レーザー光の照射により記録が行われる光情報記録媒体用記録膜であって、Mnと;Bi、Ag、Co、Cu、In、Sn、およびZnよりなる群X群から選択される少なくとも一種の元素X群元素と;酸素Oと、を含み、Mnの少なくとも一部、およびX群元素の少なくとも一部が酸化されていることを特徴とする光情報記録媒体用記録膜。前記X群元素がBiであり、全金属元素MnBiに対するMnの原子比が20超、60以下である請求項1に記載の光情報記録媒体用記録膜。前記X群元素がInであり、全金属元素MnInに対するInの原子比が20超、80以下である請求項1に記載の光情報記録媒体用記録膜。前記X群元素がCuであり、全金属元素MnCuに対するMnの原子比が10超、80以下である請求項1に記載の光情報記録媒体用記録膜。前記X群元素がBiおよびCuであり、全金属元素MnBiCuに対するBiの原子比が10以上、40以下であり、且つ、全金属元素MnBiCuに対するMnの原子比が20超、40以下である請求項1に記載の光情報記録媒体用記録膜。前記X群元素がBiおよびInであり、全金属元素MnBiInに対するBiの原子比が20以上、40未満であり、且つ、全金属元素MnBiInに対するInの原子比が20超、40以下である請求項1に記載の光情報記録媒体用記録膜。前記X群元素がAg、およびInであり、全金属元素MnAgInに対するMnの原子比が30超、50以下であり、且つ、全金属元素MnAgInに対するInの原子比が30以上、50未満である請求項1に記載の光情報記録媒体用記録膜。前記X群元素がBi、Cu、およびCoであり、全金属元素MnBiCuCoに対するMnの原子比が20以上、40以下であり、全金属元素MnBiCuCoに対するCuの原子比が10以上、35以下であり、且つ、全金属元素MnBiCuCoに対するBiの原子比が10以上、30以下である請求項1に記載の光情報記録媒体用記録膜。請求項1~8のいずれかに記載の記録膜を備えた光情報記録媒体。請求項1~8のいずれかに記載の記録膜を備え、且つ、前記記録膜の上および/または下に誘電体層を備えた光情報記録媒体。前記記録膜の膜厚が10~100nmであり、前記誘電体層の膜厚が2~30nmである請求項10に記載の光情報記録媒体。請求項1~8のいずれかに記載の光情報記録媒体用記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、Mnと;Bi、Ag、Co、Cu、In、Sn、およびZnよりなる群X群から選択される少なくとも一種の元素X群元素と、を含み、残部:不可避的不純物であることを特徴とするスパッタリングターゲット。光情報記録媒体に求められる要求特性としては、照射されるレーザー光により記録が可能かどうかが重要であり、具体的には、実用的な記録パワーで記録が可能であること、記録信号が再生に十分な信号振幅を有すること高い変調度を有すること、記録信号の正確性が高いことなどが挙げられる。更に、再生に十分な反射率を有することも重要である。しかし、従来技術として開示されている記録材料は、これらの要求特性を記録材料単体単層膜で満たすことが難しく、積層構造とすることが必須であった。例えば前記相変化方式では、記録膜単独での反射率が低いため、光ディスク状態での反射率を高めるために反射膜が必要であり、かつ変調度を増加させるため、記録膜の上下にZnS-SiO2などの誘電体層も設ける必要があり、光ディスクを構成する層数が多くなる。また、前記層間反応方式でも複数の記録膜が必要であることから、光ディスクを構成する層数が多くなり、生産性が低下するという問題がある。これに対し、前記孔開け方式は、記録膜自体の反射率が高く、且つ、大きな変調度も確保できるため、光ディスクを構成する層の数を低減できるが、より高い記録感度を達成するにあたっては、更なる改善が必要である。本発明はこの様な事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、光情報記録媒体の層数を低減しながら上記要求特性低い記録パワーで記録が可能であること、高い変調度を有すること、低いジッター値を有すること、再生に十分な高い反射率を有することをすべて満足し、生産性を高めることのできる光情報記録媒体用記録膜と、当該記録膜を備えた光情報記録媒体、および当該記録膜の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供することにある。上記課題を解決し得た本発明の光情報記録媒体用記録膜は、レーザー光の照射により記録が行われる光情報記録媒体用記録膜であって、Mnと;Bi、Ag、Co、Cu、In、Sn、およびZnよりなる群X群から選択される少なくとも一種の元素X群元素と;酸素Oと、を含み、Mnの少なくとも一部、およびX群元素の少なくとも一部が酸化されているところに要旨を有するものである。本発明の好ましい実施形態において、前記X群元素がBiであり、全金属元素MnBiに対するMnの原子比が20超、60以下である。本発明の好ましい実施形態において、前記X群元素がInであり、全金属元素MnInに対するInの原子比が20超、80以下である。本発明の好ましい実施形態において、前記X群元素がCuであり、全金属元素MnCuに対するMnの原子比が10超、80以下である。本発明の好ましい実施形態において、前記X群元素がBiおよびCuであり、全金属元素MnBiCuに対するBiの原子比が10以上、40以下であり、且つ、全金属元素MnBiCuに対するMnの原子比が20超、40以下である。本発明の好ましい実施形態において、前記X群元素がBiおよびInであり、全金属元素MnBiInに対するBiの原子比が20以上、40未満であり、且つ、全金属元素MnBiInに対するInの原子比が20超、40以下である。本発明の好ましい実施形態において、前記X群元素がAg、およびInであり、全金属元素MnAgInに対するMnの原子比が30超、50以下であり、且つ、全金属元素MnAgInに対するInの原子比が30以上、50未満である。本発明の好ましい実施形態において、前記X群元素がBi、Cu、およびCoであり、全金属元素MnBiCuCoに対するMnの原子比が20以上、40以下であり、全金属元素MnBiCuCoに対するCuの原子比が10以上、35以下であり、且つ、全金属元素MnBiCuCoに対するBiの原子比が10以上、30以下である。本発明には、上記のいずれかに記載の記録膜を備えた光情報記録媒体も包含される。また、本発明には、上記のいずれかに記載の記録膜を備え、且つ、前記記録膜の上および/または下に誘電体層を備えた光情報記録媒体も包含される。本発明の好ましい実施形態において、前記記録膜の膜厚が10~100nmであり、前記誘電体層の膜厚が2~30nmである。また、上記課題を解決し得た本発明のスパッタリングターゲットは、上記のいずれかに記載の光情報記録媒体用記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、Mnと;Bi、Ag、Co、Cu、In、Sn、およびZnよりなる群X群から選択される少なくとも一種の元素X群元素と、を含み、残部:不可避的不純物であるところに要旨を有するものである。本発明によれば、実用的な比較的低い記録レーザーパワーであっても高い変調度および低いジッター値を達成でき、しかも光情報記録媒体としたときの反射率も十分に高い光情報記録媒体用記録膜特には、追記型光情報記録媒体用記録膜、および当該記録膜を備えた光情報記録媒体特には、追記型光情報記録媒体を提供することができる。また、本発明によれば、上記記録膜の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供することができる。本発明者らは、上記特性を備えた光情報記録媒体用記録膜を提供するため、検討を重ねてきた。その結果、Mnは、記録膜自体の屈折率を増加させるのに極めて有用な元素であること;更に上記特性の向上には、Bi、Ag、Co、Cu、In、Sn、およびZnよりなる群X群から選択される少なくとも一種の元素X群元素を併用することが不可欠であること;更に酸素Oを添加し、記録膜中に含まれるMnの少なくとも一部、およびX群元素の少なくとも一部が酸化された無機酸化物を形成させれば、当該無機酸化物が入射するレーザー光の熱によって分解されて規定のマークを形成し、記録できることを見出し、本発明を完成した。ここでMnの少なくとも一部、およびX群元素の少なくとも一部が酸化されたとは、本発明を構成する金属元素はすべて、当該金属元素の少なくとも一部が酸化されていることを意味する。例えば、X群元素として二種類以上の元素を含む場合は、当該二種類以上の元素のいずれもが、少なくとも一部酸化されていることを意味する。また少なくとも一部とは、MnおよびX群元素上記のとおり二種類以上のX群元素を含むときはすべてのX群元素が、化学量論組成比を満足するような状態で酸化されている必要は必ずしもなく、化学量論組成比を下回る程度に酸化されている態様も含む趣旨である。ただし、無機酸化物の分解による記録性能を有効に発揮させるには、化学量論組成比を満足するように酸化されていることが好ましく、より好ましくは化学量論比を超えて過酸化物の状態で存在することが推奨され、これにより分解温度を一層低減できるため、記録性能が更に向上する。すなわち、本発明の光情報記録媒体用記録膜は、レーザー光の照射により記録が行われる光情報記録媒体用記録膜であって、Mnと;Bi、Ag、Co、Cu、In、Sn、およびZnよりなる群X群から選択される少なくとも一種の元素X群元素と;酸素Oと、を含み、Mnの少なくとも一部、およびX群元素の少なくとも一部が酸化されているところに特徴があり、上記記録膜は、Mn-X群元素-Oで表わすことができる。X群元素は上記のX群から選択される少なくとも一種の元素であり、二種以上が含まれていても良い。上記記録膜に含まれるMnおよびX群元素の含有量は、上記記録膜を構成する組成によって変化し得、所望の特性が発揮されるように適宜好適な範囲を選択することができる。本明細書では、記録膜を構成する全金属元素酸素を除く中の金属元素の原子比を単に金属比と呼ぶ場合がある。例えば記録膜がMnおよびBiを含み、Mn-Bi-Oで表わされる場合、全金属元素MnBiに対するMnの原子比をMn比と呼ぶ場合がある。本発明では、低い記録パワーで記録が可能であること詳細には後記する実施例に記載の方法により記録パワーを測定したとき、記録パワーが9.0mW以下であること、高い変調度を有すること詳細には後記する実施例に記載の方法により変調度を測定したとき、変調度が0.4以上であること、低いジッター値を有すること詳細には後記する実施例に記載の方法によりジッター値を測定したとき、ジッター値が6.5以下であることのすべてを満足するものを記録感度記録特性に優れると呼ぶ場合がある。また本発明では、再生に十分な高い反射率を有すること詳細には後記する実施例に記載の方法により反射率を測定したとき、反射率が4以上であることを反射特性に優れると呼ぶ場合がある。本発明の光情報記録媒体は、上記要件をすべて満足するものである。以下、詳細に説明する。Mnについて本発明の光情報記録媒体用記録膜は、Mnを含有し、且つ、Mnの少なくとも一部が酸化されているものである。これにより、記録感度に優れると共に、反射特性も優れた光情報記録媒体が得られる。本発明においてMnは、記録膜自体記録膜単層の屈折率を増加させて高い反射率を確保するのに有用な元素として、本発明者らの基礎実験により選択された元素である。以下、Mnを選択するに至った基礎実験について、表1を参照しながら説明する。表1には、ガラス基板厚さ0.7mm上に表1に示す種々の組成の記録膜厚さ20nmを成膜した試料記録膜単層について、ウームラ社製のエリプソメトリーM-2000Uを用いて屈折率光学定数と同義を測定した結果を示している。表1には、上記試料について、分光光度計を用いて記録膜単層の反射率を測定した結果も併記している。参考のため、図1に、試料No.1~4Bi-Mn-Oについて、屈折率と反射率の関係をプロットした図を示す。図1では、左側から順に、Mn比=20No.1、40No.2、60No.3、80No.4の結果をそれぞれ示している。表1および図1より、Bi-Mn-Oの試料No.1~4では、Mn量の増加によって屈折率が増加し、それに比例して記録膜単層の反射率も増加することが分かる。同様の傾向は、Biの代わりにInを含むIn-Mn-Oの試料No.5~9、およびBiの代わりにAgを含むAg-Mn-Oの試料No.11~14でも見られた。これに対し、Mnを含まない試料No.10では、屈折率が低く反射率も低かった。表1より、X群元素としてBi、In、Agを用いたときの上記反射率記録膜自体の反射率はそれぞれ異なっており、同程度の反射率例えば単層の反射率30以上を確保するためのMnの好ましい金属比も、X群元素の種類によって変化することが読み取れる。具体的には、上記反射率を達成するための好ましいMn比率は、X群元素=Biの場合はMn比を約20以上、X群元素=Inの場合はMn比を約40以上、X群元素=Agの場合はMn比を約30以上とすることが有効である。表1に示す反射率は、記録膜自体の反射率を示し、光情報記録媒体の反射率を示すものでないため、この結果から、記録膜中の好適なMn比などを決定することはできないが、表1の結果より、X群元素の種類によって記録膜の反射率が変化し得ること、所定の反射率を確保するための、好ましいX群元素の比全金属元素に対するX群元素の比も変化し得ることが推察される。X群元素について本発明の光情報記録媒体用記録膜は、上記Mnと共に、Bi、Ag、Co、Cu、In、Sn、およびZnよりなる群X群から選択される少なくとも一種の元素X群元素を含み、且つ、X群元素の少なくとも一部が酸化されているものである。これにより、記録感度に優れると共に、反射特性も優れた光情報記録媒体が得られる。すなわち、本発明者らの検討結果によれば、Mnのみでは十分な記録感度が得られず、Mnと、上記X群元素の少なくとも一種とを併用させることにより、所望の特性を達成できることが判明した。X群元素は、単独で添加しても良いし、二種以上を併用しても良い。上記X群元素との併用によって記録感度と反射特性が改善される理由は詳細には不明であるが、例えばX群元素のうちBiおよびAgは、これら元素の酸化物の分解温度が低く、レーザー光照射によって分解され易くなるため、記録特性が向上すると思料される。また、CoおよびCuは記録膜への吸収性付与のため添加する。記録膜に吸収性を付与することでレーザー光を効率的に吸収できるようになり、記録に必要なレーザーパワーを低パワー側にシフトさせることが可能となる。また、In、Sn、およびZnは、無色透明の酸化物を形成するため、透過率を制御することが可能となる。その結果、単層構造のBD-R用記録膜に対して必要な透過率を付与できるだけでなく、誘電体層や光透過層などが積層された多層構造のBD-Rを作製する場合、BD-R全体に対して必要な透過率を付与することが可能になると共に、記録特性にも優れた光情報記録媒体が得られるようになる。X群元素の添加による上記作用を有効に発揮させるためには、記録膜の組成に応じて、X群元素の含有量を適切に制御することが好ましく、これにより、記録感度と反射特性の双方に優れた光情報記録媒体が得られる。更に本発明の光情報記録媒体用記録膜は、上記金属元素MnおよびX群元素の他に、酸素Oも必須成分として含むものである。この酸素は、記録時のマーク形成に有用な成分であり、記録膜中に、Mnの少なくとも一部、およびX群元素の少なくとも一部が酸化物として存在するために必要な量が含まれていることが必要である。ここでX群元素を二種類以上含むとき例えばX1群元素、X2群元素は、記録膜中に含まれるすべてのX群元素の少なくとも一部が酸化物として存在していることが必要である例えばX1群元素の酸化物、X2群元素の酸化物として存在する。記録膜中に含まれる酸素Oの好ましい比率は、X群元素の種類、記録膜中の金属比などによっても相違するが、おおむね、記録膜を構成する全成分全金属元素Oに対する原子比が、おおむね、50~60の範囲内に制御されていることが好ましい。記録膜中に含まれる酸素Oの比率は、成膜時のスパッタリング条件における酸素流量などを適切に調整することによって制御することができ、当該酸素流量などに基づき、酸素の比率を決定することができる。例えば、記録膜がMnおよびBiを含むMn-Bi-Oの場合、記録膜を構成する全ての元素MnBiOに対するBiOの好ましい比率原子比は80未満であることが好ましく、これにより、反射特性が向上する。なお、前述した特許文献5にも、MnおよびBiを含む酸化物記録膜Mn-Bi-Oが開示されているが、本発明の記録膜とは、記録膜を構成する全ての元素MnBiOに対するBiOの好ましい範囲が相違している。すなわち、上記特許文献5では、上記範囲を80以上に制御することにより、データが確実に記録/再生される光情報記録媒体を実現した旨記載されているが、本発明者らの検討結果によれば、特許文献5のように上記範囲を80以上に制御したものは、全金属元素中に占めるMnの比率Mn比が小さくなるため、反射特性が低下することが判明した。表2には、特許文献5に記載の記録膜の組成を模擬して全金属元素中のMn比およびBi比が種々異なるMn-Bi-ONo.1~5を用い、上記特許文献5に記載の方法と同様にして反射率および記録膜に含まれる各元素の含有量を測定した結果を示している。詳細には、Si基板厚さ0.5mm上に厚さ200nmから400nmの記録膜単層膜を成膜し、理学電機株式会社製の全自動蛍光X線測定装置RIX-3000を用いて記録膜中の各元素量を測定した。各元素量の精度を高めるため、管球としてRh管球を用い、Cu単層膜、Bi単層膜、Mn単層膜膜厚はいずれも200nmをそれぞれ、Si基板上に成膜して各元素ごとに標準曲線を作成し、各元素の感度補正係数を測定した。Oについては、Bi2O3粉末を用いて感度補正係数を測定した。このようにして測定された感度補正係数から、記録膜中のCu量原子、Bi量原子、Mn量原子を補正して決定した。更に下式に基づき、O量原子を決定した。O量原子=全元素量原子-[Cu量原子Bi量原子Mn原子]更に後記する実施例に記載の方法と同様にして、記録パワー、ジッター値、および変調度を測定した。表2には、参考のため、更にCuを含む酸化物記録膜Mn-Bi-Cu-Oについて、上記と同様の測定を行なった結果を併記している。表2より、前述した特許文献5のように、記録膜を構成する全成分MnBiO中に占めるBiOの比率が80以上と高く、その結果、Mn比が13と小さい後記するように、Mn-Bi記録膜中の好ましいMn比は20超、60以下である表2のNo.1では、記録パワー、ジッター値、および変調度は良好であるが、反射率が低下することが分かる。これに対し、全成分MnBiO中に占めるBiOの好ましい比率が80未満であり、その結果、Mn比が本発明の好ましい範囲内に制御された表2のNo.2および3では、上記の記録感度に優れると共に、光反射率も高かった。同様の傾向は、更にCuを含むMn-Bi-Cu-Oの記録膜を用いたときにも見られた。すなわち、表2より、前述した特許文献5のように記録膜を構成する全成分MnBiCuO中に占めるBiOの比率が80以上と高く、その結果、Mn比が19と小さく本発明の好ましいMn比を満足しない表2のNo.5では、記録パワー、ジッター値、および変調度は良好であるが、反射率が低下したのに対し、記録膜を構成する全成分MnBiCuO中に占めるBiOの比率が80未満と低く、その結果、Mn比が本発明の好ましい範囲内に制御された表2のNo.4では、記録感度および反射特性に極めて優れていた。本発明に係る光情報記録媒体用記録膜の具体的構成として、例えば、酸素Oを除く金属元素が2種類からなる二元系記録膜:Mn-Bi-O、Mn-In-O、Mn-Cu-O、Mn-Ag-Oなど;酸素Oを除く金属元素が3種類からなる三元系記録膜:Mn-Bi-Cu-O、Mn-Bi-In-O、Mn-Ag-In-Oなど;酸素Oを除く金属元素が4種類からなる四元系記録膜:Mn-Bi-Cu-Co-Oなどが例示される。所望とする特性を一層有効に発揮させるためには、X群元素のなかでも、特に少なくともBiまたはAgを含む記録膜の使用が好ましい。このような態様として、記録膜中にBiまたはAgを単独で、または両方含むものが挙げられ、二元系、三元系、四元系などの種類は問わない。上記記録膜について、MnおよびX群元素の好ましい含有量は、前記表1を用いて示したように、記録膜の組成、誘電膜の種類、金属の酸化状態などによっても相違し得、一義的に決定することは困難であるが、Mnの特性他の元素に比べてスパッタレートが遅いなどなどを考慮し、例えば、以下のように制御することが好ましい。同様に記録膜中に含まれるO酸素の好ましい含有量も、記録膜の組成、誘電膜の種類、金属の酸化物量などに応じて相違し得、所望の特性が得られるように適宜適切に制御することが好ましい。記録膜として、X群元素=Biを含むMn-Bi-Oを用いる場合、全金属元素MnBiに対するMnの好ましい原子比は20超、60以下であり、より好ましい原子比は30以上、50以下である。下限および上限が上記値を外れると、反射率が低下するようになる。上記記録膜Mn-Bi-Oにおいて、記録膜中に含まれる好ましいO酸素量原子は、全金属元素MnBiに対して1.1倍以上、1.65倍以下である。O量が1.1倍未満では、分解に関わる酸化物量が少なく、良好な記録特性が得られず、一方、1.65倍を超えると所望の反射率を得ることができない。また、記録膜として、X群元素=Inを含むMn-In-Oを用いる場合、全金属元素MnInに対するMnの好ましい原子比は20超、80以下であり、より好ましい原子比は30以上、60以下である。下限および上限が上記値を外れると、反射率が低下するようになる。また、記録膜として、X群元素=Cuを含むMn-Cu-Oを用いる場合、全金属元素MnCuに対するMnの好ましい原子比は10超、80以下であり、より好ましい原子比は20以上、60以下である。下限および上限が上記値を外れると、反射率が低下するようになる。また、記録膜として、X群元素=BiおよびCuを含むMn-Bi-Cu-Oを用いる場合、全金属元素MnBiCuに対するBiの好ましい原子比は10以上、40以下であり、より好ましい原子比は20以上、40以下である。下限および上限が上記値を外れると、反射率が低下するようになる。更に、全金属元素MnBiCuに対するMnの原子比は20超、40以下であり、より好ましい原子比は30以上、40以下である。下限および上限が上記値を外れると、反射率が低下するようになる。上記記録膜Mn-Bi-Cu-Oにおいて、記録膜中に含まれる好ましいO酸素量原子は、全金属元素MnBiCuに対して1.3倍以上である。O量が1.3倍未満では、分解に関わる酸化物量が少なく、良好な記録特性が得られない。また、記録膜として、X群元素=BiおよびInを含むMn-Bi-In-Oを用いる場合、全金属元素MnBiInに対するBiの好ましい原子比は20以上、40未満である。下限および上限が上記値を外れると、反射率が低下するようになる。更に、全金属元素MnBiInに対するInの原子比は20超、40以下である。下限および上限が上記値を外れると、反射率が低下するようになる。また、記録膜として、X群元素=AgおよびInを含むMn-Ag-In-Oを用いる場合、全金属元素MnAgInに対するMnの好ましい原子比は30超、50以下であり、より好ましい原子比は30以上、40以下である。下限および上限が上記値を外れると、反射率が低下するようになる。更に、全金属元素MnAgInに対するInの原子比は30以上、50未満であり、より好ましい原子比は30以上、40以下である。下限および上限が上記値を外れると、反射率が低下するようになる。本発明の好ましい実施形態において、前記X群元素がBi、Cu、およびCoであり、全金属元素MnBiCuCoに対するMnの原子比が20以上、40以下であり、全金属元素MnBiCuCoに対するCuの原子比が10以上、35以下であり、且つ、全金属元素MnBiCuCoに対するBiの原子比が10以上、30以下である。以上、本発明の光情報記録媒体用記録膜について説明した。本発明には、上記記録膜を備えた光情報記録媒体も包含される。光情報記録媒体の構成は特に限定されず、通常用いられる構成を適用することができる。本発明では、例えば、上記記録膜と、上記記録層の上および/または下に誘導体層を備えた光情報記録媒体が挙げられる。そのほか、光情報記録媒体には光学調整層などを設けても良い。上記誘導体層としては、光情報記録媒体に通常用いられるものであれば特に限定されず、例えば、In2O3、SnO、SiO2、ZnS-SiO2、ZnO、TiO2、Al2O3などの酸化物から構成されていても良いし、TiN、TaN、NbN、InN、AlNなどの窒化物から構成されていても良い。あるいは、上記酸化物と窒化物の両方から構成されていても良い。上記誘電膜層は、記録膜を構成する酸化物の分解によって放出される酸素を閉じ込める作用があり、それにより、マーク形成時の形態変化をより効率的に行うことが可能になり、記録時に高変調度を与えることができるようになる。更に、光情報記録媒体の信頼性を評価するために通常行なわれる加速試験温度80°C、相対湿度85の環境下で96時間保持に対して高い耐久性を付与することができる。また、誘電体層の膜厚を調整することにより光の干渉を制御することができ、目的に応じた反射率を付与することも可能となる。ここで、上記記録膜の膜厚記録膜を単層で使用し、誘電体層や光学調整層等を設けない場合は、おおむね、10~100nmの範囲内であることが好ましい。上記記録膜の膜厚が薄すぎると、記録レーザー光の入射によって透過率が高くなり、光吸収を効果的に行なうことができないほか、記録によって変化する箇所の厚みが小さいために変調度が小さくなる。一方、上記記録膜の膜厚が厚すぎると生産性が低下するようになる。より好ましくは、15~50nmである。また、上記誘電体層の膜厚は、おおむね、2~30nmの範囲内であることが好ましい。上記誘電体層の膜厚が薄すぎると、記録層の形態変化が抑制されるため、変調度が低下する。より好ましくは、5~20nmである。本発明の記録膜は、スパッタリング法で形成することが好ましい。スパッタリング法によれば、均一な組成の光情報記録媒体が得られる。具体的には、Mnと;Bi、Ag、Co、Cu、In、Sn、およびZnよりなる群X群から選択される少なくとも一種の元素X群元素と、を含み、残部:不可避的不純物製造時に不可避に混入する不可避不純物のスパッタリングターゲットを用い、O2ガスを導入して反応性スパッタリングを行うことにより、所定比率の酸素Oを含む記録膜を成膜することができる。上記スパッタリングターゲットとして、MnまたはX群元素の少なくとも一部が酸化された酸化物スパッタリングターゲットを用いても良い。あるいは、例えば、X群元素からなるスパッタリングターゲットまたはX群元素の少なくとも一部が酸化された酸化物スパッタリングターゲット;Mnのみから構成されるスパッタリングターゲットまたはMnの少なくとも一部が酸化された酸化物スパッタリングターゲットを用い、これらを同時放電を行なうことによって所望とする記録膜を形成することもできる。なお、生産性などを考慮すると、上記金属スパッタリングターゲットまたは酸化物スパッタリングターゲットにおいて、Bi、In、Sn、およびZnなどの低融点金属は、高パワーでの成膜を可能とするため、酸化物として含まれていることが好ましい。また、Ag、Cu、Coは、金属として含まれていることが好ましく、これにより、スパッタリングターゲットの密度を向上させることが可能となり、高パワー成膜時の耐久性が高められるようになる。また、上記スパッタリングターゲットを用い、スパッタリング法で形成するときの好ましいスパッタリング条件としては、例えば、Ar流量:10~100sccm、酸素流量:10~100sccmとすることが挙げられる。また、スパッタリング法におけるその他の条件は、汎用されるスパッタリング条件を採用することができ、ガス圧を例えば0.1~1.0Paの範囲、スパッタ電力を例えば0.5~20W/cm2の範囲に制御することが挙げられる。本発明の光情報記録媒体は、上記記録膜を備えている点に特徴を有しており、好ましくは更に誘電体層を備えているものである。上記記録膜のほかは、光情報記録媒体の分野に公知の構成を採用することができる。光情報記録媒体光ディスクとして、その構造が、レーザーのガイド用の溝が刻まれた基板上に記録膜が積層され、更にその上に光透過層を積層したものが挙げられる。例えば、前記基板の素材としては、ポリカーボネート樹脂、ノルボルネン系樹脂、環状オレフィン系共重合体、非晶質ポリオレフィンなどが挙げられる。また、前記光透過層としては、ポリカーボネートや紫外線硬化樹脂を用いることができる。光透過層の材質としては記録再生を行うレーザーに対して高い透過率を持ち、光吸収率が小さいことが好ましい。前記基板の厚さは、例えば0.5~1.2mmとすることが挙げられる。また前記光透過層の厚さは、例えば0.1~1.2mmとすることが挙げられる。本発明の記録膜は、高い反射率を示し、記録膜単独で優れた記録特性を示すものであるが、必要に応じて光ディスクとしての反射率をより高めるべく、基板と記録膜との間に更に光学調整層を設けてもよい。前記光学調整層の素材としては、Ag、Au、Cu、Al、Ni、Cr、Ti等やそれらの合金などが例示される。尚、光ディスクの層構成としては、記録膜および光透過層がそれぞれ1層ずつ形成された1層光ディスクであっても良いし、記録膜および光透過層が複数積層された2層以上の光ディスクであっても良い。前記記録膜を複数備える場合には、記録膜と必要に応じて積層される光学調整層や誘電体層からなる記録膜群と別の記録膜群との間に、例えば紫外線硬化樹脂等からなる透明中間層を有していてもよい。本発明の特徴は、前述した記録膜好ましくは、更に誘電体層を採用した点にあり、この記録膜や誘電体層以外の、基板や光透過層、更には光学調整層や透明中間層などの形成方法については特に限定されず、通常行われている方法で形成して、光情報記録媒体を製造すればよい。光情報記録媒体としてCD、DVD、またはBDが挙げられ、例えば波長が約380nmから450nm、好ましくは約405nmの青色レーザー光を記録膜に照射し、データの記録および再生を行うことが可能なBD-Rが具体例として挙げられる。以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、下記実施例は本発明を制限するものではなく、前後記の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えて実施することも可能であり、それらは本発明の技術的範囲に包含される。1光ディスクの作製光ディスク用基板として、ポリカーボネート基板厚さ:1.1mm、直径:12cm、トラックピッチ:0.32μm、溝深さ:25nmを用い、上記基板上に、DCマグネトロンスパッタリング法により、表3に示す種々の組成の記録膜を形成した。記録膜の膜厚は40nmとした。上記記録膜は、Biを含むときはBi酸化物ターゲット、Cuを含むときはCu酸化物ターゲット、Coを含むときはCo金属ターゲット、Mnを含むときはMn金属ターゲット、Inを含むときはIn金属ターゲット、Agを含むときはAg金属ターゲットを用い、同時放電による多元スパッタリングを行って形成した。上記記録膜形成のためのスパッタリング条件は、Ar流量:10sccm、酸素流量:20sccm、ガス圧:0.4Pa、DCスパッタリングパワー:100~200W、基板温度:室温とした。なお、本実施例の成膜条件によれば、表3の全例について、添加した金属元素の少なくとも一部は酸化されたものとなる。成膜した記録膜の成分組成は、ICP発光分析により測定して求めた。次に、上記記録膜の上下に保護膜誘電体層として、DCマグネトロンスパッタリング法により、In2O3膜を10nmの厚さで成膜した。ターゲットはIn2O3ターゲットを用い、誘電体層形成のためのスパッタリング条件は、Ar流量:10sccm、酸素流量:15sccm、ガス圧:0.4Pa、DCスパッタリングパワー:100~200W、基板温度:室温とした。次いで、記録膜の上に形成された誘電体層の上に、光透過層として紫外線硬化性樹脂日本化薬社製BRD-864をスピンコート法により塗布した後、紫外線を照射して膜厚約0.1mmの光透過層を成膜し、光ディスクを得た。2光ディスクの評価上記のようにして作製した光ディスクについて、以下のようにして記録パワー、ジッター値、および変調度を測定した。本実施例では、光ディスク評価装置としてパルステック工業社製ODU-1000を用い、記録レーザー中心波長は405nmとし、NA開口数:0.85のレンズを用いた。下記に示す反射率は、上記装置を用い、レーザーをトラック上に照射し、光ディスクにおける未記録部分のレーザー光の戻り光強度から求めた。上記光ディスク評価装置を用いて、線速:4.92m/s、基準クロック:66MHzの条件で、記録パワー2mWから20mWで2Tから8T信号のマルチシグナルを用い、変調度とジッター値を測定した。このうち変調度は、記録部の最大反射率と最小反射率の差を、最大反射率で割った値である。また、ジッター値は、2Tから8T信号の基準クロックからの誤差値の標準偏差を示す値である。このジッターが最小となる記録パワー本実施例では、これを記録パワーとする。での変調度反射率の変化率を下記式1から算出した。本実施例では、記録パワーが9.0mW以下であり、上記ジッター値の最小値が6.5以下であり、且つ、この変調度が0.40以上のものを合格とした。変調度反射率の変化率=未記録部分の反射率-記録部分の反射率/未記録部分の反射率1更に、上記のようにして作製した光ディスクの反射率ディスク状態での反射率について、前述したパルステック工業社製ODU-1000を用い、市販のBD-REディスクのSUM2レベル測定結果に基づき、SUM2レベル320mVを反射率16と仮定して算出した。これらの結果を表3に併記する。表3中、測定不可とは、評価装置のトラッキングがかからず、測定ができなかった例である。表3より、記録膜中にMn、X群元素、およびOを含み、且つ、全金属元素中に占めるMn比およびX群元素比が本発明の好ましい範囲を満足する例表3のNo.3~5、7~9、15、16、18~22、26~33、37および38はいずれも、変調度が高く、実用的な記録レーザーパワーでの記録感度に優れていると共に、反射特性も良好であることがわかる。これに対し、純BiからなるNo.11では、記録パワーが低下し、反射率も低下した。また、純AgからなるNo.34では、装置のトラッキングがかからず、記録パワーおよびジッター値を測定できず、変調度も高くなって反射率も低下した。また、記録膜中にMn、X群元素、およびOを含む例であっても、全金属元素中に占めるMn比およびX群元素比が本発明の好ましい範囲を満足しない例No.1、2、6、10、12~14、17、23~25、36は、反射率など上記特性のいずれかが低下した。また、Mnを含まないNo.35は、No.37や38に比べて反射率が低下した。