反応器中で少なくとも1つの心棒にシリコンを堆積させることによる多結晶シリコン棒の製造方法において、前記シリコンの堆積の前に、ハロゲン化水素を400~1000°Cの心棒温度で、少なくとも1つの心棒を有する前記反応器内へ導入し、UV光を照射し、それによりハロゲンラジカル及び水素ラジカルを生じさせ、生成された揮発性のハロゲン化物及び水素化物を前記反応器から取り除く、多結晶シリコン棒の製造方法。前記揮発性のハロゲン化物及び水素化物の除去後にシリコンを少なくとも1つの前記心棒に堆積させる、請求項1記載の方法。前記揮発性のハロゲン化物及び水素化物の除去後に、まず少なくとも1つの前記心棒を反応器から取り出し、不活性雰囲気を有する気密に密閉された管中で貯蔵し、後の時点で、少なくとも1つの心棒にシリコンを堆積させるために再び反応器中に導入する、請求項1記載の方法。反応器及び反応器中のガス供給管及び排出管を、ハロゲン化水素を導入する前に、不活性ガスを用いてパージする、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。前記照射をUVランプを用いて行い、このUVランプをフランジ又はのぞき窓を通して気密に反応器内へ導入する、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。前記揮発性のハロゲン化物及び水素化物を前記反応器から除去した後でかつ少なくとも1つの心棒にシリコンを堆積させる前に、反応器及びガス導管を不活性ガスを用いてパージする、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。従って、本発明の課題は、上記の欠点、つまり高い心棒温度、中間貯蔵から堆積までの間での清浄化された心棒の取り扱いによる汚染、及び取り付けられた心棒の表面の不十分な清浄化作用を回避し、かつ上記先行技術を改善することにあった。上記課題は、反応器中で少なくとも1つの心棒にシリコンを堆積させることによる多結晶シリコン棒の製造方法において、前記シリコンの堆積の前に、ハロゲン化水素を400~1000°Cの心棒温度で、少なくとも1つの心棒を有する前記反応器内へ導入し、UV光を照射し、それによりハロゲンラジカル及び水素ラジカルを生じさせ、生成された揮発性のハロゲン化物を前記反応器から取り除く、多結晶シリコン棒の製造方法により解決される。有利に、前記心棒へのシリコンの堆積はハロゲンラジカル及び水素ラジカルを用いた清浄化工程の直後に開始する。しかしながら、この堆積を後の時点で初めて実施することを意図する場合にはこれは同様に有利である、この心棒を不活性雰囲気中で貯蔵する。このためには例えばCO2雰囲気が適している。同様に、不活性ガスとしてN2又はArが適している。この貯蔵は、有利に、石英、HDPE又はPPからなる気密に閉鎖された管中で、加圧下で行われる。上記のハロゲンラジカル及び水素ラジカルは、本発明の範囲内で、UV光を用いたハロゲン化水素の分解により生成される。有利に、本発明による方法では、空気有害物質で負荷された心棒表面を、堆積の前に、制御された条件下で清浄化することが事実である。ドーパントは、ラジカル反応により、揮発性のハロゲン化物例えば、PCl3、BCl3、AsCl3及び水素化物PH3、BH3、B2H6、AsH3として、この反応器から取り除かれる。例えば、HBr-HCl又はHI-HClからなる混合物に、低い温度でH2雰囲気中でUV例えば、波長200~400nm、有利に254nmを照射し、この心棒を堆積の前に清浄化し、かつパッシベーションする。この塩素ラジカル及び水素ラジカルは、シリコン表面から微量のホウ素、リン、アルミニウム及びヒ素の最終的な残りを除去する。この清浄化された心棒を引き続きすぐには使用しない場合には、堆積されるシリコン棒のわずかなドーパント汚染を達成するために、この種の清浄化された心棒は、石英、HDPE又はPPからなる気密に密閉された管中で、不活性ガスの加圧下で、例えばCO2、N2又はアルゴンの加圧下で貯蔵される。堆積されるシリコン棒中の低いドーパント濃度は、無転位の単結晶を得るためにゾーンメルティング法及び坩堝引き上げ法によりこのシリコン棒を更に加工するための重要な品質基準である。特にシリコン棒中での低いドーパント濃度は、適切に調節された一定の抵抗値を有する単結晶を製造するために必要である。さらに、最高純度の心棒は、高い抵抗を有する高い無転位FZ歩留まりのために重要である。この生成されたハロゲンラジカル及び水素ラジカルと、アルミニウム、ホウ素、リン及びヒ素を有する表面不純物とを反応させて揮発性のハロゲン化物及び水素化物にすることは、本発明の成功のために重要である。シーメンスプロセスの基礎は、DE102006037020A1に詳細に記載されていて、これは全体の範囲が参照され、本発明の開示の一部である。DE102006037020A1によると、堆積されたシリコンを有する第1のキャリアボディの構築のために堆積反応器を開放するときから、第2のキャリアボディ上にシリコンを堆積するためにこの反応器を閉鎖するまでに、不活性ガスが供給管及び排出管を通してこの開放された反応器中へ導入される。本発明による方法は、この製品特性を、反応器の不活性化後の心棒の付加的な表面清浄化により向上させる。本発明を、次に図面により具体的に説明する。比較例チャージ交換並びに心棒の組立の間に、供給管及び排出管、並びに鐘状反応器を開放状態で不活性ガス窒素でパージした。この堆積自体は、DE1209113又はDE19608885イグニションに記載のように、トリクロロシランTCSにより行った。多結晶棒が所望の目標直径に成長した後に、トリクロロシランの供給を停止し、反応器を室温に冷却しかつ不活性化した。取り外しの後に、製造された多結晶棒からにSEMIMF17231104従って試料を作成し、SEMIMF39702及びSEMIMF13890704の規格に応じてドーパントについて試験した。この比抵抗は、33pptaのP含有率で980Ohmcmである。勾配mrhoは、150Ohmcm/mmであった定義mrhoは、DE102006037020A100100012参照。実施例反応器を、実施例1と同様に準備した。反応器4を再び密に組み立てた後に、UVランプ例えばRenRay3SC9又はHanoviaSC2537を、フランジ12を通して又はのぞき窓13を通して気密に導入する。引き続き、弁9を閉鎖し、弁8を開放した後で、開放した弁10で、反応ガス管1を介して、HBr-HCl-H2の混合物を、0.00001:0.1:0.9~0.01:0.09:0.9の体積比で、大気圧で、85m3/hの体積流で導入し、かつ排ガス管6を介して排気した。この流動するHX-H2混合物を、上記UVランプで照射し、この心棒表面を30分間、室温で照射した混合物を用いて処理する。この処理の後に弁8を閉じ、UVランプをN2不活性ガス流の下で反応器4から取り外し、この反応器4を不活性ガス管11及び排出管6を介して再び不活性化する。この状態で、次に、実施例1に記載したのと同様に堆積を実施する。この取り外した棒は、<26pptaのP含有率で>1100Ohmcmの比抵抗を示した。この勾配値mrhoは、>150Ohmcm/mmであった。