基板と、該基板上に設けられた化合物半導体からなる受光部を備えたメサ型の光ダイオードにおいて、前記メサ領域の上面および側面をすべて電極で覆うことを特徴とする光ダイオード。前記光ダイオードは、基板と、該基板上に形成された複数の化合物半導体層が形成された化合物半導体の積層体とを備え、前記化合物半導体の積層体は、該基板上に形成された、インジウム及びアンチモンを含み、n型ドーピングされた材料である第1化合物半導体層と、該第1化合物半導体層上に形成された、インジウム及びアンチモンを含み、ノンドープあるいはp型ドーピングされた材料である第2化合物半導体層と、該第2化合物半導体層上に形成された、前記第2化合物半導体層よりも高濃度にp型ドーピングされ、かつ前記第1化合物半導体層、及び前記第2化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料である第3化合物半導体層とを備えることを特徴とする請求項1に記載の光ダイオード。前記化合物半導体の積層体は、該第3化合物半導体層上に形成された、インジウム及びアンチモンを含み、前記第2化合物半導体層よりも高濃度にp型ドーピングされた第4化合物半導体層を更に備えることを特徴とする請求項2に記載の光ダイオード。本発明は、特許文献4に記載の光ダイオードの化合物半導体の積層構造において、基板裏面からの入射光の透過を防ぎ、従来よりも出力信号が大きい光ダイオード構造を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の請求項1に記載の光ダイオードは、基板と、該基板上に設けられた化合物半導体からなる受光部を備えたメサPN段差型の光ダイオードにおいて、上記メサPN段差領域の上面および側面をすべて電極で覆うことを特徴とする。また、本発明の請求項2に記載の光ダイオードは、上記請求項1において、上記光ダイオードは、基板と、該基板上に形成された複数の化合物半導体層が形成された化合物半導体の積層体とを備え、上記化合物半導体の積層体は、該基板上に形成された、インジウム及びアンチモンを含み、n型ドーピングされた材料である第1化合物半導体層と、該第1化合物半導体層上に形成された、インジウム及びアンチモンを含み、ノンドープあるいはp型ドーピングされた材料である第2化合物半導体層と、該第2化合物半導体層上に形成された、上記第2化合物半導体層よりも高濃度にp型ドーピングされ、かつ上記第1化合物半導体層、及び上記第2化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料である第3化合物半導体層とを備えることを特徴とする。また、本発明の請求項3に記載の光ダイオードは、上記請求項2において、上記化合物半導体の積層体は、該第3化合物半導体層上に形成された、インジウム及びアンチモンを含み、上記第2化合物半導体層よりも高濃度にp型ドーピングされた第4化合物半導体層を更に備えることを特徴とする。本発明によれば、受光部を含むPNメサの上部および側面のすべてを電極で被覆することにより、製造工程を変更することなく、基板裏面からの入射光の透過を防ぎ、かつ、PNメサと電極の界面で入射光を反射させて、従来よりも同じ入射光に対する出力信号が大きい光ダイオード構造を提供することができる。以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、以下で説明する図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。従来、人体から放射される赤外線を検出するいくつかの手法において、InSbの様な化合物半導体による量子型の赤外線センサは、高速、高感度という優れた性質を有していることが知られている。しかしながら、量子型の赤外線センサを使用して、人体から放射される赤外線を室温において検知する場合、検出素子の漏れ電流が非常に大きく、使用は極めて困難であることも知られている。この問題を解決する為に、特許文献3に記載の量子型の赤外線センサにおいては、図1に示すような化合物半導体の積層構造を使用した。ここで、特許文献3に記載の化合物半導体の積層構造については、その各層の材料に関して該特許文献中で実施例として示されている材料を使用して具体的に説明する。すなわち、半絶縁性のGaAs基板101上にn型ドーピングされたInSb層102第1化合物半導体層を積層し、上記n型ドーピングされたInSb層102上に、p型ドーピングされたInSb層またはInAsSb層103第2化合物半導体層、以後この層をπ層とも呼ぶを積層し、上記π層上に、π層よりも高濃度にp型ドーピングされたAlxIn1xSb層104第3化合物半導体層0<x<1を積層した図1に示す構造である。もしくは、上記高濃度にp型ドーピングされたAlxIn1xSb層104上に、さらに上記π層よりも高濃度にp型ドーピングされたInSb層105第4化合物半導体層を積層した図2に示す構造である。ここで、図2の積層構造を例として、その技術的特長を更に詳しく述べる。図2に示す積層構造のエネルギーバンド図の例を、図3に示す。図2の赤外線検出素子に赤外線が入射した場合、赤外線は光吸収層であるπ層p型ドーピングされたInSb層において吸収され、電子正孔対を生成する。生成した電子正孔対は、n層であるn型ドーピングされたInSb層102と、p層である高濃度にp型ドーピングされたInSb層105、および光吸収層であるp型ドーピングされたInSb層またはInAsSb層103のポテンシャル差、すなわちビルトインポテンシャルによって分離され、電子はn層側へ、正孔はp層側へと移動し光電流となる。この時、発生した電子がPINダイオードの順方向、すなわちp層側に拡散すると光電流として取り出すことは出来ない。この順方向へのキャリアの拡散が拡散電流である。ここで、光吸収層であるπ層と、p層である高濃度にp型ドーピングされたInSb層105との間に、第2化合物半導体層103として使用することができるInSbやInAsSbよりもバンドギャップのより大きな層、例えばAlInSb層を設けると、図3に示すように光吸収層としてのp型ドーピングされたInSb層またはInAsSb層103と、p層としてのInSb層105との間にエネルギーの壁を設けることが出来る。このエネルギーの壁すなわちバリア層により、光吸収層からp層への電子の拡散、すなわち拡散電流を防ぐこと、ないしは上記拡散電流を低減することが可能となる。この結果素子の感度を飛躍的に上げることができる。上述のようなエネルギーの壁として機能させるために、バリア層第3化合物半導体層104は、光吸収層であるπ層第2化合物半導体層103よりも高濃度にp型ドーピングされ、かつn層第1化合物半導体層、およびπ層よりも大きなバンドギャップを有する材料とすることが望ましい。上述のように、この構造においてバリア層であるAlInSb層は拡散電流を防ぐ、または軽減する為の非常に重要な層であり、その膜厚、および組成は素子の特性に大きく影響する。図4は、従来技術の光ダイオードの一部を示す断面図である。MBE法により、半絶縁性の、GaAs単結晶基板401上にSnを7×1018原子/cm3ドーピングしたInSb層402n層、第1化合物半導体層を1.0μm成長し、この上にZnを6×1016原子/cm3ドーピングしたInSb層403π層、第2化合物半導体層を1.0μm成長し、この上にAlの組成がX=0.220であり、Znを2×1018原子/cm3ドーピングしたAl02In08Sb層404バリア層、第3化合物半導体層を成長し、この上にZnを2×1018原子/cm3ドーピングしたInSb層405p層、第4化合物半導体層を0.5μm成長した。ここで、Al02In08Sb層404の膜厚は、15nm、20nm、25nm、40nmとした。また、Snはn型ドーパント、Znはp型ドーパントである。これらの材料はInSbにおいて活性化率が高く、好ましいドーピング材料である。上記化合物半導体薄膜の積層体を使用して、光ダイオードを作製した。まず、n型ドーピングを行っているInSb層402とのコンタクトを取るためのメサPN段差形成を行い、次に素子分離のためのエッチングを行った。その後、全面をSiN保護膜406で覆った。次にSiN保護膜406の所定の部分を取り除くことによって電極部分のみ窓開けを行い、Ti/Pt/Auを蒸着し、リフトオフ法により電極407を形成した。このとき、隣り合った素子同士を電気的に直列接続するように電極407を形成した。すなわち、ある素子のInSb層402と、その隣の素子のInSb層405とを電気的に接続するように電極407が形成される。作製した単一素子の受光面積は10μm×10μmであり、GaAs基板401上で910個直列接続している。赤外線を照射したときの直列接続した素子の開放電圧をセンサの出力電圧として測定した。なお、測定中のセンサ温度は室温27°Cである。入射する赤外線は500Kの黒体炉を使用して発生させ、センサから10cmの距離に黒体炉を設置した。この様な配置で、センサの基板401側から赤外線を入射した。入射した赤外線のエネルギーは1.2mW/cm2である。センサと黒体炉との間にはチョッピングをするためのチョッパーを設けた。光チョッピングの周波数は10Hzであり、フィルタとしてSiを使用した。ここで、従来の電極形状では、402、403、404、405で構成されたPNメサの一部は電極407に覆われていないため、基板401側から入射した光の一部は基板表面方向に透過する。また、PNメサの斜面上とメサ底部の最大3μm程度の高低差にパターン端が存在するようなレジストパターンを形成する必要がある。この高低差に対して、フォーカスを高低差の中間にして露光する、あるいは、2つの高さにフォーカスを合わせて露光することが必要であった。前者では、パターニング精度が悪化し、後者では製造工程が増えるという問題点がある。図5は、図4に対応する従来技術による光ダイオードの一部を示す断面図であり、図6は、本発明の一実施形態に係る光ダイオードの一部を示す断面図である。図6に示す電極407の形状は、図5に示す従来の電極の形状と比較して、PNメサの全てを覆うようにしている。このように本発明を適用すれば、基板401側から入射した光はすべて電極により反射され、受光部に吸収させることができる。また、レジストパターンニングについても、露光のフォーカスを同一平面状にあわせればよく、パターニング精度の向上も期待できる。本発明の効果を詳細に説明する。基板401側から入射した光は、量子効率が1ではないため、受光部で吸収されてキャリアを生じさせる光と、受光部を透過する光が存在する。後者の透過光をメサと電極界面で反射させることにより、再び受光部に達するためキャリアを生じさせることができる。本発明では、受光部を含むPNメサをすべて電極で覆っているため、あらゆる方向からの透過光が全て反射されて実効的な量子効率が増加し、光ダイオードの出力信号を増大させることができる。なお、上述では、n層である第1化合物半導体層402としてn型ドーピングされたInSbを使用しているがこれに限定されず、InインジウムおよびSbアンチモンを含み、n型ドーピングされた材料であれば、いずれの材料であっても良い。また、π層である第2化合物半導体層403としてp型ドーピングされたInSbを使用しているがこれに限定されず、他にInAsSb、InSbNなどInおよびSbを含み、p型ドーピングされた材料であれば、いずれの材料であっても良い。なお、第2化合物半導体層403は、ノンドープであっても良い。また、バリア層である第3化合物半導体層404としてπ層よりも高濃度にp型ドーピングされたAlxIn1xSb層を使用しているがこれに限定されず、AlInSb、GaInSb、またはAlAs、InAs、GaAs、AlSb、GaSb及びそれらの混晶のいずれか等、第2化合物半導体層403よりも高濃度にp型ドーピングされ、かつ第1化合物半導体層402および上記第2化合物半導体層403よりも大きなバンドギャップを有する材料であれば、いずれの材料であっても良い。さらに、p層である第4化合物半導体層405として、第3化合物半導体層404と同等の濃度にp型ドーピングされたInSbを使用しているが、これに限定されず、InおよびSbを含み、第3化合物半導体層404と同等、あるいはそれ以上の濃度にp型ドーピングされた材料であれば、いずれの材料であっても良い。