複数の半導体レーザ素子を有するレーザアレイと、前記複数の半導体レーザ素子のうち選択された半導体レーザ素子からのレーザ光を出力端に導く光スイッチ部、および、前記複数の半導体レーザ素子のうちいずれの半導体レーザ素子からのレーザ光を前記光スイッチ部の出力端から出力させるかを制御する電気信号を前記光スイッチ部に供給する電気スイッチ部を集積した光回路と、を備える光デバイス。前記電気スイッチ部は、前記複数の半導体レーザ素子のそれぞれに対して供給される駆動電圧に応じて、発光する半導体レーザ素子からのレーザ光を前記光スイッチ部の出力端から出力させる電気信号を前記光スイッチ部に供給する請求項1に記載の光デバイス。前記光スイッチ部は、多段のツリー構造に結合され、それぞれが2つの入力端から入力される前段からのレーザ光のいずれを出力端に導くかを切り替える複数の光スイッチを有し、前記電気スイッチ部は、前記ツリー構造の各段に対応して設けられ、それぞれが各段に位置する前記光スイッチの切り替えを制御する複数の電気スイッチを有する請求項1または2に記載の光デバイス。前記複数の光スイッチのそれぞれは、2つの入力端からのレーザ光を結合分岐する第1方向性結合器と、分岐されたレーザ光を伝播する2つの光導波路と、前記2つの光導波路からのレーザ光を結合分岐し、分岐した一端から選択されたレーザ光を出力する第2方向性結合器と、前記2つの光導波路のそれぞれを加熱する2つのヒータと、を含み、前記電気スイッチは、各段に位置するそれぞれの前記光スイッチのヒータのいずれを加熱するかを制御する請求項3に記載の光デバイス。前記複数の電気スイッチのそれぞれは、前記複数の半導体レーザ素子に対応して設けられ、それぞれが対応する半導体レーザ素子の駆動電圧に応じてスイッチングされる複数のスイッチを含み、前記複数のスイッチのそれぞれは、対応する半導体レーザ素子からのレーザ光を伝播すべき前記光スイッチ内の前記光導波路に対応する前記ヒータに直列に接続される請求項4に記載の光デバイス。複数の半導体レーザ素子を搭載した光モジュールは、レーザ光が通過する光導波路の経路を切り換えて、選択した半導体レーザ素子からのレーザ光を出力させる。従って、光導波路を切り換えることを目的として、複数の光スイッチを制御するスイッチ回路が、光モジュールが搭載された配線基板上に設けられていた。しかし、従来、半導体レーザ素子及び光スイッチを制御する多数の制御端子を、光モジュールの外周部に配置するので、光モジュールを小型にするのが難しかった。また、配線基板上にスイッチ回路を配置するので、配線基板を含めたレーザ装置のサイズも小型化が難しかった。本発明の第1の態様においては、複数の半導体レーザ素子を有するレーザアレイと、複数の半導体レーザ素子のうち選択された半導体レーザ素子からのレーザ光とを出力端に導く光スイッチ部、及び複数の半導体レーザ素子のうちいずれの半導体レーザ素子からのレーザ光を光スイッチ部の出力端から出力させるかを制御する電気信号を光スイッチ部に供給する電気スイッチ部を集積した光回路を提供する。なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。図1は、本発明の第1の実施形態に係るレーザ装置1の構成を示す。レーザ装置1は、光送受信機等に搭載され、指定された波長帯域のレーザ光を出力する。レーザ装置1は、光モジュール2と、光ファイバ3と、MPU7と、出力制御回路5と、温度制御回路6と、配線基板9とを備える。光モジュール2は、複数の半導体レーザ素子が形成された光デバイスを有して、指定された波長帯域に応じた半導体レーザ素子からのレーザ光を選択して出力する可変波長光モジュールである。光デバイスの詳細な構成については後述する。光ファイバ3は、光モジュール2から出力されたレーザ光を伝播する。光モジュール2は、複数の制御端子8を有する。制御端子8は、光モジュール2の外周部に複数設けられ、光モジュール2内の回路と、出力制御回路5、温度制御回路6、及びMPU7とを電気的に接続する。例えば、光モジュール2は、内部の複数の半導体レーザ素子のそれぞれに個別に駆動電圧を供給するための複数の制御端子8を有する。出力制御回路5は、選択された半導体レーザ素子に駆動電圧を供給することにより、光モジュール2からのレーザ出力に用いる半導体レーザ素子を切り換える。出力制御回路5は、各々が複数の半導体レーザ素子のそれぞれに接続され、接続先の半導体レーザ素子に駆動電圧を供給する複数の駆動電圧出力端子を有しており、これらの複数の駆動電圧出力端子のそれぞれは制御端子8を介して光モジュール2内の対応する半導体レーザ素子に接続される。出力制御回路5は、MPU7からレーザ素子選択信号を受け取り、レーザ素子選択信号により指定された半導体レーザ素子に接続される駆動電圧出力端子に対して駆動電圧を出力する。また、出力制御回路5は、MPU7から駆動電圧を制御するための電圧制御信号を受信して、電圧制御信号に応じて供給する駆動電圧の値を決定する。このようにして、出力制御回路5は、レーザ素子選択信号によって選択された半導体レーザ素子に、電圧制御信号によって決定された駆動電圧を供給してレーザ光を出力させる。温度制御回路6は、光モジュール2内に設けられた温度調節素子の温度を制御する。温度制御回路6は、光モジュール2に設定されるべき温度を指定する温度設定信号を、MPU7から受信して、光モジュール2を設定温度に保つための温度制御信号を、制御端子8を介して、温度調整素子に供給する。これにより、温度調節素子は、光モジュール2が出力するレーザ光の波長を微調整する。MPU7は、出力制御回路5に、複数の半導体レーザ素子のうちレーザ光を出力すべき半導体レーザ素子を選択する、レーザ素子選択信号を送信する。具体的には、MPU7は、レーザ装置1の外部から半導体レーザ素子の選択に用いられる出力波長、又はレーザ番号といった情報を受け取り、この情報に基づいてレーザ素子選択信号を生ずる。また、MPU7は、出力制御回路5に駆動電圧を指示する電圧制御信号を送信する。また、MPU7は、半導体レーザ素子の周辺温度を設定する温度制御信号を、温度制御回路6に送信する。ここで、MPU7は、半導体レーザ素子の近傍の温度に関する温度信号を温度検出素子から受信して、半導体レーザ素子の近傍の温度と半導体レーザ素子が出力すべき波長に応じた基準温度とを比較した結果から、温度制御信号を調整してもよい。これに代えて、MPU7は、所定波長のレーザ光の強度を検出した結果によって、温度制御信号を調整してもよい。例えば、MPU7は、光モジュール2内において、エタロンフィルタ等を介して半導体レーザ素子から出力されるレーザ光の強度を検出することにより、所望の波長におけるレーザ光の強度を検出した結果を光モジュール2から受け取る。そして、MPU7は、検出したレーザ光の強度を最大化するように温度制御信号を調節する。ここで、エタロンフィルタは温度依存性の透過特性を有するので、エタロンフィルタを通過する光の波長は、エタロンフィルタ周辺の温度に応じて増減させることができ、透過波長を制御できる。以上のようにして、MPU7は、レーザ光の所定波長における強度を最大化するように半導体レーザ素子の温度を調整することができる。これによりMPU7は、光モジュール2が出力するレーザ光の波長を、目的とする波長に合わせることができる。配線基板9は、光モジュール2、出力制御回路5、温度制御回路6、及びMPU7等の部材を搭載する回路基板である。配線基板9は、これらの部材を電気的に接続するための配線を有する。図2は、第1の実施形態に係る光モジュール2の構成である。図3は、図2の光モジュールの側面図である。光モジュール2は、光デバイス10と、温度検出素子11と、レーザキャリア12と、コリメートレンズ13と、ビームスプリッタ14と、光検出部15と、光アイソレータ16と、集光レンズ17と、筐体18と、基台19と、温度調節素子20とを備える。光デバイス10は、複数の半導体レーザ素子を搭載して、これらの複数の半導体レーザ素子の1つからレーザ光を出力する。光デバイス10の詳細な構成については、後述する。温度検出素子11は、光デバイス10近傍に配置され、半導体レーザ素子の周囲の温度を検出する。そして、温度検出素子11は、検出した温度を示す温度信号をMPU7に供給する。温度検出素子11は、例えばサーミスタである。レーザキャリア12は、光デバイス10及び温度検出素子11を搭載する。コリメートレンズ13は、光デバイス10が出力するレーザ光の光路において光デバイス10の下流側に配置され、光デバイス10からのレーザ光を平行光に変換する。ビームスプリッタ14は、光デバイス10が出力するレーザ光の光路においてコリメートレンズ13の下流側に配置され、レーザ光の一部を反射して、残りを透過する。光検出部15は、ビームスプリッタ14が反射した光を受光して、レーザ光の強度を検出する。光検出部15は、検出した結果を、MPU7に供給する。MPU7は、この強度信号に基づき、駆動電圧を調整して、レーザ光の強度を安定化させてもよい。光アイソレータ16は、ビームスプリッタ14を透過した光を光デバイス10の出力端側へと透過させつつ、光モジュール2の出力端側からの戻り光が光デバイス10に入射するのを防ぐ。集光レンズ17は、光デバイス10が出力するレーザ光の光路において光アイソレータ16の下流側に配置され、入射した平行光を光ファイバ3へと集光する。筐体18は、光モジュール2に含まれる各部材を収納して、各部材を外部の衝撃及び温度変化等から保護する。基台19は、レーザキャリア12と、コリメートレンズ13と、ビームスプリッタ14と、光検出部15と、光アイソレータ16とを搭載する基板状の台である。温度調節素子20は、基台19の下面に形成され、光デバイス10の温度を予め定められた温度に保つ。ここで、温度調節素子20は、光デバイス10を、光デバイス10が有する半導体レーザ素子が出力すべき波長に応じた温度に保つことで、半導体レーザ素子から出力するレーザ光の波長を制御する。温度調節素子20は、例えば、ペルチェ素子である。この様に、図2及び図3に示した光モジュール2は、光デバイス10にレーザ光を出力させ、光ファイバ3へ伝播する。また、光モジュール2は、出力させるレーザ光の強度をモニタして、その結果をMPU7に伝達する。図4は、第1の実施形態に係る光デバイス10の構成である。第1の実施形態において、光デバイス10が8個の半導体レーザ素子を含む例を説明する。光デバイス10は、基板180と、レーザアレイ100と、レーザ電極111~118と、レーザグランド171と、ヒータ電源172と、ヒータグランド173と、光回路140とを有する。基板180は、その片面上にレーザアレイ100と、レーザ電極111~118と、レーザグランド171と、ヒータ電源172と、ヒータグランド173と、光回路140とが形成された、半導体基板である。これに代えて、基板180は、異なる光部品が形成された2枚以上の半導体基板であってもよい。例えば、基板180は、レーザアレイ100、レーザ電極111~118、及びレーザグランド171が形成された半導体基板と、光回路140、ヒータ電源172、及びヒータグランド173が形成された半導体基板とを結合した構成をとってもよい。レーザアレイ100は、複数の半導体レーザ素子101~108を有する。複数の半導体レーザ素子101~108は、それぞれに対して供給される駆動電圧に応じて発光する。具体的には、複数の半導体レーザ素子101~108のうち、MPU7により選択され、出力制御回路5により駆動電圧が供給された半導体レーザ素子が発光する。ここで、複数の半導体レーザ素子101~108のそれぞれは、互いに異なる波長帯域のレーザ光を出力する。これにより、レーザアレイ100は、選択された半導体レーザ素子から、選択に応じた波長のレーザ光を出力することができる。半導体レーザ素子101~108は、基板180上に形成された分布帰還型レーザ素子である。これに代えて、半導体レーザ素子101~108は、基板180上に形成された分布反射型レーザであってもよい。半導体レーザ素子101~108は、温度調節素子20により周辺温度が調節される。これにより、半導体レーザ素子101~108は、温度によって屈折率が変化するので、半導体レーザ素子101~108の周辺温度の調節によって出力するレーザの発振波長を変えることができる。これにより、半導体レーザ素子101~108は、温度調節素子20により周辺温度を変えることで、3nm~4nmの範囲内で発振波長が変化する可変波長光源として動作することができる。例えば、発振帯域の異なる8個の半導体レーザ素子101~108を、発振波長が3nm~4nmの間隔で連続して並ぶように設置することで、光デバイス10は、出力レーザ光の可変波長帯域を24nm~32nmにすることができる。このような光デバイス10は、同一制御温度範囲で比較した場合、単体の半導体レーザ素子を用いた場合よりも広帯域に連続した波長帯域のレーザ光を出力することができる。レーザ電極111~118は、それぞれ対応する制御端子8を介して、出力制御回路5の複数の駆動電圧出力端子に電気的に接続される。また、レーザ電極111~118のそれぞれは、半導体レーザ素子101~108にそれぞれ電気的に接続され、対応する半導体レーザ素子101~108に出力制御回路5からの駆動電圧を供給する。レーザグランド171は、半導体レーザ素子101~108に電気的に接続され、半導体レーザ素子101~108を接地する。ヒータ電源172は、ヒータ121~128と、ヒータ131~134と、ヒータ141~142とに電気的に接続され、ヒータ121~128と、ヒータ131~134と、ヒータ141~142とに予め設定された電圧を供給する。ヒータグランド173は、電気スイッチ部160を介して、ヒータ121~128と、ヒータ131~134と、ヒータ141~142とを接地する。光回路140には、光スイッチ部150と電気スイッチ部160が集積されている。電気スイッチ部160は、光スイッチ部150のスイッチングを制御する。光スイッチ部150は、複数の半導体レーザ素子101~108のうち選択された半導体レーザ素子からのレーザ光を、光デバイス10の出力端に導く。光スイッチ部150は、複数の光スイッチ151~157を有する。光スイッチ151~157のそれぞれは、2つの入力端のうち、選択された入力端から入力されるレーザ光を、出力端に導く。光スイッチ151~157は、2つの入力端と、第1方向性結合器と、2つの光導波路と、第2方向性結合器と、2つのヒータと、出力端とを有する。例えば、光スイッチ157は、2つの入力端143と、第1方向性結合器144と、2つの光導波路145と、第2方向性結合器146と、2つのヒータ141及び142と、出力端147とを有する。第1方向性結合器は、2つの入力端から入力したレーザ光を結合分岐して、2つの光導波路に出力する。2つの光導波路は、分岐されたレーザ光をそれぞれ伝播して、第2方向性結合器に出力する。第2方向性結合器は、2つの光導波路から入力したレーザ光を結合分岐して、分岐した一端である出力端から選択されたレーザ光を出力する。2つのヒータは、2つの光導波路に1対1で対応するように設けられ、2つの光導波路のそれぞれを加熱する。2つのヒータのうち一方が加熱されると、ヒータに対応する光導波路の光路長が変化する。これにより、2つの光導波路を通過するレーザ光の相対位相が変化して、入力端から入力されたレーザ光は、出力端から出力される。例えば、光スイッチ157において、ヒータ141が駆動されると、ヒータ141に対応する光導波路の光路長が変化する。これにより、光スイッチ157は、半導体レーザ素子101~104に接続される入力端から入力されるレーザ光を出力端147から出力する。一方で、光スイッチ157において、ヒータ142が駆動されると、ヒータ142に対応する光導波路の光路長が変化する。これにより、光スイッチ157は、半導体レーザ素子105~108に接続される入力端から入力されるレーザ光を出力端147から出力する。なお、光スイッチ151~156も、光スイッチ157と同様の構成を採るので説明を省略する。複数の光スイッチ151~157は、多段のツリー構造に結合され、それぞれが2つの入力端から入力される前段からのレーザ光のいずれを出力端に導くかを切り替える。図4は、複数の光スイッチ151~157が3段のツリー構造に結合された例である。これに代えて、ツリー構造は、光スイッチに接続される半導体レーザ素子の数に応じて2段以下又は4段以上であってもよい。ツリー構造の1段目の光スイッチ151~154のそれぞれの入力端には、複数の半導体レーザ素子101~108のそれぞれが接続される。これにより、例えば、半導体レーザ素子101と半導体レーザ素子102が出力した光は、光スイッチ151の2つの入力端にそれぞれ入力される。ツリー構造の2段目の光スイッチ155及び156のそれぞれの入力端には、前段の光スイッチ151~154のそれぞれが接続される。これにより、例えば、光スイッチ151と光スイッチ152の出力端からの光は、光スイッチ155の2つの入力端にそれぞれ入力する。ツリー構造の最終段の光スイッチ157の2つの入力端143には、前段の光スイッチ155及び156のそれぞれが接続される。光スイッチ157の出力端は、光デバイス10の出力端に接続される。電気スイッチ部160は、光スイッチ部150に、複数の半導体レーザ素子101~108のうちいずれの半導体レーザ素子からのレーザ光を光スイッチ部150の出力端から出力させるかを制御する電気信号を供給して、半導体レーザ素子101~108からのレーザ光を光スイッチ部150の出力端から出力させる。電気スイッチ部160は、複数の電気スイッチ161~163を有する。複数の電気スイッチ161~163は、レーザ電極111~118に電気的に接続された複数の入力端と、ヒータ121~128、ヒータ131~134、及びヒータ141~142に電気的にそれぞれ接続された複数の出力端とをそれぞれ有する。複数の電気スイッチ161~163は、光スイッチ部150のツリー構造の各段に対応して設けられ、それぞれが各段に位置する光スイッチの切り替えを制御する。複数の電気スイッチ161~163は、各段に位置する光スイッチ151~157のヒータ121~128、ヒータ131~134、及びヒータ141~142のそれぞれについていずれを加熱するかを制御する。複数の電気スイッチ161~163は、半導体レーザ素子101~108の駆動電圧が入力される入力端に応じて、電流を供給すべき出力端を切り換える。従って、複数のレーザ電極111~118のいずれかに駆動電圧が供給されると、電気スイッチ161~163は、駆動電圧が供給されたレーザ電極と電気的に接続した入力端に応じて出力端を切り換え、当該出力端と接続したヒータに電流を流す。この結果、当該出力端と電気的に接続された光スイッチ部150内の1つのヒータが駆動される。ツリー構造の1段目に対応する電気スイッチ161の8個の出力端は、当該段の光スイッチ151~154のヒータ121~128にそれぞれ電気的に接続される。電気スイッチ161は、複数の半導体レーザ素子101~108のうち、駆動電圧が供給された半導体レーザ素子に応じてヒータ121~128のいずれに電流を流すかを切り換える。例えば、レーザ電極111に駆動電圧が供給されると、半導体レーザ素子101がレーザ光を出力するのに応じて、電気スイッチ161は光スイッチ151のヒータ121に電流を供給する。その結果、光スイッチ151は、半導体レーザ素子101からのレーザ光を、出力端から出力するように切り換える。また、レーザ電極112に駆動電圧が供給されると、半導体レーザ素子102がレーザ光を出力するのに応じて、電気スイッチ161は光スイッチ151のヒータ122に電流を供給する。その結果、光スイッチ151は、半導体レーザ素子102からのレーザ光を、出力端から出力するように切り換える。同様にして、電気スイッチ161は、半導体レーザ素子103~108に駆動電圧が供給されると、ヒータ123~128のうち対応するヒータに電流を流す。ツリー構造の2段目に対応する電気スイッチ162の4個の出力端は、当該段の光スイッチ155及び156のヒータ131~134にそれぞれ電気的に接続される。電気スイッチ162は、複数の半導体レーザ素子101~108のうち、駆動電圧が供給された半導体レーザ素子に応じてヒータ131~134のいずれに電流を流すかを切り換える。例えば、レーザ電極111に駆動電圧が供給されると、半導体レーザ素子101がレーザ光を出力するのに応じて、電気スイッチ162は光スイッチ155のヒータ131に電流を供給する。その結果、光スイッチ155は、光スイッチ151からのレーザ光を、出力端から出力するように切り換える。また、レーザ電極113に駆動電圧が供給されると、半導体レーザ素子103がレーザ光を出力するのに応じて、電気スイッチ162は光スイッチ155のヒータ132に電流を供給する。その結果、光スイッチ155は、光スイッチ153からのレーザ光を、出力端から出力するように切り換える。同様にして、電気スイッチ162は、半導体レーザ素子102及び104~108に駆動電圧が供給されると、ヒータ131~134のうち対応するヒータに電流を流す。ツリー構造の最終段に対応する電気スイッチ163の2個の出力端は、当該段の光スイッチ157のヒータ141及び142にそれぞれ電気的に接続される。電気スイッチ163は、複数の半導体レーザ素子101~108のうち、駆動電圧が供給された半導体レーザ素子に応じてヒータ141及び142のいずれに電流を流すかを切り換える。例えば、レーザ電極111に駆動電圧が供給されると、半導体レーザ素子101がレーザ光を出力するのに応じて、電気スイッチ163は光スイッチ157のヒータ141に電流を供給する。その結果、光スイッチ157は、光スイッチ155からのレーザ光を、出力端から出力するように切り換える。また、レーザ電極115に駆動電圧が供給されると、半導体レーザ素子105がレーザ光を出力するのに応じて、電気スイッチ163は光スイッチ157のヒータ142に電流を供給する。その結果、光スイッチ157は、光スイッチ156からのレーザ光を、出力端から出力するように切り換える。同様にして、電気スイッチ163は、半導体レーザ素子102~104及び106~108に駆動電圧が供給されると、ヒータ141及び142のうち対応するヒータに電流を流す。ツリー構造の各段の電気スイッチ161~163は、半導体レーザ素子101~108への駆動電圧の供給に応じて動作する。即ち、電気スイッチ161~163は、それぞれ対応する光スイッチ151~157を駆動電流に応じて切り換えることで、選択された半導体レーザ素子から出力されたレーザ光を光デバイス10の出力端に導く。ここで、電気スイッチ部160は、半導体レーザ素子101~108のうち2つ以上が駆動された場合に、エラー信号を出力してもよい。例えば、電気スイッチ部160は、レーザ電極111~118と、複数の電気スイッチ161~163の間に、駆動を指示する入力が同じ時間に生じた場合にエラー信号を出力する回路を有する。これに代えて、電気スイッチ部160は、半導体レーザ素子101~108のうち2つ以上が駆動された場合に、予め設定されたプライオリティエンコードにより選択した1つの半導体レーザ素子のみにレーザ光を出力させてもよい。例えば、電気スイッチ部160は、レーザ電極111~118と、複数の電気スイッチ161~163との間に、プライオリティエンコーダを有する。また、これに代えて、電気スイッチ部160は、半導体レーザ素子101~108のうち2つ以上が駆動された場合に、出力された2つ以上のレーザ光を同時に出力させてもよい。例えば、電気スイッチ部160は、レーザ電極111~118と、複数の電気スイッチ161~163との間に、同時出力制御回路を有する。当該同時出力制御回路は、1つの光スイッチ151~157の両方の入力端にレーザ光が入力した場合に、それぞれのヒータ121~127、ヒータ131~134、及びヒータ141~142に供給される電圧を制御して、光スイッチ151~157の2つ導波路間の位相差を、両方のレーザ光が出力端から出力される値に設定する。以上のように、図4に記載の光デバイス10は、半導体レーザ素子101~108と、電気スイッチ部160とが搭載されている。これにより、光デバイス10は、外部に光スイッチを制御するスイッチ回路を設けなくとも適切にレーザ光を選択して出力することができる。図5は、第1の実施形態に係る光デバイスに形成された1段目の電気スイッチ161の構成である。電気スイッチ161は、ツリー構造の1段目の光スイッチ151~154のスイッチングを制御する。電気スイッチ161は、レーザ電極111~118にそれぞれ電気的に接続された複数のスイッチを有する。ここで、電気スイッチ161は、8個のスイッチ181~188を有する例を説明する。複数のスイッチ181~188は、例えば複数のFET電界効果トランジスタを集積したFETアレイである。複数のスイッチ181~188は、複数の半導体レーザ素子101~108にそれぞれ対応して設けられる。即ち、複数のスイッチ181~188の各ゲートは、半導体レーザ素子101~108に接続されるレーザ電極111~118にそれぞれ接続される。これにより、スイッチ181~188は、レーザ電極111~118を介して、それぞれが対応する半導体レーザ素子101~108の駆動電圧に応じてスイッチングされる。また、複数のスイッチ181~188のそれぞれは、対応する半導体レーザ素子101~108からのレーザ光を伝播すべき光スイッチ内の光導波路に対応するヒータ121~128に直列に接続される。従って、電気スイッチ161は、電圧が入力されてオンになったスイッチ181~188に接続されたヒータ121~128に電流を供給する。例えば、レーザ電極111に駆動電圧が供給されると、レーザ電極111からスイッチ181のゲート電極に駆動電圧が入力されて、スイッチ181がオンになり、ヒータ電源172から対応するヒータ121に電流が流れる。これにより、光スイッチ151は、半導体レーザ素子101からの光を出力端へと導く。同様に、スイッチ182~188は、半導体レーザ素子102~108の駆動と連動して、ヒータ122~127を動作させる。このように、図5に示した電気スイッチ161は、半導体レーザ素子101~108の駆動とヒータ121~128の動作とを連動させる。図6は、第1の実施形態に係る光デバイスに形成された2段目の電気スイッチ162の構成である。電気スイッチ162は、ツリー構造の2段目の光スイッチ155及び156のスイッチングを制御する。電気スイッチ162は、レーザ電極111~118にそれぞれ電気的に接続された複数のスイッチを有する。ここで、電気スイッチ162は、8個のスイッチ191~198を有する例を説明する。複数のスイッチ191~198は、例えば複数のFET電界効果トランジスタを集積したFETアレイである。複数のスイッチ191~198は、複数の半導体レーザ素子101~108にそれぞれ対応して設けられる。即ち、複数のスイッチ191~198の各ゲートは、半導体レーザ素子101~108に接続されるレーザ電極111~118にそれぞれ接続される。これにより、スイッチ191~198は、レーザ電極111~118を介して、それぞれが対応する半導体レーザ素子101~108の駆動電圧に応じてスイッチングされる。また、複数のスイッチ191~198のそれぞれは、対応する半導体レーザ素子101~108からのレーザ光を伝播すべき光スイッチ内の光導波路に対応するヒータ131~134に直列に接続される。従って、電気スイッチ162は、電圧が入力されてオンになったスイッチ191~198に接続されたヒータ131~134に電流を供給する。例えば、レーザ電極111又は112に駆動電圧が供給されると、レーザ電極111又は112からスイッチ191又は192のゲート電極に駆動電圧が入力されて、スイッチ191又は192がオンになり、ヒータ電源172から対応するヒータ131に電流が流れる。これにより、光スイッチ155は、半導体レーザ素子101及び102からの光を出力端へと導く。この様に、スイッチ191とスイッチ192は、いずれもヒータ131に直列に接続され、ヒータ131に電流を流すか否かを切り換える。ここで、スイッチ191が対応する半導体レーザ素子101とスイッチ192が対応する半導体レーザ素子102の出力波長は異なるので、ヒータ131が発生すべき熱量が異なる場合がある。この場合、スイッチ191及び/又はスイッチ192とヒータ131の間に抵抗値が異なる抵抗等を設け、半導体レーザ素子101及び半導体レーザ素子102のいずれのレーザ出力を出力させるかに応じて、ヒータ131に流れる電流を調節してもよい。スイッチ193~198は、スイッチ191~192と同様に、2つずつセットになって、ヒータ132~134に直列に接続される。スイッチ193~198は、半導体レーザ素子103~108の駆動と連動して、ヒータ132~134を動作させる。このように、図6に示した電気スイッチ162は、半導体レーザ素子101~108の駆動とヒータ131~134の動作とを連動させる。図7は、第1の実施形態に係る光デバイスに形成された最終段の電気スイッチ163の構成である。電気スイッチ163は、ツリー構造の最終段の光スイッチ157のスイッチングを制御する。電気スイッチ163は、レーザ電極111~118にそれぞれ電気的に接続された複数のスイッチを有する。ここで、電気スイッチ163は、8個のスイッチ201~208を有する例を説明する。複数のスイッチ201~208は、例えば複数のFET電界効果トランジスタを集積したFETアレイである。複数のスイッチ201~208は、複数の半導体レーザ素子101~108にそれぞれ対応して設けられる。即ち、複数のスイッチ201~208の各ゲートは、半導体レーザ素子101~108に接続されるレーザ電極111~118にそれぞれ接続される。これにより、スイッチ201~208は、レーザ電極111~118を介して、それぞれが対応する半導体レーザ素子101~108の駆動電圧に応じてスイッチングされる。また、複数のスイッチ201~208のそれぞれは、対応する半導体レーザ素子101~108からのレーザ光を伝播すべき光スイッチ内の光導波路に対応するヒータ141~142に直列に接続される。従って、電気スイッチ163は、電圧が入力されてオンになったスイッチ201~208に接続されたヒータ141~142に電流を供給する。例えば、レーザ電極111~114に駆動電圧が供給されると、レーザ電極111~114からスイッチ201~204のゲート電極に駆動電圧が入力されて、スイッチ201~204がオンになり、ヒータ電源172から対応するヒータ141に電流が流れる。これにより、光スイッチ157は、半導体レーザ素子101~104からの光を出力端へと導く。この様に、スイッチ201~204は、いずれもヒータ141に直列に接続され、ヒータ131に電流を流すか否かを切り換える。ここで、スイッチ201~204のそれぞれが対応する半導体レーザ素子101~104の出力波長は異なるので、ヒータ141が発生にすべき熱量が異なる場合がある。この場合、スイッチ201~204とヒータ141との間に抵抗値が異なる抵抗等を設け、半導体レーザ素子101~104のいずれのレーザ出力を出力させるかに応じて、ヒータ141に流れる電流を調節してもよい。スイッチ205~208は、スイッチ201~204と同様に、4つセットになって、ヒータ142に直列に接続され、半導体レーザ素子105~108の駆動と連動して、ヒータ142を動作させる。このように、図7に示した電気スイッチ163は、半導体レーザ素子101~108の駆動と、ヒータ141~142の動作とを連動させる。以上のように、第1の実施形態に係る光デバイス10によれば、半導体レーザ素子105~108を駆動すると、駆動された半導体レーザ素子105~108に対応する複数のヒータが動作する。これにより、光デバイス10は、光スイッチ部150が出力されたレーザ光を、光デバイス10の出力端に導く。従って、第1の実施形態に係る光デバイス10によれば、光デバイス10の外部の配線基板9上に、光スイッチ部150を制御するスイッチ回路を設ける必要がなく、配線基板を含めたレーザ装置のサイズを小型化することができる。また、光スイッチ部150を制御する出力制御回路5とヒータ121~128、ヒータ131~134、及びヒータ141~142を接続する制御端子8を、光モジュール2の外周部に設ける必要がないので、光モジュール2のサイズを小型化することができる。以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段より前に、先立って等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上まず、、次に、等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。