基板と、前記基板上に形成された複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタを覆う平坦化膜と、前記平坦化膜を貫通しつつ、前記複数の薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極のうちいずれか一つを露出させる複数のビアホールと、前記平坦化膜上に形成され、前記ビアホールを通じて前記各薄膜トランジスタと電気的に連結された複数の画素電極と、前記各ビアホールと前記各画素電極のエッジとを覆うように、前記平坦化膜上に形成された画素定義膜と、前記画素電極と対向して配される対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に介されて発光層を備える有機膜と、を備え、前記各ビアホールは、前記各ビアホールの周囲に隣接して配された各画素電極の前記画素定義膜によって覆われていない発光部の、前記画素定義膜との境界から最も遠く形成されたことを特徴とする有機発光ディスプレイ装置。前記各ビアホールと、前記各ビアホールの周囲に隣接して配された前記各画素電極の発光部の境界との距離は、一定であることを特徴とする請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。相互隣接したビアホールの間を連結した直線上には、前記発光部が配されていないことを特徴とする請求項1又は2に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記平坦化膜の表面は、全体的に平坦に形成されたことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記ビアホール上に形成された前記画素定義膜の表面の高さは、前記発光部に形成された前記画素電極の表面の高さより低く形成されたことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記画素定義膜の厚さは、500Å以上5000Å以下であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記発光部上に前記発光層が形成されることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記各画素電極の発光部は、規則的なパターンで形成されたことを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記画素電極は、反射電極であることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記基板上にバッファ膜がさらに備えられたことを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。基板と、前記基板の一面上に形成された複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタを覆う平坦化膜と、前記平坦化膜を貫通しつつ、前記複数の薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極のうちいずれか一つを露出させる複数のビアホールと、前記平坦化膜上に形成され、前記ビアホールを通じて前記各薄膜トランジスタと電気的に連結され、相互垂直に交差する第1方向及び第2方向に沿ってパターニングされた複数の画素電極と、前記各ビアホールと前記各画素電極のエッジとを覆うように、前記平坦化膜上に形成された画素定義膜と、前記画素電極と対向して配される対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に介されて発光層を備える有機膜と、を備え、前記各ビアホールは、前記各ビアホールの周囲に、前記第1方向及び第2方向に沿って隣接して配された前記画素電極の画素定義膜によって覆われていない発光部の、前記画素定義膜との境界から最も遠く形成されたことを特徴とする有機発光ディスプレイ装置。前記各画素電極の発光部は、前記第1方向及び第2方向に沿って規則的なパターンで形成されたことを特徴とする請求項11に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記各ビアホールは、前記各ビアホールに、前記第1方向に隣接した二つの発光部の間を通る直線と、前記第2方向に隣接した二つの発光部の間を通る直線とが交差する位置に形成されたことを特徴とする請求項11又は12に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記各ビアホールは、前記各ビアホールに、前記第1方向に隣接した二つの発光部を連結した直線の中心を通る直線と、前記第2方向に隣接した二つの発光部を連結した直線の中心を通る直線とが交差する位置に形成されたことを特徴とする請求項11から13のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記各ビアホールと、前記各ビアホールの周囲に隣接して配された前記各画素電極の発光部の境界との距離は、一定であることを特徴とする請求項11から14のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記各ビアホールを、前記ビアホールに隣接した前記第1方向に隣接したビアホールと連結した第1直線、及び前記ビアホールの前記第2方向に隣接したビアホールとを連結した第2直線上には、前記発光部が配されていないことを特徴とする請求項11から15のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記平坦化膜の表面は、全体的に平坦に形成されることを特徴とする請求項11から16のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記ビアホール上に形成された前記画素定義膜の表面の高さは、前記発光部に形成された前記画素電極の表面の高さより低く形成されたことを特徴とする請求項11から17のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記画素定義膜の厚さは、500Å以上5000Å以下であることを特徴とする請求項11から18のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記発光部上に前記発光層が形成されることを特徴とする請求項11から19のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記画素電極のビアホール連結部は、同じ形状のパターンを有することを特徴とする請求項11から20のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記画素電極は、反射電極であることを特徴とする請求項11から21のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記基板上にバッファ膜がさらに備えられたことを特徴とする請求項11から22のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。しかし、画素電極の近くに形成されたビアホールの段差によって、画素電極のエッジを取り囲む画素定義膜が陥没するという問題があった。そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、画素電極のエッジを取り囲む画素定義膜が陥没することを防止して、表示品質を向上させることが可能な、新規かつ改良された有機発光ディスプレイ装置を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、基板と、前記基板上に形成された複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタを覆う平坦化膜と、前記平坦化膜を貫通しつつ前記複数の薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極のうちいずれか一つを露出させる複数のビアホールと、前記平坦化膜上に形成され、前記ビアホールを通じて前記各薄膜トランジスタと電気的に連結された複数の画素電極と、前記各ビアホールと前記各画素電極のエッジとを覆うように、前記平坦化膜上に形成された画素定義膜と、前記画素電極と対向して配される対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に介され、発光層を備える有機膜と、を備え、前記各ビアホールは、前記各ビアホールの周囲に隣接して配された各画素電極の前記画素定義膜によって覆われていない発光部の、前記画素定義膜との境界から最も遠く形成されたことを特徴とする有機発光ディスプレイ装置が提供される。また、前記各ビアホールと、前記各ビアホールの周囲に隣接して配された前記各画素電極の発光部の境界との距離は、一定にしてもよい。また、相互隣接したビアホールの間を連結した直線上には、前記発光部が配されていないようにしてもよい。また、前記平坦化膜の表面は、全体的に平坦に形成されてもよい。また、前記ビアホール上に形成された前記画素定義膜の表面の高さは、前記発光部に形成された前記画素電極の表面の高さより低く形成されてもよい。また、前記画素定義膜の厚さは、500Å以上5000Å以下であってもよい。また、前記発光部上に前記発光層が形成されてもよい。また、前記各画素電極の発光部は、規則的なパターンに形成されてもよい。また、前記画素電極は、反射電極であってもよい。また、前記基板上にバッファ膜がさらに備えられてもよい。また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、基板と、前記基板の一面上に形成された複数の薄膜トランジスタと、前記複数の薄膜トランジスタを覆う平坦化膜と、前記平坦化膜を貫通しつつ前記複数の薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極のうちいずれか一つを露出させる複数のビアホールと、前記平坦化膜上に形成され、前記ビアホールを通じて前記各薄膜トランジスタと電気的に連結され、相互垂直に交差する第1方向及び第2方向に沿ってパターニングされた複数の画素電極と、前記各ビアホールと前記各画素電極のエッジとを覆うように、前記平坦化膜上に形成された画素定義膜と、前記画素電極と対向して配される対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に介され、発光層を備える有機膜と、を備え、前記各ビアホールは、前記各ビアホールの周囲に前記第1方向及び第2方向に沿って隣接して配された前記画素電極の画素定義膜によって覆われていない発光部の、前記画素定義膜との境界から最も遠く形成されたことを特徴とする有機発光ディスプレイ装置が提供される。また、前記各画素電極の発光部は、前記第1方向及び第2方向に沿って規則的なパターンに形成されてもよい。また、前記各ビアホールは、前記各ビアホールに前記第1方向に隣接した二つの発光部の間を通る直線と、前記第2方向に隣接した二つの発光部の間を通る直線とが交差する位置に形成されてもよい。また、前記各ビアホールは、前記各ビアホールに前記第1方向に隣接した二つの発光部を連結した直線の中心を通る直線と、前記第2方向に隣接した二つの発光部を連結した直線の中心が通る直線とが交差する位置に形成されてもよい。また、前記各ビアホールと、前記各ビアホールの周囲に隣接して配された前記各画素電極の発光部の境界との距離は、一定であってもよい。また、前記各ビアホールを前記ビアホールに隣接した前記第1方向に隣接したビアホールと連結した第1直線上、及び前記ビアホールの前記第2方向に隣接したビアホールを連結した第2直線上には、前記発光部が配されていないようにしてもよい。また、前記平坦化膜の表面は、全体的に平坦に形成されてもよい。また、前記ビアホール上に形成された前記画素定義膜の表面の高さは、前記発光部に形成された前記画素電極の表面の高さより低く形成されてもよい。また、前記画素定義膜の厚さは、500Å以上5000Å以下であってもよい。また、前記発光部上に前記発光層が形成されてもよい。また、前記画素電極のビアホール連結部は、同じ形状のパターンを有してもよい。また、前記画素電極は、反射電極であってもよい。また、前記基板上にバッファ膜がさらに備えられてもよい。以上説明したように本発明によれば、第一に、ビアホールの近くの薄い画素定義膜の厚みの崩れが発生しても、発光部の境界では、画素定義膜が元来の厚さを維持できる。第二に、発光領域の定義を正確にできる。第三に、レーザを利用した転写法や真空蒸着によって発光層のパターンを形成する時、表示品質を向上させうる。以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。図1は、本発明の望ましい一実施形態による有機発光ディスプレイ装置を概略的に示した断面図である。図1に示すように、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置は、基板10上にディスプレイ部20が設けられる。また、基板10上には、ディスプレイ部20を密封する密封基板30が設けられる。密封基板30は、ディスプレイ部20への外気及び水分の浸透を遮断する。基板10と密封基板30は、各エッジが密封材40によって結合されて、基板10と密封基板30との間の空間25が密封される。空間25には、吸湿材や充填材が位置しうる。また、密封基板30および密封材40の代わりに、図2に示すように、薄膜の密封フィルム50を有機発光ディスプレイ部20上に形成することで、ディスプレイ部20を外気から保護してもよい。かかる密封フィルム50は、例えば、酸化シリコンまたは窒化シリコンのような無機物からなる膜と、エポキシまたはポリイミドのような有機物からなる膜とが交互に成膜された構造を有する。なお、密封フィルム50の構造は、必ずしもこれに限定されず、透明な薄膜状の密封構造ならば、いかなるものでも適用可能である。図3は、図1または図2のディスプレイ部20の一部をさらに詳細に示した平面図であり、図4は、図3のA-Aによる断面図であり、図5は、図4の画素電極230上に有機膜250と対向電極260とが追加された断面図であり、図6は、図3の画素電極230の発光部231とビアホール220との配置関係を概略的に示した断面図である。図3ないし図6に示す本発明の実施形態によれば、基板10上には、複数の薄膜トランジスタTRが設けられ、前記薄膜トランジスタTRは、ビアホール220を通じて画素電極230に電気的に連結されている。基板10は、SiO2を主成分とする透明材質のガラス材で形成されうる。もちろん、不透明材質も可能であり、プラスチック材のような他の材質で形成されることもできる。前記基板10の上面には、バッファ膜211が形成され、このバッファ膜211上に薄膜トランジスタTRが形成される。バッファ膜211は、不純元素の浸透を防止し、表面を平坦化する役割を行うものであって、このような役割を行える多様な物質で形成されうる。一例として、前記バッファ膜211は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタンまたは窒化チタンなどの無機物や、ポリイミド、ポリエステル、アクリルなどの有機物またはこれらの積層体で形成されうる。前記バッファ膜211は、必須構成要素ではなく、必要に応じては、備えられないこともある。一方、図3ないし図6には、画素電極230に電気的に連結される駆動用薄膜トランジスタTRが一つのみ表示されているが、これは、説明の便宜のためであり、基板10上に、スイッチング用薄膜トランジスタとキャパシタとをさらに設けてもよい。また、前記薄膜トランジスタとキャパシタとに連結されるスキャンライン、データライン及び駆動ラインなどの各種の配線がさらに含まれうる。半導体活性層212は、非晶質シリコンまたはポリシリコンのような無機材半導体を使用できるが、必ずしもこれに限定されず、有機半導体、酸化物半導体も使われうる。半導体活性層212は、ソース領域及びドレイン領域212b212cと、これらの間のチャンネル領域212aとを有する。半導体活性層212を覆うように、ゲート絶縁膜213がバッファ膜211上に形成され、ゲート絶縁膜213上にゲート電極214が形成される。ゲート電極214を覆うようにゲート絶縁膜213上に層間絶縁膜215が形成され、この層間絶縁膜215上にソース電極216とドレイン電極217とが形成され、それぞれ半導体活性層212のソース領域及びドレイン領域212b212cとコンタクトホールを通じてコンタクトされる。前述した薄膜トランジスタTRの構造は、図3ないし図6に示された構造に限定されず、多様な形態の薄膜トランジスタが適用可能である。例えば、前記薄膜トランジスタTRは、トップゲート構造で形成されたものであるが、ゲート電極214が半導体活性層212の下部に配されたボトムゲート構造でも形成されうる。もちろん、それ以外にも適用可能なすべての薄膜トランジスタの構造が適用されうる。このような薄膜トランジスタTRを覆うように平坦化膜218が形成される。平坦化膜218は、複数の薄膜トランジスタTRが備えられた基板10の段差を減らすためのものであるが、上面が平坦化した単一または複数層の絶縁膜となりうる。このような平坦化膜218として、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン及びフェノール樹脂からなる群から選択される一つ以上の物質を使用できる。一方、図3~図6には示されていないが、ソース電極216及びドレイン電極217上には、パッシベーション膜がさらに備えられうる。前記平坦化膜218を貫通して、薄膜トランジスタTRのドレイン電極217を露出させるようにビアホール220が形成される。このビアホール220を通じて、平坦化膜218上に所定パターンで形成された画素電極230と薄膜トランジスタTRとが電気的に連結される。もちろん、前記図面には、画素電極230が薄膜トランジスタTRのドレイン電極217と連結されると示されているが、これは例示であり、画素電極230は、ビアホール220を通じてソース電極216と電気的に連結されうる。画素電極230は、画素定義膜240によって覆われていない発光部231と、そのエッジが画素定義膜240によって覆われた画素定義膜形成部232a232bとに区分される。画素定義膜形成部232a232bは、発光部231とビアホール220とを連結するビアホール連結部232bと、画素電極230の残りのエッジ領域232aとに区分されうる。図3に示したように、本実施形態によるビアホール連結部232bは、同じ形状のパターンを有すると示されているが、本発明は、これに限定されない。平坦化膜218上には、前記のように、ビアホール220と電気的に連結された各画素電極230のエッジを覆うように、画素定義膜240が形成される。このような画素定義膜240は、画素電極230のエッジを所定の厚さで覆いつつ画素を定義する役割を行う。また、画素電極230の端部と後述する対向電極260との距離を増やすことによって、画素電極230の端部でのアークの発生を防止する役割を行うこともある。画素電極230上には、有機膜250と対向電極260とが順次に形成される。前記有機膜250は、低分子または高分子有機膜が使われうる。低分子有機膜を使用する場合、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が単一あるいは複合の構造で積層されて形成され、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン、NN-ジ-NN-ジフェニル-ベンジジン、トリス-8-ヒドロキシキノリンアルミニウムをはじめとして、多様に適用可能である。一方、高分子有機膜を使用する場合、発光層を中心に画素電極230の方向にホール輸送層のみが含まれうる。ホール輸送層-Ethylene-Dihydroxythiopheneや、ポリアニリンを使用できる。この時、前記発光層は、赤、緑、青色の画素ごとに独立して形成され、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、及び電子注入層は、共通層であって、赤、緑、青色の画素に共通に適用されうる。一方、図5では、発光層を備える有機膜250が画素電極230の開口上にのみ形成されたと示されているが、これは、一例であり、これらの共通層は、対向電極260のように、全体画素領域を覆うように形成されうる。このような発光層を備える有機膜250は、真空蒸着法、インクジェットプリンティング法、スピンコーティング法、レーザを利用した転写法の方法で通常のカラーパターンを形成できる。特に、ドナーフィルムに形成された発光材料をレーザ転写法で画素電極230上にパターンを転写する場合、発光部231を取り囲む画素定義膜240の厚さが厚ければ、画素定義膜240と発光部231との境界に形成される高い段差によって、発光部231の境界で発光材料の転写が円滑になされない。一方、前述したレーザ転写法によって発光層を形成する場合ではなくても、画素定義膜240の厚さが厚ければ、最近の趨勢である薄型のディスプレイの製作が難しい。前記のような多様な事情によって、画素定義膜240の厚さは、可能な限り薄く形成することが望ましい。画素定義膜240の厚さを薄く形成する時、もし、ビアホール220が画素電極230のエッジ、言い換えれば、画素電極230の発光部231の境界に過度に近く形成されれば、ビアホール220のために前記画素電極230上に形成された画素定義膜240が求められる厚さを維持できず、ビアホール220側に崩れてしまう現象が発生する。そのようになれば、画素電極230の発光部231の境界が不明確になり、画素の全体的な平坦度が低下する。その結果、前述したレーザを利用した転写法や真空蒸着によって発光層パターンを形成する場合、発光層パターンの境界が崩れて、結果的に、表示品質が低下するという問題が発生する。前記のような問題を解決するために、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置によれば、ビアホール220は、前記ビアホール220の周囲に隣接して配された各画素電極230の発光部231の境界から最も遠く形成される。図6は、図3で画素定義膜240と、前記画素定義膜240で取り囲まれた画素定義膜形成部232a232bとの図示を省略し、画素電極230の発光部231-1231-2231-3...とビアホール220との配置関係を概略的に示した平面図である。図3及び図6を参照すれば、各ビアホール220は、前記ビアホール220の周囲に隣接して配された各画素電極230の発光部231-1231-2231-3...から最も遠く形成される。具体的に、各画素電極230の発光部231パターンが第1方向、及び前記第1方向に垂直に交差する第2方向に沿って規則的に配列された場合、各ビアホール220は、前記各ビアホール220の周囲に前記第1方向に沿って隣接して配された二つの発光部231-1231-2、及び前記ビアホール220の周囲に前記第2方向に沿って隣接して配された二つの発光部231-1231-3の境界から最も遠く形成される。詳細には、図6に示したように、各ビアホール220は、前記各ビアホール220の周囲に前記第1方向に沿って隣接して配された二つの発光部231-1231-2の間を通る直線l1と、前記ビアホール220の周囲に前記第2方向に沿って隣接して配された二つの発光部231-1231-3の間を通る直線l2とが交差する位置に形成されうる。さらに詳細には、前記図6に示したように、前記直線l1l2は、それぞれビアホール220の周囲に前記第1方向に沿って隣接して配された二つの発光部231-1231-2を連結した直線の中心を通る直線l1、及び前記第2方向に沿って隣接して配された二つの発光部231-1231-3を連結した直線の中心を通る直線l2と説明されうる。また、図3及び図4を参照すれば、各ビアホール220と、前記各ビアホール220の周囲に隣接して配された各画素電極230の発光部231の境界との距離dは、一定に形成され、その距離dは、各ビアホール220が隣接した発光部231の境界から最大限離隔されるように設計されたということが分かる。一方、図3及び図6に示したように、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置は、各ビアホール220と、前記ビアホール220に第1方向に隣接したビアホール220とを連結した直線B1-B1、及び第2方向に隣接したビアホール220の間を連結した直線B2-B2上には、画素電極230の発光部231が配されないということが分かる。これは、各ビアホール220は、隣接した発光部231から最大限遠く離隔されるように設計するためである。したがって、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置によれば、ビアホール220の近くの薄い画素定義膜240の厚さが崩れる場合が発生しても、発光部231の境界では、画素定義膜240が元来の厚さを維持しているため、発光領域の定義を正確にできる。その結果、前述したレーザを利用した転写法や真空蒸着によって発光層パターンを形成する場合、発光層パターンの境界が明確に維持され、画素の全体的な平坦度が維持されるため、表示品質が向上する。一方、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置は、画素定義膜240の厚さが薄く形成される。一例として、本実施形態の画素定義膜240の厚さは、500Å以上5000Å以下であることが望ましい。画素定義膜240の厚さが500Åより薄い場合には、厚さが過度に薄くて、画素が定義し難く、厚さが5000Åより厚い場合には、画素定義膜240と発光部231との境界で形成される段差によって、レーザ熱転写法によって発光層の転写を円滑にできないためである。図4を参照すれば、画素定義膜240の厚さが薄いため、基板10の底面からビアホール220の上部に形成された画素定義膜240までの高さh2が、基板10の底面から発光部231に形成された画素電極230の表面までの高さh1より低いということが分かる。厚さが薄い画素定義膜240がビアホール220に形成された段差を十分に埋め込めないためである。しかし、本実施形態では、ビアホール220が画素電極230の発光部231の境界から十分に遠く離れているため、ビアホール220の上部に形成された画素定義膜240は、厚さが崩れるが、ビアホール220から所定間隔d離隔された発光部231境界の画素定義膜240の厚さは、そのまま維持されるということが分かる。一方、本実施形態による有機発光ディスプレイ装置で、画素電極230は、アノード電極の機能を行い、対向電極260は、カソード電極の機能を行える。もちろん、これらの画素電極230と対向電極260との極性は、相互逆になってもよい。本発明の一実施形態によれば、前記画素電極230は、反射電極となってもよく、前記対向電極260は、透明電極となってもよい。したがって、前記ディスプレイ部20は、対向電極260の方向に画像を具現する前面発光型となる。このために、前記画素電極230は、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca及びこれらの化合物で形成された反射膜と、仕事関数の高いITOIndiumTinOxide、IZOIndiumZincOxide、ZnO、またはIn2O3で備えられうる。そして、前記対向電極260は、仕事関数の小さい金属、すなわち、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、またはこれらの合金で形成されうる。しかし、本発明は、これに限定されず、前記画素電極230は、透明電極で備えられうる。この場合、前述した画素電極230は、反射膜なしに仕事関数の高いITO、IZO、ZnO、またはIn2O3で備えられれば十分である。一方、前記図面に示された構成要素は、説明の便宜上拡大または縮小して表示されうるので、図面に示された構成要素のサイズや形状に本発明が拘束されず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということが分かるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。