"回路基板と、前記回路基板に設けられ、かつ、入力信号に対して所定の処理を施す処理回路と、前記回路基板に設けられ、かつ、入力ポート、出力ポート及びグランドポートを有するアイソレータであって、該入力ポートを介して入力してくる前記処理回路が所定の処理を施した前記入力信号を該出力ポートを介して出力信号として出力させるアイソレータと、前記処理回路と前記アイソレータとの間に設けられ、かつ、該処理回路と該アイソレータとの間を伝送する前記入力信号を分配する分配回路と、を備え、前記アイソレータは、前記回路基板上に実装されているコアアイソレータであって、フェライトと、直流磁界を該フェライトに印加する永久磁石と、該フェライトに設けられ、一端が前記入力ポートに接続され、他端が前記出力ポートに接続されている第1の中心電極と、該第1の中心電極と絶縁状態で交差するように該フェライトに設けられ、一端が該出力ポートに接続され、他端が前記グランドポートに接続されている第2の中心電極と、を有しているコアアイソレータと、前記回路基板に設けられ、かつ、前記アイソレータの入力インピーダンス及び出力インピーダンスを所定のインピーダンスに整合するための整合回路と、を含んでいること、を特徴とする回路モジュール。前記処理回路は、所定の周波数帯域の信号を通過させる特性を有する回路を含んでおり、前記アイソレータは、前記出力ポートから第1の信号を入力させたときに前記入力ポートから出力される第2の信号の該第1の信号に対する減衰量が、前記所定の周波数帯域以外の周波数において最大となる特性を有していること、を特徴とする請求項1に記載の回路モジュール。前記処理回路は、信号経路に複数配置され、それぞれが異なる所定の周波数帯域の信号を通過させる特性の回路を含んでおり、前記アイソレータにおける前記出力ポートから前記第1の信号を入力させたときに、前記入力ポートから出力される前記第2の信号の該第1の信号に対する減衰量が最大となる周波数は、前記複数の処理回路の所定の周波数帯域に挟まれた周波数帯域にあること、を特徴とする請求項2に記載の回路モジュール。前記処理回路は、前記入力信号の電力を増幅する増幅回路を含んでいること、を特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の回路モジュール。前記分配回路は、方向性結合器であること、を特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の回路モジュール。前記方向性結合器は、互いに絶縁された主線路と副線路とを備え、前記主線路及び前記副線路は前記増幅回路に接続されていること、を特徴とする請求項5に記載の回路モジュール。入力信号に対して所定の処理を施す処理回路と、入力ポート、出力ポート及びグランドポートを有するアイソレータであって、該入力ポートを介して入力してくる該処理回路が所定の処理を施した該入力信号を該出力ポートを介して出力信号として出力させるアイソレータと、該処理回路と該アイソレータとの間に設けられ、かつ、該処理回路と該アイソレータとの間を伝送する信号を分配する分配回路と、を備えている回路モジュールの該アイソレータの特性の測定方法であって、前記出力ポートからテスト信号を入力させて、前記分配回路から出力される検知信号を測定する第1のステップを、備えていること、を特徴とする測定方法。前記検知信号の測定結果に基づいて、前記アイソレータの特性を調整する第2のステップを、更に備えていること、を特徴とする請求項7に記載の測定方法。前記回路モジュールは、回路基板を、更に備えており、前記アイソレータは、前記回路基板上に実装されているコアアイソレータであって、フェライトと、直流磁界を該フェライトに印加する永久磁石と、該フェライトに設けられ、一端が前記入力ポートに接続され、他端が前記出力ポートに接続されている第1の中心電極と、該第1の中心電極と絶縁状態で交差するように該フェライトに設けられ、一端が該出力ポートに接続され、他端が前記グランドポートに接続されている第2の中心電極と、を有しているコアアイソレータと、前記回路基板に設けられ、かつ、前記アイソレータの入力インピーダンス及び出力インピーダンスを所定のインピーダンスに整合するための整合回路と、を含んでいること、を特徴とする請求項7又は請求項8のいずれかに記載の測定方法。前記第1のステップにおいて、前記検知信号の前記テスト信号に対する減衰量を測定すること、を特徴とする請求項7ないし請求項9のいずれかに記載の測定方法。前記処理回路は、所定の周波数帯域の信号を通過させる特性を有する回路を含んでおり、前記アイソレータは、前記出力ポートから第1の信号を入力させたときに、前記入力ポートから出力される第2の信号の該第1の信号に対する減衰量が、前記所定の周波数帯域内以外の周波数において最大となる特性を有していること、を特徴とする請求項7ないし請求項10のいずれかに記載の測定方法。前記処理回路は、前記入力信号の電力を増幅する増幅回路を含んでいること、を特徴とする請求項7ないし請求項11のいずれかに記載の測定方法。前記分配回路は、方向性結合器であること、を特徴とする請求項7ないし請求項12のいずれかに記載の測定方法。前記方向性結合器は、互いに絶縁された主線路と副線路とを備え、前記主線路及び前記副線路は前記増幅回路に接続されていること、を特徴とする請求項13に記載の測定方法。そこで、本発明の目的は、処理回路とアイソレータとを備えた回路モジュールであって、アイソレータのアイソレーション特性を正確に測定できる回路モジュール及び測定方法を提供することである。本発明の一形態に係る回路モジュールは、回路基板と、前記回路基板に設けられ、かつ、入力信号に対して所定の処理を施す処理回路と、前記回路基板に設けられ、かつ、入力ポート、出力ポート及びグランドポートを有するアイソレータであって、該入力ポートを介して入力してくる前記処理回路が所定の処理を施した前記入力信号を該出力ポートを介して出力信号として出力させるアイソレータと、前記処理回路と前記アイソレータとの間に設けられ、かつ、該処理回路と該アイソレータとの間を伝送する前記入力信号を分配する分配回路と、を備え、前記アイソレータは、前記回路基板上に実装されているコアアイソレータであって、フェライトと、直流磁界を該フェライトに印加する永久磁石と、該フェライトに設けられ、一端が前記入力ポートに接続され、他端が前記出力ポートに接続されている第1の中心電極と、該第1の中心電極と絶縁状態で交差するように該フェライトに設けられ、一端が該出力ポートに接続され、他端が前記グランドポートに接続されている第2の中心電極と、を有しているコアアイソレータと、前記回路基板に設けられ、かつ、前記アイソレータの入力インピーダンス及び出力インピーダンスを所定のインピーダンスに整合するための整合回路と、を含んでいること、を特徴とする。本発明の一形態に係る測定方法は、入力信号に対して所定の処理を施す処理回路と、入力ポート、出力ポート及びグランドポートを有するアイソレータであって、該入力ポートを介して入力してくる該処理回路が所定の処理を施した該入力信号を該出力ポートを介して出力信号として出力させるアイソレータと、該処理回路と該アイソレータとの間に設けられ、かつ、該処理回路と該アイソレータとの間を伝送する信号を分配する分配回路と、を備えている回路モジュールの該アイソレータの特性の測定方法であって、前記出力ポートからテスト信号を入力させて、前記分配回路から出力される検知信号を測定する第1のステップを、備えていること、を特徴とする。本発明によれば、処理回路とアイソレータとを備えた回路モジュールにおいて、アイソレータのアイソレーション特性を正確に測定できる。以下に、本発明の一実施形態に係る回路モジュール及び測定方法について図面を参照しながら説明する。回路モジュールの構成まず、回路モジュールの構成について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る回路モジュール1のブロック図である。回路モジュール1は、携帯電話等の無線通信機の送信回路の一部を構成しており、高周波信号の電力を増幅して出力する。回路モジュール1は、回路基板2、スイッチ3、SAWフィルタ4a,4b、スイッチ5、パワーアンプ6、方向性結合器7及びアイソレータ8を備えている。回路基板2は、表面及び内部に電気回路が形成された板状のプリント多層基板である。回路基板2には、端子Pa~Pdが設けられている。そして、入力信号RFin_BC0800MHz帯又は入力信号RFin_BC3900MHz帯が端子Paを介して入力し、出力信号RFout_BC0800MHz帯又は出力信号RFout_BC3900MHz帯が端子Pbを介して出力する。スイッチ3、SAWフィルタ4a,4b、スイッチ5、パワーアンプ6、方向性結合器7及びアイソレータ8は、図1に示すように、回路基板2上に実装されている電子部品である。スイッチ3は、図1に示すように、端子Pa及びSAWフィルタ4a,4bに接続されている。スイッチ3は、端子Paを介して入力してくる入力信号RFin_BC0又は出力信号RFout_BC3をSAWフィルタ4a,4bのいずれかに切り替えて出力する。SAWフィルタ4aは、所定の周波数帯域例えば、800MHz~830MHzの高周波信号のみを通過させる特性を有するバンドパスフィルタである。また、SAWフィルタ4bは、SAWフィルタ4aとは異なる所定の周波数帯域例えば、880MHz~920MHzの高周波信号のみを通過させる特性を有するバンドパスフィルタである。より詳細には、SAWフィルタ4a,4bは、所定の周波数帯域における通過信号の減衰量が所定の周波数帯域以外における該通過信号の減衰量よりも小さくなる特性を有している。通過信号とは、SAWフィルタ4a,4bを通過する高周波信号である。スイッチ5は、図1に示すように、SAWフィルタ4a,4b及びパワーアンプ6に接続されており、SAWフィルタ4a又はSAWフィルタ4bから出力されてくる入力信号RFin_BC0又は入力信号RFin_BC3をパワーアンプ6に出力する。パワーアンプ6は、スイッチ5から出力されてくる入力信号RFin_BC0又は入力信号RFin_BC3の電力を増幅する。以上のように、スイッチ3、SAWフィルタ4a,4b、スイッチ5及びパワーアンプ6は、入力信号RFin_BC0又は入力信号RFin_BC3に対して所定の処理を施す処理回路として機能している。アイソレータ8は、図1に示すように、入力ポートP1、出力ポートP2及びグランドポートP3を有する非可逆回路素子である。具体的には、アイソレータ8は、入力ポートP1を介して入力してくる処理回路が所定の処理を施した入力信号を、出力信号として出力ポートP2を介して出力させる。一方、アイソレータ8は、端子Pb側から反射してきた高周波信号をパワーアンプ6側に出力しない。よって、出力ポートP2は、端子Pbに接続されており、グランドポートP3は、接地されている。なお、アイソレータ8の詳細については後述する。方向性結合器7は、パワーアンプ6とアイソレータ8との間に設けられ、パワーアンプ6とアイソレータ8との間を伝送される入力信号を分配する分配回路である。より詳細には、方向性結合器7は、主線路17a及び副線路17bを備えている。主線路17aと副線路17bとは、電磁気的に結合している。なお、主線路17aと副線路17bとの結合量は、例えば、-8dBである。主線路17aの一端は、パワーアンプ6に接続され、主線路17aの他端は、アイソレータ8の入力ポートP1に接続されている。副線路17bの一端は、端子Pcに接続され、副線路17bの他端は、端子Pdに接続され、該端子Pdを介してパワーアンプ6に接続されている。ここで、端子Pcは、インピーダンス整合をとるための抵抗器12を介して接地されている。これにより、主線路17aに入力信号が伝送されると、入力信号の一部が分配され、分配信号Sigとして、端子Pdから出力される。端子Pdは、パワーアンプ6に接続されている。そのため、分配信号Sigは、パワーアンプ6に入力される。分配信号Sigは、パワーアンプ6の出力信号の増減により変化する値であるため、パワーアンプ6の出力信号を所定値に保つために、パワーアンプ6は、分配信号Sigの強度に基づいて、入力信号に対する増幅量を変化させる。これにより、パワーアンプ6は、入力信号に対して所定の処理を施している。次に、アイソレータ8について図面を参照しながら説明する。図2は、アイソレータ8の外観斜視図である。図3は、中心電極35,36が設けられたフェライト32の外観斜視図である。図4は、フェライト32の外観斜視図である。図5は、コアアイソレータ30の分解斜視図である。アイソレータ8は、集中定数型アイソレータであり、図2に示すように、回路基板2、コアアイソレータ30、コンデンサC1,C2,CS1,CS2及び抵抗Rにより構成されている。コアアイソレータ30は、図2に示すように、フェライト32、及び、一対の永久磁石41により構成されている。フェライト32には、図3に示すように、表裏の主面32a,32bに互いに電気的に絶縁された中心電極35,36が設けられている。ここで、フェライト32は、互いに対向する平行な主面32a,32bを有する直方体形状をなしている。また、永久磁石41は、フェライト32に対して直流磁界を主面32a,32bに略垂直方向に印加するように主面32a,32bに対して、例えば、エポキシ系の接着剤42を介して接着されている図5参照。永久磁石41の主面41aは、フェライト32の主面32a,32bと同一寸法である。そして、フェライト32及び永久磁石41は、主面32a,32bの外形と主面41aの外形とが一致した状態で対向するように、配置されている。中心電極35は、導体膜である。すなわち、中心電極35は、図3に示すように、フェライト32の主面32aにおいて右下から立ち上がって2本に分岐した状態で左上の長辺に対して比較的小さな角度で傾斜している。そして、中心電極35は、左上方に立ち上がり、上面32c上の中継用電極35aを介して主面32bに回り込んでいる。更に、中心電極35は、主面32bにおいて主面32aと透視状態で重なるように2本に分岐するように設けられている。中心電極35の一端は、下面32dに形成された接続用電極35bに接続されている。また、中心電極35の他端は、下面32dに形成された接続用電極35cに接続されている。このように、中心電極35は、フェライト32に1ターン巻回されている。そして、中心電極35と以下に説明する中心電極36とは、間に絶縁膜が設けられることにより互いに絶縁された状態で交差している。中心電極35,36の交差角は、必要に応じて設定され、入力インピーダンスや挿入損失が調整されることになる。中心電極36は、導体膜である。中心電極36は、0.5ターン目36aが主面32aにおいて右下から左上に長辺に対して比較的大きな角度で傾斜して中心電極35と交差した状態で形成され、上面32c上の中継用電極36bを介して主面32bに回り込み、この1ターン目36cが主面32bにおいてほぼ垂直に中心電極35と交差した状態で形成されている。1ターン目36cの下端部は下面32dの中継用電極36dを介して主面32aに回り込み、この1.5ターン目36eが主面32aにおいて0.5ターン目36aと平行に中心電極35と交差した状態で形成され、上面32c上の中継用電極36fを介して主面32bに回り込んでいる。以下同様に、2ターン目36g、中継用電極36h、2.5ターン目36i、中継用電極36j、3ターン目36k、中継用電極36l、3.5ターン目36m、中継用電極36n、4ターン目36o、がフェライト32の表面にそれぞれ形成されている。また、中心電極36の両端は、それぞれフェライト32の下面32dに形成された接続用電極35c,36pに接続されている。なお、接続用電極35cは中心電極35及び中心電極36のそれぞれの端部の接続用電極として共用されている。また、接続用電極35b,35c,36p及び中継用電極35a,36b,36d,36f,36h,36j,36l,36nは、フェライト32の上面32c及び下面32dに形成された凹部37図4参照に銀、銀合金、銅、銅合金などの電極用導体を塗布又は充填することにより設けられている。また、上面32c及び下面32dには、各種電極と平行に凹部38も設けられ、かつ、ダミー電極39a,39b,39cが設けられている。この種の電極は、マザーフェライト基板に予めスルーホールを形成し、このスルーホールを電極用導体で充填した後、スルーホールを分断する位置でカットすることによって形成される。なお、各種電極は凹部37,38に導体膜として形成したものであってもよい。フェライト32としてはYIGフェライトなどが用いられている。中心電極35,36及び各種電極は、銀や銀合金の厚膜又は薄膜として印刷、転写、フォトリソグラフなどの工法で形成可能である。中心電極35,36の絶縁膜としては、ガラスやアルミナなどの誘電体厚膜、ポリイミドなどの樹脂膜などを用いることができる。これらも印刷、転写、フォトリソグラフなどの工法で形成することができる。なお、フェライト32を絶縁膜及び各種電極を含めて磁性体材料にて一体的に焼成することが可能である。この場合、各種電極を高温焼成に耐えるPd,Ag又はPd/Agを用いることになる。永久磁石41には、通常、ストロンチウム系、バリウム系、ランタン-コバルト系のフェライトマグネットが用いられる。永久磁石41とフェライト32とを接着する接着剤42としては、一液性の熱硬化型エポキシ接着剤を用いることが最適である。回路基板2は、通常のプリント配線回路基板と同種の材料からなる。回路基板2の表面には、コアアイソレータ30、コンデンサC1,C2,CS1,CS2及び抵抗Rを実装するための端子電極21a,21b,21c,22a~22jや入出力用電極、グランド電極図示せず等が設けられている。コアアイソレータ30は、回路基板2上に実装されている。具体的には、フェライト32の下面32dの接続用電極35b,35c,36pが回路基板2上の端子電極21a,21b,21cとリフローはんだ付けされて一体化されると共に、永久磁石41の下面が回路基板2上に接着剤にて一体化される。また、コンデンサC1,C2,CS1,CS2及び抵抗Rは、回路基板2上の端子電極22a~22jとリフローはんだ付けされる。コンデンサC1,C2,CS1,CS2及び抵抗Rは、アイソレータ8の入力インピーダンス及び出力インピーダンスを所定のインピーダンス例えば、50Ωに整合するための整合回路として機能している。次に、アイソレータ8の回路構成について図面を参照しながら説明する。図6は、アイソレータ8の等価回路図である。入力ポートP1は、コンデンサCS1を介してコンデンサC1と抵抗Rとに接続されている。コンデンサCS1は、中心電極35の一端に接続されている。中心電極35の他端及び中心電極36の一端は、抵抗R及びコンデンサC1,C2に接続され、かつ、コンデンサCS2を介して出力ポートP2に接続されている。中心電極36の他端及びコンデンサC2は、グランドポートP3に接続されている。以上の等価回路からなるアイソレータ8においては、中心電極35の一端が入力ポートP1に接続され他端が出力ポートP2に接続され、中心電極36の一端が出力ポートP2に接続され他端がグランドポートP3に接続されているため、挿入損失の小さな2ポート型の集中定数型アイソレータとすることができる。更に、動作時において、中心電極36に大きな高周波信号が流れ、中心電極35にはほとんど高周波信号が流れない。測定方法について以上のように構成された回路モジュール1において、以下に、アイソレータ8のアイソレーション特性の測定方法について説明する。まず、従来の回路モジュールについて図面を参照しながら説明する。図7は、アイソレータ8のアイソレーション特性の測定を行う際の従来の回路モジュール100のブロック図である。図8aは、SAWフィルタ4a,4bのアイソレーション特性を示したグラフである。図8bは、パワーアンプ6のアイソレーション特性を示したグラフである。図8cは、アイソレータ8のアイソレーション特性を示したグラフである。図9は、SAWフィルタ4a,4b、パワーアンプ6及びアイソレータ8のアイソレーション特性を足し合わせたグラフである。図8において、縦軸は、信号強度を示し、横軸は、周波数を示す。また、アイソレーション特性とは、SAWフィルタ4a,4b、パワーアンプ6及びアイソレータ8に対して、逆方向に高周波信号を入力させたときの減衰特性である。図7に示す回路モジュール100では、方向性結合器7が設けられていない。よって、アイソレータ8のアイソレーション特性を測定する際には、端子Pa,Pb間に測定器10を接続する。測定器10は、ネットワークアナライザであり、端子Pbからテスト信号Tsを入力させて、端子Paから出力される検知信号Outを測定する。テスト信号Tsは、750MHz~1GHzの周波数帯域において等しい強度を有する信号である。測定器10は、各周波数におけるテスト信号Tsに対する検知信号Outの減衰量を測定する。ここで、測定器10は、端子Pa,Pb間に接続されている。そのため、測定器10は、端子Pbからテスト信号Tsを入力させて検知信号Outを測定した場合には、SAWフィルタ4a,4b、パワーアンプ6及びアイソレータ8のアイソレーション特性を測定することになる。SAWフィルタ4a,4b、パワーアンプ6及びアイソレータ8はそれぞれ、図8a、図8b及び図8cに示すアイソレーション特性を有している。よって、測定器10は、図9に示すように、SAWフィルタ4a,4b、パワーアンプ6及びアイソレータ8のアイソレーション特性が足し合わされたアイソレーション特性を得る。アイソレーション特性が足し合わされると、図9に示すように、テスト信号Tsに対する検知信号Outの減衰量は大きくなる。より詳細には、図8aに示すように、SAWフィルタ4aは、所定の周波数帯域例えば、800MHz~830MHzにおける通過信号の減衰量が所定の周波数帯域以外における該通過信号の減衰量よりも小さくなる特性を有している。また、図示しないSAWフィルタ4bは、所定の周波数帯域例えば、880MHz~920MHzにおける通過信号の減衰量が所定の周波数帯域以外における該通過信号の減衰量よりも小さくなる特性を有している。更に、アイソレータ8は、図8cに示すように、出力ポートP2から第1の高周波信号を入力させたときに入力ポートP1から出力される第2の高周波信号の第1の高周波信号に対する減衰量が、所定の周波数帯域以外の周波数例えば、870MHzにおいて最大となるアイソレーション特性を有している。そのため、アイソレーション特性が足し合わされると、該所定の周波数以外の周波数例えば、870MHzにおいて、テスト信号Tsに対する検知信号Outの減衰量は特に大きくなる。その結果、測定器10の測定可能な信号レベルよりも検知信号Outの出力が小さくなり、測定器10によって検知信号Outを測定することが困難となる。すなわち、アイソレータ8のアイソレーション特性を測定することが困難となる。そこで、回路モジュール1では、方向性結合器7が設けられている。図10は、アイソレータ8のアイソレーション特性の測定を行う際の回路モジュール1のブロック図である。図11aは、方向性結合器7のアイソレーション特性を示したグラフである。図11bは、アイソレータ8のアイソレーション特性を示したグラフである。図12は、方向性結合器7及びアイソレータ8のアイソレーション特性を足し合わせたグラフである。図11において、縦軸は、信号強度を示し、横軸は、周波数を示す。図10に示す回路モジュール1では、パワーアンプ6とアイソレータ8との間に方向性結合器7が設けられている。方向性結合器7は、パワーアンプ6とアイソレータ8との間を伝送される高周波信号を分配する分配回路である。アイソレータ8のアイソレーション特性を測定する際には、端子Pb,Pc間に測定器10を接続し、インピーダンス整合をとるための抵抗器12を介して端子Pdを接地する。測定器10は、端子Pbからテスト信号Tsを入力させて、端子Pcを介して方向性結合器7から出力される検知信号Outを測定する。テスト信号Tsは、750MHz~1GHzの周波数帯域において等しい強度を有する信号である。測定器10は、各周波数におけるテスト信号Tsに対する検知信号Outの減衰量を測定する。ここで、測定器10は、端子Pb,Pc間に接続されている。そのため、測定器10は、端子Pbからテスト信号Tsを入力させて検知信号Outを測定した場合には、方向性結合器7及びアイソレータ8のアイソレーション特性を測定することになる。方向性結合器7及びアイソレータ8はそれぞれ、図11a及び図11bに示すアイソレーション特性を有している。よって、測定器10は、図12に示すように、方向性結合器7及びアイソレータ8のアイソレーション特性が足し合わされたアイソレーション特性を得る。ただし、方向性結合器7は、図8及び図11に示すように、SAWフィルタ4a,4b及びパワーアンプ6に比べて、減衰量の小さなアイソレーション特性を有している。具体的には、方向性結合器7では、テスト信号Tsに対する検知信号Outの減衰量が-8dBであるのに対して、SAWフィルタ4a,4b及びパワーアンプ6では、テスト信号Tsに対する検知信号Outの減衰量が-50dB~-60dBである。したがって、回路モジュール1では、回路モジュール100に比べて、測定器10によって検知信号Outを測定することが容易である。すなわち、回路モジュール1では、アイソレータ8のアイソレーション特性を正確に測定することが容易となる。測定器10によって検知信号Outを測定した後に、該検知信号Outの測定結果に基づいて、アイソレータ8の特性を調整する。アイソレータ8の特性の調整方法としては、例えば、アイソレータ8の永久磁石41の磁束密度を変化させることが挙げられる。また、アイソレータ8の特性としては、通過特性、アイソレーション特性、入力インピーダンス及び出力インピーダンスが挙げられる。ここで、回路モジュール1では、コアアイソレータ30が用いられたアイソレータ8のアイソレーション特性の測定に適している。より詳細には、通常のアイソレータは、フェライトや整合回路等が小型の基板に実装されることより構成されている。通常のアイソレータを回路基板2に実装する際には、フェライトや整合回路等を実装した状態の小型の基板を回路基板2上に実装する。よって、通常のアイソレータは、回路基板2に実装する前に、小型の基板においてアイソレータを構成している。したがって、通常のアイソレータのアイソレーション特性を測定する場合には、回基基板2に実装する前に測定器10により測定すればよい。一方、コアアイソレータ30が用いられたアイソレータ8では、コアアイソレータ30、コンデンサC1,C2,CS1,CS2及び抵抗Rが回路基板2に実装される。すなわち、アイソレータ8は、回路基板2に各構成が実装されて初めてアイソレータとして機能する。故に、アイソレータ8では、通常のアイソレータのように、回路基板2の実装前にアイソレーション特性を測定することができない。そこで、回路モジュール1及び測定方法では、パワーアンプ6とアイソレータ8との間に方向性結合器7を設けることにより、アイソレータ8のみを通過した高周波信号を測定可能としている。その結果、回路モジュール1では、回路基板2にアイソレータ8を実装した後であっても、アイソレータ8のみのアイソレーション特性を正確に測定できる。また、アイソレータ8において、出力ポートP2から第1の高周波信号を入力させたときに入力ポートP1から出力される第2の高周波信号の第1の高周波信号に対する減衰量が、処理回路であるSAWフィルタ4aの所定の周波数帯域例えば、800MHz~830MHzとSAWフィルタ4bの所定の周波数帯域例えば、880MHz~920MHzの間の周波数例えば、870MHzにおいて最大となるアイソレーション特性を有するアイソレータ8を配置しているため、複数の異なる高周波信号の通過帯域を備えた回路モジュール1においても、アイソレーション特性を正確に測定することができる。変形例以下に、変形例に係る回路モジュール1について、図面を参照しながら説明する。図13は、アイソレータ8のアイソレーション特性の測定を行う際の変形例に係る回路モジュール1のブロック図である。図13に示すように、回路モジュール1では、方向性結合器7の代わりに、コンデンサ7が分配回路として設けられている。コンデンサ7は、パワーアンプ6とアイソレータ8とを接続する信号線と端子Pcとの間に接続されている。また、アイソレータ8のアイソレーション特性の測定時には、測定器10は、端子Pb,Pc間に接続される。これにより、回路モジュール1においても、回路モジュール1と同様に、アイソレータ8のアイソレーション特性を測定することが容易となる。"