"表面に透明導電層を含む光電変換部と、前記透明導電層の上に配された金属層と、前記金属層と前記透明導電層との間に配されており、前記金属層よりも小さな消衰係数を有する中間層と、を備える、太陽電池。請求項1に記載の太陽電池において、前記中間層は、前記金属層よりも電気抵抗率が高く、前記金属層の一部と前記透明導電層との間に配されている。請求項2に記載の太陽電池において、前記金属層が設けられた領域における前記中間層が設けられた領域の占める面積割合が20~80である。請求項2又は3に記載の太陽電池において、前記金属層の厚みは、前記中間層の厚みよりも大きい。請求項1~4のいずれか一項に記載の太陽電池において、前記中間層の屈折率は、前記金属層の屈折率よりも高く、前記透明導電層の屈折率よりも低い。請求項1~5のいずれか一項に記載の太陽電池において、前記中間層は、フッ化マグネシウム、窒化シリコン、酸化アルミニウム、フッ化カルシウム及び酸化マグネシウムからなる群から選ばれた少なくとも一種からなる。請求項1~6のいずれか一項に記載の太陽電池において、前記金属層は、Ag、Cu、Ni、Mn、Cr、Sn、Mg、W、Co、及びZnからなる群から選ばれた少なくとも一種からなる。請求項1~7のいずれか一項に記載の太陽電池において、前記光電変換部は、結晶性シリコンならなる基板を含み、前記基板の厚みが300μm以下である。近年、太陽電池の光電変換効率をさらに高めたいという要望が高まってきている。本発明は、改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供することにある。本発明に係る太陽電池は、光電変換部と、金属層と、中間層とを備えている。光電変換部は、表面に透明導電層を含む。金属層は、透明導電層の上に配されている。中間層は、金属層と透明導電層との間に配されている。中間層は、金属層よりも小さな消衰係数を有する。本発明によれば、改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供することができる。以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。第1の実施形態図1は、本発明の一実施形態に係る太陽電池1の略図的断面図である。図2は、太陽電池1の略図的裏面図である。太陽電池1は、光電変換部10を有する。光電変換部10は、受光した際に電子や正孔などのキャリアを生成させる部分である。光電変換部10は、基板11と、第1及び第2の半導体層12,13と、第1及び第2の透明導電層14,15とを有する。基板11は、半導体材料からなる基板である。基板11は、一の導電型を有する。基板11は、例えば単結晶シリコンからなる基板などの結晶性シリコンからなる基板により構成することができる。基板11の厚みは、300μm以下とすることができる。基板11は、第1及び第2の主面11a、11bを有する。本実施形態では、図3に示されるように、第1及び第2の主面11a、11bのそれぞれに、テクスチャ構造が設けられている。ここで、テクスチャ構造とは、表面反射を抑制し、光電変換部の光吸収量を増大させるために形成されている凹凸構造のことをいう。テクスチャ構造の具体例としては、100面を有する単結晶シリコン基板の表面に異方性エッチングを施すことによって得られるピラミッド状四角錐状や、四角錐台状の凹凸構造が挙げられる。第1の主面11aの上には、第1の半導体層12が配されている。一方、第2の主面11bの上には、第2の半導体層13が配されている。これら第1及び第2の半導体層12,13のうちの一方が、基板11と同じ導電型を有しており、他方が基板11とは異なる導電型を有している。半導体層12,13のそれぞれは、例えば、p型またはn型のアモルファスシリコンにより構成することができる。本実施形態の太陽電池の構造は、HIT構造登録商標と言われている。半導体層12,13と基板11との間には、例えば数Å~250Å程度の実質的に発電に影響しない程度の厚みを有する、実質的に真性なi型半導体層が設けられていてもよい。第1の半導体層12の上には、第1の透明導電層14が配されている。第1の透明導電層14は、第1の半導体層12の実質的に全体を覆うように設けられている。この第1の透明導電層14の表面により、光電変換部10の受光面10aが構成されている。第1の透明導電層14の上には、例えばAgなどの金属や合金からなる線状の電極バスバー部やフィンガー部16が配されている。この電極16は、電子及び正孔のうちの一方のキャリアを収集する機能を有する。第2の半導体層13の上には、第2の透明導電層15が配されている。第2の透明導電層15は、第2の半導体層13の実質的に全体を覆うように設けられている。この第2の透明導電層15の表面により、光電変換部10の裏面10bが構成されている。なお、受光面10aは、主として受光する主面である。太陽電池1は、受光面10aにおいて受光したときにのみ発電するものであってもよいし、受光面10aにおいて受光したときのみならず、裏面10bにおいて受光したときにも発電する両面受光型の太陽電池であってもよい。透明導電層14,15は、例えば、インジウムスズ酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物IZO、アルミニウム亜鉛酸化物AZO、ガリウム亜鉛酸化物GZOなどにより構成することができる。透明導電層14,15の厚みは、100nm以下である。なお、本明細書において、層の厚みは、層の表面の法線方向における厚みを意味し、基板11の厚み方向における厚みを意味するものではない。具体的には、透明導電層15の厚みは、図3に示す厚みT15となる。第2の透明導電層15の上には、金属層17が配されている。金属層17は、第2の透明導電層15の実質的に全体を覆っている。金属層17の上には、例えばAgなどの金属や合金からなる線状の電極18が配されている。電極18は、フィンガー部やバスバー部を有するものであってもよい。太陽電池1では、この電極18及び金属層17により、電子及び正孔のうちの電極16により収集されない方のキャリアが収集される。金属層17は、反射層としての機能も兼ね備えている。即ち、金属層17は、受光面10a側から入射し、金属層17に達した光の少なくとも一部を受光面10a側に再度反射させる。金属層17は、例えば、Ag、Cu、Ni、Mn、Cr、Sn、Mg、W、Co及びZnからなる群から選ばれた少なくとも一種からなることが好ましい。なかでも、金属層17は、Agからなることが好ましい。金属層17の厚みT17は、100nm~400nmであることが好ましく、150nm~300nmであることがより好ましい。これらの場合、金属層17の電気抵抗を低くしつつ、金属層17における光反射率を高めることができるためである。金属層17の少なくとも一部と透明導電層15との間には、中間層20が配されている。中間層20は、金属層17が設けられた領域の全体に設けられていてもよいが、本実施形態では、中間層20は、金属層17の一部と透明導電層15との間に配されている。換言すれば、中間層20は、金属層17が設けられた領域の一部に配されている。具体的には、図2に示されるように、中間層20は、金属層17が設けられた領域において、相互に間隔をおいて平行に延びるストライプ状に設けられている。金属層17が設けられた領域における中間層20が設けられた領域の占める面積割合は、電気抵抗率を低くする観点から、20~80であることが好ましく、30~70であることがより好ましい。中間層20は、金属層17よりも高い電気抵抗率を有する。ここで、電気抵抗率は、原則として、キャリア濃度とキャリアの移動度とにより決定される。キャリア濃度が高くなると電気抵抗率が低くなり、キャリア濃度が低くなると電気抵抗率が高くなる傾向にある。一方、消衰係数も、下記のDrudeの式から理解されるように、キャリア濃度と相関する。キャリア濃度が高くなると消衰係数が大きくなり、キャリア濃度が低くなると消衰係数が小さくなる。このことから、電気抵抗率と消衰係数とは相関関係があることが分かる。具体的には、キャリア濃度が高く、電気抵抗率が低いと、消衰係数は大きくなり、キャリア濃度が低く、電気抵抗率が高いと、消衰係数は小さくなる。従って、金属層17よりも高い電気抵抗率を有する中間層20は、金属層17よりも小さな消衰係数を有する。Drudeの式において、Nは複素屈折率である。nは屈折率である。iは虚数である。kは消衰係数である。Eは入射光のエネルギーである。Aはキャリア濃度に比例する係数である。ε∞とΓとのそれぞれはキャリア濃度に関係のない係数である。中間層20の電気抵抗率は、金属層17の電気抵抗率の100倍以上であることが好ましく、50倍以上であることがより好ましい。具体的には、中間層20の電気抵抗率は、1×10-3Ωcm以上であることが好ましく、5×10-3Ωcm以上であることがより好ましい。中間層20の消衰係数は、金属層17の消衰係数の0.01倍以下であることが好ましく、0.002倍以下であることがより好ましい。具体的には、中間層20の消衰係数は、0.1以下であることが好ましく、0.02以下であることがより好ましい。中間層20は、例えば、フッ化マグネシウム、窒化シリコン、酸化アルミニウム、フッ化カルシウム及び酸化マグネシウムからなる群から選ばれた少なくとも一種により構成することができる。中間層20の屈折率は、金属層17の屈折率よりも高く、透明導電層15の屈折率よりも低いことが好ましい。中間層20の屈折率は、金属層17の屈折率よりも0.1以上高いことが好ましく、0.2以上高いことがより好ましい。中間層20の屈折率は、透明導電層15の屈折率よりも0.1以上低いことが好ましく、0.2以上低いことがより好ましい。具体的には、中間層20の屈折率は、0.3~2.5であることが好ましく、1~2であることがより好ましい。中間層20の厚みT20は、100nm以上であることが好ましい。中間層20の厚みは、金属層17の厚みよりも小さいことが好ましい。換言すれば、金属層17の厚みは、中間層20の厚みよりも大きいことが好ましい。ところで、反射層としての機能を有する金属層17は、透明導電層15等と比較して低い電気抵抗率を有する。このため、金属層17の消衰係数は大きい。よって、第2の半導体層13と透明導電層15との界面において発生したエバネッセント光は、金属層17により吸収されやすい。金属層17によりエバネッセント光が吸収されると、吸収されたエバネッセント光の分だけ、金属層17による光反射率が低下する。ここで、エバネッセント光は、第2の半導体層13と透明導電層15との界面で全反射したときに透明導電層15又は金属層17側にわずかに染み出す光を指す。このエバネッセント光は、透明導電層15や金属層17に吸収される。従って、反射率を考える場合には、透明導電層15や金属層17によるエバネットセント光の吸収を考慮する必要がある。このため、光の利用効率が低下する。その結果、光電変換効率が低くなる。それに対して太陽電池1では、金属層17の少なくとも一部と透明導電層15との間に、中間層20が設けられている。中間層20は、金属層17よりも高い電気抵抗率を有する。このため、中間層20の消衰係数は金属層17の消衰係数よりも小さい。よって、第2の半導体層13と透明導電層15との界面において発生したエバネッセント光は中間層20に吸収されにくい。このような中間層20が金属層17と透明導電層15との間に配されていることにより、エバネッセント光が定在している領域に占める、エバネッセント光を吸収しやすい金属層17の割合を低くすることができる。従って、第2の半導体層13と透明導電層15との間の界面において発生したエバネッセント光の吸収を抑制することができる。その結果、金属層17による光反射率の低下を抑制でき、光の利用効率を高めることができるので、改善された光電変換効率を実現することができる。金属層17における光反射率を高めて光の利用効率を向上できる本実施形態では、半導体材料からなる基板11の厚みが薄く、基板11を透過する光の量が多い場合が特に好ましい。具体的には、基板11の厚みが300μm以下である場合が特に好ましい。なお、第2の半導体層13と透明導電層15との界面において発生したエバネッセント光が定在している領域に金属層17を位置させないようにする別の方法として、透明導電層15を厚くすることも考えられる。しかしながら、この場合は、透明導電層15による光吸収量が多くなる。このため、光の利用効率が却って低くなる。それに対して太陽電池1では、透明導電層15の厚みを厚くする必要がない。このため、透明導電層15による光吸収量の増大を抑制することができる。金属層17によるエバネッセント光の吸収をより効果的に抑制する観点からは、金属層17が設けられた領域における中間層20が設けられた領域の占める面積割合を大きくすることが好ましく、金属層17が設けられた領域の実質的に全体に中間層20を設けることが好ましい。しかしながら、金属層17が設けられた領域における中間層20が設けられた領域の占める面積割合を大きくすると、中間層20の電気抵抗率が金属層17の電気抵抗率よりも高いため、透明導電層15と金属層17との間の抵抗が高くなる傾向にある。従って、太陽電池1の光電変換効率がかえって低くなってしまう場合がある。このような観点から、金属層17が設けられた領域における中間層20が設けられた領域の占める面積割合は、20~80であることが好ましく、30~70であることがより好ましい。図4は、波長1000nmの光の金属層における、光反射率を表すグラフである。なお、図4に示すグラフは、以下の条件の場合のシミュレーションから得られたグラフである。図4に示す厚みは、中間層20の厚みである。図4の横軸は、入射角θである。中間層20が金属層17が設けられた領域の全体に設けられている。第2の半導体層13:厚み9.1nmのアモルファスシリコン層透明導電層15:厚み61.5nmのWのドーパントがドープされた酸化インジウムからなる層中間層20:フッ化マグネシウム層金属層17:厚み400nmのAg層図4に示されるグラフからも、金属層17よりも高い電気抵抗率を有し、小さな消衰係数を有する中間層20を設けることにより、金属層17における光反射率を高めることができることが分かる。また、金属層17における光反射率は、中間層20の厚みを100nm以上とすることにより、さらに高くできることが分かる。この結果から、中間層20の厚みは100nm以上であることが好ましいことが分かる。但し、中間層20が厚すぎ、中間層20が金属層17よりも厚い場合には、金属層17の形成方法によっては、金属層17の中間層20の上に位置する部分と、金属層17の中間層20が設けられていない領域に位置する部分とがカバレッジの問題から分断されてしまう場合がある。このため、中間層20の厚みは、金属層17の厚みよりも小さいことが好ましい。換言すれば、金属層17の厚みは中間層20の厚みよりも大きいことが好ましい。図5は、本実施形態に係る太陽電池における、波長1000nmの光の金属層における反射率を表すグラフである。なお、図5に示すデータは、以下の条件の場合のシミュレーションから得られたグラフである。図5に示す厚みは、透明導電層15の厚みである。中間層20が金属層17が設けられた領域の全体に設けられている。第2の半導体層13:厚み9.1nmのアモルファスシリコン層透明導電層15:Wのドーパントがドープされた酸化インジウムからなる層中間層20:厚み61.5nmのフッ化マグネシウム層金属層17:厚み400nmのAg層図6は、中間層20が設けられていないこと以外は、実施形態に係る太陽電池と実質的に同様の構成を有する参考例に係る太陽電池における、波長1000nmの光の金属層における反射率を表すグラフである。図6に示す厚みは、透明導電層の厚みである。図5及び図6に示されるグラフから分かるように、中間層20が設けられている場合は、中間層20が設けられていない場合とは異なり、透明導電層15の厚みが大きくなると共に、光反射率の最低値が単調減少する。この結果から、中間層20が設けられている場合は、透明導電層15の厚みは、100nm以下であることが好ましいことが分かる。また、中間層20の屈折率は、金属層17の屈折率よりも高く、透明導電層15の屈折率よりも低いことが好ましい。この場合、光の干渉効果により反射率が高くなる。尚、本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含む。例えば、中間層20は、金属層17が設けられた領域の全体に設けられていてもよい。その場合、エバネッセント光の吸収をより効果的に抑制することができる。光電変換部は、HIT構造を有するものに限定されず、多結晶シリコンを用いたものであってもよいし、薄膜シリコンを用いたものであってもよいし、CIGSなどを用いたものであってもよい。太陽電池は、一主面側に第1及び第2の電極が配された裏面接合型の太陽電池であってもよい。以上のように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含む。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。"