"陽極酸化された焼結多孔質本体から形成されたアノードと、該アノードの上に重ねて導電性ポリマー粒子の分散液から形成された固体電解質とを含むコンデンサ要素と、不活性気体を含有する気体雰囲気を有する内部空間を形成し、前記コンデンサ要素が内部に位置決めされる内部空間を形成するハウジングと、前記アノード本体に電気的に接続したアノード端子と、前記固体電解質に電気的に接続したカソード端子と、を含むことを特徴とするコンデンサアセンブリ。前記導電性ポリマー粒子は、以下の一般構造:を有する置換ポリチオフェンを含み、ここで、Tは、O又はSであり、Dは、置換されていてもよいC1からC5アルキレン基であり、R7は、直鎖又は分岐の置換されていてもよいC1からC18のアルキル基、置換されていてもよいC5からC12のシクロアルキル基、置換されていてもよいC6からC14のアリール基、置換されていてもよいC7からC18のアラルキル基、置換されていてもよいC1からC4のヒドロキシアルキル基、又はヒドロキシル基であり、qは、0から8の整数であり、nは、2から5,000である、ことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記置換ポリチオフェンは、以下の一般構造:を有することを特徴とする請求項2に記載のコンデンサアセンブリ。前記導電性ポリマー粒子は、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンを含むことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記導電性ポリマー粒子は、約1から約200ナノメートルの平均直径を有することを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記固体電解質は、カウンタイオンを更に含むことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記カウンタイオンは、モノマー又はポリマーアニオンを含むことを特徴とする請求項6に記載のコンデンサアセンブリ。前記カウンタイオンは、ポリスチレンスルホン酸を含むことを特徴とする請求項7に記載のコンデンサアセンブリ。前記固体電解質は、結合剤を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記多孔質本体は、タンタル又はニオブ酸化物から形成されることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記焼結多孔質本体は、寸法的に安定であることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記コンデンサ要素は、前記内部空間の約30体積又はそれよりも多くを占有することを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記アノードの長さの前記内部空間の長さに対する比が、約0.40から約1.00であることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記アノードの高さの前記内部空間の高さに対する比が、約0.40から約1.00であることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記アノードの幅の前記内部空間の幅に対する比が、約0.80から約0.99であることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記ハウジング及び前記アノードは、ほぼ矩形の形状を有することを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記不活性気体は、窒素、ヘリウム、アルゴン、キセノン、ネオン、クリプトン、ラドン、又はその組合せを含むことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。不活性気体が、前記気体雰囲気の約50重量から100重量を構成することを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。酸素が、前記気体雰囲気の約1重量未満を構成することを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記アノード及びカソード端子は、表面装着可能であることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記アノードの前記多孔質本体から縦方向に延びるリードを更に含み、該リードは、前記ハウジングの前記内部空間内に位置決めされることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記アノードの前記縦方向に対してほぼ直角に位置決めされ、かつそれに接続された第1の部分を収容する接続部材を更に含むことを特徴とする請求項21に記載のコンデンサアセンブリ。前記接続部材は、前記アノードリードが延びる前記縦方向に対してほぼ平行である第2の部分を更に収容することを特徴とする請求項22に記載のコンデンサアセンブリ。前記第2の部分は、前記ハウジング内に位置決めされることを特徴とする請求項23に記載のコンデンサアセンブリ。前記アノード端子の第1の領域が、前記ハウジング内に位置決めされ、該アノード端子の第2の領域が、該ハウジングの外部に位置決めされることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記カソード端子の第1の領域が、前記ハウジング内に位置決めされ、該カソード端子の第2の領域が、該ハウジングの外部に位置決めされることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記ハウジングは、対向する側壁に溶接又は半田付けされた蓋を含むことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記ハウジングは、セラミック又はプラスチック材料を含むことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記ハウジングは、金属を含むことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。約60ボルト又はよりも高い降伏電圧を示すことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。約100ボルト又はそれよりも高い降伏電圧を示すことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記コンデンサ要素は、樹脂系カプセル材料を含まないことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。コンデンサアセンブリを形成する方法であって、焼結多孔質本体を陽極酸化してアノードを形成する段階と該アノードに導電性ポリマー粒子の分散液を付加して固体電解質を形成する段階とを含む方法によってコンデンサ要素を形成する段階と、前記コンデンサ要素をハウジングの内部空間内に位置決めする段階と、前記コンデンサ要素の前記アノードをアノード端子に、かつ該コンデンサ要素の前記固体電解質をカソード端子に電気的に接続する段階と、不活性気体を含有する気体雰囲気の存在下で前記コンデンサ要素を前記ハウジング内に密封する段階と、を含むことを特徴とする方法。前記固体電解質は、原位置重合によって形成された導電性ポリマーを一般的に含まないことを特徴とする請求項33に記載の方法。前記アノードは、前記分散液内に浸漬されることを特徴とする請求項33に記載の方法。前記導電性ポリマー粒子は、前記分散液の約0.1から約10重量を構成することを特徴とする請求項33に記載の方法。しかし、残念なことに、こうした固体電解質の安定性は、ドープ状態から非ドープ状態に変換する傾向又はその逆の傾向のために高温において良好ではない。従って、現在、高温環境での改善した性能を有する固体電解コンデンサに対する必要性が存在する。本発明の一実施形態により、陽極酸化されて焼結された多孔質本体から形成されたアノードと、このアノードの上に重なる固体電解質とを含むコンデンサ要素を含むコンデンサアセンブリを開示する。固体電解質は、導電性ポリマー粒子の分散液から形成される。このアセンブリは、その中にコンデンサ要素が位置決めされる内部空間を形成するハウジングも含み、このハウジングは、不活性気体を含有する気体雰囲気を有する内部空間を形成する。アノード端子がアノード本体と電気的に接続され、カソード端子が固体電解質に電気的に接続されている。本発明の別の実施形態により、焼結された多孔質本体を陽極酸化してアノードを形成する段階と導電性ポリマー粒子の分散液をアノードに付加して固体電解質を形成する段階とを含む方法によってコンデンサ要素を形成する段階と、ハウジングの内部空間内にコンデンサ要素を位置決めする段階と、コンデンサ要素のアノードをアノード端子に電気的に接続し、コンデンサ要素の固体電解質をカソード端子に電気的に接続する段階と、不活性気体を含有する気体雰囲気の存在下でコンデンサ要素をハウジング内部に密封する段階とを含むコンデンサアセンブリを形成する方法を開示する。本発明の他の特徴及び態様をより詳細に以下に説明する。当業者を対象とした最良の方法を含む本発明の完全かつ有効な開示を添付図面への参照を含む本明細書の残り部分でより詳細に説明する。本明細書及び図面における参照文字の反復使用は、本発明の同じか又は類似の特徴又は要素を表すことを意味する。この説明は、例示的な実施形態の説明であるのみであり、より広範な態様が例示的な構成に具現化されている本発明のより広範な態様の制限として意図されないことは当業者によって理解されるものとする。一般的に、本発明は、高電圧及び高温環境で用いるコンデンサアセンブリに関する。より詳細には、コンデンサアセンブリは、アノード本体と、アノード本体の上に重なる誘電体と、誘電体の上に重なる固体電解質とを含有する固体電解コンデンサ要素を含む。コンデンサアセンブリの高電圧用途での使用容易化を助けるために、固体電解質は、事前形成導電性ポリマー粒子の分散液から形成されることが一般的に好ましい。このようにして、電解質は、特に比較的高電圧例えば、約60ボルトよりも高いでの誘電体劣化の原因になる可能性がある高エネルギ化学基例えば、Fe2又はFe3イオンを一般的に含まない状態を保つことができる。更に、高温での固体電解質の安定性の保護を助けるために、コンデンサ要素は、不活性気体を含有する気体雰囲気の存在下でハウジング内部に封入されて密封される。このハウジング及び不活性気体雰囲気は、コンデンサの導電性ポリマーに付加される酸素及び水分の量を抑制すると考えられる。すなわち、固体電解質が高温環境内で反応を受ける可能性があまりなく、従って、コンデンサアセンブリの熱安定性が高まる。高電圧及び高温環境の両方で十分に機能するのに加えて、本発明のコンデンサアセンブリは、高い体積効率も示すことができる。ここで、本発明の様々な実施形態をより詳細に以下に説明する。I.コンデンサ要素望ましい体積効率の達成を助けるために、コンデンサ要素は、ハウジングの内部空間の約30体積又はそれよりも多く、一部の実施形態において約50体積又はそれよりも多く、一部の実施形態において約60体積又はそれよりも多く、一部の実施形態において約70体積又はそれよりも多く、一部の実施形態において約80体積から約98体積、一部の実施形態において約85体積から約97体積のようなハウジングの内部空間の容積の実質的な部分を占有するようにした方式で形成することができる。上述のようなハウジング内の実質的な部分を占有するのに十分大きいサイズを有するコンデンサ要素を使用する機能は、アノードの寸法安定性を最適化することによって容易にされる。より具体的には、アノードが製造される材料及び方法に対する選択的制御が、アノードが焼結の後であっても寸法的に安定した状態を維持することができることを可能にする。例えば、アノードは、バルブ金属粉末から形成された多孔質本体を含有する。この粉末の比電荷は、約2,000μFV/gから約80,000μFV/g、一部の実施形態において約5,000μFV/gから約40,000μFV/g又はそれよりも大きく、一部の実施形態においては約10,000から約20,000μFV/gのように変えることができる。バルブ金属粉末は、タンタル、ニオブ、アルミニウム、ハフニウム、チタン、それらの合金、それらの酸化物、及びそれらの窒化物などのようなバルブ金属すなわち、酸化の可能な金属又はバルブ金属ベースの化合物を含有する。例えば、バルブ金属組成物は、1:1.0±1.0、一部の実施形態において1:10±0.3、一部の実施形態において1:10±0.1、一部の実施形態において1:1±0.05のニオブの酸素に対する原子比を有するニオブ酸化物のようなニオブの導電性酸化物を含有することができる。例えば、ニオブ酸化物は、NbO07、NbO10、NbO11、及びNbO2とすることができる。そのようなバルブ金属酸化物の例は、Fifeに付与された米国特許第6,322,912号明細書、Fife他に付与された第6,391,275号明細書、Fife他に付与された第6,416,730号明細書、Fifeに付与された第6,527,937号明細書、Kimmel他に付与された第6,576,099号明細書、Fife他に付与された第6,592,740号明細書、及びKimmel他に付与された第6,639,787号明細書、及びKimmel他に付与された第7,220,397号明細書、並びにSchnitterに付与された米国特許出願公開第2005/0019581号明細書、Schnitter他に付与された第2005/0103638号明細書、Thomas他に付与された第2005/0013765号明細書に説明されており、それらの全ては、全ての目的に対してそれへの引用により全体として本明細書に組み込まれている。この粉末の粒子は、薄片状、角状、結節状、及びそれらの混合又は変形とすることができる。粒子は、典型的に少なくとも約60メッシュ、一部の実施形態において約60から約325メッシュ、一部の実施形態において約100から約200メッシュの篩サイズ分布も有する。更に、比表面積は、約0.1から約10.0m2/g、一部の実施形態において約0.5から約5.0m2/g、一部の実施形態において約1.0から約2.0m2/gである。用語比表面積は、吸着気体として窒素を用いたBruanauer,Emmet,及びTeller,米国化学学会誌、60巻、1938、p.309の物理的気体吸着B.E.T.法によって測定された表面積を意味する。更に、バルク又はScott密度は、典型的に約0.1から約5.0グラム/立方センチg/cm3、一部の実施形態において約0.2から約4.0g/cm3、一部の実施形態において約0.5から約3.0g/cm3である。アノード本体の構成を容易にするために、他の成分をこの粉末に添加することができる。例えば、結合剤及び/又は滑剤は、粒子がアノード本体を形成するためにプレスされる時に相互に適切に付加することを保証するように使用することができる。適切な結合剤としては、樟脳、ステアリン酸、及び他の石けんのような脂肪酸、カーボワックスUnionCarbide、グリプタルGeneralElectric、ナフタリン、植物性ワックス、及びマイクロワックス精製パラフィンを含むことができる。結合剤は、溶媒中に溶解又は分散させることができる。例示的な溶媒としては、水、アルコール、及びその他を含むことができる。利用される場合、結合剤及び/又は滑剤の比率は、全量の約0.1重量から約8重量まで変えることができる。しかし、本発明においては、結合剤及び滑剤は要求されないことを理解すべきである。得られた粉末は、あらゆる従来型の粉末プレス成形を用いて圧密化することができる。例えば、プレス成形は、ダイと1つ又は複数のパンチとを用いる単一ステーション圧密プレス成形とすることができる。代替的に、アンビル型圧密プレス成形を使用することができ、これは、ダイと単一のより低いパンチとをのみを用いる。単一ステーション圧密プレス成形は、シングルアクション、ダブルアクション、フローティングダイ、可動プラテン、対向ラム、スクリュー、衝撃、ホットプレス、コイニング、又はサイジングのような様々な機能を有するカム、トグル/ナックル、及び偏心/クランクのようないくつかの基本型で利用することができる。圧密化の後、得られたアノード本体は、正方形、矩形、円、長円、三角、六角、八角、七角、五角などのようなあらゆる望ましい形状にその後にダイスカットすることができる。アノード本体は、表面の容積に対する比率を高めてESRをできるだけ低下させ、かつキャパシタンスの周波数応答を拡大させるために、その中に1つ又はそれよりも多くの山、溝、凹部、又は欠刻を含む溝付き形状も有することができる。次に、アノード本体は、あらゆる結合剤/滑剤の全部でないとしてもその大部分が除去される加熱段階を受けることができる。例えば、アノード本体は、約150°Cから約500°Cの温度で作動するオーブンによって典型的に加熱される。代替的に、Bishop他に付与された米国特許第6,197,252号明細書に説明されているように、ペレットと水溶液との接触によって結合剤/滑剤を除去することができる。形成された状態で、アノード本体は、次に焼結される。焼結の温度、雰囲気及び時間は、アノードの種類、及びアノードのサイズなどのような様々なファクタに依存する場合がある。一般的に、焼結は、約800°Cから約1900°C、一部の実施形態において約1000°Cから約1500°C、一部の実施形態において約800°Cから約1400°Cの温度で約5分から約100分、一部の実施形態において約30から約60分の時間にわたって行われる。必要に応じて、焼結は、アノードへの酸素の移動を制限する雰囲気内で行うことができる。例えば、焼結は、真空、不活性気体、水素内のような還元性雰囲気中で行うことができる。還元性雰囲気は、約10トルから約2000トル、一部の実施形態において約100トルから約1000トル、一部の実施形態において約100トルから約1000トル、一部の実施形態において約100トルから約930トルの圧力とすることができる。水素と他の気体例えば、アルゴン又は窒素の混合物を使用することもできる。アノード本体を形成するのに使用される粉末の比電荷により、焼結は、かなりの程度の収縮を時にもたらす場合がある。アノード本体のサイズが大きくなると、収縮はアノード構造体におけるかなり有意な程度の曲げを引き起こす場合がある。理論によって制限されることを意図しないが、アノード本体が外部の硬い表面例えば、焼結トレイの表面と物理的に接触している時に、曲げが増大すると考えられる。より具体的には、こうした硬い表面は、物理接触が存在する時にピン留めとも称されるそれらの箇所でアノード本体の収縮を制限する可能性があり、それによってアノード本体の他の箇所に比べて物理的接触の区域でのより小さい収縮をもたらす。この収縮差は、次に、アノード本体を曲げ、湾曲形状例えば、三日月形状が形成される。こうした曲げをできるだけ小さくするために、焼結は、アノード本体の表面が外面例えば、焼結トレイの表面と物理的に接触しないような方式で行うことができる。例えば、図4-図5を参照すると、こうした焼結技術の一実施形態が示されており、それにおいては1つ又はそれよりも多くのアノード20がアノードリード42を通じてストリンガー200に接続される。アノードリード42をストリンガー200に取り付けるために、溶接、スエージ加工などのようなあらゆる公知の技術を用いることができる。このようにして、アノード20は、外面に物理的接触することなくストリンガー200から吊り下がることができる。得られたアノードアセンブリ201は、従って、熱処理デバイス又は加熱炉220を通過する表面221上に位置決めされる図5。アノード20が加熱炉220内で加熱されると、それらは、物理的制約のない自由な収縮が可能とされる。そのような拘束のないアノードの焼結のために様々な他の構成が用いられることも理解すべきである。例えば、別の実施形態では、吊り下がったアノードは加熱炉内に垂直に移動され、焼結処理が完了したら次にデバイスから持ち上げることができる。その比較的大きいサイズに関わらず、得られたアノードは、もしあっても軽度の湾曲しか有しないなどの点で寸法的に安定した状態を保つことができる。寸法安定性は、アノードの端部を通過して延びる長手中間平面に対するアノードの方向によって特徴付けることができる。例えば、図3を参照すると、長手軸3の方向に延びるアノード20の一実施形態が示されている。アノード20は、上端部分17及び下端部分19を有し、それらの間に第1のエッジ部分7及び対向する第2のエッジ部分9が延びている。中間長手面13は、長手軸3に平行な方向に上端部分17を通過して延びている。その寸法安定性により、アノード20は、中間平面13とそれぞれのエッジ部分7及び9の間にもしあっても小さい表面変化しか有しない。すなわち、距離a中間平面13とエッジ部分7の間と距離b中間平面13とエッジ部分9の間の間のワープとも称される差Wは、アノード20の長さに沿ってほぼ小さい。例えば、差W又はワープは、図3に示すように、例えばアノードの中央でアノード20の長さに沿って約0.25ミリメートル又はそれ未満、一部の実施形態において約0.20ミリメートル又はそれ未満、一部の実施形態において約0.15ミリメートル又はそれ未満、一部の実施形態において0から約0.10ミリメートルとすることができる。湾曲の程度に反比例する曲率半径も、寸法的に安定なアノード20を定めるために使用することができる。曲率半径は、中間長手面13に対して直角な中間横断面14の方向のようなアノード20の一般的形状を表す方向で示すことができる。より詳細には、曲率半径は、図3での記号Rによって表され、かつ式:半径=W/2L2/8Wによって計算することができ、式中、Wは、上述のワープであり、Lは、長さである。ある一定の実施形態では、中間横断面14の方向での曲率半径は、約25センチメートル又はそれよりも大きく、一部の実施形態において約50センチメートル又はそれよりも大きく、一部の実施形態において約100センチメートル又はそれよりも大きいとすることができる。アノードリードもアノード本体に接続され、そこから縦方向に延びている。アノードリードは、ワイヤ、シートなどの形態とすることができ、タンタル、ニオブ、ニオブ酸化物などのようなバルブ金属化合物から形成することができる。リードの接続は、リードを本体に溶接するか、又はリードをアノード本体に形成中に例えば、圧密化及び/又は焼結の前に埋め込むなどの公知の技術を使用して達成することができる。上述のように、アノードは、誘電体で被覆される。誘電体は、焼結されたアノードを陽極的に酸化陽極酸化することによって形成することができ、それによって誘電体層がアノードを覆い、及び/又はアノード内部に形成される。例えば、タンタルTaアノードは、五酸化タンタルTa2O5に陽極酸化することができる。一般的に、陽極酸化は、例えば、アノードを電解質内に浸漬するなどして、アノードに溶液を最初に付加することによって行われる。水例えば、脱イオン水のような溶媒が一般的に用いられる。イオン伝導度を高めるために、この溶媒内で解離できてイオンを形成する化合物を用いることができる。そのような化合物の例としては、電解質に関して以下に説明するような例えば酸が挙げられる。例えば、酸例えば、リン酸が、陽極酸化溶液の約0.01重量から約5重量、一部の実施形態において約0.05重量から約0.8重量、一部の実施形態において約0.1重量から約0.5重量を構成することができる。必要に応じて、酸の配合物も用いることができる。陽極酸化溶液を通過して電流が流され、誘電体層が形成される。形成電圧の値は、誘電体層の厚みを管理する。例えば、電力供給は、必要な電圧に到達するまでガルバノスタットモードに最初に設定することができる。その後、電力供給は、ポテンショスタットモードに切り換えることができ、望ましい誘電体厚みがアノードの全面を覆って形成されることが保証される。言うまでもなく、パルス又はステップポテンショスタット法のような他の公知の方法を使用することもできる。陽極酸化が行われる電圧は、典型的に約4から約250V、一部の実施形態において約9から約200V、一部の実施形態において約20から約150Vの範囲である。酸化中に、陽極酸化溶液は、約30°C又はそれよりも高く、一部の実施形態において約40°Cから約200°C、一部の実施形態において約50°Cから約100°Cのような高い温度に維持することができる。陽極酸化は、室温で又はそれ未満で行うことができる。得られる誘電体層は、アノード表面上及びその空隙内部に形成することができる。上述のように、固体電解質は、誘電体の上に重なり、これは、一般的にコンデンサのためのカソードとして機能する。固体電解質は、1つ又はそれよりも多くの導電性ポリマー層から形成される。こうした層に使用することができる導電性ポリマーは、典型的にπ共役であり、例えば、酸化の後での少なくとも1μScm1の導電率のような酸化又還元の後での導電性を有する。そのようなπ共役導電性ポリマーの例としては、例えば、ポリヘテロ環例えば、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリンなど、ポリアセチレン、ポリ-p-フェニレン、ポリフェノレートなどが挙げられる。特に適切な導電性ポリマーは、以下の一般構造:を有する置換ポリチオフェンであり、ここで、Tは、O又はSであり、Dは、置換されていてもよいC1からC5アルキレン基例えば、メチレン、エチレン、n-プロピレン、n-ブチレン、n-ペンチレンなどであり、R7は、直鎖又は分岐の置換されていてもよいC1からC18のアルキル基例えば、メチル、エチル、n-又はiso-プロピル、n-,iso-,sec-、又はtert-ブチル、n-ペンチル、1-メチルブチル、2-メチルブチル、3-メチルブチル、1-エチルプロピル、1,1-ジメチルプロピル、1,2-ジメチルプロピル、2,2-ジメチルプロピル、n-ヘキシル、n-ヘプチル、n-オクチル、2-エチルヘキシル、n-ノニル、n-デシル、n-ウンデシル、n-ドデシル、n-トリデシル、n-テトラデシル、n-ヘキサデシル、n-オクタデシルなど、置換されていてもよいC5からC12のシクロアルキル基例えば、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシルなど、置換されていてもよいC6からC14のアリール基例えば、フェニル、ナフチルなど、置換されていてもよいC7からC18のアラルキル基例えば、ベンジル、o-,m-,p-トリル,2,3-,2,4-,2,5-,2,6-,3,4-,3,5-キシリル、メシチルなど、置換されていてもよいC1からC4のヒドロキシアルキル基、又はヒドロキシル基であり、qは、0から8、一部の実施形態において0から2の整数であり、一部の実施形態において0であり、nは、2から5,000、一部の実施形態において4から2,000、一部の実施形態において5から1,000である。化学基D又はR7のための置換基の例としては、例えば、アルキル、シクロアルキル、アリール、アラルキル、アルコキシ、ハロゲン、エーテル、チオエーテル、ジスルフィド、スルホキシド、スルホン、スルホネート、アミノ、アルデヒド、ケト、カルボン酸エステル、カルボン酸、カーボネート、カルボキシレート、シアノ、アルキルシラン及びアルコキシシラン基、カルボキシアミド基などが挙げられる。特に適切なチオフェンポリマーは、Dが置換されていてもよいC2からC3のアルキレン基のものである。例えば、このポリマーは、置換されていてもよいポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンであり、これは、以下の一般構造:を有する。上述したような導電性ポリマーを形成する方法は、当業技術で公知である。例えば、本明細書にその全ての目的に対して引用により全体として組込まれているMerker他に付与された米国特許第6,987,663号明細書は、モノマー前駆体から置換ポリチオフェンを形成する様々な技術を説明している。モノマー前駆体は、例えば、次の構造:を有し、ここで、T、D、R7、及びqは、上記に定められている。特に適切なチオフェンモノマーは、Dが、置換されていてもよいC2からC3アルキレン基のものである。例えば、以下の一般構造:を有する置換されていてもよい3,4-アルキレンジオキシチオフェンを使用することができ、ここで、R7及びqは、上記に定められている。1つの特定の実施形態では、qは0である。3,4-エチレンジオキシチオフェンの市販の適切な一例は、H.C.StarckGmbHからClevios登録商標Mの名称で入手可能である。他の適切なモノマーは、本明細書にその全ての目的に対して引用により全体として組み込まれているBlohm他に付与された米国特許第5,111,327号明細書及びGroenedaal他に付与された米国特許第6,635,729号明細書にも説明されている。これらのモノマーの誘導体を使用することもでき、それらは、上述のモノマーのダイマー又はトライマーである。より高分子の誘導体、すなわち、モノマーのテトラマー、ペンタマーなどは、本発明での使用に適切である。この誘導体は、同一の又は異なるモノマー単位から構成することができ、かつ純粋形態、及び相互との混合物、及び/又はモノマーとの混合物の状態で使用することができる。これらの前駆体の酸化又は還元型も用いることができる。このチオフェンモノマーは、酸化触媒の存在において化学重合することができる。酸化触媒は、アンモニウム、ナトリウム、金、鉄III、銅II、クロムVI、セリウムIV、マンガンIV、マンガンVII、又はルテニウムIIIカチオンなどのような遷移金属カチオンを含有する有機又は無機酸の塩のような遷移金属塩とすることができる。特に適切な遷移金属塩としては、ハロゲン化物例えば、FeCl3又はHAuCl4、他の無機酸の塩例えば、FeClO43、Fe2SO43、NH42S2O8、又はNa3Mo12PO40、及び有機基を含む有機酸及び無機酸の塩が挙げられる。有機基を有する無機酸の塩の例としては、例えば、C1からC20アルカノールの硫酸モノエステルの鉄III塩例えば、ラウリルサルフェートの鉄III塩が挙げられる。同様に、有機酸の塩の例としては、例えば、C1からC20のアルカンスルホン酸例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、又はドデカンスルホン酸の鉄III塩、脂肪族ペルフルオロスルホン酸例えば、トリフルオロメタンスルホン酸、ペルフルオロブタンスルホン酸、又はペルフルオロオクタンスルホン酸の鉄III塩、C1からC20の脂肪族カルボン酸例えば、2-エチルヘキシルカルボン酸の鉄III塩、脂肪族ペルフルオロカルボン酸例えば、トリフルオロ酢酸、又はペルフルオロオクタン酸の鉄III塩、C1からC20のアルキル基によって置換されていてもよい芳香族スルホン酸例えば、ベンゼンスルホン酸、o-トルエンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、又はドデシルベンゼンスルホン酸の鉄III塩、シクロアルカンスルホン酸例えば、カンファースルホン酸の鉄III塩、その他が挙げられる。これらの上述の塩の混合物を使用することもできる。必要に応じて、モノマーの重合を前駆体溶液中で行うことができる。水、グリコール例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、トリエチレングリコール、ヘキシレングリコール、ポリエチレングリコール、エトキシジグリコール、ジプロピレングリコールなど、グリコールエーテル例えば、メチルグリコールエーテル、エチルグリコールエーテル、イソプロピルグリコールエーテルなど、アルコール例えば、メタノール、エタノール、n-プロパノール、イソプロパノール、及びブタノール、ケトン例えば、アセトン、メチルエチルケトン、及びメチルイソブチルケトン、エステル例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジエチレングリコールアセテート、メトキシプロピルアセテート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなど、アミド例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルカプリリック/カプリック脂肪酸アミド、及びN-アルキルピロリドン、スルホキシド又はスルホン例えば、ジメチルスルホキシドDMSO及びスルホラン、及びフェノール化合物例えば、トルエン、キシレンなどなどのような溶媒例えば、極性プロトン性又は非極性をこの溶液に使用することができる。この反応のためには、水が特に適切な溶媒である。用いられる時に、前駆体溶液内の溶剤の全量は、約40重量から約90重量、一部の実施形態において約50重量から約85重量、一部の実施形態において約60重量から約80重量を構成することができる。チオフェンモノマーの重合は、約10°Cから約100°C、一部の実施形態において約15°Cから約75°Cの温度で一般的に行われる。反応が完了すると、公知の濾過技術をあらゆる塩不純物を除去するために使用することができる。分散液を精製するために、1つ又はそれよりも多くの洗浄段階を使用することもできる。重合すると、得られた導電性ポリマーは、一般的に、約1から約200ナノメートル、一部の実施形態において約2から約100ナノメートル、一部の実施形態において約4から約50ナノメートルの平均直径のような小サイズを有する粒子の形態にある。粒径は、超遠心、レーザ回折などによるような公知の技術を用いて測定することができる。粒子の形状も、同様に変えることができる。例えば、1つの特定の実施形態において、この粒子は、球状の形状である。しかし、プレート、ロッド、ディスク、バー、チューブ、不規則形状などのような他の形状も本発明によって意図されることを理解すべきである。分散液内の粒子の濃度は、分散液の望ましい粘性及び分散液がコンデンサに付加される特定の方式に基づいて変えることができる。しかし、典型的には、この粒子は、分散液の約0.1から約10重量、一部の実施形態において約0.4から約5重量、一部の実施形態において約0.5から約4重量を構成する。必要に応じて、微粒子形態への導電性ポリマーの形成は、帯電した導電性ポリマー例えば、ポリチオフェンを中和する個別のカウンタイオンの使用によって容易にされる。すなわち、典型的に固体電解質に使用される導電性ポリマー例えば、ポリチオフェン又はそれらの誘導体は、中性又は陽性カチオン性である主ポリマー鎖に電荷を典型的に有する。例えば、ポリチオフェン誘導体は、主ポリマー鎖内に陽電荷を典型的に有する。場合によっては、ポリマーは構造単位内に陽及び陰電荷を有し、陽電荷は主鎖上に位置し、陰電荷は任意的にスルホネート基又はカルボキシレート基のような化学基Rの置換基上に位置する。主鎖の陽電荷は、化学基R上に任意的に存在するアニオン基で部分的又は全体的に飽和することができる。全体的にみると、このポリチオフェンは、これらの場合には、カチオン性、中性、又は更にはアニオン性とすることができる。それにも関わらず、それらは、全てカチオン性ポリチオフェンと見なされ、これは、ポリチオフェン主鎖が陽電荷を有するからである。カウンタイオンは、モノマーアニオン又はポリマーアニオンとすることができる。ポリマーアニオンは、例えば、ポリマーカルボン酸例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリマーレイン酸など、ポリマースルホン酸例えば、ポリスチレンスルホン酸PSS、及びポリビニルスルホン酸などなどとすることができる。この酸は、ビニルカルボン酸及びビニルスルホン酸と、アクリル酸エステル及びスチレンのような他の重合可能モノマーとのコポリマーのようなコポリマーであるとすることができる。更に、適切なモノマーアニオンとしては、例えば、C1からC20のアルカンスルホン酸例えば、ドデカンスルホン酸、脂肪族ペルフルオロスルホン酸例えば、トリフルオロメタンスルホン酸、ペルフルオロブタンスルホン酸、又はペルフルオロオクタンスルホン酸、C1からC20の脂肪族カルボン酸例えば、2-エチルヘキシルカルボン酸、脂肪族ペルフルオロカルボン酸例えば、トリフルオロ酢酸、又はペルフルオロオクタン酸、C1からC20のアルキル基によって置換されていてもよい芳香族スルホン酸例えば、ベンゼンスルホン酸、o-トルエンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、又はドデシルベンゼンスルホン酸、及びシクロアルカンスルホン酸例えば、カンファースルホン酸、又はテトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート、パークロレート、ヘキサフルオロアンチモネート、ヘキサフルオロアルセネート、又はヘキサクロロアンチモネートなどのアニオンが挙げられる。特に適切なカウンタイオンは、ポリマーカルボン酸又はポリマースルホン酸例えば、ポリスチレンスルホン酸PSSのようなポリマーアニオンである。こうしたポリマーアニオンの分子量は、一般的に、約1,000から約2,000,000、一部の実施形態において約2,000から約500,000の範囲にある。用いられる時に、固体電解質の所定の層内のこうしたカウンタイオンの導電性ポリマーに対する重量比率は、典型的に約0.5:1から約50:1、一部の実施形態において約1:1から約30:1、一部の実施形態において約2:1から約20:1である。上述の重量比率に参照される導電性ポリマーの重量は、重合中に完全な変換が起こると仮定して、使用されるモノマーの加わった部分に対応する。導電性ポリマー及び任意的なカウンタイオンに加えて、分散液は、1つ又はそれよりも多くの結合剤を含有することができ、ポリマー層の付加特性が更に改善され、分散液内の粒子の安定性も高められる。結合剤は、本質的に有機性とすることができ、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリ酪酸ビニル、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリル酸アミド、ポリメタクリル酸エステル、ポリメタクリル酸アミド、ポリアクリロニトリル、スチレン/アクリル酸エステル、酢酸ビニル/アクリル酸エステル及びエチレン/酢酸ビニルコポリマー、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリスチレン、ポリエーテル、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、メラミンホルムアミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂又はセルロースのようなものである。結合剤の付加機能を高めるために、架橋剤も用いることができる。こうした架橋剤としては、例えば、メラミン化合物、マスクドイソシアネート又は3-グリシドキシプロピルトリアルコキシシラン、テトラエトキシシラン、及びテトラエトキシシラン加水分解物のような官能性シラン又はポリウレタン、ポリアクリレート又はポリオレフィンのような架橋可能ポリマーが挙げられ、並びにその後の架橋が含まれる。固体電解質の形成とそれをアノード部分に付加する機能とを容易にするために、分散剤も用いることができる。適切な分散剤としては、脂肪族アルコール例えば、メタノール、エタノール、i-プロパノール及びブタノール、脂肪族ケトン例えば、アセトン及びメチルエチルケトン、脂肪族カルボン酸エステル例えば、酢酸エチル及び酢酸ブチル、芳香族炭化水素例えば、トルエン及びキシレン、脂肪族炭化水素例えば、ヘキサン、ヘプタン及びシクロヘキサン、塩素化炭化水素例えば、ジクロロメタン及びジクロロエタン、脂肪族ニトリル例えば、アセトニトリル、脂肪族スルホキシド及びスルホン例えば、ジメチルスルホキシド及びスルホラン、脂肪族カルボン酸アミド例えば、メチルアセトアミド、ジメチルアセトアミド及びジメチルホルムアミド、脂肪族及びアラリファチックエーテル例えば、ジエチルエーテル及びアニソール、水、及び上記溶媒のあらゆる混合物が挙げられる。特に適切な分散剤は、水である。上述したものに加えて、更に他の成分も分散液内に使用することができる。例えば、約10ナノメートルから約100マイクロメートル、一部の実施形態において約50ナノメートルから約50マイクロメートル、一部の実施形態において約100ナノメートルから約30マイクロメートルのサイズを有する従来型の充填剤を使用することができる。こうした充填剤の例としては、炭酸カルシウム、ケイ酸塩、シリカ、硫酸カルシウム又はバリウム、水酸化アルミニウム、ガラス繊維又はガラス球、木粉、セルロース粉末カーボンブラック、導電性ポリマーなどが挙げられる。充填剤は、粉末の形態で分散液内に導入することができるが、繊維のような別の形態で存在することもできる。イオン性又は非イオン性界面活性剤のような界面活物質も分散液内に用いることができる。更に、有機官能性シラン又はそれらの加水分解物である例えば3-グリシドキシプロピルトリアルコキシシラン、3-アミノプロピル-トリエトキシシラン、3-メルカプトプロピル-トリメトキシシラン、3-メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン又はオクチルトリエトキシシランのような接着剤も用いることができる。分散液は、エーテル基含有化合物例えば、テトラヒドロフラン、ラクトン基含有化合物例えば、γ-ブチロラクトン又はγ-バレロラクトン、アミド又はラクタム基含有化合物例えば、カプロラクタム、N-メチルカプロラクタム、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミドDMF、N-メチルホルムアミド、N-メチルホルムアニリド、N-メチルピロリドンNMP、N-オクチルピロリドン、又はピロリドン、スルホン及びスルホキシド例えば、スルホランテトラメチレンスルホン又はジメチルスルホキシドDMSO、糖又は糖誘導体例えば、ショ糖、ブドウ糖、果糖、又は乳糖、糖アルコールソルビット又はマンニット、フラン誘導体例えば、2-フランカルボン酸又は3-フランカルボン酸、アルコール例えば、エチレングリコール、グリセリン、ジ-又はトリエチレングリコールのような導電性を高める添加剤も含むことができる。ポリマー分散液は、スピンコーティング、含浸、注加、液滴毎付加、注入、噴霧、ドクターブレーディング、刷毛塗り、印刷例えば、インクジェット、スクリーン、又はパッド印刷のような様々な公知の技術を使用することによってその部分に付加することができる。用いられる付加技術に基づいて変えることができるが、分散液の粘性は、典型的に約0.1から約100,000mPas100s1の剪断速度で測定して、一部の実施形態において約10から約1,500mPas、一部の実施形態において約100から約1000mPasである。付加されると、層は乾燥させて洗浄することができる。こうした分散液を用いる1つの利点は、分散液がコンデンサ本体のエッジ領域内に浸透することができ、誘電体との接着性を高めることである。これは、より機械的に頑強な部分をもたらし、等価直列抵抗及び漏れ電流を低減することができる。こうした分散液は、原位置重合中に生成され、イオン移動によって高電界の下での絶縁破壊を引き起こす可能性があるイオン種例えば、Fe2又はFe3の存在を最小にすることができる。従って、導電性ポリマーを原位置重合によってではなく分散液として付加することにより、得られたコンデンサは、漏れ電流が1mAに達するまで3ボルトずつ印加電圧を高めて測定された時に、約60ボルト又はそれよりも高く、一部の実施形態において約80ボルト又はそれよりも高く、一部の実施形態において約100ボルト又はそれよりも高く、一部の実施形態において約120ボルトから約200ボルトのような比較的高い降伏電圧コンデンサが損なわれる電圧を示す場合がある。必要に応じて、固体電解質は、1つ又は複数の層から形成することができる。複数の層が使用される時に、この層の1つ又はそれよりも多くが原位置重合によって形成された導電性ポリマーを含むことができる。しかし、非常に高い降伏電圧例えば、約120から200ボルトを得ることが要求される時に、本発明者は、固体電解質が上述のポリマー分散液から主として形成され、かつそれが原位置重合によって形成された導電性ポリマーを一般的に含まないことを見出した。使用される層の数に関わらず、得られた固体電解質は、典型的に約1マイクロメートルμmから約200μm、一部の実施形態において約2μmから約50μm、一部の実施形態において約5μmから約30μmの全体厚みを有する。アノード部分に付加されると、固体電解質は、任意的にヒーリング処理することができる。ヒーリング処理は、固体電解質層の各付加の後、又は複数の層が使用される場合にはコーティング全体の付加の後に行うことができる。一部の実施形態では、例えば、固体電解質は、酸の溶液のような電解質溶液内にペレットを浸漬し、その後、電流が予め設定したレベルに低下するまで一定電圧を印加することによって行われる。必要に応じて、こうしたヒーリング処理は、複数の段階で達成することができる。上述した一部又は全ての層の付加の後に、必要に応じて、ペレットは、次に洗浄することができ、様々な副産物、過剰の酸化剤などが除去される。更に、一部の場合には、上述の浸漬操作のうちの一部又は全ての後に、乾燥を利用することができる。例えば、その部分の空隙を開き、それによってそれが次の浸漬段階の時に液体を受け取ることができるように、酸化剤の付加の後及び/又はペレットの洗浄の後に乾燥が望ましい場合がある。この部分には、固体電解質の上に重なる外部コーティングのような1つ又はそれよりも多くの付加的な層を任意的に付加することができる。外部コーティングは、少なくとも1つの炭素質層と、炭素質層の上に重なる少なくとも1つの金属層とを含む。金属層は、コンデンサのための半田付け可能導体、接触層、及び/又は電荷コレクターとして機能を果たすことができ、銅、ニッケル、銀、ニッケル、亜鉛、錫、パラジウム、鉛、銅、アルミニウム、モリブデン、チタン、鉄、ジルコニウム、マグネシウム、及びそれらの合金のような導電性金属から形成することができる。この層での使用ためには、銀は、特に適切な導電性金属である。炭素質層は、金属層と固体電解質層の間の接触を制限することができ、そうでなければこの接触がコンデンサの抵抗を増大させるであろう。炭素質層は、グラファイト、活性炭、カーボンブラックなどのような様々な公知の炭素質材料から形成することができる。炭素質層の厚みは、典型的に約1μmから約50μm、一部の実施形態において約2μmから約30μm、一部の実施形態において約5μmから約10μmの範囲である。同様に、金属層の厚みは、典型的に約1μmから100μm、一部の実施形態において約5μmから約50μm、一部の実施形態において約10μmから約25μmの範囲である。保護コーティングも誘電体と固体電解質の間に使用することができる。保護コーティングは、比較的絶縁性の樹脂系材料天然又は合成を含むことができる。こうした材料は、約10Ω/cmよりも大きく、一部の実施形態において約100よりも大きく、一部の実施形態において約1,000Ω/cmよりも大きく、一部の実施形態において約1×105Ω/cmよりも大きく、一部の実施形態において約1×1010Ω/cmよりも大きい比抵抗率を有することができる。本発明に利用することができる一部の樹脂系材料としては、以下に制限されるものではないが、ポリウレタン、ポリスチレン、不飽和又は飽和脂肪酸のエステル例えば、グリセライドなどが挙げられる。例えば、適切な脂肪酸のエステルとしては、以下に制限されるものではないが、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、エレオステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、アレウリチン酸、シェロール酸、他のエステルが挙げられる。これらの脂肪酸のエステルは、得られるフィルムが安定した層に迅速に重合することを可能にする乾性油を形成する比較的複雑な組合せで使用される時に特に有用であることが公知である。こうした乾性油としては、それぞれ1つ、2つ、及び3つのエステル化された脂肪酸アシル残基を有するグリセロール骨格を有するモノ-、ジ-、及び/又はトリ-グリセライドを含むことができる。例えば、使用することができる一部の適切な乾性油としては、以下に制限されるものではないが、オリーブ油、アマニ油、ヒマシ油、キリ油、大豆油、及びシェラックが挙げられる。これら及び他の保護コーティングは、Fife他に付与された米国特許第6,674,635号明細書により詳細に説明されており、この特許は、全ての目的に対してその引用により全体として本明細書に組み込まれている。必ずしも必要とされるとは限らないが、このコンデンサ要素は、頻繁に固体電解コンデンサに使用される樹脂系封入剤例えば、エポキシ樹脂を一般的に含まないことが多くの場合に要求される。特に、こうした材料は、コンデンサアセンブリの体積効率での低下をもたらす場合がある。II.ハウジング本発明のコンデンサ要素は、ハウジング内部に封入されて密封される。密封は、使用中の固体電解質の酸化を抑制するために少なくとも1つの不活性気体を含有する気体雰囲気の存在下で典型的に行われる。不活性気体としては、例えば、窒素、ヘリウム、アルゴン、キセノン、ネオン、クリプトン、ラドンなど、並びにそれらの混合物を含むことができる。一般的に、不活性気体は、約50重量から100重量、一部の実施形態において約75重量から100重量、一部の実施形態において約90重量から約99重量のようなハウジング内の雰囲気の大部分を構成する。必要に応じて、比較的少量の二酸化炭素、酸素、水蒸気などのような非不活性気体を用いることもできる。しかし、そのような場合には、この非不活性気体は、セラミックハウジング内の雰囲気のほぼ15重量又はそれ未満、一部の実施形態において10重量又はそれ未満、一部の実施形態において約5重量又はそれ未満、一部の実施形態において約1重量又はそれ未満、一部の実施形態において約0.01重量から約1重量を構成する。例えば、水分含量相対湿度によって示すは、約10又はそれ未満、一部の実施形態において約5又はそれ未満、一部の実施形態において約1又はそれ未満、一部の実施形態において約0.01から約5とすることができる。金属、プラスチック、及びセラミックなどのような様々な異なる材料のいずれかをハウジングを形成するために使用することができる。例えば、一実施形態において、ハウジングは、タンタル、ニオブ、アルミニウム、ニッケル、ハフニウム、チタン、銅、銀、鋼例えば、ステンレス、それらの合金例えば、導電性酸化物、それらの複合材例えば、導電性酸化物で被覆した金属などのような金属の1つ又はそれよりも多くの層を含む。別の実施形態において、ハウジングは、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、ガラスなど、並びにその組合せのようなセラミック材料の1つ又はそれよりも多くの層を含むことができる。ハウジングは、円筒、D字形状、矩形、三角形、角柱などのようなあらゆる望ましい形状を有することができる。例えば、図1-図2を参照すると、ハウジング122とコンデンサ要素120とを収容するコンデンサアセンブリ100の一実施形態が示されている。この特定の実施形態において、ハウジング122は、ほぼ矩形である。一般的に、ハウジングとコンデンサ要素は、同じか又は類似の形状を有し、そのためにコンデンサ要素は、内部空間内に容易に収容することができる。例えば、図示の実施形態では、コンデンサ要素120とハウジング122は、ほぼ矩形の形状を有する。上述のように、本発明のコンデンサアセンブリは、比較的高い体積効率を示すことができる。そのような高い効率を容易にするために、コンデンサ要素は、ハウジングの内部空間の容積の実質的な部分を典型的に占有する。例えば、コンデンサ要素は、ハウジングの内部空間の約30体積又はそれよりも多く、一部の実施形態において約50体積又はそれよりも多く、一部の実施形態において約60体積又はそれよりも多く、一部の実施形態において約70体積又はそれよりも多く、一部の実施形態において約80体積から約98体積、一部の実施形態において約85体積から約97体積を占有することができる。この目的のために、コンデンサ要素の寸法とハウジングによって形成された内部空間の寸法との間の差は、典型的に比較的小さい。例えば、図1-図2を参照すると、図1-図2のコンデンサ要素120は、エッジ部分177と179の間に形成された長さアノードリード6の長さを除外するを有する。同様に、内部空間126は、第1及び第2エッジ部分107及び109それぞれの内面の間に形成された長さを有する。アノードの長さの内部空間の長さに対する比は、約0.40から1.00、一部の実施形態において約0.50から約0.99、一部の実施形態において約0.60から約0.99、一部の実施形態において約0.70から約0.98の範囲にある。例えば、コンデンサ要素120は、約5から約10ミリメートルの長さを有し、内部空間126は、約6から約15ミリメートルの長さを有することができる。同様に、コンデンサ要素120の高さz方向の内部空間126の高さに対する比は、約0.40から1.00、一部の実施形態において約0.50から約0.99、一部の実施形態において約0.60から約0.99、一部の実施形態において約0.70から約0.98の範囲とすることができる。コンデンサ要素120の幅x方向の内部空間126の幅に対する比は、約0.50から1.00、一部の実施形態において約0.60から約0.99、一部の実施形態において約0.70から約0.99、一部の実施形態において約0.80から約0.98、一部の実施形態において約0.85から約0.95の範囲とすることができる。例えば、コンデンサ要素120の幅は、約2から約7ミリメートルであり、内部空間126の幅は、約3から約10ミリメートルとすることができ、コンデンサ要素120の高さは、約0.5から約2ミリメートルであり、内部空間126の幅は、約0.7から約6ミリメートルとすることができる。一般的に、コンデンサ要素は、回路へのその後の組込みのために、アノード端子とカソード端子がハウジングに対して外側に形成されるような方式でハウジングに取り付けられる。端子の特定の構成は、意図された用途に依存する場合がある。一実施形態において、ハウジングの反対端を通過して延びる端子ピンを使用することができる。例えば、再び図1を参照すると、端子ピン図示せずの1つは、ハウジングの壁124を通過して延びるようにアノードリード6に接続することができ例えば、溶接される、一方、端子ピン図示せずの別のものは、コンデンサ要素120のカソードに接続されて壁124を通過して延びる。端子ピン構成は、ある一定の実施形態において有用とすることができるが、本発明者は、コンデンサアセンブリは、それが表面装着可能なように形成することができ、しかも機械的に頑強であることを見出している。例えば、アノードリードは、外面装着可能なアノード及びカソード端子例えば、パッド、シート、プレート、フレームなどに電気的に接続することができる。こうした端子は、ハウジングを通過して延びることができ、コンデンサと接続される。端子の厚み及び高さは、コンデンサアセンブリの厚みを最小にするように一般的に選択される。例えば、端子の厚みは、約0.05から約1ミリメートル、一部の実施形態において約0.05から約0.5ミリメートル、かつ約0.1から約0.2ミリメートルの範囲とすることができる。必要に応じて、端子の表面は、完成部分が回路基板に装着可能であることを保証するために当業技術で公知のようにニッケル、銀、金、錫などで電気メッキすることができる。1つの特定の実施形態では、端子には、ニッケル及び銀フラッシュがそれぞれ堆積され、装着表面も錫半田層でメッキされる。別の実施形態では、端子には、ベース金属層例えば、銅合金の上に薄い外側金属層例えば、金が堆積され、導電性が更に高められる。ある一定の実施形態では、機械的に安定な方式による端子への接続を容易にするために、接続部材をハウジングの内部空間内部に使用することができる。例えば、図1-図2を再び参照すると、コンデンサアセンブリ100は、接続部材162を含むことができ、これは、第1の部分167及び第2の部分165から形成される。接続部材162は、外部端子に類似した導電材料から形成することができる。第1の部分167及び第2の部分165は、一体とすることができ、又は直接に又は付加的な導電性要素例えば、金属経由のいずれかで一緒に接続される別々の部分とすることができる。図示の実施形態では、第2の部分165は、リード6が延びる縦方向にほぼ平行な平面内に設けられる例えば、x方向。第1の部分167は、リード6が延びる縦方向に対してほぼ直角な平面内に設けられる意味で直立している。このようにして、第1の部分167は、水平方向のリード6の移動を抑制することができ、使用中の表面接触及び機械的安定性を改善する。第1の部分167は、アノードリード6に接続される装着領域151図2を参照されたいを有することができる。領域151は、リード6の表面接触及び機械的安定性の更に別の改善のためにU字形状を有することができる。領域151のリード6への接続は、溶接、レーザ溶接、導電性接着剤のような様々な公知技術のいずれかを用いて達成することができる。例えば、1つの特定の実施形態では、領域151は、リード6にレーザ溶接される。しかし、選択された技術に関わらず、第1の部分167は、実質的に水平アラインメントの状態でアノードリード6を保持することができ、コンデンサアセンブリ100の寸法安定性を更に改善する。再び図1を参照すると、本発明の一実施形態が示されており、それにおいて接続部材162とコンデンサ要素120は、それぞれアノード及びカソード端子127及び129を通じてハウジング122に接続される。より具体的には、ハウジング122は、下部壁122及び2つの対向する側壁124を含み、それらの間にコンデンサ120を含む空洞126が形成される。下部壁122及び側壁124は、上述のような金属、プラスチック、又はセラミック材料の1つ又はそれよりも多くの層から形成することができる。この特定の実施形態では、アノード端子127は、ハウジング122内に位置決めされて接続部材162に電気的に接続された第1の領域127aと、ハウジング122の外部に位置決めされて装着表面201を提供する第2の領域127bとを収容する。同様に、アノード端子129は、ハウジング122内に位置決めされてコンデンサ要素120の固体電解質に電気的に接続された第1の領域129aと、ハウジング122の外部に位置決めされて装着表面203を提供する第2の領域127bとを収容する。こうした領域の部分全体は、ハウジング内又はその外部に位置決めされる必要がないことを理解すべきである。端子127及び129の接続は、溶接、レーザ溶接、導電性接着剤などのようなあらゆる公知の技術を用いて行うことができる。例えば、1つの特定の実施形態では、導電性接着剤131は、接続部材162の第2の部分165をアノード端子127に接続するために使用することができる。同様に、導電性接着剤133は、コンデンサ要素120のカソードをカソード端子129に接続するために使用することができる。導電性接着剤は、例えば、樹脂組成物に含有された導電性金属粒子から形成することができる。金属粒子は、銀、銅、金、白金、ニッケル、亜鉛、ビスマスなどとすることができる。樹脂組成物は、熱硬化性樹脂例えば、エポキシ樹脂、硬化剤例えば、酸無水物、及びカプリング剤例えば、シランカプリング剤を含むことができる。適切な導電性接着剤は、Osako他に付与された米国特許出願公開第2006/0038304号明細書に説明されており、この出願は、全ての目的に対して本明細書においてその全内容が引用により組み込まれている。言うまでもなく、他の技術も端子を接続するために用いることができる。例えば、代替的な実施形態では、端子は、ハウジングを通過して延びる導電性トレースによってセラミックハウジングに接続することができる。導電性金属例えば、銅、ニッケル、銀、亜鉛、錫、パラジウム、鉛、銅、アルミニウム、モリブデン、チタン、鉄、ジルコニウム、タングステン、マグネシウム、及びそれらの合金のようなあらゆる導電材料は、トレースを形成するために用いることができる。特に適切な導電性金属としては、例えば、銅、銅合金例えば、銅-ジルコニウム、銅-マグネシウム、銅-亜鉛、又は銅-鉄、ニッケル、及びニッケル合金例えば、ニッケル-鉄が挙げられる。トレースは、ハウジングの表面上に金属を含有するインクを印刷又は被覆するなどのあらゆる公知の技術を使用して形成することができる。セラミックハウジングに導電性トレースを設けるための様々な技術は、Irie他に付与された米国特許第5,314,606号明細書及びUshio他に付与された米国特許第7,304,832号明細書、並びにZhuangの米国特許出願公報第2005/0167789号明細書及びBaileyの米国特許出願公報第2007/0138606号明細書により詳細に説明されており、それらの全ては、全ての目的に対してその引用により全体として本明細書に組み込まれている。端子が接続される方式に関わらず、得られるパッケージは、上述のように密封される。例えば、図1を参照すると、ハウジング122は、蓋125も含むことができ、この蓋は、コンデンサ要素120がセラミックハウジング122内に位置決めされた後に側壁124の上面上に置くことができる。蓋125は、セラミック、金属例えば、鉄、ニッケル、コバルトなど、並びにそれらの合金、及びプラスチックなどから形成することができる。例えば、一実施形態では、蓋は、Kovar登録商標合金CarpenterTechnologyCorporationを含有し、これは、ニッケル-コバルトを有する鉄合金である。ハウジング122のサイズは、一般的に蓋125がコンデンサ要素120のいずれの表面にも接触しないようにされ、そのためにコンデンサは、汚染されない。望ましい位置に置かれると、蓋125は、溶接例えば、抵抗溶接、レーザ溶接など、半田付けなどのような公知の技術を使用して側壁124に対して密封される。密封は、上述のように不活性気体の存在下で一般的に行われ、それによって得られたアセンブリは、酸素又は水蒸気のような反応性気体を実質的に含まない。必要ではないが、他の層及び/又は材料もハウジング122に用いることができる。例えば、アセンブリの密封中のコンデンサ要素120への損傷を回避するために、1つ又はそれよりも多くの障壁部材図示せずを下部壁122、側壁124、及び/又は蓋125上に形成することができる。障壁部材は、レーザビームの反射を防止することができる反射防止材料のような当業技術で公知のあらゆる材料から形成することができる。こうした材料の例としては、任意的に充填剤粒子例えば、黒色顔料を含有するエポキシ樹脂、ポリイミド、ポリオレフィン例えば、ポリエチレン又はポリプロピレンのようなポリマーを含むことができる。本発明の結果として、コンデンサアセンブリは、高温環境に露出された時であっても優れた電気的特性を示すことができる。例えば、コンデンサアセンブリは、100Hzの作動周波数で測定して約50オーム未満、一部の実施形態では約25オーム未満、一部の実施形態では約0.01から約10オーム、一部の実施形態では約0.05から約5オームの等価直列抵抗ESRを有することができる。更に、1つの導体から隣合う導体に誘電体を通過して流れる電流を一般的に意味する漏れ電流は、比較的低レベルに維持することができる。例えば、本発明のコンデンサの正規化漏れ電流の数値は、一部の実施形態では約1μA/μFV未満、一部の実施形態では約0.5μA/μFV未満、一部の実施形態では約0.1μA/μFV未満であり、ここで、μAはマイクロアンペアでありμ、FVは、キャパシタンスと定格電圧の積である。こうしたESR及び正規化漏れ電流は、高温でのかなりの長時間にわたるエージングの後でも維持することができる。例えば、この値は、100°Cから約250°C、一部の実施形態では約100°Cから約225°C、一部の実施形態では約100°Cから約225°Cの範囲にある温度例えば、100°C、125°C、175°C、又は200°Cで約100時間又はそれよりも長く、一部の実施形態では約300時間から約3000時間、一部の実施形態では約400時間から約2500時間例えば、500時間、600時間、700時間、800時間、900時間、1000時間、1100時間、1200時間、又は2000時間にわたって維持することができる。このコンデンサは、それを高パルス用途での使用に適切とする高いエネルギ密度も示すことができる。エネルギ密度は、式:E=1/2CV2に従って一般的に判断され、式中、Cは、ファラッドF単位のキャパシタンスであり、Vは、ボルトV単位のコンデンサの使用電圧である。キャパシタンスは、例えば、キャパシタンスメーター例えば、Kelvinリードを付したKeithley3330PrecisionLCZメーター、2ボルトのバイアス及び1ボルトの信号を用いて120Hzの作動周波数及び25°Cの温度で測定することができる。例えば、このコンデンサは、約2.0ジュール/立方センチメートルJ/cm3又はそれよりも大きく、一部の実施形態において約3.0J/cm3、一部の実施形態において約4.0J/cm3から約10.0J/cm3、一部の実施形態において約4.5J/cm3から約8.0J/cm3のエネルギ密度を示すことができる。同様に、キャパシタンスは、約1ミリファラッド/平方センチメートルmF/cm2又はそれよりも大きく、一部の実施形態において約2mF/cm2又はそれよりも大きく、一部の実施形態において約5から約50mF/cm2、及び一部の実施形態において約8から約20mF/cm2とすることができる。本発明は、以下の実施例の参照によって更に良好に理解することができる。試験手順漏れ電流:漏れ電流DCLは、25°Cの温度及び所定の定格電圧で最低限20秒後の漏れ電流を測定する漏れ試験セットを用いて測定された。キャパシタンス:キャパシタンスは、2.2ボルトのDCバイアス及び0.5ボルトのピークトゥピークの正弦波信号でKelvinリードを付したKeithley3330PrecisionLCZメーターを使用して測定された。作動周波数は120Hz、温度は23°C±2°Cであった。等価直列抵抗ESR:等価直列抵抗は、2.2ボルトのDCバイアス及び0.5ボルトのピークトゥピークの正弦波信号でKelvinリードを付したKeithley3330PrecisionLCZメーターを使用して測定することができる。作動周波数は100kHz、温度は23°C±2°Cであった。5.2mm長さ×3.7mm幅×0.85mm高さのサイズを有するタンタルアノードが、120Vで10μFまで液体電解質内で陽極酸化された。導電性ポリマーコーティングが、固形分1.1を有する分散ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンClevios登録商標K、H.C.Starck中にこのアノードを浸漬することによって形成された。被覆されると、その部分は、次に、125°Cで20分間乾燥させた。この処理が6回反復された。その後、その部分は、固形分2を有する分散ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン中に浸漬され、次に、125°Cで20分間乾燥させた。再度、この処理が6回反復された。外部カーボン及び銀被膜が、アノードの製造工程の仕上げのために形成された。標準の銅ベースリードフレームが、組み立て処理の仕上げのために使用された。リードフレームの一部分が、銀接着剤を用いてコンデンサ要素の下面に取り付けられた。コンデンサ要素のタンタルワイヤが、次に、リードフレームの別の部分にレーザ溶接された。セラミックハウジングも、カリフォルニア州サンディエゴ所在のKyoceraAmerica,Inc.からCapPakの名称で得られた。ハウジングは、内部の9.0mmの長さ、4.0mmの幅、及び1.5mmの高さを有し、セラミックハウジングの底の内側部分に金メッキの半田パッドを有した。リードフレームが最初に容器内側の金アノード端子に接着され、その後、コンデンサのカソード部分が金カソード端子に接着された。アノード端子のために用いられた接着剤は、銀入りエポキシ接着剤であった。得られたアセンブリは、次に、150°Cに設定された対流式オーブン内で60分間加熱され、接着剤が硬化された。硬化処理の後、Kovar登録商標金属蓋が、蓋の内面と取付けられたコンデンサの外面との間に直接接触がないように容器の上面上に置かれた。得られたアセンブリは、次に、溶接チャンバ内に置かれ、シールリングと蓋の間のシーム溶接が行われる前に窒素気体で120分間パージされた。シーム溶接の後では、付加的なバーンイン又はヒーリングは行われなかった。1.8mm×2.4mm×1.2mmのサイズを有するタンタルアノードが、16Vで150μFまで液体電解質内で陽極酸化された。次に、アノードをトルエンスルホン酸鉄IIIのブタノール溶液Clevios登録商標C、H.C.Starck中に5分間浸漬し、次に、3,4-エチレンジオキシチオフェンClevios登録商標M、H.C.Starck中に1分間浸漬することにより、導電性ポリマーコーティングが形成された。重合の45分後に、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンの薄い層が、誘電体の表面上に形成された。この部分は、反応副産物を除去するためにメタノール中で洗浄され、液体電解質中で陽極酸化され、かつメタノール中で再度洗浄された。重合サイクルが、12回反復された。次に、この部分は、グラファイト及び銀によって被覆され、実施例1に説明したようにセラミックハウジング内に組み付けられた。寿命試験目的のために、実施例1及び実施例2のこれらの部分は、125°Cで印加電圧が定格電圧に等しい状態で及び200°C印加電圧が定格電圧の50に等しい状態で加熱炉内に置かれた。この部分は、215°C及び215°C印加電圧なしでもオーブン内に置かれた。各試験の500時間の後、この部分の漏れ電流DCL、等価直列抵抗ESR、及びキャパシタンスが、この部分がいずれかの劣化を示すか否かを確認するために室温23°C±2°Cで測定された。結果は、以下の表1及び表2に示されている。両方の表で、特に、表2で示すように、PEDT粒子の分散液を用いて形成された試料のESR及び漏れ電流は、逐次付加PEDTを用いて形成された試料よりも寿命試験の後で有意に低かった。本発明のこれら及び他の修正及び変形は、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく当業者によって実施することができる。更に、様々な実施形態の態様は、全部又は一部の両方で入れ替えることができることを理解すべきである。更に、以上の説明は、例証としてのみのものであり、特許請求の範囲に更に説明されるような本発明を制限する意図ではないことを当業者は認めるであろう。"