"真空チャンバーと、基板を保持する基板保持機構と、前記基板に成膜するための蒸着材料の蒸気を開口部から放出させる蒸着源と、前記基板に前記蒸着材料を成膜する際に、前記蒸着材料の蒸着レートを計測して前記蒸着源の温度制御を行うためのモニタ用膜厚センサーと、前記モニタ用膜厚センサーによる計測データに基づいて前記蒸着源の温度制御を行う温度制御器と、前記モニタ用膜厚センサーと接続されて蒸着レートを算出する膜厚制御器と、からなる制御系と、前記蒸着材料の蒸着レートを計測して前記モニタ用膜厚センサーによる計測データを校正するための校正値を前記制御系に出力する校正用膜厚センサーと、を有し、前記モニタ用膜厚センサーと前記校正用膜厚センサーのうち計測精度を高める方の膜厚センサーから前記蒸着源の開口部の中心までの距離が、他方の膜厚センサーから前記蒸着源の開口部の中心までの距離よりも短いことを特徴とする、真空蒸着装置。前記校正用膜厚センサーから前記蒸着源の開口部の中心までの距離が、前記モニタ用膜厚センサーから前記蒸着源の開口部の中心までの距離よりも短いことを特徴とする、請求項1に記載の真空蒸着装置。前記モニタ用膜厚センサーから前記蒸着源の開口部の中心までの距離が、前記校正用膜厚センサーから前記蒸着源の開口部の中心までの距離よりも短いことを特徴とする、請求項1又は2に記載の真空蒸着装置。請求項1乃至3のいずれか一項に記載の真空蒸着装置を用いて有機EL素子の薄膜を成膜する工程を有することを特徴とする有機EL素子の製造方法。ところで、校正用の膜厚センサーおよびモニタ膜厚センサーを用いて成膜を行う際、いずれか一方の膜厚センサーのモニタ精度をより高くしたいという要望がある。一般的に、蒸着源の開口部から蒸発する蒸着材料の分布が楕円球体になるCOSコサイン則に従う。。これを考慮すると、間欠的に利用する膜厚校正用の膜厚センサーの校正精度を高めたい場合、特許文献1に開示のセンサーの配置では膜厚校正用の膜厚センサーに入射する蒸着材料の付着量が少なくなる可能性があり、不十分である。また、モニタ用膜厚センサーのモニタ精度を向上させるに当たっても同様である。本発明は上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、蒸着レートを正確に計測し、より高精度の膜厚制御を行うことを可能にする真空蒸着装置を提供することである。本発明の真空蒸着装置は、真空チャンバーと、基板を保持する基板保持機構と、前記基板に成膜するための蒸着材料の蒸気を開口部から放出させる蒸着源と、前記基板に前記蒸着材料を成膜する際に、前記蒸着材料の蒸着レートを計測して前記蒸着源の温度制御を行うためのモニタ用膜厚センサーと、前記モニタ用膜厚センサーによる計測データに基づいて前記蒸着源の温度制御を行う温度制御器と、前記モニタ用膜厚センサーと接続されて蒸着レートを算出する膜厚制御器と、からなる制御系と、前記蒸着材料の蒸着レートを計測して前記モニタ用膜厚センサーによる計測データを校正するための校正値を前記制御系に出力する校正用膜厚センサーと、を有し、前記モニタ用膜厚センサーと前記校正用膜厚センサーのうち計測精度を高める方の膜厚センサーから前記蒸着源の開口部の中心までの距離が、他方の膜厚センサーから前記蒸着源の開口部の中心までの距離よりも短いことを特徴とする。本発明によれば、蒸着レートを正確に計測し、より高精度の膜厚制御を行うことを可能にする真空蒸着装置を提供することができる。具体的には、本発明の真空蒸着装置は、蒸着源の開口との距離が近い方の膜厚センサーの計測精度に応じて、基板に成膜される蒸着材料の蒸着レートを高精度で管理し、有機EL素子の製造歩留まりを向上させることができる。例えば、計測精度の高い位置に校正用膜厚センサーを配置して、間欠的に校正されるモニタ用膜厚センサーの計測データにより蒸着源を制御すると、基板に成膜される蒸着材料の蒸着レートを高精度で校正し、有機EL素子の製造歩留まりを向上させることができる。一方、計測精度の高い位置にモニタ用膜厚センサーを配置し、モニタ用膜厚センサーの計測データにより蒸着源の温度を制御すると、モニタ精度向上により基板に成膜される蒸着材料の蒸着中の蒸着レートが安定し、目標膜厚に対して精度良く成膜することができる。本発明の真空蒸着装置は、真空チャンバーと、基板保持機構と、蒸着源と、モニタ用膜厚センサーと、制御系と、校正用膜厚センサーと、を有している。ここで基板保持機構は、基板を保持するための部材である。蒸着源は、基板に成膜するための蒸着材料の蒸気を発生させるための部材である。モニタ用膜厚センサーは、基板に蒸着材料を成膜する際に、対象となる蒸着材料の蒸着レートを計測して蒸着源の温度制御を行うための部材である。制御系は、モニタ用膜厚センサーによる計測データに基づいて蒸着源の温度制御を行うための部材である。また制御系は、モニタ用膜厚センサーによる計測データに基づいて蒸着源の温度制御を行う温度制御器と、モニタ用膜厚センサーと接続されて蒸着レートを算出する膜厚制御器と、からなる。校正用膜厚センサーは、蒸着材料の蒸着レートを計測してモニタ用膜厚センサーによる計測データを校正するための校正値を制御系に出力するための部材である。本発明の真空蒸着装置において、モニタ用膜厚センサーと校正用膜厚センサーのうち計測精度を高める方の膜厚センサーから前記蒸着源の開口部の中心までの距離は、他方の膜厚センサーから前記蒸着源の開口部の中心までの距離よりも短い。即ち、蒸着源の開口部の中心からモニタ用膜厚センサーまでの距離と、蒸着源の開口部の中心から校正用膜厚センサーまでの距離との間には、下記a又はbの関係を満たしている。a蒸着源の開口部の中心からモニタ用膜厚センサーまでの距離が、蒸着源の開口部の中心から校正用膜厚センサーまでの距離よりも長い関係第一の態様b蒸着源の開口部の中心からモニタ用膜厚センサーまでの距離が、蒸着源の開口部の中心から校正用膜厚センサーまでの距離よりも短い関係第二の態様ここで距離とは、2つの部材間の直線距離をいうものである。具体的には、蒸着源の開口部中心とセンサーモニタ用膜厚センサー校正用膜厚センサーとが特定の空間座標xyz空間座標内に、それぞれx1,y1,z1とx2,y2,z2とに配置される場合に下記式i内のdで表される。d={x2-x12y2-y12z2-z12}12i尚、センサー側の座標であるx2,y2,z2は、具体的には、センサーの成膜面の中心点の座標をいうものである。[実施例1]以下、図面を参照しながら、校正用膜厚センサー10の校正精度を高める場合での第一の実施形態を説明する。図1は、本発明の真空蒸着装置における本実施形態を示す模式図である。ここでaは、真空蒸着装置の全体を示す模式図であり、bは、aの真空蒸着装置を構成する制御系の概要を示す回路ブロック図である。図1aの真空蒸着装置1は、真空チャンバー50内に、校正用膜厚センサー10と、モニタ用膜厚センサー20と、蒸着源30と、基板保持機構不図示とが所定の位置に設けられている。尚、蒸着源30に対する校正用膜厚センサー10及びモニタ用膜厚センサー20の相対的位置については後述する。図1の真空蒸着装置1において、基板保持機構は、基板40を保持するために設けられる部材であって、マスク41の上に載置された基板40をマスク41にて支持することで保持する。制御系60は、真空チャンバー50の外側に設けられ、膜厚制御器61と温度制御器62とを有している。図1a及びbに示されように、真空チャンバー50内に設けられる2種類のセンサー校正用膜厚センサー10、モニタ用膜厚センサー20は、膜厚制御器61に電気接続されている。また図1a及びbに示されように、真空チャンバー50内に設けられる蒸着源30は、温度制御器62に電気接続されている。蒸着源30は、蒸着材料31を収容するルツボと、ルツボを加熱するためのヒーターと、蓋と、蓋に備えられた開口部32と、リフレクターと、を備えている。蒸着材料31は、ルツボ内で加熱され、蓋に設けられた開口部32から蒸気が放出される。蒸着源30から発生する蒸着材料の蒸気は、マスク41を介して成膜用の基板40の成膜面上に付着する。これにより基板40の所定の領域に薄膜が形成される。蒸着源30から発生する蒸着材料の蒸気が、基板40に堆積する速度蒸着レートは、水晶振動子を備えたモニタ用膜厚センサー20によって計測される。モニタ用膜厚センサー20は、その計測データを、制御系60が有する膜厚制御器61に出力する。膜厚制御器61は、出力されたモニタ用膜厚センサー20の計測データを基にして、温度制御器62を用いて蒸着源30のヒーターパワーを制御する。一方、モニタ用膜厚センサー20の計測データを校正する校正値を出力するために、水晶振動子を備えた校正用膜厚センサー10が設けられている。ここで2つのセンサー校正用膜厚センサー10、モニタ用膜厚センサー20は、蒸着源30から発生し基板40に向かう蒸着材料の蒸気を遮ることのない位置に配置されている。ここで、開口部32の中心点から、校正用膜厚センサー10の成膜面の中心点までの距離をL1とする。一方、開口部32の中心点から、モニタ用膜厚センサー20の成膜面の中心点までの距離をL2とする。図1の真空蒸着装置1においては、L2の方がL1よりも長い関係L1<L2にある。このため、図1の真空蒸着装置1は、上記第一の態様蒸着源の開口部の中心からモニタ用膜厚センサーまでの距離が、蒸着源の開口部の中心から校正用膜厚センサーまでの距離よりも長い関係を満たしている。尚、センサーの感度をよりよくするために、各膜厚センサーを設ける際には、各膜厚センサーの成膜面が当該成膜面の中心点と開口部32の中心点とを結ぶ直線と垂直になるように、設置位置を調整するのが好ましい。ところで、開口部32の中心点から基板40の成膜面に下ろした垂線と、開口部32の中心点と校正用膜厚センサー10の成膜面の中心点とを結ぶ直線とでなす角度をθ1とする。一方、開口部32の中心点からから基板40の成膜面に下ろした垂線と、開口部32の中心点とモニタ用膜厚センサー20の成膜面の中心点とを結ぶ直線とでなす角度をθ2とする。図1の真空蒸着装置1においては、θ1よりもθ2が大きい関係θ1<θ2にある。ただし、図1の真空蒸着装置1においては、θ1とθ2とが等しい関係θ1=θ2にあってもよい。図1の真空蒸着装置1において、校正用膜厚センサー10及びモニタ用膜厚センサー20の少なくともどちらか一方が、蒸着材料31の蒸気を遮断するためのセンサーシャッター不図示を備えていてもよい。またセンサーシャッターの代わりに、蒸着材料31の蒸気を間欠的に遮断するための蒸着量制限機構不図示を備えていてもよい。図1の真空蒸着装置1において、真空チャンバー50にアライメント機構不図示を設けておいて、高精細マスクと精密アライメント蒸着とを併用した微細パターン形成を行ってもよい。真空チャンバー50内にある空気を排気するための真空排気系不図示は、迅速に高真空領域まで排気できる能力を持った真空ポンプを用いた真空排気系とすることが望ましい。ここで図1の真空蒸着装置1を有機EL素子の製造に用いる場合は、ゲートバルブ不図示を介して他の真空装置と接続した上で、有機EL素子を作製するための様々な工程を行えばよい。ここで有機EL素子の製造装置は、様々な工程を行う真空チャンバーが複数備えてあることが望ましい。このため図1の真空蒸着装置1を構成する真空チャンバー50は、有機EL素子の製造装置の一部材であることが望ましい。蒸着源30の蓋に設けられた開口部32の開口面積、開口形状、材質等は個別に異なっていてもよく、開口形状は、円形、矩形、楕円形など、どのような形状でもよい。開口面積及び開口形状がそれぞれ異なることにより、基板40上での膜厚制御性がより向上する場合がある。また同じ理由で、蒸着源30のルツボの形状、材質等は個別に異なっていてもよい。図1の真空蒸着装置1の使用例について以下に説明する。まず蒸着源30のルツボに、蒸着材料31として有機EL材料であるトリス8-ヒドロキシキノリナトアルミニウム以下、Alq3とするを10.0g充填した。蒸着源30のルツボに充填されたAlq3は、蒸着源30に設けられた少なくとも一つの開口部32を介して蒸着源30から蒸散する。ここで蒸着源30は、基板40の成膜面に対向して配置されており、基板40はマスク41に接触して設置されている。また蒸着源30の開口部32の中心点から、基板40の成膜面までの距離を300mmに設定した。校正用膜厚センサー10及びモニタ用膜厚センサー20は、基板40に向かう蒸着源30から発生した蒸気を遮ることのない位置に配置した。具体的には、校正用膜厚センサー10については、L1を200mm、θ1を30°と設定した。一方、モニタ用膜厚センサー20については、L2を300mm、θ2を45°と設定した。尚、校正用膜厚センサー10の近傍にはセンサーシャッター不図示を設けて蒸着材料の蒸気を適宜遮断できるようにした。ところで、蒸着源30から発生する蒸着材料31の蒸気量は、開口部32の中心から基板40の成膜面に下ろした垂線との距離が近い位置ほど多く、さらに開口部32の中心点との距離が短い位置ほど多くなる。そこで上記条件に従い校正用膜厚センサー10をモニタ用膜厚センサー20よりも蒸気量の多い位置に配置すれば、校正用膜厚センサー10への蒸着材料31の入射量が増す。このように校正用膜厚センサー10への蒸着材料31の入射量を増加させることにより、基板上に成膜される膜の膜厚との差異が小さくなり、校正用膜厚センサー10の校正精度を向上させることができる。基板40として、100mm×100mm×厚さ0.7mmのガラス基板を基板ストック装置不図示にセットした。次に、基板ストック装置内を真空排気系不図示により1.0×104Pa以下に排気した。真空チャンバー50内も、真空排気系不図示により1.0×104Pa以下まで排気し、排気した後に蒸着源30に備えられたヒーターで蒸着材料31を200°Cまで加熱した。ヒーターパワーは蒸着源30に備えられた熱電対不図示の温度に基づいて、温度制御器61により制御した。次に、実際の成膜工程に移る前に、各膜厚モニタが表示するモニタ値と基板に成膜される膜厚の実測値との差異を補正するための校正係数を求めておく。モニタ用膜厚センサー20において、蒸着レートが膜厚制御器61での指示値で1.0nm/secとなる温度まで蒸着材料31を加熱した。蒸着レートは、モニタ用膜厚センサー20からの信号を膜厚制御器61が受け取り、蒸着レート値に換算し、膜厚制御器61の表示部に出力する。さらに、膜厚制御器61は、目標とする蒸着レートと実際にモニタ用膜厚センサー20に付着した蒸着材料の量から換算した蒸着レートとの差を算出する。そして、この差を低減するための信号を温度制御器62へ送り、蒸着源30へのヒーターパワーを制御する。モニタ用膜厚センサー20において、蒸着レートが1.0nm/secとなったところで、基板ストック装置不図示から基板搬送機構不図示を用いて、ゲートバルブ不図示を介して真空チャンバー50へ基板40を1枚搬入し、成膜を行った。モニタ用膜厚センサー20上に堆積される薄膜の膜厚が100nmとなるまで成膜を行い、成膜を終えた基板40を直ちに真空チャンバー50から搬出した。ここで成膜された基板40の膜厚を、エリプソメーターで測定し、モニタ用膜厚センサー20上に堆積した薄膜の膜厚値と比較し、モニタ用膜厚センサー20の新しい校正係数b2を下記に示す数式1で算出した。b2=b1×t1/t21式1において、t1は、基板40上の薄膜の膜厚を表し、t2は、目標膜厚ここでは100nmを表す。また式1において、b1は、あらかじめ装置に設定されていたモニタ用膜厚センサー20の校正係数を表し、b2は、モニタ用膜厚センサー20の新しい校正係数を表す。式1で示される上記数式を利用することで、基板40上の薄膜の膜厚とモニタ用膜厚センサー20上の膜厚を合わせることができる。一方で、基板40上の膜厚と校正用膜厚センサー10上の膜厚も、モニタ用膜厚センサー20と同様の方法で合わせることができる。具体的には、基板40への成膜工程時に校正用膜厚センサー10のセンサーシャッター不図示を開き、モニタ用膜厚センサー20と同様に上記の算出式式1で膜厚を合わせる。ここで校正用膜厚センサー10の場合では、b1をb1’あらかじめ装置に設定されていた校正用膜厚センサー10の校正係数、b2をb2’校正用膜厚センサー10の新しい校正係数に置き換える。尚、成膜が完了した後は、開いているセンサーシャッター不図示を閉じておく。得られたモニタ用膜厚センサー20の新しい校正係数を、膜厚制御器61を介して成膜時のモニタ用膜厚センサー20の校正係数と置き換え、蒸着レートが再び1.0nm/secとなる温度まで蒸着材料31を加熱した。そして、このとき得られた校正用膜厚センサー10の新しい校正係数も、膜厚制御器60を介して先に装置に設定されていた校正用膜厚センサー10の校正係数と置き換える。以上に示す校正係数を算出する工程を、同じ成膜条件下で基板40上に成膜される薄膜の膜厚と、校正用膜厚センサー10及びモニタ用膜厚センサー20に付着する膜厚との差が±2.0以内となるまで繰り返し行った。次に、校正用膜厚センサー10を用いてモニタ用膜厚センサー20の蒸着レートを校正する校正工程について説明する。モニタ用膜厚センサー20を用いて蒸着レートを1.0nm/secに保ち、膜厚100nm狙いで複数の基板40に順次成膜を行った。その間、モニタ用膜厚センサー20の水晶振動子の周波数が0.015MHz低下する毎に、モニタ基板を搬入して成膜した。モニタ用基板40への成膜を行う前には、校正用膜厚センサー10の近傍に設けられたセンサーシャッター不図示を開き、校正用膜厚センサー10によって計測された蒸着レートに基づく校正値を求めた。そしてこの校正値を使用してモニタ用膜厚センサー20の蒸着レートを校正した。この工程を、モニタ基板が10枚になるまで繰り返し行った。以下、図面を参照しながら、モニタ用膜厚センサー20の蒸着レートの校正を行う工程校正工程の具体例について説明する。図2は、校正工程の例を示すフロー図である。本実施例では、図2のフロー図に従って校正工程を行った。まず、モニタ用膜厚センサー20及び校正用膜厚センサー10に、それぞれAlq3の薄膜蒸着膜を堆積させた。このとき膜厚制御器61を用いて各センサーに付着した薄膜の膜厚を換算した。次に、モニタ用膜厚センサー20に付着する薄膜の膜厚と、校正用膜厚センサー10に付着する薄膜の膜厚とを比較し、モニタ用膜厚センサー20の新しい校正係数a2を下記に示す数式2で算出した。a2=a1×T1/T22式2において、a1は、先の成膜時に使用していたモニタ用膜厚センサー20の校正係数を表し、a2は、モニタ用膜厚センサー20の新しい校正係数を表す。また式2において、T1は、校正用膜厚センサー10上の薄膜の膜厚を表し、T2は、モニタ用膜厚センサー20上の薄膜の膜厚を表す。ここで、T1及びT2が同じ時間で付着した膜厚とすると、上記式2に基づいて、モニタ用膜厚センサー20上の薄膜の膜厚と、校正用膜厚センサー10上の薄膜の膜厚を合わせることができる。以上に説明した校正工程を実施することで、モニタ用膜厚センサー20の周波数減衰に伴う蒸着レートの誤差を校正することができる。尚、校正用膜厚センサー10の近傍に設けられるセンサーシャッター不図示は、校正用膜厚センサー10上の薄膜の膜厚T1を換算した後に閉じられる。そしてモニタ用膜厚センサー20の新しい校正係数a2を、膜厚制御器60の成膜時のモニタ用膜厚センサー20の校正係数a1と置き換えて、この校正係数a2を、モニタ用膜厚センサー20の新たな校正係数a1とする。次に、モニタ用膜厚センサー20の新たな校正係数を膜厚制御器60に入力した後、蒸着レートが目標レートの1.0nm/secになるよう、蒸着源30を温度制御器61で制御した。そしてモニタ用膜厚センサー20にて、目標レートが1.0nm/secになった後、基板40への成膜を実施した。上記の方法で成膜を行い、得られた10枚のモニタ基板の中央部付近の膜厚をエリプソメーターにより測定した。その結果、目標膜厚100nmに対して、測定膜厚は100nm±2.0以内の範囲にあった。これは、モニタ用膜厚センサー20への蒸着材料31の付着に伴い、水晶振動子の周波数が減衰し、目標膜厚から外れていく現象を、校正精度の高い位置に配置された校正用膜厚センサー10によって改善できたことを示している。このことから、Alq3膜を目標膜厚に対して精度良く成膜できていたことが判った。以上より、有機EL素子を製造するにあたって、本実施例における真空蒸着装置を使用して有機EL素子を構成する薄膜を形成することにより、各層の膜厚が制御された有機EL素子を製造することができる。本実施例においては、蒸着源30として図1に示す構成を用いたが、これに限定されるものではない。またマスク41に高精細マスクを用いる場合は、アライメントステージを併用して高精細マスク蒸着を行ってもよいし、精密アライメント蒸着による微細パターン形成を行ってもよい。[比較例1]実施例1の効果を検証するために、特許文献1に示される従来の真空蒸着装置で成膜した場合の比較実験を行った。本比較例では、特許文献1の図を考慮して、L1=L2かつθ1>θ2となるように校正用膜厚センサー及びモニタ用膜厚センサーをそれぞれ配置した。この構成で、真空チャンバー内の被成膜物に向けて、蒸着源からAlq3の蒸気を発生させ、モニタ用膜厚センサーにおいて蒸着レートが1.0nm/secとなる温度まで蒸着源を加熱した。モニタ基板への成膜方法は、本発明と同じ方法で行い、基板中央部付近の膜厚をエリプソメーターにより測定したところ、目標膜厚100nmに対して、測定膜厚が±2.0の範囲に入らない場合があった。蒸着源、校正用膜厚センサー及びモニタ用膜厚センサーの各々の相対位置が不明確である為、膜厚分布範囲を小さくする事が困難であったと考えられる。これらの結果より、基板上に一定の膜厚で蒸着材料を成膜するに当って、従来の真空蒸着装置よりも、本発明の真空蒸着装置が優れていることがわかった。[実施例2]図3は、本発明の真空蒸着装置においてモニタ用膜厚センサーの計測精度を向上させる第二の実施形態を示す模式図である。図3の真空蒸着装置2は、校正用膜厚センサー10及びモニタ用膜厚センサー20の配置位置が図1の真空蒸着装置1と異なることを除けば、図1の真空蒸着装置1と同じ態様である。図3の真空蒸着装置2は、L1の方がL2よりも長い関係L1>L2にある。つまり、L1とL2との間にL1≠L2の関係を満たしている。一方、図3の真空蒸着装置2は、図1の真空蒸着装置1と同様に、θ1よりもθ2が大きい関係θ1<θ2にある。[実施例3]図4は、本発明の真空蒸着装置においてモニタ用膜厚センサーの計測精度を向上させる第三の実施形態を示す模式図である。図4の真空蒸着装置3は、校正用膜厚センサー10及びモニタ用膜厚センサー20の配置位置が図1の真空蒸着装置1と異なることを除けば、図1の真空蒸着装置1と同じ態様である。図4の真空蒸着装置3は、L1の方がL2よりも長い関係L1>L2にある。つまり、L1とL2との間にL1≠L2の関係を満たしている。一方、図4の真空蒸着装置3は、θ2よりもθ1が大きい関係θ1>θ2にある。ただし、図4の真空蒸着装置3においては、θ1とθ2とが等しい関係θ1=θ2にあってもよい。図4の真空蒸着装置3の使用例について以下に説明する。図4の真空蒸着装置3の使用方法は、校正用膜厚センサー10についてL1を300mm、θ1を45°と設定し、モニタ用膜厚センサー20についてL2を200mm、θ2を30°と設定したことを除けば、図1の真空蒸着装置1実施例1と同様である。モニタ基板の中央部付近の膜厚をエリプソメーターにより測定した結果、目標膜厚100nmに対して、測定膜厚は100nm±2.0以内の範囲にあった。実施例1と比較して、基板40への蒸着中のモニタ用膜厚センサー20における蒸着レート変動が1.0nm/sec±0.1と小さくなった。本実施例においては、蒸着材料31の入射量が増す位置にモニタ用膜厚センサー20が配置されたため、モニタ用膜厚センサー20上に形成される薄膜と基板上に形成される薄膜との膜厚の差異が小さくなった。これによりモニタ用膜厚センサー20のモニタ精度を向上させることができた。またモニタ精度向上により、基板40へ蒸着中の蒸着レートが安定し、Alq3の目標膜厚に対して精度良く成膜できていたことが判った。[実施例4]図5は、本発明の真空蒸着装置において校正用膜厚センサーの計測精度を向上させるための第四の実施形態を示す模式図である。図5の真空蒸着装置4は、校正用膜厚センサー10及びモニタ用膜厚センサー20の配置位置が図4の真空蒸着装置3と異なることを除けば、図4の真空蒸着装置3と同じ態様である。図5の真空蒸着装置4は、L2の方がL1よりも長い関係L1<L2にある。つまり、L1とL2との間にL1≠L2の関係を満たしている。一方、図5の真空蒸着装置4は、図4の真空蒸着装置3と同様に、θ2よりもθ1が大きい関係θ2<θ1にある。上記実施例1乃至4においては、蒸着源30として、例えば、図1に示す構成を用いたが、これに限定されるものではない。マスク41に高精細マスクを用いる場合は、アライメントステージを用いて高精細マスク、及び精密アライメント蒸着による微細パターン形成を行ってもよい。また、本実施例においてはモニタ用膜厚センサー20の水晶振動子の周波数が0.015MHz低下する毎に成膜前の校正工程及び成膜を行ったが、これに限定されるものではない。また、各膜厚センサーの配置は、L1≠L2の関係を満たしていればよく、実施例の形態に限定されるものではない。また、実施例1乃至4のように、校正用膜厚センサー10及びモニタ用膜厚センサー20の少なくともどちらか一方が、蒸着材料31の蒸気を遮断するためのセンサーシャッターを備えていてもよい。またセンサーシャッターの代わりに、蒸着材料31の蒸気を間欠的に遮断するための蒸着量制限機構を備えていてもよい。また、基板40、校正用膜厚センサー10、モニタ用膜厚センサー20の膜厚値を合わせる校正係数を算出する工程は、本実施例の方法に限らず、各膜厚値が目標範囲内に収まれば良い。例えば、予め基板40とモニタ用膜厚センサー20の膜厚値を合わせ、次にモニタ用膜厚センサー20と校正用膜厚センサー10の膜厚値を合わせる方法である。また、基板40が、蒸着材料31の蒸気を遮断するためのシャッターを備えていてもよい。"