"ア酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂中の全繰り返し単位に対して20モル以下である樹脂を含有する第1の樹脂組成物Iを用いて基板上に第1の膜を形成する工程、イ前記樹脂組成物Iとは異なる第2の樹脂組成物IIであって、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する樹脂及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する第2の樹脂組成物IIを用いて前記第1の膜上に第2の膜を形成する工程、ウ前記第1の膜と前記第2の膜とを有する積層膜を露光する工程、及びエ前記露光された積層膜における前記第1の膜と前記第2の膜とを、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。前記第1の樹脂組成物Iに含有される樹脂と前記第2の樹脂組成物IIに含有される樹脂とが異なる、請求項1に記載のパターン形成方法。前記第1の樹脂組成物Iに含有される樹脂における酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂中の全繰り返し単位に対して15モル以下である、請求項1又は2に記載のパターン形成方法。前記第2の樹脂組成物IIに含有される酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する樹脂における酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂中の全繰り返し単位に対して20~90モルである、請求項1~3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記第1の膜の膜厚が50~130nmであり、前記第2の膜の膜厚が90~190nmであり、かつ前記工程ウにおける露光がKrFエキシマレーザーによる露光である、請求項1~4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記第1の膜の膜厚が20~80nmであり、前記第2の膜の膜厚が30~100nmであり、かつ前記工程ウにおける露光がArFエキシマレーザーによる露光である、請求項1~4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。前記第1の膜が現像可能な反射防止膜である、請求項1~6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。上記有機溶剤を含む現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有する現像液である、請求項1~7のいずれか1項に記載のパターン形成方法。請求項1、2及び4~8のいずれか1項に記載のパターン形成方法に用いられる第1の樹脂組成物Iであって、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂中の全繰り返し単位に対して20モル以下である樹脂を含有する樹脂組成物。請求項1~8のいずれか1項に記載のパターン形成方法により形成される積層レジストパターン。酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂中の全繰り返し単位に対して20モル以下である樹脂を含有する第1の樹脂組成物Iを用いて基板上に形成された第1の膜、及び前記樹脂組成物Iとは異なる第2の樹脂組成物IIであって、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する樹脂及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する第2の樹脂組成物IIを用いて前記第1の膜上に形成された第2の膜を有する有機溶剤現像用の積層膜。請求項1~8のいずれか1項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。請求項12に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。本発明者らは、有機溶剤現像によるネガ型のパターン形成方法によれば、例えば、上述のアルカリ現像液で現像する微細加工のパターニングにおける基板上の残渣の問題は解消し得ることを見出している。しかしながら、有機溶剤現像によるネガ型のパターン形成方法における問題として、パターン倒れが起こりやすいという問題が生じていた。上記問題点に鑑み、本発明の目的は、有機溶剤現像によるネガ型のパターン形成方法において、パターン倒れが発生し難いパターン形成方法、それにより形成される積層レジストパターン、前記パターン形成方法に好適に用いられる有機溶剤現像用の積層膜、前記パターン形成方法に好適に用いられるレジスト組成物、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供することにある。本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、以下の構成を有する。1ア酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂中の全繰り返し単位に対して20モル以下である樹脂を含有する第1の樹脂組成物Iを用いて基板上に第1の膜を形成する工程、イ前記樹脂組成物Iとは異なる第2の樹脂組成物IIであって、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する樹脂及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する第2の樹脂組成物IIを用いて前記第1の膜上に第2の膜を形成する工程、ウ前記第1の膜と前記第2の膜とを有する積層膜を露光する工程、及びエ前記露光された積層膜における前記第1の膜と前記第2の膜とを、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。2前記第1の樹脂組成物Iに含有される樹脂と前記第2の樹脂組成物IIに含有される樹脂とが異なる、1に記載のパターン形成方法。3前記第1の樹脂組成物Iに含有される樹脂における酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂中の全繰り返し単位に対して15モル以下である、1又は2に記載のパターン形成方法。4前記第2の樹脂組成物IIに含有される酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する樹脂における酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂中の全繰り返し単位に対して20~90モルである、1~3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。5前記第1の膜の膜厚が50~130nmであり、前記第2の膜の膜厚が90~190nmであり、かつ前記工程ウにおける露光がKrFエキシマレーザーによる露光である、1~4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。6前記第1の膜の膜厚が20~80nmであり、前記第2の膜の膜厚が30~100nmであり、かつ前記工程ウにおける露光がArFエキシマレーザーによる露光である、1~4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。7前記第1の膜が現像可能な反射防止膜である、1~6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。8上記有機溶剤を含む現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有する現像液である、1~7のいずれか1項に記載のパターン形成方法。91、2及び4~8のいずれか1項に記載のパターン形成方法に用いられる第1の樹脂組成物Iであって、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂中の全繰り返し単位に対して20モル以下である樹脂を含有する樹脂組成物。101~8のいずれか1項に記載のパターン形成方法により形成される積層レジストパターン。11酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂中の全繰り返し単位に対して20モル以下である樹脂を含有する第1の樹脂組成物Iを用いて基板上に形成された第1の膜、及び前記樹脂組成物Iとは異なる第2の樹脂組成物IIであって、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する樹脂及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する第2の樹脂組成物IIを用いて前記第1の膜上に形成された第2の膜を有する有機溶剤現像用の積層膜。121~8のいずれか1項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。1312に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。本発明は、更に、下記の構成であることが好ましい。14前記露光工程ウの前、及び前記露光工程ウ後であって、前記現像工程エの前の少なくとも一方に加熱工程を更に含む、1~8のいずれか1項に記載のパターン形成方法。15前記第2の樹脂組成物IIが更に塩基性化合物を含有する、1~8及び14のいずれか1項に記載のパターン形成方法。16前記第1の樹脂組成物Iが芳香環を有する繰り返し単位を含有する樹脂又は芳香族化合物を含有する、7に記載のパターン形成方法。17上記の第1の樹脂組成物I及び第2の樹脂組成物IIがいずれも、有機溶剤現像用の化学増幅型のレジスト組成物である、1~8及び14~16のいずれか1項に記載のパターン形成方法。18前記第1の樹脂組成物Iに含有される樹脂における酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂中の全繰り返し単位に対して0~15モルである、9に記載の樹脂組成物。19前記第1の樹脂組成物Iに含有される樹脂における酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂中の全繰り返し単位に対して0~15モルである、11に記載の有機溶剤現像用の積層膜。20前記第1の膜の膜厚が50~130nmであり、前記第2の膜の膜厚が90~190nmである、11又は19に記載の有機溶剤現像用の積層膜。21前記第1の膜の膜厚が20~80nmであり、前記第2の膜の膜厚が30~100nmである、11又は19に記載の有機溶剤現像用の積層膜。本発明によれば、有機溶剤現像によるネガ型のパターン形成方法において、パターン倒れが発生し難いパターンを形成し得るパターン形成方法、それにより形成される積層レジストパターン、前記パターン形成方法に好適に用いられる有機溶剤現像用の積層膜、前記パターン形成方法に好適に用いられるレジスト組成物、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供することができる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。本明細書に於ける基原子団の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、アルキル基とは、置換基を有さないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有するアルキル基置換アルキル基をも包含するものである。本明細書中における活性光線又は放射線とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線EUV光、X線、電子線EB等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。また、本明細書中における露光とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、X線、EUV光などによる露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。本発明のパターン形成方法は、ア酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂中の全繰り返し単位に対して20モル以下である樹脂を含有する第1の樹脂組成物Iを用いて基板上に第1の膜を形成する工程、イ前記樹脂組成物Iとは異なる第2の樹脂組成物IIであって、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位を有する樹脂及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する第2の樹脂組成物IIを用いて前記第1の膜上に第2の膜を形成する工程、ウ前記第1の膜と前記第2の膜とを有する積層膜を露光する工程、及びエ前記露光された積層膜における前記第1の膜と前記第2の膜とを、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む。すなわち、本発明において、上記のネガ型のパターンは、現像により第1の膜が現像されてなるパターン部と、現像により第2の膜が現像されてなるパターン部とを有する。上述のように、有機溶剤現像によるネガ型のパターン形成方法において、パターン倒れが起こり易い問題は、以下の現象に起因するものと考えられる。ネガ型のパターンを形成させるための極性基を生じさせるためにレジスト膜中の樹脂の酸の作用により分解して極性基を生じる基以下単に酸分解性基ともいう。を酸の作用により分解させる。この酸分解に伴いレジスト膜がシュリンクshrink縮むする。このシュリンクに起因してレジスト膜と基板との接着面に隙間、ひずみなどが生じ、この隙間などに有機系現像液が入り込み、パターン倒れが発生し易くなるものと考えられる。このような問題に対し、本発明のパターン形成方法が、有機溶剤を含む現像液によるネガ型パターン形成において、パターン倒れが起こり難い理由は定かではないが以下のように推定される。本発明においては、積層レジスト膜の底部側の第1の膜下層と積層レジスト膜の表層側の第2の膜上層とで異なる樹脂組成物により形成することとし、第1の膜下層を、酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂中の全繰り返し単位に対して20モル以下である樹脂を含有する第1の樹脂組成物Iを用いて形成することにより積層レジスト膜のシュリンクを防ぎ、上述の基板との接着面における隙間などの発生を抑えることによりパターン倒れが発生し難くなるものと推定される。ここで、下層を形成する第1の樹脂組成物Iに含有させる樹脂の酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量を20モル以下という少量とすると、露光部パターン部の下層が有機系現像液に溶解してパターンが形成され得ないというおそれが考えられる。しかしながら、本発明者らは、積層レジスト膜の表層側の第2の膜上層を形成する第2の樹脂組成物IIに酸分解性基を有する樹脂及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有させる本発明においては、理由は定かではなく、驚くべきことであるが、露光部パターン部の下層が有機系現像液に溶解してパターンが形成されないような不具合が生じることもなく、実用的に満足し得るパターンを形成し得ることを見出している。本発明はこれら知見に基づきなされるに至ったものである。本発明のパターン形成方法において、前記第2の膜を形成する工程イの後、前記露光工程ウの前に、前記第2の樹脂組成物IIとは異なる第3の樹脂組成物IIIを用いて第3の膜を形成する工程を含んでいてもよく、更には、前記第3の樹脂組成物IIIとは異なる第4の樹脂組成物IVを用いて第4の膜を形成する工程を含んでいてもよい。本発明のパターン形成方法は、前記現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有する現像液であることが好ましい。本発明のパターン形成方法は、更に、有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄する工程を含むことが好ましい。リンス液は、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有するリンス液であることが好ましい。本発明のパターン形成方法は、第2の樹脂組成物IIに含有される樹脂が、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂であるが、酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂でもあり、アルカリ現像液を用いて現像する工程を更に有していてもよい。本発明は積層レジストパターンに関するものでもある。本発明のパターン形成方法によれば、現像により各膜例えば、第1の膜、第2の膜が現像されてなるパターン部を有する積層レジストパターンが得られる。本発明は有機溶剤現像用の積層膜に関するものでもある。本発明の有機溶剤現像用の積層膜積層レジスト膜は、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂中の全繰り返し単位に対して20mol以下である樹脂を含有する第1の樹脂組成物I以下、単に樹脂組成物Iともいう。を用いて基板上に形成された第1の膜、及び前記樹脂組成物Iとは異なる第2の樹脂組成物II以下、単に樹脂組成物IIともいう。であって、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する樹脂及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する第2の樹脂組成物IIを用いて前記第1の膜上に形成された第2の膜を有する。ここで、有機溶剤現像用とは、少なくとも、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程に供される用途を意味する。本発明のパターン形成方法、本発明の積層レジストパターン又は本発明の有機溶剤現像用の積層膜における第1の膜、第2の膜は、それぞれ、解像力向上の観点から、膜厚20~250nmであることが好ましく、膜厚30~200nmであることがより好ましい。各組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性、製膜性を向上させることにより、このような膜厚とすることができる。本発明において、第1の膜下層が有機系現像液に溶解するようなこともなく、パターン倒れを防ぐ観点から、KrFエキシマレーザーにより露光を行うときは、第1の膜の膜厚が50~130nmであり、かつ第2の膜の膜厚が90~190nmであることが好ましく、第1の膜の膜厚が60~120nmであり、かつ第2の膜の膜厚が100~180nmであることがより好ましい。ArFエキシマレーザーにより露光を行うときは、第1の膜の膜厚が20~80nmであり、かつ第2の膜の膜厚が30~100nmであることが好ましく、第1の膜の膜厚が30~70nmであり、かつ第2の膜の膜厚が40~90nmであることがより好ましい。以下、本発明で使用する樹脂組成物I及びIIについて説明する。本発明に係る樹脂組成物I及びIIは、ネガ型の現像露光されると有機溶剤現像液に対して溶解性が減少し、露光部がパターンとして残り、未露光部が除去される現像に用いられる。[1]樹脂組成物Iに含有される樹脂A-1及び樹脂組成物IIに含有されるA-2本発明における樹脂組成物Iは、酸の作用により分解して極性基を生じる基以下単に酸分解性基ともいう。を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂中の全繰り返し単位に対して20モル以下の樹脂を含有する。樹脂組成物Iに含有される、樹脂中の全繰り返し単位に対して酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量が20モル以下の樹脂を、以下、単に樹脂A-1ともいう。レジスト膜のシュリンクを防ぎ、基板との接着面における隙間などの発生を抑えることによりパターン倒れの発生を防ぐ観点から、樹脂組成物Iに含有される樹脂A-1の酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量については、樹脂中の全繰り返し単位に対して15モル以下であることが好ましく、10モル以下であることがより好ましく、5モル以下であることが更に好ましく、理想的には、0モル、すなわち、酸分解性基を有する繰り返し単位を含有しないことが特に好ましい。本発明における樹脂組成物Iは樹脂A-1以外の成分例えば、後述する、溶剤、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、塩基性化合物などを含んでもよいが、樹脂組成物Iは、樹脂中の全繰り返し単位に対して酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量が20モル以下の樹脂A-1及び溶剤からなることが好ましい。これら他の成分については後述する。本発明において、前記第1の樹脂組成物Iと前記第2の樹脂組成物IIとは異なる。前記樹脂組成物Iに含有される樹脂A-1と、前記樹脂組成物IIに含有される樹脂以下、単に樹脂A-2ともいう。とが異なることが好ましい。本発明における樹脂組成物IIは、酸分解性基を有する樹脂A-2即ち、酸の作用により極性基が生じて極性が増大し、有機溶剤現像液に対する溶解性が減少する樹脂、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する樹脂組成物であり、いわゆる化学増幅型の感活性光線性又は感放射線性の樹脂組成物である。この感活性光線性又は感放射線性の樹脂組成物は、酸分解性基を有する樹脂以下、単に酸分解性樹脂ともいう。、及び後述の活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物以外の成分を含んでもよい。これらの成分については後述する。前記樹脂組成物Iに含有される樹脂A-1又は前記樹脂組成物IIに含有される樹脂A-2としては、後述する各繰り返し単位を適宜選択して構成される樹脂などが挙げられ、例えば、酸分解性基を有する繰り返し単位の好ましい態様1において後述する繰り返し単位と、芳香環を有する繰り返し単位において後述する繰り返し単位との共重合体、酸分解性基を有する繰り返し単位の好ましい態様2において後述する繰り返し単位後述の一般式AAIで表される繰り返し単位などと、その他の繰り返し単位において後述する繰り返し単位との共重合体などが挙げられる。本発明に係る樹脂組成物IIに含有される樹脂A-2としては、例えば、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸分解性基を有する樹脂を挙げることができる。本発明に係る樹脂組成物IIに含有される酸分解性基を有する樹脂A-2としては、典型的には、酸分解性基を有する繰り返し単位を有する樹脂であることが好ましい。なお、樹脂A-2は、酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂でもある。酸分解性基酸分解性基は、極性基を酸の作用により分解し脱離する基で保護された構造を有することが好ましい。極性基としては、有機溶剤を含む現像液中で難溶化又は不溶化する基であれば特に限定されないが、カルボキシル基、スルホン酸基等の酸性基従来レジストの現像液として用いられている、2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液中で解離する基、水酸基アルコール性水酸基、フェノール性水酸基など等が挙げられる。なお、アルコール性水酸基とは、炭化水素基に結合した水酸基であって、芳香環上に直接結合した水酸基フェノール性水酸基以外の水酸基をいい、酸基としてα位がフッ素原子などの電子求引性基で置換された脂肪族アルコール例えば、フッ素化アルコール基ヘキサフルオロイソプロパノール基などは除くものとする。アルコール性水酸基としては、pKaが12以上且つ20以下の水酸基であることが好ましい。酸分解性基として好ましい基は、これらの基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。酸で脱離する基としては、例えば、-CR36R37R38、-CR36R37OR39、-CR01R02OR39等を挙げることができる。上記一般式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36~R39、R01及びR02のアルキル基は、炭素数1~8のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、へキシル基、オクチル基等を挙げることができる。R36~R39、R01及びR02のシクロアルキル基は、単環型でも、多環型でもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α-ピネル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、アンドロスタニル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の少なくとも1つの炭素原子が酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。R36~R39、R01及びR02のアリール基は、炭素数6~10のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等を挙げることができる。R36~R39、R01及びR02のアラルキル基は、炭素数7~12のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。R36~R39、R01及びR02のアルケニル基は、炭素数2~8のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、シクロへキセニル基等を挙げることができる。R36とR37とが結合して形成される環としては、シクロアルキル基単環若しくは多環であることが好ましい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5~6の単環のシクロアルキル基がより好ましく、炭素数5の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。酸分解性基を有する繰り返し単位の好ましい態様1前記樹脂組成物Iに含有される樹脂A-1は上述のように酸分解性基を有する繰り返し単位を有しないことが好ましいが、樹脂A-1が酸分解性基を有する繰り返し単位を有する場合、並びに前記樹脂組成物IIに含有される樹脂A-2が酸分解性基を有する繰り返し単位を有する場合、以下説明する好ましい態様1の酸分解性基を有する繰り返し単位を有することが本発明の実施態様の1つとして挙げられる。好ましい態様1の酸分解性基を有する繰り返し単位は、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザーなど露光光源として特に制限はないが、KrF露光に好ましく適用され得る。KrF露光に好ましく適用され得る酸分解性基を有する繰り返し単位の好ましい態様1としては、下記一般式IIIで表される繰り返し単位、後述の一般式VIで表される繰り返し単位が挙げられる。ここで、前記樹脂組成物Iに含有される樹脂A-1、及び前記樹脂組成物IIに含有される樹脂A-2について、KrF露光に好ましく適用され得る樹脂態様としては、芳香環を有する繰り返し単位を含有する樹脂であることが好ましい。前記芳香環を有する繰り返し単位としては、後述の一般式VIで表される繰り返し単位、後述の芳香族基を有する繰り返し単位、後述の一般式IIBで表される繰り返し単位などが挙げられる。前記樹脂組成物Iに含有される樹脂A-1、及び前記樹脂組成物IIに含有される樹脂A-2について、KrF露光に好ましく適用され得る樹脂態様としては、下記一般式IIIで表される繰り返し単位、後述の一般式VIで表される繰り返し単位、後述の一般式IIBで表される繰り返し単位、及び後述の芳香族基を有する繰り返し単位よりなる群から選択される少なくとも1つの繰り返し単位と、必要に応じてその他の繰り返し単位で後述する各繰り返し単位から選択される少なくとも1つの繰り返し単位とから構成される樹脂であることが好ましい。前記樹脂組成物Iに含有される樹脂A-1、及び前記樹脂組成物IIに含有される樹脂A-2が有し得る、好ましい態様1の酸分解性基を有する繰り返し単位の1つとして、下記一般式IIIで表される繰り返し単位が挙げられる。上記一般式III中、R0は、水素原子又は直鎖若しくは分岐のアルキル基を表す。R1~R3は、それぞれ独立に、直鎖若しくは分岐のアルキル基、又は単環若しくは多環のシクロアルキル基を表す。R1~R3の2つが結合して、単環若しくは多環のシクロアルキル基を形成してもよい。R0についての直鎖若しくは分岐のアルキル基としては置換基を有していてもよく、炭素数1~4の直鎖若しくは分岐のアルキル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などが挙げられる。置換基としては、水酸基、ハロゲン原子例えば、フッ素原子などが挙げられる。R0としては水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基であることが好ましい。R1~R3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。R1~R3のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。R1~R3の2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5又は6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。好ましい態様の1つとしては、R1がメチル基又はエチル基であり、R2とR3とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が挙げられる。上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、水酸基、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、アルキル基炭素数1~4、シクロアルキル基炭素数3~8、アルコキシ基炭素数1~4、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基炭素数2~6などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。前記一般式IIIで表される繰り返し単位の特に好ましい態様としては、R1、R2及びR3は、各々独立に、直鎖又は分岐のアルキル基を表す態様である。この態様において、R1、R2及びR3についての直鎖又は分岐のアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基が挙げられる。R1としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。R2としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。R3としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基が好ましく、メチル基、エチル基、イソプロピル基、イソブチル基がより好ましく、メチル基、エチル基、イソプロピル基が特に好ましい。前記好ましい態様1の酸分解性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、Rxは、水素原子、CH3、CF3、又はCH2OHを表す。Rxa、Rxbはそれぞれ炭素数1~4のアルキル基を表す。Zは、置換基を表し、複数存在する場合、複数のZは互いに同じであっても異なっていてもよい。pは0又は正の整数を表す。Zの具体例及び好ましい例は、R1~R3などの各基が有し得る置換基の具体例及び好ましい例と同様である。また、前記樹脂組成物Iに含有される樹脂A-1、及び前記樹脂組成物IIに含有される樹脂A-2が有し得る、好ましい態様1の酸分解性基を有する繰り返し単位の1つとして、下記一般式VIで表される繰り返し単位が挙げられる。一般式VI中、R61、R62及びR63は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基を表す。R62はAr6と結合して環を形成していてもよく、その場合のR62は単結合又はアルキレン基を表す。X6は、単結合、-COO-、又は-CONR64-を表す。R64は、水素原子又はアルキル基を表す。L6は、単結合又はアルキレン基を表す。Ar6は、n1価の芳香環基を表し、R62と結合して環を形成する場合にはn2価の芳香環基を表す。Y2は、n≧2の場合には各々独立に、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、Y2の少なくとも1つは、酸の作用により脱離する基を表す。nは、1~4の整数を表す。一般式VIについて更に詳細に説明する。一般式VIにおけるR61~R63のアルキル基としては、好ましくは置換基を有していてもよいメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基、ドデシル基など炭素数20以下のアルキル基が挙げられ、より好ましくは炭素数8以下のアルキル基が挙げられる。アルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、上記R61~R63におけるアルキル基と同様のものが好ましい。シクロアルキル基としては、単環型でも多環型でもよく、好ましくは置換基を有していても良いシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基のような炭素数3~8個の単環型のシクロアルキル基が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子がより好ましい。R62がアルキレン基を表す場合、アルキレン基としては、好ましくは置換基を有していてもよいメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1~8個のものが挙げられる。X6により表わされる-CONR64-R64は、水素原子、アルキル基を表すにおけるR64のアルキル基としては、R61~R63のアルキル基と同様のものが挙げられる。X6としては、単結合、-COO-、-CONH-が好ましく、単結合、-COO-がより好ましい。L6におけるアルキレン基としては、好ましくは置換基を有していてもよいメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1~8個のものが挙げられる。R62とL6とが結合して形成する環は、5又は6員環であることが特に好ましい。Ar6としてのn1価の芳香環基において、nが1である場合における2価の芳香環基は、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基などの炭素数6~18のアリーレン基、あるいは、例えば、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール等のヘテロ環を含む2価の芳香環基を好ましい例として挙げることができる。nが2以上の整数である場合におけるn1価の芳香環基の具体例としては、2価の芳香環基の上記した具体例から、n-1個の任意の水素原子を除してなる基を好適に挙げることができる。Ar6としてのn1価の芳香環基は、更に置換基を有していても良い。上述したアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルキレン基及びn1価の芳香環基が有し得る置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基等を挙げることができ、置換基の炭素数は8以下が好ましい。nは1又は2であることが好ましく、1であることがより好ましい。n個のY2は、各々独立に、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、n個中の少なくとも1つは、酸の作用により脱離する基を表す。酸の作用により脱離する基Y2としては、例えば、-CR36R37R38、-C=O-O-CR36R37R38、-CR01R02OR39、-CR01R02-C=O-O-CR36R37R38、-CHR36Ar等を挙げることができる。式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、1価の芳香環基、アルキレン基と1価の芳香環基を組み合わせた基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、1価の芳香環基、アルキレン基と1価の芳香環基とを組み合わせた基、又はアルケニル基を表す。Arは、1価の芳香環基を表す。R36~R39、R01及びR02のアルキル基は、炭素数1~8のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、へキシル基、オクチル基等を挙げることができる。R36~R39、R01及びR02のシクロアルキル基は、単環型でも、多環型でもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α-ピネル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、アンドロスタニル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。R36~R39、R01、R02及びArの1価の芳香環基は、炭素数6~10の1価の芳香環基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等のアリール基、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール等のヘテロ環を含む2価の芳香環基を挙げることができる。R36~R39、R01及びR02のアルキレン基と1価の芳香環基とを組み合わせた基としては、炭素数7~12のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。R36~R39、R01及びR02のアルケニル基は、炭素数2~8のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、シクロへキセニル基等を挙げることができる。R36とR37とが、互いに結合して形成する環は、単環型でも、多環型でもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル構造が好ましく、例えば、シクロプロパン構造、シクロブタン構造、シクロペンタン構造、シクロへキサン構造、シクロヘプタン構造、シクロオクタン構造等を挙げることができる。多環型としては、炭素数6~20のシクロアルキル構造が好ましく、例えば、アダマンタン構造、ノルボルナン構造、ジシクロペンタン構造、トリシクロデカン構造、テトラシクロドデカン構造等を挙げることができる。なお、シクロアルキル構造中の炭素原子の一部が酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。R36~R39、R01、R02、及びArとしての上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基等を挙げることができ、置換基の炭素数は8以下が好ましい。酸の作用により脱離する基Y2としては、下記一般式VI-Aで表される構造がより好ましい。ここで、L1及びL2は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、1価の芳香環基、又はアルキレン基と1価の芳香環基とを組み合わせた基を表す。Mは、単結合又は2価の連結基を表す。Qは、アルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいシクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよい1価の芳香環基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基又はアルデヒド基を表す。Q、M、L1の少なくとも2つが結合して環好ましくは、5員もしくは6員環を形成してもよい。L1及びL2としてのアルキル基は、例えば炭素数1~8個のアルキル基であって、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、オクチル基を好ましく挙げることができる。L1及びL2としてのシクロアルキル基は、例えば炭素数3~15個のシクロアルキル基であって、具体的には、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等を好ましい例として挙げることができる。L1及びL2としての1価の芳香環基は、例えば炭素数6~15個のアリール基であって、具体的には、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アントリル基等を好ましい例として挙げることができる。L1及びL2としてのアルキレン基と1価の芳香環基を組み合わせた基は、例えば、炭素数6~20であって、ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基が挙げられる。Mとしての2価の連結基は、例えば、アルキレン基例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基など、シクロアルキレン基例えば、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基など、アルケニレン基例えば、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基など、2価の芳香環基例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基など、-S-、-O-、-CO-、-SO2-、-NR0-、及びこれらの複数を組み合わせた2価の連結基である。R0は、水素原子又はアルキル基例えば炭素数1~8個のアルキル基であって、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、オクチル基などである。Qとしてのアルキル基は、上述のL1及びL2としての各基と同様である。Qとしてのヘテロ原子を含んでいてもよいシクロアルキル基及びヘテロ原子を含んでいてもよい1価の芳香環基に於ける、ヘテロ原子を含まない肪族炭化水素環基及びへテロ原子を含まない1価の芳香環基としては、上述のL1及びL2としてのシクロアルキル基、及び1価の芳香環基などが挙げられ、好ましくは、炭素数3~15である。ヘテロ原子を含むシクロアルキル基及びヘテロ原子を含む1価の芳香環基としては、例えば、チイラン、シクロチオラン、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール、ピロリドン等のヘテロ環構造を有する基が挙げられるが、一般にヘテロ環と呼ばれる構造炭素とヘテロ原子で形成される環、あるいはヘテロ原子にて形成される環であれば、これらに限定されない。Q、M、L1の少なくとも2つが結合して形成してもよい環としては、Q、M、L1の少なくとも2つが結合して、例えば、プロピレン基、ブチレン基を形成して、酸素原子を含有する5員又は6員環を形成する場合が挙げられる。一般式VI-AにおけるL1、L2、M、Qで表される各基は、置換基を有していてもよく、例えば、前述のR36~R39、R01、R02、及びArが有してもよい置換基として説明したものが挙げられ、置換基の炭素数は8以下が好ましい。-M-Qで表される基として、炭素数1~30個で構成される基が好ましく、炭素数5~20個で構成される基がより好ましい。以下に、一般式VIで表される繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。樹脂A-1又はA-2に含有される好ましい態様1の酸分解性基を有する繰り返し単位は、1種類であってもよいし、2種以上を併用してもよい。KrF露光に好ましく適用され得る樹脂態様においても、樹脂A-1の酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量複数種類含有する場合はその合計については、上述のように、樹脂中の全繰り返し単位に対して20モル以下であり、15モル以下であることが好ましく、10モルであることがより好ましく、5モル以下であることが更に好ましく、理想的には、0モル、すなわち、酸分解性基を有する繰り返し単位を含有しないことが特に好ましい。また、KrF露光に好ましく適用され得る樹脂態様において樹脂A-2の好ましい態様1の酸分解性基を有する繰り返し単位好ましくは、前記一般式IIIで表される繰り返し単位の含有量複数種類含有する場合はその合計は、露光部の有機系現像液に対する溶解性を十分に低下させる一方、未露光部の溶解性を十分に保ち、溶解コントラストを向上させる観点から、樹脂A-2中の全繰り返し単位に対して20~90モルであることが好ましく、25~85モルであることがより好ましく、30~80モルであることが特に好ましい。特に、樹脂A-2により形成される第2の膜上層のみならず、前記上層とともに第1の膜下層にも実用的に満足し得るパターンをより確実に形成する観点から、樹脂A-1中の全繰り返し単位に対する酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量モルに比べて、樹脂A-2中の全繰り返し単位に対する酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量モルが大きいことが好ましい。具体的には、樹脂A-1に酸分解性基を有する繰り返し単位が含有される場合、樹脂A-1中の全繰り返し単位に対する酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量モルに比べて、樹脂A-2中の全繰り返し単位に対する酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量モルが3倍以上の高含有量であることがより好ましく、3~10倍の含有量であることが更に好ましい。酸分解性基を有する繰り返し単位の好ましい態様2前記樹脂組成物Iに含有される樹脂A-1は上述のように酸分解性基を有する繰り返し単位を有しないことが好ましいが、樹脂A-1が酸分解性基を有する繰り返し単位を有する場合、並びに前記樹脂組成物IIに含有される樹脂A-2が酸分解性基を有する繰り返し単位を有する場合、以下説明する好ましい態様2の酸分解性基を有する繰り返し単位を有することが本発明のもう1つの実施態様として挙げられる。好ましい態様2の酸分解性基を有する繰り返し単位は、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザーなど露光光源として特に制限はないが、ArF露光に好ましく適用され得る。ArF露光に好ましく適用され得る酸分解性基を有する繰り返し単位の好ましい態様2としては、下記一般式AIで表される繰り返し単位、後述の一般式AAIで表される繰り返し単位が挙げられる。ここで、前記樹脂組成物Iに含有される樹脂A-1、及び前記樹脂組成物IIに含有される樹脂A-2について、ArF露光に好ましく適用され得る樹脂態様としては、典型的にはメタアクリレート系繰り返し単位を含む樹脂であることが好ましい。前記樹脂組成物Iに含有される樹脂A-1、及び前記樹脂組成物IIに含有される樹脂A-2について、ArF露光に好ましく適用され得る樹脂態様としては、メタアクリレート系繰り返し単位の含有量が、樹脂中の全繰り返し単位中、通常50モル以上、好ましくは75モル以上である。繰り返し単位のすべてがメタアクリレート系繰り返し単位で構成された樹脂であることがより好ましい。ArF露光に好ましく適用され得る樹脂態様としては、下記一般式AIで表される繰り返し単位、及び後述の一般式AAIで表される繰り返し単位よりなる群から選択される少なくとも1つの酸分解性基を有する繰り返し単位と、必要に応じてその他の繰り返し単位で後述する各繰り返し単位から選択される少なくとも1つの繰り返し単位とから構成される樹脂であることが更に好ましい。前記樹脂組成物Iに含有される樹脂A-1、及び前記樹脂組成物IIに含有される樹脂A-2が有し得る、好ましい態様2の酸分解性基を有する繰り返し単位の1つとして、下記一般式AIで表される繰り返し単位が挙げられる。一般式AIに於いて、Xa1は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表わされる基を表す。R9は、水酸基又は1価の有機基を表し、1価の有機基としては、例えば、炭素数5以下のアルキル基、炭素数5以下のアシル基が挙げられ、好ましくは炭素数3以下のアルキル基であり、更に好ましくはメチル基である。Xa1は好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。Tは、単結合又は2価の連結基を表す。Rx1~Rx3は、それぞれ独立に、アルキル基直鎖状若しくは分岐状又はシクロアルキル基単環若しくは多環を表す。Rx1~Rx3の2つが結合して、シクロアルキル基単環若しくは多環を形成してもよい。Tの2価の連結基としては、アルキレン基、-COO-Rt-基、-O-Rt-基等が挙げられる。式中、Rtは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。Tは、単結合又は-COO-Rt-基が好ましく、単結合であることがより好ましい。Rtは、炭素数1~5のアルキレン基が好ましく、-CH2-基、-CH22-基、-CH23-基がより好ましい。Rx1~Rx3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。Rx1~Rx3のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。Rx1~Rx3の2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5~6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。Rx1がメチル基又はエチル基であり、Rx2とRx3とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様も好ましい。中でも、Rx1~Rx3は、それぞれ独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基であることが好ましく、直鎖状又は分岐状の炭素数1~4のアルキル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基が挙げられる。Rx1~Rx3が、それぞれ独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基である場合、Rx1としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Rx2としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Rx3としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基が好ましく、メチル基、エチル基、イソプロピル基、イソブチル基がより好ましく、メチル基、エチル基、イソプロピル基が特に好ましい。Tが単結合であるとともに、Rx1~Rx3が、それぞれ独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基である場合この場合、Rx1~Rx3の2つが結合して、シクロアルキル基を形成することはない、ラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性及び露光ラチチュードにより優れ、かつ露光により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりをより抑制できるパターン形成方法とすることができる。上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基炭素数1~4、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基炭素数1~4、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基炭素数2~6などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。なかでも、酸分解前後での有機溶剤を含有する現像液に対する溶解コントラストをより向上させる観点から、酸素原子、窒素原子、硫黄原子などのヘテロ原子を有さない置換基であることがより好ましく例えば、水酸基で置換されたアルキル基などではないことがより好ましく、水素原子及び炭素原子のみからなる基であることが更に好ましく、直鎖又は分岐のアルキル基、シクロアルキル基であることが特に好ましい。好ましい態様2の酸分解性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、Rx、Xa1は、水素原子、CH3、CF3、又はCH2OHを表す。Rxa、Rxbはそれぞれ炭素数1~4のアルキル基を表す。Zは、置換基を表し、複数存在する場合、複数のZは互いに同じであっても異なっていてもよい。pは0又は正の整数を表す。Zの具体例及び好ましい例は、Rx1~Rx3などの各基が有し得る置換基の具体例及び好ましい例と同様である。また、好ましい態様2の酸分解性基を有する繰り返し単位の1つとして、下記一般式AAIで表される、酸によって分解しカルボキシル基を生じる繰り返し単位が挙げられる。この繰り返し単位により、ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び、露光ラチチュードにより優れ、かつ現像により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりをより抑制できるパターン形成方法とすることができる。式中、Xaは、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。Ry1~Ry3は、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ry1~Ry3の内の2つが連結して環を形成していてもよい。Zは、n1価の、環員としてヘテロ原子を有していてもよい多環式炭化水素構造を有する連結基を表す。L1及びL2は、各々独立に、単結合又は2価の連結基を表す。nは1~3の整数を表す。nが2又は3のとき、複数のL2、複数のRy1、複数のRy2、及び、複数のRy3は、各々、同一であっても異なっていてもよい。Xaのアルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、水酸基、ハロゲン原子好ましくは、フッ素原子が挙げられる。Xaのアルキル基は、炭素数1~4のものが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基又はトリフルオロメチル基等が挙げられるが、メチル基であることが好ましい。Xaは、水素原子又はメチル基であることが好ましい。Ry1~Ry3のアルキル基は、鎖状であっても、分岐状であってもよく、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。Ry1~Ry3のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。Ry1~Ry3の内の2つが結合して形成される環としては、シクロペンタン環、シクロヘキサン環などの単環の炭化水素環、ノルボルナン環、テトラシクロデカン環、テトラシクロドデカン環、アダマンタン環などの多環の炭化水素環が好ましい。炭素数5~6の単環の炭化水素環が特に好ましい。Ry1~Ry3は、各々独立に、アルキル基であることが好ましく、炭素数1~4の鎖状又は分岐状のアルキル基であることがより好ましい。また、Ry1~Ry3としての鎖状又は分岐状のアルキル基の炭素数の合計は、5以下であることが好ましい。Ry1~Ry3は、更に、置換基を有してもよく、置換基としては、例えば、アルキル基炭素数1~4、シクロアルキル基炭素数3~8、ハロゲン原子、アルコキシ基炭素数1~4、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基炭素数2~6などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。なかでも、酸分解前後での有機溶剤を含有する現像液に対する溶解コントラストをより向上させる観点から、酸素原子、窒素原子、硫黄原子などのヘテロ原子を有さない置換基であることがより好ましく例えば、水酸基で置換されたアルキル基などではないことがより好ましく、水素原子及び炭素原子のみからなる基であることが更に好ましく、直鎖又は分岐のアルキル基、シクロアルキル基であることが特に好ましい。Zの多環式炭化水素構造を有する連結基としては環集合炭化水素環基、架橋環式炭化水素環基が含まれ、それぞれ、環集合炭化水素環からn1個の任意の水素原子を除してなる基、及び、架橋環式炭化水素環からn1個の任意の水素原子を除してなる基を挙げることができる。環集合炭化水素環基の例としては、ビシクロヘキサン環基、パーヒドロナフタレン環基などが含まれる。架橋環式炭化水素環基として、例えば、ピナン環基、ボルナン環基、ノルピナン環基、ノルボルナン環基、ビシクロオクタン環基ビシクロ[2.2.2]オクタン環基、ビシクロ[3.2.1]オクタン環基等などの2環式炭化水素環基及び、ホモブレダン環基、アダマンタン環基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン環基、トリシクロ[4.3.1.12,5]ウンデカン環基などの3環式炭化水素環基、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン環基、パーヒドロ-1,4-メタノ-5,8-メタノナフタレン環基などの4環式炭化水素環基などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環基には、縮合環式炭化水素環基、例えば、パーヒドロナフタレンデカリン環基、パーヒドロアントラセン環基、パーヒドロフェナントレン環基、パーヒドロアセナフテン環基、パーヒドロフルオレン環基、パーヒドロインデン環基、パーヒドロフェナレン環基などの5~8員シクロアルカン環基が複数個縮合した縮合環基も含まれる。好ましい架橋環式炭化水素環基として、ノルボルナン環基、アダマンタン環基、ビシクロオクタン環基、トリシクロ[5、2、1、02,6]デカン環基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環基としてノルボナン環基、アダマンタン環基が挙げられる。Zで表される多環式炭化水素構造を有する連結基は置換基を有していてもよい。Zが有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、ヒドロキシル基、シアノ基、ケト基=O、アシルオキシ基、―COR、―COOR、―CONR2、―SO2R、-SO3R、―SO2NR2等の置換基が挙げられる。ここでRは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。Zが有していてもよい置換基としてのアルキル基、アルキルカルボニル基、アシルオキシ基、―COR、―COOR、―CONR2、―SO2R、-SO3R、―SO2NR2は、更に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、ハロゲン原子好ましくは、フッ素原子が挙げられる。Zで表される多環式炭化水素構造を有する連結基において、多環を構成する炭素環形成に寄与する炭素は、カルボニル炭素であっても良い。また、該多環は、上記したように、環員として、酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を有していてもよい。L1及びL2で表される連結基としては、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO2-、アルキレン基好ましくは炭素数1~6、シクロアルキレン基好ましくは炭素数3~10、アルケニレン基好ましくは炭素数2~6又はこれらの複数が組合された連結基などが挙げられ、総炭素数12以下の連結基が好ましい。L1は、単結合、アルキレン基、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-アルキレン基-COO-、-アルキレン基-OCO-、-アルキレン基-CONH-、-アルキレン基-NHCO-、-CO-、-O-、-SO2-、-アルキレン基-O-が好ましく、単結合、アルキレン基、-アルキレン基-COO-、又は、-アルキレン基-O-がより好ましい。L2は、単結合、アルキレン基、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-COO-アルキレン基-、-OCO-アルキレン基-、-CONH-アルキレン基-、-NHCO-アルキレン基-、-CO-、-O-、-SO2-、-O-アルキレン基-、-O-シクロアルキレン基-が好ましく、単結合、アルキレン基、-COO-アルキレン基-、-O-アルキレン基-、又は、-O-シクロアルキレン基-がより好ましい。上記の記載方法において、左端の結合手-は、L1においては主鎖側のエステル結合に、L2においてはZに接続することを意味し、右端の結合手-は、L1においてはZに、L2においてはRy1Ry2Ry3C-で表される基に接続するエステル結合に結合することを意味する。なお、L1及びL2は、Zにおける多環を構成する同一の原子に結合してもよい。nは1又は2であることが好ましく、1であることがより好ましい。以下に一般式AAIで表される繰り返し単位の具体例を挙げるが本発明はこれに限定されるものではない。下記具体例において、Xaは、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。樹脂A-1又はA-2に含有される好ましい態様2の酸分解性基を有する繰り返し単位は、1種類であってもよいし、2種以上を併用してもよい。本発明において、樹脂A-2についてArF露光に好ましく適用され得る樹脂態様として、酸の作用により分解し、極性基を生じる基酸分解性基が分解することにより生じる脱離物の分子量複数種類の脱離物が生じる場合は、モル分率による分子量の加重平均値以下、モル平均値ともいうが140以下である前記酸分解性基を有する繰り返し単位複数種類含有する場合はその合計を、前記樹脂中の全繰り返し単位に対して50モル以上有することが好ましい。これにより、ネガ型の画像を形成する場合に、露光部がパターンとして残るために、脱離物の分子量を小さくすることによりパターン部の膜厚低下を防止することができる。本発明において、酸分解性基が分解することにより生じる脱離物とは、酸の作用により分解し脱離する基に対応する、酸の作用により分解して脱離した物をいう。例えば、後掲の繰り返し単位α後掲の例示における一番左上の繰り返し単位の場合、t-ブチル部位が分解して生成するアルケンH2C=CCH32のことをいう。本発明において、酸分解性基が分解することにより生じる脱離物の分子量複数種類の脱離物が生じる場合はモル平均値は、パターン部の膜厚低下を防止する観点から、100以下であることがより好ましい。また、酸分解性基が分解することにより生じる脱離物の分子量複数種類の脱離物が生じる場合はその平均値についての下限としては特に制限はないが、酸分解性基がその機能を発揮する観点から、45以上であることが好ましく、55以上であることがより好ましい。本発明において、樹脂A-2についてArF露光に好ましく適用され得る樹脂態様として、露光部であるパターン部の膜厚をより確実に維持する観点から、酸分解性基が分解することにより生じる脱離物の分子量が140以下である前記酸分解性基を有する繰り返し単位複数種類含有する場合はその合計を、前記樹脂中の全繰り返し単位に対して60モル以上有することがより好ましく、65モル以上有することがより好ましく、70モル以上有することが更に好ましい。また、上限としては、特に制限はないが、90モル以下であることが好ましく、85モル以下であることがより好ましい。以下、酸分解性基が分解することにより生じる脱離物の分子量が140以下である好ましい態様2の酸分解性基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。下記具体例中、Xa1は、水素原子、CH3、CF3、又はCH2OHを表す。ArF露光に好ましく適用され得る樹脂態様においても、樹脂A-1の酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量複数種類含有する場合はその合計については、上述の通りである。また、ArF露光に好ましく適用され得る樹脂態様において第2の膜を形成する樹脂A-2の好ましい態様2の酸分解性基を有する繰り返し単位の合計としての含有量は、樹脂A-2中の全繰り返し単位に対し、20モル以上が好ましく、30モル以上がより好ましい。また、ArF露光に好ましく適用され得る樹脂態様において第2の膜を形成する樹脂A-2の好ましい態様2の酸分解性基を有する繰り返し単位の合計としての含有量は、樹脂A-2中の全繰り返し単位に対し、90モル以下であることが好ましく、85モル以下であることがより好ましい。また、樹脂A-2により形成される第2の膜上層のみならず、前記上層とともに第1の膜下層にも実用的に満足し得るパターンをより確実に形成する観点から、樹脂A-1中の全繰り返し単位に対する酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量モルに比べて、樹脂A-2中の全繰り返し単位に対する酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量モルが大きいことが好ましい。具体的には、樹脂A-1に酸分解性基を有する繰り返し単位が含有される場合、樹脂A-1中の全繰り返し単位に対する酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量モルに比べて、樹脂A-2中の全繰り返し単位に対する酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量モルが3倍以上の高含有量であることがより好ましく、3~10倍の含有量であることが更に好ましい。ArF露光に好ましく適用され得る樹脂態様において第2の膜を形成する樹脂A-2の好ましい態様2の酸分解性基を有する繰り返し単位が、上記一般式AIで表される繰り返し単位であるとともに、特に、Rx1~Rx3が、それぞれ独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基である場合、一般式AIで表される繰り返し単位の含有量は、樹脂A-2の全繰り返し単位に対して、45モル以上であることが好ましく、50モル以上であることがより好ましく、55モル以上であることが特に好ましい。また、上限としては、良好なパターンを形成する観点から、90モル以下であることが好ましく、85モル以下であることがより好ましい。これにより、ラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性及び露光ラチチュードより優れ、露光により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりをより抑制できるパターン形成方法とすることができる。芳香環を有する繰り返し単位上述のように、前記樹脂組成物Iに含有される樹脂A-1、及び前記樹脂組成物IIに含有される樹脂A-2について、KrF露光に好ましく適用され得る樹脂態様としては、芳香環を有する繰り返し単位を含有する樹脂であることが好ましい。特に、第1の膜下層を形成する樹脂組成物Iに含有される樹脂A-1が、KrF露光に好ましく適用され得る樹脂態様として、芳香環を有する繰り返し単位を含有する樹脂であることが特に好ましい。樹脂A-1が芳香環を有する繰り返し単位を含有する樹脂であることにより、第1の膜下層が、露光光を吸収できるため、基板からの露光光の反射による定在波の影響や、段差基板における段差部分による露光光の乱反射を確実に低減できる。また、本発明においては、第1の膜下層は第2の膜上層とともに現像されることから、第1の膜下層は現像可能な反射防止膜DevelopableBottomAnti-ReflectiveCoating;DBARCとして機能することができる。同様の観点から、ArF露光に好ましく適用され得る樹脂態様として、第1の膜下層を形成する樹脂組成物Iに含有される樹脂A-1を、芳香環を有する繰り返し単位を含有する樹脂とすることもできる。前記芳香環を有する繰り返し単位としては、前述した一般式VIで表される繰り返し単位、下記芳香族基を有する繰り返し単位、後述の一般式IIBで表される繰り返し単位などが挙げられる。特に、現像可能な反射防止膜としての機能を確実に達成する観点から、KrF露光に好ましく適用され得る樹脂態様として、樹脂A-1は、多環芳香族基を有する繰り返し単位を有する樹脂であることが好ましい。例えば、上記一般式VIにおけるAr6が2価の多環芳香族基とされた繰り返し単位、上記一般式IIBにおけるAr4がn1価の多環芳香族基ただし、R42と結合して環を形成する場合にはn2価の多環芳香族基とされた繰り返し単位等を挙げることができる。多環芳香族基としては、ビフェニル基などの複数のベンゼン環が単結合を介して結合してなる基や、ナフタレン環基やアントラセン環基などの多環式縮合芳香族基を挙げることができる他、上記一般式VIにおけるAr6としての2価の芳香環基、上記芳香族基を有する繰り返し単位における芳香族基の各具体例の内、多環芳香族基に相当するものも挙げることができる。多環芳香族基は、炭素数10~20の多環芳香族基であることが好ましく、炭素数10~15の多環芳香族基であることがより好ましい。芳香族基を有する繰り返し単位本発明において、KrF露光に好ましく適用され得る樹脂が有し得る前記芳香環を有する繰り返し単位として、芳香族基を有する繰り返し単位が挙げられ、前記芳香族基を有する繰り返し単位が、フェノール系芳香族基を有する繰り返し単位であっても、非フェノール系芳香族基を有する繰り返し単位であってもよい。ここで、芳香族基を有する繰り返し単位は、酸分解性基を有さないことが好ましい。また、非フェノール系芳香族基を有する繰り返し単位とは、フェノール性水酸基を有する芳香族基を有する繰り返し単位、及びフェノール性水酸基から誘導される基例えば、フェノール性水酸基が酸の作用により分解し脱離する基で保護された基などを有する芳香族基を有する繰り返し単位以外のフェノール性水酸基を有しない芳香族基を有する繰り返し単位をいう。このような繰り返し単位は、例えば、樹脂組成物の含む溶剤への溶解性や、現像で用いる有機溶剤現像液との相性程よい現像速度を達成するなどの点で好ましい場合がある。芳香族基を有する繰り返し単位における芳香族基としては、置換基を有していてもよく、炭素数6~20のアリール基であることが好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラセニル基などが挙げられる。前記置換基としては、炭素数1~4の直鎖状若しくは分枝状のアルキル基、炭素数3~10のシクロアルキル基、炭素数6~10のアリール基、フッ素原子などのハロゲン原子、シアノ基、アミノ基、ニトロ基、カルボキシル基などが挙げられる。前記置換基としての炭素数1~4の直鎖状若しくは分枝状のアルキル基、炭素数3~10のシクロアルキル基、炭素数6~10のアリール基は更に置換基を有していてもよく、そのような更なる置換基としては、フッ素原子などのハロゲン原子などが挙げられる。特に、下層に現像可能な反射防止膜としての機能を期待する場合、芳香族基を有する繰り返し単位における芳香族基は、ナフチル基、ビフェニル基、又は、カルボキシル基で置換されたフェニル基であることが好ましい。芳香族基を有する繰り返し単位として、下記一般式IIBで表される繰り返し単位を含んでいることが好ましい。上記一般式中、R41、R42及びR43は、各々独立に、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。R42はAr4と結合して環を形成していてもよく、その場合のR42は単結合又はアルキレン基を表す。X4は、単結合、-COO-、又は-CONR64-を表し、R64は、水素原子又はアルキル基を表す。L4は、単結合又はアルキレン基を表す。Ar4は、n1価の芳香環基を表し、R42と結合して環を形成する場合にはn2価の芳香環基を表す。Zは、極性基を表す。nは、0~4の整数を表す。式IIBにおけるR41、R42、R43のアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、及びこれらの基が有し得る置換基の具体例としては、一般式VIにおける各基と同様の具体例が挙げられる。Ar4としてのn1価の芳香環基において、nが0である場合における1価の芳香環基は、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アントラセニル基などの炭素数6~18のアリール基、あるいは、例えば、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール等のヘテロ環を含む芳香環基を好ましい例として挙げることができる。nが1以上の整数である場合におけるn1価の芳香環基の具体例としては、1価の芳香環基の上記した具体例から、n個の任意の水素原子を除してなる基を好適に挙げることができる。Ar4としてのn1価の芳香環基は、Zとしての極性基とは異なる置換基を有していても良い。上述したアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルキレン基及びn1価の芳香環基が有し得る置換基としては、、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、フェニル基等のアリール基等が挙げられる。X4により表わされる-CONR64-R64は、水素原子、アルキル基を表すにおけるR64のアルキル基としては、R61~R63のアルキル基と同様のものが挙げられる。X4としては、単結合、-COO-、-CONH-が好ましく、単結合、-COO-がより好ましい。L4におけるアルキレン基としては、好ましくは置換基を有していてもよいメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1~8個のものが挙げられる。Ar4としては、置換基を有していても良い炭素数6~18のアリーレン基がより好ましく、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基が特に好ましい。Zの極性基としては、酸分解性基において前述した極性基と同様のものを挙げることができ、カルボキシル基であることが好ましい。以下に、一般式IIBで表される繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。式中、aは1又は2の整数を表す。樹脂A-1又はA-2は、2種類以上の上記繰り返し単位を含んでいてもよい。KrF露光に好ましく適用され得る樹脂態様において上記繰り返し単位の含有量複数種類含有する場合はその合計は、露光光を吸収する観点、露光部の有機系現像液に対する溶解性を十分に低下させる一方、未露光部の溶解性を十分に保ち、溶解コントラストを向上させる観点及びエッチング耐性を付与する観点から、樹脂A-1又はA-2中の全繰り返し単位に対し、5~60molが好ましく、より好ましくは10~50mol、更に好ましくは20~40molである。その他の繰り返し単位前記樹脂組成物Iに含有される樹脂A-1、及び前記樹脂組成物IIに含有される樹脂A-2は、それぞれ、更に、ラクトン構造を有する繰り返し単位を有していてもよい。ラクトン構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIIで表される繰り返し単位がより好ましい。一般式AII中、Rb0は、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していてもよいアルキル基好ましくは炭素数1~4を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rb0として、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。Abは、単結合、アルキレン基、単環又は多環のシクロアルキル構造を有する2価の連結基、エーテル結合、エステル結合、カルボニル基、又はこれらを組み合わせた2価の連結基を表す。Abは、好ましくは、単結合、-Ab1-CO2-で表される2価の連結基である。Ab1は、直鎖又は分岐アルキレン基、単環又は多環のシクロアルキレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、ノルボルニレン基である。Vは、ラクトン構造を有する基を表す。ラクトン構造を有する基としては、ラクトン構造を有していればいずれでも用いることができるが、好ましくは5~7員環ラクトン構造であり、5~7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式LC1-1~LC1-17のいずれかで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としてはLC1-1、LC1-4、LC1-5、LC1-6、LC1-8、LC1-13、LC1-14である。ラクトン構造部分は、置換基Rb2を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基Rb2としては、炭素数1~8のアルキル基、炭素数4~7の1価のシクロアルキル基、炭素数1~8のアルコキシ基、炭素数2~8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。n2は、0~4の整数を表す。n2が2以上の時、複数存在する置換基Rb2は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基Rb2同士が結合して環を形成してもよい。ラクトン基を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度eeが90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。樹脂A-1又はA-2はラクトン構造を有する繰り返し単位を含有しても含有しなくてもよいが、ラクトン構造を有する繰り返し単位を含有する場合、樹脂A-1中の前記繰り返し単位の含有量は、全繰り返し単位に対して、5~80モルの範囲が好ましく、より好ましくは10~75モルの範囲であり、更に好ましくは15~70モルの範囲である。樹脂A-2中の全繰り返し単位に対し、1~50モルが好ましく、5~40モルがより好ましい。前記繰り返し単位は1種類であってもよいし、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。特定のラクトン構造を用いることでパターンの解像性が向上し、パターン倒れを抑制し、矩形プロファイルが良好になる。以下に、樹脂A中のラクトン構造を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。式中、Rxは、H,CH3,CH2OH,又はCF3を表す。前記樹脂組成物Iに含有される樹脂A-1、及び前記樹脂組成物IIに含有される樹脂A-2は、それぞれ、酸基を有する繰り返し単位を有してもよい。酸基としてはカルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビススルホニルイミド基、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール例えばヘキサフロロイソプロパノール基が挙げられ、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。酸基を有する繰り返し単位を含有することによりコンタクトホール用途などでの解像性が増す。酸基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接酸基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖に酸基が結合している繰り返し単位、更には酸基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環又は多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。酸基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、RxはH,CH3,CH2OH,又はCF3を表す。樹脂A-1又はA-2は、酸基を有する繰り返し単位を含有してもしなくても良いが、樹脂A-1又はA-2が酸基を有する繰り返し単位を含有する場合、前記繰り返し単位の含有量は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、1~35molが好ましく、より好ましくは1~30mol、更に好ましくは3~25molである。前記樹脂組成物Iに含有される樹脂A-1、及び前記樹脂組成物IIに含有される樹脂A-2は、それぞれ、上述した繰り返し単位以外の繰り返し単位であって、水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を更に有していてもよい。これにより基板密着性、現像液親和性を向上させることができる。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましく、酸分解性基を有さないことが好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましく、アダマンチル基がより好ましい。また、水酸基で置換されていることが好ましく、少なくとも一つの水酸基で置換されたアダマンチル基を有する繰り返し単位を含有することがより好ましい。特に、樹脂A-1又はA-2は、発生酸の拡散を抑制する観点から、ヒドロキシアダマンチル基又はジヒドロキシアダマンチル基を有する繰り返し単位を含有することが最も好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式VIIa~VIIdで表される部分構造が好ましく、下記一般式VIIaで表される部分構造がより好ましい。一般式VIIa~VIIcに於いて、R2c~R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c~R4cの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c~R4cの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式VIIaに於いて、更に好ましくは、R2c~R4cの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式VIIa~VIIdで表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIIa~AIIdで表される繰り返し単位を挙げることができる。一般式AIIa~AIIdに於いて、R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R2c~R4cは、一般式VIIa~VIIcに於ける、R2c~R4cと同義である。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。樹脂A-1又はA-2は、水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を含有していても、含有していなくてもよいが、樹脂A-1又はA-2が水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を含有する場合、前記繰り返し単位の含有量は、樹脂A-1又はA-2中の全繰り返し単位に対し、1~70molが好ましく、より好ましくは3~65mol、更に好ましくは5~60molである。本発明における樹脂A-1又はA-2は、更に極性基例えば、前記酸基、水酸基、シアノ基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有することができる。これにより、有機溶剤を含む現像液を用いた現像の際に樹脂の溶解性を適切に調整することができる。このような繰り返し単位としては、一般式IVで表される繰り返し単位が挙げられる。一般式IV中、R5は少なくとも一つの環状構造を有し、極性基水酸基やシアノ基などを有さない炭化水素基を表す。Raは水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2基を表す。式中、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。R5が有する環状構造は、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、たとえば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基などの炭素数3~12のシクロアルキル基、シクロへキセニル基など炭素数3~12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3~7の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、環集合炭化水素基の例としては、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基などが含まれる。架橋環式炭化水素環として、例えば、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環ビシクロ[2.2.2]オクタン環、ビシクロ[3.2.1]オクタン環等などの2環式炭化水素環及び、ホモブレダン、アダマンタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[4.3.1.12,5]ウンデカン環などの3環式炭化水素環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、パーヒドロ-1,4-メタノ-5,8-メタノナフタレン環などの4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレンデカリン、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの5~8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。好ましい架橋環式炭化水素環として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ[5、2、1、02,6]デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル基、エチル基、ブチル基、t-ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基を挙げることができる。上記水素原子の置換基としては、たとえばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t-ブトキシメチル、2-メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1-エトキシエチル、1-メチル-1-メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1~6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1~4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。樹脂A-1又はA-2は、極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を含有してもしなくてもよいが、樹脂A-1又はA-2が極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を含有する場合、樹脂A-1中の前記繰り返し単位の含有量は、樹脂A-1中の全繰り返し単位に対し、5~70モルが好ましく、10~60モルがより好ましい。樹脂A-2中の前記繰り返し単位の含有量は、樹脂A-2中の全繰り返し単位に対し、1~40モルが好ましく、より好ましくは1~20モルである。極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。本発明の組成物に用いられる樹脂A-1又はA-2は、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更に樹脂組成物の一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これにより、本発明の組成物に用いられる樹脂に要求される性能、特に、1塗布溶剤に対する溶解性、2製膜性ガラス転移点、3アルカリ現像性、4膜べり親疎水性、アルカリ可溶性基選択、5未露光部の基板への密着性、6ドライエッチング耐性等の微調整が可能となる。このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン類、クロトン酸エステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。本発明の組成物に用いられる樹脂A-1又はA-2において、各繰り返し構造単位の含有モル比は、樹脂組成物のドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。本発明における樹脂A-1又はA-2の形態としては、ランダム型、ブロック型、クシ型、スター型のいずれの形態でもよい。樹脂A-1又はA-2は、例えば、各構造に対応する不飽和モノマーのラジカル、カチオン、又はアニオン重合により合成することができる。また各構造の前駆体に相当する不飽和モノマーを用いて重合した後に、高分子反応を行うことにより目的とする樹脂を得ることも可能である。本発明における樹脂A-1又はA-2は、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、更には後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明における樹脂組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5~50質量であり、好ましくは10~30質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、更に好ましくは60~100°Cである。反応終了後、室温まで放冷し、精製する。精製は、水洗や適切な溶媒を組み合わせることにより残留単量体やオリゴマー成分を除去する液々抽出法、特定の分子量以下のもののみを抽出除去する限外ろ過等の溶液状態での精製方法や、樹脂溶液を貧溶媒へ滴下することで樹脂を貧溶媒中に凝固させることにより残留単量体等を除去する再沈澱法やろ別した樹脂スラリーを貧溶媒で洗浄する等の固体状態での精製方法等の通常の方法を適用できる。たとえば、上記樹脂が難溶或いは不溶の溶媒貧溶媒を、該反応溶液の10倍以下の体積量、好ましくは10~5倍の体積量で、接触させることにより樹脂を固体として析出させる。ポリマー溶液からの沈殿又は再沈殿操作の際に用いる溶媒沈殿又は再沈殿溶媒としては、該ポリマーの貧溶媒であればよく、ポリマーの種類に応じて、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、ニトロ化合物、エーテル、ケトン、エステル、カーボネート、アルコール、カルボン酸、水、これらの溶媒を含む混合溶媒等の中から適宜選択して使用できる。沈殿又は再沈殿溶媒の使用量は、効率や収率等を考慮して適宜選択できるが、一般には、ポリマー溶液100質量部に対して、100~10000質量部、好ましくは200~2000質量部、更に好ましくは300~1000質量部である。沈殿又は再沈殿する際の温度としては、効率や操作性を考慮して適宜選択できるが、通常0~50°C程度、好ましくは室温付近例えば20~35°C程度である。沈殿又は再沈殿操作は、攪拌槽などの慣用の混合容器を用い、バッチ式、連続式等の公知の方法により行うことができる。沈殿又は再沈殿したポリマーは、通常、濾過、遠心分離等の慣用の固液分離に付し、乾燥して使用に供される。濾過は、耐溶剤性の濾材を用い、好ましくは加圧下で行われる。乾燥は、常圧又は減圧下好ましくは減圧下、30~100°C程度、好ましくは30~50°C程度の温度で行われる。なお、一度、樹脂を析出させて、分離した後に、再び溶媒に溶解させ、該樹脂が難溶或いは不溶の溶媒と接触させてもよい。即ち、上記ラジカル重合反応終了後、該ポリマーが難溶或いは不溶の溶媒を接触させ、樹脂を析出させ工程a、樹脂を溶液から分離し工程b、改めて溶媒に溶解させ樹脂溶液Aを調製工程c、その後、該樹脂溶液Aに、該樹脂が難溶或いは不溶の溶媒を、樹脂溶液Aの10倍未満の体積量好ましくは5倍以下の体積量で、接触させることにより樹脂固体を析出させ工程d、析出した樹脂を分離する工程eことを含む方法でもよい。また、組成物の調製後に樹脂が凝集することなどを抑制する為に、例えば、特開2009-037108号公報に記載のように、合成された樹脂を溶剤に溶解して溶液とし、その溶液を30°C~90°C程度で30分~4時間程度加熱するような工程を加えてもよい。本発明の組成物に用いられる樹脂A-1又はA-2の重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000~200,000であり、より好ましくは2,000~100,000、更により好ましくは3,000~70,000、特に好ましくは5,000~50,000である。重量平均分子量を、1,000~200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、かつ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。分散度分子量分布は、通常1.0~3.0であり、好ましくは1.0~2.6、更に好ましくは1.2~2.4、特に好ましくは1.4~2.2の範囲のものが使用される。分子量分布が上記範囲を満たしていると、解像度、レジスト形状が優れ、かつ、レジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。本発明における樹脂組成物Iにおいて、樹脂A-1の組成物全体中の含有量は、全固形分中30~99質量が好ましく、より好ましくは60~95質量である。また、本発明において、樹脂A-1は、樹脂組成物I中1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。本発明における樹脂組成物IIにおいて、樹脂A-2の組成物全体中の含有量は、全固形分中30~99質量が好ましく、より好ましくは60~95質量である。また、樹脂A-2は、樹脂組成物II中1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。更に、本発明における樹脂組成物IIにおいて、樹脂A-2と共に、樹脂A-2以外の酸分解性樹脂酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂を更に含んでいてもよい。樹脂A-2以外の酸分解性樹脂としては、樹脂A-2において含まれていてもよい繰り返し単位と同様の繰り返し単位から構成される酸分解性樹脂であり、それら繰り返し単位の好ましい範囲や樹脂中の含有量は、樹脂A-2について説明したものと同様である。樹脂A-2以外の酸分解性樹脂が含まれる場合、本発明に係る組成物II中の酸分解性樹脂の含有量は、樹脂A-2と樹脂A-2以外の酸分解性樹脂との含有量の合計が上記の範囲となればよい。樹脂A-2と樹脂A-2以外の酸分解性樹脂との質量比は、本発明の効果が良好に奏される範囲で適宜調整可能であるが、[樹脂A-2/樹脂A-2以外の酸分解性樹脂]=99.9/0.1~10/90の範囲であることが好ましく、99.9/0.1~60/40の範囲であることがより好ましい。本発明における樹脂組成物IIは、酸分解性樹脂として樹脂A-2のみを含有することが、レジストパターンの高解像性及び矩形なプロファイルを提供し、ドライエッチング時のエッチング耐性を付与する観点から好ましい。[2]活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物B本発明における第2の膜を形成する第2の樹脂組成物IIは、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物B以下、酸発生剤ともいうを含有する。本発明における第2の樹脂組成物IIは、後述の塩基性化合物を更に含有することが好ましい。本発明における第1の樹脂組成物Iは、酸発生剤を含有しても含有しなくてもよい。レジスト膜中を光が進行するほど光が減衰し、レジスト膜の底部側例えば、段差基板を用いるイオンインプランテーション用途などの微細加工における段差基板の底面付近に到達する光が弱くなることなどから、第2の膜上層の底部側下層側に行くほど酸発生量が減衰することが考えられる。そこで、第1の膜側下層側から第2の膜上層の酸発生能を補助する観点から、第1の樹脂組成物Iが酸発生剤を含有することも本発明の態様の1つとして挙げられる。第1の樹脂組成物Iに酸発生剤を含有させる場合、発生酸の拡散性を制御し矩形性を制御し得る観点から、併せて後述の塩基性化合物を含有させてもよい。活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物Bとしては、活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物であることが好ましい。酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。たとえば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o-ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。酸発生剤の内で好ましい化合物として、下記一般式ZI、ZII、ZIIIで表される化合物を挙げることができる。上記一般式ZIにおいて、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。Z-は、非求核性アニオンを表す。Z-としての非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチルアニオン等を挙げることができる。非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これによりレジスト組成物の経時安定性が向上する。スルホン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。カルボン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。脂肪族スルホン酸アニオン及び脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1~30のアルキル基及び炭素数3~30のシクロアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基等を挙げることができる。芳香族スルホン酸アニオン及び芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6~14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基好ましくは炭素数1~15、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~15、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~7、アシル基好ましくは炭素数2~12、アルコキシカルボニルオキシ基好ましくは炭素数2~7、アルキルチオ基好ましくは炭素数1~15、アルキルスルホニル基好ましくは炭素数1~15、アルキルイミノスルホニル基好ましくは炭素数1~15、アリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数6~20、アルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数7~20、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数10~20、アルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数5~20、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数8~20等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基として更にアルキル基好ましくは炭素数1~15、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~15を挙げることができる。アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数7~12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、芳香族スルホン酸アニオンにおけるものと同様のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。その他の非求核性アニオンとしては、例えば、フッ素化燐例えば、PF6-、フッ素化硼素例えば、BF4-、フッ素化アンチモン等例えば、SbF6-を挙げることができる。Z-の非求核性アニオンとしては、スルホン酸の少なくともα位がフッ素原子で置換された脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビスアルキルスルホニルイミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリスアルキルスルホニルメチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくは炭素数4~8のパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5-ビストリフロロメチルベンゼンスルホン酸アニオンである。酸発生剤は、下記式BIで表されるスルホン酸を発生する化合物であってもよい。酸発生剤が、例えば、一般式ZI又はZIIで表される化合物である場合、前記芳香族スルホン酸アニオンとしては、下記式BIで表されるアリールスルホン酸を生じるアニオンとすることができる。式BI中、Arは、芳香族環を表し、スルホン酸基及びA基以外に更に置換基を有してもよい。pは、0以上の整数を表す。Aは、炭化水素基を有する基を表す。pが2以上のとき、複数のA基は同一でも異なっていてもよい。一般式BIについて更に詳細に説明する。Arにより表される芳香族環としては、炭素数6~30の芳香族環が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環がより好ましく、ベンゼン環が更により好ましい。上記芳香族環がスルホン酸基及びA基以外に有し得る置換基としては、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基等を挙げることができる。また、2以上の置換基を有する場合、少なくとも二つの置換基が互いに結合して環を形成してもよい。Aにより表される炭化水素基を有する基としては、例えば、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオキシ基、アリールチオキシ基、アルコキシカルボニル基、アセトキシ基、直鎖アルキル基及び分岐アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アシル基等が挙げられる。Aにより表される、炭化水素基を有する基における炭化水素基としては、非環式炭化水素基、又は環状脂肪族基が挙げられ、該炭化水素基の炭素原子数は3以上であることが好ましい。A基としては、Arに隣接する炭素原子が3級若しくは4級の炭素原子であることが好ましい。A基における非環式炭化水素基としては、イソプロピル基、t―ブチル基、t―ペンチル基、ネオペンチル基、s-ブチル基、イソブチル基、イソヘキシル基、3,3-ジメチルペンチル基、2-エチルヘキシル基等が挙げられる。非環式炭化水素基の有する炭素数の上限としては、好ましくは12以下、更に好ましくは10以下である。A基における環状脂肪族基としては、シクロアルキル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基、カンフェニル基、デカヒドロナフチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、カンホロイル基、ジシクロヘキシル基、ピネニル基等が挙げられ、置換基を有していてもよい。環状脂肪族基の有する炭素数の上限としては、好ましくは15以下、更に好ましくは12以下である。上記非環式炭化水素基又は環状脂肪族基が置換基を有している場合、その置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオキシ基、アリールチオオキシ基、アルコキシカルボニル基、アセトキシ基、直鎖アルキル基及び分岐アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホン酸基、カルボニル基、シアノ基等が挙げられる。pは0以上の整数を表し、その上限は化学的に可能な数であれば特に限定されない。酸の拡散抑制の観点から、pは通常0~5、好ましくは1~4、更に好ましくは2~3、最も好ましくは3を表す。A基は、酸拡散抑制の観点から、スルホン酸基の少なくとも1つのo位を置換していることが好ましく、2つのo位を置換している構造であることがより好ましい。酸発生剤は、活性光線又は放射線の照射により下記一般式III又はIVで表される酸を発生する化合物であることが好ましい。下記一般式III又はIVで表される酸を発生する化合物であることにより環状の有機基を有するので、解像性、及び、ラフネス性能をより優れたものにできる。前記非求核性アニオンとしては、下記一般式III又はIVで表される有機酸を生じるアニオンとすることができる。上記一般式中、Xfは、各々独立に、フッ素原子、又は、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R1及びR2は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基を表す。Lは、各々独立に、2価の連結基を表す。Cyは、環状の有機基を表す。Rfは、フッ素原子を含んだ基である。xは、1~20の整数を表す。yは、0~10の整数を表す。zは、0~10の整数を表す。Xfは、フッ素原子、又は、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。このアルキル基の炭素数は、1~10であることが好ましく、1~4であることがより好ましい。また、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。Xfは、好ましくは、フッ素原子又は炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。より具体的には、Xfは、フッ素原子、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、又はCH2CH2C4F9であることが好ましく、フッ素原子又はCF3であることがより好ましい。特に、双方のXfがフッ素原子であることが好ましい。R1及びR2は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基である。このアルキル基は、置換基好ましくはフッ素原子を有していてもよく、炭素数1~4のものが好ましい。更に好ましくは炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。R1及びR2の置換基を有するアルキル基の具体例としては、例えば、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、及びCH2CH2C4F9が挙げられ、中でもCF3が好ましい。Lは、2価の連結基を表す。この2価の連結基としては、例えば、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO2-、アルキレン基好ましくは炭素数1~6、シクロアルキレン基好ましくは炭素数3~10、アルケニレン基好ましくは炭素数2~6又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基などが挙げられる。これらの中でも、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-CO-、-O-、-SO2-、-COO-アルキレン基-、-OCO-アルキレン基-、-CONH-アルキレン基-又は-NHCO-アルキレン基-が好ましく、-COO-、-OCO-、-CONH-、-SO2-、-COO-アルキレン基-又は-OCO-アルキレン基-がより好ましい。Cyは、環状の有機基を表す。環状の有機基としては、例えば、脂環基、アリール基、及び複素環基が挙げられる。脂環基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。単環式の脂環基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びシクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環基としては、例えば、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が挙げられる。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基などの炭素数7以上のかさ高い構造を有する脂環基が、PEB露光後加熱工程での膜中拡散性の抑制及びMEEFMaskErrorEnhancementFactorの向上の観点から好ましい。アリール基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基及びアントリル基が挙げられる。中でも、193nmにおける光吸光度が比較的低いナフチル基が好ましい。複素環基は、単環式であってもよく、多環式であってもよいが、多環式の方がより酸の拡散を抑制可能である。また、複素環基は、芳香族性を有していてもよく、芳香族性を有していなくてもよい。芳香族性を有している複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、及びピリジン環が挙げられる。芳香族性を有していない複素環としては、例えば、テトラヒドロピラン環、ラクトン環、及びデカヒドロイソキノリン環が挙げられる。複素環基における複素環としては、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、又はデカヒドロイソキノリン環が特に好ましい。また、ラクトン環の例としては、前述の樹脂A-1又はA-2において例示したラクトン構造が挙げられる。上記環状の有機基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基直鎖、分岐のいずれであっても良く、炭素数1~12が好ましい、シクロアルキル基単環、多環、スピロ環のいずれであっても良く、炭素数3~20が好ましい、アリール基炭素数6~14が好ましい、水酸基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基、及びスルホン酸エステル基が挙げられる。なお、環状の有機基を構成する炭素環形成に寄与する炭素はカルボニル炭素であっても良い。xは1~8が好ましく、中でも1~4が好ましく、1が特に好ましい。yは0~4が好ましく、0がより好ましい。zは0~8が好ましく、中でも0~4が好ましい。Rfで表されるフッ素原子を含んだ基としては、例えば、少なくとも1つのフッ素原子を有するアルキル基、少なくとも1つのフッ素原子を有するシクロアルキル基、及び少なくとも1つのフッ素原子を有するアリール基が挙げられる。これらアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、フッ素原子により置換されていてもよく、フッ素原子を含んだ他の置換基により置換されていてもよい。Rfが少なくとも1つのフッ素原子を有するシクロアルキル基又は少なくとも1つのフッ素原子を有するアリール基である場合、フッ素原子を含んだ他の置換基としては、例えば、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基が挙げられる。また、これらアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、フッ素原子を含んでいない置換基によって更に置換されていてもよい。この置換基としては、例えば、先にCyについて説明したもののうち、フッ素原子を含んでいないものを挙げることができる。Rfにより表される少なくとも1つのフッ素原子を有するアルキル基としては、例えば、Xfにより表される少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基として先に説明したのと同様のものが挙げられる。Rfにより表される少なくとも1つのフッ素原子を有するシクロアルキル基としては、例えば、パーフルオロシクロペンチル基、及びパーフルオロシクロヘキシル基が挙げられる。Rfにより表される少なくとも1つのフッ素原子を有するアリール基としては、例えば、パーフルオロフェニル基が挙げられる。R201、R202及びR203により表される有機基としては、例えば、後述する化合物ZI-1、ZI-2、ZI-3及びZI-4における対応する基を挙げることができる。なお、一般式ZIで表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式ZIで表される化合物のR201~R203の少なくとも1つが、一般式ZIで表されるもうひとつの化合物のR201~R203の少なくとも一つと、単結合又は連結基を介して結合した構造を有する化合物であってもよい。更に好ましいZI成分として、以下に説明する化合物ZI-1、ZI-2、及びZI-3及びZI-4を挙げることができる。化合物ZI-1は、上記一般式ZIのR201~R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。アリールスルホニウム化合物は、R201~R203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、ピロール残基、フラン残基、チオフェン残基、インドール残基、ベンゾフラン残基、ベンゾチオフェン残基等が挙げられる。アリールスルホニウム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1~15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3~15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。R201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~14、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1~12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数1~12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201~R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201~R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp-位に置換していることが好ましい。次に、化合物ZI-2について説明する。化合物ZI-2は、式ZIにおけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。R201~R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1~30、好ましくは炭素数1~20である。R201~R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐2-オキソアルキル基である。R201~R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、炭素数3~10のシクロアルキル基シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基を挙げることができる。アルキル基として、より好ましくは2-オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基を挙げることができる。シクロアルキル基として、より好ましくは、2-オキソシクロアルキル基を挙げることができる。2-オキソアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。2-オキソシクロアルキル基は、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1~5のアルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基を挙げることができる。R201~R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基例えば炭素数1~5、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。次に、化合物ZI-3について説明する。化合物ZI-3とは、以下の一般式ZI-3で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。一般式ZI-3に於いて、R1c~R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表す。R6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表す。Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R5cとR6c、R6cとR7c、R5cとRx、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、ケトン基、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。上記環構造としては、芳香族若しくは非芳香族の炭化水素環、芳香族若しくは非芳香族の複素環、又は、これらの環が2つ以上組み合わされてなる多環縮合環を挙げることができる。環構造としては、3~10員環を挙げることができ、4~8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。R5cとR6c、及び、R5cとRxが結合して形成する基としては、単結合又はアルキレン基であることが好ましく、アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基等を挙げることができる。Zc-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。R1c~R7cとしてのアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、例えば炭素数1~20個のアルキル基、好ましくは炭素数1~12個の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル基、直鎖又は分岐ペンチル基を挙げることができ、シクロアルキル基としては、例えば炭素数3~10個のシクロアルキル基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアリール基は、好ましくは炭素数5~15であり、例えば、フェニル基、ナフチル基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1~10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖及び分岐アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基、炭素数3~10の環状アルコキシ基例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアルコキシカルボニル基におけるアルコキシ基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのアルコキシ基の具体例と同様である。R1c~R5cとしてのアルキルカルボニルオキシ基及びアルキルチオ基におけるアルキル基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのアルキル基の具体例と同様である。R1c~R5cとしてのシクロアルキルカルボニルオキシ基におけるシクロアルキル基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのシクロアルキル基の具体例と同様である。R1c~R5cとしてのアリールオキシ基及びアリールチオ基におけるアリール基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのアリール基の具体例と同様である。好ましくは、R1c~R5cの内のいずれかが直鎖又は分岐アルキル基、シクロアルキル基又は直鎖、分岐若しくは環状アルコキシ基であり、更に好ましくは、R1c~R5cの炭素数の和が2~15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。R1c~R5cのいずれか2つ以上が互いに結合して形成してもよい環構造としては、好ましくは5員又は6員の環、特に好ましくは6員の環例えばフェニル環が挙げられる。R5c及びR6cが互いに結合して形成してもよい環構造としては、R5c及びR6cが互いに結合して単結合又はアルキレン基メチレン基、エチレン基等を構成することにより、一般式I中のカルボニル炭素原子及び炭素原子と共に形成する4員以上の環特に好ましくは5~6員の環が挙げられる。R6c及びR7cとしてのアリール基としては、好ましくは炭素数5~15であり、例えば、フェニル基、ナフチル基を挙げることができる。R6c及びR7cの態様としては、その両方がアルキル基である場合が好ましい。特に、R6c及びR7cが各々炭素数1~4の直鎖又は分岐状アルキル基である場合が好ましく、とりわけ、両方がメチル基である場合が好ましい。また、R6cとR7cとが結合して環を形成する場合に、R6cとR7cとが結合して形成する基としては、炭素数2~10のアルキレン基が好ましく、例えば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基などを挙げることができる。また、R6cとR7cとが結合して形成する環は、環内に酸素原子等のヘテロ原子を有していてもよい。Rx及びRyとしてのアルキル基及びシクロアルキル基は、R1c~R7cにおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。Rx及びRyとしての2-オキソアルキル基及び2-オキソシクロアルキル基は、R1c~R7cとしてのアルキル基及びシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。Rx及びRyとしてのアルコキシカルボニルアルキル基におけるアルコキシ基については、R1c~R5cおけると同様のアルコキシ基を挙げることができ、アルキル基については、例えば、炭素数1~12のアルキル基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖のアルキル基例えば、メチル基、エチル基を挙げることができる。Rx及びRyとしてのアリル基としては、特に制限は無いが、無置換のアリル基、又は、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素数3~10のシクロアルキル基で置換されたアリル基であることが好ましい。Rx及びRyとしてのビニル基としては特に制限は無いが、無置換のビニル基、又は、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素数3~10のシクロアルキル基で置換されたビニル基であることが好ましい。R5c及びRxが互いに結合して形成してもよい環構造としては、R5c及びRxが互いに結合して単結合又はアルキレン基メチレン基、エチレン基等を構成することにより、一般式I中の硫黄原子とカルボニル炭素原子と共に形成する5員以上の環特に好ましくは5員の環が挙げられる。Rx及びRyが互いに結合して形成してもよい環構造としては、2価のRx及びRy例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が一般式ZI-3中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環が挙げられる。Rx及びRyは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基又はシクロアルキル基である。R1c~R7c、Rx及びRyは、更に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アリールカルボニル基、アルコキシアルキル基、アリールオシキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。上記一般式ZI-3中、R1c、R2c、R4c及びR5cが、各々独立に、水素原子を表し、R3cが水素原子以外の基、すなわち、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表すことがより好ましい。本発明における化合物ZI-2又はZI-3におけるカチオンとしては、特開2010-256842号公報の段落[0130]~[0134]、及び、特開2011-76056号公報の段落[0136]~[0140]等に記載のカチオンを挙げることができる。次に、化合物ZI-4について説明する。化合物ZI-4は、下記一般式ZI-4で表される。一般式ZI-4中、R13は水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。R14は複数存在する場合は各々独立して、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。R15は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はナフチル基を表す。2個のR15が互いに結合して環を形成してもよい。これらの基は置換基を有してもよい。lは0~2の整数を表す。rは0~8の整数を表す。Z-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。一般式ZI-4において、R13、R14及びR15のアルキル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、メチル基、エチル基、n-ブチル基、t-ブチル基等が好ましい。R13、R14及びR15のシクロアルキル基としては、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素原子数3~20のシクロアルキル基が挙げられ、特にシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチルが好ましい。R13及びR14のアルコキシ基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基等が好ましい。R13及びR14のアルコキシカルボニル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数2~11のものが好ましく、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基等が好ましい。R13及びR14のシクロアルキル基を有する基としては、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素原子数3~20のシクロアルキル基が挙げられ、例えば、単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基、及び、単環若しくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基が挙げられる。これら基は、置換基を更に有していてもよい。R13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル基を有することが好ましい。総炭素数7以上の単環のシクロアルキルオキシ基とは、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロドデカニルオキシ基等のシクロアルキルオキシ基に、任意にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ドデシル基、2-エチルヘキシル基、イソプロピル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、iso-アミル基等のアルキル基、水酸基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシルオキシ基、カルボキシ基等の置換基を有する単環のシクロアルキルオキシ基であって、該シクロアルキル基上の任意の置換基と合わせた総炭素数が7以上のものを表す。また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキルオキシ基としては、ノルボルニルオキシ基、トリシクロデカニルオキシ基、テトラシクロデカニルオキシ基、アダマンチルオキシ基等が挙げられる。R13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基であることが好ましい。総炭素数7以上の、単環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基とは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプトキシ、オクチルオキシ、ドデシルオキシ、2-エチルヘキシルオキシ、イソプロポキシ、sec-ブトキシ、t-ブトキシ、iso-アミルオキシ等のアルコキシ基に上述の置換基を有していてもよい単環シクロアルキル基が置換したものであり、置換基も含めた総炭素数が7以上のものを表す。たとえば、シクロヘキシルメトキシ基、シクロペンチルエトキシ基、シクロヘキシルエトキシ基等が挙げられ、シクロヘキシルメトキシ基が好ましい。また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基としては、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基、トリシクロデカニルメトキシ基、トリシクロデカニルエトキシ基、テトラシクロデカニルメトキシ基、テトラシクロデカニルエトキシ基、アダマンチルメトキシ基、アダマンチルエトキシ基等が挙げられ、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基等が好ましい。R14のアルキルカルボニル基のアルキル基としては、上述したR13~R15としてのアルキル基と同様の具体例が挙げられる。R14のアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基としては、直鎖状、分岐状、環状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、例えば、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n-プロパンスルホニル基、n-ブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等が好ましい。上記各基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素原子数1~20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、1-メトキシエチル基、2-メトキシエチル基、1-エトキシエチル基、2-エトキシエチル基等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n-プロポキシカルボニルオキシ基、i-プロポキシカルボニルオキシ基、n-ブトキシカルボニルオキシ基、t-ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。2個のR15が互いに結合して形成してもよい環構造としては、2個のR15が一般式ZI-4中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環が挙げられ、アリール基又はシクロアルキル基と縮環していてもよい。この2価のR15は置換基を有してもよく、置換基としては、例えば、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記環構造に対する置換基は、複数個存在しても良く、また、それらが互いに結合して環芳香族若しくは非芳香族の炭化水素環、芳香族若しくは非芳香族の複素環、又はこれらの環が2つ以上組み合わされてなる多環縮合環などを形成しても良い。一般式ZI-4におけるR15としては、メチル基、エチル基、ナフチル基、2個のR15が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する2価の基等が好ましい。R13及びR14が有し得る置換基としては、水酸基、アルコキシ基、又はアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子特に、フッ素原子が好ましい。lとしては、0又は1が好ましく、1がより好ましい。rとしては、0~2が好ましい。本発明における一般式ZI-4で表される化合物のカチオンとしては、特開2010-256842号公報の段落[0121]、[0123]、[0124]、及び、特開2011-76056号公報の段落[0127]、[0129]、[0130]等に記載のカチオンを挙げることができる。次に、一般式ZII、ZIIIについて説明する。一般式ZII、ZIII中、R204~R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。R204~R207のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。R204~R207のアリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基の骨格としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等を挙げることができる。R204~R207におけるアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、炭素数3~10のシクロアルキル基シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基を挙げることができる。R204~R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。R204~R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~15、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。Z-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。酸発生剤として、更に、下記一般式ZIV、ZV、ZVIで表される化合物も挙げられる。一般式ZIV~ZVI中、Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。R208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。Ar3、Ar4、R208、R209及びR210のアリール基の具体例としては、上記一般式ZI-1におけるR201、R202及びR203としてのアリール基の具体例と同様のものを挙げることができる。R208、R209及びR210のアルキル基及びシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ、上記一般式ZI-2におけるR201、R202及びR203としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例と同様のものを挙げることができる。Aのアルキレン基としては、炭素数1~12のアルキレン例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基などを、Aのアルケニレン基としては、炭素数2~12のアルケニレン基例えば、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基などを、Aのアリーレン基としては、炭素数6~10のアリーレン基例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基などを、それぞれ挙げることができる。酸発生剤の内でより好ましくは、一般式ZI~ZIIIで表される化合物である。また、酸発生剤として、スルホン酸基又はイミド基を1つ有する酸を発生する化合物が好ましく、更に好ましくは1価のパーフルオロアルカンスルホン酸を発生する化合物、又は1価のフッ素原子若しくはフッ素原子を含有する基で置換された芳香族スルホン酸を発生する化合物、又は1価のフッ素原子若しくはフッ素原子を含有する基で置換されたイミド酸を発生する化合物であり、更により好ましくは、フッ化置換アルカンスルホン酸、フッ素置換ベンゼンスルホン酸、フッ素置換イミド酸又はフッ素置換メチド酸のスルホニウム塩である。使用可能な酸発生剤は、発生した酸のpKaが-1以下のフッ化置換アルカンスルホン酸、フッ化置換ベンゼンスルホン酸、フッ化置換イミド酸であることが特に好ましく、感度が向上する。酸発生剤の中で、特に好ましい例を以下に挙げる。酸発生剤は、公知の方法で合成することができ、例えば、特開2007-161707号公報に記載の方法に準じて合成することができる。酸発生剤は、1種類単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物の組成物I又はII中の含有量は、樹脂組成物I又はIIの全固形分を基準として、0.1~30質量が好ましく、より好ましくは0.5~25質量、更に好ましくは3~20質量、特に好ましくは3~15質量である。また、酸発生剤が上記一般式ZI-3又はZI-4により表される場合には、その含有量は、組成物I又はIIの全固形分を基準として、5~35質量が好ましく、8~30質量がより好ましく、9~30質量が更に好ましく、9~25質量が特に好ましい。[3]溶剤C本発明における樹脂組成物I又はIIを調製する際に使用することができる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン好ましくは炭素数4~10、環を有しても良いモノケトン化合物好ましくは炭素数4~10、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、ピルビン酸アルキル等の有機溶剤を挙げることができる。これらの溶剤の具体例は、米国特許出願公開2008/0187860号明細書[0441]~[0455]に記載のものを挙げることができる。本発明においては、有機溶剤として構造中に水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を使用してもよい。水酸基を含有する溶剤、水酸基を含有しない溶剤としては前述の例示化合物が適宜選択可能であるが、水酸基を含有する溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル等が好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、別名1-メトキシ-2-プロパノール、乳酸エチルがより好ましい。また、水酸基を含有しない溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルアルコキシプロピオネート、環を含有しても良いモノケトン化合物、環状ラクトン、酢酸アルキルなどが好ましく、これらの内でもプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、別名1-メトキシ-2-アセトキシプロパン、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチルが特に好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノンが最も好ましい。水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤との混合比質量は、1/99~99/1、好ましくは10/90~90/10、更に好ましくは20/80~60/40である。水酸基を含有しない溶剤を50質量以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特に好ましい。溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含むことが好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート単独溶媒又はプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する2種類以上の混合溶剤であることが好ましい。本発明において、第1の膜と第2の膜との界面でのインターミキシングの発生を抑制する観点から、第2の膜を形成する第2の樹脂組成物IIに含有させる溶剤が、水酸基以外に酸素原子を有しないアルコール、炭素数7以上のエステル、又はエーテル結合以外に酸素原子を有しないエーテルであることが好ましい態様の1つとして挙げられる。上記特定の各溶剤は適度な極性を有することにより、第2の樹脂組成物II中の各固形分を溶解させるのに対し、製膜後の第1の膜は溶解させずにインターミキシングの発生を抑制することができる。第2の膜を形成する第2の樹脂組成物IIに含有させる溶剤が、水酸基以外に酸素原子を有しないアルコール、炭素数7以上のエステル、又はエーテル結合以外に酸素原子を有しないエーテルであり、かつ第1の膜を形成する第1の樹脂組成物Iに含有される樹脂がメタアクリレート系繰り返し単位で構成された樹脂好ましくは繰り返し単位のすべてがメタアクリレート系繰り返し単位で構成された樹脂であることが特に好ましい。前記水酸基以外に酸素原子を有しないアルコールとしては、水酸基以外に酸素原子を含有しない1価のアルコールであることが好ましい。前記水酸基以外には酸素原子を含有しないアルコールの炭素数としては1~20であることが好ましく、3~15であることがより好ましく、4~12であることが更に好ましく、5~10であることが特に好ましい。具体例としては、4-メチル-2-ペンタノールなどが挙げられる。前記炭素数7以上のエステルとしては、1つのエステル結合以外に酸素原子を有さない炭素数7以上のエステルであることが好ましい。前記炭素数7以上のエステルの炭素数としては、7~20が好ましく、7~15がより好ましく、7~12が更に好ましく、7~10が特に好ましい。具体例としては、イソブチルイソブチレートなどが挙げられる。前記エーテル結合以外に酸素原子を有しないエーテルとしては、ジアルキルエーテル、アルキルアリールエーテルなどが挙げられる。前記エーテル結合以外に酸素原子を有しないエーテルの炭素数としては、3~20であることが好ましく、4~15であることがより好ましく、5~12であることが更に好ましい。具体例としてはジイソアミルエーテルなどが挙げられる。これら溶剤が第2の樹脂組成物IIに含有させる全溶剤中の30質量以上を占めることが好ましく、50質量以上を占めることがより好ましく、80質量以上を占めることが更に好ましい。[4]塩基性化合物D本発明において、発生酸の拡散性を制御する観点から第2の樹脂組成物IIが塩基性化合物Dを含有することが好ましい。また、第1の樹脂組成物Iが前述の酸発生剤を含有する場合などにおいて、第1の樹脂組成物Iが塩基性化合物Dを含有していても含有していなくてもよい。塩基性化合物としては、好ましくは、下記式A~Eで示される構造を有する化合物を挙げることができる。一般式AとEにおいて、R200、R201及びR202は、同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~20、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~20又はアリール基炭素数6~20を表し、ここで、R201とR202は、互いに結合して環を形成してもよい。R203、R204、R205及びR206は、同一でも異なってもよく、炭素数1~20個のアルキル基を表す。上記アルキル基について、置換基を有するアルキル基としては、炭素数1~20のアミノアルキル基、炭素数1~20のヒドロキシアルキル基又は炭素数1~20のシアノアルキル基が好ましい。これら一般式AとE中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。好ましい化合物として、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、ピペリジン等を挙げることができ、更に好ましい化合物として、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造又はピリジン構造を有する化合物、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体等を挙げることができる。イミダゾール構造を有する化合物としては、イミダゾール、2、4、5-トリフェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール等が挙げられる。ジアザビシクロ構造を有する化合物としては、1、4-ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン、1、5-ジアザビシクロ[4,3,0]ノナ-5-エン、1、8-ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカー7-エン等が挙げられる。オニウムヒドロキシド構造を有する化合物としては、トリアリールスルホニウムヒドロキシド、フェナシルスルホニウムヒドロキシド、2-オキソアルキル基を有するスルホニウムヒドロキシド、具体的にはトリフェニルスルホニウムヒドロキシド、トリスt-ブチルフェニルスルホニウムヒドロキシド、ビスt-ブチルフェニルヨードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェニウムヒドロキシド、2-オキソプロピルチオフェニウムヒドロキシド等が挙げられる。オニウムカルボキシレート構造を有する化合物としては、オニウムヒドロキシド構造を有する化合物のアニオン部がカルボキシレートになったものであり、例えばアセテート、アダマンタンー1-カルボキシレート、パーフロロアルキルカルボキシレート等が挙げられる。トリアルキルアミン構造を有する化合物としては、トリn-ブチルアミン、トリn-オクチルアミン等を挙げることができる。アニリン構造を有する化合物としては、2,6-ジイソプロピルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、N,N-ジブチルアニリン、N,N-ジヘキシルアニリン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリスメトキシエトキシエチルアミン等を挙げることができる。水酸基及び/又はエーテル結合を有するアニリン誘導体としては、N,N-ビスヒドロキシエチルアニリン等を挙げることができる。好ましい塩基性化合物として、更に、フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物を挙げることができる。前記フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物は、少なくとも1つのアルキル基が窒素原子に結合していることが好ましい。また、前記アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン基が形成されていることが好ましい。オキシアルキレン基の数は、分子内に1つ以上、好ましくは3~9個、更に好ましくは4~6個である。オキシアルキレン基の中でも-CH2CH2O-、-CHCH3CH2O-若しくは-CH2CH2CH2O-の構造が好ましい。前記フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物の具体例としては、米国特許出願公開2007/0224539号明細書の[0066]に例示されている化合物C1-1~C3-3が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、塩基性化合物の1種として、酸の作用により脱離する基を有する含窒素有機化合物を用いることもできる。この化合物の例として、例えば、下記一般式Fで表される化合物を挙げることができる。なお、下記一般式Fで表される化合物は、酸の作用により脱離する基が脱離することによって、系中での実効的な塩基性を発現する。一般式Fにおいて、Raは、独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、n=2のとき、2つのRaは同じでも異なっていてもよく、2つのRaは相互に結合して、2価の複素環式炭化水素基好ましくは炭素数20以下若しくはその誘導体を形成していてもよい。Rbは、独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。但し、-CRbRbRbにおいて、1つ以上のRbが水素原子のとき、残りのRbの少なくとも1つはシクロプロピル基又は1-アルコキシアルキル基である。少なくとも2つのRbは結合して脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。nは0~2の整数を表し、mは1~3の整数をそれぞれ表し、nm=3である。一般式Fにおいて、Ra及びRbが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、水酸基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい。一般式Fで表される化合物を具体的に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。一般式Fで表される化合物は、特開2009-199021号公報などに基づき合成することができる。塩基性化合物Dの分子量は、250~2000であることが好ましく、更に好ましくは400~1000である。パターン倒れのさらなる低減及びパターンの矩形性などの観点からは、塩基性化合物の分子量は、400以上であることが好ましく、500以上であることがより好ましく、600以上であることが更に好ましい。これらの塩基性化合物Dは単独であるいは2種以上一緒に用いられる。本発明における塩基性化合物の使用量は、樹脂組成物I又はIIの固形分を基準として、0.001~20質量であることが好ましく、0.01~10質量であることがより好ましい。酸発生剤と塩基性化合物の組成物中の使用割合は、酸発生剤/塩基性化合物モル比=2.5~300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのレジストパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。酸発生剤/塩基性化合物モル比は、より好ましくは5.0~200、更に好ましくは7.0~150である。また、塩基性化合物の1種として、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物以下、化合物D’ともいうを含有することが好ましい。化合物D’は、塩基性官能基又はアンモニウム基と、活性光線又は放射線の照射により酸性官能基を発生する基とを有する化合物D-1であることが好ましい。すなわち、化合物D’は、塩基性官能基と活性光線若しくは放射線の照射により酸性官能基を発生する基とを有する塩基性化合物、又は、アンモニウム基と活性光線若しくは放射線の照射により酸性官能基を発生する基とを有するアンモニウム塩化合物であることが好ましい。化合物D’又はD-1が、活性光線又は放射線の照射により分解して発生する、塩基性が低下した化合物として、下記一般式PA-I、PA-II又はPA-IIIで表される化合物を挙げることができ、LWR、局所的なパターン寸法の均一性及びDOFに関して優れた効果を高次元で両立できるという観点から、特に、一般式PA-II又はPA-IIIで表される化合物が好ましい。まず、一般式PA-Iで表される化合物について説明する。Q-A1-Xn-B-RPA-I一般式PA-I中、A1は、単結合又は2価の連結基を表す。Qは、-SO3H、又は-CO2Hを表す。Qは、活性光線又は放射線の照射により発生される酸性官能基に相当する。Xは、-SO2-又は-CO-を表す。nは、0又は1を表す。Bは、単結合、酸素原子又は-NRx-を表す。Rxは、水素原子又は1価の有機基を表す。Rは、塩基性官能基を有する1価の有機基又はアンモニウム基を有する1価の有機基を表す。A1における2価の連結基としては、好ましくは炭素数2~12の2価の連結基であり、例えば、アルキレン基、フェニレン基等が挙げられる。より好ましくは少なくとも1つのフッ素原子を有するアルキレン基であり、好ましい炭素数は2~6、より好ましくは炭素数2~4である。アルキレン鎖中に酸素原子、硫黄原子などの連結基を有していてもよい。アルキレン基は、特に水素原子の数の30~100がフッ素原子で置換されたアルキレン基が好ましく、Q部位と結合した炭素原子がフッ素原子を有することがより好ましい。更にはパーフルオロアルキレン基が好ましく、パーフロロエチレン基、パーフロロプロピレン基、パーフロロブチレン基がより好ましい。Rxにおける1価の有機基としては、好ましくは炭素数4~30であり、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。Rxにおけるアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1~20の直鎖及び分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。なお、置換基を有するアルキル基として、特に直鎖又は分岐アルキル基にシクロアルキル基が置換した基例えば、アダマンチルメチル基、アダマンチルエチル基、シクロヘキシルエチル基、カンファー残基などを挙げることができる。Rxにおけるシクロアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数3~20のシクロアルキル基であり、環内に酸素原子を有していてもよい。Rxにおけるアリール基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6~14のアリール基である。Rxにおけるアラルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数7~20のアラルキル基が挙げられる。Rxにおけるアルケニル基としては、置換基を有していてもよく、例えば、Rxとして挙げたアルキル基の任意の位置に2重結合を有する基が挙げられる。塩基性官能基の好ましい部分構造として、例えば、クラウンエーテル、一~三級アミン、含窒素複素環ピリジン、イミダゾール、ピラジンなどの構造が挙げられる。アンモニウム基の好ましい部分構造として、例えば、一~三級アンモニウム、ピリジニウム、イミダゾリニウム、ピラジニウム構造などを挙げることが出来る。なお、塩基性官能基としては、窒素原子を有する官能基が好ましく、1~3級アミノ基を有する構造、又は含窒素複素環構造がより好ましい。これら構造においては、構造中に含まれる窒素原子に隣接する原子の全てが、炭素原子又は水素原子であることが、塩基性向上の観点から好ましい。また、塩基性向上の観点では、窒素原子に対して、電子求引性の官能基カルボニル基、スルホニル基、シアノ基、ハロゲン原子などが直結していないことが好ましい。このような構造を含む一価の有機基基Rにおける一価の有機基としては、好ましい炭素数は4~30であり、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができ、各基は置換基を有していても良い。Rにおける塩基性官能基又はアンモニウム基を含むアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基に於けるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基は、それぞれ、Rxとして挙げたアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基と同様のものである。上記各基が有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~10、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシ基好ましくは炭素数1~10、アシル基好ましくは炭素数2~20、アシルオキシ基好ましくは炭素数2~10、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~20、アミノアシル基好ましくは炭素数2~20などが挙げられる。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造については、置換基としては更にアルキル基好ましくは炭素数1~20を挙げることができる。アミノアシル基については、置換基として更に1又は2のアルキル基好ましくは炭素数1~20を挙げることができる。Bが-NRx-の時、RとRxが結合して環を形成していることが好ましい。環構造を形成することによって、安定性が向上し、これを用いた組成物の保存安定性が向上する。環を形成する炭素数は4~20が好ましく、単環式でも多環式でもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を含んでいてもよい。単環式構造としては、窒素原子を含む4~8員環等を挙げることができる。多環式構造としては、2又は3以上の単環式構造の組み合わせから成る構造を挙げることができる。単環式構造、多環式構造は、置換基を有していてもよく、例えば、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~10、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシ基好ましくは炭素数1~10、アシル基好ましくは炭素数2~15、アシルオキシ基好ましくは炭素数2~15、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~15、アミノアシル基好ましくは炭素数2~20などが好ましい。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造については、置換基としては更にアルキル基好ましくは炭素数1~15を挙げることができる。アミノアシル基については、置換基として1又は2のアルキル基好ましくは炭素数1~15を挙げることができる。一般式PA-Iで表される化合物の内、Q部位がスルホン酸である化合物は、一般的なスルホンアミド化反応を用いることで合成できる。例えば、ビススルホニルハライド化合物の一方のスルホニルハライド部を選択的にアミン化合物と反応させて、スルホンアミド結合を形成した後、もう一方のスルホニルハライド部分を加水分解する方法、あるいは環状スルホン酸無水物をアミン化合物と反応させ開環させる方法により得ることができる。次に、一般式PA-IIで表される化合物について説明する。Q1-X1-NH-X2-Q2PA-II一般式PA-II中、Q1及びQ2は、各々独立に、1価の有機基を表す。但し、Q1及びQ2のいずれか一方は、塩基性官能基を有する。Q1とQ2は、結合して環を形成し、形成された環が塩基性官能基を有してもよい。X1及びX2は、各々独立に、-CO-又は-SO2-を表す。なお、-NH-は、活性光線又は放射線の照射により発生された酸性官能基に相当する。一般式PA-IIに於ける、Q1、Q2としての1価の有機基は、好ましくは炭素数1~40であり、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。Q1、Q2におけるアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1~30の直鎖及び分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。Q1、Q2におけるシクロアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数3~20のシクロアルキル基であり、環内に酸素原子、窒素原子を有していてもよい。Q1、Q2におけるアリール基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数6~14のアリール基である。Q1、Q2におけるアラルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数7~20のアラルキル基が挙げられる。Q1、Q2におけるアルケニル基としては、置換基を有していてもよく、上記アルキル基の任意の位置に2重結合を有する基が挙げられる。上記各基が有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、カルボニル基、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~10、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシ基好ましくは炭素数1~10、アシル基好ましくは炭素数2~20、アシルオキシ基好ましくは炭素数2~10、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~20、アミノアシル基好ましくは炭素数2~10などが挙げられる。アリール基、シクロアルキル基などにおける環状構造については、置換基としては更にアルキル基好ましくは炭素数1~10を挙げることができる。アミノアシル基については、置換基として更にアルキル基好ましくは炭素数1~10を挙げることができる。置換基を有するアルキル基として、例えば、パーフロロメチル基、パーフロロエチル基、パーフロロプロピル基、パーフロロブチル基などのパーフルオロアルキル基を挙げることができる。Q1、Q2の少なくともいずれかが有する塩基性官能基の好ましい部分構造としては、一般式PA-IのRが有する塩基性官能基として説明したものと同様のものが挙げられる。Q1とQ2とが、結合して環を形成し、形成された環が塩基性官能基を有する構造としては、例えば、Q1とQ2の有機基が更にアルキレン基、オキシ基、イミノ基等で結合された構造を挙げることができる。一般式PA-IIに於いて、X1及びX2の少なくとも片方が、-SO2-であることが好ましい。次に、一般式PA-IIIで表される化合物を説明する。Q1-X1-NH-X2-A2-X3m-B-Q3PA-III一般式PA-III中、Q1及びQ3は、各々独立に、1価の有機基を表す。但し、Q1及びQ3のいずれか一方は、塩基性官能基を有する。Q1とQ3は、結合して環を形成し、形成された環が塩基性官能基を有していてもよい。X1、X2及びX3は、各々独立に、-CO-又は-SO2-を表す。A2は、2価の連結基を表す。Bは、単結合、酸素原子又は-NQx-を表す。Qxは、水素原子又は1価の有機基を表す。Bが、-NQx-の時、Q3とQxが結合して環を形成してもよい。mは、0又は1を表す。なお、-NH-は、活性光線又は放射線の照射により発生された酸性官能基に相当する。Q1は、一般式PA-IIに於けるQ1と同義である。Q3の有機基としては、一般式PA-IIに於けるQ1、Q2の有機基と同様のものを挙げることができる。また、Q1とQ3とが、結合して環を形成し、形成された環が塩基性官能基を有する構造としては、例えば、Q1とQ3の有機基が更にアルキレン基、オキシ基、イミノ基等で結合された構造を挙げることができる。A2における2価の連結基としては、好ましくは炭素数1~8のフッ素原子を有する2価の連結基であり、例えば炭素数1~8のフッ素原子を有するアルキレン基、フッ素原子を有するフェニレン基等が挙げられる。より好ましくはフッ素原子を有するアルキレン基であり、好ましい炭素数は2~6、より好ましくは炭素数2~4である。アルキレン鎖中に酸素原子、硫黄原子などの連結基を有していてもよい。アルキレン基は、水素原子の数の30~100がフッ素原子で置換されたアルキレン基が好ましく、更にはパーフルオロアルキレン基が好ましく、炭素数2~4のパーフルオロアルキレン基が特に好ましい。Qxにおける1価の有機基としては、好ましくは炭素数4~30の有機基であり、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基などを挙げることができる。アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基は上記式PA-IにおけるRxと同様のものを挙げることができる。一般式PA-IIIに於いて、X1、X2、X3は、-SO2-であることが好ましい。化合物D’としては、一般式PA-I、PA-II又はPA-IIIで表される化合物のスルホニウム塩化合物、一般式PA-I、PA-II又はPA-IIIで表される化合物のヨードニウム塩化合物が好ましく、更に好ましくは下記一般式PA1又はPA2で表される化合物である。一般式PA1において、R’201、R’202及びR’203は、各々独立に、有機基を表し、具体的には、前記B成分における式ZIのR201、R202及びR203と同様である。X-は、一般式PA-Iで示される化合物の-SO3H部位若しくは-COOH部位の水素原子が脱離したスルホン酸アニオン若しくはカルボン酸アニオン、又は一般式PA-II若しくはPA-IIIで表される化合物の-NH-部位から水素原子が脱離したアニオンを表す。前記一般式PA2中、R’204及びR’205は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表し、具体的には、前記B成分における式ZIIのR204及びR205と同様である。X-は、一般式PA-Iで示される化合物の-SO3H部位若しくは-COOH部位の水素原子が脱離したスルホン酸アニオン若しくはカルボン酸アニオン、又は一般式PA-II若しくはPA-IIIで表される化合物の-NH-部位から水素原子が脱離したアニオンを表す。化合物D’は、活性光線又は放射線の照射により分解し、例えば、一般式PA-I、PA-II又はPA-IIIで表される化合物を発生する。一般式PA-Iで表される化合物は、塩基性官能基又はアンモニウム基とともにスルホン酸基又はカルボン酸基を有することにより、化合物D’に比べて塩基性が低下、消失、又は塩基性から酸性に変化した化合物である。一般式PA-II又はPA-IIIで表される化合物は、塩基性官能基とともに有機スルホニルイミノ基若しくは有機カルボニルイミノ基を有することにより、化合物D’に比べて塩基性が低下、消失、又は塩基性から酸性に変化した化合物である。本発明に於いて、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下することは、活性光線又は放射線の照射により化合物D’のプロトン活性光線又は放射線の照射により発生された酸に対するアクセプター性が低下することを意味する。アクセプター性が低下するとは、塩基性官能基を有する化合物とプロトンとからプロトン付加体である非共有結合錯体が生成する平衡反応が起こる時、あるいは、アンモニウム基を有する化合物の対カチオンがプロトンに交換される平衡反応が起こる時、その化学平衡に於ける平衡定数が減少することを意味する。このように、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する化合物D’がレジスト膜に含有されていることにより、未露光部においては、化合物D’のアクセプター性が十分に発現されて、露光部等から拡散した酸と樹脂A-1又はA-2との意図しない反応を抑制することができるとともに、露光部においては、化合物D’のアクセプター性が低下するので、酸と樹脂A-1又はA-2との意図する反応がより確実に起こり、このような作用機構の寄与もあって、線幅バラツキLWR、局所的なパターン寸法の均一性、フォーカス余裕度DOF及びパターン形状に優れるパターンが得られるものと推測される。なお、塩基性は、pH測定を行うことによって確認することができるし、市販のソフトウェアによって計算値を算出することも可能である。以下、活性光線又は放射線の照射により一般式PA-Iで表される化合物を発生する化合物D’の具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。これらの化合物の合成は、一般式PA-Iで表される化合物又はそのリチウム、ナトリウム、カリウム塩と、ヨードニウム又はスルホニウムの水酸化物、臭化物、塩化物等から、特表平11-501909号公報又は特開2003-246786号公報に記載されている塩交換法を用いて容易に合成できる。また、特開平7-333851号公報に記載の合成方法に準ずることもできる。以下、活性光線又は放射線の照射により一般式PA-II又はPA-IIIで表される化合物を発生する化合物D’の具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。これらの化合物は、一般的なスルホン酸エステル化反応あるいはスルホンアミド化反応を用いることで容易に合成できる。例えば、ビススルホニルハライド化合物の一方のスルホニルハライド部を選択的に一般式PA-II又はPA-IIIで表される部分構造を含むアミン、アルコールなどと反応させて、スルホンアミド結合、スルホン酸エステル結合を形成した後、もう一方のスルホニルハライド部分を加水分解する方法、あるいは環状スルホン酸無水物を一般式PA-IIで表される部分構造を含むアミン、アルコールにより開環させる方法により得ることができる。一般式PA-II又はPA-IIIで表される部分構造を含むアミン、アルコールは、アミン、アルコールを塩基性下にてR’O2C2OやR’SO22O等の無水物、R’O2CClやR’SO2Cl等の酸クロリド化合物と反応させることにより合成できるR’は、メチル基、n-オクチル基、トリフルオロメチル基等。化合物D’の合成は、特に、特開2006-330098号公報及び特開2011-100105号公報の合成例などに準ずることができる。化合物D’の分子量は、500~1000であることが好ましい。本発明における化合物D’の含有量は、組成物I又はIIの固形分を基準として、0.1~20質量が好ましく、より好ましくは0.1~10質量である。[5]芳香族化合物本発明のパターン形成方法においては、露光光を確実に吸収し、基板からの露光光の反射による定在波の影響や、段差基板における段差部分による露光光の乱反射を確実に低減する観点から、第1の樹脂組成物Iが、芳香族化合物を更に含有していてもよい。第1の樹脂組成物Iが、芳香族化合物を更に含有する場合における芳香族化合物について以下に説明する。芳香族化合物は、樹脂A-1とは異なる化合物であり、樹脂であっても、低分子化合物であっても良いが、低分子化合物であることが好ましい。芳香族化合物が樹脂である場合、その樹脂は、芳香環を有する繰り返し単位を含有する樹脂であることが好ましく、芳香環を有する繰り返し単位の説明は、前記樹脂A-1におけるものと同様である。また、芳香族化合物が樹脂である場合の当該樹脂は、酸分解性基を有さない。芳香族化合物が低分子化合物である場合、芳香族化合物の分子量は、2000以下であることが好ましく、1500以下であることがより好ましく、900以下であることが更に好ましい。ここで、本発明における低分子化合物とは、不飽和結合を持った化合物いわゆる重合性モノマーを、開始剤を使用しつつその不飽和結合を開裂させ、連鎖的に結合を成長させることによって得られる、いわゆるポリマーやオリゴマーではなく、一定の分子量を有する化合物実質的に分子量分布を有さない化合物である。なお、分子量は、通常、100以上である。芳香族化合物は、芳香環を有していれば特に限定されないが、下記一般式A1~A3で表される化合物であることが好ましい。上記一般式A1、A2及びA3において、R11、R12、R13及びR14は、各々独立して、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、又は、ラクトニルオキシカルボニル基を表す。a1は、0~2の整数を表す。a2は、0~2の整数を表す。n1は、0~10の整数を表す。n2は、0~8の整数を表す。n3は、6-n5で表される整数を表す。n4は、0~5の整数を表す。n5は、1~6の整数を表す。n1が2以上の整数の場合、複数のR11は、互いに同一であっても、異なっていても良く、また、互いに結合して環を形成しても良い。n2が2以上の整数の場合、複数のR12は、互いに同一であっても、異なっていても良い、また、互いに結合して環を形成しても良い。n3が2以上の整数の場合、複数のR13は、互いに同一であっても、異なっていても良い、また、互いに結合して環を形成しても良い。n4又はn5が2以上の整数の場合、複数のR14は、互いに同一であっても、異なっていても良い、また、互いに結合して環を形成しても良い。R11、R12、R13及びR14のアルキル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、メチル基、エチル基、n-ブチル基、t-ブチル基等が好ましい。R11、R12、R13及びR14のアルコキシ基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基等が好ましい。R11、R12、R13及びR14のアルコキシカルボニル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数2~11のものが好ましく、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基等が好ましい。R11、R12、R13及びR14のアルキルカルボニル基のアルキル基としては、上述したR11、R12、R13及びR14としてのアルキル基と同様の具体例が挙げられる。R11、R12、R13及びR14のラクトニルオキシカルボニル基のラクトニル基としては、5~7員環のラクトニル基であることが好ましく、5又は6員環のラクトニル基であることがより好ましい。複数のR11が互いに結合して形成する環、複数のR12が互いに結合して形成する環、複数のR13が互いに結合して形成する環、及び、複数のR14が互いに結合して形成する環は、各々、5又は6員環であることが好ましい。R11、R12、R13及びR14としての各基、複数のR11が互いに結合して形成する環、複数のR12が互いに結合して形成する環、複数のR13が互いに結合して形成する環、及び、複数のR14が互いに結合して形成する環は、更に、置換基を有してもよく、そのような置換基としては、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素原子数1~20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、1-メトキシエチル基、2-メトキシエチル基、1-エトキシエチル基、2-エトキシエチル基等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n-プロポキシカルボニルオキシ基、i-プロポキシカルボニルオキシ基、n-ブトキシカルボニルオキシ基、t-ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。n1は、0~5の整数であることが好ましく、0~3の整数であることがより好ましく、0又は1であることが好ましい。n2は、0~5の整数であることが好ましく、0~3の整数であることがより好ましく、0又は1であることが好ましい。n3は、0~3の整数であることがより好ましく、0又は1であることが好ましい。n4は、0~3の整数であることがより好ましく、0又は1であることが好ましい。n5は、1~3の整数であることがより好ましく、1又は2であることが好ましい。特に、露光がKrFエキシマレーザーによる露光である場合、芳香族化合物は多環芳香族化合物であることが好ましい。これにより、多環芳香族化合物が、露光光を確実に吸収できるため、基板からの露光光の反射による定在波の影響や、段差基板における段差部分による露光光の乱反射を確実に低減でき、パターンの断面形状を優れたものすることができる。多環芳香族化合物における多環芳香環構造としては、ビフェニル環などの複数のベンゼン環が単結合を介して結合してなる構造や、ナフタレン環やアントラセン環などの多環式縮合芳香族構造を挙げることができる。よって、露光がKrFエキシマレーザーによる露光である場合、上記一般式A1又はA2におけるa1は1又は2であることが好ましく、a2は1又は2であることが好ましい。第1の樹脂組成物Iが、芳香族化合物を更に含有する場合、第1の樹脂組成物Iの全固形分に対する芳香族化合物の含有量は、0.1~0.4質量であることが好ましく、0.15質量~0.3質量であることがより好ましい。芳香族化合物は、市販品を入手しても、常法により合成しても良い。芳香族化合物の具体例を以下に示すが、本発明は、これらに限定されるものではない。[6]疎水性樹脂E本発明における樹脂組成物I又はIIとりわけ樹脂組成物IIは、特に液浸露光に適用する際、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂以下、疎水性樹脂E又は単に樹脂Eともいうを含有してもよい。これにより、膜表層に疎水性樹脂Eが偏在化し、液浸媒体が水の場合、水に対するレジスト膜表面の静的/動的な接触角を向上させ、液浸液追随性を向上させることができる。疎水性樹脂Eは前述のように界面に偏在するように設計されることが好ましいが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。疎水性樹脂Eは、典型的には、フッ素原子及び/又は珪素原子を含んでいる。疎水性樹脂Eに於けるフッ素原子及び/又は珪素原子は、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。疎水性樹脂Eがフッ素原子を含んでいる場合、フッ素原子を有する部分構造として、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基を有する樹脂であることが好ましい。フッ素原子を有するアルキル基好ましくは炭素数1~10、より好ましくは炭素数1~4は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐アルキル基であり、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基であり、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのアリール基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、及びフッ素原子を有するアリール基として、好ましくは、下記一般式F2~F4で表される基を挙げることができるが、本発明は、これに限定されるものではない。一般式F2~F4中、R57~R68は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基直鎖若しくは分岐を表す。但し、R57~R61少なくとも1つ、R62~R64の少なくとも1つ、及びR65~R68の少なくとも1つは、それぞれ独立に、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基好ましくは炭素数1~4を表す。R57~R61及びR65~R67は、全てがフッ素原子であることが好ましい。R62、R63及びR68は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基好ましくは炭素数1~4が好ましく、炭素数1~4のパーフルオロアルキル基であることが更に好ましい。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。一般式F2で表される基の具体例としては、例えば、p-フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、3,5-ジトリフルオロメチルフェニル基等が挙げられる。一般式F3で表される基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、ノナフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロヘキシル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロトリメチルヘキシル基、2,2,3,3-テトラフルオロシクロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基などが挙げられる。ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基が好ましく、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基が更に好ましい。一般式F4で表される基の具体例としては、例えば、-CCF32OH、-CC2F52OH、-CCF3CH3OH、-CHCF3OH等が挙げられ、-CCF32OHが好ましい。フッ素原子を含む部分構造は、主鎖に直接結合しても良く、更に、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合及びウレイレン結合よりなる群から選択される基、或いはこれらの2つ以上を組み合わせた基を介して主鎖に結合しても良い。フッ素原子を有する好適な繰り返し単位としては、以下に示すものが挙げられる。式中、R10及びR11は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。W3~W6は、各々独立に、少なくとも1つ以上のフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記F2~F4の原子団が挙げられる。また、疎水性樹脂Eは、これら以外にも、フッ素原子を有する繰り返し単位として下記に示すような単位を有していてもよい。式中、R4~R7は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。ただし、R4~R7の少なくとも1つはフッ素原子を表す。R4とR5若しくはR6とR7は環を形成していてもよい。W2は、少なくとも1つのフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記F2~F4の原子団が挙げられる。L2は、単結合、或いは2価の連結基を示す。2価の連結基としては、置換又は無置換のアリーレン基、置換又は無置換のアルキレン基、置換又は無置換のシクロアルキレン基、-O-、-SO2-、-CO-、-NR-式中、Rは水素原子又はアルキルを表す、-NHSO2-又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を示す。Qは脂環式構造を表す。脂環式構造は置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよく、多環型の場合は有橋式であってもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、ジシクロペンチル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。Qとして特に好ましくはノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。以下、フッ素原子を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、X1は、水素原子、-CH3、-F又は-CF3を表す。X2は、-F又は-CF3を表す。疎水性樹脂Eは、珪素原子を含有してもよい。珪素原子を有する部分構造として、アルキルシリル構造好ましくはトリアルキルシリル基、又は環状シロキサン構造を有する樹脂であることが好ましい。アルキルシリル構造、又は環状シロキサン構造としては、具体的には、下記一般式CS-1~CS-3で表される基などが挙げられる。一般式CS-1~CS-3に於いて、R12~R26は、各々独立に、直鎖若しくは分岐アルキル基好ましくは炭素数1~20又はシクロアルキル基好ましくは炭素数3~20を表す。L3~L5は、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、及びウレア結合よりなる群から選択される単独或いは2つ以上の組み合わせ好ましくは総炭素数12以下が挙げられる。nは、1~5の整数を表す。nは、好ましくは、2~4の整数である。以下、一般式CS-1~CS-3で表される基を有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、具体例中、X1は、水素原子、-CH3、-F又は-CF3を表す。更に、疎水性樹脂Eは、下記x~zの群から選ばれる基を少なくとも1つを有していてもよい。x酸基yラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基、z酸の作用により分解する基酸基xとしては、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基等が挙げられる。好ましい酸基としては、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール、スルホンイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基が挙げられる。酸基xを有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に、直接、酸基が結合している繰り返し単位、或いは、連結基を介して樹脂の主鎖に酸基が結合している繰り返し単位などが挙げられ、更には酸基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入することもでき、いずれの場合も好ましい。酸基xを有する繰り返し単位が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有していても良い。酸基xを有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂E中の全繰り返し単位に対し、1~50モルが好ましく、より好ましくは3~35モル、更に好ましくは5~20モルである。酸基xを有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。式中、Rxは水素原子、CH3、CF3、又は、CH2OHを表す。ラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基yとしては、ラクトン構造を有する基が特に好ましい。これらの基を含んだ繰り返し単位は、例えば、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルによる繰り返し単位等の、樹脂の主鎖に直接この基が結合している繰り返し単位である。或いは、この繰り返し単位は、この基が連結基を介して樹脂の主鎖に結合している繰り返し単位であってもよい。或いは、この繰り返し単位は、この基を有する重合開始剤又は連鎖移動剤を重合時に用いて、樹脂の末端に導入されていてもよい。ラクトン構造を有する基を有する繰り返し単位としては、例えば、先に樹脂A-1又はA-2の項で説明したラクトン構造を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。ラクトン構造を有する基、酸無水物基、又は酸イミド基を有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、1~100モルであることが好ましく、3~98モルであることがより好ましく、5~95モルであることが更に好ましい。疎水性樹脂Eに於ける、酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位は、樹脂A-1又はA-2で挙げた酸分解性基を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有していても良い。疎水性樹脂Eに於ける、酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位の含有量は、樹脂E中の全繰り返し単位に対し、1~80モルが好ましく、より好ましくは10~80モル、更に好ましくは20~60モルである。疎水性樹脂Eは、更に、下記一般式IIIで表される繰り返し単位を有していてもよい。一般式IIIに於いて、Rc31は、水素原子、アルキル基フッ素原子等で置換されていても良い、シアノ基又は-CH2-O-Rac2基を表す。式中、Rac2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Rc31は、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。Rc32は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基又はアリール基を有する基を表す。これら基はフッ素原子、珪素原子を含む基で置換されていても良い。Lc3は、単結合又は2価の連結基を表す。一般式IIIに於ける、Rc32のアルキル基は、炭素数3~20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。シクロアルキル基は、炭素数3~20のシクロアルキル基が好ましい。アルケニル基は、炭素数3~20のアルケニル基が好ましい。シクロアルケニル基は、炭素数3~20のシクロアルケニル基が好ましい。アリール基は、炭素数6~20のアリール基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がより好ましく、これらは置換基を有していてもよい。Rc32は無置換のアルキル基又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。Lc3の2価の連結基は、アルキレン基好ましくは炭素数1~5、エーテル結合、フェニレン基、エステル結合-COO-で表される基が好ましい。一般式IIIにより表される繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、1~100モルであることが好ましく、10~90モルであることがより好ましく、30~70モルであることが更に好ましい。疎水性樹脂Eは、更に、下記一般式CII-ABで表される繰り返し単位を有することも好ましい。式CII-AB中、Rc11’及びRc12’は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。Zc’は、結合した2つの炭素原子C-Cを含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。一般式CII-ABにより表される繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位を基準として、1~100モルであることが好ましく、10~90モルであることがより好ましく、30~70モルであることが更に好ましい。以下に一般式III、CII-ABで表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、CF3又はCNを表す。疎水性樹脂Eがフッ素原子を有する場合、フッ素原子の含有量は、疎水性樹脂Eの重量平均分子量に対し、5~80質量であることが好ましく、10~80質量であることがより好ましい。また、フッ素原子を含む繰り返し単位は、疎水性樹脂Eに含まれる全繰り返し単位中10~100モルであることが好ましく、30~100モルであることがより好ましい。疎水性樹脂Eが珪素原子を有する場合、珪素原子の含有量は、疎水性樹脂Eの重量平均分子量に対し、2~50質量であることが好ましく、2~30質量であることがより好ましい。また、珪素原子を含む繰り返し単位は、疎水性樹脂Eに含まれる全繰り返し単位中、10~100モルであることが好ましく、20~100モルであることがより好ましい。疎水性樹脂Eの標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは1,000~100,000で、より好ましくは1,000~50,000、更により好ましくは2,000~15,000である。また、疎水性樹脂Eは、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。樹脂組成物I又はIIが疎水性樹脂Eを含む場合、各組成物中の疎水性樹脂Eの含有量は、本発明の組成物中の全固形分に対し、0.01~20質量が好ましく、0.05~10質量がより好ましく、0.1~8質量が更に好ましく、0.1~5質量がとりわけ好ましい。疎水性樹脂Eは、樹脂A-1又はA-2同様、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、残留単量体やオリゴマー成分が0.01~5質量であることが好ましく、より好ましくは0.01~3質量、0.05~1質量が更により好ましい。それにより、液中異物や感度等の経時変化のない樹脂組成物が得られる。また、解像度、レジスト形状、レジストパターンの側壁、ラフネスなどの点から、分子量分布Mw/Mn、分散度ともいうは、1~5の範囲が好ましく、より好ましくは1~3、更に好ましくは1~2の範囲である。疎水性樹脂Eは、各種市販品を利用することもできるし、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒、重合開始剤、反応条件温度、濃度等、及び、反応後の精製方法は、樹脂A-1又はA-2で説明した内容と同様であるが、疎水性樹脂Eの合成においては、反応の濃度が30~50質量であることが好ましい。以下に疎水性樹脂Eの具体例を示す。また、下記表に、各樹脂における繰り返し単位のモル比各繰り返し単位と左から順に対応、重量平均分子量、分散度を示す。[7]界面活性剤F本発明における樹脂組成物I又はIIは、更に界面活性剤を含有してもしなくても良く、含有する場合、フッ素及び/又はシリコン系界面活性剤フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を有する界面活性剤のいずれか、あるいは2種以上を含有することがより好ましい。本発明における樹脂組成物I又はIIが界面活性剤を含有することにより、250nm以下、特に220nm以下の露光光源の使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないレジストパターンを与えることが可能となる。フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤として、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0276]に記載の界面活性剤が挙げられ、例えばエフトップEF301、EF303、新秋田化成株製、フロラードFC430、431、4430住友スリーエム株製、メガファックF171、F173、F176、F189、F113、F110、F177、F120、R08大日本インキ化学工業株製、サーフロンS-382、SC101、102、103、104、105、106、KH-20旭硝子株製、トロイゾルS-366トロイケミカル株製、GF-300、GF-150東亜合成化学株製、サーフロンS-393セイミケミカル株製、エフトップEF121、EF122A、EF122B、RF122C、EF125M、EF135M、EF351、EF352、EF801、EF802、EF601株ジェムコ製、PF636、PF656、PF6320、PF6520OMNOVA社製、FTX-204G、208G、218G、230G、204D、208D、212D、218D、222D株ネオス製等である。またポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製もシリコン系界面活性剤として用いることができる。また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法テロマー法ともいわれる若しくはオリゴメリゼーション法オリゴマー法ともいわれるにより製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開2002-90991号公報に記載された方法によって合成することが出来る。上記に該当する界面活性剤として、メガファックF178、F-470、F-473、F-475、F-476、F-472大日本インキ化学工業株製、C6F13基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシアルキレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体、C3F7基を有するアクリレート又はメタクリレートとポリオキシエチレンアクリレート又はメタクリレートとポリオキシプロピレンアクリレート又はメタクリレートとの共重合体等を挙げることができる。また、本発明では、米国特許出願公開第2008/0248425号明細書の[0280]に記載の、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また、いくつかの組み合わせで使用してもよい。本発明における樹脂組成物I又はIIは界面活性剤を含有しても含有していなくてもよいが、樹脂組成物I又はIIが界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の使用量は、樹脂組成物I又はIIの全量溶剤を除くに対して、好ましくは0.0001~2質量、より好ましくは0.0005~1質量である。[8]その他添加剤G本発明における樹脂組成物I又はIIは、カルボン酸オニウム塩を含有してもしなくても良い。このようなカルボン酸オニウム塩は、米国特許出願公開2008/0187860号明細書[0605]~[0606]に記載のものを挙げることができる。これらのカルボン酸オニウム塩は、スルホニウムヒドロキシド、ヨードニウムヒドロキシド、アンモニウムヒドロキシドとカルボン酸を適当な溶剤中酸化銀と反応させることによって合成できる。樹脂組成物I又はIIがカルボン酸オニウム塩を含有する場合、その含有量は、組成物I又はIIの全固形分に対し、一般的には0.1~20質量、好ましくは0.5~10質量、更に好ましくは1~7質量である。本発明の樹脂組成物I又はIIには、必要に応じて更に染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、アルカリ可溶性樹脂、溶解阻止剤及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物例えば、分子量1000以下のフェノール化合物、カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物等を含有させることができる。このような分子量1000以下のフェノール化合物は、例えば、特開平4-122938号、特開平2-28531号、米国特許第4,916,210、欧州特許第219294等に記載の方法を参考にして、当業者において容易に合成することができる。カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物の具体例としてはコール酸、デオキシコール酸、リトコール酸などのステロイド構造を有するカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。本発明における樹脂組成物I、IIの固形分濃度は、それぞれ、通常1.0~15質量であり、好ましくは、1.5~13質量、更に好ましくは2.0~12質量である。固形分濃度を前記範囲とすることで、レジスト溶液を基板上に均一に塗布することができ、更には高解像性及び矩形なプロファイルを有し、かつエッチング耐性に優れたレジストパターンを形成することが可能になる。その理由は明らかではないが、恐らく、固形分濃度を10質量以下、好ましくは5.7質量以下とすることで、レジスト溶液中での素材、特には光酸発生剤の凝集が抑制され、その結果として、均一なレジスト膜が形成できたものと考えられる。固形分濃度とは、樹脂組成物の総重量に対する、溶剤を除く他のレジスト成分の重量の重量百分率である。本発明における樹脂組成物I、IIは、上記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは前記混合溶剤に溶解し、フィルター濾過した後、所定の支持体基板上に塗布して用いる。フィルター濾過に用いるフィルターのポアサイズは0.1μm以下、より好ましくは0.05μm以下、更に好ましくは0.03μm以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。フィルター濾過においては、例えば特開2002-62667号公報のように、循環的な濾過を行ったり、複数種類のフィルターを直列又は並列に接続して濾過を行ったりしてもよい。また、組成物を複数回濾過してもよい。更に、フィルター濾過の前後で、組成物に対して脱気処理などを行ってもよい。[9]パターン形成方法本発明のパターン形成方法ネガ型パターン形成方法については、前述の通りである。本発明のパターン形成方法は、ウ露光工程を、複数回有することができる。上記工程ウにおける露光が、液浸露光であってもよい。本発明のパターン形成方法に於いて、樹脂組成物I、IIによる膜を基板上に形成する工程、積層膜を露光する工程、及び現像工程は、一般的に知られている方法により行うことができる。本発明のパターン形成方法は、加熱工程を、複数回有することができる。本発明において、前記露光工程ウの前、前記露光工程ウ後であって、前記現像工程エの前の少なくとも一方に加熱工程を更に含むことが好ましい。第1の膜の製膜工程ア後、第2の膜の製膜工程イの前に、前加熱工程PB;Prebakeを含むことがより好ましい。第2の膜の製膜後、露光工程ウの前に、前加熱工程PB;Prebakeを含むことも好ましい。また、露光工程ウの後かつ現像工程エの前に、露光後加熱工程PEB;PostExposureBakeを含むことも好ましい。加熱温度はPB、PEB共に70~150°Cで行うことが好ましく、80~140°Cで行うことがより好ましい。加熱時間は30~300秒が好ましく、30~180秒がより好ましく、30~90秒が更に好ましい。加熱は通常の露光現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行っても良い。ベークにより露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。本発明における露光装置に用いられる光源波長に制限は無いが、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、極紫外光、X線、電子線等を挙げることができ、好ましくは250nm以下、より好ましくは220nm以下、特に好ましくは1~200nmの波長の遠紫外光、具体的には、KrFエキシマレーザー248nm、ArFエキシマレーザー193nm、F2エキシマレーザー157nm、X線、EUV13nm、電子線等であり、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EUV又は電子線が好ましく、KrFエキシマレーザー又はArFエキシマレーザーであることがより好ましい。本発明において膜を形成する基板は特に限定されるものではなく、シリコン、SiN、SiO2やSiN等の無機基板、SOG等の塗布系無機基板等、IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造工程、更にはその他のフォトファブリケーションのリソグラフィー工程で一般的に用いられる基板を用いることができる。更に、必要に応じて有機反射防止膜を膜と基板の間に形成させても良い。本発明のパターン形成方法は、例えば、イオンインプランテーション用途などの微細加工においては、基板として、段差基板を用いることができる。段差基板とは、基板上に少なくとも一つの段差形状が形成された基板である。上述のように、段差基板を用いるような微細加工においては、有機溶剤現像によるネガ型のパターン形成方法が好適である一方、パターン倒れが生じ易いが、本発明のパターン形成方法によれば、パターン倒れを抑制し矩形のパターンが得られる。前述の段差基板上に形成する積層膜の膜厚とは、段差基板上の底面から形成される積層膜の上面までの高さを意味する。段差基板の底面から前記段差形状の上面までの高さは、前記積層膜の膜厚より小さいことが好ましく、例えば、200nm未満であることが挙げられる。例えば、イオンインプランテーション用途などの微細加工の場合には、段差基板として、平面な基板上にフィンやゲートがパターニングされた基板が使用できる。このようにフィンやゲートがパターニングされた段差基板上に、樹脂組成物I及びIIを塗布し、形成された積層膜の膜厚とは、フィンやゲートの上面から形成される積層膜の上面までの高さではなく、上記のように段差基板上の底面から形成される積層膜の上面までの高さを意味する。フィン及びゲートのサイズ幅、長さ、高さなど、間隔、構造、構成などは、例えば電子情報通信学会誌Vol.91,No.1,200825~29頁最先端FinFETプロセス集積化技術や、Jpn.J.Appl.Phys.Vol.422003pp.4142-4146Part1,No.6B,June2003Fin-TypeDouble-GateMetal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistorsFabricatedbyOrientation-DependentEtchingandElectronBeamLithographyに記載のものを適宜適用できる。本発明のパターン形成方法が、有機溶剤を含有する現像液を用いて現像する工程における当該現像液以下、有機系現像液とも言うとしては、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤及び炭化水素系溶剤を用いることができる。ケトン系溶剤としては、例えば、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、アセトン、2-ヘプタノンメチルアミルケトン、4-ヘプタノン、1-ヘキサノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート等を挙げることができる。エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等を挙げることができる。アルコール系溶剤としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、n-デカノール等のアルコールや、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤等を挙げることができる。エーテル系溶剤としては、例えば、上記グリコールエーテル系溶剤の他、ジオキサン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。アミド系溶剤としては、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン等が使用できる。炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。上記の溶剤は、複数混合してもよいし、上記以外の溶剤や水と混合し使用してもよい。但し、本発明の効果を十二分に奏するためには、現像液全体としての含水率が10質量未満であることが好ましく、実質的に水分を含有しないことがより好ましい。すなわち、有機系現像液に対する有機溶剤の使用量は、現像液の全量に対して、90質量以上100質量以下であることが好ましく、95質量以上100質量以下であることが好ましい。特に、有機系現像液は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有する現像液であるのが好ましい。有機系現像液の蒸気圧は、20°Cに於いて、5kPa以下が好ましく、3kPa以下が更に好ましく、2kPa以下が特に好ましい。有機系現像液の蒸気圧を5kPa以下にすることにより、現像液の基板上あるいは現像カップ内での蒸発が抑制され、ウェハ面内の温度均一性が向上し、結果としてウェハ面内の寸法均一性が良化する。5kPa以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、2-ヘプタノンメチルアミルケトン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤、酢酸ブチル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のエステル系溶剤、n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、n-デカノール等のアルコール系溶剤、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。特に好ましい範囲である2kPa以下の蒸気圧を有する具体的な例としては、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、4-ヘプタノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン等のケトン系溶剤、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネート、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル等のエステル系溶剤、n-ブチルアルコール、sec-ブチルアルコール、tert-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n-ヘキシルアルコール、n-ヘプチルアルコール、n-オクチルアルコール、n-デカノール等のアルコール系溶剤、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤や、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール等のグリコールエーテル系溶剤、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミドのアミド系溶剤、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。有機系現像液には、必要に応じて界面活性剤を適当量添加することができる。界面活性剤としては特に限定されないが、例えば、イオン性や非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。これらのフッ素及び/又はシリコン系界面活性剤として、例えば特開昭62-36663号公報、特開昭61-226746号公報、特開昭61-226745号公報、特開昭62-170950号公報、特開昭63-34540号公報、特開平7-230165号公報、特開平8-62834号公報、特開平9-54432号公報、特開平9-5988号公報、米国特許第5405720号明細書、同5360692号明細書、同5529881号明細書、同5296330号明細書、同5436098号明細書、同5576143号明細書、同5294511号明細書、同5824451号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、好ましくは、非イオン性の界面活性剤である。非イオン性の界面活性剤としては特に限定されないが、フッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を用いることが更に好ましい。界面活性剤の使用量は現像液の全量に対して、通常0.001~5質量、好ましくは0.005~2質量、更に好ましくは0.01~0.5質量である。現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法パドル法、基板表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法ダイナミックディスペンス法などを適用することができる。上記各種の現像方法が、現像装置の現像ノズルから現像液をレジスト膜に向けて吐出する工程を含む場合、吐出される現像液の吐出圧吐出される現像液の単位面積あたりの流速は好ましくは2mL/sec/mm2以下、より好ましくは1.5mL/sec/mm2以下、更に好ましくは1mL/sec/mm2以下である。流速の下限は特に無いが、スループットを考慮すると0.2mL/sec/mm2以上が好ましい。吐出される現像液の吐出圧を上記の範囲とすることにより、現像後のレジスト残渣に由来するパターンの欠陥を著しく低減することができる。このメカニズムの詳細は定かではないが、恐らくは、吐出圧を上記範囲とすることで、現像液がレジスト膜に与える圧力が小さくなり、レジスト膜レジストパターンが不用意に削られたり崩れたりすることが抑制されるためと考えられる。なお、現像液の吐出圧mL/sec/mm2は、現像装置中の現像ノズル出口における値である。現像液の吐出圧を調整する方法としては、例えば、ポンプなどで吐出圧を調整する方法や、加圧タンクからの供給で圧力を調整することで変える方法などを挙げることができる。また、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後に、他の溶媒に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後には、リンス液を用いて洗浄する工程を含むことが好ましい。有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後のリンス工程に用いるリンス液としては、レジストパターンを溶解しなければ特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができる。前記リンス液としては、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤の具体例としては、有機溶剤を含む現像液において説明したものと同様のものを挙げることができる。有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後に、より好ましくは、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行い、更に好ましくは、アルコール系溶剤又はエステル系溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行い、特に好ましくは、1価アルコールを含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行い、最も好ましくは、炭素数5以上の1価アルコールを含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行う。ここで、リンス工程で用いられる1価アルコールとしては、直鎖状、分岐状、環状の1価アルコールが挙げられ、具体的には、1-ブタノール、2-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、tert―ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、1-ヘキサノール、4-メチル-2-ペンタノール、1-ヘプタノール、1-オクタノール、2-ヘキサノール、シクロペンタノール、2-ヘプタノール、2-オクタノール、3-ヘキサノール、3-ヘプタノール、3-オクタノール、4-オクタノールなどを用いることができ、特に好ましい炭素数5以上の1価アルコールとしては、1-ヘキサノール、2-ヘキサノール、4-メチル-2-ペンタノール、1-ペンタノール、3-メチル-1-ブタノールなどを用いることができる。前記各成分は、複数混合してもよいし、上記以外の有機溶剤と混合し使用してもよい。リンス液中の含水率は、10質量以下が好ましく、より好ましくは5質量以下、特に好ましくは3質量以下である。含水率を10質量以下にすることで、良好な現像特性を得ることができる。有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後に用いるリンス液の蒸気圧は、20°Cに於いて0.05kPa以上、5kPa以下が好ましく、0.1kPa以上、5kPa以下が更に好ましく、0.12kPa以上、3kPa以下が最も好ましい。リンス液の蒸気圧を0.05kPa以上、5kPa以下にすることにより、ウェハ面内の温度均一性が向上し、更にはリンス液の浸透に起因した膨潤が抑制され、ウェハ面内の寸法均一性が良化する。リンス液には、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。リンス工程においては、有機溶剤を含む現像液を用いる現像を行ったウェハを前記の有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法回転塗布法、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法ディップ法、基板表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法、などを適用することができ、この中でも回転塗布方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を2000rpm~4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。また、リンス工程の後に加熱工程PostBakeを含むことも好ましい。ベークによりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。リンス工程の後の加熱工程は、通常40~160°C、好ましくは70~95°Cで、通常10秒~3分、好ましくは30秒から90秒間行う。本発明のパターン形成方法が、アルカリ現像液を用いて現像する工程を更に有する場合、アルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n-プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ-n-ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用することができる。更に、上記アルカリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1~20質量である。アルカリ現像液のpHは、通常10.0~15.0である。特に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの2.38質量の水溶液が望ましい。アルカリ現像の後に行うリンス処理におけるリンス液としては、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。また、現像処理又はリンス処理の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を超臨界流体により除去する処理を行うことができる。また、本発明は、上記した本発明のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法、及び、この製造方法により製造された電子デバイスにも関する。本発明の電子デバイスは、電気電子機器家電、OAメディア関連機器、光学用機器及び通信機器等に、好適に、搭載されるものである。以下、本発明を実施例によって更に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。合成例1樹脂pol-1の合成窒素気流下、シクロヘキサノン61.2質量部を3つ口フラスコに入れ、これを80°Cに加熱した。次に、下記unit-1に対応するモノマー15.0質量部、下記unit-5に対応するモノマー3.54質量部及び下記unit-28に対応するモノマー12.3質量部、2,2’-アゾビスイソ酪酸ジメチルV601、和光純薬工業株製を、1.38質量部、シクロヘキサノン113.6質量部の混合溶液を、上記フラスコに中に4時間かけて滴下した。滴下終了後、更に80°Cで2時間反応させた。反応液を放冷後、多量のヘプタン/酢酸エチル質量比で8/2で再沈殿、ろ過し、得られた固体を真空乾燥することにより、樹脂pol-127.4質量部を得た。得られた樹脂pol-1の重量平均分子量は12000であり、分散度Mw/Mnは1.6であり、13C-NMRにより測定した組成比は45/10/45であった。合成例1と同様の操作を行い、樹脂pol-2~pol-27を合成した。下記表3-1、3-2及び4に、樹脂pol-1~pol-27について、繰り返し単位ユニット、組成比モル比、重量平均分子量Mw、分散度を示す。組成比は、各繰り返し単位の左から順に対応する。樹脂組成物の調製下記表5及び6に示す成分を溶剤に溶解させ、それぞれについてのレジスト溶液を調製し、これを0.03μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターで濾過して樹脂組成物レジスト組成物を調製した。各樹脂組成物の固形分濃度は、下記表7及び8に示す膜厚で塗布できるように、2.0~7.0質量の範囲に適宜調整した。上記表5及び6における成分及び略号は、次の通りである。[酸発生剤][塩基性化合物][添加剤界面活性剤]W-1:メガファックF176大日本インキ化学工業株製;フッ素系W-2:メガファックR08大日本インキ化学工業株製;フッ素及びシリコン系W-3:ポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製;シリコン系W-4:トロイゾルS-366トロイケミカル株製W-5:KH-20旭硝子株製W-6:PolyFoxPF-6320OMNOVASolutionsInc.製;フッ素系[溶剤]SL-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEASL-2:プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネートSL-3:乳酸エチルSL-4:プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMESL-5:シクロヘキサノンSL-6:γ-ブチロラクトンSL-7:プロピレンカーボネートSL-8:4-メチル-2-ペンタノールSL-9:イソブチルイソブチレートSL-10:ジイソアミルエーテル調製した樹脂組成物を下記の方法で評価した。[KrF露光実施例]実施例1~15、参考例1、2、比較例1、2シリコンウェハにHMDSヘキサメチルジシラザン処理110°C35秒間を施し、その上に下記表7に示した第1の樹脂組成物レジスト組成物を塗布し、下記表7に示した条件でベークPreBake;PBを行い、下記表7に示した膜厚の第1層下層のレジスト膜を形成した。次に、得られた第1層のレジスト膜上に第2のレジスト組成物を塗布し、下記表7に示した条件でベークを行い、下記表7に示した膜厚の第2層上層のレジスト膜を形成し、2層のレジスト膜が積層されたウェハを得た。得られたウェハをKrFエキシマレーザースキャナーASML社製、PAS5500/850NA0.80を用い、遮光部幅150nm、開口部幅150nmであるラインアンドスペースパターンのハーフトーンマスクを介して、パターン露光を行った。その後、下記表7に示した条件でベークPostExposureBake;PEBした後、下記表7に示した有機系現像液で30秒間パドルして現像し、下記表7に示したリンス液でパドルしてリンスした後ただし、下記表においてリンス液の記載がないものについてはリンスを行っていない、4000rpmの回転数で30秒間ウェハを回転させることにより、ピッチ300nm、ライン幅150nmのラインアンドスペース1:1パターンを得た。[ArF露光実施例]実施例16~22、参考例3、4、比較例3シリコンウエハ上に有機反射防止膜ARC29A日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い、86nmの反射防止膜を形成した。その上に下記表8に示した第1のレジスト組成物を塗布し、下記表8に示した条件でベークPreBake;PBを行い、下記表8に示した膜厚の第1層下層のレジスト膜を形成した。次に、得られた第1層のレジスト膜上に第2のレジスト組成物を塗布し、下記表8に示した条件でベークを行い、下記表8に示した膜厚の第2層上層のレジスト膜を形成し、2層のレジスト膜が積層されたウェハを得た。得られたウェハをArFエキシマレーザースキャナーASML社製、PAS5500/1100NA0.75を用い、遮光部幅75nm、開口部幅75nmであるラインアンドスペースパターンのハーフトーンマスクを介して、パターン露光を行った。その後、下記表8に示した条件でベークPostExposureBake;PEBした後、下記表8に示した有機系現像液で30秒間パドルして現像し、下記表8に示したリンス液でパドルしてリンスした後ただし、下記表においてリンス液の記載がないものについてはリンスを行っていない、4000rpmの回転数で30秒間ウェハを回転させることにより、ピッチ150nm、ライン幅75nmのラインアンドスペース1:1パターンを得た。[パターン倒れ評価法]得られたラインアンドスペースパターンについて、露光量を変化させたときのライン幅を走査型電子顕微鏡SEM株日立製作所S-9380IIを使用して観察し、パターン倒れが生じない最小のライン幅を倒れ前寸法として測定した。この値が小さいほどパターン倒れし難いことを示す。KrF露光実施例の結果、ArF露光実施例の結果を、それぞれ、下記表7、8に示す。下記表中、例えば、表記100°C/60sは、100°Cで60秒間の加熱を行うことを意味する。また、下表における現像液及びリンス液の略号は、次の通りである。[現像液リンス液]D-1:酢酸ブチルD-2:酢酸ペンチルD-3:2-ヘプタノンD-4:4-メチル-2-ペンタノールD-5:デカンD-6:オクタンD-7:1-ヘキサノールKrF露光実施例についての結果を示した表7から明らかなように、2層のレジスト膜を積層したものの、第1層下層の樹脂組成物における樹脂の酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量が20モルを超える参考例1、2は倒れ前寸法がやや大きく、ややパターン倒れし易いことが分かる。また、単一層のレジスト膜を形成し、パターンを形成した比較例1、2は倒れ前寸法が大きく、パターン倒れし易いことが分かる。一方、2層のレジスト膜を積層して、第1層下層の樹脂組成物における樹脂の酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量が20モル以下である実施例1~15は、倒れ前寸法が小さく、パターン倒れし難いことが分かる。ArF露光実施例についての結果を示した表8から明らかなように、2層のレジスト膜を積層したものの、第1層下層の樹脂組成物における樹脂の酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量が20モルを超える参考例3、4は倒れ前寸法がやや大きく、ややパターン倒れし易いことが分かる。また、単一層のレジスト膜を形成し、パターンを形成した比較例3は倒れ前寸法が大きく、パターン倒れし易いことが分かる。一方、2層のレジスト膜を積層して、第1層下層の樹脂組成物における樹脂の酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量が20モル以下である実施例16~22は、倒れ前寸法が小さく、パターン倒れし難いことが分かる。なお、実施例17における第1層下層が現像可能な反射防止膜としても機能し得ることを確認している。"