鉛直下向きに延伸した出口部と、前記出口部から鉛直上向きに延伸した先で、鉛直下向きに屈曲する第1屈曲部と、前記第1屈曲部から鉛直下向きに延伸した先で、少なくとも水平よりも高い方向に屈曲する第2屈曲部と、を備えるスラリー配管と、前記スラリー配管の外部から、前記出口部に向けて純水を供給する純水供給部と、を備える研磨装置。請求項1に記載の研磨装置において、前記スラリー配管から供給されるスラリーを流しながら、基板を当接させて当該基板の研磨を行う研磨テーブルと、前記スラリー配管および前記純水供給部のバルブの開閉と、前記研磨テーブルの回転動作と、を制御する制御部と、をさらに備え、前記制御部は、所定枚数の前記基板の前記研磨を行った後から前記基板の前記研磨を再開するまでの間のアイドリング状態のとき、前記スラリー配管からの前記スラリーの供給を停止するとともに、前記純水供給部から純水を前記出口部に向けて供給する研磨装置。請求項2に記載の研磨装置において、前記制御部は、前記アイドリング状態のとき、前記スラリーの供給を停止してから前記スラリーが凝固するまでの間の何れかのタイミングで、前記純水の供給を開始する研磨装置。請求項2または3に記載の研磨装置において、前記制御部は、前記アイドリング状態のとき、前記基板の前記研磨を再開するまでの間、前記純水の供給を継続する研磨装置。請求項2~4のいずれか一項に記載の研磨装置において、前記制御部は、前記アイドリング状態のとき、前記基板の前記研磨を再開する前に、前記研磨テーブルを回転してから、前記スラリーを再度供給する研磨装置請求項2~5のいずれか一項に記載の研磨装置において、前記制御部は、前記アイドリング状態のとき、前記スラリーを再度供給してから、前記研磨テーブル上のスラリー濃度が所定値に戻るために必要な時間であり、かつ、予め定められた所定時間を経過した後に、前記基板の前記研磨を再開する研磨装置。請求項1~6のいずれか一項に記載の研磨装置において、前記出口部は、前記純水供給部側に斜めに切断されている研磨装置。請求項1~7のいずれか一項に記載の研磨装置において、前記純水供給部は、前記第2屈曲部から前記スラリー配管の延伸方向に並んで接している研磨装置。鉛直下向きに延伸した出口部と、前記出口部から鉛直上向きに延伸した先で、鉛直下向きに屈曲する第1屈曲部と、前記第1屈曲部から鉛直下向きに延伸した先で、少なくとも水平よりも高い方向に屈曲する第2屈曲部と、を備えるスラリー配管と、前記スラリー配管の外部から、前記出口部に向けて純水を供給する純水供給部と、を備える研磨装置を用いた半導体装置の製造方法であって、前記スラリー配管から供給されたスラリーを用いて、前記基板上に形成された被研磨層の研磨を行った後から、前記基板の前記研磨を再開するまでの間のアイドリング状態のとき、前記スラリー配管からの前記スラリーの供給を停止するとともに、前記純水供給部から純水を前記出口部に向けて供給する半導体装置の製造方法。CMP工程に用いられるスラリーは、空気に触れると固着物が生成されてしまう。特に、研磨装置がアイドル状態になると、スラリー供給ラインの出口部分において、固着物が生成されてしまう。このような固着物がウェハ表面に落下すると、製造中の半導体装置にマイクロスクラッチが発生してしまう可能性があった。上記した中でも、特許文献1の方法では、研磨装置がアイドリング状態のとき、継続して純水に置換しているため、スラリー配管内にスラリーの固着物が生じることが無い。しかし、CMP工程を再開させるときに、スラリー配管内を純水からスラリーへ置換する必要がある。このため、スラリー配管内をスラリーに置換するだけのために、スラリーを大量に消費してしまう。また、上記の置換する工程によって、研磨テーブル上に大量のスラリーが供給される。この状態で研磨を再開した場合、再開後の最初の研磨レートは、定常状態の研磨レートよりも速くなってしまう。本発明によれば、鉛直下向きに延伸した出口部と、前記出口部から鉛直上向きに延伸した先で、鉛直下向きに屈曲する第1屈曲部と、前記第1屈曲部から鉛直下向きに延伸した先で、少なくとも水平よりも高い方向に屈曲する第2屈曲部と、を備えるスラリー配管と、前記スラリー配管の外部から、前記出口部に向けて純水を供給する純水供給部と、を備える研磨装置が提供される。本発明によれば、鉛直下向きに延伸した出口部と、前記出口部から鉛直上向きに延伸した先で、鉛直下向きに屈曲する第1屈曲部と、前記第1屈曲部から鉛直下向きに延伸した先で、少なくとも水平よりも高い方向に屈曲する第2屈曲部と、を備えるスラリー配管と、前記スラリー配管の外部から、前記出口部に向けて純水を供給する純水供給部と、を備える研磨装置を用いた半導体装置の製造方法であって、前記スラリー配管から供給されたスラリーを用いて、前記基板上に形成された被研磨層の研磨を行った後から、前記基板の前記研磨を再開するまでの間のアイドリング状態のとき、前記スラリー配管からの前記スラリーの供給を停止するとともに、前記純水供給部から純水を前記出口部に向けて供給する半導体装置の製造方法が提供される。本発明によれば、研磨装置のスラリー配管は、出口部付近に第1屈曲部および第2屈曲部を有している。さらに、純水供給部は、研磨装置がアイドリング状態のとき、スラリー配管の出口部に向けて純水を供給する。これにより、研磨装置がアイドリング状態のとき、スラリー配管の出口部において、スラリーの固着物が生じることを抑制することができる。したがって、研磨不良の発生を抑制した研磨装置を提供することができる。本発明によれば、研磨不良の発生を抑制した研磨装置を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。第1の実施形態図1および図2を用い、第1の実施形態に係る研磨装置10について説明する。この研磨装置10は、下記のようなスラリー配管300と、純水供給部320と、を備えている。スラリー配管300は、鉛直下向きに延伸した出口部302と、出口部302から鉛直上向きに延伸した先で、鉛直下向きに屈曲する第1屈曲部304と、第1屈曲部304から鉛直下向きに延伸した先で、少なくとも水平よりも高い方向に屈曲する第2屈曲部306と、を備えている。また、純水供給部320は、スラリー配管300の外部から、出口部302に向けて純水を供給する。以下、詳細を説明する。まず、図1および図2を用いて、研磨装置10の概略を説明する。図1および図2は、第1の実施形態に係る研磨装置10の構成を示す図である。なお、図1は、研磨装置10の全体像を模式的に表している。この研磨装置10は、基板20上に形成された被研磨層を研磨するためのCMP装置である。また、基板20は、たとえば、シリコン基板である。なお、ここでいう被研磨層とは、たとえば、シリコン基板上に形成された層間絶縁層不図示、層間絶縁層上に形成された金属配線などをいう。図1のように、研磨装置10には、ローダー500が設けられている。このローダー500には、キャリア符号不図示が設けられており、研磨される基板20が準備されている。搬送ロボット400は、ローダー500に準備された基板20を搬送し、ロードステーション600に載置する。ブリッジ260に設けられたスピンドル200は、基板20を吸着する。また、吸着した基板20を研磨テーブル100上に搬送する。研磨テーブル100は、スラリー配管300から供給されるスラリーを流しながら、基板20を当接させて当該基板20の研磨を行う。研磨テーブル100付近の構成については、詳細を後述する。ここでいうスラリーとは、SiO2を含んだアルカリ性スラリー、CeO2を含んだ中性スラリー、Al2O3を含んだ酸性スラリー、または、砥粒剤などを含んだスラリーなどである。研磨テーブル100上には、コンディショニングディスク800が設けられている。このコンディショニングディスク800の研磨テーブル100側の表面には、ダイヤ砥粒が配列されている。これにより、コンディショニングディスク800を研磨パッド120表面に押し付けることにより、研磨工程において、研磨パッド120の表面粗さを一定に保つことができる。また、ブリッジ260に設けられたスピンドル200は、研磨工程が終了した基板20をスループットステーション700に搬送し、離脱させる。搬送ロボット400は、スループットステーション700に載置された研磨後の基板20を後工程へと搬送する白抜き矢印。その他、研磨装置10には、制御部900が設けられている。制御部900は、上記した研磨装置10を構成する各部分に制御信号を送信し、その動作を制御している。制御部900は、たとえば、スラリー配管300および純水供給部320のバルブの開閉、研磨テーブル100の回転動作などを制御している。また、たとえば、制御部900は、スピンドル200に対して、スピンドル200の回転、または基板20の荷重の動作を制御している。また、制御部900は、搬送ロボット400に対して、基板20の搬送動作を制御している。なお、スラリー配管300からのスラリー供給のタイミング等については、詳細を後述する。次に、図2を用いて、研磨テーブル100付近の構成について説明する。図2aは、研磨テーブル100付近の構成を示している模式図である。図2aのように、研磨テーブル100上には、研磨パッド120が設けられている。研磨工程において、研磨テーブル100は回転することにより、基板20を研磨する。研磨パッド120は、粘着層不図示によって、研磨テーブルに貼り付けられている。また、研磨パッド120の材質としては、たとえば、発泡ポリウレタン樹脂である。なお、研磨パッド120と研磨テーブル100との間に、クッション層不図示が設けられていてもよい。研磨テーブル100上には、スラリー配管300が設けられている。スラリー配管300は、たとえば、リジッド配管である。また、スラリー配管300は、メンテナンスなどの場合を除き、通常の研磨工程では常に同じ位置に固定されている。スラリー配管300は、研磨テーブル100上にスラリーを供給する。スラリー配管300がスラリーを供給するタイミングについては、詳細を後述する。また、スピンドル200は、研磨工程において、基板20に荷重をかけるとともに、回転することにより、当該基板20を研磨する。図2bは、スラリー配管300付近の構成を示している。このうち、スラリー配管300は断面形状を示しており、スラリー配管300の内部の状態も合わせて示している。図2bのように、スラリー配管300は、以下のような構成を備えている。スラリー配管300は、鉛直下向きに延伸した出口部302と、出口部302から鉛直上向きに延伸した先で、鉛直下向きに屈曲する第1屈曲部304と、第1屈曲部304から鉛直下向きに延伸した先で、少なくとも水平よりも高い方向に屈曲する第2屈曲部306と、を備えている。スラリー配管300の出口部302は、鉛直下向きに延伸している。ここでいう鉛直下向きまたは鉛直上向きのうち、鉛直方向とは、重力の方向をいう。ただし、広義の意味で、研磨テーブル100に対して略垂直の方向を含むものとする。スラリー配管300の出口部302の研磨テーブル100からの高さは、スラリーの供給によってスラリーが飛散しない程度の高さであればよい。上記高さは、たとえば、研磨する基板20の厚さ以上であればよい。スラリー配管300の出口部302の平面視での研磨テーブル100上の位置は、研磨テーブル100の略中心であることが好ましい。これにより、研磨テーブル100の回転により、研磨テーブル100の全体にスラリーを広げることができる。また、出口部302は、後述する純水供給部320側に斜めに切断されている。これにより、研磨装置10がアイドリング状態のとき、純水供給部320から供給される純水によって、スラリー配管300が空気にさらされることがない。なお、このアイドリング状態に関しては、詳細を後述する。出口部302から鉛直上向きに延伸した先には、鉛直下向きに屈曲する第1屈曲部304が設けられている。出口部302から第1屈曲部304までの長さは、出口部302が鉛直下向きの形状となっていればよく、特に限られたものではない。出口部302から第1屈曲部304までの長さは、第1屈曲部304から第2屈曲部306までの長さよりも長くても短くてもよい。第1屈曲部304では、スラリー配管300が鉛直上向きから鉛直下向きに180度屈曲している。第1屈曲部304は、円弧状に屈曲していることが好ましい。また、スラリー配管300のうち、出口部302から第1屈曲部304に延伸する部分および第1屈曲部304から第2屈曲部306に延伸する部分は、第1屈曲部304の接線方向に延伸していることが好ましい。これにより、スラリーをスムーズに供給することができる。また、第1屈曲部304の曲率半径は、スラリー配管300の直径やスラリー配管300の肉厚等を考慮して決められる。第1屈曲部304のうち、内側の曲率半径は、たとえば、6インチ径の基板20を研磨する研磨装置10の場合、0mm以上で、13mm以下である。なお、第1屈曲部304のうち、内側の曲率半径が0mmの状態とは、スラリー配管300のうち、第1屈曲部304の入り口および出口の双方の内側が接している状態である。第1屈曲部304の曲率半径を上記範囲内とすることにより、省スペースにスラリー配管300を設置することができる。第1屈曲部304から鉛直下向きに延伸した先には、少なくとも水平よりも高い方向に屈曲する第2屈曲部306が設けられている。第2屈曲部306において、スラリー配管300が鉛直下向きから90度以下に屈曲している。第1の実施形態では、第2屈曲部306において、スラリー配管300が、たとえば、鉛直下向きから略垂直に屈曲している。すなわち、第2屈曲部306から供給側のスラリー配管300は、略水平に延伸している。また、第2屈曲部306は、第1屈曲部304と同様に、円弧状に屈曲していることが好ましい。これにより、スラリーをスムーズに供給することができる。また、出口部302から第1屈曲部304までのスラリー配管300、第1屈曲部304から第2屈曲部306までのスラリー配管300、および第2屈曲部からスラリーの供給側に延伸するスラリー配管300の三つの配管は、たとえば、同一面を形成している。言い換えれば、スラリー配管300は、スラリー供給側から、平面視で屈曲していない。これにより、平面視でのスラリー配管300の範囲を小さくしておくことができる。なお、スラリー配管300が、スピンドル200またはコンディショニングディスク800と干渉してしまう場合は、他の構成物に干渉しない範囲において、スラリー配管300に、さらに屈曲部が設けられていてもよい。第2屈曲部306で屈曲した先には、スラリー配管300がスラリー供給側に延伸している。なお、以上で述べたスラリー供給側とは、スラリーを一時的に保管しておくタンクのある側のことである。第2屈曲部306からスラリー供給側までの間には、スラリー配管300のバルブ不図示が設けられている。制御部900は、基板処理の状態に応じて、スラリー配管300のバルブの開閉を制御する。また、スラリー配管300に隣接するように、純水供給部320が設けられている。純水供給部320は、スラリー配管300の外部から、出口部302に向けて純水を供給する。純水供給部320は、スラリー配管300の第2屈曲部306からスラリー配管300の延伸方向に並んで接している。これにより、研磨テーブル100上でのスラリー配管300および純水供給部320の占める範囲を小さくすることができる。純水供給部320は、スラリー配管300の出口部302付近で屈曲している。また、純水供給部320の出口部符号不図示は、スラリー配管300の出口部302の方向に向けられている。上述のように、スラリー配管300の出口部302は、後述する純水供給部320側に斜めに切断されている。研磨装置10がアイドリング状態のとき、純水供給部320は、その斜めに切断された出口部302の内側に向けて、純水を供給する。このとき、純水供給部320から供給される純水は、スラリー配管300の出口部302の全体を覆うように供給されることが好ましい。また純水供給部320の出口部の形状は、供給する純水がスラリー配管300の出口部302に届けばよく、特に限定されるものではない。具体的には、純水供給部320の出口部の形状は、配管を垂直に切断しただけの形状であってもよい。または、純水供給部320の出口部の形状は、たとえば、複数の穴が形成されていてもよく、純水をシャワー状に供給する形状であってもよい。また、純水供給部320の出口部付近のノズル形状は、斜め上方向きであってもよい。この場合、純水供給部320の出口部からの出る純水の方向がスラリー配管300の出口部302から管内上方に、より流動または拡散しやすくなる。純水供給部320の出口部からスラリー配管300の出口部302までの距離は、たとえば、0mm以上で、スラリー配管300の出口部302に純水の多くが到達するのに十分な距離以下で、任意に設定することができる。なお、純水供給部320の出口部からスラリー配管300の出口部302までの距離が0mmの状態とは、純水供給部320の出口部とスラリー配管300の出口部が接している状態である。当該距離を上記範囲内とすることにより、研磨テーブル100上でのスラリー配管300および純水供給部320の占める範囲を小さくすることができる。純水供給部320の出口から純水供給側までの間には、純水供給部320のバルブ不図示が設けられている。制御部900は、基板20を搬送するとき、またはアイドリング状態のとき、純水供給部320のバルブの開閉を制御する。次に、再度、図2bを用い、アイドリング状態のときのスラリー配管300内の状態を説明する。図2bのように、アイドリング状態のとき、制御部900は、スラリー配管300からスラリーの供給を停止するとともに、純水供給部320からスラリー配管300の出口部302に向けて純水を供給する。スラリー配管300の出口部302に向けて供給された純水は、容易にスラリー配管300内に入り込む。出口部302が純水供給部320側に斜めに切断されている場合は、特に純水を容易に入り込ませることができる。ここで、一般的なスラリーの比重は、1.1である。一方、純水の比重は、1.0である。このため、鉛直下向きに延伸したスラリー配管300の出口部302では、スラリーが流れ落ち、逆に純水がスラリー配管300内を拡散していく。このようにして、スラリー配管300内が純水に置換されていく。スラリー配管300内の純水は、第1屈曲部304を超えて拡散していく。このとき、純水が第1屈曲部304を超えてA部まで到達すると、比重1.1のスラリーが下側に、一方、比重1.0の純水が上側に配置される。このため、純水が、スラリー配管300のA部よりも第2屈曲部306側に拡散することはない。したがって、スラリー配管300のA部において、スラリーと純水の境界ができる。このようにして、スラリー配管300内で、スラリーの液面が純水によって覆われる。このとき、スラリー配管300の出口部302に向けて供給している純水を停止した場合、鉛直下向きのスラリー配管300の出口部302から純水が排出されてしまう。このため、スラリー配管300の内部で、スラリーが空気に触れてしまい、固着物を生じさせてしまう。したがって、アイドリング状態のとき、純水供給部320からスラリー配管300の出口部302に向けて、継続して純水を供給し続けることが好ましい。アイドリング状態から再度基板20の研磨を再開するときは、制御部900は、純水供給部320からの純水の供給を停止するとともに、スラリー配管300からのスラリーの供給を開始する。これにより、スラリー配管300内の純水は、すぐに排出される。したがって、直ちに、スラリー配管300の定常状態に戻すことができる。なお、アイドリング状態から再度基板20の研磨を再開する手順は、詳細を後述する。以上のようにして、アイドル状態のとき、スラリー配管300の出口部302に、スラリーの固着物が生じることを抑制することができる。次に、図3および図4を用い、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、上記したような研磨装置10を用いる。スラリー配管300から供給されたスラリーを用いて、基板20上に形成された被研磨層の研磨を行った後から、基板20の研磨を再開するまでの間のアイドリング状態S100のとき、スラリー配管300からのスラリーの供給を停止するとともに、純水供給部320から純水を出口部302に向けて供給する。以下、詳細を説明する。図3は、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すタイミングチャートである。図3のうち、基板処理とは、基板20に対する研磨テーブル100上での研磨、または搬送ロボット400、スピンドル200等による搬送を示している。また、図3のうち、スラリー供給のONとは、スラリー配管300のバルブを開いて、スラリーの供給を行っている状態を示している。一方、スラリー供給のOFFとは、スラリー配管300のバルブを閉じて、スラリーの供給を行っていない状態を示している。また、図3のうち、スラリー配管内とは、スラリー配管300の中の状態を示している。斜線部となっている場合は、スラリー配管300内にスラリーが充填されている状態を示している。一方、斜線部と空白部が混在している場合は、図2bで示したように、スラリー配管300内に純水が拡散し、スラリー配管300のA部までが純水で置換されている状態を示している。また、図3のうち、研磨テーブルとは、研磨テーブル100上の液体の状態を示している。斜線部となっている場合は、研磨テーブル100上にスラリーが供給されている状態を示している。一方、斜線部と空白部が混在している場合は、研磨テーブル100上にスラリーおよび純水が混在している状態を示している。図3のように、所定枚数の基板20を研磨する工程を断続的に行う。このとき、所定枚数の基板20とは、たとえば、ローダー500に準備された基板20のことである。この所定枚数は、ローダー500の大きさ、または前工程の状況に応じて、決定される。以下では、この所定枚数の基板20の研磨を行った後から基板20の研磨を再開するまでの間を、アイドリング状態と呼ぶ。ここで、今の状態は、図3のアイドリング状態S100より左方の状態であるとする。スラリー配管300から供給されたスラリーを用いて、基板20上に形成された被研磨層の研磨を行っている。研磨テーブル100上には、スラリーが供給されており、スラリー配管300内はスラリーで充填されている。次いで、基板20の研磨が終了した後、スピンドル200は、当該基板20をスループットステーション700に搬送する。このとき、制御部900は、スラリー供給を停止し、研磨テーブル100に純水を供給する。この純水は、上記した純水供給部320から供給してもよいし、別の供給源から供給してもよい。この純水の供給によって、研磨によって生じた研磨テーブル100上の異物を除去する。この搬送では、スピンドル200は、研磨が完了した基板20の搬送後すぐに、次の基板20を研磨テーブル100上に搬送するなお、上記したような基板20の入れ替えを行う搬送は、短い時間で行われる。このため、スラリー配管300の出口部302にスラリーの固着物が生じることがない。したがって、この搬送のタイミングにおいては、スラリー配管300の出口に向けて、純水供給部320から純水を供給しなくてもよい。上記のように、スピンドル200は、次の基板20をロードステーション600から研磨テーブル100上へ搬送する。この基板20は、ローダー500に準備された最後の基板20であるとする。したがって、次の研磨は、LastRunとなる。上記した基板20の搬送とともに、制御部900は、研磨テーブル100を回転させる。また、同時に、制御部900は、研磨テーブル100上への純水の供給を停止し、スラリー配管300からのスラリーの供給を再開する。このようにして、次の基板20に対して研磨を行う。以上の搬送から次の研磨までの間の一連の動作は、制御部900によって、一定の時間間隔で全て制御されている。これにより、所定枚数の基板20の研磨は、各々の基板20の研磨で、ほぼ同じスラリー濃度の研磨テーブル100の状態で開始される。このときの研磨テーブル100上のスラリー濃度を、スラリー濃度の所定値とする。したがって、所定枚数の基板20の研磨を行う間は、各々の基板20に対して、ほぼ一定の研磨レートで研磨を開始することができる。また、以降の説明では、上記のように、一定の時間間隔で基板20の搬送および研磨が行われている状態、すなわち非アイドリング状態のことを、定常状態と呼ぶ。次いで、LastRunの基板20の研磨が完了した後、先と同様に、スピンドル200は、基板20をスループットステーション700に搬送する。また、制御部900は、研磨テーブル100の回転を停止する。このとき、ローダー500には、基板20が準備されていないため、上述したアイドリング状態となる。このアイドリング状態の時間は、前工程が完了した基板20が準備されるまでの時間が必要とされる。当該時間は、前工程に依存して、長時間となる可能性がある。このため、スラリー配管300からスラリーの供給を停止したままでは、スラリー配管300の出口部302にスラリーの固着物が生じる可能性がある。したがって、本実施形態では、下記のように、制御部900は、アイドリング状態における研磨装置10を制御する。次に、図4を用いながら、図3のアイドリング状態S100における制御部900による制御の内容を説明する。図4は、図3のアイドリング状態S100を説明するためのフローチャートである。制御部900は、LastRunの基板20を搬送した後、スラリー配管300からのスラリーの供給を停止するS110。これとともに、純水供給部320から純水を出口部302に向けて供給するS120。このとき、制御部900は、次の所定枚数の基板20が準備されるまで継続して、純水供給部320から純水を供給し続ける。これにより、上述した図2bのように、スラリー配管300のA部までを純水で置換することができる。したがって、スラリー配管300の出口部302において、スラリーの固着物が生じることを抑制することができる。このとき、制御部900は、スラリーの供給を停止してからスラリーが凝固するまでの間の何れかのタイミングで、純水の供給を開始する。このように、スラリー配管300からの供給を停止してから、ある程度の時間的マージンをとって、純水を供給することができる。なお、このスラリーが凝固するまでの時間は、使用されるスラリーによって固有の時間であり、予測することが可能である。したがって、予め決められたシーケンスを設定して、制御部900は、純水の供給を行うようにすればよい。この純水供給部320から純水を供給している間に、次の所定枚数の基板20をローダー500に準備する。この間、純水供給部320から供給される純水は、研磨テーブル100上に流れ続ける。したがって、研磨テーブル100上の状態は、純水だけが満たされている状態となる。また、制御部900は、基板20の研磨を再開するまでの間、純水の供給を継続する。ここでいう研磨を再開するまでとは、後述する所定枚数の基板20がローダー500に準備されて、基板20の研磨を再開できるようになるときまでのことをいう。これにより、スラリー配管300の内部から純水が排出されてしまうことを防ぐことができる。したがって、スラリー配管300の内部で、スラリーが空気に触れてしまい、固着物を生じさせてしまうことを抑制することができる。次の所定枚数の基板20をローダー500に準備されたら、下記のような手順で研磨を再開する。まず、制御部900は、純水供給部320からの純水の供給を停止するとともに、研磨テーブル100を回転するS130。これにより、研磨テーブル100上の純水は、研磨テーブル100の回転による遠心力によって外側へ排出される。次いで、研磨テーブル100を回転してから、スラリーを再度供給するS140。なお、研磨テーブル100の回転を開始するのと同時にスラリーを供給してもよい。一方、研磨テーブル100の回転を開始してから、研磨テーブル100上の純水の排出を待って、スラリーを供給してもよい。このとき、スラリーの供給を行うことにより、図2bの状態から、スラリー配管300内の全体がスラリーに置換された状態となる。これとともに、研磨テーブル100上は、純水で満たされている状態から、徐々にスラリーが拡散していく。次いで、スラリーを再度供給してからS140、研磨テーブル100上のスラリー濃度が所定値に戻るために必要な時間であり、かつ、予め定められた所定時間を経過したか否かを判断するS150。ここでいう所定時間とは、研磨テーブル100上が純水で満たされていた状態からスラリーが拡散していき、スラリー濃度が所定値に戻るために必要な時間のことをいう。また、この所定時間は、スラリーの種類、S140におけるスラリーの供給量などによって、予め定められたものである。また、スラリー濃度の所定値とは、上述のように、定常状態一定の時間間隔で基板20の搬送および研磨が行われている状態において、基板20の搬送から研磨が再開されるときの研磨テーブル100上のスラリー濃度のことである。これにより、アイドリング状態の後であっても、定常状態とほぼ同じ研磨レートで研磨を開始することができる。ここで、スラリーを再度供給してからS140、所定時間が経過していない場合はS150NO、基板20の搬送を行わず、スラリーの供給だけを継続する。一方、所定時間が経過した場合はS150YES、スピンドル200は、基板20の搬送をするS160。なお、所定時間を待つ必要がない場合は、制御部900に所定時間を0として設定しておけばよい。また、ここでいう搬送は、一つの基板20を、スピンドル200によって、ロードステーション600から研磨テーブル100上に搬送する動作をいう。このとき、スラリーの供給は、停止されるわけではなく、継続して供給される。上記の基板20の搬送とともに、研磨を開始するS170図3における1RUN。上記のような半導体装置の製造方法により、アイドリング状態から、次の基板20の研磨が行われる。また、上記のように、研磨装置10の制御部900は、以上の半導体装置の製造方法における各構成の動作を制御する。次に、第1の実施形態の効果について説明する。第1の実施形態によれば、図2bのように、研磨装置10のスラリー配管300は、出口部302付近に第1屈曲部304および第2屈曲部306を有している。さらに、純水供給部320は、研磨装置10がアイドリング状態のとき、スラリー配管300の出口部302に向けて純水を供給する。スラリー配管300の出口部302に向けて供給された純水は、容易にスラリー配管300内に入り込む。スラリー配管300内に入り込んだ純水は、第1屈曲部304を超えて拡散していく。スラリー配管300内では、第1屈曲部304よりも、スラリーと純水の比重の差分だけ第2屈曲部側のところにおいて、スラリーと純水の境界が生じる。このようにして、スラリー配管300内で、スラリーの液面が純水によって覆われる。これにより、研磨装置がアイドリング状態のとき、スラリー配管300の出口部において、スラリーの固着物が生じることを抑制することができる。以上のようにして、第1の実施形態によれば、研磨不良の発生を抑制した研磨装置10を提供することができる。また、上記研磨装置10を用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。第2の実施形態図5は、第2の実施形態に係る研磨装置の構成を示す図である。第2の実施形態は、スラリー配管300の形状を除いて、第1の実施形態と同様である。以下、詳細を説明する。図5のように、第2屈曲部306において、第2屈曲部306から供給側のスラリー配管300は、水平よりも高い方向に屈曲している。さらに、第2屈曲部306から供給側のスラリー配管300は、たとえば、第2屈曲部306から延伸した先で、水平に屈曲していてもよい。少なくとも、研磨テーブル100の外周部において、出口部302の研磨テーブル100からの高さよりも高くしておくことができる。これにより、研磨テーブル100の回転の遠心力によって飛散するスラリーが、スラリー配管300に付着することがない。または、第2屈曲部306から供給側のスラリー配管300は、たとえば、第2屈曲部306から延伸した先で、さらに上向きに屈曲していてもよい。これにより、スラリーを供給するタンクを研磨装置10の上方に配置することができる。したがって、スラリーの供給速度を、重力による一定の供給速度とすることができる。以上のように、第2の実施形態によれば、第2屈曲部306から供給側のスラリー配管300は、任意の高さとすることができる。また、以上の実施形態では、スラリー配管300および純水供給部320はリジッド配管として固定されている場合を説明したが、フレキシブル配管であってもよい。したがって、上記実施形態におけるスラリー配管300の第1屈曲部304および第2屈曲部306は、アイドリング状態のときに所望の形状であればよい。また、以上の実施形態では、制御部900が全ての制御を行っている場合を説明したが、適宜、複数の制御部不図示によって分割して制御を行ってもよい。または、制御部の一部の操作を人間が行ってもよい。以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。