"下記に示す成分Aおよび成分Bを含有し、各成分の構成割合が成分A100質量部に対して成分B5~50質量部である感光性樹脂組成物であって、前記成分Aは下記式1で表されるイタコン酸ジエステル単量体から誘導される構成単位a1、下記式2で表される芳香族ビニル単量体から誘導される構成単位a2、下記式3で表されるα,β-不飽和カルボン酸単量体から誘導される構成単位a3および下記式4で表されるグリシジル基を有する構成単位a4を有するイタコン酸ジエステル共重合体であり、構成単位a1と構成単位a2の合計量に対して構成単位a1が19~91質量、構成単位a2が9~81質量であると共に、構成単位a1と構成単位a2の合計量100質量部に対して構成単位a3が5~100質量部、構成単位a3100質量部に対して構成単位a4が10~150質量部であることを特徴とする感光性樹脂組成物。式中、R1およびR2は、それぞれ独立して炭素数1~8の直鎖アルキル基、炭素数3~8の分岐アルキル基、炭素数6~10のシクロアルキル基式中、R3およびR4は、それぞれ独立して水素原子またはメチル基式中のR5は水素原子またはメチル基式中のR6は水素原子またはメチル基、nは1~4の整数B多官能フェノール性化合物とキノンジアジド化合物とをエステル化反応させて得られる、キノンジアジド基を有するエステル化物。前記成分Aは、構成単位a1、構成単位a2、構成単位a3および構成単位a4に加えて、下記式5で表されるメタアクリル酸エステル単量体から誘導される構成単位a5を、構成単位a1と構成単位a2の合計量100質量部に対して1~100質量部有するイタコン酸ジエステル共重合体であることを特徴とする請求項1に記載の感光性樹脂組成物。式中のR7は水素原子またはメチル基、R8は炭素数1~12の直鎖アルキル基、炭素数3~12の分岐アルキル基、炭素数6~12のアリール基、ベンジル基、炭素数1~12のヒドロキシアルキル基または主環構成炭素数3~12の脂環式炭化水素基請求項1または請求項2に記載の感光性樹脂組成物から得られるパターン膜を有するフラットパネルディスプレイ。請求項1または請求項2に記載の感光性樹脂組成物から得られるパターン膜を有する半導体デバイス。本発明は上記実状に鑑みてなされたものである。その目的は、パターン膜の形成に際して残膜率を維持しつつ現像残渣がなく、現像性に優れ、ポストベーク後においても耐熱性、透過率、耐溶剤性等の塗膜物性を損なうことなく、低誘電特性に優れたパターン膜を形成することができる感光性樹脂組成物を提供することにある。また、本発明の第二の目的は、前記の優れた感光性樹脂組成物により形成された平坦化膜又は層間絶縁膜を有するFPDまたは半導体デバイスを提供することにある。さらに、本発明の第三の目的は、前記の優れた感光性樹脂組成物により、窒化珪素などの無機層間絶縁膜を形成することなく、ウェットプロセスで容易に形成可能な有機層間絶縁膜を有するFPDまたは半導体デバイスを提供することにある。上記の目的を達成するために、第1の発明の感光性樹脂組成物は、下記に示す成分Aおよび成分Bを含有し、各成分の構成割合が成分A100質量部に対して成分B5~50質量部である感光性樹脂組成物であって、前記成分Aは下記式1で表されるイタコン酸ジエステル単量体から誘導される構成単位a1、下記式2で表される芳香族ビニル単量体から誘導される構成単位a2、下記式3で表されるα,β-不飽和カルボン酸単量体から誘導される構成単位a3および下記式4で表されるグリシジル基を有する構成単位a4を有するイタコン酸ジエステル共重合体であり、構成単位a1と構成単位a2の合計量に対して構成単位a1が19~91質量、構成単位a2が9~81質量であると共に、構成単位a1と構成単位a2の合計量100質量部に対して構成単位a3が5~100質量部、構成単位a3100質量部に対して構成単位a4が10~150質量部であることを特徴とする。式中、R1およびR2は、それぞれ独立して炭素数1~8の直鎖アルキル基、炭素数3~8の分岐アルキル基、炭素数6~10のシクロアルキル基式中、R3およびR4は、それぞれ独立して水素原子またはメチル基式中のR5は水素原子またはメチル基式中のR6は水素原子またはメチル基、nは1~4の整数B多官能フェノール性化合物とキノンジアジド化合物とをエステル化反応させて得られる、キノンジアジド基を有するエステル化物。第2の発明の感光性樹脂組成物は、第1の発明において、前記成分Aは、構成単位a1、構成単位a2、構成単位a3および構成単位a4に加えて、下記式5で表されるメタアクリル酸エステル単量体から誘導される構成単位a5を、構成単位a1と構成単位a2の合計量100質量部に対して1~100質量部有するイタコン酸ジエステル共重合体であることを特徴とする。式中のR7は水素原子またはメチル基、R8は炭素数1~12の直鎖アルキル基、炭素数3~12の分岐アルキル基、炭素数6~12のアリール基、ベンジル基、炭素数1~12のヒドロキシアルキル基または主環構成炭素数3~12の脂環式炭化水素基第3の発明のフラットパネルディスプレイは、第1または第2の発明の感光性樹脂組成物から得られるパターン膜を有するものである。第4の発明の半導体デバイスは、第1または第2の発明の感光性樹脂組成物から得られるパターン膜を有するものである。本発明は、次のような効果を発揮することができる。本発明の感光性樹脂組成物は、フォトリソグラフィー技術を用いたパターン膜を形成するに際して、高い残膜率を維持したまま現像残渣がなく、現像性に優れ、ポストベーク後においても耐熱性、透過率、耐溶剤性等の塗膜物性を損なうことなく、低誘電特性に優れたパターン膜を形成することができる。そして、該感光性樹脂組成物を用いることにより、優れた特性を有するFPDおよび半導体デバイスを提供することができる。以下、本発明を具体化した実施形態について詳細に説明する。本実施形態の感光性樹脂組成物は、下記に示す成分Aおよび成分Bを含有し、各成分の構成割合が成分A100質量部に対して成分B5~50質量部に設定されたものである。成分A:特定のイタコン酸ジエステル共重合体以下、単に共重合体ともいう。成分B:キノンジアジド基を有するエステル化物。以下に、感光性樹脂組成物を構成する各成分について順に説明する。<成分A:特定のイタコン酸ジエステル共重合体>成分Aは、下記式1で表されるイタコン酸ジエステル単量体から誘導される構成単位a1、下記式2で表される芳香族ビニル単量体から誘導される構成単位a2、下記式3で表されるα,β-不飽和カルボン酸単量体から誘導される構成単位a3および下記式4で表されるグリシジル基を有する構成単位a4を有する共重合体により構成されている。共重合体中の構成単位a1と構成単位a2の合計量に対して構成単位a1は19~91質量、構成単位a2は9~81質量、構成単位a3は構成単位a1と構成単位a2の合計量100質量部に対して5~100質量部および構成単位a4は構成単位a3100質量部に対して10~150質量部である。さらに、成分Aの共重合体は、構成単位a1、構成単位a2、構成単位a3および構成単位a4に加えて、下記式5で表されるメタアクリル酸エステル単量体から誘導される構成単位a5を、構成単位a1と構成単位a2の合計量100質量部に対して1~100質量部含有することができる。式中、R1およびR2は、それぞれ独立して炭素数1~8の直鎖アルキル基、炭素数3~8の分岐アルキル基、炭素数6~10のシクロアルキル基式中、R3およびR4それぞれ独立して水素原子またはメチル基式中のR5は水素原子またはメチル基式中、式中のR6は水素原子またはメチル基、nは1~4の整数式中のR7は水素原子またはメチル基、R8は炭素数1~12の直鎖アルキル基、炭素数3~12の分岐アルキル基、炭素数6~12のアリール基、ベンジル基、炭素数1~12のヒドロキシアルキル基または主環構成炭素数3~12の脂環式炭化水素基前記式1~4および5で表される構成単位はそれぞれ下記式1 ́~4 ́および5 ́で表される単量体各構成単位用単量体から誘導される。式中、R1およびR2は、それぞれ式1におけるものと同じである。式中、R3およびR4は式2におけるものと同じである。式中のR5は式3におけるものと同じである。式中のR6およびnは式4におけるものと同じである。式中のR7、R8は式5におけるものと同じである。イタコン酸ジエステル単量体から誘導される構成単位a1このイタコン酸ジエステル単量体から誘導される構成単位a1は、主鎖に対して対称的な位置にエステル基が存在することから誘電分極が相殺される。このため、共重合体全体としての誘電分極が非常に小さくなり、感光性樹脂組成物より得られるパターン膜について良好な低誘電特性を発現することができる。前記式1におけるR1およびR2は、それぞれ独立して炭素数1~8の直鎖アルキル基、炭素数3~8の分岐アルキル基、炭素数6~10のシクロアルキル基である。直鎖アルキル基および分岐アルキル基の炭素数が8を超える、またはシクロアルキル基の炭素数が10を超えると、感光性樹脂組成物の十分な現像性が得られず、現像残渣が発生する。前記式1におけるR1およびR2は、同一の置換基であっても、異なる置換基であっても良いが、パターン膜について低誘電特性の面から同一の構造であることが好ましい。構成単位a1は、構成単位a1と構成単位a2の合計量に対して19~91質量含まれ、現像性と低誘電特性の両立の面から好ましくは35~60質量含まれる。構成単位a1の含有量が19質量を下回ると、共重合体中の誘電分極が大きくなり、十分な低誘電特性が得られない。その一方、構成単位a1の含有量が91質量を上回ると、現像性が低下して現像残渣が発生する。芳香族ビニル単量体から誘導される構成単位a2構成単位a2を誘導する芳香族ビニル単量体は、構成単位a1を誘導するイタコン酸ジエステル単量体と、構成単位a3を誘導するα,β-不飽和カルボン酸単量体、構成単位a4を誘導するグリシジル基を有する単量体および構成単位a5を誘導するメタアクリル酸エステル単量体との共重合性を向上させることができる。構成単位a2を誘導する芳香族ビニル単量体は、前記式1′のイタコン酸ジエステル単量体、式3′のα,β-不飽和カルボン酸単量体、式4 ́のグリシジル基を有する単量体および式5′のメタアクリル酸エステル単量体の4者のいずれの単量体とも共重合性が良好である。このため、重合反応時に共重合性の異なる単量体から誘導される各構成単位を円滑に共重合体中に導入することができ、共重合組成に分布の偏りがなく、均一な性質を有する共重合体を得ることができる。前記式2におけるR3およびR4は、それぞれ独立して水素原子またはメチル基であり、現像性の面からR3およびR4は水素原子が好ましい。構成単位a2は、構成単位a1と構成単位a2の合計量に対して9~81質量含まれ、現像性の面から好ましくは40~65質量含まれる。構成単位a2の含有量が9質量を下回る、または81質量を上回ると共重合性のバランスが崩れ、所望とする共重合体が得られなくなる。加えて、構成単位a2の含有量が81質量を超えると現像性が低下し、現像残渣が発生する。α,β-不飽和カルボン酸単量体から誘導される構成単位a3このα,β-不飽和カルボン酸単量体から誘導される構成単位a3は、感光性樹脂組成物の現像工程において現像性に寄与する成分である。前記式3におけるR5は水素原子またはメチル基であり、パターン膜の耐熱性の面からメチル基が好ましい。構成単位a3は、構成単位a1と構成単位a2の合計量100質量部に対して5~100質量部含まれ、現像性と低誘電特性の両立の面から好ましくは25~50質量部含まれる。構成単位a3の含有量が5質量部を下回ると、現像液への感光性樹脂組成物の溶解性が得られず、現像残渣が発生する場合がある。一方、構成単位a3の含有量が100質量部を上回ると、現像液への感光性樹脂組成物の溶解性が高くなり過ぎるため残膜率の低下やパターン不良を生じる。グリシジル基を有する単量体から誘導される構成単位a4グリシジル基を有する単量体から誘導される構成単位a4は、高温ベーキング時に共重合体A中の側鎖のカルボキシル基と熱硬化反応を起こし、架橋膜を形成することで、熱によるダレが起こらない良好な耐熱性を発現することができる。前記式4におけるR6は水素原子、またはメチル基であり、nは1~4の整数である。耐熱性の面からR6としてメチル基が好ましく、現像性の面からnは1が好ましい。構成単位a4は、構成単位a3100質量部に対して10~150質量部含まれ、パターン膜の透明性、耐溶剤性の両立の面から好ましくは60~120質量部含まれる。構成単位a4の含有量が10質量部を下回ると、共重合体中のカルボキシル基が多量に残存するため、耐溶剤性が悪化する。その一方、構成単位a4の含有量が150質量部を上回ると、構成単位a4と他の構成単位との相溶性が悪化し、パターン膜の透明性が低下する。メタアクリル酸エステル単量体から誘導される構成単位a5メタアクリル酸エステル単量体から誘導される構成単位a5は、現像性の調整、特に現像時の残膜率や解像度の調整を目的として加えることができる。前記式5におけるR7は水素原子またはメチル基、R8は炭素数1~12のアルキル基、炭素数3~12の分岐アルキル基、炭素数6~12のアリール基、ベンジル基、炭素数1~12のヒドロキシアルキル基または主環構成炭素数3~12の脂環式炭化水素基である。耐熱性の面からR7としてメチル基が好ましい。R8の炭素数が12を超えると、メタアクリル酸エステル単量体の共重合性が低下し問題となる。構成単位a5を誘導するこれらのメタアクリル酸エステル単量体は、現像性を調整する目的で1種のみまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。この構成単位a5は、構成単位a1と構成単位a2の合計量100質量部に対して好ましくは1~100質量部含まれる。構成単位a5の含有量が1質量部を下回ると、構成単位a5に基づく機能発現が不十分となる。その一方、構成単位a5の含有量が100質量部を上回ると、共重合性のバランスが崩れ、所望とする共重合体が得られなくなる。成分Aは上記に示した構成単位a1、a2、a3ならびにa4または構成単位a1、a2、a3、a4およびa5からなる共重合体であることにより、誘電率、現像性、残膜率、透明性、耐熱性および耐溶剤性に優れた感光性樹脂組成物を提供することができる。なお、成分Aにその他の構成単位として、例えば酢酸ビニルに代表される脂肪族ビニル単量体から誘導される構成単位が含まれると、上記物性のバランスが崩れる結果を招くおそれがある。成分Aイタコン酸ジエステル共重合体の合成法このイタコン酸ジエステル共重合体を合成するに際しては、公知のラジカル重合法を適用することができる。その際、共重合成分である構成単位a1、a2、a3、a4およびa5を形成する単量体は重合釜に一括で仕込むことも、分割して反応系中に滴下することもできる。成分Aの共重合体を得るために用いられる重合用溶剤としては、一般的に知られている溶剤を用いることができる。重合溶剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。また、成分Aの共重合体を得るために用いられる重合開始剤としては、一般的にラジカル重合開始剤として知られているものを使用することができる。その具体例としては、アゾ系重合開始剤、シアノ基を有さないアゾ系重合開始剤または有機過酸化物および過酸化水素等を用いることができる。ラジカル重合開始剤として過酸化物を使用する場合には、これと還元剤とを組み合わせてレドックス型重合開始剤として使用してもよい。成分Aの共重合体の重量平均分子量質量平均分子量は好ましくは5,000~60,000、現像性の面からさらに好ましくは9,000~30,000である。重量平均分子量が5,000未満の場合には、ポストベーク時にパターンフローが起こり、パターン膜の十分な解像度が得られないおそれや、耐溶剤性の悪化を招くおそれがある。他方、重量平均分子量が60,000を超える場合には、現像液に対する感光性樹脂組成物の溶解性に乏しく、十分な現像性が得られず現像残渣が発生する。<成分B:キノンジアジド基を有するエステル化物>成分Bのキノンジアジド基を有するエステル化物感光剤は、フォトリソグラフィーによる露光工程においてフォトマスクを介して露光する際、露光部ではキノンジアジド基を有するエステル化物の光異性化反応が起こることにより、カルボキシル基を生成し、その後の現像工程において現像液に対して溶解させることができる。一方、未露光部は、現像液に対して溶解抑止能を有しているため、膜を形成することができる。つまり、キノンジアジド基を有するエステル化物は、フォトマスクを介して露光することにより、その後の現像工程にて現像液に対する溶解性の差を発現することができるため、パターン膜を得ることができる。キノンジアジド基を有するエステル化物のエステル化率は好ましくは20~90モル、残膜率の面からさらに好ましくは25~50モルである。ただし、エステル化率は多官能フェノール由来のヒドロキシル基に対するキノンジアジド化合物のモルを表す。エステル化率が20モルを下回ると現像性の低下を招き、現像残渣が発生するおそれがあり、90モルを上回るとキノンジアジド基を有するエステル化物と共重合体との相溶性が悪化してパターン膜が相分離し、白濁や透明性の低下を招くおそれがある。成分Bのキノンジアジド基を有するエステル化物は、キノンジアジド化合物とフェノール性化合物とをエステル化反応させて得ることができる。キノンジアジド化合物としては、1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホニルクロリド、1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホニルクロリド等に代表されるナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドやベンゾキノンジアジドスルホン酸クロリドに代表されるベンゾキノンジアジドスルホン酸ハライドが用いられる。フェノール性化合物としては、下記式6または7で表される化合物が好ましい。式中、式中、R9、R10、R11およびR12は、それぞれ独立して水素原子または炭素数1~4のアルキル基を表し、R13およびR14は、それぞれ独立して炭素数1~2のアルキル基を表す。式中、R15、R16、R17、R18、R19、R20およびR21は、それぞれ独立して水素原子、炭素数1~4のアルキル基または下記式8を表し、式中、R22は、水素原子または炭素数1~4のアルキル基を表し、m及びnはそれぞれ独立して0~2の整数であり、a、b、c、d、e、f、gおよびhは、ab≦6を満たす0~6の整数であり、cd≦5、ef≦5、gh≦5を満たす0~5の整数であり、iは0~2の整数である。前記式6で示されるフェノール性化合物としては、下記式6a~6cのような化合物が好ましい。一般式7で表されるフェノール性化合物の中では、下記式7aまたは下記式7bで表される化合物が好ましい。感光性樹脂組成物における、成分Bのキノンジアジド基を有するエステル化物の構成割合は、成分Aの共重合体100質量部に対して5~50質量部、現像性と透明性の面から好ましくは15~35質量部である。この構成割合が5質量部を下回る場合には、現像性が低下し、現像残渣が発生する。その一方、50質量部を上回る場合には、成分Bと共重合体との相溶性が悪化し、白濁や透明性の低下を招く。<その他の添加成分>感光性樹脂組成物には、溶剤、硬化剤、硬化促進剤、コントラスト向上剤、密着性向上助剤、界面活性剤等のその他の添加成分を配合することができる。溶剤溶剤としては、感光性樹脂組成物に利用できる公知の溶剤を用いることができる。硬化剤硬化剤としては、例えばプリンテック社製のVG3101L、ダイセル化学工業株製のEHPE-3150、ジャパンエポキシレジン株製のエピコート828、エピコート834、エピコート1001等が用いられる。硬化促進剤硬化促進剤は、成分A共重合体の側鎖のカルボキシル基とエポキシ基グリシジル基の架橋反応、エポキシ基のカチオン重合を促進させることができる。前者の硬化促進剤としては、例えば三新化学工業株製のサンエイドSI-45L、サンエイドSI-60L、サンエイドSI-80L、サンエイドSI-100L、サンエイドSI-110L、サンエイドSI-150L等の芳香族スルホニウム塩、サンアプロ株製のU-CATSA102、U-CATSA106、U-CATSA506、U-CATSA603、U-CAT5002等のジアザビシクロウンデセン塩が挙げられる。後者の硬化促進剤としては、サンアプロ株製のCPI-100P、CPI-101A、CPI-200k、CPI-210s等の光酸発生剤、四国化成工業株製のキュアゾール1B2PZ等のイミダゾール類等が挙げられる。硬化促進剤の構成割合は、成分A共重合体の100質量部に対し、通常0.1~15質量部である。コントラスト向上剤コントラスト向上剤としては、露光後におけるコントラストの向上を目的として、前記式6または7で表されるフェノール性化合物が用いられる。これらのフェノール性化合物のフェノール基フェノール性水酸基は光が照射されない未露光部において、成分Bの感光剤のジアゾ基とアゾカップリング反応を起こして成分Bの溶解抑止効果を高める。その結果、これらフェノール性化合物を用いない場合に比べ、露光部と未露光部のアルカリ現像液への溶解性の差を大きくするコントラストを大きくすることができるため、残膜率、解像度の向上を図ることができる。コントラスト向上剤として添加されるフェノール性化合物として好ましくは、前記式6a、6b、6c、7aまたは7bで表される化合物であり、成分A共重合体100質量部に対して、通常1~20質量部の量で用いられる。密着性向上助剤及び界面活性剤密着性向上助剤としては、例えばアルキルイミダゾリン、ポリヒドロキシスチレン、ポリビニルメチルエーテル、t-ブチルノボラック、エポキシシラン、シランカップリング剤等が用いられる。界面活性剤としては、例えばモメンティブパフォーマンスマテリアルズジャパン製のTSF-431、TSF-433、TSF-437、住友3M株製の<ノベック>HFE、大日本インキ化学工業株製のメガファックF-477、F-483、F-554、TF-1434、TEGO製のGlide-410、Glide-440、Glide-450、Glide-B1484等が用いられる。<感光性樹脂組成物の調製>感光性樹脂組成物は、前記成分A、成分Bおよびその他の添加成分を混合することにより調製することができる。その際、前記成分AおよびBを一括配合してもよいし、各成分を溶剤に溶解した後に逐次配合してもよい。また、配合する際の投入順序や作業条件は特に制約されない。例えば、全成分を同時に溶剤に溶解して樹脂組成物を調製してもよいし、必要に応じて各成分を適宜2つ以上の溶液としておいて、使用時塗布時にこれらの溶液を混合して感光性樹脂組成物として調製してもよい。<フラットパネルディスプレイおよび半導体デバイス>フラットパネルディスプレイおよび半導体デバイスは、前記感光性樹脂組成物を硬化した層パターン膜、すなわち平坦化膜または層間絶縁膜を有する。平坦化膜および層間絶縁膜の形成に際しては、通常感光性樹脂組成物の溶液を基板上に塗布し、プリベークを行って感光性樹脂組成物の塗膜を形成する。このとき、感光性樹脂組成物が塗布される基板は、ガラス、シリコンなど従来FPD用または半導体デバイス形成用の基板など公知のいずれの基板であってもよい。基板はベアな基板でも、酸化膜、窒化膜、金属膜などが形成されている基板でも、さらには回路パターン或いは半導体デバイスなどが形成されている基板であってもよい。また、プリベークの温度は通常40~140°Cで、時間は15分以内程度である。次いで、塗膜に所定のマスクを介してパターン露光を行った後、アルカリ現像液を用い現像処理して露光部の樹脂を溶解し、必要に応じリンス処理を行って、感光性樹脂組成物の膜を形成する。このようにして形成された膜は、全面露光された後、ポストベークされてパターン膜が形成される。全面露光の際の露光量は、通常500mJ/cm2以上であればよい。また、ポストベーク温度は通常150~250°C、好ましくは180~230°C、ポストベーク時間は、通常30~90分である。感光性樹脂組成物を用いて形成されたパターン膜は、半導体デバイスや液晶表示装置、プラズマディスプレイなどのFPDの平坦化膜或いは層間絶縁膜などとして利用される。なお、全面にパターン膜を形成する場合には、パターン露光、現像などは行わなくてよい。ここで、平坦化膜と層間絶縁膜とは全く独立したものではなく、感光性樹脂組成物により形成されたパターン膜は、平坦化膜としても、層間絶縁膜としても利用し得るものである。そして、半導体デバイスなどにおいては、そのような膜は層間絶縁膜としても平坦化膜としても機能する。前記パターン膜の形成において、感光性樹脂組成物の塗布方法としては、スピンコート法、ロールコート法、ランドコート法、スプレー法、流延塗布法、浸漬塗布法、スリット塗布法など任意の方法を用いればよい。また、露光に用いられる放射線としては、例えばg線、h線、i線などの紫外線、KrFエキシマレーザー光或いはArFエキシマレーザー光などの遠紫外線、X線、電子線などが挙げられる。現像法としては、パドル現像法、浸漬現像法、揺動浸漬現像法、シャワー式現像法など従来フォトレジストを現像する際に用いられている方法が採用される。また現像剤としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ、エチルアミン、プロピルアミン、ジエチルアミン、ジエチルアミノエタノール、トリエチルアミン等の有機アミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アミンなどを所定の濃度に調整した水溶液を用いることができる。以下、合成例、比較合成例、実施例および比較例を挙げて前記実施形態をさらに具体的に説明する。なお部およびは、特に断りがない限り全て質量基準である。以下に各実施例および各比較例で用いた測定方法及び評価方法を示す。<重量平均分子量>重量平均分子量Mwは、東ソー株製ゲルパーミエーションクロマトグラフィー装置HLC-8220GPCを用い、カラムとして昭和電工株製SHODEXK801を用い、テトラヒドロフランTHFを溶離液とし、RI検出器により測定し、分子量既知のポリスチレン標準体によって得られる検量線を用いた換算により求めた。合成例1-1、共重合体A-1の合成温度計、攪拌機および冷却管を備えた2000mLの4つ口フラスコにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAを270.0g仕込み、窒素置換した後、オイルバスで液温が80°Cになるまで昇温した。他方、イタコン酸ジブチルDBI43.5g、メタクリル酸MAA35.5g、スチレンSt56.5g、グリシジルメタクリレートGMA、t-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート日油株製の過酸化物重合開始剤5.1gおよびPGMEA47.6gを予め均一混合したもの滴下成分を2時間かけて滴下ロートより前記フラスコ内に等速滴下した後、同温度にて8時間維持し、共重合体A-1を得た。合成例1-2~1-23、2-1~2-25、共重合体A-2~A-23、B-1~B-25表1~5に記載した仕込み種および量、滴下および重合温度を変更した以外は合成例1-1と同様の手法にて共重合体の合成を行った。比較合成例1~4、共重合体C-1~4表5に記載した仕込み種および量、滴下および重合温度を変更した以外は合成例1-1と同様の手法にて共重合体の合成を行った。表1~表5における略号の意味は次の通りである。DMI:イタコン酸ジメチルDEI:イタコン酸ジエチルDBI:イタコン酸ジブチルDcHI:イタコン酸ジシクロヘキシルDeHI:イタコン酸ジエチルヘキシルSt:スチレンα-St:α-メチルスチレンMAA:メタクリル酸AA:アクリル酸GMA:グリシジルメタクリレートHEMA:メタクリル酸ヒドロキシエチルHPMA:メタクリル酸ヒドロキシプロピルLMA:メタクリル酸ラウリルMMA:メタクリル酸メチルCHMA:メタクリル酸シクロヘキシルパーヘキシルO:t-ヘキシルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート日油株製の過酸化物系重合開始剤パーブチルO:t-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート日油株製の過酸化物系重合開始剤AIBN:2,2’-アゾビスイソブチロニトリルアゾ系重合開始剤、和光純薬工業株製PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートEDM:ジエチレングリコールエチルメチルエーテルEL:乳酸エチル<実施例1-1>合成例1-1で得られた共重合体A-1を100g、前記式7aで表される化合物と1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホニルクロライドとのエステル化物25g、前記式6bで表されるフェノール性化合物10g、回転塗布の際にレジスト膜上にできる放射線状のしわ、いわゆるストリエーションを防止するため、さらにシリコーン系界面活性剤、G-B1484TEGO製を0.5g、適量のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAに溶解させて攪拌した後、0.2μmのフィルターで濾過して、感光性樹脂組成物を調製した。薄膜パターンの形成上記の感光性樹脂組成物を4インチシリコンウエハー上に回転塗布し、100°C、90秒間ホットプレートにてプリベーク後、約3.3μm厚の薄膜Aを得た。この薄膜Aにキヤノン株製ghi線マスクアライナーPLA-501Fにてラインとスペース幅が1:1となった種々の線幅およびコンタクトホールのテストパターンを最適露光量で露光し、2.38質量水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で23°C、60秒間現像することで、ラインとスペース幅が1:1のラインスペースパターンおよびコンタクトホールパターンが形成された薄膜Bを得た。この薄膜BをPLA-501Fにて全面露光した後、オーブン中で220°C、60分間加熱することによりポストベーク処理を行い、約3.0μm厚のパターン付き薄膜パターン膜を得た。残膜率の評価上記の手法にて得られた薄膜Aと薄膜Bの膜厚から、以下の式より残膜率を算出した。残膜率=薄膜Bの膜厚μm薄膜Aの膜厚μm×100現像性の評価上記で作製したパターン膜の中で、3μmのホールパターンをSEM走査型電子顕微鏡にて観察した。コンタクトホール内部に熱によるダレや残渣が見られ、アッシング工程後も残渣が見られる場合には×、コンタクトホール内部に僅かに残渣が見られるがアッシング工程により残渣が除去できるものを○、残渣が見られない場合には◎として現像性を評価した。その結果を表6に示した。耐熱性の評価上記で作製したパターン膜の中で、4μmのホールパターンをSEM走査型電子顕微鏡にて観察した。ホール径のサイズに縮小が見られるものを×、見られないものを◎と評価した。誘電率の評価PLA-501Fにてテストパターンを露光しない以外は上記と同様の操作を行うことにより、パターンのない、3.0μm厚の薄膜を4インチシリコンウエハー上に得た。この薄膜上に電極を形成し、室温、10kHzにおける条件で、安藤電気株製LCRメータAG-4311を用いて得られた静電容量から誘電率F/mを算出した。その結果を表6に示した。透過率の評価縦70mm、横70mmサイズの石英ガラス基板を用い、テストパターンを露光しない以外は上記と同様の操作を行うことにより、パターンのない薄膜をガラス基板上に得た。この薄膜について光の波長400nmにおける透過率を、紫外-可視光分光光度計CARY4Eバリアン株製を用いて測定した。その結果を表6に示した。耐溶剤性の評価透過率の評価と同様の操作を行うことで得たガラス基板を、RemoverN-321ナガセケムテックス株製中に60°C、1分間浸漬した後、純水リンスを行い、200°C、15分間の再ベーク処理を行った。そして、溶剤浸漬前の透過率と再ベーク処理後の透過率差が2未満の場合には○、透過率差が2~4の場合には△、透過率差が4を超える場合には×として評価した。その結果を表6に示した。<実施例1-2~1-23および2-1~2-31>表6~表10に示した成分Aの共重合体、成分Bのエステル化物、フェノール性化合物およびその他の添加成分を用いること以外は実施例1-1と同様の操作を行うことにより、感光性樹脂組成物を調製した。この感光性樹脂組成物について、実施例1-1と同様の物性を評価し、それらの結果を表6~表10に示した。<比較例1~4>表11に示した成分Aの共重合体、成分Bのエステル化物、フェノール性化合物およびその他の添加成分を用いること以外は実施例1-1と同様の操作を行うことにより、感光性樹脂組成物を調製した。この感光性樹脂組成物について、実施例1-1と同様の物性を評価し、それらの結果を表11に示した。表6~表10に示した結果より、実施例1-1~1-23、実施例2-1~2-31においては、パターン膜を形成する現像工程において現像残渣がなく、残膜率に優れ、高温ベーキング後においても透過率、耐溶剤性等の塗膜物性を損なうことなく、現像性及び低誘電特性に優れていることを確認することができた。なお、実施例1-1~1-23、実施例2-1~2-31においては、表6~表10に示されていないがパターン膜の平坦性も良好であった。一方、表11に示した結果より、比較例1では成分A共重合体に構成単位a1が含まれていないことから、低誘電特性の悪化が見られた。比較例2では成分A共重合体に構成単位a2が含まれていないことから、所望の共重合体が得られず、現像性、透過率、耐溶剤性が悪化する結果を招いた。比較例3では、成分Aの共重合体中の構成単位a4が含まれていないため、耐熱性及び耐溶剤性の悪化が見られた。比較例4では成分A共重合体中の構成単位a4が過剰に含まれているため、他の構成単位との相溶性が悪化し、透過率が低下した。"