"太陽電池構造体の製造方法であって、太陽電池基板上に薄い誘電体層を形成する工程と、P型にドーピングされたシリコンナノ粒子を前記薄い誘電体層の上に印刷することによって、前記太陽電池構造体の複数の第1拡散領域を形成する工程と、N型にドーピングされたシリコンナノ粒子を前記薄い誘電体層の上に印刷することによって、前記太陽電池構造体の複数の第2拡散領域を形成する工程と、前記N型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びP型にドーピングされたシリコンナノ粒子の融点を下回る第1温度で、前記N型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びP型にドーピングされたシリコンナノ粒子を加熱することによって、前記薄い誘電体層の上に連続したナノ粒子膜を形成する工程とを備える太陽電池構造体の製造方法。前記N型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びP型にドーピングされたシリコンナノ粒子を前記第1温度で加熱する前に、前記N型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びP型にドーピングされたシリコンナノ粒子を、前記第1温度を下回る第2温度で加熱することによって、前記N型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びP型にドーピングされたシリコンナノ粒子から有機物を除去する工程を更に備える、請求項1に記載の太陽電池構造体の製造方法。前記N型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びP型にドーピングされたシリコンナノ粒子は、炉内を所定の速度で動かされつつ、前記第2温度で加熱される、請求項2に記載の太陽電池構造体の製造方法。前記N型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びP型にドーピングされたシリコンナノ粒子が、インクジェット印刷によって印刷される、請求項1に記載の太陽電池構造体の製造方法。前記N型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びP型にドーピングされたシリコンナノ粒子が、インクジェット印刷ヘッドの同じパスでインクジェット印刷することによって印刷される、請求項1に記載の太陽電池構造体の製造方法。前記太陽電池基板が単結晶シリコン基板を含む、請求項1に記載の太陽電池構造体の製造方法。前記薄い誘電体層は、前記シリコン基板の表面に熱成長させた二酸化シリコンを含む、請求項6に記載の太陽電池構造体の製造方法。前記N型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びP型にドーピングされたシリコンナノ粒子を印刷する前に、前記薄い誘電体層上に湿潤剤を形成する工程を更に備える、請求項1に記載の太陽電池構造体の製造方法。前記湿潤剤が非晶質シリコンを含む、請求項8に記載の太陽電池構造体の製造方法。前記N型にドーピングされたシリコンナノ粒子及びP型にドーピングされたシリコンナノ粒子の粒子サイズは、10ナノメートル未満である、請求項1に記載の太陽電池構造体の製造方法。請求項1の製造方法により製造される太陽電池構造体。太陽電池構造体の製造方法であって、シリコン基板の表面に二酸化シリコンを成長させる工程と、前記二酸化シリコンの上にシリコンナノ粒子を印刷することによって、前記太陽電池構造体の拡散領域を形成する工程と、前記シリコンナノ粒子を第1温度で加熱することによって、前記シリコンナノ粒子から有機物を除去する工程と、前記第1温度よりも高く、かつ、前記シリコンナノ粒子の融点を下回る第2温度で前記シリコンナノ粒子を加熱することによって、前記二酸化シリコンの上に連続したナノ粒子膜を形成する工程とを備える太陽電池構造体の製造方法。前記シリコンナノ粒子が、インクジェット印刷ヘッドの同じパスでインクジェット印刷することによって印刷される、請求項12に記載の太陽電池構造体の製造方法。前記シリコンナノ粒子を印刷する前に、前記二酸化シリコン上に湿潤剤を形成する工程を更に備える、請求項12に記載の太陽電池構造体の製造方法。前記湿潤剤が非晶質シリコンを含む、請求項14に記載の太陽電池構造体の製造方法。前記シリコンナノ粒子の粒子サイズが、10ナノメートル未満である、請求項12に記載の太陽電池構造体の製造方法。請求項12に記載の製造方法により製造される太陽電池構造体。太陽電池構造体の製造方法であって、太陽電池基板上に薄い誘電体を形成する工程と、前記薄い誘電体の上にシリコンナノ粒子を形成することによって、前記太陽電池構造体の拡散領域を形成する工程と、前記シリコンナノ粒子の融点を下回る温度で、前記シリコンナノ粒子を加熱する工程とを備える太陽電池構造体の製造方法。前記薄い誘電体と前記拡散領域との間に、湿潤剤を形成する工程を更に備える、請求項18に記載の太陽電池構造体の製造方法。請求項18に記載の製造方法により製造される太陽電池構造体。本開示において、装置、材料、プロセス工程、及び構造体の例等、多くの具体的な詳細が提供されることにより、本発明の実施形態の十分な理解が可能となる。しかしながら、当業者であれば、本発明はこれらの具体的な詳細のうちの1つ以上を欠いても実施できることは理解されよう。また、本発明の態様を不明瞭にすることを避けるため、周知の詳細については図示又は説明をしていない。本開示は、太陽電池におけるシリコンナノ粒子の使用に関連する。太陽電池におけるシリコンナノ粒子の使用は、同出願人の米国特許第7,705,237号にも開示され、これは本明細書において参照によりその全体が組み込まれる。図1は、本発明の実施形態による太陽電池構造体100を概略的に例示する断面図である。太陽電池構造体100は、裏面102及び前面103を含む。前面103は太陽の方を向き、通常動作中に日射を収集する。裏面102は、前面103の反対側である。太陽電池構造体100は、N型拡散領域104、P型拡散領域105、並びにこれらの対応する金属接触子108及び109が裏面102上にあるという点において、バックコンタクト型太陽電池である。太陽電池構造体100は、シリコン基板101の形態の太陽電池基板を含み、これは、図1の実施例において、N型単結晶シリコンウエハを含む。シリコン基板101の前面表面は、テクスチャ化されており、例えば、太陽放射収集効率をより高くするために、不規則な複数のピラミッド110を備える。二酸化シリコン106の形態の薄い誘電体は、シリコン基板101の裏面表面上にある。一実施形態において、二酸化シリコン106を、シリコン基板101の裏面表面上で熱成長させる。非晶質シリコン具体的に図示されないはその後、酸化物106の表面上に形成され得る。非晶質シリコンは、N型拡散領域104、及びP型拡散領域105の形成を促進するための湿潤剤として機能する。N型拡散領域104、及びP型拡散領域105は、酸化物106上に、直接酸化物106上に、又は湿潤剤存在する場合の上に形成される。一実施形態において、N型拡散領域104、及びP型拡散領域105は、シリコンナノ粒子を含む。シリコンナノ粒子は、Innovalight,Inc.Sunnyvale,Californiaなど材料販売者により市販されている場合がある。N型拡散領域104及びP型拡散領域105は、酸化物106の上に交互に形成される。中間誘電体層107は、N型拡散領域104及びP型拡散領域105の上に電気絶縁をもたらす。金属コンタクト108は、誘電体層107を通じたコンタクトホールにより、対応するN型拡散領域104に電気的に連結される。同様に、金属コンタクト109は、誘電体層107を通じたコンタクトホールにより、対応するP型拡散領域105に電気的に結合される。アルミニウム、銅又は他の金属化材料によって形成されてもよい金属コンタクト108及び109は、櫛状構造であり得る。金属コンタクト108及び109により、外部電子回路と太陽電池とが接続されて駆動されることを可能にする。図2は、本発明の実施形態による太陽電池構造100の製造方法の流れ図である。図2の実施例において、本方法は、シリコン基板101の裏面表面上に二酸化シリコン106を形成することによって開始されてもよい工程201。酸化物106は、シリコン基板101と、N型及びP型拡散領域との間の薄い絶縁層として機能する。酸化物106は、シリコン基板101の裏面表面上に、約7~20オングストローム、例えば約10オングストロームの厚さまで熱成長させてもよい。必要に応じて、非晶質シリコンの層を、酸化物106上に堆積させてもよい工程202。非晶質シリコンは、N型拡散領域104及びP型拡散領域105の印刷を促進するための湿潤剤として機能する。湿潤剤は、拡散領域の組成及びこれらの形成プロセスによって必要である場合もあり、又は、必要でない場合もある。N型拡散領域104及びP型拡散領域105は、酸化物106の上にナノ粒子を印刷すること工程203によって形成され得る。ナノ粒子がN型伝導度又はP型伝導度を有するように、印刷の前に予めドーピングをおこなってもよい。この場合、酸化物106の上に形成された後に、ナノ粒子を別個にドーピングする必要がないため、1つ以上のプロセス工程を省略することができる。より具体的には、別個のプロセスとして、ドーパント源をポリシリコンの層上に堆積させる工程と、ドーパント源からポリシリコンの層内へとドーパントを拡散させて外部拡散領域を形成する熱工程とを排除することができる。湿潤剤が使用されない場合、N型拡散領域104及びP型拡散領域105は、酸化物106の表面上に直接印刷されてもよい。あるいは、N型拡散領域104及びP型拡散領域は、湿潤剤又は酸化物106上の別の材料層上に印刷されてもよい。好ましくは、以降の、ナノ粒子の熱処理温度は、酸化物分解の閾値温度よりも低い。好適な印刷プロセスとしては、インクジェット印刷及びスクリーン印刷が挙げられる。インクジェットプリンターヘッドの1回のパスで、すなわち、同じインクジェット印刷工程において、N型拡散領域104及びP型拡散領域105の印刷を可能にするためインクジェント印刷が好ましい。N型導電性のドーパント例えばリンを含むナノ粒子膜は、N型拡散領域104として機能するように、酸化物106上に印刷されてもよい。同様に、P型導電性のドーパント例えば、ホウ酸を含むナノ粒子膜は、P型拡散領域105として機能するように、酸化物106上に印刷されてもよい。ナノ粒子は、スピンコーティング又は他の好適なプロセスにより形成されてもよい。ナノ粒子は、酸化物106上に形成される前に、適切な伝導度の種類のドーパントで事前にドープ処理されてもよい。ナノ粒子の粒径は、特定の融点を得るために選択されてもよい。粒径が大きいほど、融点はバルク値に近づく。一実施形態において、ナノ粒子は、10ナノメートル未満例えば、7ナノメートルの粒径を有する。ナノ粒子はまた、連続したナノ粒子膜の形成を促進するために異なる粒径の組み合わせを有してもよい。図3は、ナノ粒子半径を融点と関連付けるプロットを示している。図3には、ナノ粒子の融点の低下が示されており、ここで、融解温度の上限プロット301及び下限プロット304はCouchman及びJesserP.R.CouchmanandW.A.Jesser,Nature269,4811977によって算出されたものであり、中央値は、Buffatプロット302;Ph.Buffat及びJ.-P.Borel,Phys.Rev.A13,22871976、及び、Wauteletプロット303;M.Wautelet,J.Phys.D24,3431991によって計算されたものである。これらの計算から、本発明者らは、直径4nmよりも小さいナノ粒子寸法が、室温において安定な印刷材料として使用するには反応性が高すぎることが知られているが、直径10ナノメートル未満のナノ粒子寸法では顕著な融解温度の低減が期待できる最良の条件の場合。図3は、いくつかの分類のモデルに基づく、半径の関数としてのシリコンナノ粒子の、理論的な融点低下を示すことに留意する。しかしながら、実験データでは、更に低い温度の融点が示される。図2に戻り、酸化物106の上に印刷した後に、ナノ粒子が熱処理される工程210。図2の実施例において、熱処理は工程204~207を含み、加熱される炉内に太陽電池を配置する工程工程204を含む。太陽電池構造体の熱処理は、2段階において実施され得る。第1熱処理段階において、ナノ粒子膜内にあり得る有機物質ナノ粒子上にコーティングされたイソプロピルアルコール及び官能基は、ナノ粒子膜から熱的に排除される工程205。これは、300°Cを下回る所定の中間温度において、炉内を所定の移動速度で太陽電池構造体を動かすことによって実行され得る。第1熱処理段階は、炉の温度を、中間温度を上回る焼結温度まで上昇させる前に実行される。第2熱処理段階において、炉の温度を、ナノ粒子の融点を僅かに下回る焼結温度まで上昇させる工程206。例えば、炉の温度は、ナノ粒子の融点の約70から90まで上昇させてもよい。好ましくは、焼結温度は、酸化物分解の閾値の温度よりも低い。ナノ粒子の融点が約1000°Cである一実施形態において、炉の温度を約900°Cの焼結温度まで上昇させる。太陽電池構造体は、特に酸化物106との境界面において、連続したナノ粒子膜を達成するために、所定の時間にわたって、焼結温度にて加熱される。例えば、太陽電池構造体は、約30分にわたり、約900°Cの温度まで加熱される場合がある。得られる連続したナノ粒子膜は有利なことに、ポリシリコンに関連する更なる処理工程を必要とせずに、他の外部拡散太陽電池内におけるポリシリコンと同じように挙動することを可能にする。湿潤剤工程202は溶融ナノ粒子に良好な湿潤をもたらすことができ、ドーピングされたナノ粒子から湿潤領域へのドーピングにつながり、基板上に連続した拡散層を形成することができる。太陽電池構造体の作製を完了するために、追加的な処理工程がその後、実行される。これらの追加的な処理工程は、誘電体層107、金属コンタクト108及び109、並びに太陽電池の他の構造の形成を含む。シリコンナノ粒子を有する太陽電池の製造技術が開示されている。本発明の具体的な実施形態を提供したが、これらの実施形態は説明を目的としたものであり、限定的なものでないことは理解されよう。多くの追加的実施形態が、本開示を読む当業者にとっては明らかとなろう。"