第1の電圧を与える第1の電源端子と第2の電圧を与える第2の電源端子との間に直列に介挿され、相補的に動作する第1および第2のスイッチングデバイスと、前記第1のスイッチングデバイスの前記第1の電圧が与えられる側の主電極に一方の主電極が接続され、他方の主電極が、前記第1の電源端子に近接して設けられた端子に接続されたダイオードと、を備え、前記第1および第2のスイッチングデバイスおよび前記ダイオードが、平面視矩形のパッケージに樹脂封止され、前記第1および第2の電源端子と前記端子が前記パッケージの一側面から突出するように配設され、前記パッケージの外部において、前記第1の電源端子と前記第2の電源端子との間に、前記第1の電源端子側から抵抗およびコンデンサを、この順に直列に接続し、前記抵抗と前記コンデンサとの間に前記端子を電気的に接続することで、前記ダイオード、前記抵抗および前記コンデンサによってスナバ回路が形成されることを特徴とする、半導体装置。前記第1の電圧は、前記第2の電圧よりも高く、前記第1の電源端子は高電圧側の端子である、請求項1記載の半導体装置。前記第1の電圧は、前記第2の電圧よりも低く、前記第1の電源端子は低電圧側の端子である、請求項1記載の半導体装置。前記第1および第2のスイッチングデバイスは、前記パッケージ内において、それぞれ第1および第2の金属フレーム上に搭載され、それぞれ前記第1および第2の金属フレームの主面に接する面が第1の主電極、反対側が第2の主電極であって、前記ダイオードは、前記第1のスイッチングデバイスの前記第2の主電極上に搭載され、前記第2の主電極に接する面が前記一方の主電極である、請求項1記載の半導体装置。前記第1および第2のスイッチングデバイスは、炭化珪素半導体でドリフト層が形成される炭化珪素MOSトランジスタで構成される、請求項1記載の半導体装置。第1の電圧を与える第1の電源端子と第2の電圧を与える第2の電源端子との間に、前記第1の電源端子側から第1のダイオードおよびスイッチングデバイスが、この順に直列に接続された直列接続体と、前記スイッチングデバイスの前記第2の電圧が与えられる側の主電極に一方の主電極が接続され、他方の主電極が、前記第2の電源端子に近接して設けられた端子に接続された第2のダイオードと、を備え、前記スイッチングデバイス、前記第1および第2のダイオードが、平面視矩形のパッケージに樹脂封止され、前記第1および第2の電源端子と前記端子が前記パッケージの一側面から突出するように配設され、前記パッケージの外部において、前記第1の電源端子と前記第2の電源端子との間に、前記第2の電源端子側から抵抗およびコンデンサを、この順に直列に接続し、前記抵抗と前記コンデンサとの間に前記端子を電気的に接続することで、前記ダイオード、前記抵抗および前記コンデンサによってスナバ回路が形成されることを特徴とする、半導体装置。前記スイッチングデバイスは、炭化珪素半導体でドリフト層が形成される炭化珪素MOSトランジスタで構成される、請求項6記載の半導体装置。リンギングの発生を抑え、スイッチングノイズを抑制するためには、スイッチングデバイスのオン、オフ動作を遅くするか、上述のように、外付けでノイズフィルタ回路を実装することが考えられるが、前者の方法ではスイッチング損失の増大につながり、後者の方法では、部品の増加や、ノイズフィルタ回路の実装エリアを追加することによるコストの増大という問題があった。本発明は上記のような問題点を解消するためになされたのもので、コストの増大を招くことなく、スイッチングデバイスのターンオン、ターンオフ時のリンギングを抑制した半導体装置を提供することを目的とする。本発明に係る半導体装置の態様は、第1の電圧を与える第1の電源端子と第2の電圧を与える第2の電源端子との間に直列に介挿され、相補的に動作する第1および第2のスイッチングデバイスと、前記第1のスイッチングデバイスの前記第1の電圧が与えられる側の主電極に一方の主電極が接続され、他方の主電極が、前記第1の電源端子に近接して設けられた端子に接続されたダイオードとを備え、前記第1および第2のスイッチングデバイスおよび前記ダイオードが、平面視矩形のパッケージに樹脂封止され、前記第1および第2の電源端子と前記端子が前記パッケージの一側面から突出するように配設され、前記パッケージの外部において、前記第1の電源端子と前記第2の電源端子との間に、前記第1の電源端子側から抵抗およびコンデンサを、この順に直列に接続し、前記抵抗と前記コンデンサとの間に前記端子を電気的に接続することで、前記ダイオード、前記抵抗および前記コンデンサによってスナバ回路が形成される。本発明に係る半導体装置の態様によれば、第1のスイッチングデバイスの第1の電圧が与えられる側の主電極と第1の電源端子との間の内部配線に存在するインダクタンスに起因するリンギングを、ダイオードを介して除去することができるので、スイッチングノイズを低減することができる。また、スナバ回路のうちダイオードは内蔵されているので、スナバ回路を外付けする場合でも、部品点数を少なくでき、また、実装エリアの追加面積が少なくて済むので、コストの増大を抑制できる。<はじめに>図1は、電力用途のインバータ回路を内蔵したパワーモジュール90の部分構成を示す図である。図1に示すパワーモジュール90は、1相分のインバータ回路を例示しており、電源電圧が与えられる電源線Pと、基準電位に接続される電源線N間に直列に接続されたIGBTinsulatedgatebipolartransistor:以後、単にトランジスタと呼称する場合もありT1およびT2と、トランジスタT1およびT2にそれぞれに逆並列接続されたフリーホイールダイオードD1およびD2とを備えている。なお、トランジスタT1およびT2の接続ノードはU相の出力端子符号Uで示すとして示している。また、PN線間には外付けのコンデンサC0が接続されているが、これは図示されない整流回路によって整流されてPN線間に供給される電流を平滑化するためのものである。このような構成において、トランジスタT1のコレクタと電源線Pが接続される端子符号Pで示すとの間の内部配線にはインダクタンス成分Lが存在する。なお、トランジスタT2のエミッタと電源線Nが接続される端子符号Nで示すとの間の内部配線にもインダクタンス成分が存在するが、便宜的に図1では省略している。この内部配線に存在するインダクタンス成分Lにより、トランジスタT1のオン、オフ動作時にリンギングが発生する。<実施の形態1>以下、図2および図3を用いて本発明に係る実施の形態1のパワーモジュール100の構成について説明する。なお、以下の全ての実施の形態においては、パワーモジュールとして、パッケージの対向する2つの側面に、それぞれ1列に端子列が設けられたDIPDualInlinePackage構造のパワーモジュールを前提として説明する。図2はパワーモジュール100の内部構成を示す回路図である。図2に示すパワーモジュール100は、1相分のインバータ回路を例示しており、電源電圧が与えられる電源線Pと、基準電位に接続される電源線N間に直列に接続されたIGBTトランジスタT1およびT2と、トランジスタT1およびT2にそれぞれに逆並列接続されたフリーホイールダイオードD1およびD2とを備えている。なお、トランジスタT1およびT2の接続ノードはU相の出力端子符号Uで示すとして示している。また、PN線間には外付けのコンデンサC0が接続されているが、これは図示されない整流回路によって整流されてPN線間に供給される電圧を平滑化するためのものである。トランジスタT1およびT2のゲートには、それぞれ制御回路CS1およびCS2から、制御信号が与えられる構成となっている。なお、制御回路CS1およびCS2には、それぞれ複数の制御端子CTを介して外部から制御信号等が与えられる構成となっている。図2に示すようにパワーモジュール100は、スイッチングデバイスの制御回路CS1およびCS2を有しているので、IPMIntelligentPowerModuleと呼称される。なお、図2に示した構成は簡略化されたものであり、トランジスタT1およびT2の過電流を検出して、それぞれ制御回路CS1およびCS2にフィードバックする構成等を含む場合もあるが、それらについては発明との関連が薄いので、図示等は省略している。パワーモジュール100においては、電源線Pが接続される端子符号Pで示す、電源線Nが接続される端子符号Nで示すおよび出力端子Uの他に端子P’を有している。この端子P’とトランジスタT1のコレクタとの間には、端子P’にカソードが接続され、コレクタにアノードが接続されたダイオードDが設けられている。また、端子Pと端子Nとの間には、端子P側から抵抗RおよびコンデンサCが、この順に直列に接続されており、コンデンサCと平滑コンデンサC0とはPN線間に並列に接続された構成となっている。なお、端子P’は、抵抗RとコンデンサCとの間に接続されている。パワーモジュール100に内蔵されたダイオードDと、抵抗RおよびコンデンサCとでRCDスナバ回路SNが構成され、トランジスタT1のコレクタと端子Pとの間の内部配線に存在するインダクタンスに起因するリンギングを、ダイオードDを介して除去することができるので、スイッチングノイズを低減することができる。また、スナバ回路のうちダイオードはモジュールに内蔵されているので、スナバ回路を外付けする場合でも、部品点数を少なくでき、また、実装エリアの追加面積が少なくて済むので、コストの増大を抑制できる。また、抵抗RやコンデンサCをモジュール外に外付けとすることで、R、Cの定数を変更することが可能となる。このため、モジュールの使用条件使用環境によってノイズの周波数が異なるような場合にも、ノイズの周波数に合わせてRCDスナバ回路が効果的に働くようにR、Cの定数を設定することが可能である。図3は、パワーモジュール100内でのスイッチングデバイス等の配置を示す平面図であり、樹脂パッケージ破線で示す矩形の領域を満たすように設けられるを省略した状態を示している。図3において、金属フレームF1およびF2上に、それぞれトランジスタT1およびT2が搭載され、金属フレームF3上にダイオードDが搭載されている。トランジスタT1およびT2のそれぞれは、コレクタが裏面に設けられ表面にエミッタとゲートが設けられた構成を有し、裏面のコレクタが金属フレームF1およびF2の主面に接するように搭載されている。ダイオードDは、カソードが裏面に設けられ表面にアノードが設けられた構成を有し、裏面のカソードが金属フレームF3の主面に接するように搭載されている。また、金属フレームF1およびF2の主面には、それぞれフリーホイールダイオードD1およびD2も搭載されている。フリーホイールダイオードD1およびD2は、カソードが裏面に設けられ表面にアノードが設けられた構成を有し、裏面のカソードがそれぞれ金属フレームF1およびF2の主面に接している。そして、トランジスタT1のエミッタは、ワイヤ配線WRを介してフリーホイールダイオードD1のアノードに電気的に接続され、フリーホイールダイオードD1のアノードはワイヤ配線WRを介して金属フレームF2のリードに電気的に接続され、当該リードが出力端子Uとなる。ダイオードDのアノードは、ワイヤ配線WRを介して金属フレームF1に電気的に接続され、ダイオードDが搭載された金属フレームF3のリードが端子P’となる。また、トランジスタT1およびフリーホイールダイオードD1が搭載された金属フレームF1のリードが端子Pとなる。また、トランジスタT2のエミッタは、ワイヤ配線WRを介してフリーホイールダイオードD2のアノードに電気的に接続され、フリーホイールダイオードD2のアノードはワイヤ配線WRを介して金属フレームF4に電気的に接続され、金属フレームF4のリードが端子Nとなる。金属フレームF1およびF2とは反対側の樹脂パッケージの側面から延在する金属フレーム群には金属フレームF11およびF12が設けられ、金属フレームF11およびF12上にはそれぞれ、制御回路CS1およびCS2が搭載されている。制御回路CS1およびCS2は、それぞれワイヤ配線WRを介してトランジスタT1およびT2のゲートに制御信号を与える構成となっている。また、制御回路CS1およびCS2は、それぞれ複数のリードとの間がワイヤ配線WRによって電気的に接続され、これらのリードが制御端子CTとなる。端子P、NおよびP’には、樹脂パッケージの外部において抵抗R、コンデンサCおよびC0が接続されているが、その接続は図2に示したものと同じである。なお、抵抗R、コンデンサCおよびC0はパワーモジュール100に直接に接続されるのではなく、パワーモジュール100を搭載する回路基板上に実装される。<実施の形態2>以下、図4および図5を用いて本発明に係る実施の形態2のパワーモジュール200の構成について説明する。図4はパワーモジュール200の内部構成を示す回路図である。なお、図2に示したパワーモジュール100と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。パワーモジュール200においては、電源線Pが接続される端子P、電源線Nが接続される端子Nおよび出力端子Uの他に端子N’を有している。この端子N’とトランジスタT2のエミッタとの間には、端子N’にアノードが接続され、エミッタにカソードが接続されたダイオードDが設けられている。また、端子Nと端子Pとの間には、端子N側から抵抗RおよびコンデンサCが、この順に直列に接続されており、コンデンサCと平滑コンデンサC0とはPN線間に並列に接続された構成となっている。なお、端子N’は、抵抗RとコンデンサCとの間に接続されている。パワーモジュール200に内蔵されたダイオードDと、抵抗RおよびコンデンサCとでRCDスナバ回路SNが構成され、トランジスタT2のエミッタと端子Nとの間の内部配線に存在するインダクタンス成分に起因するリンギングを、ダイオードDを介して除去することができるので、スイッチングノイズを低減することができる。また、抵抗RやコンデンサCをモジュール外に外付けとすることで、R、Cの定数を変更することが可能となる。このため、モジュールの使用条件使用環境によってノイズの周波数が異なるような場合にも、ノイズの周波数に合わせてRCDスナバ回路が効果的に働くようにR、Cの定数を設定することが可能である。図5は、パワーモジュール200内でのスイッチングデバイス等の配置を示す平面図であり、樹脂パッケージ破線で示す矩形の領域を満たすように設けられるを省略した状態を示している。図5において、金属フレームF1およびF2上に、それぞれトランジスタT1およびT2が搭載され、金属フレームF31上にダイオードDが搭載されている。トランジスタT1およびT2のそれぞれは、裏面のコレクタが金属フレームF1およびF2の主面に接するように搭載されている。ダイオードDは、裏面のカソードが金属フレームF31の主面に接するように搭載されている。また、金属フレームF1およびF2の主面には、それぞれフリーホイールダイオードD1およびD2も搭載されている。フリーホイールダイオードD1およびD2は、裏面のカソードがそれぞれ金属フレームF1およびF2の主面に接している。そして、トランジスタT1のエミッタは、ワイヤ配線WRを介してフリーホイールダイオードD1のアノードに電気的に接続され、フリーホイールダイオードD1のアノードはワイヤ配線WRを介して金属フレームF2のリードに電気的に接続され、当該リードが出力端子Uとなる。ダイオードDのアノードは、ワイヤ配線WRを介して金属フレームF5に電気的に接続され、金属フレームF5のリードが端子N’となる。また、トランジスタT1およびフリーホイールダイオードD1が搭載された金属フレームF1のリードが端子Pとなる。また、トランジスタT2のエミッタは、ワイヤ配線WRを介してフリーホイールダイオードD2のアノードに電気的に接続され、フリーホイールダイオードD2のアノードはワイヤ配線WRを介して金属フレームF4に電気的に接続され、金属フレームF4のリードが端子Nとなる。金属フレームF1およびF2とは反対側の樹脂パッケージの側面から延在する金属フレーム群には金属フレームF11およびF12が設けられ、金属フレームF11およびF12上にはそれぞれ、制御回路CS1およびCS2が搭載されている。制御回路CS1およびCS2は、それぞれワイヤ配線WRを介してトランジスタT1およびT2のゲートに制御信号を与える構成となっている。また、制御回路CS1およびCS2は、それぞれ複数のリードとの間がワイヤ配線WRによって電気的に接続され、これらのリードが制御端子CTとなる。端子P、NおよびN’には、樹脂パッケージの外部において抵抗R、コンデンサCおよびC0が接続されているが、その接続は図4に示したものと同じである。なお、抵抗R、コンデンサCおよびC0はパワーモジュール200に直接に接続されるのではなく、パワーモジュール200を搭載する回路基板上に実装される。<実施の形態3>次に、図6を用いて本発明に係る実施の形態3のパワーモジュール300の構成について説明する。なお、パワーモジュール300の回路構成は、図4を用いて説明したパワーモジュール200と同じである。図6は、パワーモジュール300内でのスイッチングデバイス等の配置を示す平面図であり、樹脂パッケージ破線で示す矩形の領域を満たすように設けられるを省略した状態を示している。図6において、金属フレームF1およびF2上に、それぞれトランジスタT1およびT2が搭載されている。トランジスタT1およびT2のそれぞれは、裏面のコレクタが金属フレームF1およびF2の主面に接するように搭載されている。また、トランジスタT2のエミッタ上には、ダイオードDが搭載されている。ダイオードDは、カソードが裏面に設けられ表面にアノードが設けられた構成を有し、裏面のカソードがトランジスタT2のエミッタに接するように搭載されている。また、金属フレームF1およびF2の主面には、それぞれフリーホイールダイオードD1およびD2も搭載されている。フリーホイールダイオードD1およびD2は、裏面のカソードがそれぞれ金属フレームF1およびF2の主面に接している。そして、トランジスタT1のエミッタは、ワイヤ配線WRを介してフリーホイールダイオードD1のアノードに電気的に接続され、フリーホイールダイオードD1のアノードはワイヤ配線WRを介して金属フレームF2のリードに電気的に接続され、当該リードが出力端子Uとなる。ダイオードDのアノードは、ワイヤ配線WRを介して金属フレームF5に電気的に接続され、金属フレームF5のリードが端子N’となる。また、トランジスタT1およびフリーホイールダイオードD1が搭載された金属フレームF1のリードが端子Pとなる。また、トランジスタT2のエミッタは、ワイヤ配線WRを介してフリーホイールダイオードD2のアノードに電気的に接続され、フリーホイールダイオードD2のアノードはワイヤ配線WRを介して金属フレームF4に電気的に接続され、金属フレームF4のリードが端子Nとなる。端子P、NおよびN’には、樹脂パッケージの外部において抵抗R、コンデンサCおよびC0が接続されているが、その接続は図4に示したものと同じである。なお、抵抗R、コンデンサCおよびC0はパワーモジュール300に直接に接続されるのではなく、パワーモジュール300を搭載する回路基板上に実装される。以上説明したように、パワーモジュール300では、ダイオードDをトランジスタT2のエミッタ上に搭載し、裏面のカソードがトランジスタT2のエミッタに接するように構成しているので、ダイオードDを搭載する専用フレームが不要となり、フレーム構成が簡略化されてモジュールの寸法を小さくできる。なお、実施の形態3では、トランジスタT2のエミッタと端子Nとの間の内部配線のインダクタンス成分に起因するリンギングを除去する構成について説明したが、トランジスタT2のコレクタと端子Pとの間の内部配線のインダクタンス成分に起因するリンギングを除去する構成に対しても同様に適用可能である。<実施の形態4>以下、図7および図8を用いて本発明に係る実施の形態4のパワーモジュール400の構成について説明する。以上説明した実施の形態1~3においては、スイッチングデバイスとしてIGBTを用いる構成を示し、当該IGBTはシリコンSi基板に形成されたSiデバイスであった。しかし、スイッチングデバイスは、Siデバイスに限定されるものではない。図7はパワーモジュール400の内部構成を示す回路図である。図7に示すパワーモジュール400は、1相分のインバータ回路を例示しており、電源電圧が与えられる電源線Pと、基準電位に接続される電源線N間に直列に接続されたMOSmetaloxidesemiconductorトランジスタT11およびT12を備えている。なお、トランジスタT11およびT12の接続ノードはU相の出力端子符号Uで示すとして示している。その他、図4に示したパワーモジュール200と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。トランジスタT11およびT12のゲートには、それぞれ制御回路CS1およびCS2から、制御信号が与えられる構成となっている。なお、制御回路CS1およびCS2には、それぞれ複数の制御端子CTを介して外部から制御信号等が与えられる構成となっている。ここで、トランジスタT11およびT12は、SiC炭化珪素半導体でドリフト層が形成されるSiC-MOSトランジスタである。SiCデバイスは、Siデバイスよりも破壊電界強度が高いため、ドリフト層の不純物濃度を高くすることができる。例えば、ドリフト層の不純物濃度を10倍にすることで、出力を10倍にすることができる。また、ユニポーラデバイスであるMOSトランジスタを用いることで、スイッチング時のホールに起因する損失テール電流による損失が発生しないという利点がある。図8は、パワーモジュール400内でのスイッチングデバイス等の配置を示す平面図であり、樹脂パッケージ破線で示す矩形の領域を満たすように設けられるを省略した状態を示している。図8において、金属フレームF1およびF2上に、それぞれトランジスタT11およびT12が搭載されている。トランジスタT11およびT12のそれぞれは、ドレインが裏面に設けられ表面にソースとゲートが設けられた構成を有し、裏面のドレインが金属フレームF1およびF2の主面に接するように搭載されている。また、トランジスタT12のソース上には、ダイオードDが搭載されている。ダイオードDは、カソードが裏面に設けられ表面にアノードが設けられた構成を有し、裏面のカソードがトランジスタT12のソースに接するように搭載されている。そして、トランジスタT11のソースは、ワイヤ配線WRを介して金属フレームF2のリードに電気的に接続され、当該リードが出力端子Uとなる。ダイオードDのアノードは、ワイヤ配線WRを介して金属フレームF5に電気的に接続され、金属フレームF5のリードが端子N’となる。また、トランジスタT11が搭載された金属フレームF1のリードが端子Pとなる。また、トランジスタT12のソースは、ワイヤ配線WRを介して金属フレームF4に電気的に接続され、金属フレームF4のリードが端子Nとなる。端子P、NおよびN’には、樹脂パッケージの外部において抵抗R、コンデンサCおよびC0が接続されているが、その接続は図7に示したものと同じである。なお、抵抗R、コンデンサCおよびC0はパワーモジュール400に直接に接続されるのではなく、パワーモジュール400を搭載する回路基板上に実装される。<実施の形態5>以下、図9および図10を用いて本発明に係る実施の形態5のパワーモジュール500の構成について説明する。図9はパワーモジュール500の内部構成を示す回路図である。図9に示すパワーモジュール500は、PFCpowerfactorcorrection回路のアクティブコンバーター回路の出力制御部分を例示しており、電源電圧が与えられる電源線Pと、基準電位に接続される電源線N1間にダイオードD11およびIGBTトランジスタT10が直列に接続され、トランジスタT10のコレクタとダイオードD11のアノードとの接続ノードは出力端子符号RTで示すとして示している。また、トランジスタT10のコレクタにはダイオードD12のカソードが接続され、ダイオードD12のアノードは、端子N2に接続されている。端子N2は基準電位に接続される端子であり、ダイオードD12は低電位側のフリーホイールダイオードとして機能する。なお、ダイオードD11は高電位側のフリーホイールダイオードとして機能する。また、PN線間には外付けのコンデンサC0が接続されているが、これは図示されない整流回路によって整流されてPN線間に供給される電圧を平滑化するためのものである。トランジスタT10のゲートには、制御回路CSから制御信号が与えられる構成となっている。なお、制御回路CSには、それぞれ複数の制御端子CTを介して外部から制御信号等が与えられる構成となっている。なお、図9に示した構成はPFC回路の一部だけを示しているが、他の構成については発明との関連が薄いので、図示等は省略している。パワーモジュール500においては、電源線Pが接続される端子P、電源線N1が接続される端子N1および出力端子RT、接地端子N2の他に端子N’を有している。この端子N’とトランジスタT10のエミッタとの間には、端子N’にアノードが接続され、エミッタにカソードが接続されたダイオードDが設けられている。また、端子N1と端子Pとの間には、端子N側から抵抗RおよびコンデンサCが、この順に直列に接続されている。コンデンサCと平滑コンデンサC0とはPN線間に並列に接続された構成となっている。なお、端子N’は、抵抗RとコンデンサCとの間に接続されている。パワーモジュール500に内蔵されたダイオードDと、抵抗RおよびコンデンサCとでRCDスナバ回路SNが構成され、トランジスタT10のエミッタと端子N1との間の内部配線に存在するインダクタンス成分に起因するリンギングを、ダイオードDを介して除去することができるので、スイッチングノイズを低減することができる。一般にインバータよりもPFCのアクティブコンバーターの方が高周波で動作するため、PFCの方が高速スイッチングが必要となるので、リンギングも大きくなる。RCDスナバ回路はPFCのリンギング低減にも有効である。また、抵抗RやコンデンサCをモジュール外に外付けとすることで、R、Cの定数を変更することが可能となる。このため、モジュールの使用条件使用環境によってノイズの周波数が異なるような場合にも、ノイズの周波数に合わせてRCDスナバ回路が効果的に働くようにR、Cの定数を設定することが可能である。図10は、パワーモジュール500内でのスイッチングデバイス等の配置を示す平面図であり、樹脂パッケージ破線で示す矩形の領域を満たすように設けられるを省略した状態を示している。図10において、金属フレームF10上に、トランジスタT10およびダイオードD12が搭載されている。トランジスタT10は、コレクタが裏面に設けられ表面にエミッタとゲートが設けられた構成を有し、裏面のコレクタが金属フレームF10の主面に接するように搭載されている。また、ダイオードD12は、カソードが裏面に設けられ表面にアノードが設けられた構成を有し、裏面のカソードが金属フレームF10の主面に接するように搭載されている。そして、ダイオードD12のアノードは、ワイヤ配線WRを介して金属フレームF12に電気的に接続され、金属フレームF12のリードが端子N2となる。また、金属フレームF11上に、ダイオードD11が搭載され、ダイオードD11は、カソードが裏面に設けられ表面にアノードが設けられた構成を有し、裏面のカソードが金属フレームF11の主面に接するように搭載されている。そして、金属フレームF11のリードが端子Pとなる。また、トランジスタT10のエミッタ上には、ダイオードDが搭載されている。ダイオードDは、カソードが裏面に設けられ表面にアノードが設けられた構成を有し、裏面のカソードがトランジスタT10のエミッタに接するように搭載されている。そして、トランジスタT10のエミッタは、ワイヤ配線WRを介して金属フレームF13に電気的に接続され、金属フレームF13のリードが端子N1となる。ダイオードDのアノードは、ワイヤ配線WRを介して金属フレームF14に電気的に接続され、金属フレームF14のリードが端子N’となる。また、ダイオードD11のアノードは、ワイヤ配線WRを介して金属フレームF10のリードに電気的に接続され、当該リードが出力端子RTとなる。金属フレームF10とは反対側の樹脂パッケージの側面から延在する金属フレーム群には金属フレームF20が設けられ、金属フレームF20上には、制御回路CSが搭載されている。制御回路CSは、ワイヤ配線WRを介してトランジスタT10のゲートに制御信号を与える構成となっている。また、制御回路CSは、複数のリードとの間がワイヤ配線WRによって電気的に接続され、これらのリードが制御端子CTとなる。端子P、N1およびN’には、樹脂パッケージの外部において抵抗R、コンデンサCおよびC0が接続されているが、その接続は図9に示したものと同じである。なお、抵抗R、コンデンサCおよびC0はパワーモジュール500に直接に接続されるのではなく、パワーモジュール500を搭載する回路基板上に実装される。<実施の形態6>以下、図11および図12を用いて本発明に係る実施の形態6のパワーモジュール600の構成について説明する。以上説明した実施の形態5においては、スイッチングデバイスとしてIGBTを用いる構成を示し、当該IGBTはSi基板に形成されたSiデバイスであった。しかし、スイッチングデバイスは、Siデバイスに限定されるものではない。図11はパワーモジュール600の内部構成を示す回路図である。なお、図11においては、図9に示したパワーモジュール500と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。図11において、電源電圧が与えられる電源線Pと、基準電位に接続される電源線N1間にダイオードD11およびMOSトランジスタT20が直列に接続され、トランジスタT20のソースとダイオードD11のアノードとの接続ノードは出力端子符号RTで示すとして示している。また、トランジスタT20のソースにはダイオードD12のカソードが接続され、ダイオードD12のアノードは、端子N2に接続されている。端子N2は基準電位に接続される端子であり、ダイオードD12は低電位側のフリーホイールダイオードとして機能する。なお、ダイオードD11は高電位側のフリーホイールダイオードとして機能する。トランジスタT20のゲートには、制御回路CSから制御信号が与えられる構成となっている。なお、制御回路CSには、それぞれ複数の制御端子CTを介して外部から制御信号等が与えられる構成となっている。パワーモジュール600に内蔵されたダイオードDと、抵抗RおよびコンデンサCとでRCDスナバ回路SNが構成され、トランジスタT20のエミッタと端子N1との間の内部配線に存在するインダクタンス成分に起因するリンギングを、ダイオードDを介して除去することができるので、スイッチングノイズを低減することができる。ここで、トランジスタT20は、SiC基板に形成されたSiC-MOSトランジスタである。SiCデバイスは、Siデバイスよりも破壊電界強度が高いため、ドリフト層の不純物濃度を高くすることができる。例えば、ドリフト層の不純物濃度を10倍にすることで、出力を10倍にすることができる。また、ユニポーラデバイスであるMOSトランジスタを用いることで、スイッチング時のホールに起因する損失テール電流による損失が発生しないという利点がある。図12は、パワーモジュール600内でのスイッチングデバイス等の配置を示す平面図であり、樹脂パッケージ破線で示す矩形の領域を満たすように設けられるを省略した状態を示している。図12において、金属フレームF10上に、トランジスタT20およびダイオードD12が搭載されている。トランジスタT20は、ドレインが裏面に設けられ表面にソースとゲートが設けられた構成を有し、裏面のドレインが金属フレームF10の主面に接するように搭載されている。また、ダイオードD12は、カソードが裏面に設けられ表面にアノードが設けられた構成を有し、裏面のカソードが金属フレームF10の主面に接するように搭載されている。そして、ダイオードD12のアノードは、ワイヤ配線WRを介して金属フレームF12に電気的に接続され、金属フレームF12のリードが端子N2となる。また、金属フレームF11上に、ダイオードD11が搭載され、ダイオードD11は、カソードが裏面に設けられ表面にアノードが設けられた構成を有し、裏面のカソードが金属フレームF11の主面に接するように搭載されている。そして、金属フレームF11のリードが端子Pとなる。また、トランジスタT10のソース上には、ダイオードDが搭載されている。ダイオードDは、カソードが裏面に設けられ表面にアノードが設けられた構成を有し、裏面のカソードがトランジスタT10のソースに接するように搭載されている。そして、トランジスタT10のソースは、ワイヤ配線WRを介して金属フレームF13に電気的に接続され、金属フレームF13のリードが端子N1となる。ダイオードDのアノードは、ワイヤ配線WRを介して金属フレームF14に電気的に接続され、金属フレームF14のリードが端子N’となる。また、ダイオードD11のアノードは、ワイヤ配線WRを介して金属フレームF10のリードに電気的に接続され、当該リードが出力端子RTとなる。金属フレームF10とは反対側の樹脂パッケージの側面から延在する金属フレーム群には金属フレームF20が設けられ、金属フレームF20上には、制御回路CSが搭載されている。制御回路CSは、ワイヤ配線WRを介してトランジスタT10のゲートに制御信号を与える構成となっている。また、制御回路CSは、複数のリードとの間がワイヤ配線WRによって電気的に接続され、これらのリードが制御端子CTとなる。端子P、N1およびN’には、樹脂パッケージの外部において抵抗R、コンデンサCおよびC0が接続されているが、その接続は図9に示したものと同じである。なお、抵抗R、コンデンサCおよびC0はパワーモジュール600に直接に接続されるのではなく、パワーモジュール600を搭載する回路基板上に実装される。