基材表面に粘着層を形成する粘着層形成工程と、前記粘着層上に、隙間を有するように複数のはんだ粉を搭載してはんだ層を形成するはんだ層形成工程と、前記はんだ粉の前記隙間にフィラーを供給するフィラー供給工程とを備えた、はんだ転写基材の製造方法。基材表面に粘着層を形成する粘着層形成工程と、前記粘着層上に、隙間を有するように複数のはんだ粉を搭載してはんだ層を形成するはんだ層形成工程と、前記はんだ粉を覆うようにフラックスを供給するフラックス供給工程と、前記はんだ粉の前記隙間にフィラーを供給するフィラー供給工程とを備えた、はんだ転写基材の製造方法。請求項1または請求項2の製造方法によって製造されたはんだ転写基材と、電極が上に形成された低誘電率層を有するワークとを、前記はんだ層の形成された面が前記電極の形成された面に対向するように重ね合わせて加熱加圧し、前記はんだ粉を前記電極に拡散接合させるはんだ接合工程と、冷却した後、前記はんだ転写基材を前記ワークから剥離する転写基材剥離工程とを備えた、はんだプリコート方法。ベース層と、前記ベース層上に配置された粘着層と、前記粘着層上に、複数のはんだ粉が隙間を有するように配置されたはんだ層と、前記はんだ粉の前記隙間に配置されたフィラーとを備えた、はんだ転写基材。前記フィラーの粒径は、前記はんだ粉の粒径よりも小さい、請求項4に記載のはんだ転写基材。前記フィラーは、前記はんだ粉に対して濡れない材料から成る、請求項4または5に記載のはんだ転写基材。前記はんだ粉の上にフラックスの層が形成されている、請求項4~6のいずれかに記載のはんだ転写基材。前記はんだ層は、第1領域及び第2領域を有し、前記第1領域及び前記第2領域における前記はんだ粉の密度は異なっている、請求項4~7のいずれかに記載のはんだ転写基材。前記フィラーの融点は前記はんだ粉の融点よりも高い、請求項4~8のいずれかに記載のはんだ転写基材。しかしながら、層間絶縁膜に低誘電率膜を用いる半導体素子や脆弱な電極端子が形成された回路基板に対して、上記のような特許文献2のはんだ形成技術を用いると、はんだ転写基材はんだ付着支持体を剥離する際に、低誘電率膜や電極パッドが剥離してしまうという問題があった。近年要求される配線ルールの微細化や高速信号処理に対応する目的で、半導体素子の層間絶縁膜に低誘電率膜いわゆるlowk膜やULKUltraLowk膜などが用いられるようになってきた。低誘電率膜自体は、誘電率を下げるために多数の数nmの空孔を有するポーラス状低誘電率の密度は、例えば1.0~1.4g/cm3とされている。図9a及びbに、この脆弱な低誘電率膜を有する半導体素子上の電極端子に、上記した特許文献2のはんだ形成技術を用いてはんだ層を形成する工程を概念的に示す拡大断面図を示す。図9aに示す通り、突起電極68を有する半導体素子66にはんだ粉付着支持体はんだ転写基材65を押し当て加熱する工程において、粘着剤62と突起電極68同士が接着する。粘着剤62と突起電極68間の接着強度が、パッド下の界面強度を上回るため、図9bに示すように、はんだ転写基材65を剥離する工程において、パッド下の脆弱な低誘電率膜から剥離してしまうといった問題があった。また、実装時の基板の反りが大きい場合、反りを吸収するようにはんだ層を厚く形成し、隣接するはんだ粉同士が接触するように隙間なく敷き詰めてはんだ転写基材を形成する必要がある。しかし、この場合、はんだ転写基材を半導体素子に押し当て加熱する工程にて、はんだが溶融しはんだと突起電極が拡散するだけでなく、隣接するはんだ全体が溶融拡散し、突起電極上のはんだとレジスト上のはんだとがつながった状態で凝固する。そのために、はんだ転写基材を剥離する工程で、はんだ粘着層界面で剥離され、はんだ層は突起電極上だけでなくレジスト上にも残存し、ショート不良が発生する問題があった。また、シリコンから成る回路基板上に、Siとの密着力が弱いCuから成る電極パッドが形成されている回路基板などにおいても、上記した特許文献2のはんだ形成技術を用いてはんだ層を形成させる場合、上記と同様に、はんだ転写基材を剥離する際に、脆弱な金属パッドが回路基板から剥離してしまう。本発明は、上記問題に鑑み、脆弱な部分を有する半導体素子等の電子部品や回路基板に対して、適切な厚さのはんだ層を確実に形成できるはんだ転写基材の製造方法、はんだプリコート方法、及びはんだ転写基材を提供することを目的とする。上述した課題を解決するために、第1の本発明は、基材表面に粘着層を形成する粘着層形成工程と、前記粘着層上に、隙間を有するように複数のはんだ粉を搭載してはんだ層を形成するはんだ層形成工程と、前記はんだ粉の前記隙間にフィラーを供給するフィラー供給工程とを備えた、はんだ転写基材の製造方法である。また、第2の本発明は、基材表面に粘着層を形成する粘着層形成工程と、前記粘着層上に、隙間を有するように複数のはんだ粉を搭載してはんだ層を形成するはんだ層形成工程と、前記はんだ粉を覆うようにフラックスを供給するフラックス供給工程と、前記はんだ粉の前記隙間にフィラーを供給するフィラー供給工程とを備えた、はんだ転写基材の製造方法である。また、第3の本発明は、第1または第2の本発明の製造方法によって製造されたはんだ転写基材と、電極が上に形成された低誘電率層を有するワークとを、前記はんだ層の形成された面が前記電極の形成された面に対向するように重ね合わせて加熱加圧し、前記はんだ粉を前記電極に拡散接合させるはんだ接合工程と、冷却した後、前記はんだ転写基材を前記ワークから剥離する転写基材剥離工程とを備えた、はんだプリコート方法である。また、第4の本発明は、ベース層と、前記ベース層上に配置された粘着層と、前記粘着層上に、複数のはんだ粉が隙間を有するように配置されたはんだ層と、前記はんだ粉の前記隙間に配置されたフィラーとを備えた、はんだ転写基材である。また、第5の本発明は、前記フィラーの粒径は、前記はんだ粉の粒径よりも小さい、第4の本発明のはんだ転写基材である。また、第6の本発明は、前記フィラーは、前記はんだ粉に対して濡れない材料から成る、第4または第5の本発明のはんだ転写基材である。また、第7の本発明は、前記はんだ粉の上にフラックスの層が形成されている、第4~第6のいずれかの本発明のはんだ転写基材である。また、第8の本発明は、前記はんだ層は、第1領域及び第2領域を有し、前記第1領域及び前記第2領域における前記はんだ粉の密度は異なっている、第4~第7のいずれかの本発明のはんだ転写基材である。また、第9の本発明は、前記フィラーの融点は前記はんだ粉の融点よりも高い、第4~第8のいずれかの本発明のはんだ転写基材である。本発明により、脆弱な部分を有する半導体素子等の電子部品や回路基板に対して、適切な厚さのはんだ層を確実に形成できるはんだ転写基材の製造方法、はんだプリコート方法、及びはんだ転写基材を提供できる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。実施の形態1図1a及びbは、本発明の実施の形態1におけるはんだ転写基材を概念的に示す断面図及び平面図である。図1aに示す通り、本実施の形態1のはんだ転写基材5は、ベース層1と、ベース層1上に配置した粘着層2と、粘着層2に接着するように搭載された複数のはんだ粉3により形成されるはんだ層と、隣接するはんだ粉3間に隙間を有するように粘着層2上に配置されたはんだ層のはんだ粉3間に配置したフィラー4により構成される。そして、図1bに示す通り、フィラー4は、はんだ粉3間の平面的な間隙かつ粘着層2上に配置されている。ベース層1は、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、液晶ポリマー、ポリイミドなどのフィルム基材から成り、厚さが20~200μmのものを用いる。フィルム基材を用いることで、はんだ転写基材剥離工程において、自由な角度に曲げながら剥離することが可能となり、電極直下に印加される力を低減することができ、より脆弱な絶縁膜に対しても確実にパッド下界面剥離を防ぐことができる。粘着層2は、例えば、アクリル系、シリコン系などの粘着剤から成る。はんだ粉3は、SnAgCu、SnAgBiIn、SnZnBi、Sn、In、SnBiなどを用いれば良い。粘着層2の厚みは、はんだ粉3の径に対応し自由に設定することができる。例えば、はんだ粉3の径が2~12μmの時、粘着層2の厚みは5~100μmにすればよい。また、フィラー4は、はんだ溶融時にはんだが濡れずに拡散接合を起こさないような物質を選ぶことが望ましい。例えば、Al2O3、SiO2、MgOなどの無機フィラーや、Al、Feなどの酸化皮膜が厚い金属、アクリルなどの樹脂ビーズを用いることができる。例えば、はんだ粉の充填率が70~80の時、フィラー4は0.1~1.5μm径、粉末充填率は5~10にすればよい。図2a~dは、本実施の形態1における、はんだ転写基材5の製造方法を概念的に示す断面図である。以下、はんだ転写基材5の製造方法について図2を用いて説明する。1上述の樹脂フィルムなどのベース層1を準備する。ベース層1表面は、コロナ処理、プラズマ処理、プライマー塗布など、粘着層の接着強度を上げるための易接着処理を施しても構わない図2a。2ベース層1の上に、粘着フィルムの貼付けまたは粘着剤のコーティングにより粘着層2を形成する図2b。なお、この工程が、本発明の粘着層形成工程の一例にあたる。3粘着層2の上から、ふるい、エアー噴射などの手段を用いて、はんだ粉3をふりかけはんだ粉3と粘着層2を接着する。その後、はんだ粉3間に隙間を設けるため、ブラシやエアーなどの手段により、余剰はんだ粉3を除去する図2c。なお、この工程が、本発明のはんだ層形成工程の一例にあたる。4更に、ふるい、エアー噴射などの手段を用いて、はんだ粉3上にフィラー4を振り掛ける。この工程で、はんだ粉3間の隙間に微小フィラー4が入り込み、フィラー4と粘着層2は接着される。更に、エアー噴射などにより、はんだ粉3上に付着した余剰フィラー4を除去する図2d。なお、この工程が、本発明のフィラー供給工程の一例にあたる。以上の工程を経て、本実施の形態1のはんだ転写基材5が完成する。図3a~eは、本実施の形態1におけるはんだ転写基材5を用いた半導体装置の製造方法を概念的に示す断面図である。ここでは、ウエハに形成されている状態の半導体素子の電極上にはんだを形成させる例を示しており、図3a~eに示す各工程の断面図の左側に、それぞれの対応する斜視図を示している。以下、図3を用いて本実施の形態1の半導体装置の製造方法について説明する。図3aに示す通り、半導体素子6の内部には脆弱な低誘電率膜ExtremelyLowK7が形成されており、その最表面には例えばAu-Niから成る突起電極8が形成されている。また、突起電極8が形成されていない部分の半導体素子6表面は、例えばシリコンナイトライドなどの絶縁膜9で覆われている。なお、ここではんだ形成の対象としている半導体素子6が、本発明のワークの一例にあたる。まず、突起電極8に対向するように、はんだ転写基材5のはんだ層が形成された面を重ねあわせ、加熱、加圧する。すると、図3bに示す通り、加熱により粘着層2は軟化しはんだ粉3とフィラー4が粘着層2中に埋まりながら、はんだ粉3と突起電極8は、突起電極8の界面で拡散接合される。はんだ粉3同士は間隔があり、はんだ粉3間には粘着層2が入り込むため、隣同士のはんだ粉3が溶融されつながることはない。軟化した粘着層2は、突起電極8上のはんだ粉3が接合されていない部分とフィラー4を介して接着される。その後冷却した時、はんだ粉3間にアンカー状に入り込み、かつ突起電極8と接着した粘着層2は固着した状態になる。次に、図3cに示す通り、はんだ転写基材5を剥離する。突起電極8上のはんだ粉3は接合されているため、突起電極8上に残る。一方、突起電極8外の絶縁膜9上のはんだ粉3は、はんだと粘着剤粘着層2間の接着強度が、粘着剤粘着層2と絶縁膜9間の強度を上回るため、はんだ転写基材5側の粘着層2に持ち去られる。このようにして、図3dに示す通り、突起電極8上にはんだ粉3が接合された状態になる。この後、図示しないがフラックスを表面に供給しリフロー炉に投入し、はんだ粉3を完全に溶融させてもよい。溶融させることではんだ高さが均一になり、フリップチップ実装時に、確実に接合できるようになる図3e。ここで、はんだ転写基材5の剥離工程について詳述する。図4a及びbは、本実施の形態1のはんだ転写基材の剥離工程を概念的に説明する断面図の拡大図である。図4aに示すように、はんだ転写基材5上のはんだ粉3の間隙にフィラー4を充填することにより、粘着層2が突起電極8に接着する面積が減るため、突起電極8と粘着層2間の接着強度は低下する。ここで、突起電極8と粘着層2間の接着強度が、パッド下界面強度を下回るため、はんだ転写基材5剥離時にパッド剥離や低誘電率膜7の剥離亀裂を抑制することができる。したがって、図4bに示すように、はんだ転写基材5を剥離する工程において、脆弱な低誘電率膜7から剥がれることなく、はんだ転写基材5を剥離することができる。はんだ粉3溶融後のはんだ転写基材5とAu―Ni電極間の界面強度を180°ピール試験法を用いて測定した結果、従来のようにフィラーを用いなかった場合は10N/25mmであったのに対し、本実施の形態1によれば2N/25mmまで低減できる。なお、フィラー4の粒径ははんだ粉3の粒径よりも小さいことが望ましい。フィラー4径がはんだ粉3径よりも大きい場合、はんだ転写基材5とAu―Ni電極間の界面強度を下げる効果は高まるが、突起電極8へのはんだ転写量が減り、実装時の反り吸収が困難になるからである。なお、図3dに示すはんだ転写基材剥離工程の後、純水やエタノール、イソプロピレンアルコール、グリコールエーテルなどの有機溶剤を用いて洗浄しても構わない。洗浄することにより、絶縁膜9表面の突起電極8間に残存したフィラー4を確実に除去することができ、実装後はんだ接合部に残存しはんだクラックなどが発生するといった不具合を防ぐことができる。ただし、フィラー4粒径がはんだ粉3に対し、非常に小さい場合例えば、フィラー粒径/はんだ粉=1/20~1/10の場合は溶融はんだ粉の中にフィラー4が入り込んだとしても、はんだ粉3の物性に影響を与えないため、除去しなくても構わない。また、はんだ粉3が密に充填されたはんだ転写基材5に対しても、フィラー4を充填することにより、隣接するはんだ粉3のブリッジを防ぐことができ、また粘着層2の突起電極8への接着面積が更に減るため、はんだ転写基材5とAu―Ni電極間の界面強度が低減するとともに、フィラー4が剥離の起点になり、より剥がしやすくなるといった効果がある。はんだ粉が密に充填されたはんだ転写シートとしては、例えばはんだ粉粒径10~20μm、はんだ粉充填率80~85、フィラー径1~2μm、フィラー充填率5を用いることができる。また、フィラー4の融点は、はんだ粉3の融点よりも高いことが望ましい。フィラー4の融点がはんだ粉3の融点よりも低いと、はんだ粉3が突起電極8と拡散接合する際の加熱でフィラー4が溶融するため、突起電極8と粘着層2間の接着強度を低減させる効果が小さくなるからである。以上のように、本実施の形態1のはんだ転写基材によれば、脆弱な誘電膜をもつ半導体素子においても、脆弱な誘電膜が剥離亀裂を起こすことなく確実にはんだ層を形成できる。実施の形態2図5a~eは、本発明の実施の形態2における、はんだ転写基材の製造方法、及びそのはんだ転写基材を用いたはんだ転写方法を概念的に説明する断面図である。1実施の形態1で説明した樹脂フィルムなどのベース層1を準備する。ベース層1表面は、コロナ処理、プラズマ処理、プライマー塗布など、粘着層の接着強度を上げるための易接着処理を施しても構わない図5a。例えば、樹脂フィルムには、厚さ20~50μmのポリイミドが用いられる。2ベース層1の上に、バーコーター、スピンコータ、ディスペンサー、スプレーなどの手段を用いるか、ラミネータなどを用いて粘着フィルムを貼付けることにより、粘着層2を形成する図5b。例えば、粘着層2の厚みは、10~30μmにすればよい。なお、この工程が、本発明の粘着層形成工程の一例にあたる。3粘着層2の上から、ふるい、エアー噴射などの手段を用いて、はんだ粉3をふりかけ、はんだ粉3と粘着層2を接着する。その後、はんだ粉3間に隙間を設けるため、ブラシやエアーなどの手段により、余剰はんだ粉3を除去し、はんだ層を形成する図5c。例えば、はんだ粉3は、粒径5~12μmで、組成はSnZnBi、Sn、SnBi、SnAgCuから成る。なお、この工程が、本発明のはんだ層形成工程の一例にあたる。4更に、ジェットディスペンサー、フラクサーなどを用いて、はんだ粉3の上からフラックス10を全面に塗布し、フラックス層を形成する図5d。例えばフラックス層は5~15μmにすればよい。なお、この工程が、本発明のフラックス供給工程の一例にあたる。5更に、ふるい、エアー噴射などの手段を用いて、フラックス層の上にフィラー4を振り掛ける。この工程で、はんだ粉3間の隙間に微小フィラー4が入り込み、フィラー4と粘着層2は接着される。更に、エアー噴射などにより、はんだ粉3上に付着した余剰フィラー4を除去する図4e。フィラー4として、例えば、Al2O3、SiO2、MgOなどの無機フィラーや、Al、Feなどの酸化皮膜が厚い金属、アクリルなどの樹脂ビーズを用いることができる。例えば、はんだ粉3の充填率が60~70の時、フィラー4は1~3μm径、粉末充填率は10~20にすればよい。なお、この工程が、本発明のフィラー供給工程の一例にあたる。以上の工程を経て、本実施の形態2のはんだ転写基材15が完成する。次に、図6a~cは、本実施の形態2におけるはんだ転写基材15を用いた、回路基板電極へのはんだコート層の製造方法を概念的に示す断面図である。以下、回路基板電極へのはんだコート層の製造方法について図6を用いて説明する。図6aに示すように、シリコンから成る回路基板11の表面上に、エリア状配置に設けられた複数の電極パッド12と、電極パッド12間を結ぶ配線図示しないとから成る表面配線層が設けられている。また、表面配線層の上には、電極パッド12より大きな径で電極パッド12が表面に露出するようにソルダーレジスト層13が設けられている。例えば、表面配線層は、層厚12~18μmでCuから成り、特に電極パッド12は、50μm径で、100μmピッチで設けられている。例えば、ソルダーレジスト13は感光性熱硬化樹脂から成り、層厚20μmで形成され、電極パッド12が露出するように、電極パッド12の位置に合わせて、60μmの開口部を有する。また、露出した電極パッド12表面には、例えば水溶性プリフラックス材などから成る防錆処理が施されている図示しない。なお、はんだ転写基材15は、加熱加圧時に、圧力とフラックス10の対流によりフィラー4が移動するため、図6aに示すように、振り掛けたフィラー4の一部が粘着層2表面に付着する。なお、ここではんだ形成の対象とする回路基板11が、本発明のワークの一例にあたる。このような回路基板11に対して、図6bに示すように、本実施の形態2によるはんだ転写基材15を対向させて搭載し、加熱加圧を行う。この過程では、以下のような現象が起きる。加熱加圧に伴い、粘着層2の粘着剤は軟化するとともに、フラックス材10も活性化する。活性化したフラックス材10は、はんだ粉3表面及び回路基板11の電極パッド12表面上の酸化皮膜を除去する。更に、はんだ粉3が溶融するまで温度を上げると、溶融したはんだ粉3は酸化皮膜が除去されたCuと拡散接合が始まる。その後、常温になるまで冷却すると、溶融していたはんだは凝固し、はんだ粉3とCuから成る電極パッド12との間に金属間化合物が形成される。一方、反応せずに残ったフラックス材10は粘着層2の中に含浸することで、その接着強度は本来粘着層2が持つ接着強度より増し、実施の形態1に比べ、より強固に粘着層2と電極パッド12は固着する。しかし、粘着層2と電極パッド12の間には、多数のフィラー4が介在するために、フィラー4を添加しない場合よりも接着強度が下がる。例えば、フラックス含有転写シートとCuとの接着強度を180°ピール剥離試験を用いて測定した結果、フィラー含有率0の場合18~23Nであったのに対し、フィラー4を15添加することで、4~6Nまで下げることができた。本実施の形態2のようなはんだ転写基材15を用いて、上記回路基板11にはんだ層を形成した結果、図6cに示すように、Siと密着力の弱いCu電極パッド12に対しても、Cu電極パッド12を剥がすことなく、電極パッド12上に複数のはんだ粉3からなるはんだ層を形成することができる。なお、図6cに示すようにはんだ転写基材15を剥離した後、回路基板11の表面に第2のフラックス材を供給し、その後リフロー炉で加熱しても構わない。この工程を追加することにより、電極パッド12上のはんだ粉3同士が溶融し電極パッド12と拡散接合し、はんだ層が形成される。この時、はんだ粉3とフィラー4は濡れないため、溶融はんだの対流によりフィラー4ははんだ表面に押し出される。その後、溶剤や純水槽に上記回路基板11を浸漬させ、加熱しながら超音波を印加し洗浄すれば、第2のフラックス材と共にはんだ表面のフィラー4は除去される。以上のように、本実施の形態2のはんだ転写基材15を用いれば、脆弱な電極パッドにおいても、パッド界面剥離を起こすことなく、確実にはんだ層を形成することができる。実施の形態3図7a及びbは、本発明の実施の形態3におけるはんだ転写基材を概念的に示す断面図及び平面図である。図7aに示す通り、ベース層1の上に全面に粘着層2が設けられており、粘着層2の上にははんだ粉3とフィラー4が接着されている。ここで、粘着層2の表面において、はんだ粉3が密な領域と疎な領域が存在する。例えば、密な領域でははんだ粉3の充填率が75~85であるのに対し、疎な領域では、0~15である。この例では図7bに示す通り、平面的には、外周部がはんだ粉3が密な領域、内周部が疎な領域である。はんだ転写基材を、外周部1列または2列に電極端子が配置された半導体素子に適用する場合、電極端子の無い内周部にははんだ粒子は不要である。このような場合に、図7に示したような本実施の形態3のはんだ転写基材を用いると、はんだが無く直接粘着剤と半導体素子表面が接着する領域に対して、フィラー4が介在することにより、半導体素子表面と粘着剤との接着面積が減るため、ピール強度を下げることができる。それに伴い、はんだ転写基材を剥離する強度が下がるため、はんだ粉3が密にある部分に対しても低い剥離強度で剥がすことが可能になる。なお、図7に示す構成において、はんだ転写基材の粘着層2表面の周囲部分が、本発明の第1領域の一例にあたり、粘着層2表面の中央部分が、本発明の第2領域の一例にあたる。なお、ここでは、外周部の四辺に沿って電極端子が配置された半導体素子を例に説明したが、例えば、外周部の対向する2つの辺に沿ってのみ電極端子が配置された半導体素子に適用する場合には、はんだ転写基材の粘着層2表面の対向する2つの辺の近傍のみはんだ粉を密に配置し、その他の部分を疎な領域とすればよい。対象とする半導体素子などのワークの電極配置に対応させて、はんだ粉を密にする領域と疎にする領域を形成させればよい。なお、各実施の形態では、脆弱な低誘電率膜を有する半導体素子及びSiに対して密着力の弱いCu電極パッドを有する回路基板を例に説明したが、本発明のはんだ転写基材及びその製造方法は、これらの構成に限らず、脆弱な膜や層、剥がれやすい部材などの、表面に脆弱な部分を有する半導体素子や回路基板などに適用できる。以上に説明したように、本発明のはんだ転写基材及びその製造方法によれば、はんだ粉間の隙間でかつ粘着剤上にフィラーが介在するため、粘着剤と突起電極間の接着面積が減り、粘着剤と突起電極間の強度を低減することが出来、その強度がパッド下の界面強度や脆弱な膜の破壊強度を下回るので、はんだ転写基材を剥離する工程においても、パッド下の脆弱な低誘電率膜や電極パッドが剥離したりすることを防ぐことができる。また、はんだ溶融時にはんだ粉同士の間に常にフィラーが介在するため、はんだ粉同士が接触するように隙間なく敷き詰めても、はんだショート不良の発生を防ぐことができる。このようなはんだ転写基材及びその製造方法によれば、低誘電率膜のような脆弱な膜を有する半導体素子等の電子部品や回路基板に対して、脆弱な膜の剥離亀裂を発生させることなく、適切な厚さのはんだ層を確実に形成できる。また、本発明のはんだ転写基材及びその製造方法は、はんだ粉間の隙間でかつ粘着剤上にフィラーが介在することを特徴とするはんだ転写基材及びその製造方法であり、狭ピッチの接続においても高い信頼性を実現することができる。