第1集積回路と、第1の面に位置し、前記第1集積回路と電気的に接続された第1電極及び第2電極と、を有する半導体基板の前記第1の面の上方に、樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の前記第1の面側の面とは反対側の第2の面に、前記第1電極と接続する第1配線と、前記第2電極と接続する第2配線とを形成する工程と、前記樹脂層の上方において、前記第1配線と第1振動子の第3の面に位置する第3電極と電気的に接続する工程と、前記樹脂層を分割せずに、前記半導体基板を分割し、第1半導体基板と、第2半導体基板と、を形成する工程と、前記第1半導体基板と前記第2半導体基板の間の領域とオーバーラップする部分の前記樹脂層を屈曲させ、第1構造体を形成する工程と、第4の面に第3配線を有する配線基板を準備する工程と、前記第1構造体の前記第2半導体基板の前記第1の面とは反対側の面を接続面とし、前記第1構造体を、前記配線基板の前記第4の面に搭載する工程と、前記第2配線と前記第3配線とをワイヤーボンディングによって接続する工程と、を含み、前記第1半導体基板の前記第1の面には、前記第1集積回路と、前記第1電極と、前記第1配線と、前記第2電極と、前記第2配線の一部が位置し、前記第2半導体基板の前記第1の面には、前記第1半導体基板側から延びる前記第2配線の一部が位置するセンサーモジュールの製造方法。請求項1において、前記第1構造体を形成する工程は、前記第1振動子の前記第3の面と、前記配線基板の前記第4の面との成す角度が、直角となるように前記樹脂層を屈曲させるセンサーモジュールの製造方法。請求項1において、少なくとも2つの前記第1構造体を形成する工程を更に含み、前記第1構造体を前記配線基板に搭載する工程の前に、2つの前記第1構造体を、それぞれの前記第1振動子の前記第3の面の成す角度が、直角となるように、2つの前記第1構造体が配置された第2構造体を形成する工程を更に含み、前記配線基板に搭載する工程において、前記配線基板の前記第4の面には、前記第1構造体に代わり、前記第2構造体が搭載される、センサーモジュールの製造方法。請求項3において、前記第2構造体を形成する工程は、2つの前記第1構造体の前記第1半導体基板の前記第1の面とは反対側の第5の面に、接着シートを貼り付けることによって、2つの前記第1構造体を前記接着シートに固定する工程と、2つの前記第1構造体を、それぞれの前記第1振動子の前記第3の面の成す角度が、直角となるように、前記接着シートを屈曲させる工程と、を含む、センサーモジュールの製造方法。請求項3または4において、前記半導体基板は、複数のチップ領域を有する半導体ウエハーであり、前記チップ領域には、前記第1集積回路が形成され、前記第2構造体は、前記半導体ウエハーの複数の前記チップ領域のうち、隣り合う2つの前記チップ領域から形成される、センサーモジュールの製造方法。請求項1から5のいずれか1項において、前記配線基板に前記第1構造体を搭載する工程の前に、前記配線基板の前記第4の面に、支持基板を搭載する工程を更に含み、前記配線基板に前記第1構造体を搭載する工程においては、前記第1構造体の前記第1半導体基板は、前記第1の面と前記第4の面とを連続する第5の面を接続面として、前記支持基板の上に搭載される、センサーモジュールの製造方法。請求項6において、前記支持基板は第3半導体基板であって、前記第3半導体基板は、第2集積回路と、前記第2集積回路と電気的に接続された第2振動子と、を含み、前記第2振動子の主面と、前記第2構造体の前記第1振動子の前記第3の面との成す角度は、直角である、センサーモジュールの製造方法。請求項1から7のいずれか1項において、前記樹脂層を形成する工程は、前記樹脂層を屈曲させて前記第1構造体を形成する工程において屈曲する前記樹脂層の第1部分の膜厚が、屈曲しない前記樹脂層の第2部分の膜厚よりも厚くなるように形成する工程を含む、センサーモジュールの製造方法。第1集積回路と、第1の面に位置し前記集積回路と電気的に接続された第1電極及び第2電極と、を有する第1半導体基板と、前記第1の面との成す角度が直角となるように配置された第2の面を有する第2半導体基板と、前記第1半導体基板の前記第1の面の上方に位置する第1樹脂層と、前記第2半導体基板の前記第2の面の上方に位置する第2樹脂層と、前記第1樹脂層と前記第2樹脂層とを連続する第3樹脂層と、を有する樹脂層と、前記第1樹脂層の前記第1の面側の面とは反対側の第3の面の上に位置し、前記第1電極と接続する第1配線と、前記第1樹脂層の前記第3の面の上方において、前記第1配線と電気的に接続する第1振動子と、前記第2電極と接続する第1の部分と、前記第1の部分から、前記第3樹脂層の上を介して、前記第2樹脂層の前記第2の面側の面とは反対側の第4の面の上まで延びるように位置する第2の部分と、を有する第2配線と、を含む第1構造体と、前記第1構造体の前記第2半導体基板の前記第2の面とは反対側の面が接続する第5の面と、前記第5の面に位置する第3配線と、を有する配線基板と、前記第2配線の前記第2の部分と、前記第3の配線とを接続する導電性ワイヤーと、を有し、前記第1振動子の主面と、前記配線基板の前記第5の面との成す角度が、直角となる、センサーモジュール。請求項9において、前記配線基板の前記第5の面には、隣り合う2つの前記第1構造体が位置し、2つの前記第1構造体は、それぞれの前記第1振動子の主面同士の成す角度が、直角となるように、配置される、センサーモジュール。請求項9または10において、前記配線基板の前記第5の面には、支持基板が位置し、前記第1構造体の前記第1半導体基板は、前記第1の面と、前記第1の面とは反対側の第6の面と、を連続する第7の面を接続面として、前記支持基板の上に位置する、センサーモジュール。請求項11において、前記支持基板は、第3半導体基板であって、前記第3半導体基板は、第2集積回路と、前記第2集積回路と電気的に接続された第2振動子と、を含み、前記第2振動子の主面と、前記第1構造体の前記第1振動子の前記主面との成す角度は、直角である、センサーモジュール。本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、小型化が可能で、互いに交差する面の間でワイヤーボンディングを行う必要がないセンサーモジュールの製造方法、及び小型化が可能で、電気的信頼性が高いセンサーモジュールを提供することができる。1本形態に係るセンサーモジュールの製造方法は、第1集積回路と、第1の面に位置し、前記第1集積回路と電気的に接続された第1電極及び第2電極と、を有する半導体基板の前記第1の面の上方に、樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の前記第1の面側の面とは反対側の第2の面に、前記第1電極と接続する第1配線と、前記第2電極と接続する第2配線とを形成する工程と、前記樹脂層の上方において、前記第1配線と第1振動子の第3の面に位置する第3電極と電気的に接続する工程と、前記樹脂層を分割せずに、前記半導体基板を分割し、第1半導体基板と、第2半導体基板と、を形成する工程と、前記第1半導体基板と前記第2半導体基板の間の領域とオーバーラップする部分の前記樹脂層を屈曲させ、第1構造体を形成する工程と、第4の面に第3配線を有する配線基板を準備する工程と、前記第1構造体の前記第2半導体基板の前記第1の面とは反対側の面を接続面とし、前記第1構造体を、前記配線基板の前記第4の面に搭載する工程と、前記第2配線と前記第3配線とをワイヤーボンディングによって接続する工程と、を含み、前記第1半導体基板の前記第1の面には、前記第1集積回路と、前記第1電極と、前記第1配線と、前記第2電極と、前記第2配線の一部が位置し、前記第2半導体基板の前記第1の面には、前記第1半導体基板側から延びる前記第2配線の一部が位置する。本形態によれば、センサーモジュールの設置面または基準面に対して水平方向の物理量を検出することができるセンサーモジュールであって、小型化が可能で、互いに交差する面の間でワイヤーボンディングを行う必要がないセンサーモジュールの製造方法を提供することができる。なお、本形態に係る記載では、~の上という文言を、例えば、特定のもの以下Aというの上に他の特定のもの以下Bというを形成する等と用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、A上に直接Bを形成するような場合と、A上に他のものを介してBを形成するような場合とが含まれるものとして、~の上という文言を用いている。同様に、~の下という文言は、A下に直接Bを形成するような場合と、A下に他のものを介してBを形成するような場合とが含まれるものとする。2本形態に係るセンサーモジュールの製造方法において、前記第1構造体を形成する工程は、前記第1振動子の前記第3の面と、前記配線基板の前記第4の面との成す角度が、直角となるように前記樹脂層を屈曲させてもよい。3本形態に係るセンサーモジュールの製造方法において、少なくとも2つの前記第1構造体を形成する工程を更に含み、前記第1構造体を前記配線基板に搭載する工程の前に、2つの前記第1構造体を、それぞれの前記第1振動子の前記第3の面の成す角度が、直角となるように、2つの前記第1構造体が配置された第2構造体を形成する工程を更に含み、前記配線基板に搭載する工程において、前記配線基板の前記第4の面には、前記第1構造体に代わり、前記第2構造体が搭載されてもよい。これによれば、センサーモジュールの設置面または基準面に対して水平方向であって、互いに直交する2方向の物理量を検出することができるセンサーモジュールであって、小型化が可能で、互いに直交した面と面との間でワイヤーボンディングを行う必要がないセンサーモジュールの製造方法を提供することができる。4本形態に係るセンサーモジュールの製造方法において、前記第2構造体を形成する工程は、2つの前記第1構造体の前記第1半導体基板の前記第1の面とは反対側の第5の面に、接着シートを貼り付けることによって、2つの前記第1構造体を前記接着シートに固定する工程と、2つの前記第1構造体を、それぞれの前記第1振動子の前記第3の面の成す角度が、直角となるように、前記接着シートを屈曲させる工程と、を含んでいてもよい。これによれば、センサーモジュールの設置面または基準面に対して水平方向であって、互いに直交する2方向の物理量を検出することができるセンサーモジュールを、より簡便に製造することができる製造方法を提供することができる。5本形態に係るセンサーモジュールの製造方法において、前記半導体基板は、複数のチップ領域を有する半導体ウエハーであり、前記チップ領域には、前記第1集積回路が形成され、前記第2構造体は、前記半導体ウエハーの複数の前記チップ領域のうち、隣り合う2つの前記チップ領域から形成されてもよい。これによれば、センサーモジュールの設置面または基準面に対して水平方向であって、互いに直交する2方向の物理量を検出することができるセンサーモジュールを、より簡便に製造することができる製造方法を提供することができる。6本形態に係るセンサーモジュールの製造方法において、前記配線基板に前記第1構造体を搭載する工程の前に、前記配線基板の前記第4の面に、支持基板を搭載する工程を更に含み、前記配線基板に前記第1構造体を搭載する工程においては、前記第1構造体の前記第1半導体基板は、前記第1の面と前記第4の面とを連続する第5の面を接続面として、前記支持基板の上に搭載されてもよい。7本形態に係るセンサーモジュールの製造方法において、前記支持基板は第3半導体基板であって、前記第3半導体基板は、第2集積回路と、前記第2集積回路と電気的に接続された第2振動子と、を含み、前記第2振動子の主面と、前記第2構造体の前記第1振動子の前記第3の面との成す角度は、直角であってもよい。これによれば、センサーモジュールの設置面または基準面に対して水平方向であって、互いに直交する2方向と、設置面に対して垂直な方向の物理量を検出することができるセンサーモジュールであって、小型化が可能で、互いに直交した面と面との間でワイヤーボンディングを行う必要がないセンサーモジュールの製造方法を提供することができる。8本形態に係るセンサーモジュールの製造方法において、前記樹脂層を形成する工程は、前記樹脂層を屈曲させて前記第1構造体を形成する工程において屈曲する前記樹脂層の第1部分の膜厚が、屈曲しない前記樹脂層の第2部分の膜厚よりも厚くなるように形成する工程を含んでいてもよい。これによれば、半導体基板の分割工程をより安定的に行うことができ、かつ、第1半導体基板と第2半導体基板との接続部分の強度を向上させることができるセンサーモジュールの製造方法を提供することができる。9本形態に係るセンサーモジュールは、第1集積回路と、第1の面に位置し前記集積回路と電気的に接続された第1電極及び第2電極と、を有する第1半導体基板と、前記第1の面との成す角度が直角となるように配置された第2の面を有する第2半導体基板と、前記第1半導体基板の前記第1の面の上方に位置する第1樹脂層と、前記第2半導体基板の前記第2の面の上方に位置する第2樹脂層と、前記第1樹脂層と前記第2樹脂層とを連続する第3樹脂層と、を有する樹脂層と、前記第1樹脂層の前記第1の面側の面とは反対側の第3の面の上に位置し、前記第1電極と接続する第1配線と、前記第1樹脂層の前記第3の面の上方において、前記第1配線と電気的に接続する第1振動子と、前記第2電極と接続する第1の部分と、前記第1の部分から、前記第3樹脂層の上を介して、前記第2樹脂層の前記第2の面側の面とは反対側の第4の面の上まで延びるように位置する第2の部分と、を有する第2配線と、を含む第1構造体と、前記第1構造体の前記第2半導体基板の前記第2の面とは反対側の面が接続する第5の面と、前記第5の面に位置する第3配線と、を有する配線基板と、前記第2配線の前記第2の部分と、前記第3の配線とを接続する導電性ワイヤーと、を有し、前記第1振動子の主面と、前記配線基板の前記第5の面との成す角度が、直角となる。本形態によれば、センサーモジュールの設置面または基準面に対して水平方向の物理量を検出することができるセンサーモジュールであって、小型化が可能で、互いに直交した面と面との間でワイヤーボンディングを行う必要がないために電気的接続信頼性が向上したセンサーモジュールを提供することができる。10本形態に係るセンサーモジュールにおいて、前記配線基板の前記第5の面には、隣り合う2つの前記第1構造体が位置し、2つの前記第1構造体は、それぞれの前記第1振動子の主面同士の成す角度が、直角となるように、配置されていてもよい。これによれば、センサーモジュールの設置面または基準面に対して水平方向であって、互いに直交する2方向の物理量を検出することができるセンサーモジュールであって、小型化が可能で、互いに直交した面と面との間でワイヤーボンディングを行う必要がないために電気的接続信頼性が向上したセンサーモジュールを提供することができる。11本形態に係るセンサーモジュールにおいて、前記配線基板の前記第5の面には、支持基板が位置し、前記第1構造体の前記第1半導体基板は、前記第1の面と、前記第1の面とは反対側の第6の面と、を連続する第7の面を接続面として、前記支持基板の上に位置していてもよい。12本形態に係るセンサーモジュールにおいて、前記支持基板は、第3半導体基板であって、前記第3半導体基板は、第2集積回路と、前記第2集積回路と電気的に接続された第2振動子と、を含み、前記第2振動子の主面と、前記第1構造体の前記第1振動子の前記主面との成す角度は、直角であってもよい。これによれば、センサーモジュールの設置面または基準面に対して水平方向であって、互いに直交する2方向と、該設置面に対して垂直な方向の物理量を検出することができるセンサーモジュールであって、小型化が可能で、互いに直交した面と面との間でワイヤーボンディングを行う必要がないために電気的接続信頼性が向上したセンサーモジュールを提供することができる。以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。1.第1実施形態1.1センサーモジュールまず、第1実施形態に係るセンサーモジュール100について、図面を参照しながら説明する。図1は、センサーモジュール100の要部を模式的に示す断面図である。図2は、センサーモジュール100の要部である第1構造体70、支持基板80及び配線基板90のみを模式的に示す斜視図である。図3は、第1構造体70、支持基板80及び配線基板90のみを模式的に示す断面図であり、図2のIII-III線おける断面図に対応している。なお、図1~図3においては、便宜的に一部を省略及び簡略化してある。センサーモジュール100は、図1に示すように、パッケージ1と、蓋体リッド2と、接合部材3と、パッケージ1内に収容され、振動子60を備えた第1構造体70センサーデバイス70と、支持基板80と、配線基板90を有する。以下の説明では、図1及び図2に示すように、センサーモジュール100200が設置される空間をX0-Y0-Z0空間とする。言い換えれば、センサーモジュール100200の設置面または、センサーモジュール100200におけるセンシング方向を決定する際の基準面を、X0-Y0平面とする。パッケージ1は、図1に示すように、開口部1b内に、第1構造体70、支持基板80、及び配線基板90を収容することができる。パッケージ1の材質は、例えば、セラミックスである。パッケージ1は、開口部1b内に、実装面1aを有する。実装面1aには、第1構造体70及び支持基板80を上方Z0軸方向に実装した配線基板90が実装される。実装面1aは、X0-Y0平面と平行な平坦面であって、開口部1bの底面を構成している。パッケージ1は、図1に示すように、外面側に設けられた複数の外部端子4と、内面側に設けられた複数の内部電極5を有する。外部端子4は、外部の部材に実装される場合に用いられる。内部電極5は、図1に示すように、実装面1aに設けられ、配線基板90と電気的に接続する場合に用いられる。ここで、内部電極5は、図示しない内部配線によって、外部端子4と接続される。図1に示すように、配線基板90は、例えば、導電性を有する接合部材95を介して内部電極5に固定されていてもよい。これにより、外部端子4と配線基板90とが互いに電気的に接続される。配線基板90は、第1構造体70及び支持基板80が搭載される主面90a最も広い面積を有する面を有する。配線基板90は、主面90aが、実装面1aと略平行となるように、固定される。したがって、配線基板90の主面90aは、X0-Y0平面設置面または基準面と略平行な平坦面であることができる。配線基板90は、図3に示すように、接続用端子91第3配線91を有する。接続用端子91は、配線基板90の主面90aに位置する。接続用端子91は、図示されない内部配線によって、接合部材95と電気的に接続される。これによって、接続用端子91は、外部端子4と電気的に接続される。配線基板90の材質は、特に限定されず、例えば、ガラス基板、プラスチック基板、セラミックス基板などから適宜採用される。図1及び図2に示すように、支持基板80は、配線基板90の主面90aに搭載される。支持基板80は、図1及び図2に示すように、配線基板90側の面とは反対側の面である主面80aを有する。したがって、支持基板80の主面80aは、X0-Y0平面設置面または基準面と略平行な平坦面であることができる。支持基板80は、図3に示すように、その周縁部分が、後述される第1構造体70の第1半導体基板11と、配線基板90の主面90aとの間の隙間を充填することができる部材基板である。支持基板90の材質は、特に限定されず、例えば、半導体基板、ガラス基板、樹脂製の基板などから形成することができる。蓋体2は、図1に示すように、接合部材3を介してパッケージ1の上面1cに接合される。蓋体2は、例えばシーム溶接によって、溶接されていてもよい。蓋体2の材質は、例えば、コバール鉄、ニッケル及びコバルトの合金などの金属である。接合部材3は、パッケージ1の開口部1bの周囲に位置する上面1cZ方向側の面に形成されている。接合部材3は、図1に示すように、開口部1bを取り囲んで形成されている。接合部材3の材質は、例えば、低融点ガラス、または金とゲルマニウムとの合金などの金属シムリングである。パッケージ1は、図示はされない貫通孔を有する。該貫通孔によって、パッケージ1と、蓋体2と、によって区画される空間であるキャビティー内を脱気することができる。蓋体2を接合した後、該貫通孔より脱気し、該貫通孔を塞ぐことで、上記キャビティー内を、減圧空間、より好ましくは真空にすることができる。図1~図3に示すように、配線基板90の主面90aに、センサーデバイスである第1構造体70と、支持基板80とが搭載される。ここで、配線基板90と、支持基板80とを含む構造体を第2構造体170と称する。第1構造体70は、図2及び図3に示すように、第1電極14及び第2電極15を有する第1半導体基板11と、第2半導体基板12と、第1半導体基板11の上方に位置する第1樹脂層21と、第2半導体基板12の上方に位置する第2樹脂層22と、第1樹脂層21と第2樹脂層22とを連続する第3樹脂層23と、を有する樹脂層20と、第1樹脂層21の上に位置し、第1電極14と接続する第1配線31と、第1樹脂層21の上方において、第1配線31と電気的に接続する第1振動子60と、第2電極15と接続する第1の部分32aと、第1の部分32aから、第3樹脂層23の上を介して、第2樹脂層21の上まで延びるように位置する第2の部分32bと、を有する第2配線32と、を含む。図1~図3に示すように、第1半導体基板11は、第1集積回路18と、能動面11aに位置し集積回路18と電気的に接続された第1電極14及び第2電極15と、を有する。第1半導体基板11は、2つの主面最も広い面積を有する面を有する。一方の主面は、集積回路18が形成され、振動子60等が上方に設けられる能動面11aであり、他方は、集積回路が形成されない非能動面11bである。ここで、能動面11aと、非能動面11bと、を連続する面を側面11cとする。第1半導体基板11は、公知の半導体基板からなり、例えば、シリコン基板である。また、能動面11aに設けられる集積回路18の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスター等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサー等の受動素子を含んでもよい。集積回路18は、第1振動子60と電気的に接続されている。集積回路18は、第1振動子60を駆動振動させるための駆動回路と、角速度が加わったときに第1振動子60に生じる検出振動を検出する検出回路と、を有することができる。図1及び図3に示すように、第1半導体基板11は、側面11cを接続面として、支持基板80の上に位置する。これにより、第1半導体基板11の能動面11a及び非能動面11bは、X0-Y0平面設置面または基準面に対して、直交する面であることができる。このとき、図2に示すように、設置面である側面11cが延びる方向をX1軸方向とし、設置面でない側面11cが延びる方向をY1軸方向とする。また、X1-Y1平面と略平行な能動面11a及び非能動面11bに垂直な方向をZ1軸方向とする。ここで、図2に示すように、X1軸方向は、X0-Y0-Z0空間におけるX1軸方向であり、Y1軸方向は、Z0軸方向である。図3に示すように、第1半導体基板11は、能動面11aに位置し、集積回路18と電気的に接続された第1電極14及び第2電極15と、を有する。図3に示すように、第1電極14は、第1配線31と接続し、第2電極15は、第2配線32と接続する。第1電極14及び第2電極15の材質は、導電性を有する限り、特に限定されない。例えば、第1電極14及び第2電極15は、アルミニウムAl又は銅Cu等の金属で形成されていてもよい。第1電極14及び第2電極15は、単層の導電層であってもよいし、アルミニウム等の金属拡散を防止するチタンTi又はチタンタングステンTiWなどの金属で形成されるバリア層を含む、複数の導電層の積層体であってもよい。図3に示すように、能動面11aの上には、第1絶縁層16が位置する。第1絶縁層16はパッシベーション膜であってもよい。第1の面11上で、絶縁層16は、第1電極14及び第2電極15の少なくとも一部を露出させるように形成される。つまりは、絶縁層16は、第1電極14及び第2電極15の上にそれぞれ位置する開口部16aを有する。第1絶縁層16の材質は、電気的絶縁性を有する限り、特に限定されない。例えば、第1絶縁層16は、SiO2やSiN等の無機絶縁層であってもよい。あるいは、第1絶縁層16は、ポリイミド樹脂等の有機絶縁層であってもよい。図3に示すように、能動面11aの上方第1絶縁層16の上には、第1樹脂層21樹脂層20が位置する。図3に示すように、第1樹脂層21は、第1電極14及び第2電極15の少なくとも一部を避けて設けられ、能動面11a第1絶縁層16側の面とは反対側の上面21aを有する。第1樹脂層21は、応力緩和機能を有する樹脂から形成される。第1樹脂層21は、例えば、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテンBCB;benzocyclobutene、ポリベンゾオキサゾールPBO;polybenzoxazole等で形成されていてもよい。図3に示すように、能動面11a第1絶縁層16の上方および第1樹脂層21の上面21aの上には、第1配線31が位置し、第1配線31は、第1電極14と接続する。第1配線31は、再配置配線であり、所望の配線パターンを有する。具体的には、図3に示すように、第1配線31は、第1樹脂層21の上に形成された部分であって、後述される外部接続端子50が設けられるランド部と、ランド部から第1電極14まで延びるライン部と、を有する。第1配線31は、構造及び材質は、導電性を有する限り特に限定されず、単層の導電層であってもよいし、複数の導電層の積層体であってもよい。第1配線31は、例えば、銅Cu、チタンTi、チタンタングステンTiW及びクロムCrのいずれか1つを含む単層体であってもよい。又は、第1配線31は、銅Cu、チタンTi、チタンタングステンTiW及びクロムCrの少なくとも1つを含む導電層と、金Au、ニッケルNiのいずれか1つを含む導電層の積層体であってもよい図示せず。図3に示すように、能動面11a第1絶縁層16の上方には、第2配線32が位置する。第2配線32は、再配置配線であり、所望の配線パターンを有する。具体的には、第2配線32は、第2電極15と接続する第1の部分32aと、第1の部分32aから、後述される第3樹脂層23の上を介して、後述される第2樹脂層22の上方まで延びるように位置する第2の部分32bと、を有する。第2配線32の構造及び材質は、導電性を有する限り特に限定されず、例えば、第1配線と同じであってもよい。また、ここで、第1配線31の配線パターンと第2配線32の配線パターンからなる配線パターンを、配線パターン30と称してもよい。図3に示すように、第1半導体基板11の能動面11a側には、第1振動子60が実装される。具体的には、第1樹脂層21の上面21aの上方において、第1配線31と電気的に接続する。これによれば、第1振動子60に対する外部からの衝撃や応力を第1樹脂層21が緩和することができるため、センサーモジュール100の信頼性を向上させることができる。第1振動子60は、図3に示すように、2つの主面を有する。一方の主面60bは、第1半導体基板11側の面であって、引き出し電極67が設けられている。他方の主面60aは、主面60bとは反対側の面である。ここで、図3に示すように、第1振動子60の主面60aと、配線基板90の主面90aとの成す角度θ1が、直角となるように、第1振動子60は配置される。なお、直角とは90°であることが望ましいが、数度の誤差を含んでもよい。ここで、第1振動子60は、その主面60aは、能動面11aと略平行となるように配置されてもよい。第1振動子60は、第1配線31と電気的に接続する方法は特に限定されない。例えば、第1樹脂層21の上の第1配線31において、外部接続端子50を介して電気的に接続されていてもよい。具体的には、第1振動子60の検出電極、駆動電極から引き出された接続電極である引き出し電極67と外部接続端子50とを接続することで、第1振動子60は、第1半導体基板11に電気的及び機械的に接続してもよい実装してもよい。外部接続端子50の構成及び材質は、導電性を有し、第1振動子60と接合し、固定することができる限り、特に限定されない。例えば、外部接続端子50は、例えば、図3に示すように、第1配線31の上に形成されたスタッドバンプ50aと、スタッドバンプ50aと、ロウ材などからなるハンダボール50bから構成されていてもよい。また、図3に示すように、能動面11a第1絶縁層16の上方には、レジスト層40が形成されてもよい。レジスト層40は、第1配線31の少なくとも一部を覆っている。レジスト層40は、第1配線31に外部接続端子50が形成される部分に開口を有する。第1配線31をレジスト層40で覆うことで、第1配線31の酸化、腐食を防止し、電気的な不良を防止することができる。レジスト層40の材質は、絶縁性を有し、第1配線31の一部を封止できる限り、特に限定されない。例えば、レジスト層40は、公知の樹脂であってもよい。また、例えば、レジスト層40は、公知のソルダーレジストであってもよい。具体的には、レジスト層40は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテンBCB;benzocyclobutene、ポリベンゾオキサゾールPBO;polybenzoxazole、フェノール樹脂等の樹脂で形成されていてもよい。次に、以下において、本実施形態における第1振動子60の構成及びその動作の一例を、図面を参照して説明する。図4は、第1振動子60を説明するための平面図である。図5A及び図5Bは、第1振動子60の動作を説明するための平面図である。第1振動子60は、図3に示すように、外部接続端子50によって、第1半導体基板11の上方に支持されている。第1振動子60の材質は、例えば、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなどの圧電材料である。第1振動子60を有するセンサーモジュール100は、物理量に応じて第1振動子60の周波数が変動することを利用して、その物理量を検出するセンサーである。より具体的には、センサーモジュール100は、加速度によって発生する応力、角速度によって発生するコリオリ力などを、検出するジャイロセンサーである。このようなジャイロセンサーに使用される第1振動子ジャイロスコープ60の態様としては、いわゆるダブルT型振動子、音叉型振動子、AT振動子、ウォーク型振動子などを例示することができる。以下、第1振動子60を、いわゆるダブルT型のジャイロスコープとして説明する。第1振動子60は、図4に示すように、基体62と、基体62から延出された振動腕と、を有することができる。振動腕は、複数設けられ、検出用振動腕64と、駆動用振動腕66と、に区別されることができる。基体62は、基部61と、連結腕63と、を有する。基部61は、外部接続端子50と接続されていることができる。連結腕63は、1対設けられており、基部61からY1軸に沿って両側へY1方向と-Y1方向とに向かって延出している。検出用振動腕64は、1対設けられており、基部61からX1軸に沿って両側へX1方向と-X1方向とに向かって延出している。検出用振動腕64の表面には、検出電極図示せずが形成されている。検出用振動腕64の先端部64a、64bは、検出用振動腕64の他の部分に比べて幅が広い形状であることができる。先端部64a、64bによって、角速度の検出感度を向上させることができる。検出用振動腕64によって、角速度を検出する検出振動系が構成されている。駆動用振動腕66は、1対の連結腕63の各々からX1軸に沿って両側へX1方向と-X1方向とに向かって延出している。駆動用振動腕66の表面には、駆動電極図示せずが形成されている。駆動用振動腕66の先端部66a、66bは、駆動用振動腕66の他の部分に比べて幅が広い形状であることができる。先端部66a、66bによって、角速度の検出感度を向上させることができる。連結腕63と駆動用振動腕66とによって、第1振動子60を駆動する駆動振動系が構成されている。図5Aに示すように、第1振動子60は、角速度が加わらない状態において、駆動用振動腕66が矢印Aに示す方向に屈曲振動を行う。このとき、Y1方向側に位置する1対の駆動用振動腕66cと、-Y1方向側に位置する1対の駆動用振動腕66dとは、第1振動子60の重心Gを通るX1方向に延びる線図示せず関して線対称の振動を行っているため、基部61、連結腕63及び検出用振動腕64は、ほとんど振動しない。この駆動振動を行っている状態で、第1振動子60にZ1軸周りの角速度ωが加わると、図5Bに示すような振動を行う。すなわち、駆動振動系を構成する駆動用振動腕66及び連結腕63に矢印B方向のコリオリの力が働き、新たな振動が励起される。この矢印B方向の振動は、重心Gに対して周方向の振動である。また同時に、検出用振動腕66は、矢印Bの振動に呼応して、矢印C方向の検出振動が励起される。そして、この振動により発生した圧電材料の歪みを、検出用振動腕64に形成した検出電極が検出して角速度が求められる。上述のように、第1振動子60の主面60aと、配線基板90の主面90aとの成す角度が、直角となるように、第1振動子60は配置される。したがって、第1振動子60の主面60aは、Y0軸方向と直交しているため、Y0軸に対する物理量例えば、角速度を検出することができる。言い換えれば、設置面または基準面であるにX0-Y0平面に対して水平方向の物理量を検出することができる。なお、直角とは90°であることが望ましいが、数度の誤差を含んでもよい。図1~図3に示すように、第2半導体基板12は、能動面11aとの成す角度が直角となるように配置された主面12aと、主面12aとは反対側の面である裏面12bと、主面12aと裏面12bとを連続する側面12cと、を有する。第2半導体基板12は、主面90aの上方において、裏面12bを接続面として位置し、側面12cにおいて、支持基板80と互いに隣接又は当接するように設けられる。第2半導体基板12を配線基板90に接続する方法は特に限定されず、例えば、図3に示すように、第2半導体基板12は、配線基板90に、接着部材93を介して固定されていてもよい。第2半導体基板12は、公知の半導体基板からなり、例えば、第1半導体基板11と同じ材質からなる。図3に示すように、主面12aの上には、第2絶縁層17が形成される。第2絶縁層17はパッシベーション膜であってもよい。第2絶縁層17の材質は、電気的絶縁性を有する限り、特に限定されない。例えば、第2絶縁層17は、第1絶縁層16と同じ材質であってもよい。図3に示すように、主面12a第2絶縁層17の上方には、第2樹脂層22樹脂層20が位置する。図3に示すように、第2樹脂層22は、主面12a第2絶縁層17側の面とは反対側の上面22aを有する。第2樹脂層22は、応力緩和機能を有する樹脂から形成される。第2樹脂層22は、例えば、第1樹脂層21と同じ材質であってもよい。図3に示すように、第2樹脂層22の上面22aには、第2配線32の第2の部分32bと接続した接続用端子33が位置する。接続用端子33は、第2配線32の第2の部分32b自体であってもよいし、または、第2配線32と異なる材質からなる導電部材に、第2の部分32bが接続したパッドであってもよい。第2の部分32bは、第1半導体基板11の第2電極15と接続した第2配線32の第1の部分32aから第2樹脂層22の上面22aの上に延びるように形成された部分である図示せず。言い換えれば、接続用端子33は、第2電極15と電気的に接続する第2配線32の配線パターンの一部であってもよい。接続用端子33の構成及び材質は、導電性を有する限り特に限定されないが、例えば、第1電極14と同じ構成及び材質であってもよい。ここで、図3に示すように、第2半導体基板12の上方の第2樹脂層22は、第1半導体基板11の上方の第1樹脂層21と、第3樹脂層23を介して連続している。言い換えれば、第1構造体70は、第1半導体基板11の上方に位置する第1樹脂層21と、第2半導体基板12の上方に位置する第2樹脂層22と、第1樹脂層21と第2樹脂層22とを連続する第3樹脂層23と、を有する樹脂層20を備える。これにより、第2配線32は、第2電極15と接続する第1の部分32aと、第1の部分32aから、第3樹脂層23の上を介して、第2樹脂層22の上面22aの上まで延びるように位置する第2の部分32bと、を有する再配置配線パターンであることができる。第3樹脂層23は、図3に示すように、第1半導体基板11の能動面11aと、第2半導体基板12の主面12aとの成す角度が直角となるように屈曲した屈曲部23である。したがって、屈曲部23における屈曲の角度を調整することにより、第1半導体基板11の設置角度および第1振動子60の主面60aのX0-Y0平面に対する角度を調整することができる。屈曲部23の屈曲角度は、第1振動子60の主面60aと、配線基板90の主面90aとの成す角度θ1が、直角となるように調整された後、固定される。なお、直角とは90°であることが望ましいが、数度の誤差を含んでもよい。また、図3に示すように、第2樹脂層22の上には、レジスト層40が形成されてもよい。レジスト層40は、接続用端子33が形成される部分に開口41を有する。図3に示すように、レジスト層40は、第1半導体基板11の上方に形成されたレジスト層40と連続して形成されてもよい。これによれば、屈曲部である第3樹脂層23の上にもレジスト層40が形成されるため、屈曲部23の物理的な強度が向上する。図3に示すように、第1構造体70の接続用端子33第2配線32は、配線基板90の接続用端子91第3配線91と、ワイヤー92によって電気的に接続される。ワイヤー92は、公知のワイヤーボンディング技術に用いられる材質であれば特に限定されず、例えば、金AuやアルミニウムAl等の金属が用いられてもよい。ここで、図3に示すように、接続用端子33と接続用端子91とのワイヤーボンディングは、それぞれが互いに平行な面例えば、X0-Y0平面と平行な面に設けられた接続用端子間において行われる。したがって、確実にワイヤー92を形成することができ、電気的接続信頼性を担保することができる。以上により、第1構造体70と配線基板90とが電気的及び機械的に接続実装される。また、これにより、外部端子4と、第1構造体70センサーデバイス70の集積回路18とが電気的に接続される。以上から、本実施形態に係るセンサーモジュール100を構成することができる。本実施形態に係るセンサーモジュール100は、例えば、以下の特徴を有する。本実施形態に係るセンサーモジュール100によれば、センサーモジュール100の設置面または基準面に対して水平方向の物理量を検出することができるセンサーモジュールであって、小型化が可能で、互いに直交した面と面との間でワイヤーボンディングを行う必要がないために電気的接続信頼性が向上したセンサーモジュールを提供することができる。本実施形態に係るセンサーモジュール100では、第1半導体基板11と、第2半導体基板12と、それらの上方に連続して形成された樹脂層20第1樹脂層21、第2樹脂層22、第3樹脂層23を備え、第3樹脂部23は、屈曲されている。これによれば、センサーデバイスである第1構造体70の第1振動子60の主面60aと、センサーモジュールの設置面または基準面であるX0-Y0平面との成す角度が直角であるセンサーモジュール100を提供することができる。言い換えれば、X0-Y0平面がセンサーモジュールの設置面である場合に、Y0軸方向における物理量をセンシングすることができるセンサーモジュール100を提供することができる。なお、直角とは90°であることが望ましいが、数度の誤差を含んでもよい。また、本実施形態に係るセンサーモジュール100によれば、接続用端子33は、配線基板90の主面90aと平行な面ある、第2半導体基板12の主面12aの上方に設けられている。具体的には、接続用端子33及び接続用端子91は、両者とも、X0-Y0平面に設けられた接続用端子である。したがって、配線基板90の接続用端子91と、第1構造体70の接続用端子33をワイヤーボンディングする場合に、技術的な困難性を伴わず、確実に電気的に接続することができる。これによれば、上記のような物理量をセンシングすることができるセンシングモーターであって、互いに直交した面と面との間でワイヤーボンディングを行う必要がないセンサーモジュール100を提供することができる。例えば、互いに直交する面同士間においてワイヤーボンディングを行う場合、確実なワイヤーの形成が技術的に困難であり、このようなワイヤーボンディングを行うことで、センサーモジュールの電気的接合の信頼性が低下する。これに対し、本実施形態に係るセンサーモジュール100は、上記のようなワイヤーボンディングを行う必要のないセンサーモジュールを提供することができるため、電気的な接続信頼性が向上したセンサーモジュール100を提供することができる。また、本実施形態に係るセンサーモジュール100では、第1振動子60を個別に収容するパッケージを用いずに、第1振動子60の主面60aと、例えば、配線基板90の主面90aなどのX0-Y0平面センサーモジュール100の設置面との成す角度が直角であるセンサーモジュール100を提供することができる。したがって、個別パッケージの膜厚を必要としないため、さらなるセンサーモジュールの小型化に資することができる。なお、直角とは90°であることが望ましいが、数度の誤差を含んでもよい。また、本実施形態に係るセンサーモジュール100では、第1構造体70を加工する場合に、屈曲の基準となる第1振動子60の主面60aが露出しているため、第3樹脂部23を屈曲する加工精度の向上が不要となり、例えば、複数軸多軸に対応したモーションセンサーを容易に提供できる。1.2.センサーモジュールの製造方法次に、センサーモジュール100の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図6は、センサーモジュール100の製造方法のフローチャートであり、図7~図13は、センサーモジュール100の製造工程の一例を模式的に示す平面図及び断面図である。図7Aは、半導体ウエハー110を模式的に示す平面図であり、図7Bは、図7AのVIIB-VIIB断面図である。図8A及び図8Bは、第1構造体70の準備工程S1の製造方法を説明する拡大平面図である。図9A~図9Cは、図8BにおけるIX-IX断面図である。図10Aは、第1構造体70の準備工程S1の製造方法を説明する拡大平面図であり、図10Bは、図10AにおけるXB-XB断面図である。図11~図12Aは、第1構造体70の準備工程S1の製造方法を説明する拡大平面図である。図12Bは、図12AにおけるXIIB-XIIB断面図である。なお、図7~図12Bにおいては、一部の構成等は、便宜的に一部省略又は簡略化してある。図6に示すように、本実施形態に係るセンサーモジュール100の製造方法は、第1構造体70の準備工程S1と、第2構造体170の準備工程S2と、第1構造体70と第2構造体170の接続工程S3と、を含む。ここで、第1構造体70の準備工程S1と、第2構造体170の準備工程S2との工程の順序は限定されず、これらの工程を、同時平行で行ってもよい。1.2.1第1構造体70の準備工程S1図6~図13に示すように、第1構造体70の準備工程S1は、半導体基板準備工程S1-1と、樹脂層形成工程S1-2と、配線形成工程S1-3と、半導体基板分割工程S1-4と、振動子接続工程S1-5と、屈曲工程S1-6と、を含む。ここで、半導体基板分割工程S1-4と、振動子接続工程S1-5との工程の順序は特に限定されず、先に振動子接続工程S1-5を行った後に、半導体基板分割工程S1-4を実施してもよい。[半導体基板準備工程S1-1]本工程において、半導体基板を準備する。準備される半導体基板は、ウエハーから切り出されたチップ状であってもよい。また、準備される半導体基板は、図7A及び図7Bに示すように、複数のチップ領域111を有する半導体ウエハーシリコンウエハー110であってもよい。それぞれのチップ領域111は、格子状の複数のスクライブラインチップ切り出し線L1によって区画されている。図7Aに示すように、半導体ウエハー110の中央領域に形成された複数のチップ領域図示の例では、斜線及びグレースケールにて表示される領域を有効チップ領域112とし、その有効チップ領域112を囲む周縁領域を非有効チップ領域113とする。半導体ウエハー110の各チップ領域には、図7Bに示すように、集積回路18か形成される。図7Bに示すように、半導体ウエハー110の複数の集積回路18が形成された面を能動面110aとする。能動面110aは、製造工程後のセンサーモジュール100において、能動面11aまたは主面12aを構成する面である。ここで、図示はされないが、各チップ領域11には、製造工程後のセンサーモジュール100において、第1絶縁膜16および第2絶縁膜17を構成する絶縁膜が形成されている。また、図7A~図8Aに示すように、各チップ領域111は、分割ラインL2によって、斜線で示される第1領域115と、グレースケールで示される第2領域116が設定されている。第1領域115は、集積回路18を含み、製造工程後のセンサーモジュール100において、第1半導体基板11となる部分であり、第2領域116は、第2半導体基板12となる部分である。したがって、第1領域115には、第1電極14と第2電極15が形成されている。[樹脂層形成工程S1-2]図8B及び図9Aに示すように、準備された半導体ウエハー110の能動面110aに樹脂層20aを形成する。樹脂層20aは、製造工程後のセンサーモジュール100において、樹脂層20となる部分であり、第3樹脂層23が屈曲していない点においてのみ、樹脂層20と異なる。樹脂層20aを形成する方法は、特に限定されず、公知の成膜及びパターニング技術により形成される。樹脂層20aは、例えば、感光性の樹脂層を能動面110aの上方に形成した後、露光現像処理などのフォトリソグラフィー技術によって所望の形状にパターンニングされて形成されてもよい図示せず。[配線形成工程S1-3]次に、図8B、図9B及び図9Cに示すように、再配置配線である第1配線31及び第2配線32接続用端子33を形成する。各チップ領域111に形成される配線パターン第1配線31及び第2配線32は、製造工程後のセンサーモジュール100における配線パターン第1配線31及び第2配線32と同じである。配線パターンを形成する方法は特に限定されず、公知の成膜及びパターニング技術により形成される。例えば、スパッタ法や無電解めっきなどにより導電層を成膜し、所望のレジスト層を適宜形成することを含む。また、所望の配線パターンを有する第1配線31及び第2配線32を形成した後、レジスト層40を形成してもよい。[半導体基板分割工程S1-4]次に、図10A及び図10Bに示すように、分割ラインL2において、半導体ウエハー110を分割し、各チップ領域111を、第1領域115と、第2領域116とに分割する。ここで、図10Bに示すように、分割ラインL2上方の樹脂層20aは分割しない。これにより、分割ラインL2において、底面を樹脂層20aが構成する開口部13が形成される。本工程により、図10Bに示すように、第1半導体基板11と第2半導体基板12を形成することができる。したがって、開口部13は、側面11c、側面12cおよび樹脂層20aにより構成される。ここで、開口部13の一部を構成する樹脂層20aは、製造工程後のセンサーモジュール100において、第3樹脂層23となる部分である。分割方法は特に限定されず、公知の分割方法スクライブ方法を用いることができる。例えば、刃先を備えたカッターホイールによる分割方法、レーザーによる分割方法、ドライエッチングによる分割方法等を用いることができる。また、本工程は、図11に示すように、スクライブラインL1において、各チップ領域を分割する工程を含んでいてもよい。なお、本工程は、分割ラインL2において、半導体ウエハー110を分割する工程の前に行ってもよいし、同時に行ってもよい。[振動子接続工程S1-5]次に、図12A及び図12Bに示すように、第1配線31に第1振動子60を接続実装する。この場合、上述されたように、外部接続端子50を設ける工程を含んでいてもよい。具体的には、本工程は、第1配線31の上にスタッドバンプ50aを形成する工程と、スタッドバンプ50aの上にハンダボール50bを形成する工程と、外部接続端子50の上に第1振動子60を接続する工程と、を含んでもよい。これによれば、第1振動子60の主面60aを、精度良く配置することができる。以上のS1-1~S1-5の工程により、第1構造体70aを形成することができる。第1構造体70aは、屈曲部である第3樹脂層23が屈曲していない点においてのみ、製造工程後のセンサーモジュール100の第1構造体70と異なる。[屈曲工程S1-6]次に、第1構造体70aの開口部13を構成する樹脂層20aを屈曲させる部分として、屈曲させ、第1構造体70を形成する。例えば、屈曲させる角度は、直角であってもよい図3参照。なお、直角とは90°であることが望ましいが、数度の誤差を含んでもよい。以上の工程により、第1構造体70センサーデバイス70を準備することができる。1.2.2第2構造体170の準備工程S2図13は、準備される第2構造体170の断面図である。図6に示すように、第2構造体170の準備工程S2は、配線基板準備工程S2-1と、支持基板接続工程S2-2とを含む。[配線基板準備工程S2-1]図13に示すように、準備される配線基板90は、主面90aの上方に接着剤93が設けられる。接着剤93は、第1構造体70の第2半導体基板12が接続する領域及び支持基板80が接続する領域に設けられる。[支持基板接続工程S2-2]次に、図13に示すように、支持基板80を配線基板90に接続する。これにより、支持基板80は、配線基板90に機械的に接続され、固定される。以上の工程により、第2構造体170を準備することができる。1.2.3第1構造体70と第2構造体170の接続工程S3図6に示すように、第1構造体70と第2構造体170の接続工程S3は、第1構造体接続工程S3-1と、ワイヤーボンディング工程S3-2と、を含む。[第1構造体接続工程S3-1]次に、第2半導体基板の接続面12bを接続面として、第1構造体70の第2半導体基板12を、配線基板90の主面90aの上方に搭載する図3参照。ここで、第1半導体基板11は、側面11cを接続面として、支持基板80の主面80aの上方に搭載される。図示はされないが、側面11cと主面80aとの間に接着剤が設けられ、第1半導体基板11を固定してもよい。また、第2半導体基板12は、支持基板80と隣接または当接するように搭載されてもよい。ここで、第2半導体基板12の側面12cと支持基板との間に、図示はされないが、接着剤が設けられていてもよい。[ワイヤーボンディング工程S3-2]次に、第1構造体70の接続用端子33第2配線32と、配線基板90の接続用端子91第3配線91とを、ワイヤー92でワイヤーボンディングすることによって電気的に接続する。これによって、第1構造体70が第2構造体170に電気的及び機械的に接続される。ここで、接続用端子33及び接続用端子91は、両者とも、X0-Y0平面に設けられた接続用端子である。したがって、接続用端子33と接続用端子91とのワイヤーボンディングは、それぞれが互いに平行な面に設けられた接続用端子間において行われる図3参照。これによれば、確実にワイヤー92を形成することができ、電気的接続信頼性を担保することができる。なお、本工程は、支持基板80が、例えば、半導体基板であって、主面80aの上方において接続用端子図示しないを有する場合、本工程において、ワイヤーボンディングを行い、支持基板80と配線基板90とを電気的に接続してもよい。以上により、第1構造体70と第2構造体170とが接続することができる。本実施形態に係る製造方法は、図示はされないが、パッケージ1を準備するパッケージ準備工程図1参照と、センサーデバイスである第1構造体70及び第2構造体170をパッケージ1内に収容する工程図1参照と、蓋部2をパッケージ1に接合する工程図1参照と、センサーデバイスである第1構造体70が収容された、パッケージ1内を脱気し、パッケージ内を減圧状態または真空状態とする工程と、を含んでいてもよい。以上により、本実施形態に係るセンサーモジュール100を製造することができる。本実施形態に係るセンサーモジュール100の製造方法は、例えば、以下の特徴を有する。本実施形態に係るセンサーモジュール100の製造方法によれば、センサーモジュール100の設置面または基準面に対して水平方向の物理量を検出することができるセンサーモジュールであって、小型化が可能で、互いに直交した面と面との間でワイヤーボンディングを行う必要がないセンサーモジュールの製造方法を提供することができる。本実施形態に係るセンサーモジュール100の製造方法によれば、樹脂層20aを分割せずに、半導体基板110を分割し、第1半導体基板11と、第2半導体基板12を形成する工程分割工程:S1-4と、第1半導体基板11と第2半導体基板12の間の領域とオーバーラップする部分の樹脂層20a第3樹脂層23を屈曲させ、第1構造体70を形成する工程屈曲工程:S1-6を有する。これによれば、センサーデバイスである第1構造体70の第1振動子60の主面60aと、例えば、配線基板90の主面90aなどのX0-Y0平面センサーモジュール100の設置面との成す角度が直角であるセンサーモジュールを製造する製造方法を提供することができる。言い換えれば、X0-Y0平面がセンサーモジュールの設置面である場合に、Y0軸方向における物理量をセンシングすることができるセンサーモジュール100の製造方法を提供することができる。なお、直角とは90°であることが望ましいが、数度の誤差を含んでもよい。本実施形態に係るセンサーモジュール100の製造方法によれば、接続用端子33は、配線基板90の主面90aと平行な面ある、第2半導体基板12の主面12aの上方に形成される。具体的には、接続用端子33及び接続用端子91は、両者とも、X0-Y0平面に設けられた接続用端子であることができる。したがって、配線基板90の接続用端子91と、第1構造体70の接続用端子33をワイヤーボンディングする工程において、技術的な困難性を伴わず、確実に電気的に接続することができる。これによれば、上記のような物理量をセンシングすることができるセンシングモーターの製造方法であって、互いに直交した面と面との間でワイヤーボンディングを行う必要がないセンサーモジュール100の製造方法を提供することができる。例えば、互いに直交する面同士間においてワイヤーボンディングを行う場合、確実なワイヤーの形成が技術的に困難であり、このようなワイヤーボンディングを行うことで、センサーモジュールの電気的接合の信頼性が低下する。これに対し、本実施形態に係るセンサーモジュール100の製造方法では、上記のようなワイヤーボンディングを行う必要のないセンサーモジュールの製造方法を提供することができる。言い換えれば、電気的な接続信頼性が向上したセンサーモジュール100の製造方法を提供することができる。また、本実施形態に係るセンサーモジュール100の製造方法では、第1振動子60を個別に収容するパッケージを形成せずに、第1振動子60の主面60aと、例えば、配線基板90の主面90aなどのX0-Y0平面センサーモジュール100の設置面との成す角度が直角であるセンサーモジュール100を製造することができる。したがって、個別パッケージの分の厚みを必要としないため、センサーモジュールの小型化に資することができる。なお、直角とは90°であることが望ましいが、数度の誤差を含んでもよい。また、本実施形態に係るセンサーモジュール100の製造方法では、第1構造体70を加工する場合に、第1振動子60を個別のパッケージに収容しないため、屈曲の基準となる第1振動子60の主面60aが露出している。したがって、第3樹脂部23を屈曲する加工精度の向上が不要となり、例えば、複数軸多軸に対応したモーションセンサーを精度よく、容易に製造できる。1.3変形例なお、本実施形態に係るセンサーモジュール100の製造方法は、上記において説明したものに限られない。以下において、本実施形態係るセンサーモジュール100の製造方法の変形例について、図面を参照しながら説明する。図14は、センサーモジュール100の製造方法の変形例を説明する断面図である。例えば、図14に示すように、[樹脂層形成工程S1-2]において、樹脂層20aの樹脂層20の第3樹脂層23となる部分の上に、第2の樹脂層28を形成してもよい。これによれば、第3樹脂層23となる部分の膜厚が、第1樹脂層21や第2樹脂層22の膜厚よりも厚くなるように形成される。これによれば、[半導体基板分割工程S1-4]において、より安全に半導体基板のみを分割することができる。また、屈曲部となる第3樹脂層23の強度を向上させることができるため、[屈曲工程S1-6]においてもより安全に屈曲工程を実施することができる。2.第2実施形態2.1.センサーモジュール次に、第2実施形態に係るセンサーモジュール200について、図面を参照しながら説明する。図15BAは、本実施形態に係るセンサーモジュール200を模式的に示す上視図Z0軸方向においてX0-Y0平面を見た図である。図15BBは、図15BAのXVB-XVB線における断面図である。なお、図15BAでは、便宜上、蓋体2の図示を省略している。本実施形態に係るセンサーモジュール200は、パッケージ1内に、第1構造体70を2つ含む点及び第2構造体170を構成する支持基板80が、集積回路18を含む第3半導体基板180である点においてのみ、第1実施形態に係るセンサーモジュール100と異なる。以下、第2実施形態に係るセンサーモジュール200において、第1実施形態に係るセンサーモジュール100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。図15A及び図15Bに示すように、センサーモジュール200は、2つの第1構造体70センサーデバイス70を含む。2つの第1構造体70は、配線基板90の主面90aの上方において、図15Aに示すように、それぞれの第1振動子60の主面60a同士のなす角θ2が、直角となるように、配置される。したがって、したがって、一方の第1振動子60の主面60aは、Y0軸方向と直交し、他方の第1振動子60の主面60aは、X0軸方向と直交しているため、X0軸およびY0軸に対する物理量例えば、角速度を検出することができる。言い換えれば、設置面または基準面であるにX0-Y0平面に対して水平方向であって、互いに直交する2方向の物理量を検出することができる。なお、直角とは90°であることが望ましいが、数度の誤差を含んでもよい。図15A及び図15Bに示すように、2つの第1構造体70の第1半導体基板11の非能動面11bに、連続して接着シート130を貼り付けることによって、2つの第1構造体70は固定されてもよい。また、接着シート130は、角θ2が、直角となるように、屈曲している。接着シート130の材質は、粘着性を有し、屈曲することができる限り特に限定されず、例えば、ポリイミド樹脂等の接着シートであってもよい。なお、直角とは90°であることが望ましいが、数度の誤差を含んでもよい。ここで、図15Aに示すように、本実施形態における、2つの第1構造体70を含む構造体を第3構造体270と称する。上述のように、第3構造体270は、複数軸X0軸およびY0軸に対応したセンサーデバイス270である。次に、図15Bに示すように、センサーモジュール200においては、第1実施形態におけるセンサーモジュール100の第2構造体170の支持基板80が、集積回路18を含む第3半導体基板180である。ここで、図配線基板90と、第3半導体基板180とを含む構造体を第4構造体280とする。集積回路18は、支持基板80の主面80aに対応する、第3半導体基板180の主面180aに形成される。よって、図15Bに示すように、主面180aは、能動面180aである。図15A及び図15Bに示すように、能動面180aは、第3構造体270の2つの第1半導体基板11が設置される第1領域215と、第2振動子60が実装される第2領域216と、を有する。ここで、センサーモジュール200に係る第3半導体基板180と、能動面180aの上に位置する部材の構造及び材質などは、1.1第1実施形態に係るセンサーモジュールの項で説明されたセンサーモジュール100に係る第1構造体70において、第1半導体基板11と第2半導体基板12とが分割されず、第3樹脂層23が屈曲していない状態のものと同等である。具体的には、図3において、第1電極14、第2電極15、樹脂層20の第1樹脂層21、第2樹脂層22、第1配線31、第2配線32、接続用端子33以下、接続用端子133と言う、外部接続端子50、第1振動子60以下、第2振動子60と言うが、同一平面である能動面180aの上方に設けられた形態を有する。第4構造体280の第3半導体基板180に実装されるセンサー素子である第2振動子60は、図15Bに示すように、その主面60aが、X0-Y0平面と略平行となるように、第1配線31に接続される図示せず。また、図15Bに示すように、第4構造体280の第3半導体基板180に実装された第2振動子60の主面60aと、第3構造体270の第1半導体基板11に実装された第1振動子60の主面60aとの成す角度θ1が、直角となるように、第3構造体270及び第4構造体280はパッケージ1内に実装される。なお、直角とは90°であることが望ましいが、数度の誤差を含んでもよい。以上によれば、第2振動子60の主面60aは、Z0軸方向と直交しているため、Z0軸に対する物理量例えば、角速度を検出することができる。言い換えれば、設置面または基準面であるにX0-Y0平面に対して鉛直方向の物理量を検出することができる。よって、第4構造体280は、Z0軸に対応したセンサーデバイス280である。また、接続用端子133は、第3半導体装置180の能動面180aの上方に形成される。図15A及び図15Bに示すように、接続用端子133は、第3半導体基板180の周縁部であって、かつ、第2領域216の上方に形成される。接続用端子133は、接続用端子33と同様に、配線基板90の接続用端子91との間に、ワイヤー92を形成するワイヤーボンディングによって電気的に接続される。ここで、図15Bに示すように、接続用端子133と接続用端子91とのワイヤーボンディングは、それぞれが互いに平行な面に設けられた接続用端子間において行われる。したがって、確実にワイヤー92を形成することができ、電気的接続信頼性を担保することができる。以上から、本実施形態に係るセンサーモジュール200を構成することができる。本実施形態に係るセンサーモジュール200は、第1実施形態に係るセンサーモジュール100の特徴に加えて、例えば、以下の特徴を有する。センサーモジュール200は、上述のように、それぞれの振動子毎のパッケージを必要としない第1構造体70からなる第3構造体270と、支持基板80が第3半導体基板180となり、第2振動子60を有する第4構造体280と、から構成される。したがって、X0-Y0平面がセンサーモジュールの設置面である場合に、X0軸方向、Y0軸方向、Z0軸方向における物理量をセンシングすることができるセンサーモジュール100の製造方法を提供することができる。このことから、センサーモジュール200は、撮像機器の手ぶれ補正や、GPSGlobalPositioningSystem衛星信号を用いた移動体ナビゲーションシステムにおける車両など移動体の姿勢検出、姿勢制御などに用いることができる。また、接続用端子133は、配線基板90の主面90aと平行な面ある、第3半導体基板180の主面80aの上方に設けられている。具体的には、接続用端子133及び接続用端子91は、両者とも、X0-Y0平面に設けられた接続用端子である。これによれば、配線基板90の接続用端子91と、第1構造体70の接続用端子33をワイヤーボンディングする場合に、技術的な困難性を伴わず、確実に電気的に接続することができる。したがって、電気的な接続信頼性が向上したセンサーモジュール200を提供することができる。2.2.センサーモジュールの製造方法次に、第2実施形態に係るセンサーモジュール200の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図16は、センサーモジュール200の製造方法のフローチャートであり、図17A~図17Cは、第3構造体270の製造方法を模式的に説明する斜視図であり、図18~図20は、第4構造体280の製造方法を模式的に説明する平面図及び斜視図であり、図21は、センサーモジュール200の製造方法を模式的に説明する斜視図である。以下、第2実施形態に係るセンサーモジュール200の製造方法の説明において、第1実施形態に係るセンサーモジュール100の製造方法と実質的に同じ工程は、その詳細な説明を省略する。本実施形態に係るセンサーモジュール200の製造方法は、図16に示すように、第3構造体270準備工程S4と、第4構造体280準備工程S5と、第3構造体と第4構造体の接続工程S6と、を含む。ここで、第3構造体270準備工程S4と、第4構造体280準備工程S5との工程の順序は限定されず、これらの工程を、同時平行に行ってもよい。2.2.1第3構造体270準備工程S4図16に示すように、第3構造体270準備工程S4は、半導体ウエハー準備工程S4-1と、樹脂層形成工程S4-2と、配線形成工程S4-3と、半導体基板分割工程S4-4と、振動子接続工程S4-5と、接着シート貼り付け工程S4-6と、屈曲工程1S4-7と、屈曲工程2S4-8と、を含む。ここで、半導体基板分割工程S4-4と、振動子接続工程S4-5との工程の順序は特に限定されず、先に振動子接続工程S4-5を行った後に、半導体基板分割工程S4-4を実施してもよい。第3構造体270準備工程S4の上記工程の内、半導体ウエハー準備工程S4-1と、樹脂層形成工程S4-2と、配線形成工程S4-3と、半導体基板分割工程S4-4と、振動子接続工程S4-5は、それぞれ、半導体基板準備工程S1-1と、樹脂層形成工程S1-2と、配線形成工程S1-3と、半導体基板分割工程S1-4と、振動子接続工程S1-5と実質的に同じであるため、その説明を省略する。[接着シート貼り付け工程S4-6]図17Aに示すように、半導体基板準備工程S1-1~振動子接続工程S1-5と同様の工程でもって、隣り合う2つの第1構造体70aを準備する。この2つの第1構造体70aは、例えば、半導体ウエハー110の複数のチップ領域111のうち、隣り合う2つのチップ領域111において形成された第1構造体70aを用いてもよい。図17Aに示すように、2つの第1構造体70aの裏面非能動面11bに対向するように、接着シート130を配置した後、接着シート130をそれぞれの非能動面11bに跨るように貼り付ける図17B参照。これにより、2つの第1構造体70aは一体的な構造体となることができる。[屈曲工程1S4-7]図17Bに示すように、接着シート130と接着した2つの第1構造体70aを、屈曲工程S1-6と同様にして屈曲する。本工程により、接着シート130と接着した2つの第1構造体70を形成することができる。[屈曲工程2S4-8]次に、図17Cに示すように、それぞれの第1構造体70の第1振動子60の主面60a同士のなす角θ2が、直角となるように、接着シート130の、2つの第1構造体70の境界部分とオーバーラップする部分を屈曲させる図15A参照。なお、直角とは90°であることが望ましいが、数度の誤差を含んでもよい。以上により、第3構造体270を形成することができる。2.2.2第4構造体280準備工程S5図16に示すように、第4構造体280準備工程S5は、半導体基板準備工程S5-1と、樹脂層形成工程S5-2と、配線形成工程S5-3と、半導体基板分割工程S5-4と、振動子接続工程S5-5と、配線基板準備工程S5-6と、半導体基板接続工程S5-7と、を含む。ここで、半導体基板分割工程S5-4と、振動子接続工程S5-5との工程の順序は特に限定されず、先に振動子接続工程S5-5を行った後に、半導体基板分割工程S5-4を実施してもよい。第4構造体280準備工程S5の上記工程の内、樹脂層形成工程S5-2と、配線形成工程S5-3と、半導体基板分割工程S5-4と、振動子接続工程S5-5は、それぞれ、樹脂層形成工程S1-2と、配線形成工程S1-3と、振動子接続工程S1-5と実質的に同じであるため、その説明を省略する。[半導体基板準備工程S5-1]本工程において、半導体基板を準備する。準備される半導体基板は、ウエハーから切り出されたチップ状であってもよい。また、準備される半導体基板は、図18に示すように、複数のチップ領域211を有する半導体ウエハーシリコンウエハー210であってもよい。それぞれのチップ領域211は、格子状の複数のスクライブラインチップ切り出し線L1によって区画されている。図18に示すように、半導体ウエハー110の中央領域に形成された複数のチップ領域図示の例では、斜線及びグレースケールにて表示される領域を有効チップ領域212とし、その有効チップ領域212を囲む周縁領域を非有効チップ領域213とする。半導体ウエハー210は、半導体ウエハー110と同じ内部構成及び材質であってよい。ここで、図18に示すように、本工程において準備される半導体ウエハー210の各チップ領域211には、斜線で示される第1領域215と、グレースケールで示される第2領域216が設定されている。第1領域215は、集積回路18を含み、製造工程後のセンサーモジュール200において、上方に第2振動子60が設けられる部分であり、第2領域216は、製造工程後のセンサーモジュール200において、上方に第3構造体270が設けられる部分である。より具体的には、第2領域216は、チップ領域211の境界線であるスクライブラインL1に沿った4辺の内、隣り合う2辺に沿って設けられたL字形状の領域である。第1領域215は、第2領域216を除く、矩形の領域となる。第2領域216は、上方に第3構造体270が設けられる部分であるから、続く、樹脂層形成工程S5-2及び配線形成工程S5-3では、第1領域215において、所望の樹脂層および配線が形成される。[半導体基板分割工程S5-4]本実施形態における半導体基板分割工程S5-4では、第1実施形態に係る製造方法のように、半導体基板を分割ラインL2に沿って分割する工程は含まれず、図19に示すように、スクライブラインチップ切り出し線L1に沿って分割工程が行われ、第3半導体基板180が形成される。図19に示すように、本工程の前に第2振動子60が実装されていてもよいし、本工程の後に実装してもよい。[半導体基板接続工程S5-7]図20に示すように、第3半導体基板180の第2振動子60が実装された面とは反対側の面を接続面として、配線基板90の主面90aに第3半導体基板180を接続する。接続方法は、第1実施形態における支持基板接続工程S2-2において、支持基板80を配線基板90に接続した方法と同じであってよい。以上により、第4構造体280を形成することができる。2.2.3第3構造体と第4構造体の接続工程S6図21に示すように、第3構造体270を、第4構造体280に接続する。本工程は、第1実施形態の第1構造体70と第2構造体170の接続工程S3と実質的に同じである。具体的には、第3構造体270の2つの第1構造体70の第1半導体基板11が、第4構造体280の第2領域216の上に配置されるように、第3構造体270を、接着剤などを用いて第4構造体280に接続する。また、本工程は、第1実施形態の第1構造体70と第2構造体170の接続工程S3と同様に、ワイヤー92によるワイヤーボンディング工程を含む図15B参照。これによって、第3構造体270が第4構造体280に電気的及び機械的に接続される。本実施形態に係る製造方法は、図示はされないが、パッケージ1を準備するパッケージ準備工程図1参照と、センサーデバイスである第3構造体270及び第4構造体280をパッケージ1内に収容する工程図1参照と、蓋部2をパッケージ1に接合する工程図1参照と、センサーデバイスである第1構造体70が収容された、パッケージ1内を脱気し、パッケージ内を減圧状態または真空状態とする工程と、を含んでいてもよい。以上により、本実施形態に係るセンサーモジュール200を製造することができる。本実施形態に係るセンサーモジュール200の製造方法は、第1実施形態に係るセンサーモジュール100の製造方法の特徴に加えて、例えば、以下の特徴を有する。本実施形態に係るセンサーモジュール200の製造方法によれば、センサーモジュールの設置面または基準面に対して水平方向であって、互いに直交する2方向と、設置面に対して垂直な方向の物理量を検出することができる複数軸多軸対応のセンサーモジュールであって、小型化が可能で、互いに直交した面と面との間でワイヤーボンディングを行う必要がないために電気的接続信頼性が向上したセンサーモジュールの製造方法を提供することができる。上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項及び効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。なお、上述した実施形態及び変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態及び各変形例を適宜組み合わせることも可能である。上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項及び効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。