"分子中に水酸基を持たないエポキシ樹脂、1分子中に酸無水物基とエポキシ基を有する化合物、エポキシ樹脂硬化剤及び硬化促進剤を含有することを特徴とするエポキシ樹脂組成物。1分子中に酸無水物基とエポキシ基を有する化合物が、下記式I式中、R1~R8は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1~20の炭化水素基を表し、nは1又は2である。で表される化合物であることを特徴とする請求項1に記載のエポキシ樹脂組成物。前記分子中に水酸基を持たないエポキシ樹脂の含有量と、式Iで表される化合物の含有量の重量比式Iで表される化合物の含有量:分子中に水酸基を持たないエポキシ樹脂の含有量が、0.1:1~0.7:1であることを特徴とする請求項2に記載のエポキシ樹脂組成物。前記分子中に水酸基を持たないエポキシ樹脂が、環に縮合したエポキシ基を2つ以上有する、分子量が300以下の脂環式エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。前記エポキシ樹脂硬化剤が、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、又はメチルヘキサヒドロ無水フタル酸とヘキサヒドロ無水フタル酸との混合物であることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。25°Cで液状であることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。請求項1~6のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を用いた半導体封止材料。請求項7に記載の半導体封止材料を用いて封止されてなる半導体装置。本発明は、上記した従来技術に鑑みてなされたものであり、フィラーを高充填しても低粘度で、かつ、ガラス転移温度が高く、線膨張係数が小さい硬化物を得ることができるエポキシ樹脂組成物、この組成物からなる半導体封止材料、及び、この半導体封止材料を用いて封止されてなる半導体装置を提供することを目的とする。本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、分子中に水酸基を持たないエポキシ樹脂、後述する式Iで表される化合物、エポキシ樹脂硬化剤及び硬化促進剤を含有するエポキシ樹脂組成物は、フィラーを高充填しても低粘度で、かつ、得られる硬化物はガラス転移温度が高く、線膨張係数が小さいものであるため、半導体封止材料として好適であることを見出し、かかる知見に基づいて本発明を完成するに至った。かくして本発明の第1によれば、下記1~6のエポキシ樹脂組成物が提供される。1分子中に水酸基を持たないエポキシ樹脂、1分子中に酸無水物基とエポキシ基を有する化合物、エポキシ樹脂硬化剤及び硬化促進剤を含有することを特徴とするエポキシ樹脂組成物。21分子中に酸無水物基とエポキシ基を有する化合物が、下記式I式中、R1~R8は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1~20の炭化水素基を表し、nは1又は2である。で表される化合物であることを特徴とする1に記載のエポキシ樹脂組成物。3前記分子中に水酸基を持たないエポキシ樹脂の含有量と、式Iで表される化合物の含有量の重量比分子中に水酸基を持たないエポキシ樹脂の含有量:式Iで表される化合物の含有量が、1:0.1~1:0.7であることを特徴とする2に記載のエポキシ樹脂組成物。4前記分子中に水酸基を持たないエポキシ樹脂が、環に縮合したエポキシ基を2つ以上有する、分子量が300以下の脂環式エポキシ樹脂であることを特徴とする1~3のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。5前記エポキシ樹脂硬化剤が、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、又はメチルヘキサヒドロ無水フタル酸とヘキサヒドロ無水フタル酸との混合物であることを特徴とする1~4のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。625°Cで液状であることを特徴とする1~5のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。本発明の第2によれば、下記7の半導体封止材料が提供される。7前記1~6のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を用いた半導体封止材料。本発明の第3によれば、下記8の半導体装置が提供される。8前記7に記載の半導体封止材料を用いて封止されてなる半導体装置。本発明のエポキシ樹脂組成物は、フィラーを高充填しても低粘度で、かつ、得られる硬化物はガラス転移温度が高く、線膨張係数が小さいものであるため、本発明のエポキシ樹脂組成物は、半導体封止材料として好適である。また、得られる硬化物は残留塩素濃度が低いので絶縁信頼性が高い。本発明の半導体封止材料は、本発明のエポキシ樹脂組成物を用いるものであるため、微細なバンプ間へも樹脂が充分に浸透してボイドの少ない封止が可能である。また、本発明の半導体装置は、本発明の半導体封止材料により封止されているため、半導体チップとの線膨張率差が比較的小さく、ヒートサイクル試験において優れた接続信頼性を示す。以下、本発明を、1エポキシ樹脂組成物、2半導体封止材料、及び、3半導体装置、に項分けして詳細に説明する。1エポキシ樹脂組成物本発明のエポキシ樹脂組成物は、以下のa~dの成分を含有することを特徴とする。a分子中に水酸基を持たないエポキシ樹脂、b1分子中に酸無水物基とエポキシ基を有する化合物、cエポキシ樹脂硬化剤、及びd硬化促進剤a分子中に水酸基を持たないエポキシ樹脂本発明のエポキシ樹脂組成物は、分子中に水酸基を持たないエポキシ樹脂以下、エポキシ樹脂aということがある。を含有する。エポキシ樹脂aとしては、分子中に水酸基を持たないエポキシ樹脂であれば特に制約はない。但し、エポキシ樹脂aからは、後述する、1分子中に酸無水物基とエポキシ基を有する化合物bを除く。エポキシ樹脂aとしては、例えば、分子中に水酸基を持たない、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、及び脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂及びグリシジルエステル型エポキシ樹脂は、エピクロルヒドリンと対応する活性水素化合物から得られるエポキシ樹脂である。脂環式エポキシ樹脂は、脂環式オレフィンの炭素-炭素二重結合をエポキシ化して得られるエポキシ樹脂である。また、エポキシ樹脂aが有するエポキシ基の個数は、好ましくは2~4個、より好ましくは2又は3個、特に好ましくは2個である。これらのエポキシ樹脂aは一種単独で、或いは二種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、ガラス転移温度がより高く、線膨張係数がより小さい硬化物を得ることができること観点から、分子中に水酸基を持たない脂環式エポキシ樹脂が好ましい。脂環式エポキシ樹脂の脂環式構造としては、飽和脂環式炭化水素シクロアルカン構造、不飽和脂環式炭化水素シクロアルケン構造等が挙げられ、シクロアルカン構造が好ましい。また、脂環式構造としては、単環構造であっても、多環構造であってもよい。多環構造としては、特に限定されず、縮合環構造、橋架け環構造、スピロ環構造、脂環族基が直接又は連結基アルキレン基、アルキレンオキシ基、-O-等を介して結合した構造であってもよい。脂環式構造を構成する炭素原子数は、通常4~20個、好ましくは5~15個の範囲である。また、脂環式エポキシ樹脂としては、環に縮合したエポキシ基を2つ以上有するものが好ましい。このようなエポキシ樹脂aとしては、例えば、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ビス3,4-エポキシシクロヘキシルメチルアジペート、ジシクロアリファティックジエステルジエポキシド、3,4-エポキシ-6-メチルシクロヘキシルメチル3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、下記式IIで表される化合物、下記式IIIで表される化合物、下記式IVで表される化合物等が挙げられる。前記式~IV中、R10~R21、R40~R51は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1~20の炭化水素基を表し、Xは、単結合、酸素原子、硫黄原子、-SO-、-SO2-、-CH2-、-CCH32-、-CBr2-、-CCBr32-、-CCF32-、-CCCl32-、又は、-CHC6H5-を表し、R22~R39は、互いに独立して、水素原子;ハロゲン原子;酸素原子もしくはハロゲン原子を含んでもよい、炭素数1~20の炭化水素基;又は置換基を有してもよい炭素数1~20のアルコキシ基を表し、mは1又は2を表す。R10~R39のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。炭素数1~20の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基;フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等の芳香族基等が挙げられる。R22~R39の置換基を有していてもよい炭素数1~20のアルコキシ基の、炭素数1~20のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、s-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、n-オクチルオキシ基等が挙げられる。その置換基としては、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;等が挙げられる。これらの中でも、エポキシ樹脂aとしては、本発明のより優れた効果を有する半導体封止材料が得られる観点から、分子量が300以下のものが好ましく、分子量が100~300であるものがより好ましい。また、25°Cで液体であるものが好ましい。具体的には、前記式IIで表される化合物又は式IIIで表される化合物であって、分子量が300以下のものが好ましく、前記式IIで表される化合物であって、分子量が300以下のものがより好ましく、下記式II-1で表される化合物テトラヒドロインデンジオキサイドが特に好ましい。エポキシ樹脂aの多くは公知物質であり、対応するオレフィンの炭素-炭素二重結合をエポキシ化する方法等の公知の方法により製造し、入手することができる例えば、特開2002-145872号公報、特開2008-189698号公報、特開2008-189709号公報等参照。。また、市販品をそのままエポキシ樹脂aとして使用することもできる。b1分子中に酸無水物基とエポキシ基を有する化合物本発明のエポキシ樹脂組成物は、さらに、1分子中に酸無水物基とエポキシ基を有する化合物を含有する。当該化合物としては、特に限定されないが、通常、前記式Iで表される化合物が好適に用いられる。前記式I中、R1~R8は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1~20の炭化水素基を表す。ハロゲン原子及び炭素数1~20の炭化水素基としては、前記R10~R39で例示したハロゲン原子及び炭素数1~20の炭化水素基と同様のものが挙げられる。これらの中でも、R1~R8は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基であるのが好ましく、R1~R8のいずれか1つがメチル基で、その他がすべて水素原子である、又はすべて水素原子であるのがより好ましい。nは1又は2であり、1であるのが好ましい。式Iで表される化合物は、従来公知の方法により製造することができる。例えば、下記式に示すように、対応するオレフィン化合物Vを酸化剤VIにより酸化エポキシ化する方法等が挙げられるUSP2,794,028号公報等参照。。用いる酸化剤としては、過酢酸等の脂肪族過カルボン酸類;過酸化水素、ピロリン酸カリウムと過酸化水素との組合せ等の過酸化水素類;m-クロロ過安息香酸等の有機過酸化物類等が挙げられる。酸化剤の使用量は、オレフィン化合物に対して等モル以上、好ましくは、1~2.5倍モルである。エポキシ化反応は、溶媒中で行うのが好ましい。用いる溶媒としては、ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類;トルエン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素類;酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類;等が挙げられる。反応温度は、0°C以上用いる溶媒の沸点以下、好ましくは0~120°Cである。反応時間は、反応規模等にもよるが、通常1~100時間、好ましくは2~12時間である。反応終了後は、例えば、貧溶媒で沈殿させる方法、エポキシ化物を熱水中に攪拌の下で投入し溶媒を蒸留除去する方法、又は、直接脱溶媒法等を行うことにより、目的とする脂環式エポキシ化合物を得ることができる。本発明のエポキシ樹脂組成物においては、前記エポキシ樹脂aの含有量と、前記式Iで表される化合物の含有量の重量比式Iで表される化合物の含有量:エポキシ樹脂aの含有量は、0.1:1~0.7:1であるのが好ましく、0.3:1~0.5:1であるのがより好ましい。本発明のエポキシ樹脂組成物は、前記エポキシ樹脂aと式Iで表される化合物をこのような割合で含有する場合、エポキシ樹脂aと後述するエポキシ樹脂硬化剤との反応性に優れ、低温短時間で硬化することができる。さらに、フィラーを高充填しても低粘度で、残留塩素濃度が低く、かつ、ガラス転移温度Tgが高く、線膨張係数が小さい硬化物を与える。cエポキシ樹脂硬化剤本発明のエポキシ樹脂組成物は、前記エポキシ樹脂a、及び、1分子中に酸無水物基とエポキシ基を有する化合物に加えて、エポキシ樹脂硬化剤を含有する。エポキシ樹脂硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化させ得るものであれば特に制約はない。例えば、酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤やフェノール系エポキシ樹脂硬化剤等が挙げられる。なかでも、適度な粘度を有し、より低温度短時間で硬化させることができるエポキシ樹脂組成物が得られることから、25°Cで液体であるものが好ましく、25°Cで液体の酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤がより好ましい。25°Cで液体の酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤としては、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、及び水素化メチルナジック酸無水物等が挙げられる。また、25°Cで固体の酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤を、25°Cで液状の酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤に溶解させ、25°Cで液状の混合物として使用してもよい。25°Cで固体の酸無水物系エポキシ樹脂硬化剤としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、及びナジック酸無水物等が挙げられる。25°Cで液体のフェノール系エポキシ樹脂硬化剤としては、明和化成工業社製の商品名MEH-8000HやMEH-8005等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂硬化剤は、一種単独で、或いは二種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、本発明のより優れた効果が得られる観点から、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、及び、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸とヘキサヒドロ無水フタル酸との混合物が特に好ましい。エポキシ樹脂硬化剤の使用量は、エポキシ樹脂硬化剤としての効果を発揮しうる量であれば特に制限はないが、前記エポキシ樹脂a100重量部に対して、通常50~200重量部の範囲である。d硬化促進剤本発明のエポキシ樹脂組成物は、前記エポキシ樹脂a、1分子中に酸無水物基とエポキシ基を有する化合物、及びエポキシ樹脂硬化剤に加えて、さらに硬化促進剤を含有する。硬化促進剤は、前記エポキシ樹脂aがエポキシ樹脂硬化剤によって硬化する際、硬化反応を促進する機能を有する化合物である。硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、ベンジルジメチルアミン、トリスジメチルアミノメチルフェノール、ジメチルシクロヘキシルアミン等の3級アミン類;1-シアノエチル-2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール等のイミダゾール系硬化促進剤;トリフェニルホスフィン、亜リン酸トリフェニル等の有機リン系硬化促進剤;テトラフェニルホスホニウムブロマイド、テトラ-n-ブチルホスホニウムブロマイド等の4級ホスホニウム塩類;1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン-7等やその有機酸塩等のジアザビシクロアルケン類;オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫やアルミニウムアセチルアセトン錯体等の有機金属化合物類;テトラエチルアンモニウムブロマイド、テトラブチルアンモニウムブロマイド等の4級アンモニウム塩類;三ふっ化ホウ素、トリフェニルボレート等のホウ素化合物;塩化亜鉛、塩化第二錫等の金属ハロゲン化物;が挙げられる。更には、高融点イミダゾール化合物、ジシアンジアミド、アミンをエポキシ樹脂等に付加したアミン付加型促進剤等の高融点分散型潜在性促進剤;イミダゾール系、リン系、ホスフィン系促進剤の表面をポリマーで被覆したマイクロカプセル型潜在性促進剤;アミン塩型潜在性硬化促進剤;ルイス酸塩、ブレンステッド酸塩等の高温解離型の熱カチオン重合型の潜在性硬化促進剤;等に代表される潜在性硬化促進剤も使用することができる。これらの硬化促進剤は単独で、又は2種以上を混合して使用することができる。これらの中でも、本発明のより優れた効果を得ることができる観点から、有機リン系硬化促進剤及びイミダゾール系硬化促進剤が好ましく、2-エチル-4-メチルイミダゾールが特に好ましい。硬化促進剤の使用量は、硬化促進効果が得られる量であれば特に制限はないが、前記エポキシ樹脂a100重量部に対して、通常0.1~10重量部、好ましくは0.5~5重量部である。本発明のエポキシ樹脂組成物においては、エポキシ樹脂a、1分子中に酸無水物基とエポキシ基を有する化合物、エポキシ樹脂硬化剤、及び硬化促進剤のほかに、本発明の目的を損なわない範囲で、その他の成分を含んでいてもよい。その他の成分としては、充填剤、非ハロゲン難燃剤、老化防止剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、離型剤、滑剤、着色剤、光安定剤、及び発泡剤等が挙げられる。充填剤としては、溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ、結晶質シリカ、ゾルゲルシリカ、フュームドシリカ等のシリカ、シリカバルーン、アルミナ、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化すず、酸化ベリリウム、バリウムフェライト、及びストロンチウムフェライト等の無機酸化物;炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、及び炭酸水素ナトリウム等の無機炭酸塩;硫酸カルシウム等の無機硫酸塩;タルク、クレー、マイカ、カオリン、フライアッシュ、モンモリロナイト、ケイ酸カルシウム、ガラス、及びガラスバルーン等の無機ケイ酸塩;等が挙げられる。中でも、最密充填に適した粒度分布の設計が可能なため、溶融球状シリカが好ましい。用いるシリカの粒径平均粒子径は、特に限定されるものではないが、凝集沈降がしにくいことから、粒子を三次元的にみたときの長手方向と短手方向の長さの平均値で、通常0.1~10μm、好ましくは0.3~5μm、さらに好ましくは0.5~3μmの範囲である。また、同じく用いるシリカに含まれる粗大粒子の粒径最大粒径は、通常50μm以下、好ましくは25μm以下、さらに好ましくは10μm以下である。本発明のエポキシ樹脂組成物を半導体封止材料として用いる場合、この範囲のシリカを用いることで、微細バンプ間にも浸透可能な液状封止材料を提供することが可能となる。シリカの使用割合は、エポキシ樹脂組成物全体の30~80重量、好ましくは40~70重量の範囲である。また、本発明のエポキシ樹脂組成物を半導体封止材料として用いる場合、樹脂成分とシリカとの接着性を高めるために、所望により、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等の各種シラン系化合物を添加することができる。これらを例示すると、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリスβ-メトキシエトキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、γアニリノプロピルトリメトキシシラン、γアニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ-[ビスβ-ヒドロキシエチル]アミノプロピルトリエトキシシラン、N-β-アミノエチル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-β-アミノエチルアミノプロピルジメトキシメチルシラン、N-トリメトキシシリルプロピルエチレンジアミン、N-ジメトキシメチルシリルイソプロピルエチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、N-β-N-ビニルベンジルアミノエチル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、γ-クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン等のシラン系カップリング剤などが挙げられ、これらは単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。上記シラン系化合物の配合量は、シリカに対して0.05~5重量であることが好ましく、0.1~2.5重量がより好ましい。本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂a、1分子中に酸無水物基とエポキシ基を有する化合物、エポキシ樹脂硬化剤、硬化促進剤及び所望により他の成分を、従来公知の方法、例えば、三本ロール、ニーダー、万能攪拌機、ボールミル、プラネタリミキサー、ホモジナイザー、ホモディスパーザー等により均一になるまで混合混練する方法により、調製することができる。本発明のエポキシ樹脂組成物は、フィラーを高充填しても低粘度であり、従来品に比してより低温度短時間で硬化しても、ガラス転移温度Tgが高く、線膨張係数が小さい硬化物を与えるものである。従って、作業性が良好な半導体封止材料として好適である。2半導体封止材料本発明の半導体封止材料は、本発明のエポキシ樹脂組成物を用いることを特徴とする。そのため、本発明の半導体封止材料は、適度な粘度を有するために微細な隙間に浸透でき、硬化が容易であるため作業性が良好である。また、その硬化物は、ガラス転移温度Tgが高く、線膨張係数が小さいため、機械的応力が加わってクラック等が発生することがなく、接続信頼性に優れる半導体装置を形成することができる。本発明の半導体封止材料は、本発明のエポキシ樹脂組成物をそのまま本発明の半導体封止材料として使用するものであってもよいし、本発明のエポキシ樹脂組成物に、所望により他の添加剤を添加したものであってもよい。他の添加剤としては、前記本発明のエポキシ樹脂組成物に、他の成分として含有させることができるものとして列記したものと同様のものが挙げられる。本発明の半導体封止材料は、後述するように、特に、フリップチップ実装パッケージ等において、チップの電極とプリント基板の電極を接続する半田バンプ等の部分を封止するのに好適に用いられる。本発明の半導体封止材料をアンダーフィル剤として用いた場合、半田バンプ等の間隙に容易に浸透し、当該間隙をボイド残り無く充填することができ、さらに低線膨張率であるため、ヒートサイクル試験において優れた接続信頼性を有する半導体装置を形成することができる。本発明の半導体封止材料は、従来品に比して、より低温度短時間で硬化する。本発明の半導体封止材料の硬化方法としては、特に限定されないが、例えば、80~200°C程度に設定された加熱炉内に0.5~4時間程度静置する方法が挙げられる。硬化方法は、多段階のステップキュアとすることも可能であり、例えば、2段階で硬化する場合、1次硬化を80~120°Cで0.5~2時間程度行った後、2次硬化を120~200°Cで0.5~2時間程度行って硬化することが好ましい。得られる硬化物は、ガラス転移温度が高く、線膨張率が低いため、チップとの線膨張率差が比較的小さく、ヒートサイクル試験において優れた接続信頼性を示す。3半導体装置本発明の半導体装置は、本発明の半導体封止材料を用いて封止されてなることを特徴とする。本発明の半導体装置としては、半導体チップ等の電子部品とプリント基板インターポーザとの間等が本発明の半導体封止材料を用いて封止されたものであれば、特に制約はない。プリント基板は、少なくとも、絶縁層と導体回路と電極とを有し、電子部品の電極からの電気信号を他の電子部品等に伝送可能なものであれば特に限定はない。プリント基板としては、例えば、従来のガラスエポキシプリント配線基板、ガラスポリイミドプリント配線基板、ビスマレイミドトリアジン樹脂プリント基板、ポリフェニレンエーテルポリフェニレンオキサイドプリント配線基板、フッ素樹脂プリント配線基板、その他環状オレフィン系樹脂プリント配線基板等の低誘電率プリント配線基板等のプリント配線基板;ポリエチレンテレフタレートフレキシブルプリント配線基板、ポリイミドフレキシブルプリント配線基板等のフレキシブルプリント配線基板FPC;シリコンウェハー基板;セラミック基板;感光性樹脂等を使用した高密度実装基板;樹脂付き金属箔やドライフィルム、接着性絶縁フィルム等のフィルム積層型の高密度実装基板;ポリフェニレンスルフィドや液晶ポリマー等の熱可塑性エンジアリングプラスチックフィルム等のフィルム配線基板等や、近年のパッケージ形態であるチップスケールパッケージCSPに使用されるキャリアフィルムポリイミドキャリアフィルム等や単層基板等、並びにこれらの基板に電子部品が実装されたプリント回路板等が挙げられる。電子部品としては、ICチップ、LSIチップ等の半導体チップ、及び、複数の半導体部品を実装してなるマルチチップモジュールMCM等の半導体パッケージ等が挙げられる。電子部品は、プリント基板の電極に直接接続するための接続ワイヤ又は突起状電極バンプを有する。突起状電極としては、例えば、半田バンプや金バンプ等が挙げられる電子部品をプリント基板に実装する方法としては、特に制約はないが、基板側の電極と電子部品側の電極とをワイヤによって接続するワイヤボンディング実装図1参照、電子部品の電極を基板側の電極と直接接続するフリップチップ実装図2参照、及びリード線を設けたフィルムを用いて基板側の電極と電子部品側の電極とを接続するTABTapeAutomatedBonding実装が挙げられる。なかでも、フリップチップ実装で実装されていることが好ましい。フリップチップ実装では、電子部品は、突起状電極形成面を逆さまにして、フェースダウンの状態でプリント基板の電極上に搭載され直接接続されることになる。本発明の半導体装置は、前記プリント基板と電子部品との間にできた間隙等に前記半導体封止材料を充填し、加熱硬化することにより、電極間接続部分を該材料により封止する。充填する方法としては、例えば、プリント基板と電子部品との間隙等に、前記半導体封止材料を、注型、トランスファー成形機、射出成形機、ディスペンサー等を用いて流し込み注入し、毛細管現象を利用して該材料を間隙に充填する方法、ディスペンサー等を用いて、プリント基板上に電子部品の大きさに合わせて半導体封止材料を塗布し、又は、半導体封止材料をドライフィルムの形態として、電子部品の大きさに合わせてプリント基板上に設置し、次いで電子部品のプリント基板への接続を行う方法等が挙げられる。前記ワイヤボンディング実装を行った場合図1参照は、前記半導体封止材料を、少なくともワイヤ接続部分を覆うように塗布することで電極間接続部分を該材料により被覆することができる。その際、塗布した材料が流れないように、電子部品の周辺に枠ダムを設置したり、電子部品の実装部分のみを凹部分にしてもよい。加熱は、例えば、電子部品との電極間接続部分が前記半導体封止材料で充填された状態にあるプリント基板ごと加熱炉内に静置することにより行われる。前記半導体封止材料を硬化させるための加熱温度は、80~200°C程度であり、加熱時間は、通常0.5~4時間程度である。多段階のステップキュアで硬化させることも可能である。得られる半導体装置の例を、図1及び図2に示す。図1は、半導体チップがワイヤボンディング実装された半導体装置を示す図であり、図2は、半導体チップがフリップチップ実装された半導体装置を示す図である。図中、1及び1’はプリント基板を、2は接続ワイヤを、3及び3’は半導体チップを、4及び4’は本発明の半導体封止材料の硬化物を、5は半田バンプ半田ボールをそれぞれ示す。プリント基板に対して電子部品を取り付ける反対側の面に半田バンプが設けられている場合、上述のようにしてプリント基板と電子部品との電極間接続部分を封止した後1次封止、得られたプリント回路板をマザーボード通常のプリント配線板上にさらに搭載し接続してもよい。この場合、前記プリント回路板とマザーボードとの間隙に対してアンダーフィル法により本発明の半導体封止材料をディスペンサー等を使用して流し込み、硬化させることにより、2次封止することができる。また、本発明の半導体装置は、半導体ベアチップ実装パッケージであってもよい。用いられる電子部品としては、半導体部品の中でもCPU中央演算装置やメモリDRAM等に使用されるような、微細配線が高度に集積された大規模集積回路LSI等が挙げられる。半導体ベアチップ実装パッケージは、少なくとも半導体チップの電極とプリント基板の電極との間の接続部分を、本発明の半導体封止材料を用いて封止することにより得られる。前記パッケージに、さらにマザーボードのプリント基板に接続する目的で半田ボール等の突起状電極を取付けたボールグリッドアレイBGA、半導体チップが複数実装されたマルチチップパッケージマルチチップモジュールは、コンピューターや通信機器に使用可能である。以下に、実施例及び比較例を挙げて、本発明についてより具体的に説明する。但し、本発明は実施例に限定されるものではない。各例中の部及びは、特に断りのない限り、重量基準である。なお、合成例における、ガスクロマトグラフィー以下、GCと略記する。による分析条件は以下の通りである。分離カラム:HP190912-233E250μmI.D.x30.0m、膜厚1.0μmカラムオーブン温度:初期温度150°Cで3分間保持→10°C/分で昇温;→300°Cで20分保持キャリアガス:ヘリウム合成例1分子中に酸無水物基とエポキシ基を有する化合物VIIの合成温度計を備えた3つ口反応器に、窒素気流中、30過酸化水素水54.6g0.481mol、無水酢酸246.0g2.407molを加えて、反応液の内温が40~45°Cになるように水浴温度を調整しながら4時間攪拌した。その後、この溶液を室温23°Cに戻し、3または4-メチル-1,2,3,6-テトラヒドロ無水フタル酸40.0g0.241molを加えて、全容を40°Cで5時間撹拌した。反応終了後、反応液を室温23°Cに戻し、蒸留水1000ml、チオ硫酸ナトリウム五水和物89.6gを加え、酢酸エチル500mlで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、硫酸ナトリウムをろ別した。ろ液をロータリーエバポレーターで減圧濃縮し、残渣を真空乾燥して、目的とする化合物VIIを33.3g得た収率76。得られた化合物をGCにて分析した結果、その主たるピークは9.4分、9.7分、10.9分、11.4分、11.6分のリテンションタイムを有していた。さらにGC-MSEIによる測定においては182に親ピークが現れ、化合物VIIと一致することを確認した。[合成例2]テトラヒドロインデンジオキサイドの合成内容量5Lのガラス製フラスコに、テトラヒドロインデン500g及びアセトニトリル450gを入れ、全容を攪拌しながら65°Cに昇温した。ここに、水酸化カリウムでpH8に調整した50ピロリン酸カリウム水溶液500gと35過酸化水素水1500gの混合液を、約20時間かけて滴下し、その後同温度で20時間攪拌した。反応液を室温23°Cまで冷却し、エバポレーターで濃縮し、得られた溶液をトルエン1000mlで2回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、硫酸ナトリウムをろ別した。ろ液からトルエンを留去して、テトラヒドロインデンジオキサイドの透明液体280gを得た。GCにより測定した純度は95であった。本発明のエポキシ樹脂組成物を調製する例を以下に示す。以下において、硬化剤、溶融球状シリカ、シランカップリング剤、硬化促進剤としては、次のものを用いた。硬化剤:メチルヘキサヒドロ無水フタル酸とヘキサヒドロ無水フタル酸との混合物商品名:MH-700G、新日本理化社製以下、硬化剤Aと略記する。溶融球状シリカ:溶融球状シリカ商品名:PLV-3、龍森社製、平均粒径3μm、最大粒径10μm以下、溶融球状シリカAと略記する。シランカップリング剤:3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン商品名:KBM-403、信越シリコーン社製以下、シランカップリング剤Aと略記する。硬化促進剤:2-メチル-4-メチルイミダゾール商品名:2E4MZ、四国化成工業社製以下、硬化促進剤Aと略記する。エポキシ化合物a:合成例2で得たテトラヒドロインデンジオキサイド以下、エポキシ化合物aAと略記する。エポキシ化合物:3,4-エポキシシクロヘキシルメチル3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート商品名:セロキサイド登録商標2021P、ダイセル化学工業社製以下、エポキシ化合物aBと略記する。[実施例1]分子中に酸無水物基とエポキシ基を有する化合物として、合成例1で得た化合物VII40部と、エポキシ化合物aA100部と、硬化剤A190部とを混合し、60°Cで4時間攪拌して、化合物VIIを溶解させた。得られた溶液に、溶融球状シリカA396部、シランカップリング剤A4.0部、及び硬化促進剤A2部を加え、自転公転式のミキサーにて10分間攪拌し、エポキシ樹脂組成物ワニス1を調製した。ワニス1につき、E型粘度計東京計器社製を用いて、25°Cにおける粘度を測定した。測定結果を下記第1表に示す。なお、ワニス1中の溶融球状シリカの含有量は60であった。さらに、得られたワニス1を、ポリイミドフィルム上にギャップ100μmのドクターブレードを用いて塗布し、1次硬化を100°Cで1時間、2次硬化を150°Cで1時間行って硬化させた。硬化物からポリイミドフィルムを剥離して、厚さ50μm前後のフィルム半導体封止材料1を作製した。得られたフィルムを、昇温速度10°C/分で加熱し、TMA試験機エスアイアイナノテクノロジー社製の引張モードで、ガラス転移温度Tg到達前の線膨張率α1、到達後の線膨張率α2、及びTgを求めた。測定結果を下記第1表に示す。[実施例2]実施例1において、化合物VIIの使用量を20部に、溶融球状シリカAの使用量を372部に、及び、シランカップリング剤Aの使用量を3.7部にそれぞれ変更した以外は、実施例1と同様にして、ワニス2及びフィルム2を作製した。ワニス2及びフィルム2につき、実施例1と同様に、粘度、及び線膨張率等を測定した。測定結果を下記第1表に示す。なお、ワニス2中の溶融球状シリカの含有量は60であった。[実施例3]実施例1において、エポキシ化合物aB100部を用い、硬化剤Aの使用量を125部に、溶融球状シリカAの使用量を318部に、及びシランカップリング剤Aの使用量を3.2部にそれぞれ変更した以外は、実施例1と同様にして、ワニス3及びフィルム3を作製した。ワニス3及びフィルム3につき、実施例1と同様に、粘度、及び線膨張率等を測定した。測定結果を下記第1表に示す。なお、ワニス3中の溶融球状シリカの含有量は60であった。[実施例4]実施例3において、化合物VIIの使用量を20部に、溶融球状シリカAの使用量を294部に、シランカップリング剤Aの使用量を2.9部に変更した以外は、実施例3と同様にして、ワニス4及びフィルム4を作製した。ワニス4及びフィルム4につき、実施例1と同様に、粘度、及び線膨張率等を測定した。測定結果を下記第1表に示す。なお、ワニス4中の溶融球状シリカの含有量は60であった。[比較例1]実施例1において、分子中に酸無水物基とエポキシ基を有する化合物を使用しないこと、並びに、溶融球状シリカAの使用量を348部に、及び、シランカップリング剤Aの使用量を3.5部に変更した以外は、実施例1と同様にして、ワニス5、及びフィルム5を作製した。ワニス5及びフィルム5につき、実施例1と同様に、粘度、及び線膨張率等を測定した。測定結果を下記第1表に示す。なお、ワニス5中の溶融球状シリカの含有量は60であった。[比較例2]実施例3において、分子中に酸無水物基とエポキシ基を有する化合物を使用しないこと、溶融球状シリカAの使用量を270部に、及び、シランカップリング剤Aの使用量を2.7部に変更した以外は、実施例3と同様にして、ワニス6及びフィルム6を作製した。ワニス6及びフィルム6につき、実施例1と同様に、粘度、及び線膨張率等を測定した。測定結果を下記第1表に示す。なお、ワニス6中の溶融球状シリカの含有量は60であった。第1表より、化合物VIIを用いることにより、従来の液状脂環式エポキシ樹脂を用いた液状半導体封止材料よりも低粘度であり、その硬化物の線膨張率が低く、Tgの高い、半導体封止材料を提供できることが分かる。"