熱アシスト磁化反転書き込み操作を使用して書き込みが行われる磁気要素であって、第1の磁性層と第2の磁性層の間に配設された、トンネル障壁層から形成された磁気トンネル接合であって、前記第2の磁性層が第2の磁化を有し、前記第2の磁化の方向を、書き込み操作中、磁気トンネル接合が高いしきい値温度に加熱されるときに調節されることができる磁気トンネル接合と、前記磁気トンネル接合の上端部に接続された上側電流ラインと、横方向に延在し、前記磁気トンネル接合の底端部に接続されたストラップ部分とを備える磁気要素であって、前記磁気デバイスが、下側断熱層をさらに備え、前記下側断熱層が、前記ストラップ部分にほぼ平行に延在し、前記磁気トンネル接合と前記下側断熱層の間に前記ストラップ部分が位置するように配置された、磁気要素。前記上側電流ラインと前記磁気トンネル接合の間に、前記磁気トンネル接合の上端部に配置された上側断熱層をさらに備える、請求項1に記載の磁気要素。横方向断熱層をさらに備え、前記磁気トンネル接合の少なくとも一部分を横方向で埋め込む、請求項1に記載の磁気要素。前記磁気トンネル接合の前記少なくとも一部分が、前記下側磁性層、前記上側磁性層、前記トンネル障壁層、または前記層のうちの任意の層の組合せを備える、請求項3に記載の磁気要素。前記磁気トンネル接合の前記少なくとも一部分が、磁気トンネル接合全体を備える、請求項3に記載の磁気要素。前記断熱層の熱伝導率が1.0Wm-1°C-1未満である、請求項1に記載の磁気要素。前記断熱層が低誘電率材料から作られる、請求項1に記載の磁気要素。前記磁気トンネル接合が、前記上側電流ラインと前記磁気トンネル接合の間にある上側熱障壁層と、前記磁気トンネル接合と前記ストラップ部分の間にある下側熱障壁層とをさらに備える、請求項1に記載の磁気要素。前記長手方向熱障壁層の電気抵抗が、前記トンネル障壁層の電気抵抗の10分の1以下である、請求項8に記載の磁気要素。複数の磁気要素を備える磁気メモリデバイスであって、各磁気要素が、熱アシスト磁化反転書き込み操作を使用して書き込みが行われるように適合され、第1の磁性層、第2の磁性層、および前記第1の磁性層と前記第2の磁性層の間に配設された、トンネル障壁層から形成された磁気トンネル接合であって、前記第2の磁性層が第2の磁化を有し、前記第2の磁化の方向を、書き込み中、前記磁気トンネル接合が高いしきい値温度に加熱されるときに調節されることができる磁気トンネル接合と、横方向に延在し、前記磁気トンネル接合の底端部に接続されたストラップ部分と、前記ストラップ部分にほぼ平行に延在し、前記磁気トンネル接合と下側断熱層の間に前記ストラップ部分が位置するように配置された下側断熱層とを備える、磁気メモリデバイス。本発明は、従来技術の少なくともいくつかの限界を克服する磁気要素に関する。本発明によれば、熱アシスト磁化反転書き込み操作を使用して書き込みを行うことができる磁気要素が、第1の磁性層と第2の磁性層の間に配設された、トンネル障壁層から形成された磁気トンネル接合であって、第2の磁性層が第2の磁化を有し、第2の磁化の方向を、書き込み操作中、磁気トンネル接合が高いしきい値温度に加熱されるときに調節することができる磁気トンネル接合と、磁気トンネル接合の上端部に接続された上側電流ラインと、横方向に延在し、磁気トンネル接合の底端部に接続されたストラップ部分とを備え、磁気デバイスが、下側断熱層をさらに備えることができ、下側断熱層が、ストラップ部分にほぼ平行に延在し、磁気トンネル接合と下側断熱層の間にストラップ部分が位置するように配置されて、下側断熱層を備えない磁気トンネル接合に比べて、書き込み操作中の磁気トンネル接合の熱損失を低減する。一実施形態では、磁気要素は、上側電流ラインと磁気トンネル接合の間に、磁気トンネル接合の上端部に配置された上側断熱層をさらに備えることができる。別の実施形態では、磁気要素は、横方向断熱層をさらに備えることができ、磁気トンネル接合の少なくとも一部分を横方向で埋め込む。さらに別の実施形態では、磁気トンネル接合の前記少なくとも一部分が、下側磁性層、上側磁性層、トンネル障壁層、または上記層のうちの任意の層の組合せを備えることができる。さらに別の実施形態では、磁気トンネル接合の前記少なくとも一部分が、磁気トンネル接合全体を備えることができる。さらに別の実施形態では、断熱層の熱伝導率が1.0Wm-1°C-1未満であることができる。さらに別の実施形態では、断熱層が低誘電率材料からななることができる。さらに別の実施形態では、磁気トンネル接合が、上側電流ラインと磁気トンネル接合の間にある上側熱障壁層と、磁気トンネル接合とストラップ部分の間にある下側熱障壁層とをさらに備えることができる。さらに別の実施形態では、長手方向熱障壁層の電気抵抗が、トンネル障壁層の電気抵抗の10分の1以下であることができる。さらに別の実施形態では、磁気トンネル接合が、磁気トンネル接合を埋め込む電気絶縁ライナ層を備えることができる。さらに別の実施形態では、磁気要素は、選択トランジスタをさらに備えることができ、選択トランジスタは、ストラップ部分を介して磁気トンネル接合の下端部に接続され、磁気トンネル接合を高いしきい値温度に加熱するために上側電流ラインを介して前記磁気トンネル接合に加熱電流を印加するために作動させることができる。また、本発明は、複数の磁気要素を備える磁気メモリデバイスであって、1つまたは複数の電流ラインが、前記複数の磁気要素にそれらの磁気トンネル接合を介して結合され、磁気メモリデバイスが、磁気要素にそれらの選択トランジスタを介して結合された1つまたは複数の制御電流ラインをさらに備える磁気メモリデバイスに関する。本明細書で開示される磁気要素は、上側電流ラインと磁気トンネル接合の間および/またはストラップ部分と磁気トンネル接合の間で熱障壁層を使用する従来の磁気要素に比べて、より効果的に熱損失を低減することができるようにする。断熱層は、製造プロセスの複雑さを増すことなく、磁気要素の製造プロセスに容易に組み込むことができる。ここで、本発明の磁気要素およびメモリデバイスは、従来の磁気要素およびメモリデバイスで使用されるものよりも小さい加熱電流で使用することができ、それにより電流消費を低減させ、磁気要素の耐久性を改善する。本発明は、例として提示し、図面に図示される実施形態の説明を読めば、より良く理解されよう。図4に、一実施形態に従って磁気要素1が示される。上述したのと同様に、磁気要素1は、第1の磁性層21と第2の磁性層23の間に配設された、トンネル障壁層22から形成された磁気トンネル接合2を備える。第2の磁性層23は第2の磁化を有し、第2の磁化の方向は、書き込み操作中、磁気トンネル接合2が高いしきい値温度に加熱されるときに調節することができる。また、磁気要素1は、磁気トンネル接合2の上端部に接続された上側電流ライン4と、金属ストラップ部分7とを備え、金属ストラップ部分7は、第1の磁性層21および第2の磁性層23にほぼ平行に横方向に延在し、磁気トンネル接合2の底端部を、下側バイア17を介して下側電極16に接続する。図4の実施形態では、メモリセル1は、ストラップ部分7の下でストラップ部分7にほぼ平行に延在する下側断熱層28をさらに備える。この構成では、ストラップ部分7は、磁気トンネル接合2と下側断熱層28の間にあり、下側断熱層28は、ストラップ部分7の底面7’に沿ってストラップ部分7に接触している。磁気トンネル接合2を、横方向で、SiO2やTEOSなど従来の断熱材料27に埋め込むことができる。図4に示されるように、ストラップ部分7は金属バイア17を介して下側電極と電気的に接触し、したがって下側断熱層28は磁気トンネル接合2の電気経路内には設けられていない。下側断熱層28は、トンネル障壁層22と直列接続されないので、熱障壁層14、15に典型的に使用される材料よりも導電率がはるかに低い材料から形成することができる。例えば、下側断熱層28は、導電率が10-14S/cm未満であることができる。好ましくは、下側断熱層28は、熱伝導率が1.0Wm-1°C-1未満の低誘電率材料からなり、磁気要素1の製造プロセスに組み込むことができる。例えば、下側断熱層28は、熱伝導率が20°Cで約0.025Wm-1°C-1の多孔性SiO2、SiN、またはジルコニアイットリア安定化ZrO2など、低い熱伝導率を示す材料から形成することができる。また、低い熱伝導率の材料は、その非晶質高抵抗状態で低い熱伝導率を示すGST状材料であることもできる。GST状材料は、GeSbTe、SbTe、GeTe、またはAgInSbTeなど、カルコゲナイド化合物材料からなってもよい。好ましい実施形態では、下側断熱層28は、フッ素または炭素ドープ二酸化ケイ素、熱伝導率が約0.21Wm-1°C-1の水素化オキシ炭化ケイ素SiCOH、多孔性SiCOH、多孔性メチルシルセスキオキサンMSQ、多孔性ハイドロゲンシルセスキオキサンHSQ、スピンオン有機ポリマー誘電体、またはそれらのうちの任意の材料の組合せを含む低誘電率材料から作られる。ここで、表現低誘電率とは、好ましくは、誘電率が約3.9未満の任意の材料を意味する。下側断熱層28は、熱伝導率が熱障壁層14、15よりも低く、下側断熱層28に使用される材料によっては、場合により最小で約6分の1である。これは、熱障壁層14、15を使用する従来の磁気要素よりも効果的に磁気トンネル接合2の熱放散を低減できるようにする。さらに、下側断熱層28は、その配置により、金属ストラップ部分7から放散される熱を効果的に遮断することができる。金属ストラップ部分7は、その高い熱伝導率と、磁気トンネル接合2のサイズに比べて比較的大きいそのサイズとにより、大きい熱放散領域となる。下側断熱層28は、製造プロセスの複雑さを増すことなく、磁気要素1の製造プロセスに容易に組み込むことができる。図5に示される別の実施形態では、磁気要素1は、上側電流ライン4と磁気トンネル接合2の間で磁気トンネル接合2の上端部に配置され、ストラップ部分7にほぼ平行に延びる上側断熱層32をさらに備える。この構成では、上側バイア18が上側電流ライン4を磁気トンネル接合2に接続し、上側断熱層32は磁気トンネル接合2の電気経路内にない。この上側断熱層32が、磁気トンネル接合2からの熱放散をさらに低減する。あるいは、磁気要素1は、下側断熱層28を備えず、上側断熱層32のみを備えることもある。TAS書き込み操作中、下側断熱層28、および場合によっては、上側断熱層32は、加熱電流31によって発生される磁気トンネル接合2内の熱の放散を低減させる。さらに別の実施形態図示せずでは、磁気トンネル接合2は、磁気トンネル接合2の底端部および上端部に、上述した下側熱障壁層14および/または上側熱障壁層15をさらに備える。さらに別の実施形態では、磁気要素1は、横方向断熱層30をさらに備え、磁気トンネル接合2の少なくとも一部分を横方向で埋め込む。これは、例えば、従来の断熱材料27の代わりに熱伝導率が1.0Wm-1°C-1未満の材料を使用することによって実現することができる。横方向断熱層30は、低誘電率材料など、下側断熱層28および/または上側断熱層32に使用されるものと同じ材料から形成することができる。実際には、横方向断熱層30は、磁気トンネル接合2に沿って上方向および/または下方向に延在する下側断熱層28および/または上側断熱層32によって実現することができる。図4および図5の例は、従来の断熱材料27の代わりに横方向断熱層30が使用されている磁気要素1を示し、横方向断熱層30は磁気トンネル接合2全体を埋め込んでいる。この実施形態の一変形形態では、横方向断熱層30に埋め込まれる磁気トンネル接合2の部分は、下側磁性層23、上側磁性層21、トンネル障壁層22、存在する場合には下側熱障壁層14および上側熱障壁層15、またはそれらのうちの任意の層の組合せを備えることができる。磁気トンネル接合2の残りの部分を、SiO2やTEOSなど従来の断熱材料27に横方向で埋め込むことができる。さらに別の実施形態図示せずでは、磁気トンネル接合2は、薄いライナによって取り囲まれる。ライナは、典型的には、磁気トンネル接合2のエッチングレートよりも低いエッチングレートを有する材料で作られる。この構成では、ライナは、磁気トンネル接合2に沿って延在し、磁気トンネル接合2と横方向断熱障壁層30および/または従来の断熱材料27との間に配設される薄い層である。製造プロセス中、特に磁気トンネル接合2が複数のステップでエッチングされるときに、ライナの使用が有利となることがある。例えば、ライナは、磁気トンネル接合2の第1のエッチングされた部分を、第2の部分がエッチングされるときに保護することができる。さらに、横方向断熱障壁層30は、加熱電流31によって発生した熱を磁気トンネル接合2の側壁間に閉じ込めることができ、これにより熱放散をさらに低減する。さらに、横方向断熱層30の導電率はトンネル障壁層22の導電率以下でよいので、横方向断熱障壁層30は、第1の層21および第2の層23とトンネル障壁層22との間の電気容量を低減することができる。図6および7は、磁気要素1が下側断熱障壁層28を備える場合図6および図7で実線の曲線と下側断熱障壁層28を備えない場合図6および図7で破線の曲線に関してシミュレートされた温度分布を比較する。磁気トンネル接合2の直径が0.2μmであり、加熱電流31が20nsの電流パルスとして流され、20ns電流パルスの終点で温度分布が示されると仮定して計算を行った。より詳細には、図6では、磁気トンネル接合2が、符号Z2で示される区域に位置されたストラップ部分7と、区域Z4に位置され、厚さ5nmのCoFeの強磁性層および厚さ5nmのIrMnの反強磁性層を備える下側磁性層23と、界面Z4/Z5に位置され、MgOからなり、厚さが1nmであるトンネル障壁層22と、区域Z5に位置され、厚さ20nmのPtMnで作られた反強磁性基準層および厚さ5nmのCoFeで作られた強磁性基準層を備える上側磁性層21と、区域Z7に位置された上側電流ライン4とを備えると仮定して計算を行った。図6では、磁気トンネル接合2は、それぞれ区域Z3および区域Z6に位置される、熱伝導率が1.45Wm-1°C-1の下側熱障壁層15および上側熱障壁層14をさらに備える。下側断熱障壁層28が区域Z1に位置されている場合のシミュレートされた温度分布実線の曲線は、下側断熱障壁層28を備えない場合のシミュレートされた温度破線の曲線に比べて約10~20高い磁気トンネル接合2区域Z4および区域Z5内部での温度を示す。ここで、区域Z1~区域Z7は、図4に示される軸A-A’に沿ったnm単位での距離に対応し、区域の番号はA’からAに向かって増していく。このシミュレーションでは、下側断熱障壁層28の熱伝導率は0.1Wm-1°C-1と仮定した。図7では、下側熱障壁層15を備えない場合のシミュレーションを行った。この図では、磁気トンネル接合2は、区域Z3に位置された下側磁性層23と、界面Z3/Z4にあるトンネル障壁層22と、区域Z4にある上側磁性層21と、区域Z5にある上側熱障壁層14と、区域Z6に位置された上側電流ライン4とを備える。ここで、下側断熱障壁層28が区域Z1に位置されている場合のシミュレートされた温度分布実線の曲線は、下側断熱障壁層28を備えない場合のシミュレートされた温度破線の曲線に比べて約40高い磁気トンネル接合2区域Z3および区域Z4内部での温度を示す。また、下側断熱障壁層28の熱伝導率は0.1Wm-1°C-1と仮定した。したがって、図7におけるシミュレートされた温度分布は、熱障壁層14、15を備える場合よりも下側断熱障壁層28を備える場合のほうが、磁気トンネル接合2内部で良好な熱閉じ込めを実現することができることを示唆する。下側断熱障壁層28を備える場合には熱損失をより少なくすることができるので、より低い加熱電流31、したがってより低い電力消費で磁気要素1に書き込みを行うことができる。磁気メモリデバイス図示せずは、行列に配列された複数のメモリ要素1を備えることができる。各メモリ要素1は、磁気トンネル接合2に電気的に結合された選択トランジスタ3を備えることができる。磁気メモリデバイスは、行に沿って磁気要素1を接続する1つまたは複数の上側電流ライン4と、列に沿って、磁気要素1の選択トランジスタ3のゲートを介して磁気要素1に結合された1つまたは複数の制御電流ラインとをさらに備えることができる。