"第1基板または第2基板上に液晶を滴下し、前記第1基板または前記第2基板の液晶滴下面側を、液晶が滴下されていない前記第2基板または前記第1基板に対向させて真空中で貼り合わせてから大気圧に戻すことにより液晶注入を行なう液晶表示装置の製造方法であって、前記第1基板および前記第2基板のうち水分吸着量が少ない方の基板上に液晶を滴下する工程と、前記液晶を滴下する工程の後、前記第1基板と前記第2基板とを真空中で貼り合わせる工程とを備える、液晶表示装置の製造方法。請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法を繰り返し行なうことにより液晶表示装置を順次製造する方法であって、最初に、前記第1基板および前記第2基板のうち水分吸着量が少ない方の基板を決定するために、前記第1基板および前記第2基板の水分吸着量を測定する工程を行ない、以降、前記測定する工程を繰り返すことなく前記決定に基づいて、前記液晶を滴下する工程を行なう、請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。前記第1基板および前記第2基板のうち水分吸着量が多い方の基板を減圧処理する工程をさらに備える、請求項1または2に記載の液晶表示装置の製造方法。前記第1基板および前記第2基板のうち水分吸着量が多い方の基板を加熱処理する工程をさらに備える、請求項1または2に記載の液晶表示装置の製造方法。前記第1基板および前記第2基板のうち水分吸着量が多い方の基板を減圧処理しつつ加熱処理する工程をさらに備える、請求項1または2に記載の液晶表示装置の製造方法。前記加熱処理において、前記水分吸着量が多い方の基板を40°C以上300°C以下の温度で加熱する、請求項4または5に記載の液晶表示装置の製造方法。前記減圧処理において、前記水分吸着量が多い方の基板を100Pa以下の圧力まで減圧する、請求項3または5に記載の液晶表示装置の製造方法。前記第1基板および前記第2基板に、それぞれ異なる樹脂膜を形成する工程を備え、前記第1基板および前記第2基板における水分吸着量の違いは、前記それぞれ異なる樹脂膜の水分吸着量の違いによって決定される、請求項4または5に記載の液晶表示装置の製造方法。前記加熱処理において、前記水分吸着量が多い方の基板を40°C以上130°C以下の温度で加熱する、請求項8に記載の液晶表示装置の製造方法。液晶を互いの間に挟むように封止する第1基板および第2基板は、それぞれの構成によって水分吸着量が互いに異なる。仮に第1基板の方が第2基板より水分吸着量が多い場合に、第1基板上に液晶を滴下した後、第1基板と第2基板とを真空雰囲気中で貼り合わせると、第1基板に吸着されていた水分は液晶に覆われた状態でほとんど蒸発することなく、封止された液晶中に残留する。この場合、液晶パネルにおける液晶の分布が不均一となって、液晶表示装置の表示画面に表示ムラが発生する。本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、液晶表示装置の表示品質を向上できる、画像表示装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明に基づく液晶表示装置の製造方法は、第1基板または第2基板上に液晶を滴下し、第1基板または第2基板の液晶滴下面側を、液晶が滴下されていない第2基板または第1基板に対向させて真空中で貼り合わせてから大気圧に戻すことにより液晶注入を行なう液晶表示装置の製造方法である。液晶表示装置の製造方法は、第1基板および第2基板のうち水分吸着量が少ない方の基板上に液晶を滴下する工程と、液晶を滴下する工程の後、第1基板と第2基板とを真空中で貼り合わせる工程とを備える。本発明の一形態においては、上記の液晶表示装置の製造方法を繰り返し行なうことにより液晶表示装置を順次製造する方法であって、最初に、第1基板および第2基板のうち水分吸着量が少ない方の基板を決定するために、第1基板および第2基板の水分吸着量を測定する工程を行なう。それ以降、上記の測定する工程を繰り返すことなく上記の決定に基づいて、液晶を滴下する工程を行なう。好ましくは、第1基板および第2基板のうち水分吸着量が多い方の基板を減圧処理する工程をさらに備える。または、第1基板および第2基板のうち水分吸着量が多い方の基板を加熱処理する工程をさらに備える。もしくは、第1基板および第2基板のうち水分吸着量が多い方の基板を減圧処理しつつ加熱処理する工程をさらに備える。本発明の一形態においては、加熱処理において、水分吸着量が多い方の基板を40°C以上300°C以下の温度で加熱する。好ましくは、減圧処理において、水分吸着量が多い方の基板を100Pa以下の圧力まで減圧する。本発明の一形態においては、第1基板および第2基板に、それぞれ異なる樹脂膜を形成する工程を備える。第1基板および第2基板における水分吸着量の違いは、上記のそれぞれ異なる樹脂膜の水分吸着量の違いによって決定される。本発明の一形態においては、加熱処理において、水分吸着量が多い方の基板を40°C以上130°C以下の温度で加熱する。本発明によれば、液晶表示装置の表示品質を向上できる。以下、本発明の実施形態1に係る液晶表示装置の製造方法について図面を参照して説明する。以下の実施形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰返さない。図1は、本発明の実施形態1に係る液晶表示装置の製造方法において、液晶パネルを作製する工程の一部を模式的に示す図である。図2は、水分吸着量の少ない方の基板にシール材を形成した状態を示す斜視図である。図3は、水分吸着量の少ない方の基板に液晶を滴下した状態を示す斜視図である。図4は、2枚の基板を貼り合わせて液晶を封止した状態を示す断面図である。図1に示すように、本発明の実施形態1に係る液晶表示装置の製造方法においては、最初に、第1基板であるCF基板と、第2基板であるTFT基板との水分吸着量の測定を行なう。本実施形態においては、第1基板としてCF基板を用い、第2基板としてTFT基板を用いたが、たとえば、カラーフィルタオンアレイの液晶表示装置においては、第1基板としてガラス基板を用い、第2基板としてカラーフィルタオンアレイ基板を用いてもよい。基板の水分吸着量の測定方法としては、たとえば、チャンバ内に基板を入れた状態で、チャンバ内を密閉して真空引きする。この真空引きする際の、時間の経過によるチャンバ内の圧力の変化を測定し、チャンバ内に基板を入れていないときの圧力の経時変化と比較することにより、基板の水分吸着量を推定することができる。まず、水分吸着量の測定の結果、CF基板の水分吸着量よりTFT基板の水分吸着量の方が多かった場合の、液晶表示装置の製造方法について説明する。この場合、図1,2に示すように、水分吸着量が少ない方の基板110であるCF基板上に液晶を封止するためのシール材120を形成する。シール材120は、たとえば、矩形状に形成される。シール材120としては、従来の液晶表示装置に使用されるシール材を使用することができる。次に、図3に示すように、シール材120が形成された基板110上に液晶130を滴下する。液晶130は、シール材120で囲まれた範囲内において、格子状に滴下される。液晶130の滴下は、ディスペンサなどを用いて行なうことができる。図4に示すように、液晶130を滴下する工程の後、水分吸着量の少ない方の基板110であるCF基板と水分吸着量の多い方の基板140であるTFT基板とを真空中で貼り合わせる。具体的には、CF基板の液晶滴下面側をTFT基板に対向させて真空中で貼り合わせてから大気圧に戻すことにより液晶130の注入を行なう。上記のようにして、CF基板、TFT基板およびシール材120により液晶130を封止することにより、TFT基板に吸着されていた水分の多くは真空中で蒸発するため、封止された液晶130中にTFT基板に吸着されていた水分が残留することを抑制することができる。その結果、液晶パネルにおける液晶の分布を均一にして、液晶表示装置の表示品質を向上することができる。次に、水分吸着量の測定の結果、CF基板の水分吸着量の方がTFT基板の水分吸着量より多かった場合の、液晶表示装置の製造方法について説明する。この場合、図1,2に示すように、水分吸着量が少ない方の基板110であるTFT基板上に液晶を封止するためのシール材120を形成する。シール材120は、たとえば、矩形状に形成される。シール材120としては、従来の液晶表示装置に使用されるシール材を使用することができる。次に、図3に示すように、シール材120が形成された基板110上に液晶130を滴下する。液晶130は、シール材120で囲まれた範囲内において、格子状に滴下される。液晶130の滴下は、ディスペンサなどを用いて行なうことができる。図4に示すように、液晶130を滴下する工程の後、水分吸着量の少ない方の基板110であるTFT基板と水分吸着量の多い方の基板140であるCF基板とを真空中で貼り合わせる。具体的には、TFT基板の液晶滴下面側をCF基板に対向させて真空中で貼り合わせてから大気圧に戻すことにより液晶130の注入を行なう。上記のようにして、CF基板、TFT基板およびシール材120により液晶130を封止することにより、CF基板に吸着されていた水分の多くは真空中で蒸発するため、封止された液晶130中にCF基板に吸着されていた水分が残留することを抑制することができる。その結果、液晶パネルにおける液晶の分布を均一にして、液晶表示装置の表示品質を向上することができる。なお、CF基板およびTFT基板の水分吸着量の大小関係は、各々の構成が同一であれば変わらないため、液晶表示装置の量産時には、水分吸着量の測定は、最初に行なってそれ以降は行なわない。すなわち、水分吸着量の測定を一度行なって、CF基板およびTFT基板の水分吸着量の大小関係が決定した後は、水分吸着量の測定を繰り返すことなく、その決定に基づいて、水分吸着量の少ない方の基板110上にシール材120を形成する工程およびそれ以降の工程を行なう。以下、本発明の実施形態2に係る液晶表示装置の製造方法について図面を参照して説明する。本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、水分吸着量の多い方の基板140について追加的処理を行なう点のみ実施形態1の液晶表示装置の製造方法と異なるため、その他の工程については説明を繰り返さない。図5は、本発明の実施形態2に係る液晶表示装置の製造方法において、液晶パネルを作製する工程の一部を模式的に示す図である。まず、水分吸着量の測定の結果、CF基板の水分吸着量よりTFT基板の水分吸着量の方が多かった場合の、液晶表示装置の製造方法について説明する。図5に示すように、本発明の実施形態2に係る液晶表示装置の製造方法においては、CF基板とTFT基板とを真空中で貼り合わす工程の前に、水分吸着量の多い方の基板140であるTFT基板を減圧処理しつつ加熱処理する。減圧処理においては、100Pa以下の圧力まで減圧する。このようにすることにより、TFT基板が吸着している水分を実効的に蒸発させることができる。加熱処理においては、基板140を40°C以上300°C以下の温度で加熱する。これは、加熱温度が40°Cより低い場合には、TFT基板が吸着している水分を実効的に蒸発させることができず、加熱温度が300°Cより高い場合には、TFT基板の特性が変化して液晶表示装置の性能が劣化するためである。上記のようにTFT基板を減圧処理しつつ加熱処理することにより、TFT基板に吸着していた水分を蒸発させることができる。水分が蒸発したTFT基板は、次の工程においてCF基板と真空中で貼り合わされる間にわずかに水分を吸着する。ただし、減圧処理および加熱処理しない場合に比べて、CF基板とTFT基板とを真空中で貼り合わせることにより封止された液晶130中にTFT基板に吸着されていた水分が残留することを抑制することができる。その結果、液晶パネルにおける液晶の分布を均一にして、液晶表示装置の表示品質を向上することができる。本実施形態の変形例として、TFT基板を減圧処理しつつ加熱処理する代わりに、減圧処理のみまたは加熱処理のみ行なってもよい。この場合にも、TFT基板に吸着していた水分を蒸発させることができる。その結果、CF基板とTFT基板とを真空中で貼り合わせることにより封止された液晶130中にTFT基板に吸着されていた水分が残留することを抑制することができる。次に、水分吸着量の測定の結果、CF基板の水分吸着量の方がTFT基板の水分吸着量より多かった場合の、液晶表示装置の製造方法について説明する。この場合、図5に示すように、CF基板とTFT基板とを真空中で貼り合わす工程の前に、水分吸着量の多い方の基板140であるCF基板を減圧処理しつつ加熱処理する。減圧処理においては、100Pa以下の圧力まで減圧する。このようにすることにより、TFT基板が吸着している水分を実効的に蒸発させることができる。加熱処理においては、基板140を40°C以上130°C以下の温度で加熱する。これは、加熱温度が40°Cより低い場合には、CF基板が吸着している水分を実効的に蒸発させることができず、加熱温度が130°Cより高い場合には、CF基板の着色層を構成する樹脂膜が分解して液晶表示装置の性能が劣化するためである。上記のようにCF基板を減圧処理しつつ加熱処理することにより、CF基板に吸着していた水分を蒸発させることができる。水分が蒸発したCF基板は、次の工程においてTFT基板と真空中で貼り合わされる間にわずかに水分を吸着する。ただし、減圧処理および加熱処理しない場合に比べて、CF基板とTFT基板とを真空中で貼り合わせることにより封止された液晶130中にCF基板に吸着されていた水分が残留することを抑制することができる。その結果、液晶パネルにおける液晶の分布を均一にして、液晶表示装置の表示品質を向上することができる。本実施形態の変形例として、CF基板を減圧処理しつつ加熱処理する代わりに、減圧処理のみまたは加熱処理のみ行なってもよい。この場合にも、CF基板に吸着していた水分を蒸発させることができる。その結果、CF基板とTFT基板とを真空中で貼り合わせることにより封止された液晶130中にCF基板に吸着されていた水分が残留することを抑制することができる。以下、本発明の実施形態3に係る液晶表示装置の製造方法について図面を参照して説明する。本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、第1基板および第2基板に、それぞれ異なる樹脂膜を形成する点のみ実施形態2の液晶表示装置の製造方法と異なるため、その他の工程については説明を繰り返さない。図6は、本発明の実施形態3に係る液晶表示装置の製造方法において、液晶パネルを作製する工程の一部を模式的に示す図である。本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、図6に示すように、第1基板であるCF基板に着色層となる樹脂膜を形成する工程を備える。本発明の実施形態3に係る液晶表示装置の製造方法においては、図6に示すように、第2基板であるTFT基板にCF基板に形成される樹脂膜とは異なる樹脂膜が形成される。具体的には、液晶表示装置の製造方法は、TFT基板に絶縁層となる樹脂膜を形成する工程を備える。TFT基板に形成される樹脂膜は、たとえば、ノボラック系樹脂から構成される。この樹脂膜は、たとえば、TFT基板内の配線電圧による液晶の意図しない配向を防止する機能、または、TFT基板とCF基板との間の金属などの異物によるショートが発生することを防止する機能を有する。CF基板およびTFT基板の各水分吸着量においては、それぞれの基板が含む樹脂膜による水分吸着量の割合が大きい。そのため、CF基板およびTFT基板における水分吸着量の違いは、CF基板に形成される樹脂膜の水分吸着量と、TFT基板に形成される樹脂膜の水分吸着量との違いによって決定される。すなわち、CF基板に形成される樹脂膜の水分吸着量よりTFT基板に形成される樹脂膜の水分吸着量の方が多い場合、水分吸着量の測定の結果、CF基板の水分吸着量よりTFT基板の水分吸着量の方が多くなる。この場合、CF基板上にシール材を形成し、CF基板上に液晶を滴下する。また、水分吸着量が多い方の基板140であるTFT基板を減圧処理しつつ加熱処理する。本実施形態の変形例の液晶表示装置の製造方法においては、TFT基板を減圧処理または加熱処理する。減圧処理においては、100Pa以下の圧力まで減圧する。このようにすることにより、TFT基板が吸着している水分を実効的に蒸発させることができる。加熱処理においては、TFT基板140を40°C以上130°C以下の温度で加熱する。これは、加熱温度が40°Cより低い場合には、TFT基板が吸着している水分を実効的に蒸発させることができず、加熱温度が130°Cより高い場合には、TFT基板の絶縁層を構成する樹脂膜が分解して液晶表示装置の性能が劣化するためである。その後、CF基板とTFT基板とを真空中で貼り合わす。具体的には、CF基板の液晶滴下面側をTFT基板に対向させて真空中で貼り合わせてから大気圧に戻すことにより液晶130の注入を行なう。このように液晶表示装置を製造することにより、封止された液晶130中にCF基板およびTFT基板に吸着されていた水分が残留することを抑制することができる。その結果、液晶パネルにおける液晶の分布を均一にして、液晶表示装置の表示品質を向上することができる。一方、CF基板に形成される樹脂膜の水分吸着量の方がTFT基板に形成される樹脂膜の水分吸着量より多い場合、水分吸着量の測定の結果、CF基板の水分吸着量の方がTFT基板の水分吸着量より多くなる。この場合、TFT基板上にシール材を形成し、TFT基板上に液晶を滴下する。また、水分吸着量が多い方の基板140であるCF基板を減圧処理しつつ加熱処理する。本実施形態の変形例の液晶表示装置の製造方法においては、CF基板を減圧処理または加熱処理する。減圧処理においては、100Pa以下の圧力まで減圧する。このようにすることにより、CF基板が吸着している水分を実効的に蒸発させることができる。加熱処理においては、CF基板140を40°C以上130°C以下の温度で加熱する。これは、加熱温度が40°Cより低い場合には、CF基板が吸着している水分を実効的に蒸発させることができず、加熱温度が130°Cより高い場合には、CF基板の着色層を構成する樹脂膜が分解して液晶表示装置の性能が劣化するためである。その後、CF基板とTFT基板とを真空中で貼り合わす。具体的には、TFT基板の液晶滴下面側をCF基板に対向させて真空中で貼り合わせてから大気圧に戻すことにより液晶130の注入を行なう。このように液晶表示装置を製造することにより、封止された液晶130中にCF基板およびTFT基板に吸着されていた水分が残留することを抑制することができる。その結果、液晶パネルにおける液晶の分布を均一にして、液晶表示装置の表示品質を向上することができる。なお、今回開示した上記実施形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。したがって、本発明の技術的範囲は、上記した実施形態のみによって解釈されるものではなく、請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。"