"基板と、前記基板の上に配置される後面電極層と、前記後面電極層の上に配置される光吸収層と、前記光吸収層の上に配置される前面電極層と、を含み、前記後面電極層には一方向に延長される貫通溝が形成され、前記貫通溝は、第1領域と、前記第1領域に隣接し、切断面を含む第2領域と、を含み、前記切断面の粗さは前記第1領域の内側面の粗さより大きい太陽光発電装置。前記第1領域は、前記貫通溝の内側に延長される多数個の第1突起を含み、前記第2領域は、前記第1突起より短い多数個の第2突起を含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽光発電装置。前記切断面は前記第2突起の先端に形成されることを特徴とする請求項2に記載の太陽光発電装置。前記切断面は凹形状を有することを特徴とする請求項1に記載の太陽光発電装置。前記第1領域の内側面は凹形状を有することを特徴とする請求項1に記載の太陽光発電装置。前記第2領域の幅は前記第1領域の幅より小さいことを特徴とする請求項1に記載の太陽光発電装置。前記光吸収層は前記切断面を覆うことを特徴とする請求項1に記載の太陽光発電装置。前記後面電極層はモリブデンを含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽光発電装置。基板と、前記基板上に配置される多数個の後面電極と、前記後面電極上にそれぞれ配置される多数個の光吸収部と、前記光吸収部上にそれぞれ配置される多数個の前面電極と、を含み、前記後面電極は、側傍に延長される多数個の第1突起と、前記第1突起より短い多数個の第2突起とを含む太陽光発電装置。前記第2突起の平面積は、前記第1突起の平面積の略1~50であることを特徴とする請求項9に記載の太陽光発電装置。前記第2突起の先端に切断面が形成され、前記切断面の粗さは前記第1突起の間の側面の粗さより高いことを特徴とする請求項9に記載の太陽光発電装置。前記第1突起及び前記第2突起の下面全体は、前記基板の上面に密着することを特徴とする請求項9に記載の太陽光発電装置。前記基板はガラス基板であり、前記後面電極はモリブデンを含むことを特徴とする請求項9に記載の太陽光発電装置。基板上に後面電極層を形成するステップと、前記後面電極層をレーザーで1次パターニングするステップと、前記後面電極層を機械的方法で2次パターニングするステップと、を含む太陽光発電装置の製造方法。前記1次パターニングするステップで、前記後面電極層に一方向に延長される貫通ホールを形成し、前記2次パターニングするステップで、前記貫通ホールの内側面に機械的衝撃を加えることを特徴とする請求項14に記載の太陽光発電装置の製造方法。前記1次パターニングするステップで、前記後面電極層の一部が前記基板と離隔し、前記2次パターニングするステップで、前記基板と離隔する後面電極層の一部は除去されることを特徴とする請求項14に記載の太陽光発電装置の製造方法。前記第1次パターニングするステップで、前記後面電極層に前記基板を露出する貫通ホール、及び前記貫通ホールの内側面から内側方に突起する多数個の突起が形成され、前記2次パターニングするステップで、前記突起の一部は除去されることを特徴とする請求項14に記載の太陽光発電装置の製造方法。前記2次パターニングするステップは、前記後面電極層のうち前記基板と離隔した部分を検査するステップと、前記基板と離隔した部分を除去するステップとを含むことを特徴とする請求項14に記載の太陽光発電装置の製造方法。本発明の目的は、ショートを防止し、向上した電気的な特性を有し、高い光-電変換効率を有する太陽光発電装置及びその製造方法を提供することにある。本発明の一実施形態に係る太陽光発電装置は、基板、前記基板の上に配置される後面電極層、前記後面電極層の上に配置される光吸収層、及び前記光吸収層の上に配置される前面電極層を含み、前記後面電極層には一方向に延長される貫通溝が形成され、前記貫通溝は、第1領域と、前記第1領域に隣接し、切断面を含む第2領域とを含み、前記切断面の粗さは前記第1領域の内側面の粗さより大きい。本発明の一実施形態に係る太陽光発電装置は、基板、前記基板の上に配置される多数個の後面電極、前記後面電極の上に各々配置される光吸収部、及び前記光吸収部の上に各々配置される多数個の前面電極を含み、前記後面電極の側面は側方に延長される多数個の第1突起が配置される第1領域、及び前記第1突起より短い多数個の第2突起が配置される第2領域を含む。本発明の一実施形態に係る太陽光発電装置の製造方法は、基板の上に後面電極層を形成するステップ、前記後面電極層をレーザーを使用して1次パターニングするステップ、及び前記後面電極層を機械的な方法により2次パターニングするステップを含む。本発明による太陽光発電装置の製造方法は、レーザーで1次パターニングし、機械的な方法により2次パターニングする。1次パターニング過程で後面電極層の一部が基板から離隔される。この際、2次パターニング工程で、後面電極層のうちの基板と離隔した部分が除去される。これによって、本発明による太陽光発電装置は、後面電極層の一部が基板から離隔して形成されたバーによるショート及び漏洩電流を防止することができる。これによって、実施形態に係る太陽光発電装置は、向上した電気的な特性を有し、高い光-電変換効率を有することができる。また、本発明による太陽光発電装置は、1次パターニング工程でレーザーにより後面電極層に貫通溝が形成される。この際、前記貫通溝の内側面には内側方に突起する多数の突起が形成される。前記突起の一部は基板から離隔され、2次パターニング工程で、基板から離隔した突起が除去される。したがって、本発明の実施形態に係る太陽光発電装置は、切断面が形成された領域を含むことができ、他の突起より長さの短い突起を含むことができる。本発明を説明するに当たって、各基板、層、膜、または電極などが、各基板、層、膜、または電極などの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の構成要素を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各構成要素のサイズは説明のために誇張することがあり、実際に適用されるサイズを意味するものではない。図1乃至図9は、本発明の実施形態に係る太陽光発電装置を製造する過程を示す図である。図10は、本発明の他の実施形態に係るバー領域を示す平面図である。図11は、本発明の更に他の実施形態に係るバー領域を示す平面図である。図1を参照すると、支持基板100の上に後面電極層200が形成される。前記支持基板100は、プレート形状を有する。前記支持基板100は、絶縁体でありうる。前記支持基板100は、ガラス基板、プラスチック基板、または金属基板でありうる。より詳しくは、前記支持基板100は、ソーダライムガラスsodalimeglass基板でありうる。前記支持基板100は透明でありうる。前記支持基板100は、リジッドまたはフレキシブルである。前記後面電極層200は、前記支持基板100の上面に形成される。前記後面電極層200は、前記支持基板100の上面にモリブデンなどの金属が蒸着されて形成される。前記後面電極層200は、2つ以上の層を含むことができる。この際、各々の層は同一な金属で形成されたり、互いに異なる金属で形成される。前記後面電極層200の厚さは約500nm乃至約1000nmでありうる。前記後面電極層200は、前記支持基板100の上面の全体に均一に形成される。図2乃至図5を参照すると、前記後面電極層200は1次パターニングされる。前記後面電極層200はレーザーにより1次パターニングされる。これによって、図2に示すように、前記後面電極層200には第1方向に延長される多数個の第1貫通溝TH1が形成される。前記第1貫通溝TH1は互いに並んで延びて、互いに一定の間隔で離隔される。前記第1貫通溝TH1は、前記支持基板100の上面を露出するオープン領域である。前記第1貫通溝TH1の幅は、約80μm乃至200μmでありうる。前記後面電極210は、前記第1貫通溝TH1によって互いに離隔される。前記後面電極210はストライプ形態に配置される。これとは異なり、前記後面電極210はマトリックス形態に配置される。この際、前記第1貫通溝TH1は平面視して、格子形態に形成される。図4は、第1貫通溝TH1を拡大して示す平面図である。図5は、図4でA-A’部分を示す断面図である。図4に示すように、前記第1貫通溝の内側面には側方に突起する多数個の突起220が形成される。前記後面電極層200にレーザーが照射されて、前記第1貫通溝TH1が形成される。この際、前記レーザーは移動しながら不連続的な強さで前記後面電極層200に照射される。これによって、前記第1貫通溝TH1は多数個の円Cが重畳した形状を有する。したがって、前記突起220は円Cが重畳する部分に対応して形成される。即ち、円Cの間の領域では前記後面電極層200が除去されないで残っている。このように残っている部分が前記突起220を構成する。これによって、前記第1貫通溝TH1の内側面は凹形状曲面を含む。即ち、前記突起220の間の内側面は平面視して凹形状を有する。図4及び図5に示すように、前記後面電極層200にはバーburrBUが形成される。前記バーBUは前記後面電極層200のうち、前記支持基板100と離隔する部分である。即ち、前記第1貫通溝TH1が形成される過程で、前記バーBUが形成される。例えば、前記レーザーにより発生される高熱によって、前記後面電極層200及び前記支持基板100が互いに離隔される。即ち、前記後面電極層200及び前記支持基板100の間の熱膨張率の差によって互いに離隔される。また、前記レーザーが前記支持基板100に対して垂直に入射されず、ティルティングされて入射される場合、前記バーBUが容易に形成できる。前記バーBUは前記突起220のうちの一部に形成される。即ち、前記突起220のうちの一部は前記支持基板100から離隔される。前記第1貫通溝TH1によって、前記後面電極層200は多数個の後面電極210に区分される。即ち、前記第1貫通溝TH1は前記後面電極210を定義する。前記後面電極210は互いに離隔される。前記突起220は前記後面電極210の側面から外側に突起する。即ち、前記第1貫通溝TH1の内側面は前記後面電極210の側面と同一である。図6及び図7を参照すると、前記後面電極層200は機械的な方法により2次パターニングされる。より詳しくは、前記2次パターニング工程により前記第1貫通溝TH1の内側面に衝撃が加えられる。また、前記2次パターニング工程で前記突起220にも機械的な衝撃が加えられる。これによって、前記後面電極層200の一部が除去される。より詳しくは、前記バーBUが前記2次パターニング工程により除去できる。前記2次パターニング工程ではチップが使われる。前記チップの幅は、前記第1貫通溝TH1の幅に対応する。前記チップの幅は、前記第1貫通溝TH1の幅より小さいことがある。これとは異なり、前記チップの幅は前記第1貫通ホールTH1の幅より大きいことがある。前記チップは前記第1貫通溝TH1の内部に配置されて、前記第1貫通溝TH1に沿って移動される。これと同時に、前記チップは前記貫通溝TH1の内側面及び前記突起220に機械的な衝撃を加える。この際、前記チップは前記バーBUのみ除去できる程度の力で前記第1貫通溝TH1の内側面及び前記突起220に衝撃を加える。これによって、前記バーBUが形成された突起の一部または全部が切断され、前記第1貫通溝TH1には切断面231が形成される。前記切断面231は前記バーBUが形成された突起が切断されて形成されるため、前記切断面231はバーBUが形成されていない突起220以下、第1突起の端部221より前記第1貫通溝TH1の外側に形成される。前記切断面231は機械的な衝撃によって形成されるため、高い粗さを有することができる。即ち、前記切断面231の粗さは前記第1突起220の間の内側面より高い粗さことを有することができる。前記切断面231が形成された領域は切断領域CAと定義する。即ち、前記切断領域CAは前記切断面231を含む。前記切断領域CA以外の領域は非切断領域NCAと定義される。前記非切断領域NCAは前述した1次パターニング工程により形成された領域であり、前記切断領域CAは前記2次パターニング工程により形成された領域である。前記切断領域CAは端部が切断されて相対的に長さの短い突起230以下、第2突起を含むことができる。即ち、前記バーBUは一部の突起220の終わり部分に形成され、前記2次パターニング工程で前記バーBUが形成された突起220の終わり部分が切断されることによって、より長さの短い第2突起230が形成できる。これによって、前記第2突起230は前記第1突起220より長さが短いことがある。また、前記第2突起230の端部に前記切断面231が配置される。前記第2突起230は前記2次パターニング工程で一部が切断されて形成されるため、相対的に小さい平面積を有する。即ち、前記第2突起230は前記第1突起220より小さい平面積を有する。例えば、前記第2突起230の平面積は前記第1突起220の平面積の約1乃至約50でありうる。図6及び図7とは異なり、図10を参照すると、前記バーBUは突起の前面に形成される。これによって、前記第2次パターニング工程で突起の全体が除去できる。また、前記切断面232は平面視して直線形状を有することができる。また、図11を参照すると、前記バーBUは前記後面電極210の内側に形成される。即ち、前記切断面233は前記円Cの円周より外側に形成される。これによって、前記切断領域CAの幅W1は前記非切断領域NCAの幅W2より大きい。また、図12に示すように、前記バーBUは前記多数個の第1貫通溝TH1の一側面に全体的に形成される。これによって、前記切断面234は前記第1貫通溝TH1の片方の側面に全体的に形成される。即ち、前記第1貫通溝TH1の一側面全体は切断面が形成される切断領域CAに該当し、前記一側面に対向する前記第1貫通溝TH1の他側面全体は非切断領域NCAに該当することになる。前記バーBUが発生する領域及び/または面積は前記1次パターニング工程で使われるレーザーの強さ及び照射される面積などによって変わることができる。また、バーBUが発生する領域及び/または面積は前記支持基板100の材質及び前記後面電極層200の材質によって変わることができる。前記2次パターニング工程は、前記バーBUが発生するか否かをチェックせず、前記第1貫通溝TH1の内側面の全体に機械的な衝撃を加えて進行できる。これとは異なり、前記バーBUが発生するか否かを肉眼などでチェックし、前記バーBUが発生した部分のみに機械的な衝撃が加えられて、前記バーBUが除去できる。図8を参照すると、前記後面電極層200の上に、光吸収層300、バッファ層400、及び高抵抗バッファ層500が形成される。前記光吸収層300はスパッタリング工程または蒸発法等により形成される。例えば、前記光吸収層300を形成するために、銅、インジウム、ガリウム、セレニウムを同時または区分して蒸発させながら、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系の光吸収層300を形成する方法と、金属プリカーサ膜を形成させた後、セレン化Selenization工程により形成させる方法が幅広く使われている。金属プリカーサ膜を形成させた後、セレン化することを細分化すれば、銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程により前記後面電極200の上に金属プリカーサ膜が形成される。以後、前記金属プリカーサ膜はセレン化selenization工程により、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系の光吸収層300が形成される。これとは異なり、前記銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及び前記セレン化工程は、同時に進行できる。これとは異なり、銅ターゲット及びインジウムターゲットのみを使用したり、銅ターゲット及びガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及びセレン化工程により、CIS系またはCIG系光吸収層300が形成される。以後、硫化カドミウムがスパッタリング工程または溶液成長法chemicalbathdepositon;CBDなどにより蒸着され、前記バッファ層400が形成される。以後、前記バッファ層400の上にジンクオキサイドがスパッタリング工程などにより蒸着され、前記高抵抗バッファ層500が形成される。前記バッファ層400及び前記高抵抗バッファ層500は低い厚さで蒸着される。例えば、前記バッファ層400及び前記高抵抗バッファ層500の厚さは約1nm乃至約80nmである。前記光吸収層300はI-III-VI族系化合物を含む。例えば、前記光吸収層300は、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系結晶構造、銅-インジウム-セレナイド系、または銅-ガリウム-セレナイド系結晶構造を有することができる。前記光吸収層300のエネルギーバンドギャップbandgapは約1eV乃至1.8eVでありうる。また、前記光吸収層300は前記第2貫通溝TH2によって、多数個の光吸収部を定義する。即ち、前記光吸収層300は前記第2貫通溝TH2によって、前記光吸収部に区分される。前記バッファ層400は前記光吸収層300の上に配置される。前記バッファ層400は硫化カドミウムCdSを含み、前記バッファ層400のエネルギーバンドギャップは約2.2eV乃至2.4eVである。前記高抵抗バッファ層500は、前記バッファ層400の上に配置される。前記高抵抗バッファ層500は、不純物がドーピングされていないジンクオキサイドi-ZnOを含む。前記高抵抗バッファ層500のエネルギーバンドギャップは、約3.1eV乃至3.3eVである。以後、前記光吸収層300、前記バッファ層400、及び前記高抵抗バッファ層500の一部が除去されて第2貫通溝TH2が形成される。前記第2貫通溝TH2はチップなどの機械的な装置またはレーザー装置などによって形成される。例えば、約40μm乃至約180μmの幅を有するチップにより前記光吸収層300及び前記バッファ層400はパターニングできる。また、前記第2貫通溝TH2は約200乃至600の波長を有するレーザーにより形成される。この際、前記第2貫通溝TH2の幅は約100μm乃至約200μmでありうる。また、前記第2貫通溝TH2は前記後面電極層200の上面の一部を露出するように形成される。前記第2貫通溝TH2は前記光吸収層300を貫通する。また、前記第2貫通溝TH2は、前記後面電極層200の上面を露出するオープン領域である。前記第2貫通溝TH2は前記第1貫通溝TH1に隣接して形成される。即ち、前記第2貫通溝TH2の一部は平面視して、前記第1貫通溝TH1の傍に形成される。前記第2貫通溝TH2の幅は約80μm乃至約200μmでありうる。図9を参照すると、前記光吸収層300の上及び前記第2貫通溝TH2の内側にウィンドウ層600が形成される。即ち、前記ウィンドウ層600は、前記高抵抗バッファ層500の上及び前記第2貫通溝TH2の内側に透明な導電物質が蒸着されて形成される。この際、前記第2貫通溝TH2の内側に前記透明な導電物質が詰められ、前記第2貫通溝の内側に多数個の接続部が各々形成される。即ち、前記ウィンドウ層600は前記後面電極層200に直接接触するようになる。前記ウィンドウ層600は酸化物を含む。例えば、前記ウィンドウ層600は、ジンクオキサイドzincoxide、インジウムチンオキサイドinduimtinoxide;ITO、またはインジウムジンクオキサイドinduimzincoxide;IZOなどを含むことができる。例えば、前記ウィンドウ層600はアルミニウムがドーピングされたジンクオキサイドが蒸着されて形成される。前記ウィンドウ層600は、アルミニウムがドーピングされたジンクオキサイドを含むターゲットを使用して、スパッタリング工程により形成される。以後、前記バッファ層400、前記高抵抗バッファ層500、及び前記ウィンドウ層600の一部が除去されて第3貫通溝TH3が形成される。これによって、前記ウィンドウ層600はパターニングされて、多数個のウィンドウ及び多数個のセルC1、C2...が定義される。前記第3貫通溝TH3の幅は約80μm乃至約200μmでありうる。実施形態に係る太陽光発電装置を形成するために、前記後面電極層200はレーザーにより1次パターニングされ、機械的な方法により2次パターニングされる。この際、1次パターニング過程で前記後面電極層200の一部が基板から離隔されて前記バーBUが発生できる。この際、前記2次パターニング工程で、前記バーBUが除去される。これによって、実施形態に係る太陽光発電装置は、前記バーBUによるショート及び漏洩電流を防止することができる。即ち、前記バーBUが除去されない場合、前記光吸収層を貫通して、前記ウィンドウ層600とショートできる。本実施形態では前記バーBUが効率的に除去されるので、実施形態に係る太陽光発電装置は向上した電気的な特性を有し、高い光-電変換効率を有することができる。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。"