絶縁膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記絶縁膜をドライエッチングすることにより、前記絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記絶縁膜のドライエッチングの際に前記開口部の内面に付着した反応生成物に波長が200nm以下の紫外線を照射する工程と、前記紫外線を照射する工程の後、薬液を用いて前記開口部の内面に残存している付着物を除去する工程と、前記付着物が除去された開口部内に導電膜を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記紫外線を照射する工程において、前記開口部に水蒸気を供給することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記薬液として、有機アミン系の薬液又はフッ化アンモニウム系の薬液を用いることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。ドライエッチングにより絶縁膜に形成された開口部の内面に付着した反応生成物に波長が200nm以下の紫外線を照射する紫外線照射手段と、薬液を用いて、前記開口部の内面に残存している付着物を除去する湿式処理手段と、を有することを特徴とする処理装置。前記紫外線照射手段は、前記開口部に水蒸気を供給する供給手段を有することを特徴とする請求項4に記載の処理装置。前記薬液として、有機アミン系の薬液又はフッ化アンモニウム系の薬液を用いることを特徴とする請求項4又は5に記載の処理装置。本発明の目的は、薬液の除去性能を高く維持することができる半導体装置の製造方法及び処理装置を提供することにある。半導体装置の製造方法の一態様では、レジストパターンをマスクとして絶縁膜をドライエッチングすることにより開口部を形成する。前記絶縁膜のドライエッチングの際に前記開口部の内面に付着した反応生成物に波長が200nm以下の紫外線を照射して、前記反応生成物に含まれる有機成分を分解する。薬液を用いて、前記有機成分の分解後に前記開口部の内面に残存している付着物を除去する。前記付着物が除去された開口部内に導電膜を形成する。処理装置の一態様には、ドライエッチングにより絶縁膜に形成された開口部の内面に付着した反応生成物に波長が200nm以下の紫外線を照射して、前記反応生成物に含まれる有機成分を分解する紫外線照射手段と、薬液を用いて、前記有機成分の分解後に前記開口部の内面に残存している付着物を除去する湿式処理手段と、が設けられている。上記の半導体装置の製造方法等によれば、紫外線の照射によって薬液にかかる負担を低減し、薬液の除去性能を高く維持することができる。以下、添付の図面を参照しながら実施形態について詳細に説明する。図1は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。先ず、基板上にトランジスタ等の半導体素子を形成し、図1aに示すように、この半導体素子に接続される導電膜1下層導電膜を形成する。導電膜1としては、例えばCu膜、Al膜、バリアメタル膜等を形成する。次いで、導電膜1上に絶縁膜2を形成する。絶縁膜2としては、例えばシリコン酸化膜を形成する。その後、絶縁膜2上に、コンタクトホールを形成する予定の領域に開口部3aを有するレジストパターン3を形成する。続いて、図1bに示すように、レジストパターン3をマスクとして、絶縁膜2のドライエッチングを行うことにより、コンタクトホール4を形成する。コンタクトホール4は開口部の一例である。ドライエッチングに用いられるエッチングガスには、例えばCF4及びCHF3等が含まれている。このとき、コンタクトホール4及び開口部3aの内面に反応生成物5が付着する。反応生成物5には、レジストパターン3、絶縁膜2及び導電膜1を構成する元素が含まれている。次いで、図1cに示すように、ドライアッシングによりレジストパターン3を除去する。なお、ドライアッシングでは、反応生成物5はほとんど除去できない。その後、波長が200nm以下の紫外線を反応生成物5に照射する。このような紫外線は166.7kcal/mol以上の強いエネルギを有する。また、本願発明者による組成分析の結果、反応生成物5の大部分はC及びFであり、かつ、C及びFは単体で存在しているのではなく互いに結合していることが判明した。つまり、反応生成物5は、C-F結合を含む有機化合物を主成分としている。更に、本発明者による有機成分の組成分析によると、C及びFの割合は、大凡、C:40wt、F:60wtC:51mol、F:49molである。また、C-F結合の結合エネルギは115.2kcal/molである。このように、C-F結合は強い結合であるが、上述のように、強いエネルギを有する紫外線が照射されると、C-F結合は切断され、C及びFが単体となる。更に、紫外線の照射により、雰囲気中には励起酸素原子が多量に発生しているため、単体となったC及びFは励起酸素原子と反応してCO又はCO2等となって蒸発飛散する。この結果、図1dに示すように、反応生成物5の大部分を占める有機成分が除去され、僅かに含有されていた金属成分を主成分とする付着物6が残存する。なお、波長が200nm以下の紫外線としては、例えば波長が172nmのキセノンエキシマ紫外線を用いることができる。その後、図1eに示すように、薬液を用いて金属成分を主成分とする付着物6を除去する。付着物6には、反応生成物5に含まれていたC-F結合のほとんどが含まれていないため、付着物6の除去に伴う薬液の劣化は、従来の方法における薬液の劣化と比較して極めて僅かなものとなる。なお、薬液としては、例えば有機アミン系の薬液及びフッ化アンモニウム系の薬液を用いることができる。続いて、図1fに示すように、コンタクトホール4を介して導電膜1に接続される配線7導電膜を形成する。その後、更に層間絶縁膜及び配線等を形成して半導体装置を完成させる。このように、本実施形態では、薬液を用いた付着物6の除去の前に紫外線の照射を行って反応生成物5に含まれる有機成分を分解している。このため、付着物6の除去の際に生じる薬液の劣化が少ない。従って、薬液の除去性能の低下が小さく、従来の方法と比較して、多数の繰り返し使用を行っても、付着物6を確実に除去することができる。つまり、本実施形態によれば、薬液の繰り返し回数を多くして薬液にかかるコストを低減しながら、付着物6を確実に除去して半導体装置の信頼性を高く維持することができる。また、付着物6の除去に要する時間が、従来の方法における薬液を用いた処理に要する時間と比較して短縮されるため、紫外線の照射に要する時間を考慮しても、総合的な処理時間が短縮される。つまり、スループットを向上することができる。更に、本実施形態で用いる薬液には、C-F結合を含む物質の除去はほとんど要求されないため、より安価な薬液を用いることもでき、この点でコストを低減することも可能である。なお、C-F結合を切断するため、及び、細く深いコンタクトホール内にも入り込めるようにするために、紫外線の波長は200nm以下の短波長とする。また、紫外線の照射の際に、加湿した大気をチャンバ内に導入することが好ましい。水蒸気量の増加に伴って、オゾンが発生しやすくなり、処理効率が向上するからである。チャンバ内に導入された水蒸気はコンタクトホール4に供給される。水蒸気の添加量は、5×106m3/min~30×106m3/min5cc/min~30cc/minとすることが好ましい。5×106m3/min未満では、水蒸気の添加による効果が十分とはいえず、30×106m3/min超では、結露が生じる虞があるためである。また、紫外線の照射は、敢えて基板を加熱することなく行うことが好ましい。これは、加熱によって反応生成物が変質して、紫外線の照射によっても分解しにくくなることがあるからである。このような観点から、紫外線の照射は、例えば100°C以下で行うことが好ましい。また、紫外線の気体分子との衝突を抑制するために、チャンバ内を減圧してもよい。次に、反応生成物5及び付着物6の除去に好適な処理装置について説明する。図2は、処理装置の例を示すブロック図である。図2に示すように、この処理装置11には、紫外線を照射して反応生成物に含まれる有機成分を分解する紫外線照射部12、及び薬液を用いた湿式処理により、紫外線の照射後に残存する付着物を除去する湿式処理部13が設けられている。紫外線照射部12の構成は特に限定されない。例えば、図3aに示すように、処理対象である基板23が載置されるステージ22の上方に、波長が200nm以下の紫外線を発生させる短波長紫外線ランプ21が設けられた装置を用いることができる。また、図3bに示すように、加湿した大気をチャンバ内に導入する導入口24が設けられていてもよい。加湿した大気の導入により、上記のように、オゾンが発生しやすくなり、処理効率が向上する。また、湿式処理部13としては、従来の薬液を用いた処理を行う装置等を用いることができる。なお、ドライエッチングにより形成する開口部はコンタクトホールに限定されず、ビアホール又はダマシンプロセスにおける配線溝等であってもよい。ここで、本願発明者が行った実験について説明する。この実験では、レジストパターンの除去後に存在する反応生成物に紫外線を照射する際の条件と、反応生成物の変化の程度との関係について調査した。先ず、上記の実施形態と同様にしてコンタクトホールの形成後にレジストパターンをドライアッシングにより除去した。そして、残存する反応生成物を観察した。この反応生成物の走査型顕微鏡写真SEM写真を図4aに示す。図4aに示すように、絶縁膜の上面からパイプ状に延びる反応生成物が観察された。常温約25°C、常圧約760mmHg、約105Paで30秒間の紫外線照射を行った結果のSEM写真を図4bに示し、常温、常圧で60秒間の紫外線照射を行った結果のSEM写真を図4cに示す。200°C、常圧で30秒間の紫外線照射を行った結果のSEM写真を図4dに示す。常温、減圧約100mmHgで60秒間の紫外線照射を行った結果のSEM写真を図4eに示し、常温、減圧約100mmHgで300秒間の紫外線照射を行った結果のSEM写真を図4fに示す。また、常温、常圧で、10×106m3/minの流量で水蒸気を添加しながら30秒間の紫外線照射を行った結果のSEM写真を図4gに示し、常温、常圧で、10×106m3/minの流量で水蒸気を添加しながら300秒間の紫外線照射を行った結果のSEM写真を図4hに示す。図4b~図4hに示すように、紫外線の照射により図4a中の反応生成物が縮小していた。また、図4b~図4hから、処理時間が長くなるほど、反応生成物が小さくなることが分かる。更に、水蒸気が添加された場合には、反応生成物がより小さくなることが分かる。なお、反応生成物の残部は金属成分を主成分とした付着物であり、その後に薬液を用いた処理、即ち湿式処理を行えば容易に除去することができる。以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。付記1絶縁膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記絶縁膜をドライエッチングすることにより、前記絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記絶縁膜のドライエッチングの際に前記開口部の内面に付着した反応生成物に波長が200nm以下の紫外線を照射する工程と、前記紫外線を照射する工程の後、薬液を用いて前記開口部の内面に残存している付着物を除去する工程と、前記付着物が除去された開口部内に導電膜を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。付記2前記紫外線を照射する工程において、前記開口部に水蒸気を供給することを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。付記3前記薬液として、有機アミン系の薬液又はフッ化アンモニウム系の薬液を用いることを特徴とする付記1又は2に記載の半導体装置の製造方法。付記4前記開口部を形成することにより、前記絶縁膜下の下層導電膜の表面を露出させ、前記導電膜を前記下層導電膜に接触させることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。付記5前記絶縁膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする付記1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。付記6ドライエッチングにより絶縁膜に形成された開口部の内面に付着した反応生成物に波長が200nm以下の紫外線を照射する紫外線照射手段と、薬液を用いて、前記開口部の内面に残存している付着物を除去する湿式処理手段と、を有することを特徴とする処理装置。付記7前記紫外線照射手段は、前記開口部に水蒸気を供給する供給手段を有することを特徴とする付記6に記載の処理装置。付記8前記薬液として、有機アミン系の薬液又はフッ化アンモニウム系の薬液を用いることを特徴とする付記6又は7に記載の処理装置。付記9ドライエッチングにより絶縁膜に形成された開口部の内面に付着した反応生成物に波長が200nm以下の紫外線を照射する工程と、前記紫外線を照射する工程の後、薬液を用いて前記開口部の内面に残存している付着物を除去する工程と、を有することを特徴とする処理方法。付記10前記紫外線を照射する工程において、前記開口部に水蒸気を供給することを特徴とする付記9に記載の処理方法。