p層及びn層を含む半導体層を備えるエレクトロルミネッセンス素子の発光制御器において、順方向バイアス電圧を印加することにより上記p層と上記n層の接合部に拡散電流を発生させ、上記発生された拡散電流により生じるジュール熱に基づいて何れか1以上の上記層の表面形状及び/又はドーパント分布を変化させることを繰り返すとともに、上記順方向バイアス電圧により伝導帯と価電子帯に反転分布を生じさせ、上記変化後の表面形状及び/又はドーパント分布に基づいて近接場光が発生した箇所では、上記反転分布を形成している上記伝導帯中の電子を非断熱過程に基づいて複数段階で誘導放出させることにより、上記拡散電流を減少させて上記ジュール熱を低下させることにより、表面形状及び/又はドーパント分布を固定させるとともに、上記誘導放出により発光させるエレクトロルミネッセンス素子と、上記エレクトロルミネッセンス素子に対して、より大きい順方向バイアス電圧をON/OFF自在な第1の駆動回路と、上記エレクトロルミネッセンス素子に対して、より小さい順方向バイアス電圧をON/OFF自在な第2の駆動回路とを備え、上記第1の駆動回路及び上記第2の駆動回路による順方向バイアス電圧印加をONすることにより、上記エレクトロルミネッセンス素子を発光させ、次に上記第1の駆動回路による順方向バイアス電圧印加をOFFし、更に上記第2の駆動回路による順方向バイアス電圧印加をOFFすることにより、上記エレクトロルミネッセンス素子を消光させることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の発光制御器。p層及びn層を含む半導体層を備えるエレクトロルミネッセンス素子の発光制御方法において、順方向バイアス電圧を印加することにより上記p層と上記n層の接合部に拡散電流を発生させ、上記発生された拡散電流により生じるジュール熱に基づいて何れか1以上の上記層の表面形状及び/又はドーパント分布を変化させることを繰り返すとともに、上記順方向バイアス電圧により伝導帯と価電子帯に反転分布を生じさせ、上記変化後の表面形状及び/又はドーパント分布に基づいて近接場光が発生した箇所では、上記反転分布を形成している上記伝導帯中の電子を非断熱過程に基づいて複数段階で誘導放出させることにより、上記拡散電流を減少させて上記ジュール熱を低下させることにより、表面形状及び/又はドーパント分布を固定させるとともに、上記誘導放出により発光させるエレクトロルミネッセンス素子を、より大きい順方向バイアス電圧をON/OFF自在な第1の駆動回路と、より小さい順方向バイアス電圧をON/OFF自在な第2の駆動回路とに接続し、上記第1の駆動回路及び上記第2の駆動回路による順方向バイアス電圧印加をONすることにより、上記エレクトロルミネッセンス素子を発光させ、次に上記第1の駆動回路による順方向バイアス電圧印加をOFFし、更に上記第2の駆動回路による順方向バイアス電圧印加をOFFすることにより、上記エレクトロルミネッセンス素子を消光させることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の発光制御方法。シリコンは、近赤外においてバンドギャップを持つ無機半導体であるが、あくまで間接型半導体であるため、近赤外EL素子としては望ましいものとはいえない。また、特に近年においてシリコンを微結晶化したポーラスシリコンによるEL素子が提案されているが、これらの発光効率もやはり1に満たない。このため、あくまでシリコンを発光材料として用いるEL素子において近赤外における発光効率を向上させることが可能な技術が従来より望まれていた。これと同様に波長550nm領域では無機半導体化合物であるGaPが用いられているが、GaPもシリコンと同様に間接型半導体であるためそのEL素子としての発光効率は0.1程度である。このため、従来より、シリコンなど間接型半導体を発光材料として用いるEL素子において発光効率を向上させる必要性があった。また、これに加えてEL素子の発光制御を効率よく行うためのモジュールが必要となるが、従来においてこれは未だに案出されていないのが現状であった。そこで、本発明は、上述した問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的とするところは、優れた発光効率を示すエレクトロルミネッセンス素子の発光制御を効率よく行うことが可能なエレクトロルミネッセンス素子の発光制御器及び方法を提供することにある。上述した課題を解決するために、本発明に係るエレクトロルミネッセンス素子の発光制御器は、p層及びn層を含む半導体層を備えるエレクトロルミネッセンス素子の発光制御器において、順方向バイアス電圧を印加することにより上記p層と上記n層の接合部に拡散電流を発生させ、上記発生された拡散電流により生じるジュール熱に基づいて何れか1以上の上記層の表面形状及び/又はドーパント分布を変化させることを繰り返すとともに、上記順方向バイアス電圧により伝導帯と価電子帯に反転分布を生じさせ、上記変化後の表面形状及び/又はドーパント分布に基づいて近接場光が発生した箇所では、上記反転分布を形成している上記伝導帯中の電子を非断熱過程に基づいて複数段階で誘導放出させることにより、上記拡散電流を減少させて上記ジュール熱を低下させることにより、表面形状及び/又はドーパント分布を固定させるとともに、上記誘導放出により発光させるエレクトロルミネッセンス素子と、上記エレクトロルミネッセンス素子に対して、より大きい順方向バイアス電圧をON/OFF自在な第1の駆動回路と、上記エレクトロルミネッセンス素子に対して、より小さい順方向バイアス電圧をON/OFF自在な第2の駆動回路とを備え、上記第1の駆動回路及び上記第2の駆動回路による順方向バイアス電圧印加をONすることにより、上記エレクトロルミネッセンス素子を発光させ、次に上記第1の駆動回路による順方向バイアス電圧印加をOFFし、更に上記第2の駆動回路による順方向バイアス電圧印加をOFFすることにより、上記エレクトロルミネッセンス素子を消光させることを特徴とする。また、本発明に係るエレクトロルミネッセンス素子の発光制御方法は、p層及びn層を含む半導体層を備えるエレクトロルミネッセンス素子の発光制御方法において、順方向バイアス電圧を印加することにより上記p層と上記n層の接合部に拡散電流を発生させ、上記発生された拡散電流により生じるジュール熱に基づいて何れか1以上の上記層の表面形状及び/又はドーパント分布を変化させることを繰り返すとともに、上記順方向バイアス電圧により伝導帯と価電子帯に反転分布を生じさせ、上記変化後の表面形状及び/又はドーパント分布に基づいて近接場光が発生した箇所では、上記反転分布を形成している上記伝導帯中の電子を非断熱過程に基づいて複数段階で誘導放出させることにより、上記拡散電流を減少させて上記ジュール熱を低下させることにより、表面形状及び/又はドーパント分布を固定させるとともに、上記誘導放出により発光させるエレクトロルミネッセンス素子を、より大きい順方向バイアス電圧をON/OFF自在な第1の駆動回路と、より小さい順方向バイアス電圧をON/OFF自在な第2の駆動回路とに接続し、上記第1の駆動回路及び上記第2の駆動回路による順方向バイアス電圧印加をONすることにより、上記エレクトロルミネッセンス素子を発光させ、次に上記第1の駆動回路による順方向バイアス電圧印加をOFFし、更に上記第2の駆動回路による順方向バイアス電圧印加をOFFすることにより、上記エレクトロルミネッセンス素子を消光させることを特徴とする。上述した構成からなる本発明によれば、シリコンを発光材料として用いるEL素子において近赤外における発光効率を向上させることが可能なエレクトロルミネッセンス素子を提供することが可能となる。以下、本発明を適用したエレクトロルミネッセンス素子以下、EL素子という。の発光制御器について図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本発明を適用したEL素子1の発光制御器10の構成図である。この発光制御器10は、EL素子1に対して、より大きい順方向バイアス電圧をON/OFF自在な第1の駆動回路4と、EL素子1に対して、より小さい順方向バイアス電圧をON/OFF自在な第2の駆動回路5とを備えている。第1の駆動回路4は、EL素子1に対して順方向電圧を負荷すべく、EL素子1のp層14に正電圧を、n層13には負電圧を印加するための電源41と、回路のON/OFF制御を行うためのスイッチ42を備えている。この第1の駆動回路4には、この電源41の大小を制御するための図示しない制御手段が更に設けられていてもよい。第2の駆動回路5は、EL素子1に対して順方向電圧を負荷すべく、EL素子1のp層14に正電圧を、n層13には負電圧を印加するための電源51と、回路のON/OFF制御を行うためのスイッチ52を備えている。この第2の駆動回路5には、この電源51の大小を制御するための図示しない制御手段が更に設けられていてもよい。ちなみに、この電源51による負荷電圧の値は、電源41よりも低くなるように設定されている。図2は、実際にこのEL素子1を発光制御器10に実装する例を示している。EL素子1は、マウント60上においてボンディングされる。このとき、EL素子1は、p層14が上に、またn層13がマウント60に接するようにしてボンディングされる。そして、第2の制御回路5のマイナス側がマウント60に接続される。第2の制御回路5のプラス側は、サブマウント40に接続される。そして、このサブマウント40と、EL素子1の上面とが金ワイヤ49により接続されている。ちなみに、金ワイヤ49が無い状態では、このサブマウント40と、マウント60とは互いに電気的に非接続となるように構成されている。また第1の制御回路4は、プラス側がサブマウント50aに、またマイナス側がサブマウント50bが接続されている。そして、このサブマウント50aと、EL素子1の上面とが金ワイヤ59aにより接続されている。また、サブマウント50bとマウント60とが金ワイヤ59bによる接続されている。ちなみに、金ワイヤ49が無い状態では、このサブマウント50a、50bと、マウント60とは互いに電気的に非接続となるように構成されている。このような図2に示す接続を行うことで図1に示すようなブロック構成を実現することが可能となる。次にEL素子1の構成について図面を参照しながら詳細に説明をする。EL素子1は、N型半導体層n層13、n層13との間でpn接合を構成するP型半導体層p層14、n層13とp層14との間に形成される接合層35とを備えている。このn層13~p層14までを半導体層30という。p層14には、電源2が接続されており、使用時には、p層14側が正電圧、n層13側が負電圧となるように順方向にバイアス電圧が負荷されることになる。n層13は、いわゆるシリコン等の基板等で構成されるがこれに限定されるものではなく、他の間接型半導体であってもよい。ここで代表的な間接型無機化合物にはSi以外にGaPAlGaAs、AlP、AlAsGeSiCPbSPbTeTIO2GaSAlSbCBNなどがあり、本手法はそのすべてに応用可能である。p層14は、例えばホウ素等をp型ドーパントとして高密度、高エネルギーでインプラントしたものとして構成される。このp層14は、例えば700KeV、表面から500nm付近においてそのドーピング密度は1019とされていてもよい。このようなEL素子1を作製する際には、p層及びn層に順方向バイアス電圧を印加する。その結果、以下のメカニズムに基づいて、本発明所期のEL素子1を作製することが可能となる。図3は、n層13~p層14からなる半導体層30のエネルギーバンド図を示している。順方向バイアス電圧が負荷されると、p層14中の正孔がn層13側へと移動し、n層13中の電子がp層14側へと移動していく。その結果、接合層35は空乏化することなく互いの電子と正孔が打ち消しあうことで拡散電流が流れる。その結果、順方向バイアス電圧が高い場合にこの電子の移動に伴うジュール熱が発生する。このジュール熱の特に大きな発生部位は、大きな電位差を生じる接合層35やn層13やp層14の表面等である。また、この順方向バイアス電圧をより高くしていくことにより、かかる接合層35においてアバランシェ降伏を起こし、一気に電流が流れていくことになる。その結果、ジュール熱による発熱が、かかるアバランシェ降伏により促進されることになる。このジュール熱が発生する結果、接合層35やn層13やp層14における流動性が増加し、その表面形状及び/又はドーパントの分布が変化することになる。上述した順方向バイアス電圧を負荷し続けることにより、かかる表面形状及び/又はドーパントの分布変化が継続して生じることになる。図4aは、かかるジュール熱発生前におけるn層13とp層14の接合層35の微視的な形状の例である。n層13とp層14の接合界面には、ナノオーダーの微細な凹凸が形成されている。図4bは、ジュール熱を発生させた後におけるn層13とp層14の接合層35の微視的な形状の例である。ジュール熱が発生することにより、このn層13とp層14の接合層35の流動性が増加する結果、n層13やp層14等の表面形状やドーパントの分布がランダムに変化することになる。かかる表面形状やドーパントの分布の変化が繰り返して起こる結果、例えば、ある特有の微細形状Aがこのn層13とp層14との界面において形成される。この微細形状Aは、入射された光に基づいて近接場光が発生する上でより適した形状である。この微細形状Aを形成させるための条件は確定されるものではなく、ジュール熱の発生に伴うn層13やp層14等の表面形状やドーパントのランダムな変化の結果、ある確率の下で偶然に形成されるものである。なお、この近接場光は、n層13とp層14との界面に発生する場合に限定されるものではなく、EL素子1を構成する何れか1以上の層の表面形状及び/又はドーパント分布を変化させるものであればよい。このような微細形状Aが形成されたときに、上述した順方向バイアス電圧を更に負荷し続けると、当該微細形状Aの主として角部において近接場光が発生する。ここでいう、近接場光は、仮想的な電磁場の意味も含まれていることから、仮想的な電磁場が形成されていることが近接場光の発生を意味するものとして解される。この近接場光の発生は、特に誘導光が無い状態の下であっても、順方向電流注入時には注入された電荷の自然放出およびそれを元とした誘導放出によって発生することになる。この近接場光が発生することにより以下に説明する非断熱過程が生じる。ちなみに、この近接場光の発生位置は、当該微細形状Aに対応したn層13とp層14の界面のみならず、他の箇所で発生することも当然起こりえる。この非断熱過程とは、図5に示すように、原子同士の結合をバネで置き換えたモデルで考えることができる。一般に伝搬光の波長は分子の寸法に比べると遥かに大きいため、分子レベルでは空間的には一様な電場とみなせる。その結果、図5に示すように、バネで隣り合う電子は同振幅、同位相で振動させられる。感光性樹脂膜12の原子核は重いため、この電子の振動には追従できず、伝搬光では分子振動は極めて起こりにくい。このように伝搬光では、分子振動が電子の励起過程に関わることを無視することができるため、この過程を断熱過程という非特許文献1参照。。一方、近接場光の空間的な電場勾配は非常に急峻に低下する。このため近接場光では隣り合う電子に異なる振動を与えることになり、図5に示すように、この異なる電子の振動により重い原子核も振動させられる。近接場光が分子振動を起こすことは、エネルギーが分子振動の形態を取ることに相当するため、近接場光では、振動準位を介した励起過程非断熱過程が可能となる。このように原子核の振動準位を介した励起過程は、通常の光学応答である断熱過程に対し、原子核が応答し動くため、非断熱過程という非特許文献1参照。。また、上述した順方向バイアス電圧を印加させ続けることにより、伝導帯における電子密度n1が、下位準位にある正孔密度n2と比較して圧倒的に高くなる。その結果、伝導帯と下位準位との間で、図6に示すように、かかる電子密度の差異に基づく反転分布が接合層35に形成される。次に図7に示すように、この形成された反転分布により、伝導帯中の電子を近接場光による非断熱過程に基づいて、伝導帯中の電子を、バンドギャップの中間に位置する振動準位に仮想的に遷移させることができる。この電子が非断熱過程に基づいて振動準位に遷移できたのは、その箇所において近接場光が発生していたため実現できたものである。この近接場光は、ジュール熱による流動によってある確率の下で生じた微細形状A又はそのドーパントの変化によって生じたものである。振動準位に遷移した電子は、この近接場光によって仮想的に生じた仮想場を廻り、その後振動準位から伝導帯へと戻ることになる。この伝導帯に戻った電子は、拡散電流によるジュール熱に寄与する。このように近接場光が単に発生した段階では、伝導帯中の電子を振動準位に仮想的に遷移させて再度伝導帯に戻ることを繰り返すこととなる。伝導帯に戻った電子は、ジュール熱に寄与することとなり、ジュール熱は下がることなく表面形状及び/又はドーパントの分布変化が継続して生じることになる。またジュール熱による表面形状及び/又はドーパントの分布変化が生じた結果、更に近接場光の発生態様が変化した場合には、ある確率の下で図7に示すように、伝導帯中の電子を近接場光による非断熱過程に基づいて、伝導帯中の電子を、バンドギャップの中間に位置する振動準位に仮想的に遷移させてそこから電子を放出させることによる発光させる。また、かかる近接場光に基づいて伝導帯中の電子を複数段階で誘導放出させることにより発光させる。その結果、このEL素子1から係る電子の放出による発光を実現することが可能となる。当該微細形状Aにおいては引き続き近接場光が発生するため、非断熱過程を生じさせることが可能となる。この非断熱過程による誘導放出においては、振動準位を介し電子を放出させる。このとき、バンドギャップ幅に相当する吸収端波長よりも長波長である波長の光でも伝導帯中の電子を多段階で遷移させて放出させることができ、その結果伝導体中の電子を減少させることが可能となる。このような非断熱過程による多段階の誘導放出が生じることにより、伝導帯における電子密度n1が減少する。その結果、かかる近接場光が発生する微細形状Aについては、n層13へと移動する電子の量は減少することになり、拡散電流が低下し、当該微細形状Aについてはジュール熱が低下することになる。即ち、誘導放出は、電子や正孔のエネルギーを奪うものとなり、接合層35やn層13やp層14の流動性が低下する。その結果、この微細形状Aについては、表面形状及び/又はドーパントの分布の変化が抑制されることになる。微細形状Aはそのまま変化することなく固定されることになる。また、図7bに示すように発光が生じた場合、その発光に基づいて、表面形状及び/又はドーパントの分布による近接場光が発生しやすくなる。その発生した近接場光により、さらに各部における非断熱過程が生じやすくなり、微細構造Aの固定化並びに発光が促進されることとなる。また、上述の如き順方向バイアス電圧を印加し続けることにより、上述したメカニズムが継続的に生じる。図8aに示すように、微細形状Aは、そのまま近接場光が発生し続けて、上述した非断熱過程による誘導放出が継続して生じる結果、温度が低下し、かかる形状の状態でそのまま固定され続ける。また、微細形状A以外の箇所は、近接場光が発生しないため冷却されることなく、そのままジュール熱が発生することにより、このn層13とp層14の接合層35の流動性が増加する結果、n層13やp層14等の表面形状やドーパントの分布がランダムに変化する。このランダムな変化の結果、図8aに示すように微細形状Aとほぼ同一形状の微細形状Bが形成される場合もある。かかる場合に光を入射させると、当該微細形状Bにおいて近接場光が発生することになる。そして、この微細形状Bについても同様に非断熱過程による誘導放出が生じる結果、温度が低下し、かかる形状の状態でそのまま固定され続ける。即ち、EL素子1において近接場光が好適に発生する領域が微細形状Aのみならず微細形状Bの分も増加したことになる。かかる処理が繰り返し実行されると、理想的には図8bに示すように、n層13とp層14との界面において微細形状Aと同一の形状が数多く形成されることになる。これは、順方向バイアス電圧が印加された場合に近接場光が好適に発生する微細形状Aと同一の形状が数多く作り出されたEL素子1として構成することが可能となる。その結果、発光効率を飛躍的に向上させることが可能となる。なお、この微細形状Aは、あくまで表面形状に依拠したものであるが、これに限定されるものではなく、ジュール熱の発生に伴うn層13やp層14等のドーパントの変化の結果、表面形状が変化していなくても、近接場光が好適に発生する条件になる場合がある。かかるn層13やp層14等のドーパントが近接場光が好適に発生可能なように変化した場合においても、上述した微細形状Aの形成と同様な効果が得られる。即ち、拡散電流を減少させてジュール熱を低下させることにより、ドーパント分布を固定させることを繰り返し実行することになる。図9は、本発明を適用したEL素子の作製方法において、n層13としてのシリコン基板に対して、p層14としてのホウ素の深さ方向に対する濃度分布を示している。図9aは、n層13としてのシリコン基板に対してp層14としてのホウ素をインプラントした直後におけるホウ素の深さ方向の濃度分布を示しており、また図9bは、順方向バイアス電圧を負荷して、ドーパントとしてのホウ素を流動させて更に固定した後のホウ素の濃度分布を示している。この図9から、拡散電流によるジュール熱により、流動を起こした結果、近接場光を発生させる上で好適なドーパント分布に変化したことが示されている。この図中の11Boron12BoronはそれぞれBの同位体を意味するものである。次に、上述した本発明を適用した受光素子の作製方法に基づいて作製されたEL素子1による動作について説明をする。上述したようにEL素子1は、その作製の段階において、順方向バイアス電圧が負荷された場合に近接場光が好適に発生する、例えば微細構造A、B等を始めとした領域が広く形成されている。このようなEL素子1に対して、順方向バイアス電圧を印加するようにしてもよい。その結果、既に好適に近接場光を発生し得る形状が作り込まれていることから、図8bに示すように、近接場光が多くの領域において発生する。そして、図7bに示すように、その発生した近接場光による非断熱過程により、伝導帯にある電子が多段階で誘導放出されて発光することになる。このとき、順方向バイアス電圧の強度を更に増大させるとアバランシェ降伏が生じて更に発光量が大きくなる。図10は、本発明を適用したEL素子1における電圧-電流特性を示している。この電流特性においてバイアス電圧を徐々に増加させて100V超に至るまでは殆ど電流が流れないが、100Vを超えると極めて良好な微分負性抵抗の特性が表れていることが示されている。また順方向バイアス電圧によるジュール熱発生は通常の抵抗特性を示すPN接合においても発生するので、負性抵抗の出現は本手法にとって必須では無いが、この実施例ではドーパントの不均一が電気素子としても機能するような分布となったので優れた整流素子としても機能する可能性を示唆するものであり、図10は、その電気特性の傾向を示したものである。上述したように、本発明では、順方向バイアス電圧を印加することによりp層14とn層13の接合部に拡散電流を発生させ、発生された拡散電流により生じるジュール熱に基づいてEL素子1を構成する何れか1以上の層の表面形状及び/又はドーパント分布を変化させることを繰り返し実行する。そして、変化後の表面形状及び/又はドーパント分布に基づいて近接場光が発生した箇所では、伝導帯中の電子を非断熱過程に基づいて複数段階で誘導放出させることにより、拡散電流を減少させてジュール熱を低下させて、表面形状及び/又はドーパント分布を固定させる。また変化後の表面形状及び/又はドーパント分布に基づいて近接場光が発生しない箇所では、或いは近接場光が発生しても単に仮想場ができているだけに発光させる上で好適な条件を満たさない箇所においては、拡散電流を発生させ続けて当該表面形状及び/又は当該ドーパント分布を変化させることを、近接場光による非断熱過程で発光するまで繰り返す。これにより、本発明では、接合層35のバンドギャップ幅に対応した吸収端波長より長波長である光を放出させることができる。仮に、n層13がシリコンであれば、そのシリコンによる発光波長としての近赤外域の光をも発光させることが可能となる。また、本発明を適用したEL素子1の作製方法では、特に大掛かりな装置を必要とすることなく、希望の波長に対して感度の優れた受光素子を安価で作成することが可能となる。この波長帯は上記のSiGaPAlGaAs、AlP、AlAsGeSiCPbSPbTeTIO2GaSAlSbCBNなど用いる間接遷移型無機材料の種類を変更することによっても紫外から赤外光まで広く対応可能である。また本発明によれば、図10に示すように、100Vを超えた後は、順方向バイアス電圧に対して電流が負の依存性を示すEL素子1とすることが可能となる。このため、本発明では、かかる負性抵抗としての機能を発現させることが可能な整流回路として様々な回路に適用できる。このようなEL素子1による負性抵抗特性を利用することにより、EL素子1の発光制御を行う例を以下説明する。表1は、本発明を適用した発光制御器10のON/OFF制御の順序を示したものである。先ず第1の駆動回路4、第2の駆動回路5をONする。この第1の駆動回路4と第2の駆動回路5のONの順は何れか一方が先であってもよいし、また同時にONするようにしてもよい。この第1の駆動回路4、第2の駆動回路5の双方がONされた場合に、負荷電圧は、100Vを超え、図10に示すP点を超える。このP点はBOVブレークオーバー電圧と呼ばれ、これを超えると上述の素子は負性抵抗特性を示す。このBOVを超えた場合には、仮に電圧が下がっても多くの電流が流れることとなる。したがって、この段階で第1の駆動回路4がOFFになり、EL素子1への電源供給が第2の駆動回路5にのみとなったとしても、第2の駆動回路5は電圧は低いが電流を大量に流せる特性を有するので、図10に示す矢印Q方向に沿って電流-電圧特性が変化していくこととなる。そして、最終的にはR点まで行き着く。その間、EL素子1からの発光は継続される。なお、このQに沿って電流-電圧特性が変化することにより、流れる電流を大きくすることが可能となり、発光強度を向上させることが可能となる。もちろん、第2の駆動回路5は高電圧を必要としない。同様に第1の駆動回路4は電圧さえ高ければよく、大量の電流を流す性能を必要としない。即ち、本発明は、低電圧高電流の第2の駆動回路5、高電圧低電流の第1の駆動回路4の2つを使用すれば実現することができ、高電圧大電流を同時に発生するための大型駆動回路が必要なくなるのも本発明の利点である。次に第1の駆動回路4をOFFする。この第1の駆動回路4をOFFすることにより、EL素子1に負荷される電圧は小さくなり、電流-電圧特性は、このR点の状態が維持されることとなる。また、その間、EL素子1からの発光は継続される。次に第2の駆動回路5をOFFする。これにより、図中の点線に示す経路により電流が低下し、EL素子1からの光は消光されることとなる。