タッチパネルで使用される透明体10を製造する方法であって、第1のケイ素含有誘電体膜16、第2のケイ素含有誘電体膜18、および第3のケイ素含有誘電体膜20を含む第1の透明層スタック12を基板14の上に堆積させることであり、前記第1および前記第3のケイ素含有誘電体膜が低い屈折率を有し、前記第2のケイ素含有誘電体膜が高い屈折率を有する、堆積させることと、前記第1の透明層スタック12および透明導電膜22が前記基板14の上にこの順序で配置されるように前記透明導電膜22を堆積させることとを含み、前記第1のケイ素含有誘電体膜16、前記第2のケイ素含有誘電体膜18、前記第3のケイ素含有誘電体膜20、または前記透明導電膜22のうちの少なくとも1つがターゲット122、124、126、128、322、324、326、328からのスパッタリングによって堆積される、方法。前記透明導電膜22をパターニングすることをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記第1および前記第3のケイ素含有誘電体膜が1.5未満の屈折率を有し、前記第2のケイ素含有誘電体膜が少なくとも1.8の屈折率を有する、請求項1または2に記載の方法。前記第2のケイ素含有誘電体膜が窒化ケイ素を含む、請求項1ないし3のいずれか一項に記載の方法。前記第1および前記第3のケイ素含有誘電体膜が酸化ケイ素を含む、請求項1ないし4のいずれか一項に記載の方法。前記第1の透明層スタック12を堆積させた後、および前記透明導電性膜22を堆積させた後、技術的真空が維持され、その後、前記方法が少なくとも第2の透明層スタックの製造に切り替えることをさらに含み、前記方法が、少なくともさらなる第1のケイ素含有誘電体膜を含む前記第2の透明層スタックを前記基板14の上に堆積させることと、前記第1の透明層スタックおよび前記透明導電膜が前記基板14の上にこの順序で配置されるように第2の透明導電膜を堆積させることとを含み、前記さらなる第1のケイ素含有誘電体膜および前記透明導電膜の少なくとも一方がターゲットからのスパッタリングによって堆積される、請求項1ないし5のいずれか一項に記載の方法。前記第2の透明層スタックが、SiO2含有層からなるスタック、SiO2含有層、Si3N4含有層、およびSiO2含有層からなるスタック、ならびにSi3N4含有層およびSiO2含有層からなるスタックからなる群から選択される、請求項6に記載の方法。前記ケイ素含有誘電体膜が、MFスパッタリングによって、一般には回転ターゲットからスパッタリングされ、前記透明導電膜が、DCスパッタリングによって、一般には回転ターゲットからスパッタリングされる、請求項1ないし7のいずれか一項に記載の方法。タッチパネルで使用される透明体10を製造するための堆積装置100であって、第1のケイ素含有誘電体膜16、第2のケイ素含有誘電体膜18、および第3のケイ素含有誘電体膜20を含む第1の透明層スタック12を基板14の上に堆積させるように構成された第1の堆積アセンブリ102であり、前記第1および前記第3のケイ素含有誘電体膜が低い屈折率を有し、前記第2のケイ素含有誘電体膜が高い屈折率を有する、第1の堆積アセンブリ102と、透明導電膜22を堆積させるように構成された第2の堆積アセンブリ104とを備え、前記第1の堆積アセンブリ102および前記第2の堆積アセンブリ104は、前記第1の透明層スタック12および前記透明導電膜22が前記基板14の上にこの順序で配置されるように配列され、前記第1の堆積アセンブリ102または前記第2の堆積アセンブリの少なくとも一方がターゲット122、124、126、128、322、324、326、328に動作可能に結合されたスパッタリングシステム120、123、125、127を含み、前記スパッタリングシステムが前記第1のケイ素含有誘電体膜16、前記第2のケイ素含有誘電体膜18、前記第3のケイ素含有誘電体膜20、または前記透明導電膜22のうちの少なくとも1つを前記ターゲットからのスパッタリングによって堆積させるように構成される、装置。前記第1の堆積アセンブリ102が、前記第1のケイ素含有誘電体膜16、前記第2のケイ素含有誘電体膜18、および前記第3のケイ素含有誘電体膜20を前記基板の上にこの順序で堆積させるように構成される、請求項9に記載の装置。前記第1の堆積アセンブリ102および前記第2の堆積アセンブリ104が前記第1の透明層スタック12および前記透明導電膜22をマグネトロンスパッタリングによって、一般には回転ターゲットからのマグネトロンスパッタリングによって堆積させるように構成される、請求項9または10に記載の装置。前記第1の透明層スタックの少なくとも1つの一部を形成する前記膜のうちの少なくとも1つまたは前記透明導電膜の光学的性質を堆積の間測定するように構成された測定システム138をさらに備える、請求項9ないし11のいずれか一項に記載の装置。前記第1の堆積アセンブリ102が、前記誘電体膜20を反応性スパッタリングによって堆積させるように構成される、請求項9ないし12のいずれか一項に記載の装置。前記第1の堆積アセンブリ102および前記第2の堆積アセンブリ104は、前記第1のケイ素含有誘電体膜16、前記第2のケイ素含有誘電体膜18、前記第3のケイ素含有誘電体膜20、および前記透明導電膜22が前記回転ターゲットからのスパッタリングによって堆積され得るように構成された複数の回転ターゲット122、124、126、128、322、324、326、328を含む、請求項9ないし13のいずれか一項に記載の装置。前記第1の堆積アセンブリ102が、少なくとも4つの中央周波数ケイ素含有カソード、一般には少なくとも5つの中央周波数ケイ素含有カソードを含み、前記第2の堆積アセンブリ104が、ITOのスパッタリングのための少なくとも1つの直流カソードを含む、請求項9ないし14のいずれか一項に記載の装置。次に、様々な実施形態が詳細に説明され、それらの1つまたは複数の例が図で示される。各例は説明のために提供され、本発明の限定を意味するものではない。1つの実施形態の要素は、さらなる記述なしに、他の実施形態で有利に利用することができることが意図される。本明細書で説明する実施形態は、タッチパネルで使用される透明体を製造するプロセスを含む。特に、本開示の実施形態は、タッチパネルのバリアとなるように構成された第1の透明スタックと、タッチパネルの透明導体となるように構成された透明導電膜とを含む透明体を含む。それによって、本明細書の実施形態による透明体は、タッチパネルに実装されたときタッチ感知を可能にする。本明細書の実施形態によれば、第1の透明層スタック12は、図1に示されるように、基板14の上に堆積される。本明細書で使用される基板という用語は、インフレキシブル基板、例えば、ウエハまたはガラス板と、ウエブまたはフォイルなどのフレキシブル基板とを包含するものとする。本明細書で使用される透明なという用語は、比較的低い散乱で光を送出し、その結果、例えば、構造を通って送出される光を実質的に明瞭に見ることができるような構造の機能を特に含むものとする。フレキシブル基板の場合には、基板14はその上に形成されたハードコート24を有することが一般的である。典型的な実施形態によれば、層スタックは、積み重ねて形成された例えば、堆積によっていくつかの膜によって構成される。特に、本明細書の実施形態は、複数の誘電体膜、すなわち、実質的に電気を伝導しない膜によって構成されてもよい第1の透明層スタックの堆積を含む。特に、図1に例示的に示されるように、第1の透明層スタック12は、第1のケイ素含有誘電体膜16、第2のケイ素含有誘電体膜18、および第3のケイ素含有誘電体膜20を含むことができる。それによって、第1の透明層スタックは、タッチパネルで使用されるバリアを構成することができる。典型的な実施形態によれば、第1のケイ素含有誘電体膜16、第2のケイ素含有誘電体膜18、および第3のケイ素含有誘電体膜20は、この順序で積み重ねて堆積される。さらなる典型的な実施形態によれば、第1のケイ素含有誘電体膜16は、少なくとも90重量のSiO2をもつSiO2層とすることができ、第2のケイ素含有誘電体膜18は、少なくとも70重量、一般には少なくとも90重量のSi3N4をもつSi3N4層とすることができ、第3のケイ素含有誘電体膜20は、少なくとも90重量のSiO2をもつSiO2層とすることができる。それによって、高い透明性の層構造または透過特性の改善された層構造のいずれかを、以下で説明するように、提供することができる。そのために、少なくとも3つのシリコンスパッタターゲットアセンブリ、一般にMFツインターゲットが使用される。異なる層および異なる層の性質は、処理ガスによって、例えばアルゴン-酸素含有混合ガスを使用することによって、またはアルゴン-窒素含有混合ガスを使用することによって発生される。したがって、2つの異なる3層スタックを使用するために、一般に溶射シリコンターゲットを有する3つのシリコンターゲットアセンブリを、異なる処理ガスおよび/または堆積パラメータを利用することによって使用することができる。プロセスのさらなるオプションの変形により、第1のケイ素含有誘電体膜のみを、少なくとも90重量のSiO2をもつSiO2層として堆積させることができ、または第1のケイ素含有誘電体膜は、少なくとも70重量、一般には少なくとも90重量のSi3N4層をもつSi3N4として堆積させることができ、第2のケイ素含有誘電体膜は、少なくとも90重量のSiO2をもつSiO2層として堆積させることができる。上述のように、タッチパネルのための少なくとも4つの異なるタイプの透明層スタックを、説明したターゲットアセンブリを用いて製造することができる。さらに、方法は、第1のタイプの透明層スタックの堆積と、さらなるタイプ、例えばタイプ2、3、または4のうちの1つまたは複数の透明層スタックの後続の堆積とを含むことができる。異なる透明層スタック間の切替えは、処理ガス、層厚例えば以下の図11の説明を参照、およびプロセスパラメータの調節に基づき、同じSiターゲットアセンブリのスパッタリングの間に行うことができる。こうして、異なるタッチパネル製品間の変更に対して負担が少ない汎用タッチパネルスパッタコーターを提供することができる。上述の切替え機能により、第1のタイプの透明層スタックの製造と、さらなる異なるタイプの透明層スタックの製造との間で技術的真空が維持されると説明できる。これは、ターゲット、すなわちスパッタリングカソードを交換するのに堆積装置を開ける必要がないことに由来する。真空の維持は、さらに、システムの通気および排気も時間を消費するという意味で有益である。しかし、真空の維持は、主として、ターゲットまたはカソードを交換しないこととして理解されるべきである。3層透明層スタックが堆積される本明細書で説明する実施形態によれば、第1および第3のケイ素含有誘電体膜は低い屈折率を有し、第2のケイ素含有誘電体膜は高い屈折率を有する。より具体的には、本明細書で説明する実施形態によれば、例えばSiO2からなる第1および第3のケイ素含有誘電体膜は、例えばSi3N4からなる第2のケイ素含有誘電体膜よりも低い屈折率を有する。本明細書の実施形態に従って製造された透明体の第1の透明層スタック、例えば3層タイプスタックは、タッチパネルで使用される少なくともいくつかの既知の透明体と比較して誘電体膜を追加することと、異なる屈折率をもつ膜を独特に組み合わせることとを考慮して、透明体を通る光の適切な透過を容易にするバリアを提供する。本明細書で使用するとき、低い屈折率とは、特定の透明体がその特定用途にとって充分であるように光を送出できるようにするのに十分な低さの屈折率である。本明細書で使用するとき、高い屈折率とは、特定の透明体がその特定用途にとって充分であるように光を送出できるようにするのに十分な高さの屈折率である。いくつかの実施形態によれば、低い屈折率は1.50未満の屈折率である。いくつかの実施形態によれば、高い屈折率は少なくとも1.80の屈折率である。一般に、第1の透明層スタックの誘電体膜の屈折率は、光が本開示の実施形態による透明体を通して送出されるように選ばれる。例えば、第1および第3の誘電体膜は、1.50よりも低い、またはより具体的には1.47、またはさらにより具体的には1.45の低い屈折率を有することができ、第2の誘電体膜は少なくとも1.80、またはより具体的には2.10、またはさらにより具体的には2.40の屈折率を有することができる。本開示に列記された屈折率の値は、515nmの波長の緑色光の屈折を指す。本明細書で説明する実施形態によれば、透明体10は、限定はしないが、インジウムスズ酸化物ITO、特に、結晶性ITOまたは400オーム/スクエアのシート抵抗をもつITOなどの透明導電膜22を含む。本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる異なる実施形態によれば、一般に、結晶性ITOのための97In2O3および3SnO2の組成をもつITO、および/または非晶質ITOのための90In2O3および10SnO2の組成をもつITOを使用することができる。特に、ITO堆積は、一般に、DCスパッタリング堆積であるので、2つのターゲット例えば、2つの回転ターゲットをもつターゲットアセンブリは、結晶性ITOのためのITOターゲットと、非晶質ITOのためのITOターゲットとを装備することができる。これは、堆積装置の柔軟性をさらに改善し、顧客は、透明導電性酸化物膜のタイプを進行中に変えることができる。すなわち、この構成により、カソードのいずれかのものを使用することによって非晶質ITOと結晶性ITOとの間のさらなる切替えが可能になる。典型的な実施形態によれば、図1に例示的に示されるように、堆積は、第1の透明層スタック12および透明導電膜22が基板14の上にこの順序で配置されて透明体を形成するように行われる。すなわち、第1の透明層スタックを基板の上に形成し、導電膜をその上に形成することができる。図1は、構造化した例えば、パターニングによって透明導電膜22を示す。本明細書の実施形態は構造化してない例えば、非パターン化または実質的に均一な膜の透明導電膜22をさらに含むことに留意されたい。典型的な実施形態では、透明層スタックの構造のおかげで、透明体を通る光の最適透過に導電膜が害を与えないことが可能になる。特に、本明細書の実施形態による透明層スタックは、導電膜、さらに、構造化された導電膜が以下でさらに説明するように反射色の中性neutralityに影響を与えないことに役立つ。典型的な実施形態によれば、堆積は1つまたは複数の回転ターゲットのスパッタリングで行われる。より具体的には、本明細書の実施形態によれば、上述した膜のうちの少なくとも1つは回転ターゲットのスパッタリングによって堆積され、その結果、安定した透明体の高品質での形成が可能になる。例えば、本明細書の実施形態によれば、より高い均一性を有し、欠陥および汚染粒子の密度の低い膜を堆積させることができる。それによって、光の適切な透過がもたらされるだけでなく、ある期間にわたって安定な性能がもたらされる高品質の透明体の製造が可能になる。その上、1つまたは複数の回転ターゲットのスパッタリングを含む製造プロセスは、さらに、他の堆積方法と比較してより高い製造速度と、より少数の汚染物質粒子の生成とを可能にすることができる。そのために、典型的な実施形態によれば、シリコンターゲット、例えば溶射シリコンターゲットからのスパッタリングは、中央周波数middlefrequencyスパッタリングであるMFスパッタリングによって行われる。本明細書の実施形態によれば、中央周波数は、5kHzから100kHzの範囲、例えば、10kHzから50kHzの範囲の周波数である。透明導電性酸化物膜用のターゲットからのスパッタリングは、一般に、DCスパッタリングとして行われる。他の見えないタッチパネル透明層スタックと比較して、ケイ素含有層を使用することの別の利点は、高屈折率材料酸化ニオブNb2O5のターゲット価格と比較した溶射Siのターゲット価格が低減されることである。さらに、回転ターゲットを上述のように使用すると、ターゲット寿命が増加し、平面ターゲットによる構成と比較して必要なターゲット交換時間が少ない。さらに、平面カソードと比較して回転カソードからの粒子生成が少ないので、コーティングの品質が改善される。したがって、少なくとも3つの溶射シリコン回転ターゲットアセンブリがあると、3層スタック、2層スタック、および1層スタックを含むタッチパネル用途のための透明層スタックを選ぶ際に十分な柔軟性が可能になり、所有コストが改善される。いくつかの実施形態によれば、透明体10の製造は透明導電膜22のパターニングをさらに含む。それによって、投影型容量性タッチを実装するタッチパネルのための透明体の形成が可能になる。しかし、パターン化透明導電膜22は、さらに、タッチパネルで使用される透明体を通る光の適切な透過を損なうことがある。例えば、タッチパネルで使用される少なくともいくつかの既知の透明体は、2つの層、すなわち、SiO2層バリアを形成すると、透明ITO層透明導体、すなわち、電気伝導性コーティングを形成するとで被覆される。場合によっては、透明ITO層はエッチングで部分的に除去される。それによって、光学的性質、特に反射率および透過率が未変更の堆積ITO層をもつ透明体と比較して変更される。特に、SiO2/ITO層の反射率/透過率はSiO2層の反射率/透過率と異なる。結果として生じるコントラスト/色差例えば、1976年に国際照明委員会CIEによって定義されたようなb値が見えることがあり、ユーザーにとって悩ましいことがある。この影響が図4に例示される。図4は、タッチパネルで使用される既知の透明体416の反射率を0と約50との間の反射率範囲で図示するグラフ418を示す。既知の透明体416は、PET基板404、PET基板404上に形成されたハードコート406、ハードコート406上に形成された酸化ケイ素膜408、および酸化ケイ素膜408上に形成されたパターン化ITO膜410を含む。ITO膜410は、15nmの典型的な厚さおよび400オーム/スクエアのシート抵抗を有することができる。酸化ケイ素膜408は15nmの典型的な厚さを有することができる。図4には、酸化ケイ素膜408上の反射光412およびパターン化ITO膜410上の反射光414がさらに図示される。グラフ418は、ハードコートされたPET膜上の酸化ケイ素およびパターン化ITOの算出した反射率を図示する。特に、グラフ418は、酸化ケイ素の反射率400酸化ケイ素膜408の反射光412に対応すると、酸化ケイ素およびITOの反射率402パターン化ITO膜410の反射光414に対応するとを含む。グラフ418から、660nmから400nmまでパターン化ITO膜410の反射光414の反射率の増加があり、この増加は、酸化ケイ素膜408の反射光412の実質的に中性のすなわち、一定の反射率と比較してわずかに青い反射を生成することを理解することができる。反射のこの増加は、ITOのパターン化領域にわずかな黄色の外観がもたらされるようなパターン化ITO膜410の透過率の減少に対応する。この増加と対照的に、酸化ケイ素膜408の反射/透過色は実質的に中性である。すなわち、パターン化導電層は見えるようになる。しかし、パターン化ITO膜410と酸化ケイ素膜408との間の反射率/透過率のこの差を最小化することが望ましいことになる。言い換えれば、透明体の安定性および品質を損なうことなく導電層が見えない透明体を設計することが望ましいことになる。膜のうちの少なくとも1つが回転ターゲットのスパッタリングによって堆積される本開示の実施形態に従って堆積された誘電体膜を組み合わせることによって、透明体の色中性はパターン化導電層を含む場合でさえ可能になる。すなわち、バリアに2つの追加の層を使用すると、一般に、透明導電膜が上部層である透明体の区域と誘電体膜が上部層である区域との間のコントラストを著しく減少させることが可能になる。言い換えれば、本明細書の実施形態に従って製造された透明体はコントラスト/色差を見えなくすることが可能である。上述のように、SiO2/Si3N4/SiO2透明層スタックの製造により、透明性および/またコントラスト/色特性が改善される。その上、Si3N4/SiO2透明層スタックまたはSiO2透明層スタックではコストが低減され、それは、より低い品質で十分なタッチパネルにとって好ましい選択となり得る。本明細書で説明する方法および装置は、ターゲットの交換なしに、すなわち、プロセス間の切替えのとき真空を維持しながら、より洗練された透明誘電体層スタック間の切替えと、コスト負担のより少ない層スタックとを可能にする。図5は、本開示の実施形態による、0と約25との間の反射率範囲で透明体516の酸化ケイ素の反射率500を図示するグラフ518を示す。例示の透明体516は、PET基板504、PET基板504上に形成されたハードコート506、ハードコート506上に形成された酸化ケイ素例えばSiO2膜508a、酸化ケイ素膜508a上に形成された窒化ケイ素膜508b、膜508b上に形成された酸化ケイ素例えばSiO2膜508c、および酸化ケイ素膜508c上に形成されたパターン化ITO膜510酸化ケイ素膜508aは15nmの厚さを有し、窒化ケイ素膜508bは15nmの厚さを有し、酸化ケイ素膜508cは40nmと60nmとの間の厚さを有し、パターン化ITO膜510は15nmの厚さを有するを含む。図5は、さらに、パターン化ITO膜510の反射光514を図示する。すなわち、グラフ518は、SiO2-TiO2-SiO2-ITO構造で構成することができ、ITOがパターニングされている層スタックと比較して、ハードコートされたPET上のSiO2-Si3N4-SiO2で構成することができる層スタックの算出した反射率を図示する。特に、グラフ518は、酸化ケイ素の反射率500パターン化ITO膜510なしの透明体516などの透明体の反射光に対応すると、酸化ケイ素およびITOの反射率502パターン化ITO膜510の反射光514に対応するとを含む。グラフ518から、反射率曲線がほとんど同一であり、その結果、導電膜のエッチングされた部分とエッチングされなかった部分との間に目に見える差が実質的に存在しないことを理解することができる。すなわち、一体化した導電層、この場合、ITOをもつ透明体の反射率は、パターン化導電層例えば、エッチングプロセスによって部分的に除去されたをもつ透明体の反射率とほとんど同一である。透過率図示せずは対応する挙動を示す。図4のSiO2-ITO構造などのタッチパネル用の少なくともいくつかの既知の透明体の反射率とは対照的に、透明体516の反射/透過色は実質的に中性すなわち、0に近いb値である。驚くべきことに、グラフ518は、タッチパネルで使用される少なくともいくつかの既知の透明体に対して、2つの追加の膜をもつ透明体の透過率のわずかな増加を示すことに留意されたい。図6は、図4からの酸化ケイ素およびITOの反射率402と図5からの酸化ケイ素およびITOの反射率502とを直接比較するグラフ618を0と約24との間の反射率範囲で示す。この図から、2層システムと比較して、本明細書の実施形態による4層システムは、透明体の反射率を可視スペクトルの青色領域で増加させないのに役立つことをさらに理解することができる。すなわち、本明細書の実施形態に従って製造された透明体は、一般に、色中性の改善に役立つ。したがって、少なくとも3つの溶射シリコン回転ターゲットアセンブリがあると、3層スタック、2層スタック、および1層スタックを含むタッチパネル用途のための透明層スタックを選ぶ際に十分な柔軟性が可能になり、所有コストが改善される。いくつかの実施形態によれば、透明層スタックおよび透明導電膜は、製造した透明体のb値が1.5未満、または特に1、またはより具体的には0.7、またはさらにより具体的には0.2となるように堆積される。特に、本明細書の実施形態によれば、第1の透明層スタックおよび透明導電膜によって単に形成され、実質的に透明な基板の上に載置された構造のb値は、これらの値を採ることができる。いくつかの実施形態によれば、第1の透明層スタックおよび透明導電膜に含まれる膜の厚さおよび/または屈折率は、製造した透明体のb値が1.5未満、または特に1、またはより具体的には0.7、またはさらにより具体的には0.2となるように選ぶことができる。例示の透明体の膜の厚さの値は以下で説明される。透明導電膜の異なる厚さまたは組成では、特定のb値を達成するのに透明体の他の膜の厚さを相対的に適応させることが必要であることがあることに特に留意されたい。図7は、パターン化ITO膜410およびパターン化ITO膜510の異なる厚さに対する、図4の既知の透明体と同様の構造をもつ透明体の-7.5から-1.5の範囲のb値704グラフ700、および図5の例示の透明体と同様の構造をもつ透明体の-2.5から5の範囲のb値706グラフ702を図示する2つのグラフ700、702を示す。図7から、図4の既知の2層透明体416の色は約-4.5の算出したb値反射率を有することを認識することができる。透明体416と対照的に、本明細書の実施形態に従って堆積された例示の透明体516はゼロに近いb値を有する。さらに、グラフ700とグラフ702との間の比較によれば、本明細書の実施形態に従って堆積された透明体は、少なくともいくつかの既知の透明体の2層構造と比較して、導電膜本例では、パターン化ITO膜510の厚さの変動に対するb値の敏感さを著しく弱めるのに役立つことが示されている。したがって、本明細書の実施形態に従って堆積された透明体は、特に、導電層の厚さなどの製造パラメータのあり得る変動の観点から、b値などの透明体の光学的性質をより良く制御するのに役立つ。図8は、図5の例示の透明体の構造をもつ透明体の-10から2.5の範囲のb値802を示すグラフ800を図示する。グラフ800から、例示の透明体516、すなわち、15nmのITO層厚をもつ本明細書の実施形態に従って堆積され透明体は、その上の導電膜の有無にかかわらず実質的に中性の反射率を有することをさらに理解することができる。したがって、本明細書の実施形態のうちの少なくともいくつかに従って堆積された透明体は、製造した膜の安定性を損なうことなく実質的に中性の反射色をもつタッチパネルで使用される透明体の製造を可能にする。本開示の実施形態は、光の適切な透過をもたらすだけでなく、図9で示すようにある期間にわたって安定性能をもたらす製造プロセスを提供する。特に、図9は、本明細書の実施形態に従って製造された透明体の安定性能を示す2つのグラフ900、902を示す。グラフ900は、本明細書の実施形態に従って透明体の一部を形成するITO膜の耐候試験の前の抵抗Rと、ITO膜の耐候試験の後の抵抗R0と間の比R/R0の変動を示す。グラフ900から、本明細書の実施形態に従って製造された透明体は、厳しい気候条件の下でさえ、ある期間にわたり導電膜の安定した抵抗を可能にすることを理解することができる。グラフ902は、耐候試験の間の経時的なb値の変動を示す。グラフ902から、本明細書の実施形態に従って製造された透明体は、厳しい気候条件の下でさえ、ある期間にわたり安定したb値を可能にすることを理解することができる。したがって、本明細書の実施形態に従って製造された透明体は、厳しい条件の下でさえ、タッチパネルの適切で安定した光学性能を可能にする。図2は、本明細書の実施形態によるタッチパネルで使用される透明体を製造するための堆積装置100の一例を概略的に図示する。例示の装置は、第1のケイ素含有誘電体膜16、第2のケイ素含有誘電体膜18、および第3のケイ素含有誘電体膜20を含む第1の透明層スタック12を基板14の上に堆積させるように構成された第1の堆積アセンブリ102を含む。典型的な実施形態によれば、層スタック12の各膜は個別の堆積チャンバまたは堆積チャンバの個別の区画内で堆積される。特に、例示の堆積装置100は、第1のケイ素含有誘電体膜16を堆積させるように構成された第1のケイ素含有誘電体膜堆積チャンバ106、第2のケイ素含有誘電体膜18を堆積させるように構成された第2のケイ素含有誘電体膜堆積チャンバ108、および第3のケイ素含有誘電体膜20を堆積させるように構成された第3のケイ素含有誘電体膜堆積チャンバ110を含む。例示の堆積装置100は、透明導電膜22を堆積させるように構成された第2の堆積アセンブリ104をさらに含む。特に、例示の堆積装置100は、透明導電膜22を堆積させるように構成された導電膜堆積チャンバ112を含む。本明細書の実施形態によれば、第1の堆積アセンブリ102および第2の堆積アセンブリ104は、第1の透明層スタック12および透明導電膜22が基板14の上にこの順序で配置されるように配列される。例示の実施形態では、基板14は堆積経路に沿って堆積方向140にコンベヤシステム図示せずによってチャンバを通って搬送される。例示の実施形態では、第1の堆積アセンブリ102は、第2の堆積アセンブリ104に対して上流に配列され、その結果、透明導電膜22は第1の透明スタック12の上に堆積される。典型的な実施形態によれば、堆積装置100は、低い屈折率を有する第1および第3の誘電体膜と、高い屈折率を有する第2の誘電体膜とを堆積させるように構成される。しかし、そのために、第1、第2、および第3の堆積チャンバは、チャンバが多様な目的に役立つことができるようなシリコンスパッタターゲットを備え、装置100は、タッチパネル用途のための1つ、2つ、3つ、またはそれを超える誘電体膜からなる異なるタイプの透明層スタック間の切替えの柔軟性を改善した。典型的な実施形態によれば、第1の堆積アセンブリ102は第1の誘電体膜16、第2の誘電体膜18、および第3の誘電体膜20を基板の上にこの順序で堆積させるように構成される。例示の実施形態では、第1の誘電体膜堆積チャンバ106、第2の誘電体膜堆積チャンバ108、および第3の誘電体膜堆積チャンバ110はこの順序で堆積経路に沿って配置され、その結果、第1の誘電体膜16、第2の誘電体膜18、および第3の誘電体膜20が基板14の上にこの順序で、特に、積み重ねて堆積される。堆積チャンバは、堆積装置100が本開示の実施形態に従って透明体を堆積させることができるようにする任意の好適な構造、構成、配列、および/または構成要素を含むことができる。例えば、限定はしないが、堆積チャンバは、コーティング源、電源、個別の圧力制御、堆積制御システム、および温度制御を含む好適な堆積システムを含むことができる。典型的な実施形態によれば、チャンバは個別のガス供給源を備える。そのために、異なるケイ素含有層を、チャンバのうちの1つの処理ガスを変更することによって堆積させることができる。チャンバは、典型的には、良好なガス分離を行うために互いに分離される。例えば、堆積チャンバは、特定のチャンバに直接供給されるガスに対する他のチャンバから特定のチャンバに広がるガスの比が少なくとも1から100であるように互いに分離することができる。本明細書の実施形態による堆積装置100は堆積チャンバの数に制限がない。例えば、限定はしないが、堆積装置100は3個、5個、6個、または12個の堆積チャンバを含むことができる。典型的な実施形態によれば、堆積装置100の膜堆積チャンバのいずれも、一般に回転ターゲットからのマグネトロンスパッタリングなどのスパッタリングによって堆積を行うように構成することができる。特に、第1の堆積アセンブリ102はマグネトロンスパッタリングによって第1の透明スタック12を堆積させるように構成することができ、かつ/または第2の堆積アセンブリ104はマグネトロンスパッタリングによって堆積を行うように構成することができる。本明細書で使用するマグネトロンスパッタリングは、磁石アセンブリ、すなわち、磁界を生成することができるユニットを使用して行われるスパッタリングを指す。典型的には、そのような磁石アセンブリは永久磁石で構成される。この永久磁石は、典型的には、回転ターゲット表面より下で発生した発生磁界内部に自由電子がトラップされるように回転ターゲット内部に配置されるか、または平面ターゲットに結合される。そのような磁石アセンブリは平面カソードに結合されるように配列することもできる。マグネトロンスパッタリングは、限定はしないが、TwinMag商標カソードアセンブリなどのダブルマグネトロンカソードによって実現することもできる。特に、シリコンターゲットからのMFスパッタリングでは、二重カソードを含むターゲットアセンブリを適用することができる。典型的な実施形態によれば、堆積チャンバ内のカソードは交換可能とすることができる。しかし、上述のように、本発明の実施形態は、ターゲットを変更する必要なしにタッチパネルの透明層スタックのタイプ間の切替えを可能にする。したがって、ターゲットは、シリコンが消耗された後に取り替えられる。いくつかの実施形態によれば、チャンバのうちの1つまたはいくつかはマグネトロンアセンブリなしでスパッタリングを行うように構成することができる。1つまたはいくつかのチャンバ、例えば追加のチャンバは、限定はしないが、化学気相堆積またはパルスレーザ堆積などの他の方法によって堆積を行うように構成することができる。典型的な実施形態によれば、第1の堆積アセンブリ102または第2の堆積アセンブリ104の少なくとも一方は、回転ターゲットに動作可能に結合されたスパッタリングシステムを含む。これらの実施形態によれば、スパッタリングシステムは第1のケイ素含有誘電体膜16、第2のケイ素含有誘電体膜18、第3のケイ素含有誘電体膜20、または透明導電膜22のうちの少なくとも1つを回転ターゲットからのスパッタリングによって堆積させるように構成される。特定の実施形態によれば、第2の堆積アセンブリ104は、透明導電膜22を回転ターゲットのスパッタリングによって堆積させるために回転ターゲットに動作可能に結合されたスパッタリングシステム127を含む。いくつかの実施形態によれば、少なくとも第1の堆積アセンブリ102は、第1のケイ素含有誘電体膜16、第2のケイ素含有誘電体膜18、または第3のケイ素含有誘電体膜20のうちの少なくとも1つを回転ターゲットのMFスパッタリングによって堆積させるために回転ターゲットに動作可能に結合されたスパッタリングシステムを含む。いくつかの実施形態によれば、少なくとも第1の堆積アセンブリ102は、少なくとも第1の誘電体膜16および第2の誘電体膜18を回転ターゲットのスパッタリングによって堆積させるために回転ターゲットに動作可能に結合されたスパッタリングシステムを含む。いくつかの実施形態によれば、第1の堆積アセンブリ102および第2の堆積アセンブリ104は複数のターゲットを含み、ターゲットのうちの1つ、いくつか、またはすべては回転可能であり、第1の誘電体膜16、第2の誘電体膜18、第3の誘電体膜20、および透明導電膜22がターゲットのスパッタリングによって堆積され得るように構成することができる。例示の実施形態では、堆積装置100の堆積チャンバの各々はスパッタリングシステムを含む。特に、第1の誘電体膜堆積チャンバ106はスパッタリングシステム120を備え、第2の誘電体膜堆積チャンバ108はスパッタリングシステム123を備え、第3の誘電体膜堆積チャンバ110はスパッタリングシステム125を備え、導電膜堆積チャンバ112はスパッタリングシステム127を備える。特に、いくつかの実施形態によれば、堆積装置100の堆積システムの各々はそれぞれの膜の堆積のためにそれぞれの回転ターゲットに動作可能に結合される。例示の実施形態では、スパッタリングシステム120はターゲット122例えば、回転ターゲットとするか、または平面カソードに適合することができるに動作可能に結合され、スパッタリングシステム123はターゲット124例えば、回転ターゲットとするか、または平面カソードに適合することができるに動作可能に結合され、スパッタリングシステム125は回転ターゲット126代替として、例えば、平面カソードに適合することができるに動作可能に結合され、スパッタリングシステム127はターゲット128例えば、回転ターゲットとするか、または平面カソードに適合することができるに動作可能に結合される。典型的な実施形態によれば、回転ターゲットは、基板14の上に膜を堆積させるように適切に配列された1つまたは複数の円筒状ターゲットによって形成される。一般に、回転シリコンターゲットは溶射シリコンターゲットによって用意される。典型的な実施形態によれば、スパッタリングは反応性スパッタリングで行うことができ、それによって、処理ガスは、誘電体層のタイプ、例えばSiO2またはSi3N4を決定するように使用される。典型的な実施形態によれば、堆積装置100は、第1の透明層スタック12の一部を形成する膜のうちの少なくとも1つまたは透明導電膜22の光学的性質を堆積の間測定するように構成された測定システム138を含む。例えば、堆積装置100は膜の堆積の間インライン光学分光光度測定を実行することができる。それによって、堆積プロセスのオンラインモニタリングが可能になる。堆積装置100は、第1の透明層スタック12の少なくとも1つの一部を形成する膜のうちの少なくとも1つまたは透明導電膜の堆積を閉ループ制御するために測定システム138に動作可能に結合された制御システム142を含むことができる。それによって、各層の堆積は個別に制御することができ、その結果、膜厚、組成、または光学的性質を高精度で制御することができる。膜の性質の個別制御により、最適化された光透過率を有する安定した透明体の形成が可能になる。典型的な実施形態によれば、堆積装置100は、堆積経路の異なる区域、または前処理モジュールもしくは後処理モジュールなどの堆積装置100の他のモジュールの温度を制御するための温度制御システム図示せずを含む。さらに、いくつかの実施形態によれば、そのような温度制御システムは堆積チャンバにおける基板14の温度を個別に制御することができる。図2の例示の実施形態は、堆積に先立って基板14の前処理を行うために前処理チャンバ136をさらに含むことができる。例えば、前処理チャンバ136は、1kWまたは3kWの間の電力基板速度に応じてで基板14のDCおよび/またはMF前処理を行うように構成することができる。さらに、前処理チャンバ136は、アルゴンおよび/または酸素雰囲気で基板14の前処理を行うように構成することができ、その結果、例えば、酸素リッチ前処理oxygenrichpre-treatmentを行うことができる。いくつかの実施形態によれば、堆積装置100は、透明体10のパターニングを行うためにパターニングチャンバ114を含むことができる。特に、パターニングチャンバ114は、透明導電膜22を、例えば、透明導電膜22をエッチングすることによってパターニングするためのスパッタリングシステム130を含むことができる。それによって、透明体10は、投影型容量性タッチを実装するタッチパネルに好適となるように製作され得る。典型的な実施形態では、パターニングチャンバ114は、透明導電膜22のパターニング例えば、エッチングによってX-Y格子を形成し、その結果、電極の格子パターンが基板14の上に形成されるように構成することができる。この場合、本明細書の実施形態による透明体10は、パターン化導電層に起因する表示区域の上の反射率の変動の補正が前述のように透明体の安定性および品質を損なうことなく可能になるので特に有利である。典型的な実施形態によれば、基板14はハードコートされたPETフォイルなどのフレキシブル基板で構成され、堆積装置100は、堆積に先立つ基板14の巻き出し、および本明細書の実施形態による透明体の形成の後の基板14の巻取りのために巻出しローラ132および巻返しローラ134を含むことができる。堆積装置100は、様々な処理チャンバを通して基板14を移行させるためにローラシステム図示せずを含むことができる。特に、本明細書の実施形態による堆積装置は、プラスチックフィルム上のロールツーロール堆積のためのスパッタロールコーターとして構成され得る。図面の以下の説明の中では、同じ参照番号は同様の構成要素を表す。一般に、個々の実施形態に関する差のみが説明される。図3は、本明細書の実施形態によるタッチパネルで使用される透明体を製造するための例示の堆積装置300の概略図である。例示の堆積装置300は、巻出しモジュール302、巻取りモジュール304、およびそれらの間に配置されたプロセスモジュール308を含むロールツーロールシステムとして構成される。プロセスモジュール308は、図2に関して論じたものと同様の第1のケイ素含有誘電体膜堆積チャンバ106、第2のケイ素含有誘電体膜堆積チャンバ108、第3のケイ素含有誘電体膜堆積チャンバ110、および導電膜堆積チャンバ112を含むが、処理ドラム306のまわりに放射状に配置される。プロセスモジュール308は、基板14を処理ドラム306に適切に送り込み、かつ処理済み基板14’をプロセスモジュール308から巻取りモジュール304に送り込むのを可能にするために補助ローラ310、312をさらに含むことができる。堆積装置300は、AppliedMaterialsによって製造され、本開示の実施形態に従って透明体を製造するのに適合するSmarfWeb商標とすることができる。本明細書の実施形態に従って適合させることができるロールツーロール堆積装置の例は、2004年2月18日に出願され、公開番号EP1561837A1の下で公開されたStripcoatinginstallationwithavacuumchamberandacoatingcylinderという名称の欧州特許出願EP20040003574に記載されており、その出願は、本開示と矛盾しない範囲で参照により本明細書に組み込まれる。いくつかの実施形態によれば、堆積装置300は、基板14または処理済み基板14’に追加の処理を行うために追加の処理モジュールをさらに含む。さらに、本明細書の実施形態による透明体の生産性を拡大するために複数の堆積装置300を直列に配置することができる。本明細書の実施形態に従って適合させることができる拡大可能な堆積システムの例は、2004年4月13日に出願され、公開番号EP1589130A1の下で公開されたGuidearrangementwithatleastoneguiderollforguidingwebsinwebtreatingapparatusesという名称の欧州特許出願EP20040008699に記載されており、その出願は、本開示と矛盾しない範囲で参照により本明細書に組み込まれる。図3の例示の実施形態では、スパッタリングシステム120は回転ターゲット322代替として、平面カソードに適合することができるに動作可能に結合され、スパッタリングシステム123は回転ターゲット324代替として、平面カソードに適合することができるに動作可能に結合され、スパッタリングシステム125は回転ターゲット326代替として、平面カソードに適合することができるに動作可能に結合され、スパッタリングシステム127は回転ターゲット328代替として、平面カソードに適合することができるに動作可能に結合される。図10は、例示の透明体10などの透明体を製造するための例示のプロセス200を図示する流れ図である。そのようなプロセスは、例えば、図2または図3の例示の装置のいずれでも行うことができる。例示のプロセス200は、第1のケイ素含有誘電体膜、第2のケイ素含有誘電体膜、および第3のケイ素含有誘電体膜を含む第1の透明層スタックを基板の上に堆積させること202を含み、第1および第3の誘電体膜は低い屈折率を有し、第2の誘電体膜は高い屈折率を有する。いくつかの実施形態によれば、堆積202は、第1の誘電体膜、第2の誘電体膜、および第3の誘電体膜が基板の上にこの順序で、最終的には積み重ねて配置されるように行われる。いくつかの実施形態によれば、第1のケイ素含有誘電体膜および/または第3のケイ素含誘電体膜は酸化ケイ素特に、SiO2を含むか、または酸化ケイ素特に、SiO2から構成される。いくつかの実施形態によれば、第2のケイ素含有誘電体膜は窒化ケイ素特にSi3N4を含むか、または窒化ケイ素特にSi3N4から構成される。例示のプロセス200は、第1の透明層スタックおよび透明導電膜が基板の上にこの順序で配置されるように透明導電膜を堆積させること204をさらに含む。例示のプロセス200において、第1の誘電体膜、第2の誘電体膜、第3の誘電体膜、または透明導電膜のうちの少なくとも1つは、回転ターゲットからのスパッタリングによって堆積される。例示のプロセス200は、透明導電膜をパターニングすること206をさらに含むことができる。例えば、堆積された透明導電膜の一部はエッチングすることができる。いくつかの実施形態によれば、透明導電膜は、透明体が投影型容量性タッチパネルに実装されるように構成されるようにパターニングされる。特定の実施形態では、透明導電膜は、透明体がタッチパネルの相互容量性センサに実装されるように構成されるようにパターニングされる。いくつかの実施形態によれば、例示のプロセス200は、堆積に先立って基板のガス抜きを行うための基板の加熱処理を含む。例えば、基板は、基板速度に応じて60°Cと200°Cとの間の温度で加熱することができる。いくつかの実施形態によれば、例示のプロセス200は、1kWまたは3kWの間の電力基板速度に応じてで基板のDCおよび/または中間周波数MF:mediumfrequency前処理を行うことを含むことができる。さらに、例示のプロセス200は、例えば、酸素リッチ前処理などのアルゴンおよび/または酸素雰囲気で基板の前処理を行うことを含むことができる。本明細書の実施形態によれば、中間周波数は、5kHzから100kHzの範囲、例えば、30kHzから50kHzの範囲の周波数である。例示の堆積装置または本明細書の実施形態による装置のスパッタコーティング源は、平面または回転ターゲット限定はしないが、セラミックITOなどをもつDCカソード、および平面または回転ターゲットSiO2またはSi3N4を堆積させるためのドープトシリコンターゲット、特に、溶射Siターゲットなどとすることができる。典型的な実施形態によれば、透明体の膜は1つの連続運転で堆積される。特に、膜は個々の堆積チャンバにおいて異なるガス分圧例えば、O2分圧で堆積させることができる。さらなる段階として、プロセス200は、タッチパネルのための異なるタイプの透明誘電体層スタックの製造に切り替えることを含むことができる。そのために、例えば、装置は、フレキシブル基板のロールへの堆積を終了した後に、またはフレキシブル基板のロールへの堆積中に停止することができる。プロセスガスは、単一層透明スタックまたは二重層透明スタックを発生させるために、1つのSiO2含有層のみが堆積されるか、または1つのSiO2含有層が1つのSi3N4含有層上に堆積されるように交換することができる。それによって、特に、2つ以上のシリコンターゲットアセンブリを、1つの層の堆積のために使用することができる。例えば、図3を参照すると、SiO2層がSi3N4層よりも大きい厚さを有するSi3N4/SiO2スタックが製造されなければならない場合、ターゲット322をSi3N4層のために使用することができ、両方のターゲット324および326をSiO2層のために使用することができる。それによって、一般に、層厚と堆積速度の比の最も大きい層によって制限される処理速度は、2つ以上のターゲットアセンブリ324および326を利用することによって厚いSiO2層を製造することができるので改善することができる。典型的な実施形態によれば、少なくとも3つのケイ素含有ターゲットアセンブリ、例えば回転MFツインカソードは、ターゲット交換のために装置を開ける必要なしに、少なくとも標準ITO透明体、第1の見えないITO透明体、高透過率ITO透明体、および第2の見えないITO透明体の製造を可能にする。さらに、追加として、同じ装置は、ターゲット交換のために装置を開ける必要なしに基板上の他の反射防止コーティングに適用することもできる。標準ITO透明体は、一般に、互いの上に堆積されるハードコート、SiO2層、およびITO層をもつ基板例えば、PETフィルムを含む。それによって、図1に示した3つの層16~20のうちの2つを省略することができる。SiO2層は、例えば、堆積チャンバ内にアルゴンなどの不活性ガスと酸素とが存在する状態で、MFスパッタリングプロセスを用いて反応性スパッタリングによって堆積される。さらに、SiO2誘電体膜のための典型的なプロセス圧力は2×10-3mbarと8×10-3mbarとの間とすることができる。さらに、典型的な堆積速度は20nm/minと40nm/minとの間平面カソードが使用される場合、または30nm/minと60nm/minとの間円筒状カソードが使用される場合とすることができる。ITOはDCスパッタリングプロセスで堆積される。一般に、膜厚は、SiO2層に対して10nmから30nmであり、ITO層に対して10nmから30nmである。第1の見えないITO透明体は、一般に、互いの上に堆積されるハードコート、第1のSiO2層、Si3N4層、第2のSiO2層、およびITO層をもつ基板例えば、PETフィルムを含む。第1および第3のSiO2層は、例えば、堆積チャンバ内にアルゴンなどの不活性ガスと酸素とが存在する状態で、MFスパッタリングプロセスを用いて反応性スパッタリングによって堆積される。Si3N4層は、例えば、堆積チャンバ内にアルゴンなどの不活性ガスと窒素とが存在する状態で、MFスパッタリングプロセスを用いて反応性スパッタリングによって堆積される。さらに、誘電体膜のための典型的なプロセス圧力は2×10-3mbarと8×10-3mbarとの間とすることができる。さらに、典型的な堆積速度は20nm/minと40nm/minとの間平面カソードが使用される場合、または30nm/minと60nm/minとの間円筒状カソードが使用される場合とすることができる。ITOはDCスパッタリングプロセスで堆積される。一般に、膜厚は、第1のSiO2層に対して10nmから30nm、Si3N4層に対して10nmから40nm、第2のSiO2層に対して20nmから60nm、およびITO層に対して10nmから30nmである。高透過率ITO透明体は、一般に、互いの上に堆積されるハードコート、第1のSiO2層、Si3N4層、第2のSiO2層、およびITO層をもつ基板例えば、PETフィルムを含む。第1および第3のSiO2層は、例えば、堆積チャンバ内にアルゴンなどの不活性ガスと酸素とが存在する状態で、MFスパッタリングプロセスを用いて反応性スパッタリングによって堆積される。Si3N4層は、例えば、堆積チャンバ内にアルゴンなどの不活性ガスと窒素とが存在する状態で、MFスパッタリングプロセスを用いて反応性スパッタリングによって堆積される。さらに、誘電体膜のための典型的なプロセス圧力は2×10-3mbarと8×10-3mbarとの間とすることができる。さらに、典型的な堆積速度は20nm/minと40nm/minとの間平面カソードが使用される場合、または30nm/minと60nm/minとの間円筒状カソードが使用される場合とすることができる。ITOはDCスパッタリングプロセスで堆積される。一般に、膜厚は、第1のSiO2層に対して10nmから30nm、Si3N4層に対して30nmから80nm、第2のSiO2層に対して30nmから90nm、およびITO層に対して10nmから30nmである。第2の見えないITO透明体は、一般に、互いの上に堆積されるハードコート、Si3N4層、SiO2層、およびITO層をもつ基板例えば、PETフィルムを含む。それによって、図1に示した3つの層16~20のうちの1つを省略することができる。Si3N4層は、例えば、堆積チャンバ内にアルゴンなどの不活性ガスと窒素とが存在する状態で、MFスパッタリングプロセスを用いて反応性スパッタリングによって堆積される。SiO2層は、例えば、堆積チャンバ内にアルゴンなどの不活性ガスと酸素とが存在する状態で、MFスパッタリングプロセスを用いて反応性スパッタリングによって堆積される。さらに、誘電体膜のための典型的なプロセス圧力は2×10-3mbarと8×10-3mbarとの間とすることができる。さらに、典型的な堆積速度は20nm/minと40nm/minとの間平面カソードが使用される場合、または30nm/minと60nm/minとの間円筒状カソードが使用される場合とすることができる。ITOはDCスパッタリングプロセスで堆積される。一般に、膜厚は、Si3N4層に対して10nmから40nm、SiO2層に対して20nmから60nm、およびITO層に対して10nmから30nmである。同様のターゲット少なくとも3つのケイ素含有ターゲットおよび少なくとも1つのITOターゲットが使用されることに照らして、異なるタイプの透明体間の切替えを実現することができる。図4のグラフ418および図5のグラフ518の反射率を算出するのに、裏側反射があり、外側基板がなく、ビーム反転がないPET基板屈折率1.60、空気媒体屈折率1.00、および0度の光入射角が仮定されていたことに留意されたい。さらに、図7および8のb値は、図に示されたように、2度および光源D65による反射を表す。図11は、本明細書の実施形態によるタッチパネルで使用される透明体を製造するための堆積装置1000の一例を概略的に図示する。例示の装置には、5つのターゲットアセンブリ1020-1から1020-5を有し、第1のケイ素含有誘電体膜16、第2のケイ素含有誘電体膜18、および第3のケイ素含有誘電体膜20を含む第1の透明層スタック12を基板14の上に堆積させるように構成された第1の堆積アセンブリが含まれる。典型的な実施形態によれば、層スタック12の各膜は個別の堆積チャンバまたは堆積チャンバの個別の区画内で堆積される。例示の堆積装置1000は、透明導電膜22を堆積させるように構成された第2の堆積アセンブリをさらに含む。本明細書の実施形態によれば、第1の堆積アセンブリおよび第2の堆積アセンブリは、第1の透明層スタック12および透明導電膜22が基板14の上にこの順序で配置されるように配列される。例示の実施形態では、基板14は堆積経路に沿って堆積方向140にコンベヤシステム図示せずによってチャンバを通って搬送される。例示の実施形態では、第1の堆積アセンブリは、第2の堆積アセンブリに対して上流に配列され、その結果、透明導電膜22は第1の透明スタック12の上に堆積される。典型的な実施形態によれば、堆積装置1000は、低い屈折率を有する第1および第3の誘電体膜と、高い屈折率を有する第2の誘電体膜とを堆積させるように構成される。本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、装置1000は、6つの区画、チャンバ、またはサブチャンバを含むことができ、その結果、各区画は、個々の処理パラメータの下で、特に個々の処理ガスで動作することができる。図11に示すように、装置は、溶射Siターゲット管1022を装備する5つの回転MFカソードまたはターゲットアセンブリ1020-1から1020-5を含むことができる。他の1つの区画は、DCモードで電力供給される2つのITO回転ターゲット1028-1および1028-2をもつターゲットアセンブリ1027を装備する。代替として、6つの区画またはチャンバをもつ装置は、溶射Siターゲット管を装備した4つの回転MFカソードまたはターゲットアセンブリを含むことができる。他の2つの区画またはチャンバは、DCモードで電力供給されるITO回転ターゲットを有するターゲットアセンブリを装備する。それによって、3つのケイ素含有誘電体膜を有する3層透明層スタックは、例えば、3つの層のうちの1つまたは複数を2つ以上のターゲットアセンブリ1020で製造させることによって効率的に製造することができる。したがって、他の誘電体膜の厚さよりも大きい厚さを有する、かつ/または他の誘電体膜の堆積速度よりも小さい堆積速度をもたらす堆積パラメータを有するSiO2またはSi3N4の層のそれぞれは、2つ以上のターゲットアセンブリで製造することができる。それによって、この層によるスループットの制限を避けるか、または減少させることができる。これは、同様に、2つのケイ素含有誘電体膜を有する2層透明層スタックに、さらに、1つのケイ素含有誘電体膜を有する1層透明層スタックに当てはまり、1つのシリコン含有膜の厚さはやはり2つ以上のシリコンターゲットアセンブリによって生じさせることができる。上述のように、Siターゲット1022をもつMFカソードは、Ar/酸素がスパッタガスとして使用される場合、低い屈折率層としてのSiO2の堆積を可能にする。代替として、高い屈折率層をもつSi3N4窒化ケイ素は、Ar/N2スパッタガスを使用することによって堆積させることができる。これには、いくつかのタイプのタッチパネルコーティングが同じカソード/ターゲット構成で堆積させることができるという利点がある。1つのターゲットアセンブリ1020-1のみについて、および1つのターゲット1028-1のみについて図11に例示的に示すように、それぞれのMF電源およびDC電源1120および1128が設けられている。他のターゲットアセンブリおよびターゲットは対応して装備される図示せず。さらなる実施形態によれば、特に、DCスパッタリングで動作されるターゲットアセンブリ1027を装備した区画は、区画内に異なるターゲット1028-1および1028-2を有することができる。例えば、2つのタイプのITO材料は、例えば、非晶質ITOのための90In2O3および10SnO2の組成をもつ、または結晶性ITOのための97In2O3および3SnO2の組成焼もどしの段階の後でをもつ透明導電性酸化物膜のために使用することができる。図11では、これは、異なるターゲット1028-1および1028-2によって示されている。したがって、装置の柔軟性は、ITOターゲットセクション図11のターゲットアセンブリ1027において、一方の回転カソードが90/10ITOを装備し、他方の回転カソードが97/3ITOを装備している場合、さらに向上することができる。これにより、カソードのいずれかのものを使用することによって非晶質ITOと結晶性ITOとの間の切替えも可能になる。本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができるさらなる実施形態によれば、特に、屈折率が異なるケイ素ベース誘電体膜を製造するように適合された複数のケイ素含有ターゲットをもつ装置は、タッチパネルの異なるタイプの透明層スタック間の切替えを可能にする。例えば、層スタックは、PETフィルム/SiO2/ITO、改善された色反射層としてのPETフィルム/SiO2/Si3N4/SiO2/ITO、高い透過率構造としてのPETフィルム/SiO2/Si3N4/SiO2/ITO、および3層をもつ改善された色反射層としてのPETフィルム/Si3N4/SiO2/ITOからなる群のうちの1つによって形成することができる。さらなる実施形態によれば、図11に示し、6つの区画、ターゲットアセンブリ、またはカソードを有する装置1000は、例えば、8個、10個、またはさらに12個の区画、ターゲットアセンブリ、またはカソードまでさらに規模拡大させることもできる。一般に、層厚および/または堆積速度に基づいて基板の速度を制限している層は追加のカソードで堆積させることができるので、少なくともスループットはそのような規模拡大によって増加させることができる。カソードの類似性に照らして、スループットのこの増加はすべての層スタックに対して実現することができ、スループットの限界はケイ素含有層堆積によって定められる。スループットの限界が主としてITO層堆積によって定められる場合、カソードアセンブリのうちの第2のものはITOターゲットを装備することができる。本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができるさらなる実施形態によれば、製造方法および装置の柔軟性は、ケイ素含有誘電体層の層スタックが様々な屈折率、例えばグレーディングの屈折率を有する反射防止コーティングを堆積させる選択肢によってさらに与えられる。それによって、そのような装置の所有コストは、チャンバを通気および再排気する必要なしにシステムを利用することによってさらに低減させることができる。本明細書で説明する実施形態は、2つのターゲット材料のみが使用される方法および装置に関する。これにより、堆積装置のオペレータは、単にスパッタパラメータを変更することによって、あるプロセスから次のプロセスに切り替えることができる。さらなるターゲット交換の必要はない。通気およびターゲットの入れ替えなしに、顧客は様々なタイプのタッチパネルコーティングを生成することができる。機械を通気することや開けることなしに、同じロールのプラスチック材料に様々なタイプのタッチパネルコーティングを堆積させることも可能である。これにより、顧客の所有コストが改善され、顧客に付加価値が与えられる。別の利点は高屈折率材料酸化ニオブNb2O5のターゲット価格と比較した溶射Siのターゲット価格であり、それはタッチパネル用途の多層透明スタックでも使用することができる。本明細書は、最良の形態を含む本発明を開示し、当業者が本発明を実行および使用できるようにするために例を使用している。本発明が様々な特定の実施形態に関して説明されているが、当業者は特許請求の範囲の趣旨および範囲内で変形して本発明を実施することができることを認識するであろう。上述の実施形態の例および実施形態またはその変形形態の相互非排他的特徴は互いに組み合わせることができる。本発明の特許の範囲は特許請求の範囲によって定義され、当業者が思いつく他の例を含むことができる。そのような他の例は特許請求の範囲内にあるものである。前述は本発明の実施形態を対象とするが、本発明の他のおよびさらなる実施形態を本発明の基本的な範囲から逸脱することなく考案することができ、本発明の範囲は以下の特許請求の範囲によって決定される。