ガラスの原料を溶解する溶解炉と、溶融ガラスを溶融金属上に浮かせてガラスリボンを成形するフロートバスと、前記ガラスリボンを徐冷する徐冷炉と、を備えたガラス製造装置を用いて、CVD法により前記徐冷炉内に設けられた複数のインジェクターで前記ガラスリボン上に積層膜を形成するガラス基板の製造方法であって、各インジェクターにおいて、インジェクターの入口から出口までに冷却されるガラスリボンの温度が10°C以下であることを特徴とするガラス基板の製造方法。各インジェクターの入口から出口までに冷却されるガラスリボンの温度が5°C以下であることを特徴とする請求項1に記載のガラス基板の製造方法。前記ガラスリボンの流量をPton/dayとすると、各インジェクターのガラスリボンとの対向面の面積Sm2が、S≦P×0.0036以下であることを特徴とする請求項1に記載のガラス基板の製造方法。前記ガラスリボンの流量をPton/dayとすると、各インジェクターのガラスリボンとの対向面の面積Sm2が、S≦P×0.0018以下であることを特徴とする請求項2に記載のガラス基板の製造方法。フロートバスの下流に設けられる徐冷室は、フロートガラスに反りや割れが発生しないようにガラスリボンを予め決められた温度管理情報に従って徐冷するためものであるが、徐冷室内にインジェクターを配置してガラスリボン上に金属酸化物被膜を形成しようとすると、ガラスリボンとインジェクターとの熱交換によりガラスリボンから脱熱が生じ、通常の温度管理情報に従ってガラスリボンを徐冷すると、ガラスリボンの温度が低くなり、ガラスリボンに反りや割れが発生するおそれがある。特許文献1に記載のガラス基板の製造方法では、徐冷炉に入る際のガラスリボンの初期温度が524°Cであることが記載されているが、徐冷炉内の温度管理について具体的な考察がなされていない。また、特許文献2に記載のガラス基板の製造方法では、ガラスリボンの温度が約500°Cである徐冷炉内にインジェクターを配置することを記載しているが、特許文献1と同様に、徐冷炉内の温度管理について具体的な考察がなされていない。そこで、本発明は、オンラインCVD法により徐冷炉内に設けられた複数のインジェクターでガラスリボン上に積層膜を形成するに際し、適切な温度管理を行なうことで反りや割れの発生を抑制可能なガラス基板の製造方法を提供する。本発明は、以下の態様を提供するものである。1ガラスの原料を溶解する溶解炉と、溶融ガラスを溶融金属上に浮かせてガラスリボンを成形するフロートバスと、前記ガラスリボンを徐冷する徐冷炉と、を備えたガラス製造装置を用いて、CVD法により前記徐冷炉内に設けられた複数のインジェクターで前記ガラスリボン上に積層膜を形成するガラス基板の製造方法であって、各インジェクターにおいて、インジェクターの入口から出口までに冷却されるガラスリボンの温度が10°C以下であることを特徴とするガラス基板の製造方法。2各インジェクターの入口から出口までに冷却されるガラスリボンの温度が5°C以下であることを特徴とする1に記載のガラス基板の製造方法。3前記ガラスリボンの流量をPton/dayとすると、各インジェクターのガラスリボンとの対向面の面積Sm2が、S≦P×0.0036以下であることを特徴とする1に記載のガラス基板の製造方法。4前記ガラスリボンの流量をPton/dayとすると、各インジェクターのガラスリボンとの対向面の面積Sm2が、S≦P×0.0018以下であることを特徴とする2に記載のガラス基板の製造方法。上記1に記載のガラス基板の製造方法によれば、ガラス基板の反りや割れの発生を抑制することができる。上記2に記載のガラス基板の製造方法によれば、よりガラス基板の反りや割れの発生を抑制することができる。上記3及び4に記載のガラス基板の製造方法によれば、各インジェクターのガラスリボンとの対向面の面積によりインジェクターの入口から出口までに冷却されるガラスリボンの温度を調整することができる。先ず、図1を参照して本発明のガラス成形方法に使用されるガラス製造装置について説明する。なお、以下の説明において、積層膜の少なくとも1つの層を形成することを含めて成膜と呼ぶことがある。図1に示すように、ガラス製造装置50は、ガラスの原料を溶解する溶解炉51と、溶解された溶融ガラスを溶融錫上に浮かせて平坦なガラスリボンを成形するフロートバス52と、リフトアウトロール53によってガラスリボンをフロートバス52から引き出した後に、ガラスリボンの温度を徐々に下げることで徐冷する徐冷炉54と、を備えて構成される。徐冷炉54は、例えば、燃焼ガス又は電気ヒーターにより、その出力が制御された熱量を炉内の必要位置に供給して搬送ローラー55で搬送されるガラスリボンを常温に近い温度域までゆっくり冷却することで、ガラスリボンに内在する残留応力をなくし、ガラスに反りや割れが発生するのを抑制する作用を有する。本発明は、この徐冷炉54内に、複数のインジェクター60を設け、ガラスリボンの中にCVD法により積層膜を形成する技術に関する。インジェクター60は、複数、本実施形態では6個のインジェクター60a~60fからなり、搬送されるガラスリボン上に積層膜を形成する。各インジェクター間には、電気ヒーター56が設けられている。なお、インジェクター60の数は、これに限定されず、好ましくは2~9個の範囲内であり、電気ヒーターも必要に応じて増減することができる。インジェクター60は、図2に示すように、ガラスリボンの搬送方向に対して直角方向に細長いスリット状の吹出口61が下面65の略中央部に設けられ、吹出口61の前後方向両側にそれぞれ吹出口61と平行に延びる排気口62が設けられる。吹出口61では、中央に位置する第1のオリフィス61aと、第1のオリフィス61aを挟んで前後方向に位置しそれぞれ第1のオリフィス61aに向かって傾斜するように構成された第2及び第3のオリフィス61b、61cが開口する。これらの吹出口61と排気口62の幅は、ガラスリボンの幅以上に設定される。また、符号66a、66bは冷却ダクトであり、冷却ガスやオイル等の冷却媒体を循環させて、インジェクター60を最適な温度、例えば100~180°Cに保つ。このように構成されたインジェクター60は、ガラスリボン上に3mm~30mmの間隔を空けて上方に配置される。従って、インジェクター60の下面65が、徐冷炉54内に搬送されるガラスリボンと3mm~30mmの隙間を介して対向配置されることとなる。隙間は小さいほど成膜時の膜厚、膜質に有利であるが、ガラスリボンの反りや振動で隙間が変動した場合には、膜厚、膜質への影響が大きくなる。また、隙間が大きい場合には、成膜時の原料の効率の低下が生じる。隙間は好ましくは4~15mm、より好ましくは5~12mmである。第1のオリフィス61aからは酸化物膜を形成する化合物を含むガスを吹き出すようになっており、第2及び第3のオリフィス61b、61cからは酸化物膜を形成する化合物と反応しないガスを吹き出すようになっている。また、排気口62は、CVD反応後の余分なガスを排気するようになっている。成膜される積層膜の種類、構成等は特に限定されるものではなく適宜選択することができるが、以下の説明においては、太陽電池用透明導電膜を形成する例を用いて説明する。太陽電池用透明導電膜以外の用途として、例えば反射防止膜、熱線反射膜などが考えられる。図3は、本発明のガラス製造方法で製造される太陽電池用透明導電性基板の一実施形態の断面図である。図3の下側に太陽電池用透明導電性基板の入射光側が位置するように図示してある。図3に示されるように、太陽電池用透明導電性基板10は、基体12上に、基体12側から、積層膜13として、酸化チタン層14と、酸化ケイ素層16と、第1の酸化スズ層18と、第2の酸化スズ層20とをこの順に有する。基体12の材質は、特に限定されず、例えば、ソーダライムシリケートガラス、アルミノシリケートガラス、リチウムアルミノシリケートガラス、石英ガラス、ホウケィ酸ガラス、無アルカリガラスが挙げられる。中でも、無色透明であり、安価であり、市場で面積、形状、板厚等の仕様を指定して入手することが容易である点で、ソーダライムシリケートガラスが好ましい。基体12の厚さは、0.2~6.0mmであるのが好ましい。上記範囲であると、機械的強度および透光性のバランスに優れる。基体12は、400~1200nmの波長領域の光透過率に優れているのが好ましい。具体的には400~1200nmの波長領域の平均光透過率が80を超えているのが好ましく、85以上であるのがより好ましい。また、基体12は、絶縁性に優れているのが好ましく化学的耐久性および物理的耐久性にも優れているのが好ましい。図3においては、基体12上に、酸化チタン層14が形成されている。本発明において、基体12と酸化ケイ素層16との間に酸化チタン層14を有する態様は、基体12と酸化スズ層18、20との屈折率の差異によって発生する基体12と酸化スズ層18、20との界面での反射を抑制することができるため、好適な態様の一つである。酸化チタン層14は、基体12よりも400~1200nmの波長領域の光屈折率が高いTiO2からなる層である。酸化チタン層14は、実質的にTiO2からなる層であり、層に含有される成分中、TiO2の割合が90mol以上であるのが好ましく、95mol以上であるのがより好ましく、98mol以上であるのが更に好ましい。酸化チタン層14は、厚さが5nm以上22nm未満であるのが好ましく、10~20nmであるのがより好ましい。上記範囲であると、太陽電池層透明導電性基板10全体として見た場合のC光源ヘイズ率のばらつきが小さく、また、反射防止効果により、光透過率、特に400~1200nmの波長領域の光透過率をより高くすることができる。酸化チタン層14は、その上に酸化ケイ素層16を形成させる前において、原子間力顕微鏡AFMで測定される表面の算術平均粗さRaが3nm以下であるのが好ましく、lnm以下であるのがより好ましい。なお、本実施形態においては、酸化チタン層14の代わりに、酸化スズ層を形成させることもできる。酸化チタン層14の上には、酸化ケイ素層16が形成されている。酸化ケイ素層16は、基体12、第1の酸化スズ層18および第2の酸化スズ層20よりも400~1200nmの波長領域の光屈折率が低いSiO2からなる層である。酸化ケイ素層16は、実質的にSiO2からなる層であり、層に含有される成分中、SiO2の割合が90mol以上であるのが好ましく、95mol以上であるのがより好ましく、98mol以上であるのが更に好ましい。酸化ケイ素層16は、酸化チタン層14がある場合には、厚さが10~50nmであるのが好ましく、20~40nmであるのがより好ましく、20~35nmであるのが更に好ましい。上記範囲であると、太陽電池層透明導電性基板10のC光源ヘイズ率が高く、かつ、太陽電池用透明導電性基板10全体として見た場合のC光源ヘイズ率のばらつきが小さい。また、酸化ケイ素層16の膜厚は、酸化チタン層14がない場合には、厚さはおよそ20nm以上であるのが好ましい。酸化ケイ素層16の膜厚は、後述するアルカリバリア層としては厚い方が良いが、酸化チタン層と酸化ケイ素層の2層を設置し反射防止効果を発現する場合には酸化チタン層と酸化ケイ素層のそれぞれの膜厚とその組合せに制限がある。酸化ケイ素層16は、その上に第1の酸化スズ層18を形成させる前において、原子間力顕微鏡AFMで測定される表面の算術平均粗さRaが3nm以下であるのが好ましく、lnm以下であるのがより好ましい。酸化ケイ素層16は、基体12からのアルカリ金属イオンの拡散を抑制する。また、酸化ケイ素層16は、酸化チタン層14との組み合わせにより、反射防止層として機能する。太陽電池用透明導電性基板10は、仮に酸化チタン層14および酸化ケイ素層16がないとすると、基体12と第1の酸化スズ層18との400~1200nmの波長領域の光屈折率の差異により、入射光の反射損失が発生する。しかしながら、太陽電池用透明導電性基板10は、基体12と第1の酸化スズ層18との間に、基体12よりも400~1200nmの波長領域の光屈折率が高い酸化チタン層14および第1の酸化スズ層18よりも400~1200nmの波長領域の光屈折率が低い酸化ケイ素層16を有するため、入射光の反射損失が軽減され、光透過率、特に400~1200nmの波長領域の光透過率が高い。なお、基体12の材料力がソーダライムシリケートガラス、低アルカリ含有ガラス等のアルカリ金属イオンを含有するガラスである場合、酸化ケイ素層16は、基体12から第1の酸化スズ層18へのアルカリ金属イオンの拡散を最小限にするためのアルカリバリヤ層としても機能する。酸化ケイ素層16の上には、第1の酸化スズ層18が形成されており、第1の酸化スズ層18の上には、第2の酸化スズ層20が形成されている。第1の酸化スズ層18は、フッ素がドープされていない酸化スズ層であり、第2の酸化スズ層20は、フッ素がドープされている酸化スズ層である。このように、第1の酸化スズ層18にはフッ素がドープされていないため、ドープされたフッ素の全体量を少なくすることができ、ひいては層中の自由電子の全体量を少なくすることができ、近赤外光の吸収を低くすることができる。一方、電流は、自由電子の量が多く、抵抗が低い第2の酸化スズ層20を主に通過するので、抵抗が高い第1の酸化スズ層18による影響は少ない。即ち、酸化スズ層全体として、導電性を確保することができる。従って、フッ素量の多い領域において面方向の優れた導電性を担保しつつ、全体としてのフッ素量を減らして近赤外光の吸収量を少なくすることができるのである。フッ素がドープされている第2の酸化スズ層20は、主としてSnO2からなる層であり、層に含有される成分中、SnO2の割合が90mol以上であるのが好ましく、95mol以上であるのがより好ましい。フッ素がドープされている第2の酸化スズ層20におけるフッ素の濃度は、SnO2に対して0.0l~4molであるのが好ましく、0.02~2molであるのがより好ましい。上記範囲であると、導電性が優れたものとなる。フッ素がドープされている第2の酸化スズ層20は、フッ素がドープされていることにより、自由電子密度が高くなっている。具体的には、自由電子密度が5×1019~4×1020cm-3であるのが好ましく、1×1020~2×1020cm-3であるのがより好ましい。上記範囲であると、導電性と近赤外光の吸収とのバランスに優れる。フッ素がドープされていない第1の酸化スズ層18は、実質的にSnO2からなる層であればよく、多少のフッ素を含有していてもよい。例えば、フッ素がドープされている第2の酸化スズ層20からフッ素が移動し、拡散することにより、多少のフッ素を含有していてもよい。フッ素がドープされていない第1の酸化スズ層18は、層に含有される成分中、SnO2の割合が90mol以上であるのが好ましく、95mol以上であるのがより好ましく、98mol以上であるのが更に好ましい。上記範囲であると、近赤外光の吸収を十分に低くすることができる。複数積層された酸化スズ層18、20は、全体として、シート抵抗が8~20Ω/口であるのが好ましく、8~12Ω/口であるのがより好ましい。複数積層された酸化スズ層18、20の厚さは、合計で600~1200nmであるのが好ましく、700~1000nmであるのがより好ましい。上記範囲であると、太陽電池用透明導電性基板10のC光源ヘイズ率が特に高くなり、かつ、そのばらつきが特に小さくなる。また、光透過率、特に400~1200nmの波長領域の光透過率が特に高く、かつ、酸化スズ層18、20の導電性が特に優れたものになる。なお、酸化スズ層18、20の厚さは、後述する表面の凹凸がある場合はそれを含んだ値凸部の頂点までの厚さである。具体的には、触針式の膜厚計により測定される。フッ素がドープされていない第1の酸化スズ層18の厚さ複数ある場合は合計は、10~600nmであるのが好ましく、20~500nmであるのがより好ましい。上記範囲であると、近赤外光の吸収を抑制する効果が十分に大きくなる。フッ素がドープされている第2の酸化スズ層20の厚さ複数ある場合は合計は、100~700nmであるのが好ましく、200~500nmであるのがより好ましい。上記範囲であると、抵抗を低くする効果が十分に大きくなる。フッ素がドープされていない第1の酸化スズ層18の厚さ複数ある場合は合計と、フッ素がドープされている第2の酸化スズ層20の厚さ複数ある場合は合計との比は、3/7~7/3であるのが好ましい。上記範囲であると、近赤外光の吸収を抑制する効果および抵抗を低くする効果のバランスに優れる。なお、第1の酸化スズ層18がフッ素がドープされている酸化スズ層であって、第2の酸化スズ層20がフッ素がドープされていない酸化スズ層であってもよいが、酸化ケイ素層に隣接する酸化スズ層である第1の酸化スズ層18が、フッ素がドープされていない酸化スズ層であるのが好ましい。後述するように、基体12と酸化ケイ素層16との間に酸化チタン層14を有するのが好ましい態様の一つであるが、酸化チタン層14を有する態様においては、酸化ケイ素層16のアルカリバリヤ層としての機能が低下する。その結果、基体12がアルカリ金属イオンを含有するガラスである場合、ナトリウム等のアルカリ金属イオンが酸化ケイ素層16を通過して第1の酸化スズ層18との界面に移動しやすくなる。このナトリウム等のアルカリ金属イオンは、第1の酸化スズ層18の形成の際に、結晶子の大きさを小さくする作用を奏し、それにより、第1の酸化スズ層18の表面の凹凸が小さくなり詳しくは後述する。、ひいてはヘイズ率が小さくなる。ここで、第1の酸化スズ層18にフッ素がドープされていない場合には、第1の酸化スズ層18にフッ素がドープされている場合と比べて、結晶子の大きさが大きくなり、第1の酸化スズ層18の表面の凹凸が大きくなり、ヘイズ率が大きくなるので好ましい。その理由は、第1の酸化スズ層18にフッ素がドープされていると、F-がNa等を電気的に引きつけるため、アルカリ金属イオンの第1の酸化スズ層18との界面への移動を促進するのに対し、第1の酸化スズ層18にフッ素がドープされていないとそのようなことがないからであると推測される。つまり、酸化チタン層14と酸化ケイ素層16を組合わせ反射防止効果を発現する場合、酸化ケイ素層16の膜厚には制限があり、酸化ケイ素層16上にフッ素がドープされた酸化スズ層を形成するとヘイズ率が小さくなる。ヘイズ率低減に対処するために、酸化ケイ素層上にはフッ素がドープされていない酸化スズ層が必要になる。第1の酸化スズ層18にフッ素がドープされていない場合、第1の酸化スズ層18におけるフッ素濃度が、フッ素がドープされている第2の酸化スズ層20におけるフッ素濃度の20以下であるのが好ましい。第1の酸化スズ層18にフッ素がドープされていない場合であっても、成膜過程において、隣接する第2の酸化スズ層20にフッ素がドープされていると、そのフッ素の一部が第1の酸化スズ層18中に移動し、拡散する。フッ素が拡散した場合においても、第1の酸化スズ層18におけるフッ素濃度が第2の酸化スズ層20におけるフッ素濃度の20以下であると、結晶子の大きさを小さくする作用が抑制され、酸化スズ層の表面の凹凸が大きくなり、ヘイズ率が十分に大きくなる。フッ素濃度は、SecondaryIonMassSpectroscopySIMSを用いて測定する。具体的には、SIMSを用いて測定したFイオンカウント量から、フッ素濃度を算出することができる。なお、用いられるスパッタリングイオンにより、Snイオンに対する感度とFイオンに対する感度が異なるが、同一のスパッタリングイオンを用いる限り、感度は一定となる。したがって、同一のスパッタリングイオンを用いれば、異なる測定箇所のSnイオンのカウント量とFイオンのカウント量との比を比較することができる。また、前述のようにフッ素濃度をSnO2に対してmolで求める場合は、事前にSnO2マトリックス中のフッ素濃度が定量されている試料をSIMSを用いSnイオンのカウント量とFイオンのカウント量を測定し、フッ素濃度を算出する。第1の酸化スズ層18の厚さは、結晶子が大きくなる点で、10nm以上であるのが好ましく、50nm以上であるのがより好ましい。なお、第1の酸化スズ層18は、通常、酸化ケイ素16層の全面を被覆しているが、一部が被覆されていなくてもよい。即ち、酸化ケイ素層16と第1の酸化スズ層20とが直接接触している部分があってもよい。また、その場合、第1の酸化スズ層18が非連続となっていてもよい換言すれば、第1の酸化スズ層18が酸化ケイ素層16上に島状に点在していてもよい。。複数積層された酸化スズ層18、20は、図3に示されるように、その入射光側と反対側の表面図3においては、第2の酸化スズ層20の上側の面の全体にわたって凹凸を有するのが好ましい。凹凸の大きさは、高低差凸部と凹部の高低差が0.1~0.5μmであるのが好ましく、0.2~0.4μmであるのがより好ましい。また、凹凸の凸部間のピッチ隣接する凸部同士の頂点と頂点の距離は0.1~0.75μmであるのが好ましく、0.2~0.45μmであるのがより好ましい。酸化スズ層18、20の表面に凹凸を有すると、光散乱により太陽電池用透明導電性基板10のヘイズ率が高くなる。また、この凹凸が酸化スズ層18、20の表面の全体にわたって均一であると、ヘイズ率のばらつきが小さくなるので、好ましい。太陽電池用透明導電性基板10が酸化スズ層18、20の表面に凹凸を有すると、ヘイズ率が大きくなる。また、酸化スズ層18、20の表面に凹凸を有すると、酸化スズ層18、20と半導体層との界面で光が屈折して進む。更に、酸化スズ層18、20の表面に凹凸を有すると、その上に形成させた半導体層の裏面電極層との界面も凹凸になるので光が散乱しやすくなる。ヘイズ率が大きくなると、光が透明導電膜の酸化スズ層と裏面電極層との間の半導体層を往復する長さ光路長が長くなるという効果光閉じ込め効果が得られ、電流値が大きくなる。酸化スズ層18、20の表面に凹凸を設ける方法は、特に限定されない。凹凸は、基体12から最も遠い酸化スズ層本実施形態では第2の酸化スズ層20の入射光側と反対側の表面に露出した結晶子により構成される。通常、複数積層された酸化スズ層18、20においては、第1の酸化スズ層18の結晶子の大きさを調整することにより、基体12から最も遠い酸化スズ層の結晶子の大きさを調整することができ、これにより凹凸を上述した好適範囲とすることができる。図3に示される太陽電池用透明導電性基板10においても、第1の酸化スズ層18が表面に凹凸を有し、これにより、第2の酸化スズ層20が表面に凹凸を有するものになっている。第1の酸化スズ層の結晶子の大きさを大きくするためには、例えば、上述したように、フッ素ドープをせず、フッ素の濃度を小さくする方法が挙げられる。基体12上に形成された透明導電膜の厚さ図3に示される太陽電池用透明導電性基板10においては、第1の酸化スズ層18および第2の酸化スズ層20の厚さの合計は、600~1200nmであるのが好ましい。上記範囲であると、凹凸が深くなりすぎることがなく、シリコンによる均一な被覆が容易となり、電池効率が優れたものとなりやすい。これは、光電変換層のpin層構造におけるp層の厚さが通常、数十nm程度であるので、凹凸が深くなりすぎると、凹部に構造欠陥が発生したり、凹部への原料拡散が不十分になったりして、均一な被覆が困難となり、電池効率が低下するおそれがあるためである。この太陽電池用透明導電性基板10を図1に示すガラス製造装置50の徐冷炉54内で、CVD法により形成するためには、例えばガラスリボン上に第1のインジェクター60aで酸化チタン層14を形成し、第2のインジェクター60bで酸化ケイ素層16を形成し、第3のインジェクター60cで第1の酸化スズ層18を形成し、第4~第6のインジェクター60d~60fで第2の酸化スズ層20を形成する。この場合、第1のインジェクター60aの吹出口61では、第1のオリフィス61aからは気化したテトライソプロポキシチタンが吹き付けられ、第2及び第3のオリフィス61b、61cからは窒素ガスが吹き付けられる。これにより、テトライソプロポキシチタンがガラスリボン上で熱分解反応をして、搬送されている状態のガラスリボンの表面に酸化チタン層14が形成される。第2のインジェクター60bの吹出口61では、第1のオリフィス61aからはシランガスが吹き付けられ、第2及び第3のオリフィス61b、61cからは酸素ガスが吹き付けられる。これにより、シランガスと酸素ガスとがガラスリボンの酸化チタン14層上で混合され反応して、搬送されている状態のガラスリボンの酸化チタン層14の表面に酸化ケイ素層16が形成される。第3のインジェクター60cの吹出口61では、第1のオリフィス61aからは四塩化スズが吹き付けられ、第2及び第3のオリフィス61b、61cからは水蒸気が吹き付けられる。これにより、四塩化スズと水とがガラスリボンの酸化ケイ素層16上で混合され反応して、搬送されている状態のガラスリボンの酸化ケイ素層16の表面にフッ素がドープされてない第1の酸化スズ層18が形成される。第4~第6のインジェクター60d~60fの吹出口61では、第1のオリフィス61aからは四塩化スズが吹き付けられ、第2及び第3のオリフィス61b、61cからは水蒸気と気化させたフッ化水素が吹き付けられる。これにより、四塩化スズと水とフッ化水素とがガラスリボンの第1の酸化スズ層18上で混合され反応して、搬送されている状態のガラスリボンの第1の酸化スズ層18の表面にフッ素がドープされている第2の酸化スズ層20が形成される。ここで、図4も参照して、ガラス成膜時の温度制御について説明する。徐冷炉54に入るガラスリボンの入口温度Tin、ガラスリボンの出口温度Toutは、ガラス転位温度をTg、ガラス歪温度Tsとした場合に、それぞれTin≧Tg50°C、Tout<Tsに設定される。なお、TinはTgより大きければよく、必ずしもTg50°C以上である必要はない。そして、上述した酸化チタン層14と、酸化ケイ素層16と、第1の酸化スズ層18と、第2の酸化スズ層20からなる積層膜13は、TinからTsの範囲内、好ましくは、Tg50°CからTgの温度領域TinがTg50°Cより低い場合には、TinからTgの温度領域で形成される。ガラスリボンの温度がTgより下がると、ガラスの粘性変化に伴う収縮によりガラスリボンのばたつきが生じるおそれがあるため、Tg50°CからTgの温度領域で全ての層が形成されることが好ましく、これによりガラスの粘性に関わらず、ガラスリボンのばたつきを抑制することができる。また、インジェクター60は、ガラスリボンより低い温度に維持されているため、成膜中にインジェクター60との間で熱交換がなされガラスリボンの温度を低下させる。また、インジェクター60から吹き出すガスによってもガラスリボンの温度が低下する。そこで、本発明では、各インジェクター60a~60fにおいて、インジェクターの入口から出口までに冷却されるガラスリボンの温度を10°C以下、好ましくは5°C以下に設定している。図2を参照して具体的に説明すると、ガラスリボンの搬送方向に沿って、ガラスリボンに対向するインジェクターの下面65のフロートバス52側がインジェクターの入口Iin、フロートバス52と反対側がインジェクターの出口Ioutであり、インジェクターの入口Iinに進入したガラスリボンがインジェクターの出口Ioutから搬出される間に冷却される温度が10°C以下、好ましくは5°C以下となっている。各インジェクターの入口Iinから出口Ioutまでに冷却されるガラスリボンの温度が10°Cより高いと、ガラスリボンの上下面の温度差が大きくなるため、反りや割れが発生するものと考えられる。なお、徐冷炉54内で、Ts以下の温度までガラスリボンを冷却することを考慮すれば、各インジェクター60a~60fにおいて、インジェクターの入口Iinから出口Ioutまでに冷却されるガラスリボンの温度は0.5°C以上であることが好ましい。ここで、ガラスリボンの温度の低下はインジェクターによる脱熱が支配的なので各インジェクターの入口Iinから出口Ioutまでの間のガラスリボンとインジェクターの下面65との交換熱量、言い換えればガラスリボンからインジェクターへの脱熱量について検討する。ガラスリボンの流量をPton/day、ガラスの比熱CgJ/kg°Cとすると、ガラスリボンの温度が10°C下がるまでに奪われるガラスの熱量QgWは、以下の式で求められる。QgW=P×1000/24/3600×Cg×10=0.116×P×Cgここで、ガラスの比熱CgをCg=1000J/kg°Cとすると、QgkW=0.116×P1となる。即ち、インジェクターの入口Iinに進入したガラスリボンがインジェクターの出口Ioutから搬出される間に、Qg=0.116×PkW以上脱熱すると、ガラスリボンが割れることとなる。一方、ガラスリボンとインジェクターの下面との輻射熱QWは、以下の輻射方程式から算出される。Q=S×ε×F×σTgla4-Tinj4Sは、インジェクター下面の表面積m2、εは輻射率、Fは面対面の形態係数、σはボルツマン定数5.67×10-8W/m2K4、Tglaはガラスリボンの温度Kであり、Tinjはインジェクターの下面温度Kである。ここで、輻射率εを1、形態係数Fを1、最上流側のインジェクターを想定しガラスリボンの温度を600°C、インジェクターの下面温度を100°Cとすると、輻射熱Qは、QW=S×1×1×5.67×10-8×{600273.154-100273.154}=S×31857となる。単位を、上記1とあわせると、QkW=S×31.862となる。従って、ガラスリボンが割れないためには、輻射熱がガラスリボンの温度が10°C下がるまでに奪われるガラスの熱量QgkW以下であればよい。従って、1、2式からS×31.86≦0.116×PS≦P×0.0036従って、インジェクターの下面の面積SをS≦P×0.0036を満足するように設定することにより、インジェクターの入口Iinから出口Ioutまでに冷却されるガラスリボンの温度を10°C以下とすることができる。なお、インジェクターの下面は長方形型が好ましく、長辺は略ガラスの幅まであることが好ましく、短辺であるインジェクターの下面の搬送方向長さは600mm以下が好ましい。また、インジェクターの下面の面積SをS≦P×0.0018を満たすように設定することにより、インジェクターの入口Iinから出口Ioutまでに冷却されるガラスリボンの温度を5°C以下とすることができる。また、全ての積層膜13を形成する温度領域におけるガラスリボンの温度降下速度Kを0°C/m<K<10°C/m、好ましくは1°C/m≦K≦5°C/m、さらに好ましくは2°C/m≦K≦3.5°C/mに設定している。従って、Tg50°CからTgの温度領域で全ての層が成膜される場合には、Tg50°CからTgの温度領域における温度降下速度Kを0°C/m<K<10°C/mに設定し、TgからTsの温度領域でも成膜する場合には、Tg50°CからTsの温度領域における温度降下速度Kを0°C/m<K<10°C/mに設定する。なお、ガラスリボンの温度降下速度Kは、積層膜13を形成する温度領域における降下速度の平均値である。温度降下速度Kが10°C/m以上だとガラスの反りや割れが発生するおそれがあり、温度降下速度Kが0°C/mだと成膜時に徐冷炉54内でガラスリボンが徐冷されないこととなり、成膜後に徐冷することになるため徐冷炉54の長さが長くなってしまう。また、ガラスリボンの搬送方向に沿って隣り合うインジェクター60間に設けられた電気ヒーター56等により加熱することで、全体としてのガラスリボンの温度降下速度Kを0°C/m<K<10°C/mとすることもできる。以下、本発明の実施例について説明する。本実施例では、ソーダライムガラスの製造に際し、図2に示したように、徐冷炉内に6個のインジェクター60a~60fと各インジェクターの間に電気ヒーター56を配置し、図3のように、ガラスリボン上に第1のインジェクター60aで酸化チタン層14を形成し、第2のインジェクター60bで酸化ケイ素層16を形成し、第3のインジェクター60cで第1の酸化スズ層18を形成し、第4~第6のインジェクター60d~60fで第2の酸化スズ層20を形成し、太陽電池用透明導電膜10を形成した。各インジェクター60a~60fから吹き出されるガスは上述した通りである。また、インジェクターの下面からガラスリボンまでの隙間を7mm±1mmとした。徐冷炉の入口におけるガラスリボンの入口温度を610°C、出口温度を250°Cとし、ガラス転位温度Tg:560°C、ガラス歪温度Ts:510°Cのソーダライムガラスにおいて、Tg50°CからTgの温度領域、即ち、610°Cから560°Cの温度領域に3つのインジェクターを配置し、Tg50°CからTgの温度領域で3層形成した。この際、電気ヒーターでガラスリボンを加熱することで、Tg50°CからTgの温度領域における温度降下速度Kを2°C/m~3°C/m且つ平均で2.5°C/mに維持した。このとき、各インジェクターの入口Iinから出口Ioutまでに冷却されるガラスリボンの温度は、2°C~8°Cであった。また、ガラス歪温度510°Cから出口温度である250°Cまでは、10°C/m~14°C/m且つ平均で13°C/mの温度降下速度でガラスリボンを徐冷した。このようにして、製造した太陽電池用透明導電性基板の反りを測定したところ、反りは0.3mmであり許容範囲1mm内であった。また、割れ等発生することはなかった。なお、反りの測定は、製品サイズ1100mm×1400mmの大きさの太陽電池用透明導電性基板の両端を水平に支持しセンサから太陽電池用透明導電性基板の表面までの距離を測定するとともに、太陽電池用透明導電性基板を裏返してセンサから太陽電池用透明導電性基板の裏面までの距離を測定して、自重によるたわみの影響を排斥する方法で測定した。以上説明したように、本実施形態のガラス基板の製造方法によれば、オンラインCVD法により徐冷炉内でガラスリボン上に積層膜を形成するに際し、各インジェクターの入口から出口までに冷却されるガラスリボンの温度を10°C以下とすることにより、ガラス基板の反りや割れの発生を抑制することができる。また、ガラスリボンの流量をPton/dayとすると、各インジェクターの下面の面積Sm2をS≦P×0.0036以下とすることにより、インジェクターの入口Iinから出口Ioutまでに冷却されるガラスリボンの温度を10°C以下に調整することができる。また、S≦P×0.0018以下とすることにより、インジェクターの入口Iinから出口Ioutまでに冷却されるガラスリボンの温度を5°C以下とすることができる。なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態で実施し得るものである。例えば、ヒーターとして電気ヒーターを例示したが、これに限らず任意の加熱手段を使用することができる。