パワーチップを搭載したパワーチップ基板と、前記パワーチップに関連する電子部品を搭載した制御基板と、前記パワーチップと前記制御基板とを電気的に接続するリードと、前記リードの一端と前記パワーチップとを接続する接続部材と、を備え、前記リードは、弾性部と、前記弾性部より剛性の高い根元部と、を含み、前記リードの他端と前記制御基板とは、前記リードの前記弾性部が弾性変形することにより互いに当接する、パワー半導体装置。前記リードは、前記接続部材側に前記根元部を含み、前記根元部と前記パワーチップの表面とを覆う保護部材を備える、請求項1に記載のパワー半導体装置。前記保護部材上に位置して前記リードの前記弾性部を覆い、前記弾性部の弾性変形に伴って変形可能な硬度を有する上層保護部材を備える、請求項2に記載のパワー半導体装置。前記パワーチップと前記制御基板とを電気的に接続する他のリードと、前記リードと前記他のリードとの間に位置し、電気絶縁性の材料からなる仕切り部材と、を備える、請求項1または請求項2に記載のパワー半導体装置。前記リードと前記パワーチップの表面とを覆い、前記リードの前記弾性部の弾性変形に伴って変形可能な硬度を有する、軟質保護部材を備える、請求項1に記載のパワー半導体装置。前記リードの前記根元部に、貫通孔もしくは切欠きが形成されている、請求項1~請求項5のいずれか1項に記載のパワー半導体装置。前記リードの前記根元部は、補強部材を含む、請求項1~請求項5のいずれか1項に記載のパワー半導体装置。しかしながら、上述の特開2000-307056号公報に記載のパワー半導体装置では、パワーチップ基板とリードとの電気接続にワイヤボンディングを用いており、製造コストが高くなっていた。特開2010-245096号公報に記載のパワー半導体装置では、制御基板とリードとが半田接続されているため、リード本数が多い場合は組立時間が長く製造コストが高くなっており、また、制御基板を外囲ケースから着脱できないため、修理作業が複雑なものとなり、結果的に修理コストが高くなっていた。本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものである。この発明の主たる目的は、製造コストおよび修理コストを低減可能に構成されたパワー半導体装置を提供することにある。本発明に係るパワー半導体装置は、パワーチップを搭載した基板と、パワーチップに関連する電子部品を搭載した制御基板と、パワーチップと制御基板とを電気的に接続するリードと、リードの一端とパワーチップとを接続する接続部材とを備える。リードは弾性部と、弾性部より剛性の高い根元部を含み、リードの他端と制御基板とはリードの弾性部が弾性変形することにより互いに当接する。本発明のパワー半導体装置は、パワーチップとリード間のワイヤボンディングと、リードと制御基板との半田付けが不要であり、製造コストを低減できる。さらに、リードと制御基板とが接続されていないため、制御基板が外囲ケースから着脱可能となり、修理コストを低減できる。以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において、同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。実施の形態1以下、本発明の実施の形態1について説明する。まず、図1を参照して実施の形態1に係るパワー半導体装置100の構成を説明する。パワー半導体装置100は、パワーチップ1と、パワーチップ基板2と、制御基板3と、パワーチップ1と制御基板3とを電気的に接続するリード4と、を備える。パワーチップ1は、IGBTやMOSFETなどのパワー半導体素子であり、パワーチップ基板2に、例えば半田などの接続部材図示せずを介して接続されている。パワーチップ基板2は、金属製のベース板5に、例えば半田などの接続部材図示せずを介して接続されている。パワーチップ基板2は、下面がベース板5に接続されるとともに、側面を例えば樹脂からなるケース6で囲うように構成されている。パワーチップ基板2は、パワーチップ1からの発熱を、パワーチップ基板2およびベース板5を介して放熱する。そのため、パワーチップ基板2は、熱伝導性の良好な基板であることが好ましく、例えば、表面に銅などの配線パターンが形成されたセラミック板が使用可能である。なお、ケース6は、ベース板5の外周部表面に接続され、パワーチップ基板2を囲むような環状の平面構造を有する。制御基板3は、例えば、プリント配線板であり、電子部品9および外部端子10が実装され、これらの電子部品9によりパワーチップ1を駆動、制御する回路が構成されている。制御基板3は、パワーチップ基板2の上部に位置し、ケース6に接続される。ケース6と制御基板3との接続は、着脱可能であれば任意の接続部材を使用可能である。図1の例では、ボルト8によりケース6と制御基板3とを接続している。具体的には、制御基板3の外周部にはボルト8を挿入するための貫通孔が形成されている。また、ケース6には、当該貫通孔に対向する部分に、ボルト8を挿入固定するためのねじ孔が形成されている。上述した制御基板3の貫通孔とケース6のねじ孔とが重なるように、ケース6上に制御基板3を配置する。この状態で、貫通孔にボルト8を挿入するとともに、ねじ孔に当該ボルト8をねじこんで固定する。リード4は、弾性を有する弾性部4aを含む。すなわち、リード4は、パワーチップ1の電極パッドやパワーチップ基板2の配線部に接続部材11を介して接続された接続部と、当該接続部に対して交差する方向図1では接続部の延在方向に対して垂直な方向に延びる根元部4bと、当該根元部4bにおいて接続部と反対側の端部に連なる弾性部4aとを含む。根元部4bは、例えば平坦な板状形状を有する。根元部4bは、板状の部材が屈曲することにより、弾性を有するばね状体である。弾性部4aでは、根元部4bを介して上記接続部と対向する位置に、制御基板3と接触する部分接触電極部が形成されている。当該接触電極部は、例えば、弾性部4aにおいて上記接続部から離れる方向に凸形状となった部分である。リード4は、一端をパワーチップ1の電極パッドに、半田や導電性接着剤などの導電性の接続部材11を介して接続される。なお、リード4は、パワーチップ基板2の配線部にも接続部材11を介して接続可能である。パワーチップ基板2の配線部は、例えば、パワーチップ1の裏面電極が接続され、パワーチップ1の下からパワーチップの外側まで引き出された配線部や、パワーチップ1の表面電極とワイヤ12で接続された配線部分である。これにより、パワーチップ1の電極パッドおよびパワーチップ基板2の配線部とリード4とを、直接接続でき、ワイヤボンディングを省くことができる。よって製造工程の簡略化および作業時間の短縮が実現でき、パワー半導体装置の製造コストを低減できる。また、本実施の形態では、リード4とパワーチップ1の電極パッドとの直接接続が可能となることで、ケース6に埋め込まれたリード4に、パワーチップ1とのワイヤボンディングに必要なパッドスペースを設ける場合に比べて、パワー半導体装置の小型化が可能となる。制御基板3をボルト8によりケース6に固定した状態では、リード4は、他端を制御基板3の電極パッドに、弾性部4aの弾性変形によって、接触圧を持って当接される。このように、制御基板3は、ボルト8の締緩によりケース6に対して着脱可能となる。よって例えば制御基板3の故障時に、制御基板3のみの修理交換を行なうことができるので、パワー半導体装置100全体を交換する場合より、修理コストを抑えることができる。また、リード4と制御基板3とを接続するための半田付け工程が省略可能となり、製造コストも低減できる。リード4は、上述したように、パワーチップ1およびパワーチップ基板2と、制御基板3と、によって圧縮された状態になっている。リード4は、電気伝導性を有するものであれば任意の素材を使用可能であるが、図1の例では、リードの材料として銅を採用している。リードの材料として、バネ性を有する材料を選択してもよい。なお、本発明の実施の形態1において、リード4は導電性接続部材により制御基板3のパッド部に接着され、リード4の弾性部4aの弾性変形により接触圧を持ってパワーチップ1の電極パッドやパワーチップ基板2の配線部に当接されてもよい。実施の形態2図2を参照して、本発明の実施の形態2について説明する。本実施の形態2によるパワー半導体装置100は、基本的には図1に示したパワー半導体装置100と同様の構成を備えるが、パワーチップ1およびパワーチップ基板2の表面と、パワーチップ1およびパワーチップ基板2に接着したリード4の根元部4bとを覆う、保護部材13をさらに備える。保護部材13は、電気絶縁性を有するものであれば、任意の素材を使用可能である。好ましくは、エポキシ樹脂やシリコーンで構成される。このとき、リード4の弾性部4aは、保護部材13から露出している。これにより、保護部材13は、弾性部4aの弾性変形を阻害せずに、パワーチップ1およびパワーチップ基板2を保護することができる。弾性変形を阻害しないため、保護部材13は、リード4と制御基板3との電気的接続に影響を及ぼさない。図3を参照して、本実施の形態2の変形例にかかるパワー半導体装置100は、保護部材13の上に位置し、リード4の弾性部4aの弾性変形に伴って変形可能で、かつ電気絶縁性を有する上層保護部材16を備えてもよい。これにより、リード4の全体が保護部材13と上層保護部材16により覆われるため、パワー半導体装置100に異物が混入しても、複数のリード4間での短絡やリード4の断線といった異常発生を抑止できる。パワーチップ基板2と、ケース6と、制御基板3とにより囲まれる空間を充填する保護部材を保護部材13と上層保護部材16の2層構造とすることで、保護部材13として使用可能な材料の選択肢が広がり、例えば、パワーチップ1やパワーチップ基板2に対する機械的な保護機能を考慮して保護部材13の材料を選択することができる。図4を参照して、本実施の形態2の他の変形例にかかるパワー半導体装置100は、保護部材13の上に位置し、複数のリード4間を区分するように形成された電気絶縁性の仕切り部材14を備えてもよい。仕切り部材14は、リード4の弾性部4aを覆わないようにスロット15が形成されている。リード4の弾性部4aは、仕切り部材14のスロット15内に収納された状態とすることができる。これにより、複数のリード4が形成されたパワー半導体装置100において、個々のリード4は仕切り部材14および保護部材13により電気的に隔離されており、導電性異物混入時の短絡やリード同士の接近、接触を防止できる。また、図5に示すように、リード4の弾性部4aの弾性変形に伴って変形可能でかつ、電気絶縁性を有する軟質保護部材17により、リード4とパワーチップ1およびパワーチップ基板2の表面を覆ってもよい。これにより、単層でリード4全体とパワーチップ1およびパワーチップ基板2の表面を保護可能となる。なお、上述した本発明の実施の形態1および実施の形態2におけるパワー半導体装置100を構成するリード4については、さまざまな形状を採用することができる。例えば、図6や図7に示すように、リード4の根元部4bには、貫通孔4cや切欠き4dが形成されていてもよい。より具体的には、図6に示したリード4では、根元部4bを貫通するように貫通孔4cが形成されている。貫通孔4cは、根元部4bの幅方向におけるほぼ中央部に形成されている。また、貫通孔4cは、根元部4bの高さ方向接続部から弾性部4aに向かう方向での中央部より下方接続部寄りに形成されている。この場合、図2に示すように保護部材13を配置するときに、当該貫通孔4cが形成された根元部4bの部分を保護部材13中に確実に埋設した状態とすることができる。また、図7に示したリード4では、根元部4bの幅方向の両端に2つの切欠き4dが形成されている。なお、切欠き4dの数や配置は任意に選択できる。例えば、根元部4bの幅方向の両端のそれぞれに、複数の切欠き4dを形成してもよい。また、図7にしめしたリード4では、2つの切欠き4dが対向するように配置されているが、複数の切欠き4dが高さ方向にずれて形成されていてもよい。これにより、根元部4bに対する保護部材13の密着性を向上でき、密着不良箇所の発生を抑制できる。密着不良箇所からパワーチップ1表面への湿気や水分の浸入が防止でき、パワーチップ1を確実に保護することができる。図8に示すように、リード4の根元部4bには、補強部材4eを含んでもよい。具体的には、リード4の根元部4bに、高さ方向に延在する補強部材4eが形成されていてもよい。補強部材4eは、例えば、厚みが根元部4bにおける他の部分より厚くなった厚肉部でもよいし、根元部4bの一部をプレス成形などにより凸状に変形させた変形部であってもよい。これにより根元部4bの剛性が高まり、制御基板3とリード4とが弾性部4aの弾性変形により当接した状態においても、根元部4bの変形を抑制し、根元部4bの変形により保護部材13へ加わるストレスを低減できる。保護部材13へ加わるストレスを低減できることで、保護部材13の損傷を防止し、パワーチップ1を確実に保護することができる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。