p型半導体領域を有する半導体基体を備えた太陽電池素子であって、前記p型半導体領域はその表層部にSi-O結合を有した表層内部領域が設けられており、該表層内部領域の上にパッシベーション層が設けられている太陽電池素子。前記p型半導体領域はその表層部に前記表層内部領域に並んでp型半導体領域がさらに設けられており、該p型半導体領域の上に導電層が設けられている請求項1に記載の太陽電池素子。前記表層内部領域および前記p型半導体領域が交互に並設されている請求項2に記載の太陽電池素子。前記p型半導体領域は結晶質シリコンを含む請求項1乃至3のいずれかに記載の太陽電池素子。前記パッシベーション層は正の固定電荷を有する請求項1乃至4のいずれかに記載の太陽電池素子。前記パッシベーション層は、窒化シリコン、酸化シリコンおよび酸化アルミニウムから選択される1種以上を含む請求項1乃至4のいずれかに記載の太陽電池素子。前記パッシベーション層は複数層からなる請求項1乃至6のいずれかに記載の太陽電池素子。前記パッシベーション層は、前記表層内部領域に接している酸化シリコン層を有している請求項7に記載の太陽電池素子。前記パッシベーション層は、前記酸化シリコン層の上に窒化シリコン層または酸化アルミニウム層を設けている請求項8に記載の太陽電池素子。p型半導体領域を有する半導体基体を準備する基板準備工程と、前記p型半導体領域の表面を、酸素を含むガスを用いて形成されるプラズマに曝して、前記p型半導体領域の表層部にSi-O結合を有した表層内部領域を形成する表面処理工程と、前記表層内部領域の上にパッシベーション層を形成する層形成工程とを有する太陽電池素子の製造方法。前記層形成工程は、前記表層内部領域の上に正の固定電荷を有するパッシベーション層を形成する工程である請求項10に記載の太陽電池素子の製造方法。前記表面処理工程は、酸素および水素を含むガスを用いて形成されるプラズマに曝して、前記p型半導体領域の表層部にSi-O結合を有した表層内部領域を形成する工程である請求項10に記載の太陽電池素子の製造方法。請求項1乃至9のいずれかに記載の太陽電池素子を備えている太陽電池モジュール。以下、本発明の一形態に係る太陽電池素子およびその製造方法ならびに太陽電池モジュールについて図面を参照しつつ詳細に説明する。<太陽電池素子の基本構成>図1~3に示すように、太陽電池素子10は光が入射する受光面以下、第1面という10aとこの第1面10aの裏面に相当する非受光面以下、第2面という10bとを有する。また、太陽電池素子10は、例えば板状の半導体基体9例えば、一導電型の半導体領域である半導体基板1と、この半導体基板1における第1面10a側に設けられた逆導電型の半導体領域である逆導電型層2とから構成されると、半導体基体9における第1面10a側本実施形態では、逆導電型層2の上に設けられた反射防止層3と、第2面10b側に設けられた例えば正の固定電荷を有するパッシベーション層7とを備えている。また、太陽電池素子10は、半導体基体9における第1面10a側に設けられた第1電極4と、半導体基体9における第2面10b側に設けられた第2電極5とを有する。さらに、太陽電池素子10は、半導体基板1がp型の導電型を有する場合、半導体基板1における第2面10b側の表層部にSi-O結合を有した1以上の表層内部領域8が設けられている。ここで、表層部とは半導体基板1の表面からの深さ2~10nm程度を指すものとする。この表層内部領域8の上にパッシベーション層7が設けられている。なお、Si-O結合は少なくとも半導体基板1の表面から10nm程度までの深さの内部に存在していればよい。半導体基板1としては、例えば所定のドーパント元素導電型制御用の不純物を有して一導電型例えばp型を呈する単結晶シリコン基板または多結晶シリコン基板等の結晶シリコン基板が好適に用いられる。半導体基板1の厚みは、例えば、250μm以下であるのが好ましく、150μm以下とするのがさらに好ましい。半導体基板1の形状は、特に限定されないが、図示されているように、平面視して四角形状であれば製法上および多数の太陽電池素子を配列して太陽電池モジュールを構成する際等の観点から好適である。なお、半導体基体9としては、結晶質シリコン系以外の半導体を用いてもよく、例えば薄膜シリコンアモルファスシリコンおよび微結晶シリコンのうち少なくとも一方を含むまたはシリコンゲルマニウム等の半導体材料が使用可能である。ただし、半導体基体9として結晶質シリコンを用いると作製が容易であり、製造コストおよび光電変換効率等の点で好適である。また、パッシベーション層7は1層以上からなるものであり、少なくとも窒化シリコン、酸化シリコンおよび酸化アルミニウムから選択される1種以上の材料が使用可能である。特に、パッシベーション層7として窒化シリコンを用いると、窒化シリコンを形成する際に生じる水素によって半導体基板が水素パッシベーションされる点で好適である。<太陽電池素子の具体例>以下、太陽電池素子についてより具体的な例について説明する。p型の導電型を呈する結晶シリコン基板を用いる例を説明する。半導体基体9を構成する結晶シリコン基板からなる半導体基板1がp型を呈するようにする場合、ドーパント元素としては、例えばボロンまたはガリウムを用いるのが好適である。半導体基体9を構成する逆導電型層2は、半導体基板1と逆の導電型を呈する層であり、半導体基板1における第1面10a側に設けられている。すなわち、逆導電型層2は半導体基体9の表層内に形成されている。半導体基板1としてp型の導電型を呈するシリコン基板を使用する場合であれば、逆導電型層2はn型の導電型を呈するように形成される。一方、半導体基板1としてn型の導電型を呈するシリコン基板を使用する場合であれば、逆導電型層2は、p型の導電型を呈するように形成される。また、p型の導電型の領域とn型の導電型の領域との間にはpn接合部が形成される。このような逆導電型層2は、半導体基板1がp型の導電型を呈するシリコン基板であれば、例えば、このシリコン基板1における第1面10a側にリン等の不純物を拡散させることによって形成できる。反射防止層3は、所望の波長領域の光の反射率を低減させて、光生成キャリア量を増大させる役割を果たすので、太陽電池素子10の光電流密度Jscを向上させることができる。反射防止層3は、例えば窒化シリコン膜、酸化チタン膜、酸化シリコン膜、酸化マグネシウム膜、酸化インジウムスズ膜、酸化スズ膜または酸化亜鉛膜などを含む。反射防止層3の厚みは、用いる材料によって適宜選択されて、適当な入射光に対して無反射条件を実現できるようにする厚みであればよい。例えばシリコンからなる半導体基板1においては、屈折率は1.8~2.3程度であって、厚みは500~1200Å程度であることが好ましい。また、反射防止層3に窒化シリコン膜を用いた場合は、パッシベーション効果も有するので好適である。パッシベーション層7は1層以上であって、例えば窒化シリコン、酸化シリコンおよび酸化アルミニウムから選択される1種以上の材料を用いることができて、半導体基板1における第2面10b側に形成されて、キャリアの再結合を低減する役割を有する。パッシベーション層7は100~2000Å程度の厚みに形成すればよい。BSFBackSurfaceField領域6は基板1における第2面10bの近傍でキャリアの再結合による効率の低下を低減させる役割を有しており、半導体基板1における第2面10b側に内部電界を形成するものである。BSF領域6は半導体基板1と同一の導電型を呈しているが、BSF領域6のドーパント元素は半導体基板1が含有する多数キャリアの濃度よりも高い濃度を有している。ここで、高い濃度を有しているとは、半導体基板1において一導電型を呈するためにドープされてなるドーパント元素によるキャリア濃度よりも高い濃度で存在することを意味する。つまりBSF領域6は、半導体基板1がp型を呈するのであれば、不純物濃度がより高いp半導体領域となっている。BSF領域6は、例えば第2面10b側にボロンまたはアルミニウムなどのドーパント元素を拡散させることによって、これらドーパント元素の濃度が1×1018~5×1021atoms/cm3程度となるように形成されるとよい。BSF領域6は、少なくともパッシベーション層7の平面視した際の面積に対して0.1~10程度の面積の領域に形成されるのが好適である。図1に示すように、第1電極4は出力取出電極4aと複数の線状の集電電極4bとを有する。出力取出電極4aの少なくとも一部は、集電電極4bと交差している。この出力取出電極4aは、例えば、1.3~2.5mm程度の幅を有している。一方、集電電極4bは線状であり、その幅が50~200μm程度であるため、出力取出電極4aよりも幅が小さい。また、集電電極4bは、複数の線状電極が互いに1.5~3mm程度の間隔を空けて設けられている。また、このような第1電極4の厚みは10~40μm程度である。第1電極4は、例えば銀のように導電性が良好な金属材料を含む導電ペーストをスクリーン印刷等により所望の形状に塗布した後、焼成することによって形成することができる。第2電極5の厚みは1~10μm程度であり、半導体基板1における第2面10b側の面の略全面に形成される。この第2電極5は、例えば銀またはアルミニウムを主成分とする導電ペーストを塗布した後に焼成する、または、スパッタリング法もしくは蒸着法を用いて製膜することによって形成することができる。導電層を有する第2電極5はBSF領域6を通じて半導体基板1と電気的に接続される。半導体基板1における第2面10b側の表層部に設けた表層内部領域8は、厚みが2~10nm程度であり、Si-O結合を有している。表層内部領域8の上にパッシベーション層7を設けることによって、十分なパッシベーション効果を得ることができる。また、窒化シリコン膜からなるパッシベーション層7がp型の導電型を有する半導体基板1上に形成された場合であっても、上述の構造を有することによりバンドベンティングが低減されるため、再結合を十分に低減することができて、太陽電池素子の短絡電流および開放電圧を向上させることができる。特に、正の固定電荷を有するパッシべーション層7を用いた場合には、Si-O結合を有する表層内部領域8を設けることによってバンドベンティングの影響を低減できる。これは、表層内部領域8におけるSi-O結合の存在によって、パッシベーション層7と表層内部領域8との界面において深いトラップ準位密度が低減して、この界面における固定電荷密度が低減するからである。BSF領域6は表層内部領域8に並んで設けられている。例えば、図3に示すようにBSF領域6および表層内部領域8が規則的に交互に並設されるようにしてもよいし、点状に配置した表層内部領域8の周囲にBSF領域6を設けるようにしたり、点状に配置したBSF領域6の周囲に表層内部領域8を設けるようにしてもよい。さらには、BSF領域6と表層内部領域8とが重なって形成されていてもよい。また、パッシベーション層7は、例えば図4に太陽電池素子の断面の一部を拡大して示すように、少なくとも第1層7aと第2層7bとを有する複数層から構成されていてもよい。特に、表層内部領域8に接する第1層7aが酸化シリコンからなるようにすることが好適である。例えば、半導体基板1の上に5~500Å程度の厚さの酸化シリコンからなる第1層7aを設けて、その上に窒化シリコンまたは酸化アルミニウムからなる第2層7bを設けることができる。このようにパッシベーション層7を構成することによって、半導体基板1の表面に多くのダングリングボンドが存在しても、酸化シリコンからなる第1層7aが設けられているので不活性化しやすくなり、十分なパッシベーション効果を得ることができる。<太陽電池素子の製造方法>主に図3を参照しながら太陽電池素子10の製造方法について説明する。まず、本実施形態の太陽電池素子の基本的な製造方法について説明する。本実施形態では、少なくとも以下の工程を順次行なうものとする。まず、p型半導体領域である半導体基板1を有する半導体基体を準備する基体準備工程を行なう。次に、半導体基板1の表面を、酸素原子を含むガスを用いて形成されるプラズマに曝して、半導体基板1の表層部にSi-O結合を有した表層内部領域8を形成する表面処理工程を行なう。そして、表層内部領域8の上にパッシベーション層7を形成する層形成工程を行なう。次に、太陽電池素子10の製造方法の具体例について説明する。まず、半導体基体9の基体準備工程について説明する。半導体基体9を主に構成する半導体基板1が単結晶シリコン基板の場合は、例えば引き上げ法などによって形成されて、半導体基板1が多結晶シリコン基板の場合は、例えば鋳造法などによって形成される。なお、以下では、p型の多結晶シリコンを用いた例を説明する。最初に、例えば鋳造法により多結晶シリコンのインゴットを作製する。次いで、そのインゴットを例えば250μm以下の厚みにスライスする。その後、半導体基板1の切断面の機械的ダメージ層および汚染層を清浄化するために、表面をNaOH、KOH、フッ酸またはフッ硝酸などを用いた溶液によってごく微量エッチングするのが望ましい。なお、このエッチング工程の後に、ウェットエッチング方法を用いて、半導体基体1の表面に微小な凹凸構造を形成するのがさらに望ましい。また、ウェットエッチング法の条件により、前述のダメージ層除去工程を省略することも可能である。次に、半導体基板1における第1面10a側の表層内にn型の逆導電型層2を形成する。このような逆導電型層2は、ペースト状態にしたP2O5を半導体基板1の表面に塗布して熱拡散させる塗布熱拡散法、ガス状態にしたオキシ塩化リンPOCl3を拡散源とした気相熱拡散法、およびリンイオンを直接拡散させるイオン打ち込み法などによって形成される。この逆導電型層2は0.2~2μm程度の深さ、60~150Ω/□程度のシート抵抗に形成される。なお、逆導電型層2の形成方法は上記方法に限定されるものではなく、例えば薄膜技術を用いて、水素化アモルファスシリコン膜または微結晶シリコン膜を含む結晶質シリコン膜などを形成してもよい。さらに、半導体基板1と逆導電型層2との間にi型シリコン領域を形成してもよい。次に、第2面10b側に逆導電型層2が形成された場合には、第2面10b側のみをエッチングして除去して、p型の導電型領域を露出させる。例えば、フッ硝酸溶液に半導体基板1における第2面10b側のみを浸して逆導電型層2を除去する。その後、逆導電型層2を形成する際に半導体基板1の表面に付着した燐ガラスをエッチングして除去する。このように、燐ガラスを残存させて第2面10b側に形成された逆導電型層2を除去することによって、燐ガラスがエッチングマスクの役割を果たして、第1面10a側の逆導電型層2が除去されたり、ダメージを受けるのを低減することができる。以上により、p型半導体領域を有する半導体基板1と逆導電型層2とを備えた半導体基体9を準備することができる。次に、反射防止層3を形成する。反射防止層3は、例えば、PECVDplasmaenhancedchemicalvapordeposition法、蒸着法またはスパッタリング法などを用いて形成される。例えば、窒化シリコン膜からなる反射防止層3をPECVD法で形成する場合であれば、反応室内を500°C程度としてシランSiH4とアンモニアNH3との混合ガスを窒素N2ガスで希釈し、グロー放電分解でプラズマ化させて堆積させることで反射防止層3が形成される。次に、半導体基板1の第2面10b側の表層内にSi-O結合を有する表層内部領域8が形成される。この際、酸素原子を含むガス、例えば、少なくとも一酸化炭素、二酸化炭素、酸素、および亜酸化窒素のうち1種以上を含むガスを用いて形成されるプラズマに半導体基板1の表面を曝して、半導体基板1における第2面10b側を表面処理することによって、上記ガスの分解により生成された酸素原子が半導体基板1の内部に打ち込まれて、Si-O結合を有する表層内部領域8が形成される。また、上記ガスのうち特に二酸化炭素ガスを用いることによりSi-O結合が形成されやすいため好ましい。上記ガスは水素をさらに含むことが好ましい。なぜなら、水素を含むことによって、水素ラジカルによりSi-Si結合が切断されて、切れたボンドの部位に酸素原子が結合することによって、Si-O結合の形成速度が向上するからである。上述したプラズマによる表面処理工程は、例えば、二酸化炭素の流量を20~200sccm、基板温度を150~300°C、ガス圧力を10~100Pa、プラズマ励起周波数を13.56~27.12MHz、プラズマパワー密度を0.1~10W/cm2および処理時間を10~120分と設定した条件下で行なわれる。また、上記ガスが水素ガスを含む場合には、二酸化炭素と水素の流量比を1:2~3:1の範囲内にすればよい。次に、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜または酸化アルミニウム膜からなるパッシベーション層7を形成する層形成工程を行なう。パッシベーション層7は、PECVD法、ALDAtomicLayerDeposition法またはスパッタリング法などを用いて形成される。例えば、窒化シリコン膜をPECVD法で形成する場合は、シランSiH410~200sccmとアンモニアNH310~500sccmとの混合ガスを用いる。この際、基板温度を200~500°C、ガス圧力を5~300Pa、プラズマ励起周波数を13.56~40.68MHzおよびプラズマパワー密度を0.002~1W/cm2の条件によって、グロー放電分解でプラズマ化させて窒化シリコン膜を堆積させることでパッシベーション層7が形成される。また、Si-O結合を有する表層内部領域8を形成した後に、酸化シリコン膜を形成することが好ましい。なぜなら、表層内部領域8の形成の際に酸素原子を半導体基板1の内部に打ち込むことから、半導体基板1の表面において多くのダングリングボンドを生じさせることがあっても、酸化シリコン膜の形成によって半導体基板1の表面を不活性化しやすくすることができて、十分なパッシベーション効果を得ることができるからである。この酸化シリコン膜は常圧CVD法、または、硝酸蒸気もしくは硝酸溶液に接触させる方法によって形成することができる。特に、硝酸蒸気もしくは硝酸溶液に接触させる方法によって酸化シリコン膜を形成する場合は、プラズマによる処理がなく、しかも半導体基板1を高温にする必要もないことから、半導体基板1へのダメージを低減することができる。さらに、半導体基板1の両面に酸化シリコン膜を形成することが最適である。具体的には酸化シリコン膜の形成は例えば以下のようにして行なう。半導体基板1を硝酸濃度が60質量以上の適温に加熱した硝酸溶液内に浸漬することによって、または、半導体基板1を硝酸濃度が60質量以上の硝酸溶液を沸騰するまで加熱して発生した硝酸蒸気内に保持することによって、半導体基板1の表面に酸化シリコン膜を形成することができる。なお、上記硝酸溶液内に浸漬する際に用いる硝酸溶液の温度は、例えば100°C以上であって硝酸溶液の沸点より少し低い温度とすることができる。また、上記のいずれの方法であっても、硝酸溶液内の浸漬時間および硝酸蒸気内の保持時間は、所定厚みの酸化シリコン膜が形成されるように適宜設定すればよい。次に、第1電極4出力取出電極4a、集電電極4bと第2電極5第1層5a、第2層5bとを以下のようにして形成する。第1電極4は、例えば銀等からなる金属粉末と、有機ビヒクルとガラスフリットとを含有する銀ペーストを用いて作製される。この銀ペーストを、半導体基板1の第1面に塗布して、その後、最高温度600~850°Cで数十秒~数十分程度焼成する。ファイヤースルー法によって反射防止層3を突き破った第1電極4が半導体基板1上に形成される。上記ペーストの塗布法としてはスクリーン印刷法などを用いることができる。ペーストを塗布後、所定の温度で溶剤を蒸散させて乾燥させるとよい。次に、BSF領域6の形成について説明する。まず、パッシベーション層7に開口部を形成する。この開口部の形成は、例えば、200μm~1mmの間隔で直径50~500μm程度の点状にサンドブラスト法、メカニカルスクライブ法、ケミカルエッチング法またはレーザー法などを用いてパッシベーション層7を除去すればよい。なお、その形状は円形、楕円形または多角形など特に限定されない。または、マスク等を用いて所定の形状となるようにパッシベーション層7を形成してもよい。そして、例えばアルミニウム粉末と有機ビヒクルとを含有するアルミニウムペーストを、パッシベーション層7の開口部内に塗布する。この塗布法としては、スクリーン印刷法などを用いることができる。ここで、ペーストを塗布した後、所定の温度で溶剤を蒸散させて乾燥させると、作業時にペーストがその他の部分に付着しにくいのでよい。次に、半導体基板1を焼成炉内にて最高温度が600~850°Cで数十秒~数十分程度焼成することによって、BSF領域6が半導体基板1の第2面10b側に形成されて、第2電極5の第1層5aとなるアルミニウム層が形成される。なお、この電極形成において、半導体基板1を600°C以上に加熱した場合であっても、Si-O結合は安定であることから、表層内部領域8が電極形成時の加熱によって破壊する可能性は低いので、十分なパッシベーション効果を得ることができる。次に、第2電極5の第2層5bは、例えば銀またはアルミニウムなどの高反射率金属をスパッタリング法または蒸着等の真空製膜法にて形成する。また、第2層5bをシード層としてメッキ等の厚膜化方法を追加実施することで低抵抗化を図ることができる。以上のようにして、太陽電池素子10を作製することができる。なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で多くの修正および変更を加えることができる。上述した実施形態においては、予めパッシベーション層7の開口部を形成する説明をしたが、ガラスフリットを含有したアルミニウムペーストをパッシベーション層7の上に直接、所定領域に形成して、高温の熱処理を行なうファイヤースルー法によって、パッシベーション層7を突き破ったBSF領域6を半導体基板1の上に形成して、その上に第1層5aを形成してもよい。なお、ガラスフリットを含有したアルミニウムペーストを点状に形成した場合には、アルミニウムペーストと接続するように、ファイヤースルー法が可能ではないアルミニウムペーストまたは銀ペースト等の金属ペーストを第2面10b側のほぼ全面に塗布して焼成することによって、パッシベーション層7上に第2層5bを形成することができる。さらには、パッシベーション層7の上に、印刷法、スパッタリング法または蒸着法などを用いてアルミニウム層を形成して、このアルミニウム層の局所にレーザー光を照射して溶融させることによって、このアルミニウム成分をパッシベーション層7に貫通させて、半導体基板1と接触反応させたBSF領域6を形成することができる。つまり、LFCLaserFiredContacts法によりBSF領域6を形成することができる。このとき、形成するBSF領域6は200μm~1mmの間隔で直径50~500μm程度の点状に形成することが好ましく、また、上記方法で形成されたアルミニウム層は第2電極5として利用される。また、パッシベーション層7を形成する前にBSF領域6を形成してもよく、所定領域にボロンまたはアルミニウムを拡散すればよい。ボロンは三臭化ボロンBBr3を拡散源とした熱拡散法を用いて温度800~1100°C程度で加熱することによって拡散される。また、例えば薄膜技術を用いて、水素化アモルファスシリコン膜または微結晶シリコン膜を含む結晶質シリコン膜などを形成してもよい。さらに、半導体基板1とBSF領域6との間にi型シリコン領域を形成してもよい。また、反射防止層3とパッシベーション層7を形成する順序は、上記説明した順序と逆であっても構わない。また、反射防止層3およびパッシベーション層7を形成する前に、半導体基板1を洗浄することが好ましい。この洗浄は、次の1~3のいずれかを行なうことが好ましい。1フッ酸処理2RCA洗浄米国RCA社が開発した洗浄法であり、高温高濃度の硫酸過酸化水素水、希フッ酸室温、アンモニア水過酸化水素水、または、塩酸過酸化水素水などによる洗浄方法の後にフッ酸処理3SPMSulfuricAcidHydrogenPeroxideWaterMixture洗浄後にフッ酸処理また、BSF領域6とこの上に設ける導電層である低抵抗金属電極を梯子状の形状にて形成する場合であっても、ラミネート時に裏面に高反射率のバックシートを用いることによって、高機能の裏面反射構造を実現することが可能である。なお、低抵抗金属電極の平面形状を第1電極4と類似形状である梯子状に形成する場合において、低抵抗金属電極の一部が半導体基板1とコンタクトする形状としてもよく、そのコンタクト部分のみにBSF領域6を設けてもよい。また、パッシベーション層7の形成後に行なう任意の工程において、水素を含んだガスを用いてアニール処理を行なうことによって、さらに裏面の再結合速度を低下させることが可能である。また、反射防止層3が窒化シリコン膜からなり、n型の導電型を有する半導体基板1を用いて太陽電池素子を作製する場合には、逆導電型層2がp型を呈するため、第1面10a側にSi-O結合を有する表層内部領域8を形成した後、反射防止層3を形成することによっても上述した効果を期待することができる。なお、半導体基板1の両面に電極を形成する太陽電池素子を用いて作製した例について説明したが、片面のみに電極を形成するバックコンタクト型太陽電池素子に対しても適用可能である。また、本実施形態の太陽電池素子では、半導体基体として半導体基板を用いて作製した例を説明したが、半導体基体は板状に限定されるものではなく、例えばボールソーラー等の太陽電池において、球状等の板状でない半導体基体に対しても適用可能である。<太陽電池モジュール>本実施形態の太陽電池モジュールは、例えば、ガラス、樹脂または金属等の支持基板上に、1つの太陽電池素子10、または、導体により電気的に直列接続させた複数の太陽電池素子10を、耐湿性に優れた例えばEVAEthyleneVinylAcetate等の充填材にて封止した構成とすることが可能である。この場合、金属または樹脂等の枠体を支持基板の周囲に設けてもよい。以下に、より具体的な実施例について説明する。まず、半導体基板1として、厚さが約200μmの多結晶シリコン基板を多数用意した。これらの多結晶シリコン基板は、予めp型の導電型を呈するようにボロンをドープしたものを用いた。用意したそれぞれの多結晶シリコン基板の第1面10a側に、RIEReactiveIonEtching法を用いて、図3に示すような凹凸構造9aを形成した。次に、リン原子を拡散させて、シート抵抗が90Ω/□程度となるn型の逆導電型層2を形成した。なお、第2面10b側に形成された逆導電型層2はフッ硝酸溶液で除去し、その後、逆導電型層2上に残った燐ガラスをフッ酸溶液で除去した。次に、第1面10a側にはプラズマCVD法により窒化シリコン膜からなる反射防止層3を形成して、第2面10b側にはプラズマCVD法により窒化シリコン膜からなるパッシベーション層7を形成した。そして、第1面10a側には銀ペーストを図1に示すような線状パターンに塗布し、第2面10b側にアルミニウムペーストを約500μmの間隔で直径150μmのドットパターンにて塗布した。その後、これらのペーストのパターンを焼成することによって、図3に示すように、第1電極4およびBSF領域6を形成した。なお、第1電極4およびBSF領域6はファイヤースルー法によって、それぞれ半導体基板1とコンタクトをとった。最後に第2電極5として、アルミニウムを第2面10b側の略全面に蒸着法にて10μmの厚さに形成した。また、例1~4のそれぞれにおいては、第2面10b側にパッシベーション層7を形成する前に、二酸化炭素を含むガスを用いて形成されるプラズマに半導体基板1の第2面10b側を曝す表面処理を施した。このときの表面処理工程は、二酸化炭素の流量を100sccm、基板温度を約200°C、ガス圧力を約40Pa、プラズマ励起周波数を13.56MHz、プラズマパワー密度を0.1W/cm2例1の場合、0.3W/cm2例2の場合、0.5W/cm2例3の場合、1.0W/cm2例4の場合、および処理時間を30分間の条件下で行なった。また、例5~8においては、第2面10b側にパッシベーション層7を形成する前に、二酸化炭素および水素を含むガスを用いて形成されるプラズマに半導体基板1における第2面10b側を曝す表面処理を施した。このときの表面処理工程は二酸化炭素の流量を約100sccm、水素の流量を約100sccm、基板温度を約200°C、ガス圧力を約50Pa、プラズマ励起周波数を13.56MHz、プラズマパワー密度を0.1W/cm2例5の場合、0.3W/cm2例6の場合、0.5W/cm2例7の場合、1.0W/cm2例8の場合、および処理時間を20分の条件下で行なった。比較例においては、上記表面処理工程を行なわずに第2面10b側にパッシベーション層7を形成した。例1~8および比較例のそれぞれについて、太陽電池素子出力特性短絡電流Isc、開放電圧Voc、曲線因子FFFillFactorおよび光電変換効率を測定して評価した。なお、これらの特性の測定はJISC8913に基づいて、AMAirMass1.5および100mW/cm2の照射の条件下にて測定した。また、第2電極5とパッシベーション層7を除去した第2面10b側をX線光電子分光分析装置XPS:PHI社製QuanteraSXMを用いて半導体基板1の深さ厚み方向において分析し、Si-O結合の有無を評価した。Si-O結合の有無については、半導体基板1の最表面からの深さ10nmまでの検出スペクトルから、半導体基板1の最表面のSi-O結合に起因するバックグラウンドを差し引いて、半導体基板1の内部のSi-O結合の有無の判定を行なった。また、例1~8のそれぞれの太陽電池素子出力特性は比較例を100として規格化した場合の値を示す。表1に各例の測定結果および評価結果を示す。例1~8はいずれも半導体基板1における第2面10b側の表層内部表面からの深さ10nmまでの範囲にSi-O結合の存在を確認したが、比較例においてはSi-O結合の存在は確認できなかった。さらに、例1~8はいずれも比較例に比べて出力特性が高いことを確認した。