半導体基板上に誘電体膜を形成する成膜工程と、前記誘電体膜を熱処理する熱処理工程と、前記熱処理後の誘電体膜にイオン化したガスクラスターを照射する照射工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記誘電体膜の膜厚は、2nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記誘電体膜を構成する材料は、HfO2、ZrO2、Al2O3、Ta2O5、TiO2、Y2O3のうちから選ばれる1または2以上のものを含む材料であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。前記ガスクラスターは、酸素又は窒素のガスクラスターを含むものであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。前記ガスクラスターを構成する原子の数の平均は、1000以上であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。前記誘電体膜は、CVD法又はALD法により成膜することにより形成されるものであることを特徴とする1から5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。このため、熱処理工程における多結晶化を抑制し、Highk膜のリーク電流を抑制する方法として、酸化シリコンや酸化アルミニウムの材料を添加する方法等がある。しかしながら、酸化シリコンや酸化アルミニウム等のHighk膜に対し結晶化を遅延させる材料は一般的に比誘電率が低く、これらの材料をHighk膜を構成する材料に添加すると誘電率が低下してしまい、トランジスタにおけるゲート絶縁膜等に誘電体膜であるHighk膜を用いたことの意義が薄れてしまう。よって、ゲート絶縁膜等としてHighk膜を用いた場合においては、誘電率を低下させることなく、リーク電流が低く抑えることのできる誘電体膜の形成方法及びこの誘電体膜を用いた半導体装置の製造方法が望まれている。本発明は、半導体基板上に誘電体膜を形成する成膜工程と、前記誘電体膜を熱処理する熱処理工程と、前記熱処理後の誘電体膜にイオン化したガスクラスターを照射する照射工程と、を有することを特徴とする。また、本発明は、前記誘電体膜の膜厚は、2nm以下であることを特徴とする。また、本発明は、前記誘電体膜を構成する材料は、HfO2、ZrO2、Al2O3、Ta2O5、TiO2、Y2O3のうちから選ばれる1または2以上のものを含む材料であることを特徴とする。また、本発明は、前記ガスクラスターは、酸素又は窒素のガスクラスターを含むものであることを特徴とする。前記ガスクラスターを構成する原子の数の平均は、1000以上であることを特徴とする。また、本発明は、前記誘電体膜は、CVD法又はALD法により成膜することにより形成されるものであることを特徴とする。本発明によれば、誘電率を低下させることなく、リーク電流の低い誘電体膜を形成することができ、歩留まりの高い高集積化された半導体装置の製造方法を提供することができる。本発明を実施するための形態について、以下に説明する。誘電体膜の形成方法図1に基づき本実施の形態における誘電体膜であるHighk膜の形成方法について説明する。最初に、ステップ102S102に示すように、シリコン等の半導体基板上に誘電体膜の成膜を行う。誘電体膜を構成する材料としては、HfO2酸化ハフニウム、ZrO2酸化ジルコニウム、Al2O3酸化アルミニウム、Ta2O5五酸化タンタル、TiO2酸化チタン、Y2O3酸化イットリウム等の希土類酸化物等及びこれらの混合物、及びこれらにシリコンを添加したもの、更にこれらを窒化処理したもの等が挙げられる。誘電体膜の成膜方法としては、CVD法またはALD法等が挙げられる。次に、ステップ104S104に示すように、熱処理を行う。この際の熱処理温度は約850°Cであり、一般的に誘電体膜は多結晶化する。リーク電流は誘電体膜が多結晶化することにより増加するものと考えられる。即ち、結晶粒界を介してリーク電流が流れるようになるため、熱処理によりリーク電流が増加するものと考えられる。次に、ステップ106S106に示すように、イオン化したガスクラスターを照射する。このイオン化したガスクラスターは、例えば、数100から数1000の原子がクラスターとなったものである。ガスクラスターを構成する原子としては、酸素又は窒素等が挙げられる。次に、イオン化したガスクラスターの照射に用いられるガスクラスター照射装置について説明する。図2に、本実施の形態で用いられるクラスターイオン照射装置を示す。このクラスターイオン照射装置は、ガスクラスターを生成するノズル部11、イオン化電極12、加速電極13、クラスター選別部14を有している。ノズル部11では、圧縮されたガスによりガスクラスターが生成される。具体的には、高圧状態でノズル部11に供給されたガスが、ノズル部11より噴出することにより、ガスクラスターが生成される。この際に用いられるガスは、酸素等のガスであり、常温で気体状態を示すものが好ましい。イオン化電極12では、生成されたガスクラスターをイオン化する。これにより、生成されたガスクラスターがイオン化される。次に、加速電極13によりイオン化したガスクラスターが加速される。この際、ガスクラスターは、ガスクラスターを構成する原子の数の平方根、即ち、質量の平方根に反比例する速度で加速される。また、イオン化されている価数の平方根に比例する速度で加速される。次に、クラスター選別部14においてガスクラスターがイオン化されている価数や質量に応じて選別される。具体的には、クラスター選別部14は、電界又は磁界を印加することによりクラスターにはならなかったモノマーイオン等を除去する。この後、イオン化されたガスクラスター15を誘電体膜に照射する。誘電体膜の特性次に、本実施の形態において形成した誘電体膜の特性について説明する。ここで用いた誘電体膜の材料は酸化アルミニウムであり、成膜方法はCVD法により行った。尚、サンプルAはステップ102における成膜を行った後の状態のもの、サンプルBはステップ104における熱処理を行った後の状態のもの、サンプルCはステップ106におけるクラスターイオンを照射した後のものであり、本実施の形態における誘電体膜である。図3に、サンプルAにより規格化されたEOT等価酸化膜厚を示す。熱処理を行う前の状態のものであるサンプルAに対し、熱処理を行った後のものであるサンプルB及びサンプルCは、誘電率が増加しEOTが低下している。このように、熱処理を行うことにより誘電率を高くすることができる。また、サンプルBとサンプルCとにおけるEOTは殆ど変わらないため、誘電体膜にガスクラスターを照射することにより、EOTが変化することはないものと考えられる。図4に、サンプルAにより規格化されたリーク電流を示す。サンプルBに示されるように、熱処理を行うことによりリーク電流は増加する。これは、前述したように、熱処理を行うことにより誘電体膜が多結晶化し、結晶粒界を流れるリーク電流が増加することによるものと考えられる。一方、サンプルCに示されるように、熱処理の行われた誘電体膜にイオン化したガスクラスターを照射することにより、リーク電流が低下する。これは、ガスクラスターの照射により誘電体膜の表面が改質されることによるものと考えられる。即ち、イオン化したガスクラスターは誘電体膜の表面にのみに大きな影響を与えることから、誘電体膜にイオン化したガスクラスターを照射した場合、誘電体膜の表面のみが改質、例えば、アモルファス状態等になっているものと推認される。図5に、サンプルAにより規格化された膜密度を示す。サンプルBに示されるように、熱処理を行うことにより膜密度が増加する。これは熱処理を行うことにより誘電体膜が多結晶化し、膜密度が高くなるものと考えられる。また、サンプルBとサンプルCにおける膜密度は、殆ど変化していない。よって、イオン化したガスクラスターを照射した場合においては、膜密度は殆ど変化しない。図6に、DHF希フッ酸によりエッチングを行った結果を示す。サンプルAは、誘電体膜が多結晶化していないため、DHFによるエッチングレートは高い。一方、サンプルBは、誘電体膜が熱処理により多結晶化しているため、DHFにより殆どエッチングされない。また、サンプルCは、DHFにより誘電体膜の表面の1~2nmエッチングされるものの、その後は殆どエッチングされない。以上より、本実施の形態により形成された誘電体膜、即ち、サンプルCの誘電体膜は、表面から1~2nmの厚さの領域が熱処理前の状態に近い状態に改質されており、内部の多結晶化した状態とは異なる状態となっているものと考えられる。これにより、低いリーク電流で高い誘電率の誘電体膜を得ることができる。尚、本実施の形態における表面の改質される深さに関しては、イオン化したガスクラスターの条件を調節することにより調整可能である。また、上述した誘電体膜の特性については、Al2O3について示したが、HfO2、ZrO2、Ta2O5、TiO2、Y2O3等の希土類酸化物等を含む材料についても同様の傾向にある。また、本実施の形態では、イオン化したガスクラスターとしては、酸素のイオン化したガスクラスターを用いたが、窒素のイオン化したガスクラスターを用いた場合も同様であるものと考えられる。尚、アルゴンのイオン化したガスクラスターを用いた場合では、リーク電流が増加することが確認されており、イオン化したガスクラスターとして用いるガスは酸素又は窒素が好ましい。また、原子がイオン化されたモノマーイオンを誘電体膜に照射した場合では、モノマーイオンは誘電体膜全体及び誘電体膜を通り抜け基板にも影響を与えてしまい、誘電体膜の表面のみを改質することができない。しかしながら、イオン化されたガスクラスターを誘電体膜に照射した場合では、誘電体膜の表面1~2nm程度を改質することが可能である。これは、イオン化されたガスクラスターを照射した場合における超低エネルギー照射効果によるものであり、ガスクラスター状態となることにより、誘電体層の表面のみを改質することが可能となるのである。このような効果を得るためには、ガスクラスターを構成する原子の数の平均は、好ましくは1000個以上である。尚、膜中に元素を導入する類似の方法としては、イオン注入法が代表的である。しかし、原子または分子がイオン化されたイオンを膜に注入する方法では、薄いhighk膜のみを改質することが非常に困難であり、highk膜を通り抜け基板にも影響を与えてしまう。よって、膜を改質するには、1×1021~1×1022cm-3程度の密度に原子を注入することが必要であるが、一方で、膜と接するSi基板に注入される原子は1×1018cm-3台を超えるとSi基板自体を酸化するなどの弊害が出てくる。イオン注入では、膜を改質し、Si基板を酸化しないという両方の条件を満たすようなプロファイルを得ることが非常に困難である。また、本発明のように、結晶化した膜を注入の対象にする場合には、結晶の特定の方位に対して、一定数のイオンが散乱を受けずに透過してしまうチャネリングと呼ばれる現象が起こるため、膜の深い位置までイオンが到達する確率が高くなる。一方で、ガスクラスター注入ではイオン注入と不純物導入の原理が異なるためこのような条件を満たすプロファイルを得ることが可能である。数1000個程度の原子数を持つガスクラスターが注入の対象物に衝突すると、瞬間的に衝突が起きた近傍で高温高圧領域が形成される。これで、対象物が瞬間的に溶融し、溶融した部分に注入したい原子が浸透する。不純物深さはこの溶融する深さで決定され、不純物のプロファイルは非常に急峻になる。また、ガスクラスターの衝突過程では、照射される表面近傍で他耐衝突が生じるため、上述のチャネリングは発生しない。また、上記の溶融により、対象膜の結晶構造が崩れる効果もあり、チャネリングは発生しない。また、クラスターの平均的な値は、上述のように数1000個以上にすることができ、原子1個当たりのエネルギーは、イオン注入の場合に比べ非常に低くすることができる。これらの効果に関しては、クラスターイオンビーム基礎と応用山田公編著、日刊工業新聞社、ISBN4526057657、p146147等に記述されている。半導体装置の製造方法次に、図7に基づき本実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。最初に、図7aに示すように、シリコン基板21上にCVD法により誘電体膜であるHfO2膜22を形成し、その後、熱処理を行い、イオン化したガスクラスター25の照射を行う。次に、図7bに示すように、HfO2膜22上にポリシリコン等からなる電極膜23を形成する。次に、図7cに示すように、ゲート電極及びゲート絶縁膜が形成される領域を除き、HfO2膜22及び電極膜23をエッチングにより除去する。このエッチングにより、残存するHfO2膜22によりゲート絶縁膜22aが形成され、残存する電極膜23によりゲート電極23aが形成される。次に、図7dに示すように、ゲート電極及びゲート絶縁膜が形成される領域以外のシリコン基板21の表面に不純物イオンのイオン注入を行い、不純物イオンが高濃度に含まれる高濃度領域24を形成する。この後、高濃度領域24に接続される不図示のドレイン電極及びソース電極を形成することにより、電界効果型トランジスタが形成される。これにより、誘電率が高く、リーク電流の低い誘電体膜により構成される電界効果型トランジスタを形成することができる。本実施の形態では、このような電界効果型トランジスタを複数有する半導体装置を高集積化させることができ、また、高い歩留まりで製造することができる。尚、上記説明では、半導体装置として電界効果型トランジスタの製造方法について説明したが、他の電子部材、例えば、コンデンサー等を形成する場合においても、本実施の形態における誘電体膜の形成方法を用いることが可能である。以上、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではない。