GaN系半導体発光素子であって、基板上に、n型GaN系半導体層、およびp型GaN系半導体層が順に設けられ、前記n型GaN系半導体層の一部分を露出させて、露出させた前記n型GaN系半導体層の表面に、Nパッド電極層が設けられ、前記p型GaN系半導体層上に、Ag又はAg合金を含んで成るAg電極層が設けられ、前記Ag電極層を完全に被覆するように前記p型GaN系半導体層上に、カバー電極層が設けられ、前記カバー電極層上に、Pパッド電極層が設けられ、前記Nパッド電極層又は前記Pパッド電極層の少なくとも一方が、前記基板側から順に少なくともAl含有層、Ti層、Pt層およびAu層を積層しており、前記Ti層が、0.25μm以上の厚さであることを特徴とする、GaN系半導体発光素子。前記Ti層が、0.35μm以下の厚さである、請求項1に記載のGaN系半導体発光素子。前記Al含有層はSiおよびCuを含むAl合金層である、請求項1に記載のGaN系半導体発光素子。前記Nパッド電極層および前記Pパッド電極層を設けた部分を除いて、前記n型GaN系半導体層、前記p型GaN系半導体層、およびカバー電極層の各層面に、絶縁膜が施されている、請求項1~3のいずれか一に記載のGaN系半導体発光素子。前記基板がサファイア基板である、請求項1~4のいずれか一に記載のGaN系半導体発光素子。しかしながら、この中間バリア層が、上記PNパッド電極層にあるAl層とAu層との相互拡散を抑制する機能を果たしているものの、高電流域又は高温高湿環境下では、Al層とAu層との相互拡散が進行するおそれがある。それ故、GaN系半導体が有するバンドギャップが大きい、結晶が硬い、電子の速度が速い等の特徴を活かすことができない。ひいては、GaN系半導体発光素子の利用用途や範囲が狭められ、又、GaN系半導体発光素子の使用条件等が制限されることとなる。そこで、本発明は、PNパッド電極層を構成する各層の層間相互の拡散を防止することができるGaN系半導体発光素子を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明のGaN系半導体発光素子は、基板上に、n型GaN系半導体層、およびp型GaN系半導体層が順に設けられ、前記n型GaN系半導体層の一部分を露出させて、露出させた前記n型GaN系半導体層の表面に、Nパッド電極層が設けられ、前記p型GaN系半導体層上に、Ag又はAg合金を含んで成るAg電極層が設けられ、前記Ag電極層を完全に被覆するように前記p型GaN系半導体層上に、カバー電極層が設けられ、前記カバー電極層上に、Pパッド電極層が設けられ、前記Nパッド電極層又は前記Pパッド電極層の少なくとも一方が、前記基板側から順に少なくともAl含有層、Ti層、Pt層およびAu層を積層しており、前記Ti層が、0.25μm以上の厚さであることを特徴とする。ある好ましい態様では、前記Ti層が、0.35μm以下の厚さである。ある好ましい態様では、前記Al含有層はSiおよびCuを含むAl合金層である。ある好ましい態様では、前記Nパッド電極層および前記Pパッド電極層を設けた部分を除いて、前記n型GaN系半導体層、前記p型GaN系半導体層、およびカバー電極層の各層面に、絶縁膜が施されている。ある好ましい態様では、前記基板がサファイア基板である。本発明のGaN系半導体発光素子は、PNパッド電極層に含まれるTi層の厚さを0.25μm以上にすることで、Al含有層とAu層の相互拡散を抑制することができるものである。これによって、GaN系半導体発光素子の利用用途や範囲が広がり、又、GaN系半導体発光素子の使用条件等が制限されにくくなる。従って、GaN系半導体発光素子の需要が益々増えることが期待できるものである。以下、本発明の実施形態のGaN系半導体発光素子について説明する。まず、本発明のGaN系半導体発光素子の構造について説明する。図1は、本発明のGaN系半導体発光素子1の平面図である。図2は、本発明のGaN系半導体発光素子1の概略断面図であり、図1にある線分A-A ́方向に沿ったものである。本発明のGaN系半導体発光素子1は、図2に示すように、サファイア基板2、n型GaN系半導体層3、発光層4、p型GaN系半導体層5、PNパッド電極層6、Ag電極層7およびカバー電極層8を含んで成る。又、本明細書において、PNパッド電極層6は、Nパッド電極層9およびPパッド電極層10の総称である。n型GaN系半導体層3は、サファイア基板2上に設けられている。発光層4は、n型GaN系半導体層3上に設けられている。p型GaN系半導体層5は、発光層4上に設けられている。Nパッド電極層9は、p型GaN系半導体層5および発光層4の一部を除いたn型GaN系半導体層3を露出させた表面に設けられている。又、Nパッド電極層9は、サファイア基板2側から順に、Al含有層11、Ti層12、Pt層13およびAu層14を有し、n型GaN系半導体層3とオーミック接触する。最もサファイア基板側に近いAl含有層11は反射の機能を果たす層であり、又、最もサファイア基板から遠いAu層14はワイヤーボンディングを可能にする層である。又、Al含有層11とAu層14との間にあるTi層12およびPt層13は、Al含有層11およびAu層14との相互拡散を抑制する中間バリア層としての機能を果たしている。Ag又はAg合金を含んで成るAg電極層7は、p型GaN系半導体層5上に設けられ、p型GaN系半導体層5とオーミック接触する。カバー電極層8は、Ag又はAg合金を含んで成るAg電極層7および該Ag電極層7の少なくとも側面と上面とを完全に被覆するようにp型GaN系半導体層5上に設けられている。このとき、カバー電極層8は、Ag又はAg合金を含んで成るAg電極層7および該Ag電極層7を完全に被覆することが好ましい。又、Pパッド電極層10はカバー電極層8上に設けられている。絶縁膜15は、Nパッド電極層9およびPパッド電極層10を設けた部分を除いて、GaN系半導体発光素子1全体を覆うように施されている。ここで、Pパッド電極層10は、Nパッド電極層9と同様の層構造を有している。すなわち、Pパッド電極層10はサファイア基板2側から順にAl含有層11、Ti層12、Pt層13およびAu層14を有している。本実施形態では、Al含有層11はSiおよびCuを含んで成るAl合金層であるが、これに限らず、Alを含有する積層や、Alと他の金属との合金層でもよい。他の金属とは、例えばCu、Mn、Si、Mg、Zn等が使用できる。また、PNパッド電極層6は少なくとも一方が、サファイア基板2側から順にAl含有層11、Ti層12、Pt層13およびAu層14の積層構造を有していればよい。この積層構造において、各層の成分が他の層へ一部拡散していてもよい。本発明において、GaN系半導体発光素子1の構成要素の1つであるPNパッド電極層6は、Al含有層11、Ti層12、Pt層13およびAu層14から成り、かつ、Ti層12の厚さを0.25μm以上にすることによって、Al含有層11とAu層14との間の相互拡散を抑制している。なお、Ti層12の厚さは、Al含有層11とAu層14との間の相互拡散を抑制するために0.25μm以上あればよく、かかる効果を考慮したとき、上限は特にないが、例えば、PNパッド電極層6の全体の抵抗を考慮して好ましくは、0.35μm以下に設定される。次に、本発明のGaN系半導体発光素子1の製造方法について説明する。<GaN系半導体層の形成>まず、サファイア基板2を準備する。本実施形態ではサファイア基板を用いるが、SiC等の異種基板やGaN基板等でも構わない。また、基板は凹凸形状を有していてもよい。その凹凸形状を有したサファイア基板2をMOCVD装置内に設置し、この凹凸形状を有したサファイア基板2上に、n型GaN系半導体層3、発光層4およびp型GaN系半導体層5を順に成長させることで、GaN系半導体層16が形成される。<エッチング>p型GaN系半導体層5の表面に所定形状のマスクを形成し、エッチングによりマスク開口部を介してp型GaN系半導体層5および発光層4を除去して、n型GaN系半導体層3を露出させる。この時、n型GaN系半導体層3の露出部の一部をエッチングしてもよい。このようにして露出させたn型GaN系半導体層3の一部に、Nパッド電極層9を形成する。<Ag電極層およびカバー電極層の形成>マスクを除去した後、例えば、スパッタリングによりp型GaN系半導体層5の一部にAg電極層7を形成する。次に、Ag電極層7を覆うようにカバー電極層8を形成する。これによって、Ag電極層7の高い光取り出し効果を発揮させつつ、高温、高湿動作時におけるAgのマイグレーション、すなわちリーク電流を防止する。<PNパッド電極層の形成>サファイア基板2側から順に、蒸着又はスパッタリングによりAl含有層11、Ti層12、Pt層13およびAu層14を、エッチングにより露出させたn型GaN系半導体層3上とカバー電極層8上に積層させて、Nパッド電極層9およびPパッド電極層10を同時に形成する。なお、この実施形態では、Nパッド電極層9およびPパッド電極層10を同様の層構造を有して、同時に形成したが、Nパッド電極層9およびPパッド電極層10は異なる層構造で、別工程で形成してもよい。<絶縁膜の形成>PNパッド電極層6の上面を除いて、n型GaN系半導体層3、発光層4、p型GaN系半導体層5、およびカバー電極層8の各層の表面、すなわちGaN系半導体発光素子1全体を覆うように、絶縁膜15を施す。以上の方法により、本発明のGaN系半導体発光素子1が製造される。中間バリア層であるTi層12およびPt層13が、Al含有層11およびAu層14との相互拡散を抑制する機能を果たしているかどうか確認するために、実施した実験の結果について以下に説明する。[比較例1]まず、以下の製造工程により、基準となるGaN系半導体発光素子1を製造した。<GaN系半導体層の形成>まず、凹凸形状を有したサファイア基板2を準備した。主として有機金属気相成長法を用いて、その凹凸形状を有したサファイア基板2をMOCVD装置内に設置し、この凹凸形状を有したサファイア基板2上に、n型GaN系半導体層3、発光層4およびp型GaN系半導体層5を順に成長させることで、GaN系半導体層16を形成させた。<エッチング>次いで、p型GaN系半導体層5の表面に所定形状のマスクを形成し、エッチングによりマスク開口部を介してp型GaN系半導体層5および発光層4を除去して、n型GaN系半導体層3を露出させた。このようにして露出させたn型GaN系半導体層3の一部に、Nパッド電極層9を形成した。<Ag電極層およびカバー電極層の形成>次いで、マスクを除去した後、例えば、スパッタリングによりp型GaN系半導体層5の一部にAg電極層7を形成した。レジストを用いて、Ag電極層7を覆うようにカバー電極層8を形成した。<PNパッド電極層の形成>次いで、サファイア基板2側から順に、蒸着又はスパッタリングによりSi、Cuを含むAl合金からなるAl含有層11、Ti層12、Pt層13およびAu層14を、エッチングにより露出させたn型GaN系半導体層3上とカバー電極層8上に積層させて、Nパッド電極層9およびPパッド電極層10、すなわち、PNパッド電極層6を同時に形成した。<絶縁膜の形成>次いで、PNパッド電極層6の上面を除いて、n型GaN系半導体層3、発光層4、p型GaN系半導体層5、およびカバー電極層8の各層の表面、すなわちGaN系半導体発光素子1全体を覆うように、絶縁膜15を施した。以上の製造工程により、Al含有層11、Ti層12、Pt層13およびAu層14であるPNパッド電極層6を有した基準となるGaN系半導体発光素子1を製造した。次に、以下の条件に設定した場合に、PNパッド電極層6を構成する各元素の拡散状況をGDS装置で分析した。各設定条件におけるPNパッド電極層6を構成する各元素の拡散状況は図3~図3に示される。なお、このGDS装置は、中空状の陽極と試料を対向させ、放電部をアルゴン雰囲気に保ち、両電極間に電力を供給する事により、安定したグロー放電プラズマを発生させるプロセス、アルゴンイオンで表面から均一にスパッタされた試料表面の原子が、プラズマ中で励起され元素固有のスペクトルを発生させるプロセス、このスペクトルを分光、計測することで、光強度により元素濃度、スパッタ時間から深さの情報を得るプロセス、表面からの深さ方向分析を行うプロセスの4つのプロセスを踏んで、元素の拡散状況を分析するものである。熱処理前図3は、熱処理前のPNパッド電極層6を構成する各元素の拡散状況図である。図3より、熱処理を施していないため、PNパッド電極層6を構成する各元素は拡散せず安定していることがわかる。電気炉設定温度450°C昇温時間30分間安定時間10分間降温時間30分間図3は、電気炉温度を450°Cに設定し、30分間かけて昇温させ、次いで10分間安定させ、最後に30分間かけて降温させて、GaN系半導体発光素子1の熱処理を施した場合のPNパッド電極層6を構成する各元素の拡散状況図である。図3より、Auのピークがやや収束が不足していることがわかる。電気炉設定温度500°C昇温時間30分間安定時間10分間降温時間30分間図3は、電気炉温度を500°Cに設定し、30分間かけて昇温させ、次いで10分間安定させ、最後に30分間かけて降温させて、GaN系半導体発光素子1の熱処理を施した場合のPNパッド電極層6を構成する各元素の拡散状況図である。図3より、Al含有層11を構成するAl、SiおよびCuから成るAl合金のうちAlとAuが相互拡散していることが分かる。電気炉設定温度500°C昇温時間30分間安定時間30分間降温時間30分間図3は、電気炉温度を500°Cに設定し、30分間かけて昇温させ、次いで30分間安定させ、最後に30分間かけて降温させて、GaN系半導体発光素子1の熱処理を施した場合のPNパッド電極層6を構成する各元素の拡散状況図である。図3より、各層の構造が崩れていることがわかる。又、上記の設定条件で熱処理を施した場合のGaN系半導体発光素子1のサファイア基板2側およびPNパッド電極層6設置側の平面写真図を、各々図4および図5に示す。図4および図5より、熱処理によってNパッド電極層9およびPパッド電極層10を中心として、変色している。これは、Al含有層11およびAu層14との相互拡散が生じていることを示す。図3~図3より、熱処理温度および熱処理時間が増えると、中間バリア層であるTi層12およびPt層13を有しているにもかかわらず、Al、SiおよびCuから成るAl合金のうちAlとAuが相互拡散している。これは、Al含有層11とAu層14とが相互拡散していることを示す。この事から、Al含有層11とAu層14との相互拡散を抑制するためには、中間バリア層を単に設けるだけでは十分ではないことが分かる。それ故、Al含有層11とAu層14との相互拡散を抑制する方法として、中間バリア層、すなわちTi層12又はPt層13を厚くすることが考えられる。そこで、Ti層12を厚くした場合、Pt層13を厚くした場合の各々について、Al含有層11とAu層14との相互拡散状況を確認した。下記の実施例に示すように、PNパッド電極層6を構成する中間バリア層の種類、層厚、熱処理時間、電気炉内温度等を変更して、好ましい中間バリア層の形態について検討した。[実施例1]比較例1のTi層厚さ:0.15μmを0.25μm厚くした場合比較例1で製造した基準となるGaN系半導体発光素子1を構成するPNパッド電極層6と比べて、Ti層12が0.25μm厚いGaN系半導体発光素子1を製造した。すなわち、Al含有層11、Ti層12、Pt層13およびAu層14であるPNパッド電極層6を有したGaN系半導体発光素子1を製造した。次いで、上記比較例1のの設定条件、すなわち、電気炉温度を500°Cに設定し、30分間かけて昇温させ、次いで10分間安定させ、最後に30分間かけて降温させて、GaN系半導体発光素子1の熱処理を施した。その時のGaN系半導体発光素子1のサファイア基板2側およびPNパッド電極層6設置側の平面写真図は、各々図6および図7に示される。図6および図7より、熱処理によってNパッド電極層9およびPパッド電極層10を中心とした変色がほとんど見られない。これは、Ti層12を厚くすることにより、熱処理によるAl含有層11とAu層14との相互拡散が抑制されていることを示す。[比較例2]比較例1のPt層を0.25μm厚くした場合比較例1で製造した基準となるGaN系半導体発光素子1を構成するPNパッド電極層6と比べて、Pt層13が0.25μm厚いGaN系半導体発光素子1を製造した。すなわち、Al含有層11、Ti層12、Pt層13およびAu層14であるPNパッド電極層6を有したGaN系半導体発光素子1を製造した。次いで、上記比較例1のの設定条件、すなわち、電気炉温度を500°Cに設定し、30分間かけて昇温させ、次いで10分間安定させ、最後に30分間かけて降温させて、GaN系半導体発光素子1の熱処理を施した。その時のGaN系半導体発光素子1のサファイア基板2側およびPNパッド電極層6設置側の平面写真図は、各々図8および図9に示される。図8および図9より、熱処理によってNパッド電極層9およびPパッド電極層10を中心とした変色がやや見受けられる。これは、Ti層12を0.25μm厚くした場合と比べて、Pt層13を同じ0.25μm厚くした場合には、熱処理によるAl含有層11とAu層14との相互拡散を抑制する効果が少ないことを示している。以上の事から、Ti層12がPt層13よりも中間バリア層として効果的に作用することが分かった。そこで、次に主として、Ti層12の厚さを適宜変更させて、GaN系半導体発光素子1の変色、とりわけPNパッド電極層6の変色防止に有効な厚さ設定範囲を検討した。[比較例3]まず、比較例1に記載した基準となるGaN系半導体発光素子1を、電気炉温度を400、425、450又は475°Cに各々設定して熱処理し、各電気炉設定温度におけるPNパッド電極層6に変色が生じるまでの時間を測定した。この時のPNパッド電極層6は、Al含有層11、Ti層12、Pt層13およびAu層14である。電気炉の各設定温度に対するPNパッド電極層6の変色発生開始時間の測定結果は、図10に示される。この時、電気炉温度が400°Cの場合のPNパッド電極層6の変色発生開始時間は270分である。次いで、電気炉温度が425°Cの場合のPNパッド電極層6の変色発生開始時間は120分である。次いで、電気炉温度が450°Cの場合のPNパッド電極層6の変色発生開始時間は85分である。最後に、電気炉温度が475°Cの場合のPNパッド電極層6の変色発生開始時間は30分である。[比較例4]次に、比較例1で製造した基準となるGaN系半導体発光素子1と比べて、Al含有層11を0.15μm薄くしたGaN系半導体発光素子1を製造した。すなわち、Al含有層11、Ti層12、Pt層13およびAu層14であるPNパッド電極層6を有したGaN系半導体発光素子1を製造した。次いで、該GaN系半導体発光素子1を、電気炉温度を400、425、450又は475°Cに各々設定して熱処理し、各電気炉設定温度におけるPNパッド電極層6に変色が生じるまでの時間を測定した。電気炉の各設定温度に対するPNパッド電極層6の変色発生開始時間の測定結果は、図10に示される。この時、電気炉温度が400°Cの場合のPNパッド電極層6の変色発生開始時間は270分である。次いで、電気炉温度が425°Cの場合のPNパッド電極層6の変色発生開始時間は90分である。次いで、電気炉温度が450°Cの場合のPNパッド電極層6の変色発生開始時間は75分である。最後に、電気炉温度が475°Cの場合のPNパッド電極層6の変色発生開始時間は30分である。図10に示される比較例3および比較例4を比べると、Al含有層11を0.15μm薄くしても、各電気炉設定温度に対するPNパッド電極層6の変色発生開始時間の挙動に大きな違いはないことが分かった。そこで、PNパッド電極層6の全体の抵抗を考慮すると、PNパッド電極層6を構成する各層は薄膜であることが望ましいため、以下の実施例では、厚さを0.5μmから0.35μmにしたAl含有層を用いることとした。[比較例5]次に、比較例1で製造した基準となるGaN系半導体発光素子1と比べて、Al含有層11を0.15μm薄く、Ti層12を0.075μm薄くしたGaN系半導体発光素子1を製造した。すなわち、Al含有層11、Ti層12、Pt層13およびAu層14であるPNパッド電極層6を有したGaN系半導体発光素子1を製造した。次いで、該GaN系半導体発光素子1を、電気炉温度を400、425、450又は475°Cに各々設定して熱処理し、各電気炉設定温度におけるPNパッド電極層6に変色が生じるまでの時間を測定した。電気炉の各設定温度に対するPNパッド電極層6の変色発生開始時間の測定結果は、図10に示される。この時、電気炉温度が400°Cの場合のPNパッド電極層6の変色発生開始時間は210分である。次いで、電気炉温度が425°Cの場合のPNパッド電極層6の変色発生開始時間は60分である。次いで、電気炉温度が450°Cの場合のPNパッド電極層6の変色発生開始時間は50分である。最後に、電気炉温度が475°Cの場合のPNパッド電極層6の変色発生開始時間は30分である。[比較例6]次に、比較例1で製造した基準となるGaN系半導体発光素子1と比べて、Al含有層11を0.15μm薄く、Ti層12を0.05μm厚くしたGaN系半導体発光素子1を製造した。すなわち、Al含有層11、Ti層12、Pt層13およびAu層14であるPNパッド電極層6を有したGaN系半導体発光素子1を製造した。次いで、該GaN系半導体発光素子1を、電気炉温度を400、425、450又は475°Cに各々設定して熱処理し、各電気炉設定温度におけるPNパッド電極層6に変色が生じるまでの時間を測定した。電気炉の各設定温度に対するPNパッド電極層6の変色発生開始時間の測定結果は、図10に示される。この時、電気炉温度が400°Cの場合のPNパッド電極層6の変色発生開始時間は270分である。次いで、電気炉温度が425°Cの場合のPNパッド電極層6の変色発生開始時間は110分である。次いで、電気炉温度が450°Cの場合のPNパッド電極層6の変色発生開始時間は85分である。最後に、電気炉温度が475°Cの場合のPNパッド電極層6の変色発生開始時間は30分である。[実施例2]次に、比較例1で製造した基準となるGaN系半導体発光素子1と比べて、Al含有層11を0.15μm薄く、Ti層12を0.15μm厚くしたGaN系半導体発光素子1を製造した。すなわち、Al含有層11、Ti層12、Pt層13およびAu層14であるPNパッド電極層6を有したGaN系半導体発光素子1を製造した。次いで、該GaN系半導体発光素子1を、電気炉温度を400、425、450又は475°Cに各々設定して熱処理し、各電気炉設定温度におけるPNパッド電極層6に変色が生じるまでの時間を測定した。電気炉の各設定温度に対するPNパッド電極層6の変色発生開始時間の測定結果は、図10に示される。この時、電気炉温度が400°Cの場合のPNパッド電極層6の変色発生開始時間は510分である。次いで、電気炉温度が425°Cの場合のPNパッド電極層6の変色発生開始時間は260分である。次いで、電気炉温度が450°Cの場合のPNパッド電極層6の変色発生開始時間は150分である。最後に、電気炉温度が475°Cの場合のPNパッド電極層6の変色発生開始時間は50分である。図10に示される比較例3~6および実施例2を比べると、Ti層12の厚さを0.075μm、0.15μm又は0.2μmに設定した場合、各電気炉設定温度に対するPNパッド電極層6の変色発生開始時間の挙動に大きな違いはないことが分かった。その一方で、他のTi層12の厚さを0.075μm、0.15μm又は0.2μmに設定した場合と比べて、Ti層12の厚さを0.3μmに設定した場合に、各電気炉設定温度に対するPNパッド電極層6の変色発生開始時間が遅いことが分かった。PNパッド電極層6の変色発生開始時間の遅延は、熱処理によるAl含有層11とAu層14との相互拡散の抑制に結び付くため、Ti層12の厚さを0.3μmに設定した場合に、熱処理によるAl含有層11とAu層14との相互拡散を効果的に抑制することができる。Al含有層11とAu層14との間の相互拡散を効果的に抑制することができるTi層12の厚さの下限値を求めるため、比較例1で製造した基準となるGaN系半導体発光素子1と比べて、Ti層12の厚さを厚くしたGaN系半導体発光素子1参考例1、実施例3、実施例4について、順方向電流If[mA]、GaN系半導体発光素子1の接合温度Tj[°C]を変えてNパッド電極層9の変色発生について調査した。[参考例1]比較例1で製造した基準となるGaN系半導体発光素子1と比べて、Ti層12の厚さを0.05μm厚くし、Ti層12の膜厚を0.2μmとしたGaN系半導体発光素子1を製造した。[実施例3]比較例1で製造した基準となるGaN系半導体発光素子1と比べて、Ti層12の厚さを0.1μm厚くし、Ti層12の膜厚を0.25μmとしたGaN系半導体発光素子1を製造した。[実施例4]比較例1で製造した基準となるGaN系半導体発光素子1と比べて、Ti層12の厚さを0.15μm厚くし、Ti層12の膜厚を0.3μmとしたGaN系半導体発光素子1を製造した。参考例1、実施例3、実施例4及び比較例1のGaN系半導体発光素子1について、PNパッド電極層6にAuバンプを形成して実装基板にフリップチップ実装した。その後、表1に示す条件1~3の試験を実施し、Al含有層11とAu層14の相互拡散によるNパッド電極層9の変色発生について調査した。表1に示す試験は、参考例1、実施例3、実施例4のGaN系半導体発光素子1をそれぞれ10個用いて行った。試験結果を図11及び表2に示す。図11は参考例1、実施例3、実施例4及び比較例1のGaN系半導体発光素子1のNパッド電極層9の変色発生試験結果を示す拡大写真である。図11において、1A、2A、3Aはそれぞれ比較例1の条件1、2、3であり、1B、2B、3Bはそれぞれ参考例1の条件1、2、3であり、1C、2C、3Cはそれぞれ実施例3の条件1、2、3であり、1D、2D、3Dはそれぞれ実施例4の条件1、2、3である。表2は、条件1~3において、参考例1、実施例3、実施例4及び比較例1でNパッド電極層9の変色が発生したGaN系半導体発光素子1の個数を示す。Al含有層11とAu層14の相互拡散によるPNパッド電極層6の変色は、駆動電流が大きくなると加速することが懸念される。図11及び表2の結果から、Ti層12の厚さが0.15μm、0.2μmであると、電流の密度が大きいAuバンプの周囲からNパッド電極層9が広い範囲で黒く変色していることがわかる。しかし、Ti層12の厚さが0.25μm以上であれば、効果的にAl含有層11とAu層14の相互拡散を抑制することができた。Ti層12の厚さが0.25μm以上のものでは、Nパッド電極層9の変色が発生していても軽度であり、非常に小さい黒点状であった。条件1のような1500mAという大電流においても、その効果は顕著に顕れている。さらに、Ti層12の厚さが0.3μmであるとき、Al含有層11とAu層14の相互拡散は完全に抑制された。したがって、Ti層12の厚さは、0.25μm以上が好ましく、0.3μm以上がより好ましい。なお、Ti層12の厚さの上限値は、特に定められるものではないが、PNパッド電極層6の全体の抵抗を考慮して、0.35μm以下に設定される。さらに、Al含有層11の厚さの下限値を求めるため、Al含有層11とAu層14の相互拡散を抑制することができる実施例4Ti層12の厚さ:0.3μmにおいて、Al含有層11の厚さを変更したGaN系半導体発光素子1参考例2、参考例3、実施例5を作製し、順方向電流If[mA]、GaN系半導体発光素子1の接合温度Tj[°C]を変えてNパッド電極層9の変色発生について調査した。[参考例2]実施例4で製造したGaN系半導体発光素子1と比べて、Al含有層11の厚さを0.35μm薄くし、Al含有層11の膜厚を0.15μmとしたGaN系半導体発光素子1を製造した。[参考例3]実施例4で製造したGaN系半導体発光素子1と比べて、Al含有層11の厚さを0.25μm薄くし、Al含有層11の膜厚を0.25μmとしたGaN系半導体発光素子1を製造した。[実施例5]実施例4で製造したGaN系半導体発光素子1と比べて、Al含有層11の厚さを0.15μm薄くし、Al含有層11の膜厚を0.35μmとしたGaN系半導体発光素子1を製造した。参考例2、参考例3、実施例5のGaN系半導体発光素子1について、PNパッド電極層6にAuバンプを形成して実装基板にフリップチップ実装した。その後、上述の表1に示す条件1~3の試験を実施し、Al含有層11とAu層14の相互拡散によるNパッド電極層9の変色発生について調査した。表1に示す試験は、参考例2及び3についてGaN系半導体発光素子1をそれぞれ10個、実施例5について20個用いて行った。試験結果を図12と表3に示す。図12は参考例2、参考例3、実施例5のGaN系半導体発光素子1のNパッド電極層9の変色発生試験結果を示す拡大写真である。図12において、1E、2E、3Eはそれぞれ参考例2の条件1、2、3であり、1F、2F、3Fはそれぞれ参考例3の条件1、2、3であり、1G、2G、3Gはそれぞれ実施例5の条件1、2、3である。表3は、条件1~3において、参考例2、参考例3、実施例5でNパッド電極層9の変色が発生したGaN系半導体発光素子1の個数の割合を示す。図12及び表3の結果から、Al含有層11の厚さが薄いほど、Nパッド電極層9の変色が発生していた。しかし、Ti層12の厚さが0.3μmであるため、Al含有層11とAu層14の相互拡散が抑制され、Nパッド電極層9の変色の進行が大幅に遅くなっていることが分かる。さらに、Nパッド電極層9の変色が発生していても軽度であり、非常に小さい黒点状であった。条件1のような1500mAという大電流においても、その効果は顕著に顕れている。したがって、Ti層12がAl含有層11とAu層14の相互拡散が抑制できる厚さであるとき、Al含有層11の厚さは0.35μm以上とすることができる。なお、Al含有層11の厚さの上限値は、特に定められるものではないが、生産性を考慮して、5μm以下、好ましくは1μm以下、さらに好ましくは0.5μm以下に設定される。これによって、本発明のGaN系半導体発光素子1の利用用途や範囲を広げ、又、本発明のGaN系半導体発光素子1の使用条件等が制限されにくくなる。