"光変調器38であって、a変調器基板70と、b前記変調器基板70に支持され、かつ隣接する少なくとも幾つかのミラー42a42b42cが部分的に重なるミラーのアレイ540と、c前記変調器基板70に支持され、かつ前記ミラー42a42b42cを個別に傾斜させるよう構成された複数個のアクチュエータ8688と、を含んでいる光変調器。請求項1に記載の変調器であって、前記ミラー42a42b42cは、前記変調器基板70上において異なる高さで配置されている変調器。請求項2に記載の変調器であって、前記ミラー42a42b42cは、前記変調器基板70上において3つ以上の異なる高さで配置されている変調器。請求項1~3の何れか一項に記載の変調器であって、前記ミラー42a42b42cの1個における基板76の下側は、前記変調器基板70に対向すると共に、吸収性コーティング106が配置されている変調器。請求項1~5の何れか一項に記載の光学系であって、光を発生させるよう構成された光源を含んでいる光学系。請求項5に記載の光学系であって、前記光源によって発生させた光34が、隣接するミラー42a42b42c間に形成されたギャップ90を通して入り込むことができず、従って変調器基板70に支持されたアクチュエータ8688の1個又は電子部品72に入射できない程度に前記ミラー42a42b42cが重なっている光学系。請求項5又は6に記載の光学系であって、a前記光源30及び前記ミラー42a42b42cのアレイの間に配置され、かつb隣接する幾つかの前記ミラー42a42b42cに亘って延びる少なくとも1つの光ビームによって前記ミラーの前記アレイが照射されるよう、前記光34を前記ミラーの前記アレイに向けて反射する照明光学系46を含んでいる光学系。請求項5~7の何れか一項に記載の光学系であって、該光学系は、マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系である光学系。光変調器38であって、a変調器基板70と、bミラーのアレイと、c前記変調器基板70に支持され、かつ前記ミラーを2つの傾動軸線周りで個別に傾斜させるよう構成された複数個のアクチュエータ8688とを含み、前記ミラー42の少なくとも幾つかが有する外周形状は、基本形状を、傾動軸線に少なくともほぼ直交する回転軸線RA周りに異なる角度で回転させることによって得られる光変調器。請求項9に記載の変調器であって、前記回転角度は、一定の回転角度範囲内でほぼランダムに分布している変調器。請求項10に記載の変調器であって、前記範囲は、01°~30°である変調器。請求項11に記載の変調器であって、前記範囲は、1°~5°である変調器。請求項9~12の何れか一項に記載の変調器であって、前記ミラーの少なくとも幾つかの縁部は、不規則に擦り減っている変調器。光変調器であって、a変調器基板70と、b前記変調器基板70に支持され、かつ隣接するミラー間にガスが流出入可能なギャップ90が残留するようアレイ240,340,440状に配置される複数のミラー42と、c前記変調器基板70に支持され、かつ前記ミラー42を傾動軸線周りで個別に傾斜させるよう構成された複数個のアクチュエータ8688と、d光に対する吸収面を有し、かつ前記隣接するミラー42間に配置されることにより、前記ギャップ90を通して伝播する光が、前記変調器基板70に支持された前記アクチュエータ86,88又は電子部品に入射することを少なくとも部分的に回避する複数個の吸収素子94と、を含んでいる光変調器。請求項14に記載の光変調器であって、前記吸収素子図6の94は、前記ミラー42に取り付けられている光変調器。請求項14に記載の光変調器であって、前記吸収素子図7及び図8の94は、前記ギャップ90で延在している隆起部100に取り付けられている光変調器。請求項9~16の何れか一項に記載の光変調器を備えるマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系。本発明の目的は、ミラーアレイにおける各ミラーの下方に配置された敏感な電子部品が、光によって大幅に加熱及び/又は損傷するリスクを低減する光変調器を提供することである。本発明の更なる目的は、ミラーアレイを備えるマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系を提供することである。本発明の照明系は、投影光を複数のサブビームに分離する集光光学系を不要としながらも、ミラーアレイにおける各ミラーの下方に配置された敏感な電子部品が、投影光によって大幅に加熱及び/又は損傷するリスクを回避するものである。この目的は、本発明の第1態様に従って達成される。換言すれば、この目的は、変調器基板と、変調器基板に支持されたミラーアレイとを含む光変調器によって達成される。この場合、隣接するミラーの少なくとも幾つかは、部分的に重なっている。また、複数個のアクチュエータは、変調器基板に支持されると共に、各ミラーを個別に傾斜させるよう構成されている。隣接するミラーを重ねて配置することにより、隣接するミラー間に形成されたギャップに入り込み、アクチュエータ又は電子部品に入射可能な光量を大幅に低減することができる。隣接するミラーのうち、どのミラーがどの程度重なるかは、とりわけミラーアレイに入射するときの光の方向に依存するものである。このように、ミラー自体が、その下方に配置された敏感な部品を高エネルギの投影光からシールドするものであるため、例えば吸収素子のような付加的な光シールドを設ける必要はない。本発明の最も有利な構成によれば、光変調器は、光源及びミラーアレイ間に配置された照明光学系を含み、その照明光学系は、隣接するミラーの少なくとも幾つかに亘って延びる少なくとも1つの光ビームが各ミラーを照射するよう、光をミラーアレイに向けて反射する。ただし本発明は、互いに分離した複数かつ個別のサブビームが集光光学系によって生成される光学系に適用してもよい。この場合、ミラーを重ねて配置することにより、迷光が、ミラーアレイの変調器基板に配置された敏感な部品に到達することが回避される。各ミラーは、隣接するミラー間に形成されたギャップを通して光が全く入り込むことができず、従ってアクチュエータの1個又は電子部品に入射できない程度に重ねることができる。少なくとも幾つかのミラーが部分的に重なっていれば、各ミラーは通常、変調器基板上において異なる高さで配置する必要がある。この場合、ミラーの高さ及び側方方向における距離は、隣接するミラー間のギャップがより高いミラーによって生じる影に配置されるよう、決定する必要がある。ミラーアレイが三次元的なアレイであれば、各ミラーは通常、変調器基板上において3つ以上の異なる高さで配置する必要がある。各ミラーが異なる高さで配置されていれば、アレイは、変調器基板に対向するミラーの1個における基板76の下側に配置された吸収性コーティングを有することができる。このような吸収性コーティングは、より低い配置としたミラーからより高い配置としたミラーに向けて反射した光を吸収するものである。本発明の他の態様によれば、上述した目的は、150nmを超える波長を有する投影光を生成するよう構成された光源を備えるマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系によって達成される。この照明系は更に、変調器基板と、該変調器基板によって支持され、かつガスを流出入可能とするギャップが隣接するミラー間で残留するようアレイ状に配置される複数個のミラーとを有する光変調器を含む。光変調器は更に、変調器基板に支持され、かつミラーを傾動軸線周りで個別に傾斜させるよう構成された複数個のアクチュエータを有する。光変調器には複数個の吸収素子が設けられ、それぞれが、投影光に対する吸収面を有する。更に、各吸収素子は、隣接するミラー間に配置されることにより、ギャップを通して伝播する投影光が、変調器基板に支持されたアクチュエータ又は電子部品に入射することを少なくとも部分的に回避する。本発明のこの態様によれば、吸収素子は、各ミラー又はギャップで延在する隆起部に取り付けられる。照明系は更に、光源及び光変調器の間に配置された照明光学系を含み、その照明光学系は、隣接するミラーの少なくとも2個に亘って延びる少なくとも1つの光ビームが光変調器を照射するよう、投影光をミラーアレイに向けて反射する。上述した吸収面は、入射する投影光の少なくとも99を吸収するよう構成することができる。他の実施形態において、吸収素子は、ミラーの縁部に取り付けられる。この場合に吸収素子は、角度付きの断面を有することができる。吸収素子がギャップで延在するポスト又は隆起部に取り付けられる場合、各ミラーはこれらポール又は隆起部から吊られるものとすることもできる。本発明の更なる目的は、動作時に迷光を低減する光変調器を提供することである。本発明によれば、この目的は、変調器基板と、ミラーアレイと、変調器基板に支持され、かつ2つの傾動軸線周りでミラーを個別に傾斜させるよう構成された複数個のアクチュエータとを含む光変調器によって達成される。この場合、ミラーの幾つかが有する外周形状は、基本形状を、傾動軸線に少なくともほぼ直交する軸線周りに異なる角度で回転させることによって得られるものである。上述した外周形状を得ることは、完全に規則的な配置を回避し、従って回折による迷光を回避するのに寄与する。この効果は、回転角度が例えば01°~30°、好適には1°~5°の回転角度範囲内でほぼランダムに分布していれば、更に向上する。定義用語光とは、全ての電磁波を意味し、特に、可視光、UV、DUV、VUV及びEUV及びX線を意味する。本明細書の用語光線とは、その伝播経路を直線によって表すことのできる光を意味する。本明細書の用語光束とは、フィールド平面において、共通の源を有する複数の光線を意味する。本明細書の用語光ビームとは、特定のレンズ又は他の光学素子を通過する光を意味する。本明細書の用語光学ラスター素子とは、レンズ、プリズム又は回折光学素子など任意の光学素子であって、複数の光学チャネルが生成されたり維持されたりするよう、他の光学ラスター素子と共に配置される光学素子を意味する。本明細書の用語インテグレータ光学系とは、NAaの積を増加させる光学システムを意味し、この場合にNAは開口数であり、aは照射フィールド領域のことである。本明細書の用語コンデンサとは、フィールド平面及び瞳面間などの2つの平面間において、フーリエ関係を少なくとも近似的に確立する光学素子又は光学システムを意味する。本明細書の用語表面面とは、三次元空間における任意の平面又は曲面を意味する。この場合に表面面は、物体の一部であるか、又はフィールド若しくは瞳面に関して一般的であるように、完全に物体から分離していてもよい。本発明の様々な特徴及び利点は、添付図面に関連した以下の詳細な記載によって、より容易に理解することができる。I投影露光装置の一般的な構成図1は、本発明に係る投影露光装置10を大幅に簡略化した状態で示す斜視図である。装置10は、投影光ビーム図示せずを生成する照明系12を備える。この場合に照明系12は、複数個の微細な特徴部19図1では細いラインで概略的に示すで形成されたパターン18を含むマスク16上のフィールド14を照射するものである。図示の実施形態において、照射フィールド14は、環状セグメント状であるが、矩形など他の形状であってもよい。投影対物レンズ20は、照射フィールド14内のパターン18を、基板24に支持された感光層22上、例えばフォトレジスト上に結像する。シリコンウェハで形成することのできる基板24は、感光層22の頂面が投影対物レンズ20の結像平面内に正確に位置するよう、ウェハステージ図示せず上に配置される。マスク16は、マスクステージ図示せずにより、投影対物レンズ20の平面内に位置決めされる。この場合に投影対物レンズ20は、β1の横倍率βを有するため、照射フィールド14内におけるパターン18の縮小像18が感光層22上に投影される。図示の実施形態において、投影対物レンズ20の構成により、照射フィールド14は、投影対物レンズ20の光軸OAに対してずらせておく必要がある。他のタイプの投影対物レンズにおいて、照射フィールド14は、中心を光軸OAに合わせておくことができる。投影時におけるマスク16及び基板24は、図1のY方向に対応する走査方向に沿って移動する。この場合、照射フィールド14は、マスク16に亘って走査されるため、照射フィールド14よりも大きなパターン領域が連続的に結像可能である。基板24及びマスク16間における速度比は、投影対物レンズ20の横倍率βに等しい。投影対物レンズ20により像を反転させる場合β0、マスク16及び基板24は、図1の矢印A1及びA2で示すように、逆方向に移動する。ただし本発明は、マスクの投影時にマスク16及び基板24が移動しないステッパー装置でも使用することができる。II照明系の一般的な構成図2は、図1の照明系12を示す子午断面図である。なお同図は、明瞭性の見地から大幅に簡略化されており、実寸を反映するものではない。この点は、特に、異なる光学ユニットが1個又は僅かな個数の光学素子によってのみ表されていることを意味する。実際には、これらユニットは、遥かに多くのレンズや他の光学素子を含むことができる。照明系12は、ハウジング29と、図示の実施形態ではエキシマレーザとして実現された光源30とを含む。この場合に光源30は、約193nmの波長を有する投影光を発するものである。他のタイプの光源30や他の波長、例えば248nm又は157nmも想定することができる。図示の実施形態において、光源30から放射された光ビームは、該光ビームを拡大するビーム拡大ユニット32に入射する。光ビームを拡大するために、ビーム拡大ユニット32は、例えば複数個のレンズ又は平面ミラーを有することができる。ビーム拡大ユニット32から出射する拡大光ビーム34は、ほぼ発散することがない。即ち、ほぼ平行である。ビーム拡大ユニット32から出射した拡大光ビーム34列は、可変な空間放射照度分布を、後続的な瞳面内で生成するための光変調器38に入射する。そのために光変調器38は、アクチュエータによって、2つの直交する軸線周りで個別に傾斜可能なマイクロミラー42のアレイ40を含む。アクチュエータは、全体的なシステムコントローラ45に接続された制御ユニット43で制御される。図3は、アレイ40を示す斜視図である。同図は、光線が入射するマイクロミラー42の傾斜角に応じて、2つの光線LR1LR2が異なる方向に反射する状態を示す。図2及び図3のアレイ40は、6×6の個数のマイクロミラー42だけを含むが、実際には数百又は場合によっては数千個ものマイクロミラー42を含むことができる。図2について再度説明すると、光変調器38は更に、照明系12の光軸OAに対して傾斜した第1平面48a及び第2平面48bを有するプリズム46を含む。光ビーム34は、内部全反射によって、これら傾斜した平面48a,48bで反射する。第1平面48aは、光ビーム34をミラーアレイ40のマイクロミラー42に向けて反射し、第2平面48bは、マイクロミラー42が反射した個別の光ビームをプリズム46の出射面49に向けて反射する。第1平面48aは、光ビーム34をミラーアレイ40のマイクロミラー42に向けて反射し、第2平面48bは、マイクロミラー42が反射した個別の光ビームをプリズム46の出射面49に向けて反射する。このように、反射した光ビーム、従って出射面49から出射する投影光の角度放射照度分布は、マイクロアレイ40のマイクロミラー42を個別に傾斜させることで変化させることができる。光変調器38に関する更なる詳細は、例えば特許文献7米国特許出願公開第20090115990号明細書に記載されている。光変調器38によって生成された角度放射照度分布は、入射する光ビームをインテグレータ光学系52に向ける第1コンデンサ50により、空間放射照度分布に変換される。図4の斜視図に示すように、図示の実施形態におけるインテグレータ光学系52は、2個の光学ラスタプレート54a,54bを有し、これらプレート54a,54bは、円筒状マイクロレンズ56で構成されると共に、互いに直交するアレイを含む。この場合にインテグレータ光学系は、照明系12における後続的な瞳面内で複数の二次光源を発生させるものである。第2コンデンサ58は、瞳面56内と調整可能な視野絞り62が配置された視野絞り平面60との間にフーリエ関係を確立する。第2コンデンサ58は、第2光源から出射した光ビームを視野絞り平面60内で重ね合わせることにより、視野絞り平面60が極めて均一に照射される。視野絞り平面60は、視野絞り対物レンズ64により、マスクステージ図示せずによってマスク16が配置されるマスク平面66上に結像される。これにより、調整可能な視野絞り62もマスク平面66上に結像され、走査方向Yに沿って延在する、照射フィールド14の少なくとも短側面が規定される。インテグレータ光学系52の前で生成される放射照度分布により、瞳面56内における放射照度分布が決定し、従って視野絞り平面60内及びマスク平面66内における角度放射照度分布を決定する。このように、制御ユニット43でミラーアレイ40のマイクロミラー42を慎重に設定することにより、ほぼ任意の角度放射照度分布をマスク平面66内で迅速に生成することが可能である。更に、このことにより、マスク平面66内における角度放射照度分布を、マスク16に含まれるパターン18に適合させることが可能である。このパターン18は、角度放射照度分布を最適化することにより、感光層22上により正確に結像することができる。IIIミラーアレイの構成以下、図5~図11に関連して、ミラーアレイ40の様々な実施形態について説明する。1吸収素子図5は、第1実施形態に係るミラーアレイ40の一部を示す断面図である。この場合にミラーアレイ40は、複数個の電子部品72詳細に示さずに、単一の回路層としてのみ示すを支持する基板70を含む。基板70は更に、複数個のミラーユニット74を支持しており、各ミラーユニット74は、マイクロミラー42の1個と、該マイクロミラー42に機能的に関連付けられた電子部品とを含む。加えて、各マイクロミラー42は、ミラー基板76と、該ミラー基板76上に施され、例えば交互に異なる屈折率を有する複数の薄層より成る反射コーティング78とを含む。更に、各ミラーユニット74は、2個の半導体連結部材8284を支持するベース80を含む。これら部材8284により、マイクロミラー42は、半導体連結部材8284の構成に規定される2つの直交する傾動軸線周りで傾斜可能である。また、ミラーユニット74は、各ミラーユニット74に関連付けられたマイクロミラー42を、2つの直交する傾動軸線周りで傾斜させるよう構成された複数個のアクチュエータ8688を含む。傾動軸線周りでの傾斜を可能にするため、これらアクチュエータ8688は、例えば特許文献8国際公開第2010040506号パンフレットに記載されているように、静電気力を及ぼすことができる。図示の実施形態において、ミラーユニット74のベース80は、電子部品72上に実装されているが、本発明の技術分野で周知されているように、基板70上に直接に実装してもよい。ミラーアレイ40において隣接するマイクロミラー42間には、これらマイクロミラー42をアクチュエータ8688によって傾斜させるときの接触を回避するために必要なギャップ90が残留している。これらギャップ90には、マイクロミラー42の下方に形成されたキャビティにおけるガスの流出入を可能にするという利点もある。ガスの流出入は、電子部品72や、投影光34がマイクロミラー42の反射コーティング78に吸収されることによって生じる対流熱を除去するのに寄与する。ただし投影光34は、単一かつ連続的な投影光ビームとしてミラーアレイ40上に入射するため、ガスだけでなく投影光34の一部もギャップ90を通過することが可能である。図示の実施形態において、投影光34の一部は、矢印92で示す。投影光34の一部92がアクチュエータ8688及び/又は電子部品72に入射した場合、これら部品に吸収され、ミラーアレイ40の動作を損ない得る温度上昇をもたらすことになる。更に、高エネルギの投影光は、そのエネルギの一部を散乱電子に伝達することにより、アクチュエータ8688及び/又は88を部分的にイオン化する可能性もあるコンプトン効果。加えて、高エネルギの投影光による影響は、長期的には材料の劣化を引き起こす可能性がある。アクチュエータ8688及び/又は電子部品72に入射する投影光によって生じ得る悪影響の少なくとも一部を回避するため、複数個の吸収素子94が、隣接するマイクロミラー42間に配置されている。これら吸収素子94は、隣接するマイクロミラー42間に形成されたギャップを通して伝播する投影光の大部分を吸収するよう構成された吸収面96を含む。図示の実施形態において、吸収素子94は、電子部品72上に配置されている。吸収素子94は、吸収面96のみで構成することもでき、その場合には、電子部品72上に直接に配置される。図6は、第2実施形態に係るミラーアレイ240の一部を示す断面図である。図示の実施形態における吸収素子94は、基板70、アクチュエータ8688、又は基板70に支持される電子部品に取り付けられているわけではなく、マイクロミラー基板76の縁部98に取り付けられている。この場合の吸収素子94は、角度付きの断面を有するため、マイクロミラー42は吸収素子94と共に、隣接するマイクロミラーに接触することなく2つの傾動軸線周りで自由に傾斜可能である。吸収素子94をマイクロミラー基板76に取り付けることには、投影光がギャップ90内に入り込むことが完全に回避されるという利点がある。これにより、吸収素子で吸収される投影光によって生じる熱は、敏感な電子部品72及びアクチュエータ8688から遠ざけておくことができるだけでなく、ミラーアレイ240の表面上を流動するガスによって、該ミラーアレイ240からより容易に除去することができる。原則的には、吸収素子94に吸収面を設ける代わりに、吸収素子94が反射面を支持する構成としてもよいこの場合、厳密には吸収素子と呼ぶことはできない。この場合、吸収素子94の反射面は、投影光を、反射コーティング78で被覆されたマイクロミラー42の表面におけると同様の方向に反射する。図7に示す第3実施形態のミラーアレイ340は、基板70上のマイクロミラー42間で直立する隆起部100上に配置された吸収素子94を含む。この場合の吸収素子94による効果は、図6に示すミラーアレイ240の吸収素子94による効果と類似する。図8に示すミラーアレイ440の第4実施形態は、主として、マイクロミラー42が半導体連結部材に支持されておらず、吸収素子94が取り付けられた隆起部100から吊るされている点において、図7に示すミラーアレイ340とは異なるものである。図示の実施形態における吸収素子94を吊るすため、曲げストリップ102が、マイクロミラー基板76の隆起部100及び縁部98間で延在している。2ミラーの重なり図9は、第5実施形態に係るミラーアレイ540の断面図である。この場合、隣接するマイクロミラーの少なくとも幾つかは部分的に重なっている。そのためにマイクロミラーは、基板70上において異なる高さで配置されている。より具体的には、第1マイクロミラー42aは、第2マイクロミラー42bに比べて、基板70上においてより小さな高さで配置されている。図9の断面図に示すように、第1及び第2マイクロミラー42a42bは、一方向に沿って高さが交互に異なっている。投影光34は、ミラーアレイ540上で傾斜して入射するため、隣接する第1及び第2マイクロミラー42a42bの全てを部分的に重ねておく必要はない。例えば、図9の中央に示す2個のマイクロミラー42a42bは重なっていない。なぜなら、この場合に投影光34は、これら2個のマイクロミラー間42a42b間に形成されたギャップ90に入り込むことができず、従ってアクチュエータ8688の1個又は電子部品72に入射することがないからである。ただし、図9に示す他のマイクロミラー42a42bに関しては、マイクロミラー42a42bを重ねて配置することによってのみ、投影光34がアクチュエータ8688又は電子部品72に到達することが確実に回避される。即ち、他のマイクロミラー42a42bに関しては、ギャップ90近傍における投影光34は、基本的には、高さがより小さい第1マイクロミラー42aに入射した後、高さがより大きい隣接する第2マイクロミラー42bの下側に向けて反射する。その第2マイクロミラー42bの下側に入射する投影光が、アクチュエータ8688又は電子部品72に向けて反射するのを回避するため、第2マイクロミラー42bの下側は、吸収性コーティング106で被覆されている。三次元的なアレイにおけるマイクロミラーは、基本的には、基板70上において3つの異なる高さで配置する必要がある。基本的には、3つの異なる高さで配置した場合のみ、マイクロミラーは、2つの直交する方向に沿って重ねることができる。この点は、図10の上面図で示す。この場合、第3マイクロミラー42cは、第1及び第2マイクロミラー42a42bと交互に配置されている。第3マイクロミラー42cは、基板70上で最大の高さを有するものとしている。より大きな高さを有するマイクロミラー42b又は42cの影に配置された第1マイクロミラー42aのみが、これらより大きな高さを有するマイクロミラー42b42cと重なることがない。影の方向は、投影光34の入射方向に依存する。言うまでもなく、マイクロミラー42a42b42cは、隣接するマイクロミラーの全てが重なるように配置し、従ってこれらマイクロミラー42a~42cによる完全に規則的な配置を実現することもできる。ただし、隣接するマイクロミラー間により大きなギャップ90を残留させることは、対流熱を除去する上で有利である。更に、アクチュエータ8688に関して、他の様々な配置が想定可能である。例えば、アクチュエータ8688は、マイクロミラー42a~42cが基板70上において異なる高さで配置された場合でも、全て同一平面内に配置することができる。更に、アクチュエータ8688は、マイクロミラー42a~42cの下部に直接に取り付けることも想定可能である。上述した実施形態はVUV投影露光装置に関するものだが、本発明は、波長が50nm未満の投影光を発生させる光源を備えるEUV装置に関しても同様に適用することができる。3回転配置図11は、第6実施形態に係るミラーアレイ640を示す上面図である。この場合のミラーアレイ640の構成は、図5に示す第1実施形態の構成と本質的に同一である。図示の実施形態における各マイクロミラー42も、変調器基板70に支持されたアクチュエータ8688図5にのみ示すによって、2つの傾動軸線周りで個別に傾斜可能とされている。マイクロミラー42が有する外周形状は、基本形状図示の実施形態では正方形を、傾動軸線に少なくともほぼ直交する回転軸線RA周りに異なる角度で回転させることによって得られるものである。図示の実施形態における回転軸線RAは、図面に対して直交するよう延在する。上述した点は、光変調器の動作中に、マイクロミラーが回転軸線RA周りで回転可能であることを意味するものではない。このような回転自由度は、任意に付与することができるが必須ではない。ここに用語回転とは、基本ミラーを異なる回転角度だけ概念的に回転させて得られる、ミラーアレイ640の構造的配置を単に記述するにすぎない。図示の実施形態において、回転角度は、1°~5°の範囲内でほぼランダムに異なるものである。このほぼランダムな配置により、ミラーアレイ640の規則性が極めて効果的に低下し、これにより回折による迷光量が低減する。図11の拡大切り欠き図に示すように、マイクロミラーの縁部98が不規則に擦り減っている場合、回折による迷光量を更に低減することができる。"