可視光域に関して透明な基板の一主面に、金属層を形成する工程と、前記金属層上に、入射光の波長よりも小さい間隔で、直線のグリッド状にグリッド状誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層をエッチングマスクとして前記金属層をエッチングする工程と、を含む入射光を選択的に偏光させる光学装置の製造方法前記金属層をエッチングする工程において前記基板もエッチングすることにより、前記金属層と前記グリッド状誘電体層の厚さの和よりも大きな深さの凹部を形成する請求項1に記載の光学装置の製造方法。前記金属層は、前記基板の一主面上に設けられた基板側誘電体層上に形成され、前記グリッド状誘電体層をエッチングマスクとして、前記金属層と、少なくとも前記基板側誘電体層の一部とをエッチングにより除去する請求項1に記載の光学装置の製造方法。前記基板側誘電体層は、SiO2によって構成される請求項3に記載の光学装置の製造方法。しかし、特許文献1に記載の発明によるのみでは、前述した偏光分離特性の向上が十分なされないおそれが残る。例えば、前述の特許文献1に記載の発明による光学装置として、例えば基板102及び金属層103をそれぞれSiO2及びAlアルミニウムにより構成し、グリッド間隔すなわちピッチ長を144nm、金属層103の厚さを170nm、金属層103の幅をピッチ長に対して0.45の比率とし、入射光の入射角θinを45°に選定した場合には、光学装置1を経て生じる透過光及び反射光に関する偏光分離特性について、以下のような問題が生じる。図19A及び図19Bは、それぞれ、この従来の光学装置において、グリッドに垂直な偏光成分及びグリッドに平行な偏光成分に対する、透過光L1の透過率破線図示と反射光L2の反射率実線図示の測定結果を示す。グリッドに平行な偏光成分については、図19Bに示すように、可視光の波長帯域に関わらず透過光が略完全に抑制されるものの、グリッドに垂直な偏光成分については、図19Aに示すように、特に0.6μm以下の短波長域で透過光の透過率低下と反射光の反射率上昇がみられることから、波長依存性が大きく、グリッドに平行な偏光成分を主たる偏光成分とする反射光に、グリッドに垂直な偏光成分が一部混入してしまうことも確認できる。また、図20A及び図20Bは、それぞれ、この従来の光学装置における、反射光の消光比グリッドに平行な偏光の反射光/グリッドに垂直な偏光の反射光及び透過光の消光比グリッドに垂直な偏光の透過光/グリッドに平行な偏光の透過光の測定結果を示す。これらの測定結果からも、図20Aに示すように、特に短波長域において反射光の消光比が伸びず、波長依存性が強く残っていることがわかる。このような波長依存性は、例えば光学装置によってディスプレイ装置などを構成する場合に、輝度やコントラストの低下、ならびに色斑の発生などの原因となることから、可能な限り低減することが求められる。本発明は、上述の諸問題を鑑み、偏光分離特性の向上が図られた光学装置の製造方法を提供するものである。本発明に係る光学装置の製造方法は、可視光域に関して透明な基板の一主面に、金属層を形成する工程と、金属層上に、入射光の波長よりも小さい間隔で、直線のグリッド状にグリッド状誘電体層を形成する工程と、誘電体層をエッチングマスクとして前記金属層をエッチングする工程と、を含む。本発明に係る光学装置の製造方法によれば、可視光域に関して透明な基板の一主面に、金属層を形成する工程と、金属層上に、入射光の波長よりも小さい間隔で、直線のグリッド状にグリッド状誘電体層を形成する工程と、誘電体層をエッチングマスクとして金属層をエッチングする工程と、を含むことから、偏光分離特性の向上が図られた光学装置を製造することが可能となる。以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。<光学装置の第1の実施形態>本発明に係る光学装置の、第1の実施形態を説明する。図1A及び図1Bは、本実施形態に係る光学装置の構成を示す概略斜視図及び概略断面図である。図1Aに示すように、本実施形態に係る光学装置1は、少なくとも可視光域に関して透明な基板2の一主面上に、互いに平行な複数の金属層3が、直線状すなわちライン状のグリッドとして、入射光L ́の波長に比して小とされた間隔で形成され、金属層3の少なくとも基板2とは反対側に、すなわち例えば上面に接して、誘電体層4が形成された構成を有する。なお、本実施形態においては、基板2、金属層3、誘電体層4を、それぞれSiO2、Alアルミニウム、SiO2により構成し、金属層3のグリッド間隔すなわちピッチ長を144nm、金属層3の厚さを170nm、金属層3の幅をピッチ長に対して0.45の比率とし、入射光の入射角θinを45°に選定し、誘電体層4の厚さは100nmとした。本実施形態に係る光学装置1においては、基板2の主面の法線破線図示に対して所定の入射角θinで入射する入射光Lのうち、グリッドに垂直な偏光成分a ́を、透過光L1 ́を構成する主たる偏光成分c ́として選択的に透過させ、グリッド103に平行な偏光成分b ́を、反射光L2 ́を構成する主たる偏光成分d ́として選択的に反射させるものであるが、金属層3の上面に誘電体層4が設けられたことにより、後述するように、透過率及び反射率ならびに消光比など、偏光分離特性の向上が図られる。図2A及び図2Bは、それぞれ、本実施形態に係る光学装置1において、グリッドに垂直な偏光成分a ́及びc ́及びグリッドに平行な偏光成分b ́及びd ́に対する、透過光の透過率破線図示と反射光の反射率実線図示の測定結果を示す。測定は、一般に可視光域と呼称される0.4μm~0.8μmの波長範囲について行った。本実施形態に係る光学装置1によれば、グリッドに平行な偏光成分について、図2Bに示すように、可視光の波長帯域に関わらず透過光が略完全に抑制されるとともに、グリッドに垂直な偏光成分についても、図2Aに示すように、前述した従来の光学装置による場合に比して、特に0.6μm以下の短波長域で透過光の透過率低下ならびに反射光の反射率上昇が抑制される。したがって、波長依存性の抑制すなわち改善とともに、グリッドに平行な偏光成分を主たる偏光成分とする反射光に対する、グリッドに垂直な偏光成分の混入が低減されたことが確認できる。図3は、図2Aに示した本実施形態に係る光学装置1における偏光成分の測定結果と、前述した図19Aに示した従来の光学装置101における偏光成分の測定結果を重ね合わせて図示したものである。図3においては、本実施形態に係る光学装置1による反射光の反射率と透過光の透過率をそれぞれ実線g及び実線iで、従来の光学装置101による反射光の反射率と透過光の透過率をそれぞれ破線h及び破線jで、それぞれ示す。本実施形態に係る光学装置1によれば、従来の光学装置101による場合に比して、例えば波長0.5μmの入射光に関しては、グリッドに垂直な偏光成分について、反射率が約0.03低減され、透過率が約0.02増大されていることが確認できる。すなわち、本実施形態に係る光学装置1によれば、図1Aに示す、グリッドに垂直な偏光成分を主たる偏光成分とする透過光L1 ́に対するグリッドに平行な偏光成分の混入図中e ́が抑制されながらも、グリッドに平行な偏光成分を主たる偏光成分とする反射光L2 ́に対するグリッドに垂直な偏光成分の混入図中f ́が低減され、可視光域における波長依存性が改善されていることがわかる。図4A及び図4Bは、それぞれ、本実施形態に係る光学装置1における、反射光の消光比グリッドに平行な偏光の反射光/グリッドに垂直な偏光の反射光及び透過光の消光比グリッドに垂直な偏光の透過光/グリッドに平行な偏光の透過光の測定結果を示す。消光比すなわち消光率は、互いに直交する偏光の強度比であり、この値が大きいほど、偏光分離特性偏光選択性が良いと考えられる。本実施形態に係る光学装置1によれば、図4Aに示すように、全波長帯域において反射光の消光比が伸びており、特に短波長域で伸びが大きく、例えば図20Aに示した従来の光学装置101による場合に比して、例えば波長0.6μmの入射光に関しては、約150もの消光比の向上がなされている。この測定結果からも、本発明構成によって波長依存性の抑制ならびに偏光分離特性の向上が図られることが確認できたことから、例えばディスプレイ装置などを構成する場合にも、輝度及びコントラストの低下や色斑の発生などが低減されると考えられる。なお、本実施形態においては、金属層3上の誘電体層4の形状を、概略的に板状もしくは直方体状として示したが、例えば図5に示すように、断面台形に形成しても良いし、後述するように、断面形状を四角形以外の略半円形や多角形として形成しても良い。また、例えば図6に示すように、誘電体層4を金属層3に比して幅広に形成しても良い。<光学装置の第2の実施形態>本発明に係る光学装置の、第2の実施形態を説明する。この第2実施形態では、第1実施形態と異なる部分のみを説明する。説明を省略する部分は、第1実施形態と同様であることとする。また、説明上、第1実施形態と重複する構成要素には、同一の符号を付して重複説明を省略する。図7は、本実施形態に係る光学装置の構成を示す概略断面図である。本実施形態に係る光学装置1は、少なくとも可視光域に関して透明な基板2の一主面上に、互いに平行な複数の金属層3が、直線状すなわちライン状のグリッドとして、入射光図示せずの波長に比して小とされた間隔で形成され、金属層3の少なくとも基板2とは反対側に誘電体層4が形成された構成を有する。また、本実施形態に係る光学装置1は、基板2の、金属層3が設けられた主面側の露出部に、金属層3によるグリッドに平行な溝が形成され、この溝による基板2の凹凸によって、金属層3及び誘電体層4の厚さの和に比して大きな深さの凹凸が形成された構成を有する。図8A及び図8Bは、それぞれ、本実施形態に係る光学装置1において、グリッドに垂直な偏光成分及びグリッドに平行な偏光成分に対する、透過光の透過率破線図示と反射光の反射率実線図示の測定結果を示す。本実施形態に係る光学装置1によれば、グリッドに平行な偏光成分について、図8Bに示すように、可視光の波長帯域に関わらず透過光が略完全に抑制されるとともに、グリッドに垂直な成分についても、図8Aに示すように、前述した第1実施形態における構成よりも更に、短波長域で透過光の透過率低下ならびに反射光の反射率上昇が抑制され、グリッドに平行な偏光成分を主たる偏光成分とする反射光に対する、グリッドに垂直な偏光成分の混入が低減されたことが確認できる。図9A及び図9Bは、それぞれ、本実施形態に係る光学装置1における、反射光の消光比グリッドに平行な偏光の反射光/グリッドに垂直な偏光の反射光及び透過光の消光比グリッドに垂直な偏光の透過光/グリッドに平行な偏光の透過光の測定結果を示す。図9Aに示すように、特に短波長域において反射光の消光比が伸びており、例えば前述した第1実施形態における構成による場合に比して、短波長側での消光比が上昇して例えば波長0.5μmの入射光に関しては約100もの消光比向上がなされ、更に全波長帯に対して均一性が増し、波長依存性が低減されていることが確認できる。この測定結果からも、本発明構成によって波長依存性の抑制ならびに偏光分離特性の向上が図られることが確認できたことから、例えばディスプレイ装置などを構成する場合にも、輝度及びコントラストの低下や色斑の発生などが低減されると考えられる。また、本実施形態においては、金属層3上の誘電体層4の形状を、概略的に板状もしくは直方体状として示したが、例えば図10及び図11に示すように、半円形や多角形などの四角形以外の断面形状を有して形成しても良いし、また例えば図12に示すように、基板2の表面に形成される凹部すなわち溝の形状も適宜選定することができる。<光学装置の第3の実施形態>本発明に係る光学装置の、第3の実施形態を説明する。この第3実施形態では、第1実施形態と異なる部分のみを説明する。説明を省略する部分は、第1実施形態と同様であることとする。また、説明上、第1実施形態と重複する構成要素には、同一の符号を付して重複説明を省略する。図13は、本実施形態に係る光学装置の構成を示す概略断面図である。本実施形態に係る光学装置1は、少なくとも可視光域に関して透明な基板2の一主面上に、互いに平行な複数の金属層3が、直線状すなわちライン状のグリッドとして、入射光図示せずの波長に比して小とされた間隔で形成され、金属層3の少なくとも基板2とは反対側に誘電体層4が形成された構成を有する。また、本実施形態に係る光学装置1は、基板2と金属層3との間に、第2の誘電体層5が設けられ、この第2の誘電体層5によって、金属層3及び誘電体層4の厚さの和に比して大きな深さの凹凸が形成された構成を有する。本実施形態に係る光学装置1においては、金属層3が設けられる主面側に形成された凹凸の凸部が、金属層3と基板2との間に設けられる第2の誘電体層5によって構成される例を説明したが、これに限られない。例えば、第2の誘電体層5を金属層3のグリッド間隔部すなわちピッチ部にも設ける構成によって、凹部が、第2の誘電体層5の少なくとも一部により形成される構成とすることもできる。本実施形態に係る光学装置1においては、図示しないが、反射光及び透過光の消光比の測定において、前述の第2の実施形態に係る光学装置におけるのと略同様の傾向を確認することができた。したがって、本実施形態に係る光学装置によっても、波長依存性の抑制ならびに偏光分離特性の向上が図られ、例えばディスプレイ装置などを構成する場合にも、輝度及びコントラストの低下や色斑の発生などが低減されると考えられる。前述の第1~第3の実施形態においては、誘電体層4の厚さを100nmとしたが、厚さはこれに限られず、例えば10nmとした場合や1mmとした場合など、本発明構成による限り、誘電体層4の厚さに関わらず消光比の改善による偏光分離特性の向上を確認することができた。なお、金属層3の厚さが170nmである場合の消光比については、誘電体層4の厚さを100nm程度とすることが特に好ましく、次いで300nm、500nm、10nmの順に、消光比が大きく改善されることや、誘電体層4の屈折率が基板2の屈折率に比して高い場合に、特に消光比の改善が図られること、更には誘電体層4の屈折率が基板2の屈折率に比して低い場合にも、従来の構成による場合に比して消光比が改善されることなどが確認できた。また、誘電体層4ならびに第2の誘電体層5を構成する材料としては、前述したSiO2のほか、有機物を含め種々の材料を用いることができるが、可視光域に関して透明な誘電体材料の中から、屈折率、透過率、吸収率などを基に選定することが好ましい。例えば、酸化チタン、アルミナ、酸化ビスマス、酸化タングステンなどの酸化物や、フッ化カルシウム、フッ化リチウム、フッ化マグネシウムなどのフッ化物をはじめ、種々の誘電体を用いることが可能である。また、本発明に係る光学装置1においては、誘電体層4が多層膜により形成される構成や、金属層3と誘電体層4とが繰り返し積層された構成とすることも可能である。<光学装置の製造方法の第1の実施形態>本発明に係る光学装置の製造方法の、第1の実施形態を、図14A~図14Dを参照して説明する。本実施形態に係る光学装置の製造方法においては、まず、可視光域に関して透明な基板2を用意し、この基板2の一主面に、例えばアルミニウムによる金属層3を、例えば蒸着によって形成する金属層形成工程を行い、図14Aに示すように、例えば電子線描画装置やナノインプリント装置を用いたリソグラフィー手法によって、最終的に金属層3を残す領域に対応させて、レジスト6を被着形成する。続いて、レジスト6の開口を通じて、例えば塩素系ガスによるRIEReactiveIonEtchingによって金属層3に対する異方性エッチングを行い、図14Bに示すように、金属層3を互いに平行な複数の直線状に整形する金属層整形工程を行う。続いて、図14Cに示すようにレジスト6を剥離除去し、少なくとも金属層3の基板2とは反対側例えば金属層3の上面に、例えばSiO2による誘電体層4を例えば蒸着によって形成する誘電体層形成工程を行うことにより、図14Dに示すような光学装置1を得る。<光学装置の製造方法の第2の実施形態>本発明に係る光学装置の製造方法の、第2の実施形態を、図15A~図15Cを参照して説明する。この第2実施形態では、説明を省略する部分は第1実施形態と同様であることとし、また、説明上、第1実施形態と重複する構成要素には、同一の符号を付して重複説明を省略する。本実施形態に係る光学装置の製造方法においては、まず、可視光域に関して透明な基板2を用意し、この基板2の一主面に、例えばアルミニウムによる金属層3を形成する金属層形成工程を行い、図15Aに示すように、最終的に金属層3を残す領域に対応して、誘電体によるレジスト7を被着形成して、誘電体層形成工程を行う。続いて、最終的に誘電体層となるレジスト7に、例えばフッ素系ガスによるRIEによって開口を形成し、この開口を通じて、例えば塩素系ガスによるRIEによって金属層3に対するエッチングを行い、図15Bに示すように、金属層3を互いに平行な複数の直線状に整形する金属層整形工程を行う。続いて、誘電体によるレジスト7を例えばエッチングによって所定の厚さ及び形状として、誘電体層4として形成するとともに、金属層3及び誘電体層4によって基板2の主面上に凹凸を形成して、図15Cに示すような光学装置1を得る。本実施形態に係る光学装置の製造方法によれば、金属層整形工程に先立って誘電体層形成工程を行うことから、誘電体層を、金属層整形工程におけるエッチングマスクとして用いることができ、製造コストの低減及び工程数の減少を図ることができる。<光学装置の製造方法の第3の実施形態>本発明に係る光学装置の製造方法の、第3の実施形態を、図16A~図16Cを参照して説明する。この第3実施形態では、説明を省略する部分は第1実施形態と同様であることとし、また、説明上、第1実施形態と重複する構成要素には、同一の符号を付して重複説明を省略する。本実施形態に係る光学装置の製造方法においては、まず、可視光域に関して透明な基板2を用意し、この基板2の一主面に、例えばアルミニウムによる金属層3を形成する金属層形成工程を行い、図16Aに示すように、最終的に金属層3を残す領域に対応して誘電体によるレジスト7を被着形成して、誘電体層形成工程を行う。続いて、最終的に誘電体層となるレジスト7に、例えばフッ素系ガスによるRIEによって開口を形成し、この開口を通じて、例えば塩素系ガスによるRIEによって、金属層3を互いに平行な複数の直線状に整形する金属層整形工程を行うと共に、金属層3と最終的に光学装置の誘電体層を構成するレジスト7の厚さの和に比して大きな深さの凹部を形成する。続いて、誘電体によるレジスト7を例えばエッチングによって所定の厚さ及び形状として、誘電体層4として形成することにより、基板2の主面上に所定の凹凸を形成して、図16Cに示すような光学装置1を得る。本実施形態に係る光学装置の製造方法によれば、金属層整形工程に先立って誘電体層形成工程を行うのみならず、金属層3の整形と基板2表面の凹部形成を同時に行うことができることから、誘電体層を金属層整形工程におけるエッチングマスクとして用いることができるととともに、所望の深さ及び形状を有する凹凸によって、最終的に得る光学装置の主面を構成することが少ない工程数で可能となる。<光学装置の製造方法の第4の実施形態>本発明に係る光学装置の製造方法の、第4の実施形態を、図17A~図17Cを参照して説明する。この第4実施形態では、説明を省略する部分は第1実施形態と同様であることとし、また、説明上、第1実施形態と重複する構成要素には、同一の符号を付して重複説明を省略する。本実施形態に係る光学装置の製造方法においては、まず、可視光域に関して透明な基板2を用意し、この基板2の一主面に、最終的に得る光学装置の金属層3上に形成される誘電体層とは別の、例えばSiO2による第2の誘電体層5を例えば蒸着によって形成した後、例えばアルミニウムによる金属層3を形成する金属層形成工程を行い、図17Aに示すように、最終的に金属層3を残す領域に対応して誘電体によるレジスト7を被着形成して、誘電体層形成工程を行う。続いて、最終的に誘電体層となるレジスト7の開口を通じて、金属層3及び第2の誘電体層5を貫通して基板2でストップするエッチングを行い、図17Bに示すように、金属層3を互いに平行な複数の直線状に整形する金属層整形工程を行うと共に、金属層3と最終的に光学装置の誘電体層を構成するレジスト7の厚さの和に比して大きな深さの凹部を形成する。なお、本実施形態では、レジスト7に対応する領域の第2の誘電体層5を完全に除去したが、一部残して第2の誘電体層5によって凹部を形成しても良いし、前述のエッチングが基板2に至る、つまり基板2を一部除去して凹部を形成し、これによって最終的に得る光学装置に、金属層と誘電体層の和よりも深い凹凸を形成することもできる。続いて、誘電体によるレジスト7を、例えばエッチングによって所定の厚さ及び形状として、誘電体層4として形成することにより、基板2の主面上に所定の凹凸を形成して、図17Cに示すような光学装置1を得る。本実施形態に係る光学装置の製造方法によれば、金属層整形工程に先立って誘電体層形成工程を行うのみならず、金属層3と基板2の間にも第2の誘電体層5を設けることができ、所望の深さ及び形状を有する凹凸によって、最終的に得る光学装置の主面を構成することができる。以上、本発明に係る光学装置及び光学装置の製造方法の実施の形態を説明したが、本発明は、これに限られるものではない。例えば、前述の実施の形態においては、金属層、誘電体層ならびに第2の誘電体層の形成手法として蒸着を用いる例を説明したが、例えばスパッタリングやMBEMolecularBeamEpitaxyなどの薄膜形成手法によることも可能であるなど、本発明は、種々の変更及び変形をなされうる。