少なくともFe2O3及びNiOを含有したフェライト磁器の製造方法であって、前記Fe2O3及び前記NiOに加え、CuOを5mol以下0molを含む。の範囲で混合してフェライト粉末を作製し、該フェライト粉末を成形処理した後、酸素濃度0.1体積以下の雰囲気で焼成し、フェライト磁器を製造することを特徴とするフェライト磁器の製造方法。前記CuOを1.75mol以下の範囲で前記Fe2O3及び前記NiOと混合することを特徴とする請求項1記載のフェライト磁器の製造方法。前記フェライト粉末中にガラス成分を含まないことを特徴とする請求項1又は請求項2記載のフェライト磁器の製造方法。前記フェライト粉末は、ZnOを含有していることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のフェライト磁器の製造方法。前記ZnOの含有量は、10~28molであることを特徴とする請求項4記載のフェライト磁器の製造方法。前記フェライト粉末にSnO2を添加することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のフェライト磁器の製造方法。前記Fe2O3の含有量は、44~49.8molであることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載のフェライト磁器の製造方法。請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の製造方法で製造されたことを特徴とするフェライト磁器。請求項8記載のフェライト磁器で形成されたコア部材を備えていることを特徴とするコイル部品。前記コア部材が、軸芯部と該軸芯部の両端に形成された鍔部とを有し、巻線が前記軸芯部に巻回されていることを特徴とする請求項9記載のコイル部品。しかしながら、特許文献1では、CuOの含有量を減少させることにより、飽和磁化を向上させているものの、融点が1026°Cと低いCuOの含有量を減少させてゆくと、焼成温度を例えば1050~1250°C程度に上げざるを得ず、省エネルギーや低コスト化の観点から問題があった。また、特許文献2では、ガラス成分であるPbO、B2O3、SiO2を添加しているため、焼成処理中にこれらのガラス成分が異常粒成長を引き起こして透磁率の低下等を招き、このため所望の良好な磁気特性を得られないという問題があった。しかも、この特許文献2では、フェライト中にPbOが含有されるため、環境負荷の面でも問題があった。本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、1000°C以下の低温で焼成しても焼結性や絶縁性が良好で、かつ直流重畳特性の良好なフェライト磁器の製造方法、フェライト磁器、及びコイル部品を提供することを目的とする。本発明者らは、上記目的を達成するためにNi系フェライト材料を使用して鋭意研究を行ったところ、フェライト粉末中のCuOの含有量を5mol以下とし、酸素濃度を0.1体積以下に雰囲気調整して焼成したところ、1000°C以下の低温で焼成しても、焼結性や絶縁性が良好で、かつ直流重畳特性の良好なフェライト磁器を得ることができるという知見を得た。本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係るフェライト磁器の製造方法は、少なくともFe2O3及びNiOを含有したフェライト磁器の製造方法であって、前記Fe2O3及び前記NiOに加え、CuOを5mol以下0molを含む。の範囲で混合してフェライト粉末を作製し、該フェライト粉末を成形処理した後、酸素濃度0.1体積以下の雰囲気で焼成し、フェライト磁器を製造することを特徴としている。また、本発明のフェライト磁器の製造方法は、前記CuOを1.75mol以下の範囲で前記Fe2O3及び前記NiOと混合するのが好ましい。さらに、本発明のフェライト磁器の製造方法は、前記フェライト粉末中にガラス成分を含まないのが好ましい。また、本発明のフェライト磁器の製造方法は、前記フェライト粉末は、ZnOを含有しているのが好ましい。さらに、本発明のフェライト磁器の製造方法は、前記ZnOの含有量は、10~28molであるのが好ましい。また、本発明者らの更なる鋭意研究の結果、フェライト粉末にSnO2を添加することにより、直流重畳特性の更なる向上を図ることができることが分かった。すなわち、本発明のフェライト磁器の製造方法は、前記フェライト粉末にSnO2を添加するのが好ましい。また、本発明のフェライト磁器の製造方法は、前記Fe2O3の含有量が、44~49.8molであるのが好ましい。また、本発明に係るフェライト磁器は、上記製造方法で製造されたことを特徴としている。また、本発明に係るコイル部品は、上記フェライト磁器で形成されたコア部材を備えていることを特徴としている。また、本発明に係るコイル部品は、前記コア部材が、軸芯部と該軸芯部の両端に形成された鍔部とを有し、巻線が前記軸芯部に巻回されていることを特徴としている。上記フェライト磁器の製造方法によれば、Fe2O3及びNiO、さらにはZnOに加え、CuOを5mol以下0molを含む。、好ましくは1.75mol以下の範囲で混合してフェライト粉末を作製し、該フェライト粉末を成形処理した後、酸素濃度0.1体積以下の雰囲気で焼成し、フェライト磁器を製造するので、フェライト組成中にガラス成分を含んでいなくても良好な焼結性を得ることができ、1000°C以下の低温で焼成しても良好な絶縁性を確保しつつ、飽和磁束密度Bsの高い直流重畳特性の良好なフェライト磁器を製造することができる。また、フェライト粉末中にガラス成分を含まないので、焼成中に異常粒成長を引き起こすこともなく、したがって透磁率の低下を招くこともなく、良好な磁気特性を確保することができる。しかも、ガラス成分としてのPb系成分を含んでいないので、環境汚染を招くこともない。さらに、前記フェライト粉末にSnO2を添加することにより、飽和磁束密度がより一層向上し、これにより直流重畳特性が更に向上した所望のフェライト磁器を製造することができる。また、本発明のコイル部品は、上記のようにして製造されたフェライト磁器からなるコア部材を備えているので、絶縁性を確保しつつ高磁界まで良好な直流重畳特性を有するコイル部品を得ることができる。したがって、大きな直流電流が通電されてもインダクタンスLの低下を抑制することが可能となり、大電流用途に適したコイル部品を得ることができる。次に、本発明の実施の形態を詳説する。本発明の一実施の形態としてのフェライト磁器は、Fe2O3、NiO、ZnO、及びCuOを含有したNi-Zn-Cu系フェライト材料で形成されている。そして、本実施の形態では、フェライト組成中のCuOの含有量が、5mol以下0molを含む。となるように配合されている。ここで、上述のようにフェライト組成中のCuOの含有量を、5mol以下0molを含む。としたのは以下の理由による。フェライト磁器をコア材料に使用したコイル部品では、直流重畳特性が高磁界まで保てるような良好な直流重畳特性を有することが要請される。そのためにはフェライト磁器が高い飽和磁束密度Bsを有する必要がある。そして、特許文献1にも記載されているように飽和磁束密度Bsを高くするためには、CuOの含有量を低くすることが効果的である。しかしながら、CuOの含有量が5molを超えると、十分に高い飽和磁束密度Bsを得ることができなくなる。そこで、本実施の形態では、CuOの含有量が5mol以下0molを含む。、好ましくは0~1.75molとなるように組成成分を配合している。また、フェライト組成中のFe2O3、NiO、及びZnOの含有量は、特に限定されるものではないが、所望特性を得る観点からは、Fe2O3:44~49.8mol、ZnO:10~28mol、及びNiO:残部となるように配合するのが好ましい。すなわち、Fe2O3の含有量が、44mol未満になると、透磁率の低下を招くおそれがあり、一方49.8molを超えると焼結性の低下を招くおそれがある。また、ZnOの含有量が、10mol未満になると、透磁率の低下を招くおそれがあり、一方28molを超えると飽和磁束密度Bsの低下を招くおそれがある。さらに、本発明は、上記フェライト粉末にSnO2を添加するのも好ましく、直流重畳特性がより一層向上したフェライト磁器を得ることが可能となる。この場合、所望の特性向上を得るためには、SnO2は、フェライト粉末100重量部に対し少なくとも0.3重量部以上添加する必要がある。ただし、フェライト粉末100重量部に対し1.3重量部を超えると、透磁率の大幅な低下を招く。このためSnO2を添加する場合は、フェライト粉末100重量部に対し03~1.3重量部が好ましい。そして、上記フェライト磁器は、酸素濃度が0.1体積以下の窒素雰囲気中で焼成されており、これにより1000°C以下の低温で焼成しても焼結性や絶縁性が良好で、直流重畳特性の良好なフェライト磁器を得ることができる。次に、上記フェライト磁器の製造方法を詳述する。まず、セラミック素原料として、Fe2O3、ZnO、NiO、及びCuOを用意し、例えばFe2O3:44~49.8mol、ZnO:10~28mol、CuO:0~5mol、NiO:残部となるようにこれらセラミック素原料を秤量し、更に必要に応じSnO2を所定量秤量する。次いで、これら秤量物を純水及びPSZPartialStabilizedZirconia部分安定化ジルコニアボール等の玉石と共にボールミルに入れ、湿式で十分に混合粉砕し、蒸発乾燥させた後、700~800°Cの温度で所定時間仮焼し、仮焼物を得る。次いで、この仮焼物を再びボールミル内で十分に湿式粉砕し、ポリビニルアルコール等の有機バインダを適量添加し、加圧プレス等を使用して成形加工し、セラミック成形体を得る。次いで、得られたセラミック成形体を酸素濃度0.1体積以下に調整されたN2-O2混合ガス雰囲気下、950~1000°Cの温度で2~3時間焼成し、これによりフェライト磁器を作製することができる。ここで、焼成雰囲気を酸素濃度0.1体積以下としたのは以下の理由による。焼成時の酸素濃度を低くすることで、結晶構造中に酸素欠陥が形成され、結晶中に存在するFe、Ni、Cu、Znの相互拡散が促進され、低温焼結性を高めることができる。しかしながら、焼成雰囲気の酸素濃度が0.1体積を超えると、結晶構造中の酸素欠陥の形成が不十分となり、低温での焼成が困難になる。そこで、本実施の形態では、焼成雰囲気の酸素濃度を0.1体積以下に調整している。そして、このように焼成雰囲気の酸素濃度を0.1体積以下とすることにより、Cu-CuOの平衡酸素濃度の関係から950~1000°Cの低温で焼成してもCuOがCuに還元されるのを極力回避することができ、したがって比抵抗ρが低下することもなく所望の絶縁性を確保することができる。また、上述したように焼成雰囲気の酸素濃度を0.1体積以下とし、かつCuOの含有量を0~5molの範囲に低減することにより、焼結性の向上と相俟って飽和磁束密度Bsを向上させることができ、これにより直流重畳特性を向上させることができる。ただし、酸素濃度が0.001体積未満になると、酸素欠陥が必要以上に形成され、その結果フェライト磁器の比抵抗ρの低下を招くおそれがある。したがって酸素濃度は0.001体積以上が好ましい。このように本実施の形態では、Fe2O3、ZnO、NiOに加え、CuOを0~5mol以下好ましくは0~1.75molの範囲で混合してフェライト粉末を作製し、該フェライト粉末を成形処理した後、酸素濃度0.1体積以下の雰囲気で焼成し、フェライト磁器を製造しているので、フェライト組成中にガラス成分を含まなくても、1000°C以下の低温で焼成することができる良好な焼結性を得ることができ、かつ絶縁性が良好で直流重畳特性の良好なフェライト磁器を得ることができる。具体的には、焼結密度が5.0g/cm3以上の良好な焼結性と、比抵抗ρが105Ωcm以上好ましくは107Ωcm以上の良好な絶縁性を有し、かつ高い飽和磁束密度Bsを有する直流重畳特性が良好なフェライト磁器を1000°C以下の低温焼成で得ることができる。そしてこれにより、大電流を通電してもインダクタンスLの低下が抑制されたフェライト磁器を省エネルギーかつ低コストで得ることができる。しかも、フェライト組成中にガラス成分PbO、SiO2、B2O3等を含んでいないので、焼成中に異常粒成長を引き起こすこともなく、透磁率の低下を招くのを回避することができ、良好な磁気特性を確保することができる。特に、ガラス成分としてのPb系成分を含んでいないので、環境汚染を招くこともない。また、フェライト粉末に所定量のSnO2を添加することにより、飽和磁束密度Bsの更なる向上を図ることができ、直流重畳特性がより一層向上したフェライト磁器を得ることができる。図1は上記フェライト磁器を使用して製造されたコイル部品の一実施の形態を示す断面図である。このコイル部品は、外観が円板状に形成されると共に、軸芯部1と該軸芯部1の両端に連接された一対の鍔部2a、2bとからなるコア部材3を備えている。そして、巻線4は前記軸芯部1に巻回され、さらに該巻線4はエポキシ樹脂等の熱硬化樹脂を主成分とする保護部材5で外装されている。また、コア部材3の一方の主面に実装用電極6a、6bが形成されている。そして、前記コア部材3が、上記フェライト磁器で形成されている。このように上記コイル部品は、コア部材3が本発明のフェライト磁器で形成されているので、絶縁性が良好でかつ直流重畳特性が高磁界まで保てるような良好な直流重畳特性を有することができ、したがって大きな直流電流を通電してもインダクタンスLの低下を抑制できる大電流用途に適したコイル部品を得ることができる。尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態では、本発明のフェライト磁器をコア部材に使用した場合について説明したが、積層インダクタや積層LC部品のような積層複合部品の磁性層に使用できるのはいうまでもない。次に、本発明の実施例を具体的に説明する。試料の作製セラミック素原料として、Fe2O3、ZnO、NiO、及びCuOを用意し、表1のような組成となるように、これらセラミック素原料を秤量した。次いで、これら秤量物を純水及びPSZボールと共にボールミルに入れ、湿式で16時間混合粉砕し、蒸発乾燥させた後、750°Cの温度で2時間仮焼した。これら仮焼物を再びボールミル内で10時間湿式粉砕し、適量のポリビニルアルコール有機バインダを添加した後、加圧プレスを使用し、外径が20mm、内径が12mm、厚みが1mmのリング状試料を作製した。また同様に加圧プレスを使用し、直径10mm、厚み1mmの円板状試料を作製した。そして、得られた各試料を大気雰囲気中、又は酸素濃度が0.1体積に調整されたN2-O2の混合ガス雰囲気中、950~1100°Cの温度で2時間焼成させ、試料番号1~10のリング状試料及び円板状試料を作製した。試料の評価焼結性及び絶縁性試料番号1~10の各リング状試料について、アルキメデス法を使用し、焼結密度g/cm3を求め、焼結性を評価した。また、試料番号1~10の各円板状試料について、両面に銀を塗布し、焼き付けて電極を形成し、直流電圧50Vを印加して絶縁抵抗IRを測定し、この測定値と試料寸法とから比抵抗logρΩcmを求めた。そして、焼結密度が5.0g/cm3以上を焼結性良と評価し、比抵抗logρが5.0以上を絶縁性良と評価した。表1は、試料番号1~10の各試料のフェライト組成、焼成温度、各焼成雰囲気大気及び酸素濃度0.1体積における焼結密度及び比抵抗logρを示している。a.大気雰囲気で焼成した場合試料番号1~6のようにフェライト組成中のCuOの含有量が0~1.75molと少ない場合は、950~1050°C又は1100°Cの各温度で焼成しても、焼結密度が5.0g/cm3未満となり、焼結性に劣ることが確認された。試料番号7は、フェライト組成中のCuOの含有量を2.5molに増量したため、1100°Cの温度で焼成した場合に焼結密度が5.22g/cm3に向上し、比抵抗logρも9.3と良好となったが、焼成温度が高く、所望の低温焼成を行うことができなかった。試料番号8は、フェライト組成中のCuOの含有量を5.0molに増量したため、1050°Cの温度で焼成した場合に焼結密度が5.20g/cm3に向上し、比抵抗logρも9.3と良好となった。すなわち、CuOの含有量を5.0molとすることにより、試料番号7よりも低温で焼結させることができるものの、焼成温度は未だ高く、所望の低温焼成を行うことができなかった。試料番号9は、フェライト組成中のCuOの含有量が7.0molと多いため、950°Cの低温で焼成しても焼結密度が5.05g/cm3となって低温焼成が可能となり、比抵抗logρも6.4と良好であった。しかしながら、この場合は、後述するように所望の高い飽和磁束密度Bsを得ることができなかった。試料番号10は、フェライト組成中のCuOの含有量が9.0molと多いため、試料番号9と同様、950°Cの低温で焼成しても5.0g/cm3以上の焼結密度と5.0以上の比抵抗logρを確保できるが、この場合も、試料番号9と同様、所望の高い飽和磁束密度Bsを得ることができなかった。図2は、CuOの含有量と焼結密度の関係を示す図であり、横軸がCuOの含有量mol、縦軸が焼結密度g/cm3である。図中、◇印は焼成温度950°C、△印は焼成温度1000°C、□印は焼成温度1050°C、○印は焼成温度1100°Cを示している。この図2から明らかなように、焼成温度を上昇させることにより、またCuOの含有量を増量させることにより、焼結密度が大きくなり、焼結性が向上する。特にCuOの含有量が7.0mol以上になると、950~1000°Cの温度で焼成しても5.0g/cm3以上の焼結密度を確保できる。ただし、後述するように大気雰囲気で焼成した場合は、所望の直流重畳特性を満足するような十分に高い飽和磁束密度Bsを得ることができなかった。図3は、CuOの含有量と比抵抗logρの関係を示す図であり、横軸がCuOの含有量mol、縦軸が比抵抗logρΩcmである。図中、◇印は焼成温度950°C、△印は焼成温度1000°C、□印は焼成温度1050°C、○印は焼成温度1100°Cを示している。この図3から明らかなように、大気雰囲気で焼成した場合は、焼成温度を上げることにより、比抵抗logρも上昇傾向となり、また、950~1000°Cの低温で焼成しても比抵抗logρは5.0以上を確保できた。しかしながら、後述するように大気雰囲気で焼成した場合は、所望の直流重畳特性を満足するような高い飽和磁束密度Bsを得ることができなかった。b.酸素濃度0.1体積で焼成した場合試料番号1~10のいずれにおいても、950~1100°Cの温度範囲で焼成することにより、5.00g/cm3以上の焼結密度を確保することができ、良好な焼結性を得ることができた。これは焼成時の酸素濃度が0.1体積と低いので、結晶構造中に酸素欠陥が形成され、結晶中に存在するFe、Ni、Cu、Znの相互拡散が促進され、焼結性を高めることができたものと思われる。しかしながら、試料番号9は、フェライト組成中のCuOの含有量が7.0molと多すぎるため、比抵抗logρが5.0未満に低下し、絶縁性が低下した。これはCuOの含有量が多いため、Cuに還元されるCuOが増加し、このため比抵抗logρが低下したものと思われる。試料番号10は、フェライト組成中のCuOの含有量が9.0molと多すぎるため、試料番号9と同様の理由から、比抵抗logρが5.0未満に低下し、絶縁性が低下した。また、試料番号1、5で焼成温度を1100°Cに設定した場合は、比抵抗logρが5.0未満に低下した。これは、CuOの含有量は0mol又は1.0molCuOと少ないものの、1100°CにおけるCu-CuOの平衡酸素濃度の関係から、焼成雰囲気が還元雰囲気となってCuOの還元が促進され、比抵抗logρの低下を招いたものと思われる。試料番号6~8で焼成温度を1050°C~1100°Cに設定した場合も、比抵抗logρがいずれも5.0未満に低下した。これは、CuOの含有量は1.75mol~5molと少ないものの、1050°C~1100°CにおけるCu-CuOの平衡酸素濃度の関係から、焼成雰囲気が還元雰囲気となってCuOの還元が促進され、上述と同様、比抵抗logρの低下を招いたものと思われる。これに対し試料番号1~8で焼成温度を950°C~1000°Cに設定した場合は、比抵抗logρがいずれも5.0以上となり、1000°C以下の低温で焼成しても良好な絶縁性の得られることが分かった。特に、CuOの含有量が1.75mol以下の試料番号1~6は、1000°C以下の低温で焼成することにより、7.0以上の比抵抗logρを得ることができ、より好ましいことが分かった。図4は、CuOの含有量と焼結密度の関係を示す図であり、図5は図4の要部拡大図である。尚、横軸はCuOの含有量mol、縦軸が焼結密度g/cm3である。また、図中、◇印は焼成温度950°C、□印は焼成温度1000°C、△印は焼成温度1050°Cを示している。この図4及び図5から明らかなように、酸素濃度を0.1体積に設定して焼成した場合は、5.0g/cm3以上の焼結密度を確保できることが分かった。図6は、CuOの含有量と比抵抗logρの関係を示す図であり、横軸がCuOの含有量mol、縦軸が比抵抗logρΩcmである。図中、◇印は焼成温度950°C、△印は焼成温度1000°C、□印は焼成温度1050°Cを示している。この図6から明らかなように焼成温度を上げてゆくと、Cu-CuOの平衡酸素濃度の関係からCuOが還元されてCuとなりやすく比抵抗logρは低下傾向となる。また、CuOの含有量を5mol以下とし、かつ1000°C以下の温度で焼成した場合は、比抵抗logρは5.0以上を確保できた。特に、CuOの含有量を1.75mol以下とし、かつ1000°C以下の温度で焼成した場合は、比抵抗logρが7.0以上の良好な絶縁性を得ることができた。一方、CuOの含有量が7mol以上になると、比抵抗logρは5.0以下に低下し、絶縁性を損なう結果となった。直流重畳特性試料番号1~10の各リング状試料について、1000°Cの温度で焼成させた場合の飽和磁束密度BsmTを測定し、また、飽和磁束密度Bsの増加率を算出し、直流重畳特性を評価した。ここで、飽和磁束密度Bsは、振動試料型磁力計東英工業株式会社製、VSM-5-15を使用し、1Tの磁束密度で飽和磁化を測定し、その測定値と焼結密度とから算出した。また、飽和磁束密度Bsの増加率は、CuOの含有量が9molで大気雰囲気で焼成した場合試料番号10の飽和磁束密度Bsを基準100として算出した。表2は、試料番号1~10の各試料のフェライト組成、焼成温度、各焼成雰囲気大気及び酸素濃度0.1体積における飽和磁束密度Bs、飽和磁束密度Bsの増加率を示している。この表2から明らかなように、大気雰囲気で焼成した場合は飽和磁束密度Bsが349~462mTと低かった。これは、試料番号1~8では、1000°Cの温度で焼成した場合、融点の低いCuOの含有量が5mol以下と少ないため、5.0g/cm3以上の焼結密度を得ることができず、焼結性の低下を招いたためと思われる。また試料番号9、10では、CuOの含有量が7mol又は9molと多すぎることから表1参照、所望の高い飽和磁束密度Bsを得ることができなかったものと思われる。一方、酸素濃度を0.1体積とした場合であっても、試料番号9、10のように、CuOの含有量が7mol又は9molと多すぎると、飽和磁束密度Bsは480mT未満となって所望の高い飽和磁束密度Bsを得ることができなかった。これに対し酸素濃度を0.1体積とし、かつCuOの含有量を5mol以下とした場合は、試料番号1~8のように飽和磁束密度Bsは480mT以上となり、大気雰囲気で焼成した試料番号10に対し5以上の増加率を得ることができた。特にCuOの含有量を0~1.75molの試料番号1~6は、飽和磁束密度Bsの増加率は10以上に向上した。図7は、CuOの含有量と飽和磁束密度Bsの関係を示す図であり、横軸がCuOの含有量mol、縦軸が飽和磁束密度BsmTである。図中、○印が酸素濃度を0.1体積の雰囲気下で焼成した場合、●印が大気雰囲気下で焼成した場合を示している。この図7から明らかなように大気雰囲気ではCuOの含有量を減少させると焼結性が低下して所望の高い飽和磁束密度Bsを得ることはできず、一方でCuOの含有量を増量させると焼結性は向上するが、飽和磁束密度Bsを高くすることはできない。これに対し酸素濃度0.1で焼成させた場合は、焼結性が良好であるためCuOの含有量が5mol以下の領域で480mT以上の飽和磁束密度Bsを得ることができる。特に、CuOの含有量が1.75mol以下に抑制した場合は、500mT以上の良好な飽和磁束密度Bsを得ることができる。図8は、CuOの含有量と飽和磁束密度Bsの増加率の関係を示す図であり、横軸がCuOの含有量mol、縦軸が飽和磁束密度BsmTである。図中、○印が酸素濃度を0.1体積の雰囲気下で焼成した場合、●印が大気雰囲気下で焼成した場合を示している。この図8から明らかなように、大気雰囲気下、1000°Cで焼成した場合、CuOの含有量が5mol以下の領域では焼結性に劣るため、CuOの減少と共に飽和磁束密度Bsも減少傾向にある。これに対し酸素濃度0.1で焼成した場合は、大気雰囲気で焼成した試料番号10に比べ、飽和磁束密度Bsは増加している。そして、CuOの含有量を5mol以下とすることにより、飽和磁束密度Bsは5以上増加し、特にCuOの含有量を1.75mol以下とすることにより、飽和磁束密度Bsは10以上増加することが分かった。総合評価以上より大気雰囲気で焼成した場合は、CuOの含有量を増量させ、かつ1050°C以上の高温で焼成しないと十分に焼結させることができない。また1050°Cの高温で焼結できたとしてもCuOの含有量が多いため、所望の高い飽和磁束密度Bsを得ることができず、良好な直流重畳特性を得ることができない。これに対しフェライト組成中のCuOの含有量を5.0mol以下とし、酸素濃度を0.1に雰囲気調整した場合は、焼結密度が5.0g/cm3以上の高い焼結性を得ることができ、1000°Cの温度で焼成しても比抵抗logρが5.0以上の良好な絶縁性を確保したまま、480mT以上で増加率が5以上の良好な飽和磁束密度Bsを得ることができることが分かった。特に、フェライト組成中のCuOの含有量を1.75mol以下とし、酸素濃度を0.1に設定した雰囲気下では、950°Cの温度で焼成しても焼結密度が5.0g/cm3以上の高い焼結性を得ることができると共に、比抵抗logρが7.0以上の良好な絶縁性を有し、かつ500mT以上で増加率が10以上の良好な飽和磁束密度Bsを得ることができることが分かった。Fe2O3、ZnO、NiO、及びCuOの含有量が表3のような組成となるように、これらセラミック素原料を秤量し、その後は実施例1と同様の方法手順で、外径が20mm、内径が12mm、厚みが1mmのリング状試料を作製した。そして、得られた試料を酸素濃度が0.1体積に調整されたN2-O2の混合ガス雰囲気中、1000°Cの温度で2時間焼成し、試料番号11~20の試料を作製した。次に、試料番号11~20の各試料について、軟銅線を20ターン巻回し、インピーダンスアナライザアジレントテクノロジー社製、E4991Aを使用し、周波数1MHzでのインダクタンスを測定し、測定値から透磁率μを求めた。また、試料番号11~20の各試料について、実施例1と同様の方法手順で磁束飽和密度Bsを求めた。表3は、試料番号11~20の各試料のフェライト組成、焼成温度及び透磁率μを示している。この表3から明らかなように、Fe2O3:44~49.8mol、ZnO:10~28molの範囲で、磁束飽和密度Bsを損なうこともなく、透磁率μは100以上となり、実用上有効な値を確保できることが分かった。Fe2O3:49.0mol、NiO:26.0mol、ZnO:24.0mol、及びCuO:1.0molとなるように、これらセラミック素原料を秤量し、さらに、SnO2の含有量が、フェライト粉末100重量部に対し、表4に示す重量部となるようにSnO2を秤量した。そしてその後は実施例1と同様の方法手順で、外径が20mm、内径が12mm、厚みが1mmのリング状試料を作製した。得られた試料を酸素濃度が0.1体積に調整されたN2-O2の混合ガス雰囲気中、1000°Cの温度で2時間焼成し、試料番号31~35の試料を作製した。次いで、試料番号31~35の各試料について、実施例3と同様の方法手順でインダクタンスの初期値L0を測定し、この初期値L0から透磁率μを求めた。次いで、これらの試料について、JIS規格のC2560-2に準拠し、磁界が500A/mとなるように直流電流を重畳し、インダクタンスLを測定した。そしてこのインダクタンスLとインダクタンスの初期値L0とに基づいてインダクタンス変化率を求め、直流重畳特性を評価した。表4は、試料番号31~35の各試料のフェライト組成、SnO2の含有量、焼成温度、透磁率μ、インダクタンス変化率を示している。試料番号31と試料番号32~35との対比から明らかなように、SnO2を添加することにより、インダクタンス変化率が低減し、直流重畳特性が向上することが分かった。また、SnO2の添加量が増加するに伴い、インダクタンス変化率も低減し、直流重畳特性が向上することも分かった。すなわち、SnO2の添加が直流重畳特性の向上に寄与し、しかも添加量が増えるに従い、直流重畳特性も向上することが確認された。