"ナノチューブの側壁の炭素原子へ共有結合した置換基で誘導体化した単層カーボンナノチューブ。該置換基がフッ素、アルキル及びフェニルから選択される、請求項1に記載の単層カーボンナノチューブ。フッ素がナノチューブの側壁へ共有結合し、前記ナノチューブが高電気抵抗を有する、請求項1に記載の単層カーボンナノチューブ。カーボンナノチューブをフッ素ガスと反応させることを含むカーボンナノチューブの誘導体化方法。該フッ素ガスがフッ化水素を含有しない、請求項4に記載の方法。反応温度が500°C未満、好ましくは400°C未満である請求項5に記載の方法。フッ素を単層カーボンナノチューブと反応させ、その生成物が共有的に付着したフッ素を有する多層カーボンナノチューブである、請求項4に記載の方法。該反応の温度が少なくとも500単層カーボンナノチューブをフッ素ガスと反応させ、フッ素誘導体化カーボンナノチューブを回収し、フッ素誘導体化カーボンナノチューブを求核試薬と反応させ、単層カーボンナノチューブの側壁の炭素原子へ共有結合した置換基を有する該ナノチューブを回収することを含む単層ナノチューブの側壁へ付着した置換基を有する該ナノチューブの調製方法。a複数の単層カーボンナノチューブをフッ素化し、該複数のフッ素化単層カーボンナノチューブを溶媒中に超音波分散させることを含む単層カーボンナノチューブを溶媒和させる方法。前記溶媒がアルコールである、請求項11に記載の方法。a単層カーボンナノチューブをフッ素化し、フッ素化単層カーボンナノチューブを溶媒中に分散し、該分散単層カーボンナノチューブを求核試薬と反応させることを含む単層ナノチューブの側壁を誘導体化する方法。該求核試薬が有機金属化合物である、請求項13に記載の方法。前記有機金属化合物がアルカリ金属の置換または未置換アルキルまたはアリール化合物であって、該化合物が1乃至20の炭素原子を有する、請求項14に記載の方法。該アルカリ金属がナトリウムまたはリチウムである、請求項15に記載の方法。該求核試薬との反応に続き、残存フッ素及び他のアルカリまたはアルカリ土類金属を該単層カーボンナノチューブから除去することを更に含む、請求項13に記載の方法。一般的に平行な配置で集成した複数の単層カーボンナノチューブ含み、単層カーボンナノチューブの集成体の接触産出用の単層ナノチューブの配列であって、該ナノチューブは略等しい長さであり、各ナノチューブは少なくとも一つの自由端を有し、前記各単層カーボンナノチューブの側壁に、金属原子の創生と該金属原子を前記単層カーボンナノチューブの該自由端への移動を促進する条件下で単層カーボンナノチューブを成長させるための活性触媒金属原子クラスターを提供するに十分な量の物理吸着した、或いは共有結合した遷移金属触媒前駆体成分が配置するカーボンナノチューブ集成体の接触産出用の単層カーボンナノチューブの配列。実施例111単層カーボンナノチューブのフッ素化単層カーボンナノチューブを、コバルトニッケルでド-プしたグラファイト棒の二重パルスレーザー蒸発法により産出し、前記の技法により精製した。精製生成物は、単層カーボンナノチューブロープの界面活性剤TritonX100の02水溶液中の準安定コロイド懸濁液である。該溶液をポリテトラフルオロエチレン濾過膜で濾過しメタノールで洗浄して残留界面活性剤を除去すると表面に黒い膜が残る。もしこの層が十分厚ければ10乃至75をフッ素化剤として使用した。該フッ素中の主要な不純物であるフッ化水素はフッ化ナトリウムペレットを含むフッ化水素トッラプを通して除去した。次いで、ヘリウムで希釈した該フッ素を単層カーボンナノチューブ試料を含有する温度制御されたモネル流動反応器中を通した。フッ素化に先立ち、精製したバッキーペーパーを残留表面汚染物を脱着するために数時間1100°Cで真空ベークした。各反応に対して、前以って秤量した一片のバッキーペーパー150乃至200を使用した。各反応のフッ素及びヘリウムの流量はそれぞれ2sccm及び20sccmであった。いずれの場合も、反応時間は5時間であった。唯一の変数は反応温度であった。無機炭素フッ素の反応の速度論が高度に温度依存性であるので渡辺ら、1988Elsevierアムステルダム、いくつかの反応を以下の温度、即ち150°C250°C325°C400°C500°C及び600°Cで行った。325°C及び400°Cの反応温度に対しては、フッ素化は250°Cで開始し1時間後に該フッ素流を止め反応器温度を更に4時間その適切な高さへ上げた。400°C及び500°Cの反応温度に対しては、250°Cで1時間、400°Cで1時間、次いでその特定の反応温度で3時間試料をフッ素化をした。この段階的温度操作の背後にある論理的根拠は、グラファイト及びフラーレン類のフッ素化において良く証拠付けられているCF4C2F4C2F6等の分解をできる限り最小限に留めることであった。反応温度の関数としての生成物の化学量論量を重量法的に及び電子微小部分析の双方により得た。共有結合フッ素の存在を確認するために赤外分光法を使用した。フッ素化によりチューブが破壊されていく即ち開裂していくか否か、またどの温度で破壊されていくか否かを測定するために透過電子顕微鏡法を使用した。未処理の、フッ素化した、及び脱フッ素化した単層カーボンナノチューブ試料を分析するために、ラマン分光法、走査電子顕微鏡法および2点抵抗率測定を使用した。赤外分光法で、250°C以上の温度でフッ素化した試料中の共有結合フッ素の存在を確認した。150°Cでフッ素化した試料にはCF伸縮周波数は見られず、その2点抵抗率は100以下であったので、多量のフッ素が単層カーボンナノチューブの側壁に共有結合していることは除外される。該フッ素化反応の生成物の化学量論量を表1に示す。重量法よる分析及び微小部分析間の不一致は上記のごとき、特に前記の該より高い温度での生成物の分解に帰することができる。図1Aは、精製した未反応の単層カーボンナノチューブ物質の透過電子顕微鏡像を示す。図1Bは、325°Cでフッ素化した単層カーボンナノチューブの透過電子顕微鏡像である。この像から分かるようにチューブはこれらの条件下での処理後は多くは元のままである。図1Cは、500°Cでフッ素化した単層カーボンナノチューブの透過電子顕微鏡像である。ここではチューブは本質的に全て破壊されているように見える。高温反応の結果、多層カーボンナノチューブの名残のかなりの数の嵌まり込んだチューブ様グラファイト構造体が創生されたようである。これらの構造体が図1Dに示される。多層カーボンナノチューブのフッ素化は以前に報告されている。これは二つの温度、即ち25°C及び500°Cで行われた。室温反応はF2HF及びIF5の混合物を用いて行われ、内位添加型化合物を産出した。500°Cで行われた反応はF2を用いて行われたもので、チューブ構造を破壊して化学量論量のCFのグラファイトフッ化物を産出していることが測定された。これに照らすと、単層カーボンナノチューブの破壊が500°Cで観察されたことはさほど驚くべきことではないが、多層カーボンナノチューブ様の構造体類が形成されていることはいくらかは驚くべきことである。これらの構造体類の創生は試料中に存在する残留金属触媒の結果であり得る。12単層カーボンナノチューブの脱フッ素化一度フッ素化した単層カーボンナノチューブを無水ヒドラジンで脱フッ素化した。250°C325°C及び400°Cでフッ素化したバッキーペーパー断片に5mlのヒドラジンを不活性雰囲気下室温で添加した。単層カーボンナノチューブを濾過水洗前に1時間該ヒドラジン中に着座させた。単層カーボンナノチューブのラマン分光法が理論的にも実験的にも良く開発されているので、単層カーボンナノチューブのフッ素化及びそれに続く脱フッ素化の結果を検討するためにそれを使用した。図2は純粋な混じり気のない単層カーボンナノチューブ物質のラマンスペクトルである。186cm1のより小さいピークは単層カーボンナノチューブの特徴的なブリージングモードによるものである。250°C325°C及び400°Cの反応温度で5時間フッ素化した単層カーボンナノチューブのラマンスペクトルを図3に示す。250°Cの反応に対応するトレースAは1340cm1及び1580cm1前後を中心とする二つの幅広いピークと一つの幅広いバンド蛍光のみを示している。該ラマンピークはそれぞれsp3及びsp2炭素の伸縮モードに対応する。高いFC比を産出するより高い反応温度では、これらのピークは消え、該蛍光は減衰する。CF結合があまり極性化性ではないので、ここに提示されているラマンスペクトルにはそれらが見られないことは理解できる。最初に250°C325°C及び400°Cでフッ素化した単層カーボンナノチューブの脱フッ素化生成物のラマンスペクトルを図4に示す。トレースAB及びCはそれぞれ最初に250°C325°C及び400°Cでフッ素化した物質に対応する。トレースA及びBに見られるように、特徴的な186cm1のブリージングモードは脱フッ素化で復帰する。これはトレースCでは存在せず、チューブが400°Cで多く破壊されたことを示している。更に、特徴的な単層カーボンナノチューブのピークに対して、1340cm1のピークがフッ素化温度が高くなるに連れて成長する。これは次の要因、即ち第一は、チューブがより高い温度で遥かに容易に開裂しつつあること、及び第二は、より高い反応温度でより多くの量のCF4C2F4C2F6等の分解が起りつつあること、の一方或いは双方に帰すことができる。走査電子顕微鏡像及び2点抵抗率測定を、次の各々の段階、即ち精製、325°Cでのフッ素化及びヒドラジン中室温1時間の脱フッ素化を経た後のバッキーペーパーの一断片について得た。図5Aはその精製した出発物質を示す。図5Bは325°Cで5時間フッ素化した後の同一断片を示す。この像は絶縁的性質による過剰の帯電を示しているがチューブのロープ様構造体がまだ明らかである。最後に、図5Cはヒドラジン中で脱フッ素化した後のバッキーペーパーの同一断片を示す。該精製した出発物質の2点抵抗は、バッキーペーパー表面上5mm間での測定では15乃至16。高度に精製した生成物は、単層カーボンナノチューブのコロイド状懸濁束、即ちロープからなる。02ミクロンのポリテトラフルオロエチレン濾過膜上で濾過しメタノールで濯ぐと黒い膜を産出し、剥がすことができ自立バッキーペーパーを与える。次いで、残留溶媒を除去するためにこのペーパーを150°Cで数時間炉でベークした。次いでこのベークしたバッキーペーパーを、ヘリウム流の下で250°Cで略1時間パージしいた温度制御モネル流動反応器に装填した。ヘリウム中10F2の混合物を、先ず存在するフッ化水素は除去するためにフッ化ナトリウム上に流し、次いで該試料上に流した。これにより、反応時間及びフッ素化されたる量に依存するC3FからC2Fの範囲の化学量論量を有する物質を産出した。22メチル化単層カーボンナノチューブナノチューブを一度フッ素化した後窒素パージ下の反応フラスコへ入れた。次いで、メチルリチウムを有意にモル過剰で、ゴムセプタムを通して注射器を介して該反応フラスコ中へ添加した。反応混合物を3時間還流した後、該メチルリチウムを水エーテル混合物で中和した。得られた物質は濾過し、3M塩化水素で洗浄し、次いでメタノールで洗浄し130°Cで炉乾燥を行った。電子微小部分析により、この物質のフッ素含有量が37原子パーセントであることが明らかとなった。走査電子顕微鏡法及び透過電子顕微鏡法分析により、ロープ及びチューブ構造体がフッ素化及びメチル化工程の双方で復活したことを確認した。単層カーボンナノチューブのラマン分光法は現在良く知られている。該メチル化ナノチューブ生成物のラマン分光を、CCD検知器を備えた5145nmのアルゴンレーザー励起源を使用するSpexTriplemate分光器で得た。このスペクトルは有意な改変が起ったことを明らかにしている。この物質をアルゴン中700°Cで熱分解すると、そのラマンスペクトルで証明されるように元の単層カーボンナノチューブを再生する。熱分解過程の熱質量分析は、700°Cへの加熱時に25の質量損失を明らかにしている。熱分解生成物の電子衝撃イオン化質量分析法により、メチル基が熱分解中に発生した主要な種であって、残りの質量ピークは熱分解中のメチル基再結合過程のものと一致していることを明らかにしている。単層カーボンナノチューブの電気的物性は機能化すると劇的に変化する。未処理の単層カーボンナノチューブは本質的には金属的であり、バッキーペーパーの表面上5mmにわたる測定でのその2点抵抗は10乃至15Ωである。フッ素化すると、該チューブは絶縁性になり、該2点抵抗は20MΩを超える。メチル化後の該チューブは略20MΩの2点抵抗を所有する。メチル化生成物の熱分解は該抵抗を略100中に懸濁させKBr粉末上に分散し、次いで乾燥させ圧縮してペッレトにした。重水素化クロロホルムを使用することにより、残留溶媒の存在によるCH伸縮モードを見る可能性を取り除いた。該ペッレトの赤外分析により図8に示されるようにそのスペクトルの略2950cm1の領域に有意な量のCH伸縮が存在することが明らとなった。しかし、フッ素の全ては置換されなかったということを示す有意な伸縮バンドもまた存在する。これは、多分フッ素が元のフッ素化で可能であった程度には、嵩高なメチルリチウムがロープ格子に侵入し得ないためであるのかもしれない。代わりに、該かごは電気陰性度が減少するらしく、そのため続くフッ素が置換されるとき求核攻撃により晒され難くなる。該メチル化チューブは、試みられた非極性炭化水素溶媒のいづれにも懸濁可能ではなっかた。しかし、該メチル化チューブのクロロフォルム中への懸濁性はその未処理チューブのものよりも優れているという事実は興味がある。個々に操作され得る個々のチューブとして該メチル化単層カーボンナノチューブを懸濁させるための好ましい溶剤を使用することは、有意な利益をもたらすであろう。代わりに、他の求核剤、例えば、ブチルも単層カーボンナノチューブを好ましい溶剤により懸濁可能とするためのフッ素置換用になりうるし、このことも等しく意義のあることである。要するに、単層カーボンナノチューブは先ずそれをフッ素化し、次いでフッ素化生成物をメチルリチウムと反応させることによりメチル化した。フッ素化単層カーボンナノチューブ先駆体のこのメチル化は、広範囲の置換単層カーボンナノチューブ生成物を生み出すことができる新規な求核置換過程路を経由して進む。実施例331高度に精製した単層カーボンナノチューブの調製単層カーボンナノチューブをコバルトニッケルでドープしたグラファイト棒の二重パルスレーザー蒸発法で産出し、前に論じた方法により精製した。このようにして産出した単層カーボンナノチューブは主にのカーボンナノチューブである。該精製物はTritonTMX100界面活性剤02水溶液中の単層カーボンナノチューブのロープの準安定コロイド懸濁液である。次いでこれをポリテトラフルオロエチレン濾過膜で濾過しメタノールで濯いだ。これを濾過しメタノールで濯ぐと、略10法により監視した。図9は典型的な純度の試料を示す。この生成物を次いでジメチルホルムアミドをモネル及びニッケル製の温度制御したフッ素化反応器に入れた。ヘリウム中250°Cで十分にパージした後、フッ素を導入した。フッ素流量は徐々に増加させて20sccmのヘリウム流量中に希釈して2sccmの流量とした。フッ素化は、略10時間進行させてその時点で反応器を室温に戻し、該フッ素流量を徐々に下げた。フッ素流を完全に止めた後で、フッ素化生成物を除去する前に、反応器を室温で略30分パージした。フッ素化単層カーボンナノチューブは、電子探針微小部分析により測定したところ略70原子パーセントの炭素と30原子パーセントのフッ素からなっていた。このフッ素化生成物は、ラマン、赤外、走査電子顕微鏡、透過電子顕微鏡、抵抗測定及びX線光電子分光法PhysicalElectronics製、軟単色AlKX線を使用するPHI5700XPSにより良く特性決定された。33アルコール中での溶媒和フッ素化チューブをパーフルオロ化溶媒中で超音波分散し加熱する同類は同類を溶解するという手法でフッ素化チューブを溶解させる試みは殆ど成功しなかった。アルキルフッ化物の水素結合可能性についての最近の研究は、このような種におけるフッ素は、貧水素結合受容体であることを示唆している8998HowardらTetrahydron1996521261312622.しかし、このFイオンは入手可能な最良の水素結合受容体の一つである。HFとFとの間に形成された水素結合の強さは共有結合の強さに接近している。本発明者らのフッ素化単層カーボンナノチューブのX線光電子分光分析は687eVの結合エネルギーに一つのF1sピークの存在を明らかにしている。ポリテトラフルオロエチレンは6915eVの一つのF1s結合エネルギーを有する。これは、フルオロチューブに結合したフッ素が、アルキルフッ化物中に存在するフッ素よりかなりよりイオン的であることを示唆している参照渡辺ら、グラファイトフッ化物Elsevierアムステルダム1988第246頁を参照。このようにフルオロチューブ中のCF結合のより増加したイオン性の性質はフルオロチューブ上でフッ素をより良い水素結合受容体にするこができる。フッ素化単層カーボンナノチューブ物質のアルコール類中での超音波分散は、略10mLのアルコール溶媒を含む管壜に略1mgの材料を入れ略10分間超音波分散させることにより行われた。超音波分散は、55kHzで操作するコールパーマー超音波洗浄器中に蓋をした管壜を浸漬することにより行った。溶媒和フルオロチューブを次いで3000rpmの回転スピナーにより清浄な雲母表面上に分散し電子間力顕微鏡法で検査した。該溶媒和フルオロチューブをまた石英分光セルを使用する島津1601PC型紫外線可視分光計で分析した。フルオロチューブを、メタノール、エタノール、222トリフルオロエタノール、2プロパノール、2ブタノール、nペンタノール、nヘキサノール、シクロヘキサノール及びnヘプタノールを含むアルコール溶媒中で超音波分散することにより溶媒和させた。アルコール溶媒中でフルオロチューブを超音波分散すると準安定溶液が産出された。これらの溶液は、使用濃度及び溶媒によって数日から1週間に亙って安定であった。典型的な超音波処理時間は10分前後であるが、該チューブを完全に懸濁させるためにはより重い溶媒は僅かに長い時間の超音波分散を要した。使用した溶媒中で2プロパノール及び2ブタノールがフルオロチューブを最も良く溶媒和させるように見え、その溶液は一週間よりも長く安定であった。2プロパノール中での溶媒和フルオロチューブの溶解度限界は少なくとも01mgmLである。この溶液は、1週間よりわずかに短い期間は安定であって、数日後には粒状物のようなものが沈殿した。該溶解度限界を広げることが溶液の安定性をいくらか減少させること、或いは過飽和溶液が僅かの時間存在し得ることを示唆している。その他の溶液の全ては沈殿を始める前は少なくとも23日安定であった。このような溶媒和に対する起こり得る筋書きは、該アルコールの水酸基の水素と該ナノチューブのフッ素との間の水素結合であろう及び電子探針微小部分析により、生成物の組成に基づき反応が何か起ったか否かを測定した。全ての溶液から得られるフルオロチューブを原子間力顕微鏡法で調べた。図10は、nブタノールに溶解させ次いで清浄な雲母上に分散させたフルオロチューブの原子間力顕微鏡走査を示す。この結果は、原子間力顕微鏡法で調べた全てのフルオロチューブアルコール溶液に関してかなり典型的なものである。僅かにロープは存在するが、殆ど全てのチューブは溶媒和されると信じられる。これらの溶液のいくつかは19FNMRで調べたがこれはあまり有益な手段ではないことが証明された。これは略175ppmを中心とする幅広いピークを産出した。このピークはフッ素の存在を表すものであるが、この広がりは、種々のF環境によるか、或いは溶液中に存在する間の不十分なタンブリングかによるものである。この方法では可能な水素結合の環境に関する情報は何も得られなかった。イソプロパノール中のフルオロチューブ溶液をポリテトラフルオロエチレンフィルター上で濾過し該チューブを電子探針微小部分析で調べると、酸素は存在せず、フッ素の量は僅かに減少したことが明らかとなった。このことは、溶媒和プロセスが化学反応の結果ではなく、該アルコールとナノチューブ表面上のフッ素との水素結合の結果であることを示唆するものであろう。更に長い時間超音波分散を行ったナノチューブの分析は、フッ素の量は減少したがまだ溶媒和状態を保っていたことを示した。超音波分散は、もし十分長く進行させることができれば、いくらかのフッ素の除去を可能とすることは明らかである。該チューブを連続的にイソプロパノール中に超音波分散し、超音波分散時間t10及びその後30毎に紫外線可視分光計で監視した。40分間超音波分散を行った後の溶液は、204nmに吸収バンドを示した。このバンドは超音波分散が進行するに連れて成長しつづけ、より低エネルギーへとレッドシフトへ成長し、フッ素は恐らくは除去されつつあったのである。130分間超音波分散を行なうと、該ピークは強度を増し237nmへとシフトした。34溶液中での反応本発明者らはヒドラジンが有効な脱フッ素化剤であることを示した。無水ヒドラジンを溶媒和フルオロチューブへ添加した。反応混合物をガラス攪拌棒で約1時間絶えず攪拌した。次いでこの生成物を電子探針微小部分析及びラマン分光で調べた。また、それをジメチルホルムアミドに懸濁させ、雲母表面上に分散し、原子間力顕微鏡で調べた。その装置及び手順は上記のものと同様であった。イソプロパノール中のフルオロチューブの溶液に無水ヒドラジンを添加すると、フルオロチュウーブは直ちに溶液から沈殿した。1時間着座させた後溶液を濾過すると、電子探針微小部分析により測定されるように、極めて少量のフッ素含有量の生成物を産出した。未反応の単層カーボンナノチューブがジメチルホルムアミド中にかなり良く懸濁することがわかり、それを雲母上に分散し、次いで原子間力顕微鏡分析を行うと、出発物質そのものを暗示するチューブが産出された。単層カーボンナノチューブのラマン分光法は良く確立されており27382741RaoらScience1997275187191FangらJMatRes19981324052411、フッ素化、超音波分散及び脱フッ素化を経由する出発物質を追従するプローブとして使用した。ヒドラジンで脱フッ素化生成物のラマン分光は、該出発物質に類似しているがフッ素化単層カーボンナノチューブとは非常に異なるスペクトルを産出する。フルオロチューブはまた05Mナトリウムメトキシドのメタノール溶液中で10分間超音波分散させた。このチューブは壊れ、そして懸濁するように見えたが、静置すると速やかに溶液から落下した。これもまた濾過し、濯ぎ、そして電子探針微小部分析及び電子衝撃質量分光法で調べた。メタノール中ナトリウムメトキシド中でフルオロチューブの超音波分散を2時間行った結果、該チューブは溶液から沈澱した。濾過した生成物を水及びメタノールで濯ぎ、次いで炉中140°Cで半時間乾燥した後、電子探針微小部分析に付した。C対F対Oの相対原子パーセントが79対17対4であることが明らかとなった。この値は、C対F対Oの相対原子パーセントが66対337対03を有する出発物質からかなり変動しており、生成物の化学量論量のC44F025を示唆している。質量分光計中の高温プローブでこの物質を熱分解し、次いで電子衝撃イオン化すると、残余イオン電流トレースにより測定されるように、主として650乃至700°Cで有意な量のメトキシイオンが脱落した。この高温発生は、観察さてたメトキシ基は元はナノチューブへ強力に結合していたことをを示している。もし電子探針微小部分析により観察され酸素比が該ナノチューブに存在するメトキシ基の数に反映しているのであれば、ナノチューブの末端炭素の数は側壁炭素数に対して非常に少ないという事実に基づいて、これらの大半はナノチューブの側壁に結合していたにちがいないと結論づけることができるであろう。メトキシ陰イオンによるフッ素化ナノチューブに対する求核攻撃はもっともらしい筋書きであって、この種の求核攻撃はフッ素化フラーレン類の場合は文献により良く立証されているためであるMickelsonら、JFluorineChem1998925962Taylorら、JChemSocChemComm1992665667。フッ素化フラーレン上のCF結合は、アルキルフッ化物類におけるCF結合に対して重なり歪み効果によるために弱められているTaylorRら、RussianChemicalBullettinEnglEd1998,47823832。この種の求核攻撃は、スキーム2に示すように、陽性ベータ炭素に対する攻撃を経由してフッ素が付着したカーボンに起りそうである。これは、SN1型置換はエネルギー的に不利であって、SN2型における機構と同じように背面攻撃は不可能であるという事実により合理的に説明されるTaylorRTheChemistryoftheFullerenesWorldScientificPublishingLondon1995第208頁乃至第209頁。単層ナノチューブ分子の均質集団に対する特に興味ある一つの応用は、個々のナノチューブ配列に対し実質的に垂直な方向に伸びる単層を形成するための、実質的に平衡に配列して凝集する単層ナノチューブからなる実質的に二次元的な配列を産出する。このような配列の形成は、以下に示されるようにナノチューブ末端および側壁の両方を誘導体化することにより実質的に可能となる。このような単層配列は、自己集成単層selfassembledmonolayersまたはラングミュアーブロジェット膜を用いる従来技法により形成することができる。このような単層配列を模式的に図14に示す。この図において、誘導化ナノチューブ1は、該ナノチューブに付着した結合または錯化部分の相互作用により反応性被覆3を有する支持体2に結合している。この応用における側壁の誘導体化は、配列が集成するときチューブをより効率的に一緒に移動させることを可能とすることにより該配列の集成を容易にすることができる。典型的に、自己集成単層は金、水銀またはITOのような金属でありうる支持体上に創出される。興味ある分子は、ここでは単層ナノチューブ分子であるが、-S--S-n-NH--SiO33NH-等のリンカー部分を介して該支持体に結合している。このリンカー部分は、最初に支持体層に、或いは最初に単層ナノチューブ分子に結合させて反応性自己集成を提供することができる。ラングミュアーブロジェット膜は2相、例えば、炭化水素と水との界面に形成される。膜の配列は親水部分と親油部分を反対の端部に有する分子またはリンカーを用いることにより達成される。単層ナノチューブ分子の配列の配置は、その供される用途により均質又は不均質であり得る。同種及び同構造の単層ナノチューブ分子を使用すれば、図14に示す種類の均質配列が得られる。異なる単層ナノチューブ分子を使用すれば、ランダムまたは規則不均質構造が産出される。規則不均質配列の一例を図15に示す。ここではチューブ4は型、即ち金属構造であり、チューブ5は型、即ち絶縁性である。この配置は、前以って遮蔽しておいた反応性支持体の面域を除去した後、逐次反応を用いることにより達成することができる。実質的に平行関係にある103乃至1010またはそれ以上の単層カーボンナノチューブ分子を含む配列は、それ自体ナノ多孔性の導電性分子膜として、例えば、燃料電池及びリチウムイオン電池等の電池に使用することができる。この膜はまた、のごとき光活性分子を付着させ、或いは付着させずして米国特許第5084365号に示される種類の高度に効率的な電光セルの製造に使用することができる。本発明の単層ナノチューブ分子配列の一つの好ましい用途は、以下に記載するように単層カーボンナノチューブの巨視的炭素繊維の成長用種末端を原料に暴露させ続けるために特に有用である。本発明の鋳型配列は、最初の支持体上に形成され、その最初の支持体から切り離して使用することができるし、また支持体なしで使用することができ、また繊維形成条件のより好ましい第二の支持体へ移動させることもできる。単層ナノチューブ配列が下記のごとく巨視的炭素繊維を成長させる種または鋳型として使用される場合、配列は実質的に二次元的配列として形成される必要はない。種配列は、例えば、切断されたファンデルワールス接触の平行ナノチューブ繊維の先端、或いは該繊維から切断されたような繊維の短い断片であり得る。このような支持体は、繊維末端を含むその表面を露出したナノチューブ端の清浄で高度に平坦な表面とするためには研磨及びまたは電気化学的エッチングにより清浄で平坦に調製されなければならない。その上部の表面で二次元的配列を呈する任意の形態の配列が使用できる。その好ましい態様において、鋳型分子配列は、以下で産出される操作可能な長さの巨視的炭素繊維である。大きな配列即ち、106を超えるチューブもまた、より小さな配列を組み合わせるることにより、或いはチューブ及びまたはロープの線状の集まりを折り畳むことによりにより製造することができる。本明細書に用いられる巨視的炭素繊維なる用語は、物理的に操作されるに十分大きい、典型的には約1ミクロンを超え、好ましくは約10ミクロンを超える直径を有する繊維を指す。単層カーボンナノチューブの形成は、第VIB族または第VIIB族の遷移金属を有する単層カーボンナノチューブが成長し始めると、チューブの形状寸法は固定する。接触的チューブ成長プロセスは適切な寸法範囲と化学組成を有する触媒粒子により最も効果的に促進される。該最も効果的な触媒粒子は成長するナノチューブの直径に略等しい直径を有し、単一金属または金属混合物を含むものであるということを当該技術の諸例が示している。本発明の目的は、適切な触媒粒子が存在する単層カーボンナノチューブの末端で形成され、該チューブ触媒粒子集成体を適切な環境へ導入すると、該チューブの成長を開始させることができる方法を提供することである。この目的を達成させるために、本発明は、単層カーボンナノチューブの更なる成長を支持するように個々のフラーレン単層ナノチューブSWNTの末端に触媒粒子を集成する方法を提供する。このような種チューブからの単層ナノチューブの成長を故意に開始することは以下において有用である。この方法は、種チューブと同一の形状寸法を有するナノチューブを製造するように働くことができる。フラーレン単層ナノチューブは異なる形状寸法チューブ軸に対して異なる直径および炭素原子配列で形成されうること及びこれらのチューブの物理的性質が一般にこれらの形状寸法に依存することはよく知られている。このチューブの形状寸法を制御することにより、特定の物性を要求する応用のための単層カーボンナノチューブを成長させることができる。この方法は、ナノチューブの量産出を可能とする方法として役立つことが出来る。この方法は、他の手段により収集した単層カーボンナノチューブ及び規則構造の成長を可能とすることができる例えば、好ましい配列は自己集成単層またはラングミュアーブロジェット膜この方法は、全てがファンデルワールス力接触の平行ナノチューブを含む単層カーボンナノチューブ物質の構造的形状物を成長させるために使用することができる。これらの物質は、その種を求める構造の物体の断面の形状に適切に配置することによりシート、Iビーム、溝等の形状を有することができる。これらの目的を達成し種からの成長の利益を提供するために、本発明は以下のものを提供する。測定量の遷移金属含有種が個々の単層カーボンナノチューブ断片の側壁または単層カーボンナノチューブ断片群の側壁に化学的に付着する。好ましい態様は、湿気や空気への暴露に対して安定な化合物として該金属か含まれているものである。該単層カーボンナノチューブ断片に付着した金属量は、誘導体化度により決定され、これは本明細書おいてチューブ長のナノメートル当たりの誘導体部位数として定義されものである。本発明において好ましい誘導体化度は、ナノメートル当たり略1であり、その好ましい誘導体化方法は金属原子を含む種の共有結合である。代わりに、該遷移金属を種の開口チューブ端部へ導入された金属蒸気から直接その表面に析出させることができる。金属原子がチューブ断片の先端またはその付近で集合するようにさせ、その結果該チューブ触媒集成体が適切な環境へ導入されるときに、その集合体がチューブの成長を可能とする好ましい触媒であるように、該金属または金属含有種を化学的に、或いは物理的に加工すること。種チューブの直径及びキラリティーを選択することによる特定の形状寸法を有するナノチューブの成長。単層カーボンナノチューブの組織化された構造体で、その初期の構造体が該構造体を形成する単層カーボンナノチューブの側壁へ付着した分子代行物の操作を含む他の手段により集成されたものの成長及びそのようにして産出された新規な組成物。単層カーボンナノチューブが全て同一の形状寸法を有する上記のごとき単層カーボンナノチューブの組織化された構造体の成長及びそのようにして産出された組成物。単層カーボンナノチューブが全て特定の機能を果たすように選択された形状寸法の範囲を有する上記のごとき単層カーボンナノチューブの組織化された構造体の成長及びそのようにして産出された構造体。全てのチューブが公知の技法により切断され単一チューブの断片から成長したために全てが正確に同一の形状寸法を有する一団の単クローンチューブの産出及びそのようにして産出された組成物。本発明は下記により更に例示される。例えば、ジメチルホルムアミド中に単層カーボンナノチューブを超音波分散させることにより01乃至1ミクロン長の単層カーボンナノチューブの断片を切断し、特定の範囲の長さのチューブ断片を選択し、エチレン等のキレート化剤を該チューブの壁へ共有的に結合させる方法。これらの結合部位は互いに十分離れており、キレート剤の分子数は該チューブ断片の末端で活性触媒クラスターを形成するに必要な金属数と略等しい。フッ素化チューブ上の誘導体化部位の小さな断片上での置換反応を経る色々な種の共有結合が、本明細書中に記載されている。キレート剤は、該ナノチューブ上のフッ素を置換するようにフッ素化単層カーボンナノチューブと反応させ、次いで誘導体化されたナノチューブを金属イオンの弱水溶液で洗浄する。該Fe及び水と該キレート化剤との相互作用で空気及び水に暴露下で安定な錯体を該チューブ表面上に形成する。該チューブ物質は還元雰囲気中で加熱することができる。この加熱はガス状生成物へ変換せることにより該キレート化剤を反応させチューブ壁へフッ素を吸着させ、そして適切な温度で該フッ素はチューブ壁に沿って移行する。該チューブの末端は、該フッ素が移行する表面の不規則性を呈し、該フッ素はチューブの成長用の触媒粒子として機能するに適した集合体として優先的にそこに集まる。上記と同様ではあるが、共有結合により単層カーボンナノチューブの側壁に繋がれたエチレンジアミン四酢酸またはビピリジン等のより複雑な多座配位子、或いはカルボン酸基または水酸基等のより簡単な種を含む手法。単層カーボンナノチューブ断片の末端へ触媒粒子を集成するための別の手段は、キレート化剤、他のリガンドまたは金属含有種自体がチューブ末端へ化学的に付着する反応プロセス含む。上記の如くチューブ末端はより活性な部位であり、チューブ側壁よりより広範囲な化学的プロセスを支持する。金属含有蛋白または金属含有錯体のイオン交換及び共有付着のいずれもが可能な例である。例えば、チューブ末端に存在することが知られているカルボン酸基用の金属原子、直接付着した金属含有蛋白、或いは他の金属含有種をチューブ末端と交換することができる。もし必要ならば、更なるプロセスでチューブ断片の末端に付加的に金属を析出させることが可能である。金属の量は、試薬の濃度、温度及び反応時間を制御する通常の方法により簡単に決定される。ここで再び適切な寸法の金属原子の集成体が選択された単層カーボンナノチューブ断片の末端で形成され、適切な条件下でのチューブ成長用触媒として役立つことができる。チューブ側壁に付着した種により配列形成が可能とされ且つ制御される単層配列の形成。配列形成を可能とするこの種を共有結合、化学吸着、物理吸着またはそれらの組み合わせによりチューブへ付着させることができる。本発明のこの側面は、組織化された構造体への単層カーボンナノチューブ断片の組織化を可能とし且つ制御すること及び適切な化学的プロセスの下で、金属粒子がチューブ先端へ移行し更なる単層カーボンナノチューブの成長のための触媒を形成するように金属含有種、金属原子、或いはイオンをチューブ側壁へ導入させることである。成長プロセスの第一工程は、単層カーボンナノチューブの分子配列の成長末端分子配列において開くことである。これは、上記の如く酸化的及びまたは電気化学的処理により達成される。次に、遷移金属触媒を該開口端の種配列へ添加する。該遷移金属触媒は下記の炭素含有原料を成長しつつある末端でその好ましい六角形構造体へ再配置する高度に移動性の炭素ラジカルへ変換させる任意の遷移金属であり得る。好ましい物質は遷移金属であり、特に第VIB族または第VIIIB族の遷移金属、即ちクロム、モリブデン、タングステン、鉄、コバルト、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム及びプラチナである。ランタノイド及びアクチノイド系列からの金属もまた使用できる。鉄、ニッケル、コバルト及びそれらの混合物が好ましい。ニッケルとコバルトの50対50の混合物が最も好ましい。触媒は約10金属原子から約200金属原子までを含む金属クラスターとして開口単層カーボンナノチューブ末端に存在すべきである。典型的には、該触媒金属クラスターが開口チューブの頂上に着座し、近接チューブへ橋架けしないならば反応は最も効率的に進行する。チューブ直径の約05乃至約10倍に等しい断面を有する金属クラスターが好ましい。好ましい方法において、触媒は真空蒸着法により分子配列の開口チューブ末端にその場で形成される。任意の好ましい装置、例えば、分子線エピタキシー蒸着で使用される装置を用いることができる。そのような装置の一つがKudsen噴散源蒸発器EffusionSourceEvaporatorである。チューブ末端付近で線材を十分な原子が一本の線材表面から蒸発する融点より低い温度へ単に加熱するだけで金属の十分な析出を行うことも可能である。該析出は好ましくは前以ってガス放出をした真空中て行われる。約106Torr乃至108Torrの真空が適している。蒸発温度は該金属触媒を蒸発させるために十分高くすべきである。典型的には、好ましい態様であるニッケルコバルト触媒に対しては1500°C乃至2000°Cの範囲の温度が適している。蒸発方法において、金属は典型的には金属原子の単層として析出される。約1乃至10の単層が一般的には触媒の必要な量を与える。開口チューブ頂点への遷移金属クラスターの析出は、触媒析出帯の金属ターゲットのレーザー蒸発によっても行うことができる。開口チューブ末端での実際の触媒クラスター形成は、該チューブ末端を、金属原子が開口末端を探し出し集合してクラスターとなることができるような十分な種の移動を提供するに十分高い温度であるが、チューブの末端を閉鎖させる程度には高くない温度へ加熱することにより行う。典型的には、約500°Cまでの温度が適している。一つの好ましい態様であるニッケルコバルト触媒系に対しては約400°C乃至500°Cの範囲の温度が好ましい。好ましい態様において、該触媒金属クラスターは、次に続く成長反応の最良の場所を確保する結合プロセスにより開口ナノチューブ末端上に析出させる。このプロセスにおいて、金属原子は上記のごとく供給されるがその条件は還元条件、例えば、800°C、水素10ミリトールで1乃至10分へ改変する。これらの条件は、金属原子クラスターが反応部位を求めて系中を移動させるものである。還元加熱中、触媒物質は最終的には開口末端を見出しそこへ定着し、チューブを溶蝕し始める。還元時間は、触媒粒子がナノチューブを見出し溶蝕し始めるには十分長くすべきであるが、チューブを実質的に溶蝕してしまう程には長くすべきではない。前記成長条件へ切り換えることにより、溶蝕工程は反転する。この時点において、触媒粒子は、チューブの末端で触媒的に既に活性であったので、該チューブ末端に関しては最適な位置を占めている。触媒はまた、成長条件で活性な形に転換する触媒前駆体の形態、例えば、酸化物、他の塩またはリガンド安定化金属錯体の形態で供給することもできる。例として、第1級、第2級または第3級アルキルアミン類と遷移金属との錯体を使用することができる。同様の、遷移金属酸化物のアルキルアミン錯体も使用することができる。触媒はまた、上記の如く付加された側壁懸垂基由来の金属原子を移行させることにより自由末端へ付加することもできる。本発明の方法の次の工程に於いて、開口チューブ末端に析出した触媒を有する単層カーボンナノチューブ分子配列をチューブ成長条件に晒す。これは、触媒を析出した同じ装置で行っても、或いはそれと異なる装置で行ってもよい。このプロセスを行う装置は、最低限、炭素含有原料源及び連続糸の成長末端が成長するように維持し、且つ蒸気からの炭素が該遷移金属触媒の指令下で個々のナノチューブの成長しつつある末端へ付加させ得るアニール温度を維持する手段を必要とする。典型的には、該装置はまた、連続的に炭素繊維を収集するための手段を有する。このプロセスは、例示の目的でのみ図16及び図17に示される装置を参照して記載される。単層カーボンナノチューブ分子配列を成長させ連続糸とするために必要な炭素供給は、ガス状で入口11より反応器10へ行われる。該ガス流は成長しつつある配列12の全面の方へ向けられるべきである。ガス状炭素含有原料は、上に定義したごとく、アルキル類、アシル類、アリール類、アラルキル類等を含む任意の炭化水素または炭化水素の混合物でありうる。約1乃至7個の炭素原子を有する炭化水素が好ましい。特に好ましいものは、メタン、エタン、エチレン、アセチレン、アセトン、プロパン、プロピレン等である。最も好ましいものはエチレンである。一酸化炭素も使用することができ、いくつかの反応では好ましい。遷移金属触媒を一酸化炭素原料とともに使用すると、他の殆どの原料ガスに対して提案され反応機構とは違なる反応機構に従うと信じられている。Dai1996参照。原料濃度は、好ましくは反応速度を最大にするように選択され、炭化水素の濃度が高ければ高い程成長速度を速くする。一般に、原料物質例えば、エチレンの分圧は0001乃至10000Torrの範囲、好ましくは約10乃至10Torrの範囲にありうる。成長速度は、以下に記載するごとく、成長配列の先端の温度の凾数であり、結果として成長温度と原料濃度は釣合い、所望の成長速度を提供する。多くの場合、好ましい原料は一酸化炭素であり、その場合の最適圧力は10乃至100気圧である。反応器壁での好ましくない熱分解を最小化することができるので、炭素原料ガスを加熱することが必要ではないが好ましい。成長反応のために供給される唯一の熱は繊維の成長先端12へ集中されるべきである。繊維の残部及び反応装置は室温に保つことができる。熱は任意の好ましい手段により局在化して供給することができる。小さい繊維直径1nm未満に対しては成長末端に集束したレーザー13例えば、514nmのアルゴンイオンレーザーのごときCWレーザーが好ましい。より大きい繊維に対しては、熱はまた成長しつつある繊維先端に局在化したマイクロ波エネルギーまたは高周波エネルギーにより供給されうる。成長しつつある先端に集束させることができる他の任意の形態の濃縮電磁エネルギーが使用されうる。しかし、原料ガスにより感知され、ある程度吸収される電磁放射は避けるよう注意が払われるべきである。単層カーボンナノチューブ配列の先端は、成長及成長しつつある繊維の欠陥を効率的にアニールし、そのため成長兼アニール帯を該先端で形成するに十分な温度に加熱すべきである。一般に、この温度の上限は、原料の熱分解及び反応器の汚れまたは析出した金属触媒の蒸発を避ける必要性により支配される。大抵の原料および触媒に対しては、この温度は約1300°C未満である。受け入れられる温度範囲の下限は原料及び触媒効率によって典型的には約500°Cであり、約500°C乃至約1200°Cの範囲の温度が好ましい。約700°C乃至1200°Cの範囲の温度がより好ましい。約900°C乃至1100°Cの範囲の温度が最も好ましい。何故なら、これらの温度で欠陥の最良のアニーリンが起こるからである。ケーブルの成長末端での温度は、好ましくは産出された白熱を測定する光高温計14により監視され、それに応答して制御される。可能な汚れの問題のために好ましくはないが、ある環境下ではアルゴンまたはヘリウムのごとき不活性清掃ガスの使用が可能である。一般的に、成長室の圧力は1ミリトール乃至約1気圧の範囲にある。全圧は炭素原料の分圧の1乃至2倍に維持すべきである。真空ポンプ15は図示されているごとく備えることができる。原料混合物は成長室へ再循環するのが望ましい。繊維が成長するに従って、駆動ロール17及び遊びロール18のごとき適当な輸送機構により成長室16から取り出すことができる。成長室16は真空水平送り帯vacuumfeedlockzone19と直接通じている。成長室の圧力は、一連の室20を使用することにより、もし必要ならば該真空水平送りは大気圧へもっていくこともできる。これらの室の各々は、移動する繊維を囲むゆるいテフロン登録商標のOリングシール21により分離されている。ポンプ22は差圧の均圧化を行う。巻き取りロール23は連続的に室温の炭素繊維ケーブルを収集する。この方法の生成物産出量は毎分103乃至101フィート以上の範囲にあり得る。この方法により、単層カーボンナノチューブ分子からなる連続炭素繊維を1日当たりトンの量で産出することができる。繊維の成長は、任意の段階で停止することができる。成長を再開させるためには、末端を酸化溶蝕により清浄することができる。次いで触媒粒子は開口チューブ末端で再び形成され、成長が続けられる。分子配列は成長前または成長後の繊維から巨視的物理的分離手段、例えば、所望の長さに繊維をはさみで切断することにより、繊維から取り除くことができる。繊維の任意の断面は、同種の繊維の産出を開始するために、鋳型として使用することができる。本発明の連続炭素繊維はまた、一種以上の別々に調製された分子配列または鋳型から成長させることもできる。多配列は、配列中の単層カーボンナノチューブの種類または幾何学的配置に関して同一であっても、或いは異なってもよい。引張り特性を増加させた大きなケーブル様構造体は、図18に示す多数のより小さな分離した配列から成長させることができる。前記した遮蔽及び被覆技法に加えて、例えば図19に示すごとく、心配列の回りを環状に配置した金属性単層カーボンナノチューブの中央心配列を一連のより小さな円形非金属性単層カーボンナノチューブ配列で囲むことにより複合構造体を調整することも可能である。本発明により考慮される全ての構造体は必ずしも二次的断面は円いか、或いは対称的でさえある必要はない。多分子配列種鋳型は、複合繊維のいくつかの部分で単層カーボンナノチューブの非平行成長を誘発させ、その結果例えば、捻じれた螺旋状のロープを産出するように整列させることさえ可能である。鋳型配列の形成との関連で上記したごとく、繊維中の単層カーボンナノチューブの整列を助けるために、電場の存在下で巨視的炭素繊維を接触的に成長させることも可能である。単層カーボンナノチューブからの炭素繊維の不規則成長上記した単層カーボンナノチューブの規則束の連続的な成長は多くの用途に望ましいが、個々のチューブ、ロープ及びまたはケーブルを含む単層カーボンナノチューブの不規則配列素材を含有する有用な組成物を産出することも可能である。不規則成長方法は多量の、即ちトン日の単層カーボンナノチューブ材料を産出する能力を有する。一般に不規則成長方法は、上記のごとく、適切な遷移金属触媒とともに供給される複数の単層カーボンナノチューブ種分子を用意すること、側壁の誘導体化を使用して触媒を供給すること及び該種分子を単層カーボンナノチューブ成長条件に晒し、その結果該種分子を数次数の大きさ、例えば、その元の長さの102乃至1010以上の次数で伸長させることを含有する。種単層カーボンナノチューブは、例えば連続繊維または精製したバッキーペーパーを切断することにより、好ましくは比較的短い長さで上記のごとく産出する。好ましい態様において、種分子はこの不規則成長方法により産出した単層カーボンナノチューブフェルトから最初の一走行後に得ることができる。長さは均一である必要はなく一般的には約5nm長乃至10またはナノ尺度の支持体上に形成される。別の態様において、単層カーボンナノチューブまたは単層カーボンナノチューブ構造体は支持体物質種として用いることができる。例えば、以下に記載する自己集合技法を使用して三次元単層ナノチューブナノ構造体を形成することができる。これらの技法により産出されるナノ尺度の粉体は、支持体物質が不規則成長方法に参加する利点を有する。支持または不支持の単層カーボンナノチューブ種物質は、単層カーボンナノチューブ分子末端を開口し金属原子クラスターを析出させることにより前記のごとく適切な成長触媒と合体させることができる。代わりに、成長触媒を可溶性の、或いは懸濁した触媒前駆体を含む好ましい液体中の種の懸濁液を蒸発させることにより種分子の一方又は両方の開口末端に供給することができる。例えば、該液体が水である場合、硝酸第二鉄、硝酸ニッケル、硝酸コバルト等の可溶性金属塩が触媒前駆体として用いることができる。触媒物質が単層カーボンナノチューブ種分子の開口末端上に正しく位置するのを確実にするために、該単層カーボンナノチューブ末端を、触媒ナノ粒子、或いはより好ましくはリガンド安定化触媒粒子を結合する部位で以って誘導体化することがいくつかの環境下では必要となりうる。不規則成長プロセスの第一の工程において、結合した触媒を含む、或いは溶解した触媒前駆体と会合した種粒子の懸濁液を混合物が清掃ガス流と接触する蒸発帯中へ注入し、250°C乃至500°Cの範囲の温度へ加熱して該液をフラッシュ蒸発させ連行反応性ナノ粒を提供する。任意的にこの連行粒の流れを還元工程に晒し、更に触媒を活性化する。次いで、前記連続成長法で用いた種類の炭素質原料ガスを清掃ガス活性ナノ粒の流れの中へ導入し、混合物は清掃ガスにより成長帯へ運ばれ更に成長帯を通過させる。該成長帯の反応条件は前記したものであり、即ち、500°C乃至1000°Cで約1気圧の全圧である。原料ガスの分圧は、エチレンに関しては約1乃至100Torrの範囲、一酸化炭素に関しては約1乃至100気圧の範囲にある。純粋な炭素または炭化水素を使用する反応は、好ましくは管状反応器で実施し、その中を清掃ガスが流れる。成長帯は、原料ガスを予備加熱し、清掃ガスを予備加熱し、成長帯を外部より加熱し、例えば、レーザーまたは誘導コイル、或いはそれらの組合わせにより成長帯中で局在した加熱を与えることにより、適切な成長温度に保つことができる。このプロセスで産出した生成物の下流での回収は、濾過、遠心分離等の公知の手段で行うことができる。精製も上記のごとくして達成することができる。この不規則成長プロセスにより作製したフェルトは複合体類、例えば、重合体、エポキシ、金属、炭素即ち、炭素炭素物質及び磁束ピン止め用の高いTζ超伝導体を製造するために使用することができる。"