"上部表面および底部表面を有する半導体ウエハを提供する段階と、前記半導体ウエハの前記上部表面上に複数の半導体ダイを形成する段階であって、前記複数の半導体ダイの2またはそれ以上のダイは、非矩形の形状、周囲に沿って少なくとも1つの突出を有する形状、多重連結の形状、少なくとも1つの湾曲部を有する形状、非対称の形状、周囲まわりの距離が異なる値、および、不規則な形状のうちの1つである周囲を有し、前記不規則な形状は、前記半導体ウエハを軸方向に横断して伸びるシンギュレーションラインを使用することによって前記不規則な形状をシンギュレートすることを妨げる、段階と、前記半導体ダイの間にある前記半導体ウエハの領域としてシンギュレーション領域を形成する段階と、前記複数の半導体ダイを同時にシンギュレートするためにドライエッチングを用いる段階と、から構成されることを特徴とする半導体ダイを形成する方法。前記複数の半導体ダイを形成する段階は、異なる領域を有するための前記半導体ダイを形成する段階を含むことを特徴とする請求項1記載の方法。前記複数の半導体ダイを同時にシンギュレートするために前記ドライエッチングを用いる段階の間に、前記半導体ダイの少なくとも1つを通って開口が形成され、前記開口は、前記半導体ダイを2またはそれ以上の部分に分割しないことを特徴とする請求項1記載の方法。上部表面および底部表面を有する半導体ウエハを提供する段階と、前記半導体ウエハの前記上部表面上に複数の半導体ダイを形成する段階であって、前記複数の半導体ダイの少なくとも2つの半導体ダイは、前記複数の半導体ダイが形成される前記半導体ウエハの部分を横断して軸方向にのみ伸びる軸方向のシンギュレーションラインを使用することによって、前記複数の半導体ダイをシンギュレートすることを妨げる、不規則なパターンに配列される、段階と、前記複数の半導体ダイを同時にシンギュレートするためにドライエッチングを用いる段階と、から構成されることを特徴とする半導体ダイを形成する方法。前記複数の半導体ダイを形成する段階は、非中心パターン内に前記複数の半導体ダイを配置する段階を含み、前記複数の半導体ダイの第1ダイの中心は、前記複数の半導体ダイの第2ダイの中心に対してずれていることを特徴とする請求項4記載の方法。半導体ダイの上部表面の周囲を有する半導体ダイと、非矩形の形状、多重連結の形状、前記周囲に沿って外側に拡張する突出を有する形状、非対称の形状、および、少なくとも1つの湾曲部を有する形状のうちの1つの形状を有する周囲と、から構成されることを特徴とする半導体ダイ。前記半導体ダイの1つのコーナは、前記半導体ダイの他のコーナとは異なる形状を有することを特徴とする請求項6記載の半導体ダイ。図1は、半導体ウエハ30の一実施例の縮小平面図を示し、その上に複数の半導体ダイが形成される。ウエハ30上の半導体ダイは、全てが同一形状を有してもよく、あるいは異なる形状を有してもよい。ダイは、シンギュレーション領域のようなウエハ30の部分によって相互に隔離されており、その部分は、後に各ダイをシンギュレートするために除去される。シンギュレーション領域は、ウエハ30上の各ダイを取り囲んでいるので、ウエハ30上のシンギュレーション領域は、ダイをシンギュレートするために除去される。当技術分野において周知であるように、ウエハ30上の複数の半導体ダイの全ては、一般に、シンギュレーション領域が形成されたウエハ30の部分によって、全ての側辺が相互に隔離されている。ウエハ30上のダイは、ダイオード、縦型トランジスタ、横型トランジスタ、または様々なタイプの半導体装置を含む集積回路を含む、任意のタイプの半導体ダイとして形成することができる。以下で明らかにされるが、ウエハ30上に形成されるダイは、一般に、ウエハ30のシンギュレーション領域が、ウエハ30の表面を軸方向または一直線に横断するように広がっていないウエハ30の部分であることを必要とする。当業者であれば、図1において示されるウエハ30のいくつかの部分は、ウエハ30の一方端からウエハ30の他方端へ、ウエハ30を横断して軸方向に伸びるシンギュレーションラインを有することが分かるであろう。そのようなシンギュレーションラインの一例が、ライン31によって示される。一般に、他の実施例では、ウエハ30は、例えば、破線33112によって示されたシンギュレーション領域で終了するシンギュレーションライン32のような、ウエハ30の一部を横断して軸方向に伸び、かつ、ウエハ30のシンギュレーション領域の境界で終了するシンギュレーションラインを有するが、これについては以下でさらに説明する。他の実施例では、ウエハ30は、ウエハ30の一部分を横断して軸方向に伸びるどのようなシンギュレーションラインをも有していなくてもよい。図2は、ダイ34-42のような、突出を有する複数のダイの実施例の拡大平面図を示し、それらは、図1および図2に破線33で示されたウエハ30の部分上に形成される。ダイ34-42は、いずれも、少なくとも一方の側辺にダイから拡張する突出またはフィンガを有するので、ダイ34-42の平面図または上部表面の外部周囲の形状は、いずれも突出を有する。ダイ34-42の平面図または上部表面の外部周囲は、ダイのアクティブ領域であるのみならず、ダイがシンギュレーションされた後のダイの実際の周囲である。例えば、ダイ35は、右側辺44、底側辺45、および上側辺46を有するように示されるが、それぞれは単一の直線で形成されている。しかしながら、ダイ35の左側辺は、直線の代わりに突出を有する。従って、ダイ35の周囲は、全てが同一の形状および寸法を有するわけではない複数の側辺を含む。ダイ35の左側辺は、ダイ35の左側辺の最も内側部分側辺182から外方向へ拡張する複数の突出突出またはフィンガ183,184,185を含む。突出またはフィンガのそれぞれは、ダイ35の周囲の一部を形成し、そして、各突出は、周囲の一部である側辺例えば、突出183の側辺180,181を有する。突出は、周囲のいくらかの部分例えば、側辺180を形成し、周囲を形成する他の側辺または部分例えば、側辺181または側辺182から突出する。従って、ダイ35は、ダイ35の周囲に沿って外方向へ拡張する突出を有する。ダイ36も、同様の突出199,200,201を有する。図2に示されるように、ダイ35の寸法は、その寸法がどこで測定されるかによって、3とおりまたはそれ以上の値を示す。例えば、側辺44に沿った長さの値は1つであるが、幅については、側辺44から側辺180までの幅の値、および、側辺44から側辺182までの幅の値ように、2とおりまたはそれ以上の値がある。従って、幅は、少なくとも、1つの極大値および1つの最小値を有する。ダイ34は、ダイ35とは異なる形状を有するだけでなく、突出196,197のような突出を有する。図2に示された実施例では、ダイ34の突出196は、ダイ35の突出183と突出184との間に拡張し、ダイ35の突出183と突出184との間に形成された凹部内に配置される。ダイ34とダイ35の空間または位置関係は、しばしば、相互嵌合interdigitatedと呼ばれる。ダイ34-42は、ダイの平面図の外部周囲の形状がいずれも四辺形でなく、かつ、4つの合同角congruentangleを有していないので、当業者であれば、ダイ34-42は、いずれも非矩形であることが理解できるであろう。さらに、ダイ34-42は、いずれも不規則な形状を有するので、ダイの上部表面の外部周囲の形状によって、ダイ35-42のいずれか1つのダイとそれに隣接するダイとの間に軸方向に伸びる軸方向のシンギュレーションラインを用いたダイのシンギュレーションが妨げられる。例えば、ダイ36とダイ37との間のウエハ30の部分を通って軸方向に伸びる軸方向のシンギュレーションラインは、ダイ36をシンギュレートするために使用することができない。なぜなら、ダイ36の外部周囲は突出を有するので、ダイの突出200と突出201との間、および突出199と突出200との間に存在するウエハ30の部分は、そのような軸方向のシンギュレーションラインによって除去することができないからである。従って、不規則な形状によって、軸方向のシンギュレーションラインを用いてダイ34-42をシンギュレートすることが妨げられる。さらに、ダイ35-42は、ウエハ30上に不規則なパターンで配置されているとみなすことができる。なぜなら、シンギュレーション領域49の少なくとも一部を通ってダイ35-42の1つの側辺に沿って例えば、ダイ35の側辺44と平行に軸方向に伸びるシンギュレーションラインが、近傍のダイ例えばダイ40の内部部分と交差するからである。このように、不規則なパターンであることによって、そのような軸方向のシンギュレーションラインがダイの少なくとも1つの内部部分を横断することになるので、ダイ35-42のいくつかは、シンギュレートされるダイを含むウエハ30の一部分を横切って軸方向に伸びる軸方向シンギュレーションラインを用いてウエハ30からシンギュレートすることができない。従って、ダイ35-42を囲むシンギュレーション領域49は、ダイ35-42が位置するウエハ30の一部分を横断して軸方向に伸びる連続的な直線を形成し得ない。ダイ34-42を形成した後、シンギュレーション領域49の一部分であるような、ダイ36-42を囲むウエハ30の部分は、ダイ36-42を個々のダイにシンギュレートするために、同時シンギュレーション法を用いて同時に除去される。一般に除去されるウエハ30の部分は、斜線48によって示される。斜線は、ウエハ30の除去される部分を示す以外の意味を有しない。当業者であれば、ダイをシンギュレートするためには、領域49を全て除去する必要はなく、外部周囲を囲む部分だけを除去すればよいことが解るであろう。それについては、以下でさらに述べる。ダイ34-42の突出のために、あるいは、ダイ34-42の不規則な形状またはダイ34-42の不規則なパターンのために、ダイ34-42を囲むシンギュレーション領域49は、ダイ34-42が配置されたウエハ30を軸方向に横断し、またはウエハ30の一部を軸方向に通過して伸びるような連続直線を形成し得ない。シンギュレーション領域のこのような連続直線であるシンギュレーションラインは、ダイ34-42の一部を通って伸び、ダイに破損するであろう。あるいは、直線のシンギュレーションラインを有するために、ウエハ30の一部を、ダイの片側例えば、ダイ35の突出183,184,185に沿って残されなければならないであろう。このようなウエハ30の余分な部分によって、ウエハ30の一部が浪費されるとともに、ウエハ30の与えられた一領域内に形成されるダイの数が減少するであろう。しかしながら、同時シンギュレーション法がシンギュレーション領域49の少なくとも一部を除去するために使用されるので、ウエハ30の使用を最大限にし、かつ、ウエハ30上に形成することができるダイの数を増加させるような構成で、ダイ34-42をウエハ30上に配列および配置することができる。ウエハ30の一領域のような与えられた領域に配置することができるこの種のダイの数を最大限にするために、ダイは、ダイ39と40、または、ダイ37と38と41と42のように、相互嵌合する位置に配列される。相互嵌合する位置に配列される結果、ダイの突出を囲むシンギュレーション領域49は、ウエハ30を横断する軸方向に伸びる連続直線を形成し得ない。ダイ34-42が配置されたウエハ30の部分を横切って軸方向に伸びる連続直線のシンギュレーションラインは、ダイの一方の側辺から例えばダイ35の側辺44に沿って、他のダイの部分を通って例えばダイ40の内部を通って伸びるラインを形成し、ダイを破損するであろう。さらに、複数の半導体ダイのうち、第1のダイの中心例えばダイ35の中心は、隣接する半導体ダイの中心例えばダイ39またはダイ40の中心に対してずらして配列されているので、ダイ34-42は、非中心状のパターンでウエハ30上に配列される。シンギュレーション領域としての領域49の少なくとも一部を同時に除去する同時シンギュレーション法は、典型的には、2009年2月12日に公開された米国特許公開番号2009/0042366発明者グリヴナ,ゴードンエムに記述されているようなドライエッチングの使用を含む。ダイ34-42を同時にシンギュレートするためにドライエッチング法を使用することにより、突出がある形状を有し、および/または、不規則な形状を有するダイ34-42を形成することが可能になり、および/または、ウエハ30上の不規則なパターン内にダイ34-42を形成することが可能になり、および/または、ウエハ30上の非中心状パターン内にダイ34-42を形成することが可能になる。ダイ34-42のように、ウエハから同時にダイをシンギュレートするための他の方法は、例えば、図11-22に関して以下で説明される。いくつかの実施例では、当業者であれば、領域49は、エッチング促進セクション67をさらに有し、それが半導体ダイをシンギュレートするときにエッチング速度を速める支援をすることを理解するであろう。セクション67は、領域49の一部分、すなわちウエハ30の一部分であり、それらは、ダイ34-42がシンギュレートされたときに除去されない。いくつかの実施例では、セクション67は、ダイ34-42をシンギュレートするために使用される機器内でエッチング速度を増加させることができる。セクション67は、ダイ34-42のいずれかの間にスペースがあれば、領域49のいずれの部分にも形成することができる。ダイ34,35の構成の一例では、ダイ34,35は異なる形状を有する。ダイ34,35は、一緒にシンギュレートされる。シンギュレーションの後、ダイ3435は、1つのパッケージに組み立てられ、パッケージ内で相互嵌合する位置に配置される。この相互嵌合する位置は、2つの異なるタイプのダイ間に低インダクタンスの相互接続を提供するために用いることができる。別の例において、そのような2つのダイは、低電力論理回路および高電力トランジスタのような2つの異なるタイプのダイとして、異なるウエハ上に形成される。ダイが非常に近接していることによって、短い相互接続を使用して、1つのダイから他のダイへの相互接続の経路を形成することが可能になるであろう。その結果、2つのダイの動作特性を改善することができる低インダクタンス接続になる。図3は、ダイ51-56のような、複数の非矩形であるダイの実施例の拡大平面図を示し、それらは、図1および図3に破線50で示されたウエハ30の部分上に形成される。ダイ51-56は、いずれも、ダイ平面図の外部周囲の形状が、4つの合同角を有する四辺形ではないので、非矩形である。さらに、ダイ51-56のいずれの周囲も、直線によって形成された周囲の代わりに、少なくとも1つのカーブした形状を有する。従って、ダイ51-56のいずれの周囲も、少なくとも1つの側辺が湾曲し、かつ、直線でない部分を包含した、複数の側辺を含む。例えば、ダイ54は、直線の側辺205を有するように図示される。ダイ54は、さらに、矢印によって一般的な方法で示された他の側辺206を有し、それは、湾曲部分207を含む。従って、ダイ51-56の周囲は、非矩形の形状を有し、かつ、湾曲した形状を有する少なくとも1つの側辺を含む。さらに、ダイ51-55には、ダイを通る開口例えば、穴または開口58,61が形成されているので、ダイ51-55の外部周囲の形状は多重連結である。ここで用いられるように、多重連結とは、穴を有する平面内の開集合を意味する。従って、ダイ51-55のいずれもがダイを通る穴を有するので、それらは多重連結である。例えば、ダイ51は、2つの異なるサイズの穴5859を有し、また、ダイ52は、両方が同じ大きさの穴61を有する。従って、そのダイは、多重連結のトポロジーを有する。ダイ51-56を形成した後、ダイ51-56を囲むウエハ30の部分は、ダイ51-56を個々のダイにシンギュレートするために、同時に除去される。通常は除去されるウエハ30の部分は、斜線64によって示される。形状が非矩形であるので、同時シンギュレーション法を用いることによって、ウエハ30の使用を最大限にし、かつ、ウエハ30上で形成することができるダイの数を増加させるような構成で、ダイ51-56をウエハ30上に配列および配置することができる。同時シンギュレーション法によって、ダイ51-56を通る穴も、シンギュレーションの間に形成することができる。当業者であれば、シンギュレーションの間にダイ51-56のいずれかを通って形成される開口は、例えばダイを半分に切断するようにダイをばらばらに分割せず、例えば、図3に示されるように、ダイの一部を通る開口を形成し、あるいは、図6に示されるように、ダイの周囲の端部に沿って開口を形成することを理解するであろう。あるいは、穴は、シンギュレーションに先立って形成されてもよい。一実施例必ずしも全ての実施例ではないでは、ウエハ30の一領域のような与えられた領域に配置することができるこの種のダイの数を最大限にするために、ダイは、1つのダイの狭い部分が隣接するダイの広い部分の隣りに位置するように、互い違いに配列される。ダイ51-56の互い違いになったパターンおよび配置によって、1つのダイの1つの側辺は、それを延長したとき、少なくとも1つの隣接するダイの内部部分を横切ることになる。例えば、ダイ54の側辺208を延長すると、側辺208はダイ52の内部を横切って交差するであろう。この互い違いの配列によって、ウエハ30の与えられた領域内に形成することができる非矩形のダイの数を増加させることができる。互い違いの配列の結果、ダイを囲むシンギュレーション領域65は、ウエハ30を横切って軸方向に伸びる連続直線を形成し得ない。ダイ51-56が配置されたウエハ30の一部分を横切って軸方向に伸びる連続直線のシンギュレーションラインは、ダイの1つの側辺例えば、ダイ54の側辺208に沿ってから、他のダイの部分例えば、ダイ52の内部部分を通って伸びるラインを形成し、ダイを破損するであろう。さらに、ダイ51-56は不規則な形状を有するので、ダイの外部周囲の形状は、ダイ51-56の1つとダイ51-56に隣接する1つとの間に軸方向に伸びる軸方向のシンギュレーションラインを用いてダイがシンギュレートされることを妨げる。例えば、直線のシンギュレーションラインは、周囲のカーブした部分を除去することができないので、ダイ51と52との間に軸方向に延びる軸方向のシンギュレーションラインは、ダイ52をシンギュレートするために使用することができない。さらに、ダイ51-56の1つの側辺に沿った例えば、ダイ54の側辺208に平行するシンギュレーションラインは、隣接するダイ例えばダイ52の内部部分を横切るので、ダイ51-56はウエハ30上に不規則なパターンで配列されるとみなすことができる。従って、不規則なパターンのために、そのようなシンギュレーションラインは、ダイの少なくとも1つを通って横切るから、ダイ51-56が配置されたウエハ30を横切って、またはウエハ30の一部分を横切って軸方向に伸びる軸方向のシンギュレーションラインを使用して、ダイ51-56のいくつかは、ウエハ30からシンギュレートすることができない。従って、ダイ51-56を囲むシンギュレーション領域65は、ダイ51-56が配置されたとき、ウエハ30の部分を横切って軸方向に伸びる連続直線を形成し得ない。当業者であれば、いくつかの実施例では、さらに領域65は、半導体ダイをシンギュレートするとき、エッチング速度を速めるためのエッチング促進セクション68を有してもよいことが解るであろう。セクション68は、領域65の部分、すなわちウエハ30の部分であるが、それは、図2のセクション67と同様に、ダイ51-56がシンギュレートされるときに除去されない。セクション68は、ダイ51-56のいずれかの間にスペースがあるとき、領域65の任意の部分内に形成することができる。図4は、ダイ86-91のような突出を有する複数のダイの実施例の拡大平面図を示し、それらは、図1および図4に破線85で示されたウエハ30の部分上に形成される。ダイ86-91は、ダイの平面図の周囲の少なくとも一方に、ダイから伸びる突出またはフィンガを有する。例えば、ダイ88は、それぞれが単一の直線で形成された上側辺211および底側辺212を有するように示される。しかしながら、ダイ88の周囲の左側辺および右側辺は、それぞれ、単一の直線の代わりに突出を有する。従って、ダイ88の周囲は、全てが同じ形状および寸法を有するわけではない複数の側辺を含む。ダイ88の左側辺は、側辺216のようなダイ88の左側辺の最も内側部分から外向きに拡張した複数の突出例えば、突出またはフィンガ213,217を含む。突出は、ダイの周囲のいくらかの部分例えば、ダイ88の側辺214を形成し、他の周囲の側辺または近傍の側辺例えば、側辺215または側辺216から突出する。突出またはフィンガの各々は、ダイ88の周囲の部分を形成し、各突出は、周囲部分である側辺例えば、突出213の側辺214,215を有する。さらに、ダイ88は、ダイ88の右側辺にも同様の突出を有する。従って、ダイ86-91の周囲は、いずれも、少なくとも1つの側辺が、ダイの少なくとも1つの部分から拡張した突出またはフィンガを有するような、複数の側辺を含む。ウエハ30の領域のような与えられた領域内に配置することができるこの種のダイの数を最大限にするために、ダイは、ダイ88,89およびダイ88,90によって示されるように、相互嵌合する位置に配列される。さらに、ダイ86-91は、不規則な形状を有すると考えられるので、ダイの上部表面または平面図の外部周囲の形状は、ダイ86-91の1つとダイ86-91に隣接する1つとの間に軸方向に伸びる軸方向のシンギュレーションラインを使用することによって、ダイの1つの少なくとも一部をシンギュレートすることを妨げる。例えば、ダイ88の側辺214に沿って軸方向に伸びる軸方向のシンギュレーションラインは、ダイ88の側辺216に隣接するウエハ30の部分を除去しないであろう。従って、不規則な形状は、軸方向のシンギュレーションラインを使用することによって、ダイ86-91のいずれか1つをシンギュレートすることを妨げる。さらに、ダイ86-91の1つの側辺に沿った例えば、ダイ88の側辺214に平行するシンギュレーションラインは、隣接するダイ例えば、ダイ86またはダイ89の内部部分と交差するので、ダイ86-91はウエハ30上に不規則なパターンで配列されているとみなすことができる。従って、不規則なパターンによって、そのような軸方向のシンギュレーションラインは、ダイの少なくとも1つを横断することになるから、ダイ86-91のいくつかは、ダイ86-91が位置するウエハ30あるいはウエハ30の一部を横断して軸方向に伸びる軸方向のシンギュレーションラインを使用することによって、ウエハ30からシンギュレートすることができない。従って、ダイ86-91を囲むシンギュレーション領域94は、ウエハ30またはダイ86-91が位置するウエハ30の一部を横切って軸方向に伸びる連続直線を形成しない。さらに、当業者であれば、ダイ86-91のいずれもが非矩形であることが解るであろう。ダイ86-91を形成した後、シンギュレーション領域94の部分のようなダイ86-91を囲むウエハ30の部分は、ダイ86-91を個々のダイにシンギュレートするために、同時に除去される。通常除去されるウエハ30の部分は、斜線93によって示される。相互嵌合するように配置されている結果、ダイの突出を囲むシンギュレーション領域94は、ウエハ30を横断して軸方向に伸びる連続直線を形成しない。連続直線のシンギュレーションラインは、ダイの1つの側辺から、例えばダイ88の側辺216に沿って伸び、ダイ88の一部を通り、さらに、ダイ91の一部のような他のダイを通るラインを形成し、ダイを破損するであろう。図5は、ダイ99-102のような複数の多重連結ダイの実施例の拡大平面図を示し、それらは、図1および図5に破線108で示されたウエハ30の部分上に形成される。ダイ99-102の上部表面は、それを通る穴を有するので、ダイ99-102は多重連結である。さらに、ダイ99-102は、ダイ71-74の上部表面の外部周囲が非矩形なので、非矩形の形状を有する。ウエハ30のシンギュレーション領域109は、ダイ99-102の各々の周囲を囲む。ダイ99-102は、ダイを通る少なくとも1つの開口または穴を有する平行四辺形として示される。さらに、ダイ102は、ダイ102を通って形成された開口105,106を有する。開口105106は異なる形状であるので、ダイ102は非対称である。ダイ99-102を形成した後、シンギュレーション領域109の部分のような、ダイ99-102を囲むウエハ30の部分は、ダイ99-102を個々のダイにシンギュレートするために、同時に除去される。通常除去されるウエハ30の部分は、斜線108によって示される。たとえダイ99-102の側辺が直線であっても、その側辺は直角に交差しない。従って、ダイ99-102は、ウエハ30の表面のような与えられた領域内に形成することができるダイの数を最大限にするために、相互にずらしたパターンに配列される。ダイ99-102のずらしたパターンまたは配置によって、1つのダイの1つの側辺を延長したとき、それが、少なくとも1つの隣接するダイの内部部分を横切ることになる。例えば、ダイ99の側辺209を延長すると、側辺209はダイ101の内部と交差または横断するであろう。ずらしたパターンのために、ダイ99-102を囲むシンギュレーション領域109は、ダイ99-102を含むウエハ30の一部を横断して軸方向に伸びる連続直線を形成しない。ダイ99-102が配置されたウエハ30の一部を横断して軸方向に伸びる連続直線のシンギュレーション領域は、ダイ99-102の部分を通って伸び、ダイを破損するであろう。あるいは、直線状の連続的なシンギュレーションラインがダイの間に伸びることを可能にするためには、ダイの間例えば、ダイ99の側辺とダイ100の側辺との間の距離を拡張しなければならないが、それによって、ウエハ上で形成することができるダイの数が減少するであろう。さらに、ダイ99-102は、ダイ99-102の1つの側辺に沿った例えば、ダイ99の側辺209に平行なシンギュレーションラインは、隣接するダイ例えばダイ101の内部部分と交差するので、不規則なパターンでウエハ30上に配列されているとみなすことができる。従って、ダイ99-102のいくつかは、不規則なパターンであるために、このようなシンギュレーションラインがダイの少なくとも1つを横断するので、ダイ99-102を含むウエハ30の一部を横断して軸方向に伸びるシンギュレーションラインを使用して、ウエハ30からシンギュレートすることができない。従って、ダイ99-102を囲むシンギュレーション領域109は、ウエハ30を横断して、あるいは、領域109のような、ダイ99-102を含むウエハ30の一部を横断して、軸方向に伸びる連続直線を形成し得ない。シンギュレーション領域109を除去するために同時シンギュレーション法が使用されるので、ダイ99-102は、ウエハ30の使用を最大限にし、かつ、ウエハ30上に形成することができるダイの数を増加させるような構成で、ウエハ30上に配置される。ダイ99-102がシンギュレートされた後、ダイ99-102のそれぞれを通って形成された開口内に他のダイを配置することを含み、ダイは他のダイと共に組み立てられる。例えば、ダイ99は、制御回路の低電力理論回路として形成され、また、他のダイは、電力トランジスタのような高電力装置として形成されてもよい。電力トランジスタは、ダイ99の開口の内部に配置されてもよく、また、2つのダイが一緒に動作してもよい。あるいは、ダイ99-102が電力トランジスタであり、他のタイプのダイが、ダイ99-102のいずれかの開口内に組み立てられてもよい。これによって、非常に近接しかつ短い相互接続の形成が可能となり、さらに、接続内の寄生抵抗およびインダクタンスを最小限にすることができる。あるいは、ダイ99の動作中に生成された電力の放散を助長するために、ヒートシンクが、ダイ99の開口内に組み立てられてもよい。あるいは、ヒートシンクを提供するような装置の効率を向上させるため、または、ダイの上部表面上に形成された要素からダイの底部表面上に形成された要素への低抵抗電気接続を提供するために、誘電体または金属材料が、開口内に選択的に組み立てられてもよい。図6は、ダイ71-74のような複数の不規則な形状のダイの実施例の拡大平面図であり、それらは、図1および図6に破線70で示されたウエハ30の部分上に形成される。さらに、ダイ71-74は、ダイの上部表面の外部周囲の一部に沿って湾曲した形状を含む。ダイ99-102がそうであったように、ダイ71-74は、ダイ71-74の内部を通る開口を有する代わりに、ダイ99-102の開口と同様に応用できる湾曲部分を含む周囲を有する。ダイ71-74の周囲の湾曲部分のために、ダイ71-74は、ダイ71-74を含むウエハ30の一部を横断して軸方向に伸びるシンギュレーションラインによってシンギュレートすることができない。ダイ71-74の湾曲した形状は、ダイに隣接するウエハ30の部分を除去するために、軸方向のシンギュレーションラインを使用することを妨げる。例えば、軸方向のシンギュレーションラインは、ダイ71の側辺77に隣接するウエハ30の部分を除去することができない。さらに、側辺75の配置によって、ダイ74の平面図または上部表面の周囲の形状が非対称になるので、ダイ74は非対称の形状を有する。従って、シンギュレーション領域80は、ウエハ30からのダイ71-74のシンギュレートを促進するために、ダイ71-74の周囲を囲むように形成される。ウエハ30の通常除去される部分は、斜線79によって示される。周囲の湾曲部分のために、シンギュレーション領域80は、ウエハ30を横断して、あるいは、ダイ71-74を含むウエハ30の一部分を横断して、軸方向に伸びる連続直線を形成し得ない。ダイ71-74は、ダイ99-102に関して記述されたようにシンギュレートされる。図7は、非矩形の形状をしたダイの上部表面の周囲を有する複数のダイ124-127の実施例の拡大平面図を示す。ダイ124-127は、図1および図4に破線123で示されたウエハ30の部分上に形成される。ダイ124-127は、図5のダイ99-102に類似しており、ダイ124-127が多重連結でない以外は、同一のダイの形状および類似の配置を有する。ウエハ30のシンギュレーション領域130は、ダイ124-127のそれぞれ周囲を囲む。通常除去されるウエハ30の部分は、斜線129によって示される。ダイ124-127の側辺は直角に交差しないので、ダイ124-127の1つの任意の側辺から伸びる直線は、ダイ124-127の他の1つを横断するであろう。この構成のために、ダイ124-127は、ダイ124-127が配置されたウエハ30を横断して、あるいはウエハ30の一部分を横断して、軸方向に伸びるシンギュレーションラインを使用してシンギュレートすることができない。従って、ダイ124-127を囲むシンギュレーション領域130は、ダイ124-127が配置または形成されたウエハ30の部分を横断して軸方向に伸びる連続直線を形成し得ない。さらに、ダイ124-127の1つの側辺に沿った例えば、ダイ124の側辺210に平行するシンギュレーションラインは、隣接するダイ例えばダイ126の内部部分と交差するから、ダイ124-127は不規則なパターンでウエハ30上に配列されているとみなすことができる。従って、不規則なパターンによって、そのようなシンギュレーションラインがダイの少なくとも1つを通って横断することになるから、ダイ124-127のいくつかは、ダイ124-127が形成されたウエハ30の一部分を横断して軸方向に伸びるシンギュレーションラインを使用することによってウエハ30からシンギュレートすることができない。従って、ダイ124-127を囲むシンギュレーション領域130は、ウエハ30を横断して軸方向に伸びる連続直線を形成し得ない。当業者であれば、軸方向のシンギュレーションラインを使用することよってダイ124-127を取り出すことができるような異なるパターンで、ダイ124-127をウエハ30上に配列することも可能であることを理解するであろう。ダイ124-127は、ウエハ30上に非中心パターンで示されるが、ダイ124-127の中心が整列されてもよく、あるいは、非中心に配置されてもよい。しかしながら、そのような構成は、それでもなお、ダイ124-127が形成されたウエハ30の部分を横断して軸方向に伸びる軸方向のシンギュレーションラインを使用して、ダイ124-127をシンギュレートすることを妨げる。図8は、ダイ113-116のような複数の非矩形であるダイの実施例の拡大平面図を示し、それらは、図1および図8に破線112で示されたウエハ30の部分上に形成される。ダイ113-116は、いずれも上部表面の周囲が三角形の形状を有し、矩形の形状ではないので、ダイ113-116は非矩形である。ウエハ30のシンギュレーション領域119は、ダイ113-116のそれぞれの周囲を囲む。たとえダイ113-116の側辺が直線であっても、側辺は直角に交わることはない。ウエハ30の領域のような与えられた領域内に配置することができるこの種のダイの数を最大限にするために、ダイは、ダイの1つの側辺の1つの延長が隣接するダイと交差するように、ずらしたパターンに配列される。例えば、ダイ114の側辺117を延長すると、その延長はダイ113と交差するであろう。さらに、少なくとも一方向に沿ったダイ114-115の中心が整列しないように、ダイ114-115を非中心になるように配列してもよい。例えば、ダイ113-116は、ダイ114,116の中心が水平線に沿って整列されることを示す。しかしながら、たとえウエハ30の他のダイ図示せずが垂線に沿ってダイ114に整列したとしても、ダイ113およびダイ114の中心は、垂線に沿って整列せず、ダイ113の中心を通る垂線は、ダイ114を通過するであろう。非矩形の形状またはずらしたパターンのために、ダイ113-116を囲むシンギュレーション領域119は、ウエハ30を横切って軸方向に伸びる連続直線を形成し得ない。さらに、ダイ113-116が配置または形成されたウエハ30の一部分を横切って軸方向に伸びる軸方向シンギュレーションラインは、ダイ113-116のいくつかの内部を通って伸び、ダイを破損するであろうから、ダイ114-116は、不規則なパターンでウエハ30上に配置されているとみなすことができる。当業者であれば、ダイ113-116がウエハ30上に異なるパターンで配列できることを理解するが、そのパターンによりダイ113-116を取り出すために軸方向シンギュレーションラインを使用することが可能となる。ダイ113-116を形成した後、シンギュレーション領域119の部分のような、ダイ113-116を囲むウエハ30の部分は、ダイ113-116を個々のダイにシンギュレートするために、ドライエッチング法を用いて同時に除去される。一般に除去されるウエハ30の除去部分は、斜線118によって示される。従来のダイのシンギュレーション法は、直線状の連続的なシンギュレーションラインが、ダイ114とダイ115との間に伸びることができるように、ダイ114の側辺とダイ115の側辺との間のような、ダイ間の距離を拡大する必要があった。従って、ダイ114-116の配置または空間の配列によって、ウエハの利用が改善されるとともに、ウエハ上に形成されるダイの数を増やすことができる。図9は、ダイ136-142のような複数の非矩形の形状を有するダイの実施例である拡大平面図を示し、それらは、図1および図8に破線135で示されたウエハ30の部分上に形成される。ダイ136-142の上部表面または平面図の外部周囲が非矩形の形状を有するので、ダイ136-142は、八角形のような非矩形の形状を有する。八角形の形状は、非矩形の形状の一例であり、ダイ136-142は他の非矩形の形状を有してもよい。ウエハ30のシンギュレーション領域145は、ダイ136-142のそれぞれの周囲を囲む。ウエハ30の領域のような与えられた領域に配置することができる非矩形の形状であるダイの数を最大限にするために、ダイ136-142は、一般に不規則なパターンでウエハ30に配置される。不規則なパターンの一実施例では、ダイ136-142を囲むシンギュレーション領域145は、ダイ136-142が形成されるウエハ30の部分を横断して軸方向に伸びる連続直線を形成しないように、ダイ136-142が配置される。さらに、ダイの上部表面の外部周囲の形状は、ダイ35-42の1つと、それに隣接するダイ35-42の1つとの間に軸方向に伸びる軸方向シンギュレーションラインを使用してダイをシンギュレートすることを妨げるので、ダイ136-142は不規則な形状を有する。例えば、ダイ136の外部周囲は、そのような軸方向のシンギュレーションラインによって除去することができない側辺143を有するので、ダイ136とダイ137との間にあるウエハ30の部分を通って軸方向に伸びる軸方向のシンギュレーションラインは、ダイ136をシンギュレートするために使用できない。図のように、ダイ136は、この不規則な形状に寄与する他の側辺を有する。従って、不規則な形状は、軸方向のシンギュレーションラインを使用することによってダイ136-142のいずれもがシンギュレートされることを妨げる。従って、不規則な形状は、ダイ136-142をシンギュレートするために軸方向のシンギュレーションラインを使用することを妨げる。さらに、ダイ136-142のいずれも、ダイの中心が、隣接するダイと整列しないようにダイを配置することによって、隣接するダイに対して非中心の位置に配置することができる。さらに、ダイ136-142は、隣接するダイに対してずらした位置でウエハ30上に配置される。この構成は、ウエハ30の与えられた領域で形成することができる、多角形の形状を有するダイの数を増やすことができるので、このずらしたパターンが一般に使用される。ずらしたパターンの結果、ダイ136-142の1つのいずれかの側辺から伸びる直線は、ダイ136-142の他の1つを通って横断するであろう。この配置のために、ダイ136-142は、ダイ136-142が形成されたウエハ30の部分を横断して軸方向に伸びるシンギュレーションラインを使用してシンギュレートすることができない。従って、ダイ136-142を囲むシンギュレーション領域145は、ダイ136-142が形成されたウエハ30の部分を横断して軸方向に伸びる連続直線を形成しない。さらに、ダイ136-142のいずれも、ダイ136-142の1つの側辺に沿った例えば、ダイ136の側辺221に平行する軸方向のシンギュレーションラインは、隣接するダイの内部部分例えばダイ138と交差するから、不規則なパターンにウエハ30上で配列されているとみなすことができる。従って、ダイ136-142のいくつかは、ダイ136-142が形成されたウエハ30の部分を横断して軸方向に伸びる軸方向のシンギュレーションラインを使用することによって、ウエハ30からシンギュレートすることができない。従って、ダイ136-142を囲むシンギュレーション領域145は、ダイ136-142が形成されたウエハ30を横断して、またはウエハ30の一部分を横断して軸方向に伸びる連続直線を形成しない。さらに、ダイ136-142のいずれも、シンギュレーション領域145の少なくとも一部を通ってダイ136-142の1つの側辺に沿って軸方向に伸びる軸のシンギュレーションラインが、ダイ40のような隣接するダイの内部部分と交差するから、不規則なパターンでウエハ30上に配列されているとみなすことができる。従って、ダイ35-42のいくつかは、不規則なパターンによって、ダイの少なくとも1つの内部を通ってそのような軸方向のシンギュレーションラインを横断するから、シンギュレートされるであろうダイを含むウエハ30の部分を横断して軸方向に伸びる軸方向のシンギュレーションラインを使用して、ウエハ30からシンギュレートすることができない。従って、ダイ35-42を囲むシンギュレーション領域49は、ダイ51-56が配置されたウエハ30の部分を横断して軸方向に伸びる連続直線を形成し得ない。ダイ136-142を形成した後、シンギュレーション領域145の部分のような、ダイ136-142を囲むウエハ30の部分は、ダイ136-142を個々のダイにシンギュレートするために、同時に除去される。一般に除去されるウエハ30の部分は、斜線144によって示される。同時シンギュレーション法がシンギュレーション領域145またはその一部を除去するために使用されるので、ダイ136-142は、記述された形状に形成され、あるいは、記述された構成でウエハ30上に配列および配置され、ウエハ30の使用を最大限にできるとともに、ウエハ30上で形成することができるダイの数が増加する。ウエハを横断して軸方向に伸びる直線のシンギュレーションラインを形成した先行するシンギュレーション法では、連続直線のシンギュレーションラインは、ダイ136-142の部分を通って伸びるので、ダイを破損したであろう。例えば、そのような連続直線のシンギュレーションラインは、ダイ136の側辺221に沿うように、ダイの1つの側辺から伸び、ダイ138の内部部分のような、他のダイの部分を通って伸びるシンギュレーションラインを形成し、ダイ138を破損したであろう。あるいは、ダイ136の側辺とダイ138の側辺との間のようなダイ間の距離は、直線の連続的なシンギュレーションラインがダイ間に伸びるために拡大されなければならないので、それによって、ウエハ上に形成することができるダイの数が減少するであろう。図10は、ダイ151-157のような複数のダイの実施例の拡大平面図を示し、それらは、図1および図9に破線150で示されたウエハ30の部分上に形成される。ダイ156157のように、ダイのうちのいくつかは、ダイ151154のようなウエハ30の他のダイの上部表面の外部周囲のまわりの領域および距離よりも大きい、ダイの上部表面の外部周囲のまわりの領域および距離を有する。ウエハ30のシンギュレーション領域160は、ダイ151-157のそれぞれの周囲を囲む。図10に示す実施例のために、ダイ151-157は矩形として示される。ダイは異なる領域および周囲を有するので、ダイは、ウエハ30の表面上のような与えられた領域に形成することができるダイの数を最大限にするために、相互にずらしたパターンで配列される。従って、ダイ151の領域は、ダイ154または156のどちらかの領域とあまり等しくなく、また、ダイ154の領域は、ダイ156の領域ともあまり等しくない。さらに、ダイ151-157の1つの側辺に沿った例えば、ダイ154の側辺219に平行するシンギュレーションラインは、隣接するダイ例えばダイ152156の内部部分と交差するから、ダイ151-157は不規則なパターンでウエハ30上に配列されているとみなすことができる。従って、ダイ151-153または154-155または156-157のいずれも、ダイ151-157が形成されるウエハ30の部分を横断して軸方向に伸びる軸方向シンギュレーションラインを使用することによって、ウエハ30からシンギュレートすることができない、なぜならそのような軸方向のシンギュレーションラインは、少なくともダイの1つを通って横断するからである。従って、ダイ151-157を囲むシンギュレーション領域160は、ダイ151-157が形成されたウエハ30を横断して、またはウエハ30の一部を横断して、軸方向に伸びる連続直線を形成し得ない。シンギュレーション領域160の少なくとも一部を除去するために、同時シンギュレーション法が使用されるので、ダイ151-157は、ウエハ30の使用を最大限にし、かつ、ウエハ30上で形成することができるダイの数を増加することができるような、ずらした構成または不規則なパターンでウエハ30上に配列または配置される。当業者であれば、ダイ153155の領域を有するダイのように、少なくとも2つの異なるダイのサイズがあり、それは、ウエハ30上の他のダイの領域と異なる領域を有する単一のダイであってもよいことを理解するであろう。いくつかの実施例では、異なるサイズのダイは、ウエハ30からシンギュレートされ、第1および第2半導体ダイの周囲は、矩形のような同じ形状を有し、また、第1および第2半導体ダイの両方が、2つの全体で完全なダイとしてウエハ30からシンギュレートされる。他の実施例では、異なるサイズのダイの1つは、製造作業中にプロセッシングパラメータあるいは他のパラメータをテストするためにウエハ30上に形成されるテスト構造であってもよい。そのような実施例に関しては、テスト構造ダイは、ウエハ30からシンギュレートされなくてもよい。図11は、図1および図2の切断線2-2に沿って切断したウエハ30の拡大した断面部分を示す。図面および記述を明瞭にするために、この切断線2-2は、ダイ36およびダイの部分35,37についてのみ示される。半導体ダイ35-37は、一般に半導体基板318を含み、それは、半導体ダイのアクティブおよびパッシブ部分を形成するために基板318内に形成されたドープ領域を有する。図11に示された断面部分は、ダイ35-37の各々のコンタクトパッド324に沿って切断したものである。コンタクトパッド324は、一般に、半導体ダイと半導体ダイの外部の要素との間に電気的な接触を提供するために、半導体ダイ上に形成される金属である。例えば、コンタクトパッド324は、後続工程でパッド324に接合されるボンディングワイヤを受け取るために形成され、あるいは、後続工程でパッド324に接合されるソルダボールまたは他のタイプの相互接続構造を受け取るために形成される。基板318は、バルク基板319を含み、そして、バルク基板319は、その表面上に形成されたエピタキシャル層320を有する。エピタキシャル層320の一部はドープされ、半導体ダイ35または36または37のアクティブおよびパッシブ部分を形成するために使用されるドープ領域321を形成する。層320および/または領域321は、いくつかの実施例では省略されてもよく、あるいは、ダイ35または36または37の他の領域にあってもよい。典型的には、個々の半導体ダイの他の部分からパッド324を分離し、かつ、隣接する半導体ダイから各パッド324を分離するために、誘電体323が基板318の上部表面上に形成される。誘電体323は、通常、基板318の表面上に形成された二酸化けい素の薄い層である。コンタクトパッド324は、一般に金属であり、基板318と電気的に接触するコンタクトパッド324の部分と、誘電体323の一部分の上に形成された他の部分を有する。金属性のコンタクトおよび関連する層間誘電体図示せずも含めてダイ35-37が形成された後、複数の半導体ダイの全ての上に誘電体326が形成され、ウエハ30および個々の半導体ダイ35-37のためのパッシベーション層として機能する。誘電体326は、通常、例えば全面的に誘電体を堆積することによって、ウエハ30の全表面上に形成される。誘電体326の厚さは、一般に、誘電体323の厚さよりも厚い。誘電体326を形成した後、誘電体326の部分のような下にある層をエッチングすることなく基板318を通る開口を形成するために、シンギュレーションマスクが形成される。好適な実施例では、シンギュレーションマスクは、アルミニウム窒化物AlNで形成される。この好適な実施例では、AlN層391は、少なくとも誘電体326上に形成される。層391は、一般に、ウエハ30をすべて覆うように与えられる。図12は、ウエハ30から、ダイ35-37のような不規則な形状のダイをシンギュレートする方法の好適な実施例に関し、図11の後続ステージにおけるウエハ30の断面部分を示す。AlN層391が形成された後、マスク332が基板318の表面に与えられ、そしてパターン化されて、各パッド324の上すなわち、ウエハ30の部分の上を覆う誘電体326の一部を露出させるための開口が形成され、そこにシンギュレーション領域例えばシンギュレーション領域49が形成される。マスク332を形成するために、写真用マスク材料がウエハ30に与えられ、次に、紫外線のような光線が照射され、シンギュレーションラインが形成されるべき位置およびパッド324が形成されるべき位置の上に開口を有するマスク332が形成されるように、マスク材料の露光部分の化学組成が変化する。その後、現像液が、マスク材料の未露光部分を除去するために使用され、それによって、各シンギュレーション領域例えばシンギュレーション領域49が形成されるべき位置の上に開口328,329を有するマスク332が残る。開口328329は、典型的には、ダイ35-37を囲む単一の開口の2つの部分であるが、断面図であるために、2つの開口として示されていることが、当業者には理解できるであろう。さらに、水酸化アンモニウムを基剤とする現像液を用いることによって、マスク材料の未露光部分の下にあるAlN層391の部分を除去できることが解っている。層391の除去された部分は、破線392によって示され、また、層391の残存部分は、AlN393として示される。AlN393は、シンギュレーションマスクとして機能するが、それについては後述する。図13は、ウエハ30からダイ35-37をシンギュレートする方法の実施例に関し、図12の後続のステージにおけるウエハ30の断面部分を示す。誘電体326323は、マスク332およびAlN393内の開口を通してエッチングされ、その下にある基板318およびパッド324の表面を露出させる。領域49のようなシンギュレーション領域が形成される領域において、AlN393および誘電体326323によって形成された開口は、シンギュレーション開口328329として機能する。パッド324の上の誘電体326を通して形成された開口は、コンタクト開口として機能する。エッチング工程では、誘電体を選択的にエッチングする工程が、金属をエッチングする工程よりも速く行なわれることが好ましい。エッチング工程では、一般に、金属がエッチングされるよりも少なくとも10倍速く誘電体がエッチングされる。パッド324の金属は、エッチングを停止する機能を果たし、エッチングによってパッド324の露出部分は除去されない。好適な実施例では、フッ素を基剤とする異方性反応イオンエッチング工程が用いられる。誘電体326323を通る開口を形成した後、マスク332は、通常、破線によって示されたように除去される。続いて、基板318は、一般に、基板318の底部表面から材料を取り除き、かつ、破線によって示されるように基板318の厚さを削減するために薄くされる。一般に、基板318は、約25~400ミクロン未満、好ましくは約50~250ミクロンの間の厚さに薄くされる。このような薄化手順は、当業者間において周知である。ウエハ30が薄くされた後、ウエハ30の裏面は金属層327によって金属化されてもよい。この金属化ステップは、いくつかの実施例では省略されてもよい。その後、ウエハ30は、通常、複数のダイがシンギュレートされた後に複数のダイをサポートするための輸送テープまたはキャリヤテープ330に取り付けられる。いくつかの実施例では、テープ330は省略され、あるいは、異なるキャリヤ装置に置き換えられる。図14は、ウエハ30から半導体ダイ35-37をシンギュレートする方法の実施例に関し、後続のステージにおけるウエハ30を示す。AlN393は、シンギュレーション開口328329を通して基板318をエッチングするためのマスクとして使用される。AlN393は、誘電体326がエッチングの影響を受けないように保護する。AlN393は、約50~300オングストロームの厚さであるが、それでもなお誘電体326を保護する。AlN393は、好ましくは、約200オングストロームの厚さである。エッチング工程によって、シンギュレーション開口328329は、基板318の上部表面から、基板318を通って伸び、ウエハ30からシンギュレーション領域49が除去され、ダイ35-37がシンギュレートされる。エッチング工程は、通常、誘電体または金属をエッチングするよりもはるかに速い速度で選択的にシリコンをエッチングするような化学的性質を用いて行なわれる。エッチング工程では、一般に、誘電体または金属がエッチングされるよりも少なくとも50倍、好ましく100倍の速さでシリコンがエッチングされる。シンギュレーション領域49を形成するために、典型的には、等方性および異方性エッチング条件の組合せを用いる深掘り反応性イオンエッチングシステムが、基板318の上部表面例えばダイ36の表面11から基板318の底部表面まで通る開口328329をエッチングするために使用される。好適な実施例では、一般にボッシュBOSCH法と呼ばれる工程が、基板318を通るシンギュレーション開口328329を異方性エッチングするために使用される。一例において、ウエハ30は、アルカテル社の深掘り反応性イオンエッチングシステムでボッシュ法を用いてエッチングされる。シンギュレーション開口328329の幅は、一般に、5~10ミクロンである。このような幅は、開口328329が基板318を完全に通って形成されるとともに、短時間で開口を形成できることを充分に保証できる細さである。典型的には、開口328329は、約15~30分で、開口49のように基板318を通って延伸することが可能である。ウエハ30の全てのシンギュレーション領域は同時に形成されるので、全てのシンギュレーション領域が、約15~30分の同じ時間内にウエハ30の全体わたって形成される。その後、ウエハ30のダイは、キャリヤテープ330によってサポートされ、そして、そのダイは、後続の組立作業へ送られる。AlN393は誘電体であるので、ダイ35-37に残る。他の実施例では、AlN393は、例えば現像液を使用することによって、基板318を通るエッチングを行なった後に除去されるが、それには追加の処理工程が必要である。層319の露出部分を除去するための現像液を使用することにより、処理工程が少なくなり、それによって製造コストが削減できる。また、マスクとしてAlN393を使用することにより、エッチング作業による影響から誘電体326を保護することができる。他の実施例では、シンギュレーションマスクは、AlNの代わりに他の材料で形成されてもよい。シンギュレーションマスクの他の材料は、基板318のシリコンをエッチングするために用いられるプロセスによってほとんどエッチングされないような材料である。基板318をエッチングするために用いられるエッチング手順では、金属よりも速くシリコンがエッチングされるので、シンギュレーションマスクを形成するために金属化合物を材料として使用することができる。このような金属化合物の例には、AlN、チタンニトライド、酸化チタン、チタンオキシニトライド、および他の金属化合物が含まれる。AlN以外の金属化合物を使用する例において、金属化合物の層は、層391と同様に与えられる。その後、マスク332が、金属化合物層をパターン化するために使用され、金属化合物内に開口が形成される。その後、マスク332は除去され、そして、金属化合物の残部は、基板318のエッチング中に、誘電体326のような下層を保護する。金属化合物は、シンギュレーション後のダイに残されてもよく、あるいは、完全なシンギュレーションの前例えば、テープ330からダイを分離する前に除去されてもよい。さらに、金属-シリコン化合物中の金属は、金属-シリコン材料内へのエッチングの進行を妨げるので、金属-シリコン化合物もまた、シンギュレーションマスクを形成するために使用することができる。金属-シリコン化合物のいくつかの例には、ケイ化チタンおよびケイ化コバルトのような金属ケイ化物が含まれる。金属-シリコン化合物の実施例に関し、金属-シリコン化合物の層は、金属化合物の例と同様に形成およびパターン化される。しかしながら、金属-シリコン化合物は一般に導体であるので、ダイから除去されなければならず、例えば、テープ330からダイを完全にシンギュレートするのに先立って、金属-シリコン化合物が除去される。さらに、ポリマーが、シンギュレーションマスクに使用されてもよい。適切なポリマーの一例は、ポリイミドである。他の周知のポリマーが使用されてもよい。ポリマーは、金属化合物と同様にパターン化され、その後除去されるか、あるいは、ダイに残される。図15は、ウエハ30のような半導体ウエハから、ダイ35-37のような不規則な形状の半導体ダイをシンギュレートする他の方法の実施例におけるステージを示す。このシンギュレーション方法は、シンギュレートされるダイ上に角度のあるサイドウォールを形成する。図15に示されたステージは、図12について記述された開口328-329を形成した後から始まる。AlN393は、シンギュレーション開口328329を通して基板318をエッチングし、かつ、シンギュレーション領域49をウエハ30から除去するためのマスクとして使用される。基板318の表面が露出した後、基板318および全ての露出パッド324は、等方性エッチング工程でエッチングされ、それは、誘電体または金属よりもはるかに速い速度一般には、少なくとも50倍、好ましくは、少なくとも100倍の速さで選択的にシリコンをエッチングする。典型的には、フッ素の化学的性質を備えた下流エッチング剤が、このエッチングに用いられる。例えば、ウエハ30は、十分な等方性エッチングを使用するアルカテル社の深掘り反応性イオンエッチングシステムでエッチングされる。このエッチング工程は、開口の幅を横方向へ拡張させる深さまで開口328329を基板318内へ延伸させる一方で、開口400を形成するためにその深さを基板318内へ拡張するために行なわれる。この工程は、ダイ35-37に、角度のあるサイドウォールまたは傾斜したサイドウォールを形成するために用いられるので、多数の等方性エッチングが、開口の深さを基板318内へ伸ばすとともに、開口328329の幅を連続的に広げるために用いられるであろう。ダイ36および基板318の表面11において、開口400の幅が開口328329の幅よりも大きくなった後、等方性エッチングは終了する。その後、炭素を基剤とするポリマー401が、開口400内に露出された基板318の部分に加えられる。図16は、図15に関して記述されたステージの後続ステージを示す。開口400のサイドウォール上のポリマー401の一部を残す一方で、開口400の底にあるポリマー401の部分を除去するために、異方性エッチングが用いられる。図17は、図16に関して記述されたステージの後続ステージを示す。開口400内の基板318の露出した表面、および、全ての露出したパッド324は、図15に関して記述した工程に類似する等方性エッチング工程でエッチングされる。等方性エッチングによって、シンギュレーション開口328および329の幅を再び横方向に拡大される一方で、基板318内に開口404を形成するために、さらに深さも拡張される。深さが増すにつれて開口の幅が広くなることにより、開口404の幅が開口400の幅よりも大きくなった後、等方性エッチングは通常終了する。開口400のサイドウォール上に残されたポリマー401の部分は、開口404のエッチングが開口400の幅に影響を与えないように、開口400のサイドウォールを保護する。典型的には、ポリマー401のほぼ全てが、開口404のエッチング中に開口400のサイドウォールから除去される。その後、ポリマー401に類似する炭素を基剤とするポリマー405が、開口404内に露出した基板318の部分に加えられる。ポリマー405の形成中に、その工程は、通常、開口400のサイドウォール上に再びポリマー401を形成する。図18は、図17に関して記述されたステージの後続ステージを示す。開口404のサイドウォール上のポリマー405の部分を残す一方で、開口404の底にあるポリマー405の部分を除去するために、異方性エッチングが用いられる。この工程の段階は、図16に関して記述したステップに類似する。図19は、シンギュレーション領域49が完全に基板318を通って伸びるように形成されるまで、このシーケンスが繰り返されることを示す。開口例えば開口408412を形成するための異方性エッチングのシーケンス、すなわち、開口のサイドウォール上のポリマー例えばポリマー409を形成し、そして、サイドウォール上のポリマーの部分例えばポリマー409を残す一方で、開口の底からポリマーを除去するというシーケンスが、開口328329が基板318を通って延伸し、基板30からシンギュレーション領域49が取り除かれるまで繰り返される。開口412を形成するためのエッチングのような最後の等方性エッチングの後は、ポリマーは、一般に、後続のオペレーション中に基板318を保護するために必要でないので、堆積されない。ポリマー401405409は、開口400404408のそれぞれのサイドウォール上に示されているが、すべての工程が完了した後、対応する開口のサイドウォールからこれらのポリマーをほぼ除去するために、開口412を形成するためのエッチングのような最後の等方性エッチングのステップが用いられてもよいことを、当業者であれば理解するであろう。従って、これらのポリマーは、説明を明瞭にするためにのみ示されている。図19から解るように、ダイ36のサイドウォール336、およびダイ37のサイドウォール335は、上部表面11から底部へ内側に傾斜しているので、各ダイの底部におけるダイの幅は、そのダイの上部におけるダイの幅よりも狭い。従って、基板318の上部におけるダイの外側のエッジは、基板318の底部におけるダイの外側のエッジを距離416だけ越えて伸長し、ダイ35の上部表面が、距離416だけ底部上に張り出す。距離416は、ダイ35-37の厚さの約5~10パーセントであると考えられる。一実施例では、距離416は、約1~5ミクロンであり、従って、基板318の底部でのダイ35の幅は、表面11におけるダイ35の上部での幅よりも約2~10ミクロン狭い。一般に、シンギュレーション領域49の開口の上部は、シンギュレーション領域49の開口の底部よりも約2~40ミクロン狭い。他の実施例では、サイドウォール336は、サイドウォール336と、基板318の上部表面に対して垂直な線のような垂線との間に、約15~40度の角度417を形成すると考えられる。従って、各エッチングが開口329幅を拡張する量は、角度417を形成するのに十分であるべきである。当業者であれば、複数の異方性エッチング工程によって、ダイ35-37の各々に粗いサイドウォールが形成されるので、その結果、サイドウォールは、サイドウォールに沿ってぎざぎざを有するエッジを有することが解るであろう。しかしながら、ぎざぎざを有するエッジの程度は、説明を明瞭にするために、図15-19では誇張されている。これらのサイドウォールは、一般に、ほぼ平滑なサイドウォールであると見なされる。当業者であれば、ダイ35-37をシンギュレートする方法の他の実施例において、シンギュレーションマスク層が省略されていることが解るであろう。かかる場合において、等方性かつ/または異方性エッチングの手順は、誘電体または金属よりもシリコンを速くエッチングするようなエッチングを使用し、従って、誘電体326が、ダイ35-37のそれぞれの下にある部分に保護を提供する2009年2月12日に公開された米国特許公開番号2009/0042366発明者:ゴードンエムグリヴナ参照。図20は、ウエハ30のような半導体ウエハから、不規則な半導体ダイ、例えば35-37をシンギュレートする他の方法の実施例に関するステージを示す。図20は、基板318の上部表面上に誘電体323を形成した後であって、パッド324を形成する前の製造状態図11参照におけるダイ35-37の拡大断面部分を示す。図20に示されたシンギュレーション方法に関し、ダイ35-37は、ウエハ30上に各ダイを囲む単一の分離トレンチ379を有する。さらに、後述するように、トレンチ379は、シンギュレーション領域49を形成し、かつ、ウエハ30から領域49を除去するために使用される。トレンチ379は、基板30内への開口として形成され、そして、誘電体ライナ380は、開口のサイドウォールおよび底部に形成される。誘電体ライナは、一般に、二酸化けい素のような誘電材料である。開口の残部は、一般に、充填材料381図21参照で満たされる。好適な実施例では、誘電体ライナ380の底部は除去されるので、トレンチ379の底部は、破線384によって示されるように開いている。ライナ380の底部を除去する方法の一例としては、トレンチ379を露出するための開口を有するマスク385を適用する方法、および、ライナ380の底部を通ってエッチングするために、スペーサエッチングのような等方性エッチングを行なう方法が含まれる。エッチングは、トレンチ379の下にある基板318の部分の破損を防止するために、シリコン上の誘電体に対して選択的に行なわれる。マスク385は、一般に、ライナ380の底部が除去された後に除去される。トレンチ379の底部を除去した後、トレンチ379の残りの開口が、充填材料381で満たされる。充填材料381は、後続の工程の段階を促進させるために、一般にポリシリコンのようなシリコンを基剤とする材料であるが、これについては後述する。当業者であれば、ダイ35-37のいずれもが、ダイ内に他のトレンチ例えばトレンチ378をさらに有すること、および、これらのトレンチは、トレンチ379を形成するために用いた工程に類似した工程を用いて形成されることが解るであろう。トレンチ378は、底部の酸化物が有用な作用をするかどうかによって、底部の酸化物を保持してもよく、または、除去してもよい。例えば、トレンチ378は、ドープしたポリシリコンで満たされ、例えば、金属層327図20には示されない、あるいは、基板318の底部または裏面の他のコンタクトへの、低抵抗基板コンタクトまたは裏面コンタクトを提供する。しかしながら、トレンチ378の好適な実施例では、底部は除去されず、また、好ましくは、トレンチ378はダイの内部にあり、ダイの外部周囲を囲まない。このように、トレンチ379は、トレンチ378または他の同様のトレンチと同時に形成することができるので、それによって製造コストが低減する。当業者であれば解るように、ダイ35-37は、基板318上または基板318内に形成された様々なアクティブまたはパッシブ要素を有する。トレンチ379は、シンギュレーション領域49内、好ましくはシンギュレーション領域の中央に形成されるので、領域49のどの点においても、トレンチ379の中央は、2つのダイの中間点のような、領域49のほぼ中央にある。さらに後述するように、シンギュレーションは、トレンチ379のほぼ中央を通って生じるであろう。図21は、ウエハ30から半導体ダイ35-37をシンギュレートする方法の一例に関する後続ステージにおけるウエハ30を示す。トレンチ379が形成された後、ダイ35-37の他の部分が、コンタクトパッド324の形成、およびダイ35-37を被覆する誘電体326の形成を含めて形成される。誘電体326は、一般に、基板318の部分を含むウエハ30の他の部分をさらに被覆し、そこに、領域49のようなシンギュレーション領域が形成される。その後、マスク387が与えられ、パターン化されて下にある誘電体326が露出し、そこにシンギュレーション領域49およびコンタクト開口が形成される。マスク387は、図12に示されるマスク332に類似するが、通常、マスク387の位置は、わずかに異なっている。シンギュレーション領域49が形成されるマスク387内の開口は、さらにトレンチ379の上に位置する。誘電体326は、マスク387内の開口を通ってエッチングされ、その下にあるトレンチ379内の充填材料381が露出する。典型的には、エッチングによって、さらに、誘電体326の下にあるパッド324が露出する。領域49のようなシンギュレーション領域が形成される領域内において誘電体326を通って形成される開口は、シンギュレーション開口382383として機能する。誘電体326を通る開口382383を形成するために用いられるエッチング工程は、一般に、誘電体323326を通る開口328329図12参照を形成するために用いられた工程と同じである。開口382383は、典型的には、それらに対応するトレンチ379のサイドウォール上の誘電体ライナ380が、開口382383の下に位置するように形成されるが、誘電体ライナ380は、材料381が露出している限り、露出している必要はない。当業者であれば、開口382383は、典型的には、ダイ35-37を囲む単一の開口の2つの部分であるが、断面図であるために2つの開口として示されていることが解るであろう。誘電体326323を通る開口382383が形成された後、破線で示されるようにマスク387が除去され、そして基板318は、破線386で示されるように薄くされる。シンニングによって、トレンチ379の下にある基板318のほとんどが除去される。誘電体ライナ380の誘電材料によって、ウエハ30を薄くするために使用されたツールが破損されるか、あるいは、ウエハ30にかき傷がつくかもしれないので、基板318は、一般に、トレンチ379の底部に至るまで薄くされることはない。好ましくは、基板318は、トレンチ379の底部から基板318までが約2~5ミクロンになるまで、薄くされる。いくつかの実施例では、トレンチ379の底部が露出するまで、基板318が薄くされてもよい。その後、基板318の底部表面は、図13に関して記述したように、金属層327で金属化される。この金属化ステップは、いくつかの実施例では省略される。続いて、ウエハ30は、通常、一般的なキャリヤ基板またはキャリヤテープ330のような、一般的なキャリヤに取り付けられる。図22は、ウエハ30からダイ35-37をシンギュレートする方法の実施例に関し、後続のステージにおけるウエハ30を示す。基板318を通る開口として領域49を形成するために、第2の開口が充填材料381を通って形成される。基板318は、好ましくは、誘電体326をマスクとして使用して、シンギュレーション開口382383を通してエッチングされる。エッチング工程は、通常、図14に関して記述したエッチングに類似するような、誘電体または金属よりもはるかに速い速度で選択的にシリコンをエッチングする化学剤を使用して行なわれる。エッチング工程によって、材料381を通る開口が形成される。典型的には、エッチングによって、材料381のほぼ全てが除去され、シンギュレーション領域49が、基板318の上部表面から、トレンチ379の充填材料381を完全に通って伸び、そして、ウエハ30から領域49が取り除かれる。エッチングステップは、誘電体上のシリコンに対して選択的に行なわれるので、充填材料381は、トレンチ379のサイドウォール上の誘電体ライナ380をエッチングすることなく除去される。従って、トレンチ379のサイドウォール上の誘電体ライナ380は、等方性エッチングから基板318のシリコンを保護する。等方性エッチングは、ボッシュ法を用いて、またはボッシュ法を限定的に用いて得られるよりも、はるかに高いエッチング処理能力を有する。等方性エッチング工程は、充填材料381を通って、トレンチ379の下にある基板318の任意の部分をエッチングする。従って、等方性エッチングは、トレンチ379通って、基板318の下にある任意の部分を素早くエッチングし、それによってダイ35-37がシンギュレートされる。このような迅速なエッチングによって、処理能力が改善されるとともに製造コストが低減する。さらに、当業者であれば、充填材料381のシリコンを基剤とする材料によって、誘電体ライナ380および基板319上の材料に対するストレスが軽減されることが解るであろう。トレンチ379を通るシンギュレーション領域49に沿ってダイ35-37をシンギュレートすることにより、シンギュレーション領域は、半導体ウエハの非常に小さなスペースしか占領しなくなる。例えば、充填材料381を含むトレンチ379の幅は、典型的には、わずか約3ミクロンである。従って、シンギュレーション領域49の幅は、スクライビングまたはウエハソーイングのような、ダイをシンギュレートする他の方法では100ミクロンであるのに対し、わずか約3ミクロンである。当業者にとって、ウエハ30を薄化するステップは省略してもよく、また、材料381のエッチングは、開口382383がウエハ30を貫通するまで継続されてもよいことは明白であろう。当業者であれば、図10-13に関して記述したように、層391およびAlN393をシンギュレーションマスクとして使用してもよいことが解るであろう。図23は、ダイ233237241のような複数の非矩形の形状を有するダイの一実施例の拡大平面図を示し、それらは、図1および図23の破線230によって特定されたウエハ30の部分上に形成される。ダイ233237241は、直角に交差しないコーナを有する。ダイ233は、側辺236から側辺231に斜めに走る直線を有する斜線で形成されたコーナ234を有する。従って、コーナは直角ではなく斜線である。コーナ234の斜めの部分は、直角であるコーナ235からコーナ234を識別するための、ダイ233のアラインメントキーとして使用することができる。このアラインメントキーによって、製造作業中に基板またはパッケージにダイ233を取り付ける際に、ダイ233の方向付けが容易になる。ダイ237は、直角を形成するコーナ238、および湾曲した形状を有するコーナ239を有する。湾曲形状は、コーナにかかるストレスを軽減し、それによって、直角のコーナを有するダイの全体にわったてダイ237の信頼性を改善する。コーナ239はコーナ238と異なっているので、いくつかの実施例では、コーナ239はアラインメントキーとして使用することができる。コーナ239は、凸状に湾曲した形状として示されるが、コーナ239は、どのようなタイプの湾曲形状でもよい。ダイ241は、全てのコーナが湾曲形状として形成されたコーナ242有する。湾曲形状によってストレスが軽減され、ダイ241の信頼性が改善される。当業者であれば、ダイ233237は、コーナ234239のような、ダイの他のコーナとは異なる形状の1つのコーナを有するダイとして形成されていることが解るであろう。コーナ234239の形状は、異なるコーナの形状の一例を示すために使用されたものであり、コーナの形状は、斜線および湾曲したコーナに制限されない。しかしながら、どのようなコーナであっても、ダイの1つコーナを識別するためのアラインメントキーを形成するために、ダイの他のコーナとは異なっていることを要する。さらに、コーナ235のような他のコーナは、直角である必要はないが、コーナ234のような識別用のコーナとは異なる形状であることを要する。ダイ237241は、非矩形の形状であることに加えて、シンギュレートされたダイの外部周囲が、少なくとも1つの湾曲部分のある形状を有する。当業者であれば、ここに含まれる記述は、当業者に対して、図2-10および図23に示されたダイの1つのような、非矩形の形状、多重連結の形状、周囲にそって外方向に伸びた突出を有する形状、非対称の形状、および、少なくとも1つの湾曲部分を有する形状のうちの1つを有する半導体ダイの上部表面の周囲を含む、半導体ダイを形成する方法を教示するものであることを理解するであろう。さらに、当業者であれば、非矩形の形状は、三角形、平行四辺形、周囲に沿って外方向に伸びる突出を有する形状、多重連結の形状、および、周囲の一部に湾曲した形状を有する形状のうちの1つを含むことが解るであろう。さらに、当業者であれば、半導体ダイは、例えばダイ233によって示されるように、他のコーナとは異なる形状をした1つのコーナを有し、あるいは、半導体ダイは、例えばダイ237またはダイ241によって示されるように、湾曲形状をした少なくとも1つのコーナを有することが解るであろう。さらに、当業者であれば、半導体ダイを形成する方法は、半導体ウエハの上部表面上に複数の半導体ダイを形成する段階であって、複数の半導体ダイの2またはそれ以上のダイは、非矩形の形状、周囲に沿って少なくとも1つの突出を有する形状、多重連結の形状、少なくとも1つの湾曲部分を有する形状、非対称の形状、周囲まわりの距離が異なる値例えば、ダイ34-42151-157によって示される、および、不規則な形状例えばダイ34-4251-5686-9171-74136-142よって示されるのうちの1つの形状をした周囲を有し、この不規則な形状は、半導体ウエハを横断して軸方向に伸びるシンギュレーションラインを使用することによって不規則な形状がシンギュレートされることを防ぐ、段階;半導体ダイ間にある半導体ウエハの領域としてシンギュレーション領域を形成する段階;ならびに、複数の半導体ダイを同時にシンギュレートするためにドライエッチングを使用する段階;を含むことが解るであろう。さらに、当業者であれば、半導体ダイを形成する方法は、半導体ウエハの上部表面上に複数の半導体ダイを形成する段階であって、複数の半導体ダイの少なくとも2つの半導体ダイは、複数の半導体ダイが形成される半導体ウエハの部分を横断して単に軸方向に伸びる軸方向のシンギュレーションラインを使用することによって複数の半導体ダイがシンギュレートされることを防ぐために、不規則なパターン例えば、ダイ151-15734-4251-5686-9199-102124-127114-115136-142によって形成されたパターンに配列される、段階;ならびに、複数の半導体ダイを同時にシンギュレートするためにドライエッチングを使用する段階;を含むことが解るであろう。図24は、半導体ダイ504を含む半導体装置500の一実施例の平面図である。図25は、図24の切断線25-25に沿った装置500の断面図である。以下の記述は、図24および図25を参照する。ダイ504は、他のコンポーネント510を受け入れるためのレセプタクル506を有するために形成される。コンポーネント510は、半導体ダイのような他のアクティブ電気コンポーネント、または、窒化ガリウム発光ダイオードのような半導体基板上に形成されていないアクティブ電気コンポーネント、キャパシタ、インダクタであってもよく、あるいは、ダイ504の電力損失を改善するためのヒートシンク、モールドロックまたはアラインメントピンまたはアラインメントキーまたは他のタイプの配向要素のような他のタイプのコンポーネントであってもよい。例えば、ダイ504は、ダイ504のみに合致する装置に適合させるために方向付けをするためのアラインメントピンまたは配向要素を有するパッケージまたは他の装置に適合される。一例において、コンポーネント510は半導体ダイであり、また、レセプタクル506はダイ504を通る開口である。この実施例において、ダイ504と共にコンポーネント510は、プラスチックのパッケージボディを有するパッケージのような半導体パッケージ501内で封止される。パッケージ501は、複数の接続ターミナルおよび複数のリード520-523を有するリードフレームを含む。リード520-523のうちのいくつか例えばリード520522は、ダイ504に電気的に接続され、また、他のリード例えばリード521523は、コンポーネント510の半導体ダイに電気的に接続される。さらに、パッケージ501のリードフレームは、ダイ504が取り付けられるフラグ527、および、コンポーネント510の半導体ダイが取り付けられる他のフラグ518を含む。他の実施例では、ダイ504、およびコンポーネント510の半導体ダイは、図25に破線で示されるような1つのフラグに取り付けられてもよい。リード520-523と、ダイ504と、コンポーネント510との間の電気接続には、ワイヤボンド、リードクリップ、リボンボンド等の当技術分野において周知であるあらゆるタイプの接続を用いることができる。コンポーネント510は、通常、パッド512のようなコンタクトパッドを含み、それによって、コンポーネント510への電気接続の形成が促進される。図26は、図24の装置500の代替実施例における半導体装置550の一実施例の平面図を示す。この実施例において、ダイ504は、レセプタクル506内にコンポーネント546を有する。コンポーネント546は、コンポーネント510に類似する。この実施例では、コンポーネント546は、コンポーネント546への電気接続を促進するためのコンタクトパッド547を含む半導体ダイである。コンポーネント546は、図24に示されたようなリード521523に電気接続される代わりに、ダイ504に電気接続される。他の実施例では、コンポーネント510または546は、ダイ504に対するいくつかの接続を有してもよく、また、リード520-523のいくつかに対する他の接続を有してもよい。コンポーネント546は、コンポーネント510に類似する。レセプタクル506内のコンポーネント510または546の実施例における半導体ダイの配置によって、1つのパッケージ内で2つの異なるタイプの半導体ダイを配置することが容易になる。コンポーネント546の配列によって、通常は1つの半導体基板上に形成することができない2つの半導体ダイ間に短い電気接続を形成することが容易になる。例えば、シリコン半導体ダイとガリウムひ素ダイとの間、または、パワー半導体ダイとパワー半導体をコントロールするために使用される論理半導体ダイとの間である。当業者であれば、ダイ504は矩形の多重連結ダイとして示されているが、ダイ504は、図2-10および図23に関して記述された、いずれのダイでもよいことが解るであろう。さらに、レセプタクル506は、図2-6に記述されたものに類似するような、ダイの周囲のあらゆる突出または湾曲した形状、あるいは、多重連結ダイの開口のいずれであってもよい。図27は、装置500550に使用される他の実施例の部分の平面図を示す。図27は、ダイ3435図2参照を含み、ダイ34,35の1つは、ダイ34,35の他の1つを受け入れるためのレセプタクルを有し、これはダイ504図24-26参照に相当する。例えば、ダイ34は、ダイ35と共にダイ504に相当し、ダイ35は、ダイ34を受け入れるためのレセプタクルを形成する突出を有する。ダイ3435は、図26に関して記述されたように、接続495によって相互に接続されてもよく、あるいは、図25関して記述されたように、リードに接続されてもよく、あるいは、2つの接続構成を組み合せて接続されてもよい。図28は、ダイ534を通る開口535を有する多重連結ダイ534の拡大平面図を示す。開口535は、ダイ534の高周波部分536をダイ534の残りの部分から分離するための位置に置かれる。開口535から除去されるシリコンは、ドープされたシリコンのような導電性シリコンから、真正シリコン用の約11.7の最小誘電率まで及ぶ。開口535からシリコンを除去することによって、例えば開口535の反対側にあるダイ534の部分間の誘電率は、空気または真空の誘電率である1.0に接近して劇的に低下する。ダイ534の残りの部分から部分536を分離する低誘電材料は、領域間の容量結合または電磁結合を最小限にするために使用することができる。以上の記述を考慮すると、当業者であれば、半導体素子を形成する方法の一例は、第2半導体ダイを受け入れるためのレセプタクル例えばレセプタクル506を有する第1半導体ダイ例えばダイ504を提供する段階;レセプタクル内に第2半導体ダイ例えばダイ510を配置する段階;第1半導体ダイを第1接続端子例えば接続端子520に接続し、かつ、第2半導体ダイを第2接続端子例えば接続端子521に接続する段階;および、半導体パッケージ例えばパッケージ500内に第1半導体ダイおよび第2半導体ダイを封止する段階;を含むことを理解するであろう。例示された方法は、さらに、第1半導体ダイを通る開口、第1半導体ダイの周囲に沿った突出、および、第1半導体ダイの周囲に沿った湾曲形状のうちの1つとして、レセプタクルを形成する段階をさらに含む。さらに、当業者であれば、ここにおける記述は、半導体ダイを形成する方法の一例を含み、それは、第2半導体ダイを受け入れるためのレセプタクル例えばレセプタクル506を有する第1半導体ダイ例えばダイ504を提供する段階;レセプタクル内にコンポーネント例えばコンポーネント510/546を配置する段階;第1半導体ダイを第1接続端子例えば端子520に接続する段階;コンポーネントを、第1半導体ダイの1つまたは第2接続端子例えば端子522に接続する段階;および、第1半導体ダイおよびコンポーネントを封止する例えばセラミックボディ内に封止する段階;を含むことを理解するであろう。当業者であれば、本方法は、第1半導体ダイを通る開口、第1半導体ダイの周囲に沿った突出、および、第1半導体ダイの周囲に沿った湾曲形状のうちの1つとしてレセプタクルを形成する段階をさらに含むことを理解するであろう。本方法は、レセプタクル内に、アラインメントキー、ヒートシンク、ガリウムひ素アクティブ装置、非半導体アクティブ装置、窒化ガリウムアクティブ、および、パッシブ電気コンポーネントのうちの1つを配置する段階をさらに含む。当業者であれば、ここにおける記述から、半導体装置は、コンポーネントを受け入れるためのレセプタクル例えばレセプタクル506を有する第1半導体ダイ例えばダイ504;および、レセプタクル内に配置されたコンポーネント例えばコンポーネント546を含むことが解るであろう。他の実施例において、ダイを通る開口例えば開口535、または図3-6に関して説明された開口は、モールドロックとして機能する。モールドロックに関し、ダイをモールド混合物で封止する過程中に、いくらかのモールド混合物が開口内に広がり、その開口によってモールド混合物をダイにロックすることを支援する。当業者であれば、ダイの開口例えば、図3の開口58、図5の開口104、図6の開口7775、図28の開口535は、ダイのシンギュレーション中に形成されてもよく、あるいは、シンギュレーションに先立って形成されてもよいことが解るであろう。また、当業者であれば、グロップトップ混合物を含むモールド混合物、セラミック半導体パッケージの一部分のようなセラミックボディ、または、他の周知の封止装置の代わりに、他の周知の封止技術または装置を使用してもよいことが解るであろう。ダイ504は、4つの接続または端子を有するように示され、また、ダイ510546は、2つの接続または端子を有するように示されるが、当業者であれば、あらゆるダイが、あらゆる数の接続または端子を有し得ることを理解するであろう。上記のすべてを考慮して、新規の形状のダイ、および、新規の形状のダイを形成するための新規の方法が開示された。数ある特徴の中でも、特に、様々な形状を有するダイを形成すること、ならびに、ダイの配置も含めて、ウエハ上に形成可能なダイの数を最大限にすることによって、浪費されるウエハの量を最小限にすることが含まれる。本発明の主題が、特定の好適な実施例および異なる実施例とともに記述されたが、前述した図面およびそれに関する説明は、単に本発明の主題の典型的な実施例であり、従って、本発明の範囲を限定するものであると考えるべきではなく、当業者であれば多数の代替およびバリエーションを想起できることは明らかである。当業者であれば、図2に関し、ダイをシンギュレートするために領域49の全てを除去する必要は無く、外部周囲を囲む部分のみが除去されればよく、例えば、セクション67は除去されなくてもよいことが解るであろう。さらに、セクション67または68に類似のセクションは、ウエハ30上のいずれのダイにも使用することができる。ここに記述されたシンギュレーションマスクのような保護層、あるいは、誘電層または層324のような選択的なエッチング層のいずれもが、半導体ダイの同時シンギュレーション中にエッチングされないように、エンハンスメント領域を保護するために使用することができる。図2-10および図23における、例えばダイ35-37のようなダイの典型的な形状は、ここで説明されたような、ダイの形状をシンギュレートするための様々な方法について記述するための手段として用いられた。しかしながら、当業者であれば、ここで説明されたような、いくつかのダイをシンギュレートする方法は、あらゆるダイをシンギュレートするために適用可能であることが解るであろう。さらに、図2-10および図23において示されたダイのグループは、ダイが、他の特定のダイの形状と共に形成されることを制限する意図ではなく、ダイの形状のあらゆる組合せを使用することができる。"