一次荷電粒子線を放出する荷電粒子源と、当該一次荷電粒子線を試料上に集束する集束レンズと、当該試料上の照射点から放出された二次荷電粒子を検出する検出器とを備える走査型荷電粒子線装置において、前記検出器からの信号を波形処理し、二次荷電粒子のエネルギー分布情報を作成する波形処理部と、前記エネルギー分布情報の任意のエネルギー範囲の情報を選択して表示部に画像表示する制御部を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。請求項1記載の荷電粒子線装置において、前記荷電粒子源と異なる第二の荷電粒子源を備え、当該第二の荷電粒子源からの荷電粒子線を試料に照射することを特徴とする荷電粒子線装置。請求項1の荷電粒子線装置において、前記制御部は、少なくとも2つ以上のエネルギー範囲を選択でき、それぞれのエネルギー範囲に対応した信号を重畳して前記表示部に画像表示することを特徴とする荷電粒子線装置。請求項1の荷電粒子線装置において、前記波形処理部は、エネルギー分布に微分処理を施したエネルギー分布を取得することを特徴とする荷電粒子線装置。請求項3の荷電粒子線装置において、前記制御部によって選択された複数のエネルギー範囲の信号に対し、信号比を変えて重畳した画像を表示することを特徴とする請求項1~4記載の荷電粒子線装置。請求項1の荷電粒子線装置において、前記検出器は、前記一次荷電粒子線と前記試料の相互作用によって発生した特性X線も検出し、特定のX線に対応したエネルギー範囲と、前記二次荷電粒子の任意のエネルギー範囲を設定し、設定したX線のエネルギー範囲に信号があるときのみ、設定したエネルギー範囲の二次荷電粒子の情報を画像表示する機能を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。請求項1の荷電粒子線装置において、前記検出器は、PIN型フォトダイオード、PN接合型フォトダイオード、アバランシェフォトダイオード、あるいはシリコンドリフト素子であることを特徴とする荷電粒子線装置。請求項1の荷電粒子線装置において、前記検出器は、シンチレータ、光電子増倍管で構成された検出器であることを特徴とする荷電粒子線装置。請求項1の荷電粒子線装置において、前記検出器は、マイクロチャンネルプレート、あるいは電子増倍管であることを特徴とする荷電粒子線装置。請求項1の荷電粒子線装置において、前記検出器は、超伝導検出素子であることを特徴とする荷電粒子線装置。請求項1の荷電粒子線装置において、前記検出器は、同軸及び又は円周方向に検出領域に分割され、それぞれの検出領域からの信号を前記波形処理部で処理することを特徴とする荷電粒子線装置。請求項1の荷電粒子線装置において、前記検出器は、前記二次荷電粒子のエネルギー分布の、低エネルギー側の閾値を設定するエネルギーフィルタを備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。請求項1の荷電粒子線装置において、前記試料を載置する試料台を備え、当該試料台に電圧を印加する電源を特徴とする荷電粒子線装置。請求項1の荷電粒子線装置において、前記一次荷電粒子線軌道軸と同軸に電極を備え、当該電極に電圧を印加する電源を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。上記のように、従来のSEMでは、エネルギー領域を任意に設定した上で、その領域内の放出電子を画像化することは出来なかった。本発明で解決するべき課題は、簡便にSEやBSEの角度とエネルギーを弁別し、観察対象試料の必要な情報を画像化する荷電粒子線装置を提供することである。本発明は、一次荷電粒子線を放出する荷電粒子源と、当該一次荷電粒子線を試料上に集束する集束レンズと、当該試料上の照射点から放出された二次荷電粒子を検出する検出器とを備える走査型荷電粒子線装置において、前記検出器からの信号を波形処理し、二次荷電粒子のエネルギー分布情報を作成する波形処理部と、前記エネルギー分布情報の任意のエネルギー範囲の情報を選択して表示部に画像表示する制御部を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置を提供する。SEやBSEは、そのエネルギーや放出角度によって、試料表面や凹凸情報、試料内部情報、試料表面の電位情報、試料の組成や結晶情報や試料内部情報が反映される。従って、SEやBSEのエネルギー分布と、試料から放出される際の角度分布と検出器検出系の関係アクセプタンスが、これら情報を得るための重要な要素となっている。本発明によって、簡便にSEやBSEの角度とエネルギーを弁別し、画像化するSEM装置を提供され、任意に設定可能な特定のエネルギーや角度のSEやBSEを弁別して観察対象試料の真に必要な情報が可視化でき、ユーザが対象としている観察試料の物理現象解明や、利便性が飛躍的に向上する。以下、図面を用いて実施形態について説明する。図1は本発明の走査型電子顕微鏡SEMの概略図を示す。電子銃1は、一次電子ビーム6を電子源から引き出し、ユーザが設定するエネルギーまで加速する。コンデンサレンズ2は、絞り3や対物レンズ4との関係により、一次電子ビーム6のプローブ電流量や一次電子ビーム6の試料への照射角を制御する。対物レンズ4は、一次電子ビーム6を試料5にフォーカスする。一次電子ビーム6が試料5に照射されると、照射時のエネルギーや試料5の組成、結晶性、試料電位、凹凸、試料厚さ、試料傾斜角一次電子ビーム6の試料5への照射角などに依存して、放出電子7が放出される。放出電子7は、一次電子ビーム6の光軸と同軸かつ対物レンズ4の直下に配置された検出器80で検出され、電気信号が出力される。検出器80から出力された電気信号は、波形処理ユニット9に入力され、電気信号に波形整形、波高弁別処理を施して放出電子7のエネルギー毎のチャンネルにカウント数を蓄積する。検出器80は、放出電子7のエネルギーが大きいほど波高の高いパルス信号を出力し、また、一定時間内に入射した放出電子7の数が多いほど、パルス信号を多く出力し、その信号が波形処理ユニット9で処理される。制御PC10は、エネルギー分布の特定エネルギー範囲を選択して波形処理ユニット9に蓄積されたデータを元に、放出電子7のエネルギースペクトルを表示したり、エネルギー分布を数値処理したり、設定したエネルギー領域に対応したエネルギーの放出電子7に依存したSEM像のみ表示したりする機能を有する。ここでは図示していないが、一次電子ビーム6の光軸調整に使用されるアライナーや、一次電子ビーム6を試料5上で走査するための偏向ユニット、一次電子ビームの試料5上の中心位置をシフトさせるイメージシフトユニット、非点収差を補正するためのスティグマユニットなど、SEMに必要な構成要素は、SEMカラムに全て含まれる。また、昨今では高次の収差を補正する収差補正器や、一次電子ビームのエネルギー幅を小さくするモノクロメータも、SEMカラムには含まれるようになっている。また、図示していない偏向ユニットに波形処理ユニット9から偏向信号を送信することもある。本発明の手法を放出電子7のエネルギー分布横軸は放出電子7のエネルギー、縦軸は放出電子収量を示す図2を用いて説明する。エネルギー分布は、0eVから一次電子ビーム6の試料5上での照射エネルギーE0に相当する範囲に分布している。そのうち、0eVから50eVの放出電子7を二次電子SE、50eVからE0の放出電子7を後方散乱電子BSEと一般的に呼ばれている。制御PC10は、得られたエネルギー分布に対して、図2にあるように対象エネルギー範囲ROI1、ROI2を設定することができる。それぞれ設定したエネルギー範囲の放出電子7のカウント数を反映したSEM画像のみ、制御PC10に表示することができる。図2で言えば、ROI1で得られるSEM像は、低エネルギー損失電子LLE像であり、ROI2で得られるSEM像は、試料のある特定の深さの情報を反映したBSE像である。信号のカウントについて、例えば2つの領域を設定した場合、該2つの領域で得られるカウント数をそのまま加算、減算、あるいはそのカウント数の割合を変化させて加算、減算することも可能である。また、ROIの設定については、2箇所に限らず、何箇所にも設定可能である。さらに、波形処理ユニット9、あるいは制御PC10は、エネルギー分布に微分処理を施すことも可能で、特に特定の情報を持った微小なエネルギー分布の変化に対して検出感度を上げることも可能である。SEMには一次電子ビーム6や、試料5の観察領域を動かすためのステージのドリフトによる取得画像のズレを補正するドリフト補正機能も搭載することが可能である。ROIの設定が増えると画像取得に時間がかかるため、本ドリフト補正機能は有効である。このように本発明は、検出器80と組み合わせたエネルギーフィルタと同様の効果を、検出器80の改造ではなく、検出器80後段の電気信号を用いてエネルギーフィルタを実現するものである。すなわち検出器80では入射する全てのエネルギー範囲の放出電子7を一旦検出し、検出器80後段の波形処理ユニット9でエネルギーフィルタリングする方法であって、これまでのSEMでは見られない新しい手法である。従来のエネルギーフィルタでは、エネルギー分布の高エネルギー側の閾値を変化させて検出することは出来なかった。ここで、図2のエネルギー分布は、必ずしも制御PC10で表示するエネルギー分布とは一致しない。電子放出収量は、あくまで試料から放出された直後の状態を反映したものつまり、試料から放出された電子がすべて検出できた場合のエネルギー分布図であって、検出器80に入射する電子量とは必ずしも一致しないためである。検出器に入射する電子量は、電子光学系の条件と検出器80の配置で決まる検出効率放出エネルギーと角度で示される特性でアクセプタンスと一般的に呼ばれていると、検出器80の特性によって変わる。前者はSEM装置メーカによって差異があり、それらは各々メーカの発想や努力によって検討される任意性の高い要素であるため、本発明では議論しない。そのため、後者の検出器80の特性のみを対象に議論する。図3は、種々の検出器の特性を示す図である。電子顕微鏡の検出器80では、Everhart-ThornleyET検出器やYAG検出器に代表される、シンチレータとPMTを組み合わせた検出器シンチレータとPMTの間に光を転送するためのライトガイドを設けたり、シンチレータ前方に放出電子を効率良くシンチレータにガイドするための電極を設けたりすることもある、シリコンPIN型、PN接合型、ドリフト型、アバランシェ型の半導体検出器、マイクロチャンネルプレートMCPや電子増倍管などが用いられる。図3では、一次電子ビーム6の照射エネルギーE0を15keVとした。縦軸右側は、検出器80のエネルギー感度を示す。通常、シンチレータPMTタイプの検出器も、半導体検出器も、10keV以上ではほぼ一定な感度を有しているただし、塗布型シンチレータの場合は塗布厚の依存性があり、高エネルギーになるにつれてシンチレータに入射する電子がシンチレータを突き抜けはじめ、除々に感度は下がる。しかし、5から8keVよりエネルギーが下がると、急激に感度が落ち始め2から3keVが検出限界となる。ただし半導体検出器において、昨今では、表面不感層を極力薄くして500eV程度まで検出限界を拡張した半導体検出器も手に入るようになって来ている。従って、シンチレータPMTタイプの検出器では、放出電子のエネルギー分布がたとえ0から15keVであっても、実際に検出できるのは2から15keVであって、かつ2から8keVでは、放出電子量よりも少ないカウント数となる。また同様に、半導体検出器では、実際に検出できるのは500eVから15keVであって、かつ500eVから8keVでは、放出電子量よりも少ないカウント数となる。一方、MCPや電子増倍管は、500eVから1keVに感度のピークがある。このエネルギー範囲で、かつ、ある程度の感度でSEも検出できる唯一の検出器と言っても良い。しかし、高エネルギーでは感度が下がるうえ、通常、検出器は104Pa程度の真空内に置かれるためコンタミネーションの影響を受け、感度低下の経時変化が著しいため、市販の汎用的なSEMでは好んでは採用されていない。本発明の利点として、検出器の感度範囲であれば、どのエネルギー範囲にでもROIを設定できることが挙げられる。すなわちエネルギーのバンドパス検出が可能である。例えば、エネルギーフィルタを搭載した検出器では、高エネルギー側のエネルギーの閾値を可変することはできず、低エネルギー側の閾値のみ可変できる。すなわちエネルギーのハイパス検出器である。シンチレータPMTタイプの検出器や半導体検出器は、上記した検出器のエネルギー検出限界によって、低エネルギー側の閾値が一義的に決まる。すなわちエネルギーフィルタを搭載した検出器と同様、エネルギーのハイパス検出である。一方、MCPは感度特性からバンドバス検出が可能と考えられるが、バンドパスのエネルギー範囲に任意性はなく、従って、エネルギー弁別をして得られるSEM像は基本的には平滑化されたものであって、前述した試料情報を反映させることの意味がなくなってしまう。検出器のエネルギー分解能は、検出器に入射した一個の放出電子が、検出器内の初めの増幅過程でどれだけ多くのキャリアを発生するかで決まる。この原理においては、半導体検出器の方が、シンチレータPMTタイプの検出器や、MCPや電子増倍管よりもエネルギー分解能が高い。現在のシリコンプロセスで作製された半導体検出器は、3程度のエネルギー分解能5keVで150eVのエネルギー分解能となる。例えば最表面と組成を反映した15keVで50eVのエネルギー分解能LLE像を取得する場合は分解能が不十分である。しかし、図3には図示していないが、放射線検出の分野では、1以下の分解能を実現する超伝導検出器の開発が進んでおり、このような検出器がSEMに採用できるようになれば、本発明はより汎用性の高いエネルギー弁別機能となる。図3の考察から、単純に放出電子を検出器で捕らえるだけでは、各々の検出器のエネルギー検出限界によって、SEは検出できないことになる。すなわちBSEしか検出できない。しかし実際には、SEMはET検出器をSE検出器として適用したことで飛躍的な発展を遂げてきた。図4、図5を用いて原理を説明する。図4の検出器81は、ET検出器であって、一般的にチャンバー検出器、あるいはLower検出器などと呼ばれており、シンチレータ表面には10keVのバイアス電圧が印加されている。この例では、一次電子ビーム6の試料5への照射エネルギーを5keVとしている。放出電子7のうちSEは、シンチレータの作る電界によって広い角度範囲で放出されたSEがシンチレータで検出される。シンチレータに入射する際のSEのエネルギーは10keVから10050keVとなる。一方、BSEはもともとの放出エネルギーが高いためシンチレータの作る電界には作用されず、ほぼ、一次電子ビーム6の試料5上の照射点から検出器8を見込んだ立体角に放出されたBSEのみ、シンチレータで検出される。シンチレータに入射する際のBSEのエネルギーは10050keVから15keVとなる。この状態を示すエネルギーと電子放出収量、ET検出器のエネルギー感度の関係を図5に示す。すなわち、元の0から5keVのエネルギー分布が、10keVから15keVにシフトしたことになり、このエネルギー範囲では、ET検出器の感度は十分である。従って、10keVから15keVのエネルギー範囲でROIを設定すれば、SEとBSEの分離は原理的には可能である。しかし前述したように、ROIの閾値は検出器のエネルギー分解能に依存した拡がりがあるため、現在の半導体検出器のエネルギー分解能では、完全にSEとBSEを分離することはできない。なお、昨今では、照射エネルギーが1keV以下の極低加速電圧観察がSEMでも主流となってきており、特に500eVより低くなると、SEとBSEの区別がなくなってくるため、完全に分離する必要性はない場合も想定されることは付記しておくべきである。現在の半導体検出器やシンチレータPMTタイプの検出器を利用する限りエネルギー分解能の制限はあるが、本発明は高い方のエネルギーの閾値を可変することが出来る点で優れている。従って、図4、図5で説明したようなエネルギーシフトやエネルギーフィルタと併用することは有効であり、設計次第で1以下のエネルギー分解能を実現することも可能である。図6は、対物レンズ4の上流電子銃1側に検出器80とエネルギーフィルタ11を、一次電子ビーム6の光軸と同軸に設置し、検出器80に波形処理ユニット9と制御PC10を接続した例である。エネルギーフィルタ11には試料電位に対して負のバイアス電圧12を印加してある。バイアス電圧12が作る電位障壁を越えられないエネルギーを持った放出電子7はフィルタで追い返され、電位障壁を越えたエネルギーを持った放出電子7は、一旦そのエネルギーをフィルタの作る電位障壁まで減速するものの、フィルタ通過後に元のエネルギーに加速されて検出器80に検出される。図7は、試料側に磁場を積極的に漏らして高分解能SEM像を得るタイプの対物レンズ4セミインレンズであって、対物レンズ4中に一次電子ビーム6の光軸と同軸に電極13を設置し、試料電位に対して負のバイアス電圧が印加してある。バイアス電圧12が作る電位障壁を越えられないエネルギーを持った放出電子7は電極で追い返され、電位障壁を越えたエネルギーを持った放出電子7は、一旦そのエネルギーを電極の作る電位障壁まで減速するものの、フィルタ通過後にもとのエネルギーに加速されて検出器80に検出される。図6と図7で検出できる放出電子7のエネルギー分布は図8で説明できる。一次電子ビーム6の試料5上でのエネルギーはE0であって、放出電子7が検出器に到達する前には一旦そのエネルギーを失うものの、最終的にはもとのエネルギーまで加速されるためエネルギーシフトはなく、検出系図6ではエネルギーフィルタ、図7では電極でエネルギーの低い放出電子7は除外されている。従って、検出系で低いエネルギーの閾値を設定していることと等価である。一方、波形処理ユニット9と制御PC10によって、高いエネルギーの閾値が設定可能なため、図8で黒塗りされた部分のエネルギーを持った放出電子7のみ、SEM画像として可視化することができる。図9は、対物レンズ4の上流電子銃1側に検出器80を一次電子ビーム6の光軸と同軸に設置し、検出器80に波形処理ユニット9と制御PC10を接続し、かつ試料5に正のバイアス電圧12を印加した例である。図9で検出できる放出電子7のエネルギー分布は図10で説明できる。一次電子ビーム6の試料5上での照射エネルギーはE0とバイアス電圧12の作る電位Ebの和である。一方、図10上で0eVよりマイナス側にシフトしている放出電子7の分布は、実際には、Ebの電位障壁を越えられない試料5内で生成された試料から放出されない電子である。従って、低いエネルギーの閾値を設定していることと等価であるが、BSEへの適用となると一次電子ビーム6の試料5上での照射エネルギーが大きくなるため、低加速電圧による試料極表面の観察には適さなくなる。従って、図9のシステムでは、図5のようなエネルギーシフトできる検出系と組み合わせ、波形処理ユニット9と制御PCで高エネルギー側のBSEをカットし、試料5表面の電位コントラストを反映するようSEの検出エネルギー範囲を制御することに適している。図11は、図4の検出器80に波形処理ユニット9と制御PC10を接続した例である。図5で説明したように、シンチレータに印加したバイアス電圧12の電位分だけ、エネルギー分布を高いエネルギー側にシフトさせる作用を持つ。図12は、試料側に磁場を積極的に漏らして高分解能SEM像を得るタイプの対物レンズ4であって、対物レンズ4の上流電子銃1側に検出器80を一次電子ビーム6の光軸と同軸に設置し、検出器80に波形処理ユニット9と制御PC10を接続した例である。試料5には、一般的にはリターディングと呼ばれる低加速電圧で高分解能SEM像を実現するための負のバイアス電圧12が印加されている。このバイアス電圧12によって、放出電子7は対物レンズ4の上流方向に加速されて検出器80に入射する。従って、図11と同様、エネルギー分布を高いエネルギー側にシフトさせる作用を持つ。図13は、電子銃1通過直後に一次電子ビーム6を一旦加速し、対物レンズ4の通過直前に減速するためのブースター電極14を、一次電子ビーム6の光軸と同軸に配置し、ブースター電極には正のバイアス電圧12が印加されており、バイアス電圧12の電位中に検出器80が設置し、検出器80に波形処理ユニット9と制御PC10を接続した例である。このバイアス電圧12によって、放出電子7は対物レンズ4への進入直後に上流方向に加速されて検出器80に入射する。従って、これも図11や図12と同様、エネルギー分布を高いエネルギー側にシフトさせる作用を持つ。図11、図12、図13で検出できる放出電子7のエネルギー分布は図14で説明できる。図11、図13の一次電子ビーム6の試料5上でのエネルギーはE0、図12の一次電子ビーム6の試料5上での照射エネルギーはE0とバイアス電圧12の作る電位Ebの和Ebは負電位のため、E0よりも低いエネルギーとなるである。図11、図12、図13全て、検出器80や検出器81に放出電子7が到達する段階では、バイアス電圧Eb分だけ高エネルギー側にエネルギー分布がシフトする。エネルギー分布のシフトが検出器80や検出器81の感度制限より大きければ、波形処理ユニット9と制御PC10によって、ROIを設定し、例えば図14で黒塗りされた部分のエネルギーを持った放出電子7のみ、SEM画像として可視化することができる。図1や図6、図7、図9、図11、図12、図13で示した検出器や電極配置、バイアス電圧印加方法は、それぞれ組み合わせて動作できる条件が存在し、また、一つの検出器だけでなく、二つ以上の検出器を組み合わせて動作させることもできることは、容易に想定できる。ここまではSEやBSE検出について述べたが、検出器80が半導体検出器や超伝導検出器の場合、検出素子の製作条件によっては、一次電子ビーム6と試料5の相互作用により発生する試料5の組成を反映した特性X線を検出することもできる。この条件においては、図15aのようなエネルギー分布が得られる。このエネルギー分布でROIを設定することも可能であるが、図13の検出系を利用すれば、図15bのようなエネルギー分布を得ることも可能である。X線は電場の影響を受けないためエネルギーシフトが発生しない。ここでは一次電子ビーム6の試料5の照射エネルギーE0が5keV、ブースター電極13へのバイアス電圧12が8keVの例を示す。通常、X線やBSEは、一次電子ビーム6の試料5の照射エネルギーE0に依存した相互作用領域において、特に最深部で発生していることや、X線励起にはある程度のエネルギーが必要なため一次電子ビーム6の試料5の照射エネルギーE0を、一般的には5keV以上にする必要がある。試料5がシリコンの場合、一次電子ビーム6はおおよそ500nmの内部まで到達する。従って、BSEやX線のマッピング画像は試料内部の情報を反映し、試料表面の情報は反映しない。しかし、実際には100nm以下の浅い領域の組成情報を得たいようなアプリケーションは多い。一方、エネルギーの低いSEは通常数十nmの浅い領域から発生するが、組成情報は反映しない。そこで、図15bのようなエネルギー分布を得ることができれば、特性X線のピークにROI1を、エネルギーシフトした放出電子分布のSEの部分にROI2を設定し、ROI1にカウントが存在するときのみ、ROI2でカウントされた信号のみを反映した画像を表示することができれば、組成と表面の情報を含んだマッピング画像の取得が可能となる。当然ながら、ROI2はSEだけでなく、特定のエネルギー範囲に設定しても良いし、ROI1も一つ以上のピークに設定することも可能である。さて、放出電子7の角度分布も、必要な情報を得るために重要な要素である。角度分布は、例えば図1では、検出器80と試料5の距離で、検出できる放出電子7の角度範囲が決まるが、例えば、作動距離WDと呼ばれる対物レンズ4の底面から試料5までの距離を変化させることで、その角度範囲も可変となる。また、図6、図7、図9、図12、図13では、放出電子7が対物レンズ4のレンズ場を通過する際、一次電子ビーム6と同様にフォーカス作用を受けるため、検出器80に到達する際には、試料5上での放出角度に依存して放出電子7の軌道が拡がり、この拡がりを利用して角度範囲を変更することもできる。電子光学的な条件で角度範囲を設定する他に、一次電子ビーム6の光軸と同軸に配置する検出器80の検出面を、図16に示すように分割することもできる。検出器80の検出面は円周上に分割80a、同軸上に分割80b、円周同軸上に分割80cすることができ、それぞれの検出エリアで検出された放出電子7によって生成された電気信号は、波形処理ユニット9と制御PC10に送信され、それぞれの検出面に対してエネルギー分布を取得することが可能となる。電子光学的な条件変更と検出器80の検出面の分割によって、制限された範囲で放出電子7の角度弁別が可能となり、また、検出系と波形処理ユニット9と制御PC10によるエネルギー弁別が可能となれば、より広い選択肢で放出電子7の検出が可能となり、試料表面や凹凸情報、試料内部情報、試料表面の電位情報、試料の組成や結晶情報や試料内部情報の選択的抽出が可能となる。なお、図11のような一次電子ビーム6の光軸上に配置されない検出器でも、配置空間の専有があるものの、二つ以上の検出器を、光軸を中心軸とした円周上に配置することで80aのような角度選択性を実現することができる。これまではSEMを中心に説明したが、SEMだけではなく、一つ以上のイオンビームを用いて試料5を加工して観察断面を形成して、断面をSEM観察するような複合荷電粒子線装置や、試料5を通過する程度の高エネルギー一次電子ビーム6を用いた走査透過型電子顕微鏡STEMのSEやBSE、透過電子TEの信号検出にも、本発明は適用可能である。また、STEMにおいては、透過電子のエネルギーロス分布を測定して特定の元素や組成情報を得ることができるEELS分析がある。市販のEELS装置は非常に高価で大型であるが、本発明を利用すれば、低価格、小型のEELS装置が実現できる。