"成膜室と、前記成膜室内に成膜用の原料ガスを供給するガス供給部と、前記成膜室内において被処理基板を加熱するヒータと、前記成膜室内において被処理基板が載置される回転可能なサセプタと、前記サセプタの縁を下方から断熱部材を介して支持する支持部と、前記サセプタに回転力を伝達する回転軸とを備え、前記回転軸は、前記サセプタ側の端部において、該回転軸の中心軸から偏心した位置に突起部を有し、前記サセプタは、前記突起部が遊挿される凹部を下面に有する、気相成長装置。前記サセプタの回転時において、前記回転軸と前記サセプタとは、前記突起部の周側面の一部と前記凹部の内周面の一部とのみにおいて接触する、請求項1に記載の気相成長装置。前記突起部の前記周側面は、前記サセプタに近づくに従って前記突起部の径が大きくなるテーパー形状を有し、前記凹部の前記内周面は、前記突起部の前記周側面に沿うようにテーパー形状を有する、請求項2に記載の気相成長装置。前記突起部は、前記回転軸に着脱可能に設けられている、請求項1から3のいずれかに記載の気相成長装置。前記突起部は、前記回転軸を構成する材料より低い熱伝導率を有する材料で構成されている、請求項4に記載の気相成長装置。前記支持部は、スラスト軸受構造を有する、請求項1から5のいずれかに記載の気相成長装置。前記断熱部材は、前記サセプタの周方向および径方向において前記サセプタと係合する第1係合部、および、前記周方向および前記径方向において前記支持部と係合する第2係合部を有し、前記サセプタは、前記第1係合部と係合する第1被係合部を有し、前記支持部は、前記第2係合部と係合する第2被係合部を有する、請求項6に記載の気相成長装置。前記断熱部材は、石英で構成されている、請求項1から7のいずれかに記載の気相成長装置。MOCVD法により処理する気相成長装置には、化合物半導体結晶の品質を向上しつつ製造コストを抑えるために、材料の歩留まりおよび処理能力を向上することが求められる。そのため、可能な限り多くの大口径の被処理基板を一括して高品質に処理可能なように、気相成長装置の大型化が図られている。大型の気相成長装置においては、大口径の被処理基板を多く処理するために、被処理基板を載置するサセプタが大型となる。また、処理能力を向上するために、大型のサセプタの中心部から端部まで被処理基板が敷き詰められて処理される。そのため、サセプタの面内温度分布の均一化を図りつつ、大型のサセプタを安定して支持した状態で回転させなければならない。本発明は上記の問題点に鑑みなされたものであって、サセプタの面内温度分布の均一化を図りつつ、サセプタを安定して支持した状態で回転できる気相成長装置を提供することを目的とする。本発明に基づく気相成長装置は、成膜室と、成膜室内に成膜用の原料ガスを供給するガス供給部と、成膜室内において被処理基板を加熱するヒータとを備える。また、気相成長装置は、成膜室内において被処理基板が載置される回転可能なサセプタと、サセプタの縁を下方から断熱部材を介して支持する支持部と、サセプタに回転力を伝達する回転軸とを備える。回転軸は、サセプタ側の端部において、この回転軸の中心軸から偏心した位置に突起部を有する。サセプタは、突起部が遊挿される凹部を下面に有する。好ましくは、サセプタの回転時において、回転軸とサセプタとは、突起部の周側面の一部と凹部の内周面の一部とのみにおいて接触する。好ましくは、突起部の周側面は、サセプタに近づくに従って突起部の径が大きくなるテーパー形状を有する。凹部の内周面は、突起部の周側面に沿うようにテーパー形状を有する。好ましくは、突起部は、回転軸に着脱可能に設けられている。好ましくは、突起部は、回転軸を構成する材料より低い熱伝導率を有する材料で構成されている。本発明の一形態においては、支持部は、スラスト軸受構造を有する。好ましくは、断熱部材は、サセプタの周方向および径方向においてサセプタと係合する第1係合部、および、サセプタの周方向および径方向において支持部と係合する第2係合部を有する。サセプタは、第1係合部と係合する第1被係合部を有する。支持部は、第2係合部と係合する第2被係合部を有する。本発明の一形態においては、断熱部材は、石英で構成されている。本発明によれば、サセプタの面内温度分布の均一化を図りつつ、サセプタを安定して支持した状態で回転できる。以下、本発明の一実施形態に係る気相成長装置について説明する。以下の実施形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰り返さない。また、気相成長装置の一例として、縦型シャワーヘッド型のMOCVD装置について説明する。図1は、本発明の一実施形態に係るMOCVD装置の構成を示す断面図である。図1に示すように、MOCVD装置10は、内部が気密に保持される成膜室1を備える。成膜室1は、後述する原料ガスを排気するための排気口1aを下部に有する。また、成膜室1の天井部は、後述するシャワーヘッド20で構成されている。成膜室1の側壁部とシャワーヘッド20とは、Oリング2を間に挟んで気密に連結されている。MOCVD装置10は、成膜室1内において被処理基板3が載置される回転可能なサセプタ4、成膜室1内に成膜用の原料ガスを供給するガス供給部であるシャワーヘッド20、および、成膜室1内において被処理基板3を加熱するヒータ6を備える。また、MOCVD装置10は、サセプタ4の縁を下方から断熱部材12を介して支持する支持部11と、サセプタ4に回転力を伝達する回転軸5とを備える。シャワーヘッド20は、サセプタ4と対向している。シャワーヘッド20の上部は、原料ガスが導入される配管15の一端と接続されている。配管15の他端には、原料ガスを貯蔵した図示しないガスボンベおよびマスフローコントローラなどが接続されている。シャワーヘッド20の下面には、原料ガスを噴出するための複数の開口が設けられている。ヒータ6は、サセプタ4の下方に位置している。本実施形態においては、ヒータ6の面内における複数エリアを個別に加熱可能なマルチゾーンヒータを用いている。ヒータ6の下方および側方には、ヒータ6の熱を反射するリフレクタ14が設けられている。回転軸5は、回転軸5の中心軸がサセプタ4の中心と重なるように、サセプタ4の下方に位置している。回転軸5は、図示しない回転駆動部と連結され、軸中心に回転可能にされている。支持部11は、筒状部材13の内側面に取り付けられている。本実施形態に係る支持部11は、スラスト軸受構造を有し、上側部材11a、下側部材11c、および上側部材11aと下側部材11cとの間に挟持された複数の球状体11bを含む。上側部材11aおよび下側部材11cの各々には、複数の球状体11bを保持する溝が形成されている。本実施形態においては、横断面V字状または逆V字状の溝が形成されているが、球状体11bを保持できる形状であれば特に溝の形状は限定されない。上側部材11aおよび下側部材11cは、複数の球状体11bを介して互いに回転移動可能に組み合わされている。上側部材11aの上面に、断熱部材12を介してサセプタ4が載置されている。本実施形態においては、断熱部材12は、石英で構成されている。サセプタ4が回転すると、断熱部材12および上側部材11aもサセプタ4と一緒に回転するように、支持部11が構成されている。筒状部材13は、支持部11の外側を覆うように構成されている。そのため、筒状部材13の外表面に沿って成膜室1内の原料ガスが排気口1aから排気されるため、支持部11に原料ガスとの反応生成物であるパーティクルが付着することを抑制できる。本実施形態に係るMOCVD装置10により被処理基板3に薄膜を形成する際には、原料ガスをシャワーヘッド20から成膜室1へ供給する。このとき、サセプタ4を介してヒータ6により被処理基板3を加熱する。加熱された被処理基板3上で化学反応が起こることにより、被処理基板3上に薄膜が形成される。被処理基板3上を通過したガスは、排気口1aから排気される。以下、サセプタ4を回転および支持する構造について詳細に説明する。図2は、回転軸の突起部およびサセプタの凹部の構造を示す一部断面図である。図3は、回転軸の突起部の構造を示す斜視図である。図4は、回転軸の突起部およびサセプタの凹部の構造を示す分解斜視図である。図2~4に示すように、回転軸5のサセプタ4側の端部5aにおいて、回転軸5の中心軸から距離Dだけ偏心した位置に、2つの突起部7が設けられている。突起部7は、略円柱状の外形を有し、その直径はdtである。サセプタ4の下面4aにおいて、サセプタ4の中心から距離Dだけ偏心した位置に、突起部7が遊挿される2つの凹部8が設けられている。凹部8は、平面視において円形であり、その内径はDtである。突起部7の直径dtと凹部8の内径Dtとは、Dt>dtの関係を満たす。そのため、突起部7の周側面と凹部8の内周面とを接触させずに、凹部8内に突起部7を挿入可能である。また、中心軸方向において、突起部7の端面と凹部8の底面との間には、距離hの隙間が確保される。回転軸5の端部5aと凹部8の開口端との間には、距離Hの隙間が確保される。すなわち、突起部7が凹部8内に遊挿された状態では、サセプタ4と回転軸5とは接触していない。サセプタ4の回転時において、回転軸5とサセプタ4とは、突起部7の周側面の一部と凹部8の内周面の一部とのみにおいて接触する。すなわち、突起部7の周側面の一部が、凹部8の内周面の一部を押圧することにより、回転駆動部の動力が回転軸5を介してサセプタ4に伝達される。上記のように、回転軸5は、サセプタ4の支持機能を有していない。サセプタ4と回転軸5とは、回転時にのみ、サセプタ4を回転させるために必要最小限の接触面積を有している。この構成により、サセプタ4から回転軸5への熱拡散を抑制できる。その結果、サセプタ4の中心部における温度低下を抑制できる。本実施形態においては、突起部7および凹部8をそれぞれ2つ設けているが、それぞれ1つ以上設けられていればよい。回転動力の伝達に必要なトルクから突起部7の必要強度を求めることによって、突起部7の個数を適宜設定することができる。また、突起部7および凹部8の形状を平面視円形としているが、平面視楕円形であってもよい。サセプタ4と回転軸5との接触面圧が、サセプタ4および回転軸5の各々の材料の降伏点に対して十分な安全率を確保できる形状であればよい。図5は、本実施形態の第1変形例に係る突起部の構成を示す一部断面図である。図5に示すように、第1変形例においては、回転軸5の端部5aに、突起部7の下部と嵌合する穴部7aが設けられている。突起部7は、下部が穴部7aと嵌合することにより回転軸5と連結され、回転軸5に着脱可能に設けられている。この構成により、突起部7の周側面と凹部8の内側面とが繰り返し接触して、突起部7に摩耗または破損が発生した場合、突起部7のみを交換することにより復旧でき、回転軸5の交換が不要となる。また、突起部7を回転軸5とは別の部材で構成することにより、突起部7と回転軸5との間に熱抵抗が生じるため、突起部7から回転軸5への熱拡散を抑制できる。その結果、サセプタ4の中心部における温度低下をさらに抑制できる。突起部7を構成する材料としては、約1100°Cの温度のN2、H2およびNH3雰囲気下において耐性を有し、回転軸5を構成する材料より熱膨張係数および熱伝導率の低いものが好適である。この条件を満たす材料としては石英がある。突起部7を石英で構成することにより、サセプタ4から回転軸5への熱拡散をさらに抑制できる。図6は、本実施形態に係る支持部の構成を示す一部断面図である。図6に示すように、本実施形態においては、支持部11によりサセプタ4の縁を下方から支持しているため、大型のサセプタ4を安定して支持することができる。支持部11は、断熱部材12を介してサセプタ4を支持している。そのため、サセプタ4と断熱部材12との接触界面、および、断熱部材12と支持部11の上側部材11aとの接触界面に熱抵抗が生じる。その結果、サセプタ4から支持部11への熱拡散を抑制できる。図7は、本実施形態に係る支持部の一部おより断熱部材の構造を示す分解斜視図である。図7に示すように、断熱部材12は、平坦な上面および下面を有するリング状に形成されている。上側部材11aの上面には、断熱部材12を載置するための平坦面が形成されている。この平坦面と断熱部材12の下面とが接触するように、上側部材11a上に断熱部材12が載置される。また、断熱部材12の上面とサセプタ4の縁の下面とが接触するように、断熱部材12上にサセプタ4が載置される。上記の構造により、サセプタ4と断熱部材12とは、サセプタ4と断熱部材12との接触部の摩擦抵抗によって互いの位置が拘束されている。断熱部材12と上側部材11aとは、断熱部材12と上側部材11aとの接触部の摩擦抵抗によって互いの位置が拘束されている。断熱部材12を構成する材料としては、約1100°Cの温度のN2、H2およびNH3雰囲気下において耐性を有し、上側部材11aを構成する材料より熱膨張係数および熱伝導率の低いものが好適である。この条件を満たす材料としては石英がある。断熱部材12を石英で構成することにより、サセプタ4から支持部11への熱拡散をさらに抑制できる。その結果、サセプタ4の縁における温度低下を抑制できる。サセプタ4の縁においては、サセプタ4の半径が大きくなるに従って、回転の周速度が速く、また、遠心力が大きくなる。サセプタ4の周速度が所定値以上大きくなると、摩擦抵抗のみでは拘束できなくなり、サセプタ4と断熱部材12との間、または、断熱部材12と上側部材11aとの間において、周方向の滑りによる位置ずれが発生する。同様に、サセプタ4の遠心力が所定値以上大きくなると、摩擦抵抗のみでは拘束できなくなり、サセプタ4と断熱部材12との間、または、断熱部材12と上側部材11aとの間において、径方向の滑りによる位置ずれが発生する。上記のように周方向または径方向に滑りが発生した場合、それぞれの部材の硬さの違いによって、硬さの低い部材が摩耗して摩耗粉が発生する。摩耗粉が被処理基板3上に付着すると、被処理基板3に形成される薄膜の品質が低下する。また、上記の摩耗および位置ずれが発生すると、サセプタ4とヒータ6との間の距離がサセプタ4の面内で不均一に変化し、サセプタ4の面内温度分布の均一性が低下する。このように半径が所定値より大きなサセプタ4を用いる場合に発生する滑りの問題を解決するために、本実施形態の第2変形例に係るサセプタ4、支持部11の上側部材11aおよび断熱部材12は下記の構成を有している。図8は、本実施形態の第2変形例に係るサセプタ、支持部の上側部材および断熱部材の構成を示す分解斜視図である。図9は、図8のIX部を拡大して示す分解斜視図である。図8においては、サセプタ4の一部をカットして図示している。図8,9に示すように、断熱部材12は、サセプタ4の周方向および径方向においてサセプタ4と係合する第1係合部16a、および、サセプタ4の周方向および径方向において支持部11の上側部材11aと係合する第2係合部16bを有する。具体的には、断熱部材12の上面の一部に突出した第1係合部16a、および、断熱部材12の外側面の一部に突出した第2係合部16bからなる鍵部16が設けられている。サセプタ4は、第1係合部16aと係合する第1被係合部17を有する。具体的には、サセプタ4の縁の下部の一部に、第1係合部16aを抱くように係合可能な切り欠きからなる第1被係合部17が設けられている。支持部11の上側部材11aは、第2係合部16bと係合する第2被係合部18を有する。具体的には、上側部材11aの内側面の一部に、第2係合部16bを抱くように係合可能な切り欠きからなる第2被係合部18が設けられている。この構成により、サセプタ4と断熱部材12とは互いの位置が強固に拘束され、また、断熱部材12と上側部材11aとは互いの位置が強固に拘束される。その結果、サセプタ4と断熱部材12との間、および、断熱部材12と上側部材11aとの間において、サセプタ4の周方向および径方向の滑りによる位置ずれが発生することを防止できる。本実施形態に係るサセプタ4は、支持部11により下方から支持されているが、上方からは拘束されていない。また、本実施形態に係る突起部7の周側面および凹部8の内周面は、鉛直方向に延在している。突起部7の周側面と凹部8の内周面との接触部が、鉛直方向に延在している際は、サセプタ4に鉛直上向きの力が作用することはない。しかし、回転軸5によるサセプタ4への回転動力の伝達回数が多くなると、突起部7の周側面または凹部8の内周面のいずれか硬さの低い方に、摩耗または欠けが生じることがある。特に、突起部7の角部には、応力が集中して、摩耗または欠けが生じやすい。突起部7の周側面に摩耗または欠けが生じて、突起部7の周側面上に凹部8の内周面が乗り上げるような状態になった場合、サセプタ4に鉛直上向きの力が作用する。その場合、サセプタ4に上下方向の振動が発生して、サセプタ4の面内温度分布が不均一となり、また、成膜室1内における材料ガスの流れに乱れが生じる。その結果、被処理基板3上に均一な膜を形成することができない。このようなサセプタ4の振動の問題を解決するために、本実施形態の第3変形例に係るサセプタ4および回転軸5は下記の構成を有している。図10は、本実施形態の第3変形例に係る突起部の構成を示す一部断面図である。図10に示すように、第3変形例においては、突起部7の周側面は、サセプタ4に近づくに従って突起部7の径が大きくなるテーパー形状を有している。突起部7の先端部の径をb1、突起部7の根元部の径をb2とすると、b1>b2の関係を満たす。一方、凹部8の内周面は、突起部7の周側面に沿うようにテーパー形状を有している。突起部7の周側面と鉛直方向とのなす角をθ°とすると、凹部8の内周面と鉛直方向とのなす角もθ°である。凹部8の開口側の穴径をB1、凹部8の奥側の穴径をB2とすると、B1<B2の関係を満たす。また、B1>b1となるように構成して、突起部7を凹部8内へ遊挿可能としている。この構成により、回転軸5が回転した際に、突起部7および凹部8のテーパー面同士が接触して常に鉛直下向き方向に力が作用する。その結果、サセプタ4が上下に振動することを抑制できる。以下、本実施形態に係るサセプタ4の搬送方法について説明する。上述の通り、サセプタ4は上方からは拘束されていない。そのため、図2,6に示すように、回転軸5を矢印方向に駆動可能な上下駆動機構で上方に移動させることにより、サセプタ4を持ち上げることが可能である。サセプタ4を持ち上げた状態において、図示しない搬送機構によりサセプタ4の下面を支持して搬送することができる。サセプタ4を持ち上げた状態においては、サセプタ4は回転軸5によって中心部のみ支持されている。仮に、サセプタ4の凹部8と回転軸5の突起部7とのみの係合によりサセプタ4を持ち上げた場合、サセプタ4に外力が負荷された際に突起部7に局所的に過大荷重が作用して突起部7が損傷する恐れがある。そこで、図2に示すように、本実施形態に係るサセプタ4の中心部の下部には、回転軸5本体の先端部を収容する突出部19が設けられている。この構成により、サセプタ4に外力が負荷された際に回転軸5の本体も荷重を受けることになり、突起部7に集中荷重が作用することを防止できる。また、サセプタ4の重心21よりも上方において、サセプタ4と回転軸5とが接触するように、凹部8の寸法が設定されている。具体的には、凹部8の底面が、サセプタ4の重心21より距離aだけ上方に位置するように形成されている。この構成により、回転軸5で安定してサセプタ4を持ち上げることができる。また、ヒータ6と突出部19との間の距離は、ヒータ6とサセプタ4の下面4aとの間の距離よりも短くなるため、突出部19はより高温に加熱される。その結果、サセプタ4の中心部における温度低下を抑制できる。本実施形態に係る気相成長装置においては、サセプタ4の中心部および縁における温度低下が抑制されるため、面内温度分布の均一化を図ることができる。また、支持部11でサセプタ4を安定して支持した状態で、回転軸5により回転させることができる。その結果、被処理基板3上に質および厚さの均一な膜を安定して成膜できる。なお、本実施形態においては、支持部11がスラスト軸受構造を有していたが、断熱部材12が自己潤滑性を有している場合には、サセプタ4と断熱部材12とが摺動し、支持部11は移動しない構造であってもよい。または、断熱部材12が複数の球状体で構成され、サセプタ4の縁の下部および支持部11の上部に断熱部材12を保持する溝部が形成されていてもよい。今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"