第1金属層、第2金属層および前記第1金属層ならびに前記第2金属層間に配置される絶縁層を有する基板を提供するステップであって、前記第2金属層の厚さが前記第1金属層の厚さよりも大きく、かつ前記第2金属層が頂面および前記頂面に対向する底面を有する、ステップと、前記第1金属層および前記絶縁層を貫通して第1開口を形成するステップであって、前記第1開口が前記第2金属層の前記頂面の一部分を露出させる、ステップと、前記第1金属層をパターン化してパターン化導電層を形成するステップと、前記第2金属層の前記底面に複数の第2開口を形成するステップであって、前記第2金属層が前記第2開口によって複数の熱伝導ブロックに分割されるとともに、前記第2開口が前記第1開口に連通していない、ステップと、前記パターン化導電層上に表面保護層を形成するステップであって、前記第2金属層の前記頂面の前記一部分が前記第1開口によって露出される、ステップと、を含むパッケージキャリアの製造方法。前記基板を提供するステップが、前記絶縁層および前記絶縁層の2つの対向する側面にそれぞれ位置する前記第1ならびに第2金属層を提供する、ステップと、熱圧着処理を実施して前記第1金属層、前記絶縁層ならびに前記第2金属層が統合されて前記基板を形成する、ステップと、を含む請求項1に記載したパッケージキャリアの製造方法。前記第1開口を形成するステップが、スタンピング、ルーティングまたはレーザードリルを含む請求項1に記載したパッケージキャリアの製造方法。前記第2金属層の厚さが前記第1金属層の厚さの1~100倍である請求項1に記載したパッケージキャリアの製造方法。前記第1金属層の材料が銅箔である請求項1に記載したパッケージキャリアの製造方法。前記第2金属層の材料が銅、銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む請求項1に記載したパッケージキャリアの製造方法。前記絶縁層の材料が樹脂、液晶ポリマーまたはポリイミドを含む請求項1に記載したパッケージキャリアの製造方法。前記第2開口を形成するステップが、フォトリソグラフィーおよびエッチング処理、機械ドリル処理またはレーザードリル処理を含む請求項1に記載したパッケージキャリアの製造方法。前記表面保護層を形成するステップが、電気メッキを含む請求項1に記載したパッケージキャリアの製造方法。熱発生素子を積載するのに適したパッケージキャリアであって、前記パッケージキャリアが、上表面および前記上表面に対向する下表面ならびに前記上表面と前記下表面を連結する第1開口を有する絶縁層と、前記絶縁層の前記上表面に配置されるとともに、前記第1開口を露出するパターン化導電層と、前記絶縁層の前記下表面に配置され、かつ頂面および前記頂面に対向する底面ならびに複数の第2開口を有し、そのうち、前記第1開口が前記頂面の一部分を露出して、デバイスボンディング領域を定義し、前記複数の第2開口が前記第1開口に連通しない熱伝導ブロックと、前記パターン化導電層および前記第1開口により露出される前記熱伝導ブロックの前記一部分上に配置される表面保護層であって、そのうち、前記熱発生素子が前記デバイスボンディング領域上方に対応するように前記表面保護層上に配置される表面保護層と、を含むパッケージキャリア。前記パターン化導電層の材料が銅箔である請求項10に記載したパッケージキャリア。前記熱伝導ブロックの材料が銅、銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む請求項10に記載したパッケージキャリア。前記絶縁層の材料が樹脂、液晶ポリマーまたはポリイミドを含む請求項10に記載したパッケージキャリア。従来のパッケージ基板は、複数のパターン化導電層と少なくとも1つの絶縁層とからなる。絶縁層が電気的絶縁のために2つの隣接するパターン化導電層間に配置される。熱伝導ブロックが粘着層を介してパッケージ基板の下表面に固定される。多くの場合、LEDチップがパッケージ基板に電気接続されるとともに、LEDチップにより発生された熱は、パターン化導電層および絶縁層から熱伝導ブロックへ伝導されることができる。しかしながら、粘着層および絶縁層の熱伝導率が好ましくないので、LEDチップにより発生された熱が絶縁層ならびに粘着層から熱伝導ブロックへ伝導される時、熱抵抗heatresistanceが増大し、不満足な散熱へと導かれる。従って、LEDチップにより発生された熱を外界へ如何に有効な方法で散熱させるかがこの領域の研究者および設計者の焦点となっている。そこで、この発明の目的は、熱発生素子を積載するのに適したパッケージキャリアを提供することにある。この発明は、さらにパッケージキャリアの製造方法を提供することにある。製造方法を提供することによって、上記したパッケージキャリアを形成することができる。この発明の実施形態中、パッケージキャリアの製造方法が提供される。パッケージキャリアの製造方法が以下のステップを含む。基板が提供される。基板が第1金属層と第2金属層と第1金属層および第2金属層間に配置される絶縁層とを含む。第2金属層の厚さが第1金属層の厚さより大きく、かつ第2金属層が頂面および頂面に対向する底面を有する。第1金属層および絶縁層を貫通する第1開口が形成される。第1開口が第2金属層の頂面の一部分を露出させる。第1金属層がパターン化されてパターン化導電層を形成する。複数の第2開口が第2金属層の底面上に形成される。第2金属層が第2開口によって複数の熱伝導ブロックに分割され、かつ第2開口が第1開口に連通しない。表面保護層surfacepassivationlayerがパターン化導電層および第1開口によって露出された第2金属層の頂面に形成される。この発明の実施形態に従い、基板を提供するステップが、絶縁層の2つの対向する側面に位置する絶縁層および第1ならびに第2金属層をそれぞれ提供することを含む。熱圧着処理を実施して第1金属層、絶縁層および第2金属層が統合されて基板を形成することを含む。この発明の実施形態に従い、第1開口を形成するステップがスタンピング、ルーティングまたはレーザードリルを含む。この発明の実施形態に従い、第2金属層の厚さが第1金属層の厚さの1~100倍である。この発明の実施形態に従い、第1金属層の材料が銅箔である。この発明の実施形態に従い、第2金属層の材料が銅、銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む。この発明の実施形態に従い、絶縁層の材料が樹脂、液晶ポリマーliquidcrystalpolymerLCPまたはポリイミドpolyimidePIを含む。この発明の実施形態に従い、第2開口を形成するステップがフォトリソグラフィーおよびエッチング処理、機械ドリル色またはレーザードリル処理を含む。この発明の実施形態に従い、表面保護層を形成する方法が電気メッキを含む。この発明の実施形態中、熱発生素子を積載することに適したパッケージキャリアが提供される。パッケージキャリアが絶縁層とパターン化導電層と熱伝導ブロックと表面保護層とを含む。絶縁層が上表面、上表面に対向する下表面および上表面ならびに下表面を連結する第1開口を有する。パターン化導電層が絶縁層の上表面に配置され、かつ第1開口を露出させる。熱伝導ブロックが絶縁層の下表面に配置される。また、熱伝導ブロックが頂面、頂面に対向する底面および複数の第2開口を有する。第1開口が熱伝導ブロックの頂面の一部分を露出させてデバイスボンディング領域を定義するとともに、第2開口が第1開口と連通しない。表面保護層がパターン化導電層および第1開口により露出された熱伝導ブロックの頂面の一部分上に配置される。熱発生素子がデバイスボンディング領域上方に対応するように位置する表面保護層上に配置される。この発明の実施形態に従い、第1金属層の材料が銅箔である。この発明の実施形態に従い、第2金属層の材料が銅、銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む。この発明の実施形態に従い、絶縁層の材料が樹脂、LCPliquidcrystalpolymerLCP液晶ポリマーまたはPIpolyimidePIポリイミドを含む。以上の観点から、この発明の実施形態中に述べられたパッケージキャリアは、それぞれの厚さを有する2つの異なる金属層によって形成される。従って、相対的に厚い金属層が熱伝導ブロックとして機能することができる。また、相対的に厚い金属層の表面を開口により露出することができ、かつ露出された表面をデバイスボンディング領域として供することができる。熱発生素子がパッケージキャリア上に配置される時、熱発生素子が熱伝導ブロックに配置される、つまり、デバイスボンディング領域に配置される。従って、熱発生素子によって発生された熱は、絶縁膜および粘着層により遮断されることなく、急速に外界へ伝導されることができる。そのように、この発明の実施形態中に述べられたパッケージキャリアは、熱発生素子によって発生された熱を効率よく散熱できるとともに、熱発生素子の効率性および寿命を共に向上させることができる。以下、この発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。図1Aから図1Eは、この発明の実施形態にかかるパッケージキャリアの製造方法を示す概略的な断面図である。図1Aにおいて、この実施形態のパッケージキャリアの製造方法中、第1金属層110と、第2金属層120と、第1金属層110および第2金属層120間に配置された絶縁層130とが提供される。第2金属層120が頂面122と頂面122に対向する底面124とを有する。絶縁層130が上表面132と上表面132に対向する下表面134とを有する。特に、この実施形態中、第2金属層120の厚さT2が第1金属層110の厚さT1よりも大きい。望ましくは、第2金属層120の厚さT2が第1金属層110の厚さT1の1~100倍である。また、第1金属層110の材料が銅箔copperfoilであり、第2金属層120の材料が例えば銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金または良好な導電性を備える他の金属である。絶縁層130の材料が例えば樹脂、LCPliquidcrystalpolymer液晶ポリマーまたはPIPolyimideポリイミドである。図1Bにおいて、熱圧着処理が実施され、第1金属層110と絶縁層130と第2金属層120とが結合されて基板101を形成する。即ち、熱圧着処理が実施されることによって第1金属層110が絶縁層130の上表面132に固定され、かつ第2金属層120が絶縁層130の下表面134に固定される。図1Cにおいて、第1金属層110および絶縁層130を貫通する第1開口S1が形成される。第1開口S1が第2金属層120の頂面122の一部分を露出させてデバイスボンディング領域123を定義する。この実施形態中、第1開口S1が例えばスタンプstamping打ち抜き処理、ルーティングrouting溝掘り処理、レーザードリルlaserdrilling処理または他の適切な処理を実施することによって形成される。図1Dに描いたように、第1金属層110がパターン化されてパターン化導電層110‘を形成する。パターン化導電層110‘が絶縁層130の上表面132の一部分を露出させる。図1Dにおいて、複数の第2開口S2が第2金属層120の底面124に形成される。第2金属層120が第2開口S2によって複数の熱伝導ブロック126に分割されるとともに、第2開口S2が第1開口S1に連通していない。即ち、第2開口S2が第2金属層120の頂面122に連通していない。ここで、第2開口S2を有する第2金属層120は、熱伝導ブロック120‘として作用することができ、かつ第2開口S2は、流体通路fluidpassageとして供することができる。また、この実施形態に従って、第2開口S2は、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチング処理、機械ドリル処理またはレーザードリル処理を実施することによって形成される。説明すべきことは、この実施形態において、たとえ第2開口S2が形成される前にパターン化導電層110‘が形成されるにしても、パターン化導電層110‘および第2開口S2の形成ステップがこれに制限されるものではないことである。別な実施形態に従えば、パターン化導電層110‘は、また第2開口S2が形成された後に、形成されることができる。さらに別な実施形態中、パターン化導電層110‘および第2開口S2は、もしもエッチング速度が良く監視されるならば、同期して形成されることができる。要するに、パターン化導電層110‘ならびに第2開口S2を順番に形成することは、例示であり、図1Eこの発明への制限と解釈すべきではない。図1Eに描いたように、表面保護層140は、パターン化導電層110‘および第1開口S1によって露出される第2金属層120の頂面122に形成される。言い換えれば、表面保護層140は、パターン化導電層110‘上ならびにデバイスボンディング領域123中に位置する。ここで、表面保護層140は、パターン化導電層110‘および第1開口S1によって露出された第2金属層120の頂面122を保護するために供されて、酸化速度を低減させる。この実施形態中、表面保護層140の材料は、例えば、ニッケルゴールドnickelgoldであり、かつ表面保護層140は、例えば、電気メッキによって形成される。これで、パッケージキャリア100の製造が実質的に完了する。この実施形態のパッケージキャリア100は、構造的にパターン化導電層110‘と、熱伝導ブロック120’と、絶縁層130と、表面保護層140とを含む。絶縁層130は、上表面132と下表面134図1Aまたは図1Bを参照と、上表面132と下表面134を連結する第1開口S1とを有する。パターン化導電層110‘は、絶縁層130の上表面132上に配置されて第1開口S1を露出する。熱伝導ブロック120’は、絶縁層130の下表面134上に配置されて頂面122と底面124と複数の第2開口S2を有する。特に、第1開口S1が熱伝導ブロック120’の頂面122の一部分を露出させて、デバイスボンディング領域123を定義するとともに、第2開口S2が第1開口S1に連通していない。表面保護層140がパターン化導電層110‘および第1開口S1によって露出された熱伝導ブロック120’の頂面122上に配置される。つまり、表面保護層140がデバイスボンディング領域123中に配置される。図2は、この発明の実施形態にかかる図1Eに描かれた熱発生素子を積載するパッケージキャリアを示す概略的な断面図である。図2において、この実施形態中、パッケージキャリア100は、熱発生素子20を積載するのに適したものである。熱発生素子20が対応するようにデバイスボンディング領域123上方に位置される表面保護層140上に配置される。ここで、熱発生素子20は、例えば、電子チップまたは光電デバイスであり、この発明を制限するものと解釈してはならない。例を挙げて言えば、電子チップが集積回路、例えば、チップモジュールまたはグラフィックチップ、メモリーチップ、半導体チップなどを含む単一チップである。光電デバイスは、例えば、発光ダイオードLED、レーザーダイオードまたはガス放電光源gasdischargelightsourceである。この実施形態中、熱発生素子20は、例えば、発光ダイオードLEDである。詳細に言えば、熱発生素子20は、例えば、半導体チップであり、ボンディングワイヤー22を介してワイヤーボンディングによって表面保護層140に電気接続することができる。あるいは、熱発生素子20とボンディングワイヤー22とパッケージキャリア100の一部分とが成形化合物moldingcompound24によって封入encapsulatedでき、熱発生素子20とボンディングワイヤー22とパッケージキャリア100間の電気接続を確保する。また、熱発生素子20は、対応するようにデバイスボンディング領域123上方に位置される表面保護層140上に直接配置できる。即ち、熱発生素子20は、金属材料例えば、ニッケルゴールドから成り、かつ熱伝導ブロック120’上方に位置する表面保護層140上に配置される。それにより、熱発生素子20によって発生された熱は、熱伝導ブロック120’および金属材料から成る表面保護層140を介して急速に外界へ伝導されることができる。関連技術と比較して、この実施形態中、粘着層を介して熱伝導ブロックを余分にパッケージキャリアの底面に取り付ける必要がないとともに、熱発生素子20によって発生される熱を絶縁層および粘着層を介して伝導する必要がない。その結果、パッケージキャリア100は、熱発生素子20によって発生される熱を効果的に散熱できるだけでなく、熱発生素子20の効率ならびに寿命を向上させることができる。さらに、製造コストを削減することができる。注意すべきことは、熱発生素子20およびパッケージキャリア100を結合する方法と熱発生素子20の形態とは、この発明を限定するためのものではないことである。この実施形態中に述べられた熱発生素子20は、ワイヤーボンディングによりパッケージキャリア100の表面保護層140に電気接続されるものの、別な実施形態中の熱発生素子20は、また多数のバンプ図示せずを介してフリップチップボンディングflipchipbondingによってデバイスボンディング領域123上方に位置する表面保護層140に電気接続されることもできる。この発明の別な実施形態中、熱発生素子20は、チップパッケージ図示せずであることができ、かつ表面実装技術surfacemounttechnologySMTを実行することによってパッケージキャリア100に組み込まれる。熱発生素子20およびパッケージキャリア100を結合する方法と熱発生素子20の形態とは、典型的なものであり、この発明を限定するためのものではない。以上のように、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。