半導体装置を製造する方法であり、前記方法は:マイクロ波プラズマ源を含むプロセスチャンバ内に基板を準備し、前記プラズマチャンバ内に、炭素-窒素分子内結合を持つ堆積ガスを含む、非-金属-含有プロセスガスを導入し;前記プロセスガスからプラズマを形成し;及び前記基板を前記プラズマに暴露して、炭素-窒素-含有膜を前記基板上に形成する、ことを含む方法。請求項1に記載の方法であり、前記炭素-窒素-含有膜が炭素-窒素CM膜を含む、方法。請求項1に記載の方法であり、前記非-金属-含有プロセスガスがさらに、酸素-含有ガスを含み、及び前記炭素-窒素-含有膜が炭素-窒素-酸素CNO膜を含む、方法。請求項3に記載の方法であり、前記酸素-含有ガスが、O2、CO、H2O、H2O2、NO、N2O又はNO2又はこれらの2以上の組合せを含む、方法。請求項1に記載の方法であり、前記非-金属-含有プロセスガスがさらに、シリコン-含有ガスを含み、及び前記炭素-窒素-含有膜が、シリコンドープ炭素-窒素Si-ドープCN膜を含む、方法。請求項5に記載の方法であり、前記シリコン-含有ガスが、シランSiH4、ジシランSi2H6及びSiaHbXcここでXはハロゲンであり、a、b、cは1以上の整数を表す化合物から選択される、方法。請求項1に記載の方法であり、前記非-金属-含有プロセスガスがさらに、シリコン-含有ガス及び酸素-含有ガスを含み、及び前記炭素-窒素-含有膜が、シリコン-ドープ炭素-窒素-酸素Si-ドープCNO膜を含む、方法。請求項1に記載の方法であり、前記マイクロ波プラズマ源がラジアルラインスロットアンテナRLSAを含む、方法。請求項1に記載の方法であり、前記炭素-窒素分子内結合を持つ堆積ガスが、トリメチルアミン、ジメチルエチルアミン、ジエチルメチルアミン、トリエチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、エチルアミン又はそれらの組合せから選択され得るアルキルアミンを含む、方法。請求項1に記載の方法であり、前記炭素-窒素-分子内結合を持つ堆積ガスが、HCN、CH3CN、NCCN又はX-CNXは、ハロゲン、又はこれらの2以上の組合せを含む、方法。請求項1に記載の方法であり、さらに、前記基板を支持する基板ホルダーに高周波RFバイアス電圧を提供することを含む、方法。請求項1に記載の方法であり、前記プラズマの電子温度が、前記堆積ガス内のC-H結合エネルギーよりも小さい、方法。半導体装置の製造方法であり、前記方法は:ラジアルラインスロットアンテナRLSAを含むマイクロ波プラズマ源を含むプロセスチャンバ内に基板を準備し;前記プロセスチャンバ内に、アルキルアミンガス又はR-CNガスここでRは、H、CH3、又はNCを表す、及び場合によりアルゴンArガス又はヘリウムHeガスを含む非-金属-含有プロセスガスを導入し;前記プロセスガスからプラズマを形成し;及び前記基板に前記プラズマを暴露して炭素-窒素-含有膜を基板上に形成する、方法。請求項13に記載の方法であり、前記アルキルアミンガスが、トリメチルアミン、ジメチルエチルアミン、ジエチルメチルアミン、トリエチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、エチルアミン又はそれらの組合せから選択され得るアルキルアミンを含む、方法。請求項13に記載の方法であり、前記炭素-窒素-含有膜が、炭素-窒素CN膜を含む、方法。請求項13に記載の方法であり、前記非-金属-含有プロセスガスがさらに、シランSiH4、ジシランSi2H6及びSiaHbXcここでXはハロゲン、a、b、cは1以上の整数から選択されるシリコン-含有ガスを含み、前記炭素-窒素-含有膜がシリコン-ドープ炭素-窒素Si-ドープCN膜を含む、方法。半導体装置の製造方法であり、前記方法は:ラジアルラインスロットアンテナRLSAを含むマイクロ波プラズマ源を含むプロセスチャンバ内に基板を準備し;前記プロセスチャンバ内に、酸素-含有ガス、アルキルアミンガス又はR-CNガスここでRは、H、CH3、又はNCを表す、及び場合によりアルゴンArガス又はヘリウムHeガスを含む非-金属-含有プロセスガスを導入し;前記プロセスガスからプラズマを形成し;及び前記基板に前記プラズマを暴露して炭素-窒素-酸素CNO含有膜を基板上に形成する、方法。請求項17に記載の方法であり、前記アルキルアミンガスが、トリメチルアミン、ジメチルエチルアミン、ジエチルメチルアミン、トリエチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、エチルアミン又はそれらの組合せから選択され得る、方法。請求項17に記載の方法であり、前記酸素-含有ガスが、O2、CO、H2O、H2O2、NO、N2O又はNO2又はこれらの2以上の組合せを含む、方法。請求項17に記載の方法であり、前記非-金属-含有プロセスガスがさらに、シランSiH4、ジシランSi2H6及びSiaHbXcここでXはハロゲンであり、a、b、cは1以上の整数であるから選択されるシリコン-含有ガスを含み、前記炭素-窒素-酸素膜がシリコンドープ炭素-窒素-酸素SiドープCNO膜を含む、方法。本発明は、マイクロ波プラズマを用いる誘電膜堆積方法を提供する。本発明の実施態様は、マイクロ波プラズマ源、例えばラジアルラインスロットアンテナRLSAを含むマイクロ波プラズマ源を用いて誘電膜を形成する方法を記載する。前記誘電膜は、例えばCN、CNO、Si-ドープCN膜及びSi-ドープCNO膜を含む低誘電率膜を含むことができる。一つの実施態様によると、半導体装置を形成する方法が提供される。前記方法は、マイクロ波プラズマ源を含むプロセスチャンバ内に基板を準備し、炭素-窒素分子内結合例えば、C-N、C=N、又はC≡Nを持つ堆積ガスを含む非-金属-含有プロセスガスを、前記プロセスチャンバ内に導入し、前記プロセスガスからプラズマを形成し、及び前記基板を前記プラズマに暴露して炭素-窒素-含有膜を前記基板上に堆積する、ことを含む。ある実施態様では、炭素-窒素分子内結合を持つ堆積ガスは、アルキルアミンガス又はR-CNガスを含み得、ここでRは、例えばH、NC又はハロゲンであり得る。一つの実施態様では、前記炭素-窒素-含有膜は、炭素-窒素CN膜を含み得る。他の実施態様では、前記非-金属-含有プロセスガスは、さらに酸素-含有ガスを含むことができ、及び前記炭素-窒素-含有膜が、炭素-窒素-酸素CNO膜を含むことができる。さらに他の実施態様では、前記非-金属-含有プロセスガスは、さらにシリコン-含有ガスを含むことができ、及び前記炭素-窒素-含有膜が、シリコンドープ炭素-窒素Si-ドープCN膜を含むことができる。さらに他の実施態様では、前記非-金属-含有プロセスガスは、さらにシリコン-含有ガスと酸素-含有ガスを含むことができ、及び前記炭素-窒素-含有膜が、シリコンドープ炭素-窒素-酸素Si-ドープCNO膜を含むことができる。マイクロ波プラズマを用いる、低誘電膜を含む誘電膜を基板上に堆積するための方法が種々の実施態様で説明される。前記低誘電膜は、SiO2k~3.9よりも低い誘電率を持ち、3.5より低く、3より低く、2.5より低く又は2より低い。当業者は、種々の実施態様が、具体的な1以上の詳細がなく又は他の置換及び/又は追加手段、材料又は部品を用いて実施され得ることが理解できるであろう。他の例では、よく知られる構造、材料、又は操作などは、本発明の実施態様の側面を曖昧にすることを避けるために、詳細に示されず又は説明されない。同様に、説明の目的で、具体的な数字、材料及び構成は、本発明の完全な理解を与えるために設定される。さらに、理解されるべきことは、図に示される種々の実施態様は、説明のために描かれており、必ずしも寸法通りではない、ということである。本明細書を通じて、一つの実施態様とは、実施態様に関連して説明される具体的な構成、構造、材料又は特徴が、本発明の少なくとも1つの実施態様に含まれるが、それらが全ての実施態様に存在することを意味するものではない、ことを意味する。従って、本明細書を通じて種々の箇所での用語一つの実施態様においてとは、必ずしも本発明の同じ実施態様を意味する必要はない。半導体製造において、低誘電膜low-kILD、低誘電層、半導体回路を覆う機密シールなどの低誘電保護層、低誘電エッチングストップ層及びその他の層を形成するための新たな一般的な方法への要求が存在する。本発明の実施態様は、マイクロ波プラズマを用いる低誘電膜を堆積するための方法を提供し、この方法は、低電子温度及び高プラズマ密度で特徴付けられ、進展が要求されている低誘電などの材料性質を持つ、CN、CNO、Si-ドープCN及びSi-ドープCNO膜の堆積を可能にする。本発明の実施態様により、例えばラジアルラインスロットアンテナRLSAプラズマプロセスシステムであるマイクロ波プラズマ源の使用は図6から9に示され、ユーザーが、前記プラズマ中で、例えば5電子ボルトeVより低い、4.5eVより低い、4eVより低い又は3.5eVより低い、低電子温度を選択することを可能にする。ある例では、前記電子温度は、3.0から3.5eVの間、3.5eVから4.0eVの間、又は4.0から4.5eVの間とすることができる。前記電子温度は、開裂させるプロセスガスの望ましい分子結合からみて選択され、それにより、前記マイクロ波プラズマ中の前記ガス開裂を制御し、かつ基板上に誘電膜を形成するために反応するガス種の生成を制御することができる。本発明の実施態様により、マイクロ波プラズマ条件は、堆積される誘電膜の膜組成、膜密度及び誘電率kを含む前記材料性質を制御するために使用され得る。かかる目標とされる結合開裂は、通常のプラズマ源を用いては不可能であり、というのは通常のプラズマ源は高電子温度分布を形成し例えば10eVより高い、前記プラズマ中のガス分子を種々の分子断片に開裂させ、形成されるガス種の制御がほとんど又は全くできないこととなり、従って、前記低誘電膜の材料性質の制御が限定的となるからである。表Iは、C、N及びH間での結合エネルギーを示す。表Iは、C、N及びHの間の単結合は、次の順に増加することを示す:3.17eVC-N<3.61C-C<4.30eVN-H<4.49eV4.49。さらに、C及びN間の二重結合の典型的結合エネルギーは次の順で増加する:C=Cで6.39eV<C=Nで6.40eV。さらになお、C及びN間の三重結合の典型的結合エネルギーは次の順で増加する:C≡Cで8.73eV<C≡Nで9.27eV<N≡Nで9.79eV。誘電膜堆積のために使用される多くのプロセスガスは、表Iに示される化学結合のいくつかを含む。本発明の実施態様は、ユーザーが、低エネルギー化学結合を目標とし、かつそれをプラズマプロセス環境で開裂させ、一方では他の高エネルギー化学結合は開裂されない、前記プラズマ中の電子温度を選択することを可能にする。このことは、低電子温度プラズマ例えば、5eV未満の電子温度を生成するマイクロ波プラズマ源を用いることで達成され得る。対照的に、従来の高周波RFプラズマ源は、例えば10eVよりも高い電子温度を持つプラズマを生成する。かかる従来のRFプラズマは、表Iにあげられる化学結合のほとんど全てを開裂させ、それにより、形成される膜の材料性質の制御がほとんどできないこととなる。例えば、誘電膜の堆積のために使用され得る多くのプロセスガスは、C-H結合を含み、プラズマ中でのC-H結合の開裂は、前記堆積された誘電膜中に望ましくない高いHを含有することとなり得る。本発明の一つの実施態様によると、表Iを参照して、プロセスガス中のC-H結合4.30eVよりも低い電子温度を持つマイクロ波プラズマが、プラズマ中でC-H結合の開裂を防止又は低減させるために選択され、それにより堆積された誘電膜中のH-含有量を低減させることができる。一例では、トリメチルアミンガスNCH33がプロセスガス中で使用されることができ、4.3eV未満、例えば4eV以下の電子温度が選択されると、NCH33分子中の1以上のC-N結合が開裂されるが、CH3化学基中のC-H結合は開裂されないことが予想され得る。これは、誘電膜の堆積において望ましい低H-含有量を与える結果となる。他の例では、R-C≡N分子がプロセスガス中で使用されることができ、C≡N結合9.27eVの電子温度より低いが、R-C結合よりは高い例えば、C-C結合の3.61eV電子温度を選択されることで、C≡N結合を開裂することなくR-C結合を開裂させることが可能となる。形成されたC≡Nガス種は、その後、例えばCN、CNO、Si-ドープCN及びSi-ドープCNOなどの種々の誘電膜のためのC≡N構成部分を与えることができる。ここで、Rは、例えば、H、NC又はハロゲンを表す。図1は、本発明の一つの実施態様による炭素-窒素-含有膜を形成するためのフロー図100である。前記フロー図100は、102で、マイクロ波プラズマ源を含むプラズマプロセスシステムのプロセスチャンバ内に基板を準備することを含む。前記マイクロ波プラズマ源は、例えばラジアルラインスロットアンテナRLSAを含み、図6から9に模式的に示される。前記基板は、例えば、半導体基板であってよく、例えばシリコン基板、シリコン-ゲルマニウム基板、ガラス基板、LCD基板又はGaAsなどの化合物半導体基板であり得る。基板サイズは、例えば200mmウェハ、300mmウェハ又はさらに大きいウェハ又は基板であり得る。104で、炭素-窒素分子内結合を持つ堆積ガスを含む非-金属-含有プロセスガスが前記プロセスチャンバ内に導入される。前記プロセスチャンバ内のガス圧力は、例えば約10mTorrと約20Torrの間、例えば約100mTorrと約10Torrの間、又は約100mTorrと約5Torrの間で維持され得る。さらに、前記基板は、基板温度が、約-50°Cと約800°Cの間、例えば約25°C、約100°C、約200°C、約300°C又は約400°Cで維持され得る。又は、前記基板温度は、約400°Cと約700°Cの間である得る。ある例では、約350°C以下の基板温度が、温度感受性の基板上に誘電膜を堆積する際に要求され得る。これらの場合には、前記基板温度は、約-50°Cと約350°Cの間、約-50°Cと約350°Cの間又は約100°Cと約350°Cの間であり得る。本発明の実施態様によると、前記-金属-含有プロセスガス及び前記堆積された炭素-窒素-含有膜は、金属元素を含まない。炭素-窒素分子内結合を持つ堆積ガスには、アルキルアミンガス又はR-CNガスが含まれ得る。前記アルキルアミンガスは、トリメチルアミンNCH33、ジメチルエチルアミンNCH32C2H5、ジエチルメチルアミンNC2H52CH3、トリエチルアミンNC2H53、ジメチルアミンNHCH32、ジエチルアミンNHC2H52、メチルアミンNH2CH3、エチルアミンNH2C2H5又はそれらの組合せから選択され得る。前記R-CNガスは、HCN、CH3CN、NCCN及びX-CNから選択され、ここでXはハロゲンである。Xは、F、Cl、Br又はIから選択され得る。ある実施態様では、前記非-金属-含有プロセスガスはさらに、酸素-含有ガスを含み得る。前記酸素-含有ガスは、例えば、O2、CO、H2O、H2O2、NO、N2O及びNO2から選択され得る。なお他の実施態様では、前記非-金属-含有プロセスガスはさらに、シリコン-含有ガスを含み得る。前記シリコン-含有ガスは、例えば、シランSiH4、ジシランSi2H6及びSiaHbXc化合物から選択され、ここでXはハロゲンを表し、a、b、cは1よりも大きい整数である。例示SiaHbXc化合物は、SiH2Cl2及びSiHCl3を含む。さらに、前記非-金属-含有プロセスガスはさらにアルゴンAr又はヘリウムを含み得る。106では、前記マイクロ波プラズマ源により前記プロセスガスの励起から前記プロセスチャンバ内にプラズマが形成される。前記プラズマは、低誘電膜の堆積を可能にする低電子温度及び高プラズマ密度により特徴付けられ得る。高プラズマ密度は、イオン密度が、約又は1x1011/cm3を超え、例えば約1x1011/cm3から約1x1013/cm3又はそれ以上であり得る。108で、前記基板が前記プラズマに暴露され、炭素-窒素-含有膜を基板上に堆積する。本発明の実施態様によると、前記炭素-窒素-含有膜は、主成分として炭素及び窒素を持つ炭素-窒素CN膜を含むことができ、及び前記非-金属-含有プロセスガスは、アルキルアミンガス及び/又はR-CNガス又はこれらの組合せ、及び場合によりAr又はHeを含むか、これらからなり得る。本発明の他の実施態様によると、前記炭素-窒素-含有膜は、主成分として炭素、窒素及び酸素を持つ炭素-窒素-酸素CNO膜を含むことができ、及び前記非-金属-含有プロセスガスは、酸素-含有ガス、アルキルアミンガス及び/又はR-CNガス及び場合によりAr又はHeを含むか、これらからなり得る。本発明の他の実施態様によると、前記炭素-窒素-含有膜は、主成分として炭素及び窒素、0.1から10原子のSiを持つシリコンドープ炭素-窒素Si-ドープCN膜を含むことができ、及び前記非-金属-含有プロセスガスは、シリコン-含有ガス、アルキルアミンガス及び/又はR-CNガス及び場合によりAr又はHeを含むか、これらからなり得る。本発明のなお他の実施態様によると、前記炭素-窒素-含有膜は、主成分として炭素、窒素及び酸素、0.1から10原子のSiを持つシリコンドープ炭素-窒素-酸素Si-ドープCNO膜を含むことができ、及び前記非-金属-含有プロセスガスは、シリコン-含有ガス、酸素-含有ガス、アルキルアミンガス及び/又はR-CNガス及び場合によりAr又はHeを含むか、これらからなり得る。しかし、前記CN、CNO、Si-ドープCN及びSi-ドープCNO膜はさらに、少量の不純物を含むことができ、例えば水素H又はハロゲンである。前記Siドープは前記膜の熱安定性を増加させることが意図されている。本発明のいくつかの実施態様によれば、前記CN、CNO、Si-ドープCN及びSi-ドープCNO膜の厚さは、約10ナノメートルnmと約200nmの間、又は約20nmから約100nmの間であり得る。図2は、本発明の実施態様による炭素-窒素CN膜を形成するためのフロー図200である。前記フロー図200は、図1のフロー図100と類似し、かつ202では、ラジアルラインスロットアンテナRLSAを含むマイクロ波プラズマ源を含むプロセスチャンバ内に基板を準備することを含む。204では、アルキルアミンガス又はR-CNガス及び場合によりArガス又はHeガスを含む非-金属-含有プロセスガスが、前記プロセスチャンバに導入される。206では、プラズマが、前記マイクロ波プラズマ源により前記プロセスガスの励起から前記プロセスチャンバ内で形成される。208では、前記基板が、前記プラズマに暴露されて、前記基板上に炭素-窒素CN膜を堆積する。いくつかの実施態様では、前記CN膜は、誘電率が、2未満、例えば約1.9を持つ。図3は、本発明の実施態様による炭素-窒素-酸素CNO膜を形成するためのフロー図300である。前記フロー図300は、図1のフロー図100と類似し、かつ302では、ラジアルラインスロットアンテナRLSAを含むマイクロ波プラズマ源を含むプロセスチャンバ内に基板を準備することを含む。304では、酸素-含有ガス、アルキルアミンガス又はR-CNガス及び場合によりArガス又はHeガスを含む非-金属-含有プロセスガスが、前記プロセスチャンバに導入される。306では、プラズマが、前記マイクロ波プラズマ源により前記プロセスガスの励起から前記プロセスチャンバ内で形成される。308では、前記基板が、前記プラズマに暴露されて、前記基板上に炭素-窒素-酸素CNO膜を堆積する。図4は、本発明の実施態様によるシリコン-ドープ炭素-窒素Si-ドープCN膜を形成するためのフロー図400である。前記フロー図400は、図1のフロー図100と類似し、かつ402では、ラジアルラインスロットアンテナRLSAを含むマイクロ波プラズマ源を含むプロセスチャンバ内に基板を準備することを含む。404では、シリコン-含有ガス、アルキルアミンガス又はR-CNガス及び場合によりArガス又はHeガスを含む非-金属-含有プロセスガスが、前記プロセスチャンバに導入される。406では、プラズマが、前記マイクロ波プラズマ源により前記プロセスガスの励起から前記プロセスチャンバ内で形成される。408では、前記基板が、前記プラズマに暴露されて、前記基板上にシリコン-ドープ炭素-窒素Si-ドープCN膜を堆積する。図5は、本発明の実施態様によるシリコン-ドープ炭素-窒素-酸素Si-ドープCNO膜を形成するためのフロー図500である。前記フロー図400は、図1のフロー図100と類似し、かつ402では、ラジアルラインスロットアンテナRLSAを含むマイクロ波プラズマ源を含むプロセスチャンバ内に基板を準備することを含む。504では、シリコン-含有ガス、酸素含有ガス、アルキルアミンガス又はR-CNガス及び場合によりArガス又はHeガスを含む非-金属-含有プロセスガスが、前記プロセスチャンバに導入される。506では、プラズマが、前記マイクロ波プラズマ源により前記プロセスガスの励起から前記プロセスチャンバ内で形成される。508では、前記基板が、前記プラズマに暴露されて、前記基板上にシリコン-ドープ炭素-窒素-酸素Si-ドープCNO膜を堆積する。図6は、本発明の一つの実施態様による基板上に誘電膜堆積のためのRLSAプラズマ源を含むプラズマプロセスシステムの模式的図である。前記プラズマプロセスシステム600で生成されるプラズマは、低電子温度と高プラズマ密度で特徴付けられ、これにより例えば、低誘電low-kCN、CNO、Si-ドープCN及びSi-ドープCNO膜を得ることが可能となる。前記プラズマプロセスシステム600は、例えば東京エレクトロン株式会社赤坂、日本からのTRIASTMSPAプロセスシステムであり得る。前記プラズマプロセスシステム600は、プロセスチャンバ650を含み、これは前記プロセスチャンバ650の上部に開口部651を含み、これは基板625よりも大きい。石英又はアルミニウム窒化物又はアルミニウム酸化物から形成される円筒状絶縁上部プレート654が、前記開口部651を覆うために設けられる。ガスライン672は、前記上部プレート654の下の前記プロセスチャンバ650の上部の側壁に設けられる。一つの例では、ガスライン672の数は、16であり得る図6では2のみ示される。又はガスライン672の異なる数が使用され得る。前記ガスライン672は、前記プロセスチャンバ650の円周方向に配置され得るが、これは本発明において必須ではない。前記非-金属-含有プロセスガスは、前記ガスライン672からプロセスチャンバ650内に均一にプラズマ領域659へ供給される。本発明の実施態様によると、前記非-金属-含有プロセスガスは金属元素を含まない。前記非-金属-含有プロセスガスは、炭素-窒素分子内結合を持つ堆積ガスを含み、及びアルキルアミンガス、R-CNガス又はこの組合せを含み得る。前記アルキルアミンガスは、トリメチルアミンNCH33、ジメチルエチルアミンNCH32C2H5、ジエチルメチルアミンNC2H52CH3、トリエチルアミンNC2H53、ジメチルアミンNHCH32、ジエチルアミンNHC2H52、メチルアミンNH2CH3、エチルアミンNH2C2H5又はそれらの組合せから選択され得る。前記R-CNガスは、HCN、CH3CN、NCCN及びX-CNから選択され、ここでXはハロゲンである。Xは、F、Cl、Br又はIから選択され得る。ある実施態様では、前記非-金属-含有プロセスガスはさらに、酸素-含有ガスを含み得る。記酸素-含有ガスは、例えば、O2、CO、H2O、H2O2、NO、N2O及びNO2から選択され得る。なお他の実施態様では、前記非-金属-含有プロセスガスはさらに、シリコン-含有ガスを含み得る。前記シリコン-含有ガスは、例えば、シランSiH4、ジシランSi2H6及びSiaHbXc化合物から選択され、ここでXはハロゲンを表し、a、b、cは1よりも大きい整数である。例示SiaHbXc化合物は、SiH2Cl2及びSiHCl3を含む。さらに、前記非-金属-含有プロセスガスはさらにアルゴンAr又はヘリウムを含み得る。前記プラズマプロセスシステム600では、マイクロ波パワーは、複数のスロット660Aを持つスロットアンテナ660を介して前記上部プレート654を通じて前記プロセスチャンバ650へ供給される。前記スロットアンテナ660は、処理される前記基板に面し、及び前記スロットアンテナ660は、例えば銅などの金属プレートから形成され得る。前記マイクロ波パワーを前記スロットアンテナ660へ供給するために、導波路663が前記上部プレート654に設けられ、前記導波路663はマイクロ波パワー供給源661へ接続されて、例えば約2.54GHzの周波数でマイクロ波を生成する。前記導波路663は、前記スロットアンテナ660に接続された下の端部で共軸導波路663Aを、前記環状導波路663Aの上部表面側へ接続された前記スロットアンテナ660に接続された共軸導波路663Bを、及び前記共軸導波路663Bの前記上部表面側部に接続された共軸導波路663Cを含む。さらに、長方形導波路663Dは、前記共軸導波路変換装置663Cの前記側部表面及びマイクロ波パワー供給源661に接続される。前記共軸導波路663B内部に、導電性材料の軸部内部導体662が共軸に設けられ、それにより、前記軸部662の1つの端部が前記スロットアンテナ660の上部表面の前記中心又はほぼ中心部へ接続され、前記軸部662の他の端部は、前記共軸導波路663Bの前記上部表面に接続され、それにより共軸構造を形成する。前記マイクロ波パワーは、例えば、約0.5W/cm2から約4W/cm2の間である得る。又は、前記マイクロ波パワーは、約0.5W/cm2から約3W/cm2の間であり得る。前記マイクロ波照射は、マイクロ波周波数が、約300MHzから約10GHzの範囲、例えば約2.45GHzであり、前記プラズマは、約5eV以下の電子温度を含み、これには1、1.5、2、2.5、3、3.5、4、4.5又は5eVを含み得る。他の例では、前記電子温度は、5eV未満、4.5eV未満、4eV未満又はさらに3.5eV未満であり得る。いくつかの例では、前記電子温度は、3.0と3.5eV、3.5eVと4.0eV又は4.0と4.5eVとの間であり得る。前記プラズマは、密度として、約1x1011/cm3から約1x1013/cm3又はそれよりも高い。加えて、前記プロセスチャンバ650内に、基板ホルダー652が、前記上部プレート654に対抗して設けられ、基板625例えばウェハを保持及び加熱する。前記基板ホルダー652は、ヒーター657を含み、これが基板625を加熱し、前記ヒーター657は抵抗加熱であり得る。又は、前記ヒーター657はランプヒーター又は他の任意のタイプのヒーターであり得る。さらに、前記プロセスチャンバ650は、排気ライン653を含み、これは前記プロセスチャンバ650の底部及び真空ポンプ655に接続されている。前記プラズマプロセスシステム600はさらに、基板バイアスシステム656を含み、これは場合により前記基板625にバイアスを与えて、基板に吸引されるイオンのエネルギーを制御する。前記基板バイアスシステム656は、前記基板ホルダー652へパワーを結合させるように構成された基板電源を含む。前記基板電源は、RF生成装置及びインピダンスマッチングネットワークを含む。前記基板電源は、前記基板ホルダー652内の電極を活性化して前記基板ホルダー652にパワーを結合するように構成される。前記RFバイアスの典型的周波数は、約0.1MHzから約100MHzの間であり、13.56MHzであり得る。いくつかの例では、前記RFバイアスは、1MHz未満、例えば0.8MHz未満、0.6MHz未満、0.4MHz未満又はさらに0.2MHz未満であり得る。ひとつの例では、前記RFバイアスは約0.4MHzである。又は、RFパワーは、多重周波数で前記電極へ供給される。プラズマプロセスのためのRFバイアスは、当業者によく知られている。他の実施態様では、前記基板バイアス656は、DC発生装置を含み得る。他の例では、RFバイアスは前記基板ホルダーには提供されず。前記基板ホルダーは、電気的接地されているか、又は電気的に浮いている。いくつかの実施態様によると、前記基板バイアスシステム656は、DC発生装置を含み、これは-5kVから5kVの間のDC電圧バイアスを基板ホルダー552へ供給することができる。前記基板バイアスシステム656は、さらに場合によりRFバイアスパワーをパルスとして適用することを含み、前記パルス周波数は、1Hzを超え、例えば2Hz、4Hz、6Hz、8Hz、10Hz、20Hz、30Hz、50Hzを超えるか又はこれ以上であり得る。例示RFバイアスパワーは、0Wから100W、100Wから200W、200Wから300W、300Wから400W又は400Wから500Wの間であり得る。留意すべきことは、当業者は、前記基板バイアスシステム656のパワーレベルは、処理される基板のサイズに関係することを理解する、ということである。例えば、処理する際に、300mmSiウェハは、200mmウェハよりもより大きいパワーが必要である。図6を参照して、制御装置699は、マイクロプロセッサ、メモリ、及びデジタルI/Oポートを持ち、これはプラズマ処理システム610との交信及び入力起動を行い、同様にプラスチック処理システム600からの出力をモニターするために十分な電圧を生成することができる。さらに、前記制御装置699は、プロセスチャンバ650、真空ポンプ655、ヒーター657、及びマイクロ波電源661に接続され情報交換する。前記メモリに記憶されたプログラムは、記憶されたプロセス手順により、前記プラズマ処理処理600の部品を制御するために使用される。制御装置699の一例はUNIX-系ワークステーションである。又は、前記制御装置699は、汎用コンピュータ、デジタル信号処理システムなどとして実装され得る。前記プラズマ処理システム600の低誘電率low-k膜の堆積は、基板温度を約-25°Cから約800°C、例えば約100°Cから200°C、約300°C又は約400°Cの間の温度が含まれる。又は前記基板温度は約400°Cから約700°Cの間であり得る。いくつかの実施態様では、約350°C以下の基板温度が、温度感受性のある基板上に誘電体を堆積する場合には必要となり得る。この場合、基板温度は、約-50°Cから約350°C、約-50°Cから約350°C、又は約100°Cから約350°Cの間である。前記プロセスチャンバ650の圧力は、例えば、約10mTorrから約20Torr、又は100mTorrから約10Torr又は約100mTorrから約5Torrの間である。図7は、本発明のひとつの実施態様による、基板上に誘電体膜を堆積するためのラジアルラインスロットアンテナRLSAプラズマ源を含む他のプラズマ処理システムの模式的図である。この図に示されるように、前記プラズマ処理装置10は、プロセスチャンバ20真空チャンバ、アンテナユニット50RLSA及び基板ホルダー21を含む。前記プロセスチャンバ20の内部は、プラズマ生成領域R1でプラズマガス供給ユニット30の下に位置され、及び基板ホルダー21側でのプラズマ拡散領域R2に概ね区分けされている。前記プラズマ生成領域R1で生成されるプラズマは、電子温度が数電子ボルトeVである。前記プラズマが前記プラズマ拡散領域R2内に拡散すると、前記膜形成プロセスが実施され、前記基板ホルダー21に近いプラズマの電子温度は約2eV未満の値に低下する。前記基板ホルダー21は前記プロセスチャンバ20の底部上中心に位置し、基板Wを収容する収容ユニットとして作用する。前記収容テーブル21内に、絶縁部21a、冷却ジャケット21b及び基板温度を制御するための温度制御ユニット図示されていないが含まれる。前記プロセスチャンバ20の上部は開放端部である。前記プラズマガスユニット30は、前記基板ホルダー21に対抗して設けられ、図示されていないが、Oリングなどの密閉部材により前記プロセスチャンバ20の上部に接続される。前記プラズマガス供給ユニット30は、絶縁窓としてまた機能するが、酸化アルミニウムや石英などの材料から形成され、かつその平坦表面は例えば仮想ディスク形状を持ち、基板ホルダー21に面する。複数のガス供給穴31が、基板ホルダーに対抗する側で、前記プラズマガス供給ユニット30の平坦表面上に設けられる。複数のガス供給穴31は、ガスフローチャンネル32を介してプラズマガス供給ポート33と連通する。プラズマガス供給源34は、例えばアルゴンArガス、ヘリウムHeガス、クリプトンKrガス又は他の不活性ガスなどを、前記プラズマガス供給ポート33へ与える。前記プラズマガスはその後均一にプラズマ生成領域R1へ、前記複数のガス供給穴31から供給される。前記プラズマ処理システム10はさらに、プロセスガス供給ユニット40を含み、これは前記プラズマ生成領域R1とプラズマ拡散領域R2との間の前記プロセスチャンバ20の実質的に中心に位置する。前記プロセスガス供給ユニット40は、例えばマグネシウムMgを含むアルミニウム合金やステンレス鋼などの導電性材料からできている。前記プラズマガス供給ユニット30と類似して、複数のガス供給穴41が、前記プロセスガス供給ユニット40の平面表面上に設けられる。前記プロセスガス供給ユニット40の平坦表眼は、前記基板ホルダー21に対抗して位置され、仮想ディスク形状を持つ。前記プロセスチャンバ20はさらに、前記プロセスチャンバ20の底部に接続される排気ライン26、前記排気ラインを圧力制御弁28と接続する真空ライン27、及び真空ポンプ29を含む。前記圧力制御弁28は、前記プロセスチャンバ20内に望ましい圧力を達成するために使用され得る。前記プロセスガス供給誘電体ユニット40の平面図が図8に示される。この図に示されるように、格子状ガスフローチャンネル42これはシャワープレートとも呼ばれるは、前記プロセスガス供給ユニット40内に形成される。前記格子状ガスフローチャンネル42は、垂直方向に形成される前記複数のガス供給穴41の上端部で連通する。前記複数のガス供給穴41の下端部は前記収容テーブル21に面して開口する。前場合と同様に、前記複数のガス供給穴41は、格子状ガスフローチャンネル42を介してプロセスガス供給ポート43と流通する。さらに、複数の開口部44が、前記プロセスガス供給ユニット40に形成され、複数の開口部44が垂直方向で前記プロセスガス供給ユニット40を通過する。前記複数の開口部44は前記プロセスガス、例えばアルゴンArガス、ヘリウムHeガス又はその他の不活性ガスを、前記収容テーブル21側でプラズマ拡散領域R2内に通過させる。図8に示されるように、複数の開口部44は、隣接するガスフローチャンネル42の間に形成される。前記プロセスガスが、例えば3つの別々のプロセスガス供給源45から47により、前記プロセスガス供給ポート43へ供給される。前記プロセスガス供給源45から47は、それぞれ、シリコン含有ガス例えばSiH4、炭素-窒素分子内結合例えばNMe3及び酸素含有ガス例えばO2に対応する。図7をまた参照して、前記プラズマガス及び前記プロセスガスの組合せは、非-金属含有プロセスガスを形成する。前記非-金属-含有プロセスガスの流速、前記堆積ガス及びシリコン-含有ガスの流速は、10sccmから200sccmに設定され得る。Arガスなどのプラズマガスの流速は、100sccmから2000sccmの範囲で設定され得る。例えばO2などの酸素含有ガスの流速は、10sccmから100sccmの範囲で設定され得る。プラズマガス及びプロセスガスとして使用され得るガスのより詳細は図6を参照して上で説明される。さらに、プロセスチャンバ圧力及び基板温度を含む使用され得るプロセスパラメータのより詳細は図6を参照して上で説明される。前記堆積ガス、シリコン含有ガス及び酸素含有ガスの1つ以上が、前記格子状ガスフローチャンネル42を流通し、前記複数のガス供給穴41を介して前記プラズマガス拡散領域R2内に均一に供給される。前記プラズマガス処理システム10はさらに、4つの弁V1からV4を含み、4つの流速制御装置MFC1からMFC4を含み、それぞれが、前記プラズマガス供給、堆積ガス、シリコン含有ガス及び酸素含有ガスの供給を制御する。外部マイクロ波生成装置55は、所定の周波数、例えば2.45GHzのマイクロ波を共軸導波路54を介して前記アンテナユニット50へ供給する。前記共軸導波路54は、内部コンダクター54B及び外部コンダクター54Aを含む。前記マイクロ波生成装置55からのマイクロ波は、前記プラズマガス供給ユニット30の直下で、プラズマ生成領域R1内で電場を生成し、それにより、前記プラズマガス、例えばアルゴンArガス、ヘリウムHeガス又は他の不活性ガスを前記プロセスチャンバ20内部で励起させる。図9は、アンテナユニット50RLSAの部分断面図を示す。この図に示されるように、前記アンテナユニット50は、平坦なアンテナ本体51、ラジアルラインスロットプレート52及びマイクロ波波長を短くするための誘電体板を含む。前記平坦アンテナ本体51は、開放端部を持つ底部表面を持つ環状形状を持つ。前記ラジアルラインスロットプレート52は、前記平坦アンテナ本体51の開放端部底部表面を閉じるように形成される。前記平坦アンテナ本体51及びラジアルラインスロットプレート52は、平坦中空環状形状導波管を持つ導体材料からできている。複数のスロット56が、前記ラジアルラインスロットプレート52上に設けられて円偏波を生成する。前記複数のスロット56は、その間にすこしギャップをもつ実質的にT-字型に配置され、共中心円形パターン又は円周方向への螺旋形パターンで形成される。前記スロット56a及び56bはお互いに直交することから、2つの直行する偏波成分を含む円偏波は、平面波として前記ラジアルラインスロットプレート52から放射される。前記誘電体板53は、低損失誘電材料、例えば酸化アルミニウムAl2O3やシリコン窒化物Si3N4などで作られ、これは前記ラジアルラインスロットプレート52と前記平坦アンテナ本体51の間に設けられる。図6に示されるように、前記ラジアルラインスロットプレート52は、図6には示されていないが、密閉部材を用いて前記プロセスチャンバ20上に設けて、前記ラジアルラインスロットプレート52がカバープレート23と緊密接触させる。前記カバープレート23は、前記プラズマガス供給ユニット30の上部表面に位置され、酸化アルミニウムAl2O3などのマイクロ波透過性誘電材料から形成されている。図7を参照して、外部高周波数電源22が電気的に基板ホルダー21にマッチングネットワーク25を介して接続される。前記外部高周波電源22は、所定の周波数、例えば13.56MHzのRFバイアス電源を生成し、基板Wへ引かれるイオンのエネルギーを制御する。前記電源22はさらに、場合により、RFバイアスパワーをパルスで与えることができるように構成され、パルス周波数として、1Hzを超え、例えば2Hz、4Hz、6Hz、8Hz、10Hz、20Hz、30Hz、50Hz又はそれ以上である。例示的RFバイアスパワーは、0Wから100Wの間、100Wから200Wの間、200Wから300Wの間、300Wから400Wの間又は、400Wから500Wの間であり得る。留意すべきことは、当業者であれば、前記電源22のパワーレベルは処理される基板のサイズに依存するということを理解する、ということである。例えば、300mmウェハは、処理の際に200mmウェハよりもより大きなパワーを必要とする。前記プラズマ処理システム10はさらにDC電圧生成装置35を含み、これは場合により、-5kVから5kVの間のDC電圧バイアスを前記基板ホルダー21に与えることができる。炭素-窒素-含有膜の形成の際、前記プラズマガス、例えばArガスは、前記プラズマガス供給ユニット30を用いて前記プロセスチャンバ内に導入され得る。他方で、堆積ガス、シリコン含有ガス及び酸素含有ガス及びキャリアガスとしてのArが、前記プラズマガス供給ユニット40を用いて前記プロセスチャンバ内に導入され得る。図7に示されるように、前記堆積ガス、シリコン含有ガス及び酸素含有ガスはまた、前記プラズマガス吸収ユニット30を用いて前記プロセスチャンバ20へ導入され得る。ここまで、半導体装置のための、マイクロ波プラズマ源を用いた炭素-窒素-含有膜の形成の複数の実施態様につき記載してきた。前記本発明の実施態様の記載は、説明をするために与えられたものである。本発明を開示された正確な形態に限定することは意図されていない。この記載及び以下の特許請求の範囲は、本発明を説明のために使用され、限定的に解釈されるために使用されない用語を含む。例えばここで特許請求の範囲を含む使用される上は、膜が、基板上に直接接触することを要求するものではなく、第2の膜又は他の構造が前記膜と基板の間に存在し得る。当業者は、前記開示に照らして多くの変形例は可能であることを理解する。当業者は、図面に示される種々の部品につき、均等な組合せ及び置換につき理解する。従って、本発明の範囲は、この詳細な記載により限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲にのみ限定されるものである。