"X線撮像装置であって、X線源と、前記X線源から照射された発散X線を複数のX線に分割するための複数の開口を具備する、前記X線源と被検体との間に配置された分割素子と、前記被検体を透過し屈折した前記発散X線によるX線ビームを検出するため、該X線ビームの照射方向の被検体よりも下流に配置された検出器と、前記検出器により検出されたX線ビームの強度変化の情報を演算処理する演算処理手段と、を備え、前記X線源と前記分割素子の距離をL1、前記分割素子と前記検出器の距離をL2とするとき、L2/L1の値が1.0より大きく2.4未満の範囲となるように構成されていることを特徴とするX線撮像装置。前記X線源の焦点サイズを80以上100μm以下とし、前記画素のサイズを50以上150μm以下とし、前記分割素子の前記開口の幅を20以上50μm以下とするとき、前記L2/L1の値が1.1より大きく1.5未満の範囲となるように構成されていることを特徴とする請求項1に記載のX線撮像装置。前記X線源と前記分割素子の距離であるL1と、前記分割素子と前記検出器の距離であるL2が、それぞれ以下に示す範囲を満たすことを特徴とする請求項1乃至2のいずれか1項に記載のX線撮像装置。0.3m≦L1≦2m、0.3m≦L2≦4.8m前記分割素子を透過するX線ビームの形状は、シート状、ドット状であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のX線撮像装置。前記X線ビームが、前記検出器を構成する隣接する画素に対して二つ以上跨ぐことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のX線撮像装置。X線源から照射された発散X線を分割素子により複数のX線に分割し、該分割された前記発散X線によるX線ビームを被検体に透過させた際に生じるX線ビームの強度変化を、検出器により検出するX線撮像方法であって、前記分割素子と前記被検体と前記検出器とを、この順に前記X線源による前記発散X線の照射方向の光路上に配置し、前記X線源と前記分割素子の距離と、前記分割素子と前記検出器の距離の関係を、前記X線ビームが検出器上で重ならない距離の関係とすることによって、前記被検体における吸収情報に対する位相情報の割合を最大限取得可能とすることを特徴とするX線撮像方法。ところで、特許文献1や特許文献2に記載された方法に限らず、被検体の屈折率を可視化する際、屈折情報から吸収情報を完全に分離して屈折情報だけから被検体の位相像を得ることは困難である。特許文献1や特許文献2では、被検体の特定空間の平均屈折率を検出することができるが、特定空間の吸収は一様であることが前提条件となっている。しかしながら、特定空間内の屈折率が一様でない場合は、必ずしも吸収率が一様ではない。そのため、検出器上で形成するX線ビームの位置ずれから被検体の屈折量を求める際には、被検体で屈折したX線ビームの微小な変化量と被検体で減衰したX線の強度むらによる変化量を切り分けることができない。本発明は、上記課題に鑑み、位相イメージングにより被検体の位相像を取得するに当たり、被検体における吸収情報に対する位相情報の割合が最大限取得可能となるX線撮像装置およびX線撮像方法の提供を目的とする。本発明のX線撮像装置は、X線源と、前記X線源から照射された発散X線を複数のX線に分割するための複数の開口を具備する、前記X線源と被検体との間に配置された分割素子と、前記被検体を透過し屈折した前記発散X線によるX線ビームを検出するため、該X線ビームの照射方向の被検体よりも下流に配置された検出器と、前記検出器により検出されたX線ビームの強度変化の情報を演算処理する演算処理手段と、を備え、前記X線源と前記分割素子の距離をL1、前記分割素子と前記検出器の距離をL2とするとき、L2/L1の値が1.0より大きく2.4未満の範囲となるように構成されていることを特徴とする。また、本発明のX線撮像方法は、X線源から照射された発散X線を分割素子により複数のX線に分割し、該分割された前記発散X線によるX線ビームを被検体に透過させた際に生じるX線ビームの強度変化を、検出器により検出するX線撮像方法であって、前記分割素子と前記被検体と前記検出器とを、この順に前記X線源による前記発散X線の照射方向の光路上に配置し、前記X線源と前記分割素子の距離と、前記分割素子と前記検出器の距離の関係を、前記X線ビームが検出器上で重ならない距離の関係とすることによって、前記被検体における吸収情報に対する位相情報の割合を最大限取得可能とすることを特徴とする。本発明によれば、位相イメージングにより被検体の位相像を取得するに当たり、被検体における吸収情報に対する位相情報の割合が最大限取得可能となるX線撮像装置およびX線撮像方法を実現することができる。本発明は、X線源と分割素子と被検体と検出器とが、この順にX線源による発散X線の放射方向の光路上に配置し、X線源と分割素子の距離をL1とし、分割素子と検出器の距離をL2とするとき、これらのL1とL2とを、X線ビームが検出器上で重ならない距離の関係とすることによって、被検体における吸収情報に対する位相情報の割合が最大限取得可能となることを見出したことによるものである。このようなL2/L1の値は、X線源の焦点サイズf、分割素子の開口幅Ga、検出器の画素サイズPsから求めることができるが、これらの詳細については以下の本発明の実施形態の説明により明らかにする。図1に、本実施形態における球面波を発生するX線源と発生したX線を空間的に分割する分割素子と二次元X線検出器を用いた、X線の位相変化から像を得るX線撮像装置の構成例を説明する図を示す。図1に示すように、本実施形態のX線撮像装置では、発散X線102を発生させて被検体に対して照射するX線源101を備える。そして、分割素子103、被検体104、検出器106を、この順にX線源101による発散X線102の照射方向の光路上に配置する。発散X線102を空間的に分割する分割素子103は、シート状、ドット状の形状のX線ビームを形成する。これは、医療用レントゲン装置で、被検体を撮像中に発生する散乱X線を除去するために使用する集束型グリッドと同様に、X線を透過し易い軽元素で作られた箔112とX線を遮光する重元素で作られた箔113を交互に重ねて形成される。X線を透過するための箔112はアルミニウム、紙、合成樹脂などが用いられる。一方、X線を遮光するための箔113は白金、金、鉛、タンタル、タングステン等が用いられる。また、X線を遮光するための箔113を一定の間隔を維持して両端を固定することで、X線を透過する部分を空気としても良く、本件では空気を含めて箔と呼ぶ。検出器106は、被検体を透過し屈折した発散X線によるX線ビームを検出するため、該X線ビームの照射方向において被検体よりも下流に配置されている。そして、検出器106は、複数の画素111が二次元的に配置されて構成されている。図2は検出器106の一部分を図1におけるY方向から見た図である。X線ビーム105の強度は、画素111エリア内に入射したX線のフォトン数を積算することで得ているため、検出器106の空間分解能は画素111の空間サイズで決まっている。図2に示すように、被検体104を透過したX線ビーム105を複数の画素111に跨って照射することで、被検体が無い時の基準X線ビーム114に対する位置変化量を得ることが可能である。一般的には、検出器106で形成されるX線ビーム105の幅が細くなるほど、各画素111で検出するX線強度に対するX線ビーム105の位置ずれで生じる強度差が相対的に向上する。よって、X線ビーム105の位置ずれで生じる強度差がノイズに埋もれる可能性が低減し、被検体104の屈折量を明確に得ることが可能になるため位相検出感度が向上する。本実施形態では、被検体を透過中に屈折したX線ビーム105と、被検体が無い時の基準X線ビーム114の検出器106上での位置ずれ量dxpと、X線ビーム105が検出器106上で形成する幅Gdを用いて位相検出感度をdxp/Gdで表す。図2はX線ビーム105が隣接する2つの画素111に跨っているが、跨っている画素111の数は2以上跨っていれば本質的にいくつでも良い。図2に示すように、X線ビーム105が検出器106上で形成する幅Gdは、X線源から発生する発散X線102の輝度は一定、分割素子103の開口幅をGaとし被検体104がない場合は、次の式1で表すことができる。Gd=Ga×L1L2/L1f×L2/L1...式1また、被検体を透過中に屈折したX線ビーム105と、被検体が無い時の基準X線ビーム114の検出器106上での位置ずれ量dxpは次の式2で表すことができる。dxp=L2×tanα...式2但し、αはX線ビーム105が被検体104で屈折する角度である。被検体104を透過中に減衰したX線ビーム105は、被検体104の形状に応じて強度が変化するため、X線ビーム105の強度の重心位置と被検体が無い時の基準X線ビーム114の強度の重心位置にずれが生じる。被検体104の吸収差で生じるX線ビーム105の位置ずれdxaは、被検体104の形状や厚みのみに依存する。被検体104の屈折で生じるX線ビーム105の位置ずれdxpと吸収成分で生じるX線ビームの位置ずれdxaを完全に分離することは困難である。しかし、dxaはL2に依存しないため、式2より、L2を大きくすることで吸収情報に対する位相情報の割合を高くすることが可能である。また、一般的には、検出器106の画素111のサイズよりもdxpの方が小さいため、dxpを検出するためにもL2を大きく取ることが重要である。しかしながら、有限の焦点サイズから発生する発散X線102を用いる場合は、L2を大きく取ると隣り合うX線ビーム105が検出器106上で重なるため、個々のX線ビーム105の正確な位置情報を得ることが難しくなる。隣り合うX線ビーム105が検出器106上で重なり合わない条件は、一つのX線ビーム105の一次元方向の位置情報を検出するために必要な画素111の数nとしたとき次の式3で表すことができる。Gddxpdxa<n×Ps...式3式3に式1を代入すると次の式4になる。Ga×L1L2/L1f×L2/L1dxpdxa<n×Ps...式4また、式4をL2/L1で括ると次の式5で表すことができる。L2/L1dxpdxa/Gaf<n×Ps-Ga/Gaf...式5Gafは100μm前後なのに対してdxpdxaは最大で数ミクロン程度なためGaf≫dxpdxaとなり、式5は次の式6に変換することができる。L2/L1<n×Ps-Ga/Gaf...式6図3に式1、式2、式6から、横軸に装置のジオメトリL2/L1、縦軸に位相検出感度dxp/Gdをプロットした図を示す。図3の細線は、f=100μm、Ps=100μm、Ga=33μm、n=2の計算結果である。式6よりL2/L1=1.25のとき位相検出感度dxp/Gdは最大値を取り、L2/L1>1.25では隣り合うX線ビーム105が検出器106上で重なるため、個々のX線ビーム105の正確な位置情報を得ることが難しくなる。同様に、図3の太線はf=50μm、Ps=100μm、Ga=33μm、n=2の計算結果である。式6よりL2/L1=2.0のとき位相検出感度dxp/Gdは最大値を取り、L2/L1>2.0では隣り合うX線ビーム105が検出器106上で重なり合う。図3には示さないが、X線源101の焦点サイズを50~150μm、画素111のサイズを50~100μm、分割素子103の開口幅を20~75μmとする。これにより、吸収情報に対する位相情報の割合を最大限得られる適切なL2/L1の範囲は1.0より大きく2.4未満1.0<L2/L1<2.4となる。また、X線の輝度と位相検出感度を考慮した場合は、X線源の焦点サイズを80以上100μm以下とし、画素のサイズを50以上150μm以下とし、分割素子の開口の幅を20以上50μm以下とするとき、前記X線源と前記分割素子の距離であるL1に対して、前記分割素子と前記検出器の距離であるL2が1.1~1.5倍長とする1.1<L2/L1<1.5とすることにより、吸収情報に対する位相情報の割合を最大限取得することが可能となる。本実施形態の分割素子103は一次元を元に明記しているが、二次元でも良い。分割素子103が二次元の場合、X線ビーム105が被検体104で屈折する角度はx方向、y方向で独立している。検出器106の画素111が二次元に配置されている場合は、y方向の屈折量に関しても図2で示したx方向の屈折量の検出方法と同様の方法で求めることが可能である。以下に、本発明の実施例について説明する。[実施例1]実施例1においては、図4を用いて、本発明を適用したX線撮像装置の構成例について説明する。図4において、101は発散X線102を発生するX線源、103は分割素子、104は被検体、106は二次元検出器である。また、108、109、110はそれぞれX線源101、分割素子103、検出器106の移動回転手段、107は検出器により検出されたX線ビームの強度変化の情報を演算処理する演算装置演算処理手段である。本実施例において、X線源101としては、モリブデン、銀やタングステンターゲットの回転対陰極型のX線発生装置を用いる。X線源101から発生した発散X線102の発生源における輝度の分布は正規分布を仮定し、焦点サイズは正規分布関数の半値全幅とする。X線源101から発生した発散X線102はX線源101から100cm離れた位置に配置した分割素子103により空間的に分割される。分割素子103は、X線を透過するための箔112とX線を遮光するための箔113を交互に重ね合わせ、集束位置は分割素子103からX線源方向100cmの位置にある。この分割素子103にはD25、D33、D50、D75の4種類があり、それぞれX線を透過するための箔112の膜厚GaとX線を遮光するための箔113の膜厚Gbが、次の表1に示すようにそれぞれ異なっている。[表1]被検体104は分割素子103の直後に設置し、分割素子103と検出器106の距離を10~300cmとする。図5は検出器106の一部分を図4におけるY方向から見た図である。図5に示すように、被検体104を透過したX線ビーム105を複数の画素111に跨って照射することでX線ビーム105の検出器106上での位置及び屈折量を得ることが可能である。本実施例の画素サイズは100μmである。被検体を透過したX線ビーム105が照射されている場合の2つの画素のX線検出強度をI01、I02、被検体が無い時の基準X線ビーム114が照射されている2つの画素のX線検出強度をI11、I12とすると、検出器106で検出可能なX線ビーム105の基準X線ビーム114に対する強度の変化量dIは、次の式7によって表される。dI=I01-I02/I01I02-I11-I12/I11I12...式7図6にD25の分割素子を用いてL1=1m,L2=1m,f=100μmの条件下で円柱状のアクリル樹脂を透過した個々のX線ビーム105の式7のdIをマッピングしたシミュレーション結果を示す。本シミュレーションのX線源101は、17.5keV0.071nmの単色光で焦点サイズは100μmの正規分布関数を使用している。また、検出器106のMTFの広がり関数には10lp/mmで0.1となる正規分布関数を使用している。X線ビーム105が検出器106及び画素111にランダムに到達することによる空間的揺らぎで生じるポアソンノイズに代表されるノイズ系は含んでいない。図6aの計算には、アクリル樹脂のパラメータに複素屈折率1-δ―iβを使用した。また、図6bの計算には、アクリル樹脂のパラメータに複素屈折率1-δ―iβの実部を使用した。また、図6cの計算には、アクリル樹脂のパラメータに複素屈折率1-δ―iβの虚部を使用した。このことから、図6aの微分像にはアクリル樹脂の吸収成分と位相成分、図6bの微分像にはアクリル樹脂の位相成分、図6cの微分像にはアクリル樹脂の吸収成分をそれぞれ計算している。つまり、図6bと図6cを比較することで、図6aに含まれる吸収情報に対する位相情報の割合が分かる。図6bと図6cの破線部のラインプロファイルを図7の破線でそれぞれ示す。図7aと図7bの破線のラインプロファイルから微分位相像の信号強度は、微分吸収像の信号強度よりも4倍程度大きいため、図6aに含まれる位相成分の割合は約80であることが分かる。同じシミュレーションをD25、D33、D50、D75の各分割素子103に対して、X線源101と分割素子103の距離を100cm、分割素子103と検出器106の距離を10~300cmまで変化させた。そのときの微分像に含まれる位相成分の割合をプロットした図を図8に示す。図8からD25の分割素子103ではL2=130cm、D33の分割素子103ではL2=120cm、D50の分割素子103ではL2=120cm、D75の分割素子103ではL2=100cmのとき、それぞれの位相成分の割合の最大値が得られる。吸収成分は被検体104の形状や厚みに依存するのに対して、位相成分は式2より分割素子103と検出器106の距離に依存する。このことから、同じ分割素子103で同じ被検体104を撮像する場合、得られる微分像に含まれる位相成分の割合が最大になるL2/L1の値はL1及びL2の値によらず一定である。図9に、D25の分割素子を用いて、X線源101と分割素子103までの距離を25cm、50cm、100cm、分割素子103と検出器106の距離を10~300cmまで変化させた。そのときのアクリル樹脂の微分像に含まれる位相成分の割合をプロットした図を示す。X線源101と分割素子103までの距離を増加すると微分像に含まれる位相成分の割合が増加するが、位相成分が最大になるL2/L1の値は常に1.3である。同様の計算をD25の分割素子に対してf=90μmの条件下でシミュレーションを行うと位相成分が最大になるL2/L1の値は常に1.4、f=80μmの条件下で位相成分が最大になるL2/L1の値は常に1.5である。本シミュレーションで得られる位相成分が最大になるL2/L1の値は、式6で得られる位相成分が最大になるL2/L1の値よりも1割程度小さい。これは、式6を導出する過程でGaf≫dxpdxaの近似を用いていることと、検出器106のMTFによるX線ビーム105のボケを考慮していなことに起因している。しかしながら、図9より、本シミュレーションで得られる位相成分が最大になるL2/L1と、式6で得られる位相成分が最大になるL2/L1のそれぞれの吸収成分に対する位相成分の割合は、1~2程度の差しかないため、式6で得られるL2/L1を用いて被検体104を撮像しても良い。図9から100μmの焦点サイズのX線源101、D=25の分割素子103を用いて微分像に含まれる位相成分の割合が最大にするX線撮像装置の実際のジオメトリは、L1=0.3mのときL2=0.4m、L1=1mのときL2=1.3m、L1=1.55mのときL2=2m、L1=2.0mのときL2=2.6m、などが選択肢として考えられる。同様に、図8からD=50の分割素子103では、L1=0.3mのときL2=0.36m、L1=1.0mのときL2=1.2m、L1=1.67mのときL2=2m、L1=2mのときL2=2.4m、などが選択肢として考えられる。図9より、L2/L1が一定下では、L1及びL2が長くなるほど微分像に含まれる位相成分の割合が増加するが、L1L2は装置の大きさに直接影響を及ぼしたり、X線ビーム105一本当たりのX線強度が減少したりする課題が残っている。[実施例2]実施例2においては、実施例1を説明した一次元方向のX線位置変化検出に一次元加えて、二次元方向のX線位置変化検出を同時に測定する方法について説明する。図10を用いて、X線撮像装置の構成例について説明する。図10aにおいて、101は発散X線を発生するX線源、103と201は一次元分割素子、104は被検体、106は二次元検出器である。108、109、117、202はそれぞれX線源101、一枚目の分割素子103、二枚目の分割素子201、検出器106の移動回転手段である。X線源101から発生したX線は、一枚目の分割素子103のX線が透過する箔112と二枚目の分割素子201のX線が透過する箔112が空間的に重なっている部分のみ透過することができる。このため、分割素子103、201で分割したX線ビーム105は二次元ドットアレイ状を形成している。一般的な検出器106における二次元情報は、x方向、y方向で90度ずれているため、一枚目の分割素子103と二枚目の分割素子201の箔が積層されている方向が、互いに90度ずれているとき最も都合がよい。検出器106における二次元情報のx方向、y方向の角度が90度以外の場合は、その角度に合わせて一枚目の分割素子103と二枚目の分割素子201の角度を調整することが望ましい。また、検出器106のx方向、y方向の角度と、一枚目の分割素子103と二枚目の分割素子201の箔が積層されている方向の角度が異なっていても、式7を用いてdIのマッピングを作成する際に補正を加えることで屈折情報を明確にすることができる。X線ビーム105が被検体104で屈折する角度は、x方向とy方向で独立しているため、被検体104の位相成分の割合を最大にするL2/L1の比は、二次元の場合でも一次元と同じである。このことから、図8及び図9よりD25の一次元分割素子103とD25の一次元分割素子201の2枚用いて二次元状の分割素子とした場合では、L2/L1=1.3のときx方向y方向共に位相成分の割合が最大値を得ることができる。また、図8より1枚目の分割素子103と2枚目の分割素子201の距離は10cm程度離れていても、x方向とy方向の微分像に含まれる位相成分の割合の誤差は数程度ですむため画質に大きな問題を生じにくい。図9に示すように、1枚目の分割素子103と2枚目の分割素子201の位置関係で生じる微分像に含まれる位相成分の割合の誤差は、X線源101と検出器106の距離が長くなるほど少なくなる。二次元状の分割素子は、図10bに示すように二枚の一次元分割素子103を互いに面内で90度維持した状態で貼り合わせて形成されたものでもよい。また、X線を遮光するタングステンなどの板に放電加工で穴をアレイ状に空けたものや、X線の透過するシリコン基板上にX線を遮光する物質を微細加工にてアレイ状に形成されたものでもよい。"