"基板と、該基板の上面に取り付けられた光電変換素子と、両端に開口を有した筒形状であり、一方の端部を前記光電変換素子に近接させて配置された、内周面で反射させた光を前記光電変換素子に集光させる集光部材とを備えており、該集光部材の前記一方の端部の一部に、前記集光部材の内外で冷却流体を流通させるための切欠きを設けたことを特徴とする光電変換装置。前記集光部材の前記一方の端部と前記光電変換素子との間隔を0.05mm以上0.25mm以下にしたことを特徴とする請求項1記載の光電変換装置。前記集光部材の外周面に、前記集光部材の軸と交わる方向に張り出すように配された、前記冷却流体の前記外周面に沿った上下方向の流通を抑制する抑制板を設けたことを特徴とする請求項1または2記載の光電変換装置。前記集光部材は、円筒形状であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の光電変換装置。しかしながら、集光した太陽光がセルに直接照射されるため、セル102の温度が上昇してしまう。セル102は、高熱伝導の基板に実装されており、実装基板101を介してセル102の下面から放熱するように実装されている。しかし、セル102の上面は熱伝導の悪い空気に接触している。このため、セル102の上面側は熱が滞留して放熱し難く、セルの上面側の外周温度が上昇し、十分な放熱を妨げるという問題がある。本発明は、上記問題に鑑み、セル上面の放熱を改善し、セルの温度上昇による光電変換効率の劣化を抑えるものである。本発明の一実施形態に係る光電変換装置は、基板と、この基板の上面に取り付けられた光電変換素子と、両端に開口を有した筒形状であり、一方の端部を前記光電変換素子に近接させて配置された、内周面で反射させた光を前記光電変換素子に集光させる集光部材とを備えており、この集光部材の前記端部の一部に、前記集光部材の内外で冷却流体を流通させるための切欠きを設けたことを特徴としている。好ましくは、前記集光部材の前記一方の端部と前記光電変換素子との間隔を0.05mm以上0.25mm以下にするとよい。さらに、好ましくは、前記集光部材の外周面に、前記集光部材の軸と交わる方向に張り出すように配された、前記冷却流体の前記外周面に沿った上下方向の流通を抑制する抑制板を設けるとよい。また、好ましくは、前記集光部材は円筒形状とされている。本発明の一実施形態に係る光電変換装置は、集光部材の端部の一部に、集光部材の内外で冷却流体を流通させるための切欠きを設けたことから、切欠きを通じて光電変換素子の周辺に冷却流体を流入させ、高温になり軽くなった光電変換素子周辺の流体を集光部材の上部へ対流させることができる。これによって、光電変換素子の温度上昇を抑制することができる。さらに、集光部材の一方の端部と、光電変換素子との間隔を0.05mm以上0.25mm以下にすることで、切欠き部から光電変換素子の周囲に冷却流体を流入させ、集光部材の内側に好適な対流を起こさせることができる。さらに、集光部材の外周面に集光部材の軸と交わる方向に張り出すように配された抑制板を設けることで、集光部材の一方の端部に流通される冷却流体と、集光部材の内側で熱せられ他方端開口から放出された流体とが容易に混じるのを抑制することができる。また、集光部材が円筒形状とされることで、集光部材の内側に生じる対流をスムースに流通させ、光電変換素子の温度上昇を抑えることができる。以下、本発明のいくつかの実施形態の例について図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態の各例を示す図において、同じ部位には同じ符号を付して示す。図1に、本発明の光電変換装置の実施形態の一例を示す。本実施形態において、光電変換装置は、基板1と光電変換素子2と集光部材3とを備えている。基板1は光電変換素子2が実装されるもので、光電変換素子2は基板1の上面中央部に取り付けられている。光電変換素子2の上方近傍には、両端に開口を有し、一端図1においては下端から他端図1においては上端に向けて拡がる筒形状を有した集光部材3が配されている。集光部材3の内周面は光を反射する反射面とされており、上端開口から入射した光の一部を内周面で反射させて下端開口から光電変換素子2の受光面に向けて光を出射する。図1には図示していないが、集光部材3は、基板1あるいは基板1が固定され、基板1の熱を逃がす放熱板11に取り付けられた支持体を介して保持される。そして、集光部材3の光電変換素子2に近接する下端の一部に、集光部材3の外側と内側との間で冷却流体を流通させる切欠き4が設けられている。切欠き4から集光部材3内側に冷却流体を流入させるために、集光部材3の切欠き4を除いた下端と光電変換素子2との間隔は、0.05mm以上、0.25mm以下にしておくのが好ましい。光電変換素子2はシリコン半導体、あるいはIII-V族化合物半導体から成り、太陽光を受光することで端子間に起電力を発生する半導体素子である。光電変換素子2の上下面には電極が配置される。下面の電極は下面全面に施される場合があるが、上面の電極は、太陽光を遮ることのないよう細いワイヤ線等で形成される。光電変換素子2が実装される基板1は、セラミックス等の絶縁体からなり、光電変換素子2の実装面には、メッキ等で電極が形成されている。光電変換素子2と基板1の電極とは例えば半田や導電性ペーストを用いて接続され、光電変換素子2の下面と基板1の電極とが導通される。また光電変換素子2の上面は、ワイヤボンド等で、基板1の上面に設けられた電極に導通される。集光部材3は、一次光学系としてのフレネルレンズ16等で数百倍に集光された光の内、光電変換素子2の受光面から少し逸れた光を、光電変換素子2に入射させるための部品である。上端の開口は、下端の開口より広くなっており、上端の開口から入射した太陽光の一部が集光部材3の内周面を反射して光学変換素子2に入射する。太陽光の入射方向と光電変換素子2の入射面との相対位置が多少ずれても、集光部材3の内周面で反射させることで、光電変換素子2に入射できる仕組みとされている。なお、集光部材2は、アルミニウム等の金属を用い、内周面にはNiメッキ等を施して光の反射率を向上させたもの等が望ましい。集光部材3と光電変換素子2との間の隙間は、限りなく小さい方が望ましい。隙間があると、そこから反射光が集光部材3の外側に洩れ出る可能性があるためである。しかしながら、光電変換素子2の上面には、先に説明したとおり、電極が設けられており、電極からワイヤボンド等を介して基板1上の電極と接続する必要があるため、ワイヤボンド等を通すための50μmから250μmの隙間が設けられる。さらに、集光型太陽光発電装置20の筐体を密閉しない場合は、図2に示すように、光電変換素子2を保護するために、例えば透光性樹脂9によって光電変換素子2を覆い、上部にカバーガラス8等で蓋をするような構造を取る場合がある。カバーガラス8等で光電変換素子2が封じられる場合は、集光部材3との間の隙間を最小限とするのがよく、また、カバーガラス8と集光部材3とが接触していてもよい。図3は、集光部材3の外周面に抑制板5が設けられた例を示す斜視図である。抑制板5は、集光部材3の上下方向の軸と交わる方向、例えば図3のように軸に垂直な方向や、図4に示すような集光部材3の上端に連続的に接続される方向に、集光部材3の外周面から張り出すように設けられ、集光部材3の外周面に沿って流れる冷却流体の流通を抑制する機能を有する。抑制板5は、集光部材3の上下方向のどの位置に設けても良いのであるが、通常、図3,図4のように集光部材3の上端に設けられる。抑制板5としては、図3に示す平板の他に、図4に示す曲面状に上端に向けて次第に内側開口が大きくなる形状に設けてもよい。図3に示すような平板状の抑制板5を用いると、集光部材3の上端から上昇した温度の高い流体が、対流によって、集光部材3の近辺に降下することを防ぐことができ、集光部材3の周囲温度を低く保つことができる。図4に示すような抑制板5の形状にすると、集光部材3から上昇した温度の高い空気の滞留を防ぎ、逆流しないように対流させることができ、集光部材3の外部へ温度の高い空気を排気することができる。図5a,図5bは、図3に示す光電変換装置を用いた集光型太陽光発電装置20の実施の形態の一例を示す側断面図である。集光型太陽光発電装置20は、例えば、光電変換素子10の基板1が放熱板11の上面に配列させて実装され、これら複数の光電変換素子10の周囲を取り囲むように筐体13が設置される。そして、筐体13の上面には各光電変換素子10に焦点を結ぶように複数のフレネルレンズ16が形成された蓋体17が取り付けられる。光電変換素子10が取り付けられた放熱板11の下面には、ヒートシンク12が取り付けられる場合がある。これによって、光電変換素子10の冷却をより効果的に行なうことができる。図5aの集光型太陽光発電装置20は、開放型の例を示し、筐体13には送風口14および排気口15の少なくとも二つの開口が設けられている。そして、送風口14から冷却流体をポンプ等を介して流入させ、排気口15から内部で熱せられた流体を集光型太陽光発電装置20の外側へ排気することができるようにされている。また、隣接する集光部材3の抑制板5は互いに連結され、抑制板5の間を抜けて冷却流体が排気口15へ向かわないようにしてある。本実施形態に係る光電変換装置10は、集光部材3に切欠き4が設けられており、集光部材3の周囲の冷却流体の圧力を集光部材3の内側より高くすることによって、冷却流体を切欠き4から集光部材3の内側に流入させることができる。冷却流体には、例えば、空気が用いられるが、水等の液体を用いた液冷式とすることもできる。そして、集光部材3の内側に流入した冷却流体は光電変換素子2を冷却しながら熱せられて、集光部材3の内側を上昇し、排気口15から排出される。図5bの集光型太陽光発電装置20は、密閉型の例を示すもので、この場合、図5aに示される筐体13に冷却流体を流通させる開口は設けられない。代わって、隣接する光電変換装置10の集光部材3から張り出すように設けられた抑制板5の間には、隙間が設けられている。熱せられた光電変換素子2の周囲の冷却流体は、膨張して軽くなり、集光部材3の内側を上昇しようとする。この際、集光部材3の下端に切欠き4が設けられているので、集光部材3の外側の冷却流体が集光部材3の内側へ取り込まれ、光電変換素子2の上方に自然対流が生じる。これによって、光電変換素子2が冷却される。熱せられて集光部材3の上端から出た流体は、筐体13内で冷却され、隣接する抑制板5の間の隙間を通って、再び集光部材3の外側へ循環されるようになっている。図6a,図6bは、図4に示す光電変換装置10を用いた集光型太陽光発電装置20の実施の形態の例を示す。図6aは、開放型の場合を示し、抑制板5の形状が異なる他は、図5aと同様の構成を有している。図6bは、密閉型の場合を示し、抑制板5の形状が異なる他は、図5bと同様の構成を有している。集光部材3の端部と光学変換素子2との間の隙間は、小さい方が好ましい。また、光学変換素子2の受光面の周囲と集光部材3の端部との間の距離は小さいほうが好ましい。しかしながら、そうすると、流体が循環するような隙間が少なくなり、光学変換素子2の周囲に熱が滞留してしまう。光電変換素子2は、温度が高くなる程、変換効率が下がるため、集光の効率を上げたとしても、全体の効率を下げてしまう場合があった。また、流体を循環させるために集光部材3の端部と光学変換素子2との間に例えば0.5mm程度の隙間をあけると、集光効率の悪化を招く。本発明の一実施形態に係る上記光電変換装置10によれば、集光部材3の一端部に切欠き4を設けることで、集光効率の悪化を抑えつつ、光電変換素子2上部に滞留してしまう熱を、効率よく移動させ、光電変換素子2の温度上昇を抑えることができる。切欠き4の形状としては、空気抵抗を小さくし、かつ集光部材3の光学的な欠落を極力少なくするため半径0.25mm以上の円形がよいが、集光部材3の切欠き4の加工を考慮すると、円形に代えて、円の下半分は、横0.5mm×高さ0.25mm以上の長方形にしたほうが望ましい。光電変換素子2は平面視において多角形状または円形状の2mm乃至10mm程度の大きさのものであり、多くは一辺が10mm程度の略正方形状のものが用いられる。一辺10mm程度の四角形であれば、集光部材3の下端は、一辺10mm程度の相似な四角形とし、切欠き4部は1つもしくは2つ程度で良い。なお、2つ以上とする場合は切欠き4から流入した流体がぶつかって乱流を生じないようにするのが望ましい。例えば、集光部材4の外周面に対し、切欠き4の深さ方向が垂直の場合、集光部材3の壁面の互いに対面するような位置に配置しない方が良い。切欠き4の配置を調整し、集光部材3の切欠き4の肉厚を厚くし、切欠き4の深さ方向を集光部材3の表面の垂直軸より傾斜させることで、集光部材3の内側面を流体が回転するように流れるようにすると、流体による排熱効率は向上するのでよい。さらに、集光部材3を上端に向けて拡がる円錐形状の円筒にすれば、集光部材3の内側面をらせん状に上昇する層流が発生し、光電変換素子2から効率よく排熱できるので好ましい。また集光部材3の周囲に遮蔽板5を配置すると、遮蔽板5の上部の流体と、下部の流体とを分けることができ、下部の流体と上部の流体との間に温度差を生じさせ、集光部材3の切欠き4部を介して、さらに効率よく熱交換できるようになる。なお、本発明は上述の実施形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更や実施の形態の組合せを行なうことは何等差し支えない。"