"感光体の表面に形成される静電潜像を計測する静電潜像計測方法であって、前記感光体の表面に荷電粒子ビームを照射し前記感光体を帯電させる帯電工程と、光源からの光束を2次元的に走査して前記感光体上に潜像パターンを形成する露光工程と、帯電された前記感光体の静電潜像計測領域から発生する2次電子を検出する検出工程と、を備え、前記感光体に前記静電潜像計測領域を領域内に含んだ電子軌道制御帯電領域を形成して静電潜像計測を行うことを特徴とする静電潜像計測方法。請求項1に記載の静電潜像計測方法において、前記電子軌道制御帯電領域と前記静電潜像計測領域の中心位置が異なることを特徴とする静電潜像計測方法。請求項2に記載の静電潜像計測方法において、前記2次電子を検出する検出器から前記感光体の帯電領域中心までの距離をLC、前記検出器から前記静電潜像計測領域中心までの距離をLMとしたとき、LC<LMが満たされるように電子軌道制御帯電領域を形成することを特徴とする静電潜像計測方法。請求項1に記載の静電潜像計測方法において、前記電子軌道制御帯電領域が前記静電潜像計測領域の2倍以上の面積を有していることを特徴とする静電潜像計測方法。請求項1~4のいずれか1つに記載の静電潜像計測方法において、前記帯電工程では、前記感光体が2次元的に周回移動することで前記電子軌道制御帯電領域が形成されることを特徴とする静電潜像計測方法。請求項5に記載の静電潜像計測方法において、2軸駆動が可能な試料ステージに前記感光体を載置して、前記感光体の2次元的な周回移動を行うことを特徴とする静電潜像計測方法。請求項1~6のいずれか1つに記載の静電潜像計測方法において、帯電時の電子ビーム走査領域と潜像計測時の電子ビーム走査領域とを異ならせることにより前記電子軌道制御帯電領域を形成することを特徴とする静電潜像計測方法感光体の表面に形成される静電潜像を計測する静電潜像計測装置であって、前記感光体の表面に荷電粒子ビームを照射し前記感光体を帯電させる帯電手段と、光源からの光束を2次元的に走査して潜像パターンを形成する露光手段と、帯電された前記感光体から発生する2次電子を検出する検出手段と、2次電子軌道を制御するために静電潜像計測領域を領域内に含んだ帯電領域を形成する電子軌道制御帯電領域形成手段と、を備えることを特徴とする静電潜像計測装置。請求項8に記載の静電潜像計測装置において、前記電子軌道制御帯電領域を形成するために、前記感光体の2次元的な周回移動を行う2軸駆動が可能な試料ステージを有することを特徴とする静電潜像計測装置。請求項8に記載の静電潜像計測装置において、帯電時の電子ビーム走査領域と潜像計測時の電子ビーム走査領域とを異ならせるための走査レンズ制御部を有することを特徴とする静電潜像計測装置。ところで、従来の静電潜像計測方法を用いて2次元静電潜像の計測を行うと、1次反転荷電粒子や2次電子などを検出する検出部が非対称的に配置されていることが起因して、計測領域内において2次電子の検出条件が保たれず、計測領域内での潜像形成位置によって2次電子の検出条件が異なり、同じ露光条件で潜像を形成したとしても、得られる潜像情報が異なるという問題点が生じる。これは、狭い領域での潜像計測ならば影響が小さいが、例えば1mm×1mmの範囲で2次元潜像を計測する場合など、観察領域が広がるほどその影響は大きくなり、本発明のような2次元潜像パターンを形成する際は無視できない問題となる。特許文献5に記載の計測手法では、ポリゴンスキャナを用いた1次元走査機構による潜像形成及び計測を行っているが、より広い計測領域が必要とされる2次元潜像パターン計測で生じるような計測領域内での検出条件の偏りに対する認識はなく、当然ながらその改善手段にも触れていない。本発明は、上記のような事情に鑑みてなされたもので、感光体試料上の帯電電荷によって生じる電界の向きを制御でき、計測領域内で生じる2次電子の検出条件の違いを改善して計測精度を高めることができ、よって実機画像形成装置の高画質化に寄与できる静電潜像計測方法の提供を、その主な目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、感光体の表面に形成される静電潜像を計測する静電潜像計測方法であって、前記感光体の表面に荷電粒子ビームを照射し前記感光体を帯電させる帯電工程と、光源からの光束を2次元的に走査して前記感光体上に潜像パターンを形成する露光工程と、帯電された前記感光体の静電潜像計測領域から発生する2次電子を検出する検出工程と、を備え、前記感光体に前記静電潜像計測領域を領域内に含んだ電子軌道制御帯電領域を形成して静電潜像計測を行うことを特徴とする。本発明によれば、計測領域外部に電子軌道制御帯電領域を形成することで、試料上の帯電電荷によって生じる電界の向きを制御できる。これにより、計測領域内で生じる2次電子の検出条件の違いを改善して計測精度を高めることができ、ひいては画像形成装置の高画質化に寄与できる。以下、本発明の実施形態を図を参照して説明する。図1乃至図25に基づいて第1の実施形態を説明する。まず、図1を用いて本実施形態に係る静電潜像計測装置の構成について説明する。静電潜像計測装置は、大きく分けて荷電粒子ビームを照射する荷電粒子照射部10、露光光学系22、感光体試料以下、単に試料ともいう23を載置する試料設置部GNDおよび1次反転荷電粒子や2次電子などを検出する検出手段としての検出器24およびLED25を備えている。ここでいう荷電粒子とは、電子ビームあるいはイオンビームなど電界や磁界の影響を受ける粒子を指す。電子軌道制御帯電領域形成手段としての荷電粒子照射部10は、所定の真空チャンバ40内に上から順に以下のように配置された各部材を備えている。すなわち、荷電粒子照射部10は、電子ビームを発生させるための電子銃11、電子ビームを制御するためのサプレッサ電極引き出し電極12、電子ビームのエネルギーを制御するための加速電極13、電子銃から発生された電子ビームを集束させるためのコンデンサレンズ14、電子ビームをON/OFFさせるためのビームブランカ15、仕切り板16、可動絞り17、非点補正部スティングメータ18、ビームブランカ15を通過した電子ビームを走査させるための走査レンズ19、走査レンズ19を通過した電子ビームを再び収束させるための対物レンズ20およびビーム射出開口部21を備えている。それぞれのレンズ等には、図示しない駆動用電源が接続されている。なお、イオンビームの場合には、電子銃の代わりに液体金属イオン銃などを用いる。2次電子検出器24には、シンチレータや光電子増倍管などを用いている。ビーム照射開口部21には、図2に示すように、2次電子捕獲部材26が取り付けられている。これは、表面に金などが蒸着された金属板であり、感光体試料に電子ビームを照射することで生じた2次電子が検出器に到達せず抜けていくことを防ぐためのものである。2次電子を2次電子捕獲部材26にぶつけることでエネルギーを減らし、その後正極性を持つ検出器へ到達させる。形状は円形や正方形など、任意の形状であってよい。静電潜像計測装置はホストコンピュータ200を備えている。ホストコンピュータ200は各部の動作を制御し、また、検出器24の検出信号に基づいて信号処理を行うようになっている。この静電潜像計測装置の制御および信号処理系統は以下のように構成されている。ホストコンピュータ200は、荷電粒子制御部210を介して、加速レンズ制御部211、走査レンズ制御部212、対物レンズ制御部213を制御するようになっている。これらの制御部により、加速電極13、走査レンズ19、対物レンズ20が制御されて、感光体試料23の表面に電子ビームが適正に照射され、感光体試料23表面が均一に帯電される。ホストコンピュータ200は、LD制御部2次元走査制御部205を介して、露光光学系22の、後で具体的に説明する光源としてのLDレーザダイオード100を制御し、また、音響光学偏向素子103、光偏向器105を制御するようになっている。音響光学偏向素子103、光偏向器105の制御により、感光体試料23の表面がレーザ光で2次元走査され、感光体試料23の表面に所望のパターンの静電潜像が形成されるようになっている。ホストコンピュータ200はまた、検出器24の出力信号によって感光体試料23からの放出電子を検出する電子検出部201、この電子検出部201からの検出信号を処理する信号処理部202、処理された信号から測定結果を出力する測定結果出力部203、この測定結果出力部203からの出力信号から画像信号に変換する画像処理部204を制御するようになっている。ホストコンピュータ200は、試料台制御部206を介して試料台GNDの位置や高さなどを制御し、さらにLED制御部207を介して、測定後の感光体試料23の残留電荷を消去するようになっている。露光光学系22は、図3に示すように、感光体に関して感度を持つ波長の光源であるLD100、コリメートレンズ101、アパーチャ102、音響光学偏向素子103、シリンダレンズ104、光偏向器105、走査結像レンズ106、同期検知用ミラー107、同期検知手段108などを備え、感光体試料23上に所望のビーム径のビームプロファイルを生成することが可能となっている。また、LD制御手段により適切な露光時間で、適切な露光エネルギーを感光体試料23に照射できるようになっている。光源は、LD100に代えて、図4aに示すような、複数の発光点が一直線状に並んだマルチビーム光源801、図4bに示すような、VCSEL面発光レーザ802等を用いてもよい。露光光学系22は、光学系にガルバノスキャナやポリゴンスキャナなどによる光偏向器105を用いることで、感光体試料23の表面にライン状のパターンを形成することができる。このライン方向を主走査方向とする。また、図3に示すように、ポリゴンスキャナなどによる走査方向主走査方向に対し直交する方向この方向を副走査方向とするに光束を走査するための音響光学偏向素子103が配置されている。図3では、感光体試料23が、画像形成装置に用いられるドラム形状のものとして描かれているが、図1に示す静電潜像計測装置における被検体としての感光体試料23は、実際に使用される感光体の一部又は同じ特性の平板状のものが用いられている。静電潜像計測装置の仕様によっては、実際の画像形成装置に用いられる態様の感光体を試料とすることも可能である。副走査偏光による偏向角制御手段としての音響光学偏向素子103の一例を図5aに示す。音響光学偏向素子103は、光学媒体の中に超音波を発生させて、進行するレーザ光を回折させる素子で、入力信号を周波数変調してこれを音響光学偏向素子103に加えると、加えられる信号の周波数に応じてレーザ光の回折度合いが変わり、角度変調を行うことができる。音響光学偏向素子103には機械的可動部がないため、これを用いることで高速な走査を実現することができる。音響光学偏向素子103の動作原理について説明する。図5aに示すように、二酸化テルルTeO2やモリブデン酸鉛PbMoO4などの単結晶またはガラスからなる音響光学媒体音響光学偏向素子103の本体に圧電素子などの超音波トランスデューサ94が接着されている。この超音波トランスデューサ94に外部から電気信号を与えて超音波を発生させ、超音波を媒体中に伝播させると、光学素子内に周期的な屈折率の粗密を形成することができる。図5aにおいて符号95は、入力電圧信号に対応した周波数の信号に変換する周波数変換器、符号96はRFアンプを示している。周波数変換器95は一種のオシレータで、例えば、周波数制御発振器VCOで構成することができる。以下、周波数変換器のことをVCOという。VCOで生成された信号はRFアンプ96を経て超音波トランスデューサ94に加えられ、上記のようにレーザ光の角度変調が行われる。上記音響光学媒体中を通るレーザ光はブラッグ回折により回折し、入射光は、0次光の他に±1、2...の回折光を生じる。0次回折光と1次回折光との角度θ01は、空気中の光波長をλ、音響波基本周波数をfa、音響波速度をVaとすると、以下の式で表される。θ01=λfa/Va偏向角をΔθだけ変化させるためには、基本周波数faを音響波周波数変調Δfa分だけシフトさせるとよい。この場合、Δθは以下の式で表される。Δθ=λΔfa/Va音響光学偏向素子103を、VCO95、RFアンプ96を用いて任意の駆動周波数で駆動することで、レーザ光を副走査方向に走査することができる。図5bは、VCO95に入力する電圧信号とVCO95の出力周波数との関係を示す。図5bからわかるように、VCO95に適切な電圧信号を入力することで、所望の方向に光束を偏向させることができる。具体的には、音響光学偏向素子103本体の素材がTeO2の場合、TeO2の音響波速度Vaが650m/sで、音響波基本周波数faが50Mhz、光波長λが655nmとすると、θ01=655×10-9×50×106/650=50.38mradとなる。ところで、音響光学偏向素子103は、変調信号を与えてから所定の光学特性を得るためには、ディレイすなわち時間遅れが生じる。この時間遅れを応答時間アクセスタイムTresとすると、ビームサイズをDとしたとき、Tresは、以下の式で表すことができる。Tres=D/Va具体例として、Dが5mm、Vaが650m/sの場合、Tres=5/650=7.7μsとなる。このため、応答時間Tresは、反射による光偏向器の走査周波数をfvとしたとき、D/Va<1/fvとすればよい。すなわち、ポリゴンミラーの回転数rpmをRm、ポリゴンミラーの面数をNとすれば、ポリゴンスキャナの走査周波数fvは、fv=Rm/60×Nと表すことができ、VaはVa>D×fvでなければならない。具体例として、D=7mm、fv=6kHzの場合、Va>42m/sとなる特性を有する音響光学偏向素子を用いる必要がある。露光光学系22に用いられている光偏向器105が駆動モータで回転駆動されることにより生じる振動や電磁波が電子ビームの軌道に影響を与えないように、露光光学系22を真空チャンバ40の外に配置するとよい。これによって、露光光学系22を電子ビームの軌道から遠ざけることができ、測定結果に及ぼす外乱の影響を抑制することができる。この場合、露光ビームは、真空チャンバ40の外壁に設けられた透明な入射窓より入射させることが望ましい。図6は、真空チャンバ装置と露光光学系22の結合部分の具体例を示す断面図である。図6に示すように、真空チャンバ40の鉛直軸に対して45°の角度で、外部の露光光学系22から真空チャンバ40内部に向かって光ビームを入射可能な入射窓68が配置された構成となっている。図6において、露光光学系22は、図示されない光源、音響光学偏向素子103、光偏向器105、走査レンズ106、光ビームの光路を曲げるミラー72を有している。また、図6には描かれていないが、前記コリメートレンズ、アパーチャ、同期検知手段などを有している。露光光学系22を保持するハウジング71は、露光光学系22全体をカバーで覆い、以下に述べるように、真空チャンバ40内部へ入射する外光有害光を遮光する構成にするとよい。露光光学系22の主要部は光学ハウジング69の上に配置され、上部は上記カバー71で覆われて遮光されている。光学ハウジング69は水平方向の平行移動台83の上に取り付けられ、平行移動台83は柱状の複数本の構造体82を介して除振台81の上に取り付けられている。走査ビーム77は上記ミラー72でほぼ45°の角度で斜め下方に折り曲げられ、この走査ビーム77の進路の周りは、外部遮光筒73、内部遮光筒75、これら内外の遮光筒の接続部に介在するラビリンス部74によって遮光されている。上記除振台81の上に真空チャンバ40が固定されている。真空チャンバ40内に前記試料載置台としての試料ステージ78が水平面内において直交2軸方向に移動可能に取り付けられている。試料ステージ78には被検体としての感光体試料23を載置することができ、この感光体試料23に対し真上から荷電粒子ビームを照射する前記荷電粒子照射装置10が真空チャンバ40内に取り付けられている。荷電粒子照射装置10の内部も真空チャンバ40と連通していて真空に保たれている。真空チャンバ40内には、感光体試料23に静電潜像を形成した後、感光体試料23に荷電粒子ビームを照射することによって放出される電子ビームを検出する検出器24の検出端が感光体試料23に向かって伸びている。ポリゴンスキャナ等の光偏向器105を有する露光光学系22は、真空チャンバ40に対して離れて配置されているので、ポリゴンスキャナ等の光偏向器105をモータ65によって回転駆動する際に生じる振動は、真空チャンバ40に直接伝播されることはなく、上記振動が感光体試料23の静電潜像測定に与える影響は少ない。さらに、図6では示していないが、構造体82と除振台81との間にダンパを挿入すれば、防振効果を更に高めることができる。このように、露光光学系22を構成することにより、感光体試料23に対して、2次元の潜像パターンを形成することができる。なお、試料の形状は、平面であっても曲面であってもよい。次に、以上のように構成されている本実施形態の静電潜像計測装置の動作および静電潜像計測方法について説明する。まず、荷電粒子照射装置10により感光体試料23に電子ビームを照射させることで、感光体試料23の表面を均一に帯電させる。このときの加速電圧と2次電子放出比δとの関係を図7に示す。加速電圧E1は、これを2次電子放出比δが1となる加速電圧E0よりも高い加速電圧に設定する。これにより、入射電子量が放出電子量より上回るため電子が試料30に蓄積され、チャージアップを起こす。この結果、試料30はマイナスの一様帯電を生じることができる。加速電圧と照射時間を適切に設定することにより、所望の帯電電位を形成することができる。帯電電位が形成されたら、静電潜像が観察できるように入射電子量を1100~11000に下げる。ここで、2次電子放出比δは、2次電子放出比δ=放出電子/入射電子と表されるが、より厳密にいうと、透過電子と反射電子を考慮する必要があるので、放出電子=透過電子反射電子2次電子とするとよい。2次電子放出比δは、電子ビームのエネルギー、すなわち加速電圧に依存し、一般的に図7に示すような関係になっている。δ=1となるような加速電圧E1では帯電が起きず、平衡状態を保っている。加速電圧E1>E0の場合は、δ<1となり、入射電子数に比べて放出電子数が少ないため、負帯電となっている。照射時間に対する帯電電位の関係を、加速電圧ごとに示したのが図8である。図8からわかるように、電子ビーム照射直後は、急激に電荷が蓄積されていくが、時間の経過に従い、試料の負帯電電位の影響で入射電子が減速される。帯電電位Vs<0における、電子の試料表面到達時の速度をV、電子の質量、電荷量をそれぞれm、eとすると、V={2eE1--Vs}1/2と表すことできる。これは、相対的に加速電圧E1が小さくなっていることを意味する。これにより、単位時間あたりの電荷蓄積量が減少し、E1--Vs=E0に相当する帯電電位になると、飽和帯電電位に達し平衡安定する。このため、図8に示すように電子ビーム照射直後は急激に立ち上がり、時間の経過につれ次第に変化が小さくなり飽和することになる。電子ビームの加速電圧E1と飽和帯電電位Vsには、近似的に以下の関係式1が成立する。飽和帯電電位=-{電子ビームの加速電圧E1-δ=1となる電子ビームの加速電圧E0}1E0は、試料の特性によって異なってくる場合があるが、以下の手順で求めることができる。図9は、電子ビームを一定時間照射したときの加速電圧と帯電電位の関係を示す。ほぼ直線的に変化していると見なすことができるので、近似直線より加速電圧E1=0.915kVのときVs=0であるため、この試料でのE0=0.915kVと求めることができる。式1によれば、上記試料を-800Vに帯電させようとした場合、電子ビームの加速電圧が1.5kV以下では、飽和帯電電位でも-585Vであり、-800Vの帯電電位には達しない。最低でも次の式2|E1-E0|≧|Vs|2より、1.715kV以上の加速電圧が必要である。加速電圧が大きくなると目標とする帯電電位に到達する時間が短くなるので、制御することが難しくなるだけでなく、試料へのダメージも無視できなくなる。従って、なるべく小さい加速電圧で、所望の帯電電位を形成できる条件が望ましい。すなわち、|Vs|≦|E1-E0|≦|Vs|2kV3が適切である。今回の試料で例えば-800Vに帯電させるために、1.7~3.7kV程度が適当と考える。そのときの電子ビーム照射時間は、2分以下程度である。短い時間で帯電させるためには、電子ビームの電流密度を大きくすればよい。前述の所望の帯電電位が形成されたら、次に、露光光学系22を用いた2次元走査により、感光体試料23を露光する。露光光学系22は、感光体試料23の表面に所望のビーム径及びビームプロファイルを形成するように調整されている。必要な露光エネルギーは感光体試料23の特性によって決まるファクターであるが、通常、2~10mJ/m2程度である。感度が低い感光体試料23では、必要露光エネルギーは十数mJ/m2となることもある。帯電電位や必要露光エネルギーは、感光体特性やプロセス条件に合わせて設定するとよい。また、ビームスポット径、デューティ、画周波数、書込密度、画像パターン等の条件設定を任意に行うことで、様々な条件での潜像を形成しこれを計測することが可能となる。画像パターンとしては、図10に示すような、1by1図10a、2by2図10b、1ドット格子図10c、副走査1ドットライン図10dや副走査ピッチむらのある1ドットライン図10eなどがあり、これらのパターンの一つを意図的に発生させたラインのほか、様々なパターンを形成することができる。このように、帯電と露光により、感光体試料23に所望するパターンの静電潜像を形成することができる。この露光プロセスは、ホストコンピュータ200が、LD制御部2次元走査制御部205を制御することによって実行される。次に、静電潜像計測を行う。上記のようにして静電潜像が形成された感光体試料23を電子ビームで走査し、放出される2次電子を検出器シンチレータ24で検出し、これを電子検出部201で電気信号に変換してコントラスト像を観察する。このようにすると、帯電部の2次電子検出量が多く、露光部の2次電子検出量が少ない明暗のコントラスト像が生じる。暗の部分を露光による潜像部とみなすことができるので、ビームを走査させることなくスポット露光した場合の明暗の境界を潜像径とすることができる。試料表面に電荷分布があると、感光体試料23の上方に位置する空間に、表面電荷分布に応じた電界分布が形成される。入射電子によって発生した2次電子は、この電界によって押し戻され、検出器24に到達する量が減少する。従って、電荷リーク箇所は、露光部が黒、非露光部が白となり、表面電荷分布に応じたコントラスト像を測定することができる。図11aは、荷電粒子を捕獲する検出器24と、感光体試料23との間の空間における電位分布を、等高線で説明図的に示したものである。感光体試料23の表面は、光減衰により電位が減衰した部分を除いては負極性に一様に帯電した状態であり、検出器24には正極性の電位が与えられている。そのため、実線で示す電位等高線群においては、感光体試料23の表面から検出器24に近づくに従い電位が高くなる。従って、感光体試料23の、負極性に均一帯電している部分である図のQ1点やQ2点で発生した2次電子el1、el2は、検出器24の正電位に引かれ、矢印G1や矢印G2で示すように変位し、検出器24に捕獲される。一方、図11aにおいて、Q3点は光照射されて負電位が減衰した部分であり、Q3点近傍では電位等高線の配列は破線で示すように、Q3点を中心とした半円形の波紋状に広がる。この波紋状の電位分布では、Q3点に近いほど電位が高くなっている。換言すると、Q3点の近傍で発生した2次電子el3には、矢印G3で示すように、感光体試料23側に拘束する電気力が作用する。このため、2次電子el3は、破線の電位等高線で示すポテンシャルの穴に捕獲され、検出器24に向かって移動することができない。図11bは、上記ポテンシャルの穴を模式的に示している。すなわち、検出器24により検出される2次電子の強度2次電子数は、強度の大きい部分が静電潜像の地の部分均一に負帯電している部分、図11aの点Q1やQ2に代表される部分に対応し、強度の小さい部分が静電潜像の画像部光照射された部分、図11aの点Q3に代表される部分に対応することになる。従って、2次電子の検出部24で得られる電気信号を、信号処理部202で適当なサンプリング時間でサンプリングすれば、前述の如く、サンプリング時刻Tをパラメータとして、表面電位分布電位コントラスト像VX,Yをサンプリングに対応した微小領域ごとに特定できる。そして、信号処理部202により上記表面電位分布VX,Yを2次元的な画像データとして構成し、これを測定結果出力部203、画像処理部204を経て、ディスプレイやプリンタなどのアウトプット装置で出力すれば、静電潜像が可視的な画像として得られる。例えば、捕獲される2次電子の強度を明るさの強弱で表現すれば、静電潜像の画像部分は暗く、地の部分は明るくコントラストがつき、表面電荷分布に応じた明暗像として表現出力することができる。もちろん、表面電位分布を知ることができれば、表面電荷分布も知ることができる。上述の構成によれば、表面電荷分布を有する試料に荷電粒子ビームを照射して得られる検出信号により、試料の電荷分布の状態を測定する方法において、露光条件を変えたときの潜像の状態を計測することにより、感光体の静電特性を把握することができる。最後に、LED25図1参照を点灯して感光体試料23の表面に光を照射し、感光体試料23の除電を行う。感光体試料23上に生成された帯電電荷は光を照射することで消失し、次の測定に備えることができる。以上のプロセスを行うことで、所望の条件で形成された静電潜像を計測することができる。これらの潜像形成に係る一連の動作を図12にフロー図として示し、各ステップの説明を以下に記述する。まず、ステップS1において、上述の電子ビームによる帯電により、感光体試料に帯電電荷を生成する。感光体試料の帯電を行った後は、静電潜像が観察できるように入射電子量を1100~11000に下げる。次に、ステップS2において、上述の露光光学系を用いて、所望の2次元露光パターンが形成されるように露光し、感光体試料上に潜像パターンを形成する。次に、ステップS3において、潜像パターンが形成された試料に対して、電子ビームを照射し、試料から放出される2次電子を検出することで静電潜像計測を行う。次に、ステップS4において、LEDを用いて感光体試料の除電を行い、次の測定に備える。ところで、上述の構成を持った静電潜像計測装置を用いて静電潜像計測を行う際、1次反転荷電粒子や2次電子などを検出する検出器24が非対称的に配置されていることが起因して、計測領域静電潜像計測領域内において2次電子の検出条件が保たれず、図13に示すように検出器24に近い位置では出力輝度が高く、遠ざかるほど出力輝度が低くなるような輝度の偏りが生じる。このような条件下において、同じ露光条件を用いてドット状の静電潜像を形成しすると、図14に示すように、各ドットにおいて2次電子の検出条件が異なるために、検出器側では静電潜像の画像部分が小さく、遠ざかるほど画像部分が大きくなり、計測領域内において計測ばらつきが生じることになる。このような現象は、露光ビームの一次元走査での潜像評価など潜像形成範囲が狭い領域で行われる場合では影響が小さいが、例えば主走査方向1mm、副走査方向1mmの範囲内で任意の2次元潜像パターンを形成して評価を行う場合には影響が大きくなる。我々は、これらの現象が試料より生じた2次電子が検出器へと到達する軌道が計測領域内で異なるためであることを見いだし、試料上の帯電電荷によって生じる電界の向きを制御することで計測領域内での検出条件の偏りを改善する計測手法を創案した。従来の潜像計測では、感光体試料の帯電領域と潜像を形成して計測を行う計測領域の位置関係などには特に制限を設けず潜像評価を行うことが一般的であった。これに対し、計測領域外部に帯電領域を形成することで、試料上の帯電電荷によって生じる電界の向きを制御することができ、検出条件の偏りに対する改善効果が得られる。今後、この計測領域外部に形成する帯電領域を電子軌道制御帯電領域と呼ぶ。本発明の実施例として、計測領域a1の外部に電子軌道制御帯電領域a2を形成したときのそれぞれの関係を図15に、そのときの2次電子軌道の模式図を図16に示す。また、従来例として、帯電領域と計測領域がほぼ等しく、試料上の同じ領域に設定されたときの2次電子軌道の模式図を図17に示す。電子ビームの照射により感光体試料から発生した2次電子は、帯電電荷により生じる電界の影響を受けて上部に移動する。また、同様に電界の影響を受けてX方向では、帯電中心から遠ざかる方向へ移動する。図16に示すように、計測領域外部に電子軌道制御帯電領域を形成したとき、帯電電荷により生じる電界分布は、従来例の図17の場合に比べて試料内位置を緩やかに変化する。これにより、試料表面の電界の向きは従来例に比べて垂直方向に近づき、二次電子が帯電中心から遠ざかる力が弱まる。その結果、試料内各位置で発生した二次電子は、上部に設置している2次電子捕獲部材にぶつかりやすくなる。例えば、e2の場所で発生した2次電子は、図17に示す従来例では、帯電電荷による電界や検出器の正電位の影響を受けて矢印Ge2の軌道で動き、直接検出器に到達していたが、本発明を実施することで、軌道が垂直方向に近づき2次電子捕獲部材を通じて検出器に到達する。直接検出器に到達する2次電子は、2次電子捕獲部材を通じて検出器に到達したものに比べエネルギーが高く、2次電子の強度を明るさの強弱で表現した場合明るい像が出力される。このような場所においてドット状の静電潜像を形成したとき、図18に示すようなコントラスト像の明暗の境界に対応する電界の極性が変化する位置において検出される微弱な2次電子でもコントラストの輝度が高まり、他の場所で形成された静電潜像と比べて、コントラストの暗い部分が狭まる。これより、図14に示すような計測領域内での計測ばらつきが生じることになる。本発明を実施した場合は、検出器側で生じた2次電子が捕獲部材にぶつかりやすくなることで検出器側の2次電子の検出効率は下がるが、計測領域内での検出条件の偏りが改善され、図14に示すような計測ばらつきを従来例に比べて抑えることができる。図15に示すように計測領域外部に計測領域中心から対称的に電子軌道制御帯電領域を形成する場合は、帯電領域中心と計測領域中心が一致する条件において、感光体試料の帯電時における電子ビームの観察倍率MCと潜像計測時の電子ビームの観察倍率MMが、MC<MMであればよい。1mm×1mm程度の領域内に形成した静電潜像を計測する際、低倍率ほど計測分解能は下がり、高倍率では電子ビームが静電潜像に与えるダメージが大きくなる。そのため、潜像計測の倍率はある範囲で限定することが望ましく、この場合は、500≦MM≦1500の範囲が適切である。また、潜像計測上、計測領域内で任意の位置に形成された潜像径のPV値は30以下であることが望ましく、この場合、帯電領域電子軌道制御帯電領域は最低でも計測領域の面積の2倍以上であることが適切である。これより、帯電時倍率MCは、250≦MM≦750の範囲が適切である。電子ビームの倍率条件はホストコンピュータから与えられるため、帯電、計測のプロセスにおいてそれぞれの条件ファイルを用いることで実現できる。電子軌道制御帯電領域を最低でも計測領域の2倍以上形成することで、計測領域内での2次電子軌道の検出条件の偏り改善効果が得られる。図15では、電子軌道制御帯電領域を計測領域中心から対称的に形成した場合を考えたが、電子軌道制御帯電領域を検出器側に広く形成し、計測領域中心から非対称的に形成することで、計測領域内での検出条件の偏り改善に対して更なる効果が得られる。なお、ここで計測領域内に静電潜像を形成するため、計測領域は帯電領域内に含まれていなければいけない。本発明の一実施例として、計測領域外部に帯電領域中心が位置するように電子軌道制御帯電領域を検出器側に広く形成した場合を考える。このときの計測領域と帯電領域の関係を図19に、2次電子軌道の模式図を図20に示す。図20に示すように、このような場合では、帯電領域中心が計測領域外に存在するため、帯電電荷の電界の向きは、計測領域内のいずれの位置においても帯電領域中心から遠ざかる方向へと向く。これより、計測領域内で発生した2次電子は、いずれの位置においても検出器から遠ざかる方向へと移動する。この結果、前述の図16のe1に代表されるような直接検出器に到達していた二次電子であっても、上部に設置している2次電子捕獲部材を通じて検出器に到達する。これより、上述のように電子軌道制御帯電領域を検出器側に広く形成するような場合、電子軌道制御帯電領域を計測領域中心から対称的に形成した場合と比較して、計測領域内での検出条件の偏りをより改善することができる。なお、ここでは、帯電領域中心を計測領域外に設定した実施例を用いたが、例えば、図21に示すような実施例のように、計測領域内に設定されていても帯電領域中心を検出器側に設定することで、帯電電荷による電界が従来例と比べて垂直方向に働き、同様の改善効果が得られる。図19や図21に示す例では、電子軌道制御帯電領域を検出器側に広く形成し、帯電領域中心を計測領域中心より検出側に設定することで計測領域内における検出条件の偏り改善効果を得ることができる。すなわち、図19bに示すように検出器から帯電領域中心までの距離をLC、検出器から計測領域中心までの距離をLMとしたとき、帯電領域内に計測領域が含まれ、かつ、LC<LMの関係が満たされるような位置関係を実現すればよい。なお、ここでは検出器と帯電領域中心の延長線上に計測領域中心が位置している例を用いたが、計測領域中心は必ずしも延長線上に位置していなくてもよい。電子軌道制御帯電領域と計測領域の中心位置を異ならせることで、計測領域中心に対して対称的に電子軌道制御帯電領域を設定していたときに比べ、計測領域内での2次電子軌道の検出条件の偏りを更に改善させることができる。LC<LMという関係を満たす電子軌道制御帯電領域を形成することで、検出器側に広く帯電領域を形成することができ、計測領域中心に対して対称的に電子軌道制御帯電領域を設定していたときに比べ、計測領域内での2次電子軌道の検出条件の偏りを更に改善させることができる。図22は、計測領域外部に電子軌道制御帯電領域を形成したときの一実施例における検出条件の偏りの改善効果を示すものである。図22に示すように感光体試料の対角線上に同じ露光条件でドット上の潜像を形成し、その時に得られる潜像径と潜像形成位置の関係を図22に示す。図中の直線は近似直線を示す。図22に示す実施例では電子ビームの潜像計測倍率MM=1000の条件であり、その時の潜像計測範囲は、X方向で110mm、Y方向で083mmに設定されている。これに対して電子軌道制御帯電領域をX方向で315mm、Y方向で246mm設け、LMLC03mm程度となるように各領域を設定した。このとき、帯電領域と計測領域がほぼ等しく試料上の同じ領域に設定された従来の場合では、a~dの位置に形成された潜像径のPV値は67であるが、上述の本発明の実施例の場合では184であり、計測領域内での潜像径の傾きが改善されたことに伴い計測領域内ばらつきが改善されたことがわかる。図19や図21に示すように、電子軌道制御帯電領域を検出器側に広く形成するには、帯電用の電子ビームを照射しながら図23に示すような2軸駆動が可能な試料ステージ30に感光体試料を載置し、2次元的に移動することで実現できる。試料ステージ30は、試料載置部31と、調整ネジ32を有し、試料載置部31をx方向に移動させるネジ送り機構33と、調整ネジ34を有し、試料載置部31をy方向に移動させるネジ送り機構35とを有している。感光体試料が所望の帯電電位に達するには一定時間の電子ビーム照射が必要となるため、図24に示すような2次元的な移動を周回的に一定時間行う必要がある。ステージの駆動は、ホストコンピュータから試料台制御部に制御信号を送り、ステッピングモータなどを用いて電気的な制御を行えばよい。また、手動でステージの駆動を行う場合は、真空チャンバ外部に試料ステージの駆動を行うマイクロメータヘッドなどを出し、それを操作すればよい。この方法を用いれば簡易なシステム構成で検出条件の偏り改善を実現可能である。前述の実施例では、電子ビームの潜像計測倍率MM=1000の条件で潜像計測範囲がX方向で110mm、Y方向で083mmに設定されていた。ここで、帯電時の電子ビームの倍率を400倍に設定して帯電領域を計測領域に比べて広く設定し、さらに、帯電用の電子ビームを照射しながら、感光体試料が配置された試料ステージをX方向に04mm、Y方向に04mmの移動量で2次元的に可動することで、電子軌道制御帯電領域をX方向で315mm、Y方向で246mm、LMLC03mmという条件を実現できる。また、ここでは帯電用の電子ビームを照射しながら、感光体試料が配置された試料ステージを2次元的に可動したが、例えばY方向のみの1次元的な駆動でも改善効果は得られる。感光体試料を2次元的に周回移動することで、計測領域外部に電子軌道制御帯電領域を形成することができる。以上の手順及び構成を用いることで、電子軌道制御帯電領域を検出器側に広く形成することができ、計測領域内での検出条件の偏りを改善することができる。これらの一連の動作を図25にフロー図として示し、各ステップの説明を以下に記述する。まず、ステップS1において上述の電子ビームによる帯電を行うため、帯電用の条件で電子ビームの走査を行い、感光体試料に帯電電荷を生成する。次に、ステップS2において、帯電用の電子ビームを照射しながら、感光体試料を載置した2軸駆動が可能な試料ステージで2次元的に周回駆動し、LC<LMの関係を満たすように電子軌道制御帯電領域を検出器側に広く形成する。感光体試料の帯電を行った後は、静電潜像が観察できるように入射電子量を1100~11000に下げる。次に、ステップS3において、上述の露光光学系を用いて、所望の2次元露光パターンが形成されるように露光し、感光体試料上に潜像パターンを形成する。次に、ステップS4において、潜像パターンが形成された試料に対して、電子ビームを照射し、試料から放出される2次電子を検出することで静電潜像計測を行う。次に、ステップS5において、LEDを用いて感光体試料の除電を行い、次の測定に備える。図26及び図27に基づいて第2の実施形態を説明する。なお、上記実施形態と同一部分は同一符号で示し、特に必要がない限り既にした構成上及び機能上の説明は省略して要部のみ説明する。上記実施形態では、電子軌道制御帯電領域を検出器側に広く形成するために帯電用の電子ビームを照射しながら感光体試料が載置された試料ステージを2次元的に周回移動していたが、ステージ移動により帯電領域を広げずとも、電子ビームによる帯電時の走査中心と、潜像計測時の走査中心をずらすことでも同様の効果が得られる。図26を用いて説明する。電子ビームによる感光体試料の帯電および計測は、走査レンズ19を用いて所定の範囲を走査することで行われている。このとき、帯電時の走査中心と計測時の走査中心は一致していることが一般的であるが、前述したように帯電領域内に計測領域が含まれ、かつ、LC<LMの関係が満たされるように予め設定した計測領域に対して電子軌道制御帯電領域を形成すればよい。これは、帯電時の走査中心と計測時の走査中心をずらすことで実現でき、図26のように帯電領域中心を計測領域中心から検出器に近づけることができる。ここで、帯電時と計測時の走査中心をずらしても計測領域が帯電領域に収まるために、MC<MMとなるように設定する。なお、ここでは検出器と帯電領域中心の延長線上に計測領域中心が位置している例を用いたが、計測領域中心は必ずしも延長線上に位置していなくてもよい。それぞれの電子ビームの走査条件はホストコンピュータから与えられるため、帯電領域中心が計測領域中心より検出器に近づくような走査条件を予め求めておけば、帯電、計測のプロセスにおいて、それぞれの条件ファイルを用いて走査条件を指定することで、検出条件の偏りの改善を実現することができる。前述のステージを用いた実施例では、帯電領域が広がる分、帯電領域全体の帯電電位が安定するまでの時間がステージ駆動をしないときに比べて長くなってしまう。つまり、帯電から計測までに至る潜像計測に必要な時間が長くなってしまう。これに対し、本実施例ではステージ駆動をしないため、潜像計測に必要な時間が前述の方法に比べて短く、効率的な測定を行うことができる。以上の手順を用いることで、電子軌道制御帯電領域を検出器側に広く形成することができ、計測領域内での検出条件の偏りを改善することができる。これらの一連の動作を図27にフロー図として示し、各ステップの説明を以下に記述する。まず、ステップS1において、上述の電子ビームによる帯電を行うため、帯電用の条件で電子ビームの走査を行い、感光体試料に帯電電荷を生成する。このとき、電子軌道制御帯電領域を検出器側に広く形成するために、予め設定された計測領域が帯電領域内に含まれ、かつ、LC<LMの関係が満たされるようさ走査条件で電子ビームの照射を行う。次に、ステップS2において、潜像計測用の電子ビーム照射を行い、潜像形成及び潜像計測に備える。ここで、潜像計測条件では、帯電条件に比べて入射電子量を1100~11000に下げる。次に、ステップS3において、上述の露光光学系を用いて、所望の2次元露光パターンが形成されるように露光し、感光体試料上に潜像パターンを形成する。次に、ステップS4において、潜像パターンが形成された試料に対して、電子ビームを照射し、試料から放出される2次電子を検出することで静電潜像計測を行う。次に、ステップS5において、LEDを用いて感光体試料の除電を行い、次の測定に備える。"