対向する第1および第2の面を有し、前記第2の面側が凸状であり、中央部に設けられた第1の領域と、前記中央部を除く周辺部に位置し、貫通孔を有する第2の領域と、を具備し、前記第2の領域の厚さは、前記第1の領域の厚さより薄いことを特徴とするベースプレート。前記ベースプレートは矩形状であり、前記第2の領域は前記矩形の隅に設けられ、前記第1の面の平面視において、前記第1の領域と前記第2の領域との境界が直線状であることを特徴とする請求項1に記載のベースプレート。対向する第1および第2の面を有し、前記第2の面側が凸状であり、中央部に設けられた第1の領域と、前記中央部を除く周辺部に位置し、貫通孔を有する第2の領域とを有し、前記第2の領域の厚さは、前記第1の領域の厚さより薄いベースプレートと、前記ベースプレートの前記第1の領域の前記第1の面に接合剤を介して載置される半導体チップを含む内部部品と、を具備することを特徴とする半導体装置。前記内部部品を収納し、前記ベースプレートに冠着されたケースと、前記ケースと前記内部部品の隙間に充填された樹脂と、を更に具備することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。基台に螺着され、前記第2の領域の、前記貫通孔と前記第1の領域との間に変形部を有することを特徴とする請求項3または請求項4に記載の半導体装置。本発明は、螺着により生じる歪みを緩和できるベースプレートおよび半導体装置を提供する。一つの実施形態によれば、ベースプレートは、対向する第1および第2の面を有し、前記第2の面側が凸状であり、中央部に設けられた第1の領域と、前記中央部を除く周辺部に位置し、貫通孔を有する第2の領域とを具備している。前記第2の領域の厚さは、前記第1の領域の厚さより薄い。別の実施形態によれば、半導体装置では、ベースプレートは対向する第1および第2の面を有し、前記第2の面側が凸状であり、中央部に設けられた第1の領域と、前記中央部を除く周辺部に位置し、貫通孔を有する第2の領域とを具備している。前記第2の領域の厚さは、前記第1の領域の厚さより薄い。半導体チップを含む内部部品が前記ベースプレートの前記第1の領域の前記第1の面に接合剤を介して載置される。以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。本実施例のベースプレートおよび半導体装置について、図1および図2を参照して説明する。図1は本実施例のベースプレートを示す図で、図1aはベースプレートの平面図、図1bは図1aのA-A線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図である。図2は本実施例の半導体装置を示す図で、図2aは半導体装置の断面図、図2bは半導体装置が基台に螺着された状態を示す断面図、図2cは基台に螺着された半導体装置の要部を拡大して示す断面図である。初めに、本実施例のベースプレートについて説明する。図1に示すように、本実施例のベースプレート11は、対向する第1の面11aと第2の面11bを有する矩形状である。ベースプレート11は、第2の面11b側が凸状に反った形状を有している。ベースプレート11の第2の面11b側が凸状に反っているのは、板バネの弾性を利用してベースプレート11を後述するヒートシンクに確実に押し付つけられるようにするためである。ベースプレート11には、第1の面11aの中央部に第1の領域11cが設けられ、第1の面11aの中央部を除く周辺部に貫通孔12を有する第2の領域11dが設けられている。第1の領域11cは、半導体チップの他に電極部品、セラミックス基板などが載置される領域である。第2の領域11dの貫通孔12には、ベースプレート11をヒートシンク基台に螺着するための螺子が挿通される。ベースプレート11は矩形状なので、第2の領域11dは矩形の四隅に設けられている。ベースプレート11をヒートシンクの上に置いたとき、ベースプレート11の四隅はヒートシンクより浮いている。本実施例では、中央部とは、矩形の四隅を含まない領域のことである。周辺部とは、矩形の四隅を含み、且つ中央部を含まない領域のことである。第1の領域11cは、矩形の一方の対角線に平行な短辺と、矩形の辺に平行な長辺を有するように、矩形の四隅が切り欠かれてできる八角形状の領域である。第2の領域11dは、矩形の一方の対角線に平行な斜辺を有するように、矩形の四隅が切り欠かれてできる直角三角形状の領域である。ベースプレート11は、熱伝導性の高い金属銅、アルミニウム製である。第1の領域11cの厚さH1は、例えば約3mmである。第2の領域11dの厚さH2は、第1の領域11cの厚さH1より小さく設定されているH2<H1。厚さH2は、厚さH1の1/3乃至2/3程度が適当である。厚さH2が厚さH1より薄いので、第1の領域11cと第2の領域11dの境界には、第1の面11a側からの段差が生じている。第1の領域11cと第2の領域11dの境界線13は直線状であり、矩形状のベースプレート11の対角線と略直交している。ベースプレート11は、例えば嵌合する凸部および凹部を有する一対の金型を用いて、金属板をプレス加工することにより作製される。次に、本実施例の半導体装置について説明する。図2aに示すように、本実施例の半導体装置20では、ベースプレート11の第1の面11aの第1の領域11cに接合剤21により内部部品22が接合されている。接合剤21は、例えば導電性ペースト、樹脂接着シート、ハンダなどである。内部部品22は、上述したように半導体チップの他に電極部品、セラミックス基板などを含んでいる。内部部品22を収納し、ベースプレート11の第1の領域11cに箱型のケース23が冠着されている。ケース23は、例えば樹脂製であり、接着剤図示せずによりベースプレート11の第1の領域11cに固着されている。内部部品22とケース23の隙間には、充填剤24、例えばエポキシ樹脂が充填されている。ケース23および充填剤24は、外部環境から内部部品22を保護するために設けられている。充填剤24は、例えばケース23に設けられた小孔を通して内部部品22とケース23の隙間に液状のエポキシ樹脂を注入し、固化させることにより得られる。図2bおよび図2cに示すように、半導体装置20は貫通孔12に挿通された螺子25によりヒートシンク26に螺子止めされている。螺子25でベースプレート11をヒートシンク26に締め付け、ベースプレート11の反りを矯正することにより、ベースプレート11をヒートシンク26に密着させる。このとき、ベースプレート11とヒートシンク26の間にグリースを挟むとよい。ベースプレート11の第2の領域11dの厚さH2がベースプレート11の第1の領域11cの厚さH1より薄いのでH2<H1、第2の領域11dの剛性は第1の領域11cの剛性より小さい。その結果、ベースプレート11は螺子締結部貫通孔12および螺子25の頭部が接触する部分27を除く螺子締結部周辺螺子25の頭部が接触する部分から第1の領域11cまでの間28a、28bのうち、螺子締結部周辺28aが変形する。変形は、例えば螺子締結部周辺28aの第1の面11a側が盛り上がり、螺子締結部周辺28aの第2の面11b側がヒートシンク26より浮き上がるように生じる。螺子締結部周辺28aが変形することにより、螺子締結により生じる歪が十分緩和される。螺子締結部周辺28aは、第2の領域11dの貫通孔12と第1の領域11cとの間の変形部である。その結果、内部部品22とベースプレート11の接合部29への歪の伝播を抑制することが可能である。螺子締結により生じる歪が接合部29に伝播しないので、内部部品22をベースプレート11から剥離する方向の力は働かない。従って、接合部29の破壊を防止し、半導体装置20の長期信頼性を維持向上させることが可能である。次に、比較例のベースプレートおよび半導体装置について、図3および図4を用いて説明する。ここで、比較例のベースプレートとは、上述した厚さH1と厚さH2が等しいベースプレートのことである。図3は比較例のベースプレートを示す図で、図3aはベースプレートの平面図、図3bは図3aのB-B線に沿って切断し矢印方向に眺めた断面図である。図4は比較例の半導体装置を示す図で、図4aは半導体装置の断面図、図4bは半導体装置がヒートシンクに螺着された状態を示す断面図、図4cはヒートシンクに螺着された半導体装置の要部を拡大して示す断面図である。初めに、比較例のベースプレートについて説明する。図3に示すように、比較例のベースプレート31は、対向する第1の面31aと第2の面31bを有する矩形状である。ベースプレート31は、第2の面31b側に凸状に反った形状を有している。ベースプレート31は、第1の面31aの中央部に第1の領域31cが設けられ、第1の面31aの周辺部に貫通孔32を有する第2の領域31dが設けられている。第1の領域31cは、半導体チップの他に電極部品、セラミックス基板などが載置される領域である。第2の領域31dの貫通孔32には、ベースプレート31をヒートシンク基台に螺着するための螺子が挿通される。ベースプレート31は矩形状なので、第2の領域31dは矩形の四隅に設けられている。ベースプレート31をヒートシンクの上に置いたとき、ベースプレート31の四隅はヒートシンクより浮いている。ベースプレート31の第1の領域31cの厚さH1とベースプレート31の第2の領域31dの厚さH2が等しいのでH1=H2、第1の領域31cと第2の領域31dの境界には段差は生じない。次に、比較例の半導体装置について説明する。図4aに示すように、比較例の半導体装置40では、ベースプレート31の第1の面31aの第1の領域31cに接合剤21により内部部品22が接合されている。内部部品22を収納する箱型のケース23が、接着剤図示せずによりベースプレート31の第1の領域31cに固着されている。図3bおよび図3cに示すように、半導体装置40は貫通孔32に挿通された螺子25によりヒートシンク26に螺子止めされている。螺子25でベースプレート31をヒートシンク26に締め付け、ベースプレート31の反りを矯正することにより、ベースプレート31をヒートシンク26に密着させる。このとき、ベースプレート31の第2の領域31dの厚さH2はベースプレート31の第1の領域31cの厚さH1に等しいので、第2の領域31dの剛性は第1の領域31cの剛性と同じである。その結果、ベースプレート31は螺子締結部41を除く螺子締結部周辺42a、42bのうち、螺子締結部周辺42aはほとんど変形しない。たとえ変形しても、その変形量は極僅かであり、図2cに示す螺子締結部周辺28aの変形量より少ない。変形する場合、例えば螺子締結部周辺42aの第1の面311a側が僅かに盛り上がり、螺子締結部周辺42aの第2の面31b側がヒートシンク26より僅かに浮き上がる程度である。螺子締結部周辺42aはほとんど変形しないので、螺子締結により生じる歪が十分緩和されない。螺子締結部周辺42aは、第2の領域31dの貫通孔32と第1の領域31cとの間の歪部である。その結果、内部部品22とベースプレート31の接合部43への歪の伝播を抑制することが困難になる。螺子締結により生じる歪が接合部43に伝播すると、内部部品22をベースプレート31から剥離する方向に力が働く。従って、接合部43が破壊され、半導体装置40の長期信頼性が低下するなどの問題が生じる。一方、本実施例の半導体装置20では、上述したように螺子締結部周辺28aが変形するので、螺子締結により生じる歪が十分緩和され、内部部品22とベースプレート11の接合部29への歪の伝播が抑制される。これを確かめるために、ベースプレート11およびベースプレート31の変形状態をシミュレーションした結果について図5および図6を用いて説明する。シミュレーションは有限要素法によりおこなった。シミュレーション条件は以下のように設定した。ベースプレート11ではH2=H1/2、ベースプレート31ではH2=H1とする。荷重を印加する前のベースプレート11、31は平坦である。ベースプレート11、31を片持ち梁として、第2の領域11d、31dの螺子締結部27、41に同じ荷重を印加する。図5は荷重印加前の本実施例のベースプレート11の要部と荷重印加前の比較例のベースプレート31の要部を対比して示す斜視図で、図5aが本実施例のベースプレート11の要部を示す斜視図、図5bが比較例のベースプレート31の要部を示す斜視図である。図6は荷重印加後の本実施例のベースプレート11の要部と荷重印加後の比較例のベースプレート31の要部を対比して示す斜視図で、図6aが本実施例のベースプレート11の要部を示す斜視図本、図6bが比較例のベースプレート31の要部を示す斜視図である。図5および図6において、破線は矩形状のベースプレートの対角線を示し、一点鎖線で囲まれた領域は螺子締結部を示している。図6において、円弧状の実線は変形量を示す等高線である。等高線から引き出された数値は変形量mmを示している。初めに、比較例のベースプレート31について説明する。図5bに示すように、荷重印加前では、ベースプレート31は平坦である。図6bに示すように、荷重を印加すると、ベースプレート31の隅の先端部は下方に僅かに反り下がる。その変形量は約0.1mm程度である。ベースプレート31の隅の先端部から変形量が0.02mmの部分までの距離変形長さをL2とする。次に、本実施例のベースプレート11について説明する。図5aに示すように、荷重印加前では、ベースプレート11は平坦である。図6bに示すように、荷重を印加すると、ベースプレート11の隅の先端部は下方に大きく反り下がる。その変形量は約0.18mm程度である。ベースプレート11の隅の先端部から変形量が0.02mmの部分までの距離変形長さをL1とする。ベースプレート11の変形は、境界線13を越えて第1の領域11cまで及んでいる。ベースプレート11の変形量0.18mmは、ベースプレート31の変形量0.1mmの約2倍と、大きい。ベースプレート11の変形長さL1は、ベースプレート31の変形長さL2より大きい。本実施例のベースプレート11は比較例のベースプレート31に比べて、押圧力に対して変形しやすく、変形する領域が広いことかわかる。これにより、螺子締結部周辺を変形させる方が螺子締結により生じる歪が緩和され、内部部品とベースプレートの接合部へ伝播しないことが確かめられた。以上説明したように、本実施例では、ベースプレート11の第2の領域11dの厚さH2は、ベースプレート11の第1の領域11cの厚さH1より薄く設定されているH2<H1。その結果、半導体装置20をヒートシンク26に螺着すると、ベースプレート11の螺子締結部周辺28aが変形する。これにより、螺子締結により生じる歪は十分緩和され、内部部品22とベースプレート11の接合部29への歪の伝播を抑制することができる。従って、螺着により生じる歪みを緩和できるベースプレートおよび半導体装置が得られる。ここでは、ベースプレート11の第1の領域11cと第2の領域11dの境界線13が直線状である場合について説明したが、これに限定されるものではなく、曲線状とすることも可能である。図7は第1の領域と第2の領域の境界線が曲線状であるベースプレートを示す図である。図7に示すように、ベースプレート51では、第1の領域51cと第2の領域51dの境界線53は円弧状である。境界線53は、図6aに示すシミュレーション結果に従えば、例えば変異量が0.02mmの等高線に倣った円弧状とすることが適当である。内部部品22を載置する第1の面11a側から第2の領域11dが薄くなっている場合について説明したが、特に限定されない。第2の面側から第2の領域を薄くすることも可能である。図8は第2の面側から第2の領域が薄くなっているベースプレートの要部を示す図である。図8aに示すように、ベースプレート61では、第2の領域61dは第1の面61aおよび第2の面61bの両側から薄くなっている。図8bに示すように、ベースプレート71では、第2の領域71dは第2の面71b側から薄くなっている。ベースプレートの第2の領域が第2の面側から薄くなっている場合、螺子締結によりベースプレートの螺子締結部周辺の変形をより大きくすることができる。但し、変形が過度にならないようにすることが望ましい。本実施例について図9を用いて説明する。図9は本実施例の半導体装置を示す図で、図9aは半導体装置を示す断面図、図9bはその要部を拡大して示す斜視図である。本実施例において、上記実施例1と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。本実施例が実施例1と異なる点は、螺子締結部および螺子締結部周辺を覆うケースを用いたことにある。即ち、図9に示すように、本実施例の半導体装置80では、ケース81は螺子締結部27および螺子締結部周辺28a、28bを覆ってベースプレート11の第2の領域11dに載置される平板状の基台部81aと、内部部品22を収納してベースプレート11の第1の領域11cに載置される箱型の収納部81bとが一体に構成されている。基台部81aの四隅には、上面81cから途中までの切り欠き部81dが設けられている。切り欠き部81dには、貫通孔82が設けられている。貫通孔82には、金属製のカラー83が嵌め込まれている。カラー83は、アルミニュウム、真鍮などである。収納部81bには、図2に示す半導体装置20と同様に、収納部81bと内部部品22の隙間に充填剤24が充填されている。半導体装置80は、切り欠き部81dの貫通孔82に嵌め込まれたカラー83とベースプレート11の貫通孔12に挿通された螺子25によりヒートシンク26に螺子止めされている。金属製のカラー82は、樹脂製の切り欠き部81dより螺子締結力による変形や破損、あるいは経年劣化に対する耐性が高いので、長期間にわたって螺子締結力を維持するために用いられている。螺子25により、ベースプレート11がヒートシンク26に固着されるとともに、ケース81の基台部81aがベースプレート11に固着される。従って、カラー82の周辺部に限っては、ケース81をベースプレート11に固着するために、接着剤を塗布しなくてもよい。接着剤を用いてケースをベースプレートに固着するときに、図2に示すケース23では、ケース23とベースプレート11との間からはみ出した接着剤が流れ出し、貫通孔12に到達して螺子締結を妨げることがある。本実施例のケース81では、基台部81aが螺子締結部27および螺子締結部周辺28a、28bを覆っているので、ケース81の基台部81aとベースプレート11の第1の領域11cの外周部との間からはみ出した接着剤の多くはケース81の基台部81aとベースプレート11の境界線13を構成する側面との隙間に滞留する。その結果、接着剤がカラー82に到達して螺子締結を妨げることはない。以上説明したように、本実施例では、ケース81は基台部81aと収納部81bとで一体に構成されている。基台部81aは螺子締結部27および螺子締結部周辺28a、28bを覆っている。これにより、ケース81とベースプレート11を接着剤で固着するときに、接着剤が流れ出し、螺子締結を妨げるのを防止できる利点が得られる。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。本発明は、以下の付記に記載されているような構成が考えられる。付記1前記第1の領域には、半導体チップを含む内部部品が載置され、前記第2の領域の前記貫通孔に螺子が挿通される請求項1に記載のベースプレート。付記2前記境界は前記矩形の対角線と略直交している請求項2に記載のベースプレート。付記3前記第1の領域と前記第2の領域の境界が円弧状である請求項1に記載のベースプレート。付記4前記第1および第2の領域の境界には、前記第1の面側、前記第2の面側、または前記第1および第2の面側からの段差が生じている請求項1に記載のベースプレート。