"真空排気可能な真空室内に、基板を保持する保持部材と、基板上に薄膜を形成する成膜手段と、上記薄膜をプラズマによって反応ガスと反応させる反応手段と、上記基板にイオンビームを照射するイオンガンとを備え、前記成膜手段、前記反応手段及び前記イオンガンを稼働させながら、前記基板を前記成膜手段と前記反応手段と前記イオンガンに対向するように移動させ、前記成膜手段による成膜、前記反応手段による反応及び前記イオンガンによるイオンビーム照射を繰り返し行い、上記イオンビームの照射により、上記薄膜と上記反応ガスとの反応の促進及び上記薄膜の一部エッチングのいずれか、或いは両方をして積層した薄膜を形成する成膜装置。前記保持部材が、自転する筒状の回転ドラムであり、この回転ドラムの周面に前記基板を保持することを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。前記保持部材が、自転する板状の回転盤であり、この回転盤の板面に前記基板を保持することを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。前記成膜手段を複数設けていることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の成膜装置。前記成膜手段と前記反応手段とにより酸化膜及び窒化膜のいずれか、或いは両方を形成することを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の成膜装置。前記成膜手段が、スパッタリング手段であることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の成膜装置。前記イオンガンに印加する加速電圧を500Vから3000Vとしたことを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の成膜装置。前記イオンビームを形成するガスが、酸素イオンを供給する酸化ガス及び窒素イオンを供給する窒化ガスのいずれかであることを特徴とする請求項1~7のいずれかに記載の成膜装置。前記イオンビームを前記基板にほぼ垂直に照射することを特徴とする請求項1~8のいずれかに記載の成膜装置。凹凸を有する前記基板に対し、凹部の開口を塞ぐように形成された前記薄膜に、前記イオンビームを照射することを特徴とする請求項1~9のいずれかに記載の成膜装置。真空排気可能な真空室内で保持部材に保持された基板に薄膜を形成する成膜工程と、形成された薄膜をプラズマによって反応ガスと反応させる反応工程と、上記基板にイオンガンによりイオンビームを照射する照射工程とを備え、前記成膜手段、前記反応手段及び前記イオンガンを稼働させながら、前記基板を前記成膜手段と前記反応手段と前記イオンガンに対向するように移動させ、前記成膜工程、前記反応工程及び前記照射工程を繰り返し行い、上記照射工程が、上記薄膜と上記反応ガスとの反応の促進及び上記薄膜の一部エッチングのいずれか、或いは両方をして積層した薄膜を形成する成膜方法。前記保持部材が、自転する筒状の回転ドラムであり、この回転ドラムの周面に前記基板を保持しており、この回転ドラムを回転させながら前記成膜工程、反応工程及び照射工程により薄膜を積層することを特徴とする請求項11に記載の成膜方法。前記保持部材が、自転する板状の回転盤であり、この回転盤の板面に前記基板を保持しており、この回転盤を回転させながら前記成膜工程、反応工程及び照射工程により薄膜を積層することを特徴とする請求項11に記載の成膜方法。前記薄膜を形成する成膜工程が複数の成膜手段により複数の薄膜を形成する工程であることを特徴とする請求項11~13のいずれかに記載の成膜方法。前記成膜工程と前記反応工程とにより酸化膜及び窒化膜のいずれか、或いは両方を形成することを特徴とする請求項11~14のいずれかに記載の成膜方法。前記成膜工程が、スパッタリングにより薄膜を形成する工程であることを特徴とする請求項11~15のいずれかに記載の成膜方法。前記イオンガンに印加する加速電圧を500Vから3000Vとしたことを特徴とする請求項11~16のいずれかに記載の成膜方法。前記イオンビームを形成するガスが、酸素イオンを供給する酸化ガス及び窒素イオンを供給する窒化ガスのいずれかであることを特徴とする請求項11~17のいずれかに記載の成膜方法。前記イオンビームを前記基板にほぼ垂直に照射することを特徴とする請求項11~18のいずれかに記載の成膜方法。凹凸を有する前記基板に対し、凹部の開口を塞ぐように形成された前記薄膜に、前記イオンビームが照射されることを特徴とする請求項11~19のいずれかに記載の成膜方法。真空排気可能な真空室内で保持部材に保持された凹凸を有する基板に薄膜を形成する成膜工程と、上記基板にイオンガンによりイオンビームを照射する照射工程とを備え、前記成膜手段、前記反応手段及び前記イオンガンを稼働させながら、前記基板を前記成膜手段と前記反応手段と前記イオンガンに対向するように移動させ、前記成膜工程と前記照射工程とを繰り返し行い、凹部の開口を塞ぐように形成された前記薄膜に前記イオンビームを照射することを特徴とする成膜方法。ところで、光学膜など薄膜を複数積層する場合、各薄膜の表面が平滑平坦でないために、また光がわずかながら吸収されてしまうために、積層した膜において、設計どおりの光学特性が得られない場合がある。そこで本発明は、薄膜を積層する光学膜において、各薄膜にイオンビームを照射しながら連続的に成膜することで、設計値に近い光学特性を有する光学膜を形成することを目的とする。また、表面に凹凸を有する基板にスパッタリングすると、凹部の肩部開口縁部にオーバーハング開口部を塞ぐように形成される膜が形成され、このオーバーハングによってスパッタ粒子が凹部の側壁および底面に到達しづらくなる。このため、凹部の底面に所望の膜厚の膜が均一に形成されず、この凹部に配線または光学薄膜を埋め込んだ際に、埋込特性が悪い結果となる。また、凹凸を有する基板表面へのカバレッジ凹凸に沿った均一な成膜が良好に行われないことになる。さらに、基板に形成される膜の表面粗さが大きい場合には、光の透過率が低下し、光学的な損失が大きくなる。そこで本発明は、誘電体膜を成膜する際に、基板の被成膜面にイオンビームを照射して、被成膜面に形成された膜の反応性を促進させることで、光透過率が高く、かつ、表面平滑性の高い成膜装置を提供することを目的とする。また、表面に凹凸を有する基板に対して、イオンガンで照射するガスの種類とイオンビームの加速電圧とを適正化することによって、埋込特性およびカバレッジが良好な膜を形成でき、かつ、膜の表面粗さを小さくすることができる成膜装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の成膜装置のうち請求項1記載の発明は、真空排気可能な真空室内に、基板を保持する保持部材と、基板上に薄膜を形成する成膜手段と、薄膜をプラズマによって反応ガスと反応させる反応手段と、基板にイオンビームを照射するイオンガンとを備え、前記成膜手段、前記反応手段及び前記イオンガンを同時に稼働させながら、前記基板を前記成膜手段と前記反応手段と前記イオンガンに対向するように移動させ、前記成膜手段による成膜、前記反応手段による反応及び前記イオンガンによるイオンビーム照射を繰り返し行い、上記イオンビームの照射により、上記薄膜と上記反応ガスとの反応の促進及び上記薄膜の一部エッチングのいずれか、或いは両方をして積層した薄膜を形成する構成を有している。また請求項2記載の発明は、上記構成に加え、保持部材が、自転する筒状の回転ドラムであり、回転ドラムの周面に基板を保持することを特徴とするものである。さらに請求項3記載の発明は、保持部材が、自転する板状の回転盤であり、回転盤の板面に基板を保持することを特徴とするものである。請求項4記載の発明は、成膜手段を複数設けていることを特徴とするものである。請求項5記載の発明は、成膜手段と反応手段とにより酸化膜及び窒化膜のいずれか、或いは両方を形成することを特徴とするものである。請求項6記載の発明は、成膜手段が、スパッタリング手段であることを特徴とするものである。請求項7記載の発明は、イオンガンに印加する加速電圧を500Vから3000Vとしたことを特徴とするものである。請求項8記載の発明は、イオンビームを形成するガスが、酸素イオンを供給する酸化ガス及び窒素イオンを供給する窒化ガスのいずれかであることを特徴とするものである。請求項9記載の発明は、イオンビームを基板にほぼ垂直に照射することを特徴とするものである。請求項10記載の発明は、凹凸を有する基板に対し、凹部内に薄膜が付着するのを阻害するように形成された薄膜に、イオンビームを照射することを特徴とするものである。このような構成の成膜装置では、例えば金属膜の形成、ガス反応及びイオンビームによる反応促進とエッチングとを繰り返して行うことで、膜の粗さを形成する凸部がエッチングされて表面粗さが小さくなるとともに、イオンビームによってガス反応が促進され、良好な膜が形成される。本発明の成膜方法のうち請求項11記載の発明は、真空排気可能な真空室内で保持部材に保持された基板に薄膜を形成する成膜工程と、形成された薄膜をプラズマによって反応ガスと反応させる反応工程と、基板にイオンガンによりイオンビームを照射する照射工程とを備え、前記成膜手段、前記反応手段及び前記イオンガンを同時に稼働させながら、前記基板を前記成膜手段と前記反応手段と前記イオンガンに対向するように移動させ、前記成膜工程、前記反応工程及び前記照射工程を繰り返し行い、照射工程が、薄膜と反応ガスとの反応の促進及び薄膜の一部エッチングのいずれか、或いは両方をして積層した薄膜を形成する構成を有している。また請求項12記載の発明は、上記構成に加え、保持部材が、自転する筒状の回転ドラムであり、回転ドラムの周面に基板を保持しており、回転ドラムを回転させながら成膜工程、反応工程及び照射工程により薄膜を積層することを特徴とする構成を有している。さらに請求項13記載の発明は、保持部材が、自転する板状の回転盤であり、回転盤の板面に基板を保持しており、回転盤を回転させながら成膜工程、反応工程及び照射工程により薄膜を積層することを特徴とする構成を有している。請求項14記載の発明は、薄膜を形成する成膜工程が複数の成膜手段により複数の薄膜を形成する工程であることを特徴とするものである。請求項15記載の発明は、成膜工程と反応工程とにより酸化膜及び窒化膜のいずれか、或いは両方を形成することを特徴とするものである。請求項16記載の発明は、成膜工程が、スパッタリングにより薄膜を形成する工程であることを特徴とするものである。請求項17記載の発明は、イオンガンに印加する加速電圧を500Vから3000Vとしたことを特徴とするものである。請求項18記載の発明は、イオンビームを形成するガスが、酸素イオンを供給する酸化ガス及び窒素イオンを供給する窒化ガスのいずれかであることを特徴とするものである。請求項19記載の発明は、イオンビームを基板にほぼ垂直に照射することを特徴とするものである。請求項20記載の発明は、凹凸を有する基板に対し、凹部内に薄膜が付着するのを阻害するように形成された薄膜に、イオンビームを照射することを特徴とするものである。請求項21記載の発明は、真空排気可能な真空室内で保持部材に保持された凹凸を有する基板に薄膜を形成する成膜工程と、上記基板にイオンガンによりイオンビームを照射する照射工程とを備え、前記成膜手段、前記反応手段及び前記イオンガンを同時に稼働させながら、前記基板を前記成膜手段と前記反応手段と前記イオンガンに対向するように移動させ、前記成膜工程と前記照射工程とを繰り返し行い、凹部の開口を塞ぐように形成された前記薄膜に前記イオンビームを照射することを特徴とするものである。このような構成の成膜方法では、イオンビームの照射によって膜の一部をエッチングするため、例えば、凹部の肩部に形成されたオーバーハングがエッチング除去され、凹部の開口が広くなる。このため、凹部の側壁および底面にまでスパッタ粒子が到達し易くなり、側壁および底面への成膜が良好に行われる。この結果、基板表面へのカバレッジが良好になるとともに、凹部の底面に所望の膜厚の膜が均一に形成され、埋込特性が良好となる。また、膜の粗さを形成する凸部がエッチングされるため、表面粗さが小さくなる。本発明による成膜装置及び成膜方法によれば、例えば金属膜の形成、ガス反応及びイオンビームによる反応促進とエッチングとを繰り返して行うことで、膜の表面粗さを小さくし、かつ、良好な膜を形成することができる。さらに、表面に凹凸を有する基板に対して、埋込特性およびカバレッジが良好な膜を形成でき、かつ、膜の表面粗さを小さくすることができる。しかも、イオンガンを設けるだけなので、装置の構造が簡単である。また、成膜とエッチングとを繰り返して行うことで、連続的に埋込特性およびカバレッジが良好な膜を形成することができる。以下、本発明の実施形態について説明する。実施形態1図1は、本実施形態に係わる成膜装置1を示す概念平面図である。この成膜装置1はカルーセル式のスパッタ成膜装置であり、真空室2の中央部に、筒状の回転ドラム3が中心を軸にして回転可能に設置されている。この回転ドラム3の外周面には、基板4の表面被成膜面が開放側を向くように基板4が保持されている。真空室2の二辺には、それぞれSiターゲット22およびTaターゲット23が配置され、各ターゲット22,23はそれぞれスパッタカソード24、25と一体的に構成され、各カソード24、25は図外の外部交流電源に接続されている。また、Siターゲット22およびTaターゲット23の近傍には、回転ドラム3と対向する空間を隔離するように、それぞれ防着板26、27が設けられている。また、Siターゲット22、22およびTaターゲット23,23の間には、それぞれスパッタガス導入口28、29が設けられている。Taターゲット23と対向する真空室2の一辺には、ターゲット22、23によって形成された金属膜をプラズマによって反応ガス本実施形態ではO2と反応させるECR反応室30反応手段が設けられている。また、このECR反応室30の近傍には、反応ガス導入口31が設けられ、この反応ガス導入口31に連なる導入管32には、コンダクタンスバルブ33が取り付けられている。Siターゲット22と対向する真空室2の一辺には、イオンビームを照射するイオンガン11が設けられている。このイオンガン11は、回転ドラム3に伴って回転する基板4に対向するように配置されており、イオンガン11からのイオンビームが基板4の表面にほぼ垂直に照射されるようになっている。真空室2のイオンガン11近傍には、イオンガン用ガス導入口12が設けられ、このイオンガン用ガス導入口12に連なる導入管13には、コンダクタンスバルブ14が設けられている。ところで、本実施形態におけるイオンガン11は、図2に示すような構成となっている。すなわち、永久磁石11aを組み込んだ鉄ヨーク11bの開口両端部にN-S極の漏洩磁場が生じ、その近傍に配置されたドーナツ形状のアノード電極11cに、加速電圧用電源11dによってプラスの電圧が印加されると、漏洩磁場域でプラズマが発生する。そして、プラスのアノード電極11cに反発してOイオンやArイオンが加速され、基板4に向かって照射されるものである。なお、本実施形態では、このように開口が線状ループのリニアイオンガン11を用いているが、平板に多数の穴が開いたグリッド型引出電極を有するイオンガンを用いてもよい。次に、このような構成の成膜装置1によって、基板4の表面に成膜処理を行った結果を説明する。まず、真空室2内を10-3Paまで真空排気し、スパッタガス導入口28,29よりArガスをそれぞれ30sccm導入し、反応ガス導入口31よりO2ガスを100sccm導入し、かつ、イオンガン用ガス導入口12よりO2ガスを30sccm導入する。これにより、ターゲット22、23の近傍の圧力は0.3Paとなり、酸化室その他の空間部の圧力は0.2Paとなる。次に、回転ドラム3を200rpmで回転させ、ECR反応室30のマイクロ波電源に1kWを印加し、酸化プラズマを発生させる。また、イオンガン11に110W1,400V-0.08Aを印加し、イオンビームを発生させる。続いて、スパッタカソード24にAC5kWを印加し、所定膜厚のSiO2膜が形成されるまで、スパッタリングを行う。同様に、スパッタカソード25にAC5kWを印加し、所定膜厚のT2O5膜が形成されるまで、スパッタリングを行う。このようにして、スパッタリングによるSiO2膜とTa2O5膜との成膜、ECR反応室30による酸化反応および、イオンガン11による酸化反応の促進と膜表面のエッチングを繰り返して行い、基板4の表面に予め光学設計した光学多層膜30積層を形成した。この結果を図3,4に示す。なお、比較のために、イオンガン11を作動させない場合の結果についても、図3,4に示している。図3は、イオンガン11を作動させた場合と作動させない場合とにおける、膜の表面粗さ中心線平均粗さRaを示したものである。なお、この図3には、上記のSiO2/Ta2O5膜に加えて、SiO2/TiO2膜およびSiO2/Nb2O5膜それぞれ30積層についても示している。この図3から明らかなように、イオンガン11を作動させた場合の方が、イオンガン11を作動させない場合に比べて、表面粗さが小さいことがわかる。図4は、分光光度計により測定した光学多層膜の光学特性、すなわち、波長400~500nmの光に対する透過率を示したものである。この図4から明らかなように、イオンガン11を作動させた場合の方が、イオンガン11を作動させない場合に比べて透過率が高く、かつ、設計値により近い値透過率が得られることがわかる。すなわち、イオンビームを照射することによって、透過率が高く、光学的な損失が小さい膜が形成された。このように、イオンガン11を作動させることによって、膜の表面粗さが小さく、また、透過率が高いのは、イオンビームを照射することで、膜の粗さを形成する凸部がエッチングされて表面粗さが小さくなり、表面粗さが小さくなることで、光の表面散乱が小さくなり、透過率が高くなるためである。ところで、イオンガン11からのイオンビームの外周には、プラズマが発光しており、このプラズマがECR反応室30によるプラズマとともに、金属膜の酸化反応に寄与している。本実施形態では、成膜、イオンガン11による反応促進とエッチング、ECR反応室30による酸化反応を順次繰り返して行っているが、成膜、ECR反応室30による酸化反応、イオンガン11による反応促進とエッチングという順に、繰り返して行ってもよい。ところで、イオンガン11によるイオンビームのビームエネルギーは、500eV以上3,000eV以下の範囲を主とするエネルギー分布を有していることが望ましい。これは、500eV未満のエネルギーが主であるとエッチング効果が得られず、3,000eVよりも大きいエネルギーが主であるとエッチングし過ぎてしまい、成膜速度が低下するからである。また、本実施形態では、イオンビームを形成するガスとして、酸化反応促進性に富んだO2を用いているが、O3,N2O,CO2,H2Oなどの酸素イオンを供給する酸化ガスを含む反応性ガスを用いてもよい。また、窒化膜を形成する場合には、N2,NH3などの窒素イオンを供給する窒化ガスを含む反応性ガスを用いてもよい。さらに、本実施形態では、基板4を回転ドラム3の外周面に保持するカルーセル式としているが、回転盤に基板4を保持してもよい。例えば、中心を軸にして回転する平板状の回転円盤を保持部材とし、この回転円盤の板面に、基板4の表面が開放側を向くように基板4を保持してもよい。また、本実施形態では、2つのスパッタカソード24、25スパッタリング手段と、1つのイオンガン11およびECR反応室30とを設けているが、必要とする膜厚、成膜速度、基板の数や大きさなどに応じて、それぞれ設ける数を変えてもよい。実施形態2本実施形態では、実施形態1に係わる成膜装置1において、イオンガン11に印加する加速電圧を変えて成膜を行った。すなわち、イオンガン11に0V作動させない、700V、1,400Vおよび2,800Vの加速電圧を印加し、成膜、ECR反応室30による酸化反応および、イオンガン11による反応促進とエッチングとを繰り返して行い、光学多層膜23積層を形成した。それぞれの加速電圧によって形成された膜の一層あたりの光の吸収率と、23積層後の表面粗さとを図5に示す。なお、光の吸収率は、波長400nmで測定した。また、イオンガン11に印加する加速電圧に対して、実際に得られるエネルギーは、その加速電圧を中心になだらかなエネルギー分布正規分布のような分布を有しているが、最もエネルギー量が多い部分は、加速電圧にほぼ等しかった。図5に示すように、イオンガン11が動作していない0Vにおいては、光の吸収率が0.3であるのに対し、加速電圧が700V、1,400Vおよび2,800Vでは、吸収率が0.3よりも低く、イオンビームによって膜の酸化反応性が向上している反応が促進されていることがわかる。しかしながら、加速電圧が1,400V以上になると、吸収率が増加する傾向となる。これは、入射エネルギーがある程度低い領域では、O-イオンが加速電圧によって膜にエネルギーを持って入射するため、膜表面での反応性が向上しているのに対し、加速電圧入射エネルギーが高くなると、酸素の結合エネルギーよりも高速で加速されたO-イオンが既に形成された誘電体膜の最表面から酸素を奪うためである、と考えられる。一方、表面粗さは、加速電圧を増加させるに従って小さくなることがわかる。これは、イオンビームエネルギーの増加に伴って、基板表面上の原子を揺り動かしてスパッタ粒子のマイグレーション移動性が向上したため、また、膜表面の凸部がエッチングされたため、と考えられる。以上のことから、光透過率が高く、かつ、表面が平滑な膜を形成するには、イオンガン11に印加する加速電圧を500Vから3,000V程度とすることが望ましい、と言える。実施形態3図6は、本実施形態に係わる成膜装置51を示す概念平面図である。実施形態1に係わる成膜装置1と同じ構成要素については、同一符号を付している。真空室2の一辺には、Niターゲット5が、回転ドラム3に伴って回転する基板4に対向するように配置されている。このNiターゲット5は、幅135mm、長さ400mm、板厚3mmの板材で、磁気回路6を介してスパッタカソード7と一体的に構成されている。また、真空室2のNiターゲット5近傍には、スパッタガス導入口8が設けられ、このスパッタガス導入口8に連なる導入管9には、コンダクタンスバルブ10が設けられている。また、回転ドラム3を中心としてNiターゲット5を90度回転させた位置に、イオンビームを照射するイオンガン11が設けられている。このイオンガン11は、回転ドラム3に伴って回転する基板4に対向するように配置されており、イオンガン11からのイオンビームが基板4の表面にほぼ垂直に照射されるようになっている。真空室2のイオンガン11近傍には、イオンガン用ガス導入口12が設けられ、このイオンガン用ガス導入口12に連なる導入管13には、コンダクタンスバルブ14が設けられている。次に、このような構成の成膜装置51によって、凹凸を有する基板4の表面に成膜処理を行った結果を説明する。まず、真空室2内を10-3Paまで真空排気し、スパッタガス導入口8よりArガスを100sccm導入し、真空室2内の圧力を0.3Paとする。また、イオンガン用ガス導入口12よりArガスを25sccm導入し、回転ドラム3を20rpmで回転させる。この状態で、スパッタカソード7に5kWの電力を印加し、スパッタリングする。なお、基板4は、図7、9に示すように、アスペクト比は比較的小さいが微細な凹凸4aを表面に有する基板4-1と、図8、10に示すように、アスペクト比が比較的大きい凹凸4bを表面に有する基板4-2とを対象とした。最初に、イオンガン11を作動させずに電力を印加せずに、成膜処理した結果を図7、8に示す。基板4-1に対して膜厚200nmのNi膜15を形成したところ、図7に示すように、凹凸4aの凸部にはNi膜15が多く堆積し、その両端凹部の肩部にはオーバーハング15aが形成された。また、凹凸4aの凹部底面の中央部には、Ni膜15の盛り上がり15bが形成され、凹部における膜厚が均一ではなかった。これは、オーバーハング15aによって、凹部の開口が閉ざされたために、凹部の中央部にスパッタ粒子Niが多く付着したためである。このように、凹部における膜厚が均一でないため、この凹部に配線を埋め込んだ際に、配線の安定性が悪い結果となる。また、基板4-2に対して膜厚500nmのNi膜16を形成したところ、図8に示すように、凹凸4bの凸部にはNi膜16が多く堆積し、その頂部には球状のオーバーハング16aが形成され、さらに、その直下にはこぶ状の堆積部16bが形成された。また、凹凸4bの凹部内に形成されたNi膜16の膜厚は比較的薄く、特に、底面の膜厚が薄かった。これは、オーバーハング16aおよび堆積部16bによって、凹部の開口が閉ざされたとともに、凹部に突入したスパッタ粒子の多くが凹部の側壁に付着し、底面に到達しなかったためである。このように、凹凸4bの凸部にオーバーハング16a、堆積部16bが形成され、かつ、凹部の膜厚が薄くなり、カバレッジが良好ではない結果となった。次に、イオンガン11に550W2,800V-0.2Aの電力を印加し、イオンガン11から基板4にイオンビームを照射しながら成膜処理を行った。すなわち、回転ドラム3の回転に伴って、スパッタリングとイオンビーム照射とを交互に連続的に行った。その果を図9、10に示す。基板4-1に対して膜厚200nmのNi膜17を形成したところ、図9に示すように、凹凸4aの凸部にはオーバーハングは形成されず、かつ、凹部には均一な膜厚のNi膜17が形成された。このため、この凹部に配線を埋め込んだ際に、配線の安定性が良い結果となる。また、基板4-2に対して膜厚500nmのNi膜18を形成したところ、図10に示すように、凹凸4bの凸部にはオーバーハングや堆積部は形成されなかった。また、凹凸4bの凹部側壁には、均一な膜厚のNi膜18が形成され、かつ、凹部の底面にも所望の膜厚のNi膜18が形成された。すなわち、凸部の頂部と凹部の底面との膜厚がほぼ同一になった。このように、凹凸4bの形状に沿ってNi膜18が均一かつ所望の膜厚で形成され、カバレッジが良好な結果となった。このように、イオンガン11を作動させることによって、埋込特性およびカバレッジが向上するのは、次の理由作用による。イオンガン11を作動させない場合では、上記のように、オーバーハング15a、16aおよび堆積部16bによって、凹部の開口が閉ざされるために、スパッタ粒子が凹部の全面側壁および底面にわたって到達することが困難となる。これに対し、イオンガン11を作動させると、オーバーハング15a、16aおよび堆積部16bに、イオンガン11からのイオンビームが照射されて、これらがエッチングはじき飛ばされて除去される。この際、イオンビームは他の部分凸部の頂部、凹部の側壁などにも照射されるが、オーバーハング15a、16aおよび堆積部16bは、側方に突出しているため、これらの部分がより選択的に照射される。すなわち、凹部の側壁、底面には照射が少なく、オーバーハング15a、16aおよび堆積部16bには照射が多くなる。この結果、オーバーハング15a、16aおよび堆積部16bがよりエッチングされ、凹部の側壁、底面は比較的エッチングされずに残留することになる。その後、回転ドラム3の回転に伴って基板4が再びNiターゲット5に対向すると、スパッタ粒子が基板4の表面に飛び込んでくる。この際、オーバーハング15a、16aおよび堆積部16bはエッチングされているため、凹部の開口が広く、スパッタ粒子が凹部の側壁および底面まで到達することができる。続いて、回転ドラム3の回転に伴って基板4が再びイオンガン11に対向すると、先のスパッタリングで再び形成されたオーバーハング15a、16aおよび堆積部16bがエッチングされることになる。このようにして、スパッタリングとエッチングとを交互に連続的に行うことによって、オーバーハング15a、16aおよび堆積部16bが選択的にエッチングされながら、凹部の側壁および底面にもNi膜が効果的に形成されていく。これによって、凹凸を有する基板4に対して、上記のように、埋込特性およびカバレッジが良好なNi膜が形成されるものである。ところで、本実施形態では、イオンビームを形成するガスとしてエッチング効果が高いArを用いているが、Ne,Kr,Xeを用いても良い。また、イオンビームのビームエネルギー範囲、基板4の保持方法、スパッタリング手段とイオンガン11の数などは、上記の実施形態1と同様に選択することができる。本実施形態では、凹凸を有する基板4に対して埋込特性およびカバレッジが向上することを説明しており、膜の表面粗さについては比較結果を示していない。しかし、イオンビームによって膜の粗さを形成する凸部がエッチングされて表面粗さが小さくなる、という効果は上記の実施形態1と同様であり、ECR反応室30による酸化反応を行っていなくても、表面粗さを小さくするという効果は得られる。従って、本実施形態においても、膜の表面粗さが小さくなることによって透過率が高くなる、という効果が得られる場合がある。実施形態4本実施形態では、実施形態1に係わる成膜装置1を用いて、アスペクト比が比較的大きい凹凸4cを表面に有する基板4-3に対し、イオンガン用ガス導入口12より導入するガスの種類と量とを変えて成膜を行った。図11はArガス30sccmを導入し、図12はArガス10sccmとO2ガス20sccmとを導入し、図13はO2ガス30sccmを導入して成膜した積層膜の断面図である。また、図14~図16は、図11~図13に示す基板4-3の表面に、直径1μmのビーム光を垂直にスキャンして得られた透過率を示したものであり、図14は図11に、図15は図12に、図16は図13に対応している。Arガス30sccmを導入した場合、図14に示すように、基板4-3の凹凸4cに対応してほぼ同じ周期で透過率が変化しているが、透過率そのものは50から82程度であった。このとき、透過率がステップ状に変化するのは、基板4-3の厚さとその上に堆積した膜のビーム光の吸収量に対応しているためである。Arガス10sccmとO2ガス20sccmとを導入した場合には、図15に示すように、基板4-3の凹凸4cに対応してほぼ同じ周期で透過率が変化しており、しかも、透過率が65から95程度と高かった。このとき、透過率がステップ状に変化するのは、基板4-3の厚さとその上に堆積した膜のビーム光の吸収量に対応しているためである。すなわち、基板4-3の形状に倣い、かつ、図11および図14の場合に比べて透過率が高い膜が形成された。また、O2ガス30sccmを導入した場合、図16に示すように、基板4-3の凹凸4cに対し、凹部が極端に狭く、凸部が極端に広くなり、基板4-3の形状に倣った膜が形成されなかった。このように、Arガス30sccmを導入した場合図11,14には、上記実施形態3にて説明したエッチング効果が良好で、凹凸4cなどの段差を有する基板に対して、その形状に倣った成膜が行える。しかし、ビームプラズマイオンビーム中に酸素を含まないため、金属膜の酸化反応を促進する作用がなく、このため、膜の酸化が不十分となり光の吸収が残ってしまい、膜の透過率が低くなってしまう。これに対し、Arガス10sccmとO2ガス20sccmとを導入した場合図12,15には、エッチング効果が良好で、凹凸4cなどの段差を有する基板に対して、その形状に倣った成膜が行える。しかも、ビームプラズマ中に酸素を含んでいるため、金属膜の酸化反応を促進する作用があり、このため、膜の酸化が十分完全に行われて光の吸収が減り、透過率が高い膜が得られる。また、O2ガス30sccmを導入した場合図13,16には、ビームプラズマ中の酸素により金属膜の酸化反応が促進され、透過率が高い膜が得られる。しかし、O2のみではエッチング効果が不十分であるため、図13に示すように、凹凸4cの凹部の肩部にオーバーハングが形成されてしまう。この結果、凹部にビーム光が差しかかっても、このオーバーハングで光の散乱や反射が生じ、基板4-3の形状に倣った透過率パターンが形成されないものである。以上のことから、イオンガン11に供するArなどの希ガスの量と、O2などの反応性ガスの量とを適正範囲内に設定することにより、エッチング効果と反応促進効果とを両立させることができると言える。"