表側および裏側を有する基板と、前記表側の上のプログラム可能な素子と、前記プログラム可能な素子に接触する前記基板中のビアとを含む集積回路であって、前記プログラム可能な素子が、前記基板裏側から前記ビアへと選択的に加えられるプログラム刺激によってプログラムされ得る、集積回路。前記プログラム可能な素子がアンチヒューズである、請求項1に記載の集積回路。前記プログラム可能な素子がヒューズである、請求項1に記載の集積回路。前記ヒューズがポリシリコンヒューズである、請求項3に記載の集積回路。前記ヒューズが金属ヒューズである、請求項3に記載の集積回路。前記プログラム可能な素子がPROMである、請求項1に記載の集積回路。前記プログラム可能な素子がRRAMである、請求項1に記載の集積回路。前記プログラム可能な素子がMRAMである、請求項1に記載の集積回路。前記ビアへの接続を容易にするために、前記裏側の上に導電層をさらに含む、請求項1に記載の集積回路。前記導電層が銅である、請求項9に記載の集積回路。前記導電層がタングステンである、請求項9に記載の集積回路。前記導電層がアルミニウムである、請求項9に記載の集積回路。前記導電層がメタライゼーション層である、請求項9に記載の集積回路。前記基板が、ガリウムヒ素、リン化インジウム、シリコンゲルマニウム、ガリウムインジウムヒ素、シリコンオンガラス、シリコンオンサファイア、シリコンオンセラミック、ガラス、サファイア、セラミック、ビスマレイミドトリアジンBT、FR4、エポキシ、およびエポキシからなる群から選択される材料である、請求項1に記載の集積回路。前記基板がシリコンである、請求項1に記載の集積回路。前記ビアがTSVである、請求項1に記載の集積回路。携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システムPCSユニット、ポータブルデータユニット、および、固定位置のデータユニットからなる群から選択されたデバイスに組み込まれる、請求項1に記載の集積回路。表側および裏側を有する基板を設けるステップと、前記基板中にビアを形成して、前記表側のプログラム可能な素子への前記裏側からの電気接続を提供するステップとを含むプロセスによって作成される集積回路製品であって、前記プログラム可能な素子が、前記裏側から前記ビアへのプログラム刺激の印加によってプログラムされ、前記集積回路の機能を確立することができる、集積回路製品。基板を設ける前記ステップが、シリコン基板を設けるステップを含み、ビアを形成する前記ステップが、TSVを形成するステップを含む、請求項18に記載の集積回路製品。基板を設ける前記ステップが、ガリウムヒ素、リン化インジウム、シリコンゲルマニウム、ガリウムインジウムヒ素、シリコンオンガラス、シリコンオンサファイア、シリコンオンセラミック、ガラス、サファイア、セラミック、ビスマレイミドトリアジンBT、FR4、エポキシ、およびエポキシからなる群から選択される材料の基板を設けるステップを含む、請求項18に記載の集積回路製品。集積回路をカスタマイズ化するための方法であって、表側および裏側を有する基板を設けるステップと、前記基板を貫通するビアを形成して、前記表側のプログラム可能な素子への前記裏側からの電気的な接続を提供するステップと、前記裏側から前記ビアへとプログラム刺激を加えて、前記プログラム可能な素子をプログラムし、前記集積回路の機能を確立するステップとを含む、方法。前記プログラム可能な素子がヒューズである、請求項21に記載の方法。前記プログラム可能な素子がアンチヒューズである、請求項21に記載の方法。前記プログラム可能な素子がPROMである、請求項21に記載の方法。前記プログラム可能な素子がRRAMである、請求項21に記載の方法。前記プログラム可能な素子がMRAMである、請求項21に記載の方法。基板を設ける前記ステップが、シリコン基板を設けるステップを含む、請求項21に記載の方法。ビアを形成する前記ステップが、前記シリコン基板中にTSVを形成するステップを含む、請求項27に記載の方法。前記集積回路の前記機能が、前記集積回路の修復を含む、請求項21に記載の方法。前記集積回路の前記機能が、前記集積回路の構成を含む、請求項21に記載の方法。集積回路をカスタマイズ化するための方法であって、表側および裏側を有する基板を設けるステップと、前記基板を貫通するビアを形成して、前記表側のプログラム可能な素子への前記裏側からの電気的な接続を提供するステップと、前記裏側から前記導体へとプログラム刺激を加えて、前記プログラム可能な素子をプログラムし、前記集積回路を一意にするステップとを含む、方法。前記プログラム可能な素子がヒューズである、請求項31に記載の方法。前記プログラム可能な素子がアンチヒューズである、請求項31に記載の方法。前記プログラム可能な素子がPROMである、請求項31に記載の方法。前記プログラム可能な素子がRRAMである、請求項31に記載の方法。前記プログラム可能な素子がMRAMである、請求項31に記載の方法。基板を設ける前記ステップが、シリコン基板を設けるステップを含む、請求項31に記載の方法。ビアを形成する前記ステップおよび導体を形成するステップが、前記シリコン基板中にTSVを形成するステップを含む、請求項37に記載の方法。基板を設ける前記ステップが、ガリウムヒ素、リン化インジウム、シリコンゲルマニウム、ガリウムインジウムヒ素、シリコンオンガラス、シリコンオンサファイア、シリコンオンセラミック、ガラス、サファイア、セラミック、ビスマレイミドトリアジンBT、FR4、エポキシ、およびエポキシからなる群から選択される材料の基板を設けるステップを含む、請求項31に記載の方法。プログラム刺激を加えて、前記プログラム可能な素子をプログラムし、前記集積回路を一意にする前記ステップが、前記集積回路のシリアル情報を作成するステップを含む、請求項31に記載の方法。プログラム刺激を加えて、前記プログラム可能な素子をプログラムし、前記集積回路を一意にする前記ステップが、前記集積回路の識別情報を作成するステップを含む、請求項40に記載の方法。集積回路製品を作成するための方法であって、基板の表側にプログラム可能な素子を含む、集積回路素子を形成するステップと、表側から裏側へと前記基板を貫通するビアを形成して、前記裏側から前記プログラム可能な素子の少なくとも一部への導通経路を確立するステップと、前記裏側から前記ビアの少なくとも一部へとプログラム刺激を加えて、前記プログラム可能な素子の少なくとも一部をプログラムするステップとを含む、方法。前記プログラム可能な素子がヒューズである、請求項42に記載の方法。前記プログラム可能な素子がアンチヒューズである、請求項42に記載の方法。前記プログラム可能な素子がPROMである、請求項42に記載の方法。前記プログラム可能な素子がRRAMである、請求項42に記載の方法。前記プログラム可能な素子がMRAMである、請求項42に記載の方法。基板を設ける前記ステップが、ガリウムヒ素、リン化インジウム、シリコンゲルマニウム、ガリウムインジウムヒ素、シリコンオンガラス、シリコンオンサファイア、シリコンオンセラミック、ガラス、サファイア、セラミック、ビスマレイミドトリアジンBT、FR4、エポキシ、およびエポキシからなる群から選択される材料の基板を設けるステップを含む、請求項42に記載の方法。前記基板がシリコンであり、ビアを形成する前記ステップがTSVを形成するステップを含む、請求項42に記載の方法。前記ビアを形成する前記ステップが、前記基板の前記表側の中に部分的に延びるように前記ビアを形成するステップと、次いで前記基板を薄くして、前記裏側から前記ビアを露出するステップとを含む、請求項42に記載の方法。前記ビアを形成する前記ステップが、前記基板を薄くするステップと、次いで前記基板を貫通して延びるように前記ビアを形成するステップとを含む、請求項42に記載の方法。基板の表側にプログラム可能な素子を設けるための手段と、前記基板の前記表側から裏側へと延びるビアを確立するための手段であって、前記裏側から前記ビアへのプログラム刺激の印加によって、前記プログラム可能な素子がプログラムされ、前記集積回路の機能を確立するのを可能にするように、前記ビアが配置される手段とを含む、集積回路。プログラム可能な素子を設けるための前記手段が、ヒューズを形成するための手段を含む、請求項52に記載の集積回路。プログラム可能な素子を設けるための前記手段が、アンチヒューズを形成するための手段を含む、請求項52に記載の集積回路。プログラム可能な素子を設けるための前記手段が、PROMを形成するための手段を含む、請求項52に記載の集積回路。プログラム可能な素子を設けるための前記手段が、RRAMを形成するための手段を含む、請求項52に記載の集積回路。プログラム可能な素子を設けるための前記手段が、MRAMを形成するための手段を含む、請求項52に記載の集積回路。前記基板がシリコン基板であり、ビアを確立するための前記手段が、TSVを確立するための手段を含む、請求項52に記載の集積回路。前記基板が、ガリウムヒ素、リン化インジウム、シリコンゲルマニウム、ガリウムインジウムヒ素、シリコンオンガラス、シリコンオンサファイア、シリコンオンセラミック、ガラス、サファイア、セラミック、ビスマレイミドトリアジンBT、FR4、エポキシ、およびエポキシからなる群から選択される材料である、請求項52に記載の集積回路。携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システムPCSユニット、ポータブルデータユニット、および、固定位置のデータユニットからなる群から選択されたデバイスに組み込まれる、請求項52に記載の集積回路。したがって、必要とされるのは、デバイスのプログラムをそれによって実現でき、チップ上のプログラム可能な素子を信頼性をもってプログラムでき、より少数のボンディングパッドの使用を可能にする、構造および方法である。表側および裏側を伴う基板を有する、1つの集積回路の実施形態の例が開示される。ヒューズ、アンチヒューズ、PROM、RRAM、MRAMなどのような少なくとも1つのプログラム可能な素子が、表側に位置し、基板を貫通するビアが、表側のプログラム可能な素子への裏側からのアクセスを提供し、プログラム可能な素子が、裏側から導体へ選択的に印加される、電圧、電流、またはプログラム刺激によってプログラム可能である。基板はたとえば、シリコンであってよく、ビアはたとえば、TSVであってよい。集積回路をカスタマイズ化するための方法の実施形態の例は、表側および裏側を有する基板を提供することを含む。ビアは、表側のプログラム可能な素子、たとえば、ヒューズ、アンチヒューズ、PROM、RRAM、MRAMなどへの、裏側からのアクセスを提供するように、基板を貫通して形成され、プログラム刺激が、裏側から導体へと印加され、プログラム可能な素子をプログラムして、機能、たとえば、集積回路の構成または修復を確立する。基板はシリコンであってよく、ビアはTSVであってよい。集積回路をカスタマイズ化するための方法の実施形態の別の例は、表側および裏側を有する基板を提供することを含む。ビアは、表側のプログラム可能な素子、たとえば、ヒューズ、アンチヒューズ、PROM、PRAM、MRAMなどへの、裏側からのアクセスを提供するように、基板を貫通して形成される。プログラム刺激は、裏側から導体へと印加され、プログラム可能な素子をプログラムし、集積回路を一意にするunifyことができる。基板はシリコンであってよく、ビアおよび導体はTSVであってよい。集積回路は、たとえば、集積回路のシリアル情報または識別情報を作成することによって、一意にされ得る。集積回路製品を作成するための方法の実施形態の例は、基板の表側のプログラム素子、たとえば、ヒューズ、PROM、RRAM、MRAMなどを含む、集積回路素子を形成することを含む。ビアは、基板の表側から裏側へと、基板を貫通して延びるように形成される。メタライゼーションの跡metallizationtraceが、表側および裏側に形成され、ビアを通じた、表側のプログラム可能な素子の少なくとも一部への裏側からの導通経路を、確立する。プログラム刺激が、裏側のメタライゼーションの跡の少なくとも一部に印加され、表側のプログラム可能な素子の少なくとも一部をプログラムする。表側および裏側を有する基板を設けるステップと、基板中にビアを形成して、表側のプログラム可能な素子への裏側からの電気的な接続を提供するステップとを含むプロセスによって作成される、集積回路製品の例が開示される。プログラム可能な素子が、前記裏側からビアへのプログラム刺激の印加によってプログラムされ、集積回路の機能を確立できるように、ビアが配置される。集積回路の別の例は、基板の表側にプログラム可能な素子を設けるための手段と、基板の表側から裏側へ延びるビアを確立するための手段とを含む。プログラム可能な素子が、裏側からビアへのプログラム刺激の印加によってプログラムされ、前記集積回路の機能を確立できるように、ビアが配置される。図面の様々な図において、同様の参照番号は同様のまたは類似の部分を指すために用いられる。裏側のTSVによるプログラムが実現され得る集積回路構造の1つの実施形態の例10が図1に示されており、ここで図1を参照する。例示的な実施形態10はスルーシリコンビア、すなわちTSVに関して説明されるが、例をシリコン基板またはTSVに限定することは意図されず、他の半導体プロセス、材料などによって同様にかつ有利に実施され得ることに留意されたい。たとえば、基板14は、ガリウムヒ素、リン化インジウム、シリコンゲルマニウム、ガリウムインジウムヒ素、シリコンオンガラスsilicononglass、シリコンオンサファイアsilicononsapphire、シリコンオンセラミックsilicononceramic、ガラス、サファイア、セラミック、ラミネート、ビスマレイミドトリアジンBT、FR4、エポキシ、エポキシ混合物などのような、任意の適切な基板材料であってよい。加えて、TSVは例示される実施形態で説明されるが、基板材料と適合する任意の適切なビアが使われ得る。例または例示的なという語は、事例、例示、特質、または他の特性であることを意味するために使われる。本明細書で例または例示的として説明されるいかなる実施形態も、必ずしも他の実施形態よりも好ましいまたは有利であると解釈すべきではない。図1に示される実施形態10は、半導体基板14の切断面部分を示し、半導体基板14は、たとえば、貫通するスルーシリコンビアすなわちTSV16および18を有するシリコンであってよい。各TSVは、基板14の表側22と裏側24との間に延びるそれぞれの基板スルーホールの中に形成された、通常1Ω未満の低い抵抗を有し高い電圧および電流の搬送能力を有する、タングステン、アルミニウム、銅などのような導体を含む。TSVはまた、ポリシリコン導体によって構築されてもよい。TSVは、電気的な導通経路が確立され得る任意の位置に、形成され得る。たとえば、以下でより詳細に説明されるように、TSV16および18は、電気的な導通経路が、基板14の裏側24から基板14の表側22上のプログラム可能な素子20へと確立されるのを可能にするように、形成される。表側および裏側という用語は、実際の面の向きもしくは方向、または実際の基板の側を必ずしも指すものではなく、単に、図面に描かれた面または側を識別するものであることに留意されたい。本明細書での表側という用語は、トランジスタ、能動デバイスおよび受動デバイス、金属階層のCuまたはAlの水平方向の相互接続などの加工のような、標準的なデバイスプロセスのステップを受ける、ウェハの側を指す。本明細書での裏側という用語は、表側と反対の側を指す。TSVの形成に使われる多くの手法がある。1つの手法では、TSVは、他のプロセス、たとえば、能動デバイスの加工およびメタライゼーションプロセスの前に、基板を貫通するように形成される。この手法によれば、ビアは、表側から基板へと部分的にのみ貫通するように形成される。その後、基板は裏側から薄くされ、またはラッピングされ、ビアが露出される。別の手法によれば、能動デバイスが加工され、他のバックエンドプロセスまたはボンディングプロセスが完了した後に、ビアが形成される。たとえば、この手法では、ビアは、ウェハが薄くされた後で、ウェハの裏側から形成される。さらに別の手法によれば、TSVは、トランジスタが加工された後、かつ、配線または相互接続が加工される前に、形成される。したがって、トランジスタおよび他のデバイスが基板上に形成された後に、TSVは、基板を部分的に貫通して形成され得る。そして、薄型化プロセスを実行して、ウェハの裏側からTSVを露出し、TSVの構築を完了することができる。ウェハのプロセスの間には、TSVが形成され得る可能性のある時間が多数あるが、最終的な結果は、TSVがウェハの裏側からアクセス可能になるというものであり、本明細書で説明される実施形態によれば、どのTSV加工の手法が採用されるかについて、他の制限は存在しないことを理解されたい。少なくとも1つのプログラム可能な素子またはデバイス20が、基板14の表側に形成される。たとえば、プログラム可能な素子20は、ヒューズ、アンチヒューズ、プログラム可能読取り専用メモリPROM、抵抗ランダムアクセスメモリRRAM、磁気ランダムアクセスメモリMRAMなどであってよい。この実施形態で考慮されるプログラム可能な素子20は、基板14に形成される集積回路の構造、機能、または構成に影響を与えるタイプの素子、または、シリアル番号による指定、基板の積層体中での3Dレベルの識別などによって、基板自体を一意にするタイプの素子であることに留意されたい。プログラム可能な素子が、自身の属する集積回路の通常の動作の一部としてプログラム可能なタイプの素子であることは、意図されない。たとえば、機能の例は、より高価な部分のための回路のブロックを有効にすること、より低価な部分のための回路のブロックを無効にすること、より性能が良好なまたは劣った部分を作ること、世界の異なる地域に対する異なる機能、たとえば、規制の要件に適合するための機能を提供することなどを含み得る。基板14の表側の面22上の導電性のコンタクトまたはパッド26および28は、1つの側でプログラム可能な素子20へと接続され、他の側でそれぞれのTSV16および18へ接続される。パッド26および28は、メタライゼーションの跡の一部、たとえば、基板14に形成された、アルミニウム、銅、タングステンなどの第1階層の金属M1の一部であってよい。当然、パッド26および28は、他のメタライゼーションの層のプロセスの間に形成されてもよい。同様の方式で、基板14の裏側の面24上の平らな導電性コンタクトまたはパッド30および32は、それぞれのTSV16および18に接続し、ビアおよび表側のプログラム可能な素子へのプログラムのための接触を確立するのを支援する。パッド30および32は、基板14上に形成されたドープされたポリシリコンなどのような、メタライゼーションの跡または他の導体の一部であってもよい。いくつかの実施形態では、平らな導電性コンタクトまたはパッド30および32は、必ずしも利用されなくてもよく、代わりに、プログラムのための接触が、たとえば、基板14の裏側からのプローブまたは釘によって、TSVへと直接行われてもよい。所望される場合、プログラム可能な素子20は、電圧、電流、または他のプログラム刺激源34からのプログラム刺激を、たとえば導電性のプローブまたはコンタクト36および38により裏側のパッド30および32へと印加することによって、プログラムされる。TSVが露出されるところまでプロセスが進行している限り、プログラム可能な素子20がいつプログラムされ得るかについては、基本的には制限はない。たとえば、素子は、個々のチップまたはダイが切断される前に、組み立ての前のチップまたはダイの段階の間に、または、裏側のTSVパッドが導電性のプローブまたはコンタクト36および38へアクセス可能なままである場合には組み立て段階の後に、プログラムされ得る。当然、TSVは、たとえば、インターポーザー、別のチップ階層からの中間の配線、パッケージピン、パッケージ基板、または他の手段を通じて、間接的にアクセスされてもよい。単一のプログラム可能な素子20のみが図1に示されているが、通常の構成可能な集積回路製品は、数十または数百のプログラム可能な素子を有し得ることを理解されたい。実際には、本明細書で説明される実施形態の利点の1つは、基本的に基板14の裏側のどこにでも配置できるTSVによって、ほとんど任意の数のプログラム可能な素子を利用でき、その数を限定するのは、プログラム可能な素子を収容するのに利用可能な基板14の表側のスペースしかないということである。さらに、TSVは裏側からアクセス可能なので、表側のボンディングパッドの数を減らせる可能性があり、これは、チップまたはダイのサイズの低減につながり得る。加えて、一部のプログラム可能なデバイスは、禁止領域一般に回路の配置が許されないTSVの周りの領域において配置が許されることがあり、領域の影響をさらに減らし、最後の集積回路のサイズを低減する。したがって、本明細書で説明される1つの実施形態によれば、ヒューズ、アンチヒューズ、PROM、RRAM、MRAMなどのようなプログラム可能なデバイスは、スルーシリコンビアTSVを用いてウェハの裏側からアクセスされる。示されるように、TSVへの接触は、導電性の釘への直接の接触であってよく、または、より広い接触面積のために、ウェハの裏側の、銅、アルミニウム、タングステン、または他の導電性材料のパッドを用いていてよい。TSVは、プログラム可能な回路構成のために従来使われてきた、表側の入力/出力I/Oパッドと比較して、電圧および電流の搬送能力が大きい。これによって、従来の使用に制約があったデバイスとは異なるタイプのプログラム可能なデバイスを、使用できるようになる。表側のI/Oパッドが減り、または必要なくなることで、数桁多いプログラム可能な素子が存在し得る。TSVの配置は、I/Oの配置よりも柔軟であり、回路素子へのより容易なアクセスが可能になる。TSVは、ダイの中のほとんど任意の位置に配置することができ、すべての回路およびブロックへの有用なアクセスを可能にする。機能の構成のための、TSVを用いた裏側からのプログラムの使用を通じて、多くのタイプの修正を、事前に加工された集積回路に対して行うことができる。TSVによってプログラム可能であることで、たとえば、様々な積層されたコンポーネントとともに使用するのを可能にするようにマザーダイをプログラムすることによって、個々のTSVの使用法を、製品のカスタマイズ化またはマザーダイ上への様々なコンポーネントの積層に対応するように変えることが可能になる。裏側のTSVコンタクトを使って、ヒューズまたは基板中の他のプログラム可能な素子にアクセスして、修復または冗長性を実現し、機能を有効または無効にし、製品のシリアル化を実現し、積層の選択を有効にすることなどができる。多くの例の1つとして、このことは、複数のDRAMサプライヤのサポートを可能にする。裏側のTSVコンタクトは、専用sacrificialであり得ること、すなわち、プログラムのためのみに使われるものであり得ることに留意されたい。あるいは、裏側のTSVコンタクトを使って、積層された製品の中のTSVの機能を決定してもよい。さらに、TSVおよびその関連する禁止領域は、I/Oパッドよりも小さい。このTSV手法を用いて集積回路をカスタマイズ化するための方法100の実施形態が図2に示されており、ここで図2が追加で参照される。この方法は、表側および裏側を有する基板を設けるステップ102を含む。ビアは、基板を貫通して形成され、基板の前記表側のプログラム可能な素子、たとえば、ヒューズ、アンチヒューズ、PROM、RRAM、MRAMなどへ接触するための、基板の裏側からのアクセスを提供する104。電圧または電流のようなプログラム刺激が、基板の裏側から導体へ印加され、プログラム可能な素子をプログラムして、集積回路の機能、シリアル化、または一意化を確立する106。機能はまた、たとえば、集積回路の修復を含み得る。集積回路を作成するための実施形態150が図3に示されており、ここで図3が追加で参照される。方法150は、基板の表側にプログラム可能な素子を含む、集積回路素子を形成するステップを含む。ビアTSVであってよいは、基板の表側から基板の裏側へ、基板を貫通して延びるように形成される152。メタライゼーションの跡が、基板の裏側に形成され、基板の裏側から少なくともプログラム可能な素子への、ビアを通じた導電経路を確立する154。プログラム刺激は、裏側のメタライゼーションの跡の少なくとも一部に印加され、プログラム可能な素子の少なくとも一部をプログラムする160。矢印155によって示されるように、プロセスに応じて、基板は、ビアが形成される前または後に、薄くされ得る156。たとえば、いくつかのプロセスでは、ビアは、基板の中に部分的にのみ延びるように形成されてよく、その後、裏側から基板が薄くされ、ビアが露出される。他のプロセスでは、基板はまず薄くされてよく、その後、基板を完全に貫通するように延びるビアを構築して、裏側からアクセス可能にする。次に付加的に参照する図4は、本明細書で説明するタイプの集積回路のある実施形態が有利に利用され得る、例示的なワイヤレス通信システム200を示す。例示のために、図4は、遠隔ユニット220、222および224ならびに2つの基地局228を示している。一般的なワイヤレス通信システムは、当然、より多くの遠隔ユニットおよび基地局を有し得る。遠隔ユニット220、222および224ならびに基地局228はいずれも、本明細書で説明するタイプの集積回路を含み得る。図4は、基地局228から遠隔ユニット220、222、および224への順方向リンク信号230、ならびに遠隔ユニット220、222、および224から基地局228への逆方向リンク信号232を示す。図4では、遠隔ユニット220は携帯電話として示され、遠隔ユニット222はポータブルコンピュータとして示され、遠隔ユニット224は、たとえば住宅229または他の構造物におけるワイヤレスローカルループシステム内の固定位置の遠隔ユニットとして示されている。たとえば、遠隔ユニットは、セルフォン、ハンドヘルドパーソナル通信システムPCSユニット、携帯情報端末などのポータブルデータユニット、または、メータ読取り機器などの固定位置のデータユニットでもよい。図4は、本明細書で説明するタイプの集積回路を含み得るいくつかの例示的な遠隔ユニットを示すが、集積回路はこれらの例示的な図示の遠隔ユニットに限定されるものではない。1つまたは複数の本明細書で説明するタイプの集積回路が、任意の電子デバイス内で適切に使用され得る。たとえば、電子デバイスはまた、図4における囲い240で示されるように、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ポータブルデータユニット、固定位置のデータユニットなどであってもよい。他の適切な電子デバイスは、多種多様である。電気的な接続、結合、および接続が、様々なデバイスまたは素子に関して説明されてきた。接続および結合は、直接的でも間接的でもよい。第1の電子デバイスと第2の電子デバイスの間の接続は、直接的な電気接続であってもよく、または間接的な電気接続であってもよい。間接的な電気接続は、第1の電子デバイスから第2の電子デバイスへの信号を処理できる、介在する素子を含み得る。本発明は、ある程度の具体性を伴って説明され例示されたが、本開示は単に例示として行われ、部分の組合せおよび配置に対する多くの変更が、以下で特許請求されるような本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、講じられてもよいことを理解されたい。