"発光素子を配線板に異方性導電接続するために使用する光反射性異方性導電ペーストであって、導電粒子及び光反射性絶縁粒子が熱硬化性樹脂組成物に分散されてなり、該熱硬化性樹脂組成物がエポキシ化合物と熱触媒型硬化剤とを含有することを特徴とする光反射性異方性導電ペースト。熱触媒型硬化剤が、アミン系熱アニオン重合触媒型硬化剤又は芳香族スルホニウム系熱カチオン重合触媒型硬化剤である請求項1記載の光反射性異方性導電ペースト。熱カチオン重合触媒型硬化剤が、式1で表される芳香族スルホニウム系化合物である請求項2記載の光反射性異方性導電ペースト。芳香族スルホニウム系化合物が、以下の式1a、1b、1c及び1Aのいずれかに記載のスルホニウムボレート錯体である請求項3記載の光反射性異方性導電ペースト。芳香族スルホニウム系化合物が、式1Aのスルホニウムボレート錯体である請求項4記載の光反射性異方性導電ペースト。エポキシ化合物が、脂環式エポキシ化合物である請求項1~5のいずれかに記載の光反射性異方性導電ペースト。熱硬化性樹脂組成物中の熱触媒型硬化剤の配合量が、エポキシ化合物100質量部に対し、0.5~3質量部である請求項1~6のいずれかに記載の光反射性異方性導電ペースト。光反射性絶縁粒子が、酸化チタン、窒化ホウ素、酸化亜鉛及び酸化アルミニウムからなる群より選択される少なくとも一種の無機粒子である請求項1~7のいずれかに記載の光反射性異方性導電ペースト。光反射性絶縁粒子の屈折率JISK7142が、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の屈折率JISK7142よりも大きい請求項8記載の光反射性異方性導電ペースト。光反射性絶縁粒子が、鱗片状又は球状銀粒子の表面を絶縁性樹脂で被覆した樹脂被覆金属粒子である請求項1~7のいずれかに記載の光反射性異方性導電ペースト。熱硬化性樹脂組成物100質量部における光反射性絶縁粒子の配合量が、40~120質量部である請求項1~10のいずれかに記載の光反射性異方性導電ペースト。導電粒子が、金属材料で被覆されているコア粒子と、その表面に酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子又は酸化アルミニウム粒子から選択された少なくとも一種の無機粒子から形成された光反射層とからなる光反射性導電粒子である請求項1~11のいずれかに記載の光反射性異方性導電ペースト。熱硬化性樹脂組成物100質量部に対する光反射性導電粒子の配合量が、1~100質量部である請求項12記載の光反射性異方性導電ペースト。請求項1~13のいずれかに記載の光反射性異方性導電ペーストを介して、発光素子をフリップチップ方式で配線板に実装されている発光装置。発光素子が、発光ダイオード素子である請求項14記載の発光装置。しかしながら、特許文献1の技術ではLED33に光反射層40を、p電極34とn電極35と絶縁するように金属蒸着法などにより設けなければならず、製造上、コストアップが避けられないという問題があった。または他方、光反射層40を設けない場合には、硬化した異方性導電ペーストや異方性導電フィルム中の金、ニッケルあるいは銅で被覆された導電粒子の表面は茶色乃至は暗茶色を呈し、また、導電粒子を分散させているエポキシ樹脂バインダー自体も、その硬化のために常用されるイミダゾール系潜在性硬化剤のために茶色を呈しており、発光素子が発した光の発光効率光取り出効率を向上させることが困難であるという問題もあった。このため、本発明者等は、発光効率を低下させないように、異方性導電ペーストそのものに光反射機能を持たせるべく、異方性導電ペーストに光反射性絶縁粒子を配合し、更に、硬化物を着色させる原因となっているイミダゾール系潜在性硬化剤に代えて、酸無水物系硬化剤を使用することにより光反射性を付与し、それを使用して発光素子を配線板に異方性導電接続して発光装置を製造したところ、予期した以上に発光素子の発光効率を低下させないことを見出した。ところが、そのように製造した発光装置を高温環境下に保持した場合、発光素子を配線板に接続している異方性導電ペーストの接着強度が、高温環境下のみならず、高温環境下の発光装置を放冷して到達した室温環境下であっても、大きく低下するという問題があった。また、導通信頼性も、サーマルサイクル試験TCT後には大きく低下するという問題があった。本発明の目的は、以上の従来の技術の問題点を解決することであり、発光ダイオード素子LED等の発光素子を配線板にフリップチップ実装して発光装置を製造する際に使用する異方性導電ペーストとして、製造コストの増大を招くような光反射層をLEDに設けることなく発光効率を改善するために光反射性絶縁粒子を配合した場合に、高温環境下での発光素子の配線板への接着強度の低下を抑制することができ、しかもTCT後にも導通信頼性の低下を抑制することができる光反射性異方性導電ペーストを提供することである。また、そのペーストを使用して発光素子を配線板にフリップチップ実装してなる発光装置を提供することである。本発明者は、光反射性異方性導電ペーストを構成する熱硬化性樹脂組成物に配合するエポキシ化合物用の硬化剤について検討したところ、酸無水物系硬化剤はエポキシ化合物と付加反応により重合するため、重合系に多量に配合させる必要があると共に、酸無水物系硬化剤が揮発し易いため、異方性導電接続の際に熱硬化性樹脂組成物の成分組成比が大きく変化するという知見を得た。この成分組成比の変化により異方性導電ペーストの接着強度や導通信頼性が大きく低下するという仮定の下、エポキシ化合物に対して付加重合反応して熱硬化性樹脂組成物の硬化を進行させる酸無水物系硬化剤に代えて、エポキシ基の開環重合により熱硬化性樹脂組成物の硬化を、少量の存在で且つ加熱により開始させ得る熱触媒型硬化剤を使用することにより、上述の目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。即ち、本発明は、発光素子を配線板に異方性導電接続するために使用する光反射性異方性導電ペーストであって、導電粒子及び光反射性絶縁粒子が熱硬化性樹脂組成物に分散されてなり、該熱硬化性樹脂組成物がエポキシ化合物と熱触媒型硬化剤とを含有することを特徴とする光反射性異方性導電ペーストを提供する。また、本発明は、上述の光反射性異方性導電ペーストを介して、発光素子をフリップチップ方式で配線板に実装されている発光装置を提供する。発光素子を配線板に異方性導電接続するために使用する本発明の光反射性異方性導電ペーストは、主硬化成分としてエポキシ化合物を含有する熱硬化樹脂組成物に配合すべき硬化剤として、熱カチオン重合又は熱アニオン重合を開始させ得る熱触媒型硬化剤を使用する。このため、付加重合反応によらず、熱触媒型硬化剤により熱カチオン重合又は熱アニオン重合が開始され、連鎖的に重合反応が進行するので、異方性導電接続のための加熱加圧の際に、熱触媒型硬化剤が揮発して熱硬化性樹脂組成物の組成が大きく変化することはない。従って、高温環境下での接着強度の低下や接続信頼性の低下を抑制することができる。本発明は、発光素子を配線板に異方性導電接続するために使用する光反射性異方性導電ペーストであって、導電粒子及び光反射性絶縁粒子が熱硬化性樹脂組成物に分散されてなり、熱硬化性樹脂組成物がエポキシ化合物と熱触媒型硬化剤とを含有することを特徴としている。本発明で使用する熱硬化性樹脂組成物は、主硬化成分としてエポキシ化合物を含有し、さらに、そのエポキシ化合物を熱アニオン重合又は熱カチオン重合させる重合開始剤として機能する熱触媒型硬化剤を含有する。このような熱触媒型硬化剤としては、熱アニオン重合触媒型硬化剤や熱カチオン重合触媒型硬化剤を使用することが好ましく、高接着力が得られる点から熱カチオン重合触媒型硬化剤を使用することがより好ましい。熱アニオン重合触媒型硬化剤としては、熱アニオン重合触媒として知られているルイス塩基を使用することができ、特に、硬化条件温度時間を比較的広範囲な条件から選択可能である点からアミン系ルイス塩基を好ましく挙げることができる。具体的には、ベンジルジメチルアミンBDMA、2,4,6-トリスジメチルアミノメチルフェノールDMP-30などの3級アミン化合物が挙げられる。熱カチオン重合触媒型硬化剤としては、熱カチオン重合触媒として知られているルイス酸を使用することができる。例えば、3フッ化ホウ素、芳香族オニウム塩などを挙げることができる。特に、熱分解コントロールが比較的容易である点から芳香族オニウム塩を好ましく使用することができる。このような芳香族オニウム塩としては、芳香族ヨードニウム塩、芳香族スルホニウム塩等を挙げることができ、好ましくは、式1で表されるスルホニウムボレート錯体を挙げることができる。式1中、R1はアラルキル基であり、R2は低級アルキル基であり、R3は水素原子又は低級アルコキシカルボニル基である。Xはハロゲン原子であり、nは1~3の整数である。式1中、R1のアラルキル基としては、ベンジル基、o-メチルベンジル基、1-ナフチルメチル基、ピリジルメチル基、アントラセニルメチル基等が挙げられる。中でも、良好な速硬化性及び入手容易性の点でo-メチルベンジル基が好ましい。R2の低級アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。中でも、良好な速硬化性及び入手容易性の点でメチル基が好ましい。スルホニウム残基に結合しているフェニル基の水酸基又は低級アルコキシカルボニルオキシ基の個数を表すnは1~3の整数である。そのようなフェニル基としては、nが1の場合、4-ヒドロキシフェニル基又は4-低級アルコキシカルボニルオキシフェニル基、2-ヒドロキシフェニル基又は2-低級アルコキシカルボニルオキシフェニル基、3-ヒドロキシフェニル基又は3-低級アルコキシカルボニルオキシフェニル基等が挙げられ、nが2の場合、2,4-ジヒドロキシフェニル基又は2,4-ジ低級アルコキシカルボニルオキシフェニル基、2,6-ジヒドロキシフェニル基又は2,6-ジ低級アルコキシカルボニルオキシフェニル基、3,5-ジヒドロキシフェニル基又は3,5-ジ低級アルコキシカルボニルオキシフェニル基、2,3-ジヒドロキシフェニル基又は2,3-ジ低級アルコキシカルボニルオキシフェニル基が挙げられる。nが3の場合、2,4,6-トリヒドロキシフェニル基又は2,4,6-トリ低級アルコキシカルボニルオキシフェニル基、2,4,5-トリヒドロキシフェニル基又は2,4,5-トリ低級アルコキシカルボニルオキシフェニル基、2,3,4-トリヒドロキシフェニル基又は2,3,4-トリ低級アルコキシカルボニルオキシフェニル基等が挙げられる。中でも、良好な速硬化性及び入手容易性の点で、nが1の4-ヒドロキシフェニル基又は4-低級アルコキシカルボニルオキシフェニル基、特に4-メトキシカルボニルオキシフェニル基が好ましい。Xのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子である。中でも、反応性向上の点から高い電子吸引性を有するフッ素原子が好ましい。従って、芳香族スルホニウム塩の好ましい具体例としては、以下の式1a、1b、1c及び1Aで表されるスルホニウムボレート錯体であり、特に、式1Aで表されるスルホニウムボレート錯体が好ましい。式1のスルホニウムボレート錯体は、以下の反応式に従って製造することができる。なお、式1、2又は3における各置換基は、既に説明したとおりのものであり、即ち、R1はアラルキル基であり、R2は低級アルキル基であり、R3は水素原子又は低級アルコキシカルボニル基である。Xはハロゲン原子であり、nは1~3の整数である。即ち、R3が水酸基である式1のスルホニウムボレート錯体は、R3が水酸基である式2のスルホニウムアンチモネート錯体合成方法は特開平10-245378号公報参照を酢酸エチル等の有機溶媒に溶解し、その溶液に式3のナトリウムボレート塩合成方法は特開平10-310587号公報参照の水溶液を等モル量で混合し、得られた2層系混合物を20~80°Cの温度で1~3時間攪拌し、式2のスルホニウムアンチモネート錯体に式3のナトリウムボレート塩を反応させることにより式1のスルホニウムボレート錯体を得ることができる。式1のスルホニウムボレート錯体の単離は、有機溶媒層を分液し乾燥した後、有機溶媒を減圧蒸発除去することにより、蒸発残渣として目的物を得ることで行うことができる。また、R3が低級アルコキシカルボニル基である式1のスルホニウムボレート錯体は、式2のスルホニウムアンチモネート錯体合成方法は、特開2006-96742号公報参照。具体的には式2の錯体からギ酸エステル残基を取り除いた化合物に相当するヒドロキシフェニルスルホニウムアンチモネート錯体に、トリエチルアミン存在下、アセトニトリル中でクロルギ酸低級アルキルエステル化合物例えば、クロルギ酸メチルエステルを反応させればよい。を酢酸エチル等の有機溶媒に溶解し、その溶液に式3のナトリウムボレート塩合成方法は特開平10-310587号公報参照の水溶液を等モル量で混合し、得られた2層系混合物を20~80°Cの温度で1~3時間撹拌し、式2のスルホニウムアンチモネート錯体に式3のナトリウムボレート塩を反応させることにより式1のスルホニウムボレート錯体を得ることができる。式1のスルホニウムボレート錯体の単離は、有機溶媒層を分液し乾燥した後、有機溶媒を減圧蒸発除去することにより、蒸発残渣として目的物を得ることで行うことができる。本発明で使用する熱硬化性樹脂組成物を構成するエポキシ化合物としては、従来より電子材料の接合に用いられている熱硬化性エポキシ化合物を適宜使用することができる。このような熱硬化性エポキシ化合物としては、液状でも固体状でもよく、エポキシ当量が通常100~4000程度であって、分子中に2以上のエポキシ基を有するものが好ましい。例えば、ビスフェノールA型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、エステル型エポキシ化合物、脂環式エポキシ化合物等を好ましく使用することができる。また、これらの化合物にはモノマーやオリゴマーが含まれる。これらのエポキシ化合物以外にも、必要に応じて複素環系エポキシ化合物や水素添加エポキシ化合物などを使用することができる。複素環系エポキシ化合物としては、トリアジン環を有するエポキシ化合物を挙げることができ、特に好ましくは1,3,5-トリス2,3-エポキシプロピル-1,3,5-トリアジン-2,4,6-1H,3H,5H-トリオンを挙げることができる。水素添加エポキシ化合物としては、先述の脂環式エポキシ化合物や複素環系エポキシ化合物の水素添加物や、その他公知の水素添加エポキシ樹脂を使用することできる。なお、脂環式エポキシ化合物や複素環系エポキシ化合物や水素添加エポキシ化合物は、単独で使用してもよく、2種以上を併用することができる。中でも、比較的高い可視光透過率を実現できる点から脂環式エポキシ化合物を必ず使用することが好ましい。このような脂環式エポキシ化合物の具体例としては、グリシジルヘキサヒドロビスフェノールA、3,4-エポキシシクロヘキセニルメチル-3′,4′-エポキシシクロヘキセンカルボキシレート等を挙げることができる。中でも、硬化物にLEDの実装等に適した光透過性を確保でき、速硬化性にも優れている点から、グリシジルヘキサヒドロビスフェノールA、3,4-エポキシシクロヘキセニルメチル-3′,4′-エポキシシクロヘキセンカルボキシレートを好ましく使用することができる。また、以上説明したエポキシ化合物に加えて本発明の効果を損なわない限り、他のエポキシ化合物を併用してもよい。例えば、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、テトラメチルビスフェノールA、ジアリールビスフェノールA、ハイドロキノン、カテコール、レゾルシン、クレゾール、テトラブロモビスフェノールA、トリヒドロキシビフェニル、ベンゾフェノン、ビスレゾルシノール、ビスフェノールヘキサフルオロアセトン、テトラメチルビスフェノールA、テトラメチルビスフェノールF、トリスヒドロキシフェニルメタン、ビキシレノール、フェノールノボラック、クレゾールノボラックなどの多価フェノールとエピクロルヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエーテル;グリセリン、ネオペンチルグリコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、ヘキシレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールなどの脂肪族多価アルコールとエピクロルヒドリンとを反応させて得られるポリグリシジルエーテル;p-オキシ安息香酸、β-オキシナフトエ酸のようなヒドロキシカルボン酸とエピクロルヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエーテルエステル;フタル酸、メチルフタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、テトラハイドロフタル酸、エンドメチレンテトラハイドロフタル酸、エンドメチレンヘキサハイドロフタル酸、トリメリット酸、重合脂肪酸のようなポリカルボン酸から得られるポリグリシジルエステル;アミノフェノール、アミノアルキルフェノールから得られるグリシジルアミノグリシジルエーテル;アミノ安息香酸から得られるグリシジルアミノグリシジルエステル;アニリン、トルイジン、トリブロムアニリン、キシリレンジアミン、ジアミノシクロヘキサン、ビスアミノメチルシクロヘキサン、4,4′-ジアミノジフェニルメタン、4,4′-ジアミノジフェニルスルホンなどから得られるグリシジルアミン;エポキシ化ポリオレフィン等の公知のエポキシ樹脂類が挙げられる。本発明で使用する熱硬化性樹脂組成物における熱触媒型硬化剤の配合量は、少なすぎると硬化が不十分であり、多すぎると保存安定性が低下するので、エポキシ化合物100質量部に対し、好ましくは0.1~7質量部、より好ましくは0.5~3質量部である。本発明で使用する熱硬化性樹脂組成物においては、主硬化成分として上述したエポキシ化合物に加えて、発明の効果を損なわない範囲で、熱硬化性尿素樹脂、熱硬化性メラミン樹脂、熱硬化性フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂や、ポリエステル樹脂やポリウレタン樹脂等の熱可塑性樹脂を併用することができる。本発明で使用する熱硬化性樹脂組成物には、必要に応じて顔料、帯電防止剤、老化防止剤、シランカップリング剤、溶媒等を含有させることができる。本発明で使用する熱硬化性樹脂組成物は、エポキシ化合物、熱触媒型硬化剤等を均一に混合することにより調製することができる。また、予め混合することなく、後述する導電粒子と光反射性絶縁粒子と共に混合してもよい。以上説明した熱硬化性樹脂組成物としては、なるべく無色透明なものを使用することが好ましい。異方性導電ペースト中の光反射性絶縁粒子の光反射効率を低下させず、しかも入射光の光色を変えずに反射させるためである。ここで、無色透明とは、異方性導電ペーストの硬化物が、波長380~780nmの可視光に対して光路長1cmの光透過率JISK7105が80以上、好ましくは90以上となることを意味する。以上説明した熱硬化性樹脂組成物に分散させる光反射性絶縁粒子は、異方性導電ペーストに入射した光を外部に反射するためのものである。なお、光反射性を有する粒子には、金属粒子、金属粒子を樹脂被覆した粒子、自然光の下で灰色から白色である金属酸化物、金属窒素化物、金属硫化物等の無機粒子、樹脂コア粒子を無機粒子で被覆した粒子、粒子の材質によらず、その表面に凹凸がある粒子が含まれる。しかし、これらの粒子の中で、本発明で使用できる光反射性絶縁粒子には、絶縁性を示すことが求められている関係上、金属粒子は含まれない。また、金属酸化物粒子のうち、ITOのように導電性を有するものは使用できない。また、光反射性且つ絶縁性を示す無機粒子であっても、SiO2のように、その屈折率が使用する熱硬化性樹脂組成物の屈折率よりも低いものは使用できない。このような光反射性絶縁粒子の好ましい具体例としては、酸化チタンTiO2、窒化ホウ素BN、酸化亜鉛ZnO及び酸化アルミニウムAl2O3からなる群より選択される少なくとも一種の無機粒子が挙げられる。中でも、高屈折率の点からTiO2を使用することが好ましい。これらの無機粒子自体がほぼ白色であるため、可視光に対する反射特性の波長依存性が小さく、従って、発光効率を向上させることができ、しかも発光素子の発光色をそのままの色で反射させることができるためである。光反射性絶縁粒子の形状としては、球状、鱗片状、無定形状、針状等でもよいが、反射効率を考慮すると、球状、鱗片状が好ましい。また、その大きさとしては、球状である場合、小さすぎると反射率が低くなり、大きすぎると異方性導電粒子による接続を阻害する傾向があるので、好ましくは0.02~20μm、より好ましくは0.2~1μmであり、鱗片状である場合には、長径が好ましくは0.1~100μm、より好ましくは1~50μm、短径が好ましくは0.01~10μm、より好ましくは0.1~5μm、厚さが好ましくは0.01~10μm、より好ましくは0.1~5μmである。無機粒子からなる光反射性絶縁粒子は、その屈折率JISK7142が、好ましくは熱硬化性樹脂組成物の硬化物の屈折率JISK7142よりも大きいこと、より好ましくは少なくとも0.02程度大きいことが好ましい。これは、屈折率差が小さいとそれらの界面での反射効率が低下するからである。光反射性絶縁粒子としては、以上説明した無機粒子を使用してもよいが、鱗片状又は球状金属粒子の表面を透明な絶縁性樹脂で被覆した樹脂被覆金属粒子を使用してもよい。金属粒子としては、ニッケル、銀、アルミニウム等を挙げることができる。粒子の形状としては、無定形状、球状、鱗片状、針状等を挙げることができるが、中でも、光拡散効果の点から球状、全反射効果の点から鱗片状の形状が好ましい。特に好ましいものは、光の反射率の点から鱗片状銀粒子である。また、金属粒子の表面には、予めシランカップリング剤でγ-グリシドキシ基やビニル基等を導入しておくことが好ましい。これらの樹脂被覆金属粒子自体がほぼ白色であるため、可視光に対する反射特性の波長依存性が小さく、従って、発光効率を向上させることができ、しかも発光素子の発光色をそのままの色で反射させることができる。光反射性絶縁粒子としての樹脂被覆金属粒子の大きさは、形状によっても異なるが、一般に大きすぎると、異方性導電粒子による接続を阻害するおそれがあり、小さすぎると光を反射しにくくなるので、好ましくは球状の場合には粒径0.1~30μm、より好ましくは0.2~10μmであり、鱗片状の場合には、長径が好ましくは0.1~100μm、より好ましくは1~50μmで厚みが好ましくは0.01~10μm、より好ましくは0.1~5μmである。ここで、光反射性絶縁粒子の大きさは、絶縁被覆されている場合には、その絶縁被覆も含めた大きさである。このような樹脂被覆金属粒子における当該樹脂としては、種々の絶縁性樹脂を使用することができる。機械的強度や透明性等の点からアクリル系樹脂の硬化物を好ましく利用することができる。好ましくは、ベンゾイルパーオキサイド等の有機過酸化物などのラジカル開始剤の存在下で、メタクリル酸メチルとメタクリル酸2-ヒドロキシエチルとをラジカル共重合させた樹脂を挙げることができる。この場合、2,4-トリレンジイソシアネート等のイソシアネート系架橋剤で架橋されていることがより好ましい。このような樹脂被覆金属粒子は、例えば、トルエンなどの溶媒中に金属粒子とシランカップリング剤とを投入し、室温で約1時間撹拌した後、ラジカルモノマーとラジカル重合開始剤と、必要に応じて架橋剤とを投入し、ラジカル重合開始温度に加温しながら撹拌することにより製造することができる。以上説明した光反射性絶縁粒子の、光反射性異方性導電ペースト中の配合量は、少なすぎると十分な光反射を実現することができず、また多すぎると、併用している導電粒子に基づく接続が阻害されるので、熱硬化性樹脂組成物100質量部に対し、好ましくは40~120質量部、より好ましくは50~100質量部である。本発明の光反射性異方性導電ペーストを構成する導電粒子としては、異方性導電接続用の従来の導電粒子において用いられている金属粒子を利用することができる。例えば、金、ニッケル、銅、銀、半田、パラジウム、アルミニウム、それらの合金、それらの多層化物例えば、ニッケルメッキ/金フラッシュメッキ物等を挙げることができる。中でも、金、ニッケル、銅は、導電粒子を茶色としてしまうことから、本発明の効果を他の金属材料よりも享受することができる。導電粒子として使用する金属粒子の形状は、球状、フレーク状、針状、塊状でもよく、表面に針状にメッキ金属例えば、ニッケルを形成させた形状でもよい。導電粒子として使用する金属粒子の粒径は、ショートの発生や導通信頼性の観点から、球状の場合には好ましくは0.2~10μm、より好ましくは1~7μmであり、フレーク状の場合には、厚みが好ましくは0.2~0.4μmであり、長径が好ましくは1~10μmである。また、導電粒子として、樹脂粒子を金属材料で被覆した金属被覆樹脂粒子を使用することができる。このような樹脂粒子としては、スチレン系樹脂粒子、ベンゾグアナミン樹脂粒子、ナイロン樹脂粒子などが挙げられる。樹脂粒子を金属材料で被覆する方法としても従来公知の方法を採用することができ、無電解メッキ法、電解メッキ法等を利用することができる。また、被覆する金属材料の層厚は、良好な接続信頼性を確保するに足る厚さであり、樹脂粒子の粒径や金属の種類にもよるが、通常、0.1~3μmである。また、樹脂粒子の粒径は、小さすぎると導通不良が生じ、大きすぎるとパターン間ショートが生じる傾向があるので、好ましくは1~20μm、より好ましくは3~10μm、特に好ましくは3~5μmである。この場合、コア粒子1の形状としては球形が好ましいが、フレーク状、ラクビーボール状であってもよい。好ましい金属被覆樹脂粒子は球状形状であり、その粒径は大きすぎると接続信頼性の低下となるので、好ましくは1~20μm、より好ましくは3~10μmである。特に、本発明においては、上述したような導電粒子に対し光反射性を付与し、光反射性導電粒子とすることが好ましい。図1A、図1Bは、このような光反射性導電粒子10、20の断面図である。まず、図1Aの光反射性導電粒子から説明する。光反射性導電粒子10は、金属材料で被覆されているコア粒子1と、その表面に酸化チタンTiO2粒子、酸化亜鉛ZnO粒子又は酸化アルミニウムAl2O3粒子から選択された少なくとも一種の無機粒子2から形成された光反射層3とから構成される。酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子又は酸化アルミニウム粒子は、太陽光の下では白色を呈する無機粒子である。従って、それらから形成された光反射層3は白色~灰色を呈する。白色~灰色を呈しているということは、可視光に対する反射特性の波長依存性が小さく、且つ可視光を反射しやすいことを意味する。従って、発光効率を更に向上させることができ、しかも発光素子の発光色をそのままの色で反射させることができる。なお、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子又は酸化アルミニウム粒子のうち、硬化した異方性導電ペーストの熱硬化性樹脂組成物の硬化物の光劣化が懸念される場合には、光劣化に対して触媒性がなく、屈折率も高い酸化亜鉛を好ましく使用することができる。コア粒子1は、異方性導電接続に共されるものであるので、その表面が金属材料で構成されている。ここで、表面が金属材料で被覆されている態様としては、前述したように、コア粒子1そのものが金属材料である態様、もしくは樹脂粒子の表面が金属材料で被覆された態様が挙げられる。無機粒子2から形成された光反射層3の層厚は、コア粒子1の粒径との相対的大きさの観点からみると、コア粒子1の粒径に対し、小さすぎると反射率の低下が著しくなり、大きすぎると導通不良が生ずるので、好ましくは0.5~50、より好ましくは1~25である。また、光反射性導電粒子10において、光反射層3を構成する無機粒子2の粒径は、小さすぎると光反射現象が生じ難くなり、大きすぎると光反射層の形成が困難となる傾向があるので、好ましくは0.02~4μm、より好ましくは0.1~1μm、特に好ましくは0.2~0.5μmである。この場合、光反射させる光の波長の観点からみると、無機粒子2の粒径は、反射させるべき光即ち、発光素子が発する光が透過してしまわないように、その光の波長の50以上であることが好ましい。この場合、無機粒子2の形状としては無定形状、球状、鱗片状、針状等を挙げることができるが、中でも、光拡散効果の点から球状、全反射効果の点から鱗片状の形状が好ましい。図1Aの光反射性導電粒子10は、大小の粉末同士を物理的に衝突させることにより大粒径粒子の表面に小粒径粒子からなる膜を形成させる公知の成膜技術いわゆるメカノフュージョン法により製造することができる。この場合、無機粒子2は、コア粒子1の表面の金属材料に食い込むように固定され、他方、無機粒子同士が融着固定されにくいから、無機粒子のモノレイヤーが光反射層3を構成する。従って、図1Aの場合、光反射層3の層厚は、無機粒子2の粒径と同等乃至はわずかに薄くなると考えられる。次に、図1Bの光反射性導電粒子20について説明する。この光反射性導電粒子20においては、光反射層3が接着剤として機能する熱可塑性樹脂4を含有し、この熱可塑性樹脂4により無機粒子2同士も固定され、無機粒子2が多層化例えば2層あるいは3層に多層化している点で、図1Aの光反射性導電粒子10と相違する。このような熱可塑性樹脂4を含有することにより、光反射層3の機械的強度が向上し、無機粒子の剥落などが生じにくくなる。熱可塑性樹脂4としては、環境低負荷を意図してハロゲンフリーの熱可塑性樹脂を好ましく使用することができ、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィンやポリスチレン、アクリル樹脂等を好ましく使用することができる。このような光反射性導電粒子20も、メカノフュージョン法により製造することができる。メカノフュージョン法に適用する熱可塑性樹脂4の粒子径は、小さすぎると接着機能が低下し、大きすぎるとコア粒子に付着しにくくなるので、好ましくは0.02~4μm、より好ましくは0.1~1μmである。また、このような熱可塑性樹脂4の配合量は、少なすぎると接着機能が低下し、多すぎると粒子の凝集体が形成されるので、無機粒子2の100質量部に対し、好ましくは0.2~500質量部、より好ましくは4~25質量部である。本発明の光反射性異方性導電ペーストにおいて、熱硬化性樹脂組成物100質量部に対する光反射性導電粒子等の導電粒子の配合量は、少なすぎると導通不良が生じ、多すぎるとパターン間ショートが生ずる傾向があるので、好ましくは1~100質量部、より好ましくは10~50質量部である。本発明の光反射性異方性導電ペーストの反射特性は、発光素子の発光効率を向上させるために、光反射性異方性導電ペーストの硬化物の波長450nmの光に対する反射率JISK7105が、少なくとも30であること望ましい。このような反射率とするためには、使用する光反射性導電粒子の反射特性や配合量、熱硬化性樹脂組成物の配合組成などを適宜調整すればよい。通常、反射特性の良好な光反射性導電粒子の配合量を増量すれば、反射率も増大する傾向がある。また、光反射性異方性導電ペーストの反射特性は屈折率という観点から評価することもできる。即ち、その硬化物の屈折率が、導電粒子と光反射性絶縁粒子とを除いた熱硬化性樹脂組成物の硬化物の屈折率よりも大きいと、光反射性絶縁粒子とそれを取り巻く熱硬化性樹脂組成物の硬化物との界面での光反射量が増大するからである。具体的には、光反射性絶縁粒子の屈折率JISK7174から、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の屈折率JISK7174を差し引いた差が、好ましくは0.02以上、より好ましくは0.2以上であることが望まれる。なお、通常、エポキシ樹脂を主体とする熱硬化性樹脂組成物の屈折率は約1.5である。本発明の光反射性異方性導電ペーストは、光反射性絶縁粒子と導電粒子と熱硬化性樹脂組成物とを均一に混合することにより製造することができる。次に、本発明の発光装置について図2を参照しながら説明する。発光装置200は、基板21上の接続端子22と、発光素子としてLED23のn電極24とp電極25とのそれぞれに形成された接続用のバンプ26との間に、前述の本発明の光反射性異方性導電ペーストを塗布し、基板21とLED23とがフリップチップ実装されている発光装置である。ここで、光反射性異方性導電ペーストの硬化物100は、光反射性導電粒子10が熱硬化性樹脂組成物の硬化物11中に分散してなるものである。なお、必要に応じて、LED23の全体を覆うように透明モールド樹脂で封止してもよい。また、LED23に従来と同様に光反射層を設けてもよい。このように構成されている発光装置200においては、LED23から発した光のうち、基板21側に向かって発した光は、光反射性異方性導電ペーストの硬化物100中の光反射性導電粒子10で反射し、LED23の上面から出射する。従って、発光効率の低下を防止することができる。本発明の発光装置200における光反射性異方性導電ペースト以外の構成LED23、バンプ26、基板21、接続端子22等は、従来の発光装置の構成と同様とすることができる。また、本発明の発光装置200は、本発明の光反射性異方性導電ペーストを使用すること以外は、従来の異方性導電接続技術を利用して製造することができる。なお、発光素子としては、LEDの他、本発明の効果を損なわない範囲で公知の発光素子を適用することができるが、素子の片側の同一平面上に陽極および陰極の二電極が配置されているために容易に実装できる点からLEDを好ましく使用することができる。参考例1~4スルホニウムボレート錯体の合成式2a~2dのスルホニウムアンチモネート錯体合成方法は特開平10-245378号公報、特開2006-96742号公報参照を酢酸エチルに溶解し、当該錯体の10質量酢酸エチル溶液をそれぞれ調製した。これらとは別に式3のナトリウムボレート塩合成方法は特開平10-310587号公報参照の10質量水溶液を調製した。次に、当該アンチモネート錯体の10質量酢酸エチル溶液に、式3のナトリウムボレート塩の10質量水溶液を、等モル量で室温下で混合し、そのまま30分間撹拌した。その後、反応混合液から酢酸エチル層を分液し、乾燥し、酢酸エチルを減圧除去した。蒸発残渣として、式1a、1b、1c及び式1Aのスルホニウムボレート錯体を得た。式1a、1b及び式1Aのスルホニウムボレート錯体について、質量分析測定機器:AQUITYUPLCシステム、WATERS社、元素分析測定機器:PHOENIX、EDAX社、IR測定測定機器:7000eFT-IR、VARIAN社、1H-NMR分析測定機器:MERCURYPLUS、VARIAN社を行った。これらのスルホニウムボレート錯体については、得られた結果から、目的化合物であることが確認できた。i式1aのスルホニウムボレート錯体[4-ヒドロキシフェニル-メチル-1-ナフチルメチルスルホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート]の分析結果<MS分析結果>M=281スルホニウム残基M=679ボレート残基<元素分析結果>実測値C;52.51H;1.89理論値C;52.52H;1.78<IR分析結果cm-1>662C-S、776、980、1088、1276Ar-F、1300、1374、1464、1514、1583、1643、2881C-H、2981C-H、3107O-H<1H-NMR分析結果δ値、図3参照THF使用>2.61H、d、3.33H、a、5.32H、e、6.92H、c、7.62H、b、7.2~8.17H、f,g,h,i,j,k,lii式1bのスルホニウムボレート錯体[4-ヒドロキシフェニル-メチル-2-メチルベンジルスルホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート]の分析結果<MS分析結果>M=245スルホニウム残基M=679ボレート残基<元素分析結果>実測値C;50.39H;1.77理論値C;50.60H;1.80<IR分析結果cm-1>662C-S、773、980、1088、1276Ar-F、1463、1514、1583、1644、2882C-H、2983C-H、3109O-H<1H-NMR分析結果δ値、図4参照THF使用>2.33H、j、2.41H、d、3.33H、a、4.82H、e、7.02H、c、7.62H、b、7.0~7.44H、f,g,h,iiii実施例1の式1Aのスルホニウムボレート錯体[p-メトキシカルボニルオキシフェニル-ベンジル-メチルスルホニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート]の分析結果<MS分析結果>M=289スルホニウム残基M=679ボレート残基<元素分析結果>実測値が理論値に合致していた。<IR分析結果cm-1>測定結果のIRチャートを図5に示す。式1Aのスルホニウムボレート錯体の結合のIR特性吸収は、図5のIRチャートにおいて観察された。<1H-NMR分析結果δ値>測定結果の1H-NMRチャートを図6Aに示し、対照となる溶媒のTHFの1H-NMRチャートを図6Bに示す。図6Aの1H-NMRチャートにおいて、以下のプロトンが帰属できた。実施例1~16及び比較例1表1に示す組成の成分を攪拌機を用いて均一に混合することにより、外観色が白色の光反射性異方性導電ペーストを得た。なお、表1に記載の成分の詳細は以下のとおりである。<エポキシ化合物>脂環式エポキシ化合物セロキサイド2021P、ダイセル化学工業株ビスフェノールA型エポキシ化合物YX8000、三菱化学株<老化防止剤>脂環式エポキシヒンダードフェノール系化合物AO-60、ADEKA株<粘度調整剤>酸化ケイ素球状平均粒径10~20nm、R202、日本アエロジル株<光反射性導電粒子>金粒子球状平均粒径5μm<光反射性絶縁粒子>酸化亜鉛球状平均粒径0.1~1μm、堺化学株<酸無水物系硬化剤>メチルヘキサヒドロフタル酸無水物MH-700、新日本理化株<イミダゾール系硬化促進剤>2-エチル-4-メチルイミダゾール2E4MZ、四国化成株<アミン系熱触媒型硬化剤>2,4,6-トリスジメチルアミノメチルフェノールDMP-30、日進BM株<芳香族スルホニウム系熱触媒型硬化剤>式2b、2c、2d、1a、1b、1c及び1Aのスルホニウムアンチモネート錯体又はスルホニウムボレート錯体。なお、式2b、2c、2dのスルホニウムアンチモネート錯体は、それぞれ三新化成株より、商品名SI-60、SI-80、SI-100として市販されている。<評価>得られた光反射性異方性導電ペーストについて、以下に説明するように揮発量、接着力、導通信頼性、光反射率及びLED実装サンプルにおける全光束量を試験評価した。得られた結果を表1に示す。揮発量評価試験実施例1~16又は比較例1の光反射性異方性導電ペースト5gを、開口径50mmのアルミカップに入れ、異方性導電接続温度である180°Cに設定されたホットプレートに置き、30秒間加熱し、室温まで放冷後、重量を測定し、その数値Wgから揮発量[={5-W/5}×100]を求めた。加熱時間を1分、5分に変えること以外、同様に揮発量を求めた。揮発量は0であることが理想的であるが、実用的には0.5未満であることが望ましい。接着力評価試験Auメッキが施されたガラスエポキシ回路基板に、光反射性異方性導電ペーストを乾燥厚10μmとなるように塗布し、その上に、底面が6.3mm角のLEDチップを仮設置し、フリップチップボンダーを用いて、1N/チップ、180°C、30秒間の条件で加圧加熱して実装した。この実装品のLEDの剥離強度[N/chip]ダイシェア強度測定PTR-1100、RHESCA社について、実装直後初期室温下、実装後150°C環境に100時間放置後室温下、又は実装直後初期150°C下、ダイシェア速度20μm/sという条件で測定した。接着力は、70N/chip、少なくとも50N/chip以上であることが望ましい。導通信頼性評価試験Auメッキが施されたガラスエポキシ回路基板に、光反射性異方性導電ペーストを乾燥厚10μmとなるように塗布し、その上に、底面が6.3mm角のICチップを仮設置し、フリップチップボンダーを用いて、1N/chip、180°C、30秒間の条件で加圧加熱して実装した。この実装品の初期導通抵抗を4端子法にて測定した。次に、この実装品に対し熱衝撃試験TCT:-55°C、0.5hr←→125°C、0.5hrの500サイクル行い、試験後導通抵抗を4端子法にて測定した。以下の基準に従って評価した。評価基準Ggood:導通抵抗値が1Ω未満の場合NGnotgood:導通抵抗値が1Ω以上の場合光反射率評価試験得られた光反射性異方性導電ペーストを、セラミック製の白色板に乾燥厚で100μmとなるように塗布し、200°Cで1分間加熱し、硬化させた。この硬化物について、分光光度計U3300、日立製作所株を用いて、波長450nmの光に対する反射率JISK7105を測定した。その結果、実施例1~16及び比較例1の光反射性異方性導電ペーストにおける光反射率は、使用した光反射性導電粒子及び使用した光反射性絶縁粒子がそれぞれ同種類、同配合量であったため、いずれも40~42であった。反射率は、実用上30以上であることが望まれる。LED実装サンプルにおける全光束量評価試験100μmピッチの銅配線にNi/Au5.0μm厚/0.3μm厚メッキ処理した配線を有するガラスエポキシ基板に、バンプボンダーFB700、カイジョー株を用いて15μm高の金バンプを形成した。この金バンプ付きエポキシ基板に、光反射性異方性導電ペーストを用いて、青色LEDVf=3.2If=20mAを200°C、60秒、1Kg/チップという条件でフィリップチップ実装し、テスト用LEDモジュールを得た。得られたテスト用LEDモジュールについて、全光束量測定システム積分全球LE-2100、大塚電子株式会社を用いて全光束量を測定した測定条件If=20mA定電流制御。その結果、実施例1~16及び比較例1の光反射性異方性導電ペーストにおける光反射率は、使用した光反射性導電粒子及び使用した光反射性絶縁粒子がそれぞれ同種類、同配合量であったため、いずれも523~525mlmであった。全光束量は、実用上300mlm以上であることが望まれる。表1からわかるように、熱触媒型硬化剤を使用した実施例1~16の光反射性異方性導電ペーストの場合、異方性導電接続の際の揮発量は0であり、接着力も導通信頼性も好ましい結果を示した。しかも、光反射性導電粒子と光反射性絶縁粒子とを併用しているので、光反射率がいずれも30以上あり、450nmの光の青色がそのままの色で反射していた。更に全光束量も300mlm以上であった。中でも、式1Aのスルホニウムボレート錯体を使用した場合に、接着力の結果が特に好ましいものであった。なお、比較的低温活性の式2bのスルホニウムアンチモネート錯体と比較的高温活性の式2dのスルホニウムアンチモネート錯体とを使用した結果から、低温活性の熱触媒型硬化剤を使用すると接着力が高くなる傾向があることがわかる。それに対し、酸無水物系硬化剤を使用した比較例1の場合、光反射性導電粒子と光反射性絶縁粒子とを併用しているので、光反射率がいずれも30以上あり、全光束量も300mlm以上であったが、異方性導電接続の際に酸無水物系硬化剤の揮発が著しく、その結果、特に高温での接着力が大きく低下し、具体的には150°Cでの接着力は初期の接着力の半分以下になった88N/chip→35N/chip。また、TCT後の導通信頼性もNGとなった。"