半導体パッケージの製造工程でフレームの中空部を表面が粘着性の耐熱基材で被覆した保持治具を用いることにより、半導体パッケージを製造する半導体パッケージの製造方法であって、保持治具の耐熱基材表面に、多層の基板上に少なくとも半導体チップが設けられた半導体パッケージ用の複数の中間部品を並べて粘着保持させ、この複数の中間部品を封止材料により一括モールドして各中間部品の下面以外の領域を被覆し、一括モールドされた複数の中間部品を保持治具から取り外した後、一括モールドされた複数の中間部品をその隣接する中間部品の間で分断することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。耐熱基材表面に、複数枚の基板を並べて粘着して隣接する基板間には隙間を形成し、各基板上に半導体チップを実装してこれらを接合することにより複数の中間部品を製造するとともに、この複数の中間部品を洗浄液で洗浄して乾燥させ、複数の中間部品をクリーニングして不純物を除去した後、複数の中間部品を封止材料により一括モールドする請求項1記載の半導体パッケージの製造方法。従来における表面実装型の半導体パッケージ29は、以上のように製造され、サブストレート20の上面のみにモールド樹脂26が単に充填されて半導体チップ22を被覆保護するので、サブストレート20の上面とモールド樹脂26との界面、あるいはサブストレート20を形成する配線基板21と配線基板21との間に、塵埃、水分等の異物図8の矢印参照が侵入して性能の低下を招くおそれがある。本発明は上記に鑑みなされたもので、基板と封止材料の間、あるいは基板中に異物が侵入して性能の低下を招くのを抑制することのできる半導体パッケージの製造方法を提供することを目的としている。本発明においては上記課題を解決するため、半導体パッケージの製造工程でフレームの中空部を表面が粘着性の耐熱基材で被覆した保持治具を用いることにより、半導体パッケージを製造する半導体パッケージの製造方法であって、保持治具の耐熱基材表面に、多層の基板上に少なくとも半導体チップが設けられた半導体パッケージ用の複数の中間部品を並べて粘着保持させ、この複数の中間部品を封止材料により一括モールドして各中間部品の下面以外の領域を被覆し、一括モールドされた複数の中間部品を保持治具から取り外した後、一括モールドされた複数の中間部品をその隣接する中間部品の間で分断することを特徴としている。なお、銅箔表面に複数の中間部品を並べて粘着保持させ、この複数の中間部品の隣接する中間部品の間に隙間を形成することができる。また、耐熱基材表面に、複数枚の基板を並べて粘着して隣接する基板間には隙間を形成し、各基板上に半導体チップを実装してこれらを接合することにより複数の中間部品を製造するとともに、この複数の中間部品を洗浄液で洗浄して乾燥させ、複数の中間部品をクリーニングして不純物を除去した後、複数の中間部品を封止材料により一括モールドすることができる。ここで、特許請求の範囲における半導体パッケージには、少なくとも表面実装型BGA、PBGA、FBGA、FLGA、FCBGA等が含まれる。保持治具のフレームと耐熱基材のうち、少なくとも耐熱基材は耐熱性を有することが好ましい。フレームは枠形やリング形等を特に問うものではなく、耐熱基材は平面矩形、多角形、円形、楕円形等でも良い。また、中間部品の基板には、少なくともビルドアップ法で製造されたビルドアップ基板等が含まれる。この基板上には少なくとも単数複数の半導体チップが設けられ、基板と半導体チップとがワイヤー等で間接的に接続されたり、直接的に接続される。封止材料は、特に限定されるものではなく、少なくともエポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂をベース樹脂とした溶剤、エポキシ系樹脂にシリカ充填材を加えた材料等が含まれる。本発明によれば、封止材料で一括モールドされた複数の中間部品を各中間部品の周縁部に沿って分断するのではなく、隣接する中間部品と中間部品との間で分断するので、半導体パッケージの下面以外の広い領域を被覆し、半導体パッケージを構成する基板の周面をも封止材料で包囲することができる。本発明によれば、基板と封止材料の間、あるいは基板中に異物が侵入して半導体パッケージの性能が低下するのを抑制することができるという効果がある。また、請求項2記載の発明によれば、半導体パッケージの一部の製造工程で中間部品をトレイから保持治具に移し替えて粘着保持させる必要性に乏しく、トレイ等を省略することができる。以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明すると、本実施形態における半導体パッケージの製造方法は、図1ないし図5に示すように、保持治具1の銅箔3に、サブストレート20に半導体チップ22が実装された半導体パッケージ29用の中間部品25を並べて粘着保持させ、この複数の中間部品25をモールド樹脂26によりモールドして各中間部品25の下面27以外の領域を被覆し、モールドされた複数の中間部品25を分割して個々の半導体パッケージ29を得るようにしている。保持治具1は、図1や図4に示すように、多数の中間部品25を収容可能な大きさの枠フレーム2を備え、この枠フレーム2に、表面が弱粘着性の薄い銅箔3が接着されており、半導体パッケージ29のモールド工程で使用される。枠フレーム2は、特に限定されるものではないが、ガラエポ、銅合金、42アロイ等のFeNi合金により細長く形成され、銅箔3を緊張させてその撓みを防止するよう機能する。銅箔3は、半導体チップ22の線膨張係数や作業時の耐熱性等を考慮し、ある程度の剛性や耐熱性等が付与されて保持治具1に用いられる。この銅箔3は、例えば35μm程度の厚さで平面矩形に形成され、20μm程度の厚さを有する両面粘着層各種の両面粘着テープ等が積層して一体化されることにより、表面に弱粘着性が付与される。このような銅箔3は、枠フレーム2の下面に表面周縁部が粘着されることにより、枠フレーム2の中空部を被覆し、中間部品25を着脱自在に粘着保持する。上記構成において、FBGA等からなる表面実装型の半導体パッケージ29を製造する場合には、先ず、耐熱性を有する専用のトレイ10を用意し、このトレイ10の表面に多層のサブストレート20を並べて位置決め配置図2参照するとともに、トレイ10の表面にカバー治具12を被せて各サブストレート20上に必要数の半導体チップ22を実装図3参照し、その後、各サブストレート20と半導体チップ22とを電気的に接合することにより半導体パッケージ29用の中間部品25を複数製造する。トレイ10は、例えば平面矩形の板に形成され、表面のXY方向に平面矩形の位置決め穴11が複数配列形成されており、各位置決め穴11にサブストレート20や中間部品25が僅かな隙間を介し着脱自在に遊嵌される。カバー治具12は、トレイ10に略対応する形に形成され、トレイ10の複数の位置決め穴11に対向する箇所が中間部品25を露出させる観点から開口形成されており、トレイ10から中間部品25やその部品が脱落するのを防止するよう機能する。また、サブストレート20と半導体チップ22とは、必要に応じ、ワイヤボンディングで間接的に接続されたり、直接的に接続される。サブストレート20は、複数枚2枚以上の薄い配線基板21の積層により多層構造に形成され、隣接する配線基板21と配線基板21の間、あるいは所定の配線基板21上にダイオードや抵抗素子等の電子回路部品が配設されており、最下層の配線基板21の下面に複数の電極が所定のパターンで配列形成される。また、半導体チップ22は、電気的特性を向上させたり、複合機能を実現する観点から、ベースチップ23にサブチップ24が積層されるチップオンチップ方式等で実装される。ベースチップ23とサブチップ24とは、必要に応じ、ワイヤボンディングにより接続されたり、直接接続フリップチップ接続される。次いで、フラックスクリーン工程でトレイ10と共に複数の中間部品25を洗浄液に浸漬して精密洗浄し、ベーキング ゙工程でトレイ10と共に複数の中間部品25を加熱乾燥させて除湿した後、クリーニング工程でトレイ10と共に複数の中間部品25をプラズマクリーニングして不純物を除去する。カバー治具12は、ベーキング ゙工程の作業終了時、あるいはクリーニング工程の作業終了時にトレイ10の表面から取り外される。ベーキング ゙工程では、例えば125°C、30分の条件で中間部品25を加熱することにより、中間部品25内の水分を排湿する。また、中間部品25から不純物を除去するクリーニング法には、様々な方法があるが、プラズマクリーニング法によれば、洗浄液による汚染やウォーターマークを回避し、排水設備等を省略してクリーニング作業を単純化することが可能となる。次いで、複数の中間部品25をトレイ10から順次取り外して保持治具1の銅箔3表面のXY方向に並べて粘着保持させ、この並んだ複数の中間部品25を耐吸湿性に優れるエポキシ樹脂等のモールド樹脂26により一括モールディングして複数の中間部品25の下面27以外の領域、すなわち中間部品25の半導体チップ22を搭載した上面及び前後左右の周面をそれぞれ被覆し、モールド樹脂26を所定の形に整えて硬化させる図4参照。複数の中間部品25を並べる際、個々の中間部品25に対するモールド樹脂26の被覆範囲を拡大する観点から、複数の中間部品25をマトリックスに配列例えば、5×5、5×10、10×10、6×22等し、隣接する中間部品25と中間部品25との間に多少の隙間、あるいは僅かな隙間を区画することが好ましい。各中間部品25の下面27以外の領域を被覆したら、一括モールドで一体化された複数の中間部品25を保持治具1の銅箔3から取り外し、銅箔3の表面から剥離された各中間部品25の下面27、すなわちサブストレート20下面の複数の電極に半田ボール28をそれぞれ搭載する。半田ボール28は、特に限定されるものではないが、例えばコアが樹脂のタイプ等を使用することができる。そして、一体化された複数の中間部品25を個々の中間部品25にダイシングブレードでダイシング等して切断し、電気的な試験等を実施すれば、完成品である半導体パッケージ29を得ることができる図5参照。ダイシングブレードで分割する際、各中間部品25の周縁部に沿って切断するのではなく、隣接する中間部品25と中間部品25との間の隙間を切断する。こうすれば、サブストレート20の全周面がモールド樹脂26で被覆されることとなる。上記によれば、一括モールドされた複数の中間部品25の隣接する中間部品25の間を切断して個々の半導体パッケージ29を得るので、半導体パッケージ29の下面27以外の広い領域を被覆し、サブストレート20の周面をもモールド樹脂26で包囲図5参照して外部に露出しないようにすることができる。したがって、半導体パッケージ29のサブストレート20上面とモールド樹脂26との界面、あるいはサブストレート20を形成する配線基板21と配線基板21との間に、塵埃、水分等の異物が横方向から侵入するのを有効に防止することができる。これにより、半導体パッケージ29の性能が低下するおそれを排除し、信頼性や品質を著しく向上させることができる。また、トレイ10の凹凸のある表面ではなく、銅箔3の平坦な表面でモールディングするので、モールド樹脂26の硬化後、まとめて一体化された複数の中間部品25を取り外す作業が実に簡単、かつ容易となる。また、枠フレーム2と銅箔3とを固定ではなく、着脱自在とすれば、少なくとも枠フレーム2を廃棄することなく再度使用することができ、コスト削減や省資源化が大いに期待できる。さらに、枠フレーム2を摘むことにより、保持治具1の操作性を向上させることが可能になる。次に、図6及び図7は本発明の第2の実施形態を示すもので、この場合には、モールド工程のみで保持治具1を使用するのではなく、中間部品25の製造工程からモールド工程まで保持治具1を使用するようにしている。この場合、半導体パッケージ29の製造に際しては、トレイ10の代わりに保持治具1を用意し、銅箔3の平坦な表面のXY方向にサブストレート20を配列して位置決め粘着図6参照し、隣接するサブストレート20とサブストレート20との間に隙間を区画する。保持治具1の銅箔3表面に複数のサブストレート20を配列したら、各サブストレート20上に必要数の半導体チップ22を実装し、その後、各サブストレート20と半導体チップ22とを電気的に接合することにより、半導体パッケージ29用の中間部品25を製造する図7参照。こうして製造された複数の中間部品25は、銅箔3の表面に並べて粘着保持され、隣接する中間部品25と中間部品25との間に隙間が区画されることとなる。次いで、フラックスクリーン工程で保持治具1ごと複数の中間部品25を洗浄液に浸漬して精密洗浄し、ベーキング ゙工程で複数の中間部品25を保持治具1ごと加熱乾燥させて除湿し、クリーニング工程で複数の中間部品25を保持治具1ごとプラズマクリーニングして不純物を除去する。そして、保持治具1の銅箔3表面に並んだ複数の中間部品25をモールド樹脂26により一括モールドして各中間部品25の下面27以外の領域を被覆する。その他の部分については、上記実施形態と略同様であるので説明を省略する。本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、しかも、専用のトレイ10やカバー治具12を省略することができるので、コストや部品点数の削減を図ることができるのは明らかである。なお、上記実施形態では枠フレーム2に銅箔3を接着したが、何らこれに限定されるものではない。例えば、耐熱基材として、ポリイミド製のフィルム等からなる基材を接着しても良い。また、上記実施形態では半導体チップ22をチップオンチップ方式で実装したが、これに限定されるものではなく、チップオン基板方式等で実装しても良い。また、プラズマクリーニングには、物理的洗浄と化学的洗浄表面改質とがあるが、いずれの方法を採用しても良い。また、上記実施形態では一体化された複数の中間部品25に複数の半田ボール28をそれぞれ搭載した後、一体化された複数の中間部品25を個々に分割したが、一体化された複数の中間部品25を個々の中間部品25に分割した後、各中間部品25の複数の電極に半田ボール28をそれぞれ搭載することもできる。