"直方体状のセラミックコンデンサ部と、前記セラミックコンデンサ部の対向する側面それぞれを覆うように形成された一対の電極と、前記一対の電極それぞれに接続されたリード線と、を備え、前記各リード線は、前記電極が形成された側面の長手方向に伸びる一対の直線部と、前記一対の直線部の端部同士を滑らかに接続する湾曲部と、を含み、前記一対の直線部は、一方の直線部が前記電極に接続され、他方の直線部が前記電極と離間して設けられ、前記湾曲部は、平面視した場合に、前記電極が形成された側面に対して垂直な方向に伸び、前記一方の直線部と前記他方の直線部とを接続していることを特徴とする4端子型セラミックコンデンサ。前記リード線は、ヘアピン状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の4端子型セラミックコンデンサ。前記セラミックコンデンサ部は、複数の誘電体層と、複数の内部電極とが交互に積層された積層セラミックコンデンサであることを特徴とする請求項1又は2に記載の4端子型セラミックコンデンサ。前記セラミックコンデンサ部及び前記一方の直線部を覆うように、かつ、前記湾曲部及び前記他方の直線部が露出するように封止する樹脂封止部を有することを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の4端子型セラミックコンデンサ。ここで、例えば、自動車等に搭載されるLED電球の点灯回路では、実装スペースの制約により、コンデンサなどの電子部品の実装面積を縮小したいという要望がある。また、走行中に振動が発生するため、実装される電子部品、特にリード線付きのコンデンサなどの電子部品には高い耐振動性が要求される。しかしながら、上述した特許文献1記載の4端子コンデンサは、チップコンデンサ921の主面がプリント基板と相対する構造いわゆる横置き型であるため、実装面積が大きくなり、狭いスペースに実装することが困難である。また、4つの端子がリジッドに直角に曲げられているため、耐振動性が低いという問題があった。本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、実装面積をより小さくすることができ、かつ、耐振動性を向上させることが可能な4端子型セラミックコンデンサを提供することを目的とする。本発明に係る4端子型セラミックコンデンサは、直方体状のセラミックコンデンサ部と、セラミックコンデンサ部の対向する側面それぞれを覆うように形成された一対の電極と、一対の電極それぞれに接続されたリード線とを備え、各リード線は、電極が形成された側面の長手方向に伸びる一対の直線部と、一対の直線部の端部同士を滑らかに接続する湾曲部とを含み、一対の直線部は、一方の直線部が電極に接続され、他方の直線部が電極と離間して設けられ、湾曲部は、平面視した場合に、電極が形成された側面に対して垂直な方向に伸び、一方の直線部と他方の直線部とを接続していることを特徴とする。本発明に係る4端子型セラミックコンデンサによれば、リード線を構成する直線部が、電極が形成された側面の長手方向に伸びるため、短手方向に伸びる場合と比較して、平面視した場合の面積が小さくなる。よって、プリント基板に実装する際の実装面積すなわちプリント基板上に投影される面積をより小さくすることができる。また、リード線が、一方が電極に接続され、他方が電極と離間して設けられた一対の直線部と、該一対の直線部の端部同士を滑らかに接続する湾曲部とを含んで構成されているため、外部から加わる振動を湾曲部で分散吸収することができる。これらの結果、本発明に係る4端子型セラミックコンデンサによれば、実装面積をより小さくすることができ、かつ、耐振動性を向上させることが可能となる。本発明に係る4端子型セラミックコンデンサでは、上記リード線が、ヘアピン状に形成されていることが好ましい。このようにすれば、外部から加わる振動を効果的に吸収することが可能となる。本発明に係る4端子型セラミックコンデンサでは、上記セラミックコンデンサ部が、複数の誘電体層と、複数の内部電極とが交互に積層された積層セラミックコンデンサであることが好ましい。本発明に係る4端子型セラミックコンデンサでは、上記セラミックコンデンサ部及び一方の直線部を覆うように、かつ、上記湾曲部及び他方の直線部が露出するように封止する樹脂封止部を有することが好ましい。この場合、湾曲部及び他方の直線部が露出するように樹脂封止されているため、セラミックコンデンサ部及び一方の直線部が樹脂によって封止された状態においても、外部から加わる振動を分散吸収することができる。本発明によれば、実装面積をより小さくすることができ、かつ、耐振動性を向上させるが可能となる。以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、各図において、同一要素には同一符号を付して重複する説明を省略する。まず、図1及び図2を併せて用いて、実施形態に係る4端子型セラミックコンデンサ1の構成について説明する。ここで、図1は、4端子型セラミックコンデンサ1の正面図である。また、図2は、4端子型セラミックコンデンサ1の平面図である。4端子型セラミックコンデンサ1は、直方体状のセラミックコンデンサ部10と、セラミックコンデンサ部10の対向する側面10a,10bそれぞれを覆うように形成された一対の電極20,21と、一対の電極20,21それぞれに接続されたヘアピン状のリード線30,31とを備えている。セラミックコンデンサ部10は、矩形に形成された複数の誘電体層図示省略と、矩形の薄膜状に形成された複数の内部電極図示省略とが交互に積層されて形成された積層セラミックコンデンサである。誘電体層は、例えば、BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3、CaZrO3などを主成分とする誘電体セラミックから形成される。なお、これらの主成分にMn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物などの副成分が添加されていてもよい。また、内部電極は、例えば、Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Auなどから形成される。上述したように、セラミックコンデンサ部10の両側面10a,10bには、該両側面10a,10bの全面を覆うように一対の電極20,21が形成されている。すなわち、一対の電極20と電極21とは、セラミックコンデンサ部10を挟んで対向するように、該セラミックコンデンサ部10の側面10a,10bに形成されている。上述したように積層された複数の内部電極は、交互に側面10a又は側面10bに引き出され、電極20又は電極21と接続されている。ここで、電極20,21は、複数のメッキ層から構成されることが好ましく、例えば、耐はんだ喰われ性を有するニッケルメッキ層と、該ニッケルメッキ層を覆うように形成されるスズメッキ層とを含んで構成される。また、電極20,21それぞれは、短手方向の側面10a,10bから、該側面10a,10bと直交する長手方向の側面及び前後の主面に回り込むように形成されている。リード線30,31は、ヘアピン状逆U字状に形成されている。より詳細には、リード線3031は、電極2021が形成された側面10a10bの長手方向に平行に伸びる一対の直線部30a,30b31a,31bと、該一対の直線部30a,30b31a,31bの端部同士を、滑らかに接続する円弧状の湾曲部30c31cとを含んで構成されている。一対の直線部30a,30b31a,31bを構成する一方の直線部30a31aは電極2021が形成された側面10a10bに接続され、他方の直線部30b31bは電極2021が形成された側面10a10bと離間して設けられている。図2に示されるように、湾曲部30c31cは、平面視した場合に、電極2021が形成された側面10a10bに対して垂直な方向に伸び、一方の直線部30a31aと他方の直線部30b31bとを接続している。上述したように構成されることにより、実装される際にセラミックコンデンサ部10が縦置きされるため、実装時の省スペース化が図られる。また、リード線30,31がヘアピン状に形成されているため、実装時に振動特に横方向からの振動が加わったとしても、リード線30,31によって分散吸収される。さらに、リード線3031が入力側と出力側とに分離されることにより、リード線3031のESLが電源及びグランドの進行方向配線のインダクタンスに転嫁される。進行方向配線に入るインダクタンスはノイズの損失特性に対して影響しないため、高周波のノイズ除去特性が改善される。ここで、本実施形態に係る4端子型セラミックコンデンサ1、及び従来のリード付き2端子コンデンサ比較例のインピーダンス特性を図4に示す。図4に示されたグラフの横軸は周波数MHzであり、縦軸はインピーダンスΩである。また、図4のグラフでは、本実施形態に係る4端子型セラミックコンデンサ10.047μFのインピーダンス特性を実線で、従来のリード付き2端子コンデンサ0.047μFのインピーダンス特性を破線で示した。図4に示されるように、いずれのコンデンサにおいても、10MHz以上の領域においてESLによるインピーダンスの上昇が見られるが、この上昇領域において、同一周波数におけるインピーダンスの大きさは、従来のリード付き2端子コンデンサよりも本実施形態に係る4端子型セラミックコンデンサ1の方が低いことが確認された。次に、本実施形態に係る4端子型セラミックコンデンサ1のノイズ低減効果を確認するために、LDE電球点灯回路基板を用いて、本実施形態に係る4端子型セラミックコンデンサ1、及び従来のリード付き2端子コンデンサ比較例のノイズレベルを測定した。ここで、ノイズレベルの測定に用いたLED電球の点灯回路の回路図を図6に示す。測定に際しては、図6に示した回路図中のコンデンサC1及びコンデンサC2それぞれと並列に、本実施形態に係る4端子型セラミックコンデンサ1又は従来のリード付き2端子コンデンサ比較例を接続した。なお、4端子型セラミックコンデンサ1は、電源配線及びグランド配線それぞれを切断してその間に挿入する形で接続した。そして、例えば10m法ITELED電球と受信アンテナとの距離が10mに従って輻射ノイズのノイズレベルを測定した。本実施形態に係る4端子型セラミックコンデンサ1を接続した場合、及び従来のリード付き2端子コンデンサを接続したときのLED電球からの輻射ノイズ垂直偏波の測定結果ノイズレベルを図5に示す。図5に示されたグラフの横軸は周波数MHzであり、縦軸はノイズレベルdBμV/mである。図5のグラフでは、本実施形態に係る4端子型セラミックコンデンサ10.047μFを接続した場合の測定結果を実線で、従来のリード付き2端子コンデンサ0.047μFを接続したときの測定結果を破線でそれぞれ示した。また、いずれのコンデンサも付加していない当初のLED電球の測定結果を一点鎖線で示した。さらに、図中には、CISPR22ClassBのノイズ規格の限度値30M~230MHz:40dBμV/m、230M~1G:47dBμV/mを併せて示した。なお、CISPR22は、情報技術装置のエミッションを規制する規格であり、ClassBは、住宅地域で使用される機器に適用される限度値である。図5に示されるように、30MHz~1GHzの全周波数帯域において、当初のLED電球及び従来のリード付き2端子コンデンサを付加した場合と比較して、本実施形態に係る4端子型セラミックコンデンサ1を付加したときの方がノイズレベルが低下していることが確認された。また、当初のLED電球、及び、従来のリード付き2端子コンデンサを追加したケースでは、約35MHz~48MHz付近の周波数帯域において、ノイズレベルがCISPR22ClassBの限度値を超えた。一方、本実施形態に係る4端子型セラミックコンデンサ1を付加した場合には、30MHz~1GHzの全周波数帯域においてノイズレベルが限度値を下回り、CISPR22ClassBを満足することが確認された。以上、詳細に説明したように、本実施形態によれば、リード線30c31cを構成する直線部30a,30b31a,31bが、電極2021が形成された側面10a10bの長手方句に伸びるため、短手方向に伸びる場合と比較して、平面視した場合の面積が小さくなる。よって、プリント基板に実装する際の実装面積プリント基板上に投影される面積を小さくすることができる。また、リード線30c31cが、一方が電極2021側面10a10bに接続され、他方が電極2021側面10a10bと離間して設けられた一対の直線部30a,30b31a,31bと、該一対の直線部30a,30b31a,31bの端部同士を滑らかに接続する湾曲部30c31cとを含んで構成されているため、外部から加わる振動を湾曲部30c31cで吸収することができる。これらの結果、本実施形態によれば、実装面積をより小さくすることができ、かつ、耐振動性を向上させることが可能となる。特に、本実施形態によれば、リード線30c31cが、ヘアピン状逆U字状に形成されているため、外部から加わる振動特に横方向から加わる振動を効果的に分散吸収することができる。次に、図3を参照しつつ、樹脂封止された4端子型セラミックコンデンサ2の構成について説明する。図3は、樹脂封止された4端子型セラミックコンデンサ2の正面図である。4端子型セラミックコンデンサ2は、外周が樹脂封止部40で封止されている点で上述した4端子型セラミックコンデンサ1と異なっている。その他の構成、すなわち4端子型セラミックコンデンサ1の構成は上述した通りであるので、ここでは詳細な説明を省略する。樹脂封止部40は、コンデンサ部10及び一方の直線部30a,31aを覆うように、かつ、湾曲部30c,31c及び他方の直線部30b,31bが露出するように形成されている。なお、封止材としては、例えば、エポキシ樹脂などの耐熱樹脂によるレジンモールド等が好適に用いられる。本実施形態によれば、湾曲部30c31c及び他方の直線部30b31bが露出するように樹脂封止されているため、コンデンサ部10及び一方の直線部30a31aがモールド樹脂によって封止された状態においても、外部から加わる振動特に横方向から加わる振動を分散吸収することができる。以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、湾曲部30c31cの形状が逆U字状ヘアピン状に形成されていたが、湾曲部30c31cの形状は、逆U字状に限られることなく、例えば、M字状などであってもよい。また、上記実施形態では、リード線3031を構成する直線部30a,30b31a,31bの端部は直線状に形成されていたが、該直線部30a,30b31a,31bの端部は、プリント基板に形成されたスルーホールの配置等に合わせてフォーミングされていてもよい。さらに、4端子型セラミックコンデンサ1を構成するセラミックコンデンサ部10として、電極を長手方向に配置することによって、内部電極の電流経路を太く短くし、ESLを低減したLW逆転型積層セラミックコンデンサを用いてもよい。"