"基体に接合される第1の発熱部品を冷却するための液冷媒を流す第1の冷媒通路と、前記基体に接合される第2の発熱部品を冷却するための前記液冷媒を流す第2の冷媒通路とが前記基体の内部に仕切板を設けることにより前記基体の内部に積層配置される冷却装置において、前記仕切板には、前記第1の冷媒通路を流れる前記液冷媒を前記第2の冷媒通路に流通させるように開口して形成される第1の流通部と、前記液冷媒を前記第1の冷媒通路の最下流に向かって流通させるように前記第1の流通部に並んで形成される第2の流通部とが形成され、前記第1の流通部の開口面積が前記第1の冷媒通路における前記液冷媒の流通方向に直交する冷媒通路面積以上に形成されたことを特徴とする冷却装置。前記第1の冷媒通路と前記第2の冷媒通路は、前記基体に対して前記液冷媒が接触する面積を異ならせていることを特徴とする請求項1に記載の冷却装置。前記第1の流通部は、前記最下流に向かって通路幅に沿う幅を拡幅させて形成された平面視台形状の開口部であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の冷却装置。前記第1の流通部は、前記最下流側の方が開口面積が大きく形成された複数の開口部であることを特徴とした請求項1又は請求項2に記載の冷却装置。前記第1の流通部は平面視四角形状の開口部であって、当該開口部を、前記第1の冷媒通路の前記液冷媒の流通方向に直交する通路幅の中心に対して、前記通路幅に沿う開口幅の中心が偏心する位置に形成したことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の冷却装置。ところで、積層型の冷却装置では、液冷媒を、冷媒通路間で折り返しながら流通させることが効率的である。このためには、冷媒通路間を連通する連通路を形成すれば良いが、連通路に到達した液冷媒が当該連通路から他の冷媒通路に流通する量が増えてしまうと、その冷媒通路の最下流側へ液冷媒が到達し難くなってしまい、冷却性能が低下する虞がある。本発明は、このような従来の技術に存在する問題点に着目してなされたものであり、その目的は、積層した冷媒通路を有する場合であっても、冷却性能の低下を抑制し得る冷却装置を提供することにある。上記課題を解決するため、請求項1に記載の発明は、基体に接合される第1の発熱部品を冷却するための液冷媒を流す第1の冷媒通路と、前記基体に接合される第2の発熱部品を冷却するための前記液冷媒を流す第2の冷媒通路とが前記基体の内部に仕切板を設けることにより前記基体の内部に積層配置される冷却装置において、前記仕切板には、前記第1の冷媒通路を流れる前記液冷媒を前記第2の冷媒通路に流通させるように開口して形成される第1の流通部と、前記液冷媒を前記第1の冷媒通路の最下流に向かって流通させるように前記第1の流通部に並んで形成される第2の流通部とが形成され、前記第1の流通部の開口面積が前記第1の冷媒通路における前記液冷媒の流通方向に直交する冷媒通路面積以上に形成されたことを要旨とする。本発明によれば、仕切板には、液冷媒を第2の冷媒通路に流通させる第1の流通部と、液冷媒を第1の冷媒通路の最下流に向かって流通させる第2の流通部が形成されることとなる。液冷媒は、第1の流通部を流通して第2の冷媒通路に流通されるだけでなく、第2の流通部により第1の冷媒通路の最下流に向かって流通する。このため、液冷媒が第1の冷媒通路の最下流に到達しやすく、冷却装置の冷却性能が低下しにくくなる。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の冷却装置において、前記第1の冷媒通路と前記第2の冷媒通路は、前記基体に対して前記液冷媒が接触する面積を異ならせていることを要旨とする。本発明によれば、第1の冷媒通路の冷却性能と第2の冷媒通路の冷却性能を冷却対象となる発熱部品に合わせて異ならせることができる。基体に対して液冷媒が接触する面積を少なくすると冷媒通路の冷却性能は低下し、基体に対して液冷媒が接触する面積を多くすると冷媒通路の冷却性能は向上する。このため、発熱密度が低い場合には、簡素化した冷媒通路を用いて冷却することにより、製造コストの低減を図れる。請求項3に記載の発明は、請求項1又は請求項2に記載の冷却装置において、前記第1の流通部は、前記最下流に向かって通路幅に沿う幅を拡幅させて形成された平面視台形状の開口部であることを要旨とする。本発明によれば、第1の流通部の通路幅に沿う幅は最下流に向かって拡幅する。上流側における第1の流通部の通路幅に沿う幅が狭くなることから、上流側における第2の流通部の幅を広くすることができ、上流側から流れた液冷媒が最下流に到達しやすくなる。請求項4に記載の発明は、請求項1又は請求項2に記載の冷却装置において、前記第1の流通部は、前記最下流側の方が開口面積が大きく形成された複数の開口部であることを要旨とする。本発明によれば、開口部は複数形成され、複数の開口部により第1の流通部が形成される。開口部は最下流側に向かって大きく形成される。すなわち、開口部は、上流側ほど開口面積が小さいため、第1の冷媒通路を流通する液冷媒は、上流側の開口部から第2の冷媒通路に流通しきることがなく、下流側に位置する開口部まで流通する。すなわち、第1の冷媒通路を流通する液冷媒は、いずれかひとつの開口部のみから落ちきることがなく、複数形成された開口部から液冷媒を第2の冷媒通路に流通させることができる。請求項5に記載の発明は、請求項1又は請求項2に記載の冷却装置において、前記第1の流通部は平面視四角形状の開口部であって、当該開口部を、前記第1の冷媒通路の前記液冷媒の流通方向に直交する通路幅の中心に対して、前記通路幅に沿う開口幅の中心が偏心する位置に形成したことを要旨とする。本発明によれば、開口部は、第1の冷媒通路の通路幅の中心に対して、開口幅の中心が偏心する位置に形成される。このため、第1の冷媒通路を流通する液冷媒は開口部に到達しにくく、第1の冷媒通路の最下流に到達しやすい。本発明によれば、積層した冷媒通路を有する場合であっても、冷却性能の低下を抑制できる。第1の実施形態以下、本発明を具体化した第1の実施形態を図1~図3にしたがって説明する。図1に示す半導体装置10は、冷媒通路を積層した積層型の冷却装置11の基体12に、第1の発熱部品電子部品としての半導体素子13を実装した金属回路板14や第2の発熱部品としてのヒートスプレッダ15を接合することによって構成されている。金属回路板14は、配線層及び接合層として機能するとともに、絶縁基板16の表裏両面に金属板17,18を接合してなる。また、半導体素子13としては、例えばIGBTInsulatedGateBipolarTransistorやダイオードが用いられる。以下、本実施形態の冷却装置11の構成を具体的に説明する。基体12の内部は、上下方向中央に配置された仕切板20によって上下2つの空間上部空間S1と下部空間S2に仕切られている。そして、本実施形態では、上部空間S1が、液冷媒を流す第1の冷媒通路21として形成されているとともに、下部空間S2が、液冷媒を流す第2の冷媒通路22として形成されている。これにより、本実施形態の基体12の内部には、第1の冷媒通路21と第2の冷媒通路22が積層配置されているとともに、仕切板20によって第1の冷媒通路21と第2の冷媒通路22とが積層方向に仕切られている。また、本実施形態では、第2の冷媒通路22に対して第1の冷媒通路21が積層されている。また、基体12には、第1の冷媒通路21に液冷媒を外部から供給する供給口21aが第1の冷媒通路21に対応して形成されている。また、基体12には、供給口21aと上下に並設されるように、第2の冷媒通路22を流通した冷媒を外部に排出する排出口22aが第2の冷媒通路22に対応して形成されている。供給口21aには、図示しない液冷媒供給源に接続される第1のパイプ23が接続される。一方、排出口22aには、図示しない放熱器に接続される第2のパイプ24が接続される。仕切板20には、供給口21a及び排出口22aが形成された基体12の側壁11aに対向する側壁11b側に位置するように、第1の冷媒通路21と第2の冷媒通路22を積層方向に連通する開口部25が形成されている。これにより、本実施形態の冷却装置11では、液冷媒を供給口21aから第1の冷媒通路21に流入させて流通させ、その液冷媒を開口部25から第2の冷媒通路22へ流入させて流通させた後、排出口22aから外部に排出させる流通経路を構成する。第1の冷媒通路21には、図2に示すように、第1の冷媒通路21における液冷媒の流通方向に沿って複数本の第1のインナーフィン26が、液冷媒の流通方向に直交する第1の冷媒通路21の幅方向に所定の間隔をあけて整列配置されている。第1のインナーフィン26は、供給口21aから流入した液冷媒を開口部25に向かって流通させるとともに熱交換を行う。一方、第2の冷媒通路22には、図3に示すように、第2の冷媒通路22における液冷媒の流通方向に沿って複数本の第2のインナーフィン27が、液冷媒の流通方向に直交する第2の冷媒通路22の幅方向に所定の間隔をあけて整列配置されている。第2のインナーフィン27は、開口部25から流入した液冷媒を排出口22aに向かって流通させるとともに熱交換を行う。第1のインナーフィン26は、仕切板20と、その仕切板20とともに第1の冷媒通路21を構成し、かつ発熱部品の搭載面を有する基体12の天板11cとに接合されている。また、第2のインナーフィン27は、仕切板20と、その仕切板20とともに第2の冷媒通路22を構成し、かつ発熱部品の搭載面を有する基体12の底板11dとに接合されている。このため、第1のインナーフィン26と第2のインナーフィン27は基体12の一部を構成する。本実施形態の第1のインナーフィン26は、図2に示すように、平面視波線状に形成されている。一方、本実施形態の第2のインナーフィン27は、図3に示すように、平面視直線状に形成されている。第1のインナーフィン26と第2のインナーフィン27の形状の相違は、第1の冷媒通路21と第2の冷媒通路22の冷却性能に差を生じさせる。具体的に言えば、フィンの長さ、高さ及び厚みを同一寸法とした場合、フィンの表面積は、平面視波線状の第1のインナーフィン26の方が、平面視直線状の第2のインナーフィン27に比して大きくなる。このため、第1のインナーフィン26及び第2のインナーフィン27を冷媒通路内に同一本数配置した場合は、表面積が大きい第1のインナーフィン26の方が、第2のインナーフィン27に比して、冷媒通路を流通する液冷媒と接触する面積が大きくなる。また、平面視波線状の第1のインナーフィン26は、湾曲面が形成されていることから、液冷媒の巻き込みによる攪拌作用も生じ得る。したがって、本実施形態では、第1のインナーフィン26を配置した第1の冷媒通路21の方が、第2のインナーフィン27を配置した第2の冷媒通路22よりも、冷却性能が高くなっている。そして、冷却性能を異ならせた第1の冷媒通路21と第2の冷媒通路22を有する冷却装置11では、各冷媒通路における冷却対象物を発熱量の多少に応じて選定することで、効果的な冷却作用を生じさせる。換言すれば、発熱量に差がある部品を冷却装置11に接合する場合には、冷媒通路の冷却性能に差を生じさせることで、製造コストの増加を抑制し得る。具体的に言えば、図1に示す半導体装置10のように、電子部品に比して発熱量が少ないヒートスプレッダ15を冷却する冷媒通路を第2の冷媒通路22のような簡素化した構成とすれば、全ての冷媒通路を第1の冷媒通路21のような複雑化した構成とする場合に比して、製造コストの増加を抑制し得る。本実施形態の冷却装置11は、図1に示すように、第1の冷媒通路21が半導体素子13などの発熱量の多い発熱部品を冷却する通路とされている一方で、第2の冷媒通路22がヒートスプレッダ15などの発熱量の低い発熱部品を冷却する通路とされている。次に、仕切板20に形成された開口部25について詳しく説明する。開口部25は、図2及び図3に示すように、平面視台形状に形成されている。この開口部25は、基体12の側壁11bに向かって液冷媒の流通方向に直交する通路の幅方向に沿う開口幅が、拡幅されるように形成されている。すなわち、開口部25は、図2に示す第1の冷媒通路21において、液冷媒の流通方向における最下流に向かって開口幅が拡幅されている。このような平面視台形状の開口部25を仕切板20に形成した場合は、開口部25の側方に並んで位置する領域が、液冷媒の流通を可能とする流通領域28とされる。すなわち、流通領域28は、開口部25が第1の冷媒通路21と第2の冷媒通路22を連通する連通領域第1の流通部であることに対して、第1の冷媒通路21と第2の冷媒通路22を連通しない非連通領域第2の流通部となる。そして、流通領域28は、開口部25の開口幅が、第1の冷媒通路21において液冷媒の流通方向下流に向かって拡幅されていることにより、その反対に液冷媒の流通方向上流に向かって広くなる。このため、第1の冷媒通路21を流通して開口部25に到達した液冷媒は、開口部25の開口幅が狭くなっていることにより、流通領域28によって最下流側へ流通し易くなる。また、開口部25の開口面積は、第1の冷媒通路21における液冷媒の流通方向に直交する面積よりも大きくなるように形成されている。このため、第1の冷媒通路21に液冷媒を流通させたとしても、液冷媒が第1の冷媒通路21で滞留することなく、開口部25から第2の冷媒通路22に流通する。本実施形態の平面視台形状の開口部25は、第1の冷媒通路21を流通した液冷媒を、第2の冷媒通路22に流通させる第1の流通部として機能する。また、流通領域28は、液冷媒を第1の冷媒通路21の最下流に向かって流通させる第2の流通部として機能する。以下、図1に示す半導体装置10に用いた本実施形態の冷却装置11の作用を説明する。半導体装置10を駆動すると、発熱部品からの熱が冷却装置11に伝熱される。そして、供給口21aを通じて第1の冷媒通路21に供給された液冷媒は、供給口21a側を流通方向の上流側とし、開口部25が形成されている下流側に向かって第1の冷媒通路21を流通する。そして、液冷媒は、第1のインナーフィン26との接触により、熱交換を行い、開口部25から第2の冷媒通路22へ流通する。このとき、開口部25に到達した液冷媒の一部は、当該開口部25から直ちに第2の冷媒通路22へ流通せずに、開口部25の両側方にある流通領域28によってさらに下流に流通する。すなわち、液冷媒は、開口部25の手前側から流通するだけではなく、さらに下流に到達してから第2の冷媒通路22に流通する。このため、本実施形態の冷却装置11では、液冷媒が、通路全体基体12の内部全体に行き亘り、冷却性能の低下を抑制し得る。そして、開口部25から第2の冷媒通路22へ流通した液冷媒は、その流通方向が逆となり、排出口22a側を流通方向の下流側として、第2の冷媒通路22を流通する。また、液冷媒は、第2のインナーフィン27との接触により、熱交換を行い、排出口22aを通じて外部に排出される。上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。1開口部25の側方に形成される流通領域28により、液冷媒を第1の冷媒通路21の最下流に向かって流通させる。このため、液冷媒は、通路全体基体12の内部全体に行き亘ることになり、冷却性能の低下を抑制できる。特に、部品を高密度に実装している場合や、側壁11b寄りに実装している場合であっても、液冷媒を流通させることにより、冷却性能の低下を抑制できる。2開口部25を平面視台形状に形成した。このため、開口部25の側方により広い流通領域28を配置し得る。したがって、液冷媒を、下流に向かってさらに流通させ易くなり、冷却性能の低下を抑制できる。また、開口部25は、下流に向かって拡幅する形状であるため、第1の冷媒通路21から第2の冷媒通路22へ流通する際、液冷媒の流れに広がりを持たせることができる。すなわち、冷却装置11を流通する液冷媒の分流を一定にさせることができる。3第2の冷媒通路22の冷却対象であるヒートスプレッダ15は、第1の冷媒通路21の冷却対象である半導体素子13などの電子部品に比べて発熱量が少ない。このため、第2の冷媒通路22の冷却性能を第1の冷媒通路21の冷却性能よりも低下させることにより、通路構成を簡素化することができる。したがって、冷却装置11のコスト増を抑制できる。4製造段階において、通路に配置するインナーフィンを変更するだけで通路の冷却性能を変更することができる。このため、第1の冷媒通路21及び第2の冷媒通路22の冷却性能を冷却対象に合わせて変更することが容易となる。5第2の冷媒通路22に配置した第2のインナーフィン27直線状は、第1の冷媒通路21に配置した第1のインナーフィン26波線状に比べて簡素である。このため、液冷媒が流通したときに、第2の冷媒通路22における圧力損失が第1の冷媒通路21における圧力損失よりも低くなっている。すなわち、高い冷却性能を必要としない冷媒通路を簡素な構造とすることにより、冷媒通路全体の圧力損失を低減することができる。6開口部25により、第1の冷媒通路21と第2の冷媒通路22を連通させている。このため、パイプ、ホース、コネクタなどの外部部品を用いることなく第1の冷媒通路21と第2の冷媒通路22を連通させることができる。したがって、構成を簡素化できるとともに、コスト増を抑制できる。7発熱量の多い部品を冷却対象とする第1の冷媒通路21から液冷媒を流通させている。つまり、発熱量の多い部品は、熱交換を行っていない液冷媒で冷却を行う一方で、発熱量の少ない部品は、熱交換後の液冷媒で冷却を行う。このため、効率的な冷却を行うことができる。第2の実施形態次に、本発明を具体化した第2の実施形態を図4にしたがって説明する。以下に説明する実施形態は、既に説明した実施形態と同一構成について同一符号を付すなどしてその重複する説明を省略又は簡略する。本実施形態において仕切板20には、第1の冷媒通路21と第2の冷媒通路22を積層方向に連通する複数実施形態では3つの開口部30a,30b,30cが形成されている。各開口部30a~30cは、液冷媒の流通方向に沿って所定の間隔をあけて整列配置されている。各開口部30a~30cは、平面視矩形状に形成されている。また、各開口部30a~30cの開口面積は、異なっている。本実施形態では、開口部30aを最小の開口面積とし、開口部30cを最大の開口面積としている。また、各開口部30a~30cの開口面積は、第1の冷媒通路21における液冷媒の流通方向に直交する通路開口面積よりも小さくしている。なお、各開口部30a~30cの開口面積の和は第1の冷媒通路21における液冷媒の流通方向に直交する冷媒通路面積以上となっている。このため、第1の冷媒通路21に液冷媒を流通させたとしても、液冷媒が第1の冷媒通路21で滞留することなく、各開口部30a~30cから第2の冷媒通路22に流通する。そして、各開口部30a~30cの側方に並んで位置する領域が、液冷媒の流通を可能とする流通領域37とされる。そして、仕切板20には、第1の冷媒通路21における液冷媒の流通方向の上流側から、開口部30a、開口部30b、開口部30cの順に形成されている。すなわち、開口部30aは、流通方向の最上流側に位置する一方で、開口部30cは、流通方向の最下流側に位置する。なお、開口部30cは、開口部30aと開口部30bの間に位置する。本実施形態の複数の開口部30a~30cは、第1の冷媒通路21を流通した液冷媒を、第2の冷媒通路22に流通させる第1の流通部として機能する。また、各開口部30a~30cの側方に並んで形成された流通領域37が液冷媒を第1の冷媒通路21の最下流に向かって流通させる第2の流通部として機能する。本実施形態において、第1の冷媒通路21に供給された液冷媒は、流通方向の下流側側壁11b側に向かって流通する。このとき、液冷媒は、開口部30a→開口部30b→開口部30cの順に通過し、一部の液冷媒が第2の冷媒通路22へ段階的に流通する。しかし、本実施形態において各開口部30a~30cは、開口面積を通路開口面積よりも小さく設定しているから、流通方向の最下流部に到達する前に全ての液冷媒が第2の冷媒通路22へ流通することがない。すなわち、本実施形態において、各開口部30a~30cは流通領域37とともに、液冷媒を最下流部まで到達させる第2の流通部として機能する。そして、流通領域37及び開口部30a~30cを流通する液冷媒は第1の冷媒通路21の最下流に向かって流通するため、液冷媒が最下流部まで到達する。したがって、本実施形態では、第1の実施形態の効果3~7に加えて、以下に示す効果を得ることができる。8複数の開口部30a~30cを形成することで、第1の冷媒通路21を流通する液冷媒が段階的に第2の冷媒通路22へ流通する。したがって、冷却装置11内部を流通する液冷媒の分流を一定にさせることができる。9複数の開口部30a~30cの開口面積を通路開口面積よりも小さくしている。このため、複数の開口部30a~30cを形成した場合であっても、液冷媒を最下流部まで到達させることができる。したがって、冷却性能の低下を抑制できる。10複数の開口部30a~30cを形成することで、これらの開口部30a~30cの直下を流れる液冷媒の流速を上げることができる。すなわち、第2の冷媒通路22の冷却対象となり得る部品の位置に開口部30a~30cを形成すれば、冷却性能を向上させることができる。11開口部30a~30cの開口面積を通路開口面積よりも小さく設定したとしても、これらの開口部30a~30cを複数形成したことにより、第1の冷媒通路21内で液冷媒が滞留することを抑制することができる。第3の実施形態次に、本発明を具体化した第3の実施形態を図5にしたがって説明する。本実施形態において仕切板20には、第1の冷媒通路21と第2の冷媒通路22を積層方向に連通する開口部31が形成されている。本実施形態の開口部31は、平面視正方形状四角形状に形成されている。そして、本実施形態の開口部31は、図3に示すように、液冷媒の流通方向に直交する第1の冷媒通路21の通路幅に沿う開口幅の中心図中のY2が、第1の冷媒通路21の通路幅の中心図中のY1に対して偏心する位置に形成されている。すなわち、本実施形態の開口部31は、第1の冷媒通路21の通路幅の中心を境界とした場合、非対称となるように配置されている。これにより、仕切板20では、開口部31の側方に位置する領域が、液冷媒の流通を可能とする流通領域32とされる。流通領域32は、開口部31が第1の冷媒通路21と第2の冷媒通路22を連通する連通領域であることに対して、第1の冷媒通路21と第2の冷媒通路22を連通しない非連通領域となる。なお、開口部31の開口面積は第1の冷媒通路21における液冷媒の流通方向に直交する冷媒通路面積以上となっている。本実施形態では、開口部31が偏心した位置に配置されていることにより、流通領域32によって液冷媒が最下流側へ流通し易くなる。本実施形態の平面視正方形状の開口部31は、第1の冷媒通路21を流通した液冷媒を、第2の冷媒通路22に流通させる第1の流通部として機能する。また、流通領域32は液冷媒を第1の冷媒通路21の最下流に向かって流通させる第2の流通部として機能する。本実施形態において開口部31は、第1の冷媒通路21の冷却対象となる半導体素子13の直下に配置されている。本実施形態において、第1の冷媒通路21に供給された液冷媒は、流通方向の下流側側壁11b側に向かって流通する。このとき、液冷媒は、開口部31から第2の冷媒通路22へ流通する一方で、流通領域32によってさらに下流に流通する。すなわち、液冷媒は、開口部31の手前側から流通するだけではなく、さらに下流に到達してから開口部31を通じて第2の冷媒通路22に流通する。したがって、本実施形態では、第1の実施形態の効果3~7に加えて、以下に示す効果を得ることができる。12開口部31の側方に形成される流通領域28により、液冷媒を第1の冷媒通路21の最下流に向かって流通させる。このため、液冷媒は、通路全体基体12の内部全体に行き亘ることになり、冷却性能の低下を抑制できる。13開口部31を冷却対象物の直下に配置することで、その冷却対象物の直下における液冷媒の流速を上げることができる。したがって、冷却性能を向上させることができる。なお、実施形態は以下のように変更しても良い。○第1、第2及び第3の実施形態において、半導体素子13は、シリコングリスにより直接冷却装置11に接合されていてもよい。○第1、第2及び第3の実施形態において、液冷媒の流通方向に直交する第1の冷媒通路21の通路開口面積を、液冷媒の流通方向に直交する第2の冷媒通路22の通路開口面積よりも小さくすることにより、第1の冷媒通路21の冷却性能が第2の冷媒通路22の冷却性能よりも高くなるようにしても良い。この場合、第1の冷媒通路21を流れる液冷媒の速度が第2の冷媒通路22を流れる液冷媒の速度よりも速くなることにより、第1の冷媒通路21の冷却性能が第2の冷媒通路22の冷却性能を上回る。○第1、第2及び第3の実施形態において、第1の冷媒通路21のみにインナーフィンを収容することにより第1の冷媒通路21の冷却性能が第2の冷媒通路22よりも高くなるようにしてもよい。○第1、第2及び第3の実施形態において、各冷媒通路21,22に収容されるインナーフィンはピンフィンなど、他の形状のものであってもよい。○第1の実施形態において、図6に示すように開口部33は平面視矩形状に形成されていてもよい。この場合、開口部33の側方に並んで位置する領域が流通領域38となる。○第1の実施形態において、図7に示すように、インナーフィン35により開口部34の両側部を塞ぐことにより第1の冷媒通路21の最下流に液冷媒が到達するようにしても良い。この場合、第1の冷媒通路21から供給された液冷媒のうち、第1の冷媒通路21の幅方向両側部36を流通する液冷媒は、インナーフィン35に沿って第1の冷媒通路21の最下流に流通される。すなわち、第1の冷媒通路21の幅方向両側部36が流通領域となる。○第1の実施形態において、開口部25の形状を平面視三角形状としても良い。この場合も、開口部25は、下流に向かって拡幅するように配置する。○第1の実施形態において、第1の冷媒通路21の幅方向に沿って複数の開口部25を形成しても良い。この場合、開口部25を、実施形態と同様に下流に向かって拡幅する形状とすれば、複数の開口部25間にも流通領域28を形成することができる。○第2の実施形態において、複数の開口部30a~30cを、下流側に向かって間隔を広げて配置しても良い。この場合、開口部30a~30cの開口面積は同一面積であっても良いし、実施形態と同様に異なる開口面積としても良い。また、開口部の数を、2つとしても良いし、4つ以上としても良い。○第2の実施形態において、複数の開口部30a~30cの形状を、第1の実施形態と同様に平面視台形状としても良い。○第3の実施形態において、複数の開口部31を形成しても良い。また、開口部31の形状は、平面視矩形状、平面視台形状や、平面視三角形状としても良い。"