"III-V族化合物半導体からなる主表面の面方位が100の基板の表面を、表面が100面からなり01-1の方向に延在する短冊形の第1領域と、表面が100面以外のファセットからなり01-1の方向に前記第1領域に接して延在する短冊形の第2領域とが、0-1-1]方向に交互に配列する状態に加工する第1工程と、前記基板の上にIII-V族化合物半導体をシリコンおよび亜鉛を不純物として導入してエピタキシャル成長することで、表面が100面からなり前記第1領域に対応して01-1の方向に延在する短冊形のn型領域と、表面が100面以外のファセットからなり前記第2領域に対応して01-1の方向に延在する短冊形のp型領域とが、0-1-1]方向に交互に配列する状態のpn接合層を形成する第2工程と、少なくとも前記pn接合層との接合面は前記pn接合層と同じバンドギャップエネルギーを有する状態のp型のIII-V族化合物半導体からなる光吸収層を前記pn接合層の上に形成する第3工程と、前記基板を除去する第4工程と、前記pn接合層に接続する第1電極および第2電極を形成する第5工程とを少なくとも備えることを特徴とする太陽電池の製造方法。請求項1記載の太陽電池の製造方法において、前記基板の上に、前記基板のエッチング処理でエッチングされにくいIII-V族化合物半導体からなるエッチング停止層を形成する工程を備え、前記エッチング停止層を形成した後に前記pn接合層を形成し、前記エッチング処理により前記基板を前記エッチング停止層までエッチングすることで前記基板を除去することを特徴とする太陽電池の製造方法。請求項1または2記載の太陽電池の製造方法において、前記基板を除去する前に、前記光吸収層より大きなバンドギャップエネルギーを有するIII-V族化合物半導体からなる保護層を前記光吸収層の上に形成する工程を備えることを特徴とする太陽電池の製造方法。請求項3記載の太陽電池の製造方法において、前記光吸収層は、前記pn接合層から前記保護層にかけてバンドギャップエネルギーが大きくなる状態に形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。請求項4記載の太陽電池の製造方法において、前記光吸収層の形成では、前記pn接合層の上に、前記pn接合層よりバンドギャップエネルギーの大きいIII-V族化合物半導体よりなる第1層を形成し、前記第1層よりバンドギャップエネルギーの大きいIII-V族化合物半導体よりなる第2層を前記第1層の上に形成し、前記保護層のバンドギャップエネルギー以下の範囲で前記第2層よりバンドギャップエネルギーの大きいIII-V族化合物半導体よりなる第3層を前記第1層の上に形成し、前記第1層,前記第2層,前記第3層より前記光吸収層とすることを特徴とする太陽電池の製造方法。請求項3~5のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法において、前記基板を除去する前に、前記保護層の上に透明な材料から構成された支持基板を貼り付ける工程を備えることを特徴とする太陽電池の製造方法。III-V族化合物半導体からなるpn接合層と、前記pn接合層の上に形成され、少なくとも前記pn接合層との接合面は前記pn接合層と同じバンドギャップエネルギーを有するp型のIII-V族化合物半導体からなる光吸収層と、前記pn接合層に接続する第1電極および第2電極とを少なくとも備え、前記pn接合層は、前記光吸収層側の主表面の面方位が100とされ、表面が100面からなり01-1の方向に延在する短冊形のn型領域と、表面が100面以外のファセットからなり01-1の方向に前記n型領域に接して延在する短冊形のp型領域とを、0-1-1]方向に交互に配列して備え、前記n型領域はシリコンが不純物として導入され、前記p型領域は亜鉛が不純物として導入され、前記第1電極は前記n型領域に接続して形成され、前記第2電極は前記p型領域に接続して形成されていることを特徴とする太陽電池。しかしながら、上述した裏面接合型の太陽電池では、次に説明するような問題がある。まず、この太陽電池を構成するシリコンは、間接遷移型の半導体であるため、光吸収係数が小さく、実用的な吸収量を得るためには最低でも数百μmの厚さが必要となる。また、太陽電池の発電動作のためには、光吸収によって発生した少数キャリア正孔を裏面に配置したp拡散領域802p電極806まで拡散させる必要がある。このため、シリコンを用いた上述の太陽電池で高い変換効率を実現するには、シリコン単結晶の品質を向上させて少数キャリアの拡散長を長くする必要がある。このため、上述した技術では、高い発電効率が得られる裏面接合型の太陽電池が、容易に製造できないという問題がある。さらに、上述した裏面接合型の太陽電池では、裏面の拡散層をパターニングによって形成するため、縦型のpn接合を用いた太陽電池と比較して製造プロセスが複雑になる。この製造プロセスの複雑化も、太陽電池の再現性良い製造を難しくする原因となる。本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、複雑な製造プロセスを用いることなく、裏面接合型の太陽電池の特性が向上できるようにすることを目的とする。本発明に係る太陽電池の製造方法は、III-V族化合物半導体からなる主表面の面方位が100の基板の表面を、表面が100面からなり01-1の方向に延在する短冊形の第1領域と、表面が100面以外のファセットからなり01-1の方向に第1領域に接して延在する短冊形の第2領域とが、0-1-1]方向に交互に配列する状態に加工する第1工程と、基板の上にIII-V族化合物半導体をシリコンおよび亜鉛を不純物として導入してエピタキシャル成長することで、表面が100面からなり第1領域に対応して01-1の方向に延在する短冊形のn型領域と、表面が100面以外のファセットからなり第2領域に対応して01-1の方向に延在する短冊形のp型領域とが、0-1-1]方向に交互に配列する状態のpn接合層を形成する第2工程と、少なくともpn接合層との接合面はpn接合層と同じバンドギャップエネルギーを有する状態のp型のIII-V族化合物半導体からなる光吸収層をpn接合層の上に形成する第3工程と、基板を除去する第4工程と、pn接合層に接続する第1電極および第2電極を形成する第5工程とを少なくとも備える。上記太陽電池の製造方法において、基板の上に、基板のエッチング処理でエッチングされにくいIII-V族化合物半導体からなるエッチング停止層を形成する工程を備え、エッチング停止層を形成した後にpn接合層を形成し、エッチング処理により基板をエッチング停止層までエッチングすることで基板を除去してもよい。上記太陽電池の製造方法において、基板を除去する前に、光吸収層より大きなバンドギャップエネルギーを有するIII-V族化合物半導体からなる保護層を光吸収層の上に形成する工程を備えるようにしてもよい。また、光吸収層は、pn接合層から保護層にかけてバンドギャップエネルギーが大きくなる状態に形成してもよい。また、光吸収層の形成では、pn接合層の上に、pn接合層よりバンドギャップエネルギーの大きいIII-V族化合物半導体よりなる第1層を形成し、第1層よりバンドギャップエネルギーの大きいIII-V族化合物半導体よりなる第2層を第1層の上に形成し、保護層のバンドギャップエネルギー以下の範囲で第2層よりバンドギャップエネルギーの大きいIII-V族化合物半導体よりなる第3層を第1層の上に形成し、第1層,第2層,第3層より光吸収層としてもよい。上記太陽電池の製造方法において、基板を除去する前に、保護層の上に透明な材料から構成された支持基板を貼り付ける工程を備えるようにしてもよい。また、本発明に係る太陽電池は、III-V族化合物半導体からなるpn接合層と、pn接合層の上に形成され、少なくともpn接合層との接合面はpn接合層と同じバンドギャップエネルギーを有するp型のIII-V族化合物半導体からなる光吸収層と、pn接合層に接続する第1電極および第2電極とを少なくとも備え、pn接合層は、光吸収層側の主表面の面方位が100とされ、表面が100面からなり01-1の方向に延在する短冊形のn型領域と、表面が100面以外のファセットからなり01-1の方向にn型領域に接して延在する短冊形のp型領域とを、0-1-1]方向に交互に配列して備え、n型領域はシリコンが不純物として導入され、p型領域は亜鉛が不純物として導入され、第1電極はn型領域に接続して形成され、第2電極はp型領域に接続して形成されている。以上説明したことにより、本発明によれば、複雑な製造プロセスを用いることなく、裏面接合型の太陽電池の特性が向上できるようになる。以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。実施の形態1はじめに、本発明の実施の形態1について説明する。図1は、本発明の実施の形態1における太陽電池の構成を示す断面図である。この太陽電池は、III-V族化合物半導体からなるpn接合層101と、pn接合層101の上に形成され、少なくともpn接合層101との接合面はpn接合層101と同じバンドギャップエネルギーを有するp型のIII-V族化合物半導体からなる光吸収層102とを備える。pn接合層101は、光吸収層102側の主表面の面方位が100とされている。また、pn接合層101は、表面が100面からなる短冊状のn型領域105と、表面が100面以外のファセットからなる短冊状のp型領域106とを、交互に配列して備えている。n型領域105およびp型領域106は、pn接合層101の01-1の方向に延在している。また、n型領域105およびp型領域106は、pn接合層101の0-1-1]方向に交互に配列している。また、n型領域105はシリコンが不純物として導入され、p型領域106は亜鉛が不純物として導入されている。なお、n型領域105に接続して形成された第1電極103、およびp型領域106に接続して形成された第2電極104を備える。上述した実施の形態1では、光吸収層102をIII-V族化合物半導体から構成している。これは、直接遷移型の半導体であるために吸収係数が大きく、太陽電池材料として用いた場合にも数μmの厚さがあれば十分に光を吸収することができる。このため、シリコンを用いた場合に比較して、光吸収層102はより薄くすることができる。また、化合物半導体を用いることで、吸収波長を太陽光に合わせることが容易である。例えば、GaAsはバンドギャップが1.4eVあり、シリコンのバンドギャップ1.12eVよりも太陽光に対するマッチングがよく、単接合太陽電池としては最も高い効率を達成することができる材料として知られている。また、光吸収層102は、p型としているため、少数キャリア電子の拡散長をシリコンの場合に比較して長くすることができる。例えば、p型不純物をドーピングしたGaAsの少数キャリア電子の拡散長は、十数μmあることが知られている非特許文献2参照。以上のことより、まず、III-V族化合物半導体から裏面接合型の太陽電池が構成できれば、光吸収層をより薄くすることが可能であり、また、光吸収によって発生した少数キャリアも、容易に不純物拡散領域電極に到達させることができる。ところで、裏面接合型の太陽電池では、光入射側とは反対の裏面に、p型の不純物導入領域とn型の不純物導入領域とを形成することになる。シリコンを用いる場合、シリコン基板シリコン層の裏面に、パターニングによりp型の不純物導入領域とn型の不純物導入領域とを形成してる。この場合、少なくとも、各導電型の領域を形成するために各々1回のリソグラフィー工程および不純物導入工程が個別に必要となり、製造プロセスが複雑になっている。これに対し、次に説明することにより、III-V族化合物半導体を用いることで、p型の不純物導入領域とn型の不純物導入領域とを裏面側に容易に形成できる。例えば、GaAsのような閃亜鉛鉱型の化合物半導体を結晶成長する場合、不純物ドーピングの特性が成長する結晶面によって異なることが知られている。例えば、有機金属気相成長MOCVD法を用いてシリコンSiを不純物としてドーピングしてn型のGaAsを成長すると、キャリア濃度が100、411A、311A、211A、111Aの結晶面の順番で減少する。411A、311A、211A、111Aの結晶面は、100面以外のファセットである。また、411A、311A、211A、111Aの結晶面は、100面と同じ側から見ることができる面である。また、MOCVD法を用いて亜鉛Znを不純物としてドーピングしてp型のGaAsを成長した場合には、逆に100、411A、311A、211A、111Aの結晶面の順番で、キャリア濃度が増加することが報告されている非特許文献3参照。このことは、III-V族化合物半導体の100面に、表面が100面の第1領域と、表面が100面以外のファセットからなる第2領域とが形成されるように結晶成長できれば、結晶成長時にSiおよびZnを不純物として導入することで、第1領域をn型領域とし、第2領域をp型領域とすることができる。上述したように、第1領域および第2領域を形成する方法としては、100面の基板の表面をエッチング加工し、100面以外のファセットを短冊形に出現させることで実現できる。例えば、基板表面の01-1方向に延在する短冊形の複数のパターン部を所定の間隔で配列したマスクパターンを用い、GaAs基板をウエットエッチングする。エッチング液としては、リン酸および過酸化水素水を水に溶解した混合液を用いればよい。このウエットエッチングにより、マスクパターンの短冊形の開口部に露出するGaAs基板を、エッチング深さ5μm程度にエッチングする。このパターニングにより、短冊形の開口部には、基板の深さ方向に幅が狭くなる断面が逆台形の溝が形成される。言い換えると、短冊形のパターン部を中心に、基板深さ方向に幅が広くなる台形状のメサストライプが形成される。この状態では、メサストライプの上面、および溝の底面は、表面が100面となり、メサストライプの斜めの側面は、表面が411A、311A、211A、111Aのいずれかの面となる。この形状加工は、1回のリソグラフィー工程およびエッチング工程により行える。上述した加工基板を用い、n型とp型のドーピング濃度が丁度100と411Aの間で交差するような条件でSiとZnの同時ドーピングによりpn接合層101をエピタキシャル成長すれば、加工基板のメサ上面の100面上にはn型の層が短冊形に形成され、メサ側面の411Aにはp型の層が短冊形に形成できる。このように、本実施の形態によれば、III-V族化合物半導体を用いているので、上述した結晶成長方法を用いることができ、光吸収層102の裏面側にp型の領域とn型の領域とを備えるpn接合層101が、エピタキシャル成長することで形成できる。また、太陽電池とするためには、pn接合層101の上にZnをドーピングした光吸収層102を形成すればよく、これらは、連続してエピタキシャル成長させることができ、これらの構成を、1回の成長工程で容易に作製することができる。また、加工基板を除去すれば、pn接合層101に第1電極103および第2電極104が形成できる。なお、pn接合層101では、n型領域105およびp型領域106が、接触して配列されているので、不純物濃度が高すぎると、各領域間に電流が流れるようになる。従って、不純物濃度は、隣接するn型領域105およびp型領域106の間に電流が流れない範囲に設定する。実施の形態2次に、本発明の実施の形態2について説明する。以下では、製造方法について図2A~図2Iを用いて説明する。図2A~図2Hは、本発明の実施の形態2における太陽電池の製造方法を説明するための各工程における状態を模式的に示す断面図であり、図2Iは平面図である。まず、図2Aに示すように、III-V族化合物半導体であるGaAsからなる主表面の面方位が100の基板201を用意する。また、公知のリソグラフィー技術により、基板201の上にレジストパターン202を形成する。レジストパターン202は、基板201の表面に01-1方向に延在する短冊形の複数のパターン部が所定の間隔で配列されているものである。各パターン部は、幅10μmに形成され、各パターン部の間隔は、27μmとされている。次に、レジストパターン202をマスクとし、リン酸および過酸化水素水を水に溶解した混合液をエッチング液としたウエットエッチングを用い、基板201の表面をエッチングする。例えば、エッチングの深さが5μmとなるようにエッチングする。このエッチングにより、図2Bに示すように、基板201に、表面が100面からなり01-1の方向に延在する短冊形の第1領域221と、表面が311A面からなり01-1の方向に延在する短冊形の第2領域222aと、表面が3-1-1A面からなり01-1の方向に延在する短冊形の第2領域222bとが形成される。レジストパターン202の開口領域でエッチングされた基板201の表面は、断面視逆台形の溝となり、基板201の主表面に平行な底面となるファセット、基板201の主表面に対して約30°傾く傾斜面となるファセットとが形成される。底面は、100面であり、傾斜面は、311A面と3-1-1A面である。311A面と3-1-1A面とは、表面の原子配列が同じな等価な面である。このように、上記エッチング加工により、基板201の表面には、01-1の方向に延在する100面の短冊形の領域第1領域と、100面以外のファセットの短冊形の領域第2領域とが、0-1-1]方向に交互に配列する状態となる。次に、レジストパターン202を除去した後、上述したように主表面を加工した基板201の上に、よく知られた有機金属気相成長MOCVD法により、InGaPを堆積エピタキシャル成長することで、図2Cに示すように、エッチング停止層203を形成する。エッチング停止層203は、層厚300nm程度に形成すればよい。InGaPの堆積では、トリメチルインジウム,トリエチルガリウムTEG,ホスフィンPH3を原料として用いればよい。次に、エッチング停止層203を形成した基板201の上に、SiおよびZnを不純物として導入するMOCVD法により、GaAsを堆積することで、図2Dに示すように、pn接合層204を形成する。pn接合層204は、層厚300nm程度に形成すればよい。GaAsの堆積では、トリエチルガリウムおよびアルシンAsH3を原料として用いればよい。また、ジシランSi2H6およびジメチル亜鉛DMZnを原料として用いることで、SiおよびZnを不純物として導入することができる。エピタキシャル成長したpn接合層204においても、表面が100面からなり01-1の方向に延在する短冊形の領域と、表面が311A面からなり01-1の方向に延在する短冊形の領域と、表面が3-1-1A面からなり01-1の方向に延在する短冊形の領域とが形成される。前述したように、100面は、不純物としてSiがより高い濃度に導入され、311A面および3-1-1A面は、不純物としてZnがより高い濃度に導入される。例えば、100面には、5×1018cm3程度にn型不純物であるSiを導入し、311A面および3-1-1A面には、5×1018cm3程度にp型不純物であるZnを導入すればよい。この結果、pn接合層204には、表面が100面からなり第1領域221に対応して01-1の方向に延在する短冊形のn型領域205と、表面が100面以外のファセットからなり第2領域222a,222bに対応して01-1の方向に延在する短冊形のp型領域206とが、0-1-1]方向に交互に配列して形成される。次に、図2Eに示すように、pn接合層204の上に、MOCVD法によりp型のGaAsを堆積することで、光吸収層207を形成する。光吸収層207は、例えば、層厚5μm程度に形成すればよい。GaAsの堆積では、トリエチルガリウムおよびアルシンを原料として用いればよい。また、ジメチル亜鉛を原料として用いることで、Znを不純物として導入してp型とする。例えば、ドーピング濃度は、1×1017cm3程度とすればよい。GaAsから構成した光吸収層207は、pn接合層204と同じバンドギャップエネルギーを有するものとなる。次に、図2Fに示すように、光吸収層207の上に、MOCVD法により、InGaPを堆積することで、保護層208を形成する。保護層208は、層厚100nm程度に形成すればよい。InGaPの堆積では、トリメチルインジウム,トリエチルガリウム,ホスフィンを原料として用いればよい。なお、上述したエッチング停止層203,pn接合層204,光吸収層207,および保護層208は、同一のMOCVD装置内で、各々原料を変更して連続して堆積して形成することができる。次に、図2Gに示すように、保護層208の上に、透明な接着剤からなる接着層209を用いてガラス基板210を貼り付ける。接着層209は、例えば、SOGSpinonglassである。ガラス基板210は、後述する各工程の処理における支持基板となる。次に、硫酸、過酸化水素、純水の混合液をエッチング液としたウエットエッチングにより、基板201をエッチング除去する。上記エッチング液によるInGaPのエッチング速度は非常に小さいため、上述した基板201のエッチングは、InGaPからなるエッチング停止層203で停止させることができる。このようにして基板201を除去した後、図2Hに示すように、pn接合層204に接続する第1電極211および第2電極212を形成する。第1電極211は、n型領域205に接続させ、第2電極212は、p型領域206に接続させる。例えば、図2Iの平面図に示すように、チップサイズを5mm角に形成した太陽電池のエッチング停止層203の上裏面側に、絶縁部231および絶縁部232を形成する。絶縁部231および絶縁部232は、01-1方向において、チップ領域の両端に配置し、また、0-1-1方向に延在して配置する。また、絶縁部231および絶縁部232は、例えば、SiO2から構成し、厚さ200nm程度に形成すればよい。このように絶縁部231および絶縁部232を形成したら、絶縁部231の上に電極パッド211aを形成し、絶縁部232の上に電極パッド212aを形成する。以上のように電極パッド211aおよび電極パッド212aを形成したら、電極パッド211aに接続して第1電極211を形成し、電極パッド212aに接続して第2電極212を形成する。第1電極211および第2電極212の形成では、まず、エッチング停止層203の各電極に対応する箇所に、貫通孔を形成する。この貫通孔は、公知のフォトリソグラフィー技術によるマスクパターンの形成、およびマスクパターンを用いた選択的なエッチングにより形成することができる。このエッチングは、リン酸、塩酸、純水の混合液をエッチング液としたウエットエッチングにより行えばよい。次に、よく知られたリフトオフ法により、第1電極211および第2電極212を形成する。例えば、リフトオフのためのマスクパターンの形成,金属の蒸着,およびマスクパターンの除去による1回目のリフトオフで第1電極211を形成し、同様に2回目のリフトオフで第2電極211を形成すればよい。第1電極211は、AuGeNiから構成し、第2電極212は、AuZnから構成すればよい。ここで、エッチング停止層203は、pn接合層204よりバンドギャップエネルギーの大きな化合物半導体から構成しているので、表面側に流れ出るキャリアを抑制することができる。これは、絶縁層を形成した状態と同じ効果である。なお、上述した実施の形態2における太陽電池では、pn接合層204から保護層208にかけてのバンドが、図3に示すように変化する。以上に説明したように、実施の形態2においても、III-V族化合物半導体を用いているので、上述した結晶成長方法を用いることができ、光吸収層207の裏面側にp型の領域とn型の領域とを備えるpn接合層204が、エピタキシャル成長することで形成できる。また、太陽電池とするためには、pn接合層204の上にZnをドーピングした光吸収層207を形成すればよく、これらは、連続してエピタキシャル成長させることができ、これらの構成を、1回の成長工程で容易に作製することができる。また、pn接合層204に第1電極211および第2電極212を形成するための基板201の除去が、エッチング停止層203を用いているので容易である。実施の形態3次に、本発明の実施の形態3について説明する。図4は、本発明の実施の形態3における太陽電池の構成を示す断面図である。この太陽電池は、InGaPからなるエッチング停止層203と、この上に形成されたGaAsからなるpn接合層204と、pn接合層204の上に形成されたp型のAlGaAsからなる光吸収層407とを備える。また、光吸収層407の上には、AlGaAsからなる保護層408を備える。また、エッチング停止層203の側には、pn接合層204のn型領域205に接続して形成された第1電極211、およびp型領域206に接続して形成された第2電極212を備える。また、保護層408の上には、接着層209によりガラス基板210が貼り付けられている。上述した実施の形態3における太陽電池は、光吸収層407および保護層408以外は、前述した実施の形態2と同様であり、前述した実施の形態2の太陽電池と同様に製造すればよい。なお、光吸収層407は、層厚5μm程度とし、保護層408は、層厚100nm程度とすればよい。実施の形態3では、光吸収層407において、pn接合層204から離れるに従いAlの組成が増加する組成傾斜層とし、pn接合層204から離れるに従ってバンドギャップエネルギーが大きくなる状態とし、この上にAlGaAsからなる保護層408を形成している。光吸収層407においては、例えば、pn接合層204との界面から保護層408との界面にかけて、Alの組成を、0から0.3にまで増加させている。これらのAlGaAsの層の成長では、トリメチルアルミニウムTMA,トリエチルガリウム,アルシンを原料として用いればよい。実施の形態3における太陽電池では、pn接合層204から保護層408にかけてのバンドが、図5に示すように変化する。実施の形態4次に、本発明の実施の形態4について説明する。以下では、製造方法について説明する。図6A~図6Cは、本発明の実施の形態4における太陽電池の製造方法を説明するための各工程における状態を模式的に示す断面図である。まず、前述した実施の形態2と同様に、GaAsからなる主表面の面方位が100の基板201の表面を加工して第1領域221,第2領域222a,第2領域222bを形成し図2A,図2B、エッチング停止層203を形成する図2C。また、エッチング停止層203の上に、pn接合層204を形成する図2D。次に、実施の形態4では、pn接合層204の上に、MOCVD法により、p型のGaAs,p型のInGaP,p型のInAlPを順次に成長させ、図6Aに示すように、第1光吸収層第1層671,第2光吸収層第2層672,および第3光吸収層第3層673を形成する。例えば、第1光吸収層671は層厚1.5μm、第2光吸収層672は層厚1.5μm、第3光吸収層673は層厚1.5μmに形成する。実施の形態3では、第1光吸収層671,第2光吸収層672,および第3光吸収層673により、光吸収層を構成している。p型のGaAsの成長では、トリエチルガリウムおよびアルシンを原料とし、また、p型不純物原料としてジメチル亜鉛を用いればよい。また、p型のInGaPの成長では、トリメチルインジウム,トリエチルガリウム,およびホスフィンを原料とし、また、p型不純物原料としてジメチル亜鉛を用いればよい。また、p型のInAlPの成長では、トリメチルインジウム,トリメチルアルミニウム,およびホスフィンを原料とし、また、p型不純物原料としてジメチル亜鉛を用いればよい。次に、図6Bに示すように、第3光吸収層673の上に、MOCVD法により、InAlPを堆積することで、保護層608を形成する。保護層608は、第3光吸収層673より大きなバンドギャップエネルギーのInAlPから構成する。保護層608は、層厚10nm程度とすればよい。次に、図6Cに示すように、保護層608の上に、接着層209によりガラス基板210を貼り付け、この後、図2Hを用いた説明と同様にすることで、基板201を除去し、各電極を形成する。上述した実施の形態4における太陽電池では、pn接合層204から保護層608にかけてのバンドが、図7に示すように変化する。実施の形態4では、吸収層にヘテロ接合を備える構成となる。以上に説明したように、本発明では、まず、III-V族化合物半導体から構成しているので、光吸収層をより薄くすることが可能となる。また、光吸収層をp型のIII-V族化合物半導体から構成から構成しているので、光吸収によって発生した少数キャリアも、容易に不純物拡散領域電極に到達させることができる。また、本発明では、エピタキシャル成長時にSiおよびZnが取り込まれる量が、III-V族化合物半導体の結晶面の方位により異なることを用い、表面が100面からなり01-1の方向に延在する短冊形のn型領域と、表面が100面以外のファセットからなり01-1の方向にn型領域に接して延在する短冊形のp型領域とを、0-1-1]方向に交互に配列して備えるpn接合層を形成した。この結果、複雑な製造プロセスを用いることなく、光吸収層の一方の面にp型の領域およびn型の領域が形成でき、特性のよい裏面接合型の太陽電池が容易に製造できるようになる。なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。例えば、上述では、エッチング停止層をInGaPバンドギャップエネルギー1.9eVから構成したが、これに限るものではない。GaAs基板を用いる場合、エッチング停止層は、InAlPバンドギャップエネルギー2.4eVから構成してもよい。また、エッチング停止層は、InGaAlPから構成してもよい。また、エッチング停止層と同じ材料で、保護層を形成してもよい。なお、保護層は、光吸収層よりバンドギャップエネルギーが大きければ、光吸収層における吸収波長の光が透過する。また、上述した実施の形態では、各化合物半導体の層をMOCVD法により成長したが、これに限るものではなく、分子線エピタキシーMBE法など、他の結晶成長法を用いても、同様である。また、100面以外のファセットとしては、311A面およびこれと等価な面に限るものではなく、411A、211A、111A、およびこれらと等価な面のいずれかであればよい。"