β-FeSi2相材料を含有している、太陽光-熱変換部材。前記β-FeSi2相材料が95vol以上である、請求項1に記載の太陽光-熱変換部材。前記β-FeSi2相材料が粒子状であり、且つ前記β-FeSi2相材料の粒子が無機材料のマトリックス中に分散している、請求項1に記載の太陽光-熱変換部材。膜状である、請求項1~3のいずれか一項に記載の太陽光-熱変換部材。1nm~10μmの厚さの膜状である、請求項4に記載の太陽光-熱変換部材。請求項4又は5に記載の太陽光-熱変換部材の1又は複数の層と、無機材料の1又は複数の層とが、積層されている、太陽光-熱変換積層体。最外層が、酸化物、窒化物、炭化物、酸窒化物、酸炭化物又は酸炭窒化物の層である、請求項6に記載の太陽光-熱変換積層体。金属層;酸化物、窒化物、炭化物、酸窒化物、酸炭化物又は酸炭窒化物の層;及び前記太陽光-熱変換部材の層が、この順序で、基材上に直接に又は他の層を介して積層されている、請求項6又は7に記載の太陽光-熱変換積層体。前記金属層がMo層であり、かつ前記酸化物、窒化物、炭化物、酸窒化物、酸炭化物又は酸炭窒化物の層がSiO2層である、請求項8に記載の太陽光-熱変換積層体。請求項4又は5に記載の太陽光-熱変換部材の層又は請求項6~9のいずれか一項に記載の太陽光-熱変換積層体、集光部、熱媒体、並びに前記熱媒体のための容器及び/又は流路を有し、前記容器及び/又は流路の表面に、前記太陽光-熱変換部材の層又は前記太陽光-熱変換積層体がコーティングされており、前記熱媒体が前記容器及び/又は流路内に収容されており、かつ前記集光部によって前記容器及び/又は流路に光を集光し、集光した光によって前記容器及び/又は流路内の前記熱媒体を加熱する、太陽光-熱変換装置。前記熱媒体を300°C~900°Cの温度に加熱する、請求項10に記載の太陽光-熱変換装置。前記集光部が、パラボリックディッシュ型、ソーラータワー型、パラボリックトラフ型、フレネル型、又はリニアフレネル型である、請求項10又は11に記載の太陽光-熱変換装置。請求項10~12のいずれか一項に記載の太陽光-熱変換装置、及び発電機を有し、前記太陽光-熱変換装置によって、前記容器及び/又は流路内の熱媒体を加熱し、かつ加熱された前記熱媒体の熱エネルギーを前記発電機で利用して、電力を発生させる、太陽熱発電装置。基材温度300°C以上での物理気相堆積によって前記β-FeSi2相材料を得ることを含む、請求項1~5のいずれか一項に記載の太陽光-熱変換部材の製造方法。FeSi2相材料を300°C以上の温度に加熱して、FeSi2相からβ-FeSi2相への転移を行わせることを含む、請求項1~5のいずれか一項に記載の太陽光-熱変換部材の製造方法。本発明では、新規な太陽光-熱変換部材を提供する。また、本発明では、このような太陽光-熱変換部材を有する太陽光-熱変換装置及び太陽熱発電装置を提供する。本件発明者等は、β-FeSi2相材料が太陽光-熱変換部材に適していることを見出して、下記の本発明に想到した。1β-FeSi2相材料を含有している、太陽光-熱変換部材。2上記β-FeSi2相材料が95vol以上である、上記1項に記載の太陽光-熱変換部材。3上記β-FeSi2相材料が粒子状であり、且つ上記β-FeSi2相材料の粒子が無機材料のマトリックス中に分散している、上記1項に記載の太陽光-熱変換部材。4膜状である、上記1~3項のいずれか一項に記載の太陽光-熱変換部材。51nm~10μmの厚さの膜状である、上記4項に記載の太陽光-熱変換部材。6上記4又は5項に記載の太陽光-熱変換部材の1又は複数の層と、無機材料の1又は複数の層とが、積層されている、太陽光-熱変換積層体。7最外層が、酸化物、窒化物、炭化物、酸窒化物、酸炭化物又は酸炭窒化物の層である、上記6項に記載の太陽光-熱変換積層体。8金属層;酸化物、窒化物、炭化物、酸窒化物、酸炭化物又は酸炭窒化物の層;及び上記太陽光-熱変換部材の層が、この順序で、基材上に直接に又は他の層を介して積層されている、上記6又は7項に記載の太陽光-熱変換積層体。9上記金属層がMo層であり、かつ上記酸化物、窒化物、炭化物、酸窒化物、酸炭化物又は酸炭窒化物の層がSiO2層である、上記8項に記載の太陽光-熱変換積層体。10上記4又は5項に記載の太陽光-熱変換部材の層又は上記6~9項のいずれか一項に記載の太陽光-熱変換積層体、集光部、熱媒体、並びに上記熱媒体のための容器及び/又は流路を有し、上記容器及び/又は流路の表面に、上記太陽光-熱変換部材の層又は上記太陽光-熱変換積層体がコーティングされており、上記熱媒体が上記容器及び/又は流路内に収容されており、かつ上記集光部によって上記容器及び/又は流路に光を集光し、集光した光によって上記容器及び/又は流路内の上記熱媒体を加熱する、太陽光-熱変換装置。11上記熱媒体を300°C~900°Cの温度に加熱する、上記10項に記載の太陽光-熱変換装置。12上記集光部が、パラボリックディッシュ型、ソーラータワー型、パラボリックトラフ型、フレネル型、又はリニアフレネル型である、上記10又は11項に記載の太陽光-熱変換装置。13上記10~12項のいずれか一項に記載の太陽光-熱変換装置、及び発電機を有し、上記太陽光-熱変換装置によって、上記容器及び/又は流路内の熱媒体を加熱し、かつ加熱された上記熱媒体の熱エネルギーを上記発電機で利用して、電力を発生させる、太陽熱発電装置。14基材温度300°C以上での物理気相堆積によって上記β-FeSi2相材料を得ることを含む、上記1~5項のいずれか一項に記載の太陽光-熱変換部材の製造方法。15FeSi2相材料を300°C以上の温度に加熱して、FeSi2相からβ-FeSi2相への転移を行わせることを含む、上記1~5項のいずれか一項に記載の太陽光-熱変換部材の製造方法。本発明の新規な太陽光-熱変換部材は、数百nmの波長の可視光に対しては吸収率が高く、かつ数千nmの波長の赤外光に対しては吸収率が小さく、それによって数百nmの波長の可視光を効率的に吸収して熱に変換し、かつ数百°Cの温度での熱輻射による放熱が少ない。したがって、本発明の新規な太陽光-熱変換部材によれば、太陽光を効率的に吸収して熱を得、かつ熱輻射による放熱を抑制することができる。太陽光-熱変換部材本発明の太陽光-熱変換部材は、β-FeSi2相材料を含有している。本件発明者らは、β-FeSi2相材料の光学特性について、数百nmの波長の可視光に対しては吸収率が大きく、かつ数千nmの波長の赤外光に対しては吸収率が小さいことを明らかにした。したがって、このようなβ-FeSi2相材料を含有する本発明の太陽光-熱変換部材によれば、太陽光を効率的に吸収して熱に変換し、かつ熱輻射による放熱を抑制することができる。本発明に関して、β-FeSi2相材料は、含有されるFe及びSiの少なくとも一部、特に実質的な部分が、β-FeSi2相を構成している材料を意味している。また特に、本発明に関して、β-FeSi2相材料は、含有されるFe及びSiが、X線回折分析で分析したときにβ-FeSi2相の存在が確認される程度に、β-FeSi2相を構成している材料を意味している。太陽光-熱変換部材組成本発明の太陽光-熱変換部材は、任意の割合で、β-FeSi2相材料を含有していてよく、例えば10vol以上、20vol以上、30vol以上、40vol以上、50vol以上、60vol以上、70vol以上、80vol以上、90vol以上、95vol以上の割合で、β-FeSi2相材料を含有していてよい。また、この割合は例えば、100vol未満、95vol以下、90vol以下、80vol以下、70vol以下、60vol以下、50vol以下、40vol以下、又は30vol以下であってよい。本発明の太陽光-熱変換部材は、実質的にβ-FeSi2相材料のみからなっていてよく、したがって例えばβ-FeSi2相材料が、80vol以上、90vol以上、95vol以上の割合であってよい。また、本発明の太陽光-熱変換部材は、β-FeSi2相材料と他の材料との複合材料であってよい。具体的には例えば、本発明の太陽光-熱変換部材では、β-FeSi2相材料が粒子状であり、且つこのβ-FeSi2相材料の粒子が無機材料のマトリックス中に分散していてよい。この場合には、マトリックスとしての無機材料によって、β-FeSi2相材料と他の材料との反応を抑制することができる。また、この場合には、マトリックスとしての無機材料によって、本発明の太陽光-熱変換部材の屈折率等を調節することができる。マトリックスとしての無機材料として使用できる材料としては、β-FeSi2相材料の粒子を分散させて保持できる任意の材料を用いることができ、具体的には金属又は半金属の酸化物、窒化物、炭化物、酸窒化物、酸炭化物又は酸炭窒化物、例えば酸化ケイ素SiO2を用いることができる。太陽光-熱変換部材形態本発明の太陽光-熱変換部材は、主に任意の形態で用いることができ、例えば膜状、筒状、板状の形態で用いることができ、特に膜状の形態で用いることができる。本発明の太陽光-熱変換部材を膜状の形態で用いる場合、その膜厚は、1nm以上、5nm以上、10nm以上、20nm以上、30nm以上であってよい。また、その膜厚は、10μm以下、5μm以下、1μm以下、又は500nm以下であってよい。太陽光-熱変換部材製造方法本発明の太陽光-熱変換部材は、任意の方法で得ることができる。また、本発明の太陽光-熱変換部材で用いているβ-FeSi2相材料自体は公知であり、例えば半導体材料として特開平10-153704号公報、また光ディスク、カメラ、レーザープリンタ等の光学機器のための光吸収体の光吸収層として特開2004-303868号公報考慮されているので、β-FeSi2相材料の製造においてはこれらの分野の技術を参照することができる。本発明の太陽光-熱変換部材のβ-FeSi2相材料は例えば、基材温度300°C以上、400°C以上、又は500°C以上での物理気相堆積PVD、特にスパッタリングによって得ることができる。ここで、基材温度が比較的高いことは、β-FeSi2相を形成するために好ましい。また、基材温度は例えば、1000°C以下、900°C以下、800°C以下、又は700°C以下にすることができる。また、本発明の太陽光-熱変換部材のβ-FeSi2相材料は例えば、FeSi2相材料、例えば基材上に堆積させた膜状のFeSi2相材料を、300°C以上、400°C以上、又は500°C以上の温度に加熱して、FeSi2相からβ-FeSi2相への転移を行わせることを含む方法によって得ることができる。太陽光-熱変換積層体本発明の太陽光-熱変換積層体は、膜状である本発明の太陽光-熱変換部材の1又は複数の層と、無機材料の1又は複数の層とが、積層されてなる。本発明の太陽光-熱変換部材の層を2以上用いる場合、太陽光-熱変換部材に含有されるβ-FeSi2相材料の割合を変更すること、β-FeSi2相材料と共に太陽光-熱変換部材に含有される材料を変更することと等によって、太陽光-熱変換部材の層の特性、特に屈折率等の光学的特性を調節することができる。このような本発明の太陽光-熱変換積層体では、太陽光-熱変換積層体を構成する各層の間の干渉を利用して、数百nmの波長の可視光に対する吸収率を更に大きくすることができる。具体的には、干渉を利用して可視光に対する吸収率を大きくするためには、異なる層の表面で反射される光の光路差が、可視光の波長例えば550nmのn1/2倍両方層の表面の反射で位相が1/2波長ずれる場合、又は両方層の表面の反射で位相がずれない場合、又は可視光の波長例えば550nmのn倍一方の層の表面の反射でのみ位相が1/2波長ずれる場合になるようにすることができるnは0又は正の整数。なお、この場合、光路差が、赤外光数千nmの波長の波長のn1/2倍又はn倍にならないようにすることによって、赤外光に対しては干渉が起こらないようにすることができる。また、このような本発明の太陽光-熱変換積層体の他の態様では、無機材料の1又は複数の層によって、β-FeSi2相材料と他の材料との反応を抑制することができる。無機材料の1又は複数の層のために使用できる無機材料は、意図する用途に応じて任意に選択することができ、具体的には金属又は半金属の酸化物、窒化物、炭化物、酸窒化物、酸炭化物又は酸炭窒化物を用いることができる。金属層;酸化物、窒化物、炭化物、酸窒化物、酸炭化物又は酸炭窒化物の層;及び太陽光-熱変換部材の層を、この順序で、基材上に直接に又は他の層を介して積層させることによって、金属層とβ-FeSi2相材料との間の反応を抑制しつつ、金属層による光の反射、吸収等の光学特性を提供することができる。ここで、この金属層としては、モリブデンMo層、タングステンW層、銀Ag層、金Au層、銅Cu層等、特にモリブデンMo層を用いることができる。また、酸化物、窒化物、炭化物、酸窒化物、酸炭化物又は酸炭窒化物の層としては、二酸化ケイ素SiO2層を用いることができる。太陽光-熱変換装置本発明の太陽光-熱変換装置は、本発明の太陽光-熱変換部材の層又は本発明の太陽光-熱変換積層体、集光部、熱媒体、並びに熱媒体のための容器及び/又は流路を有し、この容器及び/又は流路の表面に、太陽光-熱変換積層体がコーティングされており、熱媒体が容器及び/又は流路内に収容されており、かつ集光部によって容器及び/又は流路に太陽光を集光し、集光した太陽光によって容器及び/又は流路内の熱媒体を加熱する。本発明の太陽光-熱変換部材の層又は太陽光-熱変換積層体によれば、太陽光を効率的に吸収して熱に変換し、かつ加熱された容器及び/又は流路からの熱輻射による放熱を抑制することができる。したがって、本発明の太陽光-熱変換装置によれば、太陽光によって効率的に熱媒体を加熱することができる。本発明の太陽光-熱変換装置は、熱媒体を300°C以上、400°C以上、500°C以上に加熱するために用いることができる。また、この熱媒体を加熱温度は、例えば1100°C以下、1000°C以下、900°C以下、800°C以下、又は700°C以下にすることができる。本発明の太陽光-熱変換装置で用いられる集光部は、任意のタイプの集光部であってよく、例えばパラボリックディッシュ型、ソーラータワー型、パラボリックトラフ型、フレネル型、又はリニアフレネル型であってよい。本発明の太陽光-熱変換装置で用いられる容器及び/又は流路は、熱媒体を収容できる任意の容器及び/又は流路であってよく、例えばこの流路としてパイプを用い、その中に熱媒体を流通させることができる。太陽熱発電装置本発明の太陽熱発電装置は、本発明の太陽光-熱変換装置、及び発電機を有し、太陽光-熱変換装置によって、容器及び/又は流路内の熱媒体を加熱し、かつ加熱された熱媒体の熱エネルギーを発電機で利用して、電力を発生させる。本発明の太陽光-熱変換装置によれば、太陽光によって効率的に熱媒体を加熱することができる。したがって、本発明の太陽熱発電装置によれば、太陽熱による発電を効率的に行うことができる。本発明の太陽熱発電装置の発電機において電力を発生させるためには、任意の機構を用いることができる。したがって、例えば加熱された熱媒体によって水、アンモニアのような蒸発媒体を蒸発させ、その蒸気で、発電機の蒸気タービンを回転させることによって、電力を発生させることができる。実施例1~4においては、実質的にβ-FeSi2相材料からなるβ-FeSi2単相膜、及びこの単相膜を有する積層体について、実質的にMoからなるMo単相膜、及びこの単相膜を有する積層体と比較して評価した。また実施例5~7においては、β-FeSi2相材料及びSiO2を含有するβ-FeSi2-SiO2複合材料膜、及びこの複合材料膜を有する積層体について、Mo及びSiO2を含有するMo-SiO2複合材料膜、及びこの複合材料膜を有する積層体と比較して評価した。実施例1Mo膜及びFeSi2膜の光学特性の検証Mo膜及びFeSi2膜をそれぞれスパッタリング法により成膜し、これらの膜の透過率、反射率及び吸収率のスペクトルを評価した。具体的には、Mo膜及びFeSi2膜の成膜、及び評価は下記のようにして行った。Mo膜及びFeSi2膜の成膜石英ガラス縦30mm×横20mm×厚さ1mmを基板として用い、基板温度を600°C又は室温24°Cに設定した。スパッタリング時の雰囲気は、Ar雰囲気流量20sccm、圧力0.4Paとした。ターゲットにはそれぞれ、金属Mo及びβ-FeSi2を使用した。また、直流DC電源を用いて、スパッタ電力50Wでプラズマを生成させた。成膜時間はそれぞれ30分間とした。得られた膜厚は、Mo膜では約160nmであり、FeSi2膜では約90nmであった。評価基板温度600°C及び室温24°Cで成膜したMo膜及びFeSi2膜の透過率、反射率及び吸収率のスペクトルを評価した。Mo膜についての評価結果を図2に示しており、またFeSi2膜についての評価結果を図3に示している。なお、図2b及び図3bの吸収率についてのグラフは、図2a及び図3aの透過率及び反射率のグラフから、下記の関係に基づいて求めている:吸収率=100-透過率-反射率図2及び3から明らかなように、室温成膜の場合、Mo膜とFeSi2膜との間で透過率、反射率及び吸収率について大きな差がなかった。これに対して、図2及び3から明らかなように、600°C成膜の場合、Mo膜とFeSi2膜との間で透過率、反射率及び吸収率について大きな差があった。具体的には、600°C成膜の場合、FeSi2膜の吸収率スペクトルは、可視光付近では高い吸収率を示す一方で、1200nm付近で急激に吸収率が低下して、近赤外域ではかなり低い吸収率を示している。すなわち、600°C成膜の場合のFeSi2膜は、数百nmの波長の可視光を効率的に吸収して熱に変換し、かつ数百°Cの温度での熱輻射による放熱が少ないことが理解される。600°C及び室温にて成膜されたFeSi2の膜についてのX線回折分析薄膜法θ=1.5°結果を図4に示している。この図4からは、600°Cで成膜したFeSi2の膜がβ相のFeSi2膜であること、及び室温24°Cで成膜したFeSi2の膜がアモルファスのFeSi2膜であることが理解される。したがって、これらの結果からは、アモルファスのFeSi2膜ではなく、β-FeSi2膜が、太陽光-熱変換に関して好ましい特性を有すること、及び高温でのスパッタリングによってβ-FeSi2膜が得られることが理解される。実施例2FeSi2層を有する積層体の光学特性の検証下記の積層体1-1~1-4について、各層の光学定数に基づいて、反射率スペクトルを計算によって求めた。計算によって得られた積層体1-1~1-3の反射率スペクトルを図5aに示す。また、計算によって得られた積層体1-3及び1-4の反射率スペクトルを図5bに示す。図5aからは、光吸収層としてMo層を用いる積層体1-1及び1-2比較例と比較して、光吸収層としてβ-FeSi2層を用いる積層体1-3本発明は、数百nmの波長の可視光~近赤外領域において、反射率が小さく、かつ1100nm付近で急激に反射率が増加して、数千nmの波長の赤外領域において反射率が大きくなっていることが分かる。ここで、不透明材料、すなわち透過率が0である材料については、吸収率と反射率とが下記の関係を有することから、図5において反射率が大きいことは吸収率が小さいことを意味しており、また反射率が小さいことは吸収率が大きいことを意味している:吸収率=100-反射率したがって、図5aからは、光吸収層としてMo層を用いる積層体1-1及び1-2比較例と比較して、光吸収層としてβ-FeSi2層を用いる積層体1-3本発明は、数百nmの波長の可視光~近赤外領域において、吸収率が大きく、かつ1100nm付近で急激に吸収率が低下して、数千nmの波長の赤外領域において吸収率が小さくなっていることが分かる。すなわち、この図5からは、光吸収層としてβ-FeSi2層を用いる積層体1-3本発明は、可視光を効率的に吸収して熱に変換し、かつ数百°Cの温度での熱輻射による放熱が少ないことが理解される。なお、図5bは、光吸収層として1つのβ-FeSi2層を用いる積層体1-3本発明、及び光吸収層として2つのβ-FeSi2層を用いる積層体1-4本発明についての反射率スペクトルを表している。この図5bからは、吸収層として2つのβ-FeSi2層を用いることによって、吸収率が急激に低下する波長を1100nm付近から1500nm付近にシフトさせることが可能であることが分かった。このように吸収率が急激に低下する波長を1500nm付近にシフトさせると、近赤外領域の吸収率を大きくすることができ、それによって太陽光の吸収率を更に高めることが可能になる。実施例3Mo膜上に直接にFeSi2膜が積膜された構成の問題点下記のようにして、基材上にMo膜が直接に積層されており、このMo膜状にFeSi2膜が直接に積層されている積層体を得た。すなわち、図6aに示すような構成を有する積層体を得た。積層体の製造石英ガラス縦30mm×横20mm×厚さ1mmを基板として用い、基板温度を600°Cに設定した。スパッタリング時の雰囲気は、Ar雰囲気流量20sccm、圧力0.4Paとした。Moターゲット及び直流DC電源を用いて、スパッタ電力50Wでプラズマを生成させた。Mo膜の膜厚を約100nmとするために、成膜時間は19分間とした。その後、β-FeSi2ターゲット及び直流DC電源を用いて、スパッタ電力50Wでプラズマを生成させた。Mo膜上のβ-FeSi2膜の膜厚を約30nmとするために、成膜時間は10分間とした。評価上記のようにして得た積層体、すなわち図6aに示す構成を有する積層体の反射率スペクトルを測定し、図6bに実測値として示している。また、この反射率スペクトルの実測値と併せて、FeSi2膜とMo膜との間で反応が生じていないとした場合の積層体FeSi2:30nm、Mo:100nm、及びFeSi2膜とMo膜とが部分的に反応してMo3Si膜を生じているとした場合の積層体FeSi2:15nm、Mo3Si:40nm、及びMo:80nmについて、反射率スペクトルの計算値を図6bに示している。図6bからは、反射率スペクトルの実測値は、FeSi2膜とMo膜との間で反応が生じていないとした場合の積層体FeSi2:30nm、Mo:100nmについての反射率スペクトルの計算値よりも、FeSi2膜とMo膜とが部分的に反応してMo3Si膜を生じているとした場合の積層体FeSi2:15nm、Mo3Si:40nm、及びMo:80nmについての反射率スペクトルの計算値に近いことが理解される。すなわち、図6bからは、Mo膜上にFeSi2膜を直接に積層させる場合には、FeSi2膜とMo膜とが部分的に反応してMo3Si膜を生じていることが理解される。したがって、この結果からは、Mo膜とFeSi2膜との間にこれらの膜の間の反応を抑制する材料のバリア膜、例えばSiO2層などの無機材料膜を提供することが好ましいことが理解される。実施例4FeSi2膜及びMo膜を有する積層体の光学特性の検証図7aで示す構成を有する積層体をスパッタリング法により成膜し、この膜の反射率スペクトルを評価した。具体的には、FeSi2膜及びMo膜を有する積層体の成膜、及び評価は下記のようにして行った。Moの膜及びFeSi2の膜の成膜石英ガラス縦30mm×横20mm×厚さ1mmを基板として用い、基板温度を600°Cに設定した。スパッタリング時の雰囲気は、Ar雰囲気流量20sccm、圧力0.4Paとした。Mo膜の成膜では、Moターゲット及び直流DC電源を用いて、スパッタ電力50Wでプラズマを生成させた。SiO2膜の成膜では、SiO2ターゲット及び高周波電流RF電源を用いて、スパッタ電力200Wでプラズマを生成させた。FeSi2膜の成膜では、β-FeSi2ターゲット及び直流DC電源を用いて、スパッタ電力50Wでプラズマを生成させた。成膜時間は、図7及び下記の表2で示す各層の厚さが得られるように調節した。得られた積層体の断面構造を走査型電子顕微鏡SEMによって観察した結果、各層の膜厚は設定した値に近く、かつ各層が平坦な表面を有していることが確認された。評価得られた積層体の反射率スペクトルを評価した。評価結果を、太陽光及び580°Cでの熱輻射スペクトルと併せて図8に示している。図8で示されているように、この積層体では、波長300~1400nmの可視光~近赤外領域では反射率が10以下と低い。またこの積層体では、1400nmを超える長波長側では反射率が急峻に立ち上がり、それによって波長3000nm以上では90以上の反射率を有している。なお、これらの波長範囲では、積層体の透過率はほぼゼロであるので、吸収率は下記の式で表すことができる:吸収率=100-反射率したがって、図8からは、この積層体が、可視光~近赤外領域では吸収率が高く、かつ数百°C例えば580°Cの温度での熱輻射に対応する長波長領域では、吸収率が低いことが理解される。数百°Cの温度での熱輻射に対応する長波長領域において吸収率が低いことは、この温度での輻射率が小さいことを意味している。すなわち、図8からは、この積層体が、数百nmの波長の可視光を効率的に吸収して熱に変換し、かつ数百°Cの温度において熱輻射による放熱が少ないことが理解される。図8に示す反射率スペクトルから、太陽光の吸収性能を示す吸収率αを求めると、89.6となり、また輻射熱としての損失性能を示す放射率ε580°Cを求めると6.62になった。また、このα及びεより、580°Cにおける光-熱変換効率ηを算出すると、80.0となった。なお、本発明に関して、太陽光の吸収性能を示す吸収率α、輻射熱としての損失性能を示す放射率ε580°C、及び光-熱変換効率ηは下記のようなものである。太陽光の吸収性能を示す吸収率α吸収率αは、JISR3106に定義されている日射吸収率を意味し、分光吸収率αλに対して太陽光スペクトル分布に基づく重価係数EλλΔを乗じた加重平均として、次式により求めた。αλ:分光吸収率Eλ:直達日射相対値の標準スペクトル分布EλλΔ:重価係数JISR3106輻射熱としての損失性能を示す放射率ε580°C放射率ε580°Cは、分光吸収率αλに対してプランクの式に基づく580°Cでの輻射スペクトルB580°Cλを乗じた加重平均として、次式により求めた。αλ:分光吸収率c:光速h:プランク定数k:ボルツマン定数T:絶対温度580°C=853K光-熱変換効率η上記により求めた吸収率α及び放射率εをもとに、特許文献1にて定義されている次式により光-熱変換効率ηを求めた。σ:ステファン-ボルツマン定数T:絶対温度C:集光度I:太陽光強度AM1.5実施例5FeSi2-SiO2複合材料膜の光学特性の検証マトリックスとしてのSiO2中にFeSi2が分散しているFeSi2-SiO2複合材料膜サーセミ膜CeramicSemiconductor=Cersemi、及びマトリックスとしてのSiO2中にMoが分散しているMo-SiO2複合材料膜サーメット膜CeramicMetal=Cermetをそれぞれスパッタリング法により成膜し、これらの膜の透過率、反射率及び吸収率のスペクトルを評価した。具体的には、これらの複合材料膜の成膜、及び評価は下記のようにして行った。FeSi2-SiO2複合材料膜の成膜及び評価石英ガラス縦30mm×横20mm×厚さ1mmを基板として用い、基板温度を600°Cに設定した。スパッタリング時の雰囲気は、Ar雰囲気流量20sccm、圧力0.4Paとした。ターゲットとしては、β-FeSi2ターゲット及びSiO2ターゲットを用いた。β-FeSi2ターゲットには、直流DC電源を用いて、スパッタ電力50Wでプラズマを生成させた。また、SiO2ターゲットには、高周波電流RF電源を用いて、スパッタ電力100Wでプラズマを生成させた。FeSi2-SiO2複合材料膜の膜厚を約100nmにするために、成膜時間は20分間とした。X線光電子分光XPS分析の結果、FeSi2-SiO2複合材料膜中のFeSi2の割合は61volであった。なお、FeSi2-SiO2複合材料膜中のFeSi2ナノ粒子は、マトリックスであるSiO2のケイ素とは反応しておらず、また酸化もされておらず、したがってFeSi2の状態を維持していた。得られたFeSi2-SiO2複合材料膜についての透過率及び反射率のスペクトルを図9aに示す。また、この複合材料膜についての吸収率スペクトルを図10に示す。なお、図10の吸収率スペクトルは、図9aの透過率及び反射率のスペクトルから、下記の関係に基づいて求めている:吸収率=100-透過率-反射率Mo-SiO2複合材料膜の成膜及び評価石英ガラス縦30mm×横20mm×厚さ1mmを基板として用い、基板温度を600°Cに設定した。スパッタリング時の雰囲気は、Ar雰囲気流量20sccm、圧力0.4Paとした。ターゲットとしては、Moターゲット及びSiO2ターゲットを用いた。Moターゲットには、直流DC電源を用いて、スパッタ電力20Wでプラズマを生成させた。また、SiO2ターゲットには、高周波電流RF電源を用いて、スパッタ電力200Wでプラズマを生成させた。Mo-SiO2複合材料膜の膜厚を約80nmとするために、成膜時間は18分間とした。また、X線光電子分光XPS分析の結果、Mo-SiO2複合材料膜中のMoの割合は54volであった。なお、Mo-SiO2複合材料膜中のMoナノ粒子は、成膜過程においてマトリックスであるSiO2のケイ素と反応して、部分的にシリサイド化していた。得られたMo-SiO2複合材料膜についての透過率及び反射率のスペクトルを図9bに示す。また、この複合材料膜についての吸収率スペクトルを図10に示す。なお、図10の吸収率スペクトルは、図9bの透過率及び反射率のスペクトルから、下記の関係に基づいて求めている:吸収率=100-透過率-反射率評価結果についての検討図10に示す吸収率スペクトルから、FeSi2-SiO2複合材料膜では、Mo-SiO2複合材料膜と比較して、可視光付近の吸収率が高く、かつ近赤外領域での吸収率の変化が急激であることが分かる。また、FeSi2-SiO2複合材料膜では、Mo-SiO2複合材料膜と比較して、膜厚が若干厚いにも関わらず、長波長領域での吸収率が低いことが理解される。これは、FeSi2-SiO2複合材料膜が、Mo-SiO2複合材料膜と比較して、可視光を効率的に吸収して熱に変換し、かつ数百°Cの温度での熱輻射による放熱が少ないことを意味している。なお、FeSi2-SiO2複合材料膜中のFeSi2の割合は、FeSi2ターゲット及びSiO2ターゲットに供給する電力によって制御できる。例えば、SiO2ターゲットに高周波RF電力200Wを供給しつつ、FeSi2ターゲットに供給する直流DC電力を、10W、30W、及び50Wと変えることによって、FeSi2-SiO2複合材料膜中のFeSi2の割合を、8vol、31vol、及び46volに制御することができた。実施例6FeSi2-SiO2複合材料膜を有する積層体の光学特性の検証1図11で示す積層体をスパッタリング法により成膜し、この膜の吸収率のスペクトルを評価した。具体的には、積層体の成膜、及び評価は下記のようにして行った。積層体の成膜石英ガラス縦30mm×横20mm×厚さ1mmを基板として用い、基板温度を600°Cに設定した。スパッタリング時の雰囲気は、Ar雰囲気流量20sccm、圧力0.4Paとした。Mo膜の成膜では、Moターゲット及び直流DC電源を用いて、スパッタ電力50Wでプラズマを生成させた。Mo膜の膜厚を約100nmとするために、成膜時間は20分間とした。基材側のFeSi2-SiO2複合材料膜FeSi2:61volの成膜では、β-FeSi2ターゲット及びSiO2ターゲットを用いた。β-FeSi2ターゲットには、直流DC電源を用いて、スパッタ電力50Wでプラズマを生成させた。また、SiO2ターゲットには、高周波電流RF電源を用いて、スパッタ電力100Wでプラズマを生成させた。FeSi2-SiO2複合材料膜の膜厚を約50nmにするために、成膜時間は11分間とした。FeSi2-SiO2複合材料膜中のFeSi2の割合は61volであった。外側のFeSi2-SiO2複合材料膜FeSi2:8volの成膜では、β-FeSi2ターゲット及びSiO2ターゲットを用いた。β-FeSi2ターゲットには、直流DC電源を用いて、スパッタ電力10Wでプラズマを生成させた。また、SiO2ターゲットには、高周波電流RF電源を用いて、スパッタ電力200Wでプラズマを生成させた。FeSi2-SiO2複合材料膜の膜厚を約45nmとするために、成膜時間を19分間とした。FeSi2-SiO2複合材料膜中のFeSi2の割合は8volであった。最表面のSiO2膜の成膜では、SiO2ターゲットを用いた。SiO2ターゲットには、高周波電流RF電源を用いて、スパッタ電力200Wでプラズマを生成させた。SiO2膜の膜厚を約45nmとするために、成膜時間は55分間とした。得られた積層体の断面構造を走査型電子顕微鏡によって観察した結果、図11bで示すように、各層の膜厚は設定した値に近く、かつ各層が平坦な表面を有していることが確認された。評価得られた積層体の反射率スペクトルを評価した。評価結果を図12に示している。図12で示されているように、この積層体では、波長1300nm以下の可視光~近赤外領域では反射率が約10以下と低い。またこの積層体では、それよりも長波長側では反射率が急峻に立ち上がり、それによって波長3000nm以上では90以上の反射率を有している。図12に示す反射率スペクトルによれば、太陽光の吸収性能を示す吸収率αは91.5、輻射熱としての損失性能を示す放射率ε580°Cは7.26、580°Cにおける光-熱変換効率ηは80.6であった。この光-熱変換効率ηは、実施例4の積層体での値よりも大きかった。実施例7FeSi2-SiO2複合材料膜を有する積層体の光学特性の検証2図13で示す積層体をスパッタリング法により成膜し、この膜の光吸収率スペクトルを評価した。具体的には、積層体の成膜、及び評価は下記のようにして行った。積層体の成膜石英ガラス縦30mm×横20mm×厚さ1mmを基板として用い、基板温度を600°Cに設定した。スパッタリング時の雰囲気は、Ar雰囲気流量20sccm、圧力0.4Paとした。Mo膜の成膜では、Moターゲット及び直流DC電源を用いて、スパッタ電力50Wでプラズマを生成させた。Mo膜の膜厚を約100nmとするために、成膜時間は20分間とした。基材側のFeSi2-SiO2複合材料膜FeSi2:54volの成膜では、β-FeSi2ターゲット及びSiO2ターゲットを用いた。β-FeSi2ターゲットには、直流DC電源を用いて、スパッタ電力50Wでプラズマを生成させた。また、SiO2ターゲットには、高周波電流RF電源を用いて、スパッタ電力90Wでプラズマを生成させた。FeSi2-SiO2複合材料膜の膜厚を約55nmとするために、成膜時間は12分間とした。FeSi2-SiO2複合材料膜中のFeSi2の割合は54volであった。外側のFeSi2-SiO2複合材料膜FeSi2:10volの成膜では、β-FeSi2ターゲット及びSiO2ターゲットを用いた。β-FeSi2ターゲットには、直流DC電源を用いて、スパッタ電力10Wでプラズマを生成させた。また、SiO2ターゲットには、高周波電流RF電源を用いて、スパッタ電力200Wでプラズマを生成させた。FeSi2-SiO2複合材料膜の膜厚を約55nmとするために、成膜時間は21分間とした。FeSi2-SiO2複合材料膜中のFeSi2の割合は10volであった。最表面のSiO2膜の成膜では、SiO2ターゲットを用いた。SiO2ターゲットには、高周波電流RF電源を用いて、スパッタ電力200Wでプラズマを生成させた。SiO2膜の膜厚を約12nmとするために、成膜時間は15分間とした。なお、この実施例では、SiO2ターゲットの厚さが実施例6と異なっており、それによってSiO2の成膜速度が大きくなっていた。得られた積層体に対して、真空中圧力5Pa以下において、750°Cで1時間にわたって熱処理を行った。熱処理の前後の積層体の断面構造を走査型電子顕微鏡によって観察した結果、図13bで示すように、各層が平坦な表面を有していることが確認された。ただし、ただし、基材側及び外側のFeSi2-SiO2複合材料膜の厚さはいずれも、熱処理によって、約55nmから約50nmに減少していた。また、FeSi2-SiO2複合材料膜では、FeSi2粒子が結晶成長して粒子径が大きくなっていた。このFeSi2-SiO2複合材料膜の厚さの減少は、FeSi2粒子が結晶成長したことに伴うものであると考えられる。なお、最表面のSiO2膜の厚さはわずかに増加していた。評価熱処理の前後の積層体の反射率スペクトルを評価した。評価結果を図14に示している。図14で示されているように、この積層体では、熱処理によって、波長約1300nmでの反射率の増加がさらに急激になっている。図14に示す反射率スペクトルによれば、太陽光の吸収性能を示す吸収率αは、熱処理前が90.6であり、熱処理後が91.2であった。輻射熱としての損失性能を示す放射率ε580°Cは、熱処理前が7.38であり、熱処理後が6.46であった。光-熱変換効率ηは、熱処理前が79.7であり、熱処理後が81.7であった。すなわち、熱処理によって光-熱変換効率ηが改良された。