"基板上に形成され、ペロフスカイト結晶格子のAサイトにBaと希土類元素を含み、m10配向m=2n;9≧n≧1しているペロフスカイト型マンガン酸化物薄膜。mが2であり、210配向している請求項1に記載のペロフスカイト型マンガン酸化物薄膜。化学式SmBaMn2O6で表される請求項1または請求項2に記載のペロフスカイト型マンガン酸化物薄膜。前記基板が210面方位のペロフスカイト型単結晶である請求項1または請求項2に記載のペロフスカイト型マンガン酸化物薄膜。前記基板が210面を表面に有するSrTiO3基板である請求項4に記載のペロフスカイト型マンガン酸化物薄膜。ペロフスカイト結晶格子のAサイトにBa原子と希土類元素とを含むペロフスカイト型マンガン酸化物薄膜の製造方法であって、前記希土類元素と酸素とを含む面における酸素が欠損したピラミッド構造をとる原子層または薄膜をレーザーアブレーション法によって形成する第1工程と、該第1工程において前記ピラミッド構造において酸素が欠損しているサイトに酸素を充填する第2工程とを含み、前記第1工程の処理が行われる雰囲気の酸素分圧を前記ピラミッド構造に酸素欠損を生じさせるために熱力学的に必要となる値に制御しながら、酸素以外のガスを含む前記雰囲気の全圧を前記Aサイトの組成比が変動しない値に制御するペロフスカイト型マンガン酸化物薄膜の製造方法。しかしながら、100基板上に形成されたペロフスカイト型マンガン酸化物の単結晶薄膜においてはスイッチングが抑制されてしまう。このため、単結晶バルクを用いることによって室温などの実用性の期待できる温度範囲において電荷整列相を示すような物質または材料を作製し得たとしても、ただちにデバイスに適用することはできない。特許文献5は、Aサイト秩序化が行われた薄膜が単結晶であるかどうかを開示していないものの、仮にその薄膜が多結晶膜、つまり同一基板上で結晶配向が異なるグレインを多数有する膜であった場合には、薄膜中の格子欠陥によりAサイト秩序化や電荷軌道秩序そのものが阻害される。したがって、特許文献5に開示される薄膜化された物質においては、転移温度が低下することや、甚だしい場合には一次相転移自体が消失することも懸念される。ペロフスカイト型マンガン酸化物の単結晶薄膜において高性能なスイッチング特性やばらつきのない特性を実現するためには、一般の半導体デバイスと同様に、欠陥の少ない単結晶薄膜が必要である。その目的のためには、特許文献4などのように110面方位基板の利用が考えられる。ここで、110配向した薄膜においては、原子積層面がLn,BaBO-O2-Ln,BaBOとなる。これは、Ba原子または希土類元素Lnが含まれているAサイトと、Bサイトと、O原子とからなるある原子層が形成され、次に、O原子2個が含まれている原子層が形成され、という原子層の積層体を示している。このことから、Aサイト秩序化は、原子積層面に平行な面内において達成する必要がある。しかしながら、面内でAサイトを秩序化するためには、何らかの駆動力ドライビングフォースをもたらす要因が必要となる。実際にはそのような要因は存在せず、110配向した薄膜におけるAサイトの秩序化は、それ自体が困難である。以上に述べたように、先行技術を組合せるのみでは、薄膜化されたペロフスカイト酸化物において、室温以上の温度域においてスイッチング現象を発現可能な電荷整列相を実現しえないという課題があった。本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、本発明は、室温動作可能なスイッチングに必要となる1一次相転移が可能であること、2Aサイト秩序化が達成されること、を両立させるペロフスカイト型マンガン酸化物薄膜を提供することにより、ペロフスカイト型マンガン酸化物薄膜を利用する各種のデバイスの作製に貢献するものである。本願の発明者は、上記課題を吟味し、薄膜の原子積層面と、その面内における対称性との関係に着目した。そして、上記課題を解決する手段を見出した。すなわち、本発明のある態様においては、基板上に形成されたAサイトにBaと希土類元素とを含み、m10配向m=2n;9≧n≧1しているペロフスカイト型マンガン酸化物薄膜が提供される。本構成により、ペロフスカイト型マンガン酸化物の単結晶薄膜の原子積層面がAO-BO2-AO-BO2-という構造をとることとなる。このため、上記薄膜を膜厚方向にAeO-BO2-LnO-BO2と成長させながらAサイトを秩序化することが可能となり、しかも、面内の対称性が破れるため、100面方位では抑制されていた一次相転移が可能となる。mが偶数に選ばれる理由は原子積層面をAO-BO2-AOとするためである。これに対し、奇数であるmは、原子積層面がABO-O2-ABOとなるために採用することができない。なお、Aサイトとは、ABO3と表記したペロフスカイト結晶格子において、酸素八面体を面心の位置に有する立方体、より一般には平行六面体を考え、その立方体等の頂点をなす格子点である。また、m10配向とは、基板面に平行である薄膜表面すなわち膜面を指定するミラー指数がm10面となるように形成されるような結晶格子の配向以下、配向と記すを意味している。m=1の場合は110配向となり、100面が、その面に含まれる[001]軸面内[001]軸を中心として45度傾いているような配向を表している。薄膜表面に対する100面の角度は、一般のmについて、次式θ=arctan1/m式1により求められる。例えばm=1を式1に代入すれば上述した角度θが45度と算出され、同様に、m=2n=1に対して角度θが26.56度となることがわかる。このように、整数mが増加すると、m10配向を有している薄膜における100面が、薄膜表面あるいは基板面に対して平行となる向きに近づいていく。ここで、式1に従えば、m=18n=9に対応する角度θは3.18度となる。このように、薄膜面を指定するためには、面指数をもって記述する以外に、角度θにより表現することもある。この場合の角度θを、特に基板面傾斜が微小である場合にoff角とも呼ぶ。この角度θと面指数との対応関係はやはり式1により与えられる。特にmまたはnの上限をみると18≧mつまり9≧nが成り立つ。このmまたはnに関する上限は、100面のoff角角度θが3度より大きくなる数のうち、mを偶数またはnを整数とすべきことに対応している。これは、off角が3度以下となると、一次相転移に必要な格子変形が抑制されてしまうことが実験的に確認されたためである。また、本発明の上記態様のペロフスカイト型マンガン酸化物薄膜において、好ましくは、mが2であり、210配向している。本構成により、本発明の上記態様において、膜厚方向に薄膜を成長させながらAサイトを秩序化した薄膜の作製が最も容易となる。上述したように、m10面は、面内[001]軸を中心として式1を満たすように100面を傾けたものと等価である。この傾斜に伴い、薄膜の面に沿った格子間隔が影響を受ける。具体的には、面内[001]軸の方向については100面方位の場合と何ら変わらないのに対し、面内[001]軸と直交する[1-m0]軸方向に関しては、mが増すにつれて、格子間隔が長くなる。このため、mの値が大きくなるにつれて原子位置が定まりにくくなるとともに、結晶成長が一層困難になる。加えて、薄膜成長方向である面直方向においてはmが増すごとに原子層の間隔が狭くなり表面の規定も困難になる。これらの理由から、m10面のうち薄膜作製の観点から最も好ましいものは、最も指数の小さい210配向である。さらに、本発明の上記態様のペロフスカイト型マンガン酸化物薄膜において、好ましくは、前記基板が210面ペロフスカイト型単結晶とされる。本構成により、上記態様において基板面方位を利用したエピタキシャル成長が可能となるため、210配向したAサイト秩序化ペロフスカイト型マンガン酸化物の単結晶薄膜作製が容易となる。本発明においては、ペロフスカイト型マンガン酸化物薄膜の製造方法の態様も提供される。すなわち、本発明のある態様においては、ペロフスカイト結晶格子のAサイトにBa原子と希土類元素とを含むペロフスカイト型マンガン酸化物薄膜の製造方法であって、前記希土類元素と酸素とを含む面における酸素が欠損したピラミッド構造をとる原子層または薄膜をレーザーアブレーション法によって形成する第1工程と、該第1工程において前記ピラミッド構造において酸素が欠損しているサイトに酸素を充填する第2工程とを含み、前記第1工程の処理が行われる雰囲気の酸素分圧を前記ピラミッド構造に酸素欠損を生じさせるために熱力学的に必要となる値に制御しながら、酸素以外のガスを含む前記雰囲気の全圧を前記Aサイトの組成比が変動しない値に制御するペロフスカイト型マンガン酸化物薄膜の製造方法が提供される。本構成により、従来得られていたペロフスカイト型マンガン酸化物薄膜のための作製条件を大きく変更することなく、Aサイトの組成比が変動しにくいペロフスカイト型マンガン酸化物薄膜を製造することが可能となる。本発明のいずれかの態様においては、室温でのスイッチング動作に必要となる、室温以上の電荷整列相や軌道整列相の転移温度を示すAサイト秩序化ペロフスカイト型マンガン酸化物薄膜が実現される。以下、本発明に係るペロフスカイト型マンガン酸化物薄膜の実施形態を説明する。以下の説明に際し特に言及がない限り、全図にわたり共通する部分または要素には共通する参照符号が付されている。また、図中、各実施形態の要素のそれぞれは、必ずしも互いの縮尺比を保って示されてはいない。<第1実施形態>本実施形態のペロフスカイト型マンガン酸化物薄膜として、m=2n=1の場合に相当する210配向の例を取り上げ、薄膜の表面平坦性、結晶構造、電荷整列相の転移温度transitiontemperatureforchargeorderedphase;Tcoについて説明する。図1に、基板1の面の上に形成したペロフスカイト型マンガン酸化物薄膜2以下、酸化物薄膜2と記すの概略断面図を示す。酸化物薄膜2の性質を測定するサンプルにおいては、薄膜上部にAu-Pd合金からなる電極図示しないをスパッタ法により形成する。その電極は、転移温度Tcoの調査として実施される電気抵抗あるいは抵抗率の温度依存性を測定するための四端子法に用いる。基板1として採用されるものは、例えば、210面を表面に有するSrTiO3基板以下、SrTiO3210基板というである。また、酸化物薄膜2に採用する物質としては例えばSmBaMn2O6薄膜を採用する。SmBaMn2O6は、電荷整列相の転移温度Tcoが電気抵抗を測定可能な温度範囲内である380K付近にあることから、本実施形態の適用可能性を調査するのに適するためである。まず初めに図2を参照して、本実施形態において採用される210面方位の立方晶ペロフスカイト構造について説明する。図2は、立方晶ペロフスカイト構造が210面方位に成長する場合の結晶格子の傾斜の様子を示す概略側面図である。この立方晶ペロフスカイト構造は、本実施形態においては、基板1と、その上にエピタキシャルに形成される酸化物薄膜2との両方がとる結晶構造であるため、一般性を失わない表現によって説明する。ペロフスカイト構造は一般にABO3と表記され、立方晶のユニットセルにおいて、Aが頂点、Bが体心、そしてO酸素が面心の各位置を占めている。本実施形態の説明において、頂点のサイトをAサイトとよび、そこを占める原子をA原子と呼ぶ。体心のBサイトの原子も同様にB原子と呼ぶ。なお、本実施形態において説明するペロフスカイト構造を図2において立方晶により説明しているのは単に説明の簡明さのためである。本実施形態に含まれるペロフスカイト構造には、立方晶以外にも、正方晶、斜方晶、単斜晶monoclinicなど、何らかの変形を伴う任意の結晶格子の位置に上述のA、B、O原子を配置しているものも含まれている。さらに、例えば、上述のユニットセルを複数つなげてはじめて結晶格子の基本単位格子が得られるような結晶構造の物質も、本実施形態に含まれている。図2においては、紙面に向かって図の上下方向を薄膜成長方向[210]軸;以降面直方向と呼ぶとし、それに垂直な基板面および薄膜表面210面、つまり[0-20]軸および[001]軸方向を含む面を図の左右方向にとっている。図2aと図2bは、面内[1-20]軸に向かってみたユニットセルの側面図図2a、および、面内[001]軸に向かってみたユニットセルの側面図図2bである。210面が基板面に対して有する角度、すなわち傾斜前の100面からの角度θは、式1で求めたように約26.56度である。また、基板1または酸化物薄膜2においては、面直方向にAO-BO2-AOと交互に原子面が積み重なっている。SrTiO3210基板では、面直方向210面の面間隔はd210=asinθ式2から求められる。θに26.56度、aに0.3905nmを代入すると、d210として0.1746nmが得られる。また、立方晶のユニットセルが100面方位から26.56度傾いたという見方をすると、面直方向の間隔は、3d210である0.5238nmとなる。図2aには、d210および3d210によって示されている間隔を例示している。さらに、面内原子位置における周期性まで考慮した面直方向の長さ周期は、5d210である0.873nmとなる。図3は、本発明のある実施形態における210面方位を採用した立方晶ペロフスカイト構造において、結晶格子の一部を拡大して示す構成図である。図3は、面内[001]軸に向かう向きに描かれている。また、図4は、基板1および酸化物薄膜2における結晶格子において、基板面内の原子層の原子配置を、基板面および薄膜表面に対して平行な二つの面に関して示す水平断面図である。これらのうち、図4aは、A原子およびO酸素原子を含む面つまりAO層における断面図であり、図4bは、B原子およびO原子を含む面つまりBO2層における断面図である。各断面の位置を図3に明示している。図4aおよびbは、ともに、紙面に向かって図の上下方向を面内[001]軸、左右方向を面内[1-20]軸としている。図3に示したように、210面方位を採用した場合には、基板1および酸化物薄膜2のすべての原子層は、AO層と、BO2層とによって構成される。これらの原子層は、面直方向の長さ周期として説明した最も短いものであるd210の1/2の距離だけ互いに離れている。これらの原子層においては、図4aおよび図4bに示されるように、面内[001]軸方向の格子間隔は、成長面として100面を採用した場合の格子間隔と同一であるのに対し、面内[1-20]軸方向の格子間隔は100面を採用した場合に比べて拡がることとなる。特に面内対称性については、図2bに示したように、角度θが45度よりも小さい場合には、面内[1-20]軸についての対称性を失い非対称となる。このため、本質的に中心対称性が破れている。つまり、100面方位基板において見られた4回対称性は、本実施形態においては破れている。これが理由となって、酸化物薄膜2における一次相転移が可能になる。次に、本実施家形態においてAサイトが秩序化されている酸化物薄膜2の結晶構造について説明する。図5~図7には、本実施形態の酸化物薄膜2の一例であるLnBaMn2O6を図2~図4と同様の図法によって示している。図2と図5を対比させればわかるように、酸化物薄膜2のLnBaMn2O6は、Aサイトにおけるアルカリ土類元素Baと希土類元素Lnとが秩序化した結晶構造を有している。この酸化物薄膜2のLnBaMn2O6を形成するためには、図4aに示していたAO面の原子層を、BaO層図7aとLnO層図7cとを交互に切り替えながら酸化物薄膜2を形成する。具体的には、図6および図7に示されるように、薄膜成長方向である面直方向に向かって、順に、BaO-BO2-LnO-BO2-BaO-BO2-LnO-BO2という原子層を、基板にコヒーレントに成長させてゆく。その結果、その順序を保った原子層の積層体が人為的に作り上げられる。これにより、本実施形態の酸化物薄膜2におけるLnBaMn2O6の結晶格子は、AサイトにおいてLnとBa原子の配置に規則的な並びが導入されたものとなっている。このように、原子層を制御して選択的に成長させることによって、本実施形態の酸化物薄膜2のAサイト秩序化が達成される。[実施例および比較例]次に、上述した本実施形態に従って作製した実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することかできる。したがって、本発明の範囲は以下の具体例に限定されるものではない。本実施例においては、基板の処理と成膜処理について説明し、その後に実施例および比較例を対象にして行った測定結果について説明する。まず、SrTiO3210基板を基板1として準備した。基板1の一方の面の上に成膜するため、表面の平坦化について説明する。SrTiO3210基板は作製されたままの段階において、100基板のような、いわゆるステップ出しは行われていない。実際、SrTiO3210基板1の表面をAFM原子間力顕微鏡観察して確認したところ、表面はnmレベルでは平坦だが原子ステップとテラスのような規則構造までは見られなかった。通常、SrTiO3の100や110面方位の基板においては、ステップ出しをしていない場合でもペロフスカイト型マンガン酸化物薄膜のための成膜条件基板温度800~900°C、酸素分圧0.1~10mTorr1.3×102~1.3Paを経ることにより、ステップとテラスを呈する表面が得られる。しかし、SrTiO3210の基板1ではそのような表面は見られなかった。その一因としては、上述したように、210面では面直方向の表面を規定することが100や110よりも困難なためと考えられる。そこで、本実施例の基板1としては、規則構造を伴う表面平坦化を狙い、作製されたままのSrTiO3210の基板サンプルを対象に、大気中におけるアニール処理を実施したものを採用した。そのアニール処理の条件は、アニール時間を固定してアニール炉の設定温度アニール温度を変更することにより、事前に決定した。具体的には、アニール時間を12時間とし、アニール温度を、基板サンプルごとに1000°C、1100°C、1150°Cと変更した。アニール後に各基板サンプルの表面観察を行った結果、1000°Cでは表面構造の変化はみられなかった。ところが、1100°Cでのアニール処理により、ステップとテラス状の規則構造が形成されるとともに、テラス領域が原子層レベルで平坦化されることが明らかとなった。210面直方向の原子層段差は1/2d210が0.0873nmと非常に小さいが、アニールによりステップバンチングが生じるため、3d210に相当する0.5238nmや、6d210に相当する1.046nmのステップが形成されたと考えられる。さらに、1150°Cの基板サンプルにおいては析出物が生じた。このような事前検討に基づいて、最適アニール温度を1100°Cとし、その条件により基板1の表面を平坦化した。続いて、実施例に採用した成膜手法として、レーザーアブレーション法によるSmBaMn2O6薄膜作製について説明する。ターゲットには固相反応法で作製した多結晶材料をφ20mm×5mmの円筒形に成形したものを用いた。まず、基板1であるSrTiO3210基板と上記ターゲットとを真空チャンバー内に取り付けた後、真空チャンバーを3×109Torr5.3×107Pa以下に真空排気した。その後、高純度の酸素ガスを0.9×10-5Torr1.2×103Paの分圧となるように導入し、さらにArガスを全圧が約5mTorr6.7×101Paとなるまで真空チャンバーに導入した。その状態で基板を1040°Cに加熱した。ここで、酸素分圧と全圧を独立に制御したのは、本実施例を作製する際に、これまでに確立されている成膜条件を適用するためである。この点について補足して説明する。本実施例としては、Aサイトを秩序化する必要があることから、形成される薄膜の組成比が可能な限り一定であることが要求される。なぜなら、組成比のシフトが生じた場合、過剰な元素がそれとペアとなっている元素つまりカウンターパートのサイトに取り込まれることとなり、必然的に秩序度が低下するためである。この秩序度の低下を防止しうるような成膜条件を何ら予備知識に基づかずに精密に決定する作業には膨大な時間を要する。そこで、これまでに確立されている成膜条件を適用すること、すなわち通常のペロフスカイト型マンガン酸化物において確立されている成膜条件を活用することが可能であれば、上記組成のシフトを効果的に防止することが可能となるはずであると予測した。より具体的には、Aサイト秩序化をレーザーアブレーション法によって実行するためには、2段階のプロセスが関与している。第1段階第1工程では、Baイオンの巨大なイオン半径を利用して、通常であれば酸素八面体が形成される位置にSmO面の酸素が欠損したピラミッド構造を形成する。これは、静電的な差を利用することにより、Aサイトの秩序化構造を形成する工程である。第2段階第2工程は、第1段階において欠損した酸素を充填する段階である。この段階的なプロセスを用いる場合、第1段階においては、還元雰囲気における処理が必要となる。この第1段階の還元雰囲気における処理を従来のレーザーアブレーション法において行うためには、導入ガスとして酸素のみを用いることが多かった。そして、還元雰囲気において成膜する必要がある場合には、酸素分圧を単純に低下させるように成膜条件が変更されてきた。ところが、そのような条件変更では、レーザーアブレーションにおけるプルーム形状が変化してしまう。ここで、プルームとは、レーザーアブレーションにおいて生じるバルーン状のプラズマであり、そのプラズマ内においては組成に偏りが避けられないものである。酸素分圧を低下させて生じるプルーム形状の変化は、プルームが基板に衝突する位置を変化させ、組成に関する成膜条件のずれ、つまり組成のシフトを引き起こすという問題を生じさせてしまう。本願の発明者が検討したところ、酸素分圧を低下させながらもプルーム形状を変化させずに組成のシフトを防止することが可能となる手法が存在することが明らかとなった。これまでの酸素分圧の低下の条件変更では、特段の注意は払われてこなかったものの、雰囲気の全圧も変化していた。上述したプルーム形状の変化は、この全圧による影響を大きく受けており、酸素分圧を低下させても全圧を適切な値に維持すれば、プルームの形状には大きな変化は生じないことが確かめられた。そのため、熱力学的に要求される酸素分圧と、レーザーアブレーション特有のプルーム形状を同一に保つ全圧とを互いに独立して制御することにより、これまでに確立されている成膜条件を本実施形態の実施例を作製するために適用することが可能となるのである。本実施例に対しても、酸素分圧と全圧を互いに独立して制御しながら第1工程を行う上述した2段階の成膜方法を適用した。第1工程として、酸素分圧と全圧を制御した後、波長248nmのKrFエキシマレーザを、チャンバーのレーザー光導入ポートを通じてターゲットに照射し、膜厚約40nmのSmBaMn2O6薄膜を形成した。薄膜成長中はRHEED反射高速電子線回折により薄膜表面のその場観察を行った。210基板は異方的であるため、面内[001]軸に平行に電子線を入射させると、1-20面に関する情報が回折像として得られた。同様に面内[1-20]軸に平行に入射さると面内001面に関する情報が回折像として得られた。面内[1-20]軸に平行に電子線を入射すると、100面方位基板上に形成した薄膜と同様にラウエスポットとストリークからなるRHEEDパターンが観察され、nmスケールのレベルで平坦な薄膜が、基板に対してエピタキシャルに成長したことを確認した。第2工程として、薄膜成長後insituで400°Cのアニールを行い、欠損している酸素を充填した。なお、この際のアニール雰囲気は、Aサイト秩序が破壊されないように慎重にO2Ar比を調整して実施した。第2工程の別の手法として、一旦真空チャンバーから成膜済の基板を取り出した後、ポストアニール処理により酸素を充填してもよい。この場合の雰囲気ガスとして有効なものが、N2Oであることを確認している。Aサイト秩序化を破壊せずに酸素が充填されるためである。さらに、作製後の本実施例の薄膜が形成された基板1を取り出し、形成された薄膜の表面をAFM観察したところ、原子層レベルで平坦な表面が確認された。また、形成された薄膜を対象として逆格子空間マッピング測定を行った。この測定は、4軸X線回折により行い、211、310周りにマッピングを行った。その結果、形成された薄膜は、基板1にコヒーレントに成長した単結晶の酸化物薄膜2であることが明らかとなった。そして、電子顕微鏡を用いて制限視野下での電子線回折を測定した。この測定の超格子ピークの存在により、形成された薄膜においてAサイトの秩序化が達成されており、目的の酸化物薄膜2が形成されていることを確認した。以上のように、本実施例においてSrTiO3210基板である基板1上に成膜されたペロフスカイト型マンガン酸化物薄膜2が、原子層レベルで平坦な表面を有し、ミスフィット等の欠陥もなく、基板1にコヒーレントに成長していることを確認した。加えて、本実施形態を実施することにより、Aサイトが秩序化した210配向単結晶薄膜が得られることを確認した。次に、SrTiO3210基板を採用した本実施例との比較のために、SrTiO3100基板を用いて比較例を作製した。この比較例は、基板を変更した以外の条件は、上述した実施例に準じた条件により作製された。最後に、本実施形態の実施例を比較例と対比させて転移温度を測定した。具体的には、実施例および比較例の2種類のSmBaMn2O6薄膜を対象に、[001]軸方向の電気抵抗の温度依存性を調べた。測定においては、実施例および比較例のサンプルを対象に、最初に低温液体窒素温度77Kに冷却し、温度を一定のレートによって上昇させながら、四端子法によって電気抵抗の変化を測定した。その結果、400Kまでの温度範囲において、比較例の100配向したSmBaMn2O6薄膜では、単調な抵抗減少が観察されるのみであり電荷整列に伴う明瞭な抵抗変化は見られなかった。これに対し実施例の210配向したSmBaMn2O6薄膜では温度上昇による抵抗減少に加えて390K付近で明瞭な抵抗変化が認められた。このように、基板および酸化物薄膜2として210配向した結晶方位を採用した実施例では、酸化物薄膜2の一次相転移が可能であることが明らかとなった。なお、単結晶バルクでのTcoは上述したように380Kである。本願の発明者は、実施例の210面の結晶方位を活用した酸化物薄膜2において一次相転移が実現された理由は、210面において面内対称性が破れているためと考えている。以上説明したように、210配向したペロフスカイト型マンガン酸化物薄膜においては原子積層面がAO-BO2-AOとなるため膜厚方向にLnO-BO2-AeO-BO2と薄膜を成長させながらAサイトを秩序化することができ、かつ、面内の対称性が破れるため、100面方位では抑制されていた一次相転移が可能となる。このため、転移温度Tcoが室温またはそれを超える値となる。m10配向m=2n;9≧n≧1した薄膜においても面内対称性が同様に破れることから同様の効果が期待できる。なお、本実施形態で例示した薄膜や基板の材料やその組成、膜厚、形成方法等は、上記実施形態に限定されるものではない。以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。上述の各実施形態および実施例は、発明を説明するために記載されたものであり、本出願の発明の範囲は、特許請求の範囲の記載に基づいて定められるべきものである。また、各実施形態の他の組合せを含む本発明の範囲内に存在する変形例もまた、特許請求の範囲に含まれるものである。"