"表側キャリア1と、裏側キャリア2と、複数の発光ダイオードチップ3と、を有する照明装置であって、前記照明装置の動作時に、前記複数の発光ダイオードチップ3は光を放射し、かつ廃熱を放散し、-前記裏側キャリア2は、少なくとも部分的に、前記表側キャリア1によって覆われており、-前記発光ダイオードチップ3は、前記裏側キャリア2と前記表側キャリア1との間にアレイを形成するように配置され、-前記発光ダイオード3は、前記裏側キャリア2もしくは前記表側キャリア1またはその両方によって電気的に接触されており、前記裏側キャリア2および前記表側キャリア1によって機械的に固定されており、-前記表側キャリア1は、前記発光ダイオードチップ3に熱伝導可能な状態に結合され、前記発光ダイオードチップ3とは反対側の光取り出し面101を備えており、前記光取り出し面は、前記発光ダイオードチップ3によって生成される廃熱の一部を周囲環境に放散するように構成されており、-前記照明装置の動作時、前記発光ダイオードチップ3それぞれに、作動させるための100mW以下の公称電力が供給され、前記発光ダイオードチップ3それぞれは100lm/W以上の発光効率を有し、-隣り合う発光ダイオードチップ3の間の距離dCは、前記照明装置の動作時に前記発光ダイオードチップ3を前記公称電力で作動させるとき、前記発光ダイオードチップ3によって形成される前記アレイが、450W/m2以下の電力消費量を有するように、アレイの基本領域に対して十分に大きく選択されており、-隣り合う発光ダイオードチップ3の間の前記距離dCは、前記照明装置の動作時に前記発光ダイオードチップ3を前記公称電力で作動させるとき、前記発光ダイオードチップ3によって形成される前記アレイが前記光取り出し面の平面視において、2000Cd/m2以上の平均輝度で光を放射するように、十分に小さく選択されており、前記距離dCは、前記光取り出し面101と前記発光ダイオードチップ3との間の距離dLの2.5倍以下である、照明装置。前記光取り出し面101と前記発光ダイオードチップ3との間の前記距離dLは、5mm以下である、請求項1に記載の照明装置。前記発光ダイオードチップ3が、300μm以下の横方向寸法LCを有する、請求項1または請求項2のいずれかに記載の照明装置。前記光取り出し面101における熱の放散と前記裏側キャリア2の裏側外面201における熱の放散とによって、追加のヒートシンク無しに冷却されるように前記照明装置が設計されている、請求項1から請求項3のいずれかに記載の照明装置。前記表側キャリア1および前記裏側キャリア2がフレキシブルである、請求項1から請求項4のいずれかに記載の照明装置。構造高さHBが、10mm以下、特に、5mm以下である、請求項1から請求項5のいずれかに記載の照明装置。前記表側キャリア1と前記裏側キャリア2との間に、接着促進剤4が所々に配置され、前記接着促進剤によって、前記キャリア1,2の間に引張応力が発生する、請求項1から請求項6のいずれかに記載の照明装置。前記発光ダイオードチップ3と前記表側キャリア1との間に屈折率整合材料5が配置される、請求項1から請求項7のいずれかに記載の照明装置。前記表側キャリア1は、複数の個別の空洞15を囲んでおり、前記各空洞15は、前記発光ダイオードチップ3の1つと重なっており、発光材料を有する発光変換要素6を含んでいる、請求項1から請求項8のいずれかに記載の照明装置。前記表側キャリア1は、複数の個別の空洞15を囲んでおり、-前記各空洞15は、前記発光ダイオードチップ3の1つと重なっており、-前記各空洞15の、前記それぞれの発光ダイオードチップ3の側の第1のサブ領域15Aは、発光材料を有する発光変換要素6を含んでおり、-前記各空洞15の、前記それぞれの発光ダイオードチップ3とは反対側の第2のサブ領域15Bは、材料、特に気体によって満たされており、前記材料は前記光取り出し面101の側の前記空洞15の境界を形成している前記表側キャリア1の材料よりも低い屈折率を有し、特に、湾曲した表面を備えている、請求項1から請求項8のいずれかに記載の照明装置。前記各空洞15は、前記空洞15が重なっている前記発光ダイオードチップ3の対応する横方向寸法LCの3倍よりも小さいかまたは等しい横方向寸法LPを有する、請求項9または請求項10のいずれかに記載の照明装置。前記表側キャリア1は、散乱粒子によって拡散反射する層16、を含んでいる、請求項1から請求項11のいずれかに記載の照明装置。前記発光ダイオードチップ3それぞれは、前記表側キャリア1に面している光透過性のコンタクト層34を備えており、前記表側キャリア1は、少なくとも部分的に光を透過させる電気接続層10を備えており、前記接続層は、特に、前記発光ダイオードチップ3の前記コンタクト層34に直接隣接している、請求項1から請求項12のいずれかに記載の照明装置。前記裏側キャリア2は、少なくとも1つの導体トラック20Aを備えており、前記導体トラック20Aは、前記発光ダイオードチップ3の少なくとも1つに表側から電気的に接触するために設けられており、少なくとも1つの電気的ブリッジ要素7は、前記表側キャリア1と前記裏側キャリア2との間に配置されており、前記裏側キャリアの前記導体トラック20Aと前記表側キャリア1の前記電気接続層10との間の電気的接触を生じさせる、請求項13に記載の照明装置。前記発光ダイオードチップ3と前記電気的ブリッジ要素7とは、ほぼ同じ高さHCである、請求項14に記載の照明装置。本発明の目的は、複雑な冷却対策無しに動作する一方で、十分に均一な輝度分布が確保される照明装置を提供することである。この目的は、請求項1による照明装置によって達成される。本照明装置の有利な構造形態およびさらなる発展形態は、従属請求項に記載されている。請求項の開示内容は、参照によって以下の説明に明示的に示されている。本発明は、照明装置に関する。本照明装置は、例えば、面光源である。本照明装置は、汎用照明用に設計することができる。これに代えて、本照明装置は、例えば、背面照明装置、特に、例えばLCD液晶ディスプレイ用のフレームレス型の背面照明装置を構成することができる。本照明装置は、複数の発光ダイオードチップを備えている。これらの発光ダイオードチップは、光、特に、紫外光、可視光、赤外光のうちの少なくとも1種類を発し、さらに、廃熱を放射するように設計されている。特に、要求されるのは発光のみである。照明装置の動作時、発光ダイオードチップは、特に光を放射し、廃熱を放散する。一構造形態においては、発光ダイオードチップは、アレイに配置されており、例えば仮想の六角形格子、長方形格子、または正方格子の格子点に位置する。すべての発光ダイオードは、同じ主波長の光を放射する。これに代えて、本照明装置は、異なる主波長を有する何種類かの発光ダイオードチップを備えることができ、これらの発光ダイオードチップは、特に、規則的または不規則なパターンにおいてアレイに配置されている。発光ダイオードチップは、光を生成するように設計されている無機半導体積層体を備えていることが好ましい。さらには、発光ダイオードチップは、放射を生成する有機積層体を含んでおり、したがってOLEDを構成することも可能である。原理的には、発光ダイオードチップの代わりにレーザダイオードチップを使用することもできる。少なくとも一態様によると、本照明装置は、表側キャリアおよび裏側キャリアを備えている。照明装置の表側からの平面視において、裏側キャリアは、少なくとも部分的に表側キャリアによって覆われている。さらなる発展形態においては、表側キャリアもしくは裏側キャリアまたはその両方のそれぞれは、薄板または膜特に、実質的に面平行なplaneparallel薄板または膜、もしくは電気接続層例えば導体トラック、またはその両方を備えており、薄板または膜には、例えば光の取り出しを改善するためのパターニングを設けることができる。さらなる一発展形態においては、表側キャリアおよび裏側キャリアは、フレキシブルな構造である。この場合、特に、本照明装置はフレキシブルである。発光ダイオードチップは、裏側キャリアと表側キャリアとの間に配置されており、特に、これらのキャリアによって機械的に固定されている。このようにすることで、表側キャリア、および好ましくは裏側キャリアが、特に熱伝導可能な状態に発光ダイオードチップに結合される。例えば、発光ダイオードチップは、はんだまたは接着剤によって裏側キャリアに接合されている。この場合、発光ダイオードチップは、個々のハウジングに埋め込まれているのではなく、裸の状態のチップとして裏側キャリアの上に実装されていることが好ましい。表側キャリアを使用することで、例えば、発光ダイオードチップを摩擦によって固定することが可能である。一構造形態においては、表側キャリアと裏側キャリアとの間に、所々に接着促進剤が配置されており、接着促進剤によって、これらのキャリアの間に引張応力が発生する。接着促進剤は、例えば、硬化時に収縮することで引張応力が生じるように設計された接着剤を含んでもよい。例えば、発光ダイオードチップは、表側キャリアと裏側キャリアとの間の引張応力によって固定されており、したがって特に、表側キャリアが発光ダイオードチップに押し付けられる。発光ダイオードチップには、裏側キャリアもしくは表側キャリアまたはその両方によって電気的に接触していることが好ましい。例えば、発光ダイオードチップは、導電性接着剤によって、裏側キャリアの電気導体トラックに、はんだ付けまたは接着接合される。裏側キャリアの導体トラックによる裏側からの接触に代えて、またはこれに加えて、発光ダイオードチップそれぞれは表側コンタクト層を備えることができ、表側コンタクト層は、表側キャリアの電気接続層に導電接続されている。表側コンタクト層と電気接続層とは、例えば互いに直接隣接しており、特に、これらの間にはんだ層または接着剤層が設けられていない。表側コンタクト層は、特に、光透過性であり、発光ダイオードチップの、光を生成する半導体積層体の表面全体に形成されていることが好ましい。電気接続層は、少なくとも、発光ダイオードチップと重なっている領域において、光透過性であることが好ましい。一構造形態においては、コンタクト層、もしくは、表側キャリアの電気接続層の光透過性領域、またはその両方は、透明導電性酸化物、例えば、ITOインジウムスズ酸化物、もしくはZnO特に、AlまたはGaの少なくとも一方によってドープされたZnO、またはこれらの両方を含んでいる。さらなる一発展形態においては、裏側キャリアは、少なくとも1つの導体トラックを備え、この導体トラックは、発光ダイオードチップの少なくとも1つに表側から電気的に接触するために設けられている。これに加えて、このさらなる発展形態においては、少なくとも1つの電気的ブリッジ要素、例えば、金属ブロックまたはシリコンブロック好ましくは導電性であるようにドープされているが、表側キャリアと裏側キャリアとの間に配置されている。電気的ブリッジ要素は、裏側キャリアの導体トラックと表側キャリアの電気接続層との間の電気的接触を形成している。発光ダイオードチップと、少なくとも1つの電気的ブリッジ要素は、ほぼ同じ高さであることが好ましい。このようにすることで、発光ダイオードチップとまったく同じように、ブリッジ要素をキャリアによって固定することができる。このような電気的ブリッジ要素によって、発光ダイオードチップの直列回路、並列回路、または直列/並列を組み合わせた回路を、特に単純に製造することができる。少なくとも一態様によると、本照明装置は、光取り出し面を備えている。この光取り出し面は、照明装置の動作時に発光ダイオードチップによって生成される光を取り出すように設計されている。光取り出し面は、発光ダイオードチップによって照らされることが好ましい。特に、照明装置の表側からの平面視において、光取り出し面は発光ダイオードチップを覆っている。表側キャリアが光取り出し面を備えていることが好ましい。この場合、表側キャリアは、少なくとも部分的に光透過性であるすなわち半透明または透明であることが有利である。同様に、裏側キャリアも、少なくとも部分的に光透過性とすることができる。少なくとも一態様によると、光取り出し面は、発光ダイオードチップによって生成される廃熱の少なくとも一部を、周囲環境に放散するように設計されている。特に、光取り出し面は、照明装置の外面であり、好ましくは、発光ダイオードとは反対側の表側キャリアの外面である。光取り出し面は、気体媒体特に、空気に隣接していることが好ましい。少なくとも一態様によると、本照明装置の動作時、発光ダイオードチップそれぞれに、作動させるための100mW以下の公称電力が供給される。一構造形態においては、発光ダイオードチップそれぞれの公称電力は、5mW以上、好ましくは20mW以上、特に、40mW以上である。発光ダイオードチップは、100lm/W以上の発光効率lightyieldを有することが好ましい。このような発光効率を有する発光ダイオードチップの原理については、当業者に公知であり、したがって、ここでは詳しく説明しない。発光効率の上限は、可能な最大効率によって物理的に決まり、例えば350lm/Wである。少なくとも一態様によると、発光ダイオードチップの横方向寸法は、300μm以下、好ましくは100μm以下の値を有する。例えば、発光ダイオードチップは、表側からの平面視において、縁部長さedgelengthが300μm以下、好ましくは200μm以下、例えば100μm以下である長方形輪郭または正方形輪郭を有するチップである。さらなる発展形態においては、この横方向寸法は、20μm以上、特に、50μm以上の値を有する。このような横方向寸法の場合、電力が100mW以下である発光ダイオードチップは、製造の費用効率が特に高い。発光ダイオードチップの横方向寸法とは、特に、発光ダイオードチップの縁部長さである。発光ダイオードチップが、例えば光を生成するエピタキシャル半導体積層体を、チップのキャリア基板上に含んでいる場合、本明細書においては、特に、光を生成するエピタキシャル半導体積層体の横方向寸法を、発光ダイオードチップの横方向寸法とみなす。例えば、組立てを単純化する目的で、チップのキャリア基板の横方向寸法を、光を生成するエピタキシャル半導体積層体の横方向寸法よりも大幅に大きくすることができる。少なくとも1つの第2の態様によると、隣り合う発光ダイオードチップの間の距離は、照明装置の動作時に発光ダイオードチップを公称電力で作動させるとき、発光ダイオードチップによって形成されているアレイが、450W/m2以下、またはさらなる発展形態においては300W/m2以下の電力消費量を有するように、アレイの基本領域に対して十分に大きく選択される。この場合、アレイの基本領域とは、特に、光取り出し面の平面視において、アレイによってすなわちアレイの発光ダイオードチップによって覆われている裏側キャリアの領域と、発光ダイオードチップ間の空間とを合わせた領域である。アレイの基本領域は、特に、光取り出し面の領域に一致する。隣り合う発光ダイオードチップの間の距離は、照明装置の動作時に発光ダイオードチップを公称電力で作動させるとき、発光ダイオードチップによって形成されているアレイが、光取り出し面の平面視において、2000Cd/m2以上の平均輝度、またはさらなる発展形態においては3000Cd/m2以上の平均輝度で光を放射するように、十分に小さく選択されることが好ましい。平均輝度とは、特に、光取り出し面の平面視においてすなわち特に2πの立体角において、発光ダイオードのアレイによって放射される光の、アレイの基本領域全体にわたって平均された輝度である。特に、光束Φは、立体角Ω全体にわたり光の強度Iを積分することで得られる。したがって、例えば立体角Ω=2πにおける等方性発光の場合、アレイの面積Aにおける平均輝度Lは、値L=I/A=Φ/2πAを有する。アレイの発光ダイオードチップが、例えばランバートLambertian発光パターンを有する場合、光の強度Iが角度の余弦に依存するため、立体角Ω=2πで発光するときの平均輝度は、値L=Φ/πAを有する。この場合、光束Φを面積Aで除した値は、特に、面積Aあたりの発光ダイオードチップの電力消費量と発光ダイオードチップの発光効率との積に等しい。これに代えて、またはこれに加えて、少なくとも一態様によると、隣り合う発光ダイオードチップの間の距離は、照明装置の動作時に発光ダイオードチップを公称電力で作動させるとき、発光ダイオードチップによって形成されているアレイが、120W/m2以上、またはさらなる発展形態においては200W/m2以上の電力消費量、を有するように、アレイの基本領域に対して十分に小さく選択される。発光ダイオードチップの間の距離は、例えば、10mm以下、特に5mm以下の値、もしくは、0.5mm以上、特に1mm以上の値、またはこれらの両方を有する。一構造形態においては、発光ダイオードチップの間の距離は、0.5mm~5mmの範囲内両端値を含む、特に、1mm~4mmの範囲内両端値を含むの値を有する。このような横方向の間隔において、上述した低い公称電力で発光ダイオードチップを使用するとき、裏側キャリアもしくは表側キャリアまたはその両方によって、特に良好な熱拡散を達成することができ、これは有利である。このようにすることで、発光ダイオードチップ1個あたりのより高い電力で、かつそれに対応してより大きな間隔において発光ダイオードチップを使用する場合とは異なり、熱負荷が横方向に特に均一に分布し、発光ダイオードチップが過度に熱くなる危険性が特に低い。特に、このようにすることで、追加のヒートシンクなしに、光取り出し面を介しての自然対流によって照明装置を冷却することができる。例えば、光取り出し面からの自然対流によって、5W/m2K~10W/m2Kの範囲内、例えば約7W/m2Kの熱出力が、光取り出し面に接する空気中に放散される。自然対流の場合、特に、光取り出し面の温度と周囲環境の温度との差によってもたらされる温度勾配の結果として、空気中の粒子輸送particletransportが進められる。特に、追加のヒートシンクなしに自然対流によって冷却される照明装置では、単位面積あたりの電力450W/m2以下で動作するとき、光取り出し面の温度上昇は、周囲温度に対して65K以下、好ましくは60K以下である。このようにすることで、発光ダイオードチップの温度上昇を、追加のヒートシンクなしに、70K以下、特に、最大で80°Cに制限することができる。したがって、温度に依存して効率が低下することで発光ダイオードチップの十分な効率が得られない危険性と、発光ダイオードの寿命が温度に依存して短くなる危険性とが、比較的低く、これは有利である。少なくとも一態様によると、隣り合う発光ダイオードチップの間の距離それぞれは、光取り出し面と発光ダイオードチップとの間の距離の2.5倍以下、好ましくは1.5倍以下である。このようにすることで、光取り出し面において特に均一な輝度分布を達成することができ、これは有利である。隣り合う発光ダイオードチップの間の距離、または、光取り出し面と発光ダイオードチップとの間の距離は、例えばフレキシブル型または湾曲した照明装置の場合、照明装置がまっすぐ伸びた状態における距離である。光取り出し面がパターニングを備えている場合、発光ダイオードチップと光取り出し面との間の距離は、特に、各発光ダイオードチップの領域全体、かつすべての発光ダイオードチップにわたって平均した光取り出し面と、発光ダイオードチップとの間の距離であるものとする。少なくとも一態様によると、発光ダイオードチップの横方向寸法もしくは公称電力またはその両方、隣り合う発光ダイオードチップの間の距離、および、発光ダイオードチップと光取り出し面との間の距離は、照明装置の動作時に、発光ダイオードチップによって生成される廃熱によって、光取り出し面の温度が周囲温度に対して7K以上上昇するように、互いに調整されている。例えば、光取り出し面の温度は、周囲温度に対して、7K~65Kの範囲内両端値を含む、特に、7K~60Kの範囲内両端値を含む、好ましくは10K~50Kの範囲内両端値を含むで上昇する。光取り出し面の温度が7K以上上昇するならば、発生する温度勾配が大きいため、照明装置の冷却を、自然対流によって光取り出し面を介して特に効率的に行うことができる。少なくとも一態様によると、発光ダイオードチップの横方向寸法もしくは公称電力またはその両方、隣り合う発光ダイオードチップの間の距離、および、発光ダイオードチップと光取り出し面との間の距離は、上記に代えて、または上記に加えて、照明装置の動作時に、発光ダイオードチップによって生成される廃熱によって、周囲温度に対する発光ダイオードチップの温度上昇が70K以下、好ましくは60K以下であるように、互いに調整されている。具体的には、周囲温度が25°C以下、例えば15°C~25°Cの範囲内両端値を含むであるとき、廃熱による発光ダイオードチップの温度上昇が、最大で80°C、好ましくは最大で60°Cであるように、調整される。発光ダイオードチップの温度、または光取り出し面の温度は、特に、照明装置が連続的に動作して発光ダイオードチップがその公称電力で作動するときの温度を意味する。これらの温度は、発光ダイオードチップの表側の面全体にわたる平均値、または光取り出し面全体にわたる平均値であることが好ましい。周囲温度とは、特に、発光ダイオードによる廃熱が放散していないすなわち照明装置がオフである状態での、光取り出し面に隣接する媒体の温度、または照明装置から遠い距離における温度であるものと理解されたい。周囲温度は、例えば室温である。少なくとも一態様によると、本照明装置は、さらに、裏側外面すなわち発光ダイオードチップとは反対側の裏側キャリアの面における熱放散によって冷却されるように設計されている。裏側キャリアの裏側外面は、特に、表側キャリアの光取り出し面と同様に、照明装置の外面を構成しており、例えば気体媒体例:空気に隣接している。一構造形態においては、光取り出し面と発光ダイオードチップとの間の距離は、5mm以下、好ましくは4mm以下である。このようにすることで、照明装置の構造高さを特に低くすることを達成することができ、この場合、発光ダイオードチップの寸法が小さく、かつ発光ダイオードチップ間の距離も小さいことによって、照明装置によって放射される光の、光取り出し面全体にわたる十分に均一な輝度分布を同時に達成することができる。本照明装置は、金属製のヒートシンク、特に、冷却リブを有する金属製のヒートシンクを備えていないことが好ましい。例えば、裏側キャリアのうち熱を放散するように設けられた裏側外面を含む領域、または、表側キャリアのうち光取り出し面を含む領域は、ガラス質材料もしくはプラスチック材料またはその両方から形成されている。このようにすることで、構造高さが特に低い照明装置を実現することができ、これは有利である。例えば、一構造形態において、照明装置は、構造高さが10mm以下、特に、5mm以下である。これに加えて、本照明装置は、特に高い費用効率で製造することができ、フレキシブルな構造とすることができる。少なくとも一態様によると、発光ダイオードチップは、高さすなわち表側から裏側までの範囲が15μm以下、好ましくは10μm以下、例えば5μm以下である。高さは、特に、2μm以上、例えば3μm以上である。さらなる一発展形態においては、発光ダイオードチップは、基板レスの発光ダイオードチップである。基板レスの発光ダイオードチップとは、特に、光を放射するエピタキシャル半導体積層体を備えており、この半導体積層体が成長基板から分離されている発光ダイオードチップである。基板レスの発光ダイオードチップのエピタキシャル半導体積層体は、照明装置の表側キャリアおよび裏側キャリアと、成長基板とを除き、チップのキャリア基板に結合されていないことが好ましい。基板レスの発光ダイオードチップは、例えば、n側に接触するためのコンタクト層もしくはp側に接触するためのコンタクト層またはその両方が表側もしくは裏側またはその両方に設けられたエピタキシャル半導体積層体からなる。コンタクト層は、例えば、金属例:AgもしくはAuまたはその両方、または透明導電性酸化物TCO例:ITOもしくはZnOまたはその両方、またはこれらの両方を含んでいる。このような低い高さの発光ダイオードチップ例えば基板レスの発光ダイオードチップの場合、特に裏側キャリアに廃熱を放散することは、特に効率的である。したがって、動作時に発光ダイオードチップによって生成される廃熱によって発光ダイオードチップの温度が上昇する程度が特に小さく、これは有利である。少なくとも一態様によると、発光ダイオードチップと表側キャリアとの間に、屈折率整合材料例えばシリコンをベースとする流体が配置される。屈折率整合材料の屈折率と、屈折率整合材料に隣接する発光ダイオードチップの材料の屈折率との差は、例えば1以下であり、屈折率整合材料の屈折率と、屈折率整合材料に隣接する表側キャリアの材料の屈折率との差は、1以下である。屈折率整合材料の屈折率は、屈折率整合材料の表側に隣接する材料の屈折率と、屈折率整合材料の裏側に隣接する材料の屈折率との間であることが好ましい。さらなる発展形態においては、表側キャリアに面している、各発光ダイオードチップの主面は、槽状の凹部troughlikerecessを備えており、この凹部は屈折率整合材料によって満たされている。例えば、発光ダイオードチップの表側コンタクト層は、槽状の凹部が形成されるようにフレームとして構築されている。この場合、表側からの平面視において、コンタクト層は、特に、発光ダイオードチップの半導体積層体の周縁領域を覆っており、周縁領域によって囲まれている半導体積層体の中央領域に空間が残されている。特に、この中央領域に屈折率整合材料が配置されている。このような構造は、例えば、光の取り出しを改善する目的で発光ダイオードチップの半導体積層体が表側において粗面化される場合に、有利であり得る。少なくとも一態様によると、表側キャリアは、複数の個別の空洞を囲んでおり、各空洞は、発光ダイオードチップの1つと重なっている。各空洞は、特に、発光材料luminescentmaterialを含んでいる発光変換要素によって、部分的または完全に満たされている。空洞は、表側キャリアの本体、特に、光透過性の本体によって、完全に囲まれていることが好ましい。表側キャリアの本体は、複数の部分から構成することができる。例えば、本体は、凹部を有する第1の部分と、空洞が形成されるように凹部を覆っている第2の部分とを備えている。好ましい構造形態においては、照明装置の表側からの平面視において、空洞それぞれが、ただ1つの発光ダイオードチップを完全に覆っており、それ以外の発光ダイオードチップからは横方向に隔てられている。空洞の横方向寸法は、空洞と重なっている発光ダイオードチップの対応する横方向寸法の好ましくは3倍以下、特に、2倍以下である。このようにすることで、オフであるときに発光材料の色観察者によっては心地よく感じないことがあるを示さない照明装置を実現することができる。さらなる発展形態においては、各空洞のサブ領域のうち発光ダイオードチップの側の第1のサブ領域は、発光変換要素を含んでおり、発光ダイオードチップとは反対側の第2のサブ領域は、材料、特に気体例えば空気によって満たされており、この材料は、光取り出し面の側の空洞の境界を形成している表側キャリアの材料よりも低い屈折率を有する。一構造形態においては、第2のサブ領域は、湾曲した表面を備えている。この第2のサブ領域によって、表側キャリアにおいて特に良好な光の混合を達成することができ、したがって、特に、照明装置の構造高さが小さいことと合わせて、光取り出し面における輝度分布の特に良好な均一性を達成することができる。少なくとも一態様によると、表側キャリアは、光拡散性もしくは拡散反射性またはその両方である層alightdiffusingandordiffuselyreflectinglayerを含んでいる。光拡散性もしくは拡散反射性またはその両方である層は、光拡散性もしくは拡散反射性またはその両方を備える目的で、特に、散乱粒子を含んでおり、散乱粒子は、マトリックス材料例えばシリコンをベースとするマトリックス材料に埋め込まれていることが好ましい。一構造形態においては、光拡散性もしくは拡散反射性またはその両方である層は、発光変換要素を横方向に囲んでいる。特に、表側キャリアにおける空洞の側壁が、光拡散性もしくは拡散反射性またはその両方である層によって形成されている。少なくとも一態様によると、表側キャリアと、裏側キャリアと、複数の発光ダイオードチップと、を備えた照明装置であって、照明装置の動作時に、複数の発光ダイオードチップが光を放射し、かつ廃熱を放散し、裏側キャリアは、少なくとも部分的に、表側キャリアによって覆われており、発光ダイオードチップは、裏側キャリアと表側キャリアとの間にアレイを形成するように配置されている、照明装置が提供される。発光ダイオードは、裏側キャリアもしくは表側キャリアまたはその両方によって電気的に接触されており、裏側キャリアおよび表側キャリアによって機械的に固定されている。表側キャリアは、発光ダイオードチップに熱伝導可能な状態に結合され、発光ダイオードチップとは反対側の光取り出し面を備えており、光取り出し面は、発光ダイオードチップによって生成される廃熱の一部を周囲環境に放散するように設計されている。照明装置の動作時、発光ダイオードチップそれぞれには、作動させるための100mW以下の公称電力が供給され、発光ダイオードチップそれぞれは、100lm/Wの発光効率を有する。隣り合う発光ダイオードチップの間の距離は、照明装置の動作時に発光ダイオードチップを公称電力で作動させるとき、発光ダイオードチップによって形成されるアレイが、光取り出し面の平面視において、450W/m2以下の電力消費量を有するように、アレイの基本領域に対して十分に大きく選択される。隣り合う発光ダイオードチップの間の距離は、照明装置の動作時に発光ダイオードチップを公称電力で作動させるとき、発光ダイオードチップによって形成されているアレイが、光取り出し面の平面視において、2000Cd/m2以上の平均輝度で光を放射するように、十分に小さく選択される。さらには、発光ダイオードチップの間の距離は、光取り出し面と発光ダイオードチップとの間の距離の2.5倍以下である。一構造形態においては、発光ダイオードチップの間の距離は、例えば、10mm以下の値、例えば5mm以下の値を有し、例えば、0.5mm~5mmの範囲内両端値を含む、好ましくは1mm~4mmの範囲内両端値を含むの値を有する。発光ダイオードチップと光取り出し面との間の距離は、例えば3mm~5mmの範囲内両端値を含むの値を有し、例えば4mmの値を有する。さらなる一発展形態においては、発光ダイオードチップそれぞれの公称電力は、2mW以上の値、特に、20mW~60mWの範囲内両端値を含むの値を有する。このようにすることで、構造高さが低く、金属製のヒートシンクなしに自然対流によって冷却することのできる照明装置を実現することができ、これは有利である。少なくとも一態様によると、表側キャリアと、裏側キャリアと、光および廃熱を放出するように設計されている複数の発光ダイオードチップと、を備えた照明装置であって、裏側キャリアが、少なくとも部分的に、表側キャリアによって覆われており、発光ダイオードチップが、裏側キャリアと表側キャリアとの間に配置されており、これらのキャリアによって機械的に固定されており、裏側キャリアもしくは表側キャリアまたはその両方によって電気的に接触されており、表側キャリアが、発光ダイオードチップとは反対側の光取り出し面を備えており、この光取り出し面が、発光ダイオードチップによって生成される廃熱の一部を、周囲環境に放散するように設計されており、発光ダイオードチップの横方向寸法と、隣り合う発光ダイオードチップの間の距離と、発光ダイオードチップと光取り出し面との間の距離とが、照明装置の動作時に、発光ダイオードチップによって生成される廃熱によって、発光ダイオードチップの温度が周囲温度に対して70K以下だけ上昇し、かつ、光取り出し面の温度が周囲温度に対して7K以上上昇するように、互いに調整されている、照明装置、が提供される。このようにすることで、構造高さが低く、金属製のヒートシンクなしに自然対流によって冷却することのできる照明装置を同様に実現することができ、これは有利である。少なくとも一態様によると、発光ダイオードチップの横方向寸法、隣り合う発光ダイオードチップ間の距離、および、発光ダイオードチップと光取り出し面との間の距離は、照明装置の動作時に、発光ダイオードチップによって生成される廃熱によって、発光ダイオードチップの温度が周囲温度に対して70K以下だけ上昇し、かつ、光取り出し面の温度が周囲温度に対して7K以上上昇するように、互いに調整されている。発光ダイオードチップの横方向寸法は、300μm以下、特に、100μm以下であるように選択されている。発光ダイオードチップ間の距離は、10mm以下、特に、5mm以下、例えば0.5mm~5mmの範囲内、好ましくは1mm~4mmの範囲内であるように選択されている。発光ダイオードチップと光取り出し面との間の距離は、3mm~5mmの範囲内、例えば4mmであるように選択されている。さらなる一発展形態においては、発光ダイオードチップそれぞれの公称電力は、2mW~100mWの範囲内両端値を含む、特に、20mW~60mWの範囲内両端値を含むの値を有する。本照明装置のさらなる利点、有利な構造形態、およびさらなる発展形態は、以下に図面を参照しながら説明する例示的な実施形態から、明らかになるであろう。例示的な実施形態および図面において、同一または機能が同じである構成要素には、同じ参照数字を付してある。図面および図面に示した要素の互いのサイズの比率は、特に単位を明記していない限り、正しい縮尺ではないものとみなされたい。図を見やすくする、または深く理解できるようにする目的で、個々の要素の大きさや厚さを誇張して描いてある。図1は、第1の例示的な実施形態による照明装置の一部分の概略断面図を示している。第1の例示的な実施形態による照明装置は、表側キャリア1と裏側キャリア2とを備えている。照明装置の表側からの平面視において、裏側キャリア2は、表側キャリア1によって完全に覆われている。特に、これら2つのキャリア1,2は、横方向に端部が互いに揃っており、例えば、縁部長さが30cmの正方形領域を有する。表側キャリア1における凹部には、発光ダイオードチップ3が収容されており、これらの発光ダイオードチップ3は、光を放射する目的と、動作時に光に加えて廃熱を放散する目的で設けられている。発光ダイオードチップ3は、表側キャリア1と裏側キャリア2との間にアレイを形成するように配置されている。例えば、発光ダイオードチップ3は、仮想の規則的な格子、特に長方形格子または正方形格子の格子点に配置されている。図2は、図1の例示的な実施形態における照明装置の発光ダイオードチップの概略断面図を示している。この場合、発光ダイオードチップ3は、基板レスの発光ダイオードチップであり、それぞれ、エピタキシャル半導体積層体31,32,33と、2層のコンタクト層34,35とからなる。発光ダイオードチップの高さHCは、特に、3μm~15μmの範囲内両端値を含む、好ましくは3μm~10μmの範囲内両端値を含む、例えば5μm~10μmの範囲内両端値を含むの値を有する。例えば、照明装置の動作時、発光ダイオードチップ3には、作動させるため0.5mW~10mWの範囲内両端値を含むの値を有する公称電力が供給され、例えば、作動のため約2mWの公称電力が供給される。発光ダイオードチップ3の発光効率は、この場合、115lm/Wである。発光ダイオードチップ3本例の場合には平面視において正方形の横方向寸法LCは、約200μmである。エピタキシャル半導体積層体は、第1の導電型の1層と、第2の導電型の1層例えば、p型導電層31とn型導電層33を備えており、これらの層の間に、光を生成するように設計されている活性層32が配置されている。発光ダイオードチップ3のn側とp側とを逆の順序で配置することも可能である。活性層は、特に、光を生成するためのpn接合、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造、または多重量子井戸構造を含んでいる。半導体積層体31,32,33は、例えば、III-V族化合物半導体材料例:AlInGaNまたはInGaAlPをベースとする。第1のコンタクト層34は、活性層32とは反対側のn型導電層33の表側面この場合、光の取り出しを改善するため粗面化されているに形成されている。第1のコンタクト層34は、この場合、ITO、もしくは、ZnO、特に、AlまたはGaの少なくとも一方によってドープされたZnOすなわちZnO:Al,Ga、またはこれらの両方からなる。発光ダイオードチップ3の表側面は、ボンディングパッドなどの金属層を備えていないことが好ましい。このようにすることで、活性層32によって表側の方に放射される光の特に大きな割合を、発光ダイオードチップの表側面を通じて放射することができる。ボンディングワイヤを高い信頼性で取り付けるためには、ボンディングパッドの寸法は一般に少なくとも80μm×80μmとなり、したがって、発光ダイオードチップ3がこの例示的な実施形態における寸法を有する場合、発光ダイオードチップの表側面の大きな部分を覆うことになる。活性層32とは反対側のp型導電層31の裏側面には、第2のコンタクト層35が形成されており、この第2のコンタクト層は、例えば、少なくとも1種類の金属例:AgもしくはAuまたはその両方からなる。表側キャリア1は光取り出し面101を備えており、照明装置の動作時、発光ダイオードチップ3によって放射された光は、この光取り出し面を通じて取り出される。表側キャリア1は、ガラス、あるいはプラスチック例:ポリメチルメタクリレートPMMA、ポリカーボネートPC、またはポリエチレンテレフタレートPETなど、光透過性材料からなることが好ましい。裏側キャリア2は、この場合、反射性かつ導電性である。例えば、裏側キャリア2は、少なくともその表側面に金属を含んでいる。これに代えて、裏側キャリア2は、少なくとも部分的に光透過性であるように設計することもできる。これによって、例えば、光透過性すなわち半透明または透明の照明装置を実現することが可能である。表側キャリア1は、各凹部の底面に、光透過性の電気接続層10を備えており、この電気接続層10は、例えば、透明導電性酸化物例:ITOまたはZnO:Al,Ga、もしくは、導電性ポリマー例:PEDOT:PSS、またはこれらの両方を含んでいる、あるいは、これらの少なくとも1種類からなる。この場合、電気接続層10は、凹部に収容されている半導体チップ3に、部分的に直接隣接している。特に、電気接続層10と第1のコンタクト層34とは、部分的に互いに接触している。この例示的な実施形態による照明装置において、それ以外の領域では、電気接続層10と第1のコンタクト層34は互いに隔てられている。形成される空間は、例えば、屈折率整合材料例えばシリコンをベースとする屈折率整合ゲルによって完全に満たされている。特に、第1のコンタクト層34は、n型導電層33の周縁領域の上にフレームを形成しており、このフレームによって、n型導電層33の中央領域に空間が残されている。中央領域は、屈折率整合ゲルによって覆われている。表側キャリア1は、例えば接着剤4の層によって、裏側キャリアに接合されている。照明装置の表側からの平面視、およびその反対の裏側からの平面視において、発光ダイオードチップ3は接着剤4によって覆われていないことが好ましい。接着剤層4によって、例えば、表側キャリア1と裏側キャリア2との間に引張応力が発生する。この引張応力によって、発光ダイオードチップ3を表側キャリア1と裏側キャリア2とに押し付けることができる。このようにすることで、表側キャリア1の電気接続層10と、発光ダイオードチップ3の第1のコンタクト層34との間の、安定した機械的かつ電気的な接触が達成される。同様に、裏側キャリア2と第2のコンタクト層35との間の安定した機械的かつ電気的な接触を、引張応力によって達成することができる。これに代えて、またはこれに加えて、導電性接着剤またははんだ付け金属によって、発光ダイオードチップ3を裏側キャリア2に接合して電気的に接触させることができる。発光ダイオードチップ3の横方向寸法LC、隣り合う発光ダイオードチップ3の間の距離dC、および、発光ダイオードチップ3と光取り出し面101との間の距離dLは、照明装置の動作時に公称電力で作動させるときに発光ダイオードチップ3によって生成される廃熱が、光取り出し面101と、光取り出し面101とは反対側の裏側キャリア2の裏側外面201とにおいて、自然対流によって放散され、発光ダイオードチップ3によって生成される廃熱によって、発光ダイオードチップ3の温度が周囲温度に対して60K以下だけ上昇し、光取り出し面101の温度が周囲温度に対して7K以上上昇するように、互いに調整されている。光取り出し面101と裏側外面201は、特に、照明装置の外面を構成しており、例えば空気に接している。光取り出し面101または裏側外面201において自然対流によって放散される熱出力は、例えば、光取り出し面101または裏側外面201の温度と周囲温度との温度差1ケルビンあたり、かつ1平方メートルあたり、約7Wである。周囲温度とは、この場合、照明装置を動作させる前の空気の温度、または照明装置から遠い距離における空気の温度である。本例の場合、照明装置の発光ダイオードチップ3と光取り出し面101との間の距離dLは、4mmである。照明装置の構造高さHBは、例えば4.5mmである。隣り合う発光ダイオードチップの間の距離dCは、この場合、約4mmであり、発光ダイオード3は、例えば、75×75個のアレイを形成しており、合計公称電力が約10Wである。この場合、周囲温度に対する光取り出し面101における温度上昇は、約10Kである。周囲温度に対する発光ダイオードチップ3の温度上昇は、例えば20K未満である。この例示的な実施形態においては、隣り合う発光ダイオードチップ3の間の距離dCは4mmであり、これは、照明装置の発光ダイオードチップ3と光取り出し面101との間の距離dLとほぼ同じ大きさである。それぞれ2mWの公称電力の75×75個の発光ダイオード3から形成されているアレイの電力消費量は、アレイの基本領域が30cm×30cmである場合、約125W/m2である。この例示的な実施形態によるアレイの場合、立体角2πを、電力消費量P/A=125W/m2において効率Φ/P=約115lm/Wで照らし、発光ダイオードチップ3はランバート発光パターンを示す。平均輝度Lは、L=Φ/PP/A/π=約4500Cd/m2である。等方性発光による発光ダイオードチップの場合、平均輝度の値は、約2000Cd/m2である。図3は、第2の例示的な実施形態による照明装置の一部分の概略断面図を示している。この第2の例示的な実施形態においては、第1の例示的な実施形態とは異なり、表側キャリア1と裏側キャリアが、発光ダイオードチップ3を除く表面全体にわたって接着剤によって接合されてはいない。代わりに、接着剤のドット4またはライン4が、発光ダイオードチップ3の間に、互いに隔てられて、かつ発光ダイオードチップ3から隔てられて、配置されている。この場合、接着剤のドットは、特に、接着剤の液滴であり、横方向全体に比較的小さい程度だけ広がっていることが好ましい。接着剤のライン接着剤ビードとしても知られているは、実質的に横一方向に延びており、それに垂直な横方向にはわずかに広がっているのみである。第1の例示的な実施形態と同様に、硬化時に収縮する接着剤4が使用されており、本照明装置の製造時特に、積層工程を含む、接着剤が硬化すると、接着剤のドットまたはライン4の体積が減少する。このようにすることで、表側キャリア1と裏側キャリア2との間に引張応力が発生する。第1の例示的な実施形態とは異なり、発光ダイオードチップ3は、表側キャリア1における凹部に収容されていない。代わりに、表側キャリア1および裏側キャリア2それぞれが、実質的に面平行な薄板である。接着剤のドットまたはライン4によって発生する引張応力によって、表側キャリア1が発光ダイオードチップ3に押し付けられ、したがって、発光ダイオードチップ3が摩擦によって表側キャリア1に固定される。この場合、発光ダイオードチップ3は、裏側キャリアに、はんだ付け、または導電性接着剤によって接着接合される。なお図を簡潔にするため、発光ダイオードチップ3と裏側キャリア2との間のはんだ層または接着剤層は描いていない。表側キャリアは、この場合、本体11,12,13と、発光ダイオードチップ3に面している電気接続層10と、取り出し層outcouplinglayer14とを備えている。取り出し層14は、光取り出し面101を含んでおり、表側キャリア1の境界のうち、照明装置の表側の境界したがって特に照明装置の境界を形成している。電気接続層は、表側キャリア1の境界のうち発光ダイオードチップ3の側の境界を形成している。電気接続層10は第1の部分10Aを備えており、第1の部分10Aは、第1の例示的な実施形態における電気接続層と同様に、光透過性の構造であり、例えばITO、ZnO:Al,Ga、またはPEDOT:PSSを含んでいる。照明装置の表側からの平面視においては、第1の部分10Aそれぞれが発光ダイオードチップ3の1つと重なっている。第1の部分10Aは、その一部分において、それぞれの発光ダイオードチップ3の第1のコンタクト層34に隣接しており、別の部分において、第1の例示的な実施形態に関連して説明したように、第1のコンタクト層34と第1の部分10Aとの間の空間が、屈折率整合材料例えばシリコンをベースとする屈折率整合ゲルによって完全に満たされている。この例示的な実施形態においては、表側キャリア1の電気接続層10は、少なくとも1つの第2の部分10Bをさらに含んでおり、第2の部分10Bは、例えば、第1の部分10Aの少なくとも2つを互いに導電接続している。第2の部分10Bは、例えば、第1の部分10Aの縁部領域と重なっている。少なくとも1つの第2の部分10Bは、特に、電流拡散層を構成している。これに代えて、またはこれに加えて、少なくとも1つの第2の部分10Bは、導電性の反射層10Bを構成している。導電性の反射層10Bは、例えば、高い反射率を有する金属例えばAgを含んでいる。一構造形態においては、表側キャリア1からの平面視において、1つまたは複数の第2の部分10Bは、光取り出し面101の少なくとも50、好ましくは少なくとも70、特に好ましくは少なくとも85を覆っている。一構造形態においては、電気接続層10は、本体11,12,13の表面全体に形成されている。別の構造形態においては、電気接続層10は、発光ダイオードチップ3が直列もしくは並列またはその両方に相互接続されるように、パターニングされている。電気接続層10の高さ、すなわち表側面から裏側面までの距離は、例えば、20μm~200μmの範囲内、例えば50μm~150μmの範囲内である。例えば、電気接続層10は約100μmの高さを有する。電気接続層10の高さを20μm以下とすることも可能である。このような小さい厚さは、例えば、照明装置がフレキシブルな構造である、もしくは光透過性の構造である、またはその両方である場合に、有利であり得る。本体は、キャリア要素11と、接合層12と、光混合要素13とを備えている、またはこれらの層からなる。表側キャリア1の本体11,12,13は、この場合、光透過性の構造であり、特に、本体は、発光ダイオードチップ3によって放射される光を透過させる材料からなる。例えば、表側キャリア1のキャリア要素11は、プラスチック薄板またはプラスチック膜例えばポリエチレンテレフタレートPETを含んでいる、またはこの材料からなるによって形成されている。接合層12は、一構造形態においては、シリコン材料を含んだ接着剤、またはシリコン材料からなる接着剤を含んでいる。光混合要素13は、例えばガラス一構造形態においてはSiO2もしくはPMMAまたはその両方を含んでいる、またはこれらの材料の少なくとも一方からなる。キャリア要素11は、発光ダイオードチップ3の側にある。この場合、キャリア要素11の上に電気接続層10が直接形成されている。キャリア要素11の高さは、例えば50μm~500μmの範囲内両端値を含む、好ましくは100μm~200μmの範囲内両端値を含むである。発光ダイオードチップ3とは反対側のキャリア要素の面には、接合層12によって光混合要素13が接合されている。光混合要素13は、特に、発光ダイオードチップによって放射された光の一部分を、例えば全反射もしくは拡散またはその両方によって、光取り出し面101の方に向きを変えるように設計されている。このようにすることで、光取り出し面101の一点において照明装置から取り出される光は、複数の例えば3個以上、特に5個以上の発光ダイオード3から放射された光である。したがって、光取り出し面101によって放射される光の、特に均一な輝度分布を達成することができる。一構造形態においては、光混合要素の高さは、2mm~6mmの範囲内両端値を含む、好ましくは3mm~5mmの範囲内両端値を含むである。本例の場合、光混合要素13の高さは4mmである。取り出し層14は、例えば、光混合要素13の表側の縁部領域によって形成することができる。しかしながら、この実施形態の場合、取り出し層14は、光混合要素13の上に個別の層として形成されている。取り出し層14の表側外面は、特に、光取り出し面101によって形成されている。取り出し層14には、パターンユニットpatternunitsが設けられていることが好ましく、パターンユニットは、平坦な面から取り出されるよりも光の取り出しが改善されるように設計されている。パターンユニットは、例えば、光取り出し面101における凸部もしくは凹部またはその両方を備えている。このようなパターニングの原理については、当業者に公知である。一構造形態においては、パターンユニットの寸法は、発光ダイオードチップ3によって放射される光の1つまたは複数の波長の大きさのオーダーであり、例えば、50nm~5μmの範囲内両端値を含む、特に、100nm~1μmの範囲内両端値を含むである。この実施形態の場合、裏側キャリア2は、発光ダイオードチップ3に隣接する導体トラック20と、キャリア要素21とを備えている。導体トラック20は、発光ダイオードチップ3が直列もしくは並列またはその両方に相互接続されるように、パターニングすることができる。特に、裏側キャリアは回路基板例えばプリント基板PCBを構成している。裏側キャリアの高さは、例えば、50μm~200μmの範囲内両端値を含むであり、本例の場合、裏側キャリアの高さは約100μmである。導体トラックの高さは、例えば、5μm~20μmの範囲内両端値を含む、特に、10μm~15μmの範囲内両端値を含むである。より小さい高さの導体トラックも考えられ、照明装置がフレキシブルな構造もしくは光透過性の構造、またはその両方である場合に、有利であり得る。全体として、照明装置の構造高さHBは、3mm~10mmの範囲内両端値を含む、好ましくは4mm~6mmの範囲内両端値を含むであることが好ましい。本例の場合、照明装置の構造高さHBは、約4.5mmである。この実施形態の場合、裏側キャリア2のキャリア要素21は、表側キャリア1のキャリア要素11と同様に、プラスチック材料例えばPETを含んでいる、またはこの材料からなる。これに代えて、裏側キャリア2のキャリア要素21は、例えば、ステンレス鋼箔例えばV2Aタイプのステンレス鋼を含んでいる、またはこの材料からなることができる。裏側キャリア2のキャリア要素21が導電性である場合、裏側キャリア2は、キャリア要素21と導体トラック20との間に電気絶縁層を備えていることが好ましい。発光ダイオードチップ3が並列に接続される場合、絶縁層を省くことができる。導電性のキャリア要素21の裏側面に、さらなる絶縁層を形成することができる。この第2の例示的な実施形態による照明装置は、例えば、225個の発光ダイオードチップ3を含んでおり、これらのチップは、表側からの平面視において、仮想的な正方形格子の格子点に配置されている。本例の場合、すべての発光ダイオードチップ3が並列に通電される。この発光ダイオードチップ3は、図2に関連して説明した発光ダイオードチップ3と同様に構成されている。特に、この発光ダイオードチップ3は、例えば、縁部長さLCが約200μmの正方形領域を有し、高さHCは5μm~15μmの範囲内両端値を含むである。発光ダイオードチップの公称電力は、本例の場合、約45mWである。したがって、この照明装置は、10Wの電力消費量で動作するように意図されている。例えば、この照明装置の動作時、光取り出し面101から1000lmの光束が放射される。言い換えれば、発光ダイオードチップ3の発光効率は100lm/Wである。この照明装置では、廃熱の一部は、光取り出し面101において周囲環境特に、照明装置の周囲の空気中に放散される。動作時に発光ダイオードチップ3によって放射される廃熱の別の一部は、実質的に平坦な裏側キャリア2の裏側外面201によって照明装置から放散される。光取り出し面101および裏側外面201における廃熱の放散は、自然対流による放熱によることが好ましい。熱の拡散は、例えば、導体トラック20によって、または導体トラック20およびキャリア要素21によって達成される。発光ダイオードチップ3の横方向寸法LCが小さいため、1個の発光ダイオードチップ3あたり放散される廃熱が比較的少なく、したがって、発光ダイオードチップによって形成される熱源を横方向に特に均一に分布させることができる。このようにすることで、個々の発光ダイオードチップ3によって廃熱を特に良好に放散させることができ、光取り出し面101全体と、裏側キャリア2の裏側外面201全体にわたり、廃熱を特に均一に分散させることができる。図9は、第2の例示的な実施形態による照明装置の場合における、光取り出し面101の温度上昇ΔT単位:ケルビンを、縁部長さLの関数として示している。光取り出し面101の縁部長さLの方向は、図3この照明装置の一部分を示しているに矢印で示してある。温度上昇ΔTは、光取り出し面101が正方形輪郭を有する場合に、光取り出し面101と周囲の空気との間の境界面における自然対流によって7W/m2Kの熱出力が放散されるものとして、光取り出し面101の縁部長さLの関数として計算されている。この場合、裏側キャリア2の裏側外面201を介した照明装置の冷却は無視することができる。縁部長さLが15cmである場合隣り合う発光ダイオードチップ3の間の距離dC=10mmに対応する、周囲温度に対する光取り出し面101の温度上昇ΔTの値は、63.5Kすなわち65Kより小さく7Kより大きいである。縁部長さLが15cmより小さい場合、周囲温度に対する光取り出し面101すなわち発光ダイオードチップ3の温度上昇ΔTは、より大きくなり、したがって、発光ダイオードチップ3の寿命短縮および効率低下の危険性が増す。縁部長さLがより大きい場合、温度上昇ΔTは小さくなり、例えば、縁部長さLが20cmの場合には約36K、縁部長さLが25cmの場合には約23K、縁部長さLが30cmの場合には約16Kまで下がる。光取り出し面の縁部長さL発光ダイオードチップ3のアレイの縁部長さに一致するが15cmである場合、この例示的な実施形態による照明装置においては、単位面積あたりの平均電力消費量が445W/m2であり、これは450W/m2未満である。この場合、光取り出し面の平面視において、照らされる立体角が2π、効率が100lm/Wと想定すると、平均輝度は、発光ダイオードチップ3がランバート発光パターンを有する場合には約14000Cd/m2であり、発光ダイオードチップ3が等方性発光パターンを有する場合には約7000Cd/m2である。したがって、平均輝度は2000Cd/m2より大きい。光取り出し面101と発光ダイオードチップ3との間の距離dLは、第2の例示的な実施形態による照明装置においては、約4.3mmである。したがって、正方形の光取り出し面101の縁部長さLが15cmである場合、隣り合う発光ダイオードチップ3の間の距離dC=10mmは、距離dLの2.5倍より小さい。光取り出し面の縁部長さLが例えば25cmを超え、発光ダイオードチップ3の数が同じである場合、対応する距離dCは増大し、距離dLの2.5倍より大きくなる。光取り出し面の縁部長さLが25cmより大きい場合、光取り出し面101によって放射される光の均一性が不十分となる危険性が生じる。図4は、第3の例示的な実施形態による照明装置の一部分の概略断面図を示している。第3の例示的な実施形態の照明装置は、第2の例示的な実施形態の照明装置と実質的に同じである。しかしながら、第3の例示的な実施形態の照明装置は、複数の発光変換要素6をさらに備えている。発光変換要素は、好ましくは無機の発光材料例えばYAG:Ceを含んでいる。発光材料は、発光ダイオードチップ3によって放射される光一次光例えば青色の一次光を、別の波長の二次光例えば、緑色、黄色、または赤色のスペクトル領域の波長に変換するように設計されている。一構造形態においては、発光変換要素6は一次光の一部を透過させ、したがって、照明装置は、発光ダイオードチップ3からの一次光と発光変換要素6からの二次光とからなる混合光を放射する。これに代えて、変換要素は一次光を完全に、またはほぼ完全に吸収し、したがって照明装置は、特に、発光材料によって放射される二次光の発光スペクトルを有する光を放射する。個々の発光変換要素は、表側キャリア1において横方向に互いに隔置されている空洞15の中に配置されている。使用する発光ダイオードチップ3自身に発光変換要素を含めるならば、発光ダイオードチップ3に含まれる発光変換要素は、この実施形態の照明装置においては、例えば電気接続層10の裏側面に配置される。このような配置構造は、この例示的な実施形態による照明装置では、表側キャリア1と裏側キャリア2との間のチップの実装および接触方法の観点において、適切ではない。光混合要素13は、その裏側面に凹部を備えており、これらの凹部は、発光変換要素6を形成する目的で、発光材料を含んだポッティング化合物によって完全に満たされている。凹部は、例えば、表側キャリア1の形成時にナイフコーティングknifecoating工程によって満たされる。発光変換要素6それぞれは、発光ダイオードチップ3の1つに関連付けられており、照明装置の表側からの平面視において、それぞれの発光ダイオードチップ3と重なっている。特に、発光変換要素6は、発光ダイオードチップを完全に覆っている、すなわち、発光変換要素6の横方向寸法LPは、発光ダイオードチップ3の横方向寸法LCよりも大きいかまたは等しい。発光変換要素6の横方向寸法LPは、発光ダイオードチップ3の横方向寸法LCの2~3倍両端値を含むの大きさであることが好ましい。図5は、第4の例示的な実施形態による照明装置の一部分の概略断面図を示している。この実施形態は、第3の例示的な実施形態と異なる点として、第一に、空洞15それぞれが、第1のサブ領域15A発光変換要素6を含んでいると、第2のサブ領域15B発光変換要素6を含んでおらず、少なくとも光取り出し面101の方向に第1のサブ領域15Aの後ろに配置されていると、を備えている。第1のサブ領域15Aおよび発光変換要素6は、発光ダイオードチップを完全に覆っており、すなわち、発光変換要素6および第1のサブ領域15Aの横方向寸法LPは、発光ダイオードチップ3の横方向寸法LCよりも大きいかまたは等しく、好ましくは、発光ダイオードチップ3の横方向寸法LCの2~3倍両端値を含むの大きさである。第2のサブ領域15Bは、気体特に、空気によって満たされている。この気体は、空洞15特にその第2のサブ領域15Bの、光取り出し面101の側の境界を形成している光混合要素13の材料よりも、低い屈折率を有する。さらには、ここまでの例示的な実施形態とは異なり、取り出し層14が光混合要素13の表側の縁部領域によって形成されている。取り出し層14はパターンユニットを備えており、パターンユニットの大きさは、発光ダイオードチップ3の横方向寸法LCの範囲内のオーダーである。パターンユニットそれぞれは、1個の発光ダイオードチップ3を例えば部分的、または完全に覆っている。この実施形態の場合、パターンユニットは凹部であり、これらの凹部は、発光ダイオードチップ3によって放射される一次光の一部、もしくは、発光変換要素6によって放射される二次光の一部、またはその両方の向きを、全反射によって変えるように設けられている。このような凹部の原理については、例えば特許文献2から当業者に公知であり、特に、凹部の形状および配置に関するこの文書の開示内容は、本明細書に援用される。このようなパターンユニットを使用することで、光混合要素13における特に良好な光の混合と、照明装置の特に小さい構造高さHBとを達成することができ、これは有利である。図6は、第5の例示的な実施形態による照明装置の一部分の概略断面図を示している。この実施形態は、第4の例示的な実施形態と異なる点として、第一に、取り出し層14が、第2の例示的な実施形態と同様に構成されている。さらには、空洞15の第1のサブ領域15Aが、それぞれの第2のサブ領域15Bによって横方向に囲まれていない。代わりに、第1のサブ領域15Aしたがって発光変換要素6は、それぞれの空洞15を横方向に完全に満たしている。さらには、表側キャリアの電気接続層10の第2の部分10Bが、AgではなくAlを含んでおり、表側キャリア1が、光拡散性および拡散反射性の層16を含んでいる。このようにすることで、電気接続層10に組み込まれるAg反射層酸化による損傷の危険性が生じるを省くことが可能であり、これは有利である。光拡散性および拡散反射性の層16は、キャリア要素11と光混合要素13との間に配置されている。この実施形態の場合、表側キャリア1の空洞15の横方向の境界は、拡散反射層16によって画成されている。光拡散性および拡散反射性の層16は、例えばTiO2粒子を含んでおり、これらの粒子はシリコンのマトリックス材料に埋め込まれている。図7は、第6の例示的な実施形態による照明装置の一部分の概略断面図を示している。この実施形態は、第5の例示的な実施形態と異なる点として、表側キャリア1と裏側キャリア2との間にブリッジ要素7が配置されている。ブリッジ要素7は、例えば、発光ダイオードチップ3と同じ高さHCを有し、発光ダイオードチップ3と同じ方法でキャリア1,2によって固定または接合されている。ブリッジ要素7は、例えば、横方向に、発光ダイオードチップ3の間に配置されている。ブリッジ要素7は、例えば、金属ブロック、ドープされたシリコンブロック、または金属でコーティングされたプラスチックブロックである。このようにすることで、発光ダイオードチップ3を、例えば自由に配線することができる。この実施形態の場合、裏側キャリア2は、少なくとも1つの第1の導体トラック20Aを備えており、この第1の導体トラック20Aは、発光ダイオードチップの表側に接触する目的で、表側キャリア1の特にパターニングされた電気接続層10に、ブリッジ要素7によって導電接続されている。裏側キャリアの少なくとも1つの第2の電気導体トラック20Bは、発光ダイオードチップ3の裏側に接触する目的で設けられている。発光ダイオードチップ3は、1つまたは複数の第2の電気導体トラック20Bに接合されていることが好ましく、ブリッジ要素7が第1の電気導体トラック20Aに接合されている。図8は、第7の例示的な実施形態による照明装置の一部分の概略断面図を示している。この例示的な実施形態においては、発光ダイオードチップ3は、n側およびp側の両方に裏側面から接触するように構成されている。例えば、第1の電気コンタクト層34および第2の電気コンタクト層35、またはこれらの少なくとも一部が、光を生成する半導体積層体31,32,33の裏側面に形成されている。第1のコンタクト層34は、活性層32を貫いて延びていることが好ましい。このような発光ダイオードチップ3の原理については、例えば特許文献3から当業者に公知であり、この点に関するこの文書の開示内容は、本明細書に援用される。この例示的な実施形態による照明装置においては、フリップチップ型の発光ダイオードその原理は同様に当業者に公知であり、したがってここでは詳しく説明しないも適している。この例示的な実施形態においては、発光ダイオードチップとの電気的接触は、裏側キャリアの第1および第2の導体トラック20A,20Bによって行われており、発光ダイオードチップ3それぞれが、例えば第1および第2の導体トラック20A,20Bと重なっている。この例示的な実施形態においては、表側キャリア1は、特に、電気接続層を備えていない。ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。"