"光電変換層を含む半導体電極と、対電極と、電解質層と、を有し、前記光電変換層は、光増感剤が吸着し、かつ第1の電解質が共有結合により結合した半導体を含むことを特徴とする光電変換素子。前記光電変換層は、下記一般式1で表されることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。W-X-Y1一般式1において、W-Xは前記第1の電解質、Wは残基、Xは結合基、Yは前記光増感剤が吸着した半導体を表す。前記電解質層は、下記一般式2で表される化合物とは異なる第2の電解質を含むことを特徴とする請求項2に記載の光電変換素子。W-X-H2一般式2においてW及びXは、一般式1のW及びXと同一の意味を有し、Hは水素原子を表す。前記電解質層は、第2の電解質を含み、前記半導体は、内部に細孔を有する多孔性半導体であり、前記光増感剤は、少なくとも前記細孔の内壁に吸着し、前記第1の電解質は、前記共有結合により、少なくとも前記細孔の内壁に結合し、前記光電変換層は、下記一般式1で表されることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。W-X-Y1一般式1において、W-Xは前記第1の電解質、Wは残基、Xは結合基、Yは前記光増感剤が吸着した半導体を表す。前記Xは、-COO-、-P=OOHO-、-OP=OOHO-、-SO3-、-CONH-、-NH-、-O-CH2n-nは1~20を表す、-O-、及び-S-からなる群から選択された少なくとも一種の基であることを特徴とする請求項3又は4に記載の光電変換素子。前記Xは、-COO-であることを特徴とする請求項3~5の何れか1項に記載の光電変換素子。前記Wは、下記一般式3で表されることを特徴とする請求項3~6の何れか1項に記載の光電変換素子。一般式3において、Z1は、窒素を含む5~7員の複素環を構成する基、R1、R2、R3、R4はそれぞれ独立して水素原子又はメチル基、R5は炭素数が0~20のアルキレン基を表す。前記第2の電解質は、下記一般式4で表されることを特徴とする請求項3~7の何れか1項に記載の光電変換素子。一般式4において、Z2は窒素を含む5~7員の複素環を構成する基であり、R1、R2、R3、及びR4は、一般式3のR1、R2、R3、及びR4と同一の意味を有する。前記電解質層中に、さらに下記一般式5で表されるオキソアンモニウム塩を含むことを特徴とする請求項8に記載の光電変換素子。一般式5において、Z2は一般式4のZ2と同一の意味を有し、R1、R2、R3、及びR4は一般式3のR1、R2、R3、及びR4と同一の意味を有し、Aは金属塩化物、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、BF4、PF6、CF3SO3、NSO2CF32、NSO2F2、CF3COO、NC2F5SO2、又はClO4を示す。前記第2の電解質が、下記式6で表される化合物であり、前記オキソアンモニウム塩が、下記一般式7で表される化合物であることを特徴とする請求項9に記載の光電変換素子。一般式7において、Aは、一般式5のAと同一の意味を有する。前記光電変換層は、下記一~三の何れかの方法によって製造されたものであることを特徴とする請求項1~10の何れか1項に記載の光電変換素子。一前記光増感剤と下記一般式2で表される化合物とを含む溶液中に半導体を浸漬した後、前記溶液中から半導体を取り出す方法、二前記光増感剤を含む第1の溶液中に半導体を浸漬した後、前記第1の溶液中から半導体を取り出し、更に下記一般式2で表される化合物を含む第2の溶液中に半導体を浸漬した後、前記第2の溶液中から半導体を取り出す方法、三下記一般式2で表される化合物を含む第2の溶液中に半導体を浸漬した後、前記第2の溶液中から半導体を取り出し、更に前記光増感剤を含む第1の溶液中に半導体を浸漬した後、前記第1の溶液中から半導体を取り出す方法。W-X-H2一般式2においてWは残基、Xは結合基、Hは水素原子を表す。前記半導体が多孔性の酸化チタンであることを特徴とする請求項1~11のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記電解質層が、前記半導体電極と前記対電極との間に設けられていることを特徴とする請求項1~12のいずれか1項に記載の光電変換素子。前記電解質層は、水を含むことを特徴とする請求項1~13のいずれか1項に記載の光電変換素子。A光増感剤を半導体に吸着させる工程とB下記一般式2で表される化合物を共有結合により半導体に結合させる工程を有する下記一般式1で表される光電変換層を得る工程、を有する半導体電極を形成する工程と、W-X-Y1一般式1において、W-Xは第1の電解質、Wは残基、Xは結合基、Yは前記光増感剤が吸着した半導体を表す。W-X-H2一般式2においてW及びXは、一般式1のW及びXと同一の意味を有し、Hは水素原子を表す。前記半導体電極に、電解質を含浸させる工程と、前記電解質を含浸させた半導体電極に対して、対電極を配置する工程と、を有することを特徴とする光電変換素子の製造方法。前記Xは、-COO-、-P=OOHO-、-OP=OOHO-、-SO3-、-CONH-、-NH-、-O-CH2n-nは1~20を表す、-O-、及び-S-からなる群から選択された少なくとも一種の基であることを特徴とする請求項15に記載の光電変換素子の製造方法。前記Xは-COO-であることを特徴とする請求項15又は16に記載の光電変換素子の製造方法。前記Wは、下記一般式3で表されることを特徴とする請求項15~17の何れか1項に記載の光電変換素子の製造方法。一般式3において、Z1は、窒素を含む5~7員の複素環を構成する基、R1、R2、R3、R4はそれぞれ独立して水素原子又はメチル基、R5は炭素数が0~20のアルキレン基を表す。前記工程Aにおいて、前記光増感剤を含む溶液中に半導体を浸漬した後、前記光増感剤を含む溶液中から半導体を取り出し、前記工程Bにおいて、前記一般式2で表される化合物を含む溶液中に半導体を浸漬した後、前記一般式2で表される化合物を含む溶液中から半導体を取り出すことを特徴とする請求項15~18の何れか1項に記載の光電変換素子の製造方法。前記半導体電極を形成する工程は、下記一~三の何れかの方法によることを特徴とする請求項19に記載の光電変換素子の製造方法。一前記光増感剤と前記一般式2で表される化合物を含む溶液中に半導体を浸漬した後、前記溶液中から半導体を取り出すことにより、前記工程AとBを、同時に行う方法、二工程A、工程Bの順番に行う方法、三工程B、工程Aの順番に行う方法。色素増感型太陽電池は上記のような電極反応を利用する。このため、そのエネルギー効率を高めるためには、光電変換層において、酸化された状態の色素と電解質レドックスの反応色素の還元を効率的に行わせる必要があった。しかしながら、関連する技術では、電解質層中に存在する電解質が、光電変換層中の色素の近傍に近づくことが困難な場合があり、色素の還元を効率的に行うことが困難であった。特に、半導体として、内部にナノメートルオーダーの細孔を有し、この細孔の内壁にも色素が吸着する多孔性半導体を用いた場合、この細孔内部に存在する色素の近傍にまで電解質が近づくことが困難であり、色素の還元がより困難となっていた。また、電解質層として固体電解質層や擬固体電解質層を用いた場合にも、色素の還元がより困難となっていた。本発明は、エネルギー効率の高い光電変換素子を提供することを目的とする。本発明の光電変換素子は、光電変換層を含む半導体電極と、対電極と、電解質層と、を有し、前記光電変換層は、光増感剤が吸着し、かつ第1の電解質が共有結合により結合した半導体を含むことを特徴とする光電変換素子に関する。本発明の光電変換素子の製造方法は、A光増感剤を半導体に吸着させる工程とB下記一般式2で表される化合物を共有結合により半導体に結合させる工程を有する下記一般式1で表される光電変換層を得る工程、を有する半導体電極を形成する工程と、W-X-Y1一般式1において、W-Xは第1の電解質、Wは残基、Xは結合基、Yは前記光増感剤が吸着した半導体を表す。W-X-H2一般式2においてW及びXは、一般式1のW及びXと同一の意味を有し、Hは水素原子を表す。前記半導体電極に、電解質を含浸させる工程と、前記電解質を含浸させた半導体電極に対して、対電極を配置する工程と、を有することを特徴とする光電変換素子の製造方法に関する。本発明によれば、エネルギー効率の高い光電変換素子を提供することができる。以下、図面を参照しながら、本発明の光電変換素子の実施形態を詳しく説明する。なお、本発明の範囲内で種々の実施形態での実施が可能である。第1の実施形態1.光電変換素子図1は、本発明の第1実施形態に係る光電変換素子の基本構造を示す断面模式図である。光電変換素子は、半導体電極8、電解質層4、及び対電極9を有する。光電変換層3は、光増感剤が吸着し、かつ第1の電解質が共有結合により結合した半導体10を含む。以下では、光電変換素子の各構成要素について説明する。2.半導体電極2-1.光電変換層光電変換層は、半導体-光増感剤-第1の電解質の複合体の層からなる。すなわち、半導体には光増感剤が直接、吸着すると共に、共有結合により半導体には第1の電解質が直接、結合しており、これらが複合体を構成している。このように半導体上には光増感剤と第1の電解質が存在するため、第1の電解質は光増感剤の近傍に存在することとなる。この結果、電解質層から第1の電解質が電子を受け取り、更に第1の電解質から光増感剤に電子を渡すことができ、効率的な電子移動を行わせることができる。光電変換層は例えば、下記一般式1で表すことができる。W-X-Y1一般式1において、W-Xは第1の電解質、Wは残基、Xは結合基、Yは光増感剤が吸着した半導体を表す。すなわち、上記一般式1では、結合基Xを含むW-Xが第1の電解質に相当する部位を表す。また、典型的には、半導体Yには多数の光増感剤の分子が吸着し、半導体Yには多数の第1の電解質nW-Xnは2以上の整数が結合している。一般式1の光電変換層としては、半導体が内部に細孔を有する多孔性半導体であり、少なくともこの細孔の内壁に光増感剤が吸着し、共有結合により少なくとも細孔の内壁に第1の電解質が結合したものであることが好ましい。2-2.半導体電極の形成方法半導体電極の形成方法としては例えば、導電性基板上に形成された半導体を、光増感剤を含む溶液、及び半導体と共有結合することが可能な電解質を含む溶液中に侵漬させる方法を挙げることができる。半導体として例えば、酸化チタンを用いた場合、酸化チタンに紫外線などの光が照射されると、酸化チタンの表面にはOH基が形成されるものと考えられている。この場合には、半導体と共有結合をすることが可能な電解質として、OH基との間に共有結合が可能な基を有するものを用いる。この電解質としては例えば、下記一般式2で表される化合物を挙げることができる。W-X-H2一般式2においてWは残基、Xは半導体が酸化チタンの場合には、OH基との間に共有結合が可能な基、Hは水素原子を表す。。なお、一般式2の化合物中のW、Xとしては、後述する一般式1のW、Xと同じものとすることができる。一般式2の化合物は、半導体との間で共有結合を形成する反応例えば、半導体が酸化チタンの場合には、脱水反応を起こす。この反応の結果、一般式2の化合物に由来する第1の電解質は、共有結合により半導体に結合する。以下では、光増感剤として色素、半導体と共有結合を形成することが可能な電解質として一般式2の化合物を用いた場合を例に挙げて、半導体電極の形成方法を説明する。半導体は、色素と一般式2の化合物を共に含む溶液中に侵漬しても良いし、色素を含む第1の溶液と、一般式2の化合物を含む第2の溶液にそれぞれ別々に侵漬させても良い。この場合、その侵漬させる順番は特に限定されず、第1の溶液、第2の溶液の順、又は第2の溶液、第1の溶液の順に、半導体を侵漬させても良い。より具体的には、半導体電極は以下のようにして、形成することができる。一色素と一般式2で表される化合物とを含む溶液中に半導体を浸漬した後、溶液中から半導体を取り出す方法、二色素を含む第1の溶液中に半導体を浸漬した後、第1の溶液中から半導体を取り出し、更に一般式2で表される化合物を含む第2の溶液中に半導体を浸漬した後、第2の溶液中から半導体を取り出す方法、三一般式2で表される化合物を含む第2の溶液中に半導体を浸漬した後、第2の溶液中から半導体を取り出し、更に色素を含む第1の溶液中に半導体を浸漬した後、第1の溶液中から半導体を取り出す方法。上記一~三の方法における具体的な条件は、色素が半導体に吸着し、一般式2の化合物が共有結合により半導体に結合する条件であれば特に限定されないが、以下に、具体的な条件を記載する。色素や一般式2の化合物を溶解させるために用いる溶媒は、エタノールなどのアルコール系、アセトンなどのケトン系、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類、アセトニトリルなどの窒素化合物、クロロホルムなどのハロゲン化脂肪族炭化水素、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、ベンゼンなどの芳香族炭化水素、酢酸エチルなどのエステル類などが挙げられる。また、これらの溶媒は2種類以上を混合して用いてもよい。これらの中でも色素及び一般式2の化合物を溶解させるために用いる溶媒としては、水への溶解度が小さい親油性溶媒を用いることが好ましい。親油性溶媒を用いることにより、内部に細孔を有する多孔性半導体を用いた場合であっても、効果的に、細孔の内壁上に色素を吸着させ、細孔の内壁上に一般式2の化合物を結合させることができる。親油性溶媒としては、アセトンなどのケトン系、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類、アセトニトリルなどの窒素化合物、クロロホルムなどのハロゲン化脂肪族炭化水素、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、ベンゼンなどの芳香族炭化水素等を挙げることができる。溶液中の色素や一般式2の化合物の濃度は、使用する色素、一般式2の化合物及び溶媒の種類に応じて適宜、調整することができる。色素の半導体への吸着機能を向上させるためには、ある程度、高濃度である方が好ましい。例えば、5×105mol/L以上の濃度とすることができる。同様に、溶液中の一般式2の化合物の濃度は、5×105mol/L以上とすることができる。色素や一般式2の化合物が溶解した溶液中に半導体を浸漬する際、溶液及び雰囲気の温度、並びに圧力は特に限定されるものではなく、例えば、室温程度、かつ大気圧下が挙げられ、浸漬時間は使用する色素、一般式2の化合物、溶媒の種類、溶液中の濃度などにより適宜、調整することができる。なお、効果的に行うには加熱下にて浸漬を行えばよい。これにより、効率的に半導体に色素を吸着させ、一般式2の化合物を結合させることができる。また、色素の吸着、一般式2の化合物の結合を行わせる際に、その吸着結合状態や、半導体を構成するTiO2等の微粒子表面などを制御するために、色素を溶解した溶液にデオキシコール酸DeoxycholicAcidやグアニジンチオシアナートGuanidineThiocyanate、tert-ブチルピリジン、エタノールなどの有機化合物を加えてもよい。2-3.半導体の材料構造半導体を構成する材料としては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化タングステン、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、硫化カドミウムなどの公知の半導体が挙げられる。これらの半導体材料は2種類以上を混合して用いることもできる。これらの中でも、発電効率、安定性、安全性の点から酸化チタンが特に好ましい。酸化チタンとしては、多孔性の酸化チタンIVTiO2を使用することが好ましい。このような酸化チタンとしては、アナターゼ型酸化チタン、ルチル型酸化チタン、無定形酸化チタン、メタチタン酸、オルソチタン酸などの種々の酸化チタン、含酸化チタン複合体などが挙げられる。その中でもアナターゼ型酸化チタンであることが好ましい。半導体の形状としては、半導体微粒子などを焼結することにより得られる多孔性半導体、ゾル-ゲル法、スパッタ法、スプレー熱分解法などにより得られる薄膜状半導体などが挙げられ、その他繊維状半導体層や針状晶からなる半導体など光電変換素子の使用目的に応じて、適宜、選択することができる。本実施形態の半導体としては、色素吸着量、第1の電解質の結合量を大きくできる等の観点から、多孔性半導体、針状晶からなる半導体など比表面積の大きな半導体が好ましい。半導体微粒子の粒径により入射光の利用率などを調整できる観点から、半導体微粒子から形成され、内部に細孔を有する多孔性半導体が好ましい。また、半導体は、単層であっても多層であってもよい。多層にすることによって、十分な厚さの半導体層を容易に形成することができる。また、多孔性の多層半導体層は、平均粒径の異なる半導体微粒子層からなってもよい。例えば、光入射側に近い方の半導体層第1半導体層を構成する半導体微粒子の平均粒径を、遠い方の半導体層第2半導体層より小さくすることにより、第1半導体層で多くの光を吸収させ、第1半導体層を通過した光は、第2半導体層で散乱させて第1半導体層に戻して第1半導体層で吸収させることにより、全体の光吸収率を向上させることができる。半導体層の膜厚は、特に限定されるものではないが、透過性、発電効率などの観点より、0.5~45μm程度が望ましい。半導体の比表面積は、多量の色素を吸着し、多量の第1の電解質を結合させるために、10~200m2/gが好ましい。また、多量の色素を吸着させ、第1の電解質を結合させるため、及び電荷輸送を効果的に行うため、空隙率は40~80が好ましい。なお、空隙率とは、半導体層の体積の中で、半導体層中の細孔が占める体積の割合をで示したものとする。2-4.半導体の形成方法以下では、半導体の形成方法について、多孔性半導体を例にとって説明する。多孔性半導体は、例えば、半導体微粒子を高分子などの有機化合物及び分散剤と共に、有機溶媒や水など分散媒に加えて懸濁液を調製し、この懸濁液を導電性基板上に塗布し、これを乾燥、焼成することによって形成することができる。半導体微粒子と共に分散媒に有機化合物を添加しておくと、焼成時に有機化合物が燃焼して多孔性半導体内に隙間を確保することが可能となる。また、焼成時に燃焼する有機化合物の分子量や添加量を制御することで空隙率を変化させることができる。なお、有機化合物の種類や量は、使用する微粒子の状態、懸濁液全体の総重量等により適宜、選択し調整することができる。ただし、半導体微粒子の割合が懸濁液全体の総重量に対して10wt以上のときは、作製した膜の強度を充分に強くすることができ、半導体微粒子の割合が懸濁液全体の総重量に対して40wt以下であれば、空隙率が大きな多孔性半導体を得ることができるため、半導体微粒子の割合は懸濁液全体の総重量に対して10~40wtであることが好ましい。上記半導体微粒子としては、適当な平均粒径、例えば1nm~500nm程度の平均粒径を有する単一または化合物半導体の粒子などが挙げられる。その中でも比表面積を大きくするという点から1~50nm程度の平均粒径のものが望ましい。また入射光の利用率を高めるという点から、200~400nm程度の平均粒径の大きな半導体粒子を添加してもよい。半導体微粒子の形成方法としては、水熱合成法などのゾル-ゲル法、硫酸法、塩素法などが挙げられ、目的の微粒子を製造できる方法であればどのような方法を用いてもよいが、結晶性の観点より、水熱合成法により製造することが好ましい。有機化合物は、懸濁液中に溶解し、焼成するときに燃焼して除去できるものであれば何れも用いることができる。例えば、ポリエチレングリコール、エチルセルロース等の高分子が挙げられる。懸濁液の分散媒としては、エチレングリコールモノメチルエーテル等のグライム系溶媒、イソプロピルアルコール等のアルコール系、イソプロピルアルコール/トルエン等の混合溶媒、水等が挙げられる。懸濁液の塗布方法としては、ドクターブレード法、スキージ法、スピンコート法、スクリーン印刷法等公知の方法が挙げられる。その後、塗膜の乾燥、焼成を行う。乾燥と焼成の条件は、大気下又は不活性ガス雰囲気下、50~800°C程度の範囲内で、10秒から12時間程度が挙げられる。この乾燥及び焼成は、単一の温度で1回又は温度を変化させて2回以上行うことができる。なお、ここでは、多孔性半導体の形成方法について詳述したが、他の種類の半導体も種々の公知の方法を用いて形成することができる。2-5.光増感剤として機能する色素本実施形態においては、半導体に光増感剤が吸着している。光増感剤としては、色素を用いることができる。光増感剤として機能する色素以下、単に色素と記す。は、種々の可視光領域及び赤外光領域に吸収を持つものであって、半導体に強固に吸着させるために、色素分子中にCOOH基、アルコキシ基、ヒドロキシル基、ヒドロキシアルキル基、スルホン酸基、エステル基、メルカプト基、ホスホニル基などのインターロック基を有するものが好ましい。この中でもCOOH基を有するものが特に好ましい。インターロック基は、励起状態の色素と半導体の導電帯との間の電子移動を容易にする電気的結合を供給するものである。これらインターロック基を含有する色素としては、例えば、ルテニウム金属錯体色素ルテニウムビピリジン系金属錯体色素、ルテニウムターピリジン系金属錯体色素、ルテニウムクォーターピリジン系金属錯体色素など、アゾ系色素、キノン系色素、キノンイミン系色素、キナクリドン系色素、スクアリリウム系色素、シアニン系色素、メロシアニン系色素、トリフェニルメタン系色素、キサンテン系色素、ポルフィリン系色素、フタロシアニン系色素、ペリレン系色素、インジゴ系色素、ナフタロシアニン系色素、クマリン系色素などが挙げられる。その中でも有機色素が好ましい。光増感剤として、色素ではなく、半導体微粒子、いわゆる量子ドットを用いることもできる。2-6.第1の電解質本発明においては、共有結合により、半導体に第1の電解質が結合している。第1の電解質としては、半導体との間に共有結合を形成する結合基と、酸化還元により電子の授受を行い少なくとも一部がイオン化することが可能な部位と、を有するものであれば特に限定されない。例えば、光電変換層を下記一般式1で表した時、第1の電解質はW-Xの部分を表し、Yは光増感剤が吸着した半導体を表す。第1の電解質W-Xにおいて、Xは半導体と共有結合を形成する結合基、Wは酸化還元により光増感剤との間で電子の授受を行い少なくとも一部がイオン化することが可能な残基酸化還元部位を表す。W-X-Y1。結合基Xとしては、光電変換層の形成時例えば、半導体を、電解質を含む溶液中に浸漬させる方法の条件において、半導体との間に共有結合を形成した結果、得られる基であれば特段、限定されない。結合基Xとしては、-COO-、-P=OOHO-、-OP=OOHO-、-SO3-、-CONH-、-NH-、-O-CH2n-nは1~20を表す、-O-、及び-S-からなる群から選択された少なくとも一種の基を挙げることができるが、より強い共有結合で結合できるため、Xは-COO-であることが好ましい。残基酸化還元部位Wとしては、下記一般式3で表される基を挙げることができる。一般式3において、Z1は、窒素を含む5~7員の複素環を構成する基、R1、R2、R3、R4はそれぞれ独立して水素原子又はメチル基、R5は炭素数が0~20のアルキレン基を表す。。一般式3において、R5は単結合とすることができる。一般式3で表される基としては具体的に、下記式8、9で表される基を挙げることができる。一般式8において、nは0~20である。3.対電極対電極としては、支持基板上に白金等の金属触媒やカーボンの膜が存在するものなどが挙げられる。特に、白金であることが好ましい。これらの膜厚は触媒機能を発現できる厚さであればよく、1~2000nm程度が望ましい。支持基板としてはガラスや高分子フィルム、金属板箔などが挙げられる。特に抵抗値を低下させるために、支持基板としては導電性基板が好ましい。また、対電極は、半導体電極と同一基板上に形成しても良い。この場合、絶縁性基板上に導電層を形成し、対電極と半導体電極の間の導電層をレーザースクライブなどにより切断するなどにより、同一基板上に二つ以上の電極を形成することができる。4.電解質層電解質層は、対電極から第1の電解質まで電子を移動させる機能を有する。電解質層は例えば、第2の電解質を含み、この第2の電解質により電子を移動させることができる。第2の電解質としては酸化還元により電子の授受を行い少なくとも一部がイオン化することが可能なものであれば特に限定されず、有機電解質、無機電解質、又はこれらの両方を使用することができる。第2の電解質は、第1の電解質よりも酸化還元電位が高いものであることが好ましい。また、第2の電解質は、光電変換素子の使用条件下例えば、50°C以下で、半導体と共有結合を形成しないものであることが好ましい。第2の電解質としては例えば、下記一般式2で表される化合物と異なるものを挙げることができる。W-X-H2一般式2においてWは残基、Xは半導体との間に共有結合が可能な結合基、Hは水素原子を表す。。電解質層は、液体電解質から構成されても、固体電解質から構成されても良い。以下では、電解質層の構成、成分を詳細に説明する。4-1.環状ニトロキシルラジカル化合物第2の電解質として、環状ニトロキシルラジカル化合物を使用することができる。環状ニトロキシルラジカル化合物とは、ニトロキシルラジカル=N-Oを構成する窒素原子を環構成原子として含む化合物である。環構造としては、5~7員環が好ましく、特にピペリジノキシルラジカル環構造を有するニトロキシルラジカル化合物が好ましい。環状ニトロキシルラジカル化合物としては、下記一般式4で表される化合物を使用することが好ましい。一般式4において、Z2は窒素を含む5~7員の複素環を構成する基であり、R1、R2、R3、及びR4は、一般式3のR1、R2、R3、及びR4と同一の意味を有する。。上記一般式4において、Z2で表される基としては、ニトロキシルラジカルの窒素原子と共に窒素を含む5~7員の複素環を構成する基であり、炭素数2~4のアルキレン基あるいはアルケニレン基を例示することができる。また、アルキレン基の炭素原子の一部が酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子で置き換わったものでも良い。アルキレン基の各炭素原子には置換基を有していても良く、例えば脂肪族基、芳香族基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルデヒド基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、アミノ基、ニトロ基、ニトロソ基などを挙げることができる。一般式4で表される化合物の具体例としては、下記式6、10~15で表される化合物が挙げられる。4-2.オキソアンモニウム塩本発明に係る電解質層中に、上記一般式4で表される環状ニトロキシルラジカルを含有する場合、上記一般式4に対応する下記一般式5で表されるオキソアンモニウム塩を含むことが好ましい。一般式5において、Z2は一般式4のZ2と同一の意味を有し、R1、R2、R3、及びR4は一般式3のR1、R2、R3、及びR4と同一の意味を有し、Aは金属塩化物、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、BF4、PF6、CF3SO3、NSO2CF32、NSO2F2、CF3COO、NC2F5SO2、又はClO4を示す。。電解質層中の環状ニトロキシルラジカルは、ラジカル状態とカチオン状態で酸化還元をしている。例えば、一般式4として有用な2,2,6,6-テトラメチルピペリジン-N-オキシルTEMPOラジカルは、下記式16に示すように、ラジカル状態とカチオン状態との平衡状態を示す。そのために、環状ニトロキシルラジカルを電解質の酸化還元対として用いる場合には、電解質層中に相当するオキソアンモニウム塩が存在することが好ましい。一般式5で表されるオキソアンモニウム塩としては、上記式6、10~15で表されるニトキシルラジカルにそれぞれ対応するオキソアンモニウム塩が挙げられる。4-3.その他の第2の電解質本実施形態に係る第2の電解質としては、ヨウ素系電解質、臭素系電解質、セレン系電解質、硫黄系電解質を用いることが可能である。ヨウ素系電解質としては、LiI、NaI、KI、CsI、CaI2などの金属ヨウ化物、あるいはテトラアルキルアンモニウムヨーダイド、ピリジニウムヨーダイド、イミダゾリウムヨーダイドなど4級アンモニウム化合物のヨウ素塩と、ヨウ素の組み合わせなどを使用することができる。臭素系電解質としては、LiBr、NaBr、KBr、CsBr、CaBr2などの金属臭化物、あるいはテトラアルキルアンモニウムブロマイド、ピリジニウムブロマイドなど4級アンモニウム化合物の臭素塩と、臭素の組み合わせなどを使用することができる。金属鎖体としては、フェロシアン酸塩-フェリシアン酸塩やフェロセン-フェリシニウムイオンなどを使用することができる。また、その他に、ポリ硫化ナトリウム、アルキルチオール-アルキルジスルフィドなどのイオウ化合物、ビオロゲン色素、ヒドロキノン-キノンなどの電解質を用いることもできる。これらの電解質は単独で、又は複数種を組み合わせて使用しても良い。4-4.液体電解質電解質層は、液体電解質により構成されていてもよい。液体電解質としては、第2の電解質および溶媒を含有し、液体状態のものであればよい。溶媒としては、水、又は有機化合物を使用することができる。例えば、有機化合物として、N-メチルピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミドなどの含窒素化合物、メトキシプロピオニトリルやアセトニトリルなどのニトリル化合物、γ-ブチロラクトンやバレロラクトンなどのラクトン化合物、エチレンカーボネート、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、プロピレンカーボネートなどのカーボネート化合物、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールジアルキルエーテルなどのエーテル類、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、さらにはイミダゾール類などが挙げられ、これらはそれぞれ単独で、又は2種以上混合して使用することができる。溶媒としてはこの中でも、毒性がなく取り扱いが容易であり、製造も簡易的な水を使用することが好ましい。溶媒として水を使用する場合、第2の電解質として一般式3で表される環状ニトロキシルラジカル化合物を使用し、電解質層中には一般式4で表されるオキソアンモニウム塩を含むことが好ましい。これらの化合物を使用することにより、水中でも安定した酸化還元反応を行わせることができる。また、例えば、光電変換層中に細孔を有する多孔性半導体、電解質層の溶媒として水を使用し、多孔性半導体の細孔内にまで第2の電解質が拡散することが困難な場合であっても、多孔性半導体に結合した第1の電解質を介することにより、第2の電解質と光増感剤間の電子の移動をスムーズに行わせることができる。また、電解質には適宜、イオン液体、即ち溶融塩を添加できる。イオン液体としては、Inorg.Chem.1996,35,p1168-1178、Electrochemistry2002.2,p130-136、特表平9-507334号公報、特開平8-259543号公報などに開示されている公知の電池や太陽電池などにおいて一般的に使用することができるものであれば、特に限定されないが、室温25°Cより低い融点を有する塩か、または室温よりも高い融点を有しても、他の溶融塩や溶融塩以外の添加物を溶解させることにより室温で液状化する塩が好ましく用いられる。具体的には、溶融塩のカチオンとしては、アンモニウム、イミダゾリウム、オキサゾリウム、チアゾリウム、ピペリジニウム、ピラゾリウム、イソオキサゾリウム、チアジアゾリウム、オキサジアゾリウム、トリアゾリウム、ピロリジニウム、ピリジニウム、ピリミジニウム、ピリダジニウム、ピラジニウム、トリアジニウム、ホスホニウム、スルホニウム、カルバゾリウム、インドリウム、及びこれらの誘導体が好ましく、特に好ましくは、アンモニウム、イミダゾリウム、ピリジニウム、ピペリジニウム、ピラゾリウム、スルホニウムである。また、溶融塩のアニオンとしては、AlCl4、Al2Cl7などの金属塩化物、PF6、BF4、CF3SO3、NCF3SO22、CF3COOなどのフッ素含有物、NO3、CH3COO、C6H11COO、CH3OSO3、CH3OSO2、CH3SO3、CH3SO2、CH3O2PO2などの非フッ素化合物、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン化物などが挙げられる。溶融塩は、各種文献や公報で公知の方法により合成することができる。4級アンモニウム塩を例に挙げると、第一段階として3級アミンにアルキル化剤としてアルキルハライドを用いてアミンの4級化を行い、第二段階としてハライドアニオンから目的のアニオンへイオン交換を行うという方法を用いることができる。若しくは、3級アミンを目的のアニオンを有する酸と反応させて一段階で目的の化合物を得る方法がある。4-5.固体電解質固体電解質としては、有機溶媒を高分子化合物に浸透させることにより固体化した高分子電解質、溶融塩を含む液体電解質を微粒子により固体化した電解質、ゲル状の電解質などが挙げられる。例えば、第2の電解質としてニトロキシルラジカル化合物を使用する場合、固体電解質とは、ニトロキシルラジカルを有するポリマー自身を用いる場合と、ニトロキシルラジカルポリマー以外を用いる場合がある。ゲル状の電解質とは、ニトロキシルラジカルのポリマーにより形成された網目構造体を含む電解質である。ニトロキシルラジカルを有するポリマーは有機溶媒若しくは水に不溶な架橋構造であっても使用できる可能性がある。ニトロキシルラジカルポリマー以外で、液体電解質を固体化するための高分子化合物としては、液体電解質を保持できる高分子化合物であればよく、ポリオキシアルキレン鎖を持つ化合物を含み、電解質をゲル化又は固体化できるものであれば特に限定されず、通常はポリオキシアルキレン鎖を持つポリマー前駆体ポリマーゲル化剤が用いられる。例えば、イ特開平5-109311号公報や特開平11-176452号公報に開示された、三官能性末端アクリロイル変性アルキレンオキサイド重合体や、四官能性末端アクリロイル変性アルキレンオキサイド重合体などのアルキレンオキサイド重合体鎖を有するアクリロイル変性高分子化合物が挙げられる。ロまた、少なくとも一種類のイソシアネート基を有する化合物Aと、少なくとも一種のイソシアネート基と反応性のある化合物Bとを含み、化合物Aと化合物Bのうち少なくとも一種類がポリオキシアルキレン鎖を持つものが挙げられる特開2002-289271号公報、特開2002-289272号公報、特開2002-289273号公報。ポリオキシアルキレン鎖を持つ化合物としては、分子量500~50,000の高分子構造を有する化合物が好ましく用いられる上記イの三官能性又は四官能性末端アクリロイル変性アルキレンオキサイド重合体は、例えば、三官能性の場合にはグリセロールやトリメチロールプロパン等を、四官能性の場合にはジグリセリンやペンタエリスリトール等を、それぞれ出発物質として、これらにエチレンオキサイドやプロピレンオキサイド等のアルキレンオキサイドを付加させ、さらにアクリル酸、メタクリル酸等の不飽和有機酸をエステル化反応させるか、又はアクリル酸クロリド、メタクリル酸クロリド等の酸クロリド類を脱塩酸反応させることによって得られる化合物である。上記ロの化合物Aとしては、例えば、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートなどの芳香族イソシアネート;ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族イソシアネート;イソホロンジイソシアネート、シクロヘキシルジイソシアネート等の脂環族イソシアネートが挙げられ、これらの2量体、3量体などの多量体又は変性体であってもよい。また、低分子アルコールとこれらイソシアネートのアダクト体、さらには、ポリオキシアルキレンとこれらイソシアネートをあらかじめ付加反応させた化合物が挙げられる。化合物Bとしては、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アミノ基などの活性水素基を有する化合物が挙げられ、より具体的には、カルボキシル基を有する化合物としては、ヘキサン酸、アジピン酸、フタル酸、アゼライン酸などのカルボン酸;ヒドロキシル基を有する化合物としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン、ペンタエリスリトール、ソルビトール、ショ糖などのポリオール;アミノ基を有する化合物としては、エチレンジアミン、トリレンジアミン、ジフェニルメタンジアミン、ジエチレントリアミンなどの有機アミン類などがそれぞれ挙げられる。また、化合物Bとしては、上記のような活性水素基を一分子中に一つ以上有し、かつポリオキシアルキレン鎖を有する化合物も挙げられる。4-6電解質層の形成方法本発明に係る電解質層の形成方法としては、第2の電解質を溶媒中に溶解させる方法がある。例えば、第2の電解質として、一般式4で表される環状ニトロキシルラジカルを使用する場合、一般式4で表される環状ニトロキシルラジカルを溶媒中に溶解させても良いし、一般式5のオキソアンモニウム塩を溶媒中に溶解させても良いし、これらの両者を溶解させても良い。一般式4で表される環状ニトロキシルラジカルを溶媒中に溶解させた場合には、前記式16に示すように、その一部はカチオン状態となる。同様に、一般式5で表されるオキソアンモニウム塩を溶媒中に溶解させた場合には、その一部が一般式4で表される環状ニトロキシルラジカルになる。5.光電変換素子の形成方法光電変換素子は、半導体電極を形成した後、半導体電極中に電解質を含浸させる。電解質を含浸させる方法としては例えば、液体電解質を使用する場合、光電変換層中に液体電解質を滴下した後、真空引きする方法を挙げることができる。次に、半導体電極に対向するように対電極を配置させる。6.作用効果本実施形態の光電変換素子において、光が光電変換層3に吸着された光増感剤たとえば色素に照射されると、色素は光を吸収して励起する。この励起によって発生した電子は光電変換層3から公知の外部回路を通じて対電極9に移動する。対電極9では、電荷輸送層すなわち電解質層4中の第2の電解質が電子を受け取り還元された状態で、光電変換層3に移動する。光電変換層3では、第2の電解質、第1の電解質、色素の順に電子が移動する。このようにして電流が流れ、光電変換素子を構成することができる。本実施形態の光電変換素子では、半導体に結合することにより光増感剤の近傍に存在する第1の電解質が、電解質層と光増感剤の間の電子の橋渡しを行う。このように第1の電解質を介して電子が移動することにより、効率的に素子内の電子移動を行わせることができる。この結果、電解質層から光増感剤に直接、電子が移動する関連する技術と比べて、高いエネルギー効率の光電変換素子を得ることができる。なお、光電変換層や電解質層の構成によっては、一部の電子が電解質層から直接、光増感剤に移動する場合もあり得る。しかし、このような場合であっても、電解質層からの電子の少なくとも一部は第1の電解質を介して光増感剤に移動するため、光電変換素子のエネルギー効率を向上させることができる。第2の実施形態図4は、本発明の第2実施形態に係る光電変換素子の基本構造を示す断面模式図である。図示するように、この光電変換素子は、光透過性を有する透明基板1、この透明基板1の表面に形成された光透過性を有する透明導電膜2、及び、透明導電膜2上に形成された色素を吸着した多孔性半導体層である光電変換層3からなる半導体電極8と、この半導体電極8と相対向する位置に設けられた対電極9と、半導体電極8と対電極9との間に保持された電解質層4とを備えてなる。対電極9は、導電膜6が形成された透明基板又は支持基板7からなり、この導電膜6の表面に白金触媒層5が形成されている。そして、本実施形態では、光電変換層3は、色素が吸着すると共に、共有結合により第1の電解質が結合した多孔性半導体からなる。この構造を持つ光電変換素子において、透明基板1側から光が照射されると、光は、透明基板1、透明導電膜2を透過して、光電変換層3に吸着された色素に照射され、色素は光を吸収して励起する。この励起によって発生した電子は光電変換層3から透明導電膜2に移動する。透明導電膜2へ移動した電子は、外部回路を通じて対電極9に移動する。対電極9では、電荷輸送層すなわち電解質層4中の第2の電解質が電子を受け取り還元された状態で、光電変換層3に移動する。光電変換層3では、第2の電解質、第1の電解質、色素の順に電子が移動する。このようにして電流が流れ、光電変換素子を構成することができる。本実施形態の光電変換素子では、半導体に結合することにより光増感剤の近傍に存在する第1の電解質が、電解質層と光増感剤の間の電子の橋渡しを行う。すなわち、この場合、光電変換素子中の電子の流れは、電解質層→第1の電解質→光増感剤→半導体→透明導電膜→外部回路→対電極→電解質層となる。このように第1の電解質を介して電子が移動することにより、効率的に素子内の電子移動を行わせることができる。この結果、電解質層から光増感剤に直接、電子が移動する関連する技術と比べて、高いエネルギー効率の光電変換素子を得ることができる。なお、光電変換層や電解質層の構成によっては、一部の電子が電解質層から直接、光増感剤に移動する場合もあり得る。しかし、このような場合であっても、電解質層からの電子の少なくとも一部は第1の電解質を介して光増感剤に移動するため、光電変換素子のエネルギー効率を向上させることができる。1.導電性基板図1の透明基板1及び透明導電膜2は導電性基板を構成する。導電性基板としてはこれ以外にも基板自体が導電性を有しているものであってよく、絶縁性基板上に導電層を形成することによって基板に導電性を持たせたものであってもよい。基板としては、例えば、ガラス基板、プラスチック基板、金属板などが挙げられ、中でも透明性の高い基板透明基板が特に好ましい。基板に形成される導電層の種類は、特に限定されるものではないが、例えばITO、FTO、SnO2などの透明導電層が好ましい。導電層の作製方法及び膜厚などは、適宜、選択することができるが、1nm~5μm程度のものを用いることができる。2.安定化添加剤電解質層中には、第2の電解質のアニオン状態又はカチオン状態を安定化させる目的で、電解質層中に塩を添加することも可能である。例えば、第2の電解質として環状ニトロキシルラジカルを使用する場合、ラジカル状態とカチオン状態で酸化還元をしている。この発生するカチオン状態を安定化させる目的で、電解質中に塩を添加することも可能である。用いる塩としては、カチオンとして、リチウム、ナトリウム、カリウム、アンモニウム、イミダゾリウム、オキサゾリウム、チアゾリウム、ピペリジニウム、ピラゾリウム、イソオキサゾリウム、チアジアゾリウム、オキサジアゾリウム、トリアゾリウム、ピロリジニウム、ピリジニウム、ピリミジニウム、ピリダジニウム、ピラジニウム、トリアジニウム、ホスホニウム、スルホニウム、カルバゾリウム、インドリウム、及びこれらの誘導体が好ましく、特に好ましくは、アンモニウム、イミダゾリウム、ピリジニウム、ピペリジニウム、ピラゾリウム、スルホニウムである。また、アニオンとしては、PF6、BF4、CF3SO3、NCF3SO22、FHFn、CF3COOなどのフッ素含有物、NO3、CH3COO、C6H11COO、CH3OSO3、CH3OSO2、CH3SO3、CH3SO2、CH3O2PO2、SbCl6などの非フッ素化合物、ヨウ素、臭素などのハロゲン化物などが挙げられる。前述の溶融塩は安定化添加剤として機能する場合もある。第3の実施形態本実施形態では、光電変換層は、上記一般式1で表される。W-X-Y1一般式1において、W-Xは第1の電解質、Wは残基、Xは結合基、Yは光増感剤が吸着した半導体を表す。また、電解質層は、下記一般式2で表される化合物とは異なる第2の電解質を含む。W-X-H2一般式2においてW及びXは、一般式1のW及びXと同一の意味を有し、Hは水素原子を表す。。本実施形態では、電解質層中に、半導体との共有結合が可能な上記一般式2の化合物を含まない。このため、電解質層中の電解質が半導体に不安定な状態で結合したり、半導体に吸着した色素や結合した第1の電解質が電解質層中に遊離するのを防止できる。この結果、結合した第1の電解質、半導体に吸着した色素間を効率的に電子が移動して、高いエネルギー効率を達成することができる。第4の実施形態本実施形態では、電解質層は水と第2の電解質を含み、半導体は内部に細孔を有する多孔性半導体である。光増感剤は、少なくとも細孔の内壁に吸着し、第1の電解質は共有結合により少なくとも細孔の内壁に結合している。また、光電変換層は、上記一般式1で表される。本実施形態では、電解質層中に、溶媒として水を含む。このため、第2の電解質が半導体の細孔内にまで拡散することが困難な場合であっても、細孔の内壁に結合した第1の電解質を介して、細孔の内壁に吸着した色素にまで効率的に電子が移動して、高いエネルギー効率を達成することができる。なお、細孔の内壁に色素が吸着し、第1の電解質が結合していることは例えば、細孔の内壁に色素第1の電解質が吸着結合した状態と、吸着結合していない状態について、BET法により細孔容積を測定し、この両者の細孔容積の差を測定することにより、確認することができる。以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明の範囲はこれに限定されるものではない。上記した図4に示す積層構造を持つ光電変換素子を次のようにして作製した。実施例11.半導体層の形成半導体層は、以下の手順で作製した。まず、溶剤として濃度15volの酢酸水溶液20mlを用い、そこに市販の多孔質酸化チタン粉末5gP25、日本アエロジル株、界面活性剤0.1mLTriton0X-100、シグマアルドリッチ、ポリエチレングリコール0.3g重量平均分子量20000を加え、攪拌ミキサーで約1時間、攪拌1回10分間することで、酸化チタンペーストを作製した。次に、ホットプレートで450°Cに加熱したITOガラス基板2cm×1.5cm、シート抵抗:10Ω/□にTAAビスアセチルアセトナトジイソプロポキシドチタンのエタノール溶液2×102mol/Lを、スプレー法により10回塗布した。続いて、ドクターブレード法で膜厚が5μm程度となるように酸化チタンペーストを適量、このガラス基板上に塗布塗布面積:5mm×5mmした。この電極を電気炉に挿入し、大気雰囲気にて450°Cで約30分間、焼成して多孔性半導体層を得た。2.色素の吸着、第1の電解質の結合下記1、2の順番、下記2、1の順番、又は3の手順で、多孔性半導体層を各溶液中に侵漬させて、光電変換層を形成した。1色素の吸着以下に示す何れか一つの色素を半導体層に吸着させた。D149三菱製紙;下記式173×104mol/LNKX-2677林原;下記式183×104mol/L上記何れか一つの色素をそれぞれ、アセトニトリル中に溶解させ、第1の溶液を調製した。この第1の溶液と、上記1で得られた多孔性半導体層を容器に入れ、1時間、静置し、多孔性半導体に色素を吸着させた。その後、アセトニトリルで数回、洗浄した後、50°Cで約30分間、自然乾燥させた。2第1の電解質の結合色素の代わりに、下記式19示される化合物を、1×103mol/Lの濃度でアセトニトリル中に溶解させた第2の溶液を調整した。これ以外は、上記1と同じ条件で、多孔性半導体に第1の電解質を結合させた。3色素の吸着と第1の電解質の結合3×104mol/Lの濃度の色素D149またはNKX-2677と、1×103mol/Lの濃度の上記式19の化合物を、アセトニトリル中に溶解させた溶液を調整した。これ以外は、上記1と同じ条件で、多孔性半導体に色素を吸着させると同時に、第1の電解質を結合させた。3.電解質の注入次に、水中に0.45mol/Lの上記式10、及び0.05mol/Lの下記式20で示される化合物を添加して、電解液を調製した。透明導電膜を具備した透明基板上に上記光電変換層を配置し、上記電解液を滴下し、さらにロータリーポンプで約10分間、真空引きして溶液を光電変換層に十分、浸みこませた。その後、白金触媒層を具備した対電極を設置し、治具にて固定した。その後、エポキシ樹脂にて外界との接触を避ける封止を実施し光電変換素子を作製した。比較例1上記1と同じ手順で、多孔性半導体に色素を吸着させた。この後、上記2の手順を行わなかった以外は実施例1と同様にして、光電変換素子を作製した。4.光電変換素子特性の評価実施例1、及び比較例1で作製した光電変換素子の評価として、ソーラーシュミレーター用いて、AM1.5、100mW/cm2の照射条件下でI-V測定を行った。ここで、光電変換素子の両端を電子負荷装置に接続して、開放電圧から取り出し電圧がゼロになるまで、5mV/secステップの電位走査を繰り返し行った。図2にこの結果を示す。なお、図2Aは色素D149、図2Bは色素NKX-2677を使用した場合の結果を示す。また、図2A及びB中のA1は比較例1、A2は実施例1の3の手順で半導体電極を作成した例、A3は実施例1の2、1の順番で半導体電極を作成した例、A4は実施例1の1、2の順番で半導体電極を作成した例の、I-V測定の結果を示す。なお、図2A及びB中の縦軸と各例の曲線との接点が短絡電流値Jsc、横軸と各例の曲線との接点が開放電圧Vocを表す。各例の短絡電流値Jsc、開放電圧Voc、フィルファクター、発電効率を表1に示す。図2A及びBの何れも、多孔性半導体に第1の電解質を結合させたA2~A4の発電効率が、多孔性半導体に第1の電解質を結合させなかったA1の発電効率よりも大きくなっており、第1の電解質を結合させることにより、電解質層と光電変換層間の電子移動がスムーズに行われていることが分かる。また、図2A及びBの何れも、3の手順で作成したA2の発電効率は、最も高い値を示した。これは、多孔性半導体への色素の吸着と第1の電解質の結合を同時に行わせることにより、多孔性半導体上で色素と第1の電解質が比較的、ランダムに分布し、電解質層と光電変換素子間の電子移動が最も効率的に行われたためと考えられる。一方、図2AではA3の発電効率はA4の発電効率と同じであるのに対して、図2BではA4の発電効率はA3の発電効率よりも大きくなり、異なる傾向を示した。これは、図2Aと図2Bの場合では多孔性半導体への色素の吸着状態及び第1の電解質の結合状態が異なるためと考えられる。実施例2実施例1と同様にして、多孔性半導体層を形成した。次に、3×104mol/Lの濃度の色素上記式18のNKX-2677と、1×103mol/Lの濃度の上記式19の化合物を、アセトニトリル中に溶解させ、溶液を調製した。この溶液と、多孔性半導体層を容器に入れ、2時間、静置し、多孔性半導体に色素を吸着させ、上記式19の化合物を結合させた。その後、アセトニトリルで数回、洗浄した後、50°Cで約30分間、自然乾燥させて、光電変換層を形成した。次に、水中に0.05mol/Lの上記式6、及び0.05mol/Lの上記式20で示される化合物を添加して、電解液を調製した。この後、実施例1と同様にして、電解液を光電変換層に十分、浸みこませた後、光電変換素子を作製した。比較例2上記式19の電解質を含まず、上記式18の色素を含む溶液と多孔性半導体層を容器に入れて静置した以外は実施例2と同様にして、光電変換素子を作製した。実施例2及び比較例2の光電変換素子に対して、実施例1と同様にして、I-V測定を行った。この結果を図3に示す。なお、図3中のA5は比較例2、A6は実施例2の、I-V測定の結果を示す。また、各例の短絡電流値Jsc、開放電圧Voc、フィルファクター、発電効率を表2に示す。図3及び表2の結果より、多孔性半導体に第1の電解質を結合させたA6の発電効率は、多孔性半導体に第1の電解質を結合させなかったA5の発電効率よりも大きくなった。この結果、第1の電解質を結合させることにより、電解質層と光電変換層間の電子移動がスムーズに行われていることが分かる。また、図3のA6は、図2BのA2よりも発電効率が大きくなっている。これは、A6では電解質層中に上記式10の電解質を含まないため、多孔性半導体に吸着した色素に悪影響を及ぼさなかったためと考えられる。"