"インライン方式により基板に対してXが第IB族元素、Yが第IIIB族元素、Zが第VIB族元素であるXYZ2化合物薄膜を形成させる製膜装置の薄膜組成比検査方法であって、基板上に第IIIB族元素、第VIB族元素を蒸着し、薄膜を形成する第1工程と、この第1工程で形成された薄膜に第IB族元素、第VIB族元素を蒸着し、XYZ2の化学量論的組成比に対して第IB族元素が過剰である組成の薄膜を形成する第2工程と、この第2工程で形成された薄膜に第IIIB族元素、第VIB族元素を蒸着し、第IIIB族元素がXYZ2の化学量論的組成比に対して過剰である組成の薄膜を形成する第3工程とを有し、前記第2工程の製膜ゾーンにある基板へ光照射し、該光照射の散乱光の強度を検出し、該散乱光の強度変化に基づいて、前記第3工程を終了した基板におけるXYZ2の組成比を算出することを特徴とする薄膜組成比検査方法。前記第IB族元素はCuであり、前記第IIIB族元素はIn,Gaであり、第VIB族元素はSeであることを特徴とする請求項1に記載の薄膜組成比検査方法。前記第2工程の製膜ゾーンの位置と前記散乱光の強度の関数を作成し、この関数の2階の導関数に基づいて前記関数の変曲点を算出し、該変曲点の位置を前記基板におけるXYZ2の組成比が化学量論的組成比となる位置とし、該変曲点の位置に基づいて前記第3工程を終了した基板におけるXYZ2の組成比を算出することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の薄膜組成比検査方法。前記第2工程の製膜ゾーンの位置と前記散乱光の強度の関数を作成し、この関数の3階の導関数に基づいて前記関数の変曲点を算出し、該変曲点の位置を前記基板におけるXYZ2の組成比が化学量論的組成比となる位置とし、該変曲点の位置に基づいて前記第3工程を終了した基板におけるXYZ2の組成比を算出することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の薄膜組成比検査方法。インライン方式により基板に対してXが第IB族元素、Yが第IIIB族元素、Zが第VIB族元素であるXYZ2化合物薄膜を形成させる製膜装置であって、基板上に第IIIB族元素、第VIB族元素を蒸着し、薄膜を形成する第1工程の製膜ゾーンと、この第1工程の製膜ゾーンで形成された薄膜に第IB族元素、第VIB族元素を蒸着し、XYZ2の化学量論的組成比に対して第IB族元素が過剰である組成の薄膜を形成する第2工程の製膜ゾーンと、この第2工程の製膜ゾーンで形成された薄膜に第IIIB族元素、第VIB族元素を蒸着し、第IIIB族元素がXYZ2の化学量論的組成比に対して過剰である組成の薄膜を形成する第3工程の製膜ゾーンと、前記第2工程の製膜ゾーンにある基板へ光照射し、該光照射の散乱光の強度を検出し、該散乱光の強度変化に基づいて、前記基板に形成されたXYZ2化合物薄膜が化学量論的組成比となる位置を検出する位置検出手段と、前記位置検出手段により検出された位置に基づいて、前記第3工程を終了した基板におけるXYZ2化合物薄膜の組成比を算出する組成比算出手段とを備えたことを特徴とする製膜装置。CIGS薄膜の組成制御は太陽電池の特性に直接関係するため非常に重要な開発要素である。基板が移動しないバッチタイプの装置であればその制御は比較的容易に行うことが可能であるが、バッチタイプの装置はCIGS薄膜の大量生産に向かないという課題がある。一方、インライン装置のような基板が移動する装置システムでの製膜の組成制御特許文献3は非常に困難である。すなわち、インライン蒸着装置でCIGS薄膜を製膜する場合、製膜数の増加につれて蒸着源の金属量が減少する等、装置内での背圧が変化する。これに伴い、CIGS薄膜の組成は微妙に変化し、CIGS系太陽電池の特性に影響を及ぼす。そこで、定期的にCIGS薄膜の組成第IB族元素Cu/第IIIB族元素Ga,In比を調べて、その数値が規定の組成範囲に収まっているかどうかを検査する必要がある。現在では、製膜後のCIGS薄膜の組成をEPMA等の分析装置等で分析しているが、製膜中In-situに、製膜後のCIGS薄膜の組成がわかるシステムは確立されていない。そこで、前記課題を解決するための薄膜組成比検査方法は、インライン方式により基板に対してXが第IB族元素、Yが第IIIB族元素、Zが第VIB族元素であるXYZ2化合物薄膜を形成させる製膜装置の薄膜組成比検査方法であって、基板上に第IIIB族元素、第VIB族元素を蒸着し、薄膜を形成する第1工程と、この第1工程で形成された薄膜に第IB族元素、第VIB族元素を蒸着し、XYZ2の化学量論的組成比に対して第IB族元素が過剰である組成の薄膜を形成する第2工程と、この第2工程で形成された薄膜に第IIIB族元素、第VIB族元素を蒸着し、第IIIB族元素がXYZ2の化学量論的組成比に対して過剰である組成の薄膜を形成する第3工程とを有し、前記第2工程の製膜ゾーンにある基板へ光照射し、該光照射の散乱光の強度を検出し、該散乱光の強度変化に基づいて、前記第3工程を終了した基板におけるXYZ2の組成比を算出することを特徴としている。また、上記薄膜組成検査方法において、前記第IB族元素はCuであり、前記第IIIB族元素はIn,Gaであり、第VIB族元素はSeである様態が挙げられる。また、上記薄膜組成検査方法において、前記第2工程の製膜ゾーンの位置と前記散乱光の強度の関数を作成し、この関数の2階の導関数に基づいて前記関数の変曲点を算出し、該変曲点の位置を前記基板におけるXYZ2の組成比が化学量論的組成比となる位置とし、該変曲点の位置に基づいて前記第3工程を終了した基板におけるXYZ2の組成比を算出するとよい。また、上記薄膜組成検査方法において、前記第2工程の製膜ゾーンの位置と前記散乱光の強度の関数を作成し、この関数の3階の導関数に基づいて前記関数の変曲点を算出し、該変曲点の位置を前記基板におけるXYZ2の組成比が化学量論的組成比となる位置とし、該変曲点の位置に基づいて前記第3工程を終了した基板におけるXYZ2の組成比を算出してもよい。また、上記課題を解決するための製膜装置は、インライン方式により基板に対してXが第IB族元素、Yが第IIIB族元素、Zが第VIB族元素であるXYZ2化合物薄膜を形成させる製膜装置であって、基板上に第IIIB族元素、第VIB族元素を蒸着し、薄膜を形成する第1工程の製膜ゾーンと、この第1工程の製膜ゾーンで形成された薄膜に第IB族元素、第VIB族元素を蒸着し、XYZ2の化学量論的組成比に対して第IB族元素が過剰である組成の薄膜を形成する第2工程の製膜ゾーンと、この第2工程の製膜ゾーンで形成された薄膜に第IIIB族元素、第VIB族元素を蒸着し、第IIIB族元素がXYZ2の化学量論的組成比に対して過剰である組成の薄膜を形成する第3工程の製膜ゾーンと、前記第2工程の製膜ゾーンにある基板へ光照射し、該光照射の散乱光の強度を検出し、該散乱光の強度変化に基づいて、前記基板に形成されたXYZ2化合物薄膜が化学量論的組成比となる位置を検出する位置検出手段と、前記位置検出手段により検出された位置に基づいて、前記第3工程を終了した基板におけるXYZ2化合物薄膜の組成比を算出する組成比算出手段とを備えたことを特徴としている。以上の発明によれば、基板が移動する製膜装置において、当該基板上に蒸着される化合物の組成を製膜中に把握することに貢献することができる。図1に示された本発明の実施形態に係る製膜装置1は、3段階法の第1段階と第3段階の第IIIB族元素In,Ga、第VIB族元素Seの蒸着条件セル温度、製膜ゾーンの幅、基板加熱温度、基板搬送速度等及び、第2段階の第IB族元素Cu、第VIB族元素Seの蒸着条件を固定して基板2にCIGS薄膜を形成し、第2段階で製膜されたCIGS膜の第IB族元素CuとIIIB族元素IN,Gaの組成比がCuIn,GaSe2の化学量論的組成比第IB族元素Cu/IIIB族元素IN,Ga=1となる位置を検出し、該検出結果に基づいて、第3段階終了後のCIGS薄膜の組成比の検査を行うものである。製膜装置1は真空下で基板2が供されるインライン式の反応室3を含む。基板2の供給ラインにはLLロードロック室4、ゲートバルブ5、予備加熱室6、ゲートバルブ7が順次配置されている。基板2の搬出ラインにもゲートバルブ8、LL室9が順次配置されている。反応室3内には基板2を水平搬送させる搬送路10に沿って第1段階の製膜ゾーン11、第2段階の製膜ゾーン12、第3段階の製膜ゾーン13が上流側から下流側にかけて順次形成されている。第1段階の製膜ゾーン11第1工程では、搬送路10内を移動する基板2に対して第IIIB族元素、第VIB族元素を蒸着してこれらの元素成分からなる薄膜を形成する。第IIIB族元素であるGa、Inはそれぞれ蒸着源14a、15aから供給される。第VIB族元素であるSeは蒸着源16aから供給される。蒸着源14a~16aには元素材料を蒸発させるセル坩堝の開口部を開閉させるセルシャッター141a~161aが具備されている。蒸着源14a~16aから供された各元素成分は開口部17を介して搬送路10内に導入される。第IIIB族元素In,Gaの蒸着量は第1段階と第3段階の合計であるため第3段階が終了後の第IB族元素Cuと第IIIB族元素In,Gaの組成比第IB族元素/第IIIB族元素は第2段階の製膜条件に依存する。第2段階の製膜ゾーン12第2工程では、Cu第IB族元素、Se第VIB族元素が蒸着される。第IB族元素Cuと第IIIB族元素Ga,Inが化学量論的組成比Cu/Ga,In=1となる点は、粒径の変化によって光散乱特性が変化することを利用して検出することができる。第2段階の製膜ゾーン12では、製膜ゾーン11で形成された薄膜に対して第IB族元素Cu、第VIB族元素Seを蒸着し、XYZ2ただし、Xが第IB族元素Cu、Yが第IIIB族In,Ga、Zが第VIB族元素Seであるの化学量論的組成比に対して第IB族元素が過剰である組成の薄膜を形成する。第IB族元素であるCuは蒸着源18aから供給される。第VIB族元素であるSeは蒸着源19aから供給される。蒸着源18a,19aは製膜ゾーン12に係る。蒸着源14a~16aと同様に蒸着源18a,19aには元素材料を蒸発させるセル坩堝の開口部を開閉させるセルシャッター181a,191aが具備されている。蒸着源18a,19aから供された各元素成分は開口部20を介して搬送路10内に導入される。第3段階の製膜ゾーン13第3工程では、製膜ゾーン12で形成された薄膜に第IIIB族元素、第VIB族元素を蒸着し、第IIIB族元素が化学量論的組成比に対して過剰である組成の薄膜を形成する。第IIIB族元素であるGa、Inはそれぞれ蒸着源14b、15bから供給される。第VIB族元素であるSeは蒸着源16bから供給される。蒸着源14a~16aと同様に蒸着源14b~16bには元素材料を蒸発させるセル坩堝の開口部を開閉させるセルシャッター141b~161bが具備されている。蒸着源14b~16bから供された各元素成分は開口部21を介して搬送路10内に導入される。搬送路10内には基板2の搬送手段として図示省略の基板ホルダーが具備されている。また、搬送路10の製膜ゾーン11~13に対応した開口部17,20,21はメインシャッター22~24によって開閉自在となっている。さらに、搬送路10内には路内の雰囲気を加熱するための加熱手段としてヒータ25が基板2の搬送方向に沿って複数配置されている。製膜装置1の外部には図2に例示された位置検出装置26と組成比算出手段27とが具備される。位置検出装置26は製膜ゾーン12にある基板2上に形成されたXYZ2薄膜化合物の組成比が化学量論的組成比となる位置化学量論点を検出する。位置検出装置26は光源30とカメラ31と位置検出手段32とを備える。光源30は照射光が第2段階の製膜ゾーン12全体に当たるように設置される。光源30としては、例えば、赤色レーザー、緑色レーザー、青色レーザー、LED、蒸着源18a,19aのセルからの輻射光外部から光源を与えない等が挙げられる。光源30はその他上記の代替となるものであればかまわない。カメラ31は第2段階の製膜ゾーン12全体が写るように設置される。位置検出手段32はカメラ31によって得た画像からRGBのいずれかの色を抽出してラインプロファイルを実施する。光源30の光照射による基板2から散乱した光の強度の変化を算出する。そして、位置検出手段32はこの算出した光強度の変化に基づき製膜ゾーン12における基板2上のXYZ2薄膜の組成比が化学量論的組成比となる位置化学量論点を算出する。位置検出手段32は前記プロファイル機能のプログラム及び前記位置の算出を実行する位置計算プログラムをコンピュータ等の電子計算機にインストールすれば実現する。前記計算プログラムは後述の図3に例示された第2段階の製膜ゾーン12の左端最上流からの距離と製膜ゾーン12にある基板2からの散乱光の強度強度の単位は任意との関係に基づき構築できる。組成比算出手段27は、位置検出手段32により算出された化学量論点の情報に基づいて、第3段階の製膜ゾーン13での製膜終了時での第IB族元素Cuと第IIIB族元素Ga,Inの組成比を算出する機能を有する。組成比算出手段27には、予め第2段階の第IB族元素Cu、第VIB族元素Seの蒸着条件例えば、製膜ゾーン12の幅、基板2搬送速度等、及び第3段階の第IIIB族元素In,Ga、第VIB族元素Seの蒸着条件例えば、製膜ゾーン13の幅、基板2搬送速度等が入力される。この入力された蒸着条件、及び位置検出手段32より入力される化学量論点の情報に基づいて、組成比算出手段27は、第3段階終了後の第IB族元素Cuと第IIIB族元素Ga,Inの組成比を算出する。組成比算出手段27は前記組成比を算出する組成比計算プログラムをコンピュータ等の電子計算機にインストールすれば実現できる。前記組成比計算プログラムも前記位置計算プログラムと同様に図3に例示された製膜ゾーン12の左端最上流からの距離と製膜ゾーン12にある基板2からの散乱光の強度強度の単位は任意との関係に基づき構築できる。組成比算出手段27と位置検出手段32は単一の機能部に統合してもよい。すなわち、組成比算出手段27に位置検出手段32の機能を具備するようにしてもよい。製膜反応に供される基板2は、特に限定するものでなく、Mo層がコーティングされた板ガラスや金属箔等が例示される。図1を参照しながら製膜装置1の動作例について説明する。第1段階の製膜ゾーン11では第IIIB族元素In,Gaと第VIB元素Seが基板2に蒸着処理される。すなわち、搬送路10内の基板2は基板ホルダーによって製膜ゾーン11に誘導される。搬送路10の開口部17はメインシャッター22によって開口される。蒸着源14a~16aからはそれぞれセルシャッター141a~161aが開に設定されてそれぞれGa、In、Seが放出される。これらの成分は開口部17を介して搬送路10内を移動する基板2に供される。第2段階の製膜ゾーン12では第IB族元素Cuと第VIB族元素Seを蒸着する。製膜ゾーン11を介した基板2は基板ホルダーによって製膜ゾーン12に誘導される。搬送路10の開口部20はメインシャッター23によって開口される。蒸着源18aからはセルシャッター181aが開に設定されてCuが放出され、蒸着源19aからはセルシャッター191aが開に設定されてSeが放出される。これらの成分は開口部20を介して搬送路10内を移動する基板2に供されて蒸着される。製膜ゾーン12では必ず第IB族元素Cuと第IIIB族元素Ga,Inとの比Cu/Ga,Inが1を超えるような条件で製膜される。具体的には、第IB族元素Cuと第IIIB族元素Ga,Inとの比Cu/Ga,Inが1を超えるように、製膜ゾーンの幅、蒸着源のセル数、セルシャッターの開度、セル温度等の蒸着条件を設定することで製膜を制御する。また、製膜ゾーン12では図2に示したように基板2の蒸着表面に対して光源30から光が照射されると共に当該表面がカメラ31によって、照射された光の散乱光が撮影される。カメラ31で得られた画像は位置検出手段32にてRGBモードに変換され、ラインプロファイルが実行される。図3に、ラインプロファイルにより得られる特性図の例を示す。なお、図3に示すようなノイズの多いデータに関しては平滑化処理を行うとよい。平滑化処理は、既知の方法を用いればよく、例えば、平滑化スプライン関数や移動平均を用いる方法が挙げられる。ラインプロファイルにあたり、光源30の光をライン状でなく基板2全体に当てて、基板2の面全体でプロファイルを実施してもよい。図3の特性図において横軸x軸は第2段階の製膜ゾーン12の左端最上流からの距離を示し、縦軸は緑の散乱光の強度強度の単位は任意を示す。図示されたようにXYZ2薄膜化合物において、第IB族元素Cuと第IIIB族元素の組成比が化学量論的組成比第IB族元素Cu/第IIIB族元素Ga,In=1より第IB族元素Cu元素が多くなると散乱光の強度が強くなる。これを利用して基板2上で第IB族元素Cu元素と第IIIB族元素Ga,Inの組成比が化学量論的組成比となる位置化学量論点を決定する。図4を参照して、具体的な化学量論点の算出方法を説明する。位置算出手段32は、カメラ31で得られた画像のラインプロファイルにより得られる特性図の平滑処理を行う。平滑化処理を行った曲線を図4の曲線Aで示す。次に、曲線Aを2階微分することにより曲線Bを得る。曲線Bのピーク値図4ではx=20付近が、曲線Aの変曲点散乱光強度が変化する点であり、この点が位置検出手段32により算出された製膜ゾーン12における化学量論点である。なお、曲線Aを3階微分した曲線図4の曲線Cがx軸と交差する点を求めることでも、具体的な化学量論点を算出することができる。また、光散乱強度の変化量のしきい値を予め位置検出手段32に設定し、前記変化量がそのしきい値以上となった点が化学量論的組成比となる位置と定義することにより製膜ゾーン12における化学量論の位置を決定してもよい。このようにして製膜ゾーン12における化学量論点が決定できる。そして、この化学量論点の情報は、組成比算出手段27に入力される。組成比算出手段27は、製膜ゾーン12における化学量論点に基づいて、第3段階の製膜ゾーン13での製膜が終了する時点での第IB族元素と第IIIB族元素との比を算出する。第3段階の製膜ゾーン13では第IIIB族元素In,Gaと第VIB元素Seが基板2に蒸着処理される。すなわち、搬送路10内の基板2は基板ホルダーによって製膜ゾーン13に誘導される。搬送路10の開口部21はメインシャッター24によって開口される。蒸着源14b~16bからはセルシャッター141b~161bが開に設定されてGa、In、Seが放出される。これらの成分は開口部21を介して搬送路10内を移動する基板2に供される。以下に、本発明の実施形態に係る製膜装置1の製膜工程における組成比検査方法の実施例を示す。実施例位置検出装置26に係る光源30には緑色レーザーGlobalLaser製FireFly532nmを採用した。光源30から基板2に緑色レーザーを照射し、基板2からの散乱光に基づいて位置検出手段32が製膜ゾーン12における化学量論点を検出した。この算出には上記の位置算出プログラムを適用した。そして、この化学量論点の情報は、組成比算出手段27に入力され、組成比算出手段27は、入力された化学量論点の情報に基づき製膜ゾーン13の終了時での第IB族元素と第IIIB族元素の組成比を算出した。表1に組成比算出手段27によって算出された最終的な第IB族元素Cu/第IIIB族元素Ga,In比第IB族元素Cuと第IIIB族元素Ga,Inとの比の算出値と、分析装置島津製作所製EPMA8705によって計測された第IB族元素Cu/第IIIB族元素Ga,In比の実測値を示す。再現性を検証するために前記算出値及び実測値についてそれぞれ複数回計算を行った。表1には各々6つの計算結果を示す。表1に示すように、組成比算出手段27による第IB族元素Cu/第IIIB族元素Ga,In比の算出値と分析計による第IB族元素Cu/第IIIB族元素Ga,In比の実測値とがほぼ一致することが確認された。また、算出値と実測値の開示は省略されているが、光源30に、赤色レーザー、青色レーザー、LED、蒸着源のセルからの輻射光外部から光源を与えない等を用いた場合においても、実施例と同様に、算出値と実測値がほぼ一致していることが確認されている。以上のように本発明の実施形態に係る製膜装置1によれば、基板が移動する系において当該基板上に蒸着される化合物の組成の検査を簡便な方法で行うことができる。また、第2段階の製膜工程において、第3段階終了後の薄膜組成がわかるので、例えば、検査結果が規定の組成範囲に収まっていない場合には、第3段階の蒸着条件を変更する等の対策をとることができる。"