チャンバーの内部に不活性ガスを導入した後、前記チャンバーの内部を大気圧近傍に保持し、前記チャンバーの内部をClF3を含むガスで充満させた状態で、前記チャンバーの内部に配置されたシリコン基板をエッチングすること、を特徴とするテクスチャー形成方法。前記大気圧近傍の圧力範囲は、大気圧から80kPaである、請求項1記載のテクスチャー形成方法。前記不活性ガスは、窒素である、請求項1または2に記載のテクスチャー形成方法。前記不活性ガスは、希ガスである、請求項1~3の何れか一項に記載のテクスチャー形成方法。しかしながら、上記特許文献3に記載の反応性イオンエッチングによるテクスチャーの形成方法では、真空雰囲気を形成するための真空ポンプや、プラズマを発生させるための高周波電源などの高コスト部材が必要となる課題を有していた。また、上記特許文献4に記載のClF3ガスを用いた大気圧下でのドライエッチング方法は、大気中の水分とClF3ガスと反応し、人体に有害なフッ酸HFが発生するという課題を有していた。そこで本発明は、上記従来の問題を解決するものであり、ClF3ガスを用いた大気圧下でのドライエッチング方法において、人体に有害な物質を発生させることなく、かつ、低コストでテクスチャーを形成することが可能な、テクスチャー形成方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明のテクスチャー形成方法は、ClF3ガスを用いた大気圧下でのドライエッチング方法であって、チャンバーを窒素や希ガスなどの不活性ガスにより大気圧を保持し、さらにその保持された状態のチャンバー内に、シリコン基板を載置し、ClF3ガスを含むプロセスガスを導入しエッチングを行う方法を特徴とするものである。本構成によって、人体に有害なフッ酸HFが発生するという課題を克服することができる。以上のように、本発明のClF3ガスを用いた大気圧下でのドライエッチング方法を用いれば、人体に有害な物質を発生させることなく、かつ、反応性ドライエッチングのような高コストの設備を導入することなく、テクスチャーを形成することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の実施の形態におけるエッチングフローを示す図である。また、図2は、図1を実施するための装置構成の図である。図1のプロセスフローに基づき、図2を用いて説明する。また、図1及び図2において、図2と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。P1で、チャンバー1にガスボンベ11より、窒素や希ガスなどの不活性ガスを予め導入する。次に、P2で、圧力計10をモニターしながら、ブロワー3を操作して、大気圧の保持を行う。ガスボンベ11より、不活性ガスを導入したが、ノズル8を介して、ガスボンベ5より導入してもよい。そして、大気圧保持をしたのち、図2には記述していないが、別途、移載室などから、シリコン基板4の搬送を行う。このとき、移載室も予め不活性ガスで保持されていることが望ましい。なお、不活性ガスであれば何を選んでもよいが、コストを考えて窒素ガスを選択することが最も望ましいと考えられる。十分に空気との置換ができた場合には、チャンバー内の水分が存在しないため、後述の化学反応人体に有害なフッ酸のチャンバー1のステージ2上にシリコン基板4を載置したのち、P3で、ガスボンベ5から、マスフローコントローラー6を通して流量制御を行い、圧力調整弁7で圧力を制御され、混合されたプロセスガスが、チャンバー1内のノズル8よりシリコン基板4に噴射される。ノズル8は、自動スライダー9に連結されており、シリコン基板4全面にプロセスガスを均一に暴露させるため、シリコン基板4上をノズル8が往復運動するようになっている。ここでP4に示すように、ClF3ガスを含むプロセスガスに暴露されたシリコンは、直ちに化学反応しながらテクスチャーを形成する。ClF3ガスを含むプロセスガスの噴射量と同量のガスは、大気圧を維持しながら、ブロワー3より排気されている。ガスボンベ5が複数記載しているのは、プロセスガスを複数種類、想定しているためである。ClF3ガスだけでなく、添加ガスとして酸素、キャリアガスとして窒素を混合して導入すれば、より好ましいテクスチャーを形成できるためである。ここで、ClF3ガスを含むテクスチャーを形成するメカニズムについて触れる。技術的に明確に説明できない部分もあるが、次のように推測される。ClF3ガスにシリコンが暴露されると、ClF3ガスは非常に反応性が高いため、シリコンと化学反応し、SiF4になり気層中に拡散していく。このとき、添加ガスである酸素が反応中に介在すると、シリコン表面は、特に面方位1.1.1方向から選択的に、SiO2膜が形成される。このSiO2膜がセルフマスクになり、テクスチャーが形成されると考えられている。このClF3ガスと酸素ガスの流量比は、最適にコントロールされなければならない。チャンバー1内を空気で大気圧保持されている場合、空気中の酸素量が不安定なため、見かけの流量比と実際の流量比が異なるため、所望のテクスチャーが形成できない可能性がある。この意味でも、チャンバー1内を予め不活性ガスで保持することは重要である。仮にこのプロセス中にClF3と空気中の水分H2Oが化学反応した場合、人体に有害なフッ酸HFが生成され、チャンバー内部材に付着し、装置メンテナンス時に、人体に害を及ぼすことが考えられる。図3は、図2の構成の装置から、連続処理を可能にさせた実施の形態を示す図である。シリコン基板4は複数枚処理させるため、搬送トレイ15上に、複数枚載置されており、搬送トレイ15が搬送ローラー14上を走行する仕組みになっている。ノズル8は、チャンバー1に固定され、上述の図2の構造とは逆に、シリコン基板4がノズル8下を走行するようになる。なお、チャンバー12、13のように、チャンバーを複数個設けてもよい。チャンバー12、13は、チャンバー1の構成と同様に、エッチングが可能なチャンバーでもよいし、そうでなくてもよいが、予め不活性ガスで大気圧の保持を行うことは言うまでもない。この構成の場合でも、このプロセス中にClF3と空気中の水分H2Oが化学反応した場合、人体に有害なフッ酸HFが生成され、チャンバー内部材だけでなく搬送トレイ15にも付着する可能性があるので、危険度はより高くなる。なお、前記実施の形態を示す方法で、大気圧での保持は、チャンバー1からのガス漏えいを防止するために、大気圧より弱減圧下で実施してもよい。