"厚み方向の一表面側に固定接点が設けられたベース基板と、前記ベース基板の前記一表面側に対向配置されたカバー基板と、前記ベース基板に収納された電磁石装置と、前記ベース基板と前記カバー基板との間に介在するフレーム部と、前記フレーム部の内側に配置され揺動可能な可動部とを備え、前記可動部は、板状の可動部本体と、前記可動部本体において前記電磁石装置側に配置され前記電磁石装置とともに磁気回路を構成するアーマチュアと、前記可動部本体に支持され前記アーマチュアの揺動に伴って前記固定接点に接離する可動接点が設けられた接点保持部とを有し、前記可動部本体は、前記ベース基板と対向する一面において前記アーマチュアの揺動軸上に、前記ベース基板と当接して前記可動部が揺動する際の支点となる支点突起が設けられ、前記支点突起と前記可動接点および前記固定接点との間において前記ベース基板の前記一表面側と前記可動部本体において前記ベース基板と対向する前記一面側との少なくとも一方に前記可動部の揺動に起因して発生した粉塵が前記可動接点および前記固定接点に到達するのを抑制する凸部が形成されてなることを特徴とするMEMSリレー。前記支点突起と前記可動接点および前記固定接点との間において、前記ベース基板の前記一表面側と前記可動部本体において前記ベース基板と対向する前記一面側との一方に前記可動部の揺動範囲を規制するストッパ部が設けられ、前記ストッパ部と前記可動接点および前記固定接点との間に前記凸部が形成されてなることを特徴とする請求項1記載のMEMSリレー。前記凸部は、前記ベース基板の前記一表面側と前記可動部本体において前記ベース基板と対向する前記一面側との両方に設けられてなることを特徴とする請求項1または請求項2記載のMEMSリレー。前記可動部本体において前記ベース基板と対向する前記一面側に形成された前記凸部は、前記可動接点と同じ材料であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のMEMSリレー。前記ベース基板の前記一表面側に形成された前記凸部は、前記固定接点と同じ材料であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のMEMSリレー。ところで、特許文献1に開示されたマイクロリレーでは、可動基台部74の四隅にストッパ部76を延設しているので、磁性体部69bの変位量を制限することができ、磁性体部69bとベース基板60の上記一表面側例えば、蓋体78とが接触して磁性体部69bやベース基板60の上記一表面側が破損するのを防止できる。しかしながら、上述のマイクロリレーでは、磁性体部69bが各支点突起75aを支点として揺動する際に、支点突起75aと蓋体78との摺動部から粉塵が発生することがあった。これにより、上述のマイクロリレーでは、上記摺動部からの粉塵が可動接点71や固定接点66に付着して、可動接点71と固定接点66との接触不良が生じたり、接触抵抗が増大したりして動作特性が不安定となる可能性がある。本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、粉塵が可動接点や固定接点に付着するのを抑制することが可能なMEMSリレーを提供することにある。本発明のMEMSリレーは、厚み方向の一表面側に固定接点が設けられたベース基板と、前記ベース基板の前記一表面側に対向配置されたカバー基板と、前記ベース基板に収納された電磁石装置と、前記ベース基板と前記カバー基板との間に介在するフレーム部と、前記フレーム部の内側に配置され揺動可能な可動部とを備え、前記可動部は、板状の可動部本体と、前記可動部本体において前記電磁石装置側に配置され前記電磁石装置とともに磁気回路を構成するアーマチュアと、前記可動部本体に支持され前記アーマチュアの揺動に伴って前記固定接点に接離する可動接点が設けられた接点保持部とを有し、前記可動部本体は、前記ベース基板と対向する一面において前記アーマチュアの揺動軸上に、前記ベース基板と当接して前記可動部が揺動する際の支点となる支点突起が設けられ、前記支点突起と前記可動接点および前記固定接点との間において前記ベース基板の前記一表面側と前記可動部本体において前記ベース基板と対向する前記一面側との少なくとも一方に前記可動部の揺動に起因して発生した粉塵が前記可動接点および前記固定接点に到達するのを抑制する凸部が形成されてなることを特徴とする。このMEMSリレーにおいて、前記支点突起と前記可動接点および前記固定接点との間において、前記ベース基板の前記一表面側と前記可動部本体において前記ベース基板と対向する前記一面側との一方に前記可動部の揺動範囲を規制するストッパ部が設けられ、前記ストッパ部と前記可動接点および前記固定接点との間に前記凸部が形成されてなることが好ましい。このMEMSリレーにおいて、前記凸部は、前記ベース基板の前記一表面側と前記可動部本体において前記ベース基板と対向する前記一面側との両方に設けられてなることが好ましい。このMEMSリレーにおいて、前記可動部本体において前記ベース基板と対向する前記一面側に形成された前記凸部は、前記可動接点と同じ材料であることが好ましい。このMEMSリレーにおいて、前記ベース基板の前記一表面側に形成された前記凸部は、前記固定接点と同じ材料であることが好ましい。本発明のMEMSリレーにおいては、粉塵が可動接点や固定接点に付着するのを抑制することが可能となる。実施形態1以下、本実施形態のMEMSリレーについて、図1~図6を参照しながら説明する。本実施形態のMEMSリレーは、板状例えば、矩形板状のベース基板1と、ベース基板1の厚み方向の一表面側図1では、上面側に対向配置された板状例えば、矩形板状のカバー基板3と、ベース基板1に設けられた収納部16に収納された電磁石装置4と、ベース基板1とカバー基板3との間に配置された可動部形成体2とを有する。このMEMSリレーは、可動部形成体2のベース基板1側に配置された板状例えば、矩形板状の磁性材料からなるアーマチュア24を電磁石装置4にて動かすことにより、ベース基板1の上記一表面側に設けられた一対の固定接点14,14と可動部形成体2に設けられた可動接点27図2参照とが接離する電磁駆動式のリレーである。なお、本実施形態のMEMSリレーでは、ベース基板1およびカバー基板3の外形サイズを、可動部形成体2の外形サイズと同じサイズに設定してある。以下、上述のMEMSリレーの各構成要素について詳細に説明する。ベース基板1は、絶縁性基板の一種であるガラス基板により形成されている。また、ベース基板1を形成するガラス基板の材料としては、硼珪酸ガラスを採用すればよい。硼珪酸ガラスとしては、例えば、パイレックス登録商標やテンパックス登録商標を採用することができる。ここにおいて、ベース基板1は、ガラス基板により形成しているが、これに限らず、例えば、高抵抗率のシリコン基板、低温同時焼成セラミック基板LowTemperatureCofiredCeramicSubstrate:LTCC基板などにより形成してもよい。高抵抗率のシリコン基板としては、例えば、MEMSリレーを高周波信号の伝送に用いる場合、抵抗率がより高いほうが好ましく、伝送対象の高周波信号の周波数が6GHzであれば、抵抗率が100Ωcm以上であることが好ましく、1000Ωcm以上であることがより好ましい。要するに、伝送対象の高周波信号の周波数が高いほど、抵抗率が高いほうが好ましい。また、ベース基板1は、ガラス基板の材料として硼珪酸ガラスを採用しているが、これに限らず、例えば、ソーダガラス、無アルカリガラス、石英ガラスなどを採用してもよい。また、ベース基板1は、上記一表面側において長手方向の両端部の各々に一対の信号線13,13が形成されている。各一対の信号線13,13は、ベース基板1の短手方向に沿って配置されている。また、各信号線13は、金属層例えば、Au層などにより構成されている。各信号線13の材料としては、例えば、Au、Ni、Cu、Pd、Rh、Pt、Ir、Osや、これらの合金などを採用することができる。また、ベース基板1は、各信号線13の一端部に固定接点14が設けられている。固定接点14の材料としては、例えば、Auなどの導電性が良好な金属材料を採用することが好ましい。また、固定接点14は、例えば、スパッタ法、電気めっき法、真空蒸着法などを利用して形成すればよい。なお、固定接点14は、単層構造であるが、これに限らず、例えば、多層構造でもよい。また、固定接点14の材料は、例えば、Au、Ag、Cr、Ti、Pt、Ru、Rh、Co、Ni、Cuや、これらの合金などを採用することができる。また、ベース基板1は、各信号線13の他端部に、ベース基板1の厚み方向に貫設された貫通孔配線15が設けられている。なお、信号線13と貫通孔配線15とは、電気的に接続されている。また、ベース基板1の厚み方向には、貫通孔12図6参照が貫設されている。この貫通孔12は、ベース基板1の上記一表面から他表面図1では、下面に近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ形状に形成されている。ここにおいて、貫通孔配線15は、貫通孔12の内面に沿って形成されベース基板1の上記一表面側において貫通孔12を閉塞している。これにより、貫通孔配線15は、ベース基板1の上記他表面側から貫通孔12を通してMEMSリレー内に粉塵などの異物が侵入することを防止できる。また、ベース基板1は、上述のように電磁石装置4を収納する収納部16が設けられている。ここで、ベース基板1の中央部には、厚み方向に貫通し電磁石装置4が挿入される開口部17が形成されている。開口部17は、ベース基板1の上記一表面から上記他表面に近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ形状に形成されている。したがって、ベース基板1は、可動部形成体2側とは反対側から電磁石装置4を挿入し易く、且つ、ベース基板1の上記一表面における開口部17の開口面積を比較的小さくすることができる。なお、開口部17および上述の貫通孔12は、例えば、サンドブラスト法、エッチング法などにより形成すればよい。また、ベース基板1の上記一表面側には、開口部17を閉塞する薄膜状の蓋体部18が接合されている。要するに、ベース基板1は、開口部17の内周面と蓋体部18とで囲まれた空間により収納部16を構成している。なお、蓋体部18は、例えば、シリコン基板をエッチングや研磨などで薄膜化することにより形成すればよい。また、蓋体部18の厚さは、電磁石装置4からアーマチュア24に作用させる吸引力などの観点から5μm~50μm程度が好ましく、蓋体部18の機械的強度などの観点から20μm~30μm程度がより好ましい。電磁石装置4は、U字状のヨーク40と、このヨーク40に巻回された2つのコイル42,42とを有する。ヨーク40は、両コイル42,42が直接巻回される細長の矩形板状のコイル巻回部40aと、このコイル巻回部40aの長手方向の両端部の各々からコイル巻回部40aの厚み方向に延設された側片40b,40bとを有している。また、ヨーク40は、コイル42,42への励磁電流に応じて一対の側片40b,40bの互いの先端面が異極に励磁される。なお、ヨーク40は、電磁軟鉄などの鉄板を曲げ加工、鋳造加工、プレス加工などを利用して加工することによって形成されており、両側片40b,40bの断面が矩形状となっている。また、電磁石装置4は、2つのコイル42,42に励磁電流を通電したときに電磁力を発生するものであり、この電磁力によって、アーマチュア24の長手方向の両端部のうちの一端部を吸引する吸引力、および、両端部のうちの他端部を反発する反発力を発生させることができる。また、電磁石装置4は、ヨーク40の両側片40b,40bの間でコイル巻回部40aの長手方向の中央部に重ねて配置された矩形板状の永久磁石41を有する。したがって、電磁石装置4では、永久磁石41とヨーク40の側片40b,40bとにより、コイル巻回部40aの長手方向への各コイル42,42の移動が規制される。永久磁石41は、厚み方向の両面磁極面が異極に着磁されており、一方の磁極面がヨーク40のコイル巻回部40aに当接し、他方の磁極面がヨーク40の両側片40b,40bの各先端面と同一平面上に位置するように形成されている。ここにおいて、上述の電磁石装置4は、ヨーク40の両側片40b,40bの各先端面および永久磁石41の上記他方の磁極面が蓋体部18に当接する形で収納部16に収納されている。したがって、本実施形態のMEMSリレーは、電磁石装置4における永久磁石41の上記他方の磁極面とヨーク40の両側片40b,40bの各先端面とを同一平面上に位置させることができるので、電磁石装置4とアーマチュア24との間のギャップ長の精度を高めることが可能となる。また、電磁石装置4は、細長の矩形板状に形成されたプリント基板43を有する。このプリント基板43は、絶縁性基板により形成されており、一表面側図6では、上面側における長手方向の両端部の各々に導体パターン43b,43bが形成されている。各導体パターン43b,43bは、円形状に形成された部位が外部接続用電極43ba,43baを構成し、矩形状に形成された部位がコイル接続部43bb,43bbを構成している。ここにおいて、各コイル接続部43bb,43bbには、各コイル42,42の端末が各別に接続されている。したがって、本実施形態のMEMSリレーは、各外部接続用電極43ba,43ba間に電源を接続してコイル42,42に励磁電流を通電したとき、ヨーク40の両側片40b,40bの各先端面が互いに異なる磁極となる。可動部形成体2は、シリコン基板からなる半導体基板を用いて形成されている。ここにおいて、可動部形成体2は、シリコン基板を用いて形成しているが、これに限らず、例えば、シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層の3層構造を有するSOISiliconOnInsulator基板、シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層/絶縁層SiO2層/シリコン層の5層構造ダブルSOI構造を有するダブルSOI基板などを用いて形成してもよい。可動部形成体2は、ベース基板1とカバー基板3との間に介在する枠状例えば、矩形枠状のフレーム部21と、フレーム部21の内側に配置され揺動可能な可動部23とを有する。可動部23は、4つの連結部22を介してフレーム部21に揺動自在に支持されている。可動部23は、ベース基板1の上記一表面と当接してこの可動部23が揺動する際の支点となる支点突起23c,23c図2参照を有する。また、可動部23は、板状例えば、矩形板状の可動部本体20と、可動部本体20において電磁石装置4側に配置され電磁石装置4とともに磁気回路を構成するアーマチュア24とを有する。また、可動部23は、アーマチュア24の中央部との間に可動部本体20を挟んで配置されるプレート25と、可動部本体20に支持されアーマチュア24の揺動に伴って一対の固定接点14,14に接離する可動接点27が設けられた接点保持部28とを有する。ここで、可動部形成体2は、アーマチュア24およびプレート25以外の構成要素を、マイクロマシニング技術を利用して形成してある。つまり、可動部形成体2のフレーム部21、各連結部22、可動部本体20および接点保持部28は、例えばシリコン基板からなる半導体基板を、フォトリソグラフィ技術、エッチング技術などの半導体プロセス技術を利用して加工することにより形成してある。なお、アーマチュア24およびプレート25については、打ち抜き加工などの機械加工技術を利用して形成してある。可動部本体20は、長手方向の中央部において厚み方向に貫設された貫通孔29が2つ設けられている。これら2つの貫通孔29,29は、可動部本体20の短手方向に沿った中心線上に並んで形成されている。また、各貫通孔29は、円形状の開口形状となっているが、開口形状は特に限定するものではない。アーマチュア24は、磁性材料により形成されている。アーマチュア24を構成する磁性材料としては、例えば、鉄-コバルト合金からなる磁性材料を採用すればよい。なお、アーマチュア24は、磁性材料として、鉄-コバルト合金からなる磁性材料を採用しているが、これに限らず、例えば、電磁軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイなどの磁性材料を採用してもよい。また、アーマチュア24は、可動部本体20よりもやや小さな板状例えば、矩形板状に形成されている。プレート25の材料としては、フェライト系ステンレス鋼の一種であるSUS430を採用しているが、これに限らず、例えば、SUS430以外のステンレス鋼、金属、合金などを採用してもよい。プレート25は、細長の板状に形成されており、長手方向の寸法が可動部本体20の短手方向の寸法よりもやや大きな寸法に設定されている。また、プレート25は、長手方向の中間部における短手方向の寸法が、可動部本体20に貫設された貫通孔29の内径よりも大きな寸法に設定されている。また、プレート25は、可動部本体20の長手方向の中央部において、このプレート25の長手方向を可動部本体20の短手方向に合わせて配置している。なお、プレート25の両端部は、先細り状の形状となっている。また、プレート25は、可動部本体20の各貫通孔29を通してアーマチュア24に溶接されている。ここで、プレート25をアーマチュア24に溶接する方法としては、可動部本体20の一表面側図1では、下面側にアーマチュア24を配置して可動部本体20の他表面側にプレート25を配置した状態で、プレート25における各貫通孔29に対応する部位にレーザ光を照射してプレート25を局所的に溶融させてアーマチュア24に溶接させている図3,図4参照。要するに、プレート25は、レーザ溶接法を利用してアーマチュア24に溶接されている。また、可動部形成体2は、フレーム部21の厚み寸法を、可動部本体20とカバー基板3との間に適宜の空隙が形成されるように設定してある。また、可動部形成体2は、可動部本体20の厚み寸法をフレーム部21の厚み寸法よりも小さく設定し、アーマチュア24の厚み寸法を可動部形成体2とベース基板1とを固着した状態においてアーマチュア24とベース基板1との間に適宜の空隙が形成されるように設定してある。さらに、可動部形成体2は、プレート25の厚み寸法を、可動部本体20とカバー基板3との間に適宜の空隙が形成されるように設定してある。ここにおいて、本実施形態のMEMSリレーでは、フレーム部21の厚み寸法を200μm、可動部本体20の厚み寸法を50μm、アーマチュア24の厚み寸法を100μm、プレート25の厚み寸法を100μmに設定してあるが、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。可動部形成体2としてシリコン基板を用いる場合は、このシリコン基板の基礎となるシリコンウエハの厚み寸法に応じて適宜変更してもよく、例えば、50μm~1000μm程度の範囲で設定してもよいし、可動部形成体2の厚み寸法に基づいて、フレーム部21の厚み寸法、可動部本体20の厚み寸法、アーマチュア24の厚み寸法およびプレート25の厚み寸法を適宜変更すればよい。また、可動部形成体2は、基礎となる半導体基板として上述のダブルSOI基板を用いれば、可動部本体20とベース基板1との距離をベース基板1側のシリコン層の厚みにより規定することが可能となる。したがって、本実施形態のMEMSリレーでは、可動接点27とこれに対応する一対の固定接点14,14とが開放された状態での可動接点27とこれに対応する一対の固定接点14,14との間の距離絶縁距離を高精度に設定することが可能となるとともに、アーマチュア24と電磁石装置4との距離磁気ギャップ長を高精度に設定することが可能となる。各連結部22は、可動部本体20の短手方向の両側縁側の各々において可動部本体20の長手方向に離間して2箇所ずつに形成されている。また、各連結部22は、一端部が可動部本体20に連結され、他端部がフレーム部21の内周面に連結されている。また、各連結部22は、弾性を有してなり、平面視形状において上記一端部と上記他端部との間の部位を同一面内で蛇行した形状に形成することにより長さ寸法を長くしてある。これによって、可動部形成体2の可動部23は、可動部本体20が揺動する際に、各連結部22に発生する応力を各々で分散させることが可能となり、各連結部22が破損するのを抑制することが可能となる。また、可動部23は、可動部本体20の短手方向の両側縁の中央部の各々から矩形状の第1突片23aが1つずつ延設されている。一方、フレーム部21は、このフレーム部21の内周面において可動部本体20の各第1突片23aの各々に対応する各部位から、矩形状の第2突片21aが1つずつ延設されている。つまり、可動部23とフレーム部21とは、1対1で対応する第1突片23aと第2突片21aとの、互いの先端面同士が対向している。ここにおいて、可動部本体20から延設された各第1突片23aの各々の先端面には、突部23bが形成されている。一方、フレーム部21から延設された各第2突片21aの各々の先端面には、突部23bが入り込む凹部21bが形成されている。したがって、可動部23は、突部23bが凹部21bの内周面に当接することにより、フレーム部21の厚み方向に直交する面内における可動部本体20の移動が規制される。なお、可動部本体20の同一側縁側にある2つの連結部22,22は、同一側縁から延設されている第1突片23aの両側に配置されている。また、可動部本体20は、各第1突片23aにおけるベース基板1との対向面に、上述の支点突起23cが突設されている。これらの各支点突起23c,23cは、可動部本体20がこの可動部本体20に取り付けられているアーマチュア24とともに揺動する際の支点として機能する。要するに、可動部23は、可動部本体20の短手方向において離間して配置された一対の支点突起23c,23cがベース基板1の上記一表面に当接しており、一対の支点突起23c,23cを結ぶ直線を揺動軸として揺動可能となっている。ここにおいて、本実施形態のMEMSリレーは、一対の支点突起23c,23cを結ぶ直線である揺動軸をアーマチュア24の揺動軸に合わせて配置している。要するに、各支点突起23c,23cは、アーマチュア24の揺動軸上に配置されている。また、可動部23は、可動部本体20の長手方向の両側に接点保持部28,28が配置されている。各接点保持部28は、弾性を有する一対のばね部以下、接圧ばね部と称する26,26を介して可動部本体20に支持されている。各接点保持部28には、ベース基板1の上記一表面側において対向する一対の固定接点14,14に接離する可動接点27が設けられている。各可動接点27は、固定接点14と同様に、Auなどの導電性が良好な金属材料からなる金属膜により構成されている。なお、各可動接点27は、スパッタ法、電気めっき法、真空蒸着法などを利用して形成すればよい。また、各可動接点27は、単層構造であるが、これに限らず、例えば、多層構造でもよく、例えば、Ti膜とAu膜との積層膜でもよい。また、各可動接点27の材料は、例えば、Au、Ag、Cr、Ti、Pt、Ru、Rh、Co、Ni、Cuや、これらの合金などを採用することができる。また、各接点保持部28の厚み寸法は、フレーム部21の厚み寸法よりも小さく且つ可動部本体20の厚み寸法よりも小さく設定してある。また、各接点保持部28の厚み方向において接点保持部28と可動接点27とを重ね合わせた厚み寸法は、フレーム部21の厚み寸法よりも小さく且つ可動部本体20の厚み寸法よりも小さく設定してある。また、各接点保持部28は、平面視形状が細長の矩形状であり、短手方向が可動部本体20の長手方向に一致するように配置されている。各接圧ばね部26は、一端部が可動部本体20の長手方向に沿った側縁に連結され、他端部が接点保持部28の短手方向に沿った側縁に連結されている。また、各接圧ばね部26の上記一端部と上記他端部との間の中間部の一部を、可動部本体20の厚み方向に直交する面内で蛇行した形状としてある。また、各接圧ばね部26の長さ寸法の各々は、同じ寸法としてある。したがって、本実施形態のMEMSリレーでは、各接圧ばね部26の長さ寸法を適当な寸法として各接圧ばね部26のばね力を適宜設定することにより、各可動接点27と対応する一対の固定接点14,14との接触圧を所望の大きさに設定することが可能となり、各可動接点27と対応する一対の固定接点14,14との接触信頼性を向上させることが可能となる。ところで、可動部形成体2のフレーム部21とベース基板1およびカバー基板3とは、陽極接合法により接合されている。これによって、本実施形態のMEMSリレーでは、ベース基板1とフレーム部21とカバー基板3とで囲まれた空間を、気密空間とすることが可能となる。また、可動部形成体2の各可動接点27は、対応する一対の固定接点14,14に対向し、これら一対の固定接点14,14間を短絡する位置と開放する位置との間で変位可能となる。ここで、説明を簡単にするために、図1において右側に位置する一対の固定接点14,14を一対の第1固定接点14a,14a、一対の第1固定接点14a,14aに対応する可動接点27を第1可動接点27a図2参照、図1において左側に位置する一対の固定接点14,14を一対の第2固定接点14b,14b、一対の第2固定接点14b,14bに対応する可動接点27を第2可動接点27b図2参照と称することもある。すなわち、本実施形態のMEMSリレーでは、アーマチュア24の動作揺動に伴って、第1可動接点27aが一対の第1固定接点14a,14a間を短絡し且つ第2可動接点27bが一対の第2固定接点14b,14b間を開放した第1状態と、第1可動接点27aが一対の第1固定接点14a,14a間を開放し且つ第2可動接点27bが一対の第2固定接点14b,14b間を短絡した第2状態とが交互に現われる。カバー基板3は、ガラス基板により形成しているが、これに限らず、例えば、高抵抗率のシリコン基板、LTCC基板などにより形成してもよい。また、カバー基板3は、可動部形成体2との対向面に可動部本体20の揺動空間を確保する凹所3aが形成されている。ここにおいて、本実施形態のMEMSリレーでは、2つの可動接点27,27と、各可動接点27の各々に対応する一対の固定接点14,14とが設けられているが、可動接点27とこれに対応する固定接点14との数は1対2に限らず、例えば、1対1でもよいし、可動接点27とこれに対応する一対の固定接点14,14との組も2組に限らず、例えば、1組でもよい。ところで、ベース基板1は、上記一表面側において長手方向の両端部の各々に、可動部23の揺動に起因して発生した粉塵が可動接点27および固定接点14に到達するのを抑制する凸部52以下説明の便宜上、第1凸部52と称するが突設されている。また、各第1凸部52,52は、ベース基板1の短手方向に沿って配置されている。具体的に説明すると、一方の第1凸部52が、ベース基板1の上記一表面側において、蓋体部18におけるベース基板1の短手方向に沿った一側縁側図1では、右側縁側と一対の第1固定接点14a,14aが設けられた一対の信号線13,13との間に配置されている。また、他方の第1凸部52が、ベース基板1の上記一表面側において、蓋体部18におけるベース基板1の短手方向に沿った他側縁側図1では、左側縁側と一対の第2固定接点14b,14bが設けられた一対の信号線13,13との間に配置されている。言い換えれば、各第1凸部52,52は、可動部本体20における各支点突起23c,23cと可動接点27およびこれに対向する一対の固定接点14,14との間において、ベース基板1の上記一表面側に形成されている。各第1凸部52の高さ寸法は、可動部23が各支点突起23c,23cを支点として揺動する際に、各第1凸部52が対向する可動部23に干渉しないように設定されている。また、各第1凸部52の高さ寸法は、各支点突起23c,23cとベース基板1の上記一表面側との摺動部接触部から発生する粉塵が可動接点27および固定接点14に到達しないように設定されている。各第1凸部52の材料としては、Siを採用しているが、これに限らず、例えば、固定接点14および可動接点27を構成する材料と同様に、Auなどの導電性が良好な金属材料を採用してもよい。つまり、各第1凸部52の材料としては、例えば、Au、Ag、Cr、Ti、Pt、Ru、Rh、Co、Ni、Cuや、これらの合金などを採用することができる。したがって、本実施形態のMEMSリレーは、各第1凸部52の材料として固定接点14および可動接点27を構成する材料を採用することにより、製造時において各第1凸部52を固定接点14および可動接点27と同時に形成することが可能となる。また、可動部23は、可動部本体20の四隅からこの可動部本体20の短手方向の外方に向かって矩形状の第3突片23dが延設されている。また、可動部本体20は、上記一表面側において長手方向の両端部の各々に、可動部23の揺動に起因して発生した粉塵が可動接点27および固定接点14に到達するのを抑制する凸部53以下説明の便宜上、第2凸部53と称するが突設されている。また、各第2凸部53,53は、可動部本体20の短手方向に沿って配置されている。言い換えれば、各第2凸部53,53は、可動部本体20における各支点突起23c,23cと可動接点27およびこれに対応する一対の固定接点14,14との間において、可動部本体20においてベース基板1と対向する一面側図2では、上面側に形成されている。要するに、本実施形態のMEMSリレーは、可動部本体20における各支点突起23c,23cと可動接点27およびこれに対応する一対の固定接点14,14との間において、ベース基板1の上記一表面側と可動部本体20においてベース基板1と対向する上記一面側との少なくとも一方に、可動部23の揺動に起因して発生した粉塵が可動接点27および固定接点14に到達するのを抑制する凸部52,53が形成されている。各第2凸部53の高さ寸法は、可動部23が各支点突起23c,23cを支点として揺動する際に、各第2凸部53が対向するベース基板1および蓋体部18に干渉しないように設定されている。また、各第2凸部53の高さ寸法は、上記摺動部から発生する粉塵が可動接点27および固定接点14に到達しないように設定されている。各第2凸部53の材料としては、Siを採用しているが、これに限らず、例えば、各第1凸部52の材料と同様に、Auなどの導電性が良好な金属材料を採用してもよい。つまり、各第2凸部53の材料としては、例えば、Au、Ag、Cr、Ti、Pt、Ru、Rh、Co、Ni、Cuや、これらの合金などを採用することができる。したがって、本実施形態のMEMSリレーは、各第2凸部53の材料として固定接点14および可動接点27を構成する材料を採用することにより、製造時において各第2凸部53を固定接点14および可動接点27と同時に形成することが可能となる。また、各第1凸部52,52と各第2凸部53,53との各々は、可動部23が各支点突起23c,23cを支点として揺動する際に、互いに干渉しない位置に配置されている。また、各第1凸部52,52と各第2凸部53,53との各々は、可動接点27とこれに対応する一対の固定接点14,14とが接触するときに、上記摺動部から発生する粉塵を各第1凸部52と各第2凸部53とで遮断するように配置されている。ここにおいて、本実施形態のMEMSリレーでは、ベース基板1の上記一表面側に各第1凸部52,52を形成するとともに、可動部本体20においてベース基板1と対向する上記一面側に各第2凸部53,53を形成しているが、これに限らず、例えば、ベース基板1の上記一表面側と可動部本体20においてベース基板1と対向する上記一面側との一方に、凸部を形成していればよい。しかし、本実施形態のMEMSリレーでは、ベース基板1の上記一表面側に各第1凸部52,52を形成するとともに、可動部本体20においてベース基板1と対向する上記一面側に各第2凸部53,53を形成することにより、可動接点27とこれに対応する一対の固定接点14,14とが接触するとき、上記摺動部から発生する粉塵を第1凸部52と第2凸部53とで遮断することが可能となる。これにより、本実施形態のMEMSリレーは、ベース基板1の上記一表面側と可動部本体20においてベース基板1と対向する上記一面側との一方に凸部を形成する場合に比べて、上記摺動部から発生する粉塵が可動接点27および固定接点14に到達するのをさらに抑制することが可能となる。次に、本実施形態のMEMSリレーの動作について説明する。本実施形態のMEMSリレーは、コイル42,42への通電が行われると、磁化の向きに応じてアーマチュア24の長手方向の上記一端部がヨーク40の一方の側片40bに吸引される。したがって、このMEMSリレーは、アーマチュア24の上記一端部に近い第1可動接点27aがこれに対応する一対の第1固定接点14a,14aに接触し、且つ、アーマチュア24の上記他端部に近い第2可動接点27bがこれに対応する一対の第2固定接点14b,14bから離れた状態となる図5参照。この状態では、コイル42,42への通電を停止しても、永久磁石41から発生する磁束により、アーマチュア24の上記一端部に対する吸引力が維持され、アーマチュア24の上記一端部に近い第1可動接点27aとこれに対応する一対の第1固定接点14a,14aとが接触した状態が保持される。また、本実施形態のMEMSリレーは、コイル42,42への通電方向を逆向きにすると、アーマチュア24の長手方向の上記他端部がヨーク40の他方の側片40bに吸引される。したがって、このMEMSリレーは、アーマチュア24の上記他端部に近い第2可動接点27bがこれに対応する一対の第2固定接点14b,14bに接触し、且つ、アーマチュア24の上記一端部に近い第1可動接点27aがこれに対応する一対の第1固定接点14a,14aから離れた状態となる。この状態では、コイル42,42への通電を停止しても、永久磁石41から発生する磁束により、アーマチュア24の上記他端部に対する吸引力が維持され、アーマチュア24の上記他端部に近い第2可動接点27bとこれに対応する一対の第2固定接点14b,14bとが接触した状態が保持される。ここにおいて、本実施形態のMEMSリレーでは、アーマチュア24を動かす電磁石装置4として、永久磁石41を備えた有極型の電磁石装置を用いて、ラッチング型のリレーマイクロリレーを構成している。ただし、上述のMEMSリレーは、電磁石装置4として永久磁石41を備えていない無極型の電磁石装置を用いてもよい。以上説明した本実施形態のMEMSリレーでは、可動部本体20における各支点突起23c,23cと可動接点27およびこれに対応する一対の固定接点14,14との間において、ベース基板1の上記一表面側と可動部本体20においてベース基板1と対向する上記一面側との少なくとも一方に、可動部23の揺動に起因して発生した粉塵が可動接点27および固定接点14に到達するのを抑制する凸部52,53が形成されているので、可動部23が各支点突起23c,23cを支点として揺動する際に、上記摺動部から発生する粉塵が可動接点27や固定接点14に付着するのを抑制することが可能となる。実施形態2以下、本実施形態のMEMSリレーについて、図7および図8を参照しながら説明する。本実施形態のMEMSリレーの基本構成は実施形態1と同じであり、図7に示すように、可動部23の構成などが実施形態1と相違する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。可動部23は、可動部本体20の四隅から延設された各第3突片23dにおけるベース基板1との対向面図7では、上面に、この可動部23の揺動範囲を規制するストッパ部23eが形成されている。これらのストッパ部23eは、ベース基板1の上記一表面と接触することにより、アーマチュア24の変位量を制限する。したがって、本実施形態のMEMSリレーでは、可動部本体20の各第3突片23dにおけるベース基板1との対向面にストッパ部23eを形成しているので、アーマチュア24と蓋体部18とが接触することを回避することが可能となり、アーマチュア24や蓋体部18が破損するのを防止することが可能となる。ここにおいて、本実施形態のMEMSリレーでは、可動部本体20の各第3突片23dにおけるベース基板1との対向面にストッパ部23eを形成しているが、これに限らず、例えば、可動部本体20の各第3突片23dに対向するベース基板1の一表面側にストッパ部を形成してもよい。ベース基板1の上記一表面側に形成された各第1凸部52,52のうちの一方の第1凸部52は、可動部本体20におけるストッパ部23e第1可動接点27aに近いストッパ部23eと当接する部位と一対の第1固定接点14a,14aが設けられた一対の信号線13,13との間に配置されている。また、ベース基板1の上記一表面側に形成された各第1凸部52,52のうちの他方の第1凸部52は、可動部本体20におけるストッパ部23e第2可動接点27bに近いストッパ部23eと当接する部位と一対の第2固定接点14b,14bが設けられた一対の信号線13,13との間に配置されている。要するに、各第1凸部52,52は、可動部本体20におけるストッパ部23eと可動接点27およびこれに対応する一対の固定接点14,14との間に形成されている。また、各第1凸部52の高さ寸法は、各支点突起23c,23cおよび各ストッパ部23eとベース基板1の上記一表面側との摺動部接触部から発生する粉塵が可動接点27および固定接点14に到達しないように設定されている。可動部本体20においてベース基板1と対向する上記一面側に形成された各第2凸部53,53は、可動部本体20におけるストッパ部23eと可動接点27およびこれに対応する一対の固定接点14,14との間に配置されている。また、各第2凸部53の高さ寸法は、上記摺動部から発生する粉塵が可動接点27および固定接点14に到達しないように設定されている。ところで、図9および図10に示した従来例のマイクロリレーでは、磁性体部69bが各支点突起75aを支点として揺動する際に、ストッパ部76と蓋体65との摺動部から粉塵が発生することがあった。これに対して、本実施形態のMEMSリレーでは、可動部本体20における各ストッパ部23eと可動接点27およびこれに対応する一対の固定接点14,14との間に、可動部23の揺動に起因して発生した粉塵が可動接点27および固定接点14に到達するのを抑制する凸部52,53が形成されているので、可動部23が各支点突起23c,23cを支点として揺動する際に、上記摺動部から発生する粉塵が可動接点27や固定接点14に付着するのを抑制することが可能となる。ここにおいて、実施形態1,2のMEMSリレーでは、フレーム部21をベース基板1およびカバー基板3に接合しているが、これに限らず、例えば、フレーム部21とカバー基板3とを一体に形成し、フレーム部21をベース基板1に接合するようにしてもよい。"