"光起電層システムの評価的分析方法であって、層システム内で電流を発生させるステップと、層システムの表面の空間分解された熱放射の画像を生成するステップであって、画像は非常に多数の画素を有し、その各々には強度値が割り当てられている、ステップと、同じ強度値を有する画素のそれぞれの数に対する熱放射の強度分布を確定するステップと、強度分布から強度平均値/中央値を確定するステップと、強度分布の分散の指定可能な尺度に基づいて強度間隔を確定するステップと、強度間隔分だけ増加した強度平均値/中央値よりも大きい全ての強度値について、いずれの場合も同じ強度値を有する画素の数に強度値を乗じた結果である積の加算によって、固有値を確定するステップと、固有値またはこれに基づく計算値を指定可能な基準固有値と比較するステップであって、層システムには、固有値が基準固有値以上である場合には第1の評価結果が割り当てられ、固有値が基準固有値未満である場合には第2の評価結果が割り当てられる、ステップとを含む方法。光起電層システムが、p-n接合を形成する少なくとも1つの半導体層を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。電流が、p-n接合の逆および/または順バイアス方向で電圧を印加することによって層システム内に発生することを特徴とする、請求項2に記載の方法。異なる極性および/または異なる振幅を有する電圧が印加されることを特徴とする、請求項3に記載の方法。層システム内の電流が、層システムに光を照射することによって発生することを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。強度間隔が、強度分布の平均値/中央値の標準偏差または分位値、具体的には四分位値に基づいて計算されることを特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。固有値が、いずれの場合も強度分布の全ての強度について、同じ強度値を有する画素の数に強度値を乗じた結果である積の加算から求められる総固有値で除することによって、正規化されることを特徴とする、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。固有値と総固有値との間の商が、基準固有値との比較のための計算値として確定されることを特徴とする、請求項7に記載の方法。固有値と総固有値との間の差が、基準固有値との比較のための計算値として確定されることを特徴とする、請求項7に記載の方法。固有値が、いずれの場合も、互いに異なる層システムの表面の複数のセクションについて確定されることを特徴とする、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。セクションが、いずれの場合も、層システムの構造化のための少なくとも1つの構造化配線を包含することを特徴とする、請求項10に記載の方法。別々のセクションが形成され、構造化配線を備える領域および純粋なセル部分を備える領域にしたがって分離が行われることを特徴とする、請求項10に記載の方法。太陽電池モジュール、具体的にはその半導体層が黄銅鉱化合物、具体的にはCuIn,GaS,Se2でできている薄膜太陽電池モジュールの分析を評価するための、請求項1から12のいずれか一項に記載の方法の使用。本発明の目的は、太陽電池モジュールの品質の自動評価を可能にする、太陽電池モジュールの定量分析を提供することにある。この目的およびその他の目的は、独立請求項の特徴を備える方法により、本発明の提案にしたがって実現される。本発明の有利な実施形態は、従属請求項の特徴によって示される。本発明によれば、太陽光発電用の層システムの評価的定量分析の方法が実証される。層システム内では、たとえば内部電界によって、電荷キャリアまたは励起子の分離が発生する。層システムは好ましくは、ヘテロ接合またはp-n接合、言い換えると異なる伝導型を有する領域の連続体を形成する、少なくとも1つの半導体層を含む。光起電層システムは、たとえば、単一の太陽電池、直列にもしくはアレイとして接続されるいくつかの太陽電池、または直列接続される多数の太陽電池を包含する太陽電池モジュールであってもよい。具体的には、太陽電池モジュールは、太陽電池がたとえば一体的に直列接続されている、薄膜太陽電池モジュールであってもよい。このような薄膜太陽電池モジュールは、一般に、少なくとも1つの担体基板の他に、第1の電極層、第2の電極層、および2つの電極層の間に設けられた少なくとも1つの半導体層を含む。半導体層は、通例、ドーパントでドープされる。あるいは、半導体層は、たとえばナトリウムなどの物質でドープされてもよいが、その結果として自然欠陥の形成による真性ドーピングを生じる。好ましくは、半導体層は黄銅鉱化合物でできており、これは具体的には、たとえば二セレン化銅インジウムCuInSe2またはCIS、ナトリウムドープCuIn,GaS,Se2、または関連する化合物などの、銅インジウム/二硫化ガリウム/二セレン化物CuIn,GaS,Se2族からのI-III-VI族半導体であってもよい。しかしながら、光起電層システムはまた、p-n接合を形成する少なくとも1つの半導体層を含む太陽電池または太陽電池モジュールの製造における、中間生産物でもあり得る。光起電層システムの評価的定量分析のための本発明による方法において、電流は層システム内で発生し、とりわけそれによって、周囲温度と比較して上昇した層システムの表面の温度によって欠陥が検出可能となるように、層システムの欠陥の領域において電力損失が生じる。電流は、p-n接合の逆および/または順バイアス方向で層システムに電圧を印加することによって、発生させることができる。しかしながら、光の放射によって、接触を伴わずに層システム内に電流を発生させることも考えられ、この方法では、具体的には、外部電気コネクタをまだ有していない太陽電池モジュール製造の中間生産物が、単純な方式で、本発明の方法による評価的定量分析を受けることができる。電流の流れによって発生する電力損失を検出するのに適した、具体的には電流の発生と同時またはほぼ同時の時間関係において、光起電層システムの表面の空間分解された熱放射の熱画像は、熱画像カメラまたは赤外線カメラによって生成される。太陽電池モジュールにおいて、これは具体的には、光の入射のために設けられた表面であってもよい。一般に、熱放射を捕捉する熱画像は、層システムの表面の熱分布に基づいている。有利なことに、層システム内の電流の発生のために変調法が用いられる、いわゆるロックイン技術が使用される。この手法は本発明の理解にとって必須ではなく、当業者によく知られているので、これについてさらに詳細に説明することは不必要である。デジタル熱画像は、デジタルラスタ画像として、多数の像点または画像セル画素で構成されている。同様に、層システムの表面は、少なくとも理論上は、その各々が熱画像の1つの画素に一対一に対応して割り当てられている、多数の表面要素に分割されることが可能である。他方では、関連づけられた表面要素の表面温度に対応する強度値が、画素値として各画素に割り当てられる。熱画像において、異なる表面温度の表面の点に対応する画素は、互いに異なる強度値を有する。表面のより暖かい点に対応する画素は明るく見え、結果的により高い強度値を有するのに対して、より冷たい点に対応する画素は暗く見え、結果的により低い強度値を有する。代替の計測において、より暖かい点がより暗い画素に対応し、したがってより冷たい点がより明るい画素に対応することも可能である。あるいは、熱画像は、異なる色が異なる強度値に割り当てられている、疑似カラーで提示されることも可能である。他方では、同じ表面温度を有する表面の点に対応する像点画素は、同じ強度値を有する。次いで、熱画像に基づいて、同じ強度値を有する画素のそれぞれの数に対して熱放射の強度分布が確定される。言い換えると、熱画像の各強度値について、この強度を有する画素の数が決定される。その後、強度平均値、あるいは強度中央値は、画素数に基づく強度分布から確定される。加えて、強度分布に基づく強度間隔が、強度分布の分散scatteringの指定可能な尺度に基づいて確定される。強度分布の分散の指定可能な尺度は、強度平均値/中央値に基づく。好ましくは、強度分布の強度平均値/中央値の標準偏差または分位値quantile、具体的には四分位値quartileが、強度分布の分散の尺度として確定され、強度間隔は標準偏差または分位値に基づいて定義される。たとえば、強度間隔は標準偏差または分位値、具体的には四分位値のn倍に対応しnは10進数、具体的にはゼロより大きい整数である、たとえば標準偏差または分位値、具体的には四分位値の1倍または複数倍たとえば2倍または3倍である。次いで、積の加算によって固有値が確定されるが、いずれの場合もこの積は、同じ強度値を有する画素の数にこの強度値を乗じた結果である。ここでは、強度間隔分だけ増加した強度平均値または強度中央値よりも大きい強度値についてのみ、積が加算されることが、必須である。次いで、このように確定された固有値、あるいはこれに基づく計算値が、指定可能な基準固有値と比較され、固有値が基準固有値以上である場合には第1の評価結果が層システムに割り当てられ、固有値が基準固有値未満である場合には第1の評価結果とは異なる第2の評価結果が割り当てられる。第1の評価結果は、たとえば、層システムは要求される品質を満たしていないという見解であってもよく、第2の評価結果は、たとえば層システムは要求される品質を満たしているという見解であってもよい。本出願人の実験は、本発明による方法を用いて実証されたように、太陽電池および太陽電池モジュールなどの光起電層システムは、単純な方式で、自動定量分析およびその品質の評価を受けることができる。この方法は、品質要件との適合が確保され得るように、欠陥により望ましくないほどに高い内部電力損失のある層システムが、確実に信頼性高く検出されることを可能にする。すでに述べられたように、本発明による方法において、電力損失を生じる電流は、p-n接合の逆および/または順バイアス方向で電圧を印加することによって生成することが可能である。逆バイアス方向に電圧が印加されると、電力損失は、実質的に半導体層のオーム抵抗によって発生し、太陽電池の電気的直列接続のために太陽電池モジュール内に形成された構造化配線が特に強力に熱くなる。他方では、順バイアス方向に印加された電圧によって、主にセル領域内の電力損失が検出可能である。有利なことに、本発明による方法において、特に層システム内の異なるタイプの欠陥を識別可能にするために、異なる極性および/または異なる電圧値を有する電圧が印加される。本発明による方法の別の有利な実施形態において、確定された固有値は、たとえば総固有値で除することによって、正規化される。この総固有値は積を加算することによって計算され、強度分布の全ての強度値について、同じ強度値を有する画素のそれぞれの数に強度値を乗じた結果である。この場合、固有値と総固有値との間の商が、基準固有値との比較のための固有値に基づく計算値として確定されれば、やはり有利であろう。あるいは、基準固有値との比較のための固有値に基づく計算値として固有値と総固有値との間の差を確定することも有利であろう。本発明による方法の別の有利な実施形態において、互いに異なる層システムの表面の複数のセクションについて、いずれの場合も個別の固有値が確定される。層システムの様々な表面セクションについて確定された固有値は、光起電層システムの品質のセクション毎の評価を可能にし、それによって、具体的には特定のセクションで多数の欠陥が発生した場合に、空間位置の情報の標的とされる、層システムの品質を改善する対策が製造中にすでに取られていてもよい。層システムのこの実施形態を用いると、構造化配線の領域で欠陥が頻繁に発生するので、セクションがこの場合は層システムの構造化のために少なくとも1つの構造化配線を包含する場合に、特に有利であろう。有利なことに、セクションはまた、構造化配線のみを包含する領域に、および純粋なセル部分のみを包含する領域に分割するように形成されることも可能である。本発明はさらに、太陽電池モジュール、具体的にはその半導体層が黄銅鉱化合物、具体的にはCuIn,GaS,Se2でできている薄膜太陽電池モジュールの分析を評価するための、上述の方法の使用にも関する。ここで本発明は、例示的実施形態を用い、添付図面を参照して詳細に説明される。図面は縮尺通りではない略図で描写される。図1は、本発明による方法の実行のための例示的な構成1を模式的に示す。したがって、構成1は、分析すべき薄膜太陽電池モジュール5を含み、通例、太陽光発電のための、一体的に直列接続された複数の太陽電池を有するが、これは、図1には詳細に示されない。図1の薄膜太陽電池モジュール5の拡大図からわかるように、薄膜太陽電池モジュール1の各太陽電池は、たとえば以下の層システムを含むことができる:たとえば比較的低い光透過性を有するガラスで作られた絶縁性の第1の基板11の上には、たとえばモリブデンMoなどの不透明な金属で作られた裏面電極層12が設けられている。ドープされた半導体で作られた光起電力活性吸収層13は、裏面電極層12の上に堆積される。吸収層13はたとえば、p伝導型黄銅鉱半導体、具体的には、CuIn,GaS,Se2族の化合物、たとえばナトリウムNaドープ二セレン化銅インジウムCInSe2でできている。この場合は、たとえば単層の硫化カドミウムおよび単層の真性酸化亜鉛i-ZnOで作られる緩衝層14は、吸収層13の上に堆積される。ドープ金属酸化物、たとえばn伝導型アルミニウムAlドープ酸化亜鉛ZnOで作られた透明な前面電極層15は、たとえば真空蒸着によって、緩衝層14上に付着される。これはヘテロ接合、すなわち異なる材料タイプおよび逆の伝導型の層の連続体を形成する。環境的影響に対する保護のため、たとえばポリビニルブチラールPVBおよび/またはエチレン酢酸ビニルEVAで作られた、接着層16が前面電極層15上に堆積される。加えて、たとえば低鉄分超白色ガラスで作られた、太陽光を透過させる第2の基板17が設けられる。第2の基板17は、接着層16によって第1の基板11に結合され、層システムを封止するのに役立つ。薄膜太陽電池モジュール1は、第1の基板11上に様々な層が堆積され、たとえばストリッピングまたはスクライビングによる、レーザ書き込みおよび機械的加工などの適切な構造化技術を用いて直列接続された太陽電池を製造するために構造化されて、工業用連続生産において容易かつ費用効率良く製造されることが可能である。一般に、このような構造化は、各太陽電池について、3つの構造化配線を製造するための3つの構造化ステップを含むが、これらは図1の薄膜太陽電池モジュールの拡大図には示されていない。図1に示されるように、薄膜太陽電池モジュール5は、薄膜太陽電池モジュール5の表面10の光入射側上面が露出するように、その底側で平坦な担体4上に支持される。薄膜太陽電池モジュール1は、互いに対向して設けられた2つの外部コネクタ9の上の制御可能な電圧源6に、第1の電気配線7を介して接続されており、これらのコネクタは、太陽電池の前面または裏面電極層12、15に接続されている。それによって表面10の熱放射が捕捉されて熱画像内で空間分解され得る赤外線カメラ2は、薄膜太陽電池モジュールの光入射側表面10の上方の位置にもたらされる。通例、熱放射は薄膜太陽電池モジュール1の表面10の熱分布に対応する。構成1の撮像光学素子は図示されていない。赤外線カメラ2および電圧源6はいずれも、データ送信のために第2の電気配線8を介してプロセッサベースの制御装置3に接続されている。制御装置3による制御の下で、薄膜太陽電池モジュール5の定量分析のため、先ず、電圧源6を介して薄膜太陽電池モジュール5の2つの外部コネクタ9に電圧が印加される。これは薄膜太陽電池モジュール5に電流を発生させ、それによって電力損失が、特に薄膜太陽電池モジュールの欠陥の領域において誘発されるが、これは薄膜太陽電池モジュール5の表面10上の欠陥の部位での局所的な温度上昇として検出可能である。印加された電圧は特定の変調を受けるが、これはここでは詳細に説明されない。電流の発生と同時に、または適切な時間関係において、薄膜太陽電池モジュール5の表面10の空間分解された放射熱の熱画像が、赤外線カメラ2によって生成される。一例として、図2Aおよび図2Bは、より少ない欠陥数図2Aおよびより多い欠陥数図2Bを有する薄膜太陽電池モジュール5の場合について、2つの異なる熱画像を示す。これらの熱画像において、いずれの場合も欠陥は、より低温の周囲と比較して明るい点として検出可能である。このため、欠陥に対応する画素は、より低温の欠陥周囲に対応する画素よりも高い強度値を有する。両方の図において、太陽電池の直列接続のための構造化配線に対応する、細い平行な線もまた、検出可能である。次に、画素のそれぞれの数に対する熱放射の強度分布ヒストグラムが、熱画像から確定される。このような強度分布は、図2Aおよび図2Bの2つの熱画像に関するグラフとして、図3に示されている。このグラフにおいて、振幅または強度は横座標Aとして対応する単位で表示されており、画素の数Nは縦座標として表示されている。曲線Iは図2Aに対応し、曲線IIは図2Bに対応する。明らかに、曲線II-より大きい欠陥数に対応-はグラフの中央の振幅領域に、曲線Iよりもはるかに多い画素を有している。次いで、振幅または強度平均値および標準偏差が、従来の統計的手法を用いて強度分布から確定される。さらなる評価において、いずれの場合も、同じ強度値を有する画素の数にこの強度値を乗じた結果である積を加算することによって、固有値Kが確定される。加算はここで、たとえば標準偏差の分だけ増加した強度平均値よりも大きいこれらの強度値についてのみ、実行される。その結果、曲線Iについては値KI=157277が得られ、曲線IIについては値KII=273340が得られる。より大きい欠陥数に対応するので、KIIはKIよりも著しく大きい。この固有値Kに基づいて、ここで固有値Kを定義可能な基準固有値と比較して薄膜太陽電池モジュール5の品質の自動評価が行われることが可能であり、薄膜太陽電池モジュール5は、固有値Kが基準固有値以上である場合には第1の評価結果に割り当てられ、あるいは固有値Kが基準固有値未満である場合には第1の評価結果とは異なる第2の評価結果に割り当てられる。基準固有値は、薄膜太陽電池モジュール5の特定の品質要件に依存している。本例示的実施形態において、基準固有値は、一例として、200000であると仮定する。したがって、たとえば層システムは要求される品質を満たしているという評価結果が、図2Aの熱画像による薄膜太陽電池モジュール5に割り当てられ、これは固有値KI=157277を有する。一方、たとえば層システムは要求される品質を満たしていないという評価結果が、図2Bの熱画像による薄膜太陽電池モジュール5に割り当てられ、これは固有値KII=273340を有し、相応に廃棄されなければならない。本発明は、その品質の簡単かつ信頼性の高い評価を可能にする、太陽電池および太陽電池モジュールの定量分析の自動化された方法を、利用できるようにする。"