"同一のガラス材料からなり少なくとも一方の一表面に凹部を有する支持基板および上板基板が該凹部を閉塞するように積層状態に配されて構成され、前記凹部により前記支持基板と前記上板基板との間に空洞部を有する積層基板と、該積層基板における前記上板基板の表面の前記空洞部に対向する位置に形成された発熱抵抗体と、該発熱抵抗体の両端に接続され、該発熱抵抗体に電力を供給する一対の電極部とを備え、前記積層基板が、前記支持基板と前記上板基板との間に挟まれてこれらに積層状態に接合された金属材料からなる中間金属層と、該中間金属層に接触し、前記支持基板の板厚方向に延びる表面から前記上板基板との接合部とは反対側の表面にかけて形成される金属材料からなる周囲金属層とを備えるサーマルヘッド。前記周囲金属層が、前記支持基板における前記接合部を除く表面の全域に形成されている請求項1に記載のサーマルヘッド。前記中間金属層が、前記接合部における前記上板基板の表面の全域に形成されている請求項1または請求項2に記載のサーマルヘッド。前記中間金属層が、前記接合部における前記支持基板の表面の全域に形成されている請求項1または請求項2に記載のサーマルヘッド。前記凹部が、前記支持基板の一表面に形成されており、前記前記中間金属層が、前記接合部における前記支持基板の接合面および前記凹部の内壁面に形成されている請求項1または請求項2に記載のサーマルヘッド。前記支持基板が、板厚方向に貫通して前記凹部を形成する貫通孔を有し、前記周囲金属層が、前記貫通孔の内壁面を介して前記支持基板における前記接合部とは反対側の表面に向かって延びる請求項1から請求項5のいずれかに記載のサーマルヘッド。前記上板基板および支持基板が、可動イオンを含むガラス材料からなり、前記中間金属層を介して互いに陽極接合により接合されている請求項1から請求項6のいずれかに記載のサーマルヘッド。前記上板基板および支持基板が、互いに接合面に前記中間金属層を備え、該中間金属層どうしの共晶接合または拡散接合により接合されている請求項1から請求項6のいずれかに記載のサーマルヘッド。請求項1から請求項8のいずれかに記載のサーマルヘッドと、該サーマルヘッドの前記発熱抵抗体に感熱記録媒体を押し付けながら送り出す加圧機構とを備えるプリンタ。少なくとも一方の対向面に凹部を形成した平板状の支持基板と上板基板の少なくとも一方の対向面に金属材料からなる中間金属層を形成する中間金属層形成工程と、前記支持基板と前記上板基板とを、前記中間金属層を間に挟み前記凹部の開口を閉塞して空洞部を形成するように積層状態に接合し、積層基板を形成する接合工程と、該接合工程により前記中間金属層を挟んで前記支持基板に接合された前記上板基板の表面の、前記凹部に対向する位置に、発熱抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、金属材料からなる周囲金属層を、前記中間金属層に接触させつつ前記支持基板の板厚方向に延びる表面から前記対向面とは反対側の表面にかけて形成する周囲金属層形成工程とを含むサーマルヘッドの製造方法。ここで感熱記録媒体に1個の印字ドットが形成されるサーマルヘッドの印加周期には、印字を行うために発熱抵抗体を加熱する加熱時間と、加熱した発熱抵抗体を冷却する非加熱時間とが存在する。加熱時間内における発熱温度の立上り時間は、サーマルヘッドの発熱部周辺の熱容量Cに比例する一方、非加熱時間における発熱温度の立下り時間は、サーマルヘッドの熱容量Cと熱伝導率Gによって決まりC/Gに比例する。特許文献1に記載のサーマルヘッドは、空洞部により熱容量が小さくなることで、発熱抵抗体の加熱時間における応答特性は速いものの、支持基板の蓄熱効果により一度上昇した発熱抵抗体の温度が冷めにくいため、発熱抵抗体の非加熱時間における応答特性が遅く非加熱時間が長くなる。本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであって、印字速度の高速化と消費電力の低減を両立させることができるサーマルヘッド、プリンタを提供することを目的とする。また、このようなサーマルヘッドを簡易に製造することができる製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は以下の手段を提供する。本発明は、同一のガラス材料からなり少なくとも一方の一表面に凹部を有する支持基板および上板基板が該凹部を閉塞するように積層状態に配されて構成され、前記凹部により前記支持基板と前記上板基板との間に空洞部を有する積層基板と、該積層基板における前記上板基板の表面の前記空洞部に対向する位置に形成された発熱抵抗体と、該発熱抵抗体の両端に接続され、該発熱抵抗体に電力を供給する一対の電極部とを備え、前記積層基板が、前記支持基板と前記上板基板との間に挟まれてこれらに積層状態に接合された金属材料からなる中間金属層と、該中間金属層に接触し、前記支持基板の板厚方向に延びる表面から前記上板基板との接合部とは反対側の表面にかけて形成される金属材料からなる周囲金属層とを備えるサーマルヘッドを提供する。本発明によれば、発熱抵抗体の直下に配置された上板基板は、熱を蓄積する蓄熱層として機能する。また、発熱抵抗体に対向する領域に形成された空洞部は、熱を断熱する中空断熱層として機能する。この空洞部により、発熱抵抗体において発生した熱のうち、蓄熱層としての上板基板を介して支持基板側へ伝達される熱量を低減し、熱容量を小さくすることができる。これにより、発熱抵抗体で発生した熱を効率的に利用して、発熱効率の向上することができる。一方、上板基板から空洞部を介して支持基板側に伝熱される熱は、熱伝導率が高い金属材料からなる中間金属層と周囲金属層を介して、支持基板における接合部とは反対側の表面以下、積層基板の下面とする。側に伝熱される。これにより、熱を放熱する放熱板上に積層基板の下面を固定することで、支持基板に蓄熱される熱を効率的に放熱させて、発熱抵抗体を冷却し易くすることができる。したがって、空洞部による熱容量の低減により発熱抵抗体を発熱させる加熱時間における応答特性とともに、支持基板の蓄熱効果の低減により発熱抵抗体を冷却させる非加熱時間における応答特性を向上し、消費電力の低減と印字速度の高速化の両立を図ることができる。また、上板基板および支持基板をいずれも同一のガラス材料により構成することで、これらの基板間の熱膨張率差をなくし、発熱抵抗体の発熱によるソリや歪みの発生を防いで高い印字品質を維持することができる。上記発明においては、前記周囲金属層が、前記支持基板における前記接合部を除く表面の全域に形成されていることとしてもよい。このように構成することで、中間金属層から周囲金属層を介して積層基板の下面に伝熱される熱量を増大し、支持基板に蓄熱される熱の放熱効果を向上することができる。また、上記発明においては、前記中間金属層が、前記接合部における前記上板基板の表面の全域に形成されていることとしてもよい。このように構成することで、上板基板の蓄熱効果を低減し、印字速度の高速化を向上することができる。また、上記発明においては、前記中間金属層が、前記接合部における前記支持基板の表面の全域に形成されていることとしてもよい。また、上記発明においては、前記凹部が前記支持基板の一表面に形成されており、前記前記中間金属層が、前記接合部における前記支持基板の接合面および前記凹部の内壁面に形成されていることとしてもよい。このように構成することで、支持基板の蓄熱効果を低減し、印字速度の高速化を向上することができる。また、上板基板に中間金属層をパターニングする必要がなく、作製を容易にすることができる。また、上記発明においては、前記支持基板が、板厚方向に貫通して前記凹部を形成する貫通孔を有し、前記周囲金属層が、前記貫通孔の内壁面を介して前記支持基板における前記接合部とは反対側の表面に向かって延びることとしてもよい。このように構成することで、支持基板に伝熱される熱が発熱抵抗体の直下に形成されている貫通孔の内壁面に形成された周囲金属層を介して放熱される。したがって、周囲金属層による放熱効率を向上し、支持基板の蓄熱効果をより低減することができる。また、上記発明においては、前記上板基板および支持基板が、可動イオンを含むガラス材料からなり、前記中間金属層を介して互いに陽極接合により接合されていることとしてもよい。このように構成することで、陽極接合により、上板基板と支持基板の軟化点以下の温度で接合処理される。したがって、これら上板基板および支持基板の形状精度を保ち、信頼性を向上することができる。また、陽極接合を採用することで、上板基板および支持基板のガラス材料の選択肢を広げることができる。また、上記発明においては、前記上板基板および支持基板が、互いに接合面に前記中間金属層を備え、該中間金属層どうしの共晶接合または拡散接合により接合されていることとしてもよい。共晶合金は、融点の異なる別々の金属化合物どうしが両者の融点より低いある一定の温度で同時に溶融または微細に混ざり合った状態で晶出するため、中間金属層としてこの共晶をなす金属材料を用いることで、低温で接合することができる。共晶接合では、例えば、Sn-Auが用いられる。一方、拡散接合では、例えば、Au-Ag、Au-AlまたはAu-Auが用いられる。本発明は、上記いずれかのサーマルヘッドと、該サーマルヘッドの前記発熱抵抗体に感熱記録媒体を押し付けながら送り出す加圧機構とを備えるプリンタを提供する。本発明によれば、印字速度の高速化と消費電力の低減を図るサーマルヘッドにより、少ない電力で高速に感熱紙に印刷することができる。したがって、バッテリーの持続時間を長期化させることができる。本発明は、少なくとも一方の対向面に凹部を形成した平板状の支持基板と上板基板の少なくとも一方の対向面に金属材料からなる中間金属層を形成する中間金属層形成工程と、前記支持基板と前記上板基板とを、前記中間金属層を間に挟み前記凹部の開口を閉塞して空洞部を形成するように積層状態に接合し、積層基板を形成する接合工程と、該接合工程により前記中間金属層を挟んで前記支持基板に接合された前記上板基板の表面の、前記凹部に対向する位置に、発熱抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、金属材料からなる周囲金属層を、前記中間金属層に接触させつつ前記支持基板の板厚方向に延びる表面から前記対向面とは反対側の表面にかけて形成する周囲金属層形成工程とを含むサーマルヘッドの製造方法を提供する。本発明によれば、接合工程により、上板基板と支持基板とが中間金属層を挟んで積層状態に接合されて凹部が閉塞されることで、上板基板と支持基板との間に空洞部を有する積層基板が形成される。空洞部は、上板基板側から支持基板側に伝達される熱を遮断する中空断熱層として機能する。また、抵抗体形成工程により、積層基板における空洞部に対向する位置の上板基板の表面に発熱抵抗体が形成されることで、発熱抵抗体で発生した熱量のうち、上板基板側に逃げる熱量を空洞部による断熱によって抑制し、利用可能な熱量を増加させることができる。また、周囲金属層形成工程により、支持基板の板厚方向に延びる表面から上板基板との接合部とは反対側の表面にかけて、中間金属層に接触させた周囲金属層が形成されることで、上板基板から空洞部を介して支持基板側に伝熱される熱を、熱伝導率が高い金属材料からなる中間金属層と周囲金属層を介して、支持基板における接合部とは反対側の表面以下、積層基板の下面とする。側に伝熱させることができる。これにより、熱を放熱する放熱板上に積層基板の下面を固定することで、支持基板に蓄熱される熱を効率的に放熱させて、発熱抵抗体を冷却し易くすることができる。したがって、空洞部による熱容量の低減により発熱抵抗体を発熱させる加熱時間における応答特性とともに、支持基板の蓄熱効果の低減により発熱抵抗体を冷却させる非加熱時間における応答特性を向上し、消費電力の低減と印字速度の高速化の両立を図ることができるサーマルヘッドを簡易に製造することができる。本発明に係るサーマルヘッドおよびプリンタによれば、印字速度の高速化と消費電力の低減を両立させることができるという効果を奏する。また、本発明に係るサーマルヘッドの製造方法によれば、そのようなサーマルヘッドを簡易に製造することができるという効果を奏する。以下、本発明の一実施形態に係るサーマルヘッド、プリンタおよびサーマルヘッドの製造方法について、図面を参照して説明する。本実施形態に係るサーマルプリンタプリンタ100は、図1に示すように、本体フレーム2と、水平配置されるプラテンローラ4と、プラテンローラ4の外周面に対向配置されるサーマルヘッド10と、プラテンローラ4とサーマルヘッド10との間に感熱紙感熱記録媒体3を送り出す紙送り機構6と、感熱紙3に対してサーマルヘッド10を所定の押圧力で押し付ける加圧機構8とを備えている。プラテンローラ4には、加圧機構8の作動により感熱紙3およびサーマルヘッド10が押し付けられるようになっている。これにより、プラテンローラ4の荷重が感熱紙3を介してサーマルヘッド10に加えられるようになっている。そして、感熱紙3に対して、サーマルヘッド10の発熱部が押し付けられることにより、感熱紙3が発色して印字されるようになっている。サーマルヘッド10は、図2に示されるように、略平板状に形成されている。このサーマルヘッド10は、ガラス材料からなる積層基板13と、積層基板13上に形成された複数の発熱抵抗体15と、積層基板13上に各発熱抵抗体15に接して形成された電極部17A,17Bと、発熱抵抗体15および電極部17A,17Bを覆い、これらを磨耗や腐食から保護する保護膜19とを備えている。矢印Yは、プラテンローラ4による感熱紙3の送り方向を示している。積層基板13は、図3に示すように、アルミ等の金属、樹脂、セラミックスまたはガラス等からなる板状部材の放熱板9に固定され、放熱板9を介して放熱することができるようになっている。この積層基板13は、放熱板9に固定される平板状の支持基板12と、発熱抵抗体15が形成される平板状の上板基板14とが積層状態に配されて構成されている。支持基板12は、例えば、パイレックスガラス登録商標やソーダライムガラス等の可動イオンを含む面精度のよい板状の絶縁体により構成され、300μm~1mm程度の厚さを有している。支持基板12には、上板基板14に対向する一表面に長手方向に沿って延び矩形状の開口部を有する凹部21が形成されている。上板基板14は、支持基板12と同一のガラス材料からなる板状の絶縁体により構成され、5~100μm程度の厚さを有している。この上板基板14は、支持基板12の凹部21を有する一表面に対して凹部21を閉塞するように積層状態に配されている。また、上板基板14は、支持基板12側とは反対側に配される一表面に発熱抵抗体15が形成されており、発熱抵抗体15において発生した熱の一部を蓄える蓄熱層として機能するようになっている。また、積層基板13は、支持基板12と上板基板14との間に挟まれてこれらに積層状態に接合される金属材料からなる中間金属層25と、支持基板12の周囲を覆う金属材料からなる周囲金属層27とを備えている。中間金属層25および周囲金属層27には、例えば、Au、Al、Cu、Si、Cr、Ti、Ni等の金属材料が用いられる。中間金属層25は、支持基板12と上板基板14の対向面における凹部21を除く領域全体に形成されている。この中間金属層25は、例えば、約100nmの厚さを有している。周囲金属層27は、例えば、支持基板12の板厚方向に延びる表面以下、支持基板12の側面という。の全域から上板基板14に対向する表面とは反対側の表面以下、支持基板12の下面という。の全域にかけて形成されている。また、支持基板12の側面に配置された周囲金属層27は、4つの側面の全てにおいて中間金属層25に接触している。この周囲金属層27も、例えば、約100nmの厚さを有している。発熱抵抗体15は、例えば、Ta系やTaシリサイド系等の材料からなり、矩形状に形成されている。また、発熱抵抗体15は、長手方向の長さが支持基板12の凹部21の幅寸法より大きい寸法を有している。各発熱抵抗体15は、長手方向を上板基板14の幅方向に向けて配され、上板基板14の長手方向支持基板12の凹部21の長手方向に沿って所定の間隔をあけて配列されている。電極部17A,17Bは、発熱抵抗体15の長手方向の一端に個別に接続される複数の個別電極17Aと、すべての発熱抵抗体15の長手方向の他端に共通に接続される共通電極17Bとにより構成されている。電極部17A,17Bには、例えば、Al、Al-Si、Au、Ag、Cu、Pt等の配線材料が用いられる。これらの電極部17A,17Bは、外部電源図示略からの電力を発熱抵抗体15に供給して、発熱抵抗体15を発熱させることができるようになっている。発熱抵抗体15における個別電極17Aと共通電極17Bとの間の領域、すなわち、発熱抵抗体15における支持基板12の凹部21のほぼ真上に位置する領域が発熱部15aとなる。保護膜19は、発熱抵抗体15や電極部17A,17Bを含む上板基板14の一表面に形成されている。保護膜19には、SiO2、Ta2O5、SiAlON、Si3N4、ダイヤモンドライクカーボン等の保護膜材料が用いられる。このように構成されたサーマルヘッド10は、支持基板12の凹部21の開口が上板基板14により閉塞されることで、発熱抵抗体15の発熱部15aの真下に空洞部23が形成される。空洞部23は、全ての発熱抵抗体15に対向する連通構造を有している。この空洞部23は、発熱抵抗体15の発熱部15aにおいて発生した熱が上板基板14側から支持基板12側へ伝達されるのを抑制する中空断熱層として機能するようになっている。次に、このように構成されたサーマルヘッド10の製造方法について、図4のフローチャートを用いて説明する。本実施形態に係るサーマルヘッド10の製造方法は、凹部形成工程SA1、中間金属層形成工程SA2および接合工程SA3を含む断熱基板形成工程と、抵抗体形成工程SA4、電極形成工程SA5および保護膜形成工程SA6を含む薄膜形成工程と、周囲金属層形成工程SA7とを含んでいる。凹部形成工程SA1は、支持基板12と上板基板14の少なくとも一方の対向面に凹部21を形成するようになっている。本実施形態においては、図5aに示すように、一定の厚さを有するガラス基板支持基板12の一表面において、抵抗体形成工程SA4により形成される発熱抵抗体15が対向することとなる位置に凹部21を加工するようになっている。凹部21は、例えば、支持基板12の一表面にサンドブラスト、ドライエッチング、ウェットエッチングまたはレーザ加工を施すことによって形成される。支持基板12にサンドブラストによる加工を施す場合は、支持基板12の一表面にフォトレジスト材を被服し、このフォトレジスト材を所定パターンのフォトマスクを用いて露光した後、凹部21を形成する領域以外の部分を固化させる。その後、支持基板12の一表面を洗浄して固化していないフォトレジスト材を除去することで、凹部21を形成する領域にエッチング窓が形成されたエッチングマスクが得られる。この状態で、支持基板12の一表面にサンドブラストを施すことにより、所定深さの凹部21が形成される。また、支持基板12にエッチングによる加工を施す場合は、サンドブラストによる加工と同様に、支持基板12の一表面に、凹部21を形成する領域にエッチング窓が形成されたエッチングマスクを形成する。そして、この状態で、支持基板12の一表面にエッチングを施すことにより、所定深さの凹部21が形成される。ガラス基板の場合は、フッ酸系のエッチング液等を用いたウェットエッチングを行うこととしてもよい。その他、リアクティブイオンエッチングRIEやプラズマエッチング等のドライエッチングを用いることとしてもよい。中間金属層形成工程SA2は、支持基板12と上板基板14の少なくとも一方の対向面に中間金属層25を形成するようになっている。本実施形態においては、図5bに示すように、薄板ガラス上板基板14における支持基板12との対向面のうち、凹部21と対向する領域以外に金属体層中間金属層25を形成するようになっている。上板基板14の面粗度は100nm以下のものを用いることが好ましい。中間金属層25は、例えば、スパッタリングやCVD化学気相成長法、蒸着等の薄膜形成法により、上板基板14における支持基板12との対向面にAl、Si、Cr、Ti、Ni等の酸化性金属薄膜およびそれらの積層膜が成膜され、リフトオフ法やエッチング法等により、この酸化性金属薄膜や積層膜が成形されることにより、所望の形状に形成される。接合工程SA3は、図5cに示すように、支持基板12と上板基板14とを、中間金属層25を挟んで凹部21の開口を閉塞するように積層状態に接合するようになっている。これにより、凹部21が閉塞されることによって支持基板12と上板基板14との接合部に空洞部23が形成された積層基板13が形成される。ここで、凹部21の深さが空洞部23の厚さになるので、中空断熱層の厚さの制御は容易である。また、接合工程SA3は、陽極接合により、支持基板12と上板基板14とを中間金属層25を挟んで接合するようになっている。陽極接合は、例えば、接合対象物を300°Cから500°C程度に加熱した状態で500Vから1kVの電圧を印加し接合対象物間に大きな静電引力を生じさせることにより、接合対象物の界面を化学結合させて接合対象物どうしを接合する。陽極接合による支持基板12と上板基板14との接合処理は、支持基板12および上板基板14の軟化点以下の温度で行う。したがって、支持基板12および上板基板14の形状精度を保つことができ、信頼性が高い。ここで、100μm以下の厚さの薄板ガラス上板基板14は、製造やハンドリングが困難であり高価でもある。そこで、このような薄い上板基板14を支持基板12に直接接合する代わりに、まず、製造やハンドリングが容易な厚さを有する上板基板14を支持基板12に接合し、その後、エッチングや研磨等によって上板基板14を所望の厚さに加工してもよい薄板化工程。このようにすることで、支持基板12の一表面にごく薄い上板基板14を容易かつ安価に形成することができる。上板基板14のエッチングには、上記のように凹部21の形成に用いた各種エッチングを用いることができる。また、上板基板14の研磨には、例えば、半導体ウェーハ等の高精度研磨に用いられるCMPケミカルメカニカルポリッシング等を用いることができる。次に、このようにして形成された積層基板13における上板基板14の一表面に、抵抗体形成工程SA4により図5dに示すように発熱抵抗体15を形成し、次いで、電極形成工程SA5により図5eに示すように電極部17A,17Bを形成し、そして、保護膜形成工程SA6により図5fに示すように保護膜19を形成する。これら発熱抵抗体15、電極部17A,17Bおよび保護膜19は、従来のサーマルヘッドにおけるこれら部材の製造方法を用いて作製することができる。具体的には、抵抗体形成工程SA4は、スパッタリングやCVD化学気相成長法および蒸着等の薄膜形成法を用いて上板基板14上に上記発熱抵抗体材料の薄膜を成膜し、フトオフ法やエッチング法等を用いてこの発熱抵抗体材料の薄膜を成形することにより、所望の形状の発熱抵抗体15を形成するようになっている。電極形成工程SA5は、抵抗体形成工程SA4と同様に、スパッタリングや蒸着法等により上板基板14上に上記配線材料を成膜し、リフトオフ法、もしくはエッチング法を用いてこの膜を形成したり、スクリーン印刷した後に配線材料を焼成したりするなどして、所望の形状の個別電極17Aおよび共通電極17Bを形成するようになっている。保護膜形成工程SA6は、発熱抵抗体15、電極部17A,17Bが形成された後、スパッタリング、イオンプレーティング、CVD法等により、上板基板14上に上記保護膜材料を成膜して、保護膜19を形成するようになっている。最後に、周囲金属層形成工程SA7は、図5gに示すように、支持基板12の側面から下面にかけて周囲金属層27を形成するようになっている。このとき、支持基板12の側面に配置する周囲金属層27を中間金属層25に接触させるようになっている。周囲金属層27は、例えば、スパッタリングやCVD化学気相成長法、蒸着およびめっき等の薄膜形成法により、上記Au、Al、Cu、Si、Cr、Ti、Ni等の金属薄膜およびそれらの積層膜が成膜されることで形成される。周囲金属層27としては、特に、Au、Al、Cuのように熱伝導率が大きい金属材料が好ましい。以上の各工程により、積層基板13が支持基板12と上板基板14との接合部に中間金属層25を有するとともに、支持基板12の側面および正面が周囲金属層27により覆われたサーマルヘッド10が完成する。次に、このように製造されたサーマルヘッド10およびサーマルプリンタ100の作用について説明する。本実施形態に係るサーマルプリンタ100を用いて感熱紙3に印字するには、まず、サーマルヘッド10の一方の個別電極17Aに選択的に電圧を印加する。これにより、選択された個別電極17Aとこれに対向する共通電極17Bとが接続されている発熱抵抗体15に電流が流れ、発熱部15aが発熱する。続いて、加圧機構8を作動させ、プラテンローラ4により送り出される感熱紙3に向けてサーマルヘッド10を押し付ける。プラテンローラ4は発熱抵抗体15の配列方向に平行な軸回りに回転し、発熱抵抗体15の配列方向に直交するY方向に向かって感熱紙3を送り出す。この感熱紙3に対して発熱抵抗体15の発熱部15aを押し付けるようにすることにより、感熱紙3が発色して印字される。この場合において、サーマルヘッド10は、積層基板13の空洞部23が中空断熱層として機能することにより、発熱部15aにおいて発生した熱のうち、蓄熱層としての上板基板14を介して支持基板12側へ伝達される熱量を低減し、熱容量を小さくすることができる。これにより、発熱抵抗体15で発生した熱を効率的に利用して、発熱効率を向上することができる。一方、上板基板14側から空洞部23を介して支持基板12側に伝熱される熱は、熱伝導率が高い金属材料からなる中間金属層25と周囲金属層27を介して、積層基板13の下面側に伝熱される。これにより、熱を放熱する放熱板9上に積層基板13の下面を固定することで、支持基板12に蓄熱される熱を効率的に放熱させて、発熱抵抗体15を冷却し易くすることができる。したがって、本実施形態に係るサーマルヘッド10およびサーマルプリンタ100によれば、積層基板13の空洞部23による熱容量の低減により発熱抵抗体15を発熱させる加熱時間における応答特性とともに、支持基板12の蓄熱効果の低減により発熱抵抗体15を冷却させる非加熱時間における応答特性を向上し、消費電力の低減と印字速度の高速化の両立を図ることができる。また、支持基板12および上板基板14をいずれも同一のガラス材料により構成することで、これらの基板間の熱膨張率差をなくし、発熱抵抗体15の発熱によるソリや歪みの発生を防いで高い印字品質を維持することができる。本実施形態は以下のように変形することができる。本実施形態においては、周囲金属層27が支持基板12と上板基板14の対向面における凹部21を除く領域全体に形成されていることとしたが、第1変形例としては、図6に示すように、支持基板12と上板基板14との接合部における上板基板14の一表面の全域に周囲金属層27が形成されていることとしてもよい。本変形例に係るサーマルヘッド10の製造方法は、図7に示すように、中間金属層形成工程SA2において、例えば、薄板ガラス上板基板14における支持基板12との対向面の全域に金属体層中間金属層25を形成することとすればよい。他の工程は図5a、図5c~図5gに示す方法と同様である。本変形例に係るサーマルヘッド10によれば、中間金属層25の高い熱伝導率により上板基板14の蓄熱効果をより低減することができる。これにより、印字速度の高速化を向上することができる。また、上板基板14における中間金属層25のパターニングが不要となり、作製を容易にすることができる。本変形例においては、上板基板14に凹部が形成されていない場合を例示して説明したが、上板基板14における支持基板12との対向面に凹部を形成した場合も、支持基板12との対向面の全域に中間金属層25を形成することとすればよい。すなわち、上板基板14の対向面において、接合面および凹部の内壁面凹部の側面および底面に中間金属層25を形成することとすればよい。次に、第2変形例としては、図8に示すように、支持基板12と上板基板14の接合部における支持基板の一表面の全域に中間金属層25が形成されていることとしてもよい。すなわち、本変形例においては、支持基板12の一表面における接合面と凹部21の内壁面に中間金属層25が形成されていることとしてもよい。本変形例に係るサーマルヘッド10の製造方法は、図9に示すように、中間金属層形成工程SA2において、例えば、支持基板12の一表面における対向面と凹部21の側面および底面の全域に中間金属層25を形成することとすればよい。他の工程は図5a、図5c~図5gに示す方法と同様である。本変形例によれば、中間金属層25の高い熱伝導率により支持基板12の蓄熱効果を低減することができる。これにより、印字速度の高速化を向上することができる。また、上板基板14に中間金属層25をパターニングする必要がなく、作製を容易にすることができる。本変形例においては、支持基板12の一表面に凹部21が形成されている場合を例示して説明したが、上板基板14に凹部を形成して支持基板12に凹部21を形成しない場合も、支持基板12における上板基板14との対向面の全域に中間金属層25を形成することとすればよい。次に、本実施形態においては、周囲金属層27が支持基板12の側面を介して下面に向かって延びるように形成されていることとしたが、第3変形例としては、図10および図11に示すように、支持基板12が板厚方向に貫通して凹部を形成する貫通孔29を有し、周囲金属層27が支持基板12における貫通孔29の内壁面29aを介して下面に向かって延びるように形成されていることとしてもよい。具体的には、貫通孔29は、凹部が支持基板12の下面側にも開口するように形成されている。周囲金属層27は、貫通孔29の内壁面29aの全域と支持基板12の下面の全域に形成されている。また、内壁面29aに形成された周囲金属層27の一端が、貫通孔29の全周にわたり中間金属層25に接触している。本変形例に係るサーマルヘッド10の製造方法は、図12に示すフローチャートの通りである。すなわち、凹部形成工程SA1は、図13aに示すように、一定の厚さを有するガラス基板支持基板12の一表面における発熱抵抗体15が形成されることとなる領域に板厚方向に貫通する貫通孔29を加工するようになっている。貫通孔29の形成方法は、支持基板12を板厚方向に貫通させる以外は図5aに示す凹部21の形成方法と同様であり、支持基板12の一表面にサンドブラスト、ドライエッチング、ウェットエッチング、レーザ加工を施すことによって形成される。中間金属層形成工程SA2および接合工程SA3は、図13bおよび図13cに示すように、図5bおよび図5cに示す方法と同様である。次に、周囲金属層形成工程SB3により、図13dに示すように、支持基板12の貫通孔29の内壁面29aから下面にかけて周囲金属層27を形成するようになっている。このとき、支持基板12の内壁面29aの一端に配置する周囲金属層27を中間金属層25に接触させるようになっている。周囲金属層27の形成方法は、貫通孔29の内壁面29aに形成すること以外は、周囲金属層形成工程SA7と同様である。次いで、図13e~図13gに示すように、図5d~図5fに示す方法と同様にして、積層基板13における上板基板14の一表面に、抵抗体形成工程SA4により発熱抵抗体15を形成し、電極形成工程SA5により電極部17A,17Bを形成し、保護膜形成工程SA6により保護膜19を順次形成する。本変形例によれば、支持基板12側に伝熱される熱が発熱抵抗体15の直下に形成されている貫通孔29の内壁面29aに形成された周囲金属層27を介して支持基板12の下面から放熱される。すなわち、中間金属層25により支持基板12の平面方向に伝熱されてから、支持基板12の厚さ方向に伝熱される場合と異なり、中間金属層25を板厚方向に伝熱された後に支持基板12の厚さ方向に伝達される。したがって、熱流の伝熱距離が短縮されることにより、周囲金属層27による放熱効率を向上し、支持基板12の蓄熱効果をより低減することができる。なお、複数のサーマルヘッド10を一度に製造するバッチプロセスにおいても、支持基板12の側面に周囲金属層27を形成する場合は、サーマルヘッド10ごとに分割した後に周囲金属層形成工程SA7を行わなければならなかった。これに対し、本変形例によれば、サーマルヘッド10ごとに分割する前に、中間金属層25および周囲金属層27を形成することができる。したがって、量産化に適している。本変形例においては、図11に示すように、上板基板14における支持基板12との対向面の全域に中間金属層25を形成する構成を例示して説明したが、上板基板14における支持基板12との対向面における凹部21を除く領域全体に中間金属層25を形成することとしてもよい。次に、本実施形態においては、支持基板12と上板基板14とを中間金属層25を挟んで陽極接合することとしたが、第4変形例としては、支持基板12および上板基板14が互いに接合面に中間金属層25を備え、接合工程SA3が、図14に示すように、支持基板12と上板基板14とを中間金属層25どうしの共晶接合または拡散接合により接合することとしてもよい。この場合、拡散接合する場合は、接合工程SA3においてAu-Ag、Au-AlまたはAu-Auの接合となるように、中間金属層形成工程SA2において適切な金属材料を用いて中間金属層25を形成することすればよい。一方、共晶接合する場合は、接合工程SA3においてSn-Auの接合となるように、中間金属層形成工程SA2において適切な金属材料を用いて中間金属層25を形成することすればよい。共晶合金は、融点の異なる別々の金属化合物どうしが両者の融点より低い一定の温度で同時に溶融または微細に混ざり合った状態で晶出するため、中間金属層としてこの共晶をなす金属材料を用いることで、支持基板12と上板基板14とを低温例えば、250°Cで接合することができる。陽極接合では、支持基板12および上板基板14の材料として、パイレックスガラス登録商標やソーダライムガラス等の可動イオンを含むガラス材料を用いなければならないが、共晶接合または拡散接合を用いることで、様々な材料を選択することができる。以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。例えば、本発明を上記の一実施形態および変形例に適用したものに限定されることなく、一実施形態および変形例を適宜組み合わせた実施形態に適用してもよく、特に限定されるものではない。また、上記一実施形態および変形例においては、支持基板12の下面の全域と側面の全域あるいは貫通孔29の内壁面29aの全域に周囲金属層27を形成することとしたが、周囲金属層27は中間金属層25に接触する一端から支持基板12の下面に配置される他端まで繋がっていればよく、支持基板12の下面と側面あるいは貫通孔29の内壁面29aにおいて周囲金属層27がライン状に形成されていることとしてもよい。"