"高周波アンテナに高周波電力を印加することにより処理室内に誘導プラズマを励起して、前記処理室内の載置台に載置された基板に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前記載置台と対向するように、前記処理室の天井部に配設された天板と、前記処理室内の前記載置台と前記天板との間の空間に、前記処理室の側壁側から前記処理室の中央側に突出するよう配設され、少なくとも前記天板に向けて処理ガスを噴出させる複数のガス噴出孔を有する複数のガスノズルと、を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1記載のプラズマ処理装置であって、前記ガスノズルの少なくとも1つは、突出方向に沿って往復運動させる駆動機構を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1又は2記載のプラズマ処理装置であって、複数の前記ガスノズルは、第1ガスノズルと、突出方向に沿った長さが前記第1ガスノズルより短い第2ガスノズルとの少なくとも2種配設されていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項3記載のプラズマ処理装置であって、前記往復運動は、前記第1ガスノズルと、前記第2ガスノズルとで交互に行うことを特徴とするプラズマ処理装置。請求項3記載のプラズマ処理装置であって、前記往復運動は、前記第1ガスノズルと、前記第2ガスノズルとで同時に行うことを特徴とするプラズマ処理装置。請求項3~5いずれか1項記載のプラズマ処理装置であって、突出方向に沿った長さが前記第2ガスノズルより短い第3ガスノズルをさらに具備することを特徴とするプラズマ処理装置。処理室の天井部に配設された天板の外側に設けられた高周波アンテナに高周波電力を印加することにより、前記処理室内に誘導プラズマを励起して、前記処理室内に前記天板と対向するように配設された載置台に載置された基板に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置の処理ガス供給構造であって、前記処理室内の前記載置台と前記天板との間の空間に、前記処理室の側壁側から前記処理室の中央側に突出するよう配設され、少なくとも前記天板に向けて処理ガスを噴出させる複数のガス噴出孔を有する複数のガスノズルと、前記ガスノズルを突出方向に沿って往復運動させる駆動機構と、を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置の処理ガス供給構造。近年、半導体ウエハ等の基板は大径化される傾向にあり、この大径化された基板の各部に均一に処理ガスを供給して、均一な処理を行うことが求められている。本発明は、このような従来の事情に対処してなされたもので、基板の各部により均一に処理ガスを供給することができ、均一な処理を行うことのできるプラズマ処理装置及びその処理ガス供給構造を提供することを目的とする。本発明のプラズマ処理装置の一態様は、高周波アンテナに高周波電力を印加することにより処理室内に誘導プラズマを励起して、前記処理室内の載置台に載置された基板に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前記載置台と対向するように、前記処理室の天井部に配設された天板と、前記処理室内の前記載置台と前記天板との間の空間に、前記処理室の側壁側から前記処理室の中央側に突出するよう配設され、少なくとも前記天板に向けて処理ガスを噴出させる複数のガス噴出孔を有する複数のガスノズルと、を具備したことを特徴とする。本発明のプラズマ処理装置の処理ガス供給構造の一態様は、処理室の天井部に配設された天板の外側に設けられた高周波アンテナに高周波電力を印加することにより、前記処理室内に誘導プラズマを励起して、前記処理室内に前記天板と対向するように配設された載置台に載置された基板に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置の処理ガス供給構造であって、前記処理室内の前記載置台と前記天板との間の空間に、前記処理室の側壁側から前記処理室の中央側に突出するよう配設され、少なくとも前記天板に向けて処理ガスを噴出させる複数のガス噴出孔を有する複数のガスノズルと、前記ガスノズルを突出方向に沿って往復運動させる駆動機構と、を具備したことを特徴とする。本発明によれば、基板の各部により均一に処理ガスを供給することができ、均一な処理を行うことのできるプラズマ処理装置及びその処理ガス供給構造を提供することができる。以下、本発明の詳細を、図面を参照して実施形態について説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係るプラズマ処理装置としてのプラズマエッチング装置100の縦断面概略構成を模式的に示す図である。同図に示すように、プラズマエッチング装置100は、導電性材料、例えば表面を陽極酸化処理されたアルミニウム等から構成され、内部を気密に閉塞可能とされた円筒容器状の処理チャンバー1を具備している。処理チャンバー1の上部には、開口が形成されており、この開口を気密に閉塞するように、天板2が配設されている。この天板2は、少なくともその一部が石英等の誘電体からなり、誘電体窓を構成している。天板2の上部には、所定形状、例えば円環状とされた高周波アンテナ5が配設されている。この高周波アンテナ5は、所定周波数の高周波電力を供給する高周波電源6に接続されている。プラズマ処理中は、高周波電源6からプラズマ生成用の所定周波数の高周波電力、例えば周波数が13.56MHzの高周波電力が高周波アンテナ5へ供給される。高周波アンテナ5に高周波電力が供給されることによって、天板2の誘電体窓を介して処理チャンバー1内に誘導電磁界が形成され、この誘導電磁界により、処理チャンバー1内に供給された処理ガスがプラズマ化される。処理チャンバー1の内部には、天板2と対向するように、載置台サセプタ8が配設されている。この載置台8は、その上側の載置面に、プラズマ処理を行う基板、例えば半導体ウエハWを載置するためのものである。載置台8には、所定周波数、例えば380KHzのバイアスを印加するためのバイアス用高周波電源9が接続されている。このバイアス用高周波電源9は、処理チャンバー1内で励起されたプラズマ中のイオンを効果的に半導体ウエハWに引込むために使用される。また、載置台8には、半導体ウエハWを固定するための図示しない静電チャック、半導体ウエハWを所定温度に調整するための図示しない温度調整機構等が配設されている。処理チャンバー1内の載置台8の上側部分は、ここでプラズマを発生させて半導体ウエハWの処理を行う処理空間10とされている。一方、載置台8の周囲には、環状の排気空間11が形成されている。この排気空間11は、処理チャンバー1の底部に設けられた排気口を介して真空ポンプ等の排気機構図示せず。に接続されている。そして、この排気機構によって排気を行うことにより、処理チャンバー1内を所定の真空度に維持することができるようになっている。図1、図2に示すように、処理チャンバー1の側壁部には、処理チャンバー1内の載置台8に載置された半導体ウエハWの上方に位置する処理空間10に、処理チャンバー1の側壁部から処理チャンバー1の中心に向くように突出するガスノズル20,21が複数配設されている。図2に示すように、ガスノズル20,21は、載置台8に載置された半導体ウエハWの周囲を囲むように均等に、すなわち、周方向に沿って等間隔で配置されている。なお、ガスノズル20より、ガスノズル21の方が、突出方向に沿った長さが短くなっている。また、本実施形態では、ガスノズル20、ガスノズル21が、夫々4つずつ、合計8つ配設されているが、ガスノズル20、ガスノズル21の数は、8つに限らず幾つであってもよい。ガスノズル20及びガスノズル21は、有底円筒状に形成されており、その側壁部の上側には、複数のガス噴出孔23が配設されている。図2に示すように、長さの長いガスノズル20には、等間隔で3つのガス噴出孔23が配設されている。また、長さの短いガスノズル21には、2つのガス噴出孔23が配設されている。これらのガス噴出孔23の数についても、図1,2に示す例に限定されるものではなく、幾つとしてもよい。ガスノズル20及びガスノズル21は、例えば石英管等の管状部材から構成されており、この石英管等の管状部材の直径は、例えば数ミリから十数ミリ程度とされている。また、各ガス噴出孔23は、直径が例えば0.1ミリから数ミリ程度とされている。ガスノズル20及びガスノズル21の後端部は、図示しないガス供給機構に接続されており、図中矢印で示すように、後端側から所定の処理ガス例えば、エッチングガスが供給されるようになっている。また、ガスノズル20及びガスノズル21の後端側から供給された処理ガスは、各ガス噴出孔23から、天板2に向けて噴出され、天板2に衝突した後、拡散し下方に向けて下降する処理ガスの流れを形成するようになっている。上記のように、本実施形態では、ガスノズル20及びガスノズル21の各ガス噴出孔23から天板2に向けて処理ガスを噴出させる。これによって、天板2に衝突し、四方に拡散しながら下方に向けて下降する処理ガスの流れを形成することができ、処理ガスを均一に分散させた状態で、かつ、十分に撹拌された状態で、載置台8上に載置された半導体ウエハWに供給することができる。また、一旦天板2に処理ガスを噴出させることによって、処理ガスの流れによって天板2に付着物が付着することを防止することができる。さらに、一旦天板2に処理ガスを噴出させることによって、天板2の温度変化温度上昇を抑制することができ、プロセスの安定性を向上させることができる。次に、上記構成のプラズマエッチング装置100を用いて、半導体ウエハWに対してプラズマエッチング処理を施す場合について説明する。まず、図示しないゲートバルブ等の開閉機構を開けて搬送機構により半導体ウエハWを処理チャンバー1内に搬入し、載置台8に載置する。次に、図示しない排気機構によって処理チャンバー1内の排気空間11から排気を行うとともに、ガスノズル20,21から天板2に向けて所定の処理ガスエッチングガスを噴出し、処理空間10内を均一に分散した処理ガスの雰囲気とし、かつ、所定の圧力雰囲気に維持する。次に、高周波電源6から所定周波数例えば13.56MHzの高周波電力を高周波アンテナ5に印加することにより、天板2の誘電体窓を介して処理空間10内に誘導電磁界を形成する。かかる誘導電磁界により、処理空間10内で処理ガスがプラズマ化され、高密度の誘導結合プラズマが生成される。このようにして生成されたプラズマ中のイオンは、バイアス用高周波電源9から載置台8に対して印加されるバイアス用高周波電力によって、半導体ウエハWに効果的に引込まれ、半導体ウエハWに対してプラズマエッチング処理が施される。このプラズマエッチング処理においては、ガスノズル20,21によって均一に処理ガスを分散させることができるので、均一なプラズマによって均一なプラズマエッチングを行うことができる。プラズマエッチング処理が終了すると、高周波電源の供給及び処理ガスの供給が停止され、上記した手順とは反対の手順で半導体ウエハWが処理チャンバー1内から搬出される。次に、図3を参照して第2実施形態に係るプラズマエッチング装置200について説明する。このプラズマエッチング装置200では、ガスノズル20、ガスノズル21に加えて、ガスノズル21より更に突出方向に沿った長さが短いガスノズル22を8つ配設したものである。なお、他の部分については、前述した第1実施形態のプラズマエッチング装置100と同様に構成されているので、対応する部分には同一の符号を付して重複した説明は省略する。このプラズマエッチング装置200のように、ガスノズルの種類は3種或いは4種以上としてもよい。また、ガスノズル20、ガスノズル21、ガスノズル22に配設されたガス噴出孔23は、天板2の方向に、真上に向かって処理ガスを噴出させるガス噴出孔23に加えて、図4に示すように、斜め上方に向けて処理ガスを噴出させるガス噴出孔23を設けてもよい。さらに、図5に示すように、天板2の方向に、真上に向かって処理ガスを噴出させるガス噴出孔23に加えて、半導体ウエハWの方向に、下方に向けて処理ガスを噴出させるガス噴出孔23を設けてもよい。図6は、第3実施形態に係るプラズマエッチング装置300の構成を示すもので、このプラズマエッチング装置300は、ガスノズル20及びガスノズル21図6には、ガスノズル20のみ図示。を突出方向に沿って水平に往復運動可能としたものである。すなわち、ガスノズル20及びガスノズル21は、その後端が処理チャンバー1の外側にまで延在するように配設され、その後端部に駆動機構30からの駆動力が伝達されるようになっている。また、ガスノズル20及びガスノズル21は、リニアガイド31を介して処理チャンバー1の側壁部に係止されており、処理チャンバー1との間には、真空を保持するための真空シール機構32、例えば、Oリング、磁性流体シール、ベローズ等が配設されている。そして、図6中矢印で示すように、駆動機構30によって、ガスノズル20及びガスノズル21を、その突出方向に沿って、水平に往復運動させることができるようになっている。これによって、ガスノズル20及びガスノズル21による処理ガスの噴出位置を移動させ、処理チャンバー1内の処理空間10における処理ガスの分散状態を、より均一化することができる。この場合、ガスノズル20及びガスノズル21の往復運動は、例えば、対向するガスノズル20及びガスノズル21が同じ方向一方が突出する方向で他方が引っ込む方向に移動するようにしても、異なる方向両方が突出する方向、及び、両方が引っ込む方向に移動するようにしてもよい。また、全てのガスノズル20及びガスノズル21を移動させるのではなく、一部のガスノズル20及びガスノズル21を移動させるようにしてもよい。さらに、例えば、ガスノズル20とガスノズル21を交互に往復運動させても、同時に往復運動させてもよい。また、ガスノズル20及びガスノズル21の往復運動のストロークは、例えば、ガスノズル20及びガスノズル21の最も根元側のガス噴出孔23が処理チャンバー1の側壁近傍に位置する部位から、最も先端側のガス噴出孔23が処理チャンバー1の中心近傍に位置する部位までとすることが好ましい。なお、他の部分については、前述した第1実施形態のプラズマエッチング装置100と同様に構成されているので、対応する部分には同一の符号を付して重複した説明は省略する。上記構成の第3実施形態のプラズマエッチング装置300では、第1実施形態のプラズマエッチング装置100と同様な作用、効果を得ることができる。これとともに、駆動機構30によってガスノズル20及びガスノズル21による処理ガスの噴出位置を移動させながら、処理ガスを噴出させることにより、処理チャンバー1内の処理空間10における処理ガスの分散状態を、より均一化することができ、より均一なエッチング処理を施すことができる。以上、本発明を第1乃至第3実施形態について説明したが、本発明はこれらの第1乃至第3実施形態に限定されるものではなく、各種の変形が可能であることは勿論である。"