次式IIここで、R1は-OC2H4nまたは-OC2H2NHC2H2mであり、R2は水素またはメチル基であり、nおよびmは各々独立に1~20の整数である、によって表される親水性モノマー。請求項1に記載の親水性モノマーを含む親水性フォトレジスト組成物。次式IIIIここで、R3は-COCH2p-、-COC2H4OqCH2-、または-CxH2x-からなる群から選択され、R4は-CyH2yCOOH-、-CzH2zOH-、-CH2=CHCOOCH2CH2-からなる群から選択され、pおよびqは各々独立に1~20の整数であり、xは1~5の整数であり、yは1~20の整数であり、zは1~6の整数である、によって表される親水性樹脂をさらに含む請求項2に記載の親水性フォトレジスト組成物。光開始剤、添加剤および溶媒をさらに含み、ここで、前記添加剤が露光プロセスにおける親水性フォトレジスト組成物の光化学特性を調整するために用いられる、請求項3に記載の親水性フォトレジスト組成物。前記親水性樹脂が15~25重量パーセントであり、前記親水性モノマーが10~20重量パーセントであり、前記光開始剤が0.5~3重量パーセントであり、前記添加剤が2~3重量パーセントであり、前記溶媒が55~75重量パーセントである、請求項4に記載の親水性フォトレジスト組成物。前記光開始剤が2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルフォリノフェニルブタノンを含み、前記添加剤がメガファックR-08を含み、前記溶媒がプロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAの混合物を含む、請求項5に記載の親水性フォトレジスト組成物。親水性樹脂が17重量パーセントであり、前記親水性モノマーが16重量パーセントであり、前記光開始剤が2.2重量パーセントであり、前記添加剤が2重量パーセントであり、前記溶媒が62.8重量パーセントである、請求項6に記載の親水性フォトレジスト組成物。請求項3~10に記載の親水性フォトレジスト組成物を基板表面にコーティングしてフォトレジスト層を形成させる工程、前記フォトレジスト層を一次焼成する工程、前記フォトレジスト層を入射照射光に露光させる工程、前記フォトレジスト層を純水で現像する工程、および前記フォトレジスト層を二次焼成する工程を含むレジストパターン形成方法。前記親水性フォトレジスト組成物を基板表面にコーティングする工程が、400~1000rpmでのスピンコーティングである、請求項8に記載のレジストパターン形成方法。前記一次焼成する工程が90°C~120°Cの温度で行なわれ、前記二次焼成する工程が230°Cで30分間行なわれ、前記フォトレジスト層を露光させる工程が50mJ~200mJの入射照射で行なわれる、請求項9に記載のレジストパターン形成方法。前記フォトレジスト層を一次焼成する工程の前に真空乾燥させる工程をさらに含み、ここで、前記真空乾燥させる工程が2torr圧で促進される、請求項9に記載のレジストパターン形成方法。これらに関連して、本発明は、フォトレジストに好適な親水性モノマーに関する。本発明の親水性モノマーは、親水性基を含有し、以下に示す式ここで、R1は-OC2H4nまたは-OC2H2NHC2H2mであり、nおよびmは各々独立に1~20の整数であり、R2は水素またはメチル基である、によって表される。本発明の1つの目的は、フォトレジストに好適な親水性樹脂を提供することである。本発明の親水性樹脂は、親水性基を含有し、以下に示す式ここで、R3は-COCH2p-、-COC2H4OqCH2-、または-CxH2x-からなる群から選択され、pおよびqは各々独立に1~20の整数であり、xは1~5の整数であり、R4は-CyH2yCOOH-、-CzH2zOH-、-CH2=CHCOOCH2CH2-からなる群から選択され、yは1~20の整数であり、zは1~6の整数である、によって表される。本発明の別の目的は、親水性モノマーと親水性樹脂とを含む親水性フォトレジスト組成物を提供することである。親水性モノマーと親水性樹脂であるため、露光プロセスにおいて、純水中での露光されたフォトレジスト部分の溶解速度は、露光されていないフォトレジスト部分の溶解速度とは非常に異なっている。純水は、現像プロセスの目的のために、より溶解しやすいフォトレジストを洗い流すことができる。これはまた、プロセスの費用の高さや環境に有害なアルカリ現像液の使用などの、従来技術に備わる欠陥を克服する。本発明の他の目的は、露光フォトレジスト層を純水で現像する工程を含む親水性フォトレジストのレジストパターン形成方法を提供することである。本発明のレジストパターン形成方法によって、アルカリ現像液の使用による環境危害という欠陥が克服され、アルカリ現像液の使用にかかる高い費用が不必要となり、リソグラフィプロセスの効率が高まる。本発明は、次式IIここで、R1は-OC2H4nまたは-OC2H2NHC2H2mであり、nおよびmは各々独立に1~20の整数であり、R2は水素またはメチル基である、によって表される親水性モノマーを開示する。本発明の一実施形態では、nは1~15の整数であり、mは1~17の整数である。好ましい一実施形態では、nは1~10の整数であり、mは3~15の整数である。本発明の親水性モノマーはフォトレジストに好適であり、また、純水H2Oと反応して、純水中で親水性モノマーを溶解させることができる親水性基を含有している。本発明は、次式IIIIここで、R3は-COCH2p-、-COC2H4OqCH2-、または-CxH2x-からなる群から選択され、pおよびqは各々独立に1~20の整数であり、xは1~5の整数であり、R4は-CyH2yCOOH-、-CzH2zOH-、-CH2=CHCOOCH2CH2-からなる群から選択され、yは1~20の整数であり、zは1~6の整数である、によって表される親水性樹脂を開示する。本発明の一実施形態では、pは1~15の整数であり、qは2~17の整数であり、xは1~5の整数であり、yは1~15の整数であり、zは1~6の整数である。好ましい一実施形態では、pは1~10の整数であり、qは2~15の整数であり、xは1~5の整数であり、yは1~10の整数であり、zは1~6の整数である。本発明の親水性樹脂はフォトレジストに有用である。親水性樹脂は、純水H2Oと反応して、純水中で親水性樹脂を溶解させることができる親水性基を含有している。本発明は、親水性モノマーを含む親水性フォトレジスト組成物を開示する。本発明の一実施形態では、親水性フォトレジスト組成物は、上記の式Iの親水性モノマーと式IIの親水性樹脂とを含む。親水性フォトレジスト組成物は、光開始剤、添加剤および溶媒をさらに含み、ここで、この光開始剤は、光源からの特定の波長の入射照射光を吸収してフリーラジカルを発生させ、重合を促進することにより高分子量のポリマーを形成させるために用いられる。上記のプロセス、いわゆる光重合は、光照射によって重合を促進することである。添加剤は、最適なパターン解像度を達成する目的で、露光プロセスにおけるフォトレジスト組成物の光化学的特性、例えば、接着、安定性および収縮性を調整するために用いられる。溶媒は、フォトレジストの物質を均一に混合して、フォトレジストの粘度を減らすために用いられる。溶媒により、フォトレジストコーティングの厚みと滑らかさを調整することができ、フォトレジストと基板の間の接着を改善することができ、フォトレジストコーティングの均一性が高められる。一実施形態では、本発明の親水性フォトレジスト組成物中の光開始剤は、限定するものではないが、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルフォリノフェニルブタノンいわゆる、BDMB、イルガキュア369、またはI-369を含み、添加剤は、限定するものではないが、メガファックR-08を含み、溶媒は、限定するものではないが、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAの混合物を含む。本発明の親水性フォトレジスト組成物によって促進される光重合は、模式的に以下のように表される。ここで、R-Rは、限定するものではないが、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルフォリノフェニルブタノンいわゆるBDMB;イルガキュア369、およびI-369を含む、光開始剤を表す。この時点で、光重合していない親水性モノマーおよび樹脂は、モノマーおよび樹脂に含まれる親水性基のために、現像プロセスにおいて純水に溶解し、除去される。本発明の親水性フォトレジスト組成物の調製において、組成物の成分の割合は、フォトレジスト組成物の総重量パーセントに基づく。フォトレジスト組成物は、計量された成分を混合することにより調製される。一実施形態では、親水性フォトレジスト組成物中の式Iの親水性モノマーの濃度は約10~20重量パーセント、好ましくは16重量パーセントであり、式IIの親水性樹脂の濃度は約15~25重量パーセント、好ましくは17重量パーセントである。光開始剤の濃度は約0.5~3重量パーセントであり、添加剤の濃度は約2~3重量パーセントであり、溶媒の濃度は約55~75重量パーセントである。好ましい一実施形態では、光開始剤は、好ましくは2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-4-モルフォリノフェニルブタノンいわゆるBDMB、イルガキュア369、またはI-369を含み、かつ2.2重量パーセントであり、添加剤は、好ましくはフルオロアクリレートエステルコポリマーであるメガファックR-08大日本インキ化学工業株式会社の製品を含み、かつ好ましくは2重量パーセントであり、溶媒は、好ましくはプロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセタートPGMEAの混合物を含み、かつ62.8重量パーセントである。本発明の親水性フォトレジスト組成物は、当該技術分野で公知の様々な方法により塗布される。親水性フォトレジスト組成物を基板にコーティングする方法には、スピンコーティング、ディップコーティング、ロールコーティングまたは当該技術分野で公知の任意の他のコーティング方法が含まれる。スピンコーティング法を用いる場合、フォトレジスト組成物中の固形物質の濃度を適切に調整して、使用するスピンコーティング装置、フォトレジスト組成物の粘度、スピンコーティング装置の回転速度、およびスピン時間によって、所望の厚さのフォトレジスト層を形成させることができる。本発明は、基板表面に親水性フォトレジスト組成物をスピンコーティングしてフォトレジスト層を形成させる工程、フォトレジスト層を乾燥させる工程、フォトレジスト層を一次焼成する工程、フォトレジスト層をフォトマスクを通して入射照射光に露光させる工程、フォトレジスト層を純水で現像する工程、およびフォトレジスト層を二次焼成する工程を含むレジストパターン形成方法を開示する。本発明の親水性フォトレジスト組成物は、ディスプレイのパネル基板、マイクロプロセッサ、およびシリコンウエハまたは集積回路素子に二酸化ケイ素SiO2層が用いられるシリコンウエハなどの当該技術分野で公知の様々な基板にコーティングするのに好適である。アルミニウム/酸化アルミニウム、ヒ化ガリウムGaAs、セラミック、石英、銅またはガラスでできた基板に塗布されるのにも好適である。一実施形態では、本発明によるレジストパターン形成方法において、親水性フォトレジスト組成物をスピンコーティングする工程は、400~1000rpmで行なわれ、真空乾燥させる工程は約2torr圧で行なわれる。本発明のレジストパターン形成方法は、一次焼成が90°C~120°Cの温度で行なわれ、二次焼成が230°Cで30分間行なわれる実施形態を提供する。別の実施形態では、レジストパターン形成方法は、フォトレジスト層を50mJ~200mJの入射照射で露光させ、このフォトレジスト層を15~45秒間現像する工程を含む。図1を参照されたい。この図は、上記の本発明の方法で得られ、光学顕微鏡で観察されるフォトレジストパターンを示している。従来の方法とは対照的に、本発明に開示されるレジストパターン形成方法は、解像度がより高いフォトレジストパターンを提供し、また、純水でフォトレジスト層を現像する工程も提供する。本発明は、アルカリ現像液の使用による環境危害とアルカリ現像液の使用による費用の高さという欠点を克服する。結果として、リソグラフィプロセスの効率を高めることができる。上記の記載では、説明目的で、本発明の構造およびプロセスの十分な理解を提供するために、数々の具体的詳細が示されている。当業者であれば、本発明の範囲が記載された好ましい実施形態に限定されないことを容易に理解するであろう。本発明の範囲は、明示的に、添付の特許請求の範囲に明記されるものとして限定されないが、添付の特許請求の範囲に明記されるものと考えられる。以下の特許請求の範囲で定義されるような本発明の精神および範囲内で、様々な変更および修正を行なうことができる。それゆえ、本発明は、他の実施形態に広く適用することができる。