半導体基板に、一定の深さを有するように形成され、照射された光に応じて電荷を発生させる第1の不純物層と、この第1の不純物層の表面に、所定の方向に向かって深さが浅くなるように形成された第2の不純物層と、前記半導体基板の表面において、前記第1の不純物層および前記第2の不純物層と離間した位置に形成され、前記第1の不純物層において発生した電荷を電圧に変換する第3の不純物層と、前記半導体基板の表面上において、前記第2の不純物層と前記第3の不純物層との間に形成され、前記第1の不純物層において発生した電荷を読みだして、前記第3の不純物層に転送する電極と、を具備し、前記第2の不純物層における前記所定の方向は、前記第1の不純物層から前記第3の不純物層に向かう方向であることを特徴とする固体撮像装置。前記第2の不純物層は、前記所定の方向に向かって、階段状に深さが浅くなるように形成されたことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記第2の不純物層は、前記所定の方向に向かって、スロープ状に深さが浅くなるように形成されたことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。第1の不純物層は、前記半導体基板の裏面側から照射された光に応じて電荷を発生させることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の固体撮像装置。半導体基板に、一度のイオン注入によって、一定の深さを有するように第1の不純物層を形成する工程と、前記半導体基板の表面上に、所定の方向に向かって膜厚が厚くなる凹部を有するレジスト層を、前記凹部が前記第1の不純物層上に配置されるように形成する工程と、このレジスト層を介して前記第1の不純物層の表面にイオンを注入することにより、前記所定の方向に向かって深さが浅くなる第2の不純物層を形成する工程と、前記第1の不純物層および前記第2の不純物層と離間した位置に、前記第1の不純物層に光が照射されることにより発生した電荷を電圧に変換して出力する第3の不純物層を形成する工程と、前記半導体基板の表面上において、前記第2の不純物層と前記第3の不純物層との間に、前記第1の不純物層において発生した電荷を読みだして前記第3の不純物層に転送する電極を形成する工程と、を具備し、前記レジスト層の前記凹部および前記第2の不純物層における前記所定の方向は、前記第1の不純物層から前記第3の不純物層に向かう方向であることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。前記レジスト層を形成する工程は、前記レジスト層の前記凹部を、前記所定の方向に向かって、階段状に膜厚が厚くなるように形成する工程であり、前記第2の不純物層を形成する工程は、前記第2の不純物層を、前記所定の方向に向かって、階段状に深さが浅くなるように形成する工程であることを特徴とする請求項5に記載の固体撮像装置の製造方法。前記レジスト層を形成する工程は、前記レジスト層の前記凹部を、前記所定の方向に向かって、スロープ状に膜厚が厚くなるように形成する工程であり、前記第2の不純物層を形成する工程は、前記第2の不純物層を、前記所定の方向に向かって、スロープ状に深さが浅くなるように形成する工程であることを特徴とする請求項5に記載の固体撮像装置の製造方法。第1の不純物層は、前記半導体基板の裏面側から照射された光に応じて電荷を発生させることを特徴とする請求項5乃至7のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。実施形態は、電荷の転送効率を向上させることができる固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法を提供することを目的とする。実施形態に係る固体撮像装置は、第1の不純物層、第2の不純物層、第3の不純物層、および電極、を具備する。前記第1の不純物層は、照射された光に応じて電荷を発生させる不純物層であって、半導体基板に一定の深さを有するように形成される。前記第2の不純物層は、前記第1の不純物層の表面に、所定の方向に向かって深さが浅くなるように形成される。前記所定の方向は、前記第1の不純物層から前記第3の不純物層に向かう方向である。前記第3の不純物層は、前記第1の不純物層において発生した電荷を電圧に変換する不純物層であって、前記半導体基板の表面において、前記第1の不純物層および前記第2の不純物層と離間した位置に形成される。前記電極は、前記第1の不純物層において発生した電荷を読みだして、前記第3の不純物層に転送するための電極であって、前記半導体基板の表面上において、前記第2の不純物層と前記第3の不純物層との間に形成される。また、実施形態に係る固体撮像装置の製造方法は、第1の不純物層を形成する工程、凹部を有するレジスト層を形成する工程、第2の不純物層を形成する工程、第3の不純物層を形成する工程、および電極を形成する工程、を具備する。前記第1の不純物層を形成する工程は、半導体基板に、一度のイオン注入によって、一定の深さを有するように不純物層を形成する工程である。凹部を有するレジスト層を形成する工程は、前記半導体基板の表面上に、所定の方向に向かって膜厚が厚くなる凹部を有するレジスト層を、前記凹部が前記第1の不純物層上に配置されるように形成する工程である。前記第2の不純物層を形成する工程は、前記レジスト層を介して前記第1の不純物層の表面にイオンを注入することにより、前記所定の方向に向かって深さが浅くなる不純物層を形成する工程である。前記レジスト層の前記凹部および前記第2の不純物層における前記所定の方向は、前記第1の不純物層から前記第3の不純物層に向かう方向である。前記第3の不純物層を形成する工程は、前記第1の不純物層および前記第2の不純物層と離間した位置に、前記第1の不純物層に光が照射されることにより発生した電荷を電圧に変換して出力する不純物層を形成する工程である。前記電極を形成する工程は、前記半導体基板の表面上において、前記第2の不純物層と前記第3の不純物層との間に、前記第1の不純物層において発生した電荷を読みだして前記第3の不純物層に転送する電極を形成する工程である。以下に、実施形態に係る固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法について、図面を参照して説明する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る固体撮像装置を模式的に示す上面図である。図1に示す固体撮像装置10において、例えばシリコンからなる半導体基板11の表面には、四角形状の撮像領域12が設けられている。撮像領域12は、格子状に配列された複数の画素13によって構成されている。なお、後述するように、垂直方向図面縦方向において隣接する2箇所の画素13は、セルと称する画素部14を構成する。また、半導体基板11の表面において、撮像領域12に近接する位置には、垂直走査回路15、水平走査回路16、および信号出力回路17が設けられている。垂直走査回路15および水平走査回路16は、画素13を選択し、選択した画素13から電荷を読み出すための回路である。垂直走査回路15は、撮像領域12を構成する一辺Lpに対して平行に設けられている。また、水平走査回路16は、撮像領域12を構成する他の一辺Lhに対して平行、すなわち、辺Lpに垂直な他の一辺Lhに対して平行に設けられている。信号出力回路17は、各画素13から読み出された電荷を画像信号として、固体撮像装置10の外部に出力する回路であり、この回路10の出力端には、画像信号を増幅する増幅器17aが接続されている。信号出力回路17は、撮像領域12の一辺Lhと水平走査回路16との間に、水平走査回路16に沿って設けられている。このように構成された固体撮像装置10において、垂直走査回路15および水平走査回路16によって画素13が選択されると、選択された画素13から電荷が読み出される。読み出された電荷は、信号出力回路17に転送され、画像信号として、固体撮像装置10の外部に出力される。図2は、撮像領域12に設けられた画素部14を拡大して示す模式的な上面図である。図2に示す画素部14、すなわちセル14は、2画素1セルタイプの画素部14であり、2箇所の画素13と、トランスファーゲート部18と、フローティングディフュージョン部19以下、FD部19と称すると、リセットゲート部20と、アンプゲート部21と、により構成される。トランスファーゲート部18は、各画素13において発生した電荷を読み出し、FD部19に転送する電荷読み出し部である。トランスファーゲート部18は、各画素13の角部に相当する領域に、各画素13に隣接して設けられている。FD部19は、各画素13から転送された電荷を電圧信号に変換し、変換された電圧信号をアンプゲート部21を介して信号出力回路17に出力する信号出力部である。FD部19は、各画素13のトランスファーゲート部18の間に設けられている。なお、信号出力回路17に出力された電圧信号は、画像信号として、固体撮像装置10の外部に出力される。リセットゲート部20は、FD部19に近接する位置に設けられており、FD部19に蓄積された余剰電荷を排出する。また、アンプゲート部21は、リセットゲート部20に近接する位置に設けられており、FD部19で取り出された電圧を増幅して、信号出力回路17に転送する。図3は、図2の一点鎖線X-X ́に沿って示す画素部14の部分断面図である。図3に示す画素部14において、p-型の半導体基板11には、フォトダイオード層22以下、PD層22と称するが埋め込まれている。PD層22は、半導体基板11の表面および裏面からそれぞれ露出するように、すなわち、半導体基板11を貫通するように形成されている。PD層22は、低濃度不純物層23lおよび高濃度不純物層23hからなるn型の第1の不純物層23と、この第1の不純物層23の表面に形成されたp型の第2の不純物層24と、によって構成されている。なお、第1の不純物層23の低濃度不純物層23lは半導体基板11の裏面から露出し、第2の不純物層24は半導体基板11の表面から露出している。第1の不純物層23は、半導体基板11の裏面側から受光した光に応じて電荷を発生させる光電変換層である。この層23に含まれる低濃度不純物層23lおよび高濃度不純物層23hは、それぞれ一定の深さを有するように形成されている。第2の不純物層24は、半導体基板11の表面から露出するPD層22の表面の結晶欠陥を抑制するためのバリア層である。この層24は、図2、図3に示すように、FD部19である第3の不純物層25に向かって、すなわち、電荷の転送方向に向かって階段状に浅くなるように形成されている。なお、第2の不純物層24の最も深い部分の深さは、従来の固体撮像装置に形成される第2の不純物層と同程度の深さである。従って、第2の不純物層24は、電荷の転送方向に向かって、従来の第2の不純物層より浅くなるように形成されている。これにより、第1の不純物層23と第2の不純物層24との境界部分に形成される空乏層は、従来より半導体基板11の表面側に広がる。また、半導体基板11の表面において、PD層22と離間した位置には、n型の第3の不純物層25が形成されている。第3の不純物層25は、FD部19を構成する。すなわち、PD層22において発生した電荷は、FD部19を構成する第3の不純物層25に転送される。このように構成された半導体基板11の表面上には、酸化膜26を介して配線層27が形成されている。この配線層27は、トランスファーゲート部18を構成するゲート電極28、リセットゲート部20を構成するリセットゲート電極29図11、アンプゲート部21を構成するアンプゲート電極図示せず、および、垂直走査回路15、水平走査回路16および信号出力回路17図1と画素部14の所定領域とを接続する配線30を含む。ゲート電極28は、半導体基板11の表面上の酸化膜26上において、PD層22と第3の不純物層25との間に対応する位置に形成されている。このゲート電極28は、例えばポリシリコンによって形成されたものである。他方、半導体基板11の裏面上には、第1の平坦化層31、カラーフィルタ層32、第2の平坦化層33がこの順で積層されている。さらに第2の平坦化層33の裏面上において、PD層22に対応する位置には、マイクロレンズ34が形成されている。マイクロレンズ34は、半導体基板11の裏面側から入射される光をPD層22に集光する。次に、本実施形態に係る固体撮像装置10の製造方法を説明する。この製造方法は、画素部14の製造方法に特徴があり、それ以外の各部の製造方法は、一般に知られる方法により製造される。従って、以下に、画素部14の製造方法を、図4乃至図6を参照して説明する。図4乃至図7は、画素部14の製造方法を示す図3に相当する断面図である。なお、図4乃至図7は、任意の一つの画素13と、この画素13を含む画素部14の製造方法を示すが、同一画素部14内の他の画素13、および他の全ての画素部14は、図4乃至図7に示す各工程において、同時に形成される。まず、図4に示すように、p-型の半導体基板11に、この基板11を貫通するようにn-型の低濃度不純物層23lを形成し、続いて、低濃度不純物層23lを形成した領域と同じ領域に、所定の深さになるように、n型の高濃度不純物層23hを形成する。これにより、半導体基板11に、第1の不純物層23を形成する。低濃度不純物層23lは、半導体基板11の表面上に酸化膜26を介して、所定領域に開口部を有するレジスト層図示せずを形成し、このレジスト層をマスクとして用いて1回だけイオン注入することにより形成される。高濃度不純物層23hは、低濃度不純物層23lを形成するときに用いたレジスト層図示せずをマスクとして用いて、1回だけイオン注入することにより形成される。第1の不純物層23が形成された後、これらを形成するためのレジスト層は除去される。次に、図5に示すように、半導体基板11の表面上に酸化膜26を介して、第1の不純物層23が形成された領域上に凹部35aを有するレジスト層35を形成する。レジスト層35の凹部35aは、底面の厚さが、電荷の転送方向図中の矢印A方向に向かって階段状に厚くなるように形成する。このレジスト層35は、下から順に第1乃至第5のレジスト膜351乃至355によって構成されており、膜厚が一定の第1のレジスト膜351上に、上層ほど開口面積が大きい開口部352a、353a、354a、355aを有する第2乃至第5のレジスト膜352、353、354、355を、積層することにより形成される。なお、レジスト層35の凹部35aの底面の一部は、レジスト層35を貫通していてもよい。この場合のレジスト層35は、第2乃至第5のレジスト層352乃至355によって構成される。次に、図6に示すように、図5に示す工程において形成されたレジスト層35をマスクとして用いて、第1の不純物層23の表面に所望のイオンを注入することにより、p型の第2の不純物層24を形成する。この工程において、所望のイオンは、レジスト層35の凹部35aの底面を突き抜けて第1の不純物層23の高濃度不純物層23hに到達するが、その深さは、底面の厚さに依存する。すなわち、所望のイオンは、凹部35aの底面の厚さが薄いほど、深部に到達する。従って、底面の厚さが電荷の転送方向に向かって階段状に厚くなるように形成された凹部35aを有するレジスト層35をマスクとして用いて所望のイオンを注入すると、凹部35aの底面の厚さに応じて、電荷の転送方向に向かって階段状に深さが浅くなる第2の不純物層24が形成される。このようにPD層22が形成された後、第2の不純物層24を形成するためのレジスト層35を除去する。続いて、図7に示すように、PD層22と離間した半導体基板11表面の所定領域にn型の第3の不純物層25を形成する。なお、第3の不純物層25は、PD層22が形成される前に形成されてもよい。この後、半導体基板11の表面上に配線層27を形成するとともに、半導体基板11の裏面に、第1の平坦化層31、カラーフィルタ層32、第2の平坦化層33、およびマイクロレンズ34をこの順で形成する。これにより、図3に示す画素部14を形成することができる。このように形成された画素部14は、ゲート電極28に電圧を印加することにより、PD層22で発生した電荷をFD部19に転送する。この画素部14による電荷の転送動作について、図8を参照して説明する。図8は、画素部14による電荷の転送動作を説明するための説明図であり、同図aは、ゲート電極28に電圧が印加されていない場合において、画素部14に形成されるポテンシャルを示し、同図bは、ゲート電極28に電圧が印加されている場合において、画素部14に形成されるポテンシャルを示す。図8aに示すように、ゲート電極28に電圧が印加されていない場合において、画素13およびFD部19のポテンシャルは、これらの周囲の半導体基板11のポテンシャルより深くなっている。また、画素13はp型の第2の不純物層24を有しているのに対し、FD部19はn型の第3の不純物層25からなるため、画素13のポテンシャルは、FD部19のポテンシャルより浅くなっている。さらに、p型の第2の不純物層24の深さが、電荷の転送方向に向かって階段状に浅くなるように形成されているため、画素13のポテンシャルは、電荷の転送方向に向かって階段状に深くなっている。ゲート電極28に電圧が印加されていない場合、ゲート電極28の直下の半導体基板11のポテンシャルは電位障壁となるため、画素13において発生した電荷はFD部19に転送されず、画素13に蓄積される。なお、このとき、画素13において発生した電荷は、ポテンシャルが深い部分から順に蓄積される。画素13に電荷が蓄積された状態においてゲート電極28に電圧を印加すると、図8bに示すように、ゲート電極28の直下の半導体基板11のポテンシャルが深くなる。例えば、ゲート電極28に所望の電圧を印加し、ゲート電極28の直下の半導体基板11のポテンシャルを、画素13より深くかつFD部19より浅くすると、画素13に電荷が蓄積された電荷は、FD部19に転送される。このとき、画素13のポテンシャルは、電荷の転送方向に向かって階段状に深くなっているため、効率よく電荷を転送させることができる。以上に説明した本実施形態に係る固体撮像装置10および固体撮像装置10の製造方法によれば、FD層22のp型の第2の不純物層24は、その深さが電荷の転送方向に向かって浅くなるように形成されている。これにより、PD層22は、電荷の転送方向に向かって深くなるポテンシャルを形成する。従って、電荷の転送効率を向上させることができる固体撮像装置10および固体撮像装置10の製造方法を提供することができる。また、本実施形態に係る固体撮像装置10および固体撮像装置10の製造方法によれば、電荷の転送方向に向かって浅くなるp型の第2の不純物層24を、裏面照射型の固体撮像装置に適用した。裏面照射型の固体撮像装置の場合、第2の不純物層24は半導体基板11の表面に形成されるのに対し、入射光Lは、半導体基板11の裏面側から照射される図3。照射された入射光Lのうち、特に可視光は、PD層22の裏面付近において光電変換されるが、第2の不純物層24は入射光Lから見てPD層22の深部に存在する。従って、照射された入射光Lの可視光に対する光電変換領域は、波長によらずほぼ一定である。従って、本実施形態に係る裏面照射型の固体撮像装置、および裏面照射型の固体撮像装置の製造方法によれば、入射光Lの可視光に対する受光感度を、波長によらずほぼ一定にすることができる。これに対して、第2の不純物層を表面照射型の固体撮像装置に適用すると、第2の不純物層は半導体基板の表面に形成されるのに対し、入射光も、半導体基板の表面側から照射される。すなわち、第2の不純物層は入射光から見てPD層の表層部に存在する。従って、照射された入射光の可視光に対する光電変換領域は、短波長成分青色成分ほど狭くなる。従って、表面照射型の固体撮像装置によれば、入射光の短波長成分に対する受光感度を劣化させる。第1の実施形態の変形例図5に示すような、凹部35aを有するレジスト層35の形成方法は、上述の形成方法に限定されず、例えば、露光光の透過率が場所によって異なるグレーティングマスクを用いて同様のレジスト層35 ́を形成してもよい。以下に、グレーティングマスクを用いて凹部35a ́を有するレジスト層35 ́を形成する方法について、図9乃至図11を参照して説明する。図9は、凹部35a ́を有するレジスト層35 ́を形成するためのグレーティングマスク36を説明するための図であり、同図aはグレーティングマスク36の部分上面図、同図bは同図aの一点鎖線Y-Y ́に沿ったグレーティングマスク36の部分断面図、同図cはグレーティングマスク36の透過率特性を示す。図9aおよび図9bに示すように、グレーティングマスク36は、露光光をほとんど透過させない低透過領域37と、露光光を透過させる透過領域38と、によって構成される。グレーティングマスク36は、例えばガラス等の光透過性の基板上に、露光光を遮断する複数のドットを、これらの配列密度や面積を変えて形成することにより、露光光の透過率を調整したものである。低透過領域37は、露光光がほとんど透過しないように、複数のドットを密に配列した領域、若しくは、面積が大きい複数のドットを配列した領域である。透過領域38は、低透過領域37におけるドットの密度よりも低密度で、複数のドットを配列した領域、若しくは、低透過領域におけるドットの面積よりも小さい面積の複数のドットを配列した領域である。図9aに示すように、透過領域38は、形成される画素13に対応した形状である。このような透過領域38は、一枚のグレーティングマスク36に複数設けられている。複数の透過領域38は、画素13の配列に応じて格子状に配列されている。各透過領域38は、図9cに示すように、透過領域38における露光光の透過率が、図9aのYからY ́方向に向かって階段状に低下するように形成されている。このような透過率特性を有する透過領域38を、図9aのYからY ́方向に向かって、第1の透過領域381、第2の透過領域382、第3の透過領域383、第4の透過領域384に4分割すると、第1の透過領域381に形成される複数のドットの配列密度若しくは面積は、第2の透過領域382に形成される複数のドットの配列密度若しくは面積より小さくなっている。同様に、第2の透過領域382に形成される複数のドットの配列密度若しくは面積は、第3の透過領域383に形成される複数のドットの配列密度若しくは面積より小さくなっており、第3の透過領域383に形成される複数のドットの配列密度若しくは面積は、第4の透過領域384に形成される複数のドットの配列密度若しくは面積より小さくなっている。このように、各領域381乃至384に形成されるドットの配列密度、もしくは面積を調節することにより、図9cに示す透過率特性を実現することができる。以下に、このように構成されたグレーティングマスク36を用いて凹部35a ́を有するレジスト層35 ́を形成する方法について、図10および図11を参照して説明する。図10および図11は、グレーティングマスク36を用いて凹部35a ́を有するレジスト層35 ́を形成する方法を説明するための、図5に相当する断面図である。図10に示すように、半導体基板11の表面上に、酸化膜26を介して膜厚が一定のレジスト材39を形成する。さらに、このレジスト材39が形成された半導体基板11上に、グレーティングマスク36を、YからY ́に向かう方向が、電荷の転送方向に一致するように配置する。この後、配置されたグレーティングマスク36を用いて、レジスト材39を露光する。露光光は、グレーティングマスク36の透過領域38を透過するため、透過領域38直下のレジスト材39に照射される。透過領域38の透過率は、第1の透過領域381、第2の透過領域382、第3の透過領域383、第4の透過領域384の順に低くなるため、第1の透過領域381の直下のレジスト材39には、第2の透過領域382の直下のレジスト材39よりも多くの露光光が照射される。同様に、第2の透過領域382の直下のレジスト材39には、第3の透過領域383の直下のレジスト材39よりも多くの露光光が照射され、第3の透過領域383の直下のレジスト材39には、第4の透過領域384の直下のレジスト材39よりも多くの露光光が照射される。このように露光されたレジスト材39を現像すると、図11に示すように、レジスト材39は、露光光が多く照射された領域ほど除去される。従って、電荷の転送方向に向かって底面の厚さが階段状に厚くなる凹部35a ́を有するレジスト層35 ́が形成される。このように凹部35a ́を有するレジスト層35 ́を形成してもよい。第2の実施形態第2の実施形態に係る固体撮像装置40は、第1の実施形態に係る固体撮像装置10と比較して、画素部14のp型の第2の不純物層41の形状が異なる。以下に、第2の実施形態に係る固体撮像装置40の画素部14に形成された第2の不純物層41について、図12を参照して説明する。図12は、第2の実施形態に係る固体撮像装置40の画素部14を示す、図3に相当する断面図である。図12に示す固体撮像装置40において、第2の不純物層41は、FD部19である第3の不純物層25に向かって、すなわち、電荷の転送方向に向かって所定の領域までスロープ状に浅くなり、その後、深さが一定になるように形成されている。第2の不純物層41の最も深い部分の深さは、従来の固体撮像装置に形成される第2の不純物層と同程度の深さである。従って、第2の不純物層41は、電荷の転送方向に向かって、従来の第2の不純物層より浅くなるように形成されている。これにより、第1の不純物層23と第2の不純物層41との境界部分に形成される空乏層は、従来より半導体基板11の表面側に広がる。なお、第2の不純物層41は、n型の第1の不純物層23の高濃度不純物層23hが半導体基板11から露出しないように形成されれば、全体が、電荷の転送方向に向かってスロープ状に浅くなるように形成されてもよい。次に、本実施形態に係る固体撮像装置40の製造方法を説明する。この製造方法は、第1の実施形態に係る固体撮像装置10の製造方法と比較して、第2の不純物層41を形成する方法が異なる。本実施形態において、第2の不純物層41は、第1の実施形態に係る固体撮像装置10の製造方法の変形例と同様に、グレーティングマスク42を用いて形成する。従って、以下に、グレーティングマスク42を用いた第2の不純物層41の形成方法を、図13乃至図16を参照して説明する。図13は、第2の実施形態に係る固体撮像装置40の製造方法において、凹部43aを有するレジスト層43を形成するためのグレーティングマスク42を説明するための図であり、同図aはグレーティングマスク42の部分上面図、同図bは同図aの一点鎖線Y-Y ́に沿ったグレーティングマスク42の部分断面図、同図cはグレーティングマスク42の透過率特性を示す。図13aおよび図13bに示すように、グレーティングマスク42に形成される透過領域44は、形成される画素13に対応した形状である。このような透過領域44は、一枚のグレーティングマスク42に複数設けられている。複数の透過領域44は、画素13の配列に応じて格子状に配列されている。これらの点は、図9に示すグレーティングマスク36と同様である。しかし、本実施形態に係る固体撮像装置40の製造方法に適用されるグレーティングマスク42は、図9に示すグレーティングマスク36と比較して、各透過領域44の透過率特性が異なる。図13cに示すように、各透過領域44は、この領域44における露光光の透過率が、図13aのYからY ́方向に向かって所定領域までスロープ状に低下し、その後一定になるように形成されている。以下、透過領域44において、透過率がスロープ状に低下する領域を第1の透過領域441、透過率が一定の領域を第2の透過領域442、と称して説明する。第1の透過領域441に形成される複数のドットの配列密度若しくは面積は、図13aのYからY ́方向に向かって除々に小さくなっている。第2の透過領域442に形成される複数のドットの配列密度若しくは面積は、場所によらず一定である。そして、第1の透過領域441と第2の透過領域442との境界部分において、第2の透過領域442の境界部分に形成される複数のドットの配列密度若しくは面積は、第1の透過領域441の境界部分に形成される複数のドットの配列密度若しくは面積に一致している。このように、各領域441、442に形成されるドットの配列密度、もしくは面積を調節することにより、図13cに示す透過率特性を実現することができる。以下に、このように構成されたグレーティングマスク42を用いて第2の不純物層41を形成する方法を、図14乃至図16を参照して説明する。図14乃至図16は、第2の実施形態に係る固体撮像装置40の製造方法において、第2の不純物層41の形成方法を説明するための、図12に相当する断面図である。図14に示すように、n型の第1の不純物層23が形成された半導体基板11の表面上に、酸化膜26を介して膜厚が一定のレジスト材45を形成する。さらに、このレジスト材45が形成された半導体基板11上に、図13に示すグレーティングマスク42を、YからY ́に向かう方向が、電荷の転送方向に一致するように配置する。この後、配置されたグレーティングマスク42を用いて、レジスト材45を露光する。露光光は、グレーティングマスク42の透過領域44を透過するため、透過領域44直下のレジスト材45に照射される。透過領域44の透過率は、第1の透過領域441においてはYからY ́に向かってスロープ状に低下し、第2の透過領域442においては一定である。従って、第1の透過領域441の直下のレジスト材45には、YからY ́に向かってスロープ状に露光量が低下するように露光光が照射され、第2の透過領域442の直下のレジスト材45には、場所によらず露光量が一定になるように露光光が照射される。このように露光されたレジスト材45を現像すると、図15に示すように、レジスト材45は、露光光が多く照射された領域ほど除去される。従って、電荷の転送方向に向かって所定領域までの底面の厚さはスロープ状に厚くなり、その後の底面の厚さは一定である凹部43aを有するレジスト層43が形成される。次に、図16に示すように、図15に示す工程において形成されたレジスト層43をマスクとして用いて、第1の不純物層23の表面に所望のイオンを注入することにより、p型の第2の不純物層41を形成する。この工程において、所望のイオンは、凹部43aの底面の厚さが薄いほど、深部に到達する。従って、図15に示すような凹部43aを有するレジスト層43をマスクとして用いて所望のイオンを注入すると、凹部43aの底面の厚さに応じて、電荷の転送方向に向かって所定領域までスロープ状に深さが浅くなり、その後深さが一定になる第2の不純物層41が形成される。この後の第2の実施形態に係る固体撮像装置40の製造方法は、第1の実施形態に係る固体撮像装置10の製造方法と同様であるため、説明を省略する。このように形成された第2の実施形態に係る固体撮像装置40の画素部14は、ゲート電極28に電圧を印加することにより、PD層22で発生した電荷をFD部19に転送する。この画素部14による電荷の転送動作について、図17を参照して説明する。図17は、画素部14による電荷の転送動作を説明するための説明図であり、同図aは、ゲート電極28に電圧が印加されていない場合において、画素部14に形成されるポテンシャルを示し、同図bは、ゲート電極28に電圧が印加されている場合において、画素部14に形成されるポテンシャルを示す。図17aに示すように、ゲート電極28に電圧が印加されていない場合において、画素13およびFD部19のポテンシャルは、これらの周囲の半導体基板11のポテンシャルより深くなっている。また、画素13はp型の第2の不純物層41を有しているのに対し、FD部19はn型の第3の不純物層25からなるため、画素13のポテンシャルは、FD部19のポテンシャルより浅くなっている。さらに、p型の第2の不純物層41の深さが、電荷の転送方向に向かって所定領域までスロープ状に浅くなっており、その後一定になるように形成されているため、画素13のポテンシャルは、電荷の転送方向に向かって所定領域までスロープ状に深くなっており、その後一定になっている。ゲート電極28に電圧が印加されていない場合、ゲート電極28の直下の半導体基板11のポテンシャルは電位障壁となるため、画素13において発生した電荷はFD部19に転送されず、画素13に蓄積される。なお、このとき、画素13において発生した電荷は、ポテンシャルが深い部分から順に蓄積される。画素13に電荷が蓄積された状態においてゲート電極28に電圧を印加すると、図17bに示すように、ゲート電極28の直下の半導体基板11のポテンシャルが深くなる。例えば、ゲート電極28に所望の電圧を印加し、ゲート電極28の直下の半導体基板11のポテンシャルを、画素13より深くかつFD部19より浅くすると、画素13に電荷が蓄積された電荷は、FD部19に転送される。このとき、画素13のポテンシャルは、電荷の転送方向に向かって階段状に深くなっているため、効率よく電荷を転送させることができる。以上に説明した本実施形態に係る固体撮像装置40および固体撮像装置40の製造方法であっても、PD層22のp型の第2の不純物層41は、その深さが電荷の転送方向に向かって浅くなるように形成されている。従って、電荷の転送効率を向上させることができる固体撮像装置40および固体撮像装置40の製造方法を提供することができる。また、本実施形態に係る固体撮像装置40および固体撮像装置40の製造方法であっても、電荷の転送方向に向かって浅くなるp型の第2の不純物層41を、裏面照射型の固体撮像装置に適用した。従って、本実施形態に係る裏面照射型の固体撮像装置40および裏面照射型の固体撮像装置40の製造方法であっても、入射光L図12の可視光に対する受光感度を、波長によらずほぼ一定にすることができる。以上に、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。例えば、本実施形態に係る固体撮像装置10、40は裏面照射型の固体撮像装置であったが、実施形態において説明したPD層22の第2の不純物層24、41を、表面照射型の固体撮像装置に対して適用してもよい。なお、裏面照射型の固体撮像装置は、半導体基板11の表面上に配線層27が形成されるとともに、光は半導体基板11の裏面側から照射されるものであるが、表面照射型の固体撮像装置は、半導体基板の表面上に配線層が形成されるとともに、光も半導体基板の表面側から照射されるものである。また、画素部14に含まれる画素数は2画素に限定されず、画素部に含まれる画素数は、例えば4画素でもよい。