基板処理システムであって、処理チャンバの内部に位置づけられた容量結合プラズマCCPユニットであって、第1の電極と第2の電極との間に形成されたプラズマ励起領域を含み、前記第1の電極は、第1のガスが前記プラズマ励起領域に入ることができるようにするための第1の複数の開口を含み、前記第2の電極は、活性ガスが前記プラズマ励起領域を出ることができるようにするための第2の複数の開口を含む、容量結合プラズマCCPユニットと、前記CCPユニットの前記第1の電極に前記第1のガスを供給するためのガス入口と、基板を支持するように動作可能であるペデスタルであって、前記活性ガスが前記CCPユニットから移動して入るガス反応領域より下に位置づけられる、ペデスタルとを備えるシステム。前記システムは、前記CCPユニットの前記第2の電極と前記ペデスタルの上の前記ガス反応領域との間に位置づけられたシャワーヘッドをさらに備え、前記シャワーヘッドは、前記活性ガスが前記ガス反応領域に通り抜けできるようにする第1の複数のシャワーヘッドチャネルと、第2のガスが前記ガス反応領域に通り抜けできるようにする第2の複数のチャネルとを含む、請求項1に記載のシステム。前記第2の電極の前記第2の複数の開口が、前記第1の複数のシャワーヘッドチャネルと同心的に位置合わせされる、請求項2に記載のシステム。前記システムは、前記第2の電極と前記ペデスタルとの間に位置づけられた1つまたは複数の第2のガス入口をさらに備え、前記第2のガス入口が第2のガスを前記ガス反応領域に供給する、請求項1に記載のシステム。前記システムは、前記ガス入口に結合され、かつ前記ガス入口を通って前記処理チャンバに入る前記第1のガスを励起するように動作可能である遠隔プラズマシステムをさらに備える、請求項1に記載のシステム。前記活性ガスが少なくとも1つの反応性ラジカルを含む、請求項1に記載のシステム。基板処理システムであって、第1のガスを処理チャンバに供給するためのガス入口と、複数の開口を含む電極と、活性ガスが前記処理チャンバのガス反応領域に通り抜けできるようにする第1の複数のチャネル、および第2のガスが前記ガス反応領域に通り抜けできるようにする第2の複数のチャネルを含むシャワーヘッドであって、前記活性ガスが、前記電極と、第2の電極としても働く前記シャワーヘッドとの間のプラズマ励起領域に形成される、シャワーヘッドと、基板を支持するように動作可能であるペデスタルであって、前記ガス反応領域より下に位置づけられる、ペデスタルとを備えるシステム。前記シャワーヘッドの前記第1の複数のチャネルは、前記プラズマ励起領域のプラズマが前記ガス反応領域に入るのを抑制し、一方、前記活性ガスが前記シャワーヘッドを通り抜けできるようにする、請求項7に記載のシステム。前記システムは、前記シャワーヘッドと前記ペデスタルとの間に位置づけられた1つまたは複数の第2のガス入口をさらに備え、前記第2のガス入口が第2のガスを前記ガス反応領域に供給する、請求項7に記載のシステム。前記システムは、前記ガス入口に結合され、前記ガス入口を通って前記処理チャンバに入る前記第1のガスを励起するように動作可能である遠隔プラズマシステムをさらに備える、請求項7に記載のシステム。基板処理システムであって、第1のガスを処理チャンバに供給するためのガス入口と、第1の複数の開口を含む電極と、活性ガスが前記処理チャンバのガス反応領域に通り抜けできるようにする第2の複数の開口を有する導電性板を含むイオン抑制器であって、前記活性ガスが前記電極と前記イオン抑制器との間のプラズマ励起領域に形成される、イオン抑制器と、基板を支持するように動作可能であるペデスタルであって、前記ガス反応領域より下に位置づけられる、ペデスタルとを備えるシステム。前記システムは、前記イオン抑制器と前記ペデスタルとの間に位置づけられたシャワーヘッドをさらに備える、請求項11に記載のシステム。前記システムは、前記ガス入口に結合され、かつ前記ガス入口を通って前記処理チャンバに入る前記第1のガスを励起するように動作可能である遠隔プラズマシステムをさらに備える、請求項11に記載のシステム。前記システムは、前記電極と前記イオン抑制器とに結合された電源を備え、前記電源が、前記プラズマ励起領域から前記ガス反応領域に通り抜ける前記活性ガスのイオン濃度を調整するために前記イオン抑制器の調整可能なバイアス電圧を生成するように動作可能である、請求項11に記載のシステム。半導体処理チャンバの内部でプラズマを発生および制御するためのシステムおよび方法が説明される。プラズマは、処理チャンバの内部で、処理チャンバの外側の遠隔プラズマユニットで、または両方で生じることができる。プラズマは、チャンバの内部に封じ込められ、プラズマと基板ウエハとの間に位置づけられるイオン抑制要素の助けを借りて基板ウエハから隔てられる。いくつかの事例では、このイオン抑制要素は、プラズマ発生ユニット例えば、電極、ガス/前駆体分配システム例えば、シャワーヘッド、および/または処理システムの別の構成要素の一部としても機能することができる。追加の事例では、イオン抑制要素は、主として、プラズマ発生領域とガス反応領域との間の仕切りを画定するように機能することができ、ガス反応領域は基板ウエハの露出した表面上の材料をエッチングし、かつ/または基板ウエハの露出した表面に材料を堆積させる。イオン抑制要素は、プラズマ発生領域から基板まで移動するイオン的に帯電した種の量を低減または無くすように機能する。帯電していない中性およびラジカル種は依然としてイオン抑制器の開口を通り抜けて、基板と反応することができる。基板を囲む反応領域でのイオン的に帯電した種を完全に無くすことが、必ずしも所望の目標とは限らないことに留意されるべきである。多くの事例では、イオン種は、エッチングおよび/または堆積プロセスを行うために基板に達することが必要とされる。これらの事例では、イオン抑制器は、反応領域のイオン種の濃度を、プロセスを支援するレベルに制御するのに役立つ。例示の処理システム構成例示の処理システム構成は、基板に達するプラズマ励起種のタイプおよび量を制御するために処理チャンバの内部に位置づけられたイオン抑制器を含む。いくつかの実施形態では、イオン抑制器ユニットは、プラズマ発生ユニットの電極としても働くことができる有孔板とすることができる。追加の実施形態では、イオン抑制器は、基板に接触する反応領域にガスおよび励起種を分配するシャワーヘッドとすることができる。さらに多くの実施形態では、イオン抑制は、有孔板イオン抑制器とシャワーヘッドとによって実現することができ、それらの両方をプラズマ励起種は通り抜けて、反応領域に達する。図1および2は、それぞれ、容量結合プラズマCCPユニット102の一部としてのイオン抑制器110と、イオン抑制に寄与することもできるシャワーヘッド104との両方を含む処理システムの簡単化した断面図および斜視図を示す。処理システムは、さらに、オプションとして、流体供給システム114などの、処理チャンバ100の外側に配置された構成要素を含むことができる。処理チャンバ100は周囲の圧力と異なる内部圧力を保持することができる。例えば、処理チャンバの内部の圧力は約10mTorrから約20Torrとすることができる。CCPユニット102は処理チャンバ100の内部にプラズマを発生させるように機能することができる。CCPユニット102の構成要素は、リッドまたは高温電極106と、イオン抑制要素110本明細書ではイオン抑制器とも呼ばれるとを含むことができる。いくつかの実施形態では、リッド106およびイオン抑制器110は、電極間のガスをプラズマにイオン化するために十分に強い電界を発生するように互いに対して電気バイアスをかけることができる導電性電極である。電気絶縁体108はリッド106電極とイオン抑制器110電極とを分離し、プラズマを発生させるときそれらが短絡しないようにすることができる。リッド106、絶縁体108、およびイオン抑制器110のプラズマにさらされる表面は、CCPユニット102のプラズマ励起領域112を画定することができる。プラズマ発生ガスは、ガス供給システム114からガス入口116を通ってプラズマ励起領域112に移動することができる。プラズマ発生ガスは、励起領域112においてプラズマを点火するのに使用することができ、または既に形成されているプラズマを維持することができる。いくつかの実施形態では、プラズマ発生ガスは、処理チャンバ100の外側に位置づけられた遠隔プラズマシステム図示せずにおいてプラズマ励起種に少なくとも部分的に既に変換されており、その後、入口116を通ってCCPユニット102まで下流に移動してもよい。プラズマ励起種は、プラズマ励起領域112に達すると、CCPユニット102においてさらに励起されるか、またはそれ以上励起されずにプラズマ励起領域を通り抜けることができる。いくつかの操作では、CCPユニット102によって行われる追加の励起の程度は、基板処理シーケンスおよび/または条件に応じてある期間にわたって変えることができる。プラズマ発生ガスおよび/またはプラズマ励起種は、より均一な供給のためのリッド106の複数の孔図示せずを通り抜けてプラズマ励起領域112に入ることができる。例示の構成は、リッド106によってプラズマ励起領域112から仕切られたガス供給領域120に通じている入口116を有することを含み、その結果、ガス/種はリッド106の孔を通ってプラズマ励起領域112に流れ込む。構造および動作機能は、プラズマ励起領域112から供給領域120、入口116、および流体供給システム114に戻るプラズマの著しい逆流を防止するように選択することができる。構造機能は、以下で図7Aおよび7Bにおいて説明するように、逆流プラズマを非活性化するリッド106の孔の寸法および断面形状の選択を含むことができる。動作機能は、ガス供給領域120とプラズマ励起領域112との間の圧力差の維持を含み、それにより、イオン抑制器110を通るプラズマの一方向流れを維持することができる。上記のように、リッド106およびイオン抑制器110は、それぞれ、第1の電極および第2の電極として機能することができ、その結果、リッド106および/またはイオン抑制器110は電荷を受け取ることができる。これらの構成では、電力例えば、RF電力は、リッド106、イオン抑制器110、または両方に印加することができる。例えば、電力はリッド106に印加され、一方、イオン抑制器110は接地することができる。基板処理システムは、リッド106および/またはイオン抑制器110に電力を供給するRFジェネレータ140を含むことができる。電気的に帯電したリッド106は、プラズマ励起領域112内でプラズマを均一に分布させるすなわち、局所プラズマを減少させるのを容易にすることができる。プラズマ励起領域112でプラズマを形成できるようにするために、絶縁体108はリッド106およびイオン抑制器110を電気的に絶縁することができる。絶縁体108はセラミックから製作することができ、スパークしないようにするために高い降伏電圧を有することができる。CCPユニット102は、循環冷却材例えば、水を用いてプラズマにさらされる表面を冷却するために1つまたは複数の冷却流体チャネルを含む冷却ユニット図示せずをさらに含むことができる。イオン抑制器110は、イオン的に帯電した種がプラズマ励起領域112から泳動するのを抑制し、一方、帯電していない中性またはラジカル種がイオン抑制器110を通り抜けて活性ガス供給領域124に入ることができるようにする複数の孔122を含むことができる。これらの帯電していない種は、反応性の少ないキャリアガスにより孔122を通って移送される高度に反応性の種を含むことができる。上記のように、孔122を通るイオン種の泳動は低減され、事例によっては完全に抑制され得る。イオン抑制器110を通り抜けるイオン種の量を制御すると、下にあるウエハ基板と接触させられる混合ガスに対する制御が向上し、その結果として、混合ガスの堆積および/またはエッチング特性の制御が向上する。例えば、混合ガスのイオン濃度を調整すると、エッチング選択性例えば、SiOx:SiNxエッチング比、ポリSi:SiOxエッチング比などをかなり変更することができる。それにより、堆積される誘電材料の共形性対流動性のバランスをシフトさせることもできる。複数の孔122は、活性ガスすなわち、イオン、ラジカル、および/または中性種がイオン抑制器110を通り抜けるのを制御するように構成することができる。例えば、孔のアスペクト比すなわち、孔直径対長さおよび/または孔の幾何学的形状は、イオン抑制器110を通り抜ける活性ガス中のイオン的に帯電した種の流れが減少するように制御することができる。イオン抑制器110の孔は、プラズマ励起領域112に面するテーパ部分と、シャワーヘッド104に面する円柱部分とを含むことができる。円柱部分はシャワーヘッド104に渡すイオン種の流れを制御するように整形および寸法決めすることができる。調整可能な電気バイアスを追加手段としてイオン抑制器110にさらに印加して、抑制器を通るイオン種の流れを制御することができる。シャワーヘッド104は、CCPユニット102のイオン抑制器110と、ペデスタル150に取り付けることができる基板と接触するガス反応領域130すなわち、ガス活性化領域との間に位置づけられる。ガスおよびプラズマ励起種は、イオン抑制器110を通り、イオン抑制器110とシャワーヘッド104との間に画定された活性ガス供給領域124を通り抜けることができる。これらのガスおよび種の一部は、さらに、シャワーヘッド104を通り抜けて、基板と接触するガス反応領域130に入ることができる。シャワーヘッドは、プラズマ励起種が通り抜けできるようにするための第1の組のチャネル126と、第2のガス/前駆体混合物をガス反応/活性化領域130に供給する第2の組のチャネルとを有するデュアルゾーンシャワーヘッドとすることができる。2組のチャネルは、プラズマ励起種と第2のガス/前駆体混合物とがガス反応領域130に達するまで結合しないようにする。いくつかの実施形態では、イオン抑制器110の孔122の1つまたは複数は、シャワーヘッド104のチャネル126の1つまたは複数と位置合わせすることができ、それにより、プラズマ励起種の少なくともいくらかが飛行の方向を変更することなく孔122およびチャネル126を通り抜けできるようになる。追加の実施形態では、第2の組のチャネルはガス反応領域130に面する開口において環状形状を有することができ、これらの環状開口は第1の組のチャネル126の円形開口のまわりに同心的に位置合わせすることができる。シャワーヘッド104の第2の組のチャネルは、プロセスを行うために選択される原料ガス/前駆体混合物図示せずに流動的に結合することができる。例えば、処理システムが二酸化ケイ素SiOxなどの誘電材料の堆積を行うように構成される場合、ガス/前駆体混合物は、ケイ素含有材料の中でとりわけ、シラン、ジシラン、TSA、DSA、TEOS、OMCTS、TMDSOなどのケイ素含有ガスまたは前駆体を含むことができる。この混合物は、ガス反応領域130において、酸化混合ガスと反応することができ、酸化混合ガスは、種の中でとりわけ、プラズマ発生ラジカル酸素O、活性分子酸素O2、およびオゾンO3などのプラズマ励起種を含むことができる。プラズマ励起種中の過度のイオンは、その種がイオン抑制器110の孔122を通って動くとき減少され、その種がシャワーヘッド104のチャネル126を通って動くときさらに減少され得る。別の例では、処理システムが基板表面のエッチングを行うように構成される場合、原料ガス/前駆体混合物は、酸化剤などのエッチング剤、ハロゲン、水蒸気、および/またはキャリアガスを含み、それらはガス反応領域130においてシャワーヘッド104の第1の組のチャネルから分配されるプラズマ励起種と混合することができる。処理システムは、電力をリッド106および/またはイオン抑制器110に供給してプラズマ励起領域112でプラズマを発生させるために、CCPユニット102に電気的に結合される電源140をさらに含むことができる。電源は、行われるプロセスに応じてCCPユニット102に調整可能な量の電力を供給するように構成することができる。例えば、堆積プロセスでは、CCPユニット102に供給される電力は堆積される層の共形性を設定するように調整することができる。堆積される誘電体膜は、概して、プラズマ出力が低いほど流動性になり、プラズマ出力が増加すると流動性から共形性にシフトする。例えば、プラズマ励起領域112に維持されるアルゴン含有プラズマは、プラズマ出力が約1000ワットから約100ワット以下まで減少する例えば、約900、800、700、600、または500ワット以下につれて、より流動性の酸化ケイ素層を生成し、プラズマ出力が約1000ワット以上から増加する例えば、約1000、1100、1200、1300、1400、1500、1600、1700ワット以上につれて、より共形性の層を生成することができる。プラズマ出力が低値から高値まで増加するとき、流動性堆積膜から共形性堆積膜への移行が比較的滑らかで連続的であることがあり、または比較的不連続の閾値により進行することがある。プラズマ出力単独で、または他の堆積パラメータに加えては、堆積膜の共形の性質と流動の性質との間のバランスを選択するように調整することができる。処理システムは、基板例えば、ウエハ基板を支持して動かすのに使用できるペデスタル150をさらに含むことができる。ペデスタル150とシャワーヘッド104との間の距離はガス反応領域130を画定するのに役立つ。ペデスタルは、処理チャンバ100内で垂直または軸方向に調整できるようにして、ガス反応領域130を増加または減少させ、シャワーヘッド104を通り抜けるガスを基準にしてウエハ基板の位置を変えることによってウエハ基板の堆積またはエッチングを達成することができる。ペデスタル150は、ウエハ基板の温度を制御するために熱交換流体が流れる熱交換チャネルを有することができる。熱交換流体の循環により、基板温度は比較的低温例えば、約-20°Cから約90°Cに維持することができる。例示の熱交換流体はエチレングリコールおよび水を含む。ペデスタル150は、さらに、基板を加熱温度例えば、約90°Cから約1100°Cに維持するために加熱要素抵抗加熱要素などで構成することができる。例示の加熱要素は、基板支持体プラッタに埋め込まれ、並列同心円の形態で2回以上のフル旋回を行う単一ループヒータ要素を含むことができる。ヒータ要素の外側部分は支持体プラッタの周辺に隣接して進むことができ、一方、内側部分は、より小さい半径の同心円の経路で進むことができる。ヒータ要素への配線はペデスタルのステムを通り抜けることができる。図3は、イオン抑制器板およびシャワーヘッドの両方を含む処理システムを通る1対の混合ガスのガス流経路の簡単化した概略図300を示す。ブロック305において、プラズマ発生混合ガスなどの第1のガスが処理チャンバにガス入口を介して供給される。第1のガスは、以下のガス、すなわち、CF4、NH3、NF3、Ar、He、H2O、H2、O2などのうちの1つまたは複数を含むことができる。処理チャンバの内部で、第1のガスは、ブロック310において、プラズマ放電により励起されて、1つまたは複数のプラズマ流出物を形成することができる。代替としてまたはインシトゥプラズマ発生に加えて処理チャンバに結合された遠隔プラズマシステムRPSを使用してエクスシトゥプラズマを発生させることができ、エクスシトゥプラズマのプラズマ励起生成物がプロセスチャンバに導入される。RPSプラズマ励起生成物は、イオン的に帯電したプラズマ種ならびに中性およびラジカル種を含むことができる。プラズマ流出物がインシトゥプラズマユニット、RPSユニット、または両方によって発生されるかどうかにかかわらず、プラズマ流出物は、ブロック315において、処理チャンバのイオン抑制器を通り抜けることができる。イオン抑制器は、イオン種の通り抜けを阻止および/または制御することができ、一方、プラズマ活性化された第1のガスが処理チャンバのガス反応領域に移動するときラジカル種および/または中性種の通り抜けが可能であるようにする。ブロック320において、第2のガスを処理チャンバに導入することができる。上記のように、第2のガスの内容物は行われるプロセスによって決まる。例えば、第2のガスは、堆積プロセス用の堆積化合物例えば、Si含有化合物と、エッチングプロセス用のエッチング剤とを含むことができる。第1のガスと第2のガスとの間の接触は、ガスがプロセスチャンバのガス反応領域に到達するまで防止することができる。第1のガスおよび第2のガスがガス反応領域より前で相互作用しないようにする1つの方法は、それらをデュアルゾーンシャワーヘッドの別個のチャネルを通して流すことである。ブロック330は、DZSHを通り抜ける活性化された第1のガスと第2のガスとを示し、DZSHは、活性化された第1のガスが第2の複数のチャネルを通り抜ける第2のガスと相互作用することなくシャワーヘッドを通り抜けできるようにする第1の複数のチャネルを有する。DZSHを出た後、第1のガスと第2のガスとは、ブロック335において、処理チャンバのガス反応領域で一緒に混合することができる。行われるプロセスに応じて、組み合わされたガスは反応して、基板の露出した表面に材料を堆積する、基板から材料をエッチングする、または両方を行うことができる。次に、図4を参照すると、イオン抑制要素としても働くシャワーヘッド402を有する処理システム400の簡単化した断面図が示される。図示の構成では、プラズマ発生用の第1のガス源402はオプションのRPSユニット404に流動的に結合され、RPSユニット404で、第1のプラズマを発生させ、プラズマ流出物をガス入口408を通して処理チャンバ406に移送することができる。処理チャンバ406の内部で、これらのガスは、ガス分配板412の孔410を通り抜けて、板412とシャワーヘッド402との間に画定されたガス領域414に入ることができる。いくつかの実施形態では、この領域414はプラズマ励起/活性化領域とすることができ、ガス分配板412およびシャワーヘッド402は第1および第2電極として働いて、ガスをさらに励起させ、かつ/または第1のプラズマを発生させる。ガス分配板412の孔410は、逆流プラズマを非活性化するために寸法的にまたは幾何形状的に構造化することができる。板412およびシャワーヘッド402は、板412およびシャワーヘッド402に電荷を供給してガスを励起し、かつ/またはプラズマを発生させるRF電力ジェネレータ422に結合することができる。1つの実施形態では、シャワーヘッド402は接地され、一方、電荷は板412に印加される。ガス領域414の励起ガスまたは活性ガスはシャワーヘッド402を通り抜けて基板418に隣接するガス反応領域416に入り、基板の表面から材料をエッチングし、かつ/または基板の表面に材料を堆積させることができる。シャワーヘッド402は、励起ガスがガス領域414からガス反応領域416に通り抜けることができるようにし、一方、さらに、第2のガスすなわち前駆体ガス/混合物が外部源図示せずから第2のガス入口図示せずを介してガス反応領域416に流れ込むことができるようにするデュアルゾーンシャワーヘッドDZSHとすることができる。DZSHは、活性/励起ガスがガス反応領域416に流れ込むまで活性/励起ガスが第2のガスと混合しないようにすることができる。励起ガスはDZSHの複数の孔424を通って流れることができ、DZSHは、プラズマすなわち、イオン的に帯電した種の通り抜けを制御または防止するように寸法的におよび/または幾何形状的に構造化され、一方、活性および/または励起ガスすなわち、反応性ラジカルまたは帯電していない中性種が通り抜けできるようにする。図7Aは、DZSHで使用することができる孔構成の例示的な実施形態を表示する。孔424に加えて、DZSHは第2のガスが流れる複数のチャネル426を含むことができる。第2のガス前駆体ガスは、孔424に隣接して位置づけられた1つまたは複数の開孔図示せずを通ってシャワーヘッド402を出ることができる。DZSHは、第2のガス供給システムおよびイオン抑制要素の両方として働くことができる。上述のように、混合ガスは、プラテン420に位置づけることができる基板418の表面に材料を堆積させ、かつ/または基板418の表面をエッチングすることができる。プラテン420は、処理チャンバ406内で垂直に移動可能とすることができる。処理チャンバ406内の基板418の処理は、孔424の構成、ガス領域414内の圧力、および/または処理チャンバ内の基板418の位置によって影響され得る。その上、孔424の構成および/またはガス領域414内の圧力は、ガス励起領域416に入ることができるイオン種プラズマの量を制御することができる。混合ガスのイオン濃度は、エッチング選択性の変更に加えて、堆積される誘電材料の共形性対流動性のバランスをシフトさせることができる。次に、図5を参照すると、イオン抑制要素として働く板512すなわち、イオン抑制器板を有する別の処理システム500の簡単化した断面図が示される。図示の構成では、第1のガス源502はRPSユニット504に流動的に結合され、RPSユニット504で、第1のプラズマを発生させ、プラズマ流出物をガス入口508を通して処理チャンバ506に移送することができる。プラズマ流出物は、イオン抑制器板512とガス入口508との間に画定されたガス領域514に移送することができる。ガス領域514の内部で、ガスは、イオン抑制器512の孔510を通り抜け、イオン抑制器512と基板528との間に画定されたガス反応/活性化領域516に入ることができる。基板518は、上述のようにプラテン520上に支持され、その結果、基板は処理チャンバ506内で移動可能とすることができる。さらに、上述のように、孔510は、イオン的に帯電した種すなわち、プラズマの通り抜けが防止および/または制御され、一方、帯電していない中性またはラジカル種すなわち、活性ガスの通り抜けが可能にされるように寸法的におよび/または幾何形状的に構造化することができる。イオン種の通り抜けは、ガス領域514内のプラズマの圧力を変更することによって制御可能とすることができる。ガス領域514の圧力は、ガス入口508を通して供給されるガスの量を制御することによって制御することができる。前駆体ガスすなわち、第2のガスは、イオン抑制器512の垂直下方またはそれと平行に位置づけられたもう1つの第2のガス入口522から処理チャンバ506に導入することができる。第2のガス入口522は処理チャンバ506の壁に1つまたは複数の開孔、管など図示せずを含むことができ、前駆体ガスを開孔、管などに供給するために1つまたは複数のガス分配チャネル図示せずをさらに含むことができる。1つの実施形態では、イオン抑制器512は、前駆体ガスが流れる1つまたは複数の第2のガス入口を含む。イオン抑制器512の第2のガス入口は、前駆体ガスをガス反応領域516に供給することができる。そのような実施形態では、イオン抑制器は、前に説明したようにイオン抑制器512およびデュアルゾーンシャワーヘッドの両方として機能する。孔510を通り抜ける活性ガスと、処理チャンバ506に導入される前駆体ガスとは、エッチングおよび/または堆積プロセスのためにガス反応チャンバ516で混合することができる。今までに処理チャンバの例示的な実施形態を説明したが、次に、イオン抑制器板412および512などのイオン抑制器と、シャワーヘッド402との例示的な実施形態に関心を向ける。例示的なイオン抑制器図6Aは、本発明の実施形態によるイオン抑制要素600イオン抑制器の簡単化した斜視図を示す。イオン抑制要素600は図4および/または5のイオン抑制器板に対応することができる。この斜視図は、イオン抑制要素または板600の上部を示す。イオン抑制板600は、概して、円形に整形され、複数のプラズマ流出物通路602を含むことができ、通路602の各々は、プラズマ流出物が第1の領域例えば、プラズマ領域から第2の領域例えば、ガス反応領域またはシャワーヘッドに通り抜けできるようにする1つまたは複数の貫通孔を含む。1つの実施形態では、通路602の貫通孔は1つまたは複数の円形パターンを形成するように配列することができるが、他の構成が可能である。以前に説明したように、貫通孔は、イオン種の通り抜けを制御または防止し、一方、帯電していない中性またはラジカル種の通り抜けを可能にするように幾何形状的にまたは寸法的に構成することができる。貫通孔は、イオン抑制板600の上面に対してより大きい内径およびイオン抑制板の底面に対してより小さい内径を有することができる。その上、貫通孔は、概して、円柱形、円錐形、またはそれらの任意の組合せとすることができる。貫通孔の構成の例示的な実施形態が図7A~Bに表示される。複数の通路は、イオン抑制板600の表面にわたって実質的に均等に分布することができ、それにより、中性またはラジカル種がイオン抑制板600を通って第2の領域に均等に通り抜けることができる。図5の実施形態などのいくつかの実施形態では、処理チャンバはイオン抑制板600のみを含むことができ、一方、他の実施形態では、処理チャンバはイオン抑制板600と図6Bのシャワーヘッドなどのシャワーヘッドとの両方を含むことができ、または処理チャンバはデュアルゾーンシャワーヘッドおよびイオン抑制板の両方として働く単一板を含むことができる。図6Bは、本発明の実施形態によるシャワーヘッド620の斜視の簡単化した下面図を示す。シャワーヘッド620は図4に示したシャワーヘッドに対応することができる。以前に説明したように、シャワーヘッド620は、ガス反応領域に垂直に隣接し、かつそのガス反応領域の上に位置づけることができる。イオン抑制板600と同様に、シャワーヘッド620は、概して、円形に整形することができ、複数の第1の孔622と複数の第2の孔624とを含むことができる。複数の第1の孔622は、プラズマ流出物がシャワーヘッド620を通り抜けてガス反応領域に入ることができるようにし、一方、複数の第2の孔624は、ケイ素前駆体などの前駆体ガス、エッチング剤などがガス反応領域に入ることができるようにする。複数の第1の孔622は、シャワーヘッド620の上面からシャワーヘッドを通って延びる貫通孔とすることができる。1つの実施形態では、複数の第1の孔622の各々は、シャワーヘッド620の上面に対してより小さい内径IDおよび底面に対してより大きいIDを有することができる。それに加えて、複数の第1の孔622の底部エッジは、プラズマ流出物がシャワーヘッドを出るときガス反応領域においてプラズマ流出物を均等に分布させるのに役立つように面取りし626、それによって、プラズマ流出物と前駆体ガスとの均等な混合を促進することができる。第1の孔622のより小さいIDは、約0.5mmから約20mmの間とすることができる。1つの実施形態では、より小さいIDは約1mmから6mmの間とすることができる。第1の孔622の断面形状は、概して、円柱形、円錐形、またはそれらの任意の組合せとすることができる。その上、イオン抑制要素600およびシャワーヘッド620の両方が処理チャンバで使用される場合、第1の孔622は通路602の貫通孔と同心的に位置合わせすることができる。同心位置合わせは、活性ガスが処理チャンバのイオン抑制要素600およびシャワーヘッド620の両方を通り抜けるのを容易にすることができる。別の実施形態では、複数の第1の孔622は、シャワーヘッド620の上面からシャワーヘッドを通って延びる貫通孔とすることができ、第1の孔622の各々は、シャワーヘッドの上面に対してより大きいIDおよびシャワーヘッドの底面に対してより小さいIDを有する。その上、第1の孔622は、より大きいIDとより小さいIDとの間にテーパ領域を含むことができる。そのような構成は、プラズマの貫通孔の通り抜けを防止または調節し、一方、活性ガスの通り抜けを可能にすることができる。そのような実施形態は、所定の位置で、またはイオン抑制要素600に加えて使用することができる。そのような貫通孔の例示的な実施形態が図7Aに表示される。複数の第1の孔622の数は、約60から約2000の間とすることができる。複数の第1の孔622は様々な形状を有することもできるが、概して丸い。処理チャンバがイオン抑制板600およびシャワーヘッド620の両方を含む実施形態では、複数の第1の孔622は、プラズマ流出物がイオン抑制板およびシャワーヘッドを通り抜けるのを容易にするために通路602と実質的に位置合わせすることができる。複数の第2の孔624は、シャワーヘッド620の底面からシャワーヘッドを部分的に通って延びることができる。複数の第2の孔は、外部ガス源図示せずから第2の孔624に前駆体ガス例えば、堆積化合物、エッチング剤などを供給する複数のチャネル図示せずに結合または接続することができる。第2の孔は、シャワーヘッド620の底面により小さいIDおよびシャワーヘッドの内部により大きいIDを含むことができる。第2の孔624の数は、様々な実施形態では、約100から5000の間、または約500から約2000の間とすることができる。第2の孔のより小さいIDの直径すなわち、底面の孔の直径は約0.1mmから約2mmの間とすることができる。第2の孔624は、概して丸く、やはり、円柱形、円錐形、またはそれらの任意の組合せとすることができる。第1および第2の孔の両方は、プラズマ流出物と前駆体ガスとの均等な混合を促進するためにシャワーヘッド620の底面にわたって均等に分布させることができる。図7Aを参照すると、貫通孔の構成の例示的な実施形態が示される。図示の貫通孔は、概して、孔の上部端部に対する大きい内径ID領域と、孔の底部または下部端部に対するより小さいID領域とを含む。より小さいIDは約0.2mmから約5mmの間とすることができる。その上、孔のアスペクト比すなわち、より小さいID対孔長さはほぼ1から20とすることができる。そのような構成は、プラズマ流出物のイオン種の通り抜けを実質的に阻止および/または制御することができ、一方、ラジカルまたは中性種の通り抜けを可能にする。例えば、アスペクト比の変更により、貫通孔を通り抜けることができるプラズマの量を調節することができる。プラズマの通り抜けは、貫通孔のすぐ上の領域内のプラズマの圧力を変更することによってさらに調節することができる。次に、特定の構成を参照すると、貫通孔702は、孔の上部端部の大きいID領域704と、孔の下部端部の小さいID領域706と、大きいIDと小さいIDとの間の階段状エッジとを含むことができる。貫通孔710は、上部端部の大きいID領域712と、孔の下部端部の大きいID領域716と、それらの間の小さいID領域714とを含むことができる。大きいID領域と小さいID領域との間の移行は、領域間に急峻な移行を可能にするために階段状またはブラントbluntとすることができる。貫通孔720は、孔の上部端部の大きいID領域722と、孔の下部端部の小さいID領域726と、大きい領域と小さい領域との間を角度θで移行するテーパ領域724とを含むことができる。小さいID領域726の高さ728は、孔の全高727、テーパ領域724の角度θ、大きいID、および小さいIDによって決めることができる。1つの実施形態では、テーパ領域724は、約15°から約30°の間、好ましくは約22°の角度を含み、全高727は約4mmから約8mmの間、好ましくは約6.35mmであり、大きいIDは約1mmから約4mmの間、好ましくは約2.54mmであり、小さいIDは約0.2mmから約1.2mmの間、好ましくは約0.89mmであり、その結果、小さいID領域726領域の高さ728は約1mmから約3mmの間、好ましくは約2.1mmである。貫通孔730は、孔の上部端部の第1のID領域732と、第1のID領域732と同心的に位置合わせされ、第1のID領域732の垂直下方に位置づけられた第2のID領域734と、第2のID領域734と同心的に位置合わせされ、第2のID領域734の垂直下方に位置づけられた第3のID領域736とを含むことができる。第1のID領域732は大きいIDを含むことができ、第2のID領域734は小さいIDを含むことができ、第3のID領域736は第2のID領域734よりもわずかに大きいIDを含むことができる。第3のID領域736は孔の下部端部まで延びることができ、または出口ID737まで外側にテーパ化することができる。第3のID領域736と出口ID737との間のテーパは、約15°から約30°の間、好ましくは約22°とすることができる角度θ3でテーパ化することができる。第2のID領域734は、約110°から約140°の間とすることができる角度θ1で第1のID領域732から移行する面取りエッジを含むことができる。同様に、第2のID領域734は、やはり約110°から約140°の間とすることができる角度θ2で第3のID領域736に移行する面取りエッジを含むことができる。1つの実施形態では、第1の領域732の大きいIDは約2.5mmから約7mmの間、好ましくは約3.8mmとすることができ、第2のID領域734の小さいIDは約0.2mmから約5mmの間、好ましくは約0.04mmとすることができ、第3のID領域736のわずかに大きいIDは約0.75mmから約2mmの間、好ましくは約1.1mmとすることができ、出口IDは約2.5mmから約5mmの間、好ましくは約3.8mmとすることができる。大きいID領域と小さいID領域との間の移行ブラント、階段状、テーパ状などは、イオン種が孔を通り抜けるのを実質的に阻止することができ、一方、ラジカルまたは中性種の通り抜けを可能にする。例えば、次に、図7Bを参照すると、大きいID領域722と小さいID領域726との間に移行領域724を含む貫通孔720の拡大図が示される。テーパ領域724は、プラズマ725が貫通孔720を通って入り込むのを実質的に防止することができる。例えば、プラズマ725が貫通孔720に入り込むとき、イオン種は、テーパ領域724の壁に接触することによって非活性化またはグラウンドアウトgroundoutし、それによって、プラズマの貫通孔の通り抜けが制限され、プラズマが貫通孔720の上の領域内に封じ込められ得る。しかし、ラジカルまたは中性種は貫通孔720を通り抜けることができる。したがって、貫通孔720はプラズマ725をフィルタ処理して、不要な種の通り抜けを防止または制御することができる。例示的な実施形態では、貫通孔の小さいID領域726は1mm以下のIDを含む。かなりの濃度のラジカルおよび/または中性種が貫通孔に入り込むのを維持するために、小さいID領域の長さおよび/またはテーパ角度を制御することができる。プラズマの通り抜けを防止することに加えて、本明細書で説明する貫通孔は、所望のレベルのプラズマが貫通孔を通り抜けられるようにプラズマの通り抜けを調節するのに使用することができる。貫通孔を通るプラズマの流れを調節することには、プラズマの所望のごく一部分が非活性化またはグラウンドアウトすることなしにイオン抑制器を通り抜けることができるようにイオン抑制器板の上のガス領域のプラズマの圧力を増加させることを含むことができる。次に、図8を参照すると、容量結合プラズマCCPユニット800の簡単化した図が示される。具体的には、図示のCCPユニット800は、プラズマが封じ込められるプラズマ発生領域810を画定する上板802および底板804を含む。以前に説明したように、プラズマはRPS図示せずで発生させて、貫通孔806を介してプラズマ発生領域810に供給することができる。代替としてまたは追加として、プラズマは、CCPユニット800において、例えば、電力発生ユニット図示せずに結合された第1および第2電極としての上板802および底板804を利用することによって発生させることができる。上板802は貫通孔806を含むことができ、貫通孔806により、処理ガスおよび/またはプラズマがプラズマ発生領域810に供給され、一方、上板802を通るプラズマの逆流が防止されるようになる。貫通孔806は、貫通孔730と同様に、第1、第2、および第3のID領域それぞれ、820、822、および824と、隣接する領域間の面取りエッジ828および829と、第3のID領域824と出口IDとの間で移行するテーパ領域826とを有するように構成することができる。第3のID領域824と出口IDとの間のテーパ領域826、および/または第2のID領域と第3のID領域とそれぞれ、822と824との間の面取りエッジは、プラズマが貫通孔806に入り込むとき、イオン種を非活性化または接地することによってプラズマの逆流を防止することができる。同様に、底板804は、ラジカルまたは中性種が貫通孔を通り抜けできるようにし、一方、イオン種の通り抜けを防止または制御する貫通孔808を含むことができる。貫通孔808は、貫通孔720と同様に、大きいID領域830と、小さいID領域832と、大きいID領域830と小さいID領域832との間で移行するテーパ領域834とを有するように構成することができる。テーパ領域834は、以前に説明したように、イオン種を非活性化または接地することによって、貫通孔808を通るプラズマの流れを防止することができ、一方、ラジカルまたは中性種がそれを通り抜けできるようにする。プラズマの貫通孔802および/または804の通り抜けをさらに防止するために、上板802および/または底板804は電荷を受け取って、プラズマに電気的バイアスをかけ、プラズマを発生領域810内に封じ込め、かつ/または底板を通り抜ける活性ガスのイオン濃度を調整する。CCPユニット800の上板802および底板804を使用して、プラズマは、プラズマ発生領域810で実質的に発生および/または維持することができ、一方、ラジカルおよび中性種は、基板表面から材料をエッチングするか、または基板表面に材料を堆積させるために1つまたは複数の前駆体ガスと混合されるようにガス反応領域に供給される。いくつかの実施形態を説明したが、本発明の趣旨から逸脱することなく様々な変更、代替構造、および均等物を使用することができることが当業者には認識されよう。さらに、いくつかのよく知られたプロセスおよび要素は、本発明を不必要に不明瞭にしないために説明されていない。その結果、上述の説明は本発明の範囲を限定するものと見なされるべきではない。ある範囲の値が与えられる場合、その範囲の上限と下限との間の各介在値は、文脈上別途明示しない限り下限の単位の10分の1まで明確に開示されていることを理解されたい。提示範囲における任意の提示値または介在値と、その提示範囲における任意の他の提示値または介在値との間のより小さい各々の範囲が包含される。これらのより小さい範囲の上限および下限は、独立してその範囲内に含まれても除外されてもよく、そのより小さな範囲内に限度のいずれかを含む範囲、またはどちらも含まない範囲、または両方を含む範囲は各々提示範囲内で明確に除外された限度に従ってやはり本発明内に包含される。提示範囲が限度の一方または両方を含む場合、これらの含まれた限度のいずれかまたは両方を除外する範囲も含まれる。本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される単数形1つのa、1つのan、およびそのtheは、文脈上別途明示しない限り複数の指示物を含む。したがって、例えば、プロセスへの言及は複数のそのようなプロセスを含み、電極開口への言及は当業者には知られている1つまたは複数の電極開口およびその均等物への言及を含む、などである。さらに、備えるcomprise、備えているcomprising、含むinclude、含んでいるincluding、および含むincludesという語は、本明細書および添付の特許請求の範囲で使用されるとき、提示した特徴、整数、構成要素、またはステップの存在を明記するものであるが、1つまたは複数の他の特徴、整数、構成要素、ステップ、作用、または群の存在または追加を排除しない。