表面に転写パターンが形成されたテンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを形成するインプリントシステムであって、基板上に第1のレジスト膜を形成する基板処理ステーションと、テンプレートの表面に離型剤を成膜する離型剤処理ブロックを備えたテンプレート処理ステーションと、前記第1のレジスト膜が形成された基板上に第2のレジスト膜を形成し、前記離型剤が成膜されたテンプレートの転写パターンを前記第2のレジスト膜に転写して当該第2のレジスト膜に所定のレジストパターンを形成するインプリントユニットが複数配置され、前記基板処理ステーション及びテンプレート処理ステーションに接続されたインプリント処理ステーションと、前記基板処理ステーションに接続され、当該基板処理ステーションに基板を搬入出する基板搬入出ステーションと、前記テンプレート処理ステーションに接続され、当該テンプレート処理ステーションにテンプレートを搬入出するテンプレート搬入出ステーションと、を有することを特徴とする、インプリントシステム。前記基板処理ステーションと前記テンプレート処理ステーションは、鉛直方向に積層して配置され、前記基板搬入出ステーションと前記テンプレート搬入出ステーションは、鉛直方向に積層して配置されていることを特徴とする、請求項1に記載のインプリントシステム。前記テンプレート処理ステーションは、前記基板処理ステーションの上方に配置され、前記テンプレート搬入出ステーションは、前記基板搬入出ステーションの上方に配置されていることを特徴とする、請求項2に記載のインプリントシステム。前記基板処理ステーションと前記テンプレート処理ステーションは、前記インプリント処理ステーションを挟んで水平方向に並べて配置されていることを特徴とする、請求項1に記載のインプリントシステム。前記基板処理ステーションは、基板上に塗布液を塗布する塗布ユニットを有することを特徴とする、請求項1~4のいずれかに記載のインプリントシステム。前記塗布ユニットは、前記第1のレジスト膜を形成する液体の蒸気を基板上に供給するものであることを特徴とする、請求項5に記載のインプリントシステム。前記第1のレジスト膜が形成された基板上に、前記第2のレジスト膜との密着性を高める密着剤を塗布する密着剤塗布ユニットを、前記基板処理ステーションに有することを特徴とする、請求項1~6のいずれかに記載のインプリントシステム。前記密着剤塗布ユニットは、密着剤の蒸気を前記第1のレジスト膜が形成された基板上に供給するものであることを特徴とする、請求項7に記載のインプリントシステム。前記密着剤塗布ユニットは、基板に対して水蒸気を供給する機能を有していることを特徴とする、請求項8に記載のインプリントシステム。前記テンプレート処理ステーションには、前記インプリント処理ステーションから搬出されたテンプレートの表面を洗浄するテンプレート洗浄ブロックが配置されていることを特徴とする、請求項1~9のいずれかに記載のインプリントシステム。前記インプリント処理ステーションには、前記複数のインプリントユニットを水平方向に並べて配置した2列のインプリントブロックが形成され、前記2列のインプリントブロック間には、前記各インプリントユニットに基板とテンプレートを搬送するための搬送領域が形成されていることを特徴とする、請求項1~10のいずれかに記載のインプリントシステム。テンプレートの表面に離型剤の蒸気を供給して、当該表面に離型剤を成膜する離型剤成膜ユニットが、前記離型剤処理ブロックに設けられていることを特徴とする、請求項1~11のいずれかに記載のインプリントシステム。前記離型剤成膜ユニットは、テンプレートに対して水蒸気を供給する機能を有していることを特徴とする、請求項12に記載のインプリントシステム。インプリントシステムにおいて、表面に転写パターンが形成されたテンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを形成するインプリント方法であって、前記インプリントシステムは、基板上に第1のレジスト膜を形成する基板処理ステーションと、テンプレートの表面に離型剤を成膜する離型剤処理ブロックを備えたテンプレート処理ステーションと、前記第1のレジスト膜が形成された基板上に第2のレジスト膜を形成し、前記離型剤が成膜されたテンプレートの転写パターンを前記第2のレジスト膜に転写して当該第2のレジスト膜に所定のレジストパターンを形成するインプリントユニットが複数配置され、前記基板処理ステーション及びテンプレート処理ステーションに接続されたインプリント処理ステーションと、前記基板処理ステーションに接続され、当該基板処理ステーションに基板を搬入出する基板搬入出ステーションと、前記テンプレート処理ステーションに接続され、当該テンプレート処理ステーションにテンプレートを搬入出するテンプレート搬入出ステーションと、を有し、前記基板処理ステーションにおいて複数の基板上に第1のレジスト膜を形成すると共に、前記テンプレート処理ステーションにおいて複数のテンプレートの表面に離型剤を成膜し、前記基板処理ステーションから前記インプリント処理ステーションに前記第1のレジスト膜が形成された複数の基板を連続して搬送すると共に、前記テンプレート処理ステーションから前記インプリント処理ステーションに前記離型剤が成膜された複数のテンプレートを連続して搬送し、前記インプリント処理ステーションでは、各テンプレートを用いた各基板に対する前記所定のレジストパターンの形成が前記各インプリントユニットで並行してわれることを特徴とする、インプリント方法。前記基板処理ステーションにおいて、基板上に塗布液が塗布されることを特徴とする、請求項14に記載のインプリント方法。前記テンプレート処理ステーションにはテンプレート洗浄ブロックが配置され、前記テンプレート洗浄ブロックにおいて、前記インプリント処理ステーションから搬出されたテンプレートの表面を洗浄することを特徴とする、請求項14又は15に記載のインプリント方法。前記インプリントシステムは、前記第1のレジスト膜が形成された基板上に、前記第2のレジスト膜との密着性を高める密着剤を塗布する密着剤塗布ユニットを、前記基板処理ステーションに有し、第1のレジスト膜形成後に、前記密着剤が基板上に塗布される工程を有することを特徴とする、請求項14~16のいずれかに記載のインプリント方法。請求項14~17のいずれかに記載のインプリント方法をインプリントシステムによって実行させるために、当該インプリントシステムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。請求項18に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。しかしながら、現状、テンプレートの表面に所定の微細なパターンを形成するのは技術的に困難である。すなわち、テンプレート上に、高いアスペクト比の深い溝を有するパターンを形成するのが困難な状況にある。かかるテンプレートを用いて上述したインプリント処理を行うと、ウェハ上に薄い膜厚のレジストパターンが形成される。この場合、その後ウェハ上の被処理膜のエッチング処理を行う際に、レジストパターンが十分な耐エッチング性能を発揮できず、被処理膜のパターンを適切に形成できない。そこで、上述のインプリント処理を行う前に、予めウェハの被処理膜上に他のレジスト膜を形成しておくことが考えられる。かかる場合、インプリント処理を行うことで形成されたレジストパターンをマスクとして、他のレジスト膜をエッチング処理し、他のレジストパターンを形成する。そうすると、これら2つのレジストパターンが一体となって十分な耐エッチング性能を発揮し、被処理膜のパターンを適切に形成することができる。しかしながら、他のレジスト膜の形成処理とインプリント処理とでは、ウェハ1枚当たりに要する処理時間が異なる。他のレジスト膜は、例えばウェハ上に塗布液を塗布した後、当該塗布液を焼成することで形成される。この場合、ウェハ1枚当たりに要する処理時間が短く、現状の装置では、例えば1時間当たり200枚のウェハに対して、他のレジスト膜の形成処理を行うことができる。一方、インプリント処理では、ウェハ上にレジスト膜を形成した後、当該レジスト膜に対するテンプレートのパターンの転写が複数回、例えば100回行われる。このため、ウェハ1枚当たりに要する処理時間が長く、現状の装置では、例えば1時間当たり20枚のウェハに対してインプリント処理を行うのが限界である。このように処理時間が異なる2つの処理を連続して行うと、インプリント処理を行っている間、他のレジスト膜の形成処理を停止せざるをえない。したがって、複数のウェハに対して所定のレジストパターンを連続的に効率よく形成することは現実的に困難であり、半導体デバイスの量産化に対応できない。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、テンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを適切且つ効率よく形成することを目的とする。前記の目的を達成するため、本発明は、表面に転写パターンが形成されたテンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを形成するインプリントシステムであって、基板上に第1のレジスト膜を形成する基板処理ステーションと、テンプレートの表面に離型剤を成膜する離型剤処理ブロックを備えたテンプレート処理ステーションと、前記第1のレジスト膜が形成された基板上に第2のレジスト膜を形成し、前記離型剤が成膜されたテンプレートの転写パターンを前記第2のレジスト膜に転写して当該第2のレジスト膜に所定のレジストパターンを形成するインプリントユニットが複数配置され、前記基板処理ステーション及びテンプレート処理ステーションに接続されたインプリント処理ステーションと、前記基板処理ステーションに接続され、当該基板処理ステーションに基板を搬入出する基板搬入出ステーションと、前記テンプレート処理ステーションに接続され、当該テンプレート処理ステーションにテンプレートを搬入出するテンプレート搬入出ステーションと、を有することを特徴としている。本発明によれば、一の基板処理ステーションに対して、インプリント処理ステーションには、第2のレジスト膜の形成と所定のレジストパターンの形成以下、インプリント処理という場合があるを行うインプリントユニットが複数配置されている。このため、基板処理ステーションで複数の基板上に第1のレジスト膜を形成し、当該基板処理ステーションからインプリント処理ステーションに第1のレジスト膜が形成された複数の基板を連続して搬送できる。また、インプリント処理ステーションにはテンプレート処理ステーションが接続されているので、当該テンプレート処理ステーションからインプリント処理ステーションに離型剤が成膜された複数のテンプレートを連続して搬送できる。そして、インプリント処理ステーションでは、各テンプレートを用いた各基板に対するインプリント処理を各インプリントユニットで並行して行うことができる。このため、基板処理ステーションにおける処理時間とインプリントユニットにおける処理時間が異なる場合でも、基板処理ステーションにおける基板の処理を停止させることなく、基板を連続して適切に処理することができる。したがって、基板上に所定のレジストパターンを適切且つ効率よく形成することができる。前記基板処理ステーションと前記テンプレート処理ステーションは、鉛直方向に積層して配置され、前記基板搬入出ステーションと前記テンプレート搬入出ステーションは、鉛直方向に積層して配置されていてもよい。かかる場合、前記テンプレート処理ステーションは、前記基板処理ステーションの上方に配置され、前記テンプレート搬入出ステーションは、前記基板搬入出ステーションの上方に配置されていてもよい。また、前記基板処理ステーションと前記テンプレート処理ステーションは、前記インプリント処理ステーションを挟んで水平方向に並べて配置されていてもよい。前記基板処理ステーションは、基板上に塗布液を塗布する塗布ユニットを有していてもよい。前記塗布ユニットは、前記第1のレジスト膜を形成する液体の蒸気を基板上に供給するものであってもよい。前記第1のレジスト膜が形成された基板上に、前記第2のレジスト膜との密着性を高める密着剤を塗布する密着剤塗布ユニットを、前記基板処理ステーションに有していてもよい。前記密着剤塗布ユニットは、密着剤の蒸気を前記第1のレジスト膜が形成された基板上に供給するものであってもよい。前記密着剤塗布ユニットは、基板に対して水蒸気を供給する機能を有していてもよい。前記テンプレート処理ステーションには、前記インプリント処理ステーションから搬出されたテンプレートの表面を洗浄するテンプレート洗浄ブロックが配置されていてもよい。前記インプリント処理ステーションには、前記複数のインプリントユニットを水平方向に並べて配置した2列のインプリントブロックが形成され、前記2列のインプリントブロック間には、前記各インプリントユニットに基板とテンプレートを搬送するための搬送領域が形成されていてもよい。テンプレートの表面に離型剤の蒸気を供給して、当該表面に離型剤を成膜する離型剤成膜ユニットが、前記離型剤処理ブロックに設けられていてもよい。前記離型剤成膜ユニットは、テンプレートに対して水蒸気を供給する機能を有していてもよい。別な観点による本発明は、インプリントシステムにおいて、表面に転写パターンが形成されたテンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを形成するインプリント方法であって、前記インプリントシステムは、基板上に第1のレジスト膜を形成する基板処理ステーションと、テンプレートの表面に離型剤を成膜する離型剤処理ブロックを備えたテンプレート処理ステーションと、前記第1のレジスト膜が形成された基板上に第2のレジスト膜を形成し、前記離型剤が成膜されたテンプレートの転写パターンを前記第2のレジスト膜に転写して当該第2のレジスト膜に所定のレジストパターンを形成するインプリントユニットが複数配置され、前記基板処理ステーション及びテンプレート処理ステーションに接続されたインプリント処理ステーションと、前記基板処理ステーションに接続され、当該基板処理ステーションに基板を搬入出する基板搬入出ステーションと、前記テンプレート処理ステーションに接続され、当該テンプレート処理ステーションにテンプレートを搬入出するテンプレート搬入出ステーションと、を有し、前記基板処理ステーションにおいて複数の基板上に第1のレジスト膜を形成すると共に、前記テンプレート処理ステーションにおいて複数のテンプレートの表面に離型剤を成膜し、前記基板処理ステーションから前記インプリント処理ステーションに前記第1のレジスト膜が形成された複数の基板を連続して搬送すると共に、前記テンプレート処理ステーションから前記インプリント処理ステーションに前記離型剤が成膜された複数のテンプレートを連続して搬送し、前記インプリント処理ステーションでは、各テンプレートを用いた各基板に対する前記所定のレジストパターンの形成が前記各インプリントユニットで並行してわれることを特徴としている。前記基板処理ステーションにおいて、基板上に塗布液が塗布されるようにしてもよい。前記テンプレート処理ステーションにはテンプレート洗浄ブロックが配置され、前記テンプレート洗浄ブロックにおいて、前記インプリント処理ステーションから搬出されたテンプレートの表面を洗浄してもよい。前記インプリントシステムは、前記第1のレジスト膜が形成された基板上に、前記第2のレジスト膜との密着性を高める密着剤を塗布する密着剤塗布ユニットを、前記基板処理ステーションに有し、第1のレジスト膜形成後に、前記密着剤が基板上に塗布される工程を有していてもよい。また別な観点による本発明によれば、前記インプリント方法をインプリントシステムによって実行させるために、当該インプリントシステムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。本発明によれば、テンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを適切且つ効率よく形成することができる。以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかるインプリントシステム1の構成の概略を示す平面図である。図2~図4は、インプリントシステム1の構成の概略を示す側面図である。本実施の形態のインプリントシステム1では、図5に示すように直方体形状を有し、表面に所定の転写パターンCが形成されたテンプレートTが用いられる。以下、転写パターンCが形成されているテンプレートTの面を表面T1といい、当該表面T1と反対側の面を裏面T2という。なお、テンプレートTには、可視光、近紫外光、紫外線などの光を透過可能な透明材料、例えばガラスが用いられる。インプリントシステム1は、図1に示すように複数、例えば25枚の基板としてのウェハWをカセット単位で外部とインプリントシステム1との間で搬入出したり、ウェハカセットCWに対してウェハWを搬入出したりする基板搬入出ステーションとしてのウェハ搬入出ステーション2と、ウェハWに所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた基板処理ステーションとしてのウェハ処理ステーション3と、テンプレートTを用いてウェハW上に所定のレジストパターンを形成するインプリントユニットを複数備えたインプリント処理ステーション4と、テンプレートTに所定の処理を複数の処理ユニットを備えたテンプレート処理ステーション5と、複数、例えば5枚のテンプレートTをカセット単位で外部とインプリントシステム1との間で搬入出したり、テンプレートカセットCTに対してテンプレートTを搬入出したりするテンプレート搬入出ステーション6と、一体に接続した構成を有している。ウェハ搬入出ステーション2、ウェハ処理ステーション3、インプリント処理ステーション4と、テンプレート処理ステーション5と、テンプレート搬入出ステーション6は、この順でY方向図1の左右方向に並べて配置されている。ウェハ搬入出ステーション2には、カセット載置台10が設けられている。カセット載置台10は、複数のウェハカセットCWをX方向図1中の上下方向に一列に載置自在になっている。すなわち、ウェハ搬入出ステーション2は、複数のウェハWを保有可能に構成されている。なお、本実施の形態において、ウェハカセットCW内のウェハW上にはエッチング処理の対象となる被処理膜図示せずが予め形成されている。ウェハ搬入出ステーション2には、X方向に延伸する搬送路11上を移動可能なウェハ搬送体12が設けられている。ウェハ搬送体12は、水平方向に伸縮自在であり、且つ鉛直方向及び鉛直周りθ方向にも移動自在であり、ウェハカセットCWとウェハ処理ステーション3との間でウェハWを搬送できる。ウェハ処理ステーション3には、その中心部に搬送ユニット20が設けられている。この搬送ユニット20の周辺には、各種処理ユニットが多段に配置された、例えば4つの処理ブロックG1~G4が配置されている。ウェハ処理ステーション3の正面側図1のX方向負方向側には、ウェハ搬入出ステーション2側から第1の処理ブロックG1、第2の処理ブロックG2が順に配置されている。処理ステーション3の背面側図1のX方向正方向側には、ウェハ搬入出ステーション2側から第3の処理ブロックG3、第4の処理ブロックG4が順に配置されている。ウェハ処理ステーション3のウェハ搬入出ステーション2側には、ウェハWの受け渡しを行うためのトランジションユニット21が配置されている。ウェハ処理ステーション3のインプリント処理ステーション4側には、ウェハWの受け渡しを行うためのトランジションユニット22と、ウェハWを一時的に保管するバッファカセット23が配置されている。搬送ユニット20は、ウェハWを保持して搬送し、且つ水平方向、鉛直方向及び鉛直周りに移動自在な搬送アームを有している。そして、搬送ユニット20は、処理ブロックG1~G4内に配置された後述する各種処理ユニット、トランジションユニット21、22、及びバッファカセット23に対してウェハWを搬送できる。第1の処理ブロックG1には、図2に示すように複数の液処理ユニット、例えばウェハW上に塗布液としての第1のレジスト液を塗布する塗布ユニットとしてのレジスト塗布ユニット30、31が下から順に2段に重ねられている。第2の処理ブロックG2も同様に、レジスト塗布ユニット32、33が下から順に2段に重ねられている。また、第1の処理ブロックG1及び第2の処理ブロックG2の最下段には、前記液処理ユニットに各種処理液を供給するためのケミカル室34、35がそれぞれ設けられている。第3の処理ブロックG3には、図4に示すようにウェハWの温度を調節する温度調節ユニット40、41、ウェハWを加熱処理する加熱ユニット42、43が下から順に4段に重ねられている。第4の処理ブロックG4にも、第3の処理ブロックG3と同様に、温度調節ユニット50、51、ウェハWを加熱処理する加熱ユニット52、53が下から順に4段に重ねられている。インプリント処理ステーション4には、図1に示すように2列のインプリントブロックE1、E2が配置されている。第1のインプリントブロックE1はインプリント処理ステーション4の正面側図1のX方向負方向側に配置され、第2のインプリントブロックE2はインプリント処理ステーション4の背面側図1のX方向正方向側に配置されている。2列のインプリントブロックE1、E2の間には、ウェハWとテンプレートTを搬送するための搬送領域E3が形成されている。第1のインプリントブロックE1には、複数、例えば5基のインプリントユニット60がY方向に並べて配置されている。また、各インプリントユニット60の搬送領域側E3には、ウェハWとテンプレートTの受け渡しを行うトランジションユニット61が配置されている。第2のインプリントブロックE2にも、第1のインプリントブロックE1と同様に、複数、例えば5基のインプリントユニット60とトランジションユニット61がY方向に並べて配置されている。なお、インプリントユニット60の数は、ウェハ処理ステーション3における処理時間とインプリントユニット60の処理時間に基づいて設定される。すなわち、ウェハ処理ステーション3では、例えば1時間当たり200枚のウェハWに対してウェハ処理を行うことができる。一方、インプリントユニット60では、例えば1時間当たり20枚のウェハWに対してインプリント処理を行う。したがって、本実施の形態では、インプリント処理ステーション4に10基のインプリントユニット60が設けられている。搬送領域E3には、ウェハWを保持して搬送するウェハ搬送ユニット70と、テンプレートTを保持して搬送するテンプレート搬送ユニット71が設けられている。ウェハ搬送ユニット70とテンプレート搬送ユニット71は、互いに干渉しないように配置されている。ウェハ搬送ユニット70は、例えば水平方向に伸縮自在であり、且つ鉛直方向及び鉛直周りθ方向にも移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送ユニット70は、搬送領域E3内を移動し、ウェハ処理ステーション3とトランジションユニット61と間でウェハWを搬送できる。同様にテンプレートユニット71も、例えば水平方向に伸縮自在であり、且つ鉛直方向及び鉛直周りθ方向にも移動自在な搬送アームを有している。テンプレート搬送ユニット71は、搬送領域E3内を移動し、テンプレート搬入出ステーション5とトランジションユニット61との間でテンプレートTを搬送できる。テンプレート処理ステーション5には、その中心部に搬送ユニット80が設けられている。この搬送ユニット80の周辺には、各種処理ユニットが多段に配置された、例えば6つの処理ブロックF1~F6が配置されている。テンプレート処理ステーション5の正面側図1のX方向負方向側には、テンプレート搬入出ステーション6側から第1の処理ブロックF1、第2の処理ブロックF2が順に配置されている。テンプレート処理ステーション5のテンプレート搬入出ステーション6側には、第3の処理ブロックF3が配置され、テンプレート処理ステーション5のインプリント処理ステーション4側には、第4の処理ブロックF4とバッファカセット81が配置されている。テンプレート処理ステーション5の背面側図1のX方向正方向側には、テンプレート搬入出ステーション6側から第5の処理ブロックF5、第6の処理ブロックF6が順に配置されている。搬送ユニット80は、これらの処理ブロックF1~F6内に配置された後述する各種処理ユニット及びバッファカセット81に対してテンプレートTを搬送できる。なお、本実施の形態においては、処理ブロックF1~F4で離型剤処理ブロックを構成し、処理ブロックF5、F6でテンプレート洗浄ブロックを構成している。第1の処理ブロックF1には、図2に示すように複数の液処理ユニット、例えばテンプレートTに離型剤を塗布する離型剤塗布ユニット90、テンプレートT上の離型剤をリンスするリンスユニット91が下から順に2段に重ねられている。第2の処理ブロックF2も同様に、離型剤塗布ユニット92、リンスユニット93が下から順に2段に重ねられている。また、第1の処理ブロックF1及び第2の処理ブロックF2の最下段には、前記液処理ユニットに各種処理液を供給するためのケミカル室94、95がそれぞれ設けられている。第3の処理ブロックF3には、図3に示すようにテンプレートTに対して紫外線を照射し、テンプレートT上に離型剤が成膜される前の表面T1を洗浄する前洗浄ユニット100、テンプレートTの温度を調節する温度調節ユニット101、102、テンプレートTの受け渡しを行うためのトランジションユニット103、テンプレートTを加熱処理する加熱ユニット104、105が下から順に6段に重ねられている。第4の処理ブロックF4にも、第3の処理ブロックF3と同様に、前洗浄ユニット110、温度調節ユニット111、112、トランジションユニット113、加熱ユニット114、115が下から順に6段に重ねられている。第5の処理ブロックF5には、図4に示すように使用後のテンプレートTの表面T1を洗浄する後洗浄ユニット120、121、洗浄後のテンプレートTの表面T1を検査する検査ユニット122が下から順に3段に重ねられている。第6の処理ブロックF6にも、第5の処理ブロックF5と同様に、後洗浄ユニット130、131、検査ユニット132が下から順に3段に重ねられている。なお、後洗浄ユニット120、121、130、131は、テンプレートTの裏面T2もさらに洗浄してもよく、検査ユニット122、132は、テンプレートTの裏面T2もさらに検査してもよい。テンプレート搬入出ステーション6には、図1に示すようにカセット載置台140が設けられている。カセット載置台140は、複数のテンプレートカセットCTをX方向図1中の上下方向に一列に載置自在になっている。すなわち、テンプレート搬入出ステーション6は、複数のテンプレートTを保有可能に構成されている。テンプレート搬入出ステーション6には、X方向に延伸する搬送路141上を移動可能なテンプレート搬送体142が設けられている。テンプレート搬送体142は、水平方向に伸縮自在であり、且つ鉛直方向及び鉛直周りθ方向にも移動自在であり、テンプレートカセットCTとテンプレート処理ステーション5との間でテンプレートTを搬送できる。次に、上述したウェハ処理ステーション3のレジスト塗布ユニット30~33の構成について説明する。レジスト塗布ユニット30は、図6に示すように側面にウェハWの搬入出口図示せずが形成されたケーシング200を有している。ケーシング200内の中央部には、ウェハを保持して回転させるスピンチャック210が設けられている。スピンチャック210は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハWを吸引する吸引口図示せずが設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハWをスピンチャック210上に吸着保持できる。スピンチャック210には、シャフト211を介して回転駆動部212が設けられている。この回転駆動部212により、スピンチャック210は鉛直周りに所定の速度で回転でき、且つ昇降できる。スピンチャック210の周囲には、ウェハWから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ213が設けられている。カップ213の下面には、回収した液体を排出する排出管214と、カップ213内の雰囲気を排気する排気管215が接続されている。図7に示すようにカップ213のX方向負方向図7の下方向側には、Y方向図7の左右方向に沿って延伸するレール220が形成されている。レール220は、例えばカップ213のY方向負方向図7の左方向側の外方からY方向正方向図7の右方向側の外方まで形成されている。レール220には、アーム221が取り付けられている。アーム221には、ウェハW上に第1のレジスト液を供給するレジスト液ノズル222が支持されている。アーム221は、ノズル駆動部223により、レール220上を移動自在である。これにより、レジスト液ノズル222は、カップ213のY方向正方向側の外方に設置された待機部224からカップ213内のウェハWの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウェハW上をウェハWの径方向に移動できる。また、アーム221は、ノズル駆動部223によって昇降自在であり、レジスト液ノズル222の高さを調節できる。なお、本実施の形態において、塗布液としての第1のレジスト液には、例えばカーボンを有するレジスト液が用いられる。また、塗布液として、SOGSpinOnGlass膜形成用の塗布液を用いてもよい。なお、レジスト塗布ユニット31~33の構成は、上述したレジスト塗布ユニット30の構成と同様であるので説明を省略する。次に、上述したウェハ処理ステーション3の加熱ユニット42、43、52、53の構成について説明する。加熱ユニット42は、図8に示すように側面にウェハWの搬入出口図示せずが形成されたケーシング230を有している。ケーシング230内の底面には、ウェハWが載置される載置台231が設けられている。ウェハWは、その被処理面が上方を向くように載置台231の上面に載置される。載置台231内には、ウェハWを下方から支持し昇降させるための昇降ピン232が設けられている。昇降ピン232は、昇降駆動部233により上下動できる。載置台231の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔234が形成されており、昇降ピン232は、貫通孔234を挿通するようになっている。また、載置台231の上面には、ウェハWを加熱する熱板235が設けられている。熱板235の内部には、例えば給電により発熱するヒータが設けられており、熱板235を所定の設定温度に調節できる。なお、この熱板235は、ウェハWの上方、例えば後述する蓋体240の天井面に設けてもよい。また、ウェハWの上方と下方に熱板235を設けてもよい。載置台231の上方には、上下動自在の蓋体240が設けられている。蓋体240は、下面が開口し、載置台231と一体となって処理室Kを形成する。蓋体240の上面中央部には、排気部241が設けられている。処理室K内の雰囲気は、排気部241から均一に排気される。なお、加熱ユニット43、52、53の構成は、上述した加熱ユニット42の構成と同様であるので説明を省略する。また、温度調節ユニット40、41、50、51の構成についても、上述した加熱ユニット42と同様の構成を有し、熱板235に代えて、温度調節板が用いられる。温度調節板の内部には、例えばペルチェ素子などの冷却部材が設けられており、温度調節板を設定温度に調節できる。また、この場合、加熱ユニット42における蓋体240を省略してもよい。次に、上述したインプリント処理ステーション4のインプリントユニット60の構成について説明する。インプリントユニット60は、図9に示すように側面にウェハWの搬入出口図示せずとテンプレートTの搬入出口図示せずが形成されたケーシング250を有している。ケーシング250内の底面には、ウェハWが載置されて保持されるウェハ保持部251が設けられている。ウェハWは、その被処理面が上方を向くようにウェハ保持部251の上面に載置される。ウェハ保持部251内には、ウェハWを下方から支持し昇降させるための昇降ピン252が設けられている。昇降ピン252は、昇降駆動部253により上下動できる。ウェハ保持部251の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔254が形成されており、昇降ピン252は、貫通孔254を挿通するようになっている。また、ウェハ保持部251は、当該ウェハ保持部251の下方に設けられた移動機構255により、水平方向に移動可能で、且つ鉛直周りに回転自在である。図10に示すようにウェハ保持部251のX方向負方向図10の下方向側には、Y方向図10の左右方向に沿って延伸するレール260が設けられている。レール260は、例えばウェハ保持部251のY方向負方向図10の左方向側の外方からY方向正方向図10の右方向側の外方まで形成されている。レール260には、アーム261が取り付けられている。アーム261には、ウェハW上に第2のレジスト液を供給するレジスト液ノズル262が支持されている。レジスト液ノズル262は、例えばウェハWの直径寸法と同じかそれよりも長い、X方向に沿った細長形状を有している。レジスト液ノズル262には、例えばインクジェット方式のノズルが用いられ、レジスト液ノズル262の下部には、長手方向に沿って一列に形成された複数の供給口図示せずが形成されている。そして、レジスト液ノズル262は、第2のレジスト液の供給タイミング、第2のレジスト液の供給量等を厳密に制御できる。アーム261は、ノズル駆動部263により、レール260上を移動自在である。これにより、レジスト液ノズル262は、ウェハ保持部251のY方向正方向側の外方に設置された待機部264からウェハ保持部251上のウェハWの上方まで移動でき、さらに当該ウェハWの表面上をウェハWの径方向に移動できる。また、アーム261は、ノズル駆動部263によって昇降自在であり、レジスト液ノズル262の高さを調整できる。ケーシング250内の天井面であって、ウェハ保持部251の上方には、図9に示すようにテンプレートTを保持するテンプレート保持部270が設けられている。すなわち、ウェハ保持部251とテンプレート保持部270は、ウェハ保持部251に載置されたウェハWと、テンプレート保持部270に保持されたテンプレートTが対向するように配置されている。また、テンプレート保持部270は、テンプレートTの裏面T2の外周部を吸着保持するチャック271を有している。チャック271は、当該チャック271の上方に設けられた移動機構272により、鉛直方向に移動自在で、且つ鉛直周りに回転自在になっている。これにより、テンプレートTは、ウェハ保持部251上のウェハWに対して所定の向きに回転し昇降できる。テンプレート保持部270は、チャック271に保持されたテンプレートTの上方に設けられた光源273を有している。光源273からは、例えば可視光、近紫外光、紫外線などの光が発せられ、この光源273からの光は、テンプレートTを透過して下方に照射される。なお、インプリントユニット60内には、トランジションユニット61との間でウェハWを搬送するウェハ搬送機構図示せずと、トランジションユニット61との間でテンプレートTを搬送するテンプレート搬送機構図示せずとが設けられている。また、テンプレート搬送機構は、テンプレートTの表裏面を反転させるように回動自在に構成されている。次に、上述したテンプレート処理ステーション5の離型剤塗布ユニット90、92の構成について説明する。離型剤塗布ユニット90は、図11に示すように側面にテンプレートTの搬入出口図示せずが形成されたケーシング280を有している。ケーシング280内の中央部には、テンプレートTを保持して回転させる保持部材281が設けられている。保持部材281の中央部分は下方に窪み、テンプレートTを収容する収容部282が形成されている。収容部282の下部には、テンプレートTの外形より小さい溝部282aが形成されている。したがって、収容部282内では、溝部282aによってテンプレートTの下面内周部は保持部材281と接しておらず、テンプレートTの下面外周部のみが保持部材281に支持されている。収容部282は、図12に示すようにテンプレートTの外形に適合した略四角形の平面形状を有している。収容部282には、側面から内側に突出した突出部283が複数形成され、この突出部283により、収容部282に収容されるテンプレートTの位置決めがされる。また、搬送ユニット80の搬送アームから収容部282にテンプレートTを受け渡す際に、当該搬送アームが収容部282と干渉するのを避けるため、収容部282の外周には、切欠き部284が4箇所に形成されている。保持部材281は、図11に示すようにカバー体285に取り付けられ、保持部材281の下方には、シャフト286を介して回転駆動部287が設けられている。この回転駆動部287により、保持部材281は鉛直周りに所定の速度で回転でき、且つ昇降できる。保持部材281の周囲には、テンプレートTから飛散又は落下する離型剤Sを受け止め、回収するカップ290が設けられている。カップ290の下面には、回収した離型剤Sを排出する排出管291と、カップ290内の雰囲気を排気する排気管292が接続されている。図13に示すようにカップ290のX方向負方向図13の下方向側には、Y方向図13の左右方向に沿って延伸するレール300が形成されている。レール300は、例えばカップ290のY方向負方向図13の左方向側の外方からY方向正方向図13の右方向側の外方まで形成されている。レール300には、アーム301が取り付けられている。アーム301には、テンプレートT上に離型剤を供給する離型剤ノズル302が支持されている。アーム301は、ノズル駆動部303により、レール300上を移動自在である。これにより、離型剤ノズル302は、カップ290のY方向正方向側の外方に設置された待機部304からカップ290内のテンプレートTの中心部上方まで移動できる。また、アーム301は、ノズル駆動部303によって昇降自在であり、離型剤ノズル302の高さを調整できる。なお、離型剤の材料には、ウェハ上の第2のレジスト膜に対して撥液性を有する材料、例えばフッ素樹脂等が用いられる。なお、例えば保持部材281の溝部282a内に、洗浄液、例えば有機溶剤を噴射する洗浄液ノズルを設けてもよい。この洗浄液ノズルからテンプレートTの裏面T2に洗浄液を噴射することによって、当該裏面T2を洗浄することができる。なお、離型剤塗布ユニット92の構成は、上述した離型剤塗布ユニット90の構成と同様であるので説明を省略する。次に、上述したテンプレート処理ステーション5のリンスユニット91、93の構成について説明する。リンスユニット91は、図14に示すように側面にテンプレートTの搬入出口図示せずが形成されたケーシング310を有している。ケーシング310内の底面には、テンプレートTを浸漬させる浸漬槽311が設けられている。浸漬槽311内には、テンプレートT上の離型剤をリンスするための有機溶剤が貯留されている。ケーシング310内の天井面であって、浸漬槽311の上方には、テンプレートTを保持する保持部312が設けられている。保持部312は、テンプレートTの裏面T2の外周部を吸着保持するチャック313を有している。テンプレートTは、その表面T1が上方を向くようにチャック313に保持される。チャック313は、昇降機構314により昇降できる。そして、テンプレートTは、保持部312に保持された状態で浸漬槽311に貯留された有機溶剤に浸漬され、当該テンプレートT上の離型剤がリンスされる。保持部312は、チャック313に保持されたテンプレートTの上方に設けられたガス供給部315を有している。ガス供給部315は、例えば窒素等の不活性ガスや乾燥空気などの気体ガスを下方、すなわちチャック313に保持されたテンプレートTの表面T1に吹き付けることができる。これにより、浸漬槽311でリンスされたテンプレートTの表面T1を乾燥させることができる。なお、リンスユニット91には、内部の雰囲気を排気する排気管図示せずが接続されている。なお、リンスユニット93の構成は、上述したリンスユニット91の構成と同様であるので説明を省略する。次に、上述したテンプレート処理ステーション5の前洗浄ユニット100、110の構成について説明する。前洗浄ユニット100は、図15に示すように側面にテンプレートTの搬入出口図示せずが形成されたケーシング320を有している。ケーシング320内には、テンプレートTを吸着保持するチャック321が設けられている。チャック321は、テンプレートTの表面T1が上方を向くように、その裏面T2を吸着保持する。チャック321の下方には、チャック駆動部322が設けられている。このチャック駆動部322は、ケーシング320内の底面に設けられ、Y方向に沿って延伸するレール323上に取付けられている。このチャック駆動部322により、チャック321はレール323に沿って移動できる。ケーシング320内の天井面であって、レール323の上方には、チャック321に保持されたテンプレートTに紫外線を照射する紫外線照射部324が設けられている。紫外線照射部324は、図16に示すようにX方向に延伸している。そして、テンプレートTがレール323に沿って移動中に、紫外線照射部324から当該テンプレートTの表面T1に紫外線を照射することで、テンプレートTの表面T1全面に紫外線が照射される。なお、前洗浄ユニット110の構成は、上述した前洗浄ユニット100の構成と同様であるので説明を省略する。次に、上述したテンプレート処理ステーション5の後洗浄ユニット120、121、130、131の構成について説明する。後洗浄ユニット120は、図17に示すように側面にテンプレートTの搬入出口図示せずが形成されたケーシング330を有している。ケーシング330内の底面には、テンプレートTが載置される載置台331が設けられている。テンプレートTは、その表面T1が上方を向くように載置台331の上面に載置される。載置台331内には、テンプレートTを下方から支持し昇降させるための昇降ピン332が設けられている。昇降ピン332は、昇降駆動部333により上下動できる。載置台331の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔334が形成されており、昇降ピン332は、貫通孔334を挿通するようになっている。図18に示すように載置台331のX方向負方向図18の下方向側には、Y方向図18の左右方向に沿って延伸するレール340が設けられている。レール340は、例えば載置台331のY方向負方向図18の左方向側の外方からY方向正方向図18の右方向側の外方まで形成されている。レール340には、アーム341が取り付けられている。アーム341には、テンプレートT上に洗浄液を供給する洗浄液ノズル342が支持されている。洗浄液ノズル342は、例えばテンプレートTの一辺寸法と同じかそれよりも長い、X方向に沿った細長形状を有している。なお、洗浄液には、例えば有機溶剤や純水が用いられ、有機溶剤としては、IPAイソプロピルアルコール、ジブチルエーテル、シクロヘキサンなどが用いられる。アーム341は、ノズル駆動部343により、レール340上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル342は、載置台331のY方向正方向側の外方に設置された待機部344から載置台331上のテンプレートTの上方まで移動でき、さらに当該テンプレートTの表面T1上をテンプレートTの辺方向に移動できる。また、アーム341は、ノズル駆動部343によって昇降自在であり、洗浄液ノズル342の高さを調整できる。ケーシング330内の天井面であって、載置台331の上方には、テンプレートTに紫外線を照射する紫外線照射部345が設けられている。紫外線照射部345は、載置台331に載置されたテンプレートTの表面T1に対向してするように配置され、当該テンプレートTの表面T1全面に紫外線を照射することができる。なお、後洗浄ユニット121、130、131の構成は、上述した後洗浄ユニット120の構成と同様であるので説明を省略する。なお、上述したテンプレート処理ステーション5の加熱ユニット104、105、114、115の構成は、図19に示すようにウェハ処理ステーション3における加熱ユニット42、43、52、53の構成と同様であるので説明を省略する。また、テンプレート処理ステーション5の温度調節ユニット101、102、111、112の構成についても、上述した加熱ユニット104と同様の構成を有し、熱板235に代えて、温度調節板が用いられる。温度調節板の内部には、例えばペルチェ素子などの冷却部材が設けられており、温度調節板を設定温度に調節できる。また、この場合、加熱ユニット104における蓋体240を省略してもよい。以上のインプリントシステム1には、図1に示すように制御部350が設けられている。制御部350は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部図示せずを有している。プログラム格納部には、インプリントシステム1におけるウェハ処理、テンプレート処理、インプリント処理等を実行するプログラムが格納されている。なお、このプログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスクHD、フレキシブルディスクFD、コンパクトディスクCD、マグネットオプティカルデスクMO、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部350にインストールされたものであってもよい。本実施の形態にかかるインプリントシステム1は以上のように構成されている。次に、そのインプリントシステム1で行われるウェハ処理、テンプレート処理インプリント処理等について説明する。図20は、これらウェハ処理、テンプレート処理及びインプリント処理の主な処理フローを示し、図21は、各工程におけるウェハWとテンプレートTの状態を示している。先ず、テンプレート搬送体22によって、テンプレート搬入出ステーション6のカセット載置台140上のテンプレートカセットCTからテンプレートTが取り出され、テンプレート処理ステーション5のトランジションユニット103に搬送される図20の工程A1。なお、テンプレートカセットCT内のテンプレートTは、転写パターンCが形成された表面T1が上方を向くように収容されている。その後、搬送ユニット80によって、テンプレートTは、前洗浄ユニット100に搬送され、チャック321に吸着保持される。続いて、チャック駆動部322によってテンプレートTをレール323に沿って移動させながら、紫外線照射部324から当該テンプレートTに紫外線が照射される。こうして、テンプレートTの表面T1全面に紫外線が照射され、図21aに示すようにテンプレートTの表面T1が洗浄される図20の工程A2。その後、搬送ユニット80によって、テンプレートTは離型剤塗布ユニット90に搬送され、保持部材281に受け渡される。続いて、離型剤ノズル302をテンプレートTの中心部上方まで移動させると共に、テンプレートTを回転させる。そして、回転中のテンプレートT上に離型剤Sを供給し、遠心力により離型剤SをテンプレートT上で拡散させて、図21bに示すようにテンプレートTの表面T1全面に離型剤Sを塗布する図20の工程A3。その後、搬送ユニット80によって、テンプレートTは加熱ユニット104に搬送される。加熱ユニット104に搬入されたテンプレートTは、昇降ピン232に受け渡され、載置台231に載置される。続いて、蓋体240が閉じられ、テンプレートTは熱板235によって例えば200°Cに加熱される。所定時間経過後、図21cに示すようにテンプレートT上の離型剤Sが焼成される図20の工程A4。その後、搬送ユニット80によって、テンプレートTは温度調節ユニット211に搬送され、テンプレートTが所定の温度に調節される。その後、搬送ユニット80によって、テンプレートTはリンスユニット91に搬送され、保持部312に保持される。続いて、保持部312を下降させ、テンプレートTを浸漬槽311に貯留された有機溶剤に浸漬させる。所定時間経過すると、離型剤Sの未反応部のみが剥離し、図21dに示すようにテンプレートT上に転写パターンCに沿った離型剤Sが成膜される図20の工程A5。その後、保持部312を上昇させ、ガス供給部315から気体ガスをテンプレートTに吹き付け、その表面T1を乾燥させる。なお、離型剤Sの未反応部とは、離型剤SがテンプレートTの表面T1と化学反応して当該表面T1と吸着する部分以外をいう。その後、搬送ユニット80によって、テンプレートTはトランジションユニット113に搬送される。続いて、搬送ユニット70によって、テンプレートTはインプリント処理ステーション4に搬送される。ここで、上述した工程A1~A5を繰り返し行い、複数のテンプレートT上に離型剤Sを成膜し、複数のテンプレートTが連続的にインプリント処理ステーション4に搬送される。このとき、インプリント処理ステーション4にテンプレートTを搬送する前に、バッファカセット81において、離型剤Sが成膜されたテンプレートTを一時的に保管してもよい。その後、テンプレート搬送ユニット71によって、テンプレートTはトランジションユニット61に搬送される。続いて、インプリントユニット60内のテンプレート搬送機構によって、テンプレートTはインプリントユニット60内に搬送される図20の工程A6。このとき、テンプレート搬送機構によって、テンプレートTの表裏面が反転される。すなわち、テンプレートTの裏面T2が上方に向けられる。インプリントユニット60に搬入されたテンプレートTは、テンプレート保持部270のチャック271に吸着保持される。このようにテンプレート処理ステーション5においてテンプレートTに所定の処理を行い、インプリントユニット60へテンプレートTを搬送中に、ウェハ搬入出ステーション2において、ウェハ搬送体12により、カセット載置台10上のテンプレートカセットCWからウェハWが取り出され、ウェハ処理ステーション3のトランジションユニット21に搬送される図20の工程A7。なお、ウェハカセットCW内のウェハWは、その被処理面が上方を向くように収容されている。その後、搬送ユニット20によって、ウェハWはレジスト塗布ユニット30に搬送され、スピンチャック210に受け渡される。続いて、レジスト液ノズル222をウェハWの中心部上方まで移動させると共に、ウェハWを回転させる。そして、回転中のウェハW上に第1のレジスト液を供給し、遠心力により第1のレジスト液をウェハW上で拡散させて、ウェハWの表面全面に第1のレジスト液を塗布する図20の工程A8。その後、搬送ユニット20によって、ウェハWは加熱ユニット42に搬送される。加熱ユニット42に搬入されたウェハWは、昇降ピン232に受け渡され、載置台231に載置される。続いて、蓋体240が閉じられ、ウェハWは熱板235によって例えば200°Cに加熱される。所定時間経過後、ウェハW上の第1のレジスト液が焼成され、図21eに示すようにウェハW上に第1のレジスト膜R1が形成される図20の工程A9。なお、第1のレジスト膜R1は、例えば10nmの膜厚で形成される。その後、搬送ユニット20によって、ウェハWは温度調節ユニット40に搬送され、ウェハWが所定の温度、例えば常温に調節される。その後、搬送ユニット20によって、ウェハWはトランジションユニット22に搬送される。続いて、搬送ユニット70によって、ウェハWはインプリント処理ステーション4に搬送される。ここで、上述した工程A7~A9を繰り返し行い、複数のウェハW上に第1のレジスト膜R1を形成し、複数のウェハWが連続的にインプリント処理ステーション4に搬送される。このとき、インプリント処理ステーション4にウェハWを搬送する前に、バッファカセット23において、第1のレジスト膜R1が形成されたウェハWを一時的に保管してもよい。その後、搬送ユニット70によって、ウェハWはトランジションユニット61に搬送される。続いて、インプリントユニット60内のウェハ搬送機構によって、ウェハWはインプリントユニット60内に搬送される図20の工程A10。インプリントユニット60に搬入されたウェハWは、昇降ピン252に受け渡され、ウェハ保持部251上に載置され保持される。続いて、ウェハ保持部251に保持されたウェハWを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせをした後、レジスト液ノズル262をウェハWの径方向に移動させ、図21fに示すようにウェハW上に第2のレジスト液を塗布し、第2のレジスト膜R2を形成する図20の工程A11。このとき、制御部350により、レジスト液ノズル262から供給される第2のレジスト液の供給タイミングや供給量等が制御される。すなわち、ウェハW上に形成されるレジストパターンにおいて、凸部に対応する部分テンプレートTの転写パターンCにおける凹部に対応する部分に塗布される第2のレジスト液の量は多く、凹部に対応する部分転写パターンCにおける凸部に対応する部分に塗布される第2のレジスト液の量は少なくなるように制御される。このように転写パターンCの開口率に応じてウェハW上に第2のレジスト液が塗布される。なお、第2のレジスト膜R2は、例えば50nmの膜厚で形成される。ウェハW上に第2のレジスト膜R2が形成されると、ウェハ保持部251に保持されたウェハWを水平方向の所定の位置に移動させて位置合わせを行うと共に、テンプレート保持部270に保持されたテンプレートTを所定の向きに回転させる。そして、図21fの矢印に示すようにテンプレートTをウェハW側に下降させる。テンプレートTは所定の位置まで下降し、テンプレートTの表面T1がウェハW上の第2のレジスト膜R2に押し付けられる。なお、この所定の位置は、ウェハW上に形成されるレジストパターンの高さに基づいて設定される。続いて、光源273から光が照射される。光源273からの光は、図21gに示すようにテンプレートTを透過してウェハW上の第2のレジスト膜R2に照射され、これにより第2のレジスト膜R2は光重合する。このようにしてウェハW上の第2のレジスト膜R2にテンプレートTの転写パターンCが転写され、レジストパターンPが形成される図20の工程A12。その後、図21hに示すようにテンプレートTを上昇させて、ウェハW上にレジストパターンPを形成する。このとき、テンプレートTの表面T1には離型剤Sが塗布されているので、ウェハW上のレジストがテンプレートTの表面T1に付着することはない。その後、ウェハWは、昇降ピン252によってウェハ搬送機構に受け渡され、インプリントユニット60から搬出され、トランジションユニット61に搬送される図20の工程A13。その後、ウェハWは、搬送ユニット70によってウェハ処理ステーション3に搬送された後、ウェハ搬送体12によってウェハカセットCWに戻される。なお、ウェハW上に形成されたレジストパターンPの凹部には、薄いレジストの残存膜Lが残る場合があるが、例えばインプリントシステム1の外部において、図21iに示すように当該残存膜Lを除去してもよい。以上の工程A10~A13を繰り返し行い、一のテンプレートTを用いて、複数のウェハW上にレジストパターンPをそれぞれ形成する。そして、所定枚数のウェハWに対して工程A10~A13が行われると、テンプレートTが交換される。すなわち、テンプレート搬送機構によってテンプレートTの表裏面が反転された後、テンプレートTはインプリントユニット60から搬出され、トランジションユニット61に搬送される図20の工程A14。なお、テンプレートTを交換するタイミングは、テンプレートTの劣化等を考慮して設定される。また、ウェハWに異なるパターンPを形成する場合にも、テンプレートTが交換される。例えばテンプレートTを1回使用する度に当該テンプレートTを交換してもよい。また、例えば1枚のウェハW毎にテンプレートTを交換してもよいし、例えば1ロット毎にテンプレートTを交換してもよい。その後、テンプレートTは、搬送ユニット70によってテンプレート処理ステーション5のトランジションユニット113に搬送された後、搬送ユニット80によって後洗浄ユニット120に搬送される。後洗浄ユニット120に搬送されたテンプレートTは、昇降ピン332に受け渡され、載置台331に載置される。続いて、紫外線照射部345からテンプレートTの表面T1全面に紫外線が照射される。そうすると、テンプレートT上の離型剤Sが気化してそのほとんどが除去される。所定時間経過後、紫外線の照射を停止し、洗浄液ノズル342をテンプレートTの辺方向に移動させながら、当該テンプレートT上に残存する離型剤Sに対して洗浄液を供給する。こうして、テンプレートT上の離型剤Sが除去され、表面T1が洗浄される図20の工程A15。なお、洗浄液として純水を用いる場合、テンプレートTの表面T1にウォーターマークが付着するのを避けるため、その後有機溶剤であるIPAを用いてさらに洗浄するのが好ましい。なお、後洗浄ユニット120では、テンプレートTの表面T1だけでなく裏面T2も洗浄してもよい。その後、搬送ユニット80によって、テンプレートTは、検査ユニット122に搬送される。そして、検査ユニット122において、例えば干渉縞の観察等により、テンプレートTの表面T1が検査される図20の工程A16。なお、検査ユニット122では、テンプレートTの表面T1だけでなく裏面T2も検査してもよい。その後、テンプレートTは、搬送ユニット80によってトランジションユニット103に搬送され、テンプレート搬送体142によってテンプレートカセットCTに戻される。なお、検査ユニット122の検査結果が良好な場合、例えばテンプレートTの表面T1が適切に洗浄され、且つその表面T1が劣化していない場合には、テンプレートカセットCTに戻されたテンプレートTは、インプリントユニット1内で再度使用される。一方、検査ユニット122の検査結果が悪い場合、例えばテンプレートTの表面T1が劣化している場合には、テンプレートTはインプリントユニット1の外部に搬出される。このようにして、インプリントシステム1において、テンプレートTを連続的に交換しつつ、複数のウェハWに対して所定のレジストパターンPが連続的に形成される。以上の実施の形態によれば、インプリントシステム1において、図21iに示したようにウェハW上に第1のレジスト膜R1と、第2のレジスト膜R2のレジストパターンPが形成される。そして、その後インプリントシステム1の外部のエッチング処理ユニット図示せずにおいて、第2のレジスト膜R2のレジストパターンPをマスクとして、第1のレジスト膜R1をエッチング処理してレジストパターンを形成する。そうすると、これら第1のレジスト膜R1のレジストパターンと第2のレジスト膜R2のレジストパターンPが一体となって十分な耐エッチング機能を発揮する。したがって、ウェハW上の被処理膜を適切にエッチング処理して、当該被処理膜のパターンを適切に形成することができる。以上の実施の形態によれば、一のウェハ処理ステーション3に対して、インプリント処理ステーション4には、インプリントユニット60が複数配置されている。このため、ウェハ処理ステーション3で複数のウェハW上に第1のレジスト膜R1を形成し、当該ウェハ処理ステーション3からインプリント処理ステーション4に第1のレジスト膜R1が形成された複数のウェハWを連続して搬送できる。また、インプリント処理ステーション3にはテンプレート処理ステーション5が接続されているので、当該テンプレート処理ステーション5からインプリント処理ステーション4に離型剤Sが成膜された複数のテンプレートTを連続して搬送できる。そして、インプリント処理ステーション4では、各テンプレートTを用いた各ウェハWに対するインプリント処理を各インプリントユニット60で並行して行うことができる。このため、ウェハ処理ステーション3における処理時間とインプリントユニット60における処理時間が異なる場合でも、ウェハ処理ステーション3におけるウェハ処理を停止させることなく、ウェハWを連続して適切に処理することができる。したがって、ウェハW上に所定のレジストパターンPを適切且つ効率よく形成することができる。また、これによって、半導体デバイスの量産化を実現することも可能となる。また、テンプレート処理ステーション5内に、離型剤処理ブロックを構成する処理ブロックF1~F4が設けられているので、インプリントシステム1内でテンプレートT上に離型剤Sを成膜しつつ、テンプレートTをインプリントユニット60に連続的に供給できる。これによって、例えばテンプレートTが劣化する前、あるいは複数のウェハW上に異なるレジストパターンPを形成する場合でも、インプリントユニット60内のテンプレートTを連続して効率よく交換することができる。したがって、複数のウェハWに対して所定のレジストパターンPを適切に形成することができる。また、テンプレート処理ステーション5内には、テンプレート洗浄ブロックを構成する処理ブロックF5、F6が設けられ、例えば後洗浄ユニット120、121、130、131が設けられているので、インプリントシステム1内で使用済みのテンプレートTの表面T1を洗浄することができる。これによって、インプリントユニット1内でテンプレートTを再度使用することができる。さらに、テンプレート処理ステーション5内に、検査ユニット122、132が設けられているので、洗浄後のテンプレートTの表面T1を検査することができる。そして、この検査結果に基づいて、例えば当該テンプレートTをインプリントユニット1内で再度使用したり、あるいはインプリントユニット1の外部に搬出する等を決定することができる。これによって、テンプレートTを有効利用することができると共に、インプリントユニット1内で不良なテンプレートTを使用することが無くなるので、複数のウェハW上に所定のレジストパターンPを適切に形成することができる。また、ウェハ処理ステーション3では、レジスト塗布ユニット30においてウェハW上に第1のレジスト液を塗布した後、加熱ユニット42においてウェハW上の第1のレジスト液を焼成している。したがって、ウェハW上に第1のレジスト膜R1を適切に形成することができる。なお、以上の実施の形態のテンプレート処理ステーション5には、離型剤処理ブロックを構成する処理ブロックF1~F4と、テンプレート洗浄ブロックを構成する処理ブロックF5、F6の両方が設けられていたが、例えば図22に示すように、テンプレート処理ステーション5内に離型剤処理ブロックである処理ブロックF1~F4のみを設けてもよい。この場合、前記実施の形態の工程A15、A16が省略され、使用済みのテンプレートTの表面T1の洗浄はインプリントシステム1の外部で行われる。また、かかる場合、処理ブロックF3、F4をそれぞれ処理ブロックF5、F6の位置に移動させて配置し、処理ブロックF3、F4の位置にテンプレートTの受け渡しを行うためのトランジションユニットをそれぞれ設けてもよい。以上の実施の形態のインプリントシステム1では、ウェハ搬入出ステーション2、ウェハ処理ステーション3、インプリント処理ステーション4、テンプレート処理ステーション5、テンプレート搬入出ステーション6が水平方向に並べて配置されていたが、図23~図27に示すようにテンプレート処理ステーション5は、ウェハ処理ステーション3の上方に積層されて配置されていてもよい。また、テンプレート搬入出ステーション6は、ウェハ搬入出ステーション2の上方に積層されて配置されていてもよい。かかる場合、インプリントシステム1の占有面積を小さくすることができ、その製造コストを低廉化することができる。なお、テンプレート処理ステーション5及びテンプレート搬入出ステーション6と、ウェハ処理ステーション3及びウェハ搬入出ステーション2との上下関係は本実施の形態に限定されず、ウェハ処理ステーション3及びウェハ搬入出ステーション2を上層に配置してもよい。但し、インプリントユニット60内では、テンプレートTがウェハWの上方に配置されるので、本実施の形態のようにテンプレート処理ステーション5及びテンプレート搬入出ステーション6を上層に配置するのが好ましい。また、本実施の形態においても、テンプレート処理ステーション5内に、離型剤処理ブロックである処理ブロックF1~F4のみを設け、テンプレート洗浄ブロックを構成する処理ブロックF5、F6を省略してもよい。この場合、前記実施の形態の工程A15、A16が省略され、使用済みのテンプレートTの表面T1の洗浄はインプリントシステム1の外部で行われる。なお、これらウェハ搬入出ステーション2、ウェハ処理ステーション3、インプリント処理ステーション4、テンプレート処理ステーション5、テンプレート搬入出ステーション6の構成は、前記実施の形態と同様であるので説明を省略する。以上の実施の形態では、テンプレート処理ステーション5において、テンプレートT上に離型剤Sを塗布した後、当該離型剤Sを加熱して焼成していたが、離型剤Sを焼成する代わりに光を照射してもよい。かかる場合、テンプレートT上の離型剤Sに対して、波長が例えば350nm~2500nmの光が照射される。そうすると、テンプレートTの表面T1と離型剤Sの活性基を強固且つ密に化学結合させることができ、テンプレートTの表面T1と離型剤Sとの密着性が向上する。すなわち、テンプレートTの表面T1に離型剤Sを短時間で密着させることができる。また、テンプレート処理ステーション5において、テンプレートT上に離型剤Sを塗布した後、離型剤Sを焼成する代わりにアルコール処理をしてもよい。かかる場合、テンプレートT上の離型剤Sにアルコールが塗布される。そうすると、離型剤SがテンプレートTの表面T1と強固且つ密に化学反応し、テンプレートTの表面T1と離型剤Sとの密着性が向上する。なお、アルコールはアルコール類であればよく、エタノール以外の他のアルコールを用いてもよい。例えばメタノール、プローパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノールを用いてもよく、あるいはこれらのアルコールの混合物を用いてもよい。また、アルコールの濃度は特に限定されないが、100であることが好ましい。以上の実施の形態のインプリントシステム1において、各処理ユニットの構成は前記実施の形態に限定されず、各処理を行うことができる構成であれば、種々の構成を取り得る。例えば以上の実施の形態のリンスユニット91、93では、浸漬層311に貯留された有機溶剤にテンプレートTを浸漬することで離型剤Sをリンスしていたが、図11及び図13に示した離型剤塗布ユニット90と同様の構成を有するリンスユニットを用いてもよい。かかる場合、離型剤塗布ユニット90の離型剤ノズル302に代えて、テンプレートT上に離型剤Sのリンス液としての有機溶剤を供給するリンス液ノズルが用いられる。そして、このリンスユニットでは、回転中のテンプレートT上に有機溶剤が供給し、テンプレートTの表面T1全面をリンスする。所定時間経過すると、離型剤Sの未反応部のみが剥離し、テンプレートT上に転写パターンCに沿った離型剤Sが成膜される。その後、有機溶剤の供給を停止した後、さらにテンプレートTを回転させ続け、その表面T1を振り切り乾燥させる。このようにして、テンプレートT上の離型剤Sがリンスされる。前記した実施の形態では、図20のフローでも示したように、ウェハW上に第1のレジスト膜R1が形成された後は、インプリント処理ステーション4にウェハWが搬送され、その後第2のレジスト膜R2が形成される。しかしながら、テンプレートTを第2のレジスト膜R2に接触させて転写パターンCを転写した際に、テンプレートTの表面に離型剤Sが成膜されていても、第2のレジスト膜R2がテンプレートT側に付着する可能性も否定できない。かかる場合に鑑みて、第2のレジスト膜R2のウェハW側への密着性、定着生を向上させる処理を、第2のレジスト膜R2の形成前に予め行なっておくことが好ましい。たとえば第2のレジスト膜R2の材料が、たとえばUV硬化性樹脂の場合、第1のレジスト膜R1の表面に、当該UV硬化性樹脂との密着性を向上させる、シランカップリング剤などの密着剤を塗布して成膜しておくことが好ましい。このような塗布処理は、図20のフローに即して言えば、たとえば第1のレジスト液を焼成した後工程A9の後に行なうとよい。そしてそのような密着剤を塗布するにあたっては、第1のレジスト膜R1を形成する第1のレジスト液の塗布を行なった、図6に示したような塗布ユニット30~33と同じ構成を持った塗布装置を用いることができる。そしてそのように密着剤を塗布した後、必要に応じてウェハWを加熱し、さらには必要に応じて冷却し、その後にインプリントユニット60に搬入し、以後図20に示したフローと同様に、第2のレジスト膜R2の形成処理工程A11を実施すればよい。またそのように第1のレジスト膜R1の表面に密着剤を成膜する際、前記した塗布ユニット30のような液体を塗布する装置ではなく、密着剤の蒸気をウェハW表面に供給して成膜するようにしてもよい。図28は、その際に使用する密着剤の塗布ユニットとしての成膜ユニット450の構成の概略を示している。この成膜ユニット450は、たとえば塗布ユニット30~33の一部に代えて、基板処理ステーション3に搭載される。成膜ユニット450は、図28に示すようにウェハWが載置される載置台460と、当該載置台460の上方に設けられた蓋体461とを有している。蓋体461は、例えば昇降機構図示せずによって鉛直方向に移動自在に構成されている。また、蓋体461の下面は開口している。そして、蓋体461と載置台460とが一体となって、密閉された処理空間Kを形成できるようになっている。載置台460には、ウェハWの表面たとえば第1のレジスト膜R1の形成面が上方を向くように当該ウェハWが載置される。載置台460の上面には、ウェハWの温度を制御する温度制御板470が設けられている。温度制御板470は、例えばペルチェ素子などを内蔵し、ウェハWを所定の温度に調節できる。載置台460内には、ウェハWを下方から支持し昇降させるための昇降ピン471が設けられている。昇降ピン471は、昇降駆動部472により上下動できる。載置台460の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔473が形成されおり、昇降ピン471は、貫通孔473を挿通するようになっている。また、蓋体461の天井面には、ウェハW上に密着剤の蒸気と水蒸気を供給するガス供給管490が設けられている。ガス供給管490には、密着剤の蒸気を供給する密着剤供給源491と、水蒸気を供給する水蒸気供給源492が接続されている。また、ガス供給管490には、密着剤供給源491から供給される密着剤の蒸気と、水蒸気供給源492から供給される水蒸気の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群493が設けられている。密着剤供給源491は、内部に液体状の密着剤を貯留している。また、密着剤剤供給源491には、当該密着剤供給源491内に窒素ガスを供給するガス供給管図示せずが接続されている。密着剤供給源491では、内部に窒素ガスが供給されることで液体状の密着剤が気化して、密着剤の蒸気が生成される。この密着剤の蒸気は、前記窒素ガスをキャリアガスとしてガス供給管490に供給さる。水蒸気供給源492は、例えば内部に水を貯留している。そして、例えばこの水を加熱して気化させて、水蒸気が生成される。蓋体461の側面には、処理空間Kの雰囲気を排気する排気管494が接続されている。排気管494には、処理空間Kの雰囲気を真空引きする排気ポンプ495が接続されている。かかる構成を有する成膜ユニット450を用いて密着剤を第1のレジスト膜R1の表面に成膜するには、たとえば図20に示した工程A9の後に、ウェハWが塗布ユニット450に搬送される。搬送されたウェハWは、昇降ピン471に受け渡され、載置台460に載置される。このとき、載置台460上のウェハWは、温度制御板470によって所定の温度、例えば50°Cに温度調節される。続いて、蓋体461が下降し、当該蓋体461と載置台460とで密閉された処理空間Kが形成される。その後、ガス供給管490から処理空間Kに密着剤の蒸気が供給される。供給された密着剤の蒸気は、ウェハWの表面上に堆積する。その後、ガス供給管490から処理空間Kに水蒸気が供給され、当該水蒸気はウェハW上に堆積した密着剤に供給される。水蒸気が供給されるとウェハW上に堆積した密着剤の分子が加水分解され、さらにウェハWの表面と密着剤分子が脱水縮合により結合される。これによってウェハW上に形成された第1のレジスト膜R1と、その上に形成される第2のレジスト膜R2との密着性が向上する。なお、ウェハW上に密着剤を成膜した後、処理空間Kの雰囲気を不活性ガス、例えば窒素ガスに置換してもよい。このように密着剤の蒸気を供給して、ウェハW表面に密着剤を成膜する方式によれば、液体の密着剤を塗布して成膜する場合と比較すると、リンスする必要がなく、またより均一に成膜することが可能である。なお上記した例では、載置台460上のウェハWは、温度制御板470によって所定の温度、例えば50°Cに温度調節されていたが、必ずしもそのように常温よりも高い温度にウェハWを温度調整する必要がなく、常温、たとえば20°C~25°Cのまま成膜してもよい。また上記した例では、積極的に水蒸気を供給して加水分解を促進するようにしたが、そのように積極的に水蒸気を供給しなくとも、周囲の雰囲気中の水分によって、加水分解が行なわれ、前記した脱水縮合による結合反応は実現される。なお第1のレジスト膜R1の塗布にあたっても、レジスト液の蒸気をウェハW上に供給して、ウェハW上に第1のレジスト膜R1を形成するようにしてもよい。この場合、第1のレジスト膜R1は、前記したような密着性を高める効果を有するものが好ましい。さらにまた、前記実施の形態では、離型剤塗布ユニット90を採用し、テンプレートTの表面に対して、液状の離型剤Sを離型剤ノズル302により、いわゆるスピンコーティング法によって塗布し、その後焼成して離型剤を成膜するようにしていたが、これに代えて、前記した成膜ユニット450のように、離型剤の蒸気をテンプレートTの表面に供給して成膜する方式の、離型剤成膜ユニットを採用してもよい。このような離型剤の蒸気を供給する離型剤成膜ユニットは、構造的には成膜ユニット450と同一のものを用いることができ、密着剤供給源491に代えて、離型剤たとえばシランカップリング剤を貯留した離型剤供給源を使用すればよい。そして水蒸気を供給するための水蒸気供給源492は、そのままこれを使用することができる。このように離型剤の蒸気を供給して、テンプレートT表面に離型剤を成膜する方式によれば、液体の離型剤を塗布して成膜する場合と比較すると、リンス、焼成する必要がなく、またより均一に成膜することが可能である。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のFPDフラットパネルディスプレイ、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。