"ジケトピロロピロール骨格を有する繰返単位を含むポリマーDPPポリマーと、4.6eV以上の電子親和力真空中を有するアクセプタ化合物とを含む層を有する半導体デバイス。有機電界効果トランジスタである、請求項1に記載の半導体デバイス。前記有機電界効果トランジスタが、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含み、その際半導体層が、DPPポリマーとアクセプタ化合物とを含む層を示す、請求項2に記載の半導体デバイス。前記DPPポリマーが、式のポリマー、式のコポリマー、式のコポリマー、式のコポリマー、[式中、x=0.995~0.005、y=0.005~0.995であり、特にx=0.2~0.8、y=0.8~0.2であり、かつxy=1であり、r=0.985~0.005、s=0.005~0.985、t=0.005~0.985、u=0.005~0.985であり、かつrstu=1であり、nは4~1000、特に4~200、より特に5~100であり、Aは、式の基であり、前記式中、a’は1、2又は3であり、aは0、1、2又は3であり、bは0、1、2又は3であり、b’は0、1、2又は3であり、cは0、1、2又は3であり、c’は0、1、2又は3であり、dは0、1、2又は3であり、d’は0、1、2又は3であり但し、aが0である場合に、b’は0ではない、R1及びR2は、同一又は異なってよく、かつ水素、C1~C100アルキル基、-COOR106、C1~C100アルキル基このアルキル基は、1つ以上のハロゲン原子、ヒドロキシル基、ニトロ基、-CN又はC6~C18アリール基によって置換されており、かつ/又は-O-、-COO-、-OCO-又は-S-によって中断されている、C7~C100アリールアルキル基、カルバモイル基、C5~C12シクロアルキル基このシクロアルキル基は、C1~C8アルキル及び/又はC1~C8アルコキシで1~3回置換されていてよい、C6~C24アリール基、特にフェニルもしくは1-ナフチルもしくは2-ナフチル前記アリール基は、C1~C8アルキル、C1~C25チオアルコキシ及び/又はC1~C25アルコキシで1~3回置換されていてよい、又はペンタフルオロフェニルから選択され、R106は、C1~C50アルキル、特にC4~C25アルキルであり;Ar1、Ar1、Ar2、Ar2、Ar3、Ar3、Ar4及びAr4は、互いに独立して、場合により縮合及び/又は置換されていてよい複素芳香族環又は芳香族環、特にであり、前記式中、X3及びX4の一方はNであり、かつ他方はCR99であり、R99、R104、R104、R123及びR123は、互いに独立して、水素、ハロゲン、特にF、又は場合により1つ以上の酸素原子もしくは硫黄原子によって中断されていてよいC1~C25アルキル基、特にC4~C25アルキル基、C7~C25アリールアルキル、又はC1~C25アルコキシ基であり、R105、R105、R106及びR106は、互いに独立して、水素、ハロゲン、場合により1つ以上の酸素原子もしくは硫黄原子によって中断されていてよいC1~C25アルキル、C7~C25アリールアルキル、又はC1~C18アルコキシであり、R107は、C7~C25アリールアルキル、C6~C18アリール、C6~C18アリールこのアリールは、C1~C18アルキル、C1~C18ペルフルオロアルキルもしくはC1~C18アルコキシによって置換されている、C1~C18アルキル、-O-もしくは-S-によって中断されているC1~C18アルキル、又は-COOR124であり、R124は、場合により1つ以上の酸素原子又は硫黄原子によって中断されていてよいC1~C25アルキル基、特にC4~C25アルキル基、C7~C25アリールアルキル基であり、R108及びR109は、互いに独立して、H、C1~C25アルキル、E’によって置換され、かつ/又はD’によって中断されているC1~C25アルキル、C7~C25アリールアルキル、C6~C24アリール、Gによって置換されているC6~C24アリール、C2~C20ヘテロアリール、Gによって置換されているC2~C20ヘテロアリール、C2~C18アルケニル、C2~C18アルキニル、C1~C18アルコキシ、E’によって置換され、かつ/又はD’によって中断されているC1~C18アルコキシ、又はC7~C25アラルキルであり、又はR108及びR109は、一緒になって、式CR110R111の基を形成し、前記式中、R110及びR111は、互いに独立して、H、C1~C18アルキル、E’によって置換され、かつ/又はD’によって中断されているC1~C18アルキル、C6~C24アリール、Gによって置換されているC6~C24アリール、又はC2~C20ヘテロアリール、又はGによって置換されているC2~C20ヘテロアリールであり、又はR108及びR109は、一緒になって、五員環又は六員環を形成し、前記環は、場合により、C1~C18アルキル、E’によって置換され、かつ/又はD’によって中断されているC1~C18アルキル、C6~C24アリール、Gによって置換されているC6~C24アリール、C2~C20ヘテロアリール、Gによって置換されているC2~C20ヘテロアリール、C2~C18アルケニル、C2~C18アルキニル、C1~C18アルコキシ、E’によって置換され、かつ/又はD’によって中断されているC1~C18アルコキシ、又はC7~C25アラルキルによって置換されていてよく、D’は、-CO-、-COO-、-S-、-O-又は-NR112-であり、E’は、C1~C8チオアルコキシ、C1~C8アルコキシ、CN、-NR112R113、-CONR112R113、又はハロゲンであり、Gは、E’又はC1~C18アルキルであり、かつR112及びR113は、互いに独立して、H、C6~C18アリール、C6~C18アリールこのアリールは、C1~C18アルキルもしくはC1~C18アルコキシによって置換されている、C1~C18アルキル、又は-O-によって中断されているC1~C18アルキルであり、かつB、D及びEは、互いに独立して、式の基、又は式Xの基但し、B、D及びEが式Xの基である場合に、それらはAとは異なるであり、前記式中、kは1であり、lは0又は1であり、rは0又は1であり、zは0又は1であり、かつAr4、Ar5、Ar6及びAr7は、互いに独立して、式の基であり、前記式中、X5及びX6の一方はNであり、かつ他方はCR14であり、R14、R14、R17及びR17は、互いに独立して、H、又は場合により1つ以上の酸素原子によって中断されていてよいC1~C25アルキル基、特にC6~C25アルキル基である]から選択される、請求項1から3までのいずれか1項に記載の有機電子デバイス。前記DPPポリマーが、式[式中、nは4~1000、特に4~200、より特に5~100であり、R1及びR2は、C1~C36アルキル基、特にC8~C36アルキル基であり、R3はC1~C18アルキル基であり、R15はC4~C18アルキル基であり、x=0.995~0.005、y=0.005~0.995であり、特にx=0.4~0.9、y=0.6~0.1であり、かつxy=1である]のポリマーから選択される、請求項1から4までのいずれか1項に記載の有機電子デバイス。前記アクセプタ化合物が、キノイド化合物、例えばキノン又はキノン誘導体、1,3,2-ジオキサボリン、1,3,2-ジオキサボリン誘導体、オキソカーボン化合物、擬オキソカーボン化合物及びラジアレン化合物、並びにイミダゾール誘導体から選択される化合物である、請求項1から5までのいずれか1項に記載の半導体デバイス。前記アクセプタ化合物が、式[式中、R201及びR202は、互いに独立して、C1~C12アルキル、1つ以上の酸素原子によって中断されているC1~C12アルキル、C3~C8シクロアルキルこのシクロアルキルは、非置換であるか又はC1~C4アルキル、非置換のC6~C12アリール、又はC3~C7ヘテロアリールによって置換されている、又はベンジル、又はC6~C12アリール、又はC3~C7ヘテロアリール、ベンジルこのベンジルは、F、Cl、Br、C1~C6アルキル、C1~C6アルコキシもしくはジC1~C6アルキルアミノによって置換されているである]の化合物、又は式[式中、R203及びR204は、互いに独立して、H、Cl又はC1~C25アルコキシである]の化合物である、請求項1から6までのいずれか1項に記載の半導体デバイス。前記アクセプタ化合物が、から選択される、請求項7に記載の半導体デバイス。前記アクセプタ化合物が、2-6-ジシアノメチレン-1,3,4,5,7,8,-ヘキサフルオロ-6H-ナフタレン-2-イリデン-マロノニトリル、2,3,5,6-テトラフルオロ-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタンF4-TCNQ、から選択される化合物である、請求項6に記載の半導体デバイス。前記アクセプタ化合物が、2,3,5,6-テトラフルオロ-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタンF4-TCNQである、請求項9に記載の半導体デバイス。前記DPPポリマーが、式[式中、nは5~100であり、かつR1及びR2はC1~C36アルキル基、特にC8~C36アルキル基である]によって示される、請求項10に記載の半導体デバイス。前記アクセプタ化合物を、DPPポリマー及びアクセプタ化合物の量に対して、0.1~8質量、有利には0.5~5質量の量で含む、請求項1から11までのいずれか1項に記載の半導体デバイス。ジケトピロロピロール骨格を有する繰返単位を含むポリマーDPPポリマーと、4.6eVより大きい、特に4.8eVより大きい、より特に5.0eVより大きい電子親和力を有するアクセプタ化合物とを含む、有機層、特に半導体層。有機半導体デバイスにおける請求項13に記載の有機層の使用。請求項1から12までのいずれか1項に記載の有機半導体デバイス、又は請求項13に記載の有機層を含む装置。"