"少なくとも色素を半導体に担持してなる半導体層と、正孔輸送物質を含有してなる正孔輸送層とが設けられている全固体型色素増感型光電変換素子において、前記光電変換素子が、溶解性パラメータが17.4以上24.6以下の溶媒を光電変換層と正孔輸送層の合計の質量に対して、0.01質量以上2質量以下含有することを特徴とする光電変換素子。前記正孔輸送物質が導電性高分子であることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。前記光電変換素子がLi原子を含有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の光電変換素子。請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の光電変換素子を有することを特徴とする太陽電池。本発明の目的は、上記課題に鑑みなされたものであり、安価に製造ができ、耐久安定性に優れる固体型色素増感型光電変換素子及び太陽電池を提供することにある。本発明の上記課題は以下の構成により解決される。1.少なくとも色素を半導体に担持してなる半導体層と、正孔輸送物質を含有してなる正孔輸送層とが設けられている全固体型色素増感型光電変換素子において、前記光電変換素子が、溶解性パラメータが17.4以上24.6以下の溶媒を光電変換層と正孔輸送層の合計の質量に対して、0.01質量以上2質量以下含有することを特徴とする光電変換素子。2.前記正孔輸送物質が導電性高分子であることを特徴とする前記1に記載の光電変換素子。3.前記光電変換素子がLi原子を含有することを特徴とする前記1または前記2に記載の光電変換素子。4.前記1から前記3のいずれか1項に記載の光電変換素子を有することを特徴とする太陽電池。本発明は、上記の構成を採ることによって、安価に製造ができ、耐久安定性に優れる固体型色素増感型光電変換素子及び太陽電池を提供することが可能となったものである。本発明は、半導体表面に有機増感色素を吸着させた全固体型色素増感型光電変換素子に関するもので、本発明に係わる光電変換素子は、光電変換素子を構成する光電変換層と正孔輸送層中に溶解性パラメータSP値が17.4MPa1/2以上24.6MPa1/2以下の溶媒を光電変換層と正孔輸送層の合計の質量に対して0.01質量以上2質量以下含有することを特徴としている。本発明者は、全固体型色素増感型光電変換素子において、長期に亘って安定した耐久性を有する光電変換素子について検討を行ったところ、完全固体の光電変換素子内部に適度な極性を有する溶媒が存在すると、繰り返し使用による劣化が抑制されることを見出した。これは適度な極性を持つ溶媒分子の存在により、色素-電荷輸送層界面或いはチタニア-電荷輸送界面でイオン性の添加剤あるいは溶媒そのものが界面の誘電率向上に寄与し、速やかに光電変換が進行するためと考えられる。この現象は素子内にリチウム塩などのイオン性の添加剤を含む場合に特に顕著となるが、これは例えばリチウムカチオンの自由度が向上して、好ましい界面状態を形成し易くなるためと推測される。本発明に用いられる溶媒の好ましい範囲は溶解性パラメータSP値で17.4以上24.6以下である。SP値が17.4より小さいと界面の誘電率上昇に寄与しにくくなる。一方、SP値が24.6より大きくなると溶媒分子が電荷の移動を阻害し易くなるとともに、吸湿性向上に伴う色素の劣化が促進される。溶解性パラメータここで、本発明において、溶解性パラメータSP値とは以下に定義する値である。溶解性パラメータSolubilityPrameter、SP値とは、ヒルデブラントHildebrandによって導入された正則溶液論により定義された値であり、2成分系溶液の溶解度の目安となる。正則溶液論では、溶媒-溶質間に作用する力は分子間力のみと仮定されるので、溶解パラメータは分子間力を表す尺度として使用される。実際の溶液は正則溶液とは限らないのが、2つの成分のSP値の差が小さいほど溶解度が大となることが経験的に知られている。正則溶液論では溶媒-溶質間に作用する力は分子間力のみと定義されているので、液体分子を凝集させる相互作用が分子間力のみであると考えることが出来る。液体の凝集エネルギーΔEは蒸発エンタルピーとΔH=ΔEPΔVの関係にあることから、モル蒸発熱ΔHとモル体積Vより、溶解パラメータをδ={δH-RT/V}1/2で定義する。即ち、1cm3の液体が蒸発するために必要な蒸発熱の平方根MPa1/2から計算される。SP値は上述した定義による値であるが、本発明においてSP値は、J.BrandrupandE.H.Immergut著ポリマーハンドブック第3版PolymerHandobookThirdEditionVII/526JOHNWileySONSに記載された値を用いている。SP値が17.4MPa1/2以上24.6以下MPa1/2の範囲に入る溶媒としては、例えば、アセトアルデヒド21.1、アセトン20.3、アセトニトリル24.3、アセチルクロライド19.4、アクリル酸24.6、ブロモベンゼン20.3、メチルイソプロピルケトン17.4、酢酸n-ブチル17.4、四塩化炭素17.6、メチルプロピルケトン17.8、エチルベンゼン18.0、キシレン18.0、トルエン18.2、酢酸エチル18.6、テトラヒドロフラン18.6、ベンゼン18.8、o-ジクロロベンゼン20.5、メチルエチルケトン19.0、クロロホルム19.0、塩化メチレン19.8、ピリジン21.9、シクロヘキサノール23.3、n-ブタノール23.3、イソプロピルアルコール23.5等の溶媒を挙げることができるカッコ内はSP値。また本発明に好ましく用いられる溶媒は、アセトニトリル、o-ジクロロベンゼン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。これらの溶媒は、後述する正孔輸送層形成用溶媒として用いられることが好ましい。溶媒含有量の測定溶媒含有量の測定は、例えば昇温脱離ガス分析法ThermalDesorptionSpectroscopy:TDSにより行うことが出来る。これは試料を昇温加熱した際に試料表面から脱離するガスを質量分析計で検出する方法で、超高真空で試料のみを加熱することにより、表面における水素などの吸着種を1分子層以下の感度で検出することができる。測定は太陽電池セルを超高真空測定室内の石英製試料台SampleStageにセットした後、試料台下方より導入される赤外線により試料のみを直接加熱し、加熱された試料から脱離したガスを質量分析計で計測することにより光電変換層と正孔輸送層中に含有される溶媒の定量が可能である。排気速度が脱離ガスによる圧力変化に対し十分に大きく設定することで、脱離物質の容器内での分圧は単位当たりの脱離量に比例するため、その分圧に比例するイオン量を質量分析計で測定することにより、光電変換層と正孔輸送層中に含有される溶媒を定量することができる。測定は光電変換素子5mm×5mmを測定室に入れて行うが、測定終了後、光電変換層と正孔輸送層を除去して質量を測定し光電変換層と正孔輸送層の質量を計算によって求める。測定装置としては、例えば、電子科学株製昇温脱離ガス分析装置TDS1200、TDS1400、株リガク製昇温脱離ガス分析装置TPDtypeV、typeR、typeRPhoto等が使用出来る。昇温脱離ガス分析法による溶媒含有量の測定方法本発明において、昇温脱離ガス分析法による試料中に含有される溶媒量の測定は、測定装置として、電子科学株製昇温脱離ガス分析装置TDS1200を用い、5mm×5mmの本発明の光電変換素子を測定室に入れ、10-6Pa以下の真空度で10分間保持した後、毎分30°Cの速度で400°Cまで昇温する。脱離したガスを捕集しMASSスペクトルで分析することによって行った。MASSスペクトルは四重極型質量分析計を用い、SEM加速電圧1000Vで行った。≪光電変換素子の構造≫最初に、本発明に係る光電変換素子の構造について図1を用いて説明する。図1は本発明に係る光電変換素子の構造の一例を模式的に示した断面図である。図1に示す光電変換素子10は、基板1、第1電極2、バリヤ層3、光電変換層6、正孔輸送層7及び第2電極8、隔壁9等より構成され、図の矢印で示す様に、光電変換層6に対して基板1や第1電極2が配置されている側より光を入射させるものである。また、光電変換層6は半導体5と増感色素4を含有するものであり、正孔輸送層7は後述する化合物に代表される導電性高分子等を正孔輸送物質として含有するものである。さらに、基板1には紫外線吸収層11が設けられていてもよい。光電変換素子10は、以下の手順で光電変換が行われて、電池として機能するものである。すなわち、1第1電極2に光が照射されると、光電変換層6に含有される増感色素が光を吸収して電子を放出する。このとき、増感色素は酸化物となる。2増感色素4により放出された電子は、光電変換層6内の半導体5に移動し、さらに、半導体5より第1電極2へ移動する。3第1電極2へ移動した電子は、対極である第2電極8へ回り、第2電極8で正孔輸送物質を還元する。4前述の増感色素酸化物は、還元された正孔輸送物質より電子を受け取り、元の状態増感色素に戻る。5上記1~4を繰り返すことにより、第1電極2より第2電極8へ電子の移動が繰り返し行われて電気が流れる。この様に、図1の光電変換素子10では、光照射により増感色素4が励起状態となり電子を放出し、放出された電子は半導体5を経由して第1電極2へ達して外部へ流れる。一方、電子を放出して酸化物となった増感色素4は、第2電極8より供給される電子を正孔輸送層7中の正孔輸送物質より受け取り元の状態に戻る、という仕組みで電子が移動して電池として機能する。≪光電変換素子の層構成≫図1に示す光電変換素子について以下順を追って説明する。基体基体1は、光電変換素子10の光入射方向側に設けられ、光電変換素子に強度を付与し、かつ、良好な光電変換効率を確保する観点から、ガラスや透明樹脂材料等の光透過性の材質で形成されるものである。また、基体1の光透過率は、特に限定されるものではないが、10以上であることが好ましく、より好ましくは50以上、80から100が特に好ましいものである。ここで、光透過率とは、JISK7361-1ISO13468-1に対応のプラスチック-透明材料の全光線透過率の試験方法に準拠した方法で測定される可視光波長領域における全光線透過率のことをいうものである。本発明で使用可能な基体1は、公知のものから適宜選択が可能で、石英やガラス等の透明無機材料や以下に挙げる公知の透明樹脂材料が挙げられる。透明樹脂材料の具体例としては、たとえば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリフェニレンサルファイドPPS、ポリイミドPI、ポリカーボネートPC、ポリスチレンPS、ポリプロピレンPP、ポリブチレンテレフタレートPBT、トリメチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート、ポリアミドイミド、シクロオレフィン重合体、スチレンブタジエン共重合体等がある。上記透明樹脂材料の中でもポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリフェニレンサルファイドPPS、ポリイミドPI等は可撓性を有するものが市販され、フレキシブルな光電変換素子を作製する上で好ましい。また、基体1の厚さは材料や用途等により適宜設定が可能で、たとえば、ガラス等の透明無機材料の様な硬質材料で構成する場合、その平均厚さは0.1mm~1.5mmが好ましく、0.8mm~1.2mmがより好ましい。また、透明樹脂材料を使用する場合も前記透明無機材料と同じ平均厚さとしてもよいが、可撓性を有する透明樹脂材料を使用する場合は0.5μm~150μmが好ましく、10μm~75μmがより好ましい。第1電極次に、第1電極2は基板1と光電変換層6の間に配置され、光電変換層6へ光を効率よく供給するために、好ましくは80以上、より好ましくは90以上の光到達率を有するものが用いられる。第1電極2は、公知の金属材料や金属酸化物により形成され、金属材料の具体例には、たとえば、白金、金、銀、銅、アルミニウム等があり、光透過性を発現し易い形状に加工したものが多く供給されていることから銀が好ましい。たとえば、開口部を有するグリッドパターン膜、微粒子やナノワイヤを分散させた膜等が多く供給されている。また、金属酸化物の具体例としては、たとえば、SnO2、ZnO、CdO、CTO系、In2O3、CdIn2O4等があり、上記金属酸化物にSn、Sb、F、Alから選ばれる1種または2種以上の原子をドープしたものが好ましく用いられる。その中でも、ITOと呼ばれるIn2O3にSnをドープしたもの、SnO2にSbをドープしたもの、FTOと呼ばれるSnO2にFをドープした導電性金属酸化物が好ましく、耐熱性の観点からFTOが特に好ましい。なお、前記CTO系の金属酸化物には、たとえば、CdSnO3、Cd2SnO4、CdSnO4がある。また、第1電極2は前述の基板1上に設けることも可能であり、基板1上に第1電極2を設けたものは導電性支持体と呼ばれ、導電性支持体の厚さは0.1mmから5mmとすることが好ましい。また、導電性支持体の表面抵抗は50Ω/cm2以下であることが好ましく、10Ω/cm2以下がより好ましい。光電変換層次に、光電変換層6について説明する。図1に示す光電変換素子10は、前述した第1電極2に隣接させて太陽光等の光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換層6を有する。光電変換層6は、増感色素4を吸着させた半導体5を含有するものであり、前述した第1電極2を通過した光を受ける個所で、第1電極2との間で電子の授受が行われる。光電変換層6における光エネルギーの電気エネルギーへの変換は、以下の様な手順で行われるものである。先ず、第1電極2を通過した光が光電変換層6に進入し、進入した光が半導体と衝突する。半導体に衝突した光は、任意の方向に乱反射して光電変換層6内に拡散し、拡散した光が増感色素に接触することにより電子と正孔ホールを発生し、発生した電子は第1電極2に向かって移動する。この様な仕組みで、光電変換層6は光エネルギーを電気エネルギーに変換している。光電変換層6の厚さは、特に限定されるものではないが、具体的には0.1μm~50μm程度が好ましく、より好ましくは0.5μm~25μm程度、特に好ましくは1μm~10μm程度である。なお、光電変換層6の厚さは、含有される半導体の厚さにほぼ一致するものであり、素子の小型化や製造コストの低減化を実現する観点から層状の形態を有する半導体を用いることが好ましい。半導体光電変換層6に使用される半導体5には、シリコンやゲルマニウム等の単体、元素周期表の第3族3A族~第5族5A族、第13族3B族~第15族5B族に属する原子を有する化合物、金属カルコケニド、金属窒化物等が使用可能である。ここで、金属カルコゲニドとは、カルコゲン元素と呼ばれる酸素原子や硫黄原子等の元素周期表の第16族6B族に属する原子と金属原子とで構成される化合物のことで、金属酸化物や金属硫化物、金属セレン化物、金属テルル化物等が該当する。金属カルコゲニドの具体例としては、たとえば、以下のものがある。1金属酸化物TiO、TiO2、Ti2O3、SnO2、Fe2O3、WO3、ZnO、Nb2O5等2金属硫化物CdS、ZnS、PbS、Bi2S3、CuInS2等3金属セレン化物、金属テルル化物CdSe、PbSe、CuInSe2、CdTe上記金属カルケニドの中でも、TiO2、SnO2、Fe2O3、WO3、ZnO、Nb2O5、CdS、PbSが好ましく用いられ、その中でも、TiO2とNb2O5がより好ましく、二酸化チタンTiO2が特に好ましい。二酸化チタンは、良好な電子輸送性を有する他に、光に対して高い感受性を有しており、二酸化チタン自体が光を受けて直接電子を発生する等、高い光電変換効率が期待できることから特に好ましいとされる。また、二酸化チタンは、安定した結晶構造を有するので、過酷な環境下で光照射が行われても経時による劣化が起こりにくく、所定性能を長期にわたり安定して発現可能である。二酸化チタンの結晶構造には、アナターゼ型とルチル型があり、光電変換素子用の半導体材料は、アナターゼ型の結晶構造を主とするもの、ルチル型の結晶構造を主とするもの、両者の混合物を主とするもののいずれも使用が可能である。このうち、アナターゼ型の結晶構造を有する二酸化チタンは、効率のよい電子輸送を行うことができる。また、アナターゼ型とルチル型を混合して使用する場合、アナターゼ型のものとルチル型のものの混合比は特に限定されるものではなく、アナターゼ型:ルチル型=95:5~5:95とすることが可能で、80:20~20:80とすることが好ましい。また、半導体に使用可能な金属窒化物としては、たとえば、Ti3N4が代表的なものであり、さらに、GaPやInP等の金属リン化合物、GaAs等の化合物も半導体として使用可能なものである。光電変換層6に使用される半導体は、上記化合物を単独で使用するものの他に複数を併用することも可能である。複数の化合物を併用する具体例としては、たとえば、TiO2にTi3N4を20質量混合させた形態のものや、J.Chem.Soc.Chem.Commun.,151999に開示のZnOとSnO2の複合体等がある。また、金属酸化物もしくは金属硫化物と前記酸化物もしくは硫化物以外の化合物を併用する場合は、当該化合物の含有量を30質量以下にすることが好ましい。また、光電変換層6に使用される半導体には、有機塩基を用いて表面処理を施したものを使用することが可能である。半導体の表面処理は、有機塩基を含有する液槽に半導体を浸漬して行う方法が主に採られ、有機塩基が液体の場合にはそのまま使用し、固体の場合には有機溶媒に溶解させた溶液を使用する。表面処理に使用される有機塩基は、たとえば、ジアリールアミン、トリアリールアミン、ピリジン、4-t-ブチルピリジン、ポリビニルピリジン、キノリン、アミジン等があり、これらの中でも、ピリジン、4-t-ブチルピリジン、ポリビニルピリジンが好ましい。また、半導体材料は、衝突した光の乱反射と拡散を促進させて光電変換効率を向上させる観点から、その表面に複数の微細な孔細孔を有するものが好ましく、前述の二酸化チタンは表面に細孔を有するので高い光電変換効率を期待することができる。半導体材料の細孔は、たとえば、空孔率と呼ばれる半導体粒子表面の単位面積あたりに占める孔の面積の比率で規定することができる。すなわち、適度な空孔率を有する半導体材料は、光の乱反射と拡散を促進させる他に、細孔による表面積の増大に伴って半導体材料の外面及び細孔の内面に吸着している増感色素の吸着面積も増大しており光電変換効率のさらなる向上が行える。半導体材料の空孔率は、特に限定されるものではないが、たとえば、二酸化チタンの場合、5~90が好ましく、より好ましくは15~80、特に好ましくは25~70である。半導体材料の平均粒径また、半導体5の平均粒径は、特に限定されるものではないが、通常、1nmから1μmのものが好ましく、5nmから50nmのものがより好ましい。半導体材料の平均粒径を上記範囲内にすると、ゾル液を形成したときに半導体材料の均一性を向上させ易くなり、均一性の向上により半導体材料の比表面積が揃い、各半導体材料へ増感色素が同等レベルに吸着するので発電効率の向上に寄与する。さらに、半導体5は光増感色素を吸着させた構造を有するものであるが、半導体材料と光増感色素との間で形成される吸着は、たとえば、分子間引力や静電引力等の物理的作用、あるいは、共有結合や配位結合等の化学結合により実現されるものである。光増感色素は、受光により電子と正孔ホールを発生するもので、光電変換層6内で光エネルギーを電気エネルギーに実際に変換するものである。すなわち、光電変換層6において、光増感色素が存在している領域が電子と正孔を発生する受光領域として機能する場であり、前述した様に、増感色素4は半導体5の外面や孔内面に沿って吸着している。そして、増感色素4により発生した電子は、増感色素4と結合している半導体5に移動し、半導体5より第1電極2に向かって移動する。増感色素増感色素4は、公知の方法による増感処理で半導体5へ担持されているもので、光照射に励起して電子を放出するものである。本発明では、光電変換素子に使用可能な公知の増感色素を使用することが可能である。光電変換素子に使用可能な増感色素には、公知の有機顔料や炭素系顔料、無機顔料、有機あるいは無機の染料がある。先ず、増感色素用の有機顔料には、たとえば、以下に示す様なフタロシアニン系顔料やアゾ系顔料、アントラキノン系顔料、キナクリドン系顔料、ペリレン系顔料がある。1フタロシアニン系顔料;フタロシアニングリーン、フタロシアニンブルー等2アゾ系顔料;ファストイエロー、ジスアゾイエロー、縮合アゾイエロー、ベンゾイミダゾロンイエロー、ジニトロアニリンオレンジ、ベンズイミダゾロンオレンジ、トルイジンレッド、パーマネントカーミン、パーマネントレッド、ナフトールレッド、縮合アゾレッド、ベンズイミダゾロンカーミン、ベンズイミダゾロンブラウン等3アントラキノン系顔料;アントラピリミジンイエロー、アントラキノニルレッド等4キナクリドン系顔料;キナクリドンマゼンタ、キナクリドンマルーン、キナクリドンスカーレット、キナクリドンレッド等5ペリレン系顔料;ペリレンレッド、ペリレンマルーン等。また、上記有機顔料の他に、以下に示す有機顔料も使用可能である。すなわち、銅アゾメチンイエロー等のアゾメチン系顔料、キノフタロンイエロー等のキノフタロン系顔料、イソインドリンイエロー等のイソインドリン系顔料、ニッケルジオキシムイエロー等のニトロソ系顔料。ペリノンオレンジ等のペリノン系顔料、ジケトピロロピロールレッド等のピロロピロール系顔料、ジオキサジンバイオレット等のジオキサジン系顔料等。また、炭素系顔料には、たとえば、カーボンブラック、ランプブラック、ファーネスブラック、アイボリーブラック、黒鉛、フラーレン等がある。さらに、光増感色素に使用可能な染料の具体例としては、たとえば、RuL2Cl2、RuL2CN2、ルテニウム535-bisTBASolaronics社製、Ru2NCS22H2O等の金属錯体色素がある。ここで、RuL2Cl2とRuL2CN2のLは、2,2-bipyridine、または、その誘導体を表す。また、前記金属錯体色素の他に、シアン系色素、アゾ系色素等の有機色素や、ハイビスカス色素、ブラックベリー色素、ラズベリー色素、ザクロ果汁色素、クロロフィル色素等の天然物由来の有機色素を使用することも可能である。本発明では、電荷の半導体への効率的な注入の観点から、増感色素はカルボキシ基を有することが好ましい。以下に、本発明に好ましく用いられる増感色素の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。例示化合物なお、増感色素4による半導体5への増感処理の具体的な説明は後述する2光電変換層の形成の項で説明する。正孔輸送層次に正孔輸送物質を含有する正孔輸送層について説明する。図1に示す光電変換素子10に設けられている正孔輸送層7は、光を吸収して電子を放出して励起状態になった増感色素より正孔を第2電極8へ向けて移動させることにより、増感色素を還元して安定化させるものである。言い換えると、前述した様に、正孔輸送層7は第2電極8より電子を受け取り、受け取った電子を励起状態になっている光電変換層6の増感色素へ渡して増感色素を光照射前の状態に戻すものである。正孔輸送層は、光吸収して電子を半導体に注入した後の色素の酸化体を迅速に還元し、色素との界面で注入された正孔を第二電極に輸送する機能を担う層である。本発明の光電変換素子を構成する正孔輸送層は、正孔輸送物質としてチオフェン若しくはその誘導体、或いはアニリン若しくはその誘導体を反応して得られる重合体、またはアミン骨格を有する有機正孔輸送物質等が挙げられる。重合体の代表例としては3,4-エチレンジオキシチオフェンやn-ヘキシルチオフェンを反応して得られる重合体などが挙げられ、重合体の繰り返し単位に対応するモノマーは重合の前に、二量体或いは三量体等の多量体化したものオリゴマー化した化合物を用いても良い。この場合、二量体等の多量体を用いることにより、モノマーを用いる場合に比し、重合体形成時の酸化電位が小さくなり、重合体の合成速度が短縮されて好ましい。また、アミン骨格を有する有機正孔輸送物質としては、例えば、トリス-ビフェニル-4-イル-アミンに代表される芳香族アミン誘導体、N,N′-ジフェニル-N,N′-ビス3-メチルフェニル-1,1′-ビフェニル-4,4′-ジアミンに代表されるトリアリールジアミン類、4,4f,4ff-トリス3-メチルフェニルフェニルアミノトリフェニルアミンm-MTDATAに代表される中心にトリフェニルアミン骨格を有したスターバースト型のトリアリールアミン類、1,3,5-トリスN-4-ジフェニルアミノフェニルフェニルアミノベンゼンp-DPA-TDABに代表される中心にベンゼン骨格を有したスターバースト型のトリアリールアミン類、2,2′,7,7′-テトラキスN,N′-ジ4-メトキシフェニルアミン-9,9′-スピロビフルオレンspiro-OMeTADに代表される中心にスピロ骨格を有するトリアリールアミン類の化合物等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。以下に、芳香族アミン誘導体の電荷輸送物質の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。例示化合物本願発明に係わる重合体の重合法本発明に用いられる正孔輸送物質としては、チオフェン若しくはその誘導体を反応して得られる重合体が高い光電変換光率が得られるので好ましい。重合方法としては、重合触媒を用いる化学重合法、少なくとも作用極と対極とを備えて両電極間に電圧を印加することにより反応させる電解重合法、光照射単独あるいは重合触媒、加熱、電解等を組み合わせた光重合法等があるが、電解重合法を用いた重合法が好ましい。電解重合法により重合体を得る場合は、重合体の合成がそのまま前記正孔輸送層の形成につながる。即ち、以下の3,4-エチレンジオキシチオフェンの例に示すような電解重合法が行われる。3,4-エチレンジオキシチオフェン或いはその二量体を、をアセトニトリル、テトラヒドロフラン、プロピレンカーボネイト、ジクロロメタン、o-ジクロロベンゼン、ジメチルホルムアミドなどの溶媒正孔輸送層形成用溶媒に溶解し、これに支持電解質として過塩素酸リチウム、テトラフルオロホウ酸リチウム、過塩素酸テトラブチルアンモニウム、Li[CF3SO22N]などの塩類を添加して、電解重合用液を作製する。電解重合用液に用いられる正孔輸送層形成用溶媒としては、支持電解質および前記モノマー或いはその二量体を溶解できるものであれば特に限定されず単独でも2種以上の混合でもよいが、少なくとも1種はSP値が17.4以上24.6以下のものが用いられる。支持電解質としては、イオン電離可能なものが用いられ、特定のものに限定されない。溶解性が高く、酸化、還元を受けにくいものが好適に用いられる。次いで、第一電極2、バリヤ層3および光電変換層6を形成した基板1をこの電解重合用液に浸し、光電変換層6を作用電極として、白金板などを対極として用い、また、参照極としてAg/AgClなどを用いて、直流電解する方法で行われる。電解重合用液中の前記モノマー或いはその二量体の濃度は、0.1~1000ミリモル/リットル程度が好適であり、支持電解質濃度は、0.1~2モル/リットル程度が好適である。また、印加電流密度としては、1000μAcm-2以下であることが望ましく、特に1μAcm-2~500μAcm-2の範囲であることがより望ましい。電解重合用液の温度範囲は、その溶媒が固化突沸しない範囲が適当であって一般に-30°C~80°Cである。電解電圧、電解電流、電解時間、温度等の条件は、使用する材料によって左右されるため、また、要求する膜厚に応じて適宜選択することができる。一方、重合触媒を用いて化学重合を行う場合には、3,4-エチレンジオキシチオフェン或いはその二量体等を以下のような重合触媒を用いて重合する。即ち、塩化鉄IIIironIIIchloride、トリス-p-トルエンスルホン酸鉄IIIironIIItris-p-toluenesulfonate、p-ドデシルベンゼンスルホン酸鉄IIIironIIIp-dodecylbenzenesulfonate、メタンスルホン酸鉄IIIironIIImethanesulfonate、p-エチルベンゼンスルホン酸鉄IIIironIIIp-ethylbenzenesulfonate、ナフタレンスルホン酸鉄IIIironIIInaphthalenesulfonateおよびその水和物等が挙げられる。化学重合において用いられる重合速度調整剤としては、前記重合触媒における三価鉄イオンに対する弱い錯化剤であり、膜が形成できるように重合速度を低減するものであれば特に制限はないが、重合触媒が塩化鉄IIIおよびその水和物である場合には、5-スルホサリチル酸5-sulphosalicylicacidの様な芳香族オキシスルホン酸などが挙げられ、また、重合触媒がトリス-p-トルエンスルホン酸鉄III、p-ドデシルベンゼンスルホン酸鉄III、メタンスルホン酸鉄III、p-エチルベンゼンスルホン酸鉄III、ナフタレンスルホン酸鉄IIIおよびその水和物である場合には、イミダゾールなどが挙げられる。重合体は、合成された後、重合体を含有する塗布液などに含有されて光電変換層上に供給されてもよいが、光電変換層上で重合し、正孔輸送層を形成することが好ましい態様である。その場合、重合体を重合して合成するために、3,4-エチレンジオキシチオフェン或いはその二量体等を、前記重合触媒、前記重合速度調整剤およびその他の添加剤を含有する正孔輸送層形成用溶液が用いられる。正孔輸送層形成用溶液における、上記各成分の合計の濃度は、用いる3,4-エチレンジオキシチオフェン或いはその二量体等、前記重合触媒、前記重合速度調整剤およびその他の添加剤のそれぞれの種類、その量比、塗布法に対する条件および望まれる重合後の膜厚により異なるが、概ねその濃度は、1質量~50質量の範囲である。前記正孔輸送層形成用溶液を光電変換層上に塗布法により塗布した後、あるいは、光電変換層を前記正孔輸送層形成用溶液に浸漬させたまま重合反応を行なう。重合反応の条件は、3,4-エチレンジオキシチオフェン或いはその二量体等、前記重合触媒、および前記重合速度調整剤のそれぞれの種類、その量比、濃度、塗布した段階での液膜の厚み、望まれる重合速度により異なるが、好適な重合条件としては、空気中加熱の場合の加熱温度が25°C~120°Cの範囲、加熱時間が1分~24時間の範囲が好ましい。正孔輸送層を、塗布により形成する場合は、前記正孔輸送層形成用溶液を塗布液として用いるが、この塗布液に用いる溶媒、すなわち正孔輸送層形成用溶媒としては、テトラヒドロフランTHF、ブチレンオキシド、クロロホルム、シクロヘキサノン、クロロベンゼン、アセトン、各種アルコールのような極性溶媒、ジメチルホルムアミドDMF、アセトニトリル、ジメトキシエタン、ジメチルスホキシド、ヘキサメチルリン酸トリアミドのような非プロトン性溶媒等の有機溶媒等が挙げられ、これらの正孔輸送層の形成に用いられる溶媒は単独でも2種以上混合で用いてもよいが、少なくとも1種はSP値が17.4以上24.6以下のものが用いられる。正孔輸送層には、必要に応じて、例えば、NPhBr3SbCl6、Li[CF3SO22N]等の各種添加剤を添加するようにしてもよい。正孔輸送層中の3,4-エチレンジオキシチオフェン繰り返し単位を有する重合体の含有量は、50質量~100質量であることが好ましく、さらに90質量から100質量であることが好ましい。本願発明の正孔輸送層の伝導度を高めるために、正孔ドープされている必要があり、3,4-エチレンジオキシチオフェン繰り返し単位あたりの正孔ドープ量が0.15個~0.66個であることが好ましい。電解重合では、3,4-エチレンジオキシチオフェン繰り返し単位を有する重合体に電場をかけて酸化することにより、正孔ドープを行うことができる。電界重合の場合には光を照射して重合することが好ましい。酸化チタン表面に緻密に重合体を形成できるためである。また、光電変換層の色素の酸化体を還元するためには、本願発明に係わる重合体が色素吸着電極のイオン化ポテンシャルより小さいことが必要であり、そのため使用する色素によって本願発明に係わる重合体のイオン化ポテンシャルの好ましい範囲は異なってくるが、該重合体がドープされた状態で、4.5eV以上5.5eV以下が好ましく、さらに4.7eV以上5.3eV以下が好ましい。第2電極の説明次に、第2電極8について説明する。第2電極8は、正孔輸送層7に隣接して層状平板状に形成され、その平均厚さは材料や用途等により適宜設定され、特に限定されるものではない。第2電極8は、公知の導電性材料や半導電性材料を用いて形成することが可能である。導電性材料としては、たとえば、各種イオン導電性材料や、アルミニウム、ニッケル、コバルト、白金、銀、金、銅、モリブデン、チタン、タンタル等の金属またはこれらを含む合金、あるいは、黒鉛等の各種炭素材料等が挙げられる。また、半導電性材料としては、たとえば、トリフェニルジアミンモノマー、ポリマー等、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、フタロシアニン化合物たとえば、銅フタロシアニン等等またはこれらの誘導体等のp型半導体材料が挙げられる。これら導電性材料や半導電性材料を1種または2種以上組み合わせて第2電極8を形成することが可能である。バリヤ層図1に示す光電変換素子10は、第1電極2と光電変換層6の間にバリヤ層3を有するもので、バリヤ層3は短絡の発生を防止するものである。バリヤ層3を設ける場合、その厚さは、たとえば、0.01μmから10μm程度であり、酸化亜鉛ZnO等の公知の金属酸化物等を用いて形成される。紫外線吸収層本発明の太陽電池は紫外線吸収層11を有していてもよい。紫外線吸収層11とは、光が入射する表面から該表面側に位置する電極までに紫外線を吸収する領域を有するものである。ここで、光が入射する表面から該表面側に位置する電極までとは、光電変換素子の光入射側表面より該表面側に位置する電極までの領域をいう。たとえば、後述する図1に示す光電変換素子1の様に、第1電極側表面より光が入射する場合は、基体1、第1電極2及び紫外線吸収層11が設けられている領域が光が入射する表面から該表面側に位置する電極までに該当するものである。また、光が第2電極側表面から入射する場合は、第2電極からその入射光側の表面に存在する層が設けられている領域が光が入射する表面から該表面側に位置する電極までに該当するものである。紫外線吸収層11には、紫外線吸収剤として使用されるベンゾフェノン系化合物やベンゾトリアゾール系化合物等の公知の有機化合物や無機化合物を用いた市販の紫外線吸収フィルムや紫外線吸収塗料により形成することが可能である。紫外線吸収剤本発明の光電変換素子の紫外線吸収層に用いられる紫外線吸収剤としては、例えば以下のベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾエート系化合物、トリアジン系化合物が挙げられる。1ベンゾフェノン系化合物2,4-ジヒドロキシベンゾフェノン、2-ヒドロキシ-4-メトキシベンゾフェノン、2-ヒドロキシ-4-n-オクトキシベンゾフェノン等2ベンゾトリアゾール系化合物2-2H-ベンゾトリアゾール-2-イル-4-t-ブチルフェノール、2-2′-ヒドロキシ-5′-メチルフェニルベンゾトリアゾール、2-2′-ヒドロキシ-5′-t-オクチルフェニルベンゾトリアゾール、2-3′-t-ブチル-2′-ヒドロキシ-5′-メチルフェニル-5-クロロベンゾトリアゾール、2-2′-ヒドロキシ-3′,5′-ジ-t-アミルフェニルベンゾトリアゾール、2-2′-ヒドロキシ-3′,5′-ジ-t-ブチルフェニルベンゾトリアゾール、2-2′-ヒドロキシ-3,5-ジ1,1-ジメチルベンジルフェニル-2H-ベンゾトリアゾール、2,2′-メチレンビス6-2H-ベンゾトリアゾール-2-イル-4-1,1,3,3-テトラメチルブチルフェノール等3ベンゾエート系化合物2,4-ジ-t-ブチルフェニル-3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシベンゾエート等4トリアジン系化合物2-4,6-ビス2,4-ジメチルフェニル-1,3,5-トリアジン-2-イル-5-オクチルオキシフェノール、2-4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン-2-イル-5-ヘキシルオキシフェノール等紫外線吸収剤として使用可能な上記有機化合物は、溶剤に完全に溶解するので透明度の高い紫外線吸収層を形成する上で有利である。5紫外線吸収剤用無機化合物また、紫外線吸収剤として使用可能な無機化合物としては、たとえば、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化鉄、酸化セシウム、酸化ジルコニウム等が挙げられる。これらの中では、酸化亜鉛と酸化チタンが無機化合物の中で高い透明度が得られるので好ましい。≪光電変換素子の製造方法≫次に、本発明に係る光電変換素子の製造方法について一例を挙げて説明する。本発明に係る光電変換素子は、たとえば、以下に示す1~6の手順により作製が可能である。本発明に係る光電変換素子の作製方法は、以下に示す工程を経て作製されるものに限定されるものではなく、他の公知の方法で作製することも可能である。なお、本発明では、6で説明する加熱処理を経て光電変換素子を作製することが好ましいものである。1第1電極の形成均一な厚さを有し、かつ、光透過性を有するガラス製あるいは耐熱性に優れた樹脂製の基体を用意し、パルスレーザ蒸着法等の公知の製膜装置等を用いて当該基体上に第1電極2を形成する。なお、基体に用いられる耐熱性に優れた有機材料としては、たとえば、ポリエチレンナフタレートPEN樹脂やポリイミド樹脂等がある。2光電変換層の形成次に、第1電極の上面に半導体材料を用いて光電変換層6を形成する。光電変換層6は、たとえば、半導体が粒子状の場合には第1電極を形成した基体へ半導体5を塗布あるいは吹き付けることで形成が可能である。また、膜状の半導体の場合には第1電極を形成した基体へ半導体を貼り合せることで形成が可能である。光電変換層6を形成する際の好ましい態様の1つに半導体粒子を焼成して形成する方法が挙げられる。半導体粒子を焼成して光電変換層6を形成する場合、半導体へ行う増感処理は焼成の後に実施することが好ましく、特に、焼成実施後、半導体に水が吸着する前に行うことが好ましい。以下、半導体粒子を焼成して光電変換層6を形成する方法について説明する。半導体粒子を焼成して光電変換層6を形成する方法は、たとえば、以下の手順を経て行われるものである。すなわち、1半導体粒子を含有する塗布液の調製2半導体粒子を含有する塗布液の塗布と焼成処理3半導体への増感色素吸着処理以下、これらについて説明する。1半導体粒子を含有する塗布液の調製この工程は、半導体粒子を公知の溶媒中へ投入、分散させることにより、塗布液を調製するものである。塗布液中の半導体粒子の濃度は、たとえば、0.1質量から70質量が好ましく、0.1質量から30質量がより好ましい。半導体粒子は、粒径の小さなものが好ましく、たとえば、平均1次粒径が1nmから5000nmのものが好ましく用いられ、2nmから100nmのものがより好ましく使用される。また、半導体粒子を分散させる溶媒は、半導体粒子を凝集させずに分散させることが可能なものであれば特に限定されるものでなく、水や公知の有機溶媒、あるいは水と有機溶媒の混合液が挙げられる。有機溶媒の具体例としては、たとえば、メタノールやエタノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、アセチルアセトン等のケトン類、n-ヘキサンやシクロヘキサン等の炭化水素類等があるが、SP値が17.4以上24.6以下の有機溶媒を少なくとも1種以上用いる。また、塗布液中には、必要に応じて公知の界面活性剤や粘度調整剤を添加することも可能で、粘度調整剤の具体例としては、ポリエチレングリコール等の多価アルコールが代表的なものとして挙げられる。2半導体粒子を含有する塗布液の塗布と焼成処理この工程は、前述の半導体粒子を溶媒中へ分散させて形成した塗布液を第1電極が形成されている基体へ塗布し乾燥させて半導体粒子の層を形成する。そして、空気中あるいは不活性ガス雰囲気下で焼成処理を行うことにより前記基体上へ層状に半導体5を固着させる。この層状に形成された半導体5は半導体層とも呼ばれるものである。塗布により基体上に形成された半導体粒子の層は、支持体との結合力や半導体粒子同士の結合力が弱いものであるが、焼成処理を行うことにより、基体との結合力あるいは半導体粒子同士の結合力が向上して耐久性のある強固な層になる。焼成処理により形成される半導体層の厚さは、少なくとも、10nm以上が好ましく、500nmから30μmがより好ましい。また、焼成処理により半導体層は強固な多孔質構造を形成し、多孔質構造を構成する空隙に正孔輸送物質を存在させることにより光電変換効率を向上させる。この様に、多孔質構造の半導体層は、見かけの表面積に対して実際の表面積が大きなものになっているので、光電変換効率をはじめとする各種性能を向上させる上で非常に有効なものである。半導体層の空隙率は、たとえば、1体積から90体積が好ましく、より好ましくは10体積から80体積、20体積から70体積が特に好ましい。半導体層内に形成される空隙は、層の厚み方向に対して貫通性を有しており、公知の方法による空隙率の測定が可能である。空隙率の代表的な測定手段としては、たとえば、市販の水銀ポロシメータ島津ポアサイザー9220型島津製作所社製等がある。また、焼成処理を行う際の温度は、上記空隙率の多孔質構造を形成させる観点から、1000°Cよりも低い温度範囲とすることが好ましく、200°Cから800°Cの温度範囲がより好ましく、さらに300°Cから800°Cの温度範囲が特に好ましいものである。ところで、樹脂製の基体上に焼成処理した半導体層を形成する場合は、あえて200°C以上で焼成処理を行う必要はなく、代わりに加圧処理を施すことにより半導体粒子同士の固着や基体への固着が可能である。また、マイクロ波を使用して、基体を加熱させることなく半導体層のみを加熱し、焼成処理を行うことも可能である。さらに、後述する増感色素による半導体層への電子注入を効率よく行える様にするため、焼成処理により形成された半導体層へ公知の化学的あるいは電気化学的方法でめっき処理を施すことも可能である。3半導体5への増感色素吸着処理半導体5への増感処理は、増感色素を溶解させた溶液へ半導体を層状に形成した光電変換層半導体層が設けられている基体を浸漬して行うものである。光電変換層6への増感色素4の総担持量は0.01ミリモル/m2~100ミリモル/m2が好ましく、0.1ミリモル/m2~50ミリモル/m2がより好ましく、0.5ミリモル/m2~20ミリモル/m2が特に好ましい。増感処理は、単独の種類の増感色素を使用する方法と複数種類の増感色素を併用する方法のいずれの方法も可能で、たとえば、太陽電池用の光電変換素子は光電変換可能な波長域を広く確保するため、吸収波長の異なる複数の色素を併用する方法が好ましい。増感色素を溶解させる溶媒は、増感色素を溶解する一方で、半導体を溶解させて反応するものでなければよく、公知の有機溶媒の使用が可能である。この様な有機溶媒としては、たとえば、以下に挙げるニトリル系溶媒、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒等がある。これらの溶媒を単独あるいは複数種類併用することが可能である。aニトリル系溶媒;アセトニトリル等bアルコール系溶媒;メタノール、エタノール、n-プロパノール等cケトン系溶媒;アセトン、メチルエチルケトン等dエーテル系溶媒;ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン等eハロゲン化炭化水素系溶媒;塩化メチレン、1,1,2-トリクロロエタン等上記溶媒の中でも、アセトニトリル、アセトニトリル/メタノール混合溶媒、メタノール、エタノール、アセトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、塩化メチレンが好ましい。増感色素を含有する溶液への浸漬時間は、半導体層に溶液を深く進入させて半導体への吸着を十分に進行させて半導体を十分に増感させるため、たとえば、25°Cの温度下で3時間から48時間行うことが好ましく、4時間から24時間行うことがより好ましい。また、含有する増感色素が分解しない限り溶液を加熱することも可能で、たとえば、溶液の温度を25°Cから80°Cに設定して行うことも可能である。以上の手順により光電変換層6を作製することが可能である。3正孔輸送層の形成また、導電性高分子を固体の正孔輸送物質として含有する正孔輸送層は、公知の方法により作製が可能である。具体的には、重合体を含有する塗布液を調製し、当該塗布液を光電変換層上に公知の方法で塗布して形成する方法がある。正孔輸送層の形成に使用される塗布方法としては、たとえば、ディッピング法、滴下法、ドクターブレード法、スピンコート法、刷毛塗り法、スプレー塗布法、ロールコーター法等がある。また、このような塗布の操作を繰り返し行って積層するようにしてもよい。また、塗布液用の溶媒としては、たとえば、前述の極性溶媒や非プロトン性溶媒に該当する有機溶媒を用いることができる。また、重合体を含有する塗布液を用いて形成する方法の他に、重合性化合物、重合触媒や重合速度調整剤等を含有する溶液を光電変換層上に塗布あるいは浸漬させて重合反応を行って正孔輸送層を形成する方法もある。重合反応の条件は、重合性化合物や重合触媒、重合速度調整剤等の種類や比率、形成する層厚等により異なるが、空気中で加熱して行う場合、加熱温度を25°Cから120°C、加熱時間を1分から24時間に設定して行うことが好ましい。本発明では、前述した方法により、正孔輸送物質として導電性高分子を含有する正孔輸送層7を形成することが可能であり、形成された正孔輸送層7は、光電変換層6に浸透する様に形成されている。4第2電極の形成第2電極8は、正孔輸送層7の上面に形成される。第2電極8は、たとえば、金等で構成される第2電極材料を、蒸着法、スパッタリング法、印刷法等の公知の方法を用いて形成することが可能である。5紫外線吸収層の形成本発明では、光電変換層6に対して光を入射させる側に紫外線を吸収させる紫外線吸収層11を設けることができる。ここでいう光が入射する側とは基体1や第1電極2が設けられている側のことである。紫外線吸収層11を設ける具体的な方法としては、たとえば、基体1に紫外線を吸収する領域を設ける方法がある。すなわち、市販の紫外線吸収フィルムを基体1へ貼付する方法や基体1へ市販の紫外線吸収剤を塗布する方法により形成が可能である。6加熱処理の実施本発明に係る光電変換素子を作製する際の好ましい形態として、少なくとも、光電変換層と正孔輸送層を形成した後に加熱処理を施して光電変換素子を作製する方法が挙げられる。この加熱処理を行って作製された光電変換素子は、光電変換効率の経時低下が発生せず、光電変換効率を長期にわたり安定維持することを可能にしている。上記加熱処理を施した光電変換素子が、初期の光電変換効率を長期にわたり安定維持する様になる理由は明らかではないが、以下の様に考えられる。すなわち、加熱処理時の熱エネルギーにより、正孔輸送層を形成する導電性高分子鎖同士はより一層緻密な配列状態を形成するものと考えられる。そして、導電性高分子鎖が高密度配列していることにより、太陽光を受ける機会が長くなっても導電性高分子鎖の分子運動抑制が維持されているので、初期の光電変換効率が長期にわたり安定維持されるものと考えられる。また、導電性高分子鎖の密度が高くなっていることにより正孔輸送層の強度も向上していることも、光電変換効率の長期安定維持に寄与しているものと考えられる。なお、当該加熱処理を行う際の処理温度は、70°C以上150°C以下にすることが好ましく、80°C以上120°C以下の温度範囲が特に好ましいものである。以上の工程を経て、本発明に係る光電変換素子を作製することが可能である。以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。実施例光電変換素子SC-1の作製シート抵抗20Ω/□のフッ素ドープ酸化スズFTO導電性ガラス基板を第1電極とした。この基板上にテトラキスイソポロポキシチタン1.2mlおよびアセチルアセトン0.8mlをエタノール18mlに希釈した溶液を滴下して、スピンコート法により製膜後、450°Cで8分間加熱して、透明導電膜FTO上に、厚み30nm~50nmの酸化チタン薄膜からなるバリヤ層を形成した。酸化チタンペーストアナターゼ型、1次平均粒径顕微鏡観察平均18nm、エチルセルロース分散を、上記バリヤ層を形成したFTOガラス基板へスクリーン印刷法塗布面積25mm2により塗布した。200°Cで10分間および500°Cで15分間焼成を行い、厚さ5μmの酸化チタン薄膜を得た。前記増感色素例示化合物:A-4をアセトニトリル:t-ブチルアルコール=1:1の混合溶媒に溶解し、5×10-4モル/リットルの溶液を調製した。上記酸化チタンを塗布焼結したFTOガラス基板を、この溶液に室温で3時間浸漬して色素の吸着処理を行い、光電変換層を形成し、半導体電極を得た。前記半導体電極を、3,4-エチレンジオキシチオフェンの二量体を1×10-3モル/リットルの割合で含有し、Li[CF3SO22N]を0.1モル/リットルの割合で含有するアセトニトリル溶液電解重合用液に浸漬した。作用極を前記半導体電極、対極を白金線、参照電極をAg/AgAgNO30.01M、保持電圧を-0.16Vとした。半導体層方向から光を照射しながらキセノンランプ使用、光強度22mW/cm2、430nm以下の波長をカット30分間電圧を保持して、正孔輸送層を前記半導体電極表面に形成した。得られた半導体電極/正孔輸送層を電解重合液と同一の溶媒アセトニトリルで洗浄、乾燥した。なお、ここで得られた正孔輸送層は、溶媒には不溶の重合膜になっている。その後、Li[CF3SO22N]を15×10-3モル/リットル、p-tert-ブチルピリジンを50×10-3モル/リットルの割合で含有するアセトニトリル溶液電解重合溶媒に10分間浸漬した。その後、半導体電極/正孔輸送層を自然乾燥後、対極としてAgペーストを用いて第2電極を作製した後、120°C、1時間の加熱乾燥処理を行い、光電変換素子SC-1を得た。昇温脱離ガス分析法で測定した溶媒含有量は0.08質量であった。光電変換素子SC-2~7の作製光電変換素子1の作製において、増感色素と加熱乾燥温度を表1のように変化させた以外は同様にして、光電変換素子SC-2~7を作製した。但し、SC-6は室温20°Cで30分間減圧下で乾燥した。光電変換素子SC-8~11の作製光電変換素子SC-1の作製において、電解重合液の溶媒正孔輸送層形成用溶媒を表1のように変化させた以外は同様にして、光電変換素子SC-8~11を作製した。光電変換素子SC-12の作製二酸化チタンペーストアナターゼ型、1次平均粒径顕微鏡観察平均18nm、ポリエチレングリコール分散を、フッ素ドープ酸化スズFTO導電性ガラス基板へスクリーン印刷法塗布面積5×5mm2により塗布し200°Cで10分間及び450°Cで15分間焼成を行い、表1の厚さの二酸化チタン薄膜を得た。前記増感色素例示化合物:C-1をアセトニトリル:t-ブチルアルコール=1:1の混合溶媒に溶解し、5×10-4モル/リットルの溶液を調製した。上記二酸化チタンを塗布焼結したFTOガラス基板をこの溶液に室温で3時間浸漬して色素の吸着処理を行い、半導体電極とした。次いで、アセトニトリル溶媒に、正孔輸送物質である芳香族アミン誘導体2,2′,7,7′-テトラキスN,N′-ジ4-メトキシフェニルアミン-9,9′-スピロビフルオレンSpiro-OMeTAD例示化合物:H-15を0.17モル/リットル、正孔ドーピング剤としてNPhBr3SbCl6を0.33ミリモル/リットル、Li[CF3SO22N]を15ミリモル/リットル、p-tert-ブチルピリジンを50ミリモル/リットルとなるように溶解した正孔輸送層形成用塗布液を調製した。そして、当該正孔輸送層形成用塗布液を、前記光増感色素を吸着、結合させた半導体層の上面にスピンコート法により塗布し、電荷輸送層を形成した。その後、半導体電極/正孔輸送層を自然乾燥後、対極としてAgペーストを用いて第2電極を作製した後、120°C、1時間の加熱乾燥処理を行い、光電変換素子SC-12を得た。前述したスピンコート法による塗布ではスピンコートの回転数を1000rpmに設定して行った。光電変換素子SC-13~17前記光電変換素子SC-12の作成において、増感色素、乾燥温度、を表1のように変更した他はSC-12と同様にして、光電変換素子SC-13~17を作製した。但し、SC-16は室温20°Cで30分間減圧下で乾燥した。光電変換素子SC-18~20の作製光電変換素子SC-1の作製において、Li[CF3SO22N]を除き、乾燥温度を表1のようにした他は同様にして光電変換素子SC-18~20を作製した。光電変換素子SC-21、22の作製光電変換素子SC-1の作製において、チタニア層の膜厚を10μmに変え、乾燥温度を表1のように変更した他は同様にして光電変換素子SC-21、22を作製した。以上のようにして作製した光電変換素子の構成と溶媒含有量を表1に示した。ここで、光電変換素子SC-1、3~5、8、9、12、14、15、18、19、21は本発明の光電変換素子であり、光電変換素子SC-2、6、7、10、11、13、16、17、20、22は比較用の光電変換素子である。光電変換素子の評価作製した光電変換素子を、ソーラーシュミレータ英弘精機製を用い、AMフィルターAM-1.5を通したキセノンランプから100mWcm-2の擬似太陽光を照射することにより行った。即ち、光電変換素子について、I-Vテスターを用いて室温にて電流-電圧特性を測定し、短絡電流密度Jsc、開放電圧Voc、および形状因子F.F.を求め、これらから光電変換効率ηを求めた。なお、光電変換素子の変換効率ηは下記式Aに基づいて算出した。式Aη=100×Voc×Jsc×F.F./Pここで、Pは入射光強度[mWcm-2]、Vocは開放電圧[V]、Jscは短絡電流密度[mAcm-2]、F.F.は形状因子を示す。光劣化試験後の光電変換効率の測定開回路状態で強度100mWcm-2のキセノンランプ光を3時間照射した後、光電変換効率ηを求め、初期光電変換効率に対する比を算出した。表2に各光電変換素子の特性評価結果を示す。以上の結果から明らかなように本発明の光電変換素子は、比較用の光電変換素子に比べて光による劣化が極めて小さく耐久安定性に優れていることが分かる。"