第1のパターニングデバイスを支持するように構築された第1の支持体と、第2のパターニングデバイスを支持するように構築された第2の支持体と、を備え、前記第1のパターニングデバイスが、放射ビームの断面にパターンを付与して第1のパターン付放射ビームを形成することができ、前記第2のパターニングデバイスが、放射ビームの断面にパターンを付与して第2のパターン付放射ビームを形成することができ、さらに、基板を保持するように構築された基板テーブルと、相互に隣接した前記第1及び第2のパターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、前記第1の支持体及び前記第2の支持体を駆動するように構成されたコントローラであって、スキャン動作を実行するように前記第1の支持体を駆動し、前記第1の支持体のスキャン動作の少なくとも一部の間に加速するように前記第2の支持体を駆動するように設けられたコントローラと、を備えるリソグラフィ装置。前記投影システムが、相互に隣接した前記第1及び第2のパターン付放射ビームを投影するように構成される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記コントローラが、前記第1の支持体の前記スキャン動作中に、以前にスキャンされたダイに隣接するダイをスキャンするように、前記第1の支持体の前記スキャン動作が終了するとスキャン動作を実行するために前記第2の支持体を駆動するようにさらに設けられる、請求項1又は2に記載のリソグラフィ装置。前記投影システムが、前記パターニングデバイス及び前記第2のパターニングデバイスの前記パターンを横列又は縦列の隣接するダイに交互に投影するように設けられる、前記請求項のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。前記第1の支持体の前記スキャン動作中に、前記第2の支持体を以前のスキャン動作から減速し、前記第2の支持体を停止し、前記第2の支持体を、前記第2の支持体の前記以前のスキャン動作と比較して逆方向で前記スキャン速度まで加速することによって、前記第2の支持体がスキャン開始位置及び速度まで動作する、請求項1から4のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。前記投影システムが、前記第1の支持体によって保持された前記第1のパターニングデバイスによってパターン形成されたビームを投影するように構成された第1の投影システム部と、前記第2の支持体によって保持された前記第2のパターニングデバイスによってパターン形成されたビームを投影するように構成された第2の投影システム部と、前記第1及び/又は第2の投影システム部によって投影された前記パターン付放射ビームを前記基板に投影するように構成された第3の投影システム部と、を備える前記請求項のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。前記コントローラが、前記第1の支持体の前記スキャン動作中に前記第1の投影システム部を介して第1の光路を作動させ、前記第2の支持体の前記スキャン動作中に前記第2の投影システムを介して第2の光路を作動させるように設けられる、請求項6に記載のリソグラフィ装置。前記第1の支持体によって保持された前記パターニングデバイスを照明するように構成された第1のイルミネータと、前記第2の支持体によって保持された前記第2のパターニングデバイスを照明するように構成された第2のイルミネータとを備える照明システムを備える、前記請求項のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。前記パターン付放射ビームを前記投影システムの第1の投影システム部及び/又は第2の投影システム部内に結合するように設けられた光スイッチを備える、前記請求項のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。前記リソグラフィ装置が、基板のレベリング測定を実行するように構成された測定部と、露光部とを備えたデュアルステージリソグラフィ装置であって、前記リソグラフィ装置が、前記測定部にデュアルレベリングセンサを備える、前記請求項のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。前記デュアルレベリングセンサが、粗レベリングセンサと、微細レベリングセンサとを備える、請求項10に記載のリソグラフィ装置。前記リソグラフィ装置が、基板のレベリング測定を実行するように構成された測定部と、露光部とを備えたデュアルステージリソグラフィ装置であって、前記リソグラフィ装置が、前記測定部にデュアルレベリングセンサと、前記露光部にレベリングセンサとを備える、前記請求項のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。前記請求項のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置と、基板のレベリング測定を実行するように構成されたレベリングセンサを備えるハンドラとの組合せ。第1のパターニングデバイス及び第2のパターニングデバイスからのパターンを基板に投影するリソグラフィスキャン方法であって、前記第1のパターニングデバイスを保持するように構成された第1の支持体によってスキャン動作を実行するステップと、前記第1の支持体の前記スキャン動作の少なくとも一部の間に、前記第2のパターニングデバイスを保持するように構成された第2の支持体をスキャン開始位置及び速度まで加速するステップと、前記第1の支持体による前記スキャン動作中に、以前にスキャンされたダイに隣接するダイをスキャンするように、前記第1の支持体の前記スキャン動作が終了すると前記第2の支持体によってスキャン動作を実行するステップと、を含む方法。使用時に、前記第1の支持体の前記スキャン動作の前記少なくとも一部の間に、前記第2の支持体がスキャン開始位置及び速度まで加速する、請求項14に記載の方法。0014図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームB例えば、UV放射又は任意の他の適切な放射を調節するように構成された照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えば、マスクMAを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に配置するように構成された第1の位置決めデバイスPMに接続されたパターニングデバイス支持体又は支持構造例えば、マスクテーブルMTとを含む。この装置は、また、基板例えば、レジストコートウェーハWを保持するように構築され、特定のパラメータに従って基板を正確に配置するように構成された第2の位置決めデバイスPWに接続された基板テーブル例えば、ウェーハテーブルWT又は基板支持体を含む。さらに、この装置は、基板Wのターゲット部分C例えば、1つ又は複数のダイを含む上にパターニングデバイスMAによって放射ビームBへ付与されたパターンを投影するように構成された投影システム例えば、屈折投影レンズシステムPSを含む。0015照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。0016パターニングデバイス支持体は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。このパターニングデバイス支持体は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。パターニングデバイス支持体は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。パターニングデバイス支持体は、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書においてレチクル又はマスクという用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語であるパターニングデバイスと同義と見なすことができる。0017本明細書において使用するパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。0018パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。0019本明細書において使用する投影システムという用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において投影レンズという用語を使用した場合、これはさらに一般的な投影システムという用語と同義と見なすことができる。0020本明細書で示すように、本装置は透過タイプである例えば透過マスクを使用する。あるいは、装置は反射タイプでもよい例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する。0021リソグラフィ装置は2つデュアルステージ又はそれ以上の基板テーブル又は基板支持体及び/又は2つ以上のマスクテーブル又はマスク支持体を有するタイプでよい。このようなマルチステージ機械においては、追加のテーブル又は支持体を並行して使用するか、又は1つ又は複数の他のテーブル又は支持体を露光に使用している間に1つ又は複数のテーブル又は支持体で予備工程を実行することができる。0022リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばパターニングデバイス例えばマスクMAと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する液浸という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。0023図1を参照すると、イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び/又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムBDの助けにより、放射源SOからイルミネータILへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源SOがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源SO及びイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDとともに放射システムと呼ぶことができる。0024イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタADを含んでいてもよい。通常、イルミネータILの瞳面における強度分布の外側及び/又は内側半径範囲一般にそれぞれ、σouter及びσinnerと呼ばれるを調節することができる。また、イルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータILを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。0025放射ビームBは、マスク支持体構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されたパターニングデバイス例えば、マスクMAに入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス例えばマスクMAを横断した放射ビームBは、投影システムPSを通過し、投影システムPSは、ビームを基板Wのターゲット部分C上に合焦させる。第2の位置決めデバイスPW及び位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサの助けにより、基板テーブルWTを、例えば、様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路に位置決めするように正確に移動できる。同様に、第1の位置決めデバイスPMと別の位置センサ図1には明示されていないを用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームBの経路に対してパターニングデバイス例えばマスクMAを正確に位置決めできる。一般に、パターニングデバイス支持体例えば、マスクテーブルMTの移動は、第1の位置決めデバイスPMの部分を形成するロングストロークモジュール粗動位置決め及びショートストロークモジュール微動位置決めの助けにより実現できる。同様に、基板テーブルWT又は基板支持体の移動は、第2のポジショナPWの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合スキャナとは対照的に、パターニングデバイス支持体例えばマスクテーブルMTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイス例えばマスクMA及び基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよいスクライブレーンアライメントマークとして周知である。同様に、パターニングデバイス例えばマスクMA上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。0026図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも1つにて使用可能である。1.ステップモードにおいては、パターニングデバイス支持体例えばマスクテーブルMT又はマスク支持体及び基板テーブルWT又は基板支持体は、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影されるすなわち単一静的露光。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWT又は基板支持体がX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。2.スキャンモードにおいては、パターニングデバイス支持体例えばマスクテーブルMT又はマスク支持体及び基板テーブルWT又は基板支持体は同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影されるすなわち単一動的露光。パターニングデバイス支持体例えばマスクテーブルMT又はマスク支持体に対する基板テーブルWT又は基板支持体の速度及び方向は、投影システムPSの拡大縮小及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の非スキャン方向における幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分のスキャン方向における高さが決まる。3.別のモードでは、パターニングデバイス支持体例えばマスクテーブルMT又はマスク支持体はプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWT又は基板支持体を移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWT又は基板支持体を移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。0027上述した使用モードの組合せ及び/又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。0028上述したように、リソグラフィ装置では高スループットを達成することが非常に望ましい。このような高スループットが達成可能であるために、例えばスキャン速度を上げ、スキャン順序を最適化し、有効マスクサイズを大きくし、デュアルマスクリソグラフィを使用し、それにより2つのマスクパターニングデバイスを基板に順に投影し、デュアルステージ構成を使用し、それによりレベリング測定及び露光を順に実行するように多くの開発がなされている。0029ある実施形態では、リソグラフィ装置に2つのパターニングデバイス例えばマスクステージ及び2つの光分岐を備えることによって、スループットの利得を達成することができ、その一例が図2Aに概略的に示されている。すなわち、第1のパターニング又はレチクルステージMTの第1のパターニングデバイス又はレチクルマスクMAを照明し、第1の投影システム部PS1に入る第1の光分岐と、第2のパターニングデバイス又はレチクルステージMT2によって保持される第2のパターニングデバイス又はレチクルMA2を照明し、第2の投影システム部PS2に入る第2の光分岐である。第1及び第2の光分岐は両方とも、個々の第1、第2の投影システム部PS1、PS2からの像を第3の投影システム部PS3に結合し、これが基板テーブルWTによって保持された基板Wに像を投影する。一方では、第1の投影システム部と第2の投影システム部の間に、他方では、第3の投影システム部に結合デバイスCD例えばミラー、スイッチなどを備えるを設けることができる。0030図3Aに示すように、先行技術によるリソグラフィ装置では、スキャン動作はパターニングデバイス又はレチクルステージMT及び基板ステージWTによって実行され、これによりパターンが基板WのダイD1に投影される。次に、パターニングデバイス又はレチクルステージ及び基板ステージが両方とも減速、停止、逆方向に加速し、所望のスキャン速度で以前のスキャンとは反対方向に新しいスキャン位置へと運ばれる。スキャンとスキャンの間で、基板テーブルはX方向に移動する。それにより、レチクルステージ及び基板ステージによって蛇行形状の動作パターンが示される。次に、スキャン露光が実行される期間の合計、及びステージがある位置に運ばれる期間の合計及びその後の各スキャンの速度によって、基板Wウェーハなどを露光する合計時間が形成される。0031本発明のある実施形態では、この時間を大幅に削減することができる。何故なら、リソグラフィ装置によって、パターニングデバイス又はレチクルステージの1つを介して例えばスキャンによってパターンを基板に照射することができる一方、このスキャン時間中に、以降の露光のために他のパターニングデバイス又はレチクルステージを開始位置へと運び、開始速度にするからである。これにより、露光と露光の間の必要な時間を削減することができる。0032本発明の一実施形態では、2つのイルミネータILL1、ILL2照明光学系は共通の放射源を有するか、又はそれぞれに自身の放射源が設けられる。第1及び第2のパターニングデバイス又はレチクルMA、MA2を交互にするように切り換えが必要なことがあり、この切り換えは多くの方法で実行することができる。例えば2つの放射源を交互に作動させることが可能である。あるいは、1つ又は複数の変位可能なミラー又は他の変位可能な光学要素を光路に設けることができる。ミラー又は他の光学要素の位置に応じて、基板に投影されるか、又は投影されないように対応するビームが誘導され、したがってミラー又は他の光学要素の位置が周期的に変化する結果、所望の通りに交互にすることができる。第1の投影システム部又は第2の投影システム部からのいずれかの光すなわちビームを第3の投影システム部によって基板に投影できるように、このようなミラー又は他の光学要素を、例えば第3の投影システム部の上流に設けることができる。さらに、例えば光が第1及び第2のレチクルを通過するのを阻止するか又は許容するかによって対応するビームが第1及び/又は第2の投影システム部を通過するのを許容するか又は阻止するように、第1及び第2の投影システム部の上流にこのようなミラー又は他の光学要素を設けることができる。0033図2Bは、本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置の部分のより詳細な略図を示す。ここでは、第1及び第2のイルミネータ光学系ILL1及びILL2が設けられ、それぞれが個々のレチクルマスクRMA1、RMA2及び個々の瞳整形装置PSR1、PSR2を備える。イルミネータ光学系は、個々の支持体MT1、MT2によって保持される個々のパターニングデバイス例えばレチクルMA1、MA2を通る光路を提供する。パターニングデバイス及び対応する支持体は、スキャン方向SDに沿って移動することができる。第1のイルミネータ及び第1のパターニングデバイスを介した第1の光路は、投影システム部PS1を介して進み、第2のイルミネータ及び第2のパターニングデバイスを介した第2の光路は、投影システム部PS2を介して進む。個々のミラーMR1及びMR2は、両方のビーム、すなわち第1及び第2の投影システム部からのビームをミラー構造MR3へと反射し、これは図2Bで概略的に示すようにミラーブロック又はデュアルミラーを備える。次に、2つの光路に沿ったビームは、2つの例えば隣接するスリットを同時に及び/又は順番に基板Wへと投影できるように、第3の投影システム部PS3を介して進む。0034ある実施形態では、第1の支持体及び第2の支持体を備えるリソグラフィ装置が提供される。第1の支持体は、第1のパターニングデバイスを支持するように構築される。第2の支持体は、第2のパターニングデバイスを支持するように構築される。第1のパターニングデバイスは、放射ビームの断面にパターンを付与して第1のパターン付放射ビームを形成することができる。第2のパターニングデバイスは、放射ビームの断面にパターンを付与して第2のパターン付放射ビームを形成することができる。リソグラフィ装置は、基板を保持するように構築された基板テーブルと、投影システムとをさらに備える。投影システムは、相互に隣接する第1及び第2のパターン付放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成される。リソグラフィ装置は、第1の支持体及び第2の支持体を駆動するように構成されたコントローラをさらに備え、スキャン動作を実行するために第1の支持体を駆動し、第1の支持体のスキャン動作の少なくとも一部の間に加速するために第2の支持体を駆動するように構成される。0035第1及び第2のパターン付放射ビームは、相互に隣接するか、又は2つのビームの間に距離があってもよい。ビームは、スリットとしてウェーハに投影することができる。ビームは、同じダイに投影することができる。あるいは、各ビームを別個のダイに投影することができ、ダイは相互に隣接していてもよい。0036相互に隣接したパターン付放射ビームを投影することの利点は、パターン付放射ビームをそれぞれ別個に制御することができることである。例えば、ドーズ量とも呼ばれる光の強度を別個に制御することができる。両方のパターン付放射ビームを同じスリット内で同時に投影する場合、第1及び第2のパターンを適切に投影するために、ビームそれぞれのドーズ量を制御する必要がある。さらに、基板上の放射感応性レジストの適切な照明を達成するために、ドーズ量の総量を制御する必要がある。これら3つのパラメータを一致させるのは困難なことがある。相互に隣接するパターン付放射ビームを投影することにより、各ビームのドーズ量を最適化することができ、その結果、より良い基板の照明になる。0037パターン付放射ビームをターゲットに投影する場合、強度は、所望の値に到達する前に短時間で増大してしまう。図5a及び図5bを参照されたい。これは、例えばパターン付放射ビームが投影システムに入るのを阻止するシャッター部材によって引き起こされる。ビーム路からシャッター部材を完全に除去するには、したがってビームの全強度がターゲットに到達する前に多少の時間がかかる。同じように、強度はゼロに到達する前に短時間で減少する。0038図5aは、両方のパターン付放射ビームが1つのスリット内で投影される実施形態の時間の関数tとしてのドーズ量Iを示す。各ビームのドーズ量、さらにスリットを通るドーズ量の総量の両方を制御する必要があるので、第2のパターンP2の露光は、第1のパターンP1が完全に終了した後に開始する。P1の全ドーズ量とP2の全ドーズ量との間の時間tdでは、パターンが適切に投影されないことがある。0039図5bは、各パターン付放射ビームが別個のスリットを通して投影される実施形態のドーズ量Iを示す。第1のパターンP1がまだ全ドーズ量で露光されている時に、第2のパターンP2の露光を開始することができる。この方法で、第1のパターンP1が減少し始める時に、第2のパターンP2が全ドーズ量になっている。これによって、パターンを次々とより高速で投影することができる。これによって、投影される隣接するダイを相互により近づけることができる。あるいは、2つのパターンを同時にパターン形成することができる。0040あるいは、図2Bの構成では、ミラー構造MR3を多角形または任意の他のコンバイナのようなコンバイナと交換することができ、これは両方の光路のビームを同じスリット内に投影することを可能にする。図2Bによる実施形態では、効率的かつ高速の引き継ぎができるように、デュアルスリットを同時に、例えば第1のパターニングデバイス又はレチクルMA1のスキャンが終了する一方、他のパターニングデバイス又はレチクルMA2のスキャンが開始する引き継ぎ時に使用する例えば個々のビームを投影することができる。その場合は、2つの光路に沿ってビームを同時に投影できるために、2つの放射源を使用することが望ましいことがある。1つの放射源を適用することができるが、その場合は時間が重ならずに、2つのパターニングデバイス又はマスクを照明することしかできない。コンバイナを使用する上述したような代替方法では、2つの放射源ではなく1つの放射源を適用することができる。0041様々な光路がそれぞれ、異なる透過特性及び異なる経時劣化を有することがある。さらに異なる放射源の結果、光学的ドーズ量に差がでることがある。異なる光路を介して、及び/又は異なる放射源から基板レベルで同様のドーズ量が得られるように、ドーズ量を制御することが望ましいことがある。この目標を達成する制御方策の実施形態が、光路の重なりがない部分の透過特性における測定の差を補償するように、光路のそれぞれの重なりがない部分を測定し、放射源のドーズ量をそれぞれ調整することによって提供される。1つの共通する放射源の場合、第1及び第2の光路を介して交互に透過する放射源のドーズ量は、その瞬間に適用される光路の透過特性に合わせて交互に調整される。2つの放射源の場合、放射源それぞれのドーズ量は、個々の放射源が透過する光路の透過特性に従って調整される。0042各投影要素には許容範囲があり、これは投影システムによる投影に誤差をもたらすことがある。投影を最適化するには、ミラー又はレンズのような1つ又は複数の制御可能な光学要素を適用することができ、その位置を、いわゆるレンズマニピュレータのようなアクチュエータによって制御し駆動する。2つの光路を有する投影システムでは、各光路で異なる誤差が生じることがある。本発明のある実施形態による投影システムでは、ある実施形態では、誤差の少なくとも一部は、例えば投影システム部PS1、PS2内の各光路の調整可能な光学要素によって補正することができる。それにより、例えば投影システム部PS1、PS2内の両方の光路に十分大きい範囲の補正が与えられていれば、光路の共通部例えば第3の投影システム部PS3を補正せずに保持することができる。別の実施形態では、投影システム部PS1、PS2及びPS3のそれぞれで補正することができる。したがって、PS1とPS3の補正を一緒にして第1の光路を補正することができ、PS2とPS3の補正を一緒にして第2の光路を補正することができる。0043基板レベリング測定は、高スループットに対処するように構成することができる。それに対して多くの方法を実行し得る。次に、デュアルステージリソグラフィ装置、すなわち露光を露光側で実行する一方、同時に別の基板でレベリング測定を実行するリソグラフィ装置について幾つかの例を説明する。本発明の実施形態により露光サイクルの短縮を達成することができるので、改良されたレベリング測定を提供することが望ましい。ある実施形態では、デュアルレベリングセンサを設けることができ、リソグラフィ装置は、2つのレベリングセンサと並列で測定するように構成され、したがってレベリング測定を実行すべき表面をより短時間で測定することができる。あるいは、デュアルレベリングセンサを粗レベリングセンサ及び微細レベリングセンサとして構成することができる。これにより、より高い測定速度を達成することができ、これはレベリング測定を実行するために必要な合計時間に好ましい効果を与えることができる。レベリング測定はハンドラで実行することもできる。ある実施形態では、微細レベリング測定をリソグラフィ装置の測定側で実行する間に、粗レベリングをハンドラで実行することができる。本発明の別の実施形態では、レベリングの一部例えば粗レベリング測定をリソグラフィ装置の測定側で実行する一方、レベリングの一部例えば微細レベリング測定を露光側の対応するレベルセンサで実行する。0044図2A及び図2Bは、本文書で説明する概念を図示するように意図された概略的構成であることを理解されたい。実際的な実施形態では、第1の支持体と第2の支持体が別個に移動できるように、その間の間隔を大きくすることができる。0045本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を様々なスキャン方式に適用することができる。上述し図3Aを参照して説明したように、従来のリソグラフィ装置では、通常、蛇行形状のスキャンパターンを適用し、これによりパターニングデバイス又はレチクルステージMT及び基板テーブルWTがそれぞれ、パターンを基板に繰り返し露光するためにスキャン動作を実行する。本発明のある実施形態によると、横列又は縦列で隣接するダイが連続的にスキャンされる。これに対して、第1のダイD1は第1のパターニングデバイス又はレチクルによって、第2の後続ダイD2は第2のパターニングデバイス又はレチクルによって、第3のダイD3は再度第1のパターニングデバイス又はレチクルによって、第4のダイD4は第2のパターニングデバイス又はレチクルによって、以下同様にスキャンされる。このスキャンについては、図4A~図4Eを参照してさらに説明する。図4A~図4Eはそれぞれ、レチクルによるスキャン動作の連続するステップの略図を示す。これらの図のそれぞれで、第1のパターニングデバイス又はレチクルステージMTは左側に、第2のレチクル又はパターニングデバイスステージMT2は右側に示されている。パターニングデバイス又はレチクルそれぞれの矢印は、レチクルが移動する方向を示す。この例では、スキャン方向はy方向であると見なされる。パターニングデバイス又はレチクルに矢印が示されていない場合、それは停止している。図4Aでは、第1のパターニングデバイス又はレチクルがスキャン速度でスキャンを実行し始めている。その瞬間に、第2のパターニングデバイス又はレチクルは、点線が通ることによって記号で示されているようにちょうどスキャンを終了している。次に図4Bでは、第2のパターニングデバイス又はレチクルが減速して停止する一方、第1のレチクルがスキャンを実行している。第1のパターニングデバイス又はレチクルのスキャン中に、第2のパターニングデバイス又はレチクルが加速し逆方向に移動し図4C、減速、停止し図4D、再度スキャン方向にスキャン速度まで加速する図4E。その瞬間に、第1のパターニングデバイス又はレチクルによるスキャンが実質的に終了し、光路は、第1のパターニングデバイス又はレチクルのパターンではなく第2のレチクルのパターンを基板に投影するように変化する。次に、第2のパターニングデバイス又はレチクルのパターンがスキャンされる。基板は、スキャン中に一定の速度で移動することができる。本明細書に記載したプロセスの結果、図3Bに示すように隣接するダイを順番に投影することができる。第1及び第2の支持体すなわち第1及び第2のパターニングデバイス又はレチクルステージを駆動するコントローラは、パターニングデバイス又はレチクルステージMTのスキャン動作中に第1の投影システム部PS1を介して第1の光路を作動させ、第2の支持体MT2のスキャン動作中に第2の投影システム部PS2を介して第2の光路を作動させるように設けることができる。0046本発明のある実施形態の方法では、リソグラフィ装置と同じ又は同様の利点を達成することができる。本発明のある実施形態の方法では、同じ又は同様の好ましい実施形態を提供することができ、それによりリソグラフィ装置の対応する好ましい実施形態と同じ又は同様の効果が達成される。0047本発明のある実施形態では、リソグラフィ装置は、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築された支持体と、基板を保持するように構築された基板テーブルと、パターン付放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムとを備え、リソグラフィ装置が、第2のパターニングデバイスを支持するように構築された第2の支持体と、支持体及び第2の支持体を駆動するコントローラとをさらに備え、コントローラが、スキャン動作を実行するように支持体を駆動し、支持体のスキャン動作の少なくとも一部の間にスキャン開始位置及び速度へと加速するように第2の支持体を駆動し、隣接するダイをスキャンするように、支持体のスキャン動作が終了するとスキャン動作を実行するように第2の支持体を駆動するように設けられるリソグラフィとして説明することもできる。本文書に記載したものと同じ実施形態、特徴、効果などは、本明細書に記載したリソグラフィ装置にも当てはまることを理解されたい。0048本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書でウェーハ又はダイという用語を使用している場合、それぞれ、基板又はターゲット部分という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール、メトロロジーツール及び/又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。0049光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィの分野でも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組合せを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると内部にパターンが残される。0050本明細書で使用する放射及びビームという用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線UV放射例えば、365nm、248nm、193nm、157nm若しくは126nm、又はこれら辺りの波長を有する及び極端紫外線光EUV放射例えば、5nm~20nmの範囲の波長を有するを含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。0051レンズという用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。0052以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の1つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスクの形態をとることができる。0053上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。