"1種以上のベンゾイミダゾール化合物と1種以上のエポキシド含有化合物との反応生成物であって;少なくとも1種のベンゾイミダゾール化合物が式:式中、R1はH、C1-C6アルキル、アリールC1-C6アルキル、ヒドロキシC1-C6アルキル、およびヒドロキシから選択され;各R2は独立して、C6-C18アリール、C1-C6アルキル、アリールC1-C6アルキル、ヒドロキシC1-C6アルキル、およびヒドロキシから選択され;並びに、a=0~4;ただしR1=Hの場合にはa>0であるを有する;反応生成物。R1がH、C1-C4アルキル、アリールC1-C4アルキル、およびヒドロキシC1-C4アルキルから選択される、請求項1に記載の反応生成物。R2がC6-C18アリール、C1-C4アルキル、アリールC1-C4アルキル、およびヒドロキシC1-C4アルキルから選択される、請求項1に記載の反応生成物。a=0~3である、請求項1に記載の反応生成物。エポキシド含有化合物が、下記式:式中、Y、Y1およびY2は独立してHおよびC1-C4アルキルから選択され;X=ハロゲン;A=OR4もしくはR5;R4=CR6R7mOn、アリール-Op、CR6R7-Z-CR6R7OもしくはOZ1tO;R5=CH2y;A1はC5-C12シクロアルキルであり;Z=5員環もしくは6員環;Z1はR12OArOR12、R13OaArOR13a、もしくはR13OaCyOR13a;Cy=C5-C12シクロアルキル;各R6およびR7は独立して、H、CH3およびOHから選択され;各R11はC1-C4アルキルもしくはC1-C4アルコキシを表し;各R12はC1-C8アルキルを表し;各R13はC2-C6アルキレンオキシを表し;各a=1~10;m=1~6;n=1~20;p=1~6;q=1~6;r=0~4;t=1~4;およびy=0~6であり;式中、YおよびY1は一緒になってC8-C12環式化合物を形成することができるの化合物から選択される、請求項1に記載の反応生成物。銅イオン源、電解質および平滑化剤を含む銅電気めっき浴であって;平滑化剤が1種以上のベンゾイミダゾール化合物と1種以上のエポキシド含有化合物との反応生成物であって;少なくとも1種のベンゾイミダゾール化合物が式:式中、R1はH、C1-C3アルキル、アリールC1-C3アルキル、ヒドロキシC1-C3アルキル、およびヒドロキシから選択され;各R2は独立して、C6-C18アリール、C1-C3アルキル、アリールC1-C3アルキル、ヒドロキシC1-C3アルキル、およびヒドロキシから選択され;並びに、a=0~4;ただしR1=Hの場合にはa>0であるを有する;銅電気めっき浴。エポキシド含有化合物が1~3個のエポキシ基を含む、請求項6に記載の銅電気めっき浴。第二の平滑化剤をさらに含む、請求項6に記載の銅電気めっき浴。請求項6の銅電気めっき浴中の銅とめっきされる基体とを接触させ;並びに、基体上に銅層を堆積させるのに充分な時間にわたって電流密度を適用する;ことを含む、基体上に銅を堆積する方法。基体がプリント回路板である請求項9に記載の方法。当該技術分野において、浴の均一電着性に有意な影響を及ぼさずに、すなわち、浴が効果的にブラインドバイアおよびスルーホールを充填しつつ、平滑な銅堆積物を提供する、PCBの製造に使用される銅電気めっき浴における使用のための平滑化剤についての必要性が存在している。本発明は、1種以上のベンゾイミダゾール化合物と1種以上のエポキシド含有化合物との反応生成物を提供し、ここで、少なくとも1種のベンゾイミダゾール化合物は式:式中、R1はH、C1-C6アルキル、アリールC1-C6アルキル、ヒドロキシC1-C6アルキル、およびヒドロキシから選択され;各R2は独立して、C6-C18アリール、C1-C6アルキル、アリールC1-C6アルキル、ヒドロキシC1-C6アルキル、およびヒドロキシから選択され;並びに、a=0~4;ただしR1=Hの場合にはa>0であるを有する。このような反応生成物は銅めっき浴のための平滑化剤として特に有用である。本発明は、銅イオン源、電解質および平滑化剤を含む銅電気めっき浴であって、平滑化剤が1種以上のベンゾイミダゾール化合物と1種以上のエポキシド含有化合物との反応生成物であって、少なくとも1種のベンゾイミダゾール化合物が式:式中、R1はH、C1-C6アルキル、アリールC1-C6アルキル、ヒドロキシC1-C6アルキル、およびヒドロキシから選択され;各R2は独立して、C6-C18アリール、C1-C6アルキル、アリールC1-C6アルキル、ヒドロキシC1-C6アルキル、およびヒドロキシから選択され;並びに、a=0~4;ただしR1=Hの場合にはa>0であるを有する、銅電気めっき浴も提供する。本発明は、銅イオン源、電解質および平滑化剤を含む銅電気めっき浴であって、平滑化剤が1種以上のベンゾイミダゾール化合物と1種以上のエポキシド含有化合物との反応生成物であって、少なくとも1種のベンゾイミダゾール化合物が式:式中、R1はH、C1-C6アルキル、アリールC1-C6アルキル、ヒドロキシC1-C6アルキル、およびヒドロキシから選択され;各R2は独立して、C6-C18アリール、C1-C6アルキル、アリールC1-C6アルキル、ヒドロキシC1-C6アルキル、およびヒドロキシから選択され;並びに、a=0~4;ただしR1=Hの場合にはa>0であるを有する、銅電気めっき浴中の銅とめっきされる基体とを接触させ;並びに、基体上に銅層を堆積させるのに充分な時間にわたって電流密度を適用する:ことを含む、基体上に銅を堆積する方法をさらに提供する。本発明はPCB基体にわたって、非常に小さなフィーチャを有する基体上でさえ、および様々なフィーチャサイズを有する基体上でさえ、実質的に平滑な表面を有する銅層を提供することが驚くべきことに見いだされた。本方法に従って堆積される銅層は、従来の平滑化剤を使用する電気めっき浴からの銅堆積物と比較して、ノジュールのような欠陥を有意に低減させた。さらに、本発明は、スルーホールおよびブラインドバイアホール内に銅を効果的に堆積させ、すなわち、本発明の銅めっき浴は良好な均一電着性を有する。本明細書を通じて使用される場合、文脈が明らかに他のことを示さない限りは、以下の略語は以下の意味を有するものとする:A=アンペア;A/dm2=アンペア/平方デシメートル;°C=摂氏度;g=グラム;mg=ミリグラム;L=リットル;L/m=リットル/分;ppm=100万あたりの部;μm=ミクロン=マイクロメートル;mm=ミリメートル;cm=センチメートル;DI=脱イオン;および、mL=ミリリットル。他に示されない限りは、全ての量は重量パーセントであり、全ての比率はモル比である。全ての数値範囲は包括的であり、かつこのような数値範囲が合計で100となることに制約されるのが明らかである場合を除いて任意に組み合わせ可能である。本明細書を通じて使用される場合、フィーチャとは基体上の形状をいう。アパーチャapertureとはスルーホールおよびブラインドバイアをはじめとする窪んだフィーチャをいう。本明細書を通じて使用される場合、用語めっきとは金属電気めっきをいう。堆積およびめっきは本明細書を通じて交換可能に使用される。ハライドとはフルオリド、クロリド、ブロミドおよびヨージドをいう。同様に、ハロとは、フルオロ、クロロ、ブロモおよびヨードをいう。用語アルキルは線状、分岐および環式アルキルを含む。促進剤とは、電気めっき浴のめっき速度を増大させる有機添加剤をいう。抑制剤とは、電気めっき中に金属のめっき速度を抑制する有機添加剤をいう。平滑化剤とは、実質的に平滑または、平坦な金属層を提供することができる有機化合物をいう。用語レベラーおよび平滑化剤は本明細書を通じて交換可能に使用される。用語プリント回路板およびプリント配線板は、本明細書を通じて交換可能に使用される。本発明のめっき浴および方法は、プリント回路板のような基体上に実質的に平滑なめっきされた銅層を提供するのに有用である。また、本発明は、基体におけるアパーチャを銅で充填するのに有用である。このような充填されたアパーチャは実質的に空隙を含まない。また、本発明からの銅堆積物はノジュールを実質的に含まず、すなわち、銅堆積物は15ノジュール以下/95cm2しか含まない。基体上に銅が電気めっきされうるあらゆる基体が本発明において有用である。このような基体には、これに限定されないが、プリント配線板、集積回路、半導体パッケージ、リードフレームおよび内部接続のような電子デバイスが挙げられる。基体がPCBまたは集積回路であるのが好ましい。ある実施形態においては、集積回路基体はデュアルダマシン製造プロセスに使用されるウェハである。このような基体は典型的には、様々なサイズを有する多数のフィーチャ、特にアパーチャを含む。PCBにおけるスルーホールは様々な直径、例えば、50μm~150μmの直径を有することができる。このようなスルーホールは、35μm~100μmのように深さが変化することができる。PCBは様々なサイズ、例えば、200μm以下、もしくはそれより大きいサイズを有するブラインドバイアを含むことができる。本発明は、様々なアスペクト比の、例えば、低アスペクト比バイアおよび高アスペクト比アパーチャのようなアパーチャを充填するのに特に好適である。低アスペクト比とは、0.1:1~4:1のアスペクト比を意味する。用語高アスペクト比とは、4:1より大きいアスペクト比、例えば、10:1または20:1をいう。本発明の銅めっき浴は銅イオン源、電解質および平滑化剤を含み、この平滑化剤は1種以上のベンゾイミダゾール化合物と1種以上のエポキシド含有化合物との反応生成物であり、少なくとも1種のベンゾイミダゾール化合物は式:式中、R1はH、C1-C6アルキル、アリールC1-C6アルキル、ヒドロキシC1-C6アルキル、およびヒドロキシから選択され;各R2は独立して、C6-C18アリール、C1-C6アルキル、アリールC1-C6アルキル、ヒドロキシC1-C6アルキル、およびヒドロキシから選択され;並びに、a=0~4;ただしR1=Hの場合にはa>0であるを有する。銅めっき浴は、典型的には、ハライドイオン源、促進剤および抑制剤も含む。電解めっき浴中に少なくとも部分的に可溶性であるあらゆる銅イオン源が好適である。好ましくは、銅イオン源はめっき浴に可溶性である。好適な銅イオン源は銅塩であり、そして、限定されないが、硫酸銅;ハロゲン化銅、例えば、塩化銅;酢酸銅;硝酸銅;ホウフッ化銅;アルキルスルホン酸銅;アリールスルホン酸銅;スルファミン酸銅;およびグルコン酸銅が挙げられる。典型的なアルキルスルホン酸銅には、C1-C6アルキルスルホン酸銅、より好ましくは、C1-C3アルキルスルホン酸銅が挙げられる。好ましいアルキルスルホン酸銅はメタンスルホン酸銅、エタンスルホン酸銅およびプロパンスルホン酸銅である。典型的なアリールスルホン酸銅には、限定されないが、フェニルスルホン酸銅、フェノールスルホン酸銅、およびp-トルエンスルホン酸銅が挙げられる。硫酸銅五水和物、およびメタンスルホン酸銅が好ましい。銅イオン源の混合物が使用されうる。銅イオン以外の金属イオンの塩の1種以上が本電気めっき浴に有利に添加されうることが当業者に理解されるであろう。このような他の金属イオン源の添加は銅合金の堆積に有用である。このような銅塩は概して市販されており、さらなる精製なしに使用されうる。銅塩は、基体上に銅を電気めっきするのに充分な銅イオン濃度を提供する量で本めっき浴に使用されうる。典型的には、銅塩は、めっき液の10~180g/Lの銅金属の量を提供するのに充分な量で存在する。銅-スズ、例えば、2重量までのスズを有する銅のような合金は、本発明に従って有利にめっきされうる。他の好適な銅合金には、これに限定されないが、銅-銀、スズ-銅-銀、およびスズ-銅-ビスマスが挙げられる。このような混合物中の金属塩のそれぞれの量は、めっきされる具体的な合金に応じて決定され、そしてその量は当業者に周知である。本発明に有用な電解質はアルカリ性または酸性でありうる。好適な酸性電解質には、これに限定されないが、硫酸、酢酸、フルオロホウ酸、アルカンスルホン酸、例えば、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸およびトリフルオロメタンスルホン酸、アリールスルホン酸、例えば、フェニルスルホン酸、フェノールスルホン酸およびトルエンスルホン酸、スルファミン酸、塩酸およびリン酸が挙げられる。酸の混合物が本金属めっき浴において有利に使用されうる。好ましい酸には、硫酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、およびこれらの混合物が挙げられる。酸は典型的には、1~300g/L、より典型的には5~250g/L、さらにより典型的には10~250g/Lの範囲の量で存在する。電解質は概して様々なソースから市販されており、さらなる精製なしに使用されうる。このような電解質は、場合によっては、ハライドイオン源を含むことができる。クロリドイオンが好ましいハライドイオンである。典型的なクロリドイオン源には、塩化銅および塩酸が挙げられる。本発明において広範囲のハライドイオン濃度が使用されうる。典型的には、ハライドイオン濃度は、めっき浴を基準にして0~100ppm、好ましくは10~100ppmの範囲である。ハライドイオンの特に有用な量は20~75ppmである。このようなハライドイオン源は概して市販されており、さらなる精製なしに使用されうる。本めっき浴は典型的には促進剤を含む。光沢剤とも称されるあらゆる促進剤が本発明における使用に好適である。このような促進剤は当業者に周知である。典型的な促進剤は1以上の硫黄原子を含み、かつ1000以下の分子量を有する。スルフィドおよび/またはスルホン酸基を有する促進剤化合物が一般的に好ましく、特に、式:R’-S-R-SO3X式中、Rは場合によって置換されたアルキル、場合によって置換されたヘテロアルキル、場合によって置換されたアリールまたは場合によって置換された複素環式基;Xは対イオン、例えば、ナトリウムもしくはカリウム;並びに、R’は水素もしくは化学結合であるのグループを含む化合物が好ましい。典型的には、アルキル基はC1-C16アルキルおよび好ましくはC3-C12アルキルである。ヘテロアルキル基は、典型的には、1以上のヘテロ原子、例えば、窒素、硫黄もしくは酸素をアルキル鎖内に有する。好適なアリール基には、これに限定されないが、フェニル、ベンジル、ビフェニルおよびナフチルが挙げられる。好適な複素環式基は、典型的には、1~3個のヘテロ原子、例えば、窒素、硫黄もしくは酸素を含み、1~3つの別々のもしくは縮合した環システムを含む。このような複素環式基は芳香族もしくは非芳香族であることができる。本発明における使用に好ましい促進剤には、N,N-ジメチル-ジチオカルバミン酸-3-スルホプロピルエステル;3-メルカプト-プロピルスルホン酸-3-スルホプロピルエステル;3-メルカプト-プロピルスルホン酸ナトリウム塩;カルボン酸-ジチオ-o-エチルエステル-s-エステルと3-メルカプト-1-プロパンスルホン酸カリウム塩;ビス-スルホプロピルジスルフィド;3-ベンゾチアゾリル-s-チオプロピルスルホン酸ナトリウム塩;ピリジニウムプロピルスルホベタイン;1-ナトリウム-3-メルカプトプロパン-1-スルホナート;N,N-ジメチル-ジチオカルバミン酸-3-スルホエチルエステル;3-メルカプト-エチルプロピルスルホン酸-3-スルホエチルエステル;3-メルカプト-エチルスルホン酸ナトリウム塩;カルボン酸-ジチオ-o-エチルエステル-s-エステルと3-メルカプト-1-エタンスルホン酸カリウム塩;ビス-スルホエチルジスルフィド;3-ベンゾチアゾリル-s-チオエチルスルホン酸ナトリウム塩;ピリジニウムエチルスルホベタイン;および、1-ナトリウム-3-メルカプトエタン-1-スルホナートが挙げられる。このような促進剤は様々な量で使用されうる。一般的に、促進剤は、浴を基準にして少なくとも0.01mg/L、好ましくは少なくとも0.5mg/L、より好ましくは少なくとも1mg/Lの量で使用される。例えば、促進剤は0.1mg/L~200mg/Lの量で存在する。促進剤の具体的な量は、高アスペクト比、スルーホール充填、およびバイア充填用途のような具体的な用途に応じて決定されるであろう。本発明において有用な促進剤の好ましい量は少なくとも0.5mg/L、より好ましくは少なくとも1mg/Lである。このような促進剤濃度の好ましい範囲は0.1~10mg/Lppmである。銅めっき速度を抑制することができる何らかの化合物が本電気めっき浴中の抑制剤として使用されうる。好適な抑制剤には、これに限定されないが、ポリマー物質、特に、ヘテロ原子置換を有するもの、より好ましくは酸素置換を有するものが挙げられる。典型的な抑制剤は高分子量ポリエーテル、例えば、式:R-O-CXYCX’Y’OnR’式中、RおよびR’は独立して、H、C2-C20アルキル基およびC6-C10アリール基から選択され;X、Y、X’およびY’のそれぞれは独立して、水素、アルキル、例えば、メチル、エチルもしくはプロピル、アリール、例えば、フェニル、もしくはアルアルキル、例えば、ベンジルから選択され;nは3~10,000の整数であるのものである。典型的には、X、Y、X’およびY’の1以上は水素である。好ましい抑制剤には、市販のポリプロピレングリコールコポリマー、およびポリエチレングリコールコポリマー、例えば、エチレンオキシド-プロピレンオキシドEO/POコポリマー、およびブチルアルコール-エチレンオキシド-プロピレンオキシドコポリマーが挙げられる。好適なブチルアルコール-エチレンオキシド-プロピレンオキシドコポリマーは、500~10,000、好ましくは1000~10,000の重量平均分子量を有するものである。このような抑制剤が使用される場合、抑制剤は典型的には、浴の重量を基準にして1~10,000ppm、好ましくは5~10,000ppmの範囲の量で存在する。本発明の反応生成物は、式:式中、R1はH、C1-C6アルキル、アリールC1-C6アルキル、ヒドロキシC1-C6アルキル、およびヒドロキシから選択され;各R2は独立して、C6-C18アリール、C1-C6アルキル、アリールC1-C6アルキル、ヒドロキシC1-C6アルキル、およびヒドロキシから選択され;並びに、a=0~4;ただしR1=Hの場合にはa>0であるの少なくとも1種のベンゾイミダゾール化合物を含む。好ましくは、R1はH、C1-C4アルキル、アリールC1-C4アルキル、およびヒドロキシC1-C4アルキルから選択され、より好ましくはH、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ベンジル、ヒドロキシメチルおよびヒドロキシエチルから選択される。R2は好ましくは、C6-C18アリール、C1-C4アルキル、アリールC1-C4アルキル、およびヒドロキシC1-C4アルキルから選択される。より好ましくは、R2はフェニル、トリル、キシリル、ナフチル、エチルフェニル、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ベンジル、フェネチル、ナフチルメチル、ヒドロキシメチルおよびヒドロキシエチルから選択される。R2がフェニル、トリル、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ベンジル、フェネチル、およびヒドロキシメチルから選択されるのがさらに好ましい。a=0~3が好ましく、より好ましくはa=0~2であり、さらにより好ましくはa=1~2である。特に好ましいベンゾイミダゾールは、R1がH、メチル、エチル、ブチル、ベンジルおよびヒドロキシメチルから選択され;R2がメチル、エチル、ブチル、フェニル、ベンジルおよびヒドロキシメチルから選択され;並びにa=0~2のものである。本ベンゾイミダゾール化合物は置換されており、すなわち、ベンゾイミダゾール自体は除かれることが当業者に認識されるであろう。本発明において有用なベンゾイミダゾール化合物は一般的に様々なソース、例えば、シグマ-アルドリッチミズーリ州、セントルイスから市販されており、または文献的な方法で製造されうる。本発明の反応生成物を製造するために、好適なエポキシド含有化合物が使用されうる。このようなエポキシド含有化合物は1つ以上のエポキシド基、典型的には、1、2もしくは3つのエポキシド基、好ましくは1もしくは2つのエポキシド基を含むことができる。本発明において有用な好適なエポキシド含有化合物は、下記式E-I、E-IIまたはE-IIIの化合物であり、式中、Y、Y1およびY2は独立してHおよびC1-C4アルキルから選択され;X=ハロゲン;A=OR4もしくはR5;R4=CR6R7mOn、アリール-Op、CR6R7-Z-CR6R7OもしくはOZ1tO;R5=CH2y;A1はC5-C12シクロアルキルであり;Z=5員環もしくは6員環;Z1はR12OArOR12、R13OaArOR13a、もしくはR13OaCyOR13a;Cy=C5-C12シクロアルキル;各R6およびR7は独立して、H、CH3およびOHから選択され;各R11はC1-C4アルキルもしくはC1-C4アルコキシを表し;各R12はC1-C8アルキルを表し;各R13はC2-C6アルキレンオキシを表し;各a=1~10;m=1~6;n=1~20;p=1~6;q=1~6;r=0~4;t=1~4;およびy=0~6であり;式中、YおよびY1は一緒になってC8-C12環式化合物を形成することができる。好ましくは、Y=HおよびX=ClもしくはBr、より好ましくは、X=Clである。Y1およびY2は好ましくは独立してH、およびC1-C2アルキルから選択される。Y1およびY2が一緒にならずに環式化合物を形成していない場合には、Y1およびY2が両方ともHであるのが好ましい。Y1およびY2が一緒になって環式化合物を形成している場合には、AがR5もしくは化学結合であり、かつC8-C10炭素環式環が形成されるのが好ましい。m=2~4であるのが好ましい。好ましくはn=1~10である。n=1~10の場合にm=2~4であるのがさらに好ましい。フェニル-Oは、R4のために好ましいアリール-O基である。p=1~4、より好ましくは1~3、さらにより好ましくは1~2が好ましい。Zは好ましくは5員もしくは6員炭素環式環であり、より好ましくは、Zは6員炭素環式環である。好ましくは、y=0~4、より好ましくは1~4である。A=R5およびy=0の場合には、Aは化学結合である。好ましくは、m=1~6、より好ましくは1~4である。q=1~4が好ましく、より好ましくは1~3、さらにより好ましくは1~2である。好ましくはr=0およびq=1、より好ましくはY1およびY2=H、r=0、およびq=1である。好ましくは、Z1=R12OArOR12、またはR13OaArOR13aである。各R12は好ましくはC1-C6アルキル、より好ましくはC1-C4アルキルである。各R13は好ましくはC2-C4アルキレンオキシである。t=1~2が好ましい。好ましくはa=1~8、より好ましくは1~6、さらにより好ましくは1~4である。典型的には、式E-Iのエポキシド含有化合物はエピハロヒドリンである。好ましくは、エポキシド含有化合物はエピクロロヒドリンもしくはエピブロモヒドリンであり、より好ましくはエピクロロヒドリンである。R4=CR6R7mOnである式E-IIの好適な化合物は下記式の化合物である:式中、Y1、Y2、R6、R7、nおよびmは上述の通りである。好ましくは、Y1およびY2は両方ともHである。m=2の場合には、各R6はHであり、R7はHおよびCH3から選択され、並びにn=1~10であるのが好ましい。m=3の場合には、少なくとも1つのR7がCH3およびOHから選択され、並びにn=1であるのが好ましい。m=4の場合には、R6およびR7が両方ともHであり、並びにn=1であるのが好ましい。式E-IIaの典型的な化合物には、これに限定されないが、1,4-ブタンジオールジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル化合物、グリセロールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ジプロピレングリコールジグリシジルエーテルおよびポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル化合物が挙げられる。式E-IIaのポリエチレングリコールジグリシジルエーテル化合物は、各R6およびR7=H、m=2、並びにn=3~20、好ましくは、n=3~15、より好ましくは、n=3~12、さらにより好ましくは、n=3~10である化合物である。典型的には、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル化合物には、トリエチレングリコールジグリシジルエーテル、テトラエチレングリコールジグリシジルエーテル、ペンタエチレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサエチレングリコールジグリシジルエーテル、ノナエチレングリコールジグリシジルエーテル、デカエチレングリコールジグリシジルエーテル、およびドデカエチレングリコールジグリシジルエーテルが挙げられる。式E-IIaのポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル化合物は各R6=H、およびR7の1つ=CH3、m=2、並びにn=3~20、好ましくはn=3~15、より好ましくはn=3~12、さらにより好ましくはn=3~10の化合物である。典型的なポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル化合物には、トリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、テトラプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ペンタプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ノナプロピレングリコールジグリシジルエーテル、デカプロピレングリコールジグリシジルエーテル、およびドデカプロピレングリコールジグリシジルエーテルが挙げられる。好適なポリエチレングリコールジグリシジルエーテル化合物およびポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル化合物には、350~10000、好ましくは380~8000の数平均分子量を有する化合物が挙げられる。R4=アリール-Opである式E-IIの好適な化合物は、下記式E-IIbおよびE-IIcを有する化合物である:式中、Y1、Y2およびpは上述の通りであり、各R11はC1-C4アルキルもしくはC1-C4アルコキシ、並びにr=0~4である。好ましくは、r=0およびp=1、より好ましくはY1およびY2=H、r=0並びにp=1である。R4=CR6R7-Z-CR6R7Oである式E-IIの化合物においては、Zは5員環もしくは6員環を表す。このような環構造においては、CR6R7基は任意の位置に、例えば、環の隣り合う原子に、または環のいずれか他の原子に結合されうる。R4=CR6R7-Z-CR6R7Oである式E-IIの特に好適な化合物は、下記式を有する化合物である:式中、Y1、Y2、R6およびR7は上述の通りであり、並びにq=0もしくは1である。q=0の場合には、環構造は5員炭素環式環であり、q=1の場合には、環構造は6員炭素環式環である。好ましくは、Y1およびY2=Hである。より好ましくは、Y1およびY2=H、並びにq=1である。R4=CR6R7-Z-CR6R7Oである式E-IIの好ましい化合物は、1,2-シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテルおよび1,4-シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテルである。A=R5の場合には、式E-IIの好適な化合物は下記式を有する化合物である:式中、Y1、Y2およびyは上述の通りである。y=0~4であるのが好ましく、より好ましくは、y=1~4、y=2~4である。式E-IIeの典型的な化合物には、限定されないが、1,5-ジエポキシヘキサン、1,7-ジエポキシオクタンおよび1,9-ジエポキシデカンが挙げられる。A=OZ1tOである式IIの化合物においては、好ましい化合物は下記式の化合物である:式中、Y1およびY2は上述の通りである。式E-IIIの好適なエポキシ含有化合物は単環式、スピロ環式、縮合および/または二環式環であることができる。好ましい式E-IIIのエポキシド含有化合物には、1,5-ジエポキシ-シクロオクタン、1,6-ジエポキシ-シクロデカンおよびジシクロペンタジエンジオキシドが挙げられる。本発明において有用なエポキシド含有化合物は様々な商業的ソース、例えば、シグマ-アルドリッチから入手可能であり、または当該技術分野において知られている様々な文献記載の方法を用いて製造されうる。本発明の反応生成物は上述の1種以上のベンゾイミダゾール化合物と上述の1種以上のエポキシド含有化合物とを反応させることにより製造されうる。典型的には、所望の量のベンゾイミダゾールおよびエポキシ含有化合物が反応フラスコに入れられ、次いで、水が添加される。得られる混合物は、約75~95°Cで、4~6時間加熱される。室温でのさらなる6~12時間の攪拌の後で、得られた反応生成物は水で希釈される。この反応生成物はそのまま水溶液において使用されることができ、精製されることができ、または所望の場合には単離されることができる。一般的には、本反応生成物は500~10,000の数平均分子量Mnを有するが、他のMn値を有する反応生成物が使用されてもよい。このような反応生成物は1000~50,000の範囲の重量平均分子量Mw値を有することができるが、他のMw値が使用されてもよい。典型的には、Mwは1000~20,000である。ある実施形態においては、Mwは1500~5000である。別の実施形態においては、Mwは5000~15,000である。典型的には、1種以上のベンゾイミダゾール化合物:1種以上のエポキシド含有化合物の比率は0.1:10~10:0.1である。好ましくは、この比率は0.5:5~5:0.5、より好ましくは0.5:1~1:0.5である。本平滑化剤を製造するために、1種以上のベンゾイミダゾール化合物:1種以上のエポキシド含有化合物の他の好適な比率が使用されても良い。本発明の反応生成物は抑制剤として機能しうる機能性を有することもできることが当業者によって理解されるであろう。このような化合物は二重機能性であることができ、すなわち、それらは平滑化剤としてかつ抑制剤として機能することができる。金属電気めっき浴に使用される反応生成物平滑化剤の量は、選択される具体的な平滑化剤、電気めっき浴中の金属イオンの濃度、使用される具体的な電解質、電解質の濃度および適用される電流密度に応じて決定されるであろう。一般的に、電気めっき浴中の平滑化剤の合計量は、めっき浴の全重量を基準にして、0.01ppm~5000ppmであるが、それより多いもしくはそれより少ない量が使用されても良い。好ましくは、平滑化剤の合計量は0.25~5000ppm、より好ましくは0.25~1000ppm、さらにより好ましくは0.25~100ppmである。本発明の平滑化剤は何らかの好適な分子量多分散度を有することができる。本平滑化剤は様々な分子量多分散度範囲にわたって機能する。本発明の電気めっき浴は典型的には水性である。他に特定されない限りは、成分の全ての濃度は水性系におけるものである。本発明における電気めっき浴として有用な特に好適な組成物は、可溶性銅塩、酸電解質、促進剤、抑制剤、ハライドイオン、並びに平滑化剤として上述した反応生成物を含む。より好ましくは、好適な組成物は、銅金属として10~220g/Lの可溶性銅塩、5~250g/Lの酸電解質、1~50mg/Lの促進剤、1~10,000ppmの抑制剤、10~100ppmのハライドイオン、並びに0.25~5000ppmの平滑化剤として上述した反応生成物を含む。本発明の電気めっき浴は、任意の順に成分を一緒にすることによって製造されうる。銅イオン源、水、電解質、および任意のハライドイオン源のような無機成分が最初に浴容器に入れられ、次いで、平滑化剤、促進剤、抑制剤および何らかの他の有機成分のような有機成分が添加される。本電気めっき浴は場合によっては第二の平滑化剤を含むことができる。この第二の平滑化剤は本発明の別の平滑化剤であることができ、あるいは何らかの従来の平滑化剤であることができる。本平滑化剤と組み合わせて使用されうる好適な従来の平滑化剤には、限定されないが、米国特許第6,610,192号ステップら、第7,128,822号ワンら、第7,374,652号ハヤシらおよび第6,800,188号ハギワラらに開示されたものが挙げられる。平滑化能力、均一電着性およびノジュール低減をはじめとするめっき浴の特徴を調整するために、平滑化剤のこのような組み合わせが使用されうる。本発明のめっき浴は好適な温度、例えば、10~65°C、またはそれより高い温度で使用されうる。好ましくは、めっき浴の温度は10~35°C、さらにより好ましくは15~30°Cである。一般的に、本銅電気めっき浴は使用中に攪拌される。何らかの好適な攪拌方法が本発明について使用されることができ、このような方法は当該技術分野において周知である。好適な攪拌方法には、これに限定されないが、エアスパージング、ワークピース攪拌、および衝突が挙げられる。典型的には、基体を本発明のめっき浴と接触させることにより基体が電気めっきされる。基体は典型的にはカソードとして機能する。めっき浴はアノードを収容し、アノードは可溶性または不溶性であり得る。電位は典型的にはカソードに印加される。基体上に所望の厚みを有する銅層を堆積させるのに、並びにブラインドバイアおよび/またはスルーホールを充填するのに充分な時間にわたって充分な電流密度が適用され、めっきが行われる。好適な電流密度には、これに限定されないが、0.05~10A/dm2の範囲が挙げられるが、より高いおよびより低い電流密度が使用されても良い。具体的な電流密度は、めっきされる基体および選択される平滑化剤に部分的に応じて決定される。このような電流密度の選択は当業者の能力の範囲内のことである。本発明は、様々な基体、特に様々なサイズのアパーチャを有する基体上に銅層を堆積させるために有用である。よって、本発明は、銅でめっきされる基体と、上述の銅めっき浴とを接触させる工程;次いで、基体上に銅層を堆積させるのに充分な時間にわたって電流密度を適用する工程:を含む、基体上に銅層を堆積させる方法を提供する。例えば、本発明は、ブラインドバイアおよびスルーホールを有するプリント回路板上に銅を堆積させるのに特に好適である。本発明に従って、金属堆積物内に空隙を実質的に形成することなく、アパーチャ内に銅が堆積される。空隙を実質的に形成することなくという用語は、めっきされたアパーチャの95超が空隙を含まないことを意味する。めっきされたアパーチャが空隙を含まないことが好ましい。また、銅は、スルーホール内に、および高アスペクト比スルーホール内に、向上した均一電着性、表面分布および熱信頼性を伴って、均一に堆積される。プリント回路板製造に関連して本発明の方法が一般的に記載されたが、本質的に平滑もしくは平坦な銅堆積物および空隙を実質的に含まない充填されたアパーチャが望まれるあらゆる電解プロセスに、本発明が有用であり得ることが認識されるであろう。このようなプロセスには、半導体パッケージングおよび内部接続interconnect製造が挙げられる。本発明の利点は実質的に平滑な銅堆積物がPCB上に得られることである。実質的に平滑な銅層とは、ステップ高さ、すなわち、非常に小さなアパーチャが密になった領域と、アパーチャを有しないかまたは実質的に有しない領域との間の差が、5μm未満であり、好ましくは1μm未満であることを意味する。PCBにおけるスルーホールおよび/またはブラインドバイアは実質的に空隙形成なしに充填される。本発明のさらなる利点は、単一の基体内で広範囲のアパーチャおよびアパーチャサイズが、部分めっきを実質的に抑制することなく充填されうることである。よって、本発明は、プリント回路板におけるブラインドバイアおよび/またはスルーホールを充填するのに特に好適であり、このようなプラインドバイアおよびスルーホールは追加の欠陥を実質的に有しない。追加の欠陥を実質的に有しないとは、平滑化剤が、充填アパーチャにおける空隙のような欠陥の数もしくはサイズを、このような平滑化剤を含まない対照のめっき浴と比較して増大させないことをいう。本発明のさらなる利点は、不均一なサイズのアパーチャを有するPCB上に実質的に平坦な銅層が堆積されうることである。不均一なサイズのアパーチャとは、同じPCBにおける様々なサイズを有するアパーチャをいう。均一電着性は、PCBサンプルの表面においてめっきされた金属の平均厚みに対する、スルーホールの中央においてめっきされた金属の平均厚みの比率として定義され、パーセンテージで報告される。均一電着性が高くなると、めっき浴がより良好にスルーホールを充填できる。本発明の銅めっき浴は70以上、好ましくは75以上、より好ましくは80以上の均一電着性を有する。本発明の銅めっき浴は、従来の銅めっき浴と比較して、銅めっきされた基体上での低減されたノジュール形成も示す。好ましくは、本銅めっき浴は15ノジュール以下/95cm2表面積、より好ましくは、10ノジュール以下/95cm2、さらにより好ましくは8ノジュール以下/95cm2を有する銅堆積物を提供する。さらに、本発明の銅めっき浴は低減されたクラッキングを有する銅堆積物を提供する。好ましくは、本銅めっき浴は10以下のクラッキング、より好ましくは8以下のクラッキング、さらにより好ましくは5以下のクラッキングを示す銅堆積物を提供する。均一電着性、形成されるノジュールの量およびクラッキングパーセンテージは全て実施例5に記載されるように決定される。実施例1凝縮器、温度計を備え、加熱浴中にセットされた丸底反応フラスコに、2-メチルベンゾイミダゾール150mmolおよび94.5mmolの1,4-ブタンジオールジグリシジルエーテルが室温で入れられた。次いで、このフラスコに30mLのDI水が入れられた。最初に形成された白色懸濁物は反応温度が上昇するにつれて徐々に消失し、相分離した混合物になった。この反応混合物を98°Cに設定された油浴を用いて1.5時間加熱した。この反応フラスコに2mLの濃硫酸を添加した後、溶液は淡黄色で透明になった。この混合物はさらに4時間加熱され、さらに8時間室温で攪拌し続けた。得られた白色固体反応生成物に濃硫酸2mLが添加され、容量フラスコに移され、0.5~1硫酸ですすがれ、希釈されて、淡ベージュ色の溶液を形成した。この反応生成物反応生成物3、表1参照溶液はさらに精製することなく使用された。実施例2表1のベンゾイミダゾールが使用されたことを除いて、実施例1が繰り返された。各反応生成物について、ベンゾイミダゾール化合物:エポキシド含有化合物のモル比は1:0.63であった。反応生成物のUV-吸収は、アジレントAgilent8453分光光度計を用いて水中で測定され、そしてλmaxnmは以下の表に報告される。実施例3表2に示されたベンゾイミダゾールおよびエポキシド含有化合物が使用されることを除いて、実施例1が繰り返される。予想される反応生成物におけるベンゾイミダゾール化合物:エポキシド含有化合物のモル比も表2に示される。実施例475g/L銅硫酸銅五水和物として、240g/Lの硫酸、60ppmのクロリドイオン、1~2ppmの促進剤および1.5g/Lの抑制剤を一緒にすることにより様々な銅めっき浴が製造された。促進剤は、スルホン酸基および1000未満の分子量を有するジスルフィド化合物であった。抑制剤は、5,000未満の分子量および末端ヒドロキシル基を有するEO/POコポリマーであった。各めっき浴は、実施例1または2からの反応生成物1~15ppmも含んでいた。実施例5スルーホール0.3mm直径を有する両面FR4PCB5×9.5cmのサンプル厚み3.2mmが、実施例4に従った銅めっき浴を使用して、ハーリングセル内でめっきされた。浴の温度は25°Cであった。2.2A/dm220A/ft2の電流密度がそれぞれの浴に80分間にわたって適用された。銅めっきされたサンプルは分析されて、以下の方法に従って、めっき浴の均一電着性TP、ノジュール形成、およびクラッキングパーセントを決定した。サンプルの分析は、反応生成物1~5のいずれかを使用する銅めっき浴は非常に良好な均一電着性70超を示し、かつ少ない数のノジュールを示したことを示した。例6比較従来の平滑化剤である、表3に示されるような比較反応生成物C-1が実施例1の手順に従って製造された。実施例72ppmの促進剤が使用されたことを除いて、実施例4に従って銅めっき浴が製造された。反応生成物3、4およびC-1の5もしくは10ppmのいずれかが平滑化剤として使用された。スルーホール0.3mm直径を有する両面FR4PCB5×9.5cmのサンプル厚み3.2mmが、この銅めっき浴を使用して、ハーリングセル内でめっきされた。浴の温度は25°Cであった。2.2A/dm220A/ft2の電流密度がそれぞれの浴に80分間にわたって適用された。銅めっきされたサンプルは分析されて、以下の方法に従って、めっき浴の均一電着性TP、ノジュール形成、およびクラッキングパーセントを決定した。データは表4に報告される。均一電着性は、PCBサンプルの表面におけるめっきされた金属の平均厚みに対する、スルーホールの中央にめっきされた金属の平均厚みの比率を決定することによって計算され、パーセンテージとして表4に報告される。ノジュール形成は、目視検査により、およびレディントン触覚試験ReddingtonTactileTest;RTTを用いることにより決定された。目視検査はノジュールの存在を示し、一方で、ノジュールの数を決定するためにRTTが使用された。RTTは人の指を使用して、めっきされた表面の所定の領域のノジュールの数を感じ取り、この所定の領域は、この実施例においては、PCBサンプルの両面であった合計面積95cm2。産業界の標準的手順であるIPC-TM-650-2.6.8熱応力、めっきされたスルーホールThermalStress,Plated-ThroughHolesIPC米国、イリノイ州、ノースブルックにより出版、2004年5月、改訂Eに従って、クラッキングの量表4においてパーセンテージとして報告されるが決定された。これらのデータから、置換ベンゾイミダゾールを含む本反応生成物は、平滑化剤として使用される従来の反応生成物と比較して、非常に良好な均一電着性を有する銅めっき浴を提供し、かつノジュール形成が低減されると共にクラッキングが低減された銅堆積物を提供することが認められうる。"