"減圧加熱工程を有する半導体の加工時において半導体に貼付してこれを保護するための半導体加工用テープであって、基材の少なくとも一方の面に、光硬化型粘着剤100質量部に対して7~20質量部のシリカ微粒子を含有する粘着剤層を有するものであり、前記シリカ微粒子は、平均粒子径が0.9μm以下、かつ、最大粒子径が5.0μm以下となるように前記粘着剤層中に分散していることを特徴とする半導体加工用テープ。シリカ微粒子は、フュームドシリカ微粒子であることを特徴とする請求項1記載の半導体加工用テープ。粘着剤層は、気体発生剤を含有することを特徴とする請求項1又は2記載の半導体加工用テープ。本発明は、ICチップの製造時に半導体用ウエハと支持板とを接着して半導体用ウエハを補強するために用いられる半導体加工用両面粘着テープであって、刺激を与えることにより容易かつ確実に半導体加工用両面粘着テープと支持板との間で剥離できる半導体加工用両面粘着テープを提供することを目的とする。本発明は、また、減圧加熱工程を有する半導体の加工時において半導体に貼付してこれを保護するための半導体加工用テープを提供することを目的とする。第1の本発明は、ICチップの製造時に半導体用ウエハと支持板とを接着して半導体用ウエハを補強するために用いられる半導体加工用両面粘着テープであって、基材と前記基材の両面に形成された粘着剤層とからなり、支持板と接着する側の粘着剤層が、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有するものであり、かつ、該支持板と接着する側の粘着剤層に接する側の前記基材にドット状の離型処理が施されており、離型処理を施したドットの直径をx、1cm2あたりのドットの個数をyとしたときに、xとyとが図4の破線A、破線B及び破線Cで囲まれた範囲内である半導体加工用両面粘着テープである。第2の本発明は、本発明は、減圧加熱工程を有する半導体の加工時において半導体に貼付してこれを保護するための半導体加工用テープであって、基材の少なくとも一方の面に、光硬化型粘着剤100質量部に対して7~20質量部のシリカ微粒子を含有する粘着剤層を有するものであり、前記シリカ微粒子は、平均粒子径が0.9μm以下、かつ、最大粒子径が5.0μm以下となるように前記粘着剤層中に分散している半導体加工用テープである。以下に本発明を詳述する。第1の本発明の半導体加工用両面粘着テープについて詳しく説明する。本発明者らは、両面粘着テープにより接着されたウエハと支持板とを剥離する際にウエハにかかる応力を検討した。その結果、最もウエハに応力がかかるのは、ウエハと支持板という剛体同士を剥離するときであるとの結論を得た。剥離時に、まず両面粘着テープと支持板との間で剥離できれば、残った柔軟な両面粘着テープは、めくるようにしてウエハから剥離できることから、この剥離時にはほとんどウエハを損傷することがない。このように先にウエハと支持板とを剥離するためには、例えば、両面粘着テープの支持板と接着する側の粘着剤層のみに気体発生剤を含有させることが考えられる。しかしながら、このような両面粘着テープにより接着したウエハと支持板とに刺激を与えて気体発生剤から気体を発生させても、実際には支持板を剥離できないことが多いということがわかった。これは、気体の発生によりいったん支持板が剥離したとしても、支持板自体の自重によって再び粘着剤層と密着して剥離できなくなる以下、これを再密着ともいうためであると考えられた。本発明者らは、更に鋭意検討の結果、支持板と接着する側に気体発生剤を含有させた粘着剤層に接する側の基材にドット状の離型処理を施すことにより、刺激を与えるだけで確実に支持板を剥離できるようになることを見出し、本発明を完成するに至った。第1の本発明の半導体加工用両面粘着テープ以下、単に両面粘着テープともいうを用いた場合の支持板剥離の機構について図面を用いて詳しく説明する。図1は、従来の支持板と接着する側に気体発生剤を含有させた粘着剤層を有する両面粘着テープを用いて接着した支持板と半導体ウエハに、刺激光を与えた場合の模式図である。図1aにおいて、半導体ウエハ1と支持板2とは両面粘着テープ3を介して接着されている。ここで両面粘着テープ3は、基材31の両面に粘着剤層32と粘着剤33とが形成されているものであり、支持板と接着する側の粘着剤層32は光照射により気体を発生する気体発生剤を含有している。このような積層体に光を照射すると、粘着剤層32に含有される気体発生剤から気体が発生する。発生した気体は粘着剤層32の外に出ようとするが、通常は基材-粘着剤層間の接着力の方が基材-支持板間の接着力よりも高いことから、ほとんどの気体は基材-支持板間の接着界面に放出される。この放出された気体の圧力により基材-支持板間の接着界面の少なくとも一部が剥がされて、支持板が剥離される図1b。ところが、いったん剥離したとしても、支持板自体の自重によって再び粘着剤層と密着再密着してしまい剥離できなくなる図1c。図2は、本発明の両面粘着テープを用いて接着した支持板と半導体ウエハに、刺激光を与えた場合の模式図である。図2aにおいて、半導体ウエハ1と支持板2とは両面粘着テープ4を介して接着されている。ここで両面粘着テープ4は、基材41の両面に粘着剤層42と粘着剤43とが形成されているものであり、支持板と接着する側の粘着剤層42は光照射により気体を発生する気体発生剤を含有している。そして、粘着剤層42と接する側の基材41にドット状に離型処理が施されている離型処理部411。この点において、従来の両面粘着テープと異なっている。このような積層体に光を照射すると、粘着剤層42に含有される気体発生剤から気体が発生する。発生した気体は粘着剤層42の外に出ようとし、従来の場合と同様に基材-支持板間の接着界面に気体が放出され、放出された気体の圧力により基材-支持板間の接着界面の少なくとも一部が剥がされて支持板が剥離される。一方、基材41-粘着剤層42間には離型処理部411が設けられており、この部分はその周りに比べて接着力が劣る。そのため、粘着剤層42から発生した気体は、剥離処理部411にも放出される。その結果、基材41-粘着剤層間42の界面には離型処理部411に該当する部位に空気溜まり5が形成され、この空気溜まり5の存在によって粘着剤層42が波打った形状に変化する図2b。いったん剥離した支持板が自重によって再び粘着剤層と密着しようとしても、このような波打った形状の粘着剤層に対しては充分に密着することができず、従って再密着することなく容易に剥離することができる図2c。本発明の両面粘着テープは、基材と該基材の両面に形成された粘着剤層とからなる。上記基材は特に限定されないが、光を透過又は通過するものであることが好ましく、例えば、アクリル、オレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ABS、ポリエチレンテレフタレートPET、ナイロン、ウレタン、ポリイミド等の透明な樹脂からなるシート、網目状の構造を有するシート、孔が開けられたシート等が挙げられる。上記基材は、コロナ処理等の粘着剤層との接着性を向上させるための処理が施されていてもよい。上記基材の支持板と接着する側の粘着剤層に接する側の面にはドット状の離型処理が施されている。本明細書において離型処理とは、周囲に対して粘着力又は接着力の低い領域を形成する処理をすべて含む。また、ドット状とは、離型処理部のドット点が基材の略全面に規則的に又はランダムに分布していることを意味する。図3abにドット状の離型処理の例を表す模式図を示したが、本発明はこれらの例にのみ限定されるものではない。ドット点の形状は特に限定されず、例えば円形をはじめ、三角形状、四角形状、星型形状等どのような形状であってもよい。ドット点の直径の下限は0.5mm、上限は3.0mmである。ドット点の直径が0.5mm未満であると、刺激を与えても粘着剤層が波打った形状とはならず、再密着を防止することができない。ドット点の直径が3.0mmを超えると、形成される空気溜まりが大きく、粘着剤層が波打った形状が緩やかになって充分に再密着を防止できなかったり、粘着剤層がウエハ側に付着して糊残りが生じたりする。本発明の両面粘着テープにおいて、刺激を与えることにより容易かつ確実に両面粘着テープと支持板とを剥離できるという効果は、上記離型処理を施したドット点の直径をx、1cm2あたりのドット点の個数をyとしたときに、xとyとが一定の範囲内にある場合にのみ発揮される。例えば、ドット点の直径が0.5mmの場合、1cm2あたりのドット点の個数の下限は1個、上限は12個である。1cm2あたりのドット点の個数が1個未満であると、刺激を与えても粘着剤層が波打った形状とはならず、再密着を防止することができない。1cm2あたりのドット点の個数が12個を超えると、粘着剤層がウエハ側に付着してしまうことがある。ドット点の直径が1.0mmの場合、1cm2あたりのドット点の個数の下限は1個、上限は6個である。ドット点の直径が1.5mmの場合、1cm2あたりのドット点の個数の下限は1個、上限は4個である。ドット点の直径が2.0mmの場合、1cm2あたりのドット点の個数の下限は1個、上限は3個である。ドット点の直径が2.5mmの場合、1cm2あたりのドット点の個数の下限は1個、上限は2個である。ドット点の直径が3.0mmの場合、1cm2あたりのドット点の個数の下限は1個、上限は1個である。図4に、離型処理を施したドットの直径xと1cm2あたりのドットの個数yとの関係を示した。図4においては、刺激を与えることにより容易かつ確実に両面粘着テープと支持板とを剥離できる点を○で、再密着して剥離できなかったり、ウエハ上に糊残りを生じたりする点を×でプロットしている。これらより、xとyとが図4の破線A、破線B及び破線Cで囲まれた範囲内であるときにのみ、刺激を与えることにより容易かつ確実に両面粘着テープと支持板とを剥離できることが判る。上記破線A、破線B及び破線Cで囲まれた範囲内、0.5≦x≦3.0、y≧1であり、かつ、下記式を満たす範囲内である。y≦18-12x0.5≦x≦1.0y≦10-4x1.0≦x≦1.5y≦7-2x1.5≦x≦3.0上記ドット状の離型処理を施す方法は特に限定されないが、離型剤をグラビア印刷等の印刷方法により処理する方法が簡便であり好ましい。上記離型剤は特に限定されず、例えば、シリコン系、長鎖アルキル系、フッ素系の離型剤等を用いることができる。上記長鎖アルキル系離型剤は、例えば、一方社油脂工業社製のピーロイル1050、ピーロイル406等が挙げられる。上記シリコン系離型剤は、例えば、信越化学工業社製のKM722T、KF412SP等が挙げられる。上記フッ素系離型剤は、例えば、スリーエム社製のEGC-1720、日進化成社製のダイフリー等が挙げられる。また、離型剤を用いる方法以外にも、PET基材等にコロナ処理等の接着性向上処理を施す際に、ドット状にマスクしたうえでコロナ処理を行う方法等が挙げられる。上記粘着剤層のうち支持板と接着する側の粘着剤層以下、支持板側粘着剤層ともいうは、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有するものである。上記支持板側粘着剤層を構成する粘着剤は、従来公知のものを用いることができる。上記気体発生剤は特に限定されず、例えば、アゾ化合物、アジド化合物等が挙げられる。上記支持板側粘着剤層を構成する粘着剤は、特にスパッタリング等の高温工程を含む加工に供するときに支持板を貼り合わせてこれを保護する用途に用いる場合には、特に高い耐熱性が要求される。このような耐熱性に優れた支持板側粘着剤層は、例えば、酸価が25mgKOH/g以下、かつ、水酸基価が25mgKOH/g以下である反応性二重結合を有しないメタアクリル系樹脂と、TG-DTA測定にて150°Cで1時間保持した際の重量減少が5以下のアジド化合物とを含有し、ゲル分率が75~100であるものが好適である。以下に、このような耐熱性に優れた支持板側粘着剤層について詳しく説明する。上記支持板側粘着剤層に用いるメタアクリル系樹脂は、酸価が25mgKOH/g以下であることが好ましい。酸価が25mgKOH/gを超えると、加熱によって粘着剤層の粘着力が昂進するため、気体を発生させても充分に接着力を低減させることができないことがある。なお、本明細書において、酸価とは、JISK6751に準拠した方法により測定することができる値であって、上記メタアクリル系樹脂1g中に含有される酸を中和するのに必要なKOHの重量を意味する。上記支持板側粘着剤層に用いるメタアクリル系樹脂は、水酸基価が25mgKOH/g以下であることが好ましい。水酸基価が25mgKOH/gを超えると、加熱によって粘着剤層の粘着力が昂進するため、気体を発生させても充分に接着力を低減させることができないことがある。なお、本明細書において、水酸基価とは、JISK0070に準拠した方法により測定することができる値であって、上記メタアクリル系樹脂1g中に含有される水酸基量に相当するKOHの重量を意味する。上記支持板側粘着剤層に用いるメタアクリル系樹脂は、側鎖に反応性二重結合を有する官能基を有しないことが好ましい。このようなメタアクリル系樹脂を用いることによって、アジド化合物の気体発生性能を阻害することなく、所望の時期に気体を発生させることができる。上記支持板側粘着剤層に用いるメタアクリル系樹脂は、二重結合等の重合性反応基を有しないことが好ましい。重合性反応基を有すると、該重合性反応基と、上記アジド化合物とが反応して、上記アジド化合物が消費されてしまうため、所望の時期に気体を発生させることが困難となることがある。上記支持板側粘着剤層に用いるメタアクリル系樹脂は、上記所定の酸価及び水酸基価を有するものであれば特に限定されず、例えば、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般のメタアクリル系ポリマーの場合と同様に、主モノマーとしてアルキル基の炭素数が通常2~18の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び/又はメタクリル酸アルキルエステルと、官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを、常法により共重合させることにより得られる官能基含有メタアクリル系ポリマー等が挙げられる。なかでも、アルキル基の炭素数が6以上の官能基含有メタアクリル系ポリマーが好ましい。上記官能基含有メタアクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常20万~200万程度である。上記アジド化合物は、TG-DTA熱重量-示差熱分析測定にて150°Cで1時間保持したときの重量減少量が5以下であることが好ましい。5を超えると、加熱時にアジド化合物が消費され気体が発生してしまうため、所望の時期に気体を発生させることが困難となることがある。なお、本明細書において、TG-DTA測定にて150°Cで1時間保持したときの重量減少量が5以下とは、アジド化合物単体を10°C/minの昇温速度で35°Cから150°Cまで加温し、150°Cに達した時点から1時間経過時点までの間の重量減少量が5以下であることをいう。上記アジド化合物は、上記重量減少量を有するものであれば特に限定されず、例えば、3-アジドメチル-3-メチルオキセタン、テレフタルアジド、p-tert-ブチルベンズアジドや、3-アジドメチル-3-メチルオキセタンを開環重合することにより得られるグリシジルアジドポリマーGAP等のアジド基を有するポリマー等が挙げられる。これらのアジド化合物は、主に波長400nm以下の紫外線領域の光を照射することにより窒素ガスを発生する。上記アジド化合物は、上記支持板側粘着剤層中に溶解していることが好ましい。上記アジド化合物が粘着剤層中に溶解していることにより、刺激を与えたときにアジド化合物から発生した気体が効率よく粘着剤層の外に放出される。上記アジド化合物が粘着剤層中に粒子として存在すると、粘着剤層が発泡して気体が粘着剤層の外に放出されなかったり、気体を発生させる刺激として光を照射したときに粒子の界面で光が散乱して気体発生効率が低くなってしまったり、粘着剤層の表面平滑性が悪くなったりすることがある。なお、上記アジド化合物が粘着剤層中に溶解していることは、電子顕微鏡により粘着剤層を観察したときにアジド化合物の粒子が見あたらないことにより確認することができる。上記アジド化合物を支持板側粘着剤層中に溶解させるためには、上記支持板側粘着剤層を構成する粘着剤に溶解するアジド化合物を選択すればよい。なお、粘着剤に溶解しないアジド化合物を選択する場合には、例えば、分散機を用いたり、分散剤を併用したりすることにより粘着剤層中にアジド化合物をできるかぎり微分散させることが好ましい。粘着剤層中にアジド化合物を微分散させるためには、気体発生剤は、微小な粒子であることが好ましく、更に、これらの微粒子は、例えば、分散機や混練装置等を用いて必要に応じてより細かい微粒子とすることが好ましい。即ち、電子顕微鏡により上記粘着剤層を観察したときに気体発生剤を確認することができない状態まで分散させることがより好ましい。上記アジド化合物の含有量は特に限定されないが、上記メタアクリル系樹脂100質量部に対する好ましい下限が1質量部、好ましい上限は200質量部である。1質量部未満であると、充分な剥離圧力が得られず剥離できないことがあり、200質量部を超えると粘着剤物性に悪影響を及ぼすことがある。より好ましい下限は3質量部、より好ましい上限は100質量部である。上記支持板側粘着剤層には、以上の成分のほか、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤に配合される各種の多官能性化合物を適宜配合してもよい。また、帯電防止剤、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を加えることもできる。また、樹脂の安定性を高めるために熱安定剤、酸化防止剤を配合させてもよい。このような添加剤は、例えばフェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、有機スズ系安定剤、鉛系安定剤等が挙げられる。これらの添加剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記支持板側粘着剤層には、更に、アジド化合物への光による刺激を増幅させる目的により光増感剤を配合してもよい。かかる光増感剤を配合することによってより少ない光の照射により気体を放出させることができる。また、光増感剤を配合することによってより広い波長領域の光により気体を放出させることができるので、被着体がポリアミド等のアジド化合物から気体を発生させる波長の光を透過しないものであっても、被着体越しに光を照射して気体を発生させることができ被着体の選択の幅が広がる。上記光増感剤は特に限定されないが、例えば、チオキサントン増感剤等が好適である。上記支持板側粘着剤層は、ゲル分率の好ましい下限が75である。75未満であると、気体発生時に粘着剤層自身が発泡してしまい、発生した気体を高い効率で接着界面に放出することが困難になることがある。なお、本明細書において、ゲル分率は、ゲル分の含有量のことを意味し、例えば、メタアクリル系樹脂をテトラヒドロフランに浸漬した後、乾燥させたものの重量と、浸漬前のメタアクリル系樹脂の重量との比を測定することにより求めることができる。上記支持板側粘着剤層は、上記ゲル分率を有するため、粘着テープとして用いるために必要な粘着力とともに、適度な硬さを有する。また、上記支持板側粘着剤層が含有するメタアクリル系樹脂は、上記酸価及び水酸基価を有することによって、加熱による粘着力の昂進を抑制することができる。そのため、上記支持板側粘着剤層は、加熱後にも、必要以上に粘着力が増大することなく、適度な硬さを有するため、気体発生時に粘着剤層が発泡せずに、発生した気体を高い効率で接着界面に放出することが可能となる。本発明の両面粘着テープの粘着剤層のうちウエハと接着させる側の粘着剤層以下、ウエハ側粘着剤層ともいうは特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。なかでも、刺激によって硬化する粘着剤を用いる場合には、刺激を与える前には柔軟でウエハの表面に形成された回路の凹凸への追従性に優れる一方、光等の刺激を与えることにより硬化して粘着力が低減して、支持板が剥離した後には、めくるようにして容易にウエハから剥離することができることから好適である。上記ウエハ側粘着剤層に用いる刺激によって硬化する粘着剤は、例えば、光硬化型接着剤等が挙げられる。上記光硬化型粘着剤は、従来公知のものを用いることができる。具体的には、例えば、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有するメタアクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、必要に応じて光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤を用いたもの等が挙げられる。本発明の両面粘着テープは、ICチップの製造時に半導体用ウエハと支持板とを接着して半導体用ウエハを補強するために用いられるものである。剥離時には、刺激を与えることにより支持板側粘着剤層中に含まれる気体発生剤から気体が発生し、該気体の圧力により両面粘着テープと支持板との間で剥離する。このとき両面粘着テープの基材と支持板側粘着剤層との間に空気溜まりが生じて支持板側粘着剤層全体が波打った形状に変形することにより、支持板の再密着を確実に防止することができる。このように、まず両面粘着テープと支持板との間で剥離した後、残った柔軟な両面粘着テープをめくるようにしてウエハから剥離できることから、ほとんどウエハを損傷することがない。第2の本発明の半導体加工用テープについて詳しく説明する。粘着テープを半導体の表面に貼着する場合、通常は気泡等を噛み込まないように減圧下で貼着工程を行うことが行われる。しかしながら、完全に気泡を噛み込まなくすることは極めて困難である。とりわけ非着面に回路等の凹凸が形成されている場合には、凹凸の近傍に気泡が残存することは不可避である。このような気泡は通常の工程では問題にならないものである。しかし、減圧加熱工程下においては気泡が膨張して、剥離しようとする圧力が上昇する。一方、一般に粘着剤は温度が上昇するに従って弾性率及びtanδが低下する傾向がある。従来の光硬化型粘着剤を用いた粘着テープを減圧加熱工程を有する半導体の加工時に用いた場合に剥離する原因は、減圧加熱により気泡が膨張することにより発生した剥離圧力に対して、高温により弾性率及びtanδが低下した粘着剤層ではその剥離圧力を緩和できないことにあると考えられた。本発明者らは、鋭意検討の結果、粘着剤層中にシリカ微粒子を一定の条件を満たすように微分散させることにより、高温域における粘着剤層の弾性率及びtanδの低下を抑制し、減圧加熱工程を有する半導体の加工時に用いた場合であっても剥離の発生を効果的に抑制できることを見出し、本発明を完成するに至った。従来の考え方では、シリカを配合した粘着剤層は弾性率E’又はG’が上昇する硬くなることから、むしろ粘着力が低下すると考えられていた。しかしながら、驚くべきことに、一定以下の粒子径分散径となるようにシリカ微粒子を配合した粘着剤層は高温時の剥離強度が著しく向上して、気泡が膨張することにより発生した剥離圧力がかかっても容易には剥離しない。この理由については明らかではないが、疑似架橋である海島構造が高温での構成を維持しながら、流動成分が接着力を維持するためと考えられる。本発明の半導体加工用テープは、基材の少なくとも一方の面に粘着剤層を有する。本発明の半導体加工用テープは、一方の面にのみ粘着剤層が形成された片面粘着テープであってもよく、両面に粘着剤層が形成された両面粘着テープであってもよい。上記基材としては特に限定されないが、光を透過又は通過するものであることが好ましく、例えば、アクリル、オレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ABS、ポリエチレンテレフタレートPET、ナイロン、ウレタン、ポリイミド等の透明な樹脂からなるシート、網目状の構造を有するシート、孔が開けられたシート等が挙げられる。上記粘着剤層は、光硬化型粘着剤とシリカ微粒子とを含有する。上記光硬化型粘着剤としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。具体的には、例えば、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有するメタアクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、必要に応じて光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤を用いたもの等が挙げられる。このような光硬化型粘着剤からなる粘着剤層は、光の照射により粘着剤層の全体が均一にかつ速やかに重合架橋して一体化するため、重合硬化による弾性率の上昇が著しくなり、粘着力が大きく低下する。上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持ったメタアクリル系ポリマー以下、官能基含有メタアクリル系ポリマーというをあらかじめ合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物以下、官能基含有不飽和化合物というと反応させることにより得ることができる。上記官能基含有メタアクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般のメタアクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常2~18の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び/又はメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能基含有メタアクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常20万~200万程度である。上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマーや、アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマーや、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマーや、アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマーや、アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般のメタアクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。上記官能基含有メタアクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、上記官能基含有メタアクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有メタアクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマーが用いられる。上記多官能オリゴマー又はモノマーとしては、分子量が1万以下であるものが好ましく、より好ましくは加熱又は光の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされるように、その分子量が5,000以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が2~20個のものである。このようなより好ましい多官能オリゴマー又はモノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、1,4-ブチレングリコールジアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記光重合開始剤としては、例えば、250~800nmの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物や、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物や、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物や、フォスフィンオキシド誘導体化合物や、ビスη5-シクロペンタジエニルチタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2-ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。上記シリカ微粒子としては特に限定されず、フュームドシリカ、溶融シリカ、コロイドシリカ等が挙げられる。なかでも、表面の水酸基の量の調整が容易でありながら、水分量の制御が容易であり、かつ、一次粒径が充分に小さいものが得られることからフュームドシリカ微粒子、溶融シリカ微粒子が好適であり、フュームドシリカがより好適である。上記シリカ微粒子は、平均粒子径以下、平均分散径ともいう。が1.0μm以下、かつ、最大粒子径以下、最大分散径ともいう。が5.0μm以下となるように上記粘着剤層中に分散している。このような条件で微分散することにより、はじめて本発明の優れた効果を発揮することができる。上記平均分散径の好ましい下限については特に限定されず、小さければ小さいほどよいが、現在の技術では0.05μm程度が限界である。上記最大分散径の好ましい上限は2.0μmである。上記最大分散径の好ましい下限は特に限定されないが、現在の技術では0.5μm程度が限界であろう。なお、本明細書において上記平均分散径及び最大分散径は、動的光散乱法を利用するナノトラックUPA-UTにより測定される値である。上記シリカ微粒子を上述のように微分散させるためには、少なくとも、下記の4つが重要である。まず第1には、できる限り一次粒径の小さいシリカ微粒子を原料として用いることである。原料シリカ微粒子の一次粒径の好ましい上限は50nmである。シリカ微粒子の一次粒径が50nmを超えると、上述の微分散状態を達成することは困難である。シリカ微粒子の一次粒径のより好ましい上限は30nmである。シリカ微粒子の一次粒径の下限については、小さければ小さいほど好ましいが、現在の技術では5nm程度が限界である。第2に、シリカ微粒子が分散しやすいように、表面処理を施すことである。上記表面処理としては、例えば、メトキシ基処理、エトキシ基処理、フェニル基処理、グリシジル基処理、等の化学処理や等の物理処理等が挙げられる。表面処理を施すことによりシリカ微粒子表面の水酸基は消費されるが、全ての水酸基が消費され尽くすことはないので、本発明の効果には影響しない。第3に、分散方法として高分散可能な分散装置を用いることである。高分散可能な分散装置として高速撹拌分散装置、例えば、ホモディスパー、ホモミクサー、ウルトラタラクス、シャーフロー、ホモジナイザー等が挙げられる。分散装置としてホモディスパーを用いる場合には、羽の回転速度を少なくとも2000rpm以上とすることが好ましい。第4に、分散後の粘着剤溶液をろ過することである。500メッシュのフィルターでろ過することにより、5.0μmを超える粒子隗をほぼ除去することができる。上記シリカ微粒子の配合量としては、上記光硬化型粘着剤100質量部に対する下限が7質量部、上限が20質量部である。上記シリカ微粒子の配合量が7質量部未満であると、減圧加熱下での剥離を防止する効果が得られず、20質量部を超えると、室温下での粘着性が不充分となったり、均一にシリカ微粒子を粘着剤中に練り込めなかったりする。上記シリカ微粒子の配合量の好ましい下限は10質量部、好ましい上限は17質量部である。上記粘着剤層は、光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含有してもよい。このような気体発生剤を含有する上記粘着剤層に光を照射すると、光硬化型粘着剤が架橋硬化して粘着剤層全体の弾性率が上昇し、このような硬い粘着剤層中で発生した気体は粘着剤層から接着界面に放出され接着面の少なくとも一部を剥離することから、より容易に粘着テープを剥離することができる。上記気体発生剤としては特に限定されないが、例えば、アジド化合物、アゾ化合物等が挙げられる。なかでも、本願発明の半導体加工用テープが減圧加熱工程を有する半導体の加工時に用いられることを勘案すると、耐熱性に優れるアジド化合物が好適である。上記アジド化合物としては特に限定されず、例えば、3-アジドメチル-3-メチルオキセタン、テレフタルアジド、p-tert-ブチルベンズアジドや、3-アジドメチル-3-メチルオキセタンを開環重合することにより得られるグリシジルアジドポリマーGAP等のアジド基を有するポリマー等が挙げられる。上記粘着剤層は、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的でイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤に配合される各種の多官能性化合物を適宜配合してもよい。また、帯電防止剤、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を加えることもできる。更に、粘着剤の安定性を高めるために熱安定剤、酸化防止剤を配合してもよい。本発明の半導体加工用テープを製造する方法としては特に限定されず、例えば、基材上に、上記粘着剤等をドクターナイフやスピンコーター等を用いて塗工する等の従来公知の方法を用いることができる。本発明の半導体加工用テープは、減圧加熱工程を有する半導体の加工時において半導体に貼付してこれを保護するために好適に用いることができる。本発明の半導体加工用テープでは、室温においては半導体に対して高い粘着力を有し、減圧下で加熱した場合であっても紫外線等を照射することなしには剥離してしまうことがない。従って、化学蒸着、物理蒸着、スパッタリング、ドライエッチング、メッキ等の減圧下で加熱する工程を有する半導体の加工時にも好適に用いることができる。本発明によれば、ICチップの製造時に半導体用ウエハと支持板とを接着して半導体用ウエハを補強するために用いられる半導体加工用両面粘着テープであって、刺激を与えることにより容易かつ確実に半導体加工用両面粘着テープと支持板との間で剥離できるものである半導体加工用両面粘着テープを提供することができる。また、本発明によれば、減圧加熱工程を有する半導体の加工時において半導体に貼付してこれを保護するための半導体加工用テープを提供することができる。以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。実験例11基材の調製両面にコロナ処理を施した厚さ50μmの透明なポリエチレンテレフタレートPETフィルムの一方の面に、全面に易接着処理した後、グラビア方式で図3で黒として示したドットの模様同様、長鎖アルキル系離型剤ピーロイル1050を印刷した。これにより一方の面の全体に、離型剤が処理された直径0.5mmの円形のドットが0.5、1、2、3、4、5、6、7、8及び9個/cm2の密度で均一に設けられた基材を得た。2支持板側粘着剤層用粘着剤の調製下記の化合物を酢酸エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量60万のアクリル共重合体を得た。2-エチルへキシルアクリレート97.5質量部2-ヒドロキシエチルアクリレート1.5質量部アクリル酸1.0質量部光重合開始剤0.2質量部更に、反応後のアクリル共重合体を含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分100質量部に対して、ベンゾフェノン0.5質量部、ポリイソシアネート2質量部、グリシジルアジドポリマーGAP5003、日本油脂社製を10質量部、2,4-ジエチルチオキサントン5質量部を混合して、アジド化合物を含有する支持板側粘着剤層用粘着剤の酢酸エチル溶液を調製した。なお、使用したアクリル系樹脂の酸価は10mgKOH/g、水酸基価は10mgKOH/gであった。また、使用したアジド化合物は、TG-DTA測定にて10°C/minの昇温速度で35°Cから150°Cまで加熱し、150°Cで1時間保持したときの重量減少量は2であった。更に、得られた支持板側粘着剤層用粘着剤のゲル分率は85であった。3ウエハ側粘着剤層用粘着剤の調製下記の化合物を酢酸エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量70万のアクリル共重合体からなる光硬化性粘着剤の酢酸エチル溶液を得た。2エチルヘキシルアクリレート83質量部ブチルアクリレート10質量部アクリル酸2質量部2-ヒドロキシエチルアクリレート5質量部光重合開始剤0.2質量部イルガキュア651、50酢酸エチル溶液ラウリルメルカプタン0.01質量部得られた光硬化性粘着剤の酢酸エチル溶液の樹脂固形分100質量部に対して、2-イソシアナトエチルメタクリレート3.5質量部を加えて反応させ、更に、反応後の酢酸エチル溶液の樹脂固形分100質量部に対して、光重合開始剤イルガキュア6515質量部、ポリイソシアネート1.0質量部を混合しウエハ側粘着剤層用粘着剤1の酢酸エチル溶液を調製した。なお、得られたウエハ側粘着剤層用粘着剤の23°Cにおける剪断弾性率は1×105Pa、tanδは0.41であった。4両面粘着テープの作製支持板側粘着剤層用粘着剤の酢酸エチル溶液を、得られた基材の離型剤処理が施された側の面上に乾燥皮膜の厚さが約30μmとなるようにドクターナイフで塗工し、110°C、5分間加熱して溶剤を揮発させ塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。乾燥後の支持板側粘着剤層の表面に離型処理が施されたPETフィルムをラミネートした。次に、ウエハ側粘着剤層用粘着剤の酢酸エチル溶液を、表面に離型処理が施されたPETフィルムの上に乾燥皮膜の厚さが約40μmとなるようにドクターナイフで塗工し110°C、5分間加熱して溶剤を揮発させ塗工溶液を乾燥させた。乾燥後のウエハ側粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。次いで、支持板側粘着剤層を設けた基材の支持板側粘着剤層のないコロナ処理を施した面と、ウエハ側粘着剤層を設けた離型処理が施されたPETフィルムのウエハ側粘着剤層の面とを貼り合わせた。その後、40°C、3日間静置して養生を行った。これにより両面に粘着剤層が設けられ、その表面が離型処理が施されたPETフィルムで保護された両面粘着テープを得た。実験例2~8基材の一方の面に施す離型剤処理を、表1及び表2に示したドットの直径及び密度とした以外は実験例1と同様の方法により、両面粘着テープを得た。比較例1離型剤処理を施さない基材を用いた以外は実験例1と同様の方法により、両面粘着テープを得た。比較例2基材の一方の面の全面に離型剤処理を施した基材を用いた以外は実験例1と同様の方法により、両面粘着テープを得た。評価実験例1~8及び比較例1、2で得られた両面粘着テープについて、以下の方法により評価を行った。結果を表1及び表2に示した。剥離性の評価両面粘着テープのウエハ側粘着剤層を保護するPETフィルムを剥がし、直径20cm、厚さ約750μmであって回路が形成されたシリコンウエハに貼り付け、一方、支持板側粘着剤層を保護するPETフィルムを剥がし、直径20.4cmのガラス板を真空プレス機を用いて粘着剤層に貼り付けてサンプルを作製した。サンプルをシリコンウエハ側が下になるように設置した後、ガラス板側から超高圧水銀灯を用いて、波長365nmの紫外線をガラス板表面への照射強度が40mW/cm2となるよう照度を調節して照射した。紫外線を照射直後10秒以内及び紫外線照射60秒後に、支持板をゆっくりと上方に持ち上げたときに支持板のみが剥離して持ち上げられた場合を剥離できたとして、各々10回の実験を行ったときの剥離成功率を求めた。また、紫外線照射60秒後に支持板を剥離した後のウエハの表面を目視にて観察し、糊残りの有無を評価した。ウエハの表面に糊残りが認められなかった場合を○、糊残りが認められた場合を×と評価した。更に、総合評価として、紫外線を照射直後の剥離成功率が80以上、紫外線照射60秒後の剥離成功率が80以上、及び、糊残りが○のいずれをも満たす場合を○、いずれか1つでも満たさない場合を×と評価した。実験例9基材の調製に用いる離型剤としてシリコン系離型剤KM722Tを用い、表3に示したドットの直径及び密度とした以外は実験例1と同様の方法により、両面粘着テープを得た。得られた粘着テープについて、上記と同様の方法により離型性の評価を行った。結果を表3に示した。実験例10基材の調製に用いる離型剤としてフッ素系離型剤EGC-1720を用い、表4に示したドットの直径及び密度とした以外は実験例1と同様の方法により、両面粘着テープを得た。得られた粘着テープについて、上記と同様の方法により離型性の評価を行った。結果を表4に示した。実験例11厚さ50μmの透明なポリエチレンテレフタレートPETフィルムの一方の面に、表5に示したドットの直径及び密度となるように、ドットに対応する部分をマスクした状態でコロナ処理を行った。得られた基材を用いた以外は実験例1と同様の方法により、両面粘着テープを得た。得られた粘着テープについて、上記と同様の方法により離型性の評価を行った。結果を表5に示した。実施例11光硬化型粘着剤の調製下記の化合物を酢酸エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量70万のアクリル共重合体からなる光硬化性粘着剤の酢酸エチル溶液を得た。ブチルアクリレート79質量部エチルアクリレート15質量部アクリル酸1質量部2-ヒドロキシエチルアクリレート5質量部光重合開始剤0.2質量部イルガキュア651、50酢酸エチル溶液ラウリルメルカプタン0.01質量部2粘着剤層用組成物溶液の調製得られた光硬化性粘着剤の酢酸エチル溶液の樹脂固形分100質量部に対して、2-イソシアナトエチルメタクリレート3.5質量部を加えて反応させ、更に、反応後の酢酸エチル溶液の樹脂固形分100質量部に対して、表面にメトキシ基処理が施されたフュームドシリカトクヤマ社製、MT-10、一次粒径が15nm7質量部、光重合開始剤イルガキュア6515質量部、ポリイソシアネート0.5質量部を加え、ホモディスパーPRIMIX社製、T.K.ホモディスパーを用い回転速度3000rpmで10分間撹拌した。その後、500メッシュのナイロン製フィルターを用いてろ過し、粘着剤層用組成物溶液を得た。3半導体加工用テープの製造得られた粘着剤層用組成物溶液を、片面にコロナ処理を施した厚さ75μmの透明なポリエチレンテレフタレートPETフィルムのコロナ処理上に乾燥皮膜の厚さが約15μmとなるようにドクターナイフで塗工し110°C、5分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。次いで、粘着剤層の表面に離型処理が施されたPETフィルムを貼り付けた。その後、40°C、3日間静置養生を行い、半導体加工用テープを得た。実施例2フュームドシリカの配合量を10質量部とした以外は、実施例1と同様にして粘着剤層用組成物溶液を調製し、半導体加工用テープを得た。実施例3フュームドシリカの配合量を20質量部とし、ホモディスパーの回転速度を4000rpmとした以外は、実施例1と同様にして粘着剤層用組成物溶液を調製し、半導体加工用テープを得た。実施例4フュームドシリカとして扶桑化学工業社製のクォートロンPL-7一次粒径が50nmを10質量部配合し、ホモディスパーの回転速度を4000rpmとした以外は、実施例1と同様にして粘着剤層用組成物溶液を調製し、半導体加工用テープを得た。比較例3球形シリカSO-E1、アドマテクス社製、一次粒径が200nm大きいものを用いた以外は、実施例2と同様にして粘着剤層用組成物溶液を調製し、半導体加工用テープを得た。比較例4表面処理が施されていないフュームドシリカトクヤマ社製、QS-10、一次粒径が15nmを用いた以外は、実施例2と同様にして粘着剤層用組成物溶液を調製しようとした。しかしながら、フュームドシリカが充分に分散できなかったことから、ろ過ができずにサンプルを調製することができなかった。比較例5分散装置としてホモディスパーの代わりに通常の低速回転式撹拌機BL600、ヘイドン製、rpm1000以下を用いた以外は、実施例2と同様にして粘着剤層用組成物溶液を調製し、半導体加工用テープを得た。比較例6ろ過を行わなかった以外は、実施例2と同様にして粘着剤層用組成物溶液を調製し、半導体加工用テープを得た。比較例7フュームドシリカの配合量を5質量部とした以外は、実施例1と同様にして粘着剤層用組成物溶液を調製し、半導体加工用テープを得た。比較例8フュームドシリカの配合量を30質量部とした以外は、実施例3と同様にして粘着剤層用組成物溶液を調製しようとした。しかしながら、フュームドシリカが充分に分散できなかったことから、ろ過ができずにサンプルを調製することができなかった。評価実施例1~4及び比較例3~8で得られた半導体加工用テープについて、以下の方法により評価を行った。結果を表6及び表7に示した。1シリカ微粒子の分散状態の評価動的光散乱法UPA-UTにより、粘着剤層中におけるフュームドシリカの平均分散径及び最大分散径を求めた。2剥離強度の評価幅2.5cmの粘着テープをシリコンウエハにラミネートした後、一定温度で加熱可能なホットプレートが設置されている引っ張り試験機により、25°C、80°C及び120°Cにおける剥離強度を求めた。耐減圧加熱性の評価得られた半導体加工用テープを裏面研削用テープとして用い、回路が形成された厚さ200μmのシリコンウエハに常温減圧中で貼り付けた。次いで、減圧貼り合わせ機中に静置し、100Pa、130°Cの条件下20分間減圧加熱処理した。試験は、各々の半導体加工用テープについて10個ずつ行い、処理中に剥離の起こらなかった数を求めた。"