転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置であって、溶液を、前記溶液の触媒として作用する転写部の裏面に供給する供給手段と、前記転写部の表面を前記半導体基板の表面に接触すべく、前記転写部の裏面を押圧する押圧手段と、前記転写部の裏面を押圧したまま、前記押圧手段を水平移動する水平移動手段と、前記水平移動とともに、前記裏面に供給された溶液を、前記接触している前記転写部の表面及び前記半導体基板の表面に貫通する、前記転写部の裏面の穴に挿入する挿入手段と、を備えることを特徴する半導体製造装置。前記供給手段が、前記押圧手段を水平移動する領域に前記溶液を供給することを特徴する請求項1に記載の半導体製造装置。前記供給手段が、前記水平移動手段が前記水平移動する前、または前記水平移動するとともに、前記溶液を供給することを特徴する請求項1または請求項2に半導体製造装置。前記供給手段は、前記半導体基板毎に所定量の溶液を供給することを特徴する請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体製造装置。前記溶液は、粘性のある溶液であることを特徴する請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の半導体製造装置。前記転写部の部材は、前記転写部の表面及び裏面がともに伸びる弾性体であることを特徴する請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の半導体製造装置。前記触媒は、前記溶液の分解触媒であることを特徴とする請求項1乃至請求項6に記載の半導体製造装置。前記溶液は、前記半導体基板を酸化しかつ溶解する機能を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項7に記載の半導体製造装置。前記基板はシリコン基板であることを特徴とする請求項1乃至請求項8に記載の半導体製造装置。前記半導体は太陽電池であることを特徴とする請求項1乃至請求項9に記載の半導体製造装置。前記溶液は、温度を加熱保温していることを特徴とする請求項1乃至請求項10に記載の半導体製造装置。転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置による半導体製造方法であって、溶液を、前記溶液の触媒として作用する転写部の裏面に供給する供給工程と、前記転写部の表面を前記半導体基板の表面に接触すべく、前記転写部の裏面を押圧する押圧工程と、前記転写部の裏面を押圧したまま、前記押圧手段を水平移動する水平移動工程と、前記水平移動とともに、前記裏面に供給された溶液を、前記接触している前記転写部の表面及び前記半導体基板の表面に貫通する、前記転写部の裏面の穴に挿入する挿入工程と、を含むことを特徴する半導体製造方法。従来技術における半導体基板表面を浸漬して転写処理する場合には、半導体基板表面が浸漬可能な大量の溶液が必要になり、転写処理自体に必要な量を超えた溶液を準備する必要があり、少枚数の半導体基板を転写処理する場合においては、浸漬するために大量の溶液を使用することが、溶液のコストアップとなってしまい、転写処理に十分な量のだけの溶液を使用したいといった課題を解決することはできないという問題がある。本願発明は、半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供することを目的とする。本願発明は、転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置であって、溶液を、前記溶液の触媒として作用する転写部の裏面に供給する供給手段と、前記転写部の表面を前記半導体基板の表面に接触すべく、前記転写部の裏面を押圧する押圧手段と、前記転写部の裏面を押圧したまま、前記押圧手段を水平移動する水平移動手段と、前記水平移動とともに、前記裏面に供給された溶液を、前記接触している前記転写部の表面及び前記半導体基板の表面に貫通する、前記転写部の裏面の穴に挿入する挿入手段とを備えることを特徴する。また、前記供給手段が、前記押圧手段を水平移動する領域に前記溶液を供給することを特徴する。また、前記供給手段が、前記水平移動手段が前記水平移動する前、または前記水平移動するとともに、前記溶液を供給することを特徴する。また、前記供給手段は、前記半導体基板毎に所定量の溶液を供給することを特徴する。また、前記溶液は、粘性のある溶液であることを特徴する。また、前記転写部の部材は、前記転写部の表面及び裏面がともに伸びる弾性体であることを特徴する。また、前記触媒は、前記溶液の分解触媒であることを特徴とする。また、前記溶液は、前記半導体基板を酸化しかつ溶解する機能を備えることを特徴とする。また、前記基板はシリコン基板であることを特徴とする。また、前記半導体は太陽電池であることを特徴とする。また、前記溶液は、温度を加熱保温していることを特徴とする。本願発明は、半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供することが可能となる。図1を説明する。<第1の実施例>図1は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置のハードウエア構成を示す図である。図1は、本願発明の半導体製造装置を横から見た図の断面図である。挿入部押圧制御部113が挿入部102を押下していない状態を示す図である。100は基板であり、本願発明の転写処理の対象となるものである。101は基板保持部である。転写処理中に基板保持部は同じ位置を保持する。基板保持部101の部材としては、基板100との相性からシリコンにしてもよい。これにより、転写処理により基板100が破損することを回避することができる。102は挿入部であり、挿入部水平移動制御部112による挿入部102の水平移動とともに、供給制御部111が裏面に供給した粘性溶液404を、挿入部押圧制御部113により接触している転写部の表面及び半導体基板の表面に貫通している、転写部の裏面の穴に挿入することができる挿入手段。103はスクリーン転写部であり、挿入部102により、粘性溶液404が穴から挿入されると、基板100の表面と表面に触媒白金がコーティングされたスクリーン転写部103が接触するように配置された場所図3の反応スペースにおいて、白金が粘性溶液404過酸化水素水とフッ化水素水の混合溶液中に存在する過酸化水素水の分解触媒として作用することで、図3に示すように基板100の表面がエッチング302される。スクリーン転写部103の表面には白金である触媒を備えている。またスクリーン転写部103の部材としては粘性溶液404に対する耐食性を備えることが望ましい。スクリーン転写部103の部材は、転写部の表面及び裏面がともにゴムのように伸びる弾性体である。スクリーン転写部103の形状は、シート状である。110は固定部であり、シート状であるスクリーン転写部103の両端を固定接続するためのものである。両端を固定することで、転写部の裏面を押圧していない場合と比べてスクリーン転写部103の表面の長さ及び裏面の長さがともにゴムのように伸びることで、図3に示すように挿入部102によりスクリーン転写部103の裏面を押圧されたスクリーン転写部103の表面の領域だけを基板100の表面に接触させることができる。111は供給制御部であり、転写処理回数例えば半導体基板毎に単位で所定の量例えば50ccの粘性溶液404を供給することができる。供給制御部111により、粘性のあるゲル状の溶液404を、溶液の触媒として作用するスクリーン転写部103の裏面に供給することができる供給手段。供給制御部111は、挿入部102をスクリーン転写部103の裏面に押圧して水平移動する領域に溶液を供給する。供給制御部111は、挿入部水平移動制御部112により、挿入部102がスクリーン転写部103の裏面を水平移動するとともに溶液を供給する。図1とは異なり、供給制御部111と挿入部102が同期して移動しないハードウエア構成を設計する場合には、挿入部水平移動制御部112により、挿入部102がスクリーン転写部103の裏面を水平移動する前に、供給制御部111だけが、挿入部102がスクリーン転写部103の裏面を水平移動する領域を先に水平移動して溶液を供給してもよい。供給制御部111は、スクリーン転写部103の裏面上にあり、スクリーン転写部103の裏面よりも上方高いの位置からスクリーン転写部103の裏面に粘性溶液404を供給することができる。供給制御部111は、挿入部102がスクリーン転写部103の裏面を水平移動する領域挿入部と転写部が接触する領域に粘性溶液404を供給する。112は挿入部水平移動制御部であり、図3に示すようにスクリーン転写部103の表面が基板100と接触するように、挿入部押圧制御部113が、挿入部102下の位置に下げて、スクリーン転写部103の裏面を押圧したままで、挿入部102が所定の速度を維持するように、直進方向水平方向に移動することができる。挿入部水平移動制御部112により、スクリーン転写部103の裏面押圧を維持したまま、挿入部102を水平移動することができる水平移動手段。挿入部水平移動制御部112が、挿入部102を水平移動する場合には、所定の速度例えば100mm/secで移動する。113は挿入部押圧制御部であり、スクリーン転写部103の表面と半導体基板100の表面とが接触するように、スクリーン転写部103の裏面を、挿入部102により押圧することができる押圧手段。本願発明の粘性溶液404は、フッ化水素酸水溶液HF濃度が5.4Mであり、過酸化水素水H2O2濃度が7.2Mの混合溶液、または濃度が2.7Mであり、過酸化水素水H2O2濃度が8.1Mの混合溶液を使用して転写処理を行った。本願発明の粘性溶液404の温度は、室温放置温度例えば25°C、または溶液を加熱して溶液温度を所定範囲に保持した温度例えば60°Cに制御して転写処理を行った。常温だと反応速度が遅く、反応熱で60°Cになると速度が速くなることが測定された。そのため、穴から注入する溶液は、60°Cに加熱保温しておくことが望ましい。図2を説明する。転写部の表面図2は、図1においてスクリーン転写部103の半導体基板100の表面と対向することが可能な平面スクリーン転写部の表面を見た図である。つまりこの平面が図4の転写処理中に基板100と順次接触する平面である。201の領域は転写部の領域であり、転写部の表面には触媒である白金がコーティングされている。202の領域は、転写部に開いた穴であり、半導体基板100の表面と対向することが可能な平面スクリーン転写部の表面とスクリーン転写部の裏面を貫通している。つまり、この穴により、図3に示すように、供給制御部11により供給された所定の量の溶液を半導体基板の表面近傍に送ることができる。転写部に開いた穴は丸型でなくてもよく、どのような形状でもよく、例えば四角型、三角型、星型、アルファベット文字、直線、曲線、LSIの配線パターン等の形状であってもよい。さらに穴の数は特に限定されるものではない。さらに穴同士の配置関係は、一定間隔に整列する必要はなく特に限定されるものではない。なお、スクリーン転写部103の半導体基板100の表面と対向することが可能な平面転写部の表面を上か見た図の形は、四角形に限定されたものではなく、円形型や、その他、本願発明の転写処理を実行可能な形状であればよい。なお、図2のスクリーン転写部103の表面にある円形の穴202の直径は20μm程度である。なお、図2のスクリーン転写部103の表面にある触媒201の最短のスペースは2μm程度である。図3を説明する。図3は図1を拡大し、挿入部押圧制御部113が挿入部102を押下した状態を示す図である。供給された粘性溶液404は、スクリーン転写部103及び基板と接触する位置反応スペース403において、基板がエッチング転写部の形状を基板に転写される。粘性溶液404が触媒と基板と接触する領域で反応スペース403において、触媒及び基板と反応することにより、基板がエッチング転写部の形状を基板の表面に転写されている。挿入部102の水平移動にともなって、スクリーン転写部103の間にあるで穴202に、スクリーン転写部103の裏面に既に供給されている粘性溶液404を挿入している。なお、触媒201白金はスクリーン転写部103の全面表面全てを被覆する必要はなく、転写処理中において基板100に接触する面スクリーン転写部の表面にあればよい。図4を説明する。図4は、転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置による半導体製造方法処理ステップである。ステップS101では、挿入部水平移動制御部112が、挿入部102を、基板の端に配置する配置工程。さらに、ステップS101では、粘性溶液を、溶液の触媒として作用する転写部の裏面に供給する供給工程。ステップS102では、転写部の表面を半導体基板の表面に接触するように、挿入部102が転写部の裏面を押圧したまま、状態を保持する押圧工程。ステップS103では、ステップS102で転写部の裏面を押圧したまま、挿入部102の水平移動を開始する水平移動工程。ステップS104では、ステップS103で水平移動とともに、ステップS101で裏面に供給された溶液を、ステップS102で接触している転写部の表面及び半導体基板の表面に貫通する、転写部の裏面の穴に挿入する挿入工程。ステップS105では、スクリーン転写部103が、スクリーン転写部103の表面の形状を基板100の表面に転写する転写工程。転写処理を終了する。<変形例>尚、本願発明において使用する溶液は、半導体基板を酸化する機能を備える酸化剤である過酸化水素水H2O2、二クロム酸カリウム水溶液K2Cr2O7、マンガン酸カリウム水溶液KMnO4、硝酸HNO3、硫酸H2SO4、酸素O2又はオゾンO3を溶解させた水、の中から選ばれる少なくとも1種の酸化剤を含んでいればよい。かつ、半導体基板を溶解する機能を備える溶解剤であるフッ化水素酸を含んでいればよい。つまり酸化剤と溶解剤の混合水溶液であればよい。尚、本願発明において使用する触媒は、溶液中の酸化剤の分解触媒であり、白金Pt、銀Ag、パラジウムPd、金Au、ロジウムRh、ルテニウムRu、イリジウムIr、それらの内少なくとも1つを含む合金、の中から選ばれる少なくとも1種であればよい。尚、本願発明において使用する触媒は、スパッタリング法、メッキ法、CVD法によって形成された膜、あるいは化合物の塗布被膜から還元生成して形成した膜が採用されるが、膜に限定されない。尚、本願発明において転写処理する対象の半導体は、太陽電池、光デバイス、MEMS構造を備えたデバイス、または大規模集積回路LSIを備えたデバイスであってもよい。尚、本願発明における転写処理する対象の基板は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、炭化ケイ素SiC、GaAs、InGaAsであってもよい。尚、基板の転写処理枚数を高めるスループットの向上ために、本願発明における転写処理の転写部ユニット104を複数にして、複数の基板を同時に転写処理することもできる。