"基体の表面に複数の支持用突起を形成した吸着部材であって、前記支持用突起は、上面中央部に突出部を形成した円錐台状をなす基部の上面及び側面に保護層を形成してなることを特徴とする吸着部材。基体の表面に複数の支持用突起を形成した吸着部材であって、前記支持用突起は、上部を細長円柱状とし下部を円錐状に広がる形状とした基部の上面及び側面に保護層を形成してなることを特徴とする吸着部材。前記保護層、前記基体および前記基部は、同材質であることを特徴とする請求項1または2に記載の吸着部材。前記保護層、前記基体および前記基部は、炭化珪素を主成分とすることを特徴とする請求項3に記載の吸着部材。前記保護層は、化学的気相成長法で形成した炭化珪素膜であり前記基体および前記基部は、炭化珪素質焼結体であることを特徴とする請求項4に記載の吸着部材。被吸着体を吸着するための吸気孔を備えてなることを特徴とする請求項1または2に記載の吸着部材。請求項1乃至5のいずれかに記載の吸着部材と、被吸着体を該吸着部材に吸着させるための吸着手段とを備えてなる吸着装置。請求項6に記載の吸着部材と、前記吸気孔から吸気を行わせるための吸気手段とを備えてなる吸着装置。請求項1乃至6のいずれかに記載の吸着部材を用いて、被吸着体を前記支持用突起で支持するようにしたことを特徴とする吸着方法。特許文献1に開示された吸着部材は、セラミックスを加工して突起を形成しているため、傷、クラック、ボイド等からなる微細な凹凸が突起に残存する。この凹凸に残存しているパーティクルが振動等によって外部へ飛散したり、吸着部材に振動が加わると傷やクラックに接するセラミックスの結晶やその一部が剥離してパーティクルとなる。このようなパーティクルが被吸着体であるウエハに付着することがあり、後工程等において悪影響を及ぼすことになる。特許文献2に開示された吸着部材は、焼結したSiCにCVDにより成膜した後、エッチングして突起を形成するので、突起を先細り形状にすることが困難である。特に突起を多段形状に形成することは困難である。このため上記のようなパーティクルが多く発生することがある。上記と同様に、後工程等において悪影響を及ぼすことになる。本発明の一実施形態に係る吸着部材は、基体の表面に多数の支持用突起を形成した吸着部材であって、前記支持用突起は、上面中央部に突出部を形成した円錐台状をなす基部の上面及び側面に保護層を形成してなることを特徴とする。また、本発明の一実施形態に係る吸着部材は、基体の表面に多数の支持用突起を形成した吸着部材であって、前記支持用突起は、上部を細長円柱状とし下部を円錐状に広がる形状とした基部の上面及び側面に保護層を形成してなることを特徴とする。本発明の一実施形態に係る吸着装置は、上記のいずれかの吸着部材と、該吸着部材に被吸着体を吸着させるための吸着手段とを備えてなる。本発明の一実施形態に係る吸着方法は、上記のいずれかの吸着部材を用いて、被吸着体を前記支持用突起で支持するようにしたことを特徴とする。本発明の一実施形態に係る吸着部材によれば、前記支持用突起は、上面中央部に突出部を形成した円錐台状をなす基部の上面及び側面に保護層を形成してなるので、前記基部と保護層からなる前記突出部とが強固に密着されている。このため、保護層の剥離によって発生するパーティクルを少なくすることができる。また、突出部の頂部以外の面を必ずしも加工する必要がないので、この頂部以外から発生するパーティクルが特に減少する。また、本発明の一実施形態に係る吸着部材によれば、前記支持用突起は、上部を細長円柱状とし下部を円錐状に広がる形状とした基部の上面及び側面に保護層を形成してなるので、前記基部と保護層とが強固に密着されている。このため、保護層の剥離によって発生するパーティクルを極めて少なくすることができる。また、支持用突起の頂部以外の面を必ずしも加工する必要がないので、この頂部以外から発生するパーティクルが特に減少する。さらに、この頂部から前記支持用突起の間の距離を前記基体の垂直方向に長くすることができるので、この間に形成される空間を広くでき、その結果、被吸着体を真空吸着するときにこの空間を短時間で所望の真空度に到達させることができる。本発明の吸着装置および吸着方法によれば、パーティクルの発生が少ない信頼性等に優れた吸着装置および吸着方法を提供できる。以下、本発明の最良の実施形態について模式的に示した図面を参照しつつ詳細に説明する。<第1の吸着部材>本発明に係る第1の吸着部材について説明する。図1aに本発明の吸着部材の斜視図斜線部は一部を切り欠いて断面を示すを示す。図1bにaの断面Aにおける支持用突起以下、支持用凸部という2の拡大断面図を示す。なお、図1bにおける下方部は図示を省略している。円盤状をなす吸着部材10は、基体1の上面に多数の支持用凸部2を形成した吸着部材である。ここで、支持用凸部2は、円錐台状をなす基部3の上面中央部が突出部以下、小凸部という4となるように保護層5を形成してなるものである。このように、基部3と保護層5からなる小凸部4とは強固に密着されていることにより、保護層5が剥離することが無く、発生するパーティクルを少なくすることができる。基体1は、吸着部材10の本体であり、載置した被吸着体が変形しない特性を有することが求められる。そのため、基体1は高剛性、高硬度、高強度であることが好ましい。基体1の材質としては、コージェライト質焼結体、ジルコニア質焼結体、アルミナ質焼結体、窒化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、結晶化ガラス、炭化珪素質焼結体などが挙げられる。これらのうち、炭化珪素を主成分50質量超とする炭化珪素質焼結体が最適である。なぜなら、炭化珪素質焼結体は、熱伝導率が高く放熱性に優れているので、被吸着体の温度変化が少ないこと、電気伝導性を備えているので静電気が発生しにくくパーティクルが静電付着しにくいこと等において優れているからである。また、基部3は、基体1と一体的に同材質のもので形成され、基体1の上面に設けられている円錐台状の突起である。基体1の表面に保護層5が形成されている。支持用凸部2は、基体1の上面で被吸着体不図示を吸着保持するための凸部である。被吸着体と基体1の接触面積を小さくするために、被吸着体は多数の支持用凸部2によって支持される。こように接触面積を小さくすることが好ましいのは、被吸着体を吸着した際に、被吸着体と支持用凸部2の間にパーティクルが介在して被吸着体の平面度を悪化させないためである。基部3の上に形成された小凸部4は保護層5からなり、基部3の上面中央部が円錐台状の小凸部4に形成されたものである。基部3の上面中央に小凸部4を形成することによって、基体1と被吸着体の接触面積を小さくすることができる。また、基部3の上にさらに小凸部4が形成されているので、基体の上面に垂直方向に支持用凸部2を高く形成することができる。このように支持用凸部2を高く形成できることにより、被吸着体を真空吸着する際の真空応答性被吸着体を吸着部材に載置してから真空吸着されるまでの時間を短くすることを向上させることができる。保護層5は基体1の表面に形成されている。保護層5の機能は、基体1に傷、微細な凹凸に入り込んだパーティクルが振動等の外力によって被吸着体に付着するのを防止すること、および保護層5の表面から発生するパーティクルを少なくすることである。したがって、保護層5はその表面が緻密で凹凸が少なく、基体1との密着性が良好であることが求められる。保護層5の成膜方法としては、化学的気相成長法CVD、物理的気相成長法PVD、めっき、蒸着、プラズマイオン注入法、イオンプレーティング法などがある。このうち、化学的気相成長法がベストである。なぜなら、形成される保護層が極めて緻密でかつ表面に微細な凹凸が殆ど無いので、吸着部材から発生するパーティクルを極めて少なくすることができるからである。保護層5は、例えばボイドレスの平滑面を成すことができる膜であり、膜の剥がれやクラックの発生することなく、成膜できることが求められる。特に、前記基体1と前記保護層5の間の熱膨張率の差が大きいと、成膜時に保護層5に剥がれやクラックが起こり、良好な成膜ができないため、基体1と保護層5の熱膨張率の差を小さくすることが重要である。保護層5の材質としては、DLCダイヤモンドライクカーボン,アモルファスシリコン、炭化珪素膜が挙げられるが、DLCでは、成膜は可能だが、基体1表面の傷や穴を完全に除去することができないので、他の材質の方が好ましい。これらのうち、炭化珪素を主成分とする炭化珪素膜が好ましい。この理由は、被吸着体を吸着した際に、高熱伝導率のため放熱が容易で、高剛性のため変形が少なく、基体1と同材質であるため、基体1との熱膨張率に差がないためである。また、炭化珪素膜であれば、ボイドが殆どない無い表面が得られるので、支持用凸部2の表面にパーティクルが付着し難くなる。さらに、表面に帯電する静電気を逃がすことも可能となり、パーティクルの付着が低減することができる。保護層を30~200μmの厚さにすると、次の点で好適である。保護層5の厚さのばらつきが小さいことにより、保護層5の色調が均一になる。また、保護層5の比熱容量が少ないので、複数の小凸部4の頂部の平面度を低下させることがない。さらに、保護層5の熱膨張率が保護層表面全体にわたって均一になるので、保護層5に応力が発生しにくく、保護層5の剥離が特に防止される。吸着部材10の製造方法を具体的に説明する。研削やサンドブラスト加工、放電加工などの手段を用いて、基体1に基部3を形成する。次に、保護層を30~200μm成膜した後、研削やサンドブラスト加工、放電加工などの手段を用いて、小凸部4の形状に加工する。ここで、仮に成膜時や、基部3の加工時に、基体1にごく僅かな反りが生じて複数の小凸部4の頂部が面一にならなかった場合でも、このように頂部を研削加工することによって、複数の頂部を面一に修復することができる。また、基体1と保護層5は同材質であることが好ましい。なぜなら、熱膨張率の差がなくなるので、吸着部材の変形量が小さくなるからである。また、保護層5を30~200μmの厚さに成膜するには、基体1と保護層5が同材質であることが好ましい。特に、炭化珪素の基体1に炭化珪素の膜を化学的気相成長法で30~200μmの厚さで成膜する方法が好ましい。吸着部材の変形量が小さくなるからである。<第2の吸着部材>次に、本発明に係る第2の吸着部材について説明する。なお、特に説明しない場合を除いて、上述した第1の吸着部材と同様の態様とする。図2に第2の吸着部材の一部拡大断面図を示す。なお、吸着部材10の外観は、前記第1の吸着部材で説明した図1aとほぼ同じであるが、被吸着体を支持する支持用凸部の構造が大きく異なる。吸着部材10は、基体1の表面に多数の支持用凸部2を形成した吸着部材であって、支持用凸部2は、上面中央部に小凸部4を形成した円錐台状をなす基部3に、少なくとも小凸部4の表面を覆う保護層5を形成してなるものである。基部3および小凸部4と、保護層5からなる小凸部4とは、強固に密着されている。このため、保護層の剥離によって発生するパーティクルを少なくすることができる。また、小凸部4の頂部以外の面を必ずしも加工する必要がないので、この頂部以外から発生するパーティクルが特に減少する。なお、基体1は、基部3の形状を除き第1の吸着部材で説明したものと同じである。また、保護層5は、小凸部の内部の構造を除き第1の吸着部材で説明したものと同じである。支持用凸部2は、上面中央部に小凸部4を形成した円錐台状をなす基部3に形成されている。また、支持用凸部2は、基部3、小凸部4、およびこれらの表面に沿って形成された保護層5から構成されている。このように、基部3の形状を円錐台形状とすることで、小凸部2の変形を抑制できる。また、図2の構造の支持用凸部2は、基部3の上に小凸部2を形成し、さらにその上に保護層5を形成しているので、基体の上面に垂直方向に支持用凸部2をさらに高く形成することができる。支持用凸部2をさらに高く形成できることにより、被吸着体を真空吸着する際の真空応答性被吸着体を吸着部材に載置してから真空吸着されるまでの時間を短くすることをさらに向上させることができる。小凸部4の表面に形成された部分の保護層5の厚さは、前記第1の吸着部材の保護層よりも薄く、保護層5の厚さは基体1の表面全体にわたってほぼ均一である。このため、前記第1の吸着部材と比較して、さらに次の点で優れている。保護層5の厚さのばらつきがさらに小さくなる。保護層5の色調がさらに均一になる。保護層5の比熱容量がさらに少ないので、熱の影響を受ける状態下で使用したときに変形しにくい。これにより、複数の小凸部4の頂部の平面度を低下させることが殆どない。保護層5の熱膨張率が保護層表面全体にわたってさらに均一になるので、保護層5に応力が発生しにくく、保護層5の剥離が最も防止される。保護層5は、保護層をCVD等で形成した後、必ずしも加工する必要がないので、さらに保護層5表面の平滑性を十分に向上させることができる。この理由は次の通りである。CVD法により成膜した保護層は種々の結晶配向を有しているので、結晶配向によって原子密度が異なり、研削加工時の抵抗に異方性がある。例えば、ミラー指数で111面は原子密度が高く研削抵抗が高いので、他の結晶配向面に比べ加工されにくい。このため、例えばCVDにより成膜した炭化珪素膜をサンドブラスト加工した場合、加工面に多数の凹凸が形成され、この凹凸に微小のパーティクルが入り込み、被吸着体に再付着するおそれがある。図2に示した支持用凸部2を有する吸着部材10は、CVDにより保護層5を成膜した後、保護層を加工しなければ保護層5表面の平滑性を十分に向上させることができる。<第3の吸着部材>本発明の第3の吸着部材について説明する。なお、特に説明しない場合を除いて、上述した第1の吸着部材と同様とする。図3に吸着部材10の一部拡大断面図を示す。吸着部材10は、基体1の表面に多数の支持用凸部2を形成した吸着部材であって、支持用凸部2は、上部を細長円柱状とする小凸部4、下部を円錐状に広がる形状とする基部3からなり、これらの表面に保護層5を形成している。基部3と保護層5は強固に密着されている。このため、保護層の剥離によって発生するパーティクルを極めて少なくすることができる。また、支持用凸部2の頂部以外の面を必ずしも加工する必要がないので、この頂部以外から発生するパーティクルが特に減少する。さらに、この頂部から支持用凸部2の間の距離を基体1の垂直方向に長くすることができるので、この間に形成される空間を広くでき、その結果、被吸着体を真空吸着するときにこの空間を短時間で所望の真空度に到達させることができる。なお、基体1の材質、保護層5の材質と厚さは、第2の吸着部材で説明したものと同じである。支持用凸部2は、小凸部4と基部3とが一体的に形成された凹曲面および小凸部の頂部に保護層5が形成されている。このため、支持用凸部の剛性を高めることができると共に、被吸着体と吸着部材10の接触面積を小さくすることができる。前記第2の吸着部材と同様に、小凸部4の表面に形成された部分の保護層5の厚さは、前記第1の吸着部材の保護層の頂部よりも薄く、保護層5の厚さは基体1の表面全体にわたってほぼ均一である。このため、前記第1の吸着部材と比較して、前記第2の吸着部材と同様に優れている。図3に示す吸着部材10は次のように作製することができる。研削やサンドブラスト加工などの手段を用いて、基体1に基部3および小凸部4を形成した後、前記基部3および前記小凸部4の表面を覆う保護層を30~200μm成膜する。また、前記第1および第2の吸着部材は、基部3が円錐台形状を成すことから、第3の吸着部材に対して、支持用凸部2の剛性、強度という点で、より有利である。<吸着部材のより好ましい態様等>次に、上記第1,第2の吸着部材のさらに好ましい態様について説明する。図4に小凸部4の頂部の上面周囲を面取り加工した様子の側面図を示す。図に示すように、吸着部材を構成する支持用凸部2の頂部である上面周囲6が面取り加工されているので、被吸着体が吸着部材の支持用凸部2に接触しても、被吸着体に局所的に強い応力が加わることがない。なお、このような被吸着体の支持用凸部2への接触は、例えば被吸着体の吸着および搬送時に起こる。これにより、被吸着体が吸着部材10によって削れることによるパーティクルを少なくすることができる。この面取り加工は、例えばダイヤモンド砥石などによる研磨加工法を用いればよい。図5に上記第3の吸着部材で説明した吸着部材の基部の上部において上面周囲を面取り加工した様子を示す。この吸着部材は、上面周囲6が面取りされているので、吸着部材に接触する被吸着体に局所的強い応力が加わることがない。このため、被吸着体が吸着部材によって削れて発生するパーティクルを少なくすることができる。面取りは、公知の研磨加工法、例えばダイヤモンド砥石などにて加工すればよい。次に、上記本発明の第3の吸着部材の好ましい形態について説明する。基部3の頂部である上部の上面周囲6を面取り加工した吸着部材10は、吸着部材10に接触する被吸着体に局所的に応力が加わることがないので、被吸着体が吸着部材10によって削れることを極力防止することができる。基体1および支持用凸部2のそれぞれを、炭化珪素を主成分で形成することが好ましい。この理由について補足する。基体1を炭化珪素を主成分とするセラミックスは室温における熱伝導率を150W/mK以上にすることができるので、被吸着体に局所的に熱が加わったときに吸着部材を通して十分に放熱され、その結果、被吸着体が熱膨張して歪むことが抑制される。このため、例えばウエハの露光の際に、発熱による露光精度の悪化を抑制することができる。ここで、室温における熱伝導率とは、概ね15~30°C、好ましくは22~24°Cの範囲で測定した熱伝導率である。炭化珪素は室温を超える環境においても、熱伝導率を高い値で保持することができ、例えば600°C以上での用途でも、熱伝導率60W/mK以上を保つことができる。機械的強度を向上させ、パーティクルをさらに低減するためには、炭化珪素を主成分とするセラミックスの平均結晶粒径は3~10μmの範囲が好ましい。なぜなら、3μm未満であると、機械的強度、剛性が低くなるため、載置された被吸着体の平面度を精度良く保つことができなくなるおそれがある。また、平均結晶粒径が10μmよりも大きいと、結晶粒子間にボイドが多く残留するおそれがあるため、このボイド内に残留したパーティクルが被吸着体に付着するおそれがあるからである。さらに好ましくは、結晶粒径は3~7μmの範囲とする。基部3および保護層5を、炭化珪素を主成分とするセラミックスで形成すると、基体1の密度を3.18g/cm3以上、ヤング率を440GPa以上、比剛性を135GPacm3/g以上とすることができる。このような吸着部材10は、小凸部4の頂部に載置される被吸着体の平面度を精度良く保つことができる。基体1の線膨張係数は室温で2.6×10-6/°C以下であることが好ましい。また、支持用凸部2の高さは0.5mm以上が望ましい。これにより、被吸着体を真空吸着する際の真空応答性が向上する。なお、吸着部材における頂面の平坦度の加工の研削代を確保するため、小凸部4の高さは0.05mm以上が好ましい。<吸着装置および吸着方法>本発明の吸着装置は、上述した優れた吸着部材10と、この吸着部材10に被吸着体を吸着させるための吸着手段とを備えてなるものである。ここで、吸着手段は、被吸着体を保持するための作用力として、バネ等の機械的な力、差圧力、静電気力等を用いることのできる手段をいうものする。本発明の吸着装置として、例えば被吸着体を吸着するための吸気孔を備えてなる吸着部材10と、前記吸気孔から吸気を行わせるため真空ポンプ等の吸気手段とを備えたものとすることができ、例えば真空チャック装置に適用することも可能である。また、本発明の吸着方法は、吸着部材を用いて、被吸着体を支持用凸部2で支持するようにしたことを特徴とする。これら吸着装置および吸着方法により、保護層5の剥がれやクラックがなく、保護層5の剥がれやクラックがないので長寿命とすることができ、パーティクルの発生を極力低減できる。以下に本発明をさらに具体化した実施例について説明する。<実施例1>公知の方法で炭化珪素からなる成形体を作製し、この成形体を1900~2100°C、Arガス中で焼結し、直径400mmの炭化珪素焼結体を作製した。支持用凸部2の最終形状は、図1bに示す形状とした。また、化学的気相成長法による成膜の前に、支持用凸部の高さを0.6mm、ピッチを2mm、基部の径φ0.38mmとし、基部の径は目標形状よりも120μm小さいサイズにサンドブラストで加工した。次に、1300°Cで化学的気相成長法にて、60μmの炭化珪素膜を成膜した。その後、再びサンドブラストにて加工し、小凸部を高さ0.05mm、径φ0.15mmとした。その後、例えばダイヤモンド砥石などの、公知の研磨法によって、小凸部の上面周囲を0.02mm面取り加工した後、支持用凸部の頂部をラップ加工して平面度を3μm以下とし、吸着部材からなる被吸着体を得た。得られた被吸着体を用いて、高温槽中で被吸着体を500°C、10回繰り返し加熱する試験を行ったところ、支持用凸部において膜に剥がれやクラックが生じることは皆無であった。<実施例2>実施例1と同様にして、炭化珪素焼結体を作製した。支持用凸部の最終形状は、図2に示す形状とした。化学的気相成長法による成膜の前に、支持用凸部の高さを0.6mm、ピッチを2mm、小凸部4の高さを0.05mm、基部3の径を直径0.38mm、小凸部4の直径を0.05mmと、基部の径は目標形状より120μm小さいサイズでサンドブラストにて加工をした。次に、実施例1と同じ化学的気相成長法にて、60μmの炭化珪素膜を成膜した。成膜後、例えばダイヤモンド砥石などの、公知の研磨法によって、小凸部上面周囲を0.02mm面取り加工した後、支持用凸部の頂部をラップ加工して平面度を3μm以下とし、吸着部材からなる被吸着体を得た。得られた被吸着体を用いて、高温槽中で被吸着体を500°C、10回繰り返し加熱する試験を行ったところ、支持用凸部において膜に剥がれやクラックが生じることは皆無であった。<実施例3>実施例1と同様にして、炭化珪素焼結体を作製した。支持用凸部の最終形状は図3の形状とした。放電加工により支持用凸部の高さを0.6mm、ピッチを2mm、小凸部の直径を0.05mmに加工した。次に、実施例1と同じ化学的気相成長法にて、60μmの炭化珪素膜を成膜した。成膜後、例えばダイヤモンド砥石などの、公知の研磨法によって、小凸部上面周囲0.02mm面取り加工した後、支持用凸部の頂部をラップ加工して平面度を3μm以下とし、吸着部材からなる被吸着体を得た。得られた被吸着体を用いて、高温槽中で被吸着体を500°C、10回繰り返し加熱する試験を行ったところ、支持用凸部において膜に剥がれやクラックが生じることは皆無であった。<比較例>一方、比較例として、図6に示す吸着部材20を製作した。図6aは吸着部材20斜視図、bはaの一部拡大断面図をそれぞれ示す。吸着部材20は、基体21の上面に多数の支持用凸部22を形成した吸着部材であって、支持用凸部22は、円錐台部23と外円錐台部23の上面中央部に形成された、小凸部24からなるものとした。前記支持用凸部22は化学的気相成長法によって成膜された、炭化珪素からなる800μmの厚さを持つ保護層25を研削加工して形成した。既知の手法による成形で成形体を得て、1900~2100°C、Ar等の不活性雰囲気中で焼結し、φ400の焼結体を得た。次に、化学的気相成長法にて、800μmの炭化珪素膜を成膜した。成膜後、支持用凸部22の高さを0.6mm、ピッチを2mmで、サンドブラストにて形成した。加工後、例えばダイヤモンド砥石などの、公知の研磨法によって、前期小凸部24を0.02mm面取り加工した後、被吸着体載置面をラップして平面度を3μm以下にした。化学的気相成長法による炭化珪素膜で形成された保護層25は、厚さが800μmと非常に厚いため、厚さや結晶配向のバラツキが大きいものであった。このため、成膜後、吸着部材20の被吸着体載置面には、著しい色むらが発生した。これは、サンドブラストによって、支持用凸部22を形成した後も消えることはなかった。また、前記保護層25は膜内の残留応力が大きく、支持用凸部22の形成した際、多数のクラックを生じ、これらの不具合が発生したため、良品を得ることはできなかった。以上のように、実施例1~3が、表面が保護層で被覆され、パーティクルを低減でき、かつ保護層の剥がれを生じることのない優れた吸着部材を作製するのに有効であることが確認できた。"