基板と、前記基板上に形成され111面を表面とする酸化マグネシウムからなる二酸化炭素吸着用の処理膜と、を備える処理板。基板と、前記基板上に形成され111面を表面とする酸化マグネシウムからなる二酸化炭素還元用の処理膜と、を備える処理板。前記基板は、結晶構造を有する無機材料により形成される請求項1又は2に記載の処理板。前記基板は、結晶構造を有するもので、前記処理膜が形成される主面における法線に沿った方向に関して3回対称性又は6回対称性を有する請求項1~3の何れか一項に記載の処理板。前記基板は、111面を前記主面とするチタン酸ストロンチウム、0001面を前記主面とするサファイア、又は111面を前記主面とするイットリア安定化ジルコニアのいずれか一つにより構成された請求項1~4の何れか一項に記載の処理板。基板、及び前記基板上に形成され111面を表面とする酸化マグネシウムからなる処理膜を備える処理板を用いて、前記処理膜に二酸化炭素を吸着させる吸着工程を備える処理方法。前記吸着工程の後、前記処理膜を加熱して前記処理膜に吸着された二酸化炭素を還元する還元工程をさらに備える請求項6記載の処理方法。前記還元工程では前記処理膜の温度を50°C以上に加熱する、請求項7記載の処理方法。前記吸着工程の前に、前記処理膜を加熱することにより前記処理膜上の付着物を除去する除去工程をさらに備える、請求項6~8の何れか一項に記載の処理方法。しかしながら、上記非特許文献1に記載された方法では、MgO上に水素が存在している必要がある。また、二酸化炭素を一酸化炭素に還元するために紫外線の照射が必要であり、紫外線照射に伴う多量のエネルギーが必要である。このため、当技術分野では二酸化炭素を効率的に吸着及び還元することが望まれている。本発明の一側面に係る処理板は、基板と、基板上に形成され111面を表面とする酸化マグネシウムからなる二酸化炭素吸着用の処理膜と、を備える。この処理板は、二酸化炭素を吸着するための処理膜を備えている。この処理膜は、111面を表面とする酸化マグネシウムからなる。酸化マグネシウムの111面は、陽イオンであるMg2のみが露出した面、或いは陰イオンであるO2-のみが露出した面である。このため、処理膜の表面は静電的に不安定であるので、二酸化炭素を効率よく吸着する属性を有する。また、本発明の他の側面に係る処理板は、基板と、基板上に形成され111面を表面とする酸化マグネシウムからなる二酸化炭素還元用の処理膜と、を備える。この処理板は、二酸化炭素を還元するための処理膜を備えている。この処理膜は、111面を表面とする酸化マグネシウムからなる。このため、処理膜の表面は静電的に不安定であるので、例えば加熱することで二酸化炭素を効率よく還元する属性を有する。一実施形態では、基板は、結晶構造を有する無機材料により形成されていることが好ましい。このような基板によれば、基板上に111面を表面とする酸化マグネシウムからなる処理膜が形成された処理板を好適に得ることができる。一実施形態では、基板の結晶構造は、処理膜が形成される主面における法線に沿った方向に関して3回対称性又は6回対称性を有することが好ましい。このような基板によれば、基板上に111面を表面とする酸化マグネシウムからなる処理膜が形成された処理板を好適に得ることができる。一実施形態では、基板は、111面を主面とするチタン酸ストロンチウム、0001面を主面とするサファイア、又は111面を主面とするイットリア安定化ジルコニアのいずれか一つにより構成されていてもよい。このような材料によれば、基板の主面上に111面を表面とする酸化マグネシウムからなる処理膜が形成された処理板を好適に得ることができる。本発明のさらに他の側面に係る処理方法は、基板、及び基板上に形成され111面を表面とする酸化マグネシウムからなる処理膜を備える処理板を用いて、処理膜に二酸化炭素を吸着させる吸着工程を備える。この処理方法は、二酸化炭素を吸着するための処理板を用いている。この処理板は、111面を表面とする酸化マグネシウムからなる処理膜を有する。このため、処理膜の表面は静電的に不安定であるので、二酸化炭素を効率よく吸着することができる。一実施形態では、吸着工程の後、処理膜を加熱して処理膜に吸着された二酸化炭素を還元する還元工程をさらに備えてもよい。この還元工程では、静電的に不安定な表面を有する処理膜を加熱することで、二酸化炭素を効率よく還元することができる。一実施形態では、還元工程において処理膜の温度を50°C以上に加熱してもよい。これによれば、処理膜の温度を50°C以上にすることにより、表面に吸着した二酸化炭素の還元を生じさせることができる。一実施形態では、吸着工程の前に、処理膜を加熱することにより表面上の付着物を除去する除去工程をさらに備えてもよい。これによれば、付着物を除去することにより、異物の付着により低下した二酸化炭素の吸着特性を回復させることが可能となる。従って、処理膜の表面に二酸化炭素をさらに効率よく吸着させることができる。以上説明したように、本発明によれば、二酸化炭素を効率的に吸着及び還元する処理板及び処理方法を提供することができる。以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。本実施形態に係る処理板の構成について説明する。図1は、処理板1の構成を説明するための図である。処理板1は、基板2と処理膜3とを備えている。この処理膜3は二酸化炭素吸着用の処理膜であると共に、二酸化炭素還元用の処理膜である。基板2とは、無機材料により形成される板状物であり、好ましくはチタン酸ストロンチウム、サファイア、又はイットリア安定化ジルコニア等の1種以上で形成される結晶、又は非結晶構造物である。この基板2の好ましい結晶構造は、主面2aの法線に沿った方向に関して3回対称性又は6回対称性を有する。基板2として、例えば、111面を表面とするチタン酸ストロンチウム以下SrTiO3ともいう、0001面を表面とするサファイア以下Al2O3ともいう、又は111面を表面とするイットリア安定化ジルコニア以下YSZともいうなどが用いられる。SrTiO3は、三酸化チタンIVストロンチウムとも呼ばれ、複合酸化物でありペロブスカイト型の結晶構造を有する。さらに、基板2を構成するSrTiO3等には不純物がドープされてもよい。不純物がドープされた基板2では、基板2に電圧を印加すると電流が流れるため、抵抗発熱により基板が加熱される。よって、基板に印加する電圧を制御することにより処理膜の温度を制御することが可能となるので、還元を容易に制御することができる。不純物としては、例えばニオブ以下Nbともいうが用いられる。不純物であるNbのドープ量は、例えば0.01~0.5重量パーセントである。また、基板2は、例えば、面方位が111に配向された主面2aを有する。処理膜3は、基板2の主面2a上に形成されている。処理膜3は、111面を表面とする酸化マグネシウムからなる表面3aを有している。処理膜3の厚さは、例えば0.5~100nmであり、好ましくは5~20nmである。さらに好ましい処理膜3の厚さは7~15nmである。ここで、一般的なMgOの結晶構造を説明する。図2は、MgOの結晶構造を模式的に示す図である。MgOは、立方晶系である塩化ナトリウム型の結晶構造を有し、天然に存在するMgOの表面は面方位は100である。原子スケールで平坦化されたMgOの100面は、陽イオンであるMg2と、陰イオンであるO2-とが等量露出した面であり、電気的に中性であるために安定な面である。一方、本実施形態に係る処理膜3は、面方位が111である結晶面CFからなる表面3aを有する。この結晶面CFには、陽イオンであるMg2のみが露出した面、又は陰イオンであるO2-のみが露出した面が露出している。このために、結晶面CFは、電気的にプラス又はマイナスに帯電しており、静電的に不安定な面である。このような結晶面CFは二酸化炭素以下CO2ともいうを吸着し、加熱により還元する属性を有している。なお、処理膜3の表面3aは原子レベルで平坦である必要はない。結晶面が原子スケールで平坦化されているとは、結晶面が完全に平坦な場合のみに限定されない。すなわち、実際に原子レベルで平坦化された結晶面を作成した場合、原子レベルで見ると結晶の表面は微小に傾いている。このとき、結晶の表面には原子層に相当するステップ構造が形成されているが、このような場合も結晶面が原子レベルで平坦である場合に含まれる。次に、処理板1の製造方法について説明する。処理板1の製造には、例えばレーザアブレーション法を用いることが可能である。レーザアブレーション法によれば、比較的広い成膜条件下において処理板1を製造することができる。図3は、製造装置10の構成を説明するための図である。製造装置10は、チャンバ11、基板2及びターゲット12を備えている。なお、基板2の材料として、ここではSrTiO3を用いた例を説明する。チャンバ11は、基板2及びターゲット12を収容する内部領域11aを有している。さらに、このチャンバ11には、窓13、排気装置14、レーザ光源15、加熱装置16及びガス導入装置18を備えている。チャンバ11は密閉された容器であり、真空排気可能に構成されている。窓13は、チャンバ11の側壁に設けられている。窓13は光学的に透明に構成されており、この窓13を介してレーザ光Lがチャンバ11の内部領域11aに導光される。排気装置14は、チャンバ11の内部領域11aを減圧するために用いられる。この排気装置14は、所定の真空ポンプである、例えばターボ分子ポンプや油拡散ポンプ等を用いることができる。レーザ光源15は、チャンバ11の外部に配置され、ターゲット12に照射されるレーザ光Lを発生する。加熱装置16は、ランプ光源17を備えている。このランプ光源17からの光は、基板2に集光される。ガス導入装置18は、チャンバ11の内部領域11aに所定のガスを導入するための装置である。所定のガスは例えば酸素ガスである。ガス導入装置18は、ガス源19、及び弁20を含んでいる。ターゲット12は、チャンバ11の内部領域11aに配置されている。このターゲット12が、基板2の主面2a上に形成される処理膜3の原料である。本実施形態では、ターゲット12にはMgO焼結体又はMgO単結晶が用いられる。本実施形態においてターゲット12は、基板2に対して鉛直下向きの方向に、基板2から離間して配置されている。ターゲット12と基板2との距離は任意であるが、製造装置10の規模に応じて適宜選択する。続いて、処理板1を製造する工程について説明する。まず、チャンバ11内に基板2及びターゲット12を配置する。チャンバ11内に基板2及びターゲット12を配置した後に、チャンバ11の内部を10-5~10-7Pa程度に減圧する。続いて、ガス導入装置18を用いて外部から酸素ガスを注入し、酸素分圧を例えば10-2~10-5Pa程度に設定する。次に、ランプ光源17からランプ光を基板2に集光させて、基板2を所定の温度まで加熱する。所定の温度は、例えば400~700°Cである。次に、チャンバ11の窓13からレーザ光Lをチャンバ11内に照射する。このレーザ光Lはパルスレーザ光であって、高いエネルギー密度を有し、ターゲット12に照射される。例えば、このレーザ光Lは波長が248nmであるKrFエキシマレーザフッ化クリプトンエキシマレーザである。チャンバ11内に導入されるレーザ光Lの総エネルギーは、50~150mJ程度である。ターゲット12の表面12aにレーザ光Lが照射されると、ターゲット12の表面12aにあるMgOが剥離される。剥離されたMgOは、基板2の主面2aに堆積し、処理膜3を形成する。以上の工程により、SrTiO3からなる基板2の主面2aの上に処理膜3が形成された処理板1が製造される。以下、MgOからなる処理膜及び基板を含めて処理板という。次に、基板2の材料としてYSZを用いた例を説明する。まず、超平坦化した単結晶基板である111面を有するYSZの上にNiO単結晶薄膜を堆積する。堆積方法には、パルスレーザ蒸着法、スパッタリング法、CVD法、MO-CVD法、MBE法等を用いることができる。堆積時の基板の温度は、例えば0~100°Cに設定される。なお、堆積時の基板温度は10~50°Cに設定されることが好ましい。また、基板表面の二乗平均粗さRRMSは、1.0nm以下であることが好ましい。RRMSは、原子間力顕微鏡を用いることにより、例えば、一辺が1μmの領域を走査することにより算出される。上記YSZからなる基板に堆積したNiO薄膜は、三次元的に堆積された粒子が確認されるのみである。原子スケールで平坦なテラスと分子層ステップの構造は確認されないが、これを高温でアニールする。アニール温度は600~1500°Cに設定されることが好ましい。アニールする場合、NiO薄膜表面を、YSZからなる基板などで覆うことが好ましい。また、NiO薄膜を堆積した基板を2枚用いて、NiO薄膜表面を内側に挟み込むように2枚を重ねてアニールしてもよい。アニール中の雰囲気は大気又は酸素ガスであることが好ましい。次に、2枚重ねた場合には剥がして1枚の基板にする。これによれば、原子スケールで表面が平坦である単結晶NiOの111面以下NiO111/YSZ111ともいうが形成される。次に、NiO111/YSZ111の上に、MgOをレーザアブレーション法を用いて堆積する。堆積時の基板温度は、500~900°Cに設定されることが好ましい。酸素分圧は10-4~1Paに設定される。この方法により、単結晶の研磨では存在しない原子スケールで表面が平坦なMgOの111面を有する処理膜が得られる。以上の工程により、YSZからなる基板2の上にNiO薄膜を介して処理膜3が形成された処理板1が製造される。次に、処理板1を用いたCO2の処理方法について説明する。まず、処理装置5について説明する。図4は、処理装置5の構成を説明するための図である。処理装置5は、チャンバ21、処理板1を備えている。チャンバ21は、処理板1を収容する領域21aを有している。さらに、このチャンバ21は、排気装置14A、及びガス導入装置導入手段22、及び加熱装置加熱手段25を備えている。チャンバ21は密閉された容器であり、真空排気可能に構成されている。排気装置14Aは、製造装置10が有する排気装置14と同様の構成を有する。ガス導入装置22は、チャンバ21の内部領域21aにCO2ガスを導入するための装置である。ガス導入装置22は、ガス源23、及び弁24を含んでいる。加熱装置25は、チャンバ21内に配置された端子26、27と、チャンバ21の外部に配置された電源28とを有する。この端子26、27の一端は電源28に接続されている。端子26、27の他端は基板2に電気的に接続されている。次に、処理板1を用いてCO2を吸着させる処理方法について説明する。この処理方法では、CO2の吸着工程S12が実施される。ここで、吸着工程S12とは、処理板1の処理膜3の表面3aにCO2を吸着させる工程をいう。処理板1をチャンバ21の内部領域21aに配置する。次に、例えば3.0×10-8Paの真空度になるようにチャンバ21を減圧する。続いて、ガス導入装置22を用いて、チャンバ21内にCO2ガスを導入する。例えば、CO2分圧は1.0×10-6Paに設定され、その分圧において処理膜3を5分間晒す。処理膜3の表面3aは、MgOの111面であるため、CO2の吸着特性が高い。よって、処理膜3がCO2ガスを含む雰囲気中に晒されている間に表面3aにCO2が吸着される。なお、CO2ガスを導入する時間は5分に限定されるものではない。CO2ガスを導入する時間には特に制限はなく、任意の時間としてよい。また、チャンバ21の内部領域21aを減圧してから、CO2ガスを導入するまでの時間には特に制限はなく、任意の時間としてよい。以上の工程により、処理板1を用いてCO2を吸着させる処理方法が実施される。続いて、処理板1を用いてCO2を還元する処理方法について説明する。この処理方法では、CO2の還元工程S14が実施される。ここで、還元工程S14とは、処理膜3を加熱することにより処理膜3の表面3aに吸着されたCO2を還元する工程をいう。この工程では、まず、CO2が吸着された処理板1を準備する。CO2が吸着された処理板1を準備する方法として、上述した処理板1を用いてCO2を吸着させる処理方法を用いてもよい。次に、CO2が吸着された処理膜3を加熱する。端子26、27を介して電源28から基板2に電圧を印加する。基板2に電流が流れると、抵抗発熱により基板2が発熱する。これにより処理膜3が加熱される。処理膜3は、例えば毎秒5°Cの速度で加熱される。処理膜3の温度は50°C以上であればよいが、処理膜3の温度は100~200°Cの範囲であることがさらに好ましい。なお、処理膜3の温度には特に上限はない。加熱することにより、処理膜3に吸着したCO2が還元され、一酸化炭素以下COともいうが発生する。以上の工程により、処理板1を用いてCO2を還元する処理方法が実施される。なお、上述した実施形態は本発明に係る処理板及び処理方法の一例を示すものである。本発明に係る処理板及び処理方法は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求項に記載した要旨を変更しない範囲で、上述した実施形態に係る処理板及び処理方法を変形し、又は他のものに適用したものであってもよい。例えば、上述した実施形態では、不純物がドープされている基板2を例に説明したが、これに限定されることはない。基板2として、不純物がドープされていないSrTiO3等を用いてもよい。また、上述した実施形態において、処理方法は吸着工程S12及び還元工程S14以外の所望の工程をさらに備えていてもよい。例えば、吸着工程S12を実施する前に、表面3a上に付着した付着物を除去する除去工程S10を実施してもよい。除去工程S10では、処理膜3を加熱することにより、処理膜3の表面3aに付着した付着物を除去する。まず、図4に示された処理装置5のチャンバ21内に処理板1を配置する。次に、排気装置14Aを用いてチャンバ21の内部領域21aを減圧する。チャンバ21の内部領域21aは、例えば、3.0×10-8Paの真空度になるように減圧される。続いて、端子26、27を介して電源28から基板2に電圧を印加する。基板2に電流が流れると、抵抗発熱により基板2が発熱する。これにより、基板2の主面2a上に形成されている処理膜3が加熱され、処理膜3の表面3aの付着物が除去される。このとき処理膜3は、例えば700°Cになるように加熱される。なお、図5に示されるように、除去工程S10、吸着工程S12、還元工程S14を一連の工程として実施してもよい。また、上述した実施形態では、処理板1の製造装置10と、処理板1を用いた処理方法の実施に用いられる処理装置5とが別の装置である場合を例に説明したが、これに限定されることはない。例えば、処理膜3を形成するための要素であるターゲット12、レーザ光源15、加熱装置16等をさらに備えた処理装置により、処理板1を製造して、処理方法における吸着工程S12と還元工程S14とを実施してもよい。これによれば、処理板1の製造から処理方法の還元工程S14までを同一の装置で実施することができる。また、処理方法を実施する度に新たな処理板1を製造する必要はなく、予め形成された処理膜3を有する処理板1を用いて、CO2の処理方法を実施してもよい。また、上述した実施形態では、処理板1の製造工程において基板2をランプ光源17からの光により加熱する方法を例に説明したが、これに限定されることはない。基板2の加熱には種々の方法を用いることができる。例えば、ランプ光源17からの光に代えて、赤外線レーザを用いてもよい。また、上述した実施形態では、還元工程S14において基板2上の処理膜3を抵抗加熱により加熱する方法を例に説明したが、これに限定されることはない。処理膜3の加熱には種々の方法を用いることができる。例えば、ランプ光源17からの光により加熱してもよいし、赤外線レーザを用いてもよい。以下、上記効果を説明すべく本発明者が実施した実施例及び比較例について述べる。実施例1図3に示す製造装置10を用いて実施例1に係る処理板を作成した。この処理板の作成では、基板の主面に111面を表面とするMgOからなる処理膜を形成した。なお、基板はNbがドープされた111面を表面に持つSrTiO3からなる。Nbのドープ量は0.5重量パーセントである。比較例1図3に示す製造装置10を用いて比較例1に係る処理板を作成した。この処理板の作成では、基板の表面に100面を表面とするMgOからなる処理膜を形成した。なお、基板はNbがドープされた100面を表面に持つSrTiO3からなる。Nbのドープ量は0.5重量パーセントである。構造評価実施例1に係る処理膜3の構造評価を行った。図6は、実施例1に係る処理膜のX線回折パターンを示す。図6において、グラフG1は基板の温度が400°Cであるときに形成された処理膜のパターンであり、グラフG2は基板の温度が500°Cであるときに形成された処理膜のパターンである。さらに、図6において、グラフG3は基板の温度が600°Cであるときに形成された処理膜のパターンであり、グラフG4は基板の温度が700°Cであるときに形成された処理膜のパターンである。また、これらの処理膜は、酸素分圧が1×10-3Paの環境下において形成された。グラフG1~グラフG4を参照すると、いずれの温度条件下においても、MgOの111面を示す箇所D1、及び222面を示す箇所D2にピークが現れることが確認された。これにより、基板の温度が400~700°Cの範囲において、111面を表面とするMgOからなる処理膜が形成されることが確認された。吸着特性評価及び還元特性評価実施例1に係る処理板1、及び比較例1に係る処理板の吸着特性及び還元特性を評価した。この評価では、CO2のガス昇温脱離特性を測定することにより、CO2の吸着特性を評価した。また、COのガス昇温脱離特性を測定することにより、CO2の還元特性を評価した。ガス昇温脱離特性は、四重極質量分析法を用いて測定した。四重極質量分析法は、高周波電圧が印加された4つの電極管にイオンを通過させることによりイオンに摂動を付加し、所望のイオンのみを通過させて、通過したイオンの質量を測定する方法である。この評価では、実施例1として基板の温度が650°Cの状態において作成された厚さが50nmの処理膜を備える処理板を用いた。また、比較例1として基板の温度が650°Cの状態において作成された厚さが5nmの処理膜を備える処理板を用いた。図7aは、実施例1に係る処理板のCO2及びCOのガス昇温脱離特性を示す。図7aにおいて、グラフG5は、CO2のガス昇温脱離特性を示し、グラフG6はCOのガス昇温脱離特性を示す。グラフG5を参照すると、50°C付近から表面3aからCO2の脱離が生じていることが確認された。また、グラフG6を参照すると、50°C付近から表面3aにおけるCO2が還元されてCOが発生し、さらに、100°C付近から多量のCOが生じていることが確認された。従って、処理膜3を用いたCO2の還元方法では、紫外線などを照射することなく、CO2の還元が表面3aにおいて進行することが確認された。図7bは、比較例1に係る処理板のCO2及びCOのガス昇温脱離特性を示す。図7bにおいて、グラフG7は、CO2のガス昇温脱離特性を示し、グラフG8はCOのガス昇温脱離特性を示す。グラフG7を参照すると、50°C付近から表面からCO2の脱離が生じていることが確認された。一方、グラフG7を参照すると、COの発生量はほぼゼロであり、処理膜を加熱してもCO2が還元されないため、COが生じないことが確認された。そして、グラフG5とグラフG7とを比較すると、実施例1に係る処理膜からのCO2の脱離量は、比較例1に係る処理膜からのCO2の脱離量よりも多いことが確認された。従って、MgOの111面からなる表面を有する処理膜は、効率よくCO2を吸着することができることが確認された。