熱アシスト磁気記録装置に用いられる磁気記録媒体であって、前記磁気記録媒体が、非磁性基体、放熱層、バッファ層、軟磁性裏打ち層、および磁気記録層をこの順に含み、前記バッファ層が、非磁性かつ非晶質の材料からなることを特徴とする磁気記録媒体。前記非磁性かつ非晶質の材料が、CrTi、CrZr、CrTa、およびCrWからなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体。前記バッファ層が、30W/mK以上の熱伝導率を有することを特徴とする請求項1または2に記載の磁気記録媒体。前記バッファ層が、5nm以上20nm以下の膜厚を有することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。前記放熱層が、Cu単体、Ag単体、Au単体、およびこれらを主体とする合金からなる群から選択される材料から形成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。加熱される領域を如何に限定するかは熱アシスト記録において重要な問題である。たとえば、トラックピッチに対して加熱領域が大きすぎると、隣接トラックが加熱されて減磁されるサイドイレーズが起こる。サイドイレーズは、磁気記録装置のデータの信頼性を著しく損なう。加熱領域の寸法を見積もる場合、光スポットのサイズだけでなく、磁気記録媒体内での熱拡散の影響も考慮する必要がある。加熱領域は、磁気記録媒体の面内方向の熱拡散により、光スポットのサイズよりも一般に大きくなる。したがって、面内方向の熱拡散を抑えることは、加熱領域を限定し、サイドイレーズを抑制するために重要である。面内方向の熱拡散を抑えるために、高い熱伝導率を有する材料からなる放熱層を形成し、磁気記録層の熱を基板に向けて逃がすことが提案されている。ここで、放熱層は厚ければ厚いほどより大きな放熱効果が得られる。しかしながら、放熱層が結晶質材料で形成される場合、厚膜化は結晶成長を促進し、上層の磁気記録層の微細構造特に結晶配向性および磁性結晶粒子のサイズ制御に悪影響を及ぼす。すなわち、単純に放熱層を形成しただけでは、放熱層が肝心の記録特性に放熱効果等の良い影響だけでなく結晶配向性の低下等の悪い影響も及ぼしてしまう。このように、熱アシスト記録方式は、記録密度の限界を打破できる可能性を有しているものの、実際に高密度の磁気記録を行うためには、加熱領域を限定して隣接トラックへの影響を低減し、磁性結晶粒子サイズを微細かつ均一に形成して良好な電磁変換特性を有する磁気記録媒体を形成する必要がある。本発明は上述の問題に鑑みなされたものであって、その目的とするところは、熱アシスト磁気記録装置に用いられる高記録密度化が可能な磁気記録媒体を提供することである。上記目的を達成するために、本発明の磁気記録媒体は、熱アシスト磁気記録装置に用いられる磁気記録媒体であって、前記磁気記録媒体が、非磁性基体、バッファ層、放熱層、軟磁性裏打ち層、および磁気記録層をこの順に含み、前記バッファ層が、非磁性かつ非晶質の材料からなることを特徴とする。ここで、前記非磁性かつ非晶質の材料が、CrTi、CrZr、CrTa、およびCrWからなる群から選択されることが好ましい。また、前記バッファ層が、30W/mK以上の熱伝導率を有することが好ましい。更に、前記バッファ層が、5nm以上20nm以下の膜厚を有することが好ましい。更に、前記放熱層が、Cu単体、Ag単体、Au単体、およびこれらを主体とする合金からなる群から選択される材料から形成されていることが好ましい。本発明の磁気記録媒体によれば、放熱層と磁気記録層との間にバッファ層が介在することにより、放熱層を厚膜化した場合でも放熱層が磁気記録層に与える影響を適切に抑制することができる。特に、バッファ層が非晶質の材料からなるため、放熱層の結晶構造が、上層である磁気記録層の微細構造、特に結晶配向性および磁性結晶粒子のサイズ制御に影響を与え難くすることができる。また、バッファ層が非磁性の材料からなるため、上層である軟磁性裏打ち層への磁気的影響を抑えることができる。特に、前記バッファ層が30W/mK以上の熱伝導率を有すると、磁気記録層と放熱層との間の熱伝達を更に良好に保つことが可能となる。また、前記バッファ層が5nm以上20nm以下の膜厚を有すると、磁気記録層と放熱層との間の熱伝達を更に良好に保つことが可能となる。以下、図1に基づいて本発明を実施するための形態を説明する。図1に示された磁気記録媒体は、非磁性基体1、放熱層2、バッファ層3、軟磁性裏打ち層4、下地層5、磁気記録層6、および保護層7をこの順に含む。非磁性基体1は、通常の磁気記録媒体に用いられるNiPめっきを施したAl合金またはガラス、結晶化ガラス、あるいはSi基板を用いることがでる。放熱層2は、熱伝導率の高い材料で形成されることが好ましく、たとえばCu単体、Ag単体、Au単体、またはそれらを主体とする50wt以上の含有量の合金材料で形成されることが好ましい。またその熱伝導率は30W/mK以上であることが好ましい。前述したように、放熱層2はCu単体、Ag単体、Au単体、またはそれらの合金から構成されているため、その結晶構造は磁気記録層6の微細構造特に結晶配向性および磁性結晶粒子のサイズ制御に少なからず影響を及ぼす。バッファ層3はその影響を抑えるために設けられており、そのため非晶質である。また、軟磁性裏打ち層4への磁気的影響を抑えるため、バッファ層3は非磁性であることが要求される。そのような非晶質かつ非磁性の材料としては、Crをベースとする合金、たとえばCrTi、CrZr、CrTa、CrW等を用いることができる。バッファ層3は、スパッタリング法により容易に形成できることが好ましい。また、バッファ層3は、磁気記録層6から放熱層2への熱の移動の妨げにならないように、適度な熱伝導率を有する材料で形成されることが好ましい。経験上、熱伝導率が30W/mK以上であれば、磁気記録層6と放熱層2との間の熱の移動を良好に保つ効果が得られることが分かっている。そのため、バッファ層3に用いられる材料の熱伝導率は、30W/mK以上であることが好ましい。また、バッファ層3の膜厚は、磁気記録層6から放熱層2への熱の移動の妨げにならないように、適度な厚さに制限されていることが好ましい。経験上、バッファ層3の膜厚が5nm以上であれば磁気記録層6の微細構造特に結晶配向性および磁性結晶粒子のサイズ制御への影響を抑えることができ、膜厚が20nm以下であれば、磁気記録層6と放熱層2との間の熱の移動を良好に保つ効果が得られることが分かっている。そのため、バッファ層3の膜厚は、5nm以上20nm以下であることが好ましい。軟磁性裏打ち層4は、従来の垂直磁気記録方式と同様、磁気ヘッドからの磁束を通過させて、記録特性を向上するために形成される層である。軟磁性裏打ち層4としては、たとえば結晶質のNiFe合金、センダストFeSiAl合金、CoFe合金等、微結晶質のFeTaC、CoFeNi、CoNiP等を用いることができる。記録特性を向上するためには、軟磁性裏打ち層4の飽和磁化が大きいことが好ましい。なお軟磁性裏打ち層4の膜厚は、磁気記録に用いられる磁気ヘッドの構造および特性により変化するが、50nm以下であることが好ましい。軟磁性裏打ち層4の成膜方法として、通常用いられるスパッタリング法を用いることができる。下地層5は、1磁気記録層6の結晶粒子径および結晶配向の制御、および2軟磁性裏打ち層4および磁気記録層6の磁気的な結合の防止のために用いられる層である。したがって、下地層5は、非磁性であることが好ましい。下地層5の結晶構造は、磁気記録層6の材料に合わせて適宜選択する必要があるが、非結晶構造とすることも可能である。たとえば、直上に位置する磁気記録層6が、六方最密充填hcp構造を有するCoを主体とした材料から形成される場合は、同じ六方最密充填構造もしくは面心六方fcc構造を有する材料から下地層5を形成することができる。具体的には、Ru、Re、Rh、Pt、Pd、Ir、Ni、Co、またはこれらを含む合金が下地層5の材料として好ましく用いられる。下地層5は薄ければ薄いほど書込み性能は向上する。しかしながら、1および2の指針を考慮すれば、下地層5はある程度の膜厚を必要とし、3~30nmの範囲内の膜厚を有することが好ましい。磁気記録層6としては、結晶系の磁性材料が好ましくは用いられる。この場合、磁気記録層6は、少なくともCoとPtを含む合金の強磁性材料を用いて形成することができる。強磁性材料の磁化容易軸は、磁気記録を行う方向に向かって配向していることが必要である。例えば、垂直磁気記録を行うためには、磁気記録層6の材料の磁化容易軸hcp構造のc軸が、磁気記録媒体の表面すなわち非磁性基体の主平面に垂直方向に配向していることが必要である。あるいはまた、磁気記録層6は、磁性結晶粒子が非磁性体で隔てられた構造を有することが好ましい。この場合、磁性結晶粒子は、Co、Fe、Niなどの磁性元素を主体とし、直径数nmの柱状であることが好ましい。非磁性体はサブnm程度の厚さを有することが好ましい。磁性結晶粒子としては、CoPt合金にCr、B、Ta、Wなどの金属を添加した材料が好ましくは用いられる。非磁性体としては、Si、Cr、Co、Ti、またはTaの酸化物あるいは窒化物などを添加したものが好ましくは用いられる。磁気記録層6の成膜方法は、たとえばマグネトロンスパッタリング法とすることができる。下地層5の結晶部分上に磁性結晶粒子がエピタキシャル成長し、下地層5の粒界部分上に前記非磁性体が位置するような、それぞれ対応関係を有する結晶成長構造が好ましい。保護層7は、従来使用されている材料を用いて形成することができ、たとえば、カーボンを主体とする材料を用いて形成することができる。保護層7は、単層としても良いが、たとえば異なる性質の2層カーボン、金属膜およびカーボン膜、酸化膜およびカーボン膜等の積層膜とすることもできる。なお、図には示されていないが、保護層7の上に潤滑層を形成しても良い。潤滑層はヘッドが磁気記録媒体上を摺動する際に、両者の間に介在して磁気記録媒体の表面が磨耗することを防ぐ役割を担う。このような材料としてはフッ素系の液体潤滑剤が好適である。以下に本発明の実施例および比較例を説明する。なお、実施例は本発明の代表例に過ぎず、本発明は実施例の記載に限定されるものではない。[実施例]非磁性基体1として表面が平滑な円盤状のガラス基板を用いた。これを洗浄後、スパッタリング装置内に導入し、Cuターゲットを用いて、5mTorrのArガス圧下で膜厚50nmの放熱層2を形成した。次に、Cr60Ti40ターゲットを用いて、基板温度250°Cおよび5mTorrのArガス圧下で膜厚10nmのバッファ層3を形成した。引き続いてCo88Nb7Zr5ターゲットを用いて5mTorrのArガス圧下で膜厚50nmのCoNbZr軟磁性裏打ち層4を形成した。続いてRuターゲットを用いて30mTorrのArガス圧下で膜厚20nmのRu下地層5を形成した。その後Co75Pt2591SiO29ターゲットを用いて、60mTorrのArガス圧下で膜厚15nmのCoPt-SiO2磁気記録層6を形成した。次に磁気記録層6を形成した積層体を、真空を破ることなしに、CVD装置に移動させた。続いてCVD法によりカーボンからなる膜厚3nmの保護層7を形成した後、これをCVD装置から取り出した。その後、パーフルオロポリエーテルからなる膜厚2nmの液体潤滑層をディップ法により形成し、磁気記録媒体とした。また、これとは別に、物性値測定用のサンプルを上記磁気記録媒体と同一の手順で作成し、バッファ層3の熱伝導率をパルス加熱サーモリフレクタンス法で測定した。その結果、熱伝導率は82.3W/mKであり、これは必要な熱伝導率の条件30W/mK以上を満足していることが分かった。[比較例]放熱層2の上にバッファ層3を形成せずに軟磁性裏打ち層4を直接形成したことを除いて、実施例と同一の手順を繰り返して磁気記録媒体を形成した。以下、実施例および比較例の磁気記録媒体の性能評価結果について述べる。第1表には、実施例および比較例の磁気記録媒体のバッファ層膜厚、放熱層膜厚、SNR、OW、およびサイドイレーズ隣接トラック消去の評価結果をまとめて示す。第1表実施例/比較例の特性比較なお、OWは電磁変換特性を示す指標として用いた。OWの評価は、レーザスポット加熱機構を搭載しGMRヘッドを備えたスピンスタンドテスターを用いて行った。レーザーパワーは、磁気記録層の温度が200°Cとなるように設定し、記録時にONとし、再生時にOFFとした。GMRヘッドは、140nmの記録トラック幅および90nmの再生トラック幅を有するものを使用した。OWは、最初に、トラックに記録密度510kfciの第1信号を記録し、その信号の信号出力T1を測定し、次いで、同一トラックに記録密度68kfciの第2信号を上書きし、上書き後の第1信号の消し残り信号出力T2を測定し、以下の式logは常用対数を示すによって得られる値として評価した。OW=20×logT2/T1[単位:dB]このように高密度記録信号上に低密度記録信号を上書きするOWはリバースオーバーライトと呼ばれ、垂直磁気記録媒体における記録容易性を明確に評価できる指標となっている。隣接トラック消去については、読み出しトラックに隣接するトラックに105回書込みを行った後の信号出力減衰量を評価した。第1表によれば、SNRの結果に関して、実施例は比較例と比べて大幅に優れている。これは、放熱層材料として使用したCuの結晶構造が上層の磁気記録層の微細構造粒径および配向に与える影響の差によるものと考えられる。具体的には、実施例においてはバッファ層が介在しているので、比較例と比べてCuの結晶構造への影響が少ない。これがSNRの差として現れているものと考えられる。OWは、実施例および比較例においてほぼ同等である。これは、軟磁性裏打ち層の膜厚が実施例および比較例において等しいため、ヘッドからの磁束の引き込み量もほぼ同等なためと考えられる。サイドイレーズは、実施例および比較例においてほぼ同等である。厳密には実施例のほうがやや劣るが、問題となるようなレベルではない。以上の結果、放熱層が結晶成長することによる磁気記録層の微細構造への影響を少なくできる一方、従来の構成と同等の放熱効果を維持できることがわかった。また、熱アシスト磁気記録方式に適した磁気記録媒体が提供され、高密度記録が可能となることが見出された。