"有機アルカリ化合物、酸化剤、キレート化剤、酸化ケイ素研磨材粒子および溶媒を含んでなる、シリコン貫通ビアTSVウエハ研磨用の研磨組成物であって、該酸化剤は、亜塩素酸塩、臭素酸塩およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれ、かつ該キレート化剤は、式n2-R-n1を有しており、ここでRは、C1~C8アルキレン、C2~C8アルケニレンまたはC6~C12芳香族環であり、非置換もしくは、-COH、-OH、-xP2およびC1~C4アルキルからなる群から選ばれた置換基によって置換されていて、ここでxは0、1、2もしくは3であり、そしてC1~C8アルキレンおよびC2~C8アルケニレン中の1個もしくは2個以上の炭素原子は、O、NおよびSから選ばれるヘテロ原子で置換されていてもよく;それぞれのR1は、独立して、-COHもしくは-xP2であり、ここでxは0、1、2もしくは3であり;それぞれのR2は、独立してH、-COHもしくは-xP2であり、ここでxは0、1、2もしくは3であり;n1およびn2は独立して1もしくは2である、TSVウエハ研磨用の研磨組成物。前記有機アルカリ化合物が、ジアミン、トリアミン、テトラアミンおよびそれらの組み合わせからなる群から選ばれ、前記酸化剤が、アルカリ金属亜塩素酸、アンモニウム亜塩素酸、アルカリ金属臭素酸塩、アンモニウム臭素酸塩およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、請求項1記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。前記有機アルカリ化合物が、エチレンジアミン、N--2-ヒドロキシエチルエチレンジアミン、1,2-ジアミノプロパン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれ、前記酸化剤が、亜塩素酸ナトリウム、亜塩素酸カリウム、亜塩素酸アンモニウム、亜塩素酸テトラメチルアンモニウム、臭素酸ナトリウム、臭素酸カリウム、臭素酸セシウム、臭素酸アンモニウム、およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、請求項2記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。前記有機アルカリ化合物が、エチレンジアミンであり、前記酸化剤が亜塩素酸ナトリウム、臭素酸カリウムおよびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、請求項3記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。前記有機アルカリ化合物が、前記研磨組成物中に、0.01質量~25質量存在しており、前記研磨組成物が、前記酸化剤を、ClO2-およびBrO3-の合計の濃度として、0.005質量モル濃度~1質量モル濃度の範囲で含む、請求項1記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。前記有機アルカリ化合物が、前記研磨組成物中に、0.1質量~20質量存在しており、前記研磨組成物が、前記酸化剤を、ClO2-およびBrO3-の合計の濃度として、0.01質量モル濃度~0.5質量モル濃度の範囲で含む、請求項5記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。前記酸化ケイ素研磨材粒子が、前記研磨組成物中に、0.01質量~30質量で存在している、請求項1記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。前記溶媒が、水である、請求項1記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。Rが、C1~C4アルキレン、C2~C4アルケニレン、>N2NH2N<、またはフェニルであり、置換されていないか、もしくは-COH、-OH、-P2およびメチルからなる群から選ばれる置換基によって置換されている、請求項1記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。前記キレート化剤が、クエン酸、サリチル酸、DL-酒石酸、マレイン酸、コハク酸、アクリル酸、乳酸、アジビン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸DTPMPA、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸HEDPおよびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、請求項9記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。前記キレート化剤が、サリチル酸、アクリル酸、DL-酒石酸、HEDP、乳酸、クエン酸、アジビン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸DTPMPAおよびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、請求項10記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。前記キレート化剤が、前記研磨組成物中に、0.01質量~15質量で存在している、請求項1記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。前記キレート化剤が、前記研磨組成物中に、0.1質量~10質量で存在している、請求項12記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。前記キレート化剤が、前記研磨組成物中に、0.5質量~8質量で存在している、請求項13記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。シリコン貫通ビアTSVウエハの研磨方法であって、TSVウエハの表面を、請求項1~14のいずれか1項記載の研磨組成物での研磨処理に掛けて、該TSVウエハ上のシリコンと導電材料を同時に取り除く工程を含む、TSVウエハの研磨方法。前記導電材料が、銅で作られている、請求項15記載のTSVウエハの研磨方法。従って、過酸化水素は、シリコンと導電材料の同時研磨用の研磨組成物の成分としては好適であるとは考えられない。シリコンと導電材料の両方を含むTSVウエハの研磨用に好適であり、かつ研磨されるTSVウエハ上のシリコンと導電材料とを安定して、そして同時に除去することもできる、半導体工業における使用のための研磨組成物への要求が存在している。更に、この研磨組成物の成分は、容易に入手できなければならない。また、関連した研磨方法も提供されなければならない。本発明者らは、研磨組成物の成分として、酸化剤としての亜塩素酸塩または臭素酸塩を、有機アルカリ化合物ならびにキレート化剤と組み合わせて用いることを試みた。驚くべきことには、この配合された研磨組成物は、シリコンと導電材料の両方に優れた研磨効果を示す。従って、本発明の目的は、TSVウエハ研磨用の研磨組成物を提供することである。この研磨組成物は、有機アルカリ化合物、酸化剤、キレート化剤、酸化ケイ素研磨材粒子および溶媒を含んでいる。本発明の更なる目的は、上記の研磨組成物を用いて、研磨されるTSVウエハ上の導電材料とシリコンを同時に、そして安定して取り除くことができる研磨方法を提供することである。この研磨方法は、TSVウエハの表面を研磨組成物での研磨処理に掛けて、TSVウエハ上のシリコンと導電材料を同時に除去することを含んでいる。本発明の研磨組成物およびそれを用いた研磨方法によって、TSVウエハ上のシリコンと導電材料は、過酸化水素を用いることなく、より容認できる速度で、同時に除去される。また、TSVウエハのCMPプロセス用の、新規で信頼できる研磨組成物および研磨方法が提供される。本発明は、TSVウエハ研磨用の研磨組成物を提供する。本発明によれば、研磨組成物のpH値および、それぞれの成分の種類と濃度は、特には限定されない。しかしながら、当工業界における実施に関連した研磨組成物の費用および研磨効果の両方を考慮して、それぞれの成分の種類と量は、以下の説明において更に説明および示唆される。本発明の研磨組成物では、有機アルカリ化合物は、好ましくは、ジアミン、トリアミン、テトラアミンおよびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる。好適な有機アルカリ化合物としては、例えばエチレンジアミン、N--2-ヒドロキシエチルエチレンジアミン、1,2-ジアミノプロパン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、またはそれらの組み合わせが挙げられる。下記の例では、例示される有機アルカリ化合物はエチレンジアミンおよび1,2-ジアミノプロパンである。有機アルカリ化合物は、好ましくは本発明の研磨組成物中に、約0.01質量~約25質量、より好ましくは約0.1質量~約20質量で、存在している。下記の例では、有機アルカリ化合物の例示された濃度は、約0.5質量~約15質量の範囲である。本発明によれば、研磨組成物中に含まれる酸化剤は、亜塩素酸塩、臭素酸塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる。例えば、この酸化剤は、アルカリ金属亜塩素酸塩、アンモニウム亜塩素酸塩、アルカリ金属臭素酸塩、アンモニウム臭素酸塩およびそれらの組み合わせからなる群から選ぶことができる。好ましくは、この酸化剤は、亜塩素酸ナトリウム、亜塩素酸カリウム、亜塩素酸アンモニウム、亜塩素酸テトラメチルアンモニウム、臭素酸ナトリウム、臭素酸カリウム、臭素酸セシウム、臭素酸アンモニウム、およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる。本発明の好ましい態様によっては、研磨組成物は、酸化剤として、亜塩素酸ナトリウムおよび/または臭素酸カリウムを含んでいる。好ましくは、本発明の研磨組成物は、酸化剤を、ClO2-およびBrO3-の合計の濃度として、約0.005質量モル濃度~約1質量モル濃度、より好ましくは約0.01質量モル濃度~約0.5質量モル濃度の範囲で含んでいる。すなわち、本発明の研磨組成物の1000g中に、ClO2-およびBrO3-の合計のモルが、好ましくは約0.005~約1モル、そしてより好ましくは約0.01~約0.5モルの範囲である。従って、本発明の態様によっては、酸化剤は亜塩素酸塩であり、そして研磨組成物中に、約0.02質量モル濃度~約0.4質量モル濃度の範囲のClO2-濃度で存在しているか、または約0.03質量モル濃度~約0.3質量モル濃度の範囲の、BrO3-濃度での臭素酸塩である。本発明による研磨組成物は、更にキレート化剤を含んでいる。理論によって拘束されはしないが、キレート化剤の添加は、シリコンの除去速度を維持するのに有用である。特に、シリコンと導電材料の両方を含むTSVウエハを研磨する場合には、シリコンの除去速度は影響を受けて、そして徐々に低下する。その理由は、研磨機械および用具が、研磨の間に発生された導電材料のイオンによって汚染されるためである可能性がある。本発明者らは、驚くべきことに、研磨組成物中のキレート化剤が、導電材料のイオンの除去を促進することができる、すなわち、キレートを形成して、それによってTSVウエハ上のシリコンの除去速度の低下を抑制することができることを見出した。本発明によれば、好適なキレート化剤は、一般には式n2-R-n1を有しており、ここでRはC1~C8アルキレン、C2~C8アルケニレンまたはC6~C12芳香族環であり、非置換もしくは、-COH、-OH、-xP2およびC1~C4アルキルからなる群から選ばれる置換基によって置換されていて、ここでxは0、1、2もしくは3であり、そしてC1~C8アルキレンおよびC2~C8アルケニレン中の1個もしくは2個以上の炭素原子は、O、NおよびSから選ばれるヘテロ原子で置換されていてもよく;それぞれのR1は独立して、-COHまたは-xP2であり、ここでxは0、1、2もしくは3であり;それぞれのR2は、独立してH、-COHまたは-xP2であり、ここでxは0、1、2もしくは3であり;そしてn1およびn2は独立して1もしくは2である。好ましくは、式n2-R-n1中で、Rは、C1~C4アルキレン、C2~C4アルケニレン、>N2NH2N<、またはフェニルであり、非置換か、もしくは-COH、-OH、-P2およびメチルからなる群から選ばれる置換基によって置換されている。例えば、キレート化剤は、クエン酸、サリチル酸、DL-酒石酸、マレイン酸、コハク酸、アクリル酸、乳酸、アジピン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸DTPMPA、例えばDequest登録商標2010S、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸HEDP、例えばDequest登録商標2010およびそれらの組み合わせからなる群から選ぶことができ、そして好ましくは、サリチル酸、アクリル酸、DL-酒石酸、HEDP、乳酸、クエン酸、アジピン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸DTPMPAおよびそれらの組み合わせから選ばれる。このキレート化剤は、研磨組成物中に、約0.01質量~約15質量、そして好ましくは約0.1質量~約10質量で、存在している。下記の例では、例示されたキレート化剤は、本発明の研磨組成物中に、約0.5質量~約8質量で存在している。更に、溶媒は、下記の例中で例示されているように、水であることができる。酸化ケイ素研磨材粒子は、コロイド状シリカ、フュームドシリカ、沈降シリカおよびそれらの組み合わせからなる群から選ぶことができる。下記の例では、例示された酸化ケイ素研磨材粒子は、コロイド状シリカである。酸化ケイ素研磨材粒子は、本発明の研磨組成物中に、好ましくは約0.01質量~約30質量、そしてより好ましくは約0.1質量~約15質量で存在している。下記の例では、酸化ケイ素研磨材粒子の例示された濃度は、約0.5質量~約10質量の範囲である。本発明による研磨組成物のpH範囲は、好ましくは9超であり、そしてより好ましくは10超である。また、本発明は、上記の研磨組成物を用いた、TSVウエハの研磨のための方法を提供する。特に、本発明による方法は、TSVウエハの1つの表面を、上記の本発明の研磨組成物での研磨処理に掛けるものである。研磨処理の間には、TSVウエハが、研磨パッドと、研磨圧力で接触するのと同時に、研磨組成物は、研磨パッドとTSVウエハの間の場所に向かって、所定の流動速度で流動する。このTSVウエハと研磨パッドは、それぞれの回転速度を有していて、TSVウエハを研磨する。TSVウエハの表面は、TSVウエハの、集積回路層11から最も遠い表面を意味しており、そしてシリコンウエハ層の表面121であることができ図1に示されているように、または導電材料の末端表面131を包含していてもよい図3中に示されているようにことを最初に明確にしておかなければならない。このような操作によって、研磨されるTSVウエハ上のシリコンの除去速度の低下は抑制することができ、そしてTSVウエハ上のシリコンと導電材料は、同時に除去される。導電材料は、好ましくは、銅、タングステン、アルミニウムおよび多結晶シリコンから選ばれる。下記の例示された導電材料は、銅で作られている。本発明の方法は、種々の研磨機械における構成要素設計または使用者の操作方法に応じて調整することができることに注目しなければならない。これらの成分は、最初に混合して本発明の研磨組成物を形成して、そして次いで研磨機械から流動するか、またはそれぞれの成分が同時に、そして別々に、研磨機械の異なる管を経由して導入されて、そしてそれらが混合されて本発明の研磨組成物を形成するのと同時に、この機械から流動することができるかの、いずれかであることができる。更に、組成物の安定性および輸送、あるいは使用者の貯蔵の利便性のために、本発明の研磨組成物は、個別にもしくは混合して、濃縮溶液へと配合することができる。下記の例では、研磨組成物は、これらの成分は混合されて、好適な濃度を備えた研磨組成物を与え、そしてこの組成物は次いで研磨機械から流動するという操作方法によって例示される。本発明の態様および効果が、例および比較例で説明され、そしてそれらの研磨組成物の成分の種類および量が、表1中に示されている。これらの例および比較例は、以下の化学薬品および装置を用いた。これらの例は、例示のためを意図したものであり、そして本発明の範囲を限定するものと解釈してはならない。特に断りのない限り、例Ex.および比較例cEx.1中の研磨方法は、大気温度および大気圧で行なった。それぞれの研磨組成物は、溶媒として水を用いて調製し、そして第1のベアシリコンウエハ、ブランケット銅ウエハ、および第2のベアシリコンウエハを、予め定めた継続時間で、それぞれ研磨するのに用いた。シリコンと銅の研磨速度は、研磨前後のウエハの厚さを測定して、そして結果の値を計算することによって得た。例と比較例の研磨方法は、同じ機械パラメータすなわち、研磨圧力=21kPa3psi、研磨ヘッドの回転速度TSVウエハの回転速度=87rpm、研磨パッドの回転速度=93rpm、研磨組成物の流量=200mL/分、研磨継続時間=1分間を用いて行なった。成分および装置としては、1研磨機械:GPInc韓国から商業的に入手可能なPOLI500;2研磨パッド:CabotMicroelectronicsCorporation米国から商業的に入手可能なEPICD100研磨パッド;3ベアシリコンウエハ:SiliconValleyMicroelectronicsInc米国から商業的に入手可能な一般的なベアシリコンウエハ;4ブランケット銅ウエハ:SKWAssociatesIncから商業的に入手可能な、1.5μmの銅膜を備えたブランケット銅ウエハ;5酸化ケイ素研磨材粒子:AkzoNobelIncオランダ国アムステルダムから商業的に入手可能なBINDZILSP599L;6例えば、SigmaAldrich米国、ミズーリ州、AlfaAesar米国マサチューセッツ州、ACROSベルギー国、へール、MERCKKGaA独国、ダルムシュタット、ShowaChemical日本国、東京、およびn2-R-n1を有しており、ここでRは、C1~C8アルキレン、C2~C8アルケニレンまたはC6~C12芳香族環であり、非置換もしくは、-COH、-OH、-xP2およびC1~C4アルキルからなる群から選ばれた置換基によって置換されていて、ここでxは0、1、2もしくは3であり、そしてC1~C8アルキレンおよびC2~C8アルケニレン中の1個もしくは2個以上の炭素原子は、O、NおよびSから選ばれるヘテロ原子で置換されていてもよく;それぞれのR1は独立して、-COHもしくは-xP2であり、ここでxは0、1、2もしくは3であり;それぞれのR2は、独立してH、-COHもしくは-xP2であり、ここでxは0、1、2もしくは3であり;n1およびn2は独立して1もしくは2である、TSVウエハ研磨用の研磨組成物。2前記有機アルカリ化合物が、ジアミン、トリアミン、テトラアミンおよびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、上記1記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。3前記有機アルカリ化合物が、エチレンジアミン、N--2-ヒドロキシエチルエチレンジアミン、1,2-ジアミノプロパン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、1,2-ジアミノプロパン、ジエンチレントリアミン、トリエチレンテトラアミンおよびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、上記2記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。4前記有機アルカリ化合物が、エチレンジアミンである、上記3記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。5前記有機アルカリ化合物が、前記研磨組成物中に、約0.01質量~約25質量存在している、上記1記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。6前記有機アルカリ化合物が、前記研磨組成物中に、約0.1質量~約20質量存在している、上記5記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。7前記有機アルカリ化合物が、前記研磨組成物中に、約0.5質量~約15質量存在している、上記6記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。8前記酸化剤が、アルカリ金属亜塩素酸、アンモニウム亜塩素酸、アルカリ金属臭素酸塩、アンモニウム臭素酸塩およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、上記1記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。9前記酸化剤が、亜塩素酸ナトリウム、亜塩素酸カリウム、亜塩素酸アンモニウム、亜塩素酸テトラメチルアンモニウム、臭素酸ナトリウム、臭素酸カリウム、臭素酸セシウム、臭素酸アンモニウム、およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、上記8記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。10前記酸化剤が亜塩素酸ナトリウム、臭素酸カリウムおよびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、上記9記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。11前記研磨組成物が、前記酸化剤を、ClO2-およびBrO3-の合計の濃度として、約0.005質量モル濃度~約1質量モル濃度の範囲で含む、上記1記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。12前記研磨組成物が、前記酸化剤を、ClO2-およびBrO3-の合計の濃度として、約0.01質量モル濃度~約0.5質量モル濃度で含む、上記1記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。13前記酸化剤が、亜塩素酸塩であり、かつ前記研磨組成物中に、約0.02質量モル濃度~約0.4質量モル濃度の範囲のClO2-濃度で存在しているか、または約0.03質量モル濃度~約0.3質量モル濃度の範囲のBrO3-濃度の臭素酸塩である、上記12記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。14前記酸化ケイ素研磨材粒子が、前記研磨組成物中に、約0.01質量~約30質量で存在している、上記1記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。15前記酸化ケイ素研磨材粒子が、前記研磨組成物中に、約0.1質量~約15質量で存在している、上記14記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。16前記酸化ケイ素研磨材粒子が、前記研磨組成物中に、約0.5質量~約10質量で存在している、上記15記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。17前記溶媒が、水である、上記1記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。18Rが、C1~C4アルキレン、C2~C4アルケニレン、>N2NH2N<、またはフェニルであり、置換されていないか、もしくは-COH、-OH、-P2およびメチルからなる群から選ばれる置換基によって置換されている、上記1記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。19前記キレート化剤が、クエン酸、サリチル酸、DL-酒石酸、マレイン酸、コハク酸、アクリル酸、乳酸、アジビン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸DTPMPA、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸HEDPおよびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、上記18記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。20前記キレート化剤が、サリチル酸、アクリル酸、DL-酒石酸、HEDP、乳酸、クエン酸、アジビン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸DTPMPAおよびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、上記19記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。21前記キレート化剤が、前記研磨組成物中に、約0.01質量~約15質量で存在している、上記1記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。22前記キレート化剤が、前記研磨組成物中に、約0.1質量~約10質量で存在している、上記211記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。23前記キレート化剤が、前記研磨組成物中に、約0.5質量~約8質量で存在している、上記22記載のTSVウエハ研磨用の研磨組成物。24シリコン貫通ビアTSVウエハの研磨方法であって、TSVウエハの表面を、上記1~23のいずれかに記載の研磨組成物での研磨処理に掛けて、該TSVウエハ上のシリコンと導電材料を同時に取り除く工程を含む、TSVウエハの研磨方法。25前記導電材料が、銅で作られている、上記24記載のTSVウエハの研磨方法。"