"SiO2からなる下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に設けられたSi1-xGex但し、0≦x≦0.3からなる単結晶コアと、前記単結晶コアの側面に拡散防止膜を介して設けられた屈折率緩和層と、前記単結晶コアの上面と前記拡散防止膜及び屈折率緩和層の露出面を覆うSiO2からなる上部クラッド層とを有する光導波路を備え、前記屈折率緩和層の屈折率が、前記単結晶コアの屈折率より小さく且つ前記上部クラッド層の屈折率より大きいことを特徴とするリブ型光導波路デバイス。前記単結晶コアと前記下部クラッド層との間にスラブ導波路構造を有し、前記スラブ導波路構造が、前記光導波路の光軸と直交する方向にpin接合構造が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のリブ型光導波路デバイス。前記pin接合構造が形成されたスラブ導波路構造を有する光導波路を2本並行に設け、前記2本の光導波路がマッハツェンダー型光干渉計の2本のアーム導波路となることを特徴とする請求項2に記載のリブ型光導波路デバイス。Si基板上にSiO2膜を介して設けた単結晶Si1-xGex但し、0≦x≦0.3膜の少なくとも上部をエッチングして単結晶コアを形成する工程と、全面に拡散防止膜及び屈折率緩和層を堆積する工程と、異方性エッチングにより前記拡散防止膜及び前記屈折率緩和層をエッチングして、前記単結晶コアの側面にのみ前記拡散防止膜を介して前記屈折率緩和層を残存させる工程と、前記単結晶コア、前記拡散防止膜及び前記屈折率緩和層を覆うようにSiO2膜を堆積する工程と、異方性エッチングにより前記SiO2膜をエッチングして上部クラッド層を形成する工程とを有することを特徴とするリブ型光導波路デバイスの製造方法。前記単結晶コアを形成する工程において、前記単結晶Si1-xGex膜の下部を残存させてスラブ導波路構造とし、前記上部クラッド層の形成工程の後に、前記スラブ導波路構造の光軸方向に沿った一方の露出部をp型にドープするとともに、前記スラブ導波路構造の光軸方向に沿った他方の露出部をn型にドープする工程を有することを特徴とする請求項4に記載のリブ型光導波路デバイスの製造方法。しかしながら、屈折率勾配を持つクラッドをリブ型導波路デバイスに導入すると、単結晶Siコアへの光閉じ込め効果が減少するという問題がある。即ち、単結晶Siコア上面やスラブ部にSiO2より屈折率の低い屈折率勾配を持つクラッドが形成され、光閉じ込め効果を減少させることになる。また、リブ型光導波路デバイスではスラブ部にpin領域を形成する場合があるが、p及びn等のイオン注入後の活性化熱処理において、屈折率勾配を持つクラッドに用いた材料が単結晶Siコア中に拡散し、電流注入による屈折率変化の妨げになる恐れがある。したがって、電流注入による屈折率変化を行なうリブ型導波路デバイスとして良好な動作は難しいという問題がある。また、単結晶Siコアを熱酸化するとSiの結晶方位で酸化膜厚が変化し、設計と異なる単結晶Siコアが形成されてしまい等価的な単結晶Siコア幅が長手方向で変化してしまうという問題がある。特に、マッハツェンダー型光干渉計等のように屈曲した導波路構造を形成する場合には、屈曲部において側面に露出する結晶方位が変化するため所期の効果が得られないという問題がある。したがって、本発明は、光導波路における光閉じ込め効果を減少させることなく、単結晶コアの側面ラフネスを低減することを目的とする。開示する一観点からは、SiO2からなる下部クラッド層と、前記下部クラッド上に設けられたSi1-xGex但し、0≦x≦0.3からなる単結晶コアと、前記単結晶コアの側面に拡散防止膜を介して設けられた屈折率緩和層と、前記単結晶コアの上面と前記拡散防止膜及び屈折率緩和層の露出面を覆うSiO2からなる上部クラッド層とを有する光導波路を備え、前記屈折率緩和層の屈折率が、前記単結晶コアの屈折率より小さく且つ前記上部クラッド層の屈折率より大きいことを特徴とするリブ型光導波路デバイスが提供される。また、開示する別の観点からは、Si基板上にSiO2膜を介して設けた単結晶Si1-xGex但し、0≦x≦0.3膜の少なくとも上部をエッチングして単結晶コアを形成する工程と、全面に拡散防止膜及び屈折率緩和層を堆積する工程と、異方性エッチングにより前記拡散防止膜及び前記屈折率緩和層をエッチングして、前記単結晶コアの側面にのみ前記拡散防止膜を介して前記屈折率緩和層を残存させる工程と、前記単結晶コア、前記拡散防止膜及び前記屈折率緩和層を覆うようにSiO2膜を堆積する工程と、異方性エッチングにより前記SiO2膜をエッチングして上部クラッド層を形成する工程とを有することを特徴とするリブ型光導波路デバイスの製造方法が提供される。開示のリブ型光導波路デバイス及びその製造方法によれば、光導波路における光閉じ込め効果を減少させることなく、単結晶コアの側面ラフネスを低減することができる。ここで、図1を参照して、本発明の実施の形態のリブ型光導波路デバイスを説明する。図1aは本発明の実施の形態のリブ型光導波路デバイスの概略的平面図であり、図1bは、図1aにおけるA-A′を結ぶ一点鎖線に沿った概略的断面図であり、図1cはスラブ導波路構造を設けた場合の概略的断面図である。本発明の実施の形態のリブ型光導波路デバイスは、Si基板1上に設けられたSiO2からなる下部クラッド層2上にSi1-xGex但し、0≦x≦0.3からなる単結晶コア3を設ける。単結晶コア3の側面には拡散防止膜4を介して設けられた屈折率緩和層5と、単結晶コア3の上面と拡散防止膜4及び屈折率緩和層5の露出面を覆うようにSiO2からなる上部クラッド層6を設ける。屈折率緩和層5の屈折率は、単結晶コア3の屈折率より小さく且つ上部クラッド層6の屈折率より大きくする必要があり、Si1-xGex但し、0≦x≦0.3の屈折率ncは3.47、SiO2の屈折nSiO2は2.5であるので、2.0~2.6とすることが望ましい。このような条件を満たす材料であれば何でも良いが、エッチング容易性等からはZnOが好適である。拡散防止膜4は、屈折率緩和層5の構成元素が単結晶コア3に固相拡散するのを防止するために設けるものであるが、あまり厚いと屈折率緩和層5を設ける意味がなくなるので、1nm~4nm、より好適には2nm~3nmとする。拡散防止膜4としては、SiO2、SiN或いはSiONが好適である。このような構造にすることによって、熱処理をおこなっても屈折率緩和層5を構成する元素が単結晶コア3に拡散するのを防ぎ、単結晶コア3の光学特性が変化することがない。さらに、単結晶コア3の側面に設けた拡散防止膜4は薄いので、伝搬する光は屈折率が2.5程度の屈折率緩和層5中にも染み出し単結晶コア3の側面ラフネスとSiO2との高屈折率差による伝播損失の低減がなされる。また、図1cに示すように、スラブ導波路構造を設ける場合には、Si1-xGex但し、0≦x≦0.3を途中までエッチングして単結晶コア3とスラブ導波路構造7とを形成する。また、上部クラッド層6をマスクにして不純物を交互に導入することによって、p型領域8とn型領域9とを形成する。このようなpin接合構造を用いて電流を注入すると単結晶コア3の屈折率を変化させることができ、マッハツェンダー型光干渉計、光変調素子或いは光減衰素子等の光機能素子を構成することができる。以上を前提として、次に、図2及び図3を参照して、本発明の実施例1のリブ型光導波路デバイスを説明する。まず、図2aに示すように、基板貼り合わせ技術により作製したSOI基板10を用意する。SOI基板10は、Si基板11に埋込SiO2膜12を介して厚さが250nmの単結晶Si層13が設けられており、この単結晶Si層13には、Bが1×1015cm-3程度ドーピングしてある。この場合、埋込SiO2膜12が下部クラッド層となる。次いで、図2bに示すように、SiH4:20/He:80N2Oを原料ガスとするCVD法により、790°Cにおいて、100nmの厚さのSiO2膜14を堆積させる。次いで、レジストパターン15をマスクとしてCF4ガスを用いたRIE反応性イオンエッチング100mToor,150WによりSiO2膜14をエッチングする。次いで、HBrガスを用いたRIE50mTorr,200Wにより単結晶Si層13をエッチングしてSiコア16を形成する。次いで、図2cに示すように、レジストパターン15を除去したのち、再び、SiH4:20/He:80N2Oを原料ガスとするCVD法により、790°Cにおいて、拡散防止膜となる3nmの厚さのSiO2膜17を堆積させる。次いで、C2H52Znガスを用いたALD原子層堆積法を用いて、200°Cにおいて100nmの厚さのZnO膜18を堆積させる。次いで、図3dに示すように、BCl3/Ar100sccm/100sccmガスを用いたRIEによる異方性エッチングによりZnO膜18及びSiO2膜17をエッチング1Torr,200WしてZnO屈折率緩和層19を形成する。次いで、図3eに示すように、再び、SiH4:20/He:80N2Oを原料ガスとするCVD法により、790°Cにおいて、150nmの厚さのSiO2膜20を堆積させる。次いで、図3fに示すように、CF4/Ar100sccm/100sccmガスを用いたRIEによる異方性エッチングによりSiO2膜20をエッチング1Torr,150Wして上部クラッド層21を形成する。なお、残存するSiO2膜14も上部クラッド層となる。以上の工程により、本発明の実施例1のリブ型光導波路デバイスの基本構成が完成する。本発明の実施例1のリブ型光導波路デバイスにおいては、Siコアの側面にSiO2からなる拡散防止層を介して屈折率が2.5程度のZnO屈折率緩和層を設けているので、ZnO屈折率緩和層中にも光が染み出しSiコアの側面ラフネスが低減される。その結果、SiコアをSiO2で直接覆った場合に比べて、SiO2との高屈折率差による伝播損失の低減がなされる。さらに、Siコアと上下のクラッド層との間にはZnO屈折率緩和層が存在しないので、光閉じ込め効果を損なうことのないSi導波路デバイスの提供が可能になる。次に、図4乃至図7を参照して、本発明の実施例2のリブ型光導波路デバイスを説明する。まず、図4aに示すように、実施例1と同様に、基板貼り合わせ技術により作製したSOI基板30を用意する。SOI基板30は、Si基板31に埋込SiO2膜32を介して厚さが250nmの単結晶Si0.9Ge0.1層33が設けられており、この単結晶Si0.9Ge0.1層33には、Bが1×1015cm-3程度ドーピングしてある。この場合、埋込SiO2膜32が下部クラッド層となる。次いで、図4b及び図4cに示すように、SiH4:20/He:80N2Oを原料ガスとするCVD法により、790°Cにおいて、100nmの厚さのSiO2膜34を堆積させる。次いで、レジストパターン35をマスクとしてCF4ガスを用いたRIE100mToor,150WによりSiO2膜34をエッチングする。次いで、HBrガスを用いたRIE50mTorr,200Wにより単結晶Si0.9Ge0.1層33をエッチングする。この時、単結晶Si0.9Ge0.1層33を50nm残すようにエッチングして単結晶コア36とスラブ導波路部37とを形成する。なお、図4bは平面図であり、図4cは図4bにおけるA-A′を結ぶ一点鎖線に沿った概略的断面図であり、ここでは、単結晶コア36は、マッハツェンダー型光干渉計の入力導波路361、分岐導波路362、第1アーム導波路363、第2アーム導波路364、合波導波路365、及び、出力導波路366となる。次いで、図5dに示すように、レジストパターン35を除去したのち、再び、SiH4:20/He:80N2Oを原料ガスとするCVD法により、790°Cにおいて、拡散防止膜となる3nmの厚さのSiO2膜38を堆積させる。次いで、C2H52Znガスを用いたALD原子層堆積法を用いて、200°Cにおいて100nmの厚さのZnO膜39を堆積させる。次いで、図5eに示すように、BCl3/Ar100sccm/100sccmガスを用いたRIEによる異方性エッチングによりZnO膜39及びSiO2膜38をエッチング1Torr,200WしてZnO屈折率緩和層40を形成する。次いで、図5fに示すように、再び、SiH4:20/He:80N2Oを原料ガスとするCVD法により、790°Cにおいて、150nmの厚さのSiO2膜41を堆積させる。次いで、図6gに示すように、CF4/Ar100sccm/100sccmガスを用いたRIEによる異方性エッチングによりSiO2膜41をエッチング1Torr,150Wして上部クラッド層42を形成する。なお、残存するSiO2膜34も上部クラッド層となる。次いで、図6hに示すように、レジストパターン43をマスクとして、スラブ導波路部37の露出部にBをイオン注入することによってp型領域44,45を形成する。次いで、図6iに示すように、レジストパターン43を除去したのち、新たなレジストパターン46を形成し、このレジストパターン46をマスクとしてスラブ導波路部37の露出部にPをイオン注入することによってn型領域47を形成する。次いで、レジストパターン46を除去したのち、RTARapidThermalAnnealによって、1000°Cで10秒間のアニールを行って注入したB及びPの活性化を行って電極領域とする。次いで、図7jに示すように、上部クラッド層を兼ねる層間膜として、再び、SiH4:20/He:80N2Oを原料ガスとするCVD法により、790°Cにおいて、1μmの厚さのSiO2膜48を堆積させる。次いで、図7kに示すように、レジストパターン49をマスクとして、CF4ガスを用いたRIE100mToor,300WによりSiO2膜48をエッチングして、p型領域44,45及びn型領域47に達するコンタクトホール50~52を形成する。次いで、図7lに示すように、スパッタリング法により1μmの厚さにAl膜を堆積したのち、レジストパターン53をマスクとしてCl2ガスを用いたRIEによりAl膜をエッチングすることによって電極54~56を形成する。最後に、図8m及び図8nに示すように、レジストマスク53を除去することによって、本発明の実施例2のリブ型光導波路デバイスの基本構造が完成する。なお、図8mは平面図であり、図8nは図8mにおけるA-A′を結ぶ一点鎖線に沿った概略的断面図である。また、Al膜を堆積させる前にCoを堆積させ、アニールを行ってシリサイド層を予め形成しておいても良い。この電極54と電極55との間と、電極55と電極56との間に異なった電圧を印加することによって第1アーム導波路363と第2アーム導波路364に異なった電流を注入され、その結果、屈折率変化が異なった値となり、第1アーム導波路363を伝搬する光と第2アーム導波路364を伝搬する光に位相差ができるので、光干渉計として動作することになる。本発明の実施例2においては、単結晶導波路は屈曲しているが、この場合も、単結晶コアの側面に拡散防止層を介して屈折率が2.5程度のZnO屈折率緩和層を設けているので、ZnO屈折率緩和層中にも光が染み出しSiコアの側面ラフネスが低減される。また、本発明の実施例2においては、ZnO屈折率緩和層を形成したのちに、注入した不純物を活性化させるための熱処理を行っているが、ZnO屈折率緩和層と単結晶コアとの間にSiO2膜を設けているので、Znが単結晶コアに拡散することはない。また、本発明の実施例2においては、スラブ導波路部を設け、このスラブ導波路部にp型領域及びn型領域からなる電極領域を形成しているので、電流注入により単結晶コアの屈折率を任意に変化させることができる。なお、上記の各実施例の説明においては、上部クラッド層を異方性エッチングによるサイドウォール状のSiO2膜で形成しているが、通常のレジパターンを用いたエッチング工程形成しても良いものである。この場合には、SiO2膜14,34は必ずしも必要ではない。ここで、実施例1及び実施例2を含む本発明の実施の形態に関して、以下の付記を付す。付記1SiO2からなる下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に設けられたSi1-xGex但し、0≦x≦0.3からなる単結晶コアと、前記単結晶コアの側面に拡散防止膜を介して設けられた屈折率緩和層と、前記単結晶コアの上面と前記拡散防止膜及び屈折率緩和層の露出面を覆うSiO2からなる上部クラッド層とを有する光導波路を備え、前記屈折率緩和層の屈折率が、前記単結晶コアの屈折率より小さく且つ前記上部クラッド層の屈折率より大きいことを特徴とするリブ型光導波路デバイス。付記2前記単結晶コアと前記下部クラッド層との間にスラブ導波路構造を有し、前記スラブ導波路構造が、前記光導波路の光軸と直交する方向にpin接合構造が形成されていることを特徴とする付記1に記載のリブ型光導波路デバイス。付記3前記pin接合構造が形成されたスラブ導波路構造を有する光導波路を2本並行に設け、前記2本の光導波路がマッハツェンダー型光干渉計の2本のアーム導波路となることを特徴とする付記2に記載のリブ型光導波路デバイス。付記4前記屈折率緩和層の屈折率が、2.0~2.6であることを特徴とする付記1乃至付記3のいずれか1に記載のリブ型光導波路デバイス。付記5前記屈折率緩和層が、ZnOからなることを特徴とする付記1乃至付記3のいずれか1に記載のリブ型光導波路デバイス。付記6前記拡散防止膜が、SiO2、SiN或いはSiONのいずれかからなることを特徴とする付記1乃至付記5のいずれか1に記載のリブ型光導波路デバイス。付記7Si基板上にSiO2膜を介して設けた単結晶Si1-xGex但し、0≦x≦0.3膜の少なくとも上部をエッチングして単結晶コアを形成する工程と、全面に拡散防止膜及び屈折率緩和層を堆積する工程と、異方性エッチングにより前記拡散防止膜及び前記屈折率緩和層をエッチングして、前記単結晶コアの側面にのみ前記拡散防止膜を介して前記屈折率緩和層を残存させる工程と、前記単結晶コア、前記拡散防止膜及び前記屈折率緩和層を覆うようにSiO2膜を堆積する工程と、異方性エッチングにより前記SiO2膜をエッチングして上部クラッド層を形成する工程とを有することを特徴とするリブ型光導波路デバイスの製造方法。付記8前記単結晶コアを形成する工程において、前記単結晶Si1-xGex膜の下部を残存させてスラブ導波路構造とし、前記上部クラッド層の形成工程の後に、前記スラブ導波路構造の光軸方向に沿った一方の露出部をp型にドープすると共に、前記スラブ導波路構造の光軸方向に沿った他方の露出部をn型にドープする工程を有することを特徴とする付記7に記載のリブ型光導波路デバイスの製造方法。"