"金属、金属酸化膜、金属酸化物、合金、半導体、ポリマー、セラミックス、ガラス、石英の内から選択した固体表面に、シリコーンのホモポリマー原液又はコポリマー原液、あるいは、非晶性フッ素樹脂アモルファスフロロポリマーをフッ素系溶媒で希釈した溶液を、滴下あるいはスピンキャストし、加熱処理した後、余剰未反応分子を有機溶剤で除去することで、該固体表面を、シリコーンのホモポリマー膜、コポリマー膜、あるいは非晶性フッ素樹脂膜で均一に被覆して、シリコーンのホモポリマー膜あるいはコポリマー膜を固体表面の酸素含有極性基である水酸基との間で共有結合を介して固定化する、あるいは非晶性フッ素樹脂膜を、固体表面に物理吸着あるいは疎水性相互作用を介して固定化することにより、表面に付着した液滴の前進接触角と、後退接触角との差ヒステリシスが、5°以下になるようにすることを特徴とする固体表面の濡れ性制御方法。相対湿度5以下の窒素雰囲気下、50~180°Cで、24~72時間、加熱処理する、請求項1に記載の固体表面の濡れ性制御方法。シリコーンのホモポリマーあるいはコポリマー中に、メチル基、トリフルオロメチル基、フェニル基の内から選択した1種類以上の不活性な官能基が含まれている、請求項1に記載の固体表面の濡れ性制御方法。シリコーンのホモポリマーあるいはコポリマー中に、水酸基、水素基、ビニル基、クロロ基、カルボキシル基、アミノ基、メルカプト基、アルコキシ基、エポキシ基、カルボニル基の内から選択した1種類以上の反応性官能基が1個以上含まれている、請求項1から3のいずれかに記載の固体表面の濡れ性制御方法。固体表面を、膜厚が0.5~5nmのシリコーンのホモポリマー膜、コポリマー膜、あるいは非晶性フッ素樹脂膜で均一に被覆する、請求項1から4のいずれかに記載の固体表面の濡れ性制御方法。シリコーンのホモポリマー膜あるいはコポリマー膜表面に残存する反応基に、触媒、熱、又は光を利用して、枝状構造を持つ分子を共有結合を介して固定化する、請求項1から5のいずれかに記載の固体表面の濡れ性制御方法。固体表面を、総膜厚が5~10nmの2層構造で被覆する、請求項6に記載の固体表面の濡れ性制御方法。上記固体表面を加熱~100°Cすることにより、該表面に付着した液滴の前進接触角と、後退接触角との差ヒステリシスが、5°以下に変化するように、また、上記固体表面を冷却することにより、該表面に付着した液滴の前進接触角と、後退接触角との差ヒステリシスが、元の状態にもどるように、後退接触角との差ヒステリシスを可逆的に制御する、請求項1から7のいずれかに記載の固体表面の濡れ性制御方法。シリコーンのホモポリマーあるいはコポリマーの粘度が500以下である、請求項1から8のいずれかに記載の固体表面の濡れ性制御方法。濡れ性の制御された固体表面であって、該固体表面が、金属、金属酸化膜、金属酸化物、合金、半導体、ポリマー、セラミックス、ガラス、石英の内から選択した固体表面であり、該固体表面が、シリコーンのホモポリマー膜、コポリマー膜、あるいは非晶性フッ素樹膜で均一に被覆されていて、シリコーンのホモポリマー膜あるいはコポリマー膜が、固体表面の酸素含有極性基である水酸基との間で共有結合を介して固定化され、あるいは非晶性フッ素樹脂膜が、固体表面に物理吸着あるいは疎水性相互作用を介して固定化されていて、該固体表面に付着した液滴の前進接触角と、後退接触角との差ヒステリシスが、5°以下の小さいヒステリシスを示すことを特徴とする上記固体表面。シリコーンのホモポリマーあるいはコポリマー中に、メチル基、トリフルオロメチル基、フェニル基の内から選択した1種類以上の不活性な官能基が含まれている、請求項10に記載の固体表面。シリコーンのホモポリマーあるいはコポリマー中に、水酸基、水素基、ビニル基、クロロ基、カルボキシル基、アミノ基、メルカプト基、アルコキシ基、エポキシ基、カルボニル基の内から選択した1種類以上の反応性官能基が1個以上含まれている、請求項10又は11に記載の固体表面。固体表面が、膜厚が0.5~5nmのシリコーンのホモポリマー膜、コポリマー膜、あるいは非晶性フッ素樹脂膜で均一に被覆されている、請求項10から12のいずれかに記載の固体表面。シリコーンのホモポリマー膜あるいはコポリマー膜表面に残存する反応基に、触媒、熱、又は光を利用して、枝状構造を持つ分子が共有結合を介して固定化されている、請求項10から13のいずれかに記載の固体表面。固体表面が、総膜厚が5~10nmの2層構造で被覆されている、請求項14に記載の固体表面。シリコーンのホモポリマーあるいはコポリマーの粘度が500以下である、請求項10から15のいずれかに記載の固体表面。このような状況の中で、本発明者は、上記従来技術に鑑みて、実用金属/合金基板表面の表面処理技術を開発することを目標として鋭意研究を進めた結果、各種基板表面を、酸素プラズマや、紫外線照射により洗浄した後、基板表面に、シリコーンのホモポリマー原液、コポリマー原液、あるいは、非晶性フッ素樹脂アモルファスフロロポリマーをフッ素系溶媒ハイドロフルオロエーテルで希釈した溶液を、滴下あるいはスピンキャストさせ、所定温度で、所定時間加熱処理し、反応に関与しなかった余剰分子を、ヘキサン等の有機溶剤で除去することにより、膜厚が0.5~5nm以下の、シリコーンのホモポリマー膜、コポリマー膜、あるいは非晶性フッ素樹脂膜を形成し、ヒステリシスの極めて小さい表面を、シリコン基板だけでなく、実用金属/合金基板、例えば、アルミニウム/アルミニウム合金、チタン、銅、鉄、亜鉛等の表面で実現できることを見出し、また、当該薄膜被覆基板を加熱するとヒステリシスが変化し小さくなり、室温に戻すとヒステリシスが元の状態に戻ることを見いだし、更に研究を重ねて、本発明を完成させるに至った。本発明は、ヒステリシスの極めて小さい固体表面を、シリコン基板だけでなく、例えば、アルミニウム/アルミニウム合金、チタン、銅、鉄、亜鉛等の実用金属/合金基板表面において実現できる新しい表面改質技術を提供することを目的とするものである。また、本発明は、基板表面の動的濡れ性、すなわち、動的接触角[前進接触角θAと、後退接触角θR]を測定した時の接触角ヒステリシスθA-θRが5°以下の値を示す、ヒステリシスの極めて小さい表面にすることを可能とする表面改質技術を提供することを目的とするものである。また、本発明は、液滴と固体表面の相互作用を抑制することで、例えば、自動車建材用ガラスの雨滴除去性の向上による視界確保、汚れ/油付着制御、μ-TASやバイオチップ等の水流制御、水溶性のインクジェットノズル等のマイクロ水滴の制御、金属の腐食防止等の分野において、特に有効な表面改質技術を提供することを目的とするものである。上記課題を解決するための本発明は、以下の技術的手段から構成される。1金属、金属酸化膜、金属酸化物、合金、半導体、ポリマー、セラミックス、ガラス、石英の内から選択した固体表面に、シリコーンのホモポリマー原液又はコポリマー原液、あるいは、非晶性フッ素樹脂アモルファスフロロポリマーをフッ素系溶媒で希釈した溶液を、滴下あるいはスピンキャストし、加熱処理した後、余剰未反応分子を有機溶剤で除去することで、該固体表面を、シリコーンのホモポリマー膜、コポリマー膜、あるいは非晶性フッ素樹脂膜で均一に被覆して、シリコーンのホモポリマー膜あるいはコポリマー膜を固体表面の酸素含有極性基である水酸基との間で共有結合を介して固定化する、あるいは非晶性フッ素樹脂膜を、固体表面に物理吸着あるいは疎水性相互作用を介して固定化することにより、表面に付着した液滴の前進接触角と、後退接触角との差ヒステリシスが、5°以下になるようにすることを特徴とする固体表面の濡れ性制御方法。2相対湿度5以下の窒素雰囲気下、50~180°Cで、24~72時間、加熱処理する、前記1に記載の固体表面の濡れ性制御方法。3シリコーンのホモポリマーあるいはコポリマー中に、メチル基、トリフルオロメチル基、フェニル基の内から選択した1種類以上の不活性な官能基が含まれている、前記1に記載の固体表面の濡れ性制御方法。4シリコーンのホモポリマーあるいはコポリマー中に、水酸基、水素基、ビニル基、クロロ基、カルボキシル基、アミノ基、メルカプト基、アルコキシ基、エポキシ基、カルボニル基の内から選択した1種類以上の反応性官能基が1個以上含まれている、前記1から3のいずれかに記載の固体表面の濡れ性制御方法。5固体表面を、膜厚が0.5~5nmのシリコーンのホモポリマー膜、コポリマー膜、あるいは非晶性フッ素樹脂膜で均一に被覆する、前記1から4のいずれかに記載の固体表面の濡れ性制御方法。6シリコーンのホモポリマー膜あるいはコポリマー膜表面に残存する反応基に、触媒、熱、又は光を利用して、枝状構造を持つ分子を共有結合を介して固定化する、前記1から5のいずれかに記載の固体表面の濡れ性制御方法。7固体表面を、総膜厚が5~10nmの2層構造で被覆する、前記6に記載の固体表面の濡れ性制御方法。8上記固体表面を加熱~100°Cすることにより、該表面に付着した液滴の前進接触角と、後退接触角との差ヒステリシスが、5°以下に変化するように、また、上記固体表面を冷却することにより、該表面に付着した液滴の前進接触角と、後退接触角との差ヒステリシスが、元の状態にもどるように、後退接触角との差ヒステリシスを可逆的に制御する、前記1から7のいずれかに記載の固体表面の濡れ性制御方法。9シリコーンのホモポリマーあるいはコポリマーの粘度が500以下である、前記1から8のいずれかに記載の固体表面の濡れ性制御方法。10濡れ性の制御された固体表面であって、該固体表面が、金属、金属酸化膜、金属酸化物、合金、半導体、ポリマー、セラミックス、ガラス、石英の内から選択した固体表面であり、該固体表面が、シリコーンのホモポリマー膜、コポリマー膜、あるいは非晶性フッ素樹膜で均一に被覆されていて、シリコーンのホモポリマー膜あるいはコポリマー膜が、固体表面の酸素含有極性基である水酸基との間で共有結合を介して固定化され、あるいは非晶性フッ素樹脂膜が、固体表面に物理吸着あるいは疎水性相互作用を介して固定化されていて、該固体表面に付着した液滴の前進接触角と、後退接触角との差ヒステリシスが、5°以下の小さいヒステリシスを示すことを特徴とする上記固体表面。11シリコーンのホモポリマーあるいはコポリマー中に、メチル基、トリフルオロメチル基、フェニル基の内から選択した1種類以上の不活性な官能基が含まれている、前記10に記載の固体表面。12シリコーンのホモポリマーあるいはコポリマー中に、水酸基、水素基、ビニル基、クロロ基、カルボキシル基、アミノ基、メルカプト基、アルコキシ基、エポキシ基、カルボニル基の内から選択した1種類以上の反応性官能基が1個以上含まれている、前記10又は11に記載の固体表面。13固体表面が、膜厚が0.5~5nmのシリコーンのホモポリマー膜、コポリマー膜、あるいは非晶性フッ素樹脂膜で均一に被覆されている、前記10から12のいずれかに記載の固体表面。14シリコーンのホモポリマー膜あるいはコポリマー膜表面に残存する反応基に、触媒、熱、又は光を利用して、枝状構造を持つ分子が共有結合を介して固定化されている、前記10から13のいずれかに記載の固体表面。15固体表面が、総膜厚が5~10nmの2層構造で被覆されている、前記14に記載の固体表面。16シリコーンのホモポリマーあるいはコポリマーの粘度が500以下である、前記10から15のいずれかに記載の固体表面。次に、本発明について更に詳細に説明する。本発明は、固体表面の濡れ性制御方法であって、金属、金属酸化膜、金属酸化物、合金、半導体、ポリマー、セラミックス、ガラス、石英の内から選択した固体表面に、シリコーンのホモポリマー原液、コポリマー原液、あるいは非晶性フッ素樹脂アモルファスフロロポリマーをフッ素系溶媒ハイドロフルオロエーテルで希釈した溶液を、滴下あるいはスピンキャストし、相対湿度5以下の窒素雰囲気下、50~180°Cで、24~72時間、加熱処理した後、余剰分子を、ヘキサン等の有機溶剤で除去することにより、各種液滴水、油、イオン液体等の前進接触角と、後退接触角との差ヒステリシスが、5°以下になるようにすること、を特徴とするものである。本発明では、上記シリコーンのホモポリマーあるいはコポリマーとして、例えば、polyMethylHydrosiloxanes、あるいはそれと同等又は類似の効果を奏する以下に示す化合物が例示される。Trimethylsiloxyterminated;HydrideTerminatedPolyDimethylsiloxanes;MethylHydrosiloxane-DimethylsiloxaneCopolymers,Trimethylsiloxyterminated;MethylHydrosiloxane-DimethylsiloxaneCopolymers,Hydrideterminated;polyEthylHydrosiloxane,Triethylsiloxyterminated;polyPhenyl-DiMethylHydrosiloxysiloxane,hydrideterminated;MethylHydrosiloxane-PhenylMethylsiloxanecopolymer,hydrideterminated;MethylHydrosiloxane-OctylMethylsiloxanecopolymersandterpolymers;VinylTerminatedPolyDimethylsiloxanes;VinylTerminatedDiphenylsiloxane-DimethylsiloxaneCopolymers;VinylTerminatedpolyPhenylMethylsiloxane;VinylPhenylMethylTerminatedVinylPhenylsiloxane-PhenylMethylsiloxaneCopolymer;VinylTerminatedTrifluoropropylMethylsiloxane-DimethylsiloxaneCopolymer;VinylTerminatedDiethylsiloxane-DimethylsiloxaneCopolymers;Vinylmethylsiloxane-DimethylsiloxaneCopolymers,trimethylsiloxyterminated;Vinylmethylsiloxane-DimethylsiloxaneCopolymers,silanolterminated4-6OH;Vinylmethylsiloxane-DimethylsiloxaneCopolymers,vinylterminated;VinylmethylsiloxaneHomopolymers;MonoVinylTerminatedPolyDimethylsiloxanes-asymmetric;MonoVinylFunctionalPolyDimethylsiloxane-symmetric;3-5Vinylmethylsiloxane-35-40OctylmethylSiloxane-Dimethylsiloxaneterpolymer;3-5Vinylmethylsiloxane-35-40PhenylmethylSiloxane-Dimethylsiloxaneterpolymer;VinylmethoxysiloxaneHomopolymer;VinylethoxysiloxaneHomopolymer;Vinylethoxysiloxane-PropylethoxysiloxaneCopolymer。また、本発明で使用される非晶質フッ素樹脂、それを溶解する溶媒としては、例えば、非晶性フッ素樹脂アモルファスフロロポリマーとして、テフロン登録商標AF米国デュポン社製、AF1600、AF2400、フッ素系溶媒として、3MNovecTM住友スリーエム社製、HFE-7100、HFE-7200、HFE-7300が好適なものとして例示される。本発明の濡れ性制御による表面改質方法においては、シリコーンのホモポリマーあるいはコポリマー中に、メチル基、トリフルオロメチル基、フェニル基の内から選択した1種類以上の不活性な官能基が含まれていることが好ましい。また、上記の表面改質方法において、シリコーンのホモポリマーあるいはコポリマー中に、水酸基、水素基、ビニル基、クロロ基、カルボキシル基、アミノ基、メルカプト基、アルコキシ基、エポキシ基、カルボニル基の内から選択した1種類以上の反応性官能基が1個以上含まれていることが好ましい。更に、シリコーンのホモポリマーあるいはコポリマーの粘度が500以下であることが望ましい。なぜなら、粘度が500を超えると、得られる膜表面の流動性が悪くなり、ヒステリシスが大きくなるためである。また、本発明では、上記の表面改質方法において、固体表面は、膜厚が0.5~5nmのシリコーンのホモポリマー膜、コポリマー膜、あるいは非晶性フッ素樹脂膜で均一に被覆されていて、当該シリコーンのホモポリマー膜あるいはコポリマー膜は、基板表面の酸素含有極性基である水酸基との間で共有結合を介して、非晶性フッ素樹脂膜は物理吸着あるいは疎水性相互作用を介して固定化されている。本発明では、当該シリコーンのホモポリマー膜あるいはコポリマー膜表面に残存する反応基に、触媒、熱、又は光を利用して、枝状構造を持つ分子を、共有結合を介して、固定化すること、総膜厚が5~10nmの2層構造で、固体表面を被覆すること、各種液滴水、油、イオン液体等の前進接触角と、後退接触角との差ヒステリシスが、5°以下になるようにすること、を好ましい実施態様としている。本発明では、当該薄膜被覆基板のうち、室温下で比較的大きなヒステリシス~15°を示すものでも、所定温度~100°Cに加熱することにより、ヒステリシスを小さくすることができる。また、室温下で小さなヒステリシスを示すものは、更にヒステリシスが小さくなるため、高温環境下で基板を使用することを好ましい実施態様としている。また、冷却することにより、ヒステリシスは元の状態に戻るため、ヒステリシスの可逆的な制御が可能である。本発明では、様々な基板表面固体表面を基板と記載することがあるを、プラズマ、紫外線、又はオゾン等の手法を用いて、予め表面の不純物を完全に除去した後、シリコーンのポリマー原液、コポリマー原液、あるいは非晶性フッ素樹脂アモルファスフロロポリマーをフッ素系溶媒ハイドロフルオロエーテルで希釈した溶液を、滴下あるいはスピンキャストし、相対湿度5以下の窒素雰囲気下で、所定温度/所定時間、加熱処理後、余剰未反応分子を、有機溶剤で除去するだけで、基板と強固に密着した膜厚0.5~5nmのシリコーンのホモポリマーあるいはコポリマー膜を形成することができる。また、非晶性フッ素樹脂膜は、物理吸着を介して基板に固定化される。中間層として予め疎水性薄膜例えば、前述のpolyMethylHydrosiloxanesで基板表面を被覆しておけば、疎水性相互作用により基板との密着性を向上させることもできる。上記処理を施した基板表面は、液滴との相互作用が著しく抑制されるため、ヒステリシス前進接触角と、後退接触角との差が極めて小さくなり、液体の駆動性を向上させることが可能となる。更に、本発明では、残存した反応性官能基を利用して、その表面に、枝状構造を持つ分子を共有結合により固定化することにより、低ヒステリシス状態を維持したまま、金属の耐食性を大幅に向上させることができる。本発明で使用し得る基板としては、金属、金属酸化膜、金属酸化物、合金、半導体、ポリマー、セラミックス、ガラス又は石英等の、適宜の材料を、任意に使用することができる。基板の材料の具体例としては、シリコン、ガラス、石英、自然酸化膜被覆金属であるアルミニウム/アルミニウム合金、チタン、鉄、銅、亜鉛が好適なものとして例示される。また、基板表面は平滑なもの、平均自乗粗さが1nm以下、であることが好ましい。これらの基板の形状は、板状、粉末状、チューブ状等の、任意な形状にすることができる。本発明においては、予め基板表面を親水化処理する目的で、酸素プラズマ、真空紫外光、又はオゾン等により、基板表面に付着した有機物を除去することにより、基板表面は親水化するが、その場合、好ましくは、波長172nm以下の真空紫外光を使用する。ポリマー基板の場合は、この処理により、酸素含有極性基である水酸基が生成する。続いて、基板表面の酸素含有極性基である水酸基と、シリコーンのホモポリマーあるいはコポリマー中の反応性官能基とを反応させる。非晶性フッ素樹脂の場合、物理吸着あるいは疎水性相互作用により固定化させる。反応方法は、特に限定されるものではないが、好ましくは、基板に、シリコーンのホモポリマー原液、コポリマー原液を、あるいは非晶性フッ素樹脂アモルファスフロロポリマーをフッ素系溶媒ハイドロフルオロエーテルで希釈した溶液を、直接、滴下するか、あるいはスピンキャストするだけでよい。得られるシリコーンのホモポリマー膜、コポリマー膜、あるいは非晶性フッ素樹脂膜の膜厚は、用いる原料の分子量、粘度、スピンキャストの速度、濃度に依存するものの、おおよそ5nm以下で、溶媒、例えば、トルエンによる希釈を行うことで、0.5nm程度まで薄くすることも可能である。処理条件は、基板の種類に依存するが、処理温度は、50~180°C、処理時間は、24~72時間、窒素雰囲気下で、該雰囲気中の相対湿度は、5以下であることが望ましい。また、反応せずに、表面に残存した反応基を利用して、更に、異なる分子を共有結合により結合させることも可能である。使用する分子は、枝状構造を持つ分子であることが好適である。枝状構造を持つ分子として、VinylT-structurePolymer、あるいはそれと同等又は類似の効果を奏する以下に示す枝状構造を有する化合物が例示される。Tri-t-Butoxysilanol;Tri-t-Butylaminosilane,95;Tri-t-Butylsilane,95;Triisopropoxysilane,95;Triisopropylchlorosilane;Tri-t-Pentoxysilanol,99;[TrisTrimethylsiloxySilylethyl]Dimethylchlorosilane;Tri-t-Butoxychlorosilane,95;Di-t-Butylmethylchlorosilane;Di-t-Butylmethylsilane;BisTridecafluoro-1,1,2,2-TetrahydrooctylDimethylsiloxyMethylchlorosilane;BisTridecafluoro-1,1,2,2-TetrahydrooctylDimethylsiloxyMethylsilane;[BisNonafluorohexyldimethylsiloxyMethyl]Silylethyldimethylchlorosilane,95;BisNonafluorohexyldimethylsiloxyMethylsilane,95。上記反応を促進させるために、加熱処理や、触媒反応を利用することもできる。これらの処理をすることで、雰囲気中の水分と反応する可能性のある未反応の反応性官能基を、キャッピングし、より安定な、低ヒステリシス表面を形成することが可能となる。この場合、膜厚は、全体で、5~10nm程度になり、金属の防食特性を向上させるには、特に有効である。上述した通り、本発明では、基板表面に、膜厚0.5~5nmのシリコーンのホモポリマー膜、コポリマー膜、あるいは非晶性フッ素樹脂膜を形成することにより、あるいは、当該薄膜被覆基板を加熱することにより、液滴との相互作用のない低ヒステリシス表面が得られる、更に、本発明では、残存する反応性官能基と枝状構造を持つ分子を共有結合させることで、低ヒステリシス表面状態を維持したまま、総膜厚5~10nmの2層構造から構成される、より安定な、低ヒステリシス表面を形成することができる。シリコーンのホモポリマーあるいはコポリマー膜を形成する際に用いる原料は、有機溶剤等で希釈することも可能であり、原液の蒸気を利用することも可能であるが、シリコーン原液そのものであることが望ましい。シリコーン原液を滴下するか、スピンキャストし、反応終了後、余剰未反応原液を、ヘキサン等の有機溶剤でリンスするだけで、簡便に、ホモポリマー膜あるいはコポリマー膜を形成することができる。非晶性フッ素樹脂膜を形成する際に用いる原料粉末状固体は、フッ素系溶剤ハイドロフルオロエーテルで希釈する必要である。該希釈液を滴下するかスピンキャストし、反応終了後、余剰未反応原液をフッ素系溶剤でリンスするだけで、簡便に透明な非晶性フッ素樹脂膜を形成することができる。本発明の表面処理技術を用いることにより、これまで困難であった、実用金属/合金や、セラミックス基板表面上での液体の駆動性を、向上させることが可能になる。上記処理を施した基板表面が、液滴との相互作用を抑制できる理由は、シリコーンのホモポリマー膜あるいはコポリマー膜が、基板を均一に被覆し、あたかも液体表面のような挙動をし、基板表面の未反応の極性官能基との相互作用を抑制するという、化学的効果によるものと想定される。また、非晶性フッ素樹脂膜では、基板を均一に被覆しているだけでなく、シリコーンのホモポリマー膜あるいはコポリマー膜と比較して、表面エネルギーが極めて低い8dyn/cmことによるものと想定される。更に、加熱することによりヒステリシスが小さくなるのは、薄膜の分子運動が激しくなり、表面の流動性が大きくなるという物理的効果によるものと想定される。すなわち、本発明では、上述した通り、平滑な基板表面に、0.5~5nmのシリコーンのホモポリマー膜、コポリマー膜、あるいは非晶性フッ素樹脂膜を形成することにより、あるいは、当該薄膜被覆基板を加熱することにより、固体/液体界面の相互作用が抑制され、当該処理基板表面上での接触角ヒステリシス、すなわち前進接触角θAと、後退接触角θRの差が、極めて小さくなり、そのため、わずかな傾斜で、液体が駆動するという作用効果が得られる。この現象は、基板表面に固定化したシリコーンのホモポリマー膜あるいはコポリマー膜が、基板を均一に被覆し、あたかも液体のような挙動をするため、下地の極性官能基との相互作用を抑制するという化学的な効果と、加熱することにより分子運動が激しくなり、表面の流動性が大きくなるという物理的効果により出現するものと推定される。また、非晶性フッ素樹脂膜では、基板を均一に被覆しているだけでなく、シリコーンのホモポリマー膜あるいはコポリマー膜と比較して、表面エネルギーが極めて低い8dyn/cmことによるものと想定される。本発明で用いるシリコーンのホモポリマーあるいはコポリマーは、前記したように、液体で、粘度が低いこと粘度500以下が望ましく、また、メチル基、フェニル基、トリフルオロメチル基といった表面エネルギーの低い官能基が一つ入っていることが望ましい。それは、これらの官能基は、表面エネルギーが低いため、得られる基板表面を効果的に疎水化できるためである。非晶性フッ素樹脂は、これらの官能基で終端されたホモポリマーあるいはコポリマーの持つ表面エネルギーと比較して更に低い~8dyn/cmため、より効果的である。また、前記したように、基板表面に形成する膜は、基板表面と強固な化学結合を得るために、反応性官能基が入っていることが望ましいが、それは、反応性官能基がないと、基板表面と吸着した有機分子の界面で十分な密着性が得られないためである。ただし、非晶性フッ素樹脂には反応性官能基がないため、基板表面に物理吸着させる手法が唯一であるが、あらかじめ、疎水性薄膜で基板を被覆することにより、疎水性相互作用を利用して、密着性を向上させることも可能である。更に、反応せずに、表面に残存した反応基を利用して、異なる分子を共有結合により結合させることも有効である。その場合、液滴特に、水滴との相互作用を抑制する観点から、使用する分子は、枝状構造であることが好適である。この処理をすることで、雰囲気中の水分と反応する可能性のある未反応の反応性官能基を、キャッピングすることができるため、より安定な、低ヒステリシス表面を形成することが可能となり、金属の防食特性を向上させるには、特に有効である。膜厚は、全体で5~10nm程度で、2層から構成される。本発明の表面処理技術を用いることにより、従来技術では困難であった、金属、金属酸化膜、金属酸化物、合金、半導体、ポリマー、セラミックス、ポリマー、ガラス又は石英から構成される基板表面と、液滴との相互作用を抑制することが可能となり、その結果、前進接触角θAと、後退接触角θRの差ヒステリシスが小さくなり、液滴の滑落性、基板表面からの液滴の除去性、防食特性等を、大幅に向上させることが可能となる。本発明により、次のような効果が奏される。1ヒステリシスの極めて小さい固体表面を、シリコン基板だけでなく、例えば、アルミニウム/アルミニウム合金、チタン、銅、鉄、亜鉛等の実用金属/合金基板表面において実現できる新しい表面改質技術を提供することができる。2基板表面の動的濡れ性、すなわち、動的接触角[前進接触角θAと、後退接触角θR]を測定した時の接触角ヒステリシスθA-θRが、5°以下の値を示す、ヒステリシスの極めて小さい表面にすることを可能とする表面改質技術を提供することができる。3膜厚が0.5~5nm以下の、シリコーンのホモポリマー膜、コポリマー膜、あるいは非晶性フッ素樹脂膜を形成し、ヒステリシスの極めて小さい表面を、シリコン基板だけでなく、実用金属/合金基板、例えば、アルミニウム/アルミニウム合金、チタン、銅、鉄、亜鉛等の表面で実現できる表面処理技術を提供することができる。4膜厚が極めて薄いため、処理する実用金属/合金の金属光沢や、ガラスや石英の透明性を維持したまま、意匠性を損なうことなく表面処理を施すことができる。5基板を加熱するだけで、ヒステリシスを変化させる小さくすることができ、温度制御により、ヒステリシスを可逆的に変化させることが可能である。6反応せず残存した反応基を利用して、更に異なる分子を固定化することにより、疎水はっ水性/はつ油性以外に、親水性、耐薬品性、防曇性、離形性、抗菌性、生体親和性等の機能を付与することが可能である。7本発明は、液滴と固体表面の相互作用を抑制することで、例えば、自動車建材用ガラスの雨滴除去性の向上による視界確保、汚れ/油付着制御、μ-TASやバイオチップ等の水流制御、水溶性のインクジェットノズル等のマイクロ水滴の制御、金属の腐食防止等の分野において、特に有効な表面改質技術を提供することを可能にするものである。次に、実施例に基づいて本発明を具体的に説明するが、以下の実施例は、本発明の好適な例を示すものであり、本発明は、当該実施例によって何ら限定されるものではない。シリコン、アルミニウム、並びにチタン基板を、1000Pa下で、30分間、波長172nmの真空紫外光に暴露して洗浄した後、これらの基板表面に、それぞれ、シリコーンのホモポリマーであるpolyMethylHydrosiloxane,Trimethylsiloxyterminated以下、PMHSと記載する。Gelest製HMS-992、粘度24~30、分子量1800~2100原液を、直接、滴下し、相対湿度5以下の窒素雰囲気下で、加熱処理した。その際の処理温度は、150°C、処理時間は、24時間とした。加熱処理後、得られた基板を、ヘキサン、MilliQ水Millipore社製で、順次、リンスした。処理後の基板表面の前進接触角θAと、後退接触角θRは、それぞれ、105°/104°シリコン、105°/103°アルミニウム、106°/105°チタンとなり、ヒステリシスの小さい疎水性表面が形成されていた。鏡面研磨平均自乗粗さ1nm以下を施した銅、並びに、鉄基板を、1000Pa下で、30分間、波長172nmの真空紫外光に暴露して洗浄した後、これらの基板表面に、それぞれ、PMHSHMS-992原液を、直接、滴下し、相対湿度5以下の窒素雰囲気下で、加熱処理した。その際の処理温度は、50°C、処理時間は、24時間とした。加熱処理後、得られた基板を、ヘキサン、MilliQ水で、順次、リンスした。処理後の基板表面の前進接触角θAと、後退接触角θRは、それぞれ、103°/101°銅、104°/101°鉄となり、ヒステリシスの小さい疎水性表面が形成されていた。実施例1で作製したPMHS被覆アルミニウム基板表面に、枝状分子VinylT-structurePolymer、Gelest製、VTT-106に、プラチナ触媒Platinum-divinyltetramethyl-disiloxanecomplexinxylene、Gelest製を、1~2wt添加して調製した溶液を、直接、滴下し、相対湿度5以下の窒素雰囲気下で、加熱処理した。その際の処理温度は、80°C、処理時間は、24時間とした。加熱処理後、得られたアルミニウム基板を、ヘキサン、MilliQ水で、順次、リンスした。処理後の基板表面の前進接触角θAと、後退接触角θRは、111°/109°となった。上記実施例3で作製したアルミニウム基板を、塩水噴霧試験JISZ2371に供した。塩水噴霧試験の結果を、図3のbに示した。[比較例1]シリコン、並びにアルミニウム基板を、1000Pa下で、30分間、波長172nmの真空紫外光に暴露して洗浄した後、これらの基板表面に、それぞれ、直鎖状有機シランの、オクタデシルトリメトキシシラン[ODS:CH3CH217SiOCH33、Gelest製]の蒸気を利用して、気相からODSを化学吸着させた。処理温度は、150°C、処理時間は、72時間とした。処理後の基板表面の前進接触角θAと、後退接触角θRは、それぞれ、120°/100°シリコン、119°/99°アルミニウムとなった。[比較例2]鏡面研磨平均自乗粗さ1nm以下を施した銅基板を、1000Pa下で、30分間、波長172nmの真空紫外光に暴露して洗浄した後、PMHSHMS-992原液を、基板に、直接、滴下し、相対湿度5以下の窒素雰囲気下で、加熱処理した。その際の処理温度は、80°C、処理時間は、24時間とした。その結果、気泡を含んだゲル状の膜が形成された。[比較例3]上記実施例1で作製したアルミニウム基板を、塩水噴霧試験JISZ2371に供した。塩水噴霧試験の結果を、図3のaに示した。以上の4つの実施例、3つの比較例で作製した基板試料の表面を、相対的に評価したところ、実施例1、2と、比較例1の結果より、シリコーンのホモポリマーを利用して膜を形成した基板のみが、ヒステリシスの小さい疎水性表面を実現していることが分かった。また、比較例2の結果より、反応温度が高い80°C場合では、銅が、触媒として働き、シリコーンが、ゲル化するため、ヒステリシスの小さい疎水性表面を形成できないことが分かった。実施例1と実施例3で作製した試料を、相対的に評価したところ、いずれの基板表面も、ヒステリシスの小さい疎水性表面が形成されているが、枝状構造分子を、更に被覆した実施例3の基板表面では、防食特性が著しく向上することが分かった。これらの結果は、未反応の反応基H基を、枝状構造分子でキャッピングすることで、雰囲気中の水分と反応する可能性のある未反応の反応性官能基をなくすことができるため、より安定な表面を形成することが可能となることを示している。また、上記結果は、枝状構造分子が、あたかも傘の役割を果たし、液滴との相互作用を効率的に抑制し、塩水の表面への付着を抑制することを証明している。これらの相乗効果により、実施例3の基板表面では、防食効果が、格段に向上したものと考えられる。鏡面研磨平均自乗粗さ1nm以下を施した亜鉛基板を、1000Pa下で、30分間、波長172nmの真空紫外光に暴露して洗浄した後、基板表面に、PMHS原液Gelest製、HMS-991、粘度15~29、分子量1400~1800を、直接、滴下し、相対湿度5以下の窒素雰囲気下で、加熱処理した。その際の処理温度は、90°C、処理時間は、30時間とした。加熱処理後、得られた基板を、ヘキサン、MilliQ水で、順次、リンスした。処理後の基板表面の前進接触角θAと、後退接触角θRは、それぞれ、107°/105°となり、ヒステリシスの小さい疎水性表面が形成されていた。鏡面研磨平均自乗粗さ1nm以下を施したアルミニウム合金基板を、1000Pa下で、30分間、波長172nmの真空紫外光に暴露して洗浄した後、基板表面に、PMHS原液HMS-991を、直接、滴下し、相対湿度5以下の窒素雰囲気下で、加熱処理した。その際の処理温度は、50°C、処理時間は、72時間とした。加熱処理後、得られた基板を、ヘキサン、MilliQ水で、順次、リンスした。処理後の基板表面の前進接触角θAと、後退接触角θRは、それぞれ、111°/108°となり、ヒステリシスの小さい疎水性表面が形成されていた。鏡面研磨平均自乗粗さ1nm以下を施したアルミニウム基板を、1000Pa下で、30分間、波長172nmの真空紫外光に暴露して洗浄した後、この基板表面に、環状シランである1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane以下、D4Hと記載する。Gelest製の蒸気を用いて、相対湿度5以下の窒素雰囲気下で処理した。その際の処理温度は、80°C、処理時間は、72時間とした。処理後、得られた基板を、ヘキサン、MilliQ水で、順次、リンスした。この基板を、ビニル基終端ポリジメチルシロキサンDMS-V21、粘度100、分子量6000、Gelest製をヘキサンにより20wt.に希釈し、プラチナ触媒Platinum-divinyltetramethyl-disiloxanecomplexinxylene、Gelest製を10ppm添加して調製した溶液に浸漬し、加熱処理した。その際の処理温度は、50°C、処理時間は、72時間とした。加熱処理後、得られた基板を、ヘキサン、MilliQ水で、順次、リンスした。処理後の基板表面の前進接触角θAと、後退接触角θRは、それぞれ、110°/106°となり、ヒステリシスの小さい疎水性表面が形成されていた。鏡面研磨平均自乗粗さ1nm以下を施したアルミニウム基板を、1000Pa下で、30分間、波長172nmの真空紫外光に暴露して洗浄した後、基板表面に、PMHS原液HMS-991を、直接、滴下し、相対湿度5以下の窒素雰囲気下で、加熱処理した。その際の処理温度は、50°C、処理時間は、72時間とした。加熱処理後、得られた基板を、ヘキサン、MilliQ水で、順次、リンスした。その後、酸素プラズマ処理によりPMHS膜を酸化シリコンSiO2に変換した。この基板に、poly45-55hexadecylmethylsiloxane-dimethylsiloxanecopolymer以下、PA16MS-PDMSと示す。Gelest製、粘度40~70、分子量不明を、直接、滴下し、相対湿度5以下の窒素雰囲気下で、加熱処理した。その際の処理温度は、100°C、処理時間は、72時間とした。加熱処理後、得られた基板を、ヘキサン、MilliQ水で、順次、リンスした。処理後の基板表面を100°Cに加熱し、イオン液体Evonic社製、TEGO1により前進接触角θAと、後退接触角θRを測定したところ、それぞれ、71°/66°となり、ヒステリシスの小さい疎水性表面が形成されていた。鏡面研磨平均自乗粗さ1nm以下を施したアルミニウム基板を、1000Pa下で、30分間、波長172nmの真空紫外光に暴露して洗浄した後、基板表面に、PMHS原液HMS-991を、直接、滴下し、相対湿度5以下の窒素雰囲気下で、加熱処理した。その際の処理温度は、50°C、処理時間は、72時間とした。加熱処理後、得られた基板を、ヘキサン、MilliQ水で、順次、リンスした。その後、酸素プラズマ処理によりPMHS膜を酸化シリコンSiO2に変換した。この基板に、ビニル基終端ポリジメチルシロキサンDMS-V25、粘度500、分子量17200、Gelest製をヘキサンにより20wt.に希釈し、プラチナ触媒Platinum-divinyltetramethyl-disiloxanecomplexinxylene、Gelest製を10ppm添加して調製した溶液に浸漬し、加熱処理した。その際の処理温度は、50°C、処理時間は、72時間とした。処理後、得られた基板を、ヘキサン、MilliQ水で、順次、リンスした。処理後の基板表面を100°Cに加熱し、イオン液体Evonic社製、TEGO1により前進接触角θAと、後退接触角θRを測定したところ、それぞれ、95°/90°となり、ヒステリシスの小さい疎水性表面が形成されていた。シリコン、アルミニウム、鉄、銅、亜鉛、チタン、石英基板シリコン、石英以外は鏡面研磨処理、平均自乗粗さ1nm以下を、1000Pa下で、30分間、波長172nmの真空紫外光に暴露して洗浄した後、これらの基板表面に、テフロン登録商標AF米国デュポン社製、AF1600を3MNovecTM住友スリーエム社製、HFE-7300で5wt.に希釈した溶液をスピンキャストし、相対湿度5以下の窒素雰囲気下で、加熱処理した。その際の処理温度は、150°C、処理時間は、24時間とした。加熱処理後、得られた基板を、HFE-7300、MilliQ水で、順次、リンスした。処理後の基板表面の水/油ヘキサデカンの前進接触角θAと、後退接触角θRは、それぞれ、122°/118°、68°/63°シリコン、120°/118°、69°/65°アルミニウム、121°/118°、67°/63°鉄、122°/119°、68°/63°銅、121°/117°、68°/64°亜鉛、121°/119°、68°/63°チタン、125°/122°、68°/64°石英、となり、ヒステリシスの小さい疎水性/はつ油表面が形成されていた。[比較例4]実施例8で作製した基板について、イオン液体Evonic社製、TEGO1により、基板表面の前進接触角θAと、後退接触角θRを室温下で測定したところ、それぞれ、74°/63°となり、ヒステリシスの大きい疎水性表面が形成されていた。[比較例5]実施例9で作製した基板について、イオン液体Evonic社製、TEGO1により、基板表面の前進接触角θAと、後退接触角θRを室温下で測定したところ、それぞれ、93°/79°となり、ヒステリシスの大きい疎水性表面が形成されていた。以上の6つの実施例、2つの比較例で作製した基板試料の表面を、相対的に評価したところ、実施例5~10で作製した試料は、いずれの基板表面も、ヒステリシスの小さい疎水はっ水性、あるいははつ油表面が形成されていた。実施例8、9と、比較例4、5の結果より、基板を加熱して、イオン液体にて基板表面の動的接触角を測定した場合のみが、ヒステリシスの小さい疎水はっ水性表面を実現していることが分かった。"