"基板上に発熱抵抗体を形成する発熱抵抗体形成工程と、前記発熱抵抗体上において該発熱抵抗体の表面に沿う方向に間隔をあけて一対の電極を形成するとともに、前記一対の電極のそれぞれに前記基板から離れるに従って互いに離間する傾斜面を形成する電極形成工程と、前記一対の電極の間の領域を埋設する埋設工程と、埋設された前記領域および前記一対の電極上に保護膜を形成する保護膜形成工程とを含むサーマルヘッドの製造方法。前記電極形成工程が、前記基板上に電極層を形成する電極層形成工程と、前記電極層上の前記発熱抵抗体の両側に間隔をあけて第1のマスクを形成する第1のマスク形成工程と、浸透性を有する溶剤を用いたエッチング処理により、前記電極層の前記第1のマスクで被覆されていない領域を除去する電極層除去工程と、前記第1のマスクを除去する第1のマスク除去工程とを含む請求項1に記載のサーマルヘッドの製造方法。前記埋設工程が、前記一対の電極上に第2のマスクを形成する第2のマスク形成工程と、前記一対の電極の間および前記第2のマスク上に埋設膜を形成する埋設膜形成工程と、前記第2のマスクを除去する第2のマスク除去工程とを含む請求項1または請求項2に記載のサーマルヘッドの製造方法。前記傾斜面が、前記基板に対して15°から60°の角度で形成されている請求項1から請求項3のいずれかに記載のサーマルヘッドの製造方法。基板上に設けられた発熱抵抗体と、該発熱抵抗体上において該発熱抵抗体の表面に沿う方向に間隔をあけて設けられ、前記基板から離れるに従って互いに離間する傾斜面をそれぞれ有する一対の電極と、該一対の電極の間の領域を埋設する埋設膜と、該埋設膜により埋設された前記領域および前記一対の電極上に形成された保護膜とを備えるサーマルヘッド。前記傾斜面が、前記基板に対して15°から60°の角度で形成されている請求項5に記載のサーマルヘッド。しかしながら、特許文献2に開示されている方法では、通常のエッチング処理を行うため、電極のエッジ部がほぼ90°となる。また、電極パターニングに用いたレジストマスクをそのままリフトオフ用レジストマスクとして用い、その上に成膜を行うため、電極およびレジストマスクの側壁面の陰となって、電極近傍の埋設膜に凹部が発生する。このため、埋設膜をリフトオフにより除去した後、続けてそれらの上に保護膜の成膜を行うと、凹部の上部において不連続な保護膜層が形成されてしまい、保護膜の断層が生じてしまう。この保護膜の断層のため、以下の理由によってサーマルヘッドの信頼性や耐久性が大幅に低下する。1サーマルヘッドは、印字中、発熱抵抗体に短く連続したパルス状の電力を印加して発熱するため、発熱部のグレーズ層、電極、保護膜の材料の違いによる熱膨張係数の差により、伸び縮みによる熱応力が加わる。この熱応力が、保護膜中の断層部に集中し、歪や断層間の密着不良を発生させ、保護膜の剥離を引き起こす。2発熱部上には、プラテンローラで強く押圧された感熱紙が摺動するため、機械的な応力が加わる。この機械的な応力が、保護膜中の断層部に集中し、保護膜の剥離を引き起こす。3感熱紙は微量ながらイオン成分を含んでいる。このイオン成分が、印字中に印加された電圧により、サーマルヘッドの保護膜の断層を通って電極まで引き寄せられ、電極を腐食させる。これにより、保護膜と電極の密着不良を発生させ、保護膜の剥離を引き起こす。すなわち、特許文献2に開示されている方法によれば、保護膜上における電極による段差および段差により発生する空気層を無くして印字効率の向上は図れるものの、サーマルヘッドの信頼性、耐久性を大幅に低下させてしまうという不都合がある。本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであって、保護膜上における電極による段差を無くして印字効率を向上するともに、サーマルヘッドの信頼性および耐久性を向上することができるサーマルヘッドおよびその製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は以下の手段を採用する。本発明の第1の態様は、基板上に発熱抵抗体を形成する発熱抵抗体形成工程と、前記発熱抵抗体上において該発熱抵抗体の表面に沿う方向に間隔をあけて一対の電極を形成するとともに、前記一対の電極のそれぞれに前記基板から離れるに従って互いに離間する傾斜面を形成する電極形成工程と、前記一対の電極の間の領域を埋設する埋設工程と、埋設された前記領域および前記一対の電極上に保護膜を形成する保護膜形成工程とを含むサーマルヘッドの製造方法である。本発明の第1の態様によれば、発熱抵抗体形成工程により基板上に発熱抵抗体が形成され、電極形成工程により、発熱抵抗体上に、該発熱抵抗体の表面に沿う方向に間隔をあけて一対の電極が形成される。そして、埋設工程により一対の電極の間の領域が埋設され、保護膜形成工程により、埋設された領域および一対の電極上に保護膜が形成される。この場合において、電極形成工程では、一対の電極のそれぞれに対して、基板から離れるに従って互いに離間する傾斜面が形成される。これにより、埋設工程において、一対の電極の間の領域を、電極近傍に凹部を形成することなく、平坦に埋設することができる。その結果、保護膜形成工程において、埋設された領域および一対の電極上に、断層を形成することなく、保護膜を均一に形成することができる。以上のように、本発明の第1の態様によれば、発熱抵抗体上の電極による段差を埋設するとともに、断層のない保護膜が形成されたサーマルヘッドを製造することができる。このように製造されたサーマルヘッドによれば、電極の段差による保護膜とプラテンローラとの間の空気層を無くして印字効率を向上することができる。また、上述の保護膜の断層に伴う不都合の発生を防止することができ、サーマルヘッドの信頼性および耐久性を向上することができる。上記の第1の態様において、前記電極形成工程が、前記基板上に電極層を形成する電極層形成工程と、前記電極層上の前記発熱抵抗体の両側に間隔をあけて第1のマスクを形成する第1のマスク形成工程と、浸透性を有する溶剤を用いたエッチング処理により、前記電極層の前記第1のマスクで被覆されていない領域を除去する電極層除去工程と、前記第1のマスクを除去する第1のマスク除去工程とを含むこととしてもよい。このようにすることで、電極形成工程において、電極層形成工程により基板上に電極層が形成され、第1のマスク形成工程により電極層上の発熱抵抗体の両側に間隔をあけて第1のマスクが形成される。そして、電極層除去工程により電極層の第1のマスクで被覆されていない領域が除去された後に、第1のマスク除去工程により第1のマスクが除去される。この場合において、電極層除去工程において浸透性を有する溶剤を用いてエッチング処理を行うことで、電極層の第1のマスクで被覆されていない領域を縦方向電極層の厚さ方向に除去するとともに、該領域から横方向電極層の表面に沿う方向にも溶剤が浸透して電極層が除去される。これにより、一対の電極のそれぞれについて、基板から離れるに従って互いに離間する傾斜面が形成される。これにより、埋設工程において一対の電極の間の領域を平坦に埋設することができ、保護膜形成工程において断層を形成することなく保護膜を均一に形成することができる。上記の第1の態様において、前記埋設工程が、前記一対の電極上に第2のマスクを形成する第2のマスク形成工程と、前記一対の電極の間および前記第2のマスク上に埋設膜を形成する埋設膜形成工程と、前記第2のマスクを除去する第2のマスク除去工程とを含むこととしてもよい。このようにすることで、埋設工程において、第2のマスク形成工程により一対の電極上に第2のマスクが形成され、埋設膜形成工程により、一対の電極の間および第2のマスク上に埋設膜が形成される。そして、第2のマスク除去工程により第2のマスクが除去されることで、第2のマスク上に形成された埋設膜も除去される。これにより、一対の電極の間の領域を、埋設膜により平坦に埋設することができ、保護膜形成工程において断層を形成することなく保護膜を均一に形成することができる。上記の第1の態様において、前記傾斜面が、前記基板に対して15°から60°の角度で形成されていることとしてもよい。このようにすることで、埋設工程において一対の電極の間の領域を好適に埋設することができ、該領域の平坦度を向上させて、保護膜形成工程において保護膜を均一に形成することができる。本発明の第2の態様は、基板上に設けられた発熱抵抗体と、該発熱抵抗体上において該発熱抵抗体の表面に沿う方向に間隔をあけて設けられ、前記基板から離れるに従って互いに離間する傾斜面をそれぞれ有する一対の電極と、該一対の電極の間の領域を埋設する埋設膜と、該埋設膜により埋設された前記領域および前記一対の電極上に形成された保護膜とを備えるサーマルヘッドである。本発明の第2の態様によれば、第1の態様と同様に、発熱抵抗体上の電極による段差を埋設するとともに、断層のない保護膜を形成することができる。このようなサーマルヘッドによれば、電極の段差による保護膜とプラテンローラとの間の空気層を無くして印字効率を向上することができる。また、上述の保護膜の断層に伴う不都合の発生を防止することができ、サーマルヘッドの信頼性および耐久性を向上することができる。上記の第2の態様において、前記傾斜面が、前記基板に対して15°から60°の角度で形成されていることとしてもよい。このようにすることで、一対の電極の間の領域を好適に埋設することができ、該領域の平坦度を向上させて、保護膜を均一に形成することができる。本発明によれば、保護膜上における電極による段差を無くして印字効率を向上するともに、サーマルヘッドの信頼性および耐久性を向上することができるという効果を奏する。以下、本発明の一実施形態に係るサーマルヘッド1について、図面を参照して説明する。本実施形態に係るサーマルヘッド1は、例えば図1に示すようなサーマルプリンタ10に用いられており、印刷データに基づいて複数の発熱素子を選択的に駆動することによって、感熱紙12等の印刷対象物に印刷を行うものである。サーマルプリンタ10は、本体フレーム11と、中心軸が水平に配置されるプラテンローラ13と、プラテンローラ13の外周面に対向して配置されるサーマルヘッド1と、サーマルヘッド1を支持している放熱板15図3参照と、プラテンローラ13とサーマルヘッド1との間に感熱紙12を送り出す紙送り機構17と、サーマルヘッド1を感熱紙12に対して所定の押圧力で押し付ける加圧機構19とを備えている。プラテンローラ13には、加圧機構19の作動により、感熱紙12を介してサーマルヘッド1が押し付けられるようになっている。これにより、プラテンローラ13からの反力が感熱紙12を介してサーマルヘッド1に加えられるようになっている。放熱板15は、例えば、アルミ等の金属、樹脂、セラミックスまたはガラス等からなる板状部材であり、サーマルヘッド1の固定および放熱を目的とするものである。サーマルヘッド1は、図2に示すように、発熱抵抗体7および電極8が、矩形状の支持基板3の長手方向に複数配列されている。矢印Yは、紙送り機構17による感熱紙12の送り方向を示している。図2のA-A矢視断面図が、図3に示されている。サーマルヘッド1は、図3に示すように、放熱板15に支持された支持基板3と、支持基板3の上面側に形成されるグレーズ5と、グレーズ5上に設けられた発熱抵抗体7と、発熱抵抗体7の両端部に設けられた一対の電極8と、一対の電極8の間を埋設する埋設膜4と、埋設膜4および電極8を覆い、これらを磨耗や腐食から保護する保護膜9とを有している。支持基板3は、例えば、300μm~1mm程度の厚さを有するガラス基板やシリコン基板等の絶縁性の基板である。ここでは、支持基板3として、99.5のアルミナ成分を有するセラミック板を用いる。グレーズ5は、例えば、厚さ10μm~100μm程度のガラス材質によって構成されており、発熱抵抗体7から発生した熱を蓄える蓄熱層として機能する。発熱抵抗体7は、グレーズ5の上面において、図2に示すように、支持基板3の長手方向に所定の間隔をあけて複数配列されている。発熱抵抗体7は、例えばTaタンタルを主成分とするTa-N、Ta-SiO2膜から構成されている。発熱抵抗体7の具体的な形成方法については後述する。電極8は、発熱抵抗体7を発熱させるためのものであり、図2に示すように、各発熱抵抗体7の配列方向に直交する方向の一端に接続される共通電極8Aと、各発熱抵抗体7の他端に接続される個別電極8Bとから構成されている。共通電極8Aは、全ての発熱抵抗体7に一体的に接続され、個別電極8Bは個々の発熱抵抗体7にそれぞれ接続されている。個別電極8Bに選択的に電圧を印加すると、選択された個別電極8Bとこれに対向する共通電極8Aとが接続されている発熱抵抗体7に電流が流れ、発熱抵抗体7が発熱するようになっている。この状態で、加圧機構19の作動により、発熱抵抗体7の発熱部分を覆う保護膜9の表面部分印字部分に感熱紙12を押し付けることで、感熱紙12が発色して印字されるようになっている。また、共通電極8Aおよび個別電極8Bは、図3に示すように、支持基板3から離れるに従って互いに離間する傾斜面8Cをそれぞれ有している。傾斜面8Cの具体的な形成方法については後述する。なお、発熱抵抗体7のうち実際に発熱する部分以下、発熱部分を発熱部7Aという。は、発熱抵抗体7における電極8A,8Bが重なっていない部分、すなわち、発熱抵抗体7のうち共通電極8Aの接続面と個別電極8Bの接続面との間の領域である。埋設膜4および保護膜9は、同じ材料で構成されており、例えばSi3N4とSiO2などの混合膜を、スパッタリング等により被覆することで形成されている。これら埋設膜4および保護膜9の具体的な形成方法については後述する。次に、上記構成を有するサーマルヘッド1の製造方法について以下に説明する。本実施形態に係るサーマルヘッド1の製造方法は、図4に示すように、支持基板3グレーズ5上に発熱抵抗体7を形成する発熱抵抗体形成工程S1と、発熱抵抗体7上において発熱抵抗体7の表面に沿う方向に間隔をあけて一対の電極8を形成する電極形成工程S2と、一対の電極8の間の領域を埋設する埋設工程S3と、埋設された領域および一対の電極8上に保護膜9を形成する保護膜形成工程S4とを備えている。以下、上記の各工程について具体的に説明する。発熱抵抗体形成工程S1では、発熱抵抗体材料として、Taタンタルを主成分とするTa-N、Ta-SiO2膜等を、スパッタリングにより約0.1μm程度の厚さに形成する。その後、フォトリソグラフィにより発熱抵抗体7を、支持基板3の長手方向に所定の間隔をあけて複数形成する。電極形成工程S2は、図5に示すように、詳細なサブ工程として、支持基板3グレーズ5上に電極層を形成する電極層形成工程S21と、電極層上の発熱部7Aの両側に間隔をあけて電極パターン用レジストマスク第1のマスク21を形成する電極パターン用レジストマスク形成工程S22と、浸透性を有する溶剤を用いたエッチング処理により電極層の電極パターン用レジストマスク21で被覆されていない領域を除去する電極層除去工程S23と、電極パターン用レジストマスク21を除去する電極パターン用レジストマスク除去工程S24とを有している。電極層形成工程S21では、発熱抵抗体7に電力を供給するための電極材料として、Alを主成分とするAl、Al-Si、Al-Si-Cu膜等から構成される電極層を、スパッタリング等により、支持基板3グレーズ5上に約1~2μm程度の厚さで形成する。電極パターン用レジストマスク形成工程S22では、図7aに示すように、電極層上における発熱部7Aの両側にフォトレジストを塗布し、フォトマスクを用いて露光現像して、発熱部7Aを挟んで間隔をあけて形成された電極パターン用レジストマスク21を形成する。電極層除去工程S23では、りん酸、酢酸、硝酸及び純水等からなる混合酸性水溶液などを、その混合比により粘度調整したエッチング液を用いてエッチング処理を行う。この場合において、粘度の低いエッチング液でAl膜電極層をエッチングすると、エッチング液はAlエッチングと同時に、電極パターン用レジストマスク21とAl膜との界面にも入り込み、電極層の表面に沿う方向にもエッチングが進行する。この電極層の表面に沿う方向と膜厚方向のエッチング速度の関係を適度に調節することで、エッチング終了時において、電極層に、発熱部7Aを挟んで支持基板3グレーズ5から離れるに従って互いに離間する傾斜面8Cをそれぞれ形成することができる。なお、この傾斜面8Cは、支持基板3に対して15°から60°の角度で形成することが好ましい。このような傾斜角度にすることで、後述する埋設工程S3において、一対の電極8の間を埋設膜4により好適に埋設することができる。また、傾斜面8Cは、図8aおよび図8bに示すように、発熱抵抗体7の長手方向だけではなく、発熱抵抗体7の長手方向に直交する方向にも設けることが好ましい。このようにすることで、支持基板3の長手方向に複数配列された電極8の間を埋設膜4により好適に埋設することができる。電極パターン用レジストマスク除去工程S24では、電極パターン用レジストマスク21を有機溶剤などの剥離液を用いて除去することで、傾斜面8Cが形成された電極8を露出させる。埋設工程S3は、図6に示すように、詳細なサブ工程として、一対の電極8上にリフトオフ用レジストマスク第2のマスク22を形成するリフトオフ用レジストマスク形成工程S31と、部分的にリフトオフ用レジストマスク22が形成された支持基板3上に埋設膜4を形成する埋設膜形成工程S32と、リフトオフ用レジストマスク22を除去するリフトオフ用レジストマスク除去工程S33とを有している。リフトオフ用レジストマスク形成工程S31では、図7bに示すように、一対の電極8上に再度フォトレジストを塗布し、電極8の上面形状とほぼ同一となるように設計されたフォトマスクを用いて露光現像することで、電極8の上面にリフトオフ用レジストマスク22を形成する。埋設膜形成工程S32では、図7cに示すように、リフトオフ用レジストマスク22および発熱抵抗体7上に、保護膜9と同一の絶縁材料から構成される埋設膜4を、スパッタリング等により発熱抵抗体7と電極8との段差とほぼ同一となる厚さまで膜付けし、この段差を埋設する。この場合において、一対の電極8には傾斜面8Cが形成されているため、電極8近傍に凹部を形成することなく、一対の電極8の間の領域を平坦に埋設することができる。この点について、傾斜面8Cを形成しなかった場合の埋設状態については比較例として後述する。リフトオフ用レジストマスク除去工程S33では、図7dに示すように、リフトオフ用レジストマスク22を有機溶剤などの剥離液を用いて除去する。保護膜形成工程S4では、図7eに示すように、発熱抵抗体7および電極8の酸化防止と耐摩耗のために、これらを覆うようにSi3N4とSiO2などの混合膜をスパッタリング等により約3~6μm程度の厚さで被覆することで、保護膜9を形成する。この場合において、埋設膜4と保護膜9とを同一材料で構成することで、厚さ方向に連続した成膜が形成されると共に、発熱抵抗体7および電極8上にも断層がなく、平面方向支持基板3の表面に沿う方向でも連続した保護膜9が形成される。[比較例]ここで、比較例として、従来のサーマルヘッドの製造方法について以下に説明する。従来のサーマルヘッド101の製造方法は、図10aから図10dに示すように、発熱抵抗体形成工程と、電極形成工程と、埋設工程と、保護膜形成工程とを備えている。以下、上記の各工程について具体的に説明する。発熱抵抗体形成工程は、本実施形態に係るサーマルヘッド1の発熱抵抗体形成工程S1と同様に、発熱抵抗体107を支持基板103の長手方向に所定の間隔をあけて複数形成する。電極形成工程では、発熱抵抗体107上において発熱抵抗体107の表面に沿う方向に間隔をあけて一対の電極108が形成される。この場合において、従来のサーマルヘッド101の製造方法によれば、図10aに示すように、電極層上における発熱部107の両側に電極パターン用レジストマスク121を形成して、通常のエッチング処理が行われる。そのため、一対の電極108は、発熱抵抗体107の表面に直交する方向に側壁が形成される。すなわち、一対の電極108には、本実施形態に係るサーマルヘッド1のように傾斜面8Cが形成されない。埋設工程では、図10bに示すように、電極パターン用レジストマスク121および発熱抵抗体107上に埋設膜104を形成する。この場合において、一対の電極108近傍A部には凹部110が形成される。この凹部110が形成されるプロセスについて、図11aから図11dを用いて以下に説明する。図11aから図11dは、従来のサーマルヘッド101の埋設工程における埋設膜104の状態を時系列的に表わしたものである。図11aに示すように、埋設工程では、成膜装置にセットされた基板が自転、公転しながら膜付けをされるため、指向性のあるスパッタ粒子が、基板表面に対して多方向から打ち込まれる。この状態で成膜を行うと、図11bに示すように、電極108上の埋設膜104が発熱部107A側にせり出して積層される。この状態で成膜を継続すると、図11cに示すように、電極108および電極パターン用レジストマスク121の側壁面の陰となって、電極108近傍の埋設膜104に凹部110が発生する。さらに成膜を継続すると、図11dに示すように、凹部110の上部において不連続な埋設膜104が形成されてしまい、埋設膜104の断層が生じてしまう。保護膜形成工程では、図10cに示すように、電極パターン用レジストマスク121およびその上に積層された埋設膜104が除去される。そして、図10dに示すように、上記のように凹部110や断層が形成された埋設膜104の上に、保護膜109が形成される。この場合において、埋設膜104の凹部110や断層によって、凹部110の上部において不連続な保護膜層が形成されてしまい、保護膜109の断層が生じてしまう。この保護膜109の断層のため、以下の理由によってサーマルヘッドの信頼性や耐久性が大幅に低下する。1サーマルヘッドは、印字中、発熱抵抗体に短く連続したパルス状の電力を印加して発熱するため、発熱部のグレーズ層、電極、保護膜の材料の違いによる熱膨張係数の差により、伸び縮みによる熱応力が加わる。この熱応力が、保護膜中の断層部に集中し、歪や断層間の密着不良を発生させ、保護膜の剥離を引き起こす。2発熱部上には、プラテンローラで強く押圧された感熱紙が摺動するため、機械的な応力が加わる。この機械的な応力が、保護膜中の断層部に集中し、保護膜の剥離を引き起こす。3感熱紙は微量ながらイオン成分を含んでいる。このイオン成分が、印字中に印加された電圧により、サーマルヘッドの保護膜の断層を通って電極まで引き寄せられ、電極を腐食させる。これにより、保護膜と電極の密着不良を発生させ、保護膜の剥離を引き起こす。これに対して、本実施形態に係るサーマルヘッド1の製造方法によれば、前述のように、電極形成工程S2において、一対の電極8のそれぞれに対して、支持基板3から離れるに従って互いに離間する傾斜面8Cが形成される。これにより、埋設工程S3において、一対の電極8の間の領域を、電極8近傍に凹部を形成することなく、平坦に埋設することができる。その結果、保護膜形成工程S4において、埋設された領域および一対の電極8上に、断層を形成することなく、保護膜9を均一に形成することができる。以上のように、本実施形態に係るサーマルヘッド1の製造方法によれば、図7eに示すように、発熱抵抗体7上の電極8による段差を埋設するとともに、断層のない保護膜9が形成されたサーマルヘッド1を製造することができる。このように製造されたサーマルヘッド1によれば、上述の保護膜9の断層に伴う不都合の発生を防止することができ、サーマルヘッドの信頼性および耐久性を向上することができる。また、本実施形態に係るサーマルヘッド1によれば、図9に示すように、電極8の段差による保護膜9とプラテンローラとの間の空気層を無くして印字効率を向上することができる。また、本実施形態に係るサーマルヘッド1において、一対の電極8の傾斜面8Cを、支持基板3に対して15°から60°の角度で形成することで、埋設工程S3において一対の電極8の間の領域を好適に埋設することができ、この領域の平坦度を向上させて、保護膜形成工程S4において保護膜9を均一に形成することができる。以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。"