"絶縁透光性基板上に透明導電性材料からなる第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、太陽電池セルごとに前記第1電極層を分離する第1の溝を形成する第1の溝形成工程と、前記第1の溝を形成した前記第1電極層上に、第1のバンドギャップを有する半導体層からなる第1光電変換層と、第2のバンドギャップを有する半導体層からなり、2μm以上の厚さの第2光電変換層と、を含む光電変換層を形成する光電変換層形成工程と、前記第1電極層を露出させるように前記光電変換層を分離する第2の溝を形成する第2の溝形成工程と、前記第2の溝が形成された前記光電変換層上をコンフォーマルに被覆するように導電性材料からなる第2電極層を形成する第2電極層形成工程と、隣接する前記太陽電池セル間の前記第2電極層と前記光電変換層とを分離する第3の溝を形成する第3の溝形成工程と、を含み、前記第3の溝形成工程では、前記第3の溝の底幅が30μm以上40μm以下であり、前記第2電極層側に向かって幅が大きくなるように側壁がテーパ形状を有するように前記光電変換層と前記第2電極層とを加工することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。前記第3の溝形成工程では、前記第3の溝の底幅が30μm以上40μm以下となるように調整したビーム幅のレーザ光を前記光電変換層に照射して加工することを特徴とする請求項1に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記光電変換層形成工程では、前記第2光電変換層として微結晶シリコン膜を形成することを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜太陽電池の製造方法。絶縁透光性基板上に、透明導電性材料によって形成される第1電極層と、第1のバンドギャップを有する半導体層からなる第1光電変換層、および第2のバンドギャップを有する2μm以上の厚さの半導体層からなる第2光電変換層を基板面に垂直な方向に含む光電変換層と、前記光電変換層側からの光を反射する導電性材料によって形成される第2電極層と、を含む太陽電池セルが複数配列して形成されたセルストリングが、前記絶縁透光性基板上に複数配置される薄膜太陽電池の製造方法において、隣接する前記セルストリング間に位置する前記第1電極層を分離する第1電極層分離工程と、底幅が30μm以上40μm以下であり、前記第2電極層側に向かって幅が大きくなるテーパ形状の側壁を有するように、前記隣接するセルストリング間の前記光電変換層と前記第2電極層とを分離するスクライブ溝を形成するスクライブ溝形成工程と、を含むことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。前記スクライブ溝形成工程では、前記スクライブ溝の底幅が30μm以上40μm以下となるように調整したビーム幅のレーザ光を前記光電変換層に照射して加工することを特徴とする請求項4に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記第1電極層分離工程では、前記隣接するセルストリング間の前記第2電極層から前記第1電極層までを一括して分離する溝を形成し、前記スクライブ溝形成工程では、前記溝の底部と重ならない位置に前記スクライブ溝を形成することを特徴とする請求項4または5に記載の薄膜太陽電池の製造方法。前記レーザ光は、ビーム径が30μm以上40μm以下で、ビーム強度分布が平坦なピークを有することを特徴とする請求項2または5に記載の薄膜太陽電池の製造方法。絶縁透光性基板上に、透明導電性材料によって形成される第1電極層と、第1のバンドギャップを有する半導体層からなる第1光電変換層、および第2のバンドギャップを有する半導体層からなる第2光電変換層を基板面に垂直な方向に複数含む光電変換層と、前記光電変換層側からの光を反射する導電性材料によって形成される第2電極層と、を含む太陽電池セルが複数配列して形成され、前記太陽電池セルと隣接する太陽電池セルとの間で前記第2電極層と前記光電変換層とを分離する分離溝を有する薄膜太陽電池において、前記第2光電変換層は、2μm以上の厚さを有し、前記分離溝は、40μm以下の幅の底部を有し、前記分離溝の側壁は、上部に行くほど開口径が大きくなるように一部が傾斜していることを特徴とする薄膜太陽電池。絶縁透光性基板上に、透明導電性材料によって形成される第1電極層と、第1のバンドギャップを有する半導体層からなる第1光電変換層、および第2のバンドギャップを有する半導体層からなる第2光電変換層を基板面に垂直な方向に複数含む光電変換層と、前記光電変換層側からの光を反射する導電性材料によって形成される第2電極層と、を含む太陽電池セルが複数配列して形成されたセルストリングが、前記絶縁透光性基板上に複数配置され、隣接する前記セルストリング間が前記第2電極層から前記第1電極層まで至る分離溝によって分離される薄膜太陽電池において、前記第2光電変換層は、2μm以上の厚さを有し、前記分離溝の側壁は、底部から上部に行くほど開口径が大きくなるように一部が傾斜していることを特徴とする薄膜太陽電池。前記分離溝での前記第1電極層の端部と前記第2電極層の下部との間の前記側壁に沿った距離は、前記光電変換層の膜厚の3倍以上であることを特徴とする請求項8または9に記載の薄膜太陽電池。前記分離溝での前記第1電極層の端部と前記第2電極層の下部との間の基板面に平行な方向の距離は、10μm以上あることを特徴とする請求項8または9に記載の薄膜太陽電池。上記従来技術の溝の形成にはレーザ光を照射し、照射部の膜を加熱により離脱させるレーザスクライブ法が用いられている。レーザスクライブ法では透明基板側からレーザ光を照射して、光電変換層を熱で爆発させ、光電変換層とその上部にある裏面電極層を一度に飛ばすため、溝の側壁は通常概略垂直に形成される。そのため、溝の側壁に露出した裏面電極層と底面に露出した表面電極層の間は、光電変換層の膜厚である2~3μmの間隔しかない。そのため、溝の側壁に露出した光電変換層に導電性の異物等が付着して、裏面電極層と表面電極層との間が短絡しやすい。たとえば、レーザスクライブ法によって除去される導電性膜は数μm程度のものもあり、これが異物として溝の側壁に付着する場合がある。そして、短絡が発生すると、そのセルは起電力を生じなくなるためモジュールの変換効率を低下させてしまい、モジュールの性能が損なわれてしまうという問題点があった。この発明は、上記に鑑みてなされたもので、複数のセルが直列接続される薄膜太陽電池で、溝内での短絡を防止できる薄膜太陽電池とその製造方法を得ることを目的とする。上記目的を達成するため、この発明にかかる薄膜太陽電池の製造方法は、絶縁透光性基板上に透明導電性材料からなる第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、太陽電池セルごとに前記第1電極層を分離する第1の溝を形成する第1の溝形成工程と、前記第1の溝を形成した前記第1電極層上に、第1のバンドギャップを有する半導体層からなる第1光電変換層と、第2のバンドギャップを有する半導体層からなり、2μm以上の厚さの第2光電変換層と、を含む光電変換層を形成する光電変換層形成工程と、前記第1電極層を露出させるように前記光電変換層を分離する第2の溝を形成する第2の溝形成工程と、前記第2の溝が形成された前記光電変換層上をコンフォーマルに被覆するように導電性材料からなる第2電極層を形成する第2電極層形成工程と、隣接する前記太陽電池セル間の前記第2電極層と前記光電変換層とを分離する第3の溝を形成する第3の溝形成工程と、を含み、前記第3の溝形成工程では、前記第3の溝の底幅が30μm以上40μm以下であり、前記第2電極層側に向かって幅が大きくなるように側壁がテーパ形状を有するように前記光電変換層と前記第2電極層とを加工することを特徴とする。この発明によれば、光電変換層と裏面電極層を除去した溝の側壁に傾斜をつけて、溝内の裏面電極層と露出した表面電極層との間の距離を増大させるようにしたので、導電性異物の付着になどによる裏面電極層と表面電極層との間の短絡の発生を防止し、歩留まりよく薄膜太陽電池を製造することができるという効果を有する。以下に添付図面を参照して、この発明の実施の形態にかかる薄膜太陽電池とその製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。また、以下の実施の形態で用いられる薄膜太陽電池の断面図は模式的なものであり、層の厚みと幅との関係や各層の厚みの比率などは現実のものとは異なる場合がある。実施の形態1.図1は、実施の形態1による薄膜太陽電池の構造の一例を模式的に示す一部断面図である。薄膜太陽電池は、高光透過率のガラス基板やポリイミドなどの透光性の有機フィルム材料などの絶縁透光性基板10上に短冊状の太陽電池セルCECE1,CE2,CE3,が複数配置された構造を有している。この例では、3個の太陽電池セルCE1~CE3が所定の方向図中では、左右方向に直列に接続された場合が示されている。太陽電池セルCEは、絶縁透光性基板10上に、表面電極層11、光電変換層12および裏面電極層13が順に積層された構造を有する。表面電極層11は、SnO2やZnO等の透明導電性材料膜で構成される。光電変換層12は、バンドギャップの異なるpin構造を有する半導体層が複数積層されるタンデム型構造を有する。ここでは、表面電極層11上に、非晶質シリコン膜、または非晶質のシリコン-ゲルマニウム合金層のpin接合からなる第1光電変換層121と、微結晶シリコン膜のpin接合からなる第2光電変換層122と、が順に積層された構造を有する。裏面電極層13は、導電率が高くかつ反射率の高い材料が望ましい。たとえば、Ag,Al等の金属膜と透明導電性材料膜との積層膜によって構成される。なお、ここでは、光電変換層12が、バンドギャップの異なる2層の光電変換層121,122によって構成される例が示されているが、バンドギャップの異なる3層以上の光電変換層によって構成されていてもよく、またバンドギャップの異なる光電変換層間に導電性のSiO2膜などからなる中間層を備える構成であってもよい。太陽電池セルCEは、3つの溝31~33によって隣接する太陽電池セルCEと分離されている。第1の溝31は、隣接する太陽電池セルCE間で表面電極層11を分離する溝であり、第2の溝32は、裏面電極層13と隣接する太陽電池セルCEの表面電極層11とを接続するために光電変換層12に設けられる溝であり、第3の溝33は、隣接する太陽電池セルCE間で裏面電極層13と光電変換層12とを分離する溝である。ここでは、第3の溝33で区切られる領域を1つの太陽電池セルCEとし、図中の右側から第1太陽電池セルCE1、第2太陽電池セルCE2、第3太陽電池セルCE3とする。第1太陽電池セルCE1の表面電極層11は、第2太陽電池セルCE2の領域まで延在して設けられ、第2太陽電池セルCE2の領域の第1の溝31によって第2太陽電池セルCE2の表面電極層11と分離されている。また、第2太陽電池セルCE2の領域中の第1太陽電池セルCE1の表面電極層11が形成されている領域内に、第1太陽電池セルCE1の表面電極層11を露出させるための第2の溝32が設けられ、第2の溝32の側面および底面をコンフォーマルに被覆するように第2太陽電池セルCE2の裏面電極層13が形成されている。このような構造によって、第1太陽電池セルCE1と第2太陽電池セルCE2とが直列に接続される。そして、第1太陽電池セルCE1と第2太陽電池セルCE2の間で裏面電極層13と光電変換層12を分離する第3の溝33が、第2の溝32よりも第1太陽電池セルCE1側に設けられる。なお、第2太陽電池セルCE2と第3太陽電池セルCE3との間や、図示しないその他の隣接する太陽電池セルCE間も同様の構造を有している。これによって、複数の太陽電池セルCEが直列に接続され、太陽電池モジュールが構成される。実施の形態1では、第3の溝33の底幅aは、30μm以上40μm以下であり、溝幅が上に向かって拡がるように側壁が傾斜している。すなわち、第3の溝33の側壁はテーパ形状を有している。ここで、第3の溝33の光電変換層12下部と表面電極層11との境界から、裏面電極層13の下部までの側壁に沿った距離が、光電変換層12の厚さの3倍以上となるように、第3の溝33の側壁が傾斜していることが望ましい。より具体的には、第2光電変換層122によって構成される側壁と基板表面との間の角度が90°よりも小さい角度であることが望ましい。なお、第1光電変換層121によって構成される側壁と基板表面との間の角度は90°であってもよい。また、このような側壁が傾斜した構造とするには、第2光電変換層122の膜厚は2μm以上であることが望ましい。後述するように、第3の溝33の底幅aが40μmよりも大きくすると、第3の溝33の側壁上における表面電極層11と裏面電極層13との間の距離が、光電変換層12の厚さの3倍以上とならず望ましくない。また、光電変化層12が非晶質シリコンと微結晶シリコンの2層からなる膜の場合で、第3の溝33の底幅aが30μmよりも小さい場合には、第3の溝33を加工するのに必要なパワーが著しく上がり、表面電極層11への熱影響が顕著となり、好ましくない。さらに、第2光電変換層122の膜厚が2μmよりも小さい場合にも、第3の溝33の側壁上における表面電極層11と裏面電極層13との間の距離が、光電変換層12の厚さの3倍以上とならず望ましくない。また、第2光電変換層122の膜厚の上限は特に限定されないが、発電特性や経済性などから決定される。なお、第1の溝31と第2の溝32の側壁としては、基板面に対して垂直であっても、垂直でない角度であってもよい。たとえば、第1光電変換層121の膜厚は0.3~0.5μmであり、第2光電変換層122の膜厚は2μmである場合、第1光電変換層121と第2光電変換層122とを合わせた光電変換層12全体の厚さは2~3μmである。一方、表面電極層11の露出部の端部から裏面電極層13の端部の後退量を10~20μmとすると、表面電極層11の露出部の端部から裏面電極層13の端部までの第3の溝33を構成する側壁の長さは10~20μmとなる。このように、第3の溝33の溝幅が裏面電極層13側で拡がることによって、表面電極層11の端部と裏面電極層13の端部の間の距離は、第3の溝33の側壁が基板面に対して90°となる場合の距離=光電変換層12の膜厚の3倍以上に拡大し、表面電極層11と裏面電極層13間が短絡してしまう確率を減少させる。なお、後退量は、図1の第3の溝33において、底面で露出した表面電極層11の端部の位置と、裏面電極層13の側壁上の位置と、の間の基板面に平行な方向の距離bである。ここで、このような構造の薄膜太陽電池における動作の概要について説明する。絶縁透光性基板10の裏面太陽電池セルCEが形成されていない方の面から太陽光が入射すると、光電変換層12のi型半導体層で自由キャリアが生成される。生成された自由キャリアは、光電変換層12のp型半導体層とn型半導体層によって形成される内蔵電界によって輸送され、電流が発生する。各太陽電池セルCEで発生した電流は、第2の溝32内の表面電極層11と裏面電極層13の接続部を通って、隣接する太陽電池セルCEへと流れ込み、薄膜太陽電池モジュール全体の発電電流を生成する。つぎに、上記した構造を有する薄膜太陽電池の製造方法について説明する。図2-1~図2-2は、実施の形態1による薄膜太陽電池の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。これらの図では、薄膜太陽電池の太陽電池セルCEの第3の溝33を含む一部の範囲のみを示している。まず、図2-1aに示されるように、絶縁透光性基板10上に透明導電性材料からなる表面電極層11をスパッタ法などの方法によって形成する。ついで、図2-1bに示されるように、レーザスクライブ法や金属針を用いた機械的スクライブ法によって表面電極層11上の所定の位置に第1の溝31を形成して表面電極層11を分離する。さらに、図2-1cに示されるように、表面電極層11を形成した絶縁透光性基板10上に、光電変換層12を形成する。ここでは、非晶質シリコンからなるp型半導体層、i型半導体層およびn型半導体層が順に形成された第1光電変換層121と、非晶質シリコンよりもバンドギャップの小さな微結晶シリコンからなるp型半導体層、i型半導体層およびn型半導体層が順に形成された第2光電変換層122と、が順に積層された光電変換層12をCVDChemicalVaporDeposition法などの方法によって形成する。ここで、第1光電変換層121の厚さはたとえば0.3μmとし、第2光電変換層122の厚さはたとえば2μmとすることができる。その後、図2-1dに示されるように、レーザスクライブ法によって光電変換層12の所定の位置に第2の溝32を形成して、下層の表面電極層11を露出させる。ついで、図2-2aに示されるように、第2の溝32を形成した光電変換層12上に裏面電極層13を形成する。裏面電極層13は、第2の溝32内をコンフォーマルに被覆するように段差被覆性のよいCVD法などの製膜法によって形成することが望ましい。その後、レーザスクライブ法によって、光電変換層12と裏面電極層13の所定の位置に、第2光電変換層122の側壁が基板面に対して90°よりも小さい角度となるような第3の溝33を形成する。まず、図2-2bに示されるように、絶縁透光性基板10の裏面側からレーザ光Lを照射し、絶縁透光性基板10と表面電極層11を透過させてレーザ光を光電変換層12に集光させる。このときのレーザ光Lは表面電極層11を透過し、光電変換層12に吸収される波長であればよく、たとえば、YAGYttriumAluminumGarnetレーザやYVO4レーザの第2高調波である532nmのパルスレーザを用いることができる。レーザ光Lが照射された光電変換層12は加熱されるが、この波長のレーザ光Lはその殆どが第1光電変換層121で吸収される。この加熱による温度上昇によって、レーザ光Lが吸収された第1光電変換層121の領域R1、および熱伝導により加熱された近傍の第2光電変換層122の領域R2がH2ガスを急激に放出し爆発する。このとき、図2-2cに示されるように、上部の残りの第2光電変換層122と裏面電極層13が一緒に吹き飛び、第1光電変換層121、第2光電変換層122および裏面電極層13が除去された剥離部分が形成される。そして、10~100kHzの繰り返し周波数のパルスレーザを照射しながら、レーザ光Lを絶縁透光性基板10に対して紙面に垂直方向に800~2000mm/sの速度で移動させることによって、剥離部分が直線状に連なった第3の溝33が形成される。図2-2cに示されるように、レーザ光Lが吸収された領域R1,R2の第1光電変換層121と第2光電変換層122の一部の側壁は基板面に対して略垂直に立った状態となっているが、それよりも上の第2光電変換層122の側壁は、基板面に対して90°よりも小さい角度になっている。上述したメカニズムから、第3の溝33の底部の幅aは、第1光電変換層121が加熱される領域R1の幅cで決定される。ここでは、ビームプロファイルビーム強度のプロファイルが、トップハット分布とよばれる平坦なピークを持つ分布のレーザ光Lを用いている。トップハット分布では、ビームプロファイルの頂部が加熱されるので、スクライブ溝の底幅はほぼレーザ光Lのパルスエネルギに余り依存せずビームの頂部幅に等しくなる。ところで、ビーム径20~80μmの円形のトップハット分布のレーザ光Lを用いたレーザスクライブ法で、膜厚1~4μmの第2光電変換層122を有するタンデム型薄膜太陽電池にスクライブ溝第3の溝33の形成を行なったところ、スクライブ溝の断面形状としては、側壁が基板面に対して略垂直になる場合と、図2-2cに示されるように側壁に傾斜ができる場合があることを発見した。そして、この側壁の傾斜の発生は第2光電変換層122の膜厚と第3の溝33の底幅aに依存することを見出した。側壁の傾斜は、たとえば図2-2bのレーザ光Lの照射によって加熱された領域R1,R2以下、加熱領域というから上の部分で、第2光電変換層122に斜めに亀裂51が進行するために発生する。傾斜ができる原因としては、レーザ光Lを用いた加熱等による横方向の圧縮応力によるものと考えられる。具体的には、加熱領域R1,R2の面積が大きいと爆発によって上部に向かう力が大きくなり、亀裂51の拡大は阻止されて側壁の斜面は短く、すなわち側壁が基板面に対して垂直になる傾向がある。また、第2光電変換層122が厚くなると亀裂51の進行長さも長くなるので斜面は長く、すなわち側壁が傾斜面になる傾向がある。図3は、側壁の傾斜による露出した表面電極層の端部に対する裏面電極層の後退量と底幅と第2光電変換層の膜厚との間の関係を示す図である。この図において、横軸は、第3の溝33の底幅aμmを表し、縦軸は、露出した表面電極層11の端部に対する側壁の傾斜による裏面電極層13の後退量bμmを表している。第2光電変換層122の膜厚が1μmの場合は、底幅の大きさに依らず後退量は略一定であり、第2光電変換層122の膜厚が2μmの場合は、底幅が約40μmまでは後退量は約12μmと略一定であるが、底幅が40μmよりも大きくなると後退量が減少する。また、第2光電変換層122の膜厚が3μmの場合は、底幅が約40μmまでは後退量は約19μmと略一定であるが、底幅が40μmよりも大きくなると後退量が減少する。さらに、第2光電変換層122の膜厚が4μmの場合は、底幅が約60μmまでは後退量は約23μmと略一定であるが、底幅が60μmよりも大きくなると後退量が減少する。このように、後退量は第2光電変換層122の膜厚が1μmでは殆ど底幅に依らないが、膜厚が2~4μmでは第2光電変換層122の膜厚とともに大きくなる。また、底幅が小さい程、後退量は増加する。しかし、底幅が40μm以下では後退量は明確に増加の傾向がない。従って、裏面電極層13の後退量を発生させるためには、第2光電変換層122の膜厚を2μm以上とすることが望ましく、後退量を最大とするには底幅を40μm以下にすることが望ましい。ただし、光電変化層12が非晶質シリコンと微結晶シリコンの2層からなる膜の場合で、第3の溝33の底幅aが30μmよりも小さい場合には、第3の溝33を加工するのに必要なパワーが著しく上がり、表面電極層11への熱影響が顕著となり、好ましくない。そのため、底幅としては、30μm以上40μm以下であることが望ましい。このように、レーザ光Lのビーム幅を30μm以上40μm以下とし、第2光電変換層122の膜厚を決めると後退量が決まる。たとえば第2光電変換層122の膜厚が2μmである場合には、後退量は12μmであり、第3の溝33の側壁に沿った表面電極層11と裏面電極層13との間の距離は12μmよりも大きな値となる。第2光電変換層122の膜厚が3μm、4μmの場合には、第3の溝33の側壁に沿った表面電極層11と裏面電極層13との間の距離は、それぞれ19μm、23μmよりも大きな値となる。つまり、レーザ光Lのビーム幅を40μm以下とし、第2光電変換層122の膜厚を決めると、第3の溝33における表面電極層11と裏面電極層13との間の距離は、第2光電変換層122の膜厚の3倍よりも大きな値となる。その結果、第2光電変換層122が異物として第3の溝33の側壁に付着したとしても、それのみで表面電極層11と裏面電極層13との間が導通してしまうことを防ぐことができる。上述した様に、ビームプロファイルがトップハット形状ではビーム幅とスクライブ溝の底幅は等しくなる。そのため、トップハット形状のビーム強度分布を有するレーザ光Lを用いる場合であれば、ビーム幅を30μm以上40μm以下にすることで同じ結果を得ることができる。なお、ビームの強度分布が中央部が高い山型のガウス分布のレーザ光を用いる場合には、図2-2bの加熱領域R1,R2の幅cは、パルスエネルギが高い程大きくなるので、スクライブ溝の底幅aはパルスエネルギにも依存することになる。しかし、ガウス分布のレーザ光においてもスクライブ溝の底幅aと後退量bと第2光電変換層122の膜厚との間の関係は、トップハット分布と同様の関係が得られる。また、ビームの形状に関しても、円形のビームだけでなく、楕円形、長方形などの形状でも同様の結果が得られる。以上のようにして、第2光電変換層122の側壁が90°よりも小さい角度に傾いた第3の溝33を有する薄膜太陽電池が形成される。実施の形態1では、絶縁透光性基板10上に表面電極層11、厚さ2μm以上の光電変換層12および裏面電極層13を形成した後、絶縁透光性基板10と表面電極層11とを透過し、光電変換層12に吸収される波長のレーザ光を照射して、底幅が30~40μm以下で、表面電極層11の端部よりも裏面電極層13の端部が10μm以上後退した傾斜した側壁を有する第3の溝33を形成した。これによって、第3の溝33の側壁面上における表面電極層11と裏面電極層13との間の距離を、光電変換層12の膜厚に比して3倍以上にすることができ、レーザスクライブ時に発生する導電性の異物が側壁に付着しても、表面電極層11と裏面電極層13との間の短絡の発生を防止することができる。その結果、歩留まりよく集積型の薄膜太陽電池を製造することができるという効果を有する。実施の形態2.図4は、実施の形態2による薄膜太陽電池の構造の一例を模式的に示す一部断面図である。実施の形態2では、薄膜太陽電池は、所定の数の太陽電池セルCEが直列に接続されたセルストリングCSCS1,CS2,が1枚の絶縁透光性基板10上に複数設けられる構造を有している。セルストリングCSの構造は、実施の形態1の図1で示した構造と同様である。隣接するセルストリングCS間は第4の溝34で区切られている。ここでは、第4の溝34は第3の溝33と平行だが、第3の溝33と交差する方向であってもよい。また、ここでは、図中の右側から第1セルストリングCS1、第2セルストリングCS2とする。第4の溝34は、隣接するセルストリングCS間の表面電極層11、光電変換層12および裏面電極層13を分離するように設けられている。具体的には、第4の溝34の中央付近で表面電極層11が分離されており、側壁は第3の溝33の場合と同様に、90°よりも小さい角度で傾斜しており、表面電極層11の端部と裏面電極層13との間の側壁に沿った距離が第2光電変換層122の3倍以上となっている。また、複数のセルストリングCSがたとえば並列に接続され、1つの太陽電池モジュールを構成している。なお、実施の形態1と同一の構成要素には同一の符号を付してその説明を省略している。図5-1~図5-3は、実施の形態2による薄膜太陽電池の製造方法の手順の一例を模式的に示す断面図である。なお、太陽電池セルCEが直列に接続されたセルストリングCSの製造手順は実施の形態1と同様であるので、ここでは、セルストリングCS間を第4の溝34で分離する方法について説明する。実施の形態1で説明したように太陽電池セルCEを形成した後、図5-1aに示されるように、表面電極層11、光電変換層12および裏面電極層13からなる積層体の所定の位置R3にレーザ光Lを照射し、図5-1bに示されるように、レーザ光Lを照射した位置における表面電極層11から裏面電極層13までの全層を除去し、スクライブ溝34Aを形成する。このとき、実施の形態1の第3の溝33の形成の際と同様に、表面電極層11を透過する波長532nmのレーザ光を用いる場合でも、パルスエネルギを上げて第1光電変換層121の温度を十分に上げれば、その熱伝導によって表面電極層11も熱で飛ばすことが可能である。また、YAGレーザまたはYVO4レーザの基本波の波長1064nmなどの赤外レーザを用いれば表面電極層11が直接加熱され、表面電極層11から離脱させることができる。さらに、全層の除去によって、蒸発した表面電極層11がスクライブ溝34Aの側面に再付着して再付着層52を形成する。この再付着層52によって、裏面電極層13と表面電極層11とが短絡することがある。このため、引き続いてスクライブ溝34Aの側面をさらに除去する処理を行う。そこで、実施の形態1で説明した底幅を30μm以上40μm以下とするレーザスクライブ条件でスクライブ溝34Aの両側に側壁がテーパ形状のスクライブ溝を形成する。具体的には、図5-2aに示されるように、絶縁透光性基板10と表面電極層11とを透過し、光電変換層12で吸収される波長を有し、30μm以上40μm以下の幅たとえば40μm幅のレーザ光たとえば波長532nmのパルスレーザLを、スクライブ溝34Aの側壁から所定の距離だけ離れた位置に照射する。これによって、レーザ光Lのほとんどが第1光電変換層121で吸収され、レーザ光が吸収された領域R1と、熱伝導により加熱された領域R2が形成される。そして、図5-2bに示されるように、領域R1,R2がH2ガスを急激に放出して爆発し、スクライブ溝34Aの両側に側壁がテーパ形状のスクライブ溝34Bが形成される。これによって、スクライブ溝34Aとスクライブ溝34Bとの間には光電変換層12rが残される。このとき、図5-2bに示すように、スクライブ溝34Bの底面がスクライブ溝34Aの底面と重ならない距離だけ、スクライブ溝34Aの側壁から離して加工する。これは、スクライブ溝34Bの側壁に傾斜をつけるためである。より具体的には、スクライブ溝34Bの底面がスクライブ溝34Aの底面と部分的に重なると、剥離する第2光電変換層122に横方向の自由度があるため圧縮応力がかからなくなり、スクライブ溝34Bの側壁は垂直に形成されてしまうことが判明しているからである。このようにして、セルストリングCS1の形成領域とセルストリングCS2の形成領域の間では、表面電極層11、裏面電極層13が分断される。また、テーパ形状のスクライブ溝34Bの側壁における表面電極層11に対する裏面電極層13の後退量bは、実施の形態1と同様に10~20μm以上となり、それぞれのセルストリングCSの形成領域で表面電極層11と裏面電極層13との間の短絡の発生を防止することができる。その後、再度レーザスクライブ法によって、スクライブ溝34Aとスクライブ溝34B間に残った光電変換層12rを除去する。具体的には、図5-3aに示されるように、スクライブ溝34A,34B内に残った光電変換層12rにレーザ光Lを照射し、図5-3bに示されるように、光電変換層12rを除去する。これによって、セルストリングCS1-CS2間を分離する第4の溝34が形成される。また、この工程によって、第4の溝34内が平坦になり、後の樹脂で封止する工程において樹脂が密着し易くなる。以上によって、薄膜太陽電池の製造方法が終了する。上述した例では、最初に表面電極層11から裏面電極層13までの全層を1回のレーザ照射で除去したが、表面電極層11の溝と側壁の間隔を広くとることができ、飛散物の側壁への付着の影響がなければ、先に光電変換層12と裏面電極層13を除去する2本のスクライブ溝34Bを形成した後、そのスクライブ溝34B間の光電変換層12と裏面電極層13をレーザスクライブ法で除去してから、中央の表面電極層11を除去してもよい。また、表面電極層11のスクライブ溝34Aの形成は光電変換層12の形成前に行なってもよい。この実施の形態2では、セルストリングCS間の表面電極層11から裏面電極層13までを除去するスクライブ溝34Aと、スクライブ溝34Aの底面と重ならないようにスクライブ溝34Aの側壁から所定の距離離れた位置に、底幅を30μm以上40μm以下とするレーザスクライブ条件でレーザ光Lを照射して、テーパ形状の側壁を有するスクライブ溝34Bを形成し、セルストリングCS間を分離する第4の溝34を形成した。これによって、第4の溝34で露出したセルストリングCSの側面に沿った表面電極層11と裏面電極層13との間の距離を光電変換層12の膜厚の3倍以上とすることができ、レーザスクライブ時に生じる導電性の異物が第4の溝34の側面に付着しても、表面電極層11と裏面電極層13との間の短絡を生じにくくすることができるという効果を有する。"