導電性基体の最表面の、少なくとも片面もしくは両面に、一部もしくは全面に反射層を具備してなる光半導体装置用リードフレームであって、前記反射層が、少なくとも光半導体素子が発する光を反射する領域の最表面において、銀からなるめっき組織の少なくとも表面が塑性変形された組織を有し、その少なくとも表面において、塑性変形により残存した銀からなるめっき組織の面積比が50以下であることを特徴とする、光半導体装置用リードフレーム。前記導電性基体は、銅、銅合金、鉄、鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする、請求項1記載の光半導体装置用リードフレーム。前記塑性変形後の反射層の厚さが、0.2~10μmであることを特徴とする、請求項1又は2に記載の光半導体装置用リードフレーム。前記基体が、その上に金属層をn層nは1以上の整数具備し、かつ前記反射層が前記基体上に、直接、または前記金属層の少なくとも1層を介して設けられていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の光半導体装置用リードフレーム。前記請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体装置用リードフレームを製造する方法であって、導電性基体上の最表面であって少なくとも光半導体素子が発する光を反射する領域に銀からなる反射層をめっき法で形成した後、さらにその反射層に塑性加工を施して該反射層のめっき組織に塑性変形を生じさせるに当たり、該塑性加工の施工方法を圧延加工とすることを特徴とする、光半導体装置用リードフレームの製造方法。前記請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体装置用リードフレームを製造する方法であって、導電性基体上の最表面であって少なくとも光半導体素子が発する光を反射する領域に銀からなる反射層をめっき法で形成した後、さらにその反射層に塑性加工を施して該反射層のめっき組織に塑性変形を生じさせるに当たり、該塑性加工の施工方法をプレス加工とすることを特徴とする、光半導体装置用リードフレームの製造方法。光半導体素子と、少なくとも前記光半導体素子が搭載される箇所に設けられた前記請求項1~4のいずれか1項に記載の光半導体装置用リードフレームとを具備することを特徴とする光半導体装置。特許文献1のような公知の技術にて、銀またはその合金皮膜を単純に形成しただけの場合、波長400nm~800nmで75以上、特に450nmの反射率は85程度後述の従来例1では85であったと高水準である。しかしながら、近年の光半導体装置、特にLEDのリードフレームに求められる反射率は、チップの発光効率がいまだ数10程度であることから、これを極力効率的に活用すべく、より一層高い反射率レベル例えば波長450nm以上で90以上のものが求められてきている。そこで、特許文献2のように、表面粗さ0.5μm以上の下地材料表面に、銀または銀合金の皮膜の結晶粒径を0.5μm~30μmとすることで、可視光域の反射率を90以上に高められた発明が開示されており、めっき厚の規定や粗度の規定、および結晶粒径を規定範囲に収めるために熱処理を施す等の手法が取られている。しかし、この手法を用いた場合、材料に熱処理が施されるため、銀表面の酸化が進行することで反射率の低下が懸念され、また熱処理によって下地が銀表面にまで拡散して反射率の低下やワイヤボンディング性を劣化させる場合があった。さらに、特許文献2ではLED実装基盤に適応されているが、近年の高出力LED等の出現により、より放熱性が問題となっている。そこで、放熱性の良い銅または銅合金のリードフレームを使用したタイプに展開可能であると推測されるが、熱処理を行うと基材の銅成分が銀表面に拡散してしまい、反射率を低下させるため、容易にリードフレームに展開することは難しいことがわかった。このため、リードフレームにおいても従来の銀皮膜と比べて反射率が良好なリードフレームは開発されていないのが現状である。本発明者らは鋭意検討を行った結果、めっきで形成された結晶粒界が当該波長の吸収ピークを形成していることを突き止めた。この結晶粒界を減少させるか、粒界の間隙を狭くして光が吸収されないようにすることで、吸収ピークを消滅せしめることを試みた。この問題を解決するために、特許文献2では、めっき後の熱処理によって銀めっきの結晶粒を粗大化させて、結晶粒と結晶粒の間隙を小さくし、その結果、反射率を上げる手法を採用している。しかし、熱処理によって結晶粒を粗大化させても、例えば、3つ以上の結晶粒が近接している領域を考えると、必ずしも、それらの結晶粒の間隙を完全に消滅させたり、間隙を狭くすることはできないことがわかった。このため、このような熱処理された材料を使って製品とした場合、光発光素子の発光に伴う発熱によって、前記めっきされた銀の結晶粒の間隙を介して、下地材料である基体や下地めっき層が外部の空気と接触して酸化され、また、めっきされた銀の酸化が促進されて、めっき剥がれの原因となっていると考えられる。さらに、結晶粒が表面側に粗大化すれば、表面での粗さが増大してしまうために、より大きくなった表面粗さに影響を受けて反射率が悪化することも考えられる。そこで、本発明は、LEDフォトカプラフォトインタラプタなどに使用される光半導体装置用リードフレームにおいて、可視光域波長400~800nmにおいて全体的に従来の銀皮膜よりも反射率が高く、特に波長450nm近辺を発光するチップ搭載時に反射率が良好で、高輝度かつ放熱性に優れたリードフレームおよびその製造方法を提供することを目的とする。特に可視光域における波長400~800nmで反射率85以上、さらに450nm以上の波長では反射率90以上のリードフレーム及びその製造方法を提供することを目的とした。上記問題に鑑み誠意検討を進めた結果、導電性基体上の最表面に銀からなる反射層がめっき法で形成された光半導体装置用リードフレームにおいて、めっき層形成後に塑性加工を施すことでめっき組織を潰し、かつ残存しためっき組織の面積比を50以下とすることで、熱処理を施すことなく、また結晶粒径も制御することもなく、可視光域である波長400~800nmの反射率を85以上かつ波長450~800nmで90以上とすることができることを見出し、この知見に基づき本発明を為すに至った。すなわち、上記課題は以下の手段により解決される。1導電性基体の最表面の、少なくとも片面もしくは両面に、一部もしくは全面に反射層を具備してなる光半導体装置用リードフレームであって、前記反射層が、少なくとも光半導体素子が発する光を反射する領域の最表面において、銀からなるめっき組織の少なくとも表面が塑性変形された組織を有し、その少なくとも表面において、塑性変形により残存した銀からなるめっき組織の面積比が50以下であることを特徴とする、光半導体装置用リードフレーム。2前記導電性基体は、銅、銅合金、鉄、鉄合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする、1記載の光半導体装置用リードフレーム。3前記塑性変形後の反射層の厚さが、0.2~10μmであることを特徴とする、1又は2に記載の光半導体装置用リードフレーム。4前記基体が、その上に金属層をn層nは1以上の整数具備し、かつ前記反射層が前記基体上に、直接、または前記金属層の少なくとも1層を介して設けられていることを特徴とする1~3のいずれか1項に記載の光半導体装置用リードフレーム。5前記1~4のいずれか1項に記載の半導体装置用リードフレームを製造する方法であって、導電性基体上の最表面であって少なくとも光半導体素子が発する光を反射する領域に銀からなる反射層をめっき法で形成した後、さらにその反射層に塑性加工を施して該反射層のめっき組織に塑性変形を生じさせるに当たり、該塑性加工の施工方法を圧延加工とすることを特徴とする、光半導体装置用リードフレームの製造方法。6前記1~4のいずれか1項に記載の半導体装置用リードフレームを製造する方法であって、導電性基体上の最表面であって少なくとも光半導体素子が発する光を反射する領域に銀からなる反射層をめっき法で形成した後、さらにその反射層に塑性加工を施して該反射層のめっき組織に塑性変形を生じさせるに当たり、該塑性加工の施工方法をプレス加工とすることを特徴とする、光半導体装置用リードフレームの製造方法。7光半導体素子と、少なくとも前記光半導体素子が搭載される箇所に設けられた前記1~4のいずれか1項に記載の光半導体装置用リードフレームとを具備することを特徴とする光半導体装置。本発明によれば、導電性基体上の最表面に銀からなる反射層をめっき法で形成した後、さらにその反射層に塑性加工が施されてめっき組織の少なくとも表面に塑性変形を生じさせた形状を有し、かつその表面に残存しためっき組織形状に似た形状の面積比以降めっき組織残存率というが50以下とすることにより、可視光域である波長400~800nmの反射率を85以上、さらに450nm以上の波長では反射率を90以上、に高めることができる。また、近紫外域での反射率向上にも優れた効果を奏する。また、リードフレームを使用することにより、実装基板上の回路へ直接形成するよりも放熱性に優れ、熱による光半導体装置の劣化を遅延させることができる。また、塑性加工方法はめっき処理後に圧延加工あるいはプレス加工を施すことで要望の状態が容易に達成できる。すなわち、本発明によれば、可視光域である波長400~800nmにおいて全体的に従来の銀皮膜よりも反射率が高く、特に波長450nm近辺を発光する光半導体チップ搭載時に反射率が良好で、高輝度かつ放熱性に優れたリードフレームおよびその製造方法を提供することができる。本発明のリードフレームは、銀からなる反射層を電気めっき法などのめっき法で形成した後、さらにその反射層に塑性加工が施されて銀からなるめっき組織めっき法で形成された金属組織が少なくとも表面に塑性変形を生じていることを特徴とする。めっき層に塑性変形を生じさせることにより、めっきで形成された結晶の粒界の結合力を強固にして転位を排出するとともに、塑性加工のエネルギーで銀を再結晶させると同時に、表面の凹凸を機械的に作用する力で平滑にすることができる。その結果、波長400~800nmの反射率を向上させることができるため、特に波長450nm~800nmの光半導体発光チップを搭載する光半導体装置に好適に使用される。光半導体装置の中でも、特にLEDにおいて効果を発揮する。また、近紫外域での反射率向上にも優れた効果を奏する。以下、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。ここで塑性加工が施されていないめっき組織残存率は、反射層として利用される箇所における領域の50以下である必要があり、好ましく30以下である。ここで、めっき組織残存率とは、典型的には、電気めっき法などのめっき法で銀めっき層を形成したときにほぼ全域にわたってめっき組織針状組織や球状粒子の析出状態が形成され、これに対し塑性加工が施されて塑性変形を生じそのめっき組織が消失しても、その後の表面にめっき組織形状に似た形状が残存する場合のその残存しためっき組織に似た形状の面積比[残存しためっき組織に似た形状の面積/測定対象領域の面積]を言う。この割合が低いほど優れた反射特性が得られ、より高輝度なLED用リードフレームとして適用できる。なお、塑性加工の結果、めっき組織又はそれに似た形状が全く残存しない場合もあるため、めっき組織残存率の下限値は0である。本発明においては、めっき組織残存率は、0に近ければ近い程好ましく、反射率向上の観点からは、めっき組織残存率が0であることが最も好ましい。ここで、反射層として利用される箇所とは、LEDモジュールを形成する際に発光部以外のところを樹脂モールドしてLEDモジュールとなるが、そのLEDチップが光を発した際にリードフレームが露出している箇所で光の反射現象が起こる部分のことを示す。つまり、反射現象に寄与するリードフレーム露出箇所におけるめっき組織残存率が50以下であることが好ましく、全面がめっき組織残存率50以下は当然良好であるが、例えばストライプ状やスポット状に塑性加工が施されて、その箇所のめっき組織残存率が50以下であり、かつその領域のみがLEDの反射層として利用される箇所になる状態でもよい。めっき法としては、電気めっき法や無電解めっき法等の湿式めっき法でもよく、または、スパッタ法等の乾式めっき法でもよい。また、塑性加工としては、圧延加工やプレス加工等の塑性加工でよい。圧延加工やプレス加工によれば、基体を含めた素材の全体が塑性加工を受けるので、そのめっき組織の全体が塑性変形を受ける。本発明においては、電気めっき法、無電解めっき法またはスパッタ法で形成された金属組織めっき組織に対して、圧延加工やプレス加工等の塑性加工により、めっき組織の少なくとも表面が塑性変形した反射層を最表面に有することを特徴とする。ここで、塑性変形した金属組織は、本件技術分野で冶金学的に明らかである通り、鋳造組織とは相違し、また、めっきによって形成された変形前のめっき組織とも相違する。具体的には、通常めっき後には表面に微細な結晶が見られ、針状組織や球状粒子の析出状態等が見られる。一方、めっき後に圧延加工やプレス加工を施した後の表面状態は、圧延ロールのロール目やプレス金型表面に形成されている加工模様がリードフレーム側に転写されたような表面性状を呈しているため、例えば汎用的なSEMで観察倍率2000~10000倍で表面観察を行うことで、明確に区別が可能である。本発明での製造方法を詳しく説明すると、導電性の基体例えば条材の両面または片面の、一部又は全部に、めっき法例えば、電気めっき法、無電解めっき法またはスパッタ法を施して、銀からなる反射層を形成し、圧延加工、プレス加工の塑性加工を施す。次に、プレス加工やエッチング法などによりリードフレームの形状とする。このリードフレームに樹脂モールドなどによってチップ搭載部を形成し、光半導体チップの搭載、ワイヤーボンディング、蛍光体を含有させた樹脂やガラスで封止して光半導体モジュールを製造する。従来の方法では、一般的に、導電性の基体条材などをプレスやエッチング加工によりリードフレームの形状とした後に、銀めっきや金/パラジウム/ニッケルめっきを行っている。また、前記特許文献2記載の方法では、めっき後に所定の加熱処理に付してめっき層の粒径を粗大化させている。本発明と従来の方法とは、本発明が機械的な加工上がりとしてめっき組織を変性したものであるのに対して、従来法ではクラッドによる単なる加工上がりや、めっき上がりや熱処理上がりであるか又はめっき圧延熱処理上がりである点で、組織が全く相違する。本実施形態の光半導体装置用リードフレームは、基体を銅もしくは銅合金、鉄もしくは鉄合金、またはアルミニウムもしくはアルミニウム合金とすることで、反射率特性がよくかつ皮膜を形成するのが容易であり、コストダウンにも寄与できるリードフレームが提供できる。また、これらの金属または合金を基体とするリードフレームは放熱特性に優れており、発光体が発光する際に発生する熱エネルギーを、リードフレームを介してスムーズに外部に放出することができ、発光素子の長寿命化及び長期にわたる反射率特性の安定化が見込まれる。これは、基体の導電率IACSInternationalAnnealedCopperStandardに依存するものであり、少なくとも10以上あるものが好ましく、50以上であるものがさらに好ましい。なお、これら基体が変化しても、反射率は反射層の表面状態に依存するため、反射率変化は見られず、放熱性及び基体の物理特性のみが変化する。本実施形態の光半導体装置用リードフレームは、塑性変形後の銀からなる反射層の厚さを0.2μm以上とすることにより、長期信頼性を確保することができる。一方、10μm以下とすることにより、必要以上に貴金属を使用することなくコストダウンを図ることができる。これは、長期信頼性という効果は、反射層の厚さが10μmで飽和することによる。0.2~10μmであれば効果は十分期待されるが、好ましくは0.5~7μm、さらに好ましくは1~5μmである。これは、銀からなる塑性変形後の反射層被覆厚が0.2μm未満であると基材の銅成分が表面にまで拡散しやすくなることから、少なくとも0.2μm以上の最表層被覆厚が形成されることが好ましいことを意味している。実際に上記下限値以上のものを作製し、これを下回るものに比し、耐熱性が高まることを確認した。銀または銀合金等の金属またはその合金からなる表面の反射層は、前記の通り、電気めっき法や無電解めっき法により湿式でめっきを施して形成してもよく、あるいは、スパッタ法により前記金属基体表面に乾式によりめっきを施して析出させることで形成させてもよい。ここでは、電気めっき法を代表例としてこれについて説明したが、無電解めっき法やスパッタ法の場合には、それぞれ常法により、電気めっき法の場合と同様にして、銀または銀合金等の金属またはその合金からなる層を形成することができる。例えば無電解めっき法の場合は、市販浴例えばエスダイヤAg40;佐々木化学薬品社製等を用いて形成すればよく、スパッタ法においても常法の装置例えばSX-200;アルバック社製などを使用して作製できる。この塑性加工後の厚さを達成するための加工前の被覆厚さ初期厚さは、特に限定するものではないが、例えば、1~50μmの範囲とすることが好ましい。なお、反射層を銀合金にすると反射率が波長400~800nmで90を確保するのは難しいため、反射層に用いるのは銀が好ましく、その純度は99以上であることが好ましい。本実施形態の光半導体装置用リードフレームは、導電性基体と銀からなる反射層との間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる中間層を形成することができる。例えば、鉄系の基材を用いた場合は材料の熱伝導度が比較的低いため、下地めっきに銅および銅合金層を施すことにより、反射率を損なうことなく放熱性を向上させることができる。さらに、前記の銅めっきはめっき密着性の向上にも寄与するため発光素子が発光する際の発熱による密着性の劣化を防止できる。銅および銅合金基材を用いた場合は、発光素子が発光する際の発熱による基材成分の反射層への拡散を抑制するために、下地にニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金層を施すことが有効である。これらの下地めっきの厚さは限定するものではないが、0.2~2.0μmの範囲が好ましい。本実施形態の光半導体装置用リードフレームは、塑性加工の施工方法は圧延加工もしくはプレス加工であることが好ましい。他の塑性加工方法としては鍛造法や転造法などがあるが、反射層となる面を平滑に均一に形成するのが困難であることや、生産性が悪くコストが高いなどのため不向きである。なお、クラッド法により張り合わせて一度に反射層と塑性加工を施す方法も考えられるが、貴金属被覆膜厚を数μmオーダーで好適に制御するには適していない。このため、反射層を形成するには厚さをマイクロメートルオーダーで適切に制御する製造方法としては、電気めっき法が生産性やコスト面から優れる。本実施形態において、半導体装置用リードフレームを製造する方法における塑性加工が圧延加工である場合、めっき後の表面粗度の影響もあるが、例えば圧延加工率がめっき後の板厚に対して10以上であることが好ましく、40以上であることがより好ましい。このような加工率の範囲として光半導体用リードフレームを製造することで、めっき組織残存率を好適な範囲に調整しやすく好ましい。圧延加工率が上記下限値以上の場合、めっき組織残存率が圧延ロールの粗度の影響を受けにくくなるため、ロール粗度に依存せずにめっき組織残存率を安定的に50以下とすることができ、反射率を十分に高めることができる。圧延加工率の上限は特に設けないが、素材に要求される強度、硬度、導電率の調整を加味した上で決定される必要があり、また圧延加工率が高いと圧延機に必要な電力が大きくなり環境負荷が高くなるだけでなく、曲げ加工時の割れやクラックが生じやすくなるため、現実的には80程度が上限である。導電性基体の一部または全部に銀が被覆された材料への機械的な加工は、例えば、冷間圧延機による圧延加工によって行うことができる。圧延加工機は、2段ロール、4段ロール、6段ロール、12段ロール、20段ロール等があるが、いずれの圧延加工機でも使用することができる。なお、めっき後の板厚から光半導体用リードフレームの製品板厚になるまでには、圧延工程を何回経ても構わない。圧延回数を数回とすることでめっき組織に圧延ロールが接触する確率が高くなり、その結果めっき組織残存率を低減しやすくなるが、回数が増えると生産性が悪くなるため、圧延回数は多くても5回以下が好ましい。なお、圧延加工に用いる圧延ロールは、ロール目の転写によって形成されるリードフレーム側の反射率を向上させることを考慮すると、表面粗度の算術平均Raで0.1μm未満であることが好ましい。なお加工率とは、加工前の板厚-加工後の板厚×100/加工前の板厚で示される割合のことを示すものである。本実施形態において、光半導体装置用リードフレームの製造方法における塑性加工がプレス加工である場合、圧延加工と同様にプレス加工率がめっき後の板厚に対して10以上であることが好ましく、40以上であることがより好ましい。このような加工率の範囲として光半導体用リードフレームを製造することで、めっき組織残存率を好適な範囲に調整しやすく好ましい。プレス加工の条件は限定するものではないが、例えばプレス圧力を0.1N/mm2以上とすることで塑性変形させることができる。プレス加工率の上限は特に設けないが、現実的には80程度が上限である。更に、要求される機械特性を制御するため、圧延加工やプレス加工等の塑性加工の後にバッチ型あるいは走間型などの手法によって熱処理調質又は低温焼鈍ともいうを施すことで、調質するとともに、結晶粒界で結晶粒同士の結合力を強化して粒界間隔をより狭くすることができるが、反射率を低下させない程度の熱処理に留める必要がある。このような圧延加工等の塑性加工の後に施される熱処理の条件としては、特に制限されるものではないが、例えば、温度50~150°Cで、0.08~3時間の熱処理を行うことが好ましい。この熱処理の温度が高すぎたり時間が長すぎると熱履歴が過剰となり、反射率が低下してしまう。本実施形態の光半導体装置は、少なくとも光半導体素子を搭載する箇所に本発明のリードフレームを用いたことにより、低コストで効果的に反射率特性を得ることができる。これは、光半導体素子の搭載部にのみ銀からなる反射層を形成することで、反射率特性は十分効果が上げられるためである。この場合、銀からなる反射層は部分的に形成されていてもよく、例えばストライプめっきやスポットめっきなどの部分めっきで形成し、その後塑性加工により形成してもよい。反射層が部分的に形成されるリードフレームを製造することは、反射層が不要となる部分の金属使用量を削減できるので、環境にやさしく低コストである光半導体装置とすることができる。以下、本発明の光半導体装置用リードフレームの実施の形態を、図面を用いて説明する。各図において、リードフレームに光半導体素子が搭載されている状態を示す。なお、各実施形態はあくまでも一例であり、本発明の範囲は各実施形態に限定されるものではない。また、図示した形態は説明に必要な限度で省略して示しており、寸法や具体的なリードフレームないしは素子の構造が図示したものに限定して解釈されるものではない。図1は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの第1の実施形態の概略断面図である。本実施形態のリードフレームは、導電性基体1上に銀からなる反射層2が形成され、反射層2の一部の表面上に光半導体素子3が搭載されていて、さらにボンディングワイヤ7によって破断部9図中折れ線形状の領域として省略的に示している。にて絶縁された他方のリードフレームと、光半導体素子3とが、電気的に接続されて回路が形成されている。本実施形態のリードフレームは、反射層2は電気めっきで形成された後、塑性変形を生じており、そのめっき組織残存率は50以下となっている。本発明によって、可視光域である波長400~800nmにおいて反射率85以上、特に波長450~800nmでは反射率90以上となり、反射特性に優れた光半導体装置用リードフレームが提供できる。図2は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの第2の実施形態の概略断面図である。図2に示す実施形態のリードフレームが、図1に示すリードフレームと異なる点は、導電性基体1と反射層2との間に、中間層4が形成されていることである。その他の点については、図1に示すリードフレームと同様である。図3は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの第3の実施形態の概略断面図である。図3は、モールド樹脂5および封止樹脂6によってLEDモジュールが形成されている様子を便宜的に示しており、光半導体素子3が搭載される部分及びその近傍である反射現象を起こす箇所および、モールド樹脂5の内部にのみ反射層2が形成されている。本発明においては、このように、光反射に寄与する部分近傍にのみに銀からなる反射層2を形成することも可能である。なお、本実施形態における概略断面図では、反射層2は導電性基体1の表層に段差を持って形成されているが、塑性加工を受けて導電性基体1の内部に一部ないしは全部が埋没していてもよい。本実施形態において、中間層4は導電性基体1の全面に形成されているが、導電性基体1と反射層2との間に介在する形態であれば、部分的に形成されていてもよい。図4は、本発明に係る光半導体装置用リードフレームの第4の実施形態の概略断面図である。図4において、リードフレームの片面に銀からなる反射層2が形成されている。この態様のように、リードフレームの片面だけに反射層2を形成して光半導体装置を構成することも可能である。以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。実施例として、厚さ0.25mm、幅180mmの表1に示す導電性基体に以下に示す前処理を行った後、以下に示す電気めっき処理を施した。その後、Agめっき層を塑性変形させるため、圧延加工またはプレス加工により加工率を変化させて本発明例1~24、比較例1および参考例1のリードフレームを作製した中間層のない実施例及び比較例が図1に示したリードフレームの構造に相当し、中間層のある実施例が図2に示したリードフレームの構造に相当する。。参考例2は、特許文献3の比較例1を、参考例3は、特許文献3の実施例2を、それぞれ模したものであり、圧延加工を行った後に240°Cで4時間の熱処理を実施したものを準備した熱処理上がり品。また、従来例1のめっき上がり品については、板厚0.25mm、幅180mmの表1に示す導電性基体に以下に示す前処理を行った後、以下に示す電気めっき処理を施し、圧延を行わないで、リードフレームを作製した。また従来例2では、従来例1で得られためっき材に熱処理を残留酸素濃度500ppm以下の窒素雰囲気にて、300°Cで5分熱処理を行ったリードフレームを準備し、結晶粒径を熱処理によって調整したものを準備した。導電性基体として用いられた材料のうち、C18045EFTEC-64T、Cu-Cr-Sn-Zn系合金材料:Cu-0.3Cr-0.25Sn-0.5Zn、C19400Cu-Fe系合金材料:Cu-2.3Fe-0.03P-0.15Zn、C26000黄銅:Cu-30Zn、C52100リン青銅:Cu-8Sn-P、およびC77000洋白:Cu-18Ni-27Znは銅または銅合金の基体を表し、Cの後の数値はCDACopperDevelopmentAssociation規格による種類を示す。なお、C18045EFTEC-64Tは、古河電気工業株式会社製の銅合金である。また、A2014はアルミニウムまたはアルミニウム合金の基体を表し、日本工業規格JISH4000:2006などにその成分が規定されている。また、42アロイは鉄系基体を表し、ニッケルを42質量含有し、残部が鉄と不可避不純物からなる合金を表す。なお、基体がA2014のときは電解脱脂酸洗亜鉛置換処理の工程を経て、その他の基体の場合は電解脱脂酸洗の工程を経た前処理を行った。また、それぞれ銀めっきを行う前は、銀ストライクめっきを行った。前処理条件[電解脱脂]脱脂液:NaOH60g/リットル脱脂条件:2.5A/dm2、温度60°C、脱脂時間60秒[酸洗]酸洗液:10硫酸酸洗条件:30秒浸漬、室温[亜鉛置換]基体がアルミニウムの時に使用亜鉛置換液:NaOH500g/リットル、ZnO100g/リットル、酒石酸C4H6O610g/リットル、FeCl22g/リットル処理条件:30秒浸漬、室温[Agストライクめっき]めっき液:KAgCN24.45g/リットル、KCN60g/リットルめっき条件:電流密度5A/dm2、温度25°C下地めっき条件[Niめっき]めっき液:NiSO3NH224H2O500g/リットル、NiCl230g/リットル、H3BO330g/リットルめっき条件:電流密度5A/dm2、温度50°C[Coめっき]めっき液:CoSO3NH224H2O500g/リットル、CoCl230g/リットル、H3BO330g/リットルめっき条件:電流密度5A/dm2、温度50°C[Cuめっき]めっき液:CuSO45H2O250g/リットル、H2SO450g/リットル、NaCl0.1g/リットルめっき条件:電流密度6A/dm2、温度40°C銀めっき条件[Agめっき]めっき液:AgCN50g/リットル、KCN100g/リットル、K2CO330g/リットルめっき条件:電流密度1A/dm2、温度30°C評価方法上記のようにして得られた、表1の発明例、参考例および従来例のリードフレームについて、下記試験および基準により評価を行った。その結果を表1に示す。なお、従来例とは、比較例のうち従来技術相当のものを示す。1A反射率測定:分光光度計V660商品名、日本分光株製において、全反射率を300nm~800nmにかけて連続測定を実施した。このうち、400nm、450nm、600nmおよび800nmにおける全反射率を表1に示す。それぞれ波長400nmでの反射率を85以上、波長450nm~800nmでの反射率を90以上であることが要求特性とした。1B耐熱性:150°Cの温度で3時間大気中にて熱処理を行った後、上記反射率測定を実施した。その結果、波長450nmの全反射率がまったく変化しなかったものをAA、反射率低下が2以内であったものをA、反射率低下が2を越え5以内だったものをB、反射率低下が5を越えたものをCとし、B以上を耐熱性に優れ安定な反射率が得られる実用レベルとして表1に示した。これらの結果から明らかなように、発明例は、従来例よりも400~800nmにおける反射率が良好であり、400nmで85以上、450~800nmで90以上を満足した。特にめっき組織残存率が50以下である発明例においては、波長450nmで反射率90以上、波長450~800nmで95以上を満足しており、従来の技術では達成し得なかった非常に優れた反射率が得られていることが分かる。また、近紫外域でも反射率に優れることを確認した。一方の従来例1は通常の銀めっき品であるが、波長400nmの反射率が85以下、さらに波長450nmでは反射率が85であり、450nm発光のチップを搭載した場合、本発明例の方が5~10も輝度が高いことを意味する。このことは、本発明例での反射率向上によりこれらの波長を利用した光半導体に好適に用いられることが期待される。さらに従来例2は、銀めっき後に熱処理を施して結晶粒径を0.5μm以上に粗大化させた例であるが、初期の反射率が波長400nmでは85を僅かながら下回っており、さらに耐熱性が劣っていることが分かる。これは、リードフレームタイプに従来例2のような熱処理を施すと、基材の銅成分が表層にまで拡散しやすくなり、その結果耐熱性に劣るものと考えられる。このため、熱処理を用いていない本発明例では耐熱性にも優れ、反射率が熱劣化しにくい光半導体用リードフレームが提供できる。さらに参考例1においては、銀からなる反射層のめっき組織残存率が50を上回っており、その結果波長400nmおよび450nmの反射率がそれぞれ85および90を下回っていることから、反射率改善が不十分であることが分かる。さらに参考例2、参考例3においては、銀からなる反射層のめっき組織残存率は50を下回っているものの、圧延加工後に過剰な熱処理が加えられている。この結果、反射率の低下が大きく、全波長域で反射率の低下が見られていることから、先述の適正な熱処理条件を超えないようにすることが必要であることがわかる。これらの結果から、最表層の銀からなる反射層を電気めっき法で形成後、そのめっき組織残存率を50以下にすることによって、波長400nmで反射率85以上、波長450~800nmで反射率90以上が達成でき、本発明のリードフレームを光半導体装置に用いることで、優れた輝度を示し、かつ耐熱性に優れるので長期に渡って高輝度を維持できる、優れた光半導体装置を提供できることが分かる。