安定化層に直接接した亜化学量論層を備え、前記亜化学量論層は、酸化物、窒化物および酸窒化物からなる群の中から選ばれる均質な亜化学量論的組成物からなり、前記亜化学量論的組成物は、金属元素および半導体元素からなる群の中から選ばれる少なくとも1種の元素を含み、前記亜化学量論的組成物は、亜化学量論的量の、酸素および窒素からなる群の中から選ばれる少なくとも1種の元素をさらに含み、前記安定化層は、金属元素および半導体元素からなる群の中から選ばれる前記少なくとも1種の元素、および化学量論的量の、酸素および窒素からなる群の中から選ばれる前記少なくとも1種の元素を含み、前記亜化学量論層は、10~100nmの厚さであって、前記安定化層よりも厚い光学スタック。前記安定化層が、1~10nmの厚さである請求項1に記載の光学スタック。前記金属元素が、遷移金属、Mg、Zn、Al、In、Sn、SbおよびBiからなる群の中から選ばれ、前記半導体元素が、SiおよびGeからなる群の中から選ばれる請求項1に記載の光学スタック。前記金属元素が、Mg、Y、Ti、Zr、Nb、Ta、W、Zn、Al、In、Sn、SbおよびBiからなる群の中から選ばれ、前記半導体元素が、SiおよびGeからなる群の中から選ばれる請求項1に記載の光学スタック。前記金属元素および半導体元素からなる群の中から選ばれる少なくとも1種の元素が、SiおよびAlを含む請求項1に記載の光学スタック。前記亜化学量論的組成物が、酸化物、窒化物および酸窒化物からなる群の中から選ばれる少なくとも2種を含む請求項1に記載の光学スタック。前記亜化学量論層の屈折率が、前記安定化層の屈折率よりも高い請求項1に記載の光学スタック。前記亜化学量論層が、屈折率nを、n≧2.3であるように有する請求項1に記載の光学スタック。前記亜化学量論層が、減衰係数kを、0.03≦k≦0.15であるように有する請求項1に記載の光学スタック。前記光学スタックが、透明基板上にあり、前記光学スタックが、金属層をさらに含み、前記亜化学量論層および前記安定化層が、前記透明基板と前記金属層との間にある請求項1に記載の光学スタック。前記透明基板が、ガラスを含む請求項10に記載の光学スタック。前記光学スタックが、前記透明基板上の前記光学スタックを焼き入れすることを含む方法により製造され、前記透明ガラス基板上の光学スタックのガラス側反射焼き入れ色シフトが3.0以下である請求項11に記載の光学スタック。前記光学スタックが、前記透明基板上の前記光学スタックを焼き入れすることを含む方法により製造され、前記透明ガラス基板上の光学スタックの光学スタック側反射焼き入れ色シフトが3.7以下である請求項11に記載の光学スタック。前記金属層が、Agを含む請求項10に記載の光学スタック。前記光学スタックが、他の金属層をさらに含み、前記亜化学量論層および前記安定化層が、前記金属層と前記他の金属層との間にある請求項10に記載の光学スタック。前記光学スタックが、透明基板上にあり、前記光学スタックが、金属層をさらに含み、前記亜化学量論層および前記安定化層が、前記基板からして前記金属層の外側にある請求項1に記載の光学スタック。安定化層および亜化学量論層を積層すること、および請求項1に記載の光学スタックを製造することを含む光学スタックの製造方法。第1の安定化層と第2の安定化層の間に挟まれ、それらと直接接する亜化学量論層を備え、前記亜化学量論層が、酸化物、窒化物および酸窒化物からなる群の中から選ばれる亜化学量論的組成からなり、ここで前記亜化学量論的組成は、金属元素および半導体元素からなる群の中から選ばれる少なくとも1種の元素を含み、前記亜化学量論的組成は、亜化学量論的量の、酸素および窒素からなる群の中から選ばれる少なくとも1種の元素をさらに含み、前記第1の安定化層および第2の安定化層が、それぞれ、金属元素および半導体元素からなる群の中から選ばれる少なくとも1種の元素、および化学量論的量の、酸素および窒素からなる群の中から選ばれる少なくとも1種の元素を含む光学スタック。前記第1の安定化層および第2の安定化層が、同じ組成を有する請求項18に記載の光学スタック。前記第1の安定化層および第2の安定化層が、異なる組成を有する請求項18に記載の光学スタック。前記亜化学量論層が、均質である請求項18に記載の光学スタック。前記亜化学量論的組成が、酸化物、窒化物および酸窒化物からなる群の中から選ばれる少なくとも2つのメンバーを含む請求項18に記載の光学スタック。前記金属元素が、遷移金属、Mg、Zn、Al、In、Sn、SbおよびBiからなる群の中から選ばれ、前記半導体元素が、SiおよびGeからなる群の中から選ばれる請求項18に記載の光学スタック。前記金属元素が、Mg、Y、Ti、Zr、Nb、Ta、W、Zn、Al、In、Sn、SbおよびBiからなる群の中から選ばれ、前記半導体元素が、SiおよびGeからなる群の中から選ばれる請求項18に記載の光学スタック。前記金属元素および半導体元素からなる群の中から選ばれる少なくとも1種の元素が、SiおよびAlを含む請求項18に記載の光学スタック。前記亜化学量論層の屈折率が、前記第1の安定化層および第2の安定化層のそれぞれの屈折率よりも高い請求項18に記載の光学スタック。前記亜化学量論層が、屈折率nを、n≧2.3であるように有する請求項18に記載の光学スタック。前記亜化学量論層が、減衰係数kを、0.03≦k≦0.15であるように有する請求項18に記載の光学スタック。前記第1の安定化層が、1~10nmの厚さである請求項18に記載の光学スタック。前記第2の安定化層が、1~10nmの厚さである請求項18に記載の光学スタック。前記亜化学量論層が、10~100nmの厚さである請求項18に記載の光学スタック。前記光学スタックが、透明基板上にあり、前記光学スタックが、金属層をさらに含み、前記第1の安定化層、亜化学量論層および第2の安定化層が、前記透明基板と前記金属層との間にある請求項18に記載の光学スタック。前記透明基板が、ガラスを含む請求項32に記載の光学スタック。前記金属層が、Agを含む請求項32に記載の光学スタック。前記光学スタックが、他の金属層をさらに含み、前記第1の安定化層、亜化学量論層および第2の安定化層が、前記金属と前記他の金属層との間にある請求項32に記載の光学スタック。前記光学スタックが、透明基板上にあり、前記光学スタックが、金属層をさらに含み、前記第1の安定化層、前記亜化学量論層および前記第2の安定化層が、前記基板からして前記金属層の外側にある請求項1に記載の光学スタック。第1の安定化層、亜化学量論層および第2の安定化層を積層すること、および請求項18に記載の光学スタックを製造することを含む光学スタックの製造方法。亜化学量論的NiCrOxの均質な亜化学量論層を備え、前記亜化学量論層が、2~20nmの厚さである光学スタック。前記光学スタックが、該光学スタックを焼き入れすることを含む方法により製造され、前記光学スタックが、前記焼き入れ中に、1.00以下の透過率の絶対変化を受ける請求項38に記載の光学スタック。亜化学量論的NiCrOxの均質な亜化学量論層を備える光学スタックを焼き入れすることを含み、前記亜化学量論層が、2~20nmの厚さであり、前記焼き入れ中において前記光学スタックの透過率の絶対変化が1.00以下である光学スタックの製造方法。