光を感知する光センシングトランジスタと、前記光センシングトランジスタと直列に連結されてデータを出力するスイッチングトランジスタと、を備え、前記光センシングトランジスタは、チャンネル層として感光性酸化物半導体を備える感光性酸化物半導体トランジスタの光センシング回路。前記スイッチングトランジスタのゲートに連結される第1ゲートラインと、前記スイッチングトランジスタのソースに連結されるデータラインと、前記光センシングトランジスタのドレインに連結される駆動電圧ラインと、前記光センシングトランジスタのゲートに連結される第2ゲートラインと、をさらに備える請求項1に記載の光センシング回路。待ち時間中には、前記第1ゲートラインを通じてロー電圧が供給され、前記第2ゲートラインを通じてハイ電圧が供給され、データ出力瞬間には、前記第1ゲートラインを通じてハイ電圧が供給され、前記第2ゲートラインを通じてロー電圧が供給される請求項2に記載の光センシング回路。前記ハイ電圧は、前記光センシングトランジスタの内部にトラップされた電荷を除去できる正の電圧と前記スイッチングトランジスタをオンさせる電圧のうち高い電圧であり、前記ロー電圧は、前記スイッチングトランジスタのしきい電圧と前記光センシングトランジスタのしきい電圧のうち低い電圧である請求項3に記載の光センシング回路。前記光センシングトランジスタは、基板と、前記基板上に配された絶縁層と、前記絶縁層の少なくとも一部上に配されたゲートと、少なくとも前記ゲートの周囲を覆うように前記絶縁層及びゲート上に配されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に配されたチャンネル層と、前記チャンネル層の両側をそれぞれ覆うように配されたソース及びドレインと、前記ソース、ドレイン及びチャンネル層を全体的に覆うように配された透明絶縁層を備え、前記チャンネル層は、感光性酸化物半導体を備える請求項1に記載の光センシング回路。前記光センシングトランジスタは、基板と、前記基板上に配されたチャンネル層と、前記チャンネル層の中心領域に配されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に配されたゲートと、前記チャンネル層上で前記ゲートの両側にそれぞれ離れて配されたソース及びドレインと、前記ゲート、ソース及びドレインを覆うように配された透明絶縁層と、を備え、前記チャンネル層は、感光性酸化物半導体を備える請求項1に記載の光センシング回路。前記感光性酸化物半導体は、ZnO系の酸化物を含む請求項1に記載の光センシング回路。前記ZnO系の酸化物は、ZnOまたはHf、Y、Ta、Zr、Ti、Cu、Ni、Cr、In、Ga、Al、Sn及びMgから選択された少なくとも一つの材料とZnOとの混合物を含む請求項7に記載の光センシング回路。前記感光性酸化物半導体トランジスタは、入射光の色または波長によってドレイン電流が変化する請求項1に記載の光センシング回路。前記感光性酸化物半導体トランジスタは、入射光の光量によってドレイン電流が変化する請求項1に記載の光センシング回路。前記感光性酸化物半導体トランジスタは、入射光の波長及び光量によってドレイン電流が変化する請求項1に記載の光センシング回路。光を感知するための光センシングトランジスタと、データを出力するスイッチングトランジスタとが互いに直列に連結されている光センシング回路の駆動方法であって、前記スイッチングトランジスタのゲートにロー電圧を印加し、前記光センシングトランジスタのゲートにハイ電圧を印加する待ち段階と、前記スイッチングトランジスタのゲートにハイ電圧を印加し、前記光センシングトランジスタのゲートにロー電圧を印加するデータ出力段階と、を含む光センシング回路の駆動方法。前記ハイ電圧として、前記光センシングトランジスタの内部にトラップされた電荷を除去できる正の電圧と、前記スイッチングトランジスタをオンさせる電圧のうち高い電圧を印加することを含む請求項12に記載の光センシング回路の駆動方法。前記ロー電圧として、前記スイッチングトランジスタのしきい電圧と、前記光センシングトランジスタのしきい電圧のうち低い電圧を印加することを含む請求項12に記載の光センシング回路の駆動方法。前記待ち段階で、前記光センシングトランジスタへの光の印加如何と関係なく、前記スイッチングトランジスタからロー信号を出力することを含む請求項12に記載の光センシング回路の駆動方法。前記データ出力段階で、前記光センシングトランジスタへの光の印加時に前記スイッチングトランジスタからハイ信号を出力し、前記光センシングトランジスタへの光の非印加時に前記スイッチングトランジスタからロー信号を出力することを含む請求項12に記載の光センシング回路の駆動方法。前記データ出力段階で、前記光センシングトランジスタに入射する光の光量に比例するハイ信号を前記スイッチングトランジスタから出力することを含む請求項16に記載の光センシング回路の駆動方法。前記光センシングトランジスタは、チャンネル層として感光性酸化物半導体を備える感光性酸化物半導体トランジスタである請求項12に記載の光センシング回路の駆動方法。前記感光性酸化物半導体はZnO系の酸化物を含む請求項18に記載の光センシング回路の駆動方法。前記ZnO系の酸化物は、ZnOまたはHf、Y、Ta、Zr、Ti、Cu、Ni、Cr、In、Ga、Al、Sn及びMgから選択された少なくとも一つの材料とZnOとの混合物を含む請求項19に記載の光センシング回路の駆動方法。入射光を感知する光センシングパネルと、前記光センシングパネルにゲート電圧を提供するためのゲートドライバと、前記光センシングパネルの出力を測定するデータドライバと、前記データドライバのアナログ信号出力をデジタル信号に変換するA/D変換器と、を備え、前記光センシングパネルは、複数の光センシング画素のアレイを備え、前記複数の光センシング画素のそれぞれは、請求項1に記載の光センシング回路を備える光センシング装置。前記光センシングパネルは、行row方向に沿って配列された複数の第1ゲートラインと第2ゲートライン、及び列column方向に沿って配列された複数の駆動電圧ラインとデータラインとをさらに備える請求項21に記載の光センシング装置。前記複数の第1及び第2ゲートラインは前記ゲートドライバに連結されており、前記複数のデータラインは前記データドライバに連結されている請求項22に記載の光センシング装置。前記ゲートドライバは、前記第1及び第2ゲートラインを通じてそれぞれの光センシング画素に一行ずつ順次にゲート電圧を供給する請求項23に記載の光センシング装置。前記光センシング装置は、映像獲得装置またはリモート光タッチパネルである請求項21に記載の光センシング装置。本発明の目的は、光センシング素子として感光性酸化物半導体トランジスタを利用した光センシング回路、該光センシング回路の駆動方法、及び該光センシング回路を採用したリモート光タッチパネルや映像獲得装置のような光センシング装置を提供することである。本発明の一類型による光センシング回路は、光を感知する光センシングトランジスタと、前記光センシングトランジスタと直列に連結されてデータを出力するスイッチングトランジスタと、を備え、前記光センシングトランジスタは、チャンネル層として感光性酸化物半導体を備える感光性酸化物半導体トランジスタの光センシング回路である。一実施形態によれば、前記光センシング回路は、前記スイッチングトランジスタのゲートに連結される第1ゲートラインと、前記スイッチングトランジスタのソースに連結されるデータラインと、前記光センシングトランジスタのドレインに連結される駆動電圧ラインと、前記光センシングトランジスタのゲートに連結される第2ゲートラインと、をさらに備える。一実施形態によれば、待ち時間中には、前記第1ゲートラインを通じてロー電圧が供給され、前記第2ゲートラインを通じてハイ電圧が供給され、データ出力瞬間には、前記第1ゲートラインを通じてハイ電圧が供給され、前記第2ゲートラインを通じてロー電圧が供給される。一実施形態によれば、前記ハイ電圧は、前記光センシングトランジスタの内部にトラップされた電荷を除去できる正の電圧と前記スイッチングトランジスタをオンさせる電圧のうち高い電圧であり、前記ロー電圧は、前記スイッチングトランジスタのしきい電圧と前記光センシングトランジスタのしきい電圧のうち低い電圧である。一実施形態によれば、前記光センシングトランジスタは、基板と、前記基板上に配された絶縁層と、前記絶縁層の少なくとも一部上に配されたゲートと、少なくとも前記ゲートの周囲を覆うように前記絶縁層及びゲート上に配されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に配されたチャンネル層と、前記チャンネル層の両側をそれぞれ覆うように配されたソース及びドレインと、前記ソース、ドレイン及びチャンネル層を全体的に覆うように配された透明絶縁層を備え、前記チャンネル層は、感光性酸化物半導体を備える。一実施形態によれば、前記光センシングトランジスタは、基板と、前記基板上に配されたチャンネル層と、前記チャンネル層の中心領域に配されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に配されたゲートと、前記チャンネル層上で前記ゲートの両側にそれぞれ離れて配されたソース及びドレインと、前記ゲート、ソース及びドレインを覆うように配された透明絶縁層と、を備え、前記チャンネル層は、感光性酸化物半導体を備える。例えば、前記感光性酸化物半導体は、ZnO系の酸化物を含む。前記ZnO系の酸化物は、ZnOまたはHf、Y、Ta、Zr、Ti、Cu、Ni、Cr、In、Ga、Al、Sn及びMgから選択された少なくとも一つの材料とZnOとの混合物を含む。一実施形態によれば、前記感光性酸化物半導体トランジスタは、入射光の色または波長によってドレイン電流が変化する。一実施形態によれば、前記感光性酸化物半導体トランジスタは、入射光の光量によってドレイン電流が変化する。また、一実施形態によれば、前記感光性酸化物半導体トランジスタは、入射光の波長及び光量によってドレイン電流が変化する。一方、本発明の他の類型による光センシング回路の駆動方法は、光を感知するための光センシングトランジスタと、データを出力するスイッチングトランジスタとが互いに直列に連結されている光センシング回路の駆動方法であって、前記スイッチングトランジスタのゲートにロー電圧を印加し、前記光センシングトランジスタのゲートにハイ電圧を印加する待ち段階と、前記スイッチングトランジスタのゲートにハイ電圧を印加し、前記光センシングトランジスタのゲートにロー電圧を印加するデータ出力段階と、を含む。一実施形態によれば、前記ハイ電圧として、前記光センシングトランジスタの内部にトラップされた電荷を除去できる正の電圧と、前記スイッチングトランジスタをオンさせる電圧のうち高い電圧を印加することを含む。一実施形態によれば、前記ロー電圧として、前記スイッチングトランジスタのしきい電圧と、前記光センシングトランジスタのしきい電圧のうち低い電圧を印加することを含む。一実施形態によれば、前記光センシング回路の駆動方法は、前記待ち段階で、前記光センシングトランジスタへの光の印加如何と関係なく、前記スイッチングトランジスタからロー信号を出力することを含む。一実施形態によれば、光センシング回路の駆動方法は、前記データ出力段階で、前記光センシングトランジスタへの光の印加時に前記スイッチングトランジスタからハイ信号を出力し、前記光センシングトランジスタへの光の非印加時に前記スイッチングトランジスタからロー信号を出力することを含む。一実施形態によれば、前記光センシング回路の駆動方法は、前記データ出力段階で、前記光センシングトランジスタに入射する光の光量に比例するハイ信号を前記スイッチングトランジスタから出力することを含む。一実施形態によれば、前記光センシングトランジスタは、チャンネル層として感光性酸化物半導体を備える感光性酸化物半導体トランジスタである。例えば、前記感光性酸化物半導体はZnO系の酸化物を含む。前記ZnO系の酸化物は、ZnOまたはHf、Y、Ta、Zr、Ti、Cu、Ni、Cr、In、Ga、Al、Sn及びMgから選択された少なくとも一つの材料とZnOとの混合物を含む。一方、本発明のさらに他の類型による光センシング装置は、入射光を感知する光センシングパネルと、前記光センシングパネルにゲート電圧を提供するためのゲートドライバと、前記光センシングパネルの出力を測定するデータドライバと、前記データドライバのアナログ信号出力をデジタル信号に変換するA/D変換器と、を備え、前記光センシングパネルは、複数の光センシング画素のアレイを備え、前記複数の光センシング画素のそれぞれは、前述した構造の光センシング回路を備える。一実施形態によれば、前記光センシングパネルは、行row方向に沿って配列された複数の第1ゲートラインと第2ゲートライン、及び列column方向に沿って配列された複数の駆動電圧ラインとデータラインとをさらに備える。一実施形態によれば、前記複数の第1及び第2ゲートラインは前記ゲートドライバに連結されており、前記複数のデータラインは前記データドライバに連結されている。一実施形態によれば、前記ゲートドライバは、前記第1及び第2ゲートラインを通じてそれぞれの光センシング画素に一行ずつ順次にゲート電圧を供給する。一実施形態によれば、前記光センシング装置は、映像獲得装置またはリモート光タッチパネルである。以下、添付した図面を参照して、感光性酸化物半導体トランジスタを利用した光センシング回路、該光センシング回路の駆動方法、及び該光センシング回路を採用した光センシング装置について詳細に説明する。以下の図面で、同じ参照符号は同じ構成要素を称し、図面上で各構成要素のサイズは説明の明瞭性及び便宜のために誇張していることがある。感光性酸化物半導体トランジスタは、チャンネル材料として感光性酸化物半導体を使用したトランジスタである。例えば、チャンネル材料は、ZnO系の材料などの酸化物半導体材料を含むことができる。ZnO系の材料は、例えば、ZnOを含むことができ、またはHf、Y、Ta、Zr、Ti、Cu、Ni、Cr、In、Ga、Al、Sn及びMgから選択された少なくとも一つの材料がZnOに含まれている混合物または化合物を含むこともできる。例えば、かかるZnO系の材料は、ZnO、TaZnO、InZnOIZOやGaInZnOGalliumIndiumZincOxide;GIZOを含むことができる。このような感光性酸化物半導体トランジスタは、入射光の波長や光量によってしきい電圧及びドレイン電流が変わる特性があるため、光センシング素子として活用できる。例えば、図1は、光センシング素子として使われうる感光性酸化物半導体トランジスタの例示的な構造を概略的に示す断面図である。図1を参照すれば、感光性酸化物半導体トランジスタ10は、基板11、前記基板11上に全体的に配された絶縁層12、前記絶縁層12上に部分的に配されたゲート13、少なくとも前記ゲート13の周囲を覆うように絶縁層12及びゲート13上に配されたゲート絶縁膜14、前記ゲート絶縁膜14上に配されたチャンネル層15、前記チャンネル層15の両側を覆うように配されたソース16とドレイン17、及び前記ソース16、ドレイン17及び第2チャンネル層15を全体的に覆うように配された透明絶縁層18を備えることができる。ここで、基板11は、ガラス、シリコンなどの一般的な基板材料を使用できる。絶縁層12、ゲート絶縁膜14、透明絶縁層18は、例えば、SiO2などの材料を使用できる。もし、基板11自体が絶縁性材料で形成されるならば、前記基板11上の絶縁層12は省略されてもよい。また、ゲート13、ソース16及びドレイン17は、伝導性金属または伝導性金属酸化物を使用できる。例えば、感光性酸化物半導体トランジスタ10がディスプレイパネル上に付着される光タッチパネルに使われる場合、前記ゲート13、ソース16及びドレイン17は、ITOなどの透明伝導性材料で形成されうる。しかし、前記感光性酸化物半導体トランジスタ10が透明であることが要求されない場合には、前記基板11、絶縁層12、ゲート13、ゲート絶縁膜14、ソース16及びドレイン17の材料が必ずしも透明な必要はない。その場合には、単に上部の透明絶縁層18のみ、チャンネル層15に光を引導するために透明である必要がある。一方、チャンネル層15は、前述したように、光に敏感な酸化物半導体材料で形成されうる。前述したように、チャンネル層15は、例えば、ZnO、TaZnO、InZnOIZOまたはGaInZnOGIZOなどのZnO系、またはZnOにHf、Y、Ta、Zr、Ti、Cu、Ni、Cr、In、Ga、Al、Sn、Mgなどの材料が一つ以上含まれていた酸化物半導体材料を含むことができる。図1には、ゲートがチャンネルの下方に配されている下部ゲート構造の感光性酸化物半導体トランジスタ10が図示された。しかし、上部ゲート構造の感光性酸化物半導体トランジスタを利用して光センシング素子を提供することもやはり可能である。図2は、上部ゲート構造の感光性酸化物半導体トランジスタ20の例示的な構造を概略的に示す断面図である。図2を参照すれば、上部ゲート構造を持つ感光性酸化物半導体トランジスタ20は、例えば、基板21、前記基板21上に配されたチャンネル層22、前記チャンネル層22の中心領域に部分的に配されたゲート絶縁膜23、前記ゲート絶縁膜23上に配されたゲート24、前記チャンネル層22上で前記ゲート24の両側にそれぞれ離れて配されたソース25とドレイン26、及びゲート24、ソース25、ドレイン26を全体的に覆うように配された透明絶縁層27を備えることができる。図2に図示された上部ゲート構造の感光性酸化物半導体トランジスタ20の場合、光がチャンネル層22に入射されるようにゲート24、ソース25及びドレイン26は、ITOのように透明な伝導性材料で形成されうる。図3は、前述した構造の感光性酸化物半導体トランジスタ10、20の動作特性を例示的に示すグラフであり、ゲート電圧に対するドレイン電流特性を示している。図3を参照すれば、感光性酸化物半導体トランジスタ10、20に光が印加されれば、光が印加されていない時に比べてしきい電圧より低い電圧でドレイン電流が大きく増大するということが分かる。すなわち、図3のグラフを通じて分かるように、感光性酸化物半導体トランジスタ10、20に光が印加された時と光が印加されていない時とのドレイン電流の電流比がかなり大きい。したがって、感光性酸化物半導体トランジスタ10、20を光センシング素子として活用する場合、色々な利点を持つことができる。前述したように、一般的なシリコンフォトダイオードまたは非晶質シリコンa-Siトランジスタの場合、光の印加時と非印加時との電流比が比較的小さい。したがって、光が印加される時に発生した電荷を一定の時間キャパシタに蓄積した後、キャパシタに蓄積された電荷量から光強度に関する信号を発生させる。このようなキャパシタの存在によって光センシング装置を大面積化する場合、寄生キャパシタンスが増大し、回路の構造もまた複雑になりうる。一方、感光性酸化物半導体トランジスタ10、20の場合には、光が印加された時と光が印加されていない時とのドレイン電流の電流比が大きくて、光印加時に数十nA~数百nAほどの比較的大きいサイズの光電流が発生できる。したがって、光センシング素子として感光性酸化物半導体トランジスタ10、20を使用する場合には、キャパシタを利用せずに直接的に電流を感知することができる。したがって、光センシング回路でキャパシタが必要ないため、寄生キャパシタンスの問題なしに光センシング装置を大面積化することができる。また、キャパシタを使用する場合には、キャパシタの充電/放電などのための複雑な駆動方法が要求され、それほど時間がかかるが、直接電流を感知する場合には駆動方法が単純化して時間遅延を考慮する必要がなくなる。また、電流量の小さい時には周辺配線及び回路によるノイズに影響を大きく受けるが、感光性酸化物半導体トランジスタ10、20を使用する場合には比較的電流量が大きいため、ノイズによる影響を少なく受けることができる。さらに、キャパシタを使用しないほど画素内に空間が確保されるため、画素内の受光面積を増大させることもでき、かつ画素のサイズをさらに微細化することもできる。一方、図3を再び参照すれば、感光性酸化物半導体トランジスタ10、20は、光印加時にゲート電圧のスウィープsweep方向によって異なる特性を示している。例えば、図3で‘’と表示された第1グラフは、負の電圧から正の電圧にゲート電圧を増大させる方向にスウィープした場合の特性を示し、‘’と表示された第2グラフは、正の電圧から負の電圧にゲート電圧を減少させる方向にスウィープした場合の特性を示している。第1グラフのように、ゲート電圧が正の方向にスウィープされる場合には、光印加時に感光性酸化物半導体トランジスタ10、20のしきい電圧が負の方向に移動したかのように見られる。一方、第2グラフのように、ゲート電圧が負の方向にスウィープされる場合には、光印加時に感光性酸化物半導体トランジスタ10、20のしきい電圧はそのまま維持された状態でオフ電流のみ増大するようになる。図4は、光の印加と非印加とを繰り返す間に、感光性酸化物半導体トランジスタ10、20のスウィープ方向による動作特性の差を例示的に示している。図4を参照すれば、‘’と表示された第1グラフのように正の方向にゲート電圧をスウィープする間には、ドレイン電流が光によりほとんど影響されないということが分かる。すなわち、正の方向にゲート電圧をスウィープする間、光の印加と非印加とを繰り返してもそれによるドレイン電流の変化はほとんど表れない。一方、‘’と表示された第2グラフのように負の方向にゲート電圧をスウィープする間には、ドレイン電流が光により明確に影響されるようになる。すなわち、負の方向にゲート電圧をスウィープする間、光の印加を中断すればドレイン電流が大きく減少し、再び光を印加すればドレイン電流が上昇する。図4のグラフを見れば、光オフ時にドレイン電流は、最初から光を印加していない状態でゲート電圧をスウィープする時のオフ電流レベルまで減少するということが分かる。図3及び図4に示したスウィープ方向による特性差は、一般的なフラッシュメモリーでデータの記録に利用する現象と類似しているものであって、感光性酸化物半導体トランジスタ10、20のチャンネル層15、22の内部またはその界面に電荷がトラップされて発生すると理解されうる。例えば、光と共に大きい負の電圧例えば、しきい電圧より低い電圧がゲートに印加されれば、チャンネル層15、22の内部で光により生成された正孔が、ゲート絶縁膜14、23とチャンネル層15、22との間の界面に移動してトラップされうる。このようにトラップされた電荷は、十分に大きい正の電圧がゲートに印加されるまで除去されない。したがって、第1グラフでのように、一応、電荷がトラップされた後には、光の印加が中断した後にもドレイン電流が低くならない。ドレイン電流は、ゲートに正の電圧を印加してトラップされた電荷を除去して初めて再び低くなりうる。例えば、第2グラフでのように、正の電圧から負の電圧方向にゲート電圧をスウィープすれば、電荷トラップによる影響なしに純粋な光電流効果が奏されうる。例えば、図5は、10msのサンプリング周期でゲート電圧を正の電圧から負の電圧方向にスウィープする間、光の印加と非印加とを繰り返す時のドレイン電流変化を示している。図5に図示されたように、正の電圧から負の方向にゲート電圧をスウィープする場合には、感光性酸化物半導体トランジスタ10、20が電荷トラップによる影響なしに非常に速く光に反応していることが分かる。したがって、感光性酸化物半導体トランジスタ10、20を利用した光センシング回路及びその駆動方法は、前述したトラップの影響を考慮する必要がある。図6は、前述した感光性酸化物半導体トランジスタ10、20の特徴を鑑みてなされたものであり、感光性酸化物半導体トランジスタ10、20を利用した本発明の一例による光センシング回路の例示的な構造を図示する回路図である。図6の光センシング回路は、例えば、光タッチパネルや映像獲得装置などの光センシング装置の一画素ごとに一つずつ配されるものでありうる。図6を参照すれば、前記光センシング回路は、キャパシタなしに互いに直列に連結されたただ一つの光センシングトランジスタTpと一つのスイッチングトランジスタTselのみを備えることができる。例えば、光センシングトランジスタTpのソースとスイッチングトランジスタTselのドレインとが互いに連結されうる。ここで、光センシングトランジスタTpは、光を感知するための前述した感光性酸化物半導体トランジスタ10、20でありうる。また、データを出力するためのスイッチングトランジスタTselは、感光性のない一般的な薄膜トランジスタでありうる。また、前記光センシング回路は、スイッチングトランジスタTselのゲートに連結される第1ゲートラインGATE_Tsel、スイッチングトランジスタTselのソースに連結されるデータラインDATA、光センシングトランジスタTpのドレインに連結される駆動電圧ラインVdd、及び光センシングトランジスタTpのゲートに連結される第2ゲートラインGATE_Tpをさらに備えることができる。図7は、図6に図示された光センシング回路を駆動する方法を例示的に示すタイミング図である。図6の回路図と図7のタイミング図とを参照すれば、光センシング回路からデータを引き出さない待ち時間中には、第1ゲートラインGATE_Tselにロー電圧が印加されてスイッチングトランジスタTselをオフ状態に維持させる。ここで、ローLow電圧は、例えば、スイッチングトランジスタTselのしきい電圧より低い電圧でありうる。一方、光センシングトランジスタTpのゲートには、第2ゲートラインGATE_Tpを通じてハイHigh電圧が印加される。ここで、ハイ電圧は、例えば、光センシングトランジスタTpのチャンネル層内部またはその界面にトラップされた電荷を除去できるように、十分に高い正の電圧でありうる。したがって、この間には光が光センシングトランジスタTpに印加されてもスイッチングトランジスタTselがオフ状態であるので、データラインDATAは常にロー状態にある。すなわち、データラインDATAを通じては低い電流が流れてロー信号が出力される。一方、前記光センシング回路からデータを出力する瞬間には、第1ゲートラインGATE_Tselを通じてスイッチングトランジスタTselのゲートにハイ電圧を印加して、スイッチングトランジスタTselをオンONさせる。したがって、ハイ電圧は、光センシングトランジスタTpでトラップされた電荷を除去できる正の電圧と、スイッチングトランジスタTselをオンさせることができる電圧のうち高い電圧でありうる。同時に、光センシングトランジスタTpのゲートには、第2ゲートラインGATE_Tpを通じてロー電圧が印加される。ここで、ロー電圧は、光センシングトランジスタTpのしきい電圧より低い電圧でありうる。したがって、ロー電圧は、スイッチングトランジスタTselのしきい電圧と、光センシングトランジスタTpのしきい電圧のうち低い電圧でありうる。この状態で、光センシングトランジスタTpに光が印加されなければ、図7に図示されたように、光センシングトランジスタTpのソースからスイッチングトランジスタTselを通じてデータラインDATAにロー信号が出力される。そして、光センシングトランジスタTpに光が印加されれば、光センシングトランジスタTpのオフ電流が増大しつつデータラインDATAに高い電流が流れてハイ信号が出力される。この時、光センシングトランジスタTp内にはトラップされた電荷が十分に除去された状態であるため、図3の第2グラフのように、純粋な光電流効果による電流のみデータラインDATAに流れることができる。このように出力されるハイ信号の強度は、例えば、光センシングトランジスタTpに入射する光の光量に比例できる。一方、光センシングトランジスタTpのドレインに供給される駆動電圧は、全過程で常に一定に維持されうる。図8は、図6に図示された光センシング回路を採用した光センシング装置100の構造を概略的に示すブロック図である。図8を参照すれば、本発明による光センシング装置100は、例えば、入射光を感知する光センシングパネル120、前記光センシングパネル120にゲート電圧を提供するためのゲートドライバ110、前記光センシングパネル120の出力を測定するデータドライバ130、及び前記データドライバ130のアナログ出力信号をデジタル信号に変換するA/D変換器AnalogDigitalConverter;ADC140を備えることができる。ここで、光センシングパネル120は、図6に図示された光センシング回路をそれぞれ持つ複数の光センシング画素30のアレイを備えることができる。前記光センシング回路は、感光性酸化物半導体トランジスタ10または20を備えることができる。したがって、前記光センシングパネル120は、行row方向に沿って配列された複数の第1ゲートラインGATE_Tselと第2ゲートラインGATE_Tp、及び列column方向に沿って配列された複数の駆動電圧ラインVddとデータラインDATAとをさらに備えることができる。ここで、複数の第1及び第2ゲートラインGATE_Tsel、GATE_Tpはゲートドライバ110に連結されている。ゲートドライバ110は、例えば、前記第1及び第2ゲートラインGATE_Tsel、GATE_Tpを通じて、それぞれの光センシング画素30に一行ずつ順次にゲート電圧を供給できる。また、複数のデータラインDATAはデータドライバ130に連結されている。前記データドライバ130は、例えば、光センシング画素30からの出力信号を測定して1列ずつ順次に出力するように構成されてもよい。このような構造の光センシング装置100は、光の感知が要求される多様な装置で応用されうる。例えば、デジタルカメラなどで使われる映像獲得装置として、CCDイメージセンサーやCMOSイメージセンサーの代りに前記光センシング装置100が適用されうる。また、既存のタッチパネルの代りに、例えば、レーザーポインタのような光源装置から放出された光を感知してタッチ機能を行えるリモート光タッチパネルとして、前記光センシング装置100が使われることもある。この場合、光センシング装置100は、ディスプレイ装置の表面に付着されて使われうる。または、光センシング装置100は、ディスプレイ装置内に統合されて一体に形成されることもある。例えば、ディスプレイ装置の一画素は、一般的にカラーの具現のためにRGB色別に3個のセルを持つが、これに一つのセルを追加して図6に図示されたような光センシング回路をさらに配することもできる。光センシング装置100をリモート光タッチパネルとして使用する場合に、例えば、光センシング装置100に入射する多様な外光成分と、タッチ機能を行うためのタッチ光との区別が問題になりうる。図9は、いろいろな種類の光に対する感光性酸化物半導体トランジスタ10、20の動作特性を例示的に示すグラフである。図9のグラフを見れば、感光性酸化物半導体トランジスタ10、20は、同一強度の光のうち特に青色光例えば、光源装置として青色LEDを使用に敏感であるということが分かる。また、図10のグラフに図示されたように、感光性酸化物半導体トランジスタ10、20は、青色光の強度が大きいほどさらに敏感になりうるということが分かる。したがって、青色光やUV光のように波長の短い光を使用する場合には、室内の電灯光や太陽光熱のように外光成分が存在する場合にも、タッチ光のみを区別することができる。これまで、本発明の理解を助けるために感光性酸化物半導体トランジスタを利用した光センシング回路、該光センシング回路の駆動方法、及び該光センシング回路を採用した光センシング装置についての例示的な実施例が説明され、かつ添付した図面に図示された。しかし、このような実施例は単に本発明を例示するためのものであり、これを制限しないという点が理解されねばならない。そして本発明は、図示されて説明された説明に限定されないという点が理解されねばならない。これは、多様な他の変形が当業者により行われうるためである。