バンプ形成のための線径10~50μmのバンプ用ワイヤWであって、Pdを0.2~1.5重量含有し、Ca、Ce、Ndのうち少なくとも1種以上を総和40~120重量ppm含有し、残部が金及び不可避不純物からなる組成を有して、バンプ高さLを短くすることを特徴とするバンプ用ワイヤ。バンプ形成のための線径10~50μmのバンプ用ワイヤWであって、Pdを0.5~1.3重量含有し、Ca、Ce、Ndのうち少なくとも1種以上を総和50~100重量ppm含有し、残部が金及び不可避不純物からなる組成を有して、バンプ高さLを短くすることを特徴とするバンプ用ワイヤ。バンプ形成のための線径10~50μmのバンプ用ワイヤWであって、Pdを0.5~1.3重量含有し、Ca、Ce、Ndのうち少なくとも1種以上を総和40~120重量ppm含有し、残部が金及び不可避不純物からなる組成を有して、バンプ高さLを短くすることを特徴とするバンプ用ワイヤ。バンプ形成のための線径10~50μmのバンプ用ワイヤWであって、Pdを0.2~1.5重量含有し、Ca、Ce、Ndのうち少なくとも1種以上を総和50~100重量ppm含有し、残部が金及び不可避不純物からなる組成を有して、バンプ高さLを短くすることを特徴とするバンプ用ワイヤ。上記バンプ接続において、図1aの溶融ボール2を形成した際、図2aに示すように、その溶融ボール2からワイヤWには再結晶領域2a同図において、溶融ボール2からワイヤWの破線までの領域が生じ、図1cのワイヤWの切断時にはその再結晶領域2aでもってワイヤWは切断される。このため、この再結晶領域2aが長いと、図2bに示す、ワイヤ切断後のバンプ高さLが安定せず、均一なバンプ5を形成することができない。また、ワイヤWの先端図1cにおける下端と放電棒gとの距離が安定しないため、スパークエラーによるマシンストップが発生し、作業性が悪くなるといった不具合が発生する。この発明は、以上の実状の下、バンプ5の形状安定化を図るワイヤWを提供することを課題とする。上記課題を達成するため、この発明は、バンプ形成のための線径10~50μmのバンプ用ワイヤWであって、Pdを0.2~1.5重量含有し、Ca、Ce、Ndのうち少なくとも1種以上を総和40~120重量ppm含有し、残部が金及び不可避不純物からなる組成を有した構成を採用したものである。Pdの添加は溶融ボール2作製時の再結晶領域が短くなり、バンプ高さLが短く安定化し、バンプ5の形状が安定するとともに、溶融ボール2と放電棒gとの距離が安定するためスパークエラーによるマシンストップが発生することなく連続でバンプ形成が可能となる。その含有量添加量は0.2~1.5重量とし、0.2重量未満であると、前記効果が望めず、1.5重量を超えると、溶融ボールが硬くなり過ぎて、接合時に十分な接合面積が得られず、また、Au-Al間で合金層の生成が不十分となるため、接合性が低下する。この低下を招くことなく安定して接合するためには高温、高荷重、高超音波出力で接合する必要があるが、それらを行うと、半導体素子の損傷等の不具合が発生する。さらに、ワイヤ自体の電気抵抗が増加するという問題点もある。好ましくは、0.5~1.3重量とする。Pdのみによるバンプ高さLの短縮であると、そのバンプ高さを所要長さにするために、Pdの添加量が多くなって、上記接合性の低下、半導体素子の損傷、ワイヤ自体の電気抵抗の増加等の不具合が発生するが、これらのCe、Nd、Caの微量添加元素を、Pdと併用して添加することにより、それらの障害が生じることなく、ワイヤWの耐熱性が高くなって、スパーク時のエネルギーで生じる再結晶領域が短くなる。このため、所要の短いバンプ高さLを得ることができて、バンプ5の形状が安定する。これらの効果を得るために、このCe、Nd、Caの含有量添加量は少なくとも1種以上を総和40~120重量ppmとする。40重量ppm未満では、バンプ高さLが長くなる等の前記効果が望めず、120重量ppmを超えると、溶融ボール2の形状がいびつになったり、溶融ボール2やワイヤ表面に添加元素が析出して酸化膜となることにより接合性が低下する、また溶融ボール2が硬過ぎて半導体素子の損傷が発生する、さらに圧着ボールバンプ5の形状が安定しない等の問題が生じる。好ましくは総和50~100重量ppmとする。このワイヤWの線径は10~50μmとする。50μm以下としたのは、溶融ボール2をより小さくできるからであり、10μm以上としたのは、10μm未満ではオペレータがワイヤWをキャピラリー1に通すのが困難になり、作業性が悪くなるうえに、空気圧によりワイヤWに十分な張力をかけることができなくなり、ワイヤ切断や制御が困難になるからである。なお、特許文献2記載技術は、高純度Auに、Pd、Caを添加したバンプ用ワイヤであるが、Biを添加しており、この発明とは異なる組成のワイヤである。また、特許文献3段落0008第1~5行には、希土類元素を添加すると、溶融ボール形成時の再結晶領域2aを短くできる旨の記載があるが、この再結晶領域2aを短くできることによる作用効果はボンディングの際のループ高さが低くなる。同段落第4~5行点であって、この発明のバンプ5のバンプ高さLを短く、かつ安定化するためではない。この発明は、以上のように、Pdを適量含有し、さらにCa、Ce、Ndのうち少なくとも1種以上を適量含有したワイヤとしたので、バンプ高さLが短く安定化し、バンプ5の形状が安定するとともに、溶融ボール2と放電棒gとの距離が安定するためスパークエラーによるマシンストップが発生することなく連続でバンプ形成が可能となる。実施例金純度が99.99重量以上の高純度金を用いて、表1に示す化学成分の金合金を鋳造し、8mmφのワイヤロッドを作製した。そのワイヤロッドを伸線加工し最終線径を25μmの金合金線とし、窒素雰囲気中400~600°Cで焼鈍した。化学成分の定量はICP-OES高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法により行った。そのバンプ用ワイヤWとして、実施例1~28、比較例1~4を得た。この各実施例及び各比較例に対し、下記の試験を行い、その結果を表2に示す。試験方法[接合条件]:接合には市販のボンダーを使用し、溶融ボール直径50μm2を作製し図1a参照、ステージ温度150°Cにて、アルミニウム電極4にバンプ5を形成した図1b、c参照。圧着ボールバンプ5形状:上記接合条件で形成したバンプ5の形状を光学顕微鏡および走査型電子顕微鏡SEMで観察した。観察は100個について行い、圧着ボール5が、図3aに示すように、平面視の外形が円形のもの全てなら○、同bに示すように、平面視の外形が一箇所でも突出した変形のものが1~5つであれば△、同5つを超えておれば×とした。接合性:上記接合条件で接合したサンプルをボンドテスター2400dage社製にてバンプ5の電極4との接合部のシェア強度を30個測定し、平均化した。測定値から単位面積当たりのシェア強度を計算した。その単位面積当たりのシェア強度が98MPa以上なら○、88MPa以上98MPa未満なら△、88MPa未満なら×とした。連続バンプ性:接合には市販のボンダーを使用し、溶融ボール直径50μm2を作製し、ステージ温度150°Cにて、銀メッキ処理した42アロイ鉄-ニッケル合金のフレーム上にバンプ5を形成した。1000回以上に亘って所要の高さ、例えば、55μm以下のバンプ高さLを得たものを○とした。バンプ高さLが高くなり過ぎて、スパークエラーによるマシンストップが発生した場合は、溶融ボール2の直径を55μmにしてバンプ5の形成を行い、1000回以上に亘って所要の高さのバンプ高さLを得たものを△、バンプ高さLが高くなり過ぎて、スパークエラーによるマシンストップが発生した場合を×とした。総合評価:各評価で全て○のものを◎、△が一つで他全て○のものを○、×が無く△が二つ以上あるものを△、×が一つでもあるものを×とした。なお、この評価において、◎のものは勿論のこと、×以外の○又は△のものは、半導体素子の種類により接合条件に制約がない場合等の使用条件によれば、この発明の作用効果を発揮して使用し得る。この表1、2の比較例3、4から、Pd含有量が0.2~1.5重量を外れると、接合性において不都合が生じて総合評価が×となり、比較例1、2から、Ca、Ce、Ndのうち少なくとも1種以上の総含有量が40~120重量ppmを外れると、圧着ボール形状、又は連続バンプ性において不都合が生じて総合評価が×となっている。これに対し、各実施例1~28は、いずれも、Pdを0.2~1.5重量含有し、Ca、Ce、Ndのうち少なくとも1種以上を総和40~120重量ppm含有したものであることから、総合評価において、◎○又は△を得ており、この発明の作用効果が得られることが理解できる。すなわち、実施例1~9、13、21~23から、Pdを0.5~1.3重量、Ca、Ce、Ndのうち少なくとも1種以上の総和を50~100重量ppmにすると、総合評価において◎であり、優れた配合割合のワイヤWであることが理解できる。一方、実施例10~12、25~28から、Pdが0.5~1.3重量であれば、Ca、Ce、Ndのうち少なくとも1種以上の総和が50~100重量ppmを外れて40~120重量ppm内であれば、圧着ボール形状又は連続バンプ性のみにおいて△となって、総合評価において、○となっている。また、実施例14~16、24から、Pdが0.5~1.3重量を外れて0.2~1.5重量内であって、Ca、Ce、Ndのうち少なくとも1種以上の総和が50~100重量ppmであれば、接合性においてのみ△となって、総合評価において、○となっている。さらに、実施例17~20から、Pdが0.5~1.3重量を外れて0.2~1.5重量内、Ca、Ce、Ndのうち少なくとも1種以上の総和が50~100重量ppmから外れて40~120重量ppm内であれば、圧着ボール形状、接合性又は連続バンプ性の何れか二つにおいてのみ△となり、総合評価において、△となっている。以上から、これらの配合割合のワイヤW実施例10~12、14~20、24~28は、半導体素子の種類により接合条件に制約がない場合等の使用条件によれば、この発明の作用効果が得られることが理解できる。