"シャワーヘッドの上部表面に結合されたサーマルチャンバ、前記シャワーヘッドの下部表面に結合された処理チャンバ、および基板を支持する前記処理チャンバ中のペデスタルを提供することと、前記サーマルチャンバ中の第1の処理ガスを加熱して中性ラジカルを作り出すことと、前記中性ラジカルを、前記サーマルチャンバから、前記シャワーヘッドを通って延びる第1のアレイの孔を通して、前記処理チャンバまで送出することと、第2の処理ガスを、前記第1のアレイの孔から隔離されている前記シャワーヘッドの第2のアレイの孔を通して送出することと、前記中性ラジカルを前記第2のプロセスガスと混合することと、前記処理チャンバ中で前記基板に材料の層を堆積させることとを含む装置。前記シャワーヘッドと前記ペデスタルとの間にRF電力を印加することと、前記基板より上の前記処理チャンバ中でプラズマを発生させることとをさらに含む、請求項1に記載の方法。処理の間、前記ペデスタルを100°C未満に冷却することをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記サーマルチャンバ中のヒータから熱を発生させることと、前記熱を前記サーマルチャンバからスペーサリングを通して前記シャワーヘッドまで熱伝導することと、前記第2のプロセスガスが前記シャワーヘッドの前記第2のアレイの孔を通って流れる間に前記第2のプロセスガスを加熱することとをさらに含む、請求項1に記載の方法。熱を前記サーマルチャンバから熱伝導性のスペーサリングを通して前記シャワーヘッドまで隔離することをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記スペーサリングに結合されたか、またはその中に埋め込まれたヒータをさらに備える、請求項1に記載の装置。前記サーマルチャンバに結合されたヒータをさらに備える、請求項1に記載の装置。前記サーマルチャンバが、前記サーマルチャンバに前記第1のプロセスガスを分配するブロッカプレートを含む、請求項1に記載の装置。前記シャワーヘッドが、前記上部表面と前記下部表面との間の内部体積部と、前記内部体積部への入口孔と、前記第2のプロセスガスが前記処理チャンバまで流れるための前記下部表面の第2のアレイの孔とを含む、請求項1に記載の装置。前記シャワーヘッドは、各々が、前記上部表面から前記下部表面まで延びる前記第1のアレイの孔と位置合わせされた貫通孔を有する複数の隆起カラムを含む、請求項1に記載の装置。前記複数の隆起カラムがセラミック材料で製作される、請求項10に記載の装置。シャワーヘッドの上部表面に結合されたプラズマ発生チャンバと、前記シャワーヘッドの下部表面に結合された処理チャンバと、基板を支持する前記処理チャンバ中のペデスタルとを提供することと、前記プラズマ発生チャンバと前記シャワーヘッドの前記上部表面との間に電力を印加することと、前記プラズマ発生チャンバ中の第1のプロセスガスにエネルギーを与えてプラズマを発生させることと、前記プラズマ発生チャンバに隣接し、上部表面および下部表面を有し、前記上部表面から前記下部表面まで延びる第1のアレイの孔を有するシャワーヘッドであり、前記シャワーヘッドの前記上部表面が前記プラズマ発生チャンバの下部電極であるシャワーヘッドと、処理チャンバであり、前記シャワーヘッドの前記下部表面が前記処理チャンバの上部表面である処理チャンバと、前記シャワーヘッドの前記下部表面に隣接する基板を支持するための前記処理チャンバ内のペデスタルとを含む方法。前記シャワーヘッドの下部表面に結合されたRF電源をさらに含み、前記ペデスタルが接地される、請求項12に記載の装置。前記ペデスタルが、処理の間、前記ペデスタルに配置された基板を100°C未満に保つための冷却機構を含む、請求項12に記載の装置。前記シャワーヘッドが、前記上部表面と前記下部表面との間の内部体積部と、前記内部体積部への入口孔と、第2のプロセスガスが前記処理チャンバまで流れるための前記下部表面の第2のアレイの孔とを含む、請求項12に記載の装置。前記プラズマ発生チャンバの上部電極が、前記第1の処理ガスを分配するためのブロッカプレートである、請求項12に記載の装置。前記上部電極と前記下部電極との間のスペーサリングであり、誘電性で熱伝導性であるスペーサリングをさらに備える、請求項12に記載の装置。前記上部電極と前記下部電極との間のスペーサリングであり、誘電性で熱絶縁性であるスペーサリングをさらに含む、請求項12に記載の装置。前記上部電極と前記下部電極との間のスペーサリングと、前記スペーサリングに結合されたか、またはその中に埋め込まれたヒータとをさらに備える、請求項12に記載の装置。前記プラズマ発生チャンバに結合されたヒータをさらに備える、請求項12に記載の装置。前記シャワーヘッドを通って垂直に延びる複数の孔であり、前記孔が5:1を超える深さ対幅比を有する複数の孔をさらに含む、請求項12に記載の装置。前記上部電極と前記下部電極との間のスペーサリングと、前記スペーサリングを通って垂直に延びる複数の孔であり、前記孔が5:1を超える深さ対幅比を有する複数の孔をさらに含む、請求項12に記載の装置。本開示は、化学気相堆積CVDで使用されるモジュール式前駆体ガス処理システムに関する。図1を参照すると、CVD処理システム101の一実施形態の断面図が示される。プラズマ処理システム101は、アンテチャンバ111と、処理チャンバ121と、アンテチャンバ111を処理チャンバ121から分離するシャワーヘッド107とを含む。システム101は、マニホルド103、ガスボックス113、スペーサリング115、ブロッカプレート119、ペデスタル117、隔離体129、および本体131をさらに含む。半導体ウエハなどの基板106は処理チャンバ121に隣接してペデスタル117上に維持される。ペデスタル117は、処理チャンバ121内で垂直に移動して、下げた位置にいる間にスリットバルブ図示せずを通して基板106を処理チャンバ121に挿入するか、またはそれから取り出すことができる位置までペデスタル117を下げるのを可能にすることができる。ペデスタル117が下げた位置にいるとき、新しい基板106がペデスタル117上に位置づけられ、プロセス位置に持ち上げられ、それにより、基板106はプロセス領域に隣接して配置される。一実施形態では、ペデスタル117はヒータ118および/または冷却機構122を含むことができる。2009年12月18日に出願されたMultifunctionalHeater/ChillerPedestalForWideRangeWaferTemperatureControlという米国特許出願第12/641,819号は参照により本明細書に組み込まれ、ヒータ118および冷却機構122を含むペデスタルの実施形態に関する追加の詳細を開示している。ヒータ118および冷却機構122を使用して、任意の所望の温度に基板106を維持することができる。プロセスガスはシャワーヘッド107を通して供給される。本発明の好ましい実施形態では、複数のガスを使用して基板106を処理する。これらのガスは、ウエハを処理するのに必要とされるガス状混合物を形成する、すなわち、ウエハ上に堆積物を形成するか、または基板106を化学的にエッチングする。一実施形態では、シャワーヘッド107の底面と基板106の上部表面との間の距離は約0.2~2.0インチ0.51~5.1センチメートルとすることができる。この距離はプロセスガスの混合を最適化するように調整することができる。処理チャンバ121は、熱プロセッサとして、またはプラズマチャンバとして機能するように構成することができる。熱処理モードでは、隔離体129は、金属材料などの導電性でもある熱伝導性材料で製作することができる。プラズマチャンバ構成では、隔離体129は、シャワーヘッド107をペデスタル117から電気的に分離する誘電性材料で製作することができる。電源124からのRF電力は、導電性本体131に結合することができるペデスタル118とシャワーヘッド107との間に印加することができる。例えば、RF電源はシャワーヘッド107に結合することができ、ペデスタル118は接地することができる。電界は、処理チャンバ121内のガスにエネルギーを与えてプラズマにすることができる。アンテチャンバ111は、様々なプロセスを行うように構成することができるモジュール構造とすることができる。一実施形態では、アンテチャンバ111は熱処理ユニットとすることができる。他の実施形態では、アンテチャンバ111はプラズマ発生装置とすることができる。アンテチャンバ111設計をモジュールとすることができるので、アンテチャンバ111は、ユーザによる必要に応じて異なる機能を行うように取外しおよび取替えを行うことができる。一実施形態では、アンテチャンバ111は、1つまたは複数のヒータ303、304を含む熱処理ユニットである。いくつかの前駆体ガスは、加熱されると、解離して、基板を処理するのに使用することができる中性ラジカルを生成することができる。加熱温度はプロセスガスの解離温度によって決めることができる。一実施形態では、熱処理ユニットは、約550°Cから600°C以上まで加熱することができる。他の実施形態では、様々な他のプロセスをアンテチャンバで行って中性ラジカルを生成することができる。例えば、アンテチャンバは、前駆体ガスを解離させるために使用される光エネルギー源を含むことができる。前駆体ガスがオゾンである場合、オゾンを185nmまたは254nmの波長の光にさらすと、酸素ラジカルの生成をもたらすことができる。別の実施形態では、アンテチャンバ111は、各々電極として機能するブロッカプレート119の底面とシャワーヘッド107の上部表面とに容量的に結合することができるプラズマ発生装置を含む。ブロッカプレート119はRF電源に結合することができ、シャワーヘッド107は電気的に接地することができる。プラズマ発生装置アンテチャンバ111の体積部はスペーサリング115で囲まれる。スペーサリング115は、この実施形態では、ブロッカプレート109をシャワーヘッド107から分離するので、スペーサリング115は電気的に絶縁性である。他の実施形態では、アンテチャンバ111は、誘導コイル112または任意の他の好適なエネルギー源を含めて、プラズマを生成するための他のタイプのエネルギー源を含むことができる。動作の間、第1の処理ガスは、マニホルド103を通ってブロッカプレート119の上の体積部に流れ込むことができる。第1の処理ガスはアンテチャンバ111の幅の端から端までブロッカプレート119によって分配され、孔を通ってアンテチャンバ111に流れ込む。RF電力は、ブロッカプレート119とシャワーヘッド107との間にAC電界を生成する。第1のプロセスガスの原子はイオン化され、電子を放出し、電子はRF界によって加速される。電子は、さらに、衝突によって直接または間接的に第1のプロセスガスをイオン化し、二次電子を生成することができる。電界は電子雪崩を発生させ、豊富な自由電子により導電性プラズマを生成することができる。図2を参照すると、基板処理システム101の断面図が示され、第1の処理ガス201および第2のプロセスガス202の流路が示される。第1の処理ガス201は、マニホルド103を通り、ガスボックス113を垂直に通り、ブロッカプレート119まで流れ、ブロッカプレート119は第1のプロセスガス201を分配する。第1のプロセスガス201は、ブロッカプレート119を通ってアンテチャンバ111に流れ込む。一実施形態では、熱処理を第1のプロセスガス201に行い、イオンおよび中性ラジカル209が生成される。中性ラジカル209は、シャワーヘッド107の垂直孔255を通って処理チャンバ121に流れ込む。第2の処理ガス202は、マニホルド103およびガスボックス113を通って流れることができる。次に、第2の処理ガス202は、スペーサリング115を通ってシャワーヘッド107まで流れることができる。第2の処理ガス202は外径の近くの多数の場所でシャワーヘッド107に入り、シャワーヘッド107を水平に通り、中性ラジカル209の流路から分離された流路を通って流れる。したがって、シャワーヘッド107内で、中性ラジカル209と第2の処理ガス202との間に接触はない。第2のプロセスガス202は底面のアレイの孔255を通ってシャワーヘッド107を出ていき、中性ラジカル209は第2のプロセスガス202と混合する。混合されたプロセスガス202、209の反応により、ペデスタル117に配置された基板106に材料の層を堆積させることができる。熱プロセッサが処理チャンバ121の極めて近くにあるので、中性ラジカル209は、処理チャンバに達する前にはほとんど失われない。図3を参照すると、一実施形態では、アンテチャンバ111はプラズマ発生装置を含む。この実施形態では、第1の処理ガスはエネルギーを与えられてプラズマ203になる。プラズマによって生成された荷電化学種210は、シャワーヘッド107の垂直孔255を通って処理チャンバ121まで流れることができ、荷電化学種210は第2の処理ガス202と混合される。荷電化学種210と第2の処理ガスとの反応は、基板106への材料の層の堆積を引き起こすことができる。一実施形態では、プラズマ発生装置は容量的に結合することができ、ブロッカプレート119とシャワーヘッド107との間に生成される電界を発生させることができる。他の実施形態では、プラズマ発生装置は誘導的に結合することができ、スペーサリング115に誘導コイル114を含むことができる。一実施形態では、垂直孔255は、5:1を超える長さ対幅アスペクト比を有することができる。孔255は幅よりも非常に長いので、プラズマ203はこれらの孔255を通り抜けることができない。例えば、長さ対幅比は約5:1を超えることがある。したがって、第1のプロセスガスの荷電化学種209は処理チャンバ121に入り、基板106は、O、O2、Cl、またはOHプラズマなどのプラズマまたは活性ラジカルにさらされないことになる。処理チャンバのこの特徴は、アンテチャンバ111がプラズマ発生装置であるいくつかの処理方法に適用可能とすることができる。他の実施形態では、孔255の長さ対幅アスペクト比は5未満とすることができる。プラズマ発生装置アンテチャンバ111は処理チャンバ121の極めて近くに位置づけられるので、遠隔プラズマ源によるよりもはるかに多くの荷電化学種209が処理チャンバ121に達する。処理チャンバ121に達する荷電化学種209の割合は80を超えることができる。対照的に、遠隔プラズマ源によって生成されたプラズマのわずか20が脱イオン化される前に処理チャンバに達すると見積もられる。したがって、プラズマ処理システム101は遠隔プラズマ処理システムよりも効率的である。第1の処理ガス201からの荷電化学種209に加えて、基板106は、さらに、第2のプロセスガス202により処理される。一実施形態では、第2の処理ガス202は、面板107に入る前にマニホルド103およびスペーサリング115を通って流れる。図面はスペーサリング115を通して形成された2つの孔を示しているが、いくつかの追加の孔をスペーサリング115のまわりに均等に間隔をおいて配置することができる。一実施形態では、第2の処理ガス202は脱イオン化のままとすることができる。イオン化を避けるために、スペーサリング115を通る孔の設計は、RFスクラバーとして働き、第1の処理ガスのイオン化を防止する高いアスペクト比を有することができる。一実施形態では、第2の処理ガス202用のスペーサリング115を通る孔は、5:1以上のアスペクト比を有することができる。これらの孔は直径を約0.020インチ0.508ミリメートルから1.20インチ3.048センチメートルの間とすることができ、孔の長さは約0.100インチ2.54ミリメートルから6.00インチ15.24センチメートルにわたることができる。他の実施形態では、スペーサリング115を通る孔のアスペクト比は5:1未満とすることができる。第2のプロセスガス202は、スペーサリング115からシャワーヘッド107に流れ込む。第2の処理ガス202は、シャワーヘッド107の内部体積部を水平に通り、シャワーヘッド107の下部表面からアレイの孔を通って流れ、そこから第2の処理ガス202は処理チャンバ121に流れ込む。一実施形態では、シャワーヘッド107は、2つの処理ガスがシャワーヘッド107内で混合することなくシャワーヘッド107を通って流れることができる特別な設計を有する。シャワーヘッド107は2つの構成要素、すなわち、下部ガス分配プレート148と上部ガス分配プレート150とを含む。これらの2つのプレート148、150は、2つのプロセスガス202、201がプロセスチャンバ121に入るための2つの別個の通路を画定する様々なチャネルおよび孔を含む。シャワーヘッド107の構成要素の例が図4~7に示される。チャネルおよび孔を密閉して第1および第2のプロセスガスを隔離するために、下部ガス分配プレート148および上部ガス分配プレート150を互いに融着させて単一シャワーヘッド107を形成することができる。融着は、ろう付け、溶接、接着剤、または任意の他の好適な融着プロセスで行うことができる。他の実施形態では、下部ガス分配プレート148および上部ガス分配プレート150は一緒に結合させることができ、金属またはOリングなどのシールを使用して、異なるガス流路を分離するようにシャワーヘッド107のチャネルおよび孔を密閉することができる。下部ガス分配プレート148および上部ガス分配プレート150は、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス鋼、および他の好適な材料を含む様々な異なる材料で製作することができる。図4は、シャワーヘッドの下部ガス分配プレート150の一実施形態の断面図を示す。図5は、下部ガス分配プレート150の一実施形態の平面図を示す。図6は上部ガス分配プレート148の一実施形態の断面図を与え、図7は上部ガス分配プレート148の一実施形態の底面図を示す。上部ガス分配プレート148は、約1.6mmの直径を有する複数の孔604を含み、ポスト605を通って延びる。これらの孔604は、下部ガス分配プレート148のボア210と位置合わせされる。下部ガス分配プレート148は、シャワーヘッド107の底部から外にポスト605の間のチャネル208から第2の処理ガスを分配するのに使用される複数の孔661をさらに含む。一実施形態では、上部ガス分配プレート148には約600個から2000個の孔があり、それらは第1のガス孔206および下部ガス分配プレート148の関連するカウンタボア210の配列に全く同じに一致する。下部ガス分配プレート148のチャネル208にガスを供給するガス分配孔606は、各々が約0.125インチ0.318センチメートルから0.375インチ0.953センチメートルの直径を有する8つの孔が存在するように上部ガス分配プレート150の周囲に配置される。シャワーヘッド107を組み立てるために、下部分配プレート148および上部分配プレート150は一緒に融着することができる。一実施形態では、下部分配プレート148と上部分配プレート150とは互いにクランプされ、そのアセンブリは炉に入れられ、そこでガス分配プレート148、150は互いにロウ付けされる。他の実施形態では、エラストマまたは金属Oリングを使用して、面板130内にガスを保持するか、またはガスの分離を維持することができる。底部プレート148と最上部プレート150とは、フランジ202とフランジ支持体600との接合部で融着される。加えて、プレート148および150は、孔204および206の最上部に隣接する表面608で連結される。具体的には、フランジ202とフランジ支持体600とを外側エッジ902で融着して、十分な密閉を形成し、ガスのすべてをシャワーヘッド内に維持する。さらに、上部ガス分配プレート150と下部ガス分配プレート148のフランジ202とは、下部ガス分配プレート148に形成されたガスチャネル208にガスを供給する円周方向プレナム900を形成する。上部ガス分配プレート150は、第2のプロセスガスを下部ガス分配プレート148の孔204に分配するために均一な長方形断面チャネル208を形成するようにチャネル208の最上部を形成する。上部ガス分配プレート150の孔604は、下部ガス分配プレート148の穴210と位置合わせされ、それにより、第1のプロセスガスは、処理チャンバのプロセス領域に達するのを妨げられずに両方の分配プレート148および150を通過することができる。他の実施形態では、他のシャワーヘッド構成が可能である。例えば、シャワーヘッドは平面の上部および下部プレートを有することができる。上部プレートは第1のプロセスガス用の孔を有することができ、下部プレートは第1のプロセスガスおよび第2のプロセスガス用の孔を有することができる。図1~6に示したように、第1のプロセスガス用の孔は、下部プレートの最上部に接触する上部プレートのカラムを通って延びる。他の実施形態では、シャワーヘッドの上部表面と下部表面との間のカラムは、中性ラジカルまたは荷電化学種の再結合を低減することができるセラミック、金属、または他の好適な材料などの異なる材料で製作することができる。図1を参照すると、一実施形態では、基板処理システム101は処理ガスおよび基板を加熱するように構成することもできる。一実施形態では、ヒータ303はガスボックス113に結合される。第2のプロセスガス202がガスボックス113を通って流れるとき、ヒータ303はガスを加熱する。一実施形態では、ガスボックス113は、第2のプロセスガス202を約120°Cから180°C、または任意の他の好適な温度まで加熱することができる。追加のヒータ304を、アンテチャンバ111のまわりのスペーサリング115に取り付けることができる。ヒータ304は、アンテチャンバ111を約120°Cから180°Cの温度、または任意の他の好適な温度まで加熱することができる。ヒータ303、304、および118は、電気エネルギーを熱に変換し、伝導および対流によって熱を送出する電気抵抗ヒータとすることができる。ヒータ303、304、および118は電気抵抗器を含むことができ、電圧を抵抗器の両端に印加して熱を発生させることができる。一実施形態では、温度は、ヒータおよび温度センサに結合される1つまたは複数のコントローラで調節することができる。設定温度をコントローラに入力することができ、ヒータ303、304、および118への電力を調節して設定温度を維持することができる。温度センサは、ガスボックス113、アンテチャンバ111、およびペデスタル117などのヒータ303、304、および118のまわりの処理チャンバの実際の温度を検出することができる。検出された温度はコントローラに送出することができ、次に、コントローラはヒータ303、304、および118への電力を調整して所要の設定温度を維持することができる。ヒータ303、304、および118で使用される電力は、電力源によって供給される電力とすることができる。一実施形態では、ヒータ303で生成された熱をガスボックス113のみに隔離し、熱がプラズマ処理システム101の他の構成要素に移送されないようにすることが望ましいことがある。ガスボックス113はスペーサリング115と直接接触することができるが、スペーサリング113が熱絶縁性材料で製作される場合、ガスボックスヒータ303の熱はシャワーヘッド107に移送されないことになる。図8を参照すると、他の実施形態では、スペーサリング115は熱絶縁性材料で製作することができる。ヒータ303は、ガスボックス113を約120°Cから180°Cの温度に加熱する。しかし、スペーサリング115の絶縁の性質により、熱350はガスボックス113からシャワーヘッド107に移送されるのを防止される。したがって、この構成では、シャワーヘッド107はガスボックス113よりも実質的に冷たくことができる。熱的隔離スペーサリング材料の例にはアルミナなどのセラミックスが含まれる。熱はヒータ303からガスボックス113およびスペーサリング115を通ってシャワーヘッド107に移送されるので、ガスボックス113は、一般に、シャワーヘッド107よりも熱いことになる。シャワーヘッドをガスボックスよりも冷たくしておくことによって、第2のプロセスガスは早すぎた分解をしないことができる。より具体的には、第2のプロセスガスは、より冷たいシャワーヘッドを通って流れ、元の状態で処理チャンバに入ることができる。次に、第2のプロセスガスは、第1のプロセスガスからの中性ラジカルまたは荷電化学種と反応することができる。この反応は、基板への材料層の化学気相堆積をもたらすことができる。他の実施形態では、ヒータ303によって生成された熱がプラズマ処理システム101の他の部分に移送されることが望ましいことがある。図9を参照すると、スペーサリング115が熱伝導性材料で製作される場合、熱350はガスボックス113からスペーサリング115を通ってシャワーヘッド107に移送されることになる。熱伝導性の誘電体材料の例にはAlNおよびグラファイトが含まれる。他の実施形態では、スペーサリング115は、良好な熱伝導率と良好な誘電体またはRF隔離体特性とを有する他の材料で製作することができる。シャワーヘッドを加熱することによって、第2のプロセスガスは加熱することができ、それにより、第2のプロセスガスがシャワーヘッドを出る前に荷電化学種への分解がもたらされる。第2のプロセスガスイオンからの荷電化学種は、第1のプロセスガスからの中性ラジカルまたは荷電化学種と反応することができる。第1のプロセスガスのイオンと第2のプロセスガスのイオンとの間のこの反応は、基板への層の化学気相堆積をもたらすことができる。別の実施形態では、図10を参照すると、スペーサリング115は埋込み加熱要素145を含むことができる。ヒータ145によって生成された熱350は、ガスボックス113およびシャワーヘッド107の両方に移送され得る。ヒータ145はガスボックス113とシャワーヘッド107との間に位置するので、熱はこれらの構成要素により均等に分配することができる。一実施形態では、ヒータ145はスペーサリング115を約180°Cから220°Cに加熱することができる。図7を参照して上述したように、一実施形態では、ヒータ145はコントローラおよび温度センサに結合して、スペーサリング115を所望の温度設定で維持することができる。さらなる別の実施形態では、スペーサリング115用の導電性材料を使用することが可能である。この実施形態では、ブロッカプレート119が面板107に短絡することになり、ブロッカプレート119と面板107との間に電界が存在できないので、プラズマ発生装置アンテチャンバ111は第1のプロセスガスにエネルギーを与えるのに使用されないことになる。しかし、ガスボックスヒータ303および/またはスペーサリングヒータ304によるプロセスガスの加熱は図8~10を参照して上述したように制御することができ、システムはプラズマのないCVD処理チャンバとして使用することができる。導電性で熱伝導性のスペーサリング材料の例にはアルミニウム、ステンレス鋼、および他の材料が含まれる。ヒータおよび異なるスペーサリング材料の使用によって、プラズマ処理システム101は、第1および第2の処理ガスの必要な処理を行うための様々な異なる様式で構成することができる。処理システム101の構成は、行われることになる基板処理によって決めることができる。例示の用途では、処理システムは2ステップの堆積プロセスで使用することができる。図1を参照すると、この用途では、処理チャンバのリッドスタック部分はアルミニウム合金6061で製作することができ、スペーサリング115は導電性とすることができ、その結果、アンテチャンバ111はプラズマ発生装置として機能しない。セラミック隔離体129をRF隔離のためにシャワーヘッド107と本体131との間に配置することができ、その結果、シャワーヘッド107とペデスタル117との間に電荷を印加することができ、プラズマを処理チャンバ121に発生させることができる。第1のシーズニングステップでは、約200~1000mg/minのTEOSおよび5~10slmのO2が、アンテチャンバ111およびシャワーヘッド107のチャネルの両方を通って流れる。RF電力が、多数の電力および周波数で、シャワーヘッド107とペデスタル117との間に印加される。例えば、高周波RF電力の1000ワットおよび低周波数電力の400ワットを処理チャンバ121に印加することができる。TEOSおよびO2は、処理チャンバ121をシーズニングするためにエネルギーが与えられてプラズマになることができる。シーズニングの後、第2の主堆積ステップを行うことができる。処理チャンバ121を熱反応に使用することができるようにRF電力は除去することができる。第1の処理ガスはヘリウムキャリア中のビスジエチルアミノシランBDEASSiH2NEt22とすることができ、ブロッカプレート119およびアンテチャンバ111を通って流れる。BDEAS流量は約2000mg/minとすることができる。第2のプロセスガスは、5重量で約10標準リットル毎分slmの流量を有するオゾンとすることができる。プロセスガスは、マニホルド103、ガスボックス113、アンテチャンバ111、およびシャワーヘッド107を通る別個のチャネルを通って流れることができる。次に、プロセスガスはシャワーヘッド107の下方で混合することができる。処理チャンバ121およびペデスタル117は、BDEASとオゾンとの間で熱反応を引き起こす約50~100°Cの温度に維持することができる。熱反応により、基板106にSiOの層を堆積させることができる。この例では、堆積均一性は1未満とすることができる。第2の例示の用途では、別の2ステップの堆積プロセスが説明される。第1のステップでは、処理システムは、主堆積ステップの酸化ケイ素層のプラズマ化学気相堆積PECVDに使用することができ、第2のステップでは、TEOSキャップが酸化ケイ素層に堆積される。図1を参照すると、スペーサリング115は、アンテチャンバ111がプラズマ発生装置として機能することができるように誘電性材料で製作することができる。主SiO堆積ステップでは、第1の処理ガスは、アンテチャンバ111チャンバへの5重量で約10標準リットル毎分slmの流量を有するオゾンとすることができる。RF電力は、ガスボックス119とシャワーヘッド107の上部表面との間に印加することができる。一実施形態では、RF電力は、高周波の1000Wおよび低周波の400Wとすることができる。プラズマは、シャワーヘッド107を通って流れる中性酸素ラジカルを生成する。第2の処理ガスはBDEASおよびヘリウムとすることができ、それらはシャワーヘッド107の第2のチャネルを通って流れる。中性酸素ラジカルはBDEASと反応し、基板にSiOの層を堆積させることができる。SiO層を堆積させた後、TEOSキャップを第2の処理ステップで堆積させることができる。TEOSおよびオゾンは、電力がガスボックス119とシャワーヘッド107の上部表面との間に印加されるときアンテチャンバ111を通って流れることができる。次に、プロセスガスはシャワーヘッドを通って流れ、基板106上の酸化ケイ素層にTEOSキャップを堆積させることができる。この用途では、ガスボックス温度は、約100~140°Cとすることができ、基板温度は約100~200°Cとすることができる。他の実施形態では、処理システム101は、様々な他のタイプの基板処理のために異なる処理ガスおよび動作条件で使用することができる。特に、アンテチャンバおよび処理チャンバの温度は個別に制御することができる。一実施形態では、アンテチャンバおよび処理チャンバの両方は約150°C未満に保たれる。他の実施形態では、アンテチャンバは熱処理に使用し、非常に熱い動作温度を有することができる。例えば、アンテチャンバは約400~600°Cとすることができる。処理チャンバは、やはり、400~600°Cの同様の高温に維持することができる。さらなる他の実施形態では、アンテチャンバは処理チャンバよりも非常に熱い温度に加熱することができ、または逆に、アンテチャンバは処理チャンバよりも非常に冷たくすることができる。前の図では、シャワーヘッド107の出口孔は簡単にするために直線の孔であるとして示した。しかし、他の実施形態では、出口孔は異なる形状を有する。例えば、図11を参照すると、様々な出口孔の幾何学的形状305~313がある。出口孔305は、狭い上部部分および円錐状下部部分を有する。出口孔306は、狭い上部部分および凹面楕円状下部部分を有する。出口孔307は、逆円錐状上部部分、狭い円筒状中心部分、および円錐状下部部分を有する。出口孔309は、逆円錐状上部部分、狭い円筒状中心部分、および凹面楕円状下部部分を有する。出口孔311は、凹面楕円状上部部分、狭い円筒状中心部分、および円錐状下部部分を有する。出口孔313は、凹面楕円状上部部分、狭い円筒状中心部分、および凹面楕円状部分を有する。特定の実施形態を参照しながら本発明のシステムを説明したが、本発明のシステムの範囲から逸脱することなくこれらの実施形態に追加、削除、および変更を行うことができることを理解されよう。説明したシステムは様々な構成要素を含むが、これらの構成要素および説明した構成は様々な他の構成に変形および再編成することができることがよく理解されよう。"