周囲からのエネルギー供給により加熱されまたは発熱する坩堝に収容した複数元素から成る半導体の溶液から、該半導体の単結晶を引き上げ成長させる半導体単結晶の製造装置において、上記坩堝は底部領域内に内包した断熱材を介して下端が支持軸と結合しており、該内包された断熱材は、その下端から上方へ向けて径が縮小していることを特徴とする半導体単結晶の製造装置。請求項1において、上記断熱材は、上記支持軸との結合端から上方へ向けて段階的に径が漸減していることを特徴とする半導体単結晶の製造装置。請求項1において、上記断熱材は、上記支持軸との結合端から上方に向けて連続的に径が漸減していることを特徴とする半導体単結晶の製造装置。請求項1から3までのいずれか1項において、上記坩堝が、周囲の誘導コイルからの電磁誘導により発熱することを特徴とする半導体単結晶の製造装置。請求項1から4までのいずれか1項において、半導体がSiCであることを特徴とする半導体単結晶の製造装置。周囲からのエネルギー供給により加熱されまたは発熱する坩堝に収容した複数元素から成る半導体の溶液から、該半導体の単結晶を引き上げ成長させる半導体単結晶の製造方法において、上記坩堝として、その底部領域内に内包した断熱材を介して下端が支持軸と結合している坩堝を用い、該内包された断熱材として、その下端から上方へ向けて径が縮小している断熱材を用いることを特徴とする半導体単結晶の製造方法。本発明は、複数元素から成る半導体単結晶を溶液法により製造する装置において、溶液を収容する坩堝の内底への多結晶晶出を低減できる製造装置および製造方法を提供することを目的とする。上記の目的を達成するために、本発明によれば、周囲からのエネルギー供給により加熱されまたは発熱する坩堝に収容した複数元素から成る半導体の溶液から、該半導体の単結晶を引き上げ成長させる半導体単結晶の製造装置において、上記坩堝は底部領域内に内包した断熱材を介して下端が支持軸と結合しており、該内包された断熱材は、その下端から上方へ向けて径が漸減していることを特徴とする溶液法による半導体単結晶の製造装置が提供される。また、本発明によれば、周囲からのエネルギー供給により加熱されまたは発熱する坩堝に収容した複数元素から成る半導体の溶液から、該半導体の単結晶を引き上げ成長させる半導体単結晶の製造方法において、上記坩堝として、その底部領域内に内包した断熱材を介して下端が支持軸と結合している坩堝を用い、該内包された断熱材として、その下端から上方へ向けて径が縮小している断熱材を用いることを特徴とする半導体単結晶の製造方法も提供される。本発明の半導体単結晶の製造装置および製造方法は、1坩堝内底から支持軸までの間の底部領域内に断熱材を内包しているため、かつ、2内包された断熱材は上方に向けて径が漸減し周囲の坩堝底部領域が発熱部加熱部かつ伝熱流路として確保されるため、断熱発熱伝熱の3重作用により内底付近の低温化が効果的に抑制され、多結晶の晶出が低減される。図3に、本発明による複数元素から成る半導体単結晶の製造装置の坩堝下半部を示す。基本構成は図1に示した構造と同じであるが、本発明の特徴とする下記構成が異なる。坩堝は底部領域内に内包した断熱材を介して下端が支持軸と結合しており、該内包された断熱材は、該支持軸との結合端から上方へ向けて径が漸減している。坩堝の内底から最下端までの間に、支持軸への熱伝導を遮断するための断熱材が発熱部坩堝の底部領域に外周から取り囲まれて内包されている。断熱材を取り囲む発熱部から熱を効率的に内底部へ伝達するために、断熱材の形状は溶液側に向けて凸であり、すなわち断熱材の下端から上方へ向けて径が漸減している。断熱材の径の漸減の様式は、段階的でもよいし、連続的でもよい。すなわち、図3に示した例では、下部が大径で上部が小径の2段階に漸減している。更に3段階以上に段階的に上方に向かって漸減してもよい。図4に示した例では、図41のように三角形の断面をした、円錐、ピラミッド形、屋根形などであり、図42のように、半円形の断面をした、半球状、蒲鉾状などである。これら以外の様式で、上に向かって径が漸減する形態とすることができる。図5に、溶液表面から坩堝内底までの溶液の温度分布を模式的に示す。図51は、本発明により坩堝内底の温度低下を抑制した場合を示しており、坩堝内底で温度低下が起きないため過飽和状態にならず、多結晶が晶出しない。図52は、従来のように坩堝内底の温度低下が起きた場合を示しており、過飽和状態になって、多結晶が晶出する。これは、SiCのような複数元素から成る半導体単結晶に特有な現象であり、Siのような単元素から成る半導体単結晶の場合は、坩堝内底の温度低下が起きた場合も、半導体元素の融点以上であれば、多結晶の晶出は起きない。本発明においては、下記の種々の形態が望ましい。内底部へ側壁部と同等以上のエネルギーを伝達するための発熱面積を確保するために、坩堝の内底から最下端までの鉛直方向距離坩堝の底部領域の高さは坩堝外径の概ね1/2以上程度であることが望ましい。坩堝内底から最下端までの間で、発熱部坩堝の底部領域の体積が大き過ぎると、内底部の加熱に不要なエネルギーを伝達することになり、内底部の温度を効果的に上昇させることができない。また、断熱材の体積が大き過ぎると、内底へエネルギーを伝達する経路が限られてしまい、やはり内底部の温度を効果的に上昇させることができない。そのため、坩堝の内底から最下端までの範囲坩堝の底部領域内において、断熱材の占める体積は概ね20~40程度とすることが望ましい。内底の加熱に十分なエネルギーを確保するために、断熱材外周を取り巻く発熱部とエネルギー発生源である誘導コイルとの距離R1は、坩堝側壁とエネルギー発生源との距離R2と同等以下であることが望ましい。本発明の断熱材としては、炭素繊維製品や異方性黒鉛等を用いることができる。例えば炭素繊維製断熱材は、坩堝材料発熱材料としての緻密な黒鉛に比べて熱伝導率が1以下と非常に低い。図3のように底部領域に断熱材を内包した坩堝を用いて、溶液温度1900°CでSiC単結晶を成長させた。断熱材料は下記の黒鉛を用いた。坩堝材料:緻密黒鉛...熱伝導率約130W/mK断熱材料:炭素繊維製成形断熱材...熱伝導率約1.0W/mKまた、比較のために、従来のとおり断熱材を用いず、他の条件は同じにして成長を行なった。成長後の坩堝内底部の縦断面を図6に示す。図61は本発明により断熱材を配設した場合であり、図62は従来のとおり断熱材を配設しない場合である。従来に比べて本発明は、多結晶の晶出が激減していることが分かる。表1に、多結晶の体積で具体的に比較して示す。従来に対して本発明では、多結晶の体積が半分以下49に減少した。以上、加熱を誘導コイルで行なう場合を説明したが、加熱方式は誘導コイルに限定する必要は無い。例えば、加熱コイルヒーターによる外部からの加熱であっても、本発明の作用効果を得ることができる。誘導コイルによる加熱の場合は外部からの電気エネルギーで坩堝自体が発熱体となるが、ヒーターによる加熱の場合は外部からの熱エネルギーで坩堝が加熱される。したがって、ヒーター加熱外部加熱の場合は、上記の説明中で発熱部を熱レセプタ部と読み替えればよい。