基体上に積層された金属層を湿式エッチング法によって所望のパターンを形成する方法であって、水素よりも電気化学列で貴かつ前記金属層よりも貴な金属によってなされる機能金属層を金属層上に形成する工程と、水素イオンより電気化学列で貴であり、前記機能金属層よりも電気化学列で卑な金属イオンを含む酸性の処理液によって前記金属層をエッチングする工程と、を具備したことを特徴とする湿式エッチング方法。基体上に積層された金属層を湿式エッチング法によって所望のパターンを形成する方法であって、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウムのいずれかによってなされる機能金属を金属層上に付与する工程と、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウムのいずれかによって還元される酸化種を含む処理液によって金属層をエッチングする工程と、を具備したことを特徴とする湿式エッチング方法。前記金属は、アルミニウム、アルミニウム合金、鉄、鉄合金の中から選ばれることを特徴とする請求項1または2に記載の湿式エッチング方法。機能金属は、金、銀、白金、イリジウム、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、オスミウムのいずれかであることを特徴とした、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の湿式エッチング方法。前記機能金属層は、金属をイオン化した溶液に金属層を浸漬することで金属層表面に析出させることを特徴とした請求項1乃至4のいずれか1項に記載の湿式エッチング方法。前記処理液は、銅、銀、白金の金属イオンを少なくとも1つと硝酸イオンを含むことを特徴とした請求項1に記載の湿式エッチング方法。前記処理液はウ素イオン含むことを特徴とした請求項2に記載の湿式エッチング方法。前記基体はシリコンであることを特徴とする、請求項1または2に記載の湿式エッチング方法。前記基体は半導体装置であることを特徴とする請求項7に記載の湿式エッチング方法。本発明は上記問題を解決するためになされたもので、エッチングを要する部分全面にエッチングを効率的に進行させる機能を持った金属を付与し、さらにアルミニウム等の卑金属のエッチング中に発生する水素ガスを抑制することで、生産性が高く、均一処理が行え、微細配線の形成を可能にした湿式エッチング方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、第1の発明によれば、水素よりも電気化学列で卑な金属層を有する基板において、この金属層よりも電気化学列において貴な金属で構成された機能金属を付与する工程と、水素よりも電気化学的に貴で機能金属層よりも電気化学的に卑な金属のイオンを有する酸性の処理液に浸漬することによって湿式エッチングを行う方法が提供される。この水素よりも電気化学列で卑な金属としては、例えばアルミニウム、鉄、ニッケルなどが挙げられる。また第2の発明によれば、水素よりも電気化学列で卑な金属層を有する基板において、金、銀、白金、イリジウム、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、オスミウムに代表される貴金属のうち少なくとも一つ以上の金属で構成された機能金属を付与する工程と、機能金属の表面において金属層の酸化溶解により生成した電子によって還元処理される酸化種を含む処理液に浸漬することで湿式エッチングを行うことが提供される。また第3の発明によれば、前記第1側面と第2側面に記載された基板上に形成された金属層はアルミニウム、アルミニウム合金、鉄、鉄合金であることを特徴とする湿式エッチング方法が提供される。また第4の発明によれば、前記第1側面から第3側面まで記載された機能金属は、金、銀、白金、イリジウム、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、オスミウムであることを特徴とする湿式エッチング方法が提供される。また第5の発明によれば、前記第1側面から第4側面に記載された機能金属は、その金属がイオン化した溶液に、金属層を浸漬することによって形成することを特徴とする湿式エッチング方法が提供される。また第6の発明によれば、前記第1側面から第5側面まで記載された処理液は、銅、銀、白金の少なくともひとつ以上の金属イオンと硝酸を含むことを特徴とした湿式エッチング方法が提供される。また第7の発明によれば、前記第2側面に記載された処理液は、ヨウ素イオンを含むことを特徴とした湿式エッチング方法が提供される。また第8の発明によれば、前記第1側面、第2側面に記載された湿式エッチング方法において、基材がシリコンであることを特徴とした湿式エッチング方法が提供される。また第9の発明によれば、前記第8側面に記載されたエッチング方法において、基材が半導体装置であることを特徴とした湿式エッチング方法が提供される。本発明によれば、シリコン配線基板上のアルミニウム層を湿式エッチングによって配線形成をする際に、エッチング速度を向上させ、エッチング部分から水素ガスを発生させないことで微細パターンを配線形成する手段を提供できる。これによって、湿式エッチングを採用できるので、短時間に大量の基板を同時に処理することが可能であり、安価に配線基板を製造することが可能になる湿式エッチング方法を提供できる。以下、本発明の実施形態に係わるシリコン配線基板を図面を参照して詳細に説明する。第1実施形態図1は第1実施形態に係るシリコン配線基板の製造工程を示す概略断面図である。第1工程:シリコン基体1上には、アルミまたはアルミ合金で形成された金属層2が形成されている。アルミ合金は、例えばアルミ銅合金やアルミシリコン合金などを選択できるがこれに限定されるものではない。この上に一般的なフォトリソグラフィー技術を用いて金属層2を残す部分にのみレジスト4を形成しておく図1a。第2工程:この基板を水素よりも貴な機能金属3として例えばパラジウムを用いた液を使用する。この液としては塩化パラジウム溶液に基板を浸漬することで、金属層2の表層と機能金属3が置換され機能金属が金属層2の表面に付与される。このとき、付与される機能金属は粒子状であり、金属層上に点在するように析出する図1b。このとき、浸漬時間を長くしたり、濃度を高くしたりすると付与される量が多くなり、粒子が密に付与されてしまい層を形成し金属層が封止されエッチングが行えなくなるため、付与量は多すぎてはいけない。一方で、少なすぎると付与される機能金属が面内に粗な状態になるため、必要な部分に機能金属が影響を及ぼせなくなることから、均一なエッチングが行えなくなる。そのため、その液濃度と時間には調整が必要である。この調整方法には、透過型電子顕微鏡などを用いて機能金属が点在していることを確認するという方法がある。しかしながら、湿式による電気化学列の差のみによって行われる金属置換はその密着力が弱いため、機能金属が多量に付与されたとしても、例えば機能金属を付与する薬液から取り出しただけで脱落することから、必要以上に付与された機能金属は脱落しやすく、金属層が封止されることはほとんどないため、製造条件を比較的広くとることが可能になる。しかしながら、蒸着などによって機能金属を付与するとこれが金属層と密着して皮膜が形成されやすいため、不要な機能金属を除去することが困難であり、付与条件を細かく調整することが必要であることから、湿式による付与が推奨される。第3工程:この基板をエッチング液に浸漬することで、金属層2が水素イオンと置換し溶解されエッチングが進行するが、機能金属3を有することで金属層が陽極となり酸化され、機能金属が陰極となって電子を放出する局部電池を構成するため通常のエッチングよりも高速に行うことが可能になる。さらに、エッチング液が水素よりも貴であり、機能金属3よりも卑な金属を含む液であることで、例えば銅イオンを含む液であればエッチング中にアルミが酸化され置換金属5である銅が機能金属上に析出することで水素ガスの発生を抑制し微細パターンの形成を行い易くする図1c。その一方で、析出金属5である銅はエッチング液に含まれる硝酸により溶解され機能金属上から消失する。これを繰り返すことで、アルミは酸化され、銅は析出するが再び溶解することでエッチングが進行する図1d。このとき、エッチング液に含まれる金属イオンは001molL以上であると金属イオンの析出量が多すぎ、金属層2を被覆してしまう虞があり、一方で00001molL以下では析出量が少なく、水素ガスが発生してしまう。このことより、金属イオン濃度は0001molL以上0005molL以下が好ましく、0001molL以上0003molL以下とすることがさらに好ましい。また機能金属は、金属層2がエッチングされることで基体上から離脱するため、基板1に残ることはない。また、機能金属であるパラジウムも銅も置換反応によって析出したためアルミニウムとの化合物は形成しておらず、密着力は強固でないため、このとき基板近傍に強力な液流を発生させることで、これらの異種金属の離脱を促進させることができる図1e。第4工程:この基板をアルカリや溶剤などを用いてレジストを剥離することで配線形成が完了する図1f。この他に好ましい組み合わせとしては次のものが挙げられるが、これらに限られるものではない。金属層:アルミニウムまたはアルミニウム合金機能金属層:白金エッチング液:ヨウ素溶液ヨウ素溶液は0.5mol/L程度の濃度での使用が好ましい。金属層:鉄または鉄合金機能金属層:ルテニウム塩化ルテニウムを使用することが好ましいエッチング液:銅イオンを含む液第2実施形態また、第1実施形態の第2工程によって機能金属層を形成した基板に、第3工程として機能金属層によって還元される酸化種を含む水溶液に浸漬することで、同様なエッチングを行うことができるが、酸化種を選択することでこれらが還元された際に固形物が析出せずより異物付着の懸念を減らすことができるようになる。この場合のエッチング液にはたとえば、ヨウ素、臭素、バナジン酸、キノン、などを選択することができるが、これに限定されるものではない。以上の方法により、アルミニウムエッチングにおいて水素ガスが発生しない湿式エッチング方法を提供し、これによって微細パターンの形成が可能になる。アルミ層が形成されたシリコン基板上に、フォトリソグラフィー技術を使用して配線幅100マイクロメートル、間隙100マイクロメートルのレジストパターンの形成を行ったものを、濃度1gLの塩化パラジウム水溶液に1分間浸漬し、表面にパラジウムの機能金属を付与した。この基板を銅を0001molL含むリン酸と硝酸の混合溶液に浸漬し、エッチング液がシリコン基板上に均一に流動するように液流を調整すると、基板からの水素ガス発生は低減しエッチングが進行した。これによって、配線間に水素ガスが滞留することなくエッチングを行うことが可能にであった。析出した銅は、エッチング中の液流により剥離したり、硝酸によって溶解されたりすることでアルミ上から除去され、またパラジウムは下地のアルミニウムが溶解することで除去され、基板上に残ることは無かった。アルミ層が形成されたシリコン基板上に、フォトリソグラフィー技術を使用して配線幅100マイクロメートル、間隙100マイクロメートルのレジストパターンの形成を行ったものを、金属イオンを含まないリン酸と硝酸の混合溶液に浸漬し、エッチング液がシリコン基板上に均一に流動するように液流を調整すると、アルミニウムからは水素ガスが発生しながら溶解しはじめた。しかしながらアルミニウムのエッチングが進行すると、発生した気泡によって配線間に金属残りが発生してしまい、配線形成が行えなかった。上記実施形態によれば、機能金属層を均一に形成することで、金属イオンを含むエッチング液を使用してエッチングを行うことが可能になる。