"成膜を行なう成膜処理室と、前記成膜処理室の内部を排気する排気装置と、前記排気装置の排気状態を制御する制御装置と、前記成膜処理室が成膜を行なう第1状態の際に前記成膜処理室の内部の圧力を検知する第1のピラニゲージと、前記成膜処理室の内部を洗浄する第2状態の際に前記成膜処理室の内部の圧力を検知する第2のピラニゲージとを備えており、前記制御装置は、前記第1および第2状態の間で前記排気装置の排気状態を切換える際に用いる媒体を利用して前記第1および第2のピラニゲージを切換える、成膜装置。前記第1および第2のピラニゲージからの検出信号が入力される真空計と、前記第1および第2のピラニゲージから前記真空計への前記検出信号の入力状態を切換えるリレーとをさらに備えており、前記制御装置は、前記第1および第2状態の間の切換えの際に、前記排気装置に向けて送信する信号を利用して前記リレーに信号を送信することにより、前記真空計への前記検出信号の入力状態を自動的に切換える、請求項1に記載の成膜装置。特開平9-306899号公報のように成膜時とクリーニング時とで異なるセンサを用いて圧力を検知すれば、たとえばクリーニング時には成膜時に用いるセンサは用いられない。すなわちこの場合、成膜時に用いるセンサはクリーニング時に用いるたとえばフロン系ガスの曝露を受けない。このためクリーニング時のエッチングガスに繰り返し晒されることによる、成膜時に用いるセンサの劣化が抑制される。しかしながら特開平9-306899号公報には、成膜時とクリーニング時との間で処理室の圧力を検知するセンサを切換える手段について具体的に記載されていない。仮に当該切換えを手動で行なう場合には、処理の効率が低下する可能性がある。本発明は、上記の問題に鑑みなされたものである。その目的は、成膜時に用いる圧力検知用のセンサの劣化をより高効率に抑制することが可能な成膜装置を提供することである。本発明の一実施例による成膜装置は以下の構成を備えている。上記成膜装置は、成膜を行なう成膜処理室と、成膜処理室の内部を排気する排気装置と、排気装置の排気状態を制御する制御装置と、成膜処理室が成膜を行なう第1状態の際に成膜処理室の内部の圧力を検知する第1のピラニゲージと、成膜処理室の内部を洗浄する第2状態の際に成膜処理室の内部の圧力を検知する第2のピラニゲージとを備えている。上記制御装置は、第1および第2状態の間で排気装置の排気状態を切換える際に用いる媒体を利用して第1および第2のピラニゲージを切換える。本実施例によれば、第1および第2状態の間で排気装置の排気状態を切換える際に用いる媒体を用いて、より効率的に、第1および第2のピラニゲージを切換えることができる。以下、本発明の実施の形態に係る、効率的なピラニゲージの切換えが可能な成膜装置について、図に基づいて説明する。図1を参照して、本実施の形態における成膜装置は、装置コントローラCTLと、処理室と、真空ポンプPPと、排気装置VDとを備えている。排気装置VDは、バタフライバルブBVと、SiH4ガス排気部と、ClF3ガス排気部と、1対のバルブA1,B1とを含んでいる。装置コントローラCTLは、図1の成膜装置全体、特に排気装置VDの動作排気状態を制御する装置である。処理室は、その内部に半導体基板ウェハなどの成膜処理の対象物を載置し、成膜処理を行なう成膜処理室である。真空ポンプPPは、処理室の内部をたとえば大気圧に比べて十分に低い圧力である真空高真空状態とするために処理室の内部の気体を吸引して装置の外部に導くための装置である。排気装置VDは、真空ポンプPPにより吸引された処理室内のガスを当該成膜装置の外部に排出する装置である。排気装置VDを構成するバタフライバルブBVは、装置コントローラCTLから送信される信号を受けることにより開き具合が制御され、処理室内の圧力を調整するためのバルブである。SiH4ガス排気部は、成膜装置が対象物に対して成膜を行なう成膜状態第1状態であるときに、処理室の内部に供給されるSiH4のガスを排気する部分である。ClF3ガス排気部は、成膜装置が処理室の内部を洗浄する洗浄状態第2状態であるときに、処理室の内部に供給されるClF3のガスを排気する部分である。このように排気装置VDは、処理室の状態成膜状態または洗浄状態に応じて排気状態が切換えられる。バルブA1は、排気装置VDが処理室内のガスをSiH4ガス排気部から排気する際に開くバルブである。すなわちバルブA1が開いているときには、処理室内のガスはSiH4ガス排気部から排気される。バルブB1は、排気装置VDが処理室内のガスをClF3ガス排気部から排気する際に開くバルブである。すなわちバルブB1が開いているときには、処理室内のガスはClF3ガス排気部から排気される。またバルブA1が開いているときにはバルブB1は閉じ、バルブA1が閉じているときにはバルブB1が開くように、装置コントローラCTLにより制御される。このため処理室の状態に応じてバルブA1,B1が切換えられ、排気されるガスの種類に応じて異なる排気部から排気される。成膜装置がたとえば多結晶シリコンの成膜を行なう際には、処理室内にはSiH4ガスなどの、シリコンを含む気体材料が供給される。また成膜装置が処理室内を洗浄する際には、処理室内にはClF3ガスなどの、堆積された多結晶シリコンと反応して当該多結晶シリコンを処理室の内壁面などから除去する気体材料が供給される。このように成膜状態と洗浄状態クリーニング時とでは処理室内に供給されるガスの種類が異なるため、排気されるガスの種類に応じて、すなわち成膜状態と洗浄状態との間で排気装置VDのバルブが切換えられる。装置コントローラCTLとバルブA1との間には、ソレノイドバルブSVAが接続されており、装置コントローラCTLとバルブB1との間には、ソレノイドバルブSVBが接続されている。ソレノイドバルブSVAには、成膜装置が成膜を行なう状態の際に、装置コントローラCTLから電気信号が送信され、ソレノイドバルブSVBには、成膜装置が処理室内を洗浄する状態の際に、装置コントローラCTLから電気信号が送信される。ソレノイドバルブSVAと排気装置VDバルブA1とはラインL1により接続されており、ソレノイドバルブSVBと排気装置VDバルブB1とはラインL2により接続されている。本実施の形態における成膜装置は、ピラニ測定素子としての成膜用ピラニゲージPGA第1のピラニゲージおよび洗浄用ピラニゲージPGB第2のピラニゲージと、真空計VMと、リレーRYとをさらに有している。成膜用ピラニゲージPGAは、成膜装置が成膜を行なう状態の際に、処理室の内部の圧力を検知する。洗浄用ピラニゲージPGBは、成膜装置が処理室内を洗浄する状態の際に、処理室の内部の圧力を検知する。成膜用ピラニゲージPGAと洗浄用ピラニゲージPGBとは同一種類のピラニゲージであってもよいが、異なる種類のピラニゲージであってもよい。たとえば両者間で異なる種類のピラニゲージを用いる場合には、たとえば成膜用ピラニゲージPGAとしては1mTorr以上90mTorr以下の範囲内の圧力を検知することができるピラニゲージを用い、洗浄用ピラニゲージPGBとしては1Torr以上9Torr以下の範囲内の圧力を検知することができるピラニゲージを用いることが好ましい。成膜用ピラニゲージPGAと処理室とを接続するラインL3には、バルブA2が接続されている。洗浄用ピラニゲージPGBと処理室とを接続するラインL4には、バルブB2が接続されている。バルブA2は、ソレノイドバルブSVA,SVBと排気装置VDとを接続するラインL5と接続されている。バルブB2は、ソレノイドバルブSVA,SVBと排気装置VDとを接続するラインL6と接続されている。処理室が成膜状態にあるときは、成膜用ピラニゲージPGAが処理室内の圧力を検知するために、バルブA2が開き、バルブB2が閉じるように制御される。また処理室が洗浄状態にあるときは、洗浄用ピラニゲージPGBが処理室内の圧力を検知するために、バルブB2が開き、バルブA2が閉じるように制御される。図1においてはソレノイドバルブSVBとバルブB1とを結ぶラインL2から、ピラニゲージPGA,PGBに接続されるラインL5,L6が示されているが、ソレノイドバルブSVAとバルブA1とを結ぶラインからも同様に、ピラニゲージPGA,PGBに接続されるラインが配置されていてもよい。真空計VMはピラニゲージPGA,PGBと接続されている。真空計VMは、ピラニゲージPGA,PGBが検出した処理室内の圧力値を示す信号が入力され、入力された当該信号をさらに装置コントローラCTLに入力する機能を有する。ピラニゲージPGA,PGBから真空計VMへの信号の送信は、入力1と入力2との2種類の入力状態を有している。具体的には、処理室が成膜状態にあり、成膜用ピラニゲージPGAから真空計VMに信号が入力される場合には、真空計VMの入力状態は入力1に設定される。これに対して、処理室が洗浄状態にあり、洗浄用ピラニゲージPGBから真空計VMに信号が入力される場合には、真空計VMの入力状態は入力2に設定される。リレーRYは、ピラニゲージPGA,PGBから真空計VMへ入力される、圧力値を示す検出信号の入力状態入力1または入力2を自動的に切換えるための装置である。リレーRYは装置コントローラCTLと電気的に接続されている。リレーRYと真空計VMとは、接点Aまたは接点Bのいずれかにより電気的に接続される。処理室が成膜状態の時にはリレーRYと真空計VMとは接点Aにより接続され、処理室が洗浄状態の時にはリレーRYと真空計VMとは接点Bにより接続される。リレーRYとの真空計VMとの間は、装置コントローラCTLからリレーRYに送信される電気信号により、接点Aまたは接点Bにて接続されるように切換えられる。具体的には、装置コントローラCTLから電気信号を供給するラインには、装置コントローラCTLからソレノイドバルブSVA,SVBに伝達するラインと、装置コントローラCTLからリレーRYに伝達するラインとを含む。このため、たとえば処理室内の状態に応じてソレノイドバルブSVAまたはソレノイドバルブSVBのいずれかに送信する電気信号は、その一部が分岐してリレーRYの方へ伝達される。言い換えれば、装置コントローラCTLから排気装置VDの方へ向かうようにソレノイドバルブSVA,SVBに送信する信号たとえば電気信号の一部を利用してリレーRYから真空計VMの方へ電気信号を送信する。これにより、装置コントローラCTLから真空計VMへ、入力1または入力2、および接点Aまたは接点Bのいずれを選択すべきであるかについての情報が送信される。以上の成膜装置において、装置コントローラCTLは、装置に対して成膜状態と洗浄状態との間の切換えを行なうための信号を送信する。この信号を受けることにより、各構成要素は成膜状態または洗浄状態に切換えられる。次に図2を参照して、本実施の形態の成膜装置における、処理室の成膜状態と洗浄状態とを切換える動作について説明する。まずコントローラから信号が送信されるS10。具体的には、処理室を成膜状態から洗浄状態へ、または洗浄状態から成膜状態へ切換える際には、装置コントローラCTLから排気装置VDに向けてソレノイドバルブSVA,SVBの方に送信される電気信号の伝達状態が切換えられる。具体的には、たとえば処理室を成膜状態から洗浄状態に切換える場合には、排気装置VDのClF3排気部を使用するためにバルブB1を開く必要がある。このため装置コントローラCTLから、ソレノイドバルブSVBを閉じ、ソレノイドバルブSVAを開くための電気信号が送られる。具体的には、装置コントローラCTLからソレノイドバルブSVAに向かうように流れていた電気信号が、装置コントローラCTLからソレノイドバルブSVBに流れる状態となるように切換えられる。同様に、処理室を洗浄状態から成膜状態に切換える場合には、排気装置VDのSiH4排気部を使用するためにバルブA1を開く必要がある。このため装置コントローラCTLから、ソレノイドバルブSVAを閉じ、ソレノイドバルブSVBを開くための電気信号が送られる。具体的には、装置コントローラCTLからソレノイドバルブSVBに向かうように流れていた電気信号が、装置コントローラCTLからソレノイドバルブSVAに流れる状態となるように切換えられる。なお、たとえば成膜状態から洗浄状態への切換えは、成膜処理を行なった積算時間が36時間を経過した時点でなされるなど、装置コントローラCTLの内部で当該切換えを行なう判断基準が設定されることが好ましい。すると閉じようとするソレノイドバルブSVB,SVAが上記電気信号を受信するS21と同時に、装置コントローラCTLからソレノイドバルブへのラインから分岐したラインにより、リレーRYが装置コントローラCTLからの電気信号を受信するS22。成膜状態から洗浄状態に切換える場合は、ソレノイドバルブSVBが上記電気信号を受信することに伴い、装置コントローラCTLからソレノイドバルブSVAには電気信号が送信されなくなる。同様に、洗浄状態から成膜状態に切換える場合は、ソレノイドバルブSVAが上記電気信号を受信することに伴い、装置コントローラCTLからソレノイドバルブSVBには電気信号が送信されなくなる。このようにして、それまで装置コントローラCTLからソレノイドバルブSVASVBに電気信号が送信されていた状態から、装置コントローラCTLからソレノイドバルブSVBSVAに電気信号が送信される状態へと切換えられるS31。またリレーRYが装置コントローラCTLから受ける信号により、真空計VMの入力状態が切換えられるS32。具体的には、成膜状態から洗浄状態に切換わる場合には、真空計VMが成膜用ピラニゲージPGAから圧力値の信号を受ける入力状態入力1から、真空計VMが洗浄用ピラニゲージPGBから圧力値の信号を受ける入力状態入力2に切換えられる。同様に、洗浄状態から成膜状態に切換わる場合には、真空計VMが洗浄用ピラニゲージPGBから圧力値の信号を受ける入力状態入力2から、真空計VMが成膜用ピラニゲージPGAから圧力値の信号を受ける入力状態入力1に切換えられる。成膜状態から洗浄状態に切換わる場合には、それまでソレノイドバルブSVAに入力される電気信号により、ソレノイドバルブSVAの近傍に備えられた供給源からバルブA1に向けて、ラインL1を媒体たとえばエアが流れてバルブA1が開いていた状態から、ソレノイドバルブSVBに入力される電気信号により、ソレノイドバルブSVBの近傍からバルブB1に、ラインL2を当該媒体が流れてバルブB1が開く状態に切換わる。同様に、洗浄状態から成膜状態に切換わる場合には、それまでソレノイドバルブSVBに入力される電気信号により、ソレノイドバルブSVBの近傍に備えられた供給源からバルブB1に向けて、ラインL2を媒体たとえばエアが流れてバルブB1が開いていた状態から、ソレノイドバルブSVAに入力される電気信号により、ソレノイドバルブSVAの近傍からバルブA1に、ラインL1を当該媒体が流れてバルブA1が開く状態に切換わる。このようにして排気装置VDにおけるバルブA1,B1の開閉状態が切換えられるS41。これと同時に、成膜状態から洗浄状態に切換わる際には、バルブB1に向けてラインL2を流れる当該媒体の一部が、ラインL2から分岐したラインL6を通ってバルブB2に到達し、バルブB2を開くように作用する。このとき、それまでソレノイドバルブSVAからバルブA1に流れる媒体の一部がバルブA2に流れるように作用していた状態が解消され、バルブA2が閉じられる。以上により、作動するピラニゲージが成膜用ピラニゲージPGAから洗浄用ピラニゲージPGBに切換えられるS42。同様に、洗浄状態から成膜状態に切換わる際には、バルブA1に向けてラインL1を流れる当該媒体の一部が、ラインL1から分岐した図示されないラインを通ってバルブA2に到達し、バルブA2を開くように作用する。このとき、それまでソレノイドバルブSVBからバルブB1に流れる媒体の一部がバルブB2に流れるように作用していた状態が解消され、バルブB2が閉じられる。以上により、作動するピラニゲージが洗浄用ピラニゲージPGBから成膜用ピラニゲージPGAに切換えられるS42。以上のように、排気装置VDのバルブA1,B1を切換えるために用いられる媒体の一部を利用することにより、ピラニゲージPGAPGBからピラニゲージPGBPGAへと切換えるバルブA2,B2が切換えられる。この切換えは装置コントローラCTLから出力される、図2のフローチャートに基づく制御信号に従い、装置コントローラCTLからソレノイドバルブSVASVBに送信される電気信号、および当該電気信号に伴いソレノイドバルブSVASVBの近傍の供給源から供給される媒体を利用して、自動的に行なわれる。この切換えにより、ピラニゲージPGA,PGBは常にいずれか一方のみが処理室内の圧力を検知し、上記の他方は作動しない状態とすることができる。次に図3を参照して、上記のバルブ切換えがなされた後の、成膜洗浄状態の最中における成膜装置の動作について説明する。成膜状態の最中においては成膜用ピラニゲージPGAが、洗浄状態の最中においては洗浄用ピラニゲージPGBが、処理室内の圧力を検知し、真空計VMへ圧力値の信号を送信するS100。すると真空計VMは、ピラニゲージPGA,PGBから受信した真空度の情報を装置コントローラCTLへ送信するS200。装置コントローラCTLは、真空計VMから受けた真空度の情報をもとに、バタフライバルブBVの開度を制御する信号を出力するS300。すなわち真空計VMから受けた処理室内の圧力の情報をもとに、バタフライバルブBVの開き具合を調整して処理室からの排気量を調整することにより、当該処理室内の圧力が時間変化なくほぼ一定値を保つように制御する。一般的に処理室内の圧力は、成膜状態の最中においては約73Pa0.55Torrに、洗浄状態の最中においては約120Pa0.9Torrに制御されることが好ましい。次に、本実施の形態の作用効果について説明する。本実施の形態においては、処理室内の圧力を検知するピラニゲージが、成膜用ピラニゲージPGAと洗浄用ピラニゲージPGBとに分別されている。そして洗浄状態においては洗浄用ピラニゲージPGBが作動し、成膜用ピラニゲージPGAは作動しない。洗浄状態においては処理室と成膜用ピラニゲージPGAとの間に接続されたバルブA2が閉じており、成膜用ピラニゲージPGAには処理室内のガスが進入しない。このため成膜用ピラニゲージPGAが、洗浄状態において処理室内に導入されるClF3などのエッチングガスによるダメージを受けて劣化するなどの不具合の発生を抑制することができる。なお洗浄用ピラニゲージPGBは使用時に当該エッチングガスの曝露を受けて劣化する可能性がある。しかし洗浄用ピラニゲージPGBは洗浄時に用いられるピラニゲージであるため、成膜用ピラニゲージPGAほどの精度を要求されない。したがって繰り返しの使用により検知精度が低下し、検知される圧力値に誤差が発生しても、実使用上の影響は小さい。また本実施の形態においては、成膜状態と洗浄状態との間の切換えが、装置コントローラCTLから電気信号が送られるソレノイドバルブをSVAからSVBに、またはSVBからSVAに切換えることによりなされる。この装置コントローラCTLからソレノイドバルブに向けて送られる電気信号により、ソレノイドバルブの近傍から排気装置に向けて送られる信号エアなどの媒体の信号が自動的に切換えられ、排気装置が切換えられる。排気装置を切換える当該媒体の信号を利用して排気装置の切換えに連動して、ピラニゲージが自動的に切換えられる。すなわち、新たに電気信号および媒体の信号の供給源を設けることなく既存の電気信号および媒体の信号を利用して自動的にピラニゲージを切換えることができる。このため、たとえばピラニゲージを切換えるための信号供給源を別途設ける場合と比較して高効率にピラニゲージを切換えることができる。さらに本実施の形態においては、装置コントローラCTLからソレノイドバルブに向けて送られる電気信号の一部をリレーRYに送ることにより、リレーRY接点Aおよび接点Bおよび、ピラニゲージから真空計への入力状態入力1および入力2の切換えが自動的になされる。このため、リレーRYおよび真空計の状態の切換えについても、新たな信号供給源を設けることなく既存の信号を利用して自動的に行なうことができる。このため、状態を切換えるための信号供給源を別途設ける場合と比較して高効率に状態を切換えることができる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"