"略平坦な基板2の上面上に蒸着される複数の多層磁気抵抗センサR1、R2、R3、R4を備える集積磁力計であって、前記基板の前記上面は、複数の傾斜面を有する少なくとも1つの空洞または突起P、CPを提供することと、前記傾斜面のうちの4面上には、前記複数の磁気抵抗センサのうちの少なくとも4つが、異なる、かつ対で反対側の方向性を呈して蒸着され、各センサは、前記各センサが蒸着される面に平行する外部磁場成分に感応することとを特徴とする集積磁力計。前記基板は単結晶タイプであって、具体的にはシリコンタイプであり、前記傾斜面は前記基板の結晶平面に対応する、請求項1に記載の集積磁力計。前記または各空洞または突起は、正方形または長方形であるベースを有する角錐または角錐台の形状を呈する、請求項1から請求項2のいずれか一項に記載の集積磁力計。前記センサの感度軸AR1、AR2、AR3、AR4は前記角錐の先端へ向けて、または前記先端から離れて方向づけられる、請求項3に記載の磁力計。前記センサは各々2つの同一の個別センサによって構成され、かつ反対の方向性を呈する面上に蒸着される個々のセンサはホイートストンブリッジ回路内に接続される、請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の磁力計。前記複数のセンサは同一である、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の磁力計。前記複数のセンサは、反対側の2面に設置されるセンサが反対符号の感度を呈することを除いて同一である、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の磁力計。前記センサの各々は、ホイートストンブリッジ内に接続される4つの同一の個別センサによって構成され、前記ホイートストンブリッジにおいて反対側の位置を占有する前記個別センサのうちの2センサを覆って磁気遮蔽BMが蒸着される、請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の磁力計。前記センサの各々は、反対符号の感度を呈することを除いて同一である2つの個別センサR、R’によって構成される、請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の磁力計。前記多層磁気抵抗センサは、巨大磁気抵抗センサ、および、トンネル磁気抵抗センサ、から選択される、請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の磁力計。前記基板上には、マイクロ電気機械式である少なくとも1つの加速度計AMが集積される、請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の磁力計。前記傾斜面上に配置される磁気抵抗センサを排他的に備える、請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の磁力計。前記磁気抵抗センサは、半径1ミリメートル以下の範囲内、好ましくは半径100マイクロメートル以下の範囲内に配列される、請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の磁力計。請求項1から請求項13のいずれか一項に記載の磁力計を製造するための製造方法であって、前記基板の前記上面内に、または前記上面上に前記または各空洞または突起を製造する第1のステップと、前記多層磁気抵抗センサを連続的な蒸着動作およびリソグラフィ動作によって製造する第2のステップと、こうして製造されるセンサの感度軸を決定するために、外部磁場の印加によってアニールする第3のステップと、を含む製造方法。前記第1のステップは前記基板の異方性エッチングによって実装され、前記基板は単結晶性である、請求項14に記載の製造方法。前記第2のステップは、前記基板の表面上に均一な樹脂層RL’を蒸着する少なくとも1つの動作を含み、前記または各蒸着動作は前記樹脂をスプレーコートまたは気化することによって実行される、請求項14または請求項15に記載の製造方法。先行技術は、3軸を有する集積磁力計の製造を可能にはせず、平面基板上に蒸着される磁気抵抗センサは、せいぜい、基板平面上への外部磁場の投影の2成分を測定することができるだけである。先行技術において、3軸磁力計は概して、共平面ではない少なくとも2つの基板を用いてハイブリッド形式で製造される。その結果生じるデバイスは、製造価格が高く、嵩高くかつ壊れやすいもの、かつとりわけ、磁力計の組み立てに付随する系統的誤差によって制限される精度を呈するものになる。1つまたは2つの軸を有する磁力計を製造することは可能であるが、先に説明したように、オフセットを除去するために比較的複雑な技術を実装することが要求される。米国特許出願公開第2009/027048号明細書および米国特許出願公開第2008/169807号明細書は、基板の平面上に異なる2つの方向性で蒸着される磁気抵抗センサ、並びに前記平面に溝をエッチングして達成される傾斜面上に蒸着される他のセンサを有する集積型3軸磁力計について記述している。平面上に蒸着されるセンサは、磁場を2つの次元で測定する働きをし、一方で溝の傾斜面に蒸着されるセンサは、第3の次元へアクセスできるようにする。オフセットを除去するという問題はそのまま存在し、オフセットのドリフトについても事情は同じである。本発明は、先行技術における上述の欠点を克服しようとするものである。この目的を達成できるようにする本発明の一態様は、請求項1に記載された、略平坦である基板の上面上に蒸着される複数の多層磁気抵抗センサを備える集積磁力計であり、本磁力計は、基板の前記上面は、複数の傾斜面を有する少なくとも1つの空洞または突起を呈することと、前記磁気抵抗センサのうちの少なくとも4つは、異なる、かつ対で対向する方向性を呈する前記傾斜面のうちの4面上に蒸着され、各センサは、それが蒸着される面に対して平行である外部磁場成分に感応すること、を特徴とする。本発明による磁力計の効果的な実施形態は、従属クレームの発明対象を構成している。本発明の別の態様は、先に述べたような磁力計を製造する方法であって、本方法は、前記基板の前記上面内に、またはその上に前記または各空洞または突起を製造する第1のステップと、前記多層磁気抵抗センサを連続的な蒸着動作およびリソグラフィ動作によって製造する第2のステップと、こうして製造されるセンサの感度軸を決定するために、外部磁場の印加によってアニールする第3のステップと、を含む。本方法の具体的な実装において、前記第1のステップは、前記基板の異方性エッチングによって実装されてもよく、よって前記基板は単結晶性でなければならず、前記第2のステップは、前記基板の表面上に均一な樹脂層を蒸着する少なくとも1つの動作を含んでもよく、前記または各蒸着動作は、前記樹脂をスプレーコートする、または気化することによって実行される。本発明の他の特徴、詳細および優位点は、例として示される添付の図面を参照して行う以下の説明を読めば明らかとなるであろう。図5Aおよび図5Bは、結晶平面100に対応する表面の単結晶シリコン基板Sの異方性エッチングによって製造された角錐台形式である突起Pの一面に蒸着された単一のGMR型磁気抵抗センサR1に関連している。このような状態下では、角錐の4面は平面111に対応し、かつこれらの平面は基板の表面に対して角度θ=54.7 ゚で傾斜されている。このタイプの隆起-および同様に角錐台形状である空洞の製造については、論文Chii‐RongYangetal.Studyonanisotropicsiliconetchingcharacteristicsinvarioussurfactant-addedtetramethylammoniumhydroxidewatersolutions,J.Micromech.Micoreng.15,20282005に記述されている。本図において、M1はR1の軟質感応層の磁気モーメントを表し、M2は硬質層の磁気モーメントを表し、AR1は、M2に平行するセンサの検出軸を表す。基板Sの表面は、xy平面に対して平行であり、かつz軸に対して垂直である。Bx、ByおよびBzは各々、測定されるべき外部磁場の軸x、yおよびzに沿った成分である。既知の電流は、センサR1を通ってy軸に平行する方向へ流れ、その終端に渡って測定される電圧V1は、BxおよびBzの関数である、但しByの関数ではないその抵抗を決定する働きをする。センサの線形応答限度内で、その出力信号は、によって与えられる。但し、Sはセンサの感度であり、V0はそのオフセット、即ち磁場の不在下におけるその出力電圧である。そのオフセットに起因して、図5のデバイスに対する注目度は、電圧測定値を磁場成分の値に関連づけることが困難であるために限定的である。図6は、角錐Pの反対側の2面上に2つの同一センサR1およびR3が蒸着されるデバイスを示す。出力信号V1およびV2は、Bx、即ち、を決定できるようにして、オフセットV0の除去を可能にする。これに対して、成分Bzの測定は下記のようにオフセットに依存する。成分Bzの測定に影響するオフセットを除去するためには、センサR1およびR3を上述の図3に示されているタイプのホイートストンブリッジに取り付けられる4センサのうちの2セットで置換することが可能である。ある変形例では、これらのセンサを、先に説明したような平行する感度軸および反対の感度Sを有するセンサ対で置換することが可能である。図7は、本発明の一実施形態におけるデバイスを示し、角錐Pの4面上に4つの同一センサR1、R2、R3およびR4が蒸着され、これらの感度軸AR1、AR2、AR3およびAR4は角錐の先端方向へ向いている。この磁力計は、下記のようにBxおよびByを決定できるようにし、よってコンパスが規定される。探索されるものがxy平面における磁場の方向性のみであれば、感度Sを求める必要はない。図6の場合と同様に、Bzを測定するためには、センサR1、R2、R3およびR4を、図3に示されているタイプのホイートストンブリッジ回路で、または平行する感度軸および反対の感度Sを有するセンサ対で置換することが必要である。図8は、本発明の別の実施形態におけるデバイスを示し、反対方向の2面上に蒸着されるセンサが、同一の個々のセンサ対R1、R1’およびR3、R3’を形成するように二重にされる点において第1の実施形態とは異なる。4つの個々のセンサは、図示されているようにホイートストンブリッジ式に接続される。電圧VABはBxに正比例し、よって、もはや測定される電圧信号の成分V0を増幅しかつ恐らくはデジタルフォーマットに変換する必要がないことから、測定値を処理しかつダイナミックレンジの増大を有効化するための電子機器が単純化される。また、ブリッジ構造体は、突起Pの他の2面上にも実装されてもよく、磁場の成分Byを示す信号へのアクセスが与えられる。図9は、本発明のさらに別の実施形態におけるデバイスを示し、センサR2およびR4が感度を逆にする個々のAAF構造体を含む矢印AR2およびAR4は角錐Pの先端から離れる方向を指す点においてのみ図7のデバイスと異なる。磁場の3成分は、次式によって与えられる。これは、オフセットV0が完全に除去されていることを意味する。図9に示されているタイプの磁力計を製造するために、AAF構造体を蒸着する間にセンサR1およびR3が蒸着されるべき領域をマスキングすることで足りる。先に説明したように、このソリューションは、GMRセンサよりもTMRセンサ図9に示されているに適している。先に説明したように、AAF構造体の使用に代わるものも存在し、そのためには、磁場を異なる方向へ局所的に印加できるように基板上へ電線路のアレイを製造することで足りる。本発明の磁力計の感度を高めるためには、磁気抵抗センサを搭載する傾斜面上へ磁束集中器CFを設けることが可能である。各磁束集中器は、台形形状を呈しかつそれらのショートベースを介して互いに面する高透磁率の軟質磁性体例えば、パーマロイの2つの平坦な部分によって構成され、これらの高さは磁気抵抗センサの感度軸に対して平行であるよって、角錐のベース方向へ延びる。これらの2つの部分は、磁場の磁束線を、センサが位置決めされる場所であるそれらのスモールベース間領域に集中させる。図12には、この変形例が示されている。図13Aおよび図13Bは、先に述べたような複数具体的には4つの個々の磁力計MM1-MM4で構成される複雑な磁力計を示し、この場合、対応するセンサ-即ち、互いに平行する感度軸を有するセンサが互いに直列に接続されている。これは、信号対雑音比を高めることを可能にし、TMRセンサが使用される場合、これはトンネル接合が崩壊する危険性も減らす。個々の磁力計は、同じ磁場を受けるために、互いに数ミリメートル以下、恐らくは1ミリメートル以下で直近して配列されなければならない。図13Aは、これをさらに読み取りやすくするために、個々の磁力計の1センサだけが他の磁力計の対応するセンサに直列に接続されている単純化した構成を示しているが、図13Bは、個々の磁力計の4分岐が直列接続に加わった構成を示している。当然ながら、個々の磁力計の数は4つ以外である可能性もあり、個々の磁力計は必ずしも整列している必要はなく、例示として、行列式に配列される可能性もある。本発明に関するこれまでの説明は、互いに同一であるセンサの使用を基礎とする実施形態を参照したものである反対符号の感度Sについては、存在するにしても無視している。これは必須の限定ではなく、異なる複数の磁気抵抗センサで構成される磁力計は本発明の範囲から除外されるものではない。しかしながら、系統的誤差を最小限に抑えることを可能にするという理由で、同一のセンサを用いることが好ましい。様々なセンサはモノリシックに集積され、これにより具体的には、これらの特徴が略同一であることの保証を可能にすることが効果的である。同じ目的で、センサは互いに直近して配置されることが好ましく、典型的には、本発明の所定の磁力計のセンサは全て半径1ミリメートル以下の範囲内に存在すべきであり、かつ好ましくは半径100マイクロメートル以下、より好ましくは50マイクロメートル以下の範囲内に存在すべきである。本発明に関するこれまでの説明は、角錐形状である空洞または突起の使用を基礎とする実施形態を参照したものである。しかしながら、これは必須の限定ではなく、少なくとも4つの磁気抵抗センサが、互いに異なる方向性を呈しかつ対として反対向きである4つの傾斜面上に蒸着されること、またはより一般的には配列されることが重要である。場合により先端を切ったような形の角錐は、この条件を満たす4面を提供する。ある変形例では、平行ではないかつ好ましくは垂直である、例えば山形を形成する2つのV字形の溝を利用することが可能である。図10は、z軸に沿って感応する片持ち梁でマイクロ電気機械式加速度計AMと共に集積された、図9に示されているタイプの磁力計MMを示す立面図である。デバイスが休止状態にあるとき、加速度計は、z軸に沿った重力gに起因する加速成分を測定し、よって、前記軸の垂直線に対する傾斜角の決定を可能にする。これは、局所的垂直線に対して平行かつ垂直である磁場Bの成分を決定することを可能にする。当然ながら、1軸または3軸を有する異なるタイプの加速度計が使用される可能性もある。本発明の磁力計は、概して、超小型電子技術では従来的な技法を用いて基板S上に蒸着される導体線によって電子プロセッサ回路へ接続される。デジタル、アナログまたはデジタル/アナログ混合タイプであってもよいこの回路は、抵抗測定を実行し、かつ磁場の探索成分を決定するためにこれらの測定結果を処理する働きをする。効果的には、この回路は基板S上に集積されてもよい。図11A-図11Dは、本発明の磁力計を製造するための本発明方法の異なるステップを示す詳細線図である。第1のステップは、54.7 ゚で傾斜されるより稠密な平面111を暴露するための、化学エッチングによるシリコン表面100の異方性化学エッチングである。図11Aは、基板のその表面を化学的にエッチングできるように樹脂内に開口が形成された状態である、樹脂層RLで覆われた基板Sを示す。図11Bは、異方性エッチング動作の終わりに達成されかつ樹脂が除去された後の角錐台形状を有する空洞CPを示す。ある変形例では、同じ形状を有する突起を、正方形または長方形形状の領域を除くあらゆる場所の樹脂を除去することによって達成することが可能である。このステップは技術上既知であり、かつ具体的には、Chii-RongYang他による先述の論文に記述されている。第2のステップは、複数の磁気抵抗センサを製造し、かつ従来的な蒸着およびリソグラフィ動作を用いてこれらを電気的に接続することである。ある困難さは、リソグラフィ動作では、空洞または突起の傾斜面に均一な樹脂層を蒸着することが要求される、という事実によって表される。従来のスピンコーティング技術は、傾斜面を暴露されたままにすることから不適である。しかしながら、傾斜面上であっても均一な樹脂層を製造できるようにするスプレーコーティング技術または樹脂気化技術も存在している。例えば、下記の刊行物を参照することもできる。NgaPPhametal.Spraycoatingofphotoresistforpatterntransferonhightopographysurfaces,J.Micromech.Microeng.152005691‐697VijavKumarSinghDepositionofthinanduniformphotoresistonthree‐dimensionalstructuresusingfastflowinspraycoatingJ.Micromech.Microeng.1520052339‐2345T.Ikehara,R.MaedaFabricationofanaccuratelyverticalsidewallforopticalswitchapplicationsusingdeepRIEandphotoresistspraycoating,Microsyst.Technol.12200598103図11Cは、スプレーコーティングによって蒸着された樹脂層RL’を示す。外部磁場BRの存在下で実行されるアニールは、遮断層および軟質層を分極するためにセンサの製造後または製造中に実行される図11D。"