支持基板となる金属箔張り積層板と接着層と複層金属箔とをこの順番に構成し、前記複層金属箔上に、積層体の一部となる絶縁層と金属箔とをこの順番に構成した後、一括して加熱加圧することにより、支持基板上に積層された積層体を形成する工程と、前記複層金属箔の金属箔同士を物理的に剥離することにより、前記複層金属箔の一方の金属箔とともに、積層体を支持基板から分離する工程と、前記分離した積層体の一方の金属箔をエッチングすることにより、外層回路を形成する工程と、を有する配線基板の製造方法。請求項1において、複層金属箔が、複数の金属箔を剥離層を介して積層して形成されたものであり、積層体を支持基板から分離する工程では、前記積層体側に残る一方の金属箔と剥離層との間で物理的に剥離する配線基板の製造方法。請求項1または2において、積層体を支持基板から分離する工程では、前記積層体側に残る一方の金属箔の厚みが9~35μmである配線基板の製造方法。請求項1から3の何れかにおいて、複層金属箔が、積層体側に残る一方の金属箔の厚みが、支持基板側に残る他方の金属箔の厚みよりも厚い配線基板の製造方法。請求項1から4の何れかにおいて、支持基板上に接着された積層体を形成する工程の後、前記積層体を支持基板から分離する工程の前に、前記積層体には、所望の層数の絶縁層及び導体回路並びに層間接続とを設ける工程を有する配線基板の製造方法。一方で、電子部品素子を搭載する配線基板の用途として、SAWSurfaceAcousticWave:表面弾性波デバイスを構成する配線基板としての用途があるが、小型化薄型化の要求に伴い、ファイスダウンでフリップチップ接続されたSAW圧電素子の活性面表面弾性波の振動部分と配線基板表面の第1層配線パターンとの隙間に形成される振動空間が、より狭く例えば、10μm程度なるように設計される傾向がある。このため、配線基板表面の第1層配線パターンの表面の高低差が大きいと、配線パターンとSAW圧電素子の活性面が接触する可能性があり、フィルタとしての機能を確保できない問題がある。特許文献1では、両面にピーラブル銅箔キャリア銅箔付き極薄銅箔を有する支持基板を準備する際に、プリプレグの両側にピーラブル銅箔を構成し、加熱加圧により積層するが、支持基板としての剛性を確保するためには、ガラス繊維を有するプリプレグを使う必要があるため、ガラス繊維によってピーラブル銅箔にうねりが生じる傾向がある。このうねりを生じたピーラブル銅箔上にビルドアップ法で配線基板を形成した後、ピーラブル銅箔のキャリア銅箔と極薄銅箔との間で、配線基板と支持基板とを分離して、ピーラブル銅箔の極薄銅箔を配線基板側に転写するため、この極薄銅箔はうねりを有している。SAW圧電素子を搭載する配線基板では、めっき等による凹凸の要因を無くすため、めっき等に曝されていない銅箔をそのままエッチングして外層回路を形成する工法銅箔エッチング工法が望ましい。しかし、うねりが生じたままの極薄銅箔を使用して外層回路を形成すると、SAW圧電素子を搭載する外層回路にうねりによる高低差が生じてしまい、SAWフィルタとしての特性に影響する問題がある。特許文献2、3では、特許文献1と同様に、支持基板のガラス繊維による銅箔のうねりが生じることに加えて、以下の問題がある。すなわち、特許文献2、3では、図91、2に示すように、支持基板17の両面の銅箔13上に、ひとまわり小さい銅箔A19を直接重ねて配置するため、銅箔A19の外周部には銅箔A19の厚さ分の段差を有している。このため、銅箔A19の上に配置する絶縁層3の厚みが薄いと、この段差箇所に空隙23が生じる場合がある。そこで、段差があっても絶縁層3を追従するように、銅箔20上にクッション材を配置することが考えられるが、クッション材は柔らかいため、積層の際に、クッション材の動きによって銅箔A19が位置ずれを起こす場合がある。このため、銅箔A19の上に配置する絶縁層3の厚みを厚くすることにより、銅箔Aの段差を埋める必要があるが、この場合は、絶縁層3が厚くなるため、絶縁層3のガラス繊維によっても、銅箔A19にうねりが生じる。したがって、この銅箔Aをエッチングして外層回路を形成すると、SAW圧電素子を搭載する外層回路にうねりによる高低差が生じてしまい、SAWフィルタとしての特性に影響する問題がある。本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、支持基板を用いたコアレス工法によって配線基板を作製する場合に、配線基板の外層回路のうねりによる高低差を抑制可能な配線基板の製造方法を提供することを目的とする。本発明は、以下のものに関する。1支持基板となる金属箔張り積層板と接着層と複層金属箔とをこの順番に構成し、前記複層金属箔上に、積層体の一部となる絶縁層と金属箔とをこの順番に構成した後、一括して加熱加圧することにより、支持基板上に積層された積層体を形成する工程と、前記複層金属箔の金属箔同士を物理的に剥離することにより、前記複層金属箔の一方の金属箔とともに、積層体を支持基板から分離する工程と、前記分離した積層体の一方の金属箔をエッチングすることにより、外層回路を形成する工程と、を有する配線基板の製造方法。2項1において、複層金属箔が、複数の金属箔を剥離層を介して積層して形成されたものであり、積層体を支持基板から分離する工程では、前記積層体側に残る一方の金属箔と剥離層との間で物理的に剥離する配線基板の製造方法。3項1または2において、積層体を支持基板から分離する工程では、前記積層体側に残る一方の金属箔の厚みが9~35μmである配線基板の製造方法。4項1から3の何れかにおいて、複層金属箔が、積層体側に残る一方の金属箔の厚みが、支持基板側に残る他方の金属箔の厚みよりも厚い配線基板の製造方法。5項1から4の何れかにおいて、支持基板上に接着された積層体を形成する工程の後、前記積層体を支持基板から分離する工程の前に、前記積層体には、所望の層数の絶縁層及び導体回路並びに層間接続とを設ける工程を有する配線基板の製造方法。本発明によれば、支持基板を用いたコアレス工法によって配線基板を作製する場合に、配線基板の外層回路のうねりによる高低差を抑制可能な配線基板の製造方法を提供することができる。本発明の配線基板の製造方法の一例について、図1~図7を用いて以下に説明する。まず、図1に示すように、複層金属箔9を準備する。複層金属箔9としては、2層以上の金属箔例えば、第1金属箔10と第2金属箔11を有する複層金属箔9であって、少なくとも1箇所の間例えば、第1金属箔10と第2金属箔11との間が物理的に剥離可能なものを用いる。第1金属箔10と第2金属箔11の間には、両者を物理的に剥離可能とし、また剥離強度を安定化するための剥離層16が形成されていてもよい。このような複合金属箔9としては、キャリアとなる比較的厚い金属箔上に、これよりも薄く物理的に剥離可能な金属箔を形成した、市販のいわゆるキャリア銅箔付き極薄銅箔を用いることができるが、本願発明においては、従来用いられるように、必ずしも厚いキャリア銅箔を第2金属箔11支持基板17側とし、薄い極薄銅箔を第1金属箔10配線基板1側とする必要はなく、これとは反対に、厚いキャリア銅箔を第1金属箔10配線基板1側とし、薄い極薄銅箔を第2金属箔11支持基板17側としてもよい。つまり、キャリア銅箔付き極薄銅箔の中で、配線基板1の外層回路2として必要な厚みを有する方の銅箔を第1金属箔10配線基板1側に用いればよい。第1金属箔10は、支持基板17上に形成される配線基板1の外層回路2となるものである。エッチングによって回路加工が可能であって、配線基板1の導体回路として機能するものであれば特に限定はないが、汎用性や取り扱い性の点で、材質としては銅箔やアルミニウム箔が好ましく、エッチングによる微細な回路形成の点から、厚みとしては1~70μmを使用することができる。外層回路2としての強度と微細回路形成性のバランスから、特には9~35μmが好ましい。また、第1金属箔10と第2金属箔11との間には、両者を物理的に剥離可能とし、また剥離強度を安定化するための剥離層16が設けられる。剥離層16としては、絶縁層3と積層する際の加熱加圧を複数回行っても剥離強度が安定化しているものが好ましい。このような剥離層16としては、特開2003-181970号公報に開示された金属酸化物層と有機剤層を形成したものや、特開2003-094553号公報に開示されたCu-Ni-Mo合金からなるものが挙げられる。なお、この剥離層16は、第1金属箔10と第2金属箔11との間で物理的に剥離する際には、第2金属箔11側支持基板17側に付着した状態で剥離し、第1金属箔10側配線基板1側の表面には残留しないものが望ましい。第2金属箔11は、複層金属箔9を絶縁層14と積層して支持基板17を作成する際に、絶縁層14と積層される側に位置するものであり、第2金属箔11との間で物理的に剥離可能とされる。支持基板17の接着層15と積層される際に、接着層15との接着性を有していれば特に材質や厚みは問わないが、汎用性や取り扱い性の点で、材質としては銅箔やアルミニウム箔が好ましく、厚みとしては1~70μmを使用できる。また、第1金属箔10との間には、間での剥離強度を安定化するため、上述したような剥離層16を設けるのが好ましい。次に、図21、2に示すように、支持基板17となる金属箔張り積層板12と接着層15と複層金属箔9とをこの順番に構成し、前記複層金属箔9上に、積層体22の一部となる絶縁層3と金属箔20とをこの順番に構成した後、一括して加熱加圧することにより、支持基板17上に積層された積層体22を形成する。金属箔張り積層板12は、予め準備したものを用いてもよいし、金属箔張り積層板12を形成するための絶縁層14と金属箔13を構成し、その上に上述した接着層15等の他の部材を構成して、これらの他の部材とともに加熱加圧して形成してもよい。このようにして形成された支持基板17上に積層された積層体22は、支持基板17が、金属箔張り積層板12を有するので、金属箔張り積層板12の絶縁層14と金属箔13の両者により剛性を確保することができる。しかも、金属箔張り積層板12の金属箔13上に、直接、積層体22の一部を構成する複合金属箔9が配置されるのではなく、接着層15を介して接着されているため、金属箔張り積層板12の金属箔13が絶縁層14のガラス繊維によるうねりを有していたとしても、接着層15がこのうねりを吸収するので、複合金属箔9にうねりが転写するのを抑制することができる。支持基板17は、複層金属箔9を用いて、配線基板1を製造する際に支持体となるものであり、剛性を確保することによって、作業性を向上させること、およびハンドリング時の損傷を防いで歩留りを向上させるのを主な役割とするものである。このため、絶縁層14としては、ガラス繊維等の補強材を有するものが望ましく、例えば、ガラスエポキシ、ガラスポリイミド等のプリプレグを、金属箔13と重ねて、熱プレス等を用いて加熱加圧して積層一体化することで形成できる。接着層15は、金属箔張り積層板12と複層金属箔9とを接着するものであり、金属箔張り積層板12の金属箔13の表面に浮き出た絶縁層14中の補強繊維等によるうねりを吸収する作用を有するものである。接着層15としては、配線基板1の絶縁層として使用されるものを使用することができるが、補強繊維を有しないものがうねりの緩衝性能の点で望ましい。次に、図33、4に示すように、層間接続孔21を形成し、層間接続5や内層回路6を形成する。層間接続5は、例えば、いわゆるコンフォーマル工法を用いて層間接続孔21を形成した後、この層間接続孔21内をめっきすることで形成することができる。このめっきには、下地めっきとして薄付け無電解銅めっきを行った後、厚付けめっきとして無電解銅めっきや電気銅めっき、フィルドビアめっき等を用いることができる。エッチングする導体層の厚みを薄くして微細回路を形成し易くするためには、金属箔20及び層間接続孔21に薄付けの下地めっきを行った後、めっきレジストを形成し、電気銅めっきやフィルドビアめっきで、厚付けのパターンめっき図示しない。を行うのが望ましい。内層回路6は、例えば、層間接続孔21へのめっきを行った後、エッチングによって不要部分の導体層を除去することにより形成することができる。次に、図45、6及び図57、8に示すように、内層回路6や層間接続5の上に、さらに絶縁層3と金属箔20を形成し、図33、4のときと同様にして、所望の層数となるように、内層回路6や層間接続5、外層回路となるパターンめっき18を形成する。次に、図69に示すように、複層金属箔の第1金属箔10と第2金属箔11との間で、金属箔同士を物理的に剥離することにより、第1金属箔10とともに、積層体22を支持基板17から分離する。次に、図710、11に示すように、分離した積層体22の第1の金属箔10に対しては、エッチングレジストを形成し、銅箔エッチングによる回路加工により、外層回路2を形成する。積層体22のパターンめっき18を行った面については、全面をエッチングすることにより、厚みの薄い部分は導体層が消失して絶縁層3が露出し、パターンめっき18を行った部分のみが外層回路7となる。なお、図710~12は、図69のように分離した積層体22のうち、下側の部分のみを表している。これにより、金属箔10をエッチングして形成した外層回路2は、うねりによる高低差が抑制されており、SAW圧電素子の特性に対するうねりの影響を低減することが可能になる。次に、図712に示すように、必要に応じてソルダーレジスト4や保護めっき8を形成してもよい。保護めっき8としては、配線基板1の接続端子の保護めっき8として用いられるニッケルめっきと金めっきが望ましい。以下に、本発明の実施例を説明するが、本発明は本実施例に限定されない。まず、図1に示すように、第1金属箔10と第2金属箔11と有する複層金属箔9として、ピーラブル銅箔FD-P9/18古河サーキットフォイル株式会社製、商品名を準備した。第1金属箔10は18μmの銅箔を、第2金属箔11は9μmの極薄銅箔を用いている。第1金属箔10と第2金属箔11との間には、物理的な剥離が可能である。次に、図21、2に示すように、支持基板17となる金属箔張り積層板12と接着層15と複層金属箔9とをこの順番に構成し、前記複層金属箔9上に、積層体22の一部となる絶縁層3と金属箔20とをこの順番に構成した後、一括して加熱加圧することにより、支持基板17上に積層された積層体22を形成した。なお、金属箔張り積層板12としては、MCL-E-679日立化成工業株式会社製、商品名、板厚0.2mm、銅箔厚さ18μm、500mm×600mmのものを用い、接着層15としては、ガラス繊維を有しないエポキシ系の接着シートであるAS-2600日立化成工業株式会社製、商品名、厚さ25μmを用いた。次に、図33、4に示すように、層間接続5や内層回路6を形成した。層間接続5は、コンフォーマル工法を用いて層間接続孔21を形成した後、この層間接続孔21内をめっきすることで形成した。このめっきには、下地めっきとして薄付け無電解銅めっきを行った後、感光性のめっきレジストを形成し、厚付けのパターンめっきを硫酸銅電気めっきで行った。この後、エッチングによって不要部分の銅箔20を除去することにより内層回路6を形成した。次に、図45、6および図57、8に示すように、内層回路6や層間接続5の上に、さらに絶縁層3と銅箔20を形成し、内層回路6や層間接続5、外層回路となるパターンめっき18を形成して、4層の導体層を有する積層体22を形成した。次に、図69に示すように、複層金属箔9の第1金属箔10と第2金属箔11との間で、積層体22を第1金属箔10とともに支持基板17から物理的に剥離して分離した。次に、図710、11に示すように、分離した積層体22の第1金属箔10を銅箔エッチングにより回路加工して、外層回路2を形成した。また、同時に、パターンめっき18部分を残して、外層回路7を形成した。次に、図712に示すように、感光性のソルダーレジスト4を形成し、その後、保護めっき8として、無電解ニッケルめっきと無電解金めっきを行い、配線基板1を形成した。比較例1図81、2に示すように、支持基板17を作成する際に、絶縁層14上に複層金属箔9を直接配置して構成し、複層金属箔9上に積層体22の一部となる絶縁層3と金属箔20とをこの順番に構成した後、一括して加熱加圧することにより、支持基板17上に積層された積層体22を形成した。絶縁層3は、GEN-679N日立化成工業株式会社製、商品名、公称厚さ60μmを2枚用いた。つまり、支持基板17は、絶縁層14の上に直接複層金属箔9を配置し、金属箔張り積層板や接着層は用いないで形成しているが、その他の点については、実施例と同様である。比較例2図91、2に示すように、絶縁層14の両面に銅箔13を有する金属張り積層板12を支持基板17として準備し、この支持基板17の両面の銅箔13上に、ひとまわり小さい銅箔A19を直接重ねて配置し、この銅箔A19上に絶縁層3と金属箔20を積み重ねて構成した後、一括して加熱加圧することにより、支持基板17上に積層された積層体22を形成した。なお、金属箔張り積層板12としては、MCL-E-679日立化成工業株式会社製、商品名、板厚0.4mm、銅箔厚さ18μmを用い、銅箔A19としては、EC-M3-VLP-23古河サーキットフォイル株式会社製、商品名を用いた。絶縁層3としては、GEN-679N日立化成工業株式会社製、商品名、公称厚さ60μmを用いた。表1に、実施例、比較例1、比較例2の方法で作製した積層体を支持基板と分離した後、銅箔エッチングにより外層回路を形成して配線基板とした場合の外層回路の表面実施例及び比較例1においては第1金属箔、比較例2においては銅箔A19の高低差を測定した結果を示す。なお、外層回路は、SAW圧電素子をフリップチップ接続するためのフリップチップ端子を、1ピース10mm×10mm当り、数10個形成したものであり、また、500mm×600mmの大きさの積層板全体では、約2000ピースが配置されている。この積層板全体を縦横3等分して全部で9分割した領域毎に1ピースを選択し、さらにピース毎に6個ずつのフリップチップ端子を選択して、絶縁層を基準として高さを測定した。基準となる絶縁層の高さは、高さを測定するフリップチップ端子の近傍の絶縁層表面とした。また、高低差の評価は、ピース毎に最も高いものと最も低いものとの高低差を算出し、このピース毎の高低差の積層板全体における最大値、最小値、平均値を求めることにより行った。高低差の測定は、レーザーフォーカス変位計LT-8010KEYENCE社製、商品名を用いて、フリップチップ端子の中央部を測定した。表1に示すように、実施例は、外層回路であるフリップチップ端子のうねり高低差が平均1.94μmであるのに対して、比較例1は平均5.79μm、比較例2は6.81μmであり、実施例では比較例1、2に比べて、うねりを抑制できることを確認した。