周囲の湿度変化に応じて静電容量が変化する検出部20、および周囲の湿度変化に応じて静電容量が変化すると共に湿度変化に対する静電容量の変化の傾きが前記検出部20と異なる基準容量部30が基板10に形成され、前記検出部20と前記基準容量部20との出力差から相対湿度を検出する容量式湿度センサにおいて、前記検出部20および前記基準容量部30それぞれは、前記基板10の厚さ方向に離間して対向配置される下部電極21、31と上部電極22、32とを有すると共に、前記下部電極21、31と前記上部電極22、32との間に湿度に応じて誘電率が変化する感湿部材23、33を備えた積層型の容量素子とされており、前記検出部20および前記基準容量部30におけるそれぞれの前記上部電極22、32には、水分を前記感湿部材23、33に供給する穴が形成されており、前記検出部20における前記下部電極21と対向する前記上部電極22の面積と、前記基準容量部30における前記下部電極31と対向する前記上部電極32の面積とが等しくされており、前記検出部20における前記下部電極21と前記上部電極22との間隔と、前記基準容量部30における前記下部電極31と前記上部電極32との間隔とが異なることにより、前記基準容量部30における前記静電容量の変化の傾きが前記検出部20と異なることを特徴とする容量式湿度センサ。前記検出部20における前記上部電極22と、前記基準容量部30における前記上部電極32とは同じ材料を用いて構成され、前記検出部20における前記感湿部材23と、前記基準容量部30における前記感湿部材33とは同じ材料を用いて構成されていることを特徴とする請求項1に記載の容量式湿度センサ。前記基板10には、前記検出部20および前記基準容量部30に加えて、前記検出部20および前記基準容量部30からの信号を処理する信号処理回路60が備えられ、前記検出部20および前記基準容量部30と前記信号処理回路60とは、前記基板10に形成された配線を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項1または2に記載の容量式湿度センサ。前記下部電極21、31と前記感湿部材23、33との間には、保護膜が形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の容量式湿度センサ。前記検出部20における前記下部電極21と前記基準容量部30における前記下部電極31とは、共通の電極にて構成されていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の容量式湿度センサ。前記検出部20における前記下部電極21と前記上部電極22との間隔は、前記基準容量部30における前記下部電極31と前記上部電極32との間隔より狭くなっていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の容量式湿度センサ。前記基準容量部30における前記下部電極31および前記上部電極32に対して、静電容量が温度変化に対して一定であるコンデンサが備えられていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の容量式湿度センサ。しかしながら、このような容量式湿度センサでは、粉塵等の異物によって上部電極の穴が目詰まりしてしまうことがある。この場合、上記容量式湿度センサでは、検出部および基準容量部における下部電極と対向する上部電極の面積が互いに異なっているため、目詰まりの仕方が検出部と基準容量部とで異なる。つまり、検出部と基準容量部とにおいて、上部電極が周囲の水分を通過させる量が互いに異なることになり、経時変化の仕方が異なる。このため、例えば、初期状態と比較して、感湿部材への水分の供給量の変化の仕方が検出部と基準容量部とで異なり、経時的に検出精度が低下してしまうという問題がある。本発明は上記点に鑑みて、経時的に検出精度が低下することを抑制することができる容量式湿度センサを提供することを目的とする。上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、検出部20および基準容量部30それぞれは、基板10の厚さ方向に離間して対向配置される下部電極21、31と上部電極22、32とを有すると共に、下部電極21、31と上部電極22、32との間に湿度に応じて誘電率が変化する感湿部材23、33を備えた積層型の容量素子とされており、検出部20および基準容量部30におけるそれぞれの上部電極22、32には、水分を感湿部材23、33に供給する穴が形成されており、検出部20における下部電極21と対向する上部電極22の面積と、基準容量部30における下部電極31と対向する上部電極32の面積とが等しくされており、検出部20における下部電極21と上部電極22との間隔と、基準容量部30における下部電極31と上部電極32との間隔とが異なることにより、基準容量部30における静電容量の変化の傾きが検出部20と異なることを特徴としている。このような容量式湿度センサでは、検出部20における下部電極21と対向する上部電極22の面積と、基準容量部30における下部電極31と対向する上部電極32の面積とを等しくしている。このため、上部電極22、32に形成されている穴には、同じように目詰まりが発生することになり、周囲の水分を通過させる量が同じように変化することになる。すなわち、検出部20と基準容量部30は同じように経時変化することになる。したがって、経時的に検出精度が低下することを抑制することができる。例えば、請求項2に記載の発明のように、検出部20における上部電極22と、基準容量部30における上部電極32とを同じ材料を用いて構成し、検出部20における感湿部材23と、基準容量部30における感湿部材33とを同じ材料を用いて構成することができる。このような容量式湿度センサでは、例えば、上部電極22、32と感湿部材23、33との熱膨張係数差に起因する熱応力にて上部電極22、32に穴を形成する場合、検出部20および基準容量部30に形成される穴をほぼ同じ形状にすることができる。また、請求項3に記載の発明のように、基板10に、検出部20および基準容量部30に加えて、検出部20および基準容量部30からの信号を処理する信号処理回路60を備え、検出部20および基準容量部30と信号処理回路60とを基板10に形成された配線を介して電気的に接続することができる。このような容量式湿度センサでは、例えば、検出部20および基準容量部30と信号処理回路60とをワイヤボンディングにより電気的に接続する場合と比較して、ワイヤボンディング間の寄生容量を無くすことができ、検出精度を向上させることができる。さらに、請求項4に記載の発明のように、下部電極21、31と感湿部材23、33との間に保護膜を形成することができる。このような容量式湿度センサでは、例えば、上部電極22、32と感湿部材23、33との熱膨張係数差に起因する熱応力にて上部電極22、32に穴を形成する場合、保護膜により熱応力が緩和されて下部電極21、31に割れ等が発生することを抑制することができる。また、請求項5に記載の発明のように、検出部20における下部電極21と基準容量部30における下部電極31とを共通の電極にて構成することができる。このような容量式湿度センサでは、検出部20における下部電極21と基準容量部30における下部電極31とが別々の電極で構成されている場合と比較して、配線パターンを簡略化することができる。そして、請求項6に記載の発明のように、検出部20における下部電極21と上部電極22との間隔を基準容量部30における下部電極31と上部電極32との間隔より狭くすることができる。さらに、請求項7に記載の発明のように、基準容量部30における下部電極31および上部電極32に対して、静電容量が温度変化に対して一定であるコンデンサを備えることができる。このような容量式湿度センサでは、コンデンサの静電容量値を適宜設定することにより、検出部20と基準容量部30との初期容量差を低減することができ、初期静電容量差によるノイズを抑制することができる。なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。第1実施形態本発明の第1実施形態について説明する。図1は本実施形態における容量式湿度センサの平面図、図2は図1に示すA-A断面図である。図1および図2に示されるように、シリコン等で形成される半導体基板10上には、図示しない酸化膜を介して検出部20および基準容量部30が形成されている。具体的には、検出部20は、半導体基板10の厚さ方向に離間して対向配置される下部電極21と上部電極22とを有すると共に、下部電極21と上部電極22との間に湿度に応じて誘電率が変化する感湿部材23を備えた積層型の容量素子とされている。同様に、基準容量部30は、半導体基板10の厚さ方向に離間して対向配置される下部電極31と上部電極32とを有すると共に、下部電極31と上部電極32との間に湿度に応じて誘電率が変化する感湿部材33を備えた積層型の容量素子とされている。そして、検出部20と基準容量部30とは電気的に接続されている。下部電極21、31は、半導体基板10上に酸化膜を介してAlやAl-Si等で形成されており、半導体基板10側と反対の表面は、本発明の保護膜に相当する窒化シリコン膜にて覆われている。本実施形態では、これら下部電極21、31は、半導体基板10上に形成された下層電極40の一部にて構成されている。言い換えると、下部電極21、31は、共通の電極にて構成されている。上部電極22、32は、本実施形態では、それぞれ下部電極21、31より小さい矩形状とされ、AuやCr等で構成されている。そして、周囲の水分をそれぞれ感湿部材23、33に供給する穴、言い換えると感湿部材23、33を上部電極22、32から露出させる図示しない複数の穴がほぼ同じだけ形成されている。また、検出部20における下部電極21と対向する上部電極22の面積は、基準容量部30における下部電極31と対向する上部電極32の面積と等しくされている。すなわち、上部電極22、32は、矩形状とされており、感湿部材23、33に水分を供給する穴がほぼ同じだけ形成されているため、長辺と短辺で囲まれる穴を含めた面積が互いに等しくされている。なお、本明細書において、下部電極21、31と対向する上部電極22、32の面積が互いに等しいとは、完全に等しい場合に加えてほぼ等しい場合を含むものであり、製造誤差等による5のズレを含むものである。さらに、本実施形態では、検出部20における下部電極21と上部電極22との間隔は、基準容量30における下部電極31と上部電極32との間隔より狭くなっている。すなわち、検出部20および基準容量部30は、電極間の距離が異なるものとされることにより、静電容量の湿度変化に対する傾きが互いに異なるようにされている。言い換えれば、検出部20と基準容量部30に感度差を持たせている。感湿部材23、33は、それぞれ下部電極21、31上に窒化シリコン膜を介して形成されており、ポリイミド系ポリマー等からなる吸湿性を備えた高分子材料を有する同一の材料で構成されている。すなわち、本実施形態では、感湿部材23、33は、同じ材料で構成されているため、周囲の湿度に応じて同じように誘電率が変化するようになっている。また、下層電極40および上部電極22、32は、ボンディングワイヤ51~53を介して、半導体基板10と異なる基板に形成された信号処理回路としてのCV変換回路60と電気的に接続されている。そして、検出部20および基準容量部30における静電容量の変化は、CV変換回路60で処理されるようになっている。このような容量式湿度センサでは、感湿部材23、33は上部電極22、32や下部電極21、31と接触していない部分から水分を吸脱着するため、湿度に応じて検出部20および基準容量部30における静電容量が変化する。そして、検出部20と基準容量部30とは湿度に対する静電容量の変化の傾きが互いに異なっているため、CV変換回路60から検出部20の静電容量と基準容量部30の静電容量との差を電圧に変換して外部回路に出力することにより、周囲の相対湿度が検出される。次に、図1に示す容量式湿度センサの製造方法について簡単に説明する。まず、半導体基板10を用意して表面に酸化膜を形成する。その後、蒸着やスパッタリング等により酸化膜上に下層電極層を形成し、パターニングすることにより、下部電極21、31を含む下層電極40を形成する。そして、プラズマCVD法等により、下層電極40を覆うように窒化シリコン膜を形成する。その後、下層電極40のうちの所定領域、つまり下部電極21上に感湿部材23を形成すると共に、下部電極31上に感湿部材33を形成する。具体的には、インクジェット法等により、感湿部材23の膜厚が感湿部材33の膜厚より薄くなるように形成する。その後、蒸着やスパッタリング等により感湿部材23、33を覆うように上部電極層を形成する。その後、フォトリソグラフィ等により上部電極層をパターニングし、感湿部材23上に上部電極22を形成すると共に、感湿部材33上に上部電極32を形成する。続いて、半導体基板10を加熱し、感湿部材23、33と上部電極22、32との熱膨張係数差に起因する熱応力を上部電極22、32に印加し、上部電極22、32に割れや裂け目等を含む穴を形成する。この穴が、感湿部材23、33に水分を供給する部分となる。なお、本実施形態では、上部電極22、32を同じ材料を用いて構成し、感湿部材23、33を同じ材料を用いて構成しているため、上部電極22、32には互いにほぼ同じ穴が形成される。また、下部電極21、31を含む下層電極40上には窒化シリコン膜が形成されており、下層電極40と感湿部材23、33との熱膨張係数差に起因する熱応力は窒化シリコン膜により吸収緩和されるため、下層電極40が割れることは抑制される。以上説明したように、本実施形態では、検出部20における下部電極21と対向する上部電極22の面積と、基準容量部30における下部電極31と対向する上部電極32の面積とを等しくしている。このため、上部電極22、32に形成されている穴には、同じように目詰まりが発生することになり、周囲の水分を通過させる量が同じように変化することになる。すなわち、検出部20および基準容量部30は、ほぼ等しく経時変化することになり、経時的に検出精度が低下することを抑制することができる。図3aは従来の容量式湿度センサにおける検出部と基準容量部の相対湿度と静電容量との関係を示す図、図3bは本実施形態の容量式湿度センサにおける検出部20と基準容量部30の相対湿度と静電容量との関係を示す図である。なお、図3では、実線にて初期の静電容量を示しており、破線にて経時変化後の静電容量を示している。従来の容量式湿度センサでは、例えば、検出部における下部電極と対向する上部電極の面積より、基準容量部における下部電極と対向する上部電極の面積の方が小さくされている。このため、図3aに示されるように、経時変化した後は、初期状態図3a中の実線に対して、相対湿度0RHのときの静電容量は基準容量部の方が大きく低下すると共に、湿度変化に対する静電容量の傾きも基準容量部の方が大きく低下する。これに対し、本実施形態では、検出部20および基準容量部30が同じように経時変化する。したがって、図3bに示されるように、経時変化した後は、初期状態図3b中の実線に対して、相対湿度0RHのときの静電容量はそれぞれ同じ容量だけ低下し、湿度変化に対する静電容量の傾きも同じだけ低下する。すなわち、経時変化後の検出精度が低下することを抑制することができる。第2実施形態本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態の容量式湿度センサは、半導体基板10上にCV変換回路60を備えたものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。図4は、本実施形態における容量式湿度センサの平面図である。図4に示されるように、本実施形態における容量式湿度センサは、半導体基板10上に、検出部20と、基準容量部30と、CV変換回路60とが形成されている。そして、下部電極21、31および上部電極22、32と、CV変換回路60とは、半導体基板10上に形成されたパターン配線等により電気的に接続されている。すなわち、第1実施形態と比較して、ボンディングワイヤを備えない構成とされている。このような容量式湿度センサでは、上記第1実施形態と比較して、下部電極21、31、上部電極22、32とCV変換回路60とを接続するボンディングワイヤを無くしているため、ボンディングワイヤ間で発生する寄生容量を無くすことができ、検出精度を向上させることができる。他の実施形態上記第1、第2実施形態において、基準容量部30を構成する下部電極31および上部電極32に対して、静電容量が温度変化に対して一定であり、かつ、検出部20と基準容量部30との初期静電容量差、例えば、相対湿度0RHにおける静電容量差を小さくする好ましくは0とする容量を有するコンデンサを備えることもできる。このような容量式湿度センサでは、当該コンデンサを備えない場合と比較して、初期静電容量差によるノイズを抑制することができる。また、上記第1、第2実施形態では、感湿部材23、33を同じ材料で構成した例について説明したが、感湿部材23、33を異なる材料で構成することもできる。同様に、上部電極22、32を互いに異なる材料で構成することもできる。さらに、上記第1、第2実施形態では、検出部20における下部電極21と上部電極22との間隔が、基準容量部30における下部電極31と上部電極32との間隔より狭くなっている例について説明したが、例えば、検出部20における下部電極21と上部電極22との間隔が、基準容量部30における下部電極31と上部電極32との間隔より広くされていてもよい。