被写体からの光を集光するマイクロレンズと、前記マイクロレンズにより集光された被写体光を受光することにより位相差検出による合焦判定を行うための信号を生成する受光素子と、前記マイクロレンズと前記受光素子との間に配置されて前記被写体光の一部を遮光して前記被写体光を瞳分割する遮光部とを具備し、前記遮光部は、前記マイクロレンズを通過した被写体光の結像点の位置と前記遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の変化に応じて離れるように設定される撮像素子。1つの前記マイクロレンズと1つの受光素子と1つの前記遮光部とが、1つの位相差検出画素を構成し、隣接または近接する2つの前記位相差検出画素を前記位相差を検出するための一対の位相差検出画素とし、前記一対の位相差検出画素のうちの一方の位相差検出画素が受光する光の射出瞳における重心位置は、像高にかかわらず前記一方の位相差検出画素において前記射出瞳の中心からの位置が略同じ位置となり、前記一対の位相差検出画素のうちの他方の位相差検出画素が受光する光の射出瞳における重心位置は、像高にかかわらず前記他方の位相差検出画素において前記射出瞳の中心からの位置が略同じ位置となる請求項1記載の撮像素子。前記遮光部は、前記結像点の位置と前記端部の位置とが像高の増加に応じて離れるように設定される請求項1記載の撮像素子。1つの前記マイクロレンズと1つの前記受光素子と1つの前記遮光部とが、1つの位相差検出画素を構成し、隣接または近接する2つの前記位相差検出画素を前記位相差検出を行うための一対の位相差検出画素とし、前記一対の位相差検出画素のうちの一方の位相差検出画素の前記遮光部は、前記一対の位相差検出画素における瞳分割方向の一方に向けて、前記一方の位相差検出画素における前記結像点の位置と、前記一方の位相差検出画素における前記遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の増加に応じて離れるように設定され、前記一対の位相差検出画素のうちの他方の位相差検出画素の前記遮光部は、前記一対の位相差検出画素における瞳分割方向の他方に向けて、前記他方の位相差検出画素における前記結像点の位置と、前記他方の位相差検出画素における前記遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の増加に応じて離れるように設定される請求項3記載の撮像素子。前記遮光部は、前記結像点の位置と前記端部の位置とが像高の増加に応じて近づくように設定される請求項1記載の撮像素子。1つの前記マイクロレンズと1つの前記受光素子と1つの前記遮光部とが、1つの位相差検出画素を構成し、隣接または近接する2つの前記位相差検出画素を前記位相差を検出するための一対の位相差検出画素とし、前記一対の位相差検出画素のうちの一方の位相差検出画素の前記遮光部は、前記一対の位相差検出画素における瞳分割方向の一方に向けて、前記一方の位相差検出画素における前記結像点の位置と、前記一方の位相差検出画素における前記遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の増加に応じて近づくように設定され、前記一対の位相差検出画素のうちの他方の位相差検出画素の前記遮光部は、前記一対の位相差検出画素における瞳分割方向の他方に向けて、前記他方の位相差検出画素における前記結像点の位置と、前記他方の位相差検出画素における前記遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の増加に応じて近づくように設定される請求項5記載の撮像素子。前記遮光部は、所定の像高の位置を基準位置として、前記基準位置において前記結像点の位置と前記端部の位置とが一致するように設定され、前記結像点の位置と前記端部の位置とが前記基準位置からの像高の変化に応じて離れるように設定される請求項1記載の撮像素子。1つの前記マイクロレンズと1つの前記受光素子と1つの前記遮光部とが、1つの位相差検出画素を構成し、隣接または近接する2つの前記位相差検出画素を前記位相差を検出するための一対の位相差検出画素とし、前記一対の位相差検出画素のうちの一方の位相差検出画素における前記結像点の位置と前記遮光部の入射口側の端部の位置との間の距離は、前記一対の位相差検出画素のうちの他方の位相差検出画素における前記結像点の位置と前記遮光部の入射口側の端部の位置との間の距離と略同じである請求項1記載の撮像素子。前記マイクロレンズを通過した被写体光の結像点は、当該マイクロレンズを通過した主光線の結像点である請求項1記載の撮像素子。被写体からの光を集光するマイクロレンズと、前記マイクロレンズにより集光された被写体光を受光することにより位相差検出による合焦判定を行うための信号を生成する受光素子とを具備し、前記受光素子は、前記マイクロレンズを通過した被写体光の結像点の位置と前記受光素子の前記結像点側の端部の位置とが像高の変化に応じて離れるように設定される撮像素子。被写体からの光を集光するマイクロレンズと、前記マイクロレンズにより集光された被写体光を受光することにより位相差検出による合焦判定を行うための信号を生成する受光素子と、前記マイクロレンズと前記受光素子との間に配置されて前記被写体光の一部を遮光して前記被写体光を瞳分割する遮光部とを備え、前記遮光部は、前記マイクロレンズを通過した被写体光の結像点の位置と前記遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の変化に応じて離れるように設定される撮像素子と、前記位相差検出画素が生成する信号に基づいて位相差検出による合焦判定を行う合焦判定部と、前記画像生成画素が生成する信号に基づいて画像を生成する画像生成部とを具備する撮像装置。上記の撮像装置では、各位相差検出画素において射出瞳が2等分されるため、位相差検出を精度良く行うことができる。しかしながら、上記の撮像装置では、軸上の位相差検出画素による位相差検出の特性と、軸外の位相差検出画素による位相差検出の特性とが口径蝕により異なってしまう場合がある。そこで、口径蝕の位相差検出画素への影響を考慮した撮像素子が望まれる。本技術はこのような状況に鑑みて生み出されたものであり、撮像素子における位相差検出画素の特性を向上させることを目的とする。本技術は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第1の側面は、被写体からの光を集光するマイクロレンズと、上記マイクロレンズにより集光された被写体光を受光することにより位相差検出による合焦判定を行うための信号を生成する受光素子と、上記マイクロレンズと上記受光素子との間に配置されて上記被写体光の一部を遮光して上記被写体光を瞳分割する遮光部とを具備し、上記遮光部は、上記マイクロレンズを通過した被写体光の結像点の位置と上記遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の変化に応じて離れるように設定される撮像素子である。これにより、位相差検出画素において、瞳分割のための遮光層が、マイクロレンズを通過した被写体光の結像点の位置と、遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の変化に応じて離れるように設定されるという作用をもたらす。また、この第1の側面において、1つの上記マイクロレンズと1つの受光素子と1つの上記遮光部とが、1つの位相差検出画素を構成し、隣接または近接する2つの上記位相差検出画素を上記位相差を検出するための一対の位相差検出画素とし、上記一対の位相差検出画素のうちの一方の位相差検出画素が受光する光の射出瞳における重心位置は、像高にかかわらず上記一方の位相差検出画素において上記射出瞳の中心からの位置が略同じ位置となり、上記一対の位相差検出画素のうちの他方の位相差検出画素が受光する光の射出瞳における重心位置は、像高にかかわらず上記他方の位相差検出画素において上記射出瞳の中心からの位置が略同じ位置となるようにしてもよい。これにより、一方の位相差検出画素が受光する重心の位置を像高にかかわらずに一定し、他方の位相差検出画素が受光する重心の位置を像高にかかわらずに一定して、位相差検出特性を像高にかかわらずに一定にさせるという作用をもたらす。また、この第1の側面において、上記遮光部は、上記結像点の位置と上記端部の位置とが像高の増加に応じて離れるように設定されるようにしてもよい。これにより、結像点の位置と遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の増加に応じて離れるように遮光部が設定されるという作用をもたらす。また、この第1の側面において、1つの上記マイクロレンズと1つの上記受光素子と1つの上記遮光部とが、1つの位相差検出画素を構成し、隣接または近接する2つの上記位相差検出画素を上記位相差検出を行うための一対の位相差検出画素とし、上記一対の位相差検出画素のうちの一方の位相差検出画素の上記遮光部は、上記一対の位相差検出画素における瞳分割方向の一方に向けて、上記一方の位相差検出画素における上記結像点の位置と、上記一方の位相差検出画素における上記遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の増加に応じて離れるように設定され、上記一対の位相差検出画素のうちの他方の位相差検出画素の上記遮光部は、上記一対の位相差検出画素における瞳分割方向の他方に向けて、上記他方の位相差検出画素における上記結像点の位置と、上記他方の位相差検出画素における上記遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の増加に応じて離れるように設定されるようにしてもよい。これにより、一対の位相差検出画素のうちの一方の位相差検出画素では、瞳分割方向の一方に向けて結像点の位置と遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の増加に応じて離れるように設定され、他方の位相差検出画素では、瞳分割方向の他方に向けて結像点の位置と遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の増加に応じて離れるように設定されるという作用をもたらす。また、この第1の側面において、上記遮光部は、上記結像点の位置と上記端部の位置とが像高の増加に応じて近づくように設定されるようにしてもよい。これにより、結像点の位置と遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の増加に応じて近づくように遮光部が設定されるという作用をもたらす。また、この第1の側面において、1つの上記マイクロレンズと1つの上記受光素子と1つの上記遮光部とが、1つの位相差検出画素を構成し、隣接または近接する2つの上記位相差検出画素を上記位相差を検出するための一対の位相差検出画素とし、上記一対の位相差検出画素のうちの一方の位相差検出画素の上記遮光部は、上記一対の位相差検出画素における瞳分割方向の一方に向けて、上記一方の位相差検出画素における上記結像点の位置と、上記一方の位相差検出画素における上記遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の増加に応じて近づくように設定され、上記一対の位相差検出画素のうちの他方の位相差検出画素の上記遮光部は、上記一対の位相差検出画素における瞳分割方向の他方に向けて、上記他方の位相差検出画素における上記結像点の位置と、上記他方の位相差検出画素における上記遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の増加に応じて近づくように設定されるようにしてもよい。これにより、一対の位相差検出画素のうちの一方の位相差検出画素では、瞳分割方向の一方に向けて結像点の位置と遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の増加に応じて近づくように設定され、他方の位相差検出画素では、瞳分割方向の他方に向けて結像点の位置と遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の増加に応じて近づくように設定されるという作用をもたらす。また、この第1の側面において、上記遮光部は、所定の像高の位置を基準位置として、上記基準位置において上記結像点の位置と上記端部の位置とが一致するように設定され、上記結像点の位置と上記端部の位置とが上記基準位置からの像高の変化に応じて離れるように設定されるようにしてもよい。これにより、所定の像高の位置において結像点の位置と上記端部の位置とが一致し、結像点の位置と端部の位置とが基準位置からの像高の変化に応じて離れるように設定されるという作用をもたらす。また、この第1の側面において、1つの上記マイクロレンズと1つの上記受光素子と1つの上記遮光部とが、1つの位相差検出画素を構成し、隣接または近接する2つの上記位相差検出画素を上記位相差を検出するための一対の位相差検出画素とし、上記一対の位相差検出画素のうちの一方の位相差検出画素における上記結像点の位置と上記遮光部の入射口側の端部の位置との間の距離は、上記一対の位相差検出画素のうちの他方の位相差検出画素における上記結像点の位置と上記遮光部の入射口側の端部の位置との間の距離と略同じであるようにしてもよい。これにより、一対の位相差検出画素のうちの一方の位相差検出画素における結像点の位置と、遮光部の入射口側の端部の位置との間の距離は、他方の位相差検出画素における主光線の結像点の位置と遮光部の入射口側の端部の位置との間の距離と略同じにされるという作用をもたらす。また、この第1の側面において、上記マイクロレンズを通過した被写体光の結像点は、当該マイクロレンズを通過した主光線の結像点であるようにしてもよい。これにより、主光線の結像点の位置に対して、遮光部の入射口側の端部の位置が像高の変化に応じて離れるように設定されるという作用をもたらす。また、本技術の第2の側面は、被写体からの光を集光するマイクロレンズと、上記マイクロレンズにより集光された被写体光を受光することにより位相差検出による合焦判定を行うための信号を生成する受光素子とを具備し、上記受光素子は、上記マイクロレンズを通過した被写体光の結像点の位置と上記受光素子の上記結像点側の端部の位置とが像高の変化に応じて離れるように設定される撮像素子である。これにより、位相差検出画素において、受光素子を、マイクロレンズを通過した被写体光の結像点の位置と、受光素子の結像点側の端部の位置とが像高の変化に応じて離れるように設定されるという作用をもたらす。また、本技術の第3の側面は、被写体からの光を集光するマイクロレンズと、上記マイクロレンズにより集光された被写体光を受光することにより位相差検出による合焦判定を行うための信号を生成する受光素子と、上記マイクロレンズと上記受光素子との間に配置されて上記被写体光の一部を遮光して上記被写体光を瞳分割する遮光部とを備え、上記遮光部は、上記マイクロレンズを通過した被写体光の結像点の位置と上記遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の変化に応じて離れるように設定される撮像素子と、上記位相差検出画素が生成する信号に基づいて位相差検出による合焦判定を行う合焦判定部と、上記画像生成画素が生成する信号に基づいて画像を生成する画像生成部とを具備する撮像装置である。これにより、位相差検出画素において、瞳分割のための遮光層が、マイクロレンズを通過した被写体光の結像点の位置と、遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の変化に応じて離れるように設定される撮像素子を用いて、位相差検出を行わせるという作用をもたらす。本技術によれば、撮像素子における位相差検出画素の特性を向上させることができるという優れた効果を奏し得る。以下、本技術を実施するための形態以下、実施の形態と称するについて説明する。説明は以下の順序により行う。1.第1の実施の形態撮像制御:軸上の一対の位相差検出画素における位相差検出特性に、軸外の一対の位相差検出画素における位相差検出特性を合わせる例2.第2の実施の形態撮像制御:最軸外の一対の位相差検出画素における位相差検出特性に合わせる例<1.第1の実施の形態>[撮像装置の機能構成例]図1は、本技術の第1の実施の形態における撮像装置100の機能構成の一例を示すブロック図である。撮像装置100は、被写体を撮像して画像データ撮像画像を生成し、生成された画像データを画像コンテンツ静止画コンテンツまたは動画コンテンツとして記録する撮像装置である。なお、以下では、画像コンテンツ画像ファイルとして静止画コンテンツ静止画ファイルを記録する例を主に示す。撮像装置100は、レンズ部110と、操作受付部120と、制御部130と、第1イメージセンサ140と、第1信号処理部150とを備える。また、撮像装置100は、ペリクルミラー160と、第2イメージセンサ200と、第2信号処理部170と、記憶部181と、表示部182と、合焦判定部183と、駆動部184とを備える。レンズ部110は、被写体からの光被写体光を集光するためのものである。このレンズ部110は、ズームレンズ111と、絞り112と、フォーカスレンズ113とを備える。ズームレンズ111は、駆動部184の駆動により光軸方向に移動することにより焦点距離を変動させて、撮像画像に含まれる被写体の倍率を調整するものである。絞り112は、駆動部184の駆動により開口の度合いを変化させて第1イメージセンサ140および第2イメージセンサ200に入射する被写体光の光量を調整するための遮蔽物である。フォーカスレンズ113は、駆動部184の駆動により光軸方向に移動することによりフォーカスを調整するものである。操作受付部120は、ユーザからの操作を受け付けるものである。この操作受付部120は、例えば、シャッターボタン図2に示すシャッターボタン121が押下された場合には、その押下に関する信号を、操作信号として制御部130に供給する。制御部130は、撮像装置100における各部動作を制御するものである。例えば、この制御部130は、シャッターボタンが押下されて、静止画像の記録を開始するための操作信号を受け付けた場合には、静止画像の記録実行に関する信号静止画像撮像動作信号を、第1信号処理部150に供給する。また、制御部130は、表示部182にライブビューを表示する場合には、第2イメージセンサ200が出力した信号に基づいてライブビュー画像を生成させるための信号ライブビュー表示信号を、第2信号処理部170に供給する。ここで、ライブビューとは、撮像装置100に入射する被写体の像のリアルタイム表示である。また、制御部130は、位相差検出方式によりフォーカスの合焦判定を行う場合には、この合焦判定を行う動作位相差検出動作を示す信号位相差検出動作信号を、第2信号処理部170に供給する。ここで、位相差検出方式とは、撮像レンズを通過した光を瞳分割して1対の像を形成し、その形成された像の間隔像の間のズレ量を計測位相差を検出することによって合焦の度合いを検出する焦点検出方法である。ペリクルミラー160は、レンズ部110を介して集光された被写体光を、2つに分割するものである。このペリクルミラー160は、例えば、半透過型の鏡であり、被写体光の30を反射することにより、被写体光を2つに分割する。ペリクルミラー160は、2つに分割した光の一方を第1イメージセンサ140に供給し、他方を第2イメージセンサ200に供給する。第1イメージセンサ140は、ペリクルミラー160で分割された被写体光の一方を受光して、受光した被写体光を電気信号に光電変換する撮像素子である。この第1イメージセンサ140は、例えば、CMOSComplementaryMetalOxideSemiconductorセンサやCCDChargeCoupledDeviceセンサなどにより実現される。第1イメージセンサ140には、受光した被写体光に基づいて撮像画像を生成するための信号を生成する画素画像生成画素のみが、ベイヤー配列により配置される。第1イメージセンサ140は、光電変換により発生した電気信号を第1信号処理部150に供給する。第1信号処理部150は、第1イメージセンサ140から供給された電気信号に対して各種の信号処理を施すものである。この第1信号処理部150は、例えば、制御部130から静止画像撮像動作信号が供給されている場合には、各種の信号処理を施して、静止画像のデータ静止画像データを生成する。そして、第1信号処理部150は、この生成した画像データを記憶部181に供給し、記憶部181に記憶させる。記憶部181は、第1信号処理部150から供給された画像データを画像コンテンツ画像ファイルとして記録するものである。例えば、この記憶部181として、DVDDigitalVersatileDisk等のディスクやメモリカード等の半導体メモリ等のリムーバブルな記録媒体1または複数の記録媒体を用いることができる。また、これらの記録媒体は、撮像装置100に内蔵するようにしてもよく、撮像装置100から着脱可能とするようにしてもよい。第2イメージセンサ200は、ペリクルミラー160で分割された被写体光の一方を受光して、受光した被写体光を電気信号に光電変換する撮像素子である。この第2イメージセンサ200は、第1イメージセンサ140と同様に、例えば、CMOSセンサやCCDセンサにより実現される。第2イメージセンサ200には、画像生成画素と、位相差検出を行うための信号を生成する画素位相差検出画素とが配置される。なお、第2イメージセンサ200については、図3以降を参照して説明する。第2イメージセンサ200は、光電変換により発生した電気信号を第2信号処理部170に供給する。なお、第2イメージセンサ200は、特許請求の範囲に記載の撮像素子の一例である。第2信号処理部170は、第2イメージセンサ200から供給された電気信号に対して各種の信号処理を施すものである。例えば、この第2信号処理部170は、制御部130から位相差検出動作信号が供給されている場合には、第2イメージセンサ200における位相差検出画素からの出力信号に基づいて、位相差を検出するためのデータ位相差検出用データを生成する。そして、第2信号処理部170は、その生成した位相差検出用データを合焦判定部183に供給する。また、第2信号処理部170は、制御部130からライブビュー表示信号が供給されている場合には、第2イメージセンサ200における画像生成画素からの出力信号に基づいて、ライブビュー画像のデータライブビュー画像データを生成する。そして、第2信号処理部170は、その生成したライブビュー画像データを表示部182に供給し、表示部182における表示画面にライブビューを表示させる。なお、第2信号処理部170は、特許請求の範囲に記載の画像生成部の一例である。表示部182は、第2信号処理部170から供給された画像データに基づいて、画像を表示するものである。この表示部182は、例えば、カラー液晶パネルにより実現される。この表示部182は、例えば、第2信号処理部170からライブビュー画像データが供給された場合には、表示画面にライブビュー画像を表示する。合焦判定部183は、第2信号処理部170から供給された位相差検出用データに基づいて、フォーカスを合わせる対象の物体合焦対象物に対してフォーカスが合っているか否か判定するものである。この合焦判定部183は、フォーカシングを行う領域フォーカスエリアにおける物体合焦対象物に対して合焦している場合には、合焦していることを示す情報を合焦判定結果情報として、駆動部184に供給する。また、この合焦判定部183は合焦対象物にフォーカスが合っていない場合には、フォーカスのズレの量デフォーカス量を算出し、その算出したデフォーカス量を示す情報を合焦判定結果情報として、駆動部184に供給する。駆動部184は、ズームレンズ111、絞り112およびフォーカスレンズ113を駆動させるものである。例えば、駆動部184は、合焦判定部183から出力された合焦判定結果情報に基づいて、フォーカスレンズ113の駆動量を算出し、その算出した駆動量に応じてフォーカスレンズ113を移動させる。この駆動部184は、フォーカスが合っている場合には、フォーカスレンズ113の現在の位置を維持させる。また、駆動部184は、フォーカスがズレている場合には、デフォーカス量を示す合焦判定結果情報およびフォーカスレンズ113の位置情報に基づいて駆動量移動距離を算出し、その駆動量に応じてフォーカスレンズ113を移動させる。[ペリクルミラーの位置例]図2は、本技術の第1の実施の形態の撮像装置100におけるペリクルミラー160の位置の例を模式的に示す断面図である。なお、同図では、撮像装置100は、一眼カメラであることを想定して説明する。同図には、撮像装置100の断面図として、ボディ101と、交換レンズ105とが示されている。交換レンズ105は、撮像装置100における着脱可能なレンズユニットであり、図1において示したレンズ部110に対応する。ボディ101は、撮像装置100における撮像処理を行う本体であり、図1において示したレンズ部110以外の構成に対応する。ボディ101には、シャッターボタン121と、表示部182と、ペリクルミラー160と、第1イメージセンサ140と、第2イメージセンサ200と、交換レンズ105とが示されている。また、同図には、レンズ部110に備えられているレンズにおける光軸光軸L12と、被写体光が通過する範囲を示す2つの線線L11およびL13とが示されている。なお、線L11およびL13に挟まれた範囲は、第1イメージセンサ140および第2イメージセンサ200に入射する光が通過する範囲を示している。ペリクルミラー160は、撮像装置100に入射する被写体光を2つに分割するように配置される。例えば、光軸L12に対して45°となるように配置される。これにより、ペリクルミラー160は、被写体光の一部例えば、30を上方に反射する。第1イメージセンサ140は、ペリクルミラー160を透過した被写体光を受光するように、ペリクルミラー160の先被写体光の進行先に光軸L12に対して垂直に配置される。第2イメージセンサ200は、ペリクルミラー160が反射した被写体光を受光するように、ペリクルミラー160の上方に光軸L12に対して水平ペリクルミラー160が光軸L12に対して45°であるために配置される。このように、撮像装置100において、入射する被写体光を2つに分割するようにペリクルミラー160が配置される。また、2つに分割された被写体光をそれぞれ受光するように、第1イメージセンサ140および第2イメージセンサ200がそれぞれ配置される。[第2イメージセンサにおける画素の配置例]図3は、本技術の第1の実施の形態における第2イメージセンサ200に備えられる画素の配置の一例を示す模式図である。同図では、上下方向をY軸とし、左右方向をX軸とするXY軸を想定して説明する。また、同図において、左下隅をXY軸における原点とし、下から上へ向かう方向をY軸の側とし、左から右へ向かう方向をX軸の側とする。なお、同図では、第2イメージセンサ200における特定方向撮像画像の水平方向左右方向に対応する方向をX軸方向とし、特定方向と直交する直交方向撮像画像の垂直方向上下方向に対応する方向をY軸方向とする。また、この第2イメージセンサ200における信号の読み出し方向は、X軸方向行単位で読み出されるであるものとする。同図では、説明の便宜上、第2イメージセンサ200を構成する各画素のうちの一部の画素16行×16列の画素の領域領域210を用いて説明する。なお、第2イメージセンサ200における画素の配置は、領域210において示す画素配置を1つの単位として、この単位に対応する画素配置領域210に対応する画素配置が、X軸方向およびY軸方向に繰り返される配置である。同図では、1つの画素を1つの正方形で示す。なお、同図において、画像生成画素については、備えられるカラーフィルタを表す符号R、G、Bを内に示した正方形により示す。すなわち、R画素220は、赤色Rの光を透過するカラーフィルタにより赤色の光を受光する画素R画素を示し、B画素250は、青色Bの光を透過するカラーフィルタにより青色の光を受光する画素B画素を示す。また、Gr画素230は、緑色Gの光を透過するカラーフィルタにより緑色の光を受光する画素G画素であって、R画素R画素220を含む行ラインにおけるG画素を示す。同様に、Gb画素240は、緑色Gの光を透過するカラーフィルタにより緑色の光を受光する画素G画素であって、B画素B画素250を含む行ラインにおけるG画素を示す。また、位相差検出画素については、白色の楕円が付加された灰色の正方形により示す。なお、位相差検出画素における白色の楕円については、入射光が受光素子により受光される側瞳分割を行うための遮光層に覆われていない側を示す。ここで、同図において示す位相差検出画素右開口位相差検出画素260、左開口位相差検出画素270、上開口位相差検出画素280、下開口位相差検出画素290について説明する。右開口位相差検出画素260は、右開口位相差検出画素260のマイクロレンズに入射する被写体光のうち射出瞳の右側を通過した被写体光を遮光するように遮光層が形成される位相差検出画素である。すなわち、この右開口位相差検出画素260は、射出瞳の左右X軸方向の-側に瞳分割された光のうちの右側の光を遮光し、左側の瞳分割された光を受光する。左開口位相差検出画素270は、左開口位相差検出画素270のマイクロレンズに入射する被写体光のうち射出瞳の左側を通過した被写体光を遮光するように遮光層が形成される位相差検出画素である。すなわち、この左開口位相差検出画素270は、射出瞳の左右X軸方向の-側に瞳分割された光のうちの左側の光を遮光し、右側の瞳分割された光を受光する。また、左開口位相差検出画素270は、右開口位相差検出画素260と対に用いられることで、一対の像を形成する。上開口位相差検出画素280は、上開口位相差検出画素280のマイクロレンズに入射する被写体光のうち射出瞳の上側を通過した被写体光を遮光するように遮光層が形成される位相差検出画素である。すなわち、この上開口位相差検出画素280は、射出瞳の上下Y軸方向の-側に瞳分割された光のうちの上側の光を遮光し、下側の瞳分割された光を受光する。下開口位相差検出画素290は、下開口位相差検出画素290のマイクロレンズに入射する被写体光のうち射出瞳の下側を通過した被写体光を遮光するように遮光層が形成される位相差検出画素である。すなわち、この下開口位相差検出画素290は、射出瞳の上下Y軸方向の-側に瞳分割された光のうちの下側の光を遮光し、上側の瞳分割された光を受光する。また、下開口位相差検出画素290は、上開口位相差検出画素280と対に用いられることで、一対の像を形成する。ここで、第2イメージセンサ200における画素の配置について説明する。第2イメージセンサ200では、画像生成画素が配置される行ラインと位相差検出画素が配置される行ラインとが交互に配置される。すなわち、図3に示すように、y軸方向に、画像生成画素、位相差検出画素、画像生成画素、位相差検出画素...と交互に配置される。また、第2イメージセンサ200では、位相差検出画素が配置される行を除外して画像生成画素のみで配置をみると、B画素およびG画素が配置される行と、R画素およびG画素が配置される行とが交互になり、ベイヤー配列となる。また、第2イメージセンサ200では、右開口位相差検出画素260および左開口位相差検出画素270が配置されるラインと、上開口位相差検出画素280および下開口位相差検出画素290が配置されるラインとが、画像生成画素の行を挟んで交互になるように配置される。すなわち、位相差検出画素は、同一方向読み出し方向左右または読み出し方向に直交する方向上下に瞳分割を行う位相差検出画素が行単位で配置される。次に、本技術の第1の実施の形態における画像生成画素の断面構成と、位相差検出画素の断面構成とについて、同図において示すR画素および右開口位相差検出画素の断面構成を用いて説明する。[画像生成画素および位相差検出画素の断面構成例]図4は、本技術の第1の実施の形態における画像生成画素および位相差検出画素の断面構成の一例を示す模式図である。なお、同図では、第2イメージセンサ200の中央付近軸上における画像生成画素および位相差検出画素の断面構成について説明する。同図aには、画像生成画素の断面構成が模式的に示されている。なお、本技術の第1の実施の形態における軸上の3色の画像生成画素R画素、G画素、B画素同士の違いは、カラーフィルタの違いのみである。このため、同図aでは、R画素図3において示したR画素220の断面構成のみについて説明する。なお、同図では、左右方向をX軸方向とし、上下方向をZ軸方向とする断面構成を示す。同図aでは、R画素220の断面構成として、マイクロレンズ221と、Rフィルタ222と、受光素子223と、配線層224と、配線層225とが示されている。マイクロレンズ221は、被写体光を受光素子223に集光するためのレンズである。Rフィルタ222は、赤色Rを示す波長域の光を透過するカラーフィルタであり、R画素220の受光素子223に赤色を示す波長域の光を受光させる。受光素子223は、受けた光を電気信号に変換光電変換することによって、受けた光の量に応じた強さの電気信号を生成するものである。この受光素子223は、例えば、フォトダイオードPD:PhotoDiodeにより構成される。なお、受光素子223は、マイクロレンズ221により集光された光を無駄なく受光するため、できる限り受光面の面積が広いものが配置される。配線層224および配線層225は、R画素220における各回路を接続するための配線である。同図aでは、一例として、マイクロレンズ221の光軸に対して層状に配置される3本の配線が、配線層224および225に示されている。配線層224および225は、マイクロレンズ221により集光された光が受光素子223に入射することを妨げないように配置される。配線層224および225は、メタルであるため、隣接する画素へ洩れ込む被写体光を遮光する遮光層としても機能する。なお、配線層224および225における1番上のメタルの層マイクロレンズ221に最も近い層は、一般的に、配線ではなく遮光のためだけの層として用いられるが、便宜上、同図では配線層として示す。同図bには、位相差検出画素の断面構成が模式的に示されている。なお、本技術の第1の実施の形態では、位相差検出画素のカラーフィルタの層には、可視光領域の光は透過するもの例えば、透明層やWフィルタなどが備えられることを想定する。なお、同図bでは、位相差検出画素のカラーフィルタとして、可視光領域の光は透過するがそれ以外の波長の光は吸収するフィルタWフィルタを備えることを想定して説明する。また、本技術の第1の実施における軸上の4つの位相差検出画素では、瞳分割するための遮光層の配置方向が異なる。このため、同図では、右開口位相差検出画素右開口位相差検出画素260の断面構成について説明し、左開口位相差検出画素、上開口位相差検出画素および下開口位相差検出画素の説明を省略する。同図bでは、右開口位相差検出画素260の断面構成として、マイクロレンズ261と、Wフィルタ262と、受光素子263と、配線層264と、配線層265とが示されている。なお、位相差検出画素のマイクロレンズおよび受光素子マイクロレンズ261および受光素子263は、同図aにおいて示した画像生成画素のマイクロレンズおよび受光素子と同様のもの同一のものである。また、Wフィルタ262は、分光特性が異なる以外は、同図aにおいて示したRフィルタ222と同様のものである。このため、ここでは、配線層264および265に着目して説明する。配線層264および265は、同図aにおいて示した配線層224および配線層225と同様に、右開口位相差検出画素260における各回路を接続するための配線である。配線層264および265には、同図aにおいて示した配線層224および配線層225と同様に、マイクロレンズ221の光軸に対して層状に配置される3本の配線が示されている。なお、配線層264および265におけるそれぞれの配線は、同図aにおいて示した配線層224および225におけるそれぞれの配線と同じ層である。なお、配線層264には、受光素子263の左側から中心付近までを遮光するように突出する配線の層遮光層266が一本備えられている。この遮光層266は、軸上の位相差検出画素においては、マイクロレンズ261を通過する主光線の結像点がこの突出の右端付近遮光層266および配線層265の一番下の層に覆われていない開口部入射口側の端部付近となるように配置される。なお、本技術の第1の実施の形態における第2イメージセンサ200の軸外の位相差検出画素における遮光層266については、図10を参照して説明する。すなわち、この遮光層266により、右開口位相差検出画素260では、射出瞳の右半分を通過した被写体光被写体光の一部が遮光層により遮光され、射出瞳の左半分を通過した被写体光が入射口を通過して受光素子263により受光される。また、配線層265における遮光層266と同じ高さの層配線層265の一番下の配線は、遮光層266により遮光されなかった光が受光素子263に入射することを妨げないように配置される。このように、軸上の位相差検出画素では、受光素子の半分が遮光層により覆われている。これにより、軸上の位相差検出画素では、マイクロレンズを通過する被写体光の半分が遮光層により遮光されるとともにもう半分は受光素子に受光され、これにより、被写体光の瞳分割が行われる。なお、同図では、主光線がマイクロレンズの光軸に平行な位置イメージセンサにおける軸上における画像生成画素の断面構成について説明した。位相差検出画素に入射する主光線は、イメージセンサの軸上から軸外に向かうにつれて像高が高くなるにつれて角度が変わる。そこで、位相差検出画素におけるマイクロレンズと、遮光層と、受光素子との間の位置関係を主光線の角度に合わせることで、軸上の位相差検出画素と同様に、被写体光の半分を遮光するとともにもう半分を受光する瞳分割を行うことができる。次に、位相差検出画素におけるマイクロレンズと、遮光層と、受光素子との間の位置関係を主光線の角度に合わせるイメージセンサを、本技術の適用対象となるイメージセンサとして、図5乃至図7を参照して説明する。また、本技術の適用対象となるイメージセンサにおいて生じる問題について、図8および図を参照して説明する。[本技術の適用対象となるイメージセンサの各像高における遮光層の位置の一例]図5は、本技術の適用対象となるイメージセンサにおける主光線の角度の一例および各像高における遮光層の位置の一例を示す模式図である。同図aには、本技術の適用対象となるイメージセンサにおける主光線の角度の一例が模式的に示されている。同図aでは、射出瞳E1と、本技術の適用対象となるイメージセンサの受光面を模式的に示す線受光面801と、受光面801における所定の位置位置F1乃至F4と、位置F1乃至F4に対する主光線中心C1を通過する4本の線とが示されている。位置F1は、射出瞳E1の光軸に平行な主光線角度が0°が通過する受光面801の位置である。位置F2は光軸に対して約5°斜めな主光線が通過する位置であり、位置F3は光軸に対して約10°斜めな主光線が通過する位置であり、位置F4は光軸に対して約15°斜めな主光線が通過する位置である。このように、イメージセンサにおける像高に応じて、イメージセンサにおける各画素に入射する主光線の角度が変わる像高が大きくなるにつれ、主光線の角度が大きくなる。主光線は、射出瞳の中心中心C1を通過する光線であるため、瞳分割を精度よく行うためには、位相差検出画素の遮光層の入射口側の端部と、主光線の結像点マイクロレンズを通過した被写体光の結像点の中心とを合わせる必要がある。そこで、本技術の適用対象となるイメージセンサでは、位相差検出画素の遮光層の入射口側の端部の位置と、主光線の結像点の位置とが合うように遮光層を配置する。次に、本技術の適用対象となるイメージセンサにおける位相差検出画素の遮光層について、同図bおよびcを参照して説明する。なお、左開口位相差検出画素および右開口位相差検出画素に対する上開口位相差検出画素および下開口位相差検出画素の違いは、瞳分割の方向のみである。このため、同図以降では、左開口位相差検出画素および右開口位相差検出画素について説明し、上開口位相差検出画素および下開口位相差検出画素の説明を省略する。同図bには、本技術の適用対象となるイメージセンサの4つの位置同図aの位置F1乃至F4における左開口位相差検出画素の断面構成と、その左開口位相差検出画素のマイクロレンズによる主光線の結像点とが示されている。なお、同図では、説明の容易のため、位相差検出画素のWフィルタの図示を省略する。同図bでは、同図aの位置F1イメージセンサの中央付近における左開口位相差検出画素が1番左に示され、右に向けて順に、位置F2乃至F4における左開口位相差検出画素が示されている。また、同図bでは、各左開口位相差検出画素の断面構成として、遮光層891および892と、受光素子893と、マイクロレンズ894とが示されている。なお、マイクロレンズ894は、図4bにおいて示したマイクロレンズ261に対応する。また、受光素子893は図4bにおいて示した受光素子263に対応し、遮光層892は図4bの遮光層266に対応し、遮光層891は図4bの配線層265における一番下の配線に対応する。さらに、マイクロレンズ894それぞれに入射する主光線のうち、マイクロレンズ894の左端および右端を通過する光線が、マイクロレンズ894から主光線の結像点までを通過する破線により示されている。そして、マイクロレンズ894に入射する主光線の結像点主光線結像点P11が、各左開口位相差検出画素の断面構成における破線が交差する位置にそれぞれ示されている。本技術の適用対象となるイメージセンサにおいては、マイクロレンズ894が集光した光を受光素子893が漏れなく受光するように、像高が大きくなるにつれて、受光素子893に対するマイクロレンズ894の位置がイメージセンサの中心側にズレる。また、本技術の適用対象となるイメージセンサにおいては、主光線の結像点主光線結像点P11の位置に遮光層892の左端遮光層892の入射口側の端部が合うように、遮光層892が配置される。図5cには本技術の適用対象となるイメージセンサの4つの位置同図aの位置F1乃至F4における右開口位相差検出画素の断面構成と、その右開口位相差検出画素のマイクロレンズによる主光線の結像点とが示されている。同図cでは、同図aの位置F1イメージセンサの中央付近における右開口位相差検出画素が1番左に示され、右に向けて順に、位置F2乃至F4における右開口位相差検出画素が示されている。また、同図cでは、各右開口位相差検出画素の断面構成として、遮光層881および882と、受光素子883と、マイクロレンズ884とが示されている。なお、マイクロレンズ884は、図4bにおいて示したマイクロレンズ261に対応する。また、受光素子883は図4bにおいて示した受光素子263に対応し、遮光層882は図4bの遮光層266に対応し、遮光層881は図4bの配線層265における一番下の配線に対応する。さらに、マイクロレンズ884それぞれに入射する主光線のうち、マイクロレンズ884の左端および右端を通過する光線が、マイクロレンズ884から主光線の結像点までを通過する破線により示されている。そして、マイクロレンズ884に入射する主光線の結像点主光線結像点P12が、各右開口位相差検出画素の断面構成における破線が交差する位置にそれぞれ示されている。図5cにおいて示す右開口位相差検出画素についても、同図bにおいて示した左開口位相差検出画素と同様に、受光素子883に対するマイクロレンズ884の位置がイメージセンサの中心側にズレる。また、遮光層881および遮光層882の位置も同図bの左開口位相差検出画素と同様に、主光線結像点P12の位置に遮光層882の入射口側の端部が合うように、遮光層882が配置される。このように、本技術の適用対象となるイメージセンサにおいては、主光線の結像点の位置に瞳分割するための遮光層遮光層892および遮光層881の入射口側の端部の位置が合うように、位相差検出画素の遮光層が配置される。次に、イメージセンサの中央付近軸上における位相差検出画素の特性について、図6を参照して説明する。[軸上の位相差検出画素の特性の一例]図6は、本技術の適用対象となるイメージセンサの中央付近軸上に配置される位相差検出画素が受光する被写体光と、この位相差検出画素の特性を示すグラフと、この位相差検出画素が受光する被写体光を示すグラフとを模式的に示す図である。同図aには、本技術の適用対象となるイメージセンサの中央付近に配置される左開口位相差検出画素890および右開口位相差検出画素880の断面構成と、その位相検出画素に入射する被写体光とが模式的に示されている。同図aでは、左開口位相差検出画素890の断面構成として、受光素子893と、遮光層891と、遮光層892と、マイクロレンズ894とが示されている。また、右開口位相差検出画素880の断面構成として、受光素子883と、遮光層881と、遮光層882と、マイクロレンズ884とが示されている。また、左開口位相差検出画素890および右開口位相差検出画素880の断面構成に、射出瞳における右半分の領域を通過した被写体光の一部が、グレーを付した領域例えば、領域12および領域13により示されている。さらに、射出瞳の左半分を通過した被写体光の一部が、点を付した領域例えば、領域R11およびR13により示されている。さらに、左開口位相差検出画素890および右開口位相差検出画素880において、破線L22およびL25は、射出瞳の中心を通過してそれぞれのマイクロレンズに入射する被写体光のうちマイクロレンズの最も左端に入射する被写体光の光路を示している。同様に、破線L23およびL26は、射出瞳の中心を通過してそれぞれのマイクロレンズに入射する被写体光のうちマイクロレンズの最も右端に入射する被写体光の光路を示している。また、光軸L21およびL24は、マイクロレンズ894および884の光軸をそれぞれ示している。ここで、本技術の適用対象となるイメージセンサの中央付近に配置される位相差検出画素が受光する被写体光について説明する。なお、左開口位相差検出画素890と右開口位相差検出画素880との間の違いは、受光素子を覆う遮光層の位置が反対であることのみであるため、ここでは、左開口位相差検出画素890について説明する。本技術の適用対象となるイメージセンサの中央付近に配置される左開口位相差検出画素890において、射出瞳の中心を通過した被写体光主光線は、マイクロレンズの光軸光軸L21に平行な光としてマイクロレンズ894に入射する。そして、主光線は、光軸L21上におけるある一点主光線結像点P21で集光結像する。また、左開口位相差検出画素890は、遮光層892の左端遮光層892の入射口側の端部が主光線結像点P21に合うように配置されている。すなわち、左開口位相差検出画素890は、遮光層891および892により、受光素子893の右半分は遮光され、受光素子893の左半分は開口している。これにより、射出瞳における左半分の領域からの入射光同図aにおいて点を付した領域により示す被写体光は遮光層892により遮光される。一方、射出瞳における右半分の領域からの入射光同図aにおいてグレーを付した領域により示す被写体光は受光素子893により受光される。なお、右開口位相差検出画素880では、射出瞳における右半分の領域からの入射光は遮光層881により遮光され、射出瞳における左半分の領域からの入射光は受光素子883により受光される。図6bには、本技術の適用対象となるイメージセンサの中央付近に配置される左開口位相差検出画素の特性左開口位相差検出画素受光特性896が示されている。図6bで示すグラフは、横軸を左開口位相差検出画素890のマイクロレンズ894に入射する光の入射角を示す軸とし、縦軸を受光素子893が生成する信号の出力を示す軸として、左開口位相差検出画素受光特性896を示している。なお、同図で示す入射角は、マイクロレンズの光軸に平行な光線を0°とし、また、瞳分割方向左開口位相差検出画素と右開口位相差検出画素では左右方向において、左上から右下に向かう光線をプラス側の角度とする。左開口位相差検出画素受光特性896は、入射角が0°の被写体光を境目として、入射角が0°より小さい被写体光は受光し、入射角が0°より大きい被写体光は受光しないことを示している。すなわち、左開口位相差検出画素受光特性896は、入射角が0°より小さい被写体光光軸L21の右方向からマイクロレンズに入射する被写体光射出瞳の右半分を通過する被写体光は受光素子893に受光されることを示している。同様に、左開口位相差検出画素受光特性896は、入射角が0°より大きい光光軸L21の左方向からマイクロレンズに入射する被写体光射出瞳の左半分を通過する被写体光は遮光層892により遮光されることを示している。図6cには、本技術の適用対象となるイメージセンサの中央付近に配置される右開口位相差検出画素の特性右開口位相差検出画素受光特性886が破線により示されている。図6bで示すグラフは、横軸を右開口位相差検出画素880のマイクロレンズ884に入射する光の入射角を示す軸とし、縦軸を受光素子883が生成する信号の出力を示す軸として、右開口位相差検出画素受光特性886を示している。同図cは、遮光される被写体光の側と受光される被写体光の側とが、同図bにおいて示した左開口位相差検出画素受光特性896の反対であること以外は、同図bと同じであるため、ここでの説明を省略する。すなわち、右開口位相差検出画素受光特性886は、入射角が0°の被写体光を境目として、入射角が0°より小さい被写体光は遮光し、入射角が0°より大きい被写体光は受光することを示している。同図dには、軸上に配置される一対の位相差検出画素左開口位相差検出画素890および右開口位相差検出画素880が受光する光が、射出瞳およびグラフを用いて模式的に示されている。同図dにおいて示す射出瞳射出瞳870には、左開口位相差検出画素890が受光する被写体光の通過する領域が、グレーを付した領域により示されている。また、射出瞳870には、右開口位相差検出画素880が受光する被写体光の通過する領域が、点を付した領域により示されている。また、同図dにおいて示すグラフには、左開口位相差検出画素890が受光する被写体光を示す左開口位相差検出画素受光特性874と、右開口位相差検出画素880が受光する被写体光を示す右開口位相差検出画素受光特性875とが示されている。さらに、このグラフでは、左開口位相差検出画素890が受光する光に対応する面積をグレーを付した領域により示し、右開口位相差検出画素880が受光する光に対応する面積を点を付した領域により示している。同図dのグラフに示すように、入射角が0°の被写体光主光線を境目として、射出瞳の右端から主光線までの角度の被写体光を左開口位相差検出画素が受光し、主光線から射出瞳の左端までの角度の被写体光を右開口位相差検出画素が受光する。なお、左開口位相差検出画素および右開口位相差検出画素が受光する被写体光の角度の幅射出瞳の右端および左端は、射出瞳の大きさおよび受光面と射出瞳との間の距離により決定される。ここで、F値が5.6の交換レンズが撮像装置に装着され、マイクロレンズに入射する被写体光の角度の幅が10°である場合を想定する。この場合には、左開口位相差検出画素890は、入射角が-5°から0°までの被写体光を受光する。一方、右開口位相差検出画素880は、入射角が0°から5°までの被写体光を受光する。なお、F値が1.4の交換レンズが撮像装置に装着され、マイクロレンズに入射する被写体光の角度の幅が40°である場合には、左開口位相差検出画素890は、入射角が-20°から0°までの被写体光を受光する。一方、右開口位相差検出画素880は、入射角が0°から20°までの被写体光を受光する。このように、本技術の適用対象となるイメージセンサの中央付近に配置される位相差検出画素では、マイクロレンズへの入射角が0°の被写体光を境目とする瞳分割を行う。次に、軸外イメージセンサにおける軸上から外れた位置に配置される位相差検出画素の特性について、図7を参照して説明する。[軸外の位相差検出画素の特性の一例]図7は、本技術の適用対象となるイメージセンサの軸外に配置される位相差検出画素が受光する被写体光と、この位相差検出画素の特性を示すグラフと、この位相差検出画素が受光する被写体光を示すグラフとを模式的に示す図である。同図aには、本技術の適用対象となるイメージセンサの軸外に配置される左開口位相差検出画素850の断面構成と、左開口位相差検出画素850に入射する被写体光とが模式的に示されている。同図aでは、左開口位相差検出画素850の断面構成として、受光素子853と、遮光層851と、遮光層852と、マイクロレンズ854とが示されている。また、左開口位相差検出画素850の断面構成には、図6aと同様に、射出瞳における右半分の領域を通過した被写体光の一部が、グレーを付した領域例えば、領域R22により示されている。さらに、射出瞳における左半分の領域を通過した被写体光の一部が、点を付した領域例えば、領域R21により示されている。さらに、左開口位相差検出画素850には、図6aの破線L22およびL23に対応する破線破線L32およびL33と、光軸L21に対応する光軸L31と、主光線結像点P21に対応する主光線結像点P31とが示されている。左開口位相差検出画素850に示すように、軸外に配置される位相差検出画素では、斜めに被写体光が入射する。そのため、主光線の結像点主光線結像点P31の位置も、マイクロレンズの光軸光軸L31から離れてしまう。そこで、軸外に配置される位相差検出画素では、主光線結像点P31の位置と、瞳分割のための遮光層の入射口側の端部の位置とが合うように、マイクロレンズと、遮光層と、受光素子とが配置される。図7bには、本技術の適用対象となるイメージセンサの軸外に配置される一対の位相差検出画素の特性左開口位相差検出画素受光特性856および右開口位相差検出画素受光特性846が示されている。なお、同図bにおいて示すグラフは、図6bおよびcにおいて示したグラフに対応するため、ここでの詳細な説明を省略する。図7bに示すように、軸外に配置される一対の位相差検出画素では、入射角が0°よりも高い角度の被写体光が境目グラフの破線D1となる。例えば、主光線の角度が15°である位置図5aの位置F4の場合には、左開口位相差検出画素は、入射角が15°より小さい被写体光は受光し、入射角が15°より大きい被写体光は受光しない。一方、右開口位相差検出画素は、入射角が15°より大きい被写体光は受光し、入射角が15°より小さい被写体光は受光しない。図7cには、軸外に配置される一対の位相差検出画素が受光する被写体光が、射出瞳およびグラフを用いて模式的に示されている。なお、同図cにおいて示すものは、図6dにおいて示したものに対応するため、ここでは、図6dとの違いについて説明する。図7cにおいて示す射出瞳830は、図6dにおいて示した射出瞳870と同様に、点を付した領域と、グレーを付した領域とが、射出瞳の中心を通過するラインで左右方向瞳分割方向に隣接している。すなわち、左開口位相差検出画素は射出瞳の右半分の領域を通過した被写体光を受光し、右開口位相差検出画素は射出瞳の右半分の領域を通過した被写体光を受光することが示されている。図7cにおいて示すグラフには、軸外に配置される一対の位相差検出画素が受光する被写体光を示す特性左開口位相差検出画素受光特性834および右開口位相差検出画素受光特性835が示されている。図7cにおいて示すグラフは、図6dにおけるグラフよりも、入射角0°の位置がグラフの左側にずれている。なお、この図7cのグラフでは、左開口位相差検出画素の受光素子が受光する被写体光の角度の範囲左開口位相差検出画素受光特性834の出力が生成される角度の範囲よりも左の位置に、入射角0°がある。このように、軸外における一対の位相差検出画素では、所定の角度主光線の角度の被写体光を境目グラフの破線D1として、射出瞳の右端から主光線までの角度の被写体光を左開口位相差検出画素が受光する。また、主光線から射出瞳の左端までの角度の被写体光を右開口位相差検出画素が受光する。例えば、F値が5.6の交換レンズが撮像装置に装着されている場合における主光線の角度が15°の位置では、左開口位相差検出画素は入射角が10°から15°までの被写体光を受光する。一方、右開口位相差検出画素は、入射角が15°から20°までの被写体光を受光する。すなわち、同図cに示すように、本技術の適用対象となるイメージセンサの軸外に配置される位相差検出画素では、マイクロレンズへ斜めに入射する主光線を境目として瞳分割を行う。このように、本技術の適用対象となるイメージセンサでは、像高に応じて斜めになる主光線の結像点の位置に合うように遮光層を配置することにより、どの像高においても、射出瞳を2等分にする瞳分割を行うことができる。しかしながら、本技術の適用対象となるイメージセンサでは、口径蝕が考慮されていない。口径蝕が生じる交換レンズが撮像装置に装着された場合には、位相差検出の精度が低下することが考えられる。そこで、位相差検出への口径蝕の影響について、図8乃至図9を参照して説明する。[口径蝕の一例]図8は、本技術の適用対象となる撮像装置において発生する口径蝕を示す模式図である。同図aには、画素の位置位置F1乃至F5を示す。そして、同図b乃至eには、位置F1乃至F5のそれぞれの位置における口径蝕が発生した射出瞳を示す。なお、同図aは、図5aにおいて示したものと同様のものであるため、ここでの説明を省略する。図8aには、位置F1軸上の画素における射出瞳射出瞳E11が示されている。射出瞳E11に示すように、軸上位置F1の画素においては口径蝕が発生しないため、射出瞳は、レンズの形状円形に等しい形状になる。同図bには、位置F2の画素における射出瞳射出瞳E12が実線で示されている。また、同図cには、位置F3の画素における射出瞳射出瞳E13が実線で示され、同図dには、位置F4の画素における射出瞳射出瞳E14が実線で示されている。また、射出瞳E12には射出瞳E11の形状が点線により示され、射出瞳E13には射出瞳E11およびE12の形状が点線により示され、射出瞳E14には射出瞳E11乃至E13の形状が点線により示されている。射出瞳レンズを通過して画素に入射する被写体光は画素の位置が軸上から軸外になるに従い絞りの前後にある枠などによりケラレる被写体光が多くなる。このため、射出瞳の形状は、同図b乃至同図eに示すように、画素の位置が軸上から軸外になるに従い円形から楕円形に変化してしまう。[口径蝕の位相差検出特性への影響の一例]図9は、本技術の適用対象となるイメージセンサを備える撮像装置において発生する口径蝕の位相差検出特性への影響を示す模式図である。なお、同図では、図8に示したように口径蝕が発生する場合を想定して、位置F1乃至F4における位相差検出画素の受光特性を説明する。なお、図9aには位置F1における一対の位相差検出画素の受光特性を示し、同図bには位置F2における一対の位相差検出画素の受光特性を示す。また、同図cには位置F3における一対の位相差検出画素の受光特性を示し、同図dには位置F4における一対の位相差検出画素の受光特性を示す。同図a乃至dにおいて示す射出瞳E11乃至E14には、それぞれの位置位置F1乃至F4における射出瞳の形状が実線で示されている。また、射出瞳E11乃至E14には、右開口位相差検出画素により受光される被写体光が通過する領域点が付された領域と、左開口位相差検出画素により受光される被写体光が通過する領域グレーが付された領域とが示されている。さらに、射出瞳E11乃至E14には、それらの領域のそれぞれの重心位置重心711乃至718が示されている。また、射出瞳E12には射出瞳E11の形状が点線により示され、射出瞳E13には射出瞳E11およびE12の形状が点線により示され、射出瞳E14には射出瞳E11乃至E13の形状が点線により示されている。また、射出瞳E11には、重心711と重心715との間の間隔であって、位相差検出特性の度合いを示す矢印位相差検出特性721が示されている。同様に、射出瞳E12には位相差検出特性722が示され、射出瞳E13には位相差検出特性723が示され、射出瞳E14には位相差検出特性724が示されている。ここで、位相差検出特性について説明する。位相差検出特性とは、位相差検出画素の信号に基づいて合焦判定部183が位相差を検出する際の精度特性である。位相差検出画素は、被写体光の分離の度合い精度が上昇すると、1対の像における重心間の距離が広がる。これにより、像のズレ量の計測が細かく行え、位相差検出の精度特性が向上する。また、同図a乃至dのグラフには、それぞれの位置における左開口位相差検出画素受光特性左開口位相差検出画素受光特性731乃至734と、右開口位相差検出画素受光特性右開口位相差検出画素受光特性735乃至738とが示されている。さらに、同図bのグラフには位置F1の受光特性が細い点線により示され、同図cのグラフには位置F1およびF2の受光特性が細い点線により示され、同図dのグラフには位置F1乃至F3の受光特性が細い点線により示されている。また、同図において示すグラフには、左開口位相差検出画素が受光する被写体光がグレーを付した領域により模式的に示され、右開口位相差検出画素が受光する被写体光が点を付した領域により模式的に示されている。ここで、口径蝕が発生する場合における軸上の位相差検出画素と軸外の位相差検出画素との間における特性の違いについて説明する。射出瞳E11乃至射出瞳E14に示すように、口径蝕が発生すると、像高の増加に応じて射出瞳が小さくなる。すなわち、位相差検出画素に入射する被写体光の角度の範囲が、像高の増加に応じて減少する。例えば、左開口位相差検出画素については、左開口位相差検出画素受光特性731乃至734に示すように、入射角が小さい側の被写体光が受光されなくなる。右開口位相差検出画素については、右開口位相差検出画素受光特性735乃至738に示すように、入射角が大きい側の被写体光が受光されなくなる。すなわち、口径蝕が発生する場合には、主光線の角度から離れている角度の被写体光が位相差検出画素に受光されなくなる。口径蝕により主光線の角度から離れている角度の被写体光が受光されなくなると、位相差検出画素が受光する被写体光の重心の位置が、主光線の角度の側に移動してしまう重心711乃至718を参照。これにより、重心間の距離が短くなり、位相差検出特性が悪くなってしまう位相差検出特性721乃至724に示すように、最軸外位置F4に向かうにつれて、重心間隔が短くなる。このように、口径蝕が発生すると、本技術の適用対象となるイメージセンサでは、軸上に位置する位相差検出画素と、軸外に位置する位相差検出画素との間において、位相差検出特性が異なってしまう。これにより、軸上の位相差検出画素の出力を用いて位相差検出を行う場合と、軸外の位相差検出画素の出力を用いて位相差検出を行う場合とを比較して、軸外の位相差検出画素の出力を用いて位相差検出を行う場合における位相差の検出精度が悪くなってしまう。そこで、本技術の第1の実施の形態の位相差検出画では、軸上の位相差検出画素の位相差検出特性と、軸外の位相差検出画素の位相差検出特性との間における特性の差を軽減させる。次に、本技術の第1の実施の形態の位相差検出画について、したものが、図10乃至12を参照して説明する。[第2イメージセンサの各像高における遮光層の位置の一例]図10は、本技術の第1の実施の形態における第2イメージセンサ200の各像高における遮光層の位置の一例を示す模式図である。なお、同図では、説明の容易のため、位相差検出画素のWフィルタの図示を省略する。同図aには、第2イメージセンサ200の4つの位置図5aの位置F1乃至F4に対応する位置における左開口位相差検出画素の断面構成と、その左開口位相差検出画素のマイクロレンズによる主光線の結像点とが示されている。図10aでは、左開口位相差検出画素の断面構成として、遮光層311および312と、受光素子313と、マイクロレンズ314とが示されている。さらに、マイクロレンズ314に入射する主光線のうち、マイクロレンズ314の左端および右端を通過する光線が、マイクロレンズ894から主光線の結像点までを通過する破線により示されている。そして、マイクロレンズ314に入射する主光線の結像点主光線結像点P21が、各左開口位相差検出画素の断面構成における破線が交差する位置に示されている。また、同図aにおいて示す位置F2乃至F4の左開口位相差検出画素310には、主光線の結像点の位置と、遮光層312の入射口側の端部の位置との間の間隔を示す幅幅W11乃至W13がそれぞれ示されている。なお、図10aは、図5bにおいて示した本技術の適用対象となるイメージセンサの左開口位相差検出画素の断面構成に対応する。そこで、図10aでは、本技術の適用対象となるイメージセンサの左開口位相差検出画素と、本技術の適用対象となる第2イメージセンサの左開口位相差検出画素との間の違いについて着目して説明する。同図aにおいて示す位置F1の左開口位相差検出画素310においては、遮光層312の左端の位置が、主光線の結像点主光線結像点P21の位置に一致する。位置F1より軸外である位置F2の左開口位相差検出画素310においては、遮光層312の左端の位置が、主光線の結像点の位置よりも僅かに幅W11ほど左に突出する入射口側の端部の位置が主光線の結像点の位置から離れる。また、位置F2よりもさらに軸外である位置F3の左開口位相差検出画素310においては、遮光層312の左端の位置が、位置F2の左開口位相差検出画素310の遮光層312の左端の位置よりもさらに左に主光線の結像点の位置から幅W12ほど突出する。すなわち、位置F3の左開口位相差検出画素310では、遮光層312の入射口側の端部の位置が、位置F2の左開口位相差検出画素310の遮光層312よりも主光線の結像点の位置から大きく離れる。同様に、位置F3よりもさらに軸外である位置F4の左開口位相差検出画素310においては、遮光層312の左端の位置が、位置F3の遮光層312の左端の位置よりもさらに左に主光線の結像点の位置から幅W13ほど突出する。すなわち、位置F4の左開口位相差検出画素310では、遮光層312の入射口側の端部の位置が、位置F3の左開口位相差検出画素310の遮光層312よりも主光線の結像点の位置から大きく離れる。すなわち、遮光層312の左端が、主光線の結像点の位置に対して、像高の増加に応じて左方向瞳分割方向の一方へと離れていくように、遮光層312が設定される。このように、本技術の第1の実施の形態の左開口位相差検出画素では、マイクロレンズが集光した被写体光の右側を瞳分割のために遮光する遮光層遮光層312の左端入射口側の端部が、像高の増加に応じて主光線の結像点から離れるように設定される。一方、本技術の適用対象となるイメージセンサにおける左開口位相差検出画素では、図5bに示すように、遮光層遮光層892の左端の位置と、主光線の結像点主光線結像点P11の位置とを、像高にかかわらず一致させる。図10bには、第2イメージセンサ200の4つの位置図5aの位置F1乃至F4に対応する位置における右開口位相差検出画素の断面構成と、その右開口位相差検出画素のマイクロレンズによる主光線の結像点とが示されている。図10bでは、右開口位相差検出画素の断面構成として、遮光層331および332と、受光素子333と、マイクロレンズ334とが示されている。また、同図aと同様に、破線および主光線の結像点主光線結像点P22が示されている。さらに、同図bにおいて示す位置F2乃至F4の右開口位相差検出画素330には、主光線の結像点の位置と、遮光層331の入射口側の端部の位置との間の間隔を示す幅幅W21乃至W23が示されている。同図bにおいて示す位置F1の右開口位相差検出画素330においては、遮光層331の右端の位置が、主光線の結像点主光線結像点P22の位置に一致する。また、位置F1より軸外である位置F2の右開口位相差検出画素330においては、遮光層331の右端の位置が、主光線の結像点の位置よりも僅かに幅W21ほど右に突出する入射口側の端部の位置が主光線の結像点の位置から離れる。そして、位置F3の右開口位相差検出画素330の遮光層331は、位置F2の右開口位相差検出画素330の遮光層331よりもさらに主光線の結像点の位置から幅W22ほど突出する。同様に、位置F4の右開口位相差検出画素330の遮光層331は、位置F3の右開口位相差検出画素330の遮光層331よりもさらに主光線の結像点の位置から幅W23ほど突出する。すなわち、遮光層331の右端が、主光線の結像点の位置に対して、像高の増加に応じて右方向瞳分割方向の他方へと離れていくように、遮光層331が設定される。このように、本技術の第1の実施の形態の右開口位相差検出画素では、マイクロレンズが集光した被写体光の左側を瞳分割のために遮光する遮光層遮光層331の右端入射口側の端部が、像高の増加に応じて主光線の結像点から離れるように設定される。なお、同図aおよびbにおいて示した幅W21と幅W11とは同じ長さである。同様に、幅W22と幅W12とは同じ長さであり、幅W23とW13とは同じ長さである。すなわち、一対の位相差検出画素同じ像高における左開口位相差検出画素と右開口位相差検出画素では、瞳分割のための遮光層の入射口側の端部の位置と主光線の結像点の位置との間の距離が、一対の位相差検出画素において同じ距離になる。また、一対の位相差検出画素としては、左開口位相差検出画素の受光素子313に対する遮光層312による遮光の領域と、右開口位相差検出画素の受光素子333に対する遮光層331による遮光の領域との間で重複する領域が、像高の増加に応じて増加する。このように、本技術の第1の実施の形態における第2イメージセンサ200における位相差検出画素では、遮光層遮光層311および331の入射口側の端部が、像高の増加に応じて主光線の結像点から離れるように設定される。なお、マイクロレンズ314および334は特許請求の範囲に記載のマイクロレンズの一例であり、受光素子313および333は、特許請求の範囲に記載の受光素子の一例であり、遮光層312および332は、特許請求の範囲に記載の遮光部の一例である。なお、同図では、遮光層312の位置に合わせて遮光層311も移動させ、遮光層311と312との間の距離遮光層331と遮光層332との間の距離も同様が、像高にかかわらず一定である場合を図示したが、これに限定されるものではない。遮光層311遮光層332も同様は、瞳分割された被写体光の一方が受光素子に受光されるのを妨げない位置に配置されればどこでもよい。このため、例えば、遮光層311および332は、図5の遮光層891および882のように、受光素子に対して一定の位置になるように設定する場合も考えられる。なお、この場合には、開口面積が像高に応じて小さくなるものの、元から被写体光が受光素子に受光されるのを妨げない位置に配置されているため、問題は生じない。次に、遮光層の入射口側の端部の位置を主光線の結像点の位置から離すことによる効果について、位置F1軸上における左開口位相差検出画素の遮光層の入射口側の端部の位置を主光線の結像点の位置から離すことを想定し、図11を参照して説明する。[軸上の左開口位相差検出画素において遮光層を結像点の位置から離す効果の一例]図11は、軸上の左開口位相差検出画素の遮光層の入射口側の端部の位置を主光線の結像点の位置から離す場合における左開口位相差検出画素が受光する被写体光を模式的に示す図である。同図aには、軸上図5aの位置F1に対応する位置における左開口位相差検出画素の瞳分割のための遮光層の入射口側の端部の位置を、主光線の結像点の位置から離す場合における断面構成が示されている。同図aでは、遮光層の端部が結像点の位置と一致している左開口位相差検出画素が1番左に示され、幅W31乃至W33ほど遮光層の位置を移動させた場合の3つの左開口位相差検出画素が右に向けて順に示されている。なお、図11aでは、4つ左開口位相差検出画素を、左から順に、Z1、Z2、Z3、Z4と識別する。また、同図において示す幅W31乃至W33のそれぞれの幅は、図10aにおいて示した幅W11乃至W13のそれぞれの幅と同じである。すなわち、4つ左開口位相差検出画素Z1乃至Z4は、主光線の角度が異なること以外は、図10aにおいて示した4つの位置位置F1乃至F4の左開口位相差検出画素にそれぞれ対応する。また、図11aで示す左開口位相差検出画素610の断面構成遮光層611および612、受光素子613、マイクロレンズ614は、図10aにおいて示した断面構成と同じものであるため、ここでの説明を省略する。図10aに示すように、同図では、光軸に平行な主光線が入射する左開口位相差検出画素において、遮光層612の左端の位置が、像高の増加に応じて結像点の位置より左になる入射口側の端部が離れることを想定して説明する。同図bには、同図aで示した左開口位相差検出画素Z1乃至Z4の射出瞳射出瞳E21乃至E24に、左開口位相差検出画素Z1乃至Z4が受光する光の通過する領域射出瞳E21乃至E24におけるグレーが付された領域が示されている。4つの左開口位相差検出画素Z1乃至Z4は、イメージセンサにおける位置が同じ軸上ことを想定しているため、射出瞳E21乃至E24の形状は円形である。4つの左開口位相差検出画素Z1乃至Z4は、遮光層遮光層612の入射口側の端部の位置の主光線の結像点の位置からのズレ度合いが異なるため、瞳分割方向左右方向における射出瞳の中心側を通過する被写体光の遮光の度合いがそれぞれ異なる。同図bに示すように、遮光層遮光層612の入射口側の端部の位置が主光線の結像点の位置から離れるにつれZ1からZ4に向かうにつれ、射出瞳の中心側を通過する被写体光の遮光の度合いが高くなる。同図cには、同図aにおいて示した4つの位相差検出画素Z1乃至Z4の特性がそれぞれ示されている。なお、左開口位相差検出画素Z1の特性左開口位相差検出画素受光特性Z1651は、図6bにおいて示した左開口位相差検出画素受光特性896と同様のものであるため、ここでの詳細な説明を省略する。左開口位相差検出画素Z2の特性左開口位相差検出画素受光特性Z2652は、左開口位相差検出画素受光特性Z1651を僅かに左にずらしたような特性である。また、左開口位相差検出画素Z3の特性左開口位相差検出画素受光特性Z3653は、左開口位相差検出画素受光特性Z2653を僅かに左にずらしたような特性である。同様に、左開口位相差検出画素Z4の特性左開口位相差検出画素受光特性Z4654は、左開口位相差検出画素受光特性Z3654を僅かに左にずらしたような特性である。このように、位相差検出画素では、遮光層612の入射口側の端部の位置を主光線の結像点の位置から左にずらす離すことにより、受光素子に入射する被写体光と入射しない被写体光の境目の角度をずらすことができる。すなわち、左開口位相差検出画素においては、瞳分割のために遮光する遮光層の左端の位置を主光線の結像点の位置よりも左にずらす突出させることにより、ずらさない場合と比較して、受光する光と遮光する光との間の境目の入射角を、小さくすることができる。また、右開口位相差検出画素においては、瞳分割のために遮光する遮光層の右端の位置を主光線の結像点の位置よりも右にずらす突出させることにより、ずらさない場合と比較して、受光する光と遮光する光との間の境目の光の入射角を、大きくすることができる。このように、瞳分割のために遮光する遮光層の入射口側の端部の位置の位置を主光線の結像点の位置からずらすことにより、受光する光と遮光する光との間の境目の光の入射角を、像高に応じて、主光線の結像点の角度からずらすことができる。[像高に応じて遮光層を結像点の位置から離すことによる効果の一例]図12は、本技術の第1の実施の形態の第2イメージセンサ200における4つの像高における一対の位相差検出画素が受光する被写体光を、射出瞳およびグラフを用いて模式的に示す図である。同図では、図8に示したように口径蝕が発生する場合を想定して、4つの位置図5aの位置F1乃至F4に対応する位置の一対の位相差検出画素の受光特性について説明する。なお、図12aには位置F1における一対の位相差検出画素の受光特性を示し、同図bには位置F2における一対の位相差検出画素の受光特性を示す。また、同図cには位置F3における一対の位相差検出画素の受光特性を示し、同図dには位置F4における一対の位相差検出画素の受光特性を示す。同図a乃至dにおいて示す射出瞳E31乃至E34には、それぞれの位置位置F1乃至F4における射出瞳の形状が実線で示されている。また、射出瞳E31乃至E34には、左開口位相差検出画素により受光される被写体光の通過する領域が点を付した領域により示され、右開口位相差検出画素により受光される被写体光の通過する領域が点を付した領域により示されている。そして、それらの領域には、それらの領域の重心位置重心361乃至368が示されている。また、射出瞳E32には射出瞳E31の形状が点線により示され、射出瞳E33には射出瞳E31およびE32の形状が点線により示され、射出瞳E34には射出瞳E31乃至E33の形状が点線により示されている。また、同図a乃至dのグラフには、それぞれの位置における左開口位相差検出画素受光特性左開口位相差検出画素受光特性371乃至374と、右開口位相差検出画素受光特性右開口位相差検出画素受光特性375乃至378とが示されている。さらに、同図bのグラフには位置F1の受光特性が細い点線により示され、同図cのグラフには位置F1およびF2の受光特性が細い点線により示され、同図dのグラフには位置F1およびF3の受光特性が細い点線により示されている。ここで、本技術の第1の実施の形態における位相差検出画素の瞳分割のための遮光層を、主光線の結像点の位置から像高の増加に応じて離すことによる効果について、同図を参照して説明する。射出瞳E31乃至E34に示すように、像高が増加すると、口径蝕により射出瞳の形状が円形から楕円形になる。すなわち、左開口位相差検出画素においては、軸上の射出瞳射出瞳E31における右端付近を通過する被写体光入射角が小さい被写体光が像高に応じて減少する。また、右開口位相差検出画素においては、軸上の射出瞳射出瞳E31の左端を通過する被写体光入射角が大きい被写体光が像高に応じて減少する。これに対し、左開口位相差検出画素では、瞳分割のために遮光する遮光層の左端を主光線の結像点の位置から像高の増加に応じて左にずらす離す。また、右開位相差検出画素では、瞳分割のために遮光する遮光層の右端を主光線の結像点の位置から像高の増加に応じて右にずらす。遮光層をずらすことにより、左開口位相差検出画素および右開口位相差検出画素が受光する被写体光は、主光線の結像点側の被写体光が、像高の増加に応じて減少する。これにより、同図a乃至dに示すように、像高に応じた口径蝕による被写体光の減少に応じて瞳分割のための遮光層を主光線の結像点の位置よりも突出させることにより、位相差検出画素が受光する被写体光の重心の位置を設定できるようになる。すなわち、本技術の第1の実施の形態では、左開口位相差検出画素が受光する被写体光の重心の位置重心361乃至364を、射出瞳の中心の位置に対して像高にかかわらず一定にすることができる。また、右開口位相差検出画素が受光する被写体光の重心の位置重心365乃至368を、射出瞳の中心の位置に対して像高にかかわらず一定にすることができる。これにより、本技術の第1の実施の形態では、位相差検出特性を、像高にかかわらずに均一にすることができる同図の位相差検出特性381を参照。このように、本技術の第1の実施の形態によれば、軸外の位相差検出画素における位相差検出特性を、軸上の位相差検出画素における位相差検出特性と同様の特性にすることができる。すなわち、本技術の第1の実施の形態によれば、撮像素子における位相差検出画素の特性を向上させることができる。また、重心位置を一致させることにより位相差検出特性を同様の特性にするため、像高が軸上に近い位相差検出画素における被写体光を無駄に遮光することなく、撮像素子における位相差検出画素の特性を向上させることができる。<2.第2の実施の形態>本技術の第1の実施の形態では、位相差検出画素における瞳分割のための遮光層を主光線の結像点の位置よりも突出させることにより、軸外の画素の位相差検出画素を軸上の位相差検出画素に合わせる例について説明した。この例では、軸外の位相差検出画素が受光する被写体光が減少するため、使用環境によっては、軸外の位相差検出画素において光量の不足が生じてしまう場合などが想定される。そこで、軸外の位相差検出画素における光量不足を軽減させるため、軸上の画素における位相差検出特性が十分に精度が高い重心間の距離が十分に開いている場合には、最も軸外の画素の位相差検出特性に他の位置の位相差検出特性を合わせることが考えられる。本技術の第2の実施の形態では、最軸外の位相差検出画素の位相差検出特性を基準とする例について、図13を参照して説明する。[第2イメージセンサにおける像高と遮光層の関係例]図13は、本技術の第2の実施の形態における第2イメージセンサにおける像高と遮光層の位置との間の関係の一例を示す模式図である。同図aには、4つの位置図5aの位置F1乃至F4に対応する位置における左開口位相差検出画素の断面構成と、その左開口位相差検出画素のマイクロレンズによる主光線の結像点とが示されている。なお、同図aは、図10aにおいて示した本技術の第1の実施における4つの位置の左開口位相差検出画素の断面構成に対応する。同図aに示すように、本技術の第2の実施の形態の左開口位相差検出画素では、最軸外位置F4の左開口位相差検出画素において、瞳分割のための遮光層遮光層412の左端入射口側の端部が、主光線の結像点の位置と一致する。そして、像高が低くなるに従い、遮光層412の左端が主光線の結像点の位置よりも右側に、像高の減少に従って離れていくように設定される。そして、軸上の左開口位相差検出画素において、遮光層412の左端が、主光線の結像点の位置から最も離れているように設定される。すなわち、本技術の第2の実施の形態の左開口位相差検出画素では、瞳分割のための遮光層遮光層412の左端が、像高の増加に従って主光線の結像点の位置に近づくように設定される。なお、図示しないが、右開口位相差検出画素では、同図aにおいて示した左開口位相差検出画素410の遮光層411および遮光層412が、主光線の結像点の位置に対して、左右逆になる図10aおよびbにおける関係を参照。すなわち、右開口位相差検出画素では、瞳分割のための遮光層の右端が、像高の増加に従って主光線の結像点の位置に近づくように設定される。図13bおよびcには、図8に示したように口径蝕が発生する場合を想定して、位置F1およびF4における一対の位相差検出画素が受光する被写体光を、射出瞳およびグラフを用いて模式的に示す。なお図13bは図12aに対応し、図13cは図12dに対応する。図13bに示すように、本技術の第2の実施の形態では、瞳分割のための遮光層が主光線の結像点の位置から離れるに従い、遮光層により遮光される被写体光が減少し、受光素子が受光する被写体光が増加する。この受光する被写体光の増加により、被写体光の重心は、射出瞳の中心に近づく図13bの重心451および453と、図12aの重心361および365を参照。すなわち、位相差検出画素の受光素子が受光する被写体光が増加するように瞳分割のための遮光層を設定することにより、位相差検出画素が受光する被写体光の重心の位置を設定できるようになる。すなわち、本技術の第2の実施の形態では、本技術の第1の実施の形態と同様に、位相差検出画素が受光する被写体光の重心の位置を、射出瞳の中心の位置に対して像高にかかわらず一定にすることができる。これにより、位相差検出特性を、像高にかかわらずに均一にすることができる。このように、本技術の第2の実施の形態によれば、各像高における位相差検出画素の位相差検出特性を、最軸外の位相差検出画素における位相差検出特性と同様の特性にすることができる。すなわち、本技術の第1の実施の形態によれば、撮像素子における位相差検出画素の特性を向上させることができる。なお、本技術の第1の実施の形態では軸上の位相差検出画素の検出特性を基準とし、本技術の第2の実施の形態では最軸外の位相差検出画素の位相差検出特性を基準としたが、これらに限定されるものではない。所定の像高における位相差検出画素の位相差検出特性を基準としても実施することができる。例えば、所定の像高における位相差検出画素において、瞳分割のための遮光層の入射口側の端部の位置と、主光線の結像点の位置とを一致させる。そして、この所定の像高より低い位置の位相差検出画素においては、本技術の第2の実施の形態のように、像高射出瞳の形状に合わせて受光素子が受光する被写体光が増加するように瞳分割のための遮光層を配置する。また、所定の像高より高い位置の位相差検出画素においては、本技術の第1の実施の形態のように、像高射出瞳の形状に合わせて受光素子が受光する被写体光が減少するように瞳分割のための遮光層を配置する。これにより、本技術の第1および第2の実施の形態と同様に、位相差検出特性を、像高にかかわらずに均一にすることができる。このように、本技術の実施の形態によれば、撮像素子における位相差検出画素の特性を向上させることができる。なお、本技術の実施の形態の撮像素子は、瞳分割のための遮光層となる配線層受光素子に最も近いメタル層を製造する際のマスクパターンを、従来の撮像素子を製造する際のマスクパターンから変更するのみで製造することができる。すなわち、本技術の実施の形態の撮像素子は、従来の撮像素子の製造工程における簡易なプロセスの変更マスクパターンの変更のみで製造が可能である。また、受光素子に最も近いメタル層以外の構造は、位相差検出画素と画像生成画素との間で同じであるため、位相差検出画素と画像生成画素との間における画素ごとの特性のバラつきを抑えることができる。また、本技術の実施の形態では、瞳分割のための遮光層を備える位相差検出画素を想定したが、これに限定されるものではない。例えば、瞳分割のための遮光層を備えずに、瞳分割された被写体光の一方だけが通過する位置に受光素子が配置されることにより、瞳分割された被写体光の一方を受光することができる位相差検出画素の場合においても、実施することができる。この場合には、受光素子の主光線の結像点側の端部の位置と、主光線の結像点の位置とが像高の変化に応じて離れるように設定する。すなわち、位相差検出画素における瞳分割された被写体光を形成するための境目遮光層で瞳分割する場合は入射口側の端部、受光素子でする場合は受光素子の主光線の結像点側の端部の位置と、主光線の結像点の位置とが像高の変化に応じて離れるように設定される。これにより、本技術の実施の形態と同様に、位相差検出画素の特性を向上させることができる。また、1つの位相差検出画素に2つの受光素子を備えて被写体光を瞳分割する場合例えば、特開2010-237401号公報参照においても、受光素子の主光線の結像点側の端部の位置と主光線の結像点の位置とが像高の変化に応じて離れるように設定することにより、本技術の実施の形態と同様に、位相差検出画素の特性を向上させることができる。なお、本技術の実施の形態では、画像生成画素に備えられるカラーフィルタが3原色RGBのカラーフィルタであることを想定して説明したが、これに限定されるものではない。例えば、画像生成画素に補色のカラーフィルタが備えられる場合においても、同様に適用できる。また、1つの画素の領域で可視光領域の波長の光を全て検出する画素例えば、青色用の画素、緑色用の画素、赤色用の画素が光軸方向に重ねて配置されている撮像素子が画像生成画素である場合においても、本技術の実施の形態は同様に適用できる。また、位相差検出画素のカラーフィルタは、Wフィルタを想定して説明したが、これ限定されるものではなく、フィルタの代わりに透明層がある場合、Wフィルタの代わりにGフィルタを備える場合などにおいても位相差検出画素の特性を向上させることができる。なお、本技術の実施の形態では、第2信号処理部170が生成した画像をライブビュー画像として表示する例について説明したが、これに限定されるものではなく、動画として保存するようにしてもよい。なお、上述の実施の形態は本技術を具現化するための一例を示したものであり、実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本技術の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本技術は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。また、上述の実施の形態において説明した処理手順は、これら一連の手順を有する方法として捉えてもよく、また、これら一連の手順をコンピュータに実行させるためのプログラム乃至そのプログラムを記憶する記録媒体として捉えてもよい。この記録媒体として、例えば、CDCompactDisc、MDMiniDisc、DVDDigitalVersatileDisk、メモリカード、ブルーレイディスクBlurayDisc登録商標等を用いることができる。なお、本技術は以下のような構成もとることができる。1被写体からの光を集光するマイクロレンズと、前記マイクロレンズにより集光された被写体光を受光することにより位相差検出による合焦判定を行うための信号を生成する受光素子と、前記マイクロレンズと前記受光素子との間に配置されて前記被写体光の一部を遮光して前記被写体光を瞳分割する遮光部とを具備し、前記遮光部は、前記マイクロレンズを通過した被写体光の結像点の位置と前記遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の変化に応じて離れるように設定される撮像素子。21つの前記マイクロレンズと1つの受光素子と1つの前記遮光部とが、1つの位相差検出画素を構成し、隣接または近接する2つの前記位相差検出画素を前記位相差を検出するための一対の位相差検出画素とし、前記一対の位相差検出画素のうちの一方の位相差検出画素が受光する光の射出瞳における重心位置は、像高にかかわらず前記一方の位相差検出画素において前記射出瞳の中心からの位置が略同じ位置となり、前記一対の位相差検出画素のうちの他方の位相差検出画素が受光する光の射出瞳における重心位置は、像高にかかわらず前記他方の位相差検出画素において前記射出瞳の中心からの位置が略同じ位置となる前記1の撮像素子。3前記遮光部は、前記結像点の位置と前記端部の位置とが像高の増加に応じて離れるように設定される前記1または2の撮像素子。41つの前記マイクロレンズと1つの前記受光素子と1つの前記遮光部とが、1つの位相差検出画素を構成し、隣接または近接する2つの前記位相差検出画素を前記位相差検出を行うための一対の位相差検出画素とし、前記一対の位相差検出画素のうちの一方の位相差検出画素の前記遮光部は、前記一対の位相差検出画素における瞳分割方向の一方に向けて、前記一方の位相差検出画素における前記結像点の位置と、前記一方の位相差検出画素における前記遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の増加に応じて離れるように設定され、前記一対の位相差検出画素のうちの他方の位相差検出画素の前記遮光部は、前記一対の位相差検出画素における瞳分割方向の他方に向けて、前記他方の位相差検出画素における前記結像点の位置と、前記他方の位相差検出画素における前記遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の増加に応じて離れるように設定される前記3の撮像素子。5前記遮光部は、前記結像点の位置と前記端部の位置とが像高の増加に応じて近づくように設定される前記1または2の撮像素子。61つの前記マイクロレンズと1つの前記受光素子と1つの前記遮光部とが、1つの位相差検出画素を構成し、隣接または近接する2つの前記位相差検出画素を前記位相差を検出するための一対の位相差検出画素とし、前記一対の位相差検出画素のうちの一方の位相差検出画素の前記遮光部は、前記一対の位相差検出画素における瞳分割方向の一方に向けて、前記一方の位相差検出画素における前記結像点の位置と、前記一方の位相差検出画素における前記遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の増加に応じて近づくように設定され、前記一対の位相差検出画素のうちの他方の位相差検出画素の前記遮光部は、前記一対の位相差検出画素における瞳分割方向の他方に向けて、前記他方の位相差検出画素における前記結像点の位置と、前記他方の位相差検出画素における前記遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の増加に応じて近づくように設定される前記5の撮像素子。7前記遮光部は、所定の像高の位置を基準位置として、前記基準位置において前記結像点の位置と前記端部の位置とが一致するように設定され、前記結像点の位置と前記端部の位置とが前記基準位置からの像高の変化に応じて離れるように設定される前記1から6のいずれかに記載の撮像素子。81つの前記マイクロレンズと1つの前記受光素子と1つの前記遮光部とが、1つの位相差検出画素を構成し、隣接または近接する2つの前記位相差検出画素を前記位相差を検出するための一対の位相差検出画素とし、前記一対の位相差検出画素のうちの一方の位相差検出画素における前記結像点の位置と前記遮光部の入射口側の端部の位置との間の距離は、前記一対の位相差検出画素のうちの他方の位相差検出画素における前記結像点の位置と前記遮光部の入射口側の端部の位置との間の距離と略同じである前記1から7のいずれかに記載の撮像素子。9前記マイクロレンズを通過した被写体光の結像点は、当該マイクロレンズを通過した主光線の結像点である前記1から8のいずれかに記載の撮像素子。10被写体からの光を集光するマイクロレンズと、前記マイクロレンズにより集光された被写体光を受光することにより位相差検出による合焦判定を行うための信号を生成する受光素子とを具備し、前記受光素子は、前記マイクロレンズを通過した被写体光の結像点の位置と前記受光素子の前記結像点側の端部の位置とが像高の変化に応じて離れるように設定される撮像素子。11被写体からの光を集光するマイクロレンズと、前記マイクロレンズにより集光された被写体光を受光することにより位相差検出による合焦判定を行うための信号を生成する受光素子と、前記マイクロレンズと前記受光素子との間に配置されて前記被写体光の一部を遮光して前記被写体光を瞳分割する遮光部とを備え、前記遮光部は、前記マイクロレンズを通過した被写体光の結像点の位置と前記遮光部の入射口側の端部の位置とが像高の変化に応じて離れるように設定される撮像素子と、前記位相差検出画素が生成する信号に基づいて位相差検出による合焦判定を行う合焦判定部と、前記画像生成画素が生成する信号に基づいて画像を生成する画像生成部とを具備する撮像装置。