半導体デバイスを製造するための方法であって、第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面とを備える半導体ウェハを提供するステップであって、前記半導体ウェハが、前記第1の表面上に、または前記第1の表面に配置された、複数のドーピング領域と、金属パッドとを備えるステップと、接合表面と、前記接合表面にあるキャビティおよび開口のうち少なくとも一方とを備える第1のガラス基板を提供するステップと、前記第1のガラス基板を、1つまたは複数の金属パッドが前記第1のガラス基板のそれぞれのキャビティまたは開口内部に配置されるように、その接合表面で、前記半導体ウェハの前記第1の表面に接合させるステップと、前記半導体ウェハの前記第2の表面を機械加工するステップと、前記半導体ウェハの前記機械加工後の第2の表面上に少なくとも1つの金属被覆領域を形成するステップと、個々の半導体デバイスを得るために、前記半導体ウェハおよび前記第1のガラス基板をダイシングするステップとを含む方法。陽極接合、接着接合、溶融接合、およびガラスフリット接合の少なくとも1つによって、前記第1のガラス基板を前記半導体ウェハの前記第1の表面に接合させるステップをさらに含む請求項1に記載の方法。前記キャビティを露出させるために前記第1のガラス基板を機械加工するステップをさらに含む請求項1に記載の方法。前記金属被覆領域を形成する前に、前記半導体ウェハの前記第2の表面上に金属シード層を形成するステップをさらに含む請求項1に記載の方法。開口を備える第2のガラス基板を提供するステップと、前記第2のガラス基板を前記半導体ウェハの前記第2の表面に接合させるステップと、それぞれの金属被覆領域を形成するために前記第2のガラス基板の前記開口に金属または金属化合物を充填するステップとをさらに含む請求項1に記載の方法。接合表面と、前記接合表面にあるキャビティとを備える第2のガラス基板を提供するステップと、前記第2のガラス基板を、その接合表面で、前記半導体ウェハの前記第2の表面に接合させるステップと、前記キャビティを露出させるために前記第2のガラス基板を機械加工するステップと、それぞれの金属被覆領域を形成するために、前記第2のガラス基板の前記露出されたキャビティに金属または金属化合物を充填するステップとをさらに含む請求項1に記載の方法。前記金属被覆が、めっき、ペースティング、および印刷の少なくとも1つによって形成される請求項1に記載の方法。既定の割断線に沿って前記第1のガラス基板にトレンチを設けるステップと、前記トレンチに沿って割断することによって前記半導体ウェハおよび前記第1のガラス基板をダイシングするステップとをさらに含む請求項1に記載の方法。既定の割断線に沿って前記第2のガラス基板にトレンチを設けるステップと、前記トレンチに沿って割断することによって前記半導体ウェハ、前記第1のガラス基板、および前記第2のガラス基板をダイシングするステップとをさらに含む請求項8に記載の方法。少なくとも1つのボンディングパッドを備えるそれぞれのキャリア基板上に前記個々の半導体デバイスを固定するステップと、前記金属パッドと前記キャリア基板のそれぞれのボンディングパッドとの間にそれぞれのワイヤボンドを形成するステップと、それぞれのキャリア基板に固定された前記半導体デバイスを絶縁材料内に封入するステップとをさらに含む請求項1に記載の方法。半導体デバイスを製造するための方法であって、第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面とを備える半導体ウェハを提供するステップであって、前記半導体ウェハが、前記第1の表面上に、または前記第1の表面に配置された、複数のドーピング領域と、金属パッドとを備えるステップと、接合表面と、前記接合表面に形成されたキャビティとを備える第1のガラス基板を提供するステップと、前記第1のガラス基板を、前記金属パッドが前記第1のガラス基板のそれぞれのキャビティ内部に配置されるように、その接合表面で、前記半導体ウェハの前記第1の表面に接合させるステップと、接合表面と、前記接合表面に形成されるキャビティとを備える第2のガラス基板を提供するステップと、前記第2のガラス基板を、その接合表面で、前記半導体ウェハの前記第2の表面に接合させるステップと、前記キャビティを露出させるために前記第2のガラス基板を機械加工するステップと、めっき、ペースティング、および印刷の少なくとも1つによって、前記第2のガラス基板の前記露出されたキャビティ内部に金属被覆領域を形成するステップと、個々の半導体デバイスを得るために前記半導体ウェハ、前記第1のガラス基板、および前記第2のガラス基板をダイシングするステップとを含む方法。前記第2のガラス基板を接合させる前に、前記半導体ウェハの厚さを減少させるために前記半導体ウェハの前記第2の表面を機械加工するステップをさらに含む請求項11に記載の方法。前記第2のガラス基板を接合させた後に、前記キャビティを露出させるために前記第1のガラス基板を機械加工するステップをさらに含む請求項11に記載の方法。半導体デバイスを製造するための方法であって、半導体ウェハと、前記半導体ウェハに接合されたガラス基板とを提供するステップであって、前記ガラス基板が、前記半導体ウェハの表面部分を露出させるために複数の開口を備え、前記開口が金属被覆領域を画定するステップと、金属被覆領域を形成するために、前記ガラス基板の前記開口に金属または金属化合物を充填するステップと、個々の半導体デバイスを得るために、前記半導体ウェハおよび前記ガラス基板をダイシングするステップとを含む方法。前記半導体基板が、第1の表面と、第2の表面と、複数のドーピング領域と、金属パッドとを備え、前記金属パッドが、前記第1の表面上に配置され、前記ガラス基板が、前記半導体ウェハの前記第2の表面に接合される請求項14に記載の方法。前記ガラス基板が、接合表面と、前記接合表面に形成された複数のキャビティとを備え、前記ガラス基板が、その接合表面で前記半導体ウェハに接合され、前記キャビティを露出させて前記ガラス基板に前記開口を形成するために、前記ガラス基板を機械加工するステップと、前記金属被覆領域を形成するために、前記ガラス基板の前記開口に金属または金属化合物を充填するステップとをさらに含む請求項14に記載の方法。既定の割断線に沿って前記ガラス基板にトレンチを設けるステップと、前記トレンチに沿って割断することによって、前記半導体ウェハおよび前記ガラス基板をダイシングするステップとをさらに含む請求項14に記載の方法。半導体デバイスを製造するための方法であって、半導体ウェハを提供するステップと、ガラス基板を提供するステップと、既定の割断線に沿って前記ガラス基板にトレンチを形成するステップと、前記ガラス基板を前記半導体ウェハに接合させるステップと、前記トレンチに沿って割断することによって前記半導体ウェハおよびガラス基板をダイシングするステップとを含む方法。前記ガラス基板が前記半導体ウェハに接合された後に前記トレンチが形成される請求項18に記載の方法。前記ガラス基板が、前記半導体ウェハを部分的に露出させる開口を備え、金属被覆領域が前記開口内に形成される請求項18に記載の方法。前記ガラス基板がキャビティを備え、前記キャビティが前記半導体ウェハに面し、前記キャビティを露出させて前記ガラス基板に前記開口を形成するために、前記ガラス基板を機械加工するステップと、金属被覆領域を形成するために、前記ステップで形成された前記ガラス基板の開口に金属または金属化合物を充填するステップとをさらに含む請求項18に記載の方法。少なくとも2つの端子と、第1の表面および第2の表面を備える半導体基板であって、前記第1の表面上に配置された少なくとも1つのドーピング領域および金属パッドを備える半導体基板と、少なくとも1つの開口を備える第1のガラス基板であって、前記金属パッドが前記第1のガラス基板の前記開口内に配置されるように、前記半導体基板の前記第1の表面に接合される第1のガラス基板と、少なくとも1つの開口を備える第2のガラス基板であって、前記半導体基板の前記第2の表面に接合される第2のガラス基板と、前記半導体基板の前記第2の表面上にある少なくとも1つの金属被覆領域であって、前記第2のガラス基板の前記開口を充填する金属被覆領域とを備える半導体デバイス。前記第1のガラス基板、前記第2のガラス基板、および前記半導体基板が、共通の横方向表面を形成する請求項22に記載の半導体デバイス。少なくとも1つのボンディングパッドを備えるキャリア基板と、ボンドワイヤ接続とをさらに備え、前記ボンドワイヤ接続が、前記半導体基板の前記第1の表面上の前記金属パッドを前記キャリア基板の前記ボンディングパッドと電気的に接続させる請求項22に記載の半導体デバイス。しかし、一般に知られているキャリアシステムは、脆弱な半導体材料を機械的に支持して取扱いを容易にするにすぎない。さらに、薄い半導体基板上に厚い金属被覆領域を形成するとき、厚い金属被覆によって基板が変形されることがある。これらおよび他の理由から、本発明が必要となる。実施形態をさらに理解できるように添付図面を添付し、本明細書に組み込んで、本明細書の一部を成すものとする。図面はいくつかの実施形態を示し、本説明と相まって実施形態の原理を説明する。他の実施形態、および意図される実施形態の利点の多くは、以下の詳細な説明を参照すればより良く分かるので、容易に理解されよう。図面の要素は、必ずしも互いに一律の縮尺では描かれてない。同様の参照符号は、対応する同様の部分を示す。以下の発明を実施するための形態の項では、添付図面を参照する。添付図面は、本項の一部を成し、本発明を実施することができる具体的な実施形態がそこに例として示されている。これに関して、方向を表す用語、例えば上部、底部、表、裏、先、後などは、説明する図面の向きを基準として使用される。実施形態の構成要素はいくつかの異なる向きで位置決めすることができるので、方向を表す用語は、例として使用するものであり、何ら限定するものではない。他の実施形態を利用することもでき、本発明の範囲から逸脱することなく構造的または論理的な変更を行うことができることを理解されたい。したがって、以下の詳細な説明は、限定の意味で解釈すべきではなく、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって定義される。説明する実施形態では具体的な言葉を使用するが、それらが添付の特許請求の範囲の範囲を限定するものと解釈すべきではない。別段の指示がない限り、本明細書で説明する様々な実施形態の特徴を互いに組み合わせることができることを理解されたい。例えば、さらなる実施形態を生み出すために、一実施形態の一部として図示または説明する特徴を他の実施形態の特徴と関連付けて使用することができる。本説明は、そのような修正形態および変形形態を含むものと意図されている。本明細書で使用する用語横方向は、半導体基板の主表面に平行な向きを表す意図のものである。本明細書で使用する用語垂直方向は、半導体基板の主表面に垂直な向きを表す意図のものである。本明細書では、半導体基板の第2の表面とは、下側表面または裏側表面によって形成されるものとみなされ、一方、第1の表面とは、半導体基板の上側表面、表側表面、または主表面によって形成されるものとみなされる。したがって、この向きを考慮して、本明細書で使用される用語上および下は、ある構造的な特徴に対する別の構造的な特徴の相対位置を表す。本明細書で使用する用語半導体コンポーネントは、半導体ウェハ内および半導体ウェハ上で少なくとも一部処理された半導体デバイスを表す意図のものである。一部処理されるとは、半導体デバイスが完全には完成していないことを意味し、動作可能な半導体デバイスを得るためにドーピング領域、コンタクト領域、および金属被覆の形成やダイシングなどさらなるプロセスが必要であることを意味する。半導体デバイスは、少なくとも2端子のデバイスであり、一例はダイオードである。また、半導体デバイスは、3端子デバイスでもよく、いくつか例を挙げると電界効果トランジスタFET、絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBT、接合電界効果トランジスタJFET、およびサイリスタなどである。また、半導体デバイスは、4つ以上の端子を含むこともできる。本明細書で説明する具体的な実施形態は、限定はせずに、パワー半導体デバイス、特に電界効果によって制御されるデバイスに関する。1つまたは複数の実施形態によれば、半導体デバイスを製造するための方法が提供される。第1の表面と、第1の表面とは反対側の第2の表面とを有する半導体ウェハが提供され、半導体ウェハは、第1の表面上に、または第1の表面に配置された、複数のドーピング領域と、金属パッドとを含む。接合表面と、接合表面にあるキャビティおよび開口のうち少なくとも一方とを有する第1のガラス基板が提供される。第1のガラス基板は、金属パッドが第1のガラス基板のそれぞれのキャビティまたは開口内部に配置されるように、その接合表面で、半導体ウェハの第1の表面に接合される。半導体ウェハの厚さを減少させるために、半導体ウェハの第2の表面が機械加工される。半導体ウェハの機械加工後の第2の表面上に少なくとも1つの金属被覆領域が形成され、個々の半導体デバイスを得るために、半導体ウェハおよび第1のガラス基板がダイシングされる。1つまたは複数の実施形態によれば、半導体デバイスを製造するための方法が提供される。半導体ウェハおよびガラス基板が提供される。既定の割断線に沿って、ガラス基板にトレンチが形成される。ガラス基板が半導体ウェハに接合され、トレンチに沿って割断することによって半導体ウェハおよびガラス基板がダイシングされる。図1A~図1Eを参照して、半導体デバイスを製造するための方法の第1の実施形態を説明する。第1の表面11と、第1の表面11とは反対側の第2の表面12とを含む半導体ウェハ10が提供される。半導体ウェハ10は、複数のドーピング領域図1Aには図示せずを含む。完成した半導体デバイスの拡大詳細図である図2Hおよび図3には、ドーピング領域が含まれている。ドーピング領域は、例えば第1の表面11に形成され、例えばダイオードのアノード領域を形成する。FETの場合、ドーピング領域は、ボディ領域および/またはソース領域となることがある。半導体基板10は、半導体デバイスを製造するのに適した任意の半導体材料から形成することができる。そのような材料の例としていくつか挙げると、限定はしないが、シリコンSiなどの元素半導体材料、炭化ケイ素SiCやシリコンゲルマニウムSiGeなどのIV族化合物半導体材料、ガリウムヒ素GaAs、ガリウムリンGaP、インジウムリンInP、窒化ガリウムGaN、窒化アルミニウムガリウムAlGaN、インジウムガリウムリンInGaPa、またはインジウムガリウムヒ素リンInGaAsPなどの二元、三元、または四元III-V族半導体材料、およびテルル化カドミウムCdTeや水銀カドミウムテルルHgCdTeなどの二元または三元II-VI族半導体材料である。上述した半導体材料は、ホモ接合半導体材料とも呼ばれる。2つの異なる半導体材料を組み合わせるとき、ヘテロ接合半導体材料が形成される。ヘテロ接合半導体材料の例として、限定はしないが、シリコンSixC1-xとSiGeのヘテロ接合半導体材料が挙げられる。パワー半導体用途では、現在、主にSi、SiC、およびGaN材料が使用されている。金属パッド14、15が、第1の表面11上に配置される。金属パッド14は例えばゲートパッド構造でもよく、金属パッド15は例えばソースパッド構造でもよい。半導体ウェハ10は、一般的な加工が施された複数の半導体コンポーネント、すなわち未完成の半導体デバイスを含む。図1Aでは、半導体ウェハ10に形成された複数の半導体コンポーネント31、32、33、および34を示すことによってこれを例示する。この実施形態では、各半導体コンポーネント31、32、33、および34は、1つの金属パッド14および1つの金属パッド15を含む。金属パッド14、15は、同じ金属からなっていても、異なる金属からなっていてもよい。さらに、金属パッド14、15は、異なる高さおよび構造であってもよい。例えば、典型的には、ソース金属被覆として使用される金属パッドは、ゲート金属被覆として使用される金属パッドよりも大きい。1つまたは複数の実施形態によれば、第1の表面11に半導体コンポーネント31、32、33、および34の構造を形成するためのプロセスが完了している。このプロセスは、典型的には金属パッド14、15の形成を含み、金属パッド14、15は、後でボンドワイヤ接続用のランドパッドとして使用される。1つまたは複数の実施形態によれば、半導体コンポーネント31、32、33、および34は半完成状態でもよい。典型的には、第1の表面11に、または第1の表面11の近くに位置されたドーピング領域を含む構造のほとんどが既に形成されている。図1Bに示されるように、接合表面22を有する第1のガラス基板20が提供される。第1のガラス基板20は、接合表面にキャビティおよび開口のうち少なくとも一方を含む。この実施形態では、第1のガラス基板20は、接合表面22に形成された複数のキャビティ21を含む。他の実施形態例えば図5A~図5D参照では、ガラス基板は開口を含む。本明細書では、キャビティは、ガラス基板の接合表面でのみ開いており、開口は、ガラス基板の接合表面と、接合表面とは反対側の表面とで開いている。したがって、キャビティは片側で開いており、開口は両側で開いている。キャビティ21のサイズは、それぞれの半導体コンポーネント31、32、33、および34の金属パッド14、15を収容するように適合される。この実施形態では、各キャビティ21は、両方の金属パッド14、15を収容するようにサイズ設定される。他の実施形態例えば図6Aおよび図6D参照では、キャビティは、金属パッドの一方のみを収容するようにサイズ設定される。第1のガラス基板20は、金属パッド14、15が第1のガラス基板20のそれぞれのキャビティ21の内部に配置されるように、その接合表面22で、半導体ウェハ10の第1の表面11と接合される。図1Cに示されるさらなるプロセスにおいて、半導体ウェハ10の厚さを減少させるために、半導体ウェハ10の第2の表面が機械加工される。機械加工は、半導体ウェハ10の厚さを減少させるのに適した任意のプロセスを含むことができる。例としては、機械研削、化学機械研磨、ラップ仕上げ、およびエッチングである。半導体ウェハ10の第2の表面12の機械加工により、半導体ウェハ10の初期厚さd1を、初期厚さよりも薄い目標厚さd2まで減少させる。目標厚さd2は、約20μm~約100μmの範囲内でもよい。1つまたは複数の実施形態では、目標厚さd2は、約20μm~約50μmでもよい。半導体ウェハ10の第2の表面12の機械加工により、図1Cに示されるような機械加工後の第2の表面12’が生成される。図1Dに示されるさらなるプロセスにおいて、半導体ウェハ10の機械加工後の第2の表面12’に、少なくとも1つの金属被覆領域17、18が形成される。金属被覆領域の形成は、薄い金属シード層17の形成、およびそれに続く厚い金属層18の形成を含むことができる。金属シード層17は、厚さが約0.1μm~約2μmでもよく、金属層18は、厚さが最大100μmでもよい。金属シード層17は、金属スパッタリングや蒸着など任意の適したプロセスによって形成することができる。金属シード層17に適した材料は、いくつか挙げると、銀Ag、チタンTi、またはアルミニウムAlである。金属被覆18は、例えばめっきまたは印刷によって形成することができる。シード層17は、機械加工後の第2の表面12’への金属めっきを可能にする。ほぼ任意のタイプの金属被覆を、機械加工後の第2の表面12’に形成することができる。図1Eに示されるさらなるプロセスにおいて、個々の半導体デバイスを得るために、半導体ウェハ10が第1のガラス基板20と共にダイシングされる。半導体ウェハ10およびガラス基板20がダイシングされる分離線が、垂直な破線で図1Eに示されている。以下、図2A~図2Hに関連して、1つまたは複数の実施形態によるプロセス手順をより詳細に説明する。上述した実施形態と同様に、図2Aに示されるように、第1の表面11および第2の表面12を有する半導体ウェハ10が提供される。さらに、ある程度完成した複数の半導体デバイス、すなわち半導体コンポーネント31、32、33、34が、半導体ウェハ10内および半導体ウェハ10上に、特に第1の表面11に形成される。各半導体コンポーネント31、32、33、34は、少なくとも1つのドーピング領域と、第1の表面11上に配置され、ドーピング領域と電気接触する少なくとも1つの金属パッド14、15とを含む。典型的には、半導体コンポーネント31、32、33、34は同じタイプのものである。例えば、すべての半導体コンポーネント31、32、33、34がパワーFET、すなわち3端子デバイスである。さらなるプロセスにおいて、予め構造化された第1のガラス基板20が、その接合表面22で、半導体ウェハ10の第1の表面11に接合される。第1のガラス基板20は、純粋な水晶または任意のタイプの市販されているフロートガラスなど、任意の適したガラス材料からなっていてもよい。第1のガラス基板20の接合表面22にキャビティ21が形成されている。キャビティ21は、半導体ウェハ10の第1の表面11上に形成された半導体コンポーネント31、32、33、34の構造を収容するのに十分に大きいそれぞれのサイズ、すなわち深さおよび幅を有する。キャビティ21は、例えばエッチングによって予め形成することができる。このために、キャビティのサイズおよび位置を画定するマスクを接合表面22に形成することができる。任意の適したエッチングプロセス、例えばフッ化水素酸HFに基づく湿式化学エッチングプロセスを使用することができる。第1のガラス基板20を半導体ウェハ10に接合させるために、任意の適した接合プロセスを採用することができる。例えば、陽極接合を使用して、第1のガラス基板20を半導体ウェハ10に直接接合することができる。例えば薄い絶縁層によって半導体ウェハ10の第1の表面11が覆われているときには、他の接合プロセスのほうが適している。例えば、ガラスフリット接合が、信頼性の高いボンド接続を成す。ガラスフリット接合は、第1のガラス基板20の融点よりも融点が低いガラスはんだを使用する。易溶性のガラスはんだが溶融されて、最大500°Cの温度に耐えることができる接着接合を成す。適したガラスはんだは、ガラスの粘性および融点を低下させるのに十分に高い酸化鉛含有量を有する鉛ガラスである。ガラスはんだを、例えば第1のガラス基板20または半導体ウェハ10上に薄いガラス層として堆積して、事前にグレージング処理することができる。次いで、ガラスはんだの設定融点で、半導体ウェハ10と第1のガラス基板20が接触される。また、半導体ウェハ10と第1のガラス基板20を密接させて保つために、圧力がかけられる。別の選択肢は、溶融接合である。溶融接合は、半導体ウェハ10と第1のガラス基板20を一体に接合することによって行われる。このために、半導体ウェハ10の第1の表面11と、第1のガラス基板20の接合表面22とが疎水性または親水性にされ、次いで接触されて高温でアニールされる。陽極接合、ガラスフリット接合、および溶融接合は、500°Cを超える非常に高い温度に耐えることができるボンド接続を形成する。通常、陽極接合と溶融接合は、さらに高い温度に耐えることができるボンド接続を成す。ガラス接着剤を使用する接着接合も適用することができる。例として、例えばDowCorning社から市販されているシリケート接着剤を使用することができる。ガラス接着剤の性質に応じて、接着接合接続は、不活性雰囲気中で短期間、最大250°C~300°Cの温度に耐えることができる。これは、半導体コンポーネントを完成させるために半導体ウェハに施される多くの製造プロセスにとって十分である。ガラス接着剤およびまたガラスはんだは、構造化が望まれるときには光構造化可能でもよい。さらなる選択肢は、陽極接合を容易にするために半導体ウェハ10上にダイヤモンドライクカーボン層DLCを形成することを含む。接合後に得られる構造が図2Bに示される。第1のガラス基板20を接合した後、半導体ウェハ10が目標厚さd2まで薄層化される。薄層化プロセスとしては、限定はしないが、機械加工後の第2の表面12’を得るための第2の表面12の研削、エッチング、および研磨を挙げることができる。キャビティがガラス基板20を完全に貫いては延びていないので、第1の表面11上にありかつ第1の表面11の半導体コンポーネント31、32、33、34の構造は、半導体ウェハ10の薄層化中にガラス基板20によって保護される。したがって、この処理中、半導体コンポーネント31、32、33、34の構造は、予め構造化されたガラス基板20によって封止される。さらなるプロセスにおいて、半導体ウェハ10の第2の表面12に、薄い金属シード層17が形成される。金属シード層17は、第2の表面12全体に形成することができる。金属シード層17は、後のプロセスで金属被覆をめっきするために使用される。金属被覆を形成するために他のプロセスが使用されるとき、この金属シード層は省くことができる。さらに、必要に応じて後の段階でシード層17を形成することもできる。金属シード層17の厚さは、具体的な要件に従って選択することができる。また、厚さが変化する金属シード層17を提供することもできる。金属シード層17の材料は、例えば銀Ag、チタンTi、またはアルミニウムAlでもよい。接合表面42に複数のキャビティ41が形成された、予め構造化された第2のガラス基板40が提供される。キャビティ41は、最終的な半導体デバイスのサイズよりも小さくサイズ設定される。図2A~図2Hの実施形態は、第1のガラス基板20のキャビティ21のサイズと同様のサイズのキャビティ41を示す。第2のガラス基板40は、その接合表面42で、半導体基板10の第2の表面12’に接合される。半導体基板10の第2の表面12’が薄い金属シード層17によって覆われているとき、第2のガラス基板40は、上述したようなガラスフリット接合または接着接合を使用して接合される。金属シード層17が使用されないとき、上述した任意のタイプの接合プロセスを使用することができる。得られる構造が図2Cに示される。十分な接合強度を得るために、それぞれのガラス基板20、40と半導体ウェハ10の接触領域を十分に大きくすべきである。ガラス基板20、40のそれぞれの接合表面22、42が構造化されているので、接触領域も構造化されている。多くの用途では、50μm以上のサイズの接触領域を提供するために、隣接するキャビティ間の壁厚さを約50μm以上にすれば十分である。第1および第2のガラス基板20、40は、接合前に半導体ウェハ10と位置合わせされ、したがって、それぞれのキャビティ21、41がそれぞれの半導体コンポーネント31、32、33、34と位置合わせされる。それぞれのガラス基板20、40と半導体ウェハ10の周辺領域に配置された位置合わせ構造が、位置合わせを容易にする。図2Dは、さらなるプロセスを示す。キャビティ41を露出させるために、第2のガラス基板40は、接合表面42とは反対側の表面を機械加工される。典型的には、キャビティ41が露出されるまで第2のガラス基板40の厚さが減少され、これが第2のガラス基板40の開口41’を形成する。第2のガラス基板40の最終的な厚さは、具体的な要件に従って選択することができる。機械加工後の第2のガラス基板40は、薄い半導体ウェハ10に十分な機械的安定性を与えるのに十分な厚さにすべきである。第2のガラス基板40は、研削または研磨することができ、あるいは最初に研削し、次いで研磨することができる。図2Eは、半導体ウェハ10の第2の表面12上に金属被覆領域を製造するためのプロセスを示す。機械加工後の第2のガラス基板40がマスクとして使用され、露出されたキャビティまたは開口41’が、金属被覆領域のサイズおよび位置を画定する。いくつかの実施形態では、各半導体コンポーネント31、32、33、34に1つの大きな金属被覆領域19を設けることができ、この金属被覆領域19は開口41’を完全に充填する。第2のガラス基板40をマスクとして使用することにより、互いに別個にされた金属被覆領域19によって、構造化された金属被覆が形成される。金属被覆領域19は、例えばめっき、印刷、またはペースティングによって形成することができる。典型的には、露出されたキャビティまたは開口41’が、金属、金属化合物、または金属合金によって充填される。半導体ウェハの第2の表面12’全体に形成された金属シード層17が、めっきを容易にし、このめっきは電気めっきでも無電解めっきでもよい。典型的には、良好な電気的接続を成し、また半導体デバイスの動作中に熱を放散するための手段も形成するのに十分な厚さで銅がめっきされる。別の選択肢は、第2のガラス基板20に導電性ペーストが塗布され、スキージまたはドクターブレードによって均一に延ばされる印刷またはペースティングである。次いで、導電性の金属被覆領域を形成するためにペーストがアニールされる。アニーリング温度は、第1および第2のガラス基板20、40と半導体ウェハ10のそれぞれのボンド接続が耐えることができる温度未満にすべきである。印刷およびペースティングは、費用対効果の高いプロセスである。典型的には、銅の良好な電気特性および熱特性により、印刷またはペースティングには銅または銅化合物が使用される。さらなるプロセスにおいて、キャビティ21、およびキャビティ21内部に配置された金属パッド14、15を露出させるために、第1のガラス基板20が機械加工される。図2Fに示される得られる構造は、キャビティ21の深さ未満の厚さの第1のガラス基板20を含み、したがって、金属パッド14、15を横方向で取り囲む開口21’が形成される。1つまたは複数の実施形態では、第1および/または第2のガラス基板20、40は、半導体ウェハ10のための機械的な支持を提供し、不可逆キャリアシステムを形成する。ガラス基板は、半導体ウェハ10に取り付けられたまま残り、最終的な半導体デバイスの一部分を成す。ガラス基板の最終的な厚さは、特定の値に限定されず、具体的な要件に従って変えることができる。また、本明細書で説明する不可逆キャリアシステムは、非常に薄い半導体ウェハ10を取り扱うことができるようにする。第1および第2のガラス基板20、40が使用されるとき、各ガラス基板を比較的薄くすることができる。また、半導体ウェハの両側にガラス基板を提供することにより、対称的な支持が形成されるので、機械的特性が改良される。さらに、1つまたは複数のガラス基板は、デバイスパッシベーションの働きをすることができる。これにより、一般的に使用されているポリイミドパッシベーションを省くことができるようになる。ガラスの誘電特性はポリイミドよりも優れているので、ガラスパッシベーションは、電気絶縁性を改良する。第2のガラス基板40がマスクとなり、これは、さらなるマスクを必要とせずに金属被覆を構造化できるようにする。これはまた、以下に説明するように後続のデバイス分離を容易にする。図2Fに破線で示される分離線に沿って電子コンポーネント31、32、33、34を分離するとき、分離は、同様の機械的特性を有する材料を通して行われる。図2Fは、分離線が、第1および第2のガラス基板20、40の壁を通り、また半導体ウェハ10を通って延びることを示す。分離線は、金属被覆、すなわちこの実施形態では金属被覆領域19の厚い部分を通っては延びず、任意選択の薄い金属シード層17のみを通って延びる。ガラス基板20、40と半導体ウェハ10は、どちらの材料も脆性であるので、同様の機械的特性を有する。それに対し、厚い金属被覆は、半導体ウェハ10およびガラス基板20、40とは異なる機械的特性を有する延性金属からなる。この機械的特性の相違により、ダイシング中に難点が生じることがある。本明細書で説明する手法により、この難点を緩和または回避することができる。1つまたは複数の実施形態によれば、横方向で互いに離隔された個々の厚い金属領域を有するように、半導体ウェハ10の第2の表面12’に形成された裏面金属被覆が構造化される。個々の金属被覆領域間のスペースがダイシングのために使用される。したがって、分離線は、スペースに沿って延びるが、金属被覆領域は通らない。これにより、熱放散を改良するために金属被覆領域の厚さをさらに増加させることができるようになる。金属被覆領域は、ガラス基板の厚さと同様の厚さにすることができる。例えば、100μm以上の厚さの金属被覆領域を提供することができる。また、半導体ウェハ10の第2の表面12上の金属被覆の構造化が、半導体ウェハ10の反りを低減する。分離が厚い金属被覆を通らないので、分離中に、ソーなどの分離ツールに金属による負荷がかからず、これは分離プロセスを改良する。ダイシングが厚い金属被覆を通らず、ガラス基板20、40および半導体ウェハ10を通してダイシングすることにより、さらに、割断による分離が可能になる。ダイシングのために、スクライブアンドブレークscribe-and-break、レーザ切断、およびソーイングなど、任意の適したダイシングプロセスを使用することができる。任意選択の薄い金属シード層17は、上述したダイシングプロセスに大きな支障を及ぼすものではない。図2Fに示される構造をダイシングすると、半導体チップ10’、第1のガラスチップ20’、および第2のガラスチップ40’をそれぞれ有する個々の半導体デバイスが形成される。1つまたは複数の実施形態によれば、ガラス基板20、40の少なくともいくつかまたはすべての壁が、隣接する半導体コンポーネントの間の分離線に沿って延びる。後に半導体デバイスを形成する隣接する半導体コンポーネントは、それぞれのガラス基板20、40の壁によって互いから隔離される。図2Gは、ダイシング後の半導体デバイスの3次元図を示す。後の段階で形成されるボンドワイヤ接続も示されている。図示されるように、金属パッド14および15は、露出されたキャビティまたは開口21’を有する第1のガラスチップ20’によって横方向で完全に取り囲まれている。第1および第2のガラスチップ20’、40’は、半導体チップ10’と共通の横方向分離表面69を有し、存在するときには金属シード層17がこの横方向分離表面69で露出されている。したがって、半導体デバイスの横方向面69は、主に半導体チップ10’の半導体材料と、第1および第2のガラスチップ20’、40’のガラス材料とによって形成されるが、厚い金属被覆領域19ここには図示せずによっては形成されない。図2Hは、最終的な半導体デバイスを示す。半導体デバイスは、絶縁材料からなるキャリア基板50に取り付けられる。キャリア基板50は、リード構造51、52、53を含む。リード構造51および53は、キャリア基板50の上側に配置されたボンディングパッド51’および52’を含み、リード構造52は、大きなパッド52’を含み、半導体デバイスが、半導体チップ10’の第2の表面上に形成されたその金属被覆領域19でこのパッド52’に取り付けられる。金属パッド14とボンディングパッド51’の電気的接続、および金属パッド15とボンディングパッド53’の電気的接続が、それぞれボンドワイヤ55によって提供される。また、図2Hは、半導体デバイスのさらなる構造も示す。この実施形態では、金属パッド14は、ゲート誘電体層60によってチップ10’の半導体材料から絶縁されたゲート電極を形成する。ドーピング領域も示されている。参照番号61はソース領域を表し、参照番号62は、ソース領域61およびチップ10’の半導体材料とは逆にドープされたボディ領域を表す。ドレイン領域63は、チップ10’の第2の表面に形成される。ドレイン領域63は、金属被覆領域19を介してパッド52’に電気的に接続され、ソース領域61は、金属パッド15に電気的に接続される。最終的には、半導体モジュールを形成するために、エポキシ樹脂など絶縁材料65内に半導体デバイスを封入することができる。図2HはFETやIGBTなど3端子デバイスを示すが、図3は、1つまたは複数の実施形態によるパワーダイオードなど2端子デバイスを示す。この半導体デバイスは、この実施形態ではリード構造56および57によって形成される少なくとも2つの端子を含む。これらのリード構造は、キャリア基板58から横方向に延在する。さらに、この半導体デバイスは、この実施形態では第1の表面11および第2の表面12を有する半導体チップ10’によって形成される半導体基板を含む。半導体チップ10’は、少なくとも1つのドーピング領域66および金属パッド15を有する。ドーピング領域66は、第1の表面11に形成され、第1の表面11上に配設された金属パッド15と電気的に接触する。金属パッド15は、この実施形態ではパワーダイオードのアノードを形成する。ドーピング領域66は、半導体チップ10’の材料とは逆にドープされる。通常、半導体チップ10’の材料は、パワーデバイスの場合には低いn型ドーピング濃度を有する。さらなるドーピング領域67が第2の表面12に形成され、チップ10’の半導体材料と同じドープ型であるが、より高いドーピング濃度を有する。少なくとも1つの開口21’を有する第1のガラス基板またはガラスチップ20’が、第1のガラス基板20’の開口21’内部に金属パッド15が配置されるように半導体基板10’の第1の表面11に接合される。少なくとも1つの開口41’を有する第2のガラス基板またはガラスチップ40’が、半導体基板10’の第2の表面12に接合される。少なくとも1つの金属被覆領域19が、半導体基板または半導体チップ10’の第2の表面12上に配設される。金属被覆領域19は、第2のガラス基板40’の開口41’を充填し、ドーピング領域67とリード構造56のパッド構造56’とのオーム接触を形成する。金属被覆領域19は、この実施形態ではパワーダイオードのカソードを成す。この実施形態では図示されていないが、必要に応じて金属シード層を設けることもできる。金属パッド15は、ボンドワイヤ55によって、リード構造57のパッド構造57’に電気的に接続される。半導体デバイスは、エポキシ樹脂など絶縁材料65内に封入される。半導体デバイスは、第1および第2のガラス基板20’および40’ならびに半導体基板10’によって形成される共通の横方向分離面69を有する。図4は、図2Fに一点鎖線ボックスで示される部分の拡大詳細図を示す。半導体ウェハ10は、第1の表面11上に配設された薄い酸化物層70を含む。第1のガラス基板20が、接着接合によってその酸化物層70に接合され、接着接合は、光構造化可能な接着剤71、ガラスフリット接合、または溶融接合を採用することができる。一実施形態では、酸化物層70の代わりにダイヤモンドライクカーボン層を使用することができる。この場合、陽極接合も可能である。したがって、1つまたは複数の実施形態によれば、酸化物層70または一般に絶縁層70が、第1のガラス基板20に接合する前に第1の表面11上に形成される。第2のガラス基板40は、ガラス接着剤層72を用いた接着接合によって、半導体ウェハ10上の薄い金属シード層17に接合される。第1および第2のガラス基板20、40に関して選択される接合プロセスは、ガラス基板が接合される表面の特性に応じて決まる。半導体ウェハ10の第1の表面11と第2の表面12には異なる処理を施すことができるので、それぞれの表面が異なる上層、したがって異なる特性を有することがあり、したがって異なる接合プロセスが使用される。接合は、熱アニーリングプロセスを含むことがある。第2のガラス基板40を半導体ウェハに接合させるとき、アニーリング温度は、半導体コンポーネントのサーマルバジェット範囲内になるように、また半導体ウェハ10と第1のガラス基板20のボンド接続の許容範囲内になるように調節すべきである。図5A~図5Dに関して、さらなる実施形態を説明する。上述した構造的特徴と同様の構造的特徴は、同じ参照番号を付されている。さらに、同様のプロセスの説明は割愛し、対応する言及がここでも当てはまるものとする。上述した実施形態と同様に、第1の表面11および第2の表面12を有する半導体ウェハ10が提供される。半導体ウェハ10は、複数の半導体コンポーネント31、32、33、34を含み、各半導体コンポーネント31、32、33、34が、第1の表面11上に配設された少なくとも1つの金属パッド14、15を含む。この実施形態は、各半導体コンポーネント31、32、33、34ごとに2つの金属パッド14、15を示す。さらに、各半導体コンポーネント31、32、33、34は、少なくとも1つのドーピング領域を含む。図5Bに示されるように、第1のガラス基板25を通って延在する複数の開口26を有する予め構造化された第1のガラス基板25が提供される。第1のガラス基板25は、接合表面27を含む。開口26は、エッチングなど適したプロセスによって予め形成することができる。開口26のサイズは、以下に説明するように金属パッド14、15を収容できるように適合される。第1のガラス基板25は、1つの半導体コンポーネント31、32、33、34の金属パッド14、15が、第1のガラス基板25の1つの開口26の内部に配置されるように、その接合表面27で、半導体ウェハ10の第1の表面11に接合される。位置合わせのために、半導体ウェハ10および第1のガラス基板に設けられた位置合わせマークが使用される。第1のガラス基板25は、上述した接合プロセスの任意のものによって半導体ウェハ10に接合させることができる。第1のガラス基板25の厚さは、金属パッド14、15の高さに対応するか、または金属パッドの高さよりも大きい。その後、半導体コンポーネント31、32、33、34、および半導体ウェハ10の第1の表面11上に配置された構造を後続のプロセス中に保護するために、第1のガラス基板25の開口26を任意選択の箔35によって覆うことができる。さらなるプロセスにおいて、半導体基板10は、上述したのと同様に目標厚さd2まで薄層化される。そこで、半導体基板10は、処理後の第2の表面12’を有する。上述したのと同様に、薄い金属シード層17が、機械加工後の第2の表面12’全体に形成される。第2のガラス基板45が提供され、複数の開口46が第2のガラス基板45を通って延在している。第2のガラス基板45は、接合表面47を有し、その接合表面47で、上述の適した接合プロセスの任意のものによって半導体ウェハ10、特に金属シード層17に接合される。第1のガラス基板25と第2のガラス基板45は互いに位置合わせされる。箔35は、この段階または後の段階で除去することができる。得られる構造が、図5Cに示される。さらなるプロセスにおいて、上述したのと同様に、めっき、ペースティング、または印刷など任意の適したプロセスによってそれぞれの金属被覆領域19が開口46内に形成される。その後、半導体ウェハ10が、図5Dに破線で示される既定の分離線に沿ってダイシングされる。上述したのと同様に、分離は、半導体ウェハ10とそれぞれのガラス基板25、45の壁とを通して行われるが、厚い金属領域19は通らない。図5A~図5Dに示される実施形態は、予め構造化されたガラス基板25、45が開口26、46を含む点で、上述した実施形態とは異なる。ガラス基板25、45を薄層化するためのプロセスは必須ではないが、必要に応じて行うこともできる。また、様々な実施形態からのプロセスを組み合わせることもできる。例えば、上述したようなキャビティ21を有するガラス基板20を第1のガラス基板として使用して、半導体ウェハ10に接合させることができる。第2のガラス基板として、開口46を有するガラス基板45を使用して、半導体ウェハ10の機械加工後の第2の表面12’に接合させることができる。この変形形態では、キャビティ21がまだ露出されていないので、半導体ウェハ10を薄層化するときに、半導体ウェハ10の第1の表面11にある構造が第1のガラス基板20によって保護される。さらに、第1のガラス基板20はかなり厚いので、薄層化された半導体ウェハ10の安定性をより高める。例えば、機械加工後の第2の表面12’上に金属被覆領域19を形成した後に、半導体コンポーネント、特に金属パッドの構造を露出させるために第1のガラス基板20を機械加工することができる。図6A~図6Cは、さらなる実施形態を示す。上述した構造的特徴と同様の構造的特徴は、同じ参照番号を付されている。さらに、同様のプロセスの説明は割愛し、対応する言及がここでも当てはまるものとする。第1の表面11および第2の表面12を有する半導体ウェハ10と、第1の表面11上に配設された少なくとも2つの金属パッド14、15をそれぞれ含む半導体コンポーネント31、32、33、34とが提供される。また、各半導体コンポーネント31、32、33、34は、少なくとも1つのドーピング領域、典型的には複数のドーピング領域を含む。ガラス基板70が提供され、ガラス基板70は、ガラス基板70の接合表面73に形成された複数のキャビティ71、72を含む。各キャビティ71、72は、ただ1つの金属パッド14、15を収容できるようにサイズ設定される。各半導体コンポーネント31、32、33、34の金属パッド14、15は、異なるサイズ、特に異なる横方向の広がりを有することがある。したがって、それぞれのキャビティ71、72は異なるサイズでもよい。この特定の実施形態では、キャビティ71は、金属パッド14を収容できるようにサイズ設定され、キャビティ72は、金属パッド15を収容できるようにサイズ設定される。この実施形態では、キャビティ72がキャビティ71よりも大きい。ガラス基板70が位置合わせされ、次いで、上述した任意の適した接合プロセスを使用することによって接合される。得られる構造が、図6Aに示される。各金属パッド14、15は、それぞれのキャビティ71、72によって収容されて封入され、それにより、同じ半導体コンポーネント31、32、33、34の隣接する金属パッド14、15は、ガラス基板70によって、特に、隣接する金属パッド14、15の間に配設されたガラス基板70の壁によって、互いから隔離される。さらなるプロセスにおいて、半導体ウェハ10を薄層化することができる。さらに、キャビティ71、72を露出して開口71’、72’を形成するためにガラス基板70を機械加工することができ、半導体コンポーネント31、32、33、34の金属パッド14、15に手を加えられるようにする。隣接する金属パッド14、15は、図6Bに示されるようにガラス基板70の壁によって互いから隔離されたままである。さらなるプロセスにおいて、半導体ウェハ10は、上述したのと同様に分離線に沿ってダイシングされて、半導体チップ10’およびガラスチップ70’を有する半導体デバイスを形成する。そのような半導体デバイスの3次元図が、図6Cに示される。例えばパワーFETのゲートパッドおよびソースパッドをそれぞれ形成する金属パッド14および15が、ガラス基板70によって互いから隔離される。他の構造要素は上述した要素と同様でもよい。半導体デバイスは、特に、半導体チップ10’の第2の表面に接合されたさらなるガラス基板またはガラスチップ40’を含むことができる。さらなる実施形態を、図7Aおよび図7Bに関連して説明する。上述した構造的特徴と同様の構造的特徴は、同じ参照番号を付されている。さらに、同様のプロセスの説明は割愛し、対応する言及がここでも当てはまるものとする。この実施形態では、半導体ウェハ10と、半導体ウェハ10に接合されたガラス基板40とが提供される。ガラス基板40は、半導体ウェハ10の表面部分を露出するために複数の開口41’を含む。開口は、後で形成される金属被覆領域のサイズおよび位置を画定する。ガラス基板40は、その接合表面42で、半導体ウェハ10の第2の表面12’に接合される。上述したのと同様に、接合されたガラス基板40は、その接合表面にキャビティを含むことができ、キャビティは、接合されたガラス基板を研削または研磨することによって後で露出される。他の実施形態では、既に露出されているキャビティ、すなわち開口を有するガラス基板40を接合させることができる。上述した任意の適した接合プロセスを使用することができる。複数の半導体コンポーネント31、32、33、34の金属パッド14、15を、半導体ウェハ10の第1の表面11上に配設することができる。また、半導体ウェハ10は、上述したのと同様に複数のドーピング領域を含むことができる。さらに、ガラス基板40を接合させる前に、第2の表面12’上に金属シード層17を形成することができる。図7Bに示されるように、金属被覆領域19を形成するために、ガラス基板40の開口41’が金属または金属化合物で充填される。金属被覆領域19を形成するのに適したプロセスは、限定はしないが、めっき、印刷、およびペースティングである。上述したのと同様に、ガラス基板40は、金属被覆領域19を形成するときにマスクの役割をする。さらなるプロセスにおいて、個々の半導体デバイスを得るために、半導体ウェハ10が上述したのと同様に分離線に沿ってダイシングされる。さらなる実施形態を、図8Aおよび図8Bに関連して説明する。上述した構造的特徴と同様の構造的特徴は、同じ参照番号を付されている。さらに、同様のプロセスの説明は割愛し、対応する言及がここでも当てはまるものとする。第1の表面11および第2の表面12を含む半導体ウェハ10と、半導体基板10の第1の表面11に接合されたガラス基板70とが提供される。半導体ウェハ10は、複数の半導体コンポーネント31、32、33、34を形成するためにドーピング領域を含む。ガラス基板70は、複数の開口71’、72’を含み、これらの開口71’、72’は、半導体ウェハ10の第1の表面11のそれぞれの部分を露出させる。開口71’、72’は、後で形成されるパッド領域のサイズおよび位置を画定する。ガラス基板70は、上述した接合プロセスの任意のものによって第1の表面11に接合させることができる。典型的には、接合前に第1の表面上に金属シード層を形成することができる。同じ半導体コンポーネント31、32、33、34に関して複数の別個のパッド領域を形成することが望まれるとき、典型的には、短絡を生じないように、金属シード層は第1の表面11全体にわたっては形成されない。金属シード層は、ガラス基板70を接合させた後に各開口71’、72’の内部に形成することができる。ガラス基板70は、上述したのと同様に、接合されるときに既に開口71’、72’を含むことができる。一実施形態では、ガラス基板70は複数のキャビティを含むことができ、これらのキャビティは、上述したのと同様に、接合後にガラス基板を機械加工することによって露出される。さらなるプロセスにおいて、図8Bに示されるように複数の別個の金属パッド領域14’、15’を提供するために、開口71’、72’に金属または金属化合物、例えば金属合金が充填される。厚い金属パッド構造を得るために、めっき、ペースティング、または印刷によって金属パッド構造14’、15’を形成することができる。金属パッド領域14’、15’の製造を完了するためにアニーリングプロセスが必要とされることがある。上述したのと同様に、厚い金属パッド領域14’、15’を、ボンドワイヤ接続のためのランドパッドとして使用することができる。金属パッド領域14’、15’は、それらの厚さにより、下にある構造を、接合中に生じる機械的応力から保護する。金属パッド領域14’、15’の厚さは、ガラス基板70の厚さによって定義することができる。例えば、厚さ100μmのガラス基板70が使用されるとき、金属パッド領域14’、15’は、ペースティングによって形成されるときに同様の厚さを有する。また、他の厚さを有する金属パッド領域14’、15’を形成することも可能である。さらなるプロセスにおいて、個々の半導体デバイスを得るために、上述したのと同様に半導体ウェハ10が分離線に沿ってダイシングされる。上述した実施形態を組み合わせることができる。例えば、図8Aおよび図8Bに示されるような半導体ウェハ10の第1の表面11上への金属パッド領域14’、15’の形成を、図7Aおよび図7Bに示されるような半導体ウェハ10の第2の表面12’上への金属被覆領域19の形成と組み合わせることができる。さらに、上述したのと同様に、第1の表面11にガラス基板を接合させた後に、半導体ウェハ10を薄層化することができる。さらなる実施形態を、図9A~図9Cに関連して説明する。上述した構造的特徴と同様の構造的特徴は、同じ参照番号を付されている。さらに、同様のプロセスの説明は割愛し、対応する言及がここでも当てはまるものとする。この実施形態は、特に、個々の半導体デバイスを形成するための半導体構成要素の分離を容易にするための選択肢を示す。図9Aに示されるように、第1の表面11および第2の表面12’を有する半導体ウェハ10が提供される。少なくとも1つのガラス基板が、例えば第1の表面11上に提供される。一実施形態では、ガラス基板が第2の表面12’上に提供される。また、第1の表面11上に第1のガラス基板80を提供し、第2の表面12’上に第2のガラス基板90を提供することも可能である。第1および第2のガラス基板80、90の一方または両方に、既定の割断線に沿ってトレンチ83が形成される。図9Aは、トレンチ83が第1のガラス基板80に形成され、トレンチ93が第2のガラス基板90に形成されることを示す。トレンチ83とトレンチ93は、実質的に互いに位置合わせされる。トレンチ83、93は、ガラス基板80、90をそれぞれの表面11、12’に接合させる前または接合させた後に形成することができる。トレンチ83、93の深さは、例えばそれぞれのガラス基板80、90の厚さの少なくとも半分、またはそれよりもさらに深くてよい。接合後にトレンチ83、93を形成することで、深いトレンチの形成が可能になる。接合していない場合には、ガラス基板は機械的に非常に脆弱である。トレンチ83、93は、例えばソーイングまたは任意の他の適したプロセスによって形成することができる。半導体ウェハ10は、上述したのと同様に、複数の半導体コンポーネント31、32、33、34を含むことができ、各半導体コンポーネント31、32、33、34は、第1の表面11上に配置された少なくとも1つの金属パッド14、15を含むことができる。それぞれの半導体コンポーネントの金属パッド14、15は、第1のガラス基板80の開口81の内部に収容される。上述したのと同様に、第2の表面12’上に金属被覆領域19を形成することができる。さらなるプロセスにおいて、トレンチ83、93に沿って割断することによって、半導体ウェハ10およびガラス基板80、90がダイに分離される。これは図9Bおよび図9Cに示され、これらの図は、図9Aに一点鎖線によって示される部分の拡大詳細図を示す。トレンチ83、93に沿って、半導体ウェハ10と第1および第2のガラス基板80、90の合計の材料強度が大幅に減少されるので、トレンチ83、93は割断を容易にする。図2Gおよび図6Cに示される3次元図で見られるように、開口81および91はそれぞれのガラス基板の壁85、95によって横方向で取り囲まれることに留意すべきである。したがって、割断線がこれらの開口81、91を通らない。したがって、トレンチ83、93は、規定の割断線を形成する。上述した分離プロセスは、スクライブアンドブレークと呼ばれることがある。ここでも、分離は、同様の機械的特性をもつ材料を通して行われ、第2の表面12’に形成される厚い金属被覆領域を通しては行われない。これは、脆性の半導体ウェハと厚い延性の金属層とを通して切断することによって半導体デバイスを分離する一般に知られている分離プロセスに伴う難点を回避する。上述した実施形態は、主に同様の機械的特性をもつ材料を通して切断するので、材料特性に切断プロセスをより良く適合させることができる。図9A~図9Cに関連して説明した実施形態は、上述した実施形態の任意の他のものと組み合わせることができる。例えば、キャビティを有するガラス基板を接合し、次いでガラス基板を機械加工してキャビティを露出させることができる。さらに、上述したのと同様に、それぞれのガラス基板をマスクとして使用することによって、金属被覆領域を第2の表面および/または第1の表面上に形成することができる。さらに、上述したのと同様に半導体ウェハを薄層化することができる。1つまたは2つの構造化されたガラス基板が半導体ウェハに接合され、第1または第2の表面上、あるいは両方の表面上に半導体を機械的に支持する不可逆キャリアシステムを上述した。1つまたは複数のガラス基板は、ダイシング後でさえデバイスの一部となっており、パッシベーションの働きをすることができる。さらに、ダイシングの際に金属被覆領域を通る切断が必要ないように、別個にされて離隔された金属被覆領域を形成するために、構造化されたガラス基板がマスクの働きをすることができる。ガラス基板は、例えば第1の表面上の金属パッドを収容できるように構造化することができる。さらに、ガラス基板は、例えば第1および/または第2の表面上に金属被覆領域を形成するためのマスクとして使用することができるように構造化することができる。第1の表面上もしくは第2の表面上、または両表面上の金属被覆領域の厚さは異なっていてよく、具体的な要件に従って選択することができる。本明細書で説明するキャリアシステムは、非常に薄い半導体ウェハの取扱いを可能にする。ガラス基板によって片側で支持された半導体ウェハを、所望の目標厚さまで薄層化することができる。その後、半導体ウェハが薄層化された側に、さらなる構造化されたガラス基板を接合させて、両側で支持された半導体ウェハを得ることができる。構造化されているとき、上記のさらなるガラス基板を使用して、様々な厚さをもつ個々の離隔された金属被覆領域を形成することができる。特に指示がない限り、本明細書で説明する様々な例示的実施形態の特徴を互いに組み合わせることができることを理解されたい。具体的な実施形態を図示して本明細書で説明してきたが、本発明の範囲から逸脱することなく、図示して説明した具体的な実施形態の代わりに様々な代替実装形態および/または均等実装形態を使用することができることを当業者は理解されよう。本出願は、本明細書で論じた具体的な実施形態の任意の適合形態または変形形態を網羅するものと意図されている。したがって、本発明は、特許請求の範囲およびその均等物によってのみ限定されるものと意図されている。