第1面と該第1面とは反対側の第2面とを有し、貫通孔を備える第1絶縁層と、前記第1絶縁層の第1面上に形成されている第1導体パターンと、前記第1導体パターンに接続し、前記第1絶縁層の前記貫通孔内に形成されているとともに、前記第1絶縁層の第2面から突出している電極と、貫通孔を有するとともに前記第1絶縁層の第1面上及び前記第1導体パターン上に形成されている第2絶縁層と、前記第2絶縁層上に形成され、半導体素子を搭載するための第2導体パターンと、前記第2絶縁層の貫通孔内に形成され、前記第1導体パターンと前記第2導体パターンとを接続するビア導体と、を有する半導体搭載用基板。前記電極は、前記第1絶縁層の第1面側から第2面側に向けてテーパする側面を有している請求項1に記載の半導体搭載用基板。前記電極のうち前記第1絶縁層の第2面から露出する部分には半田バンプが設けられている請求項1に記載の半導体搭載用基板。前記請求項1に記載の半導体装置搭載用基板の前記第2導体パターン上に搭載される半導体素子を有している半導体装置。前記半導体素子は封止樹脂で封止されている請求項4に記載の半導体装置。前記半導体素子の表面は、前記封止材から露出されている請求項5に記載の半導体装置。前記半導体素子の直下の領域にはアンダーフィル材が充填されている請求項4に記載の半導体装置。前記アンダーフィル材の形成領域の平面積をAとし、前記半導体搭載用基板の平面積をBとしたとき、075≦AB≦09が成立する請求項7に記載の半導体装置。支持部材を準備することと、支持部材上に剥離層を形成することと、前記剥離層上に第1絶縁層を形成することと、前記第1絶縁層を貫通し、少なくとも前記剥離層の中途まで達する貫通孔を形成することと、前記第1絶縁層上に第1導体パターンを形成することと、前記貫通孔の内部にめっきを充填して電極を形成することと、前記第1導体パターンを覆うように前記第1絶縁層上に第2絶縁層を形成することと、前記第2絶縁層上に、半導体素子を搭載するための第2導体パターンを形成することと、前記第2導体パターン上に半導体素子を搭載することと、前記剥離層を介して前記支持部材を剥離することと、前記電極の先端を前記第1絶縁層の表面から突出させることと、を含む半導体装置の製造方法。前記支持部材を剥離する前に前記半導体素子を封止樹脂で封止する請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記支持部材はガラスからなる請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記支持部材は、前記剥離層にレーザーを照射することで剥離される請求項9に記載の半導体装置の製造方法。しかしながら、特許文献1では、最外層最下層の絶縁層から、電極と導体パターンとが露出する。このため、両者の間で短絡が発生する可能性がある。本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、絶縁層から突出する電極からなるパッドを備えながら、信頼性の高い半導体装置を提供することにある。請求項1に記載の発明の半導体搭載用基板は、第1面と該第1面とは反対側の第2面とを有し、貫通孔を備える第1絶縁層と、前記第1絶縁層の第1面上に形成されている第1導体パターンと、前記第1導体パターンに接続し、前記第1絶縁層の前記貫通孔内に形成されているとともに、前記第1絶縁層の第2面から突出している電極と、貫通孔を有するとともに前記第1絶縁層の第1面上及び前記第1導体パターン上に形成されている第2絶縁層と、前記第2絶縁層上に形成され、半導体素子を搭載するための第2導体パターンと、前記第2絶縁層の貫通孔内に形成され、前記第1導体パターンと前記第2導体パターンとを接続するビア導体と、を有することを技術的特徴とする。本願発明では、最下層の第1導体パターンと外部基板接続用の電極との間に、第1絶縁層が介在しているので、上述した従来技術と比較して、第1導体パターンと電極との間で短絡が発生し難い。また仮に、半導体装置を外部基板へ実装する際に、電極の第1絶縁層からの露出部分に対して応力が加わっても、該電極は、露出部分以外が第1絶縁層により保護されているので、電極にクラック等が生じ難い。第1実施形態図7は、第1実施形態の半導体装置10の断面図である。半導体装置10は、導体パターンと絶縁層とが積層されてなる半導体搭載用基板20と、半導体搭載用基板20上に実装されてなる半導体素子90とからなる。図7及び図8Aに示すように、半導体搭載用基板20は、第1面Fとその第1面とは反対側の第2面Sとを有する第1絶縁層50と、第1絶縁層50の第1面F上に形成されている第1導体パターン58と、第1絶縁層50の第1面上及び第1導体パターン50上に形成されている第2絶縁層150と、第2絶縁層150上に形成されている第2導体パターン158とを有している。そして、第2絶縁層150の内部には貫通孔151が設けられていて、この貫通孔151の内部には、第1導体パターン58と第2導体パターン158とを接続するビア導体160が設けられている。第1絶縁層50は、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部に感光性基が付与された樹脂、熱可塑性樹脂、又は、これらの樹脂を含む樹脂複合体等からなる層である。第1絶縁層50の内部には貫通孔51が設けられている。貫通孔51の内部には、めっきからなる電極60が形成されている。電極60は、下方に向かって縮径するようにテーパーが設けられている。この電極60は、先端部が第1絶縁層50の第2面Sから突き出ている。すなわち、電極60は第1絶縁層50から露出する部分を有する。この電極60の先端部第1絶縁層50からの露出部分には、後述する半田バンプが形成される。ここで、図7中のサークルC1内を拡大して図8Aに示す。電極60は、第1絶縁層50の表面上に形成されている第1導体膜52と、第1導体膜52の内側に形成されている第2導体膜56とからなる。第1導体膜52は無電解銅めっきから形成されている。第2導体膜56は、電解銅めっき膜から形成されている。すなわち、本実施形態では、電極60は、第1導体膜52無電解銅めっきと、第1導体膜56で形成されている空間を充填する第2導体膜56電解銅めっき膜とから構成されている。そして、電極60の先端部露出部分は、第1導体膜無電解めっき膜が第2導体膜電解めっき膜を被覆している。電極60の第1絶縁層50からの突出部分が、プリント配線基板等の外部基板との接続用のパッド60Pを構成する。図8Bに示すように、このパッド60P上には半田バンプ77が設けられている。この半田バンプ77のピッチは約130μmである。第1絶縁層50の第1面F上には、第1導体パターン58が設けられている。第1導体パターン58は、第1絶縁層50の表面上の第1導体膜52無電解めっき膜と、第1導体膜52上の第2導体膜56電解めっき膜とから形成されている。この第1導体パターン58と電極60とは電気的に接続されている。これら第1絶縁層50の第1面F上及び第1導体パターン58上には、第2絶縁層150が設けられている。第2絶縁層150は、上述した第1絶縁層50と同様の材料から形成されている。第2絶縁層150の内部には、第1導体パターン58の一部を露出させる開口部151が設けられている。第2絶縁層150上には第2導体パターン158が形成されている。第2導体パターン158と第1導体パターン58とは、開口部151の内部に設けられているビア導体160により接続されている。なお、第2導体パターン158は第1導体パターン58と同様の材料からなり、ビア導体160は電極60と同様の材料から形成されている。第2絶縁層150上にはソルダーレジスト層70が設けられている。ソルダーレジスト層70の内部には、第2導体パターン158の少なくとも一部を露出する開口71が設けられている。この開口71の内部には半田バンプ76が設けられている。半田バンプ76のピッチは約40μmである。そして、これら半田バンプ76を介して半導体搭載用基板20上に半導体素子90が実装されている。半導体素子90と半導体搭載用基板20との間にはアンダーフィル材94が充填されている。アンダーフィル材の形成領域の平面積をAとし、半導体搭載用基板20の平面積をBとしたとき、075≦AB≦09が成立する。ABがこの範囲を満たすとき、アンダーフィル材を容易に充填することが可能になり、且つ、半導体装置の反りを効果的に抑制することが可能になる。半導体素子90は封止樹脂96で封止されている。半導体素子90の表面は、封止樹脂96から露出している。これにより、半導体素子90の放熱性が向上する。さらに、半導体装置10の低背化も図られる。本実施形態では、最下層の第1導体パターン58と、パッド60Pを形成する電極60との間に、第1絶縁層50が介在している。このため、第1導体パターン58とパッド60Pとの間で短絡が発生し難い。また、外部基板への実装の際に、パッド60Pを構成する電極60の露出部分に対して応力が加わっても、該電極60は露出部分以外は第1絶縁層50により保護されているので、電極60にクラック等が生じ難い。このため、本実施形態の半導体装置10は高い信頼性を備える。第1実施形態の半導体装置の製造方法について、図1~図8を参照して説明する。1まず、厚さ約1.1mmのガラス板30を用意する図1A。ガラス板は、実装するシリコン製ICチップとの熱膨張係数差が小さくなるように、CTEが3.3ppm以下で、且つ、後述する剥離工程において使用する308nmのレーザ光に対して透過率が9割以上であることが望ましい。2ガラス板30の上に、主として熱可塑性ポリイミド樹脂からなる剥離層32を設ける図1B。3剥離層32の上に、層間樹脂絶縁層用の樹脂フィルム味の素社製:商品名;ABF-45SHを昇温しながら真空圧着ラミネートし、第1絶縁層50を設ける図1C参照。層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムは、粒径0.1μm以下の可溶性粒子と無機粒子とを含む。4CO2ガスレーザにて、第1絶縁層50を貫通し、剥離層32に至る電極体用開口51を設ける図1D参照。5予め第1絶縁層50の表層にパラジウムなどの触媒を付与させて、無電解めっき液に5~60分間浸漬させることにより、0.1~5μmの範囲で無電解めっき膜52を設ける図2A。6無電解めっき膜上52に、市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフィルムを載置して露光した後、炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ約15μmのめっきレジスト54を設ける図2B。7無電解めっき膜52を給電層として用い、電解めっきを施して電解めっき膜56を形成する図2C。8モノエタノールアミンを含む溶液でめっきレジスト54を剥離除去する。そして、剥離しためっきレジスト下の無電解めっき膜52をエッチングにて溶解除去し、無電解めっき膜52と電解めっき膜56からなる第1導体パターン58及び電極60を形成する図2D。9上記3と同様にして、第1絶縁層50及び第1導体パターン58上に第2絶縁層150を形成する図3A。10上記4と同様にして、第2絶縁層150内に第1導体パターン58へ至るビア用開口151を形成する図3B。11上記5~8と同様にして、第2絶縁層150の開口151内にビア導体160を形成すると共に、第2絶縁層150上に第2導体パターン158を形成する図3C。この結果、第1導体パターン58と第2導体パターン158とがビア導体160により接続される。12第2絶縁層150上にソルダーレジスト層70を形成する。その後、ソルダーレジスト層70の内部に開口71を設けて、第2導体パターン15の一部を露出させる図3D。第2導体パターン158のうち、開口71により露出された部位がパッド158Pを構成する。13次に、パッド158P上にNiめっきを施して嵩上げした後、半田めっきSn-Agを施し、パッド158Pに半田バンプ76を形成することで、中間体100が製造される。図4A。この中間体100は、ガラス板30と、ガラス板30上に形成されている半導体搭載用基板20とから形成されている。14次いで、約260°Cでリフローすることで中間体100上に半田バンプ76を介して半導体素子90を実装する図4B。このリフローの際に、ガラス板30がICチップ90と熱膨張率が近いので、半導体搭載用基板20に加わる応力が低減される。15半導体搭載用基板20と半導体素子90との間にアンダーフィル94を充填する図4C。16モールド型内で、半導体素子を樹脂96で封止する図4D。この状態を拡大して図6中に示す。17モールド樹脂96を研磨し、半導体素子90の上面を露出させる図5A。これにより、半導体素子90にヒートシンクを直接取り付けることが可能になる。さらに、半導体装置全体の高さも抑制される。18次いで、308nmのレーザ光をガラス板30を透過させて剥離層32に照射し、剥離層32を軟化させる。そして、半導体搭載用基板20に対してガラス板30をスライドさせて、ガラス板30を剥離する図5B。19アッシングにより剥離層32を除去し、第1絶縁層50及び電極60のパッド60Pを露出させる図5C。図5Cを拡大して図7中に示し、図7中のサークルC1部を更に拡大して図8Aに示す。20そして、電極60のパッド60P上に半田バンプ77を形成し、半導体装置を完成する図5D。図5D中のサークルD1部を拡大して図8Bに示す。本実施形態では、熱可塑性のポリイミド樹脂からなる剥離層32に、ガラス板30を介してレーザを照射してガラス板30を剥離する。このため、半導体素子90を実装した半導体搭載用基板20に機械的、熱的なストレスを加えることなく、ガラス板30を剥離することができる。また、剥離層32が熱可塑性のポリイミド樹脂からなるため、薬剤を用いビルドアップ多層配線板20から容易に除去することができる。ガラス板30が、308nmのレーザ光に対して透過率が9割以上であるため、ガラス板30を加熱することなく、剥離層32を軟化させ、ガラス板30を剥離することができる。また、ガラス板側にもストレスを加えないので、このガラス板30を再利用して別の半導体装置を製造することができる。なお、これら電極60及び第1導体パターン58は、第1絶縁層50と無電解めっき膜52との間に、Cuイオンの拡散を防止するべく、薄膜層を有していてもよい。この薄膜層は、第1絶縁層50から順にTiN層、Ti層及びCu層から形成されている。この薄膜層は、例えばスパッタリングを用いて形成される。第2実施形態本実施形態の半導体搭載用基板及び半導体装置は、上述の第1実施形態と比較して、電極及び導体パターンの構成が異なる。すなわち、図9に示すように第1導体膜52を絶縁層上のTiN層52aと、TiN層上のTi層52bとTi層上のCu層52cとから形成する。これらは、例えばスパッタリング法により形成される。この場合、パターンを形成する金属イオン例えばCuイオンの拡散が抑制され、パターン間の信頼性が確保される。第3実施形態本実施形態の半導体搭載用基板及び半導体装置は、図10に示すように、パッド158P上に金属ポスト74を形成する。この金属ポスト74を形成する材料としては、銅、半田など特に限定されないが、電気抵抗の点から銅が好ましい。この場合、半導体素子90を実装する際の応力を効果的に緩和することが可能となる。