"レーザ光を出射する発光部を有する発光素子と、レーザ光を受光する受光部を有する受光素子と、を実装基板上に並列に備えると共に、前記発光部からのレーザ光を第1の導波路コアに光結合させる第1のレンズと、第2の導波路コアを導通してきたレーザ光を前記受光部に光結合させる第2のレンズと、を並列に備えた光導波路デバイスであって、前記発光素子は、前記発光部である活性層が積層された透明半導体基板を有し、前記活性層から前記透明半導体基板を通過させてレーザ光を出射する面発光型半導体レーザであり、前記面発光型半導体レーザと前記受光素子とは、平坦面に載置された状態においては当該平坦面に対する前記活性層と前記受光部との高さ位置が異なるよう構成されている場合に、前記第1のレンズによる焦点位置に前記活性層が位置すると共に、前記第2のレンズによる焦点位置に前記受光部が位置するよう構成した、光導波路デバイス。請求項1に記載の光導波路デバイスであって、前記第1のレンズ及び前記第2のレンズは、それぞれレンズ表面の曲率半径が同一であって、同一平面上に配置されており、前記面発光型半導体レーザと前記受光素子とを前記実装基板上に異なる高さ位置で搭載することにより、前記面発光型半導体レーザの前記活性層と前記受光素子の前記受光部とを同一平面上に配置し、前記各レンズに対する距離を同一にした、光導波路デバイス。請求項2に記載の光導波路デバイスであって、前記面発光型半導体レーザと前記実装基板との間に、所定の厚みを有するスペーサを設け、前記スペーサは、熱伝導性の高い電気的絶縁性材料であり、前記面発光型半導体レーザの搭載面に当該面発光型半導体レーザと電気的に接続される導体パターンが形成されている、光導波路デバイス。請求項2に記載の光導波路デバイスであって、前記実装基板の前記受光素子搭載箇所が、前記面発光型半導体レーザの搭載箇所よりも凹んで形成されている、光導波路デバイス。請求項1に記載の光導波路デバイスであって、前記受光素子は、前記受光部が積層された透明半導体基板を有し、当該透明半導体基板を通過して入射されたレーザ光を前記受光部が受光するフォトディテクタであり、前記第1のレンズ及び前記第2のレンズは、それぞれレンズ表面の曲率半径が同一であって、同一平面上に配置されており、前記面発光型半導体レーザと前記受光素子とを前記実装基板の同一平面上に搭載することにより、前記面発光型半導体レーザの前記活性層と前記受光素子の前記受光部とを同一平面上に配置し、前記各レンズに対する距離を同一にした、光導波路デバイス。請求項1に記載の光導波路デバイスであって、前記面発光型半導体レーザと前記受光素子とを、前記実装基板の同一平面上に搭載し、前記第1のレンズ及び前記第2のレンズは、それぞれレンズ表面の曲率半径が同一であり、前記実装基板に対して異なる高さ位置で配置することにより、前記第1のレンズによる焦点位置に前記活性層が位置すると共に、前記第2のレンズによる焦点位置に前記受光部が位置するよう構成した、光導波路デバイス。請求項1に記載の光導波路デバイスであって、前記面発光型半導体レーザと前記受光素子とを、前記実装基板の同一平面上に搭載し、前記第1のレンズ及び前記第2のレンズは、それぞれレンズ表面の曲率半径が異なって形成されており、前記面発光型半導体レーザと前記受光素子とを、前記実装基板に対して同一の高さ位置に配置して、前記第1のレンズによる焦点位置に前記活性層が位置すると共に、前記第2のレンズによる焦点位置に前記受光部が位置するよう構成した、光導波路デバイス。請求項1乃至7のいずれかに記載の光導波路デバイスを用いた光伝送装置。しかしながら、上述した透明半導体基板を有するVCSELを使用した場合において、その活性層P/N接合面側をモジュール用実装基板側に配置した状態で形成すると、VCSELの活性層と受光素子の受光面は、それぞれレンズの表面からの距離が異なるため、どちらか一方の光結合が減少してしまう、という問題が生じる。つまり、透明基板型VCSELおよび受光素子を同時かつ適切に光導波路に対して光結合することができず、光結合損失が生じ、性能が劣化する、という問題があった。特に、光通信のリンクにて高速データ伝送を実現するためには、受信感度の劣化を防ぐことも重要な要因である。このためには、光伝送モジュールにおける光結合損失の劣化を極力防ぐことが必要となってくる。そこで、本発明の目的は、上述した課題である、光導波路デバイスにおける性能の劣化、特に、光結合損失の劣化、という問題を解決することにある。上記目的を達成するため、本発明の一形態である光導波路デバイスは、レーザ光を出射する発光部を有する発光素子と、レーザ光を受光する受光部を有する受光素子と、を実装基板上に並列に備えると共に、上記発光部からのレーザ光を第1の導波路コアに光結合させる第1のレンズと、第2の導波路コアを導通してきたレーザ光を上記受光部に光結合させる第2のレンズと、を並列に備える。そして、上記発光素子は、上記発光部である活性層が積層された透明半導体基板を有し、上記活性層から上記透明半導体基板を通過させてレーザ光を出射する面発光型半導体レーザであり、上記面発光型半導体レーザと上記受光素子とは、平坦面に載置された状態においては当該平坦面に対する上記活性層と上記受光部との高さ位置が異なるよう構成されているものである場合に、上記第1のレンズによる焦点位置に上記活性層が位置すると共に、上記第2のレンズによる焦点位置に上記受光部が位置するよう構成した、という構成を取る。上記発明の光導波路デバイスは、まず、装備される発光素子が、発光部である活性層が積層された透明半導体基板を有し、活性層から透明半導体基板を通過させてレーザ光を出射する面発光型半導体レーザであり、発光素子と受光素子とは、平坦な実装基板上に載置された状態では、面発光型半導体レーザの活性層と受光素子の受光部との高さ位置が異なる。ところが、本発明では、このような発光素子である面発光型半導体レーザと受光素子とを用いた場合であっても、第1のレンズによる焦点位置に発光部である活性層が位置すると共に、第2のレンズによる焦点位置に受光部が位置するよう、面発光型半導体レーザ、受光素子、各レンズの位置や構造を工夫している。これにより、面発光型半導体レーザと受光素子とにおける光結合損失を抑制することができる。従って、上述した構成の面発光型半導体レーザを使用することができることから、高速伝送を実現し、発光部である活性層が実装基板側に位置するため放熱性の向上を図りつつ、光結合損失を抑制することができ、性能向上を図ることができる光導波路デバイスを実現できる。また、上記光導波路デバイスでは、上記第1のレンズ及び上記第2のレンズは、それぞれレンズ表面の曲率半径が同一であって、同一平面上に配置されており、上記面発光型半導体レーザと上記受光素子とを上記実装基板上に異なる高さ位置で搭載することにより、上記面発光型半導体レーザの上記活性層と上記受光素子の上記受光部とを同一平面上に配置し、上記各レンズに対する距離を同一にした、という構成を取る。そして、上記光導波路デバイスでは、上記面発光型半導体レーザと上記実装基板との間に、所定の厚みを有するスペーサを設け、上記スペーサは、熱伝導性の高い電気的絶縁性材料であり、上記面発光型半導体レーザの搭載面に当該面発光型半導体レーザと電気的に接続される導体パターンが形成されている、という構成を取る。また、上記光導波路デバイスでは、上記実装基板の上記受光素子搭載箇所が、上記面発光型半導体レーザの搭載箇所よりも凹んで形成されている、という構成をとる。上述のように、発光素子である面発光型半導体レーザと受光素子との実装基板上における高さがそれぞれ異なるよう搭載することにより、上述同様に、第1のレンズによる焦点位置に活性層が位置すると共に、第2のレンズによる焦点位置に受光部が位置するため、面発光型半導体レーザと受光素子における光結合損失を抑制することができ、光導波路デバイスの性能向上を図ることができる。例えば、実装基板上に配置する所定の厚みを有するスペーサを用いて、この上に面発光型半導体レーザを搭載することで、簡易な構成で、面発光型半導体レーザの活性層と受光素子の受光部とを同一平面上に位置させることができる。さらに、スペーサとして熱導電性の高い材料を用いることで、放熱性のさらなる向上を図ることができる。また、例えば、実装基板の受光素子搭載箇所を凹ませて形成しても、簡易な構成で、面発光型半導体レーザの活性層と受光素子の受光部とを同一平面上に位置させることができると共に、全体の高さを抑制することもできるため、デバイスの小型化を図ることができる。また、上記光導波路デバイスでは、上記受光素子は、上記受光部が積層された透明半導体基板を有し、当該透明半導体基板を通過して入射されたレーザ光を上記受光部が受光するフォトディテクタであり、上記第1のレンズ及び上記第2のレンズは、それぞれレンズ表面の曲率半径が同一であって、同一平面上に配置されており、上記面発光型半導体レーザと上記受光素子とを上記実装基板の同一平面上に搭載することにより、上記面発光型半導体レーザの上記活性層と上記受光素子の上記受光部とを同一平面上に配置し、上記各レンズに対する距離を同一にした、という構成を取る。また、上記光導波路デバイスでは、上記面発光型半導体レーザと上記受光素子とを、上記実装基板の同一平面上に搭載し、上記第1のレンズ及び上記第2のレンズは、それぞれレンズ表面の曲率半径が同一であり、上記実装基板に対して異なる高さ位置で配置されることにより、上記第1のレンズによる焦点位置に上記活性層が位置すると共に、上記第2のレンズによる焦点位置に上記受光部が位置するよう構成した、という構成を取る。また、上記光導波路デバイスでは、上記発光素子と上記受光素子とを、上記実装基板の同一平面上に搭載し、上記第1のレンズ及び上記第2のレンズは、それぞれレンズ表面の曲率半径が異なって形成されており、上記面発光型半導体レーザと上記受光素子とを、上記実装基板に対して同一の高さ位置に配置して、上記第1のレンズによる焦点位置に上記活性層が位置すると共に、上記第2のレンズによる焦点位置に上記受光部が位置するよう構成した、という構成を取る。上述したように、発光素子と受光素子とをそれぞれ透明半導体基板を備えた面発光型半導体レーザとフォトディテクタで構成し、これらを実装基板の同一平面上に搭載することで、各レンズによる焦点位置が発光部と受光部とに位置することとなり、光結合損失を抑制することができる。また、発光素子と受光素子とを実装基板の同一平面上に搭載して、発光部と受光部との高さ位置が異なっている場合であっても、各レンズの実装基板に対する高さ位置や曲率半径を調整するようにしても、各レンズによる焦点位置が発光部と受光部とに位置することとなり、光結合損失を抑制することができる。本発明は、以上のように構成されることにより、各レンズによる焦点位置が発光部と受光部とに位置することとなり、光導波路デバイスにおける光結合損失を抑制することができ、かかるデバイスの性能向上を図ることができる。<実施形態1>本発明の第1の実施形態を、図1A乃至図3を参照して説明する。図1A乃至図2は、本発明に関連する光導波路デバイスの構成を示す図であり、図3は、本実施形態における光導波路デバイスの構成を示す図である。本発明における光導波路デバイスは、発光素子および受光素子と、発光素子から出力されたレーザ光を第1の導波路コアに光結合させる第1のレンズと、第2の導波路コアから伝送されてきたレーザ光を受光素子に対して光結合する第2のレンズと、を備えている。そして、光導波路デバイスは、発光動作、受光動作を制御するドライバ回路を備えることで、光伝送モジュール光伝送装置を構成している。以下、光導波路デバイスについて詳述するが、まず、図1A、図1Bを参照して、光導波路デバイスを用いた光伝送モジュールの基本構成を説明し、また、図2を参照して、光導波路デバイスにおける問題点を説明する。その後、図3を参照して、本実施形態における光導波路デバイスの構成を説明する。図1Aおよび図1Bは、光伝送モジュールの構成を示す図であり、図1Bは光伝送モジュールの正面図を示し、図1Aは側面図を示している。これらの図に示すように、光伝送モジュールは、光伝送モジュール基板110実装基板上に、発光素子120と、受光素子130と、ドライバIC回路140と、を搭載している。上記発光素子120は、例えば、発光部として基板に積層された活性層121を有し、かかる活性層121からレーザ光を発生させる面発光型半導体レーザであるVCSEL120である。また、上記受光素子130は、入射されたレーザ光を受光する受光面131受光部を有するフォトディテクタ130である。そして、図1A,1BにおけるVCSEL120およびフォトディテクタ130は、それぞれが自己の基板側を下側にして、実装基板110にボンディングされている。上記ドライバIC140は、上述したVCSEL120およびフォトディテクタ130の動作を制御するドライバ回路であり、当該ドライバIC140は、光伝送モジュールの実装基板110にボンディングされている。具体的に、ドライバIC140は、レーザ光を変調する電圧信号を受けてVCSEL120を駆動する駆動回路と、フォトディテクタ130で受光したレーザ光から変換された電流信号を電圧信号に変換する変換回路と、を備えている。また、光伝送モジュールは、図1Aに示すように、レーザ光を伝送する第1、第2の導波路コアを有する各光ファイバ161,162からなる光ファイバアレイ160を備えている。そして、各光ファイバ161,162との光結合に、レンズアレイ151~154が装備された45度ミラー150が使用されている。但し、45度ミラー150は必ずしても装備されている必要はなく、VCSEL120およびフォトディテクタ130と、各光ファイバ161,162との間の光路は変換する他の構成が装備されていてもよい。あるいは、VCSEL120およびフォトディテクタ130と、各光ファイバ161,162との間の光路は変換されなくてもよい。具体的に、レンズアレイ151~154のうち、VCSEL120の上方に位置するレンズ151は、VCSEL120に装備された活性層121に焦点が位置するよう配置されている。つまり、レンズ151は、図1Bの矢印に示すように、活性層121から発光されたレーザ光を、ミラー及びレンズ153を介して光ファイバ161の導波路コア第1の導波路コアに光結合する。また、フォトディテクタ130の上方に位置するレンズ152は、フォトディテクタ130に装備された受光面131に焦点が位置するよう配置されている。つまり、レンズ152は、図1Bの矢印に示すように、光ファイバ162の導波路コア第2の導波路コアから伝送されてきたレーザ光を、ミラー及びレンズ154を介して受光面131に光結合する。なお、図1Aおよび図1Bの例では、VCSEL120とフォトディテクタ130とは、実装基板110の平坦面に並列に載置されているため、活性層121と受光面131とが同一平面上に配置された状態になっている。また、VCSEL120とフォトディテクタ130との上方に位置する各レンズ151,152は、それぞれレンズ表面の曲率半径が同一であって、同一平面上に配置されている。このため、VCSEL120とレンズ151間、及び、フォトディテクタ130とレンズ152間、の距離は同一であり、各レンズ151,152の焦点位置に、それぞれ活性層121と受光面131とが位置している。ここで、インターコネクション用途の光伝送モジュールでは、発光素子として、発振波長が850nmのGaAsGaAlAs系のVCSELが主に使用されており、10Gb/sまでデータレイトを高速化したVCSELが実現されている。今後、さらにデータレイトを高速化例えば、25Gb/s,30Gb/s,40Gb/s等する必要があり、高速動作するVCSELの実現が望まれている。そして、10Gb/s以上の高速化を実現するためには、上述したこれまでのGaAlAsGaAs量子井戸を使った構造では困難であり、発振波長が0.98μm-1.1μm980nm-1100nmのGaAsGaInAs歪量子井戸を用いたVCSELによって20Gb/s-30Gb/sの高速動作が実現できる。これは、歪量子井戸を用いることで、活性層におけるキャリアElectronやHole、つまり、電子や正孔の有効質量を軽くすることができるため、Holeの移動度を大きくすることができ、高速に動作するという効果によるものである。さらに、上記GaAsGaInAs歪量子井戸を用いたVCSELでは、GaAs半導体基板が発振波長の980nm-1100nmに対して透明であるため、上述した850nmのVCSELとは異なり、GaAs基板側からレーザ光を出力させることが可能である。このため、上記GaAsGaInAsを用いたVCSEL120’は、図2に示すように、P/N-接合面側を下向き、つまり、基板側を上向きにした状態で、光モジュールの実装基板110にボンディングすることができる。すると、VCSEL120’は、活性層121つまりP/N-接合の部分が発熱源であるため、このようにP/N-接合面側を下向きにして光モジュールの実装基板にボンディングすることにより、熱抵抗が低減し、放熱効率がよく、高温動作の面でも優れる。ところが、上述したGaAsGaInAsを用いたVCSEL120’は、図2に示すように、VCSEL120’の活性層121P/N-接合面と、フォトディテクタ130の受光面131P/N-接合面とは、それぞれレンズ151,152からの距離が異なる。つまり、平坦面に載置された状態では、GaAsGaInAsを用いたVCSEL120’の活性層121P/N-接合面と、フォトディテクタ130の受光面131P/N-接合面とは、その高さ位置が異なる。すると、活性層121あるいは受光面131のうち一方は、レンズ151,152の焦点位置に位置せず、光結合が減少劣化してしまう。すると、VCSEL120’およびフォトディテクタ130を同時かつ適切に光ファイバに光結合することができないという問題が生じうる。以上の問題点を解決するために、本発明の第1の実施形態では、図3に示すような構成をとる。図3に示すように、本実施形態における光伝送モジュール光導波路デバイスは、上述同様に、実装基板10に搭載されたVCSEL20及びフォトディテクタ30と、各光ファイバ61,62に対する光結合を行うレンズ51~54が装備された45度ミラー50と、を備えている。なお、図示していないが、上述したVCSEL20及びフォトディテクタ30を駆動するドライバICも、実装基板10に搭載されている。そして、本実施形態では、上述した図2の場合と同様に、VCSEL20は、GaAsGaInAsの活性層21を備えており、P/N-接合側の面が実装基板10にボンディング接合し、VCSEL20自体の基板側からレーザ光を出力するものである。一方、フォトディテクタ30は、P/N-接合側の面が実装基板10とは反対側に位置している。このため、VCSEL20とフォトディテクタ30とが平坦面に載置された状態においては、VCSEL20の活性層21P/N-接合面と、フォトディテクタ130の受光面31P/N-接合面とは、その高さ位置が異なり、同一平面上に位置しないこととなる。このため、本実施形態では、実装基板10とVCSEL20との間に、所定の厚みを有するスペーサ25を装備している。このスペーサ25は、熱伝導性の高い電気的絶縁性材料であり、例えば、窒化アルミALM、セラミック、シリコンSi等の材料にて形成されている。また、スペーサ25のVCSEL20を搭載する面には、当該VCSEL20と電気的に接続される導体パターンが形成されている。これにより、実装基板10とVCSEL20とは、スペーサ25を介して電気的に接続された状態となっている。そして、上記スペーサ25の厚みは、平坦面に配置された状態におけるVCSEL20の活性層21とフォトディテクタ130の受光面31との高さの差に相当する長さに形成されている。従って、スペーサ25上に搭載されたVCSEL20の活性層21は、当該スペーサ25の厚み分だけ上方に位置することとなる。これにより、VCSEL20の活性層21P/N-接合面と、フォトディテクタ30の受光面31P/N-接合面とは、実装基板11に対する高さ位置が同一となり、同一平面上に位置することとなる。また、VCSEL20とフォトディテクタ30との上方に位置する各レンズ51,52は、上述同様に、それぞれレンズ表面の曲率半径が同一であって、同一平面上に配置されている。上記構成にすることにより、VCSEL20の活性層21とレンズ51との間、及び、フォトディテクタ30の受光面31とレンズ52との間、の距離は同一となり、各レンズ51,52の焦点位置に、それぞれ活性層21と受光面31とが位置した状態となる。これにより、光ファイバ61,62に対するVCSEL20およびフォトディテクタ30の光結合を同時に実現でき、光結合損失を抑制することができる。その結果、光導波路デバイスの性能向上を図ることができる。さらに、スペーサ25に熱導電性の高い材料にて形成することで、放熱性の向上を図ることができる。<実施形態2>次に、本発明の第2の実施形態を、図4を参照して説明する。図4は、本実施形態における光導波路デバイスの構成を示す図である。本実施形態における光導波路デバイスは、実施形態1と同様に、実装基板10’に搭載されたVCSEL20及びフォトディテクタ30と、各光ファイバ61,62に対する光結合を行うレンズ51~54が装備された45度ミラー50と、を備えている。但し、上述したスペーサ25は装備されていない。そして、本実施形態では、光伝送モジュールの実装基板10’に、フォトディテクタ30の搭載箇所となる凹部11が形成されており、この凹部11に、フォトディテクタ30が配置されている。具体的に、凹部11は、実装基板10’のVICSEL20搭載箇所の面より凹んで形成されており、その深さは、平坦面に配置された状態におけるVCSEL20の活性層21P/N-接合面と、フォトディテクタ30の受光面31P/N-接合面との高さの差に相当する長さに形成されている。上述した凹部11にフォトディテクタ30が搭載されることで、当該フォトディテクタ30は、VCSEL20に対して凹部11の深さ分だけ低い位置に搭載されることになる。これにより、VCSEL20の活性層21P/N-接合面と、フォトディテクタ30の受光面31P/N-接合面とは、実装基板10’に対する高さ位置が同一となり、同一平面上に位置することとなる。また、VCSEL20とフォトディテクタ30との上方に位置する各レンズ51,52は、上述同様に、それぞれレンズ表面の曲率半径が同一であって、同一平面上に配置されている。上記構成にすることにより、VCSEL20の活性層21とレンズ51との間、及び、フォトディテクタ30の受光面31とレンズ52との間、の距離は同一となり、各レンズ51,52の焦点位置に、それぞれ活性層21と受光面31とが位置した状態となる。これにより、光ファイバ61,62に対するVCSEL20およびフォトディテクタ30の光結合を同時に実現でき、光結合損失を抑制することができる。その結果、光導波路デバイスの性能向上を図ることができる。さらに、モジュール自体の全体の高さを抑制することもでき、小型化を図ることができる。なお、上述した構成に加えて、実施形態1で開示した任意の高さのスペーサ25を実装基板10’上、場合によっては、凹部11内に配置して、当該スペーサ25の上にVCSEL20やフォトディテクタ30を搭載してもよい。これにより、VCSEL20とフォトディテクタ30との高さ位置を調節し、VCSEL20の活性層21P/N-接合面と、フォトディテクタ30の受光面31P/N-接合面と、の高さ位置を同一に設定してもよい。<実施形態3>次に、本発明の第3の実施形態を、図5を参照して説明する。図5は、本実施形態における光導波路デバイスの構成を示す図である。本実施形態における光導波路デバイスは、実施形態1,2と同様に、実装基板10に搭載されたVCSEL20及びフォトディテクタ30’と、各光ファイバ61,62に対する光結合を行うレンズ51~54が装備された45度ミラー50と、を備えている。そして、本実施形態におけるフォトディテクタ30’は、一般に裏面入射型フォトディテクタと呼ばれているものであり、当該フォトディテクタ30’の基板が透明に形成されており、その上に受光面31が積層されている。このため、フォトディテクタ30’は、透明な基板を通過して入射されたレーザ光を受光面31にて受光する、という構成を取っている。従って、フォトディテクタ30’は、図5に示すように、当該フォトディテクタ30’の基板がレンズ52側に位置し、受光面31となるP/N-接合面側が光伝送モジュールの実装基板10にボンディング接合されて搭載された状態となっている。上記構成のフォトディテクタ30’を用いることで、図5に示すように、VCSEL20の活性層21P/N-接合面と、フォトディテクタ30’の受光面31P/N-接合面とは、その高さ位置が同一となり、同一平面上に位置することとなる。さらに、VCSEL20とフォトディテクタ30’との上方に位置する各レンズ51,52は、上述同様に、それぞれレンズ表面の曲率半径が同一であって、同一平面上に配置されている。以上より、VCSEL20の活性層21とレンズ51との間、及び、フォトディテクタ30’の受光面31とレンズ52との間、の距離は同一となり、各レンズ51,52の焦点位置に、それぞれ活性層21と受光面31とが位置した状態となる。これにより、光ファイバ61,62に対するVCSEL20およびフォトディテクタ30’の光結合を同時に実現でき、光結合損失を抑制することができる。その結果、光導波路デバイスの性能向上を図ることができる。さらに、モジュール自体の構成を簡略化できるため、小型化及び低コスト化を図ることができる。なお、上述した構成に加えて、実施形態1で開示した任意の高さのスペーサ25を設けたり、実施形態2で開示した任意の深さの凹部11を実装基板10に形成して、スペーサ25上や凹部11内に、VCSEL20やフォトディテクタ30’を搭載してもよい。これにより、VCSEL20とフォトディテクタ30’との高さ位置を調節し、VCSEL20の活性層21P/N-接合面と、フォトディテクタ30’の受光面31P/N-接合面との高さ位置を同一に設定してもよい。<実施形態4>次に、本発明の第4の実施形態を、図6を参照して説明する。図6は、本実施形態における光導波路デバイスの構成を示す図である。本実施形態における光導波路デバイスは、上記各実施形態1,2と同様に、実装基板10に搭載されたVCSEL20及びフォトディテクタ30と、各光ファイバ61,62に対する光結合を行うレンズが装備された45度ミラー50と、を備えている。そして、本実施形態では、上述した図2の場合と同様に、VCSEL20は、GaAsGaInAsの活性層21を備えており、P/N-接合側の面が実装基板10にボンディング接合し、VCSEL20自体の基板側からレーザ光を出力するものである。また、フォトディテクタ30は、P/N-接合側の面が実装基板10とは反対側に位置している。このため、図6に示すように、VCSEL20とフォトディテクタ30が平坦面である実装基板10上に載置された状態においては、VCSEL20の活性層21P/N-接合面と、フォトディテクタ30の受光面31P/N-接合面とは、その高さ位置が異なり、同一平面上に位置していない。一方、本実施形態においては、VCSEL20とフォトディテクタ30との上方に位置する各レンズ51’,52’は、同一平面上に配置されているが、上述した各実施形態の場合とは異なり、当該各レンズ51’,52’のレンズ表面の曲率半径が相互に異なって形成されている。換言すると、各レンズ51’,52’の焦点距離が相互に異なる。但し、VCSEL20に対応するレンズ51’の曲率半径は、その焦点位置にVCSEL20の活性層21が位置するよう設定されており、フォトディテクタ30に対応するレンズ52’の曲率半径は、その焦点位置にフォトディテクタ30の受光面31が位置するよう設定されている。以上より、VCSEL20の活性層21とレンズ51との間、及び、フォトディテクタ30の受光面31とレンズ52との間、の距離は異なるものの、各レンズ51’,52’の曲率半径つまり焦点距離が異なるよう構成することで、各レンズ51’,52’の焦点位置に、それぞれVCSEL20の活性層21とフォトディテクタ30の受光面31が位置するようになる。従って、光ファイバ61,62に対するVCSEL20およびフォトディテクタ30の光結合を同時に実現でき、光結合損失を抑制することができる。その結果、光導波路デバイスの性能向上を図ることができる。さらに、モジュール自体の構成を簡略化できるため、小型化及び低コスト化を図ることができる。なお、上述した構成に加えて、実施形態1で開示した任意の厚みのスペーサ25を設けたり、実施形態2で開示した任意の深さの凹部11を実装基板10に形成して、スペーサ25上や凹部11内に、VCSEL20やフォトディテクタ30を搭載してもよい。これにより、VCSEL20とフォトディテクタ30との高さ位置を調節し、各レンズ51’,52’の焦点位置が、それぞれVCSEL20の活性層21P/N-接合面と、フォトディテクタ30の受光面31P/N-接合面とに位置するよう設定してもよい。<実施形態5>次に、本発明の第5の実施形態を、図7を参照して説明する。図7は、本実施形態における光導波路デバイスの構成を示す図である。本実施形態における光導波路デバイスは、上記実施形態4と同様に、実装基板10に搭載されたVCSEL20及びフォトディテクタ30と、各光ファイバ61,62に対する光結合を行うレンズが装備された45度ミラー50’と、を備えている。そして、VCSEL20は、GaAsGaInAsの活性層21を備えており、P/N-接合側の面が実装基板10にボンディング接合し、VCSEL20自体の基板側からレーザ光を出力するものである。また、フォトディテクタ30は、P/N-接合側の面が実装基板10とは反対側に位置している。このため、図7に示すように、VCSEL20とフォトディテクタ30が平坦面である実装基板10上に載置された状態においては、VCSEL20の活性層21P/N-接合面と、フォトディテクタ30の受光面31P/N-接合面とは、その高さ位置が異なり、同一平面上に位置していない。一方、本実施形態においては、VCSEL20とフォトディテクタ30との上方に位置する各レンズ51,52は、同一の曲率半径にて形成されているが、上述した各実施形態の場合とは異なり、その配置位置が同一平面上ではなく相互に異なる。具体的には、フォトディテクタ30に対応するレンズ52の配置位置よりも、VCSEL20に対応するレンズ51の配置位置の方が、実装基板10に近く設定されている。但し、各レンズ51,52は、VCSEL20の活性層21に対する距離と、フォトディテクタ30の受光面31に対する距離が同一となっている。このようにすることで、VCSEL20に対応するレンズ51の焦点位置が当該VCSEL20の活性層21に位置し、フォトディテクタ30に対応するレンズ52の焦点位置が当該フォトディテクタ30の受光面31に位置するようになる。以上より、VCSEL20の活性層21とレンズ51との間、及び、フォトディテクタ30の受光面31とレンズ52との間、の距離が同一となるよう各レンズ51,52の実相基板10に対する距離が相互に異なるよう構成することで、光ファイバ61,62に対するVCSEL20およびフォトディテクタ30の光結合を同時に実現でき、光結合損失を抑制することができる。その結果、光導波路デバイスの性能向上を図ることができる。さらに、モジュール自体の構成を簡略化できるため、小型化及び低コスト化を図ることができる。なお、上述した構成に加えて、実施形態1で開示した任意の厚みのスペーサ25を設けたり、実施形態2で開示した任意の深さの凹部11を実装基板10に形成し、スペーサ25上や凹部11内に、VCSEL20やフォトディテクタ30を搭載してもよい。これにより、VCSEL20とフォトディテクタ30との高さ位置を調節し、各レンズ51,52の焦点位置が、それぞれVCSEL20の活性層21P/N-接合面と、フォトディテクタ30の受光面31P/N-接合面とに位置するよう設定してもよい。ここで、上述した各実施形態における光導波路デバイスおよび光伝送モジュールでは、一対のVCSELおよびフォトディテクタを搭載している場合を説明したが、本発明では、一対に限らず、多対のVCSELおよびフォトディテクタを搭載した多チャンネルの光導波路デバイスおよび光伝送モジュールにも適用可能である。また、上述した各実施形態における光導波路デバイスおよび光伝送モジュールでは、GaAs半導体基板が発振波長の980nm-1100nmに対して透明であるGaAsGaInAs歪量子井戸を用いたVCSELについての場合を説明したが、本発明では、GaAsGaInAs歪量子井戸を用いたVCSELに限らず、InP半導体基板が発振波長の1300nm-1640nmに対して透明であるInPGaInAsP量子井戸あるいはInPGaInAs量子井戸を用いたVCSELを搭載した光導波路デバイスおよび光伝送モジュールにも適用可能である。また、上述した各実施形態における光導波路デバイスおよび光伝送モジュールでは、45度ミラー50,50’を備えた構成を説明したが、45度ミラーを装備していなくてもよい。つまり、各レンズ51,52と光ファイバ61,62との間の構成は、いかなる構成であってもよい。"