"基板及びその上にある一又は複数のピクセルを備え、前記ピクセルの各々は、第1のサブピクセル及び第2のサブピクセルを備え、当該第1のサブピクセルは、第1の波長の光への露出により電気信号を生成するように動作する第1のナノワイヤを備え、当該第2のサブピクセルは、前記第1の波長とは異なる第2の波長の光への露出により電気信号を生成するように動作する第1のナノワイヤを備え、前記第1及び第2のナノワイヤは、前記基板に対して本質的に垂直に延びる、イメージセンサ。前記イメージセンサの各ピクセルは、前記基板と前記ナノワイヤとの間に配置される一又は複数のフォトダイオードをさらに備える、請求項1に記載のイメージセンサ。前記基板は、ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、ダイヤモンド、炭化ケイ素、窒化ガリウム、ゲルマニウム、インジウムガリウムヒ化物、硫化鉛、及び/又はこれらの混合物を含む、請求項1に記載のイメージセンサ。前記イメージセンサの少なくとも1つのピクセルはクラッドを備え、前記第1のサブピクセル及び前記第2のサブピクセルが当該クラッドに埋め込まれる、請求項1に記載のイメージセンサ。前記ピクセルの間の空間に物質をさらに含む、請求項4に記載のイメージセンサ。前記クラッドは、窒化ケイ素、酸化ケイ素、及び/又はこれらの混合物を含む、請求項4に記載のイメージセンサ。前記クラッドは可視光に対して実質的に透明である、請求項4に記載のイメージセンサ。前記第1及び第2のナノワイヤは、前記クラッドの屈折率と同じ屈折率を有する、請求項4に記載のイメージセンサ。前記物質は、前記クラッドの屈折率よりも小さな屈折率を有する、請求項5に記載のイメージセンサ。前記第1のナノワイヤ及び前記第2のナノワイヤは、異なる吸収スペクトルを有する、請求項1に記載のイメージセンサ。前記第1のナノワイヤ及び前記第2のナノワイヤは、少なくとも100nmは離れている、請求項1に記載のイメージセンサ。前記第1のナノワイヤ及び前記ナノワイヤの各々は、pn接合又はpin接合を有する。前記電気信号には、電圧、電流、電気伝導度又は電気抵抗、及び/又はこれらの変化が含まれる、請求項1に記載のイメージセンサ。前記第1のナノワイヤ及び/又は前記第2のナノワイヤは、表面不動態化層surfacepassivationlayerを備える、請求項1に記載のイメージセンサ。衝突してくる可視光の少なくとも50を吸収するように動作する、請求項1に記載のイメージセンサ。前記第1及び第2のナノワイヤによって生成された電気信号を検知するように動作する電子回路をさらに備える、請求項1に記載のイメージセンサ。前記第1及び第2のナノワイヤは、ケイ素を含む、請求項1に記載のイメージセンサ。前記第1のナノワイヤは約25nmの半径を有し、前記第2のナノワイヤは約40nmの半径を有する、請求項1に記載のイメージセンサ。前記クラッドは、約300nmの直径を有する円柱形状である、請求項4に記載のイメージセンサ。前記ピクセルは異なる方向を有する、請求項1に記載のイメージセンサ。前記フォトダイオードは、前記第1及び第2のナノワイヤの吸収スペクトルとは異なる吸収スペクトルを有する、請求項2に記載のイメージセンサ。前記ピクセルの各々は、第3のサブピクセルを有し、当該第3のサブピクセルは、前記第1及び第2の波長とは異なる第3の波長への露出により電気信号を生成するように動作する第3のナノワイヤを備え、当該第3のナノワイヤは前記基板から本質的に垂直に延びている、請求項1に記載のイメージセンサ。前記第3のナノワイヤはケイ素を含む、請求項22に記載のイメージセンサ。前記第3のナノワイヤは約45nmの半径を有する、請求項22に記載のイメージセンサ。前記ピクセルの各々は、第4のサブピクセルを有し、当該第4のサブピクセルは、前記第1、第2及び第3の波長とは異なる第4の波長への露出により電気信号を生成するように動作する第4のナノワイヤを備え、当該第4のナノワイヤは前記基板から本質的に垂直に延びている、請求項22に記載のイメージセンサ。前記第4のナノワイヤはケイ素を含む、請求項25に記載のイメージセンサ。前記第4のナノワイヤは約45nmの半径を有する、請求項25に記載のイメージセンサ。前記イメージセンサは、前記ピクセルの各々の上にカプラを備え、当該カプラは、凸状の表面を有し、衝突してきた可視光の実質的に全てを前記クラッドに集める、請求項4に記載のイメージセンサ。前記カプラの各々は、下部にある前記ピクセルの設置面積と同じ設置面積を有する、請求項28に記載のイメージセンサ。赤外線が前記ピクセルに到達しないように動作する赤外線フィルタをさらに備える、請求項1に記載のイメージセンサ。前記イメージセンサは赤外線フィルタを備えない、請求項1に記載のイメージセンサ。前記第1のナノワイヤ及び/又は前記第2のナノワイヤは、その内部に又はその表面にトランジスタを備える、請求項1に記載のイメージセンサ。前記フォトダイオードからの電気信号を検知するように動作する電子回路をさらに備える、請求項1に記載のイメージセンサ。ドライエッチング又はVLS成長法を行うイメージセンサの製造方法であって、前記イメージセンサは、基板及び前記基板上にある一又は複数のピクセルを備え、前記ピクセルの各々は、第1のサブピクセル及び第2のサブピクセルを備え、当該第1のサブピクセルは、第1の波長の光への露出により電気信号を生成するように動作する第1のナノワイヤを備え、当該第2のサブピクセルは、前記第1の波長とは異なる第2の波長の光への露出により電気信号を生成するように動作する第1のナノワイヤを備え、前記第1及び第2のナノワイヤは、前記基板に対して、本質的に垂直に延びる、イメージセンサの製造方法。イメージセンサにイメージを投影し、前記イメージセンサは、基板及び前記基板上にある一又は複数のピクセルを備え、前記ピクセルの各々は、第1のサブピクセル及び第2のサブピクセルを備え、当該第1のサブピクセルは、第1の波長の光への露出により電気信号を生成するように動作する第1のナノワイヤを備え、当該第2のサブピクセルは、前記第1の波長とは異なる第2の波長の光への露出により電気信号を生成するように動作する第1のナノワイヤを備え、前記第1及び第2のナノワイヤは、前記基板に対して、本質的に垂直に延びており、前記第1のナノワイヤ及び前記第2のナノワイヤからの電気信号を検出し、前記電気信号に基づいて当該各ピクセルの色を計算する、イメージ検出方法。以下の詳細な説明では、本明細書の一部を構成する添付図面を参照する。図面においては、文脈上別に解される場合を除き、類似の記号は一般に類似のコンポーネントを示す。詳細な説明で説明された実施形態、図面、及びクレームは、本発明の範囲を限定することを意図するものではない。本明細書において提示される発明主題の趣旨や範囲を逸脱しない限り、詳細な説明で説明されていない実施形態を適用することも可能であり、詳細な説明で説明されていない変更をなすことも可能である。人間の目は、中輝度や高輝度の色覚のための光受容体錐体細胞と呼ばれるを有しており、短波長のピーク感度S、420~440nm、中波長のピーク感度M、530~540nm、長波長のピーク感度L、560~580nmを有する桿体細胞と呼ばれ、490~495nmにピーク感度を有する単色性の暗視受容体も存在する。このように、原理的には、3つのパラメータで色覚を説明できる。色の三刺激値は、テスト色をマッチさせるために必要な3成分加色モデルthree-componentadditivecolormodelにおける3原色の量である。三刺激値は、CIE1931色空間において、最も頻繁に与えられ、X、Y、及びZで示される。CIEのXYZ色空間において、三刺激値は、人間の目のS、M、L応答ではなく、それぞれ概して赤、緑、及び青であるX、Y及びZと呼ばれる三刺激値の組であるX値、Y値、Z値は、物理的に観測される赤色、緑色、青色ではなく、むしろ、赤色、緑色、青色から抽出されたパラメータと考えられる。様々な波長の異なる混合で構成される2つの光源が同じ色に見えることがある。この効果はメタメリズムと呼ばれる。2つの光源は、同じ三刺激値を有するときに、観測者にとって同じく見える色を有する。これは、その三刺激値を生成するためにどのようなスペクトル分布を用いたかによらない。目の錐体細胞の分布の性質により、三刺激値は、観測者の視野に依存する。この変化を除去するために、CIEは、標準測色観測者を定義している。これは、元々は、2度の視角で視る標準的な人間の光学応答と考えられていた。色を感じ取る錐体は窩の2度の弧の中に存在すると思われていたためである。このようにCIE1931標準観測者は、CIE19312度標準観測者とも呼ばれる。より新しいが用いられることは多くない代替物として、Stiles及びBurch並びにSperanskayaの測定結果から得られたCIE1964標準観測者がある。上述のように、等色関数は、光学応答の数学的記述である。CIEは、以下の3つの等色関数を定義している。これらは、CIEXYZ三刺激値X、Y、及びZを生成する線形の光検出器の分光感度曲線と考えることができる。これらの関数は、全体として、CIE標準観測者として知られている。光の三刺激値は、分光分布Iλを用いて、標準観測者について以下の式で表される。ここで、λは、等価な単色光の波長ナノメータで測定である。実施例図1Aは、一実施形態におけるイメージセンサの概略的な部分断面図を示す。イメージセンサ100は、基板110及び一又は複数のピクセル150を備える。少なくとも1つのピクセル150は、クラッド140及び当該クラッド140に埋め込まれた複数のサブピクセルを備える。図1Aにおいては、サブピクセル151及び152を例示している。サブピクセルの各々は、基板110から本質的に垂直に延びるナノワイヤ例えば、サブピクセル151内のナノワイヤ151a、及びサブピクセル152内のナノワイヤ152aを備える。ピクセル間の空間は、好ましくは、物質160によって満たされている。各ピクセル150は、基板110とナノワイヤ151a及び152aとの間に、一又は複数のフォトダイオード120をさらに備えていてもよい。基板110は、ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、ダイヤモンド、炭化ケイ素、窒化ガリウム、ゲルマニウム、インジウムガリウムヒ化物、硫化鉛、及び/又はこれらの混合物等の任意の好適な物質を含む。フォトダイオード120は、任意の好適なフォトダイオードであってもよい。フォトダイオード120は、pn接合又はpin接合及び任意の好適な回路を有することができる。フォトダイオード120は、好ましくは、クラッド140の設置面積を完全に含む設置面積を有する。クラッド140は、窒化ケイ素、酸化ケイ素、及び/又はこれらの組み合わせ等の任意の好適な物質を含むことができる。クラッド140は、好ましくは、可視光に対して実質的に透明であり、少なくとも50、より好ましくは少なくとも70、より好ましくは少なくとも90の透過率を有する。一例において、クラッド140は、約300nmの直径を有する円柱形状を有する窒化シリコンである。物質160は、二酸化ケイ素等の任意の好適な物質を含む。物質160の屈折率は、好ましくは、クラッド140の屈折率よりも小さい。サブピクセル例えば151及び152中のナノワイヤ例えば151a及び152aは、クラッド140の屈折率と同じかそれよりも大きい屈折率を有する。ナノワイヤ及びフォトダイオード120は、異なる吸収スペクトルを有する。例えば、ナノワイヤ151aは、図1Cの例示的な吸収スペクトル181に示されているように、青色の波長において強い吸収率を有し、ナノワイヤ152aは、図1Cの例示的な吸収スペクトル181に示されているように、緑色の波長において強い吸収率を有し、フォトダイオード120は、図1Cの例示的な吸収スペクトル181に示されているように、赤色の波長において強い吸収率を有する。ナノワイヤは、様々な直径及び/又は材料を有する。1つのピクセル150における各ナノワイヤは、同じピクセルの隣接するナノワイヤまで、好ましくは少なくとも100nm、好ましくは少なくとも200nmだけ離れている。ナノワイヤは、クラッド内の任意の位置に配置することができる。サブピクセル例えば151及び152中のナノワイヤ例えば151a及び152aは、光を受光すると電気信号を生成するように動作する。ナノワイヤの1つの例は、内部にpn接合又はpin接合を有するフォトダイオードである。その詳細は、米国特許出願第12/575,221号及び第12/633,305号に記載されている。これらの出願の開示内容は参照により全体として本明細書に組み込まれる。電気信号には、電圧、電流、電気伝導度又は電気抵抗、及び/又はこれらの変化を含むことができる。ナノワイヤは、表面不動態化層を備えていてもよい。イメージセンサ100に衝突する実質的に全ての可視光例えば、50超、70超、又は90超は、サブピクセル例えば151及び152及びフォトダイオード120によって吸収される。サブピクセル及びフォトダイオードは、異なる波長の光を吸収する。イメージセンサ100は、サブピクセル及びフォトダイオード120からの電気信号を検出するように動作する電子回路190をさらに備えていてもよい。1つの具体例において、各ピクセル150は、2つのサブピクセル151及び152を備える。各サブピクセル151及び152はそれぞれ、1つのナノワイヤ151a及び152aのみを有する。ナノワイヤ151aはケイ素を含み、約25nmの半径を有し、青色の波長において強い吸収率を有する。ナノワイヤ152aはケイ素を含み、約40nmの半径を有し、シアンの波長において強い吸収率を有する。ナノワイヤ151a及び152aは、約200nm離れているが、同じクラッド140に埋め込まれている。ピクセル150の各々は、一実施形態においては、2つ以上のサブピクセルを有していてもよい。これらのナノワイヤは、水銀カドミウムテルル等の他の好適な物質を含んでもよい。これらのナノワイヤは、10nmから250nmの間の他の好適な半径を有していてもよい。図1Bは、図1Aのイメージセンサの概略的な部分上面図を示す。例示的な図1Bに示すように、ピクセル150は、異なる向きを有し、入射光の方向の影響を減少させ又は除去する。一実施形態において、イメージセンサ100の各ピクセル150のサブピクセル151及び152並びにフォトダイオード120は、CIE19312度視野標準観測者又はCIE196410度視野標準観測者の等色関数と実質的に同じ等色関数を有する。図2Aは、一実施形態におけるイメージセンサの概略的な部分断面図を示す。イメージセンサ200は、基板210及び一又は複数のピクセル250を備える。基板210は、好ましくは、フォトダイオードを備えていない。少なくとも1つのピクセル250は、クラッド240及び当該クラッド240に埋め込まれた複数のサブピクセルを備える。図2Aには、サブピクセル251、252及び253を例示している。サブピクセルの各々は、基板210から本質的に垂直に延びるナノワイヤ例えば、サブピクセル251内のナノワイヤ251a、サブピクセル252内のナノワイヤ252a、及びサブピクセル253内のナノワイヤ253aを備える。ピクセル250間の空間は、好ましくは、物質260によって満たされている。基板210は、ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、ダイヤモンド、炭化ケイ素、窒化ガリウム、ゲルマニウム、インジウムガリウムヒ化物、硫化鉛、及び/又はこれらの混合物等の任意の好適な物質を含む。クラッド240は、窒化ケイ素、酸化ケイ素等の任意の好適な物質を含み、好ましくは、可視光に対して実質的に透明であり、少なくとも50、より好ましくは少なくとも70、より好ましくは少なくとも90の透過率を有する。一例において、クラッド240は、約300nmの直径を有する円柱形状を有する窒化シリコンである。物質260は、二酸化ケイ素等の任意の好適な物質を含む。物質260の屈折率は、好ましくは、クラッド240の屈折率よりも小さい。サブピクセル例えば251、252及び253中のナノワイヤ例えば251a、252a及び253aは、クラッド240の屈折率と同じかそれよりも大きい屈折率を有する。ナノワイヤ及び基板120は、異なる吸収スペクトルを有する。例えば、ナノワイヤ251aは、図2Cの例示的な吸収スペクトル281に示されているように、青色の波長において強い吸収率を有し、ナノワイヤ252aは、図2Cの例示的な吸収スペクトル282に示されているように、緑色の波長において強い吸収率を有し、ナノワイヤ253aは、図2Cの例示的な吸収スペクトル283に示されているように、可視光スペクトル全体にわたって強い吸収率を有し、基板210は、図2Cの例示的な吸収スペクトル280に示されているように、赤色の波長において強い吸収率を有する。ナノワイヤは、様々な直径及び/又は材料を有する。1つのピクセル250における各ナノワイヤは、同じピクセルの隣接するナノワイヤまで、好ましくは少なくとも100nm、好ましくは少なくとも200nmだけ離れている。クラッド240内のナノワイヤは、クラッド240内の任意の位置に配置することができる。ナノワイヤは、表面不動態化層を備えていてもよい。これらのナノワイヤは、水銀カドミウムテルル等の他の好適な物質を含んでもよい。これらのナノワイヤは、10nmから250nmの間の他の好適な半径を有していてもよい。サブピクセル例えば251、252及び253中のナノワイヤ例えば251a、252a及び253aは、光を受光すると電気信号を生成するように動作する。ナノワイヤの1つの例は、内部にpn接合又はpin接合を有するフォトダイオードである。その詳細は、米国特許出願第12/575,221号及び第12/633,305号に記載されている。これらの出願の開示内容は参照により全体として本明細書に組み込まれる。電気信号には、電圧、電流、電気伝導度又は電気抵抗、及び/又はこれらの変化を含むことができる。イメージセンサ200に衝突する可視光は、実質的に全て、サブピクセル例えば251、252、及び253によって吸収される。これらのサブピクセルは、異なる波長の光を吸収する。イメージセンサ200は、サブピクセルからの電気信号を検出するように動作する電子回路290をさらに備えていてもよい。1つの具体例において、各ピクセル250は、3つのサブピクセル251、252及び253を備える。各サブピクセル251、252及び253はそれぞれ、1つのナノワイヤ251a、252a、及び253aのみを有する。ナノワイヤ251aはケイ素を含み、約25nmの半径を有し、青色の波長において強い吸収率を有する。ナノワイヤ252aはケイ素を含み、約40nmの半径を有し、シアンの波長において強い吸収率を有する。ナノワイヤ253aはケイ素を含み、約45nmの半径を有し、可視光の全波長にわたって強い吸収率を有する。ナノワイヤ251a、252a、及び253aは、約200nm離れているが、同じクラッド240に埋め込まれている。クラッド140は、約400nmの直径を有する円柱形状である。ピクセル250の各々は、一実施形態においては、3つ以上のサブピクセルを有していてもよい。1つの具体例において、各ピクセル250は、4つのサブピクセル251、252、253及び254を備える。各サブピクセル251、252、253及び254はそれぞれ、1つのナノワイヤ251a、252a、253a、254aのみを有する。ナノワイヤ251aはケイ素を含み、約25nmの半径を有し、青色の波長において強い吸収率を有する。ナノワイヤ252aはケイ素を含み、約40nmの半径を有し、シアンの波長において強い吸収率を有する。ナノワイヤ253aはケイ素を含み、約45nmの半径を有し、可視光の全波長にわたって強い吸収率を有する。ナノワイヤ254aはケイ素を含み、約35nmの半径を有し、青緑色の波長例えば400nmから550nmにおいて強い吸収率を有する。ナノワイヤ251a、252a、253a、及び254aは、約200nm離れているが、同じクラッド240に埋め込まれている。クラッド140は、約400nmの直径を有する円柱形状である。図2Dは、ナノワイヤ251a、252a、253a、及び254aの例示的な吸収スペクトル291、292、293、及び294をそれぞれ示す。図2Bは、イメージセンサ200の概略的な部分上面図を示す。例示的な図2Bに示すように、ピクセル250は、異なる向きを有し、入射光の方向の影響を減少させ又は除去する。一実施形態において、図3に示すように、イメージセンサ100又は200は、各ピクセル150又は250の上に、カプラ350をさらに備える。カプラ350の各々は、好ましくは、下方のピクセルと実質的に同じ設置面積を有し、凸状の表面を有する。カプラ350は、衝突してくる可視光の実質的に全てをクラッド140又は240に集めることができる。一実施形態において、図3に示すように、イメージセンサ100又は200は、赤外線フィルタ360をさらに備える。この赤外線フィルタ360は、赤外線、例えば波長が650nm以上ある光がピクセルに到達しないようにする。一実施形態においては、イメージセンサ100又は200は赤外線フィルタを備えない。一実施形態において、ナノワイヤは、ドライエッチング処理又は蒸気-液体-固体VLS成長法によって作られる。本発明の範囲から逸脱せずに、他の物質や製造技術を用いてナノワイヤを製造することができるのは当然である。例えば、インジウムヒ化物InAsや関連物質から製造されるナノワイヤは、IR用途として用いられる。このナノワイヤは、紫外線LTVスペクトルや赤外線IRスペクトル等の可視光以外の波長において強い吸収率を有するように作ることもできる。一実施形態において、各ナノワイヤは、その内部又は表面にトランジスタを備える。一実施形態において、イメージセンサ200の各ピクセル250のサブピクセル251、252、及び253は、CIE19312度視野標準観測者又はCIE196410度視野標準観測者の等色関数と実質的に同じ等色関数を有する。図4は、サブピクセル251、252、及び253の例示的な等色関数451、452、及び453をそれぞれ示す。等色関数461、462、及び463は、以下の式のとおりである。イメージセンサ100又は200は、イメージを検出し取得するために用いられ得る。イメージを検出する方法は、レンズや鏡等の任意の好適な光学系を用いて当該イメージをセンサ100又は200に投影すること、好適な回路を用いて各ピクセル内の各サブピクセルにおけるナノワイヤからの電気信号を検知すること、各ピクセル内の当該サブピクセルからの電気信号に基づいて当該各ピクセルの色を計算すること、を含む。上記の詳細な説明によって、図、フローチャート、及び/又は実施例を使用することによって、デバイスや工程の様々な実施形態を説明した。かかる図、フローチャート、及び/又は実施例が一又は複数の機能や動作を含む場合、かかる図、フローチャート、及び/又は実施例に含まれる各機能や動作は、様々なハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、又はこれらの実質的に任意の組み合わせによって、個別に及び/又は共同して、実現され得る。当業者であれば、本明細書において説明された方法でデバイスや工程を説明すること、そして、エンジニアリングの慣用手法により、そのようにして説明されたデバイスや工程をデータ処理システムに組み込むことが、当該技術分野において一般的であることを理解するであろう。つまり、本明細書において説明されたデバイスや工程の少なくとも一部は、合理的な量の実験によって、データ処理システムに統合できる。本明細書における発明主題は、他の構成要素内にある、又は、他の構成要素と結合された、異なる構成要素を説明することがある。説明された構造は例示に過ぎず、同じ機能を実現するために他の多くの構造を用いることもできる。概念的な意味においては、同じ機能を実現するための構成要素の任意の構成は、その所望の機能が実現されるように、効果的に関連付けられassociatedる。したがって、本明細書において特定の機能を実現するために組合わされた2つの構成要素は、構成や介在する構成要素とは関係なく、その所望の機能が実現されるように互いに関連付けられassociatedwithていると理解できる。本明細書における実質的に任意の複数形や単数形の語の使用について、当業者であれば、文脈上又は本出願に適切な場合、単数形を複数形に置き換え、複数形を単数形に置き換えることができる。本明細書においては、明確さのために、様々な単数形と複数形との置換を明示的に説明する場合がある。全ての引用文献特許、特許出願、及び非特許文献を含むがこれらには限られないは、参照により全体として本明細書に組み込まれる。本明細書においては、様々な態様や実施形態が開示されているが、当業者にはそれ以外の態様や実施形態も明らかであろう。本明細書に開示された様々な態様や実施形態は、説明のためのものに過ぎず、特許請求の範囲に示される本発明の範囲や趣旨を限定することを意図するものではない。"