基板上に低分子化合物の分子レジストからなるレジスト膜を成膜する成膜装置であって、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内に設けられ、基板を保持する保持台と、前記保持台に保持された基板に対して、前記分子レジストの蒸気を供給するレジスト膜用蒸着ヘッドと、前記処理容器内の雰囲気を真空雰囲気に減圧する減圧機構と、を有することを特徴とする、成膜装置。基板上の被処理膜と前記レジスト膜との間に形成され、当該被処理膜をエッチングする際のマスクとなる犠牲膜を形成する成膜材料の蒸気を、前記被処理膜上に供給する犠牲膜用蒸着ヘッドと、前記犠牲膜と前記レジスト膜との間に反射防止膜を形成する成膜材料の蒸気を、前記犠牲膜上に供給する反射防止膜用蒸着ヘッドと、前記保持台に保持された基板を搬送する搬送機構と、を有し、前記犠牲膜用蒸着ヘッド、前記反射防止膜用蒸着ヘッド及び前記レジスト膜用蒸着ヘッドは、基板の搬送方向にこの順で配置されていることを特徴とする、請求項1に記載の成膜装置。前記レジスト膜用蒸着ヘッド、前記犠牲膜用蒸着ヘッド及び前記反射防止膜用蒸着ヘッドは、キャリアガスを用いて基板上に蒸気を供給することを特徴とする、請求項2に記載の成膜装置。前記レジスト膜用蒸着ヘッド、前記犠牲膜用蒸着ヘッド及び前記反射防止膜用蒸着ヘッドには、基板の搬送方向と垂直方向に基板の幅以上に長く延伸し、基板上に蒸気を供給する供給口がそれぞれ形成されていることを特徴とする、請求項2又は3に記載の成膜装置。前記犠牲膜用蒸着ヘッドと前記反射防止膜用蒸着ヘッドとの間に設けられ、前記犠牲膜を架橋させる第1の架橋手段と、前記反射防止膜用蒸着ヘッドと前記レジスト膜用蒸着ヘッドとの間に設けられ、前記反射防止膜を架橋させる第2の架橋手段と、を有することを特徴とする、請求項2~4のいずれかに記載の成膜装置。基板上に低分子化合物の分子レジストからなるレジストパターンを形成する基板処理システムであって、基板上にレジスト膜を成膜する成膜装置と、前記成膜されたレジスト膜を露光する露光装置と、前記露光されたレジスト膜を現像する現像装置と、を備え、前記成膜装置は、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内に設けられ、基板を保持する保持台と、前記保持台に保持された基板に対して、前記分子レジストの蒸気を供給するレジスト膜用蒸着ヘッドと、前記処理容器内の雰囲気を真空雰囲気に減圧する減圧機構と、を有することを特徴とする、基板処理システム。前記成膜装置は、基板上の被処理膜と前記レジスト膜との間に形成され、当該被処理膜をエッチングする際のマスクとなる犠牲膜を形成する成膜材料の蒸気を、前記被処理膜上に供給する犠牲膜用蒸着ヘッドと、前記犠牲膜と前記レジスト膜との間に反射防止膜を形成する成膜材料の蒸気を、前記犠牲膜上に供給する反射防止膜用蒸着ヘッドと、前記保持台に保持された基板を搬送する搬送機構と、を有し、前記犠牲膜用蒸着ヘッド、前記反射防止膜用蒸着ヘッド及び前記レジスト膜用蒸着ヘッドは、基板の搬送方向にこの順で配置されていることを特徴とする、請求項6に記載の基板処理システム。前記レジスト膜用蒸着ヘッド、前記犠牲膜用蒸着ヘッド及び前記反射防止膜用蒸着ヘッドは、キャリアガスを用いて基板上に蒸気を供給することを特徴とする、請求項7に基板処理システム。前記レジスト膜用蒸着ヘッド、前記犠牲膜用蒸着ヘッド及び前記反射防止膜用蒸着ヘッドには、基板の搬送方向と垂直方向に基板の幅以上に長く延伸し、基板上に蒸気を供給する供給口がそれぞれ形成されていることを特徴とする、請求項7又は8に記載の基板処理システム。前記成膜装置は、前記犠牲膜用蒸着ヘッドと前記反射防止膜用蒸着ヘッドとの間に設けられ、前記犠牲膜を架橋させる第1の架橋手段と、前記反射防止膜用蒸着ヘッドと前記レジスト膜用蒸着ヘッドとの間に設けられ、前記反射防止膜を架橋させる第2の架橋手段と、を有することを特徴とする、請求項7~9のいずれかに記載の基板処理システム。基板を熱処理する熱処理装置と、前記現像装置における現像処理後、基板上の前記レジストパターンの寸法を測定する寸法測定装置と、前記寸法測定装置での測定結果に基づいて、少なくとも前記成膜装置の処理条件、前記露光装置の処理条件又は前記熱処理装置の処理条件を補正する制御装置と、を有することを特徴とする、請求項6~10のいずれかに記載の基板処理システム。前記成膜装置における成膜処理後、基板上の前記レジスト膜の膜厚を測定する膜厚測定装置と、前記膜厚測定装置での測定結果に基づいて、前記成膜装置の処理条件を補正する制御装置と、を有することを特徴とする、請求項6~10のいずれかに記載の基板処理システム。前記成膜装置の処理条件は、前記分子レジストの蒸気の少なくとも温度又は供給量であることを特徴とする、請求項11又は12に記載の基板処理システム。前記成膜装置の条件は、前記分子レジストの蒸気を搬送するキャリアガスの供給流量であることを特徴とする、請求項11~13のいずれかに記載の基板処理システム。前記成膜装置、前記露光装置及び前記現像装置に基板を搬送するための基板搬送部と、前記基板搬送部に対して基板を搬入出する基板搬入出部と、を有することを特徴とする、請求項6~14のいずれかに記載の基板処理システム。前記成膜装置、前記露光装置及び前記現像装置に基板を搬送するための基板搬送部と、前記基板搬送部に基板を搬入する基板搬入部と、前記基板搬送部から基板を搬出する基板搬出部と、を有することを特徴とする、請求項6~14のいずれかに記載の基板処理システム。前記成膜装置において成膜処理を行う前に、基板の表面を洗浄する前処理装置を有することを特徴とする、請求項6~16のいずれかに記載の基板処理システム。基板上に低分子化合物の分子レジストからなるレジストパターンを形成する基板処理方法であって、真空雰囲気下で、基板上に前記分子レジストの蒸気を供給し、当該分子レジストを基板上に蒸着させてレジスト膜を成膜する成膜工程と、その後、前記レジスト膜を熱処理する第1の熱処理工程と、その後、前記レジスト膜を露光する露光工程と、その後、前記レジスト膜を熱処理する第2の熱処理工程と、その後、前記レジスト膜を現像する現像工程と、その後、前記レジスト膜を熱処理する第3の熱処理工程と、を有することを特徴とする、基板処理方法。前記成膜工程において、真空雰囲気下で、基板の被処理膜上に所定の成膜材料の蒸気を供給し、当該成膜材料を前記被処理膜上に蒸着させて犠牲膜を形成し、その後、真空雰囲気下で、前記犠牲膜上に所定の成膜材料の蒸気を供給し、当該成膜材料を前記犠牲膜上に蒸着させて反射防止膜を形成し、その後、前記反射防止膜上に前記レジスト膜を成膜することを特徴とする、請求項18に記載の基板処理方法。前記成膜工程において、キャリアガスを用いて基板上に蒸気を供給することを特徴とする、請求項19に記載の基板処理方法。前記成膜工程において、前記犠牲膜を形成した後であって前記反射防止膜を形成する前に、前記犠牲膜を架橋させ、前記反射防止膜を形成した後であって前記レジスト膜を形成する前に、前記反射防止膜を架橋させることを特徴とする、請求項19又は20に記載の基板処理方法。前記第3の熱処理工程後、基板上の前記レジストパターンの寸法を測定し、当該測定結果に基づいて、少なくとも前記成膜工程の処理条件、前記露光工程の処理条件、前記第1の熱処理工程の処理条件、前記第2の熱処理工程の処理条件又は前記第3の熱処理工程の処理条件を補正することを特徴とする、請求項18~21のいずれかに記載の基板処理方法。前記成膜工程後、基板上の前記レジスト膜の膜厚を測定し、当該測定結果に基づいて、前記成膜工程の処理条件を補正することを特徴とする、請求項18~21のいずれかに記載の基板処理方法。前記成膜工程の処理条件は、前記分子レジストの蒸気の少なくとも温度又は供給量であることを特徴とする、請求項22又は23に記載の基板処理方法。前記成膜工程の条件は、前記分子レジストの蒸気を搬送するキャリアガスの供給流量であることを特徴とする、請求項22~24のいずれかに記載の基板処理方法。前記成膜工程の前に、基板の表面を洗浄する前処理工程を有することを特徴とする、請求項18~25のいずれかに記載の基板処理方法。請求項18~26のいずれかに記載の基板処理方法を行って基板上にレジストパターンを形成した後、前記レジストパターンをマスクとして基板上の被処理膜をエッチングして、半導体装置を製造することを特徴とする、半導体装置の製造方法。ところで、上述したレジスト塗布処理では、回転中のウェハの中心部にノズルからレジスト液を供給し、遠心力によりウェハ上でレジスト液を拡散することよってウェハ上にレジスト液を塗布する、いわゆるスピン塗布法が多く用いられている。しかしながら、このスピン塗布法を用いて、特許文献1の低分子レジストを溶媒に溶解させたレジスト液をウェハ上に塗布する場合、下記のような懸念がある。すなわち、スピン塗布法を用いた場合、ウェハ上でレジスト液を均一に拡散させるのが困難であり、特にウェハ上にレジスト膜を薄膜状に形成する場合、膜厚を均一に制御することが困難になる。また、低分子レジストは分子鎖の絡まり合いが弱いため、ウェハ上に塗布すると結晶化し易い。この結果、レジストパターンのLERやLWRが増大する。さらに、レジスト液をウェハ上に塗布した後、当該ウェハを熱処理しても、ウェハ上にレジスト液の溶媒が残存する場合がある。かかる場合、後続の露光処理において、残った溶媒によって処理雰囲気の真空度が悪化して、露光処理を適切に行うことができない。本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板上に低分子化合物の分子レジストからなるレジスト膜を適切に成膜することを目的とする。前記の目的を達成するため、本発明は、基板上に低分子化合物の分子レジストからなるレジスト膜を成膜する成膜装置であって、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内に設けられ、基板を保持する保持台と、前記保持台に保持された基板に対して、前記分子レジストの蒸気を供給するレジスト膜用蒸着ヘッドと、前記処理容器内の雰囲気を真空雰囲気に減圧する減圧機構と、を有することを特徴としている。なお、低分子化合物とは、例えば分子量が2000以下の低分子量の化合物をいう。本発明によれば、真空雰囲気下で、基板上に前記分子レジストの蒸気を供給し、当該分子レジストを基板上に蒸着させてレジスト膜を成膜することができる。かかる場合、分子レジストの蒸気の供給量を調節することで、基板上のレジスト膜の膜厚を調節することができ、当該レジスト膜の膜厚を基板面内で均一にすることができる。また、真空雰囲気下で基板上に蒸気を供給するので、分子レジストがアモルファス状態で供給される。このため、分子レジストが低分子化合物であっても、当該分子レジストが結晶化し難い。したがって、基板上のレジスト膜をパターニングしても、レジストパターンのLERやLWRを抑えることができる。さらに、基板上に供給される蒸気には分子レジストを溶解させるための溶媒が含まれていないので、従来のように基板上に溶媒が残存することがない。したがって、後続の露光処理において、残った溶媒によって処理雰囲気の真空度が悪化することがなく、当該露光処理を適切に行うことができる。以上のように本発明によれば、基板上に低分子化合物の分子レジストからなるレジスト膜を適切に成膜することができる。前記成膜装置は、基板上の被処理膜と前記レジスト膜との間に形成され、当該被処理膜をエッチングする際のマスクとなる犠牲膜を形成する成膜材料の蒸気を、前記被処理膜上に供給する犠牲膜用蒸着ヘッドと、前記犠牲膜と前記レジスト膜との間に反射防止膜を形成する成膜材料の蒸気を、前記犠牲膜上に供給する反射防止膜用蒸着ヘッドと、前記保持台に保持された基板を搬送する搬送機構と、を有し、前記犠牲膜用蒸着ヘッド、前記反射防止膜用蒸着ヘッド及び前記レジスト膜用蒸着ヘッドは、基板の搬送方向にこの順で配置されていてもよい。前記レジスト膜用蒸着ヘッド、前記犠牲膜用蒸着ヘッド及び前記反射防止膜用蒸着ヘッドは、キャリアガスを用いて基板上に蒸気を供給してもよい。前記レジスト膜用蒸着ヘッド、前記犠牲膜用蒸着ヘッド及び前記反射防止膜用蒸着ヘッドには、基板の搬送方向と垂直方向に基板の幅以上に長く延伸し、基板上に蒸気を供給する供給口がそれぞれ形成されていてもよい。前記犠牲膜用蒸着ヘッドと前記反射防止膜用蒸着ヘッドとの間に設けられ、前記犠牲膜を架橋させる第1の架橋手段と、前記反射防止膜用蒸着ヘッドと前記レジスト膜用蒸着ヘッドとの間に設けられ、前記反射防止膜を架橋させる第2の架橋手段と、を有していてもよい。別な観点による本発明は、基板上に低分子化合物の分子レジストからなるレジストパターンを形成する基板処理システムであって、基板上にレジスト膜を成膜する成膜装置と、前記成膜されたレジスト膜を露光する露光装置と、前記露光されたレジスト膜を現像する現像装置と、を備え、前記成膜装置は、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内に設けられ、基板を保持する保持台と、前記保持台に保持された基板に対して、前記分子レジストの蒸気を供給するレジスト膜用蒸着ヘッドと、前記処理容器内の雰囲気を真空雰囲気に減圧する減圧機構と、を有することを特徴としている。前記成膜装置は、基板上の被処理膜と前記レジスト膜との間に形成され、当該被処理膜をエッチングする際のマスクとなる犠牲膜を形成する成膜材料の蒸気を、前記被処理膜上に供給する犠牲膜用蒸着ヘッドと、前記犠牲膜と前記レジスト膜との間に反射防止膜を形成する成膜材料の蒸気を、前記犠牲膜上に供給する反射防止膜用蒸着ヘッドと、前記保持台に保持された基板を搬送する搬送機構と、を有し、前記犠牲膜用蒸着ヘッド、前記反射防止膜用蒸着ヘッド及び前記レジスト膜用蒸着ヘッドは、基板の搬送方向にこの順で配置されていてもよい。前記レジスト膜用蒸着ヘッド、前記犠牲膜用蒸着ヘッド及び前記反射防止膜用蒸着ヘッドは、キャリアガスを用いて基板上に蒸気を供給してもよい。前記レジスト膜用蒸着ヘッド、前記犠牲膜用蒸着ヘッド及び前記反射防止膜用蒸着ヘッドには、基板の搬送方向と垂直方向に基板の幅以上に長く延伸し、基板上に蒸気を供給する供給口がそれぞれ形成されていてもよい。前記成膜装置は、前記犠牲膜用蒸着ヘッドと前記反射防止膜用蒸着ヘッドとの間に設けられ、前記犠牲膜を架橋させる第1の架橋手段と、前記反射防止膜用蒸着ヘッドと前記レジスト膜用蒸着ヘッドとの間に設けられ、前記反射防止膜を架橋させる第2の架橋手段と、を有していてもよい。前記基板処理システムは、基板を熱処理する熱処理装置と、前記現像装置における現像処理後、基板上の前記レジストパターンの寸法を測定する寸法測定装置と、前記寸法測定装置での測定結果に基づいて、少なくとも前記成膜装置の処理条件、前記露光装置の処理条件又は前記熱処理装置の処理条件を補正する制御装置と、を有していてもよい。なお、レジストパターンの寸法とは、例えばレジストパターンの高さ、レジストパターンの線幅、レジストパターンのサイドウォールアングル、コンタクトホールの径などである。また、前記基板処理システムは、前記成膜装置における成膜処理後、基板上の前記レジスト膜の膜厚を測定する膜厚測定装置と、前記膜厚測定装置での測定結果に基づいて、前記成膜装置の処理条件を補正する制御装置と、を有していてもよい。前記成膜装置の処理条件は、前記分子レジストの蒸気の少なくとも温度又は供給量であってもよい。また、前記成膜装置の条件は、前記分子レジストの蒸気を搬送するキャリアガスの供給流量であってもよい。前記基板処理システムは、前記成膜装置、前記露光装置及び前記現像装置に基板を搬送するための基板搬送部と、前記基板搬送部に対して基板を搬入出する基板搬入出部と、を有していてもよい。また、前記基板処理システムは、前記成膜装置、前記露光装置及び前記現像装置に基板を搬送するための基板搬送部と、前記基板搬送部に基板を搬入する基板搬入部と、前記基板搬送部から基板を搬出する基板搬出部と、を有していてもよい。前記基板処理システムは、前記成膜装置において成膜処理を行う前に、基板の表面を洗浄する前処理装置を有していてもよい。また別な観点による本発明は、基板上に低分子化合物の分子レジストからなるレジストパターンを形成する基板処理方法であって、真空雰囲気下で、基板上に前記分子レジストの蒸気を供給し、当該分子レジストを基板上に蒸着させてレジスト膜を成膜する成膜工程と、その後、前記レジスト膜を熱処理する第1の熱処理工程と、その後、前記レジスト膜を露光する露光工程と、その後、前記レジスト膜を熱処理する第2の熱処理工程と、その後、前記レジスト膜を現像する現像工程と、その後、前記レジスト膜を熱処理する第3の熱処理工程と、を有することを特徴としている。前記成膜工程において、真空雰囲気下で、基板の被処理膜上に所定の成膜材料の蒸気を供給し、当該成膜材料を前記被処理膜上に蒸着させて犠牲膜を形成し、その後、真空雰囲気下で、前記犠牲膜上に所定の成膜材料の蒸気を供給し、当該成膜材料を前記犠牲膜上に蒸着させて反射防止膜を形成し、その後、前記反射防止膜上に前記レジスト膜を成膜してもよい。前記成膜工程において、キャリアガスを用いて基板上に蒸気を供給してもよい。前記成膜工程において、前記犠牲膜を形成した後であって前記反射防止膜を形成する前に、前記犠牲膜を架橋させ、前記反射防止膜を形成した後であって前記レジスト膜を形成する前に、前記反射防止膜を架橋させてもよい。前記第3の熱処理工程後、基板上の前記レジストパターンの寸法を測定し、当該測定結果に基づいて、少なくとも前記成膜工程の処理条件、前記露光工程の処理条件、前記第1の熱処理工程の処理条件、前記第2の熱処理工程の処理条件又は前記第3の熱処理工程の処理条件を補正してもよい。また、前記成膜工程後、基板上の前記レジスト膜の膜厚を測定し、当該測定結果に基づいて、前記成膜工程の処理条件を補正してもよい。前記成膜工程の処理条件は、前記分子レジストの蒸気の少なくとも温度又は供給量であってもよい。また、前記成膜工程の条件は、前記分子レジストの蒸気を搬送するキャリアガスの供給流量であってもよい。前記基板処理方法は、前記成膜工程の前に、基板の表面を洗浄する前処理工程を有していてもよい。さらに別な観点による本発明は、前記基板処理方法を行って基板上にレジストパターンを形成した後、前記レジストパターンをマスクとして基板上の被処理膜をエッチングして、半導体装置を製造することを特徴としている。本発明によれば、基板上に低分子化合物の分子レジストからなるレジスト膜を適切に成膜することができる。以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は本実施の形態にかかる基板処理システムとしてのウェハ処理システム1の構成の概略を示す平明図である。実施の形態のウェハ処理システム1では、基板としてのウェハW上にフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハW上にレジストパターンを形成する。また、ウェハ処理システム1で処理されるウェハW上には、後述するように予め被処理膜、例えばシリコン窒化膜SiNとシリコン酸化膜SiO2が形成されている。なお、本実施の形態で用いられるレジストは、いわゆる化学増幅型のレジストであって、感光性を有している。また、本実施の形態で用いられるレジストは、後述するように例えば分子量が2000以下、より好ましくは分子量が1000以下の低分子化合物の分子レジスト以下、低分子レジストという場合がある。である。ウェハ処理システム1は、図1に示すように例えば複数のウェハWをカセット単位で外部とウェハ処理システム1との間で搬入出したり、カセットCや後述する主搬送室20に対してウェハWを搬入出したりする基板搬入出部としての搬入出ステーション2と、ウェハWに対して枚葉式に所定の処理を行う複数の処理装置を備えた処理ステーション3とを一体に接続した構成を有している。搬入出ステーション2には、カセット載置台10が設けられている。カセット載置台10は、複数のカセットCをX方向図1中の上下方向に一列に載置自在になっている。すなわち、搬入出ステーション2は、複数のウェハWを保有可能に構成されている。搬入出ステーション2において、カセット載置台10のY方向正方向図1中の右方向側には、搬送室11が隣接されている。搬送室11には、X方向に延伸する搬送路12上を移動可能なウェハ搬送体13が設けられている。ウェハ搬送体13は、水平方向に伸縮自在、且つ鉛直方向及び鉛直周りθ方向にも移動自在であり、カセットCと後述する処理ステーション3のロードロック室21、22との間でウェハWを搬送できる。処理ステーション3の中央部には、内部を減圧可能な基板搬送部としての主搬送室20が設けられている。主搬送室20は、例えば平面視において略多角形状図示の例では八角形状に形成され、その周囲にロードロック室21、22と、例えば7つの処理装置23、24、25、26、27、28、29が接続されている。ロードロック室21、22と、処理装置23、24、25、26、27、28、29は、平面視において、主搬送室20の周囲に時計回転方向にこの順で並ぶように配置されている。搬送室11とロードロック室21、22との間、主搬送室20と各ロードロック室21、22及び各処理装置23~29との間には、これらの間を気密にシールし、かつ開閉可能に構成されたゲートバルブ30がそれぞれ設けられている。主搬送室20は、内部を密閉可能な構造の搬送室チャンバ40を有している。搬送室チャンバ40内には、ウェハWを搬送するウェハ搬送機構41が設けられている。ウェハ搬送機構41は、ウェハWを略水平に保持する2つの搬送アーム42、42を有している。各搬送アーム42は、水平方向に伸縮自在、且つ鉛直方向及び鉛直周りθ方向に移動自在に構成されている。そして、ウェハ搬送機構41は、主搬送室20の周囲のロードロック室21、22及び処理装置23~29に対してウェハWを搬送することができる。ロードロック室21、22は、主搬送室20と搬入出ステーション2との搬送室11の間に配置され、主搬送室20と搬送室11を接続している。ロードロック室21、22は、ウェハWの載置部図示せずを有し、室内を減圧雰囲気に維持できる。なお、以下において、ロードロック室21を第1のロードロック室21といい、ロードロック室22を第2のロードロック室22という場合がある。処理装置23は、ウェハWの表面被処理膜が形成された表面を洗浄する前処理装置23である。前処理装置23では、例えばウェハWの表面に紫外線を照射する。そして、この紫外線によってウェハW上の有機物等が除去され、当該ウェハWの表面が洗浄される。なお、ウェハWの表面の洗浄は、例えばアルゴンガス等の処理ガスをプラズマ化し、当該プラズマをウェハWの表面に供給して行ってもよい。処理装置24、25は、ウェハWを熱処理する熱処理装置24、25である。熱処理装置24、25は、例えばウェハWを載置して加熱する熱板図示せずと、ウェハWを載置して冷却する冷却板図示せずを有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。また、熱処理装置24、25における熱処理温度は、例えば後述する制御装置100により制御される。処理装置26は、ウェハW上にレジスト膜を成膜する成膜装置26である。成膜装置26の構成については後述する。処理装置27は、ウェハW上のレジスト膜を露光処理する露光装置27である。露光装置27は、EUV波長13nm~14nmを出力する光源図示せずを有している。そして、露光装置27では、ウェハW上のレジスト膜にEUVが照射され、当該レジスト膜に所定のパターンが選択的に露光される。処理装置28は、ウェハW上のレジスト膜を現像処理する現像装置28である。現像装置28では、例えば露光装置27で露光されたウェハW上のレジスト膜に現像液を供給する。そして、この現像液によってレジスト膜が現像され、ウェハW上にレジストパターンが形成される。なお、現像装置28では、上述した現像液によるウェット現像に代えて、例えばプラズマ状の現像液を用いたドライ現像を行ってもよい。すなわち、現像装置28内の現像処理は、大気雰囲気下で行われる場合もあれば、所定の真空雰囲気下で行われる場合もある。したがって、現像処理が大気雰囲気下で行われる場合には、必ずしもウェハWを真空雰囲気下で搬送する必要はなく、当該現像処理をウェハ処理システム1の外部で行ってもよい。処理装置29は、ウェハW上のレジストパターンの寸法を測定する寸法測定装置29である。寸法測定装置29では、例えばスキャトロメトリScatterometry法を用いてレジストパターンの寸法を測定する。スキャトロメトリ法は、測定対象のウェハWのレジストパターンに光を照射することで検出されるウェハ面内の光強度分布と、予め記憶されている仮想の光強度分布とをマッチングし、光強度分布が適合した仮想のレジストパターンの寸法を実際のレジストパターンの寸法と推定する方法である。なお、本実施の形態においては、レジストパターンの寸法として、例えばレジストパターンの高さが測定される。次に、上述した成膜装置26の構成について説明する。成膜装置26は、図2に示すようにウェハWを収容し、内部を密閉可能な構造の処理容器50を有している。処理容器50の主搬送室20側の側面には、ウェハWを搬入出するための搬入出口51が形成されている。搬入出口51には、上述したゲートバルブ30が設けられている。処理容器50の底面には、当該処理容器50の内部の雰囲気を所定の真空雰囲気まで減圧するための吸気口52が形成されている。吸気口52には、例えば真空ポンプ53に連通する吸気管54が接続されている。なお、本実施の形態においては、吸気口52、真空ポンプ53及び吸気管54が本発明の減圧機構を構成している。処理容器50の内部には、ウェハWを水平に保持する保持台60が設けられている。保持台60は、例えば静電吸着によってウェハWを保持する。また、ウェハWは、被処理膜が形成された表面を上に向けたフェースアップの状態で保持台60に保持される。保持台60の下方には、例えばモータ等を内蔵した駆動部61が設けられている。駆動部61は、処理容器50の底面に設けられ、Y方向に沿って延伸するレール62に取り付けられている。この駆動部61により、保持台60はレール62に沿って移動し、ウェハWを搬送できる。なお、本実施の形態では、レール62が延伸するY方向がウェハWの搬送方向Lとなる。また、本実施の形態においては、駆動部61とレール62が本発明の搬送機構を構成している。処理容器50の天井面には、3つの蒸着ヘッド70、71、72が、ウェハWの搬送方向Lにこの順で並べて配置されている。蒸着ヘッド70は、キャリアガスを用いて、ウェハW上の被処理膜をエッチングする際のマスクとなる犠牲膜を形成する成膜材料以下、犠牲膜用材料という場合がある。の蒸気を、被処理膜上に供給する犠牲膜用蒸着ヘッド70である。犠牲膜用材料には、犠牲膜用蒸着ヘッド70からウェハW上に供給できる程度に低分子量の化合物であって、且つ被処理膜に対して良好なエッチング選択比を確保できる材料が用いられ、例えばベンゼン環を有する分子化合物が用いられる。なお、本実施の形態では、成膜装置26で成膜されるレジスト膜の膜厚が薄いため、当該レジスト膜に形成されるレジストパターンをマスクとすると、被処理膜を適切にエッチングできない場合がある。このため、レジストパターンを補完して被処理膜のマスクとして用いるために、本実施の形態では犠牲膜を別途形成している。犠牲膜用蒸着ヘッド70には、当該犠牲膜用蒸着ヘッド70に犠牲膜用材料の蒸気を供給する蒸気供給源73が、蒸気供給管74を介して接続されている。蒸気供給管74には、犠牲膜用材料の蒸気の流れを制御するバルブや供給量調節部等を含む供給機器群75が設けられている。なお、蒸気供給源73には、当該蒸気供給源73内にキャリアガスを供給するためのキャリアガス供給管73aが接続されている。キャリアガスには、例えば不活性ガスが用いられる。そして、キャリアガス供給管73aから蒸気供給源73内に供給されたキャリアガスは犠牲膜用材料の蒸気と所定の濃度で均一に混合される。またこのキャリアガスによって、犠牲膜用材料の蒸気は、犠牲膜用蒸着ヘッド70に供給され、さらに犠牲膜用蒸着ヘッド70から被処理膜上に供給される。蒸着ヘッド71は、キャリアガスを用いて、露光処理時の光の反射を防止するための反射防止膜を形成する成膜材料以下、反射防止膜用材料という場合がある。の蒸気を犠牲膜上に供給する反射防止膜用蒸着ヘッド71である。反射防止膜用蒸着ヘッド71には、当該反射防止膜用蒸着ヘッド71に反射防止膜用材料の蒸気を供給する蒸気供給源76が、蒸気供給管77を介して接続されている。蒸気供給管77には、反射防止膜用材料の蒸気の流れを制御するバルブや供給量調節部等を含む供給機器群78が設けられている。なお、蒸気供給源76には、当該蒸気供給源76内にキャリアガスを供給するためのキャリアガス供給管76aが接続されている。キャリアガスには、例えば不活性ガスが用いられる。そして、キャリアガス供給管76aから蒸気供給源76内に供給されたキャリアガスは反射防止膜用材料の蒸気と所定の濃度で均一に混合される。またこのキャリアガスによって、反射防止膜用材料の蒸気は、反射防止膜用蒸着ヘッド71に供給され、さらに反射防止膜用蒸着ヘッド71から犠牲膜上に供給される。蒸着ヘッド72は、キャリアガスを用いて、低分子レジストの蒸気を反射防止膜上に供給するレジスト膜用蒸着ヘッド72である。低分子レジストは、上述したように例えば分子量が2000以下、より好ましくは分子量が1000以下の低分子量の化合物である。レジスト膜用蒸着ヘッド72には、当該レジスト膜用蒸着ヘッド72に低分子レジストの蒸気を供給する蒸気供給源79が、蒸気供給管80を介して接続されている。蒸気供給管80には、低分子レジストの蒸気の流れを制御するバルブや供給量調節部等を含む供給機器群81が設けられている。なお、蒸気供給源79には、当該蒸気供給源79内にキャリアガスを供給するためのキャリアガス供給管79aが接続されている。キャリアガスには、例えば不活性ガスが用いられる。そして、キャリアガス供給管79aから蒸気供給源79内に供給されたキャリアガスは低分子レジストの蒸気と所定の濃度で均一に混合される。またこのキャリアガスによって、低分子レジストの蒸気は、レジスト膜用蒸着ヘッド72に供給され、さらにレジスト膜用蒸着ヘッド72から反射防止膜上に供給される。蒸着ヘッド70、71、72は、図2及び図3に示すように略直方体形状を有し、ウェハWの搬送方向Lと垂直方向図中のX方向にそれぞれ延伸している。また、蒸着ヘッド70、71、72の下面には、ウェハW上に成膜材料犠牲膜材料、反射防止膜用材料、低分子レジストの蒸気を供給する供給口82がそれぞれ形成されている。各供給口82は、ウェハWの搬送方向Lと垂直方向図中のX方向にウェハWのX方向の幅以上に長く延伸している。かかる構成により、蒸気ヘッド70、71、72から成膜材料の蒸気がウェハWの幅方向に均一に供給される。なお、図3では犠牲膜用蒸着ヘッド70を図示したが、反射防止膜用蒸着ヘッド71とレジスト膜用蒸着ヘッド72も同様の構成を有している。そして、保持台60に保持したウェハWを搬送方向Lに沿って搬送しながら、蒸着ヘッド70、71、72から犠牲膜用材料の蒸気、反射防止膜用材料の蒸気、低分子レジストの蒸気をウェハW上に順次供給することにより、ウェハWの被処理膜上に犠牲膜、反射防止膜、レジスト膜がこの順で成膜される。このとき、蒸着ヘッド70、71、72はキャリアガスを用いて成膜材料の蒸気を供給しているので、当該成膜材料の蒸気はウェハW上に均一に供給される。したがって、ウェハWの被処理膜上に犠牲膜、反射防止膜、レジスト膜をそれぞれ均一に成膜することができる。なお、蒸着ヘッド70、71、72とウェハWとの間の距離を短くすることにより、成膜材料の蒸気を効率よく使用することができる。処理容器50の天井面には、図2に示すように犠牲膜用蒸着ヘッド70と前記反射防止膜用蒸着ヘッド71との間において、ウェハW上の犠牲膜を架橋させるため、当該犠牲膜に電子ビームを照射する第1の架橋手段としての第1の電子ビーム照射部90が設けられている。また、反射防止膜用蒸着ヘッド71とレジスト膜用蒸着ヘッド72との間には、ウェハW上の反射防止膜を架橋させるため、当該反射防止膜に電子ビームを照射する第2の架橋手段としての第2の電子ビーム照射部91が設けられている。第1の電子ビーム照射部90と第2の電子ビーム照射部91は、それぞれウェハWの搬送方向Lと垂直方向図中のX方向にウェハWのX方向の幅以上に長く延伸している。かかる構成により、第1の電子ビーム照射部90及び第2の電子ビーム照射部91からの電子ビームがウェハWの幅方向に均一に照射される。なお、本実施の形態では、第1の電子ビーム照射部90と第2の電子ビーム照射部91からそれぞれ犠牲膜と反射防止膜に電子ビームを照射していたが、犠牲膜と反射防止膜を架橋させることができれば、電子ビーム以外の他の手段を用いることができる。例えば犠牲膜と反射防止膜に対して、紫外線を照射してもよいし、他の電子線等の荷電粒子線などを照射してもよい。以上のウェハ処理システム1には、図1に示すように制御装置100が設けられている。制御装置100は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部図示せずを有している。プログラム格納部には、ウェハ処理システム1におけるウェハ処理を実行するプログラムが格納されている。なお、このプログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスクHD、フレキシブルディスクFD、コンパクトディスクCD、マグネットオプティカルデスクMO、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御装置100にインストールされたものであってもよい。次に、以上のように構成されたウェハ処理システム1で行われるウェハ処理について説明する。図4は、ウェハ処理の主な工程におけるウェハWの状態を示している。なお、図4aに示すようにウェハ処理システム1で処理されるウェハW上には、予め被処理膜Fが形成されている。被処理膜Fは、上述したように例えばシリコン窒化膜SiNとシリコン酸化膜SiO2である。先ず、ウェハ搬送体13によって、搬入出ステーション2のカセット載置台10上のカセットCからウェハWが取り出され、第1のロードロック室21に搬送される。その後、第1のロードロック室21の搬入出ステーション2側のゲートバルブ30を閉じる。そして、第1のロードロック室21内を排気して、内部を所定の真空雰囲気まで減圧する。その後、主搬送室20と第1のロードロック室21との間のゲートバルブ30を開き、ウェハ搬送機構41によって第1のロードロック室21内のウェハWが主搬送室20に搬送される。このとき、主搬送室20内の雰囲気は、所定の真空雰囲気に維持されている。ウェハWが主搬送室20内に搬送されると、主搬送室20と第1のロードロック室21との間のゲートバルブ30を閉じる。なお、その後、各処理装置23~29においてウェハWに所定の処理が行われるが、これら処理装置23~29へのウェハWの搬送はウェハ搬送機構41によって行われる。そして、ウェハ搬送機構41が各処理装置23~29に対してウェハWを搬入出する際には、その都度、ゲートバルブ30の開閉が行われる。以下においては、主搬送室20と各処理装置23~29との間のゲートバルブ30の開閉の説明を省略する。その後、ウェハ搬送機構41によって、主搬送室20内のウェハWが前処理装置23に搬送される。前処理装置23では、ウェハWの表面に紫外線が照射される。そして、ウェハW上、すなわちウェハWの被処理膜F上の有機物等が除去され、当該ウェハWの表面が洗浄される。その後、ウェハ搬送機構41によって、前処理装置23内のウェハWが主搬送室20を通って成膜装置26に搬送される。成膜装置26に搬送されたウェハWは、被処理膜Fが形成された表面を上に向けた状態で保持台60に保持される。そして、保持台60に保持されたウェハWは、搬送方向Lに沿って搬送される。なお、成膜装置26においてウェハWを処理する間、当該成膜装置26の処理容器50内の雰囲気は、真空ポンプ53によって所定の真空雰囲気に維持されている。成膜装置26では、先ず、搬送中のウェハWの被処理膜F上に、犠牲膜用蒸着ヘッド70から犠牲膜用材料の蒸気が供給される。そして、図4bに示すように犠牲膜用材料が被処理膜F上に蒸着して犠牲膜Hが形成される。続いて、犠牲膜Hに第1の電子ビーム照射部90から電子ビームが照射され、当該犠牲膜H中の犠牲膜用材料が架橋する。こうして、被処理膜F上に犠牲膜Hが適切に形成される。続いて、ウェハWの犠牲膜H上に、反射防止膜用蒸着ヘッド71から反射防止膜用材料の蒸気が供給される。そして、図4cに示すように反射防止膜用材料が犠牲膜H上に蒸着して反射防止膜Bが形成される。続いて、反射防止膜Bに第2の電子ビーム照射部91から電子ビームが照射され、当該反射防止膜B中の反射防止膜用材料が架橋する。こうして、犠牲膜H上に反射防止膜Bが適切に形成される。その後、ウェハWの反射防止膜B上に、レジスト膜用蒸着ヘッド72から低分子レジストの蒸気が供給される。そして、図4dに示すように低分子レジストが反射防止膜B上に蒸着してレジスト膜Rが形成される。なお、成膜装置26において、蒸着ヘッド70、71、72から供給される蒸気の供給量は、犠牲膜Hの膜厚、反射防止膜Bの膜厚、レジスト膜Rの膜厚がそれぞれ所定の膜厚になるように調節されている。ウェハW上にレジスト膜Rが形成されると、ウェハ搬送機構41によって、成膜装置26内のウェハWが主搬送室20を通って熱処理装置24に搬送される。熱処理装置24では、ウェハWが加熱処理され、いわゆるプリベーキング処理PAB処理が行われる。その後、ウェハ搬送機構41によって、熱処理装置24内のウェハWが主搬送室20を通って露光装置27に搬送される。露光装置27では、ウェハW上のレジスト膜RにEUVが照射され、当該レジスト膜Rに所定のパターンが選択的に露光される。その後、ウェハ搬送機構41によって、露光装置27内のウェハWが主搬送室20を通って熱処理装置25に搬送される。熱処理装置25では、ウェハWが加熱処理され、いわゆるポストエクスポージャーベーキング処理PEB処理が行われる。その後、ウェハ搬送機構41によって、熱処理装置25内のウェハWが主搬送室20を通って現像装置28に搬送される。現像装置28では、露光されたレジスト膜Rに現像液が供給され、当該レジスト膜Rが現像される。こうして、図4eに示すようにウェハWの反射防止膜B上にレジストパターンPが形成される。その後、ウェハ搬送機構41によって、現像装置28内のウェハWが主搬送室20を通って熱処理装置25に搬送される。熱処理装置25では、ウェハWが加熱処理され、いわゆるポストベーキング処理POST処理が行われる。その後、ウェハ搬送機構41によって、熱処理装置25内のウェハWが主搬送室20を通って寸法測定装置29に搬送される。寸法測定装置29では、スキャトロメトリ法によりウェハW上のレジストパターンPの高さが測定される。寸法測定装置29の測定結果は、制御装置100に出力される。制御装置100では、測定されたレジストパターンPの高さが所望の高さになっていない場合に、当該測定結果に基づいて、成膜装置26の処理条件を補正する。具体的には、レジスト膜用蒸着ヘッド72から供給される低分子レジストの蒸気の温度と供給量が補正される。なお、低分子レジストの蒸気の温度又は供給量のいずれか一方のみを補正してもよい。こうして成膜装置26の処理条件がフィードバック制御される。そして、補正後の処理条件で後続のウェハWが処理されて、当該ウェハW上にレジスト膜Rが適切な膜厚で成膜される。その後、ウェハ搬送機構41によって、寸法測定装置29内のウェハWが主搬送室20を通って第2のロードロック室22に搬送される。このとき、第2のロードロック室22の内部は、所定の真空雰囲気まで減圧されている。その後、ウェハ搬送体13によって、搬入出ステーション2のカセット載置台10上のカセットCにウェハWが搬送される。こうして、ウェハ処理システム1における一連のウェハ処理が終了する。以上の実施の形態によれば、成膜装置26において、真空雰囲気下で、レジスト膜用蒸着ヘッド72からウェハW上に低分子レジストの蒸気を供給し、当該低分子レジストをウェハW上に蒸着させてレジスト膜Rを成膜することができる。かかる場合、低分子レジストの蒸気の供給量を調節することで、ウェハW上のレジスト膜Rの膜厚を調節することができ、当該レジスト膜Rの膜厚をウェハ面内で均一にすることができる。また、レジスト用蒸着ヘッド72の供給口82がウェハWの幅以上に長く延伸しているので、低分子レジストの蒸気がウェハWの幅方向に均一に供給される。したがって、レジスト膜Rの膜厚をウェハ面内でより均一にすることができる。また、成膜装置26において、真空雰囲気下でウェハW上に低分子レジストの蒸気を供給するので、低分子レジストがアモルファス状態で供給される。このため、分子レジストが低分子化合物であっても、当該低分子レジストが結晶化し難い。したがって、その後ウェハW上に形成されるレジストパターンPのLERやLWRを抑えることができる。さらに、成膜装置26において、ウェハW上に供給される低分子レジストの蒸気には分子レジストを溶解させるための溶媒が含まれていないので、従来のようにウェハW上に溶媒が残存することがない。したがって、後続の露光装置27における露光処理において、残った溶媒によって処理雰囲気の真空度が悪化することがなく、当該露光処理を適切に行うことができる。また、成膜装置26では、ウェハWの被処理膜F上に犠牲膜H、反射防止膜B、レジスト膜Rが順次形成される。このように一の装置で異なる種類の膜を形成することができるので、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。しかも、これら犠牲膜H、反射防止膜B、レジスト膜Rは、それぞれ犠牲膜用材料の蒸気、反射防止膜用材料の蒸気、低分子レジストの蒸気を用いて形成される。すなわち、これらの膜を成膜するために、成膜材料の溶媒が用いられない。したがって、一の膜の成膜材料の溶媒が他の膜にダメージを与えることが無く、犠牲膜H、反射防止膜B、レジスト膜Rを適切に積層することがでる。また、これら犠牲膜H、反射防止膜B、レジスト膜Rの層間の界面も明確にできる。また、成膜装置26では、ウェハW上の犠牲膜Hと反射防止膜Bに電子ビームを照射するので、これら犠牲膜Hと反射防止膜Bを架橋させることができる。したがって、犠牲膜Hと反射防止膜Bを適切に成膜することができる。また、ウェハ処理システム1は、上述した成膜装置26を有しているので、ウェハW上にレジストパターンPを適切に形成できる。さらに、ウェハ処理システム1は、ウェハ処理を行う各種処理装置23~29を主搬送室20に接続した構成を有しているので、当該ウェハ処理を効率よく行うことができる。また、ウェハ処理システム1では、当該ウェハ処理システム1でウェハW上に形成されたレジストパターンPの高さに基づき、成膜装置26の処理条件をフィードバック制御しているので、後続のウェハWを適切に処理することができる。これによって、製品である半導体装置の歩留まりを向上させることができる。以上の実施の形態では、寸法測定装置29において、ウェハW上のレジストパターンPの高さを測定していたが、レジストパターンPの他の寸法を測定してもよい。例えばレジストパターンPの線幅、レジストパターンPのサイドウォールアングル、コンタクトホールの径などを測定してもよい。いずれのレジストパターンの寸法を測定しても、当該測定結果に基づいて、成膜装置26の処理条件をフィードバック制御できる。また、以上の実施の形態では、寸法測定装置29におけるレジストパターンPの寸法の測定結果に基づいて、成膜装置26の処理条件を補正していたが、例えば熱処理装置24、25の処理条件や露光装置29の処理条件を補正してもよい。熱処理条件24、25の処理条件とは、例えばウェハWの熱処理温度や熱処理時間等である。また、露光装置29の処理条件とは、例えば露光量露光光源の光のドーズ量や露光処理時のフォーカス値等である。また、これら成膜装置26の処理条件、熱処理装置24、25の処理条件、露光装置29の処理条件のうち、いずれか一つの処理条件を補正してもよいし、複数の処理条件を補正してもよい。以上の実施の形態のウェハ処理システム1は、ウェハW上のレジストパターンPの寸法を測定する寸法測定装置29を有していたが、図5に示すようにウェハW上のレジスト膜Rの膜厚を測定する膜厚測定装置110を有していてもよい。なお、図示の例においては、寸法測定装置29に代えて膜厚測定装置110を配置したが、ウェハ処理システム1内に寸法測定装置29と膜厚測定装置110を両方設けてもよい。膜厚測定装置110は、例えばエリプソメトリEllipsometry法を用いてレジスト膜Rの寸法を測定する。エリプソメトリ法は、測定対象のウェハWのレジスト膜Rに光を照射して、光が反射する際の入射と反射の偏光状態の変化を測定し、当該測定結果からレジスト膜Rの膜厚を算出する方法である。そして、成膜装置26でウェハW上にレジスト膜Rが形成されると、膜厚測定装置110においてレジスト膜Rの膜厚が測定される。この膜厚測定装置110の測定結果は、制御装置100に出力される。制御装置100では、測定されたレジスト膜Rの膜厚が所望の膜厚になっていない場合に、当該測定結果に基づいて、成膜装置26の処理条件を補正する。具体的には、レジスト膜用蒸着ヘッド72から供給される低分子レジストの蒸気の少なくとも温度又は供給量が補正される。あるいは、成膜装置26の処理条件として、低分子レジストの蒸気を搬送するための供給流量を補正してもよい。こうして成膜装置26の処理条件がフィードバック制御される。そして、補正後の処理条件で後続のウェハWが処理されて、当該ウェハW上にレジスト膜Rが適切な膜厚で成膜される。以上の実施の形態のウェハ処理システム1の搬入出ステーション2は、処理ステーション3に対してウェハWを搬入出していたが、処理ステーションに対するウェハWの搬入部と搬出部を分離し、ウェハWを一方向に搬送しながらウェハ処理を行ってもよい。かかる場合、図6に示すようにウェハ処理システム200は、複数のウェハWを外部からウェハ処理システム200に搬入したり、後述する主搬送室210にウェハWを搬入したりする基板搬入部としての搬入ステーション201と、ウェハWに対して枚葉式に所定の処理を行う複数の処理装置を備えた処理ステーション202と、複数のウェハWをウェハ処理システム200から外部に搬出したり、後述する主搬送室210からウェハWを搬出したりする基板搬出部としての搬出ステーション203と、をY方向に一体に接続した構成を有している。搬入ステーション201の構成と搬出ステーション203の構成は、それぞれ上記実施の形態の搬入出ステーション2と同様の構成であるので説明を省略する。処理ステーション202には、内部を減圧可能な基板搬送部としての主搬送室210が設けられている。主搬送室210は、例えば平面視において略長方形に形成されている。主搬送室210と搬入ステーション201との間には第1のロードロック室21が設けられ、主搬送室210と搬出ステーション203との間には第2のロードロック室22が設けられている。また、主搬送室210のX方向正方向図6中の上方向側には、前処理装置23、成膜装置26、露光装置27、現像装置28が搬入ステーション201側からこの順で設けられている。主搬送室210のX方向負方向図6中の下方向側には、熱処理装置24、25、25、寸法測定装置29が搬入ステーション201側からこの順で設けられている。搬送室11とロードロック室21、22との間、主搬送室210と各ロードロック室21、22及び各処理装置23~29との間には、これらの間を気密にシールし、かつ開閉可能に構成されたゲートバルブ30がそれぞれ設けられている。なお、これらロードロック室21、22と処理装置23~29の構成は上記実施の形態と同様であるので説明を省略する。主搬送室210は、内部を密閉可能な構造の搬送室チャンバ211を有している。搬送室チャンバ211内には、ウェハWを搬送するウェハ搬送機構212が設けられている。ウェハ搬送機構212は、例えば水平方向に伸縮自在、且つ鉛直方向及び鉛直周りθ方向に移動自在な搬送アームを有している。そして、ウェハ搬送機構212は、搬送室チャンバ211内を移動し、主搬送室20の周囲のロードロック室21、22及び処理装置23~29に対してウェハWを搬送することができる。以上の構成を有するウェハ処理システム200では、先ず、搬入ステーション201のウェハ搬送体13によって、カセット載置台10上のカセットCからウェハWが取り出され、第1のロードロック室21に搬送される。続いて、ウェハ搬送機構212によって、第1のロードロック室21内のウェハWが主搬送室210内に搬送される。主搬送室210に搬送されたウェハWには各処理装置23~29において所定の処理が行われ、当該ウェハW上にレジストパターンPが形成される。なお、これら処理装置23~29における所定の処理は上記実施の形態のウェハ処理と同様であるので説明を省略する。その後、ウェハ搬送機構212によって、主搬送室210内のウェハWが第2のロードロック室22に搬送される。続いて、搬出ステーション203のウェハ搬送体13によって、カセット載置台10上のカセットCにウェハWが搬送される。こうして、ウェハ処理システム1における一連のウェハ処理が終了する。本実施の形態のウェハ処理システム200においても、ウェハW上にレジスト膜Rを適切に成膜できると共にレジストパターンPを適切に形成することができ、上記実施の形態と同様の効果を享受できる。なお、以上の実施の形態のウェハ処理システム1、200において、処理装置の配置や数は任意に設定することができる。例えば処理ステーション3、202では、各処理に要する処理時間に応じて各処理装置の数を変更してもよい。また、処理ステーション3、202において、精度の高い温度管理下でウェハWの温度を調節する高精度温度調節装置などの他の処理装置を配置してもよい。また、成膜装置26の構成は上記実施の形態の構成に限定されず、真空雰囲気下で低分子レジストを蒸着させるものであればよい。例えば図7に示すように成膜装置250は、ウェハWを収容し、内部を密閉可能な構造の処理容器260を有している。処理容器260の主搬送室20側の側面には、ウェハWを搬入出するための搬入出口261が形成されている。搬入出口261には、上述したゲートバルブ30が設けられている。処理容器260の天井面には、当該処理容器260の内部の雰囲気を所定の真空雰囲気まで減圧するための吸気口262が形成されている。吸気口262には、例えば真空ポンプ263に連通する吸気管264が接続されている。また、処理容器260内の天井面には、ウェハWを水平に保持する保持台270が設けられている。保持台270は、例えば静電吸着によってウェハWを保持する。また、ウェハWは、被処理膜Fが形成された表面を下に向けたフェースダウンの状態で保持台270に保持される。保持台270の下方には、いわゆるポイントソース型の蒸着ヘッド280が設けられている。蒸着ヘッド280には、当該蒸着ヘッド280に低分子レジストの蒸気を供給する蒸気供給源281が、蒸気供給管282を介して接続されている。蒸気供給管282には、低分子レジストの蒸気の流れを制御するバルブや供給量調節部等を含む供給機器群283が設けられている。そして、成膜装置250において、保持台270にウェハWが保持されると、処理容器260内の雰囲気が真空ポンプ263によって所定の真空雰囲気に維持される。その後、蒸着ヘッド280からウェハWに低分子レジストの蒸気が供給される。そして、低分子レジストがウェハW上に蒸着してレジスト膜Rが形成される。なお、成膜装置250ではウェハWが保持台270にフェースダウンの状態で保持されるため、ウェハ処理システム1、200にはウェハWの表裏面を反転させる反転機構が設けられる。また、本実施の形態では、成膜装置250においてウェハW上にレジスト膜Rを形成したが、上記実施の形態と同様にウェハW上に犠牲膜Hと反射防止膜Bを形成する場合には、成膜装置250と同様の構成の成膜装置が別途設けられる。すなわち、犠牲膜Hを成膜するための成膜装置と反射防止膜Bを成膜するための成膜装置が別途設けられる。なお、以上のようにウェハ処理システム1、200では、ウェハW上にレジストパターンPが形成される。その後、ウェハ処理システム1の外部において、レジストパターンPをマスクとしてウェハW上の被処理膜Fがエッチングされる。こうして、半導体装置が製造される。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のFPDフラットパネルディスプレイ、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。