原料ガスを供給してIII-V族化合物半導体膜をエピタキシャル成長させる工程を含み、前記原料ガスは、III族元素含有ガス、V族元素含有ガス、およびn型ドーパント含有ガスからなる群から選択された少なくとも1種のガスを含み、前記エピタキシャル成長させる工程は、前記III族元素含有ガスの供給を間欠的に停止する工程を含む、III-V族化合物半導体膜の製造方法。前記n型ドーパントがTeである、請求項1に記載のIII-V族化合物半導体膜の製造方法。成長用基板を準備する工程と、前記成長用基板上にn型GaAsコンタクト層を形成する工程と、前記n型GaAsコンタクト層上に光電変換層を形成する工程と、前記成長用基板を除去する工程と、を含み、前記n型GaAsコンタクト層を形成する工程は、請求項1または2に記載のIII-V族化合物半導体膜の製造方法を含み、前記光電変換層を形成する工程は、前記n型GaAsコンタクト層上にn型化合物半導体エミッタ層を形成する工程と、前記n型化合物半導体エミッタ層上にp型化合物半導体ベース層を形成する工程とを含む、化合物半導体太陽電池の製造方法。成長用基板を準備する工程と、前記成長用基板上にn型GaAsコンタクト層を形成する工程と、前記n型GaAsコンタクト層上に第1の光電変換層を形成する工程と、前記第1の光電変換層上に第1のn型化合物半導体層を含む第1のトンネル接合層を形成する工程と、前記第1のトンネル接合層上に第2の光電変換層を形成する工程と、前記成長用基板を除去する工程と、を含み、前記n型GaAsコンタクト層を形成する工程および前記第1のトンネル接合層を形成する工程の少なくとも一方が、請求項1または2に記載のIII-V族化合物半導体膜の製造方法を含み、前記第1の光電変換層を形成する工程は、前記n型GaAsコンタクト層上に第1のn型化合物半導体エミッタ層を形成する工程と、前記第1のn型化合物半導体エミッタ層上に第1のp型化合物半導体ベース層を形成する工程とを含み、前記第2の光電変換層を形成する工程は、前記第1のトンネル接合層上に第2のn型化合物半導体エミッタ層を形成する工程と、前記第2のn型化合物半導体エミッタ層上に第2のp型化合物半導体ベース層を形成する工程とを含む、化合物半導体太陽電池の製造方法。成長用基板を準備する工程と、前記成長用基板上にn型GaAsコンタクト層を形成する工程と、前記n型GaAsコンタクト層上に第1の光電変換層を形成する工程と、前記第1の光電変換層上に第1のn型化合物半導体層を含む第1のトンネル接合層を形成する工程と、前記第1のトンネル接合層上に第2の光電変換層を形成する工程と、前記第2の光電変換層上に第2のn型化合物半導体層を含む第2のトンネル接合層を形成する工程と、前記第2のトンネル接合層上にバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に第3の光電変換層を形成する工程と、前記成長用基板を除去する工程と、を含み、前記n型GaAsコンタクト層を形成する工程、前記第1のトンネル接合層を形成する工程および前記第2のトンネル接合層を形成する工程からなる群から選択された少なくとも1つの工程が、請求項1または2に記載のIII-V族化合物半導体膜の製造方法を含み、前記第1の光電変換層を形成する工程は、前記n型GaAsコンタクト層上に第1のn型化合物半導体エミッタ層を形成する工程と、前記第1のn型化合物半導体エミッタ層上に第1のp型化合物半導体ベース層を形成する工程とを含み、前記第2の光電変換層を形成する工程は、前記第1のトンネル接合層上に第2のn型化合物半導体エミッタ層を形成する工程と、前記第2のn型化合物半導体エミッタ層上に第2のp型化合物半導体ベース層を形成する工程とを含み、前記第3の光電変換層を形成する工程は、前記バッファ層上に第3のn型化合物半導体エミッタ層を形成する工程と、前記第3のn型化合物半導体エミッタ層上に第3のp型化合物半導体ベース層を形成する工程とを含む、化合物半導体太陽電池の製造方法。前記第3の光電変換層がInGaAsを含む、請求項5に記載の化合物半導体太陽電池の製造方法。前記第2のトンネル接合層の前記第2のn型化合物半導体層が、InGaP、AlInGaP、GaAsおよびInGaAsからなる群から選択された少なくとも1種を含む、請求項5または6に記載の化合物半導体太陽電池の製造方法。前記バッファ層が、InGaP、AlInGaP、AlInGaAsおよびInGaAsからなる群から選択された少なくとも1種を含む、請求項5から7のいずれかに記載の化合物半導体太陽電池の製造方法。本発明者らは、逆積みセルのコンタクト層およびトンネル接合層のn型ドーパント濃度を高濃度化し、キャリア濃度を高くすることによって、逆積みセルの特性を優れたものとするための検討を行なった。しかしながら、逆積みセルのコンタクト層およびトンネル接合層のn型ドーパント濃度を高濃度化しても化合物半導体太陽電池の特性はあまり向上しないことがわかった。たとえば特許文献2には、GaAs結晶へのTeのドーピング時の基板温度を500°C以上580°C以下にすることが記載されているが、特許文献2に記載の基板温度と同様の基板温度で検討した結果、低抵抗のGaAs結晶は得られなかった。上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、優れた特性を有する化合物半導体太陽電池を製造することが可能なIII-V族化合物半導体膜の製造方法および化合物半導体太陽電池の製造方法を提供することにある。本発明は、原料ガスを供給してIII-V族化合物半導体膜をエピタキシャル成長させる工程を含み、原料ガスは、III族元素含有ガス、V族元素含有ガス、およびn型ドーパント含有ガスからなる群から選択された少なくとも1種のガスを含み、エピタキシャル成長させる工程は、III族元素含有ガスの供給を間欠的に停止する工程を含むIII-V族化合物半導体膜の製造方法である。ここで、本発明のIII-V族化合物半導体膜の製造方法においては、n型ドーパントがTeであることが好ましい。また、本発明は、成長用基板を準備する工程と、成長用基板上にn型GaAsコンタクト層を形成する工程と、n型GaAsコンタクト層上に光電変換層を形成する工程と、成長用基板を除去する工程と、を含み、n型GaAsコンタクト層を形成する工程は、上記のIII-V族化合物半導体膜の製造方法を含み、光電変換層を形成する工程は、n型GaAsコンタクト層上にn型化合物半導体エミッタ層を形成する工程と、n型化合物半導体エミッタ層上にp型化合物半導体ベース層を形成する工程とを含む化合物半導体太陽電池の製造方法である。また、本発明は、成長用基板を準備する工程と、成長用基板上にn型GaAsコンタクト層を形成する工程と、n型GaAsコンタクト層上に第1の光電変換層を形成する工程と、第1の光電変換層上に第1のn型化合物半導体層を含む第1のトンネル接合層を形成する工程と、第1のトンネル接合層上に第2の光電変換層を形成する工程と、成長用基板を除去する工程と、を含み、n型GaAsコンタクト層を形成する工程および第1のトンネル接合層を形成する工程の少なくとも一方が上記のIII-V族化合物半導体膜の製造方法を含み、第1の光電変換層を形成する工程は、n型GaAsコンタクト層上に第1のn型化合物半導体エミッタ層を形成する工程と、第1のn型化合物半導体エミッタ層上に第1のp型化合物半導体ベース層を形成する工程とを含み、第2の光電変換層を形成する工程は、第1のトンネル接合層上に第2のn型化合物半導体エミッタ層を形成する工程と、第2のn型化合物半導体エミッタ層上に第2のp型化合物半導体ベース層を形成する工程とを含む化合物半導体太陽電池の製造方法である。さらに、本発明は、成長用基板を準備する工程と、成長用基板上にn型GaAsコンタクト層を形成する工程と、n型GaAsコンタクト層上に第1の光電変換層を形成する工程と、第1の光電変換層上に第1のn型化合物半導体層を含む第1のトンネル接合層を形成する工程と、第1のトンネル接合層上に第2の光電変換層を形成する工程と、第2の光電変換層上に第2のn型化合物半導体層を含む第2のトンネル接合層を形成する工程と、第2のトンネル接合層上にバッファ層を形成する工程と、バッファ層上に第3の光電変換層を形成する工程と、成長用基板を除去する工程と、を含み、n型GaAsコンタクト層を形成する工程、第1のトンネル接合層を形成する工程および第2のトンネル接合層を形成する工程からなる群から選択された少なくとも1つの工程が上記のIII-V族化合物半導体膜の製造方法を含み、第1の光電変換層を形成する工程は、n型GaAsコンタクト層上に第1のn型化合物半導体エミッタ層を形成する工程と、第1のn型化合物半導体エミッタ層上に第1のp型化合物半導体ベース層を形成する工程とを含み、第2の光電変換層を形成する工程は、第1のトンネル接合層上に第2のn型化合物半導体エミッタ層を形成する工程と、第2のn型化合物半導体エミッタ層上に第2のp型化合物半導体ベース層を形成する工程とを含み、第3の光電変換層を形成する工程は、バッファ層上に第3のn型化合物半導体エミッタ層を形成する工程と、第3のn型化合物半導体エミッタ層上に第3のp型化合物半導体ベース層を形成する工程とを含む化合物半導体太陽電池の製造方法である。また、本発明の化合物半導体太陽電池の製造方法においては、第3の光電変換層がInGaAsを含むことが好ましい。また、本発明の化合物半導体太陽電池の製造方法においては、第2のトンネル接合層の第2のn型化合物半導体層が、InGaP、AlInGaP、GaAsおよびInGaAsからなる群から選択された少なくとも1種を含むことが好ましい。また、本発明の化合物半導体太陽電池の製造方法においては、バッファ層が、InGaP、AlInGaP、AlInGaAsおよびInGaAsからなる群から選択された少なくとも1種を含むことが好ましい。本発明によれば、優れた特性を有する化合物半導体太陽電池を製造することが可能なIII-V族化合物半導体膜の製造方法および化合物半導体太陽電池の製造方法を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。本発明者は、逆積みセルにおいて、コンタクト層やトンネル接合層のキャリアn型ドーパント濃度を通常の方法によって高濃度化した場合でも、化合物半導体太陽電池の特性があまり向上しない理由は、n型ドーパントに用いられるSeやTeなどが有するメモリー効果やサーファクタント効果による表面偏析であると考えた。化合物半導体太陽電池の集光による発電時の特性を向上させる方法としては、最上層となるコンタクト層のキャリア濃度を上げることによって金属電極とコンタクト層との接触抵抗を低下させる方法、および/またはトンネル接合層のキャリア濃度を高くすることによって集光時に発生する電流量よりも大きいトンネル電流量を得る方法などが挙げられる。しかしながら、n型GaAsコンタクト層およびトンネル接合層のn型化合物半導体層にそれぞれn型ドーパントであるTeをドープして逆積みセルを作製したときには、表面偏析によって、n型GaAsコンタクト層の金属電極側の表面のキャリア濃度が低下するとともに、トンネル接合層のp型化合物半導体層とn型化合物半導体層との界面においてもキャリア濃度が低下することが判明した。そこで、本発明者は、この知見に基づいて鋭意検討した結果、表面偏析の発生を抑えて優れた特性を有する化合物半導体太陽電池を製造することが可能なIII-V族化合物半導体膜の製造方法を見い出した。本発明によって製造されるIII-V族化合物半導体太陽電池の一例は、以下のとおりである。すなわち、支持基板上に、第3の光電変換層、バッファ層、第2のトンネル接合層、第2の光電変換層、第1のトンネル接合層、第1の光電変換層、およびn型GaAsコンタクト層がこの順序に積層された構造を有する化合物半導体太陽電池である。そして、金属電極が形成される最上層のn型GaAsコンタクト層、第1のトンネル接合層のn型化合物半導体層、および第2のトンネル接合層のn型化合物半導体層からなる群から選択された少なくとも1層、好ましくはn型GaAsコンタクト層、第1のトンネル接合層および第2のトンネル接合層のそれぞれに、n型ドーパントとしてTeがドープされている。従来のIII-V族化合物半導体膜の製造方法においては、たとえば図1aに示すように、原料ガスである、V族元素含有ガス、III族元素含有ガス、およびn型ドーパント含有ガスとしてのTe含有ガスをそれぞれ連続的に供給することによって、TeドープIII-V族化合物半導体膜をエピタキシャル成長させている。これにより、従来のIII-V族化合物半導体膜の製造方法によって製造されたTeドープIII-V族化合物半導体膜のキャリア濃度は、たとえば図1bに示すように、成長開始時から所定時間までの期間に成長した部分においては増加するが、その後は一定となっていた。一方、本発明のIII-V族化合物半導体膜の製造方法の一例においては、たとえば図2aに示すように、原料ガスである、V族元素含有ガス、III族元素含有ガス、およびn型ドーパント含有ガスとしてのTe含有ガスのうち、V族元素含有ガスおよびTe含有ガスについては連続的に供給するが、III族元素含有ガスの供給を間欠的に停止することによって、TeドープIII-V族化合物半導体膜をエピタキシャル成長させる。これにより、本発明のIII-V族化合物半導体膜の製造方法の一例によって製造されたTeドープIII-V族化合物半導体膜のキャリア濃度は、たとえば図2bの実線に示されるように、III族元素含有ガスの供給停止期間t1は成長されず、III族元素含有ガスの供給期間t2に成長した部分においてのみ、つまり図2bの供給期間t2において、キャリア濃度が連続する形でのこぎり状に形成される。このように、III族元素含有ガスの供給停止期間t1に成長しない部分を形成し、III族元素含有ガスの供給期間t2に成長した部分を形成する理由は、成長が中断した表面でのTeの偏析を抑制し、高濃度のキャリア濃度を維持するためである。ここで、III族元素含有ガスの供給停止期間t1および供給期間t2はそれぞれ30秒以下であることが好ましく、10秒以下であることがより好ましい。t1およびt2がそれぞれ30秒以下である場合、特に10秒以下である場合には、上記の表面偏析の発生を効果的に抑制することができる。また、III族元素含有ガスの供給と供給停止とは、2回以上繰り返して行なうことが好ましい。この場合には、上記の表面偏析の発生を効果的に抑制することができる。なお、本明細書において、III族元素含有ガスの供給およびその供給の停止を1回の繰り返しとする。図3に、本発明のIII-V族化合物半導体膜の製造方法の一例の効果を確認するために用いたコンタクト抵抗評価用構造の模式的な断面図を示す。図3に示すコンタクト抵抗評価用構造は、n型GaAs基板11と、n型GaAs基板11上に積層されたn型GaAs層12と、n型GaAs層12上に積層されたn型GaAsコンタクト層13と、n型GaAsコンタクト層13の表面上に所定の間隔を空けて形成された金属電極14とを備えている。本発明のIII-V族化合物半導体膜の製造方法の一例の効果を確認するため、図3に示すn型GaAsコンタクト層13を図1に示す従来のIII-V族化合物半導体膜の製造方法比較例1および比較例2と、図2に示す本発明のIII-V族化合物半導体膜の製造方法の一例実施例1でn型GaAs層12上にエピタキシャル成長させて、n型GaAsコンタクト層13の表面抵抗率[Ωcm2]を測定した。その結果を表1に示す。なお、表面抵抗率は、図3の構造で電極の距離を隔てたパターンを数種類作製し、それぞれの間隔ごとに電流-電圧を測定し、その測定結果から抵抗を求め、距離と抵抗との関係に基づいて算出した。また、図3に示す比較例1~2および実施例1のコンタクト抵抗評価用構造を構成するその他の化合物半導体層は、CVDChemicalVaporDeposition法でエピタキシャル成長させた。ここで、比較例1においてはn型ドーパントとしてSiシリコンを用い、比較例2および実施例1においてはTeを用いた。また、実施例1においては、図2に示すIII族元素含有ガスの供給停止期間t1を3秒間とし、III族元素含有ガスの供給期間t2を10秒間とした。また、n型GaAsコンタクト層13のエピタキシャル成長においては、V族元素含有ガスとしてAsH3アルシンを用い、III族元素含有ガスとしてTMGトリメチルガリウムを用い、Si含有ガスとしてSiH4モノシランを用い、Te含有ガスとしてDETeジエチルテルルを用いた。表1に示すように、III族元素含有ガスの供給を間欠的に停止してエピタキシャル成長させた実施例1のn型GaAsコンタクト層13の表面抵抗率は2.5×104[Ωcm2]であって、比較例11.8×102[Ωcm2]および比較例21.2×102[Ωcm2]よりも2桁程度低いことが確認された。図4に、本発明のIII-V族化合物半導体膜の製造方法の他の一例の効果を確認するために用いたトンネル接合評価構造の模式的な断面図を示す。図4に示すトンネル接合評価構造は、p型GaAs基板21と、p型GaAs基板21上に積層されたp型InGaP層22と、p型InGaP層22上に積層されたp型AlGaAs層23と、p型AlGaAs層23上に積層されたn型InxGa1xPx=0.48層24と、n型InxGa1xPx=0.48層24上に積層されたn型AlInP層25と、n型AlInP層25上に積層されたn型GaAs層26とを備えている。そして、p型GaAs基板21の表面上にp側金属電極27が形成されているとともに、n型GaAs層26の表面上にn側金属電極28が形成されている。図5に、本発明のIII-V族化合物半導体膜の製造方法の他の一例の効果を確認するために用いたトンネル接合評価構造の模式的な断面図を示す。図5に示すトンネル接合評価構造は、n型GaAs基板31と、n型GaAs基板31上に積層されたn型AlInP層32と、n型AlInP層32上に積層されたn型InxGa1xPx=0.48層33と、n型InxGa1xPx=0.48層33上に積層されたp型AlGaAs層34と、p型AlGaAs層34上に積層されたp型InGaP層35と、p型InGaP層35上に積層されたp型GaAs層36とを備えている。そして、n型GaAs基板31の表面上にn側金属電極37が形成されているとともに、p型GaAs層36の表面上にp側金属電極38が形成されている。本発明のIII-V族化合物半導体膜の製造方法の他の一例の効果を確認するため、図1に示す従来のIII-V族化合物半導体膜の製造方法で、図4に示すn型InxGa1xPx=0.48層24比較例3および比較例4と、図5に示すn型InxGa1xPx=0.48層33比較例5とをエピタキシャル成長させるとともに、図2に示す本発明のIII-V族化合物半導体膜の製造方法の一例によって、図4に示すn型InxGa1xPx=0.48層24実施例2をエピタキシャル成長させた。図4および図5に示す比較例3~5および実施例2のトンネル接合評価構造を構成する化合物半導体層は、CVD法でエピタキシャル成長させた。そして、比較例3~5および実施例2のトンネル接合評価構造におけるトンネル電流のピーク電流量[A/cm2]を測定した。その結果を表2に示す。なお、トンネル電流のピーク電流量は、図4および図5に示す構造を作製し、300μmの円形状にメサエッチした後に、電流-電圧特性を測定することにより算出した。ここで、比較例3においてはn型ドーパントとしてSiを用い、比較例4、比較例5および実施例2においてはTeを用いた。また、実施例2においても、図2に示すIII族元素含有ガスの供給停止期間t1を3秒間とし、III族元素含有ガスの供給期間t2を10秒間とした。また、図4に示すn型InxGa1xPx=0.48層24および図5に示すn型InxGa1xPx=0.48層33のエピタキシャル成長においては、V族元素含有ガスとしてPH3ホスフィンを用い、III族元素含有ガスとしてTMGおよびTMIトリメチルインジウムを用い、Si含有ガスとしてSiH4を用い、Te含有ガスとしてDETeを用いた。表2に示すように、図5に示す比較例5のトンネル接合評価構造におけるトンネル電流のピーク電流量は、図4に示す比較例3および4のトンネル接合評価構造におけるトンネル電流量のピーク電流量よりも飛躍的に大きくなることが確認された。しかしながら、III族元素含有ガスの供給を間欠的に停止してエピタキシャル成長させた実施例2のトンネル接合評価構造においては、図4に示すトンネル接合評価構造であっても、図5に示すトンネル接合評価構造である比較例5よりもさらにトンネル電流量のピーク電流量が大きくなることが確認された。また、本発明によって製造される化合物半導体太陽電池の一例支持基板上に、第3の光電変換層、バッファ層、第2のトンネル接合層、第2の光電変換層、第1のトンネル接合層、第1の光電変換層、およびn型GaAsコンタクト層がこの順序に積層された構造を有する化合物半導体太陽電池において、第1の光電変換層を構成する化合物半導体はInGaPまたはAlInGaPを含むことが好ましい。この場合には、第1の光電変換層を構成する化合物半導体は、GaAs基板、Ge基板等の格子定数と整合することが好ましく、Alの組成を増やすと高いエネルギーギャップEgの半導体となるので、Vocが高くなる傾向にある。なお、第1の光電変換層を構成する化合物半導体がInGaPを含む場合のInインジウムとGaガリウムとPリンとの組成比は特に限定されず、適宜設定することが可能である。また、第1の光電変換層を構成する化合物半導体がAlInGaPを含む場合のAlアルミニウムとInとGaとPとの組成比は特に限定されず、適宜設定することが可能である。また、本発明によって製造される化合物半導体太陽電池の一例において、第2の光電変換層を構成する化合物半導体はGaAsまたはInGaAsを含むことが好ましい。この場合には、第2の光電変換層を構成する化合物半導体は、GaAs基板、Ge基板の格子定数と整合することが好ましく、Inの組成を増やすと低いエネルギーギャップEgの半導体となるので、Vocが低くなる傾向にある。なお、第2の光電変換層を構成する化合物半導体がGaAsを含む場合のGaとAsヒ素との組成比は特に限定されず、適宜設定することが可能である。また、第2の光電変換層を構成する化合物半導体がInGaAsを含む場合のInとGaとAsとの組成比は特に限定されず、適宜設定することが可能である。また、本発明によって製造される化合物半導体太陽電池の一例において、第3の光電変換層を構成する化合物半導体はInGaAsを含むことが好ましい。この場合には、InGaAsにおけるInの組成を増やすと低いエネルギーギャップEgの半導体となるので、Vocが低くなる傾向にある。なお、第3の光電変換層を構成する化合物半導体がInGaAsを含む場合のInとGaとAsとの組成比は特に限定されず、適宜設定することが可能である。また、本発明によって製造される化合物半導体太陽電池の一例において、第2のトンネル接合層のn型化合物半導体層は、InGaP、AlInGaP、GaAsおよびInGaAsからなる群から選択された少なくとも1種を含むことが好ましい。この場合には、第2のトンネル接合層のn型化合物半導体層は、トンネル材料で光吸収されないようにエネルギーギャップEgが大きいことが好ましいが、エネルギーギャップEgが大きくなると、トンネル電流が低くなる傾向にある。なお、第2のトンネル接合層のn型化合物半導体層がInGaPを含む場合のInとGaとPとの組成比は特に限定されず、適宜設定することが可能である。また、第2のトンネル接合層のn型化合物半導体層がAlInGaPを含む場合のAlとInとGaとPとの組成比は特に限定されず、適宜設定することが可能である。また、第2のトンネル接合層のn型化合物半導体層がGaAsを含む場合のGaとAsとの組成比は特に限定されず、適宜設定することが可能である。また、第2のトンネル接合層のn型化合物半導体層がInGaAsを含む場合のInとGaとAsとの組成比は特に限定されず、適宜設定することが可能である。また、本発明によって製造される化合物半導体太陽電池の一例において、バッファ層が、InGaP、AlInGaP、AlInGaAsおよびInGaAsからなる群から選択された少なくとも1種を含むことが好ましい。この場合には、バッファ層で光吸収されないように、ミドルセルよりもエネルギーギャップEgが大きいことが好ましい傾向にある。なお、バッファ層がInGaPを含む場合のInとGaとPとの組成比は特に限定されず、適宜設定することが可能である。また、バッファ層がAlInGaPを含む場合のAlとInとGaとPとの組成比は特に限定されず、適宜設定することが可能である。また、バッファ層がAlInGaAsを含む場合のAlとInとGaとAsとの組成比は特に限定されず、適宜設定することが可能である。また、バッファ層がInGaAsを含む場合のInとGaとAsとの組成比は特に限定されず、適宜設定することが可能である。<実施の形態1>図6に、本発明の化合物半導体太陽電池の一例である実施の形態1のIII-V族化合物半導体太陽電池の模式的な断面図を示す。実施の形態1のIII-V族化合物半導体太陽電池は、支持基板41たとえば厚さ400μm上に、金属層42、p型InGaAsからなるコンタクト層43たとえば厚さ0.4μm、p型InGaPからなるBSF層44たとえば厚さ0.1μm、p型InGaAsからなるベース層45たとえば厚さ3μm、n型InGaAsからなるエミッタ層46たとえば厚さ0.1μmおよびn型InGaPからなる窓層47たとえば厚さ0.1μmがこの順序に積層された構成を有している。ここで、p型InGaAsからなるベース層45とn型InGaAsからなるエミッタ層46との接合体から第3の光電変換層としてのボトムセルが構成されている。なお、n型InGaPからなる窓層47の格子定数およびn型InGaAsからなるエミッタ層46の格子定数はそれぞれ、p型InGaAsからなるベース層45の格子定数と同等程度とされている。また、n型InGaPからなる窓層47上には、n型InxGa1xPからなるバッファ層48たとえば厚さ2.25~3.25μmが積層されている。なお、バッファ層48は、その厚さ方向にIn組成xが階段状に変化するようにして形成されている。また、バッファ層48上には、n型InxGa1xPx=0.48層49たとえば厚さ0.05μm、n型AlInP層50たとえば厚さ0.05μm、n型GaAs層51たとえば厚さ0.02μm、p型AlGaAs層52たとえば厚さ0.02μmおよびp型AlInP層53たとえば厚さ0.05μmがこの順に積層されている。ここで、n型InxGa1xPx=0.48層49、n型AlInP層50、n型GaAs層51、p型AlGaAs層52およびp型AlInP層53から第2のトンネル接合層が形成されている。また、第2のトンネル接合層上には、p型InxGa1xPx=0.48からなるBSF層54たとえば厚さ0.1μm、p型GaAsからなるベース層55たとえば厚さ3μm、n型GaAsからなるエミッタ層56たとえば厚さ0.1μmおよびn型InxGa1xPx=0.48からなる窓層57たとえば厚さ0.1μmがこの順序で積層されている。ここで、p型GaAsからなるベース層55とn型GaAsからなるエミッタ層56との接合体から第2の光電変換層としてのミドルセルが構成されている。また、n型InxGa1xPx=0.48からなる窓層57上には、n型AlInP層58たとえば厚さ0.05μm、n型InxGa1xPx=0.48層59たとえば厚さ0.02μm、p型AlGaAs層60たとえば厚さ0.02μmおよびp型AlInP層61たとえば厚さ0.05μmがこの順に積層されている。ここで、n型AlInP層58、n型InxGa1xPx=0.48層59、p型AlGaAs層60およびp型AlInP層61から第1のトンネル接合層が構成されている。また、p型AlInP層61上には、p型AlInPからなるBSF層62たとえば厚さ0.05μm、p型InxGa1xPx=0.48からなるベース層63たとえば厚さ0.65μm、n型InxGa1xPx=0.48からなるエミッタ層64たとえば厚さ0.05μmおよびn型AlInPからなる窓層65たとえば厚さ0.05μmがこの順に積層されている。ここで、p型InxGa1xPx=0.48からなるベース層63と、n型InxGa1xPx=0.48からなるエミッタ層64との接合体から第1の光電変換層としてのトップセルが構成されている。また、n型AlInPからなる窓層65上に、n型GaAsからなるコンタクト層66たとえば厚さ0.35μmとn型GaAsからなるコンタクト層67たとえば厚さ0.05μmおよび反射防止膜69が形成され、コンタクト層67上に金属電極68が形成されている。なお、図6に示す実施の形態1のIII-V族化合物半導体太陽電池においては、第3の光電変換層としてのボトムセルを構成する化合物半導体、第2の光電変換層としてのミドルセルを構成する化合物半導体、および第1の光電変換層としてのトップセルを構成する化合物半導体の順にバンドギャップが大きくなっている。以下、図7~図9の模式的断面図を参照して、図6に示す実施の形態1のIII-V族化合物半導体太陽電池の製造方法の一例について説明する。まず、成長用基板としてたとえば直径50mmのGaAs基板71を準備し、GaAs基板71をMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition装置内に設置してたとえば700°Cに加熱する。そして、図7に示すように、GaAs基板71上に、GaAsと選択エッチングが可能なエッチングストップ層となるSiドープされたn型InxGa1xPx=0.48からなるエッチングストップ層70を形成する。次に、GaAs基板71の温度をたとえば580°Cまで低下させ、原料ガスのV族元素含有ガスとしてたとえばAsH3、III族元素含有ガスとしてたとえばTMG、およびn型ドーパント含有ガスとしてたとえばDETeをそれぞれMOCVD装置内に供給することによって、エッチングストップ層70上にTeドープn型GaAsからなるコンタクト層67をエピタキシャル成長させる。ここで、Teドープn型GaAsからなるコンタクト層67のエピタキシャル成長は、III族元素含有ガスであるTMGを、たとえば、図2に示すIII族元素含有ガスの供給停止期間t1を2秒間とし、III族元素含有ガスの供給期間t2を4秒間として、MOCVD装置内に間欠的に供給し、III族元素含有ガスの供給およびその供給の停止を4回繰り返すことによって行なわれる。次に、GaAs基板71の温度をたとえば700°Cまで上昇させ、n型GaAsからなるコンタクト層67上に、Siドープされたn型GaAsからなるコンタクト層66、Siドープされたn型AlInPからなる窓層65、Siドープされたn型InxGa1xPx=0.48からなるエミッタ層64、Znドープされたp型InxGa1xPx=0.48からなるベース層63、およびZnドープされたp型AlInPからなるBSF層62をこの順にMOCVD法によりエピタキシャル成長させる。次に、Znドープされたp型AlInPからなるBSF層62上に、Znドープされたp型AlInP層61をエピタキシャル成長させる。次に、GaAs基板71の温度をたとえば580°Cまで低下させ、p型AlInP層61上にC炭素ドープされたp型AlGaAs層60をエピタキシャル成長させる。次に、原料ガスのV族元素含有ガスとしてたとえばPH3、III族元素含有ガスとしてたとえばTMGおよびTMI、ならびにn型ドーパント含有ガスとしてたとえばDETeをそれぞれMOCVD装置内に供給することによって、p型AlGaAs層60上にTeドープn型InxGa1xPx=0.48層59をエピタキシャル成長させる。ここで、Teドープn型InxGa1xPx=0.48層59のエピタキシャル成長は、III族元素含有ガスであるTMGおよびTMIを、たとえば、図2に示すIII族元素含有ガスの供給停止期間t1を3秒間とし、III族元素含有ガスの供給期間t2を8秒間として、MOCVD装置内に間欠的に供給し、III族元素含有ガスの供給およびその供給の停止を3回繰り返すことにより行なうことができる。。次に、GaAs基板71の温度をたとえば700°Cまで上昇させ、Teドープn型InxGa1xPx=0.48層59上に、Siドープn型AlInP層58をMOCVD法によりエピタキシャル成長させる。次に、Siドープされたn型AlInP層58上に、Siドープされたn型InxGa1xPx=0.48からなる窓層57、Siドープされたn型GaAsからなるエミッタ層56、Znドープされたp型GaAsからなるベース層55、およびZnドープされたp型InxGa1xPx=0.48からなるBSF層54をこの順にMOCVD法によりエピタキシャル成長させる。次に、p型InxGa1xPx=0.48からなるBSF層54上に、Znドープされたp型AlInP層53を積層した後、GaAs基板71の温度をたとえば580°Cに変更し、p型AlInP層53上にCドープされたp型AlGaAs層52をエピタキシャル成長させる。次に、GaAs基板71の温度をたとえば580°Cまで低下させ、原料ガスのV族元素含有ガスとしてたとえばAsH3、III族元素含有ガスとしてたとえばTMG、およびn型ドーパント含有ガスとしてたとえばDETeをそれぞれMOCVD装置内に供給することによって、p型AlGaAs層52上にTeドープn型GaAs層51をエピタキシャル成長させる。ここで、Teドープn型GaAs層51のエピタキシャル成長は、III族元素含有ガスであるTMGを、たとえば、図2に示すIII族元素含有ガスの供給停止期間t1を3秒間とし、III族元素含有ガスの供給期間t2を8秒間として、MOCVD装置内に間欠的に供給し、III族元素含有ガスの供給およびその供給の停止を7回繰り返すことによって行なうことができる。次に、GaAs基板71の温度をたとえば700°Cまで上昇させ、n型GaAs層51上にn型AlInP層50をMOCVD法によりエピタキシャル成長させる。次に、n型AlInP層50上に、Siドープn型InxGa1xPx=0.48層49およびSiドープn型InxGa1xP層からなるバッファ層48をMOCVD法によりエピタキシャル成長させる。次に、n型InxGa1xP層からなるバッファ層48上に、Siドープn型InGaPからなる窓層47、Siドープn型InGaAsからなるエミッタ層46、Znドープp型InGaAsからなるベース層45、Znドープp型InGaPからなるBSF層44およびp型InGaAsからなるコンタクト層43をこの順にMOCVD法によりエピタキシャル成長させる。なお、GaAsの形成にはたとえばAsH3およびTMGを用いることができ、InGaPの形成にはたとえばTMI、TMGおよびPH3を用いることができる。また、InGaAsの形成にはたとえばTMI、TMGおよびAsH3を用いることができ、AlInPの形成にはたとえばTMA、TMIおよびPH3を用いることができる。また、AlGaAsの形成にはたとえばTMA、TMGおよびAsH3を用いることができる。また、TeドーパントガスとしてはたとえばDETeを用いることができ、SiドーパントガスとしてはたとえばSiH4を用いることができる。また、ZnドーパントガスとしてはたとえばDEZnジエチル亜鉛を用いることができ、CドーパントガスとしてはたとえばCH4メタンを用いることができる。その後、図8に示すように、p型InGaAsからなるコンタクト層43の表面上にたとえばAu/Agの積層体からなる金属層42を形成し、金属層42によって支持基板41をコンタクト層43に貼り付ける。次に、図9に示すように、GaAs基板71をアルカリ水溶液にてエッチングして除去し、その後、n型InxGa1xPx=0.48からなるエッチングストップ層70を酸水溶液にてエッチングして除去する。次に、n型GaAsからなるコンタクト層67の表面上にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成した後、n型GaAsからなるコンタクト層67およびn型GaAsからなるコンタクト層66のそれぞれの一部をアルカリ水溶液を用いたエッチングにより除去して、n型AlInPからなる窓層65の表面の一部を露出させる。そして、残されたn型GaAsからなるコンタクト層67の表面上に再度フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、抵抗加熱蒸着装置およびEBElectronBeam蒸着装置を用いて、図6に示すように、n型GaAsからなるコンタクト層67の表面上に、たとえば、AuGe12層/Ni層/Au層/Ag層の積層体からなる金属電極68を形成する。次に、図6に示すように、EB蒸着法により、たとえばTiO2膜たとえば厚さ55nmおよびAl2O3膜たとえば厚さ85nmの積層体からなる反射防止膜69をn型AlInPからなる窓層65の表面上に形成する。これにより、受光面が化合物半導体層の成長方向と反対側に位置する図6に示す実施の形態1のIII-V族化合物半導体太陽電池を製造することができる。実施の形態1のIII-V族化合物半導体太陽電池は、n型GaAsからなるコンタクト層67、第1のトンネル接合層のn型InxGa1xPx=0.48層59および第2のトンネル接合層のn型GaAs層51をそれぞれMOCVD装置内にIII族元素含有ガスを間欠的に供給することによる本発明のIII-V族化合物半導体膜の製造方法によってエピタキシャル成長させることにより形成されている。したがって、実施の形態1のIII-V族化合物半導体太陽電池においては、n型GaAsからなるコンタクト層67の金属電極68側の表面のキャリア濃度の低下を抑えることができるとともに、第1のトンネル接合層のn型InxGa1xPx=0.48層59とp型AlGaAs層60との接合界面、および第2のトンネル接合層のn型GaAs層51とp型AlGaAs層52との接合界面におけるキャリア濃度の低下を抑えることができる。そのため、実施の形態1のIII-V族化合物半導体太陽電池は、優れた特性を有する化合物半導体太陽電池とすることができる。なお、上記において、エミッタ層および窓層の厚さはそれぞれ、ベース層の厚さに対して非常に薄いため、エミッタ層および窓層の存在の有無は上記の格子定数差比にほとんど影響を与えないものと考えられる。また、本明細書において、化合物の化学式において化合物を構成する元素の組成比が記載されておらず、その組成について特に言及されていないものについては、その組成比は特に限定されず、適宜設定することが可能であることを意味している。また、本明細書において、化合物の化学式において化合物を構成する元素の組成比が記載されている場合でも、本発明はその組成比の構成に限定されるものではないことは言うまでもない。<実施の形態2>図10に、本発明の化合物半導体太陽電池の他の一例である実施の形態2のIII-V族化合物半導体太陽電池の模式的な断面図を示す。実施の形態2のIII-V族化合物半導体太陽電池は、第1の光電変換層としてのトップセルが、p型AlInGaPからなるベース層81と、n型AlInGaPからなるエミッタ層82との接合体から構成されている点に特徴がある。それ以外の構造および製造方法については実施の形態1と同様である。したがって、実施の形態2のIII-V族化合物半導体太陽電池においても、n型GaAsからなるコンタクト層67、第1のトンネル接合層のn型InxGa1xPx=0.48層59および第2のトンネル接合層のn型GaAs層51をそれぞれ、MOCVD装置内にIII族元素含有ガスを間欠的に供給することによる本発明のIII-V族化合物半導体膜の製造方法によってエピタキシャル成長させることにより形成している。これにより、実施の形態2のIII-V族化合物半導体太陽電池においても、n型GaAsからなるコンタクト層67の金属電極68側の表面のキャリア濃度の低下を抑えることができるとともに、第1のトンネル接合層のn型InxGa1xPx=0.48層59とp型AlGaAs層60との接合界面、および第2のトンネル接合層のn型GaAs層51とp型AlGaAs層52との接合界面におけるキャリア濃度の低下を抑えることができる。そのため、実施の形態2のIII-V族化合物半導体太陽電池も、優れた特性を有する化合物半導体太陽電池とすることができる。<実施の形態3>本発明の化合物半導体太陽電池の他の一例である実施の形態3のIII-V族化合物半導体太陽電池は、実施の形態1のGaAs基板71に代えて、たとえば図11および図12の模式的断面図に示すように、Ge基板91上に化合物半導体層をエピタキシャル成長させ、かつ各化合物半導体層をGeの格子定数に合わせている点に特徴がある。それ以外の構造および製造方法については実施の形態1と同様である。したがって、実施の形態3のIII-V族化合物半導体太陽電池においても、n型GaAsからなるコンタクト層67、第1のトンネル接合層のn型InxGa1xPx=0.48層59および第2のトンネル接合層のn型GaAs層51をそれぞれ、MOCVD装置内にIII族元素含有ガスを間欠的に供給することによる本発明のIII-V族化合物半導体膜の製造方法によってエピタキシャル成長させることにより形成している。これにより、実施の形態3のIII-V族化合物半導体太陽電池においても、n型GaAsからなるコンタクト層67の金属電極68側の表面のキャリア濃度の低下を抑えることができるとともに、第1のトンネル接合層のn型InxGa1xPx=0.48層59とp型AlGaAs層60との接合界面、および第2のトンネル接合層のn型GaAs層51とp型AlGaAs層52との接合界面におけるキャリア濃度の低下を抑えることができる。そのため、実施の形態3のIII-V族化合物半導体太陽電池も、優れた特性を有する化合物半導体太陽電池とすることができる。<実施の形態4>本発明の化合物半導体太陽電池の他の一例である実施の形態4のIII-V族化合物半導体太陽電池は、実施の形態2のように、第1の光電変換層としてのトップセルが、p型AlInGaPからなるベース層81とn型AlInGaPからなるエミッタ層82との接合体から構成されているが、実施の形態3のように、Ge基板91上に化合物半導体層をエピタキシャル成長させ、かつ各化合物半導体層をGeの格子定数に合わせてIII-V族化合物半導体太陽電池を作製している点に特徴がある。それ以外の構造および製造方法については実施の形態1と同様である。したがって、実施の形態4のIII-V族化合物半導体太陽電池においても、n型GaAsからなるコンタクト層67、第1のトンネル接合層のn型InxGa1xPx=0.48層59および第2のトンネル接合層のn型GaAs層51をそれぞれ、MOCVD装置内にIII族元素含有ガスを間欠的に供給することによる本発明のIII-V族化合物半導体膜の製造方法によってエピタキシャル成長させることにより形成している。これにより、実施の形態4のIII-V族化合物半導体太陽電池においても、n型GaAsからなるコンタクト層67の金属電極68側の表面のキャリア濃度の低下を抑えることができるとともに、第1のトンネル接合層のn型InxGa1xPx=0.48層59とp型AlGaAs層60との接合界面、および第2のトンネル接合層のn型GaAs層51とp型AlGaAs層52との接合界面におけるキャリア濃度の低下を抑えることができる。そのため、実施の形態4のIII-V族化合物半導体太陽電池も、優れた特性を有する化合物半導体太陽電池とすることができる。<比較例6>実施の形態1のIII-V族化合物半導体太陽電池のn型GaAsからなるコンタクト層67、第1のトンネル接合層のn型InxGa1xPx=0.48層59および第2のトンネル接合層のn型GaAs層51をそれぞれ、図1に示すようにMOCVD装置内にIII族元素含有ガスを連続的に供給することによってエピタキシャル成長させたこと以外は実施の形態1と同様にして、比較例6のIII-V族化合物半導体太陽電池を作製した。そして、実施の形態1のIII-V族化合物半導体太陽電池の受光面と、比較例6のIII-V族化合物半導体太陽電池の受光面に、それぞれ、25°Cの雰囲気下で、AM1.5で、エネルギ密度100mW/cm2の擬似太陽光を所定の倍率で集光して発電させることによりI-V曲線を作成し、そのI-V曲線から変換効率を算出した。図13に、実施の形態1のIII-V族化合物半導体太陽電池と、比較例6のIII-V族化合物半導体太陽電池の集光倍率倍と変換効率との関係について示す。図13の横軸は集光倍率倍を示し、縦軸は変換効率を示している。図13に示すように、比較例6のIII-V族化合物半導体太陽電池においては、集光倍率が数十倍のときに変換効率が最大の40程度となる。一方、実施の形態1のIII-V族化合物半導体太陽電池においては、集光倍率が数百倍のときに変換効率が最大の42程度となって、比較例6のIII-V族化合物半導体太陽電池の変換効率の最大値を遥かに上回ることが確認された。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。