"反磁性を有する温度制御流体と、金型に設けられて前記温度制御流体が流通される流路と、前記流路内で流通される温度制御流体を偏向させようとする側と反対側に設けられる磁場形成手段とを備えていることを特徴とする金型の温度制御システム。しかしながら、図4に示したように構成された従来の温度制御システムでは、孔30’内で流入口32a’から流入した温度制御流体1’が一方の流出管33A’の流出口33a’に向かって流通する実際の流量と、他方の流出管33B’の流出口33a’に向かって流通する実際の流量とは、設定されたように均等にならず、たとえば図5に示したように、左方の流出管33A’の流出口33a’への流量FAが多く、右方の流出管33B’の流出口33a’への流量FBが少なくなっている。さらに、従来の技術にあっては、図6に矢印F’で示すように、孔30’内で温度制御流体1’が孔30’の内壁面から離れて流れるため、かかる流れF’と孔30’の内壁面との間に所定の温度ではなくなった温度制御流体1’が滞留するなどして、充分な温度制御効果を得ることができないという問題もあった。このように、従来の技術では、流路3’内の各部で流通される温度制御流体1’を任煮の流量に制御することはできなかった。そのため、従来の技術では、流路3’が形成された金型2’の部分ごとの温度制御効果を任意に調整することができず、その結果、金型2’を所望の温度に確実に制御することが困難であるという問題があった。そして、従来の技術では、一般的に、温度制御流体1’を流路3’内で均等に流通させて、温度制御流体1’の流量に生じる差をできる限り低減させ、また、温度制御流体1’が流路3’の内壁面近くに滞留するのを低減させるために、温度制御流体1’を比較的高圧で流入管に送り込む必要があった。本発明は、上述した問題に鑑みてなされたもので、簡単な構成で、容易に且つ確実に金型を部分的に任意の温度に制御することができる金型の温度制御システムを提供することを目的とする。請求項1の金型の温度制御システムに係る発明は、上記目的を達成するため、反磁性を有する温度制御流体と、金型に設けられて前記温度制御流体が流通される流路と、前記流路内で流通される温度制御流体を偏向させようとする側と反対側に設けられる磁場形成手段とを備えていることを特徴とするものである。請求項1の発明によれば、反磁性を有する所定の温度の温度制御流体が、流路内を流通するときに、磁場形成手段に対して反発して磁場形成手段と反対側に偏向される。そのため、容易に且つ確実に金型を部分的に任意の温度に制御することができる。本発明の金型の温度制御システムの実施の一形態を、鋳造などに用いられる金型を冷却するためのものである場合により、図1に基づいて説明する。同じ構成要素または相当する構成要素には、同一符号を付するものとする。本発明の金型の温度制御システムは、概略、反磁性を有する温度制御流体1と、金型2に設けられて温度制御流体1が流通される流路3と、流路3内で流通される温度制御流体1を偏向させようとする側と反対側に設けられる磁場形成手段4とを備えている。温度制御流体1は、この実施の形態の場合、水を採用している以下の説明では、温度制御流体を冷却水という場合もある。水は、磁場に対して反発する反磁性を有する。なお、温度制御流体1は、所定の温度に調整されるが、水に限定されることはなく、反磁性物質を含有する液体または気体とすることがでる。金型2は、複数により構成されており、開閉可能に設けられる。そして、各金型2を互いに型閉じすることにより内部に所定形状のキャビティが形成され、このキャビティ内に所定温度の流動性を有する成形材料が充填される。図1に示した実施の形態の場合、金型2には孔30が形成されている。孔30は、その先端がキャビティ面から所定の距離に達するよう形成されている。そして、孔30の基端側の開口部は、蓋板あるいは栓材などの閉塞部材31により閉塞されている。閉塞部材31には、単一の流入管32と一対の流出管33A,33Bとが水密状態で貫通するように設けられている。流入管32は、孔30の断面における略中央に配置されており、その流入口32aが孔30の先端近傍に位置するよう延びている。流入管32の先端の流入口32aは、この実施の形態の場合、図4および図5に示した従来の技術と比較するために、この従来の技術と同様に傾斜するように成形されている。また、流出管33A,33Bは、孔30の断面において流入管32を中心として対称に配置されており、その流出口33aが孔30の閉塞部材31によって閉塞された基端側の近傍に位置する程度に挿入され配設されている。この実施の形態では、金型2に形成された孔30と、孔30の開口部を閉塞する閉塞部材31と、流入管32および流出管33A,33Bとにより、流路3が構成されている。流入管32には、所定の温度の冷却水1をポンプなどによって所定の流量、所定の圧力で供給するための供給管路が接続され、また流出管33A,33Bには、孔30内から冷却水1をタンクや排出路などに排出するための排出管路が接続される。金型2内の孔30の周囲近傍であって、一方の流出管図1では左方の流出管33Aの側には、凹部20が形成されており、この凹部20内に磁場形成手段として永久磁石4が配設されている。永久磁石4の磁力の大きさや、冷却水1の流量、圧力、金型2の温度とその温度分布などの条件によって、冷却水1の流量を孔30全体で均等に、あるいは、孔30内で流量を意図的に差が生じるように、永久磁石4は、孔30の周囲の一方の側を取り囲むように設けてもよく、また、孔30の周囲の一方の側に部分的に設けてもよい。この永久磁石4が形成する磁場により、流入口32aから流出口33aに向かって孔30内を流通する冷却水1は、永久磁石4に対して反発するように偏向する。ここで、図4に示した従来の技術では、矢印FA’,FB’の大きさで冷却水1’の流量を示したように、流出口33a’から実際に吐出される冷却水1’の流量は、図4に示したように両流出管33A’,33B’の流出口33a’に向かって冷却水1が略同じ流量で流通するよう設定されていても、実際には図5に示したように、一方図では左方の流出管33A’の流出口33a’のほうが他方図では右方の流出管33B’の流出口33a’よりも多くなっており、両流出管33A’,33B’の流出口33a’の吐出量に差が生じていた。これに対して本発明では、流入口32aと流出口33a、33aが図4および図5に示した従来の技術と略同じ条件で設定されていても、図1に示した実施の形態の場合、左方に設けられた永久磁石4に反発して冷却水1が孔30内を流通しようとする結果、従来の技術のように高圧で流入管32に冷却水1を送り込まなくても、両流出管33A,33Bの流出口33aから略均等の流量で冷却水1を流出させることができる。そのため、金型2の孔30の図1における左方と右方の側を設定されたとおりに冷却することができる。なお、本発明は、単一の流入口32aから一対の流出口33a,33aに向かって温度制御流体1を同じ流量で流通させることに限定されることはなく、一方の流出管33Aまたは33Bの流出口33aに向かって流通する温度制御流体1の流量を意図的に他方の流出管33Bまたは33Aの流出口33aに向かって流通する温度制御流体1の流量よりも多くするように、両流出管33A,33Bの流出口33a,33aの流出量に差を生じさせることもできる。次に本発明の第2の実施の形態を図2に基づいて説明する。なお、上述した実施の形態と同様または相当する部分については同じ符号を付してその説明を省略し、異なる部分のみ説明することとする。図1に示した実施の形態においては、金型2の孔30の周囲に永久磁石4を配設したのに対し、この図2に示した実施の形態では、流入管32に永久磁石4が設けられている。図2に示すように、この実施の形態においては、永久磁石4が流入管32の内部に設けられている。そのため、流入口32aから孔30内に流入された冷却水1は、流入管32内の永久磁石4に対して反発し、図2に矢印Fで示すように図6に示した矢印F’の位置と比較されたい、孔30の内壁面に密着するように流出口33a,33aに向かって流通する。そのため、金型2の冷却効果を向上させることができる。この実施の形態では、冷却水1が孔30の内壁面に密着するように流通するため、流出管33A,33Bは、その流出口33a,33aが孔30の内周壁面近くに開口するように配置されている。なお、本発明は、この実施の形態に限定されることはなく、永久磁石4を流入管32の外部に設けることもできる。また、磁場形成手段4は、永久磁石に限定されることはなく、電流を供給することによって磁場を形成するコイルを採用することもでき、また、電流を供給することによって金型2自体が磁場を形成するよう構成することもできる。また、流路3は、金型2に形成された孔30と、孔30を閉塞する閉塞部材31と、孔30内に温度制御流体1を供給する流入管32と、孔30内から温度制御流体1を流出させる流出管33A,33Bとを備えた構成に限定されることはなく、金型2内に形成された管路に直接温度制御流体1を供給/排出させるよう構成することもできる。さらに温度制御流体1は、冷却水に限定されることはなく、所定の温度に加熱されて金型2を保温するものとすることもできる。図3は、上述したように構成された本発明による温度制御システム実線で示したと従来の技術による温度制御システム鎖線で示したとを比較するために示した実験結果の時間に対する温度の変化を示すグラフである。このグラフから明らかであるように、本発明による温度制御システムは、従来の技術による温度制御システムと比較して、金型2の温度たとえば400°Cから所定の温度たとえば200°Cに短時間で冷却することができた。"