"質量分析法であって、以下を含む、。iイオン伝導IB-チャネルのIOチャネルサブシステムは、1つの制御サブシステムとして、交差空間分散モードおよび、多重反射モードにおける曲線主軸を有するサブシステムがあり、モードのシリーズのシリーズのうちから決定される、イオン発生源ブロック中の物質試料をイオン化し、そこからイオンフラックスイオン、複数を射出し、イオンフラックスを発生させて、イオン質量により、少なくとも、境界表面を有するイオン伝導IB-チャネルおよびIOチャネルサブシステムIO要素を備えるイオン伝導ブロックの群により発生した磁性および電気フィールドの1つを用いた手段により、質量分散を含めた運動を制御質量/電荷比率、m/zの値による質量分散して、それぞれが、IOシステム直列接続イオン伝導IB-チャネル、および、イオン発生源ブロックのイオン発生源IB-チャネルを備えたMSチャネルの一部である。ii少なくとも、検知器システムの1つの検出器グループの手段で、イオンを登録する。質量分析器の全てのブロックの運転を制御および管理し、ならびに、コントローラ-コンピュータシステムによりデータ処理をサポートする。イオンフラックス発生させたり、また、その運動の制御は、少なくとも、以下により決定される運転の1つで実施する。マルチセルセクション表面を有するモードを含むチャネル多経路イオンフラックス、および、セクションの二重接続表面を有するモードを含めて、軸外れ単一-経路チャネルイオンフラックスなどのうちから決定されるモードの使用を有するMSチャネルでの質量分析。他のIO要素もし有ればに対して、および、イオンフラックスに入る平均ベクトルの方向に対してIO要素の特定の空間定位の選択を可能にするIO要素フラット単一シラブルP-マルチリフレクタ三次元P-マルチリフレクタカスケード-多層マルチリフレクタ屈折の拡張P-要素、反射の三次元P-要素不均一高さのP-要素、二次元反射ゾーンを有する反射のP-要素のシリーズのうちから決定される少なくとも1つを含み、電気的非磁性IOチャネルサブシステムでイオンフレックスを制御する。各経路が主に検知器システムの個々の検知器により検知され、経路イオンフラックスの少なくとも1つチャネルイオンフラックス、単一経路チャネルフラックス、多経路チャネルフラックスがMSチャネルを経由する、請求項1に記載の方法。異なる発生源異なる対象物/プロセスからの、1つの対象物/プロセスの異なる要素からのから受け取った経路イオンフラックスを、イオン発生源システムの異なる出力ゲートを経由してイオン伝導ブロックに入射を行う、請求項2に記載の方法。イオン発生源システムの出力ゲートの、少なくとも1つから出る経路イオンフラックスが、時間関数例えば、同時、または特定の時間間隔で、代替としてにおいて、相互に独立しており、1つの代替モードで供給される、請求項2に記載の方法。質量分散およびイオンフラックスのエネルギー分散の値を制御し、エネルギースペクトルの特定の列間隔でエネルギー分光法を質量分析法と同時に実施する、請求項1に記載の方法。使用周期性モードの1つが、少なくともIB-チャネルの一部を経由して単一サイクルと多サイクルイオン経路を備えるシリーズのうちから決定される、請求項1に記載の方法。質量分析を単段式モード、MS/MSモード、MS<n>-モードを含めたタームのうちから決定される1つのモードを使用して実施する、請求項6に記載の方法。交差空間方向の少なくとも1つに沿って経路イオンフラックスの交差空間収束を検知器表面で実施する、請求項7に記載の方法。脈動電圧による、主に調整された脈動電圧による運動に沿って、イオンフラックスの交差空間収束を実施する、請求項7に記載の方法。MS<n>-タイプを含むシリーズのうちから決定される飛行時間質量分析であり、MS/MS-タイプが埋め込み型時間の方法で実施される、請求項7に記載の方法。法、エネルギーの広がりでイオンパケットの形で提示管イオンの流れをエネルギー飛行フォーカスを行う検出器の表面またはその近くにあって、請求項7に記載の方法。機能バージョンのシリーズのうちから決定される、荷電粒子イオン制御イオンフラックスを含むの制御サブシステム非磁性であって、a一つ以上のイオン光学屈折構成部分を有する下位屈折システム、bnが整数でありN≦3の場合で、nつ以上ののローカルなイオン光学反射構成部分、或いは一つ又は二つのイオン光学反射構成部分を有し及び延長されたイオン光学下位反射システムを備える下位反射システム、c上記のa型及びb型を含む反射屈折下位システム、d上記のa型、b型及びc型の群により選択される型の内のひとつであり、その内の少なくとも一つのイオン光学構成部分が多機能型であり、及び反射式、屈折式、無領域式の群により少なくとも二つ選択される形式を有する多機能下位システム、上記の群により選択される機能形式を特徴とし、かつ、他のイオン光学構成部分存在するならばに対して、及び平均ベクトルへ移送されるイオン流束移送方向に対して空間におけるイオン光学構成部分の配置位置を決定することが出来る、又は及びP屈折構成部分、三次元P反射構成部分、不均一高さを有するP構成部分、二次元P反射構成部分の群により選択される一つ以上のイオン光学構成部分を備え、各それぞれが二つ以上の電極を有する電子式無磁気性イオン光学構成部分を一つ以上備える、荷電粒子流束イオン流束を含みの制御を行うことを特徴とする下位操作システム。屈折局所IO要素局所IOレンズ、局所遠用IO要素、局所IOプリズム、局所円筒形状および平面コンデンサ局所ミラー反射の2次元ゾーンを有するものを含む、特に限定されないが、反射の単一ゾーン、垂直二重ゾーンおよび水平二重ゾーン局所IO要素反射要素のペアのそれぞれが1つの共通電極で実施される、反射の局所IO要素の併担グループ屈折、反射、フィールドフリーなどの操作モードを含めて、シリーズの少なくとも、2つのタームに決定できる局所多機能IO要素のようなシリーズタイプ機能性タイプを含むシリーズのうちから決定する局所IO要素であり、これにより、以下のようなシリーズタイプデザインタイプを含めたシリーズのうちから決まるデザインの特徴による局所IO要素であり、機能性およびデザイン性特徴を選択できる局所局所タイプのIO要素を実施する、請求項12に記載の制御サブシステムである、局所2次元:平面上の直交2次元不均一コンデンサおよぶ平面コンデンサを含むおよび表面上の直交2次元不均一高さのコンデンサおよび円筒形状コンデンサを含む、局所3次元局所二重対称を含む:扇型トランス変角扇型トランス軸方向V-字円錐直交、箱型、トランス変角混合直交混合箱型混合異種混合。拡張拡張タイプのIO要素が単一ステージおよび配列ステージから成り、任意の機能性とデザインの特徴で実施するシリーズのうちから決まり、また、機能性の特徴による各拡張IO要素は、以下のシリーズタイプ機能性タイプなどを備えるシリーズのかなから決まる、請求項12に記載の制御サブシステム屈折の拡張IO要素拡張IOレンズ、拡張遠用IO要素、拡張IOプリズム反射の拡張IO要素反射の2次元ゾーンを有するものを含む特に限定されないが、反射の単一ゾーン、垂直二重ゾーンおよび水平二重ゾーン拡張IO要素反射の拡張IO要素の併担グループ反射要素の各ペアは1つの共通電極で実施する屈折、反射、フィールドフリーなどの運転モードを含めたシリーズの少なくとも2つのモードを決定する任意の特徴を有する拡張多機能IO要素、これにより、以下のようなシリーズタイプデザインタイプを含めたシリーズのうちから決まるデザインの特徴による拡張IO要素eである、拡張2次元:平面上の直交2次元不均一コンデンサおよぶ平面コンデンサを含むおよび表面上の直交2次元不均一高さのコンデンサおよび円筒形状コンデンサを含む、拡張3次元拡張二重対称を含む:交互扇型トランス変角交互扇型トランス軸方向交互V-字交互円錐交互直交、交互箱型、交互トランス軸方向混合、交互直交混合交互箱型混合交互異種混合。IO要素が二重対称に実施された場合には、IO要素の電極操作面は平面または凹面であって、限定するものではないが、平行同一平面型表面のペアで、これにより、少なくとも1つの電極の隣接する前線は、第二次曲線のセクションとして記載している、請求項12に記載の制御サブシステム。IO要素が軸対称に実施された場合には、電極操作表面はシリンダ表面、ダイヤフラム-電極表面、円錐セクタ-の表面、直線軸の周りで成分を回転させることで出来き、かつ、2次曲線のセグメントで記載している回転表面を備えるシリーズのうちから決まり、電極の少なくとも1つは、イオンフラックス経路の少なくとも1つのホールで実施される、請求項12に記載の制御サブシステム。平面、凹面形状を備えるシリーズのうちから決まるダイヤフラム電極操作表面であり、請求項12に記載の制御サブシステム。イオン反射外からの反射のIO要素での極端な電極の面が、隣接する電極の軸対称性に垂直制限電極である、請求項12に記載の制御サブシステム。ほぼM-平面上とP-要素の付近においてイオンを移動する任意の特徴を有して実施するP-要素を備える、請求項12に記載の制御サブシステム。反射のP-要素が、反射のP-要素および多機能P-要素のタイプを備えるシリーズのうちから決まり、加えて、上記P-要素の両方の出力と入力平均平面はほぼ平行であり、主としてP-要素として屈折のIO要素の少なくとも1つから成っている、請求項19に記載の制御サブシステム。ほぼP-要素の縦軸方向に垂直な平面上と、その付近においてイオンを移動する任意の特徴を有して実施するP-要素を備える、請求項12に記載の制御サブシステム。反射のP-要素が、反射のP-要素および多機能P-要素のタイプを備えるシリーズのうちから決まる場合には、主としてP-要素として屈折のIO要素の少なくとも1つを追加的に備える、請求項21に記載の制御サブシステム。上記P-要素の両方の縦軸方向に垂直な平面が、ほぼ平行である、請求項22に記載の制御サブシステム。それはフィールドを入力するための異なる平面における平均ベクトル管イオンフラックスイオン飛跡の場所の可能性を確実にするために作られ、現場管理サブシステムを出た後にされることを特徴とする、請求項12に記載の制御サブシステム。それがフィールドに入る前に、フィールド管理サブシステムを出た後、その位置の特定に並列に、同一平面における平均ベクトル管イオンの流れの場所の可能性を確認する検査が行われたことを特徴とする、請求項12に記載の制御サブシステム。上記多要素タイプが、M表面上およびP-要素の近辺での経路イオンフラックスの平均ベクトルを配置する任意の特徴を有する水平直線で実施する、請求項12に記載の制御サブシステム。管理それはフィールドを入力するための異なる平面における平均ベクトル管イオンフラックスイオン飛跡の場所の可能性を保証するために行われることを特徴とするサブシステム、およびフィールド管理サブシステムを出た後。P-要素の出力と入力平均平面が互いに平行である、請求項31に記載の制御サブシステム。反射のサブシステムおよび多機能サブシステムを備えるシリーズのうちから決まる場合には、単一IOレンズ要素のシリーズから主として選択され、追加的に屈折の少なくとも1つのIO要素を備える、請求項31に記載の制御サブシステム。屈折の少なくとも1つのIO要素が屈折のP-要素に囲まれ、対称性の入力および出力平均平面の少なくとも1つ、反射の2つの隣接P-要素の少なくとも1つに対して、少なくとも1つの入力および出力平均平面が平行である、請求項35に記載の制御サブシステム。上記多要素タイプは、P-要素の縦軸方向に垂直な平面上と、その付近において経路イオンフラックスイオン経路の平均ベクトルを配置できる任意の特徴を有する垂直直線で実施する、請求項12に記載の制御サブシステム。P-要素の縦軸方向に垂直な平面がほぼ互いに平行である、請求項37に記載の制御サブシステム。反射のサブシステムおよび多機能サブシステムを備えるシリーズのうちから決まる場合には、追加的に屈折のIO要素の少なくとも1つを備える、請求項37に記載の制御サブシステム。屈折の少なくとも1つのIO要素が屈折のP-要素に囲まれ、対称性の入力および出力平均平面の少なくとも1つ、反射の2つの隣接P-要素の少なくとも1つに対して、少なくとも1つの入力および出力平均平面が平行である、請求項41に記載の制御サブシステム。上記多要素タイプは、ヘテロ-平面型タイプを有する制御サブシステムのフィールドに入る前に、かつ、フィールドを離れた後に、異なる平面で経路イオンフラックスイオン経路の平均ベクトルを配置する任意の特徴を有して実施するP-要素を備える、請求項12に記載の制御サブシステム。プロジェクション平行対称性ヘテロ-平面型入力-出力で実施し、上記水平直線および垂直直線制御サブシステムを備えるシリーズのうちから決まる、請求項43に記載の制御サブシステム。上記多要素タイプは、限定するものではないが、制御サブシステムのフィールドに入る前と出た後の配置に平行である、1つの平面に経路イオンフラックスイオン経路の平均ベクトルを配置する任意の特徴を有して実施する、請求項12に記載の制御サブシステム。逆平行入力-出力で実施し、上記制御サブシステム水平直線および垂直直直線を備えるシリーズのうちから決まる、請求項45に記載の制御サブシステム。入力-出力角度斜角での集束で実施する、請求項45に記載の制御サブシステム。孔の構造が、丸、楕円、四重極、曲線端を有する四重極、その他の構成を備えるシリーズのうちから決まり、少なくとも1つの孔が提供された少なくとも1つのダイヤフラム-電極を備えた、請求項12に記載の制御サブシステム。ダイヤフラム-電極の孔が、制御サブシステムの平均平面または対称軸に対して交差する任意の特徴を有して実施し、少なくとも1つのダイヤフラム-電極が、制御サブシステムの機能特性を変える孔のサイズと構成を制御するサイズマニュアル-電子制御を制御する任意の特徴で実施する、請求項48に記載の制御サブシステム。狭い形状を有する一定幅型であり、在るいは狭い又は幅広い形状を有する平面型であり、かつ狭い形状一定幅型及び平面型の装置は以下の直列反射式、一環状反射式、弓形反射式、二環状反射式からなる群より選択される形式であり、幅広い形状で平面型のP多重反射装置は以下の第二タイプ曲線式、n面体式からなる群より選択される形式を有し、電界において四つ以上のイオン流束を反射することが可能であり、イオン流束を制御することを特徴とするP多重反射装置。ローカルなローカル式イオン光学構成部分が多様な形式及び型を有し、それは以下のローカルなイオン光学屈折構成部分ローカルなイオン光学レンズ、ローカルなイオン光学顕微鏡構成部分、ローカルなイオン光学角柱、ローカルなイオン光学円筒形及び平面コンデンサー、ローカルなイオン光学鏡又はローカルなイオン光学反射構成部分そのローカルなイオン光学反射構成部分は一領域式、垂直二領域式、水平二領域式からなる群より選択され、組み合わさったローカルなイオン光学反射構成部分のグループ各反射構成部分のペアは一つ以上の電極を備える、二つ以上の動作モード屈折、反射、無領域を含むで稼働するローカルな多機能イオン光学構成部分からなる群より選択される形式機能特性を有し、かつ以下の、aローカルな二次元型であり、二次元デカルト式平面型不均一高さ及び平面コンデンサーを備え又は二次元デカルト式表面型不均一高さ及び円筒形コンデンサーを備え、bローカルな三次元型二重対称型を含むであり、トランス軸軸セクター型、楔状束型、円錐形型、交差型、箱型、トランス曲線軸混合型、交差混合型、異種混合型からなる群より選択される実施形態型を有する特徴をもつ請求項50に記載のP多重反射装置。延長された延長式一定幅又は増分幅のイオン光学構成部分が多様な形式及び型を有し、延長されたイオン光学屈折構成部分延長されたイオン光学レンズ、延長されたイオン光学顕微鏡構成部分、延長されたイオン光学角柱、延長されたイオン光学鏡二次元反射領域を含む又は延長されたイオン光学反射構成部分その延長されたイオン光学反射構成部分は一領域式、垂直二領域式、水平二領域式からなる群より選択され、組み合わさった延長されたイオン光学反射構成部分のグループ各反射構成部分のペアは一つ以上の電極を備える、二つ以上の動作モード屈折、反射、無領域を含むで稼働する延長された多機能イオン光学構成部分からなる群より選択される形式機能特性を有し、かつ以下の、a延長された二次元型であり、二次元デカルト式平面型不均一高さ及び平面コンデンサーを備え又は二次元デカルト式表面型不均一高さ及び円筒形コンデンサーを備え、b延長された三次元型二重対称型を含むであり、部分的トランス軸軸セクター型、部分的楔状束型、部分的円錐形型、部分的交差型、部分的箱型、部分的トランス曲線軸混合型、部分的交差混合型、部分的異種混合型からなる群より選択される実施形態型を有する特徴をもつ請求項50に記載のP多重反射装置。一つの電極グループを有する単一式第二タイプ曲線型であり、かつ隣接する互いに向きあった電極の前面部は第二タイプ曲線型又はその構成部分であり、少なくとも一つの電極は一つ以上のイオン流束のための入出力口を有する特徴をもつ請求項50に記載のP多重反射装置。第二タイプ曲線型は一領域式又は垂直二領域式であり、望ましくは三次元である特徴をもつ請求項53と54に記載のP多重反射装置。第二タイプ曲線型では、幾何学的中心から最寄りの電極間間隙までの距離は、幾何学的中心から最寄りの電極板までの平均的距離よりもはるかに上回る特徴をもつ請求項53~54のいずれかに記載のP多重反射装置。一つの電極グループを備える単一型n面体式であり、かつ隣接する互いに向きあった電極の前面部は連続線形状であり、それらは各一つのn面体正多角形を形成し、そのうえ、nセクターで構成され、かつ下位多重反射システムの電極グループは一つ以上のイオン流束のための入出力口を有する特徴をもつ請求項50に記載のP多重反射装置。単一セクターj/n式n面体型は、n面体型P多重反射装置の単一j面体セクター構成要素セクターグループを備え、その場合にはnは1面体である特徴をもつ請求項50に記載のP多重反射装置。不連続表面型n面体式であり、ローカルなP反射構成部分グループを有し、それはn面体多角形の各辺P反射構成部分セクターグループに一つずつローカルなP反射構成部分が一定周期で配置され、請求項51に前記したP反射構成部分の型及び形式の群から選択される特徴をもつ請求項50に記載のP多重反射装置。不連続表面セクターj/n式n面体型は、n面体型P多重反射装置の不連続表面j面体セクター構成要素セクターグループを備え、その場合にはnは1面体であり、そのうえ、請求項51に前記したいずれかの構成要素を含むP反射構成部分を備えることを特徴をとする請求項50に記載のP多重反射装置。その形式が平面型では、イオン移送軌跡が、前記した第二タイプ曲線型での反射のように、P多重反射装置の領域外で、P多重反射装置基部平面における投影が表示可能な特徴をもつ請求項53~61のいずれかに記載のP多重反射装置。平面型であり、一領域式又は垂直二領域式である特徴をもつ請求項53~61のいずれかに記載のP多重反射装置。その形式が直列反射式では、同一平面上P多重反射装置の平均平面にあって、軸ベクトルが非平行時に互いに向きあって配置される二つの一領域P反射構成部分を備え、軌跡に沿ったイオン移送が可能であり、その基部平面への投影が直線分形状である特徴をもつ請求項64に記載のP多重反射装置。環状反射式であり、軌跡に沿ったイオン移送が可能であり、その基部平面への投影が環状形状であり、そのうえ、少なくとも一つの二領域P反射構成部分を備える特徴をもつ請求項64に記載のP多重反射装置。弓系反射式であり、軌跡に沿ったイオン移送が可能であり、その基部平面への投影がV字形に近い形状であり、そのうえ、その各辺に一つずつ端のP反射構成部分及び上記したV字形の頂上中間P反射構成部分に配置される三つのP反射構成部分を備え、かつ中間P反射構成部分の形式は二領域P反射構成部分であり、端のP反射構成部分の形式は一領域P反射構成部分例えば、単一式又は二次元デカルト式である特徴をもつ請求項64に記載のP多重反射装置。弓形反射式であり、いかなる端のP反射構成部分から平均P反射構成部分までの距離は、二つのP反射構成部分の端の間の距離を何倍にも上回り、そのうえ、P反射構成部分の端と端の間では流動空間無領域空間が発生する特徴をもつ請求項67に記載のP多重反射装置。軌跡に沿ったイオン移送が可能な二環状反射式であり、その基部平面への投影が、頂上接点環状接点でもある同一の頂上を有する二つの三角形構成要素環状を有する曲線形状であり、そのうえ、各外部頂上非環状に一つずつに配置される四つのP反射構成部分を備える特徴をもつ請求項64に記載のP多重反射装置。二環状反射式では、幾何学的平均的平面及び平均的平均平面である環状間の平面典型線が対称的又は非対称的であり、その平面典型線が異環状的P反射構成部分を異なる端側に分ける特徴をもつ請求項69と70に記載のP多重反射装置。一定幅で動作する場合には延長されたP反射構成部分を有し、請求項52に前記したいずれかの構成要素を含むことを特徴とする請求項64~71のいずれかに記載のP多重反射装置。直線軸が平行に設置されている特徴をもつ請求項72に記載のP多重反射装置。二つの相互作用にあるP構成部分の内の一つ目は二次元カルテシアン、二つ目は三次元で行われる特徴をもつ請求項72と73に記載のP多重反射装置。二つの相互作用にあるP構成部分の二つが三次元で行われる特徴をもつ請求項72と73に記載のP多重反射装置。請求項51と52に前記したいずれかの構成要素を含むことを特徴とし、さらに一つ又はそれ以上のイオン光学屈折構成部分を有する特徴をもつ請求項72~75のいずれかに記載のP多重反射装置。イオン光学屈折構成部分はローカルなイオン光学屈折構成部分を形をもつイオン光学レンズを有する特徴をもつ請求項76に記載のP多重反射装置。ローカルなイオン光学屈折構成部分は反射の定期間隔で配置される特徴をもつ請求項77に記載のP多重反射装置。ローカルなイオン光学屈折構成部分は同一の構成を持つが部分的には超越する特徴をもつ請求項76~78のいずれかに記載のP多重反射装置。流動空間における選ばれたイオン流束の定期反射に作用する延長されたイオン光学屈折構成部分を有し、請求項52に前記した延長されたイオン光学レンズを優先とする延長されたイオン光学屈折P構成部分のいずれかの構成要素を含む特徴をもつ請求項72~75のいずれかに記載のP多重反射装置。イオン流束の出入力が両側の異なる位置に配置しており両側貫通のRW式の特徴をもつ請求項72~80のいずれかに記載のP多重反射装置。狭く平坦な形状を有するローカルなP反射構成部分P鏡を少なくとも二つ以上から構成されていて請求項51に前記したいずれかの構成要素を含むことを特徴とし請求項64~71のいずれかに記載のP多重反射装置。閉じられていない二つの反射環状式及び対称的に異なる平面形が平行投影する出入力を有する特徴をもつ請求項83に記載のP多重反射装置。全てのP鏡が基部近接面付近に配置されている特徴をもつ請求項83~84のいずれかに記載のP多重反射装置。一つ目のP鏡入力と同一環状線の対角線上に位置する二つ目のP鏡がP多重反射装置の基部近接面ではなく、P多重反射装置の基部近接面に出入力が相対的に配置され、零以上π/4以内の出来るだけ等しい平坦な鋭角を有するP鏡が位置する特徴をもつ請求項83~84のいずれかに記載のP多重反射装置。全てのP鏡は基部近接面付近に配置されており、その出入口は相対的に配置されているか基部近接面組み合わさっており、少なくとも一つのP鏡は二つ以上の電気供給源機能を備えておりP多重反射装置に送電することによりイオン流束を発生させることが可能であり、これの機能はP多重反射装置に追加された多機能イオン光学構成部分が果たすことも可能な特徴をもつ請求項83に記載のP多重反射装置。少なくとも二つの相互作用にあるP鏡は、例えば二環状反射が同一対角線上に存在する場合には二帯域のイオン流束の軌道が異なる平行面に入射及び反射される特徴をもつ請求項83~88のいずれかに記載のP多重反射装置。水平に連続してP構成部分のM表面上及び付近に配置され平均的イオン流束イオンの軌道の平均的ベクトルである特徴をもつ請求項83~88のいずれかに記載のP多重反射装置。垂直に連続してP構成部分の縦垂直面上及び付近に配置され平均的イオン流束イオンの軌道の平均的ベクトルである特徴をもつ請求項83~88のいずれかに記載のP多重反射装置。イオン流束の軌道同士の交差を最小限に抑えることを可能とする請求項83~91のいずれかに記載のP多重反射装置。流動空間領域外に配置され回転対称から選択されるか請求項52に前記したいずれかのローカルなイオン光学レンズP屈折構成部分のいずれかの構成要素を含み、追加されたイオン光学屈折構成部分を特徴とする請求項64~92のいずれかに記載のP多重反射装置。二つ以上の電極を備える一つ以上のイオン光学構成部分を有するイオン光学路下位システム、及びイオン流束路の出力表面境界又は出入力表面境界である一つ以上の表面境界を具備し、かつイオン移送IB路は一つ又はそれ以上の下位操作システムを含み、又は空間横断分散式又の曲線主軸を含み、又は多重反射式であり、多重反射式の場合には多重路式複交差表面又は及び無主軸二交差表面単一路式で稼働可能であり、及び適当する又は少なくとも一つの表面境界が、選択する表面境界に適当する一つ以上の移送口イオン流束路を移送するためを有するイオン光学路下位システムの電極に一致する二つ以上の表面境界を備え、又は及びIB路のイオン光学路下位システムは電子式無磁気性であり、二次元反射式を含む拡張三次元P反射構成要素、平面型P多重反射装置、三次元P多重式反射装置、多層式P多重反射装置、他のイオン光学構成部分存在するならば、及びイオン光学構成部分へ流れるイオン流束平均的ベクトルの方向に対してイオン光学構成部分の所定空間内位置を選択可能な一つ以上のイオン光学構成部分を有する下位操作システムからなる群より選択される一つ以上を含む、又は拡張P屈折構成要素、三次元P反射構成要素、不均一な高さのP構成要素、二次元反射ゾーンP反射構成要素からなる群より選択される一つ以上を含むことを特徴とするイオン流束路の生成及び制御をするためのイオン移送式のIB路イオン移送IB路ブロック又はイオン移送IB路。表面境界が直軸の回転対称をもつ請求項94に記載のIB路。円形卵形表面及び環状表面の中心が表面境界の回転対称に配置されており、表面が一つ以上の選択された環状部分からなり、同心円状及び表面境界の回転対称中心点から順列に配置されており、表面が二つ以上の選択された異なる環状部分で構成される表面境界の路区間構成が単一路又は多重路のイオン流束操作が可能の特徴をもつ請求項94に記載のIB路。表面境界の回転対称の軸と単一路のイオン流束OO交差式境界部が交差可能の特徴をもつ請求項95と96に記載のIB路。表面境界の回転対称の軸外に単一路のイオン流束OE交差式境界部が配置可能の特徴をもつ請求項95と96に記載のIB路。表面境界の回転対称の軸外に多重路のイオン流束OEE交差式境界部の区間構成要素が配置可能の特徴をもつ請求項95と96に記載のIB路。表面境界の回転対称の軸と多重路のイオン流束OOE交差式境界部の区間構成要素が交差可能の特徴をもつ請求項95と96に記載のIB路。表面は表面境界の平均平面に平行な四角形の形その線は丸みを帯びた角を有するをしており、四角形管丸みを帯びた角を有するの区間部表面は表面境界の幾何学的中心に位置しており、前記した一つ又はそれ以上の区間構成要素の四角形管の表面で構成される表面境界の路区間構成が単一路又は多重路のイオン流束操作が可能で表面境界が平均平面の特徴をもつ請求項94に記載のIB路。表面境界の平均平面と単一路のイオン流束PP交差式境界部が交差可能の特徴をもつ請求項101に記載のIB路。表面境界の平均平面外に単一路のイオン流束PE交差式境界部が配置可能の特徴をもつ請求項101に記載のIB路。表面境界の平均平面と多重路のイオン流束PPP交差式境界部の区間構成要素が配置可能の特徴をもつ請求項101に記載のIB路。表面境界の平均平面外と多重路のイオン流束PEE交差式境界部の区間構成要素が配置可能の特徴をもつ請求項101に記載のIB路。表面境界の平均平面と複数の多重路のイオン流束PPE交差式境界部が交差可能の特徴をもつ請求項101に記載のIB路。二重対称表面境界及び互いに対して垂直な対称平面を二つ有しており、この交線は表面境界の主軸を形成する特徴をもつ請求項94に記載のIB路。各表面と四角形管丸みを帯びた角を有するの表面区間は表面境界の幾何学的中心に位置しており、表面は表面境界の平均平面に平行な四角形の形その線は丸みを帯びた角を有するをしており、四角形管丸みを帯びた角を有するの区間部表面は表面境界の幾何学的中心に位置しており、前記した一つ又はそれ以上の区間構成要素の四角形管の表面及び前記した二つ又はそれ以上の区間構成要素の四角形管の表面で構成される表面境界の路区間構成が単一路又は多重路のイオン流束操作が可能の特徴をもつ請求項107に記載のIB路。表面境界の主軸と単一路のイオン流束SO交差式境界部が交差可能の特徴をもつ請求項107と108に記載のIB路。表面境界の平均平面外と単一路のイオン流束SE交差式境界部の区間構成要素が配置可能で、又は表面境界の平均平面と複数の単一路のイオン流束SP交差式境界部が交差可能の特徴をもつ請求項107と108に記載のIB路。表面境界のイオン流束路のSPP交差式、又はSEE交差式及びSPE交差式が交差可能の特徴をもつ請求項107と108に記載のIB路。表面境界のイオン流束路のSOP交差式、又はSOE交差式及びSOPE交差式が交差可能の特徴をもつ請求項107と108に記載のIB路。各表面境界の平面は軸に対して垂直及び電極は隣接する平均平面の対称面に配置され特徴をもつ請求項94~112のいずれかに記載のIB路。イオン光学構成部分は隣接する各表面境界に対して対称性をもつ請求項94~113のいずれかに記載のIB路。出入力の表面が平面外に配置される特徴をもつ請求項94~114のいずれかに記載のIB路。出力表面が出力の電極表面境界の出力電極に組み合わせられている特徴をもつ請求項94~115のいずれかに記載のIB路。入力表面が入力の電極表面境界の入力電極に組み合わせられている特徴をもつ請求項94~116のいずれかに記載のIB路。未記載未記載表面境界はIB路に入力するイオン流束路を一つ又はそれ以上の入力表面a表面を備え、及びシステムの検出器構成部分とイオン流束路の境界を決定するための一つ又はそれ以上の出力表面を備え、ここでq表面である他のIB路に出るか検出を行うd表面に進むかを決定する特徴をもつ請求項94~117のいずれかに記載のIB路。イオン流束路システムは線式であり直軸一方方向動作モードで稼動を備え、そのシステムには直軸に沿って対称な入力表面、第一電極グループ、隔膜電極横隔膜アパーチャ、第二電極グループ及び入力表面の方向へ前面が向けられている出力表面が含まれる特徴をもつ請求項94~120のいずれかに記載のIB路。イオン流束路システムは反射式であり直軸反応的一方反射動作モードで稼動を備え、そのシステムには直軸に沿って対称な入力表面、第一電極グループ、隔膜電極、イオン流束路を直線方向で通過させるための穴がついている軸を有する出力表面、第二電極グループが含まれ、第二電極グループと出力表面からローカルな反射イオン光学構成部分イオン光学鏡が形成される特徴をもつ請求項94~120のいずれかに記載のIB路。イオン流束路システムは二重式であり直軸を備え、そのシステムには直軸に沿って対称な入力表面、第一電極グループ、隔膜電極、イオン流束路を直線方向で通過させるための穴がついている軸を有する第一出力表面、第二電極グループ、第二出力表面が含まれ、この際には第一出力表面の前面は入力表面の反対方向へ向けられており反応的動作モードの稼動を確保するため、第二出力表面の前面は入力表面の方向へ向けられている一方方向動作モードの稼動を確保するため特徴をもつ請求項94~120のいずれかに記載のIB路。出力表面がd表面の形をしており、イオン流束路とIB路にある検出器構成部分の境界を決本発明の主な課題は、費用に対する分解能の比率向上を目的とした、質量分析法の開発及びそれを実施するための、イオン操作が可能な装置設計である。そのうえ、この方法装置での質量分析は全てのブロック度タイプ及び精度別タイプを網羅している。本発明は、分析器の、物質の組成や構造の測定においての感度、精度及び速度の向上を目的とし、その機能及び性能を発展させ、そのうえ、小型化及び少量化することを可能にしている。そして、本発明で解決される、もう一つの課題は、質量分析法の多様化である。ここで記述されている方法及びそのための装置は、本発明の出願時において、類似の発明及び技術的解決法が公知されていないため、発明としての基準を満たしている。本発明は、今までの質量分析法及び質量分析装置と決定的な違いを有している。本発明において提案する方法及びそのための装置の実用化は、既に存在する材料、機材及び技術に基いて可能である。本発明で提案する質量分析法の実施形態は次のとおりである。aイオン伝導IB-チャネルのIOチャネルサブシステムは、1つの制御サブシステムとして、交差空間分散モードおよび、多重反射モードにおける曲線主軸を有するサブシステムがあり、モードのシリーズのシリーズのうちから決定される、イオン発生源ブロック中の物質試料をイオン化し、そこからイオンフラックスイオン、複数を射出し、イオンフラックスを発生させて、イオン質量により、少なくとも、境界表面を有するイオン伝導IB-チャネルおよびIOチャネルサブシステムIO要素を備えるイオン伝導ブロックの群により発生した磁性および電気フィールドの1つを用いた手段により、質量分散を含めた運動を制御質量/電荷比率、m/zの値による質量分散して、それぞれが、IOシステム直列接続イオン伝導IB-チャネル、および、イオン発生源ブロックのイオン発生源IB-チャネルを備えたMSチャネルの一部である。b少なくとも、検知器システムの1つの検出器グループの手段で、イオンを登録する。c質量分析器の全てのブロックの運転を制御および管理し、ならびに、コントローラ-コンピュータシステムによりデータ処理をサポートする。本発明で提案する質量分析法の他の既知の方法との主な違いは、イオン流束の生成及び制御方法が、次のいかなる方法の中から、少なくとも一つの方法で実施され、からなる群より選択される。マルチセルセクション表面を有するモードを含むチャネル多経路イオンフラックス、および、セクションの二重接続表面を有するモードを含めて、軸外れ単一-経路チャネルイオンフラックスなどのうちから決定されるモードの使用を有するMSチャネルでの質量分析。他のIO要素もし有ればに対して、および、イオンフラックスに入る平均ベクトルの方向に対してIO要素の特定の空間定位の選択を可能にするIO要素フラット単一シラブルP-マルチリフレクタ三次元P-マルチリフレクタカスケード-多層マルチリフレクタ屈折の拡張P-要素、反射の三次元P-要素不均一高さのP-要素、二次元反射ゾーンを有する反射のP-要素のシリーズのうちから決定される少なくとも1つを含み、電気的非磁性IOチャネルサブシステムでイオンフレックスを制御する。本発明で提案する質量分析法の他の既知の方法とのその他の違いは、-各経路が主に検知器システムの個々の検知器により検知され、経路イオンフラックスの少なくとも1つチャネルイオンフラックス、単一経路チャネルフラックス、多経路チャネルフラックスがMSチャネルを経由する。-異なる発生源異なる対象物/プロセスからの、1つの対象物/プロセスの異なる要素からのから受け取った経路イオンフラックスを、イオン発生源システムの異なる出力ゲートを経由してイオン伝導ブロックに入射を行う。-イオン発生源システムの出力ゲートの、少なくとも1つから出る経路イオンフラックスが、時間関数例えば、同時、または特定の時間間隔で、代替としてにおいて、相互に独立しており、1つの代替モードで供給される。-質量分散およびイオンフラックスのエネルギー分散の値を制御し、エネルギースペクトルの特定の列間隔でエネルギー分光法を質量分析法と同時に実施する。-使用周期性モードの1つが、少なくともIB-チャネルの一部を経由して単一サイクルと多サイクルイオン経路を備えるシリーズのうちから決定される。-質量分析を単段式モード、MSMSモード、MS<n>-モードを含めたタームのうちから決定される1つのモードを使用して実施する。-交差空間方向の少なくとも1つに沿って経路イオンフラックスの交差空間収束を検知器表面で実施する。-脈動電圧による、主に調整された脈動電圧による運動に沿って、イオンフラックスの交差空間収束を実施する。-MS<n>-タイプを含むシリーズのうちから決定される飛行時間質量分析であり、MSMS-タイプが埋め込み型時間の方法で実施される。-法、エネルギーの広がりでイオンパケットの形で提示管イオンの流れをエネルギー飛行フォーカスを行う検出器の表面またはその近くにあって。本発明で提案する質量分析法の実施形態において、荷電粒子流イオン流束を含むの操作に下位システムが使用されており、その下位システムは一つ以上の電子非磁気性イオン光学路を有し、そのイオン光学路は二つ以上の電極を備え、次のいかなる実施形態からなる群より選択される。a一つ以上のイオン光学屈折構成部分を有する下位屈折システム、bnが整数でありn≦3の場合で、nつ以上ののローカルなイオン光学反射構成部分、或いは一つ又は二つのイオン光学反射構成部分を有し及び延長されたイオン光学下位反射システムを備える下位反射システム、c上記のa型及びb型を含む反射屈折下位システム、d上記のa型、b型及びc型の群により選択される型の内のひとつであり、その内の少なくとも一つのイオン光学構成部分が多機能型であり、及び反射式、屈折式、無領域式の群により少なくとも二つ選択される形式を有する多機能下位システム、本発明で提案する下位システムの他の既知の下位システムとの主な違いは、かつ、これらは、他のIO要素もし有ればに対して、および、イオンフラックスに入る平均ベクトルの方向に対してIO要素の特定の空間定位の選択を可能にするIO要素、屈折の拡張P-要素、反射の3次元P-要素、不均一高さのP-要素、2次元反射ゾーンを有する反射のP-要素、を備えるシリーズのうちから決定する、少なくとも1つのIO要素を含む。本発明で提案する下位システムの他の既知の下位システムとのその他の違いは、-屈折局所IO要素局所IOレンズ、局所遠用IO要素、局所IOプリズム、局所円筒形状および平面コンデンサ局所ミラー反射の2次元ゾーンを有するものを含む、特に限定されないが、反射の単一ゾーン、垂直二重ゾーンおよび水平二重ゾーン局所IO要素反射要素のペアのそれぞれが1つの共通電極で実施される、反射の局所IO要素の併担グループ屈折、反射、フィールドフリーなどの操作モードを含めて、シリーズの少なくとも、2つのタームに決定できる局所多機能IO要素のようなシリーズタイプ機能性タイプを含むシリーズのうちから決定する局所IO要素であり、これにより、以下のようなシリーズタイプデザインタイプを含めたシリーズのうちから決まるデザインの特徴による局所IO要素であり、機能性およびデザイン性特徴を選択できる局所局所タイプのIO要素を実施する、局所2次元:平面上の直交2次元不均一コンデンサおよぶ平面コンデンサを含むおよび表面上の直交2次元不均一高さのコンデンサおよび円筒形状コンデンサを含む、局所3次元局所二重対称を含む:扇型トランス変角扇型トランス軸方向V-字円錐直交、箱型、トランス変角混合直交混合箱型混合異種混合。拡張拡張タイプのIO要素が単一ステージおよび配列ステージから成り、任意の機能性とデザインの特徴で実施するシリーズのうちから決まり、また、機能性の特徴による各拡張IO要素は、以下のシリーズタイプ機能性タイプなどを備えるシリーズのかなから決まる、請求項12に記載の制御サブシステム屈折の拡張IO要素拡張IOレンズ、拡張遠用IO要素、拡張IOプリズム反射の拡張IO要素反射の2次元ゾーンを有するものを含む特に限定されないが、反射の単一ゾーン、垂直二重ゾーンおよび水平二重ゾーン拡張IO要素-反射の拡張IO要素の併担グループ反射要素の各ペアは1つの共通電極で実施する屈折、反射、フィールドフリーなどの運転モードを含めたシリーズの少なくとも2つのモードを決定する任意の特徴を有する拡張多機能IO要素、これにより、以下のようなシリーズタイプデザインタイプを含めたシリーズのうちから決まるデザインの特徴による拡張IO要素eである、拡張2次元:平面上の直交2次元不均一コンデンサおよぶ平面コンデンサを含むおよび表面上の直交2次元不均一高さのコンデンサおよび円筒形状コンデンサを含む、拡張3次元拡張二重対称を含む:交互扇型トランス変角交互扇型トランス軸方向交互V-字交互円錐交互直交、交互箱型、交互トランス軸方向混合、交互直交混合交互箱型混合交互異種混合。-IO要素が二重対称に実施された場合には、IO要素の電極操作面は平面または凹面であって、限定するものではないが、平行同一平面型表面のペアで、これにより、少なくとも1つの電極の隣接する前線は、第二次曲線のセクションとして記載している。-IO要素が軸対称に実施された場合には、電極操作表面はシリンダ表面、ダイヤフラム-電極表面、円錐セクタ-の表面、直線軸の周りで成分を回転させることで出来き、かつ、2次曲線のセグメントで記載している回転表面を備えるシリーズのうちから決まり、電極の少なくとも1つは、イオンフラックス経路の少なくとも1つのホールで実施される。-平面、凹面形状を備えるシリーズのうちから決まるダイヤフラム-電極操作表面であり。-イオン反射外からの反射のIO要素での極端な電極の面が、隣接する電極の軸対称性に垂直制限電極である。-ほぼM-平面上とP-要素の付近においてイオンを移動する任意の特徴を有して実施するP-要素を備える。-反射のP-要素が、反射のP-要素および多機能P-要素のタイプを備えるシリーズのうちから決まり、加えて、上記P-要素の両方の出力と入力平均平面はほぼ平行であり、主としてP-要素として屈折のIO要素の少なくとも1つから成っている。-ほぼP-要素の縦軸方向に垂直な平面上と、その付近においてイオンを移動する任意の特徴を有して実施するP-要素を備える。-反射のP-要素が、反射のP-要素および多機能P-要素のタイプを備えるシリーズのうちから決まる場合には、主としてP-要素として屈折のIO要素の少なくとも1つを追加的に備える。-上記P-要素の両方の縦軸方向に垂直な平面が、ほぼ平行である。-それはフィールドを入力するための異なる平面における平均ベクトル管イオンフラックスイオン飛跡の場所の可能性を確実にするために作られ、現場管理サブシステムを出た後にされることを特徴とする。-それがフィールドに入る前に、フィールド管理サブシステムを出た後、その位置の特定に並列に、同一平面における平均ベクトル管イオンの流れの場所の可能性を確認する検査が行われたことを特徴とする。-上記多要素タイプが、M表面上およびP-要素の近辺での経路イオンフラックスの平均ベクトルを配置する任意の特徴を有する水平直線で実施する。-P-要素の出力と入力平均平面が互いに平行である。-反射のサブシステムおよび多機能サブシステムを備えるシリーズのうちから決まる場合には、単一IOレンズ要素のシリーズから主として選択され、追加的に屈折の少なくとも1つのIO要素を備える。-屈折の少なくとも1つのIO要素が屈折のP-要素に囲まれ、対称性の入力および出力平均平面の少なくとも1つ、反射の2つの隣接P-要素の少なくとも1つに対して、少なくとも1つの入力および出力平均平面が平行である、請求項35に記載の制御サブシステム。-上記多要素タイプは、P-要素の縦軸方向に垂直な平面上と、その付近において経路イオンフラックスイオン経路の平均ベクトルを配置できる任意の特徴を有する垂直直線で実施する。-P-要素の縦軸方向に垂直な平面がほぼ互いに平行である。-反射のサブシステムおよび多機能サブシステムを備えるシリーズのうちから決まる場合には、追加的に屈折のIO要素の少なくとも1つを備える。-屈折の少なくとも1つのIO要素が屈折のP-要素に囲まれ、対称性の入力および出力平均平面の少なくとも1つ、反射の2つの隣接P-要素の少なくとも1つに対して、少なくとも1つの入力および出力平均平面が平行である。-上記多要素タイプは、ヘテロ-平面型タイプを有する制御サブシステムのフィールドに入る前に、かつ、フィールドを離れた後に、異なる平面で経路イオンフラックスイオン経路の平均ベクトルを配置する任意の特徴を有して実施するP-要素を備える。-プロジェクション平行対称性ヘテロ-平面型入力-出力で実施し、上記水平直線および垂直直線制御サブシステムを備えるシリーズのうちから決まる。-上記多要素タイプは、限定するものではないが、制御サブシステムのフィールドに入る前と出た後の配置に平行である、1つの平面に経路イオンフラックスイオン経路の平均ベクトルを配置する任意の特徴を有して実施する。-逆平行入力-出力で実施し、上記制御サブシステム水平直線および垂直直直線を備えるシリーズのうちから決まる。-入力-出力角度斜角での集束で実施する。-孔の構造が、丸、楕円、四重極、曲線端を有する四重極、その他の構成を備えるシリーズのうちから決まり、少なくとも1つの孔が提供された少なくとも1つのダイヤフラム-電極を備えた。-ダイヤフラム-電極の孔が、制御サブシステムの平均平面または対称軸に対して交差する任意の特徴を有して実施し、少なくとも1つのダイヤフラム-電極が、制御サブシステムの機能特性を変える孔のサイズと構成を制御するサイズマニュアル-電子制御を制御する任意の特徴で実施する。本発明で提案する質量分析法の実施形態において、イオン流束の操作にP多重反射装置が使用されており、そのP多重反射装置は、主に電界で、四重以上のイオン流束の反射が可能である。本発明で提案するP多重反射装置の他の既知のP多重反射装置との主な違いは、電界において四つ以上のイオン流束を反射することの出来るイオン流束制御のためのP多重反射装置は、細い形状を有する一定幅型であり、在るいは細い又は幅広い形状を有する平面型であり、かつ細い形状一定幅型及び平面型のP多重反射装置は以下の直列反射式、一環状反射式、弓形反射式、二環状反射式からなる群より選択される形式であり、幅広い形状で平面型のP多重反射装置は以下の第二タイプ曲線式、n面体式からなる群より選択される形式である。本発明で提案するP多重反射装置の他の既知のP多重反射装置とのその他の違いは、-局所局所タイプIO要素が任意の機能性とデザインの特徴で実施し、屈折の局所IO要素局所IOレンズ、局所遠用IO要素、局所IOプリズム、局所円筒形状および平面コンデンサ局所IOミラーIO反射の2次元ゾーンを有するものを備える、その中で、反射の単一ゾーン、垂直二重ゾーンおよび水平二重ゾーン局所IO要素反射要素の各ペアが1つの共通電極で実施され、反射の局所IO要素の併担グループのようなシリーズタイプ機能性タイプなどを備えるシリーズのかなから決まり、屈折、反射およびフィールドフリーなどの操作モードを備えるシリーズの、少なくとも2つのタームを決定する任意の特徴を有する局所多機能IO要素、これにより、以下のようなシリーズタイプデザインタイプを含めたシリーズのうちから決まるデザインの特徴による局所IO要素である、請求項50に記載のP-マルチリフレクタ。a局所2次元:平面上の直交2次元不均一コンデンサおよぶ平面コンデンサを備えるおよび表面上の直交2次元不均一高さのコンデンサおよび円筒形状コンデンサを備える、b局所3次元局所二重対称を備える:扇型トランス変角扇型トランス軸方向V-字円錐直交、箱型、トランス変角混合直交混合箱型混合異種混合。-拡張IO要素が、単一拡張またはアレイ拡張タイプを備えるシリーズのうちから決まり、かつ、任意の機能性およびデザインの特徴で実施され、また、機能性の特徴による拡張IO要素は、屈折の拡張IO要素拡張IOレンズ、拡張遠用IO要素、拡張IOプリズム反射の拡張IO要素反射の2次元ゾーンを有するものを含むその中で、反射の単一ゾーン、垂直二重ゾーンおよび水平二重ゾーン局所IO要素反射の拡張IO要素の併担グループ反射要素の各ペアが1つ以上の電極で実施する屈折、反射、フィールドフリーなどの操作モードを含めて、シリーズの少なくとも、2つのモードに決定できる拡張多機能IO要素であり、これにより、以下のようなシリーズタイプデザインタイプを備えたシリーズのうちから決まるデザインの特徴による拡張IO要素、のシリーズタイプ機能性タイプなどを備えるシリーズのかなから決まる、P-マルチリフレクタ。a拡張2次元:平面上の直交2次元不均一コンデンサおよぶ平面コンデンサを含むおよび表面上の直交2次元不均一高さのコンデンサおよび円筒形状コンデンサを含む、b拡張3次元拡張二重対称を含む:交互扇型トランス変角交互扇型トランス軸方向交互V-字交互円錐交互直交、交互箱型、交互トランス軸方向混合、交互直交混合交互箱型混合交互異種混合。-電極の隣接する前線が二次曲線そのセグメントで示され、かつ、電極の少なくとも1つが、イオンフラックスを通過する、少なくとも、1つの孔で実施され、電極の1つの群を備える第二次曲線的カテゴリーの単一タイプで実施する、P-マルチリフレクタ。-電極の隣接する前線が二次曲線のサブカーブそのセグメントで示され、電極の1つの群を備える二次曲線カテゴリーの単一セクタータイプで実施する、P-マルチリフレクタ。-電極の隣接する前線が二次曲線のサブカーブそのセグメントで示され、電極の1つの群を備える二次曲線カテゴリーの単一セクタータイプで実施する、P-マルチリフレクタ。-二次曲線カテゴリーのタイプが、単一ゾーン垂直二重ゾーン、三次元の群のうちから決定される、P-マルチリフレクタ。-第二次曲線的カテゴリーのタイプは、幾何学的中心から最も近い電極間隔までの距離が電極電機子間の平均距離よりも大幅に大きい、P-マルチリフレクタ。請求項58電極の1つの群を備えるn-表面カテゴリーの単一タイプで実施され、n-イソフェイス正多角形を作り、各電極がn-セグメントから成る電極の隣接する前線が連続線で示され、多重反射サブシステムの前記電極群が、イオンフラックスを入力-出力する、少なくとも1つの孔を有して実施する、P-マルチリフレクタ。-不連続表面型n面体式であり、ローカルなP反射構成部分グループを有し、それはn面体多角形の各辺P反射構成部分セクターグループに一づつローカルなP反射構成部分が一定周期で配置され、請求項51に前記したP反射構成部分の型及び形式の群から選択される特徴をもつ。-直線状反射タイプを実施し、反射の単一ゾーンP-要素と相互に面することを備える一方で、逆平行軸心方向ベクトルが1つの平面P-マルチリフレクタの平均平面にに位置し、P-マルチリフレクタは、ベース平面に対するプロジェクションが線形セグメントの構成をほぼ有する経路に沿ってイオンを移動する任意の特徴を有して実施する、P-マルチリフレクタ。-ループ形状の反射タイプで、ベース平面に対するプロジェクションがループ形状線の構成をほぼ有する経路に沿ってイオンを移動する任意の特徴を有して実施し、反射の二重ゾーンP-要素を少なくとも1つ備える、P-マルチリフレクタ。-アーク状の反射タイプで、V字線の構成をほぼ有する経路に沿ってイオンを移動する任意の特徴を有して実施し、これにより、末端反射の末端P-要素での、および上記V字曲線のほぼ頂部反射の中間P-要素での1つ1つ配置した反射の3つのP-要素を備え、反射の中間P-要素は反射の二重ゾーンP-要素として実施しする一方で、反射の末端要素は反射の単一ゾーンP-要素として、例えば、直交2次元要素として実施する、P-マルチリフレクタ。-アーク状の反射タイプは、反射の末端P-要素から反射の平均P-要素eまでの距離が何倍も大きく、一方でドリフト空間フィールドフリー空間がまた他方で反射の平均P-要素eが反射のP-要素の間で形成される、P-マルチリフレクタ。-ベース平面上へのプロジェクションが、節点ループの節点を構成する1つの共通の頂点を有する2つの三角形セグメントループから成る曲線により定義される、軌道に沿ってイオンを移動する任意の特徴を有して2ループ反射を実施し、これにより、各ループの外方頂点に1つ配置された反射のP-要素4つを備える、P-マルチリフレクタ。-2ループ状反射タイプは、平均化した平均平面、かつ、反射のヘテロループP-要素をループ間平面の異なる側面に分離するほぼ幾何学的平均平面であるジェネリック線のループ間平面に対して対称性のタイプ対称、反対対称の1つで実施する、P-マルチリフレクタ。-一定幅で動作する場合には延長されたP反射構成部分を有し、請求項52に前記したいずれかの構成要素を含むことを特徴とするいずれかに記載のP多重反射装置。-直線軸が平行に設置されているP多重反射装置。-二つの相互作用にあるP構成部分の内の一つ目は二次元カルテシアン、二つ目は三次元で行われるP多重反射装置。-二つの相互作用にあるP構成部分の二つが三次元で行われるP多重反射装置。-請求項51と52に前記したいずれかの構成要素を含むことを特徴とし、さらに一つ又はそれ以上のイオン光学屈折構成部分を有するいずれかに記載のP多重反射装置。-イオン光学屈折構成部分はローカルなイオン光学屈折構成部分を形をもつイオン光学レンズの特徴を有するP多重反射装置。-ローカルなイオン光学屈折構成部分は反射の定期間隔で配置されるP多重反射装置。-ローカルなイオン光学屈折構成部分は同一の構成を持つが部分的には超越する特徴をもつP多重反射装置。-流動空間における選ばれたイオン流束の定期反射に作用する延長されたイオン光学屈折構成部分を有し、請求項52に前記した延長されたイオン光学レンズを優先とする延長されたイオン光学屈折P構成部分のいずれかの構成要素を含む特徴をもつP多重反射装置。-狭く平坦な形状を有するローカルなP反射構成部分P鏡を少なくとも二つ以上から構成されていて請求項51に前記したいずれかの構成要素を含むことを特徴としいずれかに記載のP多重反射装置。-閉じられていない二つの反射環状式及び対称的に異なる平面形が平行投影する出入力を有するP多重反射装置。-全てのP鏡が基部近接面付近に配置されている特徴をもつP多重反射装置。-一つ目のP鏡入力と同一環状線の対角線上に位置する二つ目のP鏡がP多重反射装置の基部近接面ではなく、P多重反射装置の基部近接面に出入力が相対的に配置され、零以上π/4以内の出来るだけ等しい平坦な鋭角を有するP鏡が位置する特徴をもつP多重反射装置。-全てのP鏡は基部近接面付近に配置されており、その出入口は相対的に配置されているか基部近接面組み合わさっており、少なくとも一つのP鏡は二つ以上の電気供給源機能を備えておりP多重反射装置に送電することによりイオン流束を発生させることが可能であり、これの機能はP多重反射装置に追加された多機能イオン光学構成部分が果たすことも可能な特徴をもつP多重反射装置。-少なくとも二つの相互作用にあるP鏡は、例えば二環状反射が同一対角線上に存在する場合には二帯域のイオン流束の軌道が異なる平行面に入射及び反射される特徴をもつP多重反射装置。-水平に連続してP構成部分のM表面上及び付近に配置され平均的イオン流束イオンの軌道の平均的ベクトルである特徴をもつP多重反射装置。-垂直に連続してP構成部分の縦垂直面上及び付近に配置され平均的イオン流束イオンの軌道の平均的ベクトルである特徴をもつP多重反射装置。-イオン流束の軌道同士の交差を最小限に抑えることを可能とするP多重反射装置。-流動空間フィールド外に配置され回転対称から選択されるか請求項52に前記したいずれかのローカルなイオン光学レンズP屈折構成部分のいずれかの構成要素を含み、追加されたイオン光学屈折構成部分を特徴とするP多重反射装置。本発明で提案する質量分析法の実施形態において、IB路が使用されている二つ以上の電極を備える一つ以上のイオン光学構成部分を有するイオン光学路下位システム、及びイオン流束路の出力表面境界又は出入力表面境界である一つ以上の表面境界を具備し、かつイオン移送IB路は一つ又はそれ以上の下位操作システムを含み、又は交差空間分散式又の曲線主軸を含み、又は多重反射式であり。本発明で提案するIB路の他の既知のIB路との主な違いは、多重反射式の場合には多重路式複交差表面又は及び無主軸二交差表面単一路式で稼働可能であり、及び適当する又は少なくとも一つの表面境界が、選択する表面境界に適当する一つ以上の移送口イオン流束路を移送するためを有するイオン光学路下位システムの電極に一致する二つ以上の表面境界を備え、又は及びIB路のイオン光学路下位システムは電子式無磁気であり、二次元反射式を含む拡張三次元P反射構成要素、平面型P多重反射装置、三次元P多重式反射装置、多層式P多重反射装置、他のイオン光学構成部分存在するならば、及びイオン光学構成部分へ流れるイオン流束平均的ベクトルの方向に対してイオン光学構成部分の所定空間内位置を選択可能な一つ以上のイオン光学構成部分を有する下位操作システムからなる群より選択される一つ以上を含む、又は拡張P屈折構成要素、三次元P反射構成要素、不均一な高さのP構成要素、二次元反射ゾーンP反射構成要素からなる群より選択される一つ以上を含むことを特徴とするイオン流束路の生成及び制御をするためのイオン移送式のIB路イオン移送IB路ブロック又はイオン移送IB路。本発明で提案するIB路の他の既知のIB路とのその他の違いは、表面境界が直軸の回転対称をもつ。-円形卵形表面及び環状表面の中心が表面境界の回転対称に配置されており、表面が一つ以上の選択された環状部分からなり、同心円状及び表面境界の回転対称中心点から順列に配置されており、表面が二つ以上の選択された異なる環状部分で構成される表面境界の路区間構成が単一路又は複合路のイオン流束操作が可能の特徴をもつ。-表面境界の回転対称の軸と単一路のイオン流束O0交差式境界部が交差可能の特徴をもつ。-表面境界の回転対称の軸外に単一路のイオン流束OE交差式境界部が配置可能の特徴をもつ。-表面境界の回転対称の軸外に複合路のイオン流束OEE交差式境界部の区間構成要素が配置可能の特徴をもつ。-表面境界の回転対称の軸と複合路のイオン流束OOE交差式境界部の区間構成要素が交差可能の特徴をもつ。-表面は表面境界の平均平面に平行な四角形の形その線は丸みを帯びた角を有するをしており、四角形管丸みを帯びた角を有するの区間部表面は表面境界の幾何学的中心に位置しており、前記した一つ又はそれ以上の区間構成要素の四角形管の表面で構成される表面境界の路区間構成が単一路又は複合路のイオン流束操作が可能で表面境界が平均平面の特徴をもつ。-表面境界の平均平面と単一路のイオン流束Pp交差式境界部が交差可能の特徴をもつ。-表面境界の平均平面外に単一路のイオン流束PE交差式境界部が配置可能の特徴をもつ。-表面境界の平均平面と複合路のイオン流束PPP交差式境界部の区間構成要素が配置可能の特徴をもつ。-表面境界の平均平面外と複合路のイオン流束PEE交差式境界部の区間構成要素が配置可能の特徴をもつ。-表面境界の平均平面と複数の複合路のイオン流束PPE交差式境界部が交差可能の特徴をもつ。-二重対称表面境界及び互いに対して垂直な対称平面を二つ有しており、この交線は表面境界の主軸を形成する特徴をもつ。-各表面と四角形管丸みを帯びた角を有するの表面区間は表面境界の幾何学的中心に位置しており、表面は表面境界の平均平面に平行な四角形の形その線は丸みを帯びた角を有するをしており、四角形管丸みを帯びた角を有するの区間部表面は表面境界の幾何学的中心に位置しており、前記した一つ又はそれ以上の区間構成要素の四角形管の表面及び前記した二つ又はそれ以上の区間構成要素の四角形管の表面で構成される表面境界の路区間構成が単一路又は複合路のイオン流束操作が可能の特徴をもつ。-表面境界の主軸と単一路のイオン流束SO交差式境界部が交差可能の特徴をもつ。-表面境界の平均平面外と単一路のイオン流束SE交差式境界部の区間構成要素が配置可能で、又は表面境界の平均平面と複数の単一路のイオン流束SP交差式境界部が交差可能の特徴をもつ。-表面境界のイオン流束路のSPP交差式、又はSEE交差式及びSPE交差式が交差可能の特徴をもつ。-表面境界のイオン流束路のSOP交差式、又はSOE交差式及びSOPE交差式が交差可能の特徴をもつ。-各表面境界の平面は軸に対して垂直及び電極は隣接する平均平面の対称面に配置され特徴をもつ。-イオン光学構成部分は隣接する各表面境界に対して対称性をもつ。-出入力の表面が平面外に配置される特徴をもつ。-出力表面が出力の電極表面境界の出力電極に組み合わせられている特徴をもつ。-入力表面が入力の電極表面境界の入力電極に組み合わせられている特徴をもつ。-表面境界はIB路に入力するイオン流束路を一つ又はそれ以上の入力表面a表面を備え、及びシステムの検出器構成部分とイオン流束路の境界を決定するための一つ又はそれ以上の出力表面を備え、ここでq表面である他のIB路に出るか検出を行うd表面に進むかを決定する特徴をもつ。-イオン流束路システムは線式であり直軸一方方向動作モードで稼動を備え、そのシステムには直軸に沿って対称な入力表面、第一電極グループ、隔膜電極横隔膜アパーチャ、第二電極グループ及び入力表面の方向へ前面が向けられている出力表面が含まれる特徴をもつ。-イオン流束路システムは反射式であり直軸反応的一方反射動作モードで稼動を備え、そのシステムには直軸に沿って対称な入力表面、第一電極グループ、隔膜電極、イオン流束路を直線方向で通過させるための穴がついている軸を有する出力表面、第二電極グループが含まれ、第二電極グループと出力表面からローカルな反射イオン光学構成部分イオン光学鏡が形成される特徴をもつ。-イオン流束路システムは二重式であり直軸を備え、そのシステムには直軸に沿って対称な入力表面、第一電極グループ、隔膜電極、イオン流束路を直線方向で通過させるための穴がついている軸を有する第一出力表面、第二電極グループ、第二出力表面が含まれ、この際には第一出力表面の前面は入力表面の反対方向へ向けられており反応的動作モードの稼動を確保するため、第二出力表面の前面は入力表面の方向へ向けられている一方方向動作モードの稼動を確保するため特徴をもつ。-出力表面がd表面の形をしており、イオン流束路とIB路にある検出器構成部分の境界を決定する特徴をもつ。-隔膜電極の穴アパーチャの形が円形、卵形、四角形又はいずれどれとも異なる形をしており、その幾何学的中心が直軸に対して対称に配置されており、そのうえ隔膜電極は穴の形及び口径の調節機能手動又は電動調節を有する特徴をもつ。-少なくとも一つの電極が電位調節機能を有し、及びエネルギーの空間横断分散と質量の分散の調節機能を有する。-イオン光学路下位システムは空間横断分散式であり曲線主軸を備え、その下位システムは請求項12~49に前記したいずれかの構成要素を含み、及び屈折円錐面、磁気性及び又は非磁性の円錐面、角柱状円錐面、V字型円錐面のいずれかの形をした少なくとも一つの空間横断分散式イオン光学構成部分を有する特徴をもつ。-イオン光学路下位システムは請求項12~49に前記したいずれかの構成要素を含み、及びイオン流束をIB路の入力表面から出力表面へ移送する特徴をもつ。-イオン光学路下位システムは多重反射式でありP多重反射装置を備え、そのシステムには請求項50~93に前記したいずれかの構成要素を有する。-IB路とP多重反射装置の入力側端はイオン源部からイオン流束が流れる側端であり、その反対側端はP多重反射装置とIB路の下側端となる特徴をもつ。-下位イオン流束路移送システムは同平面一反射式を有する下位操作システムである特徴をもつ。-下位イオン流束路移送システムは同平面二反射式を有する下位操作システムである特徴をもつ。-LSグループはイオンパッケージの形をした上下の平均的イオン流束軌道におけるイオンの飛行時間を均等化することが可能であるように構成されている特徴をもつ。-延長されたP反射構成要素の少なくとも一つ以上の電極へ脈動電圧を流すことでP多重反射装置層にイオンを入出力することが可能な特徴をもつ。-平均的イオン流束のイオンの動きに沿ってイオン流束の空間集積を調整することが可能な特徴をもつ。-延長されたP反射構成要素の少なくとも一つ以上の電極へ脈動電圧を流すことで平均的イオン流束のイオンの動きに沿ってイオン流束の空間集積を調整することが可能な特徴をもつ。本発明で提案する質量分析法の実施形態において、質量分析装置MSが使用されている。aブロック構造の接続部分及び分散分析部分が表面境界及びイオン光学下位システムイオン光学構成部分を含むIB路を備え、かつその各IB路は適当する部分を備え、イオン光学システムイオン移送構成部分及びイオン源構成部分を含むMS路の一部であり、そのうえ曲線主軸を備える交差空間分散式又は多重反射式、又はこの両方を含むイオン光学下位システムイオン光学構成部分を備える前記のブロック構造の接続部分及び分散分析部分を含むイオン移送構成部分グループ、及びイオン源構成部分を備える質量分析装置MS構成部分、b検出器部分、c管理用コンピュータシステム、本発明で提案する質量分析装置の他の既知の質量分析装置との主な違いは、と、を具備する質量分析装置において、複合路式又は及び無軸単一路式で稼働可能であり、かつ少なくとも二つの表面境界イオン源構成部分のIB路出力表面、及び少なくとも一つのイオン源構成部分IB路出力表面は複合路通過口複数接続表面を含む又は及び無軸単一路通過口二接続表面を含むを備え、又は及び二次元反射ゾーンを含む延長された三次元P反射路、平面型P多重反射装置、三次元P多重反射装置、多層式多重反射装置、他のイオン光学構成部分存在するならば、及びイオン光学構成部分へ流れるイオン流束平均的ベクトルの方向に対してイオン光学構成部分の所定空間内位置を選択可能な少なくとも一つのイオン光学構成部分を含む下位操作システム、からなる群より少なくとも一つの構成要素を備え、又は及び延長されたP屈折構成要素、三次元P反射構成要素、不均一な高さのP構成要素、二次元反射ゾーンP反射構成要素、からなる群より選択される構成部分を備える電子無磁気式であるIB路のイオン光学路下位システム、を含むことを特徴とする質量分析装置。本発明で提案する質量分析装置の他の既知の質量分析装置とのその他の違いは、-ブロック構造接続部分は少なくとも予成形ブロック及び分配加速ブロックを含む特徴をもつ。-単一路又は多重路一つの又は適当な数のIB路を含むを含むMS構成部分、かつMS路は単一路式又は複合路式であり、複合路のイオン流束の移送がイオン源から、検出器構成部分とイオン流束路の境界を決定する少なくとも一つのd表面まで可能である特徴をもつ。-イオン流束を移送するIB路が請求項94~212のいずれかに前記したいずれかの構成要素を含むことを特徴とし。-複合路の各イオン流束に対してそれぞれ専用検出器が検出器構成部分から割り振られる特徴をもつ。-イオン流束路が複合多重路式の場合においては、同時に又は指定した時間間隔で順番に稼働可能な特徴をもつ。-イオン流束路が複合路式の場合においては、各構成部分の各IB路のペアは関連ペア又は分離ペアである特徴をもつ。-イオン流束路が複合路式の場合においては、同時に又は指定した時間間隔で順番に稼働可能な特徴をもつ。-前のIB路の電極表面の各出力口が次の別のIB路の電極表面の各入力口である特徴をもつ。-前のIB路の電極の出力表面の反対側が次の別のIB路の電極の入力表面である特徴をもつ。-モジュールブロック式であり、それにより各構成部分は迅速な組立分解が可能であり、かつ構成部分を変えることにより多様な利用が可能になる特徴をもつ。-各イオン源IB路は、穴、回収装置有無の審査路、又は最初のイオン流束路を一つ又は複数発生させるためのあらゆる要素又は装置、かつその形、位置及び数が隣接するイオン移送IB路の表面境界に適している、からなる群より選択される一つ以上の出力アパーチャと相互作用にあるイオン源イオン源IB路の区域を有する特徴をもつ。-イオン源IB路はイオン流束路を一つ単一出力路又は複数多重出力路移送するための一つ以上の出力表面を有する電極を含む追加されたイオン源変換変動構成部分を備える特徴をもつ。-イオン源IB路のイオン源構成部分はイオン流束を発生させるあらゆるイオン源を含み、例えばそれは電子イオン化EI、化学イオン化CI、電子捕獲EC、電界イオン化FI、大気圧エレクトロスプレーイオン化APESI、大気圧化学イオン化APCI、大気圧光イオン化APPI、マトリックス支援レーザー脱離イオン化MALDI、ガス充填MALDI、大気圧MALDI、高速原子衝撃FAB、電界脱離イオン化FD、プラズマ脱離PD、誘導結合プラズマICP、熱イオン化、スパークグロー放電イオン化、プラズマグロー放電イオン化及びレーザーアブレーション過程コロナ放電イオン化である特徴をもつ。-イオン源IB路はその出力口においてパルス状イオンパケット又は継続的イオン流束を生成する特徴をもつ。-ブロック構造接続部分は、予成、分配、加速が可能で互いに連続して設置される一つ以上の構成要素部分、セクターを有する平行な予成形IB路を含むイオン源部に隣接する一つ以上の予成形ブロックを具備する特徴をもつ。-予成形IB路は、イオンプレトラップ、ドリフトチューブ型イオン移動度移送性測定器、P屈折構成要素又は及びアパーチャからなる群より選択される一つ又はそれ以上のセクターを有する特徴をもつ。-イオンプレトラップはイオン源IB路で生成される適当な量のイオンを選定し蓄積することが可能であり、かつ蓄えられたイオンを次のMS構成部分へ入力することが可能な特徴をもつ。-前記イオンプレトラップは電界を有する電極グループを制御し、例えばそれはセグメント化されたRF限定棒、四重極を操作する短構成部分又はアパーチャを備える特徴をもつ。-ブロック構造接続部分は、予成形ブロックに続いて配置されるイオン源からイオンの動きに沿って追加分配加速ブロックを具備し、その追加分配加速ブロックは一つ以上の平行に配置される分配加速IB路を有し、かつその各IB路は、二つの加速電極及び一つ以上の出力口を含む少なくとも一つのプレ分析誘導加速器を備える特徴をもつ。-プレ分析誘導加速器の出力口が微細格子で覆われている特徴をもつ。-分配加速IB路は静的であり、プレ分析誘導加速器の出力において継続的イオン流束を生成する特徴をもつ。-分配加速IB路は、プレ分析誘導加速器の前に配置されイオン源からイオンの動きに沿ってそれに接続される追加プレ分析イオン蓄積器を有し、かつそのプレ分析イオン蓄積器はイオンの受信、蓄積及び断続的イオン放出が可能であり、その放出は直交又は放射状でアパーチャを通して行われ、それは例えばプレ分析誘導加速器のアパーチャを通して放出する特徴をもつ。-前記したプレ分析イオン蓄積器は、線形RF限定IC又は曲面四重極からなる群より選択される特徴をもつ。-各検出器部分は、d出力表面に出力口が配置される一つ以上のイオン検出器を備え、かつ検出器部分の各イオン検出器はそれぞれの各イオン流束を担当し、ファラデーシリンダー、少なくとも一つのダイノードを備える二次電子増倍管、シンチレータ及び光電子増倍管、マイクロチャネル、微粒子板、少なくとも二つの検出スロット及び少なくとも二つの陽極からなる群より選択される特徴をもつ。-検出器部分の少なくとも一つのイオン検出器は一定の伝送帯域を有するイオンセレクタを備え、制御グリッド、ブラッドバリーニールセンゲート構成要素及び平行平面偏向器コンデンサーからなる群より選択される特徴をもつ。-各イオン検出器はアナログデジタル変換機適応的データ圧縮プロトコルを有するデータ収集保管システムに接続される特徴をもつ。-少なくとも一つのイオン検出器がダイナミックレンジを有する特徴をもつ。-イオン検出器が、断続的イオン源又は及び分配加速IB路において多様な電圧の代替的走査を行うことでダイナミックレンジの拡張を可能にする特徴をもつ。-イオン検出器が、イオン源出力口において多様なイオン注射時間の代替的走査を行うことでダイナミックレンジの拡張を可能にする特徴をもつ。-イオン検出器が自動強弱調節機能を有することを特徴をもつ。-分析分散構成部分は一つ以上の平行な分析分散IB路を備え、トロイダル型及び円筒型セクター別電気分析器、セクター別磁気分析器、オービトラップ分析器、フーリエ変換型イオンサイクロトロン共鳴質量分析装置、前記した請求項127に記載の曲線主軸を備える横断的空間分散式イオン光学路下位システムのIB路等の静的分析器、及び前記したイオン光学路下位システムのIB路等の飛行時間分析器TOFIB路からなる群より選択される特徴をもつ。-分析分散IB路構成部分はそれに隣接する分析分散IB路構成部分の検出器構成部分一つ又は二つの検出器構成部分を備え、その検出器構成部分は分析分散IB路構成部分の前又は後に配置される、かつ検出器構成部分の各イオン検出器は前記した請求項242~248のいずれかに記載の特徴をもつ。-ブロック構造接続部分は、一つ以上の断片化セルを有する追加断片化セル構成部分を備え、その断片化セルは差動排気カスケードを備え及びガスで充填され、かつ各断片化セルはイオン流束入出力のための一つ以上のアパーチャを備える特徴をもつ。-各イオン流束はそれぞれの専用断片化セル断片化セルセクターに割り振られる特徴をもつ。-少なくとも一つの断片化セルは二つの動作モードで稼働可能であり、断片化セルでの重要な断片化無しでのイオン通過又は断片化セルでのイオン断片化通過する特徴をもつ。-ブロック構造接続部分は、一つ以上の平行なイオン選出IB路を有する追加イオン選出構成部分を備え、かつそのイオン選出IB路は一つ以上の選出プロセスにおいてイオン質量を選択する範囲を順次に狭めることが可能な特徴をもつ。-イオン選出IB路は、四重極IB路、イオントラップ、静的IB路、前記した請求項127に記載の曲線主軸を備える横断的空間分散式イオン光学路下位システムのIB路等の静的分析器、及び前記した請求項128~212のいずれかに記載のイオン光学路下位システムのIB路等の飛行時間分析器TOFIB路からなる群より選択される構成要素を含む特徴をもつ。-各イオン選出IB路に隣接する一つ又は二つの検出器部分検出器部分のイオン選出IB路を備え、その検出器部分はイオン選出IB路の前及び又は後に一つずつ配置される、かつその検出器部分のイオン検出器は前記した構成要素の特徴をもつ。-分析分散IB路又は及びイオン選出IB路は、イオン加速の電圧及び走行距離の調節機能を有する特徴をもつ。-分析分散IB路は、分析分散IB路でのイオン走行距離をイオン選出IB路でのイオン走行距離よりも少なくすることが可能であり、又は分析分散IB路でのイオン加速電圧をイオン選出IB路でのイオン加速の電圧よりも高くすることが可能である特徴をもつ。-MS-路は、イオン選出IB路でのイオン移送時間を分析分散IB路でのイオン移送時間よりも少なくとも三倍に長くすることが可能である特徴をもつ。-イオン選出IB路又は分析分散IB路が無磁気性である特徴をもつ。-イオン選出IB路は飛行時間IB路式であり、多重反射式イオン光学路下位システムを備えTOFイオン光学IB路、単一式、単一多層式及び多列多層式からなる群より選択される特徴をもつ。-分析分散IB路は飛行時間IB路式であり、前記した直主軸を有する多重反射式イオン光学路下位システムを備える、又は前記した下位操作システムを備え及びイオン流束をIB路の入力表面から出力表面へ移送することが可能な構成要素を含む、からなる群より選択される特徴をもつ。-ブロック構造接続部分は、一つ以上の平行なイオン超蓄積器IB路を有する追加イオン超蓄積器を備え、その各イオン超蓄積器は多少のイオン及び少なくともその誘導体の蓄えが可能な特徴をもつ。-前記したイオン超蓄積器IB路は、線形RF限定IC又は曲面四重極からなる群より選択される特徴をもつ。-前記した質量分析装置の少なくとも一つのMS-路は順次的イオン流束移送が可能であり、それは次のステップ順番で行われ、abイオン源IB路による予成形ブロックIB路へのイオン流束路注射、bc予成形ブロックIB路からのイオン流束路出力及び分配加速IB路へのイオン流束路入力、cd分配加速IB路からのイオン流束路出力及びイオン選出IB路へのイオン流束路入力かつイオン選出IB路での一つ又は二つの検出器部分によるイオン流束路の検出、deイオン選出IB路からのイオン流束路出力及び断片化セルへのイオン流束路入力、{ec又はef}断片化セルからのイオン流束路出力及び断片化セルによる作用後のイオン流束路組成によって及び指定イオン質量により分配加速IB路へ移送されるか又はイオンの質量に適当したイオン超蓄積器IB路及びイオン蓄積器へ蓄積IB路される、Q11イオン超蓄積器IB路での指定イオン質量の蓄積を目的としたcdde及び{ec又はef}を含む一つ以上の周期、fc又は{fe又は続いてec}イオン超蓄積器IB路からのイオン流束路出力及び分配加速IB路へのイオン流束路入力又は{イオン超蓄積器IB路からのイオン流束路出力及び断片化セルへのイオン流束路入力又は続いて断片化セルからのイオン流束路出力及び分配加速IB路へのイオン流束路入力}、Q12ステップQ11に続くfc又は{fe又は続いてec}を含む一つ以上の周期、cg分配加速IB路からのイオン流束路出力及び分析分散IB路へのイオン流束路入力かつ分析分散IB路での一つ又は二つの検出器部分によるイオン流束路の検出、ステップcgの実行による結果に基づくイオン流束路の移送準備、Q13この請求項265に含まれるabからcgまでの全てのステップを一つ以上の周期で順次実行、又は、ge又は{gc又は続いてce}分析分散IB路からのイオン流束路出力及び断片化セルへのイオン流束路入力又は{分析分散IB路からのイオン流束路出力及び分配加速IB路へのイオン流束路入力又は続いて分配加速IB路からのイオン流束路出力及び断片化セルへのイオン流束路入力}、Q14この請求項265に含まれる{ec又はef}からcgまでの全てのステップを一つ以上の周期で順次実行する、ことの特徴をもつ。-前記した質量分析装置の少なくとも一つのMS路は順次的イオン流束路移送が可能であり、それは次のステップ順番で行われ、ab、bc、cd、de、{ec又はef}、Q11、fc又は{fe又は続いてec}、cg、ステップcgの実行による結果に基づくイオン流束路の移送準備、Q23この請求項266に含まれるabからcgまでの全てのステップを一つ以上の周期で順次実行、又は、ge又は{gc又は続いてce}、Q24この請求項266に含まれる{ec又はef}からcgまでの全てのステップを一つ以上の周期で順次実行する、ことの特徴をもつ。-前記した質量分析装置の少なくとも一つのMS-路は順次的イオン流束路移送が可能であり、かつイオン超蓄積器IB路を通過せず、又はイオン超蓄積器IB路が無い場合だと、それは次のステップ順番で行われ、ab、bc、cd、de、ec、Q31ステップcd、de又はecを含む一つ以上の周期、cg、ステップcgの実行による結果に基づくイオン流束路の移送準備、Q33この請求項267に含まれるabからcgまでの全てのステップを一つ以上の周期で順次実行する、又は、ge又は{gc又は続いてce}、Q34この請求項267に含まれるecからcgまでの全てのステップを一つ以上の周期で順次実行する、ことの特徴をもつ。-前記した質量分析装置の少なくとも一つのMS路は順次的イオン流束路移送が可能であり、かつイオン超蓄積器IB路及びイオン選出IB路を通過せず、又はイオン超蓄積器IB路及びイオン選出IB路が無い場合だと、それは次のステップ順番で行われ、ab、bc、cg、ge又は{gc又は続いてce}、ec、cg、ステップcgの実行による結果に基づくイオン流束路の移送準備、Q43この請求項268に含まれるec、cg、ge、又は{gc又は続いてce}のステップを一つ以上の周期で順次実行する、ことの特徴をもつ。-前記した質量分析装置の少なくとも一つのMS路は順次的イオン流束路移送が可能であり、かつイオン超蓄積器IB路及び断片化セルIB路を通過せず、又はイオン超蓄積器IB路及び断片化セルIB路が無い場合だと、それは次のステップ順番で行われ、ab、bc、cd、dcイオン選出IB路からのイオン流束路出力及び分配加速IB路へのイオン流束路入力、Q51cd及びdcを含む一つ以上の周期、ステップcgを実行する、ことの特徴をもつ。-前記した質量分析装置の少なくとも一つのMS路は順次的イオン流束路移送が可能であり、かつイオン超蓄積器IB路、イオン選出IB路及び断片化セルを通過せず、又はイオン超蓄積器IB路、イオン選出IB路及び断片化セルが無い場合だと、それは次のステップ順番で行われ、ab、bc、ステップcgを実行する、ことの特徴をもつ。-IB路が飛行時間型分析分散式である場合は、データ送信処理システムを備え、かつ出力データであるイオンスペクトルを混在させず子構成要素からスペクトルを並立受信することが可能な特徴をもつ。本発明は多様な実施形態で実用化することが可能であり、その内の代表的な実施例を順番に紹介する。その代表的な実施形態の例えとして、図面を用いて説明するとし、また次のとおりに図面が九つのグループに分類されることを紹介する。一つ目のグループには、図1から図4が含まれ、それらは質量分析装置の説明に使用される。二つ目のグループには、図5から図19が含まれ、それらはイオン源IB路の出力表面の説明に使用される。三つ目のグループには、図20から図129が含まれ、それらはイオン光学構成部分の説明に使用される。四つ目のグループには、図130から図134が含まれ、それらは分析分散ブロックのための、直軸飛行時間型IB路を有するイオン光学設計の実施形態の説明に使用される。五つ目のグループには、図135から図151が含まれ、それらはイオン光学操作下位システムの説明に使用される。六つ目のグループには、図152から図210が含まれ、それらはイオン光学路のイオン光学設計の実施形態及びそれにおけるイオン軌跡の説明に使用される。七つ目のグループには、図211から図232が含まれ、それらは飛行時間型IB路のための、曲線主軸反射型イオン光学設計の実施形態の説明に使用される。八つ目のグループには、図233から図257が含まれ、それらは飛行時間型IB路のための、多層式多重反射型イオン光学設計の実施形態の説明に使用される。九つ目のグループには、図258が含まれ、それらは平行多路型質量分析装置の説明に使用される。複合体としての質量分析装置は、幾つかのブロック部分からなり、それらは図1から図4に示されている。そのうえ、イオン光学ブロック間の一般的なイオン軌跡は、矢印付きの線又は矢印付きの小節線で示されている。また質量分析装置は、質量分析装置の全てのブロックの制御操作するため、及び得られた結果情報の処理を実施する管理用コンピュータブロック図には示されていないを備えている。符号31Aは任意いかなるのローカルなイオン光学構成部分を示している。それに対応するように、符号31Ax及び符号31Ayはxz及びxyは任意のイオン光学構成部分の投影を示している。符号31Bは多機能でローカルなイオン光学構成部分を示している。それに対応するように、符号31Bx及び符号31Byはxz及びxyは多機能なイオン光学構成部分の投影を示している。符号32はいかなる延長された又はローカルなイオン光学反射構成部分を示している。それに対応するように、符号32x及び符号32yはxz及びxyはいかなるイオン光学反射構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号32Ax及び符号32Ayはxz及びxyはいかなる単一領域なイオン光学反射構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号32Bx及び符号32Byはxz及びxyはいかなる垂直二領域なイオン光学反射構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号32Cx及び符号32Cyはxz及びxyはいかなる水平二領域なイオン光学反射構成部分の投影を示している。符号33はローカルなイオン光学反射構成部分を示している。それに対応するように、符号33x及び符号33yはxz及びxyはローカルなイオン光学反射構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号33Ax及び符号33Ayはxz及びxyはローカルな単一領域なイオン光学反射構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号33Bx及び符号33Byはxz及びxyはローカルな垂直二領域なイオン光学反射構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号33Cx及び符号33Cyはxz及びxyはローカルな水平二領域なイオン光学反射構成部分の投影を示している。符号34は延長されたイオン光学反射構成部分を示している。それに対応するように、符号34x及び符号34yはxz及びxyは延長されたイオン光学反射構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号34Ax及び符号34Ayはxz及びxyは延長された単一領域なイオン光学反射構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号34Bx及び符号34Byはxz及びxyは延長された垂直二領域なイオン光学反射構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号34Cx及び符号34Cyはxz及びxyは延長された水平二領域なイオン光学反射構成部分の投影を示している。符号35はローカルなイオン光学屈折構成部分を示している。それに対応するように、符号35x及び符号35yはxz及びxyはローカルなイオン光学屈折構成部分の投影を示している。符号35Aは延長されたイオン光学屈折構成部分を示している。それに対応するように、符号35Ax及び符号35Ayはxz及びxyは延長されたイオン光学屈折構成部分の投影を示している。符号36はローカルなイオン光学レンズ構成部分を示している。それに対応するように、符号36x及び符号36yはxz及びxyはローカルなイオン光学レンズ構成部分の投影を示している。符号36Aは延長されたイオン光学レンズ構成部分を示している。それに対応するように、符号36Ax及び符号36Ayはxz及びxyは延長されたイオン光学レンズ構成部分の投影を示している。符号37はローカルなイオン光学望遠鏡的構成部分を示している。それに対応するように、符号37x及び符号37yはxz及びxyはローカルなイオン光学望遠鏡的構成部分の投影を示している。符号37Aは延長されたイオン光学望遠鏡的構成部分を示している。それに対応するように、符号37Ax及び符号37Ayはxz及びxyは延長されたイオン光学望遠鏡的構成部分の投影を示している。符号38は平面なイオン光学コンデンサを示している。それに対応するように、符号38x及び符号38yはxz及びxyはいかなる平面なイオン光学コンデンサの投影を示している。符号38Aは延長された平面なイオン光学コンデンサを示している。それに対応するように、符号38Ax及び符号38Ayはxz及びxyは延長された平面なイオン光学コンデンサの投影を示している。符号39は延長された整列増分イオン光学構成部分延長されたローカルな任意の整列イオン光学構成部分を示している。それに対応するように、符号39x及び符号39yはxz及びxyは延長された整列増分イオン光学構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号39Ax及び符号39Ayはxz及びxyは延長された垂直な整列増分イオン光学構成部分延長された垂直でローカルな整列イオン光学構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号39Bx及び符号39Byはxz及びxyは延長された水平な整列増分イオン光学構成部分延長された水平でローカルな整列イオン光学構成部分の投影を示している。符号41は多機能で同式の延長された整列増分イオン光学構成部分を示している。それに対応するように、符号41x及び符号41yはxz及びxyは多機能で延長された整列増分イオン光学構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号41Ax及び符号41Ayはxz及びxyは多機能で延長された垂直な整列増分イオン光学構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号41Bx及び符号41Byはxz及びxyは多機能で延長された水平な整列増分イオン光学構成部分の投影を示している。符号42は同式のローカルな延長された任意いかなるの整列増分イオン光学反射構成部分を示している。それに対応するように、符号42x及び符号42yはxz及びxyはローカルな延長された整列増分イオン光学反射構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号42Ax及び符号42Ayはxz及びxyはローカルな延長された垂直な整列増分イオン光学反射構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号42Bx及び符号42Byはxz及びxyはローカルな延長された水平な整列増分イオン光学反射構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号43Ax及び符号43Ayはxz及びxyはローカルな延長された単一領域イオン光学反射構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号43Bx及び符号43Byはxz及びxyはローカルな延長された垂直二領域イオン光学反射構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号43Cx及び符号43Cyはxz及びxyはローカルな延長された水平二領域イオン光学反射構成部分の投影を示している。符号44は同式のローカルな延長された整列増分イオン光学屈折構成部分を示している。それに対応するように、符号44x及び符号44yはxz及びxyはローカルな延長された整列増分イオン光学屈折構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号44Ax及び符号44Ayはxz及びxyはローカルな延長された垂直な整列増分イオン光学屈折構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号44Bx及び符号44Byはxz及びxyはローカルな延長された水平な整列増分イオン光学屈折構成部分の投影を示している。符号45はローカルな延長された任意いかなるの整列増分イオン光学レンズ構成部分を示している。それに対応するように、符号45x及び符号45yはxz及びxyはローカルな延長された整列増分イオン光学レンズ構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号45Ax及び符号45Ayはxz及びxyはローカルな延長された垂直な整列増分イオン光学レンズ構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号45Bx及び符号45Byはxz及びxyはローカルな延長された水平な整列増分イオン光学レンズ構成部分の投影を示している。符号46は同式のローカルな延長された整列増分イオン光学望遠鏡的構成部分を示している。それに対応するように、符号46x及び符号46yはxz及びxyはローカルな延長された整列増分イオン光学望遠鏡的構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号46Ax及び符号46Ayはxz及びxyはローカルな延長された垂直な整列増分イオン光学望遠鏡的構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号46Bx及び符号46Byはxz及びxyはローカルな延長された水平な整列増分イオン光学望遠鏡的構成部分の投影を示している。符号47は同式のローカルな延長された整列増分イオン光学コンデンサ構成部分を示している。それに対応するように、符号47x及び符号47yはxz及びxyはローカルな延長された整列増分イオン光学コンデンサ構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号47Ax及び符号47Ayはxz及びxyはローカルな延長された垂直な整列増分イオン光学コンデンサ構成部分の投影を示している。それに対応するように、符号47Bx及び符号47Byはxz及びxyはローカルな延長された水平な整列増分イオン光学コンデンサ構成部分の投影を示している。図130から図132には、直主軸を備える二重対称的IB路の電極のサイズを選択する略図及びその例が示されている。図130電極51、52、53及び反射式電極リミッター51nとそれに表面で対応する隔膜電極54から構成されるローカルなイオン光学反射構成部分、電極55、56、57及び入力表面を有する電極58とそれに表面で対応する隔膜電極54から構成されるローカルなイオン光学屈折構成部分からなる群を含む二重対称的IB路50の空間図が示されている。そのうえ、隔膜電極54は中心部に隔膜54Qを備え、第一ゲートポート54W1と第二ゲートポート54W2を具備する。電極の入力表面58は、第一ゲートポート58W3と第二ゲートポート58W4を具備する。[図131]互いに垂直な二つの対称表面のIB路50の50x及び50yのxz投影及びxy投影の断面図を示していて、そのうえ、典型的なイオン軌跡各投影においてを51ixにおいてのxz投影及び51iyにおいてのxy投影で示している。[図132]同上。[図133]電極61、62、63及び反射式電極リミッター61nとそれに表面で対応する隔膜電極64から構成されるローカルなイオン光学反射構成部分、電極65、66、67及び入力表面を有する電極68とそれに表面で対応する隔膜電極64から構成されるローカルなイオン光学屈折構成部分からなる群を含む直軸回転対称性IB路60の空間図が示されている。そのうえ、隔膜電極64は中心部に隔膜64Qを備え、直軸回転対称性IB路の中心部に位置し輪の形状を有するゲートポート64W1を具備する。電極の入力表面は、第一ゲートポート68W2を具備する。[図134]放射状切されたIB路60のyz投影60rの断面図を示していて、そのうえ、そのIB路における二つのイオン軌跡を投影61irを示している。図135から図151には、下位操作システム70A、70B、70C、70D、70E、70F、80Ay、80Ax、80By、80Bx、80Cy、80Cx、80Dy、80Ey、80Fy、80Gy及び80Hyの設計図を示しており、その各下位操作システムは前記した符号を含む図20から図129のいずれかに記載の一つ以上のイオン光学構成部分を備える。また、それに加えて各イオン光学構成部分は互いに対応して適当の空間位置に配置され、かつ平均ベクトルへ移送されるイオン流束方向に対応して配置される。上記したように、n前部軸ベクトルはイオン光学構成部分の符号の一部であり、そのためここで又は符号においてイオン光学構成部分の符号がイオン光学システム構成部分の形で示される場合には、特別な例を除き、発明の説明において、n前部軸ベクトルについて別に指摘しないという点を注記しておきたい。他のイオン光学構成部分におけるように、垂直二領域反射構成部分の荷電粒子流束においてのこの具体的な構成要求は、質量分析装置の飛行時間型構造及びイオン流束動態によって決定される。図153から図167には平均平面P反射構成部分が平面座標xzに対応した垂直平面の断面図垂直断面図が示されている。そのうえ、図153から図160には第一の電極とは別に構成される入力横隔膜及び側面電極を具備しない垂直電極リミッターを備えるP反射構成部分が示されている。[図153]平均平面S軸ベクトルnを有する及び一定的高さhを有する反射構成部分90Axが示されていて、それは次の垂直電極リミッター91An、第一の反射電極91A、第二の反射電極92A、第三の反射電極93A、第四の反射電極94A及び第五の反射電極95Aを含んでいる。一領域反射構成部分90Axの電極の稼働内部表面は同じ幅hを有し、平面座標yzに隣接する平均平面S及び互いに平行な平面に配置されている。[図154]軸ベクトルn及び一ピッチ的高さを有するP反射構成部分90Bxが示されていて、それは次の垂直電極リミッター91Bn、構成部分91B及び91B2を備える第一の反射電極、構成部分92B及び92B2を備える第二の反射電極、構成部分93B及び93B2を備える第三の反射電極及び構成部分94B及び94B2を備える第四の反射電極を含んでいる。一領域反射構成部分90Bxの電極の稼働内部表面は一ピッチ的高さを有し、その上構成部分の92B及び92B2が他の電極の稼働内部表面に対応して角度を成すように構成されている。[図155]一ピッチ的高さを有する反射構成部分90Cxが示されていて、それは次の垂直電極リミッター91Cn、構成部分91C及び91C2を備える第一の反射電極、構成部分92C及び92C2を備える第二の反射電極、構成部分93C及び93C2を備える第三の反射電極及び構成部分94C及び94C2を備える第四の反射電極を含んでいる。反射構成部分90Cxの電極の稼働内部表面は一ピッチ的高さを有し、同一平面に配置され、その上構成部分が垂直電極リミッター91Cnに対して垂直に配置されている下構成部分に対応して角度を成すように構成されている。[図156]二ピッチ的高さを有する反射構成部分90Dxが示されていて、それは次の垂直電極リミッター91Dn、構成部分91D及び91D2を備える第一の反射電極、構成部分92D及び92D2を備える第二の反射電極、構成部分93D及び93D2を備える第三の反射電極及び構成部分94D及び94D2を備える第四の反射電極を含んでおり、それら全ては平均平面に対して対称的に配置される。反射構成部分90Dxの電極の稼働内部表面は二ピッチ的高さを有し、第一以外の上構成部分と下構成部分は平均平面に対応して角度を成すように構成されている。反射構成部分90Dxは平面に垂直である垂直軸yzを有する平均平面に対して対称的に配置されている。[図157]一ピッチ的高さを有する垂直二領域P反射構成部分90Exが示されていて、それは次の垂直電極リミッター91En、構成部分91E及び91E2を備える第一の反射電極、構成部分92E及び92E2を備える第二の反射電極、構成部分93E及び93E4下領域を備える第三の反射電極、構成部分93E2及び93E3上領域を備える第三の反射電極及び構成部分94E2及び94E4上領域を備える第四の反射電極を含んでいる。垂直二領域反射構成部分90SDxの電極の稼働内部表面は一ピッチ的高さを有し、第一電極及び第二電極の上構成部分91E2及び92E2が他の構成部分の電極に対応して角度を成すように構成されている。[図158]一ピッチ的高さを有する垂直二領域P反射構成部分90Fxが示されていて、それは次の垂直電極リミッター91Fn、構成部分91F及び91F2を備える第一の反射電極、構成部分92F及び92F2を備える第二の反射電極、構成部分93F及び93F4下領域を備える第三の反射電極及び構成部分94F2及び94F4上領域を備える第四の反射電極を含んでいる。垂直二領域反射構成部分90Exの電極の稼働内部表面は一ピッチ的高さを有し、上構成部分が同一平面に配置されている下構成部分に対応して角度を成すように構成されている。[図159]対称的二ピッチ的高さを有する垂直二領域P反射構成部分90Gxが示されていて、それは次の垂直電極リミッター91Gn、構成部分91G及び91G2を備える第一の反射電極、構成部分92G及び92G2を備える第二の反射電極、構成部分93G及び93G4下領域を備える第三の反射電極、構成部分94G及び94G4下領域を備える第四の反射電極、構成部分93G2及び93G3上領域を備える第三の反射電極及び構成部分94G2及び94G3上領域を備える第四の反射電極を含んでいる。垂直二領域反射構成部分90Fxの電極の稼働内部表面は二ピッチ的高さを有し、上領域電極及び下領域電極互いに対応して角度を成すように構成されている。垂直二領域反射構成部分90Fxは平面に垂直である垂直軸yzを有する平均平面に対して対称的に配置されている。[図160]不均一高さ異なる高さを有するP反射構成部分100xが示されていて、それは次の垂直電極リミッター101xn、第一の反射電極101x、第二の反射電極102x、第三の電極103G及び第四の電極104Gを含んでいる。一領域反射構成部分90Axの電極の稼働内部表面は不均一高さを有し、第二の反射電極102xは高さ2hを有し、他の電極は同一高さ3hを有する。[図161]軸ベクトルn及び一定的高さを有する反射構成部分110xが示されていて、それは次の垂直電極リミッター111xn、第一の反射電極111x、第二の反射電極112x、第三の電極113x、第四の電極114x及び高dを有する入力細隙横隔膜を備える第五の電極115xcを含んでいる。[図162]軸ベクトルn及び継続的幅を有する反射構成部分120xが示されていて、それは次の盲垂直電極リミッターを備える端反射電極121x、第二の反射電極122x、第三の電極123x、第四の電極124x及び反射構成部分120xに含まれる第五の電極125xを含んでいる。図161及び図162には、P反射構成部分110x及び120xが示されていているが、それは図153で示されているP反射構成部分90Axの追加オプションである。構成部分90Axと異なり、構成部分110xは入力細隙横隔膜を備える。構成部分90Axと異なり、P反射構成部分120xは盲端反射電極を備える。もちろん、P反射構成部分90Axが入力細隙横隔膜及び盲端反射電極を備える、第三の追加オプションも存在する。このような情報に基づいて、図153から図160において示されている各P反射構成部分は、さらに三つの追加オプションで実施することが出来ると結論付けし、それは以下のとおりである、一つ目の追加オプションでは入力細隙横隔膜を備え、二つ目の追加オプションでは盲端反射電極を備え、三つ目の追加オプションでは入力細隙横隔膜及び盲端反射電極を備える。上記した90Bx、90Cx、90Dx、90Ex、90Fx、90Gx及び100xからなる群に含まれる、いかなるP反射構成部分の全実施例は、さらに五つの追加オプションを有し、それは以下のとおりである、一つ目の追加オプションでは十文字型端電極端構成部分を備え、二つ目の追加オプションでは箱型端電極を備え、三つ目の追加オプションでは十文字混合型端電極を備え、四つ目の追加オプションでは箱混合型端電極を備え、五つ目の追加オプションでは二重混合型端電極を備える。上記したP反射構成部分の多様な実施形態を具体的に説明するため、図163から図167において、垂直電極リミッター及び延長されたP反射構成部分を含んだ実施例及びP反射構成部分における平面座標xzに対応した垂直平面の断面図が示されている。[図163]軸ベクトルn及び一定的高さを有する十文字型端構成部分を有する反射構成部分130xが示されていて、それは次の垂直電極リミッター131xn、垂直構成部分132x及び第二反射電極端構成部分からの一つの132xs1、垂直構成部分133x及び第三電極端構成部分からの一つの133xs1、垂直構成部分134x及び第四電極端構成部分からの一つの134xs1、垂直構成部分135x及び第五反射電極端構成部分からの一つの135xs1を含んでいる。[図164]軸ベクトルn及び一定的高さを有する箱型反射構成部分140xが示されていて、それは次の垂直電極リミッター141xn、第一反射電極141x、第二反射電極132x、第三電極133x、第四電極134x、第五電極135xを含んでいる。[図165]軸ベクトルn及び一定的高さを有する十文字混合型反射構成部分150xが示されていて、それは次の垂直電極リミッター151xn、第一反射電極151x、第二反射電極152x、垂直構成部分154x及び第四電極端構成部分からの一つの154xs1、垂直構成部分155x及び第五反射電極端構成部分からの一つの155xs1を含んでいる。[図166]軸ベクトルn及び一定的高さを有する箱混合型反射構成部分160xが示されていて、それは次の垂直電極リミッター161xn、第一反射電極161x、第二反射電極162x、第三箱型電極163x、第四箱型電極164x、構成部分160xに含まれる第五箱型電極165xを含んでいる。垂直電極リミッターを備える延長されたP反射構成部分も含む垂直二領域P反射構成部分において、上記したP反射構成部分の追加オプションを考慮することで、各領域が互いに干渉しないように別々に配置することが可能である。[図167]軸ベクトルn及び二ピッチ的高さを有する二重混合型垂直二領域P反射構成部分170xが垂直断面図で示されていて、それは次の垂直電極リミッター171xn、構成部分171x及び171x2を備える第一反射電極、構成部分172x及び172x2を備える第二反射電極、第三下領域十文字型電極173x及びその端構成部分からの一つの173xs1、下領域入力横隔膜を備える第四電極174x、第三上領域箱型電極173x3、上領域入力横隔膜を備える第四電極174x2、領域間基板電極171xuを含んでいる。上記したP構成部分の多様な追加オプションは全てP構成部分の垂直空間に関連している。この各全てのP構成部分は水平電極を使用することにより、さらに幅広い実施形態を有する。水平電極を備えるP構成部分の実施例の説明において、長方形デカルト座標系システムの平面座標yzに対応した水平平面への投影でP反射構成部分130y、150y、160y、180y、190y、200Ay、200By、200Cy、200Dy及び200Eyが示されており、図168から図177において、その説明がなされている。そのうえ、図172から図177には、イオン光学鏡における中央線切り捨てられた端部及びセグメントの実施例が略図で示されている。[図168]軸ベクトルnを有する十文字型電極端構成部分を有するP反射構成部分130y水平電極を備える反射構成部分の実施例の一つで、そのxz投影130xが図130で示されているが示されていて、それは次の垂直電極リミッター131yn、水平構成部分131y及び端構成部分131ys1、131ys2を備える第一反射電極、水平構成部分132y及び端構成部分132ys1、132ys2を備える第二反射電極、水平構成部分133y及び端構成部分133ys1、133ys2を備える第三電極、水平構成部分134y及び端構成部分134ys1、134ys2を備える第四電極、水平構成部分135y及び端構成部分135ys1、135ys2を備える第五電極を含んでいる。[図169]軸ベクトルnを有する十文字混合型P反射構成部分150y水平電極を備える反射構成部分の実施例の一つで、そのxz投影150xが図165で示されているが示されていて、それは次の垂直電極リミッター151yn、二次元デカルト式第一反射電極151y、二次元デカルト式第二反射電極152y、二次元デカルト式第三反射電極153y、水平構成部分154y及び端構成部分154ys1、154ys2を備える第四電極、水平構成部分155y及び端構成部分155ys1、155ys2を備える第五十文字型電極を含んでいる。[図170]軸ベクトルnを有する箱混合型P反射構成部分160y水平電極を備える反射構成部分の実施例の一つで、そのxz投影160xが図166で示されているが示されていて、それは次の垂直電極リミッター161yn、二次元デカルト式第一反射電極161y、二次元デカルト式第二反射電極162y、箱型第三電極163y、箱型第四電極164y、箱型第五電極165yを含んでいる。[図171]軸ベクトルn及び一定的高さを有する二次元デカルト式P反射構成部分180yが示されていて、それは次の垂直電極リミッター181yn、第一反射電極181y、第二反射電極182y、第三反射電極183y、第四反射電極164y及び第五反射電極165yを含んでいる。[図172]軸ベクトルnを有するP反射構成部分セグメント190yが示されていて、それは次の垂直電極リミッター191yn、第一反射電極の構成部分191y、第二反射電極の構成部分192y、第三反射電極の構成部分193y、第四反射電極の構成部分194yを含んでいる。そのうえ、第三反射電極の構成部分193y及び第四反射電極の構成部分194yの間の電極間間隙は直列式であり、異なる垂直平面のイオン光学構成部分に対応して平行であり直列式の極間間隙に対して角度を成す。[図173]軸ベクトルnを有するP反射構成部分セグメント200Ayが示されていて、それは次の垂直電極リミッター201An、第一反射電極の構成部分201A、第二反射電極の構成部分202A、第三反射電極の構成部分203A、第四反射電極の構成部分204Aを含んでいる。そのうえ、第二反射電極の構成部分202A及び第三反射電極の構成部分203Aの間の電極間間隙は、垂直平面のイオン光学構成部分に隣接する第二タイプ曲セグメント式であり、異なる垂直平面イオン光学構成部分に対応して平行であり直列式の極間間隙に対して角度を成す。他の電極間間隙は直列式であり、P構成部分の垂直平面に対して垂直に配置されている。[図174]軸ベクトルnを有する反射構成部分セグメント200Byが示されていて、それは次の垂直電極リミッター201Bn、第一反射電極の構成部分201B、第二反射電極の構成部分202B、第三電極の構成部分203B、第四電極の構成部分204Bを含んでいる。そのうえ、第二反射電極の構成部分202B及び第三反射電極の構成部分203B、及び第三反射電極の構成部分203B及び第四反射電極の構成部分204Bの間の電極間間隙は、垂直平面のイオン光学構成部分に隣接する第二タイプ異方向曲セグメント式であり、異なる垂直平面イオン光学構成部分に対応して平行であり直列式の極間間隙に対して角度を成す。他の電極間間隙は直列式であり、P構成部分の垂直平面に対して垂直に配置されている。[図175]軸ベクトルnを有する反射構成部分セグメント200Cyが示されていて、それは次の垂直電極リミッター201Cn、第一反射電極の構成部分201C、第二反射電極の構成部分202C、第三電極の構成部分203C、第四電極の構成部分204Cを含んでいる。そのうえ、第三反射電極の構成部分203C及び第四反射電極の構成部分204Cの間の電極間間隙は、垂直平面のイオン光学構成部分に隣接する第二タイプ曲セグメント式であり、異なる垂直平面イオン光学構成部分に対応して平行であり直列式の電極間間隙に対して角度を成す。他の電極間間隙は直列式であり、イオン光学構成部分の垂直平面に対して垂直に配置されている。[図176]軸ベクトルnを有する反射構成部分セグメント200Dyが示されていて、それは次の垂直電極リミッター201Dn、第一反射電極の構成部分201D、第二反射電極の構成部分202D、第三電極の構成部分203D、第四電極の構成部分204Dを含んでいる。そのうえ、第二電極の構成部分202D及び第三電極の構成部分203Dの間の電極間間隙は、垂直平面のイオン光学構成部分に隣接し、垂直電極リミッター201Dnの方向へ向けられた凸性を有する第二タイプ曲セグメント式である。第三電極の構成部分203D及び第四電極の構成部分204Dの間の電極間間隙は、垂直平面のイオン光学構成部分に隣接する直列式であり垂直平面イオン光学構成部分に対して角度を成す。他の電極間間隙は直列式であり、イオン光学構成部分の垂直平面に対して垂直に配置されている。[図177]軸ベクトルnを有する反射構成部分セグメント200Eyが示されていて、それは次の垂直電極リミッター201En、第一反射電極の構成部分201E、第二反射電極の構成部分202E、第三電極の構成部分203E、第四電極の構成部分204Eを含んでいる。そのうえ、第二電極の構成部分202E及び第三電極の構成部分203Eの間の電極間間隙は、垂直平面のイオン光学構成部分に隣接し、垂直電極リミッター201Enの方向へ向けられた凸性を有する第二タイプ曲セグメント式である。第三電極の構成部分203E及び第四電極の構成部分204Eの間の電極間間隙は、垂直平面のイオン光学構成部分に隣接する直列式であり垂直平面イオン光学構成部分に対して角度を成す。他の電極間間隙は直列式であり、イオン光学構成部分の垂直平面に対して垂直に配置されている。図178から図183にはP反射構成部分の垂直電極リミッター210A、200B、210C、220、230及び240の拡大図が示されていて、それに対応した幾つかの反射構成部分の実施例における技術的解決法は、上記したxz及びyzの投影に示されている。図178から図180には、各イオン光学構成部分の平均平面が軸ベクトルnが平均平面上に配置している及び電極の平面に対称であり、平面座標yzに隣接する平均平面及び互いに平行な平面に配置されている同一高さの稼働内部表面を有する電極を備えた鏡210A、200B、210Cの拡大図が示されていて、それに対応した幾つかの反射構成部分の実施例における技術的解決法は、上記したxz及びyzの投影に示されている。図181から図183には、一ピッチ的高さを有するP反射構成部分220、230及び240の拡大図が示されていて、そのP反射構成部分の電極間間隙は直列式であり、イオン光学鏡の縦垂直平面に対して垂直に配置される。[図178]二次元デカルト式P反射構成部分210Aが示されていて、それは次の垂直電極リミッター211An、第一反射電極211A、第二反射電極212A、第三電極213A、第四電極214Aを含んでいる。[図179]ローカルなトランス軸曲混合型P反射構成部分210Bが示されていて、それは次の垂直電極リミッター211Bn、第一反射電極211B、第二反射電極212B、第三電極213B、第四電極214Bを含んでいる。そのうえ、第二電極の構成部分212B及び第三電極の構成部分213Bの間の電極間間隙は、垂直平面のイオン光学構成部分に隣接する対称表面を有する第二タイプ曲セグメント式である。他の電極間間隙は直列式であり、P反射構成部分210Bの垂直平面に対して垂直に配置されている。[図180]十文字混合型P反射構成部分210Cが示されていて、それは次の垂直電極リミッター211Cn、第一反射電極211C、第二反射電極212C、第三電極213C、端構成部分214ys1、214ys2を備える第四電極214Cを含んでいる。[図181]一ピッチ的高さを有する二次元デカルト式P反射構成部分220が示されていて、それは次の垂直電極リミッター221.n、構成部分221及び221.2を備える第一反射電極、構成部分222C及び222.2を備える第二反射電極、構成部分223及び223.2を備える第三反射電極を含んでいる。反射構成部分90Cxの電極の稼働内部表面は一ピッチ的高さを有し、同一平面に配置され、その上構成部分が下構成部分表面に対して角度を成すように構成されている。[図182]一ピッチ的高さを有する二次元デカルト式垂直二領域P反射構成部分230が示されていて、それは次の垂直電極リミッター231.n、構成部分231及び231.2を備える第一反射電極、構成部分232及び232.2を備える第二反射電極、構成部分233及び233.4を備える下領域第三反射電極、構成部分233.2及び233.3を備える上領域第三反射電極、構成部分234.2及び234.3を備える上領域第四反射電極、領域間基板電極231uを含んでいる。垂直二領域反射構成部分90Exの電極の稼働内部表面は一ピッチ的高さを有し、同一平面に配置され、その上構成部分が垂直電極リミッター231.nに対して垂直に配置されている下構成部分に対応して角度を成すように構成されている。[図183]一ピッチ的高さを有するローカルな十文字混合型垂直二領域P反射構成部分240が示されていて、それは次の垂直電極リミッター241.n、構成部分241及び241.2を備える第一反射電極、構成部分242及び242.2を備える第二反射電極、構成部分243及び243.4を備える下領域第三反射電極、構成部分243.2及び243.3を備える上領域第三反射電極、構成部分244.2及び244.3を備える上領域第四反射電極、領域間基板電極241uを含んでいる。そのうえ、第一及び第二電極は二次元デカルト式であり、第三及び第四電極は箱型である。図184から図187には、ローカルな垂直二領域P反射構成部分における平面yzの投影に対応しての設計図が示されている。設計仕事を省略する目的で、実施例として示されているのは、互いに平行であり直列式の電極間間隙を有するローカルなP反射構成部分のみである。図184及び図185には、イオン光学鏡領域におけるセクターの分枝実施例が示されている。図186及び図187には、セクター分枝に基づいたローカルな垂直二領域P反射構成部分の反射増大実施例が示されている。[図184]反射構成部分セグメント250Aが示されていて、それは反射構成部分250By、第一反射電極251Aの構成部分、第二反射電極252Aの構成部分、第三左領域電極のセグメント構成する253A1を含んでいる。そのうえ、第二反射電極252Aの構成部分と第三左領域電極のセグメント253A1の間、及び第一反射電極251Aの構成部分と第二反射電極252Aの構成部分の間の電極間間隙は直列式であり反射構成部分250Aの縦垂直平面に対して垂直である。[図185]反射構成部分セグメント250Byが示されていて、それは第一反射電極251Bの構成部分、第二反射電極252Bの構成部分、第三左領域電極のセグメント253B1を含んでいる。そのうえ、第二反射電極252Aの構成部分と第三左領域電極のセグメント253A1の間の電極間間隙はイオン反射の方向へ向けられた凸性を有する第二タイプ曲セグメント式であり、第一反射電極251Bの構成部分と第二反射電極252Bの構成部分の間の電極間間隙は直列式であり反射構成部分250Byの縦垂直平面に対して垂直である。[図186]P反射構成部分250Cyが示されていて、それは垂直電極リミッター251C.n、第一反射電極251Cの構成部分、第二反射電極252Cの構成部分、第三左領域電極の253C1の構成部分、第四左領域電極の254C1の構成部分、第三右領域電極の253C1の構成部分、第四右領域十文字型電極端構成部分154Cs1、154Cs2を含んでいる。そのうえ、電極構成部分の間の電極間間隙は直列式でありイオン光学反射構成部分の垂直平面に対して垂直である。[図187]P反射構成部分250Dyが示されていて、それは垂直電極リミッター251D.n、第一反射電極251Dの構成部分、第二反射電極252Dの構成部分、第三左領域電極の253D1の構成部分、第四左領域電極の254D1の構成部分、第三右領域電極の253D2の構成部分、第四右領域電極の254D2の構成部分を含んでいる。そのうえ、第二反射電極252Dの構成部分と第三右領域電極の253D2の構成部分の間、第二反射電極252Dの構成部分と第三左領域電極の253D1の構成部分の間の電極間間隙はイオン光学構成部分の垂直平面に隣接する対称平面を有する第二タイプ異方向曲セグメント式である。他の電極間間隙は直列式であり、イオン光学構成部分の垂直平面に対して垂直に配置されている。上記した図186及び図187で示されているセクター分枝に基づいたローカルな垂直二領域P反射構成部分の反射増大実施例は、特定の例である。上記したP構成部分の実施例のように、各領域は別々に配置されることで、高い凡用性をもつことが可能である。図188から図195には、延長されたP反射構成部分の電極の設計図及び実施例が示されている。図188には、座標表面yzに隣接する一定幅平面に対しての投影で延長されたP反射構成部分のセクターが示されている。図189から図191には、一定幅を有するイオン光学構成部分鏡のセクターの空間拡大図が数例示されている。図192及び図193には、垂直二領域直列式鏡のセクターの空間拡大図が数例示されている。[図188]一定幅を有するトランス曲直列順番式P反射構成部分260が座標表面yzに隣接する一定幅平面に対しての投影で示されていて、それは次の垂直電極リミッター261yn、第一反射電極261y、第二反射電極262y、第三電極263y、第四電極264y及び第五電極265yを含んでいる。そのうえ、第二電極の構成部分262y及び第三電極の構成部分263yの間の電極間間隙は、第二タイプ曲セグメント式及びセクター直列式が組み合わさって、反復性を有する構成である。他の電極間間隙は直列式であり、P反射構成部分260yの垂直平面に対して垂直に配置されている。[図189]一定幅を有する延長されたP反射構成部分セクター270Aが示されていて、それは次の第一電極セクター271A、第二電極セクター272A及び第三電極セクター273Aを含んでいる。そのうえ、電極間間隙は直列式であり、P反射構成部分270Aのセクター縦垂直平面に対して垂直に配置されている。[図190]一定幅を有するトランス曲直列順番式P反射構成部分270Bが示されていて、それは次の第一電極セクター271B、第二電極セクター272B及び第三電極セクター273Bを含んでいる。そのうえ、第二電極の構成部分272B及び第三電極の構成部分273Bの間の電極間間隙は、第二タイプ曲セグメント式及びセクター直列式が組み合わさって、反復性を有する構成である。他の電極間間隙は直列式であり、P反射構成部分270Bのセクター縦垂直平面に対して垂直に配置されている。[図191]一ピッチ的高さを有する延長されたP反射構成部分セクター270Cが示されていて、それは次の第一電極セクター271C、第二電極セクター272C及び箱型周期的第三電極セクター273Cを含んでいる。そのうえ、全ての電極間間隙は直列式であり、P反射構成部分270Cのセクター縦垂直平面に対して垂直に配置されている。[図192]一ピッチ的高さを有する延長された二次元デカルト式垂直二領域P反射構成部分セクター280Aが示されていて、それは次の構成部分281A及び281A2を備える第一電極、構成部分282A及び282A2を備える第二電極、構成部分281A及び281A2を備える下領域第三電極、構成部分281A及び281A2を備える上領域第三電極、領域間基板電極281Auを含んでいる。電極の稼働内部表面は一ピッチ的高さを有し、その上領域電極及び下領域電極が互いに対して角度を成すように構成されている。そのうえ、全ての電極間間隙は直列式であり、延長された二領域P反射構成部分直列式鏡セクター280Aの垂直平面に対して垂直に配置されている。[図193]一ピッチ的高さを有する延長されたトランス曲直列順番式垂直二領域P反射構成部分セクター280Bが示されていて、それは次の構成部分281B及び281B2を備える第一電極、構成部分282B及び282B2を備える第二電極、構成部分281B及び281B2を備える下領域第三電極、構成部分281B及び281B2を備える上領域第三電極、領域間基板電極281Buを含んでいる。電極の稼働内部表面は一ピッチ的高さを有し、その上領域電極及び下領域電極が互いに対して角度を成すように構成されている。そのうえ、第一電極の構成部分281B及び第二電極の構成部分282Bの間の電極間間隙は、第二タイプ曲セグメント式及びセクター直列式が組み合わさって、反復性を有する構成である。他の電極間間隙は直列式であり、イオン光学直列式鏡280Aの垂直平面に対して垂直に配置されている。図189から図193には、延長されたP構成部分セクターの幾つかの実施例が示されている。延長されたP構成部分は、これ以外の多様な実施形態を有し、例えば、図153から図187で示したローカルなP構成部分の実施形態を有することが可能である。[図194]二つのイオン光学鏡で構成され、順番に配置される、不均一二つの異なる鏡を備えるな延長された垂直配列イオン光学鏡がyz投影において示されていて、その配置される順番は次のとおり、一つ目は図171において示された、垂直電極リミッターを備えた二次元デカルト式イオン光学鏡180y、二つ目は図173Ayにおいて示された、垂直電極リミッターを備えたトランス曲混合型イオン光学鏡200Ayである。[図195]三つのイオン光学鏡で構成され、その三つが順番に配置される、均一二つの同一な鏡を備えるな延長された垂直配列イオン光学鏡がyz投影において示されていて、その縦垂直断面図が示されている。図194及び図195において示されている実施例によって、延長された、水平な、垂直な、均一な、不均一な直列イオン光学鏡についてのおおよそな概念が示されている。典型的な場合においては、配列における鏡の数及び種類の選択は解決する質量分析課題によって決定される。選択可能な鏡は、上記したイオン光学鏡群に示されている。イオン光学構成部分についての他の選択肢も存在し、例えば、上記で示したイオン光学構成部分の幾何学的形状をxz平面上における投影を変えることであり、具体的にそれは、垂直電極リミッターを配置しない、異なる数の電極を配置する、異なる電極の組み合せでイオン光学構成部分を構成する等である。電極における電位の分布に基づいて動作モードが決定される、上記したいかなるイオン光学構成部分の実施例は、反射構成部分動作モードで稼働し、その内の幾つかの垂直電極リミッターを配置していないイオン光学構成部分は反射構成部分動作モード又は他の異なる動作モードで稼働し、それには多機能稼働モードも含まれる。図196から図206には、垂直電極リミッターを配置していないイオン光学構成部分の実施例の設計図が示されている。[図196]イオン光学構成部分310yがyz投影において示されていて、それは次のトランス軸式電極311y、トランス軸式電極312y、トランス軸式電極313yを含んでいる。そのうえ、電極間間隙は細同心環セグメント式であり、その内部半径R1及びR2である。[図197]イオン光学構成部分320yがyz投影において示されていて、それは次の電極321y、電極322y、電極323y及び電極324yを含んでいる。そのうえ、電極321yと電極322yの間、及び電極322yと電極323yの間の電極間間隙は二つの細同心環セグメント式であり。電極323yと電極324yの間の電極間間隙の間の電極間間隙は軸ベクトルnに垂直な間隙直列式である。[図198]図178で示されているP反射構成部分210の変形に基づいて得られた、二次元デカルト式三電極型P構成部分330の空間図が示されており、それは垂直電極リミッター及び第四電極が配置されていない。P構成部分330は、次の第一電極331、第二電極332、第三電極333を含む。[図199]P構成部分330xMP構成部分330のxz投影が座標表面xzに隣接する垂直断面図及びP反射構成部分動作モードで稼働時での、それにおける二つの典型的イオン移送軌跡331xMiが示されており、P構成部分330xMは、次の第一電極331xM、第二電極332xM、第三電極333xMを含む。[図200]P構成部分330yMP構成部分330のyz投影が座標表面yzに隣接する水平断面図及び反射動作モードで稼働時での、それにおける二つの典型的イオン移送軌跡331yMiが示されており、P構成部分330yMは、次の第一電極331yM、第二電極332yM、第三電極333yMを含む。[図201]P構成部分330xTP構成部分330のxz投影が座標表面xzに隣接する垂直断面図及び望遠鏡動作モードで稼働時での、それにおける二つの典型的イオン移送軌跡331xTiが示されており、P構成部分330xTは、次の第一電極331xT、第二電極332xT、第三電極333xTを含む。[図202]P構成部分330yTP構成部分330のyz投影が座標表面yzに隣接する水平断面図及び望遠鏡動作モードで稼働時での、それにおける二つの典型的イオン移送軌跡331yTiが示されており、P構成部分330yTは、次の第一電極331yT、第二電極332yT、第三電極333yTを含む。[図203]図184で示されているP反射構成部分250Aの変形に基づいて得られた、二次元デカルト式三電極型水平二領域P構成部分340の空間図が示されており、それは垂直電極リミッター及が配置されていない。P構成部分340は、次の第一電極341、第二電極342、第三電極343を含む。[図204]水平二領域P構成部分330xMP構成部分340のxz投影が座標表面xzに隣接する垂直断面図及び反射動作モードで稼働時での、それにおける二つの典型的イオン移送軌跡341xMiが示されており、P構成部分340xMは、次の第一電極341xM、第二電極342xM、第三電極343xMを含む。[図205]水平二領域P構成部分340yMP構成部分340のyz投影が座標表面yzに隣接する水平断面図及び反射動作モードで稼働時での、それにおける二つの典型的イオン移送軌跡341yMiが示されており、P構成部分340yMは、次の第一電極341yM、第二電極342yM、第三電極343yMを含む。図207から図210には、垂直電極リミッター及が配置されていない二セット式P構成部分360A、360B、370及び370y実施例の設計図が示されている。[図207]P構成部分360Aが示されていて、それにおける第一電極361Aと第二電極362Aの間の電極間間隙は細同心環セグメント式であり、第二電極362Aと第三電極363Aの間の電極間間隙は座標y軸に対して非垂直な細直線間隙式である。[図208]P構成部分360Bが示されていて、それにおける第一電極361Bと第二電極362Bの間の、及び第二電極362Bと第三電極363Bの間の電極間間隙は座標y軸に対して非垂直な細同心環セグメント式である。[図209]P構成部分370が示されていて、それにおける第一電極371と第二電極372の間の、及び第二電極372と第三電極373の間の電極間間隙は座標y軸に対して非垂直な細直線間隙式である。[図210]P構成部分370yP構成部分370のyz投影が座標表面yzに隣接する水平断面図示されている。第一電極371y及び第二電極372y、第二電極372y及び第三電極373yが反射動作モードで稼働時、P構成部分370yにおける典型的イオン移送軌跡371yiは点1、2、3及び4を通過する。第一電極371y及び第二電極372yが反射動作モード、第二電極372y及び第三電極373yが屈折動作モードで稼働時、P構成部分370yにおける典型的イオン移送軌跡371yiは点1、2、3及び5を通過する。二セット式P構成部分は二セット式鏡動作モード、屈折反射動作モード、多機能動作モードで稼働することが可能である。図213から図217には、飛行時間分散型IB路のための幅広形状平面式P多重反射装置が座標平面の投影において示されている。[図213]四つの電極391xn、391x、392x及び393xを備える同一型第二タイプ曲線式P多重反射装置390xが垂直断面図に示されていて、その時、電極ライニング間の距離dである。[図214]四つの電極391yn、391y、392y及び393yを備える同一型第二タイプ曲線式P多重反射装置390yが水平平面に示されていて、その時、相互接続され互いに向きあった電極前面部線は丸で示されており、幾何学的中心からP多重反射装置の最寄り電極間間隙までの距離Rcである。[図215]四つの電極401yn、401y、402y及び403yを備える同一型n表面式P多重反射装置400yが示されていて、その時、幾何学的中心からP多重反射装置の最寄り電極間間隙までの距離RAである。[図216]五つのローカルなP反射構成部分33.1、33.2、33.3、33.4及び33.5を備える離接型n表面式P多重反射装置410yが示されていて、その時、五平面多角形の各辺P反射構成部のセクターグループに一づつのローカルなP反射構成部分が定期順番に配置され、典型的イオン移送軌跡411yiである。そのうえ、各P多重反射装置390x、390y、400y及び410は一つ以上のイオン流束入出力のための端部口を備えなければならない。[図217]jnセクター離接型n表面式P多重反射装置420yが示されていて、その時、jn45であり、P多重反射装置は4つのローカルなP反射構成部分33.1、33.2、33.3及び33.4を備え、それらは正同面的五面多角形の四平面各辺に一づつ定期順番に配置され、典型的イオン移送軌跡421yiである。図218から図232には、飛行時間分散型イオンパケットのための延長されたP多重反射装置が設計図で示されている。図218から図221には、延長されたP多重反射装置の主な実施例及びこのP多重反射装置における平均イオン移送軌跡に対応する典型的線が平面基部の投影によって設計図で示されている。[図218]イオン光学反射構成部分32.1及び32.2を備える直列反射式P多重反射装置430λが示されていて、そのイオン光学反射構成部分の同一平面上P多重反射装置の平均平面におけるにある軸ベクトルが逆平行の場合には、互いに向きあって配置され、そのうえ、P多重反射装置430の直線分の形状を有する典型的線SLが示されている。[図219]イオン光学反射構成部分32.1及び32.2を備える環状反射式P多重反射装置440λが示されていて、そのイオン光学反射構成部分の同一平面上P多重反射装置の平均平面におけるにある軸ベクトルが逆平行の場合には、互いに向きあって配置され、そのうえ、P多重反射装置440の環状の形状を有する典型的線CLが示されている。[図220]イオン光学反射構成部分32.1、32.2及び32.3を備える弧状反射式P多重反射装置450λが示されていて、そのうえ、P多重反射装置450λの弧状の形状を有する典型的線ALが示されている。[図221]イオン光学反射構成部分32.1、32.2、32.3及び32.4を備える二環状反射式P多重反射装置460λが示されていて、そのうえ、P多重反射装置460λの二環状の形状を有する典型的線TLが示されており、線TLは以下のとおりに形成される、反射構成部分32.1と反射構成部分32.4の間に配置される正面前面部Lf1、反射構成部分32.2と反射構成部分32.3の間に配置される後面前面部Lf2、反射構成部分32.1と反射構成部分32.2の間に配置される第一対角線部Ld1、反射構成部分32.3と反射構成部分32.4の間に配置される第二対角線部Ld2。図222から図232には、イオン光学反射構成部分の特定関連及び図221で示された二環状反射式P多重反射装置460λにおけるイオン光学反射構成部分の空間配置の数例の実施例が示されている。そのうえ、図222から図224には、P多重反射装置[図258]この図には次のものが示されていて、それは第一クロマトグラフ線を構成する、ポンプPP-1、スイッチS11、クロマトカラムV1、第二クロマトグラフ線を構成する、ポンプPP-2、スイッチS12、クロマトカラムV2、第三クロマトグラフ線を構成する、ポンプPP-3、スイッチS13、クロマトカラムV3、第四クロマトグラフ線を構成する、ポンプPP-4、スイッチS14、クロマトカラムV4、質量分析装置の路への出力を有し第一クロマトグラフ線及び第二クロマトグラフ線を結合するスイッチS21、質量分析装置の路への出力を有し第三クロマトグラフ線及び第四クロマトグラフ線を結合するスイッチS22である。この図258において、示されているシステムは、多重路式P多重反射装置の複数あるの内一つの可能性を示している。[発明を実施するための最良の形態]本発明で示された質量分析方法及び質量分析装置は、既知のもよりも高い解像度をもつ質量分析装置を作成することを可能にさせている。イオン流束が二重路又は三重路になる質量分析装置で実施する平行質量分析及び軸外イオン流束における質量分析の方法は、飛行時間的及び横断空間的な収差を減少させることを可能にさせている。本発明で提案する、多重反射式イオン光学路下位システムを利用したイオン流束の多重反射の方法は、イオン流束の飛行時間を長くし{イオン流束の移送路を交差させず、より軽いイオンがより重いイオンを周回遅れ一つ以上の周期にすることなく}、これによって、イオン質量による飛行時間分散を向上させる。提案する下位操作システムを利用したイオン流束の反射又は及び屈折方法は、イオン流束構造を効率良く制御させることを可能にしており、また多様な実施形態の質量分析が可能になり、さらにそれに加えて、装置の小型化が出来、小型化は費用削減にもつながり、既知で類似の質量分析装置と比較して高い解像度をもつため、すぐれた費用対効果を有する[実施例]今現在、図133及び図134で示し説明したIB路を有する無磁気性回転対称直軸式質量分析装置TOF-MS-F1は開発され、実際に製造されている。無磁気性回転対称直軸式質量分析装置は次のように動作する。まず、円環状入力口68W2から、電極65、66、67並びに入力電極68、及びそれに向けられた隔膜電極64の表面で構成されたローカルなイオン光学屈折構成部分へ細いイオンパケットが入力される。円環状入力口68W2から出力されるイオンの横断速度は比較的遅くて、それは主に熱運動によって決定され、そして温度3000Кにおいてのエネルギー散乱はDe0.1eVの値を超えることは無い。例えば、イオン二次放出の場合で、エネルギー散乱がDe100eVに達する時、ベクトル横断速度合計値が約0,1ベクトル速度なり、すなわちDe10eVに相当する。イオンはイオン源の窓から出力され、電界によって大幅に加速され、それによりエネルギーを獲得し、そして、そのエネルギーはイオン鏡領域で最低E1кeVに達する。このエネルギーの主な量は縦方向の速度成分に起因している。イオンパケットはそのエネルギーによって、質量分析装置の主軸外を移動する時に追加的横断速度成分及び横断分散を獲得する。そのうえ、イオンが獲得した追加的横断速度成分は質量分析装置の主軸向けられている。かつ、主軸を同一点で交差するのは同じエネルギーを有するイオンだけであって、そのため特定の範囲内のエネルギーを有するイオンのみが出力隔膜電極64の穴64Qを通過することになる。続いてイオンは、電極61、62、63並びに反射電極リミッター61n、及びそれに向けられた隔膜電極64で構成されるローカルなイオン反射光学構成部分へ移動する。イオンパケットは不均一対称軸静電界で反射し円環状出力口64W1へ移動する、またその出力口は検出器の入力口でもある。エネルギー及び質量による分散はイオンの移送路全体で起き、そして様々なエネルギー及び質量のイオン有するを細いイオンパケットは崩壊する。反射領域において、小さい質量を有するイオンよりも、大きい質量を有するイオンの方が反射静電界で縦方向に深く侵入し、これによって出力口64W1表面イオン検出器表面でエネルギーによるイオン分別が可能である。そのため、出力口64W1表面にイオンが細いイオンパケットで入力される時、各イオンパケットは同じ質量を有するイオンを含んでいる。無磁気性回転対称直軸式質量分析装置のイオン移送路のサイズは、円環状電極が内径40ミリ、イオン源平面から一番端の電極鏡までの距離が380ミリである。実験的検証により、無磁気性回転対称直軸式質量分析装置の相対感受性閾値10-5であり、50スペクトルピークでの分解が650であり、それはこの質量分析装置の限界ではない。他の既知で類似の同サイズ型の無磁気性飛行時間型質量分析装置と比べて、無磁気性回転対称直軸式質量分析装置の数値は記録的はるかに上回るである。無磁気性飛行時間型質量分析装置で高い値の分解及び感受性を達成出来たのは、既知で類似の質量分析の方法及び装置との本質的な違いのおかげである。イオン反射又は質量分析の他の全てのプロセスにおいて、不均一軸対称静電界二重対称は特別なケースであるが使用されるのは、その空間位置が無磁気性飛行時間型質量分析装置の全ての部分の中から選ばれるためであり、それにより効率的な制御及びイオンパケット分別を可能するこであり、質量分析において高い分解及び感受性を達成するためである。イオンパケットは円環状入力口68W2から出力される、それに加えて隔膜電極64は中心部に穴64Qを備え、及び円環状出力口64W1を備える。落下及び反射空間でイオン流束の分別が実施され、それに加えて二重空間角度的イオン分別が円環状出力口64W1の表面で実施される。本発明と既知の方法との本質的な違いには、エネルギー別に横断空間的分散を調節が可能であって、それにより無磁気性回転対称直軸式質量分析装置が多様な動作モードで稼働することが出来るという点もあげることが出来る。その主な動作モードは以下に記されている。一つ目は、横隔膜の開口部が大直径であり、及び低エネルギーにより横断分散が最初のイオンパケットのイオンをほぼ全て開口部へ通過させる状況で質量分析結果を得るということである。このような場合には、無磁気性回転対称直軸式質量分析装置は、最初のイオンパケットのエネルギースペクトルの広い範囲で質量分析を実施する動作モードで稼働する。二つ目は、横隔膜の開口部が小直径であり、及び高エネルギーによる横断分散が行われる状況で質量分析結果を得るということである。このような場合には、無磁気性回転対称直軸式質量分析装置の構成要素の潜在的な変化により、最初のイオンパケットのエネルギースペクトルの多様な狭い範囲で質量分析を実施する動作モードで稼働する。"