"支持基板の一方主面に、銅を主成分とする回路部材が設けられ、該回路部材の上面が電子部品の搭載面となる回路基板であって、前記回路部材は、第1の平均結晶粒径を有した第1の領域と、該第1の領域よりも前記搭載面側に位置して、前記第1の平均結晶粒径よりも小さい第2の平均結晶粒径を有した第2の領域とを備えることを特徴とする回路基板。前記第2の領域における平均結晶粒径が0.1mm以下但し、0μmを除くであることを特徴とする請求項1に記載の回路基板。前記第1の領域における平均結晶粒径が0.1mmを超えて0.5mm以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の回路基板。前記支持基板の他方主面に放熱部材が設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項3に記載の回路基板。前記支持基板がセラミック焼結体からなるとともに、該セラミック焼結体は、主成分が酸化アルミニウム、窒化珪素および窒化アルミニウムのいずれかであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の回路基板。請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の回路基板における前記回路部材上に電子部品を搭載してなることを特徴とする電子装置。今般の回路基板においては、回路部材上に搭載される電子部品の動作時に生じる熱が繰り返しかかることによって、回路部材に反りが生じて、接合部の剥離や支持基板にクラックが生じる等の不具合により放熱特性の低下を含む信頼性の低下が少ないことが求められている。加えて、放熱特性をさらに高めることが要求されているものの、特許文献1,2で提案されている回路基板は、回路部材が薄く、高い放熱特性を備えるものではなかった。本発明は、上記課題を解決すべく案出されたものであり、回路部材上に搭載される電子部品が動作したときの熱によって回路部材に生じる反りが小さく、放熱特性に優れた信頼性の高い回路基板およびこれを用いた電子装置を提供するものである。本発明の回路基板は、支持基板の一方主面に、銅を主成分とする回路部材が設けられ、該回路部材の上面が電子部品の搭載面となる回路基板であって、前記回路部材は、第1の平均結晶粒径を有した第1の領域と、該第1の領域よりも前記搭載面側に位置して、前記第1の平均結晶粒径よりも小さい第2の平均結晶粒径を有した第2の領域とを備えることを特徴とするものである。また、本発明の電子装置は、上記構成の本発明の回路基板における前記回路部材上に電子部品を搭載してなることを特徴とするものである。本発明の回路基板によれば、支持基板の一方主面に、銅を主成分とする回路部材が設けられ、該回路部材の上面が電子部品の搭載面となる回路基板であって、前記回路部材は、第1の平均結晶粒径を有した第1の領域と、該第1の領域よりも前記搭載面側に位置して、前記第1の平均結晶粒径よりも小さい第2の平均結晶粒径を有した第2の領域とを備えることにより、回路部材上に搭載される電子部品が動作時に生じる熱の影響を受けやすい搭載面側に、平均結晶粒径の小さい、すなわち剛性の高い第2の領域が位置していることから、この熱によって回路部材に生じる反りを小さくすることができる。また、第1の領域は、第2の領域と比べて平均結晶粒径が大きく、熱伝導性に優れているので、第2の領域から伝わった熱を効率よく放熱することができる。そのため、回路部材上に搭載された電子部品が動作したときの熱によって、回路部材に生じる反りが小さく、放熱特性に優れているので、長期間にわたって使用可能な信頼性の高い回路基板とすることができる。また、本発明の電子装置によれば、本発明の回路基板における回路部材上に電子部品を搭載してなることから、信頼性の高い電子装置とすることができる。以下、本実施形態の一例について図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態の回路基板の一例を示す、aは平面図であり、bはaのA-A’線における断面図である。図1に示す例の回路基板10は、支持基板1の一方主面に、銅を主成分とする回路部材22a,2bが設けられ、回路部材2の上面が電子部品の搭載面となる回路基板10である。ここで、図1に示す例の支持基板1は平板状であり、例えば、長さ図1に示すX方向が20mm以上220mm以下であり、幅図1に示すY方向が10mm以上120mm以下である。支持基板1の厚みは用途によって異なるが、耐久性および絶縁耐圧が高く、熱抵抗が抑制されたものにするには、02mm以上10mm以下とすることが好適である。また、回路部材2a,2bの寸法は、例えば、長さ図1に示すX方向が8mm以上100mm以下であり、幅図1に示すY方向が8mm以上100mm以下である。なお、図1において、同寸法の回路部材2a,2bを設けた例を示しているが、寸法の異なる回路部材2a,2bを設けてもよいことは言うまでもない。また、図1に示す例における回路部材2a,2bの厚みは、回路部材2a,2bを流れる電流の大きさや回路部材2a,2bに搭載される電子部品図示しないの発熱量等によって決められ、例えば、05mm以上5mm以下である。なお、支持基板1の一方主面に、銅を主成分とする回路部材2を設けるには、直接接合法または活性金属法のいずれかによって設ければよい。そして、図1に示す例の回路基板10において、回路部材2は、第1の平均結晶粒径を有した第1の領域と、この第1の領域よりも搭載面側に位置して、第1の平均結晶粒径よりも小さい第2の平均結晶粒径を有した第2の領域とを備えることが重要である。このように、本実施形態の回路基板10を構成する回路部材2において、第1の平均結晶粒径を有した第1の領域と、第1の平均結晶粒径よりも小さい第2の平均結晶粒径を有した第2の領域とでは、第2の領域の方が高い剛性を有している。そして、回路部材2上に搭載される電子部品が動作時に生じる熱の影響を受けやすい搭載面側に、高い剛性を有する第2の領域が位置していることにより、この熱によって回路部材2に生じる反りを小さくすることができる。なお、このように反りを小さくする効果を得るには、第2の領域が搭載面の全面にわたって存在していることが好ましい。また、第1の領域は、第2の領域と比べて平均結晶粒径が大きく、熱伝導性に優れているので、第2の領域から伝わった熱を効率よく放熱することができる。そのため、回路部材2上に搭載された電子部品が動作したときの熱によって、回路部材2に生じる反りが小さく、放熱特性に優れているので、長期間にわたって使用可能な信頼性の高い回路基板10とすることができる。なお、回路部材2における平均結晶粒径の測定は、JISH0501-1986ISO2624-1973に記載されている切断法に準拠して求めることができる。また、前処理としては、回路部材2をクロスセクションポリッシャ法により研磨し、この研磨面を過酸化水素水および希硫酸がそれぞれ50体積混合された40°Cの温度の溶液に、測定面を1分間浸漬することによって、化学的に腐食させればよい。そして、本実施形態の回路基板10において、第2の領域における平均結晶粒径が01mm以下但し、0μmを除くであることが好適である。第2の領域における平均結晶粒径が01mm以下但し、0μmを除くであるときには、第2の領域はさらに高い剛性を有していることとなるので、回路部材2上に搭載された電子部品が動作したときの熱によって、回路部材2に生じる反りをさらに小さくすることができる。また、本実施形態の回路基板10において、第1の領域における平均結晶粒径が01mmを超えて05mm以下であることが好適である。第1の領域における平均結晶粒径が01mmを超えて05mm以下であるときには、優れた熱伝導性を有しているとともに、支持基板1との接合強度を高めることができる。なお、接合強度については、JISC6481-1996に準拠して引きはがし強さを測定することにより確認することができる。そして、第1の領域および第2の領域の好ましい形態としては、支持基板1側の面を起点として回路部材2の厚みの15~35までが第1の領域であり、第1の領域以外の部分が第2の領域であることが好ましい。図2は、本実施形態の回路基板の実施の形態の他の例を示す、aは平面図であり、bはaのB-B’線における断面図であり、cは底面図である。図2に示す例の回路基板10は、支持基板1の一方主面に、銅を主成分とする回路部材2が設けられ、支持基板1の他方主面に銅を主成分とする放熱部材5が設けられている回路基板10である。なお、図2において、回路部材2および放熱部材5は、ろう材からなる接合層3a~3cを介して支持基板1に接合されている例を示している。ここで、図2に示す例の回路基板10を構成する支持基板1および回路部材2a,2bは、図1に示す例の回路基板10を構成する支持基板1および回路部材2a,2bと同じであるので、形状、外辺寸法および厚みの記載については省略する。なお、接合層3a,3bの厚みは、例えば、5μm以上20μm以下である。そして、図2に示す例における放熱部材5は、回路部材2a,2b上に搭載される電子部品図示しないの動作時に生じる熱を逃がすという機能を有し、例えば、長さ図2に示すX方向が18mm以上210mm以下であり、幅図2に示すY方向が8mm以上110mm以下であり、厚みが05mm以上5mm以下である。また、接合層3cの厚みは、例えば、5μm以上20μm以下である。また、銅を主成分とする回路部材2および放熱部材5は、それぞれ銅の含有量が90質量以上であることが好適である。具体的には、無酸素銅、タフピッチ銅またはりん脱酸銅等からなり、特に、無酸素銅のうち、銅の含有量が99995質量以上の線形結晶無酸素銅、単結晶状高純度無酸素銅または真空溶解銅からなることが好適である。このように、回路部材2および放熱部材5における銅の含有量が多いときには、それぞれ電気抵抗が低く、熱伝導率が高くなるため、放熱特性が向上し、さらに回路部材2においては、回路特性回路部材2上に搭載された電子部品に生じた熱による電力損失を少なくする特性が向上する。なお、回路部材2および放熱部材5のそれぞれの銅の含有量については、蛍光X線分析法またはICPInductivelyCoupledPlasma発光分光分析法により求めることができる。このとき、銅の含有量は、銅を上述した分析法を用いて測定してもよいが、銅以外の成分を測定して、100質量から引いた値を銅の含有量としてもよい。また、本実施形態の回路基板10の放熱部材5においても、第1の平均結晶粒径を有した第1の領域と、この第1の領域よりも支持基板1の対向する面側に位置して、第1の平均結晶粒径よりも小さい第2の平均結晶粒径を有した第2の領域とを備えていることが好ましい。これにより、回路部材2上に搭載された電子部品の動作時に生じて支持基板1に伝わった熱を第1の領域から速やかに第2の領域に伝えて、放熱特性に優れているとともに、第2の領域が高い剛性を有していることにより、放熱部材5に生じる反りを小さくすることができる。また、放熱部材5の第2の領域における平均結晶粒径が01mm以下但し、0μmを除くであることが好適である。放熱部材5の第2の領域における平均結晶粒径が01mm以下但し、0μmを除くであるときには、第2の領域はさらに高い剛性を有していることとなるので、回路部材2上に搭載された電子部品が動作したときの熱が伝わった際の放熱部材5に生じる反りをさらに小さくすることができる。また、放熱部材5の第1の領域における平均結晶粒径が01mmを超えて05mm以下であることが好適である。第1の領域における平均結晶粒径が01mmを超えて05mm以下であるときには、優れた熱伝導性を有しているとともに、支持基板1との接合強度を高めることができる。次に、支持基板1をセラミック焼結体より作製する場合、セラミック焼結体の主成分としては、例えば、酸化アルミニウム、窒化珪素、窒化アルミニウムまたは酸化ジルコニウムが挙げられる。特に、セラミック焼結体の主成分が酸化アルミニウム、窒化珪素または窒化アルミニウムのいずれかであることが好適である。主成分がこれらの成分のいずれかであるときには、これらの成分は熱伝導率が高く、機械的特性に優れているので、放熱特性および信頼性を高くすることができる。また、セラミック焼結体は、焼成工程において焼結を促進する焼結助剤を含むものであり、例えば、セラミック焼結体の主成分が窒化珪素であるときには、焼結助剤は、希土類元素の酸化物、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等が挙げられる。また、セラミック焼結体の機械的特性としては、3点曲げ強度が750MPa以上であり、動的弾性率が300GPa以上であり、ビッカース硬度Hvが13GPa以上であり、破壊靱性K1Cが5MPam1/2以上であることが好ましい。これら機械的特性が上記範囲であることにより、回路基板10は、特に、耐クリープ性やヒートサイクルに対する耐久性を向上させることができるので、高い信頼性が得られるとともに長期間にわたって使用することができる。なお、3点曲げ強度については、JISR1601-2008ISO17565:2003MODに準拠して測定すればよい。ただし、セラミック焼結体の厚みが薄く、セラミック焼結体から切り出した試験片の厚みを3mmとすることができない場合には、セラミック焼結体の厚みをそのまま試験片の厚みとして評価するものとし、その結果が上記数値を満足することが好ましい。また、セラミック焼結体の剛性を評価するには、動的弾性率を用いて評価すればよく、この動的弾性率については、JISR1602-1995で規定される超音波パルス法に準拠して測定すればよい。ただし、セラミック焼結体の厚みが薄く、セラミック焼結体から切り出した試験片の厚みを10mmとすることができない場合には、片持ち梁共振法を用いて評価するものとし、その結果が上記数値を満足することが好ましい。また、ビッカース硬度Hvおよび破壊靱性K1Cについては、それぞれJISR1610-2003ISO14705:2000MODおよびJISR1607-1995に規定される圧子圧入法IF法に準拠して測定すればよい。なお、セラミック焼結体の厚みが薄く、セラミック焼結体から切り出した試験片の厚みをそれぞれJISR1610-2003ISO14705:2000MODおよびJISR1607-1995の圧子圧入法IF法で規定する05mmおよび3mmとすることができないときには、セラミック焼結体の厚みをそのまま試験片の厚みとして評価して、その結果が上記数値を満足することが好ましい。ただし、そのままの厚みで評価して上記数値を満足することができないほどにセラミック焼結体の厚みが薄いとき、例えば02mm以上05mm未満のときには、セラミック焼結体に加える試験力および押込荷重をいずれも0245Nとし、試験力および押込荷重を保持する時間をいずれも15秒としてビッカース硬度Hvおよび破壊靱性K1Cを測定すればよい。また、セラミック焼結体の電気的特性は、体積抵抗率が常温で1014Ωcm以上であって、300°Cで1012Ωcm以上であることが好ましい。この体積抵抗率は、JISC2141-1992に準拠して測定すればよい。ただし、セラミック焼結体が小さく、セラミック焼結体からJISC2141-1992で規定する大きさとすることができない場合には、2端子法を用いて評価するものとし、その結果が上記数値を満足することが好ましい。なお、回路基板10を構成するセラミック焼結体からなる支持基板1の3点曲げ強度、動的弾性率、ビッカース硬度Hv、破壊靱性K1Cおよび体積抵抗率については、回路基板10から回路部材2、放熱部材5、接合層3a~3cをエッチング等によって除去した後、上述した方法によって求めればよい。次に、本実施形態の回路基板の製造方法の一例について図2を用いて説明する。まず、回路基板10を構成する支持基板1として、長さ図中におけるX方向が20mm以上220mm以下であり、幅図中におけるY方向が10mm以上120mm以下であり、厚みが02mm以上10mm以下であり、主成分が酸化アルミニウム、窒化珪素、窒化アルミニウムまたは酸化ジルコニウムのいずれかからなるセラミック焼結体を準備する。そして、この支持基板1を800°C以上900°C以下で熱処理することによって、支持基板1の表面に付着した有機物や残留炭素を除去する。次いで、接合方法として、活性金属法を用いた例を説明する。この支持基板1の一方主面に、例えば、銅および錫、または銀および銅を主成分とし、チタン、ジルコニウム、ハフニウムおよびニオブから選択される少なくとも1種の活性金属を含むペースト状のろう材を、スクリーン印刷法、ロールコーター法および刷毛塗り法等のいずれかで塗布する。このように、活性金属法により接合したときには、支持基板1を構成する非金属成分と活性金属とが反応することによって、支持基板1と回路部材2との接合強度を高くすることができる。また、ろう材が銅および錫を主成分とするときには、活性金属に加え、銀を例えば5質量以上18質量以下含有させてもよい。これにより、銅は活性金属より銀と結合しやすく、得られた銅と銀との化合物は、活性金属と銅との化合物より脆化しにくいため、支持基板1と回路部材2との接合強度が低下しにくくなるとともに、支持基板1と回路部材2との接合部における不要なはみ出しの少ない粘度のろう材とすることができる。また、ろう材が銀および銅を主成分とするときには、活性金属に加え、インジウム、亜鉛および錫から選択される少なくとも1種の金属と、モリブデン、オスミウム、レニウムおよびタングステンから選択される少なくとも1種の金属とを含有させてもよい。これにより、インジウム、亜鉛および錫から選択される少なくとも1種の金属は、融点が低く溶融しやすいため、ろう材の流れ性が良好となるので、ろう材からなる接合層3a,3bと支持基板1との間に生じる空隙ろう材が追従できずに残る隙間を減少させることができる。この空隙については、その有無を超音波探傷法により確認することができる。また、モリブデン、オスミウム、レニウムおよびタングステンから選択される少なくとも1種の金属は、融点が高く溶融しにくいため、インジウム、亜鉛および錫から選択される少なくとも1種の金属を含むことによって粘性が下がり過ぎるのを抑えて、接合部における不要なはみ出しを制御することができる。なお、ろう材における主成分とは、ろう材を構成する全成分100質量に対して、合算で50質量より多い量を占める成分をいう。また、ここでいうろう材とは、JISZ3001-3ISO857-2005MODで定義されるろう付に用いられる、融点が450°C以上のろう硬ろうであって、前記規格で定義されるはんだ付に用いられる、融点が450°C未満のはんだ軟ろうを含まない。次に、第1の平均結晶粒径を有した第1の領域と、この第1の領域よりも搭載面側に位置して、第1の平均結晶粒径よりも小さい第2の平均結晶粒径を有した第2の領域とを備える回路部材2の形成方法の一例について説明する。まず、第1の銅材を用意し、ろう材上に配置する。その後、真空雰囲気中において、800°C以上900°C以下で加熱して、支持基板1の一方主面に、ろう材からなる接合層3a,3bを介して第1の銅材を接合する。そして、接合された第1の銅材の表面を研磨した後、第1の銅材上に第2の銅材をそれぞれ配置する。そして、水素、窒素、ネオンまたはアルゴンのいずれかから選ばれる雰囲気中、300°C以上500°C以下で加熱し、同時に30MPa以上の圧力を加えることによって、支持基板1の一方主面に接合層3a,3bを介して第1の銅材、さらに第2の銅材が接合され、第1の銅材と第2の銅材とからなる回路部材2を接合してなる回路基板10を得ることができる。なお、この構成において、第1の領域となる第1の銅材の主成分である銅は、第2の領域となる第2の銅材の主成分である銅よりも平均結晶粒径が大きいことが重要である。そして、接合前の第1の銅材と接合前の第2の銅材とにおいても、接合前の第2の銅材の平均結晶粒径が接合前の第1の銅材の平均結晶粒径が小さいことが好ましい。これにより、第2の銅材は第1の銅材よりも剛性が高く、接合時の加熱によって生じる反り自体が小さいため、第2の銅材の反りが支持基板1の反りへ与える影響を少なくすることができる。また、接合前の第1の銅材の平均結晶粒径の方が大きいことにより、接合時の加熱において、接合前の第1の銅材の降伏応力は小さく塑性変形しやすいため、第1の銅材と第2の銅材との接合強度を高めることができる。その結果、回路基板10を構成する各部材間の接合強度が高く、支持基板1に発生する反りが小さいことから、信頼性の高い回路基板10とすることができる。また、上述した第1の銅材と第2の銅材との平均結晶粒径の関係において、接合時の第2の部材の表面粗さが第1の銅材の表面粗さよりも大きいことが好ましい。これは、接合される第1の銅材と第2の銅材とにおいて、降伏応力の小さい第1の銅材に、表面粗さの大きい第2の銅材が加圧されながら加熱されることによって、接合強度を高めることができる。また、接合方法として直接接合法を用いることもできる。このとき、セラミック焼結体の主成分が酸化物セラミックスであれば、そのまま適用可能であるが、非酸化物セラミックスからなるときには、表面に予め酸化物層を形成する必要がある。そして、酸化物セラミックスの一方主面上または非酸化物セラミックスの一方主面に形成した酸化物層上に第1の銅材を配置して、押圧した状態で銅-酸化銅の共晶温度以上に加熱することにより、生成したCu-O共晶化合物の液層が接合材の役割を成し、セラミック焼結体からなる支持基板1の一方主面に、第1の銅材を接合することができる。次に、上述した同様の方法で第1の銅材と第2の銅材とを接合することにより、第1の銅材と第2の銅材とからなる回路部材2を接合してなる回路基板10を得ることができる。しかしながら、直接接合法は、1000°Cを超えて加熱しなければならず、接合時に支持基板1に反りが生じるおそれが高いので活性金属法で接合することが好ましく、第1の銅材と第2の銅材とを用いた接合とすることにより、厚みの厚い回路基板2を形成することができる。第1の銅材の厚みとしては、例えば、01mm以上06mm以下であり、第2の銅材の厚みとしては、例えば、05mm以上5mm以下である。なお、第1の領域における平均結晶粒径を01mmを超えて05mm以下とするには、上述した接合条件によれば、第1の銅材の平均結晶粒径を002mm以上008mm以下とすればよい。また、第2の領域における平均結晶粒径を01mm以下但し、0μmを除くとするには、上述した接合条件によれば、第2の銅材の平均結晶粒径を002mm以下但し、0μmを除くとすればよい。次に、図3は、本実施形態の電子装置の一例を示す、aは平面図であり、bはaのC-C’線における断面図であり、cは底面図である。図3に示す例の電子装置Sは、本実施形態の回路基板10の回路部材2上に1つ以上の電子部品6,7が搭載されたものであり、これらの電子部品6,7同士は導体図示しないによって互いに電気的に接続されている。この電子装置Sは、本実施形態の回路基板10における回路部材2上に電子部品6,7を搭載してなり、電子部品6,7が発熱を繰り返しても、それぞれの部材に生じる反りが小さく、支持基板1と、回路部材2および放熱部材5とが容易に剥離することが少ないので、高い耐久性を備えたものとなる。ここで、電子部品6,7は、例えば、絶縁ゲートバイポーラトランジスタIGBT素子、インテリジェントパワーモジュールIPM素子、金属酸化膜型電界効果トランジスタMOSFET素子、発光ダイオードLED素子、フリーホイーリングダイオードFWD素子、ジャイアントトランジスタGTR素子等の半導体素子、昇華型サーマルプリンタヘッド素子、サーマルインクジェットプリンタヘッド素子またはペルチェ素子等である。そして、この電子装置Sは、本実施形態の回路基板10における回路部材2上に電子部品6,7を搭載されており、本実施形態の回路基板10は、電子部品6,7が発熱を繰り返しても、支持基板1と、回路部材2および放熱部材5とが容易に剥離することが少なく、高い耐久性を備えているので、信頼性の高い電子装置とすることができる。図3に示す例における支持基板1の形状、外辺寸法および厚みは、図1,2に示す例の回路基板10を構成する支持基板1と同じである。そして、回路部材2および放熱部材5の配置としては、図3に示す例のように、平面視でそれぞれ複数行および複数列に配置されていることが好適である。このように、回路部材2および放熱部材5が平面視で複数行および複数列に配置されることで、回路部材2および放熱部材5を支持基板1に接合した際に、支持基板1に生じる応力が分散されやすくなるので、支持基板1の反りを抑制することができる。特に、回路部材2および放熱部材5は、図3に示す例のように、平面視でそれぞれ複数行および複数列に等間隔で配置されていることが好適である。また、図3に示す例の電子装置Sを構成する回路基板10は、支持基板1にろう材からなる接合層3aを介して回路部材2が、接合層3cを介して放熱部材5が接合されて設けられてなり、回路部材2および放熱部材5は、第1の銅材4aを先に接合し、次に第2の銅材4bを接合することによってなるものである。そして、本実施形態の回路基板10における回路部材2上に電子部品を搭載することにより、本実施形態の電子装置Sとすることができる。以下、本発明の実施例を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。以下の回路基板10を作製し、ヒートサイクル試験を行ない熱に対する信頼性を評価した。なお、各部材寸法の記載において、図に記載した方向を示す矢印および符号を用いる。まず、X方向の長さが60mmであり,Y方向の長さが30mmであり,厚みが032mmである、窒化珪素を主成分とするセラミック焼結体からなる支持基板1を準備し、支持基板1を800°C以上900°C以下で熱処理することによって、支持基板1の表面に付着した有機物や残留炭素を除去した。次いで、この支持基板1の一方主面に、ペースト状のろう材Ag-515質量、Cu-40質量、Sn-3質量、Ti-25質量、Mo-3質量を、スクリーン印刷法を用いて塗布した。そして、このろう材上に、表1に示す平均結晶粒径の銅を主成分とする第1の銅材4aを配置した。次に、真空雰囲気中において、840°Cで加熱することによって、支持基板1の一方主面に接合層3aおよび第1の銅材4aを形成した。そして、第1の銅材4aの表面を研磨した後、第1の銅材4a上に、表1に示す平均結晶粒径の銅を主成分とする第2の銅材4bを配置した。そして、水素雰囲気中、350°Cで加熱し、同時に30MPa以上の圧力を加えることによって、支持基板1の一方主面に接合層3aを介して第1の銅材4aおよび第2の銅材4bからなる回路部材2を接合してなる回路基板10を得た。なお、回路部材2の搭載面の一辺の大きさは24mmである。なお、第1の銅材4aの厚みは035mmであり、第2の銅材4bの厚みは、115mmであり、回路部材2の厚みは15mmである。そして、回路基板10のヒートサイクル試験を行ない、3000サイクル時点での支持基板1に生じているクラックの有無について光学顕微鏡を用いて500倍の倍率で確認した。また、3000サイクル以降については、100サイクル経過する毎に、上述した同様の方法で支持基板1に生じているクラックの有無を確認し、クラックが確認されたサイクル数を表1に示した。なお、1サイクルは、室温から-45°Cに降温して15分保持してから、昇温して125°Cで15分保持した後、室温まで降温するというサイクルとした。また、接合前後の第1の銅材4a、第2の銅材4bの平均結晶粒径は、JISH0501-1986ISO2624-1973に記載されている切断法に準拠して求め、その測定値を表1に示した。ここで、前処理としては、回路部材2をクロスセクションポリッシャ法により研磨し、この研磨面を過酸化水素水および希硫酸がそれぞれ50体積混合された、温度が40°Cである溶液に1分間浸漬することによって、化学的に腐食された面を測定の対象とした。表1に示す通り、接合後の第1の銅材4aと接合後の第2銅材4bとの平均結晶粒径の大きさを比較したとき、接合後の第1の銅材4aの方が小さい、または等しい試料No.1,2に比べて、第2の銅材4bの方が小さい試料No.3~6は、サイクル数値が上回る結果となった。これにより、ヒートサイクル試験における環境において、回路部材2自体に生じる反りが小さいため、回路部材2の反りが支持基板1の反りへ与える影響を少なくできていることがわかった。また、試料No.2と試料No.3において、JISC6481-1996に準拠して引きはがし強さを測定したところ、試料No.3の方が引きはがし強さの測定値が大きかった。これにより、接合後の第1の銅材4aと接合後の第2銅材4bの平均結晶粒径の大きさを比較したとき、接合後の第2の銅材4bの平均結晶粒径が小さいことにより、接合強度を高められることがわかった。次に、以下に示す回路基板10を作製し、高温の熱に曝された際の回路基板10の信頼性を評価した。実施例1で用いた支持基板1と同じ大きさの窒化珪素を主成分とするセラミック焼結体を準備し、実施例1で示した方法と同じ方法で回路基板10を作製した。なお、支持基板1の一方主面に塗布するろう材としては、Ag-55質量、Cu-365質量、Sn-3質量、Ti-25質量、Mo-3質量となるように調整されたペースト状のろう材を用い、さらに、表2に示す平均結晶粒径の銅を主成分とする第1の銅材4aと、表2に示す平均結晶粒径の銅を主成分とする第2の銅材4bとを用いた。ここで、表2に示す平均結晶粒径の値は、実施例1で用いた方法と同じ方法で求めた値である。そして、作製した試料をフォーミングガスまたは窒素ガス雰囲気において、260°Cの温度で5分間保持した後に、JISB0601-2001ISO4287-1997に準拠して触針式の表面粗さ計を用い、支持基板1の長手方向の最大高さRZを測定し、この測定値を反りの値とした。なお、測定長さ、カットオフ値、触針の先端半径および触針の走査速度はそれぞれ55mm、RW、2μm、1mm/秒とした。結果を表2に示す。表2に示す通り、試料No.8~10は、第2の銅材4b第2の領域の平均結晶粒径が01mm以下であることから、回路部材2に生じる反りが小さく、回路部材2に生じた反りが支持基板1の反りへ与える影響を少なくできることがわかった。次に、以下に示す回路基板10を作製し、回路部材2と支持基板1との接合強度および熱に対する信頼性を評価した。実施例1で用いた支持基板1と同じ大きさの窒化珪素を主成分とするセラミック焼結体を準備し、実施例1で示した方法と同じ方法で回路基板10を作製した。なお、支持基板1の一方主面に塗布するろう材としては、Ag-53質量、Cu-385質量、Sn-3質量、Ti-25質量、Mo-3質量となるように調整されたペースト状のろう材を用い、さらに、表3に示す平均結晶粒径の銅を主成分とする第1の銅材4aと、表3に示す平均結晶粒径の銅を主成分とする第2の銅材4bとを用いた。ここで、表3に示す平均結晶粒径の値は、実施例1で用いた方法と同じ方法で求めた値である。そして、実施例1と同様の方法で引きはがし強さをJISC6481-1996IEC2491に準拠して測定し、測定した引きはがし強さの値を表2に示した。この引きはがし強さの値から回路部材2と支持基板1との接合強度を評価した。また、実施例2と同様の方法で支持基板1の反りの値を求めた。結果を表3に示す。表3に示す通り、第1の銅材4aの平均結晶粒径が小さくなるにつれて、引きはがし強さおよび反りの値が大きくなった。引きはがし強さの値は大きく、反りの値は小さいことが好ましいので、第1の銅材4aの平均結晶粒径が01mmを超えて05mm以下であることが好ましいことがわかった。次に、セラミック焼結体からなる支持基板1の主成分の違いによる熱伝導率および3点曲げ強度の確認を行なった。酸化アルミニウム、窒化珪素、窒化アルミニウムおよび酸化ジルコニウムをそれぞれ主成分とするセラミックスからなる支持基板1を作製し、JISR1611-1997およびJISR1601-2008ISO17565:2003MODに準拠して、それぞれ各試料の熱伝導率および3点曲げ強度を測定した。これらの測定値を表4に示す。表4に示す通り、試料No.16~18は,支持基板1がそれぞれ酸化アルミニウム、窒化珪素、窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスからなることから,熱伝導率が34W/mK以上、3点曲げ強度が310MPa以上であり、回路基板10の支持基板1に求められる熱的、機械的特性を満足していることがわかった。また、このように優れた本実施形態の回路基板における回路部材上に電子部品を搭載したところ、長期間にわたって不具合が生じることなく信頼性の高い電子装置とすることができた。"