"円筒状の誘電体基板と、前記誘電体基板の外周に配置された、間隔が1mm以下の一対の導線と、前記一対の導線を覆う厚さ1mm以下の誘電体膜を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1記載のプラズマ処理装置において、前記一対の導線は略平行に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1記載のプラズマ処理装置において、さらに、前記誘電体基板を駆動する位置調整機構を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1記載のプラズマ処理装置において、さらに、前記誘電体基板の外部に配置される被処理体との距離を測定する、前記誘電体基板の内部に配置された距離計を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1記載のプラズマ処理装置において、さらに、前記誘電体基板の外部に配置される被処理体にプラズマにより成膜された膜厚を測定する、前記誘電体基板の内部に配置された膜厚モニタを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1記載のプラズマ処理装置において、さらに、前記誘電体基板を駆動する位置調整機構と、前記誘電体基板の外部に配置される被処理体との距離を測定する、前記誘電体基板の内部に配置された複数の測定計とを備え、前記複数の測定計により得られた距離情報に基づき、前記誘電体基板と前記被処理体とが所定の距離を保つよう、前記位置調整機構は前記誘電体基板を駆動することを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1記載のプラズマ処理装置において、前記一対の導線は前記誘電体基板に対し螺旋状に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1記載のプラズマ処理装置において、さらに、前記一対の導線に対し交流電圧を印加する高周波電源を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。円筒状の1mm以下の厚さを備える誘電体基板と、前記誘電体基板の外周に配置された、間隔が1mm以下の一対の導線と、前記一対の導線を覆う誘電体膜を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項9記載のプラズマ処理装置において、前記一対の導線は略平行に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項9記載のプラズマ処理装置において、さらに、前記誘電体基板を駆動する位置調整機構を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項9記載のプラズマ処理装置において、さらに、前記誘電体基板の内部に配置される被処理体との距離を測定する、前記誘電体基板の外部に配置された距離計を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項9記載のプラズマ処理装置において、さらに、前記誘電体基板の内部に配置される被処理体にプラズマにより成膜された膜厚を測定する、前記誘電体基板の外部に配置された膜厚モニタを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項9記載のプラズマ処理装置において、さらに、前記誘電体基板を駆動する位置調整機構と、前記誘電体基板の内部に配置される被処理体との距離を測定する、前記誘電体基板の外部に配置された複数の測定計とを備え、前記複数の測定計により得られた距離情報に基づき、前記誘電体基板と前記被処理体とが所定の距離を保つよう、前記位置調整機構は前記誘電体基板を駆動することを特徴とするプラズマ処理装置。請求項9記載のプラズマ処理装置において、前記一対の導線は前記誘電体基板に対し螺旋状に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項9記載のプラズマ処理装置において、さらに、前記一対の導線に対し交流電圧を印加する高周波電源を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。複数の誘電体基板と、前記複数の誘電体基板の夫々に配置された、間隔が1mm以下の一対の導線と、前記一対の導線を覆う厚さ1mm以下の誘電体膜と、前記誘電体基板の夫々に対し、被処理体との距離および角度を調整する位置調整機構を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項17記載のプラズマ処理装置において、前記一対の導線は略平行に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項17記載のプラズマ処理装置において、さらに、前記複数の誘電体基板の夫々は、被処理体との距離を測定する複数の測定計とを備え、前記複数の測定計により得られた距離情報に基づき、前記誘電体基板と前記被処理体とが所定の距離を保つよう、前記位置調整機構は前記誘電体基板を駆動することを特徴とするプラズマ処理装置。請求項17記載のプラズマ処理装置において、さらに、複数の前記一対の導線の夫々に対し交流電圧を印加する高周波電源を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。大気圧でプラズマを生成する方式としては、局所的な放電であるプラズマジェットか、あるいは平面処理向けのライン型特許文献1または平板型プラズマ特許文献2がある。減圧プラズマと比較し、大気圧プラズマでは、プラズマ中で生成されたイオンやラジカルの平均自由工程寿命が短いため、被処理体とプラズマの距離を短くする必要がある。従って、非平面の被処理体にプラズマ処理するためには、プラズマを被処理体に沿った非平面状に発生させる工夫が必要である。本発明の代表的なものを示すと次のとおりである。本発明は、円筒状の誘電体基板と、誘電体基板の外周に配置された、間隔が1mm以下の一対の導線と、一対の導線を覆う厚さ1mm以下の誘電体膜を備えるプラズマ処理装置である。また、別の本発明は、円筒状の誘電体基板と、誘電体基板の内周に配置された、間隔が1mm以下の一対の導線と、一対の導線を覆う厚さ1mm以下の誘電体膜を備えるプラズマ処理装置である。また、別の本発明は、複数の誘電体基板と、複数の誘電体基板の夫々に配置された、間隔が1mm以下の一対の導線と、一対の導線を覆う厚さ1mm以下の誘電体膜と、誘電体基板の夫々に対し、被処理体との距離および角度を調整する位置調整機構を備えるプラズマ処理装置である。本発明によれば、略大気圧の雰囲気にて被処理体の形状に合わせてプラズマを生成できるため、非平面の被処理体に対してプラズマ処理を均一に行うことができる。本発明では誘電体基板に2本の導線を略平行に配置し、その上から誘電体膜を成膜することによって、誘電体バリア放電のための電極を形成し、非平面の被処理体に沿ってプラズマを生成できるようにした。以下、図面を参照しながら、本発明を具体的に適用したプラズマ処理装置の実施例について詳細に説明する。実施の形態1まず、本発明の第1の実施例について説明する。図1は、円筒型の外周にプラズマを生成するプラズマ処理装置において、プラズマを生成するプラズマ源プラズマ放電部10の基本構成例の斜視図である。円筒型のプラズマ源の左側の開口部が見え、右側の開口部は隠れており、右側の開口部は破線で示している。誘電体からなる円筒状の基板11に対して、2本の導線1-1と1-2を略平行に保ちながら、螺旋状に巻き付けてある。そして、導線を巻き付けた状態で、厚さT21mm以下の誘電体膜12を形成している。これによって導線を誘電体で覆い、誘電体バリア放電の電極を形成している。なお、2本の導線1-1と1-2は、識別しやすいように太さを変えて表示し、こちらから見て奥側の導線については破線で表示している。2本の導電の間隔D1は1mm以下としている。また、2本の導線が略平行である場合、D1とD1の間の間隔D2はD1よりも広くした方が望ましい。導線1-1と1-2との間で、間隔が近い導線間で放電が起き易く、安定した放電が望めるためである。誘電体基板11及び誘電体膜12の材料は耐プラズマ性の高い材料であることが望ましい。例えばガラスや透明イットリア、アルミナAl2O3を用いることが望ましい。ただし、処理によっては樹脂等を誘電体基板や誘電体薄膜に利用しても良い。2本の導線のうち一方1-1は、図1において右側の端図1中のB付近を導線4-1を介し高周波電源3に接続して、左側図1中のA付近は基板11上で終端してある。また、2本の電線のうち他方1-2は、左側の端を導線4-2を介し高周波電源3に接続して、右側の端は終端するようにする。これによってプラズマ密度分布を長さLの区間においてできるだけ均一になるようにしている。2本の導線の終端を一方側に揃えると、プラズマ密度分布が不均一になる可能性があるからである。なお、2本の導線をそれぞれ、左端図1中のAと右端図1中のBの中間付近あたりで高周波電源3に接続する方式としても良いが、この場合、長さLの中間付近でプラズマ密度が相対的に大きくなる場合があるため、図1に示す形態が望ましい。なお、基板11の厚さT1は、誘電体膜12の厚さT2より厚い必要がある。プラズマ放電を円筒型の外部に生じさせるためである。原理的にはT1がT2よりも大きければプラズマ放電を円筒型の外部に生じさせることができるが、基板の強度の面から、T1はT2の10倍以上あることが望ましい。また、高周波電源3は、例えば1kHz~1MHzの高周波電源である。図2は図1に示したプラズマ源を用いたプラズマ処理装置50の全体概要の一例を示している。この例では、プラズマ源10は10-1と10-2を直列につなげることでプラズマ処理可能な長さを長くしている。プラズマ源10は位置調整機構20に接続されており、プラズマ源1010-1および10-2をX,Y,Z、R方向に動かすことができるようになっている。処理室21には処理ガスを供給するための処理ガス供給系23と、処理ガスを排気する排気系22が接続されている。例えば、プラズマによりシリコン系膜を成膜する場合にはシラン系ガスを用い、DLC膜を成膜する場合には炭化水素系ガスを用い、クリーニングを行う場合には酸素を主とする混合ガスを用いる。また、図示していないが10-2のプラズマ源は10-1のプラズマ源と別々の高周波電源3を用いることが望ましい。導線が長くなりすぎると出力の大きな電源が必要となり電源コストが高くなるためである。図3は処理の一例として、被処理体41が軸受部を有した構造であり、その軸受け内部にDLC膜を成膜する様子を示す斜視図である。円形の軸受け内部に均等にDLC膜を成膜するため、円筒型プラズマ源10を軸受け内部に挿入し、円筒型プラズマ源10と軸受け間の空間にプラズマを生成して成膜処理を行う。図4はプラズマ源10に設置された計測系の概要を説明するための図3の要部断面図である。プラズマ源10の内部には被処理体41との距離を測定するための距離計31が周方向に複数個設置されている。被処理体41の開口円の中心とプラズマ源10の円筒中心を一致させ、被処理体41の内面に均一にプラズマ処理を行うためである。なお、図ではプラズマ源1つに対し1個のみ図示している。そして、該距離計31で測定した情報を元に、位置調整機構20図2参照によってプラズマ源10の位置を調整し、被処理体とプラズマ源の距離を所定の距離に保つようにしている。また、プラズマ源10には膜厚モニタ32が設置されている。誘電体である基板11及び薄膜12が共に略透明である場合、即ち、誘電体基板11及び誘電体膜12にガラスや透明イットリアを用いる等の場合、プラズマ光または膜圧モニタ32から照射される外部導入光を用い、成膜した機能性膜42による干渉波形を観測にすることにより膜厚を知ることができる。距離計と同様に、プラズマ源10の内部の周方向に複数個配置されている。なお、図では、プラズマ源1つに対し1個のみ図示している。また、処理ガスはガス孔8を介して円筒外周に供給されるようになっており、プラズマ源10の両端には蓋28をすることによって、処理ガスが円筒内部に溜まるようになっている。必須の構成ではないが、蓋28により円筒外周に効率的にガスを供給することができるようになる。なお、本実施例では、2本の導線を略平行に螺旋状に設置する構成について述べたが、例えば図5や図6のような形態でも構わない。図5Aでは、基板11の円周に2種類の電極9-1および9-2を交互に設置する方式である。図5Bは図5Aの円筒半径を含む断面図である。また、図6のように円筒の長さ方向に電極を交互に設置する方法でもよい。ただし、図5、6の場合は複数の引き出し線が必要となるため、構造が複雑になる。その一方で、図1の様に、2本の導線を螺旋状に配置する構成の場合には、夫々の引き出し線4-1および4-2が1本で済むため構造が簡単になる利点がある。実施の形態2次に、第2の実施例として、円筒型プラズマ源において、円筒の内周でプラズマを生成するプラズマ処理装置について述べる。図7は円筒の内周にプラズマ生成するプラズマ源10を示した斜視図である。図1と同様に、2本の導線を略平行に保ちながら、円筒状の誘電体基板11に対して螺旋状に巻き付けている。そして、その上から誘電体膜12を成膜している。ただし、本実施例ではプラズマを円筒内部の内側で生成するため、誘電体基板11の厚さH1は誘電体膜12の厚さH2に比べて十分薄くしてある。例えば、誘電体基板の厚さH1は1mm以下、誘電体膜の厚さH2はH1の10倍以上である。原理的には、H1はH2より薄ければ誘電体基板11の内部にプラズマを発生させることができるものの、実施例1同様、強度の理由からである。また、ここでは、誘電体基板11を円筒内側、誘電体膜12を円筒外側の構成として説明しているが、誘電体基板を12、誘電体膜を11としても良い。製造方法が異なるだけで装置として得られる効果は同じであるためである。なお、螺旋状に巻いた導線の引き出し線4-1、4-2は円筒の外側へ引き出すようにしてある。また、引き出し線4-1、4-2の導線の終端および高周波電源3への接続形態については、実施例1で説明したものと同様であり、説明は省略する。図8にプラズマ処理装置の全体概要を示す。本装置は例えば電線等の棒状の被処理体41に成膜処理等を行う装置であり、処理室21にプラズマ源10を3つ設置している。そして、被処理体41はX方向に移動させながら処理を行い、例えば10―1は洗浄、10-2は表面改質、10-3は成膜処理を行うためのプラズマ源である。プラズマ源10はそれぞれ、位置調整機構2020-1、20-2および20-3に設置されており、夫々被処理体41との距離を調整できるようになっている。処理室21には処理ガスを供給する処理ガス供給系23、及び処理ガスを排気するための排気系22が設置されている。処理ガスについて、例えば、洗浄工程を担うプラズマ源10-1には酸素ガスを導入し、表面改質工程を担うプラズマ源10-2には水素等を供給し、成膜処理を担うプラズマ源10-3には炭化水素系ガスを供給する。もちろんこれらの処理に窒素や希ガス等を希釈ガスとして用いてもよい。プラズマ源の左右には仕切板25を設置し、仕切板25間に窒素ガスを供給することによって、ガス交換領域24を処理室21内に設けている。なお、被処理体41がX方向に移動させながら処理を行うことを述べたが、プラズマ源自体が-X方向に動くように設計しても良い。図9にはプラズマ源10に設置された計測系、ガス導入系について説明する図7の要部断面図である。なお、図9では、プラズマ源を実施例1の図2と同様に2つ直列に繋げた構造としている。プラズマ源10の外周には被処理体の距離Dを測定する距離計31が周方向に複数個設置されている。なお、図では、プラズマ源1つに対し1個のみ図示している。また、被処理体に成膜した膜の厚さTを測定するため、膜厚モニタ32がプラズマ源10の外周方向に複数個設置されている。なお、図では、プラズマ源1つに対し1個のみ図示している。図9では、被処理体41がプラズマ源10に対し、相対的に左側に移動している様子を示しており、成膜量が左側に従って厚くなっていることが分かる。また、処理ガスはガスライン26及びガス孔8を介して円筒内部に導入されるようにしてある。なお、本実施例では、2本の導線を螺旋状に配置する構成例を示したが、他の形態でも良い。螺旋状に配置した場合には、夫々の引き出し線が1本で済むため構造が簡単になる利点がある。実施の形態3次に、第3の実施例として、非平面を持つ、大型の被処理体に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置について述べる。図10は本発明のプラズマ処理装置50の全体概要を示している。平板型のプラズマ源1010-1から10-5は位置調整機構20に接続されており、被処理体41との距離、及び被処理体に対する向き角度を調整できるようになっている。図11にプラズマ源10の一例を示す。図11Aは上面図、図11Bは側面断面図を示している。2種類の導線1-1と1-2が略平行になるように配置して、その上から誘電体膜12図11B参照を成膜することで、誘電体に覆われた電極を形成している。誘電体膜12の厚さは1mm以下であり、誘電体基板11の厚さは強度確保のため誘電体膜の10倍以上の厚さとしている。電極1-1、1-2は引き出し線4-1、4-2によって高周波電源3に接続されている。図12は平面型プラズマ源10を並べた状態の上面図である。図12中のXX’の断面を側面から見た状態が図10中のプラズマ源部分に相当している。なお、プラズマ源を密に配置するためプラズマ源の夫々が六角形状となっているが、この形態に限定されることなく、五角形、四角形でもよい。図13は平面型プラズマ源単体に設置されたモニタ系を説明する図面である。被処理体41がプラズマ源10に対し、相対的に右側に移動している様子を示しており、成膜量が右側に従って厚くなっていることが分かる。実施例1及び2と同様に、被処理体との距離を測定する距離計31が設置されおり、誘電体膜12及び誘電体基板11を通してプラズマ源10と基板41との距離Dを測定する。そして、その情報を元に位置調整機構20によって、被処理体41とプラズマ源10の距離および向き角度を調整する。本実施例では、プラズマ源が平面型である一方で被処理体が非平面であることを想定しているため、距離以外にも向きを調整する必要がある。また、プラズマ源10には膜厚モニタ32が設置されている。誘電体膜12及び誘電体基板11を通して、プラズマ光または膜厚モニタ32から照射された光の機能成膜42での干渉波形を観察することによって被処理体41に成膜された膜厚を測定する。なお、図13では、距離計31および膜厚モニタ32が夫々1つ配置されているが、位置調整機構20がプラズマ源の向きを調整する必要があることから、少なくとも距離計31は2つ以上配置されている。また、図10のプラズマ源10-1から10-5の夫々は、図11Aに示すように周波数電源3を夫々備えている。共通電源とすると、出力の大きな電源が必要となり電源コストが高くなるためである。また、各々電源を備えている利点として、プラズマ源10のうち、一部のプラズマ源のみを利用することができるようになるため、被処理体の形状や成膜量の様々な条件に応じて、プラズマ処理を行うプラズマ源を適宜選択することができる。上記実施の形態1~3において詳細に説明したように、本発明は、非平面形状の被処理体に対して、略大気圧でプラズマ処理を行う。本発明のプラズマ処理装置は、被処理体に形状に合わせた誘電体基板上に一対の導線を1mm以下の間隔で配置し、その上から誘電体を溶射する等して、該導線を1mm以下の厚さの誘電体薄膜で覆い、一対の導線に高周波電力を印加することで、被処理体の形状に沿ってプラズマを生成する。"