点火信号に応じて点火コイルの一次コイルに流れる一次電流のオンオフを制御する絶縁ゲート型トランジスタと、前記一次電流の電流値を制御する電流制御回路と、少なくとも前記一次電流値が予め設定された定格電流値を超える過電流状態を含む異常状態を検知すると前記一次電流を遮断する自己遮断回路部と、を有する半導体装置であって、前記自己遮断回路部が前記異常状態を検知すると、前記定格電流を前記一次電流に等しい電流値になるように設定することを特徴とする電流制御機能および自己遮断機能を備えた半導体装置。前記半導体装置は、コンデンサの一端の電圧に前記定格電流を電圧に換算した基準電圧を生成する前記自己遮断回路部を有し、前記一次電流を電圧に換算したセンス電圧を検出して該センス電圧が前記基準電圧に等しくなるよう前記一次電流の制御行い、前記自己遮断回路部が前記異常状態を検知すると、前記センス電圧と前記コンデンサの一端を短絡させることを特徴とする請求項1に記載の電流制御機能および自己遮断機能を備えた半導体装置。前記センス電圧と前記コンデンサの一端を短絡させた後に、前記コンデンサを前記センス電圧から開放するとともに電流源により前記コンデンサを放電させることを特徴とする請求項2に記載の電流制御機能および自己遮断機能を備えた半導体装置。点火信号に応じて点火コイルの一次コイルに流れる一次電流のオンオフを制御する絶縁ゲート型トランジスタと、前記一次電流の電流値を制御する電流制御回路と、を有する半導体装置であって、前記電流制御回路は、前記一次電流を電圧に換算したセンス電圧を検出するセンス電圧検出部と、予め設定された定格電流を電圧に換算した基準電圧を生成する基準電圧回路部と、前記センス電圧と前記基準電圧の差電圧を検出し前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電圧を制御して前記一次電流が前記定格電流に等しくなるように制御するゲート電圧制御部と、少なくとも前記一次電流値が前記定格電流を超える過電流状態を含む異常状態を検知すると前記一次電流を遮断する自己遮断回路部と、前記自己遮断回路部が前記異常状態を検知すると短時間のパルス信号を生成するパルス発生回路と、前記パルス信号によりオンオフが制御されるスイッチ回路と、を備え、前記異常状態が発生すると、前記パルス信号により前記スイッチ回路が短時間だけ導通し、前記基準電圧を前記センス電圧に等しくなるように設定することを特徴とする電流制御機能および自己遮断機能を備えた半導体装置。前記スイッチ回路は、MOSFETで構成されることを特徴とする請求項4に記載の電流制御機能および自己遮断機能を備えた半導体装置。前記パルス発生回路は、前記自己遮断回路部が前記異常状態を検知したことを知らせる自己遮断信号を、抵抗とコンデンサで構成される積分回路とインバータの駆動電圧に供給し、前記積分回路の出力を前記インバータに入力することにより短時間のパルス信号を発生させることを特徴とする請求項4に記載の電流制御機能および自己遮断機能を備えた半導体装置。前記絶縁ゲート型トランジスタの代りに、MOSFETまたはバイポーラトランジスタを用いることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載の電流制御機能および自己遮断機能を備えた半導体装置。図2に示した点火用半導体装置において、通常の動作条件を電流制御の設定値Ilim=20A、電圧源10の駆動電圧Vb=14V、一次コイル8の抵抗と配線抵抗を合算した負荷抵抗RL=0.6Ωに設定していて、駆動電圧Vbが低い場合例えば12Vや負荷抵抗RLが大きい場合例えば0.7Ωの動作波形を、図9Bに示す。ECU1よりオン信号例えば5Vが入力されるとセンス電圧Vsnsは上昇するが、基準電圧Vrefまでは上昇せずに一定電圧値を保つt4。この場合Ic=Vb-Vc/RLとなるVcはコレクタ電圧。次に、自己遮断信号源15から自己遮断信号Vsdが出力されるとt5、自己遮断回路16により基準電圧Vrefが徐々に低下を開始し、Vref=Vsnsとなった直後t6にVGoutが急激に低下し、その後はVref=Vsnsを保持するようにVGoutも低下していく。タイマーにより自己遮断動作をする場合、自己遮断信号源15のタイマー回路で正確に自己遮断信号Vsdを出力しても、Icが低下し始めるまでには遅延時間t6-t5が発生してしまう。すなわち、見掛けのタイマー時間は、駆動電圧Vbや負荷抵抗RLなどの使用条件によって変化してしまうという問題がある。ここで、出力段IGBT4の拡散電位Vbi=0.6V、オン抵抗Ron=0.07Ω、緩減速度dI/dt=-1A/msecの条件での遅延時間の駆動電圧Vbの依存性を図8A、負荷抵抗RLの依存性を図8Bに示す。点火用半導体装置の汎用性を考えると広範囲な動作条件に対応できる必要があり、自己遮断動作時の遅延時間t6-t5も一定であることが望ましい。しかし、タイマー時間を10msecに設定した場合、動作条件によって遅延時間が2倍程度まで延びてしまう場合がある。また、自己発熱など動作温度により自己遮断する場合、自己遮断信号源15の温度検知回路で自己遮断信号Vsdを出力しても、Icが低下し始めるまでには遅延時間t6-t5が発生してしまう。この場合、Icが低下し始めるまで動作温度は上昇し続けるため、自己遮断信号Vsdが出力された場合は直ちにIcを低下する動作が望ましい。本発明は、上述した問題に鑑みてなされたものであり、その解決しようとする課題は、電流制御機能や自己遮断機能を備えた点火用半導体装置において、電流制御機能や自己遮断機能が動作した場合のIcの緩減対策とともに、駆動電圧Vbや負荷抵抗RLが変動しても一定の時間で自己遮断する点火用半導体装置を提供することである。上述した課題を解決するため、本発明の電流制御機能および自己遮断機能を備えた半導体装置は、パルス発生回路とスイッチ回路を備え、自己遮断信号Vsdの出力直後の短時間だけスイッチ回路を短絡させ、基準電圧Vref=センス電圧Vsnsとしてからスイッチ回路を開放する構成とする。すなわち、本発明の電流制御機能および自己遮断機能を備えた半導体装置は、点火信号に応じて点火コイルの一次コイルに流れる一次電流のオンオフを制御する絶縁ゲート型トランジスタと、前記一次電流の電流値を制御する電流制御回路と、少なくとも前記一次電流値が予め設定された定格電流値を超える過電流状態を含む異常状態を検知すると前記一次電流を遮断する自己遮断回路部と、を有する半導体装置であって、前記自己遮断回路部が前記異常状態を検知すると、前記定格電流を前記一次電流に等しい電流値になるように設定することを特徴とする。また、本発明の電流制御機能および自己遮断機能を備えた半導体装置は、前記半導体装置は、コンデンサの一端の電圧に前記定格電流を電圧に換算した基準電圧を生成する前記自己遮断回路部を有し、前記一次電流を電圧に換算したセンス電圧を検出して該センス電圧が前記基準電圧に等しくなるよう前記一次電流の制御行い、前記自己遮断回路部が前記異常状態を検知すると、前記センス電圧と前記コンデンサの一端を短絡させることを特徴とする。また、本発明の電流制御機能および自己遮断機能を備えた半導体装置は、前記センス電圧と前記コンデンサの一端を短絡させた後に、前記コンデンサを前記センス電圧から開放するとともに電流源により前記コンデンサを放電させることを特徴とする。また、本発明の電流制御機能および自己遮断機能を備えた半導体装置は、点火信号に応じて点火コイルの一次コイルに流れる一次電流のオンオフを制御する絶縁ゲート型トランジスタと、前記一次電流の電流値を制御する電流制御回路と、を有する半導体装置であって、前記電流制御回路は、前記一次電流を電圧に換算したセンス電圧を検出するセンス電圧検出部と、予め設定された定格電流を電圧に換算した基準電圧を生成する基準電圧回路部と、前記センス電圧と前記基準電圧の差電圧を検出し前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電圧を制御して前記一次電流が前記定格電流に等しくなるように制御するゲート電圧制御部と、少なくとも前記一次電流値が前記定格電流を超える過電流状態を含む異常状態を検知すると前記一次電流を遮断する自己遮断回路部と、前記自己遮断回路部が前記異常状態を検知すると短時間のパルス信号を生成するパルス発生回路と、前記パルス信号によりオンオフが制御されるスイッチ回路と、を備え、前記異常状態が発生すると、前記パルス信号により前記スイッチ回路が短時間だけ導通し、前記基準電圧を前記センス電圧に等しくなるように設定することを特徴とする。また、本発明の電流制御機能および自己遮断機能を備えた半導体装置は、前記スイッチ回路は、MOSFETで構成されることを特徴とする。また、本発明の電流制御機能および自己遮断機能を備えた半導体装置は、前記パルス発生回路は、前記自己遮断回路部が前記異常状態を検知したことを知らせる自己遮断信号を、抵抗とコンデンサで構成される積分回路とインバータの駆動電圧に供給し、前記積分回路の出力を前記インバータに入力することにより短時間のパルス信号を発生させることを特徴とする。また、本発明の電流制御機能および自己遮断機能を備えた半導体装置は、前記絶縁ゲート型トランジスタの代りに、MOSFETまたはバイポーラトランジスタを用いることを特徴とする。本発明に係る電流制御機能および自己遮断機能を備えた点火用半導体装置は、パルス発生回路とスイッチ回路を備え、自己遮断信号Vsdの出力直後に短時間スイッチ回路を短絡させ、基準電圧Vref=センス電圧Vsnsとしてからスイッチ回路を開放する構成としたことにより、駆動電圧Vbや負荷抵抗RLが変動しても一定の時間で自己遮断する点火用半導体装置を実現できる。また、電流制御機能や自己遮断機能の動作時の点火コイルの誤点火も防止できるという効果も奏する。以下、本発明の実施形態に係る電流制御機能および自己遮断機能を備えた半導体装置について、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施例である電流制御機能および自己遮断機能を備えた点火用半導体装置の構成例である。図2に示した従来の点火用半導体装置の構成例と同じ部位には同じ符号を付して、詳細な説明は省略する。図1に示す点火用半導体装置は、ECU1と、点火用IC2と、点火コイル7と、電圧源10と、点火プラグ11と、を備えている。点火用IC2は、点火コイル7の一次電流をオンオフ制御する出力段IGBT4と、点火コイル7の一次電流を制御する電流制御回路3と、を備え、点火コイル7と接続するC端子、GNDと接続するE端子、ECU1と接続するG端子、の3端子を有している。電流制御回路3は、G端子とE端子間の電圧で駆動され、センスIGBT5と、センス抵抗6と、ゲート抵抗12と、基準電圧源13と、レベルシフト回路14と、自己遮断信号源15と、自己遮断回路16と、オペアンプ17と、MOS18と、ゲート制御回路19と、パルス発生回路20と、スイッチ回路21と、を備えている。この電流制御回路3の回路構成は、図2に示した従来の回路構成に対して、パルス発生回路20と、スイッチ回路21と、が追加された構成となっている。パルス発生回路20の回路構成例を図7に示す。図7に示したパルス発生回路20は、G端子とE端子間の電圧で駆動され、インバータ43~44、47、48~49と、抵抗45と、コンデンサ46と、を備える。入力される自己遮断信号Vsdを、バッファ回路インバータ43~44を介して抵抗45とコンデンサ46からなる積分回路とインバータ47の駆動電源に供給する。そして、インバータ47の駆動電圧の立ち上がりに対する入力信号の積分回路での遅延時間を利用して出力信号に短時間のパルス信号を生成し、バッファ回路インバータ48~49を介してパルス信号Vpを出力する。このパルス信号のパルス幅は積分回路の時定数とインバータ47の論理しきい値で設定する。スイッチ回路21は、一端を基準電圧Vrefに他端をセンス電圧Vsnsに接続され、オンオフをパルス発生回路20の出力であるパルス信号Vpで制御され、例えばMOSのような半導体スイッチ回路で構成される。そして、自己遮断信号Vsdが出力されるとパルス信号Vpが生成され短時間だけMOSがオンとなり、センス電圧Vsnsが基準電圧Vrefと短絡して等しい電圧値になる。尚、スイッチ回路21の一端子または両端子とオペアンプ17との間に、ボルテージフォロアを介挿した回路構成にしてもよい。次に、図1に示した点火用半導体装置の動作波形について図9を用いて説明する。図9Cは、図9Bに示した従来回路例と同様に、Icが電流制限値Ilimに達せずに自己遮断動作する場合を示している。先ず、ECU1よりオン信号例えば5Vが入力されるとセンス電圧Vsnsは上昇するが、基準電圧Vrefまでは上昇せずに一定電圧値を保つt4。次に、自己遮断信号源15から自己遮断信号Vsdが出力されるとt5、自己遮断動作を開始すると同時に短時間例えば10μsecの間パルス発生回路20からパルス信号Vp例えば5Vを出力し、スイッチ回路21によりオペアンプ17の入力端子センス電圧Vsnsと-入力端子基準電圧Vrefを短絡する。この結果、基準電圧Vrefとセンス電圧Vsnsは同一電位にあるため、出力段IGBT4のゲート電位VGoutは低下する。パルス信号Vpが0Vになるとスイッチ回路21は開放され、自己遮断回路16により基準電圧VrefはVref=Vsnsを保ちながら徐々に低下し、Icも減少する。そして、VGout=VthIGBT4のしきい値電圧に達するとIcは完全に遮断する。すなわち、自己遮断信号Vsdが出力されて自己遮断動作が開始されるt5までは図9Bと同一であるが、自己遮断動作が開始されると、従来回路では図9Bに示すように、Vref=Vsnsとなるまでに遅延時間t6-t5が発生してしまう。一方、本実施例では図9Cに示すように、自己遮断動作開始と同時にVref=Vsnsを実現して遅延時間の発生はなくなる。以上説明したように、本発明に係る点火装置用の電流制限機能および自己遮断機能を備えた半導体装置は、電流制御回路3にパルス発生回路20とスイッチ回路21とを設け、自己遮断動作開示時に基準電圧Vrefとセンス電圧Vsnsを短時間だけ短絡して同一電位とすることにより、自己遮断動作開始時の遅延時間をなくし、駆動電圧や負荷抵抗に依存しない自己遮断動作を実現できる。また、ゲート制御回路19を設け、基準電圧Vrefとセンス電圧Vsnsの大小により、出力段IGBT4とセンスIGBT5のゲート電圧に電圧差オフセットを設けて制御することにより、自己遮断機能動作時などでのIcの振動発生を抑制して点火プラグの誤点火防止も実現できる。以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良や変更が可能である。