上面に半導体素子が載置される載置領域を有する基体と、該基体の上面であって前記載置領域を囲むように配設された、内周面および外周面に開口する開口部を有する枠体と、第1の絶縁部材および該第1の絶縁部材の上面に配設された第1の配線導体を有した、前記枠体の前記開口部に挿入された入出力端子と、第2の絶縁部材および該第2の絶縁部材の上面に配設された第2の配線導体を有した、前記基体の上面であって前記載置領域と前記入出力端子との間に位置する配線基板と、前記入出力端子および前記配線基板の間に位置して前記第1の配線導体および前記第2の配線導体に接続された接続配線とを備えた素子収納用パッケージであって、前記接続配線が、それぞれ前記第1の配線導体および前記第2の配線導体に接続された複数のリード配線からなり、該複数のリード配線は、その両端に位置して前記第1の配線導体または前記第2の配線導体にそれぞれ接続された接続部位と、該接続部位間に位置して前記第1の配線導体および前記第2の配線導体を電気的に接続する直線形状の配線部位とを有していることを特徴とする素子収納用パッケージ。前記配線部位における前記リード配線の延設方向に垂直な断面が円形状であって、前記接続部位における前記リード配線の延設方向に垂直な断面が四角形状であることを特徴とする請求項1に記載の素子収納用パッケージ。前記接続部位は、その全体が平面視した場合に前記第1の配線導体または前記第2の配線導体上に位置していることを特徴とする請求項2に記載の素子収納用パッケージ。前記複数のリード配線は互いに平行となるように配設されていることを特徴とする請求項1に記載の素子収納用パッケージ。互いに平行となるように配設された前記複数のリード配線のうち、配列方向の両端に位置する前記リード配線同士の間隔が、前記第1の配線導体および前記第2の配線導体の少なくとも一方の幅と同じであることを特徴とする請求項4に記載の素子収納用パッケージ。前記リード配線を3つ以上有し、それぞれ互いに隣り合うリード配線間の間隔が同じであることを特徴とする請求項4に記載の素子収納用パッケージ。請求項1~6のいずれか一つに記載の素子収納用パッケージと、前記素子収納用パッケージの前記載置領域内に載置された前記半導体素子と、前記枠体と接合された、前記半導体素子を封止する蓋体とを備えた半導体装置。入出力端子およびワイヤのようなリード端子を介して半導体素子に高周波信号を伝送する場合、リード端子において信号を伝送する際にノイズ成分が加わって伝送特性が低下する。そこで、半導体素子と入出力端子との間に配線基板を配設して、リード端子による接続距離を短くする方法が考えられる。配線基板を配設することによってリード端子による接続距離を短くすることができる。近年、例えば数百GHz帯の周波数成分といったような、より高い周波数成分での信号を伝送することが求められている。そのため、リード端子による接続距離をさらに短くすることが求められる。リード端子を直線形状のものとすることによって接続距離をさらに短くすることができるが、安定して信号を伝送することが困難となる可能性がある。これは、以下の理由による。パッケージの使用時において、配線基板および配線基板が載置される基体の熱膨張および収縮に起因してリード端子に圧力が加わる。リード端子を単に直線形状のものとした場合、リード端子が変形しにくくなるので、リード端子と入出力端子および配線基板との接合部分に応力が集中しやすくなる。そのため、リード端子が入出力端子および配線基板から剥離する可能性が生じるからである。本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、より高い周波数成分での信号であっても安定して信号を伝送することが可能な素子収納用パッケージおよびこれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。本発明の一つの態様に基づく素子収納用パッケージは、上面に半導体素子が載置される載置領域を有する基体と、基体の上面であって載置領域を囲むように配設された、内周面および外周面に開口する開口部を有する枠体と、第1の絶縁部材および第1の絶縁部材の上面に配設された第1の配線導体を有した、枠体の開口部に挿入された入出力端子と、第2の絶縁部材および該第2の絶縁部材の上面に配設された第2の配線導体を有した、基体の上面であって載置領域と入出力端子との間に位置する配線基板と、入出力端子および配線基板の間に位置して第1の配線導体および第2の配線導体に接続された接続配線とを備えている。接続配線が、それぞれ第1の配線導体および第2の配線導体に接続された複数のリード配線からなる。そして、複数のリード配線は、その両端に位置して第1の配線導体または第2の配線導体にそれぞれ接続された接続部位と、接続部位間に位置して第1の配線導体および第2の配線導体を電気的に接続する直線形状の配線部位とを有していることを特徴とする。本発明の一つの態様に基づく素子収納用パッケージにおいては、接続配線が、それぞれ第1の配線導体および第2の配線導体に接続された複数のリード配線からなり、複数のリード配線が、その両端に位置して第1の配線導体または第2の配線導体にそれぞれ接続された接続部位と、接続部位間に位置して第1の配線導体および第2の配線導体を電気的に接続する直線形状の配線部位とを有している。そのため、接続配線による接続距離を短くすることができるので、信号の伝送特性を良好なものとすることができる。さらに、接続部位を単に直線形状のものとするのではなく、複数のリード配線からなるものとしているので、一本の大きなリード配線を用いた場合と比較して接続配線を大きな信号を伝送しつつも変形しやすいものとすることができる。以下、各実施形態にかかる素子収納用パッケージ以下、単にパッケージともいうおよびこれを備えた半導体装置について、図面を用いて詳細に説明する。但し、以下で参照する各図は、説明の便宜上、実施形態の構成部材のうち、本発明を説明するために必要な主要部材のみを簡略化して示したものである。したがって、本発明に係る素子収納用パッケージは、本明細書が参照する各図に示されていない任意の構成部材を備え得る。また、各図中の部材の寸法は、実際の構成部材の寸法および各部材の寸法比率等を忠実に表したものではない。図1~3に示すように、本実施形態にかかる素子収納用パッケージ1は、上面に半導体素子3が載置される載置領域を有する基体5と、基体5の上面であって載置領域を囲むように配設された、内周面および外周面に開口する開口部を有する枠体7と、枠体7の開口部に挿入された入出力端子9と、基体5の上面であって載置領域と入出力端子9との間に位置する配線基板11と、入出力端子9および配線基板11の間に位置する接続配線21とを備えている。入出力端子9は、第1の絶縁部材13および第1の絶縁部材13の上面に配設された第1の配線導体15を有している。配線基板11は、第2の絶縁部材17および第2の絶縁部材17の上面に配設された第2の配線導体19を有している。接続配線21は、それぞれ第1の配線導体15および第2の配線導体19に接続された複数のリード配線23からなり、第1の配線導体15および第2の配線導体19に接続されている。そして、図4に示すように、複数のリード配線23のそれぞれが、その両端に位置して第1の配線導体15または第2の配線導体19にそれぞれ接続された接続部位23aと、接続部位23a間に位置して第1の配線導体15および第2の配線導体19を電気的に接続する直線形状の配線部位23bとを有している。本実施形態のパッケージ1においては、複数のリード配線23のそれぞれが、その両端に位置して第1の配線導体15または第2の配線導体19にそれぞれ接続された接続部位23aと、接続部位23a間に位置して第1の配線導体15および第2の配線導体19を電気的に接続する直線形状の配線部位23bとを有していることから、接続配線21による接続距離を短くすることができるので、信号の伝送特性を良好なものとすることができる。さらに、接続配線21を単に直線形状のものとするのではなく、複数のリード配線23からなるものとしているので、一本の大きなリード配線を用いた場合と比較して接続配線21を大きな信号を伝送しつつも変形しやすいものとすることができる。本実施形態における基体5は、四角板形状であって、上面に半導体素子3が載置される載置領域を有している。なお、本実施形態において載置領域とは、基体5を平面視した場合に半導体素子3と重なり合う領域を意味している。本実施形態においては載置領域が主面の中央部に形成されているが、半導体素子3が載置される領域を載置領域としていることから、例えば、基体5の上面の端部に載置領域が形成されていても何ら問題ない。また、本実施形態のパッケージにおける基体5は一つの載置領域を有しているが、基体5が複数の載置領域を有し、それぞれの載置領域に半導体素子3が載置されていてもよい。基体5の上面における載置領域には半導体素子3が配設されている。入出力端子9などを介して半導体素子3と外部配線不図示との間で信号の入出力を行うことができる。このように、基体5の上面には半導体素子3が配設されることから、基体5としては、少なくとも半導体素子3が配設される部分には高い絶縁性を有していることが求められる。本実施形態にかかる基体5は、複数の絶縁性部材を積層することにより作製される。そして、この基体5の載置領域に半導体素子3が配設される。絶縁性部材としては、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体および窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、又はガラスセラミック材料を用いることができる。これらのガラス粉末およびセラミック粉末を含有する原料粉末、有機溶剤並びにバインダを混ぜることにより混合部材を作製する。この混合部材をシート状に成形することにより複数のセラミックグリーンシートを作製する。作製された複数のセラミックグリーンシートを積層することにより複数の積層体を作製する。複数の積層体をそれぞれ約1600度の温度で一体焼成することにより基体5が作製される。なお、基体5としては、複数の絶縁性部材が積層された構成に限られるものではない。一つの絶縁性部材により基体5が構成されていてもよい。また、基体5として、少なくとも半導体素子3が配設される部分に高い絶縁性を有していることが求められることから、例えば、金属部材上に絶縁性部材を積層した構成としてもよい。特に、基体5に対して高い放熱性が求められる場合、基体5が上記の構成であることが好ましい。金属部材は高い放熱性を有しているからである。金属部材上に絶縁性部材を積層した構成とすることで、基体5の放熱性を高めることができる。金属部材としては、具体的には、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト及びタングステンのような金属部材、或いはこれらの金属からなる合金を用いることができる。このような金属部材のインゴットに圧延加工法、打ち抜き加工法のような金属加工法を施すことによって基体5を構成する金属部材を作製することができる。また、上述のように基体5としては、少なくとも半導体素子3が配設される部分には高い絶縁性を有していることが求められることから、本実施形態のパッケージ1のように、基体5が、載置領域上に配設された、半導体素子3を載置するための載置基板25を備えていることが好ましい。半導体素子3と配線基板11との高さのずれを小さくすることができるので、これらの電気的な接続を容易に行うことができるからである。載置基板25としては、絶縁性部材と同様に絶縁性の良好な部材を用いることが好ましく、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体および窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、又はガラスセラミック材料を用いることができる。本実施形態のパッケージ1は、基体5の上面であって載置領域を囲むように配設された枠体7を備えている。枠体7は、内周面および外周面に開口する開口部を有している。本実施形態における開口部は入出力端子9を挿入するために枠体7に形成されたものである。そのため、本実施形態における開口部のように、枠体7の内周面および外周面に開口する凹部を枠体7の下面側に形成するとともに、この凹部および基体5の上面によって貫通孔を形成して、開口部としてもよい。また、枠体7に、この枠体7の内周面および外周面に開口する貫通孔を形成して、開口部としてもよい。貫通孔は、例えばドリル孔あけ加工によって枠体7に形成することができる。枠体7としては、例えば、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト及びタングステンのような金属部材、或いはこれらの金属からなる合金を用いることができる。このような金属部材のインゴットに圧延加工法、打ち抜き加工法のような金属加工法を施すことによって枠体7を構成する金属部材を作製することができる。また、枠体7としてセラミック部材を用いてもよい。また、枠体7は、一つの部材からなっていてもよいが、複数の部材の積層構造であってもよい。なお、金属部材からなる枠体7を備えている場合、この枠体7と第1の配線導体15との絶縁性を確保するため、枠体7の開口部内において第1の配線導体15と枠体7との間に絶縁性の部材が配設されていることが好ましい。本実施形態の素子収納用パッケージ1は、基体5および枠体7の間に位置して、基体5および枠体7を接合する接合部材不図示を備えている。接合部材としては、例えばロウ材を用いることができる。例示的なロウ材としては、銀ロウが挙げられる。本実施形態のパッケージ1における枠体7の開口部には、入出力端子9が挿入固定されている。入出力端子9は、第1の絶縁部材13および第1の絶縁部材13の上面に配設された第1の配線導体15を有している。本実施形態における入出力端子9は、第1の配線導体15を複数有している。複数の第1の配線導体15は、それぞれ枠体7で囲まれた領域の内側から外側にかけて位置している。これにより、枠体7で囲まれた領域の内側と外側との間で電気的な接続を図ることができる。これら複数の第1の配線導体15は、互いに電気的に短絡することの無いように所定の間隔をあけて配設されている。第1の絶縁部材13としては、絶縁性部材と同様に絶縁性の良好な部材を用いることが好ましく、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体および窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、又はガラスセラミック材料を用いることができる。第1の配線導体15としては、導電性の良好な部材を用いることが好ましい。具体的には、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀および金のような金属材料を第1の配線導体15として用いることができる。上記の金属材料を単一で用いてもよく、また、合金として用いてもよい。また、本実施形態における入出力端子9は、第1の配線導体15を間に挟むように第1の絶縁部材13の上面に配設された一対の接地導体27を有している。このように第1の配線導体15および一対の接地導体27が配設されていることによって、第1の配線導体15をコプレナー導体として用いることができる。入出力端子9における第1の配線導体15および一対の接地導体27の間の間隔としては、第1の配線導体15および一対の接地導体27における電気的な短絡を抑制しつつも信号のノイズ成分を抑制するため、0.3~1.5mm程度であることが好ましい。第1の配線導体15は、接続配線21などを介して外部配線不図示と半導体素子3とを電気的に接続するための部材である。そのため、本実施形態における第1の配線導体15は基板の主面上のみに配設されているが、特にこれに限られるものではない。例えば、第1の配線導体15の一部が第1の絶縁部材13に埋設されていてもよい。特に、第1の配線導体15の一部が第1の絶縁部材13に埋設されている場合、この埋設されている部分においては、複数の第1の配線導体15の間に絶縁性の部材からなる第1の絶縁部材13が存在することとなる。そのため、複数の第1の配線導体15の間における絶縁性を高めることができる。また、第1の配線導体15の一部が第1の絶縁部材13に埋設されている場合、入出力端子9の側面から第1の配線導体15を引き出して、この入出力端子9の側面において露出している部分でリード端子29と電気的に接続してもよい。リード端子29としては、第1の配線導体15と同様に導電性の良好な部材を用いることが好ましい。具体的には、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀および金のような金属材料をリード端子29として用いることができる。上記の金属材料を単一で用いてもよく、また、合金として用いてもよい。また、本実施形態のパッケージ1は、基体5の上面であって載置領域と入出力端子9との間に位置する配線基板11を備えている。配線基板11は、第2の絶縁部材17および該第2の絶縁部材17の上面に配設された第2の配線導体19を有している。第2の配線導体19は、半導体素子3と入出力端子9における第1の配線導体15とを電気的に接続するための部材である。第2の絶縁部材17としては、基体5を構成する絶縁性部材と同様に絶縁性の良好な部材を用いることが好ましく、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体および窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、又はガラスセラミック材料を用いることができる。第2の絶縁部材17の例示的な大きさは、平面視した場合の一辺が約1~10mm程度であって、厚みが0.1~5mm程度の四角板形状の部材である。第2の配線導体19としては、第1の配線導体15と同様に導電性の良好な部材を用いることが好ましい。具体的には、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀および金のような金属材料を第2の配線導体19として用いることができる。上記の金属材料を単一で用いてもよく、また、合金として用いてもよい。本実施形態のパッケージ1は、入出力端子9および配線基板11の間に位置する接続配線21を備えている。接続配線21は、それぞれ第1の配線導体15および第2の配線導体19に接続された複数のリード配線23からなり、第1の配線導体15および第2の配線導体19に接続されている。リード配線23はロウ材のような接合部材を介して第1の配線導体15および第2の配線導体19にそれぞれ接合される。また、複数のリード配線23のそれぞれが、その両端に位置して第1の配線導体15または第2の配線導体19にそれぞれ接続された接続部位23aと、接続部位23a間に位置して第1の配線導体15および第2の配線導体19を電気的に接続する直線形状の配線部位23bとを有している。本実施形態のパッケージ1においては、リード配線23が直線形状の配線部位23bを有していることから、上述の通り、一本の大きなリード配線を用いた場合と比較して接続配線21を大きな信号を伝送しつつも変形しやすいものとすることができる。なお、本実施形態のパッケージ1における直線形状の配線部位23bとは、従来のワイヤーボンディングのようなループ形状ではなく、下記のように直線状に延伸された構成を意味する。すなわち、配線部位23bにおける接続部位23aに接続された部分の高さと配線部位23bにおける最も高い箇所での高さとの差で示される、いわゆるループ高さが、配線部位23bの厚み以下である構成を意味する。例えば、配線部位23bの厚みが0.03mmである場合、ループ高さが0.03mm以下である。本実施形態のパッケージ1における配線導体は3本のリード配線23を有しているがこれに限られるものではない。接続配線21が複数のリード配線23を有していればよいことから、2本のリード配線23を有した構成、あるいは、4本以上のリード配線23を有した構成であっても何ら問題ない。リード配線23としては、第1の配線導体15と同様に導電性の良好な部材を用いることが好ましい。具体的には、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀および金のような金属材料をリード配線23として用いることができる。上記の金属材料を単一で用いてもよく、また、合金として用いてもよい。本実施形態のパッケージ1におけるリード配線23は、図4bに示すように、配線部位23bにおけるリード配線23の延設方向に垂直な断面が円形状であって、図4cに示すように、接続部位23aにおけるリード配線23の延設方向に垂直な断面が四角形状である。配線部位23bにおけるリード配線23の延設方向に垂直な断面が円形状であることによって、配線部位23bの耐久性を向上させることができるので、基体5等の熱膨張および収縮に起因して配線部位23bが変形した場合であっても配線部位23bが断線する可能性を抑制できる。加えて、接続部位23aにおけるリード配線23の延設方向に垂直な断面が四角形状であることによってリード配線23と第1の配線導体15および第2の配線導体19との接合性を向上させることができる。さらに接続部位23aは、その全体が平面視した場合に第1の配線導体15または第2の配線導体19上に位置している。このように、接続部位23aが第1の配線導体15および第2の配線導体19上に接続部位23aの全体が接合されていることによって、リード配線23と第1の配線導体15および第2の配線導体19との接合性を高めることができる。また、リード配線23が変形する場合であっても、配線部位23bにおいてリード配線23を安定して変形させることができるので、接続部位23aが変形することによって、接続部位23aが破断することを抑制できる。また、複数のリード配線23は互いに平行となるように配設されている。このようにリード配線23が配設されていることによって、リード配線23を過度に細くすることなく、互いに隣り合うリード配線23間の間隔を確保することができる。従って、リード配線23が変形しやすくなるので、接続配線21が断線する可能性を小さくできる。また、複数のリード配線23は、平面視した場合の幅が同じである。このようにリード配線23が構成されている場合には、複数のリード配線23の一部に応力が集中する可能性を小さくできるので、リード配線23が断線する可能性を小さくできる。また、互いに平行となるように配設された複数のリード配線23のうち、配列方向の両端に位置するリード配線23同士の間隔が、第1の配線導体17および第2の配線導体19の少なくとも一方の幅と同じである。このようにリード配線23が構成されている場合には、接続配線21と、第1の配線導体15または第2の配線導体19との接続部分における信号の伝送特性が低下することを抑制できる。また、本実施形態のパッケージ1における接続配線21は、それぞれ互いに隣り合うリード配線23間の間隔が同じである。このように接続配線21が3つ以上のリード配線23を有している場合、それぞれ互いに隣り合うリード配線23間の間隔が同じであることが好ましい。これにより、複数のリード配線23の一部に応力が集中する可能性を小さくできるので、リード配線23が断線する可能性を小さくできる。本実施形態の半導体装置101は、上記の実施形態に代表される素子収納用パッケージ1と、素子収納用パッケージ1の載置領域内に載置された半導体素子3と、枠体7と接合された、半導体素子3を封止する蓋体31とを備えている。本実施形態の半導体装置101においては、基体3の載置領域に半導体素子3が載置されている。また、半導体素子3および第2の配線導体19、並びに第1の配線導体15および第2の配線導体19は、それぞれ導線35により接続されている。この半導体素子3に外部配線、第1の配線導体15、第2の配線導体19および導線35を介して外部信号を入力することにより、半導体素子3から所望の出力を得ることができる。半導体素子3としては、例えば、LD素子に代表される、光ファイバに対して光を出射する発光素子、PD素子に代表される、光ファイバに対して光を受光する受光素子が挙げられる。半導体素子3と第2の配線導体19とは、例えば、導線35を介して、いわゆるワイヤーボンディングにより電気的に接続することができる。このとき、基体5から離隔する導線35によって、半導体素子3と第2の配線導体19とが電気的に接続されることが好ましい。また、導線35における信号の伝送特性の低下を抑制するため、リード配線23と同様に、半導体素子3と第2の配線導体19とが複数の直線形状の導線35によって電気的に接続されていることが好ましい。蓋体31は、枠体7と接合され、半導体素子3を封止するように設けられている。蓋体31は、枠体7の上面に接合されている。そして、基体5、枠体7および蓋体31で囲まれた空間において半導体素子3を封止している。このように半導体素子3を封止することによって、長期間の素子収納用パッケージ1の使用による半導体素子3の劣化を抑制することができる。蓋体31としては、例えば、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト及びタングステンのような金属部材、或いはこれらの金属からなる合金を用いることができる。また、枠体7と蓋体31は、例えばシーム溶接法によって接合することができる。また、枠体7と蓋体31は、例えば、金-錫ロウを用いて接合してもよい。次に、第2の実施形態の素子収納用パッケージおよび半導体装置について、図面を用いて詳細に説明する。なお、本実施形態にかかる各構成において、第1の実施形態と同様の機能を有する構成については、同じ参照符号を付記し、その詳細な説明を省略する。本実施形態のパッケージ1は、図5~7に示すように、第1の実施形態のパッケージ1と同様に、上面に半導体素子3が載置される載置領域を有する基体5と、基体5の上面であって載置領域を囲むように配設された、内周面および外周面に開口する開口部を有する枠体7と、枠体7の開口部に挿入された入出力端子9と、基体5の上面であって載置領域と入出力端子9との間に位置する配線基板11と、入出力端子9および配線基板11の間に位置する接続配線21とを備えている。また、入出力端子9は、第1の絶縁部材13および第1の絶縁部材13の上面に配設された第1の配線導体15を有している。配線基板11は、第2の絶縁部材17および第2の絶縁部材17の上面に配設された第2の配線導体19を有している。そして、本実施形態のパッケージ1は、第1の実施形態のパッケージ1と比較して、接続配線21の構成が異なっている。具体的には、本実施形態のパッケージ1における接続配線21は、平板形状であって、上面及び下面に開口するスリット33を有していることを特徴としている。このように、接続配線21が複数の直線形状のリード配線23を有する構成ではなく、上面及び下面に開口するスリット33を有する構成である場合においても、スリット33を有する部分において接続配線21を変形しやすいものとすることができるので、第1の実施形態のパッケージ1と同様に、一本の大きなリード配線を用いた場合と比較して接続配線21を大きな信号を伝送しつつも変形しやすいものとすることができる。接続配線21の上面及び下面に開口するスリット33は、第1の配線導体15と第2の配線導体19を結ぶ直線と平行となるように延設されていることが好ましい。これにより、接続配線21におけるスリット33を有する部分であって変形しやすい部分の領域を大きくすることができるので、接続配線21をさらに変形しやすいものとすることができる。一方、接続配線21と第1の配線導体15および第2の配線導体19との接合性を良好なものとするためには、接続配線21を平面視した場合に、スリット33が形成された部分と第1の配線導体15および第2の配線導体19とが重なり合っていないことが好ましい。以上、本発明の各実施形態にかかる素子収納用パッケージおよびこれを備えた光半導体装置について説明してきたが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更や実施の形態の組み合わせを施すことは何等差し支えない。