物理量を検出し、物理量に応じた電荷を蓄える蓄積部と、前記蓄積部から前記電荷を転送する転送部と、前記転送部を介して前記蓄積部から転送された前記電荷を、その電荷により生じる電位に対応する電圧に変換する変換部と、前記変換部により変換された電圧の信号を出力する出力部と、前記変換部の電位をリセットするリセット部と、前記変換部に接続された接続部とを有する画素が平面的に配置された画素部と、信号の読み出し対象の前記画素の前記蓄積部から前記変換部へ電荷の転送を指示する転送信号と信号の読み出し対象の行にある前記画素の前記変換部と、その画素に隣接する行にある前記画素の前記変換部との接続および非接続を制御する接続信号と、を出力する駆動部とを備え、前記駆動部は、前記接続信号により前記変換部どうしを接続させた状態で、前記転送信号により電荷の転送を行わせる撮像装置。前記駆動部は、前記行にある前記画素を選択して、前記出力部からの信号の出力を指示する選択信号をさらに出力し、前記接続信号により前記変換部どうしを接続させた状態で、前記選択信号により信号の出力を行わせる請求項1に記載の撮像装置。前記駆動部は、前記接続信号により前記変換部どうしを接続させた状態で前記信号の出力を行わせた後、前記接続信号により前記変換部どうしの接続を解除した状態で前記信号の出力を行わせる請求項2に記載の撮像装置。前記駆動部は、前記接続信号により前記変換部どうしの接続を解除した状態で前記転送信号により電荷の転送を行わせ、前記選択信号により信号の出力を行わせた後、前記接続信号により前記変換部どうしを接続させた状態で前記転送信号により電荷の転送を行わせ、前記変換部どうしを接続させた状態、または、前記変換部どうしの接続を解除した状態で、前記選択信号により信号の出力を行わせる請求項2に記載の撮像装置。前記画素部は、前記画素の列ごとに複数本の信号線を有しており、前記信号を出力する動作期間を複数の行で部分的に重ねて行い、複数行の信号の読み出しを並列的に行う請求項4に記載の撮像装置。前記画素部は、前記画素の列ごとに複数本の信号線を有しており、電荷のオーバーフローの発生可能な電圧の前記接続信号を前記接続部に供給した状態で、前記蓄積部からの電荷の転送を複数の前記変換部に行わせ、複数本の前記信号線から並列的に前記信号を出力する請求項4に記載の撮像装置。前記接続部は、異なる複数の前記画素の変換部から同一のノードに接続し、前記リセット部によるリセットと、前記接続部による接続とが、前記ノードを介して行われる請求項1に記載の撮像装置。物理量を検出し、物理量に応じた電荷を蓄える蓄積部と、前記蓄積部から前記電荷を転送する転送部と、前記転送部を介して前記蓄積部から転送された前記電荷を、その電荷により生じる電位に対応する電圧に変換する変換部と、前記変換部により変換された電圧の信号を出力する出力部と、前記変換部の電位をリセットするリセット部と、前記変換部に接続された接続部とを有する画素が平面的に配置された画素部と、信号の読み出し対象の前記画素の前記蓄積部から前記変換部へ電荷の転送を指示する転送信号と信号の読み出し対象の行にある前記画素の前記変換部と、その画素に隣接する行にある前記画素の前記変換部との接続および非接続を制御する接続信号と、を出力する駆動部とを備える撮像装置の撮像方法において、前記駆動部は、前記接続信号により前記変換部どうしを接続させた状態で、前記転送信号により電荷の転送を行わせるステップを含む撮像方法。物理量を検出し、物理量に応じた電荷を蓄える蓄積部と、前記蓄積部から前記電荷を転送する転送部と、前記転送部を介して前記蓄積部から転送された前記電荷を、その電荷により生じる電位に対応する電圧に変換する変換部と、前記変換部により変換された電圧の信号を出力する出力部と、前記変換部の電位をリセットするリセット部と、前記変換部に接続された接続部とを有する画素が平面的に配置された画素部と、信号の読み出し対象の前記画素の前記蓄積部から前記変換部へ電荷の転送を指示する転送信号と信号の読み出し対象の行にある前記画素の前記変換部と、その画素に隣接する行にある前記画素の前記変換部との接続および非接続を制御する接続信号と、を出力する駆動部とを有し、前記駆動部は、前記接続信号により前記変換部どうしを接続させた状態で、前記転送信号により電荷の転送を行わせる撮像装置を備える電子機器。しかしながら、特許文献1に開示されている固体撮像素子では、2つの容量で構成されたFDが大面積となるため、PDが小面積となる結果、PDの感度および飽和電荷量が低下することになる。そこで、FDが大面積となることを回避しつつ、SNが良好で、かつ、ダイナミックレンジが広い画像信号を得ることができる固体撮像素子が求められている。本開示は、このような状況に鑑みてなされたものであり、SNが良好で、かつ、ダイナミックレンジが広い信号を得ることができるようにするものである。本発明の一側面の撮像装置は、物理量を検出し、物理量に応じた電荷を蓄える蓄積部と、前記蓄積部から前記電荷を転送する転送部と、前記転送部を介して前記蓄積部から転送された前記電荷を、その電荷により生じる電位に対応する電圧に変換する変換部と、前記変換部により変換された電圧の信号を出力する出力部と、前記変換部の電位をリセットするリセット部と、前記変換部に接続された接続部とを有する画素が平面的に配置された画素部と、信号の読み出し対象の前記画素の前記蓄積部から前記変換部へ電荷の転送を指示する転送信号と信号の読み出し対象の行にある前記画素の前記変換部と、その画素に隣接する行にある前記画素の前記変換部との接続および非接続を制御する接続信号と、を出力する駆動部とを備え、前記駆動部は、前記接続信号により前記変換部どうしを接続させた状態で、前記転送信号により電荷の転送を行わせる。を備える。本発明の一側面の撮像方法は、物理量を検出し、物理量に応じた電荷を蓄える蓄積部と、前記蓄積部から前記電荷を転送する転送部と、前記転送部を介して前記蓄積部から転送された前記電荷を、その電荷により生じる電位に対応する電圧に変換する変換部と、前記変換部により変換された電圧の信号を出力する出力部と、前記変換部の電位をリセットするリセット部と、前記変換部に接続された接続部とを有する画素が平面的に配置された画素部と、信号の読み出し対象の前記画素の前記蓄積部から前記変換部へ電荷の転送を指示する転送信号と信号の読み出し対象の行にある前記画素の前記変換部と、その画素に隣接する行にある前記画素の前記変換部との接続および非接続を制御する接続信号と、を出力する駆動部とを備える撮像装置の撮像方法において、前記駆動部は、前記接続信号により前記変換部どうしを接続させた状態で、前記転送信号により電荷の転送を行わせるステップを含む。本発明の一側面の電子機器は、上述の撮像装置を備える。本発明の一側面においては、接続信号により変換部どうしを接続させた状態で、転送信号により電荷の転送を行わせる。本開示の一側面によれば、SNが良好で、かつ、ダイナミックレンジが広い信号を得ることができる。以下、本技術を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本技術を適用した固体撮像装置の一実施の形態の構成例を示すブロック図である。図1において、固体撮像装置11は、画素部12、垂直駆動回路13、カラム処理回路14、出力回路15、および制御回路16を備えて構成される。画素部12は、行列状に整列された複数の画素例えば、後述する図2の画素21を有しており、それぞれ画素は、リセットレベルの信号と、入射光の光量に応じたレベルの信号を出力する。垂直駆動回路13は、画素部12が有する画素を行ごとに走査するように、駆動信号例えば、選択信号Sel、リセット信号Rst、転送信号Trf、および接続信号Cntを出力して、それぞれの画素を駆動する。カラム処理回路14は、画素部12が有する各画素から出力される信号を並列に受信し、リセットレベルの信号と、入射光の光量に応じたレベルの信号との差分を演算することにより画像信号を取得する。そして、カラム処理回路14は、その求めた画像信号に対してADanalogdigital変換を行って得られるデジタル値の画像信号を出力回路15に供給する。出力回路15は、カラム処理回路14から供給される画像信号に対し、ゲイン調整や傷補正などを行って、図示しない後段の外部回路例えば、図13のDSPDigitalSignalProcessor54に供給する。制御回路16は、固体撮像装置11を構成する各部に対して制御信号を送信して、固体撮像装置11の動作を制御する。図2は、図1の画素部12の第1の構成例を示す回路図である。図2に示すように、画素部12では、列ごとに設けられた垂直信号線31に各列の画素21が接続されており、画素21から出力された信号が、垂直信号線31を介して、図1のカラム処理回路14に供給される。図2には、信号の読み出し順に従って、第n-1行目の画素21n-1と、第n行目の画素21nとが示されている。なお、画素21nおよび画素21n-1は同様に構成されており、以下、共通する部分については、一方の構成に関して説明を行い、他方の構成の説明は省略する。画素21nは、PD22n、転送トランジスタ23n、FD24n、増幅トランジスタ25n、選択トランジスタ26n、リセットトランジスタ27n、および接続トランジスタ28nを有している。PD22nは、アノードが接地され、カソードが転送トランジスタ23nのソースに接続される接続構成となっている。PD22nは、受光した光の光量に応じた電荷を発生光を検出して、その電荷を蓄える光電変換素子である。転送トランジスタ23nは、ゲートが水平信号線図示せずを介して図1の垂直駆動回路13に接続され、ソースがPD22nのカソードに接続されている。また、転送トランジスタ23nは、ドレインが増幅トランジスタ25nのゲートおよびリセットトランジスタ27nのソースに接続される接続構成となっている。そして、転送トランジスタ23nのドレインと増幅トランジスタ25nのゲートとの接続箇所が、FD24nを構成している。転送トランジスタ23nは、垂直駆動回路13から供給される転送信号Trfnに従って、PD22nで発生した電荷をFD24nに転送する。FD24nは、電気的に浮遊状態となっており、転送トランジスタ23nを介してPD22nから転送される電荷を受け取って、蓄積する。また、FD24nの容量に応じて、FD24nにより電荷を電圧に変換する際のゲインが決定される。増幅トランジスタ25nは、ゲートがFD24nに接続され、ドレインが電源電圧Vddに接続され、ソースが選択トランジスタ26nのドレインに接続される接続構成となっている。増幅トランジスタ25nは、FD24nの電位に応じたレベルの信号を出力する。例えば、増幅トランジスタ25nは、FD24nがリセットされたとき、FD24nのリセットレベルの信号を出力する。また、増幅トランジスタ25nは、PD22nからFD24nに電荷が転送されたとき、その電荷により発生したFD24nの電位に応じたレベルの信号、即ち、電荷を電圧に変換した信号を出力する。選択トランジスタ26nは、ゲートが水平信号線図示せずを介して図1の垂直駆動回路13に接続され、ソースが垂直信号線31を介して図1のカラム処理回路14に接続され、ドレインが増幅トランジスタ25nのソースに接続される接続構成となっている。選択トランジスタ26nは、垂直駆動回路13から供給される選択信号Selnに従って、増幅トランジスタ25nと垂直信号線31とを接続する。選択トランジスタ26nがオンとなっているとき、増幅トランジスタ25nから出力される信号が、垂直信号線31を介してカラム処理回路14に供給される。リセットトランジスタ27nは、ゲートが水平信号線図示せずを介して図1の垂直駆動回路13に接続され、ソースがFD24nに接続され、ドレインが電源電圧Vddに接続される接続構成となっている。リセットトランジスタ27nは、垂直駆動回路13から供給されるリセット信号Rstnに従って、FD24nに蓄積されている電荷を電源配線に排出することにより、FD24nをリセットする。接続トランジスタ28nは、ゲートが水平信号線図示せずを介して図1の垂直駆動回路13に接続され、ソースがFD24nに接続され、ドレインが画素21n-1のFD24n-1に接続される接続構成となっている。接続トランジスタ28nは、垂直駆動回路13から供給される接続信号Cntnに従って、FD24nとFD24n-1とを接続する。つまり、画素部12では、画素21nのFD24nと、画素21n-1のFD24n-1とが、接続トランジスタ28nを介して接続可能な構成となっている。同様に、画素21nのFD24nは、図示しない第n1行目の画素が有するFDと、第n1行目の画素の接続トランジスタ28n1を介して接続可能とされている。また、同様に、画素21n-1のFD24n-1は、図示しない第n-2行目の画素が有するFDと、接続トランジスタ28n-1を介して接続可能とされている。なお、画素部12は、PD22nの飽和電荷量が、FD24nが蓄積することができる電荷量の約2倍、または2倍以上となるように、FD24nの容量に対してPD22nの容量が大きく設計されている。このように構成される画素部12において、接続トランジスタ28nが接続信号Cntnに従ってオンになると、FD24nおよびFD24n-1が接続され、それぞれの容量を合算した大容量のフローティングディフュージョンとして機能する。従って、FD24nおよびFD24n-1が接続されているときに、転送トランジスタ23nがオンになると、PD22nからFD24nおよびFD24n-1に電荷が転送される。そして、増幅トランジスタ25nは、FD24nおよびFD24n-1に蓄積されている電荷を電圧に変換した信号を出力する。ここで、固体撮像装置11では、撮像の対象となる被写体の明るさに応じて、FD24nとFD24n-1との接続および非接続を切り替えることができる。例えば、被写体が所定の明るさよりも明るい場合、FD24nおよびFD24n-1を接続して撮像が行われ、被写体が所定の明るさよりも暗い場合、FD24nおよびFD24n-1が接続されずに撮像が行われる。なお、固体撮像装置11では、画素部12が出力した信号から求められる画像信号に基づいて、出力回路15が、被写体の明るさを判断し、その判断結果を制御回路16に通知する。そして、制御回路16が、垂直駆動回路13に対して、FD24nおよびFD24n-1の接続を行うか否かの制御を行う。次に、図3を参照して、図2の画素部12を有する固体撮像装置11において、画素21nの信号を読み出す第1の駆動例について説明する。図3Aには、被写体が暗い場合に、画素21nの信号を読み出すときの駆動タイミングが示されており、図3Bには、被写体が明るい場合に、画素21nの信号を読み出すときの駆動タイミングが示されている。図3Aに示すように、被写体が暗い場合、接続信号Cntnがオフのままで駆動が行われる。まず、画素21nの信号の読み出しを開始するタイミングになると、垂直駆動回路13は、選択信号Selnをオンにする。これにより、選択トランジスタ26nを介して増幅トランジスタ25nと垂直信号線31とが接続され、増幅トランジスタ25nは、FD24nの電位に応じた信号の出力を開始する。次に、垂直駆動回路13は、リセット信号Rstnをオンにするリセットパルスを出力して、FD24nをリセットする。FD24nがリセットされた後、増幅トランジスタ25nが垂直信号線31に出力する信号が、リセットレベルの信号としてカラム処理回路14に取り込まれる。その後、垂直駆動回路13は、転送信号Trfnをオンにする転送パルスを出力する。これにより、転送トランジスタ23nを介して、PD22nで発生した電荷がFD24nに転送される。PD22nからFD24nに電荷が転送された後、増幅トランジスタ25nが垂直信号線31に出力する信号が、即ち、電荷転送後のFD24nの電位に応じたレベルの信号が、カラム処理回路14に取り込まれる。カラム処理回路14は、リセットレベルの信号と、電荷転送後のFD24nの電位に応じたレベルの信号との差分を演算することにより、PD22nからFD24nに転送された電荷に応じた電圧の画像信号を取得する。そして、画素21nの信号の読み出しを終了するタイミングになると、垂直駆動回路13は、選択信号Selnをオフにする。このように、被写体が暗い場合、FD24nのみの容量即ち、FD24nの容量とFD24n-1の容量とを合算した場合よりも小容量で、PD22nから転送される電荷が扱われる。上述したように、FDの容量が小さい場合、FDが電荷を電圧に変換する際のゲインが大きくなるので、被写体が暗い場合、高ゲインで撮像が行われると言うことができる。そして、画素21nの信号が読み出された次に、同様に、画素21n1の信号が読み出され、順次、次の行の画素を対象として信号の読み出し継続される。なお、PD22nがFD24nに電荷を転送した後にPD22nに残っている電荷は、信号を読み出した後の電子シャッタ動作によってリセットされる。一方、図3Bに示すように、被写体が明るい場合、選択信号Selnをオンにしている期間と略同期間で接続信号Cntnがオンにされる。まず、画素21nの信号の読み出しを開始するタイミングになると、垂直駆動回路13は、選択信号Selnおよび接続信号Cntnをオンにする。これにより、接続トランジスタ28nを介して、FD24nおよびFD24n-1が接続される。従って、この場合、増幅トランジスタ25nは、FD24nの容量とFD24n-1の容量とを合算した容量の電位に応じた信号の出力を開始する。次に、垂直駆動回路13は、リセット信号Rstnをオンにするリセットパルスを出力して、FD24nおよびFD24n-1をリセットする。FD24nおよびFD24n-1がリセットされた後、増幅トランジスタ25nが垂直信号線31に出力する信号が、リセットレベルの信号としてカラム処理回路14に取り込まれる。その後、垂直駆動回路13は、転送信号Trfnをオンにする転送パルスを出力する。これにより、転送トランジスタ23nを介して、PD22nで発生した電荷がFD24nおよびFD24n-1に転送される。従って、FD24nの容量とFD24n-1の容量とを合算した容量により、PD22nで発生した電荷が蓄積される。PD22nからFD24nおよびFD24n-1に電荷が転送された後、増幅トランジスタ25nが垂直信号線31に出力する信号が、即ち、電荷転送後のFD24nおよびFD24n-1の電位に応じたレベルの信号が、カラム処理回路14に取り込まれる。カラム処理回路14は、リセットレベルの信号と、電荷転送後のFD24nおよびFD24n-1の電位に応じたレベルの信号との差分を演算することにより、PD22nからFD24nおよびFD24n-1に転送された電荷に応じた電圧の画像信号を取得する。そして、画素21nの信号の読み出しを終了するタイミングになると、垂直駆動回路13は、選択信号Selnおよび接続信号Cntnをオフにする。このように、被写体が明るい場合、FD24nの容量とFD24n-1の容量とを合算した容量FD24nのみよりも大容量で、PD22nから転送される電荷が扱われる。上述したように、FDの容量が大きい場合、FDが電荷を電圧に変換する際のゲインが小さくなるので、被写体が明るい場合、低ゲインで撮像が行われると言うことができる。以上のように、固体撮像装置11は、撮像の対象となる被写体の明るさに応じて、被写体が暗い場合、FD24nおよびFD24n-1の接続を解除して撮像を行い、被写体が明るい場合、FD24nおよびFD24n-1を接続して撮像を行う。これにより、例えば、被写体が暗い場合には、FD24nにおいて電荷を電圧に変換する際のゲインを高くすることができ、画像信号のSNを高くすることができる。つまり、電荷を電圧に変換する際のゲインが低いと、後段のカラム処理回路14で画像信号を増幅する必要があり、このとき、選択トランジスタ26nによるノイズが増幅されてしまう。これに対し、電荷を電圧に変換する際のゲインが高いと、後段の回路によりノイズが増幅されるという悪影響を抑制することができる。従って、被写体が暗い場合、固体撮像装置11から出力される画像信号のSNが良好となる。さらに、この場合、カラム処理回路14の消費電力を低減させることができる。一方、例えば、被写体が明るい場合には、PD22nから転送される電荷を、FD24nおよびFD24n-1が接続された大容量で扱うことができ、飽和電子数が大きく、より明るい画像を撮像することができる。つまり、画像信号のダイナミックレンジを拡大することができる。従って、固体撮像装置11では、低照度のSNが良好で、かつ、ダイナミックレンジが広い画像信号を得ることができる。さらに、上述の特許文献1の固体撮像素子のように、FDを2つの容量で構成することもなく、FDが大面積となることを回避することができるので、PDの感度および飽和電荷量が低下することを防止することができる。また、この駆動例では、先にリセットレベルを読み出して、後で電荷転送後のレベルを読み出すため、PD22nから転送された電荷を、より正確に求めることができる。ここで、リセットトランジスタ27nについて、FD24nを電源電圧Vddまでリセットすることができるように、リセットトランジスタ27nのゲートにハイレベルを印加するのに昇圧電圧を使用することが望ましい。また、リセットトランジスタ27nとして、ディプレッション型depletiontypeを採用してもよい。また、接続トランジスタ28nについて、電源電圧VddでもFD24nおよびFD24n-1が導通するように、接続トランジスタ28nのゲートにハイレベルを印加するのに昇圧電圧を使用することが望ましい。また、接続トランジスタ28nとして、ディプレッション型を採用してもよい。なお、接続トランジスタ28nを介して、2つのFD24nおよびFD24n-1を接続する例について説明したが、PD22nの飽和電荷量に応じて、3つ以上のFD24を接続してもよい。例えば、PD22nの飽和電荷量が、FD24nが蓄積することができる電荷量の約3倍である場合には、接続トランジスタ28n-1を介して、図示しない第n-2行目の画素が有するFDをさらに接続してもよい。この場合、PD22nから転送される電荷は、PD22n、PD22n-1、および第n-2行目の画素が有するFDに蓄積される。さらに、接続トランジスタ28n1を介して、FD24nと、図示しない第n1行目の画素が有するFDを接続して、FD24nおよび第n1行目の画素が有するFDの組み合わせにより、PD22nから転送される電荷を蓄積してもよい。ただし、PD22nの次に電荷が読み出される第n1行目の画素のFDに蓄積されている電荷が飽和電荷量を超過すると、第n1行目の画素のPDからFDに電荷が溢れ出すことが想定される。仮に、第n1行目の画素のPDから電荷が溢れ出した場合には、FD24nおよび第n1行目の画素のFDの組み合わせでは、第n1行目の画素のPDで発生した電荷を正確に読み出すことができなくなる。これに対し、PD22n-1は、PD22nの直前に電荷が読み出されて空になった直後である。従って、FD24nおよびFD24n-1の組み合わせによりPD22nで発生した電荷を読み取るときに、PD22n-1から電荷が溢れ出す可能性は低い。つまり、FD24nおよびFD24n-1の組み合わせを採用する方が、FD24nおよび第n1行目の画素のFDの組み合わせを採用するよりも、PD22nで発生した電荷を、より正確に読み取ることができる。なお、図3Bに示すように、接続信号Cntnをオンにするタイミングは、選択信号Selnをオンにするタイミングと同一でなくてもよい。例えば、少なくとも、リセット信号Rstnをオンにするリセットパルスがオフされるタイミングまでに、接続信号Cntnがオンとなっていればよい。また、接続信号Cntnをオフにするタイミングについても、選択信号Selnをオフにするタイミングと同一でなくてもよく、次に信号を読み出す処理に影響を及ぼす前までに、接続信号Cntnがオフとなっていればよい。次に、図4を参照して、図2の画素部12を有する固体撮像装置11において、画素21nの信号を読み出す第2の駆動例について説明する。まず、画素21nの信号の読み出しを開始するタイミングになると、垂直駆動回路13は、選択信号Selnをオンにする。これにより、選択トランジスタ26nを介して増幅トランジスタ25nと垂直信号線31とが接続され、増幅トランジスタ25nは、FD24nの電位に応じた信号の出力を開始する。次に、垂直駆動回路13は、リセット信号Rstnをオンにする第1のリセットパルスを出力して、FD24nをリセットする。FD24nがリセットされた後、増幅トランジスタ25nが垂直信号線31に出力する信号が、第1のリセットレベルの信号としてカラム処理回路14に取り込まれる。その後、垂直駆動回路13は、転送信号Trfnをオンにする第1の転送パルスを出力する。これにより、転送トランジスタ23nを介して、PD22nで発生した電荷がFD24nに転送される。このとき、光量が多くてPD22nに沢山の電荷が蓄積されていると、FD24nの容量に応じて、PD22nに電荷が残ることになる。PD22nからFD24nに電荷が転送された後、電荷転送後のFD24nの電位に応じたレベルの信号が、カラム処理回路14に取り込まれる。カラム処理回路14は、第1のリセットレベルの信号と、電荷転送後のFD24nの電位に応じたレベルの信号との差分を演算することにより、PD22nからFD24nに転送された電荷に応じた電圧の画像信号を取得する。この画像信号は、FD24nだけの容量少量量で電圧に変換されるので、低照度の部分が高ゲインで撮像された画像信号以下、適宜、低照度信号と称するである。低照度信号は、電荷を電圧に変換する際のゲインが高いので、低ノイズの画像信号である。そして、垂直駆動回路13は、接続信号Cntnをオンにする。これにより、接続トランジスタ28nを介して、FD24nおよびFD24n-1が接続される。従って、この場合、増幅トランジスタ25nは、FD24nの容量とFD24n-1の容量とを合算した大容量の電位に応じた信号の出力を開始する。次に、垂直駆動回路13は、リセット信号Rstnをオンにする第2のリセットパルスを出力して、FD24nおよびFD24n-1をリセットする。FD24nおよびFD24n-1がリセットされた後、増幅トランジスタ25nが垂直信号線31に出力する信号が、第2のリセットレベルの信号としてカラム処理回路14に取り込まれる。その後、垂直駆動回路13は、転送信号Trfnをオンにする第2の転送パルスを出力する。このとき、第1の転送パルスに従った電荷転送時にPD22nに残っていた電荷が、転送トランジスタ23nを介して、FD24nおよびFD24n-1に転送される。即ち、光量が多く、第1の転送パルスに従った電荷転送時にPD22nに電荷が残っていた場合には、その電荷がPD22nからFD24nおよびFD24n-1に転送される。カラム処理回路14は、第2のリセットレベルの信号と、第2の転送パルスに従ってPD22nからFD24nおよびFD24n-1に電荷が転送された後の電位に応じたレベルの信号との差分を演算する。これにより、カラム処理回路14は、第1の転送パルスに従った電荷転送時にPD22nに残っていた電荷に応じた画像信号を取得する。この画像信号は、FD24nおよびFD24n-1が接続された大容量で電圧に変換されるので、高照度の部分が低ゲインで撮像された画像信号以下、適宜、高照度信号と称するである。高照度信号は、大容量で電荷を電圧に変換するので、ダイナミックレンジが広い画像信号である。そして、画素21nの信号の読み出しを終了するタイミングになると、垂直駆動回路13は、選択信号Selnおよび接続信号Cntnをオフにする。このように、画素21nの信号を読み出す第2の駆動例では、カラム処理回路14は、低照度信号および高照度信号の2つの画像信号を取得して、出力回路15に出力する。例えば、出力回路15は、低照度信号が所定の規定値未満である場合、低照度信号を画像信号として出力する。一方、出力回路15は、低照度信号が所定の規定値以上である場合、低照度信号のゲインを高照度信号と揃えた後、低照度信号と高照度信号とを加算して、PD22nで発生した全電荷に応じた電圧の画像信号として出力する。これにより、固体撮像装置11では、低照度のSNが良好で、かつ、ダイナミックレンジが広い画像信号を得ることができる。次に、図5を参照して、図2の画素部12を有する固体撮像装置11において、画素21nの信号を読み出す第3の駆動例について説明する。まず、画素21nの信号の読み出しを開始するタイミングになると、垂直駆動回路13は、選択信号Selnおよび接続信号Cntnをオンにする。これにより、接続トランジスタ28nを介して、FD24nおよびFD24n-1が接続される。従って、この場合、増幅トランジスタ25nは、FD24nの容量とFD24n-1の容量とを合算した大容量の電位に応じた信号の出力を開始する。次に、垂直駆動回路13は、接続信号Cntnがオンとなっている状態で、リセット信号Rstnをオンにするリセットパルスを出力して、FD24nおよびFD24n-1をリセットする。FD24nおよびFD24n-1がリセットされた後、増幅トランジスタ25nが垂直信号線31に出力する信号が、リセットレベルの信号としてカラム処理回路14に取り込まれる。リセットレベルの信号がカラム処理回路14に取り込まれた後、垂直駆動回路13は、接続信号Cntnをオフにする。その後、垂直駆動回路13は、転送信号Trfnをオンにする第1の転送パルスを出力する。これにより、転送トランジスタ23nを介して、PD22nで発生した電荷がFD24nに転送される。このとき、光量が多くてPD22nに沢山の電荷が蓄積されていると、FD24nの容量に応じて、PD22nに電荷が残ることになる。PD22nからFD24nに電荷が転送された後、電荷転送後のFD24nの電位に応じたレベルの信号が、カラム処理回路14に取り込まれる。カラム処理回路14は、リセットレベルの信号と、電荷転送後のFD24nの電位に応じたレベルの信号との差分を演算することにより、低照度の部分が高ゲインで撮像された画像信号である低照度信号を取得する。そして、垂直駆動回路13は、接続信号CntnをオンにしてFD24nおよびFD24n-1を接続させた状態で、転送信号Trfnをオンにする第2の転送パルスを出力する。これにより、第1の転送パルスに従った電荷転送時にPD22nに残っていた電荷が、転送トランジスタ23nを介して、FD24nおよびFD24n-1に転送される。このとき、第1の転送パルスに従った電荷転送時にFD24nに転送された電荷と、第2の転送パルスに従った電荷転送時にFD24nおよびFD24n-1に転送された電荷とが加算されて、FD24nおよびFD24n-1に蓄積される。つまり、PD22nで発生した全電荷が、FD24nおFD24n-1とで分配されて蓄積される。その後、垂直駆動回路13は、接続信号Cntnをオフにし、FD24nには、PD22nで発生した全電荷の半分が蓄積された状態となる。即ち、FD24nが、PD22nで発生した電荷を電圧に変換する際のゲインが実質的に1/2になる。カラム処理回路14は、PD22nで発生した全電荷の半分の電荷に従ったFD24nの電位に応じたレベルの信号を取り込み、その信号と、リセットレベルの信号との差分を演算する。これにより、カラム処理回路14は、高照度の部分が低ゲインで撮像された画像信号である高照度信号を取得する。そして、画素21nの信号の読み出しを終了するタイミングになると、垂直駆動回路13は、選択信号Selnをオフにする。このように、画素21nの信号を読み出す第3の駆動例では、カラム処理回路14は、低照度信号および高照度信号の2つの画像信号を取得して、出力回路15に出力する。例えば、出力回路15は、低照度信号が所定の規定値未満である場合、低照度信号を画像信号として出力する。一方、出力回路15は、低照度信号が所定の規定値以上である場合、高照度信号を画像信号として出力する。ここで、第3の駆動例では、第2の転送パルスに従った電荷転送時に、第1の転送パルスに従ってFD24nに転送された電荷と、第2の転送パルスに従ってFD24nおよびFD24n-1に転送された電荷とが加算されている。従って、第3の駆動例では、第2の駆動例と異なり、低照度信号と高照度信号との加算は行われない。また、高照度信号は、PD22nで発生した全電荷の半分の電荷に応じたレベルの信号であるので、出力回路15において2倍に増幅された後に出力される。これにより、固体撮像装置11では、低照度のSNが良好で、かつ、ダイナミックレンジが広い画像信号を得ることができる。次に、図6を参照して、図2の画素部12を有する固体撮像装置11において、画素21nの信号を読み出す第4の駆動例について説明する。第4の駆動例では、図5を参照して説明した第3の駆動例と同様に、選択信号Selnおよび接続信号Cntnがオンされ、接続信号Cntnがオンとなっている状態でリセット信号Rstnがオンされる。その後、接続信号Cntnがオフされて、転送信号Trfnをオンにする第1の転送パルスが出力されることにより、カラム処理回路14において、低照度信号が取得される。そして、垂直駆動回路13は、接続信号Cntnを再びオンにして、接続トランジスタ28nを介してFD24nおよびFD24n-1が接続した後、転送信号Trfnをオンにする第2の転送パルスを出力する。これにより、第1の転送パルスに従った電荷転送時にPD22nに残っていた電荷が、転送トランジスタ23nを介して、FD24nおよびFD24n-1に転送される。このとき、第1の転送パルスに従った電荷転送時にFD24nに転送された電荷と、第2の転送パルスに従った電荷転送時にFD24nおよびFD24n-1に転送された電荷とが加算されて、FD24nおよびFD24n-1に蓄積される。そして、PD22nからFD24nおよびFD24n-1に電荷が転送された後の電位に応じたレベルの信号が、増幅トランジスタ25nから出力され、カラム処理回路14に取り込まれる。その後、垂直駆動回路13は、接続信号Cntnをオンにした状態のまま、つまり、FD24nおよびFD24n-1を接続した状態で、リセット信号Rstnをオンにする第2のリセットパルスを出力する。これにより、FD24nおよびFD24n-1がリセットされ、増幅トランジスタ25nが垂直信号線31に出力する信号が、第2のリセットレベルの信号としてカラム処理回路14に取り込まれる。第2のリセットレベルの信号は、FD24nおよびFD24n-1が接続された状態でのリセットレベルを示す信号である。カラム処理回路14は、第2のリセットレベルの信号と、第2の転送パルスに従ってPD22nからFD24nおよびFD24n-1に電荷が転送された後の電位に応じたレベルの信号との差分を演算する。これにより、カラム処理回路14は、高照度の部分が低ゲインで撮像された画像信号である高照度信号を取得する。そして、画素21nの信号の読み出しを終了するタイミングになると、垂直駆動回路13は、選択信号Selnおよび接続信号Cntnをオフにする。このように、画素21nの信号を読み出す第4の駆動例では、カラム処理回路14は、低照度信号および高照度信号の2つの画像信号を取得して、出力回路15に出力する。例えば、出力回路15は、低照度信号が所定の規定値未満である場合、低照度信号を画像信号として出力する。一方、出力回路15は、低照度信号が所定の規定値以上である場合、高照度信号を画像信号として出力する。これにより、固体撮像装置11では、低照度のSNが良好で、かつ、ダイナミックレンジが広い画像信号を得ることができる。なお、第4の駆動例では、第3の駆動例と異なり、高照度信号が、接続トランジスタ28をオフにするときのチャネル電荷分配に起因する分配ノイズの影響を受けることを排除することができる。ただし、第4の駆動例では、高照度信号は、第2のリセットパルスに従ったリセット動作で発生するリセットノイズの影響を受ける。次に、図7を参照して、図2の画素部12を有する固体撮像装置11において、画素21nの信号を読み出す第5の駆動例について説明する。まず、画素21nの信号の読み出しを開始するタイミングになると、垂直駆動回路13は、選択信号Selnおよび接続信号Cntnをオンにする。これにより、選択トランジスタ26nを介して増幅トランジスタ25nと垂直信号線31とが接続され、増幅トランジスタ25nは、FD24nおよびFD24n-1の電位に応じた信号の出力を開始する。次に、垂直駆動回路13は、接続信号Cntnがオンとなっている状態で、リセット信号Rstnをオンにするリセットパルスを出力して、FD24nおよびFD24n-1をリセットする。FD24nおよびFD24n-1がリセットされた後、増幅トランジスタ25nが垂直信号線31に出力する信号が、第1のリセットレベルの信号としてカラム処理回路14に取り込まれる。第1のリセットレベルの信号は、FD24nおよびFD24n-1が接続された状態でのリセットレベルを示す信号である。第1のリセットレベルの信号がカラム処理回路14に取り込まれた後、垂直駆動回路13は、接続信号Cntnをオフにし、カラム処理回路14は、FD24nの電位に応じた信号を、第2のリセットレベルの信号として取り込む。第2のリセットレベルの信号は、FD24n-1との接続が解除されたFD24nのリセットレベルを示す信号である。その後、垂直駆動回路13は、転送信号Trfnをオンにする第1の転送パルスを出力する。これにより、転送トランジスタ23nを介して、PD22nで発生した電荷がFD24nに転送される。このとき、光量が多くてPD22nに沢山の電荷が蓄積されていると、FD24nの容量に応じて、PD22nに電荷が残ることになる。FD24nに電荷が転送された後、PD22nからFD24nに電荷が転送された後の電位に応じたレベルの信号が、増幅トランジスタ25nから出力され、カラム処理回路14に取り込まれる。カラム処理回路14は、第2のリセットレベルの信号と、PD22nからFD24nに電荷が転送された後の電位に応じたレベルの信号との差分を演算することにより、低照度の部分が高ゲインで撮像された画像信号である低照度信号を取得する。次に、垂直駆動回路13は、接続信号Cntnを再びオンにして、FD24nおよびFD24n-1が接続された状態で、転送信号Trfnをオンにする第2の転送パルスを出力する。これにより、接続トランジスタ28nを介してFD24nおよびFD24n-1が接続された状態で、第1の転送パルスに従った電荷転送時にPD22nに残っていた電荷が、転送トランジスタ23nを介して、FD24nおよびFD24n-1に転送される。このとき、第1の転送パルスに従ってFD24nに転送された電荷と、第2の転送パルスに従ってFD24nおよびFD24n-1に転送された電荷とが加算されて、PD22nで発生した全電荷が、FD24nおよびFD24n-1に蓄積される。カラム処理回路14は、第1のリセットレベルの信号と、第2の転送パルスに従ってPD22nからFD24nおよびFD24n-1に電荷が転送された後の電位に応じたレベルの信号との差分を演算する。これにより、カラム処理回路14は、高照度の部分が低ゲインで撮像された画像信号である高照度信号を取得する。そして、画素21nの信号の読み出しを終了するタイミングになると、垂直駆動回路13は、選択信号Selnおよび接続信号Cntnをオフにする。このように、画素21nの信号を読み出す第5の駆動例では、カラム処理回路14は、低照度信号および高照度信号の2つの画像信号を取得して、出力回路15に出力する。例えば、出力回路15は、低照度信号が所定の規定値未満である場合、低照度信号を画像信号として出力する。一方、出力回路15は、低照度信号が所定の規定値以上である場合、高照度信号を画像信号として出力する。これにより、固体撮像装置11では、低照度のSNが良好で、かつ、ダイナミックレンジが広い画像信号を得ることができる。また、第5の駆動例では、上述したような分配ノイズおよびリセットノイズの影響を排除することができる。図8は、図1の画素部12の第2の構成例である画素部12Aを示す回路図である。図8に示すように、画素部12Aでは、2本の垂直信号線31-1および31-2が、画素21の列ごとに設けられている点で、図2の画素部12と異なっている。なお、画素21nおよび画素21n-1は、図2の画素21nおよび画素21n-1と同様に構成されており、その詳細な説明については省略する。画素部12Aでは、例えば、偶数行の画素21が垂直信号線31-1に接続され、奇数行の画素21が垂直信号線31-2に接続される。図8の例では、画素21n-1が垂直信号線31-1に接続され、画素21nが垂直信号線31-2に接続されている。次に、図9を参照して、図8の画素部12Aを有する固体撮像装置11において、画素21nの信号を読み出す第6の駆動例について説明する。第6の駆動例では、偶数行の画素21nの信号を読み出すタイミングと、奇数行の画素21n1の信号を読み出すタイミングとは、それぞれ第2の駆動例図4と同様である。但し、第6の駆動例では、偶数行の画素21nの信号を読み出すタイミングと、奇数行の画素21n1の信号を読み出すタイミングとで、動作期間が半分ずつ重なっている。つまり、第2の駆動例図4では、動作期間の前半で、FD24nの容量で電荷が電圧に変換された低照度信号が読み出され、動作期間の後半で、FD24nおよびFD24n-1の容量で電荷が電圧に変換された高照度信号が読み出されている。従って、第6の駆動例では、例えば、第n行目の画素21nの動作期間の前半で、FD24nの容量により電荷が電圧に変換された低照度信号が、垂直信号線31-2を介して読み出される。この動作と並列的に、第n-1行目の画素21n-1の動作期間の後半で、FD24n-1およびFD24n-2が連結された容量により電荷が電圧に変換された高照度信号が、垂直信号線31-1を介して読み出されている。そして、第n行目の画素21nの動作期間の後半で、FD24nおよびFD24n-1が連結された容量により電荷が電圧に変換された低照度信号が、垂直信号線31-2を介して読み出される。この動作と並列的に、第n1行目の画素21n1の動作期間の前半で、FD24n1の容量により電荷が電圧に変換された低照度信号が、垂直信号線31-1を介して読み出される。その後、第n1行目の画素21n1の動作期間の後半で、FD24n1およびFD24nが連結された容量により電荷が電圧に変換された高照度信号が、垂直信号線31-1を介して読み出される。この動作と並列的に、第n2行目の画素21n2の動作期間の前半で、FD24n2の容量により電荷が電圧に変換された低照度信号が、垂直信号線31-2を介して読み出される。このように、画素21nの信号を読み出す第6の駆動例では、例えば、上述の第2の駆動例と同様に、低照度のSNが良好で、かつ、ダイナミックレンジが広い画像信号を得ることができる。さらに、第6の駆動例では、2本の垂直信号線31-1および31-2を利用して、2行の画素21の読み出し動作を並列的に行うことで、画素信号の読み出しを略2倍に高速化することができる。次に、図10を参照して、図8の画素部12Aを有する固体撮像装置11において、画素21nの信号を読み出す第7の駆動例について説明する。まず、画素21nの信号の読み出しを開始するタイミングになると、垂直駆動回路13は、選択信号Selnおよび選択信号Seln-1をオンにする。さらに、垂直駆動回路13は、接続信号Cntnにより、接続トランジスタ28nのゲートに中間電圧例えば、1Vを印加して、接続トランジスタ28nが半開き状態となるように制御する。これにより、FD24nおよびFD24n-1の間に電位障壁を持った状態で、FD24nおよびFD24n-1が接続される。次に、垂直駆動回路13は、リセット信号Rstnおよびリセット信号Rstn-1をオンにするリセットパルスを出力して、FD24nおよびFD24n-1をリセットする。FD24nおよびFD24n-1がリセットされた後、増幅トランジスタ25nが垂直信号線31-2に出力する信号が、FD24nのリセットレベルの信号としてカラム処理回路14に取り込まれる。また、このとき、増幅トランジスタ25n-1が垂直信号線31-1に出力する信号が、FD24n-1のリセットレベルの信号としてカラム処理回路14に取り込まれる。その後、垂直駆動回路13は、転送信号Trfnをオンにする第1の転送パルスを出力する。これにより、転送トランジスタ23nを介して、PD22nで発生した電荷がFD24nに転送される。このとき、光量が少なければ、PD22nで発生した電荷は、FD24nだけに留まることになる。一方、光量が多くてPD22nに沢山の電荷が蓄積されていると、接続トランジスタ28nにおける電位障壁をオーバーフローして、FD24nからFD24n-1にも電荷が溢れ出し、FD24n-1にも電荷が蓄積される。PD22nからの電荷が転送された後、電荷転送後のFD24nの電位に応じたレベルの信号が、垂直信号線31-2を介してカラム処理回路14に取り込まれる。同じタイミングで、電荷転送後のFD24n-1の電位に応じたレベルの信号が、垂直信号線31-1を介してカラム処理回路14に取り込まれる。カラム処理回路14は、FD24nのリセットレベルの信号と、電荷転送後のFD24nの電位に応じたレベルの信号との差分を演算することにより、低照度の部分が高ゲインで撮像された画像信号である低照度信号を取得する。また、カラム処理回路14は、FD24n-1のリセットレベルの信号と、電荷転送後のFD24n-1の電位に応じたレベルの信号との差分を演算し、低照度信号と加算することにより、高照度の部分が低ゲインで撮像された画像信号である高照度信号を取得する。そして、画素21nの信号の読み出しを終了するタイミングになると、垂直駆動回路13は、選択信号Seln、選択信号Seln、および接続信号Cntnをオフにする。このように、画素21nの信号を読み出す第7の駆動例では、低照度のSNが良好で、かつ、ダイナミックレンジが広い画像信号を得ることができる。さらに、第7の駆動例では、画素21の読み出し動作を、2本の垂直信号線31-1および31-2を利用して同時に行うことで、例えば、第2の駆動例よりも、画素信号の読み出しを略2倍に高速化することができる。図11は、図1の画素部12の第3の構成例である画素部12Bを示す回路図である。図1の画素部12では、一列全てのFD24が、接続トランジスタ28を介して接続されていたのに対し、図11に示すように、画素部12Bでは、2つの画素21ごとにFD24が接続トランジスタ28を介して接続される。画素21n’および画素21n-1’は、接続トランジスタ28nおよび28n-1を介して、画素21n’のFD24nと、画素21n-1’のFD24n-1とが接続される構成となっている。また、リセットトランジスタ27nは、接続トランジスタ28nの共有ノードに接続されている。これにより、FD24nおよびFD24n-1のノードに接続されるトランジスタの個数を削減することができ、1個のFD24nの容量を小さくすることができる。また、FD24nおよびFD24n-1を接続したときには、2つの接続トランジスタ28nおよび28n-1を介して接続されることにより、接続時の容量を大容量化することができる。次に、図12を参照して、図11の画素部12Bを有する固体撮像装置11において、画素21n’および画素21n-1’の信号を読み出す第8の駆動例について説明する。まず、画素21n’の信号の読み出しを開始するタイミングになると、垂直駆動回路13は、選択信号Selnをオンにする。これにより、選択トランジスタ26nを介して増幅トランジスタ25nと垂直信号線31とが接続され、増幅トランジスタ25nは、FD24nの電位に応じた信号の出力を開始する。次に、垂直駆動回路13は、リセット信号Rstnをオンにする第1のリセットパルスを出力するとともに、接続信号Cntnをオンにするパルスを出力することにより、FD24nがリセットされる。その後、増幅トランジスタ25nが垂直信号線31に出力する信号が、第1のリセットレベルの信号としてカラム処理回路14に取り込まれる。第1のリセットレベルの信号は、FD24n-1との接続が解除されていない状態でのFD24nのリセットレベルを示す信号である。第1のリセットレベルの信号がカラム処理回路14に取り込まれた後、垂直駆動回路13は、転送信号Trfnをオンにする第1の転送パルスを出力する。これにより、転送トランジスタ23nを介して、PD22nで発生した電荷がFD24nに転送される。このとき、光量が多くてPD22nに沢山の電荷が蓄積されていると、FD24nの容量に応じて、PD22nに電荷が残ることになる。FD24nに電荷が転送された後、第1の転送パルスに従った電荷転送時にFD24nに転送された電荷に応じたレベルの信号が、増幅トランジスタ25nから出力され、カラム処理回路14に取り込まれる。カラム処理回路14は、第1のリセットレベルの信号と、第1の転送パルスに従った電荷転送後のFD24nの電位に応じたレベルの信号との差分を演算することにより、低照度の部分が高ゲインで撮像された画素21n’画像信号である低照度信号を取得する。次に、垂直駆動回路13は、接続信号Cntnおよび接続信号Cntn-1をオンにして、リセット信号Rstnをオンにする第2のリセットパルスを出力する。そして、FD24nおよびFD24n-1が接続された状態でリセットされた後、増幅トランジスタ25nが垂直信号線31に出力する信号が、第2のリセットレベルの信号としてカラム処理回路14に取り込まれる。その後、垂直駆動回路13は、転送信号Trfnをオンにする第2の転送パルスを出力する。このとき、第1の転送パルスに従った電荷転送時にPD22nに残っていた電荷が、転送トランジスタ23nを介して、FD24nおよびFD24n-1に転送される。即ち、光量が多く、第1の転送パルスに従った電荷転送時にPD22nに電荷が残っていた場合には、その電荷がPD22nからFD24nおよびFD24n-1に転送される。カラム処理回路14は、第2のリセットレベルの信号と、第2の転送パルスに従ってPD22nからFD24nおよびFD24n-1に電荷が転送された後の電位に応じたレベルの信号との差分を演算する。これにより、カラム処理回路14は、高照度の部分が高ゲインで撮像された画素21n’の画像信号である高照度信号を取得する。そして、画素21n’の信号の読み出しを終了するタイミングになると、垂直駆動回路13は、選択信号Seln、接続信号Cntn、および接続信号Cntn-1をオフにする。続いて、画素21n-1’の信号の読み出しが開始され、垂直駆動回路13は、選択信号Seln-1をオンにする。これにより、選択トランジスタ26n-1を介して増幅トランジスタ25n-1と垂直信号線31とが接続され、増幅トランジスタ25n-1は、FD24n-1の電位に応じた信号の出力を開始する。次に、垂直駆動回路13は、リセット信号Rstnをオンにする第3のリセットパルスを出力するとともに、接続信号Cntn-1をオンにするパルスを出力することにより、FD24n-1がリセットされる。その後、増幅トランジスタ25n-1が垂直信号線31に出力する信号が、第3のリセットレベルの信号としてカラム処理回路14に取り込まれる。第1のリセットレベルの信号は、FD24nとの接続が解除されていない状態でのFD24n-1のリセットレベルを示す信号である。第1のリセットレベルの信号がカラム処理回路14に取り込まれた後、垂直駆動回路13は、転送信号Trfn-1をオンにする第3の転送パルスを出力する。これにより、転送トランジスタ23n-1を介して、PD22n-1で発生した電荷がFD24n-1に転送される。このとき、光量が多くてPD22n-1に沢山の電荷が蓄積されていると、FD24n-1の容量に応じて、PD22n-1に電荷が残ることになる。FD24n-1に電荷が転送された後、第3の転送パルスに従った電荷転送時にFD24n-1に転送された電荷に応じたレベルの信号が、増幅トランジスタ25n-1から出力され、カラム処理回路14に取り込まれる。カラム処理回路14は、第3のリセットレベルの信号と、第3の転送パルスに従った電荷転送後のFD24n-1の電位に応じたレベルの信号との差分を演算することにより、低照度の部分が高ゲインで撮像された画素21n-1’の画像信号である低照度信号を取得する。次に、垂直駆動回路13は、接続信号Cntnおよび接続信号Cntn-1をオンにして、リセット信号Rstnをオンにする第4のリセットパルスを出力する。そして、FD24nおよびFD24n-1が接続された状態でリセットされた後、増幅トランジスタ25n-1が垂直信号線31に出力する信号が、第4のリセットレベルの信号としてカラム処理回路14に取り込まれる。その後、垂直駆動回路13は、転送信号Trfn-1をオンにする第4の転送パルスを出力する。このとき、第3の転送パルスに従った電荷転送時にPD22n-1に残っていた電荷が、転送トランジスタ23n-1を介して、FD24nおよびFD24n-1に転送される。即ち、光量が多く、第3の転送パルスに従った電荷転送時にPD22n-1に電荷が残っていた場合には、その電荷がPD22n-1からFD24nおよびFD24n-1に転送される。カラム処理回路14は、第4のリセットレベルの信号と、第4の転送パルスに従ってPD22n-1からFD24nおよびFD24n-1に電荷が転送された後の電位に応じたレベルの信号との差分を演算する。これにより、カラム処理回路14は、高照度の部分が高ゲインで撮像された画素21n-1’の画像信号である高照度信号を取得する。そして、画素21n-1’の信号の読み出しを終了するタイミングになると、垂直駆動回路13は、選択信号Seln-1、接続信号Cntn、および接続信号Cntn-1をオフにする。このように、画素部12Bでは、第n行目の画素21n’と、第n1行目の画素21n-1’とで、画素信号の読み出しが交互に行われ、例えば、上述の第2の駆動例と同様に、低照度のSNが良好で、かつ、ダイナミックレンジが広い画像信号を得ることができる。また、画素部12Bでは、FD24nに接続されるトランジスタの個数を、画素部12および12Aよりも削減することができ、FD24nを低容量とすることができる。これにより、FD24nにより電荷を電圧に変換する際のゲインを、より大きくすることができ、SNをより良好にすることができる。図13は、電子機器に搭載される撮像装置の構成例を示すブロック図である。図13に示すように、撮像装置51は、光学系52、固体撮像素子53、DSP54、表示装置55、メモリ56、電源系57、操作系58、およびCPUCentralProcessingUnit59を備えて構成され、静止画像および動画像を撮像可能である。光学系52は、1枚または複数枚のレンズを有して構成され、被写体からの像光入射光を固体撮像素子53に導き、固体撮像素子53の受光面センサ部に結像させる。固体撮像素子53としては、上述したような構成例の固体撮像装置11が適用される。固体撮像装置11には、光学系52を介して受光面に結像される像に応じて、一定期間、信号電荷が蓄積される。そして、固体撮像素子53に蓄積された信号電荷は、DSP54から供給される駆動信号タイミング信号に従って転送される。DSP54は、固体撮像素子53の転送動作を制御する駆動信号を出力して、固体撮像装置11を駆動する。また、DSP54は、固体撮像素子53から出力された信号電荷に対して各種の信号処理を施す。DSP54が信号処理を施すことにより得られた画像画像データは、液晶パネルなどを有する表示装置55に供給されて表示されたり、メモリ56に供給されて記憶記録されたりする。電源系57は、撮像装置51の各部に電力を供給する、例えば、バッテリを備えて構成され、操作系58は、ユーザにより操作されるボタンやレバー、タッチパネルなどから構成される。CPU59は、操作系58に対して行われるユーザの操作に応じて、撮像装置51の各部を制御し、撮像装置51による撮像を行わせる。このように構成されている撮像装置51では、固体撮像素子53として、上述したように、低照度のSNが良好で、かつ、ダイナミックレンジが広い画像信号を得ることができる固体撮像素子11を適用することにより、より高画質な画像を取得することができる。即ち、撮像装置51では、低照度において高ゲインでSNが良好な画像を取得することができるとともに、高照度において大きな光量まで飽和しない広ダイナミックレンジな画像を取得することができる。また、固体撮像素子53が有するFDが複数の容量で構成されることがなく、PDが小面積となることを回避して、PDの感度および飽和電荷量を向上させることができる。また、PDの感度を向上させるために、高誘電率の膜やスタック型容量を使用することもなく、それらを使用した場合に想定される高コスト化を回避することができる。なお、撮像装置51としては、可視光による撮像を行う装置の他、X線や粒子束などの物理量を電荷に変換して分布を検出する装置とすることができる。さらに、固体撮像装置11では、複数の画素21でFD24を共有した上で、上下の列の画素21のFD24と接続トランジスタ28を介して接続する構成所謂、画素共有を採用することができる。また、固体撮像装置11を駆動するための電圧などを適宜調整することができる。また、公知の他の駆動、例えば、画素21から信号を読み出して、次の行の画素21からの読み出しを行う前に、PD22をリセットする動作を加えることができる。また、1回の信号読み出し動作において、PD22からFD24へ電荷を2回転送する例について説明したが、2回以上の転送を行ってもよい。例えば、FD24単独でPD22から電荷を転送し、次に4個のFD24を、接続トランジスタ28を介して接続して電荷を転送し、さらに16個のFD24を、接続トランジスタ28を介して接続して電荷を転送するようにしてもよい。これにより、FDで取り扱うことができる電荷量を拡大することができ、ダイナミックレンジをより広くすることができる。ところで、本願出願人が先に出願した特開2006-41866号公報に開示されている撮像素子においても、固体撮像装置11と同様に、FDどうしを接続するような構成が採用されていると解釈される恐れがある。しかしながら、この撮像素子は、PDから2方向へ電荷を転送するように構成されており、PDから1方向へ電荷を転送する構成である固体撮像装置11とはコンセプトが異なっている。また、この撮像素子では、FDどうしの間にPDが接続されている点で、固体撮像装置11と同じ原理での動作を行うことは不可能である。なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。1物理量を検出し、物理量に応じた電荷を蓄える蓄積部と、前記蓄積部から前記電荷を転送する転送部と、前記転送部を介して前記蓄積部から転送された前記電荷を、その電荷により生じる電位に対応する電圧に変換する変換部と、前記変換部により変換された電圧の信号を出力する出力部と、前記変換部の電位をリセットするリセット部と、前記変換部に接続された接続部とを有する画素が平面的に配置された画素部と、信号の読み出し対象の前記画素の前記蓄積部から前記変換部へ電荷の転送を指示する転送信号と信号の読み出し対象の行にある前記画素の前記変換部と、その画素に隣接する行にある前記画素の前記変換部との接続および非接続を制御する接続信号と、を出力する駆動部とを備え、前記駆動部は、前記接続信号により前記変換部どうしを接続させた状態で、前記転送信号により電荷の転送を行わせる撮像装置。2前記駆動部は、前記行にある前記画素を選択して、前記出力部からの信号の出力を指示する選択信号をさらに出力し、前記接続信号により前記変換部どうしを接続させた状態で、前記選択信号により信号の出力を行わせる前記1に記載の撮像装置。3前記駆動部は、前記接続信号により前記変換部どうしを接続させた状態で前記信号の出力を行わせた後、前記接続信号により前記変換部どうしの接続を解除した状態で前記信号の出力を行わせる前記1または2に記載の撮像装置。4前記駆動部は、前記接続信号により前記変換部どうしの接続を解除した状態で前記転送信号により電荷の転送を行わせ、前記選択信号により信号の出力を行わせた後、前記接続信号により前記変換部どうしを接続させた状態で前記転送信号により電荷の転送を行わせ、前記変換部どうしを接続させた状態、または、前記変換部どうしの接続を解除した状態で、前記選択信号により信号の出力を行わせる請求項1から3のいずれかに記載の撮像装置。5前記画素部は、前記画素の列ごとに複数本の信号線を有しており、前記信号を出力する動作期間を複数の行で部分的に重ねて行い、複数行の信号の読み出しを並列的に行う前記4に記載の撮像装置。6前記画素部は、前記画素の列ごとに複数本の信号線を有しており、電荷のオーバーフローの発生可能な電圧の前記接続信号を前記接続部に供給した状態で、前記蓄積部からの電荷の転送を複数の前記変換部に行わせ、複数本の前記信号線から並列的に前記信号を出力する前記4に記載の撮像装置。7前記接続部は、異なる複数の前記画素の変換部から同一のノードに接続し、前記リセット部によるリセットと、前記接続部による接続とが、前記ノードを介して行われる請求項1から4のいずれかに記載の撮像装置。なお、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。