"銅-インジウム、銅-ガリウム、又は、銅-インジウム-ガリウムのいずれか一つからなる積層膜が形成された複数の基板を収納する処理室と、前記処理室を構成するように形成される反応管と、前記処理室にセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを導入するガス供給管と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気管と、前記反応管を囲うように設けられた加熱部と、を具備し、前記反応管の基材は、金属材料で形成される基板処理装置。請求項1において、前記反応管の前記処理室側の表面のうち、少なくとも前記セレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスに曝される表面は、前記金属材料よりも前記セレン元素含ガスに対する腐食耐性、又は、前記硫黄元素含有ガスに対する腐食耐性が高い材料により形成されるコーティング膜を有する基板処理装置。請求項2において、前記コーティング膜は、セラミックスを主成分とするコーティング膜、或いは、炭素を主成分とするコーティング膜である基板処理装置。請求項2において、前記コーティング膜は、ポーラス状の膜である基板処理装置。銅-インジウム、銅-ガリウム、又は、銅-インジウム-ガリウムのいずれか一つからなる積層膜が形成された複数の基板を金属材料でその基材が構成された反応管の内部に構成される処理室に収納する搬入工程と、前記処理室を加熱すると共に前記処理室にセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを導入し、前記複数の基板をセレン化、又は、硫化する処理工程と、前記処理室内のセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを排気した後、前記複数の基板を搬出する搬出工程と、を有する太陽電池の製造方法。特許文献1にも記載されるように、セレン化を行う基板処理装置では、石英製のチャンバー炉体を用いている。しかしながら、石英製のチャンバーは、その加工が難しいため製造コストが高い上、長期間の納期を有するという問題がある。また、非常に割れやすいため、その取り扱いが難しい。特に、CIS太陽電池では、その基板が非常に大きい特許文献1では300mm×1200mmため、炉体自体を大きくしなければならず、上述の問題点がより顕著となる。そこで、本発明の目的は、石英製のチャンバーと比較して、加工が容易な炉体を有する基板処理装置を提供することにある。また、石英製のチャンバーと比較して、取り扱いが容易なチャンバーを提供することにある。本発明の一態様によれば、銅-インジウム、銅-ガリウム、又は、銅-インジウム-ガリウムのいずれか一つからなる積層膜が形成された複数の基板を収納する処理室と、前記処理室を構成するように形成される反応管と、前記処理室にセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを導入するガス供給管と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気管と、前記反応管を囲うように設けられた加熱部とを具備し、前記反応管の基材は、金属材料で形成される基板処理装置が提供される。本発明の他の一態様によれば、銅-インジウム、銅-ガリウム、又は、銅-インジウム-ガリウムのいずれか一つからなる積層膜が形成された複数の基板を金属材料でその基材が構成された反応管の内部に構成される処理室に収納する搬入工程と、前記処理室を加熱すると共に前記処理室にセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを導入し、前記複数の基板をセレン化、又は、硫化する処理工程と、前記処理室内のセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを排気した後、前記複数の基板を搬出する搬出工程とを有する基板の製造方法、又は、CIS系太陽電池の製造方法が提供される。石英製のチャンバーと比較して、加工が容易な炉体が実現できる。また、石英製のチャンバーと比較して、取り扱いが容易な炉体が実現できる。<第1の実施形態>以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。図1は、本発明に係るセレン化処理を行う基板処理装置に組み込まれる処理炉10の側面断面図を示している。また、図2は、図1の紙面左側から見た処理炉の断面図を示している。処理炉10は、ステンレス等の金属材料で形成される炉体としての反応管100を有する。反応管100は、中空の円筒形状をしており、その一端が閉塞し、他端が開口する構造を有する。反応管100の中空部分により、処理室30が形成される。反応管100の開口側には、反応管100と同心円上に、その両端が開口した円筒形状のマニホールド120が設けられる。反応管100とマニホールド120との間には、シール部材としてのOリング図示せずが設けられている。マニホールド120の反応管100が設けられない開口部には、可動性のシールキャップ110が設けられる。シールキャップ110は、ステンレス等の金属材料で形成され、マニホールド120の開口部に、その一部が挿入される凸型形状をしている。可動性のシールキャップ110とマニホールド120との間には、シール部材としてのOリング図示せずが設けられ、処理を行う際には、シールキャップ110が反応管100の開口側を気密に閉塞する。反応管100の内部には、銅Cu、インジウムIn、ガリウムGaを含有する積層膜が形成された複数のガラス基板例えば、30~40枚を保持するカセット410を載置するためのインナーウォール400が設けられる。インナーウォール400は、図3に示されるように、その一端が反応管100の内周面に固定されると共に、反応管100の中心部にカセット410が設置台420を介して載置されるように構成される。インナーウォール400は、カセット410を挟むように一対の部材がその両端で繋がるように構成され、その強度を高くしている。カセット410は、図1に示されるように、ガラス基板20の両端に、複数のガラス基板20を立てた状態で横方向に並んで保持可能な保持部材を有する。また、両端の保持部材をその下面側に設けられた一対の固定棒にて固定するようにし、複数のガラス基板の下端の側面部は反応室内に露出するようになっている。なお、カセット410の両端を固定する固定棒を、両端の保持部材の上端側にも設け、カセット410の強度を高めても良い。また、反応管100を囲うように一端が閉塞し、他端が開口する中空の円筒形状をした炉体加熱部200が設けられる。また、シールキャップ110の反応管100と反対側の側面には、キャップ加熱部210が設けられる。この炉体加熱部200とキャップ加熱部210により処理室30内が加熱される。なお、炉体加熱部200は、図示しない固定部により反応管100に固定され、キャップ加熱部210は、図示しない固定部によりシールキャップ110に固定される。また、シールキャップ110やマニホールド120には、耐熱性の低いOリングを保護するため図示しない水冷との冷却手段が設けられる。マニホールド120には、セレン元素含有ガスセレン化源としての水素化セレン以下、H2Seを供給するためのガス供給管300が設けられる。ガス供給管300から供給されたH2Seは、ガス供給管300からマニホールド120とシールキャップ110との間の間隙を介して処理室30へ供給される。また、ガス供給管300の反対側のマニホールド120には、排気管310が設けられる。処理室30内の雰囲気は、マニホールド120とシールキャップ110との間の間隙を介して排気管310より排気される。なお、上述の冷却手段により冷却される箇所は、150°C以下まで冷却すると、その部分に未反応のセレンが凝縮してしまうため、150°Cから170°C程度に温度制御すると良い。ここで、本発明の反応管100は、ステンレス等の金属材料で形成されている。ステンレス等の金属材料は、石英と比較して加工が容易である。よって、CIS系太陽電池のセレン化処理を行う基板処理装置に用いられるような大型の反応管100を容易に製造することが可能となる。従って、反応管100内に収納できるガラス基板の数を多くすることができ、CIS系太陽電池の製造コストを下げることができる。更に、本実施形態では、反応管100の少なくとも処理室30内の雰囲気に曝される表面は、図3で示されるように、反応管100の基材101となるステンレス等の金属材料の上に、ステンレス等の金属材料と比較してセレン化耐性の高いコーティング膜が形成される。広く用いられるステンレス等の金属材料は、H2Se等のガスが200°C以上に加熱されると、非常に高い反応性により腐食してしまうが、本実施形態のようにセレン化耐性の高いコーティング膜を形成することにより、H2Se等のガスによる腐食を抑制できため、広く用いられるステンレス等の金属材料を用いることができ、基板処理装置の製造コストを下げることが可能となる。なお、このセレン化耐性の高いコーティング膜としては、セラミックを主成分とするコーティング膜、例えば、酸化クロムCrxOy:x,yは1以上の任意数、アルミナAlxOy:x,yは1以上の任意数、シリカSixOy:x,yは1以上の任意数の夫々単独あるいは混合物、又は、炭素を主成分とするコーティング膜、例えば、炭化珪素SiC、ダイヤモンドライクカーボンDLCが挙げられる。また、本実施形態のコーティング膜102は、ポーラス状の膜で形成している。これにより、反応管100のステンレス等の金属材料で形成される基材101とコーティング膜102との線膨張係数の違いによる熱膨張収縮に柔軟に追従することが可能となる。その結果、熱処理を繰り返し行ったとしても、コーティング膜への亀裂の発生が最小限に抑えることができる。なお、コーティング膜は、2~200μm、望ましくは50~120μmの厚さで形成するのが望ましい。また、基材101とコーティング膜102との線膨張係数の偏差が20以下、望ましくは、5以下とするのが望ましい。また、シールキャップ110、マニホールド120、ガス供給管300、及び、排気管310も同様にセレン化源に曝される部分を上述のコーティング膜を形成しても良い。但し、Oリング等を保護するために冷却手段により200°C以下に冷却されている部分は、ステンレス等の金属材料がセレン化源と接触しても反応しないためコーティングしなくとも良い。次に、本実施形態の処理炉を用いて行う、CIS系太陽電池の製造方法の一部である基板の製造方法について説明する。まず、銅Cu、インジウムIn、ガリウムGaを含有する積層膜が形成された30枚から40枚のガラス基板をカセット410内に準備し、可動性のシールキャップ110をマニホールド120から外した状態で、カセット410を処理室30内に搬入する搬入工程。カセットの搬入は、例えば、図示しない搬入出装置のアームによりカセット下部を支持し、持ち上げた状態で、カセット410を処理室30内に移動し、所定の位置に到達した後、当該アームを下方に移動させカセット410を設置台420に載置することにより行われる。その後、処理室30内を窒素ガス等の不活性ガスで置換する置換工程。不活性ガスで処理室30内の雰囲気を置換した後、常温の状態で、不活性ガスにて1~20望ましくは、2~10に希釈したH2Seガス等のセレン化源をガス供給管300から導入する。次に、上記セレン化源を封じ込めた状態、若しくは、排気管310から一定量排気することにより上記セレン化源が一定量フローした状態で、400~550°C、望ましくは450°C~550°Cまで、毎分3~15°Cで昇温する。所定温度まで昇温した後、10~180分間、望ましくは、20~120分間保持することにより、セレン化処理が行われ、CIS系太陽電池の光吸収層が形成される形成工程。その後、ガス供給管300から不活性ガスを導入し、処理室30内の雰囲気を置換し、また、所定温度まで降温する降温工程。所定温度まで降温した後、シールキャップ110を移動させることにより、処理室30を開口し、図示しない搬入出装置のアームにてカセット410を搬出する搬出工程ことにより一連の処理が終了する。ステンレスSUS304の基材の上に、本発明のコーティング膜を形成し、加速試験として実際に行われるセレン化処理よりも高い650°Cでセレン化処理を10回行った後のコーティング膜表面のSEM写真を図4に示す。上述のように熱処理を繰り返したことによる数μm~数十μmの微小亀裂が発生していることが分かるが、外観上は全く剥がれるような兆候はなくコーティング膜として十分機能していることがわかる。さらにコーティング膜のセレン化耐性の寿命を調べるため、セレン化処理を繰り返した際の界面およびコーティング膜中に蓄積あるいは酸化膜からセレン化膜に変化した際のSe量を評価した。図5は、セレン化処理サイクル数と界面およびコーティング膜中に蓄積あるいは酸化膜からセレン化膜に変化した際のSe量を比較した図を示す。上記図4で説明したように、SUS304の上に形成したコーティング膜でも微小亀裂は発生すものの全く剥がれる兆候は見られなかったが、図5においても450°Cにおいて1000回まで処理を行ったが全く剥がれの兆候は見えなかった。界面のSeは飽和傾向を示しこれ以上セレン化処理を行っても増加の程度は僅かになると推定される。年間の稼働率を考慮すれば、図5のAでは1000回の結果は、量産における約1年間セレン化処理を行った場合の結果に相当する。ここでは1000回までしか検証出来なかったが、これから処理回数を増やしてもコーティングの状態に変動が見られないことから、原理的には何倍も寿命があると推定できる。<第2の実施形態>次に、図1及び図2に示される処理炉10の他の実施形態を図6を用いて説明する。図6では、図1及び図2と同一の機能を有する部材には同一番号を付してある。また、ここでは、第1の実施形態と相違する点について主に説明する。図6に示す第2の実施形態では、複数のガラス基板20を保持するカセット410を一つのみ載置した第1の実施形態と異なり、複数のカセット410ここでは、3つを複数のガラス基板の表面と平行な方向に並べて配置している点が異なる。本発明では、従来の石英製の反応管を用いるのではなく、ステンレス等の金属材料を反応管100の基材として用いている。従って、反応管100を大型化したとしても、石英製と比較してその成型が容易であり、また、そのコストの増加も石英製と比較して小さい。そのため、一度の処理できるガラス基板20の数を多くすることができ、CIS系太陽電池の製造コストを下げることができる。また、ステンレス等の金属材料を反応管の基材として使用することにより、石英製の反応管と比較して、その取り扱いも容易であり、反応管を大型化をすることができる。第1の実施形態及び第2の実施形態における本発明では、以下に記す効果のうち少なくとも一つを実現できる。1反応管100の基材101にステンレス等の金属材料を用いることにより、反応管100の大型化が容易となり、一度に処理できる基板の数を多くすることができる。2上記1において、反応管100の基材101の上に、セレン化耐性の高いコーティング膜102を形成することにより、腐食性の高いセレン源を用いる処理を行うことができ、CIS系太陽電池の製造コストを下げることができる。3上記2において、コーティング膜102をポーラス状に形成することにより、基材101とコーティング膜102の線膨張係数の違いに起因するコーティング膜の剥がれを抑制できる。4上記2において、コーティング膜102と基材101との線膨張係数の偏差を20以下、望ましくは、5以下にすることにより、メンテナンス周期を大きくすることが可能となる。5上記1から4のいずれかひとつにおいて、反応管100内には、複数のガラス基板20を保持するカセット410をガラス基板20の表面と平行な方向に並んで複数は位置することにより、一度に処理できるガラス基板の数を多くすることができ、CIS系太陽電池の製造コストを小さくすることができる。以上、本発明の実施形態を図面を用いて説明してきたが、本発明の趣旨を逸脱しない限り、様々な変更が可能である。例えば、上述の実施形態では、銅Cu、インジウムIn、ガリウムGaが形成された複数のガラス基板をセレン化処理することで説明したが、これに限らず、銅Cu/インジウムInや銅Cu/ガリウムGa等が形成された複数のガラス基板をセレン化処理するようにしてもよい。また、本実施形態では、金属材料との反応性の高いセレン化について言及したが、CIS系太陽電池では、セレン化処理に変えて、若しくは、セレン化処理の後に硫黄元素含有ガスを供給し硫化処理を行う場合もある。その際も、本実施形態の大型反応炉を用いることにより、一度に硫化処理をできる枚数を増やすことができるため、製造コストの低下を実現できる。最後に本発明の好ましい主な態様を以下に付記する。1銅-インジウム、銅-ガリウム、又は、銅-インジウム-ガリウムのいずれか一つからなる積層膜が形成された複数の基板を収納する処理室と、前記処理室を構成するように形成される反応管と、前記処理室にセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを導入するガス供給管と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気管と、前記反応管を囲うように設けられた加熱部とを具備し、前記反応管の基材は、金属材料で形成される基板処理装置。2上記1において、前記反応管の前記処理室側の表面のうち、少なくとも前記セレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスに曝される表面は、前記金属材料よりも前記セレン元素含ガスに対する腐食耐性、又は、前記硫黄元素含有ガスに対する腐食耐性が高い材料により形成されるコーティング膜を有する基板処理装置。3上記2において、前記コーティング膜は、セラミックスを主成分とするコーティング膜、或いは、炭素を主成分とするコーティング膜である基板処理装置。5上記2乃至4の何れか一つにおいて、前記コーティング膜は、ポーラス状の膜である基板処理装置。6上記2乃至5の何れか一つにおいて、前記コーティング膜は、前記反応管の基材の金属材料との線膨張係数の偏差が20以下である基板処理装置。7上記6において、前記コーティング膜は、前記反応管の基材の金属材料との線膨張係数の偏差が5以下である基板処理装置。8上記1から7の何れか一つにおいて、前記反応管の基材の金属材料は、ステンレスである基板処理装置。9上記1から8の何れか一つにおいて、前記カセットは、前記複数の基板の表面と平行方向に複数配置される基板処理装置。10銅-インジウム、銅-ガリウム、又は、銅-インジウム-ガリウムのいずれか一つからなる積層膜が形成された複数の基板を金属材料でその基材が構成された反応管の内部に構成される処理室に収納する搬入工程と、前記処理室を加熱すると共に前記処理室にセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを導入し、前記複数の基板をセレン化、又は、硫化する処理工程と、前記処理室内のセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを排気した後、前記複数の基板を搬出する搬出工程とを有する基板の製造方法、又は、CIS系太陽電池の製造方法。"