"有機ゲート誘電体層と、前記有機ゲート誘電体層と界面を形成する有機半導体層と、トランジスタのチャネル長を規定している距離Lによって互いに分離され、前記有機半導体層と接触している電子注入電極および正孔注入電極であって、前記有機半導体層と前記有機ゲート誘電体層との間の界面に沿って電荷キャリアが移動するように配置された電子注入電極と正孔注入電極とを備える両極性の発光トランジスタであって、光の発光元である有機半導体層の区域は、前記電子注入電極および前記正孔注入電極の両方からL/10よりも離れて配置されていることを特徴とする、両極性の発光トランジスタ。有機ゲート誘電体層と、前記有機ゲート誘電体層と界面を形成する有機半導体層と、前記有機半導体層と接触している電子注入電極および正孔注入電極であって、前記有機半導体層と前記有機ゲート誘電体層との間の界面に沿って電荷キャリアが移動するように配置された電子注入電極と正孔注入電極とを備える両極性の発光トランジスタであって、光の発光元である有機半導体層の区域は、前記電子注入電極および前記正孔注入電極の両方から1μmよりも離れて配置されていることを特徴とする、両極性の発光トランジスタ。有機ゲート誘電体層と、前記有機ゲート誘電体層と界面を形成する有機半導体層と、前記有機半導体層と接触している電子注入電極および正孔注入電極であって、前記有機半導体層と前記有機ゲート誘電体層との間の界面に沿って電荷キャリアが移動するように配置された電子注入電極と正孔注入電極とを備える両極性の発光トランジスタであって、光の発光元である有機半導体層の区域は、前記電子注入電極および前記正孔注入電極の両方から5μmよりも離れて配置されていることを特徴とする、両極性の発光トランジスタ。前記有機ゲート誘電体層中のトラッピング基のバルク濃度は、1018cm-3未満であり、この場合、トラッピング基は、iEAsemicond以上の電子親和力EAxおよび/またはiiEAsemicond.-2eV以上の反応性電子親和力EArxnを持つ基であることを特徴とする、請求項1ないし3の何れかに記載の両極性の発光トランジスタ。トランジスタの制御ゲート電極に印加されるバイアス電圧は、正孔注入電極に印加されるバイアス電圧と電子注入電極に印加されるバイアス電圧の間となるように選択されることを特徴とする、請求項1ないし4の何れかに記載の発光トランジスタをバイアスさせるための方法。制御ゲート電極に印加されるバイアス電圧、正孔注入電極に印加されるバイアス電圧、および電子注入電極は、再結合区域をトランジスタのチャネルに沿って所望の位置へと移動させるように調整されることを特徴とする、請求項1ないし4の何れかに記載の発光トランジスタを作動させるための方法。請求項1ないし4の何れかに定義されている発光トランジスタを作成するための方法。前記電子注入および正孔注入電極を規定する工程は、シャドウマスク蒸着を含むことを特徴とする、請求項7に記載の方法。前記電子注入および正孔注入電極を規定する工程は、表面エネルギーに手助けされた印刷を含むことを特徴とする、請求項7に記載の方法。前記電子注入および正孔注入電極を規定する工程は、自己整合印刷を含むことを特徴とする、請求項7に記載の方法。前記電子注入および正孔注入電極を規定する工程は、斜めの角度での蒸着を含むことを特徴とする、請求項7に記載の方法。前記電子注入および正孔注入電極を規定する工程は、レジストパターンによって保護されている金属膜のアンダーエッチングを含むことを特徴とする、請求項7に記載の方法。トランジスタにおいて発光するための請求項1ないし4の何れかに記載の発光トランジスタの使用法。請求項1ないし4の何れかに定義されている発光トランジスタを備える回路、相補型回路、論理回路、またはディスプレイ。請求項14に定義されている回路、相補型回路、または論理回路を作成するための方法。ここで本発明を添付の図面を参照しながらさらに詳細に説明する。実施例実施例1:一般的な原則の例示として、200nmのSiO2層を持つp-ドープシリコン基板を、メシチレンmesitylene中の4.4w/vBCBシクロテン登録商標、ダウケミカル社溶液をスピンすることによって厚み50nmのBCB層でコーティングし、次に、290度に設定したホットプレート上で15秒間、窒素下でpO2<5ppm超高速熱アニールする。次いで、必要とされている有機半導体を、適切な溶媒中の1.3-1.8w/v溶液から50-80nmの厚みの薄膜として基板全体にスピンキャストする。試験を行った共役ポリマーの範囲は、次の通りである。i混合キシレンから得られたポリ9,9-ジオクチルフルオレン-アルト-ベンゾ-2-チア-1,3-ジアゾールpolyF8BT、ii混合キシレンから得られたポリ9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイルpolyF8、iiiトルエンから得られたポリ2,5-ジヘキシル-p-フェニレンビニレン-コ-α,α-ジシアノ-2,5-ジヘキシル-p-フェニレンビニレンpolyCN-PPV、iv1:3v/vTHF:トルエンから得られたポリ2-メトキシ-5-3,7-ジメチルオクトキシ-p-フェニレンビニレンpolyoctoxypphenylenevinyleneOC1C10-PPV、およびvメタノールから得られた前駆体PPVPPVである。100nmのカルシウム電極をシャドウマスクを介して蒸着し、この電極を30nmのSiOに封入して、チャンネルの長さが25μmで幅が2.5mmのソース-ドレイントップコンタクト電極を得た。次に、トランジスタをグローブボックス内で試験した。代表的な結果を図1a-eに示す。図1aおよび図1bはそれぞれ、F8BTの移送transferおよび出力特性を示している。線形レジーム移動度linearregimemobilityμFET,eは、5×10-3cm2/Vsと推定される。図1cは、CN-PPVの移送特性を示しているμFET,e=3×10-5cm2/Vs。図1dは、0C1C10-PPVの移送特性を示しているμFET,e=4×10-5cm2/Vs。図1eは、PPVの移送特性を示しているμFET,e=5×10-5cm2/Vs。本願で研究したPPVおよびOC1C10-PPV膜は、比較的高い不純物レベルを持っており、このことにより装置特性の閾値およびドリフトが高くなっている。F8は、μFET,e=1×10-3cm2/Vsである移送特性は、示していない。本実施例のようにBCB誘電体でコーティングせずに、SiO2表面をヘキサメチルジシラザンhexamethyldisilazaneでパッシベートした後でさえ、大きなn-チャネル活性は、観察することができない。このような観察は、SiO2の表面上の残留シラノール基について予測できる高いEArxnと一致する。このセットの実施例は、ゲート誘電体を適切に選択することで、適切な注入接触が行われさえすれば広範囲の有機半導体を使ってn-チャネルFETを製造することが可能となる、という原則を示すために提供される。ポリメチルメタクリレートpolyをトップゲートFETにおけるゲート誘電体として使用する場合、得られるn-チャネルFET移動度は、非常に劣悪であり、ポリフルオレンpoly誘導体におけるμFET,eが典型的には10-6cm2/Vs未満である。ポリビニルフェノールpolyをゲート誘電体として使用する場合、n-チャネルFET挙動は、得られない。ヘキサメチルジシラザンhexamethyldisilazaneで処理したSiO2をゲート誘電体として使用する場合も、やはりn-チャネルFET挙動は、得られない。これらの観察はすべて、本発明の設計規則に一致する。実施例2:一般原則をさらに例示するものとして、今回は、アルミニウムソース-ドレイン電極を用いる。200nmのSiO2層を持つp-ドープシリコン基板を、メシチレンmesitylene中の4.4w/vBCBシクロテン登録商標、ダウケミカル社溶液をスピンすることによって厚み50nmのBCB層でコーティングし、次に、290度に設定したホットプレート上で15秒間、窒素下でpO2<5ppm超高速熱アニールする。次いで、必要とされている有機半導体を、適切な溶媒中の1.3-1.8w/v溶液から50-80nmの厚みの薄膜として基板全体にスピンキャストする。試験を行った2つの共役ポリマーは、次の通りである。i混合キシレンから得られたポリ9,9-ジオクチルフルオレン-アルト-ベンゾ-2-チア-1,3-ジアゾルpolyF8BT、およびiiトルエンから得られたポリ2,5-ジヘキシル-p-フェニレンビニレン-コ-α,α-ジシアノ-2,5-ジヘキシル-p-フェニレンビニレンpolyCN-PPVである。100nmのアルミニウム電極をシャドウマスクを介して蒸着する。次に、トランジスタをグローブボックス内で試験した。代表的な結果を図2a-dに示す。図2aおよび図2bは、それぞれ、F8BTの移送および出力特性を示している。線形レジーム移動度μFET,eは、4×10-4cm2/Vsと推定される。この値は、Ca電極の場合よりも一桁小さい値である。出力特性もまたあまりにも早く飽和する。これらは、両方とも、アルミニウム電極の接触抵抗が高いことを表している。しかしながらそれにもかかわらず、n-チャネル活性は、やはり得られた。図2cおよび図2dは、CN-PPVの移送および出力特性を示しているμFET,e=4×10-5cm2/Vs。これは、Ca装置に匹敵し、Alは、CN-PPV中へ十分に良好に注入できることを表している。このセットの実施例は、本発明で説明したようにゲート誘電体を適切に選択することで、広範囲の有機半導体から適切な注入接触を持つn-チャネルFETの製造が可能となる原則を再び示すために提供される。実施例3:一般原則をさらに例示するものとして、今回は、ガラス基板上にパターン化された金ソース-ドレイン電極およびトップゲートを用いる。ガラス基板を、混合キシレン中の1.7w/v溶液から得られる50-80nmの厚みのポリ9,9-ジオクチルフルオレン-アルト-ベンゾ-2-チア-1,3-ジアゾルpolyでコーティングする。次に、30-40°Cでデカン中の12.7w/vBCBダウケミカル社のシクロテン登録商標から抽出から厚みが200nmのBCB層をスピンすることによってゲート誘電体層を堆積し、そして290°Cに設定したホットプレート上で15秒間、窒素下でpO2<5ppm超高速熱アニールする。次に、表面活性イオン交換ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンpoly-ポリスチレンスルホネートpoly錯体PEDT:PSSRを印刷することによってトップゲート電極を堆積する。この表面活性イオン交換PEDT:PSSR錯体は、バイトロンPドイツのHCStarckofLeverkusen社から作成されるもので、バイトロンPをポリスチレンスルホン酸polyで富裕化してPEDT:PSS比を10-16とした後、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムhexadecyltrimethylammoniumで透析交換することにより作成される。電子移動度は、約10-4cm2/Vsであり、注入によって制限される。従って、双極性自己組織化単分子膜を使って金電極を適切に機能化してその有効仕事関数を改善することにで、さらなる改善を行うことができる。本実施例は、本発明で教示する原則が実用的な注入接触を持つトップゲート装置にも適用できることを示すために提供される。実施例4:発光FET本発明による両極性発光トランジスタを製造するために、ドレイン電極14としてカルシウムおよびソース電極13として金の実施例1で説明したものと同じ構造を使った図3a最下部。チャネル幅が3mmでチャネル長が100μmのシャドウマスクを介してこれら2つの金属を引き続いて蒸着した。まず最初に、ソース電極を規定しているシャドウマスクの第2の開口部を遮蔽した状態で、ドレイン電極を規定しているシャドウマスクの第1の開口部を介してカルシウムを蒸着した。次いで、第1および第2の開口部の両方を開放した状態で、金を蒸着した。第2の蒸着中、カルシウム接触は、金がかぶせられ、その電子注入特性に影響を与えることなく、反応性カルシウム接触のいくらかの封入を提供する。半導体材料として、本発明者は、無水混合異性体キシレン溶液5重量からスピンしたOC1C10-PPVを使用した。BCBと接触して、OC1C10-PPVは、高いフォトルミネッセンス効率と比較的高い、良好にバランスされた電子および正孔の電界効果移動度510-4cm2/Vsの正孔移動度、および210-3cm2/Vsの電子移動度とを組み合わせる。図3bは、Vd=60でこのような方法で構成された両極性OC1C10-PPVトランジスタの移送特性を示している。ゲートバイアスが異なっていても電子および正孔輸送が明らかに誘導できている。図3cは、低いVdの正孔蓄積レジームで作動している両極性OC1C10-PPVトランジスタの出力特性を示している。Vdが増大すると、電子は、さらに注入され、矢印で指し示すように出力電流を急激に増大させる。本発明者は、この時点から発光を観察する。図3dは、異なるソース-ドレイン電圧および一定のゲート電圧で作動中の発光トランジスタにおける2つの光学顕微鏡写真を示している。チャネルの中央で電極に平行な細い線としての発光が観察される矢印で表示。正確な位置は、印加されるバイアス電圧で制御できる。2つの画像間におけるソース-ドレイン電圧の差は、2Vであり、値がより負になると、再結合区域は、ソース電極に向かってより近くに移動する。本発明は、上述の実施例に制限されるものではない。本発明の側面は、本願で説明する概念の新規かつ進歩性のある側面をすべて網羅し、また本願で説明する特徴の新規かつ進歩性のある組み合わせをすべて網羅するものである。出願人は、本願によって、本願で説明するそれぞれの個々の特徴およびかかる特徴の2つ以上のどのような組み合わせも、かかる特徴または特徴の組み合わせが本願で開示するどの問題点を解決するものかに関係なくまた本発明の範囲を制限することなく、かかる特徴または組み合わせが当業者の一般的な知識を照らし合わせて本明細書全体に基づいて実施できる範囲で別個に開示する。出願人は、本発明の側面がかかる個々の特徴または特徴の組み合わせのいずれからも構成され得ると指摘する。上述の説明をかんがみれば、本発明の範囲内でさまざまな改変を行い得ることは当業者にとって明らかとなるであろう。"