"マイクロ波プラズマ光源と、前記マイクロ波プラズマ光源に電力供給するために配置されるマグネトロンと、前記マグネトロンに電力供給するために配置されるマグネトロンスイッチングコンバータ電力回路と、前記マグネトロンスイッチングコンバータ電力回路を制御するために配置されるマイクロプロセッサと、前記マイクロ波プラズマ光源の閉鎖されたボイド空間内の充填材中のプラズマを始動するための始動装置と、を備え、前記始動装置は、前記ボイド空間に始動電圧を印加するために配置される始動電極と、始動回路と、前記プラズマの始動を検知するための検知器と、を備え、前記始動回路は、コンデンサと、前記マグネトロンスイッチングコンバータ電力回路の切り替え点から、前記コンデンサを選択的に充電する手段と、前記コンデンサを放電する手段と、トランスと、を備え、前記トランスは、前記コンデンサからの放電電流を受取るように配置される一次巻線と、前記始動電圧を発生させるように配置される二次巻線であって、前記閉鎖されたボイド空間への始動電圧の供給のために前記始動電極に接続される前記二次巻線と、を有し、前記マイクロプロセッサは、前記検知器が、前記プラズマが始動したことを検知するまで、前記プラズマの始動のために前記コンデンサの充電を選択するように配置されることを特徴とするマグネトロンを動力源とするランプ。前記選択的に充電する手段が、通常時には前記放電手段を前記電力回路の前記切り替え点から切り離す電子スイッチであることを特徴とする、請求項1に記載のマグネトロンを動力源とするランプ。前記選択的に充電する手段が、通常時には前記放電手段を接地する電子スイッチであることを特徴とする、請求項1に記載のマグネトロンを動力源とするランプ。前記電子スイッチがトランジスタであり、前記コンデンサを放電する手段がガス放電ユニットであることを特徴とする、請求項1、請求項2、或いは請求項3に記載のマグネトロンを動力源とするランプ。前記電子スイッチがトランジスタであり、前記コンデンサを放電する手段がトリガーダイオードであることを特徴とする、請求項1、請求項2、或いは請求項3に記載のマグネトロンを動力源とするランプ。前記マイクロプロセッサが集積回路を介して、前記MSCPCを制御し、当該集積回路は帰還ループに配置され、前記MSCPCを測定する手段からの信号の、前記マグネトロンの電力を前記要求電力に制御するための前記マイクロプロセッサからの信号との比較にしたがって、制御信号をコンバータスイッチング回路に供給するように構成されていることを特徴とする、請求項1~請求項5のいずれかに記載のマグネトロンを動力源とするランプ。本発明は、MSCPCを活用する改良型のランプと、我々の第1の光源と始動装置の出願に記載されたものから改良された始動装置を提供することを目的とする。本発明によれば、マイクロ波プラズマ光源と、前記マイクロ波プラズマ光源に電力供給するために配置されるマグネトロンと、前記マグネトロンに電力供給するために配置されるマグネトロンスイッチングコンバータ電力回路と、前記マグネトロンスイッチングコンバータ電力回路を制御するために配置されるマイクロプロセッサと、前記マイクロ波プラズマ光源の閉鎖されたボイド空間内の充填材中のプラズマを始動するための始動装置と、を備え、前記始動装置は、前記ボイド空間に始動電圧を印加するために配置される始動電極と、始動回路と、前記プラズマの始動を検知するための検知器と、を備え、前記始動回路は、コンデンサと、前記マグネトロンスイッチングコンバータ電力回路の切り替え点から、前記コンデンサを選択的に充電する手段と、前記コンデンサを放電する手段と、トランスと、を備え、前記トランスは、前記コンデンサからの放電電流を受取るように配置される一次巻線と、前記始動電圧を発生させるように配置される二次巻線であって、前記閉鎖されたボイド空間への始動電圧の供給のために前記始動電極に接続される前記二次巻線と、を有し、前記マイクロプロセッサは、前記検知器が、前記プラズマが始動したことを検知するまで、前記プラズマの始動のために前記コンデンサの充電を選択するように配置されることを特徴とするマグネトロンを動力源とするランプが提供される。前記選択的充電手段は、通常時には前記放電手段を前記電力回路の前記切り替え点から切り離す電子スイッチであってもよい一方で、好適な実施例においては、前記選択的充電手段は、通常時には前記放電手段を接地する電子スイッチである。いずれの場合でも、前記スイッチの状態は始動動作のために切り換えられる。好適な実施例においてもまた、前記コンデンサを放電する前記手段はガス放電ユニットである。或いは、トリガーダイオードを用いてもよい。さらに、好適な実施例においては、前記マイクロプロセッサは集積回路を介して、前記MSCPCを制御し、当該集積回路は帰還ループに配置され、前記MSCPCを測定する手段からの信号の、前記マグネトロンの電力を前記要求電力に制御するための前記マイクロプロセッサからの信号との比較にしたがって、制御信号をコンバータスイッチング回路に供給するように構成されている。本発明の理解を手助けするために、ここで一例として、そして、図面に準拠して特定の実施例を記述する。図1を参照すると、マイクロ波によってプラズマに励起可能な材料3を包含する中央の閉鎖されたボイド空間2を有する、水晶ルツボ1を有して、前記LERランプが図示されている。前記ルツボは導波路を規定するファラデー箱4内に包み込まれ、当該導波路内でマイクロ波が共振する。整合回路導波路7から伸びる同軸接続部6を有するアンテナ5は、前記充填材に隣接する前記ルツボに到達する。前記ルツボから離れているマグネトロン8は、前記ルツボに向かっての伝送のための前記導波路内にマイクロ波を伝送するように配置される。前記ボイド空間の端部の近くに伸びているのが始動電極11であり、それに隣接して組み込まれているのが、前記プラズマが光り終えたのかどうか、及び、光を放っているところなのかどうかを検知するためのフォトダイオード12である。前記マグネトロン8用の電力供給装置21は、電圧源22とマイクロプロセッサ23に接続される。図2に示されているように、前記電力供給装置はMOSFET電界効果スイッチングトランジスタT1,T2を有する擬似共振コンバータ101を備える。これらは集積回路IC1によってスイッチングされる。インダクタンスL1とトランスTR1の一次コイルは、各前記トランジスタの接続点Cと、前記一次コイルの向かい側で各前記トランジスタの前記リモート接点に戻って接続されるコンデンサC3,C4と、に直列に接続される。これらの各インダクタンスと各コンデンサは共振周波数を有し、当該共振周波数よりも上の周波数で前記コンバータは運用され、それによって、下流のマグネトロン回路に関しては、主に誘導性回路であるように見える。前記マグネトロン回路はハーフブリッジを構成する4つのダイオードD3,D4,D5,D6と、平滑コンデンサC5,C6と、を備え、前記トランスの二次巻線に接続して、前記マグネトロン8に直流電流を与える。前記トランスの巻線比は10:1であり、それによって4000V程度の電圧が前記マグネトロンに印加され、配線105における前記補強した電源直流電圧は少なくともヨーロッパでは400Vである。各前記トランジスタの接続点Cに対し、始動回路24への入力を供給する結合コンデンサC11が接続される。トランジスタスイッチ25は、前記コンデンサC11とダイオードD1に直列である。前記スイッチがオフのとき、電流はD11には流れない。前記スイッチが切り換えられたとき、D11はCに存在する周期の一つおきの半波の間導通する。第二のダイオードD12もまた導通し、放電コンデンサC12に電流を流させる。前記放電コンデンサの両端の電圧がガス放電管GTDの絶縁破壊電圧に達するまで、前記電流は漸進的に充電する。そして、前記コンデンサはトランスTR2の一次巻線を通じて放電する。二次巻線はより回数が多く巻かれている、そして、始動電圧が始動電極11に誘起される。これは前記ファラデー箱4から切り離され、前記ルツボに隣接し、前記ボイド空間2に近づいて終了する。前記放電コンデンサが放電するたびに、前記ボイド空間はパルスを発する。前記マグネトロンは駆動され続け、前記始動装置は前記コンバータの動作の結果としてのみ動作できる。ひとたび前記ボイド空間内のプラズマが定着すると、前記始動電極11に隣接するフォトダイオード12によって、そのことは検知される。プラズマの存在は前記マイクロプロセッサに信号で伝えられ、前記マイクロプロセッサは前記トランジスタスイッチ25を開放する。完全を期すために、我々のマグネトロン用電力供給装置出願に基いた前記コンバータの動作のために、電流測定抵抗R1と、演算増幅器EA1と、関連する部品と、が示されている。さらにトランジスタスイッチ26もまた示されている。そのことを利用して、手動制御の下で、或いは、自動的のどちらかで、例えば、その磁石が低下したとき等の、限界を超えた前記マグネトロンの電流の場合に、前記マイクロプロセッサで前記電力供給装置を即座に終了することができる。実際の動作では、ランプがつかない状態で、電圧源上に示さずと前記マイクロプロセッサはオンに切り換えられる。前記マイクロプロセッサは、一つ以上の手順に従って前記ランプの電源を入れるように指示される。前記マイクロプロセッサは、前記マグネトロンに低電力を供給する前記電力供給装置と、決定された継続時間の始動パルス流を前記始動装置に供給する前記始動装置と、を制御する。前記プラズマが始動しない場合は、前記パルス流が遅延時間後に繰り返される。前記のプロセスはプラズマが発光するまで繰り返される。それが失敗するならば、オペレータは警告されるだろう。ひとたび前記プラズマが発光すると、前記マグネトロンへの電力は要求されるレベルに増大し、当該要求されるレベルは前記プラズマのルツボからの要求される光出力に相応する。次に図3の変形例に向けると、前記放電コンデンサC11と前記ガス放電管GTDの配置が置き換えられている。それらは、図2で動作するやり方に類似したやり方で動作する。前記変形例は、ダイオードD14,D15とコンデンサC14,C15を備える倍電圧ステージも包含する。適切な値のGDTを包含するこの配列で倍電圧にされた一次電圧が、前記トランスTR2に印加される。"