"n型GaN層を含むn型半導体層と、前記n型半導体層と接続されたn側電極と、p型GaN層と、前記p型GaN層と積層されたp型GaNコンタクト層と、を含むp型半導体層と、前記p型半導体層に接続されたp側電極と、前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられ、窒化物半導体を含む複数の量子井戸層を含む発光部と、前記発光部と前記p型半導体層との間に設けられ、0.001以上0.05以下の第1Al組成比を有するAlGaNを含み、0.5ナノメートル以上5ナノメートル以下の厚さを有する第1層と、前記第1層と前記p型半導体層との間に設けられ、0.1以上0.2以下の第2Al組成比を有するAlGaNを含む第2層と、前記第1層と前記発光部との間において、前記複数の量子井戸層のうちで前記p型半導体層に最も近いp側量子井戸層に接し、厚さが3ナノメートル以上で8ナノメートル以下であり、Inz1Ga1-z1N0≦z1<1を含み、p型不純物濃度が前記第1層よりも高い中間層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。前記第1層と前記第2層との間に設けられ、前記第1Al組成比と前記第2Al組成比との間の第3Al組成比を有するAlGaNからなる第3層をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。前記第1層から前記第2層に向かって、Al組成比が漸増することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。本発明は、発光効率の高い半導体発光素子を提供する。本発明の一態様によれば、n型GaN層を含むn型半導体層と、前記n型半導体層と接続されたn側電極と、p型GaN層と、前記p型GaN層と積層されたp型GaNコンタクト層と、を含むp型半導体層と、p型半導体層に接続されたp側電極と、前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられ、窒化物半導体を含む複数の量子井戸層を含む発光部と、前記発光部と前記p型半導体層との間に設けられ、0.001以上0.05以下の第1Al組成比を有するAlGaNを含み、0.5ナノメートル以上5ナノメートル以下の厚さを有する第1層と、前記第1層と前記p型半導体層との間に設けられ、0.1以上0.2以下の第2Al組成比を有するAlGaNを含む第2層と、前記第1層と前記発光部との間において、前記複数の量子井戸層のうちで前記p型半導体層に最も近いp側量子井戸層に接し、厚さが3ナノメートル以上で8ナノメートル以下であり、Inz1Ga1-z1N0≦z1<1を含み、p型不純物濃度が前記第1層よりも高い中間層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子が提供される。本発明によれば、発光効率の高い半導体発光素子が提供される。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。実施の形態図1は、本発明の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式的断面図である。図2は、本発明の実施形態に係る半導体発光素子の一部の構成を例示する模式的断面図である。図1に表したように、本発明の実施形態に係る半導体発光素子110は、窒化物半導体を含むn型半導体層10と、窒化物半導体を含むp型半導体層20と、n型半導体層110とp型半導体層20との間に設けられ、量子井戸層を含む発光部30と、第1層41と、第2層42と、中間層40mと、を備える。図1に例示したように、n型半導体層10、発光部30、中間層40m、第1層41、第2層42及びp型半導体層20は、Z軸方向に沿って積層される。第1層41は、発光部30とp型半導体層20との間に設けられ、第1Al組成比x1を有するAlGaNを含む。例えば、第1層41は、Alx1Ga1-x1Nを含む。第1Al組成比x1は、0よりも大きく、1よりも小さい。具体的には、第1Al組成比は、例えば、0.001以上0.05以下である。第2層42は、第1層41とp型半導体層20との間に設けられ、第1Al組成比x1よりも高い第2組成比x2を有するAlGaNを含む。例えば、第2層42は、Alx2Ga1-x2Nを含む。第2Al組成比x2は、0よりも大きく、1よりも小さく、第1Al組成比x1よりも高い。具体的には、第2Al組成比x2は、例えば、0.1以上0.2以下である。中間層40mは、第1層41と発光部30との間に設けられ、厚さが3nmナノメートル以上で8nm以下である。中間層40mは、Inz1Ga1-z1N0≦z1<1を含む。すなわち、中間層40mは、実質的にAlを含まない。中間層40mには、例えばGaNまたはInGaNが用いられる。図2に表したように、発光部30は、上記のZ軸方向に沿って互いに交互に積層された複数の障壁層31と、複数の井戸層32量子井戸層と、を含む。すなわち、発光部30は、Z軸方向に沿って互いに交互に積層された複数の障壁層31と、複数の障壁層31のそれぞれの間に設けられた井戸層32と、を含む。なお、図2に例示したように、本実施形態においては、n型半導体層10には、井戸層32ではなく、障壁層31複数の障壁層31のうちで、n型半導体層10に最も近い障壁層31が接するものとする。また、発光部30のうちのp型半導体層20の側には、井戸層32が配置されるものとする。すなわち、中間層40mには、井戸層32複数の井戸層32のうちで、p型半導体層20に最も近い井戸層32が接するものとする。図1に例示したように、n型半導体層10は、例えば、n型GaN層11と、n型GaN層11と発光部30との間に設けられたn型ガイド層12と、を有することができる。n型ガイド層12には、例えば、Siなどのn型不純物がドープされたGaNやInGaNが用いられる。p型半導体層20は、例えば、p型GaNコンタクト層22と、p型GaNコンタクト層22と第2層42との間に設けられたp型GaN層21と、を有することができる。p型半導体層20には、例えばMgなどのp型不純物が高濃度でドープされる。図1に表したように、本実施形態に係る半導体発光素子110は、例えばサファイアからなる基板5と、その上に設けられたバッファ層6と、バッファ層6の上に設けられたn型GaN層11と、n型GaN層11の上に設けられたn型ガイド層12と、を含むことができる。n型GaN層11及びn型ガイド層12がn型半導体層10に相当する。そして、n型ガイド層12の上に発光部30障壁層31及び井戸層32が設けられる。発光部30の上に中間層40mが設けられ、中間層40mの上に第1層41が設けられ、第1層41の上に第2層42が設けられる。第2層42の上にp型GaN層21が設けられ、p型GaN層21の上にp型GaNコンタクト層22が設けられる。p型GaN層21及びp型GaNコンタクト層22が、p型半導体層20に相当する。上記のような構成を有する積層構造体のp型半導体層20の側の第1主面において、n型半導体層10の一部と、発光部30と、中間層40mと、第1層41と、第2層42と、p型半導体層20と、の一部が除去され、第1主面の側においてn型半導体層10が露出している。露出したn型半導体層10に接してn側電極71が設けられ、p型半導体層20に接してp側電極81が設けられる。このような半導体発光素子110は、例えば以下のようにして製造される。まず、サファイアからなる基板5の上に、バッファ層6を形成した後、n型不純物がドープされたn型GaN層11を結晶成長させる。n型GaN層11の厚さは、例えば4μmマイクロメートル程度である。結晶成長には、例えば有機金属気相成長法MOCVD:MetalOrganicChemicalVaporDepositionが用いられる。この他、結晶成長には、分子線エピタキシー法MBE:MolecularBeamEpitaxyが用いられる。n型不純物には、例えば、Si、Ge及びSnなど種々の元素を用いることが可能である。本具体例では、Siを用いる。Siのドーピング量として、例えば、2×1018cm-3程度が採用される。基板5には、サファイアの他、GaN、SiC、Si及びGaAsなど様々なものを用いることができる。次に、n型GaN層11の上にn型ガイド層12を結晶成長させる。n型ガイド層12には、例えば、n型不純物が1×1018cm-3程度でドープされたGaNが用いられる。n型ガイド層12の厚さは、例えば、0.1μm程度とされる。n型GaN層11及びn型ガイド層12を成長させる際の成長温度は、いずれも例えば、1000~1100°Cである。また、n型ガイド層12として、GaNの他に、In0.01Ga0.99Nを用いることもできる。n型ガイド層12にIn0.01Ga0.99Nを用いる場合の成長温度は、例えば700~800°Cである。なお、n型ガイド層12にIn0.01Ga0.99Nを用いる場合においても、n型ガイド層12の厚さとして、例えば0.1μmが採用できる。次に、n型ガイド層12の上に、発光部30を形成する。例えば、In0.01Ga0.99Nを含む障壁層31と、アンドープのIn0.15Ga0.85Nを含む井戸層32とを、交互に8ペア積層した多重量子井戸MQW:MultipleQuantumWell構造を形成する。障壁層31のそれぞれの厚さは、例えば5.0nmとされる。井戸層32のそれぞれの厚さは、例えば2.5nmとされる。障壁層31及び井戸層32の成長温度は、例えば700~800°Cである。なお、障壁層31には、n型不純物を1×1018cm-3程度でドープしても良く、障壁層31は、アンドープでも良い。発光部30の上に、例えばGaNからなる中間層40mを成長させる。中間層40mの厚さは、3nm以上8nm以下に設定される。本具体例では、中間層40mの厚さは、5nmとされる。中間層40mの上に、第1層41を成長させる。第1層41には、例えばAl0.05Ga0.95Nが用いられる。すなわち、第1Al組成比x1は、0.05である。第1層41の厚さは、例えば5nmである。第1層41の上に、第2層42を成長させる。第2層42には、Al0.20Ga0.80Nが用いられる。すなわち、第2Al組成比x2は、0.20である。第2層42の厚さは、例えば5nmである。本具体例では、第2層42に用いられるAl0.20Ga0.80Nには、例えば、Mgが4×1019cm-3程度でドープされる。一方、第1層41に用いられるAl0.05Ga0.95NにはMgがドープされていない。このように、第2層42におけるp型不純物濃度は、第1層41よりも高い。第2層42に上に、p型GaN層21を成長させる。p型GaN層21には、Mgが1×1019cm-3程度でドープされる。p型GaN層21の厚さは、例えば50nm程度である。p型GaN層21の成長温度は、例えば1000~1100°Cである。p型GaN層21の上に、p型GaNコンタクト層22を成長させる。p型GaNコンタクト層22には、例えば、Mgが1×1020cm-3程度でドープされる。p型GaNコンタクト層22の厚さは、例えば60nm程度である。このような順次結晶成長を行ったウェーハに対して、以下のデバイスプロセスが実施される。p型GaNコンタクト層22の上に、例えば酸化インジウム錫ITOからなるp側電極81が形成される。ITOの厚さは、例えば0.2μmである。ITOの一部の上にはp側パッド電極82として、厚さが例えば1.0μmのAu膜が形成される。p側電極81及びp側パッド電極82の形成の後、上記の積層構造体の一部にドライエッチングを施し、n型GaN層11の一部を露出させ、n型GaN層11の露出した部分にn側電極71を形成する。n側電極71としては、例えば、チタン-白金-金Ti/Pt/Auの複合膜が用いられる。このTi膜の厚さは例えば0.05μm程度であり、Pt膜の厚さは例えば0.05μm程度であり、Au膜の厚さは例えば1.0μm程度である。このようにして、半導体発光素子110が作製される。LEDのような半導体発光素子においては、発光部30から電子がオーバーフローしやすい傾向にある。一方、p型不純物の活性化率が低いため、正孔のキャリア密度が低くなりやすい傾向にある。また、窒化物半導体においては正孔の有効質量が大きいため、正孔の拡散長が小さい傾向にあり、正孔の活性層への注入効率の改善が必要である。本願発明者の種々の実験の結果により、Inを含む量子井戸構造を活性層に用いたGaN系LEDの場合、p型半導体層20の側の量子井戸層の発光が支配的であることが分かった。また、活性層発光部30への正孔の注入効率を上げるためには、AlGaNからなる電子オーバーフロー防止層を活性層に近づけることが正孔の拡散長との兼ね合いから望ましいが、活性層に近づけすぎると、AlGaNの自発分極の影響がInを含む量子井戸層に加わってしまい、逆に量子効率が下がることが分かった。本発明の実施形態の構成は、このような知見に基づいて構築されている。本実施形態にかかる半導体発光素子110においては、第2層42は、Al組成が高いAlGaN層であり、電子のオーバーフローを抑制する電子オーバーフロー防止層として機能する。電子のオーバーフローを抑制する効果を高めるためには、電子オーバーフロー防止層におけるAl組成比が高いことが望ましい。一方、電子オーバーフロー層におけるAl組成比が高過ぎると、自発分極の影響によって、p型半導体層20に近接する井戸層32のエネルギーバンドが曲がってしまい、発光効率が低下する。本実施形態に係る半導体発光素子110においては、発光部30とp型半導体層20との間に、発光部30からp型半導体層20に向かって、Alを実質的に含まない中間層40m、Al組成比が低い第1層41、及び、Al組成比が高い第2層42が、この順で配置される。図3は、本発明の実施形態に係る半導体発光素子の特性を例示する模式図である。すなわち、同図は、半導体発光素子110における発光部30からp型半導体層20にかけての半導体層におけるAl組成比Axの変化を例示している。同図において、横軸は、Z軸方向積層方向であり、縦軸は、半導体層におけるAl組成比Axである。図3に表したように、発光部30の端p型半導体層20の側の端においては、井戸層32が配置され、井戸層32におけるAl組成比Axは実質的に零である。中間層40mにおいても、Al組成比Axは実質的に零である。第1層41におけるAl組成比Axは、第1Al組成比x1であり、例えば、0.001以上0.05以下である。第2層42におけるAl組成比Axは、第2Al組成比x2であり、例えば、0.1以上0.2以下である。このように、半導体発光素子110においては、発光部30とp型半導体層20との間に設けられる中間層40m、第1層41及び第2層42のAl組成比Axを、発光部30からp型半導体層20に向かう方向に沿って、漸増させる。そして、発光部30の井戸層32に接する半導体層である中間層40mは、実質的にAlを含まない。この構成により、発光部30とp型半導体層20との間において、p型半導体層20に近い側ではAl組成比Axが高いため、電子オーバーフロー防止効果が十分に発揮される。そして、発光部30に近い側では、実質的にAlを含まないため、Alを含んだ場合のAlGaN層における自発分極によって井戸層32のエネルギーバンド特性に与える悪影響が抑制される。図4は、本発明の実施形態に係る半導体発光素子の特性を例示する模式図である。すなわち、同図は、半導体発光素子110における発光部30からp型半導体層20にかけての半導体層におけるエネルギーバンド特性を模式的に例示している。同図において、横軸は、Z軸方向積層方向であり、縦軸は、エネルギーEgである。同図においては、伝導帯CBの状態と、価電子帯VBの特性が例示されている。図4に表したように、半導体発光素子110においては、発光部30からp型半導体層20にかけて、所望のエネルギーバンド特性が実現できる。すなわち、p型半導体層20に最も近い井戸層32のエネルギー特性は、それ以外の井戸層32のエネルギー特性と実質的に同様である。すなわち、p型半導体層20に最も近い井戸層32のエネルギー特性は、例えば、Al組成比Axが高い第2層42の影響を実質的に受けていない。これにより、電子のオーバーフローを低減させ、かつ活性層への正孔の注入効率も上げることが可能となり、発光効率が向上する。図5は、比較例の半導体発光素子の特性を例示する模式図である。すなわち、同図は、比較例の半導体発光素子119における発光部30からp型半導体層20にかけての半導体層におけるAl組成比Axの変化を例示している。図6は、比較例の半導体発光素子の特性を例示する模式図である。すなわち、同図は、比較例の半導体発光素子119における発光部30からp型半導体層20にかけての半導体層におけるエネルギーバンド特性を模式的に例示している。図5に表したように、比較例の半導体発光素子119においては、発光部30の井戸層32に隣接して高い組成比でAlを含む第2層42が設けられている。この場合、図6に表したように、p型半導体層20に最も近い井戸層32のエネルギー特性は、それ以外の井戸層32のエネルギー特性とは異なる。すなわち、Al組成比が高い第2層42における自発分極によって、p型半導体層20に最も近い井戸層32のエネルギーバンドが曲がっている。このため、比較例の半導体発光素子119においては、効率が低下する。これに対し、実施形態に係る半導体発光素子110においては、中間層40m及び第1層41を設けることで、Al組成比Axが高い第2層42の自発分極の影響を井戸層32に与えることを抑制できるため、エネルギーバンド特性を所望の状態に制御できる。これにより、電子のオーバーフローを低減させ、かつ活性層への正孔の注入効率も上げることが可能となり、発光効率の高い。以下、実施形態に係る実施例の特性を、比較例と共に説明する。実施形態に係る第1~第3実施例の半導体発光素子110a~110cの構成は、図1に例示した半導体発光素子110と同様なので説明を省略する。第1実施例第1実施例の半導体発光素子110aにおいては、中間層40mが、実質的にAlを含まないGaNであり、その厚さは5nmである。第1層41は、Al0.01Ga0.99Nすなわち、第1Al組成比x1=0.01であり、その厚さは5nmである。第1層41におけるMg濃度は、1×1017cm-3~1×1019cm-3程度と比較的低濃度である。第2層42は、Al0.2Ga0.8Nすなわち、第2Al組成比x2=0.2であり、その厚さは5nmである。第2層42におけるMg濃度は、1×1019cm-3~1×1020cm-3程度と高濃度である。第2実施例第2実施例の半導体発光素子110bにおいては、第1層41は、Al0.01Ga0.99Nであり、その厚さは2.5nmである。そして、それ以外の構成は、第1実施例と同様である。第3実施例第3実施例の半導体発光素子110cにおいては、第1層41は、Al0.01Ga0.99Nであり、その厚さは0.5nmである。そして、それ以外の構成は、第1実施例と同様である。第1比較例第1比較例の半導体発光素子119aの構成は、図5に例示した比較例の半導体発光素子119と同様の構成を有する。すなわち、半導体発光素子119aは、中間層40m及び第1層41を有していない。それ以外は、第1実施例の半導体発光素子110aと同様の構成を有する。すなわち、第1比較例の半導体発光素子119aにおいては、発光部30の井戸層32に接して、第2層42が設けられている。第2層42は、Al0.2Ga0.8Nであり、その厚さは5nmである。第2層42におけるMg濃度は、1×1019cm-3~1×1020cm-3である。第2比較例第2比較例の半導体発光素子119bは、中間層40mと第1層41と第2層42とを有している。すなわち、半導体発光素子119bの構成は、図1に例示した半導体発光素子110と類似している。ただし、中間層40mが薄い。半導体発光素子119bにおいては、中間層40mの厚さが0.5nmである。それ以外の構成例えば、第1層41と第2層42の構成は、第1実施例の半導体発光素子110aと同様である。第3比較例第3比較例の半導体発光素子119cは、中間層40mと第1層41と第2層42とを有している。すなわち、半導体発光素子119cの構成は、図1に例示した半導体発光素子110と類似している。ただし、中間層40mが薄い。半導体発光素子119cにおいては、中間層40mの厚さが2.5nmである。それ以外の構成例えば、第1層41と第2層42の構成は、第1実施例の半導体発光素子110aと同様である。図7は、半導体発光素子の特性を例示するグラフ図である。すなわち、同図は、第1~第3実施例の半導体発光素子110a~110c、及び、第1~第3比較例の半導体発光素子119a~119cの特性を例示している。同図において、横軸は、各半導体発光素子に通電される電流Ifであり、縦軸は、発光効率Effである。これらの半導体発光素子110a~110c及び119a~119cは、ピーク波長が450nmの青色LEDである。図7に表したように、中間層40mを設けない第1比較例の半導体発光素子119aにおいては、発光効率Effは著しく小さい。これは、発光部30の井戸層32に、Al組成比Axが高い第2層42が接しており、第2層42における自発分極により、井戸層32のエネルギーEgの特性が劣化したことが原因であると推察される。中間層40mの厚さが0.5nmである第2比較例の半導体発光素子119bにおいても発光効率Effは低い。中間層40mの厚さが2.5nmである第3比較例の半導体発光素子119cにおいては、半導体発光素子119bに比べると発光効率Effは上昇しているが、不十分である。これに対し、第1~第3実施例の半導体発光素子110a~110cにおいては、いずれも高い発光効率Effを示した。なお、第1層41の厚さが0.5nmでも高い発光効率を示すことから、中間層40mの厚さが5nm程度の場合には、第1層41の厚さは、0.5nm程度で良いことが分かる。このように、実施形態に係る半導体発光素子110半導体発光素子110a~110cにおいては、中間層40mが少なくとも5nm程度の厚さを有していれば高い発光効率が得られる。そして、中間層40mの厚さが例えば、2.5nm以下であると例えば第2及び第3比較例の半導体発光素子119b及び119c、発光効率Effは低い。図8は、半導体発光素子の特性のシミュレーション結果を例示する模式図である。すなわち、図8a、b、cは、第1実施例の半導体発光素子110a、並びに、第2及び第3比較例の半導体発光素子119b及び119cにおける発光部30からp型半導体層20にかけての半導体層におけるエネルギーバンド特性をシミュレーションした結果を例示している。図8aに表したように、中間層40mの厚さが0.5nmである第2比較例の半導体発光素子119bにおいては、p型半導体層20に最も近い井戸層32のエネルギー特性が曲線状であり、エネルギーバンドが曲がっている。これは、例えば、Al組成比Axが高い第2層42の自発分極の影響であると考えられる。図8bに表したように、中間層40mの厚さが2.5nmである第3比較例の半導体発光素子119cにおいても、p型半導体層20に最も近い井戸層32のエネルギー特性がやはり曲線状であり、エネルギーバンドの曲がりは十分には解消されていない。これに対し、図8cに表したように、中間層40mの厚さが5nmである第1実施例の半導体発光素子110aにおいては、p型半導体層20に最も近い井戸層32のエネルギー特性が直線状であり、エネルギーバンドの曲がりが十分に解消されている。これにより、高い発光効率が得られる。このように、実施形態に係る半導体発光素子110においては、中間層40mの厚さは、3nm以上とされる。以下、中間層40mが厚い場合も含めて、半導体発光素子の発光効率Eff及び電圧Vfの特性について説明する。第4比較例第4比較例の半導体発光素子119dは、中間層40mと第1層41と第2層42とを有している。すなわち、半導体発光素子119dの構成は、図1に例示した半導体発光素子110と類似している。ただし、中間層40mが厚い。半導体発光素子119dにおいては、中間層40mの厚さが10.0nmである。それ以外の構成例えば、第1層41と第2層42の構成は、第1実施例の半導体発光素子110aと同様である。図9は、半導体発光素子の特性を例示するグラフ図である。すなわち、図9a及び図9bは、第1実施例の半導体発光素子110a、並びに、第2、第3、及び第4比較例の半導体発光素子119b、119c及び119dの、発光効率Eff及び電圧Vfを例示している。これらの図において、横軸は、各半導体発光素子に通電される電流Ifである。図9aの縦軸は、発光効率Effである。図9bの縦軸は、電圧Vfである。図9cは、これらの半導体発光素子における中間層40mの厚さtmと、発光効率Effと、の関係を例示している。図9cの横軸は、中間層40mの厚さtmであり、縦軸は、電流Ifが20mAの時の発光効率Effである。図9aに表したように、半導体発光素子119b及び119cのように、中間層40mの厚さtmが0.5nm及び2.5nmのように薄い場合も、半導体発光素子119dのように中間層40mの厚さ40mが過度に厚い場合も、発光効率Effは低い。図9cに表したように、中間層40mの厚さが、約3nm以上、8nm以下の場合に発光効率Effは高い値を示す。このように、中間層40mの厚さtmが過度に厚いと発光効率Effが低下するのは、窒化物半導体においてや正孔の移動度が小さいため、中間層40mが厚いと正孔の活性層発光部30への注入効率が低下することが原因であると考えられる。さらに、図9bに表したように、中間層40が厚い半導体発光素子119dにおいては、電圧Vfが高い。この観点でも、中間層40mの厚さtmは適正に設定される。このように、実施形態に係る半導体発光素子110においては、中間層40mの厚さは、3nm以上8nm以下とされる。図10は、本発明の実施形態に係る半導体発光素子の特性を例示する模式図である。すなわち、図10a~図10cは、実施形態に係る別の半導体発光素子111~113の特性をそれぞれ例示している。これらの図は、発光部30からp型半導体層20にかけての半導体層におけるAl組成比Axの変化を例示している。これらの図において、横軸は、Z軸方向積層方向であり、縦軸は、半導体層におけるAl組成比Axである。図10aに表したように、実施形態に係る別の半導体発光素子111は、中間層40m、第1層41及び第2層42に加えて、第1層41と第2層42との間に設けられ、第1Al組成比x1と第2Al組成比x2との間の第3Al組成比x3を有するAlGaNからなる第3層43をさらに備えている。図10bに表したように、実施形態に係る別の半導体発光素子112は、中間層40m、第1層41、第2層42及び第3層43に加えて、第3層43と第2層42との間に設けられ、第3Al組成比x3と第2Al組成比x2との間の第4Al組成比x4を有するAlGaNからなる第4層44をさらに備えている。このように、Alを実質的に含まない中間層40mと、高組成比でAlを含む第2層42との間に、複数の層を設けることができ、その複数の層におけるAl組成比は、中間層40mから第2層42に向かうに従って上昇する。なお、中間層40mと第2層42との間に設けられる複数の層の数は任意である。さらに、1つの層の内部でAl組成比Axが変化しても良い。図10cに表したように、実施形態に係る別の半導体発光素子113は、中間層40m、第1層41及び第2層42に加えて、第1層41と第2層42との間に設けられ、第1Al組成比x1と第2Al組成比x2との間の第3Al組成比x3を有するAlGaNからなる第3層43をさらに備えており、第3層43におけるAl組成比Axは、発光部30からp型半導体層20に向かう方向に沿って上昇している。このような構成を有する半導体発光素子111~113においても、発光効率が向上できる。このように、実施形態に係る半導体発光素子においては、第1層41から第2層42に向かって、Al組成比Axが、段階的にまたは連続的に上昇漸増する構成が適用され、Al組成比Axの変化の特性は任意である。なお、図2に例示した半導体発光素子110の発光部30の構成において、発光部30は、p型半導体層20に最も近い井戸層32のp型半導体層20の側に設けられた障壁層31をさらに有することができる。このとき、実施形態に係る半導体発光素子110においては、その障壁層31は、実質的にAlを含まない。すなわち、その障壁層31には、Inz2Ga1-z2N0≦z2<1が用いられる。そして、この場合には、その障壁層31と中間層40mとを合わせた合計の厚さが、3nm以上8nm以下とされる。また、半導体発光素子110における中間層40mは、発光部30において、p型半導体層20に最も近い井戸層32のp型半導体層20の側に設けられた障壁層31と見なすこともできるが、p型半導体層20に最も近い井戸層32のp型半導体層20の側に設けられたその障壁層31を中間層40mと見なす。なお、本明細書において窒化物半導体とは、BxInyAlzGa1-x-y-zN0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1,xyz≦1なる化学式において組成比x、y及びzをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、N窒素以外のV族元素もさらに含むものや、導電型などを制御するために添加される各種のドーパントのいずれかをさらに含むものも、窒化物半導体に含まれるものとする。以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体発光素子に含まれるn型半導体層、p型半導体層、発光部、井戸層、障壁層、中間層、第1~第4層、電極、基板、バッファ層等の各要素の具体的な構成の、形状、サイズ、材質、配置関係などに関して当業者が各種の変更を加えたものであっても、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。その他、本発明の実施の形態として上述した半導体発光素子を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体発光素子も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。"