"基材フィルム上に粘着剤層と接着剤層とが積層されたウエハ加工用テープを用いる半導体ウエハの加工方法において、半導体ウエハと前記ウエハ加工用テープの接着剤層とを貼合する工程と、前記半導体ウエハにレーザー光を照射して改質領域を格子状に形成する工程と、前記半導体ウエハの改質領域の縦および横の形成方向に対しそれぞれ直交する横方向と縦方向とに沿って前記ウエハ加工用テープをエキスパンドする工程と、を備える半導体ウエハの加工方法。請求項1に記載の半導体ウエハの加工方法において、前記ウエハ加工用テープをエキスパンドする工程では、前記半導体ウエハの改質領域の縦の形成方向に対し横方向に沿って前記ウエハ加工用テープをエキスパンドし、その後に横の形成方向に対し縦方向に沿って前記ウエハ加工用テープを再度エキスパンドすることを特徴とする半導体ウエハの加工方法。請求項1に記載の半導体ウエハの加工方法において、前記半導体ウエハの改質領域の縦の形成方向に対し横方向に沿って前記ウエハ加工用テープをエキスパンドし、これと同時に横の形成方向に対し縦方向に沿って前記ウエハ加工用テープを再度エキスパンドすることを特徴とする半導体ウエハの加工方法。基材フィルム上に粘着剤層と接着剤層とが積層されたウエハ加工用テープを用いる半導体ウエハの加工方法において、半導体ウエハと前記ウエハ加工用テープの接着剤層とを貼合する工程と、前記半導体ウエハをブレードまたはレーザー光により格子状に切断する工程と、前記半導体ウエハの縦および横の切断方向に対しそれぞれ直交する横方向と縦方向とに沿って前記ウエハ加工用テープをエキスパンドする工程と、を備える半導体ウエハの加工方法。請求項4に記載の半導体ウエハの加工方法において、前記ウエハ加工用テープをエキスパンドする工程では、前記半導体ウエハの改質領域の縦の形成方向に対し横方向に沿って前記ウエハ加工用テープをエキスパンドし、その後に横の形成方向に対し縦方向に沿って前記ウエハ加工用テープを再度エキスパンドすることを特徴とする半導体ウエハの加工方法。請求項4に記載の半導体ウエハの加工方法において、前記半導体ウエハの改質領域の縦の形成方向に対し横方向に沿って前記ウエハ加工用テープをエキスパンドし、これと同時に横の形成方向に対し縦方向に沿って前記ウエハ加工用テープを再度エキスパンドすることを特徴とする半導体ウエハの加工方法。しかしながら、特許文献4の方法では、エキスパンドをおこなう際に低温環境を作らなければならず、そのためのコストがかかるという問題が新たに生じる。したがって、本発明の主な目的は、接着剤層をエキスパンドにより分断する際に、温度管理しなくても25°C程度の室温でも容易に接着剤層を分断することができる半導体ウエハの加工方法を提供することにある。上記課題を解決するため本発明の一態様によれば、基材フィルム上に粘着剤層と接着剤層とが積層されたウエハ加工用テープを用いる半導体ウエハの加工方法において、半導体ウエハと前記ウエハ加工用テープの接着剤層とを貼合する工程と、前記半導体ウエハにレーザー光を照射して改質領域を格子状に形成する工程と、前記半導体ウエハの改質領域の縦および横の形成方向に対しそれぞれ直交する横方向と縦方向とに沿って前記ウエハ加工用テープをエキスパンドする工程と、を備える半導体ウエハの加工方法が提供される。本発明の他の態様によれば、基材フィルム上に粘着剤層と接着剤層とが積層されたウエハ加工用テープを用いる半導体ウエハの加工方法において、半導体ウエハと前記ウエハ加工用テープの接着剤層とを貼合する工程と、前記半導体ウエハをブレードまたはレーザー光により格子状に切断する工程と、前記半導体ウエハの縦および横の切断方向に対しそれぞれ直交する横方向と縦方向とに沿って前記ウエハ加工用テープをエキスパンドする工程と、を備える半導体ウエハの加工方法が提供される。本発明によれば、半導体ウエハの改質領域の形成方向または切断方向に対して、ウエハ加工用テープのエキスパンド方向をこれと直交する方向と明確にしているから、エキスパンドによる引っ張り力を、接着剤層の分断しようとする位置に集中させることができ、特に温度管理しなくても25°C程度の室温でも容易に接着剤層を分断することができる。以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態について説明する。図1は、本発明の好ましい実施形態にかかるウエハ加工用テープ10に、半導体ウエハWが貼り合わされた状態を示す断面図である。図1に示すとおり、半導体ウエハWの回路パターン形成面ウエハ表面には、ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程にて、回路パターンを保護するための表面保護テープ14が貼合されている。半導体ウエハWの裏面には、ウエハ加工用テープ10が貼合されている。ウエハ加工用テープ10は、エキスパンドにより接着剤層13をチップに沿って分断する際に用いるエキスパンド可能なテープである。ウエハ加工用テープ10は、基材フィルム11と、基材フィルム11上に設けられた粘着剤層12と、粘着剤層12上に設けられた接着剤層13とを有し、接着剤層13上に半導体ウエハWの裏面が貼合される。なお、それぞれの層は、使用工程や装置に合わせて予め所定形状に切断プリカットされていてもよい。ウエハ加工用テープ10は、ウエハ1枚分ごとに切断された形態を有していてもよいし、これが複数形成された長尺のシートがロール状に巻き取られた形態を有していてもよい。以下に、各層の構成について説明する。<基材フィルム11>基材フィルム11としては、従来公知のものであれば特に制限することなく使用することができるが、後述の粘着剤層12として放射線硬化性の材料を使用する場合には、放射線透過性を有するものを使用することが好ましい。例えば、その材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン-プロピレン共重合体、ポリブテン-1、ポリ-4-メチルペンテン-1、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-アクリル酸エチル共重合体、エチレン-アクリル酸メチル共重合体、エチレン-アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα-オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン-エチレン-ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド-ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、基材フィルム13aはこれらの群から選ばれる2種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。基材フィルム11の厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、50~200μmが好ましい。また、近年、エキスパンド後はウエハ加工用テープ10に弛みが生じる為に個々の半導体チップの間隔を安定に保持できなくなり、搬送時に互いに隣接する半導体チップ間で接触して接着剤層13の再癒着が起きてしまうといった問題を解決する為、ウエハ加工用テープ10を加熱収縮性テープとし、分断工程の後にテープを加熱して緊張させ、半導体チップ間の間隔を保持する方法が提案されている。このような加熱収縮性テープとするためには、基材フィルム11は、JISK7206で規定されるビカット軟化点が50°C以上90°C未満の熱可塑性架橋樹脂から構成するとよい。このような構成の基材フィルム11を使用することで、接着剤層13を分断するエキスパンド工程において使用可能な均一且つ等方的な拡張性を有するウエハ加工用テープ10が実現できる。しかも架橋樹脂は非架橋樹脂と比較して引っ張りに対する復元力が大きい為に、エキスパンド工程後の引き伸ばされた状態に熱を加えて該樹脂を軟化させた際の収縮応力が大きく、エキスパンド工程後にテープに生じた弛みを加熱収縮によって除去でき、テープを緊張させて個々の半導体チップの間隔を安定に保持することができる。なお、一般にエキスパンド工程後の加熱工程においてテープは50~90°C程度になる為、軟化点がこの範囲より高すぎれば弛みを十分に除去するのが困難であり、また逆に低すぎればテープが溶断する危険がある。上記熱可塑性架橋樹脂としては、JISK7206で規定されるビカット軟化点が50°C以上90°C未満のものであれば何でも良いが、エチレン-メタアクリル酸2元共重合体若しくはエチレン-メタアクリル酸-メタアクリル酸を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂が、均一拡張性の面でエキスパンド工程に適し、且つ架橋によって加熱時に強く復元力が働く点で、エキスパンド工程で生じたテープの弛みを除去する工程においても特に好適である。上記アイオノマー樹脂は分子鎖の構成中に塩素を含まない為、使用後に不要となったテープを焼却処分しても、ダイオキシンやその類縁体といた塩素化芳香族炭化水素を発生させない為、環境負荷も小さい。上記アイオノマー樹脂に含まれる金属イオンは何でも良いが、特に亜鉛イオンが溶出性の低さから特に低汚染性の面から言って好ましい。上記熱可塑性架橋樹脂としては、上記アイオノマー樹脂の他に、比重0.910以上~0.930未満の低密度ポリエチレン若しくは比重0.910未満の超低密度ポリエチレンに電子線を照射することで架橋させたものも好適である。この熱可塑性架橋樹脂は、架橋部位と非架橋部位が樹脂中に共存しているので、一定の均一拡張性を有する為に上記エキスパンド工程に適し、加熱時に強く復元力が働く点で、エキスパンド工程で生じたテープの弛みを除去する工程においても特に好適である。低密度ポリエチレン若しくは超低密度ポリエチレンに対して照射する電子線の量を適宜に調整することで、ビカット軟化点が50°C以上90°C未満且つ十分な均一拡張性を有する樹脂を得ることができる。上記電子線で架橋されたポリエチレンは分子鎖の構成中に塩素を含まない為、使用後に不要となったテープを焼却処分しても、ダイオキシンやその類縁体といた塩素化芳香族炭化水素を発生させない為、環境負荷も小さい。上記低密度ポリエチレン若しくは超低密度ポリエチレンの一例としては、日本ポリケム社製のカーネル等が挙げられる。上記熱可塑性架橋樹脂としては、上記アイオノマー樹脂や電子線架橋されたポリエチレンの他に、エチレン-酢酸ビニル共重合体に電子線を照射することで架橋させたものも好適である。この熱可塑性架橋樹脂は加熱時に強く復元力が働く点で、エキスパンド工程で生じたテープの弛みを除去する工程において特に好適である。電子線の量を適宜に調整することで、ビカット軟化点が50°C以上90°C未満且つ十分な均一拡張性を有する樹脂を得ることができる。上記電子線架橋されたエチレン-酢酸ビニル共重合体もまた分子鎖の構成中に塩素を含まない為、使用後に不要となったテープを焼却処分しても、ダイオキシンやその類縁体といた塩素化芳香族炭化水素を発生させない為、環境負荷も小さい。上記のエチレン-酢酸ビニル共重合体一例としては、日本ポリケム社製のウルトラセン等が挙げられる。なお、図1に示す例では、基材フィルム11は単層であるが、これに限定されず、2種以上のビカット軟化点が50°C以上90°C未満の熱可塑性架橋樹脂を積層させた2層以上の複数層構造であってもよい。基材フィルム11の厚みは特に規定しないが、ウエハ加工用テープ10の拡張工程において引き伸ばし易く、且つ破断しないだけの十分な強度を持つ厚みとして、50~200μm程度がよく、100~150μmがより好ましい。複数層の基材フィルム11の製造方法としては、従来公知の押出法、ラミネート法などを用いることができる。ラミネート法を用いる場合は、層間に接着剤を介在させてもよい。接着剤としては従来公知の接着剤を用いることができる。<粘着剤層12>粘着剤層12は、基材フィルム11に粘着剤を塗工して形成することができる。本発明のウエハ加工用テープ10を構成する粘着剤層12に特に制限はなく、ダイシング時において接着剤層13との剥離を生じずチップ飛びなどの不良を発生しない程度の保持性や、ピックアップ時において接着剤層13との剥離が容易となる特性を有するものであればよい。ダイシング後のピックアップ性を向上させるために、粘着剤層12はエネルギー線硬化性のものが好ましく、硬化後に接着剤層13との剥離が容易な材料であることが好ましい。例えば、本発明では、分子中にヨウ素価0.5~20のエネルギー線硬化性炭素-炭素二重結合を有する化合物Aに、ポリイソシアネート類、メラミンホルムアルデヒド樹脂、及びエポキシ樹脂から選択される少なくとも1種の化合物Bを付加反応させてなるポリマーを含有することが好ましい。ここで、エネルギー線とは、紫外線のような光線、又は電子線などの電離性放射線である。粘着剤層12の主成分の1つである化合物Aについて説明する。化合物Aのエネルギー線硬化性炭素-炭素二重結合の好ましい導入量はヨウ素価で0.5~20、より好ましくは0.8~10である。ヨウ素価が0.5以上であると、エネルギー線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が20以下であれば、エネルギー線照射後の粘着剤の流動性が十分で、ウエハ加工用テープ10の拡張後におけるチップの間隙を十分得ることができるため、ピックアップ時に各チップの画像認識が困難になるという問題が抑制できる。さらに、化合物Aそのものに安定性があり、製造が容易となる。上記化合物Aは、ガラス転移点が-70°C~0°Cであることが好ましく、-66°C~-28°Cであることがより好ましい。ガラス転移点が-70°C以上であれば、エネルギー線照射に伴う熱に対する耐熱性が十分であり、0°C以下であれば、表面状態が粗いウエハにおけるダイシング後の半導体チップの飛散防止効果が十分得られる。上記化合物Aはどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体とエネルギー線硬化性炭素-炭素二重結合をもつ化合物とを混合したものや、官能基をもつアクリル系共重合体または官能基をもつメタクリル系共重合体A1と、その官能基と反応し得る官能基を有し、かつ、エネルギー線硬化性炭素-炭素二重結合をもつ化合物A2とを反応させて得たものが用いられる。このうち、前記の官能基を有する化合物A1は、アクリル酸アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステルなどのエネルギー線硬化性炭素-炭素二重結合を有する単量体A1-1と、エネルギー線硬化性炭素-炭素二重結合を有し、かつ、官能基を有する単量体A1-2とを共重合させて得ることができる。単量体A1-1としては、アルキル鎖の炭素数が6~12のヘキシルアクリレート、n-オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、2-エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、またはアルキル鎖の炭素数が5以下の単量体である、ペンチルアクリレート、n-ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。単量体A1-1として、炭素数の大きな単量体を使用するほどガラス転移点は低くなるので、所望のガラス転移点のものを作製することができる。また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素-炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも単量体A1-1の総質量の5質量以下の範囲内で可能である。単量体A1-2が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、単量体A1-2の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、2-ヒドロキシアルキルアクリレート類、2-ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、N-メチロールアクリルアミド、N-メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、N-アルキルアミノエチルアクリレート類、N-アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基およびエネルギー線硬化性炭素-炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。化合物A2において、用いられる官能基としては、化合物A1、つまり単量体A1-2の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができ、アミノ基である場合には、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、エポキシ基である場合には、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができ、具体例としては、単量体A1-2の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。化合物A1と化合物A2の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価などの特性に関して、本発明で規定するものを製造することができる。上記の化合物Aの合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点60~120°Cの溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α,α′-アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物Aを得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。以上のようにして、化合物Aを得ることができるが、本発明において、化合物Aの分子量は、30万~100万程度が好ましい。30万未満では、凝集力が小さくなって、ウエハをダイシングする時に、チップのずれが生じやすくなり、画像認識が困難となることがある。このチップのずれを、極力防止するためには、分子量が、40万以上である方が好ましい。また、分子量が100万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。なお、本発明における分子量とは、ポリスチレン換算の質量平均分子量である。化合物Aが、水酸基価5~100となるOH基を有すると、エネルギー線照射後の粘着力を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、化合物Aが、酸価0.5~30となるCOOH基を有することが好ましい。ここで、化合物Aの水酸基価が低すぎると、エネルギー線照射後の粘着力の低減効果が十分でなく、高すぎると、エネルギー線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう傾向がある。次に、粘着剤層のもう1つの主成分である化合物Bについて説明する。化合物Bは、ポリイソシアネート類、メラミンホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物であり、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。この化合物Bは架橋剤として働き、化合物Aまたは基材フィルムと反応した結果できる架橋構造により、化合物AおよびBを主成分とした粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、4,4′-ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、4,4′-ジフェニルエーテルジイソシアネート、4,4′-2,2-ビス4-フェノキシフェニルプロパンジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、2,2,4-トリメチル-ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、4,4′-ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、2,4′-ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等を挙げることができ、具体的には、コロネートL日本ポリウレタン株式会社製商品名等を用いることができる。メラミンホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、ニカラックMX-45三和ケミカル株式会社製商品名、メラン日立化成工業株式会社製商品名等を用いることができる。エポキシ樹脂としては、TETRAD-X三菱化学株式会社製商品名等を用いることができる。本発明においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。Bの添加量としては、化合物A100質量部に対して0.1~10質量部、好ましくは0.4~3質量部の割合となるよう、選択することが必要である。この範囲内で選択することにより、適切な凝集力とすることができ、急激に架橋反応が進行することないので、粘着剤の配合や塗布等の作業性が良好となる。粘着剤層12には、光重合開始剤Cが含まれていることが好ましい。粘着剤層12に含まれる光重合開始剤Cに特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、4,4-ジメチルアミノベンゾフェノン、4,4-ジエチルアミノベンゾフェノン、4,4-ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、2-エチルアントラキノン、t-ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、2-クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、2,4,5-トリアリ-ルイミダゾール二量体ロフィン二量体、アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。Cの添加量としては、化合物A100質量部に対して0.1~10質量部とすることが好ましく、0.5~5質量部とすることがより好ましい。さらに本発明に用いられるエネルギー線硬化性の粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤など、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。粘着剤層12の厚さは少なくとも5μm、より好ましくは10μm以上であることが好ましい。なお、粘着剤層12は複数の層が積層された構成であってもよく、各層の組成は同一であっても、それぞれ異なっていてもよい。<接着剤層13>接着剤層13は、半導体ウエハWが貼合されダイシングされた後、チップをピックアップする際に、チップに付着した状態で粘着剤層12と剥離され、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。半導体ウエハ加工に際して、該接着剤層13は基材フィルム11に粘着剤層12を積層したウエハ加工用テープ10に予め積層されていてもよいし、それぞれ別々に半導体ウエハに貼合してもよい。接着剤は得に限定されるものではないが、ダイシングダイボンディングテープに一般的に使用されるフィルム状接着剤であれば良く、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂/フェノール樹脂/アクリル樹脂のブレンド系粘接着剤等が好ましい。接着剤層13の厚さは適宜設定してよいが、5~100μm程度が好ましい。本発明のウエハ加工用テープ10において、接着剤層13は予め接着剤層13がフィルム化されたもの以下、接着フィルムと言う。を、基材フィルム11上に直接または間接にラミネートして形成してもよい。ラミネート時の温度は10~100°Cの範囲で、0.01~10N/mの線圧をかけることが好ましい。なお、接着フィルムをセパレータ上に接着剤層13が形成されたものとし、ラミネート後にセパレータを剥離してもよく、あるいは、そのままウエハ加工用テープ10のカバーフィルムとして使用し、半導体ウエハWを貼合する際に剥離してもよい。接着フィルムは粘着剤層12の全面に積層してもよいが、予め貼合される半導体ウエハWに応じた形状に切断されたプリカットされた接着フィルムを積層してもよい。半導体ウエハWに応じた接着フィルムを積層した場合、図1に示すように、半導体ウエハWが貼合される部分には接着剤層13があり、リングフレーム20図3など参照が貼合される部分には接着剤層13がなく粘着剤層12のみが存在する。一般に、接着剤層13は被着体と剥離しにくいため、プリカットされた接着フィルムを使用することで、リングフレーム20は粘着剤層12と貼合することができ、使用後のテープ剥離時にリングフレーム20への糊残りを生じにくいという効果が得られる。<用途>ウエハ加工用テープ10の使用用途としては、少なくともエキスパンドにより接着剤層13を分断する工程を含む半導体ウエハの加工方法に使用する限り、特に限定されない。例えば、ウエハ加工用テープ10は、以下の半導体ウエハの加工方法A~Dにおいて好適に使用できる。半導体ウエハの加工方法Aでは、a回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、b前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、c70~80°Cに半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、d前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、e前記半導体ウエハの分割予定部分にレーザー光を照射して、該ウエハの内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程と、f前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記半導体ウエハと前記接着剤層とを分断ラインに沿って分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、g前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、h接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、を含む。半導体ウエハの加工方法Bでは、a回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、b前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、c70~80°Cに半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、d前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、e前記半導体ウエハの表面から切断ラインに沿ってレーザー光を照射して、個々の半導体チップに切断する工程と、f前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、g前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、h接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、を含む。半導体ウエハの加工方法Cでは、a回路パターンが形成された半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、b前記半導体ウエハ裏面を研削するバックグラインド工程と、c70~80°Cに半導体ウエハを加熱した状態で、半導体ウエハの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、d前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、eダイシングブレードを用いて前記半導体ウエハを切断ラインに沿って切削し、個々の半導体チップに切断する工程と、f前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程と、g前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、h接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、を含む。なお、上記工程eにおいては、半導体ウエハのみを切断してもよいし、半導体ウエハおよび接着剤層あるいは粘着剤層、基材フィルムの一部まで切断してもよい。接着剤層等まで切断した場合であっても、接着剤層等の切削屑によって一旦は切断した接着剤層間が再癒着するため、エキスパンドによって接着剤層を分断することがピックアップを良好に行うために有効である。半導体ウエハの加工方法Dでは、aダイシングブレードを用いて回路パタ-ンが形成された半導体ウエハを分断ライン予定ラインに沿ってウエハの厚さ未満の深さまで切削し、b前記半導体ウエハ表面に表面保護テープを貼合する工程と、c前記半導体ウエハ裏面を研削して個々の半導体チップに分断するバックグラインド工程と、d70~80°Cに半導体ウエハを加熱した状態で、前記半導体チップの裏面に前記ウエハ加工用テープの接着剤層を貼合する工程と、e前記半導体ウエハ表面から表面保護テープを剥離する工程と、f前記ウエハ加工用テープをエキスパンドすることにより、前記接着剤層を前記半導体チップ毎に分断し、前記接着剤層が付いた複数の半導体チップを得る工程とg前記ウエハ加工用テープの前記半導体チップと重ならない部分を加熱収縮させることで前記エキスパンド工程において生じた弛みを除去して該半導体チップの間隔を保持する工程と、h接着剤層が付いた前記半導体チップをウエハ加工用テープの粘着剤層からピックアップする工程と、を含む。なお、上記半導体ウエハの加工方法AからDは、基材フィルムと粘着剤層と接着剤層とを有するウエハ加工用テープを用いる場合の加工方法である。ウエハ加工用テープを基材フィルムと粘着剤層のみを有するものとした場合は、ウエハ加工用テープを半導体ウエハに貼合する工程において、半導体ウエハの裏面に接着剤層を介してウエハ加工用テープを貼合するようにする。<使用方法>本発明のウエハ加工用テープ10を上記半導体ウエハの加工方法Aに適用した場合の、テープの使用方法について、図2~図12を参照しながら説明する。まず、図2に示すように、回路パターンが形成された半導体ウエハWの表面に、紫外線硬化性成分からなる表面保護テープ14を貼合し、半導体ウエハWの裏面を研削するバックグラインド工程を実施する。バックグラインド工程の終了後、図3に示すように、ウエハマウンターのヒーターテーブル25上に半導体ウエハWの表面側を下にして半導体ウエハWを載置し、その後半導体ウエハWの裏面にウエハ加工用テープ10を貼合する。ここで使用するウエハ加工用テープ10は、貼合する半導体ウエハWに応じた形状に予め切断されたプリカットされた接着フィルムを積層したものであり、半導体ウエハWと貼合する面においては、接着剤層13が露出した領域の周囲に粘着剤層12が露出した領域が設けられている。このウエハ加工用テープ10の接着剤層13が露出した部分と半導体ウエハWの裏面を貼り合わせるとともに、接着剤層13の周囲の粘着剤層12が露出した部分とリングフレーム20を貼り合わせる。このとき、ヒーターテーブル25は70~80°Cに設定されており、これにより加熱貼合が実施される。次に、ウエハ加工用テープ10が貼合された半導体ウエハWをヒーターテーブル25上から搬出し、図4に示すように、ウエハ加工用テープ10側を下にしてウエハ吸着テーブル26上へ載置する。その後、吸着テーブル26に吸着固定された半導体ウエハWの上方から、例えば紫外線光源27を用いて1000mJ/cm2の紫外線を表面保護テープ14の基材面側に照射し、表面保護テープ14の半導体ウエハWに対する接着力を低下させ、半導体ウエハWの表面から表面保護テープ14を剥離する。次に、図5に示すように、半導体ウエハWの分割予定部分にレーザー光を照射して、半導体ウエハWの内部に多光子吸収による改質領域30を形成する。改質領域30の形成後の状態を平面視すると、図6aに示すように、半導体ウエハWには改質領域30が格子状に形成されている。その後、図6bに示すように、半導体ウエハWおよび接着剤層13の外側に1対のエキスパンド用のクリップ部材50を配置する。図7に示すように、クリップ部材50はウエハ加工用テープ10を上下で挟持しうる構造を有している。ここでは、半導体ウエハWおよび接着剤層13の外側で基材フィルム11および粘着剤層12ダイシングテープを挟持する。図6bに示すように、クリップ部材50の先端部52は半導体ウエハWなどの外形に対応して円弧状を呈している。その後、ウエハ加工用テープ10のダイシングテープをクリップ部材50により挟持した状態で、図6cに示すように、クリップ部材50を横方向Aに移動させ、ウエハ加工用テープ10をエキスパンドする。すなわち、半導体ウエハWの改質領域30のうち縦の改質領域に対し、これに直交する横方向Aに沿ってウエハ加工用テープ10をエキスパンドする。その結果、半導体ウエハWが横方向に引き伸ばされ、改質領域30を起点または境界として縦に分断される。この場合、接着剤層13は、半導体ウエハWの裏面に接着している部分ではエキスパンドによる伸び変形が抑制されて破断は起こらないが、半導体ウエハWの縦の分断箇所では、ウエハ加工用テープ10のエキスパンドによる張力が集中して破断する。したがって、結果的に、半導体ウエハWとともに接着剤層13も分断される。これにより、接着剤層13が付いた複数の半導体チップCを得ることができる。次に、エキスパンド工程において発生したウエハ加工用テープ10の弛みを除去して半導体チップCの間隔を安定に保持する工程を行う。この工程では、例えば、図6d,図8に示すように、ウエハ加工用テープ10における半導体チップCが存在する領域とリングフレーム20との間の円環状の領域28に対し、温風ノズル29を用いて50~90°Cの温風を当てて基材フィルム11を加熱収縮させ、ウエハ加工用テープ10を緊張させる。エキスパンド後のウエハ加工用テープ10の弛みが許容範囲内であれば、領域28に熱風を当てて基材フィルム11を収縮させるような処理はしなくてもよい。その後、図6eに示すように、クリップ部材50の配置を90°回転させ、ダイシングテープをクリップ部材50で挟持し、図6fに示すように、ウエハ加工用テープ10を同図中の縦方向Bにエキスパンドする。すなわち、ここでも、半導体ウエハWの改質領域30のうち横の改質領域に対し、これに直交する縦方向Bに沿ってウエハ加工用テープ10をエキスパンドする。その結果、すでに縦に分断されていた半導体ウエハWが改質領域30を起点または境界として横にも分断され、それに伴って接着剤層13も横に分断される。これにより、接着剤層13が付いた所定サイズの複数の半導体チップCを完全な形態で得ることができる。その後、図6d,図8を用いて説明したのと同様に、領域28に温風を当てて、エキスパンド工程において発生したウエハ加工用テープ10の弛みを除去して半導体チップCの間隔を安定に保持する。この場合も、エキスパンド後のウエハ加工用テープ10の弛みが許容範囲内であれば、領域28に熱風を当てて基材フィルム11を収縮させるような処理はしなくてもよい。図6c,図6fのエキスパンド工程によれば、半導体ウエハWを縦に分断する場合にはウエハ加工用テープ10を横方向Aにエキスパンドし、逆に、半導体ウエハWを横に分断する場合にはウエハ加工用テープ10を縦方向Bにエキスパンドしており、半導体ウエハWを分断しようとする方向に対し、常にこれと直交する方向にウエハ加工用テープ10をエキスパンドしている。そのため、半導体ウエハWを分断しようとする部分に直接的に引っ張り力が集中し、温度管理しなくても25°C程度の室温でも、接着剤層13を、半導体ウエハWの分断位置に対応する所望の位置で、容易に分断することができる。エキスパンド工程では、図6c,図6fに示すように、ウエハ加工用テープ10を横方向Aと縦方向Bとの2回にわたりエキスパンドしている。本実施形態では、これに代えて、図9に示すように、半導体ウエハWの外側に2対のクリップ部材50を設けてウエハ加工用テープ10を横方向Aと縦方向Bとに同時にエキスパンドし、エキスパンド工程の処理を1回で終了させてもよい。さらに、エキスパンド工程では、図6a~図6fに示すように、環状のリングフレーム20でウエハ加工用テープ10を固定しエキスパンドしている。本実施形態では、これに代えて、図10に示すように、互いに分離可能な4本の部材からなるフレーム60でウエハ加工用テープ10を固定しエキスパンドしてもよい。この場合、フレーム60自体をクリップ部材50で挟持し、図11に示すように、ウエハ加工用テープ10をエキスパンドすればよく、横方向Aと縦方向Bとで2回に分けてエキスパンドしてもよいし、まとめて1回で横方向Aと縦方向Bとに同時にエキスパンドしてもよい。なお、図6~図11を用いて説明した当該エキスパンド工程の処理は、上記半導体ウエハの加工方法Aに限らず、上記半導体ウエハの加工方法B~Dにおいても適用することができる。その後、粘着剤層12にエネルギー線硬化処理又は熱硬化処理等を施し、粘着剤層12の接着剤層13に対する粘着力を弱める。その後、最終的に、図12に示すように、ウエハ加工用テープ10を基材フィルム11の背面半導体ウエハWを貼合しない面から突き上げ部材22で突き上げた状態で、半導体チップCを突き上げピン41により突き上げて吸着コレット42で吸着し、半導体チップCをピックアップする。上記のような半導体ウエハの加工方法において、熱可塑性架橋樹脂よりなる基材フィルム11は、エキスパンド時に施された引張に対する復元力が大きく、且つビカット軟化点も低い為、加熱によって容易に収縮する。したがって、接着剤層13を分断するエキスパンド工程後のウエハ加工用テープ10に生じた弛みを加熱収縮によって除去してテープを緊張させる工程に好適に適用できる。1サンプルの作製1.1サンプルA下記配合のシート状接着剤組成物Aにメチルエチルケトンを加えて攪拌混合して接着剤ワニスを作製した。作製したシート状接着剤組成物Aの接着剤ワニスを離型フィルム上に、乾燥後の厚さがそれぞれ20μm,50μmになるように塗工し、110°Cでそれぞれ180秒、270秒間乾燥させ、それぞれシート状接着剤サンプルAを作製した。[シート状接着剤組成物A]エポキシ樹脂1...50質量部フェノール樹脂...50質量部硬化促進剤...0.4質量部アクリル樹脂...40質量部シリカフィラー...140質量部シート状接着剤組成物Aの上記配合において、エポキシ樹脂1は、EP-49-23株ADEKA製商品名、キレート変性ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキシ当量175g/eqである。フェノール樹脂は、ミレックスXLC-LL三井化学株製商品名、水酸基当量175g/eq、吸水率1.8、350°Cにおける加熱重量減少率4である。硬化促進剤は、キュアゾール2PZ四国化成株製商品名、2-フェニルイミダゾールである。アクリル樹脂は、SG-P3ナガセケムテックス株製商品名、重量平均分子量85万、ガラス転移温度10°Cである。シリカフィラーは、S0-C2ドマファイン株製商品名、比重2.2g/cm3、モース硬度7、平均粒径0.5μm、比表面積6.0m2/gである。1.2サンプルB下記配合のシート状接着剤組成物Bにメチルエチルケトンを加えて攪拌混合して接着剤ワニスを作製した。作製したシート状接着剤組成物Bの接着剤ワニスを離型フィルム上に、乾燥後の厚さが20μmになるように塗工し、110°Cで3分間乾燥させ、それぞれシート状接着剤サンプルBを作製した。[シート状接着剤組成物B]エポキシ樹脂1...50質量部フェノール樹脂...50質量部硬化促進剤...0.4質量部アクリル樹脂...200質量部シート状接着剤組成物Bの上記配合において、エポキシ樹脂1は、EP-49-23株ADEKA製商品名、キレート変性ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキシ当量175g/eqである。フェノール樹脂は、ミレックスXLC-LL三井化学株製商品名、水酸基当量175g/eq、吸水率1.8、350°Cにおける加熱重量減少率4である。硬化促進剤は、キュアゾール2PZ四国化成株製商品名、2-フェニルイミダゾールである。アクリル樹脂は、SG-708-6ナガセケムテックス株製商品名、重量平均分子量70万、ガラス転移温度6°Cである。シランカップリング剤は、Z-6044東レダウコーニング株製商品名、3-グリシドキシプロピルメチルメトキシシランである。2サンプルの特性評価2.1分断の観察シート状接着剤A,Bから離型フィルムを剥離し、粘着テープの粘着剤層上にシート状接着剤A,Bを貼合し、ウエハ加工用テープダイシングダイボンドテープを作製した。その後、ダイシングダイボンドテープに対し、厚さ20μmまたは50μmのシリコンウエハを65°C×20秒で加熱貼合した。その後、シリコンウエハに対し、ブレードダイシング表1参照またはステルスダイシング表2参照による処理を施した。ブレードダイシングの場合は、ダイシング装置ディスコ社製、商品名:DFD6340を使用し40000rpm、カットスピード30mmsecで10mm×15mmに格子状にダイシングした。ステルスダイシングの場合は、レーザー加工装置株式会社東京精密製ML200RMEを用いてシリコンウエハの内部に集光点を合わせ、切断予定ラインに沿ってシリコンウエハの表面側からレーザー光を照射し、シリコンウエハの内部に格子状の改質領域を形成した。その後、表1,表2に記載の分断方法や分断条件にしたがい、ダイシングダイボンドテープを引き伸ばして接着剤層を分断し、その分断結果を顕微鏡により観察した。ここでは、シリコンウエハを20分割し、接着剤層の分断結果を観察した。観察結果を表1,表2に示す。2.2ピックアップ試験シート状接着剤A,Bから離型フィルムを剥離し、粘着テープの粘着剤層上にシート状接着剤A,Bを貼合し、ウエハ加工用テープダイシングダイボンドテープを作製した。その後、ダイシングダイボンドテープに対し、厚さ20μmまたは50μmのシリコンウエハを65°C×20秒で加熱貼合した。その後、シリコンウエハと接着剤層とを、ブレードダイシング表3参照によりダイシングした。ブレードダイシングの工程では、ダイシング装置ディスコ社製、商品名:DFD6340を使用し40000rpm、カットスピード30mmsecで10mm×15mmに格子状にダイシングした。その後、ダイシングダイボンドテープの粘着剤層に紫外線をメタルハライドランプ30mW/cm2により200mJ/cm2照射した。その後、表3に記載の分断方法や分断条件にしたがい、ダイシングダイボンドテープを引き伸ばしエキスパンドを行い、シリコンウエハ中央部のチップ20個についてダイボンダー装置キャノンマシナリー製、商品名:CAP-300によるピックアップ試験を行い、ピックアップチップ個数でのピックアップ成功率を算出した。ここでは、ピックアップされた素子に、粘着剤層から剥離した接着剤層が保持されているものを、ピックアップが成功したものとした。算出結果を表3に示す。3まとめ表1~表2に示すとおり、ブレードダイシングによる場合もステルスダイシングによる場合も、ダイシングダイボンドテープを横方向,縦方向にエキスパンドすると、常温25°Cの環境でも接着剤層を容易に分断することができた。表3に示すとおり、ダイシングダイボンドテープを横方向,縦方向にエキスパンドすると、半導体チップのピックアップ性を向上させることができた。以上から、接着剤層を分断したり、半導体チップのピックアップ性を向上させたりするうえでは、ダイシングダイボンドテープを横方向,縦方向にエキスパンドするのが有用であることがわかる。"