物質の屈折率実部が1以下となる波長帯域のX線を導波させるためのコアと、前記コアに前記X線を閉じ込めるためのクラッドと、を備えるX線導波路であって、前記クラッドが、屈折率実部が異なる複数の物質が2次元以上の方向に周期的に配列された周期構造を有し、前記周期構造の周期が100ナノメートル以下であることを特徴とするX線導波路。前記周期構造は、メソ構造体材料を含むことを特徴とする請求項1に記載のX線導波路。前記周期構造は、メソポーラス材料を含むことを特徴とする請求項1または2に記載のX線導波路。前記周期構造は、物質の中に球を2次元または3次元的に配列したものであることを特徴とする請求項1に記載のX線導波路。前記コアを形成する物質の屈折率実部が、前記クラッドを形成する前記複数の物質の屈折率実部のうちの最小の屈折率実部より大きいことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のX線導波路。しかしながら、特許文献1では、内部にランダムな空孔が形成され、電磁波を導波させるための導波領域コアより相対的に電子密度の下がったポーラスシリコンなどの材料をクラッドに用いている。そのために、X線に対してはコアの屈折率がクラッドより相対的に小さくなる。したがって、この構成ではX線をコアに閉じ込めて導波させることは困難である。また、非特許文献2では、コアにX線を閉じ込める手段としてコアとクラッドの界面における全反射だけを用いているため、材料の選択性が制限され、設計の幅が狭くなるという課題がある。これはコアとクラッドとの界面での全反射角が材料の特性だけに依存するため、特定のモードを導波させたい場合などには、導波路幅などの導波路の構造パラメータの設計値が狭い範囲に収まらなくてはならない。また全反射だけを用いる場合は、コアとクラッドの界面、さらにはそれぞれの内部に存在する作製時の不安定さや、避けることのできない界面の不連続性や、亀裂などの個別の構造誤差が、透過率の低下や導波モードの劣化という伝搬特性の深刻な低下を引き起こす。さらに全反射だけを用いてX線を導波させる場合は、導波モード自体も材料とそれにより決定される構造だけに依存し、自由なモード制御を行うことは困難となる。これに対し非特許文献1は全反射だけでなく、基板垂直方向に屈折率の異なる2種の材料が交互に積層された1次元周期構造よりなるクラッドでのブラッグ反射を用いてX線をコアに閉じ込める構成である。しかし、1次元周期構造はほとんど基板面に垂直な方向のみで効果を発揮し、基板面に平行な方向においては効果を発揮することができないものであり、面に平行なモードや伝搬方向を制御することは非常に難しいという課題がある。本発明は、この様な背景技術に鑑みてなされたものであり、構成材料の選択性が高く、効率よくX線の導波が可能なX線導波路を提供するものである。本発明の一側面としてのX線導波路は、物質の屈折率実部が1以下となる波長帯域のX線を導波させるためのコアと、前記コアに前記X線を閉じ込めるためのクラッドと、を備えるX線導波路であって、前記クラッドが、屈折率実部が異なる複数の物質が2次元以上の方向に周期的に配列された周期構造を有し、前記周期構造の周期が100ナノメートル以下であることを特徴とする。本発明によれば、構成材料の選択性が高く、効率よくX線の導波が可能なX線導波路を提供することができる。以下、本発明を詳細に説明する。本発明においてX線とは、物質の屈折率実部が1以下となる波長帯域のX線である。具体的には、本発明においてX線とは、極端紫外光ExtremeUltraVioletEUV光を含む100ナノメートル以下の波長の電磁波を指す。またこのような短い波長の電磁波の周波数は、非常に高く物質の最外郭電子が応答できないため、紫外光の波長以上の波長をもつ電磁波可視光や赤外線の周波数帯域と異なり、X線に対しては物質の屈折率の実部が1より小さくなることが知られている。このようなX線に対する物質の屈折率nは一般的に、下記の式1で表されるように、実数部の1からのずれ量δ、吸収に関係する虚数部のβ’を用いて表される。δは物質の電子密度ρeに比例するため電子密度の大きい物質ほど屈折率の実部が小さくなることになる。さらに、ρeは原子密度ρaと原子番号Zに比例する。このようにX線に対する物質の屈折率は複素数で表されるが、その実部を本明細書中では屈折率実部または屈折率の実部と称し、虚部を屈折率虚部または屈折率の虚部と称する。X線に対して屈折率実部が最大となる場合は、真空中をX線が伝搬するであるが、気体でないほぼすべての物質に対して空気の屈折率実部が最大となる。本明細書中においては、真空に対しても物質という文言を適用する。つまり本発明において屈折率実部が異なる2種以上の物質とは近似的に電子密度が異なる二種以上の物質であるということもできる。このX線の周波数帯域においても多くの場合、X線の挙動はマックスウェル方程式に従う。そのために、異なる屈折率実部をもつ二つの物質界面においてX線の反射、屈折が起こり、これらの材料により周期構造を形成した場合も反射、屈折が繰り返し起こり周期構造中で多重干渉が起こる。この結果、ブラッグ反射やフォトニックバンドギャップ効果が発現されることになる。周期構造をなしている最小の単位構造のことを本明細書中では要素構造と称することとする。コアをなす周期構造は、導波方向に垂直な面内つまりクラッドとコアの界面に垂直な面内において2次元の周期性を有するものである。図2にSiO2302中に2次元三角格子状に配列された無限延の空孔301を有する材料メソポーラスシリカ303図3のフォトニックバンドダイアグラムの計算結果を示す。計算にはSiO2の屈折率実部のみを用いており、伝搬方向は空孔の長さ方向に平行である。空孔内の材料は空気であり、その屈折率実部を1として計算したものであり、屈折率虚部は計算に用いていない。図2は縦軸にX線の規格化された周波数ωから空気のライトライン上の周波数ωairを引いた値と規格化された伝搬定数β伝搬方向の波数ベクトルを横軸に描いた分散関係を表すもので、図中の黒点はこの材料中に存在できるモードを表す計算結果である。βは導波方向に平行な方向の伝搬定数で、ライトラインとは規格化周波数ωと規格化伝搬定数βとの間における線形の分散関係を表す計算結果をプロットしたものであり、屈折率実部n’が大きいほどその傾きは小さくなる。つまり、この図において202はSiO2のライトラインを表すものであり、空気のライトラインはω-ωair=0であり横軸と一致する。図中、灰色に塗りつぶした領域は材料中に存在できるX線のモードを表す。このとき、β0は真空中の伝搬定数である。図2中201のようにモードが存在しない領域が見られるがこのような領域をフォトニックバンドギャップと称する。フォトニックバンドギャップに相当する周波数および伝搬定数をもつX線は材料中に存在できないため、結果的に反射されてしまう。これがフォトニックバンドギャップ効果である。このような周期構造をなす材料としては、Si、Beなど、その他周期表上の多くの物質が、また有機物や化合物、SiO2、TiO2、SnO2などの酸化物などあらゆる材料が利用可能であり、扱うX線の波長や必要とするX線の導波モードなどにより選択される。周期構造としては、2次元構造であれば三角格子構造、3次元であれば六方細密面心立方格子構造などが挙げられる。このように、クラッドの少なくとも一部をなす周期構造が2次元または3次元構造であることによりブラッグ反射やフォトニックバンドギャップ効果が2次元、3次元的に発現される。その結果、コアに形成されるX線の伝搬モードを2次元、3次元的に制御することができる。また、コアへのX線の閉じ込めのためにX線は周期構造中で多重干渉し結果的に広い領域の構造により平均化された分布プロファイルを形成する。そのため、全反射で問題となる局所領域の個々の構造誤差や作製誤差などのX線の伝搬特性低下を低減することができる。前記クラッドの周期構造は、メソ構造体材料、好ましくはメソポーラス材料よりなることが好ましい。また、前記クラッドの周期構造が球を配列したものよりなることが好ましい。本発明において、2次元または3次元の周期構造の周期は200ナノメートル以下が好ましい。また、扱うX線の光子エネルギーまたは波長によって最適な周期は異なるが、例えば約8キロエレクトロンボルトkeVの光子エネルギーをもつX線を用いる場合、2次元または3次元の周期構造の周期は10ナノメートル以上が望ましい。周期が200ナノメートルを越えると基本的にX線に対して導波路のコア領域が非常に大きなものとなり明確な導波モードを形成しづらくなることと、形成された場合でも非常に多くの高次モードが混ざり合って存在する状態となり好ましくない。なお、周期構造の周期は周期構造をなす要素構造の対称点を結ぶ各基本ベクトルの絶対値で定義される。2次元、3次元の周期構造の場合、基本ベクトルはそれぞれ二つ、および三つ存在する。例えば、図1aのX線導波路中の周期構造である三角格子状に並んだ空孔の要素構造を図1bに示すが、図1b中の円は空孔を表し基本ベクトルは106、107である。この場合、基本ベクトル106と107の絶対値は等しいので、周期は基本ベクトル106と107の絶対値となる。ただし、本発明においてコア内にクラッドの周期構造の周期性によりX線を閉じ込める場合、クラッドとコアの界面に垂直な方向における周期性が最も重要となる。図1の例では紙面上下方向y軸に平行な方向がこれにあたり、この方向での周期は基本ベクトル106または107の絶対値にcos30°を掛けたものとなる。図4はクラッドの一部をなす周期構造が電子密度の異なる二つの物質により構成されている場合のフォトニックバンドダイアグラムの模式図を示す。401は二つの物質のうちの一方である第一の物質のライトラインを、402はもう一方の物質である第二の物質のライトラインをそれぞれ描いたものである。これは第一の物質の屈折率実部のほうが第二の物質の屈折率実部よりも大きい場合となる。図中、403の領域1は周期構造中の第一、第二の両物質領域中にX線が存在できないモードを表すものであり、つまりモードが存在できない条件に相当する領域である。404の領域2は周期構造中の第一の物質領域にのみX線が存在できるようなモードを表す。405の領域3は周期構造中の第一、第二の両物質領域中にX線が存在できるようなモードを表す。たとえば、図5のように一様なコアを第一の物質と第二の物質からなる周期構造によりなるクラッド502と503で挟み込んだ構造を考える。この場合、コアの屈折率実部が第一の物質の屈折率実部より大きければ403の領域1に独立した導波モードを形成することができる。コアの屈折率実部が第一の物質の電子密度より小さく、第二の物質の屈折率実部より大きければ領域1に導波モードを形成することはできないが、404の領域2中に導波モードを形成することができる。特にフォトニックバンドギャップとこの導波モードがグラフ上で重なった場合は、コアにだけX線が強く閉じこまる導波モードを形成することができる。同様に、コアの屈折率の実部が第二の物質の屈折率実部より小さい場合にも、405の領域3に上記のような導波モードを形成することができる。図4は説明のためクラッドのフォトニックバンドダイアグラムだけを示している。このような理由により、上下のクラッドの周期構造による多重干渉で反射されたX線のうち分散関係を満足するモードの特性をもつX線が導波モードを形成し効率よく伝搬することになる。このように、本発明のX線導波路は、クラッドの周期構造が示すフォトニックバンドギャップに相当する光子エネルギーと波数ベクトルをもつX線をコアに閉じ込めて、X線を導波させるものである。このような周期構造としては、例えばゾルゲル法により作製されるメソ構造体材料、電子線ビームリソグラフィーを用いたプロセスにより作製される3次元井桁構造などが挙げられる。特に、メソ構造体材料として、空気よりなる空孔または有機物が充填された孔が、母体材料中で、2次元、3次元的に周期的に配列されたメソポーラス材料を用いることによりX線の伝搬損失を小さくすることができる。このような材料としては、メソポーラスシリカ、メソポーラス酸化チタン、メソポーラス酸化スズなどが挙げられる。母体材料とは、孔の周りの材料で、例えば周期構造がメソポーラスシリカ、メソポーラス酸化チタン、メソポーラス酸化スズの場合、それぞれの母体材料は、シリカ、酸化チタン、酸化スズである。図5に導波路構造の例を挙げる。たとえば、503のみが周期構造で502が一様媒質というように、クラッド領域が二つの膜状構造である場合その一方だけが周期構造であっても導波路を形成することができる。この場合、導波モードはクラッド1の502とコア501の界面で全反射条件を満たすものとする。多くの場合、コアの上方、下方で作製方法は異なり両方に周期構造を作製するのが困難な場合や、一部しか周期構造を作製できない場合でも全体としては導波モード形成のための厳しい全反射条件を少なからず緩和することができる。ただ、502のクラッド1とコア501の界面において導波モードが全反射条件を満たさない場合でも、弱く閉じこまって伝搬する導波モードが存在する。また上述のように、2次元、3次元の周期構造をクラッドとして用いることにより、全反射を用いる必要がなくなり、本来全反射閉じ込めで必須であった材料の組み合わせの制限が緩和されて、材料の選択性を向上することができる。本発明におけるメソポーラスシリカ材料は2次元または3次元的に規則的な周期性を有する。またメソポーラスシリカの形成方法は一般的なものを用いることができる。たとえばSi基板上にポリイミド成膜した後、コットンを用いたラビング処理により配向させ、その上に界面活性剤を含む溶媒をディップコート法などによって塗布し、規則性をもつメソポーラスシリカ材料を形成する。例えば、特開2005-246369号公報に記載の方法が挙げられる。さらに、クラッドを形成する周期構造の材料としてはメソポーラスシリカを形成しているシリカだけではなく、様々な材料を用いることができる。またメソポーラスシリカ中に形成されている規則的に周期性をなして並んだ孔の内部は、気体や液体、物質としては空気や、有機物、無機物など等により構成される。本発明に係るX線導波路によれば、X線をコアに閉じ込めるための方法として、クラッドの周期構造中におけるX線の多重干渉に起因するブラッグ反射またはフォトニックバンドギャップ効果を用いる。そのため、コアとクラッドとの界面における全反射条件という構成材料だけによって限定される条件をなくすことができ、構成するための材料選択性が高くなる。また、クラッドが2次元以上の周期構造を有することにより、コア中を導波するX線のモード、伝搬方向を2次元または3次元に制御することができ、効率がよく質の高いX線の導波が可能となる。また、2次元以上の周期構造は全体としてX線の反射またそれによる閉じ込め、導波モードの選択と形成に寄与するため、個別の構造誤差による伝搬特性の低下を補償することができる。また、コアが必要に応じて任意の形状にパターニングされたものであれば、X線の導波モード、伝搬方向などをより自由に制御することができる。さらに、本発明に係るX線導波路は、前記コアを形成する物質の屈折率実部が、前記クラッドを形成する複数の物質の屈折率実部のうちの最小の屈折率実部より大きいことを特徴とする。本発明のX線導波路のコアをなす物質のうち最大の屈折率実部をもつ物質にX線の電場または磁場強度が集中するような導波モードを使う場合、この物質の屈折率実部がクラッドをなすすべての物質の屈折率実部よりも大きいことが好ましい。そのような構成により、この導波モードはこの系のフォトニックバンドダイアグラム中のすべてのライトラインよりも低周波側に形成されるため、X線を非常に強く閉じ込めることが可能となる。また、コアをなす物質の屈折率実部が最大であるということは一般的に物質の電子密度はこの系において最小ということになり、吸収に関わりかつ電子密度に比例する屈折率虚部β’も小さくすることができ、低損失なX線の導波が可能となる。本発明において導波するX線の伝搬方向はすべての実施例において各図中z軸に平行である、つまり導波モードの伝搬定数となる波数ベクトルはz軸方向と同じとなる。本発明の実施例1を図1に基づいて説明する。図1に示すX線導波路は、Si基板上101上に形成された膜厚およそ300ナノメートルのメソポーラスシリカ膜であるクラッド105を、ポリメチルメタクリレートPMMAよりなるコア104を挟み込むように張り合わせたものである。メソポーラスシリカ膜であるクラッド105は、SiO2102中に、図1中z方向に伸びた半径約2ナノメートルの有機物である界面活性剤の孔103がx-y平面内において三角格子状の周期構造を形成したものである。周期は約5ナノメートルで、周期構造の特性としてx方向がΓ-K、y方向がΓ-M方向となる。このメソポーラスシリカ膜であるクラッド105は、y-z平面に平行な波数ベクトルをもつ波長約0.1ナノメートル1オングストロームのX線に対し、約1度のブラッグ角をもつ。つまり入射角約1度でメソポーラスシリカ膜であるクラッド105表面に入射されるy-z平面に平行な波数ベクトルをもつ波長約0.1ナノメートル1オングストロームのX線は、約一度の反射角で反射されることになる。ここで、入射角とは、y-z平面内において入射されるX線の波数ベクトルとz軸のなす角度であり、出射角とはy-z平面内においてメソポーラスシリカ膜であるクラッド105表面で反射されたX線の波数ベクトルとz軸のなす角である。前記クラッドのメソポーラスシリカ膜は、屈折率実部が約0.9999979714と1の異なる二つの物質からなる。本実施例ではメソポーラスシリカ膜であるクラッド105がコアを挟んでy軸方向において上下方向に設けられているため、コア中においてy-z平面に平行な波数ベクトルとz軸のなす角がブラッグ角に一致するようなX線はモードを形成する。本実施例ではコア104の厚さは約50ナノメートルであり、コアを伝搬するX線の導波モードはマルチモードとなる。今、メソポーラスシリカ膜であるクラッド105が2次元の周期構造であるので、実際には導波モードはx-y平面内で2次元の電場分布をもつことになり、本実施例により2次元に制御された導波モードの形成、そのようなモードを用いたX線の導波が可能となる。図6は本発明の実施例2を表す図である。図6のX線導波路はSi基板701上にクラッド703、その上にコア702、さらにコア702の上にクラッド704が配されており、二つのクラッド703、704がコア702を挟み込む形のものである。コアを例えば空気とする。クラッド703は、基板上に直径約50ナノメートルほどのポリスチレン球が自己組織的に六方細密充填構造で配列したいわゆる人口オパール構造で3次元の周期構造である。クラッド704はNiからなる。前記クラッド704のNi膜は、光子エネルギー約12キロエレクトロンボルトのX線に対して屈折率実部が約0.9999877410である。また、前記クラッド703は屈折率実部が約0.9999965852のスチレン球と約9.9999814617854のポリメチルメタクリレートPolymethylmethacrylate、PMMAからなる。この構造は波長約0.1ナノメートル1オングストロームのX線に対しブラッグ角が約0.08度になる。コア702はSi基板上に形成された膜厚50ナノメートルほどのポリメチルメタクリレートPolymethylmethacrylate、PMMA樹脂膜であり、コア702と上部クラッド704との全反射臨界角は0.1度より大きくなる。そのため、下部のクラッド703におけるブラッグ角の方がこの全反射臨界角よりも小さいことになる。つまり、コアの中に形成されるX線の導波モードは上部クラッド704との界面において全反射により、また下部クラッドの703におけるブラッグ反射によってコアに閉じ込められたものとなる。図7は本発明の実施例3を表す図である。本実施例は、実施例1に示したX線導波路のコアが二次元面内でパターニングされた構造となっており、コア804とスペーサー805以外の構成は実施例1のものと同様である。本実施例ではコアの形成過程で片側のクラッドであるメソポーラスシリカ806上にTi805をスパッタで50ナノメートル成膜した後、幅およそ200ナノメートルの空気よりなるコア804を電子線リソグラフィーとエッチングにより形成したものである。さらにその上にSi基板801上に作製されたメソポーラス806を張り合わせてある。コアを2次元面内でパターニングしたことにより、コア中のX線はスペーサーとの界面において反射され導波モードは基板面に平行な方向においても規定されることになり、3次元的に制御された導波モードを形成することができる。光子エネルギー約12キロエレクトロンボルトのX線に対して前記コアの二つの物質は、屈折率実部が約0.9999979714のシリカと約1の空気からなる。図8は本発明の実施例4を表す図である。本実施例の導波路は、Si基板901上に、図3に示す303と同様の2次元周期構造であるメソポーラスシリカの膜であるクラッド902、クラッド902に同様のメソポーラスシリカの膜であるクラッド904が張り合わせられている構造を持つ。本実施例の導波路では、メソポーラスシリカ材料であるクラッド902の一部がパターニングされた部分がコア903となっている。前記クラッドのメソポーラスシリカ膜は、屈折率実部が約0.9999979714のシリカと約1の空気からなる。コア903は空気からなり、クラッド902をフォトリソグラフィーとエッチング工程によりパターニングしたもので、深さ約100ナノメートル、幅約1マイクロメートルの方形導波路となっている。本実施例では、コア903に対してx-y面内において全方向に2次元周期構造のメソポーラスシリカ材料に囲まれているため、x-y面内方向においてX線を周期構造により閉じ込めることが可能になるとともに、導波モードも2次元面内で制御されたものとなる。特に空気でコア903を形成している場合は、伝搬に伴う損失を最低に抑えることができる。