2種以上の液晶化合物を炭化水素系溶媒に溶解し、孔径10μmから0.001μmのフィルターで濾過した後、溶媒を留去することを特徴とする液晶組成物の製造方法。濾過時に、製造する液晶組成物の20質量から0.1質量の吸着剤を濾過塔に充填して行う請求項1記載の製造方法。吸着剤がシリカゲル又はアルミナである請求項2記載の製造方法。炭化水素系溶剤が脂肪族炭化水素系溶剤である請求項1、2又は3記載の製造方法。炭化水素系溶剤の高沸点不純物が5ppm以下である請求項1、2、3又は4記載の製造方法。溶媒の留去を、液晶組成物のネマチック相-等方性液体転移温度以下で行う請求項1、2、3、4又は5記載の製造方法。減圧下に吸引濾過する請求項1から6の何れかに記載の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、液晶組成物の比抵抗を低下させることなく、アクティブマトリックス用の組成物においては特に電圧保持率も又低下させることなく製造する方法を提供することにある。本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討した結果、下記の手段を見いだした。2種以上の液晶化合物を炭化水素系溶媒に溶解し、孔径10μmから0.001μmのフィルターで濾過した後、溶媒を留去することを特徴とする液晶組成物の製造方法。本願発明の製造方法により製造された液晶組成物は高い比抵抗及びアクティブマトリックス用液晶組成物においては高い電圧保持率を有しており、信頼性を求められる液晶組成物の製造において非常に有用なものである。本願発明の製造方法は炭化水素系溶媒に溶解した液晶化合物をフィルターで濾過する工程を要するが、フィルターの孔径としては、0.01μm超10μm以下が好ましく、0.01μm超1μm以下がより好ましく、0.01μm超0.1μm以下が特に好ましい。フィルタの材質は紙、布、不織布、セルロース、ニトロセルロース、セルロース混合エステル、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレンPTFE、親水性PTFE、フッ化ポリビニリデン、ポリエーテルスルフォンPES、ガラス繊維等が挙げられるが、PTFE又はフッ化ポリビニリデンが好ましい。使用する溶剤としては炭化水素系溶剤で脂肪族炭化水素系溶剤が好ましく、直鎖状でも環状でも良いペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカンがより好ましく、n-ヘキサン、シクロヘキサン、n-ヘプタンが特に好ましい。炭化水素系溶剤の純度としては高沸点不純物含有量が5ppm以下であることが好ましく、1ppm以下がより好ましく、0.1ppm以下が特に好ましい。又、溶媒の精製方法としては蒸留によって精製することが好ましく、蒸留を2回以上繰り返すことも好ましい。溶媒の留去は室温20°C~25°Cよりも高い温度で行うことが好ましいが、液晶組成物のネマチック相-等方性液体転移温度以下で行うことが特に好ましい。溶媒留去時の真空度としては留去の効率の点では、低い圧力で行うことが望ましいが、あまり低いと組成物の組成が変化するため、大気圧101KPaよりも低い圧力~1Paの範囲が好ましく、80KPa~10Paの範囲がより好ましく、50KPa~100Paの範囲が特に好ましい。本願発明の製造方法は溶媒に溶解した液晶組成物を濾過する際に濾過塔に吸着剤を充填して行うことも好ましい。吸着剤を使用する場合の濾過塔に充填する吸着剤の量は、製造する液晶組成物の20質量から0.1質量が好ましく、10質量から1質量がより好ましく、5質量から3質量が特に好ましい。吸着剤としてはアルミナ、シリカゲル、フロリジル、ケイ藻土、ゼオライト、活性炭等があげられるがアルミナ又はシリカゲルが好ましい。これらの吸着剤を使用前にさらに精製処理を行ってから使用しても良い。以下、実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物におけるは質量を意味する。炭化水素系溶剤は純度990以上のヘプタンを005Mpaで3回蒸留し、溶媒として用いた。比抵抗の測定は川口電気製エレクトロメーターMMAII17Aにて、セルギャップ1mmの液体電極LP05型を用いて1VDCを印加して行った。液晶組成物をTN用液晶セルに真空注入し、UV硬化性樹脂で封止し、液晶セルを作製した。液晶セル作成後、すぐに電流値を測定したサンプルを初期サンプルとした。液晶セルをオーブンを用い80°Cで720時間加熱したサンプルを加熱サンプルとした。電流値の測定は、図1に示す回路を用いて、作製した液晶セルに矩形波を印加し回路中の50KΩの抵抗の両端に掛かる電圧波形を観測することにより行った。観測された電圧波形よりVrを測定し、Vrと液晶セルの電極面積:Wより以下の式により電流値を算出した。この際、それぞれの条件において3枚の液晶セルを作製しその電流値を測定し、3枚のセルから得られた電流値の値を平均し電流値とし、パネル中での信頼性の指標とした。実施例1転移温度947°CのSTN用液晶組成物STN1の作製について記載する。STN用液晶組成物STN1の組成を下記に示す。なす型フラスコに上記の組成に従い各液晶化合物を秤量し化合物の合計が20gとなるよう計量し、nヘプタンを加え、溶解した。濾過搭に試料溶液を注ぎ、01μmミリポアフィルターで吸引濾過した。得られた濾液を40°Cで溶剤を減圧留去した。さらに80°Cのオイルバスに切り替えた後、20KPaの減圧下で1時間乾燥し、溶剤を完全に除去したのち、水浴で室温まで冷却した後、窒素ガスにより大気圧まで戻した。得られた液晶組成物の比抵抗及び電流値の測定結果は以下の通りであった。比較例1実施例1に記載した組成と同様のSTN用液晶組成物STN1を特開2002194356号公報に記載している方法に従い作製した。なす型フラスコに前述の組成に従い各液晶化合物を秤量し化合物の合計が20gとなるよう計量した。110°Cに設定したオイルバスで、窒素雰囲気下で2KPaの減圧にした後、15分間加熱溶解し、水浴で室温まで冷却した後、窒素ガスにより大気圧まで戻した。1μmミリポアフィルターPTFEで液晶組成物を吸引濾過し、15分間脱気した。得られた液晶組成物の比抵抗及び電流値の測定結果は以下の通りであった。本発明の製造方法による実施例1で得られた液晶組成物STN1と、公知の方法で製造して得られた比較例1の液晶組成物STN1の結果を比較する。実施例1において、比抵抗は2倍、加熱後の電流値は22低減されていることがわかる。実施例2転移温度940°CのSTN用液晶組成物STN2を20g作製した。STN用液晶組成物STN2の組成を下記に示す。なす型フラスコに上記の組成に従い各液晶化合物を秤量し化合物の合計が20gとなるよう計量し、nヘプタンを加え溶解した。01μmミリポアフィルターPTFEを備えた濾過塔に吸着剤としてシリカゲル060gをnヘプタンでスラリー状とし充填し、この濾過搭に試料溶液を注ぎ吸引濾過した。得られた濾液を40°Cで溶剤を減圧留去した。さらに80°Cのオイルバスに切り替えた後、2KPaの減圧下で1時間乾燥し、溶剤を完全に除去したのち、水浴で室温まで冷却した後、窒素ガスにより大気圧まで戻した。得られた液晶組成物の比抵抗及び電流値の測定結果は以下の通りであった。比較例2実施例2に記載した組成と同様のSTN用液晶組成物STN2を特開2002194356号公報に記載している方法に従い作製した。なす型フラスコに前述の組成に従い各液晶化合物を秤量し化合物の合計が20gとなるよう計量した。110°Cに設定したオイルバスで、窒素雰囲気下で2KPaの減圧にした後、15分間加熱溶解し、水浴で室温まで冷却した後、窒素ガスにより大気圧まで戻した。吸着剤としてシリカゲル006gを加え、2時間撹拌した。1μmミリポアフィルターPTFEで液晶組成物を吸引濾過し、15分間脱気した。得られた液晶組成物の比抵抗及び電流値の測定結果は以下の通りであった。本発明の製造方法による実施例2で得られた液晶組成物STN2と、公知の方法で製造して得られた比較例2の液晶組成物STN2の結果を比較する。実施例2において、比抵抗は35倍以上、加熱後の電流値は約43低減されていることがわかる。