"サブマージアーク溶接に用いられるフラックス入りワイヤであり、ワイヤ中に充填されるフラックス成分中に、融点が1000°C以下であり、かつ粉末状のフッ素化合物を、0.1質量以上10質量未満含むことを特徴とするサブマージアーク溶接用低水素系フラックス入りワイヤ。フラックス入りワイヤ中の充填剤成分の内、酸化物を含まない金属粉が80質量以上であることを特徴とする請求項1に記載のサブマージアーク溶接用低水素系フラックス入りワイヤ。3電極以上の多電極サブマージアーク溶接において、第1電極、または第1および第2電極に請求項1または2に記載のサブマージアーク溶接用低水素系フラックス入りワイヤを用い、残極にソリッドワイヤを用いることを特徴とする多電極サブマージアーク溶接方法。前述したように、合金成分が多く含まれる高強度鋼管溶接部の低温割れを抑制するためには、以下の3要因に対する対策が必要である。すなわち、拡散性水素の低減、負荷応力の緩和、および溶接金属部組織の改善である。しかしながら、前述したように従来技術ではいずれも十分な改善策を提案しているとは云えず、何らかの解決すべき課題を内包しており、特に、溶接金属組成の調整や、脱水素熱処理は材質設計の自由度を狭め、さらに、新たな製造工程を増やすことによる製造コストの大幅な増加の原因ともなっている。本発明は、上記の問題に技術的および経済的な観点から有利に応えるもので、溶接前あるいは溶接後熱処理等に頼ることなく、溶接金属の低温割れの主因とも言うべき拡散性水素の量を極めて効率的に低減させるためのサブマージアーク溶接用フラックス入りワイヤならびにそれを用いた多電極サブマージアーク溶接方法を提供することを目的としている。本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その要旨構成は以下の通りである。すなわち、1サブマージアーク溶接に用いられるフラックス入りワイヤであり、ワイヤ中に充填されるフラックス成分中に、融点が1000°C以下であり、かつ粉末状のフッ素化合物を、0.1質量以上10質量未満含むことを特徴とするサブマージアーク溶接用フラックス入りワイヤ。2フラックス入りワイヤ中の充填剤成分の内、酸化物を含まない金属粉が80質量以上であることを特徴とする前記1に記載のサブマージアーク溶接用フラックス入りワイヤ。33電極以上の多電極サブマージアーク溶接において、第1電極、または第1および第2電極に前記1または2に記載のサブマージアーク溶接用フラックス入りワイヤを用い、残極にソリッドワイヤを用いることを特徴とする多電極サブマージアーク溶接方法。本発明によれば天然ガス、原油輸送用高強度ラインパイプ、構造用高強度鋼管等、耐水素割れ感受性が高い合金成分を含有する高強度鋼管の溶接金属に発生する、拡散性水素に起因する低温割れの発生を防止することが可能となる。以下、本発明の実施の形態を以下に述べる。溶接金属の低温割れの発生の有無は、拡散性水素の有無に依存する。すなわち、拡散性水素量が限りなく低くすると、溶接終了後の冷却過程あるいは拡管工程等で発生する負荷応力がかなり高い状態に達しても低温割れは発生しない。ここで、溶接金属内の拡散性水素の水素源となるものは大きく分けて、フラックス中の残留水分、結露などの理由で開先面に存在する水分、さらに、溶接中に大気中から混入する水分、である。このため、大気中の水分の吸湿性が比較的高い焼結型フラックスを溶接前に乾燥させる、また、溶接する前に溶接開先面を予熱する、といった溶接金属の低温割れを防止するため一般的に講じられる対策は、拡散性水素の原因を根本から排除する目的でなされたものである。しかしながら、このような対策を講じているにも拘わらず、依然として拡散性水素は微量ながらも溶接金属内に残留し、低温割れを引き起こす。このために、脱水素熱処理や負荷応力除去といった更なる対策を講じなければ高強度溶接金属の低温割れを抑制することは出来なかった。そこで、本発明は、従来技術とは異なり、サブマージアーク溶接過程のアーク発生時に生じている化学反応を積極的に利用することにより、溶接金属中に取り込まれる水素を排除することに着目した。前述した水素源から混入する水素は、元々水H2Oが分子状態で溶接アーク内に侵入し解離した原子状の水素に由来する。すなわち、アークの高温環境下ではH2Oは解離し、さらにアーク中では水素プラズマあるいは水素イオンHの形態となって存在し、溶融池中に取り込まれる。本発明では、このアーク中に存在するHを、フラックス入りワイヤから添加する低融点のフッ化物から生じるフッ化物イオンF-と化学結合させることによってガス状のフッ化水素HFを生じせしめ、これをアーク外に排出させることにより、本来溶融池に取り込まれる水素濃度を低減させることを技術思想としている。一般的に、サブマージアーク溶接に使用される散布フラックスには、フッ化物の一種であるCaF2が添加される場合が多い。CaF2は一般的に、フラックスの塩基度を上げ、溶接金属中の酸素濃度を低減させることにより溶接金属の低温靱性を向上させる目的で添加される。このCaF2もアーク中の高温環境化においては解離し、フッ化物イオンを生じさせる効果があるが、その融点が1403°Cと比較的高いこともあり、添加されるCaF2の多くは解離に至らず、溶接スラグ中に残存してしまい、上述した効果が得られにくい。そこで本発明者らは、アーク中でより解離しやすく、HF-→HF反応を促進させるフッ化物種類、また、その最適な添加方法に関して詳細な検討を行った。その結果、比較的低融点の特性を有するフッ化物をフラックスとして用いて、添加する方法は、単に散布するのではなく、フラックス入りワイヤとすること、さらに多電極サブマージアーク溶接の第1電極、または第1および第2電極に適用することにより、溶接金属中の拡散性水素濃度を大幅に低減させることが出来るという、新たな知見を見出した。さらに、フラックス入りワイヤを適用することにより、溶接ワイヤの合金成分およびその量を容易に調整できることも明らかにし、高強度鋼管の造管溶接に好適な、多電極サブマージアーク溶接方法を確立するに至った。以下、本発明の低水素系サブマージ溶接ワイヤ及び多電極溶接方法の限定理由に関して説明する。添加されるフッ化物の融点:1000°C以下図1は、引張強さ800N/mm2を超える強度を有するサブマージ溶接金属中の拡散性水素量と、添加したフッ化物の融点との関係を示した図図中;フッ化物添加有りである。図中;フッ化物添加有りでは、フラックス入り溶接ワイヤのフラックス中に異なる融点を有する各種のフッ化物を添加して製造したフッ化物添加フラックス入り溶接ワイヤを使用した。なお、図にはフッ化物を添加しない場合図中;フッ化物添加無しの測定結果も併記している。これは、上記フッ化物添加フラックス入り溶接ワイヤのフラックス成分からフッ化物のみを除いたフッ化物添加無しフラックス入り溶接ワイヤを同様に製造し、これ用いて同じ条件で溶接し、拡散性水素量の測定したものである。拡散性水素量の測定はJISZ3118、鋼溶接部の水素量測定方法に準拠した試験方法を用いており、試験片から放出した水素ガスの測定はガスクロマトグラフ法に依った。また、各溶接ワイヤならびにワイヤ中に充填されるフラックスは市販材を用い、使用前に常法に従い乾燥処理を行っている。この図から、ワイヤの種類、元となるワイヤ中に充填されるフラックスの種類に係わらず、フッ化物の融点がCaF21406°Cに比べ比較的低い場合、フッ化物を添加しない場合に比較して溶接金属中の拡散性水素量が低減している効果が認められる。また、この効果は、ワイヤ中に充填されるフラックス中に添加したフッ化物の融点が1000°C以下の場合に顕著である。これは、複合添加されるフラックス中に添加したフッ化物の融点が1000°C以下の場合、アーク中でその解離反応およびフッ化水素の生成反応がより促進されたことを意味しており、フラックス中に添加するフッ化物の融点を1000°C以下に規定することによって達成し得ることを示している。このことから、添加されるフッ化物の融点は1000°C以下に規定する。融点が1000°C以下のフッ化物は例えば、表1に示すフッ化物を用いることができる。次に、上述した効果を達成し、かつ、各種フラックスの製造工程を阻害することなく、また、溶接性、特に溶接作業性や溶接ビード外観などに悪影響を及ぼさないための制限条件に関して説明する。添加されるフッ化物の質量:0.1以上、10未満ワイヤ中に充填されるフラックスに添加されるフッ化物は、アーク雰囲気ではほぼ100解離する。このことから、フラックスに添加されるフッ化物は、ガス発生剤とも位置づけられる。このガス成分の内、[F-]は前記したように[H]と結合してアーク中での脱水素反応に寄与し、溶接金属中の拡散性水素量を低減するが、その効果を得るためには少なくとも0.1の添加が必要である。したがって、その添加下限値を0.1と規定する。一方、過剰に添加した場合においては、ガス発生量が過大となり、ポックマークが発生する危険性がある。このため、添加量の上限を10未満に規定する。また、本発明においては、異なる種類のフッ化物を複合添加しても所定の効果を得ることが出来る。ただし、複合添加されるフッ化物の内、少なくとも1種類は融点が請求項記載の範囲内にあり、かつ、総フッ化物の質量は全フラックス質量の10未満でなければならない。フラックス入りワイヤ中の充填剤成分の内、酸化物を含まない金属粉質量比:80以上ワイヤ中に充填されるフラックス成分中の金属粉は、充填剤の主成分であり純金属、鉄基合金、金属合金、および金属炭化物の総和を指し、溶接金属の強度ならびに靱性を確保するために添加され、溶接後は溶接金属中に合金成分として留まる。一般的なフラックス入りワイヤは充填剤の中に比較的多量の各種酸化物がアーク安定効果を発現させるなどの目的で添加されるが、本発明においては適用される溶接がサブマージアーク溶接に限られ、上記効果は溶接時に散布されるフラックスが担っていること、また、ワイヤ中に充填されるフラックス成分中に多量の酸化物の添加は溶接条件によっては溶接金属の酸素量を増大させ、溶接金属部の低温靱性を低下させる可能性があることから、充填剤主成分となる非酸化物成分の添加下限を80とすることが好ましい。3電極以上の多電極溶接時における、フラックス入りワイヤの適用電極:第1電極のみ、あるいは第1および第2電極本発明が適用される溶接鋼管の縦シーム溶接の施工に際しては一般的に、造管速度を上げて生産性を向上させるために3電極以上の多電極、高速溶接が適用される場合が多い。3電極以上の多電極を採用する溶接のため、各電極に適用する溶接ワイヤ種類は適宜選択可能であるが、本発明においては上記記載のよう、フラックス入りワイヤの適用電極を主に先行極を中心に適用することが必要である。上述したように本発明においてはフッ化物の解離反応によって生じる[F-]が効果的に[H]を捕捉することが必要であるが、後行極にのみフラックス入りワイヤが適用された場合、溶接速度が比較的速いために上記捕捉反応が十分に進行しないまま溶接が完了してしまう可能性がある。また、第3電極目以降にフラックス入りワイヤを適用しても[H]の捕捉効果が飽和することに加え、各電極の溶接ワイヤにそれぞれ含有する酸化物成分の積算量が大きくなり過ぎ、溶接金属の酸素量が増大する可能性があるためである。従って、可能な限り溶融池前面部で[F-]を生じさせる観点からフラックス入りワイヤの適用極は第1電極のみ、あるいは第1および第2電極、のいずれかが好ましい。したがって、第1電極のみ、あるいは第1および第2電極の場合以外の電極である残極に関しては一般的なソリッドワイヤを用いる。以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明する。表2に示した高い引張強度を有する鋼板を、UOEプロセスを使用して同表中に示される外径に造管し、会合部を3電極、および4電極のサブマージアーク溶接により内面、外面の順で縦シーム溶接を行った。本実施例に供したフラックス入りワイヤを表3に示す。表中ワイヤ中の添加フッ化物とは、ワイヤ中に充填されるフラックス成分中の添加フッ化物を意味する。また、ワイヤ中の複合添加フッ化物とは、添加フッ化物を複合的に添加したことを意味している。なお、溶接時に供した、開先に散布されるフラックスは溶融型フラックスを用い、その成分はSiO2-CaO-CaF2を主成分とし、溶接する前に300°Cで1hrの乾燥処理を行った。溶融型フラックスを用いたのは、高速溶接性に優れるためである。内面、外面それぞれの溶接終了後、溶接部の目視観察による溶接作業性の評価を行い、さらに、溶接金属部の低温割れを検出するために、外面溶接終了後72hr放置した後、継手部をJISG0584に準拠した超音波探傷試験を行い、溶接金属部の低温割れの発生有無を確認した。なお、造管溶接開始前あるいは終了後に、母材部ならびに溶接金属部に対しては、一切の脱水素熱処理は施していない。実施例ならびに比較例の評価結果を表4に示す。実施例1~16で示すように、本発明からなる低融点フッ化物を適量添加した溶接鋼管に対しては、その溶接部概観が極めて良好であり、且つ、内外面溶接金属の拡散性水素量は低く抑えられており、結果、溶接金属に低温割れは発生していない。これに対して、CaF2以外の低融点フッ化物が添加されていないフラックスB0を使用した比較例においては、溶接ビード外観は良好であるものの、溶接金属中の拡散性水素量が高く、内外面溶接金属部に低温割れが発生している。また、低融点のフッ化物であっても、その添加量が10質量を超える比較例17,18においては、低融点フッ化物の影響で拡散性水素量は低く、低温割れは発生していないものの、その添加量が多すぎるために、溶接ビードの蛇行、あるいは溶接アークの不安定化によるスラグ巻き込み等の溶接欠陥の発生が認められておりその概観が良好でない。さらに、添加されるフッ化物の融点が1000°Cより高い比較例19~22においては、その添加量に係わらず溶接金属部で低温割れが発生し、また、その添加量が10質量を超える場合には溶接ビード概観も良好でない。また、低融点フッ化物を複合添加させた比較例23,24においては、低温割れは発生していないものの、その合計量が多すぎるために、溶接ビード概観が良好でなく、実用に適さない。"