半導体チップ1および変換要素2を備えた放射線放出装置10であって、前記半導体チップ1が、電磁放射線を生成するのに適している活性層と、放射線出口面11と、を備えており、前記変換要素2が、マトリックス材料2aおよびルミネセンス材料2bを備えており、前記マトリックス材料2aが、少なくとも40重量の酸化テルルを含んでおり、三酸化ホウ素もしくは酸化ゲルマニウムまたはその両方を含んでおらず、前記変換要素2が、前記半導体チップ1の前記放射線出口面11の下流に配置されている、放射線放出装置。前記変換要素2が、前記半導体チップ1の前記放射線出口面11に直接配置されている、請求項1に記載の放射線放出装置。前記変換要素2と、前記半導体チップ1の前記放射線出口面11との間に、間隔が配置されている、請求項1に記載の放射線放出装置。前記マトリックス材料2aが、少なくとも75重量の酸化テルルを含んでいる、請求項1から請求項3のいずれかに記載の放射線放出装置。前記マトリックス材料2aが、リン-テルルもしくは銀-リン-テルルまたはその両方を含んでいる、請求項1から請求項4のいずれかに記載の放射線放出装置。前記マトリックス材料2aが、前記マトリックス材料2aの屈折率を増大させる少なくとも1種類の追加の要素2cを備えている、請求項1から請求項5のいずれかに記載の放射線放出装置。前記マトリックス材料2aが、2より大きい屈折率nを示す、請求項1から請求項6のいずれかに記載の放射線放出装置。放射線吸収特性を示す少なくとも1層の追加の層3が、前記変換要素2の下流に配置されている、請求項1から請求項7のいずれかに記載の放射線放出装置。前記マトリックス材料2aの軟化温度が350°C以下である、請求項1から請求項8のいずれかに記載の放射線放出装置。前記変換要素2または前記マトリックス材料が接着層の形をとる、請求項1から請求項9のいずれかに記載の放射線放出装置。前記変換要素2がウェハの形をとる、または、前記変換要素2が、前記半導体チップ1が埋め込まれたポッティング化合物によって形成されている、請求項1から請求項10のいずれかに記載の放射線放出装置。前記変換要素2がビーム形成要素の形をとる、請求項1から請求項11のいずれかに記載の放射線放出装置。放射線放出装置10の製造方法であって、電磁放射線を生成するのに適している活性層と、放射線出口面11とを備えている、半導体チップ1を形成するステップと、前記半導体チップ1の前記放射線出口面11の上に変換要素2を形成するステップであって、前記変換要素が、マトリックス材料2aおよびルミネセンス材料2bを備えており、前記マトリックス材料2aが、少なくとも40重量の酸化テルルを含んでおり、三酸化ホウ素もしくは酸化ゲルマニウムまたはその両方を含んでいない、前記変換要素形成ステップと、を含んでいる、放射線放出装置の製造方法。前記変換要素形成ステップが、前記半導体チップ1の前記放射線出口面11の上に前記マトリックス材料2aを直接塗布し、次いで、前記マトリックス材料2aを前記ルミネセンス材料2bによってコーティングするステップであって、前記ルミネセンス材料2bが前記マトリックス材料2aの中に沈む、前記ステップ、を含んでいる、請求項13に記載の放射線放出装置の製造方法。均一な放出パターンが得られるように、前記マトリックス材料2aが前記ルミネセンス材料2bによって意図的に不均一にコーティングされる、請求項14に記載の放射線放出装置の製造方法。変換要素は、半導体ボディの下流に、さまざまな方法で配置することができる。例えば、変換要素は、半導体ボディを囲むポッティング化合物からなり、ポッティング化合物にルミネセンス材料が埋め込まれている。さらには、少なくとも1種類のルミネセンス材料を有する変換要素を、半導体ボディの下流に配置するタイプも知られている。この場合、ルミネセンス材料が導入されるマトリックス材料としては、従来、シリコーンを含んだ変換要素が使用される。変換要素は、接着層例えば有機接着剤によって半導体チップの表面上に固定されている。しかしながら、シリコーンは熱伝導率が低く、結果として、部品の動作時にルミネセンス材料の温度が上昇することがあり、したがって部品の効率が低下し、これは不利である。さらには、特許文献2には、発光装置のガラス封止体が開示されている。本発明の目的は、放射線放出装置であって、部品の動作時に発生する熱がマトリックス材料によって良好に放散し、結果として部品の効率が向上し、それと同時に、マトリックス材料の屈折率が高いことを特徴とする、放射線放出装置、を提供することである。上記の目的は、請求項1の特徴を有する放射線放出装置と、請求項13の特徴を有する、その製造方法とによって達成される。本部品および本方法のさらなる有利な発展形態は、従属請求項の主題である。本発明は、半導体チップおよび変換要素を備えた放射線放出装置、を提供する。半導体チップは、電磁放射線を生成するのに適している活性層と、放射線出口面とを備えている。変換要素は、テルル含有ガラスのマトリックス材料と、ルミネセンス材料とを備えている。変換要素は、半導体チップの放射線出口面の下流に配置されている。放射線出口面は、半導体チップの主面によって形成されていることが好ましい。変換要素は、半導体チップの少なくともこの主面の上に形成されていることが特に好ましい。半導体チップは、複数の異なる層からなり活性層を含んだ積層体を備えているLEDチップであることが好ましい。本部品の動作時、活性層が少なくとも1種類の放射線例えば、紫外放射線、青色放射線、または緑色放射線を放出することが好ましい。活性層は、例えば、pn接合、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造SQW構造、または多重量子井戸構造MQW構造を備えていることができる。このような構造は当業者に公知であり、したがって、ここではこれ以上詳しく説明しない。半導体チップは、窒化物化合物半導体、リン化物化合物半導体、ヒ化物化合物半導体のうちの少なくとも1種類をベースとしていることが好ましい。このことは、本明細書においては、活性エピタキシャル積層体またはその少なくとも1層が、III/V族窒化物化合物材料、III/V族リン化物化合物材料、III/V族ヒ化物化合物材料のうちの少なくとも1種類を含んでいることを意味する。この場合、これらの化合物材料は、1つまたは複数のドーパントと、化合物材料の特徴的な物理特性を実質的に変化させることのない追加の構成成分とを含んでいることができる。半導体チップは、波長λ0の一次放射線を放出することが好ましい。半導体チップによって放出される放射線の大部分が、放射線出口面を通じて半導体チップから放出されることが好ましい。変換要素は、放出方向において半導体チップの下流に配置されていることが好ましく、変換要素は、少なくとも1種類のルミネセンス材料を含んでおり、ルミネセンス材料は、波長λ0によって励起されたとき別の波長の二次放射線を放出する。このようにして、本部品は、半導体チップからの一次放射線と、変換要素からの二次放射線とを含んでいる混合放射線を放出することが、特に好ましい。適切なルミネセンス材料は、例えば、特許文献3および特許文献4から当業者に公知であり、この点に関するこれらの文書の開示内容は、参照によって本明細書に組み込まれている。一実施形態においては、変換要素は、半導体チップの放射線出口面に直接配置されている。したがって、半導体チップと変換要素との間に間隔は設けられていない。変換要素は、半導体チップの放射線出口面に固定されていることが好ましい。したがって、変換要素は、半導体チップの主面に直接固定されており、変換要素と半導体チップとの間には、間隔、もしくは別の層または別の材料、またはこれらの両方が配置されていない。例えば、2つの層が直接配置されている、とは、本出願においては、これらの層が互いに直接隣接した状態に配置または固定されている構造を意味するものと理解されたい。この点において、製造工程時に層の間に生じる小さな空洞、あるいは混入する異物例えばホコリは、無視するものとする。さらなる実施形態においては、変換要素と、半導体チップの放射線出口面との間に、間隔が設けられている。気体例えば空気を含んでいる空間が、変換要素と放射線出口面との間に設けられていることが好ましい。さらなる実施形態においては、チップの表面とマトリックス材料との間に、意図的に導入された中間層が配置されており、結果として間隔が形成されている。中間層の厚さは、0μm~10μmの範囲内、好ましくは1原子層~0.5μmの範囲内、理想的には1nm~100nmの範囲内である。中間層は、例えば、反射防止作用、障壁作用、または光学フィルタ作用を有することができる。反射防止の中間層の場合、その屈折率は、チップの屈折率とマトリックス材料の屈折率との間である。変換要素のマトリックス材料は、テルル含有ガラスであることが好ましい。マトリックス材料は、少なくとも40重量の酸化テルルTeO2を含んでいることが好ましい。マトリックス材料は、少なくとも75重量の酸化テルルを含んでいることが特に好ましい。特に好ましい一実施形態においては、マトリックス材料は、少なくとも90重量の酸化テルルを含んでいる。例えば、マトリックス材料はTeO2からなり、ルミネセンス材料が埋め込まれている。これに代えて、マトリックス材料は、75重量以上のTeO2と、9~24重量のZnOとを含んでいる。変換要素のルミネセンス材料は、テルル含有ガラスのマトリックス材料に埋め込まれている。ガラスは、従来使用されているシリコーンよりも良好な熱伝導率を示し、これは有利であり、動作時に発生する熱の、マトリックス材料による放散が増大し、これは有利である。このようにすることで、動作時に発生する熱、特に、変換要素中のルミネセンス材料の温度上昇によって動作時に発生する熱を、マトリックス材料を介して効率的に放散させることができ、したがって、ルミネセンス材料の効率、および結果として本部品の効率が高まり、これは有利である。さらには、テルル含有ガラスは、高い屈折率特性を特徴としており、これは有利であり、したがって、このような変換要素特に、マトリックス材料は、高い屈折率を特徴とする。したがって、ガラスマトリックス中のテルルの含有量によっては、例えばn≧2の屈折率が可能である。好ましい一実施形態においては、マトリックス材料としてリン-テルルガラスphosphotelluriteglassが使用される。マトリックス材料として銀-リン-テルルガラスsilverphosphotelluriteglassが使用されることが、特に好ましい。この場合、本部品の目的の用途に応じて、マトリックス材料の個々の成分の組成を変えることができる。例えばリン-テルルガラスから作製されるマトリックス材料の組成は、例えば特許文献5から当業者に公知であり、この文書の開示内容は、参照によって本明細書に組み込まれている。これに代えて、銀-リン-テルルガラスから作製されるマトリックス材料が使用されるとき、銀を、完全に、または部分的に、例えばアルカリ金属材料またはアルカリ土類金属材料に置き換えることができる。さらには、マトリックス材料のリンを、完全に、または部分的に、当業者に公知である別のガラス形成剤例えば、Sb2O3、SiO2、WO3、MoO3、Bi2O3、Mn2O7、PbOのうちの少なくとも1種類に置き換えることができる。同様に、マトリックス材料の酸化テルルの一部を別のガラス形成剤に置き換えることが可能である。マトリックス材料は、RoHS準拠であり、Pb、As、Cd、U、Tmを含んでいないことが好ましい。さらなる好ましい実施形態においては、マトリックス材料は、半導体チップによって放出される放射線の少なくとも一部分に対して透過性である。半導体チップによって放出される放射線の波長域において、マトリックス材料は、好ましくは60以上、特に好ましくは80以上、好ましくは95以上の透過性を示すことが好ましい。さらなる好ましい実施形態においては、マトリックス材料は、酸化ホウ素もしくは酸化ゲルマニウムまたはその両方を含んでいない。酸化ホウ素および酸化ゲルマニウムの少なくとも一方を含んでいるマトリックス材料は、不利な傾向として、偏析挙動segregationbehaviourに起因して結晶化し、これにより、変換要素は透過特性をもはや示さない。このことは、酸化ホウ素および酸化ゲルマニウムを含んでいないマトリックス材料によって対処することができ、これは有利である。偏析挙動は、例えば、TeO2およびP2O5の溶融した組合せmeltcombinationしたがってリン-テルルガラスによって打ち消される。リン酸塩ガラスおよびテルライトガラスは、バルク状態において比較的類似する鎖状構造要素を含んでおり、これによりほぼ一様な構造を達成できることにより、特に、良好な混和性が達成される。さらなる好ましい実施形態においては、マトリックス材料は、マトリックス材料の屈折率を高める少なくとも1種類の追加の要素を含んでいる。例えば、当業者に公知である、屈折率を高める化合物例えばLa2O3を、ガラスに加えることができる。さらなる実施形態においては、マトリックス材料、特に、テルル含有ガラスは、鉛を含んでいない。さらなる好ましい発展形態においては、マトリックス材料は、放射線吸収特性を示す少なくとも1種類のさらなる追加成分を含んでいる。このさらなる追加成分は、波長域λ≦380nmの放射線、好ましくは波長域λ≦400nmの放射線、特に好ましくは波長域λ≦420nmの放射線を吸収することが好ましい。さらなる追加成分は、上記の波長域の波長の20、好ましくは40、特に好ましくは60を吸収することが好ましい。この成分は、変換要素の上または変換要素の下の追加の層としてのさらなるマトリックス材料の中に配置することができる。追加の層は、例えば、UVフィルタとして作用する成分を含んでいる。さらなる発展形態においては、マトリックス材料のガラス転移温度Tgは、最高で350°C、特に、≦350°Cである。特に、マトリックス材料の熱膨張率は、最高で350°Cのガラス転移温度Tgにおいて変化する。さらなる好ましい発展形態においては、マトリックス材料は、低融点材料である。低融点材料とは、本出願においては、最高で350°Cの温度で柔らかくなる材料であるものとする。これにより、最高で350°Cにおいて変換要素と半導体チップとの間に形成される接合性によって、変換要素を半導体チップに直接接合することが可能になり、このような温度では、半導体チップの放射線出口面の上に変換要素を形成するときに半導体チップが損傷せず、これは有利である。半導体チップとの電気的接触を形成するために使用されるボンディングワイヤ例えば金のワイヤを、完全に、または部分的に、変換要素の中に埋め込むことができる。さらなる好ましい実施形態においては、マトリックス材料または変換要素は、接着層の形をとる。低融点材料であるマトリックス材料を使用することで、例えば、さらなる変換要素、放射線成形要素例:光学系またはレンズ、またはカバーを、最高で350°Cの温度において半導体チップに接着接合することができる。この場合、変換要素は、放射線変換特性と接着特性の両方を特徴とする。さらなる好ましい発展形態においては、変換要素は、ウェハの形をとる板状形とも称される。変換要素は、ルミネセンス材料が埋め込まれたテルル含有ガラスのウェハであることが好ましい。さらなる実施形態においては、変換要素は、半導体チップが埋め込まれたポッティング化合物の形をとる。この場合、変換要素は、半導体チップを完全に囲んでいることが好ましい。ポッティング化合物と半導体チップとの間には間隔が存在しないことが好ましく、ただし、ポッティング化合物と半導体チップとの間には製造工程において小さな空洞が生じたり異物例えばホコリの粒子が混入することがある。さらなる好ましい発展形態においては、変換要素は、ビーム形成要素の形をとる。ビーム形成要素とは、本出願においては、半導体チップによって放出される放射線の放出方向を修正する、もしくは放出方向に影響を及ぼす、またはその両方である要素を意味するものと理解されたい。ビーム形成要素は、例えば、レンズ、光学系、または例えば散乱粒子を含んだカバーを意味するものと理解されたい。ビーム形成要素は、意図的に成形することによって、またはマトリックス材料を加熱したときのマトリックス材料における表面張力によって、形成されることが好ましい。この目的には、マトリックス材料として低融点材料が適している。半導体チップおよび変換要素を備えた放射線放出装置の製造方法であって、-半導体チップを形成するステップであって、半導体チップが、電磁放射線を生成するのに適している活性層と、放射線出口面とを備えている、半導体チップ形成ステップと、-半導体チップの放射線出口面の上に変換要素を形成するステップであって、変換要素が、テルル含有ガラスのマトリックス材料と、ルミネセンス材料とを備えている、変換要素形成ステップと、を含んでいる、方法。本方法の有利なさらなる発展形態は、本部品の有利なさらなる発展形態と同様にして創案され、逆も同様である。本明細書に記載されている部品は、特に、本方法によって製造することができる。変換要素は、焼結法によって形成されることが好ましく、ルミネセンス材料とガラス粉末の混合物を焼結し、特に、空洞を最小にする目的で加圧する。この場合、ガラスの軟化点に近い温度を使用する。さらなる好ましい実施形態においては、テルル含有ガラスから作製されるマトリックス材料の溶融液体liquidmeltにルミネセンス材料を懸濁させ、この溶融液体を、半導体チップの放射線出口面に噴霧して変換要素を形成する。さらなる好ましい発展形態においては、ルミネセンス材料と、オプションとしてさらなる要素とを含んだ所定の厚さの層を、ガラス基板上に形成することができ、次いで、ガラスの軟化点に近い温度において焼結を行う。さらなる好ましい発展形態においては、ルミネセンス材料の粒子のルミネセンス材料層を、半導体チップの放射線出口面の上に塗布し、次いで、ルミネセンス材料の粒子の間の空間に、テルル含有ガラスを気相から堆積させる。さらなる好ましい発展形態においては、マトリックス材料の薄層をチップの上に直接形成する、または、350°C以上の比較的高い温度において個別のウェハを形成する。この温度においては、ガラスの粘度は、107.6dPas≧η≧10-2dPas、特に、104dPas≧η≧10-2dPas、理想的には102dPas≧η≧10-2dPas、であることが好ましい。このようにすることで、わずかな気泡のみが含まれる極めて密なガラス層が形成される。次いで、当業者に公知の方法を使用して、この層をルミネセンス材料例:YAG:Ceによってコーティングする。次いで、350°C以下の低い温度において、ルミネセンス材料の粒子をガラス中に沈める。言い換えれば、ルミネセンス材料によってコーティングされたマトリックス材料を、ガラスがわずかに軟化する程度まで加熱し、これによりルミネセンス材料がガラス層の中に沈み、ガラス層によって囲まれる。沈める温度は、好ましくは、室温≦沈める温度≦ガラスの半球温度hemispheretemperature、より良好には、ガラスのTg≦沈める温度≦ガラスの半球温度、より良好には、ガラスの軟化温度≦沈める温度≦ガラスの半球温度である。沈める方法の利点として、必要な温度が低く、この工程によってルミネセンス材料が損傷しない。例えば、マトリックス材料が低融点材料である場合、沈める温度は350°C以下である。個別のウェハの場合、チップの上にウェハを配置した後にルミネセンス材料を沈めることで、沈み工程時に同時にウェハをチップに接着接合することが可能である。この場合、ルミネセンス材料によってコーティングされた面は、チップ面の側または反対側とすることができる。同一または異なるルミネセンス材料によって両面をコーティングする、および端面をコーティングすることも可能である。沈める方法では、例えば、放出角度に対するモジュールの色位置colourlocationの均一性を改善する目的で、ルミネセンス材料を意図的に不均一に塗布することもできる。白色LEDにおいてしばしば発生する黄色リング現象は、例えば、ルミネセンス材料を水平または横方向に意図的に不均一に塗布することによって低減することができる。マトリックス材料例えばガラス層の厚さは、好ましくは200μm以下、好ましくは100μm以下、特に50μm以下、ただし少なくとも、最大のルミネセンス材料粒子の直径以上である。ガラス中にルミネセンス材料を埋め込む方法は、例えば、特許文献6から当業者に公知であり、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。本部品および本方法のさらなる特徴、利点、好ましい発展形態、および有利な態様は、図1~図7を参照しながら以下に説明する例示的な実施形態によって明らかになるであろう。同一の要素または機能が同じである要素には、同じ参照数字を付してある。図に示した要素と、要素間のサイズの比率は、正しい縮尺ではないものとみなされたい。図1は、半導体チップ1および変換要素2を備えた放射線放出装置10を示している。放射線放出装置とは、動作時に放射線を放出するのに適している部品を実質的に意味するものと理解されたい。特に、このような部品において、動作時における放射線の放出は、部品の電気的接触を形成することによって達成される。半導体チップ1は、LEDチップLED:発光ダイオードであることが好ましい。半導体チップ1は、薄膜LEDであることが好ましい。薄膜LEDにおいては、半導体チップ1の積層体が上に形成された特に、堆積した製造基板が、部分的または完全に除去されている。半導体チップ1は、電磁放射線を生成するのに適している活性層を備えている。半導体チップ1の活性層は、放射線を生成するためのpn接合、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造SQW、または多重量子井戸構造MQWを備えている。この場合、用語量子井戸構造は、量子化の次元に関して何らかの指定を行うものではない。したがって、量子井戸構造には、特に、量子井戸、量子細線、および量子ドットと、これらの構造の任意の組合せが含まれる。半導体チップ1は、窒化物化合物半導体、リン化物化合物半導体、またはヒ化物化合物半導体をベースとしていることが好ましい。窒化物化合物半導体、リン化物化合物半導体、またはヒ化物化合物半導体をベースとしているとは、本明細書においては、活性エピタキシャル積層体またはその少なくとも1層が、組成InxGayAl1-x-yP、組成InxGayAl1-x-yN、または組成InxGayAl1-x-yAsいずれの場合も0≦x、y≦1、xy≦1を有するIII/V族半導体材料を含んでいることを意味する。半導体チップ1は、放射線出口面11を備えている。放射線出口面11は、半導体チップ1の主面によって形成されていることが好ましい。主面とは、例えば、半導体チップ1の上面を意味するものと理解されたい。半導体チップ1の放射線出口面11には、活性層において生成される放射線の取り出しを改善する手段図示していないを設けることができる。取り出しを改善する手段とは、本質的には、表面のパターニングを意味するもの理解されたい。特に、マイクロプリズムパターニングによって、または放射線出口面11の粗さを増大させることによって、光の取り出しを改善することができる。例えば、放射線出口面11を粗面化すると、結果として不規則な表面が形成され、これにより部品からの光の取り出しが改善されることで、半導体チップ1の効率が高まり、これは有利である。半導体チップ1の放射線出口面11には変換要素2が配置されている。変換要素2は、半導体チップ1の放射線出口面11に直接配置されていることが好ましい。特に、変換要素2は放射線出口面11に固定されており、特に、放射線出口面11の表面形状に密着して機械的に接合されている。変換要素2は、半導体チップ1の放射線出口面11の少なくとも一部分を覆っていることが好ましい。変換要素2は、半導体チップ1の放射線出口面11を完全に覆っていることが特に好ましい。変換要素2は、テルル含有ガラスから作製されているマトリックス材料2aと、ルミネセンス材料2bとを備えている。ルミネセンス材料2bは、マトリックス材料2aの中に実質的に均一に分布していることが好ましい。このようにすることで、本部品によって放出される放射線の放出角度に対する色の不均一性が減少し、結果として、本部品によって放出される放射線の放出パターンが均一になり、これは有利である。半導体チップ1は、波長λ0の一次放射線を放出することが好ましい。変換要素2の中のルミネセンス材料2bは、波長λ0の放射線の少なくとも一部分を吸収し、別の波長の二次放射線を放出することが好ましい。このようにして、半導体チップ1からの一次放射線と、ルミネセンス材料2bからの二次放射線の両方を含んだ混合放射線を放出する部品を得ることができる。半導体チップ1の放射線出口面11に配置されている変換要素2によって、半導体チップ2によって放出される放射線の色位置を修正する、特に、意図的に調整することが可能である。色位置とは、本質的には、部品によって放出される放射線の、CIE色空間における色を記述する数値を意味するものと理解されたい。ルミネセンス材料2bを意図的に選択することによって、半導体チップ1によって放出される放射線の色位置を、意図的に補正することができ、結果として、装置10によって放出される放射線の所望の色位置が得られ、これは有利である。変換要素2は、2種類以上のルミネセンス材料2bを含んでいることができる。2種類以上のルミネセンス材料2bを使用することによって、部品によって放出される放射線の色位置を正確に選択することができ、したがって特に、部品によって放出される混合放射線の所望の色位置を意図的に達成することが可能になる。部品によって放出される混合放射線は、色空間の白色領域に位置することが好ましい。このような変換要素において使用することのできる適切なルミネセンス材料は、特許文献3および特許文献4から当業者に公知であり、この点に関するこれらの文書の内容は、参照によって本明細書に組み込まれている。変換要素2のマトリックス材料2aは、テルル含有ガラスを含んでいることが好ましい。マトリックス材料は、少なくとも40重量の酸化テルル、好ましくは少なくとも75重量の酸化テルル、特に好ましくは少なくとも90重量の酸化テルルを含んでいることが好ましい。ガラスのマトリックス材料2aは、従来使用されているシリコーンのマトリックス材料と比較して、高い熱伝導率を示し、これは有利である。マトリックス材料の熱伝導率が高いことで、動作時に発生する熱をマトリックス材料によってルミネセンス材料2bから意図的に放散させることができるため、動作時におけるルミネセンス材料2bの温度上昇を低減することができ、これは有利である。動作時、ルミネセンス材料は高い効率を示し、これにより部品の効率が向上し、これは有利である。マトリックス材料2aとしてはテルル含有ガラスを使用することが好ましく、なぜなら屈折率が高いためである。このようにして、特に、マトリックス材料2aの屈折率が高いことを特徴とする変換要素2を得ることができる。このようにして、マトリックス材料中のテルルの含有量によっては、n≧2の屈折率が可能である。マトリックス材料2aは、リン-テルルガラスを含んでいることが好ましい。マトリックス材料2aは、銀-リン-テルルガラスを含んでいることが特に好ましい。この場合、変換要素の個々の成分の組成は、さまざまな割合とすることができる。さらには、銀を、完全に、または一部分を、例えばアルカリ金属材料またはアルカリ土類金属材料に置き換える、もしくは、リンを、完全に、または部分的に、当業者に公知である別のガラス形成剤例えば、SbO2またはSiO2に置き換える、またはこれらの両方を行うことができる。これに代えて、テルル酸化物の一部分を別のガラス形成剤に置き換えることが可能である。マトリックス材料2aは、半導体チップ1によって放出される放射線に対して透過性であることが好ましい。マトリックス材料2aは、酸化ホウ素および酸化ゲルマニウムを含んでいないことが好ましい。酸化ホウ素および酸化ゲルマニウムの少なくとも一方を含んでいるマトリックス材料2aは、不利な傾向として、偏析挙動に起因して結晶化し、これにより、変換要素2aは透過特性をもはや示さない。このことは、酸化ホウ素および酸化ゲルマニウムを含んでいないマトリックス材料によって対処することができ、これは有利である。マトリックス材料2aは、鉛を含んでいないことが好ましい。マトリックス材料2aは、低融点材料、特に、低融点のテルル含有ガラスであることが好ましい。結果として、装置10の製造時、変換要素2を半導体チップ1の放射線出口面11の表面形状に密着するように直接接合することができる。ルミネセンス材料が含まれているマトリックス材料は低い温度において柔らかくなり、最高でも350°Cにおいて変換要素2と半導体チップ1との間の接合が形成される。結果として、チップ上に変換要素を形成する工程において、半導体チップの損傷を回避することができる。この場合、ボンディングワイヤ例えば半導体チップ2の電気的接触を形成するのに使用されるを、完全に、または一部分を変換要素2に埋め込むこともできる。図1の例示的な実施形態においては、変換要素2はウェハの形である。変換要素2の厚さは、好ましくは1μm~200μmの範囲内、より良好には5μm~100μmの範囲内、好ましくは10μm~50μmの範囲内、好ましくは25μm~30μmの範囲内、理想的には実質的に30μmであることが好ましい。ウェハの形の変換要素2は、半導体チップ1の放射線出口面11の少なくとも80を覆っていることが有利である。ウェハの形の変換要素2の範囲は、変換要素1の範囲に基づいて設計されていることが好ましい。変換要素2のベース領域baseareaは、半導体チップ1のベース領域と同じである、またはほぼ同じであることが好ましい。ルミネセンス材料2bは、溶融工程もしくは焼結工程またはその両方によって、マトリックス材料2aに埋め込まれていることが好ましい。例えば、ルミネセンス材料2bをマトリックス材料2aの中に懸濁させ、スクリーン印刷を行う。ルミネセンス材料をマトリックス材料に特にガラスに埋め込む方法は、例えば、特許文献6から当業者に公知であり、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。図1の例示的な実施形態による放射線放出装置を製造する方法であって、例えば、-半導体チップ1を形成するステップであって、半導体チップが活性層および放射線出口面11を備えている、半導体チップ形成ステップと、-放射線出口面11の上に変換要素2を形成するステップであって、変換要素2が、テルル含有ガラスのマトリックス材料2aと、好ましくはマトリックス材料2aに埋め込まれているルミネセンス材料2bと、を備えている、変換要素形成ステップと、を含んでいる、方法。図2の例示的な実施形態は、図1の例示的な実施形態と異なる点として、変換要素2がビーム形成要素の形をとっている。特に、変換要素2は凸レンズの形状を有する。したがって、変換要素2は、すでに一体型レンズの形をとっており、この場合にレンズは、例えば、意図的に成形することによって、または変換要素2を加熱したときのガラスの表面張力によって、形成することができる。半導体チップ1によって放出される放射線は、レンズまたはビーム形成要素として成形された変換要素2によって、意図的に導くことができる。このようにすることで、特に、半導体チップ1によって放出される放射線の放出角度を、意図的に修正する、もしくは補正する、またはその両方を行うことができる。このようにすることで、変換要素2は、特に、本部品によって放出される放射線の放出パターンおよび方向性、ならびに色位置に影響を及ぼす。特に、色位置は、変換要素2に埋め込まれているルミネセンス材料2bによって意図的に修正され、放出パターンおよび方向性は、変換要素2の形状の影響を受ける。さらには、図2の例示的な実施形態の変換要素は、図1の例示的な実施形態とは異なり、追加の要素2cを含んでおり、この要素2cも同様に変換要素2のマトリックス材料2aの中に好ましくは均一に埋め込まれて分布している。追加の要素2cは、マトリックス材料2aの屈折率を高めることが好ましい。マトリックス材料2aに加えられる、屈折率を高める要素は、例えばLa2O3である。それ以外に関しては、図2の例示的な実施形態は、図1の例示的な実施形態と実質的に同一である。図3は、半導体チップ1および変換要素2を備えた装置10の、さらなる例示的な実施形態を示している。図3の変換要素2は、図1に示した例示的な実施形態とは異なり、ポッティング化合物によって形成されており、ポッティング化合物に半導体チップ1が埋め込まれている。特に、半導体チップ1は、変換要素2によって完全に囲まれていることが有利である。固定面放射線出口面11とは反対側の半導体チップ1の面であることが好ましいのみ、変換要素2が存在していない。結果として、装置10を、例えばキャリア、回路基板、またはプリント基板PCB上に配置して電気的かつ機械的に結合することができる。図1に示した例示的な実施形態とは異なり、図3の例示的な実施形態においては、変換要素2の下流に追加の層3が配置されており、この追加の層3は、均一に埋め込まれた成分を備えていることが好ましい。追加の層3における成分の分布は、実質的に均一であることが好ましい。この成分は、放射線吸収特性を示すことが好ましい。この成分は、波長域λ≦380nmの放射線、好ましくは波長域λ≦400nmの放射線、理想的には波長域λ≦420nmの放射線を吸収することが特に好ましい。このようにすることで、放射線放出装置10の有機要素例えばプラスチックのハウジングを、短い波長の放射線、および結果としての損傷例えば変色から、保護することができる。それ以外に関しては、図3の例示的な実施形態は、図1の例示的な実施形態と実質的に同一である。図4は、放射線放出装置10のさらなる例示的な実施形態を示しており、図3に示した例示的な実施形態とは異なり、ポッティング化合物の形をとる変換要素2を備えており、さらに、ポッティング化合物はビーム形成要素の形をとっている。特に、ポッティング化合物2は、凸レンズの形状を有する。このようにすることで、半導体チップ1によって放出される放射線を、その放出パターンおよび方向性に関して意図的に修正または補正することができる。さらに、変換要素2のマトリックス材料2aには、ルミネセンス材料2bと、追加の要素2cマトリックス材料2aの屈折率を高めるが埋め込まれている。マトリックス材料2aに埋め込まれている成分は、マトリックス材料2aの中に実質的に均一に分布していることが好ましい。放射線吸収特性を示す成分を含んでいる追加の層3は、変換要素2の下流に配置されていることが好ましい。追加の層3は、ポッティング化合物の形をとることが好ましく、この場合、ポッティング化合物は、変換要素2と同様にさらなるビーム形成要素の形をとる。それ以外に関しては、図4の例示的な実施形態は、図3の例示的な実施形態と実質的に同一である。図5の例示的な実施形態においては、図3に示した例示的な実施形態とは異なり、変換要素2の上にビーム形成要素4が配置されている。したがってこの実施形態の場合、変換要素2自体はビーム形成要素の形をとらず、代わりに追加のビーム形成要素4が使用されている。ビーム形成要素4は、特に、半導体チップ1とは反対側の変換要素2の面に配置されている。したがって、ビーム形成要素4は、半導体チップ1の放射線出口面11に配置されている。ビーム形成要素4は、光学系、レンズ、カバーのうちの少なくとも1つであることが好ましい。ビーム形成要素4は、例えば変換要素2によって、半導体チップ1に接着接合することができる。この場合、変換要素2が低融点ガラスを含んでいることが好ましく、マトリックス材料2aを加熱したとき、ビーム形成要素4を変換要素2の表面形状に密着するように機械的に接合することができる。このようにすることで、半導体チップ1を、マトリックス材料2およびビーム形成要素4の表面形状に密着するように接合することができる。この実施形態の場合、変換要素2aが接着層として使用されており、したがって追加の接着層が要求されず、これは有利である。さらに、ビーム形成要素4は、例えばガラス、ガラス質セラミック、またはセラミックから作製されるマトリックス材料を備えたさらなる変換要素とすることができる。このさらなる変換要素は、半導体チップによって放出される、1つの波長の放射線を、別の波長の放射線に変換するのに適しているルミネセンス材料を備えていることができる。このようにすることで、混合放射線を放出する部品を得ることができ、この場合、混合放射線は少なくとも3つの異なる波長域、すなわち、半導体チップ1によって放出される放射線の波長域と、変換要素2によって変換された放射線の波長域と、さらなる変換要素によって変換された放射線の波長域、からなる。それ以外に関しては、図5の例示的な実施形態は、図3の例示的な実施形態と実質的に同一である。図6の例示的な実施形態においては、図1に示した例示的な実施形態とは異なり、変換要素2が多層要素の形をとっている。変換要素2は、第1の層21および第2の層22を備えていることが好ましい。第1の層21は、接着層の形をとることが好ましい。例えば、第1の層21は、ルミネセンス材料が埋め込まれていないマトリックス材料を備えている。第2の層22は、マトリックス材料2aと、その中に埋め込まれているルミネセンス材料2bとを備えていることが好ましい。これに代えて、第2の層22は、外側の変換要素例えばルミネセンス材料を有するガラス質セラミックとすることもできる。第2の層22を第1の層21によって半導体チップ1に接着接合することができる。この場合、第2の層22は低融点ガラスを含んでいることが好ましく、第2の層22を加熱したとき、第1の層21を半導体チップ1の表面形状に密着するように機械的に接合することができる。それ以外に関しては、図6の例示的な実施形態は、図1の例示的な実施形態と実質的に同一である。図7の例示的な実施形態においては、図1に示した例示的な実施形態とは異なり、変換要素2と半導体チップ1との間に間隔が配置されており、変換要素2と半導体チップ1との間に空間5が形成されている。空間5の中には、気体例えば空気が配置されていることが好ましい。半導体チップ1および変換要素2は、例えばキャリア6の上に配置されている。この場合、変換要素2は、隔置された状態で半導体チップ1を囲んでいることができる。これに代えて、半導体チップ1をハウジング図示していないの中に配置することができ、この場合、例えばハウジングの領域が変換要素2の座面bearingsurfaceの役割を果たし、このようにして、変換要素2と半導体チップ1との間の間隔を達成することができる。それ以外に関しては、図7の例示的な実施形態は、図1の例示的な実施形態と実質的に同一である。ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に制限されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。