可視光から近赤外光に広がった発光スペクトルを有する放出光を放出可能な発光層と、第1の面および前記第1の面の反対の側となる第2の面を有する第1の層であって、前記第1の面の側には前記発光層が設けられ、可視光吸収層を少なくとも有し、第1導電形を有する第1の層と、前記第2の面の側に選択的に設けられた電極と、前記第1の層とは反対の側となる前記発光層の側に設けられ、第2導電形を有する第2の層と、を備え、前記可視光吸収層のバンドギャップ波長は、前記放出光のピーク波長よりも短く、かつ前記発光スペクトルの強度が前記ピーク波長における前記発光スペクトルの強度の10分の1となる波長のうちの可視光側の波長よりも長いことを特徴とする半導体発光装置。前記第1の層の前記第2の面は、前記電極が設けられた領域と、前記可視光吸収層からなり光取り出し面となる領域と、を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置。前記光取り出し面は、凹凸部を含むことを特徴とする請求項2記載の半導体発光装置。前記ピーク波長は、0.78μm以上1μm以下であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載の半導体発光装置。前記可視光吸収層は、AlxGa1-xAs0≦x≦0.45からなることを特徴とする請求項4記載の半導体発光装置。本発明が解決しようとする課題は、発光層からの放出光のうち、可視光側の発光強度を低減可能な半導体発光装置を提供することである。実施形態の半導体発光装置は、発光層と、第1の層と、電極と、第2の層と、を有する。前記発光層は、可視光から近赤外光に広がった発光スペクトルを有する放出光を放出可能である。前記第1の層は、第1の面および前記第1の面の反対の側となる第2の面を有する。前記第1の層の前記第1の面の側には前記発光層が設けられる。また、前記第1の層は、少なくとも可視光吸収層を有し、第1導電形を有する。前記電極は、前記第2の面の側に選択的に設けられる。前記第2の層は、前記第1の層とは反対の側となる前記発光層の側に設けられ、第2導電形を有する。前記可視光吸収層のバンドギャップ波長は、前記放出光のピーク波長よりも短く、かつ前記発光スペクトルの強度が前記ピーク波長における前記発光スペクトルの強度の10分の1となる波長のうちの可視光側の波長よりも長いことを特徴とする。以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。図1aは第1の実施形態にかかる半導体発光装置の模式平面図、図1bはA-A線に沿った模式断面図、である。半導体発光装置は、発光層26、発光層26の上に設けられた第1の層33、第1の層33の上に設けられた第1の電極40、第1の層33とは反対の側となる発光層26の側に設けられ、第2導電形を有する第2の層25と、基板10と、第2の電極50と、を有する。第1の層33は、第1導電形を有し、第1の面33aと、第1の面33aの反対側の第2の面33bと、を有する。発光層26は、第1の層33の第1の面33aの側に配置されている。第1の電極40は、第1の層33の第2の面33bの側に配置されている。なお、第1の電極40は、パッド部40aおよび細線部40bを有していてもよい。この場合、図1bのように、パッド部40aと、第1の層33と、の間に電流ブロック層32を設けると、パッド部40aの下方領域への電流注入を抑制できる。このため、パッド部40aの下方領域での発光を抑制でき、光取り出し効率を高めることができる。また、第2の電極50は、基板10の裏面10aに設けられる。パッド電極40aと第1の層33との間に電流ブロック層32を設けた場合、電流は、パッド電極40aと接続された細線電極40bから第1の層33へ注入され、発光層26へ流れ込む。すなわち、細線電極40bの下方の発光層26の領域Eの近傍が発光領域となる。なお、第1の層33は、少なくとも可視光吸収層30を有する。さらに、第1の層33は、発光層26と、可視光吸収層30と、の間に、第1クラッド層28を有してもよい。このようにすると、発光層26からの放出光を第1の層33の積層方向に適正に閉じ込めることができる。さらに可視光吸収層30と第1クラッド層28との間に、高い不純物濃度を有する層を設けると、細線電極40bから注入された電流を発光層26の面内に広げ、発光効率を高めることができる。また、第2の層25は第2導電形を有しており、基板10の側にバッファ層22、バッファ層22と発光層26との間に第2クラッド層24を有してもよい。発光層26をMQWMultiQuantumWell構造とし、MQWの組成と構造とを変化することにより、所望のピーク波長λpに制御することが容易となる。なお、ピーク波長λpとは、広がりを有する発光スペクトルにおいて、スペクトル強度が最大値Imaxとなる波長を表すものとする。図2は、バンドギャップ波長の範囲を説明するグラフ図である。本明細書において、発光スペクトル強度が最大値Imaxとなる発光波長をピーク波長λpと呼ぶことにする。LEDの場合、発光スペクトルは、図2のように広がる。また、スペクトル強度の最大値Imaxの2分の1となる波長範囲は半値幅で表され、例えば30~60nmなどの範囲となる。可視光側の発光スペクトルの裾部の僅かなスペクトル成分であっても、近赤外光と比べて高い視感度を有する可視光は人間の目が認識しやすい。本実施形態では、発光スペクトル強度の最大値Imaxの10分の1のスペクトル強度となる波長を、λ1可視光側およびλ2近赤外光側とそれぞれ表し、可視光吸収層30のバンドギャップ波長λgapを設定する基準とする。なお、本明細書において、近赤外光とは、0.78~1μmの波長範囲の光を表すものとする。発光層26からの放出光は、ピーク波長λpを中心にして、可視光側および近赤外光側にそれぞれ広がった発光スペクトルを有している。本実施形態では、可視光吸収層30のバンドギャップ波長λgapをピーク波長λpよりも短く、かつ波長λ1よりも長く設定する。バンドギャップ波長λgapよりも長い波長を有する光は、可視光吸収層30による吸収を生じることなく外部に放出される。他方、バンドギャップ波長λgapよりも短い波長を有する光は、可視光吸収層30内での吸収が大きくかつバンドギャップ波長λgapから短い波長の側に近づくほど吸収率が大きい。この結果、領域Eから上方へ向かった放出光は、可視光吸収層30を通過する間に可視光の一部が吸収された後、第1の層33の表面のうち第1の電極40が設けられない領域である光取り出し面から出射する出射光G。すなわち、0.555μmに最大値を有し、赤色光範囲まで連続した比視感度を有する可視光は、可視光吸収層30によりその発光強度が低減される。図3a~gは、第1の実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法の工程断面図である。すなわち、図3aは結晶成長後の模式図、図3bはフォトレジストパターニング後の模式図、図3cは電流ブロック層のパターニング後の模式図、図3dはフォトレジストパターニングの模式図、図3eは第1の電極の蒸着後の模式図、図3fは第1の電極のパターニング後の模式図、図3gは第2の電極の形成後の模式図、である。図3法などを用いることができる。なお、電流ブロック層32は、半導体材料ではなく、SiO2などの絶縁膜であってもよい。続いて、図3bのように、電流ブロック層32の上にフォトレジスト膜60のパターニングを行う。さらに、図3cのように、フォトレジスト膜60をマスクとして燐酸などにより、第1の電極40のパッド電極40aとすべき領域の電流ブロック層32のみを残し、他の領域の電流ブロック層を除去する。続いて、図3dのようにフォトレジスト膜62のパターニングを行い、図3eのように第1の電極40とするAuZn膜などを蒸着する。続いて、フォトレジスト62を除去すると、図3fのように、第1の電極40p側電極が形成される。p形AlGaAsからなる可視光吸収層30のp形不純物濃度を高くすると第1の電極40に対するコンタクト層を設けなくともよい。または、可視光吸収層30と細線電極40bとの間に、例えばp形GaAsからなるコンタクト層を設けてもよい。この場合、細線電極40bの下方領域のコンタクト層をのみに残すようにすると、GaAsによる光吸収を低減することができるのでより好ましい。また、可視光吸収層30のAl組成比を可視光吸収層30の下方に設ける高濃度層のAl組成比よりも小さくすると、ヘテロ障壁高さを緩和し、順方向電圧を低減することが容易となる。さらに、図3gのように、基板10の裏面10aに第2の電極n側電極50を形成すると、図1に表す第1の実施形態にかかる半導体発光装置が完成する。図4は、可視光吸収層のバンドギャップ波長のAl組成比に対する依存性を表すグラフ図である。可視光吸収層30が、AlGaAsからなるものとする。図4において、縦軸はバンドギャップ波長λgapμm、横軸はAlGaAsのAl組成比x、である。なお、バンドギャップをEgeVで表すとき、バンドギャップ波長λgapμmは、次式で近似することができる。λgap=1.24/Eg式1また、AlxGa1-xAsは、0≦x≦0.45の範囲では直接遷移型となり、バンドギャップEgは、Al組成比xと共に増加する。この結果、バンドギャップ波長λgapは、図4のように、Al組成比xが増加するのに応じて低下する。例えば、Al組成比xが0.133の場合、バンドギャップ波長λgapは0.78μmとなる。また、Al組成比xが0.25の場合、バンドギャップ波長λgapは0.71μmとなる。検出器としてSiフォトダイオードを用いるとその受光感度は0.8μm波長の近傍で最大となる。このため、センサやリモコン用途の場合、Siフォトダイオードと、ピーク波長が近赤外光となる発光装置と、を組み合わせると、検出感度を高めることが容易となる。すなわち、放出光のピーク波長λpは、0.78~1μmの波長とすることが好ましく、0.78~0.9μmとすることがより好ましい。図5aはバンドギャップ波長をピーク波長側に設定した発光スペクトルのグラフ図、図5bはバンドギャップ波長を可視光側に設定した発光スペクトルのグラフ図、である。発光層26がAlGaAsである場合、ピーク波長λpは、例えば、0.65~0.87μmの波長範囲とすることができる。図5において、所望のピーク波長λpは、0.78μmとする。また、波長λ1は、発光層26、第1の層33、および第2の層25などの構造により決定されるが、例えば、0.71μmとする。図5aでは、可視光吸収層30のバンドギャップ波長λgapがピーク波長λpでする0.78μmよりも僅かに短いものとする。バンドギャップ波長λgapよりも短い波長の光は、可視光吸収層30内で吸収される。その吸収率は、ピーク波長λpから離れるに従って大きくなる。このため、図5aに、実線で表す外部への取り出し可能な出力は、破線で表す発光層26からの放出光よりも低下する。また、バンドギャップ波長λgapよりも短い波長の光の発光強度は、破線で表す放出光よりも低減できる。なお、可視光吸収層30の厚さは、例えば0.05μm以上とすることが好ましい。厚さを大きくすると、可視光成分の吸収量を大きくすることができる。図5bでは、バンドギャップ波長λgapが波長λ10.71μmよりも僅かに大きいものとする。バンドギャップ波長λgapよりも短い波長の光が可視光吸収層30内で吸収される。この場合、外部へ取り出し可能な出力は、図5aの場合よりも大きくできる。また、バンドギャップ波長λgapよりも短い波長の光の発光強度を低減できるが、バンドギャップ波長λgapとピーク波長λpとの間の波長を有する光のスペクトル強度は、図5aの場合よりは高い。図5aおよびbにおいて、可視光吸収層30のAl組成比xは、0.133~0.25の間の範囲とすればよいことになる。なお、比視感度が高くなる0.68μm以下の光を遮光すればよい場合、スペクトル最大値Imaxに対して、例えばマイナス20dB100分の1のスペクトル強度となる波長をλ1としてもよい。次に、所望のピーク波長λgを0.85μmとする場合について説明する。この場合、波長λ1を0.78μmとする。バンドギャップ波長λgapを0.78~0.85μmの間に設定するには、AlxGa1-xAsのAl組成比xを0.028~0.133の間の範囲に設定すればよい。さらに、所望のピーク波長λpは、0.87~0.9μmの範囲とする場合を考える。この場合、波長λ1を0.82μmとする。このピーク波長λpの範囲に対応するには、発光層26をInGaAsとすることが好ましい。AlGaAsからなる可視光吸収層30において、Al組成比xが0~0.07の間の範囲で、バンドギャップ波長λgapは0.82μm以上0.87μm以下となる。この場合、バンドギャップ波長λgapよりも短い波長の光のスペクトル強度を低減可能である。このようにして、バンドギャップ波長λgapは、要求される光出力と、遮光したい可視光の波長範囲と、を満たすように、ピーク波長λpと波長λ1との間の適正な波長として決めることができる。光センサやリモコンなどにおいて、人間の目が認識容易な可視光を遮光したい用途が増加している。例えば、監視カメラからの近赤外光が可視光を少しでも含むと、監視機能を遂行することが困難となる。また、3D3次元テレビや3D液晶プロジェクターなどで、液晶シャッターメガネを近赤外光に同期させてオンオフする場合、目の近くで近赤外光を受光することになる。このため、発光スペクトルには可視光成分が含まれないことが好ましい。本実施形態によれば、結晶成長工程において元素の組成比を変えることにより、可視光成分が低減された発光装置を容易に提供できる。図6aは第2の実施形態にかかる半導体発光装置の模式平面図、図6bはA-A線に沿った模式断面図、である。第2の実施形態では、上方からみて、第1の層33の表面には第1の電極40が設けられている。第1の電極40の非形成領域の表面は、可視光吸収層30からなり、微小な凹凸部30aが設けられている。AlGaAsなどからなる可視光吸収層30の表面を、硝酸を含む溶液などを用いてフロスト処理を行うと、微小な凹凸部30aが形成される。例えば、可視光吸収層30の厚さを1μm以上とし、凹凸の谷と山の高さの差の平均を0.5μm以下とする。山と山との間の距離をピッチとすると、平均ピッチは、例えば0.3~1μmなどの範囲とできる。このようにすると、発光層26からの放出光と凹凸部30aとの交差角の範囲を広げることができる。この結果、全反射が低減され、可視光側の成分が低減された発光スペクトルを有する光の取り出し効率を高めることができる。図7aは第3の実施形態にかかる半導体発光装置の模式平面図、図7bはA-A線に沿った模式断面図、である。第3の実施形態の基板11は、結晶成長基板ではなく、例えばSiからなる。基板11と、発光層26を含む積層体と、の間には、例えば金属反射膜70を設けて、発光層26から下方へ向かう放出光を上方に向かって反射する。このため、可視光側の成分が低減された発光スペクトルを有する光の取り出し効率を高めることができる。なお、発光層26を含む積層体は、結晶成長用の基板図示せずの上に結晶成長されたのち、基板11とウェーハ接着される。その後、結晶成長基板を除去すると、基板11の上に積層体が配置された第3の実施形態の構造となる。なお、第1の電極40が設けられていない可視光吸収層30の表面に凹凸部を設けると、さらに光取り出し効率を高めることができる。第1~第3の実施形態によれば、発光層からの放出光のうち、比視感度が高い可視光側の発光強度が低減された半導体発光装置が提供される。このため、可視光成分が低減された近赤外光を得ることができ、光センサやリモコンに広く用いることができる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。