電気光学効果を有する基板と、前記基板に形成された2本の光導波路と、前記基板の上方に形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上方に形成された導電層と、前記導電層の上方に形成された中心導体と接地導体からなる進行波電極とを少なくとも具備する光変調器において、前記2本の光導波路と交わる方向の断面において、前記2本の光導波路に近い側の基板側壁に隣接して別体基板部が設けられており、前記別体基板部は、電気光学効果を有する別体の基板と、前記別体の基板の上方に形成された導電媒質でなる電極とで少なくとも構成され、前記別体の基板上の前記電極と当該電極に隣接する前記基板上の前記接地電極とが電気的に接続され、焦電効果に起因する温度ドリフトを抑制することを特徴とする光変調器。前記別体の基板上に形成した電極が、当該電極に隣接する前記基板上の前記接地電極の厚みよりも薄いことを特徴とする請求項1に記載の光変調器。前記別体の基板と前記基板とが密着して配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の光変調器。前記別体の基板と前記基板とが、間に前記基板の厚み以内の大きさのギャップを有して配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の光変調器。前記別体の基板と前記基板とが、相対向する基板側壁側で接着剤により固定されていることを特徴とする請求項1または2に記載の光変調器。前記別体基板部が、前記別体の基板と前記電極との間にバッファ層を、または前記別体の基板と前記電極との間に下から順にバッファ層と導電層とを具備することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の光変調器。前記基板がオプティカルグレードLN基板であるとともに、前記別体の基板がSAWグレードLN基板であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の光変調器。以上のように、従来技術ではマッハツェンダを構成する2本の光導波路のうち、片方の光導波路がLN基板の側壁に近いために、環境温度が変化した場合にマッハツェンダを構成する2本の光導波路に異なる大きさの焦電効果による電界が印加され、その結果大きな温度ドリフトが生じていた。そのため、この温度ドリフトを安価に効率良く抑圧できる光変調器構造の開発が急務となっていた。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、光変調特性が高性能であるとともに、安定性とコストについて改善された光変調器を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の請求項1に記載の光変調器は、電気光学効果を有する基板と、前記基板に形成された2本の光導波路と、前記基板の上方に形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上方に形成された導電層と、前記導電層の上方に形成された中心導体と接地導体からなる進行波電極とを少なくとも具備する光変調器において、前記2本の光導波路と交わる方向の断面において、前記2本の光導波路に近い側の基板側壁に隣接して別体基板部が設けられており、前記別体基板部は、電気光学効果を有する別体の基板と、前記別体の基板の上方に形成された導電媒質でなる電極とで少なくとも構成され、前記別体の基板上の前記電極と当該電極に隣接する前記基板上の前記接地電極とが電気的に接続され、焦電効果に起因する温度ドリフトを抑制することを特徴としている。本発明の請求項2に記載の光変調器は、請求項1に記載の光変調器において、記別体の基板上に形成した電極が、当該電極に隣接する前記基板上の前記接地電極の厚みよりも薄いことを特徴としている。本発明の請求項3に記載の光変調器は、請求項1または2に記載の光変調器において、前記別体の基板と前記基板とが密着して配置されていることを特徴としている。本発明の請求項4に記載の光変調器は、請求項1または2に記載の光変調器において、前記別体の基板と前記基板とが、間に前記基板の厚み以内の大きさのギャップを有して配置されていることを特徴としている。本発明の請求項5に記載の光変調器は、請求項1または2に記載の光変調器において、前記別体の基板と前記基板とが、相対向する基板側壁側で接着剤により固定されていることを特徴としている。本発明の請求項6に記載の光変調器は、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の光変調器において、前記別体基板部が、前記別体の基板と前記電極との間にバッファ層を、または前記別体の基板と前記電極との間に下から順にバッファ層と導電層とを具備することを特徴としている。本発明の請求項7に記載の光変調器は、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の光変調器において、前記基板がオプティカルグレードLN基板であるとともに、前記別体の基板がSAWグレードLN基板であることを特徴としている。上記のように構成することにより、LN光変調器の環境温度が変化した際に、焦電効果に起因する温度ドリフト特性を著しく改善した信頼性の高いLN光変調器を実現することが可能となる。以下、本発明の実施形態について説明するが、図5から図7に示した従来技術と同一の符号は同一機能部に対応しているため、ここでは同一の符号を持つ機能部の説明を省略する。第1の実施形態図1に本発明の第1の実施形態についてその横断面図を示す。ここで、Iは幅Wでなる別体基板部を示す領域であって、別体のz-カットLN基板1 ́、その上に形成されたSiO2バッファ層2 ́、Si導電層5 ́および導電媒質でなる電極40から構成されている6 ́は導電性接着剤であり、別体のz-カットLN基板1 ́と台座7とを接着固定している。13は接地導体4bと電極40を電気的に接続する金リボンである。なお、電極40は接地導体4bと略同厚さで構成され、接地導体の一部の機能も有している。図7と図1とを比較するとわかるように、図1の本発明の実施形態では、基板側壁50にz-カットLN基板1 ́を密接、もしくは近接させて構成している。これにより、電界11を光導波路3aと光導波路3bとにおいて均一化できている。なお、別体のz-カットLN基板1 ́の基板側壁52の近くでは焦電効果による電界12は均一となっていないが、この領域には光導波路は存在しないので問題とはならない。図2に、別体のz-カットLN基板1 ́の幅Wを変数とした場合のバイアス電圧の変化量を示す。図2からわかるように、z-カットLN基板1 ́の幅Wが大きくなると、基板側壁52近傍における焦電効果による電界12の不均一性の影響が光導波路3aに与える影響が小さくなるので、環境温度の変化に対するバイアス電圧の変化量が小さくなる。図3は、本発明を適用した実施形態についての温度ドリフトの様子を示している。なお、比較のために従来技術の特性も破線で示している。この図3から、本発明を適用することにより温度ドリフト特性が大幅に改善されていることがわかる。なお、LN基板1と1 ́との間の向かい合う基板側壁間を、例えば絶縁性接着剤を用いて固定してもよい。また当該基板側壁間にギャップを設けた近接配置としてもよく、このギャップはLN基板1の厚み以下が望ましく、好適にはLN基板1の厚みの半分以下とすればよい。また、好適な態様としては、z-カットLN基板1をオプティカルグレードLN基板で制作し、別体のLN基板1 ́をSAWグレードLN基板で制作するようにすればよい。この場合には、コストの高いオプティカルグレードの半導体ウエハ1枚から作成することができるLN基板1の数量を多くすることができ、コスト面で優れている。第2の実施形態図4に本発明の第2の実施形態についてその横断面図を示す。ここで、IIは第1の実施形態と同様に幅Wでなる別体基板部を示す領域である。第1の実施形態とは、Si導電層5 ́上の電極の厚みのみが異なっている。本実施形態では電極41の厚みを第1の実施形態の電極40よりも薄く構成しており、これにより貴金属であるAuの使用量を減らすことができるとともに、製作のコストを低減することも可能としている。各実施形態以上の説明においては、分岐光導波路の例としてマッハツェンダ光導波路を用いたが、方向性結合器などその他の分岐合波型の光導波路にも本発明を適用可能であることは言うまでもなく、本発明の技術思想は3本以上の光導波路にも適用可能である。また光導波路の形成法としてはTi熱拡散法の他に、プロトン交換法など光導波路の各種形成法を適用できるし、バッファ層としてAl2O3等のSiO2以外の各種材料も適用できる。なお、以上の説明においては説明を簡単にするために、z-カットLN基板の表面が平坦なプレーナ構造を用いて説明してきたが、本発明は光導波路近傍のz-カットLN基板の近傍を掘り込んだリッジ構造であったも適用できることは言うまでもない。また、分極反転を用いた構造においても有効である。この場合には、別体のz-カットLN基板1 ́もz-カットLN基板1と同様にその一部を分極反転して構成しておけば良い。さらに、複数のマッハツェンダ光導波路を有するDQPSKやDP-QPSKなどのネスト構造にも適用可能であることは言うまでもない。さらに、明細書中で説明した別体基板IおよびIIとz-カットLN基板1とは密着して構成していることが望ましいが、若干ならばそれらの間にギャップが空いていても良いし、互いに接着剤で固定しても良いことは言うまでもない。別体基板上にはSiO2バッファ層とSi導電層を形成するとして説明したが、SiO2バッファ層とSi導電層のどちらか一方を省略しても良いし、別体のLN基板の上に直接Ti、Auや銀ペーストなどの導電媒質あるいは導体を電極として形成しても良い。なお、一般に銀ペーストを用いると別体基板の電極銀ペーストの厚みは接地導体の厚みよりも厚くなる。また、z-カットLN基板について説明したが、x-カットやy-カットなどその他の面方位のLN基板でも良いし、リチウムタンタレート基板など異なる材料の基板でも良い。