"横断面形状が先細り状の溝が形成されている主面を有する圧電基板と、少なくとも一部が前記溝内に位置するように前記主面上に形成されているIDT電極と、を備える弾性波装置であって、前記IDT電極は、第1の導電層と、第2の導電層と、前記第1の導電層と前記第2の導電層との間に形成されており、TiまたはCrの酸化物または窒化物からなる拡散防止層とを含む積層体により構成されている、弾性波装置。前記第1の導電層は、前記溝の幅方向における中央部と、前記中央部に対して傾斜している両端部とを有し、前記第2の導電層は、前記拡散防止層を介して前記第1の導電層の前記中央部及び両端部の上に形成されている、請求項1に記載の弾性波装置。前記第1の導電層がAlまたはAl合金からなり、前記第2の導電層がAlよりも密度が高い金属または合金からなる、請求項1または2に記載の弾性波装置。前記第2の導電層は、Pt,Au,Cu,Ag及びPdからなる群から選ばれた金属またはPt,Au,Cu,Ag及びPdからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金からなる、請求項3に記載の弾性波装置。弾性表面波装置である、請求項1~4のいずれか一項に記載の弾性波装置。弾性境界波装置である、請求項1~4のいずれか一項に記載の弾性波装置。しかしながら、IDT電極の少なくとも一部が圧電基板に形成されている先細り状の溝内に位置しており、かつ、IDT電極が複数の導電膜の積層体により構成されている場合、溝の傾斜部に形成されている電極は結晶性が劣化しているため、電極指の電気抵抗や、周波数特性、耐電力性などの弾性波装置の特性を十分に高くすることが困難であるという問題がある。本発明は、係る点に鑑みてなされたものであり、その目的は、IDT電極の少なくとも一部が圧電基板に形成されている横断面先細り状の溝内に位置しており、かつ、IDT電極が複数の導電膜の積層体からなる弾性波装置であって、耐電力性などの特性に優れた弾性波装置を提供することにある。本発明に係る弾性波装置は、圧電基板と、IDT電極とを備えている。圧電基板は、主面を有する。主面には、横断面形状が先細り状の溝が形成されている。IDT電極は、少なくとも一部が溝内に位置するように主面上に形成されている。IDT電極は、積層体により構成されている。積層体は、第1の導電層と、第2の導電層と、拡散防止層とを含む。拡散防止層は、第1の導電層と第2の導電層との間に形成されている。拡散防止層は、TiまたはCrの酸化物または窒化物からなる。本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、第1の導電層は、溝の幅方向の中央部と、中央部に対して傾斜している両端部とを有し、第2の導電層は、拡散防止層を介して第1の導電層の中央部及び両端部の上に形成されている。本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、第1の導電層がAlまたはAl合金からなり、第2の導電層がAlよりも密度が高い金属または合金からなる。本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、第2の導電層は、Pt,Au,Cu,Ag及びPdからなる群から選ばれた金属またはPt,Au,Cu,Ag及びPdからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金からなる。本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、弾性波装置は、弾性表面波装置である。本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、弾性波装置は、弾性境界波装置である。本発明では、第1の導電層と第2の導電層との間に形成されている拡散防止層が、TiまたはCrの酸化物または窒化物からなる。従って、第1の導電層と第2の導電層との間の相互拡散を効果的に抑制することができる。その結果、耐電力性などの特性を改善することができる。以下、本発明を実施した好ましい形態について、図1に示す所謂3媒質型の弾性境界波装置1を例に挙げて説明する。但し、弾性境界波装置1は、単なる例示である。本発明に係る弾性波装置は、弾性境界波装置1に何ら限定されない。図1は、第1の実施形態に係る弾性境界波装置の略図的平面図である。図2は、図1の線II-IIにおける略図的断面図である。まず、図1及び図2を参照しながら、弾性境界波装置1の構造について説明する。図2に示すように、弾性境界波装置1は、圧電基板10を備えている。圧電基板10は、適宜の圧電体からなる基板により構成することができる。圧電基板10は、例えば、LiNbO3基板、LiTaO3基板や水晶基板などにより構成することができる。圧電基板10の主面10aには、溝10bが形成されている。溝10bの横断面形状は、先細り状である。具体的には、本実施形態では、溝10bの横断面形状は、台形状である。但し、本発明において、溝の横断面形状は、台形状に限定されない。溝の横断面形状は、例えば、2つの頂角のうちの少なくとも一方が面取り状またはR面取り状に形成されている台形状であってもよいし、半円形状、半長円形状、半楕円形状などであってもよい。溝10bの横断面形状が台形状である場合は、溝10bの底角θは、例えば、45°~90°の範囲内であることが好ましく、50°~80°の範囲内であることがより好ましい。圧電基板10の主面10aの上には、IDT電極20が形成されている。また、主面10aの上には、IDT電極20を覆うように、第1の誘電体層11が形成されている。また、第1の誘電体層11の上には、第2の誘電体層12が形成されている。このように、本実施形態の弾性境界波装置1は、3媒質型の弾性境界波装置であるが、本発明の弾性波装置は、例えば、第1の誘電体層のみを有する所謂2媒質型の弾性境界波装置であってもよい。第1の誘電体層11は、第2の誘電体層12の音速よりも遅い音速を有する。このため、例えば、第2の誘電体層12が窒化ケイ素により形成されている場合は、第1の誘電体層11は、酸化ケイ素などの窒化ケイ素よりも音速が遅い材料により形成することができる。本実施形態では、IDT電極20の少なくとも一部が、溝10bの内部に位置している。すなわち、IDT電極20の少なくとも一部が、溝10bに埋め込まれている。具体的には、本実施形態では、IDT電極20の一部が溝10bの内部に位置している。IDT電極20は、密着層21と、第1の導電層22と、拡散防止層23と、第2の導電層24がこの順番で圧電基板10側から積層されてなる積層体により構成されている。密着層21は、IDT電極20の圧電基板10に対する密着性を高めるための層である。密着層21は、例えば、Tiなどにより構成することができる。密着層21の厚みは、特に限定されないが、例えば、10nm~20nm程度とすることができる。なお、密着層21は、導電性を有するものであってもよいし、導電性を有さないものであってもよい。但し、IDT電極20の導電性を高める観点からは、密着層21が導電性を有することが好ましい。第1の導電層22は、密着層21の上に形成されている。第1の導電層22の上には、第2の導電層24が形成されており、その間に拡散防止層23が形成されている。本実施形態において、第1の導電層22は、AlまたはAl合金からなる。一方、第2の導電層24は、Alよりも密度が高い金属または合金からなる。具体的には、第2の導電層24は、Pt,Au,Cu,Ag及びPdからなる群から選ばれた金属またはPt,Au,Cu,Ag及びPdからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金からなる。第1及び第2の導電層22,24の厚みは、特に限定されないが、例えば、それぞれ、100nm~300nm、10nm~100nm程度とすることができる。本実施形態では、上述のように、溝10bは、横断面形状が先細り状となるように形成されている。このため、溝10bに形成されている第1の導電層22も溝10bに沿った形状となる。具体的には、第1の導電層22は、表面22a1が溝10bの底面10b1と平行な中央部22aと、溝10bの幅方向の両端部に位置しており、表面22b1が底面10b1に対して傾斜している側面10b2と略平行であり、底面10b1に対しては傾斜している両側部22bとを有する。両側部22bは、中央部22aに対して傾斜している。拡散防止層23は、第1の導電層22の表面22a1,22b1を含む全体の上に形成されている。そして、第2の導電層24は、拡散防止層23の全体の上を覆うように形成されている。本実施形態において、拡散防止層23は、TiまたはCrの酸化物または窒化物からなる。すなわち、拡散防止層23は、酸化チタン、窒化チタン、酸窒化チタン、酸化クロム、窒化クロムまたは酸窒化クロムからなる。次に、弾性境界波装置1の製造方法の一例について説明する。まず、溝10bが形成されている圧電基板10を用意する。なお、溝10bは、例えば、フォトレジストからなるマスクを用いたフォトリソグラフィーにより形成することができる。次に、図3に示すように、圧電基板10の上に、IDT電極20を形成しようとする部分に開口25aが形成されているマスク25を配置する。このマスク25は、例えば、フォトレジストなどにより形成することができる。次に、上記マスク25の上から、例えば、蒸着法やスパッタリング法、CVDChemicalVaporDeposition法などの薄膜形成法により、密着層21、第1の導電層22、拡散防止層23及び第2の導電層24を形成する。その後、マスク25を除去するリフトオフ。最後に、例えば、スパッタリング法やCVD法などの薄膜形成法により第1及び第2の誘電体層11,12を形成することにより、弾性境界波装置1を完成させることができる。ところで、従来、拡散防止層としては、一般的に、Ti膜が用いられている。Ti膜であれば、金属酸化物膜とは異なり、導電性を有しているため、IDT電極の導電性が低下しにくい。また、圧電基板の表面に溝が形成されておらず、平坦な表面の上にIDT電極が形成されている場合は、十分に高い拡散防止効果を得ることができる。このため、本実施形態のように、横断面先細り状の溝の上にIDT電極を形成する場合においても、拡散防止層としてTi膜を用いることが考えられる。しかしながら、横断面先細り状の溝の上にIDT電極を形成した場合は、拡散防止層としてTi膜を用いると、十分な拡散防止効果が得られず、拡散防止層の上下に存在する導電膜間で相互拡散が生じてしまうという問題が発生した。これについて、本発明者らが鋭意研究した結果、拡散防止層の全体において拡散防止機能が低くなっているのではなく、拡散防止層の傾斜部分の拡散防止機能が低くなっていることが見出された。これは、拡散防止層の傾斜部分は、平坦部分と較べて膜質が粗になりやすく、また結晶性が低くなりやすいためであると考えられる。そこで本発明者らは、横断面先細り状の溝の上にIDT電極を形成した場合であっても、導電層間の相互拡散を効果的に抑制できる拡散防止層について検討を重ねた。その結果、本実施形態のように、第1の導電層22と第2の導電層24との間に位置している拡散防止層23をTiまたはCrの酸化物または窒化物により形成することにより、第1の導電層22と第2の導電層24との間の相互拡散を効果的に抑制できることを見出した。すなわち、拡散防止層23をTiまたはCrの酸化物または窒化物により形成することにより、拡散防止層23の傾斜部においても、良好な拡散防止効果が得られる。また、拡散防止層23が薄い場合であっても良好な拡散防止効果が得られるため、第1及び第2の導電層22,24を、その分厚くすることができる。従って、IDT電極20の電気抵抗をより小さくすることができる。なお、第1及び第2の導電層22,24間の相互拡散は、熱が加わったときに生じやすい。従って、IDT電極20の上に、第1の誘電体層11が形成される弾性境界波装置1において第1及び第2の導電層22,24間の相互拡散が大きな問題となりやすい。以下、この効果を具体的な実施例及び比較例に基づいて、より詳細に説明する。実施例上記第1の実施形態に係る弾性境界波装置1を以下の条件で作製した。そして、TEMを用いてTiの存在濃度を検出した。結果を、図4に示す。図4において、明るくなっている部分がTiの存在濃度が高い部分である。また、第1の誘電体層の形成前及び形成後におけるIDT電極の平均ミアンダ抵抗を測定した。さらに、弾性境界波装置に対して、300°Cで2時間放置するという熱処理を5回行い、熱処理をする毎に、IDT電極の平均ミアンダ抵抗を測定した。結果を、図5に示す。実施例における条件:圧電基板:LiTaO3密着層:厚み10nmのTi膜第1の導電層:厚み300nmのCuを1重量含むAl膜拡散防止層:厚み20nmの酸化チタン膜第2の導電層:厚み95nmのPt膜第1の誘電体層:厚み760nmの酸化ケイ素膜第2の誘電体層:厚み2200nmの窒化ケイ素膜比較例拡散防止層を、厚み80nmのTi膜としたこと以外は上記実施例と同様に弾性境界波装置を作製し、同様の手順でTEMによるTiの存在濃度検出及び平均ミアンダ抵抗の測定を行った。図6に比較例におけるIDT電極のTiの存在濃度を表すTEM写真を示す。また、本比較例における平均ミアンダ抵抗を図5に示す。図4及び図6の比較から、拡散防止層がTi膜からなる場合は、傾斜している両端部においてTi濃度が薄くなっている部分が観察される一方、拡散防止層が酸化チタン膜からなる場合は、傾斜している両端部においてもTi濃度が薄くなっている部分が観察されなかった。この結果から、拡散防止層がTi膜からなる場合は、第1及び第2の導電層間の相互拡散が生じているものの、拡散防止層が酸化チタン膜からなる場合は、第1及び第2の導電層間の相互拡散が実質的に発生していないことが分かる。また、図5に示す結果からも、拡散防止層がTi膜からなる比較例では、IDT電極に熱が加わると共に、第1及び第2の導電層間の相互拡散が生じ、IDT電極の電気抵抗値が大きくなる一方、拡散防止層が酸化チタン膜からなる実施例では、IDT電極に熱が加わっても、第1及び第2の導電層間の相互拡散が発生せず、IDT電極の電気抵抗がほとんど増大しないことが分かる。また、拡散防止層を酸化チタン膜とした場合のみならず、拡散防止層を、窒化チタン、酸窒化チタン、酸化クロム、窒化クロムまたは酸窒化クロムで形成した場合においても、同様の効果が得られる。なお、上記実施形態では、IDT電極20の一部が溝10b内に埋め込まれている場合について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、IDT電極の実質的に全体が溝内に埋め込まれていてもよい。本発明において、密着層は必ずしも必須ではない。密着層を設けず、第1の導電層を溝10bの上に直接形成してもよい。また、IDT電極は、第1及び第2の導電層以外のさらなる導電層を有していてもよい。その場合には、そのさらなる導電層と、隣接する導電層との間に、TiまたはCrの酸化物または窒化物からなる拡散防止層をさらに設けることが好ましい。また、上記第1の実施形態では、弾性境界波装置1を例に挙げて本発明の実施形態について説明したが、本発明の弾性波装置は、例えば、図7に示すような弾性表面波装置であってもよい。図7に示す弾性表面波装置では、圧電基板10の主面10aの上に、周波数温度特性を改善する機能を兼ね備えた保護膜30が形成されている。保護膜30は、例えば、酸化ケイ素などにより形成することができる。もっとも、弾性表面波装置においては、保護膜は必ずしも必須ではない。弾性表面波装置では、保護膜が設けられておらず、IDT電極が形成されている圧電基板の表面が露出していてもよい。"