基板上に、n型領域とp型領域との間に配される発光層を有するIII族窒化物構造体を成長させるステップと、前記III族窒化物構造体をマウントに取り付けるステップと、前記基板を除去するステップとを有する方法であって、前記基板はRAO3MOnであり、Rは三価のカチオン、Sc、In、Y及びランタニドの1つであり、Aは三価のカチオン、FeIII、Ga及びAlの1つであり、Mは二価のカチオン、Mg、Mn、FeII、Co、Cu、Zn及びCdの1つであり、nは1以上の整数であって、前記基板は、面内格子定数asubstrateを有し、前記III族窒化物構造体の少なくとも1つのIII族窒化物層は、バルク格子定数alayerを有し、[|asubstrate-alayer|/asubstrate]×100が1以下である、当該方法。前記III族窒化物構造体が、専ら三元、四元及び/又は五元III族窒化物層を含む領域を有し、専ら三元、四元及び/又は五元III族窒化物層を含む前記領域は、2μmよりも厚い、請求項1記載の方法。前記基板がScAlMgO4である、請求項1記載の方法。前記III族窒化物構造体が、前記基板に格子整合される少なくとも1つの層を含む、請求項1記載の方法。前記III族窒化物構造体が、第2の層と直接接触する第1の層を含み、前記第1の層と前記第2の層との界面は極性電荷を持たない、請求項1記載の方法。前記第1の層はAl0.06In0.17Ga0.77Nであり、前記第2の層はIn0.14Ga0.86Nである、請求項5記載の方法。前記成長させるステップは、前記基板と前記発光層との間に配される基部領域を成長させるステップを有し、前記基部領域は、前記基板に近い第1の層と前記発光層に近い第2の層とを有し、前記第1の層は前記第2の層よりも大きいバンドギャップを有する、請求項1記載の方法。前記基板はScAlMgO4であり、前記第1の層は、In0.14Ga0.86Nと、前記基板に格子整合され、y=0.1360.228×x、xy≦1の関係を満たす組成x及びyを有する四元AlxInyGa1-x-yNとのうちの1つであり、前記第2の層は、Al0.06In0.17Ga0.77N、Al0.6In0.13Ga0.27N及びx=2×y-0.28を満たし、0.14から0.32の間のインジウム組成yを有する四元層AlxInyGa1-x-yNの1つである、請求項7記載の方法。前記成長させるステップは、前記基板と前記発光層との間に配される基部領域を成長させるステップを有し、前記基部領域は、前記基板に近い第1の層と前記発光層に近い第2の層とを有し、前記第1の層は前記第2の層とは異なる分極を持つ、請求項1記載の方法。前記基板はScAlMgO4であり、前記第1の層は、In0.14Ga0.86Nと、前記基板に格子整合され、y=0.1360.228×x、xy≦1の関係を満たす組成x及びyを有する四元AlxInyGa1-x-yNとのうちの1つであり、前記第2の層は、GaN、y<0.13のInyGa1-yN、Al0.5In0.25Ga0.25N、前記基板に格子整合される四元AlxInyGa1-x-yN層及びIn0.29Al0.71Nの1つである、請求項9記載の方法。前記n型領域の少なくとも一部が傾斜した組成を有する、請求項1記載の方法。前記発光層が、少なくとも2つの発光層及び前記少なくとも2つの発光層の間に配される少なくとも1つの障壁層を有する多重量子井戸発光領域の一部であり、前記発光層の少なくとも1つの組成及び前記少なくとも1つの障壁層の組成は、前記発光領域における正味の歪みがゼロであるように選択される、請求項1記載の方法。前記発光層が、少なくとも2つの発光層と前記少なくとも2つの発光層の間に配される少なくとも1つの障壁層とを有する多重量子井戸発光領域の一部であり、前記少なくとも1つの障壁層の組成は、前記基板に格子整合される四元層、GaN及び0とyLEL-0.08との間のインジウム組成を有するInyGa1-yNの1つであり、yLELは、前記発光層の少なくとも1つのインジウム組成である、請求項1記載の方法。半導体層の前記構造体が分布ブラッグ反射器を更に有する、請求項1記載の方法。前記分布ブラッグ反射器は、交互に配されたAlInN層及びInGaN層を有する、請求項14記載の方法。基板と、n型領域とp型領域との間に配された発光層を有する、前記基板上に成長されたIII族窒化物構造体とを有するデバイスであって、前記基板はRAO3MOnであり、Rは三価のカチオン、Sc、In、Y及びランタニドの1つであり、Aは三価のカチオン、FeIII、Ga及びAlの1つであり、Mは二価のカチオン、Mg、Mn、FeII、Co、Cu、Zn及びCdの1つであり、nは1以上の整数であって、前記基板は、面内格子定数asubstrateを有し、前記III族窒化物構造体の少なくとも1つのIII族窒化物層は、バルク格子定数alayerを有し、[|asubstrate-alayer|/asubstrate]×100が1以下である、当該デバイス。前記発光層は、440nmよりも大きいピーク波長を有する光を発し、前記III族窒化物構造体は、専ら三元、四元及び/又は五元III族窒化物層を含む領域を有し、専ら三元、四元及び/又は五元III族窒化物層を含む前記領域は、2μmよりも厚い、請求項16記載のデバイス。専ら三元、四元及び/又は五元III族窒化物層を含む前記領域内の各層についての歪みが[|abulk-ain-plane/abulk]×100として定義され、abulkは、完全に緩和された時の各層と同じ組成の層の格子定数であり、ain-planeは、当該デバイス内の成長された各層の格子定数であり、専ら三元、四元及び/又は五元III族窒化物層を含む前記領域内の各層についての歪みが0.8未満である、請求項17記載のデバイス。III族窒化物基板は、一般的に、高価であり、広く利用されてはいないので、III族窒化物デバイスは、サファイア又はSiC基板上に成長させることが多い。サファイア及びSiCは、これらの上に成長されるIII族窒化物層とは異なる格子定数を有するので、サファイア及びSiC基板は最適ではなく、これは、不十分な性能及び信頼性の問題を招くIII族窒化物デバイス層における歪み及び結晶欠陥を引き起こす。本発明の目的は、サファイア又はSiCよりもIII族窒化物デバイス層の少なくとも幾つかにより厳密に格子整合される基板の上にIII族窒化物デバイス構造体を形成することにある。本発明の形態に係る方法は、基板上にIII族窒化物構造体を成長させるステップを含んでおり、上記III族窒化物構造体は、n型領域とp型領域との間に配される発光層を有している。この方法は、更に、上記III族窒化物構造体をマウントに取り付けるステップと、上記基板を除去するステップとを含んでいる。上記基板はRAO3MOnであり、Rは三価のカチオン、Sc、In、Y及びランタニドの1つであり、Aは三価のカチオン、FeIII、Ga及びAlの1つであり、Mは二価のカチオン、Mg、Mn、FeII、Co、Cu、Zn及びCdの1つであり、nは1以上の整数である。上記基板は面内格子定数asubstrateを有し、上記III族窒化物構造体の少なくとも1つのIII族窒化物層は、バルク格子定数alayerを有している。幾つかの形態では、[|asubstrate-alayer|/asubstrate]×100が1以下である。本発明の形態では、デバイスは、基板と、この基板上に成長されたIII族窒化物構造体とを有しており、上記III族窒化物構造体は、n型領域とp型領域との間に配された発光層を有している。上記基板はRAO3MOnであり、Rは三価のカチオン、Sc、In、Y及びランタニドの1つであり、Aは三価のカチオン、FeIII、Ga及びAlの1つであり、Mは二価のカチオン、Mg、Mn、FeII、Co、Cu、Zn及びCdの1つであり、nは1以上の整数である。上記基板は、面内格子定数asubstrateを有し、上記III族窒化物構造体の少なくとも1つのIII族窒化物層は、バルク格子定数alayerを有している。幾つかの形態では、[|asubstrate-alayer|/asubstrate]×100が1以下である。本明細書において説明されるデバイスの構造体は、サファイア又はSiC上に成長させる従来法により成長されたIII族窒化物発光デバイスよりも歪みが少なく、従って、より優れた性能を有する。本明細書において用いられる場合、BAlGaInNは、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム及び窒素の二元、三元、四元又は五元合金のことを指す。本発明の実施の形態では、III族窒化物デバイス構造体は、従来の基板よりもIII族窒化物膜の少なくとも一部に厳密に格子整合される基板の上に成長している。この基板は、III族窒化物薄膜と同じ六方対称性を有している。この基板は、デバイス構造体に厳密に格子整合されるので、より少ない欠陥又は不均一性しか成長中にIII族窒化物デバイス構造体に取り込まれず、これは、III族窒化物デバイスのより優れた性能をもたらす。図1は、本発明の実施の形態に係る成長基板10の上に成長された1つ又はそれ以上の層より成るIII族窒化物膜15を示している。半導体層は、バルク格子定数及び面内格子定数により特徴付けられる。バルク格子定数は、半導体層と同じ組成の自立型freestanding層の格子定数である。面内格子定数は、成長された半導体層の格子定数である。半導体層が歪んでいると、バルク格子定数は面内格子定数と異なる。成長基板10は、幾つかの実施の形態ではIII族窒化物膜15のバルク格子定数alayerの1以内の面内格子定数asubstrateを持つ非III族窒化物材料であり、幾つかの実施の形態ではIII族窒化物膜15のバルク格子定数alayerの0.5以内の面内格子定数asubstrateを持つ非III族窒化物材料である。言い換えれば、[asubstrate-alayer/asubstrate]×100は、幾つかの実施の形態では1以下であり、幾つかの実施の形態では0.5以下である。本発明の実施の形態の目的のために、三元又は四元のAlInGaN層のバルク格子定数は、AlxInyGazNがaAlInGaN=xaAlNyaInNzaGaNとして表される変数aは各二元材料のバルクの格子定数aのことを指し、xyz=1である。ベガードの法則に従って見積もられる。AlNは、3.111Åのバルク格子定数を有し、InNは3.544Åのバルク格子定数を有し、GaNは3.1885Åのバルク格子定数を有している。幾つかの実施の形態では、成長基板10は、III族窒化物膜15と類似した又は同じ六方底面対称性を有している。幾つかの実施の形態では、成長基板10は、III族窒化物膜15の堆積中に経験する化学的及び熱的環境による攻撃に実質的に影響されない。幾つかの実施の形態では、成長基板10は、III族窒化物膜15の30以内の熱膨張の面内係数を有している。幾つかの実施の形態では、成長基板10は、近紫外線に対して透明である又は透明でない。幾つかの実施の形態では、成長基板10は、単結晶又はほぼ単結晶の材料である。幾つかの実施の形態では、成長基板10は、一般組成RAO3MOnの材料であり、Rは三価のカチオンであり、Sc、In、Y及びランタニド原子番号57から71までから選択されることが多く、Aもまた三価のカチオンであり、FeIII、Ga及びAlから選択されることが多く、Mは二価のカチオンであり、Mg、Mn、FeII、Co、Cu、Zn及びCdから選択されることが多く、nは1以上の整数である。幾つかの実施の形態ではn≦9であり、幾つかの実施の形態ではn≦3である。幾つかの実施の形態では、RAMO4すなわち、n=1化合物は、YbFe2O4構造のタイプのものであり、RAO3MOnn≧2化合物は、InFeO3ZnOn構造のタイプのものである。成長基板10に好適な材料及び格子整合されるInGaNの例が以下に列挙されている。これら及び関連する基板材料は、JournalofSolidStateChemistry7898に発表されたStructuralClassificationofRAO3nCompoundsGaCrorAlMDivalentCationn111においてKimizuka及びMohriにより詳細に説明されており、この文献は参照することによって本明細書に組み込まれたものとする。幾つかの実施の形態では、ScGaAlMgO4が、440nmから510nmの間の光を発する歪みのない又は歪みが減少したデバイスを成長させるのに適している。幾つかの実施の形態では、InFeMnO4が、橙又は赤色の光を発する歪みのない又は歪みが減少したデバイスを成長させるのに適している。幾つかの実施の形態では、III族窒化物膜15は、基板の主要な結晶面に対してミスカットされた又は傾斜している成長基板10の表面に成長されている。幾つかの実施の形態では、III族窒化物膜15が成長される成長基板10の表面は、ベースとなる0001面から-10から10度の間で配向している。幾つかの実施の形態では、0001面から傾けられた-0.15から0.15度の間のミスカットは、テラス端に形成される欠陥の数を望ましく低減する大きい原子のテラスを基板表面にもたらす。ミスカットの方向は、例えば、10-10方向に対して特定の結晶学的方向又はランダムな結晶学的方向である。III族窒化物膜15は、例えば、MOCVD、水素化物気相エピタキシー又はMBEを含む当該技術分野において既知の手段のいずれかにより基板10上に堆積される。III族窒化物膜15の基部層12と基板10との完全な格子整合は必要ではないが、0.1以内の格子整合は、高品質のIII族窒化物膜15の少なくとも50μmの厚さの堆積を可能にする。幾つかの実施の形態では、基部層又は領域12が、n型領域14とp型領域18との間に挟まれた活性層16を含むデバイス構造体の前に、基板上に最初に成長される。基部領域12は、III族窒化物デバイス構造体が成長される任意の材料であり得る。基部領域12は、III族窒化物のInyGa1-yN又はAlxGa1xNのような三元合金若しくはAlxInyGa1x-yNのような四元合金又は他のIII-V族材料を含むことが多い。上記の表に示されているように、幾つかの実施の形態では、InyGa1-yN基部領域12におけるInの割合yは、0.14から0.48の間である。図1に示されているように、半導体デバイス構造体は、基部領域12の上に成長される。以下の例では上記半導体デバイス構造体は可視光又は紫外光を発するIII族窒化物LEDであるが、レーザダイオード、高電子移動度トランジスタ及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ等の電子デバイス及び光電子デバイスのような他のデバイスが、本明細書において説明される基板の上に形成され得る。上記半導体構造体は、n型領域14とp型領域との間に挟まれた発光又は活性領域16を含んでいる。n型領域14は、典型的には最初に成長され、n型に又は意図的ではなくドープされた、例えば、バッファ層又は核生成層のような準備層preparationlayer及び光を効率的に発するために発光領域にとって望ましい特別な光又は電気特性のために設計されたn又は更にはp型デバイス層を含む種々の組成及びドーパント濃度の複数の層を含んでいてもよい。幾つかの実施の形態では、基部領域12の少なくとも一部は、n型のドーパントがドープされ、別途のn型領域14は省かれる。発光又は活性領域16は、上記n型領域の上に成長される。好適な発光領域の例は、単一の厚い若しくは薄い発光層又は障壁層により分離された複数の厚い又は薄い発光層を含む多重量子井戸発光領域を含んでいる。p型領域18は、上記発光領域の上に成長されている。n型領域のように、p型領域18は、意図的ではなくドープされた層又はn型の層を含む、異なる組成、厚さ及びドーパント濃度の複数の層を含んでいてもよい。幾つかの実施の形態では、基板及びIII族窒化物膜15の各層の格子定数は、III族窒化物膜15の三元、四元及び五元の層が従来の基板の上に成長されたデバイスにおいてよりも厚く成長されるのに十分に整合されている。幾つかの実施の形態では420nmから480nmの間の、幾つかの実施の形態では440nmから460nmの間の、幾つかの実施の形態では440nmよりも大きいピーク波長を持つ光を発する活性領域を備えたデバイスでは、専ら三元、四元及び五元III族窒化物層を含む二元III族窒化物層を含まない半導体材料の領域は、幾つかの実施の形態では2μmよりも厚く、幾つかの実施の形態では3μmよりも厚く、幾つかの実施の形態では5μmよりも厚い。専ら三元、四元及び五元III族窒化物層を含む半導体材料の領域の各層における歪みは、幾つかの実施の形態では1よりも少なく、幾つかの実施の形態では0.8よりも少なく、幾つかの実施の形態では0.5よりも少ない。歪みは、[|alayer-ain-plane|/alayer]×100として定義され、alayerは、ベガードの法則に従って見積もられる完全に緩和された時の各層と同じ組成の層の格子定数であり、ain-planeは、当該デバイス内の成長された各層の格子定数である。最も単純な形では、基部領域12は単一の層である。この基部層は、格子定数が厚いデバイス層が成長されるのに十分に基板10に整合されるように選択されたBAlGaInNの化合物であることが多い。ScMgAlO4基板10の場合、In0.14Ga0.86Nの基部層は、3.236Åの格子定数を持つ基板に格子整合される。このような基部層は、発光領域により発せられる光を望ましくなく吸収するのに十分に小さいバンドギャップを有する。より大きいバンドギャップの基部層は、化合物にAlを加えることにより達成され、その結果、この基部層は四元III族窒化物層である。ScAlMgO4基板上に成長される四元AlxInyGa1-x-yN層の格子整合を維持するための条件は、y=0.1360.228×x、xy≦1である。Al0.32In0.21Ga0.47N及びAl0.71In0.29Nもまた、ScMgAlO4に格子整合される。例えば、デバイスは、ScAlMgO4基板、In0.14Ga0.86N、Al0.32In0.21Ga0.47N又はAl0.71In0.29N基部層、オプションのIn0.14Ga0.86Nn型層、0.14よりも大きいインジウムの組成yを有するInyGa1-yN発光層及びIn0.14Ga0.86Nのp型層を含んでいる。そのようなデバイスでは、基部層、n型層及びp型層は、基板に格子整合されている。発光層は歪んでいる。ScAlMgO4基板の場合、3.236Å以外の格子定数を持つ基部層の組成の選択は、基部層及びIII族窒化物膜15の残りの部分における引張又は圧縮歪みをもたらす。基部層の歪みは、[|alayer-ain-plane|/alayer]×100として定義され、alayerはベガードの法則に従って見積もられる完全に緩和された時の基部層と同じ組成の層の格子定数であり、ain-planeは当該デバイス内の成長された基部層の格子定数であり、デバイスの性能を維持するのに十分に小さい欠陥数を保つために、幾つかの実施の形態では1よりも少なく、幾つかの実施の形態では0.5よりも少なく、幾つかの実施の形態では0.1よりも少ない。幾つかの実施の形態では、上記基部層の組成は、基部層と基部層の上に成長される次の層n型層又は活性領域の一部であることが多い。との界面がほとんど又は全く分極電荷を持たないように選択される。言い換えれば、幾つかの実施の形態では、上記基部層は、デバイスの1つ又はそれ以上の他の層に対して分極整合されるpolarizationmatched。ScAlMgO4基板上に成長されるAlxInyGa1-x-yNの四元層は、アルミニウム及びインジウムの組成が0.14≦y≦0.32の場合にx=2×y-0.28を満たすと、互いに分極整合される。例えば、Al006In0.17Ga0.77Nは、In0.14Ga0.86Nに分極整合されるが、格子整合しない。デバイスの一例は、ScAlMgO4基板、Al006In0.17Ga0.77N基部層、In0.14Ga0.86Nn型層、0.14よりも大きいインジウムの組成yを有するInyGa1-yN発光層及びIn0.14Ga0.86Np型層を含んでいる。上記基部層、n型層及びp型層は、分極整合される。上記n型層及びp型層は、基板に格子整合される。上記基部層及び発光層は、歪んでいる。幾つかの実施の形態では、基部層は、例えばSi及び/又はGeを含む任意の適切なドーパントがドープされている。基部層は、コンタクト部から活性領域への導通をサポートするのに十分に高い伝導度を達成するために、幾つかの実施の形態では1×1016から1×1021cm-3の間の濃度に、幾つかの実施の形態では5×1018から2×1019cm-3の間の濃度になるようにドープされる。基部層におけるドーピングは、電流の集中及び抵抗損失を減少するように最適化され得る。幾つかの実施の形態では、基部層は、電流の集中を回避するために30オーム/スクエアよりも小さいシート抵抗を有するようにドープされる。図2、図3及び図4は、可能な基部領域12の他の例を示している。図2、図3及び図4に示されている基部領域のいずれもが、図1に示されている構造体に組み込まれ得る。幾つかの実施の形態では、図2、図3及び図4に説明されている種々の基部領域の種々の特徴又は層が組み合わせられ得る。領域の横方向の導電性は、ヘテロ構造の使用により高められる。図2に示されている例では、基部領域12は、より小さいバンドギャップを有する第1の層12a及びより大きいバンドギャップを有する第2の層12bの少なくとも2つの層を含んでいる。幾つかの実施の形態では、両方の層12a及び12bがドープされている。ドープされたより大きいバンドギャップの層12bは、層12aと層12bとの界面において電子を二次元電子ガス2DEGに供与し、これは、単一の基部層と比較して横断方向のキャリア密度及び/又は移動度を高める。幾つかの実施の形態では、層12a及び12bの組成は、層12a及び12bの界面における正味の分極によって引き起こされる電荷がゼロであるように選択される。層12a及び12bの1つは、基板に格子整合される。第1の層12aは、5×1017から2×1019cm-3の間の濃度でSi又は任意のn型ドーパントがドープされた3から1000nmの間の厚さの四元層AlxInyGa1-x-yNであってもよいし、又は意図的にはドープされていなくてもよい。第2の層12bは、3から1000nmの間の厚さの層12a及び12bの界面における正味ゼロの分極電荷の条件を満たす他の組成の四元層AlxInyGa1-x-yNであり、5×1017から2×1019cm-3の間の濃度でSi、Ge又は任意の他のn型ドーパントがドープされていてもよい。一例では、ScAlMgO4基板上に成長された第1の層12aは、500nmの厚さのIn0.14Ga0.86N層であり、第2の層12bは、組成がAl006In0.17Ga0.77Nのような0.14≦y≦0.32の場合にx=2×y-0.28の関係を満たすAlxInyGa1-x-yNの30nmの厚さの層である。層12a及び12bの積み重ねが繰り返されており、例えば、50ペアまでの層12a及び12bが存在する。図3に示されている構造体では、基部領域12は、ウルツ鉱型BAlGaInNのような分極材料から形成されている。基部領域12は、第1の分極を伴う第1の層12c及び異なる分極を伴う第2の層12dの少なくとも2つの層を含んでいる。分極によるバンド曲がりは、層12cと層12dとの界面に2DEGを引き起こす。層12c及び12dはそれぞれ、2から1000nmの間の厚さを有しており、それぞれ5×1016ないし5×1019cm-3の濃度でケイ素のようなn型ドーパントがドープされている。幾つかの実施の形態では、第1及び第2の層12c及び12dの1つは歪んでいる。例えば、ScAlMgO4基板上に成長されたデバイスでは、第1の層12cはIn0.136Ga0.864Nであり、第2の層12dはGaN又はy<0.13のInyGa1-yNである。幾つかの実施の形態では、第1及び第2の層12c及び12dは、ともに基板に格子整合されている。例えば、ScAlMgO4基板上に成長されたデバイスでは、第1の層12cはIn0.136Ga0.864Nであり、第2の層12dはAl0.5In0.25Ga0.25N又は他の格子整合される四元層AlxInyGa1-x-yNy=0.1360.228×x及びxy≦1である。他の例では、ScAlMgO4基板上に成長されたデバイスにおいて、第1の層12cはIn0.136Ga0.864N又は基板に格子整合される任意の他の層であり、第2の層12dはAl0.71In0.29Nである。上述した例では、第1及び第2の層12c及び12dのそれぞれが3nmから200nmの間の厚さである。これらの層は、1×1017cm-3から2×1019cm-3の間のSi若しくはGe又は任意のn型ドーパントがドープされるか又は意図的ではなくドープされている。層12c及び12dの積み重ねが繰り返されており、例えば、50ペアまでの層12c及び12dが存在する。図2及び図3に示されている基部領域は、組み合わせられ得る及び/又は基部領域12全体にわたって繰り返され得る。図2及び図3に示されている横方向の導通を高める基部領域は、静電気放電からのデバイスのダメージのリスクも低減する。図4に示されている構造体では、基部領域12は、分極状態を変化させることからバルクの電荷を引き起こすこれは分極ドーピングと呼ばれる。ために組成が傾斜しており、これは、基部領域における横方向の導通を改善する。例えば、基板10に近い例えばGaNの領域12eからデバイス構造体に近い例えばAlGaNの領域12fまで0001面方向に沿って傾斜させることは、分極の勾配のために一定の正の電荷を引き起こし、これは、電荷の中性を達成するために電子を引き付ける。ScAlMgO4基板10上に成長させる場合、上記組成は、例えば、異なる組成の2つの層の界面における階段ポーラー接合部に形成される2DEGを広げるように自発分極の勾配を用いて格子整合を達成するため及び傾斜領域の導電性を達成するためにBAlGaInNの化合物を用いて傾斜をつけられる。傾斜した基部領域は、幾つかの実施の形態では10から500nmの間の厚さであり、幾つかの実施の形態では100nmの厚さである。一例では、ScAlMgO4基板に成長されたデバイスにおいて、傾斜した基部領域は、基板10に近い領域領域12eでの0.16のインジウム組成yからデバイス構造体に近い領域領域12fでの0.11のインジウム組成yまでの勾配のあるInyGa1-yNである。InGaN傾斜領域では、InGaNの最後の組成すなわち、領域12fの組成が0.12から0の間の場合、最初と最後のインジウムの組成は最高で0.16、最低で0.01異なる。他の例では、上記傾斜した領域は、ScAlMgO4基板に格子整合される。格子整合される傾斜領域は、幾つかの実施の形態では5から1000nmの間の厚さであり、幾つかの実施の形態では10から50nmの間の厚さである。ScAlMgO4基板上に成長される、格子整合される傾斜領域の組成は、例えば、領域12eのIn0.13Ga0.87Nから領域12fのIn0.3Ga0.7Nまで異なる。領域12eにおける組成は、インジウムの組成yが0.13から0.18の間であり、アルミニウムの組成が上述したように式y=0.1360.228×xに従って格子整合を維持するように選択された四元のAlxInyGa1-x-yNであってもよい。図5は、活性領域16のn型側の幾つかの層を示している。図5に示されている構造体では、n型領域14は、基部領域12の一部、オプションの平滑化層30及びオプションのスペーサ層32を含んでいる。図5に示されている構造体では、オプションの平滑化層30は、基部領域12と活性領域16との間に配されている。平滑化層30の特性は、平滑化層の上に成長される層の形態又は表面特性を強化するように選択される。平滑化層30は、例えば、1nmから10μmの間の厚さを有し、吸収を避けるために、例えば、発光層よりも低いInN組成のInGaN又は、代替として、発光層よりも大きいバンドギャップを有するBAlGaInNである。幾つかの実施の形態では、平滑化層30は、活性領域16内の発光層に格子整合されるように選択された組成を持つ任意のBAlGaInN化合物から成っているが、平滑化層30は、歪んだ層の組成が歪んでいない層の組成よりも漏れ、順電圧、信頼性及び量子効率の点でデバイスの性能に利益を与える場合には歪んでいることもある。幾つかの実施の形態では、平滑化層30は、基部領域に格子整合されておらず、平滑化層30の上に成長される層が基部領域にもはや整合しないように歪みを緩和する底面欠陥を引き起こす。この平滑化層は、基部領域12と同じ型のキャリアがドープされていることが多い。ドーピング及び/又は分極ドーピングにより達成される平滑化層のキャリア濃度は、幾つかの実施の形態では1×1016から1×1021cm-3の間である。また、図5に示されている構造体では、オプションのスペーサ層32が、基部領域12と活性領域16との間に配されている。平滑化層がデバイスに含まれている時には、オプションのスペーサ層32は、平滑化層30と活性領域16との間に配されている。スペーサ層32は、上記基部領域よりも小さい又は大きいバンドギャップを持つが、発光層よりも大きいバンドギャップを持つBAlGaInN層である。スペーサ層32は、幾つかの実施の形態では1nmから10μmの間の厚さを有し、幾つかの実施の形態では5から50nmの間の厚さを有している。スペーサ層32の特性は、欠陥を減少させるため又はバンド構造を操作するために活性領域の発光層と当該構造体の他の層との歪みの釣り合いをとるように選択され、考えられる最高の材料品質を実現するために歪ませられ、又は積層体全体の歪みを減少させるように格子整合される。スペーサ層32は、周囲のヘテロ構造体による異なるドーパント濃度、スペーサの組成勾配又はキャリアの空乏状態に起因して周囲の層とは異なるキャリア濃度を有している。スペーサ層の材料のバンドギャップは、発光層へのキャリア注入を最適化する形態と連携して選択される。例えば大きいバンドギャップの材料は、ホール漏れを減少させるため及び/又は発光層におけるキャリアの閉じ込めを改善するために用いられる。幾つかの実施の形態では、スペーサ層32は、歪みのあるGaN又はインジウムの組成yが0からyLEL-0.08の間であるInyGa1-yNであり、上記yLELはInyGa1-yN発光層のインジウム組成である。例えば、450nmの発光波長の場合、yLELは約0.15である。そのようなデバイスにおけるInGaNスペーサ層のインジウムの組成は、0から0.07の間であり、InGaNスペーサ層のインジウムの組成を増加させることは、スペーサ/活性層界面における減少した分極電荷のためにGaNスペーサと比較して改善された注入を与える。しかしながら、スペーサ層のインジウムの組成を増加させることは、スペーサ層のバンドギャップを小さくすることにより活性領域におけるキャリアの閉じ込めを減少させもする。幾つかの実施の形態では、スペーサ層32は、歪んだ又は基板に格子整合された四元AlxInyGa1-x-yN層である。スペーサ層が歪んでいる実施の形態では、上記組成は、歪みがデバイスの他の層の歪みを相殺するように選択される。幾つかの実施の形態では、AlInGaNスペーサ層の組成は、GaN又はInGaNスペーサと比較してキャリアを閉じ込めるのに十分に大きいバンドギャップを与えるよう及び分極電荷の減少によりキャリア注入を改善するように選択される。例えば、0.14のインジウム組成yLELを持つInyGa1-yN発光層を備えたデバイスでは、スペーサ層AlxInyGa1-x-yNの以下の組成、すなわち、y=0.04に関してx=0ないし0.04、y=0.08に関してx=0ないし0.08、y=0.12に関してx=0.04ないし0.10、y=0.16に関してx=0.14ないし0.18、y=0.20に関してx=0.20ないし0.24、y=0.24に関してx=0.26ないし0.30及びy=0.30に関してx=0.32ないし0.42が、GaNスペーサ層と比較して分極を減少させ、十分なキャリアの閉じ込めも与える。スペーサ層32の全部又は一部は、分極ドーピングにより所望のキャリア濃度を達成するため及び/又は発光層へのキャリア注入を高めるために意図的に傾斜している。例えば、幾つかの実施の形態では、発光領域16から平滑化層30との界面に向かってスペーサ層32におけるAlN及びInNの組成が減少している格子整合されている場合又はInNの組成が増大している格子整合されていない場合。1×1016から1×1021cm-3の間の密度にn型ドーパントがドープされていると、発光層から離れた正孔の動きを妨害する価電子帯におけるバンド曲がりが、発光領域16におけるキャリアの閉じ込めを高める。上記層がMg又はZnのようなp型のドーパントで同じ濃度にドープされている場合には、同じ傾斜が電子の動きを妨害するためにも用いられ得る。傾斜したスペーサ層は、幾つかの実施の形態では3nmから50nmの間の厚さである。一例では、ScAlMgO4基板上に成長されたデバイスにおいて、スペーサ層32は、平滑化層30に近い0.1のインジウム組成yから発光領域16に近い0.05のインジウム組成まで直線的に傾斜する6nmの厚さのInyGa1-yN層である。他の例では、ScAlMgO4基板上に成長されたデバイスにおいて、スペーサ層32は、基板に格子整合されており、平滑化層30に近いIn0.14Ga0.86Nから発光領域16に近いAl0.35In0.22Ga0.43Nまで傾斜した20nmの厚さの層である。上述したように、発光領域に近いスペーサ層の部分は、0.05から0.6の間のアルミニウム組成x及び当該材料が基板に格子整合されるように選択されたインジウム組成を有している。平滑化層に近いスペーサ層の部分は、上述したように0.1よりも小さいアルミニウム組成x及び材料が基板に格子整合されるように選択されたインジウム組成を有している。他の例では、ScAlMgO4基板上に成長されたデバイスにおいて、スペーサ層は、平滑化層に近いIn0.16Ga0.84Nから発光領域16に近いIn0.1Ga0.9Nまで傾斜した3nmから40nmの間の厚さの少なくとも部分的に歪んだInyGa1-yN層である。上記平滑化層に近いスペーサ層の部分は0.18から0.15の間のインジウム組成yを有し、発光層に近いスペーサ層の部分は0.14から0の間のインジウム組成yを有している。図1に戻って、発光領域16は、例えば、多重量子井戸QW構造体はダブルヘテロ構造DHである。両方のタイプの発光領域において、発光層はBAlGaInNである。幾つかの実施の形態では、発光層は0.5nmから5μmの間の厚さである。量子井戸は、3nmよりも薄い厚さであることが多い。ダブルヘテロ構造の発光層は、3nmから3μmの間の厚さであることが多い。高電流密度における性能を改善するために、幾つかの実施の形態ではより厚い発光層が好ましい。幾つかの実施の形態では、量子井戸は3nmよりも厚い。幾つかの実施の形態では、DHの発光層は100nmよりも厚い。発光領域の全体の厚さは、幾つかの実施の形態では少なくとも30nmであり、幾つかの実施の形態では少なくとも50nmであり、幾つかの実施の形態では少なくとも75nmであり、幾つかの実施の形態では少なくとも100nmであり、幾つかの実施の形態では少なくとも200nmであり、幾つかの実施の形態では少なくとも500nmであり、幾つかの実施の形態では少なくとも1μmであり、幾つかの実施の形態では少なくとも2μmであり、幾つかの実施の形態では少なくとも3μmであり、幾つかの実施の形態では少なくとも5μmである。発光領域16の発光層は、基板10、基部領域12又は平滑化層30に格子整合されている又はほぼ格子整合されている。430から470nmの間の発光波長では、幾つかの実施の形態の発光層のInNの組成は、成長中のより大きい格子定数のために従来法により成長された構造体における発光層の組成よりも大きく、発光層における歪みの量が発光波長を変化させる。発光層は、従来のデバイスにおける発光層よりも歪みが少ないので、或る温度における成長の間により多くのインジウムが取り込まれ得る。従って、所望のインジウム組成を有する発光層は、従来のデバイスにおける同じ発光層と比較してより高い温度で成長し得る。本明細書において説明される基板上に成長されたデバイスにおける発光層のより高い成長温度は、発光領域の点欠陥及び拡張欠陥の減少によって材料の品質を向上させ、これは量子効率を高める。幾つかの実施の形態における発光層の歪みの量は、同じ波長で発光する従来法により成長された発光層の歪みよりも少ないので、幾つかの実施の形態の発光層は、従来法により成長された発光層よりも厚く成長される。底面の積層欠陥、インメタルボイド錯体Inmetalvoidcomplex及び含有物の沈殿のような厚い歪みのある層の典型的な問題点は、幾つかの実施の形態では回避又は低減され得る。より厚い発光層は、発光層におけるキャリア濃度を低減し、これは、オージェ非放射再結合を減少させることにより高電流密度での量子効率を高める。多重量子井戸デバイスのような複数の発光層を備えたデバイスでは、発光層は、歪みのある又は歪みのないBAlGaInNの障壁層により分離されている。幾つかの実施の形態では、上記障壁部は、Al0.05In0.15Ga0.80N又はScAlMgO4基板上に成長される格子整合される層について上記の式を満たす任意の他のAl組成である。より低いAl組成の層はキャリア輸送を高めるために発光層の間に用いられ、より高いAl組成はキャリア輸送を遅らせるために用いられ得る。幾つかの実施の形態では、障壁部は、歪んでいるが、Alを含有していない。上記障壁部のバンドギャップは、発光層のバンドギャップよりも大きい。障壁部は、幾つかの実施の形態では0.5nmから1μmの間の厚さであり、幾つかの実施の形態では2nmから50nmの間の厚さであり、幾つかの実施の形態では2nmから10nmの間の厚さである。障壁部は、意図的にはドープされていない又は1×1015から1×1020cm-3の間のドーパント濃度にp型若しくはn型のドーパントが意図的にドープされている。障壁部は、一定の又は傾斜した組成を有している。幾つかの実施の形態では、単一の又は複数の障壁層は歪みのあるGaN又はInyGa1-yNであり、yLELがInyGa1-yN発光層のインジウム組成である場合、インジウムの組成yは0からyLEL-0.08の間である。例えば、450nmの発光波長の場合、yLELは約0.15であり、そのようなデバイスにおけるInyGa1-yN障壁層のインジウムの組成yは、0から0.07の間である。幾つかの実施の形態では、単一の又は複数の障壁層は、歪んだ又は基板に格子整合された四元AlInGaN層である。障壁層が歪んでいる実施の形態では、上記組成は、歪みがデバイスの他の層の歪みを相殺するように選択される。幾つかの実施の形態では、AlInGaN障壁層の組成は、GaN又はInGaN障壁層と比較してキャリアを閉じ込めるのに十分に大きいバンドギャップを与えるよう及び分極電荷の減少によりキャリア注入を改善するように選択される。例えば、0.14のインジウム組成yLELを持つInyGa1-yN発光層を備えたデバイスでは、障壁層AlxInyGa1-x-yNの以下の組成、すなわち、y=0.04に関してx=0ないし0.04、y=0.08に関してx=0ないし0.08、y=0.12に関してx=0.04ないし0.10、y=0.16に関してx=0.14ないし0.18、y=0.20に関してx=0.20ないし0.24、y=0.24に関してx=0.26ないし0.30及びy=0.30に関してx=0.32ないし0.42が、GaN障壁層と比較して分極を減少させ、十分なキャリアの閉じ込めも与える。幾つかの実施の形態では、活性領域は、均一の組成の井戸及び障壁部から成る多重量子井戸活性領域である。井戸層及び障壁層の組成は、InGaN量子井戸層における圧縮歪みが障壁層における引っ張り歪みにより少なくとも部分的に相殺されるように選択される。ScAlMgO4基板上に成長されたデバイスの場合、格子整合されるInyGa1-yN層は、0.136のインジウム組成を有している。井戸がy=0.18である場合、井戸は約0.45未満の圧縮歪みである。Al0.74In0.26NとIn0.10Ga0.90Nとの間にある四元組成の障壁層は、キャリアの閉じ込めを与える井戸よりも大きいバンドギャップを有するが、逆の歪み状態すなわち、約0.45の引っ張り歪みを有する障壁部をもたらす。障壁部及び井戸が、等しい厚さであり、等しい大きさであるが逆のサインの歪み状態にある場合、最終的な歪みは打ち消される。障壁部が井戸における圧縮歪みよりも小さい引張歪みの下にある場合、障壁層は、ゼロである正味の歪みエネルギーのために井戸よりも厚く成長される。この歪みエネルギーは、層の厚さと層の歪みとの積に比例することが多く、従って、井戸の厚さの2倍のスペーサ部は、ゼロの正味の歪みエネルギーをもたらすために専ら井戸の半分の大きさの引っ張り歪みの下にあることが必要とされる。一例では、ScAlMgO4基板上に成長されたデバイスは、格子整合されるIn0.136Ga0.864Nn型層を含んでいる。このn型層の上に成長された多重量子井戸発光領域は、少なくとも1つの障壁層によって分離された少なくとも2つのInyGa1-yN井戸を含んでいる。発光領域における正味の歪みエネルギーがゼロであるデバイスの場合、障壁層は、以下に列挙されている関係の1つに従う単一の四元組成から成っており、rは0から1まで変化し得る。井戸においてy=0.15の場合、障壁層はAl0.715In0.285NrIn0.12Ga0.88N1-r;y=0.16の場合、障壁部はAl0.725In0.275NrIn0.12Ga0.88N1-r;y=0.18の場合、障壁部はAl0.74In0.26NrIn0.10Ga0.90N1-r;y=0.2の場合、障壁部はAl0.765In0.235NrIn0.08Ga0.92N1-r;y=0.25の場合、障壁部はAl0.795In0.206NrIn0.03Ga0.97N1-r;y=0.28の場合、障壁部はAl0.82In0.18NrGaN1-rである。井戸の組成が各緯度に関して異なる多重量子井戸構造体では、各井戸に隣接する障壁部の組成は、各井戸における圧縮歪みの釣り合いをとるように上述した関係に従って選択される。他の例では、ScAlMgO4基板上に成長されたデバイスは、格子整合されるIn0.136Ga0.864Nn型層を含んでいる。このn型層の上に成長されたダブルヘテロ構造体は、該n型層の上に配されたスペーサ層及びスペーサ層の上に配された単一の10nmの厚さのIn0.18Ga0.88N発光層を含んでいる。上記スペーサ層は、井戸における圧縮歪みの釣り合いをとるために、10nmのAl0.74In0.26NrIn0.10Ga0.90N1-r又は20nmのAl0.725In0.275NrIn0.12Ga0.98N1-rであり、rは0から1の間である。他の例では、ScAlMgO4基板上に成長されたデバイスは、Al0.71In0.29NrIn0.136Ga0.864N1-rrは0.226から1の間である。の任意の組成の格子整合されるn型層を含んでいる。このn型層の上に成長されたダブルヘテロ構造体は、該n型層の上に配されたスペーサ層及びスペーサ層の上に配された単一の10nmの厚さのIn0.18Ga0.82N発光層を含んでいる。上記スペーサ層は、発光層における圧縮歪みの釣り合いをとるために、2.9nmのGaN、10nmのAl0.74In0.26NrIn0.10Ga0.90N1-r、20nmのAl0.725In0.275NrIn0.12Ga0.98N1-rrは0から0.152の間である。又は40nmのAl0.715In0.285NrIn0.12Ga0.88N1-rrは0から0.188の間である。である。幾つかの実施の形態では、1つ又はそれ以上の発光層の組成又はドーピングが傾斜している。発光層の厚さ全体が傾斜していてもよいし、又は傾斜は発光層の一方又は両方の端部に局所化していてもよい。図6は、p型領域18の一例を示している。図6に示されている構造体では、オプションのキャップ層34が活性領域16活性領域16は図1に示されている。上に最初に成長し、オプションの電子遮断層36が続き、横方向の導通、鉛直方向の導通及び取り出しのための1つ又はそれ以上の層37が続き、pコンタクト層38が続く。p型領域18の厚さは、反射pコンタクト部から活性領域16の間隔をあけることにより引き起こされる共振器効果により影響を受ける光の取り出しを最大にするように選択される。幾つかの実施の形態では、キャップ層34は、上記活性領域の障壁層と同じ組成である。幾つかの実施の形態では、キャップ層34は、電界、歪み及び/又は輸送特性を制御するために障壁層とは異なる組成である。幾つかの実施の形態では、キャップ層34は、平面を達成するため及び発光層へのドーパントの拡散を防止するためにピットフィリングpitfilling状態の下で成長されたものである。例えば、キャップ層34は、InGaNについてのIII族前駆体としてTMIn、TEGa及び/又はTMGaを用いるMOCVDによる成長において10よりも大きいV/III比、700mbarよりも小さい圧力、N2又はH2周囲環境及び800°Cから1100°Cの間の温度を用いて成長される。そのようなピットフィリング状態は、ピットがデバイスの性能に有害であるデバイスの構造体の任意の場所で用いられ得る。キャップ層34は、0.5nmないし500nmの厚さであり、意図的にはドープされていないが、電気的接合部の特性を制御するためにSiのようなn型ドーパント又はMg若しくはZnのようなp型ドーパントが含まれている。キャップ層は、高温特性、順方向電圧Vf又は漏れ電流に影響を及ぼす組成で傾斜している又は段階的にされている。pコンタクト層に最も近いキャップ層34の部分は、成長中意図的に又は隣接する層からの拡散プロセスを介してp型ドープされる。オプションの電子遮断層36は、存在する場合にはキャップ層34の上に形成され、キャップ層がデバイスに含まれていない場合には活性領域16の上に形成されている。電子遮断層36は、発光層よりも大きいバンドギャップを有している。幾つかの実施の形態では、電子遮断層36は、ScAlMgO4基板に格子整合されるIn0.14Ga0.86N、ScAlMgO4基板上に成長される際に歪むより小さいInN組成を有するInGaN、GaN、x<0.4であるAlxGa1-xN、ScAlMgO4基板上に成長される際に歪む若しくは格子整合される四元層又は0.05から0.3の間のインジウム組成yを有し、ScAlMgO4基板上に成長される際に格子整合される四元AlxInyGa1-x―yNである。電子遮断層36は、幾つかの実施の形態では0.5nmから1μmの間の厚さを有し、幾つかの実施の形態では2nmから100nmの間の厚さを有し、幾つかの実施の形態では3nmから40nmの間の厚さを有し、幾つかの実施の形態では20nmの厚さを有している。幾つかの実施の形態では、キャップ層及び電子遮断層の分極が、各層の組成を適切に選択することにより整合される。例えば、ScAlMgO4基板上に成長されたデバイスでは、キャップ層はIn0.14Ga0.86Nである、分極整合される電子遮断層は幾つかの実施の形態では2nmから40nmの間の厚さであり、幾つかの実施の形態では5nmから20nmの間の厚さのIn0.3Al0.32Ga0.38Nである。上記電子遮断層は、幾つかの実施の形態では0.17から0.4の間のインジウム組成yを有する上述した分極整合の条件を満たす任意の組成であり得る。電子遮断層36は、幾つかの実施の形態では1×1016cm-3から1×1021cm-3の間の濃度に、幾つかの実施の形態では5×1018から2×1020cm-3の間の濃度にp型ドーパントMgがドープされている。任意のp型ドーパントが用いられてもよく、また、電子遮断層は意図的にはドープされていなくてもよい。幾つかの実施の形態では、電子遮断層36の組成は、段階的にされている又は傾斜している。横方向の導通、鉛直方向の導通及び抽出効率のための1つ又はそれ以上のオプションのp型層は、pコンタクト層38の前に形成される。幾つかの実施の形態では、単一の1nmないし10μmの厚さの層37は、1×1015から1×1021cm-3の間の濃度にp型ドーパントが意図的にドープされている。幾つかの実施の形態では、層37は、ScAlMgO4上に成長される際に格子整合されるIn0.14Ga0.86N、ScAlMgO4への格子整合について上記の式を満たす四元化合物のいずれか又はAl0.70In0.30Nである。幾つかの実施の形態では、層37は15よりも少ない格子不整合で歪んでいる。好適な材料の例は、GaN、InGaN、AlInGaN又はAlInNを含んでいる。最後のp型層はpコンタクト層38であり、その組成、厚さ及びドーピングは、pコンタクト層38が発光層により発せられる光を最小限に吸収するように選択され、上記最後のp型層は、pメタライゼーション部とオーミック接触を形成し、デバイスの動作のために十分な垂直方向の導電性を有している。幾つかの実施の形態では、pコンタクト層38は、高濃度にドープされたGaN又は40よりも少ないInN組成を有するInGaNである。幾つかの実施の形態では、pコンタクト層38は、1nmから10μmの間の厚さであり、1×1016cm-3から1×1022cm-3の間の濃度にMg又はZnのような任意の好適なp型ドーパントがドープされている。幾つかの実施の形態では、p型領域18の上面は、粗くされて又はざらついており、光はp型領域18の上面を通してデバイスから取り出される。図9は、少なくとも1つの分布ブラッグ反射器DBRを含むデバイスの一部を示している。ScAlMgO4上に成長されたデバイスにおいて、Al0.71In0.29N及びIn0.14Ga0.86N層は、歪みを有しておらず、DBRを形成するのに十分に大きい屈折率の差を有している。幾つかの実施の形態では、DBRは、10nmから10μmの間の厚さのAl0.71In0.29N及びIn0.14Ga0.86Nの1ないし200の交互層から形成されている。このDBR層は、電気伝導性が必要とされる又は望ましい場合にはSi、Mg、Zn又は任意の他の好適なp又はn型のドーパントがドープされている。上記DBRは、高品質の反射器又はバンド遮断フィルタとして用いられ得る。2つのDBR40及び42が図9に示されており、一方は活性領域16のn側に、他方は活性領域16のp側に存在する。エピタキシャル構造におけるDBRの配置は、その機能に依存する。幾つかの実施の形態では、図9のDBR42のような単一のDBRがp側に配されており、外部の金属鏡の代わりに又はそれに加えて取り出し効率を高めるために発光層とともに光共振器を形成するように調整される。幾つかの実施の形態では、取り出し効率を高めるという同じ目的で図9のDBR40のような単一のDBRがn側に配されている。両方のケースにおけるDBRと発光層との間隔は、1nmから10μmの間であり、これは、DBR積層体の光位相シフトに依存する。幾つかの実施の形態では、DBRは、図9に示されているように活性領域16の両側に配されている。DBRの透過率に依存して、そのような構造体は、側面発光LD高い反射率、微小共振器型LED発光層の一方の側で高い反射率又は垂直共振器LD発光層の両側で高い反射率において用いられる。幾つかの実施の形態では、DBR40又は42は、反射率を高めるために高反射金属層により支えられている。DBR40若しくは42、入射角の関数としての改善された反射率を有する層状反射器又は全方向反射器ODRは、成長される、堆積される、又はデバイス構造体に接着される。ODRは、誘電体、金属、透明導電性酸化物若しくは半導体層又は層の組み合わせを有している。ODRは、導電性であってもよいし、導電性ではなくてもよい。例えば、ODRは、交互に配されたそれぞれ70ないし80nmの厚さを有するSiO2層及びそれぞれ50ないし60nmの厚さを有するTiO2層から形成されている。例えば、SiN、MgOx、MgNx、ZnO、SiOx及びSiNxのような他の誘電体が用いられ得る。好適な反射金属は、Ag及びAlを含んでいる。DBRの他に光閉じ込め層が、幾つかの実施の形態ではデバイスに形成される。光閉じ込め層の例は、上記構造体内の光モードの分布を変更することが可能なより高い又はより低い屈折率の層を含んでいる。例えば、レーザダイオードでは、導波路を形成するため又は導波性を高めるために低い又は高い屈折率の層が用いられ得る。発光ダイオードでは、表面粗さ又はフォトニック結晶のような光取り出し特性への結び付きを高めるように導波モードの分布を変更するためにより高い又はより低い屈折率の層が用いられ得る。幾つかの実施の形態では、これらの光閉じ込め層の厚さは、例えば、nが光閉じ込め層の屈折率である場合に0.1λ/nから10λ/nの間の光学波長λのオーダーである。上述した半導体構造体は、例えば、図7に示されている薄膜フリップチップデバイス及び図8に示されている垂直方向電流注入デバイスを含む任意の好適なデバイスの設計に採り入れられる。図7及び図8に示されている半導体構造体22は、上述したような成長基板10上に成長し、図1、2、3、4、5、6及び9に示されており、上述した半導体構造体のいずれかであってもよいし、それらのいずれかを含んでいてもよい。種々の図から又は上記の説明からの種々の特徴は、組み合わされ得る。図7に示されているデバイスでは、p型領域上にpコンタクト金属26が配されており、金属化のためn型層を露光するためにp型領域及び活性領域の一部がエッチング除去される。pコンタクト部26及びnコンタクト部24は、デバイスの同じ側に存在している。pコンタクト部26は、誘電体のような電気絶縁材料で充填された間隙27によりnコンタクト部24から電気的に分離されている。図7に示されているように、pコンタクト部26は、複数のnコンタクト領域24の間に配されているが、これは必須ではない。幾つかの実施の形態では、nコンタクト部24及びpコンタクト部26の一方又は両方は反射性であり、デバイスは、光が図7に示されている方向性においてデバイスの上面を介して取り出されるように実装されている。幾つかの実施の形態では、上記コンタクト部は、程度が限られており又は透明にされており、デバイスは、コンタクト部が形成される面を通して光が取り出されるように実装されている。上記半導体構造体は、マウント28に取り付けられている。半導体構造体22が成長される基板の全部又は一部は、説明されたように除去されてもよいし、デバイスの一部のままであってもよい。幾つかの実施の形態では、成長基板の全部又は一部を除去することにより露出した半導体層は、パターニングされ又は粗くされており、デバイスからの光の取り出しを改善することができる。幾つかの実施の形態では、半導体層22と成長基板との界面の割れを促進するために、該界面又はその付近にオプションの脆弱域が与えられており、それによって、成長基板から半導体薄膜をより除去しやすくしている。脆弱域は、半導体構造体の全部又は一部の堆積前又は堆積後に形成される。脆弱域は、加熱時にイオンがマイクロキャビティを形成するように単独で又は他のイオンと組み合わされて1つ又はそれ以上のH又はNの注入により成長基板又は半導体構造体内に与えられる。例えば、Hは、120keVの加速電圧を用いて1017cm-2のドーズ量で注入される。半導体構造体22の脆弱域は、最初は或る成長温度でより高いInNのモル分率で、その後、好ましくは、基板に格子整合される組成において、或るより高い成長温度でより低いInNのモル分率で成長基板に最も近い半導体構造体22の部分を成長させることにより与えられる。より多量のInNを含有する半導体層は、その状態図に従ってより高い成長温度において更に高い又はより低いインジウム組成の領域に変化する。最高のインジウム組成の領域は、入射レーザ光をより多く吸収し、空間的に変化するインジウム組成による機械的応力は、合金膜において機械的に脆弱な層を作り出す。幾つかの実施の形態では、結晶構造中に複数のミクロン規模の結晶欠陥又はボイドを作り出すために、しっかりと焦点を合わせたパターン、十分な強度のパルスレーザビーム及び光子エネルギーによりウェハを露光することによって脆弱な区域が形成される。結晶のダメージのパターンは、ウェハを横切る1つ又はそれ以上のレーザビームをラスタリングすること又はエキシマレーザのような単一の高出力レーザから大量のスポットを生成するために回折光学素子を使用することにより生成される。レーザビームは、短いサブマイクロ秒のパルスを用いて強く集束し、高度に局在化したダメージを引き起こす。上記成長基板の全部又は一部は、任意の好適な方法により除去される。脆弱域を含む構造体では、成長基板は、例えば、上述した注入層を活性化するために加熱することにより脆弱域において除去され得る。幾つかの実施の形態では、H原子が脆弱域を機械的に破砕させるマイクロキャビティに集まるとすぐに、注入H原子の脆弱域を含む構造体が、600°Cの温度に加熱される温度はそれよりも高くても低くてもよく、注入種及びドーズ量に依存する。。半導体構造体22から成長基板を除去するために脆弱域を与えることの利点は、成長基板の残りの部分が研磨され、成長基板として再度使用され得ることである。成長基板を除去する他の方法は、機械的研磨のような機械的方法を含んでおり、これは、成長基板と半導体構造体との間に回転力を印加することと、接着剤が塗布されたプラスチックフィルムを成長基板に取り付け、第2の接着剤が塗布されたプラスチックフィルムを半導体構造体に取り付けることと、成長基板と半導体構造体とを引き離すこととを含み、成長基板と半導体構造体との界面壊すために鋭い刃を用い、成長基板と半導体構造体との界面を壊すために音波エネルギーのパルス又は不均質な温度分布を用い、破壊を引き起こす衝撃波を作り出す界面における小さい点<1mm2に集められる1つ又はそれ以上のレーザパルスを印加し、半導体構造体/成長基板界面の平面において熱的に誘導される応力が該界面の特性を引き起こすのに十分であるように、半導体及び成長基板に垂直な面を横切る温度勾配例えば、半導体構造体の一面に適用されるより高い温度及び成長基板の一面に適用されるより低い温度を利用する。幾つかの実施の形態では、成長基板は透明であり、これは、レーザビームが成長基板を通過するレーザリフトオフにより成長基板が半導体構造体22から取り除かれることを可能にする。成長基板上に最初に成長されたIII族窒化物材料の層は、レーザ光を吸収して溶解し、成長基板から半導体構造体22を離す。レーザリフトオフは、成長基板に隣接して配されるより狭いエネルギーギャップの合金半導体のオプションの層により促進される。上記より狭いエネルギーギャップの層の組成は、この層が隣接する半導体層よりも多くの入射レーザ光を吸収するように選択され、これは、必要な入射光束を低減し、半導体構造体22の至る所でより少ない分散したダメージしか生成しない。幾つかの実施の形態では、半導体構造体から成長基板を切り離すために注入層を活性化した後残っている成長基板の一部のような成長基板の全部又は一部が、ウェット化学エッチングのようなエッチングにより取り除かれる。SolidStateElectronics42467に発表されたDryandWetEtchingofScMgAlO4においてCDBrandle等により報告されているように、例えば、ScAlMgO4は、H3PO4及びH2O2の混合溶液、H2SO4:H2O2:H2O並びにHFの混合溶液により容易に攻撃される。上記文献は、参照することにより本明細書に組み込まれたものとする。幾つかの実施の形態では、成長基板の全部又は一部は、800ワットの印加電力においてCl2及びArの混合ガスを用いる反応性イオンエッチングにより取り除かれる。一度成長基板が取り除かれると、成長基板は表面処理されresurfaced、再度使用され得る。図8に示されている垂直方向注入のLEDでは、半導体構造体22の一方の側にnコンタクト部が形成され、半導体構造体の他方の側にpコンタクト部が形成されている。例えば、pコンタクト部26はp型領域上に形成されており、デバイスはpコンタクト部26を介してマウント28に取り付けられている。成長基板の全部又は一部は取り除かれ、nコンタクト部24は基板の全部又は一部を取り除くことにより曝されるn型領域の表面に形成され得る。上記nコンタクト部の電気的接触は、図8に示されているようなワイヤボンド又は金属架橋を用いてなされる。LEDは、白色光又は他の色の単色光を作り出すために蛍光体、量子ドット又は染料のような1つ又はそれ以上の波長変換材料と組み合わされ得る。LEDにより発せられる光の全て又は一部のみが波長変換材料によって変換され得る。LEDにより発せられる未変換光は、光の最終的なスペクトルの一部であるが、必要ではない。よく起こる組み合わせの例は、黄色発光蛍光体と組み合わせられる青色発光LED、緑色及び赤色発光蛍光体と組み合わせられる青色発光LED、青色及び黄色発光蛍光体と組み合わせられる紫外発光ダイオード並びに青色、緑色及び赤色発光蛍光体と組み合わせられる紫外発光ダイオードを含んでいる。デバイスから発せられる光のスペクトルを調整するために、他の色の光を発する波長変換材料が加えられる。上記波長変換素子は、例えば、LEDに接着若しくは結合された又はLEDから離れて配置された予め形成されたセラミック蛍光体層、又はLEDの上にステンシルで印刷された、スクリーン印刷された、スプレーされた、沈降したsediment、蒸着した、スパッタリングされた又はそうでなければ分配若しくは堆積された有機又は無機のカプセル材中に配された粉末蛍光体若しくは量子ドットである。実施例1ScAlMgO4基板上に成長されたAlを含んでいないLEDは、1ないし6μmの厚さの1×1018ないし1×1019cm-3のSiがドープされたIn0.14Ga0.86N基部層12を含んでおり、1ないし6nmの厚さのIn0.10-0.16Ga0.9-0.84Nより成る障壁部により分離された2ないし5nmの厚さのIn0.15-0.20Ga0.85-0.8N量子井戸を含む活性領域16が続き、これらの全ては名目上はドープされていない。活性領域16の上に、2ないし10nmの厚さのIn0.10-0.16Ga0.9-0.84Nキャップ層34、10ないし40nmの厚さの1×1020cm-3にMgがドープされたIn0.0-0.13Ga1-0.87N電子遮断層36及び最初の85nmに関しては1×1018ないし1×1019cm-3の濃度で、最後の1ないし10nmに関しては5×1019ないし2×1020cm-3に傾斜するようにMgがドープされた60ないし120nmの厚さのIn0.14Ga0.86Npコンタクト層38が続いている。実施例2ピットフィリング層を含むAlを含んでいないLEDは、ScAlMgO4基板上に成長している。1ないし6μmのIn0.14Ga0.86N基部層12は、1×1018ないし1×1019cm-3のSiがドープされており、基部層と同様にドープされたIn0.0-0.13Ga1-0.87Nより成る1ないし20nmの厚さのピットフィリング層が続いている。活性領域16は、1ないし6nmの厚さのIn0.10-0.16Ga0.9-0.84Nより成る障壁部により分離された2ないし5nmの厚さのIn0.15-0.20Ga0.85-0.8N量子井戸を含んでおり、これらの全ては名目上はドープされていない。活性領域16は、2ないし10nmの厚さのIn0.10-0.16Ga0.9-0.84Nキャップ層34、10ないし40nmの1×1020cm-3にMgがドープされたIn0.0-0.13Ga1-0.87N電子遮断層36及び最初の85nmに関しては1×1018ないし1×1019cm-3の濃度で、最後の1ないし10nmに関しては5×1019ないし2×1020cm-3に傾斜するようにMgがドープされた60ないし120nmの厚さのIn0.14Ga0.86Npコンタクト層38が続いている。実施例3ScAlMgO4基板上に成長されたAlを含んでいないLEDは、1ないし6μmの厚さの1×1018ないし1×1019cm-3のSiがドープされたIn0.14Ga0.86N基部層12を含んでおり、Siが2e18ないし2e19cm-3ドープされたIn0.10-0.16Ga0.9-0.84Nより成るスペーサが続いている。活性領域16は、1ないし6nmの厚さのIn0.10-0.16Ga0.9-0.84Nより成る障壁部により分離された2ないし5nmの厚さのIn0.15-0.20Ga0.85-0.8N量子井戸を含んでおり、これらの全ては名目上はドープされていない。この積層体に、2ないし10nmの厚さのIn0.10-0.16Ga0.9-0.84Nキャップ層34、10ないし40nmの1×1020cm-3にMgがドープされたIn0.0-0.13Ga1-0.87N電子遮断層36及び最初の85nmに関しては1×1018ないし1×1019cm-3の濃度で、最後の1ないし10nmに関しては5×1019ないし2×1020cm-3に傾斜するようにMgがドープされた60ないし120nmの厚さのIn0.14Ga0.86Npコンタクト層38が続いている。実施例4ScAlMgO4基板上に成長された歪みのないLEDは、1ないし6μmの厚さの1×1018ないし1×1019cm-3のSiがドープされたAl0.10In0.16Ga0.74N基部層12を含んでおり、1ないし6nmの厚さのAl0.05In0.15Ga0.80Nより成る障壁部により分離された2ないし5nmの厚さのIn0.14Ga0.86N量子井戸を含む活性領域16が続き、これらの全ては名目上はドープされていない。活性領域16に、1ないし10nmの厚さのAl0.10In0.16Ga0.74Nキャップ層34、5ないし35nmの厚さの1×1019ないし1×1020cm-3にMgがドープされたAl0.30In0.20Ga0.50N電子遮断層36及び最初の85nmに関しては1×1018ないし1×1019cm-3の濃度で、最後の5nmに関しては5×1019ないし2×1020cm-3に傾斜するようにMgがドープされた50ないし150nmの厚さのAl0.10In0.16Ga0.74Npコンタクト層38が続いている。サファイア上のGaN、SiC上のGaN、Si上のGaNのような従来のデバイスと比較した本発明の幾つかの実施の形態の利点は、活性領域に格子整合される基板に成長される機会及び基部層及びp型層のようなより大きいバンドギャップのクラッド層を与えるために四元層を使用する機会である。また、より大きい格子定数のために、四元化合物がより高い成長温度で成長でき、これは、外因性及び内因性点欠陥の取り込みのために従来はより低品質であったこれらの薄膜の品質を向上させる。BAlGaInNに加えて、全ての層が、バンド構造体、形態及びデバイスの性能を最適化するためにBAlGaInNAsPSbより成る任意のIII-V族材料の合金を有し得る。本発明を詳細に説明したが、本発明の開示を与えると、本明細書において説明された本発明の概念の精神から逸脱することなく本発明に対して変更がなされ得ることは当業者には明らかであろう。従って、本発明の範囲は、図示され、説明された特定の実施の形態に制限されるように意図されてはいない。