"A下記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位と、ラクトン構造、サルトン構造及びシアノ基からなる群より選択される少なくとも1種を含有する繰り返し単位とを有する樹脂、及びB活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。上記一般式中、R11、R12及びR13は、それぞれ独立に1価の有機基を表す。R11、R12及びR13がそれぞれ複数存在する場合には、複数のR11、R12又はR13は同一であっても異なっていてもよく、互いに連結して環を形成しても良い。Ra1、Ra2及びRa3は、それぞれ独立にアルキル基又はシクロアルキル基を表す。X1、X2及びX3は、それぞれ独立に酸素原子又は硫黄原子を表す。Z11、Z12及びZ13は、それぞれ独立に単結合又は2価の連結基を表す。は樹脂との連結部を表す。lI-1は0~12の整数を表し、lI-2は0~10の整数を表し、lI-3は0~12の整数を表す。mI-1は1~3の整数を表し、nI-1は1~3の整数を表し、ただし、mI-1nI-1は2~4を満たす。mI-3は1~5の整数を表し、nI-3は1~5の整数を表し、ただし、mI-3nI-3は3~6を満たす。前記のラクトン構造、サルトン構造及びシアノ基からなる群より選択される少なくとも1種を含有する繰り返し単位が、下記一般式II-1~II-4のいずれかで表される、請求項1に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。上記一般式中、R21、R22、R23及びR24は、それぞれ独立に1価の有機基を表す。Rb1、Rb2、Rb3及びRb4は、それぞれ独立に水素原子又はアルキル基を表す。W1、W2及びW4は、それぞれ独立にアルキレン基又は酸素原子を表す。Z21、Z22、Z23及びZ24は、それぞれ独立に単結合又は2価の連結基を表す。lII-1は0~8の整数を表し、lII-2は0~8の整数を表し、lII-3は0~9の整数を表し、lII-4は0~6の整数を表す。前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位がメタアクリレート系繰り返し単位である、請求項1又は2に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位が前記一般式I-1で表される構造を有する繰り返し単位である、請求項1~3のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。樹脂Aが、前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造以外の、酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる基を更に含有する、請求項1~4のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。更に疎水性樹脂HRを含有する、請求項1~5のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。前記疎水性樹脂HRが、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂である、請求項6に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。請求項1~7のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜。請求項8に記載のレジスト膜を露光する工程、及び前記露光したレジスト膜を現像する工程を含むパターン形成方法。前記露光が液浸露光である、請求項9に記載のパターン形成方法。請求項9又は10に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。請求項11に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。本発明の目的は、活性光線又は放射線、特に、ArFエキシマレーザー光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することにあり、ラインエッジラフネスLERを改善し、パターン倒れを抑制できる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供することにある。本発明者等は、酸分解基及び非酸分解基のいずれも親水化することで樹脂を親水化し、ラインエッジラフネスやパターン倒れを改善した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を開発した。具体的には、下記構成よりなる。1A下記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位と、ラクトン構造、サルトン構造及びシアノ基からなる群より選択される少なくとも1種を含有する繰り返し単位とを有する樹脂、及びB活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。上記一般式中、R11、R12及びR13は、それぞれ独立に1価の有機基を表す。R11、R12及びR13がそれぞれ複数存在する場合には、複数のR11、R12又はR13は同一であっても異なっていてもよく、互いに連結して環を形成しても良い。Ra1、Ra2及びRa3は、それぞれ独立にアルキル基又はシクロアルキル基を表す。X1、X2及びX3は、それぞれ独立に酸素原子又は硫黄原子を表す。Z11、Z12及びZ13は、それぞれ独立に単結合又は2価の連結基を表す。は樹脂との連結部を表す。lI-1は0~12の整数を表し、lI-2は0~10の整数を表し、lI-3は0~12の整数を表す。mI-1は1~3の整数を表し、nI-1は1~3の整数を表し、ただし、mI-1nI-1は2~4を満たす。mI-3は1~5の整数を表し、nI-3は1~5の整数を表し、ただし、mI-3nI-3は3~6を満たす。2前記のラクトン構造、サルトン構造及びシアノ基からなる群より選択される少なくとも1種を含有する繰り返し単位が、下記一般式II-1~II-4のいずれかで表される、1に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。上記一般式中、R21、R22、R23及びR24は、それぞれ独立に1価の有機基を表す。Rb1、Rb2、Rb3及びRb4は、それぞれ独立に水素原子又はアルキル基を表す。W1、W2及びW4は、それぞれ独立にアルキレン基又は酸素原子を表す。Z21、Z22、Z23及びZ24は、それぞれ独立に単結合又は2価の連結基を表す。lII-1は0~8の整数を表し、lII-2は0~8の整数を表し、lII-3は0~9の整数を表し、lII-4は0~6の整数を表す。3前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位がメタアクリレート系繰り返し単位である、1又は2に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。4前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位が前記一般式I-1で表される構造を有する繰り返し単位である、1~3のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。5樹脂Aが、前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造以外の、酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる基を更に含有する、1~4のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。6更に疎水性樹脂HRを含有する、1~5のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。7前記疎水性樹脂HRが、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂である、6に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。81~7のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成されたレジスト膜。98に記載のレジスト膜を露光する工程、及び前記露光したレジスト膜を現像する工程を含むパターン形成方法。10前記露光が液浸露光である、9に記載のパターン形成方法。119又は10に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。1211に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。本発明は、更に、下記の構成であることが好ましい。13前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位が下記一般式I-1’~I-3’のいずれかで表される繰り返し単位である、1~7のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。上記一般式中、Ry1、Ry2、Ry3は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。R11、R12、R13、Ra1、Ra2、Ra3、X1、X2、X3、Z11、Z12、Z13、lI-1、lI-2、lI-3、mI-1、nI-1、mI-3、nI-3は前記一般式I-1~I-3におけるR11、R12、R13、Ra1、Ra2、Ra3、X1、X2、X3、Z11、Z12、Z13、lI-1、lI-2、lI-3、mI-1、nI-1、mI-3、nI-3と同義である。R11、R12及びR13がそれぞれ複数存在する場合には、複数のR11、R12又はR13は同一であっても異なっていてもよく、互いに連結して環を形成しても良い。14前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位の含有量が、複数種類含有する場合は合計して樹脂A中の全繰り返し単位に対し、5~70molである、1~7及び13のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。15前記のラクトン構造、サルトン構造及びシアノ基からなる群より選択される少なくとも1種を含有する繰り返し単位の含有量が、複数種類含有する場合は合計して樹脂中の全繰り返し単位に対し、15~70molである、1~7、13及び14のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。16前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造以外の酸分解性基を有する繰り返し単位の合計としての含有量が、樹脂中の全繰り返し単位に対し、5~60molである、5に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。17前記露光がArFエキシマレーザーによる露光である、9又は10に記載のパターン形成方法。本発明により、ラインエッジラフネスを改善し、パターン倒れを抑制できる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供することができる。本明細書における基原子団の表記において、置換及び無置換を記していない表記は置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えばアルキル基とは、置換基を有さないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有するアルキル基置換アルキル基をも包含するものである。本発明において活性光線又は放射線とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線EUV光、X線、電子線等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。また、本明細書中における露光とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表され遠紫外線、X線、EUV光などによる露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、A下記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位と、ラクトン構造、サルトン構造又はシアノ基の少なくともいずれかを含有する繰り返し単位とを有する樹脂、及びB活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する。上記一般式中、R11、R12及びR13は、それぞれ独立に1価の有機基を表す。R11、R12及びR13がそれぞれ複数存在する場合には、複数のR11、R12又はR13は同一であっても異なっていてもよく、互いに連結して環を形成しても良い。Ra1、Ra2及びRa3は、それぞれ独立にアルキル基又はシクロアルキル基を表す。X1、X2及びX3は、それぞれ独立に酸素原子又は硫黄原子を表す。Z11、Z12及びZ13は、それぞれ独立に単結合又は2価の連結基を表す。は樹脂との連結部を表す。lI-1は0~12の整数を表し、lI-2は0~10の整数を表し、lI-3は0~12の整数を表す。mI-1は1~3の整数を表し、nI-1は1~3の整数を表し、ただし、mI-1nI-1は2~4を満たす。mI-3は1~5の整数を表し、nI-3は1~5の整数を表し、ただし、mI-3nI-3は3~6を満たす。前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位と、ラクトン構造、サルトン構造及びシアノ基からなる群より選択される少なくとも1種を含有する繰り返し単位とを有する樹脂Aを含有する本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、ラインエッジラフネスを改善し、パターン倒れを抑制できる理由は定かではないが以下のように推定される。酸の作用で脱離する基を、親水性のカルボニル基ないしはチオカルボニル基を有する前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される特定の構造とすることにより樹脂Aとしての親水性を向上させ、酸の作用により脱離する基に要求される脱離率を抑えることができ、脱離反応むらによる線幅に与える影響を抑え、LERを改善し得るものと推定される。また、前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される特定の構造とすることで電子求引性を有するカルボニル基ないしはチオカルボニル基を脱離反応点から適度に離すことができ、前記電子求引性に基づく感度低下をも抑制し得るものと考えられる。さらに、樹脂Aがラクトン構造、サルトン構造又はシアノ基の特定の親水性基を有する繰り返し単位を前記一般式I-1~I-3の構造と組合わせて含有することによりパターン倒れを抑制するものと推定される。[1]前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位と、ラクトン構造、サルトン構造及びシアノ基からなる群より選択される少なくとも1種を含有する繰り返し単位とを有する樹脂A以下、単に樹脂Aともいう本発明において、前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位は、酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基以下、酸分解性基ともいうを有する繰り返し単位であり、前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造はアルカリ可溶性基としてカルボキシル基を生じる酸分解性基である。したがって、樹脂Aは酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂以下、酸分解性樹脂ともいうとして機能する。樹脂Aは、好ましくはアルカリ現像液に不溶又は難溶性である。樹脂Aは、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造を有することが好ましい。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、下記一般式I-1~I-3で表される繰り返し単位を有する樹脂以下、酸分解性樹脂ともいうを含有する。前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位について以下説明する。R11、R12及びR13としての1価の有機基は、炭素数1~10の直鎖若しくは分岐のアルキル基、炭素数3~10のシクロアルキル基、又は炭素数1~10のアルコキシ基であることが好ましい。R11、R12及びR13についての炭素数1~10の直鎖若しくは分岐のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などが挙げられる。R11、R12及びR13についての炭素数3~10のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。R11、R12及びR13としての炭素数1~10のアルコキシ基は、直鎖、分岐のいずれであってもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基などが挙げられる。Ra1、Ra2及びRa3としてのアルキル基は、置換基を有していてもよく、炭素数1~10の直鎖若しくは分岐のアルキル基であることが好ましく、炭素数1~6であることがより好ましい。例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基が挙げられる。Ra1、Ra2及びRa3としてのシクロアルキル基は、炭素数3~10のシクロアルキル基が好ましく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。X1、X2及びX3は、酸素原子であることが好ましい。Z11、Z12及びZ13としての連結基は、アルキレン基、シクロアルキレン基、酸素原子、カルボニル基、又はそれら組み合わせであることが好ましい。アルキレン基、又はアルキレン基と酸素原子とカルボニル基との組み合わせであることがより好ましい。lI-1、lI-2及びlI-3としては0~3の整数であることが好ましく、0~2の整数であることがより好ましく、0又は1であることが更に好ましい。前記一般式I-1中のRa1及び酸素原子が結合する炭素原子と、電子求引性基として機能し得るC=X1との間に炭素原子を介在させ感度低下を防ぐ観点からmI-1は1又は2であることが好ましく、nI-1は1又は2であることが好ましい。前記一般式I-3中の2つのRa3及び酸素原子が結合する炭素原子と、電子求引性基として機能し得るC=X3との間に炭素原子を介在させ感度低下を防ぐ観点からmI-3は1~4の整数であることが好ましく、1~3の整数であることがより好ましい。同様に、nI-3は1~4の整数であることが好ましく、1~3の整数であることがより好ましい。前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位は、で樹脂と連結することによりメタアクリレート系繰り返し単位を構成していることが好ましい。前記メタアクリレート系繰り返し単位の態様として、例えば、下記一般式I-1’~I-3’のいずれかで表される繰り返し単位であることが好ましい。上記一般式中、Ry1、Ry2、Ry3は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。Ry1、Ry2及びRy3のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Ry1、Ry2及びRy3のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Ry1、Ry2及びRy3としては、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。R11、R12、R13、Ra1、Ra2、Ra3、X1、X2、X3、Z11、Z12、Z13、lI-1、lI-2、lI-3、mI-1、nI-1、mI-3、nI-3は前記一般式I-1~I-3におけるR11、R12、R13、Ra1、Ra2、Ra3、X1、X2、X3、Z11、Z12、Z13、lI-1、lI-2、lI-3、mI-1、nI-1、mI-3、nI-3と同義である。R11、R12及びR13がそれぞれ複数存在する場合には、複数のR11、R12又はR13は同一であっても異なっていてもよく、互いに連結して環を形成しても良い。前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位の含有量は、複数種類含有する場合は合計して樹脂A中の全繰り返し単位に対し、5~70molが好ましく、8~60molであることがより好ましく、10~50molであることが更に好ましい。一般式I-1~I-3で表される構造を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。また、樹脂Aはラクトン構造、サルトン構造環状スルホン酸エステル構造及びシアノ基からなる群より選択される少なくとも1種を含有する繰り返し単位を有する。まずは、ラクトン構造を含有する繰り返し単位及びサルトン構造を含有する繰り返し単位について説明する。ラクトン構造又はサルトン構造としては、好ましくは5~7員環のラクトン構造又はサルトン構造であり、5~7員環のラクトン構造又はサルトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式LC1-1~LC1-17、SL1-1及びSL1-2のいずれかで表されるラクトン構造又はサルトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造又はサルトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造又はサルトン構造としてはLC1-1、LC1-4、LC1-5、LC1-8であり、より好ましくはLC1-4である。特定のラクトン構造又はサルトン構造を用いることでパターン倒れ抑制、LERなどが良好になる。ラクトン構造部分又はサルトン構造部分は、置換基Rb2を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基Rb2としては、炭素数1~8のアルキル基、炭素数4~7のシクロアルキル基、炭素数1~8のアルコキシ基、炭素数2~8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。n2は、0~4の整数を表す。n2が2以上の時、複数存在する置換基Rb2は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基Rb2同士が結合して環を形成してもよい。樹脂Aは、一形態において、ラクトン構造又はサルトン構造を有する繰り返し単位として、下記一般式AII’で表される繰り返し単位を含有することが好ましい。一般式AII’中、Rb0は、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rb0としては、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。Vは、ラクトン構造又はサルトン構造を含む1価の有機基を表す。好ましくは先に示した一般式LC1-1~LC1-17、SL1-1及びSL1-2の内のいずれかで示される構造を有する基を表す。一般式AII’で表されるサルトン構造を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。一般式AII’で表されるラクトン基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。下記式中、Meはメチル基を表す。特に好ましい一般式AII’で表されるラクトン基を有する繰り返し単位としては、下記の繰り返し単位が挙げられる。最適なラクトン基を選択することにより、パターン倒れ抑制などのパターンプロファイル、LER、疎密依存性が良好となる。樹脂Aは、他の形態において、ラクトン構造又はサルトン構造を有する繰り返し単位として、下記一般式IIIで表される繰り返し単位を含有することが好ましい。式III中、Aは、エステル結合-COO-で表される基又はアミド結合-CONH-で表される基を表す。R0は、複数個ある場合にはそれぞれ独立にアルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。Zは、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。ここで、Rは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基を表す。R8は、ラクトン構造又はサルトン構造を有する1価の有機基を表す。nは、-R0-Z-で表される構造の繰り返し数であり、1~5の整数を表し、1であることが好ましい。R7は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。R0のアルキレン基、シクロアルキレン基は置換基を有してよい。Zは好ましくは、エーテル結合、エステル結合であり、特に好ましくはエステル結合である。R7のアルキル基は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。R0のアルキレン基、シクロアルキレン基、R7におけるアルキル基は、各々、置換されていてもよく、置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子やメルカプト基、ヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t-ブトキシ基、ベンジルオキシ基等のアルコキシ基、アセチル基、プロピオニル基等のアシル基、アセトキシ基が挙げられる。R7は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、ヒドロキシメチル基が好ましい。R0における好ましい鎖状アルキレン基としては炭素数が1~10の鎖状のアルキレンが好ましく、より好ましくは炭素数1~5であり、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。好ましいシクロアルキレンとしては、炭素数3~20のシクロアルキレンであり、例えば、シクロヘキシレン、シクロペンチレン、ノルボルニレン、アダマンチレン等が挙げられる。本発明の効果を発現するためには鎖状アルキレン基がより好ましく、メチレン基が特に好ましい。R8で表されるラクトン構造又はサルトン構造を有する置換基は、ラクトン構造を有していれば限定されるものではなく、具体例として前述の一般式LC1-1~LC1-17、SL1-1及びSL1-2で表されるラクトン構造又はサルトン構造が挙げられ、これらのうちLC1-4で表される構造が特に好ましい。また、LC1-1~LC1-17、SL1-1及びSL1-2におけるn2は2以下のものがより好ましい。また、R8は無置換のラクトン構造又はサルトン構造を有する1価の有機基、或いはメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を置換基として有するラクトン構造又はサルトン構造を有する1価の有機基が好ましく、シアノ基を置換基として有するラクトン構造シアノラクトン又はサルトン構造シアノサルトンを有する1価の有機基がより好ましい。以下に一般式IIIで表されるラクトン構造又はサルトン構造を有する基を有する繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセトキシメチル基を表す。ラクトン基又はサルトン基を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度eeが90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。本発明の効果を高めるために、ラクトン基又はサルトン基を有する繰り返し単位を2種以上併用することも可能である。この場合、一般式IIIから選ばれる2種以上のラクトン又はサルトン繰り返し単位を併用することが好ましく、特に、一般式IIIの内、nが1であるラクトン又はサルトン繰り返し単位から2種以上を選択し併用することが好ましい。次に、シアノ基を含有する繰り返し単位について説明する。シアノ基を含有する繰り返し単位は、ラクトン構造又はサルトン構造を有する繰り返し単位同様、パターン倒れ抑制、LER改善に寄与する。シアノ基を含有する繰り返し単位としては、シアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましい。脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。式中、Raは、水素原子又はアルキル基好ましくは炭素数1~4のアルキル基を表す。アルキル基は、置換基を有していても良く、そのような置換基としては、例えば、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Raのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Raとして好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。本発明において、前述のラクトン構造、サルトン構造又はシアノ基の少なくともいずれかを含有する繰り返し単位が、下記一般式II-1~II-4のいずれかで表されることが好ましい。上記一般式II-1~II-4中、R21、R22、R23及びR24は、それぞれ独立に1価の有機基を表す。Rb1、Rb2、Rb3及びRb4は、それぞれ独立に水素原子又はアルキル基を表す。W1、W2及びW4は、それぞれ独立にアルキレン基又は酸素原子を表す。Z21、Z22、Z23及びZ24は、それぞれ独立に単結合又は2価の連結基を表す。lII-1は0~8の整数を表し、lII-2は0~8の整数を表し、lII-3は0~9の整数を表し、lII-4は0~6の整数を表す。R21、R22、R23及びR24についての1価の有機基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、水酸基又はアルコキシ基を表し、複数個ある場合には2つのR21、R22、R23又はR24が結合し、環を形成していてもよい。R21、R22、R23及びR24についてのアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましく、メチル基が最も好ましい。シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基を挙げることができる。アルコキシカルボニル基としてはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができる。これらの基は置換基を有していてもよく、該置換基としてはヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基などのアルコキシ基、シアノ基、フッ素原子などのハロゲン原子を挙げることができる。R21、R22、R23及びR24はメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基であることがより好ましく、シアノ基であることが更に好ましい。Rb1、Rb2、Rb3及びRb4としては、水素原子、メチル基、若しくはトリフルオロメチル基であることが好ましく、水素原子若しくはメチル基であることがより好ましい。W1、W2及びW4としては炭素数1~3のアルキレン基例えば、メチレン基、エチレン基又は酸素原子であることが好ましく、メチレン基又は酸素原子であることがより好ましい。Z21、Z22、Z23及びZ24についての2価の連結基としては、アルキレン基、単環又は多環のシクロアルキル構造を有する2価の連結基、エーテル結合、エステル結合、カルボニル基、又はこれらを組み合わせた2価の連結基であることが好ましい。Z21、Z22、Z23及びZ24としては、単結合、-Zx-CO2-で表される2価の連結基であることがより好ましい。Zxは、直鎖又は分岐アルキレン基、単環又は多環のシクロアルキレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、ノルボルニレン基である。lII-1、lII-2及びlII-3は0~4の整数であることが好ましく、0又は1であることがより好ましい。lII-4は0~2の整数であることが好ましく、0であることがより好ましい。ラクトン構造、サルトン構造、シアノ基のいずれかを含有する繰り返し単位の含有量は、複数種類含有する場合は合計して樹脂中の全繰り返し単位に対し、15~70molが好ましく、より好ましくは20~65mol、更に好ましくは25~60molである。本発明において、樹脂Aは、前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造とは異なる酸分解性基を有することが好ましく、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造とは異なる酸分解性基を有することがより好ましく、前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位とは異なる酸分解性基を有する繰り返し単位を有することが更に好ましい。前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位とは異なる酸分解性基としては、アルカリ可溶性基を酸の作用により分解し脱離する基で保護された構造を有することが好ましい。アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基等が挙げられる。好ましいアルカリ可溶性基としては、カルボキシル基、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基、スルホン酸基が挙げられる。酸分解性基として好ましい基は、これらのアルカリ可溶性基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。酸で脱離する基としては、例えば、-CR36R37R38、-CR36R37OR39、-CR01R02OR39等を挙げることができる。式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。酸分解性基としては好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。樹脂Aが含有し得る、酸分解性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIで表される繰り返し単位が好ましい。一般式AIに於いて、Xa1は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表される基を表す。R9は、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表し、1価の有機基としては、例えば、炭素数5以下のアルキル基、炭素数5以下のアシル基が挙げられ、好ましくは炭素数3以下のアルキル基であり、更に好ましくはメチル基である。Xa1は好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。Tは、単結合又は2価の連結基を表す。Rx1~Rx3は、それぞれ独立に、アルキル基直鎖若しくは分岐又はシクロアルキル基単環若しくは多環を表す。Rx1~Rx3の2つが結合して、シクロアルキル基単環若しくは多環を形成してもよい。Tの2価の連結基としては、アルキレン基、-COO-Rt-基、-O-Rt-基等が挙げられる。式中、Rtは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。Tは、単結合又は-COO-Rt-基が好ましい。Rtは、炭素数1~5のアルキレン基が好ましく、-CH2-基、-CH22-基、-CH23-基がより好ましい。Rx1~Rx3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。Rx1~Rx3のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。Rx1~Rx3の少なくとも2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5~6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。Rx1がメチル基又はエチル基であり、Rx2とRx3とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基炭素数1~4、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基炭素数1~4、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基炭素数2~6などが挙げられ、炭素数8以下が好ましい。樹脂Aが前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造とは異なる酸分解性基を有する場合、前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造以外の酸分解性基を有する繰り返し単位の合計としての含有量は、樹脂中の全繰り返し単位に対し、5~60molが好ましく、10~55molであることがより好ましく、15~50molであることが更に好ましい。酸分解性基を有する繰り返し単位の好ましい具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、Rx、Xa1は、水素原子、CH3、CF3、又はCH2OHを表す。Rxa、Rxbはそれぞれ炭素数1~4のアルキル基を表す。Zは、極性基を含む置換基を表し、複数存在する場合、複数のZは互いに同じであっても異なっていてもよい。pは0又は正の整数を表す。Zの具体例及び好ましい例は、後述する一般式II-1におけるR10の具体例及び好ましい例と同様である。樹脂Aは、一般式AIで表される繰り返し単位として、一般式Iで表される繰り返し単位及び一般式IIで表される繰り返し単位の少なくともいずれかを有する樹脂であることがより好ましい。上記一般式I及びII中、R1及びR3は、各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は-CH2-R9で表される基を表す。R9は水酸基又は1価の有機基を表す。R2、R4、R5、R6は、各々独立して、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。R1又はR3としてのメチル基が有し得る置換基としてはフッ素原子などが挙げられる。R1及びR3は、好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R9における1価の有機基の具体例及び好ましい例は、一般式AIのR9で記載したものと同様である。R2におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。R2におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。R2は好ましくはアルキル基であり、より好ましくは炭素数1~10、更に好ましくは炭素数1~5のものであり、例えばメチル基、エチル基などが挙げられる。Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。Rが該炭素原子とともに形成する脂環構造としては、好ましくは、単環の脂環構造であり、その炭素数は好ましくは3~7、より好ましくは5又は6である。R3は好ましくは水素原子又はメチル基であり、より好ましくはメチル基である。R4、R5、R6におけるアルキル基は、直鎖型でも分岐型でもよく、置換基を有していてもよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。R4、R5、R6におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。R2、R4、R5、R6としてのアルキル基又はシクロアルキル基が有し得る置換基としてはR10についての極性基を含む置換基として後述する基と同様の基などが挙げられる。一般式Iにより表される繰り返し単位としては、例えば、下記一般式1-aにより表される繰り返し単位が挙げられる。式中、R1及びR2は、一般式Iにおける各々と同義である。一般式IIで表される繰り返し単位が、以下の一般式II-1で表される繰り返し単位であることが好ましい。式II-1中、R3~R5は、それぞれ、一般式IIにおけるものと同義である。R10は極性基を含む置換基を表す。R10が複数存在する場合、互いに同じでも異なっていてもよい。極性基を含む置換基としては、例えば、水酸基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミド基又はスルホンアミド基自体、又はこれらの少なくとも1つを有する、直鎖又は分岐のアルキル基、シクロアルキル基が挙げられ、好ましくは、水酸基を有するアルキル基である。より好ましくは水酸基を有する分岐状アルキル基である。分岐状アルキル基としてはイソプロピル基が特に好ましい。pは0~15の整数を表す。pは好ましくは0~2であり、より好ましくは0又は1である。酸分解性樹脂は、一般式AIにより表される繰り返し単位として、一般式Iにより表される繰り返し単位及び一般式IIにより表される繰り返し単位の少なくとも一方を含んだ樹脂であることがより好ましい。また、他の形態において、一般式AIにより表される繰り返し単位として、一般式Iにより表される繰り返し単位の少なくとも2種を含んだ樹脂であることがより好ましい。樹脂Aが酸分解性基を有する繰り返し単位は1種であってもよいし2種以上を併用していてもよい。併用する場合の、好ましい組み合わせとしては、以下に挙げるものが好ましい。下式において、Rは、各々独立に、水素原子又はメチル基を表す。樹脂Aは更に、水酸基を有する繰り返し単位を含有していてもよい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。水酸基を有する繰り返し単位は、水酸基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましく、酸分解性基を有さないことが好ましい。水酸基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。好ましい水酸基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式VIIa~VIIcで表される部分構造が好ましい。一般式VIIa~VIIcに於いて、R2c~R4cは、各々独立に、水素原子又は水酸基を表す。ただし、R2c~R4cの内の少なくとも1つは、水酸基を表す。好ましくは、R2c~R4cの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式VIIaに於いて、更に好ましくは、R2c~R4cの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式VIIa~VIIcで表される部分構造を有する繰り返し単位としては、下記一般式AIIa~AIIcで表される繰り返し単位を挙げることができる。一般式AIIa~AIIcに於いて、R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。R2c~R4cは、一般式VIIa~VIIcに於ける、R2c~R4cと同義である。樹脂Aは、水酸基を有する繰り返し単位を含有していても、含有していなくてもよいが、含有する場合、水酸基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、5~30molが好ましく、より好ましくは5~20mol、更に好ましくは10~15molである。水酸基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる樹脂は、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を有してもよい。アルカリ可溶性基としてはカルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビススルホニルイミド基、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール例えばヘキサフロロイソプロパノール基が挙げられ、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、更にはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入、のいずれも好ましく、連結基は単環又は多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。樹脂Aは、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含有していても、含有していなくてもよいが、含有する場合、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の含有量は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、1~15molが好ましく、より好ましくは3~10mol、更に好ましくは4~8molである。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。具体例中、RxはH,CH3,CH2OH,又はCF3を表す。本発明の樹脂Aは、更に極性基例えば、前記アルカリ可溶性基、水酸基、シアノ基等を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有することができる。このような繰り返し単位としては、一般式IVで表される繰り返し単位が挙げられる。一般式IV中、R5は少なくとも一つの環状構造を有し、極性基を有さない炭化水素基を表す。Raは水素原子、アルキル基又は-CH2-O-Ra2基を表す。式中、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。R5が有する環状構造には、単環式炭化水素基及び多環式炭化水素基が含まれる。単環式炭化水素基としては、たとえば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基などの炭素数3から12のシクロアルキル基、シクロへキセニル基など炭素数3から12のシクロアルケニル基が挙げられる。好ましい単環式炭化水素基としては、炭素数3から7の単環式炭化水素基であり、より好ましくは、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、環集合炭化水素基の例としては、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基などが含まれる。架橋環式炭化水素環として、例えば、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環ビシクロ[2.2.2]オクタン環、ビシクロ[3.2.1]オクタン環等などの2環式炭化水素環及び、ホモブレダン、アダマンタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[4.3.1.12,5]ウンデカン環などの3環式炭化水素環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、パーヒドロ-1,4-メタノ-5,8-メタノナフタレン環などの4環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレンデカリン、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの5~8員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。好ましい架橋環式炭化水素環として、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ[5、2、1、02,6]デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基などが挙げられる。好ましいハロゲン原子としては臭素、塩素、フッ素原子、好ましいアルキル基としてはメチル、エチル、ブチル、t-ブチル基が挙げられる。上記のアルキル基は更に置換基を有していても良く、更に有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、水素原子が置換されたヒドロキシル基、水素原子が置換されたアミノ基を挙げることができる。上記水素原子が置換された基としては、たとえばアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。好ましいアルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基、好ましい置換メチル基としてはメトキシメチル、メトキシチオメチル、ベンジルオキシメチル、t-ブトキシメチル、2-メトキシエトキシメチル基、好ましい置換エチル基としては、1-エトキシエチル、1-メチル-1-メトキシエチル、好ましいアシル基としては、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などの炭素数1~6の脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基としては炭素数1~4のアルコキシカルボニル基などが挙げられる。樹脂Aは、極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を含有していても含有していなくてもよいが、含有する場合、この繰り返し単位の含有量は、樹脂A中の全繰り返し単位に対し、1~20モルが好ましく、より好ましくは2~15モルである。極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。本発明の組成物に用いられる樹脂Aは、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。このような繰り返し構造単位としては、下記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これにより、本発明の組成物に用いられる樹脂に要求される性能、特に、1塗布溶剤に対する溶解性、2製膜性ガラス転移点、3アルカリ現像性、4膜べり親疎水性、アルカリ可溶性基選択、5未露光部の基板への密着性、6ドライエッチング耐性、等の微調整が可能となる。このような単量体として、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。本発明の組成物に用いられる樹脂Aにおいて、各繰り返し構造単位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。本発明の組成物が、ArF露光用であるとき、ArF光への透明性の点から本発明の組成物に用いられる樹脂Aは実質的には芳香族基を有さないことが好ましい。より具体的には、樹脂Aの全繰り返し中、芳香族基を有する繰り返し単位が全体の5モル以下であることが好ましく、3モル以下であることがより好ましく、理想的には0モル、すなわち芳香族基を有する繰り返し単位を有さないことが更に好ましい。また、樹脂Aは単環又は多環の脂環炭化水素構造を有することが好ましい。なお、樹脂Aは、後述する疎水性樹脂HRとの相溶性の観点から、フッ素原子及び珪素原子を含有しないことが好ましい。本発明の組成物に用いられる樹脂Aとして好ましくは、繰り返し単位のすべてがメタアクリレート系繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがアクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位とアクリレート系繰り返し単位とによるもののいずれのものでも用いることができるが、アクリレート系繰り返し単位が全繰り返し単位の50mol以下であることが好ましい。本発明における樹脂Aは、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒としては、例えばテトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤、更には後述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノンのような本発明の組成物を溶解する溶媒が挙げられる。より好ましくは本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5~50質量であり、好ましくは10~30質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、更に好ましくは60~100°Cである。本発明の樹脂Aの重量平均分子量は、GPC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは1,000~200,000であり、より好ましくは2,000~20,000、更により好ましくは3,000~18,000、特に好ましくは3,000~16,000である。重量平均分子量を、1,000~200,000とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、且つ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。分散度分子量分布は、通常1.0~3.0であり、好ましくは1.0~2.6、更に好ましくは1.0~2.0、特に好ましくは1.4~2.0の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、且つレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。本発明において樹脂Aの組成物全体中の配合量は、全固形分中30~99質量が好ましく、より好ましくは60~95質量である。また、本発明の樹脂は、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。なお、本発明の効果を損なわない範囲で、本発明における樹脂A以外の他の樹脂を併用してもよい。本発明における樹脂A以外の他の樹脂としては、前述した樹脂Aが含有しうる繰り返し単位を含有していてもよい酸分解性樹脂、またその他の公知の酸分解性樹脂を挙げることができる。[2]活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物B本発明における組成物は更に、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物B以下、酸発生剤ともいうを含有することが好ましい。酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。たとえば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o-ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。酸発生剤の内で好ましい化合物として、下記一般式ZI、ZII、ZIIIで表される化合物を挙げることができる。上記一般式ZIにおいて、R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基例えば、ブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。Z-は、非求核性アニオンを表す。Z-としての非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチルアニオン等を挙げることができる。非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これによりレジスト組成物の経時安定性が向上する。スルホン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。カルボン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。脂肪族スルホン酸アニオン及び脂肪族カルボン酸アニオンにおける脂肪族部位は、アルキル基であってもシクロアルキル基であってもよく、好ましくは炭素数1~30のアルキル基及び炭素数3~30のシクロアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基等を挙げることができる。芳香族スルホン酸アニオン及び芳香族カルボン酸アニオンにおける芳香族基としては、好ましくは炭素数6~14のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基好ましくは炭素数1~15、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~15、アリール基好ましくは炭素数6~14、アルコキシカルボニル基好ましくは炭素数2~7、アシル基好ましくは炭素数2~12、アルコキシカルボニルオキシ基好ましくは炭素数2~7、アルキルチオ基好ましくは炭素数1~15、アルキルスルホニル基好ましくは炭素数1~15、アルキルイミノスルホニル基好ましくは炭素数1~15、アリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数6~20、アルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数7~20、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基好ましくは炭素数10~20、アルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数5~20、シクロアルキルアルキルオキシアルキルオキシ基好ましくは炭素数8~20等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基として更にアルキル基好ましくは炭素数1~15、シクロアルキル基好ましくは炭素数3~15を挙げることができる。アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数7~12のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルブチル基等を挙げることができる。脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、芳香族スルホン酸アニオンにおけるものと同様のハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。ビスアルキルスルホニルイミドアニオン、トリスアルキルスルホニルメチドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基の置換基としてはハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等を挙げることができ、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。その他の非求核性アニオンとしては、例えば、フッ素化燐、フッ素化硼素、フッ素化アンチモン等を挙げることができる。Z-の非求核性アニオンとしては、スルホン酸の少なくともα位がフッ素原子で置換された脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子又はフッ素原子を有する基で置換された芳香族スルホン酸アニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたビスアルキルスルホニルイミドアニオン、アルキル基がフッ素原子で置換されたトリスアルキルスルホニルメチドアニオンが好ましい。非求核性アニオンとして、より好ましくは炭素数4~8のパーフロロ脂肪族スルホン酸アニオン、フッ素原子を有するベンゼンスルホン酸アニオン、更により好ましくはノナフロロブタンスルホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオン、ペンタフロロベンゼンスルホン酸アニオン、3,5-ビストリフロロメチルベンゼンスルホン酸アニオンである。酸発生剤は、下記一般式Iで表されるスルホン酸を発生する化合物であることが好ましい。一般式Iで表されるスルホン酸は、環状の有機基を有するので、上記と同様の理由で、解像性、及び、ラフネス性能をより優れたものにできる。よって、酸発生剤が、例えば、一般式ZI又はZIIで表される化合物である場合、前記芳香族スルホン酸アニオンとしては、下記式Iで表される酸を生じるアニオンであることが好ましい。式中、Xfは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R1、R2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基を表し、複数存在する場合のR1、R2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Lは、二価の連結基を表し、複数存在する場合のLは同一でも異なっていてもよい。Aは、環状の有機基を表す。xは1~20の整数を表し、yは0~10の整数を表し、zは0~10の整数を表す。一般式Iについて、更に詳細に説明する。Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基におけるアルキル基としては、好ましくは炭素数1~10であり、より好ましくは炭素数1~4である。また、Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。Xfとして好ましくは、フッ素原子又は炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。Xfの具体例としてはフッ素原子、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、CH2CH2C4F9が挙げられ、中でもフッ素原子、CF3が好ましい。特に、双方のXfがフッ素原子であることが好ましい。R1、R2のアルキル基は、置換基好ましくはフッ素原子を有していてもよく、炭素数1~4のものが好ましい。更に好ましくは炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。R1、R2の置換基を有するアルキル基の具体例としては、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、CH2CH2C4F9が挙げられ、中でもCF3が好ましい。R1、R2としては、好ましくはフッ素原子又はCF3である。yは0~4が好ましく、0がより好ましい。xは1~8が好ましく、中でも1~4が好ましく、1が特に好ましい。zは0~8が好ましく、中でも0~4が好ましい。Lの2価の連結基としては特に限定されず、―COO-、-OCO-、-CONR-、-NRCO-Rは水素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~6又はシクロアルキル基好ましくは炭素数3~10、-CO-、-O-、-S―、-SO―、―SO2-、アルキレン基好ましくは炭素数1~6、シクロアルキレン基好ましくは炭素数3~10、アルケニレン基好ましくは炭素数2~6又はこれらの複数が組合された連結基などが挙げられ、総炭素数12以下の連結基が好ましい。これらのなかでも―COO-、-OCO-、-CONR-、-NRCO-、-CO-、-O-、―SO2-、-COO-アルキレン基-、-OCO-アルキレン基-、-CONR-アルキレン基-、-NRCO-アルキレン基-がより好ましく、―COO-、-OCO-又は―SO2-が更に好ましい。Aの環状の有機基としては、環状構造を有するものであれば特に限定されず、脂環基、アリール基、複素環基芳香属性を有するものだけでなく、芳香属性を有さないものも含み、例えば、テトラヒドロピラン環、ラクトン環構造も含む。等が挙げられる。脂環基としては、単環でも多環でもよく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基の炭素数7以上のかさ高い構造を有する脂環基が、PEB露光後加熱工程での膜中拡散性を抑制でき、MEEFマスクエラーエンハンスメントファクター向上の観点から好ましい。アリール基としては、単環でも多環でもよく、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環が挙げられる。中でも193nmにおける光吸光度の観点から低吸光度のナフタレンが好ましい。複素環基としては、単環でも多環でもよく、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環、デカヒドロイソキノリン環由来のものが挙げられる。中でもフラン環、チオフェン環、ピリジン環、デカヒドロイソキノリン環由来のものが好ましい。また、環状の有機基としては、ラクトン構造も挙げることができる。上記環状の有機基は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、アルキル基直鎖、分岐のいずれであっても良く、炭素数1~12が好ましい、シクロアルキル基単環、多環、スピロ環のいずれであっても良く、炭素数3~20が好ましい、アリール基炭素数6~14が好ましい、水酸基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基、スルホン酸エステル基等が挙げられる。なお、環状の有機基を構成する炭素環形成に寄与する炭素はカルボニル炭素であっても良い。R201、R202及びR203により表される有機基としては、例えば、後述する化合物ZI-1、ZI-2、ZI-3及びZI-4における対応する基を挙げることができる。なお、一般式ZIで表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式ZIで表される化合物のR201~R203の少なくとも1つが、一般式ZIで表されるもうひとつの化合物のR201~R203の少なくとも一つと、単結合又は連結基を介して結合した構造を有する化合物であってもよい。更に好ましいZI成分として、以下に説明する化合物ZI-1、ZI-2、及びZI-3及びZI-4を挙げることができる。化合物ZI-1は、上記一般式ZIのR201~R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。アリールスルホニウム化合物は、R201~R203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。アリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、ピロール残基、フラン残基、チオフェン残基、インドール残基、ベンゾフラン残基、ベンゾチオフェン残基等が挙げられる。アリールスルホニウム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1~15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3~15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。R201~R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~14、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては炭素数1~12の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数1~12の直鎖、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201~R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201~R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp-位に置換していることが好ましい。次に、化合物ZI-2について説明する。化合物ZI-2は、式ZIにおけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。R201~R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1~30、好ましくは炭素数1~20である。R201~R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、ビニル基であり、更に好ましくは直鎖又は分岐の2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基、特に好ましくは直鎖又は分岐2-オキソアルキル基である。R201~R203のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、炭素数3~10のシクロアルキル基シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基を挙げることができる。アルキル基として、より好ましくは2-オキソアルキル基、アルコキシカルボニルメチル基を挙げることができる。シクロアルキル基として、より好ましくは、2-オキソシクロアルキル基を挙げることができる。2-オキソアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、好ましくは、上記のアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。2-オキソシクロアルキル基は、好ましくは、上記のシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1~5のアルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基を挙げることができる。R201~R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基例えば炭素数1~5、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。次に、化合物ZI-3について説明する。化合物ZI-3とは、以下の一般式ZI-3で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。一般式ZI-3に於いて、R1c~R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表す。R6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表す。Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R5cとR6c、R6cとR7c、R5cとRx、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、ケトン基、エステル結合、アミド結合を含んでいてもよい。上記環構造としては、芳香族若しくは非芳香族の炭化水素環、芳香族若しくは非芳香族の複素環、又は、これらの環が2つ以上組み合わされてなる多環縮合環を挙げることができる。環構造としては、3~10員環を挙げることができ、4~8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、R6cとR7c、及びRxとRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を挙げることができる。R5cとR6c、及び、R5cとRxが結合して形成する基としては、単結合又はアルキレン基であることが好ましく、アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基等を挙げることができる。Zc-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。R1c~R7cとしてのアルキル基は、直鎖又は分岐のいずれであってもよく、例えば炭素数1~20個のアルキル基、好ましくは炭素数1~12個の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、直鎖又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル基、直鎖又は分岐ペンチル基を挙げることができ、シクロアルキル基としては、例えば炭素数3~10個のシクロアルキル基例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアリール基は、好ましくは炭素数5~15であり、例えば、フェニル基、ナフチル基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1~10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖及び分岐アルコキシ基例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基、炭素数3~10の環状アルコキシ基例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基を挙げることができる。R1c~R5cとしてのアルコキシカルボニル基におけるアルコキシ基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのアルコキシ基の具体例と同様である。R1c~R5cとしてのアルキルカルボニルオキシ基及びアルキルチオ基におけるアルキル基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのアルキル基の具体例と同様である。R1c~R5cとしてのシクロアルキルカルボニルオキシ基におけるシクロアルキル基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのシクロアルキル基の具体例と同様である。R1c~R5cとしてのアリールオキシ基及びアリールチオ基におけるアリール基の具体例は、前記R1c~R5cとしてのアリール基の具体例と同様である。好ましくは、R1c~R5cの内のいずれかが直鎖又は分岐アルキル基、シクロアルキル基又は直鎖、分岐若しくは環状アルコキシ基であり、更に好ましくは、R1c~R5cの炭素数の和が2~15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。R1c~R5cのいずれか2つ以上が互いに結合して形成してもよい環構造としては、好ましくは5員又は6員の環、特に好ましくは6員の環例えばフェニル環が挙げられる。R5c及びR6cが互いに結合して形成してもよい環構造としては、R5c及びR6cが互いに結合して単結合又はアルキレン基メチレン基、エチレン基等を構成することにより、一般式I中のカルボニル炭素原子及び炭素原子と共に形成する4員以上の環特に好ましくは5~6員の環が挙げられる。R6c及びR7cとしてのアリール基としては、好ましくは炭素数5~15であり、例えば、フェニル基、ナフチル基を挙げることができる。R6c及びR7cの態様としては、その両方がアルキル基である場合が好ましい。特に、R6c及びR7cが各々炭素数1~4の直鎖又は分岐状アルキル基である場合が好ましく、とりわけ、両方がメチル基である場合が好ましい。また、R6cとR7cとが結合して環を形成する場合に、R6cとR7cとが結合して形成する基としては、炭素数2~10のアルキレン基が好ましく、例えば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基などを挙げることができる。また、R6cとR7cとが結合して形成する環は、環内に酸素原子等のヘテロ原子を有していてもよい。Rx及びRyとしてのアルキル基及びシクロアルキル基は、R1c~R7cにおけると同様のアルキル基及びシクロアルキル基を挙げることができる。Rx及びRyとしての2-オキソアルキル基及び2-オキソシクロアルキル基は、R1c~R7cとしてのアルキル基及びシクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。Rx及びRyとしてのアルコキシカルボニルアルキル基におけるアルコキシ基については、R1c~R5cおけると同様のアルコキシ基を挙げることができ、アルキル基については、例えば、炭素数1~12のアルキル基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖のアルキル基例えば、メチル基、エチル基を挙げることができる。Rx及びRyとしてのアリル基としては、特に制限は無いが、無置換のアリル基、又は、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素数3~10のシクロアルキル基で置換されたアリル基であることが好ましい。Rx及びRyとしてのビニル基としては特に制限は無いが、無置換のビニル基、又は、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素数3~10のシクロアルキル基で置換されたビニル基であることが好ましい。R5c及びRxが互いに結合して形成してもよい環構造としては、R5c及びRxが互いに結合して単結合又はアルキレン基メチレン基、エチレン基等を構成することにより、一般式I中の硫黄原子とカルボニル炭素原子と共に形成する5員以上の環特に好ましくは5員の環が挙げられる。Rx及びRyが互いに結合して形成してもよい環構造としては、2価のRx及びRy例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が一般式ZI-3中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環が挙げられる。Rx及びRyは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基又はシクロアルキル基である。R1c~R7c、Rx及びRyは、更に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アリールカルボニル基、アルコキシアルキル基、アリールオシキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。上記一般式ZI-3中、R1c、R2c、R4c及びR5cが、各々独立に、水素原子を表し、R3cが水素原子以外の基、すなわち、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表すことがより好ましい。本発明における一般式ZI-2又はZI-3で表される化合物のカチオンとしては、以下の具体例が挙げられる。次に、化合物ZI-4について説明する。化合物ZI-4は、下記一般式ZI-4で表される。一般式ZI-4中、R13は水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。R14は複数存在する場合は各々独立して、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。R15は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はナフチル基を表す。2個のR15が互いに結合して環を形成してもよい。これらの基は置換基を有してもよい。lは0~2の整数を表す。rは0~8の整数を表す。Z-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。一般式ZI-4において、R13、R14及びR15のアルキル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、メチル基、エチル基、n-ブチル基、t-ブチル基等が好ましい。R13、R14及びR15のシクロアルキル基としては、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素原子数3~20のシクロアルキル基が挙げられ、特にシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチルが好ましい。R13及びR14のアルコキシ基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基等が好ましい。R13及びR14のアルコキシカルボニル基としては、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数2~11のものが好ましく、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基等が好ましい。R13及びR14のシクロアルキル基を有する基としては、単環若しくは多環のシクロアルキル基好ましくは炭素原子数3~20のシクロアルキル基が挙げられ、例えば、単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基、及び、単環若しくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基が挙げられる。これら基は、置換基を更に有していてもよい。R13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキルオキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル基を有することが好ましい。総炭素数7以上の単環のシクロアルキルオキシ基とは、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、シクロオクチルオキシ基、シクロドデカニルオキシ基等のシクロアルキルオキシ基に、任意にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ドデシル基、2-エチルヘキシル基、イソプロピル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、iso-アミル基等のアルキル基、水酸基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシルオキシ基、カルボキシ基等の置換基を有する単環のシクロアルキルオキシ基であって、該シクロアルキル基上の任意の置換基と合わせた総炭素数が7以上のものを表す。また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキルオキシ基としては、ノルボルニルオキシ基、トリシクロデカニルオキシ基、テトラシクロデカニルオキシ基、アダマンチルオキシ基等が挙げられる。R13及びR14の単環若しくは多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基としては、総炭素数が7以上であることが好ましく、総炭素数が7以上15以下であることがより好ましく、また、単環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基であることが好ましい。総炭素数7以上の、単環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基とは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプトキシ、オクチルオキシ、ドデシルオキシ、2-エチルヘキシルオキシ、イソプロポキシ、sec-ブトキシ、t-ブトキシ、iso-アミルオキシ等のアルコキシ基に上述の置換基を有していてもよい単環シクロアルキル基が置換したものであり、置換基も含めた総炭素数が7以上のものを表す。たとえば、シクロヘキシルメトキシ基、シクロペンチルエトキシ基、シクロヘキシルエトキシ基等が挙げられ、シクロヘキシルメトキシ基が好ましい。また、総炭素数が7以上の多環のシクロアルキル基を有するアルコキシ基としては、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基、トリシクロデカニルメトキシ基、トリシクロデカニルエトキシ基、テトラシクロデカニルメトキシ基、テトラシクロデカニルエトキシ基、アダマンチルメトキシ基、アダマンチルエトキシ基等が挙げられ、ノルボルニルメトキシ基、ノルボルニルエトキシ基等が好ましい。R14のアルキルカルボニル基のアルキル基としては、上述したR13~R15としてのアルキル基と同様の具体例が挙げられる。R14のアルキルスルホニル基及びシクロアルキルスルホニル基としては、直鎖状、分岐状、環状であり、炭素原子数1~10のものが好ましく、例えば、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n-プロパンスルホニル基、n-ブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等が好ましい。上記各基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子例えば、フッ素原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素原子数1~20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシ基等を挙げることができる。前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、1-メトキシエチル基、2-メトキシエチル基、1-エトキシエチル基、2-エトキシエチル基等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニル基等を挙げることができる。前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n-プロポキシカルボニルオキシ基、i-プロポキシカルボニルオキシ基、n-ブトキシカルボニルオキシ基、t-ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。2個のR15が互いに結合して形成してもよい環構造としては、2個のR15が一般式ZI-4中の硫黄原子と共に形成する5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環が挙げられ、アリール基又はシクロアルキル基と縮環していてもよい。前記環構造は置換基を有してもよく、置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。前記環構造に対する置換基は、複数個存在しても良く、また、それらが互いに結合して環芳香族若しくは非芳香族の炭化水素環、芳香族若しくは非芳香族の複素環、又はこれらの環が2つ以上組み合わされてなる多環縮合環などを形成しても良い。一般式ZI-4におけるR15としては、メチル基、エチル基、ナフチル基、2個のR15が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する2価の基等が好ましい。R13及びR14が有し得る置換基としては、水酸基、アルコキシ基、又はアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子特に、フッ素原子が好ましい。lとしては、0又は1が好ましく、1がより好ましい。rとしては、0~2が好ましい。本発明における一般式ZI-4で表される化合物のカチオンとしては以下の具体例が挙げられる。次に、一般式ZII、ZIIIについて説明する。一般式ZII、ZIII中、R204~R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。R204~R207のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基である。R204~R207のアリール基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基の骨格としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等を挙げることができる。R204~R207におけるアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、炭素数3~10のシクロアルキル基シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基を挙げることができる。R204~R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。R204~R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基例えば炭素数1~15、シクロアルキル基例えば炭素数3~15、アリール基例えば炭素数6~15、アルコキシ基例えば炭素数1~15、ハロゲン原子、水酸基、フェニルチオ基等を挙げることができる。Z-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-の非求核性アニオンと同様のものを挙げることができる。酸発生剤として、更に、下記一般式ZIV、ZV、ZVIで表される化合物も挙げられる。一般式ZIV~ZVI中、Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。R208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。Ar3、Ar4、R208、R209及びR210のアリール基の具体例としては、上記一般式ZI-1におけるR201、R202及びR203としてのアリール基の具体例と同様のものを挙げることができる。R208、R209及びR210のアルキル基及びシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ、上記一般式ZI-2におけるR201、R202及びR203としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例と同様のものを挙げることができる。Aのアルキレン基としては、炭素数1~12のアルキレン例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基などを、Aのアルケニレン基としては、炭素数2~12のアルケニレン基例えば、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基などを、Aのアリーレン基としては、炭素数6~10のアリーレン基例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基などを、それぞれ挙げることができる。酸発生剤の内でより好ましくは、一般式ZI~ZIIIで表される化合物である。また、酸発生剤として、スルホン酸基又はイミド基を1つ有する酸を発生する化合物が好ましく、更に好ましくは1価のパーフルオロアルカンスルホン酸を発生する化合物、又は1価のフッ素原子若しくはフッ素原子を含有する基で置換された芳香族スルホン酸を発生する化合物、又は1価のフッ素原子若しくはフッ素原子を含有する基で置換されたイミド酸を発生する化合物であり、更により好ましくは、フッ化置換アルカンスルホン酸、フッ素置換ベンゼンスルホン酸、フッ素置換イミド酸又はフッ素置換メチド酸のスルホニウム塩である。使用可能な酸発生剤は、発生した酸のpKaが-1以下のフッ化置換アルカンスルホン酸、フッ化置換ベンゼンスルホン酸、フッ化置換イミド酸であることが特に好ましく、感度が向上する。酸発生剤が下記一般式I’で表されることが本発明の好ましい1つの実施態様として挙げられる。下記一般式I’で表されることにより露光の膜光透過性が向上し、LWR、DOFの良化に寄与することができる。上記一般式I’中、X’は、酸素原子、硫黄原子又は-NRx’-を表す。R1’及びR2’は互いに連結して環を形成していても良い。また、R6’~R9’中のいずれか2つ以上、R3’とR9’、R4’とR5’、R5’とRx’、R6’とRx’は、それぞれ、互いに連結して環を形成していても良い。R1’及びR2’はそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。R3’~R9’はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、アルキルカルボニルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールオキシカルボニル基又はアリールカルボニルオキシ基を表す。Rx’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アシル基、アルケニル基、アルコキシカルボニル基、アリール基、アリールカルボニル基又はアリールオキシカルボニル基を表す。Z-は、非求核性アニオンを表し、一般式ZIに於けるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。酸発生剤の中で、特に好ましい例を以下に挙げる。酸発生剤は、公知の方法で合成することができ、例えば、特開2007-161707号公報に記載の方法に準じて合成することができる。酸発生剤は、1種類単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。酸発生剤の組成物中の含有量は、組成物の全固形分を基準として、0.1~30質量が好ましく、より好ましくは3~25質量、更に好ましくは7~20質量である。[4]疎水性樹脂HR本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、特に液浸露光に適用する際、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂以下、疎水性樹脂HRともいうを含有してもよい。これにより、膜表層に疎水性樹脂HRが偏在化し、液浸媒体が水の場合、水に対するレジスト膜表面の静的/動的な接触角を向上させ、液浸液追随性を向上させることができる。疎水性樹脂HRは前述のように界面に偏在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。疎水性樹脂は、典型的には、フッ素原子及び/又は珪素原子を含んでいる。疎水性樹脂HRに於けるフッ素原子及び/又は珪素原子は、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。疎水性樹脂がフッ素原子を含んでいる場合、フッ素原子を有する部分構造として、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基を有する樹脂であることが好ましい。フッ素原子を有するアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐アルキル基であり、好ましくは炭素数1~10、より好ましくは炭素数1~4であり、更に他の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基であり、更に他の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのアリール基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、更に他の置換基を有していてもよい。フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又は、フッ素原子を有するアリール基として、好ましくは、下記一般式F2~F4のいずれかで表される基を挙げることができるが、本発明は、これに限定されるものではない。一般式F2~F4中、R57~R68は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基直鎖若しくは分岐を表す。但し、R57~R61の少なくとも1つ、R62~R64の少なくとも1つ及びR65~R68の少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基好ましくは炭素数1~4を表す。R57~R61及びR65~R67は、全てがフッ素原子であることが好ましい。R62、R63及びR68は、フルオロアルキル基好ましくは炭素数1~4が好ましく、炭素数1~4のパーフルオロアルキル基であることが更に好ましい。R62及びR63がパーフルオロアルキル基であるとき、R64は水素原子であることが好ましい。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。一般式F2で表される基の具体例としては、例えば、p-フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、3,5-ジトリフルオロメチルフェニル基等が挙げられる。一般式F3で表される基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、ノナフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロヘキシル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロトリメチルヘキシル基、2,2,3,3-テトラフルオロシクロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基などが挙げられる。ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロ2-メチルイソプロピル基、オクタフルオロイソブチル基、ノナフルオロ-t-ブチル基、パーフルオロイソペンチル基が好ましく、ヘキサフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基が更に好ましい。一般式F4で表される基の具体例としては、例えば、-CCF32OH、-CC2F52OH、-CCF3CH3OH、-CHCF3OH等が挙げられ、-CCF32OHが好ましい。フッ素原子を含む部分構造は、主鎖に直接結合しても良く、更に、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合及びウレイレン結合よりなる群から選択される基、あるいはこれらの2つ以上を組み合わせた基を介して主鎖に結合しても良い。フッ素原子を有する好適な繰り返し単位としては、以下に示すものが挙げられる。式中、R10及びR11は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。W3~W6は、各々独立に、少なくとも1つ以上のフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記F2~F4の原子団が挙げられる。また、疎水性樹脂は、これら以外にも、フッ素原子を有する繰り返し単位として下記に示すような単位を有していてもよい。式中、R4~R7は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はアルキル基を表す。該アルキル基は、好ましくは炭素数1~4の直鎖又は分岐のアルキル基であり、置換基を有していてもよく、置換基を有するアルキル基としては特にフッ素化アルキル基を挙げることができる。ただし、R4~R7の少なくとも1つはフッ素原子を表す。R4とR5若しくはR6とR7は環を形成していてもよい。W2は、少なくとも1つのフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記F2~F4の原子団が挙げられる。L2は、単結合、あるいは2価の連結基を示す。2価の連結基としては、置換又は無置換のアリーレン基、置換又は無置換のアルキレン基、置換又は無置換のシクロアルキレン基、-O-、-SO2-、-CO-、-NR-式中、Rは水素原子又はアルキルを表す、-NHSO2-又はこれらの複数を組み合わせた2価の連結基を示す。Qは脂環式構造を表す。脂環式構造は置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよく、多環型の場合は有橋式であってもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、ジシクロペンチル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の少なくとも1つの炭素原子が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。Qとして特に好ましくはノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基等を挙げることができる。疎水性樹脂は、珪素原子を含有してもよい。珪素原子を有する部分構造として、アルキルシリル構造好ましくはトリアルキルシリル基、又は環状シロキサン構造を有することが好ましい。アルキルシリル構造、又は環状シロキサン構造としては、具体的には、下記一般式CS-1~CS-3で表される基などが挙げられる。一般式CS-1~CS-3に於いて、R12~R26は、各々独立に、直鎖若しくは分岐アルキル基好ましくは炭素数1~20又はシクロアルキル基好ましくは炭素数3~20を表す。L3~L5は、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、又はウレイレン結合よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを挙げられる。nは、1~5の整数を表す。nは、好ましくは、2~4の整数である。フッ素原子又は珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位はメタアクリレート系繰り返し単位であることが好ましい。以下、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、具体例中、X1は、水素原子、-CH3、-F又は-CF3を表し、X2は、-F又は-CF3を表す。疎水性樹脂は、下記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位bを有することが好ましい。xアルカリ可溶基yアルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基以下、極性変換基ともいうz酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基繰り返し単位bとしては、以下の類型が挙げられる。1つの側鎖上に、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかと、上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位b’上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子を有さない繰り返し単位b1つの側鎖上に上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有し、かつ、同一繰り返し単位内の前記側鎖と異なる側鎖上に、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位b疎水性樹脂は、繰り返し単位bとして繰り返し単位b’を有することがより好ましい。すなわち、上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位bが、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有することがより好ましい。なお、疎水性樹脂が、繰り返し単位bを有する場合、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位前記繰り返し単位b’、bとは異なる繰り返し単位とのコポリマーであることが好ましい。また、繰り返し単位bにおける、上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する側鎖とフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する側鎖とは、主鎖中の同一の炭素原子に結合している、すなわち下記式K1のような位置関係にあることが好ましい。式中、B1は上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する部分構造、B2はフッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する部分構造を表す。上記x~zからなる群から選ばれる基は、好ましくは、xアルカリ可溶基又はy極性変換基であり、y極性変換基であることがより好ましい。アルカリ可溶性基xとしては、フェノール性水酸基、カルボン酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基等が挙げられる。好ましいアルカリ可溶性基としては、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール、スルホンイミド基、ビスカルボニルメチレン基が挙げられる。アルカリ可溶性基xを有する繰り返し単位bxとしては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位などが挙げられ、更にはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入することもでき、いずれの場合も好ましい。繰り返し単位bxが、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合すなわち、前記繰り返し単位b’又はbに相当する場合、繰り返し単位bxにおけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式F2~F4で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位bxにおける珪素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式CS-1~CS-3で表される基を挙げることができる。アルカリ可溶性基xを有する繰り返し単位bxの含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1~50molが好ましく、より好ましくは3~35mol、更に好ましくは5~20molである。アルカリ可溶性基xを有する繰り返し単位bxの具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。なお、具体例中、X1は、水素原子、-CH3、-F又は-CF3を表す。極性変換基yとしては、例えば、ラクトン基、カルボン酸エステル基-COO-、酸無水物基-COOCO-、酸イミド基-NHCONH-、カルボン酸チオエステル基-COS-、炭酸エステル基-OCOO-、硫酸エステル基-OSO2O-、スルホン酸エステル基-SO2O-などが挙げられ、好ましくはラクトン基である。極性変換基yは、例えばアクリル酸エステル、メタクリル酸エステルによる繰り返し単位中に含まれることにより、樹脂の側鎖に導入される形態、あるいは極性変換基yを有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入される形態のいずれも好ましい。極性変換基yを有する繰り返し単位byの具体例としては、後述の式KA-1-1~KA-1-17で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を挙げることができる。更に、極性変換基yを有する繰り返し単位byは、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位であるすなわち、前記繰り返し単位b’、bに相当することが好ましい。該繰り返し単位byを有する樹脂は疎水性を有するものであるが、特に現像欠陥の低減の点で好ましい。繰り返し単位byとして、例えば、式K0で示される繰り返し単位を挙げることができる。式中、Rk1は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は極性変換基を含む基を表す。Rk2はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は極性変換基を含む基を表す。但し、Rk1、Rk2の少なくとも一方は、極性変換基を含む基を表す。極性変換基とは、上述したようにアルカリ現像液の作用により分解しアルカリ現像液中での溶解度が増大する基を表す。極性変換基としては、一般式KA-1又はKB-1で表される部分構造におけるXで表される基であることが好ましい。一般式KA-1又はKB-1におけるXは、カルボン酸エステル基:-COO-、酸無水物基:-COOCO-、酸イミド基:-NHCONH-、カルボン酸チオエステル基:-COS-、炭酸エステル基:-OCOO-、硫酸エステル基:-OSO2O-、スルホン酸エステル基:-SO2O-を表す。Y1及びY2は、それぞれ同一でも異なっても良く、電子求引性基を表す。なお、繰り返し単位byは、一般式KA-1又はKB-1で表される部分構造を有する基を有することで、好ましいアルカリ現像液中での溶解度が増大する基を有するが、一般式KA-1で表される部分構造、Y1及びY2が1価である場合のKB-1で表される部分構造の場合のように、該部分構造が結合手を有しない場合は、該部分構造を有する基とは、該部分構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。一般式KA-1又はKB-1で表される部分構造は、任意の位置で置換基を介して疎水性樹脂の主鎖に連結している。一般式KA-1で表される部分構造は、Xとしての基とともに環構造を形成する構造である。一般式KA-1におけるXとして好ましくは、カルボン酸エステル基即ち、KA-1としてラクトン環構造を形成する場合、及び酸無水物基、炭酸エステル基である。より好ましくはカルボン酸エステル基である。一般式KA-1で表される環構造は、置換基を有していてもよく、例えば、置換基Zka1をnka個有していてもよい。Zka1は、複数ある場合はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、アミド基、アリール基、ラクトン環基、又は電子求引性基を表す。Zka1同士が連結して環を形成しても良い。Zka1同士が連結して形成する環としては、例えば、シクロアルキル環、ヘテロ環環状エーテル環、ラクトン環などが挙げられる。nkaは0~10の整数を表す。好ましくは0~8の整数、より好ましくは0~5の整数、更に好ましくは1~4の整数、最も好ましくは1~3の整数である。Zka1としての電子求引性基は、後述のY1及びY2としての電子求引性基と同様である。なお、上記電子求引性基は、別の電子求引性基で置換されていてもよい。Zka1は好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、エーテル基、ヒドロキシル基、又は電子求引性基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又は電子求引性基である。なお、エーテル基としては、アルキル基又はシクロアルキル基等で置換されたもの、すなわち、アルキルエーテル基等が好ましい。電子求引性基は前記と同義である。Zka1としてのハロゲン原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。Zka1としてのアルキル基は置換基を有していてもよく、直鎖、分岐のいずれでもよい。直鎖アルキル基としては、好ましくは炭素数1~30、更に好ましくは1~20であり、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デカニル基等が挙げられる。分岐アルキル基としては、好ましくは炭素数3~30、更に好ましくは3~20であり、例えば、i-プロピル基、i-ブチル基、t-ブチル基、i-ペンチル基、t-ペンチル基、i-ヘキシル基、t-ヘキシル基、i-ヘプチル基、t-ヘプチル基、i-オクチル基、t-オクチル基、i-ノニル基、t-デカノイル基等が挙げられる。メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。Zka1としてのシクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、単環型でもよく、多環型でもよい。多環型の場合、シクロアルキル基は有橋式であってもよい。即ち、この場合、シクロアルキル基は橋かけ構造を有していてもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数5以上のビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができ、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α-ピネル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基、アンドロスタニル基が挙げられる。シクロアルキル基としては下記構造も好ましい。なお、シクロアルキル基中の少なくとも1つの炭素原子が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。上記脂環部分の好ましいものとしては、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることができる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基、トリシクロデカニル基である。これらの脂環式構造の置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基が挙げられる。アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基を表す。上記アルコキシ基としては、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1~4個のものを挙げることができる。アルキル基及びアルコキシ基が有してもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基好ましくは炭素数1~4等を挙げることができる。また、上記基は更に置換基を有していてもよく、更なる置換基としては、水酸基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ニトロ基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ベンジル基、フェネチル基、クミル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル基、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基、シアナミル基、バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等のアシルオキシ基、ビニル基、プロペニル基、アリル基等のアルケニル基、ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基、フエノキシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等のアリールオキシカルボニル基等を挙げることができる。一般式KA-1におけるXがカルボン酸エステル基であり、一般式KA-1が示す部分構造がラクトン環であることが好ましく、5~7員環ラクトン環であることが好ましい。なお、下記KA-1-1~KA-1-17におけるように、一般式KA-1で表される部分構造としての5~7員環ラクトン環に、ビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環していることが好ましい。一般式KA-1で表される環構造が結合してもよい周辺の環構造については、例えば、下記KA-1-1~KA-1-17におけるもの、又はこれに準じたものを挙げることができる。一般式KA-1が示すラクトン環構造を含有する構造として、下記KA-1-1~KA-1-17のいずれかで表される構造がより好ましい。なお、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましい構造としては、KA-1-1、KA-1-4、KA-1-5、KA-1-6、KA-1-13、KA-1-14、KA-1-17である。上記ラクトン環構造を含有する構造は、置換基を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基としては、上記一般式KA-1が示す環構造が有してもよい置換基Zka1と同様のものが挙げられる。一般式KB-1のXとして好ましくは、カルボン酸エステル基-COO-を挙げることができる。一般式KB-1におけるY1及びY2は、それぞれ独立に、電子求引性基を表す。電子求引性基は、下記式EWで示す部分構造である。式EWにおけるはKA-1に直結している結合手、又はKB-1中のXに直結している結合手を表す。式EW中、Rew1、Rew2は、各々独立して任意の置換基を表し、例えば水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。newは-CRew1Rew2-で表される連結基の繰り返し数であり、0又は1の整数を表す。newが0の場合は単結合を表し、直接Yew1が結合していることを示す。Yew1は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトリル基、ニトロ基、-CRf1Rf2-Rf3で表されるハロシクロアルキル基又はハロアリール基、オキシ基、カルボニル基、スルホニル基、スルフィニル基、及びこれらの組み合わせをあげることができ、電子求引性基は例えば下記構造であってもよい。なお、ハロシクロアルキル基とは、少なくとも一部がハロゲン化したアルキル基及びシクロアルキル基を表し、ハロアリール基とは、少なくとも一部がハロゲン化したアリール基を表す。下記構造式において、Rew3、Rew4は、各々独立して任意の構造を表す。Rew3、Rew4はどのような構造でも式EWで表される部分構造は電子求引性を有し、例えば樹脂の主鎖に連結していてもよいが、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、フッ化アルキル基である。Yew1が2価以上の基である場合、残る結合手は、任意の原子又は置換基との結合を形成するものである。Yew1、Rew1、Rew2の少なくとも何れかの基が更なる置換基を介して疎水性樹脂の主鎖に連結していてもよい。Yew1は、好ましくはハロゲン原子、又は、-CRf1Rf2-Rf3で表されるハロシクロアルキル基又はハロアリール基である。Rew1、Rew2及びYew1の少なくとも2つが互いに連結して環を形成していてもよい。ここでRf1はハロゲン原子、パーハロアルキル基、パーハロシクロアルキル基、又はパーハロアリール基を表し、より好ましくはフッ素原子、パーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基、更に好ましくはフッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。Rf2、Rf3は各々独立して水素原子、ハロゲン原子又は有機基を表し、Rf2とRf3とが連結して環を形成してもよい。有機基としては例えばアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基等を表す。Rf2はRf1と同様の基を表すか、又はRf3と連結して環を形成していることがより好ましい。Rf1~Rf3とは連結して環を形成してもよく、形成する環としては、ハロシクロアルキル環、ハロアリール環等が挙げられる。Rf1~Rf3におけるハロアルキル基としては、例えば前述したZka1におけるアルキル基、及びこれがハロゲン化した構造が挙げられる。Rf1~Rf3における、又は、Rf2とRf3とが連結して形成する環におけるパーハロシクロアルキル基及びパーハロアリール基としては、例えば前述したZka1におけるシクロアルキル基がハロゲン化した構造、より好ましくは-CnF2n-2Hで表されるフルオロシクロアルキル基、及び、-CnFn-1で表されるパーフルオロアリール基が挙げられる。ここで炭素数nは特に限定されないが、5~13のものが好ましく、6がより好ましい。Rew1、Rew2及びYew1の少なくとも2つが互いに連結して形成してもよい環としては、好ましくはシクロアルキル基又はヘテロ環基が挙げられ、ヘテロ環基としてはラクトン環基が好ましい。ラクトン環としては、例えば上記式KA-1-1~KA-1-17で表される構造が挙げられる。なお、繰り返し単位by中に、一般式KA-1で表される部分構造を複数、あるいは、一般式KB-1で表される部分構造を複数、あるいは、一般式KA-1で表される部分構造と一般式KB-1で表される部分構造の両方を有していてもよい。なお、一般式KA-1の部分構造の一部又は全部が、一般式KB-1におけるY1又はY2としての電子求引性基を兼ねてもよい。例えば、一般式KA-1のXがカルボン酸エステル基である場合、そのカルボン酸エステル基は一般式KB-1におけるY1又はY2としての電子求引性基として機能することもあり得る。また、繰り返し単位byが、上記繰り返し単位b又は繰り返し単位bに該当し、かつ、一般式KA-1で表される部分構造を有する場合、一般式KA-1で表される部分構造は、極性変換基が、一般式KA-1で示す構造における-COO-で表される部分構造であることがより好ましい。繰り返し単位byは、一般式KY-0で表わされる部分構造を有する繰り返し単位でありえる。一般式KY-0に於いて、R2は、鎖状若しくは環状アルキレン基を表し、複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよい。R3は、構成炭素上の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換され、直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基を示す。R4は、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、アミド基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、フェニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、又はR-C=O-若しくはR-C=OO-で表される基Rは、アルキル基若しくはシクロアルキル基を表す。を表す。R4が複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよく、また、2つ以上のR4が結合し、環を形成していても良い。Xは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Z、Zaは、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表し、複数ある場合は、同じでも異なっていてもよい。は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。oは、置換基数であって、1~7の整数を表す。mは、置換基数であって、0~7の整数を表す。nは、繰り返し数を表し、0~5の整数を表す。-R2-Z-の構造として好ましくは、-CH2l-COO-で表される構造が好ましいlは1~5の整数を表す。R2としての鎖状若しくは環状アルキレン基の好ましい炭素数範囲及び具体例は、一般式bbのZ2における鎖状アルキレン基及び環状アルキレン基で説明したものと同様である。R3としての直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基の炭素数は、直鎖状の場合、好ましくは1~30、更に好ましくは1~20であり、分岐状の場合、好ましくは3~30、更に好ましくは3~20であり、環状の場合、6~20である。R3の具体例としては、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例を挙げることができる。R4及びRとしてのアルキル基及びシクロアルキル基における好ましい炭素数、及び、具体例は、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基において記載したものと同様である。R4としてのアシル基としては、炭素数1~6のものが好ましく、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、ピバロイル基などを挙げることができる。R4としてのアルコキシ基及びアルコキシカルボニル基におけるアルキル部位としては、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル部位を挙げることができ、アルキル部位の好ましい炭素数、及び、具体例は、上記したZka1としてのアルキル基及びシクロアルキル基において記載したものと同様である。Xとしてのアルキレン基としては、鎖状若しくは環状アルキレン基を挙げることができ、好ましい炭素数及びその具体例は、R2としての鎖状アルキレン基及び環状アルキレン基で説明したものと同様である。また、繰り返し単位byの具体的な構造として、以下に示す部分構造を有する繰り返し単位も挙げられる。一般式rf-1及びrf-2中、X ́は、電子求引性の置換基を表し、好ましくは、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、フッ素原子で置換されたアルキレン基、フッ素原子で置換されたシクロアルキレン基である。Aは、単結合又は-CRxRy-で表される2価の連結基を表す。ここで、Rx、Ryは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基好ましくは炭素数1~6で、フッ素原子等で置換されていてもよい、又はシクロアルキル基好ましくは炭素数5~12で、フッ素原子等で置換されていてもよいを表す。Rx,Ryとして好ましくは、水素原子、アルキル基、フッ素原子で置換されたアルキル基である。Xは、電子求引性基を表し、その具体例としては、前述のY1及びY2としての電子求引性基を挙げることができ、好ましくは、フッ化アルキル基、フッ化シクロアルキル基、フッ素又はフッ化アルキル基で置換されたアリール基、フッ素又はフッ化アルキル基で置換されたアラルキル基、シアノ基、ニトロ基である。は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。即ち、単結合あるいは連結基を通じて樹脂の主鎖に結合する結合手を表す。なお、X ́がカルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基であるとき、Aは単結合ではない。極性変換基がアルカリ現像液の作用により分解し極性変換がなされることによって、アルカリ現像後のレジスト膜の水との後退接触角を下げることが出来る。アルカリ現像後における膜の水との後退接触角が下がることは、現像欠陥の抑制の観点から好ましい。アルカリ現像後のレジスト膜の水との後退接触角は、温度23±3°C、湿度45±5において50°以下であることが好ましく、より好ましくは40°以下、更に好ましくは35°以下、最も好ましくは30°以下である。後退接触角とは、液滴-基板界面での接触線が後退する際に測定される接触角であり、動的な状態での液滴の移動しやすさをシミュレートする際に有用であることが一般に知られている。簡易的には、針先端から吐出した液滴を基板上に着滴させた後、その液滴を再び針へと吸い込んだときの、液滴の界面が後退するときの接触角として定義でき、一般に拡張収縮法と呼ばれる接触角の測定方法を用いて測定することができる。疎水性樹脂のアルカリ現像液に対する加水分解速度は0.001nm/秒以上であることが好ましく、0.01nm/秒以上であることがより好ましく、0.1nm/秒以上であることが更に好ましく、1nm/秒以上であることが最も好ましい。ここで疎水性樹脂のアルカリ現像液に対する加水分解速度は23°CのTMAHテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液2.38質量に対して、疎水性樹脂のみで樹脂膜を製膜した際の膜厚が減少する速度である。また、繰り返し単位byは、少なくとも2つ以上の極性変換基を有する繰り返し単位であることがより好ましい。繰り返し単位byが少なくとも2つの極性変換基を有する場合、下記一般式KY-1で示す、2つの極性変換基を有する部分構造を有する基を有することが好ましい。なお、一般式KY-1で表される構造が、結合手を有さない場合は、該構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。一般式KY-1において、Rky1、Rky4はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。或いは、Rky1、Rky4が同一の原子と結合して二重結合を形成していてもよく、例えばRky1、Rky4が同一の酸素原子と結合してカルボニル基の一部=Oを形成してもよい。Rky2、Rky3はそれぞれ独立して電子求引性基であるか、又はRky1とRky2が連結してラクトン環を形成するとともにRky3が電子求引性基である。形成するラクトン環としては、前記KA-1-1~KA-1-17の構造が好ましい。電子求引性基としては、前記式KB-1におけるY1、Y2と同様のものが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、又は、前記-CRf1Rf2-Rf3で表されるハロシクロアルキル基又はハロアリール基である。好ましくはRky3がハロゲン原子、又は、前記-CRf1Rf2-Rf3で表されるハロシクロアルキル基又はハロアリール基であり、Rky2はRky1と連結してラクトン環を形成するか、ハロゲン原子を有さない電子求引性基である。Rky1、Rky2、Rky4はそれぞれ互いに連結して単環又は多環構造を形成しても良い。Rky1、Rky4は具体的には式KA-1におけるZka1と同様の基が挙げられる。Rky1とRky2が連結して形成するラクトン環としては、前記KA-1-1~KA-1-17の構造が好ましい。電子求引性基としては、前記式KB-1におけるY1、Y2と同様のものが挙げられる。一般式KY-1で表される構造としては、下記一般式KY-2で示す構造であることがより好ましい。なお、一般式KY-2で表される構造は、該構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。上記一般式KY-2中、Rky6~Rky10は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。Rky6~Rky10は、2つ以上が互いに連結して単環又は多環構造を形成しても良い。Rky5は電子求引性基を表す。電子求引性基は前記Y1、Y2におけるものと同様のものが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、又は、前記-CRf1Rf2-Rf3で表されるハロシクロアルキル基又はハロアリール基である。Rky5~Rky10は具体的には式KA-1におけるZka1と同様の基が挙げられる。上記一般式KY-2で表される構造は、下記一般式KY-3で示す部分構造であることがより好ましい。式KY-3中、Zka1、nkaは各々前記一般式KA-1と同義である。Rky5は前記式KY-2と同義である。Lkyはアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。Lkyのアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基等が挙げられる。Lkyは酸素原子又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることが更に好ましい。繰り返し単位bは、付加重合、縮合重合、付加縮合、等、重合により得られる繰り返し単位であれば限定されるものではないが、炭素-炭素2重結合の付加重合により得られる繰り返し単位であることが好ましい。例として、アクリレート系繰り返し単位α位、β位に置換基を有する系統も含む、スチレン系繰り返し単位α位、β位に置換基を有する系統も含む、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位、マレイン酸誘導体マレイン酸無水物やその誘導体、マレイミド、等の繰り返し単位、等を挙げることが出来、アクリレート系繰り返し単位、スチレン系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位が好ましく、アクリレート系繰り返し単位、ビニルエーテル系繰り返し単位、ノルボルネン系繰り返し単位が好ましく、アクリレート系繰り返し単位が最も好ましい。繰り返し単位byが、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合すなわち、前記繰り返し単位b’又はbに相当する場合、繰り返し単位byにおけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式F2~F4で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位byにおける珪素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式CS-1~CS-3で表される基を挙げることができる。疎水性樹脂に於ける、繰り返し単位byの含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、10~100molが好ましく、より好ましくは20~99mol、更に好ましくは30~97mol、最も好ましくは40~95molである。アルカリ現像液中での溶解度が増大する基を有する繰り返し単位byの具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。また、前記樹脂Aの繰り返し単位a3の具体例として挙げたものも、繰り返し単位byの具体例として挙げることができる。以下に示す具体例において、Raは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。上述したような極性変換基yを有する繰り返し単位byに対応するモノマーの合成方法としては、例えば、国際公開第2010/067905号、又は国際公開第2010/067905号等に記載の方法を参考にして合成することができる。疎水性樹脂に於ける、酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位bzは、樹脂Aで挙げる酸分解性基を有する繰り返し単位と同様のものが挙げられる。繰り返し単位bzが、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位である場合すなわち、前記繰り返し単位b’又はbに相当する場合、繰り返し単位bzにおけるフッ素原子を有する部分構造としては、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは、前記一般式F2~F4で表される基を挙げることができる。またこの場合、繰り返し単位byにおける珪素原子を有する部分構造は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位において挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましくは前記一般式CS-1~CS-3で表される基を挙げることができる。疎水性樹脂に於ける、酸の作用により分解する基zを有する繰り返し単位bzの含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1~80molが好ましく、より好ましくは10~80mol、更に好ましくは20~60molである。以上、上記x~zからなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位bについて説明したが、疎水性樹脂に於ける、繰り返し単位bの含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1~98molが好ましく、より好ましくは3~98mol、更に好ましくは5~97mol、最も好ましくは10~95molである。繰り返し単位b’の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1~100molが好ましく、より好ましくは3~99mol、更に好ましくは5~97mol、最も好ましくは10~95molである。繰り返し単位bの含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1~90molが好ましく、より好ましくは3~80mol、更に好ましくは5~70mol、最も好ましくは10~60molである。繰り返し単位bと共に用いられる、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位の含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、10~99molが好ましく、より好ましくは20~97mol、更に好ましくは30~95mol、最も好ましくは40~90molである。繰り返し単位bの含有量は、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、1~100molが好ましく、より好ましくは3~99mol、更に好ましくは5~97mol、最も好ましくは10~95molである。疎水性樹脂は、更に、下記一般式CIIIで表される繰り返し単位を有していてもよい。一般式CIIIに於いて、Rc31は、水素原子、アルキル基フッ素原子等で置換されていても良い、シアノ基又は-CH2-O-Rac2基を表す。式中、Rac2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Rc31は、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。Rc32は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基又はアリール基を有する基を表す。これら基はフッ素原子、珪素原子を含む基等で置換されていても良い。Lc3は、単結合又は2価の連結基を表す。一般式CIIIに於ける、Rc32のアルキル基は、炭素数3~20の直鎖若しくは分岐状アルキル基が好ましい。シクロアルキル基は、炭素数3~20のシクロアルキル基が好ましい。アルケニル基は、炭素数3~20のアルケニル基が好ましい。シクロアルケニル基は、炭素数3~20のシクロアルケニル基が好ましい。アリール基は、炭素数6~20のフェニル基、ナフチル基が好ましく、これらは置換基を有していてもよい。Rc32は無置換のアルキル基又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。Lc3の2価の連結基は、アルキレン基好ましくは炭素数1~5、オキシ基、フェニレン基、エステル結合-COO-で表される基が好ましい。疎水性樹脂は、更に、下記一般式BII-ABで表される繰り返し単位を有することも好ましい。式BII-AB中、Rc11’及びRc12’は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。Zc’は、結合した2つの炭素原子C-Cを含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。一般式III、BII-ABで表される繰り返し単位における各基が、フッ素原子又は珪素原子を含む基で置換されている場合、その繰り返し単位は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位にも相当する。以下に一般式III、BII-ABで表される繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、CF3又はCNを表す。なお、RaがCF3である場合の繰り返し単位は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位にも相当する。疎水性樹脂は、上述した樹脂Aと同様、金属等の不純物が少ないのは当然のことながら、残留単量体やオリゴマー成分が0~10質量であることが好ましく、より好ましくは0~5質量、0~1質量が更により好ましい。それにより、液中異物や感度等の経時変化のないレジスト組成物が得られる。また、解像度、レジスト形状、レジストパターンの側壁、ラフネスなどの点から、分子量分布Mw/Mn、分散度ともいうは、1~3の範囲が好ましく、より好ましくは1~2、更に好ましくは1~1.8、最も好ましくは1~1.5の範囲である。疎水性樹脂は、各種市販品を利用することもできるし、常法に従って例えばラジカル重合合成することができる。例えば、一般的合成方法としては、モノマー種及び開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤にモノマー種と開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。反応溶媒、重合開始剤、反応条件温度、濃度等、及び、反応後の精製方法は、上述した樹脂Aで説明した内容と同様である。以下に疎水性樹脂HRの具体例を示す。また、下記の表1に、各樹脂における繰り返し単位のモル比各繰り返し単位と左から順に対応、重量平均分子量、分散度を示す。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを含有する疎水性の疎水性樹脂を含有することにより、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成された膜の表層に疎水性樹脂が偏在化し、液浸媒体が水の場合、水に対するベーク後且つ露光前における該膜表面の後退接触角を向上させ、液浸液追随性を向上させることができる。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物からなる塗膜をベークした後で且つ露光前の膜の後退接触角は露光時の温度、通常室温23±3°C、湿度45±5において60°~90°が好ましく、より好ましくは65°以上、更に好ましくは70°以上、特に好ましくは75°以上である。疎水性樹脂は前述のように界面に偏在するものであるが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくても良い。液浸露光工程に於いては、露光ヘッドが高速でウエハ上をスキャンし露光パターンを形成していく動きに追随して、液浸液がウエハ上を動く必要があるので、動的な状態に於けるレジスト膜に対する液浸液の接触角が重要になり、液滴が残存することなく、露光ヘッドの高速なスキャンに追随する性能がレジストには求められる。疎水性樹脂は、疎水的であるためアルカリ現像後に現像残渣スカム、BLOB欠陥が悪化しやすいが、少なくとも1つの分岐部を介してポリマー鎖を3つ以上有することで直鎖型樹脂に比べ、アルカリ溶解速度が向上するため現像残渣スカム、BLOB欠陥性能が改善される。疎水性樹脂がフッ素原子を有する場合、フッ素原子の含有量は、疎水性樹脂の重量平均分子量に対し、5~80質量であることが好ましく、10~80質量であることがより好ましい。また、フッ素原子を含む繰り返し単位が、疎水性樹脂中の全繰り返し単位に対し、10~100モルであることが好ましく、30~100モルであることがより好ましい。疎水性樹脂が珪素原子を有する場合、珪素原子の含有量は、疎水性樹脂の重量平均分子量に対し、2~50質量であることが好ましく、2~30質量であることがより好ましい。また、珪素原子を含む繰り返し単位は、疎水性樹脂の全繰り返し単位に対し、10~90モルであることが好ましく、20~80モルであることがより好ましい。疎水性樹脂の重量平均分子量は、好ましくは1,000~100,000、より好ましくは2,000~50,000、更に好ましくは3,000~35,000である。ここで、樹脂の重量平均分子量は、GPCキャリア:テトラヒドロフランTHFによって測定したポリスチレン換算分子量を示す。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の疎水性樹脂の含有量は、感活性光線又は感放射線樹脂膜の後退接触角が前記範囲になるよう適宜調整して使用できるが、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、0.01~20質量であることが好ましく、より好ましくは0.1~15質量、更に好ましくは0.1~10質量であり、特に好ましくは0.2~8質量である。疎水性樹脂は1種類単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。[5]塩基性化合物本願発明の感活性光線又は放射線性組成物は、塩基性化合物を含有することが好ましい。塩基性化合物は、含窒素有機塩基性化合物であることが好ましい。使用可能な化合物は特に限定されないが、例えば以下の1~4に分類される化合物が好ましく用いられる。1下記一般式BS-1で表される化合物一般式BS-1中、Rは、各々独立に、水素原子、アルキル基直鎖又は分岐、シクロアルキル基単環又は多環、アリール基、アラルキル基の何れかを表す。但し、三つのRの全てが水素原子とはならない。Rとしてのアルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常1~20、好ましくは1~12である。Rとしてのシクロアルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常3~20、好ましくは5~15である。Rとしてのアリール基の炭素数は特に限定されないが、通常6~20、好ましくは6~10である。具体的にはフェニル基やナフチル基などが挙げられる。Rとしてのアラルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常7~20、好ましくは7~11である。具体的にはベンジル基等が挙げられる。Rとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基は、水素原子が置換基により置換されていてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、水酸基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。一般式BS-1で表される化合物は、3つのRの1つのみが水素原子、あるいは全てのRが水素原子でないことが好ましい。一般式BS-1の化合物の具体例としては、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-デシルアミン、トリイソデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、ジデシルアミン、メチルオクタデシルアミン、ジメチルウンデシルアミン、N,N-ジメチルドデシルアミン、メチルジオクタデシルアミン、N,N-ジブチルアニリン、N,N-ジヘキシルアニリン、2,6-ジイソプロピルアニリン、2,4,6-トリt-ブチルアニリンなどが挙げられる。また、一般式BS-1において、少なくとも1つのRが、水酸基で置換されたアルキル基である化合物が、好ましい態様の1つとして挙げられる。具体的化合物としては、トリエタノールアミン、N,N-ジヒドロキシエチルアニリンなどが挙げられる。また、Rとしてのアルキル基は、アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン鎖が形成されていてもよい。オキシアルキレン鎖としては-CH2CH2O-が好ましい。具体的例としては、トリスメトキシエトキシエチルアミンや、米国特許第6040112号明細書のカラム3、60行目以降に例示の化合物などが挙げられる。2含窒素複素環構造を有する化合物複素環構造としては、芳香族性を有していてもいなくてもよい。また、窒素原子を複数有していてもよく、更に、窒素以外のヘテロ原子を含有していてもよい。具体的には、イミダゾール構造を有する化合物2-フェニルベンゾイミダゾール、2,4,5-トリフェニルイミダゾールなど、ピペリジン構造を有する化合物N-ヒドロキシエチルピペリジン、ビス1,2,2,6,6-ペンタメチル-4-ピペリジルセバケートなど、ピリジン構造を有する化合物4-ジメチルアミノピリジンなど、アンチピリン構造を有する化合物アンチピリン、ヒドロキシアンチピリンなどが挙げられる。また、環構造を2つ以上有する化合物も好適に用いられる。具体的には1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン、1,8-ジアザビシクロ5.4.0-ウンデカ-7-エンなどが挙げられる。3フェノキシ基を有するアミン化合物フェノキシ基を有するアミン化合物とは、アミン化合物のアルキル基の窒素原子と反対側の末端にフェノキシ基を有するものである。フェノキシ基は、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基、アリール基、アラルキル基、アシルオキシ基、アリールオキシ基等の置換基を有していてもよい。より好ましくは、フェノキシ基と窒素原子との間に、少なくとも1つのオキシアルキレン鎖を有する化合物である。1分子中のオキシアルキレン鎖の数は、好ましくは3~9個、更に好ましくは4~6個である。オキシアルキレン鎖の中でも-CH2CH2O-が好ましい。具体例としては、2-[2-{2―2,2―ジメトキシ-フェノキシエトキシエチル}-ビス-2-メトキシエチル]-アミンや、米国特許出願公開第2007/0224539A1号明細書の段落[0066]に例示されている化合物C1-1~C3-3などが挙げられる。4アンモニウム塩アンモニウム塩も適宜用いられる。好ましくはヒドロキシド又はカルボキシレートである。より具体的にはテトラブチルアンモニウムヒドロキシドに代表されるテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。その他、本願の組成物に使用可能なものとして、特開2002-363146号公報の実施例で合成されている化合物、特開2007-298569号公報の段落0108に記載の化合物などが挙げられる。塩基性化合物は、単独であるいは2種以上併用して用いられる。塩基性化合物の使用量は、組成物の固形分を基準として、通常、0.001~10質量、好ましくは0.01~5質量である。酸発生剤/塩基性化合物のモル比は、2.5~300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。このモル比としてより好ましくは5.0~200、更に好ましくは7.0~150である。[6]窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物本発明の組成物は、窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物以下において、低分子化合物D又は化合物Dともいうを含有することができる。酸の作用により脱離する基としては特に限定されないが、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、3級エステル基、3級水酸基、ヘミアミナールエーテル基が好ましく、カルバメート基、ヘミアミナールエーテル基であることが特に好ましい。酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物Fの分子量は、100~1000が好ましく、100~700がより好ましく、100~500が特に好ましい。化合物Dとしては、酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有するアミン誘導体が好ましい。化合物Dは、窒素原子上に保護基を有するカルバメート基を有しても良い。カルバメート基を構成する保護基としては、下記一般式d-1で表すことができる。一般式d-1において、Rbは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルコキシアルキル基を表す。Rbは相互に結合して環を形成していても良い。Rbが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基は、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい。Rbが示すアルコキシアルキル基についても同様である。前記Rbのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、上記官能基、アルコキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよいとしては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン等の直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、これらのアルカンに由来する基を、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ノルボルナン、アダマンタン、ノルアダマンタン等のシクロアルカンに由来する基、これらのシクロアルカンに由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン等の芳香族化合物に由来する基、これらの芳香族化合物に由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、インドール、インドリン、キノリン、パーヒドロキノリン、インダゾール、ベンズイミダゾール等の複素環化合物に由来する基、これらの複素環化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルキル基或いは芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基、直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基シクロアルカンに由来する基をフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等の芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基等或いは前記の置換基がヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基で置換されている基等が挙げられる。Rbとして好ましくは、直鎖状、又は分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基である。より好ましくは、直鎖状、又は分岐状のアルキル基、シクロアルキル基である。2つのRbが相互に結合して形成する環としては、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式炭化水素基若しくはその誘導体等が挙げられる。一般式d-1で表される基の具体的な構造を以下に示す。化合物Dは、前記塩基性化合物と一般式d-1で表される構造を任意に組み合わせることで構成することも出来る。化合物Dは、下記一般式Aで表される構造を有するものであることが特に好ましい。なお、化合物Dは、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物である限り、前記の塩基性化合物に相当するものであってもよい。一般式Aにおいて、Raは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、n=2のとき、2つのRaは同じでも異なっていてもよく、2つのRaは相互に結合して、2価の複素環式炭化水素基好ましくは炭素数20以下若しくはその誘導体を形成していてもよい。Rbは、前記一般式d-1におけるRbと同義であり、好ましい例も同様である。但し、-CRbRbRbにおいて、1つ以上のRbが水素原子のとき、残りのRbの少なくとも1つはシクロプロピル基、1-アルコキシアルキル基又はアリール基である。nは0~2の整数を表し、mは1~3の整数を表し、nm=3である。一般式Aにおいて、Raが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基は、Rbが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基が置換されていてもよい基として前述した基と同様な基で置換されていてもよい。前記Raのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基これらのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、上記基で置換されていてもよいの具体例としては、Rbについて前述した具体例と同様な基が挙げられる。また、前記Raが相互に結合して、形成する2価の複素環式炭化水素基好ましくは炭素数1~20若しくはその誘導体としては、例えば、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、1,4,5,6-テトラヒドロピリミジン、1,2,3,4-テトラヒドロキノリン、1,2,3,6-テトラヒドロピリジン、ホモピペラジン、4-アザベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、5-アザベンゾトリアゾール、1H-1,2,3-トリアゾール、1,4,7-トリアザシクロノナン、テトラゾール、7-アザインドール、インダゾール、ベンズイミダゾール、イミダゾ[1,2-a]ピリジン、1S,4S--2,5-ジアザビシクロ[2.2.1]ヘプタン、1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デック-5-エン、インドール、インドリン、1,2,3,4-テトラヒドロキノキサリン、パーヒドロキノリン、1,5,9-トリアザシクロドデカン等の複素環式化合物に由来する基、これらの複素環式化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、シクロアルカンに由来する基、芳香族化合物に由来する基、複素環化合物に由来する基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基の1種以上或いは1個以上で置換した基等が挙げられる。本発明における特に好ましい化合物Dを具体的に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。一般式Aで表される化合物は、特開2007-298569号公報、特開2009-199021号公報などに基づき合成することができる。本発明において、D窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物は、一種単独でも又は2種以上を混合しても使用することができる。本発明の組成物は、D窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物を含有してもしなくてもよいが、含有する場合、化合物Dの含有量は、上記塩基性化合物と合わせた組成物の全固形分を基準として、通常、0.001~20質量、好ましくは0.001~10質量、より好ましくは0.01~5質量である。酸発生剤と化合物Dの組成物中の使用割合は、酸発生剤/[化合物D上記塩基性化合物]モル比=2.5~300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのレジストパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。酸発生剤/[化合物D上記塩基性化合物]モル比は、より好ましくは5.0~200、更に好ましくは7.0~150である。[7]活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物E本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物以下、化合物Eともいうを含有することが好ましい。化合物Eは、塩基性官能基又はアンモニウム基と、活性光線又は放射線の照射により酸性官能基を発生する基とを有する化合物E-1であることが好ましい。すなわち、化合物Eは、塩基性官能基と活性光線若しくは放射線の照射により酸性官能基を発生する基とを有する塩基性化合物、又は、アンモニウム基と活性光線若しくは放射線の照射により酸性官能基を発生する基とを有するアンモニウム塩化合物であることが好ましい。化合物E又はE-1が、活性光線又は放射線の照射により分解して発生する、塩基性が低下した化合物として、下記一般式PA-I、PA-II又はPA-IIIで表される化合物を挙げることができ、LWR、局所的なパターン寸法の均一性及びDOFに関して優れた効果を高次元で両立できるという観点から、特に、一般式PA-II又はPA-IIIで表される化合物が好ましい。まず、一般式PA-Iで表される化合物について説明する。Q-A1-Xn-B-RPA-I一般式PA-I中、A1は、単結合又は2価の連結基を表す。Qは、-SO3H、又は-CO2Hを表す。Qは、活性光線又は放射線の照射により発生される酸性官能基に相当する。Xは、-SO2-又は-CO-を表す。nは、0又は1を表す。Bは、単結合、酸素原子又は-NRx-を表す。Rxは、水素原子又は1価の有機基を表す。Rは、塩基性官能基を有する1価の有機基又はアンモニウム基を有する1価の有機基を表す。次に、一般式PA-IIで表される化合物について説明する。Q1-X1-NH-X2-Q2PA-II一般式PA-II中、Q1及びQ2は、各々独立に、1価の有機基を表す。但し、Q1及びQ2のいずれか一方は、塩基性官能基を有する。Q1とQ2は、結合して環を形成し、形成された環が塩基性官能基を有してもよい。X1及びX2は、各々独立に、-CO-又は-SO2-を表す。なお、-NH-は、活性光線又は放射線の照射により発生された酸性官能基に相当する。次に、一般式PA-IIIで表される化合物を説明する。Q1-X1-NH-X2-A2-X3m-B-Q3PA-III一般式PA-III中、Q1及びQ3は、各々独立に、1価の有機基を表す。但し、Q1及びQ3のいずれか一方は、塩基性官能基を有する。Q1とQ3は、結合して環を形成し、形成された環が塩基性官能基を有していてもよい。X1、X2及びX3は、各々独立に、-CO-又は-SO2-を表す。A2は、2価の連結基を表す。Bは、単結合、酸素原子又は-NQx-を表す。Qxは、水素原子又は1価の有機基を表す。Bが、-NQx-の時、Q3とQxが結合して環を形成してもよい。mは、0又は1を表す。なお、-NH-は、活性光線又は放射線の照射により発生された酸性官能基に相当する。以下、活性光線又は放射線の照射により一般式PA-Iで表される化合物を発生する化合物Eの具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。これらの化合物の合成は、一般式PA-Iで表される化合物又はそのリチウム、ナトリウム、カリウム塩と、ヨードニウム又はスルホニウムの水酸化物、臭化物、塩化物等から、特表平11-501909号公報又は特開2003-246786号公報に記載されている塩交換法を用いて容易に合成できる。また、特開平7-333851号公報に記載の合成方法に準ずることもできる。以下、活性光線又は放射線の照射により一般式PA-II又はPA-IIIで表される化合物を発生する化合物Eの具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。これらの化合物は、一般的なスルホン酸エステル化反応あるいはスルホンアミド化反応を用いることで容易に合成できる。例えば、ビススルホニルハライド化合物の一方のスルホニルハライド部を選択的に一般式PA-II又はPA-IIIで表される部分構造を含むアミン、アルコールなどと反応させて、スルホンアミド結合、スルホン酸エステル結合を形成した後、もう一方のスルホニルハライド部分を加水分解する方法、あるいは環状スルホン酸無水物を一般式PA-IIで表される部分構造を含むアミン、アルコールにより開環させる方法により得ることができる。一般式PA-II又はPA-IIIで表される部分構造を含むアミン、アルコールは、アミン、アルコールを塩基性下にてR’O2C2OやR’SO22O等の無水物、R’O2CClやR’SO2Cl等の酸クロリド化合物と反応させることにより合成できるR’は、メチル基、n-オクチル基、トリフルオロメチル基等。化合物Eの合成は、特に、特開2006-330098号公報及び特開2011-100105号公報の合成例などに準ずることができる。化合物Eの分子量は、500~1000であることが好ましい。本発明における感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は化合物Eを含有してもしていなくてもよいが、含有する場合、化合物Eの含有量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の固形分を基準として、0.1~20質量が好ましく、より好ましくは0.1~10質量である。[8]界面活性剤本発明の組成物は、更に界面活性剤を含有してもよい。含有する場合、界面活性剤としては、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤が好ましい。これらに該当する界面活性剤としては、大日本インキ化学工業株製のメガファックF176、メガファックR08、OMNOVA社製のPF656、PF6320、トロイケミカル株製のトロイゾルS-366、住友スリーエム株製のフロラードFC430、信越化学工業株製のポリシロキサンポリマーKP-341などが挙げられる。また、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。より具体的には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類などが挙げられる。その他、公知の界面活性剤が適宜使用可能である。使用可能な界面活性剤としては、例えば、米国特許出願公開第2008/0248425A1号明細書の[0273]以降に記載の界面活性剤が挙げられる。界面活性剤は単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は界面活性剤を含有していても含有していなくてもよいが、含有する場合、界面活性剤の使用量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分量溶剤を除く全量に対して、好ましくは0~2質量、更に好ましくは0.0001~2質量、特に好ましくは0.0005~1質量である。一方、界面活性剤の添加量を10ppm以下、或いは含有しないことも好ましい。これにより疎水性樹脂の表面偏在性があがり、それにより、レジスト膜表面をより疎水的にすることができ、液浸露光時の水追随性を向上させることが出来る。[9]溶剤組成物を調製する際に使用できる溶剤としては、各成分を溶解するものである限り特に限定されないが、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなど、アルキレングリコールモノアルキルエーテルプロピレングリコールモノメチルエーテルなど、乳酸アルキルエステル乳酸エチル、乳酸メチルなど、環状ラクトンγ-ブチロラクトンなど、好ましくは炭素数4~10、鎖状又は環状のケトン2-ヘプタノン、シクロヘキサノンなど、好ましくは炭素数4~10、アルキレンカーボネートエチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなど、カルボン酸アルキル酢酸ブチルなどの酢酸アルキルが好ましい、アルコキシ酢酸アルキルエトキシプロピオン酸エチルなどが挙げられる。その他使用可能な溶媒として、例えば、米国特許出願公開第2008/0248425A1号明細書の[0244]以降に記載されている溶剤などが挙げられる。上記のうち、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート及びアルキレングリコールモノアルキルエーテルが好ましい。これら溶媒は、単独で用いても2種以上を混合して用いてもよい。2種以上を混合する場合、水酸基を有する溶剤と水酸基を有しない溶剤とを混合することが好ましい。水酸基を有する溶剤と水酸基を有しない溶剤との質量比は、1/99~99/1、好ましくは10/90~90/10、更に好ましくは20/80~60/40である。水酸基を有する溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルが好ましく、水酸基を有しない溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートが好ましい。[10]その他成分本発明の組成物は、上記に説明した成分以外にも、カルボン酸オニウム塩、ProceedingofSPIE,2724,3551996等に記載の分子量3000以下の溶解阻止化合物、酸増殖剤、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤などを適宜含有することができる。[パターン形成方法]本発明のパターン形成方法は、レジスト膜を、露光、現像する工程を含んでいる。レジスト膜は、上記した本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物から形成されるものであり、より具体的には、基板上に形成されることが好ましい。本発明のパターン形成方法に於いて、レジスト組成物による膜を基板上に形成する工程、膜を露光する工程、及び現像工程は、一般的に知られている方法により行うことができる。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、解像力向上の観点から、膜厚30~250nmで使用されることが好ましく、より好ましくは、膜厚30~200nmで使用されることが好ましい。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の固形分濃度を適切な範囲に設定して適度な粘度をもたせ、塗布性、製膜性を向上させることにより、このような膜厚とすることができる。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の全固形分濃度は、一般的には1~10質量、より好ましくは1~8.0質量、更に好ましくは1.0~6.0質量である。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、上記の成分を溶剤に溶解し、フィルター濾過した後、支持体に塗布して用いる。フィルターとしては、ポアサイズ0.1ミクロン以下、より好ましくは0.05ミクロン以下、更に好ましくは0.03ミクロン以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。なお、フィルターは、複数種類を直列又は並列に接続して用いてもよい。また、組成物を複数回濾過してもよい。さらに、フィルター濾過の前後で、組成物に対して脱気処理などを行ってもよい。本発明の組成物は、集積回路素子の製造に使用されるような基板例:シリコン/二酸化シリコン被覆上にスピナー等の適当な塗布方法により塗布することができる。その後乾燥し、感光性のレジスト膜を形成することができる。当該レジスト膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク加熱を行い、現像、リンスする。これにより良好なパターンを得ることができる。なお、電子ビームの照射では、マスクを介さない描画直描が一般的である。製膜後、露光工程の前に、前加熱工程PB;Prebakeを含むことも好ましい。また、露光工程の後かつ現像工程の前に、露光後加熱工程PEB;PostExposureBakeを含むことも好ましい。加熱温度はPB、PEB共に70~140°Cで行うことが好ましく、80~135°Cで行うことがより好ましい。加熱時間は30~300秒が好ましく、30~180秒がより好ましく、30~90秒が更に好ましい。加熱は通常の露光現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行っても良い。ベークにより露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。活性光線又は放射線としては特に限定されないが、例えばKrFエキシマレーザー248nm、ArFエキシマレーザー193nm、EUV光13nm、電子線等であり、ArFエキシマレーザー、EUV光、電子線が好ましい。現像工程におけるアルカリ現像液としては、通常、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAHに代表される4級アンモニウム塩が用いられるが、これ以外にも無機アルカリ、1~3級アミン、アルコールアミン、環状アミン等のアルカリ水溶液も使用可能である。更に、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加してもよい。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1~20質量である。アルカリ現像液のpHは、通常10.0~15.0である。リンス液としては、純水が好ましく、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。なお、感光性のレジスト膜を形成する前に、基板上に予め反射防止膜を塗設してもよい。反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV30シリーズや、DUV-40シリーズ、シプレー社製のAR-2、AR-3、AR-5等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物からなるレジスト膜に対しては、活性光線又は放射線の照射時に膜とレンズの間に空気よりも屈折率の高い液体液浸媒体を満たして露光液浸露光を行ってもよい。これにより解像性を高めることができる。用いる液浸媒体としては空気よりも屈折率の高い液体であればいずれのものでも用いることができるが好ましくは純水である。液浸露光する際に使用する液浸液について、以下に説明する。液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつレジスト膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう、屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、特に露光光源がArFエキシマレーザー波長;193nmである場合には、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水を用いるのが好ましい。また、更に屈折率が向上できるという点で屈折率1.5以上の媒体を用いることもできる。この媒体は、水溶液でもよく有機溶剤でもよい。液浸液として水を用いる場合、水の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させるために、ウェハ上のレジスト膜を溶解させず、且つレンズ素子の下面の光学コートに対する影響が無視できる添加剤液体を僅かな割合で添加しても良い。その添加剤としては水とほぼ等しい屈折率を有する脂肪族系のアルコールが好ましく、具体的にはメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等が挙げられる。水とほぼ等しい屈折率を有するアルコールを添加することにより、水中のアルコール成分が蒸発して含有濃度が変化しても、液体全体としての屈折率変化を極めて小さくできるといった利点が得られる。一方で、193nm光に対して不透明な物質や屈折率が水と大きく異なる不純物が混入した場合、レジスト膜上に投影される光学像の歪みを招くため、使用する水としては、蒸留水が好ましい。更にイオン交換フィルター等を通して濾過を行った純水を用いてもよい。水の電気抵抗は、18.3MQcm以上であることが望ましく、TOC有機物濃度は20ppb以下であることが望ましく、脱気処理をしていることが望ましい。また、液浸液の屈折率を高めることにより、リソグラフィー性能を高めることが可能である。このような観点から、屈折率を高めるような添加剤を水に加えたり、水の代わりに重水D2Oを用いてもよい。本発明の組成物からなる膜を、液浸媒体を介して露光する場合には、必要に応じて更に疎水性樹脂HRを添加することができることについては前述の通りである。本発明の組成物による膜と液浸液との間には、膜を直接、液浸液に接触させないために、液浸液難溶性膜以下、トップコートともいうを設けてもよい。トップコートに必要な機能としては、レジスト上層部への塗布適性、放射線、特に193nmに対する透明性、液浸液難溶性である。トップコートは、レジストと混合せず、更にレジスト上層に均一に塗布できることが好ましい。トップコートは、193nm透明性という観点からは、芳香族を豊富に含有しないポリマーが好ましく、具体的には、炭化水素ポリマー、アクリル酸エステルポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルエーテル、シリコン含有ポリマー、フッ素含有ポリマーなどが挙げられる。前述の疎水性樹脂HRはトップコートとしても好適なものである。トップコートから液浸液へ不純物が溶出すると光学レンズを汚染するという観点からは、トップコートに含まれるポリマーの残留モノマー成分は少ない方が好ましい。トップコートを剥離する際は、現像液を使用してもよいし、別途剥離剤を使用してもよい。剥離剤としては、膜への浸透が小さい溶剤が好ましい。剥離工程が膜の現像処理工程と同時にできるという点では、アルカリ現像液により剥離できることが好ましい。アルカリ現像液で剥離するという観点からは、トップコートは酸性が好ましいが、膜との非インターミクス性の観点から、中性であってもアルカリ性であってもよい。トップコートと液浸液との間には屈折率の差がない方が、解像力が向上する。ArFエキシマレーザー波長:193nmにおいて、液浸液として水を用いる場合には、ArF液浸露光用トップコートは、液浸液の屈折率に近いことが好ましい。屈折率を液浸液に近くするという観点からは、トップコート中にフッ素原子を有することが好ましい。また、透明性屈折率の観点から薄膜の方が好ましい。トップコートは、膜と混合せず、更に液浸液とも混合しないことが好ましい。この観点から、液浸液が水の場合には、トップコートに使用される溶剤は、本発明の組成物に使用される溶媒に難溶で、かつ非水溶性の媒体であることが好ましい。更に、液浸液が有機溶剤である場合には、トップコートは水溶性であっても非水溶性であってもよい。また、本発明は、上記した本発明のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法、及び、この製造方法により製造された電子デバイスにも関する。本発明の電子デバイスは、電気電子機器家電、OAメディア関連機器、光学用機器及び通信機器等に、好適に、搭載されるものである。以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定されるものではない。酸分解性樹脂下記繰り返し単位を含む樹脂P-1~P-15及びPA-1~PA-4を、以下に示すようにして合成した。下記表2に、樹脂P-1~P-15及びPA-1~PA-4における重量平均分子量Mw、分散度Mw/Mn、及び各繰り返し単位の組成比モル比;左から順に対応を纏める。酸分解性樹脂樹脂Aの合成例窒素気流下、シクロヘキサノン24.0gを3つ口フラスコに入れ、これを85°Cに加熱した。このようにして、溶剤1を得た。次に、下記monomer-120.5g及びmonomer-219.4gを、シクロヘキサノン96.0gに溶解させ、モノマー溶液を調製した。更に、重合開始剤V-601和光純薬工業製を、モノマーの合計量に対し6.5molを加え、溶解させた溶液を、上記溶剤1に対して6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に85°Cで2時間反応させた。反応液を放冷後、ヘプタン979g/酢酸エチル420gの混合溶媒に滴下し、析出した粉体をろ取及び乾燥して、32gの樹脂P-1を得た。得られた樹脂P-1の重量平均分子量は6300であり、分散度Mw/Mnは1.64であり、13C-NMRにより測定した組成比は50/50であった。樹脂P-1と同様にして、樹脂P-2~P-15及びPA-1~PA-4を合成した。これら樹脂の重量平均分子量、分散度Mw/Mn及び組成比は、上記の表の通りであった。monomer-2の合成例窒素気流下、エチルマグネシウムブロミド300ml1mol/LTHFテトラヒドロフラン溶液、0.3molを三口フラスコに入れ水冷し、これに1,4-シクロヘキサンジオンモノエチレンケタール23.5gをTHF120mlに溶解させた溶液を反応温度が20°C~30°Cになるように滴下し、滴下終了後25°Cで2時間攪拌した。反応終了後、蒸留水及び塩化アンモニウム飽和水溶液、酢酸エチルを加え、分液精製を行った。その後、炭酸水素ナトリウム水溶液、蒸留水で有機相を洗浄した後、溶媒を減圧留去し、オイル状の化合物を11.5g得た。得られたオイルを三口フラスコに入れ、窒素気流下THFを80ml加えた後、溶液を-50°Cまで冷却し、ノルマルブチルリチウム30.5ml2.64mol/Lを加えた。その後、0°Cまで昇温し1時間攪拌した後、メタクリル酸クロライド7.8mlを加えた。25°Cで3時間攪拌した後、蒸留水、酢酸エチルを加え、分液操作を行った。有機相を炭酸水素ナトリウム水溶液、蒸留水で洗浄した後、溶媒を減圧留去し、オイル状の化合物を18.0g得た。得られたオイルをTHF150mlに溶解し、1規定塩酸80mlを加えた後、60°Cで3時間攪拌した。放冷後、酢酸エチルを加え、分液操作を行った。有機相を炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した後、4-ヒドロキシTEMPO2266テトラメチルピペリジン1オキシルを20mg加え、溶媒を減圧留去した。その後、減圧蒸留を行い、monomer-2を6g得た。1H-NMR400MHzinCD32CO:δppm=0.92t,3H,1.79dt,2H,1.98t,3H,2.04q,2H,2.22-2.4br,2H,2.45dt,2H,2.62-2.8br,2H,5.59d,1H,6.10d,1H酸発生剤酸発生剤としては先に挙げた酸発生剤z1~z110から適宜選択して用いた。塩基性化合物DIA:2,6-ジイソプロピルアニリンTMEA:トリスメトキシエトキシエチルアミンPEA:N-フェニルジエタノールアミンTOA:トリオクチルアミンPBI:2-フェニルベンゾイミダゾールDHA:N,N-ジヘキシルアニリン界面活性剤W-1:メガファックF176大日本インキ化学工業株製;フッ素系W-2:メガファックR08大日本インキ化学工業株製;フッ素及びシリコン系W-3:トロイゾルS-366トロイケミカル株製;フッ素系W-4:PF656OMNOVA社製;フッ素系W-5:PF6320OMNOVA社製;フッ素系溶剤S1-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA;1-メトキシ-2-アセトキシプロパンS1-2:シクロヘキサノンS2-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME;1-メトキシ-2-プロパノールS2-2:プロピレンカーボネートS2-3:γ-ブチロラクトン露光条件:ArF液浸露光<感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の調製>下記表3に示す成分を溶剤に溶解させ、それぞれについて固形分濃度4質量の溶液を調製し、これを0.1μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターで濾過して感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物ポジ型感光性樹脂組成物を調製した。調製したポジ型感光性樹脂組成物を下記の方法で評価し、結果を表3に示した。<画像性能試験>シリコンウエハ12インチ口径上に有機反射防止膜ARC29SR日産化学社製を塗布し、205°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚98nmの反射防止膜を形成した。その上に調製したポジ型感光性樹脂組成物を塗布し、120°Cで、60秒間ベークを行い、膜厚100nmの感光性膜レジスト膜を形成した。得られたウエハをArFエキシマレーザー液浸スキャナーASML社製XT1700i、NA1.20、C-Quad、アウターシグマ0.981、インナーシグマ0.895、XY偏向を用い、線幅75nmの1:1ラインアンドスペースパターンの6ハーフトーンマスクを通して露光した。液浸液としては超純水を使用した。その後120°Cで、60秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液2.38質量で30秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥してレジストパターンを得た。<ラインエッジラフネスLER>ラインエッジラフネスnmの測定は測長走査型電子顕微鏡SEMを使用してラインアンドスペース1/1のパターンを観察し、ラインパターンの長手方向のエッジが5μmの範囲についてエッジのあるべき基準線からの距離を測長SEM株日立製作所S-8840により50ポイント測定し、標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。<パターン倒れ>線幅75nmラインアンドスペース1:1のマスクパターンを再現する露光量を最適露光量とし、最適露光量からさらに露光量を増大させて形成されるラインパターンの線幅を細らせた際に、パターンが倒れずに解像する線幅nmをもって定義した。値が小さいほど、より微細なパターンが倒れずに解像することを表し、パターン倒れが発生しにくいことを示す。上記表に示した結果から明らかなように、ラクトン構造を含有する繰り返し単位を有するものの前記一般式I-1~I-3のいずれの構造をも有しない比較例1、及び前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位を有するものの、ラクトン構造、サルトン構造及びシアノ基のいずれをも有しない比較例2、ラクトン構造を含有する繰り返し単位を有し、前記一般式I-2の構造に類似するが、その構造が酸分解性を示さない比較例3、4は、LERが大きく、パターンが倒れずに解像する線幅が大きいことが分かる。一方、樹脂Aが前記一般式I-1~I-3のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位と、ラクトン構造、サルトン構造又はシアノ基の少なくともいずれかを含有する繰り返し単位とを有する実施例1~18は、LERが小さく、パターンが倒れずに解像する線幅も小さいことが分かる。"