電力変換回路の一部を構成する複数の半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却するための冷媒を流通させる複数の冷媒流路とを交互に積層してなる電力変換装置であって、上記半導体モジュールは、半導体素子と、該半導体素子の積層方向の両側に配置されると共に上記半導体モジュールの両主面にそれぞれ放熱面を露出させた一対の放熱部と、上記半導体素子及び上記一対の放熱部を封止する封止部とを有し、上記一対の放熱部は、上記放熱面から上記半導体素子までの距離が近い側の近接放熱部と遠い側の遠隔放熱部とからなり、上記積層方向に隣り合う上記半導体モジュールの上記半導体素子同士の間において、上記冷媒流路を挟んで上記積層方向に向かい合う上記放熱部同士のうち、少なくとも一方が上記遠隔放熱部であることを特徴とする電力変換装置。請求項1に記載の電力変換装置において、上記半導体モジュールは、互いに直列接続された2つの上記半導体素子を有し、上記半導体モジュールの上記積層方向に直交する幅方向の一方側及び他方側には、それぞれ正極側の上記半導体素子及び負極側の上記半導体素子が配置されていることを特徴とする電力変換装置。請求項2に記載の電力変換装置において、上記半導体モジュールの上記積層方向の一方側には、正極側の上記半導体素子における上記近接放熱部及び負極側の上記半導体素子における上記遠隔放熱部が配置され、他方側には、正極側の上記半導体素子における上記遠隔放熱部及び負極側の上記半導体素子における上記近接放熱部が配置されていることを特徴とする電力変換装置。請求項2又は3に記載の電力変換装置において、正極側の上記半導体素子における上記積層方向の一方側の上記放熱部は、正極端子に接続されており、負極側の上記半導体素子における上記積層方向の一方側の上記放熱部は、負極端子に接続されており、正極側の上記半導体素子における上記積層方向の他方側の上記放熱部と負極側の上記半導体素子における上記積層方向の他方側の上記放熱部とは、互いに接続されて1つの中間放熱部を形成しており、該中間放熱部は、出力端子に接続されていることを特徴とする電力変換装置。請求項4に記載の電力変換装置において、上記正極端子に接続された上記放熱部と上記負極端子に接続された上記放熱部との間には、上記封止部の一部を構成すると共に上記両放熱部の上記放熱面よりも突出してなる突出封止部が形成されていることを特徴とする電力変換装置。請求項2又は3に記載の電力変換装置において、正極側の上記半導体素子における上記積層方向の一方側の上記放熱部は、正極端子に接続されており、負極側の上記半導体素子における上記積層方向の他方側の上記放熱部は、負極端子に接続されており、正極側の上記半導体素子における上記積層方向の他方側の上記放熱部と負極側の上記半導体素子における上記積層方向の一方側の上記放熱部とは、互いに接続されていると共にいずれか一方が出力端子に接続されていることを特徴とする電力変換装置。しかしながら、電力変換装置において、各半導体モジュールには、内蔵されている半導体素子の位置等によって冷却管等との接触面からの放熱量が大きい部分と小さい部分とが生じる。そのため、半導体モジュールと冷却管等とを交互に積層して構成する場合、積層方向に隣り合う半導体モジュール同士の間において放熱量が大きい部分が向かい合うと、両者の間での熱干渉が大きくなり、放熱性が低下するといった問題が生じるおそれがあった。本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたもので、半導体モジュールに対する冷却効率、冷却性能に優れた電力変換装置を提供しようとするものである。本発明は、電力変換回路の一部を構成する複数の半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却するための冷媒を流通させる複数の冷媒流路とを交互に積層してなる電力変換装置であって、上記半導体モジュールは、半導体素子と、該半導体素子の上記積層方向の両側に配置されると共に上記半導体モジュールの両主面にそれぞれ放熱面を露出させた一対の放熱部と、上記半導体素子及び上記一対の放熱部を封止する封止部とを有し、上記一対の放熱部は、上記放熱面から上記半導体素子までの距離が近い側の近接放熱部と遠い側の遠隔放熱部とからなり、上記積層方向に隣り合う上記半導体モジュールの上記半導体素子同士の間において、上記冷媒流路を挟んで上記積層方向に向かい合う上記放熱部同士のうち、少なくとも一方が上記遠隔放熱部であることを特徴とする電力変換装置にある請求項1。上記電力変換装置において、半導体モジュールにおける半導体素子の積層方向の両側には、一対の放熱部が配置されている。また、一対の放熱部は、放熱面から半導体素子までの距離が近い側の近接放熱部と遠い側の遠隔放熱部とからなる。ここで、近接放熱部は、放熱面と半導体素子との間の距離が近いため、放熱面からの放熱量が大きくなりやすい。一方、遠隔放熱部は、放熱面と半導体素子との間の距離が近接放熱部よりも遠いので、放熱面からの放熱量も近接放熱部に比べて小さくなりやすい。そして、積層方向に隣り合う半導体モジュールの半導体素子同士の間において、冷媒流路を挟んで積層方向に向かい合う放熱部同士のうち、少なくとも一方が遠隔放熱部である。すなわち、放熱面からの放熱量が大きくなる近接放熱部同士が冷媒流路を挟んで積層方向に向かい合わないようにしている。そのため、隣り合う半導体モジュール同士の間の熱干渉を抑制することができ、半導体モジュールを偏りなく、効率よく冷却することができる。これにより、装置全体としての冷却性能を向上させることができる。このように、本発明によれば、半導体モジュールに対する冷却効率、冷却性能に優れた電力変換装置を提供することができる。上記電力変換装置は、複数の半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却するための冷媒を流通させる複数の冷媒流路とを交互に積層してなる。例えば、半導体モジュールの両主面と冷却管とを接触させ、その冷却管内を流通する冷媒によって半導体モジュールを間接的に冷却する構成であってもよいし、冷媒を半導体モジュールの両主面に直接接触するように流通させ、その流通する冷媒によって半導体モジュールを直接的に冷却する構成であってもよい。また、上記半導体モジュールにおいて、半導体素子の積層方向の両側には、一対の放熱部が配置されている。この放熱部は、半導体素子から発生した熱を放熱するために設けられており、半導体素子と熱的に接続されている。ここで、熱的に接続されているとは、放熱部が半導体素子に対して直接的又は間接的に熱伝導性を有する他の部材を介して接しており、半導体素子の熱が放熱部に伝達される構成であることをいう。また、上記半導体モジュールは、互いに直列接続された2つの上記半導体素子を有し、上記半導体モジュールの上記積層方向に直交する幅方向の一方側及び他方側には、それぞれ正極側の上記半導体素子及び負極側の上記半導体素子が配置されていることが好ましい請求項2。この場合には、半導体モジュールの幅方向の一方側において、すべての正極側の半導体素子が積層方向に並んで配置され、他方側において、すべての負極側の半導体素子が積層方向に並んで配置されることになる。これにより、他の部品との接続性を向上させることができる。また、上記半導体モジュールの上記積層方向の一方側には、正極側の上記半導体素子における上記近接放熱部及び負極側の上記半導体素子における上記遠隔放熱部が配置され、他方側には、正極側の上記半導体素子における上記遠隔放熱部及び負極側の上記半導体素子における上記近接放熱部が配置されていることが好ましい請求項3。この場合には、正極側の半導体素子及び負極側の半導体素子における近接放熱部同士、すなわち放熱面からの放熱量が大きい近接放熱部同士が半導体モジュールの同一主面に配置されないようにすることができる。これにより、各冷媒流路における冷却効率を高めることができる。例えば、冷媒流路内において、2つの半導体素子が並んでいる方向、すなわち幅方向に冷媒が流通する場合、半導体モジュールの同一主面に近接放熱部同士が配置されると、上流側の半導体素子における近接放熱部の放熱面からの放熱によって冷媒の温度が上昇し、下流側の半導体素子における近接放熱部の放熱面から十分な放熱を行うことができないおそれがある。しかしながら、上記構成では、放熱量が大きい近接放熱部同士が半導体モジュールの同一主面に配置されないため、このような問題を解消することができ、各冷媒流路における冷却効率を高めることができる。また、正極側の上記半導体素子における上記積層方向の一方側の上記放熱部は、正極端子に接続されており、負極側の上記半導体素子における上記積層方向の一方側の上記放熱部は、負極端子に接続されており、正極側の上記半導体素子における上記積層方向の他方側の上記放熱部と負極側の上記半導体素子における上記積層方向の他方側の上記放熱部とは、互いに接続されて1つの中間放熱部を形成しており、該中間放熱部は、出力端子に接続されていることが好ましい請求項4。この場合には、半導体モジュールの一方の主面に放熱面の面積が大きな中間放熱部が配置されることになる。これにより、半導体モジュールの放熱性を高めることができる。また、上記正極端子に接続された上記放熱部と上記負極端子に接続された上記放熱部との間には、上記封止部の一部を構成すると共に上記両放熱部の上記放熱面よりも突出してなる突出封止部が形成されていることが好ましい請求項5。この場合には、例えば、半導体モジュールと冷媒流路となる冷却管等とを積層した場合に、冷却管の一方側が半導体モジュールの突出封止部によってその突出方向に押され、他方側が半導体モジュールの中間放熱部が形成されている主面に押し付けられる。そのため、半導体モジュールの中間放熱部が形成されている主面と冷却管との密着性を高めることができる。これにより、半導体モジュールの放熱性を向上させることができる。また、上記半導体モジュールの一方の主面に上記突出封止部を形成し、さらにその反対側の主面を凹面状に形成することが好ましい。この場合には、半導体モジュールの中間放熱部が形成されている主面と冷却管等との密着性をさらに高めることができる。これにより、半導体モジュールの放熱性をさらに向上させることができる。また、正極側の上記半導体素子における上記積層方向の一方側の上記放熱部は、正極端子に接続されており、負極側の上記半導体素子における上記積層方向の他方側の上記放熱部は、負極端子に接続されており、正極側の上記半導体素子における上記積層方向の他方側の上記放熱部と負極側の上記半導体素子における上記積層方向の一方側の上記放熱部とは、互いに接続されていると共にいずれか一方が出力端子に接続されていることが好ましい請求項6。この場合にも、上記と同様に、積層方向に隣り合う半導体モジュールの半導体素子同士の間において、放熱面からの放熱量が大きくなる近接放熱部同士が冷媒流路を挟んで積層方向に向かい合わないようにしている。そのため、隣り合う半導体モジュール同士の間の熱干渉を抑制することができ、半導体モジュールを偏りなく、効率よく冷却することができる。これにより、装置全体としての冷却性能を向上させることができる。実施例1本発明の実施例にかかる電力変換装置について、図を用いて説明する。本例の電力変換装置1、図1~図5に示すごとく、電力変換回路の一部を構成する複数の半導体モジュール2と、半導体モジュール2を冷却するための冷媒を流通させる複数の冷却管冷媒流路81とを交互に積層してなる。半導体モジュール2は、半導体素子3a3bと、半導体素子3a3bの積層方向Xの両側に配置されると共に半導体モジュール2の両主面201、202にそれぞれ放熱面211a、221a211b、221bを露出させた一対の放熱部20a20bと、半導体素子3a3b及び一対の放熱部20a20bを封止する封止部200とを有する。一対の放熱部20a20bは、放熱面211a、221a211b、221bから半導体素子3a3bまでの距離が近い側の近接放熱部21a21bと遠い側の遠隔放熱部22a22bとからなる。積層方向Xに隣り合う半導体モジュール2の半導体素子3a3b同士の間において、冷却管冷媒流路81を挟んで積層方向Xに向かい合う放熱部20a20b同士のうち、一方が遠隔放熱部22a22bである。以下、これを詳説する。図1、図2に示すごとく、電力変換装置1は、複数の半導体モジュール2と複数の冷却管81とを交互に積層してなる。各半導体モジュール2は、半導体モジュール2と冷却管81との積層方向Xの両側から冷却管81によって挟持されている。また、隣り合う冷却管81同士の間には、1個の半導体モジュール2が挟持されている。なお、半導体モジュール2と冷却管81とは、直接密着させてもよいし、絶縁材等を介して密着させてもよい。同図に示すごとく、複数の冷却管81は、その長手方向幅方向Yの両端部811、812において、隣り合う冷却管81同士が変形可能な連結管82によって連結されている。また、積層方向Xの一端に配設された冷却管81の両端部811、812には、外部から冷媒を導入する冷媒導入管83と、外部に冷媒を排出する冷媒排出管84とが連結されている。また、冷却管81、連結管82、冷媒導入管83及び冷媒排出管84は、アルミニウム又はその合金からなる。そして、冷媒導入管83から導入された冷媒は、冷媒導入管83側の連結管82を適宜通り、各冷却管81に分配されると共にその長手方向幅方向Yに流通する。そして、冷媒は、各冷却管81を流れる間に、半導体モジュール2との間で熱交換を行う。熱交換により温度上昇した冷媒は、冷媒排出管84側の連結管82を適宜通り、冷媒排出管84から排出される。なお、冷却管81等に流通させる冷媒としては、例えば、水やアンモニア等の自然冷媒、エチレングリコール系の不凍液を混入した水、フロリナート等のフッ化炭素系冷媒、HCFC123、HFC134a等のフロン系冷媒、メタノール、アルコール等のアルコール系冷媒、アセトン等のケトン系冷媒等の冷媒を用いることができる。図2、図3に示すごとく、半導体モジュール2は、2個の半導体素子3a、3bを有している。2個の半導体素子3a、3bは、幅方向Yに並んで配置されている。同図に示すごとく、一方の半導体素子3aの積層方向Xの両側には、一対の放熱部20aが配置されている。一対の放熱部20aは、放熱面211a、221aから半導体素子3aまでの距離が近い側の近接放熱部21aと遠い側の遠隔放熱部22aとからなる。図4aに示すごとく、近接放熱部21aは、放熱面211aを半導体モジュール2の第1主面201に露出させている。また、図4bに示すごとく、遠隔放熱部22aは、放熱面221aを半導体モジュール2の第2主面202に露出させている。また、一対の放熱部20a近接放熱部21a、遠接放熱部22aは、半導体素子3aから発生した熱を放熱するために設けられており、半導体素子3aと熱的に接続されている。図2、図3に示すごとく、もう一方の半導体素子3bの積層方向Xの両側には、一対の放熱部20bが配置されている。一対の放熱部20bは、放熱面211b、221bから半導体素子3bまでの距離が近い側の近接放熱部21bと遠い側の遠隔放熱部22bとからなる。図4bに示すごとく、近接放熱部21bは、放熱面211bを半導体モジュール2の第2主面202に露出させている。また、図4aに示すごとく、遠隔放熱部22bは、放熱面221bを半導体モジュール2の第1主面201に露出させている。また、一対の放熱部20b近接放熱部21b、遠接放熱部22bは、半導体素子3bから発生した熱を放熱するために設けられており、半導体素子3bと熱的に接続されている。図2~図4に示すごとく、本例では、半導体モジュール2の第2主面202に放熱面221aを露出させている遠隔放熱部22aと、同じく第2主面202に放熱面211bを露出させている近接放熱部21bとは、互いに接続されて1つの中間放熱部29を形成している。すなわち、中間放熱部29の一部が遠隔放熱部22aを形成しており、他の一部が近接放熱部21bを形成している。また、中間放熱部29は、半導体モジュール2の第2主面202に、遠隔放熱部22aの放熱面221aと近接放熱部21bの放熱面211bとからなる放熱面291を形成している。また、近接放熱部21a、遠接放熱部22b及び中間放熱部29は、金属板により構成されている。図5に示すごとく、半導体素子3aの第1表面301aと近接放熱部21aとは、はんだにより接合されている。また、半導体素子3aの第2表面302aと中間放熱部29遠隔放熱部22aとの間には、熱伝導性及び導電性に優れた銅からなるスペーサ部23aが介設されている。また、半導体素子3aの第2主面302aとスペーサ部23aとは、はんだにより接合されている。また、中間放熱部29遠隔放熱部22aとスペーサ部23aとは、はんだにより接合されている。同図に示すごとく、半導体素子3bの第2表面302bと中間放熱部29近接放熱部21bとは、はんだにより接合されている。また、半導体素子3bの第1表面301bと遠隔放熱部22bとの間には、熱伝導性及び導電性に優れた銅からなるスペーサ部23bが介設されている。また、半導体素子3bの第1主面301bとスペーサ部23bとは、はんだにより接合されている。また、遠隔放熱部22bとスペーサ部23bとは、はんだにより接合されている。図2~図4に示すごとく、半導体モジュール2は、半導体素子3a、3b、近接放熱部21a、遠隔放熱部22b、中間放熱部29遠隔放熱部22a、近接放熱部21b、スペーサ部23a、23bを樹脂からなる封止部200によってモールドしてなり、一体的に構成されている。図4、図5に示すごとく、近接放熱部21aは、正極端子41に接続されている。また、遠隔放熱部22bは、負極端子42に接続されている。また、中間放熱部29遠隔放熱部22a、近接放熱部21bは、出力端子43に接続されている。また、正極端子41、負極端子42及び出力端子43は、半導体モジュール2の封止部200における高さ方向Zの一方の端面203から突出している。また、正極端子41、負極端子42及び出力端子43は、バスバー図示略に接続されており、このバスバーを介して被制御電力が半導体モジュール2に入出力される。同図に示すごとく、半導体素子3a、3bは、それぞれ制御端子51a、51bに接続されている。制御端子51a、51bは、半導体モジュール2の封止部200における高さ方向Zのもう一方の端面204から突出している。また、制御端子51a、51bは、制御回路基板図示略に接続されており、半導体素子3a、3bに内蔵された後述するスイッチング素子を制御する制御電流が入力される。制御回路基板が半導体モジュール2内の半導体素子3a、3bを制御することにより、正極端子41と負極端子42との間に印加される直流電圧を交流電圧に変換し、出力端子43から出力している。次に、本例の電力変換装置1の回路図について、図6を用いて説明する。なお、同図は、簡単のために、半導体モジュール2を3つとした回路構成を示しているが、各半導体モジュール2に対してさらに1つ以上の半導体モジュール2を並列接続してもよい。本例の電力変換装置1は、同図に示すごとく、直流電源61と三相交流モータ62との間に配線され、直流電力を三相交流電力に変換して三相交流モータ62を駆動するものである。また、電力変換装置1は、直流電源61の正極に接続される正極ライン611と、直流電源61の負極に接続される負極ライン612との間に、2つの半導体素子3a、3bを互いに直列接続してなるアーム63が3つ接続されている。また、半導体素子3a、3bは、スイッチング素子IGBT素子31a、31bとフリーホイールダイオード32a、32bとからなる。また、各アーム63を構成する2つの半導体素子3a、3bは、1つの半導体モジュール2を構成している。また、半導体モジュール2における正極端子41と負極端子42とがそれぞれ正極ライン611と負極ライン612とに接続されている。また、半導体モジュール2における出力端子43が各アーム63を構成する2つの半導体素子3a、3bの間の接続点に相当し、この接続点が三相交流モータ62の各電極に接続されている。つまり、3つのアーム63は、それぞれの接続点出力端子43において、それぞれ三相交流モータ62のU相、V相、W相の電極端子に接続されたU相アーム、V相アーム、W相アームとなっている。また、互いに並列接続された3つのアーム63U相アーム、V相アーム、W相アームによって、インバータ部64が構成されている。また、直流電源61とインバータ部64との間において、正極ライン611と負極ライン612とを接続するように、平滑コンデンサ65が配置されている。次に、本例の電力変換装置1における作用効果について説明する。本例の電力変換装置1において、半導体モジュール2における半導体素子3a3bの積層方向Xの両側には、一対の放熱部20a20bが配置されている。また、一対の放熱部20a20bは、放熱面211a、221a211b、221bから半導体素子3a3bまでの距離が近い側の近接放熱部21a21bと遠い側の遠隔放熱部22a22bとからなる。ここで、近接放熱部21a21bは、放熱面211a211bと半導体素子3a3bとの間の距離が近いため、放熱面211a211bからの放熱量が大きくなりやすい。一方、遠隔放熱部22a22bは、放熱面221a221bと半導体素子3a3bとの間の距離が近接放熱部21a21bよりも遠いので、放熱面221a221bからの放熱量も近接放熱部21a21bに比べて小さくなりやすい。そして、積層方向Xに隣り合う半導体モジュール2の半導体素子3a3b同士の間において、冷却管81を挟んで積層方向Xに向かい合う放熱部20a20b同士のうち、一方が遠隔放熱部22a22bである。すなわち、放熱面からの放熱量が大きくなる近接放熱部21a21b同士が冷却管81を挟んで積層方向Xに向かい合わないようにしている。そのため、隣り合う半導体モジュール2同士の間の熱干渉を抑制することができ、半導体モジュール2を偏りなく、効率よく冷却することができる。これにより、装置全体としての冷却性能を向上させることができる。また、本例では、半導体モジュール2は、互いに直列接続された2つの半導体素子3a、3bを有し、半導体モジュール2の幅方向Yの一方側及び他方側には、それぞれ正極側の半導体素子3a及び負極側の半導体素子3bが配置されている。そのため、半導体モジュール2の幅方向Yの一方側において、すべての正極側の半導体素子3aが積層方向Xに並んで配置され、他方側において、すべての負極側の半導体素子3bが積層方向Xに並んで配置されることになる。これにより、他の部品との接続性を向上させることができる。また、半導体モジュール2の積層方向Xの一方側には、正極側の半導体素子3aにおける近接放熱部21a及び負極側の半導体素子3bにおける遠隔放熱部22bが配置され、他方側には、正極側の半導体素子3aにおける遠隔放熱部22a及び負極側の半導体素子3bにおける近接放熱部21bが配置されている。そのため、正極側の半導体素子3a及び負極側の半導体素子3bにおける近接放熱部21a、21b同士、すなわち半導体素子3a、3bによる発熱が大きい近接放熱部21a、21b同士が半導体モジュール2の同一主面に配置されないようにすることができる。これにより、各冷却管81における冷却効率を高めることができる。また、正極側の半導体素子3aにおける積層方向Xの一方側の放熱部20a近接放熱部21aは、正極端子41に接続されており、負極側の半導体素子3bにおける積層方向Xの一方側の放熱部20b遠隔放熱部22bは、負極端子42に接続されており、正極側の半導体素子3aにおける積層方向Xの他方側の放熱部20a遠隔放熱部22aと負極側の半導体素子3bにおける積層方向Xの他方側の放熱部20b近接放熱部21bとは、互いに接続されて1つの中間放熱部29を形成しており、中間放熱部29は、出力端子43に接続されている。そのため、半導体モジュール2の一方の主面第1主面201に放熱面の面積が大きな中間放熱部29が配置されることになる。これにより、半導体モジュール2の放熱性を高めることができる。このように、本例によれば、半導体モジュール2に対する冷却効率、冷却性能に優れた電力変換装置1を提供することができる。実施例2本例は、図7に示すごとく、半導体モジュール2の構成を変更した例である。本例では、同図に示すごとく、半導体モジュール2の第1主面201において、半導体素子3aにおける近接放熱部21aと半導体素子3bにおける遠隔放熱部22bとの間には、封止部200の一部を構成すると共に近接放熱部21a及び遠隔放熱部22bの放熱面211a、221bよりも突出してなる突出封止部209が形成されている。突出封止部209は、半導体モジュール2の第1主面201から数十μm程度突出している。その他は、実施例1と同様の構成である。本例の場合には、半導体モジュール2と冷却管81とを積層した場合に、冷却管81の一方側が半導体モジュール2の第1主面201の突出封止部209によってその突出方向に押され、他方側が半導体モジュール2の中間放熱部29が形成されている第2主面202に押し付けられる。そのため、半導体モジュール2の第2主面202と冷却管81との密着性を高めることができる。これにより、半導体モジュール2の放熱性を向上させることができる。その他、実施例1と同様の作用効果を有する。実施例3本例は、図8に示すごとく、半導体モジュール2の構成を変更した例である。本例では、同図に示すごとく、半導体モジュール2の第1主面201は、凸面状に形成されている。また、半導体素子3aにおける近接放熱部21aと半導体素子3bにおける遠隔放熱部22bとの間には、実施例2と同様に、突出封止部209が形成されている。また、半導体モジュール2の第2主面202は、第1主面201とは逆に凹面状に形成されている。その他は、実施例2と同様の構成である。本例の場合には、半導体モジュール2の第1主面201を凸面状とし、第2主面202を凹面状とすることにより、半導体モジュール2同士に挟まれた冷却管81も半導体モジュール2の両主面201、202に沿って変形し、両者の密着性がさらに高まる。これにより、半導体モジュール2の放熱性をさらに向上させることができる。その他、実施例2と同様の作用効果を有する。実施例4本例は、図9、図10に示すごとく、半導体モジュール2の構成を変更した例である。本例では、同図に示すごとく、一方の半導体素子3aの積層方向Xの両側には、一対の放熱部20aが配置されている。一対の放熱部20aのうち、正極端子41図6参照に接続される近接放熱部21aは、放熱面211aを半導体モジュール2の第1主面201に露出させている。また、遠隔放熱部22aは、放熱面221aを半導体モジュール2の第2主面202に露出させている。また、同図に示すごとく、もう一方の半導体素子3bの積層方向Xの両側には、一対の放熱部20bが配置されている。一対の放熱部20bのうち、近接放熱部21bは、放熱面211bを半導体モジュール2の第1主面201に露出させている。また、負極端子42図6参照に接続される遠隔放熱部22bは、放熱面221bを半導体モジュール2の第2主面202に露出させている。また、同図に示すごとく、半導体素子3aの第2表面302aと遠隔放熱部22aとの間には、スペーサ部23aが介設されている。また、半導体素子3bの第2表面302bと遠隔放熱部22bとの間には、スペーサ部23bが介設されている。また、半導体素子3aにおける遠隔放熱部22aと半導体素子3bにおける近接放熱部21bとは、接続部24を介して互いに接続されている。また、遠隔放熱部22a又は近接放熱部21bは、出力端子43図6参照に接続されている。その他は、実施例1と同様の構成であり、同様の作用効果を有する。また、本例では、図9に示すごとく、同じ構成の半導体モジュール2を同じ向きに積層しているが、例えば、図11に示すごとく、半導体素子3a、3b等の配置が積層方向Xに対称となっている異なる構成の半導体モジュール2a、2bを準備し、積層方向Xの一方側半分に一方の半導体モジュール2aを積層し、他方側半分に他方の半導体モジュール2bを積層する構成とすることもできる。この場合にも、実施例1と同様の作用効果を得ることができる。