ガラスセラミックであって、重量パーセントで;0~3を超えるLi2O;15~27のAl2O3;60~85のSiO2;および1以上のSnO2;を含む組成を有し、前記ガラスセラミックが、400nm~1200nmにおいて20以上の拡散透過率を示し、かつ、前記ガラスセラミックがバルク結晶化ガラスセラミックであることを特徴とするガラスセラミック。重量パーセントで:60~85のSiO2;15~27のAl2O3;0.5~2.9のLi2O;および1~5のSnO2を含む組成を有することを特徴とする請求項1記載のガラスセラミック。重量パーセントで:62~82のSiO2;18~24のAl2O3;1.9~2.5のLi2O;および1~1.5のSnO2を含む組成を有することを特徴とする請求項1記載のガラスセラミック。400nm~700nmにおいて65を超える拡散透過率を有する、請求項1~3いずれか1項記載のガラスセラミック。400nm~700nmにおいて60を超える全透過率を有する、請求項1~3いずれか1項記載のガラスセラミック。400nm~1200nmにおいて60を超える拡散透過率を有する、請求項1~3いずれか1項記載のガラスセラミック。400nm~1200nmにおいて80を超える全透過率を有する、請求項1~3いずれか1項記載のガラスセラミック。前記ガラスセラミックが5~60パーセントの結晶体を含み、前記結晶が100nm~2μmの平均寸法を有する、請求項1~7いずれか1項記載のガラスセラミック。TiO2を実質的に含まない、請求項1~8いずれか1項記載のガラスセラミック。ヒ素およびフッ素を実質的に含まない、請求項1~9いずれか1項記載のガラスセラミック。請求項1~10いずれか1項記載のガラスセラミックを含むOLEDデバイス。請求項1~10いずれか1項記載のガラスセラミックを含む光起電装置。光抽出は重要な課題の1つであり、一般的な問題の1つとして、光が抽出されうる効率は、接触面における全内部反射によって減じられ、続いて、反射光が再吸収されることが挙げられる:その光は高屈折率層n~1.8で生じ、この光は、必然的に基板一般に、n~1.5のガラスへと漏出し、最終的には空気中n=1に漏出することとなる。実施の形態は、バルク散乱特性を有するガラスセラミック、および、例えばOLEDまたは光起電用途における、これらガラスセラミックの使用に関する。OLEDデバイスのガラス基板の代わりに用いられる場合には、例えば、ガラスセラミックは光抽出を増大させる。1つの実施の形態は、重量パーセントで、0~3を超えるLi2O;15~27のAl2O3;60~85のSiO2;および1以上のSnO2を含む組成を有するガラスセラミックであって、前記ガラスセラミックは、400~1200nmにおいて20以上の拡散透過率を示し;かつ、前記ガラスセラミックは、バルク結晶化ガラスセラミックである。第2の実施の形態は、ガラスセラミックの製造方法であって、前記方法は、重量パーセントで、0~3を超えるLi2O;15~27のAl2O3;60~85のSiO2;および1以上のSnO2を含む組成を有するガラスを調製し、前記ガラスを熱処理して結晶の核を生成し、成長させて、前記ガラスセラミックを形成することを含む。追加の特徴および利点は、以下の詳細な説明において記載され、一部には、その説明から当業者にとって容易に明白となるであろうし、あるいは、明細書および特許請求の範囲に記載される実施の形態を実施することによって認識されよう。前述の概要および後述する詳細な説明の両方は、単に典型例であって、特許請求の範囲に記載される発明の性質および特徴を理解するための概観または枠組みを提供することが意図されていることが理解されるべきである。添付の図面は、さらなる理解を提供するために含まれ、本明細書に組み込まれ、その一部を構成する。図面は、1つ以上の実施の形態を例証し、その説明と一緒に、さまざまな実施の形態の原理および動作を説明する役割を担う。ガラス基板において散乱を有するための代替方法の1つは、ガラスセラミックを使用することである。適切な寸法および屈折率ガラスの屈折率と比較してを有する粒子の存在は、散乱を可能にする。本開示は、Li2O-Al2O3-SiO2の組成に基づいたガラスセラミック材料に関する。これらのガラスは透明であり、熱処理950°C未満後には、適切な寸法および屈折率を有する結晶が現れ、可視光の良好な体積散乱特性を示し、OLEDセルの基板から空気中への取り出しoutcouplingを促進する。1つの実施の形態は、重量パーセントで、0~3を超えるLi2O;15~27のAl2O3;60~85のSiO2;および1以上のSnO2を含む組成を有するガラスセラミックであり、ここで、ガラスセラミックは、400~1200nmで20以上の拡散透過率を示し;前記ガラスセラミックは、バルク結晶化ガラスセラミックである。別の実施の形態では、ガラスセラミックの組成は、重量パーセントで、60~85のSiO2;15~27のAl2O3;0.5~2.9のLi2O;および1~5のSnO2を含む。さらに別の実施の形態では、ガラスセラミックの組成は、重量パーセントで、62~82のSiO2;18~24のAl2O3;1.9~2.5のLi2O;および1~1.5のSnO2を含む。一部の実施の形態では、ガラスセラミックは、さらに、重量パーセントで、1~3のZnO;2~2.8のZrO2、0~3のMgO;0~3のBaO;0~4のP2O5;0~2のTa2O5;および0~2のB2O3を含む。ガラスセラミックの組成における成分範囲は、重量パーセントで、小数の範囲を含めたいずれかの値を含み、例えば、SiO2の範囲として、60~85のSiO2、例えば65~70のSiO2、例えば65.1~69.3のSiO2を含む。本明細書で開示されるガラスセラミックの組成は、核生成剤および清澄剤としてのSiO2を含む。SnO2は、清澄剤として、酸化ヒ素に代わる非毒性の代替物質として用いることができる。SnO2は、TiO2の代わりに核生成剤として用いることもできる。TiO2は、一般に、核生成のための成分として用いられるが、ガラスセラミックに望ましくない着色を生じさせうる。ガラスセラミックは、ある特定の実施の形態において、実質的にTiO2および/またはヒ素およびフッ素を含まない。ガラスセラミックは、商業的に調製されたガラスまたはガラスセラミックに典型的に見られる汚染物質を含みうる。例えば、ガラス中のヒ素含量は、現状有姿のバッチ化基準で0重量パーセントであるすなわち、ヒ素は添加されていないが、汚染の理由から、ガラスは0.05重量パーセント以下のヒ素を含むことが分析によって発見される。ヒ素の起源がバッチ出発材料の汚染であることから、本明細書では、このようなガラスは、ヒ素を実質的に含まないものとみなされる。TiO2およびフッ素についても同様のことが言える。ガラス中のTiO2またはフッ素の含量は、現状有姿のバッチ化基準で0重量パーセントであるが、汚染に起因して、これらの元素もガラス中に存在しうる。汚染レベルは、0.05重量パーセント未満である。よって、ヒ素と同様に、TiO2およびフッ素を含むことが見出されたガラス組成は、これらの存在が出発材料の汚染に起因して生じたこと、およびそれらが意図的に加えられていないことから、これらの材料を実質的に含まないものとみなされる。全透過率は、1mmのガラスサンプルを有効に通過する光として定義される。拡散透過率は、ガラスに入る光の量によって定義され、約7°より大きい角度で偏位し、したがって散乱したとみなされる。1つの実施の形態では、ガラスセラミックは、400~700nmの波長範囲にわたり、50を超える全透過率、例えば、60を超える、または80を超える全透過率を有する。1つの実施の形態では、ガラスセラミックは、400~700nmの波長範囲にわたり、40を超える拡散透過率、例えば、50を超える、または65を超える拡散透過率を有する。上に挙げた全透過率および拡散透過率の値は、OLED用途におけるガラスセラミックの実施の形態に受容される。別の実施の形態では、ガラスセラミックは、400~1200nmの波長範囲にわたり、70を超える全透過率、例えば、80を超える全透過率を有する。1つの実施の形態では、ガラスセラミックは、400~1200nmの波長範囲にわたり、20を超える拡散透過率、例えば、60を超える拡散透過率を有する。上に挙げた全透過率および拡散透過率の値は、光起電用途におけるガラスセラミックの実施の形態に受容される。一部の実施の形態では、ガラスセラミックは、結晶体を5~60パーセント有し、例えば、25パーセントの結晶体、40パーセントの結晶体、または50パーセントの結晶体を有する。一部の実施の形態では、ガラスセラミックは、平均寸法が100nmを超える結晶を有し、例えば、110nmを超える平均寸法、1μmまたはそれ以上の平均寸法、または100nm~2μmの平均寸法を有する。一部の実施の形態では、ガラスセラミックの主要結晶相は、ベータクォーツを含む。ガラスセラミックは、さらに、または代替として、ペタライト、β-スポジュメン、またはZrSnO4の結晶を含む。ガラスセラミックは、適切な技法のいずれかによって製造されうる。1つの実施の形態は、ガラスセラミックを得るための方法であって、該方法は、重量パーセントで:0~3を超えるLi2O;15~27のAl2O3;60~85のSiO2;および1以上のSnO2;を含む組成を有するガラスを調製し、前記ガラスを熱処理して結晶の核を生成し、成長させ、前記ガラスセラミックを形成することを含む。調製したガラスに熱処理が適用され、ガラスセラミックがもたらされる。熱処理は、結晶の核生成および成長を含む。結晶の核生成は、一般に、680~800°C、例えば、725°Cまたは780°Cの温度までガラスを加熱することを含む。ガラスは、最短でも10分間、核生成温度で保持されうる。例えば、ガラスは、10分、15分、60分、またはそれ以上の時間、核生成温度で保持されうる。成長は、一般に、最短でも15分間、880~950°C、例えば900°Cまたは925°Cの温度まで、ガラスを加熱することを含む。例えば、ガラスは、15分、30分、60分、またはそれ以上の時間、成長温度で保持されうる。ガラスおよび/またはガラスセラミックは、1つ以上の熱処理に供されうる。例えば、ガラスは、1つの核生成処理および成長処理を用いて熱的に処理され、続いて、第2の核生成処理および成長処理に供されうる。各連続した熱処理は、先の熱処理と同一または異なる核生成温度および成長温度で構成されうる。1つの実施の形態では、熱処理は、ガラスを、毎分30°Cの速度で660°Cまで加熱し、続いて毎分3°Cの速度で725°Cまで加熱し、その後、毎分12°Cの速度で820°Cまで加熱することを含む。次に、ガラスは、820°Cで10分間保持される。熱処理はまた、サンプルを、毎分15°Cの速度で900°Cまで加熱し、900°Cで15分間保持することを含む。得られたガラスセラミックは、次に、室温まで自然冷却される。別の実施の形態では、熱処理は、ガラスを、毎分3°Cの速度で780°Cまで加熱し、780°Cで1時間保持し、次いで毎分12°Cの速度で925°Cまで加熱し、925°Cで1時間保持することを含む。得られたガラスセラミックは、次に、室温まで自然冷却される。別の実施の形態では、熱処理は、ガラスを、毎分30°Cの速度で660°Cまで加熱し、次いで毎分3°Cの速度で725°Cまで加熱し、その後、毎分12°Cの速度で820°Cまで加熱することを含む。ガラスは、次に、820°Cで10分間保持される。熱処理はまた、サンプルを、毎分15°Cの速度で925°Cまで加熱し、925°Cで1時間保持することも含む。最後に、ガラスセラミックは、毎分20°Cの速度で600°Cまで冷却され、その後、室温まで自然冷却される。すべての実施の形態において、熱処理の温度は950°Cを超える必要がないことに留意されたい。上記具現化されたガラスセラミックは、適切な環境またはデバイスに組み込まれるか、または用いられうる。例えば、ガラスセラミックの実施の形態は、光抽出を増大させるためにOLEDデバイスに用いられうる。OLEDは、通常、基板および2つの電極の間に差し込まれた幾つかの有機層を備え、前記電極の少なくとも1つは透明である。電場の印加は、結果的に有機層への電荷担体の注入を生じる。電子および穴は励起子を形成し、この励起子は、発光によって放射活性的に崩壊しうる。有機発光層は高屈折率であり、空気中にもれうる光の量を制限し、したがって基板から空気中への光の量を制限し、光の大半を捕捉することができる。θ=arcsinηair/ηsubstrateよりも大きい角度で基板/空気の接触面に衝突する光線は、全内部反射に起因して屈折する。体積散乱基板は、OLEDセル内で複数回バウンドする光線を偏位させ、最終的には光線をエスケープコーンescapecone内に引き込む。本明細書に記載されるガラスセラックは、例えば、OLEDデバイスの基板として使用されうる。ガラスセラミックの実施の形態はまた、薄膜光起電装置において、基板、スーパーストレート、またはその両方として用いられ、例えば、シリコンタンデム型太陽電池における光散乱スーパーストレートとして用いられうる。例えば、ガラスセラミックの実施の形態は、太陽電池における光の経路長を増強し、したがって、薄膜における光の吸収を増大させうる。薄膜光起電装置にとって最適な散乱挙動は、後方散乱を低く維持しつつ、光を大角度で散乱させ、これが活性層の厚さにおける斜め伝搬を経て経路長を増大させ、全内部反射のための条件を作り出し、光が太陽電池から漏れ出ることを防ぐ。次の実施の形態によって、さまざまな実施の形態がさらに明らかにされるであろう。表1に示される、重量パーセントにおけるバッチ化組成にしたがって、ガラスサンプルを調製した。ガラスサンプルの処理に用いられる熱処理に関しては表2を参照のこと。熱処理後、ガラスセラミックについて、X線回折XRD、走査電子顕微鏡SEMおよび透過測定を完了した。XRD図は、X-PertProによって、次の設定で回収された:銅管、電力45kV/40mA/λ=1.540593Å、2θ=5~140°、step=0.008°C、時間/step=40秒/opening=1/4、検出器=X-Celerator。相を密接に結合させaffine、正しい組成を確立するため、リートベルト解析を行った。研磨した断面サンプルのSEM分析を行った。VarianのCARY500分光光度計を使用して透過測定を完了した。タングステンハロゲンおよび重水素UV源を使用して175nm~3300nmの範囲の波長を走査した。図1~3は、5つの試験サンプル、S1-B、S2-AB、S2-C、S3-BおよびS3-Cの波長の関数として、パーセントにおける拡散透過率および全透過率を示している。表3は、熱処理適用後の各ガラスセラミックの特性をまとめたものである。図1に示されるように、S1-B14およびS2-AB10で高い全透過率が観察された。高い拡散透過率は、S1-B12およびS2-AB16についても観察された。S1はサイクルBに従って熱処理され、S2はサイクルAとBに連続的に従って熱処理された。透過した大部分が拡散された。粒子寸法ならびにマトリクスへの分散は最適化されたように見えた。分子は円形であり、それらの寸法は規則的であり、1μmに近い直径を有していた。粒子間距離は1~5μmであった。結晶化部分は最適化されているように見え、粒子はマトリクス内によく分散されていた。図2に示されるように、サンプルS1-Cは、低い拡散透過率20および高い全透過率18を示し、このことは、平均自由行程MFPが長すぎることを示唆している。拡散透過率がその波長で低下するという事実は、平均自由行程が波長に依存していることに起因する;MFPは、波長の増大につれて増大する言い換えれば、波長が長ければ、波長が短い場合よりも粒子が少ない。この現象は、低い結晶化度に起因する可能性がある。SEM画像は、サイクルCを適用した場合に、S2-Cの粒子の寸法はS2-ABとほぼ同じであったが、粒子密度が低かったことを示した。粒子密度が主要なパラメーターであることが確認された。この組成では、サイクルCは、十分な粒子を核生成するのに十分とは思えない。図3に示されるように、S3-B22およびS3-C26は、両方とも、先のサンプルと比較して、低い全透過率を示した。低い値は、吸収、後方散乱ガラスの反射を増大させる、またはその両方の組合せを示唆した。それらのガラスセラミックの一部の測定値は、吸収が、最大でも数パーセントしかないことを示唆した。したがって、低い全透過率は、多くの後方散乱に起因していた全般的な基板の反射率をより高く誘起するように、MFPは非常に小さい。S3-B24およびS3-C28の波長では拡散透過率が低下した。この事例では、透過曲線の挙動は、材料の高結晶化に起因する可能性がある。SEMの実験は、結晶化度が先のサンプルと比較して高いことを示した。拡散曲線の低下は、結晶化粒子と残りのマトリクスとの間の屈折率の差異に起因する可能性がある。高結晶化は、低いSiO2レベルおよび/またはB2O3の存在に関連する可能性がある。本発明は、それらのある特定の実例となる実施の形態に関して詳細に説明されているが、そのように限定されるとみなされるべきではなく、添付の特許請求の範囲に定義される本発明の広範な精神および範囲から逸脱することなく、さまざまな変更が可能であることが理解されるべきである。別に明記されない限り、本明細書および特許請求の範囲において用いられたすべての数は、表記されているか否かにかかわらず、すべての事例において、約という語句によって修飾されているものと理解されるべきである。本明細書および特許請求の範囲において用いられた正確な数値は本発明の追加の実施の形態を形成することもまた理解されよう。