集積回路内の電力領域の電力消費を決定するための方法であって、-前記電力領域のローカル電源インピーダンスプロファイルを決定するステップと、-前記電力領域特有の周期アクティビティを実行しながら、ローカル電源電圧を測定するステップと、-前記測定されたローカル電源電圧の電圧スペクトルを評価するステップと、-前記インピーダンスプロファイルおよび前記電圧スペクトルから、関連付けられた電源電流を計算するステップと、-前記電源電流および前記測定された電源電圧から、電力消費スペクトルを決定するステップと、を含む、方法。前記電力領域の前記ローカル電源インピーダンスプロファイルを決定するステップが、-前記電力領域内で反復アクティビティを適用するステップと、-前記反復アクティビティによって生じた電流消費の時間挙動を評価するステップと、-対応する電流消費スペクトルを計算するステップと、-前記反復アクティビティによって生じたローカル電源電圧を測定するステップと、-前記測定されたローカル電源電圧の電圧スペクトルを評価するステップと、-前記電圧および電流スペクトルから、前記ローカル電源インピーダンスプロファイルを計算するステップと、を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記反復アクティビティを適用するステップが、システムクロックツリーのオンおよびオフを周期的に切り換えるステップにあることを特徴とする、請求項2に記載の方法。前記電流消費の前記時間挙動を評価するステップが、リーク電流および電流振幅の準静的測定を含むことを特徴とする、請求項2に記載の方法。前記方法が、電力消費スペクトルPと基準スペクトルPrefとを比較するステップを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記方法がシステムの電源がオンの間に実行されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記方法がシステムの動作時に周期的に実行されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。集積回路内の電力領域の電力消費を決定するためのシステムであって、-前記電力領域のローカル電源インピーダンスプロファイルZfを格納するためのストレージと、-前記電力領域特有の周期アクティビティを実行するための、アクティビティ活性化システムと、-前記電力領域のローカル電源電圧を測定するための電圧測定システムと、-前記測定されたローカル電源電圧の電圧スペクトルを評価するため、および、前記インピーダンスプロファイルおよび前記電圧スペクトルから関連付けられた電流を計算するための、フーリエ変換システムと、-電力消費を決定するための電力評価システムと、を備える、システム。前記システムが、前記電力消費スペクトルと基準プロファイルとを比較するための比較器を備えることを特徴とする、請求項8に記載のシステム。前記システムが前記回路内に組み込まれることを特徴とする、請求項8に記載のシステム。-アクティビティ活性化システムおよび電圧測定システムが前記チップ上に常駐すること、および-比較器が前記チップ外の場所に常駐すること、を特徴とする、請求項10に記載のシステム。本発明の目的は、集積回路内の特定電力領域における時間分解電力消費を正確に決定するための、方法およびシステムを提供することである。具体的に言えば、この方法は、高周波数までのローカル電力消費プロファイルの高速かつ正確な査定が実行可能であるものとする。これらの目的は、独立請求項の特徴によって達成される。他の請求項、図面、および明細は、本発明の有利な諸実施形態について開示している。本発明の第1の態様によれば、集積回路内の電力領域における時間分解電力消費を決定するための方法が提供される。この方法は、1電力領域のローカル電源インピーダンスプロファイルを決定するステップと、2電力領域特有の周期アクティビティを実行しながら、ローカル時間分解電源電圧を測定するステップと、3測定されたローカル電源電圧の周波数スペクトルを評価するステップと、4当該電圧プロファイルおよび当該インピーダンスプロファイルから、関連付けられた電流スペクトルを計算するステップと、5当該電流スペクトルおよび測定された電圧スペクトルから電力消費スペクトルを決定するステップとを、含む。本発明の第2の態様によれば、集積回路内の電力領域における電力消費を決定するためのシステムが提供される。このシステムは、1当該電力領域のローカル電源インピーダンスプロファイルを格納するための手段と、2当該電力領域特有の周期アクティビティを実行するための、アクティビティ活性化stimulationシステムと、3当該領域のローカル電源電圧を測定するための電圧測定システムと、4電源電圧プロファイルを評価するため、ならびにインピーダンスプロファイルおよび電圧プロファイルから電流スペクトルを計算するための、フーリエ変換システムと、5電力消費スペクトルを決定するための電力評価システムとを、備える。このコンテキストでは、電力領域という用語は、電源に関して内蔵型であるチップ内または電気回路内の領域を示すために使用され、その電圧VDDおよびGNDは電気回路内の他の領域の供給電圧と分離することができる。本発明ならびに前述および他の目的および利点は、諸実施形態についての以下の詳細な説明から最もよく理解されるであろうが、これらの諸実施形態に限定されるものではない。図面では、同じ要素は同じ参照番号で表される。図面は単なる概略図であり、本発明の特定のパラメータを表現することを意図するものではない。さらに図面は、本発明の典型的な諸実施形態のみを示すように意図されており、本発明の範囲を限定するものとみなされるべきではない。図1は、その電力消費特徴が時間Ptの関数として評価される電力領域12を備える、集積回路ICチップ10の概略平面図を示す。以下では、電力領域12という用語は、供給電圧が内蔵されたチップ10の領域を通知するために使用され、これは、この特定の電力領域12の供給電圧VDDおよびGNDが、他の電力領域12’、12の供給電圧VDDおよびGNDから物理的に分離されていることを意味する。高性能チップ設計では、チップ10を、個々の電源VDD、GNDを備えた複数の電力領域12、12’、12に区分することが一般的な実施であり、この個々の電源は、それぞれの電力領域が使用されていない場合は必ずオフになるため、電力消費を節約し、チップ10内の発熱を減少させることが可能である。異なる電力領域12、12’、12が異なる電力レベルで動作可能であるため、多彩な機能を1つのチップ10に組み込むことができる。一例として、電力領域12は、チップ10上に常駐する特定のハードウェア要素とすることができる。別の方法として、電力領域12は、特定のソフトウェア機能が実行される場合に活動化される領域とすることが可能であり、たとえば電力領域12はチップ10の特定演算ユニットとすることができる。特定アクティビティは電力領域12内で電力を消費させる一方で、領域12’、12には影響を与えず、その逆もまた真であるという意味において、集積回路10の異なる電力領域12、12’は互いに分離されていることに留意されたい。これは、電力消費に関する限り、電力領域12、12’、12は独立したものとして扱うことができることを意味する。チップ10の機能および設計に応じて、所与のチップ10は1つの単一電力領域12を含むか、または複数の電力領域12、12’、12を含むことができる。特定アクティビティの実行中にチップ10内の所与の電力領域12の電力消費Ptを決定するためには、電力領域12がこのアクティビティに従事するものとし、このアクティビティに対応する電圧Uならびに電流Iが評価されなければならない。アクティビティに関するローカル電源電圧Utは、時間の関数として容易に測定され、周波数領域に変換されることが可能であるが、ローカル電源電流Itの時間分解測定は困難であり、エラーを起こしやすい。本発明によれば、この問題は、電源インピーダンスZf=Ff{Ut}/Ff{It}を確認することによって回避されるため、結果として電流スペクトルItは、インピーダンスZfがわかっていれば、測定された電圧Utから計算することができる。所与の電力領域12の電源インピーダンスプロファイルZf=Uf/Ifは、ある程度の高い精度まで不変量であり、これは、電力領域12内で実行される任意のアクティビティのインピーダンススペクトルZfが、このアクティビティの詳細にかかわらず、ほぼ同じとなることを意味する。これは、電源インピーダンスプロファイルZfが電力領域12の分散ネットワークの固有特性であるという事実によるものであり、これは、異なる電力領域12、12’、12のインピーダンスプロファイルZfが典型的には異なる挙動を示すという意味で、ロケーション特有のものである。電力領域12のZfは周波数fの関数であり、インフラストラクチャのパッケージング、階層の減結合decoupling、個々のローカルジオメトリ、ならびにコンポーネント対話共振によって決定される。インピーダンスプロファイルZfは、電力領域12に適用されるアクティビティとは関係のない、受動電子コンポーネント配線、レジスタ、コンデンサ、インダクタなどにのみ依存するため、Zfは、電力領域12を特定の、とりわけ非常に単純なアクティビティ、すなわち、関連付けられた電流および電圧スペクトルI0f、U0fの正確な決定を可能にするアクティビティに従事させることによって、評価可能である。電力領域12のZf=I0f/U0fが決定されると、電力領域12のいずれかの任意のアクティビティの電流It=Ff-1{If}は、It=Ff-1{Zf/Uf}からこのアクティビティに関して測定された、関連付けられた電源電圧スペクトルUf=FfUtから計算可能であり、電力領域12のこのアクティビティの電力消費は、Pt=UtItとして計算可能である。時間の関数として電子回路10内の所与の電力領域12の電力消費Ptを決定するためのこの方法100の概略流れ図が、図3に示されている。この方法の好ましい実施形態の概略流れ図は、図4に示されている。上記で概説したように、方法100は、電流スペクトルが特に容易に決定される非常に単純なアクティビティにこの電力領域を従事させることによって決定可能な、電力領域12のローカル電源インピーダンスプロファイルZfに依拠するステップ110。領域12のこのローカル電源インピーダンスプロファイルZfを取得するための好ましい方法が、図5の流れ図110に概略的に示されている。この方法110によれば、単純な周期アクティビティクロックツリーの周期トグルなどが電力領域12に適用されステップ111、考慮の対象となっている電力領域12内で明確に定義された量の電力を散逸させることになる。この単純な周期アクティビティは、この明確に定義された周期的に変化する負荷によって、電流消費I0tが容易に計算できるように選択される。好ましい実施形態では、この単純な周期アクティビティはクロックツリーのオンおよびオフを周期的に切り換えることにあり、結果として周波数fclkのクロックツリーは、周波数fmodの100振幅変調と重複される。クロックトグルは、典型的なICにおいて高い割合で最大動的電流消費を生成するように知られているため、電力領域12の適切な励起excitationを生じさせる。図6は、方形波で変調されたクロック信号による励起に起因した電流消費I0tの概略図を示す。この例では、クロック信号は周波数fclk=800MHzを有し、変調周波数fmod=1MHzの方形波で周期的に変調されるすなわちオンおよびオフが切り換えられる。この方形波変調クロック励起に起因した電流消費のローカル時間変動I0tは、以下のように表すことが可能であり、上式で、I0leakはリーク電流図6の例では4.3Aまでの量、I0amplは電流振幅の半分図6の例ではI0ampl=3.2Aである。両方の変調状態すなわちパラメータI0leakおよびI0amplの電源電流需要は、準静的測定から決定可能であり、電流I0leakはクロックアクティビティなしの電流測定から取得可能であるが、I0amplはクロックの連続的な動作を伴う電流測定から取得可能である。I0tが評価されると図5のステップ112を参照のこと、フーリエ級数展開によって電流消費スペクトルI0fを計算することができるステップ113。電力領域12内の単純な周期アクティビティ中に遭遇したローカルオンチップ電源電圧U0tのシグネチャsignatureは、電圧測定値セットを実行することによって決定されるステップ114。その後、このセットは周波数領域に変換されステップ115、電力領域12に適用される単純な周期アクティビティの電源電圧スペクトルU0fを引き出す。最終的に、領域12のローカル電源分散インピーダンスプロファイルZfが、電圧スペクトルU0fと電流スペクトルI0fとの比として計算されるステップ116。考慮の対象となる電力領域12に特有のしかし、この電力領域12内で実行可能な様々なアクティビティに関しては不変のパラメータである、インピーダンスプロファイルZfの評価は、チップ10上の電力領域12に適用される所与のアクティビティの電力消費プロファイルを決定するための、方法100図3のアウトセットステップ110を形成する。Zfは一般に、実部Zrefおよび虚部Zimfを備える複合関数であり、上式で、|Zf|はZの大きさであり、φはその位相であることに留意されたい。方法100のステップ122では、特定の周期アクティビティ50がこの電力領域12に適用され、たとえばオシロスコープ210を使用することによって、このアクティビティに関連付けられたローカル電源電圧Utが測定されるステップ124。たとえば周期アクティビティ50は、ADD、MULTIPLY、SUBTRACTなどを備えることが可能であり、電力領域12に特有である。図1に示されるように、電源電圧Ut測定は、電力領域12の供給リード線34をオシロスコープ210に接続すること、および、オシロスコープ210の電圧測定値から取得されたVDDとGNDとの差異を決定することによって、実施可能である。Utが決定されると、Utから周波数領域へのフーリエ変換によって、供給電圧スペクトルUfが引き出されるステップ130。その後、If=Uf/Zfを確認することによって電流It=Ff-1{If}が計算可能でありステップ140、電力消費はPt=UtItから計算可能であるステップ150。このように決定された電力消費Pは、考慮の対象である電子設計の解析または数値シミュレーションから取得された基準値Prefと比較可能であるステップ160。図1は、チップ10の電力領域12に適用される特有の周期アクティビティ50に対応する電力消費Ptを決定するためのシステム200を概略的に示す。システム200は、それぞれのアクティビティ50を電力領域12に適用するための信号生成器/変調器205、ならびに、このアクティビティ50によって生じたローカル電源電圧Utを測定するためのオシロスコープ210を備える。さらに、システム200は、メモリ222、入力/出力I/Oインターフェース224、中央処理ユニットCPU226、バス230、およびデータベース232を備えた、コンピュータシステム220を備える。メモリ222は、任意の既知のタイプのデータストレージあるいは伝送媒体またはその両方を備えることが可能であり、1つまたは複数のタイプのデータストレージを備えた単一の物理位置に常駐可能である。I/Oインターフェース224は、オシロスコープ210および信号生成器/変調器205と情報を交換するために使用される。バス230は、コンピュータシステム220内の各コンポーネント間に通信リンクを提供する。加えて、図示されていないが、外部デバイス/リソース、キャッシュメモリ、通信システム、システムソフトウェアなどの追加のコンポーネントを、コンピュータシステム220に組み込むことも可能である。データベース232は、本発明を実施するために必要な情報のためのストレージを提供する。こうした情報は、たとえば、考慮の対象である電力領域12に関するインピーダンススペクトルZf、アクティビティパターン50などを含むことができる。メモリ222には、アクティビティ活性化システム240、フーリエ変換システム242、および電力評価システム244を備える、論理システムが格納される。これらのシステムは、前述の機能を以下のように実行する。-アクティビティ活性化システム240は、信号生成器/変調器205によって電力領域12に適用されることになる、特定の周期アクティビティ50を生成するために使用される。-フーリエ変換システム242は、電力領域12でオシロスコープ210から獲得した電圧データを管理するため、これらの測定データからの電圧プロファイルUfを評価するため、電流スペクトルIf=Uf/Zfを計算するため、ならびにこの電流スペクトルIfを時間領域に変換し直すために使用される。-電力評価システム244は、電力消費Pt=UtItを評価するために使用される。方法100は、事前に定義された特有のアクティビティの実行中に電力領域12内の電力消費を査定するための信頼できる方法を構成し、広い周波数領域にわたる電力需要の量的評価に使用することができる。所与の電力領域12内の任意の所与のアクティビティに関して方法100によって決定された電力消費Ptは、このアクティビティおよびこの電力領域12に関する電力消費のシミュレーションあるいは解析モデルまたはその両方と比較し、その結果、電子回路10の設計特性を検証するかまたはこれに反論することができる。具体的に言えば、電力領域12を活性化するための特有のアクティビティは、容易にモデル化できるように選択することが可能である。方法100は、電力需要および温度特性に関する初期の設計フィードバックのために、チップおよびモジュールのテスト時に適用可能であり、方法100を使用して、IC設計時に初期の段階でそれらのローカルエネルギー消費に関して試作用チップを評価することが可能であり、結果として、たとえば、3Dパッケージングを改良すること、電源を正しく設定すること、冷却リソースを適切に配置および寸法決めすることが可能となる。選択されたハードウェア動作の特徴的な時間全体にわたってPtを累算することにより、それぞれの電力領域12内でこれらの選択されたハードウェア動作に関して消費された全エネルギーの精密な値が引き出され、次にこれを、チップ/システム設計時の電力最適化に使用することができる。上記で概説したように、方法100は、電源インピーダンスプロファイルZfがアクティビティに関して不変である、すなわち、電圧領域12内で実行している周囲アクティビティの種類および量とは無関係である、という想定に基づいている。これは一般に良好な近似であるが、一定の動作条件の下ではたとえば、リーク電流に影響を及ぼす電圧などにより、ある程度の偏差が発生する可能性があり、結果の質が低下する可能性がある。方法100は、集積回路設計時の電力消費検証に使用される場合、方法100の実行対象である特定のチップ/回路10が、このチップ/回路10の基準モデルに適合するかどうかに関する情報を引き出すステップ150を参照のこと。チップ10内の電力領域12のインピーダンスプロファイルZfが、チップ製造工程において発生する不正確さ/変動酸化層厚さ、ドーピングの変動などに関して、良好な近似まで、不変であることに留意されたい。したがって、特定のチップ10で取られた測定値および方法100によって取得された検証結果は、異なる個々のチップおよび異なる製造バッチの固有特性を査定するために使用することができる。これとは逆に、方法100によって取得された結果は、設計特性を調節するため、あるいは考慮の対象であるチップのフィーチャを製造するための、基礎として使用することができる。方法100は、電源インピーダンスZfおよび電力消費Ptの計算対象である電圧領域12が、他の電圧領域12’、12による影響を受ない、したがってそれらを独立に取り扱えるという想定に依拠している。さらに、Zfが決定されるステップ110基となる条件が、Utが測定されるステップ120基となる条件と同じであるという想定にも依拠している。したがって、電圧領域12内の特定アクティビティの電源インピーダンスZfおよび電源電圧Utを正確に決定するためには、方法110図5によって計算される電源インピーダンスZf内およびステップ120で測定される電源電圧Ut内の、干渉および歪みを避けるために、他の電圧領域12’、12が、考慮の対象となる電圧領域12から分離されているまたはスイッチがオフになっていることが必要である。方法100は、回路設計時に有用な情報を提供することに加えて、たとえば、マシンを立ち上げる際のハードウェア検証の一部として、システム性能を検証するためのシステム環境でも適用可能である。この場合、電力消費は、図2に概略的に示されたように、オンチップセルフテストシステム200’を使用して査定される。セルフテストシステム200’は活動化されると、チップ10の1つのまたはいくつかの電力領域12上でセルフテストルーチンを実行することになる。このセルフテストルーチンは、電力領域12のローカル電力消費の評価を包含することができる。この評価方法100’の好ましい実施形態の流れ図が図4に示されている。第1のステップ110’では、チップ10の電力領域12に関してインピーダンスプロファイルZfが決定され、オンチップセルフテストシステム200’内のストレージ232’に格納される。インピーダンスプロファイルZfは、図5に示された方法110を使用して評価することができる。その後、選択的ハードウェア動作50が、周期的に実行されるステップ122’。電力領域12に適用されるこの選択的周期アクティビティ50を用いて、電力領域12でのローカル電圧測定が実行されるステップ124’から126’。セルフテストシステム200’を電力領域12にリンクさせる電気接続34によって、セルフテストシステム200’内の測定システム210’によるVDDおよびGND測定が実行可能となる。測定ループ120’は所定の回数Nだけ反復されるため、連続した時間tjj=1、...、NでN個の電圧測定値が取られ、ローカル電圧値Uj=VDDtj-GNDtjが引き出される。測定は、周期アクティビティ50の端部でトリガされステップ122’、取得されたUjの値はA/D変換器215’内で計数化されて、オンチップセルフテストシステム200’のストレージ232’に格納されるステップ125’。電圧値セットUjj=1、...、Nが累算されると、このセットはフーリエ変換ユニット242’内の周波数領域に変換されステップ130’、チップ10内の電力領域12で実行している周期アクティビティ50の電源電圧スペクトルUfを引き出す。ストレージ232’は、測定値の全サンプルセットを格納できるような寸法に設定されなければならないことに留意されたい。電源電圧スペクトルUfが決定されるとステップ130’、これはインピーダンスZと共に、関連付けられた電流It=Ff-1{Uf/Zf}とステップ140’、チップ10上の電力領域12内でのアクティビティ50の電力消費Ptとステップ150’を計算するために、使用可能である。ステップ150’で計算されるような実際の電力消費を、ストレージ232’に格納された基準Prefと比較することができる。基準Prefは、電力領域12内のアクティビティ50に関連付けられた通常電力消費の特徴であるステップ150’。このコンテキストでは、電力領域12内の通常電力消費という用語は、過熱することなく良好な機能を保証するだけの十分な低さの電力消費を指示する。実際の電力消費Pと基準Prefとの比較は、セルフテストシステム200’内の比較器246’で実施され、減算によって形成可能であり、実際と基準との電力消費プロファイル間の差異Δ=P-Prefが、所定のしきい値を超えている場合、これは電力領域12内の過度の電力消費を示すものでありステップ170’、他方で、実際の電力消費Pが、基準シグネチャPrefからごくわずかな差異しか示さない場合、これは、電力領域12内の電力消費が指定と一致することを示すステップ180’。図2に概略的に示されているように、オンチップセルフテストシステム200’は、アクティビティ活性化システム240’によって生成される周期アクティビティ50を開始および終了するためのトリガユニット202’を備える。周期アクティビティ50は好ましくはチップ10上のユニット240’内で作成されるが、チップ10から離れた場所、たとえば外部ユニット300内でも生成可能である。トリガユニット202’がたとえば、好ましくはシステム起動時にシステムセルフテストユニット200’からトリガ信号を受信することによって、または周期的な自動システムセルフテストを開始することによって活動化された場合は必ず、トリガユニット202’はアクティビティ活性化システム240’をトリガして、電力領域12内の周期アクティビティ50を開始し、電力領域12内の他のすべてのアクティビティが遮断されることを保証する。その後、トリガユニット202’は測定モジュール210’をトリガし、ストレージユニット232’内に格納されるローカル電圧データUiを獲得する。セルフテストシステム200’をチップ10内のいくつかの電力領域12、12’、12に接続することによって、複数の場所に対して同時にまたは連続して方法100’を実施することができる。セルフテスト方法100’は、チップ10内のローカル電力消費が、所定の指定に一致するかどうかを決定するために使用することができる。Pが1つまたはいくつかの電力領域内で基準Prefから逸脱していることがわかった場合、対応する制御フラグをオンチップセルフテストシステム200’内に立てること、あるいは、電力領域12が過度の電力を消費しており、過熱のすなわちホットスポットを生じさせている可能性があることを示す制御信号をシステムセルフテストユニット300に送信すること、またはその両方が実行可能である。この情報に基づき、システムセルフテストユニット300は、システムユーザに警告を発し、欠陥が検出された特定のチップ10あるいは電力領域12またはその両方に関する情報を提供することができる。方法100’は予想外の電力需要ピークを検出することができるため、セルフテストシステム200’を電力グリッチglitch検出にも使用できることに留意されたい。連続的な電力需要のサンプリングおよび記録が実行可能であり、インシデント後に回復コードによってその結果を分析することができる。ストレージ232’ならびに比較器246’などのセルフテストシステム200’のいくつかの機能は、異なる場所すなわち、たとえばチップ10がその一部を形成するコンピューティングシステムのマザーボード上などの、チップ10外部に完全にまたは部分的に常駐できることに留意されたい。測定値のオンラインストレージに高速RAMアクセスが必要であるため、ストレージ232’は、好ましくはチップ10上に配置される。