"第1p型半導体層と第1n型半導体層とを有する第1光電変換層と、第2p型半導体層と第2n型半導体層とを有するとともに、前記第1光電変換層と光吸収波長特性が異なる第2光電変換層と、前記第1n型半導体層と前記第2p型半導体層との間の前記第1n型半導体層に接する側に配置され、バンドギャップが1.5eV以上のn型透明導電性酸化膜と、前記第1n型半導体層と前記第2p型半導体層との間の前記第2p型半導体層に接する側に前記n型透明導電性酸化膜とpn接合を形成するように配置され、バンドギャップが1.5eV以上のp型透明導電性酸化膜と、を備え、前記p型透明導電性酸化膜が前記n型透明導電性酸化膜と接する界面または前記p型透明導電性酸化膜が、前記第2p型半導体層と接する界面のうち少なくとも一方の界面の付近に形成されたフリーキャリアの濃度が1×1018cm-3以下である低キャリア濃度領域の膜厚方向の幅が5nm以下であること、を特徴とする光電変換装置。前記n型透明導電性酸化膜のn型ドーパント濃度が、膜厚方向において前記p型透明導電性酸化膜との界面に向かって増加していること、を特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。前記p型透明導電性酸化膜のp型ドーパント濃度が、膜厚方向において前記n型透明導電性酸化膜との界面に向かって増加していること、を特徴とする請求項1または2に記載の光電変換装置。前記n型透明導電性酸化膜の基材は、ZnO、ZnをドープしたIn2O3、SnをドープしたIn2O3、またはInGaZnOであること、を特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の光電変換装置。前記p型透明導電性酸化膜の基材は、NiO、Cu2O、ZnM2O4M=Co,Rh,IrまたはZnMgOであること、を特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の光電変換装置。前記p型透明導電性酸化膜および前記n型透明導電性酸化膜の少なくとも一方にN、P、As、Sbのうちのいずれか1種以上の元素がドーピングされていること、を特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の光電変換装置。第1p型半導体層と第1n型半導体層とを有する第1光電変換層と、第2p型半導体層と第2n型半導体層とを有するとともに、前記第1光電変換層と光吸収波長特性が異なる第2光電変換層と、前記第1n型半導体層と前記第2p型半導体層との間の前記第1n型半導体層に接する側に配置され、バンドギャップが1.5eV以上のn型透明導電性酸化膜と、前記第1n型半導体層と前記第2p型半導体層との間の前記第2p型半導体層に接する側に前記n型透明導電性酸化膜とpn接合を形成するように配置され、バンドギャップが1.5eV以上のp型透明導電性酸化膜と、を備え、前記p型透明導電性酸化膜および前記n型透明導電性酸化膜の少なくとも一方にN、P、As、Sbのうちのいずれか1種以上がドーピングされていること、を特徴とする光電変換装置。前記n型透明導電性酸化膜および前記p型透明導電性酸化膜のキャリア濃度は、1×1019cm-3以上であること、を特徴とする請求項7に記載の光電変換装置。前記ドーピングされた元素の濃度は、前記p型透明導電性酸化膜または前記n型透明導電性酸化膜内の酸素と前記ドーピングされた元素との合計を基準にして0.1原子~5原子であること、を特徴とする請求項7または8に記載の光電変換装置。前記n型透明導電性酸化膜の基材は、インジウム酸化物を主成分とする材料であること、を特徴とする請求項7~9のいずれか1項に記載の光電変換装置。前記p型透明導電性酸化膜の基材は、NiO、ZnM2O4M=Co,Rh,IrまたはCu2Oであること、を特徴とする請求項7~10のいずれか1項に記載の光電変換装置。基板上に第1p型半導体層と第1n型半導体層とをこの順で有する第1光電変換層を形成する第1工程と、バンドギャップが1.5eV以上のn型透明導電性酸化膜を前記第1n型半導体層上に形成する第2工程と、バンドギャップが1.5eV以上のp型透明導電性酸化膜を前記n型透明導電性酸化膜上に形成する第3工程と、第2p型半導体層と第2n型半導体層とを有する第2光電変換層を前記第2p型半導体層が前記p型透明導電性酸化膜に接するように形成する第4工程とを備え、前記p型透明導電性酸化膜が前記n型透明導電性酸化膜と接する界面または前記p型透明導電性酸化膜が前記第2p型半導体層と接する界面のうち少なくとも一方の界面の付近に形成されてフリーキャリアの濃度が1×1018cm-3以下である低キャリア濃度領域の膜厚方向の幅を5nm以下とすること、を特徴とする光電変換装置の製造方法。前記第3工程では、スパッタリング法を用いて前記p型透明導電性酸化膜を成膜し、成膜時の酸素供給量を成膜初期から定常状態までにおいて増加させること、を特徴とする請求項12に記載の光電変換装置の製造方法。前記第3工程では、スパッタリング法により前記p型透明導電性酸化膜を成膜し、酸素ガスを含まないガス雰囲気で前記p型透明導電性酸化膜を成膜する過程が含まれること、を特徴とする請求項12または13に記載の光電変換装置の製造方法。前記第3工程では、スパッタリング法により前記p型透明導電性酸化膜を成膜し、前記p型透明導電性酸化膜の成膜用のターゲットのプリスパッタリングを酸素ガスを含まないガス雰囲気で行うこと、を特徴とする請求項12~14のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。前記第3工程では、スパッタリング法により前記p型透明導電性酸化膜を成膜して前記n型透明導電性酸化膜と前記p型透明導電性酸化膜よりなるnp接合を形成する際に、雰囲気ガスとしてArに加えて窒素またはNH3を添加したガスを用いること、を特徴とする請求項12~15のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。前記第3工程では、スパッタリング法により前記p型透明導電性酸化膜を成膜し、前記p型透明導電性酸化膜の成膜用のスパッタリングターゲット中にあらかじめAlN、TiN、GaNのうちのいずれかを混入させておくこと、を特徴とする請求項12~16のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。請求項1~11のいずれか1項に記載の光電変換装置の少なくとも2つ以上が電気的に直列または並列に接続されてなること、を特徴とする光電変換モジュール。しかしながら、特許文献2に開示された技術によれば、n型Siとの接合では、n型同士が接合されるため、低抵抗化が容易であるが、p型Siとの接合ではn-p接合となるため、低抵抗化が困難である。このため、これらの材料の導電膜を用いても、特に、集光して発電するような光電変換層が発生する電流が大きい場合には、電流の導電性が中間層の抵抗によって制限されて光電変換装置の光電変換効率が低下するという問題があった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、積層型の光電変換装置において中間層の導電性を改善して光電変換効率に優れた光電変換装置とその製造方法、および光電変換モジュールを得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる光電変換装置は、第1p型半導体層と第1n型半導体層とを有する第1光電変換層と、第2p型半導体層と第2n型半導体層とを有するとともに、前記第1光電変換層と光吸収波長特性が異なる第2光電変換層と、前記第1n型半導体層と前記第2p型半導体層との間の前記第1n型半導体層に接する側に配置され、バンドギャップが1.5eV以上のn型透明導電性酸化膜と、前記第1n型半導体層と前記第2p型半導体層との間の前記第2p型半導体層に接する側に前記n型透明導電性酸化膜とpn接合を形成するように配置され、バンドギャップが1.5eV以上のp型透明導電性酸化膜と、を備え、前記p型透明導電性酸化膜が前記n型透明導電性酸化膜と接する界面または前記p型透明導電性酸化膜が前記第2p型半導体層と接する界面のうち少なくとも一方の界面の付近に形成されたフリーキャリアの濃度が1×1018cm-3以下である低キャリア濃度領域の膜厚方向の幅が5nm以下であること、を特徴とする。本発明によれば、積層型の光電変換装置において中間層の導電性を改善し、光電変換効率を向上させることが可能となる、という効果を奏する。以下に、本発明に係る光電変換装置とその製造方法、および光電変換モジュールの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。実施の形態1.図1は、本発明に係る光電変換装置の実施の形態1の概略構成を示す断面図である。図1において、光電変換装置1は、絶縁性および透光性を有する基板2上に、微細な凹凸である表面テクスチャ構造を有する透明電極3、非晶質Si光電変換層4、中間層5、微結晶Si光電変換層6、裏面電極7が順に積層されている。また、基板2上には不純物の阻止層として、必要に応じてアンダーコート層8を形成してもよい。なお、アンダーコート層8の材料は、シリコン酸化膜を用いることができる。非晶質Si光電変換層4と微結晶Si光電変換層6とはともにSiを主成分とするが、結晶構造の違いにより異なるバンドギャップを有し、従って異なる光吸収波長特性を有する。この光電変換装置1では、非晶質Si光電変換層4の発電素子と微結晶Si光電変換層6の発電素子とが積層方向に直列に接続されている。そして、基板2側から光が入射すると、非晶質Si光電変換層4および微結晶Si光電変換層6で電圧が発生し、その電力が透明電極3と裏面電極7とから取り出される。この光電変換装置1はタンデム型太陽電池を構成する。そして、この光電変換装置1は、光を入射する側に主として短い波長の光を吸収して電気エネルギーに変換するバンドギャップの大きい非晶質Si光電変換層4、裏面側に非晶質Si光電変換層4よりも長い波長の光を吸収して電気エネルギーに変換するバンドギャップの小さい微結晶Si光電変換層6が配置される。なお、本実施の形態1では、積層された光電変換層の光吸収波長特性を異ならせるために、非晶質Si光電変換層4と微結晶Si光電変換層6を用い、結晶化率を互いに異ならせる方法について説明したが、光電変換層の元素組成を互いに異ならせるようにしてもよい。例えば、Si半導体層に添加するGeやCの割合を変化させ、バンドギャップを調整して積層する光電変換層で光吸収波長特性が異なるように調整してもよい。また、積層される光電変換層は3つ以上としてもよい。その場合、中間層5が各光電変換層の間にあるように2つ以上ある構成としてもよい。また、基板2からの積層順序を反対として、基板2と反対側の膜面側から光を入射する構成としてもよい。膜面側から光を入射する場合、基板2は透明でなくてよい。非晶質Si光電変換層4は、基板2側から順にp型非晶質Si半導体層4a、i型非晶質Si半導体層4b、n型非晶質Si半導体層4cが積層された層で構成されている。またp型非晶質Si半導体層4aとi型非晶質Si半導体層4bとの間にi型非晶質Si半導体層を挿入しても良い。微結晶Si光電変換層6は、基板2側から順に、p型微結晶Si半導体層6a、i型微結晶Si半導体層6b、n型微結晶Si半導体層6cが積層された層で構成されている。なお、中間層5とn型非晶質Si半導体層4cとの間にn型非晶質Si半導体層4cよりもキャリア密度が高いn型非晶質Si半導体層4dを挿入するようにしてもよい。また、中間層5とp型微結晶Si半導体層6aとの間にp型微結晶Si半導体層6aよりもキャリア密度が高いp型微結晶Si半導体層6dを挿入するようにしてもよい。裏面電極7はたとえばAlやAl合金などの反射率の高い金属を使用する。Alの代わりにAgを用いてもよい。反射性能に優れた裏面電極7を用いると、微結晶Si光電変換層6を透過した光は裏面電極7により再び微結晶Si光電変換層6側に反射されて光電変換されるので変換効率が向上する。光電変換される波長域の光を効果的に反射するために図のように裏面電極7とn型微結晶Si半導体層6cとの間に適当な光学特性を有するZnOなどの透明導電層11を挿入してもよい。中間層5は非晶質Si光電変換層4と微結晶Si光電変換層6とに挟まれた層である。中間層5は非晶質Si光電変換層4で吸収されなかった光を微結晶Si光電変換層6側に透過する必要がある。このために、中間層5のバンドギャップは少なくとも非晶質Si光電変換層4のバンドギャップより広くしておく必要がある。このため、中間層5は、1.5eV以上のバンドギャップが必要である。それと同時に、中間層5は非晶質Si光電変換層4と微結晶Si光電変換層6との間を電気的に導通させる必要がある。また、中間層5が微結晶Si光電変換層6で吸収する波長域の光を透過する一方、非晶質Si光電変換層4で吸収する波長域の光を非晶質Si光電変換層4側に反射する光学特性を備えると、非晶質Si光電変換層4を通過した光が再び非晶質Si光電変換層4を通過して光電変換されるので変換効率が向上する。中間層5は、その両側に接合された非晶質Si光電変換層4と微結晶Si光電変換層6との間のキャリアを滞りなく伝えなければならないため、キャリア伝導性が必須である。非晶質Si光電変換層4と微結晶Si光電変換層6との間でキャリア伝導が妨げられると、実効的な素子間接続抵抗が高くなり、太陽電池の曲線因子FillFactor:FFが低下し、結果として発電効率が低下する。そのため中間層5は、透過率とキャリア導電率を両立させなければならない。図2は、図1に示される中間層5の近傍の層を説明する図である。図2aは、中間層5の近傍の層を拡大して示す図である。図2bは、図2aに示される各層のエネルギーバンドを示す図である。非晶質Si光電変換層4のn型非晶質Si半導体層4dと微結晶Si光電変換層6のp型微結晶Si半導体層6dとの間には、n型非晶質Si半導体層4d側から順にn型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとが積層された中間層5が配置されている。すなわち、n型非晶質Si半導体層4dにはn型透明導電性酸化膜5aが当接している。また、p型微結晶Si半導体層6dにはp型透明導電性酸化膜5bが当接している。ここで、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの界面付近には、半導体接合により低キャリア濃度領域12aができる。同様に、p型透明導電性酸化膜5bとp型微結晶Si半導体層6dとの界面付近にも半導体接合により低キャリア濃度領域12bができる。なお、低キャリア濃度領域12aおよび低キャリア濃度領域12bは、フリーキャリアの濃度が1×1018cm-3以下の領域と定義する。そして、例えば以下に示すような構造において、低キャリア濃度領域12aおよび低キャリア濃度領域12bの厚み方向の幅は、5nm以下とされる。図2においては、n型透明導電性酸化膜5aとしてはAlをドープしたZnO層、p型透明導電性酸化膜5bとしてはLiをドープしたNiO層を用いた例を示した。n型透明導電性酸化膜5aとしてのAlをドープしたZnO層は、重量比率2の濃度でAl2O3を添加したZnOターゲットと、重量比率5の濃度でAl2O3を添加したZnOターゲットとの2種類のZnOターゲットを用いて、RFRadioFrequencyスパッタリング法により成膜した。まず始めに重量比率2のAl2O3濃度のZnOターゲットを用いて、AlをドープしたZnO層を成膜した。その後、AlをドープしたZnO層の成膜膜厚の最後の2nmを、重量比率5のAl2O3濃度のZnOターゲットを用いて成膜した。成膜時の基板温度は200°Cとした。なお、n型透明導電性酸化膜5aは、プラズマCVD法や蒸着法などで形成するようにしてもよい。また、n型透明導電性酸化膜5aは、ターゲットにInGaZnO4を用いて、この組成のInGaZnO4膜を用いるようにしてもよい。なお、このInGaZnO4膜はIn:Ga:Znの原子比率がほぼ1:1:1である組成としてもよいが、必ずしもこの組成に限定されない。InxGayZnzO43x3y2z=8、0<x<1、0<y<1、0<z<1の形の組成比を持った化合物で、InGaZnOやIGZOと表記される材料としてもよい。p型透明導電性酸化膜5bとしてのLiをドープしたNiO層は、原子組成比率10の濃度でLiをドープしたNiOターゲットと、原子組成比率30の濃度でLiをドープしたNiOターゲットとの2種類のNiOターゲットを用いて、RFスパッタリング法により成膜した。LiをドープしたNiO層の成膜では、成膜の始めと終わりの膜厚2nmを、原子組成比率30のLi濃度のNiOターゲットを用いて成膜し、残りの膜厚を原子組成比率10のLi濃度のNiOターゲットで成膜した。LiをドープしたNiO層の成膜は、成膜の始めと終わりにおける原子組成比率30のLi濃度のNiOターゲットを用いた成膜時は、Arガスのみを15sccmで供給して行った。また、それ以外の原子組成比率10のLi濃度のNiOターゲットを用いた成膜は、窒素ガス10sccmに加えて酸素ガス5sccmを供給して行った。いずれの場合の成膜も、成膜室内の圧力は0.5Pa、成膜時の基板温度は200°Cとした。成膜時の基板温度は成膜後の熱処理温度との兼ね合いで決まる。室温で形成することも可能であるが、この場合、成膜後の熱処理温度は高温で、長時間の加熱が必要になる。以上のような成膜を行うことにより、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの界面付近において、n型透明導電性酸化膜5aのn型ドーパント濃度をp型透明導電性酸化膜5bとの界面に向かって増加させることができる。同時にn型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの界面付近において、p型透明導電性酸化膜5bのp型ドーパント濃度をn型透明導電性酸化膜5aとの界面に向かって増加させることができる。これにより、低キャリア濃度領域12aの厚み方向の幅を5nm以下にできる。また、以上のような成膜を行うことにより、p型透明導電性酸化膜5bとp型微結晶Si半導体層6dとの界面付近において、p型透明導電性酸化膜5bのp型ドーパント濃度をp型微結晶Si半導体層6dとの界面に向かって増加させることができる。これにより、低キャリア濃度領域12bの厚み方向の幅を5nm以下にできる。また、p型透明導電性酸化膜5bの成膜後、例えばプラズマCVD法などによりp型微結晶Si半導体層6dを成膜する。このとき、反応ガスの種類や供給量等を制御して例えば成膜の始めの膜厚2nmのp型ドーパント濃度を高めて、p型透明導電性酸化膜5bとp型微結晶Si半導体層6dとの界面付近において、p型微結晶Si半導体層6dのp型ドーパント濃度をp型透明導電性酸化膜5bとの界面に向かって増加させてもよい。これにより、低キャリア濃度領域12bの厚み方向の幅を5nm以下にできる。図3は、各層の膜厚方向におけるドーパント濃度の一例を模式的に示す図である。図3aは、n型透明導電性酸化膜5aの膜厚方向におけるn型ドーパント濃度の一例を模式的に示す図である。図3bは、p型透明導電性酸化膜5bの膜厚方向におけるp型ドーパント濃度の一例を模式的に示す図である。図3cは、p型微結晶Si半導体層6dの膜厚方向におけるp型ドーパント濃度の一例を模式的に示す図である。なお、p型透明導電性酸化膜5bは、CVD法や蒸着法などで形成するようにしてもよい。この場合のドーピングの制御は、ドーパントの流量を変える、ドーパント濃度の異なる蒸着源を切り替える、などの方法により制御可能である。また、p型透明導電性酸化膜5bとして、LiをドープしたNiO層の代わりに、Cu2O膜を用いてもよい。この場合にはドーピングは行わないため、ドーピング量の調整は行わない。このような中間層5では、主としてトンネル伝導とキャリア再結合とによって非晶質Si光電変換層4と微結晶Si光電変換層6との間に電流が流れる。実施の形態1の中間層5に用いられるAlをドープしたZnOおよびLiをドープしたNiOは透明導電膜であるため、本来の伝導特性は膜厚にはあまり左右されない。ただし、ここに示すような成膜後の高温熱処理を行わない場合には、本来のキャリア濃度および移動度が必ずしも十分に実現できるわけではないため、膜厚は薄くする方がよい。次に、このような中間層5の作用について説明する。n型Si層と、Alをドープしたn型ZnO層n型ZnO:Alとのショットキー接合は、伝導帯のそれぞれのポテンシャル位置電子親和力が近いためにショットキーバリアは小さい。このため、それぞれの層のキャリア濃度が1×1018cm-3以上となるようにドーピングコントロールすることでオーミック特性を示す。同様に、Liをドープしたp型NiO層と、p型Si層とのショットキー接合は、価電子帯のそれぞれのポテンシャル位置イオン化ポテンシャルが近いためにショットキーバリアは小さい。このため、それぞれの層のキャリア濃度が1×1018cm-3以上となるようにドーピングコントロールすることでオーミック特性を示す。一方、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとは、トンネル接合を形成する。それぞれのキャリア濃度が1×1019cm-3のレベルになるようドーピングして縮退した状態フェルミレベルが、伝導帯または価電子帯の中にある状態を実現すると、殆どエネルギーを消費することなしに、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの間のn-p間のトンネリング再結合による電流の流れを容易に実現できる。トンネリング再結合は、トンネル伝導したキャリアが再結合して消滅するまでのキャリアの一連の動作を意味する。透明導電性酸化膜により、pn接合を有する中間層5を形成した場合、成膜条件や積層構造によって接合抵抗が思い通りに低減できないことがある。この原因を調べるために、pn接合を含む透明導電性酸化膜のI-V特性を評価した。その結果、接合抵抗が高い場合には空間電荷制限電流が支配的であることが分かった。ここで、空間電荷制限電流は、低キャリア濃度領域が抵抗値を支配していることを示す。そこで、本実施の形態では、透明導電性酸化膜からなりpn接合を有する中間層5を形成する際に、p型透明導電性酸化膜とその上下の層の界面付近に生じる低キャリア濃度1×1018cm-3以下層の膜厚方向における広がり幅を5nm以下に抑える。すなわち、低キャリア濃度領域12aおよび低キャリア濃度領域12bの、膜厚方向における広がりを5nm以下に抑える。これにより、中間層5の接合抵抗を300mΩcm2以下に抑えることができる。接合抵抗を300mΩcm2以下にすることにより、高集光発電時における高電流の状況でも、接合抵抗に起因した光電変換効率の低下を抑えることが可能になる。この低キャリア濃度の領域の幅は狭いほど低抵抗化が可能になる。このため、低キャリア濃度領域12aおよび低キャリア濃度領域12bの幅は、5nm以下が好ましい。そして、低キャリア濃度領域12aおよび低キャリア濃度領域12bの幅を2nm以下に低減すれば、より低い接合抵抗が実現可能となる。以上のように、実施の形態1においては、中間層5はn型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとが積層されて構成される。そして、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの界面付近において、n型透明導電性酸化膜5aのn型ドーパント濃度を、p型透明導電性酸化膜5bとの界面に向かって増加させている。また、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの界面付近において、p型透明導電性酸化膜5bのp型ドーパント濃度を、n型透明導電性酸化膜5aとの界面に向かって増加させている。これにより、低キャリア濃度領域12aの幅を低減させて、接合抵抗を低下させることができる。上記のドーパント濃度の増加は、n型透明導電性酸化膜5aまたはp型透明導電性酸化膜5bの一方だけでも効果がある。また、上述したn型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの界面付近でのドーパント濃度を変更する成膜方法は、該界面付近でのみキャリアを増加させてキャリアの減少分を補償し、全体のキャリアを増加させた場合の光透過率の減少を避けることを可能にする。このため、上記の成膜方法により、中間層5での光吸収を最小限に抑えつつ、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの間の接合抵抗を低減し、素子抵抗を低減することができる。そして、低キャリア濃度領域12aの幅を5nm以下に抑えることで接合抵抗300mΩcm2以下を実現することができ、高集光発電時における高電流の状況でも光電変換効率の低下を抑えることが可能になる。この低キャリア濃度領域12aの幅は狭いほど低抵抗化が可能になるため、その幅を2nm以下とすることでより低い接合抵抗を実現可能となる。また、低キャリア濃度の領域は中間層5の透明導電性酸化層のpn接合付近の他にも、p型透明導電性酸化膜5bとp型微結晶Si半導体層6dとの界面付近にも発生し易く、この界面付近に低キャリア濃度領域12bができる。そこで、p型透明導電性酸化膜5bとp型微結晶Si半導体層6dとの界面付近において、p型透明導電性酸化膜5bのp型ドーパント濃度をp型微結晶Si半導体層6dとの界面に向かって増加させる。また、p型微結晶Si半導体層6dのp型ドーパント濃度をp型透明導電性酸化膜5bとの界面に向かって増加させる。これにより、低キャリア濃度領域12bの幅を低減させて、接合抵抗を低下させることができる。上記のドーパント濃度の増加は、p型透明導電性酸化膜5bまたはp型微結晶Si半導体層6dの一方だけでも効果がある。この場合も、低キャリア濃度領域12bの幅を5nm以下に抑えることで接合抵抗300mΩcm2以下を実現することができ、この低キャリア濃度領域12bの幅も狭いほど低抵抗化が可能になるため、その幅を2nm以下とすることでより低い接合抵抗を実現可能となる。したがって、実施の形態1によれば、中間層5のp型透明導電性酸化膜5bと他層との界面付近に構成される低キャリア濃度領域の幅を低減させて接合抵抗を低下させることにより、中間層5を挟んで接続された第1光電変換層非晶質Si光電変換層4と第2光電変換層微結晶Si光電変換層6との間の導電性を改善し、光電変換効率を向上させることができる。なお、低キャリア濃度領域12bの幅の低減は、上述したn型透明導電性酸化膜5a等におけるドーパント濃度を増加させる方法以外の別の方法でも実現できる。例えば膜のストイキオメトリの制御により膜内の酸素欠損または格子間金属元素を多くすると、膜内のn型キャリア濃度を増加させることが可能である。また、膜のストイキオメトリの制御により膜内の金属欠損または格子間酸素を多くすると、膜内のp型キャリア濃度を多くすることができる。このような方法によれば、それぞれn型ドーパント濃度増加、p型ドーパント濃度増加と同様の効果を得ることができ、低キャリア濃度領域の幅を低減できる。また、成膜初期から成膜が定常状態となるまでにかけて酸素供給量を増加させてp型透明導電性酸化膜5b内の酸素を増やすことで、p型ドーパント濃度を増加させた場合と同様の効果が得られ、低キャリア濃度領域12bの幅が低下して接合抵抗を低下させることができる。また、上記においては中間層5とn型非晶質Si半導体層4cとの間にn型非晶質Si半導体層4dが挿入されている場合を例に説明したが、n型非晶質Si半導体層4dが挿入されていない場合も上記と同様に効果を得ることができる。また、上記においては中間層5とp型微結晶Si半導体層6aとの間にp型微結晶Si半導体層6dを挿入されている場合を例に説明したが、p型微結晶Si半導体層6dが挿入されていない場合も上記と同様に効果を得ることができる。実施の形態2.実施の形態2では、実施の形態1で説明した構成を有する光電変換装置において、p型透明導電性酸化膜5bとしてZnM2O4MはCo,Rh,Irのいずれか1つ系の膜のうちZnIr2O4膜を用いる。中間層5の形成においては、まず、実施の形態1の場合と同様にしてn型非晶質Si半導体層4d上にn型透明導電性酸化膜5aとしてのAlをドープしたZnO層を成膜する。すなわち、まずn型透明導電性酸化膜5aのn型ドーパント濃度を次に形成するp型透明導電性酸化膜5bとの界面側の表面に向かって増加させてn型透明導電性酸化膜5aを成膜する。n型透明導電性酸化膜5aとしてのAlをドープしたZnO層は、重量比率2の濃度でAl2O3を添加したZnOターゲットを用いて、RFRadioFrequencyスパッタリング法により成膜した。成膜時の基板温度は200°Cとした。なお、n型透明導電性酸化膜5aは、プラズマCVD法や蒸着法などで形成するようにしてもよい。また、n型透明導電性酸化膜5aは、ターゲットにInGaZnO4を用いて、この組成のInGaZnO4膜を用いるようにしてもよい。また、InxGayZnzO43x3y2z=8の形の組成比を持った化合物としても良い。p型透明導電性酸化膜5bとしてのZnIr2O4層は、ZnIr2O4ターゲットを用いて、n型透明導電性酸化膜5a上にRFスパッタリング法により成膜した。ZnIr2O4層の成膜は、Arガスのみを15sccmで供給して行った。成膜室内の圧力は0.5Pa、成膜時の基板温度は200°Cとした。これにより、p型透明導電性酸化膜5bとしてアモルファス状態のZnIr2O4膜を得ることができる。成膜時の基板温度は成膜後の熱処理温度との兼ね合いで決まる。室温で形成することも可能であるが、この場合、成膜後の熱処理温度は高温で、長時間の加熱が必要になる。ZnIr2O4は、アモルファス状態でp型伝導を得ることができる透明導電膜となる。成膜後に200°Cで2時間の酸素雰囲気中アニールを行うことで、高いホール濃度を得ることができる。以上のような成膜を行うことにより、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの界面付近において、p型透明導電性酸化膜5b形成時にn型透明導電性酸化膜5aの表面が過剰に酸化されてキャリア濃度の低下が起こるのを防ぐことができる。これにより、低キャリア濃度領域12aの厚み方向の幅を5nm以下にできる。このような中間層5では、主としてトンネル伝導とキャリア再結合とによって非晶質Si光電変換層4と微結晶Si光電変換層6との間に流れる電流が決まる。実施の形態2の中間層5に用いられるAlをドープしたZnOおよびZnIr2O4は透明導電膜であるため、本来の伝導特性は膜厚にはあまり左右されない。ただし、ここに示すような成膜後の高温熱処理を行わない場合には、本来の移動度が必ずしも十分に実現できるわけではないため、膜厚は薄くする方がよい。次に、このような中間層5の作用について説明する。n型Si層と、Alをドープしたn型ZnO層n型ZnO:Alとのショットキー接合は、伝導帯のそれぞれのポテンシャル位置電子親和力が近いためにショットキーバリアは小さい。このため、それぞれの層のキャリア濃度が1×1018cm-3以上となるようにドーピングコントロールすることでオーミック特性を示す。同様に、ZnIr2O4層と、p型Si層とのショットキー接合は、それぞれの層のキャリア濃度が1×1018cm-3以上となるようにキャリア濃度コントロールすることでオーミック特性を示す。一方、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとは、トンネル接合を形成する。それぞれのキャリア濃度が1×1019cm-3のレベルになるようドーピングして縮退した状態フェルミレベルが、伝導帯または価電子帯の中にある状態を実現すると、殆どエネルギーを消費することなしに、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの間のn-p間のトンネリング再結合によるp側からn側への電流の流れを容易に実現できる。トンネリング再結合は、トンネル伝導したキャリアが再結合して消滅するまでのキャリアの一連の動作を意味する。ここで、透明導電性酸化膜により、pn接合を有する中間層5を形成した場合、成膜条件や積層構造によって接合抵抗が思い通りに低減できなかった。この原因を調べるために、pn接合を含む透明導電性酸化膜のI-V特性を評価した。その結果、接合抵抗が高い場合には空間電荷制限電流が支配的であることが分かった。ここで、空間電荷制限電流は、低キャリア濃度領域が抵抗値を支配していることを示す。このような低キャリア濃度領域が発生するメカニズムを詳しく調べた結果、キャリア発生のメカニズムに根ざした成膜プロセスの相互干渉が原因であることを突き止めた。ZnOなどのn型透明導電性酸化膜において、n型キャリアである電子の生成原因は、ドーパント原子例えばAlと膜中の酸素欠損にある。したがって、酸素が過剰に存在する雰囲気で成膜するとn型キャリアが減少する。このことは、成膜後の膜表面に対しても当てはまる。成膜後のn型透明導電性酸化膜の表面が活性な酸素に触れると、過剰な酸化が進行し、成膜時に形成された酸素欠損が消失し、キャリア可動電子が減少する。一方、p型透明導電性酸化膜において、p型キャリアであるホールの生成原因は、ドープした原子と膜中のメタル欠損にある。このため、p型透明導電性酸化膜の成膜中には、過剰酸素が必要である。したがって、通常、p型透明導電性酸化膜の成膜は、酸素雰囲気で行われる。従来技術による成膜では、p型透明導電性酸化膜はp型膜に最適な成膜条件で成膜されていたため、p型透明導電性酸化膜の成膜初期において下地のn型透明導電性酸化膜の膜表面が酸化される、というn型透明導電性酸化膜にとっては不利な条件で成膜されていた。このため、p型透明導電性酸化膜の成膜過程でのn型透明導電性酸化膜の過剰酸化が原因となり、表面付近のn型キャリアが減少していた。そこで、本実施の形態では、透明導電性酸化膜からなりpn接合を有する中間層5を形成する際に、p型透明導電性酸化膜5bとその上下の層の界面付近に生じる低キャリア濃度1×1018cm-3以下層の膜厚方向における広がり幅を5nm以下に抑えるために、初期のp型透明導電性酸化膜5bの形成条件を、n型透明導電性酸化膜5aを劣化させない条件、すなわち酸素ガスを供給しない条件に設定した。このような工程を可能にするためには、ホール濃度が成膜時の酸素供給量にあまり左右されることの無い材料を用いて、少なくとも膜形成の初期において酸素供給無しの条件で成膜を行うことにした。この結果、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bの接合界面付近界面から5nm以内でのn型透明導電性酸化膜5aの酸素欠損濃度を、接合界面と反対側に位置する部分のn型透明導電性酸化膜5aの酸素欠損濃度に比べて10以下になるのを防ぐことができる。すなわち低キャリア濃度1×1018cm-3以下層の膜厚方向における広がり幅を5nm以下に抑えることができる。図4にこのような中間層5の形成プロセスと抵抗との関係についての実験結果を示す。図4は、中間層5の形成プロセスと抵抗率との関係を電圧抵抗曲線で示す図である。図4において、曲線aは、中間層5のテスト構造におけるp型透明導電性酸化膜5bとして酸素供給雰囲気で成膜したNiO膜を使用した場合に対応する。曲線bは、中間層5のテスト構造におけるp型透明導電性酸化膜5bとして酸素供給雰囲気で成膜したZnIr2O4膜を使用した場合に対応する。曲線cは、中間層5のテスト構造におけるp型透明導電性酸化膜5bとして酸素無し雰囲気で成膜したZnIr2O4膜を用いた場合に対応する。なお、中間層5のテスト構造におけるn型透明導電性酸化膜5aとしては、これらの3種類のテスト構造において共通でZnO膜を使用した。図4における縦軸は、テスト構造における界面抵抗率Ωcm2を示しており、これは上記の3種類の中間層のテスト構造の抵抗を評価するためにそれぞれのテスト構造に電流を流したときの電圧から、テスト構造の界面微分抵抗を求めたものである。図4からわかるように、p型透明導電性酸化膜5bとしてのNiO膜をZnIr2O4膜に代えることで抵抗値が約1/3に低減できるが、さらにZnIr2O4膜を酸素供給の無い条件で成膜することにより抵抗値が1/5に低減できる。また、上記においては、ZnIr2O4層の成膜を、Arガスのみを供給して行う場合について説明したが、ZnIr2O4ターゲットを用いて、始めはAr雰囲気中で、引き続いてArO2雰囲気中でのRFスパッタリング法により、n型透明導電性酸化膜5a上にZnIr2O4膜を成膜してもよい。成膜時の基板温度はたとえば200°Cとすることができる。これにより、p型透明導電性酸化膜5bとしてアモルファス状態のZnIr2O4膜を得ることができる。ZnIr2O4は、アモルファス状態でp型伝導を得ることができる透明導電膜となる。成膜後に200°Cで2時間の酸素雰囲気中アニールを行うことで、高いホール濃度を得ることができる。この結果、殆どエネルギーを消費することなしに、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの間のn-p間のトンネリング再結合を容易に実現することができる。この場合も、低キャリア濃度領域12aおよび低キャリア濃度領域12bの、膜厚方向における広がりを5nm以下に抑えることができ、中間層5の接合抵抗を300mΩcm2以下に抑えることができる。これにより、高集光発電時における高電流の状況でも、接合抵抗に起因した光電変換効率の低下を抑えることが可能になる。以上のように、実施の形態2においては、中間層5はn型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとが積層されて構成される。そして、p型透明導電性酸化膜5bは、成膜時の酸素雰囲気の影響の少ない材料で形成される。さらに、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの界面付近において、p型透明導電性酸化膜5bの形成時に実質的に酸素供給を行わない。これにより、過剰酸化により生成される低キャリア濃度領域12aの幅を低減させて、接合抵抗を低下させることができる。この結果、殆どエネルギーを消費することなしに、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの間のn-p間のトンネリング再結合を容易に実現することができる。そして、低キャリア濃度領域12aの、膜厚方向における広がりを幅を5nm以下に抑えることで接合抵抗300mΩcm2以下を実現することができ、高集光発電時における高電流の状況でも光電変換効率の低下を抑えることが可能になる。この低キャリア濃度領域12aの幅は狭いほど低抵抗化が可能になるため、その幅を2nm以下とすることでより低い接合抵抗を実現可能となる。したがって、実施の形態2によれば、中間層5のp型透明導電性酸化膜5bの形成時にn型透明導電性酸化膜5aの表面が過剰酸化されてできる表面付近の低キャリア濃度領域12aの幅を低減させて接合抵抗を低下させることにより、中間層5の導電性を改善し、光電変換効率を向上させることができる。また、上記においては中間層5とn型非晶質Si半導体層4cとの間にn型非晶質Si半導体層4dが挿入されている場合を例に説明したが、n型非晶質Si半導体層4dが挿入されていない場合も上記と同様に効果を得ることができる。また、上記においては中間層5とp型微結晶Si半導体層6aとの間にp型微結晶Si半導体層6dが挿入されている場合を例に説明したが、p型微結晶Si半導体層6dが挿入されていない場合も上記と同様に効果を得ることができる。なお、ZnM2O4MはCo,Rh,Irのいずれか1つ系の膜のうち、金属元素としてIrに代えてRhやCoを用いた場合も、Irを用いた場合と同様の効果が得られる。実施の形態3.実施の形態3では、上述した実施の形態2における中間層5の形成において、p型透明導電性酸化膜5bの成膜時に、ターゲットにZnM2O4xMはCo、Ir、Rhのいずれか1つ、x≧1からなる過剰に酸素を含んだターゲットを用いる場合について説明する。一例として、ここでは、ZnIr2O5を用いる。上述した実施の形態2におけるp型透明導電性酸化膜5bの成膜時のターゲットにZnIr2O5からなるターゲットを用いることにより、成膜時の酸素ガス供給を行わずにターゲットから成膜に必要な過剰酸素を供給することができる。このため、n型透明導電性酸化膜5aの表面の過剰酸化が抑制されると同時にp型透明導電性酸化膜5bのp型キャリア濃度の低下を防ぐことができる。この結果、殆どエネルギーを消費することなしに、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの間のn-p間のトンネリング再結合を容易に実現することができる。これにより、接合抵抗を300mΩcm2以下にすることにより、高集光発電時における高電流の状況でも、接合抵抗に起因した光電変換効率の低下を抑えることが可能になる。上記においては、p型透明導電性酸化膜5bの成膜時のターゲットにZnIr2O5からなるターゲットを用いる場合を例に説明したが、ターゲットにZnM2O4xMはCo、Ir、Rhのいずれか1つ、x≧1からなる過剰に酸素を含んだターゲットを用いる場合において上記と同様の効果が得られる。実施の形態4.実施の形態4では、上述した実施の形態1~実施の形態3の中間層5の形成において、p型透明導電性酸化膜5bの成膜前におけるp型透明導電性酸化膜5b成膜用のターゲットのプリスパッタリングを、実質的に酸素ガスを含まないガス雰囲気で行う場合について説明する。p型透明導電性酸化膜5bの成膜前のターゲットのプリスパッタリングを、実質的に酸素ガスを含まないガス雰囲気で行うことにより、成膜時のみならず成膜前のプロセスにおいてもn型透明導電性酸化膜5aの表面の過剰酸化が抑制される結果、殆どエネルギーを消費することなしに、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの間のn-p間のトンネリング再結合を容易に実現することができる。これにより、接合抵抗を300mΩcm2以下にすることにより、高集光発電時における高電流の状況でも、接合抵抗に起因した光電変換効率の低下を抑えることが可能になる。実施の形態5.実施の形態5では、上述した実施の形態1~実施の形態4の中間層5の形成において、p型透明導電性酸化膜5b成膜時にRFスパッタリング法を用いて、少なくともネオンNeを含むガス雰囲気で成膜を行う場合について説明する。RFスパッタリング法によりn型透明導電性酸化膜5a上にp型透明導電性酸化膜5bを成膜する際に、n型透明導電性酸化膜5aとの界面に近い膜厚2nmの成膜時には、Neガスを15sccmの流量で供給する第1段階。その後、Neガス10sccmと酸素5sccmの混合供給を行った状態で残りの膜厚分のp型透明導電性酸化膜5bを成膜する第2段階。Neは酸素元素と質量が近いためにプラズマ中の酸素の運動エネルギーを有効に吸収し、酸素のイオンによるn型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの界面付近でのスパッタリングダメージ表面ダメージを抑制することができる。これにより、p型透明導電性酸化膜5bの成膜時のプロセスにおいてn型透明導電性酸化膜5aの表面の過剰酸化が抑制される結果、殆どエネルギーを消費することなしに、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの間のn-p間のトンネリング再結合を容易に実現することができる。これにより、接合抵抗を300mΩcm2以下にすることにより、高集光発電時における高電流の状況でも、接合抵抗に起因した光電変換効率の低下を抑えることが可能になる。実施の形態6.実施の形態6では、実施の形態1で説明した構成を有する光電変換装置において、p型透明導電性酸化膜5bとしてp型キャリアを生成するためにLiがドーピングされたZnxMg1-xO膜を用いる。中間層5の形成においては、まず実施の形態1の場合と同様にしてn型非晶質Si半導体層4d上にn型透明導電性酸化膜5aとしてのAlをドープしたZnO層を成膜する。すなわち、まずn型透明導電性酸化膜5aのn型ドーパント濃度を、次に形成するp型透明導電性酸化膜5bとの界面側の表面に向かって増加させてn型透明導電性酸化膜5aを成膜する。つぎに、原子組成比率0.5の濃度でLiをドープしたZn0.7Mg0.3Oターゲットを用いて、ArO2雰囲気中でのRFスパッタリング法により、n型透明導電性酸化膜5a上にZn0.7Mg0.3O膜を成膜する。成膜時の基板温度はたとえば200°Cとすることができる。これにより、p型透明導電性酸化膜5bとしてLiがドープされたアモルファス状態のZn0.7Mg0.3O膜を得ることができる。この膜は、ZnOを主成分にMgを加えた酸化物材料であるZnMgO系材料とすればよく、そのZnとMgの原子比率は適宜変更してもよい。LiがドープされたZn0.7Mg0.3Oはアモルファス状態でp型伝導を得ることができる透明導電膜となる。成膜後に200°C2時間の酸素雰囲気中アニールを行うことで高いホール濃度を得ることができる。この結果、殆どエネルギーを消費することなしに、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの間のn-p間のトンネリング再結合を容易に実現することができる。この場合も、低キャリア濃度領域12aおよび低キャリア濃度領域12bの、膜厚方向における広がりを5nm以下に抑えることができ、中間層5の接合抵抗を300mΩcm2以下に抑えることができる。これにより、接合抵抗を300mΩcm2以下にすることにより、高集光発電時における高電流の状況でも、接合抵抗に起因した光電変換効率の低下を抑えることが可能になる。実施の形態7.上述した中間層5の形成において、各層の界面付近の成膜では前の層の表面が成膜条件の異なる次の層の成膜に晒されるため、次の層の成膜に影響されて界面付近が高抵抗化する虞がある。そこで、実施の形態7では、上述した中間層5の形成方法において、RFスパッタリング法によるp型透明導電性酸化膜5bの成膜時に印加するRFパワーを2段階以上に変化させる。たとえば、RFスパッタリング法によりn型透明導電性酸化膜5a上にp型透明導電性酸化膜5bを成膜する際に、n型透明導電性酸化膜5aとの界面に近い膜厚2nmの成膜時には印加するRFパワーを50Wとする第1段階。その後、印加するRFパワーを100Wとした定常状態において残りの膜厚分のp型透明導電性酸化膜5bを成膜する第2段階。印加するRFパワーを低くすることにより、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの界面付近でのスパッタリングダメージを低減し、該界面付近におけるキャリアの低減を抑えることができる。しかし、成膜速度は印加するRFパワーに比例する。すなわち、印加するRFパワーが小さくなるに従って成膜速度は遅くなる。そこで、n型透明導電性酸化膜5aとの界面に近い膜厚2nmの成膜時のみRFパワーを低く保ち、その後の定常状態ではRFパワーを増加させて成膜速度を増加させる。なお、スパッタリングダメージを低減させるには、第1段階のRFパワーは、定常状態である第2段階のRFパワーの1/2以下とすることが好ましい。これにより、印加するRFパワーの低下に起因した成膜時間の増加を抑えつつ、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの界面付近でのスパッタリングダメージを低減し、該界面付近におけるキャリアの低減を抑えることができる。この結果、殆どエネルギーを消費することなしに、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの間のn-p間のトンネリング再結合を容易に実現することができる。この場合も、低キャリア濃度領域12aおよび低キャリア濃度領域12bの、膜厚方向における広がりを5nm以下に抑えることができ、中間層5の接合抵抗を300mΩcm2以下に抑えることができる。これにより、接合抵抗を300mΩcm2以下にすることにより、高集光発電時における高電流の状況でも、接合抵抗に起因した光電変換効率の低下を抑えることが可能になる。実施の形態8.上述した中間層5の形成において、各層の界面付近の成膜では前の層の表面が成膜条件の異なる次の層の成膜に晒されるため、次の層の成膜に影響されて界面付近が高抵抗化する虞がある。そこで、実施の形態8では、上述した中間層5の形成方法において、RFスパッタリング法によるp型透明導電性酸化膜5bの成膜時にターゲット-基板間距離を2段階以上に変化させる。たとえば、RFスパッタリング法によりn型透明導電性酸化膜5a上にp型透明導電性酸化膜5bを成膜する際に、n型透明導電性酸化膜5aとの界面に近い膜厚2nmの成膜時はターゲット-基板間距離を300mmとする第1段階。その後、ターゲット-基板間距離を100mmとした定常状態において残りの膜厚分のp型透明導電性酸化膜5bを成膜する第2段階。ターゲット-基板間距離を長くすることにより、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの界面付近でのスパッタリングダメージを低減し、該界面付近におけるキャリアの低減を抑えることができる。しかし、成膜速度はターゲット-基板間距離に反比例する。すなわち、ターゲット-基板間距離が長くなるに従って成膜速度は遅くなる。そこで、n型透明導電性酸化膜5aとの界面に近い膜厚2nmの成膜時のみターゲット-基板間距離を長く保ち、その後の定常状態ではターゲット-基板間距離を長くして成膜速度を増加させる。なお、スパッタリングダメージを低減させるには、第1段階のターゲット-基板間距離は、定常状態である第2段階のターゲット-基板間距離の1/2以下とすることが好ましい。これにより、ターゲット-基板間距離の増加に起因した成膜時間の増加を抑えつつ、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの界面付近でのスパッタリングダメージを低減し、該界面付近におけるキャリアの低減を抑えることができる。この結果、殆どエネルギーを消費することなしに、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの間のn-p間のトンネリング再結合を容易に実現することができる。この場合も、低キャリア濃度領域12aおよび低キャリア濃度領域12bの、膜厚方向における広がりを5nm以下に抑えることができ、中間層5の接合抵抗を300mΩcm2以下に抑えることができる。これにより、接合抵抗を300mΩcm2以下にすることにより、高集光発電時における高電流の状況でも、接合抵抗に起因した光電変換効率の低下を抑えることが可能になる。実施の形態9.実施の形態9では、上述した実施の形態1における中間層5の形成において、n型透明導電性酸化膜5aとしてはZnをドープしたIn2O3層インジウム酸化物を主成分に酸化亜鉛を少量含む材料、以下にInZnOと記述を、p型透明導電性酸化膜5bとしてはLiをドープしたNiO層を用いる。成膜時の雰囲気は、Arに流量比で5の窒素Nを添加した雰囲気とした。成膜時の雰囲気に窒素を添加することにより、n型透明導電性酸化膜5aやp型透明導電性酸化膜5bに窒素がドーピングされる。中間層5の形成においては、まず、n型非晶質Si半導体層4d上にn型透明導電性酸化膜5aとしてのInZnO層を成膜した。n型透明導電性酸化膜5aとしてのZnをドープしたIn2O3層InZnO層は、重量比率10の濃度でZnOを添加したIn2O3ターゲットを用いて、RFスパッタリング法により10nmの膜厚で成膜した。成膜時の基板温度は200°Cとした。成膜時の雰囲気は、Arに流量比で5の窒素を添加した雰囲気とし、成膜時の成膜室内の圧力は約0.2Paとした。n型透明導電性酸化膜5aの成膜後、基板を真空中に保持したままターゲットを交換し、基板を酸素雰囲気に晒すことなく次のp型透明導電性酸化膜5bの成膜を行った。p型透明導電性酸化膜5bとしてのLiをドープしたNiO層は、原子組成比率20の濃度でLiをドープしたNiOターゲットを用いて、RFスパッタリング法により10nmの膜厚で成膜した。成膜に先立って、ターゲットシャッターを閉じたままターゲットをクリーニングするためのプリスパッターを10秒行った。LiをドープしたNiO層の成膜時の雰囲気は、Arに流量比で5の窒素を添加した雰囲気とした。成膜時の成膜室内の圧力は0.2Pa、成膜時の基板温度は200°Cとした。成膜時の基板温度は成膜後の熱処理温度との兼ね合いで決まる。室温で形成することも可能であるが、この場合、成膜後の熱処理温度は高温で、長時間の加熱が必要になる。以上のような成膜を行うことにより、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの界面付近において、p型透明導電性酸化膜5b形成時にn型透明導電性酸化膜5a表面が過剰に酸化されてキャリア濃度の低下が起こるのを防ぐことができる。これにより、低キャリア濃度領域12aの厚み方向の幅を5nm以下にできる。このような中間層5では、主としてトンネル伝導とキャリア再結合とによって非晶質Si光電変換層4と微結晶Si光電変換層6との間に電流が流れる。実施の形態9の中間層5に用いられるInZnOおよびLiをドープしたNiOは透明導電膜であるため、本来の伝導特性は膜厚にはあまり左右されない。ただし、ここに示すような成膜後の高温熱処理を行わない場合には、本来の移動度が必ずしも十分に実現できるわけではないため、膜厚は薄くする方がよい。次に、このような中間層5の作用について説明する。n型Si層と、n型InZnO、インジウム酸化物を主成分に酸化亜鉛を少量含む材料とのn-n接合は、伝導帯のそれぞれのポテンシャル位置電子親和力が近いためにショットキーバリアは小さい。このため、それぞれの層のキャリア濃度が1×1019cm-3以上となるようにドーピングコントロールすることでオーミック特性を示す。同様に、LiをドープしたNiOと、p型Si層とのp-p接合は、それぞれの層のキャリア濃度が1×1019cm-3以上となるようにキャリア濃度コントロールすることでオーミック特性を示す。一方、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとは、n-p接合を形成する。それぞれのキャリア濃度が1×1019cm-3のレベルになるようドーピングして縮退した状態フェルミレベルが、伝導帯または価電子帯の中にある状態を実現すると、殆どエネルギーを消費することなしに、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの間のn-p間のトンネリング再結合によるn側からp側への電子の流れを容易に実現できる。トンネリング再結合は、トンネル伝導したキャリアが再結合して消滅するまでのキャリアの一連の動作を意味する。これまで透明導電性酸化膜により、pn接合を有する中間層5を形成した場合、成膜条件や積層構造によって接合抵抗が思い通りに低減できなかった。この原因を調べるために、pn接合を含む透明導電性酸化膜のI-V特性を評価した。その結果、接合抵抗が高い場合には空間電荷制限電流が支配的であることが分かった。ここで、空間電荷制限電流は、低キャリア濃度領域が抵抗値を支配していることを示す。このような低キャリア濃度領域が発生するメカニズムを詳しく調べた結果、透明導電性酸化膜のキャリア発生のメカニズムに根ざした成膜プロセスの相互干渉が原因であることを突き止めた。ZnOなどのn型透明導電性酸化膜において、n型キャリアである電子の生成原因は、ドーパント原子例えばAlと膜中の酸素欠損にある。したがって、酸素が過剰に存在する雰囲気で成膜するとn型キャリアが減少する。このことは成膜後の表面に対しても当てはまる。成膜後のn型透明導電性酸化膜の表面が活性な酸素に触れると、過剰な酸化が進行し、成膜時に形成された酸素欠損が消失し、キャリア可動電子が減少する。一方、p型透明導電性酸化膜において、p型キャリアであるホールの生成原因は、ドープした原子と膜中のメタル欠損にある。このため、p型透明導電性酸化膜の成膜中には、過剰酸素が必要である。したがって、通常、p型透明導電性酸化膜の成膜は、酸素供給雰囲気で行われる。従来技術による成膜では、p型透明導電性酸化膜はp型膜の抵抗率低減に最適な成膜条件で成膜されていたため、p型透明導電性酸化膜の成膜初期において下地のn型透明導電性酸化膜にとっては不利な条件で成膜していた。このため、p型透明導電性酸化膜の成膜過程でのn型透明導電性酸化膜の過剰酸化が原因となり、表面付近のn型キャリア濃度が減少していた。そこで、本実施の形態では、透明導電性酸化膜からなりpn接合を有する中間層5を形成する際に、p型透明導電性酸化膜5bとその上下の層の界面付近に生じる低キャリア濃度1×1018cm-3以下層の膜厚方向における広がり幅を5nm以下に抑えるために、p型透明導電性酸化膜5bの形成条件を、n型透明導電性酸化膜5aを劣化させない条件、すなわち酸素ガスを供給せずに窒素ガスを供給する条件に設定した。このような工程を可能にするために、ZnOに替えて、成膜時における窒素ガス供給窒素のドーピングによって抵抗率が低減可能なn型透明導電性酸化膜として、インジウム酸化物を主成分とする酸化物材料である、In2O3、InZnO、InSnOインジウム酸化物を主成分に酸化スズを少量含む材料、SnをドープしたIn2O3、以下にInSnOと記述を選定した。そして、n型透明導電性酸化膜5aとしてこれらの材料を窒素ガスを含むArガス雰囲気で成膜し、この上にp型透明導電性酸化膜5bを窒素ガス供給条件下で成膜した。図5にこのような中間層5の形成プロセスと抵抗との関係についての実験結果を示す。図5は、中間層5の形成プロセスと抵抗率との関係を電圧抵抗曲線で示す図である。図5において、曲線aは、酸素無供給雰囲気で成膜したZnOn型透明導電性酸化膜5aと酸素供給雰囲気で成膜したNiOp型透明導電性酸化膜5bとの接合構造を有する中間層5のテスト構造に対応する。曲線bは、窒素供給雰囲気で成膜した窒素ドープInZnOn型透明導電性酸化膜5aと酸素供給雰囲気で成膜したNiOp型透明導電性酸化膜5bとの接合構造を有する中間層5のテスト構造に対応する。曲線cは、窒素供給雰囲気で成膜した窒素ドープInZnOn型透明導電性酸化膜5aと酸素無供給雰囲気かつ窒素供給雰囲気で成膜したNiOp型透明導電性酸化膜5bとの接合構造を有する中間層5のテスト構造に対応する。図5における縦軸は、テスト構造における界面抵抗率Ωcm2を示しており、これは上記の3種類の中間層のテスト構造の抵抗を評価するためにそれぞれのテスト構造に電流を流したときの電圧から、テスト構造の微分抵抗を求めたものである。図5からわかるように、n型透明導電性酸化膜5aとしてのZnOを窒素ドープInZnOに変えることで抵抗値が約1/3に低減できるが、さらにp型透明導電性酸化膜5bとしてのNiOを酸素供給に代えて窒素供給の条件で成膜することにより抵抗値が1/5に低減できる。一方、n型透明導電性酸化膜5aとしてInを主体とする材料ではなく、ZnOやSnOに窒素ドープした膜を用いると逆に中間層5の接合抵抗の増加を招くことが実験的に確かめられた。このことから、n型透明導電性酸化膜5aとして、どのような材料に窒素ドープを行っても良い結果が得られるわけではない。また、成膜時における窒素ガス供給窒素のドーピングによって抵抗率が低減可能なp型透明導電性酸化膜5bとして、NiO層の代わりに、Cu2OやZnM2O4MはCo,Rh,Irのいずれか1つを基材とする膜を用いてもよい。この結果、殆どエネルギーを消費することなしに、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの間のn-p接合間のトンネリング再結合を容易に実現することができる。そして、この場合も低キャリア濃度領域12aの幅を5nm以下に抑えることができ、中間層5の接合抵抗を300mΩcm2以下に抑えることができる。これにより、高集光発電時における高電流の状況でも、接合抵抗に起因した光電変換効率の低下を抑えることが可能になる。この低キャリア濃度領域12aの幅が狭いほど中間層5の接合抵抗の低抵抗化が可能になるため、その幅を2nm以下とすることでより低い接合抵抗を実現可能となる。したがって、実施の形態9によれば、中間層5のp型透明導電性酸化膜5bの形成時にn型透明導電性酸化膜5aの表面が過剰酸化されてできる表面付近の低キャリア濃度領域12aの幅を低減させて接合抵抗を低下させることにより、中間層5の導電性を改善し、光電変換効率を向上させることができる。また、上記においては中間層5とn型非晶質Si半導体層4cとの間にn型非晶質Si半導体層4dが挿入されている場合を例に説明したが、n型非晶質Si半導体層4dが挿入されていない場合も上記と同様に効果を得ることができる。また、上記においては中間層5とp型微結晶Si半導体層6aとの間にp型微結晶Si半導体層6dが挿入されている場合を例に説明したが、p型微結晶Si半導体層6dが挿入されていない場合も上記と同様に効果を得ることができる。また上記においては成膜時の雰囲気ガスとしてArと窒素ガスとを混合した場合について示したが、窒素ガスの代わりに、分解して窒素を発生するNH3などを雰囲気ガスに混入させてもよい。また上記においては雰囲気ガスによるn型透明導電性酸化膜5aやp型透明導電性酸化膜5bへの窒素のドーピング例を示したが、スパッタリングターゲット中にAlN、TiN、GaNの形で窒素を混入させておくことによりn型透明導電性酸化膜5aやp型透明導電性酸化膜5bへ窒素のドーピングを行うことも可能である。また、この場合、雰囲気ガスによる窒素ドーピングと併用することも可能である。また上記においてはn型透明導電性酸化膜5aやp型透明導電性酸化膜5bへ窒素をドーピングする例を示したが、窒素以外にもV族元素であるP、As、Sbのいずれかの元素を用いても同様の効果が得られる。また、これらの元素を複数種ドーピングしてもよい。ドーピングされたこれらの元素ドーピング元素の濃度は、これらのドーピング元素と酸素とを合わせて100とした場合に、これらのドーピング元素が含まれる割合を0.1原子~5原子原子比率とするとよい。ドーピング元素の濃度が0.1原子より少ないと、中間層5の接合抵抗の低減効果が現れない。また、ドーピング元素の濃度が5原子より多いと、中間層5の接合抵抗の低減効果は飽和する一方、光の透過率スペクトルにおいて波長500nm以下の領域で透過率の低下傾向が顕著に現れる。このようなドーピング元素の組成割合は、SIMS二次イオン質量分析計によって分析することができる。また、上記図5の曲線cにおいては窒素等のドーピング元素をn型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの両方にドーピングしたので中間層5の接合抵抗の低減効果が最も優れるが、n型透明導電性酸化膜5aのみ、または、p型透明導電性酸化膜5bのみにドーピング元素をドーピングしてもよい。また、n型透明導電性酸化膜5aおよびp型透明導電性酸化膜5bの少なくとも一方において、n型透明導電性酸化膜5aとp型透明導電性酸化膜5bとの界面付近にのみドーピング元素をドーピングしてもよい。n型透明導電性酸化膜5aへの窒素等のドーピング元素のドーピングにより、n型透明導電性酸化膜5a中の自由電子濃度が増加する。また、その後にp型透明導電性酸化膜5bを成膜する過程で受ける酸素によるn型透明導電性酸化膜5aの過剰酸化の影響を低減することができる。一方、p型透明導電性酸化膜5bへの窒素等のドーピング元素のドーピングにより、酸素供給が無くてもp型透明導電性酸化膜5b中に欠陥が発生するのを低減することができる。p型透明導電性酸化膜5bに窒素等のドーピング元素をドーピングすると導電性が低下する傾向があるが、図5の曲線bと曲線cとの比較からもわかるようにn型透明導電性酸化膜5aと接合した場合は窒素等のドーピング元素をドーピングすることによって接続抵抗が大幅に低下する。さらに、n型透明導電性酸化膜5aの成膜時の雰囲気に酸素含有雰囲気ではなく窒素含有雰囲気を用いることにより、下地となるSiの表面の酸化を防止、抑制する効果が得られる。n型透明導電性酸化膜5aの成膜時の雰囲気に酸素含有雰囲気を用いた場合には下地となるSiの表面が酸化され、Siとn型透明導電性酸化膜5aとの界面の接続抵抗が増加する恐れがある。しかし、n型透明導電性酸化膜5aの成膜時の雰囲気に窒素含有雰囲気を用いることにより、下地となるSiの表面の酸化を低減することができる。以上説明したように、本発明の実施の形態では、それぞれn型半導体層とp型半導体層とを有するとともに互いに光吸収波長特性の異なる第1光電変換層および第2光電変換層が積層され、第1光電変換層のn型半導体層と第2光電変換層のp型半導体層との間に透光性の中間層を有する。そして、中間層との界面における第1光電変換層のn型半導体層はn型透明導電性酸化膜に接することでn型半導体層からn型透明導電性酸化膜への電子の移動が容易に行われ、且つ第2光電変換層のp型半導体層はp型透明導電性酸化膜に接することでp型半導体層からp型透明導電性酸化膜への正孔の移動が容易に行われる。さらに、n型透明導電性酸化膜とp型透明導電性酸化膜の接する界面では、両者のキャリア濃度を十分に高くすることで、電子と正孔のトンネル再結合を起こすことができる。そして、トンネル再結合が増進される結果、第1光電変換層と第2光電変換層の間の導電性が改善され、高効率な光電変換装置を実現することができる。中間層を形成するp型透明導電性酸化膜の材料として平衡系での結晶成長において単純な立方構造やスピネル構造などの基本構造の比較的小さな結晶を持つ材料を選ぶことでアモルファスあるいは微結晶の状態で本来の結晶の伝導特性を得るのが容易になる。このため、中間層の伝導特性を向上させるために、成膜後の熱処理を不要としたり、300°C以下の熱処理で済ませることができ、300°Cを越える高温熱処理を行う必要がなくなることから、積層型薄膜太陽電池に用いられる膜の特性の劣化を防止することができる。このように本発明の実施の形態によれば、比較的低温プロセスにより接続抵抗の低い積層型光電変換装置を実現することができ、高電流が流れる集光型の作動状況においても高効率な特性を維持できる光電変換装置を実現することができる。さらに、中間層によって第1光電変換層と第2光電変換層への光の配分を調整できることから、高効率化設計の自由度を増やすことができ、高効率な光電変換装置を実現することができる。以上の実施の形態では、特に、Siを主成分とする半導体層からなる光電変換層の変換効率向上に適するが、Si系以外の化合物半導体系または有機物系などの材料にも適用可能である。また、以上の実施の形態では中間層への適用例を示したが、透明電極3と非晶質Si光電変換層4との間、裏面側の透明導電層11の部分に上記のような透明導電性酸化膜のpn接合構造を適用しても、低抵抗化の効果がある。また、上記の実施の形態で説明した構成を有する光電変換装置を透明絶縁性基板上に複数形成し、少なくとも2つ以上の光電変換装置同士を電気的に接続することにより、中間層の導電性が改善され、光電変換効率に優れた積層型の光電変換モジュールが実現できる。例えば隣接する光電変換装置の一方の透明電極3と他方の裏面電極7とを電気的に直列接続すればよい。また、複数の光電変換装置を電気的に並列に接続してもよい。例えば隣接する光電変換セルの透明電極3同士、裏面電極7同士を電気的に接続すればよい。"