"第1の基板の一方の面上に吸収層を形成し、前記吸収層上に成膜材料を含む材料層を形成し、前記第1の基板の他方の面側から前記材料層に前記成膜材料の昇華温度より低い温度で第1の加熱処理をすることにより、前記材料層内の不純物を除去し、前記第1の基板の一方の面と、第2の基板の被成膜面とを対向させて配置し、前記第1の基板の他方の面から前記材料層に第2の加熱処理をすることにより、前記第2の基板の前記被成膜面に前記成膜材料を含む層を形成することを特徴とする成膜方法。第1の基板の一方の面上に吸収層を形成し、前記吸収層上に第1の成膜材料、第2の成膜材料及び下記式1を満たす高分子化合物を含む材料層を形成し、前記第1の基板の他方の面側から前記材料層に前記高分子化合物のガラス転移温度より低い温度で第1の加熱処理をすることにより、前記材料層内の不純物を除去し、前記第1の基板の一方の面と、第2の基板の被成膜面とを対向させて配置し、前記第1の基板の他方の面から前記材料層に第2の加熱処理をすることにより、前記第2の基板の前記被成膜面に前記第1の成膜材料と前記第2の成膜材料とを含む層を形成することを特徴とする成膜方法。Ta-100≦S≦4001ただし、式1中、Sは高分子化合物のガラス転移温度°Cを示し、Taは、第1の成膜材料又は第2の成膜材料の有する昇華温度のうち高い温度°Cを示す。請求項1又は2において、前記第1の加熱処理及び前記第2の加熱処理それぞれは、光源を用いて前記第1の基板の他方の面側から光を照射し、前記吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用いることを特徴とする成膜方法。基板の一方の面上に吸収層を形成し、前記吸収層上に成膜材料を含む材料層を形成し、前記基板の他方の面側から材料層に前記成膜材料の昇華温度より低い温度で加熱処理をすることにより、前記材料層内の不純物を除去することを特徴とする成膜用基板の作製方法。基板の一方の面上に吸収層を形成し、前記吸収層上に第1の成膜材料、第2の成膜材料及び下記式1を満たす高分子化合物を含む材料層を形成し、前記基板の他方の面側から材料層に、前記高分子化合物のガラス転移温度より低い温度で加熱処理をすることにより、前記材料層内の不純物を除去することを特徴とする成膜用基板の作製方法。Ta-100≦S≦4001ただし、式1中、Sは高分子化合物のガラス転移温度°Cを示し、Taは、第1の成膜材料又は第2の成膜材料の有する昇華温度のうち高い温度°Cを示す。請求項4又は5において、前記加熱処理は、光源を用いて前記基板の他方の面側から光を照射し、前記吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用いることを特徴とする成膜用基板の作製方法。成膜用基板上に形成された有機EL材料層中に水分又は残留溶媒等の不純物が含まれる場合、熱転写によって被成膜基板上に成膜された発光層にも不純物が混入してしまう。また、バインダとしてポリマーを用いた上記の他の発光層の成膜方法の場合には、湿式法を用いるため、真空蒸着法と比較して不純物が混入する可能性が高くなる。本発明の一態様は、被成膜基板に成膜される層に混入する不純物を低減できる成膜方法又はこの成膜方法に用いられる成膜用基板の作製方法を提供することを課題とする。本発明の一態様は、第1の基板の一方の面上に吸収層を形成し、前記吸収層上に成膜材料を含む材料層を形成し、前記第1の基板の他方の面側から前記材料層に前記成膜材料の昇華温度より低い温度で第1の加熱処理をすることにより、前記材料層内の不純物を除去し、前記第1の基板の一方の面と、第2の基板の被成膜面とを対向させて配置し、前記第1の基板の他方の面から前記材料層に第2の加熱処理をすることにより、前記第2の基板の前記被成膜面に前記成膜材料を含む層を形成することを特徴とする成膜方法である。上記本発明の一態様によれば、第1の基板に形成した材料層を第2の基板に転写して成膜する前に、事前処理として第1の基板の材料層を成膜材料の昇華温度より低い温度に加熱する。これにより、材料層内に成膜材料を保持しながら、昇華温度の低い不純物を材料層内から除去することができ、不純物の量を低減した成膜材料を含む層を第2の基板の被成膜面に形成することができる。本発明の一態様は、第1の基板の一方の面上に吸収層を形成し、前記吸収層上に第1の成膜材料、第2の成膜材料及び下記式1を満たす高分子化合物を含む材料層を形成し、前記第1の基板の他方の面側から前記材料層に前記高分子化合物のガラス転移温度より低い温度で第1の加熱処理をすることにより、前記材料層内の不純物を除去し、前記第1の基板の一方の面と、第2の基板の被成膜面とを対向させて配置し、前記第1の基板の他方の面から前記材料層に第2の加熱処理をすることにより、前記第2の基板の前記被成膜面に前記第1の成膜材料と前記第2の成膜材料とを含む層を形成することを特徴とする成膜方法である。Ta-100≦S≦400ただし、式1中、Sは高分子化合物のガラス転移温度°Cを示し、Taは、第1の成膜材料又は第2の成膜材料の有する昇華温度のうち高い温度°Cを示す。上記本発明の一態様によれば、第1の基板に形成した材料層を第2の基板に転写して成膜する前に、事前処理として第1の基板の材料層を高分子化合物のガラス転移温度より低い温度に加熱する第1の加熱処理を行う。これにより、材料層内に第1の成膜材料及び第2の成膜材料を保持しながら昇華温度の低い不純物を材料層内から除去することができ、不純物の量を低減した第1の成膜材料と第2の成膜材料とを含む層を第2の基板の被成膜面に形成することができる。また、本発明の一態様に係る成膜方法において、前記第1の加熱処理及び前記第2の加熱処理それぞれは、光源を用いて前記第1の基板の他方の面側から光を照射し、前記吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用いることが好ましい。本発明の一態様は、基板の一方の面上に吸収層を形成し、前記吸収層上に成膜材料を含む材料層を形成し、前記基板の他方の面側から材料層に前記成膜材料の昇華温度より低い温度で加熱処理をすることにより、前記材料層内の不純物を除去することを特徴とする成膜用基板の作製方法である。本発明の一態様は、基板の一方の面上に吸収層を形成し、前記吸収層上に第1の成膜材料、第2の成膜材料及び下記式1を満たす高分子化合物を含む材料層を形成し、前記基板の他方の面側から材料層に、前記高分子化合物のガラス転移温度より低い温度で加熱処理をすることにより、前記材料層内の不純物を除去することを特徴とする成膜用基板の作製方法である。Ta-100≦S≦4001ただし、式1中、Sは高分子化合物のガラス転移温度°Cを示し、Taは、第1の成膜材料又は第2の成膜材料の有する昇華温度のうち高い温度°Cを示す。また、本発明の一態様に係る成膜用基板の作製方法において、前記加熱処理は、光源を用いて前記基板の他方の面側から光を照射し、前記吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用いることが好ましい。本発明の一態様を適用することで、被成膜基板に成膜される層に混入する不純物を低減できる成膜方法又はこの成膜方法に用いられる成膜用基板の作製方法を提供することができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法について説明する。なお、本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法を利用して、発光素子のEL層を形成する場合について説明する。また、本実施の形態は、光源を用いて加熱処理を行う場合について説明する。図1A~Dは、本発明の一態様の成膜方法を説明するための断面図である。まず、図1A~Cに示す成膜用基板ドナー基板10の作製方法について説明する。図1Aに示すように、支持基板である第1の基板11の一方の面上に吸収層12を形成し、吸収層12上に少なくとも成膜材料としての有機材料15を含む有機EL材料層以下、材料層という。13を形成する。図1Aにおいて、材料層13には、水分や残留溶媒などの不純物14が含まれている。第1の基板11は、材料層を被成膜基板に成膜するために照射する光を透過する基板である。よって、第1の基板11は光の透過率が高い基板であることが好ましい。具体的には、材料層を成膜するためにランプ光やレーザ光を用いる場合、第1の基板11として、それらの光を透過する基板を用いることが好ましい。第1の基板11としては、例えば、ガラス基板、石英基板、無機材料を含むプラスチック基板などを用いることができる。吸収層12は、材料層13を加熱するために照射する光を吸収して、熱へと変換する層である。このため、少なくとも材料層13を加熱する領域に形成されていれば良く、吸収層12は例えば島状に形成されていても良い。吸収層12は、照射される光に対して、70以下の低い反射率を有し、また、高い吸収率を有する材料で形成されていることが好ましい。また、吸収層12は、それ自体が熱によって変化しないように、耐熱性に優れた材料で形成されていることが好ましい。吸収層12に用いることができる材料としては、例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化クロム、窒化マンガンなどの金属窒化物や、モリブデン、チタン、タングステン、カーボンなどを用いることが好ましい。吸収層12は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法で、モリブデン、タンタル、チタン、タングステンなどのターゲット、またはこれらの合金を用いたターゲットを用い、吸収層12を形成することができる。また、吸収層12は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。吸収層12の膜厚は、照射される光が透過しない膜厚であることが好ましい。材料によって異なるが、100nm以上2μm以下の膜厚であることが好ましい。特に、吸収層12の膜厚を100nm以上600nm以下とすることで、照射される光を効率良く吸収して発熱させることができる。なお、吸収層12は、材料層13に含まれる有機材料15が成膜温度まで加熱されるのであれば、照射する光の一部が透過してもよい。ただし、一部が透過する場合には、光が照射しても分解しない材料を、材料層13に用いることが好ましい。また、成膜温度とは、熱の作用によって成膜材料の少なくとも一部が成膜用基板より被成膜基板へ転写される温度を示す。材料層13は加熱により第2の基板に転写される層である。被成膜基板上に成膜する成膜材料としての有機材料15を含んで形成される層である。本実施の形態では、材料層13に含む成膜材料として一種類の有機材料15を用いたが、成膜材料として二種類以上の有機材料を用いることもできる。また、材料層13は単層でも良いし、複数の層が積層されていても良い。なお、本実施の形態において、転写とは、材料層13に含まれる有機材料15が、被成膜基板上に移されることを示す。材料層13は、種々の方法により形成される。例えば、湿式法であるスピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、ノズルプリンティング法又は印刷法等を用いることができる。また、乾式法である真空蒸着法、スパッタリング法等を用いることができる。湿式法を用いて材料層16を形成するには、所望の成膜材料を溶媒に溶解あるいは分散させ、溶液あるいは分散液を調整すればよい。溶媒は、成膜材料を溶解あるいは分散させることができ、且つ成膜材料と反応しないものであれば特に限定されない。例えば、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロメタン、1,2-ジクロロエタン、或いはクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、n-プロピルメチルケトン、或いはシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、或いはキシレンなどの芳香族系溶媒、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸n-ブチル、プロピオン酸エチル、γ-ブチロラクトン、或いは炭酸ジエチルなどのエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、或いはジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、或いはジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサン、又は水等を用いることができる。また、これらの溶媒複数種を混合して用いてもよい。湿式法を用いることにより、材料の利用効率を高めることができ、製造コストを低減することができる。なお、後の工程図1Dの工程で被成膜基板である第2の基板22上に形成されるEL層13aの膜厚は、支持基板である第1の基板11上に形成された材料層13に依存する。そのため、材料層13の膜厚を制御することにより、容易に被成膜基板である第2の基板22上に形成されるEL層13aの膜厚を制御することができる。また、EL層の膜厚および均一性が保たれるのであれば、材料層は必ずしも均一の層である必要はない。例えば、微細な島状に形成されていてもよいし、凹凸を有する層状に形成されていてもよい。次いで、図1Bに示すように、第1の基板11の裏面、すなわち材料層13が形成された面と反対側の面から矢印21aのように光をフラッシュランプ21によって照射する。この際の照射条件は、材料層13に含まれる有機材料15が昇華されない条件とする。すなわち、材料層13を有機材料15の昇華温度より低い温度に加熱するエネルギー強度とする。また、材料層13を100°C以上に加熱するエネルギー強度とするのが好ましい。照射された光は、第1の基板11を透過して、吸収層12において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、吸収層12と重なる領域の材料層13が有機材料15の昇華温度より低い温度に加熱される第1の加熱処理。これにより、材料層13内の水分や残留溶媒などの不純物14が除去される。なお、この不純物14は、その分子量が300以下のものである。材料層13の加熱温度が100°C以上であると、分子量300以下の不純物14は十分に除去される。このようにして図1Cに示す成膜用基板ドナー基板10が作製される。次に、図1Dに示すように、この成膜用基板10を用いて材料層13を被成膜基板20上に転写して成膜する方法について説明する。第1の基板11において、吸収層12及び材料層13が形成された面に対向する位置に、被成膜基板である第2の基板22を配置する。第2の基板22は、成膜処理により所望の層、例えば電極層23が成膜された被成膜基板である。第2の基板22は、必要な耐熱性を有していて表面に絶縁性を有する基板であれば特定のものに限定されない。例えば、ガラス基板、石英基板、絶縁膜を形成したステンレス基板等が挙げられる。また、加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有するプラスチック基板を用いても良い。この後、第1の基板11の裏面、すなわち材料層13が形成された面と対向する面から矢印21bのように光をフラッシュランプ21によって照射する。照射された光は、第1の基板11を透過して、吸収層12において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、吸収層12と重なる領域の材料層13が加熱される第2の加熱処理。加熱した材料層13は電極層23上に成膜され、これによってEL層13aが成膜される。なお、本実施の形態では、第1及び第2の加熱処理それぞれにおいて、照射する光の光源としてフラッシュランプ21を用いたが、光源としては種々のものを用いることができる。例えば、キセノンランプ、メタルハライドランプのような放電灯、ハロゲンランプ、タングステンランプのような発熱灯を光源として用いることができる。また、これらの光源をフラッシュランプ例えばキセノンフラッシュランプ、クリプトンフラッシュランプなどとして用いても良い。フラッシュランプは短時間0.1ミリ秒乃至10ミリ秒で非常に強度の高い光を繰り返し、大面積に照射することができるため、第1の基板の面積にかかわらず、効率よく均一に加熱することができる。また、発光させる時間の長さを変えることによって第1の基板11の加熱の制御もできる。また、光源としてレーザ発振装置を用いてもよい。レーザ光としては、例えば、Arレーザ、Krレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のYAG、YVO4、フォルステライトMg2SiO4、YAlO3、GdVO4、若しくは多結晶セラミックのYAG、Y2O3、YVO4、YAlO3、GdVO4に、ドーパントとしてNd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Taのうち1種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ti:サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。なお、照射する光としては、赤外光波長800nm以上であることが好ましい。赤外光であることにより、吸収層12における熱変換が効率よく行われ、成膜材料を効率よく加熱させることができる。また、第1及び第2の加熱処理それぞれは、水分と酸素が少ない雰囲気、又は減圧雰囲気で行われることが好ましい。減圧雰囲気は、成膜室内を真空排気手段により真空度が5×10-3Pa以下、好ましくは10-4Pa乃至10-6Pa程度の範囲になるように真空排気することで得られる。本実施の形態によれば、成膜用基板10に形成した材料層13を被成膜基板20に転写して成膜する前に、事前処理として成膜用基板10の材料層13を有機材料15の昇華温度より低い温度すなわち材料層13が転写されない温度に加熱する第1の加熱処理を行う。これにより、材料層13内に有機材料15を保持しながら、昇華温度の低い水分や残留溶媒などの不純物14を材料層13内から除去することができ、不純物の量を低減した材料層13を有する成膜用基板10を得ることができる図1C参照。従って、被成膜基板20に転写して成膜された有機材料15を含む層であるEL層13a内の不純物を低減することができる。これにより、特性や信頼性の高い有機EL素子を作製することができる。一般に、昇華温度は固体から基体への状態変化が生じる温度をいうが、本明細書等において不純物が液体である場合には、液体から気体への状態変化が生じる温度を含む意味で用いる。つまり、本明細書等において、昇華温度には、液体の蒸発温度すなわち沸点が含まれる場合がある。なお、本実施の形態では、被成膜基板である第2の基板22が、成膜用基板である第1の基板11の上方に位置する場合を図示したが、本実施の形態はこれに限定されない。基板の設置する向きは適宜設定することができる。第2の加熱処理による成膜方法は、第1の基板11に形成した材料層13の膜厚によって、成膜処理により被成膜基板20に成膜されるEL層13aの膜厚を制御することができる。つまり、成膜用基板10に形成した材料層13をそのまま成膜すればよいため、膜厚モニターが不要である。よって、膜厚モニターを利用した成膜速度の調節を使用者が行う必要がなく、成膜工程を全自動化することが可能である。そのため、生産性の向上を図ることができる。実施の形態2本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法について説明する。なお、本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法を利用して、発光素子のEL層を形成する場合について説明する。なお、本実施の形態に示す成膜方法において、特に記載がない場合には、実施の形態1と同様の材料及び作製方法によって行うものとする。図2には第1の基板に反射層、断熱層及び保護層を形成する場合の一例を示している。図2Aにおいて、支持基板である第1の基板101の一方の面上に反射層102が選択的に形成されている。なお、反射層102は開口部112を有している。また、反射層102上に断熱層104が形成されている。なお、断熱層104は反射層102の有する開口部と重なる位置に開口部112が形成されている。また、反射層102及び断熱層104が形成された第1の基板101上に開口部を覆う吸収層103が形成されている。また、吸収層103上に、保護層106が形成されている。また、保護層106上に成膜材料としての有機材料を含む材料層105が形成されている。図2Aにおいて、材料層105には、水分や残留溶媒などの不純物が含まれている。なお、本明細書において、重なるとは、成膜用基板を構成する要素例えば、反射層や吸収層等同士が直接接して重なり合う場合だけでなく、間に別の層を介して重なり合う場合も含むものとする。以下に成膜用基板の作製方法及びその成膜用基板を用いた成膜方法について説明する。はじめに、第1の基板101の一方の面上に反射層102を選択的に形成する。反射層102は、第1の基板101に照射する光を反射して、反射層102と重なる領域に形成された材料層105に、熱を与えないように遮断する層である。よって、反射層102は、照射する光に対して高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、反射層102は、照射される光に対して、反射率が85以上、さらに好ましくは、反射率が90以上の高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。反射層102に用いることができる材料としては、例えば、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金例えば、アルミニウム-チタン合金、アルミニウム-ネオジム合金、アルミニウム-チタン合金、または銀を含む合金銀-ネオジム合金などを用いることができる。なお、反射層102は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。また、反射層102の膜厚は、材料により異なるが、100nm以上とすることが好ましい。100nm以上の膜厚とすることにより、照射した光が反射層102を透過することを抑制することができる。また、第1の基板101に照射する光の波長により、反射層102に好適な材料の種類は変化する。また、反射層は一層に限らず複数の層により構成されていても良い。また、反射層を設けず第1の基板101上に直接吸収層103を形成しても良い。また、反射層102と吸収層103の反射率は差が大きいほど好ましい。具体的には、照射する光の波長に対して、反射率の差が25以上、より好ましくは30以上である。また、反射層102の開口部を形成する際には種々な方法を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、開口部の側壁が鋭くなり、微細なパターンを成膜することができる。次に、反射層102上に断熱層104を選択的に形成する。断熱層104は、反射層102と重なる領域に位置する材料層105が加熱され昇華するのを抑制するための層である。断熱層104としては、例えば、酸化チタン、酸化珪素、酸化窒化珪素、酸化ジルコニウム、炭化チタン等を好ましく用いることができる。ただし、断熱層104は、反射層102及び吸収層103に用いる材料よりも熱伝導率の低い材料を用いる。なお、本明細書において、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い物質である。断熱層104は、様々な方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、またはCVDchemicalvapordeposition法などにより形成することができる。また、断熱層の膜厚は、材料により異なるが、10nm以上2μm以下、好ましくは100nm以上600nm以下とすることができる。断熱層104を10nm以上2μm以下の膜厚とすることにより、反射層102が加熱された場合でも、反射層102の上に位置する材料層105に熱が伝導するのを遮断する効果を有する。また、断熱層104は、反射層102の開口部と重なる領域に開口部が形成されている。断熱層104のパターンを形成する際には、種々の方法を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、パターン形成された断熱層104の側壁が鋭くなり、微細なパターンを成膜することができる。なお、断熱層104と、反射層102のパターン形成を一度のエッチング工程によって行うと、断熱層104と反射層102に設けられる開口部の側壁をそろえることができ、より微細なパターンを成膜することができるため好ましい。また、本実施の形態において、断熱層104は反射層102と重なる位置のみに形成されているが、反射層102及び反射層102の開口部を覆って断熱層104を形成しても良い。この場合、断熱層104は可視光に対する透過性を有する必要がある。次に、断熱層104上に吸収層103を形成する。吸収層103は、実施の形態1で示した吸収層12と同様の材料を用いることができる。なお、吸収層103は選択的に形成しても良い。例えば、吸収層103を第1の基板101の全面に形成した後に、吸収層103をパターン形成して、反射層102及び断熱層104の開口部を覆うように島状にパターン形成する。この場合、全面に吸収層を形成する場合に比べ、吸収層内を面方向に熱が伝導することを防止できるため、より微細なEL層のパターン形成が可能となり、高性能な発光装置を実現することができる。次に、吸収層103上に保護層106を形成する。保護層106は、吸収層103に用いる物質が昇華し、被成膜基板上に形成するEL層に不純物として混入することを防ぐために形成する。また、保護層106は、吸収層103の酸化や変質、熱による変形を防止する。保護層106を形成することによって、吸収層103の劣化を防ぐことができるため、成膜用基板をより多く繰り返し利用することが可能である。したがって、材料の消費量及びコストを抑えることができる。保護層106としては、例えば、窒化珪素SiNx、窒化酸化珪素、酸化チタン、酸化珪素、酸化窒化珪素、酸化ジルコニウム、窒化チタン、炭化チタン、または酸化インジウム-酸化スズITO:IndiumTinOxide等により構成されている。保護層106の厚みは、吸収層103を良好に保護することができる程度であることが好ましく、例えば100nm程度とすることができる。なお、保護層106は設けなくても良い。また、保護層106は吸収層103と重なる部分に選択的に形成しても良い。次に、保護層106上に材料層105を形成する。材料層105は、実施の形態1で示した材料層13と同様のものを用いることができる。また、材料層105は選択的に形成しても良い。次いで、図2Bに示すように、第1の基板101の裏面、すなわち材料層105が形成された面と反対側の面から矢印110aのように光をフラッシュランプによって照射する。この際の照射条件は、材料層105に含まれる成膜材料が昇華されない条件とする。すなわち、材料層105を成膜材料の昇華温度より低い温度に加熱するエネルギー強度とする。また、材料層105を100°C以上に加熱するエネルギー強度とするのが好ましい。照射された光は、第1の基板101を透過して、反射層102が形成された領域においては反射し、反射層102に設けられた開口部112においては透過して、開口部と重なる領域の吸収層103において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、当該領域の吸収層103と重なる領域の材料層105が成膜材料の昇華温度より低い温度に加熱される第1の加熱処理。これにより、材料層105内の水分や残留溶媒などの不純物が除去される。なお、この不純物は、その分子量が300以下のものである。材料層105の加熱温度が100°C以上であると、分子量300以下の不純物は十分に除去される。次いで、図2Cに示すように、第1の基板101において、材料層105等が形成された面に対向する位置に、第2の基板107を配置する。なお、ここでは本発明の一態様の成膜用基板を用いて発光素子のEL層を形成する場合について説明するため、第2の基板107上には、発光素子の一方の電極となる電極層108を有している。電極層108の端部は、絶縁物111で覆われていることが好ましい。本実施の形態において、電極層は、発光素子の陽極あるいは陰極となる電極を示している。なお、図2Bに示す第1の加熱処理を、図2Cに示すように、第1の基板101と、第2の基板107を対向させて配置した状態で行うことも可能である。ただし、加熱処理された第1の基板から放出された不純物が、第2の基板に付着するのを防止するために、第1の加熱処理は第2の基板を第1の基板に対向させて配置することなく行うのがより好ましい。材料層105の表面と第2の基板107の表面は、距離dだけの間隔をとって配置される。ここで、距離dは、0mm以上2mm以下、好ましくは0mm以上0.05mm以下、さらに好ましくは0mm以上0.03mm以下とする。なお、距離dは、第1の基板上の材料層105の表面と、第2の基板の表面との距離で定義するものとする。ただし、第2の基板上に何らかの膜例えば、電極として機能する導電膜又は隔壁等が形成され、被成膜基板表面に凹凸を有する場合、距離dは、第1の基板上の材料層105の表面と、第2の基板に形成された層の最表面、即ち、これらの膜導電膜又は隔壁等の表面との距離で定義するものとする。この後、図2Cに示すように、第1の基板101の裏面から矢印110のように光をフラッシュランプによって照射する。この際の照射条件は、材料層105に含まれる成膜材料が昇華される条件とする。すなわち、材料層105を成膜材料の昇華温度以上に加熱するエネルギー強度とする。照射された光は、第1の基板101を透過して、反射層102が形成された領域においては反射し、反射層102に設けられた開口部112においては透過して、開口部と重なる領域の吸収層103において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、当該領域の吸収層103と重なる領域の材料層105が加熱され第2の加熱処理、材料層105に含まれる成膜材料が第2の基板107上に成膜される。これにより、第2の基板107上に、発光素子のEL層109が選択的に形成される。なお、第1の基板101に光110を照射した際に、吸収層103で発生した熱が面方向に伝導して吸収層に接する反射層102が加熱されることがある。また、反射率が85以上の材料を用いて反射層102を形成したとしても、照射する光の熱量によっては、ある程度の熱の吸収がある。しかしながら、本実施の形態の成膜用基板は、反射層102と材料105との間に、熱伝導率の低い材料によって形成された断熱層104が設けられているため、反射層102が加熱された場合であっても、断熱層104において、材料層105への熱の伝導を遮断することができる。これによって、選択的に、開口部112と重なる領域の材料層105に含まれる成膜材料を、被成膜基板上に成膜し、所望のパターンのEL層109を形成することができる。本実施の形態によれば、成膜用基板に形成した材料層105を被成膜基板に転写して成膜する前に、事前処理として成膜用基板の材料層105を成膜材料の昇華温度より低い温度すなわち材料層が転写されない温度に加熱する第1の加熱処理を行う。これにより、材料層105内に成膜材料を保持しながら昇華温度の低い水分や残留溶媒などの不純物を材料層105内から除去することができ、不純物の量を低減した材料層105を有する成膜用基板を得ることができる図2B参照。従って、被成膜基板に転写して成膜された成膜材料を含む層であるEL層109内の不純物を低減することができる。これにより、特性や信頼性の高い有機EL素子を作製することができる。なお、本実施の形態では、被成膜基板である第2の基板107が、支持基板である第1の基板101の下方に位置する場合を図示したが、本実施の形態はこれに限定されない。基板の設置する向きは適宜設定することができる。実施の形態3本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法について説明する。なお、本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法を利用して、発光素子のEL層を形成する場合について説明する。また、本実施の形態は、光源を用いて加熱処理を行う場合について説明する。図3A~Dは、本発明の一態様の成膜方法を説明するための断面図であり、図1と同一部分には同一符号を付す。まず、図3A~Cに示す成膜用基板ドナー基板10aの作製方法について説明する。図3Aに示すように、第1の基板11の一方の面上に吸収層12を形成し、吸収層12上に少なくとも第1の成膜材料としての有機材料15a、第2の成膜材料としての有機材料図示せず及び高分子化合物ポリマー17を含む有機EL材料層以下、材料層という。16を形成する。図3Aにおいて、材料層16には、水分や残留溶媒、残留モノマーなどの不純物14が含まれている。第1の基板11は、実施の形態1と同様のものを用いることができる。吸収層12は、材料層16を加熱するために照射する光を吸収して、熱へと変換する層であり、実施の形態1と同様のものを用いることができる。なお、吸収層12は、材料層16に含まれる有機材料15aが成膜温度まで加熱されるのであれば、照射する光の一部が透過してもよい。ただし、一部が透過する場合には、光が照射しても分解しない材料を、材料層13に用いることが好ましい。材料層16は加熱により第2の基板に転写される層である。被成膜基板上に成膜する第1の成膜材料としての有機材料15及び第2の成膜材料としての有機材料を含んで形成される層である。本実施の形態では、材料層16に第1の成膜材料と第2の成膜材料の二種を用いたが、材料層16としては三種以上の成膜材料を用いることもできる。また、材料層16は単層でも良いし、複数の層が積層されていても良い。なお、本実施の形態において、転写とは、材料層16に含まれる第1の成膜材料及び第2の成膜材料が、被成膜基板上に移されることを示す。材料層16は、湿式法を用いて形成することができる。湿式法を用いて材料層16を形成するには、所望の第1の成膜材料、第2の成膜材料及び高分子化合物を溶媒に溶解あるいは分散させ、溶液あるいは分散液を調整すればよい。溶媒は、第1の成膜材料、第2の成膜材料及び高分子化合物を溶解あるいは分散させることができ、且つ第1の成膜材料、第2の成膜材料及び高分子化合物と反応しないものであれば特に限定されない。例えば、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロメタン、1,2-ジクロロエタン、或いはクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、n-プロピルメチルケトン、或いはシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、或いはキシレンなどの芳香族系溶媒、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸n-ブチル、プロピオン酸エチル、γ-ブチロラクトン、或いは炭酸ジエチルなどのエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、或いはジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、或いはジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサン、又は水等を用いることができる。また、これらの溶媒複数種を混合して用いてもよい。湿式法を用いることにより、材料の利用効率を高めることができ、製造コストを低減することができる。なお、後の工程図3Dの工程で被成膜基板である第2の基板22上に形成されるEL層16aの膜厚は、支持基板である第1の基板11上に形成された材料層16に依存する。そのため、材料層16の膜厚を制御することにより、容易に被成膜基板である第2の基板22上に形成されるEL層16aの膜厚を制御することができる。また、EL層の膜厚および均一性が保たれるのであれば、材料層は必ずしも均一の層である必要はない。例えば、微細な島状に形成されていてもよいし、凹凸を有する層状に形成されていてもよい。本実施の形態では、被成膜基板上に発光素子のEL層を形成するために、材料層16に含まれる第1の成膜材料としての有機材料15aに発光物質を用い、かつ第2の成膜材料に発光物質を分散する有機化合物を用いる。発光物質としては、例えば蛍光を発光する蛍光性化合物や、燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。発光物質を分散する有機化合物としては、発光物質が蛍光性化合物の場合には、蛍光性化合物よりも一重項励起エネルギー基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差が大きい物質を用いることが好ましい。また、発光物質が燐光性化合物の場合には、燐光性化合物よりも三重項励起エネルギー基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差が大きい物質を用いることが好ましい。なお、材料層16に含まれる成膜材料として、発光物質を分散させる有機化合物を2種類以上用いても良いし、有機化合物に分散される発光物質を2種類以上用いても良い。また、2種類以上の発光物質を分散させる有機化合物と2種類以上の発光物質を用いても良い。材料層16に含まれる高分子化合物17としては、ガラス転移温度が下記式1を満たす高分子化合物を用いる。さらに好ましくは、ガラス転移温度が下記式2を満たす高分子化合物を用いる。なお、下記式1、2において、第1の成膜材料及び第2の成膜材料の昇華温度は同じ真空度例えば真空度10-3Paで測定することとする。Ta-100≦S≦4001Ta-70≦S≦4002ただし、式1、2中、Sは高分子化合物のガラス転移温度°Cを示し、Taは、第1の成膜材料又は第2の成膜材料の昇華温度のうち高い温度°Cを示す。高分子化合物17のガラス転移温度が上記式1、好ましくは上記式2を満たす範囲であれば、第1の成膜材料又は第2の成膜材料の昇華温度のうち低い温度に達しても、昇華温度に達した成膜材料は材料層16から転写されにくい。これは、高分子化合物17によって、第1の成膜材料及び第2の成膜材料が材料層16中で移動することを抑制されるためである。そして、第1の成膜材料又は第2の成膜材料の昇華温度のうち高い温度を超えると、第1の成膜材料及び第2の成膜材料は材料層16中を移動することが容易となり、被成膜基板上に転写される。よって、第1の成膜材料の転写と第2の成膜材料の転写に時間差が生じにくくなり、被成膜基板上に濃度勾配の少ないEL層を形成することができる。しかし、高分子化合物17のガラス転移温度が上記式1の範囲より低いと、第1の成膜材料及び第2の成膜材料は材料層16中で移動することを抑制されにくいため、昇華温度の低い成膜材料が先に転写され、その後、昇華温度の高い成膜材料が転写される。また、高分子化合物のガラス転移温度が上記式1の範囲より高いと、第1の成膜材料及び第2の成膜材料の昇華温度のうち高い温度を超えた後も、第1の成膜材料及び第2の成膜材料は材料層16中で移動することが抑制され、転写が容易に行われなくなる。よって、高分子化合物17としては、ガラス転移温度が上記式1、好ましくは上記式2を満たす高分子化合物を用いる。なお、高分子化合物17としてガラス転移温度が200°Cの材料を用い、第1の成膜材料および第2の成膜材料として、昇華温度が210°Cの材料および昇華温度が260°Cの材料を用いた場合には、良好な転写が実現された。一方で、高分子化合物17としてガラス転移温度が200°Cの材料を用い、第1の成膜材料および第2の成膜材料として、昇華温度が210°Cの材料および昇華温度が302°Cの材料を用いた場合には、良好な転写は実現されなかった。このことは、上記式1、2に合致する条件において、好適な材料層16が実現されることを示すものである。材料層16に含まれる高分子化合物17としては、シクロオレフィンポリマーが好ましい。シクロオレフィンポリマーは溶媒に溶けやすいため、被成膜基板に成膜した後、成膜用基板上に残った第1の成膜材料及び第2の成膜材料を含むシクロオレフィンポリマーを溶媒に再溶解することで、成膜用基板を再利用することが可能である。したがって、材料の消費量及びコストを抑えることができる。また、高分子化合物17として、オレフィン、ビニル、アクリル又はポリイミドPI等を用いても良いし、高分子材料のEL材料を用いても良い。高分子材料のEL材料としては、例えば、ポリN-ビニルカルバゾールPVKやポリp-フェニレンビニレンPPVが挙げられる。また、エポキシ樹脂、アクリル樹脂やシロキサンのような架橋型ポリマーを用いても良い。なお、本明細書中において、高分子化合物とは、1種もしくは複数種の単量体モノマーによる繰り返し構造を持つ重合体ポリマーを意味する。高分子化合物は粘度の調整が容易であるため、用途に応じて高分子化合物の溶液の粘度を自由に調整できる。例えば、液滴吐出法により材料層16が形成される場合、高分子化合物の溶液の粘度を高めることで、被成膜面上に高分子化合物が拡がらず、微細なパターンを形成することができる。高分子化合物の粘度の調整は、高分子化合物の分子量を調整する、又は高分子化合物と溶媒の比率を変えることで実現することができる。一般に、高分子化合物の比率が高くなると、溶液の粘度が高くなる。次いで、図3Bに示すように、第1の基板11の裏面、すなわち材料層16が形成された面と反対側の面から矢印21aのように光をフラッシュランプ21によって照射する。この際の照射条件は、高分子化合物17が軟化しない条件とする。すなわち、材料層16を高分子化合物17のガラス転移温度より低い温度に加熱するエネルギー強度とする。また、材料層16が100°C以上に加熱されるエネルギー強度とするのが好ましい。照射された光は、第1の基板11を透過して、吸収層12において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、吸収層12と重なる領域の材料層16が高分子化合物17のガラス転移温度より低い温度に加熱される第1の加熱処理。これにより、材料層16内の水分や残留溶媒、残留モノマーなどの不純物14が除去される。なお、この不純物14は、その分子量が300以下のものである。材料層16の加熱温度が100°C以上であると、分子量300以下の不純物14は十分に除去される。このようにして図3Cに示す成膜用基板ドナー基板10aが作製される。次に、図3Dに示すように、この成膜用基板10aを用いて材料層16を被成膜基板20上に転写して成膜する方法について説明する。第1の基板11において、吸収層12及び材料層16が形成された面に対向する位置に、被成膜基板である第2の基板22を配置する。第2の基板22は、実施の形態1と同様のものを用いることができる。この後、第1の基板11の裏面、すなわち材料層16が形成された第1の基板11の他方の面側から第2の加熱処理を行うことにより、材料層16中の、第1の成膜材料及び第2の成膜材料が、第2の基板22上に成膜される。これにより、第2の基板22上に発光素子のEL層16aが形成され、第1の基板11上に高分子化合物17を有する層16bが残される。第2の加熱処理は、矢印21bのように光をフラッシュランプ21によって照射することで行う。詳細には、照射された光は、第1の基板11を透過して、吸収層12において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、吸収層12と重なる領域の材料層16が加熱される。加熱した材料層16は電極層23上に成膜され、これによってEL層16aが成膜される。なお、EL層16aは、材料層16の厚さよりも薄く形成される。また、EL層16aに、高分子化合物17の分解物が混入することもある。よって、EL層16aに含まれる高分子化合物は分解物がEL層の特性に影響を及ぼさない材料であることが好ましい。本実施の形態において、第2の加熱処理の温度は、第1の成膜材料及び第2の成膜材料の昇華温度を超えて、第1の成膜材料及び第2の成膜材料の昇華温度より50°Cを超えない範囲で高く設定することが好ましい。ここでの加熱処理の温度は第1の基板表面において計測したものである。また、第1の成膜材料及び第2の成膜材料の昇華温度のうち、最も高い昇華温度以上の温度となるよう、第2の加熱処理を行うことが好ましい。この場合、昇華温度が最も高い成膜材料の昇華温度を超えて50°Cまでの温度範囲内で高めの温度に設定することが好ましいが、昇華温度が低い物質の分解温度、被成膜基板との距離、被成膜基板の材質及び厚さを考慮して、上記温度範囲内で低めの温度ただし、昇華温度が最も高い物質の昇華温度以上とするに設定しても良い。なお、本実施の形態では、第1及び第2の加熱処理それぞれにおいて、照射する光の光源としてフラッシュランプ21を用いたが、光源としては実施の形態1と同様に種々のものを用いることができる。また、第1及び第2の加熱処理それぞれは、水分と酸素が少ない雰囲気、又は減圧雰囲気で行われることが好ましい。減圧雰囲気は、成膜室内を真空排気手段により真空度が5×10-3Pa以下、好ましくは10-4Pa乃至10-6Pa程度の範囲になるように真空排気することで得られる。本実施の形態によれば、成膜用基板10aに形成した材料層16を被成膜基板20に転写して成膜する前に、事前処理として成膜用基板10aの材料層16を高分子化合物17のガラス転移温度より低い温度すなわち材料層16が転写されない温度に加熱する第1の加熱処理を行う。これにより、材料層16内に第1の成膜材料及び第2の成膜材料を保持しながら昇華温度の低い水分や残留溶媒や残留モノマーなどの不純物14を材料層16内から除去することができ、不純物の量を低減した材料層16を有する成膜用基板10aを得ることができる図3C参照。従って、被成膜基板20に転写して成膜された第1の成膜材料及び第2の成膜材料を含む層であるEL層16a内の不純物を低減することができる。これにより、特性や信頼性の高い有機EL素子を作製することができる。なお、本実施の形態では、被成膜基板である第2の基板22が、成膜用基板である第1の基板11の上方に位置する場合を図示したが、本実施の形態はこれに限定されない。基板の設置する向きは適宜設定することができる。実施の形態4本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法について説明する。なお、本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法を利用して、発光素子のEL層を形成する場合について説明する。なお、本実施の形態に示す成膜方法において、特に記載がない場合には、実施の形態3と同様の材料及び作製方法によって行うものとする。図4には第1の基板に反射層及び断熱層を形成する場合の一例を示している。図4Aにおいて、支持基板である第1の基板201の一方の面上に反射層203が選択的に形成されている。なお、反射層203は開口部を有している。また、反射層203上に断熱層205が形成されている。なお、断熱層205は反射層203の有する開口部と重なる位置に開口部が形成されている。また、反射層203及び断熱層205が形成された第1の基板201上に開口部を覆う吸収層207が形成されている。また、吸収層207上に少なくとも第1の成膜材料、第2の成膜材料及び高分子化合物ポリマーを含む有機EL材料層以下、材料層という。209が形成されている。図4Aにおいて、材料層209には、水分や残留溶媒、残留モノマーなどの不純物が含まれている。以下に成膜用基板の作製方法及びその成膜用基板を用いた成膜方法について説明する。はじめに、第1の基板201の一方の面上に反射層203を選択的に形成する。反射層203は、第1の基板201に照射する光を反射して、反射層203と重なる領域に形成された材料層209に、熱を与えないように遮断する層である。なお、反射層203は、実施の形態2と同様のものを用いることができる。次に、反射層203上に断熱層205を選択的に形成する。断熱層205は、反射層203と重なる領域に位置する材料層209が加熱され昇華するのを抑制するための層である。断熱層205は、実施の形態2と同様のものを用いることができる。次に、断熱層205上に吸収層207を形成する。吸収層207は、実施の形態2と同様のものを用いることができる。次に、吸収層207上に材料層209を形成する。材料層209は、実施の形態3と同様のものを用いることができる。次いで、図4Bに示すように、第1の基板201の裏面、すなわち材料層209が形成された面と反対側の面から矢印110aのように光をフラッシュランプによって照射する。この際の照射条件は、材料層209に含まれる高分子化合物が軟化しない条件とする。すなわち、材料層209を高分子化合物のガラス転移温度より低い温度に加熱するエネルギー強度とする。また、材料層209を100°C以上に加熱するエネルギー強度とするのが好ましい。照射された光は、第1の基板201を透過して、反射層203が形成された領域においては反射し、反射層203に設けられた開口部においては透過して、開口部と重なる領域の吸収層207において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、当該領域の吸収層207と重なる領域の材料層209が高分子化合物のガラス転移温度より低い温度に加熱される第1の加熱処理。これにより、材料層209内の水分や残留溶媒、残留モノマーなどの不純物が除去される。なお、この不純物は、その分子量が300以下のものである。材料層209の加熱温度が100°C以上であると、分子量300以下の不純物は十分に除去される。次いで、図4Cに示すように、第1の基板201において、材料層209等が形成された面に対向する位置に、第2の基板211を配置する。なお、ここでは本発明の一態様の成膜用基板を用いて発光素子のEL層を形成する場合について説明するため、第2の基板211上には、発光素子の一方の電極となる電極層213を有している。電極層213の端部は、絶縁物215で覆われていることが好ましい。本実施の形態において、電極層は、発光素子の陽極あるいは陰極となる電極を示している。なお、図4Bに示す第1の加熱処理を、図4Cに示すように、第1の基板201と、第2の基板211を対向させて配置した状態で行うことも可能である。ただし、加熱処理された第1の基板から放出された不純物が、第2の基板に付着するのを防止するために、第1の加熱処理は第2の基板を第1の基板に対向させて配置することなく行うのがより好ましい。材料層209の表面と第2の基板211の表面は、距離dだけの間隔をとって配置される。距離dは、実施の形態2と同様のものを用いることができる。この後、図4Cに示すように、第1の基板201の裏面から矢印110のように光をフラッシュランプによって照射する。この際の照射条件は、材料層209に含まれる第1の成膜材料及び第2の成膜材料が昇華される条件とする。すなわち、材料層209を第1の成膜材料及び第2の成膜材料の昇華温度のうち、最も高い昇華温度以上に加熱するエネルギー強度とする。照射された光は、第1の基板201を透過して、反射層203が形成された領域においては反射し、反射層203に設けられた開口部においては透過して、開口部と重なる領域の吸収層207において吸収される。吸収された光が熱エネルギーへと変換されることで、当該領域の吸収層207と重なる領域の材料層209が加熱され第2の加熱処理、材料層209に含まれる第1の成膜材料及び第2成膜材料が第2の基板211上に成膜される。これにより、第2の基板211上に、発光素子のEL層217が選択的に形成される。本実施の形態によれば、成膜用基板に形成した材料層209を被成膜基板に転写して成膜する前に、事前処理として成膜用基板の材料層209を高分子化合物のガラス転移温度より低い温度すなわち材料層209が転写されない温度に加熱する第1の加熱処理を行う。これにより、材料層209内に第1の成膜材料及び第2の成膜材料を保持しながら昇華温度の低い水分や残留溶媒、残留モノマーなどの不純物を材料層209内から除去することができ、不純物の量を低減した材料層209を有する成膜用基板を得ることができる図4B参照。従って、被成膜基板に転写して成膜された第1の成膜材料及び第2の成膜材料を含む層であるEL層217内の不純物を低減することができる。これにより、特性や信頼性の高い有機EL素子を作製することができる。"