"下記一般式1又は2で表されることを特徴とする高分子化合物。一般式1及び2中、Rはそれぞれ独立して水素又はアルキル基であり、X11~X16及びX21~X26は、同一又は異なって、炭素若しくは窒素原子を示し、炭素の場合は置換基として水素、ハロゲン原子、又はアルキル基のいずれかを有する。Zは一般式3で表される構造である。一般式3中X31~X34は、同一又は異なって、炭素若しくは窒素原子を示し、炭素の場合は置換基として水素、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はアルキルカルボニル基のいずれかを有し、Yは2価の複素環基を示し、nは0又は正の整数を表す。下記一般式4又は5のいずれかで表されることを特徴とする請求項1に記載の高分子化合物。請求項1又は2に記載の高分子化合物を含有することを特徴とする高分子有機半導体材料。請求項3に記載の高分子有機半導体材料を含有することを特徴とする有機半導体デバイス。非特許文献1に開示の高分子化合物は、フルオレンを連結基としてキナクリドンを重合して得られた化合物である。フルオレンは両末端にベンゼン環6員環を有していることから、ベンゼン環に結合している水素等の張り出しによって立体障害が生じる。この立体障害により分子間相互作用が弱まるので、電荷移動度を向上させることが困難である。本発明は上記事項に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、良好な電荷移動度を示す高分子化合物、高分子有機半導体材料及び有機半導体デバイスを提供することにある。本発明の第一の観点に係る高分子化合物は、下記一般式1又は2で表されることを特徴とする。一般式1及び2中、Rはそれぞれ独立して水素、又はアルキル基であり、X11~X16及びX21~X26は、同一又は異なって、炭素若しくは窒素原子を示し、炭素の場合は置換基として水素、ハロゲン原子、又はアルキル基のいずれかを有する。Zは一般式3で表される構造である。一般式3中X31~X34は、同一又は異なって、炭素若しくは窒素原子を示し、炭素の場合は置換基として水素、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はアルキルカルボニル基のいずれかを有し、Yは2価の複素環基を示し、nは0又は正の整数を表す。また、下記一般式4又は5で表されることが好ましい。本発明の第二の観点に係る高分子有機半導体材料は、上記の高分子化合物を含有することを特徴とする。本発明の第三の観点に係る有機半導体デバイスは、上記の有機半導体材料を含有することを特徴とする。本発明に係る高分子化合物は、チオフェン環等の5員環を有する環式化合物を連結基としてキナクリドン類を重合して得られる化合物である。5員環はベンゼン環に比べて立体障害が緩和されるので、良好な分子配列を形成する。このため分子間相互作用が高く、高分子主鎖間にてホッピングによる電子の移動が生じやすい。この高分子化合物を有機半導体材料として用いることで良好な電荷移動度を呈する有機半導体デバイスが得られる。高分子化合物本実施の形態に係る高分子化合物は、一般式1又は2で表される。一般式1及び2中、Rはそれぞれ独立して水素又はアルキル基のいずれかであり、X11~X16及びX21~X26は、同一又は異なって、炭素若しくは窒素原子を示し、炭素の場合は置換基として水素、ハロゲン原子、又はアルキル基のいずれかを有する。Rがアルキル基の場合、直鎖状又は分岐状いずれのアルキル基でもよく、炭素数は6~30であることが好ましく、8~24であることがより好ましい。X11~X16及びX21~X26が炭素であり、炭素上の置換基がハロゲン原子の場合、塩素原子又はフッ素原子が好ましく、フッ素原子であることがより好ましい。X11~X16及びX21~X26が炭素であり、炭素上の置換基がアルキル基の場合、直鎖状又は分岐状いずれのアルキル基でもよく、炭素数は6~30であることが好ましく、8~24であることがより好ましい。一般式1及び2中、Zは一般式3で表される構造である。一般式3中、X31~X34は、同一又は異なって、炭素若しくは窒素原子を示し、炭素の場合は置換基として水素、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はアルキルカルボニル基のいずれかを有し、Yは2価の複素環基を示し、nは0又は正の整数を表す。X31~X34が炭素であり、炭素上の置換基がハロゲン原子の場合、塩素原子又はフッ素原子が好ましく、フッ素原子であることがより好ましい。X31~X34が炭素であり、炭素上の置換基がアルキル基の場合、直鎖状又は分岐状いずれのアルキル基でもよく、炭素数は6~30であることが好ましく、8~24であることがより好ましい。X31~X34が炭素であり、炭素上の置換基がアルコキシ基の場合、アルキル基の部分は、直鎖状又は分岐状いずれの形状でもよく、炭素数は6~30であることが好ましく、8~24であることがより好ましい。X31~X34が炭素であり、炭素上の置換基がアルコキシカルボニル基の場合、アルキル基の部分は、直鎖状又は分岐状いずれの形状でもよく、炭素数は6~30であることが好ましく、8~24であることがより好ましい。X31~X34が炭素であり、炭素上の置換基がアルキルカルボニル基の場合、アルキル基の部分は、直鎖状又は分岐状いずれの形状でもよく、炭素数は6~30であることが好ましく、8~24であることがより好ましい。式3中、Yは特に限定しないが、例えば下記式6~16で表される構造が好ましい。式6~16中、Rは水素またはアルキル基であり、アルキル基は直鎖状又は分岐状のいずれの形状でもよく、炭素数は6~30であることが好ましく、8~24であることがより好ましい。式3中、nは0又は1であることが好ましい。なかでも高分子化合物は、一般式4又は5のいずれかで表されることが好ましい。一般式4及び5中、Rはアルキル基であり、直鎖状又は分岐状のいずれの形状でもよく、炭素数は6~30であることが好ましく、8~24であることがより好ましい。一般式4及び5中、Zは一般式1及び2のZと同義である。本実施の形態に係る高分子化合物は、キナクリドン類にチオフェン等の五員環を有する環式化合物が結合し、重合した高分子化合物である。キナクリドン類は主に赤色系の顔料として用いられている化合物であり、分子内で分極するため、分子間相互作用が強い。このため、有機半導体の骨格として有用である。そして、高分子化合物はキナクリドン類の間に五員環を有する環式化合物が結合している形態であるので、キナクリドン類の間にベンゼン環を有する乾式化合物が結合している場合に比べて、立体障害が緩和される。これにより、高配向な分子配列を形成し、高分子主鎖間のホッピングによる電子移動が生じやすく、良好な電荷移動度を示す有機半導体材料として有用である。更に、一般式1、2、4及び5中の一般式3で表されるZ中のYがチアゾロチアゾール、ベンゾビスチアゾール、ベンゾオキサジアゾール、ベンゾチアジアゾール、チアジアゾロピリジン、チアジアゾロピリダジン、チエノピロールジオン、フタルイミド、ジケトピロロピロール、ナフタレンジカルボキシイミドである場合では、これらはアクセプター性であり、一方、キナクリドン類はドナー性であるから、ドナー-アクセプター型の高分子化合物となる。ドナー-アクセプター型では、高分子主鎖内の分極が大きくなるため、より分子間相互作用が大きくなり、より良好な電荷移動度を呈する。本実施の形態に係る高分子化合物は、最高被占軌道HOMOのエネルギーレベルが、-5.0eV以下である、すなわちイオン化ポテンシャルが5.0eV以上であると、大気中での酸化による劣化を防ぐことができ、安定性が高くなる。HOMOエネルギーレベルは、高分子化合物の溶液又は薄膜を用いたサイクリックボルタンメトリー測定EfficienttwolayerledsonapolymerblendbasisJornPommerehneHorstVestweberWernerGussRainerFMahrtHeinzBasslerMichaelPorschJorgDaubAdvancedMaterials19957551554や、薄膜を用いた光電子分光測定例えば理研計器株式会社製大気中光電子分光装置AC-2により求めることができる。高分子有機半導体材料は、上述した一般式1、2、3又は4で表される高分子化合物を少なくとも1種以上含むものである。高分子有機半導体材料は、一般式1、2、3又は4で表される化合物一種のみ、或いはこれらの化合物を組み合わせた混合物から構成されていてもよいし、一般式1、2、3又は4で表される化合物の特性を阻害しない限り、他の物質を含んでいてもよい。また、既知の手法により不純物をドープして電界移動度を調整したものであってもよい。そして、有機半導体デバイスは、上記高分子有機半導体材料が用いられて形成されたデバイスである。この有機半導体デバイスとして、例えば、有機半導体層を有する薄膜トランジスタや、有機キャリア輸送層及び/又は発光層を有する発光デバイス、上記有機半導体とn型有機半導体との混合薄膜を有機半導体層とする光電変換素子等が挙げられる。光電変換素子の有機半導体層として、本発明に係る高分子化合物と混合されるn型有機半導体としては、フラーレン誘導体が挙げられる。ここで、フラーレンとしてはC60フラーレン、C70フラーレン、C84フラーレンが挙げられ、フラーレン誘導体とは、これらのフラーレンの少なくとも一部が修飾された化合物のことを示し、[6,6]-Phenyl-C61-ButyricAcidMethylEster[60]PCBMや[6,6]Diphenyl-C62-bisbutyricacidmethylesterBis[60]PCBM、Phenyl-C71-Butyric-Acid-MethylEster[70]PCBM、Phenyl-C85-Butyric-Acid-MethylEster[84]PCBM、[6,6]-Phenyl-C61-ButyricAcidButylEster[60]PCBB、[6,6]-Phenyl-C61-ButyricAcidOctylEster[60]PCBO、Thienyl-C61-Butyric-Acid-MethylEster[60]ThCBOなどが挙げられる。これらのn型半導体との混合薄膜を用いることで、より高効率な光電変換素子が得られる。上述した本実施形態に係る有機半導体材料を使用する以外は、既知の材料及び構造を採用することができ、特に制限されない。有機半導体デバイスの製造方法としては、特に限定されるものではなく、従来公知の種々の製造方法を用いることができる。その中で、上記高分子有機半導体材料を支持体に配置する方法として、溶液法を用いることができる。溶液法とは、上記高分子有機半導体材料を種々の有機溶媒に溶解させ、塗布法、スピンコート法、インクジェット法等により支持体に有機薄膜を形成し、半導体デバイスを作成する方法である。上記高分子有機半導体材料は上述のように有機溶媒に対し良好な溶解性を示すので溶接法を好適に適応する。このように、溶液法にて半導体層を形成できることから、シリコンや低分子の有機半導体材料を用いる場合における蒸着プロセスを必要とせず、低コストで有機半導体デバイスを製造することができる。また、高分子有機半導体材料を用いることから、シリコンを用いた半導体デバイスに比べ、フレキシビリティに優れ、軽量である。これにより、軽量ディスプレイやスマートタグ等への応用にも有効である。高分子化合物を合成し、得られた高分子化合物を用いてFETFieldEffectTransistor素子を作成し、トランジスタ特性を検証した。以下、順を追って高分子化合物の具体的な製造方法、並びにFET素子の製造方法を例示するが、これらに限定されるものではない。化合物1の合成窒素雰囲気下、キナクリドン3.12g,10mmolと2-デシル-1-ブロモテトラデカン33.3g,80mmol、炭酸カリウム27.64g,200mmolをNMP150mLと混合し、180°Cで12時間撹拌した。室温まで冷却し、クロロホルムを100mL加えて30分撹拌し、沈殿物をろ別した。ろ液を2N塩酸150mLで洗浄した。塩酸による洗浄は計3回行った。さらに、水100mLで洗浄した。水による洗浄は計3回行った。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、濾過後、溶媒を減圧下で留去した。得られた固体を、クロロホルムを展開溶媒としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した後、エタノールで再結晶することで化合物13.64gを橙色結晶として得た。上記の反応式を以下に示す。化合物2の合成化合物13.95g,4.02mmolと酢酸ナトリウム0.86g,10.45mmolを酢酸100mLと混合し、臭素0.6mL,11.7mmolをゆっくりと滴下した。反応液を還流下で3時間撹拌した。室温まで冷却し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液200mLを加えた後、有機層をクロロホルム50mLで抽出した。クロロホルムによる抽出は計3回行った。さらに抽出した有機層を水50mLで洗浄した。水による洗浄は計3回行った。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、濾過後、溶媒を減圧下で留去した。得られた固体を、クロロホルムを展開溶媒としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した後、アセトンで再結晶することで化合物24.02gを橙色結晶として得た。上記の反応式を以下に示す。高分子化合物P1の合成窒素雰囲気下、クロロベンゼン20mlを三口フラスコに加え30分間脱気した。Pd2dba3CHCl34.1mg,0.004mmol,2mol、Po-tolyl34.9mg,0.016mmol,8mol、化合物2228mg,0.2mmol、5,5’-ビストリメチルスズ-2,2’-ビチオフェン98mg,0.2mmolを加え、3日間還流、撹拌した。反応溶液をメタノール200mLと塩酸5mLの混合溶液に注ぎ、3時間撹拌した。析出した沈殿物を濾取し、メタノール、ヘキサンで加熱洗浄した後、クロロホルムで抽出した。クロロホルム溶液を濃縮し、この溶液をメタノールに流し込み、析出した沈殿物を濾取して高分子化合物P1185mgを赤褐色の固体として得た。高分子化合物P1のポリスチレン換算の数平均分子量は1.2×104、重量平均分子量は3.5×104であった。上記の反応式を以下に示す。高分子化合物P2の合成窒素雰囲気下、クロロベンゼン20mLを三口フラスコに加え30分間脱気した。Pd2dba3CHCl32.1mg,0.002mmol,2mol、Po-tolyl32.4mg,0.008mmol,8mol、化合物2114mg,0.1mmol、5,5-ビストリメチルスズ-2,2’:5’,2-ターチオフェン57.4mg,0.1mmolを加え、3日間還流、撹拌した。反応溶液をメタノール200mLと塩酸5mLの混合溶液に注ぎ、3時間撹拌した。析出した沈殿物を濾取し、メタノール、ヘキサンで加熱洗浄した後、クロロホルムで抽出した。クロロホルム溶液を濃縮し、この溶液をメタノールに流し込み、析出した沈殿物を濾取して高分子化合物P288mgを赤褐色の固体として得た。高分子化合物P2のポリスチレン換算の数平均分子量は1.2×104、重量平均分子量は2.7×104であった。上記の反応式を以下に示す。高分子化合物P1のトランジスタ特性評価高分子化合物P1のトランジスタ特性を図1に示すFET素子を作製して測定した。ゲート電極となる、200nmのシリコン酸化膜を有する高濃度にドーピングされたn型シリコン基板を十分洗浄した後、パーフルオロデシルトリエトキシシランFDTSを用いて、基板のシリコン酸化膜表面をシラン処理した。高分子化合物P1をオルトジクロロベンゼンに溶解して3g/Lの溶液を作製し、メンブランフィルターでろ過した後、上記表面処理した基板上にスピンコート法により約50nmの高分子化合物P1薄膜を作製した。この薄膜を窒素雰囲気下にて、150°Cで30分加熱した。次に、金を真空蒸着することで、高分子薄膜上にチャネル長50μm、チャネル幅1.5mmのソース電極、ドレイン電極を作製した。作製した素子に、ゲート電圧Vgを20~-60V、ソースドレイン間電圧Vdを0~-60Vに変化させてトランジスタ特性を測定したところ、図2に示す伝達特性可逆的特性、および図3に示す出力特性を得た。伝達特性でVg=-50V、Vd=-60Vにおいてドレイン電流Id-0.10mAが得られた。また、この特性から電界効果移動度は0.27cm2/Vsと算出された。高分子化合物P2のトランジスタ特性評価高分子化合物P2のトランジスタ特性を図1に示すFET素子を作製して測定した。ゲート電極となる、200nmのシリコン酸化膜を有する高濃度にドーピングされたn型シリコン基板を十分洗浄した後、パーフルオロデシルトリエトキシシランFDTSを用いて、基板のシリコン酸化膜表面をシラン処理した。高分子化合物P2をオルトジクロロベンゼンに溶解して3g/Lの溶液を作製し、メンブランフィルターでろ過した後、上記表面処理した基板上にスピンコート法により約50nmの高分子化合物P2薄膜を作製した。この薄膜を窒素雰囲気下にて、150°Cで30分加熱した。次に金を真空蒸着することで、高分子薄膜上にチャネル長50μm、チャネル幅1.5mmのソース電極、ドレイン電極を作製した。作製した素子に、ゲート電圧Vgを20~-60V、ソースドレイン間電圧Vdを0~-60Vに変化させてトランジスタ特性を測定したところ、図4に示す伝達特性可逆的特性、および図5に示す出力特性を得た。伝達特性でVg=-50V、Vd=-60Vにおいてドレイン電流Id-0.154mAが得られた。また、この特性から電界効果移動度は0.25cm2/Vsと算出された。"