"可動電極が形成された半導体基板と、前記可動電極と対向して配置される固定電極を有するとともに、前記半導体基板に陽極接合される絶縁基板と、前記半導体基板と前記絶縁基板との間に配線され、前記可動電極と前記固定電極とを電気的に接続する同電位配線と、を備え、前記一対の基板どうしの陽極接合後に、前記半導体基板の前記絶縁基板との接合面とは反対面側からエッチングして前記同電位配線の配線除去部を除去することを特徴とする静電容量式センサ。前記配線除去部の周縁部における前記一対の基板の接合面どうしを接合したことを特徴とする請求項1に記載の静電容量式センサ。前記配線除去部をポリシリコンで構成したことを特徴とする請求項1または2に記載の静電容量式センサ。しかしながら、上記従来の静電容量式センサでは、同電位配線をレーザ照射により切断する構成であるため、同電位配線の配線除去部の一部が、基板どうしの接合面間に飛散して残留してしまい、その飛散した一部を介して可動電極と固定電極とが導通してしまう恐れがあった。そこで、本発明は、同電位配線の配線除去部を除去しつつ、配線除去部によって可動電極と固定電極とが導通してしまうのをより確実に抑制することのできる静電容量式センサを得ることを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の第1の特徴は、可動電極が形成された半導体基板と、前記可動電極と対向して配置される固定電極を有するとともに、前記半導体基板に陽極接合される絶縁基板と、前記半導体基板と前記絶縁基板との間に配線され、前記可動電極と前記固定電極とを電気的に接続する同電位配線と、を備え、前記基板どうしの陽極接合後に、前記半導体基板の前記絶縁基板との接合面とは反対面側からエッチングして前記同電位配線の配線除去部を除去することを要旨とする。本発明の第2の特徴は、前記配線除去部の周縁部における前記一対の基板の接合面どうしを接合したことを要旨とする。本発明の第3の特徴は、前記配線除去部をポリシリコンで構成したことを要旨とする。本発明によれば、陽極接合後に半導体基板の反対面側からエッチングして同電位配線の配線除去部を除去するようにしたので、配線除去部の一部が基板どうしの接合面間に飛散して残留すのを防止することができる。そのため、配線除去部を介して可動電極と固定電極とが導通してしまうのをより確実に抑制することができるようになる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。[第1実施形態]図1~図5は、本発明の第1実施形態にかかる静電容量式センサを示した図である。なお、以下では、静電容量式センサとして加速度センサを例示する。また、本実施形態を説明するにあたって、半導体基板1の短手方向をX方向、半導体基板1の長手方向をY方向、半導体基板1の厚さ方向をZ方向として説明する。本実施形態の加速度センサ静電容量式センサSは、図1に示すように、半導体素子デバイスを形成した半導体基板1と、この半導体基板1の上面1aに接合される絶縁基板2と、を備えている。そして、本実施形態では、半導体基板1と絶縁基板2とを陽極接合により接合するようにしている。半導体基板1は、シリコンSOI基板により形成されており、2つの矩形枠3a、3bを有するフレーム3と、矩形枠3a、3bの側壁に対して隙間をあけた状態で配置された矩形形状の2つの可動電極4、5とを備えている。可動電極4、5は、それぞれの側面の対向する二辺の略中央が、一対のビームばね部6a、6bおよび7a、7bによって矩形枠3a、3bの側壁に連結されている。そして、一方の可動電極4がビーム6a、6bによってフレーム3に対して揺動自在に支持されるとともに、他方の可動電極5がビーム7a、7bによってフレーム3に対して揺動自在に支持されている。また、シリコン基板1は、フレーム3および一方の可動電極4に対して所定の間隔をおいて配置された検出電極8a、8bと、フレーム3および他方の可動電極5に対して所定の間隔をおいて配置された検出電極9a、9bとを備えている。そして、検出電極8bと検出電極9aとの間には接地電極10が形成されている。検出電極8a、8bは、互いに所定間隔をおいて配置されており、検出電極9a、9bも互いに所定間隔をおいて配置されている。なお、検出電極8a、8bおよび検出電極9a、9bは、それぞれ、後述する固定電極20a、20bおよび固定電極21a、21bと電気的に接続されている。そして、本実施形態では、検出電極8aと検出電極8bとの間、検出電極9aと検出電極9bとの間に隙間が形成されている。また、検出電極8a、8bとフレーム3との間、検出電極9a、9bとフレーム3との間、検出電極8a、8bと一方の可動電極4との間、および検出電極9a、9bと他方の可動電極5との間にそれぞれ隙間が形成されている。すなわち、検出電極8a、8bおよび検出電極9a、9bは、図3に示すように、フレーム3から独立した電極島として形成されている。そして、それぞれの検出電極8a、8bおよび検出電極9a、9bを電極島となるように形成することで、各検出電極を電気的に絶縁することが可能となり、それぞれの検出電極の寄生容量や検出電極間のクロストークを低減できるようにしている。可動電極4、5は、肉厚に形成されており、錘としての機能も有している。本実施形態では、図3に示すように、一対のビーム6a、6bを結ぶ直線を境界線とした場合、可動電極4の裏面4bにおける境界線の一方側に凹部11が形成されており、可動電極4の重心が他方側に片寄るようにしている。その一方で、一対のビーム7a、7bを結ぶ直線を境界線とした場合、可動電極5の裏面における一方の可動電極4に凹部11が設けられた一方側とは反対となる他方側に凹部が形成されており、可動電極5の重心が一方側に片寄るようにしている。そして、X方向もしくはZ方向に加速度が印加されると、そのX方向もしくはZ方向に印加された加速度を検出できるようにしている。このとき、双方の可動電極4、5は、例えば図3によって一方の可動電極4を例にとって述べるとすると、凹部11が形成されない側の重心Gから表面4aに下ろした垂線と、その重心Gと境界線とを結ぶ直線とでなす角度θが略45度となるように設定されている。なお、他方の可動電極5にあっても同様であるが、この場合は上述したように重心位置が境界線を挟んで可動電極4の重心Gとは反対側に存在することになる。このように重心Gを配置すれば、X方向とZ方向の検出感度が等価になるため、それぞれの方向の検出感度を略同一とすることができる。絶縁基板2は、本実施形態ではガラス基板により形成されており、図3に示すように、可動電極4、5の表面4aに対して所定間隔をあけて対向配置されている。そして、絶縁基板2の一方の可動電極4と対向する位置の下面2bには、平面視でビーム6aとビーム6bの中心を結ぶ直線を境界線とした場合に、境界線の一方側および他方側にそれぞれ第1および第2の固定電極としての固定電極20a、20bが設けられている。この固定電極20a、20bは、一方の可動電極4の表面4aに対して所定の間隔をあけて対向配置されている。また、絶縁基板2の他方の可動電極5と対向する位置の下面2bにも、平面視でビーム7aとビーム7bの中心を結ぶ直線を境界線とした場合に、境界線の一方側および他方側にそれぞれ第1および第2の固定電極としての固定電極21a、21bが設けられている。この場合にあっても固定電極21a、21bは、他方の可動電極5の表面に対して所定間隔をあけて対向配置されている。本実施形態では、固定電極20a、20bおよび21a、21bは、アルミニウムで形成されている。図2に示すように、固定電極20aは、配線24bと電極27bとを介して検出電極8aと電気的に接続されており、固定電極20bは、配線24aと電極27aとを介して検出電極8bと電気的に接続されている。一方、固定電極21aは、配線24dと電極27dとを介して検出電極9bと電気的に接続されており、固定電極21bは、配線24cと電極27cとを介して検出電極9bと電気的に接続されている。また、図1に示すように、絶縁基板2の検出電極8a、8b、検出電極9a、9bおよび接地電極10に対向する位置には、スルーホール22a~22eが形成されている。そして、このスルーホール22a~22eを介して、固定電極20a、20bおよび固定電極21a、21bにそれぞれ接続された検出電極8a、8bおよび検出電極9a、9bと接地電極10とが外部に露出、配線される。こうして、検出電極8a、8bおよび検出電極9a、9bと接地電極10の電位を外部に取り出せるようにしている。このように構成された加速度センサSは、可動電極4にX方向の加速度が印加された場合、可動電極4と固定電極20a、20b間の静電容量C1、C2はそれぞれ以下に示す数式1、2のようになる。なお数式1、2中、パラメータC0は、可動電極4にX方向の加速度が印加されていない状態での可動電極4と固定電極20a、20b間の静電容量を示す。C1=C0-ΔC...1C2=C0ΔC...2また同様に、可動電極5にX方向の加速度が印加された場合、可動電極5と固定電極21a、21b間の静電容量C3、C4はそれぞれ以下に示す数式3、4のようになる。なお数式3、4中、パラメータC0は、可動電極5にX方向の加速度が印加されていない状態での可動電極5と固定電極21a、21b間の静電容量を示す。C3=C0-ΔC...3C4=C0ΔC...4したがって、貫通電極22a~22eを介して上記容量C1~C4を検出し、ASIC等を利用して容量C1と容量C2の差分値CA=C1-C2と容量C3と容量C4の差分値CB=C3-C4を算出する。そして、算出された差分値CAと差分値CBの和±4ΔCをX出力として出力することにより、静電容量の変化から可動電極4、5に加えられたX方向の加速度を検出できる。一方、可動電極4にZ方向の加速度が印加された場合、可動電極4と固定電極20a、20b間の静電容量C1、C2はそれぞれ以下に示す数式5、6のようになる。なお数式5、6中、パラメータC0は、可動電極4にZ方向の加速度が印加されていない状態での可動電極4と固定電極20a、20b間の静電容量を示す。C1=C0ΔC...5C2=C0-ΔC...6また同様に、可動電極5にZ方向の加速度が印加された場合、可動電極5と固定電極21a、21b間の静電容量C3、C4はそれぞれ以下に示す数式7、8のようになる。なお数式7、8中、パラメータC0は、可動電極5にZ方向の加速度が印加されていない状態での可動電極5と固定電極21a、21b間の静電容量を示す。C3=C0-ΔC...7C4=C0ΔC...8したがって、貫通電極22a~22eを介して上記容量C1~C4を検出し、ASIC等を利用して容量C1と容量C2の差分値CA=C1-C2と容量C3と容量C4の差分値CB=C3-C4を算出する。そして、算出された差分値CAと差分値CBの和±4ΔCをZ出力として出力することにより、静電容量値の変化から可動電極4、5に加えられたZ方向の加速度を検出できる。なお、上述したように、本実施形態の加速度センサSは、一方の可動電極4を備えた第1の加速度センサ単体Saと、他方の可動電極5を備えた第2の加速度センサ単体Sbとが同一チップ面内において、それぞれのセンサ単体が相対的に180度回転した状態で配置されている。このように、第1の加速度センサ単体Saにおける一方の可動電極4と、第2の加速度センサ単体Sbにおける他方の可動電極5との重心位置が、互いに反対側に位置するように配置することで、X方向およびZ方向の加速度を検出できるようにしている。ところで、上述した加速度センサSを製造する際には、図3に示したように、まずは半導体基板1の上面1a側および下面1b側に、ウエットエッチングやドライエッチングなどによって可動電極4、5が変位するためのギャップ32a、32bを形成する。そして、半導体基板1の裏面1b側を更にエッチングすることで、双方の可動電極4、5および凹部11を形成する。その後、固定電極20a、20b、21a、21bおよびスルーホール22a~22eが形成された絶縁基板2の下面接合面2bを、半導体基板1の上面接合面1aに陽極接合することとなる。ここで、本実施形態では、半導体基板1と絶縁基板2の陽極接合時に、可動電極4、5と固定電極20a、20bおよび21a、21b間の放電を防止する同電位配線30を設けている。具体的には、図2および図4に示すように、本実施形態の同電位配線30は、固定電極20a、20b、21a、21b側のリード線25a、25bおよび26a、26bと、可動電極4、5側の電極部28および29とにより構成されている。リード線25a、25bは、固定電極20b、21bと検出電極8b、9aとをそれぞれ接続する配線24a、24cの途中を分岐させたものである。これらのリード線25a、25bの先端部には、絶縁材料から成る被覆部27によって被覆された導体の一部を露出させた露出部図示せぬが設けられており、この露出部が半導体基板3の上面1aから突設された電極部28と電気的に接続されている。一方、リード線26a、26bは、固定電極20a、21aと検出電極8a、9bとをそれぞれ接続する配線24b、24dとは別に、各固定電極20a、21aから配線させたものである。これらのリード線26a、26bの先端部にあっても、絶縁材料から成る被覆部27によって被覆された導体の一部を露出させた露出部図示せぬが設けられており、この露出部が半導体基板3の上面1aから突設された電極部29と電気的に接続されている。このように、本実施形態では、リード線25a、25bと電極部28とから成る同電位配線30と、リード線26a、26bと電極部29とから成る同電位配線30と、の2つの同電位配線30,30を用いている。これにより、一方の可動電極4と他方の可動電極5に対して、固定電極20a、20b、21a、21bをそれぞれ電気的に接続できるようにしている。そして、本実施形態では、半導体基板1と絶縁基板2の陽極接合後に、半導体基板1の上面接合面1aとは反対の下面反対面1b側からエッチングして同電位配線30,30の配線除去部を除去している。具体的には、図5に示すように、本実施形態では半導体基板1の下面1b側からウエットエッチングやドライエッチングなどを行うことで、配線除去部としての電極部28と、この電極部28のZ方向に沿う半導体基板1を一体に除去するようにしている。なお、図5では、リード線25a、25bと接続される一方の電極部28のみを図示しているが、リード線26a、26bと接続される他方の電極部29にあっても同様にエッチングされる構成となっている。このとき、図5bに示すように、配線除去部としての電極部28,29よりも一回り大きな寸法で、半導体基板1を下面1b側からエッチングしていくのが好適である。こうすれば、半導体基板1に、電極部28,29よりも大径な貫通穴29を形成することができる。なお、本実施形態では、半導体基板1と配線除去部としての電極部28,29のすべてをエッチングにより除去するようにしたが、エッチングは少なくとも半導体基板1を貫通させるように上面1a側まで行えばよい。こうすれば、陽極接合時に、電極部28,29とリード線25a、25bおよび26a、26bの露出部図示せぬとが固着してしまっても、電極部28は半導体基板1とは接触せずに宙に浮いた状態となる。そのため、電極部28,29を介して可動電極4、5と固定電極20a、20b、21a、21bとが導通してしまうのを防止することができる。以上により、本実施形態の加速度センサSによれば、半導体基板1と絶縁基板2の陽極接合後に、半導体基板1の下面反対面1b側からエッチングして同電位配線30の電極部配線除去部28,29を除去するようにしている。そのため、電極部配線除去部28,29の一部が、基板1、2どうしの接合面1a、2b間に飛散して残留すのを防止することができる。これにより、飛散した電極部配線除去部28,29を介して可動電極4、5と固定電極20a、20b、21a、21bとが導通してしまうのをより確実に抑制することができるようになる。また、本実施形態によれば、半導体基板1の下面1b側からエッチングするにあたり、電極部配線除去部28,29よりも大径な貫通穴29が半導体基板1に形成されるようにしている。そのため、例えばエッチングによって半導体基板1のみしか除去することができなかった場合にも、電極部配線除去部28,29と半導体基板1とが直接接触するのを防止することができる。これにより、加速度センサSの安全性をより高めることができる。さらに、本実施形態によれば、配線除去部を同電位配線30のうちの半導体基板1側の電極部28,29としたので、エッチングによってより簡単に配線除去部を除去しつつ、可動電極4、5と固定電極20a、20b、21a、21bとが導通するのを抑制できる。なお、本実施形態では、配線除去部を電極部28,29としたが、リード線25a、25bおよび26a、26bの一部としてもよい。[第2実施形態]図6は、本発明の第2実施形態を示した図であり、上記第1実施形態と同一構成部分に同一符号を付して重複する説明を省略して述べるものとする。本実施形態の加速度センサSが上記第1実施形態と主に異なる点は、電極部配線除去部28,29の周縁部における一対の基板1、2の接合面1a、2bどうしを接合したことにある。図6bに示すように、本実施形態では、半導体基板1の上面接合面1aには、リード線25a、25bおよび26a、26bが係合される4つの溝31が設けられている。また、各溝31の一部に露出するようにして半導体基板1に2つの電極部28,29が埋設されている。そして、リード線25a、25bおよび26a、26bを各溝31に係合させた際に、リード線側の露出部図示せぬと電極部28,29とを接触させて配置するとともに、半導体基板1の上面接合面1aと絶縁基板2の下面接合面2bとを接合している。また、本実施形態では、配線除去部としての電極部28,29をポリシリコンで構成するとともに、フッ素系などのガスや薬液を用いて半導体基板1を裏面1b側からエッチングするようにしている。具体的には、例えばフッ酸などの薬液を用いて裏面1b側からウエットエッチングしたり、フッ素系のガスを用いて裏面1b側からドライエッチングすることで、貫通穴29を形成している。このとき、図6bに示すように、上記第1実施形態と同様にして配線除去部としての電極部28,29よりも一回り大きな貫通穴29を形成するように、半導体基板1を下面1b側からエッチングするのが好適である。以上により、本実施形態の加速度センサSによっても、上記第1実施形態と同様の作用効果を得ることができる。また、本実施形態によれば、電極部配線除去部28,29の周縁部における一対の基板1、2の接合面1a、2bどうしを接合している。そのため、エッチングにより電極部配線除去部28,29以外の同電位配線本実施形態では、リード線25a、25bおよび26a、26bの一部が断線するのを防止できるという利点がある。さらに、本実施形態によれば、電極部配線除去部28,29をポリシリコンで構成したので、半導体基板1と電極部配線除去部28,29とを同時に除去することができる。すなわち、電極部配線除去部28,29を例えば金属などで構成して、半導体基板1と電極部配線除去部28,29とが異なる材質の場合には、エッチングを複数回に分けて行う必要がある。これに対し、本実施形態では、半導体基板1と電極部配線除去部28,29とを同じ剤例えばフッ素系などのガスや薬液を用いて同時に除去することができるようになり、作業性を向上させることができる。以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態には限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、X方向とY方向の2方向の加速度を検出する加速度センサを例示したが、錘部の一つをXY平面内で90度回転させて配置し、Y方向を加えた3方向の加速度を検出する加速度センサとしてもよい。また、上記実施形態では、静電容量式センサとして加速度センサを例示したが、これに限ることなく、その他の静電容量式センサにあっても本発明を適用することができる。また、錘部、その他細部のスペック形状、大きさ、レイアウト等も適宜に変更可能である。"