"N,N’-ビスアルコキシメチルテトラヒドロピリミジノン骨格又はN,N’-ビスヒドロキシメチルテトラヒドロピリミジノン骨格を側鎖に有する下記一般式1及び2上記式1及び2中、Aは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。R1は水素原子、又は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を示し、上記式2中、R2はそれぞれ独立に炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状の酸素原子を含んでもよい1価炭化水素基、又はハロゲン原子を示す。aは0~4の整数、pは0~2の整数を示す。で示される繰り返し単位より選ばれる1以上の繰り返し単位を含むことを特徴とする高分子化合物。更に、下記一般式3で示される繰り返し単位を含む請求項1記載の高分子化合物。上記式3中、Aは上記定義と同じである。Qは単結合、メチレン基、又は鎖の中間にエーテル結合を含んでもよい炭素数2~10のアルキレン基を示す。R3はそれぞれ独立に、炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。bは0~4の整数、cは1~5の整数を示す。rは0又は1、qは0~2の整数を示す。更に、下記一般式4及び5上記式4及び5中、R4はそれぞれ独立に、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、炭素数2~8のハロゲン置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアシルオキシ基、炭素数1~6のハロゲン置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は炭素数1~6のハロゲン置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基を示す。dは0~4の整数である。で示される繰り返し単位から選ばれる1以上の繰り返し単位を含有する請求項1又は2記載の高分子化合物。更に、下記一般式6上記式6中、A及びQは上記定義と同じである。R5はハロゲン原子、炭素数1~20のハロゲン置換されていてもよい1価炭化水素基又は1価炭化水素オキシ基、又は炭素数2~15の1価炭化水素カルボニルオキシ基を示す。tは0又は1、sは0~2の整数である。eは0~5の整数である。で示される繰り返し単位を含有する請求項1乃至3のいずれか1項記載の高分子化合物。ベースポリマーとして請求項1乃至4のいずれか1項記載の高分子化合物を含有する化学増幅ネガ型レジスト組成物。更に、ベースポリマーとして上記一般式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有しない高分子化合物を含むことを特徴とする請求項5記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。上記一般式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有しない高分子化合物は、上記一般式3~6で示される繰り返し単位から選ばれる1種以上を含有する高分子化合物であることを特徴とする請求項6記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。架橋剤として請求項1乃至4のいずれか1項記載の高分子化合物を含有する化学増幅ネガ型レジスト組成物。被加工基板上に請求項5乃至8のいずれか1項記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程と、高エネルギー線をパターン照射する工程と、アルカリ性現像液を用いて現像してレジストパターンを得る工程とを含むパターン形成方法。上記被加工基板が、フォトマスクブランクである請求項9記載のパターン形成方法。要求されるパターンがより微細化するに従い、上述のフェノール単位の代表構造であるヒドロキシスチレン単位を使用するタイプのネガ型レジスト組成物には、多くの改良が加えられてきた。しかし、パターン寸法が0.1μm以下というように、非常に微細になるに従い、微細パターンのラインエッジラフネスを小さくすることが重要になってきた。このラインエッジラフネスは、レジスト膜を低感度化する方法によりある程度改善できるものの、微細なパターンが得られると期待されるEB露光においては、描画に要する時間がKrF露光やArF露光に比べて長いため、スループット向上には、むしろ高感度であることが求められる。また、ベースポリマーの分子量を小さくする事もラインエッジラフネスの低減には寄与すると期待される。しかし、ベースポリマーを架橋させて分子量を増加させ、露光部の不溶化を図るネガ型レジスト組成物においては、ベースポリマーの分子量を小さくすることは架橋反応をより進行させる必要があることを意味するので、結果としてレジスト膜の感度が低下し、それに伴い描画のスループットも低下すると考えられる。上述のラインエッジラフネスの低減やスループットの問題に対して種々の改良が試みられているが、寸法が0.1μm以下のパターン形成を実現するために100nm以下といった薄膜のレジスト膜を用いてパターンを形成しようとした場合には、従来の材料の組み合わせからは好ましい特性が得られにくく、何らかの改良が待たれている。本発明は上記事情に鑑みなされたもので、化学増幅ネガ型レジスト組成物の構成成分として用いた場合、レジストパターン形成後に得られるパターンのラインエッジラフネスが小さく、かつ、分子量が低くても十分な実用感度を与える高分子化合物、この高分子化合物を含有する化学増幅ネガ型レジスト組成物、及びこのレジスト組成物を用いるパターン形成方法を提供することを目的とする。本発明者らは上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、下記一般式1及び2で示される、N,N’-ビスアルコキシメチルテトラヒドロピリミジノン骨格又はN,N’-ビスヒドロキシメチルテトラヒドロピリミジノン骨格を側鎖に有する繰り返し単位から選ばれる1以上の繰り返し単位を構成単位として持つ高分子化合物を調製し、それを含有する化学増幅ネガ型レジスト組成物を用いてパターン形成を行うことにより、ラインエッジラフネスの低減、及び高解像性が得られることを見出し、本発明をなすに至った。即ち、本発明は、下記の高分子化合物、化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法を提供する。請求項1:N,N’-ビスアルコキシメチルテトラヒドロピリミジノン骨格又はN,N’-ビスヒドロキシメチルテトラヒドロピリミジノン骨格を側鎖に有する下記一般式1及び2上記式1及び2中、Aは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。R1は水素原子、又は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を示し、上記式2中、R2はそれぞれ独立に炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状の酸素原子を含んでもよい1価炭化水素基、又はハロゲン原子を示す。aは0~4の整数、pは0~2の整数を示す。で示される繰り返し単位より選ばれる1以上の繰り返し単位を含むことを特徴とする高分子化合物。請求項2:更に、下記一般式3で示される繰り返し単位を含む請求項1記載の高分子化合物。上記式3中、Aは上記定義と同じである。Qは単結合、メチレン基、又は鎖の中間にエーテル結合を含んでもよい炭素数2~10のアルキレン基を示す。R3はそれぞれ独立に、炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。bは0~4の整数、cは1~5の整数を示す。rは0又は1、qは0~2の整数を示す。請求項3:更に、下記一般式4及び5上記式4及び5中、R4はそれぞれ独立に、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、炭素数2~8のハロゲン置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアシルオキシ基、炭素数1~6のハロゲン置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は炭素数1~6のハロゲン置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基を示す。dは0~4の整数である。で示される繰り返し単位から選ばれる1以上の繰り返し単位を含有する請求項1又は2記載の高分子化合物。請求項4:更に、下記一般式6上記式6中、A及びQは上記定義と同じである。R5はハロゲン原子、炭素数1~20のハロゲン置換されていてもよい1価炭化水素基又は1価炭化水素オキシ基、又は炭素数2~15の1価炭化水素カルボニルオキシ基を示す。tは0又は1、sは0~2の整数である。eは0~5の整数である。で示される繰り返し単位を含有する請求項1乃至3のいずれか1項記載の高分子化合物。請求項5:ベースポリマーとして請求項1乃至4のいずれか1項記載の高分子化合物を含有する化学増幅ネガ型レジスト組成物。請求項6:更に、ベースポリマーとして上記一般式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有しない高分子化合物を含むことを特徴とする請求項5記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。請求項7:上記一般式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有しない高分子化合物は、上記一般式3~6で示される繰り返し単位から選ばれる1種以上を含有する高分子化合物であることを特徴とする請求項6記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。請求項8:架橋剤として請求項1乃至4のいずれか1項記載の高分子化合物を含有する化学増幅ネガ型レジスト組成物。請求項9:被加工基板上に請求項5乃至8のいずれか1項記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程と、高エネルギー線をパターン照射する工程と、アルカリ性現像液を用いて現像してレジストパターンを得る工程とを含むパターン形成方法。請求項10:上記被加工基板が、フォトマスクブランクである請求項9記載のパターン形成方法。本発明によれば、N,N’-ビスアルコキシメチルテトラヒドロピリミジノン骨格又はN,N’-ビスヒドロキシメチルテトラヒドロピリミジノン骨格を側鎖に有する上記一般式1及び2で示される繰り返し単位から選ばれる1以上の繰り返し単位を構成単位として持つ高分子化合物が得られ、それを化学増幅ネガ型レジスト組成物に配合することで、微細パターンが要求されるネガ型レジストパターンの形成において、ラインエッジラフネスが改善され、高解像度で微細なパターンを得ることができる。本発明は、N,N’-ビスアルコキシメチルテトラヒドロピリミジノン骨格又はN,N’-ビスヒドロキシメチルテトラヒドロピリミジノン骨格を側鎖に有する下記一般式1及び2上記式1及び2中、Aは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。R1は水素原子、又は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を示し、上記式2中、R2はそれぞれ独立に炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状の酸素原子を含んでもよい1価炭化水素基、又はハロゲン原子を示す。aは0~4の整数、pは0~2の整数を示す。で示される繰り返し単位より選ばれる1以上の繰り返し単位を含むことを特徴とする高分子化合物である。本発明の高分子化合物に含まれる上記式1及び2で示される繰り返し単位中、Aは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。また、上記式1及び2中、R1は水素原子、又は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を示す。上記炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、へキシル基、これらの構造異性体、シクロペンチル基、シクロへキシル基のアルキル基等が好ましく挙げられるが、特に好ましくはメチル基である。炭素数が6を超えると架橋形成能が下がるおそれがある。上記式2中、R2はそれぞれ独立に、炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状の酸素原子を含んでもよい1価炭化水素基、又はハロゲン原子を示す。上記炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基の好ましい例として、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、これらの構造異性体、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のアルキル基が挙げられ、該1価炭化水素基が酸素原子を含む場合、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、へキシルオキシ基、これらの炭化水素部の構造異性体、シクロペンチルオキシ基、シクロへキシルオキシ基等のアルコキシ基が挙げられる。また、上記ハロゲン原子として、具体的には、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。上記一般式1及び2で示される繰り返し単位の好ましい具体例としては、下記のもの等が例示されるが、これらに限定されない。式中、Aは上記定義と同じである。上記式1及び2中のN,N’-ビスアルコキシメチルテトラヒドロピリミジノン骨格は、酸触媒存在下にアルコールが脱離し、求電子反応活性種となり、芳香環の炭素原子やヒドロキシル基の酸素原子等と炭素-炭素結合又はエーテル結合を形成する機能を有する。また、この活性種が反応する相手側が高分子化合物である場合、反応により高分子化し、高度に架橋が形成された場合には、溶剤への不溶化が起こる。更にまた、上記に示したN,N’-ビスアルコキシメチルテトラヒドロピリミジノン骨格を側鎖に持つ繰り返し単位のうちの、窒素原子に置換したアルコキシメチル基がヒドロキシメチル基に置換されている場合にも全く同様に作用し、この場合には、酸触媒下に水が脱離し、求電子反応を起こす。上記反応は、すでに多くの酸硬化性樹脂、特に、化学増幅ネガ型レジスト組成物で用いられている高分子化合物と低分子架橋剤の間で酸触媒によって起こるネガ化機構であるが、本発明の高分子を用いることにより、高分子化合物と低分子架橋剤の組み合わせでは2か所以上の求電子反応が起こって架橋が形成されるのに対し、1回の反応で架橋が形成されることになる。また、従来の高分子化合物と低分子架橋剤の組み合わせを用いた化学増幅ネガ型レジスト組成物の場合、成膜時に架橋剤が必ずしも均一に分散されない可能性がある。本発明の高分子化合物を用いた場合には、予め高分子化合物中に含まれるため架橋剤が局在化してしまう危険性が低くなり、より微細なパターン構造を均一に得ようとした場合、有利に作用する。すでに、上述のような酸触媒による架橋形成能を持つ繰り返し単位を高分子化合物中に導入する試みとしては、2,4-ジアミノ-S-トリアジン骨格特許文献4:特開平8-202037号公報を導入するものや、オキシラン骨格特許文献5:特開2001-226430号公報を導入する例が知られているが、本発明の活性構造であるN,N’-ビスアルコキシメチルテトラヒドロピリミジノン骨格又はN,N’-ビスヒドロキシメチルテトラヒドロピリミジノン骨格は、保存安定性に優れ、溶液として保存しても物性変化を起こし難く、有利な化合物である。従って、以下説明する化学増幅ネガ型フォトレジスト組成物用途以外の酸触媒機構による硬化性樹脂組成物にも有用に適用することができる。ここで、上記式1や2で示される繰り返し単位は、下記式1aの単量体に由来する。上記式1a中、R1は水素原子、又は炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状の1価炭化水素基を示し、R02は下記一般式V-1又はV-2で示される基である。上記式V-1中、R03は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示し、破線は酸素原子との結合手を示す。上記式V-2中、R04は水素原子又はメチル基を示し、R05はそれぞれ独立に炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状の酸素原子を含んでもよい1価炭化水素基、又はハロゲン原子を示す。nは0~2の整数、mは0~42nの整数を示す。破線は酸素原子との結合手を示す。本発明の高分子化合物に含まれる上記式1又は2で示されるテトラヒドロピリミジノン構造を有する架橋形成能を持つ繰り返し単位を与える重合性単量体は、下記スキームA中の一般式IIIで示される化合物を中間体とし、該中間体のヒドロキシル基を用いて、所定の重合反応に用いる重合性単位と適宜結合を形成することによって、ここではエステル化反応により得ることができる。上記式1で示される繰り返し単位を与える重合性単量体に関する具体例として、R1が1価炭化水素基であるアクリル系の単量体とする場合、下記スキームAに従って得ることができるが、これに限定されない。式中、R1及びR03は上記と同じである。R06はメトキシ基又はエトキシ基を示す。R07はハロゲン原子又は下記式式中、R03は上記と同じである。で示される置換基を示す。R08はハロゲン原子を示す。更に詳述すると、上記スキームAのステップiは、1,3-ジアミノ-2-プロパノールと炭酸エステルの反応により、環状尿素IIIを得る工程である。反応は公知の方法グリーンケミストリー、第5巻、396頁~398頁、2003年、ロイヤルソサイエティーオブケミストリー刊に従って行うことができる。反応は、無溶媒又は水溶媒中、1,3-ジアミノ-2-プロパノール、炭酸エステル、及びトリエチルアミン、ピリジン、4-ジメチルアミノピリジン、1,8-ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカ-7-エン、1,5,7-トリアザビシクロ[4,4,0]デカ-5-エン等の塩基を順次又は同時に加え、必要に応じ、冷却又は加熱して行うのがよい。反応後、反応混合物から過剰の炭酸エステルと溶媒を留去することで環状尿素IIIを得ることができる。上記スキームAのステップiiは、環状尿素IIIのヒドロキシル基を、二重結合に置換基を有していてもよいアクリロイル基と連結して、アクリロイルオキシ環状尿素Vを得る工程である。反応は常法に従って行うことができ、溶媒中、環状尿素III、アクリロイル化剤IV、及び塩基を順次又は同時に加え、必要に応じ、冷却又は加熱して行うのがよい。アクリロイル化剤IVとしては、酸クロリド又は酸無水物を用いることができる。アクリロイル化剤IVの使用量は原料である環状尿素III1モルに対し、0.5~10モルが好ましく、特に1.0~5.0モルとすることが好ましい。上記ステップiiで示される反応に用いることができる溶媒として、水、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジ-n-ブチルエーテル、1,4-ジオキサン等のエーテル類、n-ヘキサン、n-ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類、アセトニトリル、ジメチルスルホキシドDMSO、N,N-ジメチルホルムアミドDMF等の非プロトン性極性溶媒類、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等の塩素系有機溶媒等が挙げられる。これらの溶媒は、反応条件により適宜選択して用いればよく、1種単独又は2種以上を混合して用いることができる。また、上記ステップiiで示される反応に用いることができる塩基として、例えば、アンモニア、トリエチルアミン、ピリジン、ルチジン、コリジン、N,N-ジメチルアニリン等のアミン類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム等の水酸化物類、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム等の炭酸塩類等が挙げられる。これらの塩基は、1種単独又は2種以上を混合して用いることができる。上記ステップiiにおける反応温度は、-70°Cから使用する溶媒の沸点程度の範囲が好ましく、反応条件により適切な反応温度を選べるが、通常0~30°Cが特に好ましい。反応温度が高くなると、N-アクリロイル化等の副反応が顕著になる場合があるため、現実的速度で反応が進行する範囲のなるべく低温で反応を行うことが高収率を達成するために重要である。上記反応の反応時間は、収率向上のため、薄層クロマトグラフィー、ガスクロマトグラフィー等により反応の進行を追跡して決定することが好ましいが、通常30分~40時間程度である。反応混合物から通常の水系後処理aqueouswork-upによりアクリロイルオキシ環状尿素Vを得ることができ、必要があれば蒸留、再結晶、クロマトグラフィー等の常法に従って精製することができる。上記スキームAのステップiiiは、アクリロイルオキシ環状尿素Vの窒素原子をアルコキシメチル化して重合性官能基を有する架橋剤VIIを合成する工程である。反応は常法に従って行うことができ、溶媒中、アクリロイルオキシ環状尿素V、アルコキシメチルハライドVI、及び塩基を順次又は同時に加え、必要に応じ、冷却又は加熱して行うのがよい。アルコキシメチルハライドVIの使用量は、原料であるアクリロイルオキシ環状尿素V1モルに対し、1.0~20モルが好ましく、特に2.0~10.0モルとすることが好ましい。上記ステップiiiで示される反応に用いることができる溶媒として、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジ-n-ブチルエーテル、1,4-ジオキサン等のエーテル類、n-ヘキサン、n-ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類、アセトニトリル、ジメチルスルホキシドDMSO、N,N-ジメチルホルムアミドDMF等の非プロトン性極性溶媒類、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等の塩素系有機溶媒等が挙げられる。これらの溶媒は、反応条件により適宜選択して用いればよく、1種単独又は2種以上を混合して用いることができる。また、上記ステップiiiで示される反応に用いることができる塩基として、例えば、アンモニア、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、ルチジン、コリジン、N,N-ジメチルアニリン等のアミン類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム等の水酸化物類、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム等の炭酸塩類等が挙げられる。これらの塩基は、1種単独又は2種以上を混合して用いることができる。上記ステップiiiにおける反応温度は、-70°Cから使用する溶媒の沸点程度の範囲が好ましく、反応条件により適切な反応温度を選べるが、通常0~30°Cが特に好ましい。反応温度が高くなると副反応が顕著になる場合があるため、現実的速度で反応が進行する範囲のなるべく低温で反応を行うことが高収率を達成するために重要である。上記反応の反応時間は、収率向上のため、薄層クロマトグラフィー、ガスクロマトグラフィー等により反応の進行を追跡して決定することが好ましいが、通常30分~40時間程度である。反応混合物から通常の水系後処理aqueouswork-upにより架橋形成能を有する重合性単量体VIIを得ることができ、必要があれば蒸留、再結晶、クロマトグラフィー等の常法に従って精製することができる。また、上記スキームAに従い、架橋剤VIIとしてR1が水素原子である化合物を得るためには、ステップiiiでヒドロキシメチル化すればよく、これについても公知の方法により行うことができる。即ち、上述のアクリロイルオキシ環状尿素Vからの合成は、溶媒中、アクリロイルオキシ環状尿素V、アルコキシメチルハライドVIの代わりにパラホルムアルデヒド又はホルマリン溶液、及び酸を順次又は同時に加え、、必要に応じ、冷却あるいは加熱するなどして行うのがよい。パラホルムアルデヒド又はホルマリンの使用量は、原料であるアクリロイルオキシ環状尿素V1モルに対し、1.0~20モル、特に2.0~10.0モルとすることが好ましい。上記ヒドロキシメチル化する場合のステップiiiで示される反応に用いることができる溶媒として、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジ-n-ブチルエーテル、1,4-ジオキサン等のエーテル類、n-ヘキサン、n-ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類、アセトニトリル、ジメチルスルホキシドDMSO、N,N-ジメチルホルムアミドDMF等の非プロトン性極性溶媒類、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等の塩素系有機溶媒等が挙げられる。これらの溶媒は、反応条件により適宜選択して用いればよく、1種単独又は2種以上を混合して用いることができる。また、上記ステップiiiで示される反応に用いることができる酸として、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、過塩素酸等の無機酸類、p-トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸類等が挙げられる。これらの酸は、1種単独又は2種以上を混合して用いることができる。上記ヒドロキシメチル化する場合のステップiiiにおける反応温度は、-70°Cから使用する溶媒の沸点程度の範囲が好ましく、反応条件により適切な反応温度を選べるが、通常0~50°Cが特に好ましい。反応温度が高くなると副反応が顕著になる場合があるため、現実的速度で反応が進行する範囲のなるべく低温で反応を行うことが高収率を達成するために重要である。上記反応の反応時間は、収率向上のため、薄層クロマトグラフィー、ガスクロマトグラフィー等により反応の進行を追跡して決定することが好ましいが、通常30分~40時間程度である。反応混合物から通常の水系後処理aqueouswork-upによりR1が水素原子である重合性官能基を有する架橋剤VIIを得ることができ、必要があれば蒸留、再結晶、クロマトグラフィー等の常法に従って精製することができる。また、上記式2で示される繰り返し単位を与える重合性単量体は、上述の中間体IIIより、例えば、下記スキームBに従って得ることができるが、これに限定されない。式中、R1、R04、R05、R08、n及びmは上記と同じである。上記スキームBにおいて、ステップivは、環状尿素IIIのヒドロキシル基を、芳香環が置換されていてもよいベンゾイル基と連結して、ベンゾイルオキシ環状尿素IXを得る工程である。反応は常法に従って行うことができ、溶媒中、環状尿素III、ベンゾイル化剤VIII、及び塩基を順次又は同時に加え、必要に応じ、冷却又は加熱して行うのがよい。ベンゾイル化剤VIIIとしては、酸クロリド又は酸無水物を用いることができる。ベンゾイル化剤VIIIの使用量は原料である環状尿素III1モルに対し、0.5~10モルが好ましく、特に1.0~5.0モルとすることが好ましい。上記ステップivで示される反応に用いることができる溶媒として、水、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジ-n-ブチルエーテル、1,4-ジオキサン等のエーテル類、n-ヘキサン、n-ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類、アセトニトリル、ジメチルスルホキシドDMSO、N,N-ジメチルホルムアミドDMF等の非プロトン性極性溶媒類、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等の塩素系有機溶媒等が挙げられる。これらの溶媒は、反応条件により適宜選択して用いればよく、1種単独又は2種以上混合して用いることができる。また、上記ステップivで示される反応に用いることができる塩基として、例えば、アンモニア、トリエチルアミン、ピリジン、ルチジン、コリジン、N,N-ジメチルアニリン等のアミン類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム等の水酸化物類、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム等の炭酸塩類等が挙げられる。これらの塩基は、1種単独又は2種以上を混合して用いることができる。上記ステップivにおける反応温度は、-70°Cから使用する溶媒の沸点程度の範囲が好ましく、反応条件により適切な反応温度を選べるが、通常0~30°Cが特に好ましい。反応温度が高くなると、N-ベンゾイル化等の副反応が顕著になる場合があるため、現実的速度で反応が進行する範囲のなるべく低温で反応を行うことが高収率を達成するために重要である。上記反応の反応時間は、収率向上のため、薄層クロマトグラフィー、ガスクロマトグラフィー等により反応の進行を追跡して決定することが好ましいが、通常30分~40時間程度である。反応混合物から通常の水系後処理aqueouswork-upによりベンゾイルオキシ環状尿素IXを得ることができ、必要があれば蒸留、再結晶、クロマトグラフィー等の常法に従って精製することができる。ベンゾイルオキシ環状尿素IXに対して、上述したステップiiiの反応を行えば、一般式V-2で示される架橋形成能を有する重合性単量体Xを得ることができる。更に、例えば、上述の単量体の合成法を応用し、中間体である上記一般式IIIで示される環状尿素を、例えばノルボルネンカルボン酸クロリドと組み合わせれば、ノルボルネン系ポリマーの合成に用いるための単量体となるように、種々の重合系に適用可能な単量体を得ることができることは容易に理解される。上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有する本発明の高分子化合物には、化学増幅ネガ型レジスト組成物の構成成分として用いる場合、基板への密着性や、更にアルカリ性現像液に対する溶解機能を与えると共に、上記式1及び2で示される繰り返し単位と反応する繰り返し単位として、下記一般式3で示される繰り返し単位を、更に含有させることが好ましい。上記式3中、Aは上記定義と同じである。Qは単結合、メチレン基、又は鎖の中間にエーテル結合を含んでもよい炭素数2~10のアルキレン基を示す。R3はそれぞれ独立に、炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。bは0~4の整数、cは1~5の整数を示す。rは0又は1、qは0~2の整数を示す。上記式3中、Qは単結合、メチレン基又は鎖の中間にエーテル結合を含んでもよい炭素数2~10のアルキレン基を示す。上記アルキレン基の例として好ましくは、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、これらの分岐又は環構造を持つ炭素骨格の構造異性体等が挙げられる。また、上記アルキレン基がエーテル結合を含む場合には、該エーテル結合は、エステル酸素に対してα位の炭素とβ位の炭素の間を除くいずれの箇所に入ってもよい。上記式3中、R3はそれぞれ独立に、炭素数1~6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。炭素数1~6のアルキル基の好ましい例として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基及び分岐又は環構造を持つ炭素骨格の構造異性体が挙げられる。なお、炭素数が6を超えると、アルカリ性現像液に対する溶解性が低くなるおそれがある。上記式3中、rは0又は1である。qは0~2の整数であり、qが0の場合はベンゼン骨格、1の場合はナフタレン骨格、2の場合はアントラセン骨格をそれぞれ示す。また、bは0~4の整数、cは1~5の整数であるが、qが0の場合、好ましくはbは0~3の整数、cは1~5の整数であり、qが1又は2の場合、好ましくはbは0~4の整数、cは1~5の整数である。上記一般式3で示される繰り返し単位のうち、rが0かつQが単結合である場合、つまり芳香環が高分子化合物の主鎖に直接結合した、即ちリンカーのない場合の繰り返し単位は、ヒドロキシスチレン単位に代表されるヒドロキシル基が置換された芳香環に1位置換又は非置換のビニル基が結合されたモノマーに由来する単位であるが、この場合、好ましい具体例としては、3-ヒドロキシスチレン、4-ヒドロキシスチレン、5-ヒドロキシ-2-ビニルナフタレン、6-ヒドロキシ-2-ビニルナフタレン等を挙げることができる。また、rが1である場合、つまりリンカーとしてエステル骨格を有する場合の繰り返し単位は、メタアクリル酸エステルに代表される、カルボニル基が置換したビニルモノマー単位である。メタアクリル酸エステル由来のリンカー-CO-O-Q-を持つ場合の一般式3で示される繰り返し単位の好ましい具体例を以下に示すが、これらに限定されない。更に、本発明の高分子化合物は、下記一般式4及び/又は5上記式4及び5中、R4はそれぞれ独立に、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、炭素数2~8のハロゲン置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアシルオキシ基、炭素数1~6のハロゲン置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は炭素数1~6のハロゲン置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基を示す。dは0~4の整数である。で示される繰り返し単位を含んでもよい。これらを含有する高分子化合物を化学増幅ネガ型レジスト組成物の構成成分として使用した場合には、上記式4や5で示される繰り返し単位に含まれる芳香環が持つエッチング耐性に加えて、主鎖に環構造が加わることによるエッチングやパターン検査の際の電子線照射耐性を高めるという効果が得られる。上記式4及び5中、R4がハロゲン原子の場合、具体的には、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。上記炭素数2~8のハロゲン置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアシルオキシ基の場合、具体的には、アセトキシ基、エチルカルボニルオキシ基、プロピルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、イソブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、シクロペンチルカルボニルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。上記炭素数1~6のハロゲン置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の場合、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、tert-ブチル基等が挙げられる。上記炭素数1~6のハロゲン置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基の場合、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、イソプロポキシ基、tert-ブトキシ基等が挙げられる。上記一般式4及び5で示される繰り返し単位を与える化合物として、好ましくは、以下のもの等が挙げられる。また、本発明の高分子化合物は、化学増幅ネガ型レジスト組成物の構成成分として使用した場合に、アルカリ性現像液に対する溶解性を調整するために、下記一般式6で示される繰り返し単位を含有することができる。上記式6中、A及びQは上記定義と同じである。R5はハロゲン原子、炭素数1~20のハロゲン置換されていてもよい1価炭化水素基又は1価炭化水素オキシ基、又は炭素数2~15の1価炭化水素カルボニルオキシ基を示す。tは0又は1、sは0~2の整数である。eは0~5の整数である。上記式6中、R5がハロゲン原子である場合、具体的にはフッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。また、R5が1価炭化水素基又は1価炭化水素オキシ基である場合において、1価炭化水素基又は1価炭化水素オキシ基の炭化水素部分がアルキル基である場合、該アルキル基は炭素数1~20のものが好ましく、より好ましくは1~10、特に1~8のものが好ましく、好ましいアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、これらの構造異性体、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。一方、1価炭化水素基又は1価炭化水素オキシ基の炭化水素部分が芳香族含有基である場合、炭素数6~20の置換基を有していてもよい芳香族含有基であることが好ましく、好ましい芳香族含有基としては、アルキル基置換又は非置換の、フェニル基、ナフチル基、ベンジルオキシ基、ナフチルオキシ基、フェネチル基等を挙げることができる。また、R5が炭素数2~15の1価炭化水素カルボニルオキシ基である場合、好ましい具体例として、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、シクロペンチルカルボニルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、シクロオクチルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基、ナフチルカルボニルオキシ基等を挙げることができる。上記式6で示される繰り返し単位を構成単位として含有する場合は、芳香環が持つエッチング耐性やポリマーの溶解速度調整に加えて、R5の置換基を適宜変更することで、例えばR5をアルコキシ基とすることによって架橋形成率を向上させる、アルキル基と芳香族基の選択によって架橋形成効率を調整する等、架橋反応のコントロールが可能となり、材料設計に寄与することができる。本発明の高分子化合物は、化学増幅ネガ型レジスト組成物のベースポリマーとして、好適に使用できる。本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物を含め、一般的な化学増幅ネガ型レジスト組成物に用いるベースポリマーには、上述のように、現像工程で用いるアルカリ性現像液、例えば2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液のような現像液に対する溶解性を与える機能と、基板に対する密着性を与える機能、架橋性官能基と反応する機能を与えることが必須であり、更に、アルカリ性現像液に対する溶解性を制御する機能、より高いエッチング耐性を与える機能を更に与えることが好ましい。そして、これらの機能を得るため、それぞれの機能を有する繰り返し単位を組み合わせた高分子化合物を1種単独で使用したり、又は高分子化合物を2種以上組み合わせてそれぞれの機能を全て満たす高分子混合物としたりして、ベースポリマーとする。上記ベースポリマーは、上述の通り、異なる高分子化合物を混合して用いることもできるが、混合しない場合には、それぞれの上記機能を持つ繰り返し単位を決定した後、それぞれの繰り返し単位の構成比を、レジスト膜とした際に好ましい解像性を与えるよう設計する。上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有する単一の高分子化合物でベースポリマーを構成する場合、上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位の高分子化合物全体の繰り返し単位に対する含有比は、好ましくは1~40モルとなるように設計され、より好ましくは2~30モル、更に好ましくは5~15モルである。含有比が1モル未満である場合には、本発明の効果が顕著には得られない場合があり、40モルを超える場合には、未露光部の溶解速度の制御が困難になる場合や、かえって架橋反応効率が下がる場合がある。また、その他の構成単位である繰り返し単位は、選択される繰り返し単位の具体的構造に依存して調整する必要がある。例えば、上記式3で示される繰り返し単位を基板への密着性とアルカリ性現像液に対する溶解性とを与える繰り返し単位とする場合には、極性の強さと芳香環の持つ脂溶性、アルキル置換基の有無にもよるが、現像時に残渣を生じない程度のアルカリ溶解性を得るため、高分子化合物中の全繰り返し単位中、好ましくは20モル以上、より好ましくは30モル以上となるよう設計され、上限は好ましくは90モル、より好ましくは85モルである。90モルを超えて含まれる場合には、微細パターンを形成した際、アンダーカットが出る可能性がある。また、上記式3で示される繰り返し単位は1種のみを用いても、複数種を混合して用いてもよい。また、下記のように上記一般式3で示される繰り返し単位は、上記一般式4や5で示される繰り返し単位の置換基がヒドロキシル基であるものに置き換えることができる。上記式4や5で示される繰り返し単位を用いる場合にも、1種のみでも、複数種を組み合わせて使用することもできる。エッチング耐性を向上させるという効果を得るためには、高分子化合物全体の繰り返し単位に対して5モル以上の導入が好ましく、より好ましくは7以上である。また、上記一般式4や5で示される繰り返し単位中の官能基R4が、ヒドロキシル基である場合の導入量の上限は、上述の繰り返し単位3の好ましい範囲に合算して設計すればよく、即ち、上述の繰り返し単位の好ましい上限である90モル以下であることが好ましい。官能基を持たない場合や、官能基がヒドロキシル基でない場合の上限は、30モル以下であることが好ましい。官能基を持たない場合や、官能基がヒドロキシル基でない場合の導入量が30モルを超えると、現像欠陥の原因となることがある。また、ベースポリマーのアルカリ性現像液に対する溶解速度が高すぎることによりパターン倒れ等が発生する場合には、上記一般式6で示される繰り返し単位を加えることにより、解像性が改善される。上記一般式6で示される繰り返し単位が含まれる場合、高分子化合物全体の繰り返し単位に対する含有比は、好ましくは3~40モル、より好ましくは5~30モルである。40モルより多い場合、現像後に残渣を発生する危険がある。また、この場合、上記一般式6で示される繰り返し単位は1種のみを用いても、複数種を混合して用いてもよい。上記一般式1及び/又は2を含有し、更に3~6から選ばれる繰り返し単位を主要構成単位として含有する高分子化合物をベースポリマーとして使用する場合、更に、その他の繰り返し単位として常用される公知の繰り返し単位を、目安として50モル以下程度であれば含んでもよい。その他の繰り返し単位としては、特開2001-226430号公報特許文献5に記載されたオキシラン環を持った架橋性単位であるメタアクリル酸エステル単位や、ラクトン構造等の密着性基を持つメタアクリル酸エステル単位を使用してもよい。これらのその他の繰り返し単位によってレジスト膜の特性の微調整を行ってもよいが、これらの単位を含まなくてもよい。一方、本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物に用いるベースポリマーは、2種以上の高分子化合物の混合物として構成することもできる。この場合、複数の上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含む高分子化合物同士の混合物としても、上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含む高分子化合物とこれらを含まない高分子化合物との混合物としてもよい。また、混合するための設計法としては、基本的には、混合後の高分子化合物混合物が水性アルカリ性現像液に溶解可能であることを基本に、混合後の高分子化合物混合物中の上記式1~6及びその他の繰り返し単位の含有比が、高分子化合物を単独で用いてベースポリマーとした場合の上記式1~6及びその他の繰り返し単位の含有比として上述した範囲に、それぞれ含まれるように設計すればよい。混合後の上記ベースポリマー全体における上記一般式1及び/又は2で示される繰り返し単位の全繰り返し単位に対する含有比は、上述の単一のベースポリマーを用いる場合の好ましい範囲内とすればよい。そのため、混合前の高分子化合物の全繰り返し単位中に占める上記一般式1及び/又は2で示される繰り返し単位の割合の幅は、大幅に広くとることができる。例えば、上記一般式1及び/又は2のホモポリマーで重量平均分子量Mwが2,000以下であるものを混合する高分子化合物の一部に用いても、混合後のポリマー混合物が水性アルカリ性現像液に可溶であるよう調整することが可能である。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算による測定値として求めることができる。全ての高分子化合物が上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物の混合物では、各高分子化合物における一般式1~6より選ばれる繰り返し単位の含有比は、基本的には、上述した単一の高分子化合物を用いる場合の範囲と同じ範囲で、好ましい含有比の組み合わせを適宜選定すればよい。上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物とこれらを含有しない高分子化合物とを混合してベースポリマーとする場合、上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有しない高分子化合物は、公知の化学増幅ネガ型レジスト組成物に用いられる、アルカリ可溶性であり、かつ一般的な酸発生剤及び架橋剤との組み合わせ下で、高エネルギー線の照射によりアルカリ不溶性となるものであれば如何なる高分子化合物を用いても構わない。しかし、上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物と混合した際に、相分離を起こさないものである必要があり、繰り返し単位の基本構造が類似であるが、上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有しない高分子化合物を選択することが好ましい。例えば、上述のように、上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物として、更に上記式3~6から選ばれる繰り返し単位を組み合わせたものを用いた場合、上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有しない高分子化合物の構成単位としては、上記式3~6で示される繰り返し単位から選ばれることが好ましい。殆どの繰り返し単位が芳香族構造を持たないメタアクリル酸系モノマー由来であるものと殆どの繰り返し単位がスチレン系モノマー由来であるものとのような組み合わせでは、相分離により現像後に大きなラフネスを示す可能性がある。上述の上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物として、更に上記式3~6から選ばれる繰り返し単位を組み合わせたものを用いた場合、これと混合してベースポリマーとするに好ましい、上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有せず、上記式3~6から選ばれる繰り返し単位を組み合わせた高分子化合物の例として、具体的には、下記のものが例示される。なお、上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有しない高分子化合物の各繰り返し単位の含有比は、上述の上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物における、上記式1及び/又は2以外の繰り返し単位の好ましい含有比と同じ範囲において、最適な組み合わせを見出すことができる。また、上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物と上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有しない高分子化合物とを混合してベースポリマーとする場合、上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物は、ベースポリマー全体に対し、1質量以上含まれることが好ましく、より好ましくは5質量以上である。1質量より少ない場合、架橋反応が進行しない可能性やアンダーカット及びエッジラフネスの低減効果が得られないことがある。また、上述のように上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物は、それのみでベースポリマーとして用いることができることから上限は100であることは明らかであるが、上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有しない高分子化合物を混合してパターン形状を微調整する場合には、上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物を、ベースポリマー全体に対し、好ましくは99.5質量以下、より好ましくは98質量以下とする。99.5質量を超える場合には、上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有しない高分子化合物の添加による効果が明確に現れない場合がある。本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物に用いる上記高分子化合物は、公知の方法によって、それぞれの単量体を必要に応じて保護、脱保護反応を組み合わせ、共重合を行って得ることができる。共重合反応は特に限定されるものではないが、好ましくはラジカル重合である。これらの方法については特許文献1~5を参考にすることができる。なお、本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物のベースポリマーに使用する、上記の高分子化合物の重量平均分子量Mwは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCを用いたポリスチレン換算による測定値として、好ましくは1,000~50,000であり、より好ましくは1,000~20,000である。重量平均分子量が1,000より小さいと、従来知られているように、パターンの頭が丸くなって解像力が低下すると共に、ラインエッジラフネスが劣化することがある。一方、重量平均分子量が50,000より大きいと、解像するパターンにもよるが、ラインエッジラフネスが増大する傾向を示すことがある。そのため、特にパターン線幅が100nm以下のパターンを形成する場合には、上記分子量を50,000以下に制御することが好ましく、より好ましくは20,000以下である。更に、上記本発明に用いる高分子化合物においては、分子量分布Mw/Mnが1.0~3.0であることが好ましく、特に1.0~2.5と狭分散であることが好ましい。分子量分布が広い場合には、現像後パターン上に異物が生じたり、パターンの形状が悪化したりすることがある。また、上記一般式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物と上記一般式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有しない高分子化合物とを混合する際、上記一般式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物がベースポリマー全体に対し20質量以下である場合、特に10質量以下である場合には、上記一般式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物は一般の化学増幅ネガ型レジスト組成物における架橋剤とみなしてもよい。この場合、上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位のみからなる高分子化合物であっても、上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位のほか、上記式3~6から選ばれる繰り返し単位を含む高分子化合物であってもよい。上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位のほか、上記式3~6から選ばれる繰り返し単位を含む場合は、上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位の含有比は、2~98モルであることが好ましく、5~95モルであることがより好ましい。この場合、上記式3~6から選ばれる繰り返し単位の含有比は、それぞれ、3は2~98モル、4、5、6の合計は0~40モルの範囲であることが好ましく、3は5~95モル、4、5、6の合計は0~35モルの範囲であることがより好ましい。ただし、前述の通り、上記式4又は5で示される繰り返し単位において、芳香環に置換された置換基がヒドロキシル基であるものについては、上記式3で示される繰り返し単位の割合に合算され、上記0~40モル、より好ましくは0~35モルであるのは置換基がヒドロキシル基でない場合である。本発明の高分子化合物を上記のような架橋剤とみなせる範囲で使用する場合、その重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCを用いたポリスチレン換算による測定値として、好ましくは、500~50,000であり、より好ましくは、1,000~20,000である。500未満だと、他の架橋剤に対する差異が小さくなることがあり、50,000を超えるとラインエッジラフネスが増大する傾向を示すことがある。なお、本発明の高分子化合物を上記のような架橋剤とみなせる範囲で使用する場合、架橋剤となる高分子化合物以外のベースポリマーを構成する高分子化合物としては、上述の上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物と、上述の上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位を含有しない高分子化合物を共に含む混合物でも、いずれか一方に属する高分子化合物のみの単体又は混合物でもよい。本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物には、更に低分子の架橋剤を添加することもできる。上記低分子の架橋剤は、下記光酸発生剤より発生した酸を触媒として、求電子反応により上記ポリマーと反応可能な官能基を分子内に2か所以上有し、その2か所以上が、ポリマーと反応して、ポリマー内及びポリマー間に架橋を形成し、ポリマーをアルカリ不溶性とするものである。通常求電子反応を受けるポリマー側の反応点は、上記ポリマーの構成単位に含まれる芳香環あるいはヒドロキシル基であり、これに用いることができるものとして、既に多数の化合物が公知である例えば、特許文献1~3参照。本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物に用いることができる架橋剤としては、基本的には公知の架橋剤のいずれもが適用可能であるが、好適な架橋剤としては、アルコキシメチルグリコールウリル類、アルコキシメチルメラミン類等を挙げることができる。具体的には、アルコキシメチルグリコールウリル類として、テトラメトキシメチルグリコールウリル、1,3-ビスメトキシメチル-4,5-ビスメトキシエチレンウレア、ビスメトキシメチルウレア等が挙げられる。また、アルコキシメチルメラミン類として、ヘキサメトキシメチルメラミン、ヘキサエトキシメチルメラミン等が挙げられる。本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物における架橋剤の添加量は、すでに架橋性能を有するポリマーが存在しているため少量でよく、好ましくはレジスト組成物中のベースポリマー100質量部に対して0.1~6質量部、より好ましくは0.5~3質量部である。この範囲で架橋剤を添加することで、本発明で示されたポリマーの架橋効率を助長できる。6質量部を超えて含有すると、上記式1及び/又は2で示される繰り返し単位を高分子化合物に導入して得られるラインエッジラフネスLERの改善効果が低下する可能性がある。上記架橋剤は、1種単独で又は2種以上を混合して用いることができる本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物には、更に酸発生剤が添加される。酸発生剤は高エネルギー線の照射により分解して酸を発生する化合物であるが、既に多数のものが化学増幅型レジスト組成物に用いられるものとして公知例えば、特許文献1~6にも多数例示されている。であり、それらは基本的には全て使用可能である。特にEB露光用や、EUV露光用としては、スルホニウム系の酸発生剤が有用であり、これらについても同様に多数のものが公知である。更に、このスルホニウム系の酸発生剤は、特許文献6特開2008-133448号公報に記載されたもののように高分子化合物の繰り返し単位中の側鎖に組み込まれたものでもよい。酸発生剤が、繰り返し単位からなる高分子化合物でない場合の好ましい例を下記に示すが、これらに限定されるものではない。酸発生剤が、高分子化合物である場合の好ましい例を下記に示すが、これらに限定されるものではない。本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物における光酸発生剤の添加量は、適宜公知の酸発生剤例えば、特許文献1~5参照を参考にして選択される。具体的には、レジスト組成物中のベースポリマー100質量部に対し0.1~20質量部であることが好ましく、より好ましくは2~15質量部である。光酸発生剤の添加量が多すぎる場合には解像性の劣化や、現像/レジスト膜剥離時の異物の問題が起きる可能性がある。上記光酸発生剤は、1種単独で又は2種以上を混合して用いることができる。また、本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物には、必要に応じ、分子量1,000以下の塩基性化合物、界面活性剤等を加えることもできる。本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物には、パターンの上部の張り出しや、基板付近の裾引き等のパターンプロファイルの微調整や、あるいは感度の微調整を行うために、分子量1,000以下の塩基性化合物を添加してもよい。上記塩基性化合物を添加する場合の添加量は、ベースポリマー100質量部に対し、0.01~10質量部が好ましく、特に0.05~5質量部が好ましい。上記塩基性化合物としては、多数が知られており例えば、特許文献1~5参照、例えば、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシル基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、ヒドロキシル基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド類、イミド類、カーバメート類、アンモニウム塩類等が挙げられる。これらの具体例は、特許文献2に多数例示されているが、基本的にはこれらの全てを使用することができ、単独で使用しても、又は2種以上の塩基性化合物を混合して使用することもできる。特に好ましく配合される塩基性化合物としては、トリス2-メトキシメトキシエチルアミン、トリス2-メトキシメトキシエチルアミンN-オキサイド、モルホリン誘導体、イミダゾール誘導体等が挙げられる。また、パターン形成時に、パターンが基板界面で内側に切れ込む現象、いわゆるアンダーカット形状になり易い基板例えば、クロム系化合物による表面を持つ基板等に対して本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物を使用する場合、本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物自体が上記問題を緩和する能力が高いものであるが、カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物アミン及びアミンオキシドの窒素原子が芳香環の環構造に含まれるものを除くを用いると、パターン形状をより改善することができる。上述のカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素を含有しないアミン化合物又はアミンオキシド化合物としては、下記一般式7~9で示されるアミン化合物又はアミンオキシド化合物が好ましいが、これに限られるものではない。上記式7及び8中、R7及びR8はそれぞれ炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基、炭素数1~10のヒドロキシアルキル基、炭素数2~10のアルコキシアルキル基、炭素数2~10のアシルオキシアルキル基、又は炭素数2~10のアルキルチオアルキル基のいずれかである。またR7とR8が結合してこれらが結合する窒素原子と共に環構造を形成してもよく、この場合、結合により形成される環は5~7員環であり、更に該環はアルキル基あるいはアリール基置換されていてもよい。R9は水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアラルキル基、炭素数1~10のヒドロキシアルキル基、炭素数2~10のアルコキシアルキル基、炭素数2~10のアシルオキシアルキル基、炭素数2~10のアルキルチオアルキル基、又はハロゲン原子のいずれかである。R10は単結合、炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、又は炭素数6~20のアリーレン基である。上記式9中、R11は炭素数2~20の直鎖状又は分岐状の置換可アルキレン基であり、ただし、アルキレン基の炭素-炭素間にカルボニル基-CO-、エーテル基-O-、エステル基-COO-、スルフィド-S-を1個又は複数個含んでいてもよい。R12は炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、又は炭素数6~20のアリーレン基である。上記炭素数1~20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、デシル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、デカヒドロナフタレニル基等が挙げられる。上記炭素数6~20のアリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、ナフタセニル基、フルオレニル基等が挙げられる。上記炭素数7~20のアラルキル基として具体的には、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、アントラセニルメチル基等が挙げられる。上記炭素数1~10のヒドロキシアルキル基として具体的には、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基等が挙げられる。上記炭素数2~10のアルコキシアルキル基として具体的には、メトキシメチル基、2-メトキシエチル基、エトキシメチル基、2-エトキシエチル基、プロポキシメチル基、2-プロポキシエチル基、ブトキシメチル基、2-ブトキシエチル基、アミロキシメチル基、2-アミロキシエチル基、シクロヘキシルオキシメチル基、2-シクロヘキシルオキシエチル基、シクロペンチルオキシメチル基、2-シクロペンチルオキシエチル基及びこれらのアルキル部の構造異性体等が挙げられる。上記炭素数2~10のアシルオキシアルキル基として具体的には、ホルミルオキシメチル基、アセトキシメチル基、プロピオニルオキシメチル基、ブチリルオキシメチル基、ピバロイルオキシメチル基、シクロヘキサンカルボニルオキシメチル基、デカノイルオキシメチル基等が挙げられる。上記炭素数2~10のアルキルチオアルキル基として具体的には、メチルチオメチル基、エチルチオメチル基、プロピルチオメチル基、イソプロピルチオメチル基、ブチルチオメチル基、イソブチルチオメチル基、t-ブチルチオメチル基、t-アミルチオメチル基、デシルチオメチル基、シクロヘキシルチオメチル基等が挙げられる。ただし、これらに限定されない。また、R7とR8が結合してこれらが結合する窒素原子と共に環構造を形成した場合の5~7員環の具体例としては、ピロリジン環、ピペリジン環、イミダゾリジン環、ピペラジン環、モルホリン環、キヌクリジン環、インドリン環、イソインドリン環、カルバゾール環、ペリミジン環、フェノキサジン環、β-カルボリン環、ピロール環、イミダゾール環、インドール環、インダゾール環、イソインドール環、プリン環等を挙げることができるが、これらに限定されない。一般式7で示されるカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素原子を含有しないアミン化合物として、具体的には、o-ジメチルアミノ安息香酸、p-ジメチルアミノ安息香酸、m-ジメチルアミノ安息香酸、p-ジエチルアミノ安息香酸、p-ジプロピルアミノ安息香酸、p-ジブチルアミノ安息香酸、p-ジペンチルアミノ安息香酸、p-ジヘキシルアミノ安息香酸、p-ジエタノールアミノ安息香酸、p-ジイソプロパノールアミノ安息香酸、p-ジメタノールアミノ安息香酸、2-メチル-4-ジエチルアミノ安息香酸、2-メトキシ-4-ジエチルアミノ安息香酸、3-ジメチルアミノ-2-ナフタレン酸、3-ジエチルアミノ-2-ナフタレン酸、2-ジメチルアミノ-5-ブロモ安息香酸、2-ジメチルアミノ-5-クロロ安息香酸、2-ジメチルアミノ-5-ヨード安息香酸、2-ジメチルアミノ-5-ヒドロキシ安息香酸、4-ジメチルアミノフェニル酢酸、4-ジメチルアミノフェニルプロピオン酸、4-ジメチルアミノフェニル酪酸、4-ジメチルアミノフェニルリンゴ酸、4-ジメチルアミノフェニルピルビン酸、4-ジメチルアミノフェニル乳酸、2-4-ジメチルアミノフェニル安息香酸、2-4-ジブチルアミノ-2-ヒドロキシベンゾイル安息香酸等が挙げられるが、これらに限定されない。一般式8で示されるカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素原子を含有しないアミン化合物は、上記式7で示されるアミン化合物を酸化したものである。具体的には、上記式7で示されるアミン化合物の具体例として挙げたものを酸化したものであるが、これらに限定されない。一般式9で示されるカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素原子を含有しないアミン化合物として、具体的には、1-ピペリジンプロピオン酸、1-ピペリジン酪酸、1-ピペリジンリンゴ酸、1-ピペリジンピルビン酸、1-ピペリジン乳酸等が挙げられるが、これらに限定されない。一般式8で示されるアミンオキシド構造は、既存物質又は新規化合物であり、これらアミンオキシド構造を有する化合物は、化合物の構造に応じた最適な方法を選択して製造される。例として、窒素含有化合物の酸化剤を使用した酸化反応を用いる方法、含窒素化合物の過酸化水素水希釈溶液中での酸化反応を用いる方法等を例示できるが、これらに限定されない。以下、詳しく説明する。窒素含有アルコール化合物のエステル化反応による製造法は、例えば下記に示す通りであり、一般式9で示される化合物の合成へも適用可能である。上記式中、R7~R10は上記の通りである。上記反応は酸化剤m-クロロ過安息香酸を用いたアミンの酸化反応であり、また、過酸化水素等の酸化反応の常法となる他の酸化剤を用いて反応を行うこともできる。反応後は、反応混合物を必要に応じて蒸留、クロマトグラフフィー、再結晶などの常法により精製することができる特許文献7:特開2008-102383号公報参照。本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物には、塗布性を向上させるために慣用されている界面活性剤を添加してもよい。界面活性剤を用いる場合、特許文献1~6に多数の例が記載されているように多数のものが公知であり、それらを参考にして選択することができる。なお、界面活性剤の添加量としては、化学増幅ネガ型レジスト組成物中の全高分子化合物100質量部に対して、好ましくは3質量部以下、より好ましくは1質量部以下であり、配合する場合は0.01質量部以上とすることが好ましい。本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物には、有機溶剤が含まれる。本発明のレジスト組成物の調製に使用される有機溶剤は、高分子化合物、酸発生剤、その他の添加剤等が溶解可能な有機溶剤であればいずれでもよい。このような有機溶剤としては、例えば、シクロヘキサノン、メチル-n-アミルケトン等のケトン類、3-メトキシブタノール、3-メチル-3-メトキシブタノール、1-メトキシ-2-プロパノール、1-エトキシ-2-プロパノール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert-ブチル、プロピオン酸tert-ブチル、プロピレングリコールモノtert-ブチルエーテルアセテート等のエステル類、γ-ブチロラクトン等のラクトン類等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これら有機溶剤は、1種単独で又は2種以上を混合して使用することができる。本発明では、これらの有機溶剤の中でも、レジスト組成物中の酸発生剤の溶解性が最も優れている乳酸エチルやプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、及びこれらの混合溶剤が好ましく使用される。有機溶剤の使用量は、全高分子化合物100質量部に対して500~10,000質量部、特に1,000~9,700質量部が好適である。このような濃度に調整することにより、回転塗布法を用い、膜厚が10~300nmのレジスト膜を安定して平坦度よく得ることができる。本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物を使用してパターンを形成するには、公知のリソグラフィー技術を採用して行うことができる。例えば、集積回路製造用の基板Si、SiO2、SiN、SiON、TiN、WSi、BPSG、SOG、有機反射防止膜等、あるいはマスク回路製造用の基板Cr、CrO、CrON、MoSi等にスピンコーティング等の手法で膜厚が0.05~2.0μmとなるように塗布し、これをホットプレート上で好ましくは60~150°C、1~10分間、より好ましくは80~140°C、1~5分間プリベークする。次いで、目的のパターンを形成するためのマスクを用い、あるいはビーム露光により、遠紫外線、エキシマレーザー、X線等の高エネルギー線又は電子線を露光量1~200mJ/cm2、好ましくは10~100mJ/cm2となるように照射する。露光は通常の露光法のほか、場合によってはマスクとレジスト膜の間を液浸するImmersion法を用いることも可能である。その場合には水に不溶な保護膜を用いることも可能である。次いで、ホットプレート上で、60~150°C、1~10分間、好ましくは80~140°C、1~5分間ポストエクスポージャーベークPEBする。更に、0.1~5質量、好ましくは1.5~3質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH等のアルカリ水溶液の現像液を用い、0.1~3分間、好ましくは0.5~2分間、浸漬dip法、パドルpuddle法、スプレーspray法等の常法により現像して、基板上に目的のパターンが形成される。特に基板表面が、SiN、SiON、MoSiN、MoSiON、TiNのような窒素原子を含有する材料膜である場合、化学増幅ネガ型レジスト膜を用いてパターン形成を行うと得られるレジストパターンにアンダーカットが発生することが知られており、基板表面がクロム系材料Cr、CrO、CrONや更に炭素を含有する材料膜である場合には、更にひどいアンダーカットを発生し易い。しかし、本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物より得たレジスト膜を用いてパターン形成を行うと、上記のようなアンダーカットの発生を強く抑制することができる。更に、上述の上記式1~6から選ばれる繰り返し単位を構成単位として含有するベースポリマーを使用した本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物より得られるレジスト膜は、特に高いエッチング耐性を持ち、かつ露光後、露光後加熱までの時間が延長された場合にもパターン線幅の変化が小さいことが要求される条件で使用される際に有用である。また、被加工基板として、レジストパターン形状の不良から密着性が悪く、パターン剥がれやパターン崩壊を起こし易い材料を表面に持つ基板への適用に特に有用であり、金属クロムや酸素、窒素、炭素の1以上の軽元素を含有するクロム化合物をスパッタリング成膜した基板上でのパターン形成に有用である。以下、合成例、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、下記例中、Meはメチル基を示す。また、共重合組成比はモル比であり、重量平均分子量Mwは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量を示す。[モノマー合成例1]メタクリル酸1,3-ビスメトキシメチル-2-オキソヘキサヒドロピリミジン-5-イルZ-1の合成[モノマー合成例1-1]5-ヒドロキシテトラヒドロピリミジン-2-オン11の合成1,3-ジアミノ-2-プロパノール1049.1g、炭酸ジエチル64.4g、及び1,5,7-トリアザビシクロ[4,4,0]デカ-5-エン3.79gを混合して6時間還流したのち、反応中に生成するエタノールを徐々に抜き出しながら更に10時間攪拌した。溶媒と炭酸ジエチルを減圧下留去し、目的の5-ヒドロキシテトラヒドロピリミジン-2-オン1164.4gを得た収率100。得られた目的物は、それ以上の精製はせずに次工程に用いた。1H-NMR600MHzinCDCl3:δ=2.912H,dd、3.132H,dd、3.811H,tt、5.962H,sppm[モノマー合成例1-2]メタクリル酸2-オキソヘキサヒドロピリミジン-5-イル12の合成テトラヒドロフランTHF45.0gとH2O36.0gとの混合溶媒に、[モノマー合成例1-1]で得られた5-ヒドロキシテトラヒドロピリミジン-2-オン119.0gを溶解した。無水メタクリル酸17.2gと25質量NaOH水溶液17.8gを30°C以下で滴下し、そのままの温度で3時間攪拌した後、通常の後処理操作を行った。得られた粗生成物をCH3CNに溶解した後、溶液をジイソプロピルエーテルに滴下し、目的のメタクリル酸2-オキソヘキサヒドロピリミジン-5-イル128.3gを得た収率60。IR薄膜:ν=3246、3102、1682、1540、1438、1299、1183、1176、1146、1082、947cm11H-NMR600MHzinCDCl3:δ=1.873H,t、3.182H,dd、3.372H,dd、5.001H,t、5.711H,dq、6.021H,q、6.152H,dppm[モノマー合成例1-3]メタクリル酸1,3-ビスメトキシメチル-2-オキソヘキサヒドロピリミジン-5-イルZ-1の合成CH3CN80gに、ジイソプロピルエチルアミン5.3g、[モノマー合成例1-2]で得られたメタクリル酸2-オキソヘキサヒドロピリミジン-5-イル1210g、及びヨウ化ナトリウム20.0gを添加して混合し、クロロメチルメチルエーテル11.0gを10°C以下で滴下した。滴下終了後、室温に昇温して5時間攪拌した後、通常の後処理操作を行った。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製を行い、目的のメタクリル酸1,3-ビスメトキシメチル-2-オキソヘキサヒドロピリミジン-5-イルZ-17.5gを得た収率51。IR薄膜:ν=2948、1716、1645、1497、1450、1388、1313、1293、1214、1163、1094、1069、1038、905cm11H-NMR600MHzinCDCl3:δ=1.873H,t、3.143H,s、3.422H,dd、3.652H,dd、4.602H,d、4.772H,d、5.201H,dd、5.711H,q、6.021H,qppm[モノマー合成例2]4-ビニル安息香酸1,3-ビスメトキシメチル-2-オキソヘキサヒドロピリミジン-5-イルZ-2の合成[モノマー合成例2-1]4-ビニル安息香酸2-オキソヘキサヒドロピリミジン-5-イル13の合成テトラヒドロフランTHF50.0gとH2O40.0gとの混合溶媒に、[モノマー合成例1-1]で得た5-ヒドロキシ-テトラヒドロピリミジン-2-オン1110.0gを溶解させた。4-ビニル安息香酸クロリド21.5gと25質量NaOH水溶液20.7gを30°C以下で滴下し、そのままの温度で3時間攪拌した後、通常の後処理操作を行った。得られた粗生成物をCH3CNに溶解した後、溶液をジイソプロピルエーテルに滴下し、目的の4-ビニル安息香酸2-オキソヘキサヒドロピリミジン-5-イル1313.8gを得た収率65。[モノマー合成例2-2]4-ビニル安息香酸1,3-ビスメトキシメチル-2-オキソヘキサヒドロピリミジン-5-イルZ-2の合成CH3CN84.0gに、ジイソプロピルエチルアミン36.2gと[モノマー合成例2-1]で得られた4-ビニル安息香酸2-オキソヘキサヒドロピリミジン-5-イル1313.8g、及びヨウ化ナトリウム20.9gを添加して混合し、クロロメチルメチルエーテル11.3gを30°C以下で滴下した。そのままの温度で5時間攪拌した後、通常の後処理操作を行った。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製を行い、目的の4-ビニル安息香酸1,3-ビスメトキシメチル-2-オキソヘキサヒドロピリミジン-5-イルZ-210.3gを得た収率55。[モノマー合成例3]6-ビニル-2-ナフタレンカルボン酸1,3-ビスメトキシメチル-2-オキソヘキサヒドロピリミジン-5-イルZ-3の合成基質を4-ビニル安息香酸クロリドから6-ビニル-2-ナフタレンカルボン酸クロリドに変更した以外は、上記モノマー合成例2と同じ方法で、6-ビニル-2-ナフタレンカルボン酸1,3-ビスメトキシメチル-2-オキソヘキサヒドロピリミジン-5-イルZ-3を合成した。[ポリマー合成例1]窒素雰囲気下、250mLの滴下シリンダーに、4-アセトキシスチレンを48.2g、4-メチルスチレンを6.0g、アセナフチレンを6.5g、重合性架橋剤Z-1を9.3g、ジメチル-2,2’-アゾビス-2-メチルプロピオネート和光純薬工業株製、商品名V601を7.8g、及び溶媒としてトルエンを82.0g添加した溶液を調製した。更に窒素雰囲気下とした別の1L重合用フラスコに、トルエンを82.0g加え、80°Cに加温した状態で、上記で調製した溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合温度を80°Cに維持しながら18時間攪拌を続け、次いで室温まで冷却した。得られた重合液を1,000gのヘキサンに滴下し、析出した共重合体を濾別した。濾別した共重合体をヘキサン:トルエン=10:1の混合液200gで2回洗浄した。得られた共重合体を窒素雰囲気下で、1Lフラスコ中、テトラヒドロフラン126gとメタノール42gとの混合溶剤に溶解し、エタノールアミン18.1gを加え、60°Cで3時間攪拌した。この反応溶液を減圧濃縮し、得られた濃縮物を300gの酢酸エチルと水80gとの混合溶剤に溶解させ、得られた溶液を分液ロートに移し、酢酸9.1gを加え、分液操作を行った。下層を除去し、得られた有機層に水80g及びピリジン12.1gを加え、分液操作を行った。下層を除去し、更に得られた有機層に水80gを添加して水洗分液を行った水洗分液は計5回。各分液工程毎の静置時に、アセトンを20g加えて少し攪拌すると、分離性よく分液ができた。分液後の有機層を濃縮後、アセトン140gに溶解し、0.02μmのナイロンフィルターを通したアセトン溶液を水2,800gに滴下して、得られた晶出沈澱物を濾過、水洗浄を行い、2時間吸引ろ過を行った後、再度得られた濾別体をアセトン150gに溶解し、0.02μmのナイロンフィルターを通したアセトン溶液を水2,800gに滴下して得られた晶出沈澱物を濾過、水洗浄、乾燥を行い、白色重合体を42.0g得た。得られた重合体を13C-NMR,1H-NMR、及びGPCで測定したところ、以下の分析結果となった。共重合組成比モル比4-ヒドロキシスチレン:アセナフチレン:4-メチルスチレン:Z-1=70:10:12:8重量平均分子量Mw=4,500分子量分布Mw/Mn=1.82これをポリマー1とした。[ポリマー合成例2]窒素雰囲気下、2,000mLの滴下シリンダーに、4-ヒドロキノンモノメタクリレートを187g、アセナフチレンを27g、4-メチルスチレンを46g、重合性架橋剤Z-1を38g、ジメチル-2,2’-アゾビス-2-メチルプロピオネート和光純薬工業株製、商品名V601を33g、及び溶媒としてメチルエチルケトンを400g加えた溶液を調製した。更に窒素雰囲気下とした別の2,000mL重合用フラスコに、メチルエチルケトンを300g加え、80°Cに加温した状態で、上記で調製した溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合温度を80°Cに維持しながら16時間攪拌を続け、次いで室温まで冷却した。得られた重合液を7,000gのヘキサンに滴下し、析出した共重合体を濾別した。濾別した共重合体をヘキサン1,500gで2回洗浄し、さらに得られた濾別体をメチルエチルケトン700gに再度溶解し、0.02μmのナイロンフィルターを通したメチルエチルケトン溶液をヘキサン7,000gに滴下し、析出した共重合体を濾別した。濾別した共重合体をヘキサン1,500gで2回洗浄を行ない、乾燥して、白色の共重合体を260g得た。得られた重合体を13C-NMR,1H-NMR、及びGPCで測定したところ、以下の分析結果となった。共重合組成比モル比4-ヒドロキノンモノメタクリレート:アセナフチレン:4-メチルスチレン:Z-1=60:10:22:8重量平均分子量Mw=4,300分子量分布Mw/Mn=1.75これをポリマー8とした。[ポリマー合成例3~19]各単量体の種類、配合比を変えた以外は、ポリマー合成例1又は2と同じ手順により、表1に示したポリマー2~7,9~19を製造した。なお、下記表1において、導入比はモル比を示す。表1中、各単位の構造を以下に示す。[実施例、比較例][ネガ型レジスト組成物の調製]上記合成したポリマーポリマー1~19、下記式で示されるポリマーK、ポリマーM、酸発生剤PAG-A、PAG-B、塩基性化合物Base-1、Base-2、架橋剤としてテトラメトキシメチルグリコールウリルTMGUを下記表2及び表3に示す組成で有機溶剤中に溶解して化学増幅ネガ型レジスト組成物を調合し、更に各組成物を0.02μmサイズのナイロン及び/又はUPEフィルターで濾過することにより、化学増幅ネガ型レジスト組成物の溶液をそれぞれ調製した。表2及び表3中の有機溶剤は、PGMEAプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、EL乳酸エチルである。また、各組成物には、界面活性剤として、3-メチル-3-2,2,2-トリフルオロエトキシメチルオキセタンテトラヒドロフラン2,2-ジメチル-1,3-プロパンジオール共重合物オムノバ社製構造式を以下に示す。をポリマー80質量部に対して0.075質量部添加した。a:bb’:cc’=1:4~7:0.01~1モル比重量平均分子量:1,500[電子ビーム描画評価]上記調製した化学増幅ネガ型レジスト組成物実施例1~27、比較例1,2をACT-M東京エレクトロン株製を用いて、152mm角の最表面が酸化窒化クロム膜であるマスクブランク上にスピンコーティングし、ホットプレート上で110°Cで600秒間プリベークして厚さ80nmのレジスト膜を作製した。得られたレジスト膜の膜厚測定は、光学式測定器ナノスペックナノメトリックス社製を用いて行った。測定はブランク外周から10mm内側までの外縁部分を除くブランク基板の面内81箇所で行い、膜厚平均値と膜厚範囲を算出した。更に、電子線露光装置株ニューフレアテクノロジー製、EBM-5000plus、加速電圧50keVを用いて露光し、120°Cで600秒間ベークPEB:postexposurebakeを施し、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で現像を行うと、ネガ型のパターンを得ることができた。更に得られたレジストパターンを次のように評価した。作製したパターン付きウエハーを上空SEM走査型電子顕微鏡で観察し、200nmの1:1のラインアンドスペースを1:1で解像する露光量を最適露光量μC/cm2とし、200nmのラインアンドスペースを1:1で解像する露光量における最小寸法を解像度とし、100nmLSのエッジラフネスをSEMで測定した。パターン形状については、矩形か否かを目視にて判定した。EB描画における本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物及び比較用の化学増幅ネガ型レジスト組成物の評価結果を表4に示す。上記表4に示す通り、本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物は、感度に関して、ポリマーの構成を本発明で示した重合性架橋剤由来の繰り返し単位を含むか含まないか以外は同じ場合で比較した場合例えば、実施例2と比較例2、又は実施例9と比較例1参照、通常の添加型架橋剤TMGUを使用した場合に比べて高感度化傾向にあるため、本発明の架橋剤導入型ポリマーの高架橋効率化が明らかとなった。また、レジスト膜中に均一に架橋性基が分布しているため、本発明の高分子化合物をベースポリマーとして含有する化学増幅ネガ型レジスト組成物は、解像性、ラインエッジラフネスに優れていた。更に、本発明のポリマーを添加剤架橋剤として用いた場合実施例19~27についても同様に高い性能を与えることが確認された。このことから、本発明によれば、特に超LSI製造用の電子線リソグラフィーによる微細パターン形成材料、マスクパターン形成材料として好適な化学増幅ネガ型レジスト組成物を提供することができることが示された。"