"任意に発生した1パルスのパルスレーザ光の強度を調整するためのレーザ用アッテネータであって、前記パルスレーザ光の光路上にクロスニコルに配置された二つの偏光素子と、前記二つの偏光素子の間に配置され、電圧の印加により内部を通過するレーザ光の偏光面を回転させる電気光学素子と、前記電気光学素子に対する印加電圧値及び印加タイミングを制御する制御部と、を備えたことを特徴とするレーザ用アッテネータ。前記電気光学素子は、ポッケルスセルであることを特徴とする請求項1記載のレーザ用アッテネータ。前記ポッケルスセルは、複数個が直列に並べて配置されていることを特徴とする請求項2記載のレーザ用アッテネータ。共振器ミラーの間にレーザ媒質と、偏光素子、λ/4波長板及びポッケルスセルから成るQスイッチとを備え、任意に発生した1パルスのパルスレーザ光を発生するレーザ発生装置であって、前記パルスレーザ光の光路上に、クロスニコルに配置された二つの偏光素子と、前記二つの偏光素子の間に配置され、電圧の印加により内部を通過するレーザ光の偏光面を回転させる電気光学素子と、前記電気光学素子に対する印加電圧値及び印加タイミングを制御する制御部と、を備えて構成したレーザ用アッテネータを設けたことを特徴とするレーザ発生装置。前記Qスイッチのポッケルスセルに対する印加電圧を漸減させて前記パルスレーザ光のパルス幅を拡大可能にしたことを特徴とする請求項4記載のレーザ発生装置。前記ポッケルスセルに対する印加電圧の漸減勾配に、少なくとも1回の変曲点が生じるように前記印加電圧を制御することを特徴とする請求項5記載のレーザ発生装置。前記レーザ用アッテネータは、前記パルスレーザ光の光路上に設けられた光増幅器の下流側に設けられたことを特徴とする請求項4~6のいずれか1項に記載のレーザ発生装置。しかし、このような従来のレーザ用アッテネータにおいては、いずれも、1パルスのレーザ光全体のエネルギーを低減することはできるものの、1パルスのレーザ光における特定時間のエネルギーを選択的に低減することはできなかった。したがって、例えば特定時間に過大なパルスエネルギーが放出されるようなロングパルスのレーザ光において、該特定時間のエネルギーを低減してパルス幅全体に亘って略一定のエネルギーが得られるようにすることができなかった。そこで、本発明は、このような問題点に対処し、1パルスのレーザ光における特定時間のエネルギーを低減しようとするレーザ用アッテネータ及びレーザ発生装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明によるレーザ用アッテネータは、任意に発生した1パルスのパルスレーザ光の強度を調整するためのレーザ用アッテネータであって、前記パルスレーザ光の光路上にクロスニコルに配置された二つの偏光素子と、前記二つの偏光素子の間に配置され、電圧の印加により内部を通過するレーザ光の偏光面を回転させる電気光学素子と、前記電気光学素子に対する印加電圧値及び印加タイミングを制御する制御部と、を備えたものである。このような構成により、任意に発生した1パルスのパルスレーザ光の光路上にクロスニコルに配置された二つの偏光素子の間に配置された電気光学素子に対する印加電圧値及び印加タイミングを制御部で制御し、電気光学素子の内部を通過するレーザ光の偏光面を回転させ、1パルスのレーザ光における特定時間のエネルギーを低減させる。また、前記電気光学素子は、ポッケルスセルである。これにより、ポッケルスセルに対する印加電圧値及び印加タイミングを制御してパルスレーザ光の強度を調整する。さらに、前記ポッケルスセルは、複数個が直列に並べて配置されている。これにより、複数個が直列に並べて配置されたポッケルスセルに対する印加電圧値及び印加タイミングを夫々制御してパルスレーザ光の強度を調整する。また、本発明によるレーザ発生装置は、共振器ミラーの間にレーザ媒質と、偏光素子、λ/4波長板及びポッケルスセルから成るQスイッチとを備え、任意に発生した1パルスのパルスレーザ光を発生するレーザ発生装置であって、前記パルスレーザ光の光路上に、クロスニコルに配置された二つの偏光素子と、前記二つの偏光素子の間に配置され、電圧の印加により内部を通過するレーザ光の偏光面を回転させる電気光学素子と、前記電気光学素子に対する印加電圧値及び印加タイミングを制御する制御部と、を備えて構成したレーザ用アッテネータを設けたものである。このような構成により、任意に発生した1パルスのパルスレーザ光の光路上にクロスニコルに配置された二つの偏光素子の間に配置された電気光学素子に対する印加電圧値及び印加タイミングを制御部で制御し、電気光学素子の内部を通過するレーザ光の偏光面を回転させ、1パルスのレーザ光における特定時間のエネルギーを低減させる。さらに、前記Qスイッチのポッケルスセルに対する印加電圧を漸減させて前記パルスレーザ光のパルス幅を拡大可能にしたものである。これにより、Qスイッチのポッケルスセルに対する印加電圧を漸減制御することにより、発生するパルスレーザ光のパルス幅を拡大する。さらにまた、前記ポッケルスセルに対する印加電圧の漸減勾配に、少なくとも1回の変曲点が生じるように前記印加電圧を制御する。これにより、ポッケルスセルに対する印加電圧の漸減勾配に、少なくとも1回の変曲点が生じるように印加電圧を制御することにより、発生するパルスレーザ光のパルス幅をより拡大する。そして、前記レーザ用アッテネータは、前記パルスレーザ光の光路上に設けられた光増幅器の下流側に設けられたものである。これにより、パルスレーザ光の光路上に設けられた光増幅器の下流側でレーザ用アッテネータにより、1パルスのレーザ光における特定時間のエネルギーを低減させる。請求項1又は4に係る発明によれば、ロングパルスのレーザ光における特定時間の過大なエネルギーを選択的に低減することができる。したがって、パルス幅全体に亘って略一定のエネルギーが得られるようにすることができる。これにより、該レーザ光を加工に使用したとき、局所的に過大なエネルギーが集中して、加工物に焼損等のダメージを与えるのを防止することができる。また、請求項2及び3に係る発明によれば、ポッケルスセル内を通過する直線偏光の特定時間内の偏光面を任意に回転させることができる。したがって、1パルスのレーザ光における特定時間のエネルギーを容易に低減することができる。さらに、請求項5に係る発明によれば、Qスイッチの構成を変更することなくロングパルスのレーザ光を生成することができる。したがって、ロングパルスのレーザ発生装置の構成が簡単となり、装置の製造コストを低減することができる。さらにまた、請求項6に係る発明によれば、パルス幅のより長いロングパルスのレーザ光を発生させることができる。そして、請求項7に係る発明によれば、光増幅器の上流側に設けた場合よりも、レーザ光のS/Nを改善することができる。以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明によるレーザ発生装置の実施形態を示す平面図である。このレーザ発生装置は、任意に発生した1パルスのパルスレーザ光を発生するもので、共振器1と、光増幅器2と、レーザ用アッテネータ3と、をレーザ光の進行方向上流から下流に向かってこの順に配置して備えている。上記共振器1は、レーザ光を往復させて定在波を発生させるものであり、共振器ミラーとしてのフロントミラー4及びリアミラー5の間に、図示省略のフラッシュランプによって励起されてレーザ光を発生するレーザ媒質としての例えばND:YAGロッド6と、該ND:YAGロッド6の後方に配置され、偏光素子としての偏光ビームスプリッタ7、λ/4波長板8及びポッケルスセル9から成るQスイッチ10と、を備えて構成されている。この場合、上記ポッケルスセル9に対する印加電圧は、図示省略の制御手段によって漸減するように制御され、パルスレーザ光のパルス幅を拡大することができるようになっている。これについて説明すると、図2aに示すように、ポッケルスセル9に対する印加電圧を急激に引き下げる通常の制御に対して、同図bに示すようにポッケルスセル9に対する印加電圧を漸減するよう制御した場合には、パルス幅が例えば10nsから70nsへと拡大される。これは、共振器1内での発振において、Qスイッチ10からの戻り出力エネルギーが時間軸で徐々に増加すると共に通常のエネルギーよりも低いため、ND:YAGロッド6内のエネルギーの取り出しもゆっくりとなり、Qスイッチ10内でのパルス発振時間が伸びて出力されるパルス幅が長くなったのである。さらに、ポッケルスセル9に対する印加電圧の漸減勾配に、図3に示すように、少なくとも1回の変曲点が生じるように印加電圧を制御すれば、パルス幅をさらに拡大することができる。上記共振器1の下流には、光増幅器2が設けられている。この光増幅器2は、レーザ光のパルスエネルギーを増幅して出力するもので、例えばND:YAGロッドが使用される。上記光増幅器2の下流には、レーザ用アッテネータ3が設けられている。このレーザ用アッテネータ3は、1パルスのレーザ光における特定時間のエネルギーを選択的に低減するもので、本発明のレーザ用アッテネータとなるものである。上記レーザ用アッテネータ3の具体的構成例は、図4に示すように、レーザ光の光路上にクロスニコルに配置された偏光素子としての第1及び第2の偏光ビームスプリッタ11A,11Bと、該第1及び第2の偏光ビームスプリッタ11A,11Bの間に、入射する直線偏光例えばP偏光に対して光学軸が45°を成すように配置され、電圧の印加により内部を通過するレーザ光の偏光面を回転させる電気光学素子としてのポッケルスセル12と、該ポッケルスセル12に対する印加電圧値及び印加タイミングを制御する制御部13と、を備えたものである。本実施形態において使用するポッケルスセル12は、一例として最大-3.6kVの電圧印加によりλ/4波長板の効果が得られるものであり、第1及び第2のポッケルスセル12A,12Bを直列に並べて配置すると共に印加電圧を最大-3.6kVで並列制御することによって、第1及び第2のポッケルスセル12A,12Bの組合せでλ/2波長板の効果が得られるようになっている。この場合、第1及び第2のポッケルスセル12A,12Bの印加電圧を、例えば0kV~-3.6kVまで変化させたとき、レーザ用アッテネータ3の光透過率は0~100まで変化することになる。なお、図1において、符号14は、偏光ビームスプリッタであり、符号15は、レーザビームの径を拡張するビームエキスパンダであり、符号16は、反射ミラーである。次に、このように構成されたレーザ発生装置の動作で、特にレーザ用アッテネータ3の動作について説明する。先ず、レーザ用アッテネータ3がレーザ光の100を透過させる場合について説明する。この場合、レーザ用アッテネータ3の第1及び第2のポッケルスセル12A,12Bには、夫々-3.6kVの電圧が印加される。このとき、レーザ用アッテネータ3に入射したレーザ光は、先ず、第1の偏光ビームスプリッタ11Aの反射面17Aにおいて、該反射面17Aに対する入射面に平行な偏光面を有し反射面17Aを透過する直線偏光P偏光と、上記入射面に垂直な偏光面を有し上記反射面17Aで反射される直線偏光S偏光とに分離される。第1の偏光ビームスプリッタ11Aを透過したP偏光は、第1のポッケルスセル12Aに入射する。この場合、第1のポッケルスセル12Aは、-3.6kVの電圧が印加されてλ/4波長板の効果を発揮している。したがって、第1のポッケルスセル12Aを通過するP偏光は、その偏光面が45°だけ回転されて第1のポッケルスセル12Aを射出する。続いて、上記直線偏光は、第2のポッケルスセル12Bに入射する。このとき第2のポッケルスセル12Bにも-3.6kVの電圧が印加されているので、第2のポッケルスセル12Bは、λ/4波長板の効果を発揮し、内部を通過する上記直線偏光の偏光面をさらに45°回転させる。これにより、第1の偏光ビームスプリッタ11Aを透過したP偏光は、第1及び第2のポッケルスセル12A,12Bにより偏光面が90°回転されて第2の偏光ビームスプリッタ11Bに入射することになる。ここで、第1の偏光ビームスプリッタ11Aと第2の偏光ビームスプリッタ11Bとは、クロスニコルの関係に配置されているので、各偏光ビームスプリッタ11A,11Bの反射面17A,17Bは、光軸を中心に互いに90°回転した関係にある。従って、第2の偏光ビームスプリッタ11Bに入射する直線偏光は、第2の偏光ビームスプリッタ11Bの反射面17Bに対してはP偏光の関係となり、該反射面17Bを透過していく。一方、第1及び第2のポッケルスセル12A,12Bに電圧を印加しないときには、該ポッケルスセル12を通過する直線偏光の偏光面は回転されないので、第1の偏光ビームスプリッタ11Aを透過したP偏光は、そのまま第2の偏光ビームスプリッタ11Bに入射する。この場合、上記P偏光は、第2の偏光ビームスプリッタ11Bの反射面17Bに対しては、S偏光の関係になるので、該反射面17Bで図4の例えば手前側又は奥側に反射されて図示省略の光吸収材に吸収されレーザ用アッテネータ3を射出しない。このように、第1及び第2のポッケルスセル12A,12Bの印加電圧を0kV~-3.6kVの間で適宜変化させて、ポッケルスセル12を通過する直線偏光の偏光面を回転させ、第2の偏光ビームスプリッタ11Bの反射面17Bに対してP偏光の関係を成す偏光成分を取り出すことにより、レーザ用アッテネータ3を出力するレーザ光のエネルギー強度を0~100の間で調整することが可能となる。ところで、本発明のレーザ発生装置は、Qスイッチ10のポッケルスセル9に対する印加電圧を漸減制御すると、例えば図2b又は図3に示すように発生するレーザ光のパルス幅を拡大することができるものである。しかしながら、このようにして生成されたロングパルスのレーザ光は、特定時間に過大なパルスエネルギーを放出するものであるため、例えば半導体基板のアモルファスシリコンをアニール処理してポリシリコン化しようとする場合に、均一なアニール処理ができないおそれがあった。そこで本発明のレーザ発生装置においては、レーザ用アッテネータ3のポッケルスセル12に対する印加電圧値及び印加タイミングを制御することにより、1パルスのレーザ光における特定時間のパルスエネルギーを選択的に低減して、1パルス内のレーザエネルギーを略一定にしようとするものである。以下、レーザ用アッテネータ3の上記動作を説明する。レーザ用アッテネータ3に、例えば図5aに示すような時間tn内に過大なパルスエネルギーを放出するロングパルスのレーザ光が入力する場合、例えばこのパルスエネルギーを50低減しようとするときには、図6aに示すように、時間tn内の第1及び第2のポッケルスセル12A,12Bへの印加電圧を-1.8kVとし、時間tn経過後は、-3.6kVに制御する。これにより、図6bに示すように、最初の時間tn内にレーザ用アッテネータ3を透過するレーザ光の透過率が50に低減され、時間tn経過後は、透過率が100となる。したがって、図5aに示すロングパルスのレーザ光は、最初の時間tn内のレーザ強度が50低減され、時間tn経過後のレーザ強度は、元の強度がそのまま維持されることになる。その結果、図5bに示すように1パルス内のレーザ強度が略一定になる。なお、上記実施形態においては、レーザ用アッテネータ3が第1及び第2のポッケルスセル12A,12Bを備えた場合について説明したが、電圧の印加によりλ/2波長板の効果を発揮する電気光学素子であれば一つであってもよい。また、上記実施形態においては、レーザ用アッテネータ3を光増幅器2の下流側に設けた場合について説明したが、本発明はこれに限られず、光増幅器2の上流側に設けてもよい。ただし、光増幅器2の上流側に設けた場合には、選択された特定時間内の低減されたレーザエネルギーと共にノイズも後段の光増幅器2により増幅されるため、S/Nが悪くなる可能性がある。したがって、上記実施形態のようにレーザ用アッテネータ3は、光増幅器2の下流側に設けるのが好適である。又は、レーザ発生装置を射出したレーザ光のエネルギーを低減し得るようにレーザ用アッテネータ3を設けてもよい。そして、以上の説明においては、レーザ発生装置をアニール処理に用いる場合について述べたが、本発明はこれに限られず、穴あけ加工等、他の如何なるレーザ加工に使用してもよい。"