積層された複数のセラミック層と前記セラミック層間に位置する内部電極とを有する積層体を備える、積層セラミック電子部品であって、前記内部電極中には、前記セラミック層と前記内部電極との界面に基端を位置させ、かつ前記内部電極中に先端を位置させている、セラミックからなる複数の柱状物が形成されていて、前記積層体を積層方向に沿って研磨することによって得られた研磨断面に前記内部電極を露出させた後、前記内部電極を化学エッチングにより溶解除去した状態にある前記研磨断面に焦点を当てながら電子顕微鏡を用いて観察する、観察方法によって観察したとき、1前記柱状物は、前記基端が前記セラミック層と接合しており、前記先端が、前記基端と前記セラミック層との接合点を基点として、前記内部電極の厚みの20以上かつ90以下の範囲に位置しており、2前記柱状物の幅は、前記基端から前記先端までの50以上の部分において、0.8μm以下であり、3前記柱状物の存在比率は、各前記内部電極が存在していた部分において、長さ10μmにつき1個以上である、積層セラミック電子部品。前記内部電極中には、当該内部電極を貫通する、セラミックからなる貫通体がさらに形成されていて、前記観察方法によって観察したとき、前記内部電極の占有面積に対する前記貫通体の占有面積の比率は3以下である、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。前記柱状物の主成分および前記セラミック層の主成分は、ともにチタン酸バリウム系化合物である、請求項1または2に記載の積層セラミック電子部品。前記内部電極の主成分はニッケルである、請求項1ないし3のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。積層された複数の未焼成セラミック層と前記未焼成セラミック層間に位置する内部電極となるべき導電性ペースト膜とを備える、未焼成積層体を用意する工程と、前記未焼成積層体を焼結させるための焼成工程とを備え、前記導電性ペースト膜を構成する導電性ペーストにはセラミック粉末が含有されていて、前記焼成工程は、室温から最高温度までの平均昇温速度を40°C/秒以上とする温度プロファイルにて熱処理する工程を備える、積層セラミック電子部品の製造方法。前記導電性ペーストに含有される前記セラミック粉末の平均粒子径は0.2μm以下である、請求項5に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。そこで、この発明の目的は、内部電極の途切れによる性能の低下を招かず、また、セラミック層および内部電極の薄層化が図られかつ多層化が図られた場合であっても、デラミネーションやクラックのような構造欠陥を生じにくくすることができる、積層セラミック電子部品およびその製造方法を提供しようとすることである。この発明は、積層された複数のセラミック層とセラミック層間に位置する内部電極とを有する積層体を備える、積層セラミック電子部品にまず向けられる。そして、上述した技術的課題を解決するため、内部電極中には、セラミックからなる複数の柱状物が形成されている。これら柱状物は、セラミック層と前記内部電極との界面に基端を位置させ、かつ内部電極中に先端を位置させており、内部電極の厚み方向には貫通しない状態であることを特徴としている。より詳細には、積層体を積層方向に沿って研磨することによって得られた研磨断面に内部電極を露出させた後、内部電極を化学エッチングにより溶解除去した状態にある研磨断面に焦点を当てながら電子顕微鏡を用いて観察する、観察方法によって観察したとき、柱状物は、以下の条件を満たしている。1柱状物は、基端がセラミック層と接合しており、先端が、基端とセラミック層との接合点を基点として、内部電極の厚みの20以上かつ90以下の範囲に位置している。2柱状物の幅は、基端から先端までの50以上の部分において、0.8μm以下である。3柱状物の存在比率は、各内部電極が存在していた部分において、長さ10μmにつき1個以上である。この発明に係る積層セラミック電子部品において、内部電極中には、当該内部電極を貫通する、セラミックからなる貫通体がさらに形成されていることもあり得る。この場合には、上記観察方法によって観察したとき、内部電極の占有面積に対する前記貫通体の占有面積の比率は3以下であることが、たとえば静電容量といった性能の安定的維持の点で好ましい。また、柱状物の主成分およびセラミック層の主成分は、ともにチタン酸バリウム系化合物であることが好ましい。また、内部電極の主成分はニッケルであることが好ましい。この発明は、また、積層セラミック電子部品の製造方法にも向けられる。上述した積層セラミック電子部品は、たとえば、この製造方法によって製造することができる。この発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、積層された複数の未焼成セラミック層と未焼成セラミック層間に位置する内部電極となるべき導電性ペースト膜とを備える、未焼成積層体を用意する工程と、未焼成積層体を焼結させるための焼成工程とを備え、上述した導電性ペースト膜を構成する導電性ペーストにはセラミック粉末が含有されていることを特徴とするとともに、上述の焼成工程は、室温から最高温度までの平均昇温速度を40°C/秒以上とする温度プロファイルにて熱処理する工程を備えることを特徴としている。この発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法において、導電性ペーストに含有されるセラミック粉末の平均粒子径は0.2μm以下であることが好ましい。なお、この明細書において、平均粒子径は、粉末のSEM観察像について、球形換算し、その粒径の値の平均をとったものである。この発明に係る積層セラミック電子部品によれば、内部電極中に、複数の柱状物が分布しているので、特許文献1に記載の技術の場合と同様、内部電極とセラミック層との間での熱ストレスを緩和することができる。また、柱状物は、セラミック層と内部電極との界面から延びながら、内部電極中に打ち込まれたスパイクのように作用するので、セラミック層と内部電極との接合が、界面の相互作用によるものに加えて、柱状物によって強化される。したがって、積層セラミック電子部品の耐熱衝撃性を向上させることができる。これらのことから、積層セラミック電子部品において、デラミネーションやクラック等の構造欠陥を生じさせにくくすることができる。その結果、セラミック層および内部電極の薄層化および内部電極の多層化を進めることが可能となり、積層セラミック電子部品の小型化および高性能化を有利に図ることができる。特に、積層セラミックコンデンサの場合、その小型化かつ大容量化を有利に図ることができる。また、この発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法によれば、内部電極のための導電性ペースト中にセラミック粉末が添加されているので、内部電極とセラミック層の焼結開始温度を近づけることができる。このことも、焼成後にデラミネーションやクラック等の構造欠陥を生じさせにくくすることに寄与する。特に、この発明の特徴的構成である柱状物は、内部電極の厚み方向には貫通しないことが注目される。そのため、内部電極は、柱状物が存在する部分では相対的に薄くされるが、途切れることはなく、連続的である。したがって、柱状物の形成により、積層セラミック電子部品の性能が低下することを最小限に留めることができ、特に、積層セラミックコンデンサの場合には、柱状物の形成により、静電容量が低下することを回避することができる。図1を参照して、この発明が適用される積層セラミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサ11の構造について説明する。積層セラミックコンデンサ11は、部品本体としての積層体12を備えている。積層体12は、積層された複数のセラミック層13とセラミック層13間に位置する複数の内部電極14および15とを備えている。内部電極14と内部電極15とは積層方向に交互に配置されている。積層体12の一方および他方端面16および17には、それぞれ、複数の内部電極14および15の各端部が露出していて、これら内部電極14の各端部および内部電極15の各端部を、それぞれ、互いに電気的に接続するように、外部電極18および19が形成されている。上述した内部電極14および15が図2に拡大されて模式的に示されている。図2に示すように、内部電極14中には、セラミック層13と内部電極14との界面20から内部電極14中へと突出する、セラミックからなる複数の柱状物22が形成されている。同様に、内部電極15中には、セラミック層13と内部電極15との界面21から内部電極15中へと突出する、セラミックからなる複数の柱状物23が形成されている。これら柱状物22および23は、それぞれ、内部電極14および15の厚み方向には貫通しない状態で、内部電極14および15の主面方向に沿って分布している。なお、柱状物22および23の定義については、図3を参照して後述する。このような積層セラミックコンデンサ11を製造するにあたっては、まず、セラミック層13となるべきセラミックグリーンシートが用意され、セラミックグリーンシート上に、内部電極14および15となるべき導電性ペースト膜が印刷により形成される。次に、複数のセラミックグリーンシートが積層されることによって、複数の未焼成セラミック層と未焼成セラミック層間に位置する導電性ペースト膜とを備える、積層体12となるべき未焼成積層体が作製される。次いで、未焼成積層体を焼結させるための焼成工程が実施される。次いで、焼結した積層体12の端面16および17上に、それぞれ、外部電極18および19が形成され、積層セラミックコンデンサ11が完成される。前述した柱状物22および23の能率的かつ確実な形成を可能にするため、第1に、内部電極14および15となるべき導電性ペースト膜を形成するために用いられる導電性ペーストには、セラミック粉末が含有される。このセラミック粉末は、セラミック層13を構成するセラミックと組成が同じか近いものであることが好ましく、たとえば、セラミック層13の主成分がチタン酸バリウム系化合物であるとき、セラミック粉末の主成分もチタン酸バリウム系化合物とされる。第2に、上述した焼成工程において、室温から最高温度までの平均昇温速度を40°C/秒以上とする温度プロファイルが適用された熱処理工程が実施される。好ましくは、上記温度プロファイルは100°C/秒以上とされる。このような条件での焼成工程によって、導電性ペーストに含まれていたセラミック粉末を構成するセラミックが、セラミック層13と内部電極14および15の各々との界面20および21付近に移動し、前述した柱状物22および23を作り出す。この場合、柱状物22および23のより能率的な生成のためには、セラミック粉末の平均粒子径は0.2μm以下であることが好ましい。上述した仕組みによって柱状物22および23が生成されるので、柱状物22および23の組成は、導電性ペーストに含まれていたセラミック粉末の組成と実質的に同様である。したがって、前述したように、セラミック層13の主成分がチタン酸バリウム系化合物であり、セラミック粉末の主成分がチタン酸バリウム系化合物であるとき、柱状物22および23の主成分もチタン酸バリウム系化合物である。前述したような室温から最高温度までの平均昇温速度を40°C/秒以上とする温度プロファイルが適用されると、セラミック層13の部分において、大きな二次相が発生することがかなり抑えられ、このことは、セラミック層13と内部電極14および15の各々との界面を強化し、クラックの抑制に有効である。これに反して、仮に、柱状物22および23が、発生した大きな二次相の一部として形成される場合には、セラミック層13と内部電極14および15の各々との界面が強化されず、クラック抑制効果をあまり期待することができない。なお、後述する実験例からわかるように、焼成工程での熱処理工程において、室温から最高温度までの平均昇温速度を40°C/秒未満と遅くした温度プロファイルが適用されると、柱状物が形成されるが、形成された柱状物は、内部電極14または15の厚み方向に貫通する状態となってしまうことが多い。他方、導電性ペーストにセラミック粉末が添加されない場合には、熱処理工程での昇温速度に関わらず、柱状物が形成されにくいことが後述する実験例からわかっている。焼成工程において、上述の熱処理工程の前に、未焼成積層体は脱脂処理されることが好ましい。内部電極14および15が導電成分としてNiのような卑金属を含むとき、熱処理工程は、卑金属の平衡酸素分圧に対して酸化側の雰囲気ガスを供給した雰囲気中で実施されてもよい。また、熱処理工程において、前述した最高温度到達後、この温度を保持することなく、直ちに冷却されることが好ましい。この発明の特徴となる柱状物は、単なる突起とは区別されるべきである。図3を参照して、柱状物の定義を明らかにする。図3には、積層体31を積層方向に沿って研磨することによって得られた研磨断面32が図示されている。研磨断面32には、セラミック層33および34とともに、セラミック層33および34間に位置する内部電極が露出するが、内部電極は、化学エッチングにより溶解除去された状態とされ、内部電極跡35が図3に示されている。図3には、1個の柱状物36が図示されているが、この柱状物36は、上記のような研磨断面32に焦点を当てながら電子顕微鏡を用いて観察する、観察方法によって観察されたものである。なお、柱状物が、研磨断面32上ではなく、研磨断面32により奥に存在していても、電子顕微鏡で観察され得たものであれば、それも柱状物またはその候補としてカウントする。図示した柱状物31は、セラミック層33と内部電極図3では、内部電極跡35との界面39に基端37を位置させ、かつ内部電極内部電極跡35中に先端38を位置させている。すなわち、柱状物31は、まず、基端37がセラミック層33と接合している。他方、先端38は、基端37とセラミック層33との接合点を基点として、内部電極内部電極跡35の厚みの20以上かつ90以下の範囲に位置している。このような条件が柱状物たる第1の必要条件となる。次に、柱状物31の幅Wは、基端37から先端38までの50以上の部分において、0.8μm以下である。これが柱状物たる第2の必要条件となる。なお、柱状物31の幅Wは、図3に示したように、柱状物31の中心軸線に直交する方向に測定した寸法とされる。取得静電容量の安定的維持の点で、柱状物31の幅Wは、小さい方が好ましく、たとえば500nm以下であることがより好ましい。さらに、柱状物31の存在比率は、各内部電極が存在していた部分内部電極跡35において、長さ10μmにつき1個以上であることが必要である。なお、図示しないが、内部電極中には、当該内部電極を貫通する、セラミックからなる貫通体がさらに形成されていることもあり得る。この場合には、上記観察方法によって観察したとき、内部電極の占有面積に対する貫通体の占有面積の比率は3以下であることが、取得静電容量の安定的維持の点で好ましい。この発明が、上述したように、図1に示した積層セラミックコンデンサ11に向けられるとき、セラミック層13は、誘電体セラミックから構成される。しかしながら、この発明が適用されるのは、積層セラミックコンデンサに限らず、その他、インダクタ、サーミスタ、圧電部品などであってもよい。したがって、積層セラミック電子部品の機能に応じて、セラミック層は、誘電体セラミックのほか、磁性体セラミック、半導体セラミック、圧電体セラミックなどから構成されてもよい。また、図1に示した積層セラミックコンデンサ11は、2個の外部端子18および19を備える2端子型のものであったが、多端子型の積層セラミック電子部品にもこの発明を適用することができる。以下に、この発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。Aセラミック原料粉末の作製BaCO3粉末とTiO2粉末とを用意し、これら粉末をBa/Ti重量比が1.001になるよう秤量し、次いで、ZrO2ボールを用いたミルにて湿式混合粉砕処理した。乾燥後、900°C以上の温度に加熱し、平均粒子径が0.20μmのBaTiO3粉末を作製した。このBaTiO3粉末100モル部に対し、0.6モル部のDy2O3、1.2モル部のMgCO3、0.2モル部のMnCO3、および1.0モル部のBaCO3をそれぞれ粉末として添加し、さらにSiO2換算で0.7モル部のSiO2ゾルを添加し、次いで、ZrO2ボールを使ったボールミルにより混合粉砕処理することによって、セラミック原料粉末を作製した。B内部電極用導電性ペーストの作製表1に示した試料1~3および6に係る内部電極用導電性ペーストについては、以下のように作製した。Aセラミック原料粉末の作製工程の途中で作製した、平均粒子径0.2μmのBaTiO3粉末に、テルピネオールを加えた混合物を、ZrO2ボールを使ったボールミルにより分散混合処理し、セラミックスラリーを得た。次いで、平均粒子径が0.25μmのNi粉末を用意し、Ni粉末と上記セラミックスラリーとを、Ni粉末100重量部に対してセラミックスラリー中のBaTiO3が10重量部となるように混合し、さらに、有機ビヒクルエチルセルロース/テルピネオール=1/9重量比とテルピオネールとを混合し、これらを、3本ロールミルを用いて分散混合処理することによって、表1に示した内部電極へのセラミック添加が有である試料1~3および6に係る内部電極用導電性ペーストを作製した。他方、表1に示した内部電極へのセラミック添加が無である試料4および5に係る内部電極用導電性ペーストについては、平均粒子径が0.25μmのNi粉末と有機ビヒクルエチルセルロース/テルピネオール=1/9重量比とテルピオネールとを混合し、これらを、3本ロールミルを用いて分散混合処理することによって作製した。C積層セラミックコンデンサの作製Aセラミック原料粉末の作製工程で作製したセラミック原料粉末に、ポリブチラール系バインダと可塑剤とを添加し、さらにトルエンとエチルアルコールとを加え、これらを、ZrO2ボールを使ったボールミルにより分散混合処理することによってスラリー化し、得られたスラリーをグラビアコーターでシート状に成形することによってグリーンシートを得た。次いで、上記グリーンシート上に、B導電性ペーストの作製工程で作製した内部電極用導電性ペーストをスクリーン印刷し、内部電極となる導電性ペースト膜を形成した。その後、導電性ペースト膜が形成されたグリーンシートを、導電性ペースト膜の引き出されている側が互い違いになるように350枚積層し、さらにこれらを挟み込むように、導電性ペースト膜が形成されていない外層部用グリーンシートを所定の枚数だけ積み重ねることによって、積層体ブロックを作製した。この積層体ブロックを、焼結により緻密化した後の平面サイズが2.0mm×1.25mmとなるように切り分け、複数の未焼成積層体を得た。このようにして得た未焼成積層体を、N2気流中、280°Cの温度で熱処理し、バインダを燃焼除去した。試料1~4については、引き続き、N2-H2-H2O気流中で、カーボン換算で1000ppm以下になるまで、バインダを燃焼除去した。その後、試料1~4については、N2中において、表1の昇温速度の欄に示した平均昇温速度にて最高温度の1220°Cまで昇温し、この温度で保持することなく、直ちに冷却工程を進めた。試料5および6については、N2-H2-H2O気流中において、表1の昇温速度の欄に示すように、10°C/分の平均昇温速度にて1220°Cまで昇温し、このときの酸素分圧が1096MPaになる条件で1時間保持し、その後、冷却工程を進めた。このようにして得られた焼結後の積層体に対し、内部電極が引き出された端面部に外部電極を形成した。より詳細には、銅を主成分とする導電性ペーストを塗布して、800°Cで焼き付けることで下地層を形成し、その上に、湿式めっきによって、Niめっき膜およびSnめっき膜を形成した。以上のようにして、各試料に係る積層セラミックコンデンサを得た。得られた積層セラミックコンデンサにおける内部電極間のセラミック層の厚みは、約2μmであった。D評価1内部電極中の柱状物の形成状態樹脂固め研磨により積層セラミックコンデンサの積層体断面を露出させ、化学エッチングにより断面表層の内部電極を溶出除去し、走査型電子顕微鏡SEMにて柱状物の形成状態を観察した。観察に当たり、上述のように、内部電極をエッチングにより除去したのは、研磨断面上に内部電極が存在していると、研磨断面上に位置する柱状物しか観察することができず、セラミック層と内部電極との界面全般にわたっての柱状物の形成状態を観察しにくいためである。表1の内部電極中の柱形成状態の欄に観察結果が示されている。非貫通は、内部電極の厚み方向には貫通しない状態で柱状物が形成されていたことを示し、貫通は、内部電極の厚み方向に貫通する状態で柱状物貫通体が形成されていたことを示し、非形成は、柱状物が形成されなかったことを示している。また、代表例として、試料1、試料4および試料6についてのSEM観察像が、それぞれ、図4、図5および図6に示されている。2デラミネーション/クラック発生率金属顕微鏡観察により積層セラミックコンデンサの外観を観察し、クラック発生の有無を評価した。さらに、樹脂固め研磨により積層セラミックコンデンサの積層体の断面を露出させ、デラミネーションおよび/またはクラック発生の有無を評価した。上記の評価を100個の試料について実施し、デラミネーションおよび/またはクラックが発生した試料数の比率を求めた。その結果が、表1の焼成後のデラミネーション、クラック発生率の欄に示されている。3静電容量LCRメーターを用い、120Hz、0.5Vrmsの条件で各試料に係る積層セラミックコンデンサの静電容量を測定した。表1の静電容量の欄には、100個の積層セラミックコンデンサについての平均値が示されている。4熱衝撃試験温度325°Cのはんだ槽に、各試料に係る積層セラミックコンデンサを2秒間浸漬する熱衝撃試験を実施し、金属顕微鏡観察により、クラック発生の有無を評価した。この評価を100個の試料について実施し、クラックが発生した試料数の比率を求めた。その結果が、表1の熱衝撃試験のクラック発生率における1回試験の欄に示されている。また、間に10分間放冷する工程を入れながら、上記の熱衝撃試験を5回繰返した後、同様に、金属顕微鏡観察により、クラック発生の有無を評価し、100個の試料中でのクラック発生試料数の比率を求めた。その結果が、表1の熱衝撃試験のクラック発生率における連続5回試験の欄に示されている。セラミック粉末を添加した内部電極用導電性ペーストを用い、40°C/秒以上の昇温速度で焼成した試料1~3によれば、表1および図4からわかるように、内部電極の厚み方向に貫通しない状態で柱状物が形成され、焼成後のデラミネーションおよび/またはクラックの発生がなく、高い静電容量を取得することができた。また、熱衝撃試験によるクラックの発生もなかった。これらに対して、40°C/秒以上の昇温速度で焼成したが、セラミック粉末を添加しない内部電極用導電性ペーストを用いた試料4では、表1および図5に示すように、高い静電容量を取得することができたが、内部電極に柱状物が形成されなかった。また、熱衝撃試験によるクラックについては、連続5回試験で発生した。また、40°C/秒未満の昇温速度で焼成し、かつセラミック粉末を添加しない内部電極用導電性ペーストを用いた試料5では、表1に示すように、高い静電容量を取得することができたが、内部電極に柱状物が形成されず、焼成後のデラミネーションおよび/またはクラックが多くの試料において発生し、また、熱衝撃試験によるクラックについても、既に1回試験で100の試料において発生した。セラミック粉末を添加した内部電極用導電性ペーストを用いたが、40°C/秒未満の昇温速度で焼成した試料6では、表1および図6に示すように、内部電極に柱状物が形成されたが、それは内部電極を厚み方向に貫通する貫通体であった。そのため、焼成後のデラミネーションおよび/またはクラックの発生がなく、熱衝撃試験によるクラックの発生もなかったが、静電容量が低くなった。