重合開始官能基を有する少なくとも1種のジアゾニウム塩の使用であって、一方では、前記ジアゾニウム塩由来のグラフトのグラフト化により得られる基層を形成して、導体材料又は半導体材料の表面に重合開始官能基をもたらすための使用、及び他方では、前記重合開始剤官能基により開始される、少なくとも1種のモノマーの非アニオンインサイチュー重合によって得られるポリマー層を、前記基層上に形成するための使用。ポリマー層が、ラジカル重合により又は開環重合により得られることを特徴とする、請求項1に記載の使用。ポリマー層が次の重合方法;光重合、原子移動ラジカル重合ATRP、ニトロキシド媒介重合NMP又は開環重合ROP、のうちの一つによって得られることを特徴とする、請求項1又は2に記載の使用。材料の対象となる導体又は半導体領域であって、前記領域の表面が改質されており、以下の層;Aジアゾニウム塩由来の開始剤グラフトにより構成され、そして前記表面に結合している基層であって、前記基層と対象となる前記導体又は半導体領域の表面との間に介在する結合はすべて共有結合であり、前記基層がa厚さ約1nm~約1μm、好ましくは約3nm~約100nmを有し、b対象となる前記導体又は半導体領域の表面に直接に結合するグラフトが、特に領域のグラフト原子の原子結合により結合し、特に前記領域のグラフト原子の共有炭素結合により結合する、ことを特徴とする前記基層、及びB前記基層の上に位置するポリマー層であって、前記定義の開始剤存在下に少なくとも1種のモノマーのインサイチュー非アニオン重合に起因するポリマーにより構成されるポリマー層であり、a前記ポリマー層が厚さ約0.1μm~約100μmを有し、bポリマー層が対象となる前記導体又は半導体領域の表面の約80~約100を被覆し、特に前記領域の約95~約100を被覆するポリマー層、を含む材料の対象となる導体又は半導体領域。ポリマー層のポリマーが、ラジカル重合又は開環重合によって得られることを特徴とする、請求項4に記載の材料の対象となる導体又は半導体領域。ポリマー層のポリマーが、以下の重合方法;光重合、原子移動ラジカル重合ATRP、ニトロキシド媒介重合NMP又は開環重合ROP、のうちの一つによって得られることを特徴とする、請求項4又は5に記載の材料の対象となる導体又は半導体領域。基層が、純度レベルを少なくとも約80有し、特に約90~約100を有し、そして、特に溶媒、ジアゾニウム塩及びその誘導体を含まないことを特徴とする、請求項4~6のいずれか一項に記載の材料の対象となる導体又は半導体領域。基層のグラフトに含まれる結合が、非加水分解性の結合であることを特徴とする、請求項4~7のいずれか一項に記載の材料の対象となる導体又は半導体領域。対象となる導体又は半導体領域のグラフト原子の原子結合、特に領域のグラフト原子の共有炭素結合による、ポリマー層のポリマー鎖を含むことを特徴とする、請求項4~8のいずれか一項に記載の材料の対象となる導体又は半導体領域。ポリマー鎖が、互いに実質的に等しい分子量を有し、そして前記鎖が前記材料表面に対し実質的に垂直に連結して高密度のブラシを形成することを特徴とする、請求項4~9のいずれか一項に記載の材料の対象となる導体又は半導体領域。グラフトが芳香族化合物であり、特にアリール基であり、芳香族基が、1個以上の官能性置換基、特にハロゲン原子、例えば臭素原子で置換されているC6~C20の芳香族ラジカル、又は酸素原子、窒素原子、硫黄原子若しくはリン原子から選択される1個以上のヘテロ原子を含む1個以上の官能性置換基により置換されている4~20原子を有するヘテロ芳香族ラジカルであることを特徴とする、請求項4~10のいずれか一項に記載の材料の対象となる導体又は半導体領域。グラフト各々が単一のアリール基からなり、単分子層に相当するグラフトの形態に、基層が存在することを特徴とする、請求項4~11のいずれか一項に記載の材料の対象となる導体又は半導体領域。モノマーが、少なくとも1個の末端二重結合を含む化合物、特にスチレン又はアクリレート及びメタクリレートの単官能性若しくは多官能性誘導体、から選択されることを特徴とする、請求項4~12のいずれか一項に記載の材料の対象となる導体又は半導体領域。前記ポリマーが、ラジカル重合特に原子移動ラジカル重合又はニトロキシド重合により得られ、そして前記ポリマー鎖の末端が、ブロック共重合体、又は活性分子例えば、アミノアルコール、アリルアルコール、無水マレイン酸、糖類、核酸、ペプチド、タンパク質、ペルフルオロ化した分子若しくは医薬活性を有する分子により、任意に置換することができる官能性基特にハロゲン原子又はニトロキシド基を含むことを特徴とする、請求項13に記載の材料の対象となる導体又は半導体領域。前記ポリマーがラジカル重合特に原子移動ラジカル重合により得られ、そして前記ポリマー鎖の末端が、ブロック共重合体、又は活性分子例えば、アミノアルコール、アリルアルコール、無水マレイン酸、糖類、核酸、ペプチド、タンパク質、ペルフルオロ化した分子若しくは医薬活性を有する分子により、任意に置換することができるハロゲン原子特に臭素原子を含むことを特徴とする、請求項13又は14に記載の材料の対象となる導体又は半導体領域。請求項4~15のいずれか一項に記載の材料の対象となる導体又は半導体領域であって、開始剤がハロゲン化誘導体、特に臭素化誘導体、又はアルコキシアミン型誘導体、又はα-ヒドロキシアルキルフェノン誘導体、α-ジアルコキシアセトフェノン誘導体、ベンゾインエーテル誘導体、α-アミノアルキルフェノン誘導体、芳香族ケトン誘導体、例えばベンゾフェノン若しくはアントラキノン、N-脂肪族若しくはN-芳香族マレイミド誘導体、キサンテート誘導体、ジチオカルバメート誘導体、チオキサントン誘導体、ホスフィンオキシド誘導体、又はアルコール、トリチオカーボネート若しくはジチオエステル誘導体であることを特徴とする材料の対象となる導体又は半導体領域。基層のグラフトと前記領域の表面との間の、前記領域のグラフト原子の原子結合、特に前記領域の共有炭素原子結合が超音波洗浄に耐えるような結合であることを特徴とする、請求項4~16のいずれか一項に記載の材料の対象となる導体又は半導体領域。材料が純粋な金属又は合金、特に鉄、ニッケル、白金、金、銅、亜鉛、コバルト、チタン、クロム、銀、タンタル、鋼、特にステンレス鋼、チタン合金、コバルト-クロム合金、モリブデン、マンガン、バナジウム、ニチノールから選択されるか、あるいは半導体、特に単結晶若しくは多結晶の半導体、ドープ若しくは非ドープのケイ素、水素化ケイ素、窒化タンタル、窒化チタン、窒化タンタル、炭化ケイ素、リン化インジウム、若しくはヒ化ガリウムから選択される、請求項4~17のいずれか一項に記載の材料の対象となる導体又は半導体領域。材料の対象となる導体又は半導体領域の表面の改質方法であって、その方法が請求項4に定義の重合開始剤由来のグラフトを前記領域の表面上に結合すること、特に、前記導体又は半導体領域を、重合開始剤官能基を有するジアゾニウム塩の溶液とへ接触させることによって結合すること、を含むことを特徴とする、請求項4~18のいずれか一項に記載の、表面が改質されている導体又は半導体領域を得るための前記方法。請求項4に定義の重合開始剤由来のグラフトをこの領域の表面上に結合することが、導体又は半導体領域を、溶媒、特に非プロトン性溶媒又はプロトン性酸性溶媒中の重合開始剤官能基を有するジアゾニウム塩の溶液と、請求項2に定義のグラフトの基層を前記領域表面上に結合させるのに十分な時間、接触させることを含む不均一電子移動反応により実施されることを特徴とする、請求項19に記載の材料の対象となる導体又は半導体領域の表面の改質方法。材料の対象となる導体又は半導体領域の表面の改質方法であって、導体又は半導体領域を溶媒中のジアゾニウム塩の溶液と接触させることにより、重合開始剤官能基を有するジアゾニウム塩の電気化学的還元によって、請求項4に定義の開始剤グラフトをこの領域の表面上に結合することを含むことを特徴とする、請求項4~18のいずれか一項に記載の、表面が改質されている導体又は半導体領域を得るための前記方法。ジアゾニウム塩が、式ArN2X-で表され、式中、Arは請求項4に定義の重合開始剤官能基を有する芳香族基であり、X-はアニオンであり、ジアゾニウム塩のアニオンX-がハロゲン原子、硫酸塩、リン酸塩、過塩素酸塩、テトラフルオロホウ酸塩、カルボン酸塩及びヘキサフルオロリン酸塩から有利に選択されることを特徴とする、請求項20又は21のいずれか一項に記載の方法。A導体又は半導体領域を、溶媒中の重合開始剤官能基を有するジアゾニウム塩の溶液と接触させることにより、前記領域の表面上に請求項4に定義の重合開始剤グラフトを結合する段階であって、前記結合段階が特にジアゾニウム塩の電気化学的還元によって実施され、前記表面上に前記開始剤グラフトの共有結合により改質された表面を有する導体又は半導体領域を得ることを可能にし、前記グラフトが請求項4に定義の基層を形成するものである段階、及びB非アニオン重合、特にラジカル重合又は開環重合ROP、の段階であって、前記非アニオン重合反応が請求項13に定義のモノマー、及び基層のグラフトが有する開始剤官能基を含有し、請求項4に定義のポリマー層を構成するポリマー形成につながるものである段階、を含むことを特徴とする、請求項21に記載の材料の対象となる導体又は半導体領域の表面改質方法。A導体又は半導体領域を、溶媒中の重合開始剤官能基を有するジアゾニウム塩の溶液と接触させることによって、前記領域の表面上に、ジアゾニウム塩由来であり、そして請求項4に定義の重合開始剤官能基を有する、グラフトを結合する段階であって、前記結合段階が特に不均一電子移動反応によって実施され、その表面上に前記開始剤グラフトの共有結合により改質される表面を有する導体又は半導体領域を得ることを可能にし、前記グラフトが請求項4に定義の基層を形成するものである段階、及びB非アニオン重合、特にラジカル重合又は開環重合ROPの段階であって、前記非アニオン重合反応が請求項13に定義のモノマー、及び基層のグラフトが由来する開始剤を含有し、請求項4に定義のポリマー層を構成するポリマー形成につながるものである段階、を含むことを特徴とする、請求項20に記載の材料の対象となる導体又は半導体領域の表面改質方法。A前記領域を含む材料により構成されるもの全ての任意の形態の物体、又はB腐食に対して強化された抵抗性を有する金属表面、又はCステント、インプラント、人工器官若しくはマイクロエレクトロニクスに使用することができる要素、又はD追加の層、特にブロック共重合体により構成される追加のポリマー層、又は活性分子例えば、アミノアルコール、アリルアルコール、無水マレイン酸、糖類、核酸、ペプチド若しくはタンパク質により構成される追加の官能層、を有する導体若しくは半導体領域を含む材料、の製造のための、請求項4~18のいずれか一項に記載の導体又は半導体領域の使用。以下の化学式の一つであるジアゾニウム塩。