"第1の開口部を通過する入力光を受光するように、かつ、前記入力光を光路に沿って方向付けるように動作可能である第1の反射器であって、前記入力光が第1の偏光によって特徴付けられる、第1の反射器と、前記光路に沿って配置された第1の偏光板であって、前記第1の偏光状態によって特徴付けられる光を反射するように動作可能である第1の偏光板と、前記光路に沿って配置された第1の組の増幅器モジュールであって、前記第1の組の増幅器モジュールのそれぞれが、入射口ウィンドウ、4分の1波長板、互いに略平行に配列された複数の増幅器スラブレット、および、出射口ウィンドウを備える第1の組の増幅器モジュールと、前記光路に沿って配置された第2の組の増幅器モジュールであって、前記第2の組の増幅器モジュールのそれぞれが、入射口ウィンドウ、4分の1波長板、互いに略平行に配列された複数の増幅器スラブレット、および、出射口ウィンドウを備える第2の組の増幅器モジュールと、前記第1の組の増幅器モジュールから出射して、前記第2の組の増幅器モジュールに入射する光を反射するように動作可能である一組のミラーと、前記光路に沿って配置された第2の偏光板であって、第2の偏光状態によって特徴付けられる光を反射するように動作可能である第2の偏光板と、前記光路に沿って配置された第2の反射器であって、第2の開口部を通過するように光を方向付けるよう動作可能である第2の反射器とを具備する、主増幅器システム。少なくとも1つの位相誤差または偏光誤差を軽減するよう動作可能である補正板をさらに備える、請求項1に記載の主増幅器システム。前記光路が、前記第1の開口部から前記第2の開口部まで延びている、請求項1に記載の主増幅器システム。前記主増幅器システムの前記入力開口部と光学的に結合されたパワー増幅器をさらに備える、請求項1に記載の主増幅器システム。前記複数の増幅器モジュールが、4つの増幅器モジュールを備える、請求項1に記載の主増幅器システム。前記複数の増幅器モジュールのそれぞれが、ガス流によって冷却される、請求項1に記載の主増幅器システム。前記ガスがヘリウムを含む、請求項6に記載の主増幅器システム。前記第1の偏光状態がS偏光を含み、前記第2の偏光状態がP偏光を含む、請求項1に記載の主増幅器システム。前記第1の反射器が、第1のビームラインに関する入力反射器と、第2のビームラインに関する出力反射器とを備える、請求項1に記載の主増幅器システム。前記一組のミラーのミラー間に配置されるスイッチをさらに備える、請求項1に記載の主増幅器システム。入力パルスを増幅する方法であって、第1の開口部を介して、増幅器システムのビームラインに沿って第1の偏光状態を有する入力パルスを受け入れるステップと、入力ミラーに前記入力パルスを反射させるステップと、前記入力パルスが、前記第1の偏光状態を有していることの結果として、第1の偏光板に前記入力パルスを反射させるステップと、前記第1の偏光状態を第1の中間偏光状態に変換するステップと、前記入力パルスを増幅して、前記第1の中間偏光状態を有する増幅されたパルスを供給するステップと、前記第1の中間偏光状態を有する前記増幅されたパルスを、第2の偏光状態を有する増幅されたパルスに変換するステップと、前記増幅されたパルスが、前記第2の偏光状態を有していることの結果として、前記増幅されたパルスに前記第1の偏光板を通過させるステップと、前記増幅されたパルスが、前記第2の偏光状態を有していることの結果として、前記増幅されたパルスに第2の偏光板を通過させるステップと、前記第2の偏光状態を第2の中間偏光状態に変換するステップと、前記増幅されたパルスを増幅して、前記第2の中間偏光状態を有する出力パルスを供給するステップと、前記第2の中間偏光状態を前記第1の偏光状態に変換するステップと、前記出力パルスが、前記第1の偏光状態を有していることの結果として、前記第2の偏光板に前記出力パルスを反射させるステップと、出力ミラーに前記増幅されたパルスを反射させるステップと、前記増幅器システムの前記ビームラインに沿って、前記第1の偏光状態を有する前記出力パルスを、第2の開口部を通過するように方向付けるステップとを含む方法。前記第1の偏光状態がP偏光を含み、前記第2の偏光状態がS偏光を含む、請求項11に記載の方法。前記第1の中間偏光状態が、第1の掌性を有する円偏光を含み、前記第2の中間偏光状態が、前記第1の掌性と反対の第2の掌性を有する円偏光を含む、請求項11に記載の方法。前記第1の偏光状態を前記第1の中間偏光状態に変換する前記ステップが、前記入力パルスに4分の1波長板を通過させることを含む、請求項11に記載の方法。前記入力パルスを増幅して、増幅されたパルスを供給する前記ステップが、略垂直の入射角で前記入力パルスに複数の増幅器スラブレットを通過させることを含む、請求項11に記載の方法。前記増幅器システムの前記ビームラインが、第1の開口部から前記第1の開口部と異なる第2の開口部まで伸びている光路を含む、請求項11に記載の方法。光路に沿って第1の偏光状態を有する光を反射するように動作可能である偏光板と、前記光路に沿って配置された4分の1波長板と、前記光路に沿って配置された反射器と、前記偏光板を通過した光を受光するように動作可能である増幅器と、増幅された光を反射するように動作可能である第2の反射器とを備える光学増幅器システム。前記増幅器が、二重パス増幅器を備える、請求項17に記載の光学増幅器システム。前記光学システムの入力開口部に光学的に結合されたパワー増幅器をさらに備える、請求項17に記載の光学増幅器システム。前記増幅器が複数のスラブレットを含み、これらのスラブレットは、これらのスラブレット間に冷却ガスの流れを受け入れるように動作可能である、請求項17に記載の光学増幅器システム。0029本発明の実施形態は、レーザシステムに関する。より具体的には、本発明は、三次元の増幅器幾何構造を用いて高出力レーザビームを増幅するための方法およびシステムに関する。たんなる例として、本発明は、所定の光路に沿って多数の増幅器段を通過するようにビームを方向付けるために、増幅されているビームの偏光状態を利用する増幅器アセンブリに適用されている。特定の実施形態では、本明細書に記載された三次元の増幅器幾何構造によって、最終の増幅されたビームのパワーレベルを下回るパワーレベルで動作する電気光学スイッチを用いて、寄生モードの抑制を実行することが可能となる。上記の方法およびシステムは、様々な種類の他のレーザ増幅器アーキテクチャおよびレーザシステムに適用することができる。0030]図1は、NIFビームラインの単純化された概略図である。図1に示されているように、前置増幅器と光学的に結合されたマスタ発振器およびファイバからの光は、搬送空間フィルタTSFのビームラインに注入される。最初、光は、パワー増幅器を伝搬し、LM3に反射する。次に、光は、偏光板に反射し、主増幅器の4回の通過の内の最初の通過を開始する。最初、偏光スイッチは、主増幅器に向かって伝搬する光を通過させる状態にある。主増幅器の1回目の通過および可変ミラーLM1での反射の後、光は、主増幅器の2回目の通過を行う。光が、偏光スイッチに戻ってくるときには、偏光スイッチは、光が偏光板に対して調整されるように光の偏光を変化させ、これにより、光は偏光板を通過して、LM2に反射するようになる。次に、光は、主増幅器をさらに2回通過し、偏光スイッチによって再び偏光状態を変更されて、パワー増幅器の2回目の通過を行うために偏光板およびLM3に反射する。このように、NIFアーキテクチャでは、パワー増幅器の2回の通過および主増幅器の4回の通過が利用されている。0031図2は、NIFビームラインの単純化された展開図である。展開図の分析は、増幅されたパルスが、主増幅器の4回の通過のそれぞれにおいて同じ光学部品を伝わることを示している。0032図1に示されているアーキテクチャの繰返し率が、数ヘルツの繰返し率まで増加された場合、偏光スイッチを積極的に冷却する必要が生じる可能性がある。一実施態様では、偏光スイッチは、プラズマ電極ポッケルスセルPEPCである。主増幅器の4回の通過およびパワー増幅器の2回の通過の後の、TSFの焦点における光度が、1018W/cm2のオーダであることに留意すべきである。数ヘルツにおけるこれらのパワーレベルおよび動作では、空間フィルタに使用されているピンホールが、融解またはアブレーションし始める。このプロセスは、108W/cm2の低さの光度で発生する可能性がある。したがって、融解、凝固、アブレーション、侵食、および蒸気生成などは、図1に示されているアーキテクチャの高速繰返し動作の間に生じる問題点である。0033]その内容の全体が参照により本明細書に組み込まれる、2008年9月30日に提出された同一出願人による国際出願PCT/US2008/011335号明細書に述べられているように、LIFEシステムによっては、複数のスラブレットの各対の間の冷却チャネルを可能とするために、短い距離だけ互いに離間された複数のスラブレットを有するブースタ増幅器が利用されている。これらの設計では、単一のスラブよりも、複数のスラブレットが使用される。なぜならば、複数のスラブレットの方が、冷却がより容易であり、また、必要な場合に交換がより容易だからである。適切な温度を維持するために、複数のスラブレットは、ウィンドウの間に囲まれており、ヘリウムが、複数のスラブレット間に、例えば複数のスラブレットの表面に対して垂直の方向に送り込まれる。複数のスラブレットの使用によって、仕上げられるべき表面の数が増加し、その結果、利得媒質の表面積が増加する。表面欠陥は、光が表面欠陥を繰り返し伝搬するにつれて、追加されるため、本発明者らは、光が利得媒質の同じ部分を1回より多く通過することを回避することが好ましいと判断した。0034図3は、本発明の実施形態に係る多重パス増幅器300の単純化された展開図である。図3に示されているように、マスタ発振器310および前置増幅器312からの光は、S偏光状態でパワー増幅器314に注入される。S偏光水平偏光とも呼ばれるを用いる、第1のビームラインの注入は、多重パス増幅器300と併せて利用することのできるTSFのピンホール平面の少し手前で行われてもよい。光は、スラブレット316を含む第1の増幅器モジュールに入射し、S偏光された光を円偏光された光に変換する4分の1波長板QWP318を通過する。円偏光された光は、ブリュースタ角のスラブを使用する設計と対照的に、該光が垂直入射するように配置されたスラブレット316を通過する。スラブレット316は、先に述べたようなヘリウムまたは他の適当な冷却ガスを用いてスラブレット316を冷却することを可能とするために、ウィンドウ320aおよび320b間に配置されている。ビームラインが垂直入射における利得を得る増幅器/利得スラブレット増幅器スラブ、利得スラブ、またはスラブレットとも呼ばれるを通過することは、元の値から2/3の係数だけ非線形指数を減少させ、これにより、ΔΒが減少するという利益をもたらす。このように、本発明の実施形態では、光が垂直入射で増幅器スラブレットに入射するために、垂直増幅器と呼ぶことのできる増幅器モジュールが利用される。以下でより完全に述べられるように、垂直増幅器増幅器モジュールとも呼ばれるは、複数の増幅器スラブレット316、4分の1波長板318、および随意のウィンドウ320a/bを含んでいる。なお、これらはすべて、これらを伝搬するビームが垂直入射するように、該ビームに対して名目的に配置されている。特定の実施態様によっては、各増幅器モジュール内のスラブレットの数は、約10枚のスラブレット~約100枚のスラブレットの範囲とすることができる。特定の実施形態では、50~60枚のスラブレットが利用される。0035第1の増幅器モジュールを通過した後、ビームは、例えば一組の反射器325aおよび326bを用いて、第2の増幅器モジュールに向けて反射される。なお、反射器325aおよび326bは、誘電体反射ミラーまたは角度識別反射器であってもよい。第2の増幅器モジュールおよびこれ以降の増幅器モジュールは、第1の増幅器モジュールと共通の部材を共有している。同一部材については、明瞭かつ簡潔にするために、以下の説明において述べられる場合もあるし、述べられない場合もある。図示された実施形態では、増幅器モジュールは、一組のウィンドウ以下で説明されるような他の増幅器モジュールと共通に共有されていてもよいと、QWPと、一組の増幅器スラブレットとを含んでいる。増幅器モジュールは、特定の用途に適した他の部材を含んでいてもよい。当業者であれば、多くの変更例、修正例、および代替例について認めるであろう。0036第2の増幅器モジュール内のスラブレット330の増幅通過が行われた後、QWP332は、図3に示されているように、光をP偏光垂直偏光とも呼ばれているに変換する。次に、光は、P偏光状態を通過させるように調整された偏光板334を通過し、以下に述べるような一組のミラー336aおよび336bによって反射される。この一組のミラーは、誘電体反射ミラー、または角度識別反射器などであってもよい。光P偏光状態のは、別の偏光板338を通過し、第3の増幅器モジュールの入射口まで伝搬する。0037スラブレット316を含む第1の増幅器モジュールと同様に、QWPが、光をP偏光状態から円偏光に変換するために、第3の増幅器モジュールの入射口に配置されている。第3の増幅器モジュール内の増幅器スラブレットの増幅通過の間に、光は、図3に示されているように、円偏光される。別の一組のミラー342aおよび342b誘電体反射ミラーまたは角度識別反射器などであってもよいが、第3の増幅器モジュールと第4の増幅器モジュールとの間の光路を形成するために利用されている。光は、第4の増幅器モジュール内のQWP350によって、再びS偏光に変換され、4回目の増幅通過の後、S偏光状態で出射する。S偏光された光は、偏光板360およびミラー362に反射する。この際、該光は、PA370に向けられる。なお、PA370は、ブリュースタ角に配置された一組の増幅器スラブまたは、スラブレットを含んでいてもよい。複数のスラブレットを使用することによって、スラブ毎に一組のウィンドウが使用されるのではなく、各増幅器モジュールに対して単一組のウィンドウのみが使用される。実施形態によっては、多数の増幅器モジュールは、ウィンドウの数を減らすことのできる単一の冷却筐体に組み入れられてもよい。実施形態によっては、パワー増幅器314およびパワー増幅器370は、最初に増幅された光を第1の増幅器モジュールに供給し、第4の増幅器モジュールからの増幅された光を受光するように動作可能な同一のパワー増幅器である。図3に示されている実施形態では、主増幅器MA増幅器部は、先に述べた4つの増幅器モジュールを含んでいる。0038以下でより完全に説明されるように、追加のビームラインが、増幅器システムに注入されてもよい例えば、第4のビームラインが、図3の下のTSFに注入されて、図3に示されている第1のビームラインに対して小さな角度で反対方向に伝搬することが留意されるべきである。0039]図3を参照すると、複数の随意の部材が示されている。随意の複屈折補償器は、増幅されたビーム内に折り重なった複屈折を補償するために、第1の増幅器モジュールと第2の増幅器モジュールとの間、および、第3の増幅器モジュールと第4の増幅器モジュールとの間に配置することができる。複屈折補償器は、双方とも随意である。さらに、第2の増幅器モジュールと第3の増幅器モジュールとの間に低パワースイッチを介挿することが可能である。低パワーという用語は、第4の増幅器モジュールを通過した後のビームの強度との比較において用いられている。この随意のスイッチは、第2の増幅器モジュールの後に利用されてもよいため、パワーは、第4の増幅器モジュールの後のパワーを大幅に下回っている。このため、第4の増幅器モジュールの増幅通過に関連したパワーよりも低いパワーでの使用に適したスイッチの使用が可能である。0040]図4Aは、本発明の実施形態に従って示された多重パス増幅器システム400の三次元図である。図4Aに示されているアーキテクチャは、図3に示されている展開されたアーキテクチャに関している。以下で説明するように、図4Aに示されている増幅器システムは、増幅されたビームが部品を共有する、4つで1セットの4つの垂直入射増幅器モジュール460、461、462、およびもう1つ図示せずを有している。図4Aに示されている多重パス増幅器は、図3に示されているマスタ発振器310、前置増幅器312、またはパワー増幅器314/370を含んでいない。言うまでもなく、特定の実施態様によっては、これらの追加の光学システムは、多重パス増幅器と一体化されていてもよい。さらに、図4Aに示されている部材は、主増幅器システム400と呼んでもよい。0041光は、S偏光された光として多重パス増幅器システム400に入射し例えば、開口部1を介して、ミラー410に反射する。次に、S偏光された光は、偏光板420に反射して、QWPおよび複数の増幅器スラブレットを囲んでいる一組のウィンドウを含む第1の増幅器モジュール460例えば、増幅器モジュールに関係するさらなる説明に関して、図3参照に向かう。光は、QWPを通過して、円偏光に変換される。ミラー450aおよびミラー450b45°ミラーセット450を構成しているに反射した後、光は、第2の増幅器モジュール461を通過する。第2の増幅器モジュール461も同様に、例えば、ミラー450bと反対の端に、光をP偏光に変換するQWPを含んでいる。P偏光の状態で、光は2回の増幅通過の後、偏光板420の下に配置された偏光板図示せずを通過し、一組の45°ミラー図示せずに反射する。次に、光は、偏光板422の下方に配置され、P偏光された光に対して調整された偏光板図示せずを通過する。増幅器アーキテクチャが三次元的性質を有するため、図3および図4Aの双方を相互に関連付けた考察は、本発明の実施形態を理解する際の助けとなる。0042次に、光は、さらに2回の増幅通過を行う。すなわち、光は、まず第3の増幅器モジュール図示せずを通過し、次いで第4の増幅器モジュール462を通過する。第3の増幅器モジュールおよび第4の増幅器モジュールは、それぞれ、45°ミラーセット456と反対の側に、光をP偏光から円偏光に増幅中に変換するQWP、および、次いで該光をS偏光に変換するQWPを含んでいる。第4の増幅器モジュール462を出射したS偏光された光は、偏光板422に反射してミラー412に向かい、これに反射して主増幅器システムから出て行く。このように、本発明の実施形態は、スイッチの使用を必要としない、4回の増幅通過を行う増幅器システムを提案する。本発明の一部の実施形態に関連して説明したように、システム性能を改善するために、例えば2回目の増幅通過の後に、随意にスイッチを使用してもよい。当業者であれば、多くの変更例、修正例、および代替例について認めるであろう。0043図4Aを参照すると、1つのビームラインに沿う光は、第1の開口部例えば、ミラー410に通じている開口部開口部1に入射し、別の開口部例えば、ミラー412の下流にある開口部開口部4から出射する。4つのビームラインを利用する実施態様の場合、各ビームラインは、ある開口部に入射して、別の開口部から出射する。例えば、開口部4に入射するビームは、開口部1から出射する。さらに、ビームは、多重通過を実現するために小さい角度例えば、1mradで互いに傾斜して、互いにわずかに異なるビーム経路に沿って伝搬してもよい。ビームは、他の角度で、例えば、約1mrad~約3mradの範囲、または、1mrad未満の角度で互いに傾斜していてもよい。このように、本発明の実施形態は、各ビームが各増幅器モジュールを1回だけ通過する四重パス幾何構造を有する増幅器アーキテクチャを提案する。さらに、図4に示されている実施形態では、偏光スイッチが使用されていない。4つのビーム実施態様では、4つのビームは、該4つのビームのそれぞれが、4つの増幅器モジュールのそれぞれを通過するつまり、4つのビームおよび各ビームに対する4回の通過増幅際に、増幅される。このことは、妥当なサイズのフロントエンドを用いて高パワー出力を実現することに適している。当業者であれば、多くの変更例、修正例、および代替例について認めるであろう。0044一実施形態では、4つのビームラインが利用される。ビームライン1は、TSF1に入射し、TSF4から出射し、ビームライン4は、TSF4に入射し、TSF1から出射し、ビームライン2は、TSF1に入射し、TSF3から出射し、ビームライン3は、TSF4に入射し、TSF2から出射する。0045本発明の実施形態は、光路に沿って使用される望遠鏡の数の減少を含む利益であって、従来のアーキテクチャを用いて得ることのできなかった利益をもたらす。一例として、図3と図2とを比較すると、キャビティー空間フィルタCSFとして機能する望遠鏡が、図3に示されているアーキテクチャには存在していない。NIFにおけるCSFの除去によって実現されるサイズの減少の一例として、CSFは、全長44メートルの光共振器に対して約22メートルCSF望遠鏡の長さに相当するの像平面を伝える。一方、実施形態によっては、図4に示されている主増幅器システムの全体が、長さ約6メートルのモジュールにパックされる。さらに、本発明の実施形態によって、口径食による損失が、従来のアーキテクチャと比べて減少する。0046さらに、ビームクリーンアップの問題点に関係する問題が、本発明の実施形態によって軽減される。光学スイッチが利用されず、また、図4に示されているように光学部品がより密接にパックされているため、必要とされるビームクリーンアップがより少なくなっている。実施形態によっては、ビームクリーンアップは、TSFのみ、および/または、ミラーもしくはシステム内に存在する他の光学部品に対する狭い範囲の角被膜を用いて行うことができる。一例として、角度識別被膜を、ミラーおよび/または偏光板を含む、ビーム経路の途中にある1つ以上の反射光学器または透過光学器に対して使用することができる。このように、様々な種類のバルク角度識別光学器が選択肢として利用可能であり、フィルタリングは必ずしも焦点で行う必要はないが、識別は、大開口部で、熱の放散がより容易である被膜またはバルク材料のいずれかとして実行することができる。このように、大開口部での角度識別を用いて、空間フィルタが使用される場合に、システムで使用される任意の他の空間フィルタの負荷を軽減することができる。0047図4Aに示されている4つの増幅器モジュール460、461、および462が示されているは、特定用途に適した2つ以上の別個の冷却筐体または単一の冷却筐体にパックすることができる。0048図4Bは、本発明の実施形態に係る多重パス増幅器を通過する光線軌跡経路を示している三次元斜視図である。図4Bに示されている三次元斜視図は、図4Aに示されている三次元斜視図と共通の複数の部品を共有している。図4Bに示されているように、増幅器モジュールは、図4Aに示されている垂直面ではなく水平面において2回の増幅通過例えば、ビーム1およびビーム2を実現するような向きに配置された45°ミラーによって結合されていてもよい。この結果、増幅器モジュール471を通過する光は、反射器450eおよび450fに反射して増幅器モジュール470に向かう。0049]図4Cは、本発明の実施形態に係る多重パス増幅器を第1の方向から見た三次元斜視図である。図4Dは、本発明の実施形態に係る多重パス増幅器を第2の方向から見た三次元斜視図である。図4Cおよび図4Dに示されている多重パス増幅器は、図4Aおよび図4Bに示されている増幅器システムと共通の部品を共有しているが、明瞭かつ簡潔にするために参照符号記載が記載されていない。0050図5は、本発明の実施形態に係る多重パス増幅器の上半分を示している単純化された概略図である。以下で説明するように、実施形態によっては、2つの追加の増幅器モジュール図示せずが、4つの増幅器モジュールシステムを完結させる。図5では、4つで1セットのビームラインの内の1つのビームラインだけが示されており、2つの増幅器モジュール560および562垂直増幅器が示されている。これらの垂直増幅器は、図3で述べた第1の増幅されたモジュールおよび第2の増幅されたモジュールと比較することができる。光は、S偏光570状態で増幅器システムに入射し、ミラー510に反射した後、偏光板520に反射する。入力光は、4分の1波長板QWP530および一組の増幅器スラブレット540を囲んでいるウィンドウウィンドウ565の一方を通過する。QWP530は、S偏光の光を円偏光に変換し、ビームは、増幅器スラブレット540によって増幅される。光は、QWPおよび第1の増幅器モジュール560内の増幅器スラブレットに対して略垂直に入射する。1回目の増幅通過の後、光は、45°ミラー550に反射して、図の平面の背後にある第2の増幅器モジュール図示せずに向かう。光は、2回目の増幅通過を行い、第2の増幅器モジュールのQWPによってP偏光に変換される。光は、P偏光状態にあるため、図の平面の背後から該平面にかけて延在している偏光板520を通過し、45°ミラー552および554に反射する。偏光板520は、図の平面に対して垂直な線に沿って重ねられた2つの偏光板であってもよい。0051P偏光状態の光は、偏光板522図の平面の背後にかけて延在しているか、または、図の平面の背後に配置された偏光板を通過し、図の平面の背後にある第3の増幅器モジュール図示せずに入射する。第3の増幅器モジュールのQWPは、光を円偏光に変換する。その後、増幅された後、光は、45°ミラーセット566に反射し、第4の増幅器モジュール562に衝突する。第4の増幅通過の後、光は、QWP514によってS偏光に変換され、偏光板522およびミラー512に反射してシステムから出射する。入射開口部570に入射というラベルが付けられ、出射開口部572に出射とラベルが付けられているが、多ビームシステム例えば、4つのビームのシステムでは、第2のビームラインが、開口部572より入射し、開口部570から出射することになることが理解されよう。したがって、入射および出射というのは、多ビームラインの内の1つにのみ当てはまる。0052図6は、本発明の実施形態に係る、偏光スイッチを含む多重パス増幅器の上半分を示している単純化された概略図である。図6に示されている多重パス増幅器システムは、図5に示されている多重パス増幅器システムと共通の部品を共有しているが、共通の部品は、明瞭かつ簡潔にするために必ずしも記載されていない。図6に示されているように、PEPCなどの半波スイッチであってもよいスイッチ605は、光が2つの増幅器モジュールを伝わった後の光路に介挿されている。オフ状態の場合、半波スイッチは、半波長板として機能し、これにより、システムを通過する光の伝達を遮断する。抽出パルスが十分である場合、スイッチは、駆動されてオン状態になる。このオン状態では、スイッチは、ゼロ波長板となり、これによって、抽出パルスが、パルスの偏光に対して調整された偏光板を通過することが可能となる。スイッチは、2つの増幅器モジュール360および362を含む平面に示されているが、上面のスイッチが、図の平面の背後に位置する平面において開始され、終了するビームラインに対してアクティブであることが理解されよう。図の平面において入射し、出射するビームラインに関するスイッチは、図の背後の平面に配置されている。0053第2の増幅器モジュールと第3の増幅器モジュールとの間の位置にスイッチ605を配置することにより、増幅効率を低下させることのある増幅自然放出ASEおよび他の望ましくない光閃光による迷光を、増幅器モジュールの多くても2回の通過の後で遮断することが可能となる。用途によっては、2回の通過に関連するフルエンスは、約100ジュール以下である。したがって、スイッチ605が受けるフルエンスは、図1に示されている偏光スイッチが受けるフルエンスと比べて大幅に少ない。図1と図6とを比較すると、図1の偏光スイッチの配置は、4回の増幅通過に関連する全フルエンス~10KJスイッチ605が受ける、2回の増幅通過の後のフルエンスと比べて数桁多いへの露出をもたらしている。スイッチ605が受けるより低いパワーは、センチメートルスケールで実証された例えば、M.D.Skeldon,M.S.JinD.J.SmithandS.T.Bui,PerformanceoflongitudinalmodeKDPPockelscellswithtransparentconductiveelectrodes,SPIEVol.1410SolidStateLasersII1991参照インジウム/錫/酸化物被膜例えば、W.T.Pawlewicz,I.B.Mann,W.H.LowdermilkandD.Milam,Laser-damage-resistanttransparentconductiveindiumtinoxidecoatings,Appl.Phys.Lett.343,1Feb.1979参照を例えば用いて作製された透明電極、または他の適切な透明電極などを採用している、ポッケルスセルを含むスイッチイングのための多数の選択肢の使用を可能とする。0054図7は、本発明の実施形態に係る、ポンプ光注入システムを含む多重パス増幅器の側面図である。図7に示されている多重パス増幅器は、図5に示されている多重パス増幅器システムと共通の部品を共有しているが、共通の部品は、明瞭かつ簡潔にするために、必ずしも記載されていない。増幅器モジュール、および、ビームを図の平面の背後にある一組の増幅器モジュールに向けるための45°ミラーセットが、図7には示されている。図7に示されている実施形態では、ポンプ光が二色ミラーを用いて注入されることによって、増幅される光ビームに対して調整された方向垂直入射に沿う増幅器スラブレットの表面励起が可能となる。増幅されたビームを方向付けるために使用される偏光板およびミラーの位置は、利得媒質を励起するために使用される二色ミラー710を配置することが可能となるように調節することができる。図7に示されている設計によって、増幅された光ビームに関して高効率をなお維持しながらも、ポンプ光が、利得媒質に到達することが可能となる。0055様々なタイプの集光器またはダクトが、ダイオードポンプ光を増幅器の端面および/またはエッジに向けるために使用されてもよい。ラサント濃度およびスラブレットの厚さは、熱的に誘導された位相歪みおよび熱的に誘導された応力複屈折を容認できる許容範囲内に保つために、増幅器アセンブリの長さに応じて変更さてもよい。0056図8は、本発明の実施形態に係る増幅器スラブレットをギャップ励起する方法を示している斜視図である。図8では、単一の増幅器スラブレットが示されている。しかしながら、典型的には、本明細書に記載された図3および他の図面に示されているように、多数のスラブレットが利用される。0057略円錐形状に形成されたフィン810が、増幅器スラブレット820の上面に取り付けられている。同様のフィン811が、増幅器スラブレットの底縁に取り付けられている。フィンによって、冷却流体として使用される高圧ヘリウムの流れを強める空力環境が用意される。図示された実施形態では、ヘリウムは、増幅器スラブレット820ならびにフィン810および811を通過して上方に流れる。0058複数のスラブレットを横切って伝播するASEを集めるための増幅器スラブレットのエッジの周囲には、エッジクラッディング830が配置されている。エッジクラッディング830は、図示された実施形態では、エッジクラッディング冷却チャネル832を通過する循環水によって冷却されている。ポンプ光は、ダクト840を介して、増幅された光の伝播方向に対して垂直の方向に注入される。ダクトによって、スラブレットは互いに分離されており、スラブレット間の隙間を、冷却ガスが流れるようになっている。0059]特定の実施形態では、ダクト840は、所定の寸法によって特徴付けられるものであり、例えば、厚さ約3mmおよび長さ約40cmの板である。ダクトは、エッジクラッディングと重なっており、スラブレット間のスペーサを形成している。ポンプ光は、スラブレット間に位置するダクトの内面から出射し、互いに隣接するスラブレット間の領域に伝播する。なぜならば、ポンプ光はダクトから出射する際に回折するからであるか、または、ダクトの表面の設計によって、ポンプ光が、隙間領域に広がって入射するからである。増幅器スラブレット間の指数のより低い領域における光が、指数のより高いスラブレットに衝突するため、ポンプ光が、増幅器スラブレットに結合し、これにより、利得が得られる。0060増幅器スラブレットの表面は、増幅器スラブレットへの隙間領域からのポンプ光の結合を増加させるために、エッチングされてもよいし、または、他の方法で強化されてもよい。このようにして、エッチングなどを用いてゾルゲル層によって、増幅器スラブレットは、垂直入射光に対してAR被膜され得るにもかかわらず、これらの表面を介してポンプ光を吸収することができる。一例として、散乱または偏向などによって増幅器スラブレットへのポンプ光の結合を増加させるために、スラブレットの表面を、不規則なパターンで、または、他の適切な処理によってエッチングすることができる。0061実施形態によっては、ダクト840の出力面は、増幅器スラブレットの全体にわたって均一にポンプ光が吸収されるように、ダクトの開口率を増幅器スラブレット結合係数に適合させるような角度に配置されてもよい。先に述べたように、ある角度から見た場合に穏やかに散乱し、かつ、垂直入射に対するAR被膜として機能する構造であって、損傷性能の観点から高品質の被膜をなお実現しながらも、ポンプ光を増幅器スラブレットに効果的に結合させる構造を使用することができる。一部の実施形態によれば、さらに半導体レーザと接合されるファイバ結合器が、ダクト840の代わりとして、または、ダクト840の補助として利用されてもよい。0062図9は、本発明の実施形態に係る二重パス増幅器アーキテクチャを示している単純化された概略図である。図9に示されているように、二重パスアーキテクチャは、ASEを防止するためのスイッチ例えば、PEPCまたは大きな開口部のファラデー回転子を含まないものとして実施することができる。本発明の他の実施形態の場合と同様に、図9に利用されている増幅器スラブレットは、略垂直入射ブリュースタ角ではなくの光を受光するように配置され、かつ、反射防止AR被膜を施されてもよいし、または、ブリュースタ角で光を受光するように配置され、かつ、AR被膜を施さなくてもよい。図10は、本発明の実施形態に係る、一組の二重パス増幅器アーキテクチャの統合体を示している単純化された概略図である。図10に示されている実施形態では、2つの二重パスビームラインは、レーザパルスが同じ光学部品を1回以上伝わらないように、重ねられて共有されてもよい。0063図9を参照すると、光は、TSF910を介してシステムにS偏光で入射する。光は、図示されている実施形態ではブリュースタ角に配置された複数のスラブレットを含むパワー増幅器912によって増幅される。ミラー914に反射した後、入力光は、S偏光の光を反射し、かつP偏光の光を通過させるように調整された偏光板920に反射する。次に、反射した光は、QWP922によって円偏光に変換される。ミラー924に反射した後、QWP922の2回目の通過によって、光は、P偏光に変換され、これにより、光が偏光板920を通過すること、および、光がCSF930に入射することが可能となる。実施形態によっては随意であるCSFは、光をフィルタリングしてビームの品質を向上させる。P偏光の光は、図示された実施形態ではブリュースタ角に配置された複数のスラブレットを含む主増幅器932の1回目の通過を行う。ミラー934に反射した後、光は、主増幅器932の2回目の通過を行い、2回の増幅通過を達成する。増幅された光は、随意のCSF930、偏光板920を通過し、QWP922によって円偏光された光に変換される。ミラー924に対する最後の反射を行った後、光は、QWPによってS偏光に変換され、偏光板920に反射してミラー914に向かい、これと同時に、光は増幅器システムから出射し始める。0064図10を参照すると、光は、重ねられた対の増幅器に入射し、ミラー1010に反射する。S偏光の光は、偏光板1024に反射し、QWP1022を2回通過するミラー1020に反射する前後に。これにより、S偏光の光は、P偏光に変換される。次に、光は、偏光板1024を通過し、主増幅器1026を通過する間に増幅される。次に、光は、ミラー1028および1038に反射した結果、第2の主増幅器1036に向けられる。0065光について、主増幅器1036を通過する際に、2度目の増幅が行われる。2度増幅されたP偏光された光は、偏光板1034を通過し、QWP1032の2回通過およびミラー1030からの反射の結果、S偏光に変換され、偏光板1034およびミラー1040の反射作用によって、増幅器システムから反射して出て行く。このように、図10に示されているビームラインに関して、各増幅器は、シングルパス増幅器である。図10に示されている実施形態では、別のビームラインは、出力側から入力側へ反対方向に伝播することができる。当業者であれば、多くの変更例、修正例、および代替例について認めるであろう。0066図11は、低パワーPEPCを有する、開口部が1つしかない四重パス増幅器の設計を示している単純化された概略図である。先に述べたように、低パワーという用語は、本明細書に記載された光学システムの最終出力パワーとの比較において使用されている。図11に示されている増幅器は、図9に示されている増幅器システムと共通の部品を共有しているが、共通の部品は、明瞭かつ簡潔にするために、必ずしも記載されていないか、または、参照符号が付けられていない。図11に示されているように、増幅される光は、S偏光状態で注入され、偏光板に反射して、該光を円偏光に変換するQWPに向かう。光は、1回目の増幅通過の間にスラブレットを通過し、光学複屈折補償器を通過する。光は、反射して戻され、スラブレットの2回目の増幅通過の前に、随意の複屈折補償器を通過する。QWPは、光2回の増幅通過を経たが、偏光板を通過して低パワースイッチに向かうように、偏光状態をP偏光に変換する。スイッチは、光が反射してスラブレットに向かって戻ることができるように、光を通過させるように動作する。反射後に光がスイッチを通過した後、スイッチを閉じることができる。0067次に、光は、偏光板、および、該光を円偏光に変換するQWPを通過する。スラブレットおよび潜在的な複屈折補償器のさらに2回の増幅通過の後、光は、QWPによってS偏光に変換され、偏光板に反射して増幅器システムから出射する。図12は、図11に示されているシステムを展開した図であり、4回の増幅通過の間の光路を示している。低パワースイッチによって、最終の増幅されたビームのパワーレベル未満のパワーレベルで動作する電気光学スイッチを用いて実行される、寄生モードの抑制が可能となる。図11および図12に示されている実施形態では、寄生モードの抑制は、4回の増幅通過の内の2回目の後に実行される。本明細書では、増幅器の用途との関連で本発明の実施形態について述べたが、レーザの用途も、本発明の実施形態の範囲内に含まれる。0068図9~図12に示されている実施形態は、図4A~図4Dに関して述べた三次元アーキテクチャを利用していなくてもよい。しかしながら、これらの実施形態は、増幅器モジュールが必ずしも二次元に配列されないという意味で、二次元アーキテクチャによって特徴付けられてもよい。図4Dを参照すると、増幅器モジュールが、増幅器モジュールで増幅されている光の伝播方向に対して略直角の平面に2×2の配列で配列されている。図9~図12に示されている実施形態では、この幾何構造が必要とされなくてもよい。このように、図9~図12に示されている実施形態は、図4A~図4Dに示されているより一般的な三次元幾何構造のサブセットであると考えられてもよい。当業者であれば、多くの変更例、修正例、および代替例について認めるであろう。0069]実施形態によっては、図3および図11に示されているような複屈折補償器を含むことが望ましい場合がある。応力によって誘導される複屈折は、レーザ増幅器を通過するレーザパルスの空間依存の偏光解消を引き起こす場合がある。補償器板の追加が、増幅器の通過の間の偏光解消のサインを反転するために必要とされる場合がある。これにより、同様に歪曲されたその後の増幅器によって偏光状態を補正することが可能になる。0070]さらに、本明細書に記載された例および実施形態は、例示のためだけのものであること、ならびに、これらを考慮して様々な修正例または変更例が、当業者に対して示唆されていること、および、これらの修正例または変更例が、本明細書の精神および範囲ならびに添付の特許請求の範囲内に含まれるべきであることが理解されよう。"