超電導線材の製造に用いる酸化物超電導薄膜を、有機金属化合物を原料とし、塗布熱分解法により製造する酸化物超電導薄膜の製造方法であって、基板上に前記有機金属化合物の溶液を塗布、乾燥して塗膜を作製する塗膜作製工程と、前記塗膜の前記有機金属化合物に含有される有機成分を熱分解、除去して、仮焼膜を作製する仮焼熱処理工程と、前記仮焼膜を結晶化させて、酸化物超電導薄膜を作製する本焼熱処理工程とを備えており、前記仮焼熱処理工程において、赤外線加熱により仮焼膜を作製することを特徴とする酸化物超電導薄膜の製造方法。前記赤外線が、遠赤外線であることを特徴とする請求項1に記載の酸化物超電導薄膜の製造方法。前記遠赤外線の波長領域が、3~10μmであることを特徴とする請求項2に記載の酸化物超電導薄膜の製造方法。酸化物超電導薄膜は、複数層タイプであり、前記仮焼膜の厚さが、1層当り0.02~1μmであることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の酸化物超電導薄膜の製造方法。前記本焼膜の上にさらに塗膜を積層し、前記塗膜の仮焼熱処理および本焼熱処理を行うことにより、複数層の酸化物超電導層を形成することを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の酸化物超電導薄膜の製造方法。しかし、従来のMOD法による酸化物超電導薄膜の製造においては、厚膜化した仮焼膜に対して本焼熱処理を行った場合、エピタキシャル成長が阻害されてランダム配向になるため、高Icを得ることができない場合があった。そこで本発明は、厚膜化した場合にも、結晶が充分にc軸配向して、所望する高いIcを有する超電導特性に優れた酸化物超電導薄膜を得ることができる酸化物超電導薄膜の製造方法を提供することを課題とする。本発明者は、従来のMOD法において、厚膜化した仮焼膜に対して本焼熱処理を行った場合、何故に、結晶が充分にc軸配向せず、所望する高いIcを得ることができないのか、仮焼熱処理工程に着目して種々の実験を行い、以下の知見を得た。即ち、仮焼熱処理工程における加熱方法としては、原料溶液が塗布された基板の全周からガスの対流伝熱による熱伝導加熱を行う全周加熱と、基板の底面から伝導伝熱および輻射加熱を行う底面加熱とがあるが、いずれの場合も仮焼膜の厚さ方向に対して元素偏析が認められ、全周加熱においてはさらに発泡やクラックなどの不良が生じる場合もある。上記のような現象が起きる原因は、次のように考えられる。例えば、全周加熱の熱伝導加熱を採用した場合、塗膜の上下からの熱伝導により加熱されるため、塗膜の内部よりも上下部の熱分解が速く進み、元素偏析が生じる。また、塗膜の表面から熱分解が進むため発泡やクラックが発生し易い。一方、底面加熱の場合、発泡やクラックなどの欠陥は発生しにくいが、塗膜の下からの熱伝導により加熱されるため、塗膜の内部および上部よりも下部の熱分解が速く進むため元素偏析が生じる。そこで、本発明者は、塗膜を均一に加熱する方法について検討を行い、赤外線等電磁波の照射による加熱方式は塗膜内部を加熱できる可能性があることに着目した。そして、実験検討を行った結果、仮焼熱処理においては赤外線照射による加熱赤外線加熱が有効であり、赤外線加熱を行った場合には内部を含めて塗膜を均一に加熱でき、厚さ方向に対する元素偏析が少なく、さらに30°C/min程度以上に急速に昇温した場合でも、発泡やクラック等の不良が起きにくいことを見出し、特に、遠赤外線で加熱した場合には、元素偏析低減の効果が大きいことを見出した。本発明は、上記の知見に基づいてなされたものである。以下、各請求項の発明を説明する。請求項1に記載の発明は、超電導線材の製造に用いる酸化物超電導薄膜を、有機金属化合物を原料とし、塗布熱分解法により製造する酸化物超電導薄膜の製造方法であって、基板上に前記有機金属化合物の溶液を塗布、乾燥して塗膜を作製する塗膜作製工程と、前記塗膜の前記有機金属化合物に含有される有機成分を熱分解、除去して、仮焼膜を作製する仮焼熱処理工程と、前記仮焼膜を結晶化させて、酸化物超電導薄膜を作製する本焼熱処理工程とを備えており、前記仮焼熱処理工程において、赤外線加熱により仮焼膜を作製することを特徴とする酸化物超電導薄膜の製造方法である。赤外線は、塗膜内部まで浸透すると共に、塗膜内で吸収され発熱する。本請求項の発明においては、仮焼熱処理において、このような赤外線加熱を採用しているため、膜内部も含めて塗膜全体を均一に加熱することができる。これにより、厚膜の仮焼膜を作製する場合にも、塗膜の上部、内部、下部において、熱分解がほぼ同時に進行するため、塗膜の厚さ方向に対する元素偏析を抑制することができる。また、急速に昇温させた場合でも発泡やクラックなどの不良の発生を抑制することができる。この結果、本焼熱処理工程において、厚膜の酸化物超電導薄膜を作製する際に、膜の全体に亘って、結晶を充分にc軸配向させることができ、高いIcを有する超電導特性に優れた酸化物超電導薄膜を得ることができる。なお、塗膜作製工程を複数回繰り返し行って、複数層積層された積層タイプの塗膜を作製した後、仮焼熱処理工程を行ってもよい。本焼熱処理工程における加熱は、線材の温度制御が容易な雰囲気による伝導加熱とすることが好ましい。本請求項の発明における酸化物超電導薄膜を形成する酸化物超電導体は、主としてRE123系酸化物超電導体である。ここで、REとしてはイットリウムY、ネオジウムNd、サマリウムSm、ユウロピウムEu、ガドリニウムGd、ホルミウムHo、イッテルビウムYb等を挙げることができる。請求項2に記載の発明は、前記赤外線が、遠赤外線であることを特徴とする請求項1に記載の酸化物超電導薄膜の製造方法である。前記した通り、赤外線のうち遠赤外線は、本発明の効果が大きい。請求項3に記載の発明は、前記遠赤外線の波長領域が、3~10μmであることを特徴とする請求項2に記載の酸化物超電導薄膜の製造方法である。照射する赤外線の吸収が強すぎる場合、塗膜の表面が先に昇温することにより、発泡やクラック等の発生するおそれがある。本発明者は、FTIRによる計測により、照射する赤外線の波長と吸収の関係を調べた。その結果、遠赤外線が好ましく、その中でも波長が3~10μmの遠赤外線を用いた場合に適度に吸収されることが分かった。即ち、遠赤外線の波長領域を3~10μmとすることにより、厚膜化した仮焼膜の全体に亘って、発泡やクラックなどの不良の発生を抑制し、元素偏析を起こしにくくすることができる。その結果、本焼成において、結晶を充分にc軸配向させることができ、高いIcを有する超電導特性に優れた酸化物超電導薄膜を得ることができる。請求項4に記載の発明は、酸化物超電導薄膜は、複数層タイプであり、前記仮焼膜の厚さが、1層当り0.02~1μmであることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の酸化物超電導薄膜の製造方法である。本請求項の発明においては、前記仮焼膜の厚さを、1層当り0.02~1μmにすることにより、超電導薄膜の厚膜化を図ることができ、高いIcを有する超電導特性に優れた酸化物超電導薄膜を得ることができる。請求項5に記載の発明は、前記本焼膜の上にさらに塗膜を積層し、前記塗膜の仮焼熱処理および本焼熱処理を行うことにより、複数層の酸化物超電導層を形成することを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の酸化物超電導薄膜の製造方法である。本焼膜は赤外線をよく吸収することが知られている。このため、その上に形成された塗膜は仮焼熱処理に際して、底面加熱の効果が得られ、本焼成膜の膜面からの加熱により、同じ昇温条件でもさらに急速に加熱することができ、プロセス速度の向上が可能になる。本発明によれば、厚膜化した場合にも、結晶が充分にc軸配向して、所望する高いIcを有する超電導特性に優れた厚膜の酸化物超電導薄膜を得ることができる。しかも、赤外線を照射するという簡単な操作で済ませることができ、複雑な制御が不要となる。以下、実施例に基づき、本発明を具体的に説明する。実施例11.酸化物超電導層の作製1MOD溶液の作製Y、Ba、Cuの各々のアセチルアセトナート塩から出発して、Y:Ba:Cu=1:2:3の比率で合成し、アルコールを溶媒としたMOD溶液を準備した。2塗膜作製工程表面が結晶配向した金属基板上にCeO2/YSZ/CeO2の中間層をエピタキシャル成長させた基板上に、前記MOD溶液を塗布、乾燥して塗膜を作製した。3仮焼熱処理工程a第1層目の仮焼膜上記のように、基板の上に作製した塗布膜を大気圧下、ゴールドイメージ炉アルバック理工社製を用いて遠赤外線波長領域3~10μmにより塗布膜の表面から加熱して、厚さ0.2μm200nmの第1層目の仮焼膜を得た。図1は、本実施例の酸化物超電導薄膜の製造方法における遠赤外線加熱方式による仮焼熱処理の塗膜に対する遠赤外線の作用概念を示す断面図である。図1において、1は基板、2は中間層、3は塗膜であり、矢印は遠赤外線を示す。照射した遠赤外線の一部は塗膜3の表面で反射されるが、多くは塗膜3内に浸透して膜内で吸収されるため、塗膜3は膜全体が均一に、かつ効率良く加熱される。b第2層目~第4層目の仮焼膜次に、第1層目の仮焼膜の上に、スピンコート法によりMOD溶液を塗布後、第1層目の塗布膜と同様に乾燥して第2層目の塗布膜を作製した。そして、第1層目の仮焼膜と同様に、塗布膜を仮焼して、第2層目の仮焼膜厚さ0.2μmを得た図2。第3層目と第4層目も、第2層目の仮焼膜と同様に、順次、それぞれ第3層目および第4層目の塗膜を作製して仮焼し、次いで、それぞれ常温近辺まで室温に放置して冷却した。そして、4層積層の仮焼膜厚さ0.8μmを得た。4本焼熱処理工程仮焼膜を作製した後、酸素濃度100ppmのアルゴン/酸素混合ガス雰囲気下で、800°Cまで昇温後、そのまま90分間保持して本焼熱処理を実施した。本焼熱処理終了後、500°Cまで降温した時点でガス雰囲気を酸素濃度100ガスに切り替えて、室温まで炉冷し、YBCO超電導薄膜を作製した。比較例仮焼熱処理工程を管状電気炉を用いて全周加熱を行うことにより、仮焼を行った以外は、実施例1と同様にして酸化物超電導薄膜を作製した。なお、仮焼熱処理工程では、大気圧下、全周から加熱して350°Cまで10°C/分で昇温後、500°Cまで5°C/分で昇温し、その温度に120分保持した後、常温近辺まで冷却し、各層の厚さがそれぞれ0.2μm、トータル厚さが0.8μmの4層タイプの仮焼膜を作製した。2.仮焼膜の厚さ方向に対する元素分布の調査XPSによる深さ方向の元素分布の分析を行った。実施例についての測定結果を図2に示す。比較のため、従来の仮焼方法で作製した比較例の測定結果を図3に示す。図2、図3の横軸は仮焼膜の深さであり、縦軸は各元素の濃度である。なお、図のCeは中間層に含まれるCeである。図3と図4との比較から明らかなように、本発明の方法による仮焼膜の方が、膜の厚さ方向に元素が均一に分布している。すなわち、厚さ方向に対する元素偏析が少なく、c軸配向を得ることができることが確認できた。3.酸化物超電導薄膜の観察実施例および比較例についてSEMにより表面観察を行った。その結果、実施例ではクラックや発泡がなく、均一な組成の酸化物超電導体が得られ、膜表面までc軸配向した組織が得られていることが確認できた。4.超電導特性実施例および比較例のYBCO超電導薄膜をそれぞれ、77K、自己磁場下における臨界電流値Icの測定、X線回折によるYBCO005ピーク強度で評価した。実施例のIcは100A/cmであった。また、YBCO005ピーク強度が高く、充分にc軸配向していることが確認された。これに対して、比較例のIcは0A/cmであった。また、YBCO005ピーク強度が低く、充分にc軸配向していないことが確認された。このように本発明の加熱方式を用いることにより、厚膜でありながら、膜の表面から内部まで元素偏析の少ない超電導前駆体及びc軸配向した結晶組織が得られるため、優れた超電導特性を有する酸化物超電導薄膜を得ることができる。以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明と同一および均等の範囲内において、上記の実施の形態に対して種々の変更を加えることが可能である。