"スルーホールが形成された回路基板と、基板接続部に弾性変形可能な一対の弾性撓み部が形成された端子金具とを備え、前記基板接続部を前記スルーホールに挿入した状態では、前記一対の弾性撓み部が、互いに接近するように弾性変形し、前記スルーホールの内周に対して弾性的に当接するようになっている回路基板と端子金具の接続構造において、前記弾性撓み部の外面と前記スルーホールの内周面のうちいずれか一方の面に形成した銅メッキ層と、他方の面に形成した錫メッキ層とを弾性接触させて合金化することで、前記スルーホール内に前記基板接続部が保持されていることを特徴とする回路基板と端子金具の接続構造。前記弾性撓み部の外面と前記スルーホールの内周面のうち前記銅メッキ層が形成されている側の面には、前記銅メッキ層の近傍に配されるように錫メッキ層が形成され、前記銅メッキ層が形成されていない側の面に形成した前記錫メッキ層と、前記銅メッキ層の近傍に配される前記錫メッキ層とが互いに接触することで、前記銅メッキ層と前記錫メッキ層との弾性接触による合金化領域よりも導電性に優れた良導電領域が形成されていることを特徴とする請求項1記載の回路基板と端子金具の接続構造。前記弾性撓み部の外面には、前記スルーホールの内周面に食い込むことが可能な突起が形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の回路基板と端子金具の接続構造。上記の接続構造では、スルーホール内に端子金具を保持する手段として、弾性撓み部の弾力を利用していただけなので、保持性能の信頼性の点で改善が望まれる。本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、回路基板と端子金具の接続強度の向上を図ることを目的とする。上記の目的を達成するための手段として、請求項1の発明は、スルーホールが形成された回路基板と、基板接続部に弾性変形可能な一対の弾性撓み部が形成された端子金具とを備え、前記基板接続部を前記スルーホールに挿入した状態では、前記一対の弾性撓み部が、互いに接近するように弾性変形し、前記スルーホールの内周に対して弾性的に当接するようになっている回路基板と端子金具の接続構造において、前記弾性撓み部の外面と前記スルーホールの内周面のうちいずれか一方の面に形成した銅メッキ層と、他方の面に形成した錫メッキ層とを弾性接触させて合金化することで、前記スルーホール内に前記基板接続部が保持されているところに特徴を有する。請求項2の発明は、請求項1に記載のものにおいて、前記弾性撓み部の外面と前記スルーホールの内周面のうち前記銅メッキ層が形成されている側の面には、前記銅メッキ層の近傍に配されるように錫メッキ層が形成され、前記銅メッキ層が形成されていない側の面に形成した前記錫メッキ層と、前記銅メッキ層の近傍に配された前記錫メッキ層とが互いに接触することで、前記銅メッキ層と前記錫メッキ層との弾性接触による合金化領域よりも導電性に優れた良導電領域が形成されているところに特徴を有する。請求項3の発明は、請求項1または請求項2に記載のものにおいて、前記弾性撓み部の外面には、前記スルーホールの内周面に食い込むことが可能な突起が形成されているところに特徴を有する。<請求項1の発明>銅メッキ層と錫メッキ層とを合金化することで、スルーホールの内周面と弾性撓み部の外面とが強固に固着されるので、回路基板と端子金具の接続強度が向上する。<請求項2の発明>弾性撓み部の外面とスルーホールの内周面との接触領域には、固着強度の高い合金化領域に加えて、導電性の高い良導電領域が設けられているので、回路基板と端子金具の間の固着強度の信頼性に優れているだけでなく、電気的性能の信頼性にも優れている。<請求項3の発明>弾性接触片の外面とスルーホールの内周面とは、突起の食い込み作用により、接続強度が更に向上する。<実施形態1>以下、本発明を具体化した実施形態1を図1~図2を参照して説明する。回路基板10には、円形断面のスルーホール11が形成されている。スルーホール11の内周面には、導電層12が形成されている。端子金具20は、半田を使用せずに回路基板10に接続されるプレスフィット端子と称されるものである。端子金具20には、スルーホール11に圧入される基板接続部21が形成されている。基板接続部21には、スルーホール11への挿入方向と略直角な方向に間隔を空けた対称な一対の弾性撓み部22が形成されている。一対の弾性撓み部22は、略弓形に湾曲しており、スルーホール11への挿入方向における基端部と先端部とにおいて互いに連なっている。一対の弾性撓み部22の間には、弾性撓み部22が互いに接近する方向へ弾性変形することを許容するための撓み空間23が形成されている。基板接続部21をスルーホール11に挿入した状態では、一対の弾性撓み部22が互いに接近するように弾性変形し、弾性接触片の外面がスルーホール11の内周面に対して弾性的に当接する。そして、弾性接触片の弾性復元力による摩擦抵抗により、基板接続部21がスルーホール11内において位置決めされ、基板接続部21が回路基板10の導電層12に導通可能に接続される。本実施形態1では、特徴的なメッキ層13,25により、端子金具20と回路基板10との接続強度の向上が図られている。回路基板10側おいては、スルーホール11の内周面つまり、弾性撓み部22の外面が接触する領域に、導電層12の表面内周面を全周に亘って覆うように基板側錫メッキ層13本発明の構成要件である銅メッキ層が形成されていない側の錫メッキ層が形成されている。一方、弾性撓み部22の外面には、図2に示すように、その全領域に亘って下地メッキ層24が形成されている。さらに、弾性撓み部22の外面スルーホール11の内周面に接触する領域には、下地メッキ層24を覆う形態の銅メッキ層25と、同じく下地メッキ層24を覆う形態の端子側錫メッキ層26本発明の構成要件である銅メッキ層25が形成されている側の錫メッキ層が形成されている。端子側錫メッキ層26は、スルーホール11への挿入方向において銅メッキ層25を挟むように2つの領域に分かれて形成されている。即ち、一方の端子側錫メッキ層26は、銅メッキ層25に対して挿入方向後方基端側に隣接して配され、他方の端子側錫メッキ層26は、銅メッキ層25に対して挿入方向前方先端側に隣接して配されている。弾性撓み部22をスルーホール11に挿入すると、銅メッキ層25が、基板側錫メッキ層13に対し、弾性撓み部22の弾性復元力により加圧された状態で当接し、この弾性的な当接により、基板側錫メッキ層13と銅メッキ層25が合金化する。弾性撓み部22の外面とスルーホール11の内周面との接触領域のうち基板側錫メッキ層13と銅メッキ層25が弾性的に接触する領域は、合金化領域Faとなっている。この合金化領域Faでは、銅メッキ層25と基板側錫メッキ層13が強固に固着するので、スルーホール11の内周面と弾性撓み部22の外面とが移動規制された状態に確実に固着される。これにより、端子金具20と回路基板10の接続強度スルーホール11内において弾性撓み部22を位置ずれしないように保持する保持力が高められている。また、弾性接触片をスルーホール11に挿入した状態では、端子側錫メッキ層26が、基板側錫メッキ層13に対し、弾性撓み部22の弾性復元力により加圧された状態で当接する。弾性撓み部22の外面とスルーホール11の内周面との接触領域のうち基板側錫メッキ層13と端子側錫メッキ層26が弾性的に接触する領域は、合金化領域Faよりも導電性に優れた良導電領域Fsとなっている。このように、弾性撓み部22の外面とスルーホール11の内周面との接触領域には、固着強度の高い合金化領域Faに加えて、導電性の高い良導電領域Fsが設けられているので、回路基板10と端子金具20の間の固着強度の信頼性に優れているだけでなく、電気的性能の信頼性にも優れている。<実施形態2>次に、本発明を具体化した実施形態2を図3~図4を参照して説明する。本実施形態2は、端子金具30の基板接続部31に形成した一対の弾性撓み部32を上記実施形態1とは異なる構成としたものである。その他の構成については上記実施形態1と同じであるため、同じ構成については、同一符号を付し、構造、作用及び効果の説明は省略する。一対の弾性撓み部32には、そのスルーホール11の内周面に接触する外面から突出した形態の突起33が形成されている。この突起33が形成されているのは、銅メッキ層25が形成されている合金化領域Faである。弾性撓み部32をスルーホール11に挿入した状態では、弾性撓み部32の弾性復元力により、合金化領域Faのうち突起33の形成されている領域が、基板側錫メッキ層13と導電層12とに食い込んでいく。この突起33の食い込み作用により、端子金具30と回路基板10との接続強度スルーホール11内において弾性撓み部32を位置ずれしないように保持する保持力が実施形態1よりも向上する。<他の実施形態>本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。1上記実施形態では、銅メッキ層を弾性撓み部に形成し、銅メッキ層の合金化対象である錫メッキ層をスルーホールに形成したが、銅メッキ層をスルーホールに形成し、銅メッキ層の合金化対象である錫メッキ層を弾性撓み部に形成してもよい。2上記実施形態では、合金化領域の近傍に、錫メッキ層同士の接触による良導電領域を形成したが、弾性撓み部とスルーホールとの接触領域の全体を、すべて合金化領域としてもよい。3上記実施形態では、スルーホールに対する基板接続部の挿入方向において、合金化領域を挟むように一対の良導電領域を形成したが、良導電領域を挟むように一対の合金化領域を形成してもよい。4上記実施形態2では、突起を、銅メッキ層が形成されている合金化領域のみに形成したが、突起は、端子側錫メッキ層が形成されている領域のみに形成してもよく、銅メッキ層が形成されている合金化領域と端子側錫メッキ層が形成されている良導電領域の両方の領域に形成してもよい。"