。しかしながら、別の実施形態として、デバイス1は基材2と第1の電極被膜4との間に中間層を含む。第1の電気化学活性層6は第1の電極被膜4上に形成される。ここで説明する例においては、それは第1の電極被膜4上に直接形成され、したがって後者と接触している。ハイブリッド電気化学デバイスの場合、第2の電極被膜12は対向基材16上に形成される。オールソリッドステート電気化学デバイス図1に例示の場合は、第2の電極被膜12は電解質8上に直接形成され、あるいは該当する場合には、第2の電気化学活性層10上に形成される。第2の電気化学活性層10は任意の適切なタイプのものである。それは例えば、MxAyUzを基にした層でよく、ここでのMは遷移金属、Aは第1の電気化学活性層6への可逆的注入に用いられるイオン、Uは例えば酸素、硫黄又はセレンのようなカルコゲンである。金属Mは、例えばCe、Ir、Pd及びNiから選ばれる。第2の電気化学活性層10は、第1の電気化学活性層6からのイオン抽出の間そのイオンを貯蔵し、第1の層6へのイオン注入の間そのイオンを供給する役割を果たすため、イオン貯蔵層と呼ばれる。デバイス1がそのような層10を含まない場合、電解質8がイオン貯蔵の役割を担う。電解質8それ自身は電気化学的に中性であり、すなわちデバイスの作動中に還元も酸化もしないことに注目すべきである。電解質8は任意の適切なタイプの材料で作製される。オールソリッドステートデバイスの場合、電解質8は固体であり、1つ以上の無機層で形成される。電解質8は、例えば水和酸化タンタルTa2O5nH2Oの層である。別の実施形態として、電解質は、例えば水和酸化タングステンWO3nH2Oの層又は水和酸化タングステンの層と水和酸化タンタルの層がいくつか交互になった多層積重体であってもよい。ヨーロッパ特許出願公開第0867752号明細書にこのタイプの電解質が記載されている。それはまた、ヨーロッパ特許出願公開第0867752号明細書に記載されているように、水和を促進する金属添加物をチタン、タンタル又はレニウム、あるいはNa、Li又はKタイプのアルカリ金属のような付加的な金属の形でもって所望により含む、酸化タングステン、酸化ニオブ、酸化ニッケル、酸化スズ、酸化ビスマス、酸化チタン、酸化バナジウム及び酸化モリブデンから選ばれる1つ以上の水和金属酸化物であってもよい。一般的に、電解質8は、上記の注入イオンの移動性を保証し電子の流れを妨げるのに適している。ハイブリッドデバイスの場合、電解質8は、基材2と対向基材16との間に画定される空間へ注入、被着又は挿入されたゲル又は溶液又はポリマーである。電解質8は、例えばプロトン導電性ポリマー又はリチウムイオン導電性ポリマーである。ヨーロッパ特許出願公開第0253713号明細書、ヨーロッパ特許出願公開第0670346号明細書、ヨーロッパ特許出願公開第0382623号明細書、ヨーロッパ特許出願公開第0518754号明細書及びヨーロッパ特許出願公開第0532408号明細書に、そのような電解質の例が記載されている。積層中間層14は、基材2を対向基材16へ付着させるのに適した熱可塑性材料からなる膜である。例えば、それはPUポリウレタンで作製される。積層中間層14は一般に、0.38mmと5mmの間、例えば0.76mm、の厚さを有する。積層中間層14は、電気化学活性層を保護するために必須ではなく、なくてもよい。その場合、対向基材16を、第2の電気化学活性層10に損傷を与えないようにするためそれから離間し、そしてガス、例えばアルゴン、の層により基材から分離するのが有利である。基材2はガラス機能を有するシートである。このシートは平らであっても湾曲していてもよく、またどのような寸法でもよく、特に少なくとも1つの寸法が1メートルより大きくてよい。それはガラスシートであるのが有利である。ガラスは、好ましくはソーダ-石灰-シリカタイプのものであるが、ホウケイ酸ガラスのような他のタイプのガラスを使用してもよい。ガラスは透明又は超透明であってもよく、あるいは色付きのもの、例えば青、緑、琥珀、青銅又は灰色に着色したものであってもよい。ガラスシートの厚さは概して0.5mmと19mmの間であり、特に2mmと12mmの間、例えば4mmと8mmの間である。また50μm以上の厚さを有するガラス膜であってもよいこの場合、EC積重体及びTCO/TCC電極被膜は例えばロールツーロール法により被着される。別の実施形態として、基材2は可撓性の透明材料、例えばプラスチック、で作製される。対向基材16はガラス機能を有するシートである。このシートは平らであっても又は湾曲していてもよく、またどのような寸法であってもよく、特に少なくとも1つの寸法が1メートルより大きいものであってもよい。それはガラスシートであるのが有利である。ガラスは、好ましくはソーダ-石灰-シリカタイプのものであるが、ホウケイ酸ガラスのような他のタイプのガラスを使用してもよい。ガラスは透明又は超透明であってもよく、あるいは色付きのもの、例えば青、緑、琥珀、青銅又は灰色に着色したものであってもよい。ガラスシートの厚さは概して0.5mmと19mmの間であり、特に2mmと12mmの間、例えば4mmと8mmの間である。また50μm以上の厚さを有するガラス膜であってもよいこの場合、EC積重体及びTCO/TCC電極被膜は例えばロールツーロール法により被着される。別の実施形態として、対向基材16は可撓性の透明材料、例えばプラスチック、で製作される。本発明の対象とするものは、上述のデバイス1だけでなく、デバイス1を含む窓ガラスglazingもそうである。この場合、基材2と対向基材16が窓ガラスのガラス部材paneである。これは例えば、建物用の平面窓ガラス又は自動車用の湾曲窓ガラスであることができる。窓ガラスは、例えば複層窓ガラスであり、すなわちガス又は真空層により間隔をあけて離されたいくつかのガラス部材からなるものであり、間隔をあけたガラス部材の1つ以上は例えば積層ガラス部材である。本発明がさらに対象とするものは、上述のデバイス1の製造方法である。その方法は、オールソリッドステートデバイスの場合、第1の電極被膜4を基材2上に被着させる工程、第1の電気化学活性層6を第1の電極被膜4上に被着させる工程、電解質8を第1の電気化学活性層6上に被着させる工程、所望により、第2の電気化学活性層10を電解質8上に被着させる工程、第2の電極被膜12を電解質8上に、及び該当する場合には第2の電気化学活性層10上に、被着させる工程、を含む。方法の別の実施形態によれば、ハイブリッドデバイスの場合、その方法は、第1の電極被膜4を基材2上に被着させる工程、第1の電気化学活性層6を第1の電極被膜4上に被着させる工程、第2の電極被膜12を対向基材16上に被着させる工程、電解質8を基材2と対向基材16との間に画定される空間へ挿入する工程、を含む。ハイブリッドデバイスの場合も、その方法は、第2の電気化学活性層10を第2の電極被膜12上に被着させる工程をさらに含み、あるいは別の実施形態として、そのような層がない場合はそのような工程は含まない。"