原子数における組成比が式:Fe100-X-PtX100-A-CA但し、Aは20≦A≦50、Xは35≦X≦55を満たす数で表される焼結体スパッタリングターゲットであって、合金中に微細分散したC粒子を有し、かつ相対密度が90以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。原子数における組成比が式:Fe100-X-Y-PtX-CuY100-A-CA但し、Aは20≦A≦50、Xは35≦X≦55、Yは0.5≦Y≦15を満たす数で表される焼結体スパッタリングターゲットであって、合金中に微細分散したC粒子を有し、かつ相対密度が90以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。スパッタリングターゲットの切断面における研磨組織で、C粒子の平均面積が4μm2以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のスパッタリングターゲット。Cがグラファイトであることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。スパッタリングターゲット中の酸素含有量が600wtppm以下であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。添加成分としてB、Mg、Al、Si、Ti、Cr、Zr、Nb、Taから選択した1種以上の元素の酸化物を20mol以下含み、該酸化物が合金中に分散した組織を有することを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。本発明の課題は、高価な同時スパッタ装置を用いることなくグラニュラー構造磁性薄膜の作製を可能にする、C粒子が分散したFe-Pt系スパッタリングターゲットを提供することであり、さらには、スパッタリング時に発生するパーティクル量を低減した高密度なスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、非磁性材料であるC粒子を微細に母材金属に均一に分散させることによって、高密度なスパッタリングターゲットを作製できることを見出した。このようにして作られたスパッタリングターゲットは、パーティクル発生を非常に少なくすることが可能になる。すなわち、成膜時の歩留まりを向上できることを見出した。このような知見に基づき、本発明は、1原子数における組成比が式:Fe100-X-PtX100-A-CA但し、Aは20≦A≦50、Xは35≦X≦55を満たす数で表される焼結体スパッタリングターゲットであって、合金中に微細分散したC粒子を有し、かつ相対密度が90以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット2原子数における組成比が式:Fe100-X-Y-PtX-CuY100-A-CA但し、Aは20≦A≦50、Xは35≦X≦55、Yは0.5≦Y≦15を満たす数で表される焼結体スパッタリングターゲットであって、合金中に微細分散したC粒子を有し、かつ相対密度が90以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット3スパッタリングターゲットの切断面における研磨組織で、C粒子の平均面積が4μm2以下であることを特徴とする上記1~2に記載のスパッタリングターゲット4Cがグラファイトであることを特徴とする上記1~3のいずれかに記載のスパッタリングターゲット5スパッタリングターゲット中の酸素含有量が600wtppm以下であることを特徴とする上記1~4のいずれかに記載のスパッタリングターゲット6添加成分としてB、Mg、Al、Si、Ti、Cr、Zr、Nb、Taから選択した1種以上の元素の酸化物を20mol以下含み、該酸化物が合金中に分散した組織を有することを特徴とする上記1~5のいずれかに記載のスパッタリングターゲット、を提供する。本発明のC粒子が分散したFe-Pt系スパッタリングターゲットは、高価な同時スパッタ装置を用いることなく、グラニュラー構造磁性薄膜の成膜を可能にし、さらには、スパッタリング時に発生するパーティクル量を低減した高密度なスパッタリングターゲットを提供できる優れた効果を有する。本発明のC粒子が分散したFe-Pt系スパッタリングターゲットは、原子数における組成比が式:Fe100-X-PtX100-A-CA但し、Aは20≦A≦50、Xは35≦X≦55を満たす数で表され、強磁性母材合金中に非磁性のC粒子が均一に微細分散し、かつ相対密度が90以上である。これが、本発明の基本となるものである。本発明では、C粒子の含有量は、スパッタリングターゲット組成中、好ましくは20以上50原子数比以下である。C粒子のターゲット組成中における含有量が、20原子数比未満であると、良好な磁気特性が得られない場合があり、50原子数比を超えると、C粒子が凝集し、パーティクルの発生が多くなる場合がある。また本発明では、Ptの含有量は、Fe-Pt合金組成中、好ましくは35以上55原子数比以下である。PtのFe-Pt合金中における含有量が、35原子数比未満であると、良好な磁気特性が得られない場合があり、55原子数比を超えても、同様に、良好な磁気特性が得られない場合がある。相対密度が90以上であることは本発明の重要な要件である。相対密度が高いと、スパッタ時にスパッタリングターゲットからの脱ガスによる問題が少なく、また、合金とC粒子の密着性が向上するため、パーティクル発生を効果的に抑制できる。望ましくは相対密度で95以上である。本発明において相対密度とは、ターゲットの実測密度を計算密度理論密度ともいうで割り返して求めた値である。計算密度とはターゲットの構成成分が互いに拡散あるいは反応せずに混在していると仮定したときの密度で、次式で計算される。式:計算密度=シグマΣ構成成分の分子量×構成成分の分子数比/Σ構成成分の分子量×構成成分の分子数比/構成成分の文献値密度ここで、Σは、ターゲットの構成成分の全てについて、和をとることを意味する。また、本発明のスパッタリングターゲットは、強磁性FePtCu合金を母材合金として用いることが出来る。すなわち、原子数における組成比が式:Fe100-X-Y-PtX-CuY100-A-CA但し、Aは20≦A≦50、Xは35≦X≦55、Yは0.5≦Y≦15を満たす数で表され、この母材合金中に非磁性のC粒子が均一に微細分散し、かつ相対密度が90以上である。本発明では、Ptの含有量は、Fe-Pt-Cu合金組成中、好ましくは35以上55原子数比以下である。PtのFe-Pt-Cu合金中における含有量が、35原子数比未満、55原子数比超であると、良好な磁気特性が得られない場合がある。また、Cuの含有量は、Fe-Pt-Cu合金組成中、好ましくは0.5原子数比以上15原子数比以下である。CuのFe-Pt-Cu合金中における含有量が、0.5原子数比未満であると、成膜したグラニュラー構造磁性薄膜をL10構造にするときの熱処理温度を十分に下げることができない場合があり、15原子数比超であると良好な磁気特性が得られない場合がある。また、本発明のスパッタリングターゲットは、合金中に、平均面積が4μm2以下のC粒子を分散させることが、特に有効である。平均面積が4μm2を超えると、作製されたスパッタリングターゲットは、スパッタ時のパーティクル発生を効果的に抑制できない。なお、平均面積はスパッタリングターゲットを切り出した端材の研磨面において観察されたC粒子の面積をその個数で割り返した値として導出する。また、本発明のスパッタリングターゲットは、グラファイトからなるC粒子を用いることが望ましい。これは、C粒子がグラファイト状であると作製されたスパッタリングターゲットは、さらにパーティクル発生を効果的に抑制できるからである。また、本発明のスパッタリングターゲットは、酸素濃度が600wtppm以下、より好ましくは500wtppm以下であることが、特に有効である。これは、本発明のスパッタリングターゲットをスパッタして作製された磁性薄膜において、Fe-Pt磁性粒子中の酸素量が減少することになるので、作製された磁性薄膜は良好な磁気特性が得られるからである。また、本発明のスパッタリングターゲットは、添加成分としてB、Mg、Al、Si、Ti、Cr、Zr、Nb、Taから選択した1種以上の元素の酸化物を20mol以下含ませることができる。これは、本発明のスパッタリングターゲットをスパッタして作製された磁性薄膜において、酸化物がCとともに磁性粒子同士の磁気的な相互作用を絶縁する構造をとるため、作製された磁性薄膜は良好な磁気特性が得られるからである。またスパッタリング時のパーティクル発生を抑制するという観点から、酸化物もCと同様に合金中に微細分散していることが望ましい。添加量の下限値は1molとするのが良い。この下限値未満であると、添加の効果がないからである。本発明のスパッタリングターゲットは、粉末焼結法によって作製する。作製にあたり、各原料粉末Fe粉末、Pt粉末、Cu粉末、C粉末、酸化物粉末を用意する。これらの粉末は、粒径が0.5μm以上10μm以下のものを用いることが望ましい。原料粉末の粒径が小さ過ぎると、原料粉末が凝集しやすいなどの問題があるため、0.5μm以上とすることが望ましい。一方、原料粉末の粒径が大きいと、C粒子を合金中に微細分散することが難しくなるため10μm以下のものを用いることがさらに望ましい。さらに原料粉末として、合金粉末Fe-Pt粉、Fe-Cu粉、Pt-Cu粉、Fe-Pt-Cu粉を用いてもよい。特にPtを含む合金粉末はその組成にもよるが、原料粉末中の酸素量を少なくするために有効である。合金粉末を用いる場合も、粒径が0.5μm以上10μm以下のものを用いることが望ましい。そして、上記の粉末を所望の組成になるように秤量し、ボールミル等の公知の手法を用いて粉砕を兼ねて混合する。こうして得られた混合粉末をホットプレスで成型焼結する。ホットプレス以外にも、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。焼結時の保持温度は、スパッタリングターゲットの組成にもよるが、多くの場合、1200~1400°Cの温度範囲とする。次に、ホットプレスから取り出した焼結体に等方熱間加圧加工を施す。等方熱間加圧加工は焼結体の密度向上に有効である。等方熱間加圧加工時の保持温度は焼結体の組成にもよるが、多くの場合、1200~1400°Cの温度範囲である。また加圧力は100Mpa以上に設定する。このようにして得られた焼結体を旋盤で所望の形状に加工することにより、本発明のスパッタリングターゲットは作製できる。以上により、合金中にC粒子が均一に微細分散し、且つ高密度なC粒子が分散したFe-Pt系スパッタリングターゲットを作製することができる。このようにして製造した本発明のスパッタリングターゲットは、グラニュラー構造磁性薄膜の成膜に使用するスパッタリングターゲットとして有用である。以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。実施例1原料粉末として平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒径1μmのC粉末を用意した。C粉末は市販の無定形炭素を用いた。これらの粉末を以下の原子数比で、合計重量が2600gとなるように秤量した。原子数比:Fe50-Pt5060-C40次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、4時間回転させて混合粉砕した。そしてボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度300°C/時間、保持温度1200°C、保持時間2時間とし、昇温開始時から保持終了まで30MPaで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度300°C/時間、保持温度1350°C、保持時間2時間とし、昇温開始時からArガスのガス圧を徐々に高めて、1350°C保持中は150MPaで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ96.6であった。次に得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を光学顕微鏡で観察した。そして組織面上の任意に選んだ4箇所で、108μm×80μmの視野サイズで組織画像を撮影した。撮影された画像を画像処理ソフトで2値化しC粒子に該当する部分組織観察画像の黒っぽいところの個数と面積を求めた。こうしてC粒子1個あたりの平均面積を計算したところ、2.9μm2であった。また端材を用いて焼結体中の酸素含有量を測定したところ560wtppmであった。次に焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置キヤノンアネルバ製C3010スパッタリングシステムに取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、2kWhrのプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のシリコン基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は410個であった。比較例1原料粉末として平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒径1μmのC粉末を用意した。C粉末は市販の無定形炭素を用いた。これらの粉末を以下の原子数比で、合計重量が2600gとなるように秤量した。原子数比:Fe50-Pt5060-C40次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、4時間回転させて混合粉砕した。そしてボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度300°C/時間、保持温度1200°C、保持時間2時間とし、昇温開始時から保持終了まで30MPaで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ83.6であった。次に得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を光学顕微鏡で観察した。そして組織面上の任意に選んだ4箇所で、108μm×80μmの視野サイズで組織画像を撮影した。撮影された画像を画像処理ソフトで2値化しC粒子に該当する部分組織観察画像の黒っぽいところの個数と面積を求めた。こうしてC粒子1個あたりの平均面積を計算したところ、2.7μm2であった。また端材を用いて焼結体中の酸素含有量を測定したところ620wtppmであった。次に焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置キヤノンアネルバ製C3010スパッタリングシステムに取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、2kWhrのプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のシリコン基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときの個数は9640個であった。比較例2原料粉末として平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒径1μmのC粉末を用意した。C粉末は市販の無定形炭素を用いた。これらの粉末を以下の原子数比で、合計重量が2050gとなるように秤量した。原子数比:Fe50-Pt5040-C60次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、4時間回転させて混合粉砕した。そしてボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度300°C/時間、保持温度1200°C、保持時間2時間とし、昇温開始時から保持終了まで30MPaで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度300°C/時間、保持温度1350°C、保持時間2時間とし、昇温開始時からArガスのガス圧を徐々に高めて、1350°C保持中は150MPaで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ87.8であった。次に得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を光学顕微鏡で観察した。そして組織面上の任意に選んだ4箇所で、108μm×80μmの視野サイズで組織画像を撮影した。撮影された画像を画像処理ソフトで2値化しC粒子に該当する部分組織観察画像の黒っぽいところの個数と面積を求めた。こうしてC粒子1個あたりの平均面積を計算したところ、6.2μm2であった。また端材を用いて焼結体中の酸素含有量を測定したところ820wtppmであった。次に焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置キヤノンアネルバ製C3010スパッタリングシステムに取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、2kWhrのプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のシリコン基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときの個数は20000個以上であった。実施例2原料粉末として平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒径3μmのCu粉末、平均粒径1μmのC粉末を用意した。C粉末は市販の無定形炭素を用いた。これらの粉末を以下の原子数比で、合計重量が2380gとなるように秤量した。原子数比:Fe40-Pt45-Cu1555-C45次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、4時間回転させて混合粉砕した。そしてボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度300°C/時間、保持温度1200°C、保持時間2時間とし、昇温開始時から保持終了まで30MPaで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度300°C/時間、保持温度1350°C、保持時間2時間とし、昇温開始時からArガスのガス圧を徐々に高めて、1350°C保持中は150MPaで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ95.8であった。次に得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を光学顕微鏡で観察した。そして組織面上の任意に選んだ4箇所で、108μm×80μmの視野サイズで組織画像を撮影した。撮影された画像を画像処理ソフトで2値化しC粒子に該当する部分組織観察画像の黒っぽいところの個数と面積を求めた。こうしてC粒子1個あたりの平均面積を計算したところ、2.7μm2であった。また端材を用いて焼結体中の酸素含有量を測定したところ540wtppmであった。次に焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置キヤノンアネルバ製C3010スパッタリングシステムに取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、2kWhrのプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のシリコン基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときの個数は320個であった。比較例3原料粉末として平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒径3μmのCu粉末、平均粒径1μmのC粉末を用意した。C粉末は市販の無定形炭素を用いた。これらの粉末を以下の原子数比で、合計重量が2380gとなるように秤量した。原子数比:Fe40-Pt45-Cu1555-C45次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、4時間回転させて混合粉砕した。そしてボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度300°C/時間、保持温度1200°C、保持時間2時間とし、昇温開始時から保持終了まで30MPaで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ85.7であった。次に得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を光学顕微鏡で観察した。そして組織面上の任意に選んだ4箇所で、108μm×80μmの視野サイズで組織画像を撮影した。撮影された画像を画像処理ソフトで2値化しC粒子に該当する部分組織観察画像の黒っぽいところの個数と面積を求めた。こうしてC粒子1個あたりの平均面積を計算したところ、2.5μm2であった。また端材を用いて焼結体中の酸素含有量を測定したところ580wtppmであった。次に焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置キヤノンアネルバ製C3010スパッタリングシステムに取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、2kWhrのプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のシリコン基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときの個数は11210個であった。実施例3原料粉末として平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒径1μmのC粉末を用意した。C粉末は市販の無定形炭素を用いた。これらの粉末を以下の原子数比で、合計重量が2600gとなるように秤量した。原子数比:Fe50-Pt5060-C40次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、16時間回転させて混合粉砕した。そしてボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度300°C/時間、保持温度1200°C、保持時間2時間とし、昇温開始時から保持終了まで30MPaで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度300°C/時間、保持温度1350°C、保持時間2時間とし、昇温開始時からArガスのガス圧を徐々に高めて、1350°C保持中は150MPaで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ96.9であった。次に得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を光学顕微鏡で観察した。そして組織面上の任意に選んだ4箇所で、108μm×80μmの視野サイズで組織画像を撮影した。撮影された画像を画像処理ソフトで2値化しC粒子に該当する部分組織観察画像の黒っぽいところの個数と面積を求めた。こうしてC粒子1個あたりの平均面積を計算したところ、1.0μm2であった。また端材を用いて焼結体中の酸素含有量を測定したところ870wtppmであった。図1に、断面の顕微鏡写真を示す。図1に示すように、白い部分の合金中に、黒い部分のC粒子が均一に分散していることが分かる。次に焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置キヤノンアネルバ製C3010スパッタリングシステムにスパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、2kWhrのプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のシリコン基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときの個数は230個であった。実施例4原料粉末として平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒径5μmのC粉末を用意した。C粉末は真比重が2.25g/ccのグラファイト粉末を用いた。これらの粉末を以下の原子数比で、合計重量が2600gとなるように秤量した。原子数比:Fe50-Pt5060-C40次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、4時間回転させて混合粉砕した。そしてボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度300°C/時間、保持温度1200°C、保持時間2時間とし、昇温開始時から保持終了まで30MPaで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度300°C/時間、保持温度1350°C、保持時間2時間とし、昇温開始時からArガスのガス圧を徐々に高めて、1350°C保持中は150MPaで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ97.6であった。次に得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を光学顕微鏡で観察した。そして組織面上の任意に選んだ4箇所で、108μm×80μmの視野サイズで組織画像を撮影した。撮影された画像を画像処理ソフトで2値化しC粒子に該当する部分組織観察画像の黒っぽいところの個数と面積を求めた。こうしてC粒子1個あたりの平均面積を計算したところ、3.2μm2であった。また端材を用いて焼結体中の酸素含有量を測定したところ600wtppmであった。次に焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置キヤノンアネルバ製C3010スパッタリングシステムに取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、2kWhrのプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のシリコン基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときの個数は170個であった。実施例5原料粉末として平均粒径10μmのFe-Pt合金粉末、平均粒径1μmのC粉末を用意した。C粉末は市販の無定形炭素を用いた。これらの粉末を以下の原子数比で、合計重量が2600gとなるように秤量した。原子数比:Fe50-Pt5060-C40次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、8時間回転させて混合粉砕した。そしてボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度300°C/時間、保持温度1200°C、保持時間2時間とし、昇温開始時から保持終了まで30MPaで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度300°C/時間、保持温度1350°C、保持時間2時間とし、昇温開始時からArガスのガス圧を徐々に高めて、1350°C保持中は150MPaで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ97.1であった。次に得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を光学顕微鏡で観察した。そして組織面上の任意に選んだ4箇所で、108μm×80μmの視野サイズで組織画像を撮影した。撮影された画像を画像処理ソフトで2値化しC粒子に該当する部分組織観察画像の黒っぽいところの個数と面積を求めた。こうしてC粒子1個あたりの平均面積を計算したところ、2.6μm2であった。また端材を用いて焼結体中の酸素含有量を測定したところ280wtppmであった。次に焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置キヤノンアネルバ製C3010スパッタリングシステムにスパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、2kWhrのプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のシリコン基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときの個数は360個であった。実施例6原料粉末として平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒径1μmのC粉末、平均粒径1μmのSiO2粉末を用意した。C粉末は真比重が2.25g/ccのグラファイト粉末を用いた。これらの粉末を以下の原子数比で、合計重量が2600gとなるように秤量した。原子数比:Fe50-Pt5069-C10-Si7-O14次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、4時間回転させて混合粉砕した。そしてボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度300°C/時間、保持温度1200°C、保持時間2時間とし、昇温開始時から保持終了まで30MPaで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度300°C/時間、保持温度1200°C、保持時間2時間とし、昇温開始時からArガスのガス圧を徐々に高めて、1200°C保持中は150MPaで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ98.6であった。次に得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を電子線マイクロアナライザで観察した。そして組織面上の任意に選んだ4箇所で、80μm×80μmの視野サイズで研磨面の元素分布を撮影した。撮影されたCの元素分布画像を画像処理ソフトで2値化しC粒子に該当する部分の個数と面積を求めた。こうしてC粒子1個あたりの平均面積を計算したところ、2.5μm2であった。次に焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置キヤノンアネルバ製C3010スパッタリングシステムに取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、2kWhrのプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のシリコン基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は120個であった。比較例4原料粉末として平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒径20μmのC粉末、平均粒径1μmのSiO2粉末を用意した。C粉末は真比重が2.25g/ccのグラファイト粉末を用いた。これらの粉末を以下の原子数比で、合計重量が2600gとなるように秤量した。原子数比:Fe50-Pt5069-C10-Si7-O14次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、4時間回転させて混合粉砕した。そしてボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度300°C/時間、保持温度1200°C、保持時間2時間とし、昇温開始時から保持終了まで30MPaで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。次にホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度300°C/時間、保持温度1200°C、保持時間2時間とし、昇温開始時からArガスのガス圧を徐々に高めて、1200°C保持中は150MPaで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ98.1であった。次に得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を電子線マイクロアナライザで観察した。そして組織面上の任意に選んだ4箇所で、80μm×80μmの視野サイズで研磨面の元素分布を撮影した。撮影されたCの元素分布画像を画像処理ソフトで2値化しC粒子に該当する部分の個数と面積を求めた。こうしてC粒子1個あたりの平均面積を計算したところ、11.5μm2であった。次に、焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置キヤノンアネルバ製C3010スパッタリングシステムに取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、2kWhrのプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のシリコン基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は510個であった。実施例7原料粉末として平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒径3μmのCu粉末、平均粒径1μmのC粉末、平均粒径2μmのMgO粉末を用意した。C粉末は真比重が2.25g/ccのグラファイト粉末を用いた。これらの粉末を以下の原子数比で、合計重量が2500gとなるように秤量した。原子数比:Fe45-Pt45-Cu1064-C18-Mg9-O9次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、4時間回転させて混合粉砕した。そしてボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度300°C/時間、保持温度1250°C、保持時間2時間とし、昇温開始時から保持終了まで30MPaで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。次に、ホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度300°C/時間、保持温度1250°C、保持時間2時間とし、昇温開始時からArガスのガス圧を徐々に高めて、1250°C保持中は150MPaで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ98.2であった。次に、得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を電子線マイクロアナライザで観察した。そして組織面上の任意に選んだ4箇所で、80μm×80μmの視野サイズで研磨面の元素分布を撮影した。撮影されたCの元素分布画像を画像処理ソフトで2値化しC粒子に該当する部分の個数と面積を求めた。こうしてC粒子1個あたりの平均面積を計算したところ、2.6μm2であった。次に、焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置キヤノンアネルバ製C3010スパッタリングシステムに取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、2kWhrのプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のシリコン基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は320個であった。実施例8原料粉末として平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒径1μmのC粉末、平均粒径3μmのCr2O3粉末を用意した。C粉末は真比重が2.25g/ccのグラファイト粉末を用いた。これらの粉末を以下の原子数比で、合計重量が2600gとなるように秤量した。原子数比:Fe60-Pt4062.5-C16.67-Cr8.33-O12.50次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、4時間回転させて混合粉砕した。そしてボールミルから取り出した混合粉末をカーボン製の型に充填しホットプレスした。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度300°C/時間、保持温度1150°C、保持時間2時間とし、昇温開始時から保持終了まで30MPaで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。次に、ホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間等方加圧加工を施した。熱間等方加圧加工の条件は、昇温速度300°C/時間、保持温度1150°C、保持時間2時間とし、昇温開始時からArガスのガス圧を徐々に高めて、1150°C保持中は150MPaで加圧した。保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。こうして作製された焼結体の密度をアルキメデス法で測定し、相対密度を計算したところ96.7であった。次に、得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を電子線マイクロアナライザで観察した。そして組織面上の任意に選んだ4箇所で、80μm×80μmの視野サイズで研磨面の元素分布を撮影した。撮影されたCの元素分布画像を画像処理ソフトで2値化しC粒子に該当する部分の個数と面積を求めた。こうしてC粒子1個あたりの平均面積を計算したところ、1.8μm2であった。次に、焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工した後、マグネトロンスパッタ装置キヤノンアネルバ製C3010スパッタリングシステムに取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、2kWhrのプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のシリコン基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は260個であった。以上の結果をまとめたものが表1である。表1に示すように、本発明のスパッタリングターゲットの実施例はいずれの場合においても、スパッタリングターゲットの高密度が維持され、スパッタリング時に発生するパーティクルは500個以下であり、比較例に比べ常に少ないという結果が得られた。