"半導体材料から成るn型熱電素片とp型熱電素片とがある少なくとも1つの熱電対を有する熱電素子であって、これらの熱電素片が、前記熱電素子の高温側と低温側との間に延在し、異なる高さの温度が、前記高温側と前記低温側との間で印加可能であるか又は獲得可能であり、前記熱電素子が、キャリアを有する当該熱電素子において、a前記キャリア8が、第1キャリア部分10とより高い熱伝導率を有する第2キャリア部分11とを備え、b前記第1キャリア部分10と前記第2キャリア部分11とが、これらのキャリア部分10,11に比べてより小さい熱伝導率を有する区間12によって互いに分離されていて、c前記キャリア8上に配置された前記熱電素片3a,bが、前記第1キャリア部分10と前記第2キャリア部分11との間に延在し且つより小さい熱伝導率を有する前記区間12をブリッジし、これらのキャリア部分のうちの一方のキャリア部分11が、前記熱電素子の前記高温側を形成し、その他方のキャリア部分10が、前記熱電素子の前記低温側を形成することを特徴とする熱電素子。前記熱電素片3a,bは、膜として形成されていることを特徴とする請求項1に記載の熱電素子。前記熱電素片3a,bは、金属箔として形成されていることを特徴とする請求項1に記載の熱電素子。前記区間12は、前記第1キャリア部分と前記第2キャリア部分とを結合する少なくとも1つのウェブ13a,bを有することを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の熱電素子。より小さい熱伝導率を有する前記区間12の少なくとも一部が、絶縁材料から成ることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載熱電素子。前記熱電素片3a,bは、より小さい熱伝導率を有する基板2上に被覆されていて、この基板2が、前記熱電素片3a,bを有するこの基板の表面によって前記キャリア8上に搭載していることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載熱電素子。直列接続された前記熱電素片3a,bが、前記低温側20で少なくとも2つの電気接点14,15に接合されていることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載熱電素子。前記2つの電気接点のうちの一方の電気接点15が、貫通接触部16を有し、この貫通接触部16が、前記キャリア部分10の、前記電気接点15に対向する側の1つの接点17まで通じていることを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載熱電素子。少なくとも前記第1キャリア部分10及び前記第2キャリア部分11は、セラミックから成ることを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載熱電素子。少なくとも前記第1キャリア部分10及び前記第2キャリア部分11は、低温同時焼成多層セラミックスから成ることを特徴とする請求項9に記載熱電素子。前記キャリア部分の熱伝導率を改善するための層28が、当該第1キャリア部分10と当該第2キャリア部分11との中に埋設されていることを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載熱電素子。モジュール29が、請求項1~11のいずれか1項に記載の互いに電気接続されている複数の熱電素子を有する当該モジュール。板状の複数の熱電素子が、積層体を形成することを特徴とする請求項12に記載のモジュール。本発明の課題は、この従来の技術から出発して、少ない半導体材料にもかかわらず十分な機械的な安定性を保証する、一組の熱電素子当たり高い熱出力密度を有する熱電素子を提供することにある。これらの熱電素子及びこれらの熱電素子から製造されたモジュールの絶対的な熱出力及び出力密度が、当該熱電素子及びモジュールの使用時に生じる熱出力及び出力密度に対して良好に適合され得る。この課題の解決策は、直方体の熱電効果と支持機能とを2つの構造部品に分割するという考えに基づく。多数の部分から成るキャリアが、当該支持機能を請け負う一方で、当該熱電効果は、このキャリア上に配置された熱電素片から得られる。特に、この課題は、冒頭で述べた種類の熱電素子の場合は、a前記キャリアが、第1キャリア部分とより高い熱伝導率を有する第2キャリア部分とを備え、b前記第1キャリア部分と前記第2キャリア部分とが、これらのキャリア部分に比べてより小さい熱伝導率を有する区間によって互いに分離されていて、c前記キャリア上に配置された前記熱電素片が、前記第1キャリア部分と前記第2キャリア部分との間に延在し且つより小さい熱伝導率を有する前記区間をブリッジし、これらのキャリア部分のうちの一方のキャリア部分が、前記熱電素子の高温側を形成し、その他方のキャリア部分が、前記熱電素子の低温側を形成することによって解決される。当該キャリアが、安価で且つ半導体材料に比べて機械的に安定な材料から構成され得る。その結果、このキャリアは、同じ機械的な安定性の場合はより僅かな構造空間で済む。特に直方体として形成されたキャリアは、より丈夫な材料を使用する場合は、例えば従来の半導体の直方体より薄い厚さを有する。熱電対の熱電素片が、特に膜として、特に薄膜として又は金属箔片としてキャリア上に配置されている。それ故に、従来の熱電素子の場合よりも遥かに少ない半導体材料で済む。熱電素子の高温側と低温側との間の温度差が、第一に熱電対中で実効的に機能されることを可能にするため、第1キャリア部分と第2キャリア部分とが、より小さい熱伝導率を有する区間によって互いに分離されている。当該熱電対の熱電素片が、第1キャリア部分と第2キャリア部分との間に延在し且つより小さい熱伝導率を有する区間をブリッジする。より小さい熱伝導率を有する当該区間が、両キャリア部分を熱的に分離する。その結果、その一方のキャリア部分が、熱電素子の高温側を形成し、その他方のキャリア部分が、熱電素子の低温側を形成する。当該両キャリア部分を分離する区間の全体又はその一部が、絶縁材料から成り得る。当該分離する区間の一部だけが、絶縁材料から成る場合は、第1キャリア部分と第2キャリア部分との間の残りの部分が、周囲ガス、特に0.0261W/mKの小さい熱伝導率を有する周囲空気によって形成される。両キャリア部分間の区間の熱伝導率を減少させる別の可能性は、これらの両キャリア部分が少なくとも1つのウェブによって互いに結合されている点にある。当該ウェブの、これらのキャリア部分に比べて小さい横断面が、或る熱抵抗を発生させ、この熱抵抗によって当該区間中でその熱伝導率を減少させる。生産技術的には、好ましくは、直方体形のキャリアの、特に直方体形のウェブが、当該直方体のほぼ中心で対向する2つの面に沿って存在する。第1キャリア部分と第2キャリア部分とに比べてより小さい熱伝導率を有するガス、特に周囲空気が、これらのウェブ間に存在する、同様に直方体形の貫通部分内に存在する。このウェブ又は結合しているこれらのウェブが、キャリア部分より小さい熱伝導率を有する材料から成る場合、第1キャリア部分と第2キャリア部分との間の、さらにより実効的に機能する熱分離が達成される。このとき、ウェブの減少した横断面に起因する区間の減少した熱伝導率に加えて、その熱伝導率が、当該材料によってさらに減少される。より小さい熱伝導率を有する区間の一部が、貫通部分を有する場合、熱電素片が、より小さい熱伝導率を有する基板上に被覆されていて、この基板が、当該熱電素片を有するこの基板の表面によってキャリア上に配置されているときに、このキャリア上に当該熱電素片を配置することが容易になる。この基板が、当該貫通部分をブリッジする領域内で熱電対の熱電素片のための支持機能を請け負う。この基板は、例えば0.76W/mKの熱伝導率を有するガラス製でもよい。従来の熱電素子のように、異なる型の複数の熱電素片が直列接続されている。接触電気抵抗を減少させるため、当該直列接続された熱電素片が、低温側で両電気接点に接合されている。これらの接点が、特に接触領域としてキャリア部分の表面上に配置されているか又はこのキャリア部分の表面内に埋設されている。本発明の多数の熱電素子を互いに電気接続するため、特にこれらの熱電素子をモジュールに統合するため、特に低温側の両接点のうちの一方の接点が、貫通接触部を有する。この貫通接触部が、キャリア部分の対向する側の1つの接点まで通じている。当該対向する側の接点が、同様にキャリア部分の表面上に被覆され得るか又はこのキャリア部分の表面内に埋設され得る。キャリア又は第1キャリア部分及び第2キャリア部分としては、特に工業用セラミックの材料が考慮される。当該セラミック材料が、良好な電気絶縁性を有すると同時に要求された大きい熱伝導率を有する。当該良好な電気絶縁性が、直列接続された複数の熱電対間の短絡を阻止するために必要である。さらに、セラミック材料が、高温に耐え且つ熱電素子に相応しい熱衝撃抵抗性を有する。セラミック材料の当該強度、硬度及び保形性が、支持機能のために好ましい。セラミック材料の耐腐食性及び耐摩耗性が、要求される耐久性のある熱電素子で考慮される。当該セラミックキャリア、特に第1キャリア部分及び第2キャリア部分は、特に低温同時焼成多層セラミックスから成る。低温同時焼成多層セラミックスLowTemperatureCofiredCeramicsLTCCは、多層のセラミックキャリアを製造するための技術に基づく。最初に、セラミック粉末が、溶媒及び可塑剤と一緒に膜に加工される。当該焼成されていない膜が、打ち抜き、切断、場合によっては印刷によって加工される。貫通接触部分を製造するため、例えば貫通孔が、当該セラミック膜内に打ち抜かれるか又はレーザーによって切断される。当該加工されたセラミック膜の個々の層が、整合されてプレス金型内で積層される。当該貫通孔が、導電ペースト、特に銀ペースト、銀/パラジウムペースト又は金ペーストで充填される。これらの導体ペーストの利点は、これらの導体ペーストが引き続く焼成時にセラミック膜とほぼ同じ程度に収縮する点にある。当該セラミック膜が、例えば70°の熱と例えば90barの圧力との供給下で積層される。引き続く当該セラミック膜の焼成時に、当該セラミック膜の個々の層が、互いに不動に結合する。熱伝導率を改善するため、キャリア部分の熱伝導率を改善するための層が、低温同時焼成多層セラミックス中に埋設され得る。層としては、特に金属被膜層が挙げられるものの、シリコン、窒化アルミニウム又は酸化アルミニウムも考慮される。当該窒化アルミニウムから成る層及び酸化アルミニウムから成る層は、その熱伝導率を改善するものの、電気絶縁性である。それ故に、当該窒化アルミニウムから成る層及び酸化アルミニウムから成る層は、特に熱電素子の高温側で使用される。当該埋設された層とセラミック膜との間の接合が、例えば反応性はんだ又はソルダーガラスによって実施される。貫通接触部分が、金属材料で充填されているように、当該熱伝導率は、貫通部分によってさらに改善され得る。出力電力を増大させるため、複数の熱電素子が、本発明にしたがって電気的に且つ機械的にモジュールに互いに結合され得る。特に、このモジュールを構成する熱電素子が、板状の直方体として形成されている。これらの板状の直方体が、積層体に統合されている。このモジュールの各熱電素子が、特に接触部分を低温側の板状のキャリア部分の対向する側に有する。これらの接触部分が、隣接する板状のそれぞれの熱電素子の接触部分に接触する。その結果、このモジュールのこれらの熱電素子が、直列接続されているか又は並列接続されている。以下に、本発明を図面に基づいて詳しく説明する。図1は、基板上に膜として被覆されている熱電対1を示す。この基板2は、例えば小さい熱伝導率を有する長方形のガラス板である。各熱電対1が、半導体材料から成るn型熱電素片及びp型熱電素片3a,bを有する。当該n型熱電素片及びp型熱電素片3,3bが、対向している結合点4,5で直列接続されている。n型熱電素片及びp型熱電素片3a,3bの当該直列回路が、その入力部とその出力部とで2つの電気接点6,7に電気接続されている。これらの電気接点6,7が、接触領域、すなわち金属層として基板2の表面上に被覆されている。図2a,bは、本発明の熱電素子のキャリア8を示す。このキャリア8が、全体で直方体の形を成す。図2a中に示された側面図から、このキャリア8の厚さ9が、支持機能と熱電効果とを分離することに起因して比較的薄いことが認識可能である。キャリア8が、第1キャリア部分10及びより高い熱伝導率を有する第2キャリア部分11を有する。これらのキャリア部分は、特に技術的なセラミック材料から成る。これらの両キャリア部分10,11が、これらのキャリア部分に比べてより小さい熱伝導率を有する区間12によって互いに分離されている。この区間12が、第1キャリア部分及び第2キャリア部分10,11を結合させる2つのウェブ13a,bを有する。これらのウェブ3a,bが、側面の延長部分内で当該両キャリア部分10,11を互いに結合させる。ウェブ13a,bが、キャリア部分10,11と同じ材料から成る場合、その熱伝導率は、ウェブ13a,bのより小さい横断面に起因してキャリア部分10,11の横断面に比べて明らかに減少している。さらに、区間12が、ウェブ13a,bの側面と第1キャリア部分及び第2キャリア部分10,11の隣接面14a,bとによって限定された周囲の空気を含む空隙を有する。当該周囲の空気は、キャリア部分10,11に比べてより小さい熱伝導率を有し、それ故にこれらのキャリア部分10,11を熱的に分離する。キャリア8の前面上には、接触領域として形成された接点14,15が、直列接続された熱電対1に電気接触するために存在する。接点15が、貫通接触部16を通じてキャリア8の後面上の接点17に電気伝導性に結合されている。キャリア8の第1キャリア部分10の前面及び後面上の大きい面積の当該接点14,17が、熱電素子を簡単に接触させること及び同様なその他の熱電素子に接続させることを可能にする。図2cは、どのようにして基板2がキャリア8上の熱電素片3a,bを有する表面に配置されているかを具体的に示す。接点6,7が、接点14,15に接触しながらキャリア8の表面上に達する。その結果、接点6が、貫通接触部16を通じて後側の接点17に接続されている。熱電対1の熱電素片3a,bが、第1キャリア部分10と第2キャリア部分11との間に延在し、このときに区間12の空隙18をより小さい熱伝導率でブリッジする。第2キャリア部分11が、高温側19を形成し、第1キャリア部分1が、熱電素子の低温側20を形成する。熱結合が、特に第2キャリア部分11の上縁21に沿って実施される一方で、ヒートシンクが、第1キャリア部分10の下縁22に沿って配置されている。従来の熱電素子のように、多数の熱電素子が、図7中に示されているように、当該上縁及び下縁21,22によって、形成面に対して垂直に延在するセラミック板30,31間に配置され得る。キャリア8の機械的な安定性が、セラミック板30,31を薄膜熱電技術にもかかわらず間隔をあけて保持するために十分である。図3は、セラミックのキャリア8を示す。このキャリア8の場合、第1キャリア部分10及び第2キャリア部分11並びに区間12のウェブ13a,bが、低温同時焼成多層セラミックスから成る。接点23が、キャリア8の上側に露出している前面上に存在する。この接点23が、貫通接触部24を通じてキャリア8の後面上の接点25に接続されている。さらに、大きい面積の接点26が、当該後面上に存在する。この接点26及び接点25が、直列接続された熱電素片3a,bに接続するように提供されている。これらの直列接続された熱電素片3a,bが、当該後面上で両接点25,26に接続されていて且つ低温側の第1キャリア部分10から高温側の第2キャリア部分11まで延在する。この場合、これらの熱電素片3a,bが、区間12の空隙18をブリッジする。これらの熱電素片3a,bは、特に基板上に配置されている。この代わりに、これらの熱電素片は、膜の構成要素でもよい。この膜が、その固有の剛性構造に起因して追加の基板なしに空隙18をブリッジできる。図4は、複数の熱電対1の熱電素片3a,bがキャリア8の前面と後面とに配置されているこのキャリア8を示す。全ての熱電素片3a,bが、直列接続されている。このキャリア8が、その前面上に接点23と接点27とを有し並びに接点27から出発する、後面上の接点25に接続されている貫通接触部24及び後面の接点26を有する。キャリア8の前面上の直列接続された熱電素片3a,bが、その端部側で接点23,27に接続されている。当該後面上では、直列接続された熱電素片3a,bが、電気接点25,26に接続されている。この場合、貫通接触部24が、キャリア8の、前面上の熱電素片3a,bと後面上の熱電素片3a,bとの間を電気伝導性に接続する。図3によるキャリアの場合と同様に、複数の熱電素子が、大きい面積の接点23,26を通じて直列又は並列に接続されることを可能にする。図5によるキャリアは、熱電素片3a,bの接触部分に関しては図4によるキャリアに一致する。そのため、当該接触部分の構成を分かりやすく示す。しかしながら、金属被膜層28を埋め込むことによって、キャリア8の高温側と低温側との双方19,20の熱伝導率が改善されている。上面に搭載されている熱電素片3a,bと下面に搭載されている熱電素片3a,bとが短絡しないように、キャリア8の高温側19の上面と下面とには、金属被膜がない。この代わりに、熱伝導率を改善する一方で、熱電素片3a,bと熱電素片3a,bとの間の短絡を阻止するため、高温側では、シリコン、窒化アルミニウム又は酸化アルミニウムから成る膜が、第2キャリア部分10中に埋め込まれてもよい。また、低温側20では、下面側又は上面側の金属被膜が、接点領域23,25,26,27の外側で熱電素片3a,bと熱電素片3a,bとの間の短絡を引き起こさないことに配慮する必要がある。図5からは、金属被膜が、より小さい熱伝導率を有する区間12にないことがさらに認識可能である。したがって、ウェブ13a,bの熱伝導率は、より小さい横断面によって減少されるだけではなくて、存在しない金属被膜によってさらに減少される。最後に、図6は、電気的に直列接続された複数の熱電素子を有する積層体32を示す。これらの熱電素子は、図3に応じて構成されているものの、より薄い厚さを有する。複数のこのような積層体32が、図7に相当するモジュール29に統合され得る。"