第1導電型の半導体層、前記第1導電型の半導体層下の活性層、前記活性層下の第2導電型の半導体層を含む発光構造層と、前記発光構造層下の伝導層と、前記伝導層下の接合層と、前記接合層下の支持部材と、前記支持部材下の第1のパッドと、前記支持部材下に前記第1のパッドから離隔して配置された第2のパッドと、前記第1導電型の半導体層と前記第1のパッドの間に連結された第1の電極と、前記接合層と前記第2のパッドの間に連結された第2の電極と、を含む発光素子。前記第1の電極は、前記発光構造層の第1の側面に配置され、前記第1導電型の半導体層に連結された第1の連結電極と、前記支持部材の第1の側面に配置され、前記第1の連結電極と前記第1のパッドとを互いに連結する第2の連結電極と、を含む請求項1に記載の発光素子。前記第1の連結電極の一部は、前記第1導電型の半導体層の第1の側面から前記第1導電型の半導体層の上面まで延長され、前記第1の連結電極の一部と前記伝導層は、発光構造層に対して互いに反対側に配置される請求項2に記載の発光素子。前記第1の電極と前記発光構造層及び前記接合層との間に第1の絶縁部材を含む請求項2に記載の発光素子。前記第1の絶縁部材は、前記発光構造層及び前記接合層の外側面よりも内側に配置される請求項4に記載の発光素子。前記第2の電極は前記支持部材の第2の側面に配置され、前記支持部材の第1の側面と第2の側面は互いに異なる側面である請求項2に記載の発光素子。前記接合層は、前記支持部材上に配置された第1の接合層と、前記第1の接合層と前記伝導層との間に配置された第2の接合層と、を含む請求項6に記載の発光素子。前記第1の絶縁部材の一部は、前記発光構造層と前記接合層の間の周囲にさらに配置される請求項4に記載の発光素子。前記伝導層は、前記第2導電型の半導体層下に接触したオーミック層と、前記オーミック層下に配置された反射層と、を含む請求項1に記載の発光素子。前記支持部材は絶縁性材質を含む請求項6に記載の発光素子。前記支持部材はキャリアウェハを含み、前記支持部材の表面に形成された第2の絶縁部材をさらに含む請求項6に記載の発光素子。前記第1導電型の半導体層上に透光性物質で形成された電流拡散層を含み、前記第1の電極は前記電流拡散層に連結される請求項1に記載の発光素子。前記接合層の幅は前記発光構造層の幅の少なくとも50以上を含み、前記第1導電型の半導体層上に、前記第1の電極と連結され、透光性物質を含む電流拡散層を含む請求項1に記載の発光素子。前記支持部材は、少なくとも一つのドーピング領域を有するキャリアウェハを含み、前記キャリアウェハのドーピング領域は、前記第1のパッド及び前記第2のパッドのうち少なくとも一つと連結される請求項1に記載の発光素子。本体と、前記本体内に配置された第1及び第2のリードフレームと、前記第1及び第2のリードフレーム上に配置され、前記第1及び第2のリードフレームと電気的に連結された発光素子と、前記発光素子上のモールディング部材と、を含み、前記発光素子は、第1導電型の半導体層、前記第1導電型の半導体層下の活性層、前記活性層下の第2導電型の半導体層を含む発光構造層と、前記発光構造層下の伝導層と、前記伝導層下の接合層と、前記接合層下の支持部材と、前記支持部材下に配置され、前記第1のリードフレーム上に連結された第1のパッドと、前記支持部材下の第2のリードフレーム上に配置された第2のパッドと、前記第1導電型の半導体層と前記第1のパッドの間に連結された第1の電極と、前記接合層と前記第2のパッドの間に連結された第2の電極と、を含む発光素子パッケージ。本発明は、新規な電極構造を有する発光素子を提供する。本発明は、支持部材の上に発光構造層を配置し、支持部材の下に互いに異なる極性のパッドを配置した発光素子を提供する。本発明は、発光素子を具備した発光素子パッケージ及び照明システムを提供する。本発明の実施形態による発光素子は、第1導電型の半導体層、第1導電型の半導体層下の活性層、活性層下の第2導電型の半導体層を含む発光構造層と、発光構造層下の伝導層と、伝導層下の接合層と、接合層下の支持部材と、支持部材下の第1のパッドと、支持部材下に第1のパッドから離隔して配置された第2のパッドと、第1導電型の半導体層と第1のパッドの間に連結された第1の電極と、接合層と第2のパッドの間に連結された第2の電極と、を含む。本発明の別の実施形態による発光素子は、第1導電型の半導体層、第1導電型の半導体層下の活性層、活性層下の第2導電型の半導体層を含む発光構造層と、発光構造層下の伝導層と、伝導層下の接合層と、接合層下の支持部材と、支持部材下の第1のパッドと、支持部材下の第2のパッドと、第1導電型の半導体層と第1のパッドとの間に連結された第1の電極と、接合層と第2のパッドとの間に連結された第2の電極と、を含み、接合層の幅は発光構造層の幅の少なくとも50以上である。本発明のさらに別の実施形態による発光素子パッケージは、本体と、本体内に配置された第1及び第2のリードフレームと、第1及び第2のリードフレーム上に配置され、第1及び第2のリードフレームと電気的に連結された発光素子と、発光素子上のモールディング部材と、を含み、発光素子は、第1導電型の半導体層、第1導電型の半導体層下の活性層、活性層下の第2導電型の半導体層を含む発光構造層と、発光構造層下の伝導層と、伝導層下の接合層と、接合層下の支持部材と、支持部材下に配置され、第1のリードフレーム上に連結された第1のパッドと、支持部材下の第2のリードフレーム上に配置された第2のパッドと、第1導電型の半導体層と第1のパッドの間に連結された第1の電極と、接合層と第2のパッドの間に連結された第2の電極と、を含む。実施形態はによると、半導体層上のパッドを除去することができるため、半導体層の上面での光抽出効率を改善することができる。実施形態によると、水平Lateral型電極構造を有する発光素子に比べて、発光面積の減少を改善することができる。実施形態によると、基板の下にボンディング電極を配置することで、発光領域が減少することを改善することができる。実施形態によると、光効率を改善することができる。実施形態によると、発光素子を具備した発光素子パッケージ及び照明システムの信頼性を改善することができる。実施形態の説明において、各層膜、領域、パターンまたは構造物が基板、各層膜、領域、パッドまたはパターンの上onにまたは下underに形成されると記載される場合、上onと下underは直接directlyまたは他の層を介在させてindirectly形成されることの両方を含む。また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準に説明する。図面において各層の厚さや大きさは、説明の便宜及び明確性のために誇張または省略されたりまたは概略的に示されている。また、各構成要素の大きさは実際の大きさを全面的に反映するものではない。以下、添付図面を参照して実施形態を説明する。図1は、第1の実施形態による発光素子を示す断面図である。図1を参照すると、発光素子100は、発光構造層135、伝導層140、接合層bondinglayer145、支持部材150、第1の絶縁部材160、第2の絶縁部材165、第1の電極171、173、第2の電極183、第1のパッド175及び第2のパッド185を含む。発光素子100は、複数の化合物半導体層、例えば3‐5族元素の化合物半導体層を用いたLEDを含み、このようなLEDは青色、緑色または赤色などの光を放出する可視光線帯域のLEDであってもよく、UV帯域のLEDであってもよい。LEDの放出光は、実施形態の技術的範囲内で様々な半導体を利用して具現されてもよい。発光素子100は、支持部材150の上部に発光構造層135を配置し、支持部材150の下部に互いに異なるパッド175、185が配置された構造を含む。発光構造層135は、複数の化合物半導体層を含む。複数の化合物半導体層は、第1導電型の半導体層110、活性層120及び第2導電型の半導体層130を含む。第1導電型の半導体層110は単層または多層に形成され、少なくとも一つの層は第1導電型のドーパントを含んでもよい。第1導電型の半導体層110は、3族‐5族元素の化合物半導体、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPなどから選択される。第1導電型の半導体層110は、InxAlyGa1‐x‐yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料で形成されてもよい。第1導電型の半導体層110は例えばN型半導体層であり、N型半導体層は第1導電型のドーパントとしてSi、Ge、Sn、Se、TeなどのN型ドーパントを含む。第1導電型がN型である場合、第1導電型のドーパントはSi、Ge、Sn、Se、TeなどのN型ドーパントを含む。第1導電型の半導体層110は、互いに異なるバンドギャップを有する半導体層を積層した超格子構造を有してもよく、超格子構造はGaN/InGaN構造、GaN/AlGaNなどの構造を含む。超格子構造は、数Å以上の互いに異なる二つの層を少なくとも2対以上相互に積層した構造を有してもよい。第1導電型の半導体層110の面積または幅は活性層120の面積または幅以上に形成されてもよく、図示した構造に限定するものではない。第1導電型の半導体層110は光抽出構造112を含み、光抽出構造112は第1導電型の半導体層110の上面に形成されてもよい。光抽出構造112は、第1導電型の半導体層110の上面のうち少なくとも一領域に形成されたラフネス、凹凸パターンまたはテクスチャパターンなどの構造を含み、その断面形状は錐形状または柱形状を含んでもよい。光抽出構造112は、第1導電型の半導体層110の上面に入射する光の臨界角を変化させることができ、このような光の臨界角の変化によって光抽出効率を改善することができる。第1導電型の半導体層110の上面の内側領域は外側領域からの段差構造に形成されてもよく、図示した構造に限定するものではない。第1導電型の半導体層110の上面には電流拡散層が形成されてもよい。電流拡散層は、金属酸化物または金属窒化物を含み、例えば、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、ITONITOnitride、IZONIZOnitride、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au及びNi/IrOx/Au/ITOなどで形成されてもよく、これに限定するものではない。電流拡散層は、透光性の伝導物質で形成されてもよい。電流拡散層は、第1の電極171に電気的に連結されてもよく、例えば、少なくとも一部は、第1の電極171と第1導電型の半導体層110の間に配置されてもよい。第1導電型の半導体層110の下には活性層120が形成される。活性層120は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造、量子線wire構造、量子点dot構造のうち選択的に形成されてもよい。活性層120は、3族‐5族元素の化合物半導体材料を用いて井戸層と障壁層の周期で形成されてもよい。井戸層は、InxAlyGa1‐x‐yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体層で形成されてもよく、障壁層はInxAlyGa1‐x‐yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体層で形成されてもよい。活性層120は、例えばInGaN/GaN構造、InGaN/AlGaN構造、InGaN/InGaN構造のうち少なくとも一つを含んでもよい。障壁層は、井戸層よりバンドギャップが大きい物質で形成されてもよく、これに限定するものではない。第1導電型の半導体層110と活性層120の間には第1導電型のクラッド層が形成されてもよく、第1導電型のクラッド層はN型半導体層で形成されてもよい。第1導電型のクラッド層はGaN系半導体で形成されてもよく、活性層120内の障壁層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有し、キャリアを拘束する役割を果たす。活性層120と第2導電型の半導体層130の間には第2導電型のクラッド層が形成されてもよい。第2導電型のクラッド層はGaN系半導体で形成されてもよく、活性層120内の障壁層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有し、キャリアを拘束する役割を果たす。活性層120の下には第2導電型の半導体層130が形成される。第2導電型の半導体層130は3族‐5族化合物半導体を含み、第2導電型のドーパントがドーピングされる。第2導電型の半導体層130がP型半導体層である場合、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInNなどの化合物半導体のうち何れか一つからなってもよく、第2導電型のドーパントは例えば、Mg、Zn、Ca、Sr、BaのようなP型ドーパントを含む。第2導電型の半導体層130は、好ましく、InxAlyGa1‐x‐yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料で形成されるてもよい。第2導電型の半導体層130は単層または多層に形成され、多層の場合、AlGaN/GaNのような超格子構造で形成されたり、互いに異なるドーパント濃度を有する層で積層されてもよい。また、第2導電型の半導体層130の下には第3導電型の半導体層が形成されてもよい。第3導電型の半導体層は、例えば、第2導電型と反対の極性を有する半導体層で形成されてもよい。第3導電型の半導体層は、例えば、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInNなどの化合物半導体のうち何れか一つからなってもよい。第1導電型の半導体層110と第3導電型の半導体層は、例えば、N型半導体層で形成されてもよい。第1導電型の半導体層110は、活性層120または第2導電型の半導体層130の厚さより少なくとも厚く形成されてもよい。発光構造層135は、第1導電型の半導体層110、活性層120及び第2導電型の半導体層130を含み、第3導電型の半導体層をさらに含んでもよい。また、第1導電型の半導体層110はP型半導体層で、第2導電型の半導体層130はN型半導体層で形成されてもよい。発光構造層135は、N‐P接合、P‐N接合、N‐P‐N接合、P‐N‐P接合構造のうち少なくとも一つに形成されてもよい。以下の説明では、発光構造層135の最下層に第2導電型の半導体層130が配置された構造を一例として説明する。第2導電型の半導体層130の下面には、ラフネスまたは凹凸パターンのような光抽出構造が配置されてもよい。第2導電型の半導体層130の下には伝導層140が配置され、伝導層140の下には接合層145が配置されて、接合層145の下には支持部材150が配置される。伝導層140は、接触層、例えば少なくとも一つの伝導層を含んでもよく、好ましく複数の伝導層で形成されてもよい。伝導層140は、オーミック層又は/及び反射層を含んでもよい。オーミック層は層または複数のパターンで形成されてもよく、金属、金属酸化物及び金属窒化物のうち少なくとも一つを含んでもよい。オーミック層は、例えば、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、ITONITOnitride、IZONIZOnitride、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au及びNi/IrOx/Au/ITO、Pt、Ni、Au、Rh及びPdのうち少なくとも一つを含んでもよい。反射層はAg、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hfのうち少なくとも一つまたは合金で構成された物質で一層または複数層で形成されてもよい。反射層は、オーミック層と接合層145の間に配置されてもよいが、これに限定するものではない。また、伝導層140と第2導電型の半導体層130の間には、酸化物を用いた導電性または絶縁性物質のパターンが形成されてもよく、導電性または絶縁性のパターンは、接触界面と他の領域との抵抗差を減少させることができる。また、伝導層140と第1の接合層145Aの間の界面は凹凸構造を含んでもよく、凹凸構造は二つの層間の接着力を改善することができる。支持部材150と伝導層140の間には接合層145が形成され、接合層145は少なくとも一つの層を含み、好ましく複数の伝導層で形成されてもよい。接合層145は、バリア金属またはボンディング金属のような金属物質を含み、例えば、Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag及びTaのうち少なくとも一つを含んでもよい。接合層145は、互いに異なる伝導層が接合されて形成されてもよく、これに限定するものではない。接合層145は、第1の接合層145A及び第2の接合層145Bを含む。第1の接合層145Aは伝導層140の反射層と第2の接合層145Bの間に配置され、第2の接合層145Bは支持部材150と第1の接合層145Aの間に配置される。第1の接合層145Aと第2の接合層145Bは互いに接合され、伝導層140、例えば反射層と電気的に連結される。第1の接合層145Aの厚さは第2の接合層145Bの厚さと同一であっても異なってもよく、このような厚さは接合性、熱伝導性、伝導性の特性によって変更されてもよい。第1の接合層145Aと第2の接合層145Bのうち少なくとも一つは、発光構造層135の幅より少なくとも広い幅に形成されてもよく、好ましく支持部材150により近い第2の接合層145Bがより広く形成されてもよい。また、接合層145の幅は、発光構造層135の幅の50以上であってもよい。支持部材150は、絶縁材質、例えばサファイアAl203、ZnOのような絶縁性材質を使用してもよく、成長基板でなくてもよい。以下の実施形態では、支持部材としてサファイア基板のような絶縁基板を一例として説明することにし、絶縁基板は透光性または非透光性の材質を含んでもよい。支持部材150は10μm~500μmの厚さに形成されてもよく、これに限定するものではない。支持部材150は、発光構造層135の幅より少なくとも広く形成されてもよい。発光素子100は、側面に絶縁部材160、165、第1の電極171、173及び第2の電極183が配置された構造を有する。発光構造層135の少なくとも一側面には段差構造163が形成され、段差構造163は第2導電型の半導体層130の一側下面から第1導電型の半導体層110の下部まで延長されてもよい。第1の絶縁部材160は、発光構造層135の少なくとも一側面に配置された段差構造163に配置され、接合層145の側面まで延長されてもよい。第1の絶縁部材160の内側部は発光構造層135の外側面よりも内側に配置される構造であって、発光構造層135の領域内に埋め込みまたは収納されてもよい。また、第1の絶縁部材160の側面は発光構造層135の外側面、例えば、第1の側面と同一平面上に配置されてもよい。また、第1の絶縁部材160の外側面は、発光構造層135の外側面と共に段差構造を形成するように配置されてもよい。第1の絶縁部材160は、発光構造層135、伝導層140及び接合層145と第1の電極171、173との間に配置され、第1の電極171、173と他の層との接触を遮断する。第1の絶縁部材160は、絶縁物質、例えばSiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2などで形成されてもよく、これに限定するものではない。第1の絶縁部材160は、第1の絶縁層160A及び第2の絶縁層160Bを含み、第1の絶縁層160Aは、第1の接合層145A、伝導層140、第2導電型の半導体層130、活性層120の側面に配置される。第1の絶縁層160Aの上部は活性層120の上面よりも高く突出し、第1導電型の半導体層110の内側まで延長されてもよい。第1の絶縁部材160の第2の絶縁層160Bは、第1の絶縁層160Aの下部に対応し、第2の接合層145Bの側面に配置されてもよい。第1の絶縁部材160は第3の絶縁層162をさらに含んでもよい。第3の絶縁層162は、第2導電型の半導体層130と接合層145の間の周囲に配置されてもよく、その形状は円形または多角形のようなループ形状を含む。第1の絶縁部材160の第3の絶縁層162は第2の絶縁部材165の下面に接触してもよく、図示した構造に限定するものではない。第2の絶縁部材165は、発光構造層135の側面に形成され、発光構造層135の層間短絡を防止することができる。第2の絶縁部材165は、発光構造層135の側面のうち第1の電極171、173の一部領域を除いた領域に形成されてもよく、図示した構造に限定するものではない。第2の絶縁部材165の一部は第1導電型の半導体層110の上面に延長されてもよく、このような構造は、第2の絶縁部材165が発光構造層135の側面から剥がれるPeeling問題を解決することができる。第1の電極171、173は、第1の連結電極171及び第2の連結電極173を含む。第1の連結電極171は、第1導電型の半導体層110と第2の連結電極173の間に連結され、第2の連結電極173は、第1のパッド175と第1の連結電極171の間に連結される。第1の連結電極171及び第2の連結電極173は、それぞれ上部電極及び下部電極として定義されることもできる。第1の連結電極171は、第1導電型の半導体層110の上面及び側面のうち少なくとも一つに連結され、第1の絶縁部材160の第1の絶縁層160Aの側面に延長される。第1の連結電極171は、好ましく第1導電型の半導体層110の上面から側面まで延長されてもよい。第1導電型の半導体層110の上面はN‐faceであって、第1の連結電極171の上部171Aと接触してもよい。第1の連結電極171の上部171Aは、第1導電型の半導体層110の上面のうち少なくとも一エッジ領域に分岐構造で接触してもよく、好ましくブリッジBridge構造、アームarm構造またはフィンガーfinger構造のような分岐構造を含んでもよい。第1の連結電極171は、第1導電型の半導体層110との接触のためにオーミック層を含んでもよい。第1の連結電極171の上部171Aは、絶縁部材160の第1の絶縁層160Aの幅と同一またはそれより狭い幅T1に対応してもよい。第1の絶縁部材160の第1の絶縁層160Aの幅によって電流の流れを拡散させることができるが、これに限定するものではない。また、第1の連結電極171の上部171Aは、光抽出構造112上に延長されてもよく、図示した構造に限定するものではない。第2の連結電極173は、第1の連結電極171の下に接触し、第1の絶縁部材160の第2の絶縁層160Bの側面から支持部材150の側面まで延長され、第1のパッド175に連結される。第2の連結電極173の下部は支持部材150の下面まで延長されてもよく、第1のパッド175として使用されることもできる。すなわち、第2の連結電極173と第1のパッド175は同一金属層で形成されてもよく、これに限定するものではない。第1の連結電極171は、発光構造層135の厚さより大きい高さに形成され、第2の連結電極173は、支持部材150の厚さより高く形成されてもよい。第1の連結電極171の幅は第2の連結電極173より狭い幅に形成されてもよく、これによって第1の連結電極171による光抽出効率の減少を防止することができる。第1の連結電極171の一部、すなわち、少なくとも上部171Aと伝導層140とは、発光構造層135に対して互いに反対側に配置されてもよい。第1の連結電極171及び第2の連結電極173は、Cr、Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Cu及びAuのうち何れか一つまたは複数の物質を混合して、単層または多層に形成されてもよい。第1の連結電極171は、第1導電型の半導体層110とのオーミック接触、金属層の間の接合性、反射特性、伝導性などを考慮して上記の物質などから選択されてもよい。第1のパッド175及び第2のパッド185は、リード電極またはボンディング層として使用されてもよい。第2の電極183は、接合層145及び支持部材150の側面に配置され、第2のパッド185と接合層145とを連結する。第2の電極183の下部は、支持部材150の下部に延長されてもよく、第2のパッド185として使用されてもよい。第2のパッド185は、第2の電極183であってもよく、別途に形成されてもよい。第2の電極183は、Ti、Al、Al合金、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru及びAuなどのうち一つ以上の物質または合金を用いて単層または多層に形成されてもよく、これに限定するものではない。第1の電極171、173と第2の電極183は互いに反対側に配置されてもよく、互いに離隔した位置に配置されてもよい。第2のパッド185及び第1のパッド175は、支持部材150の下面内で互いに離隔して配置されてもよく、好ましく互いに反対側に配置されてもよい。第2の連結電極173は支持部材150の第1の側面に配置され、第2の電極183は支持部材150の第2の側面に配置されてもよい。第1のパッド175は支持部材150の第1の側面の下に配置され、第2のパッド185は支持部材150の第2の側面の下に配置されてもよい。支持部材150の第1の側面と第2の側面は互いに反対側面であってもよく、互いに異なる面であってもよい。発光素子100は、支持部材150の下に互いに異なるパッド175、185を配置することで、発光構造層135上にパッドを配置する必要がない。これによって、発光構造層135の上方向に放出される光の損失を減少させることができる。また、支持部材150の下にパッド175、185を配置することで、ワイヤボンディングを行う必要がなく、ワイヤによる光損失を減少させることができる。図2~図7は、図1の発光素子の製造過程を示す図である。図2を参照すると、基板101が成長装置にローディングされ、その上に2族~6族元素の化合物半導体を用いて層またはパターン形状に形成されてもよい。成長装置は、電子ビーム蒸着機、PVDphysicalvapordeposition、CVDchemicalvapordeposition、PLDplasmalaserdeposition、二重型の熱蒸着機dual‐typethermalevaporator、スパッタリングsputtering、MOCVDmetalorganicchemicalvapordepositionなどを含んでもよく、このような装置に限定するものではない。基板101は、導電性基板または絶縁性基板などを含み、例えば、サファイアAl203、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2O3及びGaAsなどからなる群から選択されてもよい。基板101は、成長基板であってもよい。基板101の上面には、レンズ形状またはストライプ形状のような光抽出構造または凹凸パターンが形成されてもよい。また、基板101上には化合物半導体層が形成され、化合物半導体層は2族~6族元素の化合物半導体を用いた層またはパターンに形成されてもよく、例えば、ZnO層、バッファ層、アンドープ半導体層のうち少なくとも一つの層が形成されてもよい。バッファ層またはアンドープ半導体層は、例えば、3族‐5族元素の化合物半導体を用いて形成されてもよい。バッファ層は、GaN材料と基板材料の格子不整合を緩和することができ、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInNのうち少なくとも一つで形成されてもよい。バッファ層は、互いに異なる半導体層を相互に積層した超格子構造を有し、InGaN/GaNのような周期が少なくとも二つ形成されてもよく、基板101から伝達される格子欠陥を抑制することができる。アンドープ半導体層は、基板101またはバッファ層上に形成されてもよく、例えばアンドープ窒化物系半導体層であって、意図的に導電型ドーパントをドーピングしない半導体層である。アンドープ半導体層は、第1導電型の半導体層より著しく低い電気伝導性を有する半導体層であって、例えばアンドープGaN層であってもよく、第1導電型の特性を有してもよい。以下、説明の便宜のために、基板101上には第1導電型の半導体層110が形成された例を説明することにする。基板101上には発光構造層135が形成される。発光構造層135は、3‐5族化合物半導体を含んで少なくとも3層として形成されてもよく、少なくとも3層のうち少なくとも2層は互いに異なる導電型のドーパントを含んでもよい。発光構造層135は、第1導電型の半導体層110、活性層120及び第2導電型の半導体層130を含み、各層の上または下に他の半導体層がさらに配置されてもよく、図示した構造に限定するものではない。第1導電型の半導体層110は基板101上に形成され、活性層120は第1導電型の半導体層110上に形成され、第2導電型の半導体層130は活性層120上に形成される。第1導電型の半導体層110は、3族‐5族元素の化合物半導体、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPなどから選択されてもよい。第1導電型の半導体層110は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料で形成されてもよい。第1導電型の半導体層110はN型半導体層であり、N型半導体層は第1導電型のドーパントとしてSi、Ge、Sn、Se、TeなどのようなN型ドーパントを含む。第1導電型の半導体層110は、互いに異なるバンドギャップを有する半導体層を積層した超格子構造を含んでもよく、超格子構造は、GaN/InGaN構造、GaN/AlGaNなどの構造を含む。超格子構造は、数Å以上の互いに異なる二つの層を少なくとも2対以上交互に積層した構造を含んでもよい。第1導電型の半導体層110は、互いに異なるドーパント濃度を有する低伝導層及び高伝導層を含んでもよく、好ましく低伝導層は高伝導層より活性層120にもっと近く配置されてもよい。このような積層構造により、高伝導層に印加される電流は低伝導層によって拡散することができる。活性層120は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造、量子線構造、量子点構造のうち選択的に形成されてもよい。活性層120は、3族‐5族化合物半導体材料を用いて井戸層/障壁層の周期で形成されてもよく、例えばInGaN/GaN構造、InGaN/AlGaN構造、InGaN/InGaN構造のうち少なくとも一つを含んでもよい。障壁層は、井戸層のバンドギャップより大きいバンドギャップの物質で形成されてもよいが、これに限定するものではない。活性層120の上又は/及び下には導電型クラッド層が形成されてもよく、導電型クラッド層はGaN系半導体または活性層よりバンドギャップの大きい物質で形成されてもよい。活性層120上には第2導電型の半導体層130が形成される。第2導電型の半導体層130は、3族‐5族化合物半導体を含み、第2導電型のドーパントがドーピングされる。第2導電型の半導体層130がP型半導体層である場合、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInNなどの化合物半導体のうち何れか一つからなってもよく、第2導電型のドーパントはMg、Zn、Ca、Sr、BaのようなP型ドーパントを含む。第2導電型の半導体層130は単層または多層に形成されてもよいが、これに限定するものではない。第2導電型の半導体層130は、好ましく、InxAlyGa1‐x‐yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料で形成されてもよい。第2導電型の半導体層130は単層または多層に形成され、多層の場合、AlGaN/GaNのような超格子構造で形成されてもよく、互いに異なるドーパント濃度を有する層で積層されてもよい。第1導電型の半導体層110、活性層120及び第2導電型の半導体層130は、発光構造層135として定義されることができる。また、第2導電型の半導体層130上には、第3導電型の半導体層、例えば第2導電型と反対の極性を有する半導体層が形成されてもよい。また、第1導電型の半導体層110はP型半導体層で、第2導電型の半導体層130はN型半導体層で形成されてもよい。これによって、発光構造層135は、N‐P接合、P‐N接合、N‐P‐N接合、P‐N‐P接合構造のうち少なくとも一つに形成されることができる。以下の説明では、発光構造層135の最上層に第2導電型の半導体層130が配置された構造を一例として説明することにする。図3及び4を参照すると、発光構造層135の少なくとも一側には、第2導電型の半導体層130の上面より低く段差構造163が形成される。段差構造163は、第2導電型の半導体層130から第1導電型の半導体層110の上部が露出する深さに形成されてもよい。段差構造162は、ドライエッチング又は/及びウェットエッチング方式で形成されてもよいが、これに限定するものではない。発光構造層135の段差構造163には第1の絶縁層160Aが形成され、第2導電型の半導体層130の上面の周囲には第3の絶縁層162が形成される。第1の絶縁層160A及び第3の絶縁層162は、フォトレジスト工程を通じてマスクパターンを形成した後、蒸着またはスパッタリング装置で形成してもよいが、これに限定するものではない。第1の絶縁層160A及び第3の絶縁層162はSiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2から選択されてもよく、これに限定するものではない。第1の絶縁層160Aは、第1導電型の半導体層110の上部、活性層120及び第2導電型の半導体層130の側面に形成される。第1の絶縁層160Aの上部は、第2導電型の半導体層130の上面より突出するように形成されてもよい。第3の絶縁層162は、第2導電型の半導体層130の上面の周囲に円形または多角形の形状に形成され、連続的または不連続的なループ形状に形成されてもよい。第2導電型の半導体層130上には伝導層140が形成されてもよい。伝導層140はスパッタリング又は/及びメッキ装置を用いて形成してもよいが、これに限定するものではない。伝導層140は、第2導電型の半導体層130と電気的に接触する接触層を含む。伝導層140は、少なくとも一つの伝導層、例えばオーミック層又は/及び反射層を含んでもよい。オーミック層は層または複数のパターンに形成されてもよく、金属、酸化物及び窒化物のうち少なくとも一つの材質を含んでもよい。オーミック層は、例えば、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、ITONITOnitride、IZONIZOnitride、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au及びNi/IrOx/Au/ITO、Pt、Ni、Au、Rh及びPdのうち少なくとも一つを含んでもよい。反射層は、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf及びこれらのうち二つ以上の合金で構成された物質のうち一つの層または複数の層で形成されてもよい。反射層は、オーミック層の上に、オーミック層の幅より少なくともより広い幅に形成されてもよく、これは反射効率を改善することができる。伝導層140の一部は第3の絶縁層162の上面まで延長されてもよいが、これに限定するものではない。また、伝導層140と第2導電型の半導体層130の間には、酸化物を用いた導電性物質または絶縁性物質のパターンを形成してもよく、このようなパターンは伝導層140と第2導電型の半導体層130との界面領域間の抵抗差を減少させることができる。伝導層140上には第1の接合層145Aが形成され、第3の絶縁層162上に延長されてもよい。第1の接合層145Aは、スパッタリング、蒸着又は/及びメッキ装置を用いて形成してもよい。第1の接合層145Aはバリア金属またはボンディング金属などを含み、例えば、Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、AgまたはTaのうち少なくとも一つを含んでもよいが、これに限定するものではない。第1の接合層145Aの幅は、伝導層140の幅より少なくとも広く形成されてもよく、これに限定するものではない。図4及び図5を参照すると、図4の構造を上/下方向に覆し、支持部材150上に発光構造層135を配置する。支持部材150は、絶縁基板、例えばサファイアAl203、ZnOのような群から選択されてもよい。支持部材150は、半導体との熱膨張係数差が小さい物質、または基板101と同一材質の基板を使用してもよい。支持部材150上には第2の接合層145Bが形成され、第2の接合層145Bはバリア金属またはボンディング金属などを含み、例えば、Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、AgまたはTaのうち少なくとも一つを含んでもよい。支持部材150上の外側には第2の絶縁層160Bが形成される。第2の絶縁層160Bは、フォトレジスト工程を通じてマスクパターンを形成し、スパッタリング又は/及び蒸着装置を用いて形成されてもよく、その物質はSiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2から選択されてもよいが、これに限定するものではない。第2の絶縁層160Bは、第2の連結電極173と第2の接合層145Bの間に配置され、物理的な接触を遮断することができる。支持部材150の一側には、第2の連結電極173及び第1のパッド175が配置され、他側には第2の電極183及び第2のパッド185が形成される。第2の連結電極173及び第2の電極183は、支持部材150の互いに異なる側面に配置される。第2の連結電極173及び第2の電極183の高さは、支持部材150の厚さより少なくとも高く形成されてもよく、垂直な連結構造で形成されてもよい。第2の連結電極173及び第2の電極183は、支持部材150内にスルーホール構造で形成されてもよいが、これに限定するものではない。スルーホールは、ドリルまたはレーザなどで形成されてもよい。第2の連結電極173は、支持部材150の第1の側面から第2の絶縁層160Bの側面まで延長され、第2の電極183は支持部材150の第2の側面から第2の接合層145Bの側面まで延長される。支持部材150の第1の側面と第2の側面は、互いに異なる側面であるかまたは互いに反対側面であってもよい。第1のパッド175及び第2のパッド185は、支持部材150の下面に配置され、互いに異なる領域に配置されてもよい。第1のパッド175及び第2のパッド185は、リード電極またはボンディング層として、電源の供給を受ける役割を果たす。第1のパッド175は第2の連結電極173に連結され、第2のパッド185は第2の電極183に連結され、第2の電極183は第2の接合層145Bの側面と接触する。支持部材150に配置された電極173、183及びパッド175、185は、基板101との接合後またはチップ分離後に形成してもよく、これに限定するものではない。支持部材150と発光構造層135を対応させた後、接合して、図6のように製造する。このとき、第2の接合層145Bは第1の接合層145Aと対応し、第2の絶縁層160Bは第1の絶縁層160Aと対応する。図5及び図6を参照すると、第1の接合層145Aと第2の接合層145Bは互いに接合され、電気的に連結される。また、第1の絶縁層160Aと第2の絶縁層160Bは互いに接着されて、第1の絶縁部材160を構成する。そして、基板101を物理的又は/及び化学的リフトオフ方法で除去してもよい。物理的リフトオフ方法はレーザリフトオフLaserLiftOff、LLO過程であって、基板101の一定領域の波長を有するレーザを照射する方式で、基板101をリフトオフする。または、基板101と第1導電型の半導体層110の間に他の半導体層例えば、バッファ層が形成された場合、ウェットエッチング液でバッファ層を除去して、基板を分離することもできる。基板101が除去された第1導電型の半導体層110の表面に、ICP/RIEInductivelycoupledPlasma/ReactiveIonEtching工程を行ってもよいが、これに限定するものではない。第2導電型の半導体層130の下に伝導層140が配置され、伝導層140の下に接合層145が配置され、接合層145の下に支持部材150が配置される。接合層145は、伝導層140と第2の電極183を互いに連結する。図6及び図7を参照すると、発光構造層135の周囲領域にエッチングを行って、第3の絶縁層162を露出させる。発光構造層135の周囲には第2の絶縁部材165が形成され、第2の絶縁部材165は、第3の絶縁層162の上面から第1導電型の半導体層110の上面外側まで延長されてもよい。エッチング過程は、ドライエッチング又は/及びウェットエッチングを含み、エッチング領域はチップとチップとの間を分離するための境界領域であり得る。発光構造層135の一側には第1の連結電極171が形成される。第1の連結電極171は、第2の連結電極173の上部と接触してもよく、第1導電型の半導体層110の上面まで延長されてもよい。第1の連結電極171は、Cr、Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Cu及びAuのうち何れか一つまたは複数の物質を混合して、単層または多層に形成されてもよい。第1の連結電極171は、第1導電型の半導体層110とのオーミック接触、金属層の間の接着性、反射特性、伝導性などを考慮して、上記の物質などから選択されてもよい。第1の連結電極171は、枝branch構造、ブリッジbridge構造、放射構造、アームarm構造、フィンガーfinger構造のような分岐構造を含む。分岐構造は、第1導電型の半導体層110の上面のうち少なくとも一エッジ領域に接触してもよい。第1の連結電極171の分岐構造は、互いに異なる領域を通じて第1導電型の半導体層110の上面と接触してもよく、電流を均一に供給して、電流の集中を防止することができる。第1及び第2の連結電極171、173は、第1導電型の半導体層110と第1のパッド175とを互いに連結する。第1の絶縁層160Aは、第1の連結電極171と他の層120、130、145Aとの接触を遮断する。第1導電型の半導体層110の上面には光抽出構造112が形成されてもよい。光抽出構造112は、第1導電型の半導体層110の上面にドライ又は/及びウェットエッチング過程を行って形成されてもよく、一定の大きさまたは不規則な大きさを有する。光抽出構造112は、ラフネス、凹凸パターン、テクスチャパターンを含み、入射する光の臨界角を変化させることができる。第1のパッド175は、第2の連結電極173及び第1の連結電極171を介して第1導電型の半導体層110と電気的に連結される。第2のパッド185は、第2の電極183、接合層145及び伝導層140を介して第2導電型の半導体層130と電気的に連結される。第2の連結電極173、第1のパッド175、第2の電極183及び第2のパッド185は、支持部材150に予め形成されてもよく、第1の連結電極171の形成時に形成されてもよい。また、第1導電型の半導体層110上には、電流拡散層、例えば透光性酸化物または透光性窒化物を含む電流拡散層形成されてもよい。電流拡散層は、例えば、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、ITONITOnitride、IZONIZOnitride、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au及びNi/IrOx/Au/ITOなどから選択的に形成されてもよい。電流拡散層は、第1導電型の半導体層110と第1の連結電極171の上部の間に配置され、電流を全領域に拡散させることができる。図8は、第2の実施形態による発光素子を示す断面図である。図8を説明するにあたって、第1の実施形態と同一部分に対しては第1の実施形態を参照し、重複説明は省略することにする。図8を参照すると、発光素子100は、第1の連結電極171と発光構造層135すなわち、110、120、130との間に第2の絶縁部材165をさらに含む。第2の絶縁部材165は、発光構造層135の側面と第1の連結電極171との接触を遮断する。第2の絶縁部材165は、発光構造層135の側面の一部または側面全体に形成されてもよく、図示した構造に限定するものではない。第2の絶縁部材165は、第1導電型の半導体層110の上面まで延長され、第1の連結電極171の上部171Aは、第2の絶縁部材165の上面より第1導電型の半導体層110の内側にさらに延長され、第1導電型の半導体層110の上面に接触してもよい。図9は、第3の実施形態による発光素子を示す断面図である。図9を説明するにあたって、第1の実施形態と同一部分に対しては第1の実施形態を参照し、重複説明は省略することにする。図9を参照すると、発光素子100Aは、導電型の支持部材190とその表面に第3の絶縁部材151を含む。支持部材190は、シリコンウェハまたは半導体基板、例えば、GaN、Si、GaAsなどを用いてもよい。別の例として、支持部材190には熱伝導性の高い金属基板を使用してもよいが、これに限定するものではない。支持部材190の表面には第3の絶縁部材151が形成される。第3の絶縁部材151は、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2から選択されてもよく、これに限定するものではない。第3の絶縁部材151は、支持部材190と第1の連結電極173、第1のパッド175、第2の電極183及び第2のパッド185との間を絶縁する。第3の絶縁部材151は、支持部材190と第2の接合層145Bとの間に配置され、互いに絶縁する。支持部材190は、第1のパッド175または第2のパッド185に連結されてもよく、好ましく第2のパッド185と第2の接合層145Bの間に連結されてもよい。具体的に説明すると、支持部材190と第2の接合層145Bとの間に配置された第3の絶縁部材151の領域を除去することで、支持部材190と第2の接合層145Bとを連結することができる。これによって、第2の電極183を形成する必要がないという効果が得られ、発光素子内での放熱効率を改善するとができる。図10は、第4の実施形態による発光素子を示す断面図である。図10を説明するにあたって、第1の実施形態と同一部分に対しては第1の実施形態を参照し、重複説明は省略することにする。図10を参照すると、発光素子100Bは、導電型の支持部材190及び支持部材190内に複数のドーピング領域153、155を含む。導電型の支持部材190としては、例えば、Siのようなキャリアウェハを用いてもよい。支持部材190は、N型ドーパントを拡散またはドーピングしてN型基板として使用してもよい。別の例として、支持部材190はP型ドーパントを拡散またはドーピングしてP型基板として使用してもよい。支持部材190内には少なくとも一つのドーピング領域が配置されてもよい。ドーピング領域は、支持部材190の極性と反対の極性を有するドーパントを含んでもよい。支持部材190の第1の領域には第3の絶縁部材151がオープンされて、第1のドーピング領域153が形成される。第1のドーピング領域153は、第1のパッド175及び支持部材190に電気的に連結され、ツェナーダイオードとして機能するようになる。第1のドーピング領域153は、支持部材190の極性と反対の極性を有するドーパントを注入または拡散させた領域である。例えば、支持部材190はN型極性を有し、第1のドーピング領域153はP型領域であってもよく、これによってN‐P接合のツェナーダイオードを具現することができる。支持基板190の第2の領域には第3の絶縁部材151がオープンされて、第2のドーピング領域155が形成される。第2のドーピング領域155は、第2のパッド185及び支持部材190に連結され、ツェナーダイオードとして機能するようになる。第2のドーピング領域155は、支持部材190の極性と反対の極性を有するドーパントを注入または拡散させた領域である。例えば、支持部材190はN型極性を有し、第2のドーピング領域155はP型領域であってもよく、これによってN‐P接合のツェナーダイオードを具現することができる。支持部材190によって連結された複数のドーピング領域153、155は、発光構造層135と並列に連結され、発光構造層135に供給される非正常な電源から保護することができる。第1及び第2のドーピング領域153、155はウェル構造を有し、N型ドーパント領域であってもよい。別の例として、N型ドーパント領域内にP型ドーパント領域をさらに含んでもよく、このような二重ドーパント領域は、NPNスイッチング素子例えば、TFTを具現することができる。このようなスイッチング素子は発光素子を保護し、電流特性を調節することができる。図11は、第5の実施形態による発光素子を示す断面図である。図11を説明するにあたって、上記に開示された実施形態と同一部分に対しては上記に開示された実施形態を参照し、重複説明は省略することにする。図11を参照すると、発光素子100Cは、導電型の支持部材190及び少なくとも一つのドーピング領域153を含む。導電型の支持部材190には、例えばSiのようなキャリアウェハを用いてもよい。支持部材190は、N型ドーパントを拡散またはドーピングしてN型基板として使用してもよい。別の例として、支持部材190は、P型ドーパントを拡散またはドーピングしてP型基板として使用してもよい。支持部材190には少なくとも一つのドーピング領域153が配置される。ドーピング領域153は、支持部材190の極性と反対の極性を有するドーパントを含んでもよい。例えば、支持部材190はN型極性を有し、ドーピング領域153はP型領域であってもよく、これによってN‐P接合のツェナーダイオードを具現することができる。支持部材190の第1の領域には第3の絶縁部材151がオープンされ、ドーピング領域153と第1のパッド175が連結される。ドーピング領域153は、第1のパッド175及び支持部材190に電気的に連結され、ツェナーダイオードとして機能するようになる。支持部材190の第2の領域152には第3の絶縁部材151がオープン開放され、支持部材190と第2のパッド185は互いに連結される。発光素子100Cは、少なくとも一つのツェナーダイオードを具備した支持部材190を含んでもよい。別の例として、支持部材190は第2のパッド185と第2の接合層145Bを互いに連結することができる。一方、第1導電型の半導体層110の上面には光抽出構造112Aが形成され、光抽出構造112Aは不規則な大きさのパターンがランダムな間隔で配置されてもよい。このような光抽出構造112Aは、ウェット又は/及びドライエッチングによって形成されてもよく、光抽出効率を改善することができる。第1導電型の半導体層110上には透光性の電流拡散層195が配置される。電流拡散層195は、第1の連結電極171と第1導電型の半導体層110の間に配置されてもよい。電流拡散層195は、第1の連結電極171から供給される電流を全領域に拡散させ、第1導電型の半導体層110に供給することができる。電流拡散層195は、第1の連結電極171と第1導電型の半導体層110とを離隔させることができ、第1の連結電極171から供給される電流を拡散させ、第1導電型の半導体層110の上面に進行する光を効果的に抽出することができる。電流拡散層195は、第1導電型の半導体層110の上面のうち少なくとも50以上の領域をカバーする大きさに形成されてもよい。電流拡散層195は、例えば、ITOindiumtinoxide、IZOindiumzincoxide、IZTOindiumzinctinoxide、IAZOindiumaluminumzincoxide、IGZOindiumgalliumzincoxide、IGTOindiumgalliumtinoxide、AZOaluminumzincoxide、ATOantimonytinoxide、GZOgalliumzincoxide、ITONITOnitride、IZONIZOnitride、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au及びNi/IrOx/Au/ITOなどから選択的に形成されてもよい。図12は、第6の実施形態による発光素子パッケージの断面図である。図12を参照すると、発光素子パッケージ30は、本体31と、本体31に配置された第1のリードフレーム32及び第2のリードフレーム33と、本体31に配置され、第1のリードフレーム32及び第2のリードフレーム33上にはんだ35を用いて搭載される実施形態による発光素子100と、発光素子100を囲むモールディング部材40とを含む。本体31は、シリコン材質、合成樹脂材質または金属材質を含んで形成されてもよい。本体31は、上部が開放された中空cavity22を含み、中空22の周囲は、中空22の底面に対して傾斜面または垂直面に形成されてもよい。中空22は、好ましく発光素子100の周囲に傾斜面を提供することができる。第1のリードフレーム32及び第2のリードフレーム33は互いに電気的に分離され、発光素子100に電源を提供する。発光素子100は、別途のワイヤを使用せず、第1のリードフレーム32と第2のリードフレーム33にダイボンディングで連結されてもよい。発光素子100の第1のパッドは第2のリードフレーム33上にボンディングされ、第2のパッドは第1のリードフレーム32上にボンディングされてもよい。リードフレーム32、33は、フレーム構造で形成されたりメッキ層で形成されてもよいが、これに限定するものではない。第1及び第2のリードフレーム32、33は本体31の外側に露出され、本体31の側面及び下面に延長されてもよい。別の例として、第1及び第2のリードフレーム32、33は、ビアまたはスルーホール構造を有し、中空22の底面から本体31の下面まで延長されてもよい。モールディング部材40は、シリコンまたはエポキシのような透光性材料を含み、発光素子100を覆い且つ発光素子100を保護することができる。また、モールディング部材40には蛍光体が含まれて、発光素子100から放出された光の波長を変化させることができる。モールディング部材40上にはレンズが配置されてもよい。レンズは、モールディング部材40上に直接接触してもよく、離隔してもよいが、これに限定するものではない。実施形態による発光素子は、別途のワイヤボンディング過程を経ず、直接ダイボンディングによりリードフレームやボードなどに搭載した後、モールディング部材を用いてパッケージ化することができる。このようなパッケージは上面発光方式の例を示して説明したが、側面発光方式で具現しても上記のような放熱特性、伝導性及び反射特性の改善効果を得ることもできる。パッケージまたは発光素子は、指示装置、照明装置、表示装置などの光源に使用されてもよい。また、本発明は各実施形態に限定されず、上記に開示された他の実施形態に選択的に適用されてもよく、各実施形態に限定するものではない。実施形態による発光素子またはパッケージは、ライトユニットに適用されることができる。ライトユニットは、複数の発光素子パッケージが配列された構造を有し、図13及び図14に示された表示装置、図15に示された照明装置を含めて、照明灯、信号灯、車前照灯、電光掲示板などに含まれることもできる。図13は、実施形態による表示装置の分解斜視図である。図13を参照すると、実施形態による表示装置1000は、導光板1041と、導光板1041に光を提供する発光モジュール1031と、導光板1041下の反射部材1022と、導光板1041上の光学シート1051と、光学シート1051上の表示パネル1061と、導光板1041、発光モジュール1031及び反射部材1022を収納する下部カバー1011とを含んでもよいが、これに限定されるものではない。下部カバー1011、反射部材1022、導光板1041及び光学シート1051は、ライトユニット1050として定義されることもできる。導光板1041は、光を拡散させて面光源化する役割を果たす。導光板1041は、透明な材質からなり、例えば、PMMApolymethylmethacrylateのようなアクリル樹脂系列、PETpolyethyleneterephthalate、PCpolycarbonate、COCcycloolefincopolymer及びPENpolyethylenenaphthalate樹脂のうち一つを含んでもよい。発光モジュール1031は、導光板1041の少なくとも一側面に光を提供し、究極的には表示装置の光源として作用する。発光モジュール1031は少なくとも一つが含まれ、導光板1041の一側面で直接的または間接的に光を提供することができる。発光モジュール1031は、基板1033と上記に開示された実施形態による発光素子パッケージ30とを含む。発光素子パッケージ30は、基板1033上に所定間隔で配列されてもよい。基板1033には発光素子パッケージ30が配列されてもよく、発光素子がチップの形状に配列されてもよい。基板1033は、回路パターン図示せずを含むプリント回路基板PrintedCircuitBoard、PCBであってもよい。ただし、基板1033は一般のPCBだけでなく、メタルコアPCBMetalCorePCB、MCPCB、軟性PCBFlexiblePCB、FPCBなどを含んでもよく、これに限定するものではない。発光素子パッケージ30が下部カバー1011の側面または放熱プレート上に搭載される場合、基板1033は除去されてもよい。ここで、放熱プレートの一部は、下部カバー1011の上面に接触してもよい。そして、多数の発光素子パッケージ30は、基板1033上に光が放出される出射面が導光板1041と所定距離離隔するように搭載されてもよく、これに限定するものではない。発光素子パッケージ30は、導光板1041の一側面である入光部に光を直接的または間接的に提供することができ、これに限定するものではない。導光板1041の下には反射部材1022が配置されてもよい。反射部材1022は、導光板1041の下面に入射した光を反射して上に向けるようにすることで、ライトユニット1050の輝度を向上させることができる。反射部材1022は、例えば、PET、PC、PVCレジンなどで形成されてもよいが、これに限定するものではない。反射部材1022は、下部カバー1011の上面であってもよく、これに限定するものではない。下部カバー1011は、導光板1041、発光モジュール1031及び反射部材1022などを収納する。このために、下部カバー1011には、上面が開口された箱box形状を有する収納簿1012が具備されてもよいが、これに限定するものではない。下部カバー1011は、上部カバーと結合されてもよいが、これに限定するものではない。下部カバー1011は、金属材質または樹脂材質で形成されてもよく、プレス成形または圧出成形などの工程を利用して製造されてもよい。また、下部カバー1011は、熱伝導性の良い金属または非金属材料を含んでもよいが、これに限定するものではない。表示パネル1061は、例えばLCDパネルであって、互いに対向する透明な材質の第1及び第2の基板、そして第1及び第2の基板の間に介在された液晶層を含む。表示パネル1061の少なくとも一面には偏光板が付着してもよく、このような偏光板の付着構造に限定するものではない。表示パネル1061は、光学シート1051を通過した光によって情報を表示する。このような表示装置1000は、各種携帯端末機、ノートパソコンのモニタ、ラップトップコンピュータのモニタ、テレビなどに適用されることができる。光学シート1051は、表示パネル1061と導光板1041の間に配置され、少なくとも一枚の透光性シートを含む。光学シート1051は、例えば、拡散シート、水平及び垂直プリズムシート及び輝度強化シートなどのうち少なくとも一つを含んでもよい。拡散シートは、入射する光を拡散させ、水平又は/及び垂直プリズムシートは、入射する光を表示領域に集光し、輝度強化シートは、損失される光を再使用して輝度を向上させる。また、表示パネル1061上には保護シートが配置されてもよく、これに限定するものではない。ここで、発光モジュール1031の光経路上には、光学部材として、導光板1041及び光学シート1051を含んでもよく、これに限定するものではない。図14は、実施形態による表示装置の別の例を示す図である。図14を参照すると、表示装置1100は、下部カバー1152と、上記に開示された発光素子パッケージ30及び基板1120を含む発光モジュール1060と、光学部材1154と、表示パネル1155とを含む。基板1120と発光素子パッケージ30は発光モジュール1060として定義されることができる。下部カバー1152、少なくとも一つの発光モジュール1060及び光学部材1154は、ライトユニットとして定義されることができる。基板1120上にはパッケージまたは個別チップが配列されてもよく、これに限定するものではない。下部カバー1152には収納部1153が具備されてもよく、これに限定するものではない。ここで、光学部材1154は、レンズ、導光板、拡散シート、水平及び垂直プリズムシート及び輝度強化シートなどのうち少なくとも一つを含んでもよい。導光板は、PC材質またはPMMAPolymethylmethacrylate材質からなってもよく、このような導光板は除去されてもよい。拡散シートは入射する光を拡散させ、水平及び垂直プリズムシートは入射する光を表示領域に集光し、輝度強化シートは損失される光を再使用して輝度を向上させる。図15は、実施形態による照明装置の斜視図である。図15を参照すると、照明装置1500は、ケース1510と、ケース1510に設けられた発光モジュール1530と、ケース1510に設けられて外部電源から電源の提供を受ける連結端子1520とを含んでもよい。ケース1510は、放熱特性の良好な材質で形成されることが好ましく、例えば金属材質または樹脂材質で形成されてもよい。発光モジュール1530は、基板1532と、基板1532に搭載される実施形態による発光素子パッケージ30とを含んでもよい。発光素子パッケージ30は、複数個がマトリックス状にまたは所定間隔で離隔して配列されてもよく、または基板1532上にチップ単位で配列されてもよい。基板1532は、絶縁体に回路パターンが印刷されたものであってもよく、例えば、一般のプリント回路基板PrintedCircuitBoard、PCB、メタルコアMetalCorePCB、軟性FlexiblePCB、セラミックPCBなどを含んでもよい。また、基板1532は、光を効率的に反射する材質で形成されたり、表面に光を効率的に反射する色、例えば白色、銀色などのコティング層がされてもよい。基板1532上には、少なくとも一つの発光素子パッケージ30が搭載されてもよい。発光素子パッケージ30のそれぞれは、少なくとも一つのLEDLightEmittingDiodeチップを含んでもよい。LEDチップは、赤色、緑色、青色または白色の有色光をそれぞれ発光する有色発光ダイオード及び紫外線UltraViolet、UVを発光するUV発光ダイオードを含んでもよい。発光モジュール1530は、色感及び輝度を得るために様々な発光素子パッケージ30の組み合わせを有するように配置されてもよい。例えば、高演色性CRIを確保するために白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード及び緑色発光ダイオードを組み合わせて配置してもよい。連結端子1520は、発光モジュール1530と電気的に連結され、電源を供給することができる。連結端子1520は、ソケット方式で外部電源に回して嵌合されるが、これに限定されるものではない。例えば、接続端子1520はピンpin形状に形成されて外部電源に挿入されたり、配線によって外部電源に接続されることも可能である。実施形態による発光素子の製造方法は、基板上に第1導電型の半導体層、活性層及び第2導電型の半導体層を含む複数の化合物半導体層を形成する段階と、複数の化合物半導体層上に伝導層を形成する段階と、伝導層、第2導電型の半導体層及び活性層の一部をエッチングして第1の絶縁層を形成する段階と、伝導層上に第1の接合層を形成する段階と、支持部材上の第2の接合層と第1の接合層を接合する段階と、基板を除去する段階と、第1導電型の半導体層に電気的に連結されて第1の絶縁層の外側に配置された第1の連結電極を形成する段階と、を含む。実施形態で説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも一つの実施形態に含まれ、必ずしも一つの実施形態にのみ限定されるものではない。さらに、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、本発明の属する分野における通常の知識を有する者によって他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形による内容は本発明の範囲に含まれると解釈されるべきであろう。