"ア化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、イ該膜を露光する工程、及び、ウ有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法であり、前記化学増幅型レジスト組成物が、A樹脂、B活性光線又は放射線の照射により、下記一般式Iで表される酸を発生する化合物、C架橋剤、及び、D溶剤、を含有することを特徴とするパターン形成方法。式I中、R1、R2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基を表し、複数存在する場合のR1、R2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。L1は、二価の連結基を表し、複数存在する場合のL1は同一でも異なっていてもよい。Aは、環状の有機基を表す。xは0~20の整数を表す。yは0~10の整数を表す。前記有機溶剤を含む現像液における有機溶剤の含有量が、前記現像液の全量に対して、90質量以上100質量以下であることを特徴とする、請求項1に記載のパターン形成方法。前記化合物Bが、活性光線又は放射線の照射により下記一般式II又はIIIで表される酸を発生する化合物であることを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン形成方法。式II及び式III中、Xfは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R3、R4は、それぞれ独立に、水素原子、又は、アルキル基を表し、複数存在する場合のR3、R4は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。L2は、二価の連結基を表し、複数存在する場合のL2は同一でも異なっていてもよい。Aは、環状の有機基を表す。x’は1~20の整数を表す。y’は0~10の整数を表す。z’は0~10の整数を表す。Arは、アリール基を表し、スルホン酸基及びR5以外に置換基を有していてもよい。R5は、炭化水素基を有する基を表す。pは0以上の整数を表す。前記樹脂Aが、酸分解性基を有する繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記樹脂Aが酸基を有する繰り返し単位を含有しない、又は、酸基を有する繰り返し単位の含有率が樹脂Aの全繰り返し単位に対して10mol以下であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。有機溶剤を含む現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の溶剤を含有する現像液であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。請求項1~6のいずれか1項に記載のパターン形成方法に供せられる化学増幅型レジスト組成物。A樹脂、B活性光線又は放射線の照射により、下記一般式Iで表される酸を発生する化合物、C架橋剤、及び、D溶剤、を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。式I中、R1、R2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基を表し、複数存在する場合のR1、R2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。L1は、二価の連結基を表し、複数存在する場合のL1は同一でも異なっていてもよい。Aは、環状の有機基を表す。xは0~20の整数を表す。yは0~10の整数を表す。前記化合物Bが、活性光線又は放射線の照射により下記一般式II及びIIIで表される酸を発生する化合物であることを特徴とする請求項8に記載の化学増幅型レジスト組成物。式II及びIII中、Xfは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R3、R4は、それぞれ独立に、水素原子、又は、アルキル基を表し、複数存在する場合のR3、R4は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。L2は、二価の連結基を表し、複数存在する場合のL2は同一でも異なっていてもよい。Aは、環状の有機基を表す。x’は1~20の整数を表す。y’は0~10の整数を表す。z’は0~10の整数を表す。Arは、アリール基を表し、スルホン酸基及びR5以外にも更に置換基を有していてもよい。R5は、炭化水素基を有する基を表す。pは0以上の整数を表す。前記樹脂Aが、酸分解性基を有する繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項8又は9に記載の化学増幅型レジスト組成物。前記樹脂Aが酸基を有する繰り返し単位を含有しない、又は、酸基を有する繰り返し単位の含有率が樹脂Aの全繰り返し単位に対して10mol以下を特徴とする請求項8~10のいずれか1項に記載の化学増幅型レジスト組成物。請求項8~11のいずれか1項に記載の化学増幅型レジスト組成物により形成されたレジスト膜。本発明は、上記課題を解決し、高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、解像性に優れ、線幅バラツキLWRが小さなパターンを形成できるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物、及びそれを用いて形成されるレジスト膜を提供することを目的としている。本発明は、下記の構成であり、これにより本発明の上記課題が解決される。本発明によれば、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程を含むため、現像時の膨潤が低減されることにより、高解像度で線幅バラツキが低減されたパターンを得ることが出来ると推測される。1.ア化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、イ該膜を露光する工程、及び、ウ有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法であり、前記化学増幅型レジスト組成物が、A樹脂、B活性光線又は放射線の照射により、下記一般式Iで表される酸を発生する化合物、C架橋剤、及び、D溶剤、を含有することを特徴とするパターン形成方法。式I中、R1、R2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基を表し、複数存在する場合のR1、R2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。L1は、二価の連結基を表し、複数存在する場合のL1は同一でも異なっていてもよい。Aは、環状の有機基を表す。xは0~20の整数を表す。yは0~10の整数を表す。2.前記有機溶剤を含む現像液における有機溶剤の含有量が、前記現像液の全量に対して、90質量以上100質量以下であることを特徴とする、上記1に記載のパターン形成方法。3.前記化合物Bが、活性光線又は放射線の照射により下記一般式II又はIIIで表される酸を発生する化合物であることを特徴とする上記1又は2に記載のパターン形成方法。式II及び式III中、Xfは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R3、R4は、それぞれ独立に、水素原子、又は、アルキル基を表し、複数存在する場合のR3、R4は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。L2は、二価の連結基を表し、複数存在する場合のL2は同一でも異なっていてもよい。Aは、環状の有機基を表す。x’は1~20の整数を表す。y’は0~10の整数を表す。z’は0~10の整数を表す。Arは、アリール基を表し、A以外に置換基を有していてもよい。Aは、炭化水素基を有する基を表す。pは0以上の整数を表す。4.前記樹脂Aが、酸分解性基を有する繰り返し単位を含有することを特徴とする上記1~3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。5.前記樹脂Aが酸基を有する繰り返し単位を含有しない、又は、酸基を有する繰り返し単位の含有率が樹脂Aの全繰り返し単位に対して10mol以下であることを特徴とする上記1~4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。6.有機溶剤を含む現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の溶剤を含有する現像液であることを特徴とする上記1~5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。7.上記1~6のいずれか1項に記載のパターン形成方法に供せられる化学増幅型レジスト組成物。8.A樹脂、B活性光線又は放射線の照射により、下記一般式Iで表される酸を発生する化合物、C架橋剤、及び、D溶剤、を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。式I中、R1、R2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基を表し、複数存在する場合のR1、R2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。L1は、二価の連結基を表し、複数存在する場合のL1は同一でも異なっていてもよい。Aは、環状の有機基を表す。xは0~20の整数を表す。yは0~10の整数を表す。9.前記化合物Bが、活性光線又は放射線の照射により下記一般式II又はIIIで表される酸を発生する化合物であることを特徴とする上記8に記載の化学増幅型レジスト組成物。式II及び式III中、Xfは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R3、R4は、それぞれ独立に、水素原子、又は、アルキル基を表し、複数存在する場合のR3、R4は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。L2は、二価の連結基を表し、複数存在する場合のL2は同一でも異なっていてもよい。Aは、環状の有機基を表す。x’は1~20の整数を表す。y’は0~10の整数を表す。z’は0~10の整数を表す。Arは、アリール基を表し、スルホン酸基及びR5以外にも更に置換基を有していてもよい。R5は、炭化水素基を有する基を表す。pは0以上の整数を表す。10.前記樹脂Aが、酸分解性基を有する繰り返し単位を含有することを特徴とする上記8又は9に記載の化学増幅型レジスト組成物。11.前記樹脂Aが酸基を有する繰り返し単位を含有しない、又は、酸基を有する繰り返し単位の含有率が樹脂Aの全繰り返し単位に対して10mol以下を特徴とする上記8~10のいずれか1項に記載の化学増幅型レジスト組成物。12.上記8~11のいずれか1項に記載の化学増幅型レジスト組成物により形成されたレジスト膜。本発明により、解像性に優れ、線幅バラツキLWRが小さなパターンを形成できるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物、及びそれを用いて形成されるレジスト膜を提供することができる。以下、本発明を実施するための最良の形態について説明する。なお、本明細書に於ける基原子団の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、アルキル基とは、置換基を有さないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有するアルキル基置換アルキル基をも包含するものである。また本明細書中における活性光線又は放射線とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線EUV光、X線、電子線等を意味する。また本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。本明細書中における露光とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、X線、EUV光などによる露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。本発明の化学増幅型レジスト組成物は、A樹脂、B活性光線又は放射線の照射により、一般式Iで表される酸を発生する化合物、C架橋剤、及び、D溶剤を含有する。[1]活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物B本発明のレジスト組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物以下、化合物B、酸発生剤ともいうを含有する。化合物Bは、活性光線又は放射線の照射により、下記一般式Iで表される酸を発生する化合物である。式I中、R1、R2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基を表し、複数存在する場合のR1、R2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。L1は、二価の連結基を表し、複数存在する場合のL1は同一でも異なっていてもよい。なお、yはL1の繰り返し数を表す。Aは、環状の有機基を表す。xは0~20の整数を表す。yは0~10の整数を表す。R1、R2におけるアルキル基としては、置換基好ましくはフッ素原子を有していてもよく、炭素数1~4のものが好ましい。更に好ましくは炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。R1、R2の具体例としては、-CF3、-C2F5、-C3F7、-C4F9、-C5F11、-C6F13、-C7F15、-C8F17、-CH2CF3、-CH2CH2CF3、-CH2C2F5、-CH2CH2C2F5、-CH2C3F7、-CH2CH2C3F7、-CH2C4F9、-CH2CH2C4F9等が挙げられ、中でも-CF3が好ましい。R1、R2としては、好ましくはフッ素原子又は-CF3である。L1としては特に限定されず、-COO-、-OCO-、-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO2-、-NH-、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基又はこれらの複数が連結した連結基を挙げることができ、-COO-、-OCO-、-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO2-、アルキレン基好ましくは炭素数1~6、シクロアルキレン基好ましくは炭素数3~10、アルケニレン基好ましくは炭素数2~6又はこれらの複数が連結した連結基をより好適に挙げることができ、総炭素数12以下の連結基が好ましい。L1は、-COO-、-OCO-、-CO-、-O-、-SO2-、-CONH-、-NHCO-、-COO-アルキレン基-、-OCO-アルキレン基-、-CONH-アルキレン基-、又は、-NHCO-アルキレン基-であることが好ましく、-COO-、-OCO-、-CO-、-O-、又は、-SO2-であることがより好ましく、-COO-、-OCO-、又は、-SO2-であることが更に好ましい。Aの環状の有機基としては、特に限定されず、脂環基、アリール基、複素環基芳香属性を有するものだけでなく、芳香属性を有さないものも含む等が挙げられる。脂環基としては、単環でも多環でもよく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基の炭素数7以上のかさ高い構造を有する脂環基が、PEB露光後加熱工程での膜中拡散性を抑制でき、MEEFマスクエラーエンハンスメントファクター向上の観点から好ましい。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、フェナントレニル基、アントラセニル基が挙げられる。中でも193nmにおける光吸光度の観点から低吸光度のナフチル基が好ましい。複素環基としては、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環由来のものが挙げられる。中でもフラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環由来のものが好ましい。また、環状の有機基としては、ラクトン構造も挙げることができ、具体例としては、後述の樹脂Aが有していてもよい一般式LC1-1~LC1-17で表されるラクトン構造を挙げることができる。上記環状の有機基は、更に置換基を有していてもよく、該置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、アルキル基直鎖、分岐のいずれであっても良く、炭素数1~12が好ましい、シクロアルキル基単環、多環、スピロ環のいずれであっても良く、炭素数3~20が好ましい、アリール基炭素数6~14が好ましい、ヘテロ環基単環、多環、スピロ環のいずれであっても良く、芳香族であってもなくてもよく、3~19個の炭素原子を含む5~20員環が好ましく、例えばLC1-1~LC1-17で表されるラクトン構造を挙げることができる、水酸基、アルコキシ基、アミド基モノ置換、ジ置換又は無置換、ウレタン基モノ置換、ジ置換又は無置換、ウレイド基モノ置換、ジ置換又は無置換、置換チオエーテル基、スルホンアミド基モノ置換、ジ置換又は無置換、置換スルホン酸エステル基、置換オキシカルボニル基、置換カルボニルオキシ基等が挙げられる。置換アミド基、置換ウレタン基、置換ウレイド基、置換チオエーテル基、置換スルホンアミド基、置換スルホン酸エステル基、置換オキシカルボニル基、置換カルボニルオキシ基における置換基としては、アルキル基直鎖、分岐のいずれであっても良く、炭素数1~12が好ましい、シクロアルキル基単環、多環、スピロ環のいずれであっても良く、炭素数3~20が好ましい、アリール基炭素数6~14が好ましい等が挙げられる。なお、環状の有機基を構成する炭素環形成に寄与する炭素はカルボニル炭素であっても良い。xは1~12の整数が好ましく、1~4の整数がより好ましく、1又は2が特に好ましい。yは0~8の整数が好ましく、0~4の整数がより好ましい。前記化合物Bが、活性光線又は放射線の照射により下記一般式II又はIIIで表される酸を発生する化合物であることが好ましい。式II及び式III中、Xfは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R3、R4は、それぞれ独立に、水素原子、又は、アルキル基を表し、複数存在する場合のR3、R4は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。L2は、二価の連結基を表し、複数存在する場合のL2は同一でも異なっていてもよい。Aは、環状の有機基を表す。x’は1~20の整数を表す。y’は0~10の整数を表す。z’は0~10の整数を表す。Arは、芳香族環を表し、スルホン酸基及びR5以外にも置換基を有していてもよい。R5は、炭化水素基を有する基を表す。pは0以上の整数を表す。以下、式IIで表される酸について詳述する。Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基におけるアルキル基としては、好ましくは炭素数1~10であり、より好ましくは炭素数1~4である。また、Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。Xfとして、好ましくは、フッ素原子又は炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。Xfの具体例としては、フッ素原子、-CF3、-C2F5、-C3F7、-C4F9、-C5F11、-C6F13、-C7F15、-C8F17、-CH2CF3、-CH2CH2CF3、-CH2C2F5、-CH2CH2C2F5、-CH2C3F7、-CH2CH2C3F7、-CH2C4F9、-CH2CH2C4F9等が挙げられ、中でもフッ素原子、-CF3が好ましい。特に、双方のXfがフッ素原子であることが好ましい。R3、R4のアルキル基としては、前記R1、R2におけるアルキル基と同様のものが挙げられる。x’は1~10の整数であることが好ましく、1~5の整数であることがより好ましい。y’は0~4の整数であることが好ましく、0であることがより好ましい。z’は0~8の整数であることが好ましく、0~4の整数であることがより好ましい。L2の2価の連結基としては、特に限定されず、前記L1における連結基と同様のものが挙げられる。なお、z’はL2の繰り返し数を表す。Aの環状の有機基としては、前記一般式Iにおけるものと同様のものが挙げられる。以下、式IIIで表される酸について詳述する。式III中、Arの芳香族環としては、炭素数6~30の芳香族環が好ましい。具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、ペンタレン環、インデン環、アズレン環、ヘプタレン環、インデセン環、ペリレン環、ペンタセン環、アセタフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、ナフタセン環、ペンタセン環、クリセン環、トリフェニレン環、インデン環、フルオレン環、トリフェニレン環、ナフタセン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環、フェナジン環等が挙げられ、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が好ましく、ベンゼン環がより好ましい。上記芳香族環がスルホン酸基及びR5以外に有しうる置換基としては、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基等を挙げることができる。また、2以上の置換基を有する場合、少なくとも2つの置換基が互いに結合して環を形成してもよい。R5としての炭化水素基を有する基としては、例えば非環式炭化水素基、又は環状脂肪族基が挙げられ、炭素原子数が3~20のものが好ましい。例えば、メトキシ基、エトキシ基、tert-ブトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基、p-トリルオキシ基等のアリールオキシ基、メチルチオキシ基、エチルチオキシ基、tert-ブチルチオキシ基等のアルキルチオキシ基、フェニルチオキシ基、p-トリルチオキシ基等のアリールチオキシ基、メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、アセトキシ基、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘプチル基、ヘキシル基、ドデシル基、2―エチルヘキシル基等の直鎖アルキル基及び分岐アルキル基、ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、アセチレン基、プロピニル基、ヘキシニル基等のアルキニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、ベンゾイル基、アセチル基、トリル基等のアシル基等が挙げられる。R5としては、Arに隣接する炭素原子が3級若しくは4級の炭素原子であることが好ましい。R5としての非環式炭化水素基としては、イソプロピル基、t-ブチル基、t-ペンチル基、ネオペンチル基、s-ブチル基、イソブチル基、イソヘキシル基、3,3-ジメチルペンチル基、2-エチルヘキシル基等が挙げられる。非環式炭化水素基の有する炭素数の上限としては、好ましくは12以下、更に好ましくは10以下である。R5としての環状脂肪族基としては、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基、カンフェニル基、デカヒドロナフチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、カンホロイル基、ジシクロヘキシル基、ピネニル基等が挙げられ、置換基を有していてもよい。環状脂肪族基の有する炭素数の上限としては、好ましくは15以下、更に好ましくは12以下である。上記非環式炭化水素基又は環状脂肪族基が置換基を有している場合、その置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、メトキシ基、エトキシ基、tert-ブトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基、p-トリルオキシ基等のアリールオキシ基、メチルチオキシ基、エチルチオキシ基、tert-ブチルチオキシ基等のアルキルチオキシ基、フェニルチオキシ基、p-トリルチオキシ基等のアリールチオオキシ基、メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、アセトキシ基、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘプチル基、ヘキシル基、ドデシル基、2-エチルヘキシル基等の直鎖アルキル基、及び分岐アルキル基、シクロヘキシル基等の環状アルキル基、ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、アセチレン基、プロピニル基、ヘキシニル基等のアルキニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホン酸基、カルボニル基、シアノ基等が挙げられる。R5としての環状脂肪族基又は非環式炭化水素基を有する基の具体例としては以下のものが挙げられる。はArとの結合手を表す。酸拡散抑制の観点から、上記の中でも下記構造がより好ましい。pは0以上の整数を表し、その上限は化学的に可能な数であれば特に限定されない。酸の拡散抑制の観点から、pは通常0~5、好ましくは1~4、更に好ましくは2~3、最も好ましくは3を表す。R5は、酸拡散抑制の観点から、スルホン酸基の少なくとも1つのo位を置換していることが好ましく、2つのo位を置換している構造であることがより好ましい。本発明の酸発生剤Bは、一態様において、下記一般式BIIで表される酸を発生する化合物である。式中、Aは一般式IIIにおけるR5と同様であり、二つのAは同一でも異なってもよい。R1~R3は、各々独立に、水素原子、炭化水素基を有する基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基又はニトロ基を表す。炭化水素基を有する基の具体例としては、上記に例示した基と同様の基が挙げられる。一般式Iで示される酸の具体例を下記に示す。上記具体例の中で、より好ましい酸を下記に示す。活性光線又は放射線の照射により一般式Iで表される酸を発生する化合物の内で好ましい化合物としては、スルホニウム塩、ヨードニウム塩といったイオン性構造を有する化合物、オキシムエステル、イミドエステル等の非イオン性化合物構造を有するものが挙げられる。酸発生剤の内でイオン性構造を有する化合物の好ましい例として、下記一般式ZI又はZIIで表される化合物を挙げることができる。上記一般式ZIにおいて、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。Z-は、一般式Iで表される酸に相当するアニオンを表す。一般式ZIにおけるR201、R202及びR203としての有機基としては、例えば、後述する化合物ZI-1~ZI-4における対応する基を挙げることができる。なお、一般式ZIで表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式ZIで表される化合物のR201~R203の少なくとも1つが、一般式ZIで表されるもうひとつの化合物のR201~R203の少なくとも一つと結合した構造を有する化合物であってもよい。一般式ZIで表される化合物として更に好ましくは、以下に説明する化合物ZI-1~ZI-4を挙げることができる。化合物ZI-1は、上記一般式ZIのR201~R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。アリールスルホニウム化合物は、R201~R203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1~15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3~15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。R201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~14、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1~12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数1~12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201~R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201~R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp-位に置換していることが好ましい。次に、化合物ZI-2について説明する。化合物ZI-2は、式ZIにおけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。R201~R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1~30、好ましくは炭素数1~20である。R201~R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐2-オキソアルキル基である。R201~R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~10のシクロアルキル基を挙げることができる。アルキル基として、より好ましくは2-オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基を挙げることができる。シクロアルキル基として、より好ましくは、2-オキソシクロアルキル基を挙げることができる。2-オキソアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。2-オキソシクロアルキル基は、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1~5のアルコキシ基を挙げることができる。R201~R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基例えば炭素数1~5、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。化合物ZI-3とは、以下の一般式ZI-3で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。一般式ZI-3に於いて、R1c~R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、又はハロゲン原子を表す。R6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表す。Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、又はビニル基を表す。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。上記環構造としては、芳香族若しくは非芳香族の炭化水素環、芳香族若しくは非芳香族の複素環、又は、これらの環が2つ以上組み合わされてなる多環縮合環を挙げることができる。環構造としては、3~10員環を挙げることができ、4~8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。Zc-は、一般式Iで表される酸に相当するアニオンを表す。R1c~R7cとしてのアルキル基、及びアルキルカルボニルオキシ基、アルキルチオ基におけるアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、例えば炭素数1~20個のアルキル基、好ましくは炭素数1~12個の直鎖及び分岐アルキル基を挙げることができる。R1c~R7cとしてのシクロアルキル基、及びシクロアルキルカルボニルオキシ基におけるシクロアルキル基としては、例えば炭素数3~10個のシクロアルキル基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアルコキシ基、及びアルコキシカルボニル基におけるアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1~10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖及び分岐アルコキシ基、炭素数3~10の環状アルコキシ基を挙げることができる。R6c及びR7cとしてのアリール基、及びアリールオキシ基、アリールチオ基におけるアリール基としては、好ましくは炭素数5~15であり、例えば、フェニル基、ナフチル基を挙げることができる。R6cとR7cとが結合して環を形成する場合に、R6cとR7cとが結合して形成する基としては、炭素数2~10のアルキレン基が好ましく、例えば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基などを挙げることができる。また、R6cとR7cとが結合して形成する環は、環内に酸素原子等のヘテロ原子を有していてもよい。好ましくは、R1c~R5cの内のいずれかが直鎖又は分岐アルキル基、シクロアルキル基又は直鎖、分岐若しくは環状アルコキシ基であり、更に好ましくは、R1c~R5cの炭素数の和が2~15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。Rx及びRyとしてのアルキル基及びシクロアルキル基は、R1c~R7cおけるものと同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができ、2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基がより好ましい。2-オキソアルキル基及び2-オキソシクロアルキル基は、R1c~R7cとしてのアルキル基及びシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。アルコキシカルボニルアルキル基におけるアルコキシ基については、R1c~R5cおけると同様のアルコキシ基を挙げることができ、アルキル基については、例えば、炭素数1~12のアルキル基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖のアルキル基例えば、メチル基、エチル基を挙げることができる。アリル基としては、特に制限は無いが、無置換若しくは単環又は多環のシクロアルキル基で置換されたアリル基であることが好ましい。ビニル基としては特に制限は無いが、無置換若しくは単環又は多環のシクロアルキル基で置換されたビニル基であることが好ましい。Rx及びRyが互いに結合して形成してもよい環構造としては、2価のRx及びRy例えば、メチレン基、エチレンキ基、プロピレン基等が一般式ZI-3中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環が挙げられる。Rx及びRyは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基又はシクロアルキル基である。化合物ZI-4とは、以下の一般式ZI-4で表される化合物である。一般式ZI-4中、R13は水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、又はアルコキシカルボニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。R14は複数存在する場合は各々独立して、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。R15は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はナフチル基を表す。2個のR15が互いに結合して環を形成してもよい。lは0~2の整数を表す。rは0~10の整数を表す。Z-は、一般式Iで表される酸に相当するアニオンを表す。一般式ZI-4において、R13、R14及びR15のアルキル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基等を挙げることができる。これらのアルキル基のうち、メチル基、エチル基、n-ブチル基、t-ブチル基等が好ましい。R13、R14及びR15のシクロアルキル基としては、単環又は多環のシクロアルキル基好ましくは炭素数3~20のシクロアルキル基が挙げられ、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへプチル、シクロオクチル、シクロドデカニル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル、シクロオクタジエニル、ノルボルニル、トリシクロデカニル、テトラシクロデカニル、アダマンチル等があげられ、特にシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチルが好ましい。R13及びR14のアルコキシ基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシルオキシ基等を挙げることができる。これらのアルコキシ基のうち、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基等が好ましい。R13のアルコキシカルボニル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数2~11のものが好ましく、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、n-ペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、n-ヘキシルオキシカルボニル基、n-ヘプチルオキシカルボニル基、n-オクチルオキシカルボニル基、2-エチルヘキシルオキシカルボニル基、n-ノニルオキシカルボニル基、n-デシルオキシカルボニル基等を挙げることができる。これらのアルコキシカルボニル基のうち、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基等が好ましい。R13及びR14のシクロアルキル基を有する基としては、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素原子数3~20のシクロアルキル基が挙げられ、例えば、単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基、及び、単環若しくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基が挙げられる。これら基は、置換基を更に有していてもよい。R13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル基を有することが好ましい。総炭素数7以上の単環のシクロアルキルオキシ基とは、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロドデカニルオキシ基等のシクロアルキルオキシ基に、任意にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ドデシル基、2-エチルヘキシル基、イソプロピル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、iso-アミル基等のアルキル基、水酸基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基等の置換基を有する単環のシクロアルキルオキシ基であって、該シクロアルキル基上の任意の置換基と合わせた総炭素数が7以上のものを表す。また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキルオキシ基としては、ノルボルニルオキシ基、トリシクロデカニルオキシ基、テトラシクロデカニルオキシ基、アダマンチルオキシ基等が挙げられる。R13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基であることが好ましい。総炭素数7以上の、単環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基とは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプトキシ、オクチルオキシ、ドデシルオキシ、2-エチルヘキシルオキシ、イソプロポキシ、sec-ブトキシ、t-ブトキシ、iso-アミルオキシ等のアルコキシ基に上述の置換基を有していてもよい単環シクロアルキル基が置換したものであり、置換基も含めた総炭素数が7以上のものを表す。たとえば、シクロヘキシルメトキシ基、シクロペンチルエトキシ基、シクロヘキシルエトキシ基等が挙げられ、シクロヘキシルメトキシ基が好ましい。また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基としては、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基、トリシクロデカニルメトキシ基、トリシクロデカニルエトキシ基、テトラシクロデカニルメトキシ基、テトラシクロデカニルエトキシ基、アダマンチルメトキシ基、アダマンチルエトキシ基等が挙げられ、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基等が好ましい。R14のアルキルカルボニル基のアルキル基としては、上述したR13~R15としてのアルキル基と同様の具体例が挙げられる。R14のアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基としては、直鎖状、分岐状、環状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、例えば、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n-プロパンスルホニル基、n-ブタンスルホニル基、tert-ブタンスルホニル基、n-ペンタンスルホニル基、ネオペンタンスルホニル基、n-ヘキサンスルホニル基、n-ヘプタンスルホニル基、n-オクタンスルホニル基、2-エチルヘキサンスルホニル基n-ノナンスルホニル基、n-デカンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等を挙げることができる。これらのアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基のうちメタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n-プロパンスルホニル基、n-ブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等が好ましい。lとしては、0又は1が好ましく、1がより好ましい。rとしては、0~2が好ましい。前記、R13、R14、R15の各基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素原子数1~20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、1-メトキシエチル基、2-メトキシエチル基、1-エトキシエチル基、2-エトキシエチル基等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n-プロポキシカルボニルオキシ基、i-プロポキシカルボニルオキシ基、n-ブトキシカルボニルオキシ基、t-ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ基等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。2個のR15が互いに結合して形成してもよい環構造としては、一般式ZI-4中の硫黄原子と共に5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環を形成する基が望ましい。また、前記2価の基に対する置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記環構造に対する置換基は、複数個存在してもよく、また、それらが互いに結合して環芳香族又は非芳香族の炭化水素環、芳香族又は非芳香族の複素環、又はこれらの環が2つ以上組み合わされてなる多環縮合環などを形成しても良い。一般式ZI-4におけるR15としては、メチル基、エチル基、2個のR15が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する2価の基等が好ましい。R13のアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、又はアルコキシカルボニル基、R14のアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基は、上記のように置換されていてもよく、置換基としては、水酸基、アルコキシ基、又はアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子特に、フッ素原子が好ましい。以下に、一般式ZI-4で表される化合物におけるカチオンの好ましい具体例を示す。一般式ZII中、R204、R205は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。一般式ZIIにおいて、R204、R205のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。R204、R205のアリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等を挙げることができる。R204、R205におけるアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~10のシクロアルキル基を挙げることができる。R204、R205のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。R204、R205のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~15、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。Z-は、式Iで表される酸のアニオンを表す。酸発生剤として、更に、下記一般式ZV、ZVIで表される化合物を挙げることができる。一般式ZV、ZVI中、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はシアノ基を表す。R209、R210のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基としては、前述の化合物ZI-1におけるR201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基として説明した各基と同様である。R209、R210のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としても、前述の化合物ZI-1におけるR201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。A’は、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。A’としてのアルキレン基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1~8、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等を挙げることができる。A’としてのアルケニレン基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数2~6、例えば、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基等を挙げることができる。A’としてのアリーレン基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6~15、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基等を挙げることができる。A’が有してもよい置換基としては、例えば、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシル基、カルボキシル基等の活性水素を有するものや、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子、アルコキシ基例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等、チオエーテル基、アシル基アセチル基、プロパノイル基、ベンゾイル基等、アシロキシ基アセトキシ基、プロパノイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等、アルコキシカルボニル基メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基等、シアノ基、ニトロ基等が挙げられる。また、アリーレン基については更にアルキル基メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等を挙げることができる。Rzは、一般式Iで表される酸のHが解離した構造を表し、具体的には下記一般式I-sで表される基である。式中、R1、R2、L1、A、x、yは、一般式Iにおけるものと同様である。は、一般式ZV、ZVIで表される化合物残基との結合部を表す。一般式ZV、ZVIで表される化合物残基の具体例を以下に示す。一般式Iで表される酸を発生する化合物の具体的な例は、上記に挙げた、一般式ZI、ZIIにおいて示した具体的構造のカチオン構造と、一般式Iで表される酸の具体的構造であるアニオン構造の組み合わせ及び、ZV、ZVIの具体的構造と一般式Iで表される酸の具体的構造である酸のHが乖解離したものの組み合わせである。一般式Iで表される酸を発生する化合物の具体例として、下記化合物を例示するがこれらに限定されるものではない。一般式Iで表される酸を発生する化合物は、公知の方法で合成することができ、例えば、特開2007-161707号公報、米国特許第7541133号に記載の方法に準じて合成することができる。一般式Iで表される酸を発生する化合物は、1種類又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。一般式Iで表される酸を発生する化合物のレジスト組成物中の含有率は、レジスト組成物の全固形分を基準として、0.1~20質量が好ましく、より好ましくは、0.1~15質量、更に好ましくは0.5~15質量、特に好ましくは0.5~10質量、最も好ましくは1~7質量である。一般式Iで表される酸を発生する化合物の分子量は、一般的には300~1000であり、400~800が好ましく、500~700が更に好ましい。また、一般式Iで表される酸を発生する化合物Bは、その他の酸発生剤と組み合わされて使用されても良い。化合物Bと組み合わせて使用することができる、化合物B以外の酸発生剤としては、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0150]に記載の酸発生剤が挙げられる。また、そのような併用可能な、化合物B以外の酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。更に、そのほかのジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o-ニトロベンジルスルホネートを併用することができ、これらの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、米国特許第3,849,137号明細書、独国特許第3914407号明細書、特開昭63-26653号公報、特開昭55-164824号公報、特開昭62-69263号公報、特開昭63-146038号公報、特開昭63-163452号公報、特開昭62-153853号公報、特開昭63-146029号公報等に記載の化合物を用いることができる。更に米国特許第3,779,778号明細書、欧州特許第126,712号明細書等に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。一般式Iで表される酸を発生する酸発生剤Bと併用することができる、該酸発生剤B以外の酸発生剤B’の内で好ましい化合物として、下記一般式ZI’又はZII’で表される化合物を挙げることができる。上記一般式ZI’及びZII’において、R201、R202、R203、R204、R205、は、上述した一般式ZI及びZIIにおける各々と同義である。Z-は、一般式Iで表される酸のアニオン以外の非求核性アニオンを表す。Z-としての非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチルアニオン等を挙げることができる。非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これによりレジストの経時安定性が向上する。スルホン酸アニオンとしては、例えば、一般式Iで表される酸のアニオン以外の脂肪族スルホン酸アニオンなどが挙げられる。カルボン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。脂肪族スルホン酸アニオンにおける脂肪族部位は、好ましくは炭素数1~30のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基等を挙げることができる。脂肪族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基好ましくは炭素数1~15、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~7、アシル基好ましくは炭素数2~12、アルコキシカルボニルオキシ基好ましくは炭素数2~7、アルキルチオ基好ましくは炭素数1~15、アルキルスルホニル基好ましくは炭素数1~15、アルキルイミノスルホニル基好ましくは炭素数1~15、アルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数5~20等を挙げることができる。脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位としては、脂肪族スルホン酸アニオンおけると同様のアルキル基、又はシクロアルキル基好ましくは炭素数3~30のシクロアルキル基、より好ましくはシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基を挙げることができる。芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のアリール基を挙げることができる。アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数7~12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、置換基を有していてもよい。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基の置換基としては、例えば、芳香族スルホン酸アニオンにおけると同様のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチルアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。その他の非求核性アニオンとしては、例えば、フッ素化燐、フッ素化硼素、フッ素化アンチモン等を挙げることができる。Z-の非求核性アニオンとしては、スルホン酸のα位がフッ素原子で置換された脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビスアルキルスルホニルイミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリスアルキルスルホニルメチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくは炭素数4~8のパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオンである。なお、一般式ZI’で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式ZI’で表される化合物のR201~R203の少なくとも1つが、一般式ZI’で表されるもうひとつの化合物のR201~R203の少なくとも一つと結合した構造を有する化合物であってもよい。一般式ZI’で表される化合物として更に好ましくは、以下に説明する化合物ZI-1’、ZI-2’、及びZI-3’を挙げることができる。化合物ZI-1’は、上記一般式ZI’のR201~R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。化合物ZI-1’におけるR201~R203は、上述した化合物ZI-1におけるR201~R203と同様である。次に、化合物ZI-2’について説明する。化合物ZI-2’は、式ZI’におけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。化合物ZI-2’におけるR201~R203は、上述した化合物ZI-2におけるR201~R203と同様である。化合物ZI-3’とは、以下の一般式ZI-3’で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。一般式ZI-3’に於いて、R1c~R7c、Rx、Ryは、上述した一般式ZI-3における各々と同義である。Zc-は、一般式Iで表される酸のアニオン以外の非求核性アニオンを表し、一般式ZI’に於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。酸発生剤として、更に、下記一般式ZIV’、ZV’、ZVI’で表される化合物を挙げることができる。一般式ZIV’~ZVI’中、Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。R208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基を表す。Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表し、前記式ZVにおけるものと同義である。酸発生剤B’の内でより好ましくは、一般式ZI’又はZII’で表される化合物である。Ar3、Ar4のアリール基の具体例としては、上記一般式ZI-1におけるR201、R202及びR203としてのアリール基の具体例と同様のものを挙げることができる。R208、R209及びR210のアルキル基及びシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ、上記一般式ZI-2におけるR201、R202及びR203としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例と同様のものを挙げることができる。また、酸発生剤B’として、スルホン酸基又はイミド基を1つ有する酸を発生する化合物が好ましく、更に好ましくは1価のパーフルオロアルカンスルホン酸を発生する化合物、又は1価のフッ素原子又はフッ素原子を含有する基で置換された芳香族スルホン酸を発生する化合物、又は1価のフッ素原子又はフッ素原子を含有する基で置換されたイミド酸を発生する化合物であり、更により好ましくは、フッ化置換アルカンスルホン酸、フッ素置換ベンゼンスルホン酸、フッ素置換イミド酸又はフッ素置換メチド酸のスルホニウム塩である。使用可能な酸発生剤は、発生した酸のpKaが-1以下のフッ化置換アルカンスルホン酸、フッ化置換ベンゼンスルホン酸、フッ化置換イミド酸であることが特に好ましく、感度が向上する。酸発生剤B’の中で、特に好ましい例を以下に挙げる。光酸発生剤化合物B以外の酸発生剤が併用される場合、この酸発生剤の量も含むの含量の全量は、レジスト組成物の全固形分を基準として、0.1~25質量が好ましく、0.1~20質量がより好ましく、0.5~20質量が更に好ましく、0.5~10質量が特に好ましく、1~10質量がとりわけ好ましく、1~7質量が最も好ましい。化合物Bと、化合物B以外の酸発生剤とを併用した場合の酸発生剤の使用量は、モル比化合物B/その他の酸発生剤で、通常99/1~20/80、好ましくは99/1~40/60、更に好ましくは99/1~50/50である。[2]樹脂A本発明のレジスト組成物は、樹脂Aを含有する。樹脂Aは、実質的にアルカリ不溶性であることが好ましい。ここで実質的にアルカリ不溶とは、該樹脂Aのみを酢酸ブチル等の溶剤に溶解し、固形分濃度3.5質量とした組成物をシリコンウエハ上に塗布して得られる塗膜膜厚100nmを形成した際、QCM水晶発振子マイクロバランスセンサー等を用いて測定した室温25°Cにおける2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液に対して、該膜を1000秒間浸漬させた際の平均の溶解速度膜厚の減少速度が、1nm/s以下、好ましくは0.1nm/s以下であることを示し、これにより未露光部におけるレジスト膜の有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が良好となる。実質的にアルカリ不溶となる範囲において、樹脂Aは酸基を有する繰り返し単位を含有してもしなくても良いが、含有しないことが好ましい。酸基としては、例えばカルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビススルホニルイミド基、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール例えばヘキサフロロイソプロパノール基、-CCF32OHなどを挙げることができる。樹脂Aにおける酸基を有する繰り返し単位の含有量は全繰り返し単位に対して10モル以下が好ましく、8モル以下がより好ましく、5モル以下が更に好ましい。樹脂Aが酸基を有する繰り返し単位を有する場合、樹脂Aにおける酸基を有する繰り返し単位の含有量は、通常、1モル以上である。ここで、電子求引性基とは、電子を引きつける傾向を有する置換基であり、例えば分子中において該基と接近した位置にある原子から電子を引きつける傾向をもつ置換基である。電子求引性基としては、具体的には後述する一般式KA-1のZka1におけるものと同様のものが挙げられる。該樹脂は、レジスト組成物を用いて膜を形成した時に該膜が、有機溶剤を含む現像液に対して溶解すれば、必ずしも樹脂単独で有機溶剤を含む現像液に対して溶解性を持つものでなくても良く、例えば、レジスト組成物中に含まれる他成分の性質や含有量によっては該レジスト組成物を用いて形成した膜が有機溶剤を含む現像液に対して溶解する場合であってもよい。樹脂Aは、一般的に、重合する部分構造を有するモノマーをラジカル重合などにより重合することで合成され、重合する部分構造を有するモノマーに由来する繰り返し単位を有する。重合する部分構造としては例えばエチレン性重合性部分構造を挙げることができる。a1アルコール性水酸基を有する繰り返し単位本発明に用いられる樹脂Aは、主鎖又は側鎖の少なくともいずれか一方にアルコール性水酸基を有する繰り返し単位a1を有することが好ましい。このような単位を含有することにより、水酸基が酸の作用によって架橋剤と反応し、該レジスト膜が有機溶剤を含む現像液に対して実質的に不溶となるほか、基板密着性の向上が期待できる。本発明におけるアルコール性水酸基とは、炭化水素基に結合した水酸基であって、芳香環上に直接結合した水酸基フェノール性水酸基以外のものであれば限定されないが、本発明においては先に酸基として挙げた、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコールにおける水酸基以外のものが好ましい。架橋剤Cとの反応効率が向上する為、該水酸基は1級アルコール性水酸基水酸基が置換している炭素原子が、水酸基とは別に2つの水素原子を有する基、又は水酸基が置換している炭素原子に他の電子求引性基が結合していない2級アルコール性水酸基であることが好ましい。アルコール性水酸基は繰り返し単位a1あたり1~3個有していることが好ましく、より好ましくは1個又は2個有する。このような繰り返し単位としては、一般式2又は一般式3で表される繰り返し単位が挙げられる。上記一般式2中、RX及びRの少なくとも一方がアルコール性水酸基を有する構造を表す。一般式3において、2つのRX及びRの少なくとも1つがアルコール性水酸基を有する構造を表す。2つのRXは同一でも異なっていてもよい。アルコール性水酸基を有する構造としては、例えばヒドロキシアルキル基炭素数2~8が好ましく、炭素数2~4がより好ましい、ヒドロキシシクロアルキル基好ましくは炭素数4~14、ヒドロキシアルキル基で置換されたシクロアルキル基好ましくは総炭素数5~20、ヒドロキシアルコキシ基で置換されたアルキル基好ましくは総炭素数3~15、ヒドロキシアルコキシ基で置換されたシクロアルキル基好ましくは総炭素数5~20等が挙げられ、上述のように1級アルコールの残基が好ましく、-CH2n-OHnは1以上の整数、好ましくは2~4の整数で表される構造がより好ましい。RXは、水素原子、ハロゲン原子、水酸基又は置換基を有してもよいアルキル基炭素数1~4が好ましい又は置換基を有してもよいシクロアルキル基炭素数5~12が好ましいを表す。RXのアルキル基及びシクロアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。RXのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。RXとして好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、水酸基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。nは0~2の整数を表す。式3において、2つのRX及びRの少なくとも1つがアルコール性水酸基を有する構造を表す。2つのRXは同一でも異なっていてもよい。Rは、水酸基を有してもよい炭化水素基、又は、水酸基を有する有機基を有していてもよい炭化水素基を表す。Rの炭化水素基としては飽和炭化水素が好ましく、アルキル基炭素数1~8が好ましく、炭素数2~4がより好ましい又は単環又は多環の環状炭化水素基好ましくは炭素数3~20、例えば後述する脂環式基が挙げられる。水酸基を有する有機基としては、水酸基を有するアルコキシ基例えば、2-ヒドロキシエトキシ基等や水酸基を有するフッ化アルキル基例えば、-CH2CCF32OHで表される基等を挙げることができる。繰り返し単位a1は、主鎖のα位例えば式2におけるRxが置換されていても良いアクリル酸のエステルから誘導される繰り返し単位であることが好ましく、式2に対応する構造のモノマーから誘導されることがより好ましい。また、単位中に脂環式基を有することが好ましい。脂環式基としては、単環又は多環式の構造が考えられるが、エッチング耐性の観点から多環式の構造が好ましい。脂環式基として具体的には、単環式構造としては、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、多環式構造としては、ノルボルニル、イソボルニル、トリシクロデカニル、テトラシクロドデカニル、ヘキサシクロヘプタデカニル、アダマンチル、ジアマンチル、スピロデカニル、スピロウンデカニルなどが挙げられる。これらのうち、アダマンチル、ジアマンチル、ノルボルニルが好ましい。以下に繰り返し単位a1を例示するが、本発明は、これらに限定されない。具体例中、RXは水素原子又はメチル基を表す。繰り返し単位a1は、後述する繰り返し単位a2~a4のうち少なくとも1種がアルコール性水酸基を有した構造であってもよい。例えば、後述のa4酸分解性基を有する繰り返し単位における、酸の作用により脱離する部分が、アルコール性水酸基を有していてもよい。このような繰り返し単位を含有することにより、架橋効率を最適化できるのではないかと推測される。このような構造として具体的には、後掲の一般式AIにおいて、原子団-CRx1Rx2Rx3の部分が水酸基を有する場合、より具体的には、後掲の一般式2-1で表される繰り返し単位において、R10が水酸基、水酸基を有する直鎖又は分岐のアルキル基、又は水酸基を有するシクロアルキル基である場合、などが挙げられる。a2非極性基を有し、かつ、酸分解性基及びラクトン構造を含まない繰り返し単位本発明の樹脂Aは、更に、非極性基を有し、かつ、酸分解性基及びラクトン構造を含まない繰り返し単位a2を有することが好ましい。ここで、酸分解性基とは、後述のa4酸分解性基を有する繰り返し単位において説明する酸分解性基である。また、ラクトン構造とは、後述のa3ラクトン構造を有する繰り返し単位において説明するラクトン構造である。これにより液浸露光時にレジスト膜から液浸液への低分子成分の溶出が低減できるとともに、有機溶剤を含む現像液を用いた現像の際に樹脂の溶解性を適切に調整することができる。非極性基を有し、かつ、酸分解性基及びラクトン構造を含まない繰り返し単位a2は、繰り返し単位中に極性基例えば前記酸基、水酸基、シアノ基等を含まない繰り返し単位であることが好ましい。このような繰り返し単位としては、酸分解性基及びラクトン構造を含まない、一般式4又は一般式5で表される繰り返し単位が挙げられる。上記一般式中、R5は水酸基及びシアノ基のいずれも有さない炭化水素基を表す。R5で表される炭化水素基は、後述のa4酸分解性基を有する繰り返し単位において説明する、酸の作用により脱離する基ではない。Raは、複数存在する場合互いに独立に水素原子、水酸基、ハロゲン原子又はアルキル基好ましくは炭素数1~4を表す。Raのアルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Raのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Raは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、ヒドロキシメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。nは0~2の整数を表す。R5は好ましくは少なくとも一つの環状構造を有する。R5における炭化水素基としては、例えば鎖状及び分岐の炭化水素基、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。R5は、ドライエッチング耐性の観点から、好ましくは単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基を含み、更に好ましくは多環式炭化水素基を含む。R5は、好ましくは-L4-A4-R4n4で表される基を表す。L4は単結合又は2価の炭化水素基を表し、好ましくは単結合、アルキレン基好ましくは炭素数1~3又はシクロアルキレン基好ましくは炭素数5~7であり、より好ましくは単結合である。A4はn41価の炭化水素基好ましくは炭素数3~30、より好ましくは炭素数3~14、更に好ましくは炭素数6~12を表し、好ましくは単環又は多環の脂環炭化水素基を表す。n4は、0~5の整数を表し、好ましくは0~3の整数である。R4は炭化水素基を表し、好ましくはアルキル基好ましくは炭素数1~3又はシクロアルキル基好ましくは炭素数5~7を表す。鎖状及び分岐の炭化水素基としては、たとえば、炭素数3~12のアルキル基が挙げられる。単環式炭化水素基としては、たとえば、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数3~12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3~7の単環式炭化水素基である。多環式炭化水素基には環集合炭化水素基好ましくは炭素数6~50、より好ましくは炭素数10~30であり、例えばビシクロヘキシル基等が挙げられる、架橋環式炭化水素基好ましくは炭素数4~25、より好ましくは炭素数6~15が含まれる。架橋環式炭化水素基として、2環式炭化水素基、3環式炭化水素基、4環式炭化水素基などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素基には、縮合環式炭化水素基例えば、5~8員シクロアルカン環が複数個縮合した基も含まれる。好ましい架橋環式炭化水素基としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。これらの基は更に置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t-ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基を挙げることができる。非極性基を有し、かつ、酸分解性基及びラクトン構造を含まない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、水素原子、水酸基、ハロゲン原子又は置換基を有してもよい炭素数1~4のアルキル基を表す。Raのアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Raのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Raとして好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。a3ラクトン構造を有する繰り返し単位樹脂Aは、ラクトン構造を有する繰り返し単位を含有してもよい。ラクトン構造はいずれでも用いることができるが、好ましくは5~7員環ラクトン構造であり、5~7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式LC1-1~LC1-17のいずれかで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としてはLC1-1、LC1-4、LC1-5、LC1-6、LC1-13、LC1-14、LC1-17であり、特定のラクトン構造を用いることでLWR、現像欠陥が良好になる。ラクトン構造部分は、置換基Rb2を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基Rb2としては、炭素数1~8のアルキル基、炭素数4~7のシクロアルキル基、炭素数1~8のアルコキシ基、炭素数2~8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。n2は、0~4の整数を表す。n2が2以上の時、複数存在する置換基Rb2は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基Rb2同士が結合して環を形成してもよい。ラクトン基を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度eeが90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。ラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式AII’で表される繰り返し単位が好ましい。一般式AII’中、Rb0は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基好ましくは炭素数1~4を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。Vは、一般式LC1-1~LC1-17の内のいずれかで示される構造を有する基を表す。ラクトン構造を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。特に好ましいラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記の繰り返し単位が挙げられる。最適なラクトン構造を選択することにより、パターンプロファイル、疎密依存性が良好となる。ラクトン構造を有する繰り返し単位として、下記一般式IIIで表される単位を含有することが好ましい。式III中、Aは、エステル結合-COO-で表される基又はアミド結合-CONH-で表される基を表す。R0は、複数個ある場合にはそれぞれ独立にアルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。Zは、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。ここで、Rは各々独立して水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。R8は、ラクトン構造を有する1価の有機基を表す。nは、-R0-Z-で表される構造の繰り返し数であり、1~5の整数を表し、1であることが好ましい。R7は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。R0のアルキレン基、シクロアルキレン基は置換基を有してよい。Zは好ましくは、エーテル結合、エステル結合であり、特に好ましくはエステル結合である。R7のアルキル基は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。R0のアルキレン基、シクロアルキレン基、R7におけるアルキル基は、各々置換されていてもよく、置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子やメルカプト基、水酸基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t-ブトキシ基、ベンジルオキシ基等のアルコキシ基、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基等のアシルオキシ基が挙げられる。R7は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、ヒドロキシメチル基が好ましい。R0における好ましい鎖状アルキレン基としては炭素数が1~10の鎖状のアルキレンが好ましく、より好ましくは炭素数1~5であり、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。好ましいシクロアルキレン基としては、炭素数3~20のシクロアルキレン基であり、例えば、シクロヘキシレン基、シクロペンチレン基、ノルボルニレン基、アダマンチレン基等が挙げられる。本発明の効果を発現するためには鎖状アルキレン基がより好ましく、メチレン基が特に好ましい。R8で表されるラクトン構造を有する1価の有機基は、ラクトン構造を有していれば限定されるものではなく、具体例として一般式LC1-1~LC1-17で表されるラクトン構造が挙げられ、これらのうちLC1-4で表される構造が特に好ましい。また、LC1-1~LC1-17におけるn2は2以下のものがより好ましい。また、R8は無置換のラクトン構造を有する1価の有機基、或いはメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を置換基として有するラクトン構造を有する1価の有機基が好ましく、シアノ基を置換基として有するラクトン構造シアノラクトンを有する1価の有機基がより好ましい。以下に一般式IIIで表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセチルオキシメチル基を表す。ラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式III-1で表される繰り返し単位がより好ましい。一般式III-1に於いて、R7、A、R0、Z、及びnは、上記一般式IIIと同義である。R9は、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、水酸基又はアルコキシ基を表し、複数個ある場合には2つのR9が結合し、環を形成していてもよい。Xは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。mは、置換基数であって、0~5の整数を表す。mは0又は1であることが好ましい。R9のアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、がより好ましく、メチル基が最も好ましい。シクロアルキル基としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル基を挙げることができる。アルコキシカルボニル基としてはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができる。これらの基は置換基を有していてもよく、該置換基としては水酸基、メトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基、シアノ基、フッ素原子などのハロゲン原子を挙げることができる。R9はメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基であることがより好ましく、シアノ基であることが更に好ましい。Xのアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基等が挙げられる。Xは酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることが更に好ましい。mが1以上である場合、少なくとも1つのR9はラクトンのカルボニル基のα位又はβ位に置換することが好ましく、特にα位に置換することが好ましい。一般式III-1で表されるラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセチルオキシメチル基を表す。本発明の効果を高めるために、2種以上のラクトン繰り返し単位を併用することも可能である。併用する場合には一般式IIIの内、nが1であるラクトン繰り返し単位から2種以上を選択し併用することも好ましい。a4酸分解性基を有する繰り返し単位樹脂Aは、更に、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解し、極性基を生じる基以下、酸分解性基ともいうを有する繰り返し単位を有してもよい。樹脂Aが極性基を生じると、有機溶剤を含む現像液との親和性が低くなり、不溶化ネガ化が更に促進されると考えられる。また、酸分解性単位を含むことでラインウィズスラフネスLWR性能が改善する。酸分解性基は、極性基が酸の作用により分解し脱離する基で保護された構造を有することが好ましい。極性基としては、有機溶剤を含む現像液中で不溶化する基であれば特に限定されないが、好ましくは、カルボキシル基、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール、スルホン酸基等の酸性基従来レジストの現像液として用いられている、2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液中で解離する基が挙げられる。酸分解性基として好ましい基は、これらの基の水素原子を酸の作用により脱離する基で置換した基である。酸の作用により脱離する基としては、例えば、-CR36R37R38、-CR36R37OR39、-CR01R02OR39等を挙げることができる。式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01、R02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。酸分解性基としては好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。樹脂Aが含有し得る、酸分解性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIで表される繰り返し単位が好ましい。一般式AIに於いて、Xa1は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表わされる基を表す。R9は、水酸基又は1価の有機基を表し、1価の有機基としては、例えば、炭素数5以下のアルキル基、炭素数5以下のアシル基が挙げられ、好ましくは炭素数3以下のアルキル基であり、更に好ましくはメチル基である。Xa1は好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基、より好ましくは水素原子、メチル基又はヒドロキシメチル基を表す。Tは、単結合又は2価の連結基を表す。Rx1~Rx3は、それぞれ独立に、アルキル基直鎖若しくは分岐又はシクロアルキル基単環若しくは多環を表す。Rx2とRx3とが結合して、シクロアルキル基単環若しくは多環を形成してもよい。Tの2価の連結基としては、アルキレン基、-COO-Rt-基、-O-Rt-基等が挙げられる。式中、Rtは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。Tは、単結合又は-COO-Rt-基が好ましい。Rtは、炭素数1~5のアルキレン基が好ましく、-CH2-基、-CH22-基、-CH23-基がより好ましい。Rx1~Rx3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。Rx1~Rx3のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。Rx2とRx3とが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5~6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。Rx1がメチル基又はエチル基であり、Rx2とRx3とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基炭素数1~4、シクロアルキル基炭素数3~15、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基炭素数1~4、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基炭素数2~6などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。酸分解性基を有する繰り返し単位の好ましい具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、Rx、Xa1は、水素原子、-CH3、-CF3、又は-CH2OHを表す。Rxa、Rxbはそれぞれ炭素数1~4のアルキル基を表す。Zは、極性基を含む置換基を表し、複数存在する場合は各々独立である。pは0又は正の整数を表す。Zの具体例及び好ましい例は、後述する一般式2-1におけるR10の具体例及び好ましい例と同様である。樹脂Aは、一般式AIで表される繰り返し単位として、一般式1で表される繰り返し単位及び一般式2で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する樹脂であることがより好ましい。一般式1及び2中、R1、R3は、各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表わされる基を表す。R9は水酸基又は1価の有機基を表す。R2、R4、R5、R6は、各々独立して、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。R1及びR3は、好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R9における1価の有機基の具体例及び好ましい例は、一般式AIのR9で記載したものと同様である。R2におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。R2におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。R2は好ましくはアルキル基であり、より好ましくは炭素数1~10、更に好ましくは炭素数1~5のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基が挙げられる。Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。Rが該炭素原子と共に形成する脂環構造としては、好ましくは、単環の脂環構造であり、その炭素数は好ましくは3~7、より好ましくは5又は6である。R4、R5、R6におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。R4、R5、R6におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。一般式1で表される繰り返し単位の例として、下記一般式1-aで表される繰り返し単位が挙げられる。式中、R1及びR2は、一般式1における各々と同義である。一般式2で表される繰り返し単位が、以下の一般式2-1で表される繰り返し単位であることが好ましい。式2-1中、R3~R5は、それぞれ、一般式2におけるものと同義である。R10は極性基を含む置換基を表す。R10が複数存在する場合、互いに同じでも異なっていてもよい。極性基を含む置換基としては、例えば、水酸基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミド基又はスルホンアミド基自体、又は、これらの少なくとも1つを有する、直鎖又は分岐のアルキル基、シクロアルキル基が挙げられ、好ましくは、水酸基を有するアルキル基である。より好ましくは水酸基を有する分岐状アルキル基である。分岐状アルキル基としてはイソプロピル基が特に好ましい。pは0~15の整数を表す。pは好ましくは0~2であり、より好ましくは0又は1である。樹脂Aは酸分解性基を有する繰り返し単位を複数含んでいてもよい。樹脂Aは、一般式AIで表される繰り返し単位として、一般式1で表される繰り返し単位及び一般式2で表される繰り返し単位を有する樹脂であることがより好ましい。また、他の形態において、一般式AIで表される繰り返し単位として、一般式1で表される繰り返し単位の少なくとも2種を有する樹脂であることがより好ましい。また、本発明のレジスト組成物が複数種類の樹脂Aを含有し、該複数の樹脂Aの含有する酸分解性基を有する繰り返し単位が互いに異なっていてもよい。例えば一般式1で表される繰り返し単位を有する樹脂Aと、一般式2で表される繰り返し単位を有する樹脂Aとを併用してもよい。樹脂Aが、酸分解性基を含む繰り返し単位を複数含んでいる場合、及び、複数の樹脂Aが異なる酸分解性基を含む繰り返し単位を有する場合の、好ましい組み合わせとしては、例えば、以下のものが挙げられる。なお、下式において、Rは、各々独立に、水素原子又はメチル基を表す。樹脂Aは、a4酸分解性基を有する繰り返し単位を有さないことも、デフォーカスラチチュード特性の観点で好ましい。樹脂Aは、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。樹脂Aは2種以上の樹脂を混合してなる樹脂であってもよく、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で、例えば繰り返し単位a1を含む樹脂と繰り返し単位a2を含む樹脂とを混合した樹脂を用いることもできる。また、繰り返し単位a4を含む樹脂と繰り返し単位a4を含まない樹脂とを混合して用いることも好ましい。本発明の組成物が、ArF露光用であるとき、ArF光への透明性の点から本発明の組成物に用いられる樹脂Aは実質的に芳香族基を有さない具体的には、樹脂中、芳香族基を有する繰り返し単位の比率が好ましくは5モル以下、より好ましくは3モル以下、理想的には0モル、すなわち、芳香族基を有さないことが好ましく、樹脂Aが単環又は多環の脂環炭化水素構造を有することが好ましい。なお、樹脂Aは、後述する疎水性樹脂との相溶性の観点から、フッ素原子及び珪素原子を含有しないことが好ましい。本発明において、各繰り返し単位の含有量は以下のとおりである。各繰り返し単位は複数種類含有してもよく、下記含有量は複数種類含有する場合は合計した量である。アルコール性水酸基を有する繰り返し単位a1の含有量は、樹脂Aを構成する全繰り返し単位に対して、一般的に10~80モル、好ましくは10~60モルである。非極性基を有し、かつ、酸分解性基及びラクトン構造を含まない繰り返し単位a2を含有する場合、その含有量は、樹脂Aを構成する全繰り返し単位に対して、一般的に20~80モル、好ましくは30~60モルである。ラクトンを有する繰り返し単位a3を含有する場合、その含有量は、樹脂中の全繰り返し単位に対し、15~60molが好ましく、より好ましくは20~50mol、更に好ましくは30~50molである。酸分解性基を有する繰り返し単位a4を含有する場合、その含有量は、樹脂中の全繰り返し単位に対し、20~70molが好ましく、より好ましくは30~50molである。なお、樹脂Aにおいて、各繰り返し単位の含有モル比は、レジストのドライエッチング耐性や現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定することができる。樹脂Aは、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。詳細な合成方法、そして精製方法などは、丸善株式会社発行第5版実験化学講座26高分子化学の第2章高分子合成などに記載の方法を用いることができる。樹脂Aの重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000~200,000であり、より好ましくは2,000~20,000、更により好ましくは3,000~15,000、特に好ましくは3,000~10,000である。重量平均分子量を、1,000~200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、かつ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化したりすることを防ぐことができる。分散度分子量分布は、通常1~3であり、好ましくは1~2.6、更に好ましくは1~2、特に好ましくは1.4~1.7の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、かつレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。本発明のレジスト組成物において、樹脂Aの組成物全体中の配合量は、全固形分中好ましくは65~97質量、より好ましくは78~95質量、更に好ましくは78~94質量である。また、本発明において、樹脂Aは、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。[3]架橋剤C本発明においては、樹脂Aとともに、酸の作用により樹脂Aを架橋する化合物以下、架橋剤と称するを使用する。ここでは公知の架橋剤を有効に使用することができる。架橋剤Cは、樹脂Aを架橋しうる架橋性基を有している化合物であり、架橋性基としては、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基、ビニルエーテル基又はエポキシ基等を挙げることができる。架橋剤Cはこのような架橋性基を2個以上有することが好ましい。架橋剤Cとしては、好ましくは、メラミン系化合物、尿素系化合物、アルキレン尿素系化合物、又はグリコールウリル系化合物の架橋剤である。好ましい架橋剤の例として、N-ヒドロキシメチル基、N-アルコキシメチル基、若しくはN-アシルオキシメチル基を有する化合物を挙げることができる。N-ヒドロキシメチル基、N-アルコキシメチル基、若しくはN-アシルオキシメチル基を有する化合物としては、下記一般式CLNM-1で表される部分構造を2個以上より好ましくは2~8個有する化合物が好ましい。一般式CLNM-1に於いて、RNM1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はオキソアルキル基を表す。一般式CLNM-1に於ける、RNM1のアルキル基は、炭素数1~6の直鎖又は分岐のアルキル基が好ましい。RNM1のシクロアルキル基は、炭素数5~6のシクロアルキル基が好ましい。RNM1のオキソアルキル基は、炭素数3~6のオキソアルキル基が好ましく、例えば、β‐オキソプロピル基、β‐オキソブチル基、β‐オキソペンチル基、β‐オキソへキシル基等を挙げることができる。一般式CLNM-1で表される部分構造を2個以上有する化合物のより好ましい態様として、下記一般式CLNM-2で表されるウレア系架橋剤、下記一般式CLNM-3で表されるアルキレンウレア系架橋剤、下記一般式CLNM-4で表されるグリコールウリル系架橋剤、下記一般式CLNM-5で表されるメラミン系架橋剤が挙げられる。一般式CLNM-2に於いて、RNM1は、各々独立に、一般式CLNM-1に於ける、RNM1と同様のものである。RNM2は、各々独立に、水素原子、アルキル基炭素数1~6が好ましい、又はシクロアルキル基炭素数5~6が好ましいを表す。一般式CLNM-2で表されるウレア系架橋剤の具体例としては、例えば、N,N-ジメトキシメチルウレア、N,N-ジエトキシメチルウレア、N,N-ジプロポキシメチルウレア、N,N-ジイソプロポキシメチルウレア、N,N-ジブトキシメチルウレア、N,N-ジt-ブトキシメチルウレア、N,N-ジシクロヘキシルオキシメチルウレア、N,N-ジシクロペンチルオキシメチルウレア、N,N-ジアダマンチルオキシメチルウレア、N,N-ジノルボルニルオキシメチルウレア等が挙げられる。一般式CLNM-3に於いて、RNM1は、各々独立に、一般式CLNM-1に於ける、RNM1と同様のものである。RNM3は、各々独立に、水素原子、水酸基、直鎖又は分岐のアルキル基炭素数1~6が好ましい、シクロアルキル基炭素数5~6が好ましい、オキソアルキル基炭素数3~6が好ましい、アルコキシ基炭素数1~6が好ましい又はオキソアルコキシ基炭素数1~6が好ましいを表す。Gは、単結合、酸素原子、硫黄原子、アルキレン基炭素数1~3が好ましい又はカルボニル基を表す。より具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、1-メチルエチレン基、ヒドロキシメチレン基、シアノメチレン基等が挙げられる。一般式CLNM-3で表されるアルキレンウレア系架橋剤の具体例としては、例えば、N,N-ジメトキシメチル‐4,5-ジメトキシメチルエチレンウレア、N,N-ジエトキシメチル‐4,5-ジエトキシメチルエチレンウレア、N,N-ジプロポキシメチル‐4,5-ジプロポキシメチルエチレンウレア、N,N-ジイソプロポキシメチル‐4,5-ジイソプロポキシメチルエチレンウレア、N,N-ジブトキシメチル‐4,5-ジブトキシメチルエチレンウレア、N,N-ジt-ブトキシメチル‐4,5-ジt-ブトキシメチルエチレンウレア、N,N-ジシクロヘキシルオキシメチル‐4,5-ジシクロヘキシルオキシメチルエチレンウレア、N,N-ジシクロペンチルオキシメチル‐4,5-ジシクロペンチルオキシメチルエチレンウレア、N,N-ジアダマンチルオキシメチル‐4,5-ジアダマンチルオキシメチルエチレンウレア、N,N-ジノルボルニルオキシメチル‐4,5-ジノルボルニルオキシメチルエチレンウレア等が挙げられる。一般式CLNM-4に於いて、RNM1は、各々独立に、一般式CLNM-1に於ける、RNM1と同様のものである。RNM4は、各々独立に、水素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基又はアルコキシ基を表す。RNM4のアルキル基炭素数1~6が好ましい、シクロアルキル基炭素数5~6が好ましい、アルコキシ基炭素数1~6が好ましいとして、より具体的には、メチル基、エチル基、ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。一般式CLNM-4で表されるグリコールウリル系架橋剤の具体例としては、例えば、N,N,N,N-テトラメトキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラエトキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラプロポキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトライソプロポキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラブトキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラt-ブトキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラシクロヘキシルオキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラシクロペンチルオキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラアダマンチルオキシメチルグリコールウリル、N,N,N,N-テトラノルボルニルオキシメチルグリコールウリル等が挙げられる。一般式CLNM-5に於いて、RNM1は、各々独立に、一般式CLNM-1に於ける、RNM1と同様のものである。RNM5は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は下記一般式CLNM-5 ́で表される原子団を表す。RNM6は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は下記一般式CLNM-5 ́ ́で表される原子団を表す。一般式CLNM-5 ́において、RNM1は、一般式CLNM-1に於ける、RNM1と同様のものである。一般式CLNM-5 ́ ́において、RNM1は、一般式CLNM-1に於ける、RNM1と同様のものであり、RNM5は、一般式CLNM-5に於けるRNM5と同様のものである。RNM5及びRNM6のアルキル基炭素数1~6が好ましい、シクロアルキル基炭素数5~6が好ましい、アリール基炭素数6~10が好ましいとして、より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t‐ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。一般式CLNM-5で表されるメラミン系架橋剤としては、例えば、N,N,N,N,N,N-ヘキサメトキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサエトキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサプロポキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサイソプロポキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサブトキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサt-ブトキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサシクロヘキシルオキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサシクロペンチルオキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサアダマンチルオキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサノルボルニルオキシメチルメラミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサメトキシメチルアセトグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサエトキシメチルアセトグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサプロポキシメチルアセトグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサイソプロポキシメチルアセトグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサブトキシメチルアセトグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサt-ブトキシメチルアセトグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサメトキシメチルベンゾグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサエトキシメチルベンゾグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサプロポキシメチルベンゾグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサイソプロポキシメチルベンゾグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサブトキシメチルベンゾグアナミン、N,N,N,N,N,N-ヘキサt-ブトキシメチルベンゾグアナミン、等が挙げられる。一般式CLNM-1~CLNM-5に於ける、RNM1~RNM6で表される基は、更に置換基を有してもよい。RNM1~RNM6が有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~20、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシ基好ましくは炭素数1~20、シクロアルコキシ基好ましくは炭素数4~20、アシル基好ましくは炭素数2~20、アシルオキシ基好ましくは炭素数2~20等を挙げることができる。架橋剤Cは、分子内にベンゼン環を有するフェノール化合物であってもよい。フェノール化合物としては、分子量が1200以下、分子内にベンゼン環を3~5個含み、更にヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル基を合わせて2個以上有し、そのヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基を少なくともいずれかのベンゼン環に集中させ、あるいは振り分けて結合してなるフェノール誘導体が好ましい。このようなフェノール誘導体を用いることにより、本発明の効果をより顕著にすることができる。ベンゼン環に結合するアルコキシメチル基としては、炭素数6個以下のものが好ましい。具体的にはメトキシメチル基、エトキシメチル基、n-プロポキシメチル基、i-プロポキシメチル基、n-ブトキシメチル基、i-ブトキシメチル基、sec-ブトキシメチル基、t-ブトキシメチル基が好ましい。更に、2-メトキシエトキシ基及び、2-メトキシ-1-プロピル基の様に、アルコキシ置換されたアルコキシ基も好ましい。フェノール化合物としては分子内にベンゼン環を2個以上有するフェノール化合物であることがより好ましく、また、窒素原子を含まないフェノール化合物であることが好ましい。具体的には、樹脂Aを架橋しうる架橋性基を1分子あたり2~8個有するフェノール化合物であることが好ましく、架橋性基を3~6個有することがより好ましい。これらのフェノール誘導体の内、特に好ましいものを以下に挙げる。式中、L1~L8は架橋性基を示し、同じであっても異なっていてもよく、架橋性基としては好ましくはヒドロキシメチル基、メトキシメチル基又はエトキシメチル基を示す。フェノール化合物は、市販されているものを用いることもでき、また公知の方法で合成することもできる。例えば、ヒドロキシメチル基を有するフェノール誘導体は、対応するヒドロキシメチル基を有さないフェノール化合物上記式においてL1~L8が水素原子である化合物とホルムアルデヒドを塩基触媒下で反応させることによって得ることができる。この際、樹脂化やゲル化を防ぐために、反応温度を60°C以下で行うことが好ましい。具体的には、特開平6-282067号、特開平7-64285号等に記載されている方法にて合成することができる。アルコキシメチル基を有するフェノール誘導体は、対応するヒドロキシメチル基を有するフェノール誘導体とアルコールを酸触媒下で反応させることによって得ることができる。この際、樹脂化やゲル化を防ぐために、反応温度を100°C以下で行うことが好ましい。具体的には、EP632003A1等に記載されている方法にて合成することができる。このようにして合成されたヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル基を有するフェノール誘導体は、保存時の安定性の点で好ましいが、アルコキシメチル基を有するフェノール誘導体は保存時の安定性の観点から特に好ましい。ヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル基を合わせて2個以上有し、いずれかのベンゼン環に集中させ、あるいは振り分けて結合してなるこのようなフェノール誘導体は、単独で使用してもよく、また2種以上を組み合わせて使用してもよい。架橋剤Cは、分子内にエポキシ基を有するエポキシ化合物であってもよい。エポキシ化合物としては、下記一般式EP2で表される化合物が挙げられる。式EP2中、REP1~REP3は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表し、該アルキル基及びシクロアルキル基は置換基を有していてもよい。またREP1とREP2、REP2とREP3は、互いに結合して環構造を形成していてもよい。アルキル基及びシクロアルキル基が有していてもよい置換基としては例えば、ヒドロキシル基、シアノ基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルチオ基、アルキルスルホン基、アルキルスルホニル基、アルキルアミノ基、アルキルアミド基、などが挙げられる。QEPは単結合若しくはnEP価の有機基を表す。REP1~REP3は、これら同士だけでなくQEPとも結合して環構造を形成していても良い。nEPは2以上の整数を表し、好ましくは2~10、更に好ましくは2~6である。但しQEPが単結合の場合、nEPは2である。QEPがnEP価の有機基の場合、鎖状若しくは環状の飽和炭化水素構造炭素数2~20が好ましい若しくは芳香環構造炭素数6~30が好ましい、又はこれらがエーテル、エステル、アミド、スルホンアミド等の構造で連結された構造などが好ましい。以下にBエポキシ構造を有する化合物の具体例を例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明において、架橋剤は単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用いてもよい。架橋剤のレジスト組成物中の含有率は、レジスト組成物の全固形分を基準として、3~15質量が好ましく、より好ましくは4~12質量、更に好ましくは5~10質量である。[4]溶剤D本発明におけるレジスト組成物は、溶剤を含有する。本発明におけるレジスト組成物を調製する際に使用することができる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン好ましくは炭素数4~10、環を含有しても良いモノケトン化合物好ましくは炭素数4~10、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、ピルビン酸アルキル等の有機溶剤を挙げることができる。これらの溶剤の具体例及び好ましい例は、特開2008-292975号公報[0244]~[0248]に記載のものと同様である。本発明においては、有機溶剤として構造中に水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を使用してもよい。水酸基を含有する溶剤、水酸基を含有しない溶剤としては前述の例示化合物が適宜選択可能であるが、水酸基を含有する溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル等が好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、別名1-メトキシ-2-プロパノール、乳酸エチルがより好ましい。また、水酸基を含有しない溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルアルコキシプロピオネート、環を含有しても良いモノケトン化合物、環状ラクトン、酢酸アルキルなどが好ましく、これらの内でもプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、別名1-メトキシ-2-アセトキシプロパン、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチルが特に好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノンが最も好ましい。水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤との混合比質量は、1/99~99/1、好ましくは10/90~90/10、更に好ましくは20/80~60/40である。水酸基を含有しない溶剤を50質量以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特に好ましい。溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する2種類以上の混合溶剤であることが好ましい。[5]疎水性樹脂HR本発明のレジスト組成物は、特に液浸露光に適用する際、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂を含有してもよい。これにより、膜表層に疎水性樹脂HRが偏在化し、液浸媒体が水の場合、水に対するレジスト膜表面の静的/動的な接触角を向上させ、液浸水追随性を向上させることができる。疎水性樹脂HRは前述のように界面に偏在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。疎水性樹脂は、典型的には、フッ素原子及び/又はケイ素原子を含んでいる。これらフッ素原子及び/又はケイ素原子は、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。疎水性樹脂がフッ素原子を含んでいる場合、この樹脂は、フッ素原子を含んだ部分構造として、フッ素原子を含んだアルキル基、フッ素原子を含んだシクロアルキル基、又はフッ素原子を含んだアリール基を備えていることが好ましい。フッ素原子を含んだアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐鎖アルキル基である。このアルキル基は、炭素数が1~10であることが好ましく、炭素数が1~4であることがより好ましい。このフッ素原子を含んだアルキル基は、フッ素原子以外の置換基を更に有していてもよい。フッ素原子を含んだシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環式又は多環式のシクロアルキル基である。このフッ素原子を含んだシクロアルキル基は、フッ素原子以外の置換基を更に有していてもよい。フッ素原子を含んだアリール基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアリール基である。このアリール基としては、例えば、フェニル基及びナフチル基が挙げられる。このフッ素原子を含んだアリール基は、フッ素原子以外の置換基を更に有していてもよい。フッ素原子を含んだアルキル基、フッ素原子を含んだシクロアルキル基及びフッ素原子を含んだアリール基の好ましい例として、下記一般式F2~F4により表される基が挙げられる。一般式F2~F4中、R57~R68は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。但し、R57~R61のうち少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R62~R64のうち少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R65~R68のうち少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。これらアルキル基は、炭素数が1~4であることが好ましい。R57~R61及びR65~R67は、全てがフッ素原子であることが好ましい。R62、R63及びR68は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基であることが好ましく、炭素数1~4のパーフルオロアルキル基であることが更に好ましい。なお、R62とR63とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。一般式F2により表される基としては、例えば、p-フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、及び3,5-ジトリフルオロメチルフェニル基が挙げられる。一般式F3により表される基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、ノナフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロヘキシル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロトリメチルヘキシル基、2,2,3,3-テトラフルオロシクロブチル基、及びパーフルオロシクロヘキシル基が挙げられる。これらのうち、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロ-t-ブチル基又はパーフルオロイソペンチル基がより好ましく、ヘキサフルオロイソプロピル基又はヘプタフルオロイソプロピル基が更に好ましい。一般式F4により表される基としては、例えば、-CCF32OH、-CC2F52OH、-CCF3CH3OH、及び-CHCF3OHが挙げられる。これらのうち、-CCF32OHが特に好ましい。以下に、フッ素原子を含んだ繰り返し単位の具体例を示す。具体例中、X1は、水素原子、-CH3、-F又は-CF3を表す。X2は、-F又は-CF3を表す。疎水性樹脂がケイ素原子を含んでいる場合、この樹脂は、ケイ素原子を含んだ部分構造として、アルキルシリル構造又は環状シロキサン構造を備えていることが好ましい。このアリキルシリル構造は、好ましくは、トリアルキルシリル基を含んだ構造である。アルキルシリル構造及び環状シロキサン構造の好ましい例として、下記一般式CS-1~CS-3により表される基が挙げられる。一般式CS-1~CS-3中、R12~R26は、各々独立に、直鎖若しくは分岐鎖アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。このアルキル基は、炭素数が1~20であることが好ましい。このシクロアルキル基は、炭素数が3~20であることが好ましい。L3~L5は、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、例えば、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、ウレイレン結合、又はこれら基及び結合の内の2つ以上の組合せが挙げられ、総炭素数12以下の連結基が好ましい。nは、1~5の整数を表す。nは、好ましくは、2~4の整数である。以下に、一般式CS-1~CS-3により表される基を有する繰り返し単位の具体例を挙げる。具体例中、X1は、水素原子、-CH3、-F又は-CF3を表す。疎水性樹脂は、下記x~zからなる群より選択される少なくとも1つの基を更に含んでいてもよい。x酸基yラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基z酸分解性基x酸基としては、例えば、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、及びトリスアルキルスルホニルメチレン基が挙げられる。好ましい酸基としては、フッ素化アルコール基、スルホンイミド基及びビスカルボニルメチレン基が挙げられる。好ましいフッ素化アルコール基としては、ヘキサフルオロイソプロパノール基が挙げられる。酸基を有する繰り返し単位は、例えば、アクリル酸及びメタクリル酸による繰り返し単位等の、樹脂の主鎖に直接酸基が結合している繰り返し単位である。或いは、この繰り返し単位は、酸基が連結基を介して樹脂の主鎖に結合している繰り返し単位であってもよい。或いは、この繰り返し単位は、酸基を有する重合開始剤又は連鎖移動剤を重合時に用いて、樹脂の末端に導入されていてもよい。酸基を有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、1~50モルであることが好ましく、3~35モルであることがより好ましく、5~20モルであることが更に好ましい。以下に、酸基を有する繰り返し単位の具体例を示す。式中、Rxは水素原子、-CH3、-CF3、又は、-CH2OHを表す。yラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基としては、ラクトン構造を有する基が特に好ましい。これらの基を含んだ繰り返し単位は、例えば、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルによる繰り返し単位等の、樹脂の主鎖に直接この基が結合している繰り返し単位である。或いは、この繰り返し単位は、この基が連結基を介して樹脂の主鎖に結合している繰り返し単位であってもよい。或いは、この繰り返し単位は、この基を有する重合開始剤又は連鎖移動剤を重合時に用いて、樹脂の末端に導入されていてもよい。ラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位としては、例えば、先にA酸分解性樹脂の項で説明したラクトン構造を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。ラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基を有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、1~40モルであることが好ましく、3~30モルであることがより好ましく、5~15モルであることが更に好ましい。z酸分解性基としては、例えば、先にA酸分解性樹脂の項で説明したのと同様のものが挙げられる。酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、1~80モルであることが好ましく、10~80モルであることがより好ましく、20~60モルであることが更に好ましい。疎水性樹脂は、下記一般式IIIにより表される繰り返し単位を含んでいてもよい。Rc31は、水素原子、アルキル基フッ素原子等で置換されていても良い、シアノ基又は-CH2-O-Rac2基を表す。式中、Rac2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Rc31は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。Rc32は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、又はアリール基を有する基を表す。これら基は珪素原子を含む基、フッ素原子等で置換されていてもよい。Lc3は、単結合又は2価の連結基を表す。Rc32のアルキル基は、炭素数3~20の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基であることが好ましい。シクロアルキル基は、炭素数が3~20であることが好ましい。アルケニル基は、炭素数が3~20であることが好ましい。シクロアルケニル基は、炭素数が3~20であるシクロアルケニル基が好ましい。Rc32は、無置換のアルキル基又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基であることが好ましい。Lc3は、単結合又は2価の連結基を表す。この2価の連結基としては、例えば、アルキレン基好ましくは炭素数1~5、エーテル結合、フェニレン基、エステル結合-COO-により表される基、並びに、これらの基及び結合の内の2つ以上の組み合わせが挙げられ、総炭素数12以下の連結基が好ましい。一般式IIIにより表される繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、1~100モルであることが好ましく、10~90モルであることがより好ましく、30~70モルであることが更に好ましい。疎水性樹脂は、下記一般式CII-ABにより表される繰り返し単位を更に含んでいてもよい。式CII-AB中、Rc11’及びRc12’は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。Zc’は、Rc11’及びRc12’が結合している2つの炭素原子C-Cと共に脂環式構造を形成するために必要な原子団を表す。一般式CII-ABにより表される繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、1~100モルであることが好ましく、10~90モルであることがより好ましく、30~70モルであることが更に好ましい。以下に、一般式III又はCII-ABにより表される繰り返し単位の具体例を挙げる。具体例中、Raは、H、-CH3、-CH2OH、-CF3又はシアノ基を表す。以下に、疎水性樹脂の具体例を挙げる。また、下記表1に、各樹脂における繰り返し単位のモル比各繰り返し単位と左から順に対応、重量平均分子量、及び分散度Mw/Mnを示す。疎水性樹脂がフッ素原子を含んでいる場合、フッ素原子の含有量は、疎水性樹脂の重量平均分子量を基準として、5~80質量であることが好ましく、10~80質量であることがより好ましい。また、フッ素原子を含んだ繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂の全繰り返し単位を基準として、10~100モルであることが好ましく、30~100モルであることがより好ましい。疎水性樹脂がケイ素原子を含んでいる場合、ケイ素原子の含有量は、疎水性樹脂の重量平均分子量を基準として、2~50質量であることが好ましく、2~30質量であることがより好ましい。また、ケイ素原子を含んだ繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂の全繰り返し単位を基準として、10~100モルであることが好ましく、20~100モルであることがより好ましい。疎水性樹脂の重量平均分子量は、好ましくは1,000~100,000であり、より好ましくは1,000~50,000であり、更に好ましくは2,000~15,000である。疎水性樹脂の分散度は、1~5であることが好ましく、1~3であることがより好ましく、1~2であることが更に好ましい。こうすると、より優れた解像度、パターン形状及びラフネス特性を達成することが可能となる。疎水性樹脂は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。疎水性樹脂の含有量は、組成物中の全固形分を基準として、0.01~10質量であることが好ましく、0.05~8質量であることがより好ましく、0.1~5質量であることが更に好ましい。疎水性樹脂としては、市販品を使用してもよく、常法に従って合成したものを使用してもよい。この樹脂の一般的な合成方法としては、例えば、先に酸分解性樹脂について説明したのと同様の方法が挙げられる。疎水性樹脂は、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、単量体及びオリゴマー成分の残存量が0~10質量であることが好ましく、0~5質量であることがより好ましく、0~1質量であることが更に好ましい。これにより、液中異物の量を減少させ、感度等の経時変化を低減することが可能となる。[6]界面活性剤F本発明のレジスト組成物は、更に界面活性剤を含有してもしなくてもよく、含有する場合、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を有する界面活性剤のいずれか、あるいは2種以上を含有することが好ましい。本発明の組成物が上記界面活性剤を含有することにより、250nm以下、特に220nm以下の露光光源の使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないレジストパターンを与えることが可能となる。フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤として、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0276]に記載の界面活性剤が挙げられ、例えばエフトップEF301、EF303、新秋田化成株製、フロラードFC430、431、4430住友スリーエム株製、メガファックF171、F173、F176、F189、F113、F110、F177、F120、R08大日本インキ化学工業株製、サーフロンS-382、SC101、102、103、104、105、106旭硝子株製、トロイゾルS-366トロイケミカル株製、GF-300、GF-150東亜合成化学株製、サーフロンS-393セイミケミカル株製、エフトップEF121、EF122A、EF122B、RF122C、EF125M、EF135M、EF351、EF352、EF801、EF802、EF601株ジェムコ製、PF636、PF656、PF6320、PF6520OMNOVA社製、FTX-204G、208G、218G、230G、204D、208D、212D、218D、222D株ネオス製等である。またポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製もシリコン系界面活性剤として用いることができる。また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法テロマー法ともいわれる若しくはオリゴメリゼーション法オリゴマー法ともいわれるにより製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開2002-90991号公報に記載された方法によって合成することが出来る。上記に該当する界面活性剤として、メガファックF178、F-470、F-473、F-475、F-476、F-472大日本インキ化学工業株製、-C6F13基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体、-C3F7基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシエチレンアクリレート又はメタクリレートとポリオキシプロピレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体等を挙げることができる。また、本発明では、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0280]に記載の、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また、いくつかの組み合わせで使用してもよい。レジスト組成物が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の使用量は、レジスト組成物全量溶剤を除くに対して、好ましくは0.0001~2質量、より好ましくは0.0005~1質量である。一方、界面活性剤の添加量を、レジスト組成物全量溶剤を除くに対して、10ppm以下とすることで、疎水性樹脂の表面偏在性があがり、それにより、レジスト膜表面をより疎水的にすることができ、液浸露光時の水追随性を向上させることが出来る。[7]塩基性化合物本発明のレジスト組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、塩基性化合物を含有しても良い。そのような塩基性化合物の具体例としては、下記一般式A~Eで示される構造を有する塩基性化合物を挙げることができる。ここで、R250、R251及びR252は、各々独立に、水素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~20、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~20又はアリール基好ましくは炭素数6~20であり、ここでR250とR251は互いに結合して環を形成してもよいR250とR251とは、酸素原子等のヘテロ原子を介して、互いに結合して環を形成してもよい。これらの基は、置換基を有していてもよく、このような置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アルコキシアルキル基、アリールオキシアルキル基などを挙げることができ、これらはアルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子などから選択される1個以上の原子を含んでも良い。置換基を有するアルキル基及び置換基を有するシクロアルキル基としては、炭素数1~20のアミノアルキル基又は炭素数3~20のアミノシクロアルキル基、炭素数1~20のヒドロキシアルキル基又は炭素数3~20のヒドロキシシクロアルキル基が好ましい。また、これらはアルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を含んでも良い。置換基を有するアリール基としては、1個以上のアルキル基を置換基として有するアリール基を好適に挙げることができる。式中、R253、R254、R255及びR256は、各々独立に、アルキル基好ましくは炭素数1~6又はシクロアルキル基好ましくは炭素数3~6を示す。好ましい化合物として、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、ピペリジンを挙げることができ、置換基を有していてもよい。更に好ましい化合物として、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造特に好ましくは、テトラブチルアンモニウムヒドロキシドなどのテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造又はピリジン構造を有する化合物、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体等を挙げることができる。更に、フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物から選ばれる少なくとも1種類の含窒素化合物を挙げることができる。これらの化合物としては、例えば、米国特許出願公開第2007/0224539号明細書の0066に例示されている化合物C1-1~C3-3が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、塩基性化合物の1種として、酸の作用により脱離する基を有する含窒素有機化合物を用いることもできる。この化合物の例として、例えば、下記一般式Fで表される化合物を挙げることができる。なお、下記一般式Fで表される化合物は、酸の作用により脱離する基が脱離することによって、系中での実効的な塩基性を発現する。一般式Fにおいて、Raは、独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、n=2のとき、2つのRaは同じでも異なっていてもよく、2つのRaは相互に結合して、2価の複素環式炭化水素基好ましくは炭素数20以下若しくはその誘導体を形成していてもよい。Rbは、独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。但し、-CRbRbRbにおいて、1つ以上のRbが水素原子のとき、残りのRbの少なくとも1つはシクロプロピル基又は1-アルコキシアルキル基である。少なくとも2つのRbは結合して脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。nは0~2の整数を表し、mは1~3の整数をそれぞれ表し、nm=3である。一般式Fにおいて、Ra及びRbが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、水酸基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい。前記Rのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、上記官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよいとしては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン等の直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、これらのアルカンに由来する基を、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ノルボルナン、アダマンタン、ノラダマンタン等のシクロアルカンに由来する基、これらのシクロアルカンに由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン等の芳香族化合物に由来する基、これらの芳香族化合物に由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、インドール、インドリン、キノリン、パーヒドロキノリン、インダゾール、ベンズイミダゾール等の複素環化合物に由来する基、これらの複素環化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルキル基或いは芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基、直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基シクロアルカンに由来する基をフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等の芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基等或いは前記の置換基が水酸基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基で置換された基等が挙げられる。また、前記Raが相互に結合して、形成する2価の複素環式炭化水素基好ましくは炭素数1~20若しくはその誘導体としては、例えば、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、1,4,5,6-テトラヒドロピリミジン、1,2,3,4-テトラヒドロキノリン、1,2,3,6-テトラヒドロピリジン、ホモピペラジン、4-アザベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、5-アザベンゾトリアゾール、1H-1,2,3-トリアゾール、1,4,7-トリアザシクロノナン、テトラゾール、7-アザインドール、インダゾール、ベンズイミダゾール、イミダゾ[1,2-a]ピリジン、1S,4S--2,5-ジアザビシクロ[2.2.1]ヘプタン、1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デック-5-エン、インドール、インドリン、1,2,3,4-テトラヒドロキノキサリン、パーヒドロキノリン、1,5,9-トリアザシクロドデカン等の複素環式化合物に由来する基、これらの複素環式化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、シクロアルカンに由来する基、芳香族化合物に由来する基、複素環化合物に由来する基、水酸基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基の1種以上或いは1個以上で置換した基等が挙げられる。本発明における特に好ましい例を具体的に示すと、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-オクチルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-ノニルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-デシルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-2-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン、S---1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、R--1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン、N-t-ブトキシカルボニルピロリジン、N-t-ブトキシカルボニルモルホリン、N-t-ブトキシカルボニルピペラジン、N,N-ジ-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N,N-ジ-t-ブトキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N,N’N’-テトラ-t-ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,7-ジアミノヘプタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,8-ジアミノオクタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,9-ジアミノノナン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,10-ジアミノデカン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,12-ジアミノドデカン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N-t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-メチルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール等が挙げられる。上記一般式Fで表される化合物は、市販のものを用いても、市販のアミンから、ProtectiveGroupsinOrganicSynthesis第四版等に記載の方法で合成してもよい。もっとも一般的な方法としては市販のアミンに対して二炭酸エステル又はハロギ酸エステルを作用させることによって得る方法がある。式中、Xはハロゲン原子を表す。Ra、Rbは一般式Fと同義である。塩基性化合物の分子量は、250~2000であることが好ましく、更に好ましくは400~1000である。これらの塩基性化合物は、単独であるいは2種以上で用いられる。塩基性化合物を含有する場合、その含有量は、レジスト組成物の全固形分に対して、0.05~8.0質量であることが好ましく、更に好ましくは0.05~5.0質量、特に好ましくは0.05~4.0質量である。[8]活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物本発明のレジスト組成物は、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物以下、化合物PAともいうを含有してもよい。化合物PAは、塩基性官能基又はアンモニウム基と、活性光線又は放射線の照射により酸性官能基を発生する基とを有する化合物PA’であることが好ましい。すなわち、化合物PAは、塩基性官能基と活性光線若しくは放射線の照射により酸性官能基を発生する基とを有する塩基性化合物、又は、アンモニウム基と活性光線若しくは放射線の照射により酸性官能基を発生する基とを有するアンモニウム塩化合物であることが好ましい。化合物PA又はPA’が、活性光線又は放射線の照射により分解して発生する、塩基性が低下した化合物として、下記一般式PA-I、PA-II又はPA-IIIで表される化合物を挙げることができ、LWR及びDOFに関して優れた効果を高次元で両立できるという観点から、特に、一般式PA-II又はPA-IIIで表される化合物が好ましい。まず、一般式PA-Iで表される化合物について説明する。Q-A1-Xn-B-RPA-I一般式PA-I中、A1は、単結合又は2価の連結基を表す。Qは、-SO3H、又は-CO2Hを表す。Qは、活性光線又は放射線の照射により発生される酸性官能基に相当する。Xは、-SO2-又は-CO-を表す。nは、0又は1を表す。Bは、単結合、酸素原子又は-NRx-を表す。Rxは、水素原子又は1価の有機基を表す。Rは、塩基性官能基を有する1価の有機基又はアンモニウム基を有する1価の有機基を表す。A1における2価の連結基としては、好ましくは炭素数2~12の2価の連結基であり、例えば、アルキレン基、フェニレン基等が挙げられる。より好ましくは少なくとも1つのフッ素原子を有するアルキレン基であり、好ましい炭素数は2~6、より好ましくは炭素数2~4である。アルキレン鎖中に酸素原子、硫黄原子などの連結基を有していてもよい。アルキレン基は、特に水素原子数の30~100がフッ素原子で置換されたアルキレン基が好ましく、Q部位と結合した炭素原子がフッ素原子を有することがより好ましい。更にはパーフルオロアルキレン基が好ましく、パーフロロエチレン基、パーフロロプロピレン基、パーフロロブチレン基がより好ましい。Rxにおける1価の有機基としては、好ましくは炭素数4~30であり、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。Rxにおけるアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1~20の直鎖及び分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。なお、置換基を有するアルキル基として、特に直鎖又は分岐アルキル基にシクロアルキル基が置換した基例えば、アダマンチルメチル基、アダマンチルエチル基、シクロヘキシルエチル基、カンファー残基などを挙げることができる。Rxにおけるシクロアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数3~20のシクロアルキル基であり、環内に酸素原子を有していてもよい。Rxにおけるアリール基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6~14のアリール基である。Rxにおけるアラルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数7~20のアラルキル基が挙げられる。Rxにおけるアルケニル基としては、置換基を有していてもよく、例えば、Rxとして挙げたアルキル基の任意の位置に2重結合を有する基が挙げられる。塩基性官能基の好ましい部分構造として、例えば、クラウンエーテル、一~三級アミン、含窒素複素環ピリジン、イミダゾール、ピラジンなどの構造が挙げられる。アンモニウム基の好ましい部分構造として、例えば、一~三級アンモニウム、ピリジニウム、イミダゾリニウム、ピラジニウム構造などを挙げることが出来る。なお、塩基性官能基としては、窒素原子を有する官能基が好ましく、1~3級アミノ基を有する構造、又は含窒素複素環構造がより好ましい。これら構造においては、構造中に含まれる窒素原子に隣接する原子の全てが、炭素原子又は水素原子であることが、塩基性向上の観点から好ましい。また、塩基性向上の観点では、窒素原子に対して、電子求引性の官能基カルボニル基、スルホニル基、シアノ基、ハロゲン原子などが直結していないことが好ましい。このような構造を含む一価の有機基基Rにおける一価の有機基としては、好ましい炭素数は4~30であり、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができ、各基は置換基を有していても良い。Rにおける塩基性官能基又はアンモニウム基を含むアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基に於けるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基は、それぞれ、Rxとして挙げたアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基と同様のものである。上記各基が有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~10、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシ基好ましくは炭素数1~10、アシル基好ましくは炭素数2~20、アシルオキシ基好ましくは炭素数2~10、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~20、アミノアシル基好ましくは炭素数2~20などが挙げられる。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造については、置換基としては更にアルキル基好ましくは炭素数1~20を挙げることができる。アミノアシル基については、置換基として更に1又は2のアルキル基好ましくは炭素数1~20、より好ましくは炭素数1~10を挙げることができる。置換基を有するアルキル基として、例えば、パーフロロメチル基、パーフロロエチル基、パーフロロプロピル基、パーフロロブチル基などのパーフルオロアルキル基を挙げることができる。Bが-NRx-の時、RとRxが結合して環を形成していることが好ましい。環構造を形成することによって、安定性が向上し、これを用いた組成物の保存安定性が向上する。環を形成する炭素数は4~20が好ましく、単環式でも多環式でもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を含んでいてもよい。単環式構造としては、窒素原子を含む4~8員環等を挙げることができる。多環式構造としては、2又は3以上の単環式構造の組み合わせから成る構造を挙げることができる。単環式構造、多環式構造は、置換基を有していてもよく、例えば、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~10、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシ基好ましくは炭素数1~10、アシル基好ましくは炭素数2~15、アシルオキシ基好ましくは炭素数2~15、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~15、アミノアシル基好ましくは炭素数2~20などが好ましい。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造については、置換基としては更にアルキル基好ましくは炭素数1~15を挙げることができる。アミノアシル基については、置換基として1又は2のアルキル基好ましくは炭素数1~15を挙げることができる。一般式PA-Iで表される化合物の内、Q部位がスルホン酸である化合物は、一般的なスルホンアミド化反応を用いることで合成できる。例えば、ビススルホニルハライド化合物の一方のスルホニルハライド部を選択的にアミン化合物と反応させて、スルホンアミド結合を形成した後、もう一方のスルホニルハライド部分を加水分解する方法、あるいは環状スルホン酸無水物をアミン化合物と反応させ開環させる方法により得ることができる。次に、一般式PA-IIで表される化合物について説明する。Q1-X1-NH-X2-Q2PA-II一般式PA-II中、Q1及びQ2は、各々独立に、1価の有機基を表す。但し、Q1及びQ2のいずれか一方は、塩基性官能基を有する。Q1とQ2は、結合して環を形成し、形成された環が塩基性官能基を有してもよい。X1及びX2は、各々独立に、-CO-又は-SO2-を表す。なお、-NH-は、活性光線又は放射線の照射により発生された酸性官能基に相当する。一般式PA-IIに於ける、Q1、Q2としての1価の有機基は、好ましくは炭素数1~40であり、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。Q1、Q2におけるアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1~30の直鎖及び分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。Q1、Q2におけるシクロアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数3~20のシクロアルキル基であり、環内に酸素原子、窒素原子を有していてもよい。Q1、Q2におけるアリール基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6~14のアリール基である。Q1、Q2におけるアラルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数7~20のアラルキル基が挙げられる。Q1、Q2におけるアルケニル基としては、置換基を有していてもよく、上記アルキル基の任意の位置に2重結合を有する基が挙げられる。上記各基が有してもよい置換基としては、上記式PA-1における各基が有していてもよい置換基として先に例示したものと同様の基を挙げることができる。Q1、Q2の少なくともいずれかが有する塩基性官能基の好ましい部分構造としては、一般式PA-IのRが有する塩基性官能基として説明したものと同様のものが挙げられる。Q1とQ2とが、結合して環を形成し、形成された環が塩基性官能基を有する構造としては、例えば、Q1とQ2の有機基が更にアルキレン基、オキシ基、イミノ基等で結合された構造を挙げることができる。一般式PA-IIに於いて、X1及びX2の少なくとも片方が、-SO2-であることが好ましい。次に、一般式PA-IIIで表される化合物を説明する。Q1-X1-NH-X2-A2-X3m-B-Q3PA-III一般式PA-III中、Q1及びQ3は、各々独立に、1価の有機基を表す。但し、Q1及びQ3のいずれか一方は、塩基性官能基を有する。Q1とQ3は、結合して環を形成し、形成された環が塩基性官能基を有していてもよい。X1、X2及びX3は、各々独立に、-CO-又は-SO2-を表す。A2は、2価の連結基を表す。Bは、単結合、酸素原子又は-NQx-を表す。Qxは、水素原子又は1価の有機基を表す。Bが、-NQx-の時、Q3とQxが結合して環を形成してもよい。mは、0又は1を表す。なお、-NH-は、活性光線又は放射線の照射により発生された酸性官能基に相当する。Q1は、一般式PA-IIに於けるQ1と同義である。Q3の有機基としては、一般式PA-IIに於けるQ1、Q2の有機基と同様のものを挙げることができる。A2における2価の連結基としては、好ましくは炭素数1~8のフッ素原子を有する2価の連結基であり、例えば炭素数1~8のフッ素原子を有するアルキレン基、フッ素原子を有するフェニレン基等が挙げられる。より好ましくはフッ素原子を有するアルキレン基であり、好ましい炭素数は2~6、より好ましくは炭素数2~4である。アルキレン鎖中に酸素原子、硫黄原子などの連結基を有していてもよい。アルキレン基は、水素原子数の30~100がフッ素原子で置換されたアルキレン基が好ましく、更にはパーフルオロアルキレン基が好ましく、炭素数2~4のパーフルオロアルキレン基が特に好ましい。Qxにおける1価の有機基としては、好ましくは炭素数4~30の有機基であり、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基は上記式PA-IにおけるRxと同様のものを挙げることができる。一般式PA-IIIに於いて、X1、X2、X3は、-SO2-であることが好ましい。化合物PAとしては、一般式PA-I、PA-II又はPA-IIIで表される化合物のスルホニウム塩化合物、一般式PA-I、PA-II又はPA-IIIで表される化合物のヨードニウム塩化合物が好ましく、更に好ましくは下記一般式PA1又はPA2で表される化合物である。一般式PA1において、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表し、具体的には、前記酸発生剤における式ZIのR201、R202及びR203と同様である。X-は、一般式PA-Iで示される化合物の-SO3H部位若しくは-COOH部位の水素原子が脱離したスルホン酸アニオン若しくはカルボン酸アニオン、又は一般式PA-II若しくはPA-IIIで表される化合物の-NH-部位から水素原子が脱離したアニオンを表す。前記一般式PA2中、R204及びR205は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表し、具体的には、前記酸発生剤における式ZIIのR204及びR205と同様である。X-は、一般式PA-Iで示される化合物の-SO3H部位若しくは-COOH部位の水素原子が脱離したスルホン酸アニオン若しくはカルボン酸アニオン、又は一般式PA-II若しくはPA-IIIで表される化合物の-NH-部位から水素原子が脱離したアニオンを表す。化合物PAは、活性光線又は放射線の照射により分解し、例えば、一般式PA-I、PA-II又はPA-IIIで表される化合物を発生する。一般式PA-Iで表される化合物は、塩基性官能基又はアンモニウム基とともにスルホン酸基又はカルボン酸基を有することにより、化合物PAに比べて塩基性が低下、消失、又は塩基性から酸性に変化した化合物である。一般式PA-II又はPA-IIIで表される化合物は、塩基性官能基とともに有機スルホニルイミノ基若しくは有機カルボニルイミノ基を有することにより、化合物PAに比べて塩基性が低下、消失、又は塩基性から酸性に変化した化合物である。本発明に於いて、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下することは、活性光線又は放射線の照射により化合物PAのプロトン活性光線又は放射線の照射により発生された酸に対するアクセプター性が低下することを意味する。アクセプター性が低下するとは、塩基性官能基を有する化合物とプロトンとからプロトン付加体である非共有結合錯体が生成する平衡反応が起こる時、あるいは、アンモニウム基を有する化合物の対カチオンがプロトンに交換される平衡反応が起こる時、その化学平衡に於ける平衡定数が減少することを意味する。このように、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する化合物PAがレジスト膜に含有されていることにより、未露光部においては、化合物PAのアクセプター性が十分に発現されて、露光部等から拡散した酸と樹脂Aとの意図しない反応を抑制することができるとともに、露光部においては、化合物PAのアクセプター性が低下するので、酸と樹脂Aとの意図する反応がより確実に起こり、このような作用機構の寄与もあって、線幅バラツキLWR、フォーカス余裕度DOF及びパターン形状に優れるパターンが得られるものと推測される。なお、塩基性は、pH測定を行うことによって確認することができるし、市販のソフトウェアによって計算値を算出することも可能である。活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する化合物PAの具体例としては、例えば特開2006-208781号公報、特開2006-330098号公報に記載のものを挙げることができる。以下、活性光線又は放射線の照射により一般式PA-Iで表される化合物を発生する化合物PAの具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。これらの化合物の合成は、一般式PA-Iで表される化合物又はそのリチウム、ナトリウム、カリウム塩と、ヨードニウム又はスルホニウムの水酸化物、臭化物、塩化物等から、特表平11-501909号公報又は特開2003-246786号公報に記載されている塩交換法を用いて容易に合成できる。また、特開平7-333851号公報に記載の合成方法に準ずることもできる。以下、活性光線又は放射線の照射により一般式PA-II又はPA-IIIで表される化合物を発生する化合物PAの具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。これらの化合物は、一般的なスルホン酸エステル化反応あるいはスルホンアミド化反応を用いることで容易に合成できる。例えば、ビススルホニルハライド化合物の一方のスルホニルハライド部を選択的に一般式PA-II又はPA-IIIで表される部分構造を含むアミン、アルコールなどと反応させて、スルホンアミド結合、スルホン酸エステル結合を形成した後、もう一方のスルホニルハライド部分を加水分解する方法、あるいは環状スルホン酸無水物を一般式PA-IIで表される部分構造を含むアミン、アルコールにより開環させる方法により得ることができる。一般式PA-II又はPA-IIIで表される部分構造を含むアミン、アルコールは、アミン、アルコールを塩基性下にてR’O2C2OやR’SO22O等の無水物、R’O2CClやR’SO2Cl等の酸クロリド化合物と反応させることにより合成できるR’は、メチル基、n-オクチル基、トリフルオロメチル基等。特に、特開2006-330098号公報の合成例などに準ずることができる。化合物PAの分子量は、500~1000であることが好ましい。本発明のレジスト組成物が化合物PAを含有する場合、化合物PAの含量は、組成物の固形分を基準として、0.1~20質量が好ましく、より好ましくは0.1~10質量である。化合物PAは、単独であるいは2種以上で用いられる。また、化合物PAは、前述の塩基性化合物と併用してもよい。[9]その他の添加剤G本発明のレジスト組成物には、必要に応じて更に、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、溶解阻止剤及び溶解促進剤等を含有させることができる。本発明のレジスト組成物の全固形分濃度は、通常1.0~10質量であり、好ましくは、2.0~5.7質量、更に好ましくは2.0~5.3質量である。固形分濃度を前記範囲とすることで、レジスト溶液を基板上に均一に塗布することができ、更にはラインエッジラフネスに優れたレジストパターンを形成することが可能になる。その理由は明らかではないが、恐らく、固形分濃度を10質量以下、好ましくは5.7質量以下とすることで、レジスト溶液中での素材、特には光酸発生剤の凝集が抑制され、その結果として、均一なレジスト膜が形成できるものと考えられる。固形分濃度とは、レジスト組成物の総質量に対する、溶剤を除く他のレジスト成分の質量の質量百分率である。[10]パターン形成方法本発明のパターン形成方法ネガ型パターン形成方法は、ア化学増幅型レジスト組成物により膜レジスト膜を形成する工程、イ該膜を露光する工程、及びウ有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を少なくとも有する。レジスト膜は、上記した本発明の化学増幅型レジスト組成物から形成されるものであり、より具体的には、基板上に形成されることが好ましい。本発明のパターン形成方法に於いて、レジスト組成物による膜を基板上に形成する工程、膜を露光する工程、及び現像工程は、一般的に知られている方法により行うことができる。製膜後、露光工程の前に、前加熱工程PB;Prebakeを含むことも好ましい。また、露光工程の後かつ現像工程の前に、露光後加熱工程PEB;PostExposureBakeを含むことも好ましい。加熱温度はPB、PEB共に70~120°Cで行うことが好ましく、80~110°Cで行うことがより好ましい。加熱時間は30~300秒が好ましく、30~180秒がより好ましく、30~90秒が更に好ましい。加熱は通常の露光現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行っても良い。ベークにより露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。本発明における露光装置に用いられる光源波長に制限は無いが、KrFエキシマレーザー波長248nm、ArFエキシマレーザー波長193nmとF2エキシマレーザー波長157nm等を適用できる。本発明のレジスト膜に対しては、活性光線又は放射線の照射時に膜とレンズの間に空気よりも屈折率の高い液体液浸媒体を満たして露光液浸露光を行ってもよい。これにより解像性を高めることができる。用いる液浸媒体としては、空気よりも屈折率の高い液体であればいずれのものでも用いることができるが、好ましくは純水である。この場合、レジスト組成物に、前述の疎水性樹脂を予め添加しておいてもよいし、また、レジスト膜を形成した後に、その上に液浸液難溶性膜以下、トップコートともいうを設けてもよい。トップコートに求められる性能、その使用法などについては、シーエムシー出版液浸リソグラフィのプロセスと材料の第7章に解説されている。トップコートは、波長193nmのレーザーに対する透明性という観点からは、芳香族を豊富に含有しないポリマーが好ましく、具体的には、炭化水素ポリマー、アクリル酸エステルポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルエーテル、シリコン含有ポリマー、フッ素含有ポリマーなどが挙げられる。前述の疎水性樹脂HRはトップコートとしても好適なものである。また、市販のトップコート材料も適宜使用可能である。露光後にトップコートを剥離する際は、現像液を使用してもよいし、別途剥離剤を使用してもよい。剥離剤としては、膜への浸透が小さい溶剤が好ましい。剥離工程が膜の現像処理工程と同時にできるという点では、現像液により剥離できることが好ましい。本発明において膜を形成する基板は特に限定されるものではなく、シリコン、SiN、SiO2やSiN等の無機基板、SOG等の塗布系無機基板等、IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造工程、更にはその他のフォトファブリケーションのリソグラフィー工程で一般的に用いられる基板を用いることができる。更に、必要に応じて有機反射防止膜を膜と基板の間に形成させても良い。現像工程有機溶剤を含む現像液による現像を行う際に使用し得る有機系現像液としては、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤、又は炭化水素系溶剤を含有する現像液を用いることができ、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有することが好ましい。ケトン系溶剤としては、例えば、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、アセトン、4-ヘプタノン、1-ヘキサノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート等を挙げることができる。エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルー3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等を挙げることができる。特に、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミルなどの酢酸アルキルエステルが好ましい。アルコール系溶剤としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、4-メチルー2-ペンタノール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、n-デカノール等のアルコールや、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤等を挙げることができる。エーテル系溶剤としては、例えば、上記グリコールエーテル系溶剤の他、ジオキサン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。アミド系溶剤としては、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン等が使用できる。炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。上記の溶剤は、複数混合してもよいし、性能を有する範囲内で、上記以外の溶剤や水と混合し使用してもよい。但し、本発明の効果を十二分に奏するためには、現像液全体としての含水率が10質量未満であることが好ましく、実質的に水分を含有しないことがより好ましい。すなわち、現像液に対する有機溶剤の使用量は、現像液の全量に対して、90質量以上100質量以下であることが好ましく、95質量以上100質量以下であることがより好ましい。特に、有機溶剤を含む現像液は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の溶剤を含有する現像液であるのが好ましい。有機溶剤を含む現像液の蒸気圧は、20°Cに於いて、5kPa以下が好ましく、3kPa以下が更に好ましく、2kPa以下が特に好ましい。現像液の蒸気圧を5kPa以下にすることにより、現像液の基板上あるいは現像カップ内での蒸発が抑制され、ウェハ面内の温度均一性が向上し、結果としてウェハ面内の寸法均一性が良化する。5kPa以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のエステル系溶剤、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、4-メチルー2-ペンタノール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、n-デカノール等のアルコール系溶剤、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。特に好ましい範囲である2kPa以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン等のケトン系溶剤、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のエステル系溶剤、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、4-メチルー2-ペンタノール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、n-デカノール等のアルコール系溶剤、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。界面活性剤現像液には、必要に応じて界面活性剤を適当量添加することができる。界面活性剤としては、前記した、レジスト組成物に用いられる界面活性剤と同様のものを用いることができる。界面活性剤の使用量は現像液の全量に対して、通常0.001~5質量、好ましくは0.005~2質量、更に好ましくは0.01~0.5質量である。樹脂A’有機溶剤を含む現像液、及び後述するリンス液は、有機溶剤に可溶な樹脂A’を含有してもよい。これにより、処理液に樹脂A’が前もって溶解していることで、レジスト膜の処理液への溶解や、処理液のレジスト膜への浸透が促進されることが推測される。樹脂A’としては、有機溶剤に可溶であれば特に制限されず、レジスト組成物に用いられる樹脂が好適に用いることができるが、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂等も使用できる。有機溶剤に可溶な樹脂A’としては、例えば、以下のような繰り返し単位を有するものが挙げられる。アルコール性水酸基を有する繰り返し単位a1非極性基を有し、かつ、酸分解性基及びラクトン構造を含まない繰り返し単位a2ラクトン構造を有する繰り返し単位a3酸分解性基を有する繰り返し単位a4酸基を有する繰り返し単位ヒドロキシスチレン及びその誘導体由来の繰り返し単位側鎖に芳香環を有するメタアクリルエステル繰り返し単位具体的には、レジスト組成物が含有する樹脂と同様のものが挙げられる。本発明の樹脂A’の重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは3,000~25,000であり、より好ましくは5,000~15,000である。樹脂A’の分散度分子量分布は、好ましくは1.2~3.0、更に好ましくは1.4~1.8である。樹脂A’の処理液全体中の配合量は、処理液全量に対して0.0001~10質量が好ましく、より好ましくは0.001~5質量である。また、樹脂A’は、処理液中に1種含まれていても複数含まれていてもよい。本発明の樹脂A’は、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法ダイナミックディスペンス法などを適用することができる。上記各種の現像方法が、現像装置の現像ノズルから現像液をレジスト膜に向けて吐出する工程を含む場合、吐出される現像液の吐出圧吐出される現像液の単位面積あたりの流速は好ましくは2mL/sec/mm2以下、より好ましくは1.5mL/sec/mm2以下、更に好ましくは1mL/sec/mm2以下である。流速の下限は特に無いが、スループットを考慮すると0.2mL/sec/mm2以上が好ましい。吐出される現像液の吐出圧を上記の範囲とすることにより、現像後のレジスト残渣に由来するパターンの欠陥を著しく低減することができる。このメカニズムの詳細は定かではないが、恐らくは、吐出圧を上記範囲とすることで、現像液がレジスト膜に与える圧力が小さくなり、レジスト膜レジストパターンが不用意に削られたり崩れたりすることが抑制されるためと考えられる。なお、現像液の吐出圧mL/sec/mm2は、現像装置中の現像ノズル出口における値である。現像液の吐出圧を調整する方法としては、例えば、ポンプなどで吐出圧を調整する方法や、加圧タンクからの供給で圧力を調整する方法などを挙げることができる。リンス工程また、現像を行う工程の後に、他の溶媒に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。有機溶剤を含む現像液による現像の後には、リンス液を用いてリンスする工程を含むことが好ましい。リンス液としては、有機溶剤を含むリンス液が好ましい。有機溶剤を含む現像液による現像後のリンス工程に用いるリンス液としては、レジストパターンを溶解しなければ特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができる。前記リンス液としては、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。リンス液はより好ましくは、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有し、更に好ましくは、アルコール系溶剤又はエステル系溶剤を含有し、更により好ましくは、1価アルコールを含有し、特に好ましくは炭素数5以上の1価アルコールを含有する。ここで、現像後のリンス工程で用いられる1価アルコールとしては、直鎖状、分岐状、環状の1価アルコールが挙げられ、具体的には、1-ブタノール、2-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、tert-ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、1-ヘキサノール、4-メチルー2-ペンタノール、1-ヘプタノール、1-オクタノール、2-ヘキサノール、シクロペンタノール、2-ヘプタノール、2-オクタノール、3-ヘキサノール、3-ヘプタノール、3-オクタノール、4-オクタノールなどを用いることができ、特に好ましい炭素数5以上の1価アルコールとしては、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、4-メチルー2-ペンタノール、1-ペンタノール、3-メチル-1-ブタノールなどを用いることができる。これらの中でもとりわけ、炭素数5以上の分岐アルキルアルコールが好ましい。前記各成分は、複数混合してもよいし、上記以外の有機溶剤と混合し使用してもよい。リンス液中の含水率は、10質量未満が好ましく、より好ましくは5質量未満、特に好ましくは3質量未満である。含水率を10質量未満にすることで、良好な現像特性を得ることができる。すなわち、リンス液に対する有機溶剤の使用量は、リンス液の全量に対して、90質量以上100質量以下であることが好ましく、95質量以上100質量以下であることがより好ましく、97質量以上100質量以下であることが最も好ましい。有機溶剤を含む現像液による現像後に用いるリンス液の蒸気圧は、20°Cに於いて0.05kPa以上、5kPa以下が好ましく、0.1kPa以上、5kPa以下が更に好ましく、0.12kPa以上、3kPa以下が最も好ましい。リンス液の蒸気圧を0.05kPa以上、5kPa以下にすることにより、ウェハ面内の温度均一性が向上し、更にはリンス液の浸透に起因した膨潤が抑制され、ウェハ面内の寸法均一性が良化する。リンス液には、界面活性剤、樹脂A’を適当量添加して使用することもできる。含有しうる界面活性剤及び樹脂A’の種類及び添加量は、現像液におけるものと同様である。リンス工程においては、現像を行ったウェハを前記の有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法回転塗布法、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法、などを適用することができ、この中でも回転塗布方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を2000rpm~4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。また、リンス工程の後に加熱工程PostBakeを含むことも好ましい。ベークによりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。リンス工程の後の加熱工程は、通常40~160°C、好ましくは70~95°Cで、通常10秒~3分、好ましくは30秒から90秒間行う。以下、実施例により本発明を説明するが、本発明は、これらに限定されるものではない。合成例酸発生剤の合成化合物PAG-14ベンゼン20.0gに塩化アルミニウム6.83gを加え、3°Cで冷却攪拌し、シクロヘキシルクロリド40.4gをゆっくり滴下した。滴下後、室温で5時間攪拌し、氷水にあけた。酢酸エチルで有機層を抽出し、得られた有機層を40°Cで減圧留去した。更に170°Cで減圧留去後、室温に冷却し、アセトン50mlを投入し、再結晶させた。析出した結晶を濾取し、トリシクロヘキシルベンゼン14gを得た。トリシクロヘキシルベンゼン30gを塩化メチレン50mlに溶解し、3°Cで冷却攪拌し、クロロスルホン酸15.2gをゆっくり滴下した。滴下後、室温で5時間攪拌し、氷10gを投入後、50水酸化ナトリウム水溶液を40g投入した。更にエタノールを20g加え、50°Cで1時間攪拌後、不溶分を濾過除去し、40°Cで減圧留去した。析出した結晶を濾取し、ヘキサン洗浄し、1,3,5-トリシクロヘキシルベンゼンスルホン酸ナトリウム30gを得た。トリフェニルスルホニウムブロミド4.0gをメタノール20mlに溶解し、20mlのメタノールに溶解させた1,3,5-トリシクロヘキシルベンゼンスルホン酸ナトリウム5.0gを加えた。室温で2時間攪拌後、イオン交換水50mlを加えクロロホルムで抽出した。得られた有機層を水で洗浄後、40°Cで減圧留去し、得られた結晶をメタノール/酢酸エチル溶媒で再結晶した。これによりPAG-14を5.0g得た。1H-NMR400MHz,CDCl3δ=7.85d,6H,7.68t,3H,7.59t,6H,6.97s,2H,4.36-4.27m,2H,2.48-2.38m,1H,1.97-1.16m,30H同様にして、下式の光酸発生剤PAG-1~PAG-14、PAG-refを合成した。<レジスト組成物の調製>下記表に示す成分を固形分濃度6質量の溶液を調製し、これをポアサイズ0.03μmのポリエチレンフィルターでろ過してレジスト組成物Ar-01~Ar-17を調製した。表2、4における略号は、次の通りである。樹脂A樹脂Aの構造を以下に示す。また、樹脂Aの組成比、分子量重量平均、分散度Mw/Mnを表に示す。塩基性化合物TPI:2,4,5-トリフェニルイミダゾールDPA:2,6-ジイソプロピルフェニルアルコールPBI:2-フェニルベンゾイミダゾール界面活性剤W-1:メガファックF176大日本インキ化学工業株製フッ素系W-2:メガファックR08大日本インキ化学工業株製フッ素及びシリコン系W-3:ポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製シリコン系架橋剤溶剤A1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAA2:γ-ブチロラクトンA3:シクロヘキサノンB1:プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEB2:乳酸エチル実施例1シリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29A日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い、厚さ86nmの反射防止膜を形成した。その上にレジスト組成物を塗布し、120°Cで、60秒間ベークPreBake;PBを行い、厚さ100nmのレジスト膜を形成した。得られたウェハーを、ArFエキシマレーザースキャナーNA0.75を用い、パターン露光を行った。その後110°Cで、60秒間加熱PostExposureBake;PEBした後、表に示す現像液で30秒間現像し、リンス液でリンスした後、4000rpmの回転数で30秒間ウエハを回転させた後に、90°Cで60秒間ベークを行うことにより、線幅75nmの1:1ラインアンドスペースのレジストパターンを得た。PBPEB温度、使用組成物、現像液、リンス液を表に記載のように変更した以外は実施例1と同様にして、実施例2~16及び比較例1のパターンを得た。<評価方法>限界解像度1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを測長走査型電子顕微鏡SEM株日立製作所S-9380-IIを使用して観察し、分離解像しているラインアンドスペースパターンの最小寸法を限界解像度とした。ラインウィズスラフネスLWR線幅75nmの1:1のラインアンドスペースのレジストパターンを測長走査型電子顕微鏡SEM株日立製作所S-9380IIを使用して観察し、スペースパターンの長手方向2μmの範囲を等間隔で50点線幅を測定し、その標準偏差から3σを算出することで測定した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。結果を表に示す。以上の結果より、本発明のレジスト組成物を、有機溶剤を含む現像液で現像することにより、微細でLWRに優れたレジストパターンを形成することが可能であることがわかる。"