強誘電体結晶基板の分極方向と垂直なZ面上に配置され、列方向に延伸する反転用給電部、及び前記反転用給電部から前記列方向に垂直な行方向に延伸する複数の短冊状の反転用電極片を有する櫛形形状の反転用櫛形電極と、前記強誘電体結晶基板の前記Z面上に配置され、前記列方向に延伸するダミー給電部、及び前記反転用電極片の先端部分からそれぞれ一定の距離に先端部分が配置されて前記ダミー給電部から前記行方向に延伸する複数の短冊状のダミー電極片を有する櫛形形状であって、前記反転用櫛形電極と電気的に接続するダミー電極とを備えることを特徴とする周期分極反転用電極。前記反転用給電部の両側から前記反転用電極片がそれぞれ延伸していることを特徴とする請求項1に記載の周期分極反転用電極。前記反転給電部の隣接する前記反転用電極片同士を接続する部分と前記強誘電体結晶基板の前記Z面とが接触していないことを特徴とする請求項1又は2に記載の周期分極反転用電極。前記反転給電部の隣接する前記反転用電極片同士を接続する部分と前記強誘電体結晶基板の前記Z面との間に絶縁膜が配置されていることを特徴とする請求項3に記載の周期分極反転用電極。前記反転用櫛形電極と前記ダミー電極とが、前記反転用給電部と前記ダミー給電部それぞれの両端において電気的に接続していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の周期分極反転用電極。列方向に延伸する反転用給電部、及び前記反転用給電部から前記列方向に垂直な行方向に延伸する複数の短冊状の反転用電極片を有する櫛形形状の反転用櫛形電極を、強誘電体結晶基板の分極方向と垂直なZ面上に配置するステップと、前記列方向に延伸するダミー給電部、及び前記反転用電極片の先端部分からそれぞれ一定の距離に先端部分が配置されて前記ダミー給電部から前記行方向に延伸する複数の短冊状のダミー電極片を有する櫛形形状であって、前記反転用櫛形電極と電気的に接続するダミー電極を、前記強誘電体結晶基板の前記Z面上に配置するステップと、前記Z面と対向する前記強誘電体結晶基板の-Z面上に、前記反転用櫛形電極と対向する平面電極を配置するステップと、前記反転用櫛形電極と前記平面電極間に電圧を印加して、前記反転用電極片の下方の前記強誘電体結晶基板に分極反転構造を生じさせるステップとを含むことを特徴とする周期分極反転構造の形成方法。前記反転用給電部の両側から前記反転用電極片がそれぞれ延伸していることを特徴とする請求項6に記載の周期分極反転構造の形成方法。前記反転給電部の隣接する前記反転用電極片同士を接続する部分と前記強誘電体結晶基板の前記Z面とが接触していないことを特徴とする請求項6又は7に記載の周期分極反転構造の形成方法。前記反転給電部の隣接する前記反転用電極片同士を接続する部分と前記強誘電体結晶基板の前記Z面との間に絶縁膜が配置されていることを特徴とする請求項8に記載の周期分極反転構造の形成方法。前記強誘電体結晶基板が、タンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなることを特徴とする請求項6乃至9のいずれか1項に記載の周期分極反転構造の形成方法。前記強誘電体結晶基板にマグネシウム、亜鉛、スカンジウム及びインジウムのいずれかが添加されていることを特徴とする請求項10に記載の周期分極反転構造の形成方法。前記強誘電体結晶基板の組成がコングルエント組成又はストイキオメトリ組成であることを特徴とする請求項10又は11に記載の周期分極反転構造の形成方法。請求項6乃至12のいずれか1項に記載の周期分極反転構造の形成方法を用いて形成された周期分極反転構造を備えることを特徴とする周期分極反転素子。櫛形形状の周期分極反転用電極を用いた周期分極反転構造の形成方法では、電圧印加の際に電極片の先端部分に電界が集中することによって、電極片の先端部分で分極反転構造が乱れる場合がある。このため、電極先端付近で均一な形状の分極反転構造が形成されないという問題があった。上記問題点に鑑み、本発明は、均一な形状の分極反転構造が形成される周期分極反転用電極、周期分極反転構造の形成方法及び周期分極反転素子を提供することを目的とする。本発明の一態様によれば、イ強誘電体結晶基板の分極方向と垂直なZ面上に配置され、列方向に延伸する反転用給電部、及び反転用給電部から列方向に垂直な行方向に延伸する複数の短冊状の反転用電極片を有する櫛形形状の反転用櫛形電極と、ロ強誘電体結晶基板のZ面上に配置され、列方向に延伸するダミー給電部、及び反転用電極片の先端部分からそれぞれ一定の距離に先端部分が配置されてダミー給電部から行方向に延伸する複数の短冊状のダミー電極片を有する櫛形形状であって、反転用櫛形電極と電気的に接続するダミー電極とを備える周期分極反転用電極が提供される。本発明の他の態様によれば、イ列方向に延伸する反転用給電部、及び反転用給電部から列方向に垂直な行方向に延伸する複数の短冊状の反転用電極片を有する櫛形形状の反転用櫛形電極を、強誘電体結晶基板の分極方向と垂直なZ面上に配置するステップと、ロ列方向に延伸するダミー給電部、及び反転用電極片の先端部分からそれぞれ一定の距離に先端部分が配置されてダミー給電部から行方向に延伸する複数の短冊状のダミー電極片を有する櫛形形状であって、反転用櫛形電極と電気的に接続するダミー電極を、強誘電体結晶基板のZ面上に配置するステップと、ハZ面と対向する強誘電体結晶基板の-Z面上に、反転用櫛形電極と対向する平面電極を配置するステップと、ニ反転用櫛形電極と平面電極間に電圧を印加して、反転用電極片の下方の強誘電体結晶基板に分極反転構造を生じさせるステップとを含む周期分極反転構造の形成方法が提供される。本発明の更に他の態様によれば、イ列方向に延伸する反転用給電部、及び反転用給電部から列方向に垂直な行方向に延伸する複数の短冊状の反転用電極片を有する櫛形形状の反転用櫛形電極を、強誘電体結晶基板の分極方向と垂直なZ面上に配置するステップと、ロ列方向に延伸するダミー給電部、及び反転用電極片の先端部分からそれぞれ一定の距離に先端部分が配置されてダミー給電部から行方向に延伸する複数の短冊状のダミー電極片を有する櫛形形状であって、反転用櫛形電極と電気的に接続するダミー電極を、強誘電体結晶基板のZ面上に配置するステップと、ハZ面と対向する強誘電体結晶基板の-Z面上に、反転用櫛形電極と対向する平面電極を配置するステップと、ニ反転用櫛形電極と平面電極間に電圧を印加して、反転用電極片の下方の強誘電体結晶基板に分極反転構造を生じさせるステップとを含む周期分極反転構造の形成方法を用いて形成された周期分極反転構造を備える周期分極反転素子が提供される。本発明によれば、均一な形状の分極反転構造が形成される周期分極反転用電極、周期分極反転構造の形成方法及び周期分極反転素子を提供できる。図面を参照して、本発明の第1及び第2の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。又、以下に示す第1及び第2の実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置などを下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。第1の実施形態本発明の第1の実施形態に係る周期分極反転用電極10は、図1に示すように、反転用櫛形電極11及びダミー電極12を有し、強誘電体結晶基板20の分極方向と垂直なZ面201上に配置されている。また、強誘電体結晶基板20の-Z面202上には、周期分極反転用電極10と対向して平面電極30が配置されている。つまり、強誘電体結晶基板20は、周期分極反転用電極10と平面電極30とで挟まれている。周期分極反転用電極10の反転用櫛形電極11は、列方向に延伸する反転用給電部111、及び反転用給電部111から列方向に垂直な行方向に延伸する複数の短冊状の反転用電極片112を有する櫛形形状である。複数の反転用電極片112が、互いに一定の距離を置いて配置される。後述するように、強誘電体結晶基板20の反転用電極片112直下の領域が分極反転する。このため、反転用電極片112の幅w、及び隣接する反転用電極片112間の間隔dは、強誘電体結晶基板20の分極反転させる領域に応じて設定される。つまり、分極反転する領域の幅を反転用電極片112の幅wとし、分極反転させない領域の幅を反転用電極片112間の間隔dとする。反転用電極片112の配置される周期は、wdである。実際には、分極反転する領域は電極幅よりも広がる。そのため、電極幅は分極反転させたい幅よりも小さく設計している。例えば、周期分極反転素子を擬似位相整合QPM型の波長変換素子として使用する場合は、波長変換素子に入射されるレーザ光の波長及び出力されるレーザ光の波長に応じて、強誘電体結晶基板20の分極反転させる領域の幅w及び間隔dが適宜設定される。ダミー電極12は、ダミー給電部121と複数の短冊状のダミー電極片122とを有する櫛形形状である。ダミー給電部121は、反転用櫛形電極11の反転用給電部111と並行に、列方向に延伸する。ダミー電極片122は、反転用櫛形電極11の反転用電極片112の先端部分110からそれぞれ一定の距離Tに先端部分120が配置されるようにして、ダミー給電部121から行方向に延伸する。ダミー電極片122の幅及び間隔は、反転用櫛形電極11の反転用電極片112の幅w及び間隔dに合わせて設定される。ダミー電極12は、反転用電極片112の先端部分110における電界の集中を抑制し、電界を均一にするために配置されている。このため、反転用櫛形電極11の反転用電極片112の先端部分110とダミー電極12のダミー電極片122の先端部分120との距離Tは、反転用櫛形電極11と平面電極30間に所定の電圧が印加された場合に反転用電極片112の先端部分110に生じる電界に基づいて設定される。距離Tが広すぎる場合には、反転用電極片112の先端部分110に生じる電界の集中を緩和できない。一方、距離Tが狭すぎる場合には、反転用電極片112の先端部分110に生じる電界とダミー電極片122の先端部分120に生じる電界とが重なり合ってしまい、反転用電極片112の下方に生じる電界が均一にならない。このため、距離Tは、反転用電極片112の下方に生じる電界が均一になるように設定される。距離Tは、例えば50μm程度である。反転用櫛形電極11とダミー電極12は電気的に接続される。図1に示した例では、反転用櫛形電極11とダミー電極12とが、反転用給電部111とダミー給電部121それぞれの両端において接続している。強誘電体結晶基板20は、例えばタンタル酸リチウムLT単結晶やニオブ酸リチウムLN単結晶などからなる。強誘電体結晶基板20の厚みは、例えば0.4~1mm程度である。強誘電体結晶基板20に採用するタンタル酸リチウム単結晶やニオブ酸リチウム単結晶は、コングルエント組成一致溶融組成又はストイキオメトリ組成化学量論的組成のものが用いられる。例えば、タンタル酸リチウムの場合、ストイキオメトリ組成にすることによって、抗電界が10分の1程度になる。つまり、印加電圧を10分の1にすることができる。また、タンタル酸リチウム単結晶やニオブ酸リチウム単結晶からなる強誘電体結晶基板20に、マグネシウムMgや亜鉛Zn、スカンジウムSc、インジウムInなどが添加されていてもよい。これにより、耐光損傷性を高めることができる。また、ニオブ酸リチウムの場合、Mgを5モル程度添加することにより、抗電界を4分の1程度に減少することができる。これにより、印加電圧を4分の1程度にすることができる。周期分極反転用電極10には、例えばタンタルTa膜やアルミニウムAl膜などが採用可能である。他にも、金Au膜、銀Ag膜、クロムCr膜、銅Cu膜、ニッケルNi膜、ニッケルクロム合金NiCr膜、パラジウムPd膜、モリブデンMo膜、タングステンW膜なども使用可能である。周期分極反転用電極10は、例えば、強誘電体結晶基板20のZ面201上に形成されたTa膜をフォトリソグラフィ技術などを用いてパターニングすることにより形成される。平面電極30には、例えばTa膜やAl膜などが採用可能である。平面電極30は、強誘電体結晶基板20の-Z面202上に一様に形成される。以下に、周期分極反転用電極10を用いた分極反転構造の形成について説明する。図2aに示すように、強誘電体結晶基板20のZ面201上に配置された反転用櫛形電極11の反転用給電部111と、-Z面202上に配置された平面電極30間に、電圧Vを印加する。電圧Vの大きさは、強誘電体結晶基板20を分極反転するのに必要な抗電界に応じて設定される。既に述べたように、反転用電極片112の先端部分110とダミー電極片122の先端部分120との距離Tは、反転用電極片112の下方に生じる電界が均一になるように設定されている。このため、反転用櫛形電極11の反転用給電部111と平面電極30間に電圧Vを印加すると、図2a~図2bに示すように、反転用電極片112と平面電極30間において、反転用電極片112直下の全域で-Z面202に対して垂直な電界が生じる。図2a~図2bに示した矢印は電気力線であり、これらの電気力線は、反転用電極片112から平面電極30に向かって-Z面202と垂直に延びている。したがって、反転用電極片112直下の強誘電体結晶基板20において、Z面201から-Z面202まで基板厚全体にわたり均一に分極反転する。反転用電極片112はZ面201上で周期的に配置されている。したがって、図1に示した周期分極反転用電極10によれば、先端部分110まで均一な形状の分極反転構造が周期的に形成される。つまり、均一な分極反転領域と非分極反転領域とを交互に周期的に備えた周期分極反転構造が強誘電体結晶基板20に形成される。その後、強誘電体結晶基板20から周期分極反転用電極10及び平面電極30を剥離し、不要な部分を切断除去することによって周期分極反転構造が形成された領域のみが残るように強誘電体結晶基板20を成形してもよい。その結果、図3に示すような、均一な分極反転領域210と非分極反転領域211とが交互に配置された周期分極反転構造を有する周期分極反転素子が得られる。図3に示した周期分極反転素子によれば、例えば周期分極反転素子に入射するレーザ光と擬似位相整合することによって2次高調波である波長のレーザ光を出力できる。図4a~図4bに、第1の実施形態に係る周期分極反転構造の形成方法を用いて試作した周期分極反転構造の先端部分110の状態を示す。試作した周期分極反転構造は、強誘電体結晶基板20にストイキオメトリ組成のタンタル酸リチウム単結晶SLTを採用し、分極反転領域と非分極反転領域の周期が8μmである。図4a~図4bは、強誘電体結晶基板20において分極反転領域と非分極反転領域のエッチングレートが異なることを利用して、Z面と-Z面をエッチングして分極反転領域と非分極反転領域を示したものである。図4aに示したZ面では、エッチングレートの高い分極反転領域が凹部になっている。一方、図4aに示した-Z面では、エッチングレートの低い分極反転領域が凸部になっている。図4a~図4bに示すように、反転用電極片112の先端部分110まで均一な分極反転構造が形成されている。第1の実施形態に係る周期分極反転構造の形成方法との比較のため、図5に示すような、ダミー電極12を有しない周期分極反転用電極10Bを用いて周期分極反転構造を形成する場合を検討する。図5に示した比較例の周期分極反転用電極10Bは、図1に示した反転用櫛形電極11と同一形状の櫛形電極のみを有する。図5に示した強誘電体結晶基板20B及び平面電極30Bは、図1に示した強誘電体結晶基板20及び平面電極30と同様である。周期分極反転用電極10Bと平面電極30B間に電圧Vを印加した場合、図6に示すように、周期分極反転用電極10Bの先端部分110Bにおいて電気力線が曲がってしまう。つまり、先端部分110Bでは-Z面202に対して垂直な電界ではない。このため、先端部分110Bでの電界の向きがZ面に対しての垂直方向ではなくなり、均一な分極反転構造が形成されない。図5に示した周期分極反転用電極10Bを用いて試作した周期分極反転構造の先端部分110Bの状態を、図7a~図7bに示す。試作した周期分極反転構造は、図4a~図4bに示した試料と同様に、強誘電体結晶基板20にSLTを採用し、分極反転領域と非分極反転領域の周期は8μmである。図4a~図4bの場合と同様に、強誘電体結晶基板20BのZ面及び-Z面をエッチングすることにより、分極反転領域と非分極反転領域を示した。図7a~図7bに示した比較例の分極反転構造では、分極反転領域の長さや幅が不均一であり、周期分極反転用電極10Bの先端部分110Bまで均一な分極反転構造を形成することができない。一方、図1に示した周期分極反転用電極10では、ダミー電極12の直下部分にも電界が生じる。このため、周期分極反転用電極10の反転用電極片112の先端部分110に、-Z面に対して垂直な電界が生じる。その結果、反転用電極片112の各先端部分110の電界が-Z面に対して垂直に整い、反転用電極片112の各先端部分110において均一な分極反転構造が形成される。以上に説明したように、本発明の第1の実施形態に係る周期分極反転用電極10を用いた周期分極反転構造の形成方法によれば、分極反転領域の形状が均一な周期分極反転構造を形成することができる。第2の実施形態本発明の第2の実施形態に係る周期分極反転用電極10Aは、中央部分から反転用電極片に給電することが、端部から反転用電極片に給電する図1に示した周期分極反転用電極10と異なる。つまり、図8に示すように、周期分極反転用電極10Aは、反転用給電部111の両側から反転用給電部111の延伸する方向と垂直な方向にそれぞれ延伸する第1の反転用電極片112a及び第2の反転用電極片112bを備えるフィッシュボーン形状の反転用櫛形電極11Aを有する。周期分極反転用電極10Aは、強誘電体結晶基板20の分極方向と垂直なZ面201上に配置されている。また、強誘電体結晶基板20の-Z面202上には平面電極30が配置されている。周期分極反転用電極10Aは、第1のダミー電極12a及び第2のダミー電極12bを更に有する。第1のダミー電極12aは、複数の短冊状の第1の反転用電極片112aの延伸する方向に配置されている。第2のダミー電極12bは、複数の短冊状の第2の反転用電極片112bの延伸する方向に配置されている。第1のダミー電極12a及び第2のダミー電極12bは、図1に示したダミー電極12と同様に、ダミー給電部121と複数の短冊状のダミー電極片122とを有する櫛形形状である。第1のダミー電極12aのダミー給電部121は、反転用櫛形電極11Aの反転用給電部111と並行に、列方向に延伸する。第1のダミー電極12aのダミー電極片122は、反転用櫛形電極11Aの第1の反転用電極片112aの先端部分110からそれぞれ一定の距離Tに先端部分120が配置されて、ダミー給電部121から行方向に延伸する。第2のダミー電極12bのダミー給電部121は、反転用櫛形電極11Aの反転用給電部111と並行に、列方向に延伸する。第2のダミー電極12bのダミー電極片122は、反転用櫛形電極11Aの第2の反転用電極片112bの先端部分110bからそれぞれ一定の距離Tに先端部分120が配置されて、ダミー給電部121から行方向に延伸する。反転用櫛形電極11Aと第1のダミー電極12a及び第2のダミー電極12bとは電気的に接続している。図8に示した例では、反転用櫛形電極11Aと第1のダミー電極12a及び第2のダミー電極12bとが、反転用給電部111とダミー給電部121それぞれの両端において接続している。第1のダミー電極12aは、第1の反転用電極片112aの先端部分110aの電界を均一にするために配置されている。また、第2のダミー電極12bは、第2の反転用電極片112bの先端部分110bの電界を均一にするために配置されている。このため、図8に示した周期分極反転用電極10Aの第1の反転用電極片112aの先端部分110aの直下、及び第2の反転用電極片112bの先端部分110bの直下に、-Z面に対して垂直な電界が生じる。その結果、第1の反転用電極片112aの各先端部分110a、及び第2の反転用電極片112bの各先端部分110bにおいて、均一な分極反転構造が形成される。図8に示した周期分極反転用電極10Aによれば、中央部分から反転用電極片に給電することにより、端部から反転用電極片に給電する図1に示した周期分極反転用電極10に比べ、両側でエッジ部分で均一な分極反転構造が得られる。なお、反転用給電部111を図8に示すようなブリッジ構造にすることが、均一な周期分極反転構造を形成するために有効である。ブリッジ構造の反転用給電部111は、隣接する第1の反転用電極片112a同士、及び隣接する第2の反転用電極片112b同士を、強誘電体結晶基板20のZ面201に直接は接していないブリッジ形状の導体で接続した構造である。このため、反転用電極片112の間では強誘電体結晶基板20中に電界が発生しない。したがって、反転用給電部111をブリッジ構造にすることにより、第1の反転用電極片112aの先端部分110aから第2の反転用電極片112bの先端部分110bまで均一な分極反転構造を形成することができる。ブリッジ構造の反転用給電部111は、例えば図9に示すように形成する。即ち、強誘電体結晶基板20のZ面201上に反転用電極片112を形成後、例えば酸化シリコンSiO2膜などの絶縁膜113をZ面201上に形成する。その後、反転用給電部111の反転用電極片112の上面と接する部分で絶縁膜113を開口し、これらの開口部を埋め込むように金属膜を形成する。この金属膜をパターニングすることによって、図8に示したブリッジ構造の反転用給電部111が完成する。本発明の第2の実施形態に係る周期分極反転用電極10を用いた周期分極反転構造の形成方法によれば、分極反転領域と非分極反転領域の形状が均一な周期分極反転構造を形成することができる。上記のように、本発明は第1及び第2の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。即ち本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。