"基板と、前記基板に設けられた表示素子と、前記基板に設けられると共に、チャネル領域の両側にソース領域およびドレイン領域を含む第1酸化物半導体膜を有し、前記第1酸化物半導体膜は、前記ソース領域および前記ドレイン領域の上面から深さ方向における少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも酸素濃度が低い第1低抵抗領域を有する薄膜トランジスタと、前記基板の前記薄膜トランジスタが設けられた領域以外の領域に設けられると共に、上面から深さ方向における少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも酸素濃度が低い第2低抵抗領域を有する第2酸化物半導体膜と、前記薄膜トランジスタ,前記第2酸化物半導体膜および前記基板を覆うと共に金属酸化物により構成され、前記第1低抵抗領域に接する領域に第1透光領域を有し、前記第2低抵抗領域に接する領域に第2透光領域を有する高抵抗膜とを備えた表示装置。前記第1透光領域および前記第2透光領域はアルミニウム酸化膜により構成されている請求項1記載の表示装置。前記第1酸化物半導体膜と前記第2酸化物半導体膜とは連続して設けられている請求項1記載の表示装置。前記第1酸化物半導体膜は前記基板上に設けられ、前記第1酸化物半導体膜の前記チャネル領域上にゲート絶縁膜およびゲート電極がこの順に同一形状で設けられ、前記第1酸化物半導体膜,前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極の表面に前記高抵抗膜および層間絶縁膜がこの順に設けられ、前記層間絶縁膜または前記高抵抗膜に設けられた接続孔を介してソース電極およびドレイン電極が前記第1低抵抗領域に接続されている請求項1記載の表示装置。前記表示素子は、第1電極,発光層を含む有機層および第2電極を前記基板側からこの順に有する有機発光素子であり、前記有機発光素子で発生した光は前記第2透光領域を透過して前記基板の側から取り出される請求項1記載の表示装置。前記表示素子は液晶表示素子であり、前記基板の裏面側に照明部が設けられ、前記照明部からの光は前記第2透光領域を透過して前記液晶表示素子に入射する請求項1記載の表示装置。表示装置を備え、前記表示装置は、基板と、前記基板に設けられた表示素子と、前記基板に設けられると共に、チャネル領域の両側にソース領域およびドレイン領域を含む第1酸化物半導体膜を有し、前記第1酸化物半導体膜は、前記ソース領域および前記ドレイン領域の上面から深さ方向における少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも酸素濃度が低い第1低抵抗領域を有する薄膜トランジスタと、前記基板の前記薄膜トランジスタが設けられた領域以外の領域に設けられると共に、上面から深さ方向における少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも酸素濃度が低い第2低抵抗領域を有する第2酸化物半導体膜と、前記薄膜トランジスタ,前記第2酸化物半導体膜および前記基板を覆うと共に金属酸化物により構成され、前記第1低抵抗領域に接する領域に第1透光領域を有し、前記第2低抵抗領域に接する領域に第2透光領域を有する高抵抗膜とを備えた電子機器。しかしながら、特許文献1および非特許文献2では、低抵抗のソースドレイン領域を自己整合的に形成するために、層間絶縁膜としてプラズマCVD法によりシリコン窒化膜を形成し、このシリコン窒化膜に含まれる水素を酸化物半導体薄膜層に導入していた。更に特許文献1では、シリコン窒化膜からの水素導入に加えて、水素ガスのプラズマ処理を併用していた。また、非特許文献1ではアルゴンガスのプラズマ雰囲気に酸化物半導体膜を晒すことにより低抵抗のソースドレイン領域を形成していた。これらの従来方法では、素子特性が、変動要素の多いプラズマ工程に依存することになり、安定的に量産に適用することが難しいという問題があった。本開示の目的は、安定した特性を有するセルフアライン構造の薄膜トランジスタを備え、高品質な表示が可能な表示装置、およびこの表示装置を備えた電子機器を提供することにある。本開示による表示装置は、以下のA~Eの構成要素を備えたものである。A基板B基板に設けられた表示素子C基板に設けられると共に、チャネル領域の両側にソース領域およびドレイン領域を含む第1酸化物半導体膜を有し、第1酸化物半導体膜は、ソース領域およびドレイン領域の上面から深さ方向における少なくとも一部に、チャネル領域よりも酸素濃度が低い第1低抵抗領域を有する薄膜トランジスタD基板の薄膜トランジスタが設けられた領域以外の領域に設けられると共に、上面から深さ方向における少なくとも一部に、チャネル領域よりも酸素濃度が低い第2低抵抗領域を有する第2酸化物半導体膜E薄膜トランジスタ,第2酸化物半導体膜および基板を覆うと共に金属酸化物により構成され、第1低抵抗領域に接する領域に第1透光領域を有し、第2低抵抗領域に接する領域に第2透光領域を有する高抵抗膜本開示の表示装置では、薄膜トランジスタによって表示素子が駆動され、画像表示がなされる。その際、薄膜トランジスタでは、第1酸化物半導体膜のソース領域およびドレイン領域の上面から深さ方向における少なくとも一部に、チャネル領域よりも酸素濃度が低い低抵抗領域が設けられているので、素子特性が安定したものとなる。また、基板の薄膜トランジスタが設けられた領域以外の領域には第2酸化物半導体膜が設けられている。第2酸化物半導体膜は、上面から深さ方向における少なくとも一部に、チャネル領域よりも酸素濃度が低い第2低抵抗領域を有している。薄膜トランジスタ,第2の酸化物半導体膜および基板は、金属酸化物よりなる高抵抗膜で覆われている。この高抵抗膜は、第1低抵抗領域に接する領域に第1透光領域を有し、第2低抵抗領域に接する領域に第2透光領域を有している。よって、第2透光領域での光吸収が抑えられている。表示素子が有機発光素子である場合には、発生した光は第2透光領域を透過して基板の側から取り出される。表示素子が液晶表示素子である場合には、基板の裏面側に設けられた照明部からの光は第2透光領域を透過して表示素子に入射する。本開示による電子機器は、上記本開示の表示装置を備えたものである。本開示の電子機器では、上記本開示の表示装置によって画像表示がなされる。本開示の表示装置によれば、薄膜トランジスタの第1酸化物半導体膜のソース領域およびドレイン領域の上面から深さ方向における少なくとも一部に、チャネル領域よりも酸素濃度が低い低抵抗領域を設けるようにしたので、セルフアライン構造の薄膜トランジスタの特性を安定させることが可能となる。よって、寄生容量の小さいセルフアライン構造と共に安定した特性を有する薄膜トランジスタにより、高品質な表示が可能となる。また、本開示の表示装置によれば、基板の薄膜トランジスタが設けられた領域以外の領域に第2酸化物半導体膜を設け、この第2酸化物半導体膜の上面から深さ方向における少なくとも一部に、チャネル領域よりも酸素濃度が低い第2低抵抗領域を設けるようにしている。更に、薄膜トランジスタ,第2の酸化物半導体膜および基板を、金属酸化物よりなる高抵抗膜で覆い、この高抵抗膜のうち、第1低抵抗領域に接する領域に第1透光領域を設け、第2低抵抗領域に接する領域に第2透光領域を設けるようにしている。よって、第2透光領域による光吸収が抑えられ、高品質な表示が可能となる。以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.実施の形態トップゲート薄膜トランジスタ;有機EL素子の例2.変形例1トップゲート薄膜トランジスタ;第1酸化物半導体膜と第2酸化物半導体膜とを連続して設けた例3.変形例2トップゲート薄膜トランジスタ;液晶表示素子の例4.変形例3ボトムゲート薄膜トランジスタ;有機EL素子の例5.適用例図1は、本開示の一実施の形態に係る有機発光素子を用いた表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、ガラスなどの基板11の上に、後述する複数の有機発光素子10R,10G,10Bがマトリクス状に配置されてなる表示領域110が設けられたものである。表示領域110の周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路120および走査線駆動回路130が設けられている。表示領域110内には画素駆動回路140が設けられている。図2は、画素駆動回路140の一例を表したものである。この画素駆動回路140は、後述する第1電極13の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。画素駆動回路140は、例えば、駆動トランジスタTr1および書き込みトランジスタTr2と、キャパシタ保持容量Csと、第1の電源ラインVccおよび第2の電源ラインGNDの間において駆動トランジスタTr1に直列に接続された有機発光素子10Rまたは10G,10Bとを有している。キャパシタCsの一方の電極は駆動トランジスタTr1および書き込みトランジスタTr2の間に接続され、他方の電極は駆動トランジスタTr1および有機発光素子10Rまたは10G,10Bとの間に接続されている。画素駆動回路140において、列方向には信号線120Aが複数配置され、行方向には走査線130Aが複数配置されている。各信号線120Aと各走査線130Aとの交差点が、有機発光素子10R,10G,10Bのいずれか一つサブピクセルに対応している。各信号線120Aは、信号線駆動回路120に接続され、この信号線駆動回路120から信号線120Aを介して書き込みトランジスタTr2のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線130Aは走査線駆動回路130に接続され、この走査線駆動回路130から走査線130Aを介して書き込みトランジスタTr2のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。図3は、図1に示した表示領域110の一部の断面構成を表したものである。基板11上には、表示素子としての有機発光素子10Rまたは10G,10Bと、駆動トランジスタTr1とが設けられている。なお、図2に示した書き込みトランジスタTr2も、駆動トランジスタTr1と同様の構成を有している。以下の説明では、駆動トランジスタTr1および書き込みトランジスタTr2を薄膜トランジスタ1と総称する。有機発光素子10R10G,10Bは、それぞれ、基板11の側から、上述した画素駆動回路140の駆動トランジスタTr1および平坦化膜12を間にして、第1電極13、画素分離絶縁膜14、発光層を含む有機層15、および第2電極16がこの順に積層された構成を有している。このような有機発光素子10R,10G,10Bは、シリコン窒化膜などの保護膜図示せずにより被覆され、更にこの保護膜上に、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などよりなる接着層図示せずを間にして、ガラスなどよりなる封止用基板図示せずが全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。平坦化膜12は、画素駆動回路140が形成された基板11の表面を平坦化するためのものであり、例えば、アクリル,ポリイミド等の有機材料、あるいはシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜などの無機材料により構成されている。平坦化膜12には、駆動トランジスタTr1と下部電極13との電気的接続をとるための接続孔12Aが設けられている。第1電極13は、有機発光素子10R,10G,10Bの各々に対応して形成されている。第1電極13は、例えば、酸化インジウムスズITO,酸化インジウム亜鉛IZO登録商標,またはSnO2などの透明電極により構成され、発光層で発生した光を下部電極13側から取り出すようになっているボトムエミッション。画素分離絶縁膜14は、第1電極13と第2電極16との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、例えば、厚みが1μm程度であり、シリコン酸化物またはポリイミドなどの感光性樹脂により構成されている。画素分離絶縁膜14には、発光領域に対応して開口部が設けられている。なお、有機層15および第2電極16は、画素分離絶縁膜14の上にも連続して設けられているが、発光が生じるのは画素分離絶縁膜14の開口部だけである。有機層15は、例えば、第1電極13の側から順に、正孔注入層,正孔輸送層,発光層,電子輸送層および電子注入層を積層した構成を有するが、これらのうち発光層以外の層は必要に応じて設ければよい。また、有機層15は、有機発光素子10R,10G,10Bの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層は、例えば厚みが0.3nm程度であり、LiF,Li2Oなどにより構成されている。有機発光素子10Rの正孔注入層は、例えば、厚みが5nm以上300nm以下であり、4,4’,4-トリス3-メチルフェニルフェニルアミノトリフェニルアミンm-MTDATAあるいは4,4’,4-トリス2-ナフチルフェニルアミノトリフェニルアミン2-TNATAにより構成されている。有機発光素子10Rの正孔輸送層は、例えば、厚みが5nm以上300nm以下であり、ビス[N-ナフチル-N-フェニル]ベンジジンα-NPDにより構成されている。有機発光素子10Rの赤色発光層15CRは、例えば、厚みが10nm以上100nm以下であり、9,10-ジ-2-ナフチルアントラセンADNに2,6≡ビス[4 ́≡メトキシジフェニルアミノスチリル]≡1,5≡ジシアノナフタレンBSNを30重量混合したものにより構成されている。有機発光素子10Rの電子輸送層は、例えば、厚みが5nm以上300nm以下であり、8≡ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3により構成されている。有機発光素子10Gの正孔注入層は、例えば、厚みが5nm以上300nm以下であり、m-MTDATAあるいは2-TNATAにより構成されている。有機発光素子10Gの正孔輸送層は、例えば、厚みが5nm以上300nm以下であり、α-NPDにより構成されている。有機発光素子10Gの緑色発光層15CGは、例えば、厚みが10nm以上100nm以下であり、ADNにクマリン6Coumarin6を5体積混合したものにより構成されている。有機発光素子10Gの電子輸送層は、例えば、厚みが5nm以上300nm以下であり、Alq3により構成されている。有機発光素子10Bの正孔注入層は、例えば、厚みが5nm以上300nm以下であり、m-MTDATAあるいは2-TNATAにより構成されている。有機発光素子10Bの正孔輸送層は、例えば、厚みが5nm以上300nm以下であり、α-NPDにより構成されている。有機発光素子10Bの青色発光層15CBは、例えば、厚みが10nm以上100nm以下であり、ADNに4,4 ́≡ビス[2≡{4≡N,N≡ジフェニルアミノフェニル}ビニル]ビフェニルDPAVBiを2.5重量混合したものにより構成されている。有機発光素子10Bの電子輸送層は、例えば、厚みが5nm以上300nm以下であり、Alq3により構成されている。第2電極16は、例えば、金Au,白金Pt,ニッケルNi,クロムCr,銅Cu,タングステンW,アルミニウムAl,モリブデンMoあるいは銀Agなどの金属元素の単体または合金よりなる反射電極により構成されている。また、上部電極16は、これらの金属元素の単体または合金よりなる層と、第1電極13と同様の透明電極との複合膜により構成されていてもよい。薄膜トランジスタ1は、例えば、基板11に第1酸化物半導体膜20,ゲート絶縁膜30,ゲート電極40がこの順に積層されたトップゲート型スタガ型の構成を有している。基板11は、例えば、ガラス基板やプラスチックフィルムなどにより構成されている。プラスチック材料としては、例えばPETポリエチレンテレフタレート、PENポリエチレンナフタレートなどが挙げられる。後述のスパッタ法において、基板11を加熱することなく酸化物半導体膜20を成膜するため、安価なプラスチックフィルムを用いることができる。また、基板11は、目的に応じて、ステンレス鋼SUSなどの金属基板であってもよい。第1酸化物半導体膜20は、基板11上に、ゲート電極40およびその近傍を含む島状に設けられ、薄膜トランジスタ1の活性層としての機能を有するものである。第1酸化物半導体膜20は、例えば厚みが50nm程度であり、ゲート電極40に対向してチャネル領域20Aを有している。チャネル領域20A上には、ゲート絶縁膜30およびゲート電極40がこの順に同一形状で設けられており、チャネル領域20Aの一方の側にはソース領域20S、他方の側にはドレイン領域20Dがそれぞれ設けられている。チャネル領域20Aは、酸化物半導体により構成されている。ここで酸化物半導体とは、インジウム,ガリウム,亜鉛,スズ等の元素と、酸素とを含む化合物である。具体的には、非晶質の酸化物半導体としては、酸化インジウムガリウム亜鉛IGZOが挙げられ、結晶性の酸化物半導体としては、酸化亜鉛ZnO,酸化インジウム亜鉛IZO登録商標,酸化インジウムガリウムIGO,酸化インジウムスズITO,酸化インジウムInO等が挙げられる。ソース領域20Sおよびドレイン領域20Dは、それぞれ、上面から深さ方向における一部に第1低抵抗領域21を有している。第1低抵抗領域21は、例えば、チャネル領域20Aよりも酸素濃度が低いことにより低抵抗化されている。これにより、この表示装置では、セルフアライン自己整合構造を有する薄膜トランジスタ1の特性を安定させることが可能となっている。第1低抵抗領域21に含まれる酸素濃度は、30以下であることが望ましい。第1低抵抗領域21中の酸素濃度が30を超えると、抵抗が高くなってしまうからである。ソース領域20Sおよびドレイン領域20Dの第1低抵抗領域21以外の領域は、チャネル領域20Aと同様に酸化物半導体により構成されている。第1低抵抗領域21の深さについては後述する。ゲート絶縁膜30は、例えば、厚みが300nm程度であり、シリコン酸化膜,シリコン窒化膜,シリコン窒化酸化膜またはアルミニウム酸化膜などの単層膜または積層膜により構成されている。特に、シリコン酸化膜またはアルミニウム酸化膜は、酸化物半導体膜20を還元させにくいので好ましい。ゲート電極40は、薄膜トランジスタ1にゲート電圧を印加し、このゲート電圧により酸化物半導体膜20中の電子密度を制御する役割を有するものである。ゲート電極40は、基板11上の選択的な領域に設けられ、例えば、厚みが10nm~500nm、具体的には200nm程度であり、モリブデンMoにより構成されている。ゲート電極40は低抵抗であることが望ましいので、その構成材料としては、例えば、アルミニウムAlまたは銅Cuなどの低抵抗金属が好ましい。また、アルミニウムAlまたは銅Cuよりなる低抵抗層と、チタンTiまたはモリブデンMoよりなるバリア層とを組み合わせた積層膜も好ましい。ゲート電極40の低抵抗化が可能となるからである。更に、図3に示したように、基板11の薄膜トランジスタ1が設けられた領域以外の領域には、第2酸化物半導体膜80が設けられている。薄膜トランジスタ1,第2酸化物半導体膜80および基板11の表面は、金属酸化物よりなる高抵抗膜50で覆われている。高抵抗膜50上には、層間絶縁膜60が設けられている。薄膜トランジスタ1の第1低抵抗領域21には、高抵抗膜50および層間絶縁膜60に設けられた接続孔を介して、ソース電極70Sおよびドレイン電極70Dが接続されている。なお、有機発光素子10Rまたは10G,10Bの第1電極13は、例えばドレイン電極70Dに接続されている。第2酸化物半導体膜80は、有機発光素子10Rまたは10G,10B直下の領域に、第1酸化物半導体膜20とは分離された島状に設けられている。第2酸化物半導体膜80は、第1酸化物半導体膜20と同様に、例えば厚みが50nm程度であり、第1酸化物半導体膜20と同じ酸化物半導体により構成されている。第2酸化物半導体膜80は、上面から深さ方向における一部に、第2低抵抗領域81を有している。第2低抵抗領域81は、第1低抵抗領域21と同様に、例えば、チャネル領域20Aよりも酸素濃度が低いことにより低抵抗化されている。第2低抵抗領域81に含まれる酸素濃度は、第1低抵抗領域21と同様に、30以下であることが望ましい。第2酸化物半導体膜80の第2低抵抗領域81以外の領域は、チャネル領域20Aと同様の酸化物半導体により構成されている。第2低抵抗領域81の深さについては後述する。高抵抗膜50は、後述する製造工程において第1低抵抗領域21および第2低抵抗領域81を形成するための金属膜が酸化されたものであり、例えば、アルミニウム酸化膜により構成されている。アルミニウム酸化膜よりなる高抵抗膜50は、外気に対して良好なバリア性を有し、第1酸化物半導体膜20の電気的特性を変化させる酸素や水分の影響を低減することが可能である。よって、高抵抗膜50を設けることにより、薄膜トランジスタ1の電気特性を安定化させることが可能となり、層間絶縁膜60の効果をより高めることが可能となる。高抵抗膜50の厚みは、例えば20nm以下である。高抵抗膜50は、第1低抵抗領域21に接する領域に第1透光領域51、第2低抵抗領域81に接する領域に第2透光領域52を有している。第1透光領域51および第2透光領域52は、化学量論比またはそれに近い比率の酸素を含む金属酸化物、具体的にはアルミニウム酸化膜により構成されている。これにより、この表示装置では、第2透光領域52での光吸収が抑えられ、有機発光素子10Rまたは10G,10Bで発生した光を、第2透光領域52を透過して基板11側から取り出すことが可能となっている。高抵抗膜50のうち第1透光領域51および第2透光領域52以外の領域は、不透光領域53となっている。不透光領域53は、化学量論比よりも酸素の比率が低い低級酸化物、具体的にはアルミニウムの低級酸化物等により構成され、第1透光領域51および第2透光領域52よりも透過率が低くなっている。なお、第1透光領域51,第2透光領域52および不透光領域53は、上記に例示した以外の組成のアルミニウム酸化物を一切含まないというものではない。例えば、不透光領域53に、化学量論比の金属酸化物、具体的にはアルミニウム酸化膜が含まれていてもよい。一方、第1透光領域51および第2透光領域52に、化学量論比よりも酸素の比率が低い低級酸化物、具体的にはアルミニウムの低級酸化物等が含まれていてもよい。層間絶縁膜60は、例えば、厚みが300nm程度であり、シリコン酸化膜,アルミニウム酸化膜などの単層膜または積層膜により構成されている。特に、シリコン酸化膜およびアルミニウム酸化膜の積層膜とすれば、第1酸化物半導体膜20への水分の混入や拡散を抑え、薄膜トランジスタ1の電気的安定性や信頼性を更に高めることが可能となる。ソース電極70Sおよびドレイン電極70Dは、層間絶縁膜60および高抵抗膜50に設けられた接続孔を介して低抵抗領域21に接続されている。ソース電極70Sおよびドレイン電極70Dは、例えば、厚みが200nm程度であり、モリブデンMoにより構成されている。また、ソース電極70Sおよびドレイン電極70Dは、ゲート電極40と同様に、アルミニウムAlまたは銅Cuなどの低抵抗金属配線により構成されていることが好ましい。更に、アルミニウムAlまたは銅Cuよりなる低抵抗層と、チタンTiまたはモリブデンMoよりなるバリア層とを組み合わせた積層膜も好ましい。このような積層膜を用いることにより、配線遅延の少ない駆動が可能となる。また、ソース電極70Sおよびドレイン電極70Dは、ゲート電極40直上の領域を回避して設けられていることが望ましい。ゲート電極40とソース電極70Sおよびドレイン電極70Dとの交差領域に形成される寄生容量を低減することが可能となるからである。この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。図4ないし図6は、この表示装置の製造方法を工程順に表したものである。まず、基板11の全面に、例えばスパッタリング法により、上述した材料よりなる酸化物半導体膜図示せずを、50nm程度の厚みで形成する。その際、ターゲットとしては、形成しようとする第1酸化物半導体膜20および第2酸化物半導体膜80と同一組成のセラミックターゲットを用いる。また、酸化物半導体膜中のキャリア濃度はスパッタリングの際の酸素分圧に大きく依存するので、所望のトランジスタ特性が得られるように酸素分圧を制御する。次いで、図4Aに示したように、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングにより第1酸化物半導体膜20を、チャネル領域20Aおよびその一方の側にソース領域20S、他方の側にドレイン領域20Dを含む島状に成形する。同時に、第2酸化物半導体膜80を、基板11の薄膜トランジスタ1の形成予定領域以外の領域具体的には、有機発光素子10R,10G,10Bの形成予定領域を含む島状に成形する。その際、リン酸と硝酸と酢酸との混合液を用いたウェットエッチングにより加工することが好ましい。リン酸と硝酸と酢酸との混合液は、下地との選択比を十分に大きくすることが可能であり、比較的容易に加工が可能となる。続いて、図4Bに示したように、基板11,第1酸化物半導体膜20および第2酸化物半導体膜80の全面に、例えばプラズマCVDChemicalVaporDeposition;化学気相成長法等により、シリコン酸化膜またはアルミニウム酸化膜などのゲート絶縁材料膜30Aを、300nm程度の厚みで形成する。シリコン酸化膜はプラズマCVD法のほか、反応性スパッタリング法により形成することが可能である。また、アルミニウム酸化膜は、反応性スパッタリング法,CVD法または原子層成膜法により形成することが可能である。そののち、同じく図4Bに示したように、ゲート絶縁材料膜30Aの全面に、例えばスパッタリング法により、モリブデンMo,チタンTi,アルミニウムAl等の単層膜または積層膜よりなるゲート電極材料膜40Aを、200nm程度の厚みで形成する。ゲート電極材料膜40Aを形成したのち、図5Aに示したように、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングにより、ゲート電極材料膜40Aを所望の形状に成形して、酸化物半導体膜20のチャネル領域20A上にゲート電極40を形成する。引き続き、同じく図5Aに示したように、ゲート電極20をマスクとしてゲート絶縁材料膜30をエッチングすることによりゲート絶縁膜30を形成する。このとき、第1酸化物半導体膜20および第2酸化物半導体膜80をZnO,IZO,IGO等の結晶化材料により構成した場合には、ゲート絶縁材料膜30Aをエッチングする際に、フッ酸等の薬液を用いて非常に大きなエッチング選択比を維持して容易に加工することが可能となる。これにより、第1酸化物半導体膜20のチャネル領域20A上に、ゲート絶縁膜30およびゲート電極40がこの順に同一形状で形成される。ゲート絶縁膜30およびゲート電極40を形成したのち、図5Bに示したように、第1酸化物半導体膜20,ゲート絶縁膜30,ゲート電極40および第2酸化物半導体膜80の表面に、例えばスパッタリング法により、アルミニウムAl等の酸素と比較的低温で反応する金属よりなる金属膜50Aを、例えば5nm以上10nm以下の厚みで形成する。金属膜50Aを形成したのち、熱処理を行うことにより、図6Aに示したように、金属膜50Aが酸化されて高抵抗膜50が形成される。この金属膜50Aの酸化反応には、ソース領域20Sおよびドレイン領域20D、並びに第2酸化物半導体膜80に含まれる酸素の一部が利用される。そのため、金属膜50Aの酸化の進行に伴って、ソース領域20Sおよびドレイン領域20D、並びに第2酸化物半導体膜80の金属膜50Aと接する上面側から、ソース領域20Sおよびドレイン領域20、並びに第2酸化物半導体膜80中の酸素濃度が低下していく。これにより、ソース領域20Sおよびドレイン領域20Dの上面から深さ方向における一部に、チャネル領域20Aよりも酸素濃度が低い第1低抵抗領域21が形成される。同時に、第2酸化物半導体膜80の上面から深さ方向における一部に、チャネル領域20Aよりも酸素濃度が低い第2低抵抗領域81が形成される。金属膜50Aの酸化により形成された高抵抗膜50は、上述したように、第1低抵抗領域21および第2低抵抗領域81に接する領域にアルミニウム酸化膜よりなる第1透光領域51および第2透光領域52を有するが、それ以外の領域はアルミニウムの低級酸化物よりなる不透光領域53となる。これは、金属膜50Aのうち第1酸化物半導体膜20および第2酸化物半導体膜80に接している領域では酸素が豊富に供給され、化学量論比またはそれに近い比率の酸素を含む金属酸化物が形成されるからである。一方、金属膜50Aのうち第1酸化物半導体膜20または第2酸化物半導体膜80に接していない領域では酸素が不足し、化学量論比よりも酸素の比率が低い低級酸化物が形成される。図7は、ガラス基板上に金属膜アルミニウム膜を形成し、加熱した後の透過率を調べた結果を表したものである。化学量論比のアルミニウム酸化物であれば透明であるはずだが、図7から分かるように、可視光域約400nmないし約700nmの波長域での透過率は50ないし80程度と低くなっている。すなわち、ガラス基板上の金属膜は酸化されても完全に透明にならず、吸収をもつ低級酸化物として残ることが分かる。従って、ボトムエミッションの有機発光素子を用いた表示装置では、基板に直接金属膜を形成して酸化した場合には、有機発光素子の下層に低級酸化物よりなる高抵抗膜が残存し、光取出し効率の低下や輝度低下を招くことになる。そのため、低級酸化物よりなる高抵抗膜を除去する工程が必要となり、コスト増大を招く。図8は、ガラス基板上にIGZOよりなる酸化物半導体膜および金属膜アルミニウム膜をこの順に形成し、加熱した後の透過率を調べたものである。図8から分かるように、可視光域約400nmないし約700nmの波長域での透過率は70ないし90程度と、図7に比べて大幅に高くなっていることが分かる。図9は、ガラス基板上にITOよりなる酸化物半導体膜および金属膜アルミニウム膜をこの順に形成し、加熱した後の透過率を調べたものである。図9から分かるように、可視光域約400nmないし約700nmの波長域での透過率は略80程度と、図7に比べて大幅に高くなっていることが分かる。以上の結果から、金属膜50Aが加熱される際に、金属膜50Aが第1酸化物半導体膜20および第2酸化物半導体膜80中の酸素を吸収することにより金属膜50Aの酸化が促進され、化学量論比またはそれに近い比率の酸素を含む金属酸化物が形成され、第1透光領域51および第2透光領域52の透過率が高くなることが分かる。また、このことが、第1低抵抗領域21および第2低抵抗領域81の酸素濃度が低下する一因となっていると考えられる。なお、図8および図9はいずれも、ガラス表面での反射、および酸化物半導体膜と空気との界面での反射を含んでいる。実際の表示装置においては酸化物半導体膜上には有機層の積層構造が接しているので、酸化物半導体膜と空気との界面での反射は緩和される。図10はこの現象をシミュレーションにより確認した結果を表したものである。なお、シミュレーションにはTF-CalcSoftwareSpectraInc.社製を用いた。図10から分かるように、酸化物半導体膜上に有機層が積層されている場合には、有機層がない場合に比べて透過率が上昇し、発光波長域で90程度となることが確認された。これは、屈折率の高い酸化物半導体膜と空気との界面での反射が緩和されるためである。再び図6Aに戻って説明を続ける。図6Aに示した金属膜50Aの熱処理としては、例えば、上述したように、300°C程度の温度でアニールすることが好ましい。その際、酸素等を含む酸化性のガス雰囲気でアニールを行うことで、第1低抵抗領域21および第2低抵抗領域81の酸素濃度が低くなりすぎるのを抑え、第1酸化物半導体膜20および第2酸化物半導体膜80に十分な酸素を供給することが可能となる。よって、後工程で行うアニール工程を削減することが可能となり、工程の簡略化が可能となる。また、例えば、図5Bに示した金属膜50Aを形成する工程で基板11の温度を200°C程度に比較的高い温度とすることにより、図6Aに示した熱処理を行わずに第1低抵抗領域21および第2低抵抗領域81を形成することも可能である。この場合には、第1酸化物半導体膜20のキャリア濃度をトランジスタとして必要なレベルに低減することが可能である。金属膜50Aは、上述したように10nm以下の厚みで形成することが好ましい。金属膜50Aの厚みを10nm以下とすれば、熱処理により金属膜50Aを完全に酸化することが可能となるからである。金属膜50Aが完全に酸化されていない場合には、金属膜50Aをエッチングにより除去する工程が必要となる。金属膜50Aが完全に酸化されて高抵抗膜50となっている場合には、エッチングして除去する工程は不要となり、製造工程の簡略化が可能となる。金属膜50Aを10nm以下の厚みで形成した場合、高抵抗膜50の厚みは結果として20nm以下となる。その際、金属膜50Aを酸化させる方法としては、熱処理のほか、水蒸気雰囲気での酸化、またはプラズマ酸化などの方法により酸化を促進させることも可能である。特にプラズマ酸化は、後工程で層間絶縁膜60をプラズマCVD法により形成する直前に実施することが可能であり、特に工程を増やす必要がないという利点がある。プラズマ酸化では、例えば、基板11の温度を200°C~400°C程度にして、酸素や二窒化酸素等の酸素を含むガス雰囲気中でプラズマを発生させて処理することが望ましい。これにより、上述したような外気に対して良好なバリア性を有する高抵抗膜50を形成することが可能となるからである。なお、高抵抗膜50は、酸化物半導体膜20のソース領域20Sおよびドレイン領域20D以外に、ゲート絶縁膜30またはゲート電極40上などにも形成される。しかし、高抵抗膜50をエッチングにより除去せずに残しておいてもリーク電流の原因になることはない。第1低抵抗領域21および第2低抵抗領域81を形成したのち、図6Bに示したように、高抵抗膜50上に、例えばシリコン酸化膜あるいはアルミニウム酸化膜、またはそれらの積層膜よりなる層間絶縁膜60を、上述した厚みで形成する。その際、シリコン酸化膜はプラズマCVD法により形成することが可能である。アルミニウム酸化膜は、アルミニウムをターゲットとしたDCまたはAC電源による反応性スパッタリング法により形成することが望ましい。高速に成膜することが可能となるからである。続いて、図3に示したように、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングにより、層間絶縁膜60および高抵抗膜50に接続孔を形成する。そののち、層間絶縁膜60の上に、例えばスパッタリング法により、例えばモリブデンMo膜を200nmの厚みで形成し、フォトリソグラフィおよびエッチングにより所定の形状に成形する。これにより、図3に示したように、ソース電極70Sおよびドレイン電極70Dを第1低抵抗領域21に接続する。以上により、図3に示した薄膜トランジスタ1が形成される。このようにして基板11上に薄膜トランジスタ1を含む画素駆動回路140を形成したのち、基板11の全面に感光性樹脂を塗布し、露光および現像することにより、接続孔12Aを有する平坦化膜12を形成し、焼成する。続いて、平坦化膜12の上に第1電極13を形成し、第1電極13の間の領域に画素分離絶縁膜14を形成する。そののち、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる有機層15および上部電極16を形成する。これにより、有機発光素子10R,10G,10Bが形成される。有機発光素子10R,10G,10Bを形成したのち、有機発光素子10R,10G,10Bの上に保護膜図示せずを形成し、接着層図示せずを間にして封止用基板図示せずを貼り合わせる。以上により、図1ないし図3に示した表示装置が完成する。この表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路130から書き込みトランジスタTr2のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路120から画像信号が書き込みトランジスタTr2を介して保持容量Csに保持される。すなわち、この保持容量Csに保持された信号に応じて駆動トランジスタTr1がオンオフ制御され、これにより、各有機発光素子10R,10G,10Bに駆動電流Idが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第1電極13,高抵抗膜50の第2透光領域52,第2酸化物半導体膜80および基板11を透過してボトムエミッション取り出される。ここでは、基板11の薄膜トランジスタ1が設けられた領域以外の領域に第2酸化物半導体膜80が設けられ、この第2酸化物半導体膜80に接して高抵抗膜50の第2透光領域52が設けられているので、第2透光領域52の透過率が向上し、第2透光領域52での光吸収が小さくなっている。よって、有機発光素子10R,10G,10Bで発生した光の取出し効率が高くなり、輝度が向上する。また、薄膜トランジスタ1では、図示しない配線層を通じてゲート電極40に所定のしきい値電圧以上の電圧ゲート電圧が印加されると、第1酸化物半導体膜20のチャネル領域20A中に電流ドレイン電流が生じる。ここでは、第1酸化物半導体膜20のソース領域20Sおよびドレイン領域20Dの上面から深さ方向における少なくとも一部に、チャネル領域20Aよりも酸素濃度が低い第1低抵抗領域21が設けられているので、素子特性が安定したものとなる。図11Bは、実際に上述した製造方法により第1低抵抗領域21を有する薄膜トランジスタ1を作製し、トランジスタ特性を調べた結果を表したものである。その際、金属膜50Aとしては厚み5nmのアルミニウム膜を用い、熱処理として酸素雰囲気中で300°Cで1時間アニールを行うことにより低抵抗領域21を形成した。一方、金属膜の形成および熱処理を行わずに薄膜トランジスタを作製し、トランジスタ特性を調べた。その結果を図11Aに示す。なお、その際、プラズマ処理は行っていない。図11Aおよび図11Bから分かるように、金属膜50Aの熱処理により第1低抵抗領域21を形成した薄膜トランジスタ1では、金属膜の形成および熱処理を行わなかったものに比べて、トランジスタのオン電流が二桁以上向上した。すなわち、第1酸化物半導体膜20のソース領域20Sおよびドレイン領域20Dの上面から深さ方向における少なくとも一部に、チャネル領域20Aよりも酸素濃度が低い第1低抵抗領域21を設けることにより、セルフアライン構造により寄生容量を低減すると共に素子特性が安定した薄膜トランジスタ1を実現できることが分かった。このように本実施の形態では、薄膜トランジスタ1の第1酸化物半導体膜20のソース領域20Sおよびドレイン領域20Dの上面から深さ方向における少なくとも一部に、チャネル領域20Aよりも酸素濃度が低い第1低抵抗領域21を設けるようにしたので、セルフアライン構造のトップゲート薄膜トランジスタの特性を安定させることが可能となる。よって、この薄膜トランジスタ1を用いてアクティブ駆動方式のディスプレイを構成すれば、寄生容量の小さいセルフアライン構造と共に安定した特性を有する薄膜トランジスタ1により、高品質な表示が可能となり、大画面化、高精細化、ハイフレームレート化に対応可能となる。また、保持容量の小さいレイアウトを適用することが可能となり、画素レイアウトにおける配線の占める割合を小さくすることが可能となる。よって、配線間ショートによる欠陥の発生確率を小さくし、製造歩留まりを高めることが可能となる。また、第1酸化物半導体膜20のチャネル領域20A上にゲート絶縁膜30およびゲート電極40をこの順に同一形状で形成したのち、第1酸化物半導体膜20,ゲート絶縁膜30およびゲート電極40の上に、金属膜50Aを形成し、この金属膜50Aに対して熱処理を行うことにより、金属膜50Aを酸化により高抵抗膜50とすると共に、ソース領域20Sおよびドレイン領域20Dの上面から深さ方向の一部に、チャネル領域20Aよりも酸素濃度が低い第1低抵抗領域21を形成するようにしたので、第1低抵抗領域21を、プラズマなどの変動要素の多い工程を使わずに形成可能となる。よって、従来のような素子特性のプラズマ工程への依存を解消し、安定した素子特性を得ることが可能となる。更に、基板11の薄膜トランジスタ1が設けられた領域以外の領域に第2酸化物半導体膜80を設けると共に、第2酸化物半導体膜80の上面から深さ方向における少なくとも一部に、チャネル領域20Aよりも酸素濃度が低い第2低抵抗領域81を設け、薄膜トランジスタ1,第2酸化物半導体膜80および基板11を高抵抗膜50で覆い、この高抵抗膜50のうち、第1低抵抗領域21に接する領域に化学量論比の金属酸化物よりなる第1透光領域51を設け、第2低抵抗領域81に接する領域に第1透光領域51と同じ金属酸化物よりなる第2透光領域52を設けるようにしたので、第2透光領域52の光吸収を抑えることが可能となる。よって、光取出し効率を高めると共に輝度を向上させ、高品質な表示を行うことが可能となる。変形例1図12は、変形例1に係る表示装置の断面構成を表したものである。この表示装置は、第1酸化物半導体膜20と第2酸化物半導体膜80とを連続して設けるようにしたものである。この場合には、第2酸化物半導体膜80は第2低抵抗領域81を有しており、抵抗が低いので、電極としての機能を有することが可能である。よって、第2酸化物半導体膜80を有機発光素子10R,10G,10Bの第1電極13として用いることが可能となる。このことを除いては、本変形例1の表示装置は上記実施の形態の表示装置と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。具体的には、平坦化膜12および高抵抗膜50の第2透光領域52には、第2酸化物半導体膜80の第2低抵抗領域81上の領域に、開口部82が設けられている。この開口部82において、第2酸化物半導体膜80の第2低抵抗領域81と有機層15とが接触し、その領域で発光が生じるようになっている。変形例2図13は、変形例2に係る表示装置の断面構成を表したものである。この表示装置は、表示素子として液晶表示素子10Lを備えたことを除いては、上記実施の形態の表示装置と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。液晶表示素子10Lは、平坦化層12の上に、例えばITOよりなる画素電極17Aを有している。また、対向基板18上には、例えばITOよりなる共通電極17Bが設けられている。画素電極17Aと共通電極17Bとの間には液晶層17Cが設けられている。基板11の裏面側には、バックライトユニットとしての照明部19が設けられている。照明部19からの光は、基板11,第2酸化物半導体膜80および高抵抗膜50の第2透光領域52を透過して液晶表示素子10Lに入射する。ここでは、基板11の薄膜トランジスタ1が設けられた領域以外の領域に第2酸化物半導体膜80が設けられ、この第2酸化物半導体膜80に接して高抵抗膜50の第2透光領域52が設けられているので、第2透光領域52の透過率が高くなる。よって、照明部19からの光の透過率が高くなり、輝度が向上する。なお、本変形例においても、変形例1と同様に、第1酸化物半導体膜20と第2酸化物半導体膜80とを連続して設けるようにすることが可能である。この場合には、第2酸化物半導体膜80を液晶表示素子10Lに接続された補助容量図示せずの一方の電極として用いることが可能となる。変形例3図14は、変形例3に係る表示装置の断面構成を表したものである。この表示装置は、薄膜トランジスタ1としてボトムゲート薄膜トランジスタを用いたものである。すなわち、薄膜トランジスタ1は、基板11上にゲート電極40,ゲート絶縁膜30,第1酸化物半導体膜20およびチャネル保護膜90をこの順に積層した構成を有している。チャネル保護膜90は、第1酸化物半導体膜20のチャネル領域20A上に設けられ、例えば、厚みが200nm程度であり、シリコン酸化膜,シリコン窒化膜またはアルミニウム酸化膜の単層膜または積層膜により構成されている。このことを除いては、本変形例の表示装置は上記実施の形態と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。モジュールおよび適用例以下、上述した実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置,デジタルカメラ,ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。モジュール上記実施の形態の表示装置は、例えば、図15に示したようなモジュールとして、後述する適用例1~5などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板11の一辺に、上記実施の形態における封止用基板図示せずまたは変形例2における対向基板18から露出した領域210を設け、この露出した領域210に、信号線駆動回路120および走査線駆動回路130の配線を延長して外部接続端子図示せずを形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板FPC;FlexiblePrintedCircuit220が設けられていてもよい。適用例1図16は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル310およびフィルターガラス320を含む映像表示画面部300を有しており、この映像表示画面部300は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。適用例2図17は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部410、表示部420、メニュースイッチ430およびシャッターボタン440を有しており、その表示部420は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。適用例3図18は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体510,文字等の入力操作のためのキーボード520および画像を表示する表示部530を有しており、その表示部530は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。適用例4図19は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部610,この本体部610の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ620,撮影時のスタート/ストップスイッチ630および表示部640を有しており、その表示部640は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。適用例5図20は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体710と下側筐体720とを連結部ヒンジ部730で連結したものであり、ディスプレイ740,サブディスプレイ750,ピクチャーライト760およびカメラ770を有している。そのディスプレイ740またはサブディスプレイ750は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。以上、実施の形態を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、低抵抗領域21がソース領域20Sおよびドレイン領域20Dの上面から深さ方向における一部に設けられている場合について説明したが、低抵抗領域21は、ソース領域20Sおよびドレイン領域20Dの上面から深さ方向における少なくとも一部に設けられていればよい。例えば、第1低抵抗領域21は、図21に示したように、ソース領域20Sおよびドレイン領域20Dの上面から深さ方向における全部に設けられていてもよい。また、例えば、上記実施の形態では、第1酸化物半導体膜20および第2酸化物半導体膜80が基板11上に直接設けられている場合について説明したが、第1酸化物半導体20および第2酸化物半導体膜80は、基板11上に、シリコン酸化膜,シリコン窒化膜またはアルミニウム酸化膜などの絶縁膜を間にして設けられていてもよい。これにより、基板11から第1酸化物半導体膜20に不純物や水分などが拡散することを抑えることが可能となる。更に、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。加えて、本開示は、液晶ディスプレイおよび有機ELディスプレイのほか、無機エレクトロルミネッセンス素子、またはエレクトロデポジション型もしくエレクトロクロミック型の表示素子などの他の表示素子を用いた表示装置にも適用可能である。なお、本開示に係る技術は以下のような構成を取ることも可能である。1基板と、前記基板に設けられた表示素子と、前記基板に設けられると共に、チャネル領域の両側にソース領域およびドレイン領域を含む第1酸化物半導体膜を有し、前記第1酸化物半導体膜は、前記ソース領域および前記ドレイン領域の上面から深さ方向における少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも酸素濃度が低い第1低抵抗領域を有する薄膜トランジスタと、前記基板の前記薄膜トランジスタが設けられた領域以外の領域に設けられると共に、上面から深さ方向における少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも酸素濃度が低い第2低抵抗領域を有する第2酸化物半導体膜と、前記薄膜トランジスタ,前記第2酸化物半導体膜および前記基板を覆うと共に金属酸化物により構成され、前記第1低抵抗領域に接する領域に第1透光領域を有し、前記第2低抵抗領域に接する領域に第2透光領域を有する高抵抗膜とを備えた表示装置。2前記第1透光領域および前記第2透光領域はアルミニウム酸化膜により構成されている前記1記載の表示装置。3前記第1酸化物半導体膜と前記第2酸化物半導体膜とは連続して設けられている前記1または2に記載の表示装置。4前記第1酸化物半導体膜は前記基板上に設けられ、前記第1酸化物半導体膜の前記チャネル領域上にゲート絶縁膜およびゲート電極がこの順に同一形状で設けられ、前記第1酸化物半導体膜,前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極の表面に前記高抵抗膜および層間絶縁膜がこの順に設けられ、前記層間絶縁膜または前記高抵抗膜に設けられた接続孔を介してソース電極およびドレイン電極が前記第1低抵抗領域に接続されている前記1ないし3のいずれか1項に記載の表示装置。5前記表示素子は、第1電極,発光層を含む有機層および第2電極を前記基板側からこの順に有する有機発光素子であり、前記有機発光素子で発生した光は前記第2透光領域を透過して前記基板の側から取り出される前記1ないし4のいずれか1項に記載の表示装置。6前記表示素子は液晶表示素子であり、前記基板の裏面側に照明部が設けられ、前記照明部からの光は前記第2透光領域を透過して前記液晶表示素子に入射する前記1ないし4のいずれか1項に記載の表示装置。7表示装置を備え、前記表示装置は、基板と、前記基板に設けられた表示素子と、前記基板に設けられると共に、チャネル領域の両側にソース領域およびドレイン領域を含む第1酸化物半導体膜を有し、前記第1酸化物半導体膜は、前記ソース領域および前記ドレイン領域の上面から深さ方向における少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも酸素濃度が低い第1低抵抗領域を有する薄膜トランジスタと、前記基板の前記薄膜トランジスタが設けられた領域以外の領域に設けられると共に、上面から深さ方向における少なくとも一部に、前記チャネル領域よりも酸素濃度が低い第2低抵抗領域を有する第2酸化物半導体膜と、前記薄膜トランジスタ,前記第2酸化物半導体膜および前記基板を覆うと共に金属酸化物により構成され、前記第1低抵抗領域に接する領域に第1透光領域を有し、前記第2低抵抗領域に接する領域に第2透光領域を有する高抵抗膜とを備えた電子機器。"