"放射線をシンチレータで光に変換し、当該光による放射線画像を撮影する間接変換方式の放射線検出器により撮影領域に放射線を照射させて撮影された放射線画像における第1欠陥画素の位置を示す第1欠陥マップにより示される第1欠陥画素から、前記放射線検出器により放射線を照射させずに撮影された画像における第2欠陥画素の位置を示す第2欠陥マップにより示される第2欠陥画素を除いて得られる特定欠陥画素を取得する取得手段と、前記放射線検出器により撮影された放射線画像に対して、前記取得手段によって取得された特定欠陥画素については少なくとも一部の周辺画素も補正対象に含めて欠陥画素補正を行う補正手段と、を備えた放射線画像処理システム。前記特定欠陥画素は、前記放射線検出器の撮影領域に放射線を照射させて撮影された放射線画像における予め定められた信号レベル以下で、かつ線状の第3欠陥画素の位置を示す第3欠陥マップにより示される第3欠陥画素をさらに除いて得られるものである請求項1記載の放射線画像処理システム。前記特定欠陥画素は、前記放射線検出器の撮影領域に放射線を照射させて撮影された放射線画像における点線状の第4欠陥画素の位置を示す第4欠陥マップをさらに除いて得られるものである請求項1または請求項2記載の放射線画像処理システム。前記補正手段は、前記特定欠陥画素の拡大および移動の少なくとも一方を行うことにより、前記少なくとも一部の周辺画素も補正対象に含めて欠陥画素補正を行う請求項1から請求項3の何れか1項記載の放射線画像処理システム。前記特定欠陥画素は、前記拡大および移動の少なくとも一方の対象外とされた第5欠陥画素の位置を示す第5欠陥マップにより示される第5欠陥画素をさらに除いて得られるものである請求項4記載の放射線画像処理システム。前記第5欠陥画素は、前記放射線検出器を通常動作時より高温とした状態、および前記放射線検出器に通常動作時より高いバイアス電圧を印加した状態の少なくとも一方の状態で検出されたものである請求項5記載の放射線画像処理システム。前記取得手段によって取得された特定欠陥画素の拡大および移動の少なくとも一方を行った後、当該特定欠陥画素の位置に前記第1欠陥画素、前記第2欠陥画素、前記第3欠陥画素、前記第4欠陥画素、および前記第5欠陥画素の各々の位置をまとめた統合欠陥マップを生成する生成手段をさらに備え、前記補正手段は、放射線画像に対して、前記生成手段によって生成された統合欠陥マップにより示される画素について欠陥画素補正を行う請求項4から請求項6の何れか1項記載の放射線画像処理システム。前記放射線検出器の温度を検出する温度検出手段をさらに備え、前記補正手段は、前記温度検出手段によって検出された温度が高いほど前記特定欠陥画素に対する拡大および移動の少なくとも一方の度合を大きくする請求項4から請求項7のいずれか1項記載の放射線画像処理システム。前記放射線検出器の反りを検出する反り検出手段をさらに備え、前記補正手段は、前記反り検出手段によって検出された反りが大きいほど前記特定欠陥画素に対する拡大および移動の少なくとも一方の度合を大きくする請求項4から請求項7のいずれか1項記載の放射線画像処理システム。前記シンチレータは、ヨウ化セシウムを含んで構成されている請求項1から請求項9の何れか1項記載の放射線画像処理システム。コンピュータを、放射線をシンチレータで光に変換し、当該光による放射線画像を撮影する間接変換方式の放射線検出器により撮影領域に放射線を照射させて撮影された放射線画像における第1欠陥画素の位置を示す第1欠陥マップにより示される第1欠陥画素から、前記放射線検出器により放射線を照射させずに撮影された画像における第2欠陥画素の位置を示す第2欠陥マップにより示される第2欠陥画素を除いて得られる特定欠陥画素を取得する取得手段と、前記放射線検出器により撮影された放射線画像に対して、前記取得手段によって取得された特定欠陥画素については少なくとも一部の周辺画素も補正対象に含めて欠陥画素補正を行う補正手段として機能させるためのプログラム。放射線をシンチレータで光に変換し、当該光による放射線画像を撮影する間接変換方式の放射線検出器により撮影領域に放射線を照射させて撮影された放射線画像における第1欠陥画素の位置を示す第1欠陥マップにより示される第1欠陥画素から、前記放射線検出器により放射線を照射させずに撮影された画像における第2欠陥画素の位置を示す第2欠陥マップにより示される第2欠陥画素を除いて得られる特定欠陥画素を取得する取得ステップと、前記放射線検出器により撮影された放射線画像に対して、前記取得ステップにて取得された特定欠陥画素については少なくとも一部の周辺画素も補正対象に含めて欠陥画素補正を行う補正ステップと、を行う欠陥画素補正方法。しかしながら、上記特許文献1に開示されている技術では、Aタイプの欠陥画素とBタイプの欠陥画素とが分離している場合には的確に欠陥画素補正を行うことができるものの、Aタイプの欠陥画素とBタイプの欠陥画素との少なくとも一部が同一位置で混在している場合にはAタイプの欠陥画素についても拡大されてしまう結果、必要以上に広い領域で欠陥画素補正を行ってしまう、という問題点があった。また、温度変化や経時で大きさが変わるのは主にシンチレータ側の欠陥であり、数は多くない例えば数百画素。しかし欠陥領域を拡大して過補正する場合、拡大の必要のないTFT基板の欠陥例えば数百画素を無用に過補正してしまうという問題もあった。本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、TFTアクティブマトリクス基板の画素欠陥によって生じる欠陥とシンチレータのキズやゴミの混入によって生じる欠陥とが同一位置に混在している場合であっても、的確に欠陥画素を補正することができる放射線画像処理システム、プログラム及び欠陥画素補正方法を提供することにある。上記目的を達成するために、請求項1に記載の放射線画像処理システムは、放射線をシンチレータで光に変換し、当該光による放射線画像を撮影する間接変換方式の放射線検出器により撮影領域に放射線を照射させて撮影された放射線画像における第1欠陥画素の位置を示す第1欠陥マップにより示される第1欠陥画素から、前記放射線検出器により放射線を照射させずに撮影された放射線画像における第2欠陥画素の位置を示す第2欠陥マップにより示される第2欠陥画素を除いて得られる特定欠陥画素を取得する取得手段と、前記放射線検出器により撮影された放射線画像に対して、前記取得手段によって取得された特定欠陥画素については少なくとも一部の周辺画素も補正対象に含めて欠陥画素補正を行う補正手段と、を備えている。請求項1に記載の放射線画像処理システムによれば、取得手段により、放射線をシンチレータで光に変換し、当該光による放射線画像を撮影する間接変換方式の放射線検出器により撮影領域に放射線を照射させて撮影された放射線画像における第1欠陥画素の位置を示す1欠陥マップにより示される第1欠陥画素から、放射線検出器により放射線を照射させずに撮影された画像における第2欠陥画素の位置を示す第2欠陥マップにより示される第2欠陥画素を除いて得られる特定欠陥画素が取得される。そして、補正手段により、前記放射線検出器により撮影された放射線画像に対して、前記特定手段によって特定された特定欠陥画素については少なくとも一部の周辺画素も補正対象に含めて欠陥画素補正が行われる。すなわち、補正手段により、特定欠陥画素及び特定欠陥画素の周辺に存在する画素の少なくとも一部分を補正対象として、欠陥画素補正が行われる。なお、上記取得手段による処理及び補正手段による処理は、双方とも、放射線画像撮影装置後述する電子カセッテに相当。及び当該放射線画像撮影装置を制御する制御装置後述するコンソールに相当。の何れで実行されても良く、何れか一方が放射線画像撮影装置で実行される一方、他方が制御装置で実行されても良い。これにより、TFTアクティブマトリクス基板の画素欠陥によって生じる欠陥とシンチレータのキズやゴミの混入によって生じる欠陥とが同一位置に混在している場合であっても、的確に欠陥画素を補正することができる。なお、本発明は、請求項2に記載の発明のように、前記特定欠陥画素は、前記放射線検出器の撮影領域に放射線を照射させて撮影された放射線画像における予め定められた信号レベル以下で、かつ線状の第3欠陥画素の位置を示す第3欠陥マップにより示される第3欠陥画素をさらに除いて得られるものであるようにしてもよい。これにより、より的確に欠陥画素を補正することができる。また、本発明は、請求項3に記載の発明のように、前記特定欠陥画素は、前記放射線検出器の撮影領域に放射線を照射させて撮影された放射線画像における点線状の第4欠陥画素の位置を示す第4欠陥マップをさらに除いて得られるものであるようにしてもよい。これにより、より的確に欠陥画素を補正することができる。また、本発明は、請求項4に記載の発明のように、前記補正手段は、前記特定欠陥画素の拡大および移動の少なくとも一方を行うことにより、前記少なくとも一部の周辺画素も補正対象に含めて欠陥画素補正を行うようにしてもよい。これにより、より簡易に欠陥画素を補正することができる。さらに、本発明は、請求項5に記載の発明のように、前記特定欠陥画素は、前記拡大および移動の少なくとも一方の対象外とされた第5欠陥画素の位置を示す第5欠陥マップにより示される第5欠陥画素をさらに除いて得られるものであるようにしてもよい。これにより、より的確に欠陥画素を補正することができる。さらに、本発明は、請求項6に記載の発明のように、前記第5欠陥画素は、前記放射線検出器を通常動作時より高温とした状態、および前記放射線検出器に通常動作時より高いバイアス電圧を印加した状態の少なくとも一方の状態で検出されたものであるようにしてもよい。これにより、より的確に欠陥画素を補正することができる。さらに、本発明は、請求項7に記載の発明のように、前記取得手段によって取得された特定欠陥画素の拡大および移動の少なくとも一方を行った後、当該特定欠陥画素の位置に前記第1欠陥画素、前記第2欠陥画素、前記第3欠陥画素、前記第4欠陥画素、および前記第5欠陥画素の各々の位置をまとめた統合欠陥マップを生成する生成手段をさらに備え、前記補正手段は、放射線画像に対して、前記生成手段によって生成された統合欠陥マップにより示される画素について欠陥画素補正を行うようにしてもよい。これにより、第1欠陥画素乃至第5欠陥画素の全てについて欠陥の補正を行うことができる結果、より的確に欠陥画素を補正することができる。さらに、本発明は、請求項8に記載の発明のように、前記放射線検出器の温度を検出する温度検出手段をさらに備え、前記補正手段は、前記温度検出手段によって検出された温度が高いほど前記特定欠陥画素に対する拡大および移動の少なくとも一方の度合を大きくするようにしてもよい。これにより、より的確に欠陥画素を補正することができる。さらに、本発明は、請求項9に記載の発明のように、前記放射線検出器の反りを検出する反り検出手段をさらに備え、前記補正手段は、前記反り検出手段によって検出された反りが大きいほど前記特定欠陥画素に対する拡大および移動の少なくとも一方の度合を大きくするようにしてもよい。これにより、より的確に欠陥画素を補正することができる。さらに、本発明は、請求項10に記載の発明のように、前記シンチレータは、ヨウ化セシウムを含んで構成されているようにしてもよい。一方、上記目的を達成するために、請求項11に記載のプログラムは、コンピュータを、放射線をシンチレータで光に変換し、当該光による放射線画像を撮影する間接変換方式の放射線検出器により撮影領域に放射線を照射させて撮影された放射線画像における第1欠陥画素の位置を示す1欠陥マップにより示される第1欠陥画素から、前記放射線検出器により放射線を照射させずに撮影された放射線画像における第2欠陥画素の位置を示す第2欠陥マップにより示される第2欠陥画素を除いて得られる特定欠陥画素を取得する取得手段と、前記放射線検出器により撮影された放射線画像に対して、前記取得手段によって取得された特定欠陥画素については少なくとも一部の周辺画素も補正対象に含めて欠陥画素補正を行う補正手段と、を備えた放射線画像処理装置として機能させるものである。従って、請求項11に記載のプログラムによれば、コンピュータを請求項1に記載の発明と同様に作用させることができるので、請求項1に記載の発明と同様に、TFTアクティブマトリクス基板の画素欠陥によって生じる欠陥とシンチレータのキズやゴミの混入によって生じる欠陥とが同一位置に混在している場合であっても、的確に欠陥画素を補正することができる。さらに一方、上記目的を達成するために、請求項12に記載の欠陥画素補正方法は、放射線をシンチレータで光に変換し、当該光による放射線画像を撮影する間接変換方式の放射線検出器により撮影領域に放射線を照射させて撮影された放射線画像における第1欠陥画素の位置を示す1欠陥マップにより示される第1欠陥画素から、前記放射線検出器により放射線を照射させずに撮影された画像における第2欠陥画素の位置を示す第2欠陥マップにより示される第2欠陥画素を除いて得られる特定欠陥画素を取得する取得ステップと、前記放射線検出器により撮影された放射線画像に対して、前記取得ステップにて取得された特定欠陥画素については少なくとも一部の周辺画素も補正対象に含めて欠陥画素補正を行う補正ステップと、を行うものである。従って、請求項12に記載の欠陥画素補正方法によれば、請求項1に記載の発明と同様に作用するので、請求項1に記載の発明と同様に、TFTアクティブマトリクス基板の画素欠陥によって生じる欠陥とシンチレータのキズやゴミの混入によって生じる欠陥とが同一位置に混在している場合であっても、的確に欠陥画素を補正することができる。本発明によれば、TFTアクティブマトリクス基板の画素欠陥によって生じる欠陥とシンチレータのキズやゴミの混入によって生じる欠陥とが同一位置に混在している場合であっても、的確に欠陥画素を補正することができる、という効果が得られる。以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、ここでは、本発明を、病院における放射線科部門で取り扱われる情報を統括的に管理するシステムである放射線情報システムに適用した場合の形態例について説明する。まず、図1を参照して、本実施の形態に係る放射線情報システム以下、RISRadiologyInformationSystemという。100の構成について説明する。RIS100は、放射線科部門内における、診療予約、診断記録等の情報管理を行うためのシステムであり、病院情報システム以下、HISHospitalInformationSystemという。の一部を構成する。RIS100は、複数台の撮影依頼端末装置以下、端末装置という。140、RISサーバ150、および病院内の放射線撮影室あるいは手術室の個々に設置された放射線画像撮影システム以下、撮影システムという。104を有しており、これらが有線や無線のLANLocalAreaNetwork等から成る病院内ネットワーク102に各々接続されて構成されている。なお、RIS100は、同じ病院内に設けられたHISの一部を構成しており、病院内ネットワーク102には、HIS全体を管理するHISサーバ図示省略。も接続されている。端末装置140は、医師や放射線技師が、診断情報や施設予約の入力、閲覧等を行うためのものであり、放射線画像の撮影依頼や撮影予約もこの端末装置140を介して行われる。各端末装置140は、表示装置を有するパーソナルコンピュータを含んで構成され、RISサーバ150と病院内ネットワーク102を介して相互通信が可能とされている。一方、RISサーバ150は、各端末装置140からの撮影依頼を受け付け、撮影システム104における放射線画像の撮影スケジュールを管理するものであり、データベース150Aを含んで構成されている。データベース150Aは、患者被検者の属性情報氏名、性別、生年月日、年齢、血液型、体重、患者IDIdentification等、病歴、受診歴、過去に撮影した放射線画像等の患者に関する情報、撮影システム104で用いられる、後述する電子カセッテ40の識別番号ID情報、型式、サイズ、感度、使用開始年月日、使用回数等の電子カセッテ40に関する情報、および電子カセッテ40を用いて放射線画像を撮影する環境、すなわち、電子カセッテ40を使用する環境一例として、放射線撮影室や手術室等を示す環境情報を含んで構成されている。撮影システム104は、RISサーバ150からの指示に応じて医師や放射線技師の操作により放射線画像の撮影を行う。撮影システム104は、放射線源121図2も参照。から曝射条件に従った線量とされた放射線X図6も参照。を被検者に照射する放射線発生装置120と、被検者の撮影部位を透過した放射線Xを吸収して電荷を発生し、発生した電荷量に基づいて放射線画像を示す画像情報を生成する放射線検出器20図6も参照。を内蔵する電子カセッテ40と、電子カセッテ40に内蔵されているバッテリを充電するクレードル130と、電子カセッテ40および放射線発生装置120を制御するコンソール110と、を備えている。コンソール110は、RISサーバ150からデータベース150Aに含まれる各種情報を取得して後述するHDD116図9参照。に記憶し、必要に応じて当該情報を用いて、電子カセッテ40および放射線発生装置120の制御を行う。図2には、本実施の形態に係る撮影システム104の放射線撮影室180における各装置の配置状態の一例が示されている。同図に示すように、放射線撮影室180には、立位での放射線撮影を行う際に用いられる立位台160と、臥位での放射線撮影を行う際に用いられる臥位台164とが設置されており、立位台160の前方空間は立位での放射線撮影を行う際の被検者の撮影位置170とされ、臥位台164の上方空間は臥位での放射線撮影を行う際の被検者の撮影位置172とされている。立位台160には電子カセッテ40を保持する保持部162が設けられており、立位での放射線画像の撮影を行う際には、電子カセッテ40が保持部162に保持される。同様に、臥位台164には電子カセッテ40を保持する保持部166が設けられており、臥位での放射線画像の撮影を行う際には、電子カセッテ40が保持部166に保持される。また、放射線撮影室180には、単一の放射線源121からの放射線によって立位での放射線撮影も臥位での放射線撮影も可能とするために、放射線源121を、水平な軸回り図2の矢印a方向に回動可能で、鉛直方向図2の矢印b方向に移動可能で、さらに水平方向図2の矢印c方向に移動可能に支持する支持移動機構124が設けられている。ここで、支持移動機構124は、放射線源121を水平な軸回りに回動させる駆動源と、放射線源121を鉛直方向に移動させる駆動源と、放射線源121を水平方向に移動させる駆動源を各々備えている何れも図示省略。。一方、クレードル130には、電子カセッテ40を収納可能な収容部130Aが形成されている。電子カセッテ40は、未使用時にはクレードル130の収容部130Aに収納された状態で内蔵されているバッテリに充電が行われ、放射線画像の撮影時には放射線技師等によってクレードル130から取り出され、撮影姿勢が立位であれば立位台160の保持部162に保持され、撮影姿勢が臥位であれば臥位台164の保持部166に保持される。ここで、本実施の形態に係る撮影システム104では、放射線発生装置120とコンソール110との間、および電子カセッテ40とコンソール110との間で、無線通信によって各種情報の送受信を行う。なお、電子カセッテ40は、立位台160の保持部162や臥位台164の保持部166で保持された状態のみで使用されるものではなく、その可搬性から、腕部,脚部等を撮影する際には、保持部に保持されていない状態で使用することもできる。次に、本実施の形態に係る放射線検出器20の構成について説明する。図3は、本実施の形態に係る放射線検出器20の3画素部分の構成を概略的に示す断面模式図である。同図に示すように、本実施の形態に係る放射線検出器20は、絶縁性の基板1上に、信号出力部14、センサ部13、およびシンチレータ8が順次積層しており、信号出力部14、センサ部13により画素部が構成されている。画素部は、基板1上に複数配列されており、各画素部における信号出力部14とセンサ部13とが重なりを有するように構成されている。シンチレータ8は、センサ部13上に透明絶縁膜7を介して形成されており、上方基板1の反対側または下方から入射してくる放射線を光に変換して発光する蛍光体を成膜したものである。このようなシンチレータ8を設けることで、被写体を透過した放射線を吸収して発光することになる。シンチレータ8が発する光の波長域は、可視光域波長360nm~830nmであることが好ましく、この放射線検出器20によってモノクロ撮像を可能とするためには、緑色の波長域を含んでいることがより好ましい。シンチレータ8に用いる蛍光体としては、具体的には、放射線としてX線を用いて撮像する場合、ヨウ化セシウムCsIを含むものが好ましく、X線照射時の発光スペクトルが420nm~600nmにあるCsITlタリウムが添加されたヨウ化セシウムを用いることが特に好ましい。なお、CsITlの可視光域における発光ピーク波長は565nmである。センサ部13は、上部電極6、下部電極2、および当該上下の電極間に配置された光電変換膜4を有し、光電変換膜4は、シンチレータ8が発する光を吸収して電荷が発生する有機光電変換材料により構成されている。上部電極6は、シンチレータ8により生じた光を光電変換膜4に入射させる必要があるため、少なくともシンチレータ8の発光波長に対して透明な導電性材料で構成することが好ましく、具体的には、可視光に対する透過率が高く、抵抗値が小さい透明導電性酸化物TCOTransparentConductingOxideを用いることが好ましい。なお、上部電極6としてAuなどの金属薄膜を用いることもできるが、透過率を90以上得ようとすると抵抗値が増大し易いため、TCOの方が好ましい。例えば、ITO、IZO、AZO、FTO、SnO2、TiO2、ZnO2等を好ましく用いることができ、プロセス簡易性、低抵抗性、透明性の観点からはITOが最も好ましい。なお、上部電極6は、全画素部で共通の一枚構成としてもよく、画素部毎に分割してもよい。光電変換膜4は、有機光電変換材料を含み、シンチレータ8から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。このように有機光電変換材料を含む光電変換膜4であれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、シンチレータ8による発光以外の電磁波が光電変換膜4に吸収されることがほとんどなく、X線等の放射線が光電変換膜4で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。光電変換膜4を構成する有機光電変換材料は、シンチレータ8で発光した光を最も効率よく吸収するために、その吸収ピーク波長が、シンチレータ8の発光ピーク波長と近いほど好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長とシンチレータ8の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければシンチレータ8から発された光を十分に吸収することが可能である。具体的には、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、シンチレータ8の放射線に対する発光ピーク波長との差が、10nm以内であることが好ましく、5nm以内であることがより好ましい。このような条件を満たすことが可能な有機光電変換材料としては、例えばキナクリドン系有機化合物およびフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えばキナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は560nmであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ8の材料としてCsITlを用いれば、上記ピーク波長の差を5nm以内にすることが可能となり、光電変換膜4で発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。次に、本実施の形態に係る放射線検出器20に適用可能な光電変換膜4について具体的に説明する。本実施の形態に係る放射線検出器20における電磁波吸収/光電変換部位は、1対の電極2,6と、当該電極2,6間に挟まれた有機光電変換膜4を含む有機層により構成することができる。この有機層は、より具体的には、電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子ブロッキング部位、正孔ブロッキング部位、結晶化防止部位、電極、および層間接触改良部位等の積み重ね、もしくは混合により形成することができる。上記有機層は、有機p型化合物または有機n型化合物を含有することが好ましい。有機p型半導体化合物は、主に正孔輸送性有機化合物に代表されるドナー性有機半導体化合物であり、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは2つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。したがって、ドナー性有機化合物としては、電子供与性のある有機化合物であれば、いずれの有機化合物も使用可能である。有機n型半導体化合物は、主に電子輸送性有機化合物に代表されるアクセプター性有機半導体化合物であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは、2つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプター性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であれば、いずれの有機化合物も使用可能である。この有機p型半導体および有機n型半導体として適用可能な材料、および光電変換膜4の構成については、特開2009-32854号公報において詳細に説明されているため、説明を省略する。光電変換膜4の厚みは、シンチレータ8からの光を吸収する点では膜厚は大きいほど好ましいが、ある程度以上厚くなると光電変換膜4の両端から印加されるバイアス電圧により光電変換膜4に発生する電界の強度が低下して電荷が収集できなくなるため、30nm以上300nm以下が好ましく、より好ましくは、50nm以上250nm以下、特に好ましくは80nm以上200nm以下である。なお、図3に示す放射線検出器20では、光電変換膜4は、全画素部で共通の一枚構成であるが、画素部毎に分割してもよい。下部電極2は、画素部毎に分割された薄膜とする。下部電極2は、透明または不透明の導電性材料で構成することができ、アルミニウム、銀等を好適に用いることができる。下部電極2の厚みは、例えば、30nm以上300nm以下とすることができる。センサ部13では、上部電極6と下部電極2の間に所定のバイアス電圧を印加することで、光電変換膜4で発生した電荷正孔、電子のうちの一方を上部電極6に移動させ、他方を下部電極2に移動させることができる。本実施の形態の放射線検出器20では、上部電極6に配線が接続され、この配線を介してバイアス電圧が上部電極6に印加されるものとする。また、バイアス電圧は、光電変換膜4で発生した電子が上部電極6に移動し、正孔が下部電極2に移動するように極性が決められているものとするが、この極性は逆であってもよい。各画素部を構成するセンサ部13は、少なくとも下部電極2、光電変換膜4、および上部電極6を含んでいればよいが、暗電流の増加を抑制するため、電子ブロッキング膜3および正孔ブロッキング膜5の少なくともいずれかを設けることが好ましく、両方を設けることがより好ましい。電子ブロッキング膜3は、下部電極2と光電変換膜4との間に設けることができ、下部電極2と上部電極6間にバイアス電圧を印加したときに、下部電極2から光電変換膜4に電子が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。電子ブロッキング膜3には、電子供与性有機材料を用いることができる。実際に電子ブロッキング膜3に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光電変換膜4の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数Wfより1.3eV以上電子親和力Eaが大きく、かつ、隣接する光電変換膜4の材料のイオン化ポテンシャルIpと同等のIpもしくはそれより小さいIpを持つものが好ましい。この電子供与性有機材料として適用可能な材料については、特開2009-32854号公報において詳細に説明されているため、説明を省略する。電子ブロッキング膜3の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部13の光電変換効率の低下を防ぐため、10nm以上200nm以下が好ましく、さらに好ましくは30nm以上150nm以下、特に好ましくは50nm以上100nm以下である。正孔ブロッキング膜5は、光電変換膜4と上部電極6との間に設けることができ、下部電極2と上部電極6間にバイアス電圧を印加したときに、上部電極6から光電変換膜4に正孔が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。正孔ブロッキング膜5には、電子受容性有機材料を用いることができる。正孔ブロッキング膜5の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部13の光電変換効率の低下を防ぐため、10nm以上200nm以下が好ましく、さらに好ましくは30nm以上150nm以下、特に好ましくは50nm以上100nm以下である。実際に正孔ブロッキング膜5に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光電変換膜4の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数Wfより1.3eV以上イオン化ポテンシャルIpが大きく、かつ、隣接する光電変換膜4の材料の電子親和力Eaと同等のEaもしくはそれより大きいEaを持つものが好ましい。この電子受容性有機材料として適用可能な材料については、特開2009-32854号公報において詳細に説明されているため、説明を省略する。なお、光電変換膜4で発生した電荷のうち、正孔が上部電極6に移動し、電子が下部電極2に移動するようにバイアス電圧を設定する場合には、電子ブロッキング膜3と正孔ブロッキング膜5の位置を逆にすればよい。また、電子ブロッキング膜3と正孔ブロッキング膜5は両方設けなくてもよく、いずれかを設けておけば、ある程度の暗電流抑制効果を得ることができる。各画素部の下部電極2下方の基板1の表面には信号出力部14が形成されている。図4には、信号出力部14の構成が概略的に示されている。同図に示すように、本実施の形態に係る信号出力部14は、下部電極2に対応して、下部電極2に移動した電荷を蓄積するコンデンサ9と、コンデンサ9に蓄積された電荷を電気信号に変換して出力する電界効果型薄膜トランジスタThinFilmTransistor、以下、単に薄膜トランジスタという場合がある。10が形成されている。コンデンサ9および薄膜トランジスタ10の形成された領域は、平面視において下部電極2と重なる部分を有しており、このような構成とすることで、各画素部における信号出力部14とセンサ部13とが厚さ方向で重なりを有することとなる。なお、放射線検出器20画素部の平面積を最小にするために、コンデンサ9および薄膜トランジスタ10の形成された領域が下部電極2によって完全に覆われていることが望ましい。コンデンサ9は、基板1と下部電極2との間に設けられた絶縁膜11を貫通して形成された導電性材料の配線を介して対応する下部電極2と電気的に接続されている。これにより、下部電極2で捕集された電荷をコンデンサ9に移動させることができる。薄膜トランジスタ10は、ゲート電極15、ゲート絶縁膜16、および活性層チャネル層17が積層され、さらに、活性層17上にソース電極18とドレイン電極19が所定の間隔を開けて形成されている。また、放射線検出器20では、活性層17が非晶質酸化物により形成されている。活性層17を構成する非晶質酸化物としては、In、GaおよびZnのうちの少なくとも1つを含む酸化物例えばIn-O系が好ましく、In、GaおよびZnのうちの少なくとも2つを含む酸化物例えばIn-Zn-O系、In-Ga系、Ga-Zn-O系がより好ましく、In、GaおよびZnを含む酸化物が特に好ましい。In-Ga-Zn-O系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がInGaO3ZnOmmは6未満の自然数で表される非晶質酸化物が好ましく、特に、InGaZnO4がより好ましい。薄膜トランジスタ10の活性層17を非晶質酸化物で形成したものとすれば、X線等の放射線を吸収せず、あるいは吸収したとしても極めて微量に留まるため、信号出力部14におけるノイズの発生を効果的に抑制することができる。ここで、薄膜トランジスタ10の活性層17を構成する非晶質酸化物や、光電変換膜4を構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。従って、基板1としては、半導体基板、石英基板、およびガラス基板等の耐熱性の高い基板に限定されず、プラスチック等の可撓性基板や、アラミド、バイオナノファイバを用いることもできる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリクロロトリフルオロエチレン等の可撓性基板を用いることができる。このようなプラスチック製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもでき、例えば持ち運び等に有利となる。また、基板1には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。一方、アラミドは、200度以上の高温プロセスを適用できるために透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化でき、また、ハンダのリフロー工程を含むドライバICの自動実装にも対応できる。また、アラミドは、ITOIndiumTinOxideやガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。また、アラミドは、ガラス基板等と比べて薄く基板を形成できる。なお、超薄型ガラス基板とアラミドを積層して基板を形成してもよい。また、バイオナノファイバは、バクテリア酢酸菌、AcetobacterXylinumが産出するセルロースミクロフィブリル束バクテリアセルロースと透明樹脂との複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅50nmと可視光波長に対して1/10のサイズで、かつ高強度、高弾性、低熱膨張である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸硬化させることで、繊維を60~70も含有しながら、波長500nmで約90の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数3~7ppmを有し、鋼鉄並の強度460MPa、高弾性30GPaで、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて薄く基板1を形成できる。本実施の形態では、基板1上に、信号出力部14、センサ部13、透明絶縁膜7を順に形成することによりTFT基板30を形成し、当該TFT基板30上に光吸収性の低い接着樹脂等を用いてシンチレータ8を貼り付けることにより放射線検出器20を形成している。図5に示すように、TFT基板30には、上述したセンサ部13、コンデンサ9、および薄膜トランジスタ10を含んで構成される画素部32が一定方向図5の行方向、および当該一定方向に対する交差方向図5の列方向に2次元状に複数設けられている。また、放射線検出器20には、上記一定方向行方向に延設され、各薄膜トランジスタ10をオンオフさせるための複数本のゲート配線34と、上記交差方向列方向に延設され、オン状態の薄膜トランジスタ10を介して電荷を読み出すための複数本のデータ配線36と、が設けられている。放射線検出器20は、平板状で、かつ平面視において外縁に4辺を有する四辺形状、より具体的には、矩形状に形成されている。次に、本実施の形態に係る電子カセッテ40の構成について説明する。図6には、本実施の形態に係る電子カセッテ40の構成を示す斜視図が示されている。同図に示すように、本実施の形態に係る電子カセッテ40は、放射線を透過させる材料からなる平板状の筐体41を備えており、防水性、密閉性を有する構造とされている。筐体41の内部には、種々の部品を収容する空間外部空間Aが形成されており、当該空間内には、放射線Xが照射される筐体41の照射面側から、被写体を透過した放射線Xを検出する放射線検出器20、および放射線Xのバック散乱線を吸収する鉛板43が順に配設されている。ここで、本実施の形態に係る電子カセッテ40では、筐体41の平板状の一方の面の放射線検出器20の配設位置に対応する領域が放射線を検出可能な四辺形状の撮影領域41Aとされている。この筐体41の撮影領域41Aを有する面が電子カセッテ40における天板41Bとされており、本実施の形態に係る電子カセッテ40では、図8に示すように、放射線検出器20が、TFT基板30が天板41B側となるように配置され、当該天板41Bの筐体41における内側の面天板41Bの放射線が入射される面の反対側の面に貼り付けられている。ところで、本実施の形態に係る撮影システム104は、シンチレータ8の温度に応じて電子カセッテ40により得られた放射線画像に対する欠陥画素補正を行う欠陥画素補正機能を有している。このため、本実施の形態に係る電子カセッテ40では、図7、図8に示すように、放射線検出器20のシンチレータ8の下面側の中央部に、当該シンチレータ8の温度を検出するための温度センサ46が設けられている。一方、図6および図8に示すように、筐体41の内部の一端側には、放射線検出器20と重ならない位置撮影領域41Aの範囲外に、後述するカセッテ制御部58や電源部70共に図9参照。を収容するケース42が配置されている。筐体41は、電子カセッテ40全体の軽量化を図るために、例えば、カーボンファイバ炭素繊維、アルミニウム、マグネシウム、バイオナノファイバセルロースミクロフィブリル、または複合材料等で構成されている。複合材料としては、例えば、強化繊維樹脂を含む材料が用いられ、強化繊維樹脂には、カーボンやセルロース等が含まれる。具体的には、複合材料としては、炭素繊維強化プラスチックCFRPや、発泡材をCFRPでサンドイッチした構造のもの、または発泡材の表面にCFRPをコーティングしたもの等が用いられる。なお、本実施の形態では、発泡材をCFRPでサンドイッチした構造のものが用いられている。これにより、筐体41をカーボン単体で構成した場合と比較して、筐体41の強度剛性を高めることができる。一方、図8に示すように、筐体41の内部には、天板41Bと対向する背面部41Cの内面に支持体44が配置され、支持体44および天板41Bの間には、放射線検出器20および鉛板43が放射線Xの照射方向にこの順で並んで配置されている。支持体44は、軽量化の観点、寸法偏差を吸収する観点から、例えば、発泡材で構成されており、鉛板43を支持する。図8に示すように、天板41Bの内面には、放射線検出器20のTFT基板30を剥離可能に接着する接着部材80が設けられている。接着部材80としては、例えば、両面テープが用いられる。この場合、両面テープは、一方の接着面の接着力が他方の接着面の接着力よりも強くなるように形成されている。具体的には、接着力の弱い面弱接着面は、180°ピール接着力で1.0N/cm以下に設定されている。そして、接着力の強い面強接着面が天板41Bに接し、弱接着面がTFT基板30に接する。これにより、ねじ等の固定部材等によって放射線検出器20を天板41Bに固定する場合と比べて電子カセッテ40の厚みを薄くすることができる。また、衝撃や荷重で天板41Bが変形しても、放射線検出器20は剛性の高い天板41Bの変形に追従するため、大きな曲率緩やかな曲がりしか発生せず、局所的な低曲率で放射線検出器20が破損する可能性が低くなる。さらに、放射線検出器20が天板41Bの剛性の向上に寄与する。次に、図9を参照して、本実施の形態に係る撮影システム104の電気系の要部構成について説明する。同図に示すように、電子カセッテ40に内蔵された放射線検出器20は、隣り合う2辺の一辺側にゲート線ドライバ52が配置され、他辺側に信号処理部54が配置されている。TFT基板30の個々のゲート配線34はゲート線ドライバ52に接続され、TFT基板30の個々のデータ配線36は信号処理部54に接続されている。また、筐体41の内部には、画像メモリ56と、カセッテ制御部58と、無線通信部60と、を備えている。TFT基板30の各薄膜トランジスタ10は、ゲート線ドライバ52からゲート配線34を介して供給される信号により行単位で順にオンされ、オン状態とされた薄膜トランジスタ10によって読み出された電荷は、電気信号としてデータ配線36を伝送されて信号処理部54に入力される。これにより、電荷は行単位で順に読み出され、二次元状の放射線画像が取得可能となる。図示は省略するが、信号処理部54は、個々のデータ配線36毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路およびサンプルホールド回路を備えており、個々のデータ配線36を伝送された電気信号は増幅回路で増幅された後にサンプルホールド回路に保持される。また、サンプルホールド回路の出力側にはマルチプレクサ、A/Dアナログ/デジタル変換器が順に接続されており、個々のサンプルホールド回路に保持された電気信号はマルチプレクサに順にシリアルに入力され、A/D変換器によってデジタルの画像データへ変換される。信号処理部54には画像メモリ56が接続されており、信号処理部54のA/D変換器から出力された画像データは画像メモリ56に順に記憶される。画像メモリ56は所定枚分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ56に順次記憶される。画像メモリ56はカセッテ制御部58と接続されている。カセッテ制御部58はマイクロコンピュータを含んで構成され、CPU中央処理装置58A、ROMReadOnlyMemoryおよびRAMRandomAccessMemoryを含むメモリ58B、フラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部58Cを備えており、電子カセッテ40全体の動作を制御する。また、カセッテ制御部58には、温度センサ46が接続されており、カセッテ制御部58は、温度センサ46の配設部位本実施の形態では、放射線検出器20におけるシンチレータ8の下面側の中央部における温度を把握することができる。さらに、カセッテ制御部58には無線通信部60が接続されている。無線通信部60は、IEEEInstituteofElectricalandElectronicsEngineers802.11a/b/g等に代表される無線LANLocalAreaNetwork規格に対応しており、無線通信による外部機器との間での各種情報の伝送を制御する。カセッテ制御部58は、無線通信部60を介して、放射線画像の撮影に関する制御を行うコンソール110などの外部装置と無線通信が可能とされており、コンソール110等との間で各種情報の送受信が可能とされている。また、電子カセッテ40には電源部70が設けられており、上述した各種回路や各素子ゲート線ドライバ52、信号処理部54、画像メモリ56、無線通信部60、カセッテ制御部58として機能するマイクロコンピュータ等は、電源部70から供給された電力によって作動する。電源部70は、電子カセッテ40の可搬性を損なわないように、バッテリ充電可能な二次電池を内蔵しており、充電されたバッテリから各種回路素子へ電力を供給する。なお、図9では、電源部70と各種回路や各素子を接続する配線を省略している。一方、コンソール110は、サーバコンピュータとして構成されており、操作メニューや撮影された放射線画像等を表示するディスプレイ111と、複数のキーを含んで構成され、各種の情報や操作指示が入力される操作パネル112と、を備えている。また、本実施の形態に係るコンソール110は、装置全体の動作を司るCPU113と、制御プログラムを含む各種プログラム等が予め記憶されたROM114と、各種データを一時的に記憶するRAM115と、各種データを記憶して保持するHDDハードディスクドライブ116と、ディスプレイ111への各種情報の表示を制御するディスプレイドライバ117と、操作パネル112に対する操作状態を検出する操作入力検出部118と、を備えている。また、コンソール110は、無線通信により、放射線発生装置120との間で後述する曝射条件等の各種情報の送受信を行うと共に、電子カセッテ40との間で画像データ等の各種情報の送受信を行う無線通信部119を備えている。CPU113、ROM114、RAM115、HDD116、ディスプレイドライバ117、操作入力検出部118、および無線通信部119は、システムバスBUSを介して相互に接続されている。従って、CPU113は、ROM114、RAM115、HDD116へのアクセスを行うことができると共に、ディスプレイドライバ117を介したディスプレイ111への各種情報の表示の制御、および無線通信部119を介した放射線発生装置120および電子カセッテ40との各種情報の送受信の制御を各々行うことができる。また、CPU113は、操作入力検出部118を介して操作パネル112に対するユーザの操作状態を把握することができる。一方、放射線発生装置120は、放射線源121と、コンソール110との間で曝射条件等の各種情報を送受信する無線通信部123と、受信した曝射条件に基づいて放射線源121を制御する線源制御部122と、を備えている。線源制御部122もマイクロコンピュータを含んで構成されており、受信した曝射条件等を記憶する。このコンソール110から受信する曝射条件には管電圧、管電流、曝射期間等の情報が含まれている。線源制御部122は、受信した曝射条件に基づいて放射線源121から放射線Xを照射させる。ところで、前述したように、本実施の形態に係る撮影システム104は、シンチレータ8の温度に応じて、電子カセッテ40により得られた放射線画像に対する欠陥画素補正を行う欠陥画素補正機能を有している。このため、本実施の形態に係るコンソール110では、HDD116に、一例として図10に示す拡大率情報130が予め記憶されている。同図に示すように、本実施の形態に係る拡大率情報130は、シンチレータ8の予め定められた温度の範囲毎に、後述する特定欠陥画素の範囲を拡大する際に適用する拡大率が予め記憶されて構成されている。同図に示す例では、例えば、シンチレータ8の温度が20度以上25度未満の場合に適用する拡大率がr1であり、シンチレータ8の温度が25度以上30度未満の場合に適用する拡大率がr2であることを示している。なお、シンチレータ8の温度が0度以上20度未満に対応する拡大率は1.0と設定されており、当該温度範囲では拡大を行わないことを意味する。次に、本実施の形態に係る欠陥画素補正機能により実行される欠陥画素補正の原理を説明する。前述したように、間接変換方式の放射線検出器の場合に生じる欠陥画素にはAタイプ及びBタイプの2種類があり、本実施の形態に係る欠陥画素補正では、何れの欠陥画素についても補正する。ここで、本実施の形態に係る欠陥画素補正では、補正対象とする欠陥画素をタイプ1からタイプ5までの5種類に分類する。以下、図11を参照しつつ、各欠陥画素について説明する。タイプ1の欠陥画素は、放射線を照射した状態で電子カセッテ40により得られた画像以下、放射線照射画像という。に基づいて検出される欠陥画素であり、主に点状の欠陥画素以下、点欠陥画素という。、線状の欠陥画素以下、線欠陥画素という。、点線状の欠陥画素以下、点線欠陥画素という。から構成される。また、タイプ2の欠陥画素は、放射線を照射しない状態で電子カセッテ40により得られた画像以下、放射線非照射画像という。に基づいて検出される欠陥画素であり、主に点欠陥画素から構成され、タイプ3の欠陥画素は、放射線照射画像における信号レベルが低く、かつ線状となる欠陥画素線欠陥画素である。また、タイプ4の欠陥画素は、放射線照射画像に基づいて検出される点線欠陥画素であり、タイプ5の欠陥画素は、電子カセッテ40を通常動作時より欠陥画素の塊の形状が大きくなる条件で動作させた状態で得られた放射線照射画像に基づいて検出される欠陥画素以下、特殊条件欠陥画素という。である。図11には、タイプ1からタイプ5までの欠陥画素の一例が示されており、タイプ1に属する欠陥画素は、図11Aに示される点欠陥画素、線欠陥画素、および点線欠陥画素からなる欠陥画素139が例示される。同様に、タイプ2に属する欠陥画素は、図11Bに示される点欠陥画素141が例示され、タイプ3に属する欠陥画素は、図11Cに示される線欠陥画素143が例示され、タイプ4に属する欠陥画素は、図11Dに示される点線欠陥画素145が例示され、タイプ5に属する欠陥画素は、図11Eに示される特殊条件欠陥画素144’が例示される。なお、図11Aに示される点欠陥画素、および図11Bに示される点欠陥画素141は、複数の欠陥画素の塊とされた状態が例示されている。また、欠陥画素139は、点欠陥画素に加えて、線欠陥画素143、特殊条件欠陥画素144、点線欠陥画素145から構成されている。本実施の形態に係る欠陥画素補正では、まず、タイプ1に属する欠陥画素からタイプ2からタイプ5までに属する欠陥画素を除いた欠陥画素以下、特定欠陥画素という。を抽出する。次に、本実施の形態に係る欠陥画素補正では、特定欠陥画素の周囲に隣接する予め定められた範囲の画素を特定欠陥画素であるものとすることにより、特定欠陥画素の範囲を拡大する。なお、この際に用いる拡大率、すなわち上記予め定められた範囲以下、拡大範囲という。の大きさは、この補正を実行する際のシンチレータ8の温度に対応する拡大率図10参照。が大きくなるほど広い範囲とする。次に、本実施の形態に係る欠陥画素補正では、以上の処理によって拡大された特定欠陥画素に対してタイプ2からタイプ5までに属する欠陥画素をまとめ、最後に、全ての欠陥画素について欠陥画素補正を行う。なお、本実施の形態に係る欠陥画素補正では、補正対象の欠陥画素と欠陥領域の周囲に隣接する各正常画素との組み合わせ毎に、正常画素の画素値を補正対象の欠陥画素と正常画素との間の距離が大きいほど小さくなる重み付け係数により重み付けして、複数の重み付き正常画素値を得て、それらの正常画素値の平均値を算出し、補正対象の欠陥画素の画素値を平均値を用いて補正することにより行う。なお、この欠陥画素補正は、本出願人による特開2008-18047号公報に開示されているので、ここでの詳細な説明は省略する。次に、本実施の形態に係る撮影システム104の作用を説明する。まず、図12を参照して、欠陥マップ作成処理を行う際のコンソール110の作用を説明する。なお、図12は、ユーザによる欠陥マップ作成処理の実行指示が操作パネル112を介して受け付けられた際にコンソール110のCPU113によって実行される欠陥マップ作成処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムはROM114の所定領域に予め記憶されている。初めに、CPU113は、タイプ1の欠陥画素を取得するために、放射線の曝射条件を示す曝射条件情報を放射線発生装置120に対して送信した後、放射線の曝射の開始を指示する曝射指示情報を放射線発生装置120および電子カセッテ40に対して送信するS201。この際、曝射条件情報は、欠陥画素取得用に予め設定されてROM114等に記憶されていると良い。曝射条件情報及び曝射指示情報を受信した放射線発生装置120は、受信した曝射条件情報により示される曝射条件で放射線Xを曝射するように放射線源121を制御する。また、曝射指示情報を受信した電子カセッテ40は、放射線画像の撮影を行った後に、これによって得られた画像情報をコンソール110に対して送信する。CPU113は、電子カセッテ40から画像情報を受信したか否かを判断するS203。画像情報を受信した場合S203;Yは、CPU113は、受信した画像情報からタイプ1の欠陥画素を抽出し、抽出した欠陥画素の位置座標を羅列した第1欠陥画素情報を生成し、この第1欠陥画素情報をRAM115に記憶するS205。なお、本実施の形態に係る撮影システム104では、タイプ1の欠陥画素の抽出を、受信した画像情報から、信号レベルがタイプ1の欠陥画素を抽出するために予め定められた第1閾値以下となる画素を抽出することにより行っている。次に、CPU113は、タイプ2の欠陥画素を取得するために、電子カセッテ40に対して撮影指示情報を送信するS207。撮影指示情報を受信した電子カセッテ40は、放射線が曝射されない状況で画像の撮影を行った後、これによって得られた画像情報をコンソール110に対して送信する。CPU113は、画像情報を受信したか否かを判断するS209。画像情報を受信した場合S209;Yは、CPU113は、受信した画像情報からタイプ2の欠陥画素を抽出し、抽出した欠陥画素の位置座標を羅列した第2欠陥画素情報を生成し、この第2欠陥画素情報をRAM115に記憶するS211。なお、本実施の形態に係る撮影システム104では、タイプ2の欠陥画素の抽出を、受信した画像情報から、信号レベルがタイプ2の欠陥画素を抽出するために予め定められた第2閾値以下となる画素を抽出することにより行っている。次に、CPU113は、ステップS201にて受信した画像情報からタイプ3の欠陥画素を抽出し、抽出した欠陥画素の位置座標を羅列した第3欠陥画素情報を生成し、この第3欠陥画素情報をRAM115に記憶するS213。なお、本実施の形態に係る撮影システム104では、タイプ3の欠陥画素の抽出を、ステップS201にて受信した画像情報における信号レベルが上記第1閾値より小さな値として予め定められた第2閾値以下であり、かつ線状となっている欠陥画素を抽出することにより行っている。次に、CPU113は、ステップS201にて受信した画像情報からタイプ4の欠陥画素を抽出し、抽出した欠陥画素の位置座標を羅列した第4欠陥画素情報を生成し、この第4欠陥画素情報をRAM115に記憶するS215。なお、本実施の形態に係る撮影システム104では、タイプ4の欠陥画素の抽出を、ステップS201にて受信した画像情報における1ライン当たり予め定められた割合ここでは10以上の欠陥画素を含むラインを抽出することにより行っている。次に、CPU113は、タイプ5の欠陥画素を取得するために、上記曝射条件情報を放射線発生装置120に対して送信すると共にバイアス電圧増加指示情報を電子カセッテ40に送信した後、曝射指示情報を放射線発生装置120及び電子カセッテ40に送信するS217。曝射条件情報及び曝射指示情報を受信した放射線発生装置120は、受信した曝射条件情報により示される曝射条件で放射線Xを曝射するように放射線源121を制御する。また、バイアス電圧増加指示情報及び曝射指示情報を受信した電子カセッテ40は、放射線検出器20に対して印加するバイアス電圧を通常撮影時における電圧より所定電圧本実施の形態では、通常撮影時における電圧の10の電圧だけ高めた後に放射線画像の撮影を行い、これによって得られた画像情報をコンソール110に対して送信する。CPU113は、画像情報を受信したか否かを判断するS219。画像情報を受信した場合S219;Yは、CPU113は、受信した画像情報からタイプ5の欠陥画素を抽出し、抽出した欠陥画素の位置座標を羅列した第5欠陥画素情報を生成し、この第5欠陥画素情報をRAM115に記憶するS221。CPU113は、以上の処理によって記憶した第1~第5欠陥画素情報をRAM115から読み出し、これらの情報を統合することにより、一例として図13に模式的に示した欠陥マップを作成しS223、作成した欠陥マップを示す欠陥マップ情報を電子カセッテ40に対して送信S225した後、本欠陥マップ作成処理プログラムを終了する。欠陥マップ情報を受信した電子カセッテ40は、当該欠陥マップ情報を記憶部58Cの所定領域に記憶する。次に、図14を参照して、通常の放射線画像の撮影を行う際の電子カセッテ40の作用を説明する。なお、図14は、この際に電子カセッテ40のカセッテ制御部58におけるCPU58Aにより実行される撮影処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムはメモリ58Bの所定領域に予め記憶されている。また、ここでは、錯綜を回避するために、放射線発生装置120による放射線の曝射に関する処理の説明は省略し、電子カセッテ40による処理のみについて説明する。CPU58Aは、欠陥マップ情報を記憶部58Cから読み出しS301、読み出した欠陥マップ情報におけるタイプ1の欠陥画素からタイプ2の欠陥画素を除くことにより、特定欠陥画素を取得するS303。次に、CPU58Aは、特定欠陥画素から欠陥マップ情報におけるタイプ3の欠陥画素を除きS305、特定欠陥画素から欠陥マップ情報におけるタイプ4の欠陥画素を除きS307、特定欠陥画素から欠陥マップ情報におけるタイプ5の欠陥画素を除くS309。次に、CPU58Aは、温度センサ46によって測定された温度を取得しS311、取得した温度に対応する拡大率を拡大率情報図10も参照。から読み出しS313、読み出した拡大率情報により示される拡大率に応じた拡大範囲で特定欠陥画素を拡大するS315。次に、CPU58Aは、以上の処理によって拡大された特定欠陥画素に対して、欠陥マップ情報におけるタイプ2からタイプ5までの欠陥画素を追加した後S317、放射線画像の撮影を行うS319。さらに、CPU58Aは、ステップS319の撮影によって得られた画像情報に対して、S317の処理によって得られた特定欠陥画素に対する欠陥画素補正を行いS321、その後に本撮影処理プログラムを終了する。図15には、撮影処理プログラムの実行による特定欠陥画素の状態遷移の一例が示されている。なお、同図では、タイプ1からタイプ5までの欠陥画素が図11に示したものである場合について示されている。撮影処理プログラムのS303の処理では、図15Aに示されるタイプ1の欠陥画素からタイプ2の欠陥画素が除かれる結果、特定欠陥画素は図15Bに示されるものとなる。次いで、S305の処理では、特定欠陥画素からタイプ3の欠陥画素が除かれる結果、特定欠陥画素は図15Cに示されるものとなり、S307の処理では、特定欠陥画素からタイプ4の欠陥画素が除かれる結果、特定欠陥画素は図15Dに示されるものとなり、さらに、S309の処理では、特定欠陥画素からタイプ5の欠陥画素が除かれる結果、特定欠陥画素は図15Eに示されるものとなる。その後、S311~S315の処理では、特定欠陥画素に対してシンチレータ8の温度に応じた拡大処理が施されて図15Fに示されるものとなり、最後にS317の処理により、特定欠陥画素に対してタイプ2からタイプ5の欠陥画素を追加することにより、図15Gに示すような最終的な特定欠陥画素が得られる。この最終的な特定欠陥画素が、本発明の統合欠陥マップに相当する。ところで、本実施の形態に係る電子カセッテ40は、図8に示すように、放射線検出器20がTFT基板30側から放射線Xが照射されるように内蔵されている。ここで、放射線検出器20は、図16に示すように、シンチレータ8が形成された側から放射線が照射されて、当該放射線の入射面の裏面側に設けられたTFT基板30により放射線画像を読み取る、いわゆる裏面読取方式とされた場合、シンチレータ8の同図上面側TFT基板30の反対側でより強く発光し、TFT基板30側から放射線が照射されて、当該放射線の入射面の表面側に設けられたTFT基板30により放射線画像を読み取る、いわゆる表面読取方式とされた場合、TFT基板30を透過した放射線がシンチレータ8に入射してシンチレータ8のTFT基板30側がより強く発光する。TFT基板30に設けられた各センサ部13には、シンチレータ8で発生した光により電荷が発生する。このため、放射線検出器20は、表面読取方式とされた場合の方が裏面読取方式とされた場合よりもTFT基板30に対するシンチレータ8の発光位置が近いため、撮影によって得られる放射線画像の分解能が高い。また、放射線検出器20は、光電変換膜4を有機光電変換材料により構成しており、光電変換膜4で放射線がほとんど吸収されない。このため、本実施の形態に係る放射線検出器20は、表面読取方式により放射線がTFT基板30を透過する場合でも光電変換膜4による放射線の吸収量が少ないため、放射線に対する感度の低下を抑えることができる。表面読取方式では、放射線がTFT基板30を透過してシンチレータ8に到達するが、このように、TFT基板30の光電変換膜4を有機光電変換材料により構成した場合、光電変換膜4での放射線の吸収が殆どなく放射線の減衰を少なく抑えることができるため、表面読取方式に適している。また、薄膜トランジスタ10の活性層17を構成する非晶質酸化物や光電変換膜4を構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。このため、基板1を放射線の吸収が少ないプラスチック樹脂、アラミド、バイオナノファイバで形成することができる。このように形成された基板1は放射線の吸収量が少ないため、表面読取方式により放射線がTFT基板30を透過する場合でも、放射線に対する感度の低下を抑えることができる。また、本実施の形態によれば、図8に示すように、放射線検出器20をTFT基板30が天板41B側となるように筐体41内の天板41Bに貼り付けているが、基板1を剛性の高いプラスチック樹脂、アラミド、バイオナノファイバで形成した場合、放射線検出器20自体の剛性が高いため、筐体41の天板41Bを薄く形成することができる。また、基板1を剛性の高いプラスチック樹脂やアラミド、バイオナノファイバで形成した場合、放射線検出器20自体が可撓性を有するため、撮影領域41Aに衝撃が加わった場合でも放射線検出器20が破損しづらい。また、本実施の形態によれば、放射線検出器20の反り防止を目的としてシンチレータ8とTFT基板30とを接着しない場合には、塵埃がシンチレータ8とTFT基板30との間に入りやすい。この場合に特に本発明は有効である。以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。発明の要旨を逸脱しない範囲で上記実施の形態に多様な変更または改良を加えることができ、当該変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれる。また、上記の実施の形態は、クレーム請求項にかかる発明を限定するものではなく、また実施の形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。前述した実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜の組み合わせにより種々の発明を抽出できる。実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、効果が得られる限りにおいて、この幾つかの構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。例えば、上記実施の形態では、特定欠陥画素を拡大することにより当該特定欠陥画素の周辺画素も欠陥画素補正の補正対象とする場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、特定欠陥画素を移動することにより当該特定欠陥画素の周辺画素も欠陥画素補正の補正対象とする形態としてもよい。なお、この場合の移動量は、温度センサ46によって測定された温度が高くなるほど多くなるようにする。この場合も、上記実施の形態と同様の効果を奏することができる。また、上記実施の形態では、シンチレータ8の温度に応じて特定欠陥画素の拡大率を変える場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、放射線検出器20の反りを検出し、検出した反りが大きいほど特定欠陥画素に対する拡大率を大きくする形態としてもよい。なお、この場合の形態としては、温度センサ46に代えて温度センサ46の配設位置と同様の位置に歪みゲージを設けておき、当該歪みゲージによって測定された放射線検出器20の反りの量を検出し、検出した量が大きいほど特定欠陥画素に対する拡大率を大きくする形態を例示することができる。この場合も、上記実施の形態と同様の効果を奏することができる。また、上記実施の形態では、タイプ1の欠陥画素から、タイプ2からタイプ5までの全ての欠陥画素を除くことにより特定欠陥画素を導出する場合にについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、タイプ1の欠陥画素から、タイプ2からタイプ5までの1つ、または複数の組み合わせの欠陥画素を除くことにより特定欠陥画素を導出する形態としてもよい。また、シンチレータ8とTFT基板30とを接着しない場合には、シンチレータ8とTFT基板30とが相対的にずれる場合があるが、このずれの方向および量をトンボ等を利用して計測し、計測結果に応じて特定欠陥画素を拡大や移動する際の量や方向を決定してもよい。また、上記実施の形態では、放射線検出器20に印加するバイアス電圧を通常動作時より増加させることによってタイプ5の欠陥画素を検出する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、放射線検出器20を通常動作時より高温とすることによってタイプ5の欠陥画素を検出する形態としてもよい。この場合も上記実施の形態と同様の効果を奏することができる。また、上記実施の形態では、欠陥マップ作成処理プログラムがコンソール110によって実行されるとともに撮影処理プログラムにおけるステップS319を除く処理が電子カセッテ40にて行われる例について説明したが、これに限定されない。たとえば、欠陥マップ作成処理プログラムは電子カセッテ40によって行われても良い。すなわち、電子カセッテ40によって第1画素情報乃至第5画素情報が生成され、電子カセッテ40によって当該第1画素情報乃至第5画素情報から欠陥マップ情報が作成されるとともに、作成された欠陥マップ情報が電子カセッテ40に記憶されるようにしても良い。または、撮影処理プログラムにおけるステップS319を除く処理がコンソール110によって行われても良い。すなわち、欠陥マップ情報がコンソール110に記憶されているとともに、コンソール110によって特定欠陥画素の特定が行われる一方、電子カセッテ40にて撮影処理が行われて撮影された画像の画像情報がコンソール110に送信された際に、コンソール110によって、当該画像情報が示す画像の欠陥画素補正が特定欠陥画素に基づいて行われるようにしても良い。あるいは、欠陥マップ作成処理プログラムのステップS223の処理により生成された欠陥マップがコンソール110に記憶されているとともに、コンソール110によって撮影処理プログラムのステップS301乃至S317の処理を行うことにより特定欠陥画素の特定が行われた後に、この特定欠陥画素を示す情報がコンソール110から電子カセッテ40に送信されて電子カセッテ40に記憶され、電子カセッテ40にて画像が撮影された際、電子カセッテ40によって当該画像の欠陥画素補正が特定欠陥画素に基づいて行われるようにしても良い。また、上記実施の形態では、センサ部13が、シンチレータ8で発生した光を受光することにより電荷が発生する有機光電変換材料を含んで構成されている場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、センサ部13として有機光電変換材料を含まずに構成されたものを適用する形態としてもよい。また、上記実施の形態では、電子カセッテ40の筐体41の内部にカセッテ制御部58や電源部70を収容するケース42と放射線検出器20とを重ならないように配置した場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、放射線検出器20とカセッテ制御部58や電源部70を重なるように配置してもよい。また、上記実施の形態では、電子カセッテ40とコンソール110との間、放射線発生装置120とコンソール110との間で、無線にて通信を行う場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、これらの少なくとも一方を有線にて通信を行う形態としてもよい。また、上記実施の形態では、放射線としてX線を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、γ線等の他の放射線を適用する形態としてもよい。その他、上記実施の形態で説明したRIS100の構成図1参照。、放射線撮影室の構成図2参照。、電子カセッテ40の構成図3~図8参照。、撮影システム104の構成図9参照。は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において、不要な部分を削除したり、新たな部分を追加したり、接続状態等を変更したりすることができることは言うまでもない。"