"固定された磁化方向を有する第1固定層と、前記第1固定層上に備わった第1自由層と、前記第1自由層上に備わった第2自由層と、を含み、前記第1自由層及び第2自由層のうち少なくとも1層の磁気モーメントの歳差運動を利用して、信号を発生させる発振器。前記第1固定層と、前記第1自由層及び第2自由層は、水平磁気異方性を有することを特徴とする請求項1に記載の発振器。前記第1固定層と、前記第1自由層及び第2自由層は、垂直磁気異方性を有することを特徴とする請求項1に記載の発振器。前記第1固定層と前記第1自由層との間に備わった第1分離層と、前記第1自由層と前記第2自由層との間に備わった第2分離層と、をさらに含み、前記第1分離層及び第2分離層は、絶縁層または導電層であることを特徴とする請求項1に記載の発振器。前記第2自由層上に備わる少なくとも1層の別途の自由層と、前記自由層間に備わった少なくとも1層の別途の分離層と、をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の発振器。前記発振器は、SAFsyntheticantiferromagnet構造をさらに含み、前記SAF構造は、前記第1固定層を含むことを特徴とする請求項1に記載の発振器。前記SAF構造は、前記第1固定層と離隔された第2固定層と、前記第1固定層と前記第2固定層との間に備わったスペーサと、を含み、前記第1固定層は、前記第2固定層と前記第1自由層との間に備わったことを特徴とする請求項6に記載の発振器。前記第1固定層の一面に備わった反強磁性層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の発振器。前記第1固定層は、前記反強磁性層と前記第1自由層との間に備わったことを特徴とする請求項8に記載の発振器。前記発振器は、磁場フリー発振器であることを特徴とすることを特徴とする請求項1に記載の発振器。前記第1固定層は、前記第1自由層に第1スピントルクを印加するように構成され、前記第2自由層は、前記第1自由層に第2スピントルクまたは第1ストレイフィールドを印加するように構成され、前記第2スピントルクと前記第1ストレイフィールドは、前記第1スピントルクの方向と反対方向を有することを特徴とする請求項1に記載の発振器。第1自由層及び第2自由層を含む発振器に電流を印加し、前記第1自由層及び第2自由層のうち少なくとも1層の磁気モーメントを歳差運動させる段階と、前記第1自由層及び第2自由層のうち少なくとも1層の磁気モーメントが歳差運動するとき、前記発振器の抵抗変化を検出する段階と、を含む発振器の動作方法。前記発振器は、第1固定層をさらに含み、前記動作方法は、前記第1固定層から前記第1自由層及び第2自由層に電子が流れるように、前記発振器に電流を印加する段階を含むことを特徴とする請求項12に記載の発振器の動作方法。前記第1固定層と、前記第1自由層及び第2自由層は、水平磁気異方性を有することを特徴とする請求項13に記載の発振器の動作方法。前記第1固定層と、前記第1自由層及び第2自由層は、垂直磁気異方性を有することを特徴とする請求項13に記載の発振器の動作方法。前記第1固定層と前記第1自由層との間に、第1分離層が備わり、前記第1自由層と前記第2自由層との間に、第2分離層が備わり、前記第1分離層及び第2分離層は、絶縁層または導電層であることを特徴とする請求項13に記載の発振器の動作方法。前記第2自由層上に、少なくとも1層の別途の分離層と、少なくとも1層の別途の自由層とが交互に備わったことを特徴とする請求項16に記載の発振器の動作方法。前記発振器は、SAFsyntheticaintiferromagnet構造を含み、前記SAF構造は、前記第1固定層を含むことを特徴とする請求項13に記載の発振器の動作方法。前記第1固定層の下面に、反強磁性層が備わったことを特徴とする請求項13に記載の発振器の動作方法。前記第1自由層に第1スピントルクを印加する段階と、前記第1自由層に第2スピントルクまたは第1ストレイフィールドを提供する段階と、を含み、前記第2スピントルクと前記第1ストレイフィールドは、前記第1スピントルクの方向と反対方向を有することを特徴とする請求項12に記載の発振器の動作方法。本発明は、スピン伝達トルク現象を利用するものであり、外部磁場を印加せずとも高周波信号を発生させられる発振器を提供するものである。本発明はまた、前記発振器の動作方法を提供するものである。本発明の一側面aspectによれば、固定された磁化方向を有する第1固定層pinnedlayerと、前記第1固定層上に備わった第1自由層freelayerと、前記第1自由層上に備わった第2自由層と、を含み、前記第1自由層及び第2自由層のうち少なくとも1層の磁気モーメントmagneticmomentの歳差運動precessionを利用して、信号を発生させる発振器が提供される。前記第1固定層と、前記第1自由層及び第2自由層は、水平磁気異方性in-planemagneticanisotropyを有することができる。前記第1固定層と、前記第1自由層及び第2自由層は、垂直磁気異方性perpendicularmagneticanisotropyを有することができる。前記発振器は、前記第1固定層と前記第1自由層との間に備わった第1分離層と、前記第1自由層と前記第2自由層との間に備わった第2分離層と、をさらに含むことができる。前記第1分離層及び第2分離層は、絶縁層または導電層でありうる。前記発振器は、前記第2自由層上に備わる少なくとも1層の別途の自由層と、前記自由層間に備わった少なくとも1層の別途の分離層と、をさらに含むことができる。前記発振器は、SAFsyntheticantiferromagnet構造をさらに含むことができ、前記SAF構造は、前記第1固定層を含むことができる。前記SAF構造は、前記第1固定層と離隔された第2固定層と、前記第1固定層と前記第2固定層との間に備わったスペーサspacerと、を含むことができ、前記第1固定層は、前記第2固定層と前記第1自由層との間に備わりうる。前記発振器は、前記第1固定層の一面に備わった反強磁性層antiferromagneticlayerをさらに含むことができる。前記第1固定層は、前記反強磁性層と前記第1自由層との間に備わりうる。前記発振器は、磁場フリーmagneticfield-free発振器でありうる。前記第1固定層は、前記第1自由層に第1スピントルクspintorqueを印加するように構成され、前記第2自由層は、前記第1自由層に第2スピントルクまたは第1ストレイフィールドstrayfieldを印加するように構成されうる。前記第2スピントルクと前記第1ストレイフィールドは、前記第1スピントルクの方向と反対方向を有することができる。本発明の他の側面によれば、第1自由層及び第2自由層を含む発振器に電流を印加し、前記第1自由層及び第2自由層のうち少なくとも1層の磁気モーメントを歳差運動させる段階と、前記第1自由層及び第2自由層のうち少なくとも1層の磁気モーメントが歳差運動するとき、前記発振器の抵抗変化を検出する段階と、を含む発振器の動作方法が提供される。前記発振器は、第1固定層をさらに含むことができ、前記動作方法は、前記第1固定層から前記第1自由層及び第2自由層に電子が流れるように、前記発振器に電流を印加する段階を含むことができる。前記第1固定層と、前記第1自由層及び第2自由層は、水平磁気異方性を有することができる。前記第1固定層と、前記第1自由層及び第2自由層は、垂直磁気異方性を有することができる。前記第1固定層と前記第1自由層との間に、第1分離層が備わり、前記第1自由層と前記第2自由層との間に、第2分離層が備わり、前記第1分離層及び第2分離層は、絶縁層または導電層でありうる。前記第2自由層上に、少なくとも1層の別途の分離層及び少なくとも1層の別途の自由層が交互にさらに備わりうる。前記発振器は、SAF構造を含むことができ、前記SAF構造は、前記第1固定層を含むことができる。前記発振器は、前記第1固定層の下面に備わった反強磁性層をさらに含むことができる。前記動作方法は、前記第1自由層に第1スピントルクを印加する段階と、前記第1自由層に第2スピントルクまたは第1ストレイフィールドを提供する段階と、を含むことができ、前記第2スピントルクと前記第1ストレイフィールドは、前記第1スピントルクの方向と反対方向を有することができる。本発明によれば、外部磁場を印加せずとも、高周波発振が可能なスピントルク発振器を具現することができる。以下、本発明の実施形態による発振器及びその動作方法について、添付された図面を参照しつつ詳細に説明する。この過程で、図面に図示された層や領域の厚さは、明細書の明確性のために多少誇張されて図示されている。詳細な説明全体にわたって同じ参照番号は、同じ構成要素を示している。図1は、本発明の実施形態による発振器を示す断面図である。図1を参照すれば、固定層pinnedlayerP1上に、複数の自由層freelayer、例えば、第1自由層F1及び第2自由層F2が積層されている。固定層P1と第1自由層F1との間に、第1分離層S1が備わり、第1自由層F1と第2自由層F2との間に、第2分離層S2が備わりうる。固定層P1は、磁化方向が所定方向に固定された磁性層であり、例えば、Co、Fe及びNiのうち少なくとも一つを含む強磁性ferromagnetic物質から形成されうる。前記強磁性物質は、Co、Fe、Ni以外に、他の元素をさらに含むこともできる。例えば、固定層P1は、PtMn、IrMn、MnO、MnS、MnTe及びMnFのうち少なくとも一つを含むことができる。固定層P1の磁化方向を固定するための方法は、さまざまなものがありうる。例えば、固定層P1の磁化方向を固定させるために、SAFsyntheticantiferromagnet構造図示せずまたは反強磁性層antiferromagneticlayer図示せずを利用することができる。これについては、追ってさらに詳細に説明する。前記SAF構造や反強磁性層を利用せずに、固定層P1自体の厚みを厚くする方法で、磁化方向を固定させることもできる。すなわち、付加的な層の助けなしに、固定層P1の厚み調節を介して、磁化方向を固定させることができる。第1自由層F1及び第2自由層F2は、磁化方向が変動可能な層であり、一般的な強磁性物質から形成されうる。前記強磁性物質は、Co、Fe及びNiのうち少なくとも一つを含み、それ以外に他の元素例えば、B、Cr、Pt、Pdなどをさらに含むこともできる。例えば、第1自由層F1及び第2自由層F2は、CoFeB、CoFe、NiFe、CoFePt、CoFePd、CoFeCr、CoFeTb、CoFeGd及びCoFeNiのうち少なくとも一つを含むことができる。第1自由層F1及び第2自由層F2の厚みは、0.5~10nmほど、例えば、1~5nmほどでありうる。第1自由層F1及び第2自由層F2の厚みは、互いに同じでありうるが、場合によっては、異なることもある。固定層P1と、第1自由層F1及び第2自由層F2は、水平磁気異方性in-planemagneticanisotropyまたは垂直磁気異方性perpendicularmagneticanisotropyを有することができる。図1には、固定層P1と、第1自由層F1及び第2自由層F2とが水平磁気異方性を有するが、固定層P1の磁化方向は、X軸の逆方向に固定され、第1自由層F1及び第2自由層F2は、X軸に平行な磁化容易軸magnetizationeasyaxisを有する場合が図示されている。これは、例示的なものに過ぎない。すなわち、固定層P1の磁化方向と、第1自由層F1及び第2自由層F2の磁化容易軸方向は、図示されているところに限定されるものではなく、多様に変化されうる。第1分離層S1及び第2分離層S2は、絶縁層または導電層でありうる。前記絶縁層は、例えば、Mg酸化物またはAl酸化物のような酸化物を含むことができる。前記導電層は、例えば、Cu、Al、Au、Ag及びそれらの混合物のうち少なくとも1つの金属を含むことができる。第1分離層S1及び第2分離層S2の厚みは、例えば、0.5~3nmほどでありうる。第1分離層S1及び第2分離層S2が絶縁層である場合、本実施形態の発振器は、TMRtunnelmagnetoresistance構造を有し、第1分離層S1及び第2分離層S2が導電層である場合、本実施形態の発振器は、GMRgiantmagnetoresistance構造を有する。場合によっては、第1分離層S1及び第2分離層S2のうち1層は絶縁層であり、他の1層は導電層でもありうる。図1に図示されていないが、固定層P1の下面に、第1電極を具備させることができ、第2自由層F2の上面に、第2電極を具備させることができる。固定層P1及び第2自由層F2の物質によって、前記第1電極及び第2電極を具備させることは、選択的optionalでありうる。例えば、固定層P1及び第2自由層F2の電気抵抗が十分に低い場合、固定層P1及び第2自由層F2自体を電極として使用することができるので、前記第1電極及び第2電極を具備させなくともよい。以上で説明した本実施形態による発振器は、第1自由層F1及び第2自由層F2のうち少なくとも1層の磁気モーメントmagneticmomentの歳差運動precessionを利用して、特定周波数帯域の信号を発生させることができる。例えば、第1自由層F1及び第2自由層F2のうち少なくとも第1自由層F1の磁気モーメントを歳差運動させることができる。第1自由層F1及び第2自由層F2の磁気モーメントを、いずれも歳差運動させることもできる。磁気モーメントの歳差運動は、磁気モーメントの軸axicが特定軌道を描きつつ回転することを意味する。ここで、磁気モーメントの軸方向は、磁化方向と同じものであると見ることができる。従って、磁気モーメントの歳差運動は、磁化方向の回転に対応しうる。第1自由層F1及び第2自由層F2のうち少なくとも1層の磁気モーメントが歳差運動することにより、固定層P1と自由層F1,F2との電気抵抗が周期的に変化し、その結果、特定周波数帯域の信号が発生しうる。本実施形態による発振器は、互いに隣接した2層の自由層F1,F2を有するために、外部磁場の印加なしに、電流だけで自由層F1,F2の磁気モーメントを歳差運動させることができる。一般的に、磁気モーメントの歳差運動のためには、磁気モーメントの摂動perturbationのための電流誘導スピン伝達トルクcurrent-inducedspintransfertorqueと、磁気モーメントの復原力restoringforceを提供する外部磁場とが要求される。磁気モーメントが摂動しようとする力と、所定位置に復元しようとする力とが均衡をなしつつ、磁気モーメントの軸が特定軌道を描きつつ回転することができる。単一自由層singlefreelayerを利用するスピントルク発振器比較例の場合、前記単一自由層の磁気モーメントを歳差運動させるためには、前記復原力を提供する外部磁場を印加せねばならない。すなわち、前記単一自由層の磁化方向を一方に引き起こさせるための外部磁場が要求される。しかし、本実施形態では、第2自由層F2が第1自由層F1に、または、第1自由層F1が第2自由層F2に、前記外部磁場と類似したエネルギー力を印加する役割を行うことができる。従って、本実施形態による発振器は、外部磁場なしに電流印加だけで、高周波信号を発生させることができる。すなわち、本実施形態による発振器は、磁場フリーmagneticfield-free発振器でありうる。本実施形態による発振器の動作原理については、追って図4ないし図6を参照しつつさらに詳細に説明する。図2及び図3は、本発明の他の実施形態による発振器を示している。図2は、固定層P1がSAF構造SAF1の一部である場合であり、図3は、固定層P1の下面に、反強磁性層AF1が備わった場合である。SAF構造SAF1及び反強磁性層AF1は、固定層P1の磁化方向を固定するための手段でありうる。図2を参照すれば、固定層P1以下、第1固定層P1の下面に、スペーサspacerSP1と第2固定層P2とが順に備わりうる。第1固定層P1及び第2固定層P2は、互いに反対方向に固定された磁化方向を有することができる。換言すれば、第1固定層P1と第2固定層P2は、互いに反対方向に磁化することができる。第1固定層P1及び第2固定層P2が、互いに反対方向に固定された磁化方向を有するのは、2層の固定層P1,P2間の交換結合exchangecoupling特性によるものでありうる。このような交換結合特性は、スペーサSP1の物質と厚みとが、所定の条件を満足するときに示される。その場合、第1固定層P1と第2固定層P2は、スペーサSP1を挟んで、SAF構造SAF1を形成すると見ることができる。図示されていないが、第2固定層P2の下面に、第2固定層P2の磁化方向を固定するための反強磁性層がさらに備わりうる。図3を参照すれば、固定層P1の下面に、反強磁性層AF1が備わりうる。反強磁性層AF1は、原子の磁気モーメントが規則的に正方向及び逆方向に配列される特性を有するが、固定層P1の磁化方向は、それに隣接した反強磁性層AF1の最上部磁気モーメント方向に固定できる。図示されているように、反強磁性層AF1の最上部磁気モーメントがX軸の逆方向であるとき、固定層P1の磁化は、X軸の逆方向に固定されうる。反強磁性層AF1は、例えば、Mn系の物質を含むことができる。前記Mn系の物質は、InMn、FeMnなどでありうる。しかし、反強磁性層AF1の物質は、Mn系物質に限定されるものではない。反強磁性特性を有する物質であるならば、いかなるものでも反強磁性層AF1物質として使われうる。図4は、図1の発振器の動作方法について説明するための断面図である。図4は、第1動作原理によるものである。図4を参照すれば、発振器に電流Iを印加することによって、第1自由層F1の磁気モーメントを歳差運動させることができる。前記電流Iは、第2自由層F2から固定層P1に印加することができる。このような電流Iによって、電子e-は、固定層P1から第1自由層F1を経て第2自由層F2に流れる。固定層P1を通過して、第1自由層F1に流れる電子e-は、固定層P1と同じスピン方向を有し、第1自由層F1に第1方向X軸の逆方向の第1スピントルクspintorqueST1を印加することができる。第1スピントルクST1によって、第1自由層F1の磁気モーメントが摂動することができる。また、第1自由層F1を経て、第2自由層F2に達した電子e-の少なくとも一部は、第2自由層F2から第1自由層F1に戻る。このように、第2自由層F2から第1自由層F1に戻る電子e-は、第1自由層F1に、第2方向X軸方向の第2スピントルクST2を印加することができる。第2スピントルクST2の方向は、第1スピントルクST1と反対でありうる。第2スピントルクST2によって、第1自由層F1の磁気モーメントに復原力が印加されうる。従って、第1スピントルクST1によって、第1自由層F1の磁気モーメントが摂動しようとする力と、第2スピントルクST2によって、前記磁気モーメントが復元しようとする力とが均衡をなしつつ、前記磁気モーメントの軸が、特定軌道を描きつつ回転することができる。前記磁気モーメントが歳差運動することにより、発振器の電気抵抗が周期的に変化し、その結果、特定周波数帯域の信号が発振されうる。図5は、図1の発振器の動作方法について説明するための断面図である。図5は、第2動作原理によるものである。図5を参照すれば、図4と同様に、発振器に電流Iを印加し、第1自由層F1の磁気モーメントを歳差運動させることができる。電流Iによって、固定層P1を通過して第1自由層F1に流れる電子e-は、固定層P1と同じスピン方向を有し、第1自由層F1に第1方向X軸の逆方向の第1スピントルクST1を印加することができる。第1スピントルクST1によって、第1自由層F1の磁気モーメントが摂動することができる。また、第2自由層F2から第1自由層F1に、第1スピントルクST1と反対方向のストレイフィールドstrayfieldSF1が印加されうる。ストレイフィールドSF1によって、第1自由層F1の磁気モーメントに復原力を印加することができる。従って、第1スピントルクST1によって、第1自由層F1の磁気モーメントが摂動しようとする力と、ストレイフィールドSF1によって、前記磁気モーメントが復元しようとする力とが均衡をなしつつ、前記磁気モーメントが歳差運動することができ、その結果、特定周波数帯域の信号が発振されうる。図4を参照して説明した第1動作原理、すなわち、互いに反対方向の第1スピントルクST1及び第2スピントルクST2によって、歳差運動が誘導される原理;図5を参照して説明した第2動作原理、すなわち、互いに反対方向の第1スピントルクST1とストレイフィールドSF1とによる歳差運動が誘導される原理;のうち少なくとも一つによって、本実施形態による発振器が動作しうる。図4及び図5では、第1自由層F1の磁気モーメントが歳差運動する原理について説明したが、図6に図示されているように、第2自由層F2の磁気モーメントも歳差運動することができる。さらに具体的に説明すれば、第2自由層F2にも、スピントルク及びそれと反対方向のストレイフィールドが印加され、それによって、第2自由層F2の磁気モーメントも歳差運動することができる。第2自由層F2に印加されるストレイフィールドは、第1自由層F1から印加されたものでありうる。第1自由層F1の磁気モーメントの方向が変化することによって、第1自由層F1から第2自由層F2に印加されるストレイフィールドの方向が周期的に変化し、また、第1自由層F1から第2自由層F2に印加されるスピントルクの方向も周期的に変化しうる。従って、第2自由層F2の磁気モーメントも歳差運動することができる。第2自由層F2の磁気モーメントの歳差運動はまた、第1自由層F1の歳差運動に影響を与えることができる。このように、第1自由層F1及び第2自由層F2の磁気モーメントは、互いにに影響を与えつつ歳差運動することができる。図4ないし図6に図示した磁気モーメントの歳差運動の方向は、例示的なものに過ぎない。自由層F1,F2の物質及び厚みなどによって、歳差運動の方向は変わりうる。このように本実施形態によれば、隣接した少なくとも2層の自由層F1,F2を使用することによって、外部磁場を印加せずとも、所定帯域の高周波信号を発振することができる発振器を具現することができる。このような発振器は、外部磁場を印加するための装置を必要としないために、コンパクトに構成され、簡単な方法で動作しうる。また、本実施形態による発振器は、複数の自由層F1,F2の一方に備わった固定層P1を含むために、固定層P1から自由層F1,F2に、スピントルクを安定して提供することができる。すなわち、固定層P1は、所定方向のスピンを有する電子を、自由層F1,F2に印加する役割を行うことができる。よって、本実施形態による発振器は、固定層P1がない場合に比べて、動作が容易であり、広い動作ウインドーwindowを有することができる。また、固定層P1は、出力パワーoutputpowerを高める役割を行うことができる。これは、固定層P1があるときに、そうではない場合より、歳差運動による発振器の抵抗変化量が大きくなりうるためである。固定層P1と第1自由層F1との抵抗変化量が、第1自由層F1と第2自由層F2との抵抗変化量より相対的にはるかに大きい。これは、固定層P1によって、発振器の出力パワーが大きく増大するということを意味する。このように、本実施形態で固定層P1は、発振のためのスピントルクを安定して誘導する役割を行うと同時に、出力パワーを高めるという役割を行うことができる。付け加えて、本実施形態による発振器は、動作電流I図4ないし図6の条件によって発振周波数が変わる周波数調節可能frequencytunable発振器でありうる。本実施形態による発振器は、外部磁場なしに、電流だけで動作されうるので、外部磁場を利用する場合より、周波数調節が容易でありうる。また、既存のLCinductorandcapacitor発振器の場合、周波数調節範囲tuningrangeが約10未満と狭いが、本実施形態による発振器は、電流によって周波数が容易に調節され、動作電流のウインドーも広いために、広い調節範囲widetuningrange例えば、数十ないし数百ほどを有することができる。併せて、本実施形態による発振器の発振周波数は、発振器を構成する層の厚み、物質などによっても調節されうる。図7は、本発明の実施形態による発振器の動作方法について説明するためのフローチャートである。図7を、図1と関連づけて説明する。図7を参照すれば、発振器に電流を印加し、第1自由層F1及び第2自由層F2のうち、少なくとも1層の磁気モーメントを歳差運動させることができるS10。第1自由層F1及び第2自由層F2のうち少なくとも1層の磁気モーメントが歳差運動する間、発振器の電気抵抗の変化を検出することができるS20。前記歳差運動によって、発振器の電気抵抗は、周期的に変化しうる。前記発振器の電気抵抗変化によって、所定周波数を有する信号が発生しうるS30。図8は、本発明の実施形態による発振器に電流を印加したとき、経時的な発振器の抵抗変化を示している。このとき使用した発振器は、図2の構造を有し、印加された電流の強さは、約30MA/cm2であった。図8を参照すれば、発振器の抵抗が一定の周期を有して反復して変化することを確認することができる。このとき、抵抗変化量ΔRは、ほぼ0.8~0.9kΩほどであった。図9は、図8をフーリエ変換Fouriertransformで変換したグラフであり、本発明の実施形態による発振器の発振周波数を示している。図9を参照すれば、3.2GHzほどの高周波信号が発振されるということを確認することができる。印加された電流の強さ及び発振器の構成によって、発振周波数は変わりうる。図1ないし図3では、発振器が2層の自由層F1,F2を具備した場合について図示したが、他の実施形態によれば、3層以上の自由層を使用することもできる。その一例が、図10に図示されている。図10の構造は、図1で変形されたものである。図10を参照すれば、固定層P1上に、第1自由層ないし第3自由層F1,F2,F3が順に備わりうる。固定層P1と第1自由層F1との間に、第1分離層S1が、第1自由層F1と第2自由層F2との間に、第2分離層S2が、第2自由層F2と第3自由層F3との間に、第3分離層S3が備わりうる。図10の構造は、図1の第2自由層F2上に、第3分離層S3と第3自由層F3とがさらに積層された構造であるといえる。図10の第3自由層F3上に、別途の分離層と、別途の自由層とを1回以上交互にさらに積層することができる。図2及び図3の構造でも、3層以上の自由層を使用することができる。前述の実施形態では、自由層F1,F2,F3と、固定層P1,P2とが水平磁気異方性を有する場合について図示して説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、自由層F1,F2,F3と、固定層P1,P2とが垂直磁気異方性を有する場合にも、発明の思想及び原理は、同一に適用されうる。例えば、図11に図示されているように、固定層P11と、第1自由層F11及び第2自由層F22は、垂直磁気異方性を有することができる。図11で、参照番号S11及びS22は、それぞれ第1分離層及び第2分離層を示している。垂直磁気異方性を有する物質を使用する場合、歳差運動の軌道と方向とは変わりうる。さらに、前述の実施形態による発振器の原理を逆に適用すれば、高周波信号をDCdirectcurrent信号に変換するRFradiofrequency検出器detectorを具現することができる。すなわち、図1ないし図3及び図10の構造は、発振器ではないRF検出器に適用されうる。発振器の原理を逆に適用すれば、RF検出器を具現できるということは、当業者に周知されており、これについての詳細な説明は省略する。前記の説明で多くの事項が具体的に記載されているが、それらは、発明の範囲を限定するものとするより、具体的な実施形態の例示として解釈されねばならない。例えば、本発明が属する技術分野で当業者であるならば、図1ないし図3及び図10の構造は、多様に変形することができるということが分かり、その動作方法も多様に変化しうるということが分かるであろう。例えば、発振器を構成する層間に、または発振器の上下面のうち少なくとも1層に、他の物質層をさらに具備させることができるということが分かるであろう。よって、本発明の範囲は、説明された実施形態によって定められるものではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想によって定められるものである。"