ガスセンサのための加熱される基材エレメントであって、第1の表面および前記第1の表面とは反対側の第2の表面を有するセラミック基材エレメントと、前記第1の表面上に形成された加熱エレメントと、前記第2の表面上に形成された受動的な熱伝導層と、を包含するガスセンサのための加熱される基材エレメント。前記セラミック基材エレメントは、プレートとして形成される、請求項1に記載の加熱される基材エレメント。前記セラミック基材エレメントは、ベースから延びる先端であって前記ベースより狭い先端と、前記先端と前記ベースの間における遷移部分とを有し、それにおいて前記加熱エレメントは、前記先端の前記第1の表面上に形成され、かつそれにおいて前記熱伝導層は、前記先端の前記第2の表面上に形成される、請求項1に記載の加熱される基材エレメント。前記熱伝導層は、前記先端の前記第2の表面上、前記遷移部分、および前記ベースの一部に形成される、請求項3に記載の加熱される基材エレメント。前記加熱エレメントは、薄膜抵抗加熱エレメントである、請求項1に記載の加熱される基材エレメント。前記熱伝導層は、金属から形成される、請求項1に記載の加熱される基材エレメント。前記熱伝導層は、前記第1の表面に沿って長さ方向に延びる前記加熱エレメントと少なくとも同じ程度に前記第2の表面に沿って長さ方向に延びる、請求項1に記載の加熱される基材エレメント。前記熱伝導層は、第1の端部から第2の端部まで延び、それにおいて前記第2の端部における前記熱伝導層のエッジは直線でない、請求項1に記載の加熱される基材エレメント。前記セラミック基材エレメントは円柱として形成され、それにおいて前記第1の表面および前記第2の表面は、円周に関して反対側となる、請求項1に記載の加熱される基材。前記セラミック基材エレメントは中空の円柱として形成され、それにおいて前記第1の表面は前記中空の円柱の外側表面であり、前記第2の表面は、前記中空の円柱の内側表面である、請求項1に記載の加熱される基材。前記受動的な熱伝導層は、前記中空の円柱内に金属材料のコアを包含する、請求項10に記載の加熱される基材。本発明は、金属プラチナ導体がめっきされたセラミックヒータ基材を含むセンサにおける改良である。本発明は、セラミック基材上の高温ヒータとは反対側に受動的な伝熱層を、めっきまたはそのほかの手段によって提供することを提案する。この熱伝導層は、好ましくは金属材料とするが、セラミックより良好な熱エネルギの伝導体である。この熱伝導層は、熱エネルギを吸収し、かつ分散させることによって熱ダンパとして作用し、基材に割れを生じさせる過度に急激なセラミック基材の加熱を防止すると考えられる。この受動的という用語は、金属層が電気的接続を有してなく、かつセラミック基材との接触以外には熱源またはシンク接続を有していないことを意味する。受動的な金属層はまた、液体接触エリアより大きい基材のエリアにわたって熱を伝達することによって、センサ基材と接触する湿分または液体の冷却効果を下げると考えられる。受動的な金属層は、セラミック基材の長さ方向に熱を分散させ、そのことが故障モードとしての部位の過熱の防止を補助すると考えられる。本発明の1つの実施態様によれば、セラミック基材が、上に加熱エレメントが配置される先端であって、より狭幅であり、かつより小さい断面の領域の先端、および、より幅広であり、より大きな断面の領域のベースを伴って形成される。めっきは、先端からベースの一部の上まで広がり、それが、基材の質量がより小さいエリアから質量がより大きいエリアへの熱エネルギの分散を促進する。また金属層が、セラミック基材の機械的な増強を行なうべく作用し、完全性を維持し、かつ基材の撓曲を最小化すると考えられる。受動的な金属コーティングには、湾曲されているか、または波状の終端エッジラインがベースの端部上に伴って形成され、基材のラテラル方向における有効加熱距離を増加することができる。本発明は、円柱状の基材においても具体化することができる。1つの実施態様によれば、円柱状の基材がセラミック材料の中実の円柱であり、端部の表面上に備えられる加熱エレメント、および同じ端部のそれとは反対側に備えられる受動的な金属コーティングを伴う。別の実施態様によれば、センサ基材が中空の円柱として形成され、端部の外側表面上に形成されるか、または堆積される加熱エレメント、および加熱エレメントが位置する場所とは反対側の内側表面に備えられる受動的な金属コーティングを伴う。それに代えて、受動的な金属コーティングが、中空円柱内の金属コアを包含することができる。本発明は、次にリストする添付図面とともに読まれる以下の詳細な説明を参照することによってより良好な理解が得られるであろう。本発明の第1の実施態様によるガスセンサのための加熱される基材エレメントが図1および2に示されている。セラミック基材エレメント10は、図示されているとおり、アルミナ等のセラミック材料のプレートとすることができる。基材エレメント10は、第1の表面12および当該第1の表面とは反対側の第2の表面14を有する。図解されている実施態様のエレメント10は、第1の端部またはベース16、および第2の端部または先端18を有する。ベース16は、先端18より幅が広く、かつベースは、ベースの幅を先端の幅に移行させるテーパー状の領域19を含む。基材エレメント10は、ガス流内に位置決めできる加熱される部分を提供するそのほかの形状を取るとしてもよい。第1の表面にはヒータ20が形成されている。ヒータ20は、たとえば堆積およびエッチング、またはプリント等の任意の好都合な手段によって第1の表面12上に配置されたプラチナ層等の抵抗膜エレメントとすることができる。ヒータ20は、電源に接続するためのそれぞれの端子26、28を有するリード22、24を含む。ヒータ20は、先端18に形成された加熱エレメント30を含み、それがS字状の部分として示されている。先端18および加熱コイル30は、加熱される基材エレメント10が使用されるとき、ガスに露出される。熱伝導層40が、先端18の第2の表面14上に形成されている。熱伝導層40は、加熱エレメント30とは反対側であり、このことは加熱エレメントからこのエレメントを通って最短の距離にそれが位置することを意味する。熱伝導層40は、高い熱伝達特性を有する材料、好ましくは金属から形成される。熱伝導層40は、第2の表面14上において少なくとも先端18およびベース16の一部を覆うべく広がっている。この分野において周知のとおり、セラミックは、熱伝導性の低い材料であり、セラミック基材は、安定した温度を維持することが可能なサーマルマスを提供する。本発明の熱伝導層40は、熱伝達が比較的高い層を提供し、接触エリア内におけるセラミック基材にわたって迅速に熱を分散させることが可能である。熱伝導層40は、受動的であり、言い換えるとそれは、外部熱源または熱シンクに対して接続されていない。本発明によれば、熱伝導層40が、基材エレメント10のベース16の上まで広がっており、先端18とベースの間の熱伝導を提供する。ベース16における熱伝導層40のエッジは直線ではなく、言い換えるとそれは、波状または湾曲されたラインとして形成されており、ベースを横切る距離の拡張を提供している。テストにおいては、本発明によるところの加熱されるセラミック基材センサは、熱伝導層を伴わない基材と比較したとき、センサのサービス寿命における444の改善を経験した。図3に図解されている代替実施態様によれば、本発明によるところの加熱されるセラミック基材エレメントは、円柱状の本体100として形成することもできる。図3は、楕円形の断面を有する基材エレメントを示している。基材エレメントは、円形の断面を取ることもできる。基材エレメント100は、第1の表面112上に形成されたヒータ120、および反対側の表面114上の熱伝導層140を有する。追加の代替実施態様が図4に示されており、それにおいては基材エレメント200が中空の円柱状の本体を有する。この実施態様によれば、エレメント200の外側の表面212上にヒータ220が備えられ、このエレメントの、ヒータとは反対側の内側の表面214上に熱伝導層240が備えられる。これに代えて、熱伝導層を金属のコアとして形成してもよい。図3および4の実施態様は、基材エレメントが狭幅の先端部分を有し、当該先端部分の第1の表面にヒータが形成されるといったことを含めて、図1および2に関して述べたそのほかの面を含むことができる。以上、例示的な実施態様および構成要素に関して本発明を説明してきたが、当業者であれば、付随する特許請求の範囲によって定義されるとおりの本発明の範囲から逸脱することなく置き換えが行ない得ることを認識するであろう。