"露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分Aを含有するEUV用又はEB用レジスト組成物であって、前記基材成分Aは、下記の一般式a5-0-1又は一般式a5-0-2で表される基を含む構成単位a5と、下記一般式a6-1で表される構成単位a6とを有する樹脂成分A1を含有し、前記構成単位a5を誘導するモノマー量が、該構成単位a5を有する重合体に対して100ppm質量基準以下であることを特徴とするEUV用又はEB用レジスト組成物。[式中、Q1、Q2及びQ3はそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基である。R3、R4及びR5はそれぞれ独立に有機基であり、R4とR5とは相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。ただし、式中の基-R3-SR4R5は全体で芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。V-は対アニオンである。A-はアニオンを含む有機基である。Mmはm価の有機カチオンであり、mは1~3の整数である。ただし、Mmは芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。P3は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。]前記樹脂成分A1が、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位a1を有する、請求項1記載のEUV用又はEB用レジスト組成物。前記Mmが、芳香環を有さない有機カチオンである、請求項1又は2記載のEUV用又はEB用レジスト組成物。支持体上に、請求項1~3のいずれか一項に記載のEUV用又はEB用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜をEUV又はEBにより露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。近年、ArFエキシマレーザーより短波長高エネルギーのEUV極紫外線や、EB電子線、X線などについても検討が行われている。EUVリソグラフィーやEBリソグラフィーに用いられるレジスト材料には、EUVやEBに対する感度、ターゲットとする微細なレジストパターンを形成できる解像性等のリソグラフィー特性、良好なレジストパターン形状が求められる。現在、EUVリソグラフィーやEBリソグラフィーにおいて、レジスト材料としては、リソグラフィー特性に優れることから、これまでKrFエキシマレーザー用、ArFエキシマレーザー用等として提案されている化学増幅型レジスト組成物が一般的に用いられている。しかし、KrFエキシマレーザー用、ArFエキシマレーザー用等として提案されている化学増幅型レジスト組成物をEUVリソグラフィーやEBリソグラフィーに用いた場合、形成されるレジストパターンの形状が不良となる問題がある。たとえばEUVリソグラフィーにおいては、EUV露光装置の光源から発生する光に含まれている、EUV領域以外の波長の光、いわゆるOoBOutofBand光が問題となっている。OoB光は、同時に発生するフレアFlareとともにレジスト膜の未露光部に入射してつまり、EUV光照射時の露光領域の選択性を失わせ、未露光部においても、酸発生剤成分が分解して酸を発生してしまうため、レジストパターンのコントラストの低下、膜減り、ラフネスパターンの上面や側壁の表面荒れ等を引き起こしてしまう。ラフネスは、レジストパターンの形状不良の原因となる。たとえばパターン側壁表面のラフネスは、ラインアンドスペースパターンにおけるライン幅の不均一、ホールパターンにおけるホール周囲の歪み等に代表される形状不良の原因となる。このOoB光による形状不良の問題は、特に、ArFエキシマレーザー光等のDUV領域の波長の光を用いて露光を行うリソグラフィープロセス用の化学増幅型レジスト組成物を用いた場合に顕著に見られる傾向がある。つまり、該化学増幅型レジスト組成物は、一般的に、DUV領域の波長の光が照射されると酸が発生し、現像液に対する溶解性が変化する。OoB光は、13.5nm前後のEUV、150~300nmのDUV、赤外領域の波長の光などを含んでおり、従来汎用されているオニウム塩系の酸発生剤は、DUV領域の波長の光を吸収して酸を発生しやすい。そのため、EUV露光時に本来未露光部となる部分も感光して解像性の低下、ラフネスの悪化、形状劣化等が引き起こされ、デバイス性能に悪影響を及ぼすおそれがある。EBリソグラフィーにおいても、加速電圧等の電子線照射条件によっては電子がレジスト膜表面で拡散散乱し、上記EUVリソグラフィーにおけるOoB光と同様の問題フォワードスキャッタ、バックスキャッタ等を生じることがある。レジストパターンの形状不良は、微細な半導体素子の形成等に悪影響を与えるおそれがある。そのため、EUVリソグラフィーやEBリソグラフィーに用いられるレジスト材料には、リソグラフィー特性の向上とともに、パターン形状の向上が求められる。また、高解像性等を図るため、EUVリソグラフィーやEBリソグラフィープロセスに、特許文献3に記載の樹脂露光により酸を発生する酸発生基を有する樹脂を含有する化学増幅型レジストを用いた場合には、低感度化を招くおそれもある。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、EUV用又はEB用として有用なレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法を提供することを課題とする。上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。すなわち、本発明の第一の態様は、露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分Aを含有するEUV用又はEB用レジスト組成物であって、前記基材成分Aは、下記の一般式a5-0-1又は一般式a5-0-2で表される基を含む構成単位a5と、下記一般式a6-1で表される構成単位a6とを有する樹脂成分A1を含有し、前記構成単位a5を誘導するモノマー量が、該構成単位a5を有する重合体に対して100ppm質量基準以下であることを特徴とするEUV用又はEB用レジスト組成物である。[式中、Q1、Q2及びQ3はそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基である。R3、R4及びR5はそれぞれ独立に有機基であり、R4とR5とは相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。ただし、式中の基-R3-SR4R5は全体で芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。V-は対アニオンである。A-はアニオンを含む有機基である。Mmはm価の有機カチオンであり、mは1~3の整数である。ただし、Mmは芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。P3は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。]また、本発明の第二の態様は、支持体上に、前記第一の態様のEUV用又はEB用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜をEUV又はEBにより露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法である。本明細書及び本特許請求の範囲において、EUV用又はEB用とは、当該レジスト組成物を用いたレジストパターンの形成が、露光光源放射線源としてEUV極紫外線又はEB電子線を用いて行われるものであることを示す。露光は、放射線の照射全般を含む概念とする。脂肪族とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。アルキル基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。アルキレン基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。ハロゲン化アルキル基は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、ハロゲン化アルキレン基は、アルキレン基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。フッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基である。フッ素化アルキレン基は、アルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基である。ヒドロキシアルキル基は、アルキル基の水素原子の一部又は全部が水酸基で置換された基である。構成単位とは、高分子化合物樹脂、重合体、共重合体を構成するモノマー単位単量体単位を意味する。本発明によれば、EUV用又はEB用として有用なレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供できる。≪EUV用又はEB用レジスト組成物≫本発明の第一の態様のレジスト組成物は、露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分A以下A成分ともいう。を含有するEUV用又はEB用レジスト組成物である。本態様のレジスト組成物は、A成分を含有するため、露光により現像液に対する溶解性が変化する性質を有している。該レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対して選択的露光を行うと、露光部にてA成分から酸が発生し、該酸がA成分の現像液に対する溶解性を変化させる。その結果、露光部の現像液に対する溶解性が変化する一方で、未露光部は現像液に対する溶解性が変化しないため、該レジスト膜を現像すると、当該レジスト組成物がポジ型の場合は露光部が溶解除去されてポジ型のレジストパターンが形成され、当該レジスト組成物がネガ型の場合は未露光部が溶解除去されてネガ型のレジストパターンが形成される。本明細書においては、露光部が溶解除去されてポジ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をポジ型レジスト組成物といい、未露光部が溶解除去されるネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をネガ型レジスト組成物という。本態様のレジスト組成物は、ポジ型レジスト組成物であってもよく、ネガ型レジスト組成物であってもよい。また、本態様のレジスト組成物は、レジストパターン形成時の現像処理にアルカリ現像液を用いるアルカリ現像プロセス用であってもよく、該現像処理に有機溶剤を含む現像液有機系現像液を用いる溶剤現像プロセス用であってもよい。好適には、アルカリ現像プロセスにてポジ型レジストパターンを形成するために用いられるものであり、この場合、A成分としては、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大するものが用いられる。<A成分>本態様のレジスト組成物に用いられるA成分は、露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分であって、後述の構成単位a5と構成単位a6とを有する樹脂成分A1以下A1成分ともいう。を含有する。ここで基材成分とは、膜形成能を有する有機化合物であり、好ましくは分子量が500以上の有機化合物が用いられる。該有機化合物の分子量が500以上であることにより、膜形成能が向上し、また、ナノレベルのレジストパターンを形成しやすい。前記基材成分として用いられる分子量が500以上の有機化合物は、非重合体と重合体とに大別される。非重合体としては、通常、分子量が500以上4000未満のものが用いられる。以下、分子量が500以上4000未満の非重合体を低分子化合物という。重合体としては、通常、分子量が1000以上のものが用いられる。以下、分子量が1000以上の重合体を高分子化合物という。高分子化合物の場合、分子量としてはGPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算の質量平均分子量を用いるものとする。以下、高分子化合物を単に樹脂ということがある。[A1成分]A1成分は、構成単位a5と構成単位a6とを有する樹脂成分である。A1成分としては、構成単位a5を有する重合体及び構成単位a6を有する重合体の両方を含有するもの、構成単位a5と構成単位a6とを有する共重合体を含有するもの、該共重合体と構成単位a5を有する重合体とを含有するもの、該共重合体と構成単位a6を有する重合体とを含有するもの、該共重合体と構成単位a5を有する重合体と構成単位a6を有する重合体とを含有するものが挙げられる。本発明において、A1成分としては、構成単位a5を有する重合体及び構成単位a6を有する重合体の両方を含有するもの、又は、構成単位a5と構成単位a6とを有する共重合体を含有するものが好ましい。A1成分は、酸の作用により現像液に対する溶解性が増大するものであってもよく、酸の作用により現像液に対する溶解性が減少するものであってもよい。A1成分は、露光により酸を発生する部位酸発生部位を、少なくとも構成単位a5中に有する。本態様のレジスト組成物が、アルカリ現像プロセスにおいてネガ型レジストパターンを形成するまたは溶剤現像プロセスにおいてポジ型レジストパターンを形成するレジスト組成物である場合、A1成分としては、好ましくは、露光により酸を発生し、且つ、アルカリ現像液に可溶性の樹脂成分以下A1-2成分ともいう。が用いられ、さらに、架橋剤成分が配合される。かかるレジスト組成物は、露光により、A1-2成分中の酸発生部位少なくとも構成単位a5から酸が発生すると、当該酸が作用してA1-2成分と架橋剤成分との間で架橋が起こり、その結果、アルカリ現像液に対する溶解性が減少有機系現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜を選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性有機系現像液に対して可溶性へ転じる一方で、未露光部はアルカリ現像液に対して可溶性有機系現像液に対して難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像液で現像することによりネガ型レジストパターンが形成できる。また、このとき現像液として有機系現像液を用いると、ポジ型のレジストパターンが形成できる。A1-2成分としては、たとえば、アルカリ現像液に対して可溶性の樹脂以下アルカリ可溶性樹脂という。として公知の、構成単位a6を有する樹脂に、露光により酸を発生する酸発生部位少なくとも、後述の一般式a5-0-1又は一般式a5-0-2で表される基を導入したものが挙げられる。酸発生部位としては、後述の一般式a5-0-1又は一般式a5-0-2で表される基を少なくとも含み、加えて、レジスト組成物用の酸発生剤として公知の化合物が有する酸発生部位と同様の構造のものが適用できる。アルカリ可溶性樹脂への酸発生部位の導入位置は、側鎖部分、又は、側鎖部分に加えて主鎖末端でもよい。酸発生部位の主鎖末端への導入は、たとえばアルカリ可溶性樹脂を製造する際の重合開始剤として、酸発生部位を有する重合開始剤を用いることにより実施できる。側鎖部分への導入は、アルカリ可溶性樹脂を製造する際に、アルカリ可溶性基を有する単量体たとえば後述の構成単位a6を誘導するモノマー又はその前駆体たとえばアルカリ可溶性基-OHを保護基で保護したものとともに、酸発生部位を有する単量体後述の構成単位a5を誘導するモノマーを重合させることにより実施できる。架橋剤成分としては、たとえば、通常は、メチロール基またはアルコキシメチル基を有するグリコールウリルなどのアミノ系架橋剤、メラミン系架橋剤などを用いると、膨潤の少ない良好なレジストパターンが形成でき、好ましい。架橋剤成分の配合量は、アルカリ可溶性樹脂100質量部に対し、1~50質量部であることが好ましい。本態様のレジスト組成物が、アルカリ現像プロセスにおいてポジ型レジストパターンを形成するまたは溶剤現像プロセスにおいてネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物である場合、A1成分としては、好ましくは、露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により極性が増大する樹脂成分以下A1-1成分ともいう。が用いられる。A1-1成分は露光前後で極性が変化するため、A1-1成分を用いることにより、アルカリ現像プロセスだけでなく、溶剤現像プロセスにおいても良好な現像コントラストを得ることができる。つまり、アルカリ現像プロセスを適用する場合、A1-1成分は、露光前はアルカリ現像液に対して難溶性であり、露光により、A1-1成分中の酸発生部位少なくとも構成単位a5から酸が発生すると、該酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性から可溶性へ転じる一方で、未露光部はアルカリ難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像することによりポジ型レジストパターンが形成できる。一方、溶剤現像プロセスを適用する場合、A1-1成分は、露光前は有機系現像液に対して溶解性が高く、露光により、A1-1成分中の酸発生部位少なくとも構成単位a5から酸が発生すると、該酸の作用により極性が高くなって有機系現像液に対する溶解性が減少する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部は有機系現像液に対して可溶性から難溶性へ転じる一方で、未露光部は可溶性のまま変化しないため、有機系現像液で現像することにより、露光部と未露光部との間でコントラストをつけることができ、ネガ型レジストパターンが形成できる。構成単位a5構成単位a5は、下記の一般式a5-0-1又は一般式a5-0-2で表される基を含む構成単位a5である。[式中、Q1及びQ2はそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基である。R3、R4及びR5はそれぞれ独立に有機基であり、R4とR5とは相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。ただし、式中の基-R3-SR4R5は全体で芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。V-は対アニオンである。A-はアニオンを含む有機基である。Mmはm価の有機カチオンであり、mは1~3の整数である。ただし、Mmは芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。]式a5-0-1で表される基を有する構成単位式a5-0-1中、Q1は、単結合又は2価の連結基である。Q1の2価の連結基としては、特に限定されないが、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基等が好適なものとして挙げられる。置換基を有していてもよい2価の炭化水素基Q1における2価の連結基としての炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。該脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1~10であることが好ましく、1~8がより好ましく、1~5がさらに好ましい。直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[-CH2-]、エチレン基[-CH22-]、トリメチレン基[-CH23-]、テトラメチレン基[-CH24-]、ペンタメチレン基[-CH25-]等が挙げられる。分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、-CHCH3-、-CHCH2CH3-、-CCH32-、-CCH3CH2CH3-、-CCH3CH2CH2CH3-、-CCH2CH32-等のアルキルメチレン基;-CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CHCH2CH3CH2-、-CCH2CH32-CH2-等のアルキルエチレン基;-CHCH3CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2-等のアルキルトリメチレン基;-CHCH3CH2CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2CH2-等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましい。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、水素原子を置換する置換基水素原子以外の基または原子を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、オキソ基=O等が挙げられる。前記構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含んでもよい環状の脂肪族炭化水素基脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基:脂環式炭化水素基、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。環状の脂肪族炭化水素基脂環式炭化水素基は、炭素数が3~20であることが好ましく、3~12であることがより好ましい。環状の脂肪族炭化水素基脂環式炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。環状の脂肪族炭化水素基脂環式炭化水素基は、水素原子を置換する置換基水素原子以外の基または原子を有していてもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、オキソ基=O等が挙げられる。前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。環状の脂肪族炭化水素基は、その環構造を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されてもよい。該ヘテロ原子を含む置換基としては、-O-、-C=O-O-、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-が好ましい。2価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも1つ有する2価の炭化水素基であり、置換基を有していてもよい。芳香環は、4n2ここでのnは0と自然数を示す個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は5~30であることが好ましく、5~20がより好ましく、6~15がさらに好ましく、6~12が特に好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。2価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を2つ除いた基アリーレン基またはヘテロアリーレン基;2以上の芳香環を含む芳香族化合物たとえばビフェニル、フルオレン等から水素原子を2つ除いた基;前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を1つ除いた基アリール基またはヘテロアリール基の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに1つ除いた基等が挙げられる。前記アリール基またはヘテロアリール基に結合するアルキレン基の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。前記芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、オキソ基=O等が挙げられる。前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。ヘテロ原子を含む2価の連結基Q1におけるヘテロ原子を含む2価の連結基のヘテロ原子とは、炭素原子および水素原子以外の原子であり、たとえば酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子、ケイ素原子等が挙げられる。ヘテロ原子を含む2価の連結基として、具体的には、-O-、-C=O-、-C=O-O-、-O-C=O-O-、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-、-NH-、-NH-C=O-、-NH-C=NH-、=N-、-SiH2-O-等の非炭化水素系連結基、これらの非炭化水素系連結基の少なくとも1種と2価の炭化水素基との組み合わせ等が挙げられる。該2価の炭化水素基としては、上述した置換基を有していてもよい2価の炭化水素基と同様のものが挙げられ、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましい。上記のうち、-C=O-NH-中の-NH-、-NH-、-NH-C=NH-、-SiH2-O-中のHは、それぞれ、アルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。該置換基の炭素数としては1~10であることが好ましく、炭素数1~8であることがさらに好ましく、炭素数1~5であることが特に好ましい。また、非炭化水素系連結基と2価の炭化水素基との組み合わせである2価の連結基としては、たとえば、-Y21-O-Y22-、-[Y21-C=O-O]m’-Y22-、-Y21-O-C=O-Y22-ただし、Y21およびY22はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい2価の炭化水素基であり、Oは酸素原子であり、m’は0~3の整数である。、-[Y23-O]n’-ただし、Y23はアルキレン基であり、Oは酸素原子であり、n’は1以上の整数である。等が挙げられる。上記-Y21-O-Y22-、-[Y21-C=O-O]m’-Y22-または-Y21-O-C=O-Y22-において、Y21およびY22は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。該2価の炭化水素基としては、前記置換基を有していてもよい2価の炭化水素基として挙げたものと同様のものが挙げられる。Y21としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数1~5の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。Y22としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数1~3の直鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。-[Y21-C=O-O]m’-Y22-において、m’は0~3の整数であり、0~2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、1が特に好ましい。つまり、-[Y21-C=O-O]m’-Y22-としては、-Y21-C=O-O-Y22-が特に好ましい。なかでも、-CH2a’-C=O-O-CH2b’-が好ましい。該式中、a’は、1~10の整数であり、1~8の整数が好ましく、1~5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。b’は、1~10の整数であり、1~8の整数が好ましく、1~5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。上記-[Y23-O]n’-におけるY23のアルキレン基は、炭素数1~4のアルキレン基が好ましい。なかでも、Q1の2価の連結基としては、単結合、又はエステル結合[-C=O-O-]、エーテル結合-O-、アルキレン基若しくはこれらの組合せであることが好ましい。式a5-0-1中、R3、R4及びR5は、それぞれ独立に有機基であり、R4とR5とは相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。R3~R5の有機基は、炭素原子を含む基であり、炭素原子以外の原子たとえば水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子等等を有していてもよい。該有機基としては、たとえば、水素原子の一部または全部が置換基で置換されていてもよく、炭素原子間に連結基が挿入されていてもよい炭化水素基が挙げられる。連結基としては、前記ヘテロ原子を含む2価の連結基と同様のものが挙げられる。該有機基は、芳香族基を有しても有していなくてもよい。ただし、式中の基-R3-SR4R5は、全体で芳香環を1個のみ有するか、又は芳香環を有さない。つまり、R4とR5とが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していない場合は、R3、R4及びR5のうちの1つのみが1個の芳香環を有する有機基であり、他の2つが芳香環を有さない有機基であるか、またはR3、R4及びR5の全てが芳香環を有さない有機基である。R4とR5とが相互に結合して式中のイオウ原子と共に1つの芳香環を形成している場合は、R3は芳香環を有さない有機基である。R4とR5とが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成している場合であって該環が脂肪族環芳香族性を有さない環である場合は、R3は、1個の芳香環を有する有機基であるか、または芳香環を有さない有機基である。R4とR5とが相互に結合して式中のイオウ原子と共に形成する環が、2以上の芳香環を含む環である場合は、当該構成単位は構成単位a5には該当しない。芳香環は、DUV波長のOoB光を吸収する。Sおよびこれに直接結合するR3、R4及びR5から構成される基-R3-SR4R5全体のなかでの芳香環の数を1以下とすることで、OoB光の影響を抑制できる。この効果がより高まることから、なかでも、基-R3-SR4R5は全体で芳香環を有さないことが特に好ましい。芳香環は、4n2ここでのnは0と自然数を示す個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、前記2価の炭化水素基の説明で挙げた芳香環と同様のものが挙げられる。具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。芳香環には置換基が結合していてもよい。該置換基としては、前記2価の炭化水素基の説明で、芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。式a5-0-1中、R3の有機基としては、置換基を有していてもよいアルキレン基、または置換基を有していてもよいアリーレン基が好ましい。R3における置換基を有していてもよいアルキレン基としては、たとえば、無置換のアルキレン基、該無置換のアルキレン基の水素原子の一部または全部が置換基で置換された置換アルキレン基等が挙げられる。無置換のアルキレン基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。解像性に優れる点から、炭素数1~10のアルキレン基が好ましく、炭素数1~5のアルキレン基がより好ましい。具体的には、メチレン基、エチレン基、n-プロピレン基、イソプロピレン基、n-ブチレン基、イソブチレン基、n-ペンチレン基、シクロペンチレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基、ノニレン基、デシレン基等が挙げられる。置換アルキレン基が有する置換基としては、ハロゲン原子、オキソ基=O、シアノ基、アルキル基、アルコキシアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、-C=O-O-R7、-O-C=O-R8、-O-R9、アリール基等が挙げられる。R7、R8、R9はそれぞれ独立に、水素原子又は炭化水素基である。これらのうち、置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記置換アルキレン基における置換基としてのアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれかであってもよい。その炭素数は1~30が好ましい。それらのうち、直鎖状のアルキル基は、炭素数が1~20であることが好ましく、1~15であることがより好ましく、1~10が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が3~20であることが好ましく、3~15であることがより好ましく、3~10が最も好ましい。具体的には、例えば、1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基などが挙げられる。環状のアルキル基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。その炭素数は3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~12が最も好ましい。具体的には、たとえば、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。環状のアルキル基としては、多環式が好ましく、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、アダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が最も好ましい。前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記置換アルキレン基における置換基としてのアルコキシアルキルオキシ基としては、たとえば、一般式:-O-CR47R48-O-R49[式中、R47、R48はそれぞれ独立して水素原子または直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基であり、R49はアルキル基である。]で表される基が挙げられる。R47、R48において、アルキル基の炭素数は好ましくは1~5であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。R47、R48は、少なくとも一方が水素原子であることが好ましい。特に、一方が水素原子であり、他方が水素原子またはメチル基であることがより好ましい。R49のアルキル基としては、好ましくは炭素数が1~15であり、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。R49における直鎖状または分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数が1~5であることが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基などが挙げられる。R49における環状のアルキル基としては、炭素数4~15であることが好ましく、炭素数4~12であることがさらに好ましく、炭素数5~10が最も好ましい。具体的には炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。モノシクロアルカンとしては、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。前記置換アルキレン基における置換基としてのアルコキシカルボニルアルキルオキシ基としては、たとえば、一般式:-O-R50-C=O-O-R56[式中、R50は直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基であり、R56は第3級アルキル基である。]で表される基が挙げられる。R50における直鎖状、分岐鎖状のアルキレン基としては、炭素数が1~5であることが好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、1,1-ジメチルエチレン基などが挙げられる。R56における第3級アルキル基としては、2-メチル-2-アダマンチル基、2-2-プロピル-2-アダマンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基、1-メチル-1-シクロペンチル基、1-エチル-1-シクロペンチル基、1-メチル-1-シクロヘキシル基、1-エチル-1-シクロヘキシル基、1-1-アダマンチル-1-メチルエチル基、1-1-アダマンチル-1-メチルプロピル基、1-1-アダマンチル-1-メチルブチル基、1-1-アダマンチル-1-メチルペンチル基;1-1-シクロペンチル-1-メチルエチル基、1-1-シクロペンチル-1-メチルプロピル基、1-1-シクロペンチル-1-メチルブチル基、1-1-シクロペンチル-1-メチルペンチル基;1-1-シクロヘキシル-1-メチルエチル基、1-1-シクロヘキシル-1-メチルプロピル基、1-1-シクロヘキシル-1-メチルブチル基、1-1-シクロヘキシル-1-メチルペンチル基、tert-ブチル基、tert-ペンチル基、tert-ヘキシル基などが挙げられる。さらに、前記一般式:-O-R50-C=O-O-R56におけるR56を、R56’で置き換えた基も挙げられる。R56’は、水素原子、アルキル基、フッ素化アルキル基、又はヘテロ原子を含んでいてもよい脂肪族環式基である。R56’におけるアルキル基は、前記R49のアルキル基と同様のものが挙げられる。R56’におけるフッ素化アルキル基は、前記R49のアルキル基中の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。R56’における、ヘテロ原子を含んでいてもよい脂肪族環式基としては、ヘテロ原子を含まない脂肪族環式基、環構造中にヘテロ原子を含む脂肪族環式基、脂肪族環式基中の水素原子がヘテロ原子に置換されたもの等が挙げられる。R56’について、ヘテロ原子を含まない脂肪族環式基としては、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。モノシクロアルカンとしては、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。R56’について、環構造中にヘテロ原子を含む脂肪族環式基として具体的には、後述の式L1~L5、S1~S4でそれぞれ表される基等が挙げられる。R56’について、脂肪族環式基中の水素原子がヘテロ原子に置換されたものとして具体的には、脂肪族環式基中の水素原子がオキソ基=Oに置換されたもの等が挙げられる。R56’について、脂肪族環式基中の水素原子がヘテロ原子に置換されたものとして具体的には、脂肪族環式基中の水素原子がオキソ基=Oに置換されたもの等が挙げられる。-C=O-O-R7におけるR7は、水素原子または炭化水素基である。R7における炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、飽和炭化水素基、脂肪族不飽和炭化水素基のいずれであってもよい。R7における飽和炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、それらの組み合わせであってもよい。直鎖状若しくは分岐鎖状の飽和炭化水素基の炭素数は1~25が好ましく、1~15がより好ましく、4~10がさらに好ましい。直鎖状の飽和炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基などが挙げられる。分岐鎖状の飽和炭化水素基としては、例えば、前記R56の説明で挙げた第3級アルキル基が挙げられる。また、第3級アルキル基以外の分岐鎖状の飽和炭化水素基として、例えば、1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。該置換基としては、たとえばアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、オキソ基=O、シアノ基、カルボキシ基等が挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。R7における環状の飽和炭化水素基の炭素数は、3~20が好ましい。環状の飽和炭化水素基は、多環式基、単環式基のいずれでもよく、例えば、モノシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基などが挙げられる。該環状の飽和炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該環状のアルキル基が有する環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、当該環状のアルキル基が有する環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。前者の例としては、前記モノシクロアルカンまたはポリシクロアルカンの環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換された複素シクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。また、前記環の構造中にエステル結合-C=O-O-を有していてもよい。具体的には、γ-ブチロラクトンから水素原子1つを除いた基等のラクトン含有単環式基や、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子一つを除いた基等のラクトン含有多環式基等が挙げられる。後者の例における置換基としては、上述した直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が有してもよい置換基として挙げたものと同様のもの、炭素数1~5のアルキル基等が挙げられる。R7における飽和炭化水素基は、直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基と、環状の飽和炭化水素基との組み合わせであってもよい。直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基と環状の飽和炭化水素基との組合せとしては、直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基に置換基として環状の飽和炭化水素基が結合した基例えば1-1-アダマンチルメチル基、環状の飽和炭化水素基に置換基として直鎖状または分岐鎖状の飽和炭化水素基が結合した基等が挙げられる。R7における脂肪族不飽和炭化水素基は、直鎖状または分岐鎖状が好ましい。直鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基アリル基、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基としては、例えば、1-メチルプロペニル基、2-メチルプロペニル基などが挙げられる。これら直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族不飽和炭化水素基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、前記直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。R7における芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも1つ有する1価の炭化水素基であり、置換基を有していてもよい。芳香環は、4n2ここでのnは0と自然数を示す個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は5~30であることが好ましく、5~20がより好ましく、6~15がさらに好ましく、6~12が特に好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環;等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を1つ除いた基アリール基またはヘテロアリール基;前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基や、ヘテロアリールアルキル基等が挙げられる。前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子を置換するアルキレン基の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。前記芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。ただし本発明においては、基-R3-SR4R5の全体での芳香環を1個以下とするため、置換アルキレン基における置換基が-C=O-O-R7であり、R7が芳香族炭化水素基である場合、該芳香族炭化水素基が有する置換基は、非芳香族の置換基である。非芳香族は、芳香族性を有さないことを示す。非芳香族の置換基としては、構造中に芳香族基芳香族炭化水素基等を含まないものであればよく、たとえばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、オキソ基=O等が挙げられる。前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。R7としては、上記のなかでも、リソグラフィー特性、レジストパターン形状が良好であることから、水素原子、飽和炭化水素基または脂肪族不飽和炭化水素基が好ましく、水素原子、炭素数1~15の直鎖状若しくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、または炭素数3~20の環状の飽和炭化水素基がより好ましい。-O-C=O-R8におけるR8は、水素原子または炭化水素基である。R8としては、前記R7と同様のものが挙げられる。それらのなかでも、リソグラフィー特性、レジストパターン形状が良好であることから、水素原子、飽和炭化水素基又は脂肪族不飽和炭化水素基が好ましく、水素原子、炭素数1~15の直鎖状若しくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、又は炭素数3~20の環状の飽和炭化水素基がより好ましい。-O-R9におけるR9は、水素原子または炭化水素基である。R9としては、前記R7と同様のものが挙げられる。それらのなかでも、リソグラフィー特性、レジストパターン形状が良好であることから、水素原子、飽和炭化水素基又は脂肪族不飽和炭化水素基が好ましく、水素原子、炭素数1~15の直鎖状若しくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、または炭素数3~20の環状の飽和炭化水素基がより好ましい。前記非芳香族の置換基としての-O-R9としては、水酸基、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基であることが最も好ましい。前記置換アルキレン基における置換基としてのアリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数6~10のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ナフチル基が挙げられる。ただし本発明においては、基-R3-SR4R5の全体での芳香環を1個以下とするため、R3が置換アルキレン基であり、該置換アルキレン基が置換基としてアリール基を有する場合、該置換基として有し得るアリール基の数は1個である。前記置換基としてのアリール基は置換基を有していてもよい。ただし本発明においては、基-R3-SR4R5の全体での芳香環を1個以下とするため、置換基としてのアリール基が有する置換基は非芳香族の置換基である。非芳香族の置換基としては、構造中に芳香族基芳香族炭化水素基等を含まないものであればよく、たとえば前記R7における芳香族炭化水素基が有していてもよい非芳香族の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。式a5-0-1中、R3における置換基を有していてもよいアリーレン基としては、炭素数6~20の無置換のアリーレン基;該無置換のアリーレン基の水素原子の一部または全部が置換基で置換された置換アリーレン基等が挙げられる。無置換のアリーレン基としては、安価に合成可能なことから、炭素数6~10のアリーレン基が好ましい。具体的には、たとえばフェニレン基、ナフチレン基が挙げられる。置換アリーレン基における置換基としては、前記置換アルキレン基における置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。ただし本発明においては、R3、R4及びR5全体での芳香族環を1個以下とするため、R3が置換アリーレン基である場合、該置換アリーレン基が有する置換基は非芳香族の置換基である。該非芳香族の置換基としては、構造中に芳香族基芳香族炭化水素基等を含まないものであればよい。具体的には、前記置換アルキレン基における置換基として挙げたもののうち、ハロゲン原子、オキソ基=O、シアノ基、アルキル基、アルコキシアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、-C=O-O-R7、-O-C=O-R8、-O-R9ただしR7、R8、R9がそれぞれ独立に、水素原子、飽和炭化水素基または脂肪族不飽和炭化水素基であるもの等が挙げられる。式a5-0-1中、R4~R5の有機基としては、特に限定されるものではないが、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基等が挙げられる。これらの中でも、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいアルキル基が好ましく、置換基を有していてもよいアルキル基がより好ましい。置換基を有していてもよいアリール基としては、炭素数6~20の無置換のアリール基;該無置換のアリール基の水素原子の一部または全部が置換基で置換された置換アリール基等が挙げられる。無置換のアリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数6~10のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ナフチル基が挙げられる。置換アリール基における置換基としては、非芳香族の置換基が挙げられる。該非芳香族の置換基としては、前記置換アリーレン基が有していてもよい置換基として挙げた非芳香族の置換基と同様のものが挙げられる。R4~R5におけるアルキル基としては、たとえば、無置換のアルキル基、該無置換のアルキル基の水素原子の一部または全部が置換基で置換された置換アルキル基等が挙げられる。無置換のアルキル基としては、解像性に優れる点から、炭素数1~5のアルキル基が好無置換のアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。解像性に優れる点から、炭素数1~10のアルキル基が好ましく、炭素数1~5のアルキル基がより好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、n-ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。置換アルキル基における置換基としては、R3における置換アルキレン基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。R4、R5におけるアルケニル基としては、たとえば、無置換のアルケニル基、該無置換のアルケニル基の水素原子の一部または全部が置換基で置換された置換アルケニル基等が挙げられる。無置換のアルケニル基は、直鎖状または分岐鎖状が好ましく、炭素数は2~10であることが好ましく、2~5がより好ましく、2~4がさらに好ましい。具体的には、ビニル基、プロペニル基アリル基、ブチニル基、1-メチルプロペニル基、2-メチルプロペニル基などが挙げられる。置換アルケニル基における置換基としては、R3における置換アルキレン基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。式a5-0-1中、R4とR5とは相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。該環は、飽和であってもよく、不飽和であってもよい。また、該環は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。たとえば環を形成するR4、R5のうちの一方または両方が環式基環状のアルキル基またはアリール基である場合、それらが結合すると、多環式の環縮合環が形成される。形成される環としては、式中のイオウ原子をその環骨格に含む1つの環が、イオウ原子を含めて、3~10員環であることが好ましく、5~7員環であることが特に好ましい。該環は、環骨格を構成する原子として、R4及びR5が結合した硫黄原子以外の他のヘテロ原子を有していてもよい。該ヘテロ原子としては、たとえば、硫黄原子、酸素原子、窒素原子等が挙げられる。形成される環の具体例としては、例えばチオフェン環、チアゾール環、ベンゾチオフェン環、テトラヒドロチオフェニウム環、テトラヒドロチオピラニウム環等が挙げられる。式a5-0-1中、V-は対アニオンである。V-の対アニオンとしては、特に限定されるものではなく、たとえばオニウム塩系酸発生剤のアニオン部として従来知られているものを適宜用いることができる。V-としては、たとえば、一般式R4SO3-R4は、置換基を有していてもよい直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、又はアルケニル基を表す。で表されるアニオンが挙げられる。前記一般式R4SO3-において、R4は、置換基を有していてもよい直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、又はアルケニル基を表す。前記R4としての直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基は、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~8であることがさらに好ましく、炭素数1~4であることが最も好ましい。前記R4としての環状のアルキル基は、炭素数4~15であることが好ましく、炭素数4~10であることがさらに好ましく、炭素数6~10であることが最も好ましい。R4がアルキル基の場合のR4SO3-としては、例えば、メタンスルホネート、n-プロパンスルホネート、n-ブタンスルホネート、n-オクタンスルホネート、1-アダマンタンスルホネート、2-ノルボルナンスルホネート、d-カンファー-10-スルホネート等のアルキルスルホネートが挙げられる。前記R4としてのハロゲン化アルキル基は、アルキル基中の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換されたものであり、該アルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、なかでも直鎖状または分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基、tert-ペンチル基、又はイソペンチル基であることがさらに好ましい。そして、水素原子が置換されるハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。ハロゲン化アルキル基において、アルキル基ハロゲン化前のアルキル基の水素原子の全個数の50~100がハロゲン原子で置換されていることが好ましく、水素原子の全てがハロゲン原子で置換されていることがより好ましい。ここで、該ハロゲン化アルキル基としては、フッ素化アルキル基が好ましい。フッ素化アルキル基は、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~8であることがさらに好ましく、炭素数1~4であることが最も好ましい。また、該フッ素化アルキル基のフッ素化率は、好ましくは10~100、さらに好ましくは50~100であり、特に水素原子をすべてフッ素原子で置換したものが、酸の強度が強くなるため好ましい。このような好ましいフッ素化アルキル基として、具体的には、トリフルオロメチル基、ヘプタフルオロ-n-プロピル基、ノナフルオロ-n-ブチル基が挙げられる。前記R4としてのアリール基は、炭素数6~20のアリール基であることが好ましい。前記R4としてのアルケニル基は、炭素数2~10のアルケニル基であることが好ましい。前記R4において、置換基を有していてもよいとは、前記直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、又はアルケニル基における水素原子の一部又は全部が置換基水素原子以外の他の原子又は基で置換されていてもよいことを意味する。R4における置換基の数は1つであってもよく、2つ以上であってもよい。前記置換基としては、たとえば、ハロゲン原子、ヘテロ原子、アルキル基、式:X3-Q’-[式中、Q’は酸素原子を含む2価の連結基であり、X3は置換基を有していてもよい炭素数3~30の炭化水素基である。]で表される基等が挙げられる。前記ハロゲン原子、アルキル基としては、R4において、ハロゲン化アルキル基におけるハロゲン原子、アルキル基として挙げたものと同様のものが挙げられる。前記ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等が挙げられる。X3-Q’-で表される基において、Q’は酸素原子を含む2価の連結基である。Q’は、酸素原子以外の原子を含有してもよい。酸素原子以外の原子としては、たとえば炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。酸素原子を含む2価の連結基としては、たとえば、酸素原子エーテル結合:-O-、エステル結合-C=O-O-、アミド結合-C=O-NH-、カルボニル基-C=O-、カーボネート結合-O-C=O-O-等の非炭化水素系の酸素原子含有連結基;該非炭化水素系の酸素原子含有連結基とアルキレン基との組み合わせ等が挙げられる。当該組み合わせに、さらにスルホニル基-SO2-が連結されていてもよい。該組み合わせとしては、たとえば、-R91-O-、-R92-O-C=O-、-C=O-O-R93-O-C=O-、-SO2-O-R94-O-C=O-、-R95-SO2-O-R94-O-C=O-式中、R91~R95はそれぞれ独立にアルキレン基である。等が挙げられる。R91~R95におけるアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、該アルキレン基の炭素数は、1~12が好ましく、1~5がより好ましく、1~3が特に好ましい。該アルキレン基として、具体的には、たとえばメチレン基[-CH2-];-CHCH3-、-CHCH2CH3-、-CCH32-、-CCH3CH2CH3-、-CCH3CH2CH2CH3-、-CCH2CH32-等のアルキルメチレン基;エチレン基[-CH2CH2-];-CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CHCH2CH3CH2-等のアルキルエチレン基;トリメチレン基n-プロピレン基[-CH2CH2CH2-];-CHCH3CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2-等のアルキルトリメチレン基;テトラメチレン基[-CH2CH2CH2CH2-];-CHCH3CH2CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2CH2-等のアルキルテトラメチレン基;ペンタメチレン基[-CH2CH2CH2CH2CH2-]等が挙げられる。Q’としては、エステル結合またはエーテル結合を含む2価の連結基が好ましく、なかでも、-R91-O-、-R92-O-C=O-または-C=O-O-R93-O-C=O-が好ましい。X3-Q’-で表される基において、X3の炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよく、脂肪族炭化水素基であってもよい。X3における芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも1つ有する炭化水素基である。該芳香環は、4n2ここでのnは0と自然数を示す個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は5~30であることが好ましく、5~20がより好ましく、6~15がさらに好ましく、6~12が特に好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。X3における芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を1つ除いた基アリール基またはヘテロアリール基;2以上の芳香環を含む芳香族化合物たとえばビフェニル、フルオレン等から水素原子を1つ除いた基;前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基や、ヘテロアリールアルキル基等が挙げられる。前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子を置換するアルキレン基の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。該芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O等が挙げられる。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。X3が芳香環を有する場合、芳香環はX3全体で1つのみであることが好ましい。また、X3が芳香環を有する場合、R3、R4及びR5は芳香環を有さないことが好ましい。X3における脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基であってもよく、不飽和脂肪族炭化水素基であってもよい。また、脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。X3において、脂肪族炭化水素基は、当該脂肪族炭化水素基を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよく、当該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよい。X3におけるヘテロ原子としては、炭素原子および水素原子以外の原子であれば特に限定されず、たとえばハロゲン原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。ヘテロ原子を含む置換基は、前記ヘテロ原子のみからなるものであってもよく、前記ヘテロ原子以外の基または原子を含む基であってもよい。炭素原子の一部を置換する置換基として、具体的には、たとえば-O-、-C=O-O-、-C=O-、-O-C=O-O-、-C=O-NH-、-NH-Hがアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-等が挙げられる。脂肪族炭化水素基が環状である場合、これらの置換基を環構造中に含んでいてもよい。水素原子の一部または全部を置換する置換基として、具体的には、たとえばアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O、シアノ基等が挙げられる。前記アルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記ハロゲン化アルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基等のアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、直鎖状もしくは分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基、または環状の脂肪族炭化水素基脂肪族環式基が好ましい。直鎖状の飽和炭化水素基アルキル基としては、炭素数が1~20であることが好ましく、1~15であることがより好ましく、1~10が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。分岐鎖状の飽和炭化水素基アルキル基としては、炭素数が3~20であることが好ましく、3~15であることがより好ましく、3~10が最も好ましい。具体的には、例えば、1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基などが挙げられる。不飽和炭化水素基としては、炭素数が2~10であることが好ましく、2~5が好ましく、2~4が好ましく、3が特に好ましい。直鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基アリル基、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、1-メチルプロペニル基、2-メチルプロペニル基などが挙げられる。不飽和炭化水素基としては、上記の中でも、特にプロペニル基が好ましい。脂肪族環式基としては、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。その炭素数は3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~12が最も好ましい。具体的には、たとえば、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含まない場合は、脂肪族環式基としては、多環式基が好ましく、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、アダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が最も好ましい。脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含むものである場合、該ヘテロ原子を含む置換基としては、-O-、-C=O-O-、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-が好ましい。かかる脂肪族環式基の具体例としては、たとえば下記式L1~L6、S1~S4でそれぞれ表される基等が挙げられる。[式中、Qは炭素数1~5のアルキレン基、-O-、-S-、-O-R94’-または-S-R95’-であり、R94’およびR95’はそれぞれ独立に炭素数1~5のアルキレン基であり、mは0または1の整数である。]式中、Q、R94’およびR95’におけるアルキレン基としては、それぞれ、前記R91~R95におけるアルキレン基と同様のものが挙げられる。これらの脂肪族環式基は、その環構造を構成する炭素原子に結合した水素原子の一部が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O等が挙げられる。前記アルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが特に好ましい。前記アルコキシ基、ハロゲン原子はそれぞれ前記水素原子の一部または全部を置換する置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。本発明において、X3は、置換基を有していてもよい環式基であることが好ましい。該環式基は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましい。前記芳香族炭化水素基としては、置換基を有していてもよいナフチル基、または置換基を有していてもよいフェニル基が好ましい。置換基を有していてもよい脂肪族環式基としては、置換基を有していてもよい多環式の脂肪族環式基が好ましい。該多環式の脂肪族環式基としては、前記ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、前記L2~L6、S3~S4のいずれかで表される基等が好ましい。上記の中でも、前記R4としては、ハロゲン化アルキル基、または置換基としてX3-Q’-を有することが好ましい。置換基としてX3-Q’-を有する場合、R4としては、X3-Q’-Y3-[式中、Q’およびX3は前記と同じであり、Y3は置換基を有していてもよい炭素数1~4のアルキレン基または置換基を有していてもよい炭素数1~4のフッ素化アルキレン基である。]で表される基が好ましい。X3-Q’-Y3-で表される基において、Y3のアルキレン基としては、前記Q’で挙げたアルキレン基のうち炭素数1~4のものと同様のものが挙げられる。フッ素化アルキレン基としては、該アルキレン基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。Y3として、具体的には、-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2-、-CFCF2CF3-、-CCF32-、-CF2CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2CF2-、-CF2CFCF3CF2-、-CFCF3CFCF3-、-CCF32CF2-、-CFCF2CF3CF2-、-CFCF2CF2CF3-、-CCF3CF2CF3-;-CHF-、-CH2CF2-、-CH2CH2CF2-、-CH2CF2CF2-、-CHCF3CH2-、-CHCF2CF3-、-CCH3CF3-、-CH2CH2CH2CF2-、-CH2CH2CF2CF2-、-CHCF3CH2CH2-、-CH2CHCF3CH2-、-CHCF3CHCF3-、-CCF32CH2-;-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-、-CHCH3CH2-、-CHCH2CH3-、-CCH32-、-CH2CH2CH2CH2-、-CHCH3CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CHCH2CH3CH2-、-CHCH2CH2CH3-、-CCH3CH2CH3-等が挙げられる。Y3としては、フッ素化アルキレン基が好ましく、特に、隣接する硫黄原子に結合する炭素原子がフッ素化されているフッ素化アルキレン基が好ましい。このようなフッ素化アルキレン基としては、-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2-、-CF2CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2CF2-、-CF2CFCF3CF2-、-CFCF3CFCF3-、-CCF32CF2-、-CFCF2CF3CF2-;-CH2CF2-、-CH2CH2CF2-、-CH2CF2CF2-;-CH2CH2CH2CF2-、-CH2CH2CF2CF2-、-CH2CF2CF2CF2-等を挙げることができる。これらの中でも、-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-、又はCH2CF2CF2-が好ましく、-CF2-、-CF2CF2-又は-CF2CF2CF2-がより好ましく、-CF2-が特に好ましい。前記アルキレン基またはフッ素化アルキレン基は、置換基を有していてもよい。アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が置換基を有するとは、当該アルキレン基またはフッ素化アルキレン基における水素原子またはフッ素原子の一部または全部が、水素原子およびフッ素原子以外の原子または基で置換されていることを意味する。アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が有していてもよい置換基としては、炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基、水酸基等が挙げられる。R4がX3-Q’-Y3-で表される基であるR4SO3-の具体例としては、たとえば下記式b1~b9のいずれかで表されるアニオンが挙げられる。[式中、q1~q2はそれぞれ独立に1~5の整数であり、q3は1~12の整数であり、t3は1~3の整数であり、r1~r2はそれぞれ独立に0~3の整数であり、iは1~20の整数であり、R7は置換基であり、n1~n6はそれぞれ独立に0または1であり、v0~v6はそれぞれ独立に0~3の整数であり、w1~w6はそれぞれ独立に0~3の整数であり、Qは前記と同じである。]R7の置換基としては、前記X3の説明で、脂肪族環式基の環構造を構成する炭素原子に結合した水素原子の一部を置換してもよい置換基として挙げたものや、芳香族炭化水素基が有する芳香環に結合した水素原子を置換してもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。R7に付された符号r1~r2、w1~w6が2以上の整数である場合、当該化合物中の複数のR7はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。また、式a5-0-1中のV-としては、たとえば下記一般式b-3で表されるアニオン、下記一般式b-4で表されるアニオンも挙げられる。[式中、Xは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数2~6のアルキレン基を表し;Y、Zは、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~10のアルキル基を表す。]式b-3において、Xは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基であり、該アルキレン基の炭素数は、好ましくは2~6であり、より好ましくは炭素数3~5、最も好ましくは炭素数3である。式b-4において、Y、Zは、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であり、該アルキル基の炭素数は、好ましくは1~10であり、より好ましくは炭素数1~7、最も好ましくは炭素数1~3である。Xのアルキレン基の炭素数又はY、Zのアルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、レジスト溶媒への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。また、Xのアルキレン基又はY、Zのアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また200nm以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するので好ましい。該アルキレン基又はアルキル基のフッ素化率は、好ましくは70~100、さらに好ましくは90~100であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基又はパーフルオロアルキル基である。式a5-0-1におけるV-としては、一般式R4SO3-で表されるアニオン特に、R4がX3-Q’-Y3-で表される基である上記式b1~b9のいずれかで表されるアニオンが好ましい。以下に、式a5-0-1で表される基の具体例を示す。下記化学式中、V-は前記同様である。前記一般式a5-0-1で表される基を有する構成単位以下構成単位a5-1という。としては、構造中に前記一般式a5-0-1で表される基を有するものであれば特に限定されるものではないが、エチレン性二重結合を有する化合物から誘導される構成単位であることが好ましい。ここで、エチレン性二重結合を有する化合物から誘導される構成単位とは、エチレン性二重結合を有する化合物におけるエチレン性二重結合が開裂して単結合となった構造の構成単位を意味する。エチレン性二重結合を有する化合物としては、たとえば、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸またはそのエステル、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリルアミドまたはその誘導体、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいビニル芳香族化合物、シクロオレフィンまたはその誘導体、ビニルスルホン酸エステル等が挙げられる。これらの中でも、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸またはそのエステル、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリルアミドまたはその誘導体、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいビニル芳香族化合物が好ましい。アクリル酸エステルは、アクリル酸CH2=CH-COOHのカルボキシ基末端の水素原子が有機基で置換された化合物である。本明細書において、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されたアクリル酸、アクリル酸エステルをそれぞれα置換アクリル酸、α置換アクリル酸エステルということがある。また、アクリル酸とα置換アクリル酸とを包括してα置換アクリル酸、α置換アクリル酸エステルとを包括してα置換アクリル酸エステルということがある。α置換アクリル酸またはそのエステルのα位の炭素原子に結合する置換基としては、ハロゲン原子、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基等が挙げられる。なお、アクリル酸エステルから誘導される構成単位のα位α位の炭素原子とは、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことを意味する。前記α位の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。前記α位の置換基としての炭素数1~5のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などの直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。前記α位の置換基としての炭素数1~5のハロゲン化アルキル基として具体的には、上記の炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。前記α位の置換基としてのヒドロキシアルキル基としては、炭素数1~5のヒドロキシアルキル基が好ましく、具体的には、上記の炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部または全部がヒドロキシ基で置換された基が挙げられる。本発明において、α置換アクリル酸またはそのエステルのα位の炭素原子に結合しているのは、水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であることが好ましく、水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のフッ素化アルキル基であることがより好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子またはメチル基であることが最も好ましい。有機基は、炭素原子を含む基であり、炭素原子以外の原子たとえば水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子等等を有していてもよい。α置換アクリル酸エステルが有する有機基としては、特に限定されないが、たとえば前述した芳香族基、極性変換基、後述する酸分解性基等の特性基、これらの特性基を構造中に含む特性基含有基等が挙げられる。該特性基含有基としては、たとえば、前記特性基に2価の連結基が結合した基等が挙げられる。2価の連結基としては、たとえば前記式a5-0-1中のQ1における2価の連結基と同様のものが挙げられる。アクリルアミドまたはその誘導体としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリルアミド以下、α置換アクリルアミドということがある。、α置換アクリルアミドのアミノ基末端の水素原子の一方または両方が置換基で置換された化合物、等が挙げられる。アクリルアミドまたはその誘導体のα位の炭素原子に結合してもよい置換基としては、前記α置換アクリル酸エステルのα位の炭素原子に結合する置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。α置換アクリルアミドのアミノ基末端の水素原子の一方または両方を置換する置換基としては、有機基が好ましい。該有機基としては、特に限定されないが、たとえば前記α置換アクリル酸エステルが有する有機基と同様のものが挙げられる。α置換アクリルアミドのアミノ基末端の水素原子の一方または両方が置換基で置換された化合物としては、たとえば前記α置換アクリル酸エステル中のα位の炭素原子に結合した-C=O-O-を、-C=O-NRb-[式中、Rbは水素原子または炭素数1~5のアルキル基である。]で置換した化合物が挙げられる。式中、Rbにおけるアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。ビニル芳香族化合物は、芳香環および該芳香環に結合した1つのビニル基を有する化合物であり、スチレンまたはその誘導体、ビニルナフタレンまたはその誘導体等が挙げられる。ビニル芳香族化合物のα位の炭素原子ビニル基の炭素原子のうち、芳香環に結合した炭素原子に結合してもよい置換基としては、前記α置換アクリル酸エステルのα位の炭素原子に結合する置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。以下、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されビニル芳香族化合物をα置換ビニル芳香族化合物ということがある。スチレンまたはその誘導体としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、ベンゼン環に結合した水素原子が、水酸基以外の置換基で置換されていてもよいスチレン以下、α置換スチレンということがある。、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、ベンゼン環に結合した水素原子が、水酸基以外の置換基で置換されていてもよいヒドロキシスチレン以下、α置換ヒドロキシスチレンということがある。、α置換ヒドロキシスチレンの水酸基の水素原子が有機基で置換された化合物、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、ベンゼン環に結合した水素原子が、水酸基およびカルボキシ基以外の置換基で置換されていてもよいビニル安息香酸以下、α置換ビニル安息香酸ということがある。、α置換ビニル安息香酸のカルボキシ基の水素原子が有機基で置換された化合物、等が挙げられる。ヒドロキシスチレンは、ベンゼン環に、1つのビニル基と、少なくとも1つの水酸基とが結合した化合物である。ベンゼン環に結合する水酸基の数は、1~3が好ましく、1が特に好ましい。ベンゼン環における水酸基の結合位置は特に限定されない。水酸基の数が1つである場合は、ビニル基の結合位置のパラ4位が好ましい。水酸基の数が2以上の整数である場合は、任意の結合位置を組み合わせることができる。ビニル安息香酸は、安息香酸のベンゼン環に1つのビニル基が結合した化合物である。ベンゼン環におけるビニル基の結合位置は特に限定されない。スチレンまたはその誘導体のベンゼン環に結合してもよい、水酸基およびカルボキシ基以外の置換基としては、特に限定されず、たとえば、ハロゲン原子、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が特に好ましい。α置換ヒドロキシスチレンの水酸基の水素原子が有機基で置換された化合物における有機基としては、特に限定されないが、たとえば前記α置換アクリル酸エステルが有する有機基として挙げた有機基が挙げられる。α置換ビニル安息香酸のカルボキシ基の水素原子が有機基で置換された化合物における有機基としては、特に限定されないが、たとえば前記α置換アクリル酸エステルが有する有機基として挙げた有機基が挙げられる。ビニルナフタレンまたはその誘導体としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、ナフタレン環に結合した水素原子が、水酸基以外の置換基で置換されていてもよいビニルナフタレン以下、α置換ビニルナフタレンということがある。、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、ナフタレン環に結合した水素原子が、水酸基以外の置換基で置換されていてもよいビニルヒドロキシナフタレン以下、α置換ビニルヒドロキシナフタレンということがある。、α置換ビニルヒドロキシナフタレンの水酸基の水素原子が置換基で置換された化合物、等が挙げられる。ビニルヒドロキシナフタレンは、ナフタレン環に、1つのビニル基と、少なくとも1つの水酸基とが結合した化合物である。ビニル基は、ナフタレン環の1位に結合していてもよく、2位に結合していてもよい。ナフタレン環に結合する水酸基の数は、1~3が好ましく、1が特に好ましい。ナフタレン環における水酸基の結合位置は特に限定されない。ナフタレン環の1位または2位にビニル基が結合している場合、ナフタレン環の5~8位のいずれかが好ましい。特に、水酸基の数が1つである場合は、ナフタレン環の5~7位のいずれかが好ましく、5または6位が好ましい。水酸基の数が2以上の整数である場合は、任意の結合位置を組み合わせることができる。ビニルナフタレンまたはその誘導体のナフタレン環に結合してもよい置換基としては、前記α置換スチレンのベンゼン環に結合してもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。α置換ビニルヒドロキシナフタレンの水酸基の水素原子が有機基で置換された化合物における有機基としては、特に限定されないが、たとえば前記α置換アクリル酸エステルが有する有機基と同様のものが挙げられる。α置換アクリル酸またはそのエステルから誘導される構成単位として具体的には、下記一般式U-1で表される構成単位が挙げられる。α置換アクリルアミドまたはその誘導体から誘導される構成単位から誘導される構成単位として具体的には、下記一般式U-2で表される構成単位が挙げられる。α置換ビニル芳香族化合物のうち、α置換スチレンまたはその誘導体から誘導される構成単位として具体的には、下記一般式U-3で表される構成単位が挙げられる。また、α置換ビニルナフタレンまたはその誘導体から誘導される構成単位として具体的には、下記一般式U-4で表される構成単位が挙げられる。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。Xa~Xdはそれぞれ独立に水素原子または有機基である。Rbは水素原子または炭素数1~5のアルキル基である。RcおよびRdはそれぞれ独立にハロゲン原子、-COOXeXeは水素原子または有機基である。、炭素数1~5のアルキル基または炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。pxは0~3の整数であり、qxは0~5の整数であり、pxqxは0~5である。qxが2以上の整数である場合、複数のRcはそれぞれ同じであっても異なってもよい。xは0~3の整数であり、yは0~3の整数であり、zは0~4の整数であり、xyzは0~7である。yzが2以上の整数である場合、複数のRdはそれぞれ同じであっても異なってもよい。]構成単位a5-1としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって前記一般式a5-0-1で表される基を含む構成単位が特に好ましい。かかる構成単位としては例えば、下記式a5-11で表される構成単位が挙げられる。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基であり、Q1、R3~R5、V-は前記同様である。]式a5-11中、Rのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。Rのハロゲン化アルキル基は、前記のRのアルキル基の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。Rとしては、水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基が好ましく、水素原子又はメチル基が特に好ましい。式a5-11中、Q1、R3~R5、V-は前記と同様である。式a5-0-2で表される基を有する構成単位前記式a5-0-2中、Q2は、単結合又は2価の連結基である。Q2の2価の連結基としては、前記式a5-0-1中のQ1における2価の連結基と同様のものが挙げられる。なかでも、本発明におけるQ2としては、単結合、又は、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、直鎖状若しくは分岐鎖状のフッ素化アルキレン基、置換基好ましくはフッ素原子を有していてもよいアリーレン基、エステル結合[-C=O-O-]又はこれらの組み合わせであることが好ましい。式a5-0-2中、A-は、アニオンを含む有機基である。A-としては、露光により発生して酸アニオンとなる部位を含むものであれば特に限定されるものではないが、スルホン酸アニオン、カルボアニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオンを発生し得る基が好ましい。なかでも、A-としては、下記式a5-2-an1~a5-2-an4でそれぞれ表される基が好ましい。[式中、W0は置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基である。Z3は-C=O-O-、-SO2-又は置換基を有していてもよい炭化水素基であり、Z4及びZ5はそれぞれ独立に-C=O-又は-SO2-である。R62及びR63はそれぞれ独立にフッ素原子を有していてもよい炭化水素基である。Z1は-C=O-、-SO2-、-C=O-O-又は単結合であり、Z2は-C=O-又は-SO2-である。R61はフッ素原子を有していてもよい炭化水素基である。R64はフッ素原子を有していてもよい炭化水素基である。]式a5-2-an1中、W0は置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基である。W0の置換基を有していてもよい炭素数1~30の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよく、前記式a5-0-1中のQ1における2価の連結基で説明した脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基と同様のものが挙げられる。W0の好ましい例として、-[CRf1Rf2]p0-で表される基が挙げられる。式中、Rf1及びRf2はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基であり、Rf1、Rf2のうち少なくとも1つはフッ素原子又はフッ素化アルキル基であり、p0は1~8の整数である。W0が-[CRf1Rf2]p0-で表される基である場合、式a5-2-an1は、下記式a5-2-an1-1で表される。[式中、Rf1及びRf2はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基であり、Rf1、Rf2のうち少なくとも1つはフッ素原子又はフッ素化アルキル基であり、p0は1~8の整数である。]式-[CRf1Rf2]p0-および式a5-2-an1-1中、Rf1及びRf2は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基であり、Rf1、Rf2のうち少なくとも1つはフッ素原子又はフッ素化アルキル基である。Rf1、Rf2のアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。Rf1、Rf2のフッ素化アルキル基としては、上記Rf1、Rf2のアルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が好ましい。Rf1、Rf2としては、フッ素原子又はフッ素化アルキル基であることが好ましい。式-[CRf1Rf2]p0-および式a5-2-an1-1中、p0は1~8の整数であり、1~4の整数であることが好ましく、1又は2であることがさらに好ましい。W0の好ましい他の例として、置換基を有していてもよい脂肪族環式基又は芳香族炭化水素基が挙げられる。それらの中でも、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン、カンファー、ベンゼン等から2個以上の水素原子を除いた基置換基を有していてもよいが好ましい。式a5-2-an2中、Z3は-C=O-O-、-SO2-又は置換基を有していてもよい炭化水素基である。Z3の置換基を有していていもよい炭化水素基としては、前記式a5-0-1中のQ1における2価の連結基の説明で挙げた置換基を有していていもよい2価の炭化水素基と同様のものが挙げられる。なかでもZ3としては-SO2-であることが好ましい。式a5-2-an2中、Z4及びZ5は、それぞれ独立に、-C=O-又は-SO2-であり、少なくとも一方が-SO2-であることが好ましく、両方が-SO2-であることがより好ましい。R62及びR63は、それぞれ独立に、フッ素原子を有していてもよい炭化水素基であり、後述するR61におけるフッ素原子を有していてもよい炭化水素基と同様のものが挙げられる。式a5-2-an3中、Z1は-C=O-、-SO2-、-C=O-O-又は単結合である。Z1が単結合の場合、式中のN-が、Z2と結合した側とは逆側即ち、式中の左端で直接-C=O-と結合しないことが好ましい。式a5-2-an3中、Z2は、-C=O-又は-SO2-であり、-SO2-であることが好ましい。R61は、フッ素原子を有していてもよい炭化水素基である。R61における炭化水素基としては、アルキル基、1価の脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基などが挙げられる。R61におけるアルキル基は、炭素数1~8であるものが好ましく、炭素数1~6であるものがより好ましく、炭素数1~4であるものがさらに好ましく、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基等が好ましいものとして挙げられる。R61における1価の脂環式炭化水素基は、炭素数3~20であるものが好ましく、炭素数3~12であるものがより好ましく、多環式でもよく、単環式でもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。R61におけるアリール基は、炭素数6~18であるものが好ましく、炭素数6~10であるものがより好ましく、フェニル基が特に好ましい。R61におけるアラルキル基は、炭素数1~8のアルキレン基と上記R61におけるアリール基とが結合したものが好ましい例として挙げられる。炭素数1~6のアルキレン基と上記R61におけるアリール基とが結合したアラルキル基がより好ましく、炭素数1~4のアルキレン基と上記R61におけるアリール基とが結合したアラルキル基が特に好ましい。R61における炭化水素基は、当該炭化水素基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていることが好ましく、当該炭化水素基の水素原子の30~100がフッ素原子で置換されていることがより好ましい。なかでも、上述したアルキル基の水素原子の全部がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキル基であることが特に好ましい。式a5-2-an4中、R64は、フッ素原子を有していてもよい炭化水素基である。R64における炭化水素基としては、アルキレン基、2価の脂環式炭化水素基、アリール基から1個以上の水素原子を除いた基、アラルキル基から1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。R64における炭化水素基として、具体的には、上記R61における炭化水素基アルキル基、1価の脂環式炭化水素基、アリール基、アラルキル基などについての説明の中で例示したものから1個以上の水素原子を除いた基が挙げられる。R64における炭化水素基は、当該炭化水素基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていることが好ましく、当該炭化水素基の水素原子の30~100がフッ素原子で置換されていることがより好ましい。上記のうち、例えば、A-が式a5-2-an1で表される基のうちフッ素原子を有するもの特に式a5-2-an1-1で表される基である場合や、a5-2-an2で表される基や、Z1及びZ2が-SO2-である式a5-2-an3で表される基を有する場合、露光によって構成単位a5から、フッ素化アルキルスルホン酸アニオン、カルボアニオン、スルホニルイミドアニオン等の比較的強い酸を発生させることができる。一方、A-が式a5-2-an1で表される基のうちフッ素原子を有さない場合や、式a5-2-an4で表される基や、Z1及びZ2が-C=O-である式a5-2-an3で表される基を有する場合、露光によって構成単位a5からアルキルスルホン酸アニオン、アリールスルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、イミドアニオン等の比較的弱い酸を発生させることができる。上記の様に構成単位a5から所望の酸強度を有する酸を発生させることができるため、レジスト組成物における構成単位a5から発生した酸の機能を適宜決定することができ、所望の機能にあわせてA-を選択することもできる。例えば、通常レジスト組成物において用いられる酸発生剤と同様の役割を構成単位a5が担う場合は、強酸を発生するA-を選択することが好ましい。また、例えば、通常レジスト組成物において用いられるクエンチャー酸発生剤から発生する強酸と塩交換して強酸をトラップするクエンチャーと同様の機能を構成単位a5が担う場合は、弱酸を発生するA-を選択することが好ましい。なお、ここで強酸、弱酸とは、後述する構成単位a1に含まれるような酸の作用により分解する酸分解性基の活性化エネルギーとの関係性や、共に用いられる酸発生剤の酸強度との関係性において決定されるものである。そのため、上述した比較的弱い酸が、必ずクエンチャーとして用いることができるものではない。式a5-0-2中、Mmはm価の有機カチオンであり、mは1~3の整数である。ただし、Mmは、芳香環を1個のみ有するか、又は芳香環を有さない。該有機カチオン中に存在する芳香環が1個以下であることにより、EUVリソグラフィー又はEBリソグラフィーにおいて、リソグラフィー特性とパターン形状の良好なレジストパターンが形成される。これらの効果がより高まることから、なかでも、前記Mmは、芳香環を有さない有機カチオンであることが特に好ましい。Mmの有機カチオンとしては、芳香環を1個のみ有するか、又は芳香環を有さないものであれば特に限定されず、例えば、従来、レジスト組成物のクエンチャーに用いられる光分解性塩基や、レジスト組成物のオニウム系酸発生剤等のカチオン部として知られている有機カチオンを用いることができる。このような有機カチオンとしては、例えば、下記一般式m1-1又はm2-1で表されるカチオンを用いることができる。[式中、R11~R13,R15~R16はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基またはアルケニル基を表す。式m1-1中、R11~R13のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。ただし、式中の基SR11R12R13は全体で芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。式m2-1中の基IR15R16は全体で芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。]前記式m1-1中、R11~R13における置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基としては、それぞれ、前記一般式a5-0-1中のR4~R5の説明で挙げたアリール基、アルキル基、アルケニル基と同様のものが挙げられる。式m1-1におけるR11~R13のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合に形成される環としては、前記一般式a5-0-1中のR4~R5が結合して式中のイオウ原子と共に形成する環として挙げたものと同様のものが挙げられる。ただし、式m1-1中の基SR11R12R13は、全体で芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。つまり、R12とR13とが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成していない場合は、R11、R12及びR13のうちの1つのみが1個の芳香環を有する有機基であり、他の2つが芳香環を有さない有機基であるか、またはR11、R12及びR13の全てが芳香環を有さない有機基である。R12とR13とが相互に結合して式中のイオウ原子と共に1つの芳香環を形成している場合は、R11は芳香環を有さない有機基である。R12とR13とが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成している場合であって該環が脂肪族環芳香族性を有さない環である場合は、R11は、1個の芳香環を有する有機基であるか、または芳香環を有さない有機基である。R12とR13とが相互に結合して式中のイオウ原子と共に形成する環が、2以上の芳香環を含む環である場合は、当該構成単位は構成単位a5には該当しない。前記式m2-1中、R15~R16における置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基としては、それぞれR11~R13と同様のものが挙げられる。ただし、式m2-1中の基IR15R16は、全体で芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。すなわち、R15~R16のうち、いずれか1つのみが芳香環であるか、いずれも芳香環でない。基SR11R12R13は全体で、又は基IR15R16は全体で、芳香環が1個以下であることにより、EUVリソグラフィー又はEBリソグラフィーにおいて、リソグラフィー特性とパターン形状の良好なレジストパターンが形成される。これらの効果がより高まることから、基SR11R12R13は全体で、又は基IR15R16は全体で、芳香環を有さないことが特に好ましい。式m1-1で表される化合物のカチオン部のなかで好適なものとして具体的には、下記式m1-1-1~m1-1-3でそれぞれ表されるカチオンが挙げられる。また、前記式m1-1で表される化合物のカチオン部において、R11~R13のうちのいずれか二つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成している場合の好ましい具体例として、たとえば、下記式m1-2、m1-3又はm1-4でそれぞれ表されるカチオンが挙げられる。[式中、uは1~3の整数である。R6aは置換基を有していてもよいアルキレン基であり、R6bは水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、非芳香族の置換基を有していてもよいフェニル基またはナフチル基である。ただしR6a-C=O-O-R6bはこれらの全体で芳香環を1個のみ有するか、または芳香環を有さない。R7aは置換基を有していてもよいアルキレン基であり、R7bは置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基またはナフチル基である。ただしR7a-C=O-R7bはこれらの全体で芳香環を1個のみ有するか、または芳香環を有さない。R8は置換基を有していてもよいアルキル基、非芳香族の置換基を有していてもよいフェニル基またはナフチル基である。ただしR8は芳香環を1個のみ有するか、または芳香環を有さない。]式中、uは1~3の整数であり、1または2が最も好ましい。式中、R6a、R7aにおけるアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。該アルキレン基の炭素数は、1~12が好ましく、1~5がより好ましく、1~3がさらに好ましく、1または2が特に好ましい。該アルキレン基が有していてもよい置換基としては、前記一般式a5-0-1中のR3の説明で、置換アルキレン基における置換基として挙げたものと同様のものハロゲン原子、オキソ基=O、シアノ基、アルキル基、アルコキシアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、-C=O-O-R7、-O-C=O-R8、-O-R9、アリール基等が挙げられる。式中、R6b、R7b、R8における置換基を有していてもよいアルキル基としては、前記一般式a5-0-1中のR4、R5の説明で挙げた置換アルキル基と同様のものが挙げられる。R6b、R7b、R8におけるフェニル基又はナフチル基が有していてもよい非芳香族の置換基としては、前記式a5-0-1中のR4、R5の説明で挙げた置換アリール基が有していてもよい非芳香族の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。前記式m1-2、m1-3又はm1-4で表されるカチオンの好適なものとしては、たとえば以下に示すもの等が挙げられる。式m1-4-1中、RCは置換基である。該置換基としては、上記置換アリール基についての説明のなかで例示した置換基アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキルオキシ基、アルコキシカルボニルアルキルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、オキソ基=O、アリール基、-C=O-O-R7、-O-C=O-R8、-O-R9が挙げられる。前記一般式a5-0-2で表される基を有する構成単位以下構成単位a5-2という。としては、構造中に前記一般式a5-0-2で表される基を有するものであれば特に限定されるものではないが、エチレン性二重結合を有する化合物から誘導される構成単位であって前記一般式a5-0-2で表される基を含む構成単位が好ましく、下記一般式a5-21で表される構成単位が特に好ましい。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。Q2aは単結合又は2価の連結基である。Q2bは単結合又は2価の連結基である。A-はアニオンを含む有機基である。Mmはm価の有機カチオンであり、mは1~3の整数である。ただし、Mmは芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。式a5-21中、Rは前記式a5-11中のRと同様である。A-、Mm1/mはそれぞれ前記式a5-0-2中のA-、Mm1/mと同様である。Q2aにおける2価の連結基としては、前記式a5-0-1中のQ1における2価の連結基と同様のものが挙げられる。なかでも、Q2aとしては、単結合、-C=O-Q22-NRn-または-Q23-CFRq1-が好ましい。-C=O-Q22-NRn-中、Q22は2価の連結基であり、Rnは水素原子又は炭素数1~5のアルキル基である。-Q23-CFRq1-中、Q23は-O-、-CH2-O-、又は-C=O-O-を含有する基であり、Rq1はフッ素原子又はフッ素化アルキル基である。-C=O-Q22-NRn-中、Q22の2価の連結基としては、前記式a5-0-1中のQ1における2価の連結基と同様のものが挙げられ、なかでも、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、環状の脂肪族炭化水素基、または2価の芳香族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基が特に好ましく、メチレン基又はエチレン基が最も好ましい。Rnにおける炭素数1~5のアルキル基としては、前記Rの炭素数1~5のアルキル基と同様のものが挙げられる。なかでもRnとしては、水素原子又はメチル基が好ましい。-Q23-CFRq1-中、Q23として具体的には、-O-、-CH2-O-、又は-C=O-O-からなる基;-O-、-CH2-O-又は-C=O-O-と、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基とからなる基等が挙げられる。かかる置換基を有していてもよい2価の炭化水素基としては、前記式a5-0-1中のQ1における2価の連結基で挙げた置換基を有していてもよい2価の炭化水素基と同様のものが挙げられる。なかでも、Q23における2価の炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基がより好ましい。Q23としては、-C=O-O-と置換基を有していてもよい2価の炭化水素基とからなる基が好ましく、-C=O-O-と脂肪族炭化水素基とからなる基がより好ましく、-C=O-O-と直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基とからなる基がさらに好ましい。-Q23-CFRq1-中、Rq1におけるフッ素化アルキル基において、フッ素原子で置換されていない状態のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれでもよい。直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基の場合、炭素数は1~5であることが好ましく、炭素数が1~3であることがより好ましく、炭素数が1~2であることが特に好ましい。環状のアルキル基の場合、炭素数は4~15であることが好ましく、炭素数4~12であることがより好ましく、炭素数5~10であることがさらに好ましい。具体的には、モノシクロアルカン;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンからそれぞれ1個以上の水素原子を除いた基などが例示できる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカン;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンからそれぞれ1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。フッ素化アルキル基においては、当該フッ素化アルキル基に含まれるフッ素原子と水素原子との合計数に対するフッ素原子の数の割合フッ素化率が、30~100であることが好ましく、50~100であることがより好ましい。該フッ素化率が高いほど、レジスト膜の疎水性が高まる。上記の中でも、Rq1はフッ素原子であることが好ましい。式a5-21中、Q2bにおける2価の連結基としては、前記式a5-0-1中のQ1における2価の連結基と同様のものが挙げられる。なかでも、Q2bとしては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、環状の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、又はヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましく;直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基とヘテロ原子を含む2価の連結基との組合せ、環状の脂肪族炭化水素基とヘテロ原子を含む2価の連結基との組合せ、芳香族炭化水素基とヘテロ原子を含む2価の連結基との組合せがより好ましく;直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基とエステル結合[-C=O-O-]との組合せ、2価の脂環式炭化水素基とエステル結合[-C=O-O-]との組合せが特に好ましく;直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、又は直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基とエステル結合[-C=O-O-]との組合せが最も好ましい。構成単位a5-2のなかで好適なものとしては、下記式a5-2-11~a5-2-13、a5-2-21~a5-2-25、a5-2-31~a5-2-32及びa5-2-41~a5-2-44でそれぞれ表される構成単位からなる群より選択される少なくとも1種が好ましい。これらのうち、下記式a5-2-11~a5-2-13で表される構成単位としては、それぞれ、下記式a5-2-11-1、a5-2-12-1、a5-2-13-1で表される構成単位が好ましい。[式中、R、W0、Mm1/mは前記同様であり、Q21はそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基である。Q22は2価の連結基である。Q23は-O-、-CH2-O-、又は-C=O-O-を含有する基である。Rq1はフッ素原子又はフッ素化アルキル基である。Rnは水素原子又は炭素数1~5のアルキル基である。p01は0又は1である。][式中、R、Rf1、Rf2、Rq1、Rn、Q21~Q23、p0、Mm1/mは前記と同様である。][式中、R、Q21~Q23、Z3~Z5、R62~R63、Rn、Rq1、Mm1/mは前記同様である。n60は0~3の整数である。][式中、R、Z1~Z2、R61、Rn、Mm1/mは前記と同様であり、Q24、Q25はそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基である。][式中、R、Rn、Mm1/mは前記と同様であり、Q26~Q28はそれぞれ独立に単結合又は2価の連結基である。n30は0~3の整数である。]式a5-2-11~に対して、0.5~100質量部であることが好ましく、0.5~20質量部であることがより好ましい。溶媒は、1種を単独で用いても良く、2種以上を併用してもよい。上記反応における化合物i-2の使用量は、通常、化合物i-11モルに対して0.5~5モル程度が好ましく、0.8~4モル程度がより好ましい。上記反応における反応時間は、化合物i-1と化合物i-2との反応性や、反応温度等によっても異なるが、通常、1~80時間が好ましく、3~60時間がより好ましい。上記反応における反応温度は、20°C~200°Cが好ましく、20°C~150°C程度がより好ましい。次いで、得られた化合物i-3と、化合物i-4とを反応させ、化合物d1-3を得る。式i-4中、Mは前記同様であり、Z-は対アニオンである。化合物i-3と化合物i-4とを反応させ、化合物d1-3を得る方法としては、特に限定されないが、たとえば、適当なアルカリ金属水酸化物の存在下で、化合物i-3を適当な有機溶媒及び水に溶解し、化合物i-4を添加して攪拌により反応させることにより実施できる。上記反応におけるアルカリ金属水酸化物は、特に限定されるものではなく、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられ、その使用量は化合物i-31モルに対して0.3~3モル程度が好ましい。上記反応における有機溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホルム、酢酸エチル等の溶媒が挙げられ、その使用量は、化合物i-3に対して、0.5~100質量部であることが好ましく、0.5~20質量部であることがより好ましい。溶媒は、1種を単独で用いても良く、2種以上を併用してもよい。上記反応における化合物i-4の使用量は、通常、化合物i-31モルに対して0.5~5モル程度が好ましく、0.8~4モル程度がより好ましい。上記反応における反応時間は、化合物i-3と化合物i-4との反応性や、反応温度等によっても異なるが、通常、1~80時間が好ましく、3~60時間がより好ましい。上記反応における反応温度は、20°C~200°Cが好ましく、20°C~150°C程度がより好ましい。反応終了後、反応液中の化合物d1-3を単離、精製してもよい。単離、精製には、従来公知の方法が利用でき、たとえば濃縮、溶媒抽出、蒸留、結晶化、再結晶、クロマトグラフィー等をいずれか単独で、またはこれらの2種以上を組み合わせて用いることができる。上記のようにして得られる化合物d1-3の構造は、1H-核磁気共鳴NMRスペクトル法、13C-NMRスペクトル法、19F-NMRスペクトル法、赤外線吸収IRスペクトル法、質量分析MS法、元素分析法、X線結晶回折法等の一般的な有機分析法により確認できる。D2成分D2成分としては、前記A成分又はB成分に対して相対的に塩基性となる化合物であり、酸拡散制御剤、すなわち露光により前記A成分やB成分から発生する酸をトラップするクエンチャーとして作用するものであり、且つ、D1成分に該当しないものであれば特に限定されず、公知のものから任意に用いればよい。たとえば脂肪族アミン、芳香族アミン等のアミンが挙げられ、なかでも脂肪族アミン、特に第2級脂肪族アミンや第3級脂肪族アミンが好ましい。脂肪族アミンとは、1つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、該脂肪族基は炭素数が1~12であることが好ましい。脂肪族アミンとしては、たとえば、アンモニアNH3の水素原子の少なくとも1つを、炭素数20以下のアルキル基又はヒドロキシアルキル基で置換したアミンアルキルアミンまたはアルキルアルコールアミン、環式アミン、その他の脂肪族アミン等が挙げられる。前記アルキルアミンが有するアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。該アルキル基が直鎖状または分岐鎖状である場合、その炭素数は2~20であることがより好ましく、2~8であることがさらに好ましい。該アルキル基が環状である場合シクロアルキル基である場合、その炭素数は、3~30であることが好ましく、3~20がより好ましく、3~15がさらに好ましく、炭素数4~12であることが特に好ましく、炭素数5~10が最も好ましい。該アルキル基は単環式であってもよく、多環式であってもよい。具体的には、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等を例示できる。前記モノシクロアルカンとして、具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。また、前記ポリシクロアルカンとして、具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。前記アルキルアルコールアミンが有するヒドロキシアルキル基におけるアルキル基としては、前記アルキルアミンが有するアルキル基として挙げたものと同様のものが挙げられる。前記アルキルアミンの具体例としては、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デカニルアミン、トリ-n-ドデシルアミン等のトリアルキルアミンが挙げられる。前記アルキルアルコールアミンの具体例としては、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ-n-オクタノールアミン、トリ-n-オクタノールアミン、ステアリルジエタノールアミン、ラウリルジエタノールアミン等が挙げられる。これらの中でも、炭素数5~10のトリアルキルアミンがさらに好ましく、トリ-n-ペンチルアミン又はトリ-n-オクチルアミンが特に好ましい。環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの脂肪族単環式アミンであっても多環式のもの脂肪族多環式アミンであってもよい。脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が6~10のものが好ましく、具体的には、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。その他の脂肪族アミンとしては、トリス2-メトキシメトキシエチルアミン、トリス{2-2-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-2-メトキシエトキシメトキシエチル}アミン、トリス{2-1-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシプロポキシエチル}アミン、トリス[2-{2-2-ヒドロキシエトキシエトキシ}エチル]アミン、トリエタノールアミントリアセテート等が挙げられる。芳香族アミンとしては、アニリン、ピリジン、4-ジメチルアミノピリジン、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾールまたはこれらの誘導体、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、2,6-ジイソプロピルアニリン、N-tert-ブトキシカルボニルピロリジン等が挙げられる。D2成分はいずれか1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。D2成分は、A成分100質量部に対して、通常0.01~5.0質量部の範囲で用いられる。上記範囲とすることにより、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等が向上する。D成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。本態様のレジスト組成物がD成分を含有する場合、D成分の含有量D1成分とD2成分との総量は、A成分100質量部に対して、0.1~15質量部であることが好ましく、0.3~12質量部であることがより好ましく、0.5~12質量部であることがさらに好ましい。上記範囲の下限値以上であると、ラフネス等のリソグラフィー特性がより向上する。また、より良好なレジストパターン形状が得られる。前記範囲の上限値以下であると、感度を良好に維持でき、スループットにも優れる。[E成分]本態様のレジスト組成物には、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、任意の成分として、有機カルボン酸、ならびにリンのオキソ酸およびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種の化合物E以下E成分という。を含有させることができる。有機カルボン酸としては、例えば、酢酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。リンのオキソ酸としては、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等が挙げられ、これらの中でもホスホン酸が特に好ましい。リンのオキソ酸の誘導体としては、たとえば、上記オキソ酸の水素原子を炭化水素基で置換したエステル等が挙げられ、前記炭化水素基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数6~15のアリール基等が挙げられる。リン酸の誘導体としては、リン酸ジ-n-ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸エステルなどが挙げられる。ホスホン酸の誘導体としては、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸-ジ-n-ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸エステルなどが挙げられる。ホスフィン酸の誘導体としては、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸エステルなどが挙げられる。E成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。本態様のレジスト組成物がE成分を含有する場合、E成分は、通常、A成分100質量部に対して、0.01~5質量部の範囲で用いられる。本態様のレジスト組成物には、さらに所望により、混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。[S成分]本態様のレジスト組成物は、材料を有機溶剤以下S成分ということがあるに溶解させて製造することができる。S成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができる。例えば、γ-ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル-n-ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2-ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体[これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEが好ましい];ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチルEL、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などを挙げることができる。これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。中でも、γ-ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、シクロヘキサノン、乳酸エチルELが好ましい。また、PGMEAと極性溶剤とを混合した混合溶媒も好ましい。その配合比質量比は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2の範囲内とすることが好ましい。たとえば極性溶剤としてELを配合する場合は、PGMEA:ELの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2である。また、極性溶剤としてPGMEを配合する場合は、PGMEA:PGMEの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2、さらに好ましくは3:7~7:3である。また、極性溶剤としてPGMEおよびシクロヘキサノンを配合する場合は、PGMEA:PGMEシクロヘキサノンの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2、さらに好ましくは3:7~7:3である。また、S成分として、その他には、PGMEA、EL、または前記PGMEAと極性溶剤との混合溶媒と、γ-ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは70:30~95:5とされる。S成分の使用量は特に限定しないが、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものであるが、一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が1~20質量、好ましくは2~15質量の範囲内となる様に用いられる。上記本発明の第一の態様のレジスト組成物は、EUV露光またはEB露光によりレジストパターンを形成する際の解像性等のリソグラフィー特性に優れており、しかも、ラフネスが少なく、断面形状の矩形性が高いパターン側壁の垂直性が高い良好な形状のレジストパターンを形成できる。これは、ベース樹脂として酸発生部位が導入されたA1成分を含有することによって、レジスト膜中での酸発生部位の分布が均一化すること;該酸発生部位に存在する、DUV領域特に150~300nmの波長の光に対して吸収を持つ芳香環、を1個以下とした構成単位a5を有するA1成分を含有し、且つ、該構成単位a5を誘導するモノマー量を100ppm質量基準以下とすることで、特に未露光部でのDUV領域の光の吸収を抑え、又はEB露光時における電子のレジスト膜表面での拡散散乱の影響を抑えて、未露光部での感光による酸の発生が抑制されること等が相乗的に作用しているため、と考えられる。加えて、A1成分が、酸発生部位を含む構成単位a5と共に、フェノール性水酸基を含む構成単位a6を有していることで、高感度化が図られている、と考えられる。≪レジストパターン形成方法≫本発明のレジストパターン形成方法は、支持体上に、前記第一の態様のEUV用又はEB用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜をEUV又はEBにより露光する工程、及び前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含む。本発明のレジストパターン形成方法は、例えば以下の様にして行うことができる。まず、支持体上に前記本発明の第一の態様のレジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、ベークポストアプライベークPAB処理を、たとえば80~150°Cの温度条件にて40~120秒間、好ましくは60~90秒間施してレジスト膜を形成する。次に、該レジスト膜に対し、EUV又はEBにより露光、例えばEB描画装置、EUV露光装置等の露光装置を用いて、所定のパターンが形成されたマスクマスクパターンを介した露光、又はマスクパターンを介さない電子線の直接照射による描画等による選択的露光を行った後、ベークポストエクスポージャーベークPEB処理を、たとえば80~150°Cの温度条件にて40~120秒間、好ましくは60~90秒間施す。次に、前記レジスト膜を現像処理する。アルカリ現像プロセスの場合は、アルカリ現像液、例えば0.1~10質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液を用いてアルカリ現像処理を行う。溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を用いて現像処理を行う。この有機溶剤としては、A成分露光前のA成分を溶解し得るものであればよく、公知の有機溶剤のなかから適宜選択できる。具体的には、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤、又は炭化水素系溶剤等を用いることができる。現像処理後、好ましくはリンス処理を行う。アルカリ現像プロセス後の場合は純水を用いた水リンスが好ましい。溶剤現像プロセス後の場合は、上記で挙げた有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。その後は乾燥を行う。また、場合によっては、上記現像処理後にベーク処理ポストベークを行ってもよい。このようにしてレジストパターンを得ることができる。本発明のレジスト組成物は、特に、アルカリ現像プロセスにてポジ型のレジストパターンを形成する方法に好適に用いられる。支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。また、支持体としては、上述のような基板上に、無機系及び/又は有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜無機BARCが挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜有機BARCや多層レジスト法における下層有機膜等の有機膜が挙げられる。ここで、多層レジスト法とは、基板上に、少なくとも一層の有機膜下層有機膜と、少なくとも一層のレジスト膜上層レジスト膜とを設け、上層レジスト膜に形成したレジストパターンをマスクとして下層有機膜のパターニングを行う方法であり、高アスペクト比のパターンを形成できるとされている。すなわち、多層レジスト法によれば、下層有機膜により所要の厚みを確保できるため、レジスト膜を薄膜化でき、高アスペクト比の微細パターン形成が可能となる。多層レジスト法には、基本的に、上層レジスト膜と、下層有機膜との二層構造とする方法2層レジスト法と、上層レジスト膜と下層有機膜との間に一層以上の中間層金属薄膜等を設けた三層以上の多層構造とする方法3層レジスト法とに分けられる。レジスト膜の露光方法は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光ドライ露光であってもよく、液浸露光LiquidImmersionLithographyであってもよい。液浸露光は、予めレジスト膜と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒液浸媒体で満たし、その状態で露光浸漬露光を行う露光方法である。液浸媒体としては、空気の屈折率よりも大きく、且つ、露光されるレジスト膜の有する屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒が好ましい。かかる溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。空気の屈折率よりも大きく、且つ、前記レジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、フッ素系不活性液体、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。フッ素系不活性液体の具体例としては、C3HCl2F5、C4F9OCH3、C4F9OC2H5、C5H3F7等のフッ素系化合物を主成分とする液体等が挙げられ、沸点が70~180°Cのものが好ましく、80~160°Cのものがより好ましい。フッ素系不活性液体が上記範囲の沸点を有するものであると、露光終了後に、液浸に用いた媒体の除去を、簡便な方法で行えることから好ましい。フッ素系不活性液体としては、特に、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されたパーフロオロアルキル化合物が好ましい。パーフロオロアルキル化合物としては、具体的には、パーフルオロアルキルエーテル化合物やパーフルオロアルキルアミン化合物を挙げることができる。さらに、具体的には、前記パーフルオロアルキルエーテル化合物としては、パーフルオロ2-ブチル-テトラヒドロフラン沸点102°Cを挙げることができ、前記パーフルオロアルキルアミン化合物としては、パーフルオロトリブチルアミン沸点174°Cを挙げることができる。液浸媒体としては、コスト、安全性、環境問題、汎用性等の観点から、水が好ましく用いられる。アルカリ現像プロセスで現像処理に用いるアルカリ現像液としては、例えば0.1~10質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液が挙げられる。溶剤現像プロセスで現像処理に用いる有機系現像液が含有する有機溶剤としては、A成分露光前のA成分を溶解し得るものであればよく、公知の有機溶剤のなかから適宜選択できる。具体的には、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤、又は炭化水素系溶剤を用いることができ、なかでもエステル系溶剤が好ましい。エステル系溶剤としては、酢酸ブチルが好ましい。有機系現像液には、必要に応じて公知の添加剤を配合できる。該添加剤としてはたとえば界面活性剤が挙げられる。界面活性剤としては、特に限定されないが、たとえばイオン性や非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。界面活性剤を配合する場合、その配合量は、有機系現像液の全量に対して、通常0.001~5質量であり、0.005~2質量が好ましく、0.01~0.5質量がより好ましい。現像処理は、公知の現像方法により実施でき、該方法としてはたとえば現像液中に支持体を一定時間浸漬する方法ディップ法、支持体表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止する方法パドル法、支持体表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している支持体上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出し続ける方法ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。溶剤現像プロセスで現像処理後のリンス処理に用いるリンス液が含有する有機溶剤としては、たとえば前記有機系現像液が含有する有機溶剤として挙げた有機溶剤のうち、レジストパターンを溶解しにくいものを適宜選択して使用できる。通常、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の溶剤を使用する。これらのなかでも、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤及びアミド系溶剤から選択される少なくとも1種類が好ましく、アルコール系溶剤及びエステル系溶剤から選択される少なくとも1種類がより好ましく、アルコール系溶剤が特に好ましい。リンス液を用いたリンス処理洗浄処理は、公知のリンス方法により実施でき、該方法としては、たとえば一定速度で回転している支持体上にリンス液を塗出し続ける方法回転塗布法、リンス液中に支持体を一定時間浸漬する方法ディップ法、支持体表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法等が挙げられる。次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。本実施例では、化学式1で表される化合物を化合物1と記載し、他の化学式で表される化合物についても同様に記載する。<A成分の合成例>[合成例1:共重合体A-1の合成]前駆体ポリマーを合成する工程:温度計、還流管及び窒素導入管を繋いだセパラブルフラスコ内で、36.74g146.76mmolの化合物11と、16.71g93.78mmolの化合物63と、7.75g25.55mmolの化合物51とを、79.53gの乳酸エチルEL/ガンマブチロラクトンGBL混合溶剤に溶解させた。この溶液に、重合開始剤としてアゾビスイソ酪酸ジメチルV-601、和光純薬工業株製30.82mmolを添加して溶解させた。これを、80°Cに加熱した42.28gのEL/GBLに、窒素雰囲気下、4時間かけて滴下した。滴下終了後、反応液を1時間加熱攪拌し、その後、反応液を室温まで冷却した。次に、得られた反応重合液を大量のイソプロパノールに滴下して重合体を析出させる操作を行い、沈殿した白色粉体前駆体ポリマーを濾別した。前駆体ポリマーを水で洗浄する工程:次いで、得られた前駆体ポリマーをジクロロメタンに溶解させ、水で洗浄液液抽出した。その後、再び、大量のイソプロパノールに滴下して重合体を析出させる操作を行い、沈殿した白色粉体を濾別した。その後、得られた白色粉体を乾燥して共重合体1-030.77gを得た。水で洗浄した後の前駆体ポリマーを有機カチオンと塩交換させる工程:得られた30.77gの共重合体1-0をナスフラスコに入れ、127.08gのジクロロメタンに溶解させた後、7.86gの塩交換用化合物c1と、127.08gの水とを加えて30分間撹拌塩交換し、その後、有機層を抽出した。次いで、抽出した有機層を水で洗浄し、溶媒を留去して、目的物である共重合体A-1を32.19g得た。[合成例2~14:共重合体A-2~11、37、41、42の合成]共重合体A-2~11、37、41、42は、上記[合成例1:共重合体A-1の合成]における、前駆体ポリマーを合成する工程で、モノマーとして下記化学式で表される化合物を所定のモル比でそれぞれ用い、また、塩交換用化合物として下記化学式c1~c5で表される化合物をそれぞれ用いた以外は、上記[合成例1:共重合体A-1の合成]の方法と同様にして得た。[合成例15、16:共重合体A-44、45の合成]共重合体A-44、及びA-45については、前記の前駆体ポリマーを水で洗浄する工程を行わない以外は上記[合成例1:共重合体A-1の合成]の方法と同様にして、すなわち、前記の前駆体ポリマーを合成する工程と前駆体ポリマーを有機カチオンと塩交換させる工程とを行うことにより、目的物である共重合体をそれぞれ得た。各共重合体の合成で用いたモノマー、塩交換用化合物;該合成の際、未反応モノマー除去に用いた洗浄溶媒を表1に示す。<レジスト組成物の調製>実施例1~61、比較例1~9]表2~5に示す各成分を混合、溶解してレジスト組成物を調製した。表2~5中、構成単位a5を誘導するモノマー量ppmは、構成単位a5を有する共重合体に対する、構成単位a5を誘導するモノマー量質量基準を示す。A-37、A-41、A-42、A-45については、後述の化学式で表される共重合体に対する、露光により酸を発生し得る構成単位該化学式中の右端の構成単位を誘導するモノマー量質量基準を示す。表2~5中、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。[]内の数値は配合量質量部である。A-1~A-11:下記化学式A-1~A-11でそれぞれ表される共重合体。A-21~A-37:下記化学式A-21~A-37でそれぞれ表される共重合体。A-41~A-45:下記化学式A-41~A-45でそれぞれ表される共重合体。A-1~A-3は前記樹脂A1-1-1に該当する。A-4~A-11、A-44は前記樹脂A1-1-2に該当する。A-21~A-37、A-42、A-45は前記樹脂A1-1-3に該当する。A成分について、各共重合体の共重合組成比化学式中の各構成単位の割合モル比、質量平均分子量Mw及び分子量分散度Mw/Mnを化学式とともに以下に示す。各共重合体の質量平均分子量Mw及び分子量分散度Mw/Mnは、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の値である。各共重合体の共重合組成比構造式中の各構成単位の割合モル比は、カーボン13核磁気共鳴スペクトル600MHz_13C-NMRにより求めた。13C-NMRの内部標準はテトラメチルシランTMSである。化学式A-31で表される共重合体について、アームの長さ平均とは、13C-NMRスペクトルにより帰属されるものであり、4本のアームをそれぞれ形成する2種の構成単位の合計数の平均値をいう。なお、樹脂A1-2-11は、米国特許出願公開第2010/55606号明細書の実施例に記載の方法に従って合成した。A-1:lmn=603010,Mw4000,MwMn1.65。A-2:lmno=36.936.116.910.1,Mw4000,MwMn1.64。A-3:lmno=10206010,Mw4000,MwMn1.67。A-4:lmn=444412,Mw7000,MwMn1.33。A-5:lmn=444412,Mw7000,MwMn1.24。A-6:lmn=444412,Mw7000,MwMn1.32。A-7:lmn=444412,Mw4000,MwMn1.61。A-8:lmn=444412,Mw7000,MwMn1.58。A-9:lmno=35351812,Mw7000,MwMn1.73。A-10:lmn=454510,Mw4000,MwMn1.45。A-11:lmn=444412,Mw4000,MwMn1.61。A-21:lmn=642313,Mw7000,MwMn1.56。A-22:lm=7525,Mw7000,MwMn1.45。A-23:lm=7525,Mw7000,MwMn1.35。A-24:lm=7525,Mw7000,MwMn1.41。A-25:lm=7525,Mw7000,MwMn1.21。A-26:lm=6040,Mw7000,MwMn1.33。A-27:lm=6040,Mw7000,MwMn1.21。A-28:lm=6040,Mw7000,MwMn1.23。A-29:lm=7525,Mw7000,MwMn1.33。A-30:lm=7030,Mw7000,MwMn1.35。A-31:[b11b12b13b14/b21b22b23b24=75/25モル比;b21b22b23b24の割合の方が保護率],アームの長さ平均7.0量体、Mw3300,MwMn1.56。A-32:lm=7525,Mw7000,MwMn1.43。A-33:lm=7525,Mw7000,MwMn1.54。A-34:lmno=5617/243,Mw1.45,MwMn9000。A-35:l=100,Mw8000,MwMn1.51。A-36:lm=7525,Mw7000,MwMn1.34。A-37:lmn=603010,Mw4000,MwMn1.21。A-41:lmn=444412,Mw7000,MwMn1.42。A-42:lmno=35351812,Mw6000,MwMn1.21。A-43:lmn=404020,Mw7000,MwMn1.60。A-44:lmn=444412,Mw7000,MwMn1.74;合成の際、未反応モノマーの除去前駆体ポリマーの水洗浄を実施せず。構成単位a5を誘導するモノマー量が100ppmを超える。A-45:lmn=603010,Mw4000,MwMn1.63;合成の際、未反応モノマーの除去前駆体ポリマーの水洗浄を実施せず。露光により酸を発生し得る構成単位を誘導するモノマー量が100ppmを超える。B-1:下記化学式B-1で表される化合物からなる酸発生剤。B-2:下記化学式B-2で表される化合物からなる酸発生剤。D-1:トリ-n-オクチルアミン。D-2:下記化学式D-2で表される化合物。D-3:下記化学式D-3で表される化合物。E-1:サリチル酸。S-1:γ-ブチロラクトン。S-2:PGMEA/PGME/シクロヘキサノン=1500/1000/2500質量比の混合溶剤。<構成単位a5を誘導するモノマー量の測定>構成単位a5を誘導するモノマー量について、以下の手順により測定した。手順1:構成単位a5を誘導するモノマーをγ-ブチロラクトンに溶解させた、異なる濃度5点の溶液に対してHPLC測定を実施し、検量線を作成してHPLC面積とモノマーの濃度の関係式を求めた。手順2:前記前駆体ポリマーを水で洗浄する工程で得られた合成物塩交換前の共重合体をそれぞれγ-ブチロラクトンに溶解させて濃度1質量溶液を調製した。手順3:濃度1質量溶液に対してHPLC測定を実施し、上記関係式より、共重合体の固形分に対するモノマー量ppm,質量基準を算出した。その結果を構成単位a5を誘導するモノマー量ppmとして表2~5に示した。なお、構成単位a5を誘導するモノマー露光により酸を発生し得る構成単位を誘導するモノマーとしては、化合物51~53、化合物51~53のカチオン部が各々対応する塩交換用化合物c1~c5のカチオン部と交換したものが該当する。上記HPLC測定は、以下に示す測定条件により実施した。[HPLC測定条件]展開溶媒:アセトニトリル/バッファー液80/20体積比、バッファー液:トリフルオロ酢酸/イオン交換水0.1室量、カラム:Superiorex-ODS、オーブン温度:30°C、測定波長:210nm、流速:1mL/分7分経過まで3mL/分20分まで。HPLCの展開溶媒の混合比は、用いたモノマーの種類に応じ、アセトニトリル/バッファー液=90/10~30/70体積比の間で適宜変更した。得られたレジスト組成物を用いて以下の評価を行った。<レジストパターンの形成>90°Cで36秒間のヘキサメチルジシラザンHMDS処理を施した8インチシリコン基板上に、各例のレジスト組成物を、スピンナーを用いて均一にそれぞれ塗布し、表6~8に示すベーク温度で60秒間のベーク処理PABを行ってレジスト膜膜厚60nmを成膜した。該レジスト膜に対し、電子線描画機HL800DVSBHitachi社製を用い、加速電圧70kVにて描画露光を行い、表6~8に示すベーク温度で60秒間のベーク処理PEBを行い、さらに23°CにてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAHの2.38質量水溶液商品名:NMD-3、東京応化工業株製を用いて60秒間のアルカリ現像を行った。その結果、いずれの例においても、ライン幅100nm、ピッチ200nmのラインアンドスペースのレジストパターン以下LSパターンという。が形成された。[感度の評価]該LSパターンが形成される最適露光量EopμC/cm2を求めた。その結果を表6~8に示す。[ラインエッジラフネスLERの評価]上記<レジストパターンの形成>で形成したライン幅100nm、ピッチ200nmのLSパターンについて、LERを示す尺度である3σを求めた。3σは、走査型電子顕微鏡加速電圧800V、商品名:S-9380、日立ハイテクノロジーズ社製により、ライン幅を、ラインの長手方向に400箇所測定し、その測定結果から求めた標準偏差σの3倍値3s単位:nmを示す。該3sの値が小さいほど、ライン側壁のラフネスが小さく、より均一幅のLSパターンが得られたことを意味する。その結果をLERnmとして表6~8に示す。[解像力の評価]上記Eopにおける限界解像度nmを、走査型電子顕微鏡S-9380日立ハイテクノロジー社製を用いて求めた。その結果を解像力nmとして表6~8に示す。[レジストパターン形状の評価]上記<レジストパターンの形成>で形成したライン幅100nm、ピッチ200nmのLSパターンの断面形状を、走査型電子顕微鏡商品名:SU-8000、日立ハイテクノロジー社製を用いて観察し、その形状を下記の評価基準により評価した。その結果を表6~8に示す。評価基準○:矩形性が高く、良好な形状であった。×:頭落ちTop-round形状であった。表6~8に示す結果から、実施例1~61のレジスト組成物は、いずれも、LERが小さく、解像力に優れてリソグラフィー特性が良好であること、矩形性の高い良好な形状であること、加えて高感度であること、が確認できた。"