"サブストレート2上の交差導電あるいは半導電アクセスラインのクロスバーアレイ19の実現のための方法であって、クロスバーアレイ19は、クロスバーアレイ絶縁体4上の、サブストレート2に平行な平面にある、導電あるいは半導電材料で実現されて相互に平行な複数の第一のライン11からなる第一のレベル20のライン11と、第一のレベル20のライン11の上方にある、導電あるいは半導電材料で実現されて相互に平行な複数の第二のライン17からなる第二のレベル21のライン17とからなり、第二のライン17は第一のライン11に対して実質的に直角であり、前記方法は、サブストレート2上に実質的に長方形の第一のキャビティ1を形成する101ステージ、第一のキャビティ1に重ねた実質的に長方形の第二のキャビティ6を形成する104ステージ、このとき第一および第二のキャビティ1、6は直角に相互を横切り、結果として生じる一つのキャビティ8Bを形成する、結果として生じたキャビティ8Bのベースを、第一のポリマーP1のラインおよび第二のポリマーP2のラインが交互に形成されたラインのアレイからなる第一のジブロック共重合体9の層によって覆うステージ、このときラインは、第二のキャビティ6の長さL6に従って平行に設けられる、第一の溝S1および第二のポリマーP2のラインが交互に形成されるよう、第一のポリマーP1のラインを離脱させる107ステージ、溝S1および第二のポリマーP2のライン上に、第一の導電あるいは半導電材料10の層の共形被着109を実現させるステージ、第一のレベル20のライン11を実現するよう、第一の導電あるいは半導電材料10によって覆われた第二のポリマーP2のラインを離脱させる110ステージ、第一のレベル20のライン11によって幅l1に沿って部分的に覆われた第一のキャビティ1のベースへのアクセスを可能にするよう、第二のキャビティ6を形成する材料を選択的に離脱させる111ステージ、アクセス可能とされた第一のキャビティ1内に、第二の導電あるいは半導電材料14の層を被着させる113ステージ、第三ポリマーP3のラインおよび第四のポリマーP4のラインが交互に形成されたラインのアレイからなる第二のジブロック共重合体16の層によって、第二の導電あるいは半導電材料14の層を覆うステージ、このときラインP3、P4は、ポリマーP1、P2の第一のラインおよび第二のラインに対して実質的に直角になる、第二の溝S2および第三ポリマーP3のラインが交互に形成されるよう、第四のポリマーP4のラインを離脱させる117ステージ、第二のレベル21のライン17を実現するよう、第二の溝S2内で第二の導電あるいは半導電材料14を離脱させる118ステージからなることを特徴とする、方法。アクセス可能とされた第一のキャビティ1内への第二の導電あるいは半導電材料14の層の被着113の前に、電界の印加によるインピーダンススイッチング特性を持つ材料13の層を被着させるステージ112からなり、第二の導電あるいは半導電材料14の第二の溝S2内での離脱ステージ118が、スイッチング特性を持つ材料13の層の離脱を伴うことを特徴とする、請求項1に記載の方法。電界の印加によるインピーダンススイッチング特性を持つ材料13のタイプが、バイナリ酸化物、固体電解質、三元酸化物に基づくペロブスカイト、相変化物質、抵抗スイッチング特性を持つ分子またはポリマー、あるいは、磁気タイプのトンネルジャンクションまたはスピンバルブを形成可能な磁性物質であることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。第一のキャビティ1が、第二のジブロック共重合体16のピッチの複数倍に等しい幅l1からなり、第二のキャビティ6が、第一のジブロック共重合体9のピッチの複数倍に等しい幅l6からなることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。第一のキャビティ1の形成ステージ101の後に、第一のキャビティ1のエッジおよびベース上に絶縁材4の層を被着させる102ステージ、絶縁材4の層上に、第二のポリマーP2のラインおよび絶縁材4に対して選択的な方式でエッチングされるのに適した材料5の層を被着させる103ステージの、二つのステージが続くことを特徴とする、請求項1~4のいずれか一項に記載の方法。第二のキャビティの形成ステージ104は、第一のキャビティ1のベースおよびエッジを形成する材料に対して選択的な方式でエッチングされるのに適した材料7の層を被着させること、第二のキャビティ6のベースが、第二のポリマーP2のラインおよび絶縁材4に対して選択的な方式でエッチングされるのに適した材料5の層の材料によって覆われた第一のキャビティ1のベースによって形成されるよう、材料7の層の一部を離脱させることからなることを特徴とする、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。第一のポリマーP1のラインの前記離脱のステージ107の後に、第一の溝S1を通して、第二のポリマーP2のラインおよび絶縁材4の層に対して選択的な方式でエッチングされるのに適した材料5の離脱ステージ108が続くことを特徴とする、請求項5または6に記載の方法。ジブロック共重合体によって覆うステージまたは複数のステージが、ジブロック共重合体9、16の層を被着させる105A、115Aステージ、二つの異なるポリマーP1、P2、P3、P4のラインの交互配置を実現させるよう、被着させたジブロック共重合体9、16の相を分離させる105B、115Bステージによって実現されることを特徴とする、請求項1~7のいずれか一項に記載の方法。ジブロック共重合体によって覆う各々のステージの後に、構造化ステージ105B、115Bが行われて、第一のジブロック共重合体9が、結果として生じたキャビティ8B内に閉じ込められる、および/または、第二のジブロック共重合体16が第一のキャビティ1内に閉じ込められることを特徴とする、請求項1~8のいずれか一項に記載の方法。第一のおよび/または第二のジブロック共重合体9、16の被着の前に、ニュートラリゼーションフィルムが被着されることを特徴とする、請求項1~9のいずれか一項に記載の方法。第二の導電あるいは半導電材料14の被着ステージ113の後に、第二のジブロック共重合体16の相の一つに対して化学的な親和性を持つ末端を得るよう、第二の導電あるいは半導電材料14の層の化学的な修正ステージ114を行うことを特徴とする、請求項1~10のいずれか一項に記載の方法。第一のジブロック共重合体9の第一あるいは第二のポリマーP1、P2の一つが、0.35から0.65の体積比組成を持ち、第二のジブロック共重合体16の第三あるいは第四のポリマーP3、P4の一つが、0.35から0.65の体積比組成を持つことを特徴とする、請求項1~11のいずれか一項に記載の方法。本発明の目的は、特に、従来の技術の方法の欠点を解決することである。この文脈において、本発明の目的は、交差した導電あるいは半導電アクセスラインのクロスバーアレイの実現方法を提案することである。この方法のステージの数はライン数から独立しており、導電あるいは半導電ラインの位置決めは、制御されて正確である。この目的のために、本発明は、サブストレート上に、交差した導電あるいは半導電アクセスラインのクロスバーアレイを実現するための方法に関する。そして、このクロスバーアレイは、次のものからなる。-クロスバーアレイ絶縁体上の、サブストレートに平行な平面に、導電あるいは半導電材料で実現された相互に平行な複数の第一のラインからなる第一のレベルのライン。-第一のレベルのラインの上方に、第一のラインに対して実質的に直角な、導電あるいは半導電材料で実現された相互に平行な複数の第二のラインからなる第二のレベルのライン。この方法は、次のステージからなることを特徴とする。-サブストレート上に、実質的に長方形の第一のキャビティを形成するステージ。-第一および第二のキャビティが相互に直角に交差して、その結果としてキャビティが形成されるよう、第一のキャビティに重ねて実質的に長方形の第二のキャビティを形成するステージ。-結果として生じたキャビティのベースを、第一のポリマーのラインおよび第二のポリマーのラインが交互に形成されたラインのアレイからなる第一のジブロック共重合体の層によって覆うステージ。なお、これらのラインは、第二のキャビティの長さに沿って平行な方式で設けられる。-第一の溝および第二のポリマーのラインを交互配置を形成するよう、第一のポリマーのラインを離脱させるステージ。-溝および第二のポリマーのライン上に、第一の導電あるいは半導電材料の層の共形被着を実現させるステージ。-第一のレベルのラインを実現させるよう、第一の導電あるいは半導電材料によって覆われた第二のポリマーのラインを離脱させるステージ。-その幅に沿って第一のレベルのラインによって部分的に覆われた第一のキャビティのベースがアクセス可能となるよう、第二のキャビティを形成する材料を選択的に離脱させるステージ。-アクセス可能となった第一のキャビティ内に、第二の導電あるいは半導電材料の層を被着させるステージ。-第二の導電あるいは半導電材料の層を、第三のポリマーのラインおよび第四のポリマーのラインが交互に形成されたラインのアレイからなる第二のジブロック共重合体の層によって覆うステージ。なお、これらのラインは、ポリマーの第一のラインと第二のラインに対して実質的に直角に配置される。-第二の溝および第三のポリマーのラインの交互配置を形成するよう、第四のポリマーのラインを離脱させるステージ。-第二のレベルのラインを実現させるよう、第二の溝内で第二の導電あるいは半導電材料を離脱させるステージ。注目すべきは、第一のジブロック共重合体の第一および第二のポリマーが、異なる化学的な性質を持つことである。同様に、第二のジブロック共重合体の第三のポリマーおよび第四のポリマーが、異なる化学的な性質を持つ。他方、第一の共重合体および第二の共重合体は、同一の化学的な性質を持っていてもよい。本発明により、方法のステージ数は、もはや、実現される導電あるいは半導電ラインの数に依存しない。実際、第一の導電あるいは半導電ラインは、結果として生じたキャビティ内に同時に実現され、そして、第二の導電あるいは半導電ラインは、第一のキャビティ内に同時に実現される。換言すれば、実現される導電あるいは半導電ラインの数が何であれ、製造ステージ数は不変である。注目すべきことは、本発明による方法が、インラインモチーフを区画形成して半導体チャネルをエッチングするジブロック共重合体を用いる既知の方法とは基本的に異なることである。このような方法は、例えば、ブラック氏らの文献半導体マイクロエレクトロニクスにおけるポリマー自己集合Polymerselfassemblyinsemiconductormicroelectronics,CTBlacketalIEEIEDM2006で説明されている。この方法は、ジブロック共重合体を、また、任意の数のポリマーのラインに対応する幅の長方形キャビティを受容するように適応した面を必要とする。そして、同じ方法の実施例での第二のレベルのラインの実現を許容しない。実際、ジブロック共重合体を被着させるためには、それを受ける面を適応させる必要がある。ところで、第一のレベルのラインは、ジブロック共重合体の受容を許容しないトポグラフィを提示する。さらに、長さの方向がポリマーのラインに平行で、そして幅が任意の数のポリマーのラインに対応する長方形キャビティを用いる必要がある。これに反して、本発明による方法は、第一のキャビティおよび第二のキャビティの特定なアレンジメントを有利に用い、その結果として生じるキャビティを得ることを可能にし、第二のキャビティの材料は、構造の他の材料に対して、選択的にエッチングが可能である。この結果として生じたキャビティは、第一のレベルのラインの実現を可能にする。それから、第二のキャビティが除去されると、第一のキャビティへのアクセスが、第二のレベルのラインの実現可能性を提供する。これらの二つのキャビティの寸法は、さらに、二つのレベルで所望数のラインを得ることを可能にする。加えて、ジブロック共重合体のラインのアレイの幾何学的精度により、スペーシングが完全に制御されて面精度が向上したラインが得られる。上記段落に記載した主要な特徴の他に、本発明の方法は、個々に、または、すべての技術的に実現可能な組み合わせで考察可能な、次の一つ、あるいは複数の追加の特徴を提示できる。-方法は、アクセス可能とされた第一のキャビティ内に第二の導電あるいは半導電材料の層を被着させる前に、電界の印加によるインピーダンススイッチング特性を持つ材料の層を被着させるステージからなり、第二の導電あるいは半導電材料の第二の溝内における離脱のステージは、スイッチング特性を持つ材料の層の離脱を伴う。-電界の印加によるインピーダンススイッチング特性を持つ材料のタイプは、次のものである。-バイナリ酸化物。-固体電解質。-三元酸化物に基づくペロブスカイト。-相変化物質。-抵抗スイッチング特性を持つ分子またはポリマー。あるいは-磁気タイプのトンネルジャンクションまたはスピンバルブを形成可能な磁性物質。-第一のキャビティは、第二のジブロック共重合体のピッチの複数倍に等しい幅を持つ。-第二のキャビティは、第一のジブロック共重合体のピッチの複数倍に等しい幅を持つ。大体、第一の共重合体のピッチは、第二のポリマーのラインまたはチェーンの幅または直径に加えた第一のポリマーのラインまたはチェーンの幅または直径によって決まる。同様に、第二の共重合体のピッチは、第四のポリマーのラインまたはチェーンの幅または直径に加えた第三のポリマーのラインまたはチェーンの幅または直径によって決まる。-第一のキャビティの形成ステージの後には、次の二つのステージが続く。-第一のキャビティのエッジおよびベース上に絶縁材の層を被着させるステージ。-絶縁材の層上に、第二のポリマーのラインおよび絶縁材に対して選択的な方式でエッチングされるのに適した材料の層を被着させるステージ。-第二のキャビティの形成ステージは、次のことからなる。-第一のキャビティのベースおよびエッジを形成する材料に対して選択的な方式でエッチングされるのに適した材料の層を被着させること。-第二のキャビティのベースが、第二のポリマーのラインおよび絶縁材に対して選択的な方式でエッチングされるのに適した材料の層の材料によって覆われた第一のキャビティのベースによって形成されるよう、材料の層の一部を離脱させること。-第一のポリマーのラインの離脱ステージの後には、第一の溝を通して、第二のポリマーのラインおよび絶縁材の層に対して選択的な方式でエッチングされるのに適した材料を離脱させるステージが続く。-ジブロック共重合体によって覆うステージ、あるいは複数のステージは、次のステージによって実現される。-ジブロック共重合体の層を被着させるステージ。-二つの異なるポリマーのラインの交互配置を実現させるよう、被着させたジブロック共重合体の複数の相を分離させるステージ。-ジブロック共重合体によって覆う各ステージの後には、結果として生じたキャビティ内に第一のジブロック共重合体を閉じ込める、および/または第一のキャビティ内に第二のジブロック共重合体を閉じ込める構造化のステージが続く。-第一の、および/または第二のジブロック共重合体の被着の前に、ニュートラリゼーションフィルムが被着される。-第二の導電あるいは半導電材料の被着ステージの後には、第二のジブロック共重合体の相の一つに化学的な親和性を持つ末端を得るよう、第二の導電あるいは半導電材料の層を化学的に修正するステージが続く。-第一のジブロック共重合体の第一あるいは第二のポリマーの一つは、0.35から0.65の体積比組成を示す。-第二のジブロック共重合体の第三あるいは第四のポリマーの一つは、0.35から0.65の体積比組成を示す。異なる図面を参照する実施例の、純粋に指標としての、そして決して限定することのない以下の説明から、本発明の他の特徴および利点が明らかになる。本発明による方法は、例えばシリコンのサブストレート2に長方形の第一のキャビティ1を形成する第一のステージ101図1からなる。この第一のキャビティ1を実現させるために、サブストレート2上に、50nm厚の酸化シリコン3の層の被着を実現する。それから、第一のキャビティ1を形成するために、酸化シリコン3の層のフォトリソグラフィを実現する。したがって、第一のキャビティ1のベースおよびエッジは、各々、サブストレート2と酸化シリコン3の層によって形成される。一般的で非制限的な方式での、第一のステージ101中に実現される被着、そして、その後のステージ中に実現される被着も、同業者には既知であり熟達された例えば、化学蒸着CVD、陰極の微粉化による被着、電子銃での被着、あるいは熱的な蒸着などの方法によって実現できる。さらに、強調すべきは、第一のキャビティ1の幅l1が、後のステージで被着される第一のジブロックdiblock共重合体の層の第一のポリマーおよび第二のポリマーによって形成される多数のラインとの互換性を持つように決定されることである。以下の説明では、構成要素xの各長さを記号Lxによって参照し、そして、構成要素xの各幅を記号lxによって参照する。本発明による方法の第二のステージ102図2は、第一のキャビティ1のベースおよびエッジ上に、誘電物質、例えば窒化シリコン等の絶縁材4の層の被着を実現することからなる。本発明による方法の第三のステージ103図3は、絶縁材4の層上に、酸化シリコン材5の層を被着させることからなる。酸化シリコン材は、その後にそこに被着される共重合体の一相に化学的親和性を持つ、-OHタイプの末端を含むことが好ましい。第四のステージ103図4A、4Bは、第一のキャビティ1に重ねた実質的に長方形の第二のキャビティ6を形成することからなる。第一および第二のキャビティ1、6は、加えて、実質的に垂直な態様ですなわち、一方の幅の方向が、他方の長さの方向に直交するように配置される。これを行うために、上記の酸化シリコン材5の層の全面を覆って、窒化シリコン材7の層を被着させる。それから、窒化シリコン材の層にエッチングを施し、第二のキャビティ6を形成する。例として、O2の下でのプラズマタイプのエッチング等の、ドライエッチングと称するエッチング方法、あるいは、H3PO4タイプの湿式エッチングと称するエッチング方法の使用をあげることができる。注目すべきは、第二のキャビティ6のベースが、第一のキャビティ1のベースおよびエッジをも形成する酸化シリコンの材5の層によって形成されることである。したがって、窒化シリコン材7は、酸化シリコン材7に対して選択的な方式でのエッチングが可能なように選択されることが分かる。この第二のキャビティ6は第一のキャビティ1に重ねられており、第二のキャビティ6と第一のキャビティ1との交差が、結果としてキャビティ8Bを形成し、そのキャビティのベースが図4Aに複数の点で示す交差面8Aから形成されることにも注目すべきである。図4Bに図解するように、結果として生じるキャビティ8Bは、第一のキャビティ1の幅l1によって形成される長さL8、そして第二のキャビティ6の幅l6によって形成される幅l8からなる。加えて、第二のキャビティ6の幅l6は、後のステージで被着される第二のジブロック共重合体の層の第三ポリマーおよび第四のポリマーによって形成される多数のラインとの互換性を持つように決定される。本発明による方法の第五のステージは、結果として生じたキャビティ8Bのベースを、第一のポリマーP1のラインと第二のポリマーP2のラインとを交互に替えて形成されるラインのアレイからなる第一のジブロック共重合体9の層によって覆うことからなる。ラインP1、P2は、第二のキャビティ6の長さL6に従って平行に設けられる。第一のジブロック共重合体9のこの層の厚さは、第一のキャビティ1の深さよりも少ないことが好ましい。これを行うため、被覆ステージは、次の二つの連続するステージによって実現できる。-ステージ105A図5により、結果として生じたキャビティ8Bのベース上に、異なる化学的性質を持つランダムに配置される二つのポリマーからなる第一のジブロック共重合体9の層を被着させること。-ステージ105B図6により、第一のポリマーP1のラインと第二のポリマーP2のラインとが交互に形成されたラインのアレイを実現するために、第一のジブロック共重合体9の相を分離すること。相のこの分離は、例えばニュートラリゼーションフィルムによって実現できる。実際、垂直な構造、すなわちサブストレート2に平行な第一および第二のポリマーP1、P2のチェーンの配向を得るには、接触面このケースでは、酸化シリコン材5の層と、異なるポリマーP1およびP2との間の相互作用が異なることが必要である。接触面が適応されていないので、垂直な構造の獲得は、接触面を無効にすることによって得られる。面の無効化は、ランダムに配置されたポリマーのチェーンからなるポリマー材のフィルムであるニュートラリゼーションフィルム図示せずによって、従来得られている。材料5の層が酸化シリコンであるため、ランダムに配置されたメチルポリメタクリレートおよびポリスチレンの共重合体チェーンからなるポリマー材のニュートラリゼーションフィルムを使用できる。一つの実施例が、文献ManskyetalinControllingPolymerSurfaceInteractionswithRandomCopolymerBrushesランダム共重合体ブラシとのポリマー面の相互作用の制御においてScience27514581997に説明されている。共重合体の組成が比較的に対称形であるとき、形態構造は薄板状あるいは横になったシリンダと呼ばれる。そのような構造は、特に、パーク氏らの論文DirectedAssemblyofLamallaeFormingBlockCopolymersbyUsingChemicallyandTopographicallyPatternedSubstrates化学的に、そして立体的にパターン化されたサブストレートを使用することによる薄板形成ブロック共重合体の誘導組み立てAdvancedMaterials200719607611に説明されている。さらに、薄板状と呼ばれるサブストレートに対して直角な構造を持つ共重合体は、従来、ポリマーチェーンの体積比組成が適応されるときに得られる。よって、第一あるいは第二のポリマーP1、P2の体積比組成は、0.35と0.65との間であることが好ましい。本発明による方法の変形例によれば、被覆ステージは、結果として生じたキャビティ8Bのベース上に、第一のポリマーP1のラインおよび第二のポリマーP2のラインを交互に形成した予め編成されたラインのアレイからなる第一のジブロック共重合体9の層を被着させることによって実現できる。このような共重合体は、サーマルアニーリングの方法によって得ることができる。一般的な方式では、第一および第二のポリマーP1、P2のラインは、第二のキャビティ6の長さL6に従って平行に設けられる。さらに、第二のステージ102中に被着された絶縁材4の層の厚さは、第二のポリマーP2のラインの幅に加えた第一のポリマーP1のラインの幅程度で、例えば約10nmである。第六のステージ105B図6は、それから、結果として生じたキャビティ8B内に第一のジブロック共重合体9の構造化を可能にする。結果として生じたキャビティ8B内に第一のジブロック共重合体9を厳密に位置決めするために、結果として生じたキャビティ8Bの外側に配置された第一のジブロック共重合体9の層の過剰な部分を排除する。このような工程は、例えば、フォトリソグラフィタイプの方法と、エッチングまたはメカノケミカルポリッシングの方法によって実現できる。さらに、注目すべきは、第二のキャビティ6の幅l6が、第一のジブロック共重合体9のピッチの複数倍に等しいように選択されることである。第一のジブロック共重合体9のピッチは、第二のポリマーP2のラインまたはチェーンの幅または直径lP2に加えた第一のポリマーP1のラインまたはチェーンのの幅または直径lP1によって形成される。この特徴は、第二のキャビティ6内、そしてそれにより、結果として生じたキャビティ8B内で、第一のジブロック共重合体9の層を圧迫することを避けることができる。第一および第二のポリマーP1、P2のラインの交替は、結果として生じたキャビティ8Bの二つの末端で、同じポリマーのラインこの例では第二のポリマーP2によって終了することが好ましい。さらに、共重合体のアレイのピッチは、ポリマーの各々の組成に関する基準を保持しながら、ポリマーチェーンの長さによって制御する。第七のステージ107図7中、第一のジブロック共重合体9の層の相の一つを離脱させて、第一の溝S1と第二のポリマーP2のラインとを交互に形成する。これにより、第三のステージ103中に被着させた酸化シリコン材5の層は、第一の溝S1の部位で自由になる。ニュートラリゼーションフィルムを用いた場合も、第一の溝内で除去される。除去は、どの適当な技術によってでも実現できる。例として、第一のポリマーP1がメチルポリメタクリレートであるならば、それを第二のポリマーP2に対して選択的に、遠紫外線下での日射によって除くことが可能である。本発明による方法の第八のステージ108図8は、例えばSiO2プラズマCF4エッチングによって、第一の溝S1のベースを形成する酸化シリコン材5の前記層を離脱させることからなる。その結果、これら第一の溝のベースが絶縁材料4の層によって形成されることになる。これは、選択的にエッチングが可能なように選択された材料5の特徴によって可能である。より詳しくは、その材料は、第二のポリマーP2および絶縁材4に対して、選択的な方式でエッチングが可能なように選択される。本方法の第九のステージ109図9は、第一の溝S1のベースに、そして第二のポリマーP2のラインの頂部に、酸化シリコン材5の層の厚さと実質的に同一の厚さを持つ第一の導電あるいは半導電材料10の層の共形被着を実現することからなる。第一の導電あるいは半導電材料10は、アモルファスシリコン、多結晶シリコン、または他の、金属あるいは半導電特性を持つ材料であることが好ましい。この材料は、少なくとも部分的に第一の溝S1を満たすように被着されて、除去された第一のポリマーP1のラインの部位に第一の導電あるいは半導電ライン11を形成する。第十のステージ110図10および図11は、例えばエッチングによって、第二のポリマーP2のラインを離脱させることからなる。このために、リフトオフタイプのフォトリソグラフィを実現し、第二のポリマーP2のライン、そして第二のポリマーP2のラインの頂部に位置する第一の導電あるいは半導電材料10の層の除去を可能にする。これにより、結果として生じたキャビティ8B内に含まれる複数の第一の導電あるいは半導電ライン11を得る。これら第一のライン11は、絶縁材料4の層上に配置されている。より詳しくは、第二のキャビティ6の長さL6に、あるいは結果として生じたキャビティ8Bの長さL8に平行な、複数の第一の導電あるいは半導電ライン11を得る。本方法の第十一のステージ111図12は、第二のキャビティ6を形成する材料7の層をエッチングするために、選択的なタイプの、例えばH3PO4に基づく化学でのエッチングを実現させることからなる。そのような実施例によれば、第四のステージ104中に被着させた材料7の層を除去できる。私たちの例では、酸化シリコン材5、そして第一の導電あるいは半導電材料10に対して選択的にエッチングが可能なように材料7を選択した。これら11の第一のステージの終結で、第一レベルの導電あるいは半導電ラインが実現する。第二レベルのラインの実現は、図13から図20を用いて説明する。本方法の第十二のステージ112図13は、第一のキャビティ1内に位置する第一の導電ライン11の上方に材料13の層を被着させることからなる。層13の材料には、電界の印加によるインピーダンススイッチング特性がある。非限定的な方式においては、材料13のこの層の物質は、以下の種類の一つに属することができる。-バイナリ酸化物WO3、If2O3、ZrO2、RhO2米国特許第4839700号を参照、またはTiO、CuO、NiO、ZrOおよびHfO。これらの酸化物は、金属酸化処理、物理的蒸着または共微粉化copulverizationによって得ることができる。-固体電解質:固体電解質GeSe、酸化SiO2などの役割を担う物質に接触した可溶性電極Ag、Cuなどからなる導電ブリッジを持つメモリセル。-ペロブスカイト。これは、PCMO、SrTiO3、SrZrO3およびBaTiO3タイプの三元酸化物に基づく物質である。-例えばカルコゲナイドガラスGeSbTeのような相変化物質。-例えば抵抗スイッチング特性を持つ分子薄膜またはポリマーのような分子、ポリマー。-磁気タイプのトンネルジャンクションまたはスピンバルブを形成することが可能な磁性物質。本方法の第十三のステージ113図14は、第十二のステージ112中に被着させた材料13の層上に、第二の導電あるいは半導電材料14の層を被着させることからなる。第十四のステージ114図15は、第二の導電あるいは半導電材料14の層の面を化学的に修正し、その面の-OH基の数を増加させることを実現することからなる。この特徴は、次の第十五のステージ中に被着させる第二の共重合体16の層との親和性を増加することが可能である。-OH基の数は、第二の導電あるいは半導電材料14の層上に、自由面に-OH基が豊富なHfO2タイプの材料15の層を被着させることによって増加できる。この材料は、ALD原子層堆積法によって被着できる。先に示したように、本発明による方法の第十五のステージは、材料15の層を、すなわち、より概略的に、化学的に修正した第二の導電あるいは半導電材料14の層の面を、第三ポリマーP3のラインおよび第四のポリマーP4のラインを交互に形成したラインのアレイからなる第二のジブロック共重合体16の層によって覆うことからなる。これを行うために、被覆ステージは、次の二つの連続するステージによって実現できる。-ステージ115A図16により、材料15の層上に、第二のジブロック共重合体16の層を被着させること。なお、第二のジブロック共重合体16の層は、異なる化学的な性質を持つランダムに配置された二つのポリマーからなる。-ステージ115B図17により、第三ポリマーP3のラインおよび第四のポリマーP4のラインが交互に形成されたラインのアレイを実現するために、第二のジブロック共重合体16の相を分離すること。このようなアレイを得るための技術は、既にステージ105Bに提示したものであり、このステージ115Bにも流用可能である。本発明による方法の変形例によれば、材料15の層の被覆ステージは、第三ポリマーP3のラインおよび第四のポリマーP4のラインを交互に形成した予め編成されたラインのアレイからなる第二のジブロック共重合体16の被着によって実現できる。一般的な方式では、第三の、そして第四のポリマーP3、P4のラインは、第一のキャビティ1の長さL1に従って平行に設けられる。さらに、注目すべきは、第一のキャビティ1の幅l1が、第二のジブロック共重合体16のピッチの複数倍に等しいように選択されることである。第二のジブロック共重合体16のピッチは、第四のポリマーP4のラインまたはチェーンの幅または直径lP4に加えた第三ポリマーP3のラインまたはチェーンの幅または直径lP3によって形成される。この特徴は、第一のキャビティ1内で、第二のジブロック共重合体16の層を圧迫することを避けることができる。第三および第四のポリマーP3、P4のラインの交替が、第一のキャビティ1の二つの末端において、同じポリマーこの例では第三ポリマーP3のラインで終了することが好ましい。さらに、第三のポリマーP3および第四のポリマーP4のラインは、第一の導電あるいは半導電ライン11に対して実質的に直角である。第十六のステージ115B図17は、第一のキャビティ1内での第二のジブロック共重合体16の構造化を可能にする。従来の方式で、第一のキャビティ1内に第二のジブロック共重合体16を厳密に位置決めするために、第一のキャビティ1の外側に配置される第二のジブロック共重合体16の層の過剰な部分を除去する。このような工程は、例えば、フォトリソグラフィタイプの方法やエッチングまたはメカノケミカルポリッシングの方法によって実現できる。第十七のステージ117図18は、第二の溝S2および第三ポリマーP3のラインが交互に形成されるように、例えばフォトリソグラフィによって、第二のジブロック共重合体16の層の一相この例では第四のポリマーP4のラインを離脱させることからなる。第十八のステージ118図19は、第二の溝S2を通して複数の層のスタックのエッチングを実現することからなる。より正確には、エッチングは、次のものに関わる。-電界の印加によるインピーダンススイッチング特性を持つ材料13の層、-導電あるいは半導電材料14の層、-そのような層が存在するときは、自由表面に-OH基が豊富な材料16の層。このステージは、第二の導電あるいは半導電ライン17の交互の配置を得る目的で実現される。共重合体の厚さが全スタックのエッチングを許さない場合、メタルリフトまたはAl2O3を実現できる、そしてマスクとして金属またはAl2O3を使用できる。第二のジブロック共重合体16の被着後、一相を他相に対して除去する。金属またはAl2O3を、例えば共形ALD原子層堆積法によって被着させてから、除去されていない共重合体の相の上に被着させた金属またはAl2O3のプラズマエッチングによってリフトオフを実現する。Al2O3あるいは金属の残留ラインは、スタックのエッチングマスクとして使用する。本方法は、追加的に、第二の共重合体16の層の第三のポリマーP3のラインを離脱させる第十九のステージ119図20からなる。これを行うために、フォトリソグラフィタイプのエッチングを実現することが可能である。実現方法の実施例によって直接的に得られるクロスバーアレイ19の最終的な構造を、図21に図解する。このようなクロスバーアレイ19は、第一の導電あるいは半導電ライン11によって形成された第一のレベル20のラインと、第二の導電あるいは半導電ライン17によって形成された第二のレベル21のラインからなる。より正確には、クロスバーアレイ19は、サブストレート2に平行な平面における絶縁材4の層上に、第一の導電あるいは半導電材料10で実現した複数の第一のライン11からなる第一のレベル20のラインから構成される。さらに、第一のレベル20のライン11の上に、第二の導電あるいは半導電材料14で実現した複数の第二のライン17からなる第二のレベル21のラインがある。第二のライン17は、第一のライン11に対して実質的に直角である。第一のステージ101および第四のステージ104において、各々実現された第一および第二のキャビティ1、6は、マイクロメートルの寸法で実現されている。さらに、第一および第二のジブロック共重合体9、16は、例えば各々、メチルポリメタクリレートタイプのポリマーおよびポリスチレンタイプのポリマーからなる。非限定的な方式では、第一および第二の共重合体9、16のピッチは、20nm程度でよい。さらに、第一のキャビティ1の形成のために第一のステージ101中に被着させた酸化シリコン3の層は、電界の印加によりインピーダンススイッチング特性を持つ層13の厚さ、第二の導電あるいは半導電材料14の層、-OH基が豊富な自由表面を持つ材料15の層、そして第二のジブロック共重合体16の層の和以上であるように、50nm以上の厚さを持つ。本発明の方法によれば、本発明の方法の実施例によって得られるクロスバーアレイ19の実現のためのコストおよび時間は、実現される導電あるいは半導電ラインの数に依存しない。さらに、本発明の方法は、特に次のことを可能にする。-サブストレートのほぼ全面に導電あるいは半導電ラインを実現すること。-任意の距離で導電あるいは半導電ラインを正確にスペーシングすること。本発明を、上記に一例として説明した。しかしながら、特許の枠組みから離れることなく、特に、使用されるエッチングおよび被着の技術に関して、交差した導電あるいは半導電アクセスラインのクロスバーアレイの実現のための方法の異なる変形例を実現することが、同業者には可能であると理解すべきである。"