"撥液レジスト組成物であって、a1炭素数4~8のフルオロアルキル基[炭素原子間にエーテル性酸素原子を有していてもよい]を有するα位置換アクリレート[α位の置換基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、CFX1X2基但し、X1およびX2は、水素原子、フッ素原子または塩素原子、シアノ基、炭素数1~20の直鎖状もしくは分岐状のフルオロアルキル基、置換もしくは非置換のベンジル基、置換もしくは非置換のフェニル基、または炭素数1~20の直鎖状もしくは分岐状アルキル基である]100重量部、a2不飽和有機酸[酸性基は酸エステル形成基で保護されていてもよい]30~60重量部、a3エポキシ基含有モノマー10~25重量部、およびa4R1OnR2[R1は-2-または-3-、R2は水素またはメチル基、nは1~10である]で示されるアルキレンオキシ基を含有するモノマー40~80重量部を繰り返し単位とするフッ素系ポリマーAを含有し、フッ素系ポリマーAのフッ素濃度が15~40重量および重量平均分子量が3,000~20,000であるポジ型撥液レジスト組成物。フッ素系ポリマーAの酸価酸性基が酸エステル形成基で保護されている場合は、加水分解によって脱保護された後の酸価が10~200mgKOH/gである請求項1に記載のポジ型撥液レジスト組成物。フルオロアルキル基a1が、炭素数4~6のパーフルオロアルキル基である請求項1および2のいずれか1つに記載のポジ型撥液レジスト組成物。フルオロアルキル基a1が、炭素数6~8のパーフルオロポリエーテル基である請求項1および2のいずれか1つに記載のポジ型撥液レジスト組成物。フッ素系ポリマーAに加えて、アルカリ可溶性樹脂B、ナフトキノンジアジド基含有化合物C、増感剤Dおよび溶媒Eを含有してなる請求項1~4のいずれか1つに記載のポジ型撥液レジスト組成物。フッ素系ポリマーAに加えて、一分子中に二個以上のビニルエーテル基を含有する化合物Q、一分子中に二個以上のブロックイソシアネート基を含有する化合物R、光酸発生剤Sおよび溶剤Eを含有してなる請求項1~4のいずれか1つに記載のポジ型撥液レジスト組成物。請求項1~4のいずれか1つに記載のフッ素系ポリマーAを10~30重量の濃度でグリコール系溶剤に溶解してある撥液剤。請求項1~6のいずれか1つに記載のポジ型撥液レジスト組成物を用いて、フォトリソグラフィー法により、親液性透明基板上に撥液化された隔壁をパターン状に形成する工程を含む薄膜トランジスタ基板の製造方法。撥液化されたパターン状の隔壁を有する親液性透明基板上に、ナノメタルインク、酸化物半導体インクおよび有機半導体インクのいずれかを塗布する工程ならびに溶媒を除去する工程を含む請求項8に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。請求項8または9に記載の製造方法で製造された薄膜トランジスタ基板。請求項1~6のいずれか1つに記載のポジ型撥液レジスト組成物を用いて、フォトリソグラフィー法により、親液性透明基板上に撥液化された隔壁をパターン状に形成する工程を含む有機EL画素の製造方法。撥液化されたパターン状の隔壁を有する親液性透明基板上に、有機EL発光材料を塗布する工程および溶媒を除去する工程を含む請求項11に記載の有機EL画素の製造方法。請求項11または12に記載の製造方法で製造された有機EL画素を含有する有機ELデバイス。そこで、現像後のレジスト膜上面が撥液性となるフッ素系ポリマー含有のポジ型レジスト組成物が望まれている。本発明の目的は、特定構造を有するフルオロアクリレート共重合体を含有する、撥液性と現像性の両立が可能なポジ型撥液レジスト組成物を提供することである。本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を進めた結果、特定のフッ素系ポリマーを配合したポジ型レジスト組成物を用いることにより、前記課題が解決されることを見出し、本発明に到達した。すなわち、本発明はフッ素系ポリマーを含有し、良好な撥液性と現像性が両立可能なポジ型レジスト組成物を提供するものである。本発明は、撥液レジスト組成物であって、a1炭素数4~8のフルオロアルキル基[炭素原子間にエーテル性酸素原子を有していてもよい]を有するα位置換アクリレート[α位の置換基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、CFX1X2基但し、X1およびX2は、水素原子、フッ素原子または塩素原子、シアノ基、炭素数1~20の直鎖状もしくは分岐状のフルオロアルキル基、置換もしくは非置換のベンジル基、置換もしくは非置換のフェニル基、または炭素数1~20の直鎖状もしくは分岐状アルキル基である]100重量部、a2不飽和有機酸[酸性基は酸エステル形成基で保護されていてもよい]30~60重量部、a3エポキシ基含有モノマー10~25重量部、およびa4R1OnR2[R1は-2-または-3-、R2は水素またはメチル基、nは1~10である]で示されるアルキレンオキシ基を含有するモノマー40~80重量部を繰り返し単位とするフッ素系ポリマーAを含有し、フッ素系ポリマーAのフッ素濃度が15~40重量および重量平均分子量が3,000~20,000であるポジ型撥液レジスト組成物を提供する。本発明はまた、前記ポジ型撥液レジスト組成物を用いる薄膜トランジスタTFT基板の製造方法及び該製造方法で得られるTFT基板、有機EL画素の製造方法及び該製造方法で得られる有機EL画素を含有する有機ELデバイスを提供する。本発明の撥液レジスト組成物は、明瞭な濡れのコントラストを有する撥液親液パターンを基板上に形成することができる。すなわち、本発明の撥液レジスト組成物を用いて、例えば、フォトリソグラフィー法により、基板上に親液領域および撥液領域からなるパターンを形成することができて、その際に、1撥液領域に充分な撥液性を付与し、2現像後の残渣が少なく、3現像時にフッ素系ポリマーが親液領域に溶出されにくく1~3は、いわゆるパターンの切れが良いことを意味する、4フッ素系ポリマーがレジスト構成成分に対して高い相溶性を示し、5基板への塗布性が良い、等の特性を示す。以下、本発明を詳細に説明する。<フッ素系ポリマー製造に用いるモノマー>本発明の撥液レジスト組成物で使用するフッ素系ポリマーAにおいて、成分a1は炭素数4~8のフルオロアルキル基炭素原子間にエーテル性酸素原子を有していてもよいを有するα位置換アクリレートである。α位の置換基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、CFX1X2基但し、X1およびX2は、水素原子、フッ素原子または塩素原子、シアノ基、炭素数1~20の直鎖状もしくは分岐状のフルオロアルキル基、置換もしくは非置換のベンジル基、置換もしくは非置換のフェニル基、または炭素数1~20の直鎖状もしくは分岐状アルキル基である。フッ素系ポリマーAは、さらに不飽和有機酸a2、エポキシ基含有モノマーa3およびアルキレンオキシ基を含有するモノマーa4を含有する。フッ素系ポリマーAの成分a1、a2、a3、a4の組成比は、α位置換アクリレートa1100重量部に対して不飽和有機酸a230~60重量部、好ましくは35~55重量部であってよく、エポキシ基含有モノマーa310~25重量部、好ましくは10~20重量部であってよく、アルキレンオキシ基を含有するモノマーa440~80重量部、好ましくは50~70重量部、例えば、50~65重量部であってよい。α位置換アクリレートa1は、フッ素系ポリマーAに対して20~70重量、より好ましくは30~65重量、例えば40~55重量であることが好ましい。フッ素系ポリマーAにおいて、フッ素濃度が、10~40重量、好ましくは15~35重量、より好ましくは15~25重量であってよく、重量平均分子量が3,000~20,000、好ましくは5,000~15,000であってよい。α位置換アクリレートa1を減らしてa2エポキシ基含有モノマーを増量することにより、フッ素系ポリマーのi撥液レジスト組成物中での相溶性、ii他の原料との架橋性およびアルカリ可溶性を改善することができる。フッ素系ポリマーAを構成するα位置換アクリレートa1が40~55重量であり、かつ、フッ素系ポリマーAのフッ素濃度が15~25重量であると、撥液性が高く、かつ撥液レジスト組成物を構成するその他の成分との相溶性が良好である。フッ素系ポリマーAの重量平均分子量が5,000~15,000であると、撥液レジスト膜中でのフッ素系ポリマーAの表面偏析性が優れ、少ない量で十分な撥液性を付与することができる。フッ素系ポリマーAのアルキレンオキシ基含有モノマーa4として水酸基含有モノマーを使用する場合は、さらにイソシアネート基含有メタアクリレートをポリマー中の該水酸基と反応させてもよい。フッ素系ポリマーAはランダム、交互、ブロック、グラフト共重合体のいずれでもよい。α位置換アクリレートa1は、式:[式中、Xは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、CFX1X2基但し、X1およびX2は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子である。、シアノ基、炭素数1~21の直鎖状もしくは分岐状のフルオロアルキル基、置換もしくは非置換のベンジル基、置換もしくは非置換のフェニル基、または炭素数1~20の直鎖状もしくは分岐状アルキル基であり、Yは、直接結合、酸素原子を有していてもよい炭素数1~10の脂肪族基、酸素原子を有していてもよい炭素数6~10の芳香族基、環状脂肪族基もしくは芳香脂肪族基、-CH2CH2NSO2-基但し、R1は炭素数1~4のアルキル基である。、-CH2CHCH2-基但し、Y1は水素原子またはアセチル基である。、または、-CH2nSO2-基nは1~10である。Rfは炭素数4~8の直鎖状または分岐状のフルオロアルキル基炭素原子間にエーテル性酸素原子を有していてもよいである]であることが好ましい。Rfが炭素原子間にエーテル性酸素原子を含まないパーフルオロアルキル基の場合、特に炭素数4~6のパーフルオロアルキル基であることが好ましい。Rfが炭素原子間にエーテル性酸素原子を含むパーフルオロポリエーテル基の場合、特に炭素数6~8であることが好ましい。α位置換アクリレートa1の例は、次のとおりである。RfSO23OCOCHCH2CH2CCO2NSO2RfCH2CCO2NSO2RfCH2CCOCH2CHCH2RfCH2CCOCH2CHCH2RfCH2CCO2SRfCH2CCO2S2RfCH2CCO3SO2RfCH2CCO2SO22RfCH2CCNH2RfCH2CCO2SRfCH2CCO2S2RfCH2CCO2SO2RfCH2CCO2SO22RfCH2CCNH2RfCH2CCO2SRfCH2CCO2S2RfCH2CCO2SO2RfCH2CCO2SO22RfCH2CCNH2RfCH2CCO3SRfCH2CCO3SO2RfCH2CCO2Rf[式中、Rfは炭素数4~8の直鎖状または分岐状のフルオロアルキル基炭素原子間にエーテル性酸素原子を有していてもよいである]不飽和有機酸a2は、少なくとも1つの炭素-炭素二重結合、および少なくとも1つの酸基[例えば、カルボキシル基COOH基]を有するモノマーであり、フッ素系ポリマーAの酸価が10~200mgKOH/gとなるように共重合する。ここで、酸性基が酸エステル形成基で保護されている場合は、例えば、光酸発生剤からの酸による加水分解を受けて脱保護された後のフッ素系ポリマーAの酸価が10~200mgKOH/gとなるように共重合するのが好ましい。従って、脱保護する前のフッ素系ポリマーAの酸価は10未満であってもよい。酸価は、JIS007021で定義されるものであり、試料1g中に含有されている遊離脂肪酸、樹脂酸などを中和するのに要する水酸化カリウムのmg数をいう。不飽和有機酸の特に好ましい例は、不飽和カルボン酸、例えば、遊離の不飽和カルボン酸および不飽和カルボン酸無水物である。不飽和有機酸a4の例は、アクリル酸、ビニル酢酸、クロトン酸、イタコン酸、無水イタコン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸およびケイ皮酸等である。不飽和有機酸a2は、電磁波照射領域におけるアルカリ現像液との溶解性をフッ素系ポリマーAに付与する。ここで、酸性基の保護剤である酸エステル形成基とは、光酸発生剤から発生する酸によって加水分解を受けて脱保護される基であり、従来からレジスト材料、特に化学増幅レジスト材料において使用される公知のいずれの酸エステル形成基であってもよい。例えば、下記一般式L1~L4で示される基、炭素数4~20、好ましくは4~15の三級アルキル基例えば、t-ブチル基、t-アミル基等、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、および炭素数4~20のオキソアルキル基等を挙げることができる。ここで、破線は結合手を示す。式L1において、RL01、RL02は水素原子又は炭素数1~18、好ましくは1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的には水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、n-オクチル基、アダマンチル基等が例示できる。RL03は炭素数1~18、好ましくは炭素数1~10の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい一価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたものを挙げることができ、具体的には、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基としては上記RL01、RL02と同様のものが例示でき、置換アルキル基としては下記の基等が例示できる。ここで、RL01とRL02、RL01とRL03、RL02とRL03とは互いに結合してこれらが結合する炭素原子や酸素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合にはRL01、RL02、RL03はそれぞれ炭素数1~18、好ましくは炭素数1~10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。式L2において、RL04は炭素数4~20、好ましくは炭素数4~15の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基又は上記一般式L1で示される基を示し、三級アルキル基としては、具体的にはtert-ブチル基、tert-アミル基、1,1-ジエチルプロピル基、2-シクロペンチルプロパン-2-イル基、2-シクロヘキシルプロパン-2-イル基、2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルプロパン-2-イル基、2-アダマンタン-1-イルプロパン-2-イル基、2-トリシクロ[5.2.1.026]デカン-8-イルプロパン-2-イル基、2-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデカン-3-イルプロパン-2-イル基、1-エチルシクロペンチル基、1-ブチルシクロペンチル基、1-エチルシクロヘキシル基、1-ブチルシクロヘキシル基、1-エチル-2-シクロペンテニル基、1-エチル-2-シクロヘキセニル基、2-メチル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基、8-メチル-8-トリシクロ[5.2.1.026]デシル、8-エチル-8-トリシクロ[5.2.1.026]デシル、3-メチル-3-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデシル、3-エチル-3-テトラシクロ[4.4.0.125.1710]ドデシル等が例示でき、トリアルキルシリル基としては、具体的にはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジメチル-tert-ブチルシリル基等が例示でき、オキソアルキル基としては、具体的には3-オキソシクロヘキシル基、4-メチル-2-オキソオキサン-4-イル基、5-メチル-2-オキソオキソラン-5-イル基等が例示できる。yは0~6の整数である。式L3において、RL05は炭素数1~10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、置換されていてもよいアルキル基としては、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプチル基等の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換されたもの、又はこれらのメチレン基の一部が酸素原子又は硫黄原子に置換されたもの等が例示でき、置換されていてもよいアリール基としては、具体的にはフェニル基、メチルフェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ピレニル基等が例示できる。式L3において、mは0又は1、nは0、1、2、3のいずれかであり、2mn=2又は3を満足する数である。式L4において、RL06は炭素数1~10の置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6~20の置換されていてもよいアリール基を示し、具体的にはRL05と同様のもの等が例示できる。RL07~RL16はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1~15の一価の炭化水素基を示し、具体的には水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロペンチルエチル基、シクロペンチルブチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、シクロヘキシルブチル基等の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換されたもの等が例示できる。RL07~RL16はその2種が互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよく例えば、RL07とRL08、RL07とRL09、RL08とRL10、RL09とRL10、RL11とRL12、RL13とRL14等、その場合には環の形成に関与する基は炭素数1~15の二価の炭化水素基を示し、具体的には上記一価の炭化水素基で例示したものから水素原子を1個除いたもの等が例示できる。また、RL07~RL16は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい例えば、RL07とRL09、RL09とRL15、RL13とRL15等。上記式L1で示される酸エステル形成基のうち直鎖状又は分岐状のものとしては、具体的には下記の基が例示できる。上記式L1で示される酸エステル形成基のうち環状のものとしては、具体的にはテトラヒドロフラン-2-イル基、2-メチルテトラヒドロフラン-2-イル基、テトラヒドロピラン-2-イル基、2-メチルテトラヒドロピラン-2-イル基等が例示できる。上記式L2の酸エステル形成基としては、具体的にはtert-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニルメチル基、tert-アミロキシカルボニル基、tert-アミロキシカルボニルメチル基、1,1-ジエチルプロピルオキシカルボニル基、1,1-ジエチルプロピルオキシカルボニルメチル基、1-エチルシクロペンチルオキシカルボニル基、1-エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチル基、1-エチル-2-シクロペンテニルオキシカルボニル基、1-エチル-2-シクロペンテニルオキシカルボニルメチル基、1-エトキシエトキシカルボニルメチル基、2-テトラヒドロピラニルオキシカルボニルメチル基、2-テトラヒドロフラニルオキシカルボニルメチル基等が例示できる。上記式L3の酸エステル形成基としては、具体的には1-メチルシクロペンチル、1-エチルシクロペンチル、1-n-プロピルシクロペンチル、1-イソプロピルシクロペンチル、1-n-ブチルシクロペンチル、1-sec-ブチルシクロペンチル、1-シクロヘキシルシクロペンチル、1-4-メトキシブチルシクロペンチル、1-ビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルシクロペンチル、1-7-オキサビシクロ[2.2.1]ヘプタン-2-イルシクロペンチル、1-メチルシクロヘキシル、1-エチルシクロヘキシル、1-メチル-2-シクロペンテニル、1-エチル-2-シクロペンテニル、1-メチル-2-シクロヘキセニル、1-エチル-2-シクロヘキセニル等が例示できる。上記式L4の酸エステル形成基としては、下記式L4-1~L4-4で示される基が特に好ましい。前記一般式L4-1~L4-4中、破線は結合位置及び結合方向を示す。RL41はそれぞれ独立に炭素数1~10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基等の一価炭化水素基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、tert-アミル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を例示できる。前記一般式L4-1~L4-4には、エナンチオ異性体enantiomerやジアステレオ異性体diastereomerが存在しえるが、前記一般式L4-1~L4-4は、これらの立体異性体の全てを代表して表す。これらの立体異性体は単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよい。例えば、前記一般式L4-3は下記一般式L4-3-1、L4-3-2で示される基から選ばれる1種又は2種の混合物を代表して表すものとする。また、上記一般式L4-4は下記一般式L4-4-1~L4-4-4で示される基から選ばれる1種又は2種以上の混合物を代表して表すものとする。上記一般式L4-1~L4-4、L4-3-1、L4-3-2、及び式L4-4-1~L4-4-4は、それらのエナンチオ異性体及びエナンチオ異性体混合物をも代表して示すものとする。なお、式L4-1~L4-4、L4-3-1、L4-3-2、及び式L4-4-1~L4-4-4の結合方向がそれぞれビシクロ[2.2.1]ヘプタン環に対してexo側であることによって、酸触媒脱離反応における高反応性が実現される。これらビシクロ[2.2.1]ヘプタン骨格を有する三級exo-アルキル基を置換基とする単量体の製造において、下記一般式L4-1-endo~L4-4-endoで示されるendo-アルキル基で置換された単量体を含む場合があるが、良好な反応性の実現のためにはexo比率が50モル以上であることが好ましく、exo比率が80モル以上であることが更に好ましい。上記式L4の酸エステル形成基としては、具体的には下記の基が例示できる。また、炭素数4~20の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1~6のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のオキソアルキル基としては、具体的にはRL04で挙げたものと同様のもの等が例示できる。酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となるフッ素系ポリマーAにおける酸エステル形成基を含有する繰り返し単位の導入量は、全ての不飽和脂肪酸a2量を100モルとした場合、5~80モル、好ましくは10~70モル、より好ましくは15~65モルをa2から置換することが望ましい。上記範囲を外れる場合を積極的には排除しないが、この場合にはレジスト材料に必要とされる諸性能のバランスが崩れることがある。フッ素系ポリマーA調製のために共重合されるエポキシ基含有モノマーa3の例は、エポキシ基含有メタアクリレート、特に好ましくは、グリシジルメタアクリレートである。フッ素系ポリマーA調製のために共重合されるアルキレンオキシ基を含有するモノマーa4の例は、アルキレンオキシ基含有メタアクリレートである。アルキレンオキシ基の例は、式:-2-または-3-、R2は水素またはメチル基、nは1~10である]で表される基である。アルキレンオキシ基を含有するモノマーa4としては、式:CH2=CR3COOR1OnR2[R1は-2-または-3-、R2およびR3は水素またはメチル基、nは1~10である]で表される基を使用してもよい。a4は、具体的には、ヒドロキシエチルメタアクリレート、日本油脂製ブレンマーAPシリーズポリプロピレングリコールモノアクリレートであるAP400:n≒6、AP550:n≒9、AP800:n≒13、ブレンマーPEシリーズポリエチレングリコールモノメタクリレートであるPE90:n≒2、PE200:n≒45、PE350:n≒8、ブレンマーPPシリーズポリプロピレングリコールモノメタクリレートであるPP1000:n≒4~6、PP500:n≒9、PP800:n≒13、ブレンマーPMEシリーズメトキシポリエチレングリコールモノメタクリレートであるPME100:n≒2、PME200:n≒4、PME400:n≒9、PME1000:n≒23、PME4000:n≒90などが例示される。前記フッ素系ポリマーAのa4のアルキレンオキシ基末端の水酸基にイソシアネート基含有不飽和化合物が反応させてあってよい。本発明のフッ素系ポリマーAは、a3としてグリシジルメタアクリレート、a4としてヒドロキシエチルメタアクリレートを同時に用いることが特に好ましい。グリシジルメタアクリレートは撥液レジスト組成物中での相溶性、他の原料との架橋性、アルカリ可溶性を改善する効果がある。ヒドロキシエチルメタアクリレートはアルカリ可溶性、塗布性を改善する効果がある。ここで塗布性とは基板上に平滑な塗膜を形成させる機能である。フッ素系ポリマー中にエポキシ基と水酸基を同時に含有することにより、アルカリ可溶性が極めて良好となる。本発明のフッ素系ポリマーAは、必要に応じて高軟化点モノマーa5を5~20重量の範囲で共重合しても良い。これにより、撥液親液パターンの濡れのコントラストを増大させるためにドライ洗浄を施したときの撥液領域の撥液性が維持される効果撥液性のドライ洗浄耐性がある。高軟化点モノマーa5は、CH2CCOOR2[R1はHまたはCH3、R2炭素数4~20で水素原子に対する炭素原子の比率が058以上の飽和アルキル基である]であることが好ましい。R2の例は、イソボルニル、ボルニル、フェンシル、アダマンチル、ノルボルニルなどの架橋炭化水素環が挙げられる。これらの架橋炭化水素環に水酸基やアルキル基炭素数、例えば1~5が付いていても良い。高軟化点モノマーa5の例は、メチルメタクリレート、フェニルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、イソボルニルアクリレート、ノルボルニルアクリレート、およびアダマンチルアクリレートである。ノルボルニルアクリレートの例は、3メチルノルボルニルメチルアクリレート、ノルボルニルメチルアクリレート、ノルボルニルアクリレート、133トリメチルノルボルニルアクリレート、ミルタニルメチルアクリレート、イソピノカンファニルアクリレート、2{[51’,1’,1’トリフルオロ2’トリフルオロメチル2’ヒドロキシプロピル]ノルボルニル}アクリレートである。アダマンチルアクリレートの例は、2メチル2アダマンチルアクリレート、2エチル2アダマンチルアクリレート、3ヒドロキシ1アダマンチルアクリレート、1アダマンチルαトリフルオロメチルアクリレートである。ガラス転移点、融点は、それぞれJISK71211987プラスチックの転移温度測定方法で規定される補外ガラス転移終了温度、融解ピーク温度Tpmとする。フッ素系ポリマーAの繰り返し単位に、ホモポリマーの状態でガラス転移点あるいは融点が100°C以上の高軟化点モノマーa3を用いると、基板を熱処理したときの寸法安定性が優れる効果に加え、フッ素系モノマーAの撥液性を向上する効果もある。<フッ素系ポリマーの製造>フッ素系ポリマーは、以下のようにして製造することができる。モノマーおよび必要な成分を溶媒に溶解させ、窒素置換後、重合開始剤を加えて20~120°C、好ましくは50~90°Cの範囲で、1~20時間、好ましくは3~8時間、撹拌する方法が採用される。溶媒は有機溶媒、水溶性有機溶媒および水などが使用できる詳細は0075段落に後述。溶媒は重合組成物中に50~90重量の範囲で用いられる。フッ素系ポリマーの分子量を調整するためにメルカプタン類やハロゲン化アルキル類などの連鎖移動剤を添加しても良い。メルカプタン類としては、n-ブチルメルカプタン、n-ドデシルメルカプタン、t-ブチルメルカプタン、チオグリコール酸エチル、チオグリコール酸2-エチルヘキシル、2-メルカプトエタノール、メルカプト酸イソオクチル、チオグリコール酸、3-メルカプトプロピオン酸、チオグリコール酸メトキシブチル、シリコーンメルカプタン信越化学製KF-2001等が、ハロゲン化アルキル類としては、クロロホルム、四塩化炭素、四臭化炭素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。a4のような水酸基含有モノマー単体とメルカプタン単体が直接接触すると、溶媒不溶物が生成する場合があるので、これらを併用して重合する場合は予めいずれか一方を溶媒で希釈することが望ましい。フッ素系ポリマーの重量平均分子量は、3,000~20,000、好ましくは5,000~15,000あってよい。フッ素系ポリマーの重量平均分子量は、GPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより標準ポリスチレン換算で求めたものである。<撥液レジスト組成物における成分>本発明が提供する撥液レジスト組成物の内一つは、前記のフッ素系ポリマーAに加えて、アルカリ可溶性樹脂B、ナフトキノンジアジド基含有化合物C、増感剤Dおよび溶媒Eを含有してなることを特徴とする撥液レジスト組成物である。撥液レジスト組成物における成分は、次の組合せであってよい。フッ素系ポリマーA、アルカリ可溶性樹脂B、ナフトキノンジアジド基含有化合物Cおよび溶媒E;フッ素系ポリマーA、アルカリ可溶性樹脂B、ナフトキノンジアジド基含有化合物C、増感剤Dおよび溶媒E。<パターン基板の作製方法>本発明においては、フッ素系ポリマーAを用いて、例えば、次の方法により、パターン化された複数の撥液領域と親液領域から成る基板以下、単にパターン基板と省略する場合があるを作製する。方法1:フッ素系ポリマーA、アルカリ可溶性樹脂Bとしてノボラック樹脂、ナフトキノンジアジド基含有化合物以下、DNQと省略Cを溶媒Eに溶解する。以下に、このレジスト組成物がポジ型として作用する原理を説明する。疎水性のDNQは溶解抑制剤として作用し、ノボラック樹脂がアルカリ現像液に溶けることを抑制する。光照射によりDNQは窒素を放出してカルベンと成り、ケテンに移転するウルフ転移。反応性の高いケテンは系中の水と反応して、インデンカルボン酸に変化する。この生成物は親水性であり、溶解抑制力はなく、ノボラック樹脂はアルカリ現像液に溶けるようになる。インデンカルボン酸存在下ではノボラック樹脂そのものだけより溶解速度が速い。このようにして光照射領域と未照射領域に大きな溶解性のコントラストが生じるため、アルカリ現像によりポジ像が得られるのである。このポジ型レジスト組成物を基板上に塗布して感光性の撥液膜を形成し、フォトマスクを介して電磁波を照射すると、光照射部においてはDNQがインデンカルボン酸となりノボラック樹脂がアルカリ可溶性となる。このために光照射部分のみがアルカリ現像液により除去され、ポジ型のパターン基板が得られる。方法2:フッ素系ポリマーA、アルカリ可溶性樹脂Bとしてノボラック樹脂、DNQC、増感剤Dを溶媒Eに溶解する。このレジスト組成物を基板上に塗布して感光性の撥液膜を形成し、フォトマスクを介して電磁波を照射すると、方法1の場合と同様に照射領域のみがアルカリ可溶性となり、アルカリ現像液で現像することにより、ポジ型のパターン基板が得られる。方法1および2のいずれにおいても電磁波を照射する前プリベークや現像後ポストベークに50~250°C程度の熱処理を行っても良い。<アルカリ可溶性樹脂B>本発明にて用いられるアルカリ可溶性樹脂Bの代表的な例としては、アルカリ可溶性ノボラック樹脂が挙げられる。アルカリ可溶性ノボラック樹脂としてはフェノール類とアルデヒド類とを酸性触媒存在下で縮合して得られる樹脂であれば特に制限されない。上記のノボラック樹脂に使用されるフェノール類は例えばフェノール、o-クレゾール、m-クレゾール、p-クレゾール、2,3-ジメチルフェノール、2,4-ジメチルフェノール、2,5-ジメチルフェノール、3,4-ジメチルフェノール、3,5-ジメチルフェノール、2,3,5-トリメチルフェノール、3,4,5-トリメチルフェノール、レゾルシノール、2-メチルレゾルシノール、4-エチルレゾルシノール、ハイドロキノン、メチルハイドロキノン、カテコール、4-メチル-カテコール、ピロガロール、フロログルシノール、チモール、イソチモール等が挙げられる。これらフェノール類は単独でまたは2種類以上を組み合わせて使用することができる。また、縮合させるアルデヒド類は例えばホルムアルデヒド、トリオキサン、パラホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α-フェニルプロピルアルデヒド、β-フェニルプロピルアルデヒド、o-ヒドロキシベンズアルデヒド、m-ヒドロキシベンズアルデヒド、p-ヒドロキシベンズアルデヒド、o-メチルベンズアルデヒド、m-メチルベンズアルデヒド、p-メチルベンズアルデヒド、ニトロベンズアルデヒド、フルフラール、グリオキサール、グルタルアルデヒド、テレフタルアルデヒド、イソフタルアルデヒド等が挙げられる。フェノール類とアルデヒド類の縮合に用いられる酸触媒は例えば塩酸、硝酸、硫酸、リン酸、亜リン酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸、メタンスルホン酸、ジエチル硫酸、p-トルエンスルホン酸等を挙げることができる。これら酸触媒は単独でまたは2種類以上を組み合わせて使用することができる。B成分の質量平均分子量は、ポジ型レジスト組成物の現像性、解像性の観点から1,000~50,000が好ましい。<ナフトキノンジアジド基含有化合物C>本発明において使用できるナフトキノンジアジド基含有化合物は、特に制限は無く、従来からi線用ポジ型レジスト組成物の感光性成分として用いられていたものが挙げられる。例えば、ナフトキノン-1,2-ジアジドスルホン酸エステル化合物、オルトベンゾキノンジアジドスルホン酸エステル、オルトアントラキノンジアジドスルホン酸エステル等が挙げられ、これらはとくに制限なく通常使用されているものの中から任意に選ぶことができるが、好ましいものとしては、ナフトキノン-1,2-ジアジド-5-スルホニルクロライド、ナフトキノン-1,2-ジアジド-4-スルホニルクロライド、ナフトキノン-1,2-ジアジド-6-スルホニルクロライド等のナフトキノン-1,2-ジアジドスルホニルハライドとヒドロキシ化合物とのエステル化物が挙げられる。上記ヒドロキシ化合物の例としては、フェノール、ハイドロキノン、レゾルシノール、カテコール、フロログルシノール、2,4-ジヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,3,4,4’-ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2’,4’-ジヒドロキシアセトフェノン、2’,5’-ジヒドロキシアセトフェノン、2’,6’-ジヒドロキシアセトフェノン、3’,5’-ジヒドロキシアセトフェノン、2’,3’,4’-トリヒドロキシアセトフェノン、2’,4’,6’-トリヒドロキシアセトフェノン、2,2-ビス4-ヒドロキシフェニルプロパン、2,2-ビス4-ヒドロキシフェニルヘキサフルオロプロパン、ビス4-ヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシフェニルスルホン、4,4’-ビフェニルジオール、2,2-ビス2,3,4-トリヒドロキシフェニルプロパン、4,4’-ジヒドロキシフェニルスルホンなどのフェノール化合物が挙げられる。特に、溶解性の点からナフトキノンジアジド化合物としては、ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステルまたはナフトキノンジアジド-6-スルホン酸エステルであることが好ましい。これらの化合物は1種類もしくは2種類以上混合して用いても良い。ナフトキノンジアジド基含有化合物Cの配合量は、アルカリ可溶性樹脂Bと所望に応じて添加される下記増感剤Dとの合計量に対して、10~60重量の範囲内であり、特に20~50重量の範囲が好ましく、60重量を超えると感度が劣り好ましくなく、10重量未満であると未露光部の膜減りや、解像性の劣化により、パターンに忠実な画像が得られず好ましくない。<増感剤D>増感剤としては、特に限定は無く、従来からi線用ポジ型レジスト組成物の増感剤として知られているものを用いることができる。例えば、ビス4-ヒドロキシ-2,3,5-トリメチルフェニル-2-ヒドロキシフェニルメタン、1,4-ビス[1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルイソプロピル]ベンゼン、2,4-ビス3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルメチル-6-メチルフェノール、ビス4-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニル-2-ヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-2,5-ジメチルフェニル-2-ヒドロキシフェニルメタン、ビス4-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニル-3,4-ジヒドロキシフェニルメタン、1-[1-4-ヒドロキシフェニルイソプロピル]-4-[1,1-ビス4-ヒドロキシフェニルエチル]ベンゼン、1-[1-3-メチル-4-ヒドロキシフェニルイソプロピル]-4-[1,1-ビス3-メチル-4-ヒドロキシフェニルエチル]ベンゼン、2,6-ビス[1-2,4-ジヒドロキシフェニルイソプロピル]-4-メチルフェノール、4,6-ビス[1-4-ヒドロキシフェニルイソプロピル]レゾルシン、4,6-ビス3,5-ジメトキシ-4-ヒドロキシフェニルメチルピロガロール、4,6-ビス3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルメチルピロガロール、2,6-ビス3-メチル-4,6-ジヒドロキシフェニルメチル-4-メチルフェノール、2,6-ビス2,3,4-トリヒドロキシフェニルメチル-4-メチルフェノール、2,6-ビス3,5-ジメチル-4-ヒドロキシベンジル-4-メチルフェノール、1,1-ビス4-ヒドロキシフェニルシクロヘキサン等が挙げられる。またその他、6-ヒドロキシ-4a-2,4-ジヒドロキシフェニル-9-1’-スピロシクロヘキシル-1,2,3,4,4a,9a-ヘキサヒドロキサンテン、6-ヒドロキシ-5-メチル-4a-2,4-ジヒドロキシ-3-メチルフェニル-9-1’-スピロシクロヘキシル-1,2,3,4,4a,9a-ヘキサヒドロキサンテン等も用いることができる。中でも1,1-ビス4-ヒドロキシフェニルシクロヘキサン、ビス4-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニル-3,4-ジヒドロキシフェニルメタン、2,6-ビス3,5-ジメチル-4-ヒドロキシベンジル-4-メチルフェノール、1-[1-4-ヒドロキシフェニルイソプロピル]-4-[1,1-ビス4-ヒドロキシフェニルエチル]ベンゼンなどが好ましい。これら増感剤を配合する場合、その含有量はフェノールノボラック樹脂に対して5~50重量、好ましくは10~35重量の範囲で選ばれる。<溶媒E>本発明の撥液レジスト組成物には必要に応じて溶媒、例えば、水溶性有機溶媒、有機溶媒特に、油溶性有機溶媒または水を加えても良い。同じ種類の溶媒がフッ素系ポリマーを製造0065段落するためにも用いられる。溶媒は、フッ素系ポリマーAを含むレジスト構成成分に不活性なものが選択され、これらを溶解するために配合される。溶媒の例は、水溶性有機溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルアミルケトン、酢酸エチル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、ジプロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールジアセテート、トリプロピレングリコール、3-メトキシブチルアセテートMBA、1,3-ブチレングリコールジアセテート、シクロヘキサノールアセテート、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、メチルセロソルブ、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ブチルカルビトール、カルビトールアセテート、乳酸エチル、イソプロピルアルコール、メタノール、エタノールなどが挙げられ、油溶性有機溶媒としては、クロロホルム、HFC141b、HCHC225、ハイドロフルオロエーテル、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール、テトラリン、シクロヘキシルベンゼン、メシチレン、石油エーテル、テトラヒドロフラン、14-ジオキサン、メチルイソブチルケトン、酢酸ブチル、1122-テトラクロロエタン、111-トリクロロエタン、トリクロロエチレン、パークロロエチレン、テトラクロロジフルオロエタン、トリクロロトリフルオロエタンなどが挙げられる。これらの溶媒は単独で使用しても2種以上を混合してもよい。溶媒は、フッ素系ポリマーおよびレジスト構成原料の溶解性、安全性の観点から、特にPGMEAとMBAが好ましい。溶媒は撥液レジスト組成物中に、30~95重量固形分70~5重量、例えば50~90重量固形分50~10重量の範囲で用いられることが好ましい。例えば、本発明は、好ましい態様の1つとして、フッ素系ポリマーAを10~30重量の濃度でグリコール系溶剤に溶解してある撥液剤を提供する。本発明の撥液レジスト組成物は、また、フッ素系ポリマーAに加えて、一分子中に二個以上のビニルエーテル基を有する化合物Q、一分子中に二個以上のブロックイソシアネート基を有する化合物R、光酸発生剤Sおよび溶剤Eを含有してなるポジ型撥液レジスト組成物であってよい。これらの各成分の含量比は、例えば、成分A100質量部に基づいて、1乃至80質量部の成分Q、1乃至80質量部の成分R、及び、0.5乃至80質量部の成分Sを含有する。これらの成分が固形分として、例えば1乃至80質量であり、また例えば5乃至60質量であり、または10乃至50質量である。ここで、固形分とは、ポジ型感光性樹脂組成物の全成分から溶剤Eを除いたものをさす。<一分子中に二個以上のビニルエーテル基を有する化合物:成分Q>成分Qは、一分子中に二個以上のビニルエーテル基を有する化合物であり、慣用のプリベーク温度例えば80°C~150°Cでフッ素系ポリマーAと熱架橋することができるようなビニルエーテル基を一分子中に二個以上有する化合物であればよく、その種類および構造について特に限定されるものでない。この成分Qの化合物は、フッ素系ポリマーAとの熱架橋の後、光酸発生剤の存在下での露光により生じた酸により、フッ素系ポリマーAから分離脱架橋し、その後アルカリ現像液を用いた現像によりフッ素系ポリマーAとともに除去される。従って、この種の化合物としては、一般にビニルエーテル型化学増幅型レジストの成分に使用されるビニルエーテル系化合物などが適用されうる。斯かる化合物の使用の場合、該化合物の配合量を変えて熱架橋密度を調整することにより、形成される膜の形状を制御することができるという利点を有する。また、成分Qの化合物は、フッ素系ポリマーA100質量部に対して1乃至80質量部、好ましくは5乃至40質量部の割合で使用される。成分Qの化合物の使用量が前記範囲の下限未満の過少量であると、未露光部における膜減りが顕著となりパターン形状が不良になる。一方、成分Qの化合物の使用量が前記範囲の上限を超える過多量であると、膜の感度が大きく低下し、現像後にパターン間の残渣が生じるようになる。そして、成分Qの化合物としては、上記ビニルエーテル系化合物の中でも、特に式3:式中、nは2乃至10の整数、kは1乃至10の整数であり、R1はn価の有機基を表す。および式4:式中、mは2乃至10の整数を表す。で表される化合物が、露光部において残膜や残渣なく現像される点で、好ましい。式3のnは、一分子中のビニルエーテル基の数を表すが、nとしては、2乃至4の整数がより好ましい。そして、式4のmも一分子中のビニルエーテル基の数を表すが、mとしては、2乃至4の整数がより好ましい。式3および式4で表される化合物の具体例としては、ビス4-ビニロキシメチルシクロヘキシルメチルグルタレート、トリエチレングリコールジビニルエーテル、アジピン酸ジビニルエステル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、トリス4-ビニロキシブチルトリメリレート、ビス4-ビニロキシブチルテレフタレート、ビス4-ビニロキシブチルイソフタレート、およびシクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル等が挙げられる。<一分子中に二個以上のブロックイソシアネート基を有する化合物:成分R>成分Rは、一分子中に二個以上のブロックイソシアネート基を有する化合物である。これは、成分Rの化合物との間で熱架橋された或いは更にそれとの間で脱架橋されたフッ素系ポリマーAからなる膜に対して、例えば慣用のポストベーク温度で熱硬化することができるようなブロックイソシアネート基を一分子中に二個以上有する化合物であればよく、その種類および構造について特に限定されるものでない。この成分Rの化合物は、イソシアネート基-NCOが適当な保護基によりブロックされたブロックイソシアネート基を一分子中に二個以上有し、そして熱硬化の際の高温に曝されると、保護基ブロック部分が熱解離して外れ、生じたイソシアネート基を介してフッ素系ポリマーA中の熱硬化のための官能基相互の間で架橋反応が進行するものである。また、成分Rの化合物は、フッ素系ポリマーA100質量部に対して1乃至80質量部、好ましくは5乃至40質量部の割合で使用される。成分Rの化合物の使用量が前記範囲の下限未満の過少量であると、熱硬化が不十分となって満足な硬化膜が得られず、一方、成分Rの化合物の使用量が前記範囲の上限を超える過多量であると、現像が不十分となり、現像残渣を生じるようになる。一分子中に二個以上のイソシアネート基を有する化合物としては、例えば、イソホロンジイソシアネート、1,6-ヘキサメチレンジイソシアネート、メチレンビス4-シクロヘキシルイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート等、またはそれらの二量体、三量体、或いは、これらとジオール類、トリオール類、ジアミン類、トリアミン類との反応物が挙げられる。ブロック剤としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、n-ブタノール、2-エトキシヘキサノール、2-N,N-ジメチルアミノエタノール、2-エトキシエタノール、シクロヘキサノール等のアルコール類、フェノール、o-ニトロフェノール、p-クロロフェノール、o-、m-又はp-クレゾール等のフェノール類、ε-カプロラクタム等のラクタム類、アセトンオキシム、メチルエチルケトンオキシム、メチルイソブチルケトンオキシム、シクロヘキサノンオキシム、アセトフェノンオキシム、ベンゾフェノンオキシム等のオキシム類、ピラゾール、3,5-ジメチルピラゾール、3-メチルピラゾール、などのピラゾール類、ドデカンチオール、ベンゼンチオール等のチオール類が挙げられる。斯かる成分Rの化合物としては、例えば次の具体例が挙げられる。式中、イソシアネート化合物がイソホロンジイソシアネートから誘導されるものである成分Rの化合物が、耐熱性、塗膜性の点からより好ましく、斯様な化合物としては、以下のものが挙げられる。下記式中のRは有機基を表す。<光酸発生剤PAG:成分S>本発明で使用する光酸発生剤PAG成分Sは、露光に使用される光の照射によって直接もしくは間接的に酸スルホン酸類、カルボン酸類などを発生する物質であり、斯様な性質を有するものであれば、その種類および構造などは特に限定されるものでない。成分Sの光酸発生剤としては、例えば、ジアゾメタン化合物、オニウム塩化合物、スルホンイミド化合物、ジスルホン系化合物、スルホン酸誘導体化合物、ニトロベンジル化合物、ベンゾイントシレート化合物、鉄アレーン錯体、ハロゲン含有トリアジン化合物、アセトフェノン誘導体化合物、および、シアノ基含有オキシムスルホネート化合物などが挙げられる。従来知られ又は従来から使用されている光酸発生剤は、いずれも、特に限定されることなく、本発明において適用することができる。成分Sの光酸発生剤は、一種単独で用いてもよく、また二種以上を組み合わせて用いてもよい。また、光酸発生剤成分Sは、フッ素系ポリマーA100質量部に対して0.5乃至80質量部、好ましくは1乃至30質量部の割合で使用される。光酸発生剤成分Sの使用量が前記範囲の下限未満の過少量であると、露光の際、熱架橋されたQ成分の化合物の、フッ素系ポリマーAからの解離が十分に進行せず、所望のパターン様のレリーフが得られ難くなり、一方、光酸発生剤成分Sの使用量が前記範囲の上限を超える過多量であると、ポジ型感光性樹脂組成物の保存安定性に劣るようになる。光酸発生剤成分Sの具体例としては、以下のものが挙げられる。但し、これらの化合物は極めて多数の適用可能な光酸発生剤の中の一例であり、それらに限定されるものではない。ジフェニルヨードニウムクロリド、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムメシレート、ジフェニルヨードニウムトシレート、ジフェニルヨードニウムブロミド、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビスp-tert-ブチルフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ビスp-tert-ブチルフェニルヨードニウムメシレート、ビスp-tert-ブチルフェニルヨードニウムトシレート、ビスp-tert-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビスp-tert-ブチルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ビスp-tert-ブチルフェニルヨードニウムクロリド、ビスp-クロロフェニルヨードニウムクロリド、ビスp-クロロフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムクロリド、トリフェニルスルホニウムブロミド、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリp-メトキシフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリp-メトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、トリp-エトキシフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルホスホニウムクロリド、トリフェニルホスホニウムブロミド、トリp-メトキシフェニルホスホニウムテトラフルオロボレート、トリp-メトキシフェニルホスホニウムヘキサフルオロホスホネート、トリp-エトキシフェニルホスホニウムテトラフルオロボレート、<パターン基板の作製方法>本発明においては、フッ素系ポリマーAを用いて、例えば、次の方法により、パターン化された複数の撥液領域と親液領域から成る基板以下、単にパターン基板と省略する場合があるを作製する。方法3:フッ素系ポリマーA、一分子中に二個以上のビニルエーテル基を含有する化合物Q、一分子中に二個以上のブロックイソシアネート基を含有する化合物Rおよび光酸発生剤Sを溶剤Eに溶解する。このレジスト組成物を基板上に塗布し、その後、ホットプレートまたはオーブン等で予備乾燥することにより、塗膜を形成することができる。その後、この塗膜を加熱処理することにより、ポジ型感光性樹脂膜が形成される。この加熱処理の条件としては、例えば、温度70°C乃至160°C、時間0.3乃至60分間の範囲の中から適宜選択された加熱温度及び加熱時間が採用される。加熱温度及び加熱時間は、好ましくは80°C乃至140°C、0.5乃至10分間である。この様にして形成されたポジ型感光性樹脂膜は、形成時の加熱処理により、Q成分のビニルエーテル基を有する化合物がA成分の樹脂に架橋することにより、アルカリ現像液に難溶な膜となる。この場合、加熱処理の温度が上記の温度範囲の下限よりもより低い場合には、熱架橋が不十分なものとなり、未露光部において膜減りが生じることがある。また、加熱処理の温度が上記の温度範囲の上限を超えて高すぎる場合には、一旦形成された熱架橋部が再び切断され、未露光部において膜減りをひき起こすことがある。このポジ型感光性樹脂組成物から形成されるポジ型感光性樹脂膜を、所定のパターンを有するマスクを用いて紫外線、ArF、KrF、F2レーザー光等の光で露光させると、ポジ型感光性樹脂膜中に含まれるS成分の光酸発生剤PAGから発生する酸の作用によって、前述と同様に該膜のうち露光部はアルカリ性現像液に可溶なものとなる。引き続き、要すれば、ポジ型感光性樹脂膜に対して露光後加熱PEBが行われる。この場合の加熱の条件としては、温度80°C乃至150°C、時間0.3乃至60分間の範囲の中から適宜選択された加熱温度及び加熱時間が採用される。その後、アルカリ性現像液を用いて現像が行われる。これにより、ポジ型感光性樹脂膜のうち、露光された部分が除去され、パターンが形成される。本発明の撥液レジスト組成物は、本発明に記載のフッ素系ポリマーAを市販のポジ型レジストに配合したものでもよい。例えば、住友ベークライト製の半導体コーティング材スミレジンエクセルCRC8000シリーズ中のもの、具体的には例えば、CRC8200、CRC8300を用いることができる。また、東京応化工業製のOFPR800、TSMRV90、TMMRS2000、PMER900などを用いることができる。JSR製のELPACWPRシリーズ中のもの、具体的には例えば、WPR1020を用いることができる。日本ゼオン製のポジ型絶縁膜ZEOCOATシリーズ中のもの、TFT製造用ポジ型フォトレジストZEONREXのZPP2400、ZPP2500、ZPP2600、ZPP2700シリーズを用いることができる。ナガセケムテックス製のNPR900078008000シリーズを用いることができる。AZエレクトロニックマテリアルズ製のTFP600シリーズのもの、具体的には例えば、TFP650F5、TFP650H2を、AZSRシリーズのもの、具体的には例えばAZSR100、AZSR110、AZSR210を、AZSFPシリーズのもの、具体的には例えばAZSFP1400、AZSFP1500を用いることができる。<パターン基板の作製方法>本発明においては、フッ素系ポリマーAを市販のポジ型レジストに配合した撥液レジスト組成物を用いて、例えば、次の方法により、パターン化された複数の撥液領域と親液領域から成る基板を作製する。方法4:フッ素系ポリマーAを市販のポジ型レジストに配合した撥液レジスト組成物を基板上に塗布し、その後、ホットプレートまたはオーブン等で予備乾燥することにより、塗膜を形成することができる。その後、この塗膜を加熱処理することにより、ポジ型感光性樹脂膜が形成される。この加熱処理の条件としては、例えば、温度70°C乃至160°C、時間0.3乃至60分間の範囲の中から適宜選択された加熱温度及び加熱時間が採用される。加熱温度及び加熱時間は、好ましくは80°C乃至140°C、0.5乃至10分間である。この様にして形成されたポジ型感光性樹脂膜は、形成時の加熱処理により、アルカリ現像液に難溶な膜となる。このポジ型感光性樹脂組成物から形成されるポジ型感光性樹脂膜を、所定のパターンを有するマスクを用いて紫外線、ArF、KrF、F2レーザー光等の光で露光させると、露光部はアルカリ性現像液に可溶なものとなる。引き続き、要すれば、ポジ型感光性樹脂膜に対して露光後加熱PEBが行われる。この場合の加熱の条件としては、温度80°C乃至150°C、時間0.3乃至60分間の範囲の中から適宜選択された加熱温度及び加熱時間が採用される。その後、アルカリ性現像液を用いて現像が行われる。これにより、ポジ型感光性樹脂膜のうち、露光された部分が除去され、パターンが形成される。<基板、基板への塗布およびパターニング方法>本発明は、前記ポジ型撥液レジスト組成物を用いて、フォトリソグラフィー法により、親液性透明基板上に撥液化された隔壁をパターン状に形成する工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタTFT基板の製造方法を提供する。本発明はまた、撥液化されたパターン状の隔壁を有する親液性透明基板上に、ナノメタルインク、酸化物半導体インク、有機半導体インクなどの機能性材料インクを塗布する工程および溶媒を除去する工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。本発明はまた、前記製造方法で製造された薄膜トランジスタ基板、等を提供する。以下、これらを詳細に説明する。本発明のTFT基板に用いる基材は、シリコンウエハ、合成樹脂、ガラス、金属、セラミックなどである。合成樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれでもよく、例えば、ポリエチレン、ポロプロピレン、エチレン-プロピレン共重合体、エチレン-酢酸ビニル共重合体EVA等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ-4-メチルペンテン-1、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル-スチレン共重合体AS樹脂、ブタジエン-スチレン共重合体、エチレン-ビニルアルコール共重合体EVOH、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリプチレンテレフタレートPBT、ポリシクロヘキサンテレフタレートPCT等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトンPEK、ポリエーテルエーテルケトンPEEK、ポリエーテルイミド、ポリアセタールPOM、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル液晶ポリマー、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エボキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて例えば2層以上の積層体として用いることができる。合成樹脂製の基板を用いれば、軽量、透明、安価、曲げられるなどの特徴を基板に付与できる。ガラスとしては、例えば、ケイ酸ガラス石英ガラス、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛アルカリガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラス等が挙げられる。金属としては、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム、白金等が挙げられる。セラミックとしては、酸化物例えば、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化ケイ素、ジルコニア、チタン酸バリウム、窒化物例えば、窒化ケイ素、窒化ホウ素、硫化物例えば、硫化カドミウム、炭化物例えば、炭化ケイ素等が挙げられ、これらの混合物を使用してよい。いずれの基材からなる基板を用いる場合でも、O2プラズマ処理、UVオゾン処理、コロナ処理などの前処理を行ってもよい。これらの前処理により、基板表面に親水性の官能基例えば、OH、COOH、=NH、-NH2などを導入できる。パターン表面の形状は、最終的に製造する素子の目的に応じて適当なものを選択すれば良く、円、四角形、三角形、直線、曲線などが例示される。互いのパターンは接していても離れていても良い。例えば、ラインスペースの場合、ライン幅およびライン間隔は、0.5~100μm、例えば、1~20μmであってよい。ライン幅は等間隔であってもよいし、幅が変化してもよい。ラインの形状は直線でも曲線でもよい。これら基材の表面に、撥液レジスト組成物を液相で均一に適用する。処理方法は、膜厚を制御できるものであれば公知の塗布法を採用することができる。例えば、ロールコート法、グラビアコート法、マイクログラビアコート法、フローコート法、バーコート法、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法などが採用でき、基材の種類、形状、生産性、膜厚の制御性などを考慮して選択できる。例えば、撥液レジスト組成物をスピンコート法で基板に塗布した後、70~150°Cで1秒間~10分間例えば110°Cで1分間加熱して撥液レジスト組成物の膜から溶媒を乾燥することによって行える。この簡便なプロセスで膜の表面にフッ素系ポリマーA層が形成される。溶媒乾燥後の撥液レジスト組成物膜の厚さは、一般に50nm~100μm、例えば100nm~10μm、特に500nm~5μmであってよい。次にフォトリソグラフィー法を用いて、親液領域の対水接触角が50°以下となるようにパターニングを行う。表面自由エネルギーが異なる複数の領域[1対水接触角80°以上の領域、特に対水接触角100°以上の領域と、2対水接触角50°以下の領域、特に対水接触角30°以下の領域]から構成されるパターン基板を調製する。領域1と領域2は隣接する。撥液レジスト組成物の膜をフォトリソグラフィー法でパターニングするためには、電磁波を照射する。<電磁波>本発明で膜に照射する電磁波は、波長10~400nmの光であり、紫外線、真空紫外光、極端紫外線などが例示される。VUVを用いる場合、光源は波長172nmのVUVを発光できる市販のキセノンエキシマランプが使用できる。またUVを用いる場合、光源は水銀キセノンランプ、水銀ランプ、キセノンランプ、キセノンエキシマランプが使用できる。さらに、248nmのKrFエキシマレーザー、193nmのArFエキシマレーザー、157nmのF2エキシマレーザーを使用しても良い。露光量は1~10000mJcm2、特に1~1000mJcm2であってよい。また、光以外に、波長01~10nmのX線、波長0001~001nmの電子線、波長10~300nmのレーザー光線等の電磁波を用いてもよい。光やX線でフォトリソグラフィーを行う場合は、フォトマスクを介して膜に光を照射しても良いし、米国テキサスインスツルメンツ社が開発したDMDのようなMicroElectroMechanicsを使用して、マスクレスでパターン状に光を照射しても良い。DMDは10μmスケールの可動式の鏡48万~131万個を格子状に配列したデバイスであり、このミラーにランプ光を反射させて膜にパターン状に光を照射する。一方、電子線、レーザー光線では、市販の描画装置を用いてフォトマスクなしで直接、均一に表面処理された基板にパターンを描画する。電子線の露光量はラスター描画では10~10000μCcm2、特に100~1000μCcm2、ショット描画では100~100000fCdot、特に1000~10000fCdotであってよい。<現像>本発明では、上記の電磁波を照射後に、溶媒に対する溶解性のコントラストを利用して、溶解可溶な領域を除去する工程、いわゆる現像を行う。現像に使用される溶媒現像液は、アルカリ水溶液を用いる。アルカリ水溶液は、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、およびアンモニア水などの無機アルカリ水溶液や、エチルアミン、n-プロピルアミンなどの第一級アミン類;ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミンなどの第二級アミン類;トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、N-メチルピロリドンなどの第三級アミン類;ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミンなどのアルコールアミン類;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドTMAH、コリンなどの第四級アンモニウム塩;ピロール、ピペリジン等の環状アミン類のアルカリ類からなる有機アルカリ水溶液を用いる。TFT基板の製造では無機アルカリよりも有機アルカリの方が好ましく、特に半導体用フォトリソグラフィー工程で汎用されているTMAHが好ましい。これらは単独で用いても良いし二種類以上を混合してもよい。また、界面活性剤を添加してもよい。現像方法は、浸漬法、液盛り法、シャワー法、パドル法、超音波法などで10秒~10分の範囲で行ってよい。本発明では、撥液-親液パターンの濡れのコントラストを強調するために、パターン形成後に、O2プラズマ処理、UVオゾン処理、コロナ処理などの処理を行ってもよい。また、これらの処理の後に熱処理を行ってもよい。本発明の撥液レジスト組成物を用いて形成した撥液-親液パターンの撥液領域の接触角は、対水接触角80°以上、特に100°以上、対nヘキサデカンまたはブチルカルビトールアセテートBCA接触角50°以上、特に55°以上である。一方、親液領域の接触角は対水接触角50°以下、特に30°以下、対nヘキサデカンまたはBCA接触角20°以下、特に10°以下ある。<撥液-親液パターンを形成した基板に対する機能性化合物溶液の塗布>本発明では、パターンを形成した基板に機能性化合物の溶液または分散液を塗布する。機能性化合物溶液を塗布する方法は、スピンコート法、ディップコート法、キャスト法、ロールコート法、印刷法、転写法、インクジェット法[PCalvertChemMater133299]、バーコード法、キャピラリー法などが挙げられる。機能性化合物の層は、パターン表面の上に、機能性化合物を溶媒に溶解した溶液を塗布し、溶媒を除去することによって形成することができる。表面自由エネルギーが異なる複数の領域に機能性化合物溶液を塗布すると、機能性化合物溶液は撥液領域でははじかれ、親液性表面にのみ塗布される。かくして、機能性化合物の層が、基板にパターン化された親液領域上に形成される。機能性化合物の例は、半導体化合物、導電性化合物、ディスプレイ用画素を形成するための色素または顔料、フォトクロミック化合物、サーモクロミック化合物、レンズ材料、生命科学薬剤などである。半導体化合物としては、酸化物半導体、または、有機半導体が好ましい。酸化物半導体は、例えば、月刊ディスプレイ、2011年1月号、p4~13酸化物TFTの最近の動向と展望に記載されている塗布型の透明アモルファス酸化物半導体であり、特にアモルファスInGaZnOaIGZOが好ましい。また、有機半導体は、例えば、ペンタセン誘導体、ポリチオフェン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリpフェニレンビニレン、層状ヘロブスカイト化合物などが挙げられる。導電性化合物としては、室温で102Scm以上の導電性を有するものである。例えば、有機系ではポリアセチレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリピロール、ポリpフェニレンビニレン、ポリアニリンなどが挙げられる。これらの化合物をドーピングすることにより導電性を向上しても良い。金属系では金、銀、銅などのナノ粒子を液体に分散したものが挙げられる。フォトクロミック化合物としては、有機系が好ましく、例えば、アゾベンゼン誘導体、スピロピラン誘導体、フルギド誘導体、ジアリールエテン誘導体などが挙げられる。サーモクロミック化合物とは、温度変化に伴って物質の色が可逆的に変化する化合物の総称であり、例えば、サリチリデンアニリン類、ポリチオフェン誘導体、テトラハロゲノ錯体、エチレンジアミン誘導体錯体、ジニトロジアンミン銅錯体、14-ジアザシクロオクタンdaco錯体、ヘキサメチレンテトラミンhmta錯体、サルチルアルデヒドsalen類錯体などが挙げられる。溶媒乾燥後の機能性化合物の層の厚さは、0.1nm~100μm、好ましくは0.5nm~10μm、例えば、1nm~1μmであってよい。機能性化合物を溶解する溶媒の例は、有機溶媒特に油溶性有機溶媒、水溶性有機溶媒、および水である。機能性化合物が水に難溶性の場合、有機溶媒特に、油溶性有機溶媒または水溶性有機溶媒に溶解させる必要がある。本発明において、機能性化合物を溶解する溶媒は、表面張力40mN/m以下、例えば30mN/m以下である有機溶媒であることが好ましい。表面張力が40mN/m以下であることによって、溶液がパターン形状にそって容易に濡れ拡がることができる。有機溶媒としては、アルコール、エステル、ケトン、エーテル、炭化水素例えば、脂肪族炭化水素および芳香族炭化水素等が挙げられ、有機溶媒はフッ素化されていてもされていなくてもどちらでも良い。有機溶媒の具体例は、パーフルオロデカリン、ハイドロフルオロエーテル、HCFC225、クロロホルム、1122テトラクロロエタン、テトラクロロエチレン、クロロベンゼン、酢酸ブチル、ヘキサン、イソペンタン、トルエン、キシレン、アニソール、テトラリン、シクロヘキシルベンゼン、メシチレン、テトラヒドロフランなどが挙げられる。また、水溶性有機溶媒の具体例は、アセトン、メチルエチルケトン、メチルアミルケトン、酢酸エチル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、メチルセロソルブ、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ブチルカルビトール、カルビトールアセテート、乳酸エチル、イソプロピルアルコール、メタノール、エタノールなどが挙げられる。水を用いる場合は、界面活性剤や上記の水溶性有機溶媒などを添加して、表面張力を低下させてもよい。機能性化合物の溶液における機能性化合物の濃度は、0.1~30重量、例えば、1~20重量であってよい。溶媒の除去は、蒸発などによって行える。溶媒の除去は、基材を、加熱例えば、60~200°Cすることによって、行える。溶媒除去は、減圧例えば、0.01~100Pa下で行ってもよい。本発明の撥液レジスト組成物は、電子、光学、医療、化学分析の製造などの幅広い用途のデバイスに用いることが可能である。例えば、電子デバイスとしては、トランジスタ、メモリ、発光ダイオードEL、レーザー、太陽電池などの集積回路に利用できる。これらのデバイスからテレビ、フレキシブルディスプレイ、無線タグ、ウエアラブルなコンピュータなどが製造される。また、光学デバイスとしては、液晶ディスプレイのカラーフィルタなどのディスプレイ用画素、光メモリ、光変調素子、光シャッター、第二次高調波SHG素子、偏光素子、フォトニッククリスタル、レンズアレイなどに、医療デバイスとしては、DNAアレイ、タンパク質アレイなどのバイオチップなどに利用できる。化学分析デバイスとしては、微小化学プラント、微小化学分析システムなどのマイクロ化学チップに利用できる。本発明はまた、本発明のポジ型撥液レジスト組成物を用いる有機EL画素の製造方法及び該製造方法で得られる有機EL画素を含有する有機ELデバイスを提供する。即ち、本発明は、本発明のポジ型撥液レジスト組成物を用いて、フォトリソグラフィー法により、親液性透明基板上に撥液化された隔壁をパターン状に形成する工程を含む有機EL画素の製造方法、及び、撥液化されたパターン状の隔壁を有する親液性透明基板上に、有機EL発光材料を塗布する工程および溶媒を除去する工程を含む前記iに記載の有機EL画素の製造方法、並びに、前記iまたはiiに記載の製造方法で製造された有機EL画素を含有する有機ELデバイスを提供する。以下に実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。<レジスト組成物の相溶性の評価>レジスト組成物から溶剤のみを除去した組成物の外観を五段階で評価した。相溶性が良好なものから順に◎>○>△>×>××と評価した。<現像性の評価>マスクアライナーES20d[三永電機製作所ナノテック製製]で露光後に現像したパターンを光学顕微鏡で観察することにより、現像性を五段階で評価した。ここで言う現像性とは、現像後に残ったUV露光領域のパターンの形状、UV未露光領域の膜の除去性の総合評価であり、現像性が良好なものから順に◎>○>△>×>××と評価した。<ナノメタルインクの分裂性の評価>形成した親液-撥液パターン上にナノメタルインクAg[アルバックマテリアル製]をインクジェット法で製膜した後のメタルパターンの形状を光学顕微鏡で観察することにより、ナノメタルインクの分裂性を五段階で評価した。分裂性が良好なものから順に◎>○>△>×>××と評価した。静的接触角は全自動接触角計DropMaster701[協和界面科学製]を用いて次の方法で測定した。<静的接触角の測定>静的接触角は、水平に置いた基板にマイクロシリンジから水、nヘキサデカン、またはブチルカルビトールBCAを2μL滴下し、滴下1秒後の静止画をビデオマイクロスコープで撮影することにより求めた。製造例1<RfC4αClアクリレート/MAA/GMA/HEMA=45/20.6/6.9/27.5重量比共重合体>還流冷却管、窒素導入管、温度計、撹拌装置を備えた四つ口フラスコ中にフルオロアクリレート略称:FAとしてCH2=CClCOO-CH2CH2C4F9略称:RfC4αClアクリレート22.5g、メタクリル酸略称:MAA10.3g、グリシジルメタクリレート略称:GMA3.4g、2-ヒドロキシエチルメタクリレート略称:HEMA13.7g、連鎖移動剤としてラウリルメルカプタン略称:LSH6.3gおよび溶媒としてプロピレングリコールメチルエーテルアセテート略称:PGMEA104gを入れ、70°Cに加熱後、30分間窒素気流下で撹拌した。これに重合開始剤のアゾビスイソブチロニトリル略称:AIBN0.5gを添加し、18時間重合した。反応液中に残存するRfC4αClアクリレートモノマーをガスクロマトグラフィーで分析することにより、転化率が95以上であることを確認した。得られた反応液の固形分濃度を130°C、2時間加熱したときの蒸発残分により測定した結果、33重量であった。この反応液をPGMEAで希釈して固形分濃度20重量の撥液剤とした。この撥液剤を固形分濃度0.5重量となるようにTHFで希釈してフッ素系ポリマーの分子量をGPCで測定した結果、重量平均分子量は6,400であった。製造例2<RfC4αFアクリレート/MAA/GMA/HEMA=45/20.6/6.9/27.5重量比共重合体>FAとして、製造例1のRfC4αClアクリレートをCH2=CFCOO-CH2CH2C4F9略称:RfC4αFアクリレートに置き換える以外は製造例1と同様な方法で重合反応を行い、フッ素系ポリマーを得た。得られたフッ素系ポリマーの分子量をGPCで測定した結果、重量平均分子量は5,000であった。製造例3<PFPEC8メタクリレート/MAA/GMA/HEMA=45/20.6/6.9/27.5重量比共重合体>FAとして、製造例1のRfC4αClアクリレートをC3F9OCFCF2OCFCH2OCOCCH2略称:PFPEC8メタクリレートに置き換える以外は製造例1と同様な方法で重合反応を行い、フッ素系ポリマーを得た。得られたフッ素系ポリマーの分子量をGPCで測定した結果、重量平均分子量は5,200であった。製造例4<RfC4αClアクリレート/MAA/GMA/HEMA/tBMA=45/7.8/6.9/27.5/12.8重量比共重合体>還流冷却管、窒素導入管、温度計、撹拌装置を備えた四つ口フラスコ中にFAとしてRfC4αClアクリレート22.5g、MAA3.9g、GMA3.4g、HEMA13.8g、メタクリル酸tert-ブチル略称:tBMA6.4g連鎖移動剤としてラウリルメルカプタン略称:LSH5.7gおよび溶媒としてプロピレングリコールメチルエーテルアセテート略称:PGMEA104gを入れ、70°Cに加熱後、30分間窒素気流下で撹拌した。これに重合開始剤のアゾビスイソブチロニトリル略称:AIBN0.5gを添加し、18時間重合した。反応液中に残存するRfC4αClアクリレートモノマーをガスクロマトグラフィーで分析することにより、転化率が95以上であることを確認した。固形分濃度を測定した結果33重量であった。得られた反応液をヘキサンで沈殿、真空乾燥して、フッ素系ポリマーを単離した。得られたフッ素系ポリマーの分子量をGPCで測定した結果、重量平均分子量は4,600であった。製造例5<RfC4αClアクリレート/tBMA/GMA/HEMA=45/20.6/6.9/27.5重量比共重合体>製造例1のMAAをtet-ブチルメタクリレート略称:tBMAに置き換える以外は製造例1と同様な方法で重合反応を行い、フッ素系ポリマーを得た。得られたフッ素系ポリマーの分子量をGPCで測定した結果、重量平均分子量は4,900であった。製造例6<RfC4αClアクリレート/MAA/GMA/HEMA=55/16.9/5.6/22.5重量比共重合体>製造例1のポリマー組成を表1に示すように変更して、製造例1と同様な方法で重合反応を行い、フッ素系ポリマーを得た。得られたフッ素系ポリマーの分子量をGPCで測定した結果、重量平均分子量は6,800であった。製造例7<RfC4αClアクリレート/MAA/GMA/HEMA=50/18.8/6.3/25重量比共重合体>製造例1のポリマー組成を表1に示すように変更して、製造例1と同様な方法で重合反応を行い、フッ素系ポリマーを得た。得られたフッ素系ポリマーの分子量をGPCで測定した結果、重量平均分子量は6,400であった。製造例8<RfC4αClアクリレート/MAA/GMA/HEMA=40/22.5/7.5/30重量比共重合体>製造例1のポリマー組成を表1に示すように変更して、製造例1と同様な方法で重合反応を行い、フッ素系ポリマーを得た。得られたフッ素系ポリマーの分子量をGPCで測定した結果、重量平均分子量は6,400であった。比較製造例1<RfC4αClアクリレート/MAA/GMA/HEMA=60/15/5/20重量比共重合体>還流冷却管、窒素導入管、温度計、撹拌装置を備えた四つ口フラスコ中にRfC4αClアクリレート30.0g、MAA7.5g、GMA2.5g、HEMA10g、連鎖移動剤としてLSH5.4gおよび溶媒としてPGMEA105gを入れ、70°Cに加熱後、30分間窒素気流下で撹拌した。これに重合開始剤のAIBN0.4gを添加し、18時間重合した。反応液中に残存するRfC4αClアクリレートモノマーをガスクロマトグラフィーで分析することにより、転化率が95以上であることを確認した。得られた反応液の固形分濃度を測定した結果、33重量であった。この反応液をPGMEAで希釈して固形分濃度20重量の撥液剤とした。この撥液剤を固形分濃度0.5重量となるようにTHFで希釈してフッ素系ポリマーの分子量をGPCで測定した結果、重量平均分子量は6,800であった。以上の製造例1~4および比較製造例1のフッ素系ポリマーの製造条件を表1にまとめて示す。また、得られたフッ素系ポリマーのフッ素濃度重量、酸価および重量平均分子量を表2に示す。FA:フルオロアクリレートGMA:グリシジルメタクリレートHEMA:2-ヒドロキシメタクリレートMAA:メタクリル酸tBMA:メタクリル酸tertブチルLSH:ラウリルメルカプタン実施例1~8および比較例1フッ素系ポリマーAとして製造例1~8で得たフッ素系ポリマーまたは比較製造例1で得たフッ素系ポリマーをそれぞれ用いて、フッ素系ポリマーA、アルカリ可溶性樹脂B、ナフトキノンジアジド基含有化合物C、増感剤Dおよび溶媒Eから成る溶液をポジ型レジスト組成物を調製した処方を次段落に示す。この溶液を、濃硫酸/過酸化水素水=3/7容量比混合溶液に一時間浸漬することにより親水化したガラス基板にスピンコートして、基板上に膜厚溶媒を乾燥除去後の膜厚2μmの膜を作製した。プレベークとして90°Cで3分間加熱後、この膜にライン/スペース=1μm/1μmのフォトマスクを介して、UV露光装置マスクアライナーES20dから波長365nmの紫外線を積算光量200mJ/cm2の条件で照射した。次に、露光後ベークとして90°Cで3分間加熱後、2.38のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に1分間浸漬することにより現像した。その後水洗、乾燥して、撥液領域と親液領域から成るパターン基板を作製した。実施例1~8および比較例1で用いたレジスト組成物の処方は以下の通りである:フッ素系ポリマーAA成分として、製造例1~8または比較製造例1で合成したポリマーを固形分換算で0.8重量含む。アルカリ可溶性樹脂BB成分として下記に合成例を示したb1を17.2重量含む。b1:m-クレゾールとp-クレゾール=35/65モル比の割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒により縮合反応して得られた質量平均分子量4500のクレゾールノボラック樹脂。ナフトキノンジアジド基含有化合物CC成分として2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノンの1,2-ナフトキノジアジド-5-スルホン酸エステルを5重量含む。増感剤DD成分として1-[1-4-ヒドロキシフェニルイソプロピル]-4-[1,1-ビス4-ヒドロキシフェニルエチル]ベンゼンを2重量含む。溶媒EE成分としてプロピレングリコールメチルエーテルアセテート略称:PGMEAを75重量含む。上記のレジスト組成物をスピンコートした膜に紫外線を照射することなく、均一撥液膜を調製した。得られた均一撥液領域の接触角を測定した結果を表2に示す。HD:n-ヘキサデカンBCA:ブチルカルビトールアセテート表2中、製造例3および4は、不飽和酸モノマーとして酸エステル形成基であるtBu基でカルボン酸基が保護されたtBMAを用いている。表中、製造例4および5の酸価47および0の数値は、酸エステル形成基を加水分解によって脱保護した後のフッ素系ポリマーAの酸価、130および131に対応していた。表2から明らかなように製造例1~8に合成例を示したポリマーを使用した実施例1~8では相溶性が良好であり、現像時に残渣が残ることなく現像性に優れることが確認できた。一方、比較製造例1に合成例を示したポリマーを使用した比較例1は相溶性が低下し、現像性も著しく悪かった。"