入射光を受光する前面21と、前記前面に対向する裏面22とを有する少なくとも1つの半導体材料のウェーハ2を備える太陽電池1であって、前記裏面22は電気接点32と、入射光を前記ウェーハのコアへと配向し直すことができる、光学構造体と称される不連続な構造体4とを備え、前記構造体4は、シリカ、シリコン酸化物、水素リッチであることが可能な窒化ケイ素、炭化ケイ素、アルミナすなわちより一般的には酸化アルミニウム、二酸化チタン、窒化チタン、フッ化マグネシウム、無水タンタル、グラファイトまたは多孔質シリコンから選択される物質で製造されることを特徴とする太陽電池。前記半導体材料のウェーハ2の厚さは10μmから200μmであり、好ましくは10μmから180μmであり、さらに好ましくは50μmから150μmである、請求項1に記載の太陽電池。前記光学構造体4は周期的なパターンの構造を有し、これによりこれらのパターンは入射光のための回折格子を形成する、請求項1または2に記載の太陽電池。前記光学構造体4の前記パターンのピッチは、前記半導体材料のウェーハの前記裏面により形成される平面の両方向で300nmから2μmである、請求項1~3の何れか1項に記載の太陽電池。前記光学構造体4のパターンの幅は100nmから2μmである、請求項3または4に記載の太陽電池。前記光学構造体4のパターンの高さは20nmから5μmである、請求項3~5の何れか1項に記載の太陽電池。前記パターンは線、バンプ接点または穴の形態である、請求項3~6の何れか1項に記載の太陽電池。前記電気接点32は、次の物質、即ちアルミニウム、銀、銅、ニッケル、白金、クロム、タングステン、ナノチューブ形態のカーボンまたは透明導電性酸化物のうちの1つから選択される物質で製造される、請求項1~7の何れか1項に記載の太陽電池。前記光学構造体4は、前記半導体材料のウェーハ2と前記電気接点32との間に配置される、請求項1~8の何れか1項に記載の太陽電池。前記半導体材料のウェーハ2の前記前面21は、例えば、ピラミッド構造により、または多少ランダムに配置される表面粗さにより形成される光学構造体をさらに備え、前記ピラミッド構造は、その平面の角度が前記半導体材料の結晶軸に相当する、請求項1~9の何れか1項に記載の太陽電池。入射光を受光する前面21と、前記前面に対向する裏面22とを有する少なくとも1つの半導体材料のウェーハ2を備える太陽電池1を製造するための方法であって、前記方法は、前記半導体材料のウェーハから、下記のステップ、即ち、a前記ウェーハ2の前記裏面22に、入射光を前記ウェーハのコアへと配向し直すことができる光学構造体と称される不連続な構造体4を、シリカ、シリコン酸化物、水素リッチであることが可能な窒化ケイ素、炭化ケイ素、アルミナすなわちより一般的には酸化アルミニウム、二酸化チタン、窒化チタン、フッ化マグネシウム、無水タンタル、グラファイトまたは多孔質シリコンから選択される物質で製造するステップと、b前記光学構造体および前記ウェーハの前記裏面を覆う導電材料層3を蒸着するステップと、c前記導電材料層と前記半導体材料のウェーハとの間に電気接点32を形成するために、前記半導体材料のウェーハ、前記光学構造体および前記導電材料層によりこうして形成されるアッセンブリの焼付けを、前記光学構造体を形成する物質の融解温度より低い温度で実行するステップと、を含むことを特徴とする方法。前記ステップaは、下記のステップ、即ち、a1半導体材料のウェーハ上、半導体材料のウェーハの裏面上へ樹脂層を蒸着するステップと、a2樹脂層内への逆パターンのリソグラフィ印刷を行うステップと、a3前記光学構造体を形成するために、ステップbで蒸着される物質の融解温度より高い融解温度を有し、かつ樹脂およびウェーハ裏面の双方を覆う物質層を蒸着するステップと、a4前記ステップa3で蒸着された物質が樹脂上に位置決めされた状態で前記樹脂を除去するステップと、を含む、請求項11に記載の方法。前記ステップbと前記ステップcとの間に、前記ステップbが完了すると得られる構造体の前記金属層3上へ、穿孔を有する熱スクリーンを位置合わせして、前記スクリーンの穿孔を前記光学構造体4の2パターン41間に残される隙間と一致させるステップが設けられている、請求項11または12に記載の方法。前記導電材料3は次の物質、即ちアルミニウム、銀、金、銅、ニッケル、白金、クロムまたはタングステン、ナノチューブ形態のカーボンまたは透明導電性酸化物のうちの1つによって選択される、請求項11~13の何れか1項に記載の方法。したがって、本発明の1つの目的は、既存の太陽電池の光電変換効率より優れた光電変換効率を実現する太陽電池を提案することにある。本発明の別の目的は、既存の電池よりも厚さが低減され、かつ、既存の電池と同等、できればさらに優れた光電変換効率を有する太陽電池を提案することにある。これらの目的の少なくとも一方を達成するために、本発明は、入射光を受光する前面と、前面に対向する裏面とを有する少なくとも1つの半導体材料のウェーハを備える太陽電池であって、裏面は、電気接点と、入射光をウェーハのコアへと配向し直すことができる光学構造体と称される不連続な構造体とを備えることを特徴とする太陽電池を提案する。本太陽電池は、下記の他の技術的特性を、単独または組み合わせで提供することができる:-半導体材料のウェーハの厚さは10μmから200μmであり、好ましくは10μから180μm、より好ましくは50μmから150μmである。-光学構造は周期的なパターンの構造を有し、これによりこれらのパターンは入射光の回折格子を形成する。-光学構造体のパターンのピッチは、半導体材料のウェーハの裏面により形成される平面の両方向で300nmから2μmである。-光学構造体のパターンの幅は、100nmから2μmである。-光学構造体のパターンの高さは、20nmから5μmである。-パターンは、線、バンプ接点または穴の形態である。-電気接点は、下記の材料、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、白金、クロム、タングステン、ナノチューブ形態のカーボンまたは透明導電性酸化物のうちの1つにより選択される材料で製造される。-光学構造体は、シリカ、水素リッチであることが可能な窒化ケイ素、炭化ケイ素、アルミナ、二酸化チタン、窒化チタン、フッ化マグネシウム、無水タンタルまたはグラファイトから選択される物質である。-光学構造体は、半導体材料のウェーハと電気接点との間に配置される。-光学構造体は電気接点機能を有し、パッシベーション層が電気接点を覆う。-半導体材料のウェーハの前面も、例えばピラミッドの平面の角度が半導体材料の結晶軸に相当するピラミッド構造により、または多少ランダムに配置される表面粗さにより形成される光学構造体を備える。これらの目的のうちの少なくとも1つを達成するために、本発明は、入射光を受光する前面と、前面に対向する裏面とを有する少なくとも1つの半導体材料のウェーハを備える太陽電池を製造するための方法も提案し、本方法は、半導体材料のウェーハから、下記のステップ、即ち、aウェーハの裏面に、入射光をウェーハのコアへと配向し直すことができる光学構造体と称される不連続な構造体を製造するステップと、b光学構造体およびウェーハの裏面を覆う導電材料層を蒸着するステップと、c導電材料層と半導体材料のウェーハとの間に電気接点を形成するために、半導体材料のウェーハ、光学構造体および導電材料層によりこうして形成されるアッセンブリの焼付けを、光学構造体を形成する物質の融解温度より低い温度で実行するステップと、を含むことを特徴とする。本発明による方法は、他の技術的特性を単独で、または組み合わせで提供することができる:-ステップaは、下記のステップ、即ち、a1半導体材料のウェーハ上、半導体材料のウェーハの裏面上へ樹脂層を蒸着するステップと、a2樹脂層内への逆パターンのリソグラフィ印刷を行うステップと、a3前記光学構造体を形成するために、ステップbで蒸着される物質の融解温度より高い融解温度を有し、かつ樹脂およびウェーハ裏面の双方を覆う物質層を蒸着するステップと、a4前記ステップa3で蒸着された物質が樹脂上に位置決めされた状態で前記樹脂を除去するステップと、を含む。-ステップbとステップcとの間に、前記ステップbが完了すると得られる構造体の前記金属層3上へ、穿孔を有する熱スクリーンを位置合わせして、前記スクリーンの穿孔を前記光学構造体4の2パターン41間に残される隙間と一致させるステップが設けられている。また本発明は、入射光を受光する前面と、前面に対向する裏面とを有する少なくとも1つの半導体材料のウェーハを備える太陽電池を製造するための代替方法も提案し、本方法は、半導体材料のウェーハから、下記のステップ、即ち、a’ウェーハの裏面に、入射光をウェーハのコアへと配向し直すことができる不連続な導電材料で充填された光学構造体を製造するステップと、b’材料と半導体材料のウェーハとの間に電気接点を形成するために、半導体材料のウェーハおよび導電材料で充填された光学構造体によりこうして形成されるアッセンブリの焼付けを実行するステップと、c’導電材料で充填された光学構造体およびウェーハの裏面を覆うパッシベーション層を蒸着するステップと、を含むことを特徴とする。本発明によるこの代替方法は、他の技術的特徴を提供することができる:-ステップa’は、下記のステップ、即ち、a’1半導体材料のウェーハの裏面上への樹脂層の蒸着、a’2樹脂層内への逆パターンのリソグラフィ印刷、a’3光学構造体を形成するための、樹脂およびウェーハ裏面の双方を覆う導電材料層の蒸着、a’4ステップa3で蒸着された物質が樹脂上に位置決めされた状態での樹脂の除去。-ステップa’とステップb’との間に、ステップa’が完了すると得られる構造体の導電材料による光学構造体上へ有孔の熱スクリーンを、スクリーンの穿孔が光学構造体の2パターン間に残される隙間と一致するように、位置合わせするステップが設けられている。最後に、本発明による方法のうちの1つまたはその他は、導電材料が次の物質、即ちアルミニウム、銀、金、銅、ニッケル、白金、クロムまたはタングステン、ナノチューブ形態のカーボンまたは透明導電性酸化物のうちの1つによって選択されるように規定することができる。本発明の他の特徴、目的および優位点は、下記の図面を参照して行う以下の詳細な説明から明らかとなるであろう。太陽電池1は、入射光図1および図2では、矢印Lで表されているを受光する前面21と、前面21に対向する裏面22とを有する少なくとも1つの半導体材料のウェーハ2を備える。太陽電池1は、ウェーハ2の裏面22上に、電気接点32、およびウェーハ2の前面21上に入射光を通させるように一般に格子形態である電気接点31も備える。電気接点という用語は、接点を形成すべく選択される物質と、物質と半導体材料のウェーハとの間の合金領域との関連づけを意味するものとして理解されるべきである。裏面22は、不連続であって入射光をウェーハのコアへと配向し直すことができる、以下光学構造体4と称する構造体を備える。不連続構造体という用語は、複数の独立したパターンにより形成され、よって不連続である構造体を意味するものとして理解されるべきである。好ましくは、この光学構造体4は、入射光を入射光の光線とは異なる角度で配向し直すように配列される。したがって、ウェーハのコアにおける光子の移動長さは増加する。この目的に沿って、光学構造体4はパターン41の周期的構造化を呈し、よってこれらのパターン41は入射光のための回折格子を形成する。パターン41は、線、バンプ接点の形態で、または穴形態で配列されてもよい。これらの線またはこれらのバンプ接点は、製造方法の性質に依存して様々な形態を有してもよい。したがって、これらは、長方形、三角形または円形もしくは半円であるプロファイル横断面を有してもよい。パターン41のピッチP、換言すれば2パターン間の距離は、半導体材料のウェーハ2の裏面22により形成される平面の両方向で300nmから2μmである。これらのパターンの幅は、10nmから2μmである。結局のところ、これらのパターンの高さは、20nmから5μmである。例えば、パターン41は、100nmの高さhと、40nmの幅lとを有してもよい。2パターン間のピッチPは、1μmであることが可能である。出願人は、シリコンウェーハの裏面へこれらのパターンを製造しかつアルミニウム層を蒸着して電気接点を形成した後、次数ゼロについて反射率38、およびより高い次数について反射率62を決定することができた。図1に表されている電池は、電気接点32とは区別される光学構造体4を備える。光学構造体4は、半導体材料のウェーハ2と電気接点32との間に配列される。電気接点32を形成するように選択される物質は、下記の金属、即ちアルミニウムAl、銀Ag、金Au、銅Cu、ニッケルNi、白金Pt、クロムCrまたはタングステンWのうちの1つから採用することが可能である。よって、電気接点32は金属接点である。変形例として、この物質は、非金属物質であり導電体でもある、カーボンナノチューブまたは透明導電性酸化物頭字語TCOで知られることの方が多い等であってもよい。光学構造体4は、シリコンの酸化物、窒化ケイ素、炭化ケイ素、アルミニウムの酸化物アルミナまたは二酸化チタンこれら全て、非晶質である場合も結晶である場合も、完全に化学量論的である場合もない場合も、完全に純粋である場合もない場合もあるから選択される物質で製造される。また、この光学構造体4に関しては、窒化チタンTiN、フッ化マグネシウムMgF2、無水タンタルTa2O5、グラファイトまたは多孔質シリコンを用いることも可能である。これらの物質は、通常の焼付け温度より高い温度で物理的に安定である。太陽電池の製造に一般に使用される焼付け温度は、900°C以下であるこれらの物質は、明らかに、この温度までは化学的に安定である。より一般的には、光学構造体4の形成には、共融体を生成する可能性が高い別の物質との界面においても少なくとも900°Cまでは物理的に安定な物質が選択される。したがって、この物質は、上述の界面における場合を含んで、この温度までは固相のままである。このため、焼付けの間、光学構造体4は消失も、崩壊もしない。これらの物質には、例えばシリコンで製造される半導体材料のウェーハ2との界面において組換え欠損を引き起こさないという優位点もある。本発明に適合する太陽電池1は、例えば、シリコン製のウェーハ2と、二酸化ケイ素製の光学構造体4と、アルミニウム製の電気接点32とを備えることができるであろう。この場合、焼付けはアルミニウムとシリコンとの間の共融温度、即ち約577°Cで実行されることが可能であり、この温度においてSiO2はSiO2/Al界面で、SiO2/Si界面で、かつまさにSiO2のコアで固相のままである。よって、アルミニウムとシリコンとが融解しても、二酸化ケイ素製光学構造体は変化しない。これについては、金属と半導体材料のウェーハとの間に合金領域23が表されている図3を参照することができる。先に挙げた物質による他の関連づけも、明らかに予見することができる。非限定的な別の例を挙げると、太陽電池1は、シリコン製のウェーハ2と、窒化チタン製の光学構造体4と、銅製の電気接点とを備えてもよい。変形例として、図2に示されているように、光学構造体4は電気接点32によって形成される。この場合、電気接点32は、半導体材料のウェーハ2の裏面22上へ配列された不連続パターンの形態をとる。電気接点32を形成するように選択される物質は、下記の金属、即ちアルミニウムAl、銀Ag、金Au、銅Cu、ニッケルNi、白金Pt、クロムCrまたはタングステンWのうちの1つから採用することが可能である。よって、電気接点32は金属接点を形成する。変形例として、この物質は、非金属物質であり導電体でもある、カーボンナノチューブまたは透明導電性酸化物等であってもよい。この場合もやはり、光学構造体4を形成する電気接点32を覆う、パッシベーション層5と称される導電体でない物質製の層が設けられている。このパッシベーション層5も、光学構造体4のパターン41間で半導体材料のウェーハ2の裏面22と接触する。このパッシベーション層5は、窒化ケイ素、恐らくは水素またはその他が添加された酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウムアルミナまたは二酸化チタンで製造することが可能である。この場合もやはり、裏面22の電気接点32を形成する物質は、非網羅式に次の金属、即ちアルミニウム、銀、金、銅、ニッケル、白金、クロムまたはタングステンのうちの1つから選択することが可能である。これもやはり、カーボンナノチューブまたは透明導電性酸化物等の非金属である導電性物質から選択することが可能である。さらに、半導体材料のウェーハ2の前面21も、電池1の光起電力変換効率をさらに高めるために、光学構造体不図示を備えてもよい。例えば、この追加的な光学構造体は、ピラミッドの平面の角度が半導体材料2の結晶軸に相当するピラミッド構造によって、または多少ランダムに配置される表面粗さによって形成することができるであろう。図1および図2に示されている全ての構造体で、半導体材料のウェーハ2の厚さeは、既存のウェーハの厚さである、換言すれば180μmから200μmであることができるであろう。変形例として、この厚さeは、厳密に180μm未満であってもよい。より具体的には、半導体材料のウェーハ2の厚さeは、厳密に180μm未満でありかつ10μm以上であってもよい。例えば、この厚さeは、50μmから150μmであってもよい。図1および図2の太陽電池の製造方法は、半導体材料のウェーハの前面21上へ電気接点31を形成するステップを省いて図3および図4に各々表されている。図3には、図1の太陽電池をもたらす方法の全てが表されている。図1に示されている太陽電池の製造に際しては、半導体材料のウェーハ2から下記の方法が採用される。aウェーハ2の裏面22上へ、入射光をウェーハ2のコアへと配向し直すことができる不連続な光学構造体4が製造される。b光学構造体4およびウェーハ2の裏面22を覆うように、導電材料層3が蒸着される。c半導体材料のウェーハ2、光学構造体4および導電材料層3によりこうして形成されたアッセンブリは、導電材料層3と半導体材料のウェーハ2との間に電気接点32を形成するために、光学構造体4を形成する物質の融解温度より低い温度で焼き付けられる。図1に示されている太陽電池を得るために、ステップaは、リフトオフとして知られる方法によって実行することが可能である。この場合、ステップaは下記のステップを含む。a1半導体材料のウェーハ2の裏面22上への樹脂層6の蒸着。a2樹脂層6における逆パターンのリソグラフィ印刷。a3光学構造体を形成するための、ステップbで蒸着される導電材料の融解温度より高い融解温度を有しかつ樹脂およびウェーハ裏面の双方を覆う物質層41の蒸着。a4ステップa3において樹脂上へ蒸着された物質を伴う樹脂の除去。よって、裏面上へ蒸着された物質自体のみが残る。ステップa3において蒸着される層の厚さは、例えば蒸着の持続時間を制御することによって制御可能であることは留意すべきである。実際には、光学構造体4は、その厚さに依存して、例えばシリコン製である半導体材料2におけるイオン成分の拡散を許容する場合も、許容しない場合もある。これに当てはまるのが、ステップbにおいて蒸着される物質が金属である場合である。すなわち、イオン成分が金属層から発生して光学構造体4を通っていく金属イオンである場合である。動作の間、これは、光起電力変換により発生されかつ前面を介して抽出されなければならない電荷を、これらの電荷のトラップである組換え欠損が位置づけられるウェーハ2の裏面22から遠くへ追いやる電界効果を強める。実際に、界面においては、自由電荷をトラップする所謂組換え欠損が依然として存在する。ステップbは、真空蒸着によって、イオンビームスパッタリングによって、または当業者に知られる他の技術によって実行することが可能である。焼付けステップcは、例えばシリコンである半導体材料のウェーハ2と、例えばアルミニウム等の金属である物質3との間に合金領域23を暴露させる。光学構造体4のパターン41の形は、この焼付けステップcによって影響されず、よって、特に文献D1の教示とは相違して、このステップがこの光学構造体4の予期される光学特性を変更することはない。ステップcの実装に先立って、ステップbの完了により得られた構造体の金属層3上で穿孔された熱スクリーン不図示を位置合わせすれば、焼付けを局在化することが可能である。穿孔された熱スクリーンの位置合わせは、その穿孔が光学構造体4の2つのパターン41間に残る隙間に一致する類のものであり、よって、スクリーンは光学構造体4のパターン41に一致する。したがって、焼付けの間、熱スクリーンは、構造体に渡る温度分布を修正することを可能にする。スクリーンとの接触部位では、半導体材料のウェーハ2の温度は局所的に、穿孔部位よりも低くなる。したがって、共融点は、スクリーンの穿孔部位においてより迅速に到達され、スクリーンに接触する金属部位は変形されない。よって、後続の製造ステップの間は、この領域のドーピングを回避するために、例えば不純物の拡散ステップの間に裏面を防護することによって、この事実を考慮することが必要である。熱スクリーンの使用は、例えば焼付けがランプ炉で実行される場合に特に効果的である。合金領域は、特にシリコン/アルミニウム合金の場合、使用に際して光起電力変換により発生される電荷を、組換え欠損が位置するウェーハ2の裏面22から遠くへ追いやる電界効果を生み出すという優位点を有する。例えば、電気接点32がアルミニウムおよびシリコン製ウェーハ2によって生成される場合、焼付けは共融温度、即ち約577°Cで実行されることが可能である。この温度において、光学構造体4を形成する物質は物理的かつ化学的に安定している。焼付けの持続時間は、とりわけ、所望される光学的機能、即ち裏面上の反射率、回折効率を考慮することにより、最適化される。図4には、図2の太陽電池を製造する方法全体が表されている。図2に示されている太陽電池の製造に際しては、半導体材料のウェーハ2から下記の方法が採用される。a’ウェーハ2の裏面22上へ、入射光をウェーハ2のコアへと配向し直すことができる不連続な導電材料3で形成された光学構造体4が製造される。b’導電材料3と半導体材料のウェーハ2との間に電気接点32を形成するために、半導体材料のウェーハ2および導電材料で充填された光学構造体4により形成されるアッセンブリが焼き付けられる。c’導電材料で充填された光学構造体4およびウェーハ2の裏面22を覆ってパッシベーション層5が蒸着される。ステップa’は、図2に示されている太陽電池を得るために、リフトオフ法によって実行することが可能である。この場合、ステップaは下記のステップを含む:a’1半導体材料のウェーハの裏面上への樹脂層の蒸着。a’2樹脂層内への逆パターンのリソグラフィ印刷。a’3光学構造体を形成するための、樹脂およびウェーハ裏面の双方を覆う導電材料層の蒸着。a’4ステップa3において樹脂上へ蒸着された物質を伴う樹脂の除去。よって、裏面22上へ蒸着された物質自体のみが残る。ステップa’3は、真空蒸着によって、イオンビームスパッタリングによって、または当業者に知られる他の技術によって実行することが可能である。さらに、焼付けステップb’は、半導体材料のウェーハ2例えばシリコンと、電気接点32例えば依存するパッシベーション特性を有するアルミニウムで製造されるとの間に合金領域23を暴露する。電気接点がシリコンウェーハ上へアルミニウムで製造される場合、焼付けは共融温度、即ち約577°Cで実行することが可能である。この場合もやはり、光学構造体4のパターン41はこの焼付けステップb’によって影響されず、よって、特に文献D1の教示とは相違して、このステップがこの光学構造体4の予期される光学特性を変更することはない。焼付けを、パターンレベルで局在化することは可能である。このために、ステップb’の実装に先立って、ステップa’の完了により得られた導電材料3の光学構造体の上へ穿孔された熱スクリーン不図示を位置合わせすることが可能である。穿孔された熱スクリーンの位置合わせは、その穿孔が光学構造体4のパターンに一致する類のものであり、よってスクリーンは、光学構造体4のパターン41間の隙間に一致する。したがって、焼付けの間、熱スクリーンは、構造体に渡る温度分布を修正することを可能にする。スクリーンとの接触部位では、半導体材料のウェーハ2の温度は局所的に、穿孔部位よりも低くなる。したがって、共融点は、スクリーンの穿孔部位において、換言すればパターンレベルでより迅速に到達され、スクリーンに接触する半導体材料のウェーハの部位は変形されない。よって、後続の製造ステップの間は、この事実を考慮することが必要である。例えば、この領域のドーピングを回避するために、不純物の拡散ステップの間に裏面を保護する。熱スクリーンの使用は、例えば焼付けがランプ炉で実行される場合に特に効果的である。パッシベーション層の蒸着に存するステップc’は、恐らくはプラズマ支援の化学気相蒸着によって実行することが可能である。予見される製造方法が何であれ、パッシベーションの強化を目的とする追加ステップは、例えば水素添加によって予見することが可能である。上述の異なる製造方法において実装されるリソグラフィ印刷ステップは、レーザリソグラフィ、干渉リソグラフィによって実行することが可能である。これらは、わずかであるとは言えない平面度の欠陥、換言すれば高さ0.1μmを超える平面度の欠陥を有する非平面の表面上で有効に機能するであろう。これらの平面度の欠陥は、より一般的には、高さ0.1μmから10μmである。また、リソグラフィックにプリントされるべき表面を、例えば化学的手段によってまずは平滑化することにより、他のリソグラフィ法を採用することも可能である。これらの異なる技術は、当業者には既知である。