第一電極と、この第一電極に対向配置された第二電極と、前記第一電極の前記第二電極と対向する面に設けられた電子輸送層と、前記電子輸送層上に担持された光増感剤と、前記第一電極と前記第二電極の間に介在する正孔輸送層とを備え、前記電子輸送層が[化1]に示すペリレンイミド誘導体を含むことを特徴とする光電変換素子。前記ペリレンイミド誘導体が[化2]に示す構造であって、置換基Rがアルキル基であることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。前記置換基Rが分岐構造を有するアルキル基であることを特徴とする請求項2に記載の光電変換素子。しかしながら、上記方法によるものでは、酸化還元対であるラジカル化合物と光増感剤との反応性が充分ではなかった。そのため、光増感剤とラジカル化合物の接合界面における効率的な電荷分離、さらにはラジカル化合物内における効率的な電荷輸送が行われないため、光電変換効率も不十分になるものであった。本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、光電変換効率の高い光電変換素子を提供することを目的とするものである。本発明に係る光電変換素子は、第一電極と、この第一電極に対向配置された第二電極と、前記第一電極の前記第二電極と対向する面に設けられた電子輸送層と、前記電子輸送層上に担持された光増感剤と、前記第一電極と前記第二電極の間に介在する正孔輸送層とを備え、前記電子輸送層が[化1]に示すペリレンイミド誘導体を含むことを特徴とする。また、上記ペリレンイミド誘導体は、[化2]に示す構造であって、置換基Rがアルキル基であることが好ましい。また、上記置換基Rは、分岐構造を有するアルキル基であることが好ましい。本発明によれば、電荷分離界面における電荷分離後の電荷の再結合を抑制することで、正孔輸送層における電荷の輸送特性を向上することができ、光と電気の変換効率に優れた光電変換素子を得ることができるものである。以下、本発明を実施するための形態を説明する。図1は本発明の光電変換素子の一例を示すものである。一対の基板6、7が対向して配置されており、一方の基板6の内側の表面に第一電極2が、他方の基板7の内側の表面に第二電極3が相対向して設けられている。第一電極2の基板6と反対側の表面には電子輸送層1の層が設けられており、また、基板6、7の間に正孔輸送層4が設けられている。この正孔輸送層4は、第二電極3の基板7と反対側の表面に設けることができる。上記一対の基板6、7のうち、電子輸送層1を設けた第一電極2が被着される基板6は、透光性のガラスやフィルム、光を透過するように加工された金属で形成することができる。例えば、上記金属が線状ストライプ、波線状、格子状メッシュ状、パンチングメタル状、粒子の集合体状であれば、隙間を光が通過でき、さらに透明導電材料を用いる必要がないため、材料コスト削減による経済的な観点から好ましい。これらの形状の基板を用いる場合は、素子の耐久性の観点からプラスチックやガラスなどの構造材料と共に適用することもできる。また、他方の基板7を光入射用基板として機能させるのであれば、この基板6は光を透過しない材料を用いることができる。その場合、導電性はあってもなくてもよいが、基板を電極として作用させる場合には導電性のある材料が好ましい。例えば、炭素、アルミニウム、チタン、鉄、ニッケル、銅、ロジウム、インジウム、スズ、亜鉛、白金、金などの材料やステンレスなど上記材料のうち少なくとも1種類を含む合金を用いることができる。本発明では後述するように、ラジカル化合物がハロゲンイオンなどに比べて金属を腐食しにくいために、基板6、7及び第一電極2、第二電極3には汎用の金属を用いることができる。基板7は、基板6と同じ材料で形成することができる。基板7の透光性はあってもなくてもよいが、両側の基板6、7から光を入射させることを可能にすることができる点で、透明であることが好ましい。また、上記のように基板6に金属箔を使用した場合は、基板7は透光性のある材料で形成することが好ましい。第一電極2は、基板6に成膜され、光電変換素子の負極として機能するものであり、金属そのもので形成するようにしてもよく、又は基板やフィルム上に導電材層を積層して形成するようにしてもよい。好ましい導電材としては、例えば、白金、金、銀、銅、アルミニウム、ロジウム、インジウム等の金属、又は炭素、若しくはインジウム-錫複合酸化物、アンチモンをドープした酸化錫、フッ素をドープした酸化錫等の導電性の金属酸化物、あるいは上記化合物の複合物等が挙げられる。本発明では電子移動速度が速いペリレンイミド化合物を用いるので、第一電極2の表面での電子の漏れを防ぐため、つまり整流性を持たせるために、上記化合物上に酸化シリコン、酸化スズ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウムなどでコートした材料を電極に用いるのが好ましい。この第一電極2は、表面抵抗が低い程よいものであり、好ましい表面抵抗の範囲としては、200Ω/□以下であり、より好ましくは50Ω/□以下である。表面抵抗の下限は特に制限されないが、通常0.1Ω/□である。また、第一電極2は、光透過率が高い程よいものであり、好ましい光透過率の範囲としては50以上であり、より好ましくは80以上である。さらに第一電極2の膜厚は、1~100nmの範囲内にあることが好ましい。膜厚がこの範囲内であれば、均一な膜厚の電極膜を形成することができ、また、光透過性が低下しにくく、十分な光を電子輸送層1に入射させることができる。透明な第一電極2を使用する場合、光は電子輸送層1が被着される側のこの第一電極2から入射させることが好ましい。第二電極3は、光電変換素子の正極として機能するものであり、上記の第一電極2と同様に形成することができる。この第二電極3は、光電変換素子の正極として効率よく作用するために、後述する正孔輸送層4に用いる電解質の還元体に電子を与える触媒作用を有する素材を使用することが好ましい。このような素材としては、例えば、白金、金、銀、銅、アルミニウム、ロジウム、インジウム等の金属、又はグラファイト、カーボンナノチューブ、白金を担持したカーボン等の炭素材料、若しくはインジウム-錫複合酸化物、アンチモンをドープした酸化錫、フッ素をドープした酸化錫等の導電性の金属酸化物、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などを挙げることができる。これらのうち、白金やグラファイト、ポリエチレンジオキシチオフェンなどが特に好ましい。第二電極3が設けられる側の基板7は、第二電極3の被着面側に透明導電膜図示しないを有することもできる。この透明導電膜は、例えば、上記第一電極2の材料として挙げたものから成膜することができる。この場合、第二電極3も透明であることが好ましく、第二電極3も透明であれば、第二電極3の側から、あるいは第一電極2、第二電極3の両側から光を照射させるようにしてもよい。これは、例えば、反射光などの影響により基板6、7両側からの光照射が期待される場合に有効であるからである。本発明に使用する電子輸送層1としては、その分子内の一部として[化1]で表されるペリレンイミド誘導体を含むものである。ここで、前記電子輸送層1に用いられる上記ペリレンイミド誘導体について詳しく説明する。このペリレンイミド誘導体は、その分子内の一部として繰り返し酸化還元が可能な酸化還元部を有する。酸化還元酸化還元反応とは、イオンや原子や化合物が電子を授受することであり、酸化還元部とは、酸化還元反応レドックス反応により安定的に電子を授受することができる部位をいうものである。また、繰り返し酸化還元が可能な酸化還元部とは、酸化還元反応において可逆的に酸化体および還元体となる部位を指す。ペリレンイミド誘導体は、広いπ共役平面を有しており、光電変換素子中において分子間の迅速な電子輸送を可能にする。また、電子を受け取ったペリレンイミド誘導体における電子は、そのπ共役上に広く分布した電子状態となり、正孔輸送層に存在する正孔との逆電子移動が起こりにくくなる。また、ペリレンイミド誘導体は分子間スタックすることが知られる化合物であるが、ペリレンイミド誘導体の成膜性を向上させるには、この分子間スタックを抑制することが有効である。分子間スタックの度合いは、ペリレンイミド誘導体の窒素原子に置換されている置換基に強く依存することが知られている。本発明では、分子間スタックを抑制してペリレンイミド誘導体の成膜性を向上させるために、[化2]に示すように置換基Rを有していることが好ましい。この置換基Rとしては種々選択することが可能であるが、例えば、水素原子、炭素数1~30の置換もしくは非置換の脂肪族炭化水素基アルキル基、炭素数1~30の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基、ハロゲン、ヒドロキシル基、ニトロ基、ニトロソ基、シアノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基またはアシル基等が挙げられる。これらの中でも置換基Rは、ペリレンイミド誘導体の分子間スタックを抑制して成膜性を向上させることができるという点で、アルキル基であることが好ましく、炭素数が5以上のアルキル基がより好ましい。さらに、アルキル基が分岐構造を有することが特に好ましく、この場合、より低い分子量を有しつつかさ高い化合物であるので、各種溶媒への溶解性など、デバイス構成への自由度を高めることが可能となる。尚、[化2]において、2つのRはそれぞれ同一の置換基でも良いし、異なっていても良い。本発明では、電子輸送層1に上記のようなπ共役上に広く分布した電子状態を有するペリレンイミド誘導体を含むので、電荷分離界面における電荷分離後の電荷の再結合を抑制される。そのため正孔輸送層における電荷の輸送特性を向上することが可能となる。特に、置換基Rとしてかさ高い官能基を有すれば、正孔輸送層4に存在する正孔との接触確率が減少することになるので、逆電子反応を抑制することができ、電圧をさらに向上させることも可能となる。第一電極2の表面に形成される電子輸送層1の層の膜厚は、0.01~100μmの範囲内であることが好ましい。この範囲内であれば、十分な光電変換効果が得られ、また、可視光及び近赤外光に対する透過性が悪化するおそれが小さくなる。電子輸送層1の層の膜厚の一層好ましい範囲は0.5~50μmであり、特に好ましい範囲は1~20μmである。また、電子輸送層1の層を形成するにあたっては、より簡便かつ低コストである製法という点で、溶液などを塗布して形成する湿式の形成方法が好ましい。特に電子輸送層1を数平均分子量1000以上のいわゆる高分子の有機化合物で形成する場合は、成形性の観点から湿式の形成方法が好ましい。湿式のプロセスとしては、スピンコート法や液滴を滴下乾燥して得られるドロップキャスト法、スクリーン印刷やグラビア印刷などの印刷法などが挙げられる。そのほか、スパッタ法や蒸着法などの真空プロセスを採用することもできる。以上のようにして形成される電子輸送層1の表面上には、光増感剤5が担持されることが好ましい。これにより、光増感剤5で光電荷分離の界面を形成することができるため、光電変換効率をさらに向上させることができるものである。上記光増感剤5としては、公知な材料を用いることができるものであり、電子輸送層超微粒子などの無機材料でも、色素、顔料などの有機材料でもよい。効率よく光を吸収し、電荷を分離する観点からは色素が好ましく、9-フェニルキサンテン系色素、クマリン系色素、アクリジン系色素、トリフェニルメタン系色素、テトラフェニルメタン系色素、キノン系色素、アゾ系色素、インジゴ系色素、シアニン系色素、メロシアニン系色素、キサンテン系色素などが挙げられる。または、RuL22タイプのルテニウム-シス-ジアクア-ビピリジル錯体ここで、Lは4、4’-ジカルボキシル-2、2’-ビピリジンを示す。、または、ルテニウム-トリス、ルテニウム-ビス、オスニウム-トリス、オスニウム-ビスなどのタイプの遷移金属錯体、または亜鉛-テトラ4-カルボキシフェニルポルフィリン、鉄-ヘキサシアニド錯体、フタロシアニンなどが挙げられる。その他、例えば、FPDDSSC光メモリーと機能性色素の最新技術と材料開発株エヌティーエスのDSSCの章にあるような色素も適用することができる。中でも電子輸送層1上で会合性を有する色素は、密に充填して電子輸送層1表面を覆うため、絶縁体層として機能するという観点から好ましい。光増感剤5が絶縁体層として機能する場合、電荷分離界面において発生電子の整流性を付与することができ、電荷分離後の電荷の再結合を抑制することができる。また、電子輸送材料と正孔輸送材料に存在する電子と正孔の再結合点を劇的に減らすことができるものであり、それにより得られる光電変換素子の変換効率をより向上させることができるものである。会合体を形成して効果のある色素としては、[化3]の構造で示されるものが好ましく、具体的には、[化4]の構造で示される色素が好ましい。なお、有機溶剤などに溶けている色素と電子輸送層1上に担持された色素の吸収スペクトルの形状から会合性の判別は可能である。会合していれば、前者と後者でスペクトルの形状が大きく異なることが知られている。また、上記光増感剤5に用いることができる電子輸送層超微粒子としては、硫化カドミウム、硫化鉛、硫化銀などの硫化物電子輸送層などを挙げることができる。また、その粒子径としては、本発明の電子輸送層1層に対して光増感作用があれば特に制限はないが、1~10nmの範囲が好ましい。電子輸送層1に光増感剤5を担持させる方法は、例えば、光増感剤5を溶解あるいは分散させた溶液に、電子輸送層1を被着させた電極2を備えた基板6を浸漬させる方法が挙げられる。この溶液の溶媒としては、水、アルコール、トルエン、ジメチルホルムアミドなど光増感剤5を溶解可能なものであれば全て使用できる。また、光増感剤溶液に一定時間浸漬させている時に、加熱還流をしたり、超音波を印加したりすることもできる。さらに光増感剤5を担持させた後、担持されずに残ってしまった光増感剤5を取り除くために、アルコールで洗浄あるいは加熱還流することが望ましい。光増感剤5の電子輸送層1における担持量は、1×10-10~1×10-4mol/cm2の範囲内であればよく、特に0.1×10-8~9.0×10-6mol/cm2の範囲が好ましい。この範囲内であれば、経済的且つ十分に光電変換効率向上の効果を得ることができるからである。本発明では、正孔輸送層4として電解質を用いることができる。正孔輸送層4に電解質を用いる場合、この電解質は支持塩と、酸化体と還元体からなる一対の酸化還元系構成物質の、いずれか一方あるいは両方である。支持塩支持電解質としては、例えば過塩素酸テトラブチルアンモニウム、六フッ化リン酸テトラエチルアンモニウム、イミダゾリウム塩やピリジニウム塩などのアンモニウム塩、過塩素酸リチウムや四フッ化ホウ素カリウムなどアルカリ金属塩などが挙げられる。酸化還元系構成物質とは、酸化還元反応において可逆的に酸化体および還元体の形で存在する一対の物質を意味するものであり、このような酸化還元系構成物質としては、例えば、塩素化合物-塩素、ヨウ素化合物-ヨウ素、臭素化合物-臭素、タリウムイオンIII-タリウムイオンI、水銀イオンII-水銀イオンI、ルテニウムイオンIII-ルテニウムイオンII、銅イオンII-銅イオンI、鉄イオンIII-鉄イオンII、ニッケルイオンII-ニッケルイオンIII、バナジウムイオンIII-バナジウムイオンII、マンガン酸イオン-過マンガン酸イオンなどが挙げられるが、これらに限定はされない。この場合、電子輸送層1を形成する有機化合物の酸化還元部とは区別されて機能する。また、電解質溶液がゲル化または固定化されていてもよい。正孔輸送層4に用いられる電解質を溶解するために使用される溶媒は、酸化還元系構成物質を溶解してイオン伝導性に優れた化合物が好ましい。溶媒としては水性溶媒及び有機溶媒のいずれも使用できるが、構成物質をより安定化するため、有機溶媒が好ましい。例えば、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、メチルエチルカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート化合物、酢酸メチル、プロピオン酸メチル、γ-ブチロラクトン等のエステル化合物、ジエチルエーテル、1、2-ジメトキシエタン、1、3-ジオキソシラン、テトラヒドロフラン、2-メチル-テトラヒドロフラン等のエーテル化合物、3-メチル-2-オキサゾジリノン、2-メチルピロリドン等の複素環化合物、アセトニトリル、メトキシアセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル化合物、スルフォラン、ジメチルスルフォキシド、ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性化合物などが挙げられる。これらはそれぞれ単独で用いることもでき、また、2種類以上を混合して併用することもできる。中でも、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネ-ト化合物、γ―ブチロラクトン、3-メチル-2-オキサゾジリノン、2-メチルピロリドン等の複素環化合物、アセトニトリル、メトキシアセトニトリル、プロピオニトリル、3-メトキシプロピオニトリル、吉草酸ニトリル等のニトリル化合物が好ましい。また、正孔輸送層4にイオン性液体を用いることも、不揮発性、難燃性などの観点から有効といえる。その場合、公知公例のイオン性液体全般を用いることができるが、例えばイミダゾリウム系、ピリジン系、脂環式アミン系、脂肪族アミン系、アゾニウムアミン系イオン性液体や、欧州特許第718288号明細書、国際公開第95/18456号パンフレット、電気化学第65巻11号923頁1997年、J.Electrochem.Soc.143巻、10号、3099頁、Inorg.Chem.35巻、1168頁1996年に記載された構造のものが挙げられる。また、正孔輸送層4として、ゲル化電解質、あるいは高分子電解質を使用することもできる。ゲル化剤としては、ポリマー、またはポリマー架橋反応等の手法によるゲル化剤、または重合することができる多官能モノマーによるゲル化剤、オイルゲル化剤などが挙げられる。ゲル化電解質、高分子電解質には一般に用いられるものを適用することができるが、ポリフッ化ビニリデンなどのフッ化ビニリデン系重合体、ポリアクリル酸などのアクリル酸系重合体、ポリアクリロニトリルなどのアクリロニトリル系重合体およびポリエチレンオキシドなどのポリエーテル系重合体、あるいは構造中にアミド構造を有する化合物が好ましい。以上のように形成される光電変換素子にあって、光増感剤5に光が照射されると、光増感剤5から電子または正孔が生成する。そして、この電子は、電子輸送層1中に含まれるペリレンイミド誘導体の酸化還元反応に関与する。すなわち、ペリレンイミド誘導体が電子を受け取り、酸化反応又は還元反応を伴う酸化還元対となり、このとき生じる電流を、第一電極2を負極、第二電極3を正極として、外部に取り出すことができるものである。特に、本発明では電子輸送層1中にペリレンイミド誘導体が含まれることで、電荷分離界面における電荷分離後の電荷の再結合を抑制され、正孔輸送層における電荷の輸送特性を向上することができる。従って、本発明では、光と電気の変換効率に優れた光電変換素子を得ることができる。次に、本発明を実施例によって具体的に説明する。実施例1まず、上記の化5の反応式に従い、[化5-A]で表されるペリレンイミド誘導体を以下のように合成した。3、4、9、10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物1g2.55mmol、イミダゾール20g:293mmol、無水亜鉛酢酸0.44g;2.40mmolおよび3-ジ-n-ブチルアミノプロピルアミン1.24ml;6.38mmolを混合し、アルゴン雰囲気下160°Cで4時間攪拌した。反応終了後、水およびクロロホルムでのソックスレー後、真空乾燥により濃赤色粉末として化合物Bを収率80で得た。[化5-A]で表される化合物以下、化合物Bとするの第一還元電位は、CVサイクリックボルタンメトリー測定により約-0.5Vv.s.Ag/AgClを示すものであった。このようにして得られた化合物Bを、表面にフッ素ドープSnO2で第一電極2を形成した厚み1mmの導電性ガラス基板旭硝子製、10Ω/□を基板6とし、この基板6上に約30nmの厚みでスピンコート製膜し、これを作用電極とした。一方、表面にフッ素ドープSnO2を形成した厚み1mmの導電性ガラス製の基板7旭硝子製、10Ω/□を用い、このSnO2の表面に白金をスパッタ法により設けて第二電極3とした。そして、上記の作用電極の酸化チタン電子輸送層1の膜を形成された部分を囲むように、熱溶融性接着剤三井デュポンポリケミカル製バイネルの封止材を第二電極3の上に配置した。さらにその上に上記作用電極を形成した基板6を重ね、加熱しながら加圧して貼り合わせた。尚、この第二電極3を形成した基板7にはダイヤモンドドリルで孔が開けてある。次に、アセトニトリルに、2、2、6、6-テトラメチルピペリジン-1-オキシルTEMPOを0.5mol/L、LiTFSIリチウムビストリフルオロメタンスルホニルイミドを0.5mol/L、t-ブチルピリジンを01mol/Lそれぞれ溶解した電解質溶液を調製した。この電解液をガラス基板7にダイヤモンドドリルで明けた上記の孔から注入した後に、紫外線硬化樹脂を用いて上記孔を封止することによって、図1のような構造の光電変換素子を作製した。このように作製した光電変換素子に、安定化蛍光灯を用いて200lxの照度の光を照射し、電流-電圧特性を測定して安定化後の変換効率を求めた。尚、本測定環境は太陽光に対しては約500分の1ではあるが、当然、太陽光下でも適用でき、用途を限定するものではない。結果を表1に示す。実施例2化合物Bの代わりに[化6]に示す化合物を用いたこと以外は、実施例1と同様の方法で光電変換素子を作製した。結果を表1に示す。比較例1化合物Bの代わりに、ペリレンイミド誘導体ではないガルビポリマー[化7]を用いた電子輸送層1を使用したこと以外は実施例1と同様にして光電変換素子を作製した。結果を表1に示す。尚、ガルビポリマーは、あらかじめ合成したガルビモノマーからの重合反応により合成した。以下に、ガルビモノマー及びガルビポリマーの合成について説明する。ガルビモノマーの合成まず、4-ブロモ-2、6-ジ-tert-ブチルフェノール135.8g;0.476molにアセトニトリル270mlを加え、さらに不活性雰囲気下、N、O-ビストリメチルシリルアセトアミドBSA106.3g;129.6mlを加え、70°Cで終夜撹拌し、完全に結晶が析出するまで反応した。そして析出した白色結晶を濾過し、真空乾燥した後、エタノールで再結晶して精製することによって、4-ブロモ-2、6-ジ-tert-ブチルフェノキシトリメチルシラン150.0g;0.420molを白色板状結晶として得た。次に、上記のようにして得た、を、不活性雰囲気下、テトラヒドロフラン200mlに溶解し、ドライアイス/メタノールを用いて-78°Cに冷却した。これに1.58Mのn-ブチルリチウム/ヘキサン溶液15.8ml;0.025molを加え、78°Cの温度で30分撹拌した。リチオ化後、テトラヒドロフラン75mlに溶解した4-ブロモ安息香酸メチル1.08g;0.005mol、Mw:215.0、TCIを添加し、-78°C~室温で終夜撹拌した。反応溶液は黄色から薄黄色、アニオンの発生を示す濃青色へと変化した。反応後、飽和塩化アンモニウム水溶液を反応溶液が完全に黄色になるまで加え、エーテル/水で分液抽出することにより黄色粘稠液体を得た。次に、この生成物、THF10ml、メタノール、テトラキスパラジウム00.150g;0.130mmol、トリ-n-ブチルビニル錫1.65g;5.20mmol、Mw:317.1、TCIをすばやく加え、100°Cで17時間加熱撹拌した。そして反応生成物をエーテル/水で分液抽出し、溶媒除去した後、フラッシュカラムクロマトグラフィーヘキサン/クロロホルム=1/3にて分画し、さらにヘキサンで再結晶して精製することによって、p-ヒドロガルビノキシルスチレン1.54g;2.93mmolを橙色微結晶として得た。ガルビモノマーの重合上記ガルビモノマーの合成で得られたガルビモノマーp-ヒドロガルビノキシルスチレン1gと、テトラエチレングリコールジアクリレート57.7mgと、アゾビスイソブチロニトリル15.1mgを、テトラヒドロフラン2mlに溶解した後、窒素置換し、一晩還流することで、ガルビモノマーを重合させ、[化7]で表されるガルビポリマーを得た。このガルビポリマーの数平均分子量は10000であった。一方、厚み1mmのガラス製の基板6の表面にフッ素ドープSnO2の透明導電性酸化物で第一電極2を形成したものを用いた旭硝子株製、10Ω/□。そして上記のように合成したガルビ化合物22.5mgをクロロホルム4.5mlに溶解し、これを電極2の表面にドロップキャストし、膜厚100nmに成膜した。本発明では、CV測定、開放電圧、短絡電流及び最大出力は、以下の方法で行った。CV測定CV測定は、0.1M過塩素酸テトラブチルアンモニウムのアセトニトリル溶媒中で、走査速度10mV/secにおいて測定した。測定装置は、ALS社製電気化学アナライザーを使用した。開放電圧、短絡電流及び最大出力の測定各実施例及び比較例で得られた光電変換素子の平面視面積1cm2の領域に200lxの光を照射しながら、IV測定により各光電変換素子の開放電圧Vocおよび短絡電流値Jscを測定した。測定装置は、Keithley2400sourcemeterケースレイ社製2400型汎用ソースメータを用い、光源には蛍光灯パナソニック株式会社製ラピッド蛍光灯FLR20SW/Mを使用し、25°C環境下での測定を行った。また、光電変換素子の評価は、光電変換部1cm2が受光する条件で行った。表1の結果から、実施例1及び2の光電変換素子は、電子輸送層に[化1]や[化2]に示すペリレンイミド誘導体を含んでいるので、最大出力Pmaxが高く、すなわち光電変換効率が高いものであった。一方、比較例1では、ペリレンイミド誘導体を使用しなかったので、光電変換効率は、実施例1及び2の光電変換素子よりも劣るものであった。