光起電力特性を有するI-III-VI合金の薄層を製造する方法であって、元素Iが銅であり、元素IIIがインジウムおよび/またはガリウムであり、元素VIが硫黄および/またはセレンであり、前記方法がa基板上にアダプテーション層を堆積させるステップ、b前記アダプテーション層の上に、少なくとも元素Iおよび/またはIIIを含む少なくとも1つの層を堆積させるステップの第1の各ステップを含み、前記アダプテーション層がほぼ真空条件下で堆積され、ステップbがアダプテーション層の堆積と同じ条件下で、前記アダプテーション層を空気に晒すことなくIおよび/またはIIIの元素の第1の層を堆積させる第1の操作を含む、方法。ステップbが、電気分解によって、Iおよび/またはIIIの元素の少なくとも1つの第2の層を堆積させる第2の操作を含む、請求項1に記載の方法。前記第1および第2の層が元素IおよびIIIを含み、c加熱プロセスによって第1および第2の層を混ぜるステップをさらに含む、請求項2に記載の方法。前記ステップcが、少なくとも1つの元素VIを含む雰囲気でのアニール操作を含む、請求項3に記載の方法。前記アダプテーション層がモリブデンを含む、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。前記第1の層が銅を含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。前記第1の層が40nm超の厚さを有する、請求項6に記載の方法。アダプテーション層が大体600nmの厚さを有する、請求項5から7のいずれか一項に記載の方法。前記第2の層を堆積させる操作が酸性電解槽内で行われる、請求項2に記載の方法。前記アダプテーション層および前記第1の層が、同じ機械内でスパッタリングおよび/または蒸着によって堆積される、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。前記第1および第2の層が銅およびインジウムの両方を含み、それによって銅対インジウムの量の原子比が1から2となる、請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。第2の層の上に第3の層をさらに堆積させることをさらに含み、前記第1、第2および第3の層が銅、インジウム、およびガリウムのすべてを含み、それによって銅の量対インジウムおよびガリウムの合計量の原子比が0.6から2となる、請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。アダプテーション層を介して基板上に堆積される電気めっきI-III-VI化合物層であって、元素Iが銅であり、元素IIIがインジウムおよび/またはガリウムであり、元素VIが硫黄および/またはセレンであり、アダプテーション層と、少なくとも元素IおよびIIIを含む少なくとも1つの層とを、ほぼ真空条件下で、前記アダプテーション層を空気に晒すことなく堆積させ、アダプテーション層とI-III-VI化合物層間の界面での酸化が、少なくとも元素IおよびIIIを含む前記層がほぼ真空条件下で堆積されていないアダプテーション層上に堆積させた電気めっきI-III-VI化合物層の構造と比較して、1/10以下に減少される、電気めっきI-III-VI化合物層。請求項13に記載の電気めっきI-III-VI化合物層を含む太陽電池デバイス。本発明は、この状況を改良することを目的とする。そのためには、本発明は、光起電力特性を有するI-III-VI合金の薄層を製造する方法であって、元素Iが銅であり、元素IIIがインジウムおよび/またはガリウムであり、元素VIが硫黄および/またはセレンであり、前記方法がa基板上にアダプテーション層を堆積させるステップ、b前記アダプテーション層の上に、少なくとも元素Iおよび/またはIIIを含む少なくとも1つの層を堆積させるステップの第1の各ステップを含む方法を提案する。本発明によれば、前記アダプテーション層は、ほぼ真空の条件下で堆積され、ステップbはアダプテーション層の堆積と同じ条件下で、前記アダプテーション層を空気に晒すことなくIおよび/またはIIIの元素の第1の層を堆積させる第1の操作を含む。したがって、本発明は、金属層構造を作り出す提案をし、層の硫化またはセレン化の間にアダプテーション層例えばモリブデン/I-III-VI2層の界面に空隙ができるのを防止する方法を提案する。好ましくは、ステップbは、次いで、電気分解によって、Iおよび/またはIIIの元素の少なくとも1つの第2の層を堆積させる第2の操作を含む。好ましくは、前記第1および第2の層は元素IおよびIIIを含み、本方法はc加熱プロセスによって第1および第2の層を混ぜて、合金I-IIIを有利に形成するステップをさらに含む。好ましくは、ステップcは、少なくとも1つの元素VIを含む雰囲気でアニール操作することを含む。この種のプロセスは、硫化またはセレン化として知られている。アダプテーション層は、好ましくは、モリブデンまたは変形として白金を含む。ある実施形態において、前記の第1の層は、銅を含む。その厚さは好ましくは40nm超であり、一方、アダプテーション層は例えば大体600nmの厚さを有する。有利には、前記第2の層を堆積させる操作は、酸性電解槽の中で行う。その結果、槽の酸性度が、シード層それ自体から形成される酸化を腐食させることができる。アダプテーション層および第1の層は、例えば、好ましくは同じ機械の中で、スパッタリングおよび/または蒸着によって堆積させることができる。ある実施形態において、前記第1および第2の層は、銅およびインジウムの両方を含み、それによって銅対インジウムの量の原子比は1から2である。下に解説するように、有利な化学量論は、例えばCu11In9である。第3の層を第2の層の上に堆積させる実施形態において、前記第1、第2および第3の各層は、銅、インジウム、およびガリウムのすべてを含み、それによって銅の量対インジウムおよびガリウムの合計量の原子比は0.6から2である。本発明は、アダプテーション層を介して基板上に堆積させた電気めっきI-III-VI化合物層をも目的とし、元素Iは銅であり、元素IIIはインジウムおよび/またはガリウムであり、元素VIは硫黄および/またはセレンであり、ここでアダプテーション層と少なくとも元素IおよびIIIを含む少なくとも1つの層とを、ほぼ真空条件下で、前記アダプテーション層を空気に晒すことなく堆積させ、ここでアダプテーション層とI-III-VI化合物層の界面における酸化は、少なくとも元素IおよびIIIを含む前記層がほぼ真空条件下で堆積されていないアダプテーション層上に堆積した電気めっきI-III-VI化合物層の構造と比較して、1/10以下に減少される。下に解説する図6を参照すれば、この10という比率がさらに高くなり得ることが示されるであろう。本発明は、本発明による電気めっきI-III-VI化合物層を含む太陽電池デバイスをも目的とする。本発明の他の特徴および利点は、下の詳しい説明と添付の図面を確認することによって明らかになるであろう。図1を参照すると、電解槽BAは元素Iおよび/または元素IIIおよび/または元素VIの塩を含み得る。硫酸水銀基準電極MEを基準として電極ELに電圧を印加し、堆積を開始させる。しかし、このような槽は、槽内に元素VIが存在するため、不安定と判断されている。したがって、例えばI-IIIに近い全体的化学量論の層を成長させ、次いで、得た層を、元素VIを続けて供給することによって処理することが考えられる。しかし、ここでも電気分解によるI-III層の成長は不安定となり得、特に最終層中のI-III合金の化学量論の制御は保証されない。したがって、現在、元素の層の順序例えば元素Iの層、次いで元素IIIの層、次いで任意選択による元素Iの新しい層および元素IIIの層等に従って多層構造を堆積させ、次いで熱処理通常、昇温、温度保持および温度低下の選択した順序にしたがってアニールを施し、I-IIIの全体的化学量論の混ざった構造、すなわち混合された構造を得ることが好ましい。元素VIは、セレン化および/または硫化の熱処理によって後続して与えても、前記のアニールと同時に与えても望ましいI-III-VI2化学量論が得られる。結果として得られる層は良好な光起電力特性を有し、それにより、このような薄層を組み込む光電池が高収率で得られる。より具体的には、ここで図2を参照すると、このようなI-III層は、基板SUBとI-III層CIとの間のアダプテーション層Mo上に堆積されている。一般に、アダプテーション層は、モリブデンなどの安定した金属材料で作られている。アダプテーション層Moの酸化を防ぐために、またこれからそこにI-III-VI層の接着を促進するために、本発明は、Cu、InもしくはGaのシード薄層またはストライク薄層図2のSEEDを指すを、アダプテーション層Mo例えば、モリブデン製またはモリブデンを含む合金製の上部に堆積させることを提案する。このシード層は、真空条件下またはほぼ真空条件下で例えば物理的堆積技術例えば、非常に低い圧力下でターゲットに対してスプレーすることによるまたは任意の同等の技術によって堆積される。アダプテーション層Moとシード層SEEDは両方とも真空条件で、特に空気に晒すことなく堆積される。このステップの後、他のありうるI-III層図2のCI層を指すは、例えば電気分解によってシード層Cu、InおよびGaが導電性の金属であるため、この層は導電性である上に堆積される。シード層と他のI-III層間に強固な界面を確保するために、銅および/またはインジウムおよび/またはガリウムおよび/または他の任意のI、III材料の塩を含めた酸めっき化学物質をシード層の上部に使用し、シード層の上部表面上にある可能性がある酸化物のステインをエッチングすることが好ましい。存在する電気分解用のCu、In、Ga電解液のほとんどが酸であることは、本明細書で留意する価値がある。モリブデン層上に堆積されているシード層として銅層について試験を行った。強固なMo/Cu界面は、カーケンドールボイドができるのを防ぐには十分であるが、界面形態をさらに改良するために、元素IとIIIの間の比率を最適化すべきである。例えば、Mo/Cu界面に残った銅Cuを制御すべきである。より具体的には、インジウムInと反応しCu11In9層を形成するのに要する最小量のCuがMoへの接着を改良するのに貢献することが確認されている。硫化の間、元素III液InまたはGa中のCuの拡散を遅延するために、別法の製造方法を本明細書で提案するが、それは第1の二元合金CuIn2を最初に電気めっきし、次いで第2の合金Cu11In9および/または第1の合金がGaを含む場合はCuGa2に変換する。この第2の合金は、カルコパイライト構造の硫化CuInS2またはセレン化CuInSe2を形成するために次いで硫化またはセレン化される。Mo/Cu界面上のCuIn2合金を電気めっきした後、CuGa2合金を電気めっきすることによってCuInGaSまたはSeI-III-VI材料が得られることに留意すべきである。実施形態の例電気化学を用いると、銅/インジウム/ガリウムの堆積物が、特にソフトアニールの後、高い純度の大きな粒状構造を示す。このCuおよびInの粒状構造がマッチングして、カルコパイライト材料の大きな粒状構造を生じ得る。モリブデンMoの酸化を防ぐため、またMoおよびCuInGaSeSの接着を促進するために、CuまたはInのシード薄層をMoの上部に真空系で堆積させる。Moおよびシードは両方とも真空で空気に晒すことなく、例えば気相堆積またはPVDなどの堆積技術を使用して、堆積させる。引っ張り応力を持つ600nmのMoおよび40nmのCuシードをソーダ石灰ガラス上に有するサンプルを製造した。張力のあるMoを有する電池に接着の損失は示されず、9~10の効率を示した。基板ソーダ石灰ガラスは、好ましくはPVD堆積前に、洗浄液を使う洗浄機および多段階のブラシで準備する。ガラスは超高純度の気流で乾燥する。この汚染管理は、乾式堆積ステップの間にピンホールを招く、ありうる表面欠陥を防ぐ。工業用の適合性およびプロセスの安定性のためには、Cuシード層が厚くなれば、ガラス/Mo/Cuスタック一式の電気パラメーターの制御が、特に大型の基板に対するシート抵抗の均一性について、それだけ良好になることが認められている。モリブデン層は、同じまたは異なるPVDプロセス条件電力、ガス比によって、いくつかのモリブデンサブ層から成る。膜の安定性およびさらなるCIGSまたはCIGSSe各層の安定性を確保するために、固有抵抗を最適化すべきである。Cuシードの最小の厚さを、銅における電子の平均行程の2倍である74nmに設定する。この値を下回ると、銅シード層の抵抗率が大きく増すことが認められている。図3を参照すると、コーティング基板全域で不均一性3から5の通常のコーターの間の基板全域の厚さの僅かな変化に対して、シート抵抗の変化は銅シード層が厚くなるほど少なくできる。厚さ80nmで、Mo/Cuバック接点のシート抵抗の均一性は、5より良好であることがわかっている。この場合、Mo層の厚さが大体600nmであれば、Mo/Cuスタックは固有抵抗例えば12uOhm.cmを下回ることがあり、その結果、電着によってI-III層を成長させる能力が与えられる。図4は、銅層の酸化が、厚さが40nmの時よりも60または80nmで低下することを示す。実際、層の輝度変化によって酸化が検出されている。図4の図は、雰囲気温度21°C、相対湿度45への20分の曝露後に、反射率が高くなることを示す。また、Mo/Cuスタックは熱い場合の雰囲気への曝露に非常に敏感であることも認められている。スパッタリングプロセスの後のアンロードステップの間、空気に晒した時の基板の温度は、波長560nmでMo/Cu層上で測定される反射率と密接な関係を有する。より具体的には、一般原則として、図5で示すように、コーティングした基板は、好ましくは70°Cを超える温度の雰囲気に晒すべきでない。図6は、-PVDによって堆積されたMo層破線、-PVDによって堆積された銅層の下部のPVDによって堆積されたMo層のスタック実線のSIMS解析図である。これは、Mo/CuPVD構造中の酸素がMoによるのではなく銅によって捕獲されることを示す。Mo/CuPVDシード界面は、ほとんど酸素を含まない。一方、Mo/Cu電気分解層は、空気に晒されるCu界面に酸素を多く含んでいる。より具体的には、-Mo/CuPVDスタックのMo層は、Mo層の約1/20の酸素を有し、-Mo上のCuPVDキャッピング層は、普通のMo層の約1/50の酸素含有量を有する。したがって、Cuキャッピング層は、Mo層を酸化から保護する。酸化銅は、ほとんどの既存の電解槽によって得られる酸性pH溶液によって容易に取り除くことができる。最後に、その製造の最終段階で、アダプテーション層MoとI-III-VI化合物間の界面に見られる、減少した量の酸素原子すなわち酸化は、本発明によるプロセスが実現された証拠である。したがって、本発明は、アダプテーション層を介して基板上に堆積された電気めっきI-III-VI化合物層をも目的とするが、ここでアダプテーション層と、少なくとも元素IおよびIIIを含む少なくとも1つの層とを、ほぼ真空条件下で、前記アダプテーション層を空気に晒すことなく堆積させ、より具体的には、アダプテーション層とI-III-VI化合物層間の界面での酸化は、少なくとも元素IおよびIIIを含む前記層がほぼ真空条件下で堆積されていないアダプテーション層上に堆積させた電気めっきI-III-VI化合物層の構造と比較して、少なくとも10倍抑制される。本発明は、このような電気めっきI-III-VI化合物層を含む太陽電池デバイスをも目的とする。より具体的には、アダプテーション層とI-III-VI化合物層間の接着がISO-2409試験ベンダーリファレンス99C8705000試験に合格していることが認められている。その上、I-III-VI化合物層とアダプテーション層間の界面は、ほとんど空隙がない。このような特徴の効果は、形成された構造の表面導電率の向上である。<実施例1>ガラス/600nmMo/Cu40nm真空下/クエン酸第二銅電気分解/硫酸インジウム電気分解/クエン酸第二銅電気分解/硫酸インジウム電気分解電解槽中でパドルセルを撹拌しながら、電流密度5mA/cm2で51秒間、クエン酸第二銅層を電気めっきし、厚さ110nmの層に成長させる。硫酸インジウム層は、電流密度0.5mA/cm2で1000秒間電気めっきし、70の効率で厚さ200nmの層に成長させる。第2のクエン酸第二銅層は70秒間電気めっきし、その厚さは150nmになる。<実施例2>ガラス/600nmMo/40nmCu真空下/CuShipley登録商標電解液層1/硫酸インジウム層2/CuShipley登録商標電解液層3/硫酸インジウム層4層1:CuShipley3001化学物質、15mA/cm2、21秒厚さ110nm層2:硫酸インジウム、0.5mA/cm2、1000秒70の効率で厚さ200nm、Ptアノード層3:CuShipley3001化学物質、15mA/cm2、28秒厚さ150nm層4:硫酸インジウム、0.5mA/cm2、1000秒70の効率で厚さ200nm、Ptアノード実施例2は実施例1より好ましいが、それは、Shipley3001化学物質由来の電気めっきCu層の大型粒状構造がインジウム化学物質とマッチングし、その結果、カルコパイライト層の大型粒ができるためである。その上、Shipley3001銅槽の酸性度が、真空下で堆積させたCu層の表面を酸化から防止する。<実施例3>ガラス/600nmMo/80nmCu真空下/CuEnthone登録商標層1/InEnthone登録商標層2層1:CuMicrofabSC化学物質、15mA/cm2、120秒340nm層2:InHeliofab390、15mA/cm2、180秒70の効率で450nm実施例3は好ましい実施形態であるが、それは本発明の利点による、モリブデンとの界面を酸化から防止する、銅シード層の効率的な厚さのためである。その上、MicrofabSC銅槽の酸性度が、真空下で堆積させたCu層の表面を酸化から防止する。<実施例4>ガラス/600nmMo/80nmCu真空下/CuEnthone登録商標層1/InEnthone登録商標層2/GaEnthone登録商標層3層1:CuMicrofabSC化学物質、10mA/cm2、25秒70nm層2:InHeliofab390、20mA/cm2、60秒380nm層3:GaHeliofab365、20mA/cm2、15秒160nm実施例4は、インジウムとは別の元素IIIとしてガリウムを導入している。これらの実施例において、用語Cu真空下は、ほぼ真空条件下での銅堆積に関する。このような条件は、銅層をスパッタリングによって堆積させる間、銅層の残留酸素、水等による起こりうる汚染を監視することを目的としている。より具体的には、スパッタリングチャンバ内の圧力が1.10-7から5.10-6mbarの間の範囲に制限される。モリブデンまたは銅のスパッタリングプロセスそのものの間では、圧力はさらに高くなる可能性があり、例えば1から10μbarの範囲になることがある。より一般的には、モリブデンアダプテーション層の堆積がほぼ真空条件1.10-7mbarから10μbarの間、例えば10-10barから10-5barの間の広い範囲内下で行われた後、同様の条件で銅層の堆積が行われるが、より具体的には2層の堆積の間は空気に晒されていないことを理解すべきである。当然、本発明の範囲は、例として上述した実施形態に制限されず、代替実施形態をも包含する。例えば、シード層は、銅の代わりに銀などの別の元素Iで形成されてもよい。また元素III、例えばインジウムもしくはアルミニウムまたはガリウムも含み得るこれらの元素の合金で形成されてもよい。より一般的には、元素Iおよび/またはIIIを含む合金で形成され得る。シード層の厚さは、シード層に選んだ材料の平均自由行程にしたがって選択することができる。例えば、シード層は、元素層純銅層もしくは純インジウム層またはCuIn、CuGa、CuInGaもしくはInGaなどの合金層でも形成され得る。しかし、より一般的には、シード層は、少なくとも元素Iおよび/またはIIIを含む。したがって、別の元素を含むことがある。例えば、モリブデンMoを含むことがある。より具体的には、シード層は、MoCu、MoInまたはMoGaなどの合金を含むことがある。その上、電気めっきした元素Iおよび/またはIIIは、単一のI-III層として堆積させることができる。例えば、元素Iおよび元素IIIの塩は、同じ電解槽の中で与えられ得る。アダプテーション層をその上に堆積させる基板は、ガラスソーダ石灰基板でも、例えば鋼板などの金属基板でもよい。その上、本発明は、空気中で酸化するいかなるアダプテーション層金属例えばモリブデンまたは任意のその他の金属にも適用する。