第1基板と、前記第1基板に導電性を有する第1の接合層を介して積層された圧電振動基板と、を積層し、前記圧電振動基板は、圧電振動片と、前記圧電振動片の外周を囲むように設けられた枠部と、を有し、前記第1基板は、前記圧電振動片に対向する主面側に第1の凹部を有する圧電デバイスであって、前記枠部は、前記第1の凹部の内壁よりも前記圧電振動片側に突出していることを特徴とする圧電デバイス。前記枠部の前記第1基板に対向する主面の反対側の主面には、導電性を有する第2の接合層を介して第2基板が積層され、前記第2基板は、前記圧電振動片に対向する主面側に第2の凹部を有し、前記枠部は、積層方向から見て前記第2の凹部の内壁より内側に突出していることを特徴とする請求項1に記載の圧電デバイス。前記圧電振動片は、振動部と、前記振動部の両端に接続された一対の基部と、を有し、前記一対の基部は、前記枠部に支持され、前記第2基板は前記第2の凹部に前記一対の基部を支持する力伝達部が配置され、前記第2の凹部の底部がダイアフラムであることを特徴とする請求項2に記載の圧電デバイス。前記枠部の前記第1基板に接合される第1の主面と、前記第1主面の反対側の第2の主面と、にはそれぞれ引き出し線が配置されていることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の圧電デバイス。前記振動部は、少なくとも一以上の柱状ビーム、又はATカット振動片により構成されていることを特徴とする請求項3または4に記載の圧電デバイス。前記圧電振動基板は、前記枠部に隣接し前記圧電振動基板の一辺を形成する接続部と、前記接続部の前記第2基板に対向する面に配置されたパッド電極と、を有し、前記引き出し線のうち、前記第1の主面に配置された前記引き出し線は、前記接続部の前記第1基板に対向する面、前記接続部の側面、前記接続部の前記第2基板に対向する面に引き出されて前記パッド電極に接続され、前記第1の主面に配置された前記引き出し線が側面に配置された前記圧電振動基板の辺には凸部が配置されたことを特徴とする請求項4または5に記載の圧電デバイス。前記圧電振動基板は、前記枠部に隣接し前記圧電振動基板の一辺を形成する接続部と、前記接続部の一辺を切り欠くスリットと、前記接続部の前記第2基板に対向する面に配置されたパッド電極と、を有し、前記引き出し線のうち、前記第1の主面に配置された前記引き出し線は、前記接続部の前記第1基板に対向する面、前記接続部の前記スリットにより形成された側面、前記接続部の前記第2基板に対向する面に引き出されて前記パッド電極に接続されたことを特徴とする請求項4または5に記載の圧電デバイス。請求項6または7に記載の圧電デバイスを実装基板上に搭載した圧電モジュールであって、前記第1基板の下面の中央部と前記実装基板とを接着剤により接合し、前記パッド電極を前記実装基板に配置された接続電極にワイヤーを介してそれぞれ接続したことを特徴とする圧電モジュール。前記圧電デバイスに電気的に接続する回路を搭載したことを特徴とする請求項8に記載の圧電モジュール。ところで、このような3層構造の圧電デバイスを製造する場合、各層を低融点ガラス特許文献3参照や共晶合金等特許文献4参照の接合部材を用いて基板同士を接合する場合がある。一方、感圧素子振動部には一対の励振電極が配置され、感圧素子層には励振電極から引き出された一対の引出電極が配置されている。しかし、引出電極を同一面に配置すると上述の接合部材は抵抗率が低く導電性を有するので引出電極同士が短絡する問題がある。この問題を解決するため、特許文献5、6では、一方の引出電極を感圧素子層の一方の面に配置し、他方の引出電極を感圧素子層の他方の面に配置し、引出電極同士の短絡を防止している。しかし、上述の接合部材は接合時に溶融するため、これが感圧素子層の一方の面から感圧素子層の側面に漏出して感圧素子層の他方の面に到達する場合があり、特許文献5、6のような構成であっても引出電極間の短絡を回避することが困難であった。そこで、本発明は、上記問題点に着目し、基板の両面に配置された引出電極間の短絡を防止して生産の歩留を高めた圧電デバイス、圧電モジュールを提供することを目的とする。本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。[適用例1]第1基板と、前記第1基板に導電性を有する第1の接合層を介して積層された圧電振動基板と、を積層し、前記圧電振動基板は、圧電振動片と、前記圧電振動片の外周を囲むように設けられた枠部と、を有し、前記第1基板は、前記圧電振動片に対向する主面側に第1の凹部を有する圧電デバイスであって、前記枠部は、前記第1の凹部の内壁よりも前記圧電振動片側に突出していることを特徴とする圧電デバイス。上記構成により、第1の接合層を構成する接合部材が接合時に溶融しても、積層方向からみて枠部の前記第1の凹部の内壁より内側となる位置に設計上接合部材が塗布されない突出部が形成され、これが第1の接合層から漏出した接合部材に対する障壁となる。よって溶融した接合部材が圧電振動基板の側面を通過して圧電振動基板の反対面側に漏出することを防止し、圧電振動基板の両面間の接合部材による短絡を防止した圧電デバイスを構築することができる。[適用例2]前記枠部の前記第1基板に対向する主面の反対側の主面には、導電性を有する第2の接合層を介して第2基板が積層され、前記第2基板は、前記圧電振動片に対向する主面側に第2の凹部を有し、前記枠部は、積層方向から見て前記第2の凹部の内壁より内側に突出していることを特徴とする適用例1に記載の圧電デバイス。上記構成により、第2の接合層を構成する接合部材が接合時に溶融しても、積層方向から見て枠部の前記第2の凹部の内壁より内側となる位置に設計上接合部材が塗布されない突出部が形成され、これが第2の接合層から漏出した接合部材に対する障壁となる。よって溶融した接合部材が圧電振動基板の側面を通過して圧電振動基板の反対面側に漏出することを防止し、圧電振動基板の両面間の接合部材による短絡を防止した3層構造の圧電デバイスを構築することができる。[適用例3]前記圧電振動片は、振動部と、前記振動部の両端に接続された一対の基部と、を有し、前記一対の基部は、前記枠部に支持され、前記第2基板は前記第2の凹部に前記一対の基部を支持する力伝達部が配置され、前記第2の凹部の底部がダイアフラムであることを特徴とする適用例2に記載の圧電デバイス。上記構成により、圧力を検知可能な圧電デバイスを構築することができる。[適用例4]前記枠部の前記第1基板に接合される第1の主面と、前記第1主面の反対側の第2の主面と、にはそれぞれ引き出し線が配置されていることを特徴とする適用例1乃至3のうちいずれか1例に記載の圧電デバイス。上記構成により、第1の接合層を構成する接合部材と第2の接合層を構成する接合部材とが短絡することはないので、枠部の両面に配置された引き出し線が互いに短絡することはない。したがって、圧電振動基板の両面間の接合部材による短絡を防止した3層構造の圧電デバイスを構築することができる。[適用例5]前記振動部は、少なくとも一以上の柱状ビーム、又はATカット振動片により構成されていることを特徴とする適用例3または4に記載の圧電デバイス。上記構成により、例えば柱状ビームが一本であれば高い感度を有する振動部となる。また2本以上の柱状ビーム、またはATカット振動片であれば振動漏れを抑制したQ値の高い振動部を構築することができる。[適用例6]前記圧電振動基板は、前記枠部に隣接し前記圧電振動基板の一辺を形成する接続部と、前記接続部の前記第2基板に対向する面に配置されたパッド電極と、を有し、前記引き出し線のうち、前記第1の主面に配置された前記引き出し線は、前記接続部の前記第1基板に対向する面、前記接続部の側面、前記接続部の前記第2基板に対向する面に引き出されて前記パッド電極に接続され、前記第1の主面に配置された前記引き出し線が側面に配置された前記圧電振動基板の辺には凸部が配置されたことを特徴とする適用例4または5に記載の圧電デバイス。上記構成により、枠部の第1の主面に配置された引き出し線を枠部の第2の主面に配置された引き出し線と短絡させることなく第2の主面側に引き出すことができる。また、第1の主面に配置された引き出し線が露出した圧電デバイスの辺全体が凸部により床等の他の平面に接触することはないので、側面に配置された引き出し線を保護しつつ、圧電デバイスの実装を容易に行うことができる。[適用例7]前記圧電振動基板は、前記枠部に隣接し前記圧電振動基板の一辺を形成する接続部と、前記接続部の一辺を切り欠くスリットと、前記接続部の前記第2基板に対向する面に配置されたパッド電極と、を有し、前記引き出し線のうち、前記第1の主面に配置された前記引き出し線は、前記接続部の前記第1基板に対向する面、前記接続部の前記スリットにより形成された側面、前記接続部の前記第2基板に対向する面に引き出されて前記パッド電極に接続されたことを特徴とする適用例4または5に記載の圧電デバイス。上記構成により、枠部の第1の主面に配置された引き出し線を枠部の第2の主面に配置された引き出し線と短絡させることなく第2の主面側に引き出すことができる。また第1の主面に配置された引き出し線はスリットが形成した接続部の側面を経由するので、前記側面を経由する部分をスリットにより保護することができる。[適用例8]適用例6または7に記載の圧電デバイスを実装基板上に搭載した圧電モジュールであって、前記第1基板の下面の中央部と前記実装基板とを接着剤により接合し、前記パッド電極を前記実装基板に配置された接続電極にワイヤーを介してそれぞれ接続したことを特徴とする圧電モジュール。上記構成において、接着剤と第1基板との間で熱歪み等の応力が発生するが、この応力は圧電デバイスの外壁部分を伝播するに従って緩和される。そして、圧電デバイスを第1基板の中央部に一点支持状態で実装基板した場合は、第1基板の接合部材が配置された位置から振動部への応力の伝播経路が最も長くなる。よって効率的に応力を緩和させ振動部への悪影響を低減させることが可能な圧電モジュールとなる。[適用例9]前記圧電デバイスに電気的に接続する回路を搭載したことを特徴とする適用例8に記載の圧電モジュール。上記構成により、自ら発振する発振器としての機能、または自ら圧力を測定する圧力センサーとしての機能を有する圧電モジュールを構築することができる。以下、本発明を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。第1実施形態においては、先ず、圧電デバイスの構成について説明し、次いで圧電デバイスを複数製造するウェハの積層構造について説明する。図2に、第1実施形態の圧電デバイスの分解斜視図を示し、図3に、第1実施形態の圧電デバイスの圧電振動基板の下面図を示す。さらに、図5に図2の断面図を示し、図5aは図2のA-A線断面図、図5bは図2のB-B線断面図を示す。第1実施形態の圧電デバイス10は、第1基板14と、圧電振動片振動部34A、振動部34B、第1基部36、第2基部38を有する圧電振動基板26と、ダイアフラム56を有しダイアフラム56図4参照に印加された圧力に伴う力を振動部34A、振動部34Bに伝達する第2基板48と、の順に積層された構造を有している。そして、積層された後に壁面の一部がダイアフラム56となり内部空間13図5を有するパッケージ12図5参照が形成されたものである。また、内部空間13には、ダイアフラム56に接続した振動部34A、振動部34Bが配置されている。上記構成において、ダイアフラム56が外部の圧力により撓み変形し、この撓み変形に伴う力を振動部34A、振動部34Bが受けることにより、振動部34の共振周波数が変化する。よって、振動部34A、振動部34Bの共振周波数の変化をモニターすることにより外部の圧力を測定可能なものとなっている。また第1基板14、圧電振動基板26、第2基板48は、それぞれ短辺と長辺を有する矩形の水晶基板により形成されている。第1基板14は、圧電デバイス10の最下層を構成するものである。第1基板14の圧電振動基板26に対向する面には第1の凹部16が配置されている。第1の凹部16は圧電振動基板26を構成する後述の振動部34A、振動部34B、第1基部36、第2基部38、支持部40A、40Bに対向する位置に配置され、これらの構成要素と第1基板14との干渉を防止している。また第1基板14において、この第1の凹部16の周囲を囲むように第1の周縁部18が配置される。第1の周縁部18は、第1基板14の短辺の一方に偏って配置される。また、第1の周縁部18には圧電振動基板26を構成する後述の枠部28が積層される。一方、第1基板14の短辺の他方は基台部22となり、後述の接続部32が積層される。また第1基板14の側面には第1の凸部24が複数形成されている。第1の凸部24は、第1基板14の長辺を形成する2つの側面に1つずつ、短辺を形成する側面に1つずつ配置されている。そして、長辺に配置された第1の凸部24は、後述の第1の梁68A図1参照をダイシングで切断することにより形成され、短辺に配置された第1の凸部24は、後述の第1の梁68B図1参照をダイシングで切断することにより形成される。圧電振動基板26は、水晶の結晶軸である、電気軸としてのX軸と、機械軸としてのY軸と、光学軸としてのZ軸と、からなる直交座標系のX軸を回転軸として、Z軸をY軸の方向へ約2度回転させた軸をZ′軸とし、このZ′軸を法線とした主面を有する水晶基板を用いている。そして圧電振動基板26には、矩形の枠形状を有する枠部28が配置される。枠部28は、圧電振動基板26の一方の短辺に偏って配置され、第1の周縁部18上に積層される。一方、圧電振動基板26の他方の短辺には接続部32が配置される。枠部28と接続部32は圧電振動基板26の長辺方向に横並びに配置される。そして枠部28内には、振動部34A、振動部34B、第1基部36、第2基部38、支持部40A、40Bが配置される。よって、枠部28は、圧電振動片振動部34A、振動部34B、第1基部36、第2基部38の外周を囲むように配置される。振動部34A、振動部34Bは、圧電振動基板26の長辺方向に長手方向を有する2本の平行した柱状ビームにより形成され、振動部34A、振動部34Bにより双音叉型の振動片を構成している。そして振動部34A、振動部34Bの長手方向の両端のうちの一方には第1基部36が接続され、他方には第2基部38が接続される。また枠部28の長辺方向の内側側面の第1基部36に対向する位置からは、支持部40Aが第1基部36を圧電振動基板26の短辺方向から挟むように延出し、第1基部36に接続される。同様に枠部28の長辺方向の内側側面の第2基部38に対向する位置からは、支持部40Bが第2基部38を圧電振動基板26の短辺方向から挟むように延出し、第2基部38に接続される。よって振動部34A、振動部34Bは、第1基部36、第2基部38、支持部40A、支持部40Bを介して枠部28に支持される。第1基部36及び第2基部38は、振動部34A、振動部34Bを支持するものであるが、後述の力伝達部54A、54Bからの力を受けて、圧電振動基板26の長辺方向に相対位置を互いに変化させるものである。よってこの相対位置の変化により振動部34A、振動部34Bに応力を印加することができる。支持部40A、支持部40Bは圧電振動基板26の短辺方向に長手方向を有し、圧電振動基板26の長辺方向に屈曲する部材である。よって、支持部40A、40Bは、それぞれ第1基部36、第2基部38を支持するものの、第1基部36、第2基部38の変位に干渉しないようになっている。一方、振動部34A、振動部34Bには互いに絶縁した励振電極45、励振電極47が配置される。そして接続部32には、パッド電極42A、42Bが配置される。パッド電極42A、42Bは接続部32において互いに絶縁するように配置される。そしてパッド電極42Aには、励振電極45から引き出された引き出し線となる引出電極44Aが接続され、パッド電極42Bには、励振電極47から引き出された引き出し線となる引出電極44Bが接続される。引出電極44Aは、圧電振動基板の第1基板14に対向する面において、第1基部36、支持部40A、枠部28、接続部32を経由し、接続部32の側面を経由して接続部32の第2基板48に対向する面に引き出されパッド電極42Aに接続される。引出電極44Bは、圧電振動基板26の第2基板48に対向する面において、第1基部36、支持部40A、枠部28、接続部32を経由してパッド電極42Bに接続される。図4に、圧電デバイスを構成する励振電極の詳細図を示し、図4aは上面図図2の部分拡大図、図4bは下面図図3の部分拡大図を示す。なお説明のため、図4aからみて表面となる方を上面と称し、図4bからみて表面となる方を下面と称することにする。励振電極45は、電極45a~電極45pにより構成され、励振電極47は、電極47a~電極47pにより構成されている。図4a、図4bに示すように、電極45aは、振動部34Aの第1基部36側の外側の側面に配置されるとともに、第1基部36の下面に配置された引出電極44Aと接続されている。また、電極45aは、振動部34Aの中央部の下面に配置された電極45b、及び振動部34Aの第1基部36側の内側の側面に配置された電極45cに接続されている。図4bに示すように、電極45dは、第1基部36の下面に配置されるとともに引出電極44Aに接続されている。また電極45dは、振動部34Bの第1基部36側の下面に配置された電極45eに接続されている。図4aに示すように、電極45cは、第1基部36の上面であって第1基部36の上面に配置された電極45fに接続されている。電極45fは、第1基部36上の後述の第2の接合領域63Bに含まれない領域に配置され、振動部34Bの第1基部36側の上面に配置された電極45gに接続されている。また電極45gは、振動部34Bの中央部の外側の側面に配置された電極45h、及び振動部34Bの中央部の内側の側面に配置された電極45iに接続されている。図4bに示すように、電極45h及び電極45iは、振動部34Bの第2基部38側の下面に配置された電極45jに接続され、電極45jは、第2基部38の下面に配置された電極45kに接続されている。また、電極45kは、振動部34Aの第2基部38側の内側の側面に配置された電極45lに接続されている。図4aに示すように、電極45lは、振動部34Aの中央部の上面に配置された電極45m、及び振動部34Aの第2基部38側の外側の側面に配置された電極45nに接続されている。そして、電極45nは、第2基部の上面に配置された電極45oに接続されている。電極45oは、第2基部38上の後述の第2の接合領域63Bに含まれない位置に配置され、振動部34Bの第2基部38側の上面に配置された電極45pに接続されている。したがって、電極45aから電極45pに至るまで電気的に接続され、励振電極45が形成される。図4aに示すように、電極47aは、振動部34Bの第1基部36側の外側の側面に配置されるとともに引出電極44Bに接続されている。そして図4bに示すように、電極47aは、振動部34Bの中央部の上面に配置された電極47f、及び振動部34Bの第1基部36側の内側の側面に配置された電極47gに接続されている。電極47gは、第1基部36の下面に配置された電極47hに接続され、電極47hは、振動部34Aの第1基部36側の下面に配置された電極47iに接続されている。図4aに示すように、電極47bは、第1基部36の上面に配置されるとともに引出電極44Bに接続されている。電極47bは、振動部34Aの第1基部36側の上面に配置された電極47cに接続されている。また、電極47cは、振動部34Aの中央部の外側の側面に配置された電極47d、及び振動部34Aの中央部の内側の側面に配置された電極47eに接続されている。図4bに示すように、電極47d及び電極47eは、振動部34Aの第2基部38側の下面に配置された電極47jに接続され、電極47jは、第2基部38の下面に配置された電極47kに接続されている。そして、電極47kは、振動部34Bの第2基部38側の外側の側面に配置された電極47lに接続されている。図4aに示すように、電極47lは、振動部34Bの中央部の上面に配置された電極47m、及び振動部34Bの第2基部38側の内側の側面に配置された電極47nに接続されている。電極47nは、第2基部38の上面に配置された電極47oに接続され、電極47oは振動部34Aの第2基部38側の上面に配置された電極47pに接続されている。したがって、電極47aから電極47pに至るまで電気的に接続され、励振電極47が形成される。よって振動部34Aの第1基部36側では、側面方向では電極45aと電極45cとが対向し、上面下面方向では電極47cと電極47iとが対向する。振動部34Aの中央部では、側面方向では電極45hと電極45iとが対向し、上面下面方向では電極45mと電極45bとが対向する。振動部34Aの第2基部38側では、側面方向では電極45nと電極45lとが対向し、上面下面方向では電極47pと電極47jとが対向する。また振動部34Bの第1基部36側では、側面方向では電極47aと電極47gとが対向し、上面下面方向では電極45gと電極45eとが対向する。振動部34Bの中央部では、側面方向では電極45hと電極45iとが対向し、上面下面方向では電極47mと電極47fとが対向する。振動部34Bの第2基部38側では、側面方向では電極45nと電極45lとが対向し、上面下面方向では電極45pと電極45jとが対向する。よって、励振電極45は、振動部34Aの第1基部36側及び第2基部38側では側面方向に対向し、振動部34Aの中央部では上面下面方向に対向する。また励振電極45は、振動部34Bの第1基部36側及び第2基部38側では上面下面方向に対向し、振動部34Bの中央部では側面方向に対向する。一方、励振電極47は、振動部34Aの第1基部36側及び第2基部38側では上面下面方向に対向し、振動部34Aの中央部では側面方向に対向する。また励振電極47は、振動部34Bの第1基部36側及び第2基部38側では側面方向に対向し、振動部34Bの中央部では上面下面方向に対向する。励振電極45は、パッド電極42Aに引出電極44Aを介して電気的に接続され、励振電極47は、パッド電極42Bに引出電極44Bを介して電気的に接続される。したがって、励振電極45、励振電極47を上述のように振動部34A、振動部34Bに配置した状態で、パッド電極42A、42Bに交流電圧を印加することにより振動部34A、振動部34Bは、所定の共振周波数で振動する。なお、励振電極45、励振電極47の振動部34A、振動部34Bへの配置パターンは上述の方法に限らず様々なパターンを用いることができる。ここで、第1基部36、第2基部38が圧電振動基板26の長辺方向に互いに離れる方向に変位する力を受けた場合は、振動部34A、振動部34Bは引張応力を受けるので共振周波数は高くなり、逆に互いに近づく方向に変位する力を受けた場合は、振動部34A、振動部34Bは圧縮応力を受けるので共振周波数は低くなる。図2に示すように、圧電振動基板26の側面には第2の凸部46が複数形成されている。第2の凸部46は、圧電振動基板26の長辺枠部28の長辺を形成する2つの側面に1つずつ、短辺を形成する2つの側面に1つずつ配置されている。なお、長辺に配置された第2の凸部46は、後述の第2の梁72A図1参照をダイシングで切断することにより形成され、短辺に配置された第2の凸部46は後述の第2の梁72B図1参照をダイシングで切断することにより形成される。そして第2の凸部46は第1の凸部24に積層される。第2基板48は、振動部34A、振動部34Bに力を伝達するダイアフラム56を有する基板である。第2基板48は、圧電振動基板26に対向する面に第2の凹部50を有する。この第2の凹部50は振動部34A、振動部34B、第1基部36、第2基部38、支持部40A、40Bに対向する位置に形成されている。この第2の凹部50により第2の凹部50の周囲には、第2基板48の周縁に沿って外形が形成された第2の周縁部52が配置され、第2の周縁部52は、圧電振動基板26の枠部28に積層される。よって圧電振動基板26を構成する接続部32は、第2基板48の積層後も外部に露出することになる。一方、第2の凹部50の底面の第1基部36に対向する位置には凸状の力伝達部54Aが配置され、第2基部38に対向する位置には凸状の力伝達部54Bが配置される。そして、積層後に力伝達部54Aは第1基部36と接合し、力伝達部54Bは第2基部38に接合する。さらに第2の凹部50の底面は、外力により撓み変形するダイアフラム56となっている。また、第2基板48の側面には第3の凸部58が配置されている。第3の凸部58は、第2基板48の2つの長辺に1つずつ、第2基板48の短辺のうち接続部32に対向する短辺に対向する短辺に1つ配置されている。この長辺に配置された第3の凸部58は、後述の第3の梁76A図1参照をダイシングで切断することにより形成され、短辺に配置された第3の凸部58は、後述の第3の梁76B図1参照をダイシングで切断することにより形成される。そして第3の凸部58は第2の凸部46に積層される。さらに、第2基板48の接続部32に対向する短辺には剥離痕60図2、図5中の拡大図が形成されている。この剥離痕60は、後述のように、第3の梁76Bをこの剥離痕60が形成される位置に形成して、積層時に第3の梁76Bを剥離した際に生じるものである。なお第3の梁76B剥離痕60は、接続部32に対向する辺短辺において、積層方向から見てパッド電極42A、42Bの間となる位置に配置される。第1基板14において、第1の周縁部18、基台部22、第1の凸部24の圧電振動基板26に対向する面は圧電振動基板26と接合する第1の接合領域63A図2中の第1基板14の着色領域となる。圧電振動基板26において、接続部32、枠部28の周縁領域、第2の凸部46、第1基部36、第2基部38の第1基板14に対向する面は、第1基板14と接続する第1の接合領域63A図3中の着色領域となる。また圧電振動基板26において、枠部28の周縁領域、第2の凸部の第2基板48に対向する面は、第2基板48と接続する第2の接合領域63B図2中の圧電振動基板26の着色領域となる。第2基板48において、第2の周縁部52、第3の凸部58、力伝達部54A、力伝達部54Bの圧電振動基板26に対向する面は、圧電振動基板26と接合する第2の接合領域63B図2中の第2基板48の着色領域となる。図2に示すように、圧電デバイス10は、第1基板14、圧電振動基板26、第2基板48の順に積層して形成される。このとき、第1基板14の第1の周縁部18と圧電振動基板26の枠部28枠部28の第1の主面とが接合し、基台部22と接続部32とが接合する。また圧電振動基板26の枠部28枠部28の第2の主面は第2基板48の第2の周縁部52と接合し、第1基部36は支持部である力伝達部54Aに接合し、第2基部38は支持部である力伝達部54Bに接合する。そして第2の凸部46は、第1の凸部24及び第3の凸部58に挟まれる形で、第1の凸部24、第3の凸部58に接合する。よって、圧電振動基板26の第1の接合領域63Aのうち、枠部28が接合する領域は、第1基板14の第1の周縁部18が接合する領域と一致する。また圧電振動基板26の第2の接合領域63Bのうち、枠部28が接合する領域は、第2基板48の第2の周縁部52が接合する領域と一致する。また、圧電振動基板26の第1の接合領域63Aのうち、第2の凸部46が接合する領域は、第1基板14の第1の凸部24が接合する領域と一致する。また圧電振動基板26の第2の接合領域63Bのうち、第2の凸部46が接合する領域は、第2基板48の第3の凸部58が接合する領域と一致する。図5に示すように、第1基板14と圧電振動基板26との第1の接合領域63Aにおいては、第1の接合層62Aが形成され、圧電振動基板26と第2基板48との第2の接合領域63Bとの間には、第2の接合層62Bが形成される。各接合層の形成は、各接合領域に対応する位置に、例えば下地をCrとするAuのメタライズ層を形成する。そして各接合領域にIn等のロウ材を塗布し、図4に示すように各基板を積層した状態で加熱加圧する。そしてInを溶融させてメタライズ層に拡散させ、InとAuとの共晶反応を引き起こす。これにより共晶合金であるAu-In層をCrで挟んだ態様の第1の接合層62A、第2の接合層62Bが形成される。また各接合層を形成する接合部材として抵抗率の低い低融点ガラスや、導電性接着剤等も用いることができる。なお各接合層として上述のメタライズ層を用いる場合、各引出電極はメタライズ層と一体的に形成することができる。このように、本実施形態では、各接合層を形成する接合部材として導電性を有する材料を用いている。よって引出電極44Aは第1の接合層62Aと短絡し、引出電極44Bは第2の接合層62Bと短絡する。なお、図4に示すように、励振電極47を構成する電極47bは第1基部36上の第2の接合領域63Bに含まれる位置に配置してもよく、電極47lも第2基部38上の第2の接合領域63Bに含まれる位置に配置しても良い。これにより電極47b、電極47lは、第2の接合層62Bを介して引出電極44B及びパッド電極42Bと電気的に接続することができる。そして第1の接合層62Aおよび引出電極44Aは圧電振動基板26の第1基板14に対向する面に配置され、第2の接合層62B及び引出電極44Bは圧電振動基板26の第2基板48に対向する面に配置される。そして、引出電極44Aは、第1の接合層62Aを形成する第2の接合領域63Bの外部となる接続部32の側面を経由して圧電振動基板26の第2基板48に対向する面に引き出されている。よって、引出電極44Aと第2の接合層とが短絡することはない。また、引出電極44Bは圧電振動基板26の第2基板48に対向する面に配置されており、第1の接合層62Aと短絡することはない。よって接合時に引出電極44Aと引出電極44Bとが互いに短絡することは通常ない。一方、上述のように接合部材が接合時に溶融する場合は、接合部材が各接合領域から漏れ出て圧電振動基板26の側面を経由して反対面に到達し、引出電極同士が短絡する虞がある。しかし、図2、図5に示すように、枠部28は、枠部28の外壁が、積層方向から見て第1基板14の外壁及び第2基板48の外壁と重なるように配置される。一方、枠部28は、積層方向から見て第1の凹部16の内壁及び第2の凹部50の内壁より内側に突出して配置される。したがって、枠部28の積層方向から見て第1の凹部16の内壁および第2の凹部50の内壁より内側となる領域には設計上に接合部材が塗布されない突出部28aが形成され、この突出部28aが各接合領域から漏れ出る接合部材に対する障壁となる。ここで、図5に示すように、第1の接合層62Aから突出部28aに漏れ出した接合部材は、第1の凹部16の壁面と突出部28aの第1基板14側に対向する面で接合部材の溜り61Aを形成する。そして、第2の接合層62Bから突出部28aに漏れ出した接合部材は、第2の凹部50の壁面と領域の第2基板48側に対向する面で接合部材の溜り61Bを形成する。よって、第1の接合層62Aから漏れ出た接合部材と第2の接合層62Bから漏れ出た接合部材のどちらも、突出部28aを越えて突出部28aの反対側に漏出することはない。したがって、溶融した接合部材が圧電振動基板26の側面を通過して圧電振動基板26の反対面側に漏出することを防止し、圧電振動基板26の両面に配置された引出電極44A、44Bが導電性を有する接合部材により積層時に短絡することを防止した圧電デバイス10を構築することができる。一方、第1基板14の圧電振動基板26に対向する面の周縁、圧電振動基板26の両面の周縁、第2基板48の圧電振動基板26に対向する面の周縁、そして、第1の凸部24の第2の凸部46に対向する面、第2の凸部46の第1の凸部24に対向する面および第2の凸部46の第3の凸部58に対向する面、第3の凸部58の第2の凸部46に対向する面は、各基板の積層後に露出しないように設計することが好適である。これにより、第1の接合層62Aを形成する接合部材、第2の接合層62Bを形成する接合部材が圧電デバイス10の外側の側面に流出することを防止することができる。これにより、流出した接合部材による圧電デバイス10全体の応力分布のバラつきを抑制し、振動部34A、振動部34Bへの応力に起因する特性のバラつきを抑制することができる。したがって、圧電デバイス10の特性のバラつきを抑制することができる。また、万が一圧電デバイス10の外部に接合部材が漏出しても外部であれば除去することができるので、引出電極44Aと、第2の接合層62Bから漏出した接合部材との短絡や、引出電極44Bと、第1の接合層62Aから漏出した接合部材との短絡を防止することができる。そして、上述のように各基板を積層することにより、内部空間13を有するパッケージ12が形成され、上面にはダイアフラム56が配置され、圧電振動基板26が露出した位置には接続部32パッド電極42A、パッド電極42Bが配置された圧電デバイス10となる。よって、例えば内部空間13を真空とすることにより、真空を基準とした圧力を測定可能な圧電デバイス10となる。上記構成において、ダイアフラム56に圧力が印加されると、ダイアフラム56は内部空間13側に撓み変形する。これにより力伝達部54A、54Bは互いに離間する方向に変位し、力伝達部54Aに接続された第1基部36及び力伝達部54Bに接続された第2基部38は、互いに離間する方向に力を受ける。よって、振動部34A、振動部34Bには引張応力が印加され振動部34A、振動部34Bの共振周波数が高くなる。したがって、振動部34A、振動部34Bの共振周波数の変化量をモニターすることによりダイアフラム56に印加された圧力を検知可能な圧電デバイス10となる。なお、本実施形態では、振動部を2つの柱状ビームにより構成しているが、これを1つの柱状ビームシングルビームにより構成することもできる。これにより、柱状ビームに対して第1基部36、第2基部38から印加される力が大きくなるので、共振周波数の変化量が大きくなり、圧電デバイス10の感度を向上させることができる。また振動部34を2つ以上の柱状ビームにより構成することが可能である。この場合、各柱状ビームの振動に対称性を持たせることにより、振動漏れを抑制してQ値の高い圧電デバイス10とすることができる。本実施形態のように柱状ビームが2つの場合は、柱状ビームの長手方向の中央が互いに離れ、互いに近づくような振動とすることにより一対の振動ビームは対称性を有する振動となり、外部への振動漏れを抑制することができる。図1に、第1実施形態のウェハの積層構造の分解斜視図と、これを積層したのちに個片化して得られる第1実施形態の圧電デバイス図中右下の斜視図を示す。本実施形態のウェハの積層構造64は、第1基板14をアレイ状に配置した第1ウェハ66と、圧電振動基板26をアレイ状に配置し第1ウェハ66に積層された圧電振動ウェハ70と、第2基板48をアレイ状に配置し圧電振動ウェハ70に積層された第2ウェハ74と、を有している。そして、図1に示すようにこのウェハの積層構造64に対して二点鎖線で囲まれた範囲をダイシング領域Dとするダイシングブレード82図6参照によりダイシングを行なうことにより、複数の圧電デバイス10を個片化することができる。第1ウェハ66は、第1基板14と同一の厚みとなる水晶基板により形成され、第1基板14をアレイ状に配置した上で、互いに隣接する第1基板14を第1の梁68A、68Bで連結するように水晶基板を刳り貫いて形成される。ここで、互いに隣接する第1基板14同士において、第1基板14の長辺同士が対向する位置では第1の梁68Aで連結され、第1基板14の短辺同士が対向する位置では第1の梁68Bで連結される。圧電振動ウェハ70は、上述のZ′軸を法線に持つ主面を有し、圧電振動基板26と同一の厚みとなる水晶基板により形成されている。そして、圧電振動基板26をアレイ状に配置した上で、互いに隣接する圧電振動基板26を第2の梁72A、72Bで連結するように水晶基板を刳り貫いて形成される。ここで、互いに隣接する圧電振動基板26において、圧電振動基板26の長辺同士が対向する位置では第2の梁72Aで連結され、圧電振動基板26の短辺同士が対向する位置では第2の梁72Bで連結される。第2ウェハ74は、第2基板48と同一の厚みとなる水晶基板により形成され、第2基板48をアレイ状に配置した上で、互いに隣接する第2基板48を第3の梁76A、76Bで連結するように水晶基板を刳り貫いて形成される。ここで、互いに隣接する第2基板48同士において、第2基板48の長辺同士が対向する位置では第3の梁76Aで連結され、第2基板48の短辺同士が対向する位置では第3の梁76Bで連結される。なお、本実施形態において、第1ウェハ66第1基板14、第2ウェハ74第2基板48は、サンドブラストにより外形を形成し、圧電振動ウェハ70圧電振動基板26はエッチングにより外形を形成することが好適である。また第2基板48の第2の凹部50ダイアフラム56は、サンドブラストにより形成し、サンドブラストにより生じた第2の凹部50ダイアフラム56への残留応力及び表面粗さを除去するため、短時間エッチングして第2の凹部50ダイアフラム56の表面を平坦化するとともに残留応力を除去する。図6に、第1実施形態のウェハの積層構造においてダイシングを行なう場合の模式図を示し、図6aはダイシング前、図6bはダイシング後を示す。図1に示すように、ウェハの積層構造64においては、積層後に二点鎖線で囲まれた範囲をダイシング領域Dとするダイシングブレード82によりダイシングを行なって、複数の圧電デバイス10を個片化することができる。ここで、第3の梁76Bは、積層後に接続部32に対向する位置及び、前記位置に連続しダイシングにより消失する部分の一部となる位置において、圧電振動基板26に対向する面側から掘り込まれて第2基板48より薄肉に形成されている図6、図1左上拡大図参照。よって第2ウェハ74を圧電振動ウェハ70に積層すると、第3の梁76Bと接続部32との間には隙間78図6aが形成される。これにより、第3の梁76Bが接続部32に積層されることはない。よってパッド電極42A、42Bの接続部32における配置の自由度を高めることができる。また第3の梁76Bの第2基板48との接続位置には厚み方向に切り込み80が形成される。よって、後述のように第1ウェハ66、圧電振動ウェハ70、第2ウェハ74を積層後、第1の梁68B、第2の梁72B、第3の梁76Bをダイシングしたとき、第3の梁76Bは、切り込み80において折り取ることが可能であるとともに、ダイシングの振動により第3の梁76Bを第2基板48から分離させることができる。よって図1に示すように、ダイシング領域Dに沿ってダイシングフルカットを行なうと、第1の梁68A、68B、第2の梁72A、72B、第3の梁76A、76Bをダイシングすることになる。また、図6aに示すように、第3の梁76B第1の梁68B、第2の梁72Bをダイシングする場合は、第3の梁76Bの第2の梁72Bに接合する領域と、第3の梁76Bが薄肉に形成された部分とをダイシングすることになる。よって、ダイシング後の第3の梁76Bは第2の梁72Bから分離する。さらに第3の梁76Bの第2基板48に接続する部分には、ハーフダイシング等により切り込み80が形成されているので、図6bに示すように、上述のフルカット時の振動で第3の梁76Bは第2基板48から剥離し、第2基板48には剥離痕60が形成される。またフルカット時の振動で第3の梁76Bが剥離しなくても、切り込み80において第3の梁76Bを折り取ることができる。上述のように本実施形態において、第1の梁68A、68B、第2の梁72A、72B、第3の梁76A、76Bは、アレイ状に配置された圧電デバイス10の間に配置されている。よって、ダイシングに用いるダイシングブレード82を、圧電デバイス10の間に沿って走らせ、第1の梁68A、68B、第2の梁72A、72B、第3の梁76A、76Bを切断することにより圧電デバイス10を個片化することができる。このとき、第1の梁68Aの一部は、第1の凸部24として第1基板14の長辺に配置され、第1の梁68Bの一部は、第1の凸部24として第1基板14の短辺に配置される。また、第2の梁72Aの一部は、第2の凸部46として圧電振動基板26の長辺に配置され、第2の梁72Bの一部は、第2の凸部46として圧電振動基板26の短辺に配置される。さらに第3の梁72Aの一部は、第3の凸部58として第2基板48の長辺に配置される。そして、第3の梁72Bは、上述のダイシングにより、第2基板48の短辺に第3の凸部58として配置される部分と、第2基板48から分離するとともに第2基板48の接続部32に対向する側面に剥離痕60を形成する部分と、に分離する。上記構成において、第1の梁68A、68B、第2の梁72A、72B、第3の梁76A、76Bは、それぞれ第1基板14、圧電振動基板26、第2基板48の幅より十分細くなるように設計することができる。よって、ダイシングブレード82の第1ウェハ66、圧電振動ウェハ70、第2ウェハ74との切断時の接触断面積を小さくすることができる。したがって、ダイシングにより発生する振動を抑制して基板間の剥離や振動部34A、振動部34Bの前記振動による破損を防止して、歩留の高い圧電デバイス10を量産することができる。また、第1基板14、圧電振動基板26、第2基板48をダイシングすることはないので、ダイシング時の各基板のチッピングを回避することができる。また第1の梁68A、68B、第2の梁72A、72B、第3の梁76A、76Bをダイシングすることにより、それぞれ第1の凸部24、第2の凸部46、第3の凸部58となるが、これらが、圧電デバイス10の引出電極44Aが引き出された側面と同一の辺に形成されている。よって、引出電極44Aが配置された圧電デバイス10の辺全体が床等の他の平面に接触することはないので、側面に配置された引出電極44Aを保護しつつ、振動部34A、振動部34B圧電振動片に電気的に接続するパッド電極42A、42Bを同一面に配置して、実装を容易に行うことができる。図7に、第2実施形態のウェハの積層構造の分解斜視図を示し、図8に、第2実施形態のウェハの積層構造を積層したのちに個片化して得られる第2実施形態の圧電デバイスの斜視図を示す。なお、以後の実施形態において、第1実施形態と共通する構成要素については同一の番号を付するものとし、必要な場合を除いてその説明を省略する。第2実施形態のウェハの積層構造96及び圧電デバイス90は、基本的には第1実施形態と構成が共通するが、接続部32に対向する位置に配置された第3の梁92第1実施形態の第3の梁76Bは、接続部32及び第2の凸部46に積層されるとともに、積層方向から見て接続部32を二分する位置に第3の梁92の一部が延出部94図8として配置されている。また、パッド電極42A、42Bは、接続部32において積層方向から見て延出部94第3の梁92を間に挟む位置に配置されている。上記構成において、第3の梁92は、第1の梁68B、第2の梁72Bとともにダイシングにより切断される。そして、ダイシング後においては、第3の梁92の一部が延出部94として、パッド電極42A、42B間に配置されることになる。一方、圧電デバイス90を実装基板に実装する際は、パッド電極42A、42Bにワイヤー136図14参照を接続するが、ワイヤー接続部を保護するため、ワイヤー136に導電性接着剤等を塗布する場合がある。このとき、接続部32に配置された延出部94はパッド電極42A、42B間導電性接着剤間の障壁として配置されることになる。したがって、接続部32に配置された延出部94によりパッド電極42A、42B間の短絡を防止することができる。図9に、第3実施形態のウェハの積層構造の分解斜視図を示し、図10に、第3実施形態のウェハの積層構造を積層したのちに個片化して得られる第3実施形態の圧電デバイスの斜視図を示す。第3実施形態のウェハの積層構造108及び圧電デバイス100において、圧電振動基板26は、接続部32の一辺を切り欠くスリット102と、接続部32の第2基板48に対向する面のスリット102を間に挟む位置に配置された一対のパッド電極42A、42Bと、を有する。一方、第1基板14の接続部32に対向する位置にはマウント部基台部22が配置され、マウント部のスリット102に対向する位置には、スリット102と連通する第2のスリット104が設けられている。そして、接続部32は、スリットにより接続部32A、接続部32Bに分割される。そして接続部32Aにはパッド電極42Aが配置され、接続部32Bにはパッド電極42Bが配置される。またマウント部は、第2のスリット104により、マウント部106A、マウント部106Bに分割される。そしてマウント部106Aには接続部32Aが積層され、マウント部106Bには接続部32Bが積層される。そして、圧電振動基板26の第2基板48に対向する面に配置された引出電極44Aは、接続部32Aの第2基板48に対向する面に引き出されパッド電極42Aに接続されている。さらに、圧電振動基板26の第1基板14に対向する面に配置された引出電極44Bは、接続部32Bの第1基板14に対向する面、接続部32Bのスリット102により形成された側面、接続部32Bの第2基板48に対向する面に引き出されて第1のパッド電極42Bに接続されている。また本実施形態のウェハの積層構造108において、第1の梁68Bは、第2のスリット104を間に挟むように2本平行して互いに隣接する第1基板14の短辺同士を連結している。また第2の梁72Bは、スリット102を間に挟むように2本平行して互いに隣接する圧電振動基板26の短辺同士を連結する。そして、第2の梁72Bは、圧電振動ウェハ70を第1ウェハ66に積層することにより第1の梁68Bに積層される。さらに第3の梁76Bは、2本平行した状態で互いに隣接する第2基板の短辺同士を連結する。そして第3の梁は、第2ウェハ74を圧電振動ウェハ70に積層することにより第2の梁に積層される。このウェハの積層構造108において、ダイシングを行って圧電デバイス100を個片化すると、第1実施形態と同様に第2基板48の接続部32A、32Bに対向する側面の第3の梁76Bが分離した位置において剥離痕第1実施形態の剥離痕60と同様が形成される。このように、第3の梁76Bを第2基板48から分離させることにより、第3の梁76Bとパッド電極42A、42Bとの干渉を回避することができる。上記構成により、引出電極44Aと引出電極44Bとを短絡させることなく引出電極44Aを反対面に引き出すことができる。また引出電極44Aはスリット102が形成した接続部32Aの側面に配置されるので、引出電極44Aの圧電振動基板26の側面に配置された部分を保護することができる。また本実施形態のウェハの積層構造108において、第1ウェハ66は第1基板14を第1の梁68A、68Bで連結し、圧電振動ウェハ70は圧電振動基板26を第2の梁72A、72Bで連結し、第2ウェハ74は第2基板48を第3の梁76A、76Bで連結しているが、上述のようにスリット102により形成された側面に引出電極44Aが引き出されている。よってダイシング時に引出電極44Aを切除することはないので、第1の梁68A、68B、第2の梁72A、72B、第3の梁76A第3の梁76Bを除くを用いることなく、第1基板14、圧電振動基板26を、それぞれ隙間を設けることなくアレイ状に配置して第1ウェハ66、圧電振動ウェハ70をそれぞれ形成し、また長辺同士が互いに隣接する第2基板48間に隙間を設けることなく第2ウェハ74を形成し、ウェハ当たりの基板の取り分を増やすことができる。本実施形態は、後述のように、第2のスリット104により2つに分割されたマウント部106A、106Bにおいて接着剤138を塗布して実装基板132に接続可能となる図14参照。図11に、第4実施形態のウェハの積層構造の分解斜視図を示す。また、図12に、第4実施形態のウェハの積層構造から個片化して得られる第4実施形態の圧電デバイス図中右下の斜視図を示し、図12aは上面斜視図、図12bは下面斜視図を示す。第4実施形態のウェハの積層構造116及び圧電デバイス110において、圧電振動基板26は、枠部28の外周を形成し積層方向から見て第1基板14の外周より外側に配置されるとともに圧電振動基板26の外形を形成する外周部112と、外周部112の辺の一部を切り欠くスリット114と、外周部112の第1基板14に対向する面においてスリット114を間に挟むように配置されたパッド電極42A、42Bと、を有する。また、圧電振動基板26の第1基板14に対向する面に配置された引出電極44Bは、外周部112の第1基板14に対向する面に引き出されてパッド電極42Bに接続されている。そして、圧電振動基板26の第2基板48に対向する面に配置された引出電極44Aは、外周部112の第2基板48に対向する面、外周部112のスリット114により形成された側面、外周部112の第1基板14に対向する面、の順に引き出されてパッド電極42Aに接続されている。本実施形態では、パッド電極42A、42Bが圧電振動基板26の第1基板14に対向する側に配置されており、後述のようにフェイスダウンボンディングを行なうことができる。また、本実施形態のウェハの積層構造116において、圧電振動ウェハ70を構成する圧電振動基板26の外形及び配置に対応して、第1の梁68A、68B、第3の梁76A、76Bの長さを設計する。ここで、第1ウェハ66の第1の梁68A、68Bの第1基板14に接続する部分には、切り込み不図示、第1実施形態の切り込み80と同様を形成し、ダイシング時に第1の梁68A、68Bが第1基板14から分離できるようにしておく。なお、第3の梁76A、76Bについては上述の切り込みを設けて、ダイシング時に第3の梁76A、76Bが第2基板48から分離できるようにしてもよく、また切り込みを設けずに第3の梁76A、76Bの一部が圧電振動基板26外周部112に積層されるようにしてもよい。図12に示すように、本実施形態では、圧電振動基板26が、第1基板14、第2基板48より大きくなるように設計され、積層後に外周部112がフランジのように露出することになる。よって、外周部112は、圧電デバイス110の外側において、突出部28aと同様に第1の接合層62A、第2の接合層62Bを構成する接合材料の障壁となるので、引出電極同士の短絡を防止することができる。図13に、本実施形態のウェハの積層構造において、折り取り部を形成した場合の模式図を示し、図13aは、第1ウェハ、圧電振動ウェハ、第2ウェハのそれぞれの折り取り部の平面図、図13bは第1ウェハ、圧電振動ウェハ、第2ウェハを積層した場合の各折り取り部の側面図を示す。本実施形態は、第1実施形態を例に説明するが、第2実施形態乃至第4実施形態においても適用可能である。さらに本実施形態では、第1の梁68B、第2の梁72B、第3の梁76に適用した場合について説明する。第1実施形態においては、第1の梁68A、68B、第2の梁72A、72B、第3の梁76A、76Bをダイシングすることにより圧電デバイス10を個片化することを前提として述べてきたが、本実施形態により、折り取りによっても個片化することが可能である。図13aに示すように、第1の梁68Bには、第1の折り取り部118が配置され、第2の梁72Bには、第2の折り取り部120が配置され、第3の梁76Bには、第3の折り取り部122が配置されている。第1の折り取り部118は、第1の梁68Bの中央部において、その幅方向及び厚み方向にサンドブラストを施すことにより形成することができる。第3の折り取り部122も、第3の梁76Bの中央部において、その幅方向及び厚み方向にサンドブラストを施すことにより形成することができる。一方、第2の折り取り部120はエッチングにより形成することが可能である。すなわち、第2の折り取り部120を形成するための第2の梁72Bの幅方向のエッチングは、圧電振動基板26の外形第2の梁72Bを含むをエッチングで形成する工程と同時に形成することができる。一方、振動部34A、振動部34Bの発振効率を高めるため、振動部34A、振動部34Bを構成する柱状ビームに柱状ビームの厚み方向から溝を形成するハーフエッチングを施して柱状ビームの重量を軽減することが行なわれる。この工程は圧電振動基板26の外形を形成したのち、振動部34A、振動部34Bの厚み方向の両面に行なう。したがって、第2の折り取り部120を形成するための第2の梁72Bの厚み方向のハーフエッチングは、この溝の形成と同時に行うことができ、第2の梁72Bの厚み方向の両面からハーフエッチングを行なうことができる。このようにして形成された、第1の折り取り部118、第2の折り取り部120、第3の折り取り部122は、図13bに示すように、積層方向から見て重なるように配置される。したがって各折り取り部に力を印加することにより、各折り取り部を破断させることができる。したがって、ダイシングによらず、第1の梁68B、第2の梁72B、第3の梁76Bを折り取ることができる。同様に、第1の梁68Aにも第1の折り取り部118を形成し、第2の梁72Aに第2の折り取り部120を形成し、第3の梁76Aに第3の折り取り部122を形成し、第1の梁68A、第2の梁72A、第3の梁76Aを破断することができる。これにより、圧電デバイス10を個片化することができる。よって、基板間の剥離や振動部34A、振動部34Bの破損を効率的に防止して、歩留の高い圧電デバイス10を量産することができる。図14に、第1実施形態の圧電モジュールの模式図であり、図14aは斜視図、図14bは側面図である。第1実施形態の圧電モジュール130では、第3実施形態の圧電デバイスを用いる場合について説明する。図14aに示すように、圧電デバイス100を実装基板132上に搭載した圧電モジュール130を構成することができる。図14aに示すように、パッド電極42A、42Bと実装基板132上の接続電極134A、134Bをワイヤー136により接続することができる。図14bに示すように、第1基板14の下面の中央部にエポキシ系樹脂等の接着剤138を塗布し、この中央部において一点支持状態で実装基板132に接合することにより圧電デバイス100を実装基板132に実装している。さらに圧電デバイス100第1基板14と実装基板132との間には接着剤138による隙間が形成されるが、この隙間にシリコン系樹脂等による充填材140を充填している。図14cでは、第1基板14のマウント部106A、106Bの下面に接着剤138をそれぞれ塗布している。そして圧電デバイス100の長手方向の一端となるマウント部106A、106Bの2点を固定端とし、圧電デバイス100の長手方向の他端を自由端とした片持ち支持状態で実装基板132に接合されている。そして、図14bと同様に圧電デバイス100と実装基板132との隙間を充填材140により充填している。上記いずれの構成においても、接着剤138と第1基板14との間で熱歪み等の応力が発生するが、この応力は圧電デバイス100を伝播するに従って緩和される。そして、図14bに示すように、圧電デバイス100を第1基板14の下面の中央部に一点支持状態で実装基板132に実装することにより、第1基板14の接着剤138が配置された位置から振動部34A、振動部34Bへの応力の伝達の経路が最も長くなる。よって効率的に応力を緩和させ振動部34A、振動部34Bへの悪影響を低減させることができる。また図14cに示すように、マウント部106A、106Bにおいて二点支持状態で実装基板132に実装した場合は、マウント部106A、106B間に熱歪み等の応力が発生し得るが、接続部32A、32Bの間にはスリット102が配置され、マウント部106A、106Bの間には第2のスリット104が配置されているので、マウント部106A、106Bは応力に応じて屈曲変形することができる。よってマウント部106A、106Bにおいて応力を緩和させ振動部34A、振動部34Bへの悪影響を低減させることができる。また、マウント部106A、106Bは接続部32A、32Bの真下に配置されることになる。よってマウント部106A、106Bの下面に接着剤138を塗布して、圧電デバイス100を実装基板132に実装する場合は、接続部32A、32B上のパッド電極42A、42Bの真下に接着剤138が来る形となるので、ワイヤー136を容易に接続することができる。したがって、いずれの場合においても、熱歪み等の応力の伝達を緩和して振動部34A、振動部34Bへの悪影響を低減した圧電モジュール130となる。また圧電デバイス100と実装基板132との間の隙間にシリコン系樹脂等の充填材140を充填することにより、圧電モジュール130の耐衝撃性を高めることができる。本実施形態は、第3実施形態の圧電デバイス100を用いた圧電モジュール130であるが、図14bの実装形態であれば、第1実施形態の圧電デバイス10、第2実施形態の圧電デバイス90も適用可能である。図15に、第2実施形態の圧電モジュールの模式図を示し、図15aは分解斜視図、図15bは側面図を示す。第2実施形態の圧電モジュール150においては、第4実施形態の圧電デバイス110を適用する。本実施形態の圧電モジュール150は、実装基板152に第1基板14を収容する第3の凹部154を配置している。また、実装基板154のパッド電極42A図12b参照に対向する位置に接続電極156Aを配置し、パッド電極42B図12b参照に対向する位置に接続電極156Bを配置している。そして、第3の凹部154の周囲に外周部112を載置させる態様で第1基板14を第3の凹部154に収容し、パッド電極42Aを接続電極156Aに接続し、パッド電極42Bを接続電極156Bに接続した構成を有している。ここで、パッド電極42A、42Bと接続電極156A、156Bとを導電性接着剤等により接続しても良いが、図15に示すようにAu等で形成されたバンプ160を用いてフェイスダウンボンディングを行なうことが好適である。また、上述同様の理由により、実装基板152第3の凹部154と圧電デバイス100第1基板14、外周部112との隙間を充填材140により封止することが好適である。上記構成により、第1基板14が第3の凹部154に収容されるため、低背化が可能な圧電モジュール150となる。また、この実装形態により、外周部112の実装基板152側との2つの接続位置バンプ160の間において熱歪みが発生するが、2つの接続位置の間にはスリット114が配置されているため、外周部112のスリット114の周囲となる領域において熱歪みを緩和させることができる。したがって、振動部34A、振動部34B圧電振動片への応力の影響を緩和することができる。図16に、本実施形態のウェハの積層構造及び圧電デバイスにおいて、振動部としてATカット振動片を用いた場合の分解斜視図と、圧電デバイス図中右下の斜視図を示す。また図中左上に圧電振動基板の下面の斜視図を示す。上記実施形態において、振動部34A、振動部34Bは柱状ビームを用いたものであったが、図16に示すように、本実施形態の圧電デバイス170の振動部172としてATカット振動片を適用することができる。なお、その他の構成要素は、例えば図16に示すように、第3実施形態と同様となっている。振動部172の圧電振動基板26の長辺方向の両端には、第3実施形態と同様に第1基部36と第2基部38が接続されている。そして振動部172の両面にはATカット振動片において厚みすべり振動を励振する励振電極174A、174Bが配置されている。励振電極174Aは、振動部172の第2基板48に対向する面に配置され、励振電極174Bは、振動部172の第1基板14に対向する面に配置されている。また、パッド電極42A、42Bは、第1実施形態と同様にそれぞれ接続部32A、32Bに配置されている。そして、パッド電極42Aは、引出電極176Aを介して励振電極174Aに接続される。またパッド電極42Bは、引出電極176Bを介して励振電極174Bに接続される。引出電極176Aは、圧電振動基板26の第2基板48に対向する面に配置され、励振電極174Aから延出し、第1基部36、支持部40A、枠部28、接続部32Aを経由してパッド電極42Aに接続する。引出電極176Bは、圧電振動基板26の第1基板14側の面に配置され、励振電極174Bから延出し、第2基部38、支持部40B、枠部28、接続部32Bを経由し、接続部32Bのスリット102が形成した側面、接続部32Bの第2基板48に対向する面を経由してパッド電極42Bに接続する。よってパッド電極42A、42Bに交流電圧を印加すると振動部172は励振電極174A、174Bに印加された交流電圧により所定の共振周波数で厚みすべり振動を共振する。そして振動部172には第3実施形態と同様にダイアフラム56が受けた圧力に応じた引張応力を受けるため、この応力に応じて共振周波数が変化する。したがって、この共振周波数の変化をモニターすることによりダイアフラム56に印加された圧力を検知することができる。いずれの実施形態においても、第1ウェハ66、圧電振動ウェハ70、第2ウェハ74の積層構造を形成したのち、ダイシング若しくは折り取りして圧電デバイス10等を個片化する旨説明したが、これに限定されない。即ち、上述の各ウェハにおいて、第1基板14、圧電振動基板26、第2基板48をそれぞれ個片化したのち、第1基板14、圧電振動基板26、第2基板48を積層して圧電デバイス10等を構築することができる。このとき第1の凸部24、第2の凸部46、第3の凸部58が互いに重なるように配置されているので、各凸部を積層の際のアライメントの目印に用いることができ、積層を容易に行うことができる。また上述の圧電モジュール130、150において、圧電デバイス10等に電気的に接続する集積回路不図示、すなわち振動部34A、振動部34B振動部172を駆動させるとともに振動部34A、振動部34B振動部172の共振周波数の情報を取得可能な集積回路不図示を搭載することが可能である、また上述の圧電デバイス10等において、第2基板48を取り払った場合は、振動部34A、振動部34B振動部172を発振源とする発振器として機能させることができる。したがって、自ら発振する発振器としての機能、または自ら圧力を測定する圧力センサーとしての機能を有する圧電モジュール130、150を構築することができる。図17に、本実施形態の圧電デバイスにおいて、振動部として音叉型振動片を用いた場合の分解斜視図と、圧電振動基板の下面の模式図を示す。また、図18に、本実施形態の圧電デバイスにおいて、振動部としてATカット振動片を用いた場合の分解斜視図と、圧電振動基板の下面の模式図を示す。例えば、本発明は、3層以上の構造を有し且つ中間層として圧電振動基板が含まれる温度センサー、圧電振動子等の圧電デバイスに適用することができる。圧電振動基板の振動部としては、図17に示すように音叉型振動片や、図18に示すようにATカット水晶振動片を適用することができる。また、水晶のX軸電気軸を中心にして所定の角度だけ回転して得られる回転Y板を用いた水晶振動子、その他のカットで切断された水晶振動子、水晶以外の圧電材料を用いた圧電振動子、等を広く適用できる。図17においては、第1の凹部16を有する第1基板14、振動部212を有する圧電電振動基板26、第2の凹部50を有する第2基板48からなる3層構造の圧電デバイス11となっている。そして圧電振動基板26において、接続部32にパッド電極42A、パッド電極42Bが配置され、振動部212には励振電極216A、励振電極216Bが配置されている。圧電振動基板26の第1基板14に対向する面において、励振電極216Aからは引出電極214Aが引き出されている。引き出し電極214Aは、接続部32の第1基板14に対向する面、接続部32の側面を経由し、接続部32の第2基板48に対向する面に引き出され、パッド電極42Aに接続されている。また圧電振動基板26の第2基板48に対向する面において、励振電極216Bからは引出電極214Bが引き出されている。引出電極214Bは、接続部32の第2基板48に対向する面を経由してパッド電極42Bに接続されている。上記構成において、パッド電極42A、42Bに交流電圧を印加することにより振動部212が屈曲振動をする。ここで、圧電振動基板26の枠部28は、第1の凹部16の周囲に形成された第1の周縁部18、及び第2の凹部50の周囲に形成された第2の周縁部52より圧電振動片振動部212側に突出したものとなっている。図18においては、第1の凹部16を有する第1基板14、振動部218を有する圧電振動基板26、第2の凹部50を有する第2基板48からなる3層構造の圧電デバイス11aとなっている。そして圧電振動基板26の接続部32の第2基板48に対向する面にパッド電極42A、パッド電極42Bが配置されている。また、振動部218の第1基板14に対向する面には励振電極222Aが配置され、振動部218の第2基板48に対向する面であって励振電極222Aに対向する位置に励振電極222Bが配置されている。励振電極222Aからは引出電極220Aが引き出されている。引出電極220Aは、接続部32の第1基板14に対向する面、接続部32の側面を経由して接続部32の第2基板48に対向する面に引き出されパッド電極42Aに接続されている。また励振電極222Bからは引き出し電極220Bが引き出されている。引出電極220Bは、接続部32の第2基板48に対向する面を経由してパッド電極42Bに接続されている。上記構成において、パッド電極42A、42Bに交流電圧を印加することにより振動部218が厚みすべり振動をする。ここで、圧電振動基板26の枠部28は、第1の凹部16の周囲に形成された第1の周縁部18、及び第2の凹部50の周囲に形成された第2の周縁部52より圧電振動片振動部218側に突出したものとなっている。なお、図17、図18において、第2基板48の第2の凹部50に力伝達部54A、力伝達部54Bが形成されていない点を除き、他の構成要素は第1実施形態等と同様なので説明を省略する。本発明の圧電デバイスは、上述した圧電モジュール以外に、例えば携帯電話、ハードディスク、パーソナルコンピューター、BS及びCS放送用の受信チューナー、同軸ケーブルや光ケーブル中を伝搬する高周波信号や光信号用の各種処理装置、広い温度範囲で高周波高精度クロック低ジッタ、低位相雑音を必要とするサーバーネットワーク機器、無線通信用機器等の様々な電子機器、加速度センサー、回転速度センサー等の各種センサー装置にも広く適用することができる。このような各種センサー装置及び電子機器としては、例えば一般工業用計測機器、電子血圧計、高度気圧水深計測機能付き電子機器、携帯機器、自動車などが挙げられる。そして、上述のように外力によるダイアフラムの機械的な変形を電気的信号として計測するものとして圧力センサーは携帯電話機やパソコン等の小型の携帯機器での高度計測に前記圧力センサーを応用してマイクロホンとして利用可能である。更に、近年注目をされるようになった水素やメタノール等の燃料電池は、軽量化や利便性等に起因して、例えば、ビデオカメラ、ノート型パーソナルコンピューター、携帯用電話機、携帯情報端末機PersonalDigitalAssistants:PDA、オーディオプレーヤ、プロジェクタ載置台、カプセル型医療機器の通信機能を具備した電子機器といった各種情報処理装置の燃料電池としての用途が考えられる。図19に、本実施形態の圧電デバイスを燃料電池システムに搭載した場合の系統図を示す。図19に示すように、燃料電池システム224は、水素を燃料として電力を発生させる燃料電池セル226と、該燃料電池セル226に水素を供給する水素吸蔵合金容器228と、該水素吸蔵合金容器228と上記燃料電池セル226との間に配設された圧力検出用の圧力センサー230と、圧力調整弁232と安全弁234とを備えている。この燃料電池システム224において、本発明に係る圧電デバイス10等を圧力センサー230として使用することができる。図20に、本実施形態の圧電デバイスを車両用情報記録装置に搭載した場合のブロック図を示す。図20に示すように、事故等のイベント発生時前後の必要な時間のみについて、デジタルタコグラフ238とドライブレコーダ248の双方が生成するデータを関連付けて記録し、その後の解析等に有用なデータを提供することが可能な車両用情報記録装置236がある。この車両用情報記録装置236において、前記デジタルタコグラフ238は、車両の走行状況を検出する走行状況検知手段240と、前記ドライブレコーダ248との間で情報を送受信するデジタルタコグラフ通信手段242と、情報を記録するデジタルタコグラフ記録手段244と、前記走行状況検知手段240から入力した走行状況および前記デジタルタコグラフ通信手段242から受信した情報を受けて、前記デジタルタコグラフ記録手段244に情報を記録するデジタルタコグラフ制御部246と、を有しているが、走行状況検知手段240として、高精度な圧力高度検出が可能な本発明に係る圧電デバイス10を圧力センサーとして適用できる更に、被測定者にかかる負荷を検出する活動量計側システムにおいて、前記負荷を圧力として検出する場合においては、検出器として、本発明に係る圧力センサー圧電デバイス10等を適用できる。また、警戒モードと、非警戒モードとに設定可能なセキュリティシステムであって、人体の少なくとも一部を検知可能な人体検知手段と、前記人体検知手段が前記人体の少なくとも一部を検知したことに応じて、信号を出力する出力手段と、前記出力手段からの出力信号を受けて、前記警戒モードを設定する警戒モード設定手段と、を備えるセキュリティシステムがある。このセキュリティシステムにおいて、外部からの侵入または異常を検知する異常検知センサーと、前記異常検知センサーが異常を検知したときに警報を発する警報手段とをさらに含み、前記警戒モード設定手段は、前記警戒モードに応じて、前記異常検知センサーと、前記警報手段とによる警戒動作を作動させる。このセキュリティシステムを構成する前記異常検知センサーとして、本発明に係る圧力センサー圧電デバイス10等を適用できる。更に、本発明の電子機器の一例である腕時計型電子機器の本体には、本発明に係る圧力センサー圧電デバイス10等が備えることができ、ダイナミックレンジやリニアリティなどの特性に優れた圧力センサー圧電デバイス10等を備えた電気機器となる。更に、特に自動車においては、例えばインテークマニホールド圧若しくはチャージ圧、ブレーキ圧、エアサスペンション圧、タイヤ圧、ハイドロリック貯蔵圧、ショックアブソーバ圧、冷却媒体圧、自動変速機における変調圧、ブレーキ圧、タンク圧ようの圧力検出に本発明に係る圧力センサー圧電デバイス10等を適用できる。図21に、本実施形態の圧電デバイスを側面衝突検出装置に搭載した場合の模式図を示す。車両252のサイドドア254の内部に配設された圧力センサー258により、車両252の側面に加わる衝撃を検出する側面衝突検出装置250を構成することができる。この側面衝突検出装置250において、前記圧力センサー258は、圧力を検出するダイアフラムダイアフラム56を有し、そのダイアフラムの受圧面が前記サイドドア254の内部空間256の圧力変動により歪むことを検出することによって車両252の側面に加わる衝撃を検出することができる。そして、例えば、ダイアフラムの受圧面の法線と、水平な前記車両252の前後方向の直線とのなす角を60度から90度に設定することにより、衝突時に圧力センサー258のダイアフラムが衝撃力を受けた場合に、これを圧力変化として検出する度合いを少なくして、圧力の変化をより高精度に検出することができる。この側面衝突検出装置250に用いる圧力センサー258として本実施形態の圧電デバイス10等を適用することができる。