"半導体層を含む有機薄膜トランジスタでの接触抵抗の低減における、C1-4アルコキシベンゼン類およびC1-4アルキル置換C1-4アルコキシベンゼン類からなる群から選択される溶剤の使用であって、前記半導体層が、小分子半導体材料と、前記溶剤中の該小分子半導体材料および前記重合体材料の溶液から析出する重合体材料とのブレンドを含む使用。接触抵抗が、前記群から選択された溶剤の代わりに同量のキシレンを使用する有機薄膜トランジスタと比べて低減されている請求項1に記載の使用。前記有機薄膜トランジスタの前記半導体層の析出において前記溶剤を使用する接触抵抗が、同量のキシレンを使用して得られた値の50未満である請求項2に記載の使用。前記溶剤は、アニソール、2-メチルアニソールおよび4-メチルアニソールからなる群から選択される請求項1~3のいずれか一項に記載の使用。重合体材料は、半導体重合体材料である請求項1~4のいずれか一項に記載の使用。前記半導体重合体材料は、式I:式中、R1およびR2は、同一または異なり、それぞれ、水素、炭素数が1~16のアルキル基、炭素数が5~14のアリール基および1~3個のイオウ原子、酸素原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基からなる群から選択され、前記アリール基またはヘテロアリール基は、非置換、または炭素数が1~16のアルキル基および炭素数が1~16のアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されているの繰返し単位を含む共役重合体である請求項5に記載の使用。前記半導体重合体材料は、繰返し単位I式中、R1およびR2は、同一または異なり、それぞれ、水素、炭素数が1~12のアルキル基およびフェニル基からなる群から選択され、前記フェニル基は、非置換、または炭素数が1~12のアルキル基および炭素数1~12のアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されているを含む共役重合体である請求項6に記載の使用。前記半導体重合体材料は、繰返し単位Iを含む共役重合体であり、該重合体は、さらに、式II:式中、Ar1およびAr2は、同一または異なり、それぞれ、炭素数が5~14のアリール基および1~3個のイオウ原子、酸素原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基からなる群から選択され、前記アリール基またはヘテロアリール基は、非置換、または炭素数が1~16のアルキル基および炭素数が1~16のアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換され;R3は、非置換、または炭素数が1~8のアルキル基で置換されてもよい、炭素数が1~8のアルキル基またはフェニル基であり;およびnは、1以上の整数、好ましくは1または2であるの繰返し単位を含む請求項6、7のいずれか一項に記載の使用。Ar1およびAr2は、それぞれ、フェニル基であり、およびR3は、炭素数が1~8のアルキル基で置換されていてもよい、炭素数が1~8のアルキル基またはフェニル基である請求項8に記載の使用。前記半導体重合体材料は、TFB[9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-N-4-ブチルフェニル-ジフェニルアミン]nである請求項8に記載の使用。前記小分子半導体材料は、置換ペンタセン類、および式III:式中、Ar3、Ar4、Ar5およびAr6は、独立して、単環式芳香族環を含み、Ar3、Ar4、Ar5およびAr6の少なくとも1つは、少なくとも1個の置換基Xで置換され、Xは、それぞれの場合で、同一または異なってもよく、i非置換または置換された、直鎖、分枝状または環状の炭素数が1~20のアルキル基、炭素数が1~12のアルコキシ基、非置換、またはそれぞれ同一または異なってもよい1個または2個の炭素数が1~8のアルキル基で置換されていてもよいアミノ基、アミド基、シリル基および炭素数が2~12のアルケニル基からなる群から選択され、またはiiハロゲン、ボロン酸、ジボロン酸およびボロン酸およびジボロン酸のエステル類、炭素数が2~12のアルキレン基およびスタンニル基からなる群から選択される重合性または反応性基であり、ならびにAr3、Ar4、Ar5およびAr6は、それぞれ、1個以上のさらなる単環式芳香族環に縮合されていてもよく、ならびにAr3、Ar4、Ar5およびAr6の少なくとも1つは、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基を含むの有機半導体化合物からなる群から選択される請求項1~10のいずれか一項に記載の使用。Ar5は、さらなるアリール基Ar7に縮合され、式IV:式中、Ar7は、非置換または1個以上の置換基Xで置換されている単環式芳香族環を表し、該単環式芳香族環Ar7は、好ましくは、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基であるの構造を提供する請求項11に記載の使用。Ar6は、さらなるアリール環Ar8に縮合され、式V:式中、Ar8は、非置換または1個以上の置換基Xで置換されている単環式芳香族環を表し、該単環式芳香族環Ar8は、好ましくは、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基であるの構造を提供する請求項12に記載の使用。Ar7は、さらなるアリール環Ar9に縮合され、式VI:式中、Ar9は、非置換または1個以上の置換基Xで置換されている単環式芳香族環を表し、該単環式芳香族環Ar9は、好ましくは、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基であるの構造を提供する請求項13に記載の使用。有機半導体化合物は、構造:式中、X1およびX2は、同一または異なってもよく、請求項11で定義された置換基Xから選択され;Z1およびZ2は、独立して、S、O、SeまたはNR4であり;ならびにW1およびW2は、独立して、S、O、Se、NR4または-CR4=CR4-ここで、R4は、H、または非置換または置換された直鎖、分枝状または環状の炭素数が1~20のアルキル基、炭素数が1~12のアルコキシ基、非置換またはそれぞれ同一または異なってもよい1個または2個の炭素数が1~8のアルキル基で置換されていてもよいアミノ基、アミド基、シリル基および炭素数が2~12のアルケニル基からなる群から選択される置換基であるであるを含む請求項11~14のいずれか一項に記載の使用。有機半導体化合物は、構造:式中、X1およびX2は、請求項11で定義された通りであり、Z1、Z2、W1およびW2は、請求項15で定義された通りであり、ならびにV1およびV2は、独立して、S、O、SeまたはNR5ここで、R5は、H、または非置換または置換されている直鎖、分枝状または環状の炭素数が1~20のアルキル基、炭素数が1~12のアルコキシ基、それぞれ同一または異なってもよい1個または2個の炭素数が1~8のアルキル基で置換されていてもよいアミノ基、アミド基、シリル基および炭素数が2~12のアルケニル基からなる群から選択される置換基であるであるを含む請求項11~14のいずれか一項に記載の使用。有機半導体化合物は、構造:式中、X1およびX2は、請求項11で定義された通りであり、ならびにZ1、Z2、W1およびW2は、請求項15で定義された通りであるを含む請求項11~14のいずれか一項に記載の使用。有機半導体化合物が、構造:式中、Z1、Z2、W1およびW2は、請求項15で定義された通りであり、ならびにX1~X10は、同一または異なってもよく、請求項11で定義された置換基Xから選択されるを含む請求項11~14のいずれか一項に記載の使用。前記小分子半導体材料は、式VII:式中、Aは、フェニル基またはチオフェン基であり、該フェニル基またはチオフェン基は、非置換、または少なくとも1個の式X11の基で置換および/またはフェニル基、チオフェン基およびベンゾチオフェン基から選択される基で縮合されることが可能なフェニル基またはチオフェン基で縮合されていてもよく、前記フェニル、チオフェンおよびベンゾチオフェン基のいずれも、非置換、または少なくとも1個の式X11の基で置換され;ならびに各基X11は、同一または異なってもよく、請求項11で定義された置換基Xから選択され、および好ましくは式:CnH2n1ここで、nは、0または1~20の整数の基であるのベンゾチオフェン誘導体である請求項11に記載の使用。前記小分子半導体材料は、式VII式中、Aは、少なくとも1個の式X11の基で置換されているフェニル基で縮合されているチオフェン基;または少なくとも1個の式X11の基で置換されていてもよいフェニル基であり、該フェニル基は、さらに、非置換、または少なくとも1個の式X11の基で置換および/またはベンゾチオフェン基で縮合されることが可能なチオフェン基で縮合されていてもよく、該ベンゾチオフェン基は、非置換、または少なくとも1個の式X11の基で置換され、X11は、式:CnH2n1ここで、nは、0または1~16の整数の基であるベンゾチオフェン誘導体である請求項19に記載の使用。前記小分子半導体材料は、以下の群:式中、X11は、式:CnH2n1ここで、nは、4~16の整数の基であるから選択される式VIIのベンゾチオフェン誘導体である請求項19の使用。前記重合体材料に対する前記小分子半導体材料の重量比が、10:90~90:10である請求項1~21のいずれか一項に記載の使用。前記重量比が、30:70~80:20である請求項22に記載の使用。前記重量比が、80:20~60:40、好ましくは70:30である請求項22に記載の使用。半導体層を含む有機薄膜トランジスタでの接触抵抗の低減における、アニソール、2-メチルアニソールおよび4-メチルアニソールからなる群から選択される溶剤の請求項1に記載の使用であって、前記半導体層は、小分子半導体材料と半導体共役重合体を含む重合体材料とのブレンドを含み、ここで、前記重合体材料に対する前記小分子半導体材料の重量比が、80:20~60:40であり;前記半導体共役重合体は、請求項6に記載された繰返し単位I式中、R1およびR2は、同一または異なり、それぞれ、炭素数が4~12のアルキル基およびフェニル基からなる群から選択され、該フェニル基は、非置換、または炭素数が4~8のアルキル基および炭素数が4~8のアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されているを含み、該半導体共役重合体は、さらに、請求項8に記載された式II式中、Ar1およびAr2は、それぞれ、フェニル基であり、およびR3は、炭素数が1~8のアルキル基またはフェニル基であり、これらは、非置換または炭素数が1~8のアルキル基で置換されていてもよいの繰返し単位を含み;ならびに前記小分子半導体材料は、以下の式:式中、X11は、式:CnH2n1ここで、nは、4~16の整数の基であるで表される請求項1に記載の使用。前記溶剤は、アニソール、2-メチルアニソールおよび4-メチルアニソールからなる群から選択され;前記重合体材料に対する前記小分子半導体材料の重量比は、70:30であり;前記小分子半導体材料中の各基X11は、ヘキシル基であり;および前記重合体材料は、TFB[9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-N-4-ブチルフェニル-ジフェニルアミン]nである請求項25に記載の使用。有機薄膜トランジスタでの接触抵抗の低減における請求項1~26のいずれか一項に記載の使用であって、前記有機薄膜トランジスタは、ソースおよびドレイン電極であって該電極間にチャネル長さを有するチャネル領域がある電極と、ゲート電極と、前記ソースおよびドレイン電極および前記チャネル領域および前記ゲート電極の間に配置された誘電体層と、半導体層とを含み、ここで、前記半導体層は、請求項1~26のいずれか一項に記載の半導体層であり、ソースおよびドレイン電極の間の少なくともチャネル領域に配置されている請求項1~26のいずれか一項に記載の使用。チャネル長さが、20μm以下である請求項27に記載の使用。チャネル長さが、10μm以下である請求項27に記載の使用。前記有機薄膜トランジスタ内の全チャネル抵抗に対する接触抵抗の比率が、60未満、好ましくは50未満である請求項27~29のいずれか一項に記載の使用。小分子半導体材料と、重合体材料と、溶剤とを含む半導体ブレンド配合物であって、前記重合体材料は、請求項6~10のいずれか一項で定義された半導体共役重合体であり;前記小分子半導体材料は、請求項11~21のいずれか一項で定義された半導体であり;前記溶剤は、C1-4アルコキシベンゼン類およびC1-4アルキル置換C1-4アルコキシベンゼン類からなる群から選択され;および前記ブレンド中の前記重合体材料に対する前記小分子半導体材料の比は、10:90~90:10である半導体ブレンド配合物。前記半導体共役重合体は、請求項6で定義された繰返し単位I式中、R1およびR2は、同一または異なり、それぞれ、炭素数が4~12のアルキル基およびフェニル基からなる群から選択され、該フェニル基は、非置換、または炭素数が4~8のアルキル基および炭素数が4~8のアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されるの繰返し単位を含み、前記共役重合体は、さらに、請求項8で定義された式II式中、Ar1およびAr2は、それぞれ、フェニル基であり、ならびにR3は、非置換または炭素数が1~8のアルキル基で置換されていてもよい、炭素数が1~8のアルキル基またはフェニル基であるの繰返し単位を含み;前記小分子半導体材料は、式VII:式中、Aは、フェニル基またはチオフェン基であり、該フェニル基またはチオフェン基は、非置換、または少なくとも1個の式X11の基で置換および/またはフェニル基、チオフェン基およびベンゾチオフェン基から選択される基で縮合されることが可能なフェニル基またはチオフェン基で縮合されていてもよく、前記フェニル、チオフェンおよびベンゾチオフェン基のいずれも、非置換、または少なくとも1個の式X11の基で置換され;各基X11は、同一または異なってもよく、請求項11で定義された置換基Xから選択され、および好ましくは式:CnH2n1ここで、nは、0または1~20の整数の基であるのベンゾチオフェン誘導体であり;前記溶剤は、アニソール、2-メチルアニソールおよび4-メチルアニソールからなる群から選択され;ならびに前記ブレンド中の前記重合体材料に対する前記小分子半導体材料の比は、30:70~80:20である請求項31に記載の半導体ブレンド配合物。前記半導体共役重合体は、TFB[9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-N-4-ブチルフェニル-ジフェニルアミン]nであり;前記小分子半導体材料は、請求項32で定義された式VII式中、Aは、少なくとも1個の式X11の基で置換されているフェニル基で縮合されているチオフェン基;非置換、または少なくとも1個の式X11の基で置換されていてもよいフェニル基から選択され、前記フェニル基は、さらに、非置換、または少なくとも1個の式X11の基で置換および/またはベンゾチオフェン基で縮合されることが可能なチオフェン基で縮合されていてもよく、該ベンゾチオフェン基は、非置換または少なくとも1個の式X11の基で置換され、X11は、式:CnH2n1ここで、nは、0または1~16の整数の基であるの化合物であり;ならびに前記ブレンド中の前記重合体材料に対する前記小分子半導体材料の比は、80:20~60:40である請求項32に記載の半導体ブレンド配合物。前記小分子半導体材料は、以下の群:式中、X11は、式:CnH2n1ここで、nは、4~16の整数の基であるから選択され;および前記ブレンド中の前記重合体材料に対する前記小分子半導体材料の比は、80:20~60:40である請求項33に記載の半導体ブレンド配合物。前記重合体材料は、TFB[9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-N-4-ブチルフェニル-ジフェニルアミン]nであり、および前記小分子半導体材料は、以下の式:式中、X11は、式:CnH2n1ここで、nは、4~16の整数の基であるで表され;および前記ブレンド中の前記重合体材料に対する前記小分子半導体材料の比は、80:20~60:40である請求項33に記載の半導体ブレンド配合物。各基X11は、ヘキシル基であり、および前記重合体材料に対する前記小分子半導体材料の比は、70:30である請求項35に記載の半導体ブレンド配合物。チャネル領域と半導体層とを含む有機薄膜トランジスタにおいて、接触抵抗を低減する方法であって、前記半導体層は、小分子半導体材料と重合体材料とのブレンドを含み、前記方法は、前記小分子半導体材料および前記重合体材料を、これらの溶液から、前記有機薄膜トランジスタの前記チャネル領域に析出させることを含み、ここで、前記溶液は、C1-4アルコキシベンゼン類およびC1-4アルキル置換C1-4アルコキシベンゼン類からなる群から選択される溶剤を含む方法。チャネル領域と半導体層とを含む有機薄膜トランジスタにおいて、接触抵抗を低減する方法であって、前記半導体層は、小分子半導体材料と重合体材料とのブレンドを含み、前記方法は、iC1-4アルコキシベンゼン類およびC1-4アルキル置換C1-4アルコキシベンゼン類からなる群から溶剤を選択するステップと、iiステップiで選択した前記溶剤で、前記小分子半導体材料と前記重合体材料との溶液を形成するステップと、iii前記小分子半導体材料と前記重合体材料とのブレンドを含む半導体層を、ステップiiで調製した溶液から、前記有機薄膜トランジスタのチャネル領域に析出させるステップとを含む方法。ステップiiは、前記溶剤で前記小分子半導体材料の第一溶液を形成することと、同じ前記溶剤で前記重合体材料のさらなる溶液を形成することと、次いで第一溶液およびさらなる溶液を混合することとを含む請求項38に記載の方法。接触抵抗が、前記群から選択された溶剤の代わりに同量のキシレンを使用する有機薄膜トランジスタと比べて低減されている請求項37~38のいずれか一項に記載の方法。前記有機薄膜トランジスタの前記半導体層の析出において前記溶剤を使用する接触抵抗が、同量のキシレンを使用して得られた値の30未満である請求項40に記載の方法。前記溶剤は、アニソール、2-メチルアニソールおよび4-メチルアニソールからなる群から選択される請求項37~41のいずれか一項に記載の方法。重合体材料は、半導体重合体材料である請求項37~42のいずれか一項に記載の方法。前記半導体重合体材料は、式I:式中、R1およびR2は、同一または異なり、それぞれ、水素、炭素数が1~16のアルキル基、炭素数が5~14のアリール基および1~3個のイオウ原子、酸素原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基からなる群から選択され、前記アリール基またはヘテロアリール基は、非置換、または炭素数が1~16のアルキル基および炭素数が1~16のアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されているの繰返し単位を含む共役重合体である請求項43に記載の方法。前記半導体重合体材料は、繰返し単位I式中、R1およびR2は、同一または異なり、それぞれ、炭素数が4~12のアルキル基およびフェニル基からなる群から選択され、前記フェニル基は、非置換、または炭素数が4~8のアルキル基および炭素数が4~8のアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されているを含む共役重合体である請求項44に記載の方法。前記半導体重合体材料は、繰返し単位Iを含む共役重合体であり、該重合体は、さらに、式II:式中、Ar1およびAr2は、同一または異なり、それぞれ、炭素数が5~14のアリール基および1~3個のイオウ原子、酸素原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基からなる群から選択され、前記アリール基またはヘテロアリール基は、非置換、または炭素数が1~16のアルキル基および炭素数が1~16のアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換され;R3は、非置換、または炭素数が1~8のアルキル基で置換されてもよい、炭素数が1~8のアルキル基またはフェニル基であり;およびnは、1以上の整数、好ましくは1または2であるの繰返し単位を含む請求項44または45に記載の方法。Ar1およびAr2は、それぞれ、フェニル基であり、およびR3は、非置換または炭素数が1~8のアルキル基で置換されていてもよい、炭素数が1~8のアルキル基またはフェニル基である請求項46に記載の方法。前記半導体重合体材料は、TFB[9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-N-4-ブチルフェニル-ジフェニルアミン]nである請求項46に記載の方法。前記小分子半導体材料は、置換ペンタセン類、および式III:式中、Ar3、Ar4、Ar5およびAr6は、独立して、単環式芳香族環を含み、Ar3、Ar4、Ar5およびAr6の少なくとも1つは、少なくとも1個の置換基Xで置換され、Xは、それぞれの場合で、同一または異なってもよく、i非置換または置換された、直鎖、分枝状または環状の炭素数が1~20のアルキル基、炭素数が1~12のアルコキシ基、非置換、またはそれぞれ同一または異なってもよい1個または2個の炭素数が1~8のアルキル基で置換されていてもよいアミノ基、アミド基、シリル基および炭素数が2~12のアルケニル基からなる群から選択され、またはiiハロゲン、ボロン酸、ジボロン酸およびボロン酸およびジボロン酸のエステル類、炭素数が2~12のアルキレン基およびスタンニル基からなる群から選択される重合性または反応性基であり、Ar3、Ar4、Ar5およびAr6は、それぞれ、1個以上のさらなる単環式芳香族環に縮合されていてもよく、ならびにAr3、Ar4、Ar5およびAr6の少なくとも1つは、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基を含むの有機半導体化合物からなる群から選択される請求項37~48のいずれか一項に記載の方法。Ar5は、さらなるアリール基Ar7に縮合され、式IV:式中、Ar7は、非置換または1個以上の置換基Xで置換されている単環式芳香族環を表し、該単環式芳香族環Ar7は、好ましくは、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基であるの構造を提供する請求項49に記載の方法。Ar6は、さらなるアリール系Ar8に縮合され、式V:式中、Ar8は、非置換または1個以上の置換基Xで置換されている単環式芳香族環を表し、該単環式芳香族環Ar8は、好ましくは、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基であるの構造を提供する請求項50に記載の方法。Ar7は、さらなるアリール系Ar9に縮合され、式VI:式中、Ar9は、非置換または1個以上の置換基Xで置換されている単環式芳香族環を表し、該単環式芳香族環Ar9は、好ましくは、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基であるの構造を提供する請求項51に記載の方法。前記小分子半導体材料は、式VII:式中、Aは、フェニル基またはチオフェン基であり、該フェニル基またはチオフェン基は、非置換、または少なくとも1個の式X11の基で置換および/またはフェニル基、チオフェン基およびベンゾチオフェン基から選択される基で縮合されることが可能なフェニル基またはチオフェン基で縮合されていてもよく、前記フェニル、チオフェンおよびベンゾチオフェン基のいずれも、非置換、または少なくとも1個の式X11の基で置換され;ならびに各基X11は、同一または異なってもよく、請求項49で定義された置換基Xから選択され、および好ましくは式:CnH2n1ここで、nは、0または1~20の整数の基であるのベンゾチオフェン誘導体である請求項49に記載の方法。前記小分子半導体材料は、式VII式中、Aは、少なくとも1個の式X11の基で置換されているフェニル基で縮合されているチオフェン基;または非置換または少なくとも1個の式X11の基で置換されていてもよいフェニル基であり、該フェニル基は、さらに、非置換または少なくとも1個の式X11の基で置換および/またはベンゾチオフェン基で縮合されることが可能なチオフェン基で縮合されていてもよく、該ベンゾチオフェン基は、非置換、または少なくとも1個の式X11の基で置換され、X11は、式:CnH2n1ここで、nは、0または1~16の整数の基であるから選択されるベンゾチオフェン誘導体である請求項53に記載の方法。前記小分子半導体材料は、以下の群:式中、X11は、式:CnH2n1ここで、nは、4~16の整数の基であるから選択される式VIIのベンゾチオフェン誘導体である請求項53に記載の方法。前記重合体材料に対する前記小分子半導体材料の重量比は、10:90~90:10、好ましくは30:70~80:20である請求項37~55のいずれか一項に記載の方法。前記重量比は、80:20~60:40、好ましくは70:30である請求項56に記載の方法。前記溶剤は、アニソール、2-メチルアニソールおよび4-メチルアニソールからなる群から選択され;前記重合体材料に対する前記小分子半導体材料の重量比は、80:20~60:40であり;前記半導体共役重合体は、請求項44に記載された繰返し単位I式中、R1およびR2は、同一または異なり、それぞれ、炭素数が4~12のアルキル基およびフェニル基からなる群から選択され、該フェニル基は、非置換、または炭素数が4~8のアルキル基および炭素数が4~8のアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されているを含み、該半導体共役重合体は、さらに、請求項46に記載された式II式中、Ar1およびAr2は、それぞれ、フェニル基であり、ならびにR3は、炭素数が1~8のアルキル基またはフェニル基であり、これらは、非置換または炭素数が1~8のアルキル基で置換されていてもよいの繰返し単位を含み;ならびに前記小分子半導体材料は、以下の式:式中、X11は、式:CnH2n1ここで、nは、4~16の整数の基であるで表される、有機薄膜トランジスタにおける接触抵抗を低減する請求項37、38、43および44のいずれか一項に記載の方法。前記溶剤は、アニソール、2-メチルアニソールおよび4-メチルアニソールからなる群から選択され;前記重合体材料に対する前記小分子半導体材料の重量比は、70:30であり;前記小分子半導体材料中の各基X11は、ヘキシル基であり;および前記重合体材料は、TFB[9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-N-4-ブチルフェニル-ジフェニルアミン]nである請求項58に記載の方法。有機薄膜トランジスタでの接触抵抗の低減における請求項37~59のいずれか一項に記載の方法であって、前記有機薄膜トランジスタは、ソースおよびドレイン電極であって該電極間にチャネル長さを有するチャネル領域がある電極と、ゲート電極と、前記ソースおよびドレイン電極および前記チャネル領域および前記ゲート電極の間に配置された誘電体層と、半導体層とを含み、ここで、前記半導体層は、請求項37~59のいずれか一項に記載の半導体層であり、ソースおよびドレイン電極の間の少なくともチャネル領域に配置されている請求項37~59のいずれか一項に記載の方法。チャネル長さが、20μm以下である請求項60に記載の方法。前記有機薄膜トランジスタ内の全チャネル抵抗に対する接触抵抗の比率が、60未満、好ましくは50未満である請求項60または61に記載の方法。驚くべきことに、有機薄膜トランジスタの接触抵抗を低減するために、半導体層用の溶剤が重要であることが発見された。小分子半導体材料および重合体材料のブレンドを含む半導体層を、これらを含む前記溶剤の溶液から析出するために、ある溶媒を使用することができ、半導体ブレンド層を含む得られた有機薄膜トランジスタは、驚くべきことに、他の溶剤で得られる接触抵抗より非常に低い接触抵抗を有することが発見された。1したがって、本発明の第一態様では、半導体層を含む有機薄膜トランジスタでの接触抵抗の低減における、C1-4アルコキシベンゼン類およびC1-4アルキル置換C1-4アルコキシベンゼン類からなる群から選択される溶剤の使用であって、前記半導体層が、小分子半導体材料と、前記溶剤中の該小分子半導体材料および前記重合体材料の溶液から析出する重合体材料とのブレンドを含む使用が提供される。すなわち、本発明者らは、小分子材料および重合体材料のブレンドを含む半導体層を析出するための半導体ブレンド配合物を製造するために、C1-4アルコキシベンゼン類およびC1-4アルキル置換C1-4アルコキシベンゼン類からなる群から選択される溶剤を使用し、次いで前記小分子半導体材料および重合体材料のブレンドを、前記トランジスタの形成においてたとえば、部分的に形成されたトップゲート有機薄膜トランジスタのチャネル内に析出させることが、前記半導体ブレンドと電極との間の相互作用により、接触抵抗を低減するという驚くべき発見をした。特に、接触抵抗がデバイスの全チャネル抵抗に大きな比率で影響する可能性がある、チャネル長さが短いデバイスにとって、接触抵抗は、最少にするために極めて重要なパラメータであるので、このことは、特に重要である。本発明による好ましい使用として以下が挙げられる。2接触抵抗が、前記群から選択された溶剤の代わりに同量のキシレンを使用する有機薄膜トランジスタと比べて低減されている1に記載の使用;3前記有機薄膜トランジスタの前記半導体層の析出において前記溶剤を使用する接触抵抗が、同量のキシレンを使用して得られた値の50未満である2に記載の使用;4前記有機薄膜トランジスタの前記半導体層の析出または半導体層配合において、前記溶剤を使用する接触抵抗が、同量のキシレンを使用して得られた値の30未満である2に記載の使用;5前記有機薄膜トランジスタの前記半導体層の析出または半導体層配合において、前記溶剤を使用する接触抵抗が、同量のキシレンを使用して得られた値の15未満である2に記載の使用;6前記溶剤は、アニソール、2-メチルアニソールおよび4-メチルアニソールからなる群から選択される1~5のいずれか1つに記載の使用;7重合体材料は、半導体重合体材料である1~6のいずれか1つに記載の使用;8前記半導体重合体材料は、式I:式中、R1およびR2は、同一または異なり、それぞれ、水素、炭素数が1~16のアルキル基、炭素数が5~14のアリール基および1~3個のイオウ原子、酸素原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基からなる群から選択され、前記アリール基またはヘテロアリール基は、非置換、または炭素数が1~16のアルキル基および炭素数が1~16のアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されているの繰返し単位を含む共役重合体である7に記載の使用;9前記半導体重合体材料は、繰返し単位I式中、R1およびR2は、同一または異なり、それぞれ、水素、炭素数が1~12のアルキル基およびフェニル基からなる群から選択され、前記フェニル基は、非置換、または炭素数が1~12のアルキル基および炭素数1~12のアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されているを含む共役重合体である8に記載の使用;10前記半導体重合体材料は、繰返し単位I式中、R1およびR2は、同一または異なり、それぞれ、炭素数が4~12のアルキル基およびフェニル基からなる群から選択され、前記フェニル基は、非置換、または炭素数が4~8のアルキル基および炭素数が4~8のアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されているを含む共役重合体である8に記載の使用;11前記半導体重合体材料は、繰返し単位Iを含む共役重合体であり、該重合体は、さらに、式II:式中、Ar1およびAr2は、同一または異なり、それぞれ、炭素数が5~14のアリール基および1~3個のイオウ原子、酸素原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基から選択され、前記アリール基またはヘテロアリール基は、非置換、または炭素数が1~16のアルキル基および炭素数が1~16のアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換され;R3は、非置換、または炭素数が1~8のアルキル基で置換されてもよい、炭素数が1~8のアルキル基またはフェニル基であり;およびnは、1以上の整数、好ましくは1または2であるの繰返し単位を含む8~10のいずれか1つに記載の使用;12Ar1およびAr2は、それぞれ、フェニル基であり、およびR3は、炭素数が1~8のアルキル基で置換されていてもよい、炭素数が1~8のアルキル基またはフェニル基である11に記載の使用;13前記半導体重合体材料は、TFB[9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-N-4-ブチルフェニル-ジフェニルアミン]nである11に記載の使用;14前記小分子半導体材料は、置換ペンタセン類、および式III:式中、Ar3、Ar4、Ar5およびAr6は、独立して、単環式芳香族環を含み、Ar3、Ar4、Ar5およびAr6の少なくとも1つは、少なくとも1個の置換基Xで置換され、Xは、それぞれの場合で、同一または異なってもよく、i非置換または置換された、直鎖、分枝状または環状の炭素数が1~20のアルキル基、炭素数が1~12のアルコキシ基、非置換、またはそれぞれ同一または異なってもよい1個または2個の炭素数が1~8のアルキル基で置換されていてもよいアミノ基、アミド基、シリル基および炭素数が2~12のアルケニル基からなる群から選択され、またはiiハロゲン、ボロン酸、ジボロン酸およびボロン酸およびジボロン酸のエステル類、炭素数が2~12のアルキレン基およびスタンニル基からなる群から選択される重合性または反応性基であり、ならびにAr3、Ar4、Ar5およびAr6は、それぞれ、1個以上のさらなる単環式芳香族環に縮合されていてもよく、ならびにAr3、Ar4、Ar5およびAr6の少なくとも1つは、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基を含むの有機半導体化合物からなる群から選択される1~13のいずれか1つに記載の使用;15Ar5は、さらなるアリール基Ar7に縮合され、式IV:式中、Ar7は、非置換または1個以上の置換基Xで置換されている単環式芳香族環を表し、該単環式芳香族環Ar7は、好ましくは、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基であるの構造を提供する14に記載の使用;16Ar6は、さらなるアリール環Ar8に縮合され、式V:式中、Ar8は、非置換または1個以上の置換基Xで置換されている単環式芳香族環を表し、該単環式芳香族環Ar8は、好ましくは、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基であるの構造を提供する15に記載の使用;17Ar7は、さらなるアリール環Ar9に縮合され、式VI:式中、Ar9は、非置換または1個以上の置換基Xで置換されている単環式芳香族環を表し、該単環式芳香族環Ar9は、好ましくは、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基であるの構造を提供する16に記載の使用;18有機半導体化合物は、構造:式中、X1およびX2は、同一または異なってもよく、15で定義された置換基Xから選択され;Z1およびZ2は、独立して、S、O、SeまたはNR4であり;ならびにW1およびW2は、独立して、S、O、Se、NR4または-CR4=CR4-ここで、R4は、H、または非置換または置換された直鎖、分枝状または環状の炭素数が1~20のアルキル基、炭素数が1~12のアルコキシ基、非置換またはそれぞれ同一または異なってもよい1個または2個の炭素数が1~8のアルキル基で置換されていてもよいアミノ基、アミド基、シリル基および炭素数が2~12のアルケニル基からなる群から選択される置換基であるであるを含む14~17のいずれか1つに記載の使用;19有機半導体化合物は、構造:式中、X1およびX2は、14で定義された通りであり、Z1、Z2、W1およびW2は、18で定義された通りであり、ならびにV1およびV2は、独立して、S、O、SeまたはNR5ここで、R5は、H、または非置換または置換されている直鎖、分枝状または環状の炭素数が1~20のアルキル基、炭素数が1~12のアルコキシ基、それぞれ同一または異なってもよい1個または2個の炭素数が1~8のアルキル基で置換されていてもよいアミノ基、アミド基、シリル基および炭素数が2~12のアルケニル基からなる群から選択される置換基であるであるを含む14~17のいずれか1つに記載の使用;20半導体化合物は、構造:式中、X1およびX2は、14で定義された通りであり、ならびにZ1、Z2、W1およびW2は、18で定義された通りであるを含む14~17のいずれか1つに記載の使用;21半導体化合物が、構造:式中、Z1、Z2、W1およびW2は、18で定義された通りであり、ならびにX1~X10は、同一または異なってもよく、14で定義された置換基Xから選択されるを含む14~17のいずれか1つに記載の使用;22前記小分子半導体材料は、式VII:式中、Aは、フェニル基またはチオフェン基であり、該フェニル基またはチオフェン基は、非置換、または少なくとも1個の式X11の基で置換および/またはフェニル基、チオフェン基およびベンゾチオフェン基から選択される基で縮合されることが可能なフェニル基またはチオフェン基で縮合されていてもよく、前記フェニル、チオフェンおよびベンゾチオフェン基のいずれも、非置換、または少なくとも1個の式X11の基で置換され;ならびに各基X11は、同一または異なってもよく、14で定義された置換基Xから選択され、および好ましくは式:CnH2n1ここで、nは、0または1~20の整数の基であるのベンゾチオフェン誘導体である14に記載の使用;23前記小分子半導体材料は、式VII式中、Aは、少なくとも1個の式X11の基で置換されているフェニル基で縮合されているチオフェン基;または少なくとも1個の式X11の基で置換されていてもよいフェニル基であり、該フェニル基は、さらに、非置換、または少なくとも1個の式X11の基で置換および/またはベンゾチオフェン基で縮合されることが可能なチオフェン基で縮合されていてもよく、該ベンゾチオフェン基は、非置換、または少なくとも1個の式X11の基で置換され、X11は、式:CnH2n1ここで、nは、0または1~16の整数の基であるから選択されるベンゾチオフェン誘導体である22に記載の使用;24前記小分子半導体材料は、以下の群:式中、X11は、式:CnH2n1ここで、nは、4~16の整数の基であるから選択される式VIIのベンゾチオフェン誘導体である22に記載の使用;25前記重合体材料に対する前記小分子半導体材料の重量比が、10:90~90:10である1~24のいずれか1つに記載の使用;26前記重量比が、30:70~80:20である25に記載の使用;27前記重量比が、80:20~60:40、好ましくは70:30である25に記載の使用;28半導体層を含む有機薄膜トランジスタでの接触抵抗の低減における、アニソール、2-メチルアニソールおよび4-メチルアニソールからなる群から選択される溶剤の1に記載の使用であって、前記半導体層は、小分子半導体材料と半導体共役重合体を含む重合体材料とのブレンドを含み、ここで、前記重合体材料に対する前記小分子半導体材料の重量比が、80:20~60:40であり;前記半導体共役重合体は、8に記載された繰返し単位I式中、R1およびR2は、同一または異なり、それぞれ、炭素数が4~12のアルキル基およびフェニル基からなる群から選択され、該フェニル基は、非置換、または炭素数が4~8のアルキル基および炭素数が4~8のアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されているを含み、該半導体共役重合体は、さらに、11に記載された式II式中、Ar1およびAr2は、それぞれ、フェニル基であり、およびR3は、炭素数が1~8のアルキル基またはフェニル基であり、これらは、非置換または炭素数が1~8のアルキル基で置換されていてもよいの繰返し単位を含み;ならびに前記小分子半導体材料は、以下の式:式中、X11は、式:CnH2n1ここで、nは、4~16の整数の基であるで表される1に記載の使用;29前記溶剤は、アニソール、2-メチルアニソールおよび4-メチルアニソールからなる群から選択され;前記重合体材料に対する前記小分子半導体材料の重量比は、70:30であり;前記小分子半導体材料中の各基X11は、ヘキシル基であり;および前記重合体材料は、TFB[9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-N-4-ブチルフェニル-ジフェニルアミン]nである28に記載の使用;30有機薄膜トランジスタでの接触抵抗の低減における1~29のいずれか1つに記載の使用であって、前記有機薄膜トランジスタは、ソースおよびドレイン電極であって該電極間にチャネル長さを有するチャネル領域がある電極と、ゲート電極と、前記ソースおよびドレイン電極および前記ゲート電極の間に配置された誘電体層と、半導体層とを含み、ここで、前記半導体層は、1~29のいずれか1つに記載の半導体層であり、ソースおよびドレイン電極の間の少なくともチャネル領域に配置されている1~29のいずれか1つに記載の使用;31チャネル長さが、20μm以下である30に記載の使用;32チャネル長さが、10μm以下である30に記載の使用;および33前記有機薄膜トランジスタ内の全チャネル抵抗に対する接触抵抗の比率が、60未満、好ましくは50未満である30~32のいずれか1つに記載の使用。また、本発明者らは、ある新規な半導体ブレンド配合物は、該ブレンドが本発明の溶剤から析出すると、優れたデバイス移動度を有するとともに非常に低い接触抵抗を提供するので、有機薄膜トランジスタの製造における使用に特に適切なある新規な半導体ブレンド配合物も発見した。したがって、本発明の第二態様では、以下が提供される。34小分子半導体材料と、重合体材料と、溶剤とを含む半導体ブレンド配合物であって、前記重合体材料は、前記8~13のいずれか1つで定義された半導体共役重合体であり;前記小分子半導体材料は、前記14~24のいずれか1つで定義された半導体であり;前記溶剤は、C1-4アルコキシベンゼン類およびC1-4アルキル置換C1-4アルコキシベンゼン類からなる群から選択され;および前記ブレンド中の前記重合体材料に対する前記小分子半導体材料の比は、10:90~90:10である半導体ブレンド配合物。本発明の半導体ブレンド配合物の好ましい実施形態として、以下が挙げられる。35前記半導体共役重合体は、前記8で定義された繰返し単位I式中、R1およびR2は、同一または異なり、それぞれ、炭素数が4~12のアルキル基およびフェニル基からなる群から選択され、該フェニル基は、非置換、または炭素数が4~8のアルキル基および炭素数が4~8のアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されるの繰返し単位を含み、前記共役重合体は、さらに、前記11で定義された式II式中、Ar1およびAr2は、それぞれ、フェニル基であり、ならびにR3は、非置換または炭素数が1~8のアルキル基で置換されていてもよい、炭素数が1~8のアルキル基またはフェニル基であるの繰返し単位を含み;前記小分子半導体材料は、式VII:式中、Aは、フェニル基またはチオフェン基であり、該フェニル基またはチオフェン基は、非置換、または少なくとも1個の式X11の基で置換および/またはフェニル基、チオフェン基およびベンゾチオフェン基から選択される基で縮合されることが可能なフェニル基またはチオフェン基で縮合されていてもよく、前記フェニル、チオフェンおよびベンゾチオフェン基のいずれも、非置換、または少なくとも1個の式X11の基で置換され;各基X11は、同一または異なってもよく、前記14で定義された置換基Xから選択され、および好ましくは式:CnH2n1ここで、nは、0または1~20の整数の基であるのベンゾチオフェン誘導体であり;前記溶剤は、アニソール、2-メチルアニソールおよび4-メチルアニソールからなる群から選択され;ならびに前記ブレンド中の前記重合体材料に対する前記小分子半導体材料の比は、30:70~80:20である34に記載の半導体ブレンド配合物;36前記半導体共役重合体は、TFB[9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-N-4-ブチルフェニル-ジフェニルアミン]nであり;前記小分子半導体材料は、35で定義された式VII式中、Aは、少なくとも1個の式X11の基で置換されているフェニル基で縮合されているチオフェン基;非置換、または少なくとも1個の式X11の基で置換されていてもよいフェニル基から選択され、前記フェニル基は、さらに、非置換、または少なくとも1個の式X11の基で置換および/またはベンゾチオフェン基で縮合されることが可能なチオフェン基で縮合されていてもよく、該ベンゾチオフェン基は、非置換または少なくとも1個の式X11の基で置換され、X11は、式:CnH2n1ここで、nは、0または1~16の整数の基であるから選択されるの化合物であり;ならびに前記ブレンド中の前記重合体材料に対する前記小分子半導体材料の比は、80:20~60:40である35に記載の半導体ブレンド配合物;37前記小分子半導体材料は、以下の群:式中、X11は、式:CnH2n1ここで、nは、4~16の整数の基であるから選択され;および前記ブレンド中の前記重合体材料に対する前記小分子半導体材料の比は、80:20~60:40である36に記載の半導体ブレンド配合物;38前記重合体材料は、TFB[9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-N-4-ブチルフェニル-ジフェニルアミン]nであり、および前記小分子半導体材料は、以下の式:式中、X11は、式:CnH2n1ここで、nは、4~16の整数の基であるで表され;および前記ブレンド中の前記重合体材料に対する前記小分子半導体材料の比は、80:20~60:40である36に記載の半導体ブレンド配合物;および39各基X11は、ヘキシル基であり、および前記重合体材料に対する前記小分子半導体材料の比は、70:30である38に記載の半導体ブレンド配合物。また、本発明者らは、チャネル領域と半導体層とを含む有機薄膜トランジスタにおいて、特定の溶剤の使用により、接触抵抗を低減する方法も発見した。したがって、本発明の第三態様では、以下が提供される。40チャネル領域と半導体層とを含む有機薄膜トランジスタにおいて、接触抵抗を低減する方法であって、前記半導体層は、小分子半導体材料と重合体材料とのブレンドを含み、前記方法は、前記小分子半導体材料および前記重合体材料を、これらの溶液から、前記有機薄膜トランジスタの前記チャネル領域に析出させることを含み、ここで、前記溶液は、C1-4アルコキシベンゼン類およびC1-4アルキル置換C1-4アルコキシベンゼン類からなる群から選択される溶剤を含む方法。また、本発明者らは、チャネル領域と半導体層とを含む有機薄膜トランジスタにおいて、特定の溶剤の選択により、接触抵抗を低減する方法も発見した。したがって、本発明の第四態様では、以下が提供される。41チャネル領域と半導体層とを含む有機薄膜トランジスタにおいて、接触抵抗を低減する方法であって、前記半導体層は、小分子半導体材料と重合体材料とのブレンドを含み、前記方法は、iC1-4アルコキシベンゼン類およびC1-4アルキル置換C1-4アルコキシベンゼン類からなる群から溶剤を選択するステップと、iiステップiで選択した前記溶剤で、前記小分子半導体材料と前記重合体材料との溶液を形成するステップと、iii小分子半導体材料と前記重合体材料とのブレンドを含む半導体層を、ステップiiで調製した溶液から、前記有機薄膜トランジスタのチャネル領域に析出させるステップとを含む方法。42ステップiiは、前記溶剤で前記小分子半導体材料の第一溶液を形成することと、同じ前記溶剤で前記重合体材料のさらなる溶液を形成することと、次いで第一溶液およびさらなる溶液を混合することとを含む41に記載の方法。本発明の第三および第四態様の方法の好ましい実施形態として、以下が挙げられる。43接触抵抗が、前記群から選択された溶剤の代わりに同量のキシレンを使用する有機薄膜トランジスタと比べて低減されている40~42のいずれか1つに記載の方法;44前記有機薄膜トランジスタの前記半導体層の析出において前記溶剤を使用する接触抵抗が、同量のキシレンを使用して得られた値の30未満、好ましくは15未満である43に記載の方法;45前記溶剤は、アニソール、2-メチルアニソールおよび4-メチルアニソールからなる群から選択される40~44のいずれか1つに記載の方法;46重合体材料は、半導体重合体材料である40~45のいずれか1つに記載の方法;47前記半導体重合体材料は、式I:式中、R1およびR2は、同一または異なり、それぞれ、水素、炭素数が1~16のアルキル基、炭素数が5~14のアリール基および1~3個のイオウ原子、酸素原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基からなる群から選択され、前記アリール基またはヘテロアリール基は、非置換、または炭素数が1~16のアルキル基および炭素数が1~16のアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されているの繰返し単位を含む共役重合体である46に記載の方法;48前記半導体重合体材料は、繰返し単位I式中、R1およびR2は、同一または異なり、それぞれ、炭素数が4~12のアルキル基およびフェニル基から選択され、前記フェニル基は、非置換、または炭素数が4~8のアルキル基および炭素数が4~8のアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されているを含む共役重合体である47に記載の方法;49前記半導体重合体材料は、繰返し単位Iを含む共役重合体であり、該重合体は、さらに、式II:式中、Ar1およびAr2は、同一または異なり、それぞれ、炭素数が5~14のアリール基および1~3個のイオウ原子、酸素原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基からなる群から選択され、前記アリール基またはヘテロアリール基は、非置換、または炭素数が1~16のアルキル基および炭素数が1~16のアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換され;R3は、非置換、または炭素数が1~8のアルキル基で置換されてもよい、炭素数が1~8のアルキル基またはフェニル基であり;およびnは、1以上の整数、好ましくは1または2であるの繰返し単位を含む47または48に記載の方法;50Ar1およびAr2は、それぞれ、フェニル基であり、およびR3は、非置換または炭素数が1~8のアルキル基で置換されていてもよい、炭素数が1~8のアルキル基またはフェニル基である49に記載の方法;51前記半導体重合体材料は、TFB[9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-N-4-ブチルフェニル-ジフェニルアミン]nである49に記載の方法;52前記小分子半導体材料は、置換ペンタセン類、および式III:式中、Ar3、Ar4、Ar5およびAr6は、独立して、単環式芳香族環を含み、Ar3、Ar4、Ar5およびAr6の少なくとも1つは、少なくとも1個の置換基Xで置換され、Xは、それぞれの場合で、同一または異なってもよく、i非置換または置換された、直鎖、分枝状または環状の炭素数が1~20のアルキル基、炭素数が1~12のアルコキシ基、非置換、またはそれぞれ同一または異なってもよい1個または2個の炭素数が1~8のアルキル基で置換されていてもよいアミノ基、アミド基、シリル基および炭素数が2~12のアルケニル基からなる群から選択され、またはiiハロゲン、ボロン酸、ジボロン酸およびボロン酸およびジボロン酸のエステル類、炭素数が2~12のアルキレン基およびスタンニル基からなる群から選択される重合性または反応性基であり、Ar3、Ar4、Ar5およびAr6は、それぞれ、1個以上のさらなる単環式芳香族環に縮合されていてもよく、ならびにAr3、Ar4、Ar5およびAr6の少なくとも1つは、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基を含むの有機半導体化合物からなる群から選択される40~51のいずれか1つに記載の方法;53Ar5は、さらなるアリール基Ar7に縮合され、式IV:式中、Ar7は、非置換または1個以上の置換基Xで置換されている単環式芳香族環を表し、該単環式芳香族環Ar7は、好ましくは、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基であるの構造を提供する52に記載の方法;54Ar6は、さらなるアリール系Ar8に縮合され、式V:式中、Ar8は、非置換または1個以上の置換基Xで置換されている単環式芳香族環を表し、該単環式芳香族環Ar8は、好ましくは、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基であるの構造を提供する53に記載の方法;55Ar7は、さらなるアリール系Ar9に縮合され、式VI:式中、Ar9は、非置換または1個以上の置換基Xで置換されている単環式芳香族環を表し、該単環式芳香族環Ar9は、好ましくは、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基であるの構造を提供する54に記載の方法;56前記小分子半導体材料は、式VII:式中、Aは、フェニル基またはチオフェン基であり、該フェニル基またはチオフェン基は、非置換、または少なくとも1個の式X11の基で置換および/またはフェニル基、チオフェン基およびベンゾチオフェン基から選択される基で縮合されることが可能なフェニル基またはチオフェン基で縮合されていてもよく、前記フェニル、チオフェンおよびベンゾチオフェン基のいずれも、非置換、または少なくとも1個の式X11の基で置換され;ならびに各基X11は、同一または異なってもよく、52で定義された置換基Xから選択され、および好ましくは式:CnH2n1ここで、nは、0または1~20の整数の基であるのベンゾチオフェン誘導体である52に記載の方法;57前記小分子半導体材料は、式VII式中、Aは、少なくとも1個の式X11の基で置換されているフェニル基で縮合されているチオフェン基;または非置換または少なくとも1個の式X11の基で置換されていてもよいフェニル基であり、該フェニル基は、さらに、非置換または少なくとも1個の式X11の基で置換および/またはベンゾチオフェン基で縮合されることが可能なチオフェン基で縮合されていてもよく、該ベンゾチオフェン基は、非置換、または少なくとも1個の式X11の基で置換され、X11は、式:CnH2n1ここで、nは、0または1~16の整数の基であるから選択されるのベンゾチオフェン誘導体である56に記載の方法;58前記小分子半導体材料は、以下の群:式中、X11は、式:CnH2n1ここで、nは、4~16の整数の基であるから選択される式VIIのベンゾチオフェン誘導体である56に記載の方法;59前記重合体材料に対する前記小分子半導体材料の重量比は、10:90~90:10、好ましくは30:70~80:20である前記40~58のいずれか1つに記載の方法;60前記重量比は、80:20~60:40、好ましくは70:30である59に記載の方法;61前記溶剤は、アニソール、2-メチルアニソールおよび4-メチルアニソールからなる群から選択され;前記重合体材料に対する前記小分子半導体材料の重量比は、80:20~60:40であり;前記半導体共役重合体は、前記47に記載された繰返し単位I式中、R1およびR2は、同一または異なり、それぞれ、炭素数が4~12のアルキル基およびフェニル基からなる群から選択され、該フェニル基は、非置換、または炭素数が4~8のアルキル基および炭素数が4~8のアルコキシ基から選択される1個以上の置換基で置換されているを含み、該半導体共役重合体は、さらに、前記49に記載された式II式中、Ar1およびAr2は、それぞれ、フェニル基であり、ならびにR3は、炭素数が1~8のアルキル基またはフェニル基であり、これらは、非置換または炭素数が1~8のアルキル基で置換されていてもよいの繰返し単位を含み;ならびに前記小分子半導体材料は、以下の式:式中、X11は、式:CnH2n1ここで、nは、4~16の整数の基であるで表される、有機薄膜トランジスタにおける接触抵抗を低減する40、41、46および47のいずれか1つに記載の方法;62前記溶剤は、アニソール、2-メチルアニソールおよび4-メチルアニソールからなる群から選択され;前記重合体材料に対する前記小分子半導体材料の重量比は、70:30であり;前記小分子半導体材料中の各基X11は、ヘキシル基であり;および前記重合体材料は、TFB[9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-N-4-ブチルフェニル-ジフェニルアミン]nである61に記載の方法;63有機薄膜トランジスタでの接触抵抗の低減における前記40および41~62のいずれか1つに記載の方法であって、前記有機薄膜トランジスタは、ソースおよびドレイン電極であって該電極間にチャネル長さを有するチャネル領域がある電極と、ゲート電極と、前記ソースおよびドレイン電極および前記チャネル領域および前記ゲート電極の間に配置された誘電体層と、半導体層とを含み、ここで、前記半導体層は、前記42~62のいずれか1つに記載の半導体層であり、ソースおよびドレイン電極の間の少なくともチャネル領域に配置されている40および41~62のいずれか1つに記載の方法;64チャネル長さが、20μm以下、好ましくは10μm以下である63に記載の方法;および65前記有機薄膜トランジスタ内の全チャネル抵抗に対する接触抵抗の比率が、60未満、好ましくは50未満である63または64に記載の方法。さきに説明したように、本発明者らは、有機薄膜トランジスタの接触抵抗を低減するために、半導体層用の溶剤が重要であることを発見した。小分子半導体材料および重合体材料のブレンドを含む半導体層を、これらを含む前記溶剤の溶液から析出するために、C1-4アルコキシベンゼン類およびC1-4アルキル置換C1-4アルコキシベンゼン類からなる群から選択される溶剤を使用することによって、得られた、半導体ブレンド層を含む有機薄膜トランジスタは、他の溶剤で達成される接触抵抗より非常に低い接触抵抗を有する。たとえば、接触抵抗は、前記群から選択される溶剤の代わりに、同量のキシレンすなわち、同じ濃度の小分子半導体材料および重合体材料を持つ溶液を調製するために必要なキシレンの量を使用する有機薄膜トランジスタと比べて、実質的に低減する。本発明に従って接触抵抗を低減する溶剤は、C1-4アルコキシベンゼン類およびC1-4アルキル置換C1-4アルコキシベンゼン類からなる群から選択される。C1-4アルコキシベンゼン類は、炭素数が1~4のアルコキシ基によって置換されているベンゼン基であって、その例として、メトキシベンゼン、エトキシベンゼン、プロポキシベンゼン、イソプロポキシベンゼンおよびブトキシベンゼンが挙げられる。好ましい例は、アニソールおよびエトキシベンゼンであり、アニソールは特に好ましい。C1-4アルキル置換C1-4アルコキシベンゼン類は、炭素数が1~4の単一のアルキル基で置換されている前記アルコキシベンゼンであって、単一のアルキル基の例として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基およびブチル基が挙げられる。好ましいC1-4アルキル置換C1-4アルコキシベンゼン類として、2-、3-または4-位がメチル基またはエチル基で置換されたアニソール、および2-、3-または4-位がメチル基またはエチル基で置換されたエトキシベンゼンが挙げられる。2-メチルアニソールおよび4-メチルアニソールが特に好ましい。本発明に従いブレンドの調製において使用される重合体材料は、非導電性重合体材料でも半導体重合体材料でも可能である。有機半導体小分子の低溶解性および劣った膜形成能を克服する目的のために適切な任意の重合体材料、たとえば、Smithら,AppliedPhysicsLetters,93巻,2533012008;Russellら,AppliedPhysicsLetters,87巻,2221092005;Oheら,AppliedPhysicsLetters,93巻,0533032008;Madecら,JournalofSurfaceScienceNanotechnology,7巻,455-4582009;およびKangら,J.Am.Chem.Soc,130巻,12273-752008のような従来技術に記載されているような、当業者に公知のものが可能である。重合体材料が半導体重合体の場合であれば、前記8で定義された式Iの繰返し単位を含む共役重合体が好ましい。式Iの繰返し単位を含む前記共役重合体は、さらに、前記11で定義された式IIの繰返し単位を含むのが好ましい。使用に好ましい半導体材料は、TFB[9,9’-ジオクチルフルオレン-コ-N-4-ブチルフェニル-ジフェニルアミン]nである。本発明によるブレンドの調製に使用される小分子半導体材料は、目的に適切ないかなる小分子半導体材料も使用することができ、たとえば、前記従来技術で記載した当業者に公知のもの、または国際公開公報第2010/061176号パンフレットに記載の小分子半導体が使用できる。本発明の使用のために好ましい小分子半導体材料の例として、前記14~24で定義された式III~VIIの有機半導体化合物がある。特に好ましくは、24で定義されたものである。本発明で使用されるそれぞれ8~13および14~24で定義された重合体および小分子半導体において、R1、R2、Ar1およびAr2の定義におけるアルキル基は、炭素数が1~16のアルキル基であり、R3の定義におけるアルキル基は、炭素数が1~8のアルキル基であり、たとえば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピルおよびブチルが挙げられる。本発明で使用されるそれぞれ8~13および14~24で定義された重合体および小分子半導体において、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8、Ar9、X、X1、X2、R4およびR5の定義におけるアルキル基は、炭素数が1~20のアルキル基であり、その例として、メチル、エチル、プロピル、イソプロピルおよびブチルが挙げられる。本発明で使用されるそれぞれ8~13および14~24で定義された重合体および小分子半導体において、R1およびR2の定義におけるアリール基は、炭素数が5~14のアリール基である。例として、フェニル基、インデニル基、ナフチル基、フェナントレニル基、およびアントラセニル基が挙げられる。より好ましいアリール基として、フェニル基が挙げられる。本発明で使用されるそれぞれ8~13および14~24で定義された重合体および小分子半導体において、R1、R2、Ar1およびAr2の定義におけるヘテロアリール基は、1~3個のイオウ原子、酸素原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基であり、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8およびAr9の定義におけるヘテロアリール基は、1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基である。例として、フリル基、チエニル基、ピロリル基、アゼピニル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、1,2,3-オキサヂアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、チアヂアゾリル基、ピラニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基およびピラジニル基が挙げられる。より好ましいヘテロアリールとして、フリル、チエニル、ピロリルおよびピリジルが挙げられ、最も好ましいものは、チエニルである。本発明で使用されるそれぞれ8~13および14~24で定義された重合体および小分子半導体において、R1、R2、Ar1およびAr2の定義におけるアルコキシ基は、炭素数1~16のアルコキシ基であり、その例として、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシおよびブトキシが挙げられる。本発明で使用されるそれぞれ8~13および14~24で定義された重合体および小分子半導体において、X、X1、X2、R4およびR5の定義におけるアルコキシ基は、炭素数1~12のアルコキシ基であり、その例として、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシおよびブトキシが挙げられる。本発明で使用されるそれぞれ8~13および14~24で定義された重合体および小分子半導体において、X、X1、X2、R4およびR5の定義におけるアルケニル基は、炭素数が2~12のアルケニル基であり、その例として、エテニル、プロペニルおよび2-メチルプロペニルが挙げられる。本発明で使用されるそれぞれ8~13および14~24で定義された重合体および小分子半導体において、X、X1、X2、R4およびR5の定義における非置換または置換アミノ基は、非置換、または1個または2個の、同一または異なってもよいそれぞれ炭素数が1~8、好ましくは炭素数が1~4のアルキル基で置換されていてもよいアミノ基である。好ましい例として、アミノ、メチルアミノ、エチルアミノおよびメチルエチルアミノが挙げられる。前記14~21による式III~VIの化合物において、アルキル基は、炭素数が1~20の直鎖、分枝状または環状基であり、非置換でも置換されていてもよい。置換基として、炭素数が1~12のアルコキシ基、ハロゲン原子、非置換または、同一または異なってもよい、1個または2個のそれぞれ炭素数が1~8のアルキル基で置換されていてもよいアミノ基、炭素数が2~12のアシルアミノ基、ニトロ基、炭素数が2~7のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、炭素数が5~14のアリール基、および1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基が挙げられる。前記14~17による式III~VIの化合物において、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8およびAr9は、単環式芳香族環を含む。これらは、好ましくは、炭素数が5~14のアリール基および1~3個のイオウ原子、酸素原子、セレン原子および/または窒素原子を含有する5~7員環ヘテロアリール基から選択され、フェニル、インデニル、ナフチル、フェナントレニル、アントラセニル、フリル、チエニル、ピロリルおよびピリジルから選択される単環がより好ましく、フェニルまたはチエニルが最も好ましい。本発明による有機薄膜トランジスタは、有機半導体層を含むいかなる有機薄膜トランジスタでもよい。トランジスタは、p型でもn型でも可能である。適切なトランジスタ構成として、トップゲートトランジスタおよびボトムゲートトランジスタが挙げられる。本発明による使用および方法の好ましい一例は、ソースおよびドレイン電極であって該電極間にチャネル領域がある電極と、ゲート電極と、ソースおよびドレイン電極およびチャネル領域およびゲート電極の間に配置された誘電体層と、半導体層とを含む有機薄膜トランジスタであって、前記半導体層は、前記1~29のいずれか1つに記載の半導体層であり、ソースおよびドレイン電極の間の少なくともチャネル領域に配置されている有機薄膜トランジスタの製造におけるものである。先に記載したトップゲートトランジスタのような有機薄膜トランジスタの製造において、半導体層を析出するために、C1-4アルコキシベンゼン類およびC1-4アルキル置換C1-4アルコキシベンゼン類からなる群から選択される溶剤を使用することによって、接触抵抗を大きく低減することが可能である。このことは、とりわけ、接触抵抗がデバイスの全チャネル抵抗に大きな比率で影響する可能性がある、チャネル長さ<20μmが短い有機薄膜トランジスタにおいては、非常に重要なことである。デバイスにおいて接触抵抗が高ければ高いほど、印加した電圧の降下の比率が高くなり、その結果、チャネル領域にかかるバイアス電圧が低くなる。本発明は、簡単で費用効果のあるやり方で、接触抵抗を最小限にすることを可能にし、その結果、より高い移動度を持つデバイスを製造することが可能である。先に記載したように、接触抵抗の低減において、C1-4アルコキシベンゼン類およびC1-4アルキル置換C1-4アルコキシベンゼン類からなる群から選択される溶剤の使用の有効性の1つの評価法は、該溶剤を使用して得られた接触抵抗を、前記群から選択された溶剤の代わりに同量のキシレンを使用する有機薄膜トランジスタで得られた接触抵抗と比べることによるものである。他の評価法は、本発明により製造した有機薄膜トランジスタにおける、全チャネル抵抗に対する接触抵抗の比率である。本発明の使用または方法による前記溶剤を使用すると、60未満、好ましくは50未満の全チャネル抵抗に対する接触抵抗の比率を得ることができる。比較として、溶剤としてキシレンを使用して製造した同じようなデバイスでは、全チャネル抵抗に対する接触抵抗の比率は、70である。本発明により得られる、全チャネル抵抗に対する接触抵抗の低い比率により、デバイスに印加されるバイアス電圧は、高い比率で、チャネル領域に印加される。本発明は、添付の図面を参照して、以下の実施例を考慮することにより、より深く理解できるだろう。以下の実施例では、高移動度、低接触抵抗有機薄膜トランジスタOTFTデバイスを得るための、本発明のある溶剤に注目する。小分子-重合体ブレンド系の3つの具体的な実施例を、以下の製造手順に従って製造した、トップゲート、ボトムコンタクトデバイス構成で得られたデバイス結果に基づく実施例として挙げる。有機薄膜トランジスタの製造のための製造例iOTFT基板の前洗浄および自己組織化単分子膜SAM前処理デバイスの製造における第一ステップでは、均一な表面エネルギーがチャネル領域で得られ、接触抵抗を最小限に抑えることを確実にするために、デバイス基板の前洗浄および自己組織化単分子膜材料の塗布が必要である。基板は、ガラス板上のクロム接着層の上部の金製のソース電極およびドレイン電極で構成される。残留フォトレジスト材料ソース-ドレイン電極画定のために使用の除去を確実にするために、酸素プラズマによって基板から汚れを取り除いた。プラズマ処理の後、2分間トルエン溶液中に基板を浸けることによって、チャネル領域SAMフェネチル-トリクロロシランに該トルエン溶液を20mMの濃度で塗布した。スピンコータ上で基板を回転させることによって溶液を除去し、次いで、トルエン続いてイソプロパノールで濯いだ。同じ過程を繰り返して、電極SAM材料ペンタフルオロベンゼンチオールを、イソプロパノール中同じ濃度で2分間塗布した。再び、基板をイソプロパノールで濯ぎ、基板からいかなる未反応材料も除去した。これらのステップの全て、空気中で行った。次いで、サンプルを乾燥した窒素環境に移し、60°Cで10分間焼成し、サンプルの脱水を確実に行った。ii半導体ブレンド材料溶液の調製およびスピンコーティング小分子および重合体材料のブレンドを、各成分をアニソールで調製した個々の溶液を容積単位で混合することによって調製した。各成分は、0.4w/v1mlの溶剤当たり4mgの濃度に調製した。重合体成分TFB国際公開公報第2010/084977号パンフレットに開示されているおよび小分子成分SM国際公開公報第2011/004869号に公開された方法に従って調製を図3に示す。溶液を加熱して溶解したら、3部の重合体溶液に対して7部の小分子溶液の比に成分を混合することによって、ブレンドを調製した。このブレンドの析出を、次いでスピンコータを使用して塗布速度600rpmで30秒間行い、80°Cで10分間乾燥し、フィルム厚30nmとした。誘電体層の析出次いで、この半導体フィルム上に誘電体層を析出させた。使用した誘電性材料は、フッ素化重合体ポリテトラフルオロエチレンPTFEであった。他の使用することができる適切なフッ素化重合体として、パーフルオロシクロオキシ脂肪族重合体CYTOP、パーフルオロアルコキシ重合体樹脂PFA、フッ素化エチレン-プロピレンFEP、ポリエチレンテトラフルオロエチレンETFE、ポリフッ化ビニルPVF、ポリエチレンクロロトリフルオロエチレンECTFE、ポリフッ化ビニリデンPVDF、ポリクロロトリフルオロエチレンPCTFE、Kalrez登録商標またはTecnoflon登録商標のようなパーフルオロエラストマーFFKM、Viton登録商標のようなフルオロエラストマー、パーフルオロポリエーテルPFPEおよびテトラフルオロエチレンの重合体、ヘキサフルオロプロピレン、ならびにフッ化ビニリデンTHVが挙げられる。フッ素化重合体は以下に挙げる数多くの利点を有するので、誘電性材料、特に有機薄膜トランジスタOTFTの分野において、魅力的な選択である。i優れたスピンコーティング特性、たとえば、a多種多様な表面での濡れ;およびb製膜性、多層塗布を行うことも可能。ii化学的に不活性。iii準全溶剤直交性:結果として、誘電体をスピンコーティングするために使用される溶剤によって解消されるOSCのリスクは最小である。iv高い疎水性:フッ素化重合体誘電体において水揚げが低く、イオン性汚染物質の移動が低くなる低ヒステリシスため、これは有利になり得る。ゲート電極の析出最後に、シャドーマスクを介して5nmクロム、続いて200nmアルミニウムを熱蒸着させることによってゲート電極を析出させ、図4の概略図で示す目的の有機薄膜トランジスタを得る。図4中、13および14はソース電極およびドレイン電極であり、15は電極SAMであり、16はチャネルSAMであり、17は半導体ブレンド層であり、18は誘電体層であり、19はゲート電極である。デバイスの特徴付け先に記載したように製造されたデバイスを、周辺状態デバイス封止は使用しなかったで、HewlettPackard4156C半導体パラメータ分析器を使用して、出力および伝達デバイス特性を測定することによって、測定した。デバイス移動度は、飽和領域における伝達データから計算した。以下で検討する図6および7の表題で示されている飽和移動度は、ドレイン電極にソース電極に関して-40Vのバイアス電圧が印加されている飽和領域の移動度を示す。この領域では、より高いドレインバイアスにより、より高いドレイン電流が起こらないように、ドレイン電流は、ドレインバイアスに関して飽和されていると言う。さらに、移動度は、どれくらい多くの電流がデバイスから送達されるかを測るもので、必ずしも半導体材料それ自身の固有の移動度多くの場合これは正しいがを言うものではない。たとえば、チャネル領域内に同じ移動度の材料を持つデバイスは、他のデバイスと比べてより高い接触抵抗を示し、したがって、より低いデバイス移動度を示すだろう。実施例1この第一の実施例では、データをアニソールから析出された半導体層を用い前記製造例に記載されるようにして得られたデバイスから得、これらを、他の溶剤、すなわち、o-キシレン、テトラリン、ジメチルアニソールおよびメシチレンからキャストしたフィルムを持つデバイスの参考実施例で得られたデータと比較した。得られたデバイスの飽和移動度を、測定し、図5に示す。図5から、5~100μmデバイスの移動度範囲を測定した。これらを以下の表1に示す。移動度の範囲は、テストセル5~100μmで使用されたチャネル長さの範囲に起因する。最も短いチャネル長さを持つデバイスは、より低い移動度を示すことがわかり接触抵抗は、全チャネル抵抗と比較してより優性な成分である、逆の場合も同じであった。アニソールの選択により、非常に明らかに、デバイス性能における向上が示され、全てのデバイスは、0.1cm2/Vsを超える移動度を示す。チャネル長さに対する移動依存度を明示するために、図6では、アニソールおよびキシレンキャスト半導体フィルムの平均飽和移動度を表示する。データは、8個のチャネル長さ当たりの薄膜トランジスタに基づく。これらのデバイスの接触抵抗は、チャネル長さが5~100μmの一連のデバイスに関し、低ドレインバイアス電圧0V~-6Vの線状領域内で、出力特性から全チャネル抵抗を外挿することによって計算した。アニソールキャストデバイスにおいて接触抵抗の実質的な低減があり、この溶液からの短いチャネル長さのデバイスの移動度は、o-キシレンキャストフィルムと比較して、5umおよび10umのチャネル長さのデバイスで、それぞれ、3.6倍および4.9倍向上されていたことがわかった。実施例2接触抵抗の低減は、キシレンまたは他の従来の溶剤の代わりに、有機半導体溶剤として、アニソールのような本発明の溶剤を使用する場合、デバイス性能の向上を実現する理由の一部でしかない。絶対接触抵抗の低下に加え、全チャネル抵抗に対する接触抵抗の比率も、アニソールのような本発明の溶剤を使用するデバイスでは低下することもわかった。以下の表2では、キシレンまたはアニソールから析出させた有機半導体層を持つ一連のデバイスの接触抵抗およびチャネル抵抗の平均値を表示する。デバイスは、それぞれ、試験溶剤中の溶液から質量比70:30のSM:TFB有機ブレンドを析出することにより製造した。値は、ゲートバイアス電圧-40Vに関して計算し、チャネル幅デバイスのチャネル幅は全て2mmに標準化した。以下の表2に示す全チャネル抵抗は、デバイスにおける接触抵抗およびチャネル抵抗の合計として定義する。チャネル領域低抵抗は高移動度材料を暗示するにおいて、接触抵抗は、金属半導体境界面と関連し、およびチャネル抵抗は、半導体材料自身の固有の移動度と関連する。アニソールからキャストされた有機半導体フィルムを持つデバイスは、キシレンからキャストされたフィルムを持つデバイスで得られた値のちょうど12の接触抵抗を示した。さらに、アニソールからキャストされたフィルムも、キシレンからキャストされたフィルムを持つデバイスから得られた値に比べて向上した低いチャネル抵抗を示す。キシレンからキャストされたフィルムの平均チャネル抵抗全チャネル抵抗-接触抵抗は26.4kΩcm、およびアニソールからのデバイスは9.5kΩcmであり、半導体フィルム溶剤としてアニソールを使用した場合も、チャネル領域における材料の移動度は向上することが示された。他の観点から、アニソール系半導体インクからのデバイス性能の向上は、デバイスにおける全チャネル抵抗に対する接触の比率によって表すことができる。アニソールから調製されたデバイスは、デバイスチャネルでの全抵抗に対するこの接触抵抗の比率が44であり、キシレンインク系のデバイスでの値70より低いことを示す。実施例3この実施例では、さらなる溶剤を試験し、接触抵抗の低減において優れた特性を有することもわかった。デバイスは、有機半導体層として、溶剤2-メチルアニソールおよび4-メチルアニソール中の重合体成分TFBおよび小分子成分SMの30:70混合物の溶液を使用して、製造例のように調製した。また、比較デバイスは、アニソール本発明による他のものおよびo-キシレンを溶剤として使用して、実施例1のように調製した。デバイスの平均飽和移動度を測定し、これを、図7に、各デバイスの平均接触抵抗とともに示す。結果は、有機半導体ブレンドの析出において、溶剤として2-メチルアニソールおよび4-メチルアニソールを使用して調製されたデバイスは、o-キシレン中で製造されたインクから得られた値より、有意に低い接触抵抗値および高い平均飽和領域移動度を有することを、明らかに示している。これらアニソール誘導体のより低い接触抵抗のため、短いチャネル長さのデバイスL<20μmの移動度の増加を実現することができる。以下の表3の移動度データは、チャネル長さが5μmおよび10μmのデバイスの平均移動度を表示する。これらの図から、有機半導体層が本発明の溶剤の1つから析出する短いチャネル長さのデバイスにおける平均移動度は、キシレンのような代わりの溶剤で達成される平均移動度より有意に大きいことは明らかである。要約すれば、本発明の溶剤からキャストされた半導体フィルムを持つデバイスの移動度性能向上は、以下に起因するものである。1.より低い絶対接触抵抗2.より低い絶対チャネル抵抗3.より低い全チャネル抵抗に対する接触抵抗の比率半導体フィルム2のより高い固有移動度およびデバイス1および3チャネル領域に印加されるより大きなバイアス電圧の両方を引き起こす。このような組み合わせにより、短いチャネル長さのデバイスは、より高いデバイス移動度を得る結果となる。"