46.7~48.7モルのFe2O3、19.3~21.3モルのNiO、10.05~12.05モルのCuO、19.95~21.95モルのZnOより成る主成分100重量部に対して、少なくとも副成分として化合物1-XCo2O3XFe2O3但しX:0.48~0.54モルを0.2~1.2重量部、CuOを0.5~1.5重量部、それぞれ含むことを特徴とするフェライト磁性材料。46.7~48.7モルのFe2O3、19.3~21.3モルのNiO、10.05~12.05モルのCuO、19.95~21.95モルのZnOより成る主成分100重量部に対して、少なくとも副成分として化合物1-XCo2O3XFe2O3但しX:0.48~0.54モルを0.2~1.2重量部、CuOを0.5~1.5重量部、それぞれ含み、前記主成分、及び前記副成分のうち少なくとも1つ以上がスピネル型結晶構造の固溶体であることを特徴とする請求項1記載のフェライト磁性材料。46.7~48.7モルのFe2O3、19.3~21.3モルのNiO、10.05~12.05モルのCuO、19.95~21.95モルのZnOより成る混合物を所定の温度で仮焼することにより主成分粉末を作製する工程と、XFe2O3と1-XCo2O3但しX:0.48~0.54モルの混合物を所定の温度で仮焼することにより副成分粉末を作製する工程と、前記主成分粉末100重量部に対して前記副成分粉末を0.2~1.2重量部、CuOを0.5~1.5重量部、それぞれ配合した後混合する工程を順次行うことを特徴とするフェライト磁性材料の製造方法。46.7~48.7モルのFe2O3、19.3~21.3モルのNiO、10.05~12.05モルのCuO、19.95~21.95モルのZnOより成る混合物を所定の温度で仮焼することにより主成分粉末を作製する工程と、XFe2O3と1-XCo2O3但しX:0.48~0.54モルの混合物を所定の温度で仮焼することにより副成分粉末を作製する工程と、前記主成分粉末100重量部に対して前記副成分粉末を0.2~1.2重量部、CuOを0.5~1.5重量部、それぞれ配合した後混合する工程を備え、前記主成分粉末、及び前記副成分粉末のうち少なくとも1つ以上がスピネル型結晶構造の固溶体であることを特徴とする請求項3記載のフェライト磁性材料の製造方法。46.7~48.7モルのFe2O3、19.3~21.3モルのNiO、10.05~12.05モルのCuO、19.95~21.95モルのZnOより成る主成分100重量部に対して、少なくとも副成分として化合物1-XCo2O3XFe2O3但しX:0.48~0.54モルを0.2~1.2重量部、CuOを0.5~1.5重量部、それぞれ含み、粒成長進行中の結晶粒子と数μm以下の空孔を有する微細構造を備えることを特徴とするフェライト焼成体。46.7~48.7モルのFe2O3、19.3~21.3モルのNiO、10.05~12.05モルのCuO、19.95~21.95モルのZnOより成る主成分100重量部に対して、少なくとも副成分として化合物1-XCo2O3XFe2O3但しX:0.48~0.54モルを0.2~1.2重量部、CuOを0.5~1.5重量部、それぞれ含み、前記粒成長進行中の結晶粒子がスピネル型結晶構造の固溶体であることを特徴とする請求項5記載のフェライト焼成体。非接触でデータの通信を行うRFIDシステム、もしくはNFCシステムにおけるアンテナモジュールにおいて、アンテナモジュールに設置された磁性部材が、請求項5または6記載のいずれかのフェライト焼成体により形成されたものであることを特徴とするアンテナモジュール。しかしながら、上記した従来のフレキシブル状の磁性体や、フェライト磁性材料及びそれにより製造したフェライト焼成体や部材等は、透磁率やQ値の向上を意図したものであるが、副成分や添加物の均一な分散性や選択的反応性と通信性能との関係を考慮して設計されたものであるとは言い難いものであった。すなわち、製造における必然誤差因子等の工程上制御しえない要因により焼成体等の微細構造、透磁率及びQ値が変動し、その結果場合によっては通信性能やその他の性能が低下する可能性があった。そして、フェライト磁性材料の組成や製造条件、製造方法、フェライト焼成体の組織及び微細構造により通信性能が変動する可能性があった。また、NFCやRFIDの高性能化高機能化に対応するためには、高レベルの通信性能を取得する必要があり、従来レベルの透磁率やQ値をさらに向上させる必要があった。例えば、特許文献1に開示されているフレキシブルシート状の磁性体は、軟磁性体粉末を有機結合材で練り固めたものをシート状にしたフェライトコンポジットであるが、この場合有機結合材のマトリックス中に軟磁性体粉末が分散された微細構造となるため、高い透磁率が得られない。従って、当該フレキシブルシート状の磁性体を携帯端末用RFIDシステムやNFCシステムに適用した場合、スパイラルアンテナに発生した磁束の集束効果が十分ではなく、金属筐体による渦電流損失が大きく、良好な通信性能が取得できない懸念があった。特許文献2に開示されているフェライト焼成体は、Fe2O3、NiO、及びZnOからなるNi-Zn系フェライト粉末にSiO2を含有させたものを成形してグリーンシートにした後、1100~1300°Cで焼成したものであり、SiO2添加と高い焼成温度により焼結が進行して結晶粒子が大きく成長した緻密質な微細構造を有する高透磁率の焼成体となる。従って、当該焼成体を携帯端末用RFIDシステムやNFCシステムに適用した場合、過度に成長した結晶粒子から成る緻密質微細構造のために高い透磁率が取得されるものの、13.56MHzの高周波帯域において導電率が高くなると同時に、焼成体自体の渦電流損失が高くなりQ値が低下して、スパイラルアンテナに発生した磁束の集束効果が発揮されず、パワーロスが顕著になり上記同様十分な通信性能が取得できない恐れがあった。また、特許文献3に開示されている磁性フェライト材料は、Fe2O3、ZnO、NiO、及びCuOより成る主成分に対して、副成分としてBi2O3を2wt未満、Co3O4を0.1wt未満添加したものである。しかしながら、その製造方法において、上記主成分と副成分の混合物の一括仮焼方式であるためQ値改善効果や焼成温度低下効果のある副成分の選択的反応性が大きく損なわれるため、高透磁率を維持しながら十分なQ値向上を図ることが困難であった。さらに、特許文献4に開示されているフェライト材料は、Fe2O3を47.0~49.8モル、NiOを16.0~33.0モル、ZnOを11.0~25.0モル、CuOを7.0~12.0モル含むバルク状フェライトであり、これに適宜CoOを0.1~1.0wt含ませている。高透磁率を維持しながら十分なQ値向上を図るためのポイントはCoOの添加であるが、上記同様にCoOの選択的反応性と通信性能との関係を十分考慮したものではなく、材料プロセス上、改善の余地があった。この様に従来の技術は、高周波帯域での透磁率とQ値の向上を意図したものであるが、通信性能向上の必須成分である添加剤の均一分散性、選択的反応性等を考慮した材料設計ではなかった。同時に、NFCやRFIDの高性能化高機能化に対応するためには、主成分や副成分より成る材料組成系において、改善の余地が十分あった。また、従来の技術におけるフェライト焼成体を携帯端末用RFIDシステムやNFCシステムに適用する場合において、所定のフェライト材料組成より構成される焼成体の微細構造と通信性能との関連が詳細に把握されていなかった。すなわち、スパイラルアンテナと携帯端末筐体セルの金属面との間にフェライト焼成体を挿入して構成されるRFIDシステムやNFCシステムにおいて、最大の通信性能が発現されるフェライト焼成体の微細構造が確立されていなかった。そこで、本発明は以上のような課題を解決するものであり、リーダー/ライター交信用スパイラルアンテナと携帯端末筐体セルの金属面との間にフェライト焼成体を挿入した携帯端末用RFIDシステムやNFCシステムにおいて、良好でしかも安定した通信性能が発現されるフェライト磁性材料及びその製造方法、それを用いたフェライト焼成体並びにアンテナモジュールを提供することを目的とする。この目的を達成するために、本発明のフェライト磁性材料は、46.7~48.7モルのFe2O3、19.3~21.3モルのNiO、10.05~12.05モルのCuO、19.95~21.95モルのZnOより成る主成分100重量部に対して、少なくとも副成分として化合物1-XCo2O3XFe2O3但しX:0.48~0.54モルを0.2~1.2重量部、CuOを0.5~1.5重量部、それぞれ含むものであり、前記主成分、及び前記副成分のうち少なくとも1つ以上がスピネル型結晶構造の固溶体であることを特徴とするものである。また、本発明のフェライト磁性材料の製造方法は、46.7~48.7モルのFe2O3、19.3~21.3モルのNiO、10.05~12.05モルのCuO、19.95~21.95モルのZnOより成る混合物を所定の温度で仮焼することにより主成分粉末を作製する工程と、XFe2O3と1-XCo2O3但しX:0.48~0.54モルの混合物を所定の温度で仮焼することにより副成分粉末を作製する工程と、前記主成分粉末100重量部に対して前記副成分粉末を0.2~1.2重量部、CuOを0.5~1.5重量部、それぞれ配合した後混合する工程を順次行うものであり、前記主成分粉末、及び前記副成分粉末のうち少なくとも1つ以上がスピネル型結晶構造の固溶体であることを特徴とするものである。これにより、高透磁率を維持しながらQ値を向上させるための必須成分であるCoOの選択的反応性が達成される。すなわち、一般的なソフトフェライト材料の場合、一般式MOFe2O3但し、Fe2O3は、50モル以下、Mは2価の金属で表示されるスピネル型結晶構造を有している。正八面体構造の中心に位置する3価のFe3においては、平衡式Fe3e-⇔Fe2により、電子が動き易い状態にあり、通信性能を左右するQ値の低下を招く可能性がある。そこで、Fe3とイオン半径が近いCo2を固溶させることにより、Co2がFe3に置換して正八面体構造の中心位置に入り込み、上記の電子交換反応を抑制してQ値の向上を図るものである。特に、本発明は、CoOとFe2O3とを予め選択的に反応させた副成分である化合物1-XCo2O3XFe2O3但しX:0.48~0.54モルを適用することにより、正八面体構造の中心位置においてCo2によるFe3の置換を確実に発生させてフェライト磁性材料の性能改善を図るものである。一方、仮焼なしの主成分混合物や副成分を適用した場合、均一なスピネル型結晶構造の固溶体が形成され難くなり、またCoOの選択的反応性が達成され難くなる。したがって、透磁率が小さく、しかもQ値が低い、Fe2O3の単相であるヘマタイト相が生成したフェライト焼成体となるため、良好な通信性能が取得されない。さらに、上記フェライト磁性材料により製造されるフェライト焼成体は、その微細構造が粒成長進行中の結晶粒子と数μm以下の空孔よりなることを特徴とするものであり、これにより、フェライト焼結体を備えたアンテナモジュールの通信周波数13.56MHzにおいて高い透磁率を維持しながら高Q値で、しかも透磁率の温度変化率が小さいフェライト焼成体が得られ、透磁率とQ値の積は10000以上となる。そして、当該フェライト焼成体をRFIDシステムや、NFCシステムに適用することにより13.56MHzにおける通信距離が110mmを超える良好で安定した通信性能を有するアンテナモジュールが得られる。以上の様に本発明によれば、透磁率が高く、良好なQ値を有するフェライト磁性材料及びその製造方法を提供するものである。当該フェライト磁性材料により製造したフェライト焼成体を、リーダー/ライター交信用スパイラルアンテナと携帯端末筐体セルの金属面との間に挿入した携帯端末用RFIDシステムやNFCシステムに適用することにより良好な通信性能を有するアンテナモジュールが実現できる。本発明のフェライト磁性材料は、46.7~48.7モルのFe2O3、19.3~21.3モルのNiO、10.05~12.05モルのCuO、19.95~21.95モルのZnOより成る主成分100重量部に対して、少なくとも副成分として化合物1-XCo2O3XFe2O3但しX:0.48~0.54モルを0.2~1.2重量部、CuOを0.5~1.5重量部、それぞれ含むものである。表1は、本発明のフェライト磁性材料を得るために検討した組成表であり、表2は各々の組成に対する特性を示している。※印を付したRunNo.は、本発明の範囲内のフェライト磁性材料である。以下、表1および表2のRunNo.1~30について説明する。RunNo.1~5において、主成分を構成するFe2O3が48.7モルを超えると、透磁率は高くなるがQ値の低下が大きく、13.56MHzでの通信距離が短くなり、透磁率の温度変化率が大きくなり、一方、46.7モル未満になると、透磁率が小さくなり、いずれも好ましくない。RunNo.6~9において、NiOが21.3モルを超えると、Q値の低下が著しく通信距離が短くなり、一方、19.3モル未満になると、透磁率の温度変化率は小さくなるが、透磁率、Q値ともに低下傾向にあり、通信距離が短くなり、いずれも好ましくない。RunNo.10~13において、CuOが12.05モルを超えると、透磁率、Q値ともに小さくなり、通信距離が短くなる傾向にあり、一方、10.05モル未満になると、同様に透磁率、Q値ともに低下傾向にあり、いずれも好ましくない。RunNo.14~17において、ZnOが21.95モルを超えると、透磁率の温度変化率は小さくなるが、Q値の低下が著しく、一方、19.95モル未満になると、透磁率は高くなるが、透磁率の温度変化率が大きくなり、Q値が低下して、通信距離が短くなり、いずれも好ましくない。RunNo.26~30において、副成分を構成する化合物1-XCo2O3XFe2O3但しX:0.48~0.54モルの分率Xが0.54モルを超えると、透磁率、Q値ともに低下傾向にあり、通信距離が短くなり、一方、0.48モル未満になると、透磁率が低下して、いずれも好ましくない。RunNo.18~21において、主成分100重量部に対する化合物1-XCo2O3XFe2O3但しX:0.48~0.54モルの添加量が1.2重量部を超えると、透磁率、Q値ともに低下傾向にあり、通信距離が短くなり、一方、0.2重量部未満になると、Q値が大きく低下して、通信距離が大幅に短くなり、いずれも好ましくない。RunNo.22~25において、主成分100重量部に対するCuOの添加量が1.5重量部を超えると、Q値が低下し、一方、0.5重量部未満になると、透磁率、Q値ともに低下傾向にあり、通信距離が短くなり、いずれも好ましくない。また、本発明のフェライト磁性材料において、46.7~48.7モルのFe2O3、19.3~21.3モルのNiO、10.05~12.05モルのCuO、19.95~21.95モルのZnOより成る主成分は、スピネル型結晶構造の固溶体であることが好ましく、副成分としての1-XCo2O3XFe2O3但しX:0.48~0.54モルは、Co2O3とFe2O3の混合物ではなく、化合物であることが必須条件であり、スピネル型結晶構造の固溶体であることが好ましい。Fe2O3とCo2O3の化合物生成が不十分であり、未反応分が少量でも残存していると、本発明の意図するフェライト材料は得られない。ここで、副成分粉末を構成するCo2O3は、その一部がCoOであっても差し支えなく、上記同様のスピネル型結晶構造の固溶体が得られるため、本発明の意図するフェライト磁性材料となる。図1は、フェライト磁性材料の製造方法を示す図である。本発明のフェライト磁性材料の製造方法について、そのフローを図1に示した。これによると、前記組成より成る主成分の仮焼生成物、前記組成より成る副成分の仮焼生成物、及びCuOを共に混合することによりフェライト磁性材料を作製するものである。図2は、Fe2O3-Co2O3系副成分仮焼生成物の粉末X線回折図である。図3は、フェライト磁性材料の粉末X線回折図である。副成分の仮焼生成物と、作製したフェライト磁性材料の粉末X線回折図を図2と図3にそれぞれ示した。図2によると、Fe2O3とCo2O3の副成分混合物の仮焼により形成されたCo2O3-Fe2O4系のスピネル型固溶体の回折ピークが析出していた。また、図3によると、作製したフェライト磁性材料は、NiZnCuFe2O4のスピネル型固溶体の結晶相により構成されていた。一方、表1および表2のRunNo.31~42は、副成分としての1-XCo2O3XFe2O3但しX:0.48~0.54モルを仮焼なしのCo2O3とFe2O3の混合物として適用したものである。ここで、仮焼なしのRunNo.31~42の組成は、仮焼有りのRunNo.2、4、7、8、11、12、15、16、19、20、23、24と同一である。これより明らかな様に、仮焼なしのRunNo.31~42の組成は、仮焼有りに比べて、透磁率、Q値ともに低下傾向にあり、通信距離が短く、好ましいものではなかった。本発明のフェライト焼成体は、上記した本発明の範囲内のフェライト磁性材料により得られるものであり、その微細構造は粒成長進行中の結晶粒子と数μm以下0.5~2μm程度の空孔より成り、好ましくは、前記粒成長進行中の結晶粒子がスピネル型結晶構造の固溶体である。図4は、フェライト焼成体の焼成温度に対する微細構造を示す図である。図4に、RunNo.3の47.7モルのFe2O3、20.30モルのNiO、11.05モルのCuO、20.90モルのZnOより成る主成分100重量部に対して、少なくとも副成分として化合物0.49Co2O30.51Fe2O3を0.65重量部、CuOを1.0重量部、それぞれ含む組成を有するフェライト磁性材料により作製された成形体を焼成した場合の焼成温度と微細構造との関係を示した。なお、微細構造は、各焼成体の破断面を走査型電子顕微鏡で撮影したものである。図4において、本発明のフェライト焼成体は、910~1000°Cの焼成温度で焼成した微細構造を有するものである。すなわち、粒成長進行中の結晶粒子と数μm以下の空孔より成るものである。図4において、880°Cの温度で焼成した微細構造を有するフェライト焼成体は、透磁率発現の要因となる結晶粒子の成長がなく、そのために透磁率が小さく、Q値も小さく、良好な通信性能が得られない。さらに、機械的強度の小さいものとなり、製造の組み立て工程においてフェライト焼成体に割れやカケ等の不具合が発生する。また、1020°Cの温度で焼成した微細構造を有するフェライト焼成体は、粗大な結晶粒子が発生しており、結晶粒子の成長が完了して飽和された状態にあり、透磁率は大きいが、Q値の低下が著しく、高周波帯での導電率が増加するため十分な磁束の集束効果が得られず、RFIDシステムやNFCシステムにおいて、良好な通信性能が得られるものではない。935°Cの温度で焼成した焼成体の粉末X線回折図によると、図3に示したフェライト磁性材料と同様の典型的なNiZnCuFe2O4のスピネル型固溶体の単一相を形成しており、これにより、格段の通信性能の向上が図れるものである。本発明のフェライト焼成体を、リーダー/ライター交信用スパイラルアンテナと携帯端末筐体セルの金属面との間に挿入した携帯端末用RFIDシステムやNFCシステムにより、良好な通信性能を有するアンテナモジュールが実現できる。図5は、フェライト焼成体を搭載していないRF-IDシステムの概略図である。図6は、フェライト焼成体を搭載したRF-IDシステムの概略図である。すなわち、図5及び図6は、リーダー/ライター交信用スパイラルアンテナ52、62より成る携帯端末用RF-IDシステムの概略図である。携帯端末筐体セル51と交信用スパイラルアンテナ52により構成された図5のRFーIDシステムにおいて、交信用スパイラルアンテナ52に侵入する磁束53は携帯端末筐体セル51の金属表面に発生した渦電流による反対方向の磁束54により打ち消されて通信機能が大きく減衰する。これに対して、図6の携帯端末用RF-IDシステムは、リーダー/ライター交信用スパイラルアンテナ62と携帯端末筐体セル61の金属面との間にフェライト焼成体64が挿入されたものである。これにより、交信用スパイラルアンテナ62に侵入する磁束63が当該フェライト焼成体64により集束されて携帯端末筐体セル61の金属表面の渦電流が抑制されるものである。本発明の携帯端末用RF-IDシステムは、前記フェライト焼成体64の微細構造を、図4の焼成温度と微細構造との関係において、910~1000°Cの焼成温度で焼成した微細構造としたものである。これにより、良好な通信性能を有するアンテナモジュールが実現できるものである。次に本発明の具体例を説明する。実施例1実施例1においては、本発明のフェライト磁性材料、およびその製造方法について述べる。表1において、※印を付したRunNo.は本発明の範囲内のフェライト磁性材料である。また、図1は、フェライト磁性材料の製造方法を示す図である。すなわち、出発原材料として酸化鉄Fe2O3が46.7~48.7モル、酸化ニッケルNiOが19.3~21.3モル、酸化銅CuOが10.05~12.05モル、酸化亜鉛ZnOが19.95~21.95モルの比率になるように、電子天秤を使用して各々秤量した後、ボールミル等を使用して所定時間混合した。混合は湿式で実施して、混合媒体としてはジルコニア球やステンレス球等を適用した。混合物のスラリーを110~130°Cの温度で乾燥した後、解砕して800~910°Cの温度で仮焼することにより主成分粉末を作製した。仮焼には、ロータリーキルン、連続式トンネル炉、バッチ式箱型炉等が適用できる。仮焼の条件は、主成分粉末の反応性を左右するものであり、最終のフェライト磁性材料におけるスピネル型結晶構造の固溶体生成を完璧なものにするために、工程条件の厳密な管理が必要となる。一方、上記した主成分粉末の製造方法と同様の方法により酸化鉄Fe2O3が0.48~0.54モル、酸化コバルトCo2O3が0.52~0.46モルの比率より成る副成分粉末を作製した。すなわち、所定の比率より成るFe2O3とCo2O3の混合物を作製した後、700~900°Cの温度で仮焼して、粉砕することにより副成分粉末を作製した。図2にその粉末X線回折図を示した。副成分粉末も主成分粉末と同様に、Fe2O3とCo2O3が仮焼中に固相反応して形成されたスピネル型結晶構造の固溶体であり、未反応分は確認されなかった。次に、前記主成分粉末の100重量部に対して、前記副成分粉末を0.2~1.2重量部、添加剤としての酸化銅CuOを0.5~1.5重量部、電子天秤を使用して各々秤量した後、アトラクションミルやボールミル等で湿式での混合粉砕を実施した。ここでの混合粉砕は、最終粉末であるフェライト磁性材料の粒度分布、平均粒子径、およびBETの比表面積を制御するものであり、後工程の条件や製品性能を左右する重要な操作である。なお、目的とする粒子径を得るために、場合によっては数十時間の混合粉砕を実施することもある。そして、混合粉砕した後のスラリーを110~130°Cの温度で乾燥した後、乾燥塊状物を解砕することにより、本発明のフェライト磁性材料を得た。作製した本発明のフェライト磁性材料の粉末X線回折図を図3示した。すなわち、仮焼中に出発原材料同士の固相反応が進行してスピネル型結晶構造の固溶体が形成されていた。また、得られた本発明のフェライト磁性材料は、レーザ回折散乱法による粒度分布測定によると、0.5~1.6μmの平均粒子径を有していた。また、窒素ガス吸着法によるBETの比表面積測定によると、3.000~5.500m2/gの値を有していた。以上の様に、本発明のフェライト磁性材料は、その製造方法においてモル比率の限定されたFe2O3、NiO、CuO、ZnOより成る主成分粉末、およびモル比率の限定されたCo2O3、Fe2O3より成る副成分粉末をそれぞれ仮焼して反応させたものであり、前記主成分、及び前記副成分のうち少なくとも1つ以上をスピネル型結晶構造の固溶体としたものである。実施例2実施例2においては、表1の組成表に基づいて作製されたフェライト磁性材料より成るフェライト焼成体について、その製造方法、および透磁率、Q値等の磁気特性評価について述べる。表1の組成表に基づいて、実施例1に記載の方法により作製されたフェライト磁性材料の100重量部に対して、ポリビニルブチラール系樹脂を4.0~6.0重量部、フタル酸エステル系の可塑剤を3.5~6.0重量部及び有機溶剤を40~60重量部の割合で配合した後、専用のミルで混合してスラリーを作製した。作製したスラリーの粘度は20°Cで1500~2500Pasecであり、シート成形用として適切な粘度を有していた。なお、ポリビニルブチラール系樹脂、フタル酸エステル系の可塑剤、および有機溶剤の重量は、出発原材料のロット間変動、仮焼における固相反応状態の変動、混合粉砕後の平均粒子径の変動、および次工程における成形シートの設定厚み等により、前記した範囲内で適宜加減できるものである。次に、フェライト磁性材料より成るスラリーをPETフィルム上に製膜して50~300μmの厚みを有するグリーンシートを作製した。すなわち、粘度が調整されたスラリーを塗工機に供給しながら、ローラー間のギャップとライン速度を調節してPETフィルム上に製膜、乾燥した後、巻き上げてグリーンシートを作製した。ローラー間のギャップを調節することによりグリーンシートの厚みは50~300μmに制御できるものである。また、グリーンシート同士の積層密着性に影響を及ぼす乾燥温度は、60~90°Cに調節した。ライン速度は作製するグリーンシートの表面状態や乾燥状態に応じて調節する必要があり、0.5~2.0m/minの範囲内で制御した。スラリー粘度と、グリーンシートの厚み、ライン速度、及び乾燥温度のバランスが悪くなると、作製されたグリーンシートの表面に亀裂が発生するため、適切な制御が必要となる。次に積層体作製工程において、上記グリーンシートをラミネート機により所定の層数に積層した。すなわち、PETフィルム上に製膜したグリーンシートをラミネート機の加温ローラー圧着により2~6層に積層して所定の厚みを有する積層体を作製した。加温ローラーの表面温度は、前記ポリビニルブチラール系樹脂のガラス転移温度よりも高い100~120°Cに制御して、良好な積層密着性を確保した。次に切断工程において、積層したグリーンシートを所定の形状に切断した。すなわち、積層したグリーンシートをRFIDやNFCの交信用スパイラルアンテナの形状に適合するように設計された専用の金型を用いて打ち抜き切断して所定の形状と厚みを有する成形体を作製した。グリーンシートが良好な積層密着性を有しているため、当該工程において層間剥離等の不具合は発生しなかった。なお、最終製品の品種構成上、積層の必要性がない品番の場合、成形したグリーンシートを積層工程を経由せずに所定の形状に切断するものである。次に、所定の形状を有する成形体をサヤ詰めした後、脱脂及び焼成してフェライト焼成体を作製した。フェライト焼成体は、30~250μmの厚みを有していた。すなわち、フェライト磁性材料より成る成形体をアルミナ質の薄板上にサヤ詰めした後、ポリビニルブチラール系樹脂及びフタル酸エステル系の可塑剤を燃焼させるため脱脂を実施した。脱脂の条件は、350~600°Cであり、良好な脱脂を実現するためには、炉内に打ち込む空気の量と排ガスブロワーの排気量をバランスさせる必要がある。また、急激な昇温は、最終焼成体の亀裂の原因となるため避ける必要がある。次に、本焼成炉により930°C910~1000°Cが好ましいの最高温度で焼成してフェライト焼成体を作製した。脱脂、及び本焼成は、連続式トンネル炉、バッチ式箱型炉、ベルト式トンネル炉等により実施した。通常、脱脂と本焼成は同一炉により連続して実施するが、脱脂と本焼成を別々の炉で実施しても差し支えない。なお、焼成の最高温度に関して、最終製品の品種構成上、目標とする品番により適宜加減できる。さらに、焼成炉の構造や披焼成体の量等により適宜調節が必要となる。図4に走査型電子顕微鏡により撮影したフェライト焼成体の破断面の一例を示した。930°Cの最高温度で焼成した本実施例のフェライト焼成体は、粒成長進行中の結晶粒子と数μm以下の空孔より形成されていた。また、本実施例のフェライト焼成体の粉末X線回折によると、主結晶相がNiZnCuFe2O4系のスピネル型固溶体である単一相を形成していた。次に、表1の組成表に基づいて作製した各々のフェライト焼成体について、磁気特性としてその透磁率、Q値損失係数の逆数、及び透磁率の温度変化率を測定した。まず、100~110μmの厚みを有するフェライト焼成体について、形状を保護するため、その両面に耐水性のテープを貼り付けた後、焼成体にフレキシブル性を持たせるためブレイク加工した。そして、ピナクル金型を用いて外径が22mm、内径が13mmのトロイダル体を作製した。トロイダル体に直径が0.25mmの銅線をスパイラル状に20ターン巻きつけて、磁気特性測定用の供試体とした。ヒューレットパッカード社製LCRメータを使用して、13.56MHzでのL値リアクタンスとQ値を測定して、L値により換算して透磁率を求めた。透磁率の温度変化率は、恒温槽中に放置した供試体とLCRメータとを専用ケーブルで接続して、-40°C~100°Cの温度範囲でのL値を測定して求めた。L値を透磁率に換算した後、20°Cの透磁率を基準として20~100°Cの変化率を求めた。一連の磁気特性の結果を表2に示した。これによると、RunNo.に※印を付した本発明の範囲内のフェライト磁性材料より成るフェライト焼成体は、通信性能の指標となる透磁率とQ値の積μ×Qが10000以上と高く、また透磁率の温度変化率が安定していた。以上のように、本発明のフェライト焼成体は、実施例1に記載の製造方法により作製されたフェライト磁性材料より成るものであり、スピネル型結晶構造の固溶体である結晶粒子が粒成長進行中である微細構造を有するものである。そして、良好な磁気特性を有するものであり、13.56MHzにおける透磁率とQ値の積が10000以上を有していた。実施例3本発明のフェライト磁性材料より成るフェライト焼成体は、主として非接触でデータの通信を行うRFIDシステム、もしくはNFCシステムにおけるアンテナモジュールにおいて良好な通信性能を得るために適用されるものである。図7は、フェライト焼成体を搭載したNFCシステムの断面斜視図である。これによると、NFCアンテナ73とNFCシステム筐体セル72との間にフェライト焼成体74が挿入された構成となる。図7と類似の構成により通信機能を測定した。すなわち、表1の組成表に基づいて実施例2において作製した100~110μmの厚みを有するフェライト焼成体について、その形状を保護するために両面に耐水性のテープを貼り付けた後、フレキシブル性を持たせるためブレイク加工した。そして、ピナクル金型により、30mm×25mmの寸法を有する長方形を打ち抜いて通信機能測定用の供試体とした。供試体の一方の面に筐体セルに見立てた銅版を、そして他方の面にNFCシステム用のスパイラルアンテナを貼り付けて測定用のタグとした。タグとNFC用リーダー/ライターとの間でアンテナモジュールを構成して13.56MHzの共振周波数における通信距離を測定した。測定結果を表2に示した。これによると、RunNo.に※印を付した本発明の範囲内のフェライト磁性材料より成るフェライト焼成体で構成されたアンテナモジュールは、110mm以上の通信距離を有しており、実施例2において測定した透磁率とQ値の積μ×Qと正の相関があった。以上の様に、本発明のアンテナモジュールは高い透磁率とQ値の積μ×Qを有するフェライト焼成体により構成されるものであり、良好な通信性能を有するRFIDシステム、もしくはNFCシステムを実現できる。比較例比較例においては、酸化鉄Fe2O3が0.51モル、酸化コバルトCo2O3が0.49モルの比率より成る副成分粉末が、スピネル型結晶構造の固溶体ではなく、単なる混合物である場合について述べる。すなわち、表3の組成表に基づいて、実施例1に記載した方法でRunNo.31~42の組成に対応したフェライト磁性材料を作製した。特に、実施例1と異なる点は、酸化鉄Fe2O3が0.51モル、酸化コバルトCo2O3が0.49モルの比率より成る副成分粉末について、仮焼による固相反応によりスピネル型結晶構造の固溶体を形成することなく、単なる混合物として適用したことである。すなわち、表3のRunNo.31~42の組成より成るフェライト磁性材料は、表1のRunNo.2、4、7、8、11、12、15、16、19、20、23、24と同組成であり、副成分を単なる混合物としたものである。次に、作製したRunNo.31~42の組成を有するフェライト磁性材料を用いて、実施例2と同様の製造方法でフェライト焼成体を作製した後、磁気特性としてその透磁率、Q値損失係数の逆数、及び透磁率の温度変化率を測定した。一連の磁気特性の結果を表4のRunNo.31~42に示した。そして、組成は同じであるが仮焼による固相反応によりスピネル型結晶構造の固溶体を形成した結果である表2のRunNo.2、4、7、8、11、12、15、16、19、20、23、24と比較した。それによると、副成分を混合物の形態で適用した本比較例のフェライト焼成体は、副成分をスピネル型結晶構造の固溶体として適用した実施例2のフェライト焼成体に比べて、特にQ値が低下したために通信性能の指標となる透磁率とQ値の積μ×Qが低くなり、概ね10000以下であった。次に、実施例3と同様の方法で、RunNo.31~42のフェライト磁性材料より成る各々のフェライト焼成体を用いて測定用のタグを試作した後、13.56MHzの共振周波数でリーダー/ライターとの通信距離を測定した。その結果を表4に示した。これによると、透磁率とQ値の積μ×Qと連動しており、表2のRunNo.2、4、7、8、11、12、15、16、19、20、23、24の結果と比べて、通信距離が短く110mm以下であった。以上の様に、本発明の磁性材料において、Fe2O3とCo2O3より成る副成分粉末の形態がスピネル型結晶構造の固溶体ではなく、単なる混合物である場合、透磁率とQ値の積μ×Qが小さく、通信距離が短くなり、本発明の意図する結果は得られなかった。