透明な基板上に設けられ特定の波長の光を発光する発光層と、前記発光層から発光される光を反射する機能を有する第1の反射層と、前記第1の反射層とで前記発光層を挟むように設けた第2の反射層とを備えた発光ダイオードであって、前記第1の反射層と第2の反射層との間隔は、前記第2の反射層に入射角が21度以上で入射する光が共振するように設定したことを特徴とする発光ダイオード。前記第2の反射層は、21度以上の入射角で光反射率のピークを有することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。特許文献1に示すような発光ダイオードでは、発光ダイオードのチップの正面方向に最も多くの光が発光しており、レンズを用いて、光軸近傍の凹面でチップからの正面方向に向かう光を屈折により発散させることにより、被照射面における光軸近傍の照度を抑えて広がりのある照度分布にすることができる。本発明はこのような現状に鑑みなされたもので、指向性の広い発光特性を有する発光ダイオードを提供することを目的とする。このような目的を達成するために本発明の発光ダイオードは、透明な基板上に設けられ特定の波長の光を発光する発光層と、前記発光層から発光される光を反射する機能を有する第1の反射層と、前記第1の反射層とで前記発光層を挟むように設けた第2の反射層とを備えた発光ダイオードであって、前記第1の反射層と第2の反射層との間隔は、前記第2の反射層に入射角が21度以上で入射する光が共振するように設定したことを特徴とする。本発明によれば、指向性の広い発光特性を有する発光ダイオードを提供することにより、安価で高効率の面光源装置を提供することができる。以下、本発明の一実施の形態による発光ダイオードについて、直下型バックライト装置を例にとって、図面を用いて説明する。図1は本発明の一実施の形態による直下型バックライト装置の概略構成を示す斜視図であり、図2は図1に示す直下型バックライト装置を用いた液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。なお、図2は、図1のx-y平面におけるLEDの光軸を含む位置での概略断面を示している。ここで、図1、図2において、x軸の方向を横方向と呼び、直下型バックライト装置1の光の出射方向であるy軸の正の方向を正面方向、y軸の負の方向を背面方向と呼び、z軸の正の方向を上方向、z軸の負の方向を下方向と呼ぶ。図1、図2に示すように、直下型バックライト装置1は、複数個のLED2がマトリックス状に均等間隔で配列されるように反射板3の前面に配置され、そしてLED2の正面方向側には、LED2との間に間隔をあけて、各種の光学シートが配置されている。すなわち、LED2の正面方向側には、LED2からの光および反射板3により反射された光を拡散させて面光源とするための拡散部材である拡散シート4と、拡散シート4を通して入射される光のうちの一部の光を透過するとともに、前記透過した光と混色することで白色の光となる特定の色の光に変換する波長変換手段としての波長変換シート5と、出射面の法線方向に向けて集光して出射することで出射光の正面輝度を上昇させる輝度上昇シート6とを配置することにより構成されている。前記LED2は、直下型バックライト装置1の構成によって適宜最適な数および間隔で配置される。例えば、直下型バックライト装置1の大きさ、厚み、LED2の配光特性等に応じて決定される。また、この直下型バックライト装置1は、輝度上昇シート6の正面方向側の面を光の出射面として、白色の面状光を出射する。ここで、白色とは、色温度が3000K~10000K以内のことをいう。前記反射板3は、平板形状で、前記LED2の背面方向側に配置されている。前記反射板3は、少なくともLED2が配置される前面に白色のポリエステルなどからなる拡散反射面3aを形成しており、その拡散反射面3aに到達した光を拡散して正面方向に反射する。つまり、反射板3に到達した光は、正面方向側に拡散して反射される。前記拡散シート4は、平板形状で、LED2の正面方向側に、LED2および反射板3との間に間隔をあけて配置されている。この拡散シート4は、LED2側、すなわち拡散シート4の背面側から入射する光を拡散させ、そして一部の光は透過して前面から正面方向に出射するとともに、一部の光は反射して背面側LED2側に戻すように光を制御する。前記波長変換シート5は、その略平板形状の外形形状を有しており、拡散シート4と後述する輝度上昇シート6との間に配置されている。波長変換シート5は、内部に蛍光体膜を有しており、この蛍光体膜は、LED2が発する青色の光によって励起されて、特定色の光、すなわち本実施の形態においては、蛍光体膜の作用により、青色の光の波長を、長波長側の発光主波長が550nm~610nmの黄色の光に変換し、正面方向に光を出射するものである。すなわち、この波長変換シート5は、背面側から入射する青色光の一部をそのまま透過させるとともに、蛍光体膜の波長変換作用によって一部の光を黄色の光に変換して透過させ、青色光と黄色光とを混色させることで、白色光を出射するものである。もちろん、青色光が多い場合には青色がかった白色光となり、黄色光が多い場合には、黄色がかった白色光となる。前記輝度上昇シート6は、平板形状で、前記拡散シート4の前方に配置されている。輝度上昇シート6は、入射光の一部を背面方向に反射するとともに、一部を透過して出射面の法線方向に向けて集光して出射することで、出射光の正面輝度を上昇させるものである。具体的には、例えば輝度上昇シート6の前面にプリズムを設けた構成とすることにより、所定の角度の光だけを出射させることによって実現することができる。以上の構成部材により直下型バックライト装置1が構成され、図2に示すように、この直下型バックライト装置1の正面方向に画像を表示する液晶パネル7を配置することにより、液晶表示装置が構成される。また、液晶パネル7は、透明電極とスイッチング素子としての薄膜トランジスタを形成した基板と偏向板を設けた基板との間に、液晶を封入することにより複数の画素を形成したパネルが構成され、それぞれの画素を画像信号に応じてスイッチングすることにより、パネルを透過するバックライトの光の量を調整して、所望の画像を表示するものである。ところで、図2においては、理解しやすくするために、拡散シート4、波長変換シート5、輝度上昇シート6の各シート間に隙間を設けた状態の図で示しているが、このような隙間を設けて各シートを配置する必要はない。次に、本発明のバックライト装置に使用するLED2について、詳細に説明する。LED2は、発光主波長430~480nmの青色の光を発光するもので、図3に示すように、LEDチップ8をLEDパッケージ9内に配置し、LEDチップ8を保護するための樹脂10により封止することにより構成されている。また、LEDチップ8は、LEDパッケージ9の基板図示せずに配線部材により電気的に接続されている。なおここで、前記発光主波長とは、発光スペクトルにおいて発光強度の極大値を有する波長を意味している。また、図3において、点線Aは、LED2の光の出射パターンを模式的に示すものである。図4はLEDチップ8の構造を模式的に示した断面図である。図4において、11はGaNよりなる透明な基板で、この基板11の一方の主面上に、n型のGaN膜よりなるn型コンタクト層12、n型のAlGaN膜よりなるn型クラッド層13、InGaN膜よりなる特定の波長の光を発光する活性層である発光層14、p型のAlGaN膜よりなるp型クラッド層15、p型のGaN膜よりなるp型コンタクト層16が順次積層形成されている。また、前記発光層14から発光される光を反射する機能を有するAgからなる第1の反射層17が積層形成されている。18はTiO2層とSiO2層とを交互に複数層積層して構成した第2の反射層で、この第2の反射層18は、前記第1の反射層17とで前記発光層14を挟むように設けられている。19はn型の電極、20はp型の電極である。図4において、n型の電極19とp型の電極20の間に電圧を印加することにより、発光層14が発光する。発光層14から発光される光は等方発光であるので、発光された光のうち一部は第2の反射層18および第1の反射層17に向かい、一部はLED2を構成する積層体のいずれかの界面で全反射され、また一部はLED2を構成する積層体のいずれかの材質により吸収される。ここで、第2の反射層18の反射率は、第1の反射層17の反射率より低く設定されており、発光層14で発光した光は、反射を繰り返しながら第2の反射層18より取り出される。本実施の形態では、第1の反射層17と第2の反射層18は、共振器長L1の光共振器を構成し、発光層から発光された光の共振器内での波長をλとすると、共振器長L1は式1を満足する。式12L1=m1λcosθここで、m1は2以上の整数である。θは半導体層から第1の反射層17と第2の反射層18への光の入射角である。本実施の形態では、半導体層の媒質の屈折率を2.5としており、θは21.25度とした。なお発光層14と第1の反射層17の距離をL2、発光層14と第2の反射層18の距離をL3とすると、L2及びL3は、式2、式3、式4の関係を満足する。式22L2=m20.5λcosθ式32L3=m30.5λcosθ式4m1=m2m31一般的に発光ダイオードから出射する光の指向性は、ランバーシャンに近い分布になることが知られている。すなわち光の出射角0degで光度は最大となり、出射角のコサインに比例する指向性となる。一方、本実施の形態では、上記のような共振器の構成にすることで64度近傍の光の強度が最大となり、ランバーシャンよりも広角度側に広がった指向性を得ることができる。ここで、本実施の形態の発光ダイオードの作成方法について説明する。基板11の下面にAgを蒸着し、第1の反射層17を形成する。次に、基板11の第1の反射層17の逆側の面の上にMOCVD法を用いてn型コンタクト層12、n型クラッド層13、発光層14、p型クラッド層15、p型コンタクト層16を形成する。続いて第2の反射層18として、TiO2層とSiO2層とを交互に複数層多層コーティングにより形成する。続いてイオンビームエッチングにより、電極を形成する部分までエッチング除去する。n型の電極19を形成する部分は、第2の反射層18の側からn型コンタクト層12の途中まで除去する。p型の電極20を形成する部分は、p型コンタクト層16の表面までエッチング除去を行う。続いて、n型電極19をn型コンタクト層12の露出部に、p型電極20をp型コンタクト層16の上に真空蒸着し、窒素中でアニールしてオーミック電極を形成する。以上のように発光ダイオードを構成することで、広配光な発光ダイオードを実現できる。なお本実施の形態において、第2の反射層18の角度反射特性に関して、入射角θの値と同程度に反射率のピークを有するように設定することで、より広配光な発光ダイオードを実現できる。また本実施の形態において、第1の反射層17はAgを用いたが、誘電多層膜を用いてもよい。