内部に処理対象物の処理空間を形成する筐体と、筒状の導波管を介して前記筐体に配設されるマイクロ波発振器とを備え、前記マイクロ波発振器から発振されて前記導波管内を通過したマイクロ波を前記処理空間内の前記処理対象物に照射して処理するマイクロ波処理装置であって、前記導波管内にマイクロ波透過性のフィルタが配設され、前記導波管内における前記フィルタのマイクロ波発振器側に圧縮ガスを供給して、前記マイクロ波発振器と前記フィルタとの間を陽圧状態に維持し、前記フィルタを介して当該圧縮ガスを前記処理空間内に流通させるガス供給機構を備えたマイクロ波処理装置。前記導波管内における前記マイクロ波発振器と前記フィルタとの間に、マイクロ波透過性の照射窓が配設され、前記ガス供給機構が、前記圧縮ガスを前記導波管内における前記照射窓と前記フィルタとの間の空間内に供給させる請求項1に記載のマイクロ波処理装置。前記導波管内における前記フィルタの処理空間側の表面に向けて、払落しガスを噴射させる払落し機構を備えた請求項2に記載のマイクロ波処理装置。前記導波管内における前記マイクロ波発振器と前記照射窓との間に、乾燥ガスを供給させる結露防止機構を備えた請求項3に記載のマイクロ波処理装置。しかしながら、特許文献1に開示のマイクロ波処理装置において、遮断壁の処理空間側の表面に高圧の気体を吹き付けるのみでは、処理空間内においてマイクロ波により加熱処理等された粒子状の汚染物質や当該汚染物質から発生した凝縮性ガス等が、処理空間から導波管内における遮断壁近傍に巻き込まれ、遮断壁に付着してしまう虞があり、また、遮断壁に付着すると十分に剥離することが困難となる場合があった。このように遮断壁に粒子状の汚染物質等が付着すると、マイクロ波による当該汚染物質等の加熱に伴って遮断壁も加熱され高温となり、当該遮断壁が破損する虞があるとともに、汚染物質等がマイクロ波発振器を損傷する虞があり、さらに、汚染物質等によりマイクロ波が遮られて、処理空間内の汚染物質の処理効率が低下する虞がある。一方で、遮断壁の処理対象空間側の表面に吹き付ける高圧の気体を、より大量にし、しかもより高圧且つ高速にして吹き付けることも考えられるが、ランニングコストが増大し好ましい改良とはいえない。本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、処理空間に存在する処理対象物にマイクロ波を照射して処理を行う際、より効率よく処理を行えるとともに、処理対象物等がマイクロ波発振器側に侵入することを低コストで且つ確実に防止できる技術を提供する点にある。上記目的を達成するための本発明に係るマイクロ波処理装置は、内部に処理対象物の処理空間を形成する筐体と、筒状の導波管を介して前記筐体に配設されるマイクロ波発振器とを備え、前記マイクロ波発振器から発振されて前記導波管内を通過したマイクロ波を前記処理空間内の前記処理対象物に照射して処理するマイクロ波処理装置であって、その特徴構成は、前記導波管内にマイクロ波透過性のフィルタが配設され、前記導波管内における前記フィルタのマイクロ波発振器側に圧縮ガスを供給して、前記マイクロ波発振器と前記フィルタとの間を陽圧状態に維持し、前記フィルタを介して当該圧縮ガスを前記処理空間内に流通させるガス供給機構を備えた点にある。上記特徴構成によれば、導波管内に配設されたフィルタのマイクロ波発振器側に、ガス供給機構による圧縮ガスが供給されるので、導波管内において、マイクロ波発振器側からフィルタを介して処理空間側へ流動する圧縮ガスの流れを発生させることができる。この圧縮ガスの流れは、フィルタを通過する際に生じる所定の圧損により、マイクロ波発振器とフィルタとの間を陽圧状態に維持しながら、当該フィルタを介して処理空間側に流動することとなる。従って、導波管内においては、フィルタを境界として、処理空間側の圧力に対してマイクロ波発振器側の圧力が陽圧に維持されることとなり、マイクロ波発振器側の圧縮ガスをフィルタを介して処理空間側に、常時、且つ、強制的に流動させることができる。これにより、処理空間における処理対象物の浮遊物やマイクロ波の照射で加熱された処理対象物から発生した凝縮性ガス等以下、単に、処理対象物等というが導波管内に侵入しようとしても、上記圧縮ガスの常時且つ強制的な流動によりその侵入を良好に防止でき、また、仮に導波管内に処理対象物等が侵入してもフィルタの近傍に到達することを良好に防止することができる。また、仮に、フィルタの処理空間側の表面に処理対象物等が付着したとしても、上記圧縮ガスの常時且つ強制的な流動により、その処理対象物等を良好に剥離することができる。なお、フィルタは、マイクロ波透過性であるので、処理空間内における処理対象物のマイクロ波の照射を阻害することはない。さらに、ガス供給機構により供給される圧縮ガスは、導波管内においてマイクロ波発振器とフィルタとの間を陽圧状態に維持できる程度の流量及び圧力であれば充分であり、比較的簡便で、低コストな構成となる。これらより、マイクロ波発振器から発振されて導波管内を通過したマイクロ波を、筐体の処理空間内に存在する処理対象物に照射して処理する際、処理対象物等によりマイクロ波が遮断されることがないとともに、処理対象物等が導波管を介してマイクロ波発振器側へ侵入することを良好に防止することができる。よって、処理空間に存在する処理対象物にマイクロ波を照射して処理を行う際、より効率よく処理を行えるとともに、処理対象物等がマイクロ波発振器側に侵入することを低コストで且つ確実に防止できる。本発明に係るマイクロ波処理装置の更なる特徴構成は、前記導波管内における前記マイクロ波発振器と前記フィルタとの間に、マイクロ波透過性の照射窓が配設され、前記ガス供給機構が、前記圧縮ガスを前記導波管内における前記照射窓と前記フィルタとの間の空間内に供給させる点にある。本特徴構成によれば、導波管内におけるマイクロ波発振器とフィルタとの間にマイクロ波透過性の照射窓が配設されるので、照射窓とフィルタとの間の空間を、マイクロ波発振器とフィルタとの間の空間に対して比較的小さな空間とすることができる。そして、比較的小さな空間である照射窓とフィルタとの間の空間に、ガス供給機構により圧縮ガスを供給するので、当該空間を陽圧状態に維持するための圧縮ガスの量を、より少量にすることができ、低コスト化を実現することができる。また、仮に、処理空間内の処理対象物等がフィルタを通過したとしても、照射窓によりマイクロ波発振器側に処理対象物等が侵入することを確実に防止することができる。なお、照射窓は、マイクロ波透過性であるので、処理空間内における処理対象物のマイクロ波の照射を阻害することはない。本発明に係るマイクロ波処理装置の更なる特徴構成は、前記導波管内における前記フィルタの処理空間側の表面に向けて、払落しガスを噴射させる払落し機構を備えた点にある。本特徴構成によれば、導波管内におけるフィルタの処理空間側の表面に向けて払落しガスを噴射させる払落し機構を備えているので、仮に、フィルタの処理空間側の表面に処理対象物等が付着したとしても、上記圧縮ガスの処理空間側への常時且つ強制的な流動と相俟って、当該処理対象物等に対する払落し機構による払落しガスの噴射により、付着した処理対象物等をより良好且つ確実に剥離することができる。本発明に係るマイクロ波処理装置の更なる特徴構成は、前記導波管内における前記マイクロ波発振器と前記照射窓との間に、乾燥ガスを供給させる結露防止機構を備えた点にある。本特徴構成によれば、導波管内におけるマイクロ波発振器と照射窓との間に結露防止機構による乾燥ガスを供給させるので、マイクロ波発振器と照射窓との間の空間を乾燥状態に維持することができ、照射窓のマイクロ波発振器側の表面に結露が生じることを良好に防止することができる。例えば、マイクロ波発振器と照射窓との間の空間に、マイクロ波発振器から発振され導波管内を通過するマイクロ波を透過し、処理空間等から反射されてマイクロ波発振器側に戻ってくる反射マイクロ波を吸収するアイソレータが配設され、当該アイソレータに冷却水を利用した冷却機構が採用されている場合がある。この場合には、当該冷却機構によりマイクロ波発振器と照射窓との間の空間内に結露が発生する場合があり、この結露が照射窓のマイクロ波発振器側の表面に発生すると、マイクロ波により加熱されて高温となり、照射窓を破損する虞がある。しかしながら、このような場合でも、上述の通り、マイクロ波発振器と照射窓との間の空間内の結露が良好に防止されているので、照射窓の破損を良好に防止することができる。本願に係るマイクロ波処理装置50について、図1及び図2に基づいて説明する。マイクロ波処理装置50は、マイクロ波MWにより処理対象物を処理する装置であり、この処理対象物としては、気体、液体、固体が例示でき、例えば、飛灰、粉塵などの粉体固体の一例が例示できる。図1及び図2に示すように、マイクロ波処理装置50は、内部に処理対象物を処理可能な処理空間1を形成する筐体2と、処理空間1内に存在する処理対象物にマイクロ波MWを照射するマイクロ波照射機構3とを備えて構成されている。また、マイクロ波処理装置50には、汚染された処理対象物を搬送し、当該処理対象物を筐体2の天部2aから導入口4を介して処理空間1内に導入する搬入機構5が接続されており、当該処理対象物の処理が終了した処理済の処理対象物を筐体2の底部2bから排出口6を介して処理空間1の外部に搬出する搬出機構7が接続されている。さらに、マイクロ波処理装置50の筐体2内の底部2bには、処理空間1の主処理領域1a付近に存在する処理対象物を攪拌し、また処理済の処理対象物を排出口6に案内可能なモータ8aにより駆動するロータリースクレーパ8bを備えた攪拌機構8が設けられている。なお、主処理領域1aは、処理空間1の底部から処理対象物が導入される高さの上面付近までの領域をいう。したがって、マイクロ波処理装置50においては、搬入機構5から処理空間1に導入された処理対象物にマイクロ波MWを照射して処理した後、当該処理対象物を処理空間1から搬出機構7に排出することが可能に構成され、処理対象物の連続的な処理、或いはバッチ処理を実現可能に構成されている。以下、本願に係るマイクロ波処理装置50の構成の詳細について説明する。筐体2は、図1に示すように、概略円筒状の密閉容器で形成されており、内部に処理空間1を形成できるように構成されている。筐体2の側面部2cは、上部側面部2c1、中間側面部2c2、下部側面部2c3から構成されており、上部側面部2c1は、処理空間1内に照射されるマイクロ波MWが当該上部側面部2c1で反射して特定箇所に集中することがないよう、平断面形状が5角形程度以上の多角形に形成され、筐体2の鉛直面に対して数度~20度程度傾斜するように形成される。なお、上部側面部2c1の平断面形状を、円筒形状に形成することもできる。下部側面部2c3は、ロータリースクレーパ8bを配設する関係上円筒形状に形成されている。中間側面部2c2は、上部側面部2c1と下部側面部2c3とをなだらかに接続するように構成されており、マイクロ波MWに対してアンテナとなる突起物が少ない構造とされている。筐体2は、例えば、鉄、アルミニウム、銅等の金属、ステンレス鋼、ジュラルミン等の合金で構成することができ、処理空間1内でマイクロ波MWを良好に反射し、処理対象物へのマイクロ波MWの照射を確実に行えるとともに、筐体2の外部にマイクロ波MWが漏出することを防止するように構成されている。図1に示すように、筐体2の天部2aには、排気ガス排出管9が接続され、処理空間1において発生した凝縮性ガス等の排気ガスを吸引ファン図示せずにより吸引して、フィルタ10を介して筐体2の外部に排出できるように構成されている。また、筐体2の天部2aには、マイクロ波MWを発振可能なマイクロ波照射機構3が設けられ、筐体2の天部2a処理空間1の上部から処理空間1内にマイクロ波MWを照射可能に構成されている。さらに、筐体2の天部2aには、上述の導入口4が設けられている。マイクロ波照射機構3は、筒状の導波管30と、導波管30内を介して処理空間1内にマイクロ波MWを照射するマイクロ波発振器31とを備え、導波管30の一端側にマイクロ波発振器31が配設され、他端側が筐体2の天部2aに開口したマイクロ波通過口2dに接続されている。マイクロ波発振器31は、マイクロ波MWを発振可能に構成されるが、例えば、マグネトロン等を用いることができる。ここで、マイクロ波MWとは、周波数が300MHz~3THz程度であり、波長が100μm~1m程度の電磁波であり、例えば、950MHz、2.45GHz、5.8GHz程度の周波数が含まれる。処理空間1に照射されたマイクロ波MWは、処理空間1内に存在する処理対象物に照射され、処理対象物の分解処理を行うことができる。また、マイクロ波照射機構3の導波管30内には、処理空間1側からマイクロ波発振器31側に向かう順に、マイクロ波透過性の多孔体からなるセラミックフィルタ32フィルタの一例、マイクロ波透過性の石英ガラス33照射窓の一例、処理空間1側から反射した反射マイクロ波を吸収可能なアイソレータ34が配設されている。セラミックフィルタ32は、マイクロ波透過性で多孔体からなり、後述する圧縮空気PA圧縮ガスの一例をある程度通過させることができるセラミックスであれば、特に限定なく用いることができ、その場合、厚みや材質等は、除去対象となる物質や圧縮空気PAを通過させる流量等に応じて任意に設定可能である。この場合、セラミックフィルタ32による圧縮空気PAの圧損は、1~2000Pa程度とすることが好ましく、この場合、セラミックフィルタ32の気孔率を、80~99程度とし、厚みを1~40mm程度とすることが好ましい。セラミックフィルタ32に、マイクロ波吸収性が低いセラミック繊維体を基材として用いることもできる。なお、セラミックフィルタ32は、導波管30内における処理空間1の近傍に、当該導波管30の横断面を完全に閉塞する状態で配設されるが、多孔体で形成されているので、圧縮空気PAを通過することは可能に構成されている。このようなマイクロ波透過性で多孔体からなるセラミックスとしては、アルミナAl2O3、シリカSiO2等が例示でき、これらセラミックスを単体或いは複数種類混合して焼成したものを用いることができる。なお、これらセラミックスを主成分とするものであれば、マイクロ波吸収性の高いセラミックス等が若干程度含有していてもよい。また、セラミックフィルタ32は、処理空間1が非常に高温例えば、350~400°C程度となることに加え、マイクロ波MWによる直接的な加熱或いは加熱された高温の処理対象物や当該処理対象物から発生した凝縮性ガス等以下、処理対象物等というが付着しても耐えることができるように、耐熱性が高いセラミックスを採用することが好ましい。本実施形態では、多孔体からなるセラミックフィルタ32として、マイクロ波吸収性の低いセラミック短繊維を押し固めた繊維構造体のアルミナAl2O3及びシリカSiO2を、アルミナAl2O3を44重量部、シリカSiO2を54重量部の割合で混合し焼成したセラミックスを採用した。照射窓としてのマイクロ波透過性の石英ガラス33は、セラミックフィルタ32よりもマイクロ波発振器31側において、分割された導波管30同士の隣接間に気密状態で挟持固定されている。なお、石英ガラス33は、導波管30の横断面を完全に閉塞する状態で気密に配設され、圧縮空気PAを通過不能に構成されている。なお、照射窓としては、マイクロ波MWを透過可能な部材で圧縮空気PAを遮断できる部材であれば、その他の部材で構成することもでき、例えば、ガラス等の無機材料、陶器、磁器等の焼成体等により構成することもできる。アイソレータ34は、石英ガラス33よりもマイクロ波発振器31側に配設され、マイクロ波発振器31から発振されたマイクロ波MWを処理空間1側に通過可能で、処理空間1側から反射した反射マイクロ波を吸収可能に構成されている。アイソレータ34には、図示しないが、冷却水W又は冷却空気が通流するジャケット部を有する冷却機構が配設され、アイソレータ34の発熱部が冷却水W又は冷却空気の通流するジャケット部を介して熱交換して冷却される構成とされている。また、導波管30には、圧縮空気PAを連続的に供給する圧縮空気供給機構40ガス供給機構の一例と、払落し空気CA払落しガスの一例を断続的又は連続的に噴射させる払落し機構41と、乾燥空気DA乾燥ガスの一例を連続的に供給させる結露防止機構42とが配設されている。圧縮空気供給機構40は、セラミックフィルタ32と石英ガラス33との間における導波管30の外周面に貫通接続された圧縮空気供給管部40aと、図示しない圧縮空気供給源とを備える。そして、圧縮空気供給機構40は、所定の流量及び圧力で圧縮空気供給源からの圧縮空気PAを、圧縮空気供給管部40aを介して導波管30内におけるセラミックフィルタ32と石英ガラス33との間の空間セラミックフィルタ32のマイクロ波発振器31側の一例に連続供給可能に構成されている。この圧縮空気PAの流量および圧力は、セラミックフィルタ32の処理空間1側の空間の圧力に対してセラミックフィルタ32と石英ガラス33との間の空間の圧力を陽圧に維持することができる範囲で、適宜設定することができるが、本実施形態では、圧縮空気供給源での元圧が0.1~0.3MPaGゲージ圧程度の圧縮空気PAを、0.5~20L/min程度の流量で連続的に供給している。詳細は後述するが、これにより、セラミックフィルタ32を介して処理空間1内に圧縮空気PAを連続的に流通させることができる。払落し機構41は、セラミックフィルタ32と処理空間1との間における導波管30の外周面に貫通接続された払落し空気供給管部41aと、図示しない払落し空気供給源とを備える。そして、払落し機構41は、所定の流量、圧力及び噴射時間で払落し空気供給源からの払落し空気CAを、払落し空気供給管部41aを介して導波管30内におけるセラミックフィルタ32の処理空間1側の表面32aに向けて、連続的又は断続的に供給可能に構成されている。この払落し空気CAの流量、圧力及び噴射時間は適宜設定することができる。詳細は後述するが、これにより、セラミックフィルタ32の処理空間1側の表面に向けて払落し空気CAを連続的又は断続的に噴射させることができる。結露防止機構42は、石英ガラス33とアイソレータ34との間における導波管30の外周面に貫通接続された乾燥空気供給管部42a及び乾燥空気排出管部42bと、図示しない乾燥空気供給源とを備える。そして、結露防止機構42は、所定の流量及び圧力で乾燥空気供給源からの乾燥空気DA乾燥ガスの一例を、乾燥空気供給管部42aを介して導波管30内における石英ガラス33とアイソレータ34との間の空間石英ガラス33とマイクロ波発振器31との間の一例に連続供給可能で、当該空間に連続供給された乾燥空気DAを乾燥空気排出管部42bを介して導波管30の外部に連続排出可能に構成されている。この乾燥空気DAの流量、及び湿度は適宜設定することができるが、本実施形態では、空気を、0.5~20L/min程度の流量で、0~50程度の湿度で連続的に供給している。詳細は後述するが、これにより、石英ガラス33とアイソレータ34との間の空間内に乾燥空気DAを連続的に流通させることができる。次に、マイクロ波処理装置50において、飛灰処理対象物の一例中の有機ハロゲン化合物等有害物質の分解処理を、バッチ処理で行った場合の動作を例示的に説明する。マイクロ波発振器31からマイクロ波MWを発振し、導波管30内のアイソレータ34、石英ガラス33、セラミックフィルタ32を通過させて、処理空間1内にマイクロ波MWを照射させる。そして、アイソレータ34に冷却水Wを通流させるとともに、結露防止機構42により、所定の流量及び圧力で乾燥空気供給源からの乾燥空気DAを、乾燥空気供給管部42aを介して導波管30内における石英ガラス33とアイソレータ34との間の空間に連続供給させ、乾燥空気排出管部42bを介して導波管30の外部に連続排出させる。これにより、マイクロ波発振器31から発振されたマイクロ波MWの反射マイクロ波はアイソレータ34で吸収され、マイクロ波発振器31の不具合の発生を防止できるとともに、石英ガラス33のマイクロ波発振器31側の表面33aに結露が発生することを良好に防止され、マイクロ波MWの照射による石英ガラス33の破損を良好に防止することができる。加えて、このマイクロ波MWの発振に伴って、圧縮空気供給機構40により圧縮空気PAを、圧縮空気供給管部40aを介して導波管30内におけるセラミックフィルタ32と石英ガラス33との間の空間に連続的に供給させる。これにより、導波管30内において、セラミックフィルタ32のマイクロ波発振器31側石英ガラス33側からセラミックフィルタ32を介して処理空間1側へ流動する圧縮空気PAの流れを、連続的に発生させることができる。この圧縮空気PAの流れは、セラミックフィルタ32が多孔体で形成されているため、セラミックフィルタ32を通過する際に所定の圧損が生じ、石英ガラス33とセラミックフィルタ32との間の空間を陽圧状態例えば、1~2000PaGゲージ圧程度に維持しながら、当該セラミックフィルタ32を介して処理空間1側に流動することとなる。なお、この際、処理空間1内は略大気圧程度である。従って、導波管30内においては、セラミックフィルタ32を境界として、処理空間1側の圧力に対してマイクロ波発振器31側石英ガラス33とセラミックフィルタ32との間の空間の圧力が陽圧に維持されることとなり、当該空間内の圧縮空気PAをセラミックフィルタ32を介して処理空間1側に、常時、且つ、強制的に流動させることができる。また、石英ガラス33とセラミックフィルタ32との間の空間を、マイクロ波発振器31とセラミックフィルタ32との間の空間に対して比較的小さな空間とすることができ、比較的小さな空間である石英ガラス33とセラミックフィルタ32との間の空間に、圧縮空気供給機構40により圧縮空気PAを連続的に供給するので、当該空間を陽圧状態に維持するための圧縮空気PAの量を、より少量にすることができ、低コスト化を実現することができる。次に、このように処理空間1内にマイクロ波MWが照射され、圧縮空気PAが連続供給されている状態において、処理対象物である飛灰の処理が開始される。例えば、ごみ焼却炉図示せずから排出された一定量の飛灰を搬入機構5から導入口4を介して処理空間1内に導入し、導入後は当該導入口4を閉鎖する。この際には、排出口6を閉鎖し、ロータリースクレーパ8bを回転させ、処理空間1の主処理領域1aに落下した処理対象物が当該処理空間1内で出来るだけ均一に導入されるようにする。導入された飛灰には、筐体2の天部2aに設置されたマイクロ波発振器31からのマイクロ波MWが照射され、飛灰中の有機ハロゲン化合物等有害物質の分解処理が行われる。また、マイクロ波MWによる処理対象物の処理が進んで発生する凝縮性ガス等の排気ガスは、吸引ファンにより吸引され、フィルタ10を介して排気ガス排出管9から外部に排出される。この際、飛灰や凝縮性ガス等の排気ガス等以下、単に、処理対象物等というは、処理空間1内を流動しており、一部はマイクロ波照射機構3の導波管30が接続される天板2aのマイクロ波通過口2d近傍にも接近する場合がある。しかしながら、上述のとおり、処理空間1における処理対象物等が導波管30内に侵入しようとしても、上記圧縮空気PAの常時且つ強制的な流動によりその侵入を良好に防止でき、また、仮に導波管30内に処理対象物等が侵入してもセラミックフィルタ32の近傍に到達することを良好に防止することができる。また、仮に、セラミックフィルタ32の処理空間1側の表面32aに処理対象物等が付着したとしても、上記圧縮空気PAの常時且つ強制的な流動により、その処理対象物等を良好に剥離することができる。さらに、圧縮空気供給機構40により供給される圧縮空気PAは、導波管30内において石英ガラス33とセラミックフィルタ32との間を陽圧状態に維持できる程度の上述の流量及び圧力であれば充分であり、比較的簡便で、低コストな構成となる。これらより、マイクロ波発振器31から発振されて導波管30内を通過したマイクロ波MWを、筐体2の処理空間1内に存在する処理対象物に照射して処理する際、処理対象物等によりマイクロ波MWが遮断されることがないとともに、処理対象物等が導波管30を介してマイクロ波発振器31側へ侵入することを良好に防止することができる。また、仮に、処理空間1内の処理対象物等がセラミックフィルタ32を通過したとしても、石英ガラス33によりマイクロ波発振器31側に処理対象物等が侵入することを確実に防止することができる。また、必要に応じて、払落し機構41により導波管30内におけるセラミックフィルタ32の処理空間1側の表面32aに向けて、払落し空気CAを噴射させることで、仮に、当該表面32aに処理対象物等が付着したとしても、上記圧縮空気PAの処理空間1側への常時且つ強制的な流動と相俟って、当該処理対象物等に対する払落し機構41による払落し空気CAの噴射により、付着した処理対象物等をより良好且つ確実に剥離することができる。そして、所定時間経過して飛灰中の有機ハロゲン化合物等有害物質の処理が終了すると、マイクロ波MWの発振を停止する。続いて、排出口6を開口するとともに、ロータリースクレーパ8bの回転速度を少し落とし、処理済の飛灰を排出口6を介して搬出機構7により処理空間1の外部に搬出する。上記動作が、バッチ処理における処理の1サイクルである。よって、処理空間1に存在する処理対象物にマイクロ波MWを照射して処理を行う際、より効率よく処理を行えるとともに、処理対象物等がマイクロ波発振器31側に侵入することを低コストで且つ確実に防止できる。別実施形態1上記実施形態では、導波管30内に配設されるフィルタの一例として、マイクロ波透過性の多孔体からなるセラミックフィルタ32を用いた場合について説明したが、当該フィルタとしては、マイクロ波透過性で圧縮ガスをある程度通過させることができる構成あれば、その他のフィルタを採用することができる。例えば、マイクロ波透過性のガラス素材フィルタやテフロンフィルタを用いることができる。2上記実施形態では、圧縮空気供給機構40が、所定の流量及び圧力で圧縮空気供給源からの圧縮空気PAを、圧縮空気供給管部40aを介して導波管30内におけるセラミックフィルタ32と石英ガラス33との間の空間に連続供給可能な構成とした。しかしながら、当該空間を処理空間1に対して陽圧に維持することができる構成であれば、圧縮空気供給機構40が圧縮空気PAを断続的にパルス状に供給する構成とすることもできる。3上記実施形態では、結露防止機構42が、所定の流量及び圧力で乾燥空気供給源からの乾燥空気DAを、乾燥空気供給管部42aを介して導波管30内における石英ガラス33とアイソレータ34との間の空間に連続供給可能な構成とした。しかしながら、当該空間を乾燥状態とすることができる構成であれば、結露防止機構42が乾燥空気DAを断続的にパルス状に供給する構成とすることもできる。4上記実施形態では、導波管30内においてマイクロ波発振器31とセラミックフィルタ32との間に照射窓としての石英ガラス33を配設したが、ガス供給機構としての圧縮空気供給機構40及びセラミックフィルタ32により、処理空間1から導波管30内に侵入してマイクロ波発振器31に処理対象物等が到達することを防止できる場合には、当該照射窓を省略することもでき、この場合、結露防止機構42も省略することができる。5上記実施形態では、マイクロ波照射機構3を、筐体2の天部2aに配設して処理空間1内にマイクロ波MWを照射したが、導波管30を介して処理空間1内にマイクロ波MWを照射可能であれば、筐体2のその他の箇所にマイクロ照射機構3を配設することができる。例えば、マイクロ波照射機構3を、導波管30を介して側面部2cや底部2bに配設することもでき、また、複数のマイクロ波照射機構3を設けることもできる。6上記実施形態では、処理対象物を飛灰固体の一例として説明したが、処理空間1に導入し、マイクロ波MWにより処理した後、当該処理空間1から排出できるものであればよく、処理対象物としては、例えば、気体、液体、固体が例示できる。また、上記実施形態では、マイクロ波処理装置50において、有機ハロゲン化合物等有害物質の分解処理を行う場合について説明したが、処理空間1内の処理対象物にマイクロ波MWを照射することにより行うことができる処理であれば、特に制限なく処理を行うことができる。7上記実施形態では、処理対象物の処理を行うに当たり、一定量の処理対象物毎にバッチ処理を行ったが、処理対象物を十分に処理することが可能であれば、特にこの構成に制限されず、処理対象物を処理空間1に導入しつつ、同時に排出を行って連続的に処理を進めることもできる。例えば、マイクロ波MWにより比較的短い時間で分解処理することができる処理対象物の場合には、このような連続的な処理を行って十分な処理効果を得ることが可能である。8上記実施形態では、筐体2の側面部2cを、平断面形状の異なる上部側面部2c1、中間側面部2c2、下部側面部2c3から構成する例について説明したが、特にこの構成に限定されるものではなく適宜変更することができる。例えば、筐体2の側面部2cを、平断面形状が略同一で略同面積の円筒形状等の筒形状に形成することもできる。