"被照射面を照明する照明方法において、第1所定面における光量分布を設定する第1光学素子を経由した光で第1被照射面を照明することと、前記第1所定面の光量分布を計測し、該計測結果を第1光量分布として記憶することと、前記第1光学素子と構成が異なるとともに、第2所定面における光量分布を前記第1光量分布とほぼ同じ分布に設定可能な第2光学素子を経由した光で第2被照射面を照明することと、を含むことを特徴とする照明方法。前記第1被照射面は前記第1光学素子を有する第1照明光学系からの光で照明され、前記第2被照射面は前記第2光学素子を有する第2照明光学系からの光で照明されることを特徴とする請求項1に記載の照明方法。前記第1被照射面を照明する際には前記第1光学素子が前記被照射面を照明する照明光学系の光路に設定され、前記第2被照射面を照明する際には前記第2光学素子が前記照明光学系の光路に設定されることを特徴とする請求項1に記載の照明方法。前記第1光学素子は回折光学素子であり、前記第2光学素子は二次元的に配列されそれぞれ光の偏向方向を制御可能な複数の光学要素を有する空間光変調器であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の照明方法。前記回折光学素子は、前記第1所定面で光軸から離れた一つ又は複数の領域よりなる第1照射領域における光量をそれ以外の領域における光量よりも大きく設定し、前記空間光変調器は、前記第2所定面で前記第1照射領域に対応する第2照射領域における光量を前記第1照射領域の光量とほぼ同じ光量に設定可能で、かつ前記第2照射領域以外の領域における光量を前記回折光学素子による高次回折光の光量とほぼ同じ光量に設定可能であることを特徴とする請求項4に記載の照明方法。前記第1光学素子は二次元的に配列されそれぞれ光の偏向方向を制御可能な複数の光学要素を有する空間光変調器であり、前記第2光学素子は回折光学素子であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の照明方法。前記空間光変調器によって前記第1所定面における光量分布を複数の分布に設定してそれぞれ前記第1照明光学系からの光で前記第1照射面を照明することと、前記複数の分布のうちから所定の分布を選択することと、前記空間光変調器によって前記第1所定面における光量分布を前記所定の分布に設定した状態で、前記第1所定面において計測される光量分布を前記第1光量分布として記憶することと、を含むことを特徴とする請求項6に記載の照明方法。前記第1及び第2光学素子からの光はそれぞれ集光光学系によって集光され、前記第1及び第2所定面は、それぞれ前記集光光学系の射出瞳と共役な面であることを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の照明方法。光源からの光で被照射面を照明する照明光学装置において、第1光学素子によって第1所定面で設定された第1光量分布を記憶する記憶装置と、前記第1光学素子と構成が異なるとともに、第2所定面における光量分布を設定可能な第2光学素子と、前記第2光学素子を駆動して、前記第2所定面における光量分布を前記記憶装置に記憶されている前記第1光量分布とほぼ同じ分布に設定可能な制御装置と、を備えることを特徴とする照明光学装置。前記第1光学素子は回折光学素子であり、前記第2光学素子は二次元的に配列されそれぞれ光の偏向方向を制御可能な複数の光学要素を有する空間光変調器であることを特徴とする請求項9に記載の照明光学装置。前記第1光学素子は二次元的に配列されそれぞれ光の偏向方向を制御可能な複数の光学要素を有する空間光変調器であり、前記第2光学素子は回折光学素子であり、前記制御装置は、前記回折光学素子を他の回折光学素子と交換可能に前記照明光学系内の光路上に設定する交換装置を含むことを特徴とする請求項9に記載の照明光学装置。前記第2光学素子を介した光を集光する集光光学系と、前記集光光学系と前記被照射面との間に配置されるオプティカルインテグレータとを備え、前記第2所定面は前記集光光学系の射出瞳と共役な面であることを特徴とする請求項9~11のいずれか一項に記載の照明光学装置。請求項9~12のいずれか一項に記載の照明光学装置を備え、前記照明光学装置からの光で所定のパターンを介して基板を露光することを特徴とする露光装置。請求項13に記載の露光装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、前記パターンが形成された前記基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。従来の通常の回折光学素子を使用した場合には、照明瞳面に設計上の光量分布の外に、高次回折光に起因するフレア光である例えばほぼ一定のオフセット成分等が付加されるため、そのようなフレア光が存在する状態で露光装置の照明条件が設定されていた。これに対して、空間光変調器を用いる場合には、各微小ミラーの傾斜角の制御によって照明瞳面における二次光源の形状が規定されるため、フレア光のような設計上では意図していない光量分布は生じない。また、デバイスを製造する際には、例えば従来のフレア光が比較的大きい回折光学素子を有する照明光学系を備えた露光装置を用いて、照明条件が最適化された製造工程で、フレア光が実質的に発生しない空間光変調器のみを有する照明光学系を備えた露光装置を使用する場合が生じ得る。このような場合、照明条件の互換性を維持するためには、後者の露光装置においても、照明瞳面にあえてフレア光に起因する成分と同等の光量分布を付加することが求められることもある。本発明は、このような事情に鑑み、それまで使用されていた光学素子と構成が異なる光学素子を使用する場合に、必要に応じて光量分布の互換性を維持できるようにすることを目的とする。本発明の第1の態様によれば、被照射面を照明する照明方法が提供される。この照明方法は、第1所定面における光量分布を設定する第1光学素子を経由した光で第1被照射面を照明することと、その第1所定面の光量分布を計測し、該計測結果を第1光量分布として記憶することと、その第1光学素子と構成が異なるとともに、第2所定面における光量分布をその第1光量分布とほぼ同じ分布に設定可能な第2光学素子を経由した光で第2被照射面を照明することと、を含むものである。また、本発明の第2の態様によれば、光源からの光で被照射面を照明する照明光学装置が提供される。この照明光学装置は、第1光学素子によって第1所定面で設定された第1光量分布を記憶する記憶装置と、その第1光学素子と構成が異なるとともに、第2所定面における光量分布を設定可能な第2光学素子と、その第2光学素子を駆動して、その第2所定面における光量分布をその記憶装置に記憶されているその第1光量分布とほぼ同じ分布に設定可能な制御装置と、を備えるものである。また、本発明の第3の態様によれば、本発明の照明光学装置を備え、その照明光学装置からの光で所定のパターンを介して基板を露光する露光装置が提供される。また、本発明の第4の態様によれば、本発明の露光装置を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、そのパターンが形成されたその基板を処理することと、を含むデバイス製造方法が提供される。本発明の態様によれば、第2光学素子を経由した光で被照射面第2被照射面を照明するときに、第2所定面における光量分布を第1光学素子によって設定される第1光量分布とほぼ同じ分布に設定可能である。従って、それまで使用されていた第1光学素子と構成が異なる第2光学素子を使用する場合に、必要に応じて光量分布の互換性を維持できる。[第1の実施形態]以下、本発明の第1の実施形態につき図1~図4を参照して説明する。図1は、本実施形態のスキャニングステッパーよりなる走査露光型の露光装置投影露光装置EXの概略構成を示す。図1において、露光装置EXは、露光用の照明光露光光ILでレチクルRマスクのパターン面であるレチクル面Ra被照射面を照明する照明装置2照明光学装置を備えている。照明装置2は、照明光ILをパルス発光する光源7と、光源7からの照明光ILでレチクル面Raの照明領域36を照明する照明光学系ILSとを備えている。さらに、露光装置EXは、レチクルRの位置決め及び移動を行うレチクルステージRSTと、レチクルRのパターンの像をウエハW基板の表面に投影する投影光学系PLと、ウエハWの位置決め及び移動を行うウエハステージWSTと、装置全体の動作を統括制御するコンピュータよりなる主制御系30と、各種制御系等とを備えている。以下、投影光学系PLの光軸に平行にZ軸を設定し、Z軸に垂直な平面本実施形態ではほぼ水平面内において図1の紙面に平行な方向にX軸を、図1の紙面に垂直な方向にY軸をそれぞれ設定して説明する。本実施形態では、露光時のレチクルR及びウエハWの走査方向はY軸に平行な方向Y方向であり、照明領域36はX方向非走査方向に細長い矩形である。また、X軸、Y軸、及びZ軸に平行な軸の回りの回転方向傾斜方向をθx方向、θy方向、及びθz方向として説明する。光源7としては、波長193nmのレーザ光をパルス発光するArFエキシマレーザ光源が使用されている。なお、光源7として、波長248nmのレーザ光を供給するKrFエキシマレーザ光源、又は固体レーザ光源YAGレーザ、半導体レーザ等から出力されるレーザ光の高調波を発生する高調波発生装置等も使用できる。光源7には電源部32が連結されている。主制御系30が、パルス発光のタイミング及び光量パルスエネルギーを指示する発光トリガパルスTPを電源部32に供給する。電源部32は、その発光トリガパルスTPに同期して光源7にパルス発光を行わせる。光源7から射出されたほぼ平行光束で直線偏光のレーザ光よりなる照明光ILは、ビームエキスパンダ8に入射して、その断面形状が所定形状に拡大される。ビームエキスパンダ8から射出された照明光ILは、照明光ILの偏光方向を所定の複数の角度回転するための1/2波長板9偏光制御部材と、主制御系30の制御のもとで1/2波長板9を回転する駆動部33と、照明光ILをランダム偏光非偏光に変換するための2つの楔型プリズム10a,10bからなるデポラライザ10とを有する偏光光学系を通過する。この偏光光学系を通過する照明光ILの偏光状態は、X方向若しくはY方向の直線偏光、又はランダム偏光等に調整可能である。デポラライザ10を通過した照明光ILは、ミラー11によってX方向に反射された後、光軸AXIに沿って、光軸AXIに垂直な入射面12d及び射出面12eを有するプリズム12の入射面12dに入射する。プリズム12は、照明光ILを透過する蛍石CaF2又は石英等の光学材料から形成されている。プリズム12は、一例として、入射面12dに対してY軸に平行な軸を中心として時計周りにほぼ60°で交差する第1反射面12aと、第1反射面12aとYZ平面に平行な面に対してほぼ対称な第2反射面12bと、XY平面に平行で入射面12d射出面12eに対して直交する透過面12cとを有している。また、プリズム12の近傍に、X方向及びY方向に二次元のアレイ状に配列されたそれぞれ傾斜角が可変の微小ミラーよりなる多数のミラー要素3と、これらのミラー要素3を駆動する駆動部4とを有する空間光変調器13が設置されている。空間光変調器13の多数のミラー要素3は、全体として透過面12cにほぼ平行に、かつ近接して配置されている。また、各ミラー要素3の反射面は、それぞれθx方向及びθy方向直交する2軸の回りの傾斜角が所定の可変範囲内でほぼ連続的に制御可能である。一例として、その可変範囲内の中央においては、各ミラー要素3の反射面は透過面12cにほぼ平行である。主制御系30には照明条件偏光状態、及び後述の照明瞳面22Pにおける二次光源の形状又は光量分布の情報を含むを含む露光データが記憶された記憶装置34が接続されている。主制御系30は、記憶装置34から読み出したその照明条件及び照明光ILの発光タイミングの情報を照明制御系31に供給する。照明制御系31は、例えば照明光ILがパルス発光される間に、多数のミラー要素3の2軸の回りの傾斜角がその照明条件に応じた値に維持されるように駆動部4を制御する。この場合、照明光ILは光軸AXIに平行にプリズム12の入射面12dに入射する。入射した照明光ILは、第1反射面12aで全反射された後、透過面12cを透過して空間光変調器13の多数のミラー要素3に入射する。そして、多数のミラー要素3で反射されて波面分割された照明光ILは、再び透過面12cに入射した後、第2反射面12bで全反射されて射出面12eから射出される。従って、第1反射面12aの入射面12dに対する角度は、入射面12dに垂直に入射した光束が第1反射面12aで全反射するとともに、第1反射面12aで全反射された光束が透過面12cを透過する範囲であればよい。この際には、あるミラー要素3の反射面が透過面12cにほぼ平行であれば、そのミラー要素3で反射された照明光ILは、透過面12cを透過して第2反射面12bで全反射された後、射出面12eを経て光軸AXIにほぼ平行に射出される。従って、各ミラー要素3の2軸の回りの傾斜角を制御することによって、各ミラー要素3で反射されてプリズム12から射出される照明光ILの光軸AXIに対する直交する2方向θy方向及びθz方向の角度を制御でき、後述の照明瞳面22Pの二次光源の光量分布を制御できる。なお、プリズム12の反射面12a,12bは全反射を用いているが、その反射面12a,12bに反射膜を形成し、この反射膜で照明光ILを反射してもよい。また、プリズム12の代わりにミラーを使用してもよい。そして、プリズム12から射出された照明光ILは、所定の焦点距離を持つリレー光学系14集光光学系を介してフライアイレンズ15オプティカルインテグレータの入射面22Iリレー光学系14の射出瞳とほぼ共役な面に入射する。入射面22Iは、レチクル面Raと光学的にほぼ共役である。そのため、フライアイレンズ15を構成する多数のレンズエレメントの断面形状はレチクル面の照明領域36とほぼ相似である。なお、フライアイレンズ15の代わりにマイクロレンズアレイを使用してもよい。空間光変調器13の多数のミラー要素3は例えば10μm角~数10μm角程度の平面ミラーであるが、照明条件の細かな変更を可能とするために、ミラー要素3は可能な限り小さいことが好ましい。さらに、ミラー要素3として、平面ミラーの代わりに、凹面又は凸面のミラー要素を使用することも可能である。このような空間光変調器13としては、例えば特表平10-503300号公報及びこれに対応する欧州特許公開第779530号明細書、特開2004-78136号公報及びこれに対応する米国特許第6,900,915号明細書、特表2006-524349号公報及びこれに対応する米国特許第7,095,546号明細書に開示される空間光変調器を用いることができる。この場合、空間光変調器13の各ミラー要素3で反射された後、プリズム12の第2反射面12bを介して光軸AXIに対して所定の角度でリレー光学系14に入射する光は、入射面22Iにおいて光軸AXIからその所定の角度とリレー光学系14の焦点距離とで定まる位置に入射する。従って、各ミラー要素3の傾斜角の制御によって、入射面22Iにおける照明光ILの光量分布を任意の分布に設定可能である。また、フライアイレンズ15の後側焦点面が照明光学系ILSの瞳面射出瞳と共役な面である照明瞳面22Pであり、照明瞳面22Pは、レチクル面Raと光学的にフーリエ変換の関係にある。照明瞳面22Pには、フライアイレンズ15への入射光束によって形成される照明領域とほぼ同じ光量分布光強度分布を有する二次光源、ここでは空間光変調器13によって形成される4極照明用等の二次光源が形成される。このように、フライアイレンズ15の入射面22I及び照明瞳面22Pにおける光量分布は互いにほぼ等しいとみなすことができる。ただし、入射面22Iに入射する照明光の開き角に比べて、照明瞳面22Pの二次光源から射出される照明光の開き角は大きくなっている。なお、光量とは、本実施形態では、被計測面の単位面積当たりに単位時間当たりに入射する光のエネルギーであり、光量とは照度又は光強度にも対応している。レチクルRのパターン領域に、例えばX方向に解像限界に近いピッチのラインアンドスペースパターン以下、LSパターンという。とY方向に解像限界に近いピッチのLSパターンとが主に形成されている場合、照明条件として例えば4極照明が使用される。その4極照明を使用する場合には、照明瞳面22Pには一例として図3Aに示すように、光軸AXIをY方向に挟む1対の扇形の領域26A,26C及び光軸AXIをZ方向レチクル面のX方向に対応する方向に挟む1対の扇形の領域26B,26Dの平均的な光量が、それ以外の領域の平均的な光量よりも大きい二次光源28が形成される。なお、図3Bの実線の光量分布ITNは、図3Aの光軸AXIを通りY軸に平行なBB線に沿う光量分布を示す。二次光源28は90°回転してもほぼ同じであるため、図3Bは図3Aの光軸AXIを通りZ軸に平行な線分に沿った光量分布とみなすことも可能である後述の図3Eも同様。光量分布ITNは、二次光源28の2対の領域26A~26Dでほぼ一定の光量LAであり、それ以外の領域ではほぼ暗レベルLBであり、フレア光の成分は良好に抑制されている。同様に、2極照明、輪帯照明、通常照明等の二次光源もフレア光を抑制した状態で生成可能である。図1において、照明瞳面22Pの近傍に照度センサ25が配置され、照度センサ25の検出信号は主制御系30に供給されている。照度センサ25は、Z方向及びY方向に移動可能なリニアエンコーダが組み込まれたアーム不図示の先端部に固定されている。照度センサ25の検出信号によって照明瞳面22P上の二次光源の形状又は光量分布照度分布をモニタできる。また、照明瞳面22Pに形成された二次光源からの照明光ILは、第1リレーレンズ16、レチクルブラインド視野絞り17、第2リレーレンズ18、光路折り曲げ用のミラー19、及びコンデンサ光学系20を介して、レチクル面Raの照明領域36を均一な照度分布で照明する。ビームエキスパンダ8から空間光変調器13までの光学部材、及びリレー光学系14からコンデンサ光学系20までの光学部材を含んで照明光学系ILSが構成されている。また、照明光学系ILS及び光源7の他に、主制御系30、照明制御系31、電源部32、記憶装置34、及び照度センサ25も照明装置2に含まれている。照明光学系ILSの各光学部材は、不図示のフレームに支持されている。レチクルRの照明領域36内のパターンは、両側又はウエハ側に片側テレセントリックの投影光学系PLを介して、レジスト感光材料が塗布されたウエハWの一つのショット領域上の露光領域37に所定の投影倍率例えば1/4,1/5等で投影される。レチクルRはレチクルステージRSTの上面に吸着保持され、レチクルステージRSTは、不図示のレチクルベースの上面に、Y方向に一定速度で移動可能に、かつ少なくともX方向、Y方向、及びθz方向に移動可能に載置されている。レチクルステージRSTの2次元的な位置は不図示のレーザ干渉計によって計測され、この計測情報に基づいて主制御系30が、リニアモータ等の駆動系不図示を介してレチクルステージRSTの位置及び速度を制御する。一方、ウエハWはウエハホルダ不図示を介してウエハステージWSTの上面に吸着保持され、ウエハステージWSTは、不図示のウエハベースの上面でX方向、Y方向にステップ移動を行うとともに、Y方向に一定速度で移動可能である。ウエハステージWSTの2次元的な位置は不図示のレーザ干渉計によって計測され、この計測情報に基づいて主制御系30が、リニアモータ等の駆動系不図示を介してウエハステージWSTの位置及び速度を制御する。なお、レチクルR及びウエハWのアライメントを行うために、ウエハステージWSTには、レチクルRのアライメントマークの像の位置を計測する空間像計測系不図示が設置され、投影光学系PLの側面にウエハWのアライメントマークの位置を検出するウエハアライメント系不図示が備えられている。露光装置EXによるウエハWの露光時に、主制御系30は、レチクルRのパターンに応じて記憶装置34に記憶されている照明条件を読み出し、読み出した照明条件を照明制御系31に設定する。これに応じて照明制御系31は、空間光変調器13の各ミラー要素3の傾斜角を個別に制御して、照明瞳面22P上の二次光源の形状光量分布を設定する。続いて、ウエハステージWSTのステップ移動によってウエハWが走査開始位置に移動する。その後、光源7のパルス発光を開始して、レチクルRの照明領域内のパターンの投影光学系PLによる像でウエハWの一つのショット領域を露光しつつ、レチクルステージRSTを介してレチクルRを照明領域に対してY方向に移動する動作と、ウエハステージWSTを介してウエハWを露光領域に対して対応する方向に移動する動作とを同期して行うことで、当該ショット領域が走査露光される。このようにウエハWのステップ移動と走査露光とを繰り返すステップアンドスキャン動作によって、ウエハWの全部のショット領域にレチクルRのパターンの像が露光される。次に、図2は、本実施形態のスキャニングステッパーよりなる走査露光型の別の露光装置投影露光装置EXAの概略構成を示す。図2において、図1に対応する部分には類似の符号を付してその詳細な説明を省略する。図2において、露光装置EXAは、照明光露光光ILAでレチクルRAマスクのパターン面であるレチクル面RAa被照射面を照明する照明装置2A照明光学装置を備えている。照明装置2Aは、図1の光源7と同様の光源7Aと、光源7Aからの照明光ILAでレチクル面RAaの照明領域を照明する照明光学系ILSAとを備えている。さらに、露光装置EXAは、レチクルRAの位置決め及び移動を行うレチクルステージ不図示と、レチクルRAのパターンの像をウエハ不図示の表面に投影する投影光学系不図示と、ウエハの位置決め及び移動を行うウエハステージ不図示とを含む露光本体部EMPと、装置全体の動作を統括制御するコンピュータよりなる主制御系30Aと、各種制御系等とを備えている。以下、図2において、図1と同様に直交座標系X,Y,Zを設定して説明する。図2において、不図示の電源部によって制御される光源7Aからパルス発光されたレーザ光よりなる照明光ILは、ビームエキスパンダ8A、偏光光学系不図示、及びミラー11Aを介して、光軸AXAに沿って互いに異なる照明条件を設定するための複数の回折光学素子diffractiveopticalelementDOEから選択された回折光学素子図2では回折光学素子5Aに入射する。回折光学素子5A,5Dを含む複数の回折光学素子は、それぞれ支持枠43A,43D等を介して、光軸AXAに平行な軸の回りに回転可能に支持された円板状のターレット板41の周縁部に固定されている。ターレット板41は、ロータリーエンコーダを内蔵した駆動部42Aによって回転駆動される。ターレット板41には、回折光学素子5A等から射出される回折光を通過させる複数の開口41aが形成されている。駆動部42Aは、照明光学系ILSAを支持するフレームの一部であるフレーム部FR1に固定されている。主制御系30Aが記憶装置34AからレチクルRAに対応した照明条件後述の照明瞳面IPPにおける二次光源の形状又は光量分布を読み出し、読み出した照明条件の情報を照明制御系31Aに供給する。これに応じて照明制御系31Aが、駆動部42A交換装置を介してターレット板41をその照明条件に対応した角度だけ回転することで、その照明条件に応じた回折光学素子が照明光ILAの光路に設定される。一例として、回折光学素子5Aは、入射した照明光ILAを回折して、ファーフィールドに光軸AXAに関してほぼ対称にZ方向レチクル面RAaのX方向に対応する方向及びY方向に偏心した4箇所の領域で光量が大きくなる回折光のパターンを形成する4極照明用の素子である。他の回折光学素子5D等は、例えば2極照明、輪帯照明、及び通常照明用の回折光のパターンを形成する。回折光学素子5A等は、それぞれ照明光ILAを透過する矩形のガラス基板の一面に、ファーフィールドに形成する回折光のパターンに応じた種々の凹凸の回折パターン種々のピッチの回折格子をエッチング等で形成することによって製造できる。回折光学素子5A等の回折パターンは、計算機ホログラムから形成することも可能である。また、回折光学素子5A等の回折パターンとして、位相分布型のホログラム、キノフォーム、又は振幅分布型のホログラムも使用可能である。図2において、選択された回折光学素子図2では回折光学素子5Aを介して回折された光束は、前群レンズ系47a、凹の円錐面を持つ第1プリズム48aと凸の円錐面を持つ第2プリズム48bとからなるアキシコン系48、及び後群レンズ系47bを介して、オプティカルインテグレータとしてのマイクロレンズアレイ49を照明する。前群レンズ系47a及び後群レンズ系47bから、所定範囲で焦点距離が連続的に可変のズームレンズ変倍光学系47が構成されている。ズームレンズ47は、回折光学素子5Aの射出面とマイクロレンズアレイ49の後側焦点面とを光学的にほぼ共役に結んでいる。また、マイクロレンズアレイ49の入射面49Iは、ズームレンズ47集光光学系の後側焦点面、即ちズームレンズ47の射出瞳とほぼ共役な面でもある。回折光学素子5A等から射出される照明光ILAは、ズームレンズ47の後側焦点面、即ち、マイクロレンズアレイ49の入射面49Iにおいて、4極状の照明領域等に集光される。その照明領域の全体的な大きさは、ズームレンズ47の焦点距離に依存して変化する。照明制御系31Aが例えばスライド機構を含む駆動部42Bを介して前群レンズ系47aを光軸AXAに沿って駆動することで、ズームレンズ47の焦点距離が所望の値に制御される。また、アキシコン系48において、第1プリズム48aと第2プリズム48bとの円錐面は対向して配置されている。照明制御系31Aが例えばスライド機構を含む駆動部42Cを介して第2プリズム48bを光軸AXAに沿って駆動することで、プリズム48a及び48bの光軸AXAに沿った間隔を制御できる。この間隔の制御によって、回折光学素子5A等から射出された光束の入射面49Iにおける光軸AXAに対して半径方向の位置を制御できる。一方、上記のズームレンズ47の焦点距離を制御することによって、入射面49Iの個々の照明領域の大きさを制御できる。マイクロレンズアレイ49の後側焦点面が照明光学系ILSAの瞳面射出瞳と共役な面である照明瞳面IPPであり、照明瞳面IPPは、レチクル面RAaと光学的にフーリエ変換の関係にある。照明瞳面IPPには、マイクロレンズアレイ49への入射光束によって形成される照明領域とほぼ同じ光量分布光強度分布を有する二次光源、ここでは回折光学素子5A等によって形成される4極照明用等の二次光源が形成される。このように、マイクロレンズアレイ49の入射面49I及び照明瞳面IPPにおける光量分布は互いにほぼ等しいとみなすことができる。レチクルRAのパターン領域に、例えばX方向に解像限界に近いピッチのLSパターンとY方向に解像限界に近いピッチのLSパターンとが主に形成されている場合、照明条件として例えば4極照明が使用される。そして、照明光ILAの光路に回折光学素子5Aが設定され、照明瞳面IPPには一例として図3Dに示すように、光軸AXAをY方向及びZ方向に挟む2対の扇形の領域66A~66Dの平均的な光量がLAで、領域66A~66Dに内接して高次回折光に起因するフレア光の影響がある円形のフレア領域67の平均的な光量がLCとなる二次光源68が形成される。図3Eは、図3Dの光軸AXAを通りY軸に平行なEE線に沿う光量分布IT5を示す。図3Eにおいて、領域66A~66Dに対応する部分の光量はほぼ一定のLAであり、中央のフレア領域67に対応する部分の光量分布はほぼ一定のオフセット成分である。この場合、領域66A~66Dの平均的な光量LAが、図3Aの領域26A~26Dの平均的な光量LAと等しくなるように規格化されているものとする。フレア領域67の平均的な光量LCは、照明光ILAを照射しない場合の暗レベルLBよりも大きく、暗レベルLBを基準としたときの光量LCは、領域66A~66Dの光量LAに対しては例えば0.5~数程度である。従来の4極照明用の回折光学素子には、フレア領域67の平均的な光量がLCと異なるLC1,LC2等になるものもある。図2において、照明瞳面IPPの近傍に照度センサ25Aが配置され、照度センサ25Aの検出信号は主制御系30Aに供給されている。照度センサ25Aは、Z方向及びY方向に移動可能なリニアエンコーダが組み込まれたアーム不図示の先端部に固定されている。照度センサ25Aの検出信号によって照明瞳面IPP上の二次光源の形状又は光量分布照度分布をモニタできる。なお、マイクロレンズアレイ49の代わりにフライアイレンズを使用してもよい。マイクロレンズアレイ49の後側焦点面照明瞳面IPPを通過した照明光ILAは、図1の照明光学系ILSと同様に第1リレーレンズ、レチクルブラインド、第2リレーレンズ、光路折り曲げ用のミラー、及びコンデンサ光学系を含み露光本体部EMPに含まれる後段光学系不図示を介して、レチクル面RAaの矩形の照明領域を照明する。ビームエキスパンダ8A~回折光学素子5A等までの光学部材、ターレット板41、ズームレンズ47~マイクロレンズアレイ49までの光学部材、及び後段光学系不図示を含んで照明光学系ILSAが構成されている。また、光源7A及び照明光学系ILSAの他に、主制御系30A、照明制御系31A、駆動部42A~42C、記憶装置34A、及び照度センサ25Aも照明装置2Aに含まれている。露光本体部EMPの構成は図1の露光装置EXと同様であり、照明光学系ILSAからの照明光ILAで照明されたレチクルRAのパターンが、ステップアンドスキャン方式で投影光学系不図示を介してウエハ不図示の各ショット領域に走査露光される。次に、本実施形態において、電子デバイスの製造工程中の、例えば図2の露光装置EXA本実施形態における第1露光装置を用いて照明条件が最適化された露光工程で、図1の露光装置EX本実施形態における第2露光装置を用いて露光を行う場合の照明方法及び露光方法の一例につき図4のフローチャートを参照して説明する。この動作は、例えば複数列のそれぞれ露光装置EX又はEXAと同じ露光装置を用いる製造ラインで電子デバイスを製造する場合、又は露光装置EXAを用いる製造ラインを露光装置EXを用いる製造ラインに切り換える場合等に必要になる。これらの場合、露光装置EXAにおいては、フレア光の影響がある回折光学素子5Aを用いて4極照明を行うように照明条件が最適化されているものとする。まず、図4のステップ102において、図2の露光装置EXAにおいて、ターレット板41を駆動して照明光ILAの光路上に回折光学素子5A第1の光学素子を配置し、最適化された照明条件に合わせてアキシコン系48の間隔及びズームレンズ47の焦点距離を調整する。そして、光源7Aからの照明光ILAの照射を開始する。次のステップ104において、照度センサ25Aによって照明瞳面IPPにおける二次光源ここでは図3Dの二次光源68の光量分布を計測する。この計測結果を図3Eの光量分布IT5で代表する。その計測結果を記憶装置34Aに記憶するとともにホストコンピュータ不図示に送信する。これらのステップ102,104は以降の工程とは別の場所で、かつ予め実行されていてもよい。次のステップ106において、そのホストコンピュータから図1の露光装置EXの主制御系30に、回折光学素子5Aを用いて設定された二次光源について計測された光量分布IT5の情報を入力する。入力された光量分布IT5の情報は記憶装置34に記憶される。次のステップ108において、主制御系30は、レチクルRの照明条件の情報として、4極照明及び光量分布IT5の情報を照明制御系31に供給する。照明制御系31は、図3Cに示すように、照明瞳面22Pにおいて光軸AXIを囲む領域26A~26D第1照射領域の平均的な光量がLAとなり、領域26A~26Dに内接するフレア領域27第2照射領域の平均的な光量オフセット成分が光量分布IT5のフレア領域67第2照射領域における光量LCと同じになるように、空間光変調器13第2の光学素子の各ミラー要素3の2軸の回りの傾斜角角度を計算し、計算結果を内部の記憶装置に記憶する。次のステップ110において、光源7からの照明光ILの照射を開始し、照度センサ25によって照明瞳面22Pにおける二次光源ここでは図3Cの二次光源28Aの光量分布を計測する。二次光源28Aの光量分布を、図3Cの光軸AXIに沿ってY軸に平行な線分上の光量分布である図3Bの点線の光量分布IT1で代表する。この際に、領域26A~26Dの平均的な光量LAが、図3Eの光量分布IT5の領域66A~66Dにおける光量LAと等しくなるように、照明光ILの光量が調整されている。そして、計測された光量分布IT1と記憶されている光量分布IT5とを比較し、フレア領域27の光量とフレア領域67の回折光学素子5Aの高次回折光に起因するフレア光の光量LCとの誤差が許容範囲内であればステップ112に移行する。一方、その誤差が許容範囲を超えているときには、対応する部分のミラー要素3の角度を補正し、再度その光量分布IT1を計測し、その誤差がその許容範囲内になるまでミラー要素3の角度の補正を繰り返す。その誤差がその許容範囲内になったときに補正後の各ミラー要素3の角度を記憶する。次のステップ112において、レチクルRの露光用の照明条件を設定する。この際に、図2の第2の露光装置EXAの回折光学素子5Aを用いた場合の照明条件と互換性のある照明条件が指定された場合には、主制御系30は、照明条件の情報として4極照明及びステップ106で入力された光量分布IT5の情報を照明制御系31に供給する。これに応じて照明制御系31は、内部の記憶装置からステップ108又は110で記憶された光量分布IT5に対応する各ミラー要素3の角度の情報を空間光変調器13に設定する。これによって、照明光ILを照射すると、照明瞳面22Pには、図3Dの二次光源68と互換性のある図3Cの二次光源28Aが設定される。次のステップ114において、ステップ112で設定された照明条件のもとで所定ロットのウエハWの各ショット領域にレチクルRのパターンの像が走査露光される。これによって、図2の回折光学素子5Aを用いて設定されるフレア光の影響を含む照明条件と互換性のある照明条件のもとで、すなわち第2の露光装置EXAによって高い露光精度が得られることが確かめられている照明条件のもとで、レチクルRのパターンの像をウエハWに高精度に露光できる。本実施形態の効果等は以下の通りである。1本実施形態の露光装置EX及びEXAを用いる照明方法は、被照射面を照明する照明方法において、露光装置EXAの照明光学系ILSA第1照明光学系の照明瞳面IPP第1所定面における光量分布を設定する回折光学素子5A第1光学素子を経由した光でレチクル面RAa第1被照射面を照明するステップ102を含む。さらに、その照明方法は、照明瞳面IPPの光量分布を計測し、この計測結果を光量分布IT5第1光量分布として記憶するステップ104と、回折光学素子5Aと構成が異なるとともに、露光装置EXの照明光学系ILS第2照明光学系の照明瞳面22P第2所定面における光量分布を光量分布IT5とほぼ同じ光量分布IT1に設定可能な空間光変調器13第2光学素子を経由した光でレチクル面Ra第2被照射面を照明するステップ114とを含むものである。また、本実施形態の照明装置2は、光源7からの照明光ILでレチクル面Ra被照射面を照明する照明光学装置であって、回折光学素子5Aによって照明光学系ILSの照明瞳面IPPで設定された光量分布IT5第1光量分布を記憶する記憶装置34と、回折光学素子5Aと構成が異なるとともに、照明瞳面22Pにおける光量分布を設定可能な空間光変調器13と、空間光変調器13を駆動して、照明瞳面22Pにおける光量分布を記憶装置34に記憶されている光量分布IT5とほぼ同じ分布に設定可能な照明制御系31制御装置と、を備えるものである。本実施形態によれば、空間光変調器13第2光学素子を経由した光でレチクル面Raを照明するときに、照明瞳面22Pにおける光量分布を回折光学素子5A第1光学素子によって設定される光量分布IT5とほぼ同じ分布に設定可能である。従って、それまで使用されていた回折光学素子5Aと構成が異なる空間光変調器13を使用する場合に、必要に応じて照明瞳面22Pにおける光量分布の互換性を維持できる。2また、光量分布を設定計測する所定面は照明光学系ILSAの照明瞳面IPP及び照明光学系ILSの照明瞳面22Pであり、その計測を高精度に行うことができる。なお、照明光学系ILSA及びILSは、それぞれ回折光学素子5A及び空間光変調器13からの光を集光するズームレンズ47及びリレー光学系14集光光学系と、マイクロレンズアレイ49及びフライアイレンズ15オプティカルインテグレータとを備えている。そして、マイクロレンズアレイ49の入射面49I及びフライアイレンズ15の入射面22I集光光学系の射出瞳と共役な面の光量分布は、それぞれ照明瞳面IPP及び照明瞳面22Pの光量分布とほぼ等しい。従って、その第1及び第2所定面として入射面49I及び22Iを用いることもできる。3また、本実施形態の露光装置EXは、照明光学系ILSを含む照明装置2を備え、照明装置2からの照明光ILでレチクルRのパターン及び投影光学系PLを介してウエハWを露光している。従って、例えば4極照明等を用いる場合に、必要に応じて従来の露光工程で使用されていた回折光学素子5Aを用いる照明条件と互換性のある照明条件を再現できるため、従来の製造工程露光工程の情報を有効に活用できる。なお、上記の実施形態では以下のような変形が可能である。1従来の4極照明用の回折光学素子には、図3Dの二次光源68において、円形のフレア領域67の周縁部で、かつ4極の領域66A~66Dに内接する扇形の部分フレア領域67a~27dの光量分布が、領域66A~66Dに近づくにつれて次第に増加するスロープ状分布となっているタイプもある。このような回折光学素子を用いた場合の照明瞳面上の二次光源と互換性を持つ二次光源を、空間光変調器13を用いて設定することも可能である。2また、図1の照明装置2の空間光変調器13を用いて、図5Aに示すように、照明光学系ILSの照明瞳面22Pにおいて、Y方向の2つの領域26A,26Bの光量が大きくなり、かつそれらに内接する領域53Aで回折光学素子を用いた場合に発生するフレア光とほぼ同じ光量を有する2極照明の二次光源52Aを生成することも可能である。さらに、空間光変調器13を用いて、図5Bに示すように、照明瞳面22Pにおいて、Z方向の2つの領域26B,26Dの光量が大きくなり、かつそれらに内接する領域53Bで回折光学素子を用いた場合に発生するフレア光とほぼ同じ光量を有する2極照明の二次光源52Bを生成することも可能である。さらに、空間光変調器13を用いて、図5Cに示すように、照明瞳面IPPにおいて輪帯状の領域54の光量が大きくなり、かつこれに内接する領域55で回折光学素子を用いた場合に発生するフレア光とほぼ同じ光量を有する輪帯照明用の二次光源52Cを生成することも可能である。この他にも、回折光学素子によって設定されるフレア光を含む任意の二次光源について、空間光変調器13を用いて互換性を持つ二次光源の光量分布を設定可能である。[第2の実施形態]次に、本発明の第2の実施形態につき図6のフローチャートを参照して説明する。本実施形態においても、図1の露光装置EX及び図2の露光装置EXAを使用するが、本実施形態では露光装置EXが第1の露光装置となり、露光装置EXAが第2の露光装置となる。まず、図6のステップ122において、図1の露光装置EXの照明光学系ILSの空間光変調器13を用いて照明条件照明瞳面22Pの二次光源の光量分布を4極照明の様々な条件光量分布に設定し、それぞれの条件のもとでレチクルRのパターンの像を評価用のウエハに露光し、露光後のウエハのレジストを現像して、レジストパターンを形成する。この場合、空間光変調器13の各ミラー要素3の2軸の回りの傾斜角を制御して、一例として、図7Aに示すように、照明瞳面22Pにおける二次光源28Bを構成する領域26A~26Dの内側の半径r1、外側の半径r2、及び開き角αを種々の値に設定することで、その様々な条件が設定される。次のステップ124において、ステップ122の露光によって形成されるウエハの複数のレジストパターンの線幅等を走査型露光装置不図示等を用いて計測し、計測された線幅等が目標値に最も近い露光結果が得られたときの照明条件図7Aの領域26A~26Dの半径r1,r2及び開き角αの値を求め、空間光変調器13を用いてその照明条件を設定する。そして、光源7からの照明光ILの射出を開始し、照度センサ25を用いて照明瞳面22Pにおける二次光源28Bの光量分布を計測し、計測結果を記憶装置34に記憶するとともにホストコンピュータ不図示に送信する。次のステップ126において、ステップ124で記憶された光量分布と実質的に同じ光量分布を、図2の露光装置EXAの照明光学系ILSAの照明瞳面IPPに形成できる回折光学素子5A1を作成する。なお、この際に照明瞳面IPPに僅かなフレア光に起因する光量分布が生じることは許容される。次のステップ126において、作成された回折光学素子5A1を、露光装置EXAの照明光学系ILSAのターレット板41に例えば回折光学素子5Aの代わりに設置する。次のステップ130において、図2の露光装置EXAの主制御系30Aは、照明制御系31Aに照明条件を設定する。その照明条件がステップ124で記憶された照明条件である場合、照明制御系31Aは駆動部42Aを介して照明光ILの光路に回折光学素子5A1を設置する。次のステップ132において、ステップ130で設定された照明条件のもとで所定ロットのウエハの各ショット領域にレチクルRAのパターンの像が走査露光される。これによって、図1の空間光変調器13を用いて最適化された二次光源を用いる照明条件と実質的に同じ又は互換性のある照明条件のもとで、レチクルRAのパターンの像をウエハに高精度に露光できる。本実施形態の効果等は以下の通りである。1本実施形態の露光装置EX及びEXAを用いる照明方法は、被照射面を照明する照明方法において、露光装置EXの照明光学系ILS第1の照明光学系の照明瞳面22P第1所定面における光量分布を設定する空間光変調器13第1光学素子を経由した光でレチクル面Ra第1被照射面を照明するステップ122と、照明瞳面22Pの光量分布を計測し、この計測結果のうちの良好な露光結果が得られたときの光量分布第1光量分布を記憶するステップ124と、空間光変調器13と構成が異なるとともに、露光装置EXAの照明光学系ILSAの照明瞳面IPP第2所定面における光量分布をその良好な露光結果が得られたときとほぼ同じ分布に設定可能な回折光学素子5A1第2光学素子を経由した光でレチクル面RAa第2被照射面を照明するステップ132と、を含んでいる。また、本実施形態の照明装置2Aは、光源7Aからの照明光ILAでレチクル面RAa被照射面を照明する照明光学装置であって、空間光変調器13によって照明光学系ILSの照明瞳面22Pで設定された光量分布第1光量分布を記憶する記憶装置34Aと、空間光変調器13と構成が異なるとともに、照明瞳面IPPにおける光量分布を設定可能な回折光学素子5A1と、回折光学素子5A1を駆動して、照明瞳面IPPにおける光量分布を記憶装置34Aに記憶されている光量分布第1光量分布とほぼ同じ分布に設定可能な照明制御系31A及び駆動部42A制御装置と、を備えるものである。本実施形態によれば、回折光学素子5A1第2光学素子を経由した光でレチクル面RAaを照明するときに、照明瞳面IPPにおける光量分布を空間光変調器13第1光学素子によって設定された光量分布から選択された最適な光量分布とほぼ同じ分布に設定可能である。従って、それまで使用されていた空間光変調器13と構成が異なる回折光学素子を使用する場合に、必要に応じて照明瞳面IPPにおける光量分布の互換性を維持できる。なお、空間光変調器13は任意の形状の二次光源を形成できるため、容易に種々の二次光源を形成して、その中から最適な二次光源を容易に選択できる。なお、本実施形態においては、空間光変調器13を用いて、照明瞳面IPPにおいて例えば図7Bに示す多数の領域26Eで光量が大きくなる二次光源28Cのような、任意の形状の二次光源を生成できる。この場合にも、同じ光量分布が得られる回折光学素子を作成することによって、露光装置EXAにおいてもその光量分布を設定できる。なお、上記の第1及び第2の実施形態では、露光装置EXAの照明光学系ILSAはズームレンズ47及びアキシコン系48を備えているため、回折光学素子5A等によって形成される照明瞳面IPPの二次光源の形状の伸縮等を行うことができる。しかしながら、回折光学素子5A等に例えば形状が同じで大きさが異なる二次光源を形成できる種々のパターンを形成しておくことによって、ズームレンズ47及びアキシコン系48の少なくとも一方を省略してもよい。さらに、ズームレンズ47及びアキシコン系48の代わりに焦点距離が固定のリレーレンズのみを配置してもよい。また、照明光学系ILS及びILSAは、オプティカルインテグレータとしてフライアイレンズ15及びマイクロレンズアレイ49フライアイインテグレータの代わりにロッドレンズ内面反射型インテグレータを用いて構成してもよい。また、露光装置EX及び露光装置EXAは別体であるが、米国特許出願公開第2009/0073411号明細書に開示されているように、共通の露光装置の共通の照明光学系照明光学装置内に図1の空間光変調器13と図2の回折光学素子5A等とを切り替え可能に配置する場合にも本発明が適用可能である。この場合には、例えば空間光変調器13を使用するときに、回折光学素子5Aを用いた場合に発生するフレア光と同じ光量分布を付加することで、2つの照明条件に互換性を持たせることができる。また、上記の実施形態の露光装置EX又はEXAを用いて半導体デバイス等の電子デバイス又はマイクロデバイスを製造する場合、電子デバイスは、図8に示すように、電子デバイスの機能性能設計を行うステップ221、この設計ステップに基づいたマスクレチクルを製作するステップ222、デバイスの基材である基板ウエハを製造してレジストを塗布するステップ223、前述した実施形態の露光装置によりマスクのパターンを基板感応基板に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱キュア及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ224、デバイス組み立てステップダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む225、並びに検査ステップ226等を経て製造される。従って、このデバイス製造方法の基板処理ステップ224は、上記の実施形態の露光装置を用いて所定のパターンを介して基板を露光形成する露光工程と、そのパターンが露光形成された基板を処理することとを含んでいる。その露光装置によれば、例えば回折光学素子又は空間光変調器を用いた場合の照明条件との互換性を維持できるため、電子デバイスを効率的に製造できる。なお、本発明は、上述の走査露光型の露光装置で露光する場合の他に、ステッパー等の一括露光型の露光装置で露光する場合にも適用できる。さらに、本発明は、例えば米国特許出願公開第2007/242247号明細書、又は欧州特許出願公開第1420298号明細書等に開示されている液浸型露光装置で露光する場合にも適用できる。また、本発明は、投影光学系を使用しないプロキシミティ方式の露光装置にも適用可能である。また、本発明は、半導体デバイスの製造プロセスへの適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置の製造プロセスや、撮像素子CCD等、マイクロマシーン、MEMS、薄膜磁気ヘッド、及びDNAチップ等の各種デバイスの製造プロセスにも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスクフォトマスク、レチクル等をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、製造工程にも適用することができる。なお、本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。"