"半導体チップと、該半導体チップの裏面の高電位電極が接続する導電体と、該導電体に接続する高電位端子と、前記半導体チップの低電位側電極に接続導体で接続する低電位端子と、前記半導体チップの制御電極に接続導体で接続する制御端子と、前記導電体のおもて面と前記半導体チップと前記接続導体を被覆する樹脂封止部と、を有する半導体素子の特性試験装置であって、前記高電位端子,前記低電位端子,前記制御端子の各端子にそれぞれ接触する試験プローブと、前記試験プローブを介して前記高電位端子,前記低電位端子,前記制御端子の各端子に所定の電圧を印加する電圧印加手段と、前記試験プローブを介して前記高電位端子,前記低電位端子,前記制御端子の各端子の電圧と電流の少なくとも一方を検出する検出手段と、前記検出結果から前記半導体素子の特性を評価する評価手段と、前記樹脂封止部のおもて面に接触する試験電極と、該電極を前記半導体素子の高電位端子に接続する接続手段と、を備え、前記試験プローブを前記高電位端子,前記低電位端子,前記制御端子の各端子に、前記電極を前記封止樹脂部にそれぞれ接触させ、前記電圧印加手段より所定の電圧を印加し、前記評価手段は、前記検出値に基づいて前記半導体素子の静特性または動特性の少なくとも一方を評価するとともに前記封止樹脂部の絶縁耐量を評価することを特徴とする半導体素子の特性試験装置。前記接続手段は、前記電極と、前記高電位端子に接触する試験プローブとの間を接続する導線であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の特性試験装置。前記接続手段は、前記電極を、前記導電体にも直接接触させるものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の特性試験装置。前記電極は、弾性体によって支持されていることを特徴とする請求項1~請求項3のいずれか一項に記載の半導体素子の特性試験装置。前記半導体素子を樹脂封止部のおもて面側と前記導電体の裏面側から弾性的に挟み込む導電性のクリップ電極を前記半導体素子に装着し、該クリップ電極を前記電極ならびに前記接続手段に代替することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の特性試験装置。前記静特性試験は漏れ電流特性試験,耐圧特性試験のうち少なくとも一方であり、前記動特性試験はL負荷耐量試験であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の特性試験装置。前記請求項1~請求項6のいずれか一項に記載の半導体素子の特性試験装置を用いて行われる半導体素子の特性試験方法において、少なくとも前記高電位電極と前記低電位電極間に前記半導体素子の定格電圧以上の電圧を印加して半導体素子の静特性試験または動特性試験の少なくとも一方と同時に樹脂封止部の絶縁耐量試験を行うことを特徴とする半導体素子の特性試験方法。しかし、図14のクリップ式冷却フィン35を付けたTO-3PタイプのIGBT10は、図15に示すようにボンディングワイヤ14と樹脂封止部15の表面15aの間の封止樹脂未充填があり距離Pが短い場合、この間で封止樹脂部15が絶縁破壊を起こすことがある。IGBT10の樹脂封止部15の絶縁耐量を試験するために、前記の専用の絶縁耐量試験装置500を用いると、コレクタ端子13aと電圧印加治具72が同電位となり、試験電圧を印加することができない。そのため、従来はTO-3Pタイプの樹脂封止部15を有するIGBT10については、絶縁耐量試験を行うことなく出荷していた。また、樹脂封止部15から露出したダイ部11の裏側11aを絶縁板で絶縁して専用の絶縁耐量試験装置500を用いて絶縁耐量試験を行なった場合、試験試料であるIGBT10を絶縁耐量試験装置500に設置する時間が必要となり試験コストが増大する。また、この専用の絶縁耐量試験装置500を自動試験ラインに組み込むと自動試験ラインの占有面積が大きくなる。さらに、高価な専用の絶縁耐量試験装置500の入手が必要になる。また、特許文献1では、リード端子と樹脂封止部との間に通常の特性試験を行うときの試験電圧を印加して、特性試験を行いながら同時に樹脂封止部の絶縁耐量試験も行うことに関しては記載されていない。この発明の目的は、前記の課題を解決して、樹脂ケース内に半導体チップを収納した半導体素子において、樹脂封止部の絶縁耐量試験とその他の特性試験を同時に行い、試験コストを低減できて、特性試験装置全体の占有面積を減少できる半導体素子の特性試験装置およびその装置を用いた半導体素子の特性試験方法を提供することである。前記の目的を達成するために、特許請求の範囲の請求項1に記載の発明によれば、半導体チップと、該半導体チップの裏面の高電位電極が接続する導電体と、該導電体に接続する高電位端子と、前記半導体チップの低電位側電極に接続導体で接続する低電位端子と、前記半導体チップの制御電極に接続導体で接続する制御端子と、前記導電体のおもて面と前記半導体チップと前記接続導体を被覆する樹脂封止部と、を有する半導体素子の特性試験装置であって、前記高電位端子,前記低電位端子,前記制御端子の各端子にそれぞれ接触する試験プローブと、前記試験プローブを介して前記高電位端子,前記低電位端子,前記制御端子の各端子に所定の電圧を印加する電圧印加手段と、前記試験プローブを介して前記高電位端子,前記低電位端子,前記制御端子の各端子の電圧と電流の少なくとも一方を検出する検出手段と、前記検出結果から前記半導体素子の特性を評価する評価手段と、前記樹脂封止部のおもて面に接触する試験電極と、該電極を前記半導体素子の高電位端子に接続する接続手段と、を備え、前記試験プローブを前記高電位端子,前記低電位端子,前記制御端子の各端子に、前記電極を前記封止樹脂部にそれぞれ接触させ、前記電圧印加手段より所定の電圧を印加し、前記評価手段は、前記検出値に基づいて前記半導体素子の静特性または動特性の少なくとも一方を評価するとともに前記封止樹脂部の絶縁耐量を評価する半導体素子の特性試験装置とする。また、特許請求の範囲の請求項2記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記接続手段は、前記電極と、前記高電位端子に接触する試験プローブとの間を接続する導線であるとよい。また、特許請求の範囲の請求項3記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記接続手段は、前記電極を、前記導電体にも直接接触させるものであるとよい。また、特許請求の範囲の請求項4記載の発明によれば、請求項1~請求項3のいずれか一項に記載の発明において、前記電極は、弾性体によって支持されているとよい。また、特許請求の範囲の請求項5に記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記半導体素子を樹脂封止部のおもて面側と前記導電体の裏面側から弾性的に挟み込む導電性のクリップ電極を前記半導体素子に装着し、該クリップ電極を前記電極ならびに前記接続手段に代替するとするとよい。また、特許請求の範囲の請求項6に記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記静特性試験は漏れ電流特性試験,耐圧特性試験のうち少なくとも一方であり、前記動特性試験はL負荷耐量試験であるとよい。また、特許請求の範囲の請求項7に記載の発明によれば、前記請求項1~請求項6のいずれか一項に記載の半導体素子の特性試験装置を用いて行われる半導体素子の特性試験方法において、少なくとも前記高電位電極と前記低電位電極間に前記半導体素子の定格電圧以上の電圧を印加して半導体素子の静特性試験または動特性試験の少なくとも一方と同時に樹脂封止部の絶縁耐量試験を行う半導体素子の特性試験方法とする。この発明によれば、漏れ電流試験、耐圧特性試験、L負荷試験などの特性試験装置を用いて樹脂封止部の絶縁耐量試験を行うことができる。樹脂封止部からダイ部の裏面が露出した半導体素子であっても樹脂封止部の絶縁耐量試験行うことができる。特性試験装置を用いて樹脂封止部の絶縁耐量試験を同時に行えるので、試験コストを低減することができる。実施の形態を以下の実施例で説明する。以下で示す図は模式図である。詳しくは各実施例で詳述するが、IGBT10の各端子コレクタ端子13a、エミッタ端子13b、ゲート端子13cには、それぞれ接続する試験プローブ58a,58b,58cが用いられる。試験プローブ58a,58b,58cは、それぞれ複数本例えば3本が一組となって構成され、複数本のうちの1本は電流電圧等の検出用であり、残り例えば、3本のうち2本通電電流が小さい場合は1本でもよいは主回路接続用である。図示が煩雑になるので、以下で説明する各例各図ではコレクタ端子13a、エミッタ端子13b、ゲート端子13cに接続する試験プローブ58a,58b,58cはそれぞれ1本で代表させて示した。また、以下の実施例では、IGBT10は、図13で説明したセミモールドタイプの例で説明する。図13に示すIGBT10は、半導体チップのおもて面電極エミッタ電極,ゲート電極とエミッタ端子13b,ゲート端子13cとの間を接続導体としてワイヤ14を用いている。接続導体は、ワイヤのほかに、金属小片からなる接続子を用いるものがある。以下の実施例では、接続導体にワイヤや接続子の何れを用いたものに対しても適用可能である。ただし、ワイヤ14による接続の方が、図13bに示すようにワイヤ14が封止樹脂部15の表面に近い箇所に存在するため、絶縁耐量の問題が顕在化しやすい。よって、ワイヤを用いたパッケージに特に有効である。<実施例1>図1は、この発明の第1実施例の半導体素子の特性試験装置100の要部構成図であり、同図aは要部側面図、同図bは同図aを矢印Aから見た要部上面図である。この特性試験装置100は、特性試験とともに半導体素子例えばTO-3PタイプのIGBT10の樹脂封止部15の絶縁耐量試験も行うものであり、電圧印加治具1を備えている図1aにおいて、600は、特性試験装置100の内部の特性試験部である。自動試験ラインを例に説明する。樹脂封止されたIGBT10は、自動試験ラインの搬送レール51上を、例えば、図1aの紙面奥から手前方向へ、図1bの紙面上方から下方へ搬送される。搬送機構の詳細は、本発明と直接関係しないので図示を省略している。この搬送レール51の、IGBT10の試験を行う位置には絶縁材52が配置されていている。特性試験部600は、半導体素子であるIGBT10の各端子コレクタ端子13a、エミッタ端子13b、ゲート端子13cに対応する箇所に試験プローブ58a,58b,58c例えば、コンタクトフィンガーとも称せられるを備える。さらに、各試験プローブ58を支持するプローブ支持部56例えば、サポートチューブと称せられると、このプローブ支持部56を上下移動させるシリンダ53の筒54と、プローブ支持部56を支える支柱部55と、各端子を位置決めし固定するプローブ固定部57と、印加電圧を出力する電源主回路部61と、各プローブを介して検出した値電流電圧からIGBT10の諸特性を測定評価する特性評価部62を備える。電源主回路部61と特性評価部62によって特性試験ユニット60を構成する。この特性試験ユニット60は、試験プローブ5858a,58b,58cを介して、IGBT10の端子1313a,13b、13cにそれぞれ接続される。電圧印加治具1は、電極支持部6と、この電極支持部6に固着する電極受け部5と、この電極受け部5に収納される電極3によって構成される。電極3は後述するように、プローブ58aに電気的に接続される。また、電極3はIGBT10の樹脂封止部15に接触するものであるが、IGBT10の樹脂封止部15に確実に接触するとともに、接触した際に樹脂封止部15に接触痕を残さない構成であることが望ましい。例えば、く、樹脂封止部15に面接触すれば接触痕を残さない構成であることが望ましい。例えば、電極3がIGBT10の樹脂封止部15に弾性的に接触するような構成とすればよい。本実施例においては、電極3をバネ4によって電極受け部5に弾性的に支持吊るして保持している。また、電極3は、IGBT10の樹脂封止部15の絶縁耐量を試験するためのものであるので、樹脂封止部15に対して均一に接触することが求められる。また、電極3は、導電性で磨耗しにくい材料で構成すればよい。例えば、ブロック状の導電部材銅ブロックやカーボンブロックなどを複数のバネで支持してもよい。樹脂封止部15の形状搬送レール面に対する傾斜などにより追従できるように、ブロック状の金属部材を複数に分割して、それぞれをバネで支持する構成とすればよい図1b参照。電極支持部6は前記のシリンダ53の筒54に固定され、試験プローブ58と同時に上下に移動する。このため、電極支持部6,受け部5の少なくとも一方を絶縁材料で形成しておくことで、シリンダ53,筒54などに不要な電位の印加を避けることができる。また、電極3を試験プローブ58aに電気的に接続する必要がある。電極3と試験プローブ58aを直接導線で接続してもよいが、電極3を樹脂封止部15の形状に追従性よく支持するため、あるいは、電極3のメンテナス性を良好とするために、電極3に導線を直接接続するのは避ける。本実施例では、電極受け部5とバネ4を導電性の部材で構成し、電極受け部5をワイヤ2導線で試験プローブ58aに接続し、この試験プローブ58aは特性測定時にはコレクタ端子13aに接続接触する構成とする。図2は、この発明の特性試験装置100の要部断面図であり、同図aは試験前の状態図、同図bは試験中の状態図である。図2において、試験プローブ58例えば、コンタクトフィンガーと称すものは特性試験機60試料測定治具は含まないへ接続するための電気配線導線:ワイヤが施されている。また半導体素子としてはTO-3Pタイプの樹脂封止部を有するIGBT10を例に挙げた。同図aは、IGBT10が試験される前の状態、すなわち搬送状態や位置決め状態を表している。試験プローブ58は、IGBT10の各端子13a,13b,13cから離れている。また金属製電極3もIGBT10の樹脂封止部15から離れている。これは試験プローブ58を上下させる支持部56がシリンダ53の筒54によって押上られているためである。また、電極支持部6も押上られ電極3も同期して樹脂封止部15から離れている。この状態でIGBT10を傷つけずに搬送が可能となる。端子台59は試験プローブ58がIGBT10の端子13に接触する際に、端子13の接触箇所付近を反対面裏面側から支持する。端子13を端子台59で支持することにより、試験プローブを58を端子13に上面おもて面に接触させるときの加圧力によって各端子の曲りを防ぐことができる。また、試験プローブ58と端子台59でIGBT10を挟みこむことでIGBT10を固定する。搬送レール51は金属製であるが、測定箇所では絶縁材52が載置されているので、IGBTチップ12が載置されるダイ部11と搬送レールとは絶縁されている。同図bは、IGBT10が試験される状態を表している。IGBT10が測定位置に移動してくると、シリンダ53の筒54が下降して支持部56が下がり、支持部56で支持された各試験プローブ58a,58b,58cが各端子13a,13b,13cに接触する。また、それに同期して電極支持部6も下がるので樹脂封止部15の絶縁耐量を試験するための電極3も樹脂封止部15へ接触する。電極3はワイヤ2を介してコレクタ端子13aに接続する試験プローブ58aへ接続される。本発明の特性試験装置100は、特性試験部600において、漏れ電流特性試験,耐圧特性試験,図7に示すL負荷試験装置などの静特性動特性試験を行う。本発明の特性試験装置100は、上記のような特性試験装置に電圧印加治具1電極3を設け、この電極3を高電圧が印加されるIGBT10のコレクタ端子13aに接続する試験プローブ58aに接続する構成をしている。そのため、電極3をIGBT10の樹脂封止部15に接触させ、試験プローブ58a,58bを介してIGBT10のコレクタ端子13aとエミッタ端子13b間に高電圧を印加することで、樹脂封止部15の絶縁耐量試験とその他の特性試験を同時に行うことができる。そのため、絶縁耐量試験のみを行う試験装置を専用に設ける必要がなく、複数ある特性試験装置の占有面積を小さくすることができる。また、樹脂封止部15の絶縁耐量試験とその他の特性試験を同時に行うため、それぞれ試を分けて行う場合に比べると試験コストを低減できる。また、TO-3Pタイプなど樹脂封止部からダイ部の裏面が露出したIGBTでも本特性試験装置を用いることで樹脂封止部の絶縁耐量試験を安価に行うことができる。また、特性試験としては、IGBT10の定格電圧もしくは定格電圧を超える電圧で試験する特性試験を対象とするため、この特性試験で絶縁耐量について良品判定されれば、定格電圧以下で使用する顧客の使用回路では絶縁不良の発生は起こらない。前記した絶縁耐量試験を実施することで、クリップ式冷却フィンを用いた場合の樹脂封止部15を有するIGBT10などの半導体素子が、実動作中に樹脂封止部15の絶縁不良で破壊することを防止することができる。また、前記したように、従来のTO-3PタイプのIGBT10の通常の使用方法においては、樹脂封止部のおもて面側に高電圧が印加されることがなかったため、絶縁耐量試験は行なわれていなかった。但し、樹脂封止部15のキズやへこみについては外観検査員が外観不良として、目視で検査していた。しかし、本発明の特性試験装置100を用いることで、樹脂封止部のおもて面側の絶縁不良を電気的に確実に検出することができるため、前記のように外観検査をクリアしたもののクリップ式冷却フィンを取り付けた場合に絶縁不良となるようなIGBTを確実に排除することができる。また、本発明の特性試験方法で発見された絶縁不良は前工程にフィードバックされ、製造設備の管理基準の見直し、作業手順の見直しなど製品品質の向上に反映させることができる。また、本発明の特性試験装置100においても、一般的な静特性試験DCテストや動特性試験の項目で絶縁破壊があれば当然、絶縁不良として判定される。また、本発明の特性試験装置100で試験する半導体素子は、TO-3Pタイプのように半導体チップ12が固着するダイ部11が樹脂封止部15から一部露出した場合を例に挙げたが、フルモールドタイプの半導体素子に適用することも出来る。この場合は電圧印加治具1は裏面側の樹脂封止部にも電圧が印加されるような治具とする必要がある。つぎに、本発明を特性試験の一つである漏れ電流特性試験と絶縁耐量試験と漏れ電流特性試験を同時に行う手順について説明する。<実施例2>図3~図5は、この発明の第2実施例の半導体素子の特性試験方法を工程順に説明した試験工程図である。尚、図中の61aはIGBT10に印加する試験電圧を発生させる電源主回路部であり、62aはIGBT10の漏れ電流を検出測定評価する特性評価部である。この半導体素子は、例えばTO-3Pタイプの樹脂封止部を有するIGBTであり、図1の特性試験として漏れ電流特性試験と絶縁耐量試験とを同時に行う特性試験方法である。まず、図3において、搬送レール51上に載置された絶縁材52の上に試験試料であるTO-3Pタイプの樹脂封止部15を有するIGBT10を載置する。漏れ電流特性試験機60aの電源主回路部61bには、ゲート端子13cに接続する試験プローブ58cとエミッタ端子13bに接続する試験プローブ58bを短絡するスイッチSWが設けられたている。このときスイッチSWは開の状態である。つぎに、図4において、スイッチSWを閉じてエミッタ端子13cとゲート端子13bに接続される試験プローブ58c,58bを短絡する。その後でシリンダ53の筒54に固定されている支柱部55および電極支持部6を用いて、各試験プローブ58a,58b,58cと電極3を下げて、それぞれの試験プローブ58a,58b,58cをIGBT10のコレクタ端子13a、エミッタ端子13b、ゲート端子13cに接触させ、同時に電極3をIGBT10の樹脂封止部15に接触させる。つぎに、図5において、ゲート端子13cとエミッタ端子13bエミッタ電極はスイッチSWが閉の状態なので短絡されている。漏れ電流特性試験機60aからコレクタ端子13aとエミッタ端子13b間にIGBT10の高電圧を印加して、特性評価部62aでIGBT10の漏れ電流を検出測定評価する。このとき、同時に電極3にも高電圧が印加される。この高電圧は例えば1250Vであり、IGBT10の定格電圧を用いる。この電圧はエミッタ電極12bやゲートパット12cに接続するボンディングワイヤ14と電極3の間にも印加される。つまり封止樹脂部15に対しても電極3を介して上記の高電圧が印加されることになる。ここで、ワイヤ14が樹脂封止部15のおもて面側の表面に異常に接近していたり、あるいは樹脂封止部15から露出している場合は、ワイヤ14に対する絶縁耐量が不足もしくは欠落していることになる。ここへ、電極3を介して上記の高電圧が印加されると、電極3とワイヤ14の間に電流が流れることになる。封止樹脂部の絶縁耐量が正常であればこの電流は流れないので、電極3とワイヤ14の間に異常な電流が流れたことを検知すれば、ボンディングワイヤ14を被覆している樹脂封止部15の絶縁不良を検知することができる。つまり、漏れ電流試験と絶縁耐量試験を同時に行うことができる。図6は、本発明の漏れ電流特性試験装置100aを用いて漏れ電流特性試験を行うときの印加電圧波形図である。漏れ電流特性試験装置100aを構成する漏れ電流特性試験機を用いて、IGBT10のコレクタ端子13aとエミッタ端13b子間に印加される電圧を例えば階段的に上昇させ、所定の電圧定格電圧:ここでは1250Vに達した段階B点で下降させる。この電圧は樹脂封止部15にも印加される。樹脂封止部15に絶縁不良箇所があると所定の電圧以下1200Vで漏れ電流が異常に上昇する。その漏れ電流の異常上昇を検出して、印加電圧を降下させC点、IGBT10の樹脂封止部15の絶縁不良と判定する。樹脂封止部15に絶縁不良箇所が無い場合、漏れ電流の異常上昇もしくは規格値を超える値が検出された場合には漏れ電流不良として判定する。尚、前記の印加電圧は階段状に上昇させるのではなく、到達電圧まで一気に上昇させる場合もある。図7は、本発明の特性試験装置100の一つであるL負荷特性試験装置100bの要部構成図である。尚、図中の61bはIGBT10に主電流を流す電源主回路部でこある。また、図中の62bはIGBT10のコレクタ電圧コレクタ電流を検出測定評価する特性評価部である。図8は、図7のL負荷特性試験装置100bを構成するL負荷特性試験機60bの主回路図と動作波形図であり、同図aは主回路図、同図bは動作波形図である。図7では特性評価部62bの回路は示されていない。L負荷特性試験機60bの電源主回路部61bは、負荷であるインダクタンスLと電源EEは電源電圧としても用いるで構成される。なお、この例では、試験対象の素子としてMOSFET10’を組み込んだ回路としている。試験方法は、MOSFET10’のゲートに所定のゲート電圧を印加してMOSFET10’をオンして、電源EからインダクタンスLを通してIGBT10にコレクタ電流Icを流す。この電流でインダクタンスLにエネルギーが蓄積される。つぎに、MOSFET10’をオフして、ドレイン電流Idを遮断する。インダクタンスLに蓄積したエネルギーをMOSFET10で消費させる。このときMOSFET10’のドレイン電圧Vdはアバランシェ電圧まで跳ね上がる同図b参照。インダクタンスLに蓄積されたエネルギーが無くなるまでそのアバランシェ電圧は維持される。エネルギーが消費された後、ドレイン電圧Vdは電源電圧Eになる。このアバランシェ電圧が維持できない場合はMOSFET10’は不良と判定される。上記のようなL負荷特性試験を行っているとき、電極3にも電源電圧Eあるいはアバランシェ電圧が印加されることになる。ここで、ワイヤ14が樹脂封止部15のおもて面側の表面に異常に接近していたり、あるいは樹脂封止部15から露出している場合は、ワイヤ14に対する絶縁耐量が不足もしくは欠落していることになる。ここへ、電極3を介して上記の電源電圧Eあるいはアバランシェ電圧が印加されると、電極3とワイヤ14の間に電流が流れることになる。封止樹脂部の絶縁耐量が正常であればこの電流は流れないので、電極3とワイヤ14の間に異常な電流が流れたことを検知すれば、ボンディングワイヤ14を被覆している樹脂封止部15の絶縁不良を検知することができる。つまり、L負荷特性試験と絶縁耐量試験を同時に行うことができる。このように、インダクタンス負荷に蓄えられたエネルギーにより、MOSFETがターンオフするときに、ドレイン電圧Vdはアバランシェ電圧まで跳ね上がる。このアバランシェ電圧が樹脂封止部15に印加されるため、樹脂封止部15の絶縁耐量試験も同時に行うことができる。なお、試験対象の素子にIGBT10を用いた場合は、図8aのインダクタンスLと並列にダイオードDを接続する必要がある。ダイオードDはIGBT10をターンオフした際に、インダクタンスLに蓄積したエネルギーを還流させるためのものであり、カソードが電源E側に、アノードをIGBT10側にして接続される。そして、IGBT10がターンオフすると、インダクタンスLに蓄積したエネルギーはダイオードDを還流し、ダイオードDの順方向ドロップで消費される。このとき、IGBT10のコレクタには、電源電圧Eが印加され、電極3にも電源電圧Eが印加される。ワイヤ14が樹脂封止部15のおもて面側の表面に異常に接近していたり、あるいは樹脂封止部15から露出している場合は、ワイヤ14に対する絶縁耐量が不足もしくは欠落していることになる。ここへ、電極3を介して上記の電源電圧Eが印加されると、電極3とワイヤ14の間に電流が流れることになる。封止樹脂部の絶縁耐量が正常であればこの電流は流れないので、電極3とワイヤ14の間に異常な電流が流れたことを検知すれば、ボンディングワイヤ14を被覆している樹脂封止部15の絶縁不良を検知することができる。つまり、L負荷特性試験と絶縁耐量試験を同時に行うことができる。<実施例3>図9は、この発明の第3実施例の半導体素子の特性試験装置200の要部断面図である。図9の特性試験装置200と図1の特性試験装置100との違いは、電圧印加治具1とコレクタ電極13aとの接続を、この電圧印加治具1を構成する電極3の一部をIGBTチップ12が搭載され樹脂封止部15ら露出しているダイ部11にG部で接触するようにした点である。この構成にすることでコレクタ端子13aと電圧印加治具1を接続するワイヤ2が不要となる。この場合も前記と同様の効果が得られる。<実施例4>図10は、この発明の第4実施例の半導体素子の特性試験装置300の要部断面図である。図10の特性試験装置300と図9の特性試験装置200との違いは、電圧印加治具1をクリップ式電圧印加治具1aとして、IGBT10の上面の樹脂封止部15と下面のダイ部11の裏面を挟み込むようにした点である。この構成にすることで図1の特性試験装置100で必要となる絶縁製電極支持部6や金属製受け部5が不要となり金属製電極3をクリップ式電圧印加治具1aに代えるだけである。しかし、クリップ式電圧印加治具1aにIGBT10を挟み込む装置と取り外す装置が新規に必要となる。これらの装置が無い場合は人手でクリップ式電圧印加治具1aの脱着を行うとよい。本実施例の場合も前記の実施例と同様の効果が得られる。尚、前記の実施例1~実施例4では半導体素子としてTO-3Pタイプの樹脂封止部15を有するIGBT10を例に上げたが、TO-220Pタイプの樹脂封止部を有するIGBTや、IGBT以外のMOSFETおよびダイオードなどにも本発明は適用できる。"