"In、Ga、及びAlの割合が下記式1及び2の原子比となるように原料化合物を混合後、成形体とする工程、及び前記成形体を、800°Cから焼結温度までの温度範囲を0.1°C/分~2°C/分の昇温速度で昇温した後、1450°C~1650°Cに10~50時間保持することにより焼結する工程を含むことを特徴とする焼結体の製造方法。Ga/InGaAl=0.01~0.081Al/InGaAl=0.0001~0.032前記焼結を、酸化ガス雰囲気中で行うことを特徴とする請求項1に記載の焼結体の製造方法。請求項1又は2に記載の方法により製造された焼結体を用いたスパッタリングターゲット。請求項3に記載のスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により成膜することを特徴とする酸化物薄膜の製造方法。前記スパッタリング法による成膜を、希ガス原子と、水分子、酸素分子及び亜酸化窒素分子から選ばれる一種以上の分子とを含有する混合気体の雰囲気下で行うことを特徴とする請求項4に記載の酸化物薄膜の製造方法。前記スパッタリング法による成膜を、希ガス原子と、少なくとも水分子とを含有する混合気体の雰囲気下で行うことを特徴とする請求項5に記載の酸化物薄膜の製造方法。前記混合気体中の水分子の含有割合が、分圧比で0.1~25であることを特徴とする請求項6に記載の酸化物薄膜の製造方法。前記スパッタリング法による成膜後、得られた酸化物薄膜を、さらに250~500°Cで30分~5時間保持することを特徴とする請求項4~7のいずれかに記載の酸化物薄膜の製造方法。請求項4~8のいずれかに記載の方法により成膜された酸化物薄膜をチャネル層として有することを特徴とする薄膜トランジスタ。前記チャネル層上に、少なくともSiNxを含有する保護膜を備えることを特徴とする請求項9に記載の薄膜トランジスタ。請求項9又は10に記載の薄膜トランジスタを備えることを特徴とする表示装置。本発明の目的は、スパッタリング法を用いて酸化物半導体膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体膜を安定かつ再現性よく得ることができるスパッタリングターゲットを提供することである。上記目的を達成するため本発明者らは鋭意研究を行い、GaとAlを特定の原子比で共ドープしたIn2O3からなり、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造を示す焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いれば、異常放電やノジュールの発生が抑制され、酸化物半導体膜を安定かつ再現性よく製造できることを見出した。また、上記特性を有する酸化物焼結体を製造する方法を見出し、本発明を完成させた。本発明によれば、以下の焼結体の製造方法、スパッタリングターゲット、酸化物薄膜の製造方法、薄膜トランジスタ及び表示装置が提供される。1.In、Ga、及びAlの割合が下記式1及び2の原子比となるように原料化合物を混合後、成形体とする工程、及び前記成形体を、800°Cから焼結温度までの温度範囲を0.1°C/分~2°C/分の昇温速度で昇温した後、1450°C~1650°Cに10~50時間保持することにより焼結する工程を含むことを特徴とする焼結体の製造方法。Ga/InGaAl=0.01~0.081Al/InGaAl=0.0001~0.0322.前記焼結を、酸化ガス雰囲気中で行うことを特徴とする1に記載の焼結体の製造方法。3.1又は2に記載の方法により製造された焼結体を用いたスパッタリングターゲット。4.3に記載のスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により成膜することを特徴とする酸化物薄膜の製造方法。5.前記スパッタリング法による成膜を、希ガス原子と、水分子、酸素分子及び亜酸化窒素分子から選ばれる一種以上の分子とを含有する混合気体の雰囲気下で行うことを特徴とする4に記載の酸化物薄膜の製造方法。6.前記スパッタリング法による成膜を、希ガス原子と、少なくとも水分子とを含有する混合気体の雰囲気下で行うことを特徴とする5に記載の酸化物薄膜の製造方法。7.前記混合気体中の水分子の含有割合が、分圧比で0.1~25であることを特徴とする6に記載の酸化物薄膜の製造方法。8.前記スパッタリング法による成膜後、得られた酸化物薄膜を、さらに250~500°Cで30分~5時間保持することを特徴とする4~7のいずれかに記載の酸化物薄膜の製造方法。9.4~8のいずれかに記載の方法により成膜された酸化物薄膜をチャネル層として有することを特徴とする薄膜トランジスタ。10.前記チャネル層上に、少なくともSiNxを含有する保護膜を備えることを特徴とする9に記載の薄膜トランジスタ。11.9又は10に記載の薄膜トランジスタを備えることを特徴とする表示装置。本発明によれば、実質的にビックスバイト構造からなる、GaとAlを特定の原子比で共ドープしたIn2O3のスパッタリングターゲットが得られる。本発明のスパッタリングターゲットを用いれば、スパッタリングを行う際に異常放電の発生が抑制される。また、本発明のスパッタリングターゲットは、クラック及びノジュールが発生することも少ないため、高品質の酸化物半導体薄膜を、効率的に、安価に、省エネルギーで成膜することが可能となる。以下、本発明の焼結体の製造方法、スパッタリングターゲット、酸化物薄膜の製造方法、薄膜トランジスタ及び表示装置について詳細に説明するが、本発明は下記実施態様及び実施例に限定されるものではない。I.焼結体及びスパッタリングターゲット本発明の焼結体の製造方法は、In、Ga、及びAlの割合が下記式1及び2の原子比となるように原料化合物を混合後、成形体とする工程、及び前記成形体を、800°Cから焼結温度までの温度範囲を0.1°C/分~2°C/分の昇温速度で昇温した後、1450°C~1650°Cに10~50時間保持することにより焼結させる工程を含むことを特徴とする。Ga/InGaAl=0.01~0.081Al/InGaAl=0.0001~0.032本発明のスパッタリングターゲットは、上記本発明の焼結体の製造方法により製造された焼結体からなる。即ち、本発明の焼結体の製造方法で得られた焼結体は、後述するように本発明のターゲットの素材となる。従って、本発明の方法で得られる焼結体とスパッタリングターゲットは同一の組成及び結晶構造を有する。そのため、本願明細書では、焼結体とスパッタリングターゲットを、その組成及び結晶構造においては同一のものとして扱い、本発明の焼結体の製造方法で製造された焼結体を本発明の焼結体又は本発明のスパッタリングターゲットと呼ぶことがある。本発明者らは、インジウム、ガリウム、アルミニウム、及び酸素からなり、Ga/InGaAlの原子比が0.01~0.08かつAl/InGaAlの原子比が0.0001~0.03であるスパッタリングターゲットを用いて、直流スパッタリング法で酸化物薄膜を成膜した。そして、同ターゲットの結晶構造と成膜の際の異常放電の発生に以下の関係があることを見出した。即ち、同ターゲットの酸化インジウムの結晶が実質的にビックスバイト構造のみからなる場合は、直流電力を通電しても異常放電は発生しないが、同結晶がビックスバイト構造に加えてGaInO3やAl2O3等の別の構造も含む状態となると異常放電が多発することを発見した。つまり、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造からなるターゲットを用いれば、異常放電の発生が抑制できることを見出した。さらに、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造からなるスパッタリングターゲットを作製するためには、In2O3結晶構造のInサイトにGaとAlとを固溶させることが必要であることも見出した。即ち、In2O3結晶構造のInサイトにGaとAlとが固溶していない場合は、In2O3のビックスバイト構造に加えてGaInO3やAl2O3等の別の構造が析出し、異常放電が発生する。GaInO3、Al2O3等が酸化インジウム結晶中に含まれていると異常放電が発生しやすくなる理由は次のように推定される。この異常放電は、ターゲットが不均一で局所的に比抵抗の異なる部分が存在し、ターゲットを含む放電系のインピーダンスがスパッタリング中に変動することに起因して発生していた。この局所的に比抵抗が異なる部分となっていたのは、GaInO3やAl2O3等であった。従って、局所的に比抵抗が異なる部分の数密度を小さくすることが異常放電の抑制には効果的である。そして、InサイトにGaとAlとの固溶させるためには、ターゲットの昇温速度、焼結温度をコントロールすることが必要であることを見出し、本発明の焼結体の製造方法を完成するに至った。本発明のスパッタリングターゲットは、インジウム、ガリウム、アルミニウム、酸素からなる酸化物からなる焼結体であって、原子比Ga/InGaAlが0.01~0.08、Al/InGaAlが0.0001~0.03であることが必須である。原子比Ga/InGaAlが0.08超及び原子比Al/InGaAlが0.03超であると酸化インジウムのビックスバイト構造中にGaやAlが固溶しなくなり、GaInO3、Al2O3等の別の結晶構造が析出するおそれがある。上記本発明のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法等により酸化物半導体薄膜を製造すると、GaとAlが酸化インジウム結晶中のInサイトに固溶するため、格子定数が小さくなる効果があり、結晶中のインジウム同士の5s軌道の重なりが大きくなり、移動度が向上することが期待される。本発明のスパッタリングターゲットにおいて、GaドープIn2O3ターゲットに共ドープする3価元素はAlであることが必須である。GaドープIn2O3ターゲットに共ドープする3価元素がYやBであると、In2O3に固溶しにくいため、ターゲットの焼結密度が低下するおそれがある。GaとAlをIn2O3ターゲットに共ドープすることにより、GaドープIn2O3ターゲットと比較してターゲット抵抗をさらに下げることができる。また、上記スパッタリングターゲット中の原子比Ga/InGaAlが0.01未満及びAl/InGaAlが0.0001未満であると、GaとAlドープによる格子定数の減少が抑制され、GaとAlドープの効果を十分に発揮できないおそれがある。以上の観点から、本発明のスパッタリングターゲットにおけるガリウム金属とインジウム金属の割合は、好ましくは、原子比Ga/InGaAlが0.03~0.08かつAl/InGaAlが0.0001~0.02であり、より好ましくは、Ga/InGaAlが0.04~0.08かつAl/InGaAlが0.001~0.015である。本発明の焼結体に含まれる各元素の原子比は、誘導結合プラズマ発光分析装置ICP-AESにより含有元素を定量分析して求めることができる。具体的に、ICP-AESを用いた分析では、溶液試料をネブライザーで霧状にして、アルゴンプラズマ約6000~8000°Cに導入すると、試料中の元素は熱エネルギーを吸収して励起され、軌道電子が基底状態から高いエネルギー準位の軌道に移る。この軌道電子は10-7~10-8秒程度で、より低いエネルギー準位の軌道に移る。この際にエネルギーの差を光として放射し発光する。この光は元素固有の波長スペクトル線を示すため、スペクトル線の有無により元素の存在を確認できる定性分析。また、それぞれのスペクトル線の大きさ発光強度は試料中の元素数に比例するため、既知濃度の標準液と比較することで試料濃度を求めることができる定量分析。定性分析で含有されている元素を特定後、定量分析で含有量を求め、その結果から各元素の原子比を求める。尚、本発明の焼結体は、インジウム、ガリウム、アルミニウム、及び酸素からなる酸化物焼結体であるが、主として上記元素によって構成されていれば、他に不可避不純物を含んでいてもよい。ただし、結晶構造は実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造のみからなるものが望ましい。本発明の焼結体の製造方法によれば、原子比Ga/InGaAlを0.08以下かつAl/InGaAlを0.03以下となるように原料化合物を混合し、所定の条件で焼結することにより、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造のみから構成される焼結体を製造することができる。ビックスバイト構造はX線回折により確認することができる。尚、焼結体が実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造のみから構成されるとは、本発明の焼結体による効果がビックスバイト構造に起因すること、又は本発明の方法で得られる焼結体における結晶構造の80以上、好ましくは90以上、さらに好ましくは95以上がビックスバイト構造であることを意味する。また、本発明の焼結体は、90以上、好ましくは95以上、さらに好ましくは98以上が結晶構造で構成される。より好適には、本発明の焼結体は90以上が結晶構造で構成され、かつ、その結晶構造の80以上がビックスバイト構造である。本発明の焼結体の密度は、通常6.0g/cm3以上、好ましくは6.2g/cm3以上、より好ましくは6.4g/cm3以上である。密度が6.0g/cm3よりも低いと、上記焼結体から形成されるスパッタリングターゲットの表面が黒化したりし、異常放電を誘発し、スパッタ速度が低下するおそれがある。スパッタリングターゲットでは、焼結体の密度は高い方が望ましい。同密度は、特に好ましくは6.4g/cm3以上7.1g/cm3以下である。また、本発明の焼結体は、酸化インジウムにGaとAlが分散固溶しているが、分散しているGaやAlの集合体の直径は5μm未満であることが好ましい。GaとAlを細かく分散させることにより、安定したスパッタ放電ができる。GaやAlの集合体の直径は電子線マイクロアナライザEPMAにより測定することができる。本発明の焼結体の比抵抗は、インジウムとガリウムとアルミニウムを含む焼結体の場合、10Ωcm以下であることが好ましい。10Ωcmよりも比抵抗が大きいと、直流スパッタリングで安定した成膜を行うことが困難となるからである。直流スパッタリング時の成膜速度は、スパッタリングターゲットを構成する焼結体の比抵抗に依存するので、生産性を考慮した場合は比抵抗のなるべく低い焼結体の方が好ましい。焼結体の比抵抗が1Ωcm以下であると、さらに速い成膜速度が実現する。尚、焼結体の比抵抗が高い場合、窒素等の非酸化性の雰囲気下で加熱することによって還元処理すると、焼結体の比抵抗を下げることができる。しかし、焼結体の比抵抗が10Ωcm以下であれば、必ず安定的な直流スパッタができるわけではない。焼結体全体の比抵抗が10Ωcm以下でも、焼結体中に10Ωcmを超えた高抵抗な物質相例えば上述のGaInO3相、Al2O3相等が局所的に含まれていると、その部分がスパッタガスイオンの照射によって帯電するため異常放電が生じてしまい、直流スパッタを安定に行うことができない。よって、高抵抗相を局所的に含まずに、焼結体全体の比抵抗が10Ωcm以下であることが重要である。本発明のスパッタリングターゲット中の酸化インジウム結晶の最大粒径は5μm以下であることが望ましい。酸化インジウム結晶の粒径が5μmを超えて成長するとノジュールの原因になる。スパッタによってターゲット表面が削られる場合、その削られる速度が結晶面の方向によって異なり、ターゲット表面に凹凸が発生する。この凹凸の大きさは焼結体中に存在する結晶粒径に依存している。大きい結晶粒径を有する焼結体からなるターゲットでは、その凹凸が大きくなり、その凸部分よりノジュールが発生すると考えられる。これらのガリウム原子とアルミニウム原子が置換固溶した酸化インジウム結晶の最大粒径は、スパッタリングターゲットの形状が円形の場合、円の中心点1箇所と、その中心点で直交する2本の中心線上の中心点と周縁部との中間点4箇所の合計5箇所において、また、スパッタリングターゲットの形状が四角形の場合には、その中心点1箇所と、四角形の対角線上の中心点と角部との中間点4箇所の合計5箇所において100μm四方の枠内で観察される最大の粒子についてその最大径を測定し、これらの5箇所の枠内のそれぞれに存在する最大粒子の粒径の平均値で表す。粒径は、結晶粒の長径について測定した。結晶粒は走査型電子顕微鏡SEMにより観察することができる。本発明の焼結体の製造方法は、1原料化合物を混合し、成形体とする工程、及び2成形体を焼結する工程を含む。以下、各工程について説明する。1.焼結体の製造方法1原料化合物を混合後、成形体とする工程本発明の焼結体の製造方法で用いる原料化合物は、特に制限されず、In、Ga及びAlを含む化合物であり、焼結体に上記式1及び2で規定する原子比でGa及びAlを含有させることができる化合物を用いればよい。例えば、酸化インジウムと、ガリウム金属及びアルミニウム金属の組み合わせや、酸化インジウムと、酸化ガリウム及び酸化アルミニウムの組合せ等が挙げられる。また、原料は粉末であることが好ましい。原料化合物は、酸化インジウムと酸化ガリウムと酸化アルミニウムとの混合粉末であることが好ましい。酸化インジウムとガリウム金属とアルミニウム金属の組み合わせを原料粉末として用いると、得られる焼結体中にガリウムやアルミニウムの金属粒が存在して、成膜中にターゲット表面の金属粒が溶融してしまいターゲットから放出されないことがあり、得られる膜の組成と焼結体の組成とが大きく異なってくる場合があるからである。原料粉末の平均粒径は、好ましくは0.1μm~1.2μmであり、より好ましくは0.1μm~1.0μmである。例えば、平均粒径が0.1μm~1.2μmのIn2O3粉末、平均粒径が0.1μm~1.2μmのGa2O3粉末、及び平均粒径が0.1μm~1.2μmのAl2O3粉末を、原料粉末とし、In2O3粉末とGa2O3粉末とAl2O3粉末を、原子比Ga/InGaAlが0.01~0.08かつAl/InGaAlが0.0001~0.03となる割合で調合する。原料粉末の平均粒径はレーザー回折式粒度分布装置等で測定することができる。工程1は特に限定されず、公知の方法を用いて行うことができる。例えば、酸化インジウム粉と酸化ガリウム粉と酸化アルミニウム粉との混合粉を含む原料粉末に、水系溶媒を配合し、得られたスラリーを12時間以上混合した後、固液分離乾燥造粒し、引き続き、この造粒物を型枠に入れて成形する。混合については、湿式又は乾式によるボールミル、振動ミル、ビーズミル等を用いることができる。均一で微細な結晶粒及び空孔を得るには、短時間で凝集体の解砕効率が高く、添加物の分散状態も良好となるビーズミル混合法が最も好ましい。ボールミルによる混合時間は好ましくは、15時間以上、より好ましくは19時間以上とする。混合時間が不足すると最終的に得られる焼結体中にGaInO3、Al2O3等のビックスバイト構造と異なる結晶構造が生成するからである。ビーズミルによる粉砕、混合時間は、装置の大きさ、処理するスラリー量によって異なるが、スラリー中の粒度分布がすべて1μm以下と均一になるように適宜調整すると好ましい。また、混合する際にはバインダーを任意量だけ添加し、同時に混合を行うと好ましい。バインダーには、ポリビニルアルコール、酢酸ビニル等を用いることができる。次に、原料粉末スラリーから造粒粉を得る。造粒に際しては、急速乾燥造粒を行うことが好ましい。急速乾燥造粒するための装置としては、スプレードライヤが広く用いられている。具体的な乾燥条件は、乾燥するスラリーのスラリー濃度、乾燥に用いる熱風温度、風量等の諸条件により決定されるため、実施に際しては、予め最適条件を求めておくことが必要となる。自然乾燥を行うと、原料粉末の比重差によって沈降速度が異なるため、In2O3粉末、Ga2O3粉末、Al2O3粉末の分離が起こり、均一な造粒粉が得られなくなる。この不均一な造粒粉を用いて焼結体を作製すると、焼結体内部にGaInO3、Al2O3等が存在して、スパッタリングにおける異常放電の原因となる。造粒粉に対して、金型プレス又は冷間静水圧プレスCIPにより、通常1.2ton/cm2以上の圧力で成形を施し、成形体を得る。2成形体を焼結する工程次に、得られた成形物を1450~1650°Cで10~50時間焼結して焼結体を得る。焼成温度は好ましくは1450~1600°C、より好ましくは1480~1600°C、さらに好ましくは1500~1600°Cである。焼成時間は好ましくは12~40時間、より好ましくは13~30時間である。焼成温度が1450°C未満又は焼成時間が10時間未満であると、GaInO3相、Al2O3相等がターゲット内部に形成され、異常放電の原因となるおそれがある。一方、焼成温度が1650°Cを超えるか、又は、焼成時間が50時間を超えると、著しい結晶粒成長により平均結晶粒径の増大、粗大空孔の発生を来たし、焼結体強度の低下や異常放電の原因となる。また、焼成温度を1650°C以下とすることにより、Gaの蒸散を抑えることもできる。本発明で用いる焼結方法としては、常圧焼結法の他、ホットプレス、酸素加圧、熱間等方圧加圧等の加圧焼結法も採用することができる。ただし、製造コストの低減、大量生産の可能性、容易に大型の焼結体を製造できるといった観点から、常圧焼結法を採用することが好ましい。常圧焼結法では、成形体を大気雰囲気、又は酸化ガス雰囲気、好ましくは酸化ガス雰囲気にて焼結する。酸化ガス雰囲気とは、好ましくは酸素ガス雰囲気である。酸素ガス雰囲気は、酸素濃度が、例えば10~100体積の雰囲気であることが好ましい。本発明の焼結体の製造方法においては、昇温過程にて酸素ガス雰囲気を導入することで、焼結体密度をより高くすることができる。さらに、焼結に際しての昇温速度は、800°C~焼結温度までの温度範囲における昇温速度を0.1~2°C/分とすることが好ましい。800°Cからの温度範囲は、焼結が最も進行する範囲であり、この温度範囲での昇温速度が0.1°C/分より遅くなると、結晶粒成長が著しくなって、高密度化を達成することができないおそれがある。一方、昇温速度が2°C/分より速くなると、In2O3結晶構造中のInサイトにGaとAlが固溶せずにGaInO3相、Al2O3相等がターゲット内部に析出するおそれがある。800°C~焼結温度までの温度範囲における昇温速度は、好ましくは0.1~1.2°C/分、より好ましくは、0.2~0.8°C/分である。上記焼成工程で得られた焼結体のバルク抵抗をターゲット全体で均一化するために、必要に応じて還元工程を設けてもよい。本工程で適用することができる還元方法としては、例えば、還元性ガスによる方法や真空焼成又は不活性ガスによる還元等が挙げられる。還元性ガスによる還元処理の場合、水素、メタン、一酸化炭素、又はこれらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。不活性ガス中での焼成による還元処理の場合、窒素、アルゴン、又はこれらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。還元処理時の温度は、通常100~800°C、好ましくは200~800°Cである。また、還元処理の時間は、通常0.01~10時間、好ましくは0.05~5時間である。以上をまとめると、本発明の焼結体の製造方法は、例えば、酸化インジウム粉と酸化ガリウム粉と酸化アルミニウム粉との混合粉を含む原料粉末に、水系溶媒を配合し、得られたスラリーを12時間以上混合した後、固液分離乾燥造粒し、引き続き、この造粒物を型枠に入れて成形し、その後、得られた成形物を酸素雰囲気中、800°C~焼結温度までの温度範囲における昇温速度を0.1~2°C/分とし、1450~1650°Cで10時間以上焼成する。焼結体の製造工程における諸条件を上記の通りに制御することにより、In、Ga、及びAlの原子比がGa/InGaAl=0.01~0.08及びAl/InGaAl=0.0001~0.03を満たし、焼結体密度が6.0g/cm3以上であり、比抵抗が10Ωcm以下であり、平均結晶粒径が10μm以下であり、かつ、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造のみからなる焼結体スパッタリングターゲットを得ることができる。2.スパッタリングターゲットの製造方法本発明の焼結体の製造方法で製造された焼結体を加工することによりスパッタリングターゲットとすることができる。具体的には本発明の焼結体の製造方法で製造された焼結体を、スパッタリング装置への装着に適した形状に切削加工することでスパッタリングターゲット素材とし、該ターゲット素材をバッキングプレートに接着することでスパッタリングターゲットとすることができる。焼結体をターゲット素材とするには、該焼結体を、例えば、平面研削盤で研削して表面粗さRaが0.5μm以下の素材とする。ここで、さらにターゲット素材のスパッタ面に鏡面加工を施して、平均表面粗さRaが1000オングストローム以下としてもよい。この鏡面加工研磨は機械的な研磨、化学研磨、メカノケミカル研磨機械的な研磨と化学研磨の併用等の、公知の研磨技術を用いることができる。例えば、固定砥粒ポリッシャーポリッシュ液:水で2000以上にポリッシングしたり、又は遊離砥粒ラップ研磨材:SiCペースト等にてラッピング後、研磨材をダイヤモンドペーストに換えてラッピングすることによって得ることができる。このような研磨方法には特に制限はない。ターゲット素材の表面は200~10,000番のダイヤモンド砥石により仕上げを行うことが好ましく、400~5,000番のダイヤモンド砥石により仕上げを行うことが特に好ましい。200番より小さい、又は10,000番より大きいダイヤモンド砥石を使用するとターゲット素材が割れやすくなるおそれがある。ターゲット素材の表面粗さRaが0.5μm以下であり、方向性のない研削面を備えていることが好ましい。Raが0.5μmより大きかったり、研磨面に方向性があると、異常放電が起きたり、パーティクルが発生するおそれがある。次に、得られたターゲット素材を清浄処理する。清浄処理にはエアーブロー又は流水洗浄等を使用できる。エアーブローで異物を除去する際には、ノズルの向い側から集塵機で吸気を行なうとより有効に除去できる。尚、以上のエアーブローや流水洗浄では限界があるので、さらに超音波洗浄等を行なうこともできる。この超音波洗浄は周波数25~300KHzの間で多重発振させて行なう方法が有効である。例えば周波数25~300KHzの間で、25KHz刻みに12種類の周波数を多重発振させて超音波洗浄を行なうのが好ましい。ターゲット素材の厚みは通常2~20mm、好ましくは3~12mm、特に好ましくは4~6mmである。上記のようにして得られたターゲット素材をバッキングプレートへボンディングすることによって本発明の方法で製造された焼結体からなるスパッタリングターゲットを得ることができる。また、複数のターゲット素材を一つのバッキングプレートに取り付け、実質一つのターゲットとしてもよい。II.酸化物薄膜本発明の酸化物薄膜の製造方法は、上記本発明のスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により成膜することを特徴とする。本発明の酸化物薄膜の製造方法によって製造された酸化物薄膜は、インジウム、ガリウム、アルミニウム、酸素からなり、原子比Ga/InGaAlが0.01~0.08であり、原子比Al/InGaAlが0.0001~0.03であり、結晶構造が実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造のみからなる。酸化ガリウム、酸化アルミニウムは、酸化インジウムの格子定数を小さくする効果があり、結晶中のインジウム同士の5s軌道の重なりが大きくなり、移動度が向上することが期待される。酸化物薄膜の原子比Ga/InGaAlが0.01未満及びAl/InGaAlが0.0001未満であると、薄膜堆積直後に微結晶が生成することがあり、後処理加熱の工程で2次結晶化するおそれがある。2次結晶化した薄膜では、移動度が低下するばかりか酸素欠陥が増えキャリア濃度の上昇を招くおそれがある。原子比Ga/InGaAlが0.08超及びAl/InGaAlが0.03超のスパッタリングターゲットを用いて成膜した薄膜では、酸化インジウムのビックスバイト構造以外にGaInO3やAl2O3が析出し、電子の散乱原因となり移動度が低下したり、酸化インジウムの結晶化を阻害したりするおそれがある。本発明の酸化物薄膜の製造方法で得られる酸化物薄膜の特性は、上記の他、酸化物薄膜の製造に用いる本発明のスパッタリングターゲットと略同一である。本発明のスパッタリングターゲットは、高い導電性を有することから成膜速度の速いDCスパッタリング法を適用することができる。本発明のスパッタリングターゲットは、上記DCスパッタリング法に加えて、RFスパッタリング法、ACスパッタリング法、パルスDCスパッタリング法にも適用することができ、異常放電のないスパッタリングが可能である。酸化物半導体薄膜は、上記焼結体を用いて、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザー蒸着法等により作製できる。スパッタリングガス雰囲気としては、アルゴン等の希ガス原子と酸化性ガスの混合ガスを用いることができる。酸化性ガスとはO2、CO2、O3、H2O、N2O等が挙げられる。スパッタリングガスは、希ガス原子と、水分子、酸素分子及び亜酸化窒素分子から選ばれる一種以上の分子を含有する混合気体が好ましく、希ガス原子と、少なくとも水分子を含有する混合気体であることがより好ましい。酸化物半導体薄膜のキャリア濃度は、通常1018/cm3以下であり、好ましくは1013~1018/cm3であり、さらに好ましくは1014~1018/cm3であり、特に好ましくは1015~1018/cm3である。酸化物層のキャリア濃度が1018cm-3より大きくなると、薄膜トランジスタ等の素子を構成した際に、漏れ電流が発生してしまうおそれがある。また、ノーマリーオンになってしまったり、on-off比が小さくなってしまったりすることにより、良好なトランジスタ性能が発揮できないおそれがある。さらに、キャリア濃度が1013cm-3未満となるとキャリア数が少ないため、TFTとして駆動しないおそれがある。酸化物半導体薄膜のキャリア濃度は、ホール効果測定方法により測定することができる。スパッタリング成膜時の酸素分圧比は40未満とすることが好ましい。酸素分圧比が40以上の条件で作製した薄膜は、薄膜中のトラップ密度が増加する恐れがあり、その薄膜をTFTのチャネル層として用いた場合、電界効果移動度の低下やS値の上昇を招くおそれがある。好ましくは、酸素分圧比は0~10である。本発明における酸化物薄膜堆積時のスパッタガス雰囲気に含まれる水分子の分圧比、即ち、H2O]/[H2O][希ガス][その他の分子]は、0.1~25であることが好ましい。水の分圧比が0.1未満であると薄膜堆積直後に膜中に微結晶が生成するおそれがある。微結晶が生成した薄膜をアニールすると2次結晶化が起こり、結晶方位のずれが生じるため欠陥が多くなり、キャリア濃度の上昇や移動度の低下を招くおそれがある。また、水の分圧比が25を超えると、膜密度の低下が顕著となるため、Inの5s軌道の重なりが小さくなり移動度の低下を招くおそれがある。スパッタリング時の雰囲気中の水の分圧比は0.7~13がより好ましく、1~6が特に好ましい。スパッタリングにより成膜する際の基板温度は、25~120°Cであることが好ましく、さらに好ましくは25~100°C、特に好ましくは25~90°Cである。成膜時の基板温度が120°Cよりも高いと薄膜堆積直後の膜中に微結晶が生成し、加熱結晶化後の薄膜のキャリア濃度が1018/cm3を超えるおそれがある。また、成膜時の基板温度が25°Cよりも低いと薄膜の膜密度が低下し、TFTの移動度が低下するおそれがある。スパッタリングによって得られた酸化物薄膜を、さらに250~500°Cに30分~5時間保持する、アニール処理を施すことが好ましい。成膜後のアニール処理温度は275°C以上450°C以下であることがより好ましく、275°C以上350°C以下あることがさらに好ましい。上記アニールを施すことにより、酸化物薄膜が結晶化し半導体特性が得られる。本発明の酸化物半導体薄膜はアニール処理を施すことによりGaとAlが酸化インジウム結晶中に固溶し、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造を示すようになる。また、加熱時の雰囲気は、特に限定されるわけではないが、キャリア制御性の観点から、大気雰囲気、酸素流通雰囲気が好ましい。酸化物薄膜の後処理アニール工程においては、酸素の存在下又は不存在下でランプアニール装置、レーザーアニール装置、熱プラズマ装置、熱風加熱装置、接触加熱装置等を用いることができる。スパッタリング時におけるターゲットと基板との間の距離は、基板の成膜面に対して垂直方向に好ましくは1~15cmであり、さらに好ましくは2~8cmである。この距離が1cm未満の場合、基板に到達するターゲット構成元素の粒子の運動エネルギーが大きくなり、良好な膜特性を得ることができないおそれがあるうえ、膜厚及び電気特性の面内分布が生じてしまうおそれがある。一方、ターゲットと基板との間隔が15cmを超える場合、基板に到達するターゲット構成元素の粒子の運動エネルギーが小さくなりすぎて、緻密な膜を得ることができず、良好な半導体特性を得ることができないおそれがある。酸化物薄膜の成膜は、磁場強度が300~1500ガウスの雰囲気下でスパッタリングすることが望ましい。磁場強度が300ガウス未満の場合、プラズマ密度が低くなるため高抵抗のスパッタリングターゲットの場合スパッタリングできなくなるおそれがある。一方、1500ガウス超の場合、膜厚及び膜中の電気特性の制御性が悪くなるおそれがある。気体雰囲気の圧力スパッタ圧力は、プラズマが安定して放電できる範囲であれば特に限定されないが、好ましくは0.1~3.0Paである。さらにスパッタ圧力は、好ましくは0.1~1.5Pa、特に好ましくは0.1~1.0Paである。スパッタ圧力が3.0Paを超える場合、スパッタ粒子の平均自由工程が短くなり、薄膜の密度が低下するおそれがある。また、スパッタ圧力が0.1Pa未満である場合、成膜時に膜中に微結晶が生成するおそれがある。尚、スパッタ圧力とは、アルゴン等の希ガス原子、水分子、酸素分子等を導入した後のスパッタ開始時の系内の全圧をいう。III.薄膜トランジスタ及び表示装置本発明の酸化物薄膜の製造方法で製造された酸化物薄膜は、薄膜トランジスタに使用でき、特にチャネル層として好適に使用できる。本発明の薄膜トランジスタは、上記本発明の酸化物薄膜をチャネル層として有していれば、その素子構成は特に限定されず、公知の各種の素子構成を採用することができる。本発明の薄膜トランジスタにおけるチャネル層の膜厚は、通常10~300nm、好ましくは20~250nm、より好ましくは30~200nm、さらに好ましくは35~120nm、特に好ましくは40~80nmである。チャネル層の膜厚が10nm未満の場合、大面積に成膜した際の膜厚の不均一性により、作製したTFTの特性が面内で不均一になるおそれがある。一方、膜厚が300nm超の場合、成膜時間が長くなり工業的に採用できないおそれがある。本発明の薄膜トランジスタにおけるチャネル層は、通常、N型領域で用いられるが、P型Si系半導体、P型酸化物半導体、P型有機半導体等の種々のP型半導体と組合せてPN接合型トランジスタ等の各種の半導体デバイスに利用することができる。本発明の薄膜トランジスタは、上記チャネル層上に保護膜を備えることが好ましい。本発明の薄膜トランジスタにおける保護膜は、少なくともSiNxを含有することが好ましい。SiNxはSiO2と比較して緻密な膜を形成できるため、TFTの劣化抑制効果が高いという利点を有する。保護膜は、SiNxの他に例えばSiO2,Al2O3,Ta2O5,TiO2,MgO,ZrO2,CeO2,K2O,Li2O,Na2O,Rb2O,Sc2O3,Y2O3,HfO2,CaHfO3,PbTi3,BaTa2O6,Sm2O3,SrTiO3又はAlN等の酸化物等を含むことができるが、実質的にSiNxのみからなることが好ましい。ここで、実質的にSiNxのみからなるとは、本発明の薄膜トランジスタにおける保護層を構成する薄膜の70wt以上、好ましくは80wt以上、さらに好ましくは85wt以上がSiNxであることを意味する。薄膜トランジスタは、通常、基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体層チャネル層、ソース電極及びドレイン電極を備える。チャネル層については上述した通りであり、基板については公知の材料を用いることができる。本発明の薄膜トランジスタにおけるゲート絶縁膜を形成する材料にも特に制限はなく、一般に用いられている材料を任意に選択できる。具体的には、例えば、SiO2,SiNx,Al2O3,Ta2O5,TiO2,MgO,ZrO2,CeO2,K2O,Li2O,Na2O,Rb2O,Sc2O3,Y2O3,HfO3,CaHfO3,PbTi3,BaTa2O6,SrTiO3,Sm2O3,AlN等の化合物を用いることができる。これらのなかでも、好ましくはSiO2,SiNx,Al2O3,Y2O3,HfO2,CaHfO3であり、より好ましくはSiO2,SiNx,Y2O3,HfO2,CaHfO3である。尚、上記の酸化物の酸素数は、必ずしも化学量論比と一致していなくともよく、例えば、SiO2でもSiOxでもよい。ゲート絶縁膜は、異なる材料からなる2層以上の絶縁膜を積層した構造でもよい。また、ゲート絶縁膜は、結晶質、多結晶質、非晶質のいずれであってもよいが、工業的に製造しやすい多結晶質又は非晶質であることが好ましい。本発明の薄膜トランジスタにおけるドレイン電極、ソース電極及びゲート電極の各電極を形成する材料に特に制限はなく、一般に用いられている材料を任意に選択することができる。例えば、ITO,IZO,ZnO,SnO2等の透明電極や、Al,Ag,Cu,Cr,Ni,Mo,Au,Ti,Ta等の金属電極、又はこれらを含む合金の金属電極を用いることができる。ドレイン電極、ソース電極及びゲート電極の各電極は、異なる2層以上の導電層を積層した多層構造とすることもできる。特にソースドレイン電極は低抵抗配線への要求が強いため、AlやCu等の良導体をTiやMo等の密着性に優れた金属でサンドイッチして使用してもよい。本発明の薄膜トランジスタは、電界効果型トランジスタ、論理回路、メモリ回路、差動増幅回路等各種の集積回路にも適用できる。さらに、電界効果型トランジスタ以外にも静電誘起型トランジスタ、ショットキー障壁型トランジスタ、ショットキーダイオード、抵抗素子にも適応できる。本発明の薄膜トランジスタの構成は、ボトムゲート、ボトムコンタクト、トップコンタクト等公知の構成を制限なく採用することができる。特にボトムゲート構成が、アモルファスシリコンやZnOの薄膜トランジスタに比べ高い性能が得られるので有利である。ボトムゲート構成は、製造時のマスク枚数を削減しやすく、大型ディスプレイ等の用途の製造コストを低減しやすいため好ましい。本発明の薄膜トランジスタは、表示装置に好適に用いることができる。大面積のディスプレイ用としては、チャンネルエッチ型のボトムゲート構成の薄膜トランジスタが特に好ましい。チャンネルエッチ型のボトムゲート構成の薄膜トランジスタは、フォトリソ工程時のフォトマスクの数が少なく低コストでディスプレイ用パネルを製造できる。中でも、チャンネルエッチ型のボトムゲート構成及びトップコンタクト構成の薄膜トランジスタが移動度等の特性が良好で工業化しやすいため特に好ましい。焼結体及びスパッタリングターゲットの製造実施例1~6原料粉体として、下記の酸化物粉末を使用した。尚、酸化物粉末の平均粒径はレーザー回折式粒度分布測定装置SALD-300V島津製作所製で測定し、平均粒径はメジアン径D50を採用した。酸化インジウム粉:平均粒径0.98μm酸化ガリウム粉:平均粒径0.96μm酸化アルミニウム:平均粒径0.96μm上記の粉体を、表1に示す原子比Ga/InGaAl及びAl/InGaAlとなるように秤量し、均一に微粉砕混合後、成形用バインダーを加えて造粒した。次に、この原料混合粉を金型へ均一に充填しコールドプレス機にてプレス圧140MPaで加圧成形した。このようにして得た成形体を焼結炉により表1に示す昇温速度800°Cから焼結温度まで、焼結温度、焼結時間で焼結して、焼結体を製造した。昇温中は酸素雰囲気、その他は大気中雰囲気、降温速度15°C/分で実施した。製造した焼結体密度を一定の大きさに切り出した焼結体の重量と外形寸法により算出した。また、この焼結体のバルク抵抗比抵抗導電性を抵抗率計三菱化学株製、ロレスタを使用して四探針法JISR1637に基づき測定した。また、得られた焼結体についてICP-AES分析を行い、表1に示す原子比であることを確認した。得られた焼結体についてX線回折測定装置リガク製Ultima-IIIにより結晶構造を調べた。図1及び図2に実施例1及び実施例2で得られた焼結体のX線回折チャートを示す。チャートを分析した結果、実施例1及び2の焼結体には酸化インジウムのビックスバイト構造が観測された。結晶構造は、JCPDSJointCommitteeofPowderDiffractionStandardsカードで確認することができる。酸化インジウムのビックスバイト構造は、JCPDSカードNo.06-0416である。上記X線回折測定XRDの測定条件は以下の通りである。XRDの結果から、実施例3~6に関しても酸化インジウムのビックスバイト構造が観測された。X線回折測定XRD装置:株リガク製Ultima-IIIX線:Cu-Kα線波長1.5406Å、グラファイトモノクロメータにて単色化2θ-θ反射法、連続スキャン1.0°/分サンプリング間隔:0.02°スリットDS、SS:2/3°、RS:0.6mm電子線マイクロアナライザEPMA測定により得られた焼結体のGaとAlの分散を調べたところ、5μm以上のGaやAlの集合体は観測されなかった。本願発明の焼結体は分散性、均一性が極めて優れている。EPMAの測定条件は以下の通りである。装置名:日本電子株式会社JXA-8200測定条件加速電圧:15kV照射電流:50nA照射時間1点当りの:50mS実施例1~6で得られた焼結体の表面を平面研削盤で研削し、側辺をダイヤモンドカッターで切断し、バッキングプレートに貼り合わせ、それぞれ4インチφのスパッタリングターゲットとした。得られたスパッタリングターゲットを、DCスパッタリング装置に装着し、スパッタガスとしてアルゴンを用いて、スパッタ圧0.4Pa、基板温度:室温、DC出力400Wにて、10kWh連続スパッタを行い、スパッタ中の電圧変動をデータロガーに蓄積し、異常放電の有無を確認した。結果を表1に示す。尚、上記異常放電の有無は、電圧変動をモニターし異常放電を検出することにより行った。具体的には、5分間の測定時間中に発生する電圧変動がスパッタ運転中の定常電圧の10以上あった場合を異常放電とした。特にスパッタ運転中の定常電圧が0.1秒間に±10変動する場合は、スパッタ放電の異常放電であるマイクロアークが発生しており、素子の歩留まりが低下し、量産化に適さないおそれがある。また、実施例1~6のスパッタリングターゲットを用いて、雰囲気としてはアルゴンガスに分圧比で3の水素ガスを添加した混合ガスを使用し、30時間連続してスパッタリングを行い、ノジュールの発生の有無を確認した。その結果、実施例1~6のスパッタリングターゲット表面において、ノジュールは観測されなかった。尚、スパッタ条件は、スパッタ圧0.4Pa、DC出力100W、基板温度:室温であり、雰囲気ガスに添加した水素ガスは、ノジュールの発生を促進するためである。ノジュールは、スパッタリング後のターゲット表面の変化を実体顕微鏡により50倍に拡大して観察し、視野3mm2中に発生した20μm以上のノジュールについて数平均を計測する方法を採用した。発生したノジュール数を表1に示す。比較例1~3表1に示す原子比Ga/InGaAl及びAl/InGaAlで原料粉末を混合し、表1に示す昇温速度800°Cから焼結温度まで、焼結温度、焼結時間で焼結した他は、実施例1~6と同様にスパッタリングターゲットを製造し、評価した。スパッタ時のノジュール発生数の評価については、実施例1~6と同様に行った。結果を表1に示す。その結果、比較例1~3のスパッタリングターゲットおいて異常放電が発生し、ターゲット表面にはノジュールが観測された。X線回折チャートにおいてIn2O3のビックスバイト構造の他に、GaInO3相やAl2O3相が観測された。結晶構造は、JCPDSカードで確認することができる。GaInO3相であればカードJCPDSNo.21-0334で確認することができる。また、GaInO3相は単斜晶を取る。Al2O3であれば、カードJCPDSNo.10-173で確認することができる。また、Al2O3相はコランダム構造を取る。酸化物半導体薄膜及び薄膜トランジスタの製造実施例7~12[1]マグネトロンスパッタリング装置に、実施例1~6で作製した表2-1に示す組成の4インチターゲットを装着し、基板積層構造における絶縁層としてスライドガラスコーニング社製♯1737をそれぞれ装着した。DCマグネトロンスパッタリング法により、下記の条件でスライドガラス上に膜厚50nmの非晶質膜を成膜した。成膜時には、表2-1に示す分圧比でArガス、O2ガス、及びH2Oガスを導入した。非晶質膜を形成した基板を大気中、300°Cで1時間加熱し、非晶質膜をそれぞれ結晶化して酸化物半導体膜積層構造における酸化物層を形成した。ホール効果測定用素子は、ガラス基板上に成膜した基板を用いてResiTest8300型東陽テクニカ社製にセットし、室温でホール効果を評価した。また、ICP-AES分析により、酸化物薄膜に含まれる各元素の原子比がスパッタリングターゲットと同じであることを確認した。スパッタ条件は以下の通りである。基板温度:25°C到達圧力:8.5×10-5Pa雰囲気ガス:Arガス、O2ガス、H2Oガス分圧は表2-1を参照スパッタ圧力全圧:0.4Pa投入電力:DC100WS基板-Tターゲット距離:70mm[2]基板として、膜厚100nmの熱酸化膜付きの導電性シリコン基板を使用した。熱酸化膜がゲート絶縁膜として機能し、導電性シリコン部がゲート電極として機能する。ゲート絶縁膜上に表2-1に示す条件でスパッタ成膜し、膜厚50nmの非晶質薄膜を作製した。レジストとしてOFPR♯800東京応化工業株式会社製を使用し、塗布、プレベーク80°C、5分、露光した。現像後、ポストベーク120°C、5分し、シュウ酸にてエッチングし、所望の形状にパターニングした。その後熱風加熱炉内にて300°Cで1時間加熱処理アニール処理を行い、薄膜を結晶化させた。その後、Mo200nmをスパッタ成膜により成膜した。チャンネルエッチによりソース/ドレイン電極を所望の形状にパターニングした。その後、プラズマCVD法PECVDにてSiNxを成膜して保護膜とした。フッ酸を用いてコンタクトホールを開口し、薄膜トランジスタを作製した。上記[1]でガラス基板上に成膜した薄膜についてX線回折測定装置リガク製Ultima-IIIにより結晶構造を調べた。実施例7~12では、薄膜堆積直後は回折ピークが観測されず非晶質であることを確認した。また、大気下で300°C×1h加熱処理アニール後に回折ピークが観測され、結晶化していることが分かった。チャートを分析した結果、実施例7~12の結晶化後の薄膜では、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造が観測された。当該結晶構造は、JCPDSJointCommitteeofPowderDiffractionStandardsカードで確認することができる。酸化インジウムのビックスバイト構造は、JCPDSカードNo.06-0416である。上記XRDの測定条件は以下の通りである。装置:株リガク製Ultima-IIIX線:Cu-Kα線波長1.5406Å、グラファイトモノクロメータにて単色化2θ-θ反射法、連続スキャン1.0°/分サンプリング間隔:0.02°スリットDS、SS:2/3°、RS:0.6mm上記[2]で作製した薄膜トランジスタについて、電界効果移動度μ、S値及び閾値電圧Vthを評価した。これらの特性値は、半導体パラメーターアナライザーケースレーインスツルメンツ株式会社製4200SCSを用い、室温、遮光環境下シールドボックス内で測定した。尚、ドレイン電圧Vdは10Vとした。結果を表2-1に示す。比較例4~6酸化物半導体膜の成膜に用いるターゲット、並びにそのスパッタ条件及び加熱処理アニーリング条件を、表2-2に記載の組成を有するターゲット及び条件に変更した他は実施例7~12と同様にして薄膜トランジスタ及び薄膜評価用素子を作製し、評価した。結果を表2-2に示す。ガラス基板上に成膜した比較例4~6の薄膜について、薄膜堆積直後及び加熱処理後にX線回折測定装置リガク製Ultima-IIIにより結晶構造を調べた。薄膜堆積直後に回折ピークが観測されず、非晶質であることが分かった。また、大気下で300°C×1hアニール後においても回折ピークが観測されず非晶質ままであった。また、作製した薄膜トランジスタについて、半導体パラメーターアナライザーケースレーインスツルメンツ株式会社製4200SCSを用い、室温、遮光環境下シールドボックス内で各特性を実施例7~12と同様にして測定した。尚、ドレイン電圧Vdは10Vとした。結果を表2-2に示す。表2-2に示すように比較例4~6の素子については電界効果移動度が10cm2/Vs未満であり、実施例7~12と比べて電界効果移動度が大幅に低いことがわかる。"