"基材と、半導体素子と、前記基材および前記半導体素子の間に介在し、両者を接着する接着層と、を備え、前記接着層中に熱伝導性フィラーが分散しており、前記接着層全体中の前記熱伝導性フィラーの含有率をCとし、前記接着層の前記半導体素子側の界面から深さ2μmまでにわたる領域1における前記熱伝導性フィラーの含有率をC1とし、前記接着層の前記基材側の界面から深さ2μmまでにわたる領域2における前記熱伝導性フィラーの含有率をC2としたとき、0.97<C1/C<1.30かつ0.97<C2/C<1.30を満たす半導体装置。請求項1に記載の半導体装置において、前記熱伝導性フィラーが、銀、銅、金、アルミニウム、ニッケル、アルミナ、シリカの中から少なくとも一種類以上を含む、半導体装置。請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記基材が、リードフレーム、ヒートシンクまたはBGA基板である、半導体装置。請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記半導体素子が、消費電力1.7W以上のパワーデバイスである、半導体装置。しかしながら、発明者らが検討した結果、従来の接着フィルムは半導体素子と他の部材との熱伝導効率に改善の余地を有していることが判明した。特許文献2には、銀ペースト接着剤は、銀フィラーの沈降により、上部に存在する銀フィラーが下部に移動するので、不均一な銀フィラーの分布を有するようになることが記載されている。同文献によれば、ペーストからなる接着層は、上面にから下面に向かって銀フィラーの濃度が高くなるので、その下面において熱伝導効率が大幅に低下するとされている。このため、本発明の技術分野において、接着層の下面における熱伝導効率の低下を低減することが求められてきた。こうした要求を満たすためには、半導体素子とリードフレームとの間に圧接させられた接着層フィルムは、その層厚方向において、完全均一な銀フィラー分布を有していることが好ましいとされてきた。しかしながら、本発明者らが検討した結果、熱伝導性フィラーが完全均一に分布している場合には、接着層フィルムの熱伝導効率を十分得られることが判明した。さらに検討した結果、ダイアタッチペーストからなる接着層以下、DA層と称するの層厚方向において、上下接着界面における銀フィラーの分布を高くすることにより、熱伝導効率がより高くなることを見出した。検討の結果、以下の構成のものが好適であることを見出した。すなわち、本発明によれば、[1]基材と、半導体素子と、前記基材および前記半導体素子の間に介在し、両者を接着する接着層と、を備え、前記接着層中に熱伝導性フィラーが分散しており、前記接着層全体中の前記熱伝導性フィラーの含有率をCとし、前記接着層の前記半導体素子側の界面から深さ2μmまでにわたる領域1における前記熱伝導性フィラーの含有率をC1とし、前記接着層の前記基材側の界面から深さ2μmまでにわたる領域2における前記熱伝導性フィラーの含有率をC2としたとき、0.97<C1/C<1.30かつ0.97<C2/C<1.30を満たす半導体装置が提供される。また、本発明は、以下のものも含む。[2][1]に記載の半導体装置において、前記熱伝導性フィラーが、銀、銅、金、アルミニウム、ニッケル、アルミナ、シリカの中から少なくとも一種類以上の粒子を含む、半導体装置。[3][1]から[3]のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記基材が、リードフレーム、ヒートシンクまたはBGA基板である、半導体装置。[4]1]から[4]のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記半導体素子が、消費電力1.7W以上のパワーデバイスである、半導体装置。本発明によれば、歩留まりに優れた半導体装置が提供される。以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。図1は、本実施の形態の半導体装置10の構成を示す断面図である。また、図2は、図1に示す半導体装置10の一部を拡大した拡大図である。本実施の形態の半導体装置10は、基材ダイパッド2と、半導体素子3と、基材および半導体素子3の間に介在し、両者を接着する接着層1と、を備える。半導体装置10は、接着層1中に熱伝導性フィラー8が分散しており、接着層1全体中の熱伝導性フィラー8の含有率をCとし、接着層1の半導体素子3側の界面から深さ2μmまでにわたる領域1における熱伝導性フィラー8の含有率をC1とし、接着層1の基材ダイパッド2側の界面から深さ2μmまでにわたる領域2における熱伝導性フィラー8の含有率をC2としたとき、0.97<C1/C<1.30かつ0.97<C2/C<1.30が満たすように特定されている。以下、詳細に説明する。接着層1は、後述するペースト状の樹脂組成物ダイアタッチペーストを半導体素子3とダイパッド2とで圧着することにより形成される。本発明者らは、ダイアタッチペーストを対向方向から圧着して得られて接着層以下、単に接着層1と称するの圧着方向すなわち、層厚方向における熱伝導性フィラー8の分布の変化により、熱伝導性フィラー8の含有量が同一であっても接着層1の熱伝導性が変化することを見出した。熱伝導性フィラー8が不均一な分布となるメカニズムは不明だが次のように推察される。すなわち、ダイアタッチペーストは広がっていく際にペースト層の中央と半導体裏面もしくは支持体表面に接した部分の流動差が生じるため実質ペースト層中央から界面への流動が生じることとなる。これにより、接着層1の内部の熱伝導性フィラー8の濃度が、界面と比較して高くなる。一方、接着層1の両界面における樹脂濃度は内部と比較して高くなると考えられる。検討した結果、このような特性を満たす接着層1は、半導体素子から発生する熱を接着層や支持体を通して放散させる場合において、放散性が低いことが見出された。従来、接着層の導電性フィラーの分布は、接着層の製造工程に依存して、次の2通りであった。すなわち、第1は、接着層の上面から下面に亘って銀フィラーの濃度が高くなるという分布である。第2は、接着層の下面から上面に亘って銀フィラーの濃度が高くなるという分布である。第1の分布においては、接着層の上面における銀フィラーの濃度が非常に低くなるので、接着層へ伝熱が低下していた。一方、第2の分布においては、第1の分布とは反対に、接着層の下面における銀フィラーの濃度が非常に低くなるので、接着層へ伝熱が低下していた。これに対して、本実施の形態によれば、接着層1は、上層かつ下層の熱伝導性フィラー8の濃度は、内部と同程度、もしくは、高くなるように構成されている。従って、接着層1は、上下の界面において優れた熱伝導性を発揮することができるようになる。本実施の形態において、接着層1は、0.97<C1/C<1.30かつ0.97<C2/C<1.30を満たすことが好ましい。更に好ましくは1.00<C1/C<1.30かつ1.00<C2/C<1.30であり、もっとも好ましいのは1.05<C1/C<1.30かつ1.05<C2/C<1.30である。C1及びC2を上限値以下、下限値以上とすることにより、半導体素子から支持体への熱伝導を効率的に行うことができる。また、線膨張係数の低い熱伝導性フィラーが界面付近において高濃度となることにより、界面付近での接着層1の線膨張が大きくなることが抑制できるので耐クラック特性に優れた接着層1が得られる。本実施の形態において、接着層1の材料及び半導体装置10の製法を適切に制御することにより、C1及びC2の数値を調整することが可能となる。図2示すように、接着層1の上面は半導体素子3の下面と接合されている。接着層1の下面はダイパッド2と接合されている。ダイパッド2に対する半導体素子3の載置方向で見たときの断面視において、L1は、接着層1の半導体素子3側の界面から深さを示す。また、L2は、同断面視において、接着層1の基材ダイパッド2側の界面から深さを示す。また、Lは、同断面視において、接着層1全体の膜厚を示す。なお、接着層1は、半導体素子3の下面とともに側壁の少なくとも一部を覆うように形成されていてもよい。この場合についても、L1、L2、及びLは、前述のとおり、半導体素子3の下面とダイパッド2の上面との間に配置された接着層1の部分により特定される。L1、L2、及びLは、接着層1のSEM断面画像から算出することができる。また、本実施の形態において、L1/L及びL2/Lは、特に限定されないが、例えば、好ましくは1/10以上1/5以下より好ましくは1/8以上1/6であることが好ましい。下限値以上及び上限値以下にすることで、導電性フィラーの粒径や接着層1の厚みによる分布のばらつきの影響を受けることなく導電性フィラーの分布を確認することができる。また、本実施の形態において、接着層1の全厚Lは、特に限定されないが、例えば、好ましくは6μm以上200μm以下であり、より好ましくは8μm以上100μm以下である。下限値以上とすることにより充分な応力緩和能を発揮させることができる。一方、上限値以下とすることにより、クラックの発生を抑制することができる。熱伝導性フィラー8の含有率の算出方法としては、例えば、次のものが採用できる。すなわち、まず、厚み方向における接着層1のSEM断面図を2値化処理する。2値化処理において、閾値は、ペーストの硬化物から灰分測定で得られた硬化物中の導電性フィラーの体積分率Xとなるように設定する。次いで、2値化処理により得られた2値化画像を、厚み方向に0.2μm間隔で切りだし、各層中の熱電性フィラー8含有量を算出する。本実施の形態では、熱電性フィラー8として、銀の場合について説明するが、他のフィラーについても同様にして算出可能である。ここで、含有量の算出手法としては以下のようにする。まず、上側から下側へ、1層、2層N層と定義する。一方、下側から上側に、1層、2層N層と定義する。次いで、1上側から下側へN層までの含有量を算出する。その後、1層目の銀比率=1層の銀量/X100、2層目までの銀比率=12層の銀量/X100、、N層目までの銀比率=12N層の銀量/X100=X/X100=100。同様にして、2下側から上側までの含有量を算出する。その後、1層目の含有量=1層の銀量/X100、2層目までの銀比率=12層の銀量/X100、、N層目までの銀比率=12N層の銀量/X100=X/X100=100。これらの数値から、上側及び下側から距離を変動させたときの銀全体量に対する各層の銀比率を算出する。その後、接着層1の半導体素子3側の界面から深さ2μmまでにわたる領域1におけるC1/Cは、1上側から下側に向かって算出された10層目までの銀比率を採用する。一方、接着層1の基材ダイパッド2側の界面から深さ2μmまでにわたる領域2におけるC2/Cは、2下側から上側に向かって算出された10層目までの銀比率を採用する。熱伝導性フィラー8は、接着層1に含有されている。熱伝導性フィラー8としては、特に限定されないが、銀、銅、金、アルミニウム、ニッケル、アルミナ、シリカの粒子以外に、銀を主成分として、例えば銅、金、ニッケル、パラジウム、錫などの金属粒子やこれらの合金粒子、アルミナ、シリカなどの酸化物粒子の表面に銀などをメッキさせてある粒子などを用いることができる。熱伝導性フィラー8の大きさは、例えば球形状の場合、平均粒径D50は、特に限定されないが、0.05μm以上20μm以下が好ましく0.1um以上10μm以下がより好ましい。この平均粒径の測定方法としては、特に限定されないが、例えばフロー式粒子像分析装置、レーザー回析散乱法を用いた粒度分布測定装置などを用いて測定することができる。この範囲内の熱伝導性フィラー8を用いることで、フィラーの分散特性が向上する。更にダイアタッチペーストが広がっていく際に生じる流動において小さい粒子は樹脂全体の流れに沿って粒子が移動しやすいが、大きな粒子はその移動量が少ない。そのため小さい粒子を用いると界面付近まで粒子が移動しやすく、界面付近の熱伝導性フィラー含有量が増加するため、半導体素子からの熱が伝わりやすい。一方大きい粒子は流動時に移動しにくいために、界面付近での熱伝導性フィラー含有量が低下し易く、半導体素子から接着層へ熱が伝わりにくい。そのため、前述の様な平均粒径を持つ熱伝導性フィラーであれば流動中の粒子は速やかに移動するため、熱伝導性の良い接着層を形成することができる。また、平均粒径が上記範囲内である熱伝導性フィラーを用いることにより、樹脂組成物の糸引き性に優れるため、吐出量の調整、塗布等の作業性を向上することができる。本実施の形態において、ダイパッド2は、特に限定されないが、リードフレーム、他の半導体素子、回路基板を含む実装基板、半導体ウエハ等の各種基材を用いることができる。この中では、ダイパッド2としてリードフレーム、ヒートシンクまたはBGA基板を用いることにより、接着層1が放熱機能を特に顕著に発揮することが可能となる。一方、ダイパッド2として半導体素子を用いる場合には、接着層1が優れたクラック耐性を特に顕著に発揮することが可能となる。また、ダイパッド2として半導体ウエハを用いる場合には、接着層1をダイシング用フィルムとしても利用することが可能である。また、半導体素子3は、特に限定されないが、例えば、消費電力1.7W以上のパワーデバイスであることが好ましい。半導体素子3は、パッド7及びボンディングワイヤ6を介して、リード4に電気的に接続している。また、半導体素子3は、その周囲が封止材層5により封止されている。次に、接着層1に用いるペースト状の樹脂組成物について説明する。本実施の形態では、接着層1は、例えば、熱硬化性接着剤組成物を硬化させることにより得られる。熱硬化性接着剤組成物としては、加熱により3次元的網目構造を形成する一般的な熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。熱硬化性樹脂は、特に限定されるものではないが、液状樹脂組成物を形成する材料であることが好ましく、室温25°Cで液状であることが望ましい。例えば、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、ラジカル重合性のアクリル樹脂、マレイミド樹脂などが挙げられる。熱硬化性接着組成物は、目的に応じて、硬化剤、硬化促進剤、重合開始剤などの様々な添加剤を含有してもよい。シアネート樹脂は、分子内に-NCO基を有する化合物であり、加熱により-NCO基が反応することで3次元的網目構造を形成し、硬化する樹脂である。具体的に例示すると、1,3-ジシアナトベンゼン、1,4-ジシアナトベンゼン、1,3,5-トリシアナトベンゼン、1,3-ジシアナトナフタレン、1,4-ジシアナトナフタレン、1,6-ジシアナトナフタレン、1,8-ジシアナトナフタレン、2,6-ジシアナトナフタレン、2,7-ジシアナトナフタレン、1,3,6-トリシアナトナフタレン、4,4-ジシアナトビフェニル、ビス4-シアナトフェニルメタン、ビス3,5-ジメチル-4-シアナトフェニルメタン、2,2-ビス4-シアナトフェニルプロパン、2,2-ビス3,5-ジブロモ-4-シアナトフェニルプロパン、ビス4-シアナトフェニルエーテル、ビス4-シアナトフェニルチオエーテル、ビス4-シアナトフェニルスルホン、トリス4-シアナトフェニルホスファイト、トリス4-シアナトフェニルホスフェート、およびノボラック樹脂とハロゲン化シアンとの反応により得られるシアネート類などが挙げられ、これらの多官能シアネート樹脂のシアネート基を三量化することによって形成されるトリアジン環を有するプレポリマーも使用できる。このプレポリマーは、上記の多官能シアネート樹脂モノマーを、例えば、鉱酸、ルイス酸などの酸、ナトリウムアルコラート、第三級アミン類などの塩基、炭酸ナトリウムなどの塩類を触媒として重合させることにより得られる。シアネート樹脂の硬化促進剤としては、一般に公知のものが使用できる。例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸コバルト、ナフテン酸亜鉛、アセチルアセトン鉄などの有機金属錯体、塩化アルミニウム、塩化錫、塩化亜鉛などの金属塩、トリエチルアミン、ジメチルベンジルアミンなどのアミン類が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの硬化促進剤は1種または2種以上混合して用いることができる。また、シアネート樹脂は、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、アクリル樹脂、マレイミド樹脂などの他の樹脂と併用することも可能である。エポキシ樹脂は、グリシジル基を分子内に1つ以上有する化合物であり、加熱によりグリシジル基が反応することで3次元的網目構造を形成し、硬化する樹脂である。グリシジル基は1分子に2つ以上含まれていることが好ましい。これにより、接着層の硬化物特性を好適なものとすることができる。グリシジル基を1分子に2つ以上含む化合物としては、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビフェノールなどのビスフェノール化合物またはこれらの誘導体、水素添加ビスフェノールA、水素添加ビスフェノールF、水素添加ビフェノール、シクロヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタノール、シジロヘキサンジエタノールなどの脂環構造を有するジオールまたはこれらの誘導体、ブタンジオール、ヘキサンジオール、オクタンジオール、ノナンジオール、デカンジオールなどの脂肪族ジオールまたはこれらの誘導体などをエポキシ化した2官能のもの、トリヒドロキシフェニルメタン骨格、アミノフェノール骨格を有する3官能のもの、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂などをエポキシ化した多官能のものなどが挙げられるがこれらに限定されるわけではなく、また樹脂組成物として室温で液状であることが好ましく、単独でまたは混合物として室温で液状となるものが好ましい。通常行われるように反応性の希釈剤を使用することも可能である。反応性希釈剤としては、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテルなどの1官能の芳香族グリシジルエーテル類、脂肪族グリシジルエーテル類などが挙げられる。エポキシ樹脂を硬化させる目的で硬化剤を使用する。エポキシ樹脂の硬化剤としては、例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、ジシアンジアミド、ジヒドラジド化合物、酸無水物、フェノール樹脂などが挙げられる。ジヒドラジド化合物としては、アジピン酸ジヒドラジド、ドデカン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、p-オキシ安息香酸ジヒドラジドなどのカルボン酸ジヒドラジドなどが挙げられ、酸無水物としてはフタル酸無水物、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロフタル酸無水物、ドデセニルコハク酸無水物、無水マレイン酸とポリブタジエンの反応物、無水マレイン酸とスチレンの共重合体などが挙げられる。エポキシ樹脂の硬化剤として用いられるフェノール樹脂としては1分子内にフェノール性水酸基を2つ以上有する化合物を用いることが好ましい。これにより、硬化時に架橋構造を形成することができ、硬化物特性が好適な接着層を得ることができる。また、好ましいフェノール性水酸基の数は2~5である。より好ましい1分子内のフェノール性水酸基数は2つまたは3つである。フェノール性水酸基の数をこの範囲とすることにより、熱硬化性接着剤組成物の粘度を作業性に優れる範囲とすることができる。このような化合物としては、ビスフェノールF、ビスフェノールA、ビスフェノールS、テトラメチルビスフェノールA、テトラメチルビスフェノールF、テトラメチルビスフェノールS、ジヒドロキシジフェニルエーテル、ジヒドロキシベンゾフェノン、テトラメチルビフェノール、エチリデンビスフェノール、メチルエチリデンビスメチルフェノール、シクロへキシリデンビスフェノール、ビフェノールなどのビスフェノール類およびその誘導体、トリヒドロキシフェニルメタン、トリヒドロキシフェニルエタンなどの3官能のフェノール類およびその誘導体、フェノールノボラック、クレゾールノボラックなどのフェノール類とホルムアルデヒドを反応することで得られる化合物で2核体または3核体がメインのものおよびその誘導体などが挙げられる。エポキシ樹脂の硬化促進剤としては、イミダゾール類、トリフェニルホスフィンまたはテトラフェニルホスフィンの塩類、ジアザビシクロウンデセンなどのアミン系化合物およびその塩類などが挙げられるが、2-メチルイミダゾール、2-エチルイミダゾール2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-C11H23-イミダゾール、2-メチルイミダゾールと2,4-ジアミノ-6-ビニルトリアジンとの付加物などのイミダゾール化合物が好適に用いられる。なかでも特に好ましいのは融点が180°C以上のイミダゾール化合物である。また、エポキシ樹脂は、シアネート樹脂、アクリル樹脂、マレイミド樹脂との併用も好ましい。ラジカル重合性のアクリル樹脂とは、分子内にメタアクリロイル基を有する化合物であり、メタアクリロイル基が反応することで3次元的網目構造を形成し、硬化する樹脂である。メタアクリロイル基は分子内に1つ以上有する必要があるが、2つ以上含まれていることが好ましい。特に好ましいアクリル樹脂は分子量が500~10000のポリエーテル、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリメタアクリレートでメタアクリル基を有する化合物である。ポリエーテルとしては、炭素数が3~6の有機基がエーテル結合を介して繰り返したものが好ましく、芳香族環を含まないものが好ましい。ポリエーテルポリオールとメタアクリル酸またはその誘導体との反応により得ることが可能である。ポリエステルとしては、炭素数が3~6の有機基がエステル結合を介して繰り返したものが好ましく、芳香族環を含まないものが好ましい。ポリエステルポリオールとメタアクリル酸またはその誘導体との反応により得ることが可能である。ポリカーボネートとしては、炭素数が3~6の有機基がカーボネート結合を介して繰り返したものが好ましく、芳香族環を含まないものが好ましい。ポリカーボネートポリオールとメタアクリル酸またはその誘導体との反応により得ることが可能である。ポリメタアクリレートとしては、メタアクリル酸とメタアクリレートとの共重合体または極性基を有するメタアクリレートと極性基を有さないメタアクリレートとの共重合体などが好ましい。これら共重合体とカルボキシ基と反応する場合には水酸基を有するアクリレート、水酸基と反応する場合にはメタアクリル酸またはその誘導体を反応することにより得ることが可能である。必要により以下に示す化合物を併用することも可能である。例えば、2-ヒドロキシエチルメタアクリレート、2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、3-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2-ヒドロキシブチルメタアクリレート、3-ヒドロキシブチルメタアクリレート、4-ヒドロキシブチルメタアクリレート、1,2-シクロヘキサンジオールモノメタアクリレート、1,3-シクロヘキサンジオールモノメタアクリレート、1,4-シクロヘキサンジオールモノメタアクリレート、1,2-シクロヘキサンジメタノールモノメタアクリレート、1,3-シクロヘキサンジメタノールモノメタアクリレート、1,4-シクロヘキサンジメタノールモノメタアクリレート、1,2-シクロヘキサンジエタノールモノメタアクリレート、1,3-シクロヘキサンジエタノールモノメタアクリレート、1,4-シクロヘキサンジエタノールモノメタアクリレート、グリセリンモノメタアクリレート、グリセリンジメタアクリレート、トリメチロールプロパンモノメタアクリレート、トリメチロールプロパンジメタアクリレート、ペンタエリスリトールモノメタアクリレート、ペンタエリスリトールジメタアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタアクリレート、ネオペンチルグリコールモノメタアクリレートなどの水酸基を有するメタアクリレートやこれら水酸基を有するメタアクリレートとジカルボン酸またはその誘導体を反応して得られるカルボキシ基を有するメタアクリレートなどが挙げられる。ここで使用可能なジカルボン酸としては、例えばしゅう酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸およびこれらの誘導体が挙げられる。上記以外にもメチルメタアクリレート、エチルメタアクリレート、n-ブチルメタアクリレート、イソブチルメタアクリレート、ターシャルブチルメタアクリレート、イソデシルメタアクリレート、ラウリルメタアクリレート、トリデシルメタアクリレート、セチルメタアクリレート、ステアリルメタアクリレート、イソアミルメタアクリレート、イソステアリルメタアクリレート、ベヘニルメタアクリレート、2-エチルヘキシルメタアクリレート、その他のアルキルメタアクリレート、シクロヘキシルメタアクリレート、ターシャルブチルシクロヘキシルメタアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタアクリレート、ベンジルメタアクリレート、フェノキシエチルメタアクリレート、イソボルニルメタアクリレート、グリシジルメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタアクリレート、ジンクモノメタアクリレート、ジンクジメタアクリレート、ジメチルアミノエチルメタアクリレート、ジエチルアミノエチルメタアクリレート、ネオペンチルグリコールメタアクリレート、トリフロロエチルメタアクリレート、2,2,3,3-テトラフロロプロピルメタアクリレート、2,2,3,3,4,4-ヘキサフロロブチルメタアクリレート、パーフロロオクチルメタアクリレート、パーフロロオクチルエチルメタアクリレート、エチレングリコールジメタアクリレート、プロピレングリコールジメタアクリレート、1,4-ブタンジオールジメタアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジメタアクリレート、1,9-ノナンジオールジメタアクリレート、1,3-ブタンジオールジメタアクリレート、1,10-デカンジオールジメタアクリレート、テトラメチレングリコールジメタアクリレート、メトキシエチルメタアクリレート、ブトキシエチルメタアクリレート、エトキシジエチレングリコールメタアクリレート、メトキシポリアルキレングリコールモノメタアクリレート、オクトキシポリアルキレングリコールモノメタアクリレート、ラウロキシポリアルキレングリコールモノメタアクリレート、ステアロキシポリアルキレングリコールモノメタアクリレート、アリロキシポリアルキレングリコールモノメタアクリレート、ノニルフェノキシポリアルキレングリコールモノメタアクリレート、N,N-メチレンビスメタアクリルアミド、N,N-エチレンビスメタアクリルアミド、1,2-ジメタアクリルアミドエチレングリコール、ジメタアクリロイロキシメチルトリシクロデカン、N-メタアクリロイロキシエチルマレイミド、N-メタアクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタルイミド、N-メタアクリロイロキシエチルフタルイミド、n-ビニル-2-ピロリドン、スチレン誘導体、α-メチルスチレン誘導体などを使用することも可能である。さらに重合開始剤として熱ラジカル重合開始剤が好ましく用いられる。通常熱ラジカル重合開始剤として用いられるものであれば特に限定しないが、望ましいものとしては、急速加熱試験試料1gを電熱板の上にのせ、4°C/分で昇温した時の分解開始温度における分解温度が40~140°Cとなるものが好ましい。分解温度をこの範囲とすることにより、導電性ペーストの常温における保存性と、硬化時間の最適化を両立して達成することができる。これを満たす熱ラジカル重合開始剤の具体例としては、メチルエチルケトンパーオキサイド、メチルシクロヘキサノンパーオキサイド、メチルアセトアセテートパーオキサイド、アセチルアセトンパーオキサイド、1,1-ビスt-ブチルパーオキシ3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、1,1-ビスt-ヘキシルパーオキシシクロヘキサン、1,1-ビスt-ヘキシルパーオキシ3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、1,1-ビスt-ブチルパーオキシシクロヘキサン、2,2-ビス4,4-ジ-t-ブチルパーオキシシクロヘキシルプロパン、1,1-ビスt-ブチルパーオキシシクロドデカン、n-ブチル4,4-ビスt-ブチルパーオキシバレレート、2,2-ビスt-ブチルパーオキシブタン、1,1-ビスt-ブチルパーオキシ-2-メチルシクロヘキサン、t-ブチルハイドロパーオキサイド、P-メンタンハイドロパーオキサイド、1,1,3,3-テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、t-ヘキシルハイドロパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、2,5-ジメチル-2,5-ビスt-ブチルパーオキシヘキサン、α、α-ビスt-ブチルパーオキシジイソプロピルベンゼン、t-ブチルクミルパーオキサイド、ジ-t-ブチルパーオキサイド、2,5-ジメチル-2,5-ビスt-ブチルパーオキシヘキシン-3、イソブチリルパーオキサイド、3,5,5-トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、桂皮酸パーオキサイド、m-トルオイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ビス4-t-ブチルシクロヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ-3-メトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジ-2-エチルヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ-sec-ブチルパーオキシジカーボネート、ジ3-メチル-3-メトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジ4-t-ブチルシクロヘキシルパーオキシジカーボネート、α、α-ビスネオデカノイルパーオキシジイソプロピルベンゼン、クミルパーオキシネオデカノエート、1,1,3,3,-テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、1-シクロヘキシル-1-メチルエチルパーオキシネオデカノエート、t-ヘキシルパーオキシネオデカノエート、t-ブチルパーオキシネオデカノエート、t-ヘキシルパーオキシピバレート、t-ブチルパーオキシピバレート、2,5-ジメチル-2,5-ビス2-エチルヘキサノイルパーオキシヘキサン、1,1,3,3-テトラメチルブチルパーオキシ-2-エチルへキサノエート、1-シクロヘキシル-1-メチルエチルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、t-ヘキシルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、t-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、t-ブチルパーオキシイソブチレート、t-ブチルパーオキシマレイックアシッド、t-ブチルパーオキシラウレート、t-ブチルパーオキシ-3,5,5-トリメチルヘキサノエート、t-ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキシルモノカーボネート、2,5-ジメチル-2,5-ビスベンゾイルパーオキシヘキサン、t-ブチルパーオキシアセテート、t-ヘキシルパーオキシベンゾエート、t-ブチルパーオキシ-m-トルオイルベンゾエート、t-ブチルパーオキシベンゾエート、ビスt-ブチルパーオキシイソフタレート、t-ブチルパーオキシアリルモノカーボネート、3,3,4,4-テトラt-ブチルパーオキシカルボニルベンゾフェノンなどが挙げられるが、これらは単独または硬化性を制御するため2種類以上を混合して用いることもできる。また、上記のラジカル重合性のアクリル樹脂は、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂との併用も好ましい。マレイミド樹脂は、1分子内にマレイミド基を1つ以上含む化合物であり、加熱によりマレイミド基が反応することで3次元的網目構造を形成し、硬化する樹脂である。例えば、N,N-4,4-ジフェニルメタンビスマレイミド、ビス3-エチル-5-メチル-4-マレイミドフェニルメタン、2,2-ビス[4-4-マレイミドフェノキシフェニル]プロパンなどのビスマレイミド樹脂が挙げられる。より好ましいマレイミド樹脂は、ダイマー酸ジアミンと無水マレイン酸の反応により得られる化合物、マレイミド酢酸、マレイミドカプロン酸といったマレイミド化アミノ酸とポリオールの反応により得られる化合物である。マレイミド化アミノ酸は、無水マレイン酸とアミノ酢酸またはアミノカプロン酸とを反応することで得られ、ポリオールとしては、ポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール、ポリカーボネートポリオール、ポリメタアクリレートポリオールが好ましく、芳香族環を含まないものが特に好ましい。マレイミド基は、アリル基と反応可能であるのでアリルエステル樹脂との併用も好ましい。アリルエステル樹脂としては、脂肪族のものが好ましく、中でも特に好ましいのはシクロヘキサンジアリルエステルと脂肪族ポリオールのエステル交換により得られる化合物である。アリルエステル系化合物の数平均分子量は、特に限定されないが、500~10,000が好ましく、特に500~8,000が好ましい。数平均分子量が前記範囲内であると、硬化収縮を特に小さくすることができ、密着性の低下を防止することができる。またシアネート樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂との併用も好ましい。熱硬化性接着剤組成物には、必要に応じてその他の添加剤を使用してもよい。その他の添加剤としては、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン、スルフィドシランなどのシランカップリング剤や、チタネートカップリング剤、アルミニウムカップリング剤、アルミニウム/ジルコニウムカップリング剤などのカップリング剤、カーボンブラックなどの着色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴムなどの固形低応力化成分、ハイドロタルサイトなどの無機イオン交換体、消泡剤、界面活性剤、各種重合禁止剤、酸化防止剤などであり、種々の添加剤を適宜配合しても差し支えない。これらの化合物は1種を単独で用いても、2種以上を併用してもよい。本実施の形態の半導体装置の製造方法において用いられる熱硬化性接着剤組成物の使用方法について具体的な例を用いてに説明する。本発明の一実施形態としては、半導体装置の製造方法において用いられる熱硬化性接着剤組成物が液状接着剤の場合、上述したような各種成分を予備混合した後、3本ロールを用いて混練を行い、更に真空脱泡することにより、液状接着剤を得ることができる。得られた液状接着剤は市販のダイボンダーを用いて、例えば支持体特にリードフレームの所定の部位にディスペンス塗布された後、半導体素子をマウントして加熱硬化する。その後、ワイヤーボンディングして、エポキシ樹脂等を主成分とする封止樹脂を用いてトランスファー成形することにより半導体装置を得ることができる。なお、フィルム状接着剤についても上記と同様に使用することができる。この場合、例えば支持体にフィルム状接着剤をラミネートした後、同様の工程により、半導体装置を得ることができる。以下実施例を用いて本発明を具体的に説明するが、これらに限定されるものではない。配合割合は重量部で示す。実施例および比較例ともに下記原材料を表1に示す重量部で配合した上で3本ロールを用いて混練、脱泡することで樹脂組成物を得た。評価試験上記より得られた実施例および比較例の樹脂組成物について以下の評価試験を行った。評価結果を表1に示す。C、C1、C2算出方法実施例および比較例の各樹脂組成物を用いて、下記のリードフレームとシリコンチップを175°C60分間硬化し接着した。その状態から接着層1の断面を切り出し、厚み方向における接着層1のSEM断面図を得た。得られたSEM断面図を2値化処理した。2値化処理において、閾値は、接着層1中全体の熱電性フィラー8の含有率Cペーストの硬化物から灰分測定で得られた導電性フィラーの体積分率Xとなるように設定した。次いで、2値化処理により得られた2値化画像を、厚み方向に0.2μm間隔で切りだし、各層中の熱電性フィラー8含有量を算出した。まず、1上側から下側へN層までの含有量を算出した。すなわち、1層目の銀比率=1層の銀量/X100、2層目までの銀比率=12層の銀量/X100、、N層目までの銀比率=12N層の銀量/X100=/X100=100。同様にして、2下側から上側までの含有量を算出した。すなわち、1層目の銀比率=1層の銀量/X100、2層目までの銀比率=12層の銀量/100、、N層目までの銀比率=12N層の銀量/100=X/X100=100。接着層1の半導体素子3側の界面から深さ2μmまでにわたる領域1におけるC1/Cは、1上側から下側に向かって算出された10層目までの銀比率を採用した。一方、接着層1の基材ダイパッド2側の界面から深さ2μmまでにわたる領域2におけるC2/Cは、2下側から上側に向かって算出された10層目までの銀比率を採用した。熱拡散係数実施例および比較例の各樹脂組成物を用いて、2枚の8.4x8.4mm厚み350μmシリコンチップを貼り合わせた。そのさいに接着材層の厚みは20umとし、サンプル全体の厚みを720μmとした。これを175°C、30分硬化し、評価用サンプルを得た。このサンプルをレーザーフラッシュ熱伝導計アルバック理工株式会社製、TC7000にて、以下の条件下で熱拡散係数を測定した。測定条件:環境:室温サンプリングタイム:2~10μsオートで変更ショット数:10ショットショット間の間隔:60s糸引き性実施例および比較例の各樹脂組成物をシリンジに詰めノズル径が内径200μmのニードルを取り付け、自動ディスペンサーでペーストを塗布し、塗布時の糸引き性を目視で観察し、その時糸引きが観察されないものを○、観察されたものをXとした。実施例1,2において、C1C及びC2Cがそれぞれ1.26,1.28、1.08、1.11となり、熱拡散係数も0.43、0.40となることが確認された。一方、比較例では、C1C及びC2Cがそれぞれ0.68、0.65となり、同じ銀含有率でありながら実施例1、2に比べ熱拡散係数が0.18と半分以下であった。"