"ターゲット裏面に配置した磁石の磁気回路によってターゲット表面に弧状の磁力線を描く漏れ磁場を発生するマグネトロンスパッタ装置用磁気回路であって、内側磁石と、該内側磁石と逆向きの磁化方向を有し該内側磁石を取囲む外側磁石と、前記内側磁石と前記外側磁石との間に配置され、前記内側磁石および外側磁石の磁化方向と直交し、かつ前記内側磁石から外側磁石に向かう方向またはその逆の方向に磁化された水平磁化磁石と、これらの磁石を挟んでターゲットと対向して配設され前記内側磁石と前記外側磁石との間で磁束を通すヨークとを備え、該水平磁化磁石の保磁力の値が、磁石内部中央よりもターゲット側に近い領域の方が高くなっているマグネトロンスパッタ装置用磁気回路。前記磁石が、NdFeB希土類磁石であり、前記水平磁化磁石において、磁石内部中央よりもターゲット側領域でDy又はTbの濃度が高いことを特徴とする請求項1に記載のマグネトロンスパッタ装置用磁気回路。前記水平磁化磁石のターゲットに対向する面と垂直な方向の寸法が、5~30mmであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のマグネトロンスパッタ装置用磁気回路。前記請求項1ないし3のいずれかに記載のマグネトロンスパッタ装置用磁気回路を搭載したマグネトロンスパッタ装置。この磁石表面からDyやTbを拡散させる処理を小型でない磁石に対して行うと、磁石内部で保磁力が上がらず、内部から表面に向かって保磁力が徐々に増加することになり、使用上、注意が必要である例えば、特許文献3を参照。本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、磁場強度が高い弧状の磁力線を生じ、優れた減磁耐性を有するマグネトロンスパッタ装置用磁気回路を提供することを目的とする。本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、ターゲット面に対して垂直な磁化方向を持つ内側磁石と、内側磁石の周囲に配置され、内側磁石と逆向きの磁化方向をもつ外側磁石と、これら両磁石の間に置かれ、これら両磁石と垂直な磁化方向を持つ水平磁化磁石からなるマグネトロンスパッタ装置用磁気回路において、この水平磁化磁石として、磁石のターゲットに対向する面からDyやTbを拡散処理しターゲット側領域の保磁力の値が磁石内部中央の保磁力より高くなった磁石を使用することで、水平磁化磁石の減磁を防ぎつつ弧状の磁力線の強さを向上させ得ることを知見した。本発明によれば、高い残留磁化と、内部中央よりもターゲット側領域の方が高い保磁力を有する永久磁石をマグネトロンスパッタ装置用磁気回路の水平磁化磁石に用いることにより、この磁気回路は従来よりも磁場強度の高い弧状の磁力線を発生し、より低圧において高いプラズマ密度が得られ、ターゲット粒子の指向性が向上するため、より微細な配線構造の成膜が可能なスパッタ装置を提供することができる。また弧状の磁力線が強まることにより、ターゲット厚が大きくなってもターゲット表面で十分な磁場強度が得られるため、ターゲット厚を大きくすることができターゲットの長寿命化が図れる。また保磁力を高めるべき水平磁化磁石の部分が一つの面ですみ、磁石全面を拡散処理する必要はないため、複数の水平磁化磁石を寄せ集めてその一面のみに一括でその表面からDyまたはTbを拡散させる処理を施すことで保磁力を向上させた水平磁化磁石を量産することが可能であり、簡便な付加工程でスパッタ装置の成膜性能を向上させることができる。以下、本発明のスパッタ装置用磁気回路について図面を参照して詳細に説明する。同じ部材には同じ符号を付して表した。なお、本発明は以下に説明する形態に制限されるものではない。図1に本発明の磁気回路の一例を示す。本発明のスパッタ装置用磁気回路1は、鉛直な磁化方向を有する内側磁石3と、該内側磁石3の周囲に配置され、内側磁石と逆向き反平行の磁化方向をもつ外側磁石5と、これら両磁石3,5の間に置かれ、これら両磁石と垂直な磁化方向を持つ水平磁化磁石7から構成されている。さらにこれら磁石はヨーク9に接着剤などで固定されている。この磁気回路から発生した磁場は図2aに示すようにターゲット11の表面に弧状の磁力線2を形成する。この水平磁化磁石7から発生する磁場は内側磁石3および外側磁石5がつくる磁場と同じ向きとなり、このため水平磁化磁石が無い場合に比べて表面磁場の強さは高くなる。なお、各磁石の磁化方向は図2aとは逆のパターンになってもよい。つまり内側磁石3の磁化方向が下向き矢印がヨーク側を向くで、外側磁石5は上向きで、水平磁化磁石7は外周側を向く配置でもよい。この場合、弧状の磁力線2の向きは外周側から中央に向かうことになる。水平磁化磁石の保磁力分布は、図2bに示すように内部中央よりもターゲット側の領域で保磁力が高くなっている。このような保磁力の分布を有する磁石がスパッタ装置用磁気回路として有効であることを図3を用いて説明する。図3に示すように水平磁化磁石7を内側磁石3と外側磁石5との間に組み入れた磁気回路1では、内側磁石および外側磁石から発生した環状磁束は水平磁化磁石7の内部にも作用するが、このとき水平磁化磁石のターゲット側領域6において水平磁化磁石の磁化方向と逆向きの磁場となって作用する。この逆磁場が作用している領域は減磁しやすいため保磁力を上げる必要がある。従来ではDyやTbを拡散処理していない磁石、つまり保磁力が高く残留磁化の低い磁石を用いて減磁を防いでいたが、本発明では水平磁化磁石7に、ターゲットに対向する面から拡散処理を施した磁石を用いることで、ターゲット側領域の保磁力が高く残留磁化も低下しておらず、従来の磁気回路よりも弧状の磁力線を高めることができる。先に述べたように拡散処理された磁石は残留磁化の値が高いまま保磁力を高めているので、これをスパッタ装置用磁気回路の水平磁化磁石に用いると、従来よりもターゲット表面の弧状の磁力線を高めることができ、より低圧において高いプラズマ密度が得られ、ターゲット粒子の指向性が向上するため、より微細な配線構造の成膜が可能なスパッタ装置を提供することができる。また弧状の磁力線が強まることにより、ターゲット厚が大きくなってもターゲット表面で十分な磁場強度が得られるため、ターゲット厚を大きくすることができ、ターゲットの長寿命化が図れる。磁石表面から内部に向かってDy又はTbを塗布法やスパッタ法によって拡散させる方法は、特許文献2に記載されており、粒界拡散合金法による表面処理と呼ばれることもある。この方法は、好ましくは、Y及びScを含む希土類元素から選ばれる1種以上の元素の酸化物、フッ化物、及び酸フッ化物から選ばれる1種以上を含有する粉末を焼結磁石体の表面に存在させた状態で、該焼結磁石体及び該粉体を該焼結磁石体の焼結温度以下の温度で真空又は不活性ガス中において熱処理を施すものである。焼結磁石体としては、好ましくはR1-Fe-B系組成R1は、Y及びScを含む希土類元素から選ばれる1種以上を表す。を有する焼結磁石体である。ただし、拡散処理では保磁力を高めることができる領域に限界があるため、あまり大きな水平磁化磁石に対して拡散処理を行っても十分な効果が得られない。特許文献3によると拡散処理によって保磁力の上昇する効果は表面から約6mmまでである。図3で水平磁化磁石内で逆磁場の働く領城は、ターゲット側表面から磁石高さ=磁石のターゲットに対向する面に垂直な方向の寸法の1/2程度の深さまでであり、とくに強い逆磁場が働くのはターゲット側表面から磁石高さの1/5程度の深さまでである。よって磁石高さが30mmよりはるかに大きくなると逆磁場の領域が、拡散処理で保磁力上昇効果のある距離6mmよりもはるかに大きくなって、拡散処理による保磁力上昇では逆磁場領域をカバーしきれない。また磁石が小さすぎると弧状の磁力線そのものが低下してしまう。よって好ましくは磁石高さ5~30mm程度の水平磁化磁石に拡散処理した磁石を用いるのが好適である。以上のように、DyやTbの拡散処理を行った磁石を水平磁化磁石に用いた磁気回路を使用することでマグネトロンスパッタ装置の成膜性能を向上させることができる。本発明に係るスパッタ装置用磁気回路は、上述したように内側磁石と外側磁石と水平磁化磁石とを組み合わせて構成されており、水平磁化磁石の保磁力の値が均一でなく、磁石内部中央よりもターゲットに近い側の領域で保磁力が高くなっていることを特徴としている。このような磁気回路は磁石を固定するためのヨークを備え、この上に磁石が接着剤などで固定される。このようなスパッタ装置用磁気回路としては図2aに示すものが例示される。また磁気回路の概観の例を図1に示す。図2aは図1に示した磁気回路例の断面図である。図1の磁気回路を構成する内側磁石、外側磁石および水平磁化磁石はそれぞれが一体物の磁石でなくても良く、複数に分割された磁石で構成しても良い。全体としては図1aのように円形でもよいし、図1bのように矩形でもよい。円形の磁気回路は主に円形のターゲットと組み合わされて、例えばSiウェハーへの成膜に使用される。矩形の磁気回路は主に矩形のターゲットと組み合わされて、例えば液晶パネルの製造工程で使用される。図2aに示すように磁石の断面形状は矩形形状でそれぞれの磁石は隣接して並べられる。内側磁石の磁化方向は磁気回路からターゲットに向かう方向もしくはこれに逆の方向であり、外側磁石の磁化方向は内側磁石の磁化方向とは180度逆向きである。水平磁化磁石の磁化方向は、内側磁石および外側磁石の磁化方向と垂直で、内側磁石と外側磁石が作るターゲット表面磁場を強める方向である。例えば、内側磁石から外側磁石に向かう方向または外側磁石から内側磁石に向かう方向である。この結果、磁気回路のターゲット表面空間に強い弧状の磁力線2が形成され、これをスパッタ装置に組み込むことで、より性能の高いマグネトロンスパッタ装置を提供できる。使用する磁石は、永久磁石であることが好ましく、NdFeB希土類焼結磁石であることがより好ましい。希土類系焼結磁石は他の磁石に比べて残留磁化、保磁力ともに格段に優れており、またNdFeB希土類焼結磁石はSmCo希土類焼結磁石より低コストで残留磁化も優れているので、高性能スパッタ装置には最適な磁石材料である。さらに上述の拡散処理はNdFeB希土類焼結磁石に特に有効な処理である。本発明においては、上述したとおり、水平磁化磁石のターゲット側領域における保磁力を内部中央の保磁力よりを大きくしたものを用いるが、これは磁石表面から内部に向かってDy又はTbを、上述の塗布法やスパッタ法によって拡散させることによって形成し得る。このように水平磁化磁石のターゲット側領域のみを拡散処理によって保磁力向上させればよいので、拡散処理工程では磁石の1面のみを処理すればよい。例えば処理したい面以外をマスキングして拡散処理を行えばよい。ただし、塗布法およびスパッタ法において磁石の1面のみ処理することが、全面処理に比べてマスキングなどの余分な工程が増えるなどして、余計にコストがかかったり生産性が悪くなったりする場合は、1面処理ではなく全面処理を行っても構わない。この場合、全面処理された磁石は全ての表面で保磁力が向上することになるが、そのことがスパッタ装置に悪影響を与えることは無く、ターゲット側表面の保磁力が向上されていれば問題とはならない。この場合の水平磁化磁石の保磁力の様子は図4のようになる。また、工程を工夫して1面処理が全面処理よりも生産性が高く低コストにできる方法も考えられる。図5のように大きな磁石ブロック30の両面を拡散処理面32として、DyまたはTbを含有する塗布層34を形成し熱処理を行うことで拡散処理を行った後に、磁石を切断して最終形状に仕上げることにより、一度に多量の磁石を拡散処理することができ、生産性が向上し低コスト化が図れる。上述のように拡散処理によって保磁力の上昇する効果が表面から約6mmまでであるので、あまり大きい水平磁化磁石に対しては保磁力の上昇する領域が不十分となる。内側磁石および外側磁石から発生する磁束は図3のように還流するが、このとき水平磁化磁石のターゲット側領域で水平磁化磁石の磁化方向に対して還流磁束が逆磁場として作用する。この水平磁化磁石の逆磁場の働く領域はターゲット側表面から概ね磁石高さ寸法の1/2程度の深さまでであり、とくに強い逆磁場が働くのは表面から1/5程度の領域である。よって、例えば磁石高さが30mmのとき、その1/5である6mmの深さまで強い逆磁場が作用するが、拡散処理によって深さ6mm程度まで保磁力が上昇するので逆磁場に対して有効である。また磁石高さが30mmよりはるかに大きくなると逆磁場の領域の大きさに対して保磁力の上昇する領域が小さすぎるため拡散処理を行っても磁石の減磁は十分に防げない。また磁石高さが12mmより小さいとき、ターゲット側領域だけでなく磁石内部中央も拡散処理によって若干保磁力が上昇するが、そのことでスパッタ装置に悪影響は何も起こらず、磁石高さが12mm以下の磁石に対しても本発明は有効に働く。ただし、あまり磁石が小さいと磁場が低下し成膜性能が低下するので磁石高さは5mm以上が望ましい。上述したマグネトロンスパッタ装置用磁気回路を搭載したマグネトロンスパッタ装置もまた、本発明に含まれる。以下、本発明の具体的態様について実施例をもって詳述するが、本発明の内容はこれに限定されるものではない。<実施例1>残留磁化1.42T、保磁力900kA/mであるNdFeB焼結磁石で、寸法が直径40mm×高さ30mmで高さ方向が磁化方向である円柱状磁石を内側磁石とし、同じ磁気特性を有し、寸法が外径120mm×内径80mm×円弧角30度×高さ30mmで高さ方向が磁化方向である扇形磁石を12個用意して外側磁石とし、同じ磁気特性を有し、寸法が外径80mm、内径40mm、円弧角30度、かつ高さ30mmで円弧の曲率中心に向かう方向に磁化している扇形磁石を12個用意して水平磁化磁石とし、水平磁化磁石のみ拡散処理を行った。拡散処理は、粒状のフッ化ディスプロシウムをエタノールと混合し、これに水平磁化磁石の扇形の1面以外をマスキングした状態で浸漬し、その後、Ar雰囲気中900°Cで1時間という条件で熱処理を行った。この磁石の拡散処理面側の保磁力と内部中央の保磁力を測定した結果、それぞれ1300kA/m、900kA/mであり、拡散処理面側の保磁力が400kA/m上昇していた。これらの磁石を直径120mm×高さ10mm、材質SS400のヨークに接着固定した。まずヨーク中央に内側磁石を接着し、つぎに12個の扇形の水平磁化磁石を内側磁石の周囲に円形状に配置して接着し、さらに12個の外側磁石を水平磁化磁石の周囲に円形状に並べてヨークに接着した。水平磁化磁石は拡散処理面がターゲット側になるように配置した。それぞれの磁石の磁化方向は図2に示したものと同じとした。製作した磁気回路を評価するため、ターゲット側の磁場を測定した。その結果、磁石表面から10mm離れた位置での水平磁場成分の最大値は0.489Tであった。<比較例1>次に比較例1として、水平磁化磁石以外は実施例1と同じ構成とし、水平磁化磁石は実施例1の水平磁化磁石と同じ形状、同じ磁化方向で残留磁化1.35T、保磁力1300kA/mの磁石を、拡散処理を行わず、これを水平磁化磁石として磁気回路を構成した。製作した磁気回路の磁石表面磁場を実施例1と同じ条件で測定した結果、水平磁場成分の最大値は0.474Tであった。実施例1と比較して磁場が約3低下したが、その原因として、水平磁化磁石の保磁力は1300kA/mで減磁しないための十分な値であったが、残留磁化が実施例1より0.07T低くなったため表面磁場が低下したと考察される。本比較例は従来のスパッタ装置用磁気回路を模擬している。<比較例2>水平磁化磁石以外は実施例1と同じ構成とし、水平磁化磁石は実施例1の水平磁化磁石と同じ磁気特性残留磁化1.42T、保磁力900kA/mでかつ同じ寸法、同じ磁化方向を持つ磁石を、拡散処理を行わず、これを水平磁化磁石として磁気回路を構成した。製作した磁気回路の磁石表面磁場を実施例1と同じ条件で測定した結果、水平磁場成分の最大値は0.420Tであった。磁場が大きく低下した原因として、水平磁化磁石の保磁力が低く、水平磁化磁石のターゲット側領域で逆磁場による減磁が生じたためと考察される。上記実施例および比較例から、拡散処理を行って内部中央よりもターゲット側領域の保磁力が高くなった水平磁化磁石を用いることで、拡散処理を行わない従来例に比べ表面磁場が高いスパッタ装置用磁気回路が得られることがわかった。"