"式Iで表される化合物。I式中、Y’は2価の基を表す。R1及びR2は、同一又は相異なり、置換基を表す。n及びmは、同一又は相異なり、0~3の整数を表す。A’及びB’は、同一又は相異なり、ボロン酸残基又はホウ酸エステル残基を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。R2が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。Y’で表される2価の基が、式Y-1~式Y-8のいずれかで表される基である請求項1に記載の化合物。式~式Y-8中、R3~R13は、同一又は相異なり、水素原子又は置換基を表す。X1はハロゲン原子を表す。複数個あるX1は、それぞれ同一でも相異なってもよい。A’又はB’で表されるホウ酸エステル残基が、式AB-1~式AB-8のいずれかで表される基である請求項1又は2に記載の化合物。式Iで表される化合物と式IIで表される化合物とを重合させる、式IIIで表される繰り返し単位と式IVで表される繰り返し単位とを含む高分子化合物の製造方法。I式中、Y’は2価の基を表す。R1及びR2は、同一又は相異なり、置換基を表す。n及びmは、同一又は相異なり、0~3の整数を表す。A’及びB’は、同一又は相異なり、ボロン酸残基又はホウ酸エステル残基を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。R2が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。II式中、C’は置換されていてもよいアリーレン基、置換されていてもよいヘテロアリーレン基又は2価の芳香族アミン残基を表す。ただし、C’は式IIIで表される基とは異なる。Dはハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。2個あるDは、同一でも相異なってもよい。III式中、Y’、R1、R2、m及びnは、前述と同じ意味を表す。IV式中、C’は、前述と同じ意味を表す。式Iで表される化合物と式Vで表される化合物とを重合させる、式IIIで表される繰り返し単位を含む高分子化合物の製造方法。I式中、Y’は2価の基を表す。R1及びR2は、同一又は相異なり、置換基を表す。n及びmは、同一又は相異なり、0~3の整数を表す。A’及びB’は、同一又は相異なり、ボロン酸残基又はホウ酸エステル残基を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。R2が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。V式中、Dはハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。Y’、R1、R2、m及びnは、前述と同じ意味を表す。III式中、Y’、R1、R2、m及びnは、前述と同じ意味を表す。式Iで表される化合物と式IIで表される化合物と式VIで表される化合物とを重合させる、式IIIで表される繰り返し単位と式IVで表される繰り返し単位とを含む高分子化合物の製造方法。I式中、Y’は2価の基を表す。R1及びR2は、同一又は相異なり、置換基を表す。n及びmは、同一又は相異なり、0~3の整数を表す。A’及びB’は、同一又は相異なり、ボロン酸残基又はホウ酸エステル残基を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。R2が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。II式中、C’は置換されていてもよいアリーレン基、置換されていてもよいヘテロアリーレン基又は2価の芳香族アミン残基を表す。ただし、C’は式IIIで表される基とは異なる。Dはハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。2個あるDは、同一でも相異なってもよい。VI式中、A’、B’及びC’は、前述と同じ意味を表す。III式中、Y’、R1、R2、m及びnは、前述と同じ意味を表す。IV式中、C’は、前述と同じ意味を表す。式Iで表される化合物と式IIで表される化合物と式Vで表される化合物とを重合させる、式IIIで表される繰り返し単位と式IVで表される繰り返し単位とを含む高分子化合物の製造方法。I式中、Y’は2価の基を表す。R1及びR2は、同一又は相異なり、置換基を表す。n及びmは、同一又は相異なり、0~3の整数を表す。A’及びB’は、同一又は相異なり、ボロン酸残基又はホウ酸エステル残基を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。R2が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。II式中、Cは’置換されていてもよいアリーレン基、置換されていてもよいヘテロアリーレン基又は芳香族アミン残基を表す。ただし、C’は式IIIで表される基とは異なる。Dはハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。2個あるDは、同一でも相異なってもよい。V式中、D、Y’、R1、R2、m及びnは、前述と同じ意味を表す。III式中、Y’、R1、R2、m及びnは、前述と同じ意味を表す。IV式中、C’は、前述と同じ意味を表す。式Iで表される化合物と式IIで表される化合物と式Vで表される化合物と式VIで表される化合物とを重合させる、式IIIで表される繰り返し単位と式IVで表される繰り返し単位とを含む高分子化合物の製造方法。I式中、Y’は2価の基を表す。R1及びR2は、同一又は相異なり、置換基を表す。n及びmは、同一又は相異なり、0~3の整数を表す。A’及びB’は、同一又は相異なり、ボロン酸残基又はホウ酸エステル残基を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。R2が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。II式中、C’は置換されていてもよいアリーレン基、置換されていてもよいヘテロアリーレン基又は芳香族アミン残基を表す。ただし、C’は式IIIで表される基とは異なる。Dはハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。2個あるDは、同一でも相異なってもよい。V式中、D、Y’、R1、R2、m及びnは、前述と同じ意味を表すVI式中、A’、B’及びC’は、前述と同じ意味を表す。III式中、Y’、R1、R2、m及びnは、前述と同じ意味を表す。IV式中、C’は、前述と同じ意味を表す。Y’で表される2価の基が式Y-1~式Y-8のいずれかで表される基である請求項4~8のいずれか一項に記載の製造方法。式~式Y-8中、R3~R13は、同一又は相異なり、水素原子又は置換基を表す。X1はハロゲン原子を表す。複数個あるX1は、それぞれ同一でも相異なってもよい。しかしながら、Suzukiカップリング反応により、式Aで表される化合物を用いて製造しうるアントラセンジイル基を含む高分子化合物の種類は制限があり、Suzukiカップリング反応によりアントラセンジイル基を含む多様な高分子化合物を製造しうる化合物が求められていた。即ち、本発明は第一に、式Iで表される化合物を提供する。I式中、Y’は2価の基を表す。R1及びR2は、同一又は相異なり、置換基を表す。n及びmは、同一又は相異なり、0~3の整数を表す。A’及びB’は、同一又は相異なり、ボロン酸残基又はホウ酸エステル残基を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。R2が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。本発明は第二に、Y’で表される2価の基が、式Y-1~式Y-8のいずれかで表される基である前記化合物を提供する。式~式Y-8中、R3~R13は、同一又は相異なり、水素原子又は置換基を表す。X1はハロゲン原子を表す。複数個あるX1は、それぞれ同一でも相異なってもよい。本発明は第三に、A’又はB’で表されるホウ酸エステル残基が、式AB-1~式AB-8のいずれかで表される基である前記化合物を提供する。本発明は第四に、式Iで表される化合物と式IIで表される化合物とを重合させる、式IIIで表される繰り返し単位と式IVで表される繰り返し単位とを含む高分子化合物の製造方法を提供する。I式中、Y’は2価の基を表す。R1及びR2は、同一又は相異なり、置換基を表す。n及びmは、同一又は相異なり、0~3の整数を表す。A’及びB’は、同一又は相異なり、ボロン酸残基又はホウ酸エステル残基を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。R2が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。II式中、C’は置換されていてもよいアリーレン基、置換されていてもよいヘテロアリーレン基又は2価の芳香族アミン残基を表す。ただし、C’は式IIIで表される基とは異なる。Dはハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。2個あるDは、同一でも相異なってもよい。III式中、Y’、R1、R2、m及びnは、前述と同じ意味を表す。IV式中、C’は、前述と同じ意味を表す。本発明は第五に、式Iで表される化合物と式Vで表される化合物とを重合させる、式IIIで表される繰り返し単位を含む高分子化合物の製造方法を提供する。I式中、Y’は2価の基を表す。R1及びR2は、同一又は相異なり、置換基を表す。n及びmは、同一又は相異なり、0~3の整数を表す。A’及びB’は、同一又は相異なり、ボロン酸残基又はホウ酸エステル残基を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。R2が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。V式中、Dはハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。Y’、R1、R2、m及びnは、前述と同じ意味を表す。III式中、Y’、R1、R2、m及びnは、前述と同じ意味を表す。本発明は第六に、式Iで表される化合物と式IIで表される化合物と式VIで表される化合物とを重合させる、式IIIで表される繰り返し単位と式IVで表される繰り返し単位とを含む高分子化合物の製造方法を提供する。I式中、Y’は2価の基を表す。R1及びR2は、同一又は相異なり、置換基を表す。n及びmは、同一又は相異なり、0~3の整数を表す。A’及びB’は、同一又は相異なり、ボロン酸残基又はホウ酸エステル残基を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。R2が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。II式中、C’は置換されていてもよいアリーレン基、置換されていてもよいヘテロアリーレン基又は2価の芳香族アミン残基を表す。ただし、C’は式IIIで表される基とは異なる。Dはハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。2個あるDは、同一でも相異なってもよい。VI式中、A’、B’及びC’は、前述と同じ意味を表す。III式中、Y’、R1、R2、m及びnは、前述と同じ意味を表す。IV式中、C’は、前述と同じ意味を表す。本発明は第七に、式Iで表される化合物と式IIで表される化合物と式Vで表される化合物とを重合させる、式IIIで表される繰り返し単位と式IVで表される繰り返し単位とを含む高分子化合物の製造方法を提供する。I式中、Y’は2価の基を表す。R1及びR2は、同一又は相異なり、置換基を表す。n及びmは、同一又は相異なり、0~3の整数を表す。A’及びB’は、同一又は相異なり、ボロン酸残基又はホウ酸エステル残基を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。R2が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。II式中、C’は置換されていてもよいアリーレン基、置換されていてもよいヘテロアリーレン基又は芳香族アミン残基を表す。ただし、C’は式IIIで表される基とは異なる。Dはハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。2個あるDは、同一でも相異なってもよい。V式中、D、Y’、R1、R2、m及びnは、前述と同じ意味を表すIII式中、Y’、R1、R2、m及びnは、前述と同じ意味を表す。IV式中、C’は、前述と同じ意味を表す。本発明は第八に、式Iで表される化合物と式IIで表される化合物と式Vで表される化合物と式VIで表される化合物とを重合させる、式IIIで表される繰り返し単位と式IVで表される繰り返し単位とを含む高分子化合物の製造方法を提供する。I式中、Y’は2価の基を表す。R1及びR2は、同一又は相異なり、置換基を表す。n及びmは、同一又は相異なり、0~3の整数を表す。A’及びB’は、同一又は相異なり、ボロン酸残基又はホウ酸エステル残基を表す。R1が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。R2が複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。II式中、C’は置換されていてもよいアリーレン基、置換されていてもよいヘテロアリーレン基又は2価の芳香族アミン残基を表す。ただし、C’は式IIIで表される基とは異なる。Dはハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。2個あるDは、同一でも相異なってもよい。V式中、D、Y’、R1、R2、m及びnは、前述と同じ意味を表すVI式中、A’、B’及びC’は、前述と同じ意味を表す。III式中、Y’、R1、R2、m及びnは、前述と同じ意味を表す。IV式中、C’は、前述と同じ意味を表す。本発明は第九に、Y’で表される2価の基が式Y-1~式Y-8のいずれかで表される基である前記製造方法を提供する。式~式Y-8中、R3~R13は、同一又は相異なり、水素原子又は置換基を表す。X1はハロゲン原子を表す。複数個あるX1は、それぞれ同一でも相異なってもよい。本発明の化合物は、Suzukiカップリング反応により、アントラセンジイル基含む多様な高分子化合物を製造しうるため、極めて有用である。以下、本発明を詳細に説明する。式I中、Y’は、2価の基を表す。2価の基としては、式Iで表される化合物に熱や光などのエネルギーを与えることで脱離しうる基が好ましい。Y’で表される2価の基としては、以下の基が例示される。式Y-1~式Y-8中、R3~R13は、同一又は相異なり、水素原子又は置換基を表す。中でも、水素原子又は炭素数1~30の基が好ましい。R3~R12で表される置換基の例としては、メチル基、エチル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などの炭素数1~30のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基などの炭素数1~30のアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基などの炭素数6~30のアリール基が挙げられる。アルキル基としては、炭素数1~30のアルキル基が好ましく、炭素数1~20のアルキル基がより好ましく、炭素数1~12のアルキル基がさらに好ましく、炭素数1~6のアルキル基が特に好ましい。R13で表される置換基の例としては、メチル基、エチル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などの炭素数1~30のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基などの炭素数1~30のアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基などの炭素数6~30のアリール基、ビニル基が挙げられる。X1は、ハロゲン原子を表す。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。ハロゲン原子の中でも、塩素原子、臭素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。式Y-1~式Y-8で表される基の中でも、式Y-3~式Y-7で表される基が好ましく、式Y-3~式Y-5で表される基がより好ましい。式I中、A’及びB’は、ボロン酸残基又はホウ酸エステル残基を表す。ここで、ボロン酸残基とはジヒドロキシボリル基を意味し、ホウ酸エステル残基とはホウ酸ジエステルから水酸基を1個除去した基を意味する。A’及びB’は、例えば、式で表される基である。AB式中、R14及びR15は、同一又は相異なり、水素原子又はアルキル基を表す。また、R14及びR15が結合して、ホウ素原子及び酸素原子と共に環状エステル構造を形成してもよい。R14又はR15で表されるアルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよい。アルキル基の炭素数は、1~10であることが好ましく、1~5であることがより好ましく、1又は2であることがさらに好ましい。R14及びR15が結合してホウ素原子及び酸素原子と共に環状エステル構造を形成する場合、環状エステル構造としては、エチレングリコールエステル構造、1,3-プロパンジオールエステル構造、ピナコールエステル構造、2,2-ジメチル-1,3-プロパンジオールエステル構造、1,1-ジメチル-3-メチル-1,3-プロパンジオールエステル構造が好ましく、エチレングリコールエステル構造、1,3-プロパンジオールエステル構造、ピナコールエステル構造がより好ましく、ピナコールエステル構造がさらに好ましい。ホウ酸エステル残基は、アリールエステル構造を含む基であってもよい。ホウ酸エステル残基としては、式AB-1~式AB-8のいずれかで表される基が好ましい。式中、Meはメチル基を表し、Etはエチル基を表す。ホウ酸エステル残基として、式AB-3で表される基、式AB-4で表される基、式AB-5で表される基、式AB-6で表される基、式AB-7で表される基が好ましく、式AB-3で表される基、式AB-4で表される基、式AB-7で表される基がより好ましく、式AB-7で表される基がさらに好ましい。式I中、R1及びR2は、同一又は相異なり、置換基を表す。該置換基は、炭素数1~30の基が好ましい。置換基の例としては、メチル基、エチル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などの炭素数1~30のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基などの炭素数1~30のアルコキシ基、チエニル基などのヘテロアリール基、フェニル基、ナフチル基などの炭素数6~30のアリール基が挙げられる。n及びmは、同一又は相異なり、0~3の整数を表す。n及びmは、0であることが好ましい。<高分子化合物の製造方法>式Iで表される化合物は、高分子化合物の原料として用いることができる。例えば、式Iで表される化合物と式IIで表される化合物とを重合させることにより、式IIIで表される繰り返し単位と式IVで表される繰り返し単位とを含む高分子化合物の製造することができる。式II中、Dはハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基又はアリールアルキルスルホネート基を表す。2個あるDは、同一でも相異なってもよい。Dで表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。ハロゲン原子の中でも、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が好ましく、臭素原子、ヨウ素原子がより好ましく、臭素原子がさらに好ましい。Dで表されるアルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基が挙げられる。Dで表されるアリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、p-トルエンスルホネート基が挙げられる。Dで表されるアリールスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基が挙げられる。式II中、C’は置換されていてもよいアリーレン基、置換されていてもよいヘテロアリーレン基又は2価の芳香族アミン残基を表す。ただし、C’は式IIIで表される基とは異なる。ここで、アリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子2個を除いた原子団である。アリーレン基に含まれる芳香環を構成する炭素数は、通常6~60であり、好ましくは6~20である。芳香族炭化水素としては、ベンゼン環を含む化合物、縮合環を含む化合物、独立したベンゼン環又は縮合環のうち2個以上の環が直接結合した構造を含む化合物又はビニレン等の基を介して結合した構造を含む化合物も含まれる。置換されていてもよいヘテロアリーレン基とは、芳香族性を有する複素環式化合物から水素原子2個を除いた残りの原子団をいう。該複素環を構成する炭素数は、通常3~60である。複素環式化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素に、炭素原子と酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素などのヘテロ原子とを含む化合物を言う。アリーレン基の置換基がアルキル基又はアルコキシ基である場合、その炭素数は通常1~20である。また、2価の芳香族複素環基が置換基を有する場合、該置換基は、例えば、炭素数1~20のアルキル基又は炭素数1~20のアルコキシ基である。置換されていてもよいアリーレン基の例としては、式1~式41及び式131~式135で表される基が挙げられる。置換されていてもよいヘテロアリーレン基の例としては、式42~式130及び式136~式138で表される基が挙げられる。式1~式138中、Rは、水素原子又は置換基を表す。Rが複数個ある場合、それらは同一でも相異なってもよい。Rで表される置換基の例としては、メチル基、エチル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基などのアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基などのアリール基、チエニル基などのヘテロアリール基が挙げられる。置換基がアルキル基又はアルコキシ基である場合、置換基の炭素数は1~20であることが好ましく、1~14であることがより好ましく、6~14であることがさらに好ましい。式120及び式122のX2は、同一又は相異なり、X2は=CH-又は窒素原子を表す。2価の芳香族アミン残基とは、窒素原子に3個の芳香族基が結合した芳香族アミン化合物から、異なる2個の芳香環上の水素原子を各々1個取り除いた基である。2価の芳香族アミン残基の例としては、式139、式140で表される基が挙げられる。式中、Rは前述と同じ意味を表す。式Iで表される化合物と式Vで表される化合物とを重合させ、式IIIで表される繰り返し単位を含む高分子化合物を製造してもよい。V式中、D、Y’、R1、R2、m及びnは、前述と同じ意味を表す。式Iで表される化合物と式IIで表される化合物と式VIで表される化合物とを重合させ、式IIIで表される繰り返し単位と式IVで表される繰り返し単位とを含む高分子化合物を製造してもよい。VI式中、A’、B’及びC’は、前述と同じ意味を表す。式Iで表される化合物と式IIで表される化合物と式Vで表される化合物とを重合させ、式IIIで表される繰り返し単位と式IVで表される繰り返し単位とを含む高分子化合物を製造してもよい。式Iで表される化合物と式IIで表される化合物と式Vで表される化合物と式VIで表される化合物とを重合させ、式IIIで表される繰り返し単位と式IVで表される繰り返し単位とを含む高分子化合物を製造してもよい。式Iで表される化合物から製造される式東京化成工業社製を20.16g60.00mmol、無水マレイン酸を20.59g、及び、トルエンを250mL加え、室温で30分間アルゴンバブリングを行った。この時、化合物C-1はトルエンに対して不溶であり、反応系中は不均一であった。オイルバス温度を120°Cにして、反応液を3.5時間還流させることにより、Diels-Alder反応が進行し、反応系内は均一溶液となった。その後、反応液にメタノール20mLを30分おきに5回計100mL加え、3時間加熱環流させることで、無水物が開環したモノエステル体を得た。その後、反応液に濃硫酸1gを3時間おきに2回加え、6時間加熱環流させた。エバポレータを用いて反応液中の溶媒を除去した後、ヘキサン200mLを加え、室温で1時間撹拌することで、無水マレイン酸を除去した。反応液にメタノール200mLを加え、濃硫酸1gを3時間おきに2回加え、6時間加熱環流させた後、反応液を濾過して不溶物を取り除いた。クロロホルムを展開溶媒に用いたカラムで反応液の分離を行い、分離物をヘキサンで再沈殿を行い、無色粉末のアントラセンの架橋体化合物C2を25.17g得た。得られた化合物の1HNMRシフト値は、318350452718727745を示し、目的物の生成を確認した。実施例1化合物C-3の合成四つ口フラスコに、化合物C-2を4.802g、ビスピナコラートジボロンを10.16g及びジオキサンを150mL加え、室温25°Cでアルゴンガスを用いて四つ口フラスコ中をバブリングした。1,1’-ビスジフェニルホスフィノフェロセン]ジクロロパラジウムを408.3mg、1,1’-ビスジフェニルホスフィノフェロセンを277.2mg及び酢酸カリウムを3.926g加えた後、反応液を7時間加熱環流させた。反応後。液体クロマトグラフィーにより原料の消失を確認した。なお、反応はアルゴン雰囲気下で行った。フィルターを用いて反応液に難溶である塩基を分離した。反応液をエバポレータで30分程乾燥させ、溶媒を取り除いた。参考例1と同様の方法で、反応液をカラムで分離した後、分離物を少量のアセトンに溶解させ、メタノールを加えて撹拌し、少量の水を加えていくことで、化合物C-2のビスピナコールエステル体化合物C-3を3.50g得た。化合物C-3の収量は60.9であり、液体クロマトグラフィーから求めたHPLC面百値による純度は、97.5であった。得られた化合物の1HNMRシフト値は、、317、348、458、728、750、767を示し、目的物の生成を確認した。実施例2高分子化合物1の合成フラスコ内の気体をアルゴンで置換した200mLフラスコに、化合物C-3を287.1mg、化合物D-1を229.1mg、トルエンを10mL及びメチルトリアルキルアンモニウムクロリド商品名Aliquat336登録商標、アルドリッチ社製を60.6mg0.15mmolを入れて均一溶液とし、25°Cで30分間アルゴンバブリングを行った。反応液を90°Cに昇温後、酢酸パラジウムを0.67mg化合物D-1に対して1mol、トリスホスフィンを3.70mg化合物D-1に対して3.5molを加えた。その後、反応液を100°Cで攪拌しながら、16.7重量wtの炭酸ナトリウム水溶液1.90g3.00mmolを10分かけて滴下した。4時間後、反応液にフェニルホウ酸を3.66mg0.03mmol、酢酸パラジウムを0.67mg化合物D-1に対して1mol、トリスホスフィンを3.70mg化合物D-1に対して3.5mol加え、さらに1時間攪拌した後、反応を停止した。その後、反応液にジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム2gと水20mLを加え、2時間還流下で攪拌を行った。水層を除去後、有機層を水20mlで2回、3wtの酢酸水溶液20mLで2回、さらに水20mLで2回洗浄し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ過後、乾燥し、得られたポリマーをo-ジクロロベンゼン30mLに再度溶解し、アルミナ/シリカゲルカラムに通し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させ、ポリマーをろ過後、乾燥し、精製した高分子化合物1を60mg得た。GPCで測定した高分子化合物1のポリスチレン換算の分子量は、重量平均分子量Mwが13,000であり、数平均分子量Mnが4,000であった。実施例3高分子化合物2の合成化合物D-1にかえて化合物D-2を用いた以外は実施例2と同様に重合し、高分子化合物2を得た。GPCで測定した高分子化合物2のポリスチレン換算の分子量は、Mwが94,000であり、Mnが60,000であった。実施例4高分子化合物3の合成化合物D-1にかえて化合物D-3を用いた以外は実施例2と同様に重合し、高分子化合物3を得た。GPCで測定した高分子化合物3のポリスチレン換算の分子量は、Mwが28,000であり、Mnが20,000であった。参考例2吸収波長の測定高分子化合物1をオルトジクロロベンゼンに2重量の濃度で溶解させ、溶液を作製した。該溶液をガラス板上に塗布し、50~100nmの厚みの薄膜を形成し、該薄膜の吸収波長を測定した。次いで、窒素雰囲気下で、該薄膜を形成したガラス板を250~300°Cで1時間熱処理した。熱処理後のガラス板上の薄膜の吸収スペクトルを測定した。熱処理前の高分子化合物1の吸収波長のスペクトルは530nmに極大値を有しており、熱処理後の高分子化合物1の吸収波長のスペクトルは580nmに極大値を有していた。参考例3吸収波長の測定高分子化合物1にかえて高分子化合物2を用いた以外は、参考例2と同様に高分子化合物の吸収波長を測定した。熱処理前の高分子化合物2の吸収波長のスペクトルは525nmに極大値を有しており、熱処理後の高分子化合物2の吸収波長のスペクトルは550nmに極大値を有していた。参考例4吸収波長の測定高分子化合物1にかえて高分子化合物3を用いた以外は、参考例2と同様に高分子化合物の吸収波長を測定した。熱処理前の高分子化合物3の吸収波長のスペクトルは440nmに極大値を有しており、熱処理後の高分子化合物3の吸収波長のスペクトルは570nmに極大値を有していた。参考例5有機薄膜トランジスタの作製厚さ300nmの熱酸化膜を有する高濃度にドーピングされたn-型シリコン基板をアセトン中で10分間超音波洗浄した後、オゾンUVを20分間照射した。その後、トルエン10mlに5滴シリンジで採取して滴下の割合で希釈したβ-フェニチルトリクロロシランをスピンコートすることにより熱酸化膜表面をシラン処理した。次に高分子化合物1を、オルトジクロロベンゼンに溶解し、高分子化合物1の濃度が0.5重量の溶液を調製し、該溶液をメンブランフィルターでろ過して塗布液を作製した。該塗布液を、上記表面処理した基板上にスピンコート法により塗布し、高分子化合物1の塗布膜を形成した。塗布膜の厚みは約30nmであった。その後、該塗布膜を窒素雰囲気中で250~300°Cで1時間の熱処理を行うことにより、高分子化合物1中の式VIIで表される2価の基が脱離し、アントラセンジイル基を含む高分子化合物からなる有機半導体薄膜を得た。その後、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、有機半導体薄膜上に、有機半導体薄膜側から三酸化モリブデン及び金の積層構造を有するソース電極及びドレイン電極を作製することにより、有機トランジスタを製造した。-CHCOOCH3-CHCOOCH3-VII参考例6有機薄膜トランジスタの評価有機トランジスタの電気特性を、半導体パラメータ4200KEITHLEY社製を用いて測定した。その結果、ドレイン電圧Vdに対するドレイン電流Idの変化曲線は、良好であり、ゲート電極に印加する負のゲート電圧を増加させると、負のドレイン電流も増加することから、有機トランジスタは、p型の有機トランジスタであることを確認することができた。有機トランジスタにおけるキャリアの電界効果移動度μは、有機トランジスタの電気特性の飽和領域におけるドレイン電流Idを表す下記式aを用いて算出した。Id=W/2LμCiVg-Vt2a式中、Lは有機トランジスタのチャネル長、Wは有機トランジスタのチャネル幅、Ciはゲート絶縁膜の単位面積当たりの容量、Vgはゲート電圧、Vtはゲート電圧のしきい値電圧を表す。その結果、キャリアの電界効果移動度キャリア移動度は1.2×10-3cm2/Vsであり、オン/オフ電流比は105であった。結果を表1に示す。参考例7有機薄膜トランジスタの作製及び評価高分子化合物1にかえて高分子化合物2を用いた以外は、参考例5と同様の方法で有トランジスタ素子を作製し、参考例6と同様の方法でトランジスタ特性を評価した。キャリア移動度は7.2×10-4cm2/Vsであり、オン/オフ電流比は105であった。結果を表1に示す。参考例8有機薄膜トランジスタの作製及び評価高分子化合物1にかえて高分子化合物3を用いた以外は、参考例5と同様の方法で有トランジスタ素子を作製し、参考例6と同様の方法でトランジスタ特性を評価した。キャリア移動度は1.8×10-2cm2/Vsであり、オン/オフ電流比は106であった。結果を表1に示す。表1.有機トランジスタ素子評価結果参考例9有機薄膜太陽電池の作製及び評価スパッタ法により150nmの厚みでITO膜を付けたガラス基板を、オゾンUV処理して表面処理を行った。次に、高分子化合物1及びフラーレンC60PCBMフェニルC61-酪酸メチルエステルphenylC61butyricacidmethylester、フロンティアカーボン社製を、高分子化合物1の重量に対するC60PCBMの重量の比が3となるようにオルトジクロロベンゼンに溶解し、インク1を製造した。インク1の重量に対して、高分子化合物1の重量とC60PCBMの重量の合計は2.0重量であった。該インク1をスピンコートによりガラス基板上に塗布し、高分子化合物1を含む有機膜を作製した。膜厚は約100nmであった。その後、有機膜上に真空蒸着機によりフッ化リチウムを厚さ2nmで蒸着し、次いでAlを厚さ100nmで蒸着し、有機薄膜太陽電池を製造した。得られた有機薄膜太陽電池の形状は、2mm×2mmの正方形であった。得られた有機薄膜太陽電池にソーラシミュレーターを用いて一定の光を照射し、発生する電流と電圧を測定して光電変換効率、短絡電流密度、開放電圧、フィルファクターを求めた。Jsc短絡電流密度は0.30mA/cm2であり、Voc開放端電圧は0.96Vであり、ffフィルファクター曲線因子は0.30であり、光電変換効率ηは0.086であった。結果を表2に示す。参考例10有機薄膜太陽電池の作製及び評価高分子化合物1にかえて高分子化合物2を用いた以外は、参考例9と同様の方法で有機薄膜太陽電池を作製し、評価した。Jsc短絡電流密度は0.39mA/cm2であり、Voc開放端電圧は0.73Vであり、ffフィルファクター曲線因子は0.24であり、光電変換効率ηは0.068であった。結果を表2に示す。参考例11有機薄膜太陽電池の作製及び評価高分子化合物1にかえて高分子化合物3を用いた以外は、参考例9と同様の方法でインク及び有機薄膜太陽電池を作製し、評価した。Jsc短絡電流密度は0.19mA/cm2であり、Voc開放端電圧は0.29Vであり、ffフィルファクター曲線因子は0.27であり、光電変換効率ηは0.015であった。結果を表2に示す。表2光電変換素子評価結果"