"エレクトロルミネッセントディスプレイであって、aデバイス面及び表示エリアを有するディスプレイ基板と、b前記表示エリアにおいて前記ディスプレイ基板の前記デバイス面の上に形成された複数のパターニングされた第1の電極、該複数の第1の電極の上に形成された1つ又は複数の発光材料層、及び該1つ又は複数の発光材料層の上に形成された少なくとも1つの第2の電極であって、前記第1の電極及び前記第2の電極は、前記発光材料が前記表示エリア内の発光エリアにおいて発光するように電流を提供する、第1の電極、1つ又は複数の発光材料層及び第2の電極と、c複数のチップレットであって、各チップレットは、前記表示エリアにおいて前記デバイス基板の前記デバイス面の上に配置されかつそれに付着している、前記ディスプレイ基板とは別個でありかつ独立しているチップレット基板と、1つ又は複数の接続パッドと、前記チップレットに形成されたチップレット回路とを有し、該チップレット回路は1つ又は複数の接続パッドに電気的に接続され、少なくとも1つの接続パッドは第1の電極に電気的に接続されている、複数のチップレットと、を具備し、d各チップレットは、光検出器と、前記1つ又は複数の発光材料層とは別個である発光器とを更に備え、該光検出器及び該発光器は、第1のチップレットの前記発光器によって放射された光が第2のチップレットの前記光検出器によって受光されるように配置されて、前記チップレット回路部に接続されており、該チップレット回路部は、前記発光器によって放射される光を変調する変調回路と、前記光検出器によって検出された光を復調する復調回路とを備えている、エレクトロルミネッセントディスプレイ。前記チップレット回路は、前記第1の電極と前記第2の電極との間の電流の流れを制御する回路部を含む、請求項1に記載のエレクトロルミネッセントディスプレイ。前記チップレットの少なくとも一部の上に又はその周囲に延在している少なくとも1つの透明な層を更に具備し、前記発光器は前記透明な層内に光を放射する、請求項1に記載のエレクトロルミネッセントディスプレイ。前記ディスプレイ基板は透明であり、少なくとも1つのチップレットの前記発光器によって放射された光は、前記ディスプレイ基板を透過するか又は該ディスプレイ基板によって反射される、請求項1に記載のエレクトロルミネッセントディスプレイ。少なくとも1つのチップレットの前記発光器によって放射された光を反射又は透過するカバーを更に具備する、請求項1に記載のエレクトロルミネッセントディスプレイ。前記第1のチップレットから前記第2のチップレットまで延在する光導波路構造体を更に具備し、該光導波路構造体は、前記第1のチップレットの前記発光器によって放射された光を該導波路構造体内に伝送する、請求項1に記載のエレクトロルミネッセントディスプレイ。前記ディスプレイ基板の外部のコントローラーを更に具備し、該コントローラーは、前記ディスプレイ基板又は前記導波路構造体内に光を放射するコントローラー光学発光器を含む、請求項6に記載のエレクトロルミネッセントディスプレイ。前記変調光は、画像情報に従って変調される、請求項1に記載のエレクトロルミネッセントディスプレイ。前記変調回路は、前記発光器によって放射される前記光を時間的に変調する、請求項1に記載のエレクトロルミネッセントディスプレイ。エレクトロルミネッセントディスプレイを動作させる方法であって、a請求項1に記載のエレクトロルミネッセントディスプレイを準備することと、b前記エレクトロルミネッセントディスプレイの外部のディスプレイコントローラーを準備することと、c前記ディスプレイコントローラーからの情報を、前記エレクトロルミネッセントディスプレイの少なくとも前記第1のチップレットに通信することと、d前記第1のチップレットの前記発光器から放射される光を変調し、前記第2のチップレットの前記光検出器を使用して前記変調光を検出し復調することにより、前記エレクトロルミネッセントディスプレイの前記第1のチップレットから前記第2のチップレットに情報を光通信することと、e前記情報に従って各チップレットに接続された前記第1の電極を駆動することであって、それにより前記発光層の少なくとも一部を発光させることと、を含む、エレクトロルミネッセントディスプレイを動作させる方法。前記第1のチップレットの前記発光器によって放射される前記光は、前記チップレットの光検出器の全てによって検出される、請求項10に記載の方法。前記第1のチップレットの前記発光器によって放射される前記光は、前記第2のチップレットの前記光検出器のみに伝送される、請求項10に記載の方法。前記第1のチップレットの前記発光器によって放射された前記光は、前記ディスプレイ基板を透過し、又は該ディスプレイ基板から反射する、請求項10に記載の方法。請求項10に記載の方法であって、前記第1のチップレット及び前記第2のチップレットの少なくとも一部の上に又は周囲に延在している少なくとも1つの透明な層を準備することを更に含み、前記第1のチップレットの前記発光器によって放射された光は、前記透明な層内に伝送される、請求項10に記載の方法。前記ディスプレイ基板に付着したカバーを準備することを更に含み、前記第1のチップレットによって放射された光は、前記カバーを透過するか又は該カバーから反射する、請求項10に記載の方法。変調光を前記ディスプレイ基板内に放射して1つ又は複数のチップレットに情報を通信する、前記ディスプレイ基板の外部のコントローラーを準備することを更に含む、請求項10に記載の方法。前記第1のチップレットによって放射された前記変調光は、ブロードキャストされ、複数の他のチップレットによって検出される、請求項10に記載の方法。前記第1のチップレットによって放射された前記変調光は、前記他のチップレットのうちの1つのみによって検出される、請求項10に記載の方法。前記光変調は時間変調である、請求項10に記載の方法。したがって、フラットパネルディスプレイにおけるアクティブマトリックス素子にかつアクティブマトリックス素子間で信号を通信する改善された方法が必要とされている。本発明によれば、エレクトロルミネッセントディスプレイであって、aデバイス面及び表示エリアを有するディスプレイ基板と、b前記表示エリアにおいて前記ディスプレイ基板の前記デバイス面の上に形成された複数のパターニングされた第1の電極、該複数の第1の電極の上に形成された1つ又は複数の発光材料層、及び該1つ又は複数の発光材料層の上に形成された少なくとも1つの第2の電極であって、前記第1の電極及び前記第2の電極は、前記発光材料が前記表示エリア内の発光エリアにおいて発光するように電流を提供する、第1の電極、1つ又は複数の発光材料層及び第2の電極と、c複数のチップレットであって、各チップレットは、前記表示エリアにおいて前記デバイス基板の前記デバイス面の上に配置されかつそれに付着している、前記ディスプレイ基板とは別個でありかつ独立しているチップレット基板と、1つ又は複数の接続パッドと、前記チップレットに形成されたチップレット回路とを有し、該チップレット回路は1つ又は複数の接続パッドに電気的に接続され、少なくとも1つの接続パッドは第1の電極に電気的に接続されている、複数のチップレットと、を具備し、d各チップレットは、光検出器と前記1つ又は複数の発光材料層とは別個である発光器とを更に備え、該光検出器及び該発光器は、前記チップレット回路部に接続されており、該チップレット回路部は、前記発光器によって放射される光を変調する変調回路と、前記光検出器によって検出された光を復調する復調回路とを備えている、エレクトロルミネッセントディスプレイが提供される。本発明は、フラットパネル基板における複数の制御素子間の通信を改善するという利点を有している。光分配により、伝送路遅延及びRLC遅延を含む、電気通信方法が受ける遅延が取り除かれる。したがって、本発明は、帯域幅が増大しレイテンシーが短縮された通信を提供する。波長分割多重方式を使用して、帯域幅を更に増大させることができる。ディスプレイバックプレーン又は導波路を通して光を伝送することにより、ディスプレイによって占有される体積は好ましくないほど増大はしない。チップレットに光検出器及び発光器を形成することにより、高密度リソグラフィを使用してチップレット上に有効な光回路を形成することができる。本発明は、従来技術による基板ライトパイプ方法のように、基板の製造コストを増大させない。本発明は、チップレット間のロバストな通信を可能にし、その通信は、基板を破断することによってしか遮断することができない。図1及び図2を参照すると、エレクトロルミネッセントディスプレイは、デバイス面9及び表示エリア11図4に示すを有するディスプレイ基板10を有している。表示エリアにおいてディスプレイ基板10のデバイス面9の上に、複数のパターニングされた第1の電極12が形成され、複数の第1の電極12の上に、1つ又は複数の発光材料層14が形成され、1つ又は複数の発光材料層14の上に、少なくとも1つの第2の電極16が形成されており、第1の電極12及び第2の電極16は、発光材料層14が表示エリア内の発光エリアにおいて発光するように電流を提供する。基板10には複数のチップレット20が付着し、各チップレット20は、表示エリアにおいてデバイス基板10のデバイス面9の上に位置しかつそれに付着している、ディスプレイ基板10から別個であり独立しているチップレット基板28と、1つ又は複数の接続パッド24と、チップレット20に形成されたチップレット回路22とを有し、チップレット回路22は、1つ又は複数の接続パッド24に電気的に接続され、少なくとも1つの接続パッド24は第1の電極12に電気的に接続されている。各チップレット20は、チップレット回路部22に接続された、光検出器42と1つ又は複数の発光材料層14とは別個の発光器40とを更に備えている。チップレット回路部22は、発光器40によって放射される光を変調する変調回路50と、光検出器42によって検出された光を復調する復調回路52とを備えている。発光器40によって放射される光を、オンオフ変調OOK、振幅変調AM、位相変調PM又は周波数変調FMを含む様々な方法によって変調することができる。この光を使用してチップレット20間で伝送されるデータの形態を、デジタル又はアナログとすることができる。データを、例えばLZW符号化又はハフマン符号化を使用して、送信時に圧縮し受信時に圧縮解除することができる。データを、様々な方法で、例えば4B5B、8B10B、マンチェスター符号化若しくは別のセルフクロッキング符号化、ブロック符号化、畳込み符号化又はトレリス符号化によって符号化することができる。CRC又はチェックサムを、変調回路50によって追加して、復調回路52によって検証して、データ完全性を維持することができる。エラーとともに受信されたメッセージを破棄することができ、又は再送信を要求することができる。変調回路50及び復調回路52は、これらの変調方法及び符号化方法を実施するために、デジタルアナログ変換器DAC又はアナログデジタル変換器ADCを含む適切なデジタル又はアナログ回路部を含むことができる。様々な実施形態において有用な変調回路及び復調回路は、米国特許第5787117号及び米国特許第7769114号AM、FM、PM及びOOKを含む、米国特許第5231485号ハフマン符号化を含む、米国特許第6088369号4B5B及び8B10Bを含む及び米国特許第4995057号ブロック符号化及び畳込み符号化を含むに記載されており、それらの全ての開示内容を、引用することにより本明細書の一部をなすものとする。一実施形態では、伝送されるデータはデジタルである。変調回路50は、データの各8ビットバイトに偶数パリティビットを加えて、偶数の1ビットを有する9ビットメッセージを得る。変調回路50は、データクロックと、データクロックによって各データビットの排他的ORを順にとるXOR回路とを含み、各データビットは、データクロックの連続したサイクルでXOR回路に提示されるサイクルは、クロックの立上りエッジで開始する。これにより、データの1ビットが、データクロックサイクルの中間において0から1の遷移によって表され、0ビットが、1から0の遷移によって表される、マンチェスター符号化出力がもたらされる。発光器40は、XOR回路の出力が1であるときに発光し、出力が0であるときは発光しない。復調回路52は、光検出器42からマンチェスターパルス列をノイズも加わって受け取る。復調回路52は、データクロックサイクルの中間において遷移を特定しデータクロックを回復する位相ロックループを含む。復調回路52は、各中間サイクル遷移の直後に、例えば、回復されたデータクロックの立上りエッジにおいてクロックが与えられる直列入力並列出力型シフトレジスタのD入力にパルス列を提供することにより、パルス列の値を格納する。メッセージの9ビット全てが受信されると、復調回路52は1ビットの数を数えて、それが偶数であることを確認する。偶数である場合、データの8ビットバイトが、処理するために受信側チップレットのチップレット回路22の他の素子に提供される。チップレット20は、基板10に付着しており、チップレット20の一部を覆う透明な絶縁層18を有し、接続パッド24を露出させることによって接続パッド24が第1の電極12又は他の相互接続導体32に接続されるのを可能にする。チップレット回路22は、第1の電極12と第2の電極16との間の電流の流れを制御しかつ発光器40及び光検出器42を制御する回路部を含む。絶縁層18を平坦化層とすることができ、又は絶縁層18は平坦化層を含むことができる。絶縁層18又はその構成要素は、光を反射又は透過することができる。本発明では、発光器40によって放射される光のうち、光検出器42によって受光される前に媒体によって吸収又は拡散される光が、最小量であることが重要である。したがって、本明細書で用いられるとき、透明なとは、光の少なくとも50が発光器と光検出器との間の媒体を透過し、好ましくは少なくとも80又は最も好ましくは少なくとも90の透過率であることを意味する。絶縁層18を、1つ又は複数の発光材料層14によって放射される光、又は発光器40によって放射される光を透過するように、透明とすることができる。透明な絶縁層18は、チップレット20の少なくとも一部の上に又は周囲に延在することができ、チップレット20の発光器40は、透明とすることができる絶縁層18内に発光することができる。導体32は、チップレットを互いに電気的に相互接続することができ、又はチップレット20を外部コントローラーに電気的に相互接続することができる。本発明によれば、表示エリアにおけるチップレット20は、発光器40によって放射される光を使用してメッセージを他のチップレット20に送信することにより、かつ光検出器42から受け取られた光を使用してメッセージを他のチップレット20から受信することにより通信する。メッセージは、接続パッド24を介して第1の電極12又は第2の電極16ピクセル電極を駆動するように使用される画像情報及びピクセルデータを含むことができる。光の輝度を、信号、例えば1つのチップレットから別のチップレットに光伝送されるデジタル信号を搬送するように、時間的に変調することができる。光信号を、少なくとも部分的に可視範囲若しくは赤外線範囲とすることができ、又は光信号は、1つ若しくは複数の発光層によって放射される光の周波数と同じ周波数若しくは異なる周波数を有することができる。チップレットは、画像情報を格納するメモリを含むことができる。本発明の一実施形態では、コントローラーは、画像情報をチップレット20に分配する。コントローラーは、ディスプレイ基板の外部にあり、ディスプレイ基板又は導波路構造体内に光を放射するコントローラー光学発光器を含むことができる。画像情報を、ディスプレイと同じ解像度とすることができ、又はディスプレイより高いか若しくは低い解像度とすることができる。各チップレット20は、チップレット20によって制御されるピクセルに関連する画像情報を表示することができる。チップレット20はまた、例えばディスプレイにおける画像のパン、ディスプレイにおけるピクセルを補間することによる画像に対するズームイン、又はディスプレイにおけるピクセルをサンプリングすることによる画像からのズームアウトを可能にするために、画像情報を他のチップレット20によって表示されるように他のチップレット20に光通信することもできる。画像が非常に大きい可能性があるため、光通信で利用可能な高い帯域幅及び低いノイズにより、1つのチップレット20から別のチップレット20に画像データを送信する有効な方法が提供され、ディスプレイにおける有効な画像の操作及びオペレーションが可能になる。本発明の様々な実施形態による図3A~図3Dを参照すると、種々の方法で光相互通信を可能にすることができる。図3Aに示すように、光線を、1つのチップレット20の発光器40から放射し、別のチップレット20の光検出器42が受信することができる。図3Aに示すように、光信号8は、完全に又は部分的に透明とすることができる絶縁層18を伝播することができる。図3Aに示す実施形態では、層18は、チップレット20の上に、特に各チップレット20の発光器40及び光検出器42の上に形成された絶縁平坦化材料の透明な層18Aを含む。透明な層18Aの上に形成された反射層18Bは、放射光を反射するとともに、周囲光又は1つ若しくは複数の発光層14によって放射された光から光検出器42を保護し、したがって光通信信号におけるノイズを低減する。反射層18Bを、例えば、アルミニウム又は銀等の蒸着金属から形成することができ、連続的とするか又はパターニングすることができる。そして、反射層18Bを作製するために使用された材料との化学的相互作用又は電気的相互作用を回避するために、反射層18Bの上に、絶縁層又は平坦化層であるか又はそれを含むことができる保護層18Cを配置することができる。図3Bに示す本発明の代替実施形態では、1つのチップレット20の発光器40によって放射され別のチップレット20の光検出器42によって受信された光信号8はまた、基板10が放射光信号8を透過する場合、基板10を通って伝播することができる。図3Bに示すように、放射光は、透明な層18A及び基板10を通って進み、反射層18Bによって反射される。保護層18Cは、反射層18Bから他のディスプレイ素子を保護することができる。したがって、ディスプレイ基板10は、光信号8を透過又は反射することができる。図3Cに示す本発明の第3の実施形態では、1つのチップレット20の発光器40によって放射され別のチップレット20の光検出器42によって受信された光信号は、透明な層18Aを通って伝播し、基板10の上に形成された反射層18B及び反対側の第2の反射層18Dによって反射される。この実施形態では、光信号8は、透明な層18Aによって形成された光チャネルの両側の反射層18B及び18Dによって保護され、それにより、デバイスの上側における発光及び周囲光からと、デバイスの底部の基板面からの周囲光からとの両方の光干渉を低減する。この実施形態では、反射層18D及び18Bは、透明な層18Aとともに、光導波路構造体を有効に形成し、その光導波路構造体は、1つのチップレット20から別のチップレット20まで延在し、発光器40によって導波路構造体内に放射される光信号8を伝送する。導波路構造体は、1つの特定のチップレット発光器40から別の特定のチップレット光検出器42まで光を誘導するポイントツーポイントライトパイプを形成することができる。代替的に、導波路構造体は、1つ若しくは複数の発光器40から1つ若しくは複数の光検出器42まで放射光を有効に伝送することができ、又は発光器40及び光検出器42の両方を含むことにより、放射光を単一のチップレット20にかつ単一のチップレット20から伝送することができる。図3Dに示す本発明の更に別の代替実施形態では、1つのチップレット20の発光器40によって放射され別のチップレット20の発光器42によって受信された光信号8はまた、透明な層18Aとカバー30との間の間隙を通って伝播することもできる。図3Dに示すように、放射光は、透明な層18A及び間隙を通って進む。基板10の上に形成された反射層18Dは、光信号8を反射することができる。光信号8は、カバー30を通って進むこともできる図示せず。このため、カバー30は、光信号8を透過又は反射することができる。図4は、発光器40及び光検出器42を有するチップレット20を備えた基板10を有するディスプレイの上面図である。ライトパイプ19が、1つの特定のチップレット発光器40から別の特定のチップレット光検出器42まで光を誘導することができる。こうしたポイントツーポイント導波路構造体により、複数の光信号を別個のライトパイプ19を通して別個のチップレット20にかつ別個のチップレット20から同時に送信することができるため、利用可能な通信帯域幅が増大する。図4に示すように、各チップレット20は、2つのライトパイプ19を介して隣接するチップレット20と通信することができ、一方のライトパイプ19は、1つのチップレットへの送信専用であり、他方は、同じチップレットからの受信専用である。代替的に、単一のライトパイプを、単一のチップレットに対する光信号の送信及び受信両方に使用することができる。図5は、基板10の上に形成された反射層18Dと、透明な層18Aと、透明な層18Aの上のかつそれを包囲する第2の反射層18Bとを示すライトパイプ19の断面図である。任意選択的な保護層18Cを用いて、ライトパイプの材料及び構造体が保護される。図6は、コントローラー60から光送受信器62を介してライトパイプ19まで利用可能な通信路を示す、本発明の一実施形態によるディスプレイデバイスの上面図である。2次元アレイで配置されているチップレット20の各々は、単方向ライトパイプ19を介して、アレイの各次元のその隣接するチップレット20と、その発光器40から隣接するチップレット20へのライトパイプ19内に光信号を放射し、光検出器42により隣接するチップレット20からライトパイプ19を介して光信号を受信することにより、通信する。本発明のデバイスは、本発明の一実施形態では、まず、上述したようなエレクトロルミネッセントディスプレイを、エレクトロルミネッセントディスプレイの外部にあるディスプレイコントローラーとともに提供することによって操作される。情報、例えば画像情報は、ディスプレイコントローラーからエレクトロルミネッセントディスプレイの少なくとも第1のチップレットに通信される。第1のチップレットの発光器から放射される光を変調し、変調光を第2のチップレットの光検出器によって検出することにより、エレクトロルミネッセントディスプレイの第1のチップレットは、エレクトロルミネッセントディスプレイの第2のチップレットに情報を光通信することができる。そして、各チップレットは、発光層の少なくとも一部が発光するように、そのチップレットが接続されている第1の電極を上記情報に従って駆動することができる。本発明の一実施形態では、第1のチップレットの発光器によって放射された変調光は、チップレット及びそれらの光検出器のうちの多数、より好ましくは全てによって検出される。こうした実施形態では、通信はブロードキャストである。別の実施形態では、第1のチップレットの発光器によって放射された変調光は、第2のチップレットのみに伝送され、第2のチップレットの光検出器によって検出される。こうした実施形態では、通信はポイントツーポイントである。光信号を、時間的に変調することができる。基板又はカバーを設けることができ、第1のチップレットの発光器によって放射された光を、ディスプレイの基板又はカバーを通して透過させるか、そこから反射させることができる。チップレットの少なくとも一部の上に又はその周囲に延在している少なくとも1つの透明な層を設けることにより、光信号を伝播させるように基板にわたって導波路を形成することができ、第1のチップレットの発光器によって放射される光を、透明な層内に伝送することができる。1つ又は複数のチップレットに情報を通信するようにディスプレイ基板内に変調光を放射する、ディスプレイ基板の外部のコントローラーを設けることができる。伝送される情報を画像情報とすることができ、第1のチップレットは別のチップレットに画像情報を通信することができる。本発明の発光ピクセルは面発光体であり、基板の上にコーティングされた材料の層を採用し、材料の層の上及び下にコーティングされた電極によって駆動される。発光材料層は、結晶質ではなく、すなわちシリコンで形成されていない。対照的に、発光器40を、小型の点光源から発光する、シリコン等の結晶質材料で形成された従来の無機発光ダイオードとすることができる。特に、発光器40は、例えば図1に示すように、1つ又は複数の発光材料層14とは別個である。発光器40は、チップレット20内に形成され、1つ又は複数の発光層14のように、第1の電極12と第2の電極16との間の基板にわたってコーティングされてはいない。チップレット20を有する本発明の1つのアクティブマトリックス実施形態によれば、各ピクセルは、独立して制御される第1の電極12制御電極を有し、第2の電極16は複数のピクセルに共通であり、チップレット回路22は、ピクセルにアクティブマトリックス制御を提供することができる。図2にも示すように、チップレット回路22は、複数の接続パッド24を介して2つ以上のピクセルを駆動する。チップレット20の接続パッド24は、図1に示すように第1の電極12に直接接続することができ、又は導体32を介して第1の電極12に接続することができる。本発明の代替実施形態では、1つ又は複数のチップレット回路22は、複数のピクセル群にパッシブマトリックス制御を提供する。こうしたパッシブマトリックス制御型のピクセル群は、第1の電極12及び第2の電極16に対応することができる独立した直交する列電極及び行電極の重なりによって形成される。例えばチップレット20におけるチップレット回路22は、第1の電極12及び第2の電極16列電極及び行電極を活性化するように駆動電流を提供し、ピクセルに電流を流す。接続パッド24は、チップレット20を第1の電極12及び第2の電極16に接続することができる。本発明の一実施形態では、ドープエリア又は非ドープエリアを備えたシリコン基板を有するチップレットに発光器が形成されている。したがって、発光器は、無機点光源発光器を提供する無機発光ダイオード、例えば、シリコン等の結晶半導体材料で形成された従来の発光ダイオードとして構成されている。発光器を、発光NPNバイポーラトランジスタとすることができる。NPNバイポーラトランジスタは、エミッター-ベース接合を含むことができ、回路は、エミッター-ベース接合を横切って非破壊逆方向降伏電圧を提供してトランジスタに発光させる構造体を含むことができる。トランジスタがチップレットの表面上及び表面内に形成されているため、トランジスタによって放射される光は、チップレットから目に見えて漏出することができる。発光器によって放射される光は、フォトセンサー、例えば電荷を蓄積するか又は電流を検知する本技術分野において既知である回路とともに、感光ダイオード又は感光トランジスタによって検出される。チップレットは、比較的短い隣り合った辺よりも長いチップレットの比較的長い辺に沿って単一又は複数の行になった接続パッドを有することができる。チップレットは、単数又は複数のバスを通じて外部コントローラーに接続することができる。バスは、シリアルバス、パラレルバス、又はポイントツーポイントバスとすることができ、デジタル又はアナログ、光バス又は電気バスとすることができる。バスは、チップレットに接続されて、電力信号、接地信号、クロック信号、データ信号、又は選択信号等の信号を提供する。1つ又は複数のバスを1つ又は複数のコントローラー又はチップレットに別個に接続することができる。追加のバスが、タイミング例えば、クロック信号、データ信号、選択信号、電力接続、又は接地接続を含む様々な信号を供給することができる。信号は、アナログ又はデジタルとすることができ、例えば、デジタルアドレス又はデータ値とすることができる。アナログデータ値は、電荷又は電圧として供給することができる。記憶レジスタは、デジタル例えば、フリップフロップを含む又はアナログ例えば、電荷を蓄積するキャパシタを含むとすることができる。本発明の一実施形態では、ディスプレイデバイスはOLEDディスプレイである。コントローラーは、チップレットとして実装し、基板に固定することができる。コントローラーは、基板の周辺に配置することができるか、又は基板の外部にあることができ、従来の集積回路を含むことができる。本発明の様々な実施形態によれば、チップレットは様々な方法で構成することができ、例えば、チップレットの長い寸法に沿って1行又は2行の接続パッドを用いて構成することができる。相互接続バス、ワイヤ及び反射層は、様々な材料から形成することができ、デバイス基板上での様々な堆積方法を用いることができる。例えば、相互接続バス、ワイヤ及び反射層は、蒸着又はスパッタリングされる金属、例えば、アルミニウム若しくはアルミニウム合金、マグネシウム、又は銀とすることができる。代替的には、相互接続バス及びワイヤは、硬化した導電性インク又は金属酸化物から作製することができる。コストに関して有利な1つの実施形態では、相互接続バス及びワイヤは、単層内に形成される。感光性樹脂又はポリマーを使用して、透明な層18A又は保護層18Cを形成することができる。こうした材料をパターニングし上述した構造体を形成する方法は、フォトリソグラフィ技術において既知である。本発明は、大きなデバイス基板、例えば、ガラス、プラスチック又はフォイルを用い、デバイス基板上に複数のチップレットが規則的な配列で配置されるマルチピクセルデバイスの実施形態に特に有用である。各チップレットは、そのチップレット内の回路部に従って、かつ制御信号に応答して、デバイス基板上に形成された複数のピクセルを制御することができる。個々のピクセルグループ又は複数のピクセルグループをタイル状の素子上に配置することができ、それらの素子を組み立てて、ディスプレイ全体を形成することができる。本発明によれば、チップレットは、基板上に分散配置されるピクセル制御素子を提供する。チップレットは、デバイス基板に比べて相対的に小さな集積回路であり、独立した基板上に形成される、ワイヤ、接続パッド、抵抗器若しくはキャパシタ等の受動構成要素、又はトランジスタ若しくはダイオード等の能動構成要素を含む回路を備える。チップレットは、ディスプレイ基板とは別に製造され、その後、ディスプレイ基板に付着される。これらのプロセスの詳細は、例えば米国特許第6,879,098号、同第7,557,367号、同第7,622,367号、米国特許出願公開第2007/0032089号、同第2009/0199960号、同第2010/0123268号において見いだせる。チップレットは、半導体デバイスを製造する既知のプロセスを用いて、シリコン又はシリコンオンインシュレーターSOIウェハーを用いて製造されることが好ましい。各チップレットは、その後、デバイス基板に取り付けられる前に分離される。それゆえ、各チップレットの結晶性基部は、デバイス基板とは別の基板とみなすことができ、チップレットの回路部がその上に配置される。それゆえ、複数のチップレットは、デバイス基板とは別であり、かつ互いに別である対応する複数の基板を有する。詳細には、独立した基板は、その上にピクセルが形成される基板とは別であり、独立したチップレット基板の面積は、合わせても、デバイス基板よりも小さい。チップレットは、例えば、薄膜アモルファスシリコンデバイス又は多結晶シリコンデバイスにおいて見られる能動構成要素よりも、高い性能の能動構成要素を提供する結晶基板を有することができる。チップレットは100μm以下の厚みを有することができることが好ましく、20μm以下であることがより好ましい。これは、チップレット上に接着剤及び平坦化材料を形成するのを容易にし、その際、それらの材料は、従来のスピンコーティング技法又はカーテンコーティング技法を用いて付着することができる。本発明の一実施形態によれば、結晶シリコン基板上に形成されるチップレットは、幾何学的なアレイに配列され、接着剤又は平坦化材料を用いてデバイス基板に接着される。チップレットの表面上の接続パッドを用いて、各チップレットを信号ワイヤ、電力バス及び電極に接続し、ピクセルを駆動する。チップレットは少なくとも4つのピクセルを制御することができる。チップレットは半導体基板内に形成されるので、チップレットの回路部は、最新のリソグラフィツールを用いて形成することができる。そのようなツールによれば、0.5ミクロン以下の機構サイズを容易に手に入れることができる。例えば、最新の半導体製造ラインは、90nm又は45nmの線幅を達成することができ、本発明のチップレットを作製する際に用いることができる。しかしながら、チップレットは、ディスプレイ基板上に組み付けられると、チップレット上に設けられた配線層への電気的接続を作製するための接続パッドも必要とする。接続パッドのサイズは、ディスプレイ基板上で用いられるリソグラフィツールの機構サイズ例えば、5μm、及び配線層に対するチップレットの位置合わせ例えば、±5μmに基づく。それゆえ、接続パッドは、例えば、15μm幅にすることができ、パッド間に5μmの間隔をあけることができる。これは、パッドが一般的には、チップレット内に形成されるトランジスタ回路部よりも著しく大きいことを示す。パッドは一般的に、トランジスタを覆う、チップレット上のメタライゼーション層内に形成することができる。製造コストを下げることができるように、できる限り小さな表面積を有するチップレットを作製することが望ましい。基板例えば、アモルファスシリコン又は多結晶シリコン上に直接形成される回路よりも高い性能を持った回路部を有する独立した基板例えば、結晶シリコンを含むを備えるチップレットを用いることによって、より高い性能を有するデバイスが提供される。結晶シリコンは、より高い性能を有するだけでなく、はるかに小さな能動素子例えば、トランジスタも有するので、回路部サイズは非常に小さくなる。例えば、Yoon、Lee、Yang及びJang著AnoveluseofMEMSswitchesindrivingAMOLEDDigestofTechnicalPapersoftheSocietyforInformationDisplay200834p13に記述されているように、微小電気機械MEMS構造を用いて有用なチップレットを形成することもできる。デバイス基板はガラスを含むことができ、蒸着又はスパッタリングされる金属又は金属合金、例えば、アルミニウム又は銀から作製される配線層が、平坦化層例えば、樹脂上に形成され、当該技術分野において知られているフォトリソグラフィ技法を用いてパターニングされる。チップレットは、集積回路業界において十分に確立されている従来の技法を用いて形成することができる。本発明はマルチピクセルインフラストラクチャを有するデバイスにおいて用いることができる。詳細には、本発明は、有機又は無機のいずれかのLEDデバイスで実施することができ、情報表示デバイスにおいて特に有用である。好ましい実施形態では、本発明は、限定はしないが、米国特許第4,769,292号及び米国特許第5,061,569号に開示されるような小分子OLED又はポリマーOLEDから構成されるフラットパネルOLEDデバイスにおいて用いられる。例えば、多結晶半導体マトリックス内に形成される量子ドットを用い例えば、米国特許出願公開第2007/0057263号において教示される、有機電荷制御層若しくは無機電荷制御層を用いる無機デバイス、又はハイブリッド有機/無機デバイスを用いることができる。有機発光ディスプレイ又は無機発光ディスプレイの数多くの組み合わせ及び変形を用いて、トップエミッターアーキテクチャを有するか又はボトムエミッターアーキテクチャを有するアクティブマトリックスディスプレイを含む、そのようなデバイスを製造することができる。本発明は、或る特定の好ましい実施形態を特に参照しながら詳細に説明されてきたが、本発明の趣旨及び範囲内で変形及び変更を実施できることが理解されるべきである。"