"下記式で表されるFe2VAl基ホイスラー化合物にて構成され、該ホイスラー化合物の母材内に不可避的不純物として含まれるCが015質量以下で、CONが030質量以下に規制されて成るホイスラー型鉄系熱電材料。Fe1aM1a2-x-yV1-bM2b1xAl1-cM3c1y式但しM1は3d,4d,5d遷移金属元素Feを除くからなる群から選ばれた1種以上の元素、M2は3d,4d,5d遷移金属元素Vを除くからなる群から選ばれた1種以上の元素、M3はIIIbAlを除く,IVb但しCを除く,Vb但しNを除く族元素からなる群から選ばれた1種以上の元素で、a≦02b≦04c≦04x≦02y≦02である。前記M1がCo,Ni,Cuからなる群から選ばれた1種以上の元素、前記M2がTi,Zr,Ta,Cr,Mn,Mo,Wからなる群から選ばれた1種以上の元素、前記M3がSi,Ga,Ge,Sn,Sbからなる群から選ばれた1種以上の元素、であるホイスラー型鉄系熱電材料の製造方法。請求項1,2の何れかに記載のホイスラー型鉄系熱電材料の製造方法であって、前記式で表されるFe2VAl基ホイスラー化合物が得られるように配合された原料を溶解する溶解工程と、該溶解により得られた溶湯を急冷凝固し、粉末を製造する粉末製造工程と、該粉末を冷間プレスして圧粉体を得る冷間プレス工程と、該圧粉体を焼結させる焼結工程と、を含み、前記冷間プレス工程では、有機バインダ無添加で若しくは粉末基準で該有機バインダを02質量以下の小量加えて粉末を冷間プレスすることを特徴とするホイスラー型鉄系熱電材料の製造方法。請求項3において、前記冷間プレス工程では、ダイスの孔内に一対のパンチを互いに対向する状態に挿入し、該一対のパンチの相対接近運動により該ダイスの孔内に装填した前記粉末を圧粉し、仮成形した後に仮成形体である圧粉体を脱型するようにし、該脱型の工程では、前記一対のパンチにより前記圧粉体を挟み付け、該圧粉体に残圧を付与した状態で、該圧粉体が該ダイスの前記孔から抜け出る位置まで該ダイスを前記パンチに沿って相対移動させ、その後において該パンチから該圧粉体を取り出すことを特徴とするホイスラー型鉄系熱電材料の製造方法。請求項3,4の何れかにおいて、前記冷間プレス工程に先立って、粉末を異形状化するための機械粉砕を行うことを特徴とするホイスラー型鉄系熱電材料の製造方法。本発明は以上のような事情を背景とし、C含有に起因して熱電材料の特性が悪化する問題を解決し、熱電特性に優れたFe2VAl基のホイスラー型熱電材料を提供すること、及びその熱電特性に優れたFe2VAl基のホイスラー型熱電材料を短い時間で且つ安価で歩留り良く製造することのできる製造方法を提供することを目的としてなされたものである。而して請求項1は熱電材料に関するもので、下記式で表されるFe2VAl基ホイスラー化合物にて構成され、該ホイスラー化合物の母材内に不可避的不純物として含まれるCが015質量以下で、CONが030質量以下に規制されて成ることを特徴とする。Fe1aM1a2-x-yV1-bM2b1xAl1-cM3c1y式但し、M1は3d,4d,5d遷移金属元素Feを除くからなる群から選ばれた1種以上の元素、M2は3d,4d,5d遷移金属元素Vを除くからなる群から選ばれた1種以上の元素、M3はIIIbAlを除く,IVb但しCを除く,Vb但しNを除く族元素からなる群から選ばれた1種以上の元素で、a≦02,b≦04,c≦04,x≦02,y≦02である。請求項2は熱電材料の製造方法に関するもので、前記M1がCo,Ni,Cuからなる群から選ばれた1種以上の元素、前記M2がTi,Zr,Ta,Cr,Mn,Mo,Wからなる群から選ばれた1種以上の元素、前記M3がSi,Ga,Ge,Sn,Sbからなる群から選ばれた1種以上の元素、であることを特徴とする。請求項3は、請求項1,2の何れかに記載のホイスラー型鉄系熱電材料の製造方法であって、前記式で表されるFe2VAl基ホイスラー化合物が得られるように配合された原料を溶解する溶解工程と、該溶解により得られた溶湯を急冷凝固し、粉末を製造する粉末製造工程と、該粉末を冷間プレスして圧粉体を得る冷間プレス工程と、該圧粉体を焼結させる焼結工程と、を含み、前記冷間プレス工程では、有機バインダ無添加で若しくは粉末基準で該有機バインダを02質量以下の小量加えて粉末を冷間プレスすることを特徴とする。請求項4は、請求項3において、前記冷間プレス工程では、ダイスの孔内に一対のパンチを互いに対向する状態に挿入し、該一対のパンチの相対接近運動により該ダイスの孔内に装填した前記粉末を圧粉し、仮成形した後に仮成形体である圧粉体を脱型するようにし、該脱型の工程では、前記一対のパンチにより前記圧粉体を挟み付け、該圧粉体に残圧を付与した状態で、該圧粉体が該ダイスの前記孔から抜け出る位置まで該ダイスを前記パンチに沿って相対移動させ、その後において該パンチから該圧粉体を取り出すことを特徴とする。請求項5は、請求項3,4の何れかにおいて、前記冷間プレス工程に先立って、粉末を異形状化するための機械粉砕を行うことを特徴とする。A<検討I>冷間プレスのプレス圧,残圧の有無,バインダ量の検討表1及び表2に示す目的の組成となるように所定量の原料を秤量し、1torr以下で真空引きした後に0.5気圧の減圧Ar雰囲気中、耐火物坩堝内で高周波誘導加熱にて溶解した後に、タンディッシュを通じてArガス噴霧中に注ぎ、急冷凝固してガスアトマイズ粉末を得た。粉末を得るためのアトマイズ条件として、噴霧ガス圧を2~4MPa,噴霧ガス流量10~100L/分,注湯ノズル口径2.5~6mmとした。金属粉末合計10~50gを500gのクロム鋼製ボールと共に遊星ボールミルにより容器内をAr雰囲気にして密閉し、300rpm,1時間以内表1,表2では30minの条件で機械粉砕を行い、圧粉体用の粉末を製造した。プレス圧,残圧残圧の大きさはプレス圧100MPaのとき20MPa。プレス圧1000MPaのときは残圧100MPaの有無,バインダ量を変えて冷間プレスによる圧粉体の成形の可否を調査した。尚、冷間プレスはステアリン酸リチウムを潤滑剤としてダイス型に塗布し、機械粉砕した粉末の冷間プレス成形を行った。型は10mm×30mm角形状で30gの粉末を圧粉した。結果が表1及び表2に示してある。尚表1はn型熱電材料についての結果を、表2はp型熱電材料についての結果を示している。その結果、プレス圧が10MPaのときは残圧,バインダの有無に拘らず目的の仮成形体としての圧粉体が得られなかった。プレス圧が100MPa,1000MPaでは、何れの場合にもバインダを1添加した粉末では残圧が無くても成形できたが、バインダが0.4以下では残圧が無いと成形ができなかった。尚プレス圧が100MPa以上では、プレス圧の大小に拘らず成形の可否の結果は同様であった。<検討II>脱脂条件の検討バインダを使用して仮成形した圧粉体について、真空中で脱脂を行い脱脂条件を条件探索した。結果が表3に示してある。尚この表3では、脱脂条件の良し悪しを判定し易くするために、バインダを0.40と多く添加したものについて検討を行った。表3では、400°Cで2時間,500°Cで30分,500°Cで2hの条件の下で脱脂を行ったときにCとOの量が少なく、脱脂が十分であった。尚ここでは圧粉体表面に付着しているC,O,Nも含めて分析している。分析はLECO社製TC600を使用して残留したバインダごと行った。脱脂が不十分なものは残留バインダによりC,O,Nが高くなる。B熱電特性に与えるバインダ量,機械粉砕時間の影響の検討上記と同様にして、表4,表5に示す組成の粉末の圧粉体を冷間プレス成形した。尚、冷間プレス成形ではステアリン酸リチウムを潤滑剤としてダイス型に塗布し、パンチ圧100MPa以上で冷間プレスを実施し、1~100MPaの残圧を残しながらダイスを抜くことにより、割れを生ぜしめることなく圧粉体を採取した。その際にバインダを無添加或いはバインダ添加量を種々変化させて圧粉体を成形した。そしてその後、バインダを添加したものについては脱脂脱脂の条件は真空中500°Cで30分を行い、その後に各例ともに無加圧焼結を行った。尚焼結条件は、温度1200°C,時間16時間の条件で実施した。尚焼結は真空中にて行った。得られた焼結体熱電材料についてC,O,Nの分析を行うとともに、ゼーベック係数,電気抵抗率,出力因子PFパワーファクターの特性測定を行った。ここでC,O,Nの分析は上記の分析装置LECO社製TC600を使用して行った。またゼーベック係数,電気抵抗率,PF等の熱電特性の測定は以下のようにして行った。焼結体から3mm×3mm×15mmの棒状の試料を切り出し、アルバック理工製ZEM3M8を使用して343K,0.1気圧の減圧He中にて試料の中心から試料の長さ方向に2~4mm程度離れた2点に1~20°Cだけ温度差ΔTを与えたときの電圧Vを3点測定して、そのときのΔTとVを最小二乗法によりV=aΔTba,bは定数で示したときのaの値をゼーベック係数とした。また同時に両端に電流を流したときの試料中の電圧を測定することで電気抵抗を測定し、電圧測定端子間の距離と試料の断面積とから電気抵抗率を算出した。結果が出力因子PFとともに表4及び表5に示してある。ここで表4はn型熱電材料についての結果を、表5はp型熱電材料についての結果を示している。尚表中CPとあるのは冷間プレスを表している。表4及び表5の結果において、バインダのPVBの量が多くなるほどCの量が多く、熱電特性は悪化して行くが、バインダの量を0.20以下とした場合にはCの量が0.15よりも少なく、その特性は良好であった。即ちゼーベック係数の絶対値が、表4に示すn型熱電材料では80μV/K以上、表5に示すp型熱電材料では50μV/K以上で何れも高い値を示した。尚Cの量が0.15よりも少ない実施例1,実施例2,実施例3及び実施例4,実施例5,実施例6については、CONの量も本発明の下限値である0.3よりも低い。このようにバインダのPVBの量を多くすることで熱電特性が悪化するのは、脱脂中に粉末表面と反応したCが熱電材料中のVと化合物を形成して材料中のV量を減らし、Fe2VAl基ホイスラー化合物が最適な成分組成から外れたことによるものと考えられる。尚ここでは、粉砕時間が30minの粉末ままのもの,更に機械粉砕時間を10hと長くした粉末ままのもの,更に純Fe,純Al,FeVの各粉末を長時間機械粉砕即ちメカニカルアロイングMAによる粉末冶金法にて製造した粉末についても、熱電特性とC,O,N量との関係を調査した表中の参考例。その結果、機械粉砕時間が長いものはO量が容器に吸着されて減少する一方、Cの量が増大した。またその粉末を用いて冷間プレス、焼結を行ったものについては比較例3,比較例4熱電特性も劣ったものであった。尚、機械粉砕粉150hでMA処理したものと、その焼結体とのC,O,Nの分析結果から、焼結後にC,Nは僅かに減少するが、Oは僅かに増加している粉砕時間を10hとしたものについても同様。これは真空中に僅かに存在するOとCNとが反応してC,Nが減少する一方、材料表面からOを吸着することでOが増加したものと考えられるが、その量は僅かである。図2に、ホイスラー化合物母材内に含有されるCとPFとの関係が示してある。図に示しているようにCの含有量が減少すると、ほぼこれに比例してPFの値が高くなっていることが見て取れる。尚この図2の結果は、Fe2VAl0.9Si0.1n型及びFe2V0.9Ti0.1Alp型について、他の条件を等しくしてバインダ量だけを変えたときのC濃度とPFとの関係を求めてこれを表したものである。C熱電特性に及ぼすバインダ種の影響の検討次に、表6及び表7に示すようにバインダ種を種々変えて、バインダ種の熱電特性及びホイスラー化合物母材内のC,O,N等に及ぼす影響を検討した。結果が表6及び表7に示してある。ここで表6はn型熱電材料についての結果を、表7はp型熱電材料についての結果をそれぞれ示している。この結果では、PVB同様にCが主元素であるビスフェノールA型BPA型エポキシ樹脂では、特性およびC,O,N量もPVB同様の傾向を示す。ポリ―N-ビニルアセトアミドは、Nも含まれるためPVBと比較してCが少なくNが増えた。熱電特性に関してはPVBと同様の傾向を示した。これはNもCと同様にVと化合物を形成するためである。これらのことから、バインダ種よりもバインダの量により材料中の成分が変化して特性を劣化させることが分かる。D微量酸素中の脱脂による影響の検討一方、1000ppm程度の微量酸素雰囲気中で脱脂することによりC,Nを低減させた材料の特性も調査した。結果が表8及び表9に示してある。ここで表8はn型熱電材料についての結果を、表9はp型熱電材料についての結果をそれぞれ示している。これら表8,表9の結果から分かるように、酸素雰囲気中で脱脂することによりC,Nの量は減少するものの、その代わりにOの量が増え、こちらも特性が劣化した。以上のことから、熱電特性は単にCだけでなく、CONの量によっても影響されることが分かる。E組成変化による影響の検討表10に、ホイスラー化合物の組成を種々変えて熱電材料のC,O,Nの分析を行い、また熱電特性の測定を行った。尚表中短時間粉砕とあるのは、30分間機械粉砕した粉末を用いたことを意味している。この表の結果でも、C及びCONが本発明の上限値よりも低いもの低いホイスラー型熱電材料は、何れも良好な熱電特性を有する。即ちゼーベック係数の絶対値が、n型熱電材料では何れも80μV/K以上、p型熱電材料では50μV/K以上であり、何れも高い値を示した。C及びCONが本発明の上下限値よりも低いものはPFがn型で2.5mW/mK2以上、p型で1.2mW/mK2以上であり、特性は良好である。以上本発明の実施例を詳述したがこれはあくまで一例示であり、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲において種々変更を加えた態様で実施可能である。"