高級ハロゲン化シランの製造法であって、nが2以上でありかつXがF、Cl、Brおよび/またはIである一般式SinX2n2の少なくとも1つのハロゲン化シランが使用され、および不均化によって、mがnより大きくかつXがF、Cl、Brおよび/またはIである一般式SimX2m2の少なくとも1つの高級ハロゲン化シランおよびaが1~2でありかつXがF、Cl、Brおよび/またはIである一般式SiaX2a2の少なくとも1つの低級ハロゲン化シランを含有する生成物混合物に変換される前記方法において、前記変換が少なくとも1つの第三級ホスファンによって触媒されることを特徴とする、上記方法。第三級ホスファンは、第三級アルキルホスファン、第三級アリールホスファン、二座の第三級ホスファンまたはその混合物を含む群から選択されている、請求項1記載の方法。第三級ホスファンは、トリメチルホスファン、トリエチルホスファン、トリフェニルホスファンまたはその混合物を含む群から選択されている、請求項2記載の方法。一般式SinX2n2のハロゲン化シランは、直鎖状シランである、請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法。一般式SinX2n2のハロゲン化シランは、それぞれXがF、Cl、Brおよび/またはIである、Si2X6、Si3X8、Si4X10またはこれらの化合物の1つ以上からなる混合物から選択されている、請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。一般式SimX2m2の少なくとも1つの高級ハロゲン化シランは、一般式SimX2m2のヒドリドシランの形成下に水素化される、請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法。水素化前に少なくとも1つの低級ハロゲン化シランを、生成物混合物から、有利に-30°C~100°Cの温度および0.01~1013ミリバールの圧力で留去または抽出によって除去する、請求項6記載の方法。水素化は、第1主族~第3主族の金属の金属水素化物の群またはLiAlH4、NaBH4、iBu2AlHからなる水素化化合物の群から選択された少なくとも1つの水素化剤の添加によって行なわれる、請求項6または7記載の方法。水素化剤は、使用されるハロゲン化シランに対して、2~30倍、有利に10~15倍のモル過剰量で存在する、請求項8記載の方法。請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法により製造された、少なくとも1つの高級ハロゲン化シランを含有する混合物。請求項6から9までのいずれか1項に記載の方法により製造された、少なくとも1つの高級ヒドリドシランを含有する混合物。電子素子層もしくは光電子素子層を製造するための、またはケイ素含有層、特に元素状ケイ素層を製造するための少なくとも1つの高級ヒドリドシランを含有する混合物の使用であって、この混合物は、請求項6から9までのいずれか1項に記載の方法により製造されたものである、上記使用。高級ハロゲン化シランを製造する際の、有利に、第三級アルキルホスファン、第三級アリールホスファン、二座の第三級ホスファンまたはその混合物を含む群から選択された第三級ホスファンの使用。