セラミックス基板と;前記セラミックス基板上に形成された、電気的に非接続の金属熱伝導層と;前記金属熱伝導層上に実装された発光素子と;前記金属熱伝導層と前記発光素子との間に介在して、前記発光素子を前記金属熱伝導層に接合する金属接合層とを具備することを特徴とする発光装置。前記発光素子1個あたりの前記金属熱伝導層との接合面積の、前記発光素子1個あたりの前記金属熱伝導層の面積に対する比率が、5以上40以下であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。照明装置本体と;照明装置本体に配設された請求項1の発光装置とを具備することを特徴とする照明装置。本発明は、上記課題に鑑みなされたもので、セラミックス基板を用い、放熱性の向上を図ることが可能な発光装置および照明装置を提供することを目的とする。実施形態によれば、セラミックス基板と、前記セラミックス基板上に形成された、電気的に非接続の金属熱伝導層と、前記金属熱伝導層上に実装された発光素子と、前記金属熱伝導層と前記発光素子との間に介在して、前記発光素子を前記金属熱伝導層に接合する金属接合層とを有する発光装置が提供される。本発明によれば、セラミックス基板を用い、発光素子から発生した熱の放熱性を向上でき、発光素子の温度上昇を抑制することができる発光装置およびこの発光装置を用いた照明装置が期待できる。以下、本発明の実施形態をより詳細に説明する。セラミックス基板は、白色系の酸化アルミニウムや窒化アルミニウムを適用できるが、格別特定の材料に限定されるものではない。金属熱伝導層としては、たとえば基板上の第一層として銅パターン、銅パターンの上の第二層としてニッケルめっき層、さらに第三層として銀めっき層を有するものが挙げられる。金属熱伝導層は、たとえば銅パターンの一層で構成してもよい。金属熱伝導層の材料は、特段限定されるものではない。また、金属接合層の材料も特段限定されるものではない。発光素子は、LED等の固体発光素子を適用できる。さらに、発光素子の実装個数には特段制限はない。発光装置は、照明装置の本体に組み込んで適用することができる。この場合、照明装置には、光源や屋内又は屋外で使用される照明器具、ディスプレイ装置等が含まれる。第1の実施形態本実施形態に係る発光装置について図1乃至図8を参照して説明する。なお、各図において同一部分には同一符号を付し重複した説明は省略する。図1乃至図4に示すように、発光装置1は、セラミックス基板2と、この基板上に形成された金属熱伝導層3と、この金属熱伝導層上に実装された発光素子4と、前記金属熱伝導層3と発光素子4との間に介在された金属接合層5とを備えている。基板2は、絶縁性を有し、白色系の酸化アルミニウムや窒化アルミニウム等のセラミックス材料から形成されている。基板2は、略四角形状に形成されており、各角部には、ねじ等の固定手段が係合する切欠部2aが形成されている。図2乃至図4に示すように、基板2の表面上には、熱伝導層3、正極側給電導体21および負極側給電導体22が同様の層構成で積層されている。図2に示すように、熱伝導層3は、基板2の中央部に略四角形状に形成されている。正極側給電導体21および負極側給電導体22は、熱伝導層3の対向する辺に平行に、かつ熱伝導層3とは、離間距離絶縁距離を空けて、対をなして形成されている。したがって、熱伝導層3は、電気的には接続されない非接続の状態となり、電気的導体として作用するものではない。そして、正極側給電導体21および負極側給電導体22は、それぞれ全体が略L字状で線対称に形成されている。なお、正極側給電導体21および負極側給電導体22の一端側は、給電端子部23、24として構成されている。図4に示すように、これら熱伝導層3、正極側給電導体21および負極側給電導体22は、三層構成であり、基板2上に、第一層Aとして銅パターンがエッチングにより設けられている。この銅パターン層の上には、第二層BとしてニッケルNiが無電界めっき処理されており、第三層Cとして銀Agが無電解めっき処理されている。熱伝導層3、正極側給電導体21および負極側給電導体22の第三層C、すなわち表層はいずれも銀Agめっき層であり、全光線反射率は90と高い。なお、基板2の表面上には、適宜レジスト層を形成してもよい。基板2の熱伝導層3上には、複数の発光素子4が実装されている。発光素子4は、LEDのベアチップからなる。LEDのベアチップには、たとえば、白色系の光を発光部で発光させるために、青色の光を発するものが用いられている。このLEDのベアチップは、金属材料からなる接合剤を用いて、熱伝導層3上に接合されている。したがって、熱伝導層3と発光素子4、すなわちLEDのベアチップとの間には、熱伝導性を有する金属接合層5が形成されている。具体的には、接合剤は、Au-Sn合金はんだであり、このAu-Sn合金はんだ層によって接合層5が形成される。この接合層5の形成にあたっては、まず、Au-Sn合金はんだが熱伝導層3上の発光素子4の配設位置に塗布される。次に、Au-Sn合金はんだの上に発光素子4を配置し、この状態で加熱して、約300°Cの高温でリフロー処理を施してAu-Sn合金はんだを溶解させた後、冷却する。これによって、接合層5が形成され、発光素子4は、熱伝導層1上に接合される。なお、接合剤としては、金属材料のはんだとして鉛フリーはんだ等を用いてもよい。これら複数の発光素子4は、マトリクス状に並べられて複数の列、たとえば、6列の発光素子列を形成している図3参照。LEDのベアチップは、たとえば、InGaN系の素子であり、透光性のサファイア素子基板に発光層が積層されており、発光層は、n型窒化物半導体層と、InGaN発光層と、p型窒化物半導体層とが順次積層されて略直方体形状に形成されている。そして、発光層に電流を流すための電極は、上面側に設けられており、p型窒化物半導体層上にp型電極パッドで形成されたプラス側電極と、n型窒化物半導体層上にn型電極パッドで形成されたマイナス側電極とで構成されている。これら、電極は、ボンディングワイヤ41によって電気的に接続されている。ボンディングワイヤ41は、金Auの細線からなっており、実装強度の向上とLEDのベアチップの損傷低減のため金Auを主成分とするバンプを介して接続されている。具体的には、個々の発光素子列において、その列が延びる方向に隣接された発光素子4の異極の電極同士、つまり、隣接された発光素子4の内で一方の発光素子4のプラス側電極と、隣接された発光素子4の内で他方の発光素子4のマイナス側電極とがボンディングワイヤ41で順次接続されている。これによって、個々の発光素子列を構成する複数の発光素子4は電気的に直列に接続される。したがって、複数の発光素子4は通電状態で一斉に発光される。さらに、個々の発光素子列において、特定の発光素子、すなわち、列の端に配置された発光素子4aの電極は、正極側給電導体21および負極側給電導体22にボンディングワイヤ41で接続されている。したがって、前記各発光素子列は電気的には並列に設けられていて、正極側給電導体21および負極側給電導体22を通じて給電されるようになっている。そのため、各発光素子列の内のいずれか一列がボンディング不良等に起因して発光できなくなることがあっても発光装置1全体の発光が停止することはない。基板2の表面上には、枠部材25が設けられている。枠部材25には、たとえば、ディスペンサを用いて所定の粘度を有する未硬化のシリコーン樹脂を基板2上に枠状に塗布し、その後に加熱硬化することにより、基板2上に接着されている。この枠部材25は、略四角形状に塗布され、熱伝導層3と同様な略四角形状の内周面を有している。内周面で囲まれた枠部材25の内側に、熱伝導層3の全体、正極側給電導体21および負極側給電導体22、各発光素子4が配設されている。つまり、発光素子4の実装領域は、枠部材25によって囲まれた状態となっている。枠部材25は、上記のようにシリコーン樹脂で形成されるので、光や熱による劣化が生じ難く、表層に銀Agめっきが施された熱伝導層3、正極側給電導体21および負極側給電導体22の変色を抑制することができる。したがって、これら熱伝導層3、正極側給電導体21および負極側給電導体22による反射効率の低下を軽減できる。枠部材の内側には、封止部材26が充填されて基板2上に設けられている。封止部材26は、透光性合成樹脂、たとえば、透明シリコーン樹脂製であり、熱伝導層3、正極側給電導体21および負極側給電導体22、各発光素子4を封止している。また、封止部材26は、蛍光体を適量含有している。蛍光体は、発光素子4が発する光で励起されて、発光素子4が発する光の色とは異なる色の光を放射する。発光素子4が青色光を発する本実施形態では、白色光を出射できるようにするために、蛍光体には青色の光とは補色の関係にある黄色系の光を放射する黄色蛍光体が使用されている。封止部材26は、未硬化の状態で枠部材25の内側に所定量注入された後に加熱硬化させて設けられている。図1に示すように、正極側給電導体21および負極側給電導体22の一端側の給電端子部23、24には、リード線27がはんだ付けによって接続されるようになっている。このリード線27には、図示しない点灯回路が電気的に接続されており、これにより発光素子4に点灯回路から電力が供給され、発光素子4が点灯制御されるようになっている。上記構成の発光装置1に点灯回路により電力が供給されると、熱伝導層3は、電気的には非接続の状態となっているので、正極側給電導体21からボンディングワイヤ41、発光素子4、負極側給電導体22へと通電され、封止部材26で覆われた各発光素子4が一斉に発光されて、発光装置1は白色の光を出射する面状光源として使用される。この点灯中において、熱伝導層3は、各発光素子4が発した熱を拡散するヒートスプレッダとして機能する。各発光素子4が発した熱は、熱伝導性が良好な金属材料、つまり、Au-Sn合金はんだ層によって形成された接合層5から熱伝導層3へ伝導され、この熱伝導層3に伝導された熱は、ここで拡散され、さらに、主として基板2に伝導されて放熱される。また、発光装置1の点灯中、発光素子4が放射した光のうちで基板2側に向かった光は、熱伝導層3や正極側給電導体21および負極側給電導体22の表層で主として光の利用方向に反射される。以上のように本実施形態によれば、セラミックス基板2の特性を生かし、かつ発光素子4から発生した熱の放熱性を向上でき、発光素子4の温度上昇を抑制することができる。また、各発光素子4の温度の均一化を図ることができ、個々の発光素子の光出力や発光色のばらつきを軽減することができる。加えて、接合層5の形成が高温下で行われる場合には、基板2は、耐熱性を有しているので、基板2が熱によって損傷することを回避できる。ところで、上記実施形態を前提として、本発明者は、図5乃至図8に示すように熱伝導層3の面積と発光素子4の温度との関係を調べた。具体的には、熱伝導層3の面積Msに対する発光素子4の接合面積Lsの面積比率Rと、発光素子4の点灯時のジャンクション温度Tjとの関係である。図5および図6に示すように、基板2上に1個の発光素子4を実装したものを試料として用意した。この場合、熱伝導層3の面積Msは発光素子4の1個あたりの面積に相当する。実装した発光素子4が複数である場合には、発光素子4の1個あたりの面積は、熱伝導層3の全面積を発光素子4の実装個数で割った値である。発光素子4の接合面積Lsは、発光素子4の1個あたりの発光素子4と熱伝導層3との接合面積であり、この接合面積は発光素子4の上面側の発光面積と近似している。なお、接合層5の面積が発光素子4よりも小さい場合には、厳密には発光素子4の1個あたりの接合面積Lsは、発光素子4の1個あたりの接合層5の面積となる。このような試料において、熱伝導層3の面積Msと厚さ寸法tを変えたものを種々用意し、ジャンクション温度Tjを測定した。その結果、図7および図8に示すようなデータが得られた。まず、図7において、縦軸は、ジャンクション温度Tj[°C]を示し、横軸は、熱伝導層3の長さ寸法L[mm]を示している。この熱伝導層3の長さ寸法Lは、熱伝導層3の面積Msと相関を有しており、面積Msと代替できるものである。したがって、図示上、6~40の表示は、熱伝導層3の面積Msに対する発光素子4の接合面積Lsの面積比率Rを示している。面積比率Rが6~100の数種類の試料a~k図8参照で、厚さ寸法tを18μm~250μmの間a~g図7参照で変えてジャンクション温度Tj[°C]を測定した。その結果、図に示すように面積比率Rが小さくなるほどジャンクション温度Tj[°C]は下降し、厚さ寸法tが増すほどジャンクション温度Tj[°C]が下がる傾向にあることが認められた。また、図7の線分hは、熱伝導層3がなしで熱伝導層3を形成しておらず、発光素子4を直接基板2上に設けた場合のジャンクション温度Tj[°C]を示している。この場合、線分hは、110°Cであるから、これを基準に、110°Cより上側の領域は、熱伝導層3を形成したことによる放熱効果がなく、110°Cより下側の領域は、熱伝導層3を形成したことによる放熱効果があるということになる。因みに、面積比率Rが5である試料は、熱伝導層3の厚さ寸法tが18μm~250μmの全範囲でジャンクション温度Tjが110°Cより下側になる。熱伝導層3を形成したことによる放熱効果が認められない領域、たとえば、領域N1は、面積比率Rが大きいため有効に熱が拡散せず、また、熱伝導層3が熱抵抗として作用し、基板2への熱伝導が妨げられていると考えられる。したがって、図7に示すデータから、少なくとも面積比率Rが5以上であれば、厚さ寸法tとの組み合わせ状態に応じて、熱伝導層3がなしである線分hと同等以下のジャンクション温度Tjとすることができ、発光素子4の温度上昇を有効に抑制できることが分かる。次に、図8は、座標軸を変えて測定データを表したものである。すなわち、縦軸にジャンクション温度Tj[°C]を示し、横軸に熱伝導層3の厚さ寸法t[μm]を示したものである。図7と同様に、面積比率Rが小さくなるほどジャンクション温度Tj[°C]は下降し、厚さ寸法tが増すほどジャンクション温度Tj[°C]が下がる傾向にあることが認められる。また、同様に、線分lを基準に、110°Cより上側の領域は、熱伝導層3を形成したことによる放熱効果がなく、110°Cより下側の領域は、熱伝導層3を形成したことによる放熱効果があるということになる。しかし、熱伝導層3を形成したことによる放熱効果が認められない領域N2は、厚さ寸法tが増すにもかかわらず、ジャンクション温度Tj[°C]が上昇する傾向にあることが分かる。これは、熱伝導層3の厚さ寸法tが増加することにより、面積比率Rとの関係で熱伝導層3が熱抵抗として作用する度合いが高まることによると考えられる。以上の図8に示すデータから、面積比率Rが40以下であれば、厚さ寸法tとの組み合わせ状態に応じて、熱伝導層3がなしである線分lと同等以下のジャンクション温度Tjとすることができ、発光素子4の温度上昇を有効に抑制できることが分かる。上記のように、発光素子4の1個あたりの発光素子4と熱伝導層3との接合面積Lsを、発光素子4の1個あたりの熱伝導層3の面積Msに対する比率を、5以上40以下に設定することにより、放熱効果の向上を図ることができる。第2の実施形態図9を参照して、DCBDirectCopperBonding基板を用いた発光装置1を説明する。DCB基板は、セラミックス基板2の裏面に厚さ約50μmの銅層16を形成したものであり、セラミックス基板2の表面側の構造はたとえば図4と同様である。なお、図9においては、熱伝導層3が一層の金属層からなるように図示している。DCB基板を用いた場合、表面側の熱伝導層3の厚さを250μm以上にすることもある。第3の実施形態発光装置1は、LEDランプとしての光源や屋内又は屋外で使用される照明器具、ディスプレイ装置等の装置本体に組み込んで照明装置として構成できる。図10を参照して、本実施形態に係る照明装置について説明する。この照明装置100は、2つの発光装置1と、本体103と、凹面反射鏡104と、鏡支持部材105とを含む。発光装置1は、第1または第2の実施形態で説明したものを用いることができる。本体103は、ケースをなすヒートシンク131と、受熱部135とを備えている。ヒートシンク31は、略円板状のベース132の背面に垂直に取り付けられた放熱フィン133を一体に複数有している。受熱部135は、ベース132の厚みと同程度の厚みを有した直方体である。この受熱部135は、ヒートシンク131とは別体であって、ベース132に対して放熱フィン133と反対側の正面に取り付けられる。凹面反射鏡104は、アルミニウムで作られた一対の凹面鏡部材141で構成される。各凹面鏡部材141の反射面は放物面に形成されているとともに、鏡面に仕上げられている。凹面鏡部材141は、光出射側に位置する半円弧状の縁141aと、ヒートシンク131のベース132側に位置する座部141bを有している。座部141bは、ベース132に沿って平らに形成され、切欠141cを有している。凹面鏡部材141は、座部141bをヒートシンク131のベース132の正面に接触させ、切欠141cに掛かるようにベース132の固定孔に装着されるネジ142によって、ベース132に固定される。ヒートシンク131の正面側に固定された一対の凹面鏡部材141は、受熱部135の両側に発光装置1に面しており、この受熱部135を境に面対称に配置されている。発光装置1の発光部となる蛍光体入りの封止部材は、凹面鏡部材141の放物面によって構成される反射面に対向する。発光装置1は、発光部の中心部が凹面鏡部材141の焦点に位置するように配置されている。照明器具100から放射される光束の中心から半径方向に離れた受熱部135の端部は、正面側から鏡押え145がビスで固定される。鏡押え145は、受熱部135に当接される取付片部145aと、反射面に沿って折れ曲がった塞ぎ片部145bとを一体に有している。一対の凹面鏡部材141は、間に受熱部135が挿入されている分だけ、反射面が離れている。取付片部145aが受熱部135にネジ止めされると、塞ぎ片部145bが凹面鏡部材141の間の隙間を塞ぐように配置される。これにより、凹面鏡部材141の縁141aと塞ぎ片部145bの先端縁145cとは、円形に近似した形を形成する。凹面反射鏡104のカバーを兼ねる鏡支持部材105は、円筒形の基部105aと、この一端からラッパ状に拡がった支え部105bとで構成される。支え部105bは、基部105aより大径なテーパー形状であり、正面側から見ると円形である。鏡支持部材105は、基部105aをベース132の正面に突き当て、かつ、支え部105bを凹面反射鏡104の外周部裏面に接触させることによって、ベース132と凹面反射鏡104の周部との間に保持される。鏡支持部材105は、凹面反射鏡104を裏側から支持する。鏡支持部材105は、予めベース132の正面側に配置されたのち、ベース132に固定される凹面鏡部材141によって保持される。鏡支持部材105の支え部105bに形成される開口縁105cは、凹面鏡部材141の縁141a及び鏡押さえ145の先端縁145cよりも前側、つまり、光出射側に位置されている。凹面反射鏡104及び鏡押え145は、鏡支持部材105内に収納される。ケーブル孔5dは、給電端子に接続される絶縁被覆電線を通すために設けられている。本実施形態の照明装置によれば、上記発光装置が奏する効果を有する照明装置を提供することができる。なお、本発明は、上記実施形態の構成に限定されることなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。上記実施形態では、熱伝導層を銅、ニッケル、銀の三層構成で形成したものについて説明したが、これに限らず、たとえば、銅箔の一層で形成してもよい。また、熱伝導層を構成する材料は、格別特定のものに限定されるものではない。さらに、接合層を形成する金属材料も特定のものに限定されるものではない。