"プラズマを前面側から照射するカソードと、該カソードの背面側に配置された背面磁石と、前記カソードの外周を取り囲むように配置された外周磁石とを有するプラズマ源において、前記カソードには、該カソードの前面側に開口した中空部が設けられ、前記背面磁石及び外周磁石は、カソード側に対面する磁極がすべて同極とされていることを特徴とするプラズマ源。前記カソードの中空部は、前記プラズマの照射方向に沿った断面において対向する内側面が互いに略平行となるように形成されていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ源。前記カソードの中空部内側面付近を通る磁力線が中空部の内側面と略平行となるように、前記背面磁石及び外周磁石を配置していることを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマ源。前記カソードの中空部は、長尺の溝状であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のプラズマ源。前記カソードの中空部は、前記プラズマの照射方向に沿った断面において開口した部分が、該開口より内側の部分に比して狭いことを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のプラズマ源。前記カソードの開口した部分に、開口部分を絞る絞り部材が設けられていることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載のプラズマ源。請求項1~6のいずれかに記載されたプラズマ源を有していることを特徴とする成膜装置。前記プラズマ源と対向するように配置された対向磁石を有していて、この対向磁石とプラズマ源との間に成膜対象物が配置され、前記対向磁石は、極性の向きがプラズマ源の背面磁石における極性の向きと同じ向きとなるように配置されていることを特徴とする請求項7に記載の成膜装置。上述したように、成膜対象物に対する成膜処理に関して、種々のプラズマを発生させるプラズマ発生源が提案されているが、その一方で、これらのプラズマ発生源では、中空部から外部に延びる磁力線が少ない等の理由により、プラズマを成膜対象物に向かって遠方まで導くことができないという問題がある。例えば、特許文献1のプラズマ発生源では、ヨークにより磁力線の大部分がプラズマ源内に閉じ込められているため、プラズマ源から離れた成膜対象物の近傍では十分な磁束密度を備えておらず、遠方の成膜対象物に対しては十分に成膜が行えない可能性がある。また、特許文献2に記載されたスパッタ電極では、背面磁石のN極から出た磁力線は、中空部を通過したのちヨークを介して背面磁石のS極に戻る。このとき、N極から出た磁力線の一部は中空部を通過する前から広がって発散しており、成膜対象物での磁束密度は特許文献1同様に大きくならない。さらに、特許文献3に記載されたスパッタ装置でも、磁力線が成膜対象物側に指向されるものではなく、遠方にまでプラズマを照射可能な装置と言えるものではない。すなわち、特許文献1~特許文献3のプラズマ発生源およびスパッタ電極は、いずれも大きな磁束密度を保ったまま成膜対象物に対して磁力線を照射できるものではなく、プラズマを遠方の成膜対象物まで導けるものではない。さらに、特許文献2や3のスパッタ電極は、プラズマを衝突させてターゲット物質を積極的に飛ばすスパッタ装置用であるため、カソードのターゲット物質を外部へ流出させる構造ターゲット物質が外部に飛び出やすい構造となっている。それゆえ、特許文献2、3のスパッタ電極には、遠方にまでプラズマを照射させにくいという問題に加えて、陰極カソードやターゲットを構成する物質がプラズマ発生源から外側へ流出しやすいために、陰極が消耗しやすく、かつ処理対象に陰極を構成する物質が混入しやすいという問題もあった。本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、発生したプラズマをプラズマ源から遠方まで導くことができ、カソード物質をプラズマ源から流出しにくくして陰極の過度な消耗と処理対象への陰極構成物質の混入を抑えることができるプラズマ源及びこのプラズマ源を用いた成膜装置を提供するものである。前記目的を達成するため、本発明は次の技術的手段を講じている。すなわち、本発明のプラズマ源は、プラズマを前面側から照射するカソードと、該カソードの背面側に配置された背面磁石と、前記カソードの外周を取り囲むように配置された外周磁石とを有するプラズマ源において、前記カソードには、該カソードの前面側に開口した中空部が設けられ、前記背面磁石及び外周磁石は、カソード側に対面する磁極がすべて同極とされていることを特徴とする。言い換えるならば、本発明の背面磁石及び外周磁石は、その磁極の向き磁石内においてS極からN極へ向かう矢印Fがいずれもカソード側に向くかカソードに背を向けるようになっている。このように互いに同じ磁極がカソード側を向くように背面磁石や外周磁石を配備すれば、発生する磁力線は下記のようになる。まず、カソードの近傍では発散が少なく、カソードの側面と平行に近い磁力線となり、磁束密度は高くなる。その結果、カソードの内面を周回する無限軌道を形成する高密度のマグネトロン放電において、カソードの底面付近の割合が減少し、カソード側面上下左右の面付近の割合が増加し、そのプラズマ密度も増加する。マグネトロン放電によりカソード物質がスパッタされるが、その飛行方向はカソード面の法線方向の比率が高くなることが知られている。つまり、カソード底面よりスパッタされるカソード物質は底面の法線方向であるカソード前面側への比率が高くなり、カソード側面よりスパッタされるカソード物質は側面の法線方向である対向する側面への比率が高くなる。つまり、カソード底面付近のマグネトロン放電の割合が減少し、カソード側面上下左右の面付近の割合が増加すれば、スパッタによりカソードの前面側へ飛行するカソード物質の量を減らすことができる。これにより、カソード物質をプラズマ源から流出しにくくして陰極の過度な消耗と処理対象への陰極構成物質の混入を抑えることができる。また、プラズマ源から成膜対象物の間でも発散が少ない磁力線となり、磁束密度は高くなる。その結果、離れた位置にある成膜対象物にもプラズマが届くようになる。当然、真空チャンバ内や成膜対象物でのプラズマ濃度を高くすることができるので、皮膜の成膜速度が大きくなり生産性が高くなるし、真空チャンバ内が比較的低圧な状態でもプラズマを発生させることが可能となり、このプラズマ源を成膜装置に利用した場合の生産効率や利便性も良くなる。このようなプラズマ源としては、具体的に以下の構成を備えたものを採用することができる。好ましくは、カソードの中空部は、プラズマの照射方向に沿った断面において対向する内側面が互いに略平行となるように形成してもよい。また、カソードの中空部の内側面付近を通る磁力線が中空部の内側面と略平行となるように、背面磁石及び外周磁石を配置してもよい。このように、カソードの中空部の内側面付近を通る磁力線をカソード中空部の内側面と略平行とすることで、カソードの内面を周回する無限軌道を形成する高密度のマグネトロン放電において、カソードの底面付近の割合がほぼなくなり、カソードの側面上下左右の面のみ、またはカソードの側面のみに近くなる。カソードの底面近傍でのマグネトロン放電が無くなれば、カソード底面からカソード前面側へスパッタされるカソード物質が無くなるので、カソード物質がプラズマ源の外部へ流出することや、流出したカソード物質が混入して成膜した皮膜の膜質を低下させることを防止することができる。ここで、略平行とは、完全に平行な場合に加えて、多少平行度がずれている場合も含む。完全に平行であることが望ましいが、数度程度平行度がずれていても、本発明の作用効果を問題なく達成することができる。好ましくは、前記カソードの中空部は、長尺の溝状であるとよい。成膜対象物がシートやフィルムのように帯状に形成されている場合や板状または曲面のパーツなどを搬送しながら成膜する場合は、このようにプラズマを長尺状にすることで、幅のある成膜対象物に対する成膜を容易に行うことが可能になるからである。さらに好ましくは、前記カソードの中空部は、前記プラズマの照射方向に沿った断面において開口した部分が、この開口より内側の部分に比して狭くされているとよい。また、この開口した部分に、開口部分を絞る絞り部材を設けてもよい。このように中空部の前方に中空部より小さな開口を有する部材絞り部材を設ければ、絞り部材によってカソード物質がプラズマ源から流出することや流出したカソード物質が混入して皮膜の膜質を低下させることを防止することも可能となる。また、絞り部材をカソードと別部材にすれば、絞り量を変更することが容易であり、さらにメンテナンスの際の交換作業も容易になる。次に、本発明に係る成膜装置は、上述したプラズマ源を有していることを特徴とする。好ましくは、前記プラズマ源と対向するように配置された対向磁石を有していて、この対向磁石とプラズマ源との間に成膜対象物が配置され、対向磁石は、極性の向きがプラズマ源の背面磁石における極性の向きと同じ向きとなるように配置されているとよい。このように対向磁石を配置することで、プラズマを成膜対象物の表面に導くことができ、成膜効率を向上することができる。本発明のプラズマ源及びこのプラズマ源を有する成膜装置によれば、プラズマをプラズマ源から遠方まで導くことができ、カソード物質をプラズマ源から流出しにくくして陰極の過度な消耗と処理対象への陰極構成物質の混入を抑えることができる。以下、本発明に係るプラズマ源及びこのプラズマ源を備えた成膜装置の実施形態を、図面を基に説明する。なお、以下の説明では、同一の部品には同一の符号を付してある。それらの名称及び機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明は繰り返さない。図1及び図2に示すように、成膜装置2に備えられたプラズマ源1は、例えばフィルムやシートなどの帯状基材成膜対象物Wに対してCVD皮膜などを成膜するためのプラズマを発生させるものである。プラズマ源1は、成膜対象物Wに対応した幅に開口する中空部3でプラズマを発生させるカソード4と、このカソード4の背面に配置された背面磁石5と、カソード4の外周を囲むように配置された外周磁石6とを有している。以降の説明において、図1bにおいて矢印xで示される方向を、プラズマ源1及び成膜装置2を説明する際の前方または前面側、矢印xの逆方向を後方または後面側背面側という。また、図1aにおいて矢印yで示される方向を、プラズマ源1及び成膜装置2を説明する際の右側、矢印yの逆方向を左側という。さらに、図1a及び図1bにおいて矢印zで示される方向を、プラズマ源1及び成膜装置2を説明する際の上側、矢印zの逆方向を下側という。図1及び図2に示すように、カソード4は、プラズマを発生させるのに必要なマグネトロン放電を表面近傍で起こすための電極陰極である。カソード4は、左右方向の幅に比べて上下方向の長さが長い有底筺状の電極であり、その前面は前方に向かって長方形状に開口している。そして、この開口したカソード4の内部にはマグネトロン放電を発生させることができる中空部3が形成されている。中空部3は、上下方向、すなわちカソード4の長手方向に沿って、カソード4の前面側に凹状に形成された長尺の溝状の空間である。中空部3は、上下方向に延び且つ面が前方を向く底壁と、この底壁の周縁から前方に向かって伸びる上下及び左右各一対の壁面とで囲まれている。この中空部3は前面に対して開放状態とされていて、酸素などのプラズマ生成用ガスが供給可能となっており、中空部3で発生したマグネトロン放電でプラズマ生成用ガスが電離状態となって、プラズマ生成用ガスのプラズマが生起される機構となっている。このマグネトロン放電は、後述する背面磁石5と外周磁石6とによって、カソード4の底壁や側壁の近辺で周回する無限軌道14を形成する。その上で、中空部3で生成した酸素プラズマを成膜対象物側に向かって照射し、図示しない供給部から供給されるHMDSOなどの原料ガスのプラズマを発生させる機構となっている。中空部3の開口は、成膜対象物Wに対応した幅を有するスリット状であり、成膜対象物Wに対してライン状にプラズマを照射できるようになっている。また、図1b及び図2において矢印xで示される方向、つまりプラズマ源1の前方方向であるプラズマの照射方向に沿った断面において、中空部3を形成する壁面のうち、上面と下面とは互いに平行な平面状に形成されており、また左側面と右側面も互いに平行な平面状に形成されている。そして、後述するように、本願発明の特徴である背面磁石5及び外周磁石6の取り付け方向と磁極の向きとによって、これら4つの壁面のいずれとも平行に照射可能なようにプラズマの軸線照射方向が設定されている。中空部3の開口の形状は一辺が長い長方形であるので、カソード側面を周回する上述のマグネトロン放電の無限軌道は、図1に符号14で示すように、一辺が特に長い長方形の環状となる。背面磁石5及び外周磁石6が形成する磁力線により、上記の長尺の環状の無限軌道14で発生したプラズマがそのまま外部に引き出されるので、引き出されたプラズマはシート状となる。なお、中空部3の開口は、プラズマの照射方向に沿った断面において、中空部3の内側の幅よりも狭い幅となるように形成されてより細く狭いスリット状となるように構成されてもよい。これによって、より細く均一なシート状スリット状のプラズマ源を実現することができる。背面磁石5は、カソード4の背面側後方にカソード4から距離をあけて配置された永久磁石である。この背面磁石5は、上下方向に沿って伸びる角棒形状の磁石7を前後方向に5本重ね合わせたものであり、重ね合わせ状態での前後方向x方向、左右方向y方向、上下方向z方向の寸法はいずれもカソード4の中空部3の内寸より狭い幅とされている。本実施形態の背面磁石5では、5本の棒状の磁石7を重ね合わせることにより、1本だけの場合に比べて磁束密度を高めることができるようになっている。外周磁石6は、カソード4の外周を取り囲むように配置された複数の磁石から構成されており、本実施形態では4つの磁石から構成されている。具体的には、外周磁石6は、カソード4本体の上側の外壁面から上方に離れた位置に設けられる上側の磁石6U、カソード4本体の下側の外壁面から下方に離れた位置に設けられる下側の磁石6B、カソード4本体の左側の外壁面から左方に離れた位置に設けられる左側の磁石6L、及びカソード4本体の右側の壁面から右方に離れた位置に設けられる右側の磁石6Rの4つからなる。これら4つの磁石は、その外形形状がいずれも直方体状または板状とされている。上側の磁石6Uについては、左右方向y方向の幅がカソード4と略同じかやや短くなっている。また、この磁石6Uの前後方向x方向の奥行きは、カソード4と略同じ長さかやや短いものとなっている。さらに、この磁石6Uの上下方向z方向の高さは、背面磁石5とほぼ同じかやや短くなっている。そして、下側の磁石6Bは、この上側の磁石6Uと全く同じ外形形状となっている。一方、右側の磁石6Rについては、上下方向z方向の高さがカソード4と略同じかやや短くなっている。また、この磁石6Rの前後方向x方向の奥行きは、カソード4と略同じかやや短いものとなっている。さらに、この磁石6Rの左右方向y方向の幅は、背面磁石5とほぼ同じかやや短くなっている。左側の磁石6Lは、この右側の磁石6Rと全く同じ外形形状となっている。これら4つの磁石は、いずれもカソード4の外周の表面から磁石の厚みよりやや狭い間隔だけ距離を取って配備されている。ところで、本発明のプラズマ源1は、上述した背面磁石5及び外周磁石6の取り付け方向と磁極の向きとに特徴を備えている。この特徴的な背面磁石5及び外周磁石6の取り付け方向と磁極の向きとによって、更に磁石の形状と磁束密度を適切に選択することによって、カソード4の中空部3の壁面付近を通る磁力線が中空部3の4つの壁面のいずれとも平行ないしほぼ平行となるようにされている。つまり、この特徴とは、カソード4側に対面する磁極N極またはS極がすべて同極であり、これらの磁石のそれぞれの磁極の向きがカソード4側を向くか、あるいはカソード4側に対して背向するように配置されているというものである。ここで、磁極の向きとは、磁石内においてS極からN極へ向かう矢印Fのことを言い、磁力線が放出される方向を示している。さらに、この磁極の向きFがカソード4側を向く又は背向するという場合には、磁極の向きFを延長した直線とカソード4の外側壁とが垂直乃至は略垂直に交わることを意味する。具体的には、図1に示す如く、カソード4に対面する背面磁石5の極はN極であり、外周磁石6を構成する4つの磁石に関しても、カソード4に対面する磁極はN極となっている。言い換えるならば、背面磁石5の磁極の向きはカソード4を指向していて、4つの外周磁石6の磁極の向きもそれぞれがカソード4を指すようになっている。なお、背面磁石5と外周磁石6との磁極の向きが全く反対方向を向く場合にも、上述した本発明の特徴を満足させることができる。例えば、背面磁石5のS極がカソード4に対面し、4つの外周磁石6のS極がすべてカソード4と面していれば、磁極の向きはカソード4側に対して背向することとなり、上述した本発明の特徴を満足するからである。次に、これら背面磁石5及び外周磁石6の取り付け方向と磁極の向きとの関係を、詳しく説明する。例えば、図3は背面磁石5のみを設けたプラズマ源後述する比較例1の磁力線分布図であるが、図3に示すように、この背面磁石5では、N極が前方、S極が後方を向いていて、磁極の向きはカソード4側を向くようになっている。しかしながら、図3の例には外周磁石6が設けられていないので、上述した本発明の特徴は満たされず、図3のプラズマ源では、カソード4の後面側のN極から出た磁力線は中空部3に達するまでに広がって拡散し、成膜対象物Wでの磁束密度はそれほど高くはなっていない。なお、図3は、Z=0mm平面における磁力線分布図を示している。図4は、外周磁石6のみを設けたプラズマ源後述する比較例2の磁力線分布図であるが、図4に示すように、外周磁石6をいずれもN極を後方に向け且つS極を前方に向けて配備している。この場合、外周磁石6の磁極は、カソード4と対面しておらず、磁極の向きは後方を向いていてカソード4を指向していない。この場合カソード4の内部を通る磁力線は、カソード4の前面ではプラズマ源から前方に出て行くことはなく、カソード4が絞り部材8を貫通して外周磁石6に戻っており、カソード4の内部から直接成膜対象物Wに向かう磁力線は存在しない。一方、図5は、背面磁石5と外周磁石6の両方を設けたプラズマ源後述する実施例1の磁力線分布図である。図5に示す本発明のプラズマ源1では、前述した如く、背面磁石5はN極が前方を向き、S極が後方を向くように配備される。また、外周磁石6の場合は、そのN極がカソード4に対面し、S極がカソード4の外側を向くように配備される。このように、全ての磁極の向きがいずれもカソード4側を向くように背面磁石5と外周磁石6とを配備すれば、カソード4の近傍では、発散が少なくカソード4の側面と平行に近い磁力線となり、磁束密度は高くなる。また、プラズマ源1から成膜対象物Wの間でも発散が少ない磁力線となり、成膜対象物Wの近傍での磁束密度も高くなる。このように互いに同じ磁極同士がいずれもカソード4側を向くように背面磁石5と外周磁石6とを配備すれば、カソード4の近傍では発散が少なく、カソード4の側面と平行に近い磁力線となり、磁束密度が高くなる。また、プラズマ源1から成膜対象物Wの間でも発散が少ない磁力線となり、成膜対象物Wの近傍での磁束密度が更に高くなるので、プラズマを成膜対象物Wまで更に効率よく導くことが可能となる。さらに、磁力線がカソード4の側面と平行に近いため、カソード4の内面を周回する無限軌道14を形成する高密度のマグネトロン放電におけるカソード4の底面付近の割合が減少し、カソード4の側面上下左右の面付近の割合が増加する。カソード4の底面付近でのマグネトロン放電が減少すれば、カソード4の底面からカソード4の前面側へスパッタされるカソード物質が少なくなる。このため、プラズマ源1の外部へカソード物質が流出することや、流出したカソード物質が混入して成膜した皮膜の膜質を低下させることを防止することができる。次に、図6は、背面磁石5と外周磁石6の両方を設けた他のプラズマ源後述する実施例2の磁力線分布図である。図6に示される本発明のプラズマ源1は、外周磁石6の厚みを増やすなどして、図5に示した外周磁石6よりも磁力を強力にしたものである。なお、上述したように中空部3の開口そのものを細く狭いスリット状となるように構成する代わりに、カソード4の中空部3の前方に、カソード4から距離をあけて、細く狭いスリット状の開口を有する絞り部材8を設けても良い。図5及び図6に示すように、この絞り部材8は、前後方向に沿ってスリット状に貫通した開口部9を備えている。この絞り部材8の開口部9も、プラズマの照射方向に沿った断面において、中空部3の内側の幅よりも狭い幅となるように形成されており、中空部3の開口より小さい開口面積を備えている。絞り部材8は、カソード4とは電気的に接続されておらず、カソード4の電位カソード電位とは異なる電位にすることが可能である。このような絞り部材8を設ければ、中空部3からカソード4を構成する物質カソード物質が放出された場合であっても、この物質がプラズマ源1のさらに外部に流出することや流出したカソード物質が混入して成膜した皮膜の膜質を低下させることを防止することも可能となる。また、絞り部材8をカソード4と別部材とすることで、この絞り部材8を取り替えることで、開口部9の形状を成膜対象物Wの形状に合わせて変更することが容易になる。次に、本発明のプラズマ源1の作用効果を、シミュレーション計算の結果実施例1,実施例2を用いて、さらに詳しく説明する。実施例1,2及び比較例1,2のシミュレーションは、高さ350mm×幅25mm×奥行30mmの中空部3を内部に備えたプラズマ源1に関するものであり、図7,8はこのプラズマ源1からの水平距離に応じて磁束密度がどのように変化するかを計算したものである。なお、プラズマ源1に用いられる背面磁石5は、残留磁束密度が1.35[T]の板状の磁石高さ350mm×幅10mm×厚み10mmを5枚重ね合わせたものであり、カソード4の後面からさらに後方に5mmの距離だけ離れた位置に配備されている。また、外周磁石6は、カソード4の上外側面、下外側面、左外側面、右外側面からいずれも15mmの距離だけ離れた位置に配備された板状の磁石であり、いずれも残留磁束密度が1.195[T]の磁力を備えたものである。一方、図3に示す比較例1は、カソード4の後面側に背面磁石5だけが設けられていて、外周磁石6が設けられていないものであり、図4に示す比較例2は、カソード4の外周側に外周磁石6だけが設けられていて、背面磁石5が設けられていないものである。なお、比較例2では、外周磁石6の取り付け方向は、磁極を前後方向に向けて配備されていて、実施例のように磁極がカソード4に対向していない。一方、実施例1は図5に示すような磁石配置を有し、背面磁石5と外周磁石6とを互いにN極がカソード4に対面するように配備したものであり、図6の実施例2は、外周磁石6の厚みを実施例1の3倍にしたものである。なお、本明細書の説明において、前後方向x方向、左右方向y方向、上下方向z方向を使用しているが、この座標系の原点は、背面磁石5を構成する5枚の板状の磁石のうち、最もカソード4側に配備された板状の磁石の中心位置を基準として定められている。図3に示される比較例1を見ると、比較例1ではカソード4の後面側のN極から出た磁力線は中空部3およびプラズマ源1の前方で広がって拡散しているので、成膜対象物Wでの磁束密度は実施例のものほど高くはなっていない。また、中空部3内の磁力線はカソード4の底面と側面の境界付近で閉じているので、マグネトロン放電の周回位置は図3の14に示すようにカソード底面と側面の境界付近となる。また、図4に示される比較例2を見ても、カソード4の内部を通る磁力線が、カソード4の前面でプラズマ源1から前方に出て行くことはなく、カソード4が絞り部材8を貫通して外周磁石6に戻っており、カソード4の内部から成膜対象物Wに直接向かう磁力線は存在しない。しかしながら、図5に示される実施例1では、比較例1に対して外周磁石6を追加することにより、カソード4の側面付近の磁力線が、カソード4の側面と平行に近くなり、しかも磁束密度が急増するので、中空部3内ではより強力なマグネトロン放電が起こり、電子の閉じこめ効率が急増する。また、外周磁石6の追加によって、比較例1や比較例2と比較して、中空部3からカソード4の開口部及びプラズマ源1の外部まで通じる磁力線の発散が少なくなり、磁束密度も高くなる。これによって、多くのプラズマが磁力線に沿ってプラズマ源1から離れた遠方まで導かれる。また、中空部3内の磁力線がカソード4の側面と平行に近くなっているので、マグネトロン放電の周回位置は図5の14に示すように、図3の比較例に比べてカソード4の側面付近の比率が増す。次に、図6に示される実施例2では、図5に示される実施例1と比較して側面磁石外周磁石6により強い永久磁石を用いている。この実施例2では中空部3内の磁力線がカソード4の側面とほぼ平行になっているので、実施例1よりも更に広く、カソード4の側面のほぼ全域で無限軌道14を形成するマグネトロン放電を実現することができる無限軌道の幅が更に広くなる。また、カソード側面付近の磁束密度が更に増加する。その結果、電子の閉じ込め効率が更に良くなるので、更に低いガス圧でも動作することができ、プラズマ密度を更に高くすることもできる。マグネトロン放電においては、カソード4の側面での放電割合が更に増えると共に、開口部9に相対しているカソード4の底面での放電割合はほとんど無くなるので、カソード4の開口から流出するスパッタ粒子が激減する。また、実施例1と比較して、中空部3から開口部9及びプラズマ源1の外部まで通じている磁力線の割合が更に増え、磁力線の発散も更に低減しているので、より多くのプラズマが磁力線に沿ってプラズマ源1から離れた遠方まで導かれることとなる。図7は、比較例1、実施例1、2のx方向の位置に対する磁束密度の変化を計測したものである。なお、この結果はy=10mmの位置を示したものである。この位置はy=12.5mmの位置にあるカソード側面から2.5mmほど中空側であるので、この位置での磁束密度が高ければ電子の閉じ込め効率がより良くなり、より低いガス圧でも動作することができ、プラズマ密度をより高くすることもできる。また、カソード4の底部はx=20mmの位置にあり、中空部はx=20~50mmの範囲に存在する。カソード4の底部を除くほとんどの領域で比較例1<実施例1<実施例2の順に磁束密度が高くなっており、電子の閉じ込め効率がより良くなるのでより低ガス圧でも動作することができ、プラズマ密度をより高くすることもできることを示している。図8も、比較例1、実施例1,2のx方向の位置に対する磁束密度の変化を計測したものである。なお、この結果はy=0mmの位置すなわちカソード4の中心を示したものである。カソード4の内部の中空部3からプラズマ源1の前方のすべての領域で比較例1<実施例1<実施例2と磁束密度が高くなっており、より多くのプラズマが磁力線に沿ってプラズマ源1から離れた遠方まで導かれることを示している。上述したプラズマ源1はさまざまな成膜装置、例えば図9に示すようなフィルムやシート状の成膜対象物Wに連続的に成膜する成膜装置2ロールコーターのプラズマ源1としても利用することができる。この成膜装置2は、内部が空洞とされた真空チャンバ10を有している。この真空チャンバ10の内部は気密構造となっていて、図示しない真空排気手段によって真空チャンバ10内が減圧され真空状態となっている。この真空チャンバ10内には、成膜対象であるシート状の成膜対象物Wが巻き掛けられる成膜ロール13が、その軸心を水平方向図9では紙面貫通方向に向けるようにして配備されている。さらに、コイル状の成膜対象物Wを巻き出すアンコイラー11と、成膜後の成膜対象物Wを巻き取るコイラー12とが配備されている。また、成膜ロール13の側方であって、真空チャンバ10の内側壁には、複数のプラズマ源1が設けられている。このプラズマ源1は、向かって右側に一つ、向かって左側に2つの計3つのプラズマ源1a、1b、1cからなっており、中空部3の開口を成膜ロール13の表面に対向するように配置されている。図9に示すようにプラズマ源1をプラズマ源1a、1bとして示すように真空チャンバ10の内側壁に沿って2つ並べて設けておけば、一度に広範囲に対して成膜を行うことが可能となる。この右方のプラズマ源1cは、プラズマ電源の一方の電極と接続されていると共に、プラズマ電源の他方の電極が真空チャンバ10などに接続されている。また、左方のプラズマ源1a、1bは、単相交流の一つの交流電源15の両端子に各々接続されている。それゆえ、プラズマ電源からプラズマ源1に所定の電位差を印加すると、プラズマ源1の中空部3でグロー放電が発生し、電離された原料ガスのプラズマが成膜対象物Wの表面に照射されてCVD皮膜が成膜される。なお、一方のプラズマ源1aに備えられた磁石の磁極の向きと、他方のプラズマ源1bに備えられた磁石の磁極の向きを互いに反対向きとなるように構成してもよい。このようにすることで、両プラズマ源1a、1bの間で磁力線がつながり、磁力線の拡散を抑えることができ、プラズマを効率よく成膜対象物Wに導くことができ、成膜効率も向上する。なお、このときに、カソード4の中空部3の内部にプラズマ生成用のガスが導入されていてもよい。このプラズマ生成用ガスの導入によって、CVD皮膜の成膜をより効果的におこなうことができる。なお、成膜対象であるシート状の成膜対象物Wを挟んでプラズマ源1とは反対側の成膜ロール13の内部に、対向磁石図示せずを設けてもよい。対向磁石を、極性の向きがプラズマ源1の背面磁石5における極性の向きと同方向となるように設けると、プラズマ源1から出た磁力線の拡散を抑え、より直線的にプラズマを成膜対象である成膜対象物Wに導くことができる。次に、図10に示すように、2つのプラズマ源1a、1bを対向させて配置し、プラズマ源1a、1bの中間にシート状の成膜対象物Wを配置するように成膜装置2を構成してもよい。このとき、シート状の成膜対象物Wの表面と裏面をプラズマ源1a、1bに向けて配置すれば、成膜対象である成膜対象物Wの両面に対して、同時に成膜することができる。なお、この2つのプラズマ源1a、1bの間に単相交流の交流電源15を接続してもよい。これに加えて、図10に示すように、一方のプラズマ源1aに備えられた磁石の磁極の向きと、他方のプラズマ源1bに備えられた磁石の磁極の向きを互いに反対向きとなるように構成してもよい。このようにすることで、両プラズマ源1a、1bの間で磁力線がつながり、磁力線の拡散を抑えることができ、プラズマを効率よく成膜対象物Wに導くことができ、成膜効率も向上する。なお、図1の他方のプラズマ源1bに代えて、極性の向きがプラズマ源1aの背面磁石における極性の向きと同じ向きとなるように対向磁石を配置してもよい。さらに、図11に示すように、プラズマ源1a~1cを真空チャンバ10の側壁に沿って隣接状態で3つ並べて設けてもよい。そうすれば、一度に広範囲に対して成膜を行うことが可能となる。なお、図11に示す例では、プラズマ源1a~1cに各々対向する対向磁石19a~19cを、シート状の成膜対象物Wを挟んで設けている。この対向磁石19a~19cは、極性の向きがプラズマ源1a~1cの背面磁石における極性の向きと同じ向きとなるように配置されている。こうすることにより、プラズマを成膜対象物Wの表面に効率的に導くことができ、成膜効率を向上することができる。また、図12に示すように、3つのプラズマ源1a~1cを成膜対象物Wの周囲を囲むように配置してもよい。このとき、プラズマ源1a~1cを成膜対象物Wに向けて配置すれば、成膜対象物Wの外周面全面に同時に成膜することができる。この図11または図12に示す3つのプラズマ源1a~1cの各々に3相交流電源16の出力端子を接続し、各プラズマ源1a~1cに3相交流電位を印加することもできる。なお、図9~図12では、プラズマ源の個数が2つの場合と3つの場合を説明したが、一つであってもよいし、4つ以上あってもよい。また、前記背面磁石,側面磁石および対向磁石のうち少なくとも1つが電磁石であってもよい。電磁石を使用する場合、その極性の向きとは、電磁石から磁力線が出て行く方向のことをいう。さらに、図13に示すように、本発明のプラズマ源1のカソード4を、このカソード4の前面が開口17aしたケース17で囲ってもよい。この場合、背面磁石5または外周磁石6とカソード4との間にケース17が配置されることになる。また、図14に示すように、本発明のプラズマ源1のカソード4を、背面磁石5および外周磁石6とともに、カソード4の前面が開口18aしたケース18で囲ってもよい。このケース17、18は、通常アース電位に接続されるが、その他の電位に接続されていてもよい。また、開口部17a、18aの周囲にノズル17b、18b絞り部材を別部材として設けてもよい。さらに、ケース17、18の材質は、通常金属であるが絶縁物としてもよい。本発明の成膜対象の形状としては、フィルムやシートなどの長尺もの以外に、板状または曲面の各種パーツなどでもよい。また、本発明の成膜対象の材質としては、プラスチック以外に、金属その他の材料であってもよい。なお、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、発明の本質を変更しない範囲で各部材の形状、構造、材質、組み合わせなどを適宜変更可能である。"