"a-1離間して設けられた第1電極及び第2電極、及び、a-2第1電極と第2電極との間に設けられた光電変換材料層、を備え、第1電極と第2電極との間に電圧を印加した状態で、光電変換材料層に一定の光量の光を照射したとき、光電変換材料層にて生成する電流が、照射開始からの照射時間の経過に従って増加する光電変換素子、並びに、b該電流を検出する電流検出回路、を備えている光電変換装置。照射開始からの照射時間の経過に従って増加する電流の変化における時定数をτPとしたとき、τPは光電変換材料層に照射される光の単位時間当たりの光量の関数で表され、電流検出回路は、τPを算出する請求項1に記載の光電変換装置。光電変換材料層にて生成する電流Iincは、tを、照射開始からの、あるいは、第1電極及び第2電極への電圧の印加開始からの、経過時間としたとき、Iinc=C1I0P[1-exp-t/τP]C21で表され、電流検出回路は、Iincを求める請求項2に記載の光電変換装置。但し、I0P:t=∞において一定の光量の光が光電変換材料層に照射されていると仮定したときに光電変換材料層にて生成する電流C1,C2:定数電流検出回路は、t=0から、最長t=100ミリ秒まで、式1を積分して得られた電流積分値を求める請求項3に記載の光電変換装置。照射時間の経過に従った光電変換材料層における電流の増加は、第1電極、光電変換材料層及び第2電極によってコンデンサが構成されているとみなすときの該コンデンサにおける充電電流が示す変化に相当する請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の光電変換装置。光電変換材料層は有機材料から成る請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の光電変換装置。光電変換材料層は10cm2/V秒以下のキャリア移動度を有する請求項6に記載の光電変換装置。a-1離間して設けられた第1電極及び第2電極、及び、a-2第1電極と第2電極との間に設けられた光電変換材料層、を備え、第1電極と第2電極との間に電圧を印加した状態で、光電変換材料層に一定の光量の光を照射したとき、光電変換材料層にて生成する電流が、照射開始からの照射時間の経過に従って増加する光電変換素子、並びに、b該電流を検出する電流検出回路、を備えている固体撮像装置。A離間して設けられた第1電極及び第2電極、及び、B第1電極と第2電極との間に設けられた光電変換材料層、を備え、第1電極と第2電極との間に電圧を印加した状態で、光電変換材料層に一定の光量の光を照射したとき、光電変換材料層にて生成する電流が、照射開始からの照射時間の経過に従って増加する光電変換素子。透明導電材料から成る第1電極は、透明な基板上に形成されており、光電変換材料層は、第1電極上に形成されており、第2電極は、光電変換材料層上に形成されている請求項9に記載の光電変換素子。第1電極は、基板上に形成されており、光電変換材料層は、第1電極上に形成されており、透明導電材料から成る第2電極は、光電変換材料層上に形成されている請求項9に記載の光電変換素子。第1電極及び第2電極は基板上に形成されており、光電変換材料層は、第1電極から第2電極に亙り、基板上に形成されている請求項9に記載の光電変換素子。ところで、この特許公開公報に開示された技術にあっては、信号の読み出しは、通常のカラー読み出し回路を用いている段落番号[0135]参照。従って、この特許公開公報に開示された撮像素子にあっては、光電変換素子から出力され、読み出される信号は、時間依存性を有していない、定常状態となった出力信号の部分であると考えられる。しかしながら、このような定常状態となった出力信号の部分を読み出すのでは、感度が低く、また、S/N比が低いといった問題がある。従って、本発明の目的は、高い感度及びS/N比を有する光電変換材料層を備えた新規の光電変換素子、係る光電変換素子を組み込んだ光電変換装置、及び、係る光電変換装置を組み込んだ固体撮像装置を提供することにある。上記の目的を達成するための本発明の光電変換装置は、a-1離間して設けられた第1電極及び第2電極、及び、a-2第1電極と第2電極との間に設けられた光電変換材料層、を備え、第1電極と第2電極との間に電圧を印加した状態で、光電変換材料層に一定の光量の光を照射したとき、光電変換材料層にて生成する電流が、照射開始からの照射時間の経過に従って増加する光電変換素子、並びに、b該電流を検出する電流検出回路、を備えている。上記の目的を達成するための本発明の固体撮像装置は、a-1離間して設けられた第1電極及び第2電極、及び、a-2第1電極と第2電極との間に設けられた光電変換材料層、を備え、第1電極と第2電極との間に電圧を印加した状態で、光電変換材料層に一定の光量の光を照射したとき、光電変換材料層にて生成する電流が、照射開始からの照射時間の経過に従って増加する光電変換素子、並びに、b該電流を検出する電流検出回路、を備えている。上記の目的を達成するための本発明の光電変換素子は、A離間して設けられた第1電極及び第2電極、及び、B第1電極と第2電極との間に設けられた光電変換材料層、を備え、第1電極と第2電極との間に電圧を印加した状態で、光電変換材料層に一定の光量の光を照射したとき、光電変換材料層にて生成する電流が、照射開始からの照射時間の経過に従って増加する。Si系半導体材料を光電変換材料層に用いた光電変換素子は、一般に非常に低抵抗である。これに対して、例えば、金属酸化物薄膜や有機材料薄膜は、その結晶性を問わず、一般にSi系半導体材料に比べて、高抵抗であり、しかも、キャリア移動度が小さい。即ち、金属酸化物材料や有機材料から構成された薄膜にあっては、キャリア移動度が小さく、しかも、高抵抗であり、更には、多くの欠陥準位を有し、非常に高い電界強度をもってしても瞬時に薄膜内の容量を満たすだけのキャリアを注入することは非常に難しい。それ故、界面電気二重層の形成を含む薄膜内での電位分布の安定化に或る一定時間を要する。よって、光電変換材料層に電圧を印加した状態で光電変換材料層に光を照射したとき、光電変換材料層において電荷が蓄積されるが、光電変換材料層における時定数τが十分に大きいので数マイクロ秒~数ミリ秒のオーダー、光電変換材料層において生成する充放電過渡電流が観察可能となる。本発明の光電変換素子、本発明の光電変換装置を構成する光電変換素子、本発明の固体撮像装置を構成する光電変換素子以下、これらを総称して、本発明の光電変換素子等と呼ぶ場合があるにあっては、第1電極と第2電極との間に電圧を印加した状態で即ち、第1電極と第2電極との間にバイアス電圧を印加しながら、光電変換材料層に一定の光量の光を照射したとき、光電変換材料層にて生成する電流が照射開始から照射時間の経過に従って増加する。そして、係る電流を検出することで、高い感度及びS/N比を有する光電変換素子等を提供することができる。即ち、充電電流に基づき受光光量を決定することができる。特に、従来のフォトダイオードが飽和してしまうような非常に強い光量の光を照射したときであっても、5ミリ秒程度以下の非常に短い時間での過渡応答を検出することができるので、従来のフォトダイオードでは飽和してしまう光量の光も検出することが可能となる。よって、固体撮像装置として利用する場合、そのダイナミックレンジを広げることができる。尚、光電変換材料層に光を照射したときの電流-時間応答及び光量依存性に関して、充電電流の電流面積電流の時間積分値は光量に依存する。以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明するが、本発明は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。1.本発明の光電変換素子、光電変換装置及び固体撮像装置、全般に関する説明2.実施例1本発明の光電変換素子及び光電変換装置、第1の構成の光電変換素子3.実施例2実施例1の変形4.実施例3実施例1の変形、第2の構成の光電変換素子5.実施例4実施例1の別の変形、第3の構成の光電変換素子6.実施例5実施例1の別の変形、3端子型電子デバイス構造7.実施例6実施例1の別の変形、3端子型電子デバイス構造8.実施例7実施例1の別の変形、3端子型電子デバイス構造9.実施例8実施例1の別の変形、3端子型電子デバイス構造10.実施例9本発明の固体撮像装置、その他[本発明の光電変換素子、光電変換装置及び固体撮像装置、全般に関する説明]本発明の光電変換素子等にあっては、照射開始からの照射時間の経過に従って増加する電流の変化における時定数をτPとしたとき、τPは光電変換材料層に照射される光の単位時間当たりの光量Pの関数で表される形態とすることができる。具体的には、例えば、[-1/τP]を単位とした値[αP]は、光電変換材料層に照射される光の単位時間当たりの光量Pの一次関数で表すことができる。そして、本発明の光電変換装置あるいは本発明の固体撮像装置において、電流検出回路はτPを算出する形態とすることができる。具体的には、電流検出回路によってτPを算出することで、光電変換材料層に照射される光の単位時間当たりの光量Pを求めることができる。そして、この場合、本発明の光電変換素子等において、光電変換材料層にて生成する電流Iincは、tを照射開始からの、あるいは、第1電極及び第2電極への電圧の印加開始からの、経過時間としたとき、Iinc=C1I0P[1-exp-t/τP]C21で表すことができ、本発明の光電変換装置あるいは本発明の固体撮像装置にあっては、更に、電流検出回路はIincを求める形態とすることができる。但し、I0P:t=∞において一定の光量Pの光が光電変換材料層に照射されていると仮定したときに光電変換材料層にて生成する電流C1,C2:定数である。尚、C1の値は正である。そして、本発明の光電変換装置あるいは本発明の固体撮像装置において、この場合、更には、電流検出回路は、t=0から、最長t=100ミリ秒まで、前記式1を積分して得られた電流積分値を求める構成とすることができる。また、本発明の光電変換素子にあっては、t=0から、最長t=100ミリ秒まで、前記式1を積分して得られた電流積分値電流積分値に基づき算出される物理量を含むは光量依存性を示す構成とすることができる。以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の光電変換装置、固体撮像装置あるいは光電変換素子にあっては、照射時間の経過に従った光電変換材料層における電流の増加は、第1電極、光電変換材料層及び第2電極によってコンデンサが構成されているとみなすときの該コンデンサにおける充電電流が示す変化に相当する形態とすることができる。更には、以上に説明した好ましい形態を含む本発明の光電変換装置、固体撮像装置あるいは光電変換素子にあっては、光電変換材料層は有機材料から成ることが好ましい。そして、この場合、光電変換材料層は10cm2/V秒以下のキャリア移動度を有することが、一層好ましい。以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の光電変換素子等にあっては、透明導電材料から成る第1電極は、透明な基板上に形成されており、光電変換材料層は、第1電極上に形成されており、第2電極は、光電変換材料層上に形成されている構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、第1の構成の光電変換素子と呼ぶ。あるいは又、第1電極は、基板上に形成されており、光電変換材料層は、第1電極上に形成されており、透明導電材料から成る第2電極は、光電変換材料層上に形成されている構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、第2の構成の光電変換素子と呼ぶ。あるいは又、第1電極及び第2電極は基板上に形成されており、光電変換材料層は、第1電極から第2電極に亙り、基板上に形成されている構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、第3の構成の光電変換素子と呼ぶ。以上に説明した好ましい形態、構成を含む本発明の光電変換素子等において、光電変換材料層は、アモルファス状態であってもよいし、結晶状態であってもよい。光電変換材料層を構成する有機材料として、有機半導体材料、具体的には、キナクリドン及びその誘導体に代表される有機色素、Alq3[trisaluminum]に代表される前周期周期表の左側の金属を指すイオンを有機材料でキレート化した色素、フタロシアニン亜鉛IIに代表される遷移金属イオンと有機材料によって錯形成された有機金属色素、以下に構造式を示すジナフトチエノチオフェンDNTTを挙げることができる。あるいは又、光電変換材料層を構成する材料として、有機金属化合物、有機半導体微粒子、金属酸化物半導体、無機半導体微粒子、コア部材がシェル部材で被覆された材料、有機-無機ハイブリッド化合物を用いることもできる。ここで、有機金属化合物として、具体的には、上述した前周期イオンを有機材料でキレート化した色素、遷移金属イオンと有機材料によって錯形成された有機金属色素を挙げることができる。また、有機半導体微粒子として、具体的には、前述したキナクリドン及びその誘導体に代表される有機色素の会合体、前周期イオンを有機材料でキレート化した色素の会合体、遷移金属イオンと有機材料によって錯形成された有機金属色素の会合体、あるいは又、金属イオンをシアノ基で架橋したプルシアンブルー及びその誘導体、あるいは又、これらの複合会合体を挙げることができる。更には、金属酸化物半導体や無機半導体微粒子として、具体的には、ITO、IGZO、ZnO、IZO、IrO2、TiO2、SnO2、SiOX、カルゴゲン[例えば、硫黄S、セレンSe、テルルTe]を含む金属カルゴゲン半導体具体的には、CdS、CdSe、ZnS、CdSe/CdS、CdSe/ZnS、PbSe、ZnO、CdTe、GaAs、及び、Siを挙げることができる。微粒子の平均粒径RAVEの範囲は、限定するものではないが、5.0×1010m≦RAVE≦1.0×106m、好ましくは5.0×1010m≦RAVE≦1×108m、より好ましくは5.0×1010m≦RAVE≦1.0×107mであることが望ましく、水、有機溶剤に対する分散性が高いことが望ましい。更には、微粒子の吸収バンドが380nm乃至800nm間の可視光領域、又は、800nm乃至1500nmの近赤外領域、又は、380nm乃至800nm間の可視光領域及び800nm乃至1500nmの近赤外領域にあることが望ましい。微粒子の形状として球形を挙げることができるが、これに限るものではなく、その他、例えば、三角形、四面体、立方体、直方体、円錐、円柱状ロッド、三角柱、ファイバー状、毛玉状のファイバー等を挙げることができる。尚、微粒子の形状が球形以外の場合の微粒子の平均粒径RAVEは、球形以外の微粒子の測定された体積と同じ体積を有する球を想定し、係る球の直径の平均値を微粒子の平均粒径RAVEとすればよい。微粒子の平均粒径RAVEは、例えば、透過型電子顕微鏡TEMにて観察された微粒子の粒径を計測することで得ることができる。更には、コア部材がシェル部材で被覆された材料、即ち、コア部材,シェル部材の組合せとして、具体的には、ポリスチレン,ポリアニリンといった有機材料や、イオン化し難い金属材料,イオン化し易い金属材料といった金属材料を挙げることができる。また、有機-無機ハイブリッド化合物として、具体的には、金属イオンをシアノ基で架橋したプルシアンブルー及びその誘導体を挙げることができるし、その他、ビピリジン類で金属イオンを無限架橋したもの、シュウ酸、ルベアン酸に代表される多価イオン酸で金属イオンを架橋したものの総称である配位高分子CoordinationPolymerを挙げることができる。光電変換材料層の形成方法として、使用する材料にも依るが、塗布法、物理的気相成長法PVD法;MOCVD法を含む各種の化学的気相成長法CVD法を挙げることができる。ここで、塗布法として、具体的には、スピンコート法;浸漬法;キャスト法;スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法といった各種印刷法;スタンプ法;スプレー法;エアドクタコーター法、ブレードコーター法、ロッドコーター法、ナイフコーター法、スクイズコーター法、リバースロールコーター法、トランスファーロールコーター法、グラビアコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、スリットオリフィスコーター法、カレンダーコーター法といった各種コーティング法を例示することができる。尚、塗布法においては、溶媒として、トルエン、クロロホルム、ヘキサン、エタノールといった無極性又は極性の低い有機溶媒を例示することができる。また、PVD法として、電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、フラッシュ蒸着等の各種真空蒸着法;プラズマ蒸着法;2極スパッタリング法、直流スパッタリング法、直流マグネトロンスパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、バイアススパッタリング法等の各種スパッタリング法;DCdirectcurrent法、RF法、多陰極法、活性化反応法、電界蒸着法、高周波イオンプレーティング法、反応性イオンプレーティング法等の各種イオンプレーティング法を挙げることができる。光電変換材料層の厚さは、限定するものではないが、例えば、1×1010m乃至5×107mを例示することができる。光電変換層を構成する材料にも依存するが、第1電極と第2電極との間に印加する電圧バイアス電圧として、例えば、電位差で1ミリボルト乃至15ボルトを例示することができる。また、光電変換材料層に一定の光量Pの光を照射したとき、光電変換材料層にて生成する電流が照射時間の経過に従って増加するが、ここで、一定の光量Pの光の照射時間は、光電変換材料層を構成する材料にも依存するが、例えば、1×1012秒乃至1×101秒を例示することができる。また、光電変換材料層にて生成する電流が照射時間の経過に従って増加するが、この増加あるいは増加の割合は、光電変換材料層を構成する材料に依存し、一義的に決定することはできず、種々の試験を行うことで調べればよい。時定数τPは、光電変換材料層に照射される光の単位時間当たりの光量Pの関数で表されるが、係る光量Pの関数は、種々の試験を行うことで得ることができ、係る光量Pの関数は、例えば、電流検出回路に記憶させておけばよい。同様に、電流Iincと光電変換材料層に照射される光の単位時間当たりの光量Pとの関係も、種々の試験を行うことで得ることができ、係る関係も、例えば、電流検出回路に記憶させておけばよい。尚、好ましい構成においては、電流検出回路は、例えば、式1を積分して得られた電流積分値を求めるが、式1の第1項のみを含む電流積分値電流積分値に基づき算出される物理量を含むに基づき光量Pを求めてもよいし、式1の第1項及び第2項からの電流積分値電流積分値に基づき算出される物理量を含むに基づき光量Pを求めてもよく、電流積分値電流積分値に基づき算出される物理量を含むと光量Pの関係も、例えば、電流検出回路に記憶させておけばよい。あるいは又、時間tと電流Iincとから式1に基づき光量Pを求めることができる。電流検出回路は、τPを算出し、あるいは、Iincを求め、あるいは、光量Pを求めることができる限り、如何なる周知の構成、構造の電流検出回路とすることもできる。また、固体撮像装置の他の構成要素も、周知の構成要素とすることができる。第1電極と第2電極とは離間されているが、係る離間状態として、第1電極の上方に第2電極が設けられている形態第1の構成あるいは第2の構成の光電変換素子、基板上に対向した状態で第1電極及び第2電極が設けられている形態第3の構成の光電変換素子がある。本発明の光電変換素子等は第1電極及び第2電極を備えた2端子型電子デバイス構造に限定されず、更に制御電極を備えた3端子型電子デバイス構造としてもよく、制御電極への電圧の印加によって、流れる電流の変調を行うことが可能となる。3端子型電子デバイス構造として、具体的には、所謂ボトムゲート/ボトムコンタクト型、ボトムゲート/トップコンタクト型、トップゲート/ボトムコンタクト型、トップゲート/トップコンタクト型の電界効果型トランジスタFETと同じ構成、構造を挙げることができる。より具体的には、ボトムゲート/ボトムコンタクト型の3端子型電子デバイス構造から成る本発明の光電変換素子等は、a支持体上に形成された制御電極ゲート電極に相当する、b制御電極及び支持体上に形成された絶縁層ゲート絶縁層に相当する、c絶縁層上に形成された第1電極/第2電極ソース/ドレイン電極に相当する、並びに、d第1電極/第2電極の間であって絶縁層上に形成された光電変換材料層チャネル形成領域に相当する、を備えている。また、ボトムゲート/トップコンタクト型の3端子型電子デバイス構造から成る本発明の光電変換素子等は、a支持体上に形成された制御電極ゲート電極に相当する、b制御電極及び支持体上に形成された絶縁層ゲート絶縁層に相当する、c絶縁層上に形成された光電変換材料層チャネル形成領域に相当する及び光電変換材料層延在部、並びに、d光電変換材料層延在部上に形成された第1電極/第2電極ソース/ドレイン電極に相当する、を備えている。また、トップゲート/ボトムコンタクト型の3端子型電子デバイス構造から成る本発明の光電変換素子等は、a支持体上に形成された第1電極/第2電極ソース/ドレイン電極に相当する、b第1電極/第2電極の間の支持体上に形成された光電変換材料層チャネル形成領域に相当する、c第1電極/第2電極及び光電変換材料層上に形成された絶縁層ゲート絶縁層に相当する、並びに、d絶縁層上に形成された制御電極ゲート電極に相当する、を備えている。また、トップゲート/トップコンタクト型の3端子型電子デバイス構造から成る本発明の光電変換素子等は、a支持体上に形成された光電変換材料層チャネル形成領域に相当する及び光電変換材料層延在部、b光電変換材料層延在部上に形成された第1電極/第2電極ソース/ドレイン電極に相当する、c第1電極/第2電極及び光電変換材料層上に形成された絶縁層ゲート絶縁層に相当する、並びに、d絶縁層上に形成された制御電極ゲート電極に相当する、を備えている。第1電極あるいは第2電極を構成する透明導電材料として、インジウム-錫酸化物ITO,SnドープのIn2O3、結晶性ITO及びアモルファスITOを含む、IFOFドープのIn2O3、酸化錫SnO2、ATOSbドープのSnO2、FTOFドープのSnO2、酸化亜鉛AlドープのZnOやBドープのZnO、GaドープのZnOを含む、酸化インジウム-酸化亜鉛IZO、酸化チタンTiO2、スピネル形酸化物、YbFe2O4構造を有する酸化物を例示することができる。尚、このような材料から成る第1電極あるいは第2電極は、通常、高仕事関数を有し、アノード電極として機能する。透明電極を形成する方法として、透明電極を構成する材料にも依るが、真空蒸着法や反応性蒸着法、各種のスパッタリング法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法といったPVD法、パイロゾル法、有機金属化合物を熱分解する方法、スプレー法、ディップ法、MOCVD法を含む各種のCVD法、無電解メッキ法、電解メッキ法を挙げることができる。また、透明性が不要である場合、第1電極あるいは第2電極を構成する導電材料として、第1電極あるいは第2電極をアノード電極陽極として機能させる場合、即ち、正孔を取り出す電極として機能させる場合、高仕事関数例えば、φ=4.5eV~5.5eVを有する導電材料から構成することが好ましく、具体的には、金Au、銀Ag、クロムCr、ニッケルNi、パラジウムPd、白金Pt、鉄Fe、イリジウムIr、ゲルマニウムGe、オスミウムOs、レニウムRe、テルルTeを例示することができる。一方、第1電極あるいは第2電極をカソード電極陰極として機能させる場合、即ち、電子を取り出す電極として機能させる場合、低仕事関数例えば、φ=3.5eV~4.5eVを有する導電材料から構成することが好ましく、具体的には、アルカリ金属例えばLi、Na、K等及びそのフッ化物又は酸化物、アルカリ土類金属例えばMg、Ca等及びそのフッ化物又は酸化物、アルミニウムAl、亜鉛Zn、錫Sn、タリウムTl、ナトリウム-カリウム合金、アルミニウム-リチウム合金、マグネシウム-銀合金、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属、あるいは、これらの合金を挙げることができる。あるいは又、第1電極や第2電極、制御電極を構成する材料として、白金Pt、金Au、パラジウムPd、クロムCr、ニッケルNi、アルミニウムAl、銀Ag、タンタルTa、タングステンW、銅Cu、チタンTi、インジウムIn、錫Sn、鉄Fe、コバルトCo、モリブデンMo等の金属、あるいは、これらの金属元素を含む合金、これらの金属から成る導電性粒子、これらの金属を含む合金の導電性粒子、不純物を含有したポリシリコン、炭素系材料、酸化物半導体、カーボンナノチューブ、グラフェン等の導電性物質を挙げることができるし、これらの元素を含む層の積層構造とすることもできる。更には、第1電極や第2電極、制御電極を構成する材料として、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸[PEDOT/PSS]といった有機材料導電性高分子を挙げることもできる。第1電極や第2電極、制御電極の形成方法として、これらを構成する材料にも依るが、上述した各種のPVD法;MOCVD法を含む各種のCVD法;上述した各種の塗布法;リフトオフ法;ゾル-ゲル法;電着法;シャドウマスク法;電解メッキ法や無電解メッキ法あるいはこれらの組合せといったメッキ法;及び、スプレー法の内のいずれかと、必要に応じてパターニング技術との組合せを挙げることができる。基板あるいは支持体以下、これらを総称して、基板等と呼ぶ場合があるとして、ポリメチルメタクリレートポリメタクリル酸メチル,PMMAやポリビニルアルコールPVA、ポリビニルフェノールPVP、ポリエーテルスルホンPES、ポリイミド、ポリカーボネートPC、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPENに例示される有機ポリマー高分子材料から構成された可撓性を有するプラスチックフィルムやプラスチックシート、プラスチック基板といった高分子材料の形態を有するを挙げることができ、あるいは又、雲母を挙げることができる。このような可撓性を有する高分子材料から構成された基板等を使用すれば、例えば曲面形状を有する電子機器への電子デバイスの組込みあるいは一体化が可能となる。あるいは又、基板等として、各種ガラス基板や、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成されたシリコン基板、ステンレス等の各種合金や各種金属から成る金属基板を挙げることができる。尚、絶縁膜として、酸化ケイ素系材料例えば、SiOXやスピンオンガラスSOG;窒化ケイ素SiNY;酸窒化ケイ素SiON;酸化アルミニウムAl2O3;金属酸化物や金属塩を挙げることができる。また、表面にこれらの絶縁膜が形成された導電性基板金やアルミニウム等の金属から成る基板、高配向性グラファイトから成る基板を用いることもできる。基板等の表面は、平滑であることが望ましいが、光電変換材料層の特性に悪影響を及ぼさない程度のラフネスがあっても構わない。基板等の表面にシランカップリング法によるシラノール誘導体を形成したり、SAM法等によりチオール誘導体、カルボン酸誘導体、リン酸誘導体等から成る薄膜を形成したり、CVD法等により絶縁性の金属塩や金属錯体から成る薄膜を形成することで、第1電極や第2電極、制御電極と基板等との間の密着性を向上させてもよい。透明な基板とは、基板を介して光電変換材料層に入射する光を過度に吸収しない材料から構成された基板を指す。場合によっては、電極や光電変換材料層を被覆層で被覆してもよい。被覆層を構成する材料として、酸化ケイ素系材料;窒化ケイ素SiNY;酸化アルミニウムAl2O3等の金属酸化物高誘電絶縁膜にて例示される無機系絶縁材料だけでなく、ポリメチルメタクリレートPMMA;ポリビニルフェノールPVP;ポリビニルアルコールPVA;ポリイミド;ポリカーボネートPC;ポリエチレンテレフタレートPET;ポリスチレン;N-2アミノエチル3-アミノプロピルトリメトキシシランAEAPTMS、3-メルカプトプロピルトリメトキシシランMPTMS、オクタデシルトリクロロシランOTS等のシラノール誘導体シランカップリング剤;オクタデカンチオール、ドデシルイソシアネイト等の一端に制御電極と結合可能な官能基を有する直鎖炭化水素類にて例示される有機系絶縁材料有機ポリマーを挙げることができるし、これらの組み合わせを用いることもできる。尚、酸化ケイ素系材料として、酸化シリコンSiOX、BPSG、PSG、BSG、AsSG、PbSG、酸化窒化シリコンSiON、SOGスピンオングラス、低誘電率材料例えば、ポリアリールエーテル、シクロパーフルオロカーボンポリマー及びベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、有機SOGを例示することができる。絶縁層を構成する材料として、酸化ケイ素系材料;窒化ケイ素SiNY;酸化アルミニウムAl2O3等の金属酸化物高誘電絶縁膜にて例示される無機系絶縁材料だけでなく、ポリメチルメタクリレートPMMA;ポリビニルフェノールPVP;ポリビニルアルコールPVA;ポリイミド;ポリカーボネートPC;ポリエチレンテレフタレートPET;ポリスチレン;N-2アミノエチル3-アミノプロピルトリメトキシシランAEAPTMS、3-メルカプトプロピルトリメトキシシランMPTMS、オクタデシルトリクロロシランOTS等のシラノール誘導体シランカップリング剤;オクタデカンチオール、ドデシルイソシアネイト等の一端に制御電極と結合可能な官能基を有する直鎖炭化水素類にて例示される有機系絶縁材料有機ポリマーを挙げることができるし、これらの組み合わせを用いることもできる。尚、酸化ケイ素系材料として、酸化シリコンSiOX、BPSG、PSG、BSG、AsSG、PbSG、酸化窒化シリコンSiON、SOGスピンオングラス、低誘電率材料例えば、ポリアリールエーテル、シクロパーフルオロカーボンポリマー及びベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、有機SOGを例示することができる。絶縁層の形成方法として、上述の各種PVD法;各種CVD法;スピンコート法;上述した各種の塗布法;ゾル-ゲル法;電着法;シャドウマスク法;及び、スプレー法の内のいずれかを挙げることができる。あるいは又、絶縁層は、制御電極の表面を酸化あるいは窒化することによって形成することができるし、制御電極の表面に酸化膜や窒化膜を成膜することで得ることもできる。制御電極の表面を酸化する方法として、制御電極を構成する材料にも依るが、O2プラズマを用いた酸化法、陽極酸化法を例示することができる。また、制御電極の表面を窒化する方法として、制御電極を構成する材料にも依るが、N2プラズマを用いた窒化法を例示することができる。あるいは又、例えば、Au電極に対しては、一端をメルカプト基で修飾された直鎖状炭化水素のように、制御電極と化学的に結合を形成し得る官能基を有する絶縁性分子によって、浸漬法等の方法で自己組織的に制御電極表面を被覆することで、制御電極の表面に絶縁層を形成することもできる。あるいは又、制御電極の表面をシラノール誘導体シランカップリング剤により修飾することで、絶縁層を形成することもできる。本発明の光電変換装置あるいは光電変換素子等によって、テレビカメラ等の撮像装置固体撮像装置以外にも、光センサーやイメージセンサーを構成することができる。実施例1は、本発明の光電変換装置及び光電変換素子に関し、より具体的には、実施例1の光電変換素子は、第1の構成の光電変換素子である。実施例1の光電変換素子11は、図1に模式的な断面図を示すように、A離間して設けられた第1電極21及び第2電極22、及び、B第1電極21と第2電極22との間に設けられた光電変換材料層30、を備えている。また、実施例1の光電変換装置は、光電変換素子11を備えており、更に、電流検出回路40を備えている。そして、実施例1の光電変換素子11、あるいは、実施例1の光電変換装置、あるいは、後述する固体撮像装置を構成する光電変換素子11にあっては、第1電極21と第2電極22との間に電圧を印加した状態で、光電変換材料層30に一定の光量Pの光を照射したとき、光電変換材料層30にて生成する電流が、照射開始からの照射時間の経過に従って増加する。更には、実施例1の光電変換装置、あるいは、後述する固体撮像装置にあっては、電流検出回路40はこの電流あるいは電流変化を検出する。電流検出回路40は、第1電極21及び第2電極22に接続されており、第1電極21及び第2電極22への電圧の印加も行う。尚、実施例1の光電変換素子11にあっては、透明導電材料から成る第1電極21は、透明な基板20上に形成されており、光電変換材料層30は、第1電極21上に形成されており、第2電極22は、光電変換材料層30上に形成されている。ここで、光は、基板20、第1電極21を介して光電変換材料層30に入射する。基板20は厚さ0.7mmのガラス基板から成り、第1電極21は、透明導電材料具体的には、厚さ120nmのITOから成り、第2電極22は、厚さ100nmのアルミニウムAlから成り、光電変換材料層30は、有機材料、具体的には、有機半導体材料より具体的には、厚さ50nmのキナクリドンから成る。尚、光電変換材料層30は10cm2/V秒以下のキャリア移動度例えば、103cm2/V秒から106cm2/V秒程度のキャリア移動度を有する。実施例1の光電変換素子11は、以下の方法で作製することができる。即ち、先ず、基板20上に、厚さ120nmのITOから成る第1電極21を、フォトマスクを用いたリソグラフィ技術に基づき形成する。次いで、基板20及び第1電極21上に絶縁材料から成る凸部31を形成した後、真空蒸着法にて、厚さ50nmのキナクリドンから成る光電変換材料層30を第1電極21から凸部31の上に亙り形成する。次に、光電変換材料層30上から基板20上に亙り、厚さ100nmのアルミニウムから成る第2電極22を、メタルマスクを用いてPVD法にて形成する。尚、凸部31は、光電変換材料層30を形成すべき基板20の領域を囲むように形成されている。こうして得られた実施例1の光電変換素子11の光電変換材料層30に、透明基板20、第1電極21を介して、波長565nmの一定の光量Pの光を照射した。尚、第1電極21に15ボルトを印加し、第2電極22を接地した状態としている。このとき、光電変換材料層30にて生成する電流は、照射時間の経過に従って増加した。即ち、光電変換素子11において、照射時間の経過に従った光電変換材料層30における電流の増加は、第1電極21、光電変換材料層30及び第2電極22によってコンデンサが構成されているとみなすときのこのコンデンサにおける充電電流が示す変化に相当する。即ち、光電変換素子11においては、充電電流が生成した。ここで、照射開始からの照射時間の経過に従って増加する電流の変化における時定数をτPとしたとき、τPは光電変換材料層30に照射される光の単位時間当たりの光量Pの関数で表される。また、電流検出回路40によってτPが算出される。ここで、光電変換材料層30にて生成する電流Iincは、tを、照射開始からの、あるいは、第1電極21及び第2電極22への電圧の印加開始からの、経過時間としたとき、Iinc=C1I0P[1-exp-t/τP]C21で表される。ここで、光電変換素子11あるいは光電変換装置に、光電変換材料層30への光の照射を制御する手段例えば、シャッターが配設されている場合には、tを照射開始からの経過時間とすればよいし、光電変換材料層30への光の照射を制御する手段が配設されていない場合には、tを第1電極21及び第2電極22への電圧の印加開始バイアス電圧の印加開始からの経過時間とすればよい。尚、I0Pは、t=∞において一定の光量Pの光が光電変換材料層30に照射されていると仮定したときに光電変換材料層30にて生成する電流であり、C1,C2は定数である。但し、C1の値は正であり、例えば、C1=1である。そして、光電変換装置あるいは後述する固体撮像装置にあっては、更に、電流検出回路40によってIincが求められる。即ち、充電電流値を、第1電極21及び第2電極22に接続された周知の電流検出回路40によって検出した。尚、光電変換装置にあっては、電流検出回路40は、t=0から、例えば、最長t=100ミリ秒まで、式1を積分して得られた電流積分値実施例1にあっては、電流積分値に基づき算出される物理量である電荷量を求める形態とすることもできる。また、光電変換素子11にあっては、t=0から、例えば、最長t=100ミリ秒まで、式1を積分して得られた電流積分値実施例1にあっては、電流積分値に基づき算出される物理量である電荷量は光量依存性を示す。こうして得られた充電電流値電流Iincと光量の関係を図2に示す。ここで、図2の横軸は、上述した時間t単位:任意であり、図2の縦軸は、上述した電流Iincである。また、光電変換材料層30に照射した光の単位時間当たりの光量P単位:μW/cm2と[-1/τP]を単位とした値[αP]との関係を求めた結果を図3に示す。尚、図3において、横軸は光量Pの値であり、縦軸は時定数τPの逆数[-1/τP]を単位とした値[αP]である。ここで、図2におけるAで示される曲線は、第1電極21に15ボルトを印加し、第2電極22を接地した状態で、波長565nmの光の単位時間当たりの光量Pを10μW/cm2としたときの結果であり、Bで示される曲線は、同じく5μW/cm2としたときの結果であり、Cで示される曲線は、同じく1μW/cm2としたときの結果であり、Dで示される曲線は、同じく0.5μW/cm2としたときの結果であり、Eで示される曲線は、同じく0.1μW/cm2としたときの結果であり、Fで示される曲線は、光を照射しないときの結果である。図2から、充電電流値は光量Pに依存することが判る。また、図3から、[-1/τP]を単位とした値[αP]は、光電変換材料層30に照射される光の単位時間当たりの光量Pの一次関数で表すことができることが判る。具体的には、αP=0.5644P0.4605但し、R2=0.9743という結果が得られた。但し、係る1次関数は、あくまで例示である。尚、光量Pを変数とした、電流Iincの関数や、式1の係数、時定数τPは、光電変換素子11の構成、構造、構成材料に依存するので、光電変換素子の構成、構造、構成材料が代わった場合、都度、各種の試験を行い、これらの関数を決定し、これらの関数を電流検出回路40あるいは専用の回路等に記憶させ、あるいは、これらをテーブル化したものを電流検出回路40あるいは専用の回路等に記憶させておけばよい。実施例1の光電変換素子11にあっては、第1電極21と第2電極22との間にバイアス電圧を印加しながら、光電変換材料層30に一定の光量の光を照射すると、光電変換材料層30にて生成する電流が照射時間の経過に従って増加する。従って、この電流を検出することで、高い感度及びS/N比を有する光電変換素子を得ることができる。実施例2は実施例1の変形である。実施例2の光電変換装置及び光電変換素子にあっては、光電変換材料層30を厚さ10nmのDNTTから構成した。また、実施例2の光電変換素子11の作製にあっては、真空蒸着法にて、厚さ100nmのDNTTから成る光電変換材料層30を第1電極21から凸部31の上に亙り形成した。以上の点を除き、実施例2の光電変換装置及び光電変換素子は、実施例1において説明した光電変換装置及び光電変換素子と同様の構成、構造を有するので、詳細な説明は省略する。そして、得られた実施例2の光電変換素子11の光電変換材料層30に、透明基板20、第1電極21を介して、波長440nmの一定の光量Pの光を照射した。尚、第1電極21に-5ボルトマイナス5ボルトを印加し、第2電極22を接地した状態としている。このとき、実施例2の光電変換装置及び光電変換素子は、実施例1の光電変換装置及び光電変換素子と同じ挙動を示した。充電電流値電流Iincと光量の関係を図4に示す。図4の横軸、縦軸は、図2の横軸、縦軸と同じである。また、光電変換材料層30に照射した光の単位時間当たりの光量P単位:μW/cm2と[-1/τP]を単位とした値[αP]との関係を求めた結果を図5に示す。図5の横軸、縦軸は、図3の横軸、縦軸と同じである。ここで、図4におけるAで示される曲線は、第1電極21に-5ボルトを印加し、第2電極22を接地した状態で、波長440nmの光の単位時間当たりの光量Pを2μW/cm2としたときの結果であり、Bで示される曲線は、同じく5μW/cm2としたときの結果であり、Cで示される曲線は、同じく15μW/cm2としたときの結果である。図4から、充電電流値は光量Pに依存することが判る。また、図4から、[-1/τP]を単位とした値[αP]は、光電変換材料層30に照射される光の単位時間当たりの光量Pの一次関数で表すことができることが判る。具体的には、αP=0.7655P2.9027但し、R2=0.998という結果が得られた。実施例3は、実施例1あるいは実施例2の変形である。実施例3の光電変換素子12は、第2の構成の光電変換素子である。即ち、図6のAに模式的な一部断面図を示すように、第1電極21Aは基板20A上に形成されており、光電変換材料層30は第1電極21A上に形成されており、透明導電材料から成る第2電極22Aは光電変換材料層30上に形成されている。尚、光は、第2電極22Aを介して光電変換材料層30に入射する。ここで、具体的には、基板20Aは例えばシリコン半導体基板から成り、第1電極21Aはアルミニウムから成り、第2電極22AはITOから成る。この点を除き、実施例3の光電変換素子12あるいは光電変換装置の構成、構造は、実施例1あるいは実施例2の光電変換素子11あるいは光電変換装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。実施例4も、実施例1あるいは実施例2の変形である。実施例4の光電変換素子13は、第3の構成の光電変換素子である。即ち、図6のBに模式的な一部断面図を示すように、第1電極21B及び第2電極22Bは基板上に形成されており、光電変換材料層30は、第1電極21Bから第2電極22Bに亙り、基板20B上に形成されている。尚、光は、第2電極22Bを介して光電変換材料層30に入射する。あるいは又、光は、基板20B、第1電極21Bを介して光電変換材料層30に入射する。ここで、具体的には、基板20Bは例えばシリコン半導体基板から成り、第1電極21B及び第2電極22Bは金属材料あるいは透明導電材料から成る。この点を除き、実施例4の光電変換素子13あるいは光電変換装置の構成、構造は、実施例1あるいは実施例2の光電変換素子11あるいは光電変換装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。実施例5も、実施例1あるいは実施例2の変形である。実施例1~実施例4にあっては、光電変換素子を、第1電極21及び第2電極22を備えた2端子型電子デバイス構造とした。一方、実施例5、あるいは、後述する実施例6~実施例8にあっては、光電変換素子は、更に、制御電極を備えた3端子型電子デバイス構造を有する。制御電極への電圧の印加によって、流れる電流の変調を行うことが可能となる。実施例5にあっては、3端子型電子デバイス構造として、具体的には、ボトムゲート/ボトムコンタクト型のFETと同じ構成、構造を採用した。より具体的には、ボトムゲート/ボトムコンタクト型の3端子型電子デバイス構造から成る実施例5の光電変換素子14は、図7のAに模式的な一部断面図を示すように、a支持体113上に形成された制御電極ゲート電極114に相当する、b制御電極ゲート電極114及び支持体113上に形成された絶縁層ゲート絶縁層115に相当する、c絶縁層ゲート絶縁層115上に形成された第1電極/第2電極ソース/ドレイン電極116に相当する、並びに、d第1電極/第2電極ソース/ドレイン電極116の間であって絶縁層ゲート絶縁層115上に形成された光電変換材料層チャネル形成領域117に相当する、を備えている。尚、制御電極ゲート電極114は金から構成されており、絶縁層ゲート絶縁層115はSiO2から構成されており、支持体113は、シリコン半導体基板111及びその上に形成された絶縁膜112から構成されている。また、第1電極/第2電極ソース/ドレイン電極116、光電変換材料層チャネル形成領域117は、実施例4の第1電極21B、第2電極22B、光電変換材料層30と同じ材料から構成されている。更には、第1電極/第2電極ソース/ドレイン電極116は、図示しない電流検出回路40に接続されている。以下の実施例においても同様である。以下、実施例5の光電変換素子14の製造方法の概要を説明する。[工程-500]先ず、支持体113上にゲート電極114を形成する。具体的には、絶縁膜112上に、ゲート電極114を形成すべき部分が除去されたレジスト層図示せずを、リソグラフィ技術に基づき形成する。その後、密着層としてのクロムCr層図示せず、及び、ゲート電極114としての金Au層を、順次、真空蒸着法にて全面に成膜し、その後、レジスト層を除去する。こうして、所謂リフトオフ法に基づき、ゲート電極114を得ることができる。[工程-510]次に、ゲート電極114を含む支持体113上にゲート絶縁層115を形成する。具体的には、SiO2から成るゲート絶縁層115を、スパッタリング法に基づきゲート電極114及び絶縁膜112上に形成する。ゲート絶縁層115の成膜を行う際、ゲート電極114の一部をハードマスクで覆うことによって、ゲート電極114の取出部図示せずをフォトリソグラフィプロセス無しで形成することができる。[工程-520]次に、ゲート絶縁層115の上にソース/ドレイン電極116を形成する。具体的には、ゲート絶縁層115上に、ソース/ドレイン電極116を形成すべき部分が除去されたレジスト層をリソグラフィ技術に基づき形成する。そして、ソース/ドレイン電極116を、順次、真空蒸着法にて成膜し、その後、レジスト層を除去する。こうして、所謂リフトオフ法に基づき、ソース/ドレイン電極116を得ることができる。[工程-530]次に、ゲート絶縁層115上に、チャネル形成領域117を、実施例1あるいは実施例2にて説明したと同様にして形成する。[工程-540]最後に、全面にパッシベーション膜である絶縁材料層図示せずを形成し、ソース/ドレイン電極116の上方の絶縁材料層に開口部を形成し、開口部内を含む全面に配線材料層を形成した後、配線材料層をパターニングすることによって、ソース/ドレイン電極116に接続された配線図示せずが絶縁材料層上に形成された、ボトムゲート/ボトムコンタクト型のFETTFT構造を有する光電変換素子14を得ることができる。実施例6にあっては、3端子型電子デバイス構造として、具体的には、ボトムゲート/トップコンタクト型のFETと同じ構成、構造を採用した。より具体的には、ボトムゲート/トップコンタクト型の3端子型電子デバイス構造から成る実施例6の光電変換素子15は、図7のBに模式的な一部断面図を示すように、a支持体113上に形成された制御電極ゲート電極114に相当する、b制御電極ゲート電極114及び支持体113上に形成された絶縁層ゲート絶縁層115に相当する、c絶縁層ゲート絶縁層115上に形成された光電変換材料層チャネル形成領域117に相当する及び光電変換材料層延在部118、並びに、d光電変換材料層延在部118上に形成された第1電極/第2電極ソース/ドレイン電極116に相当する、を備えている。以下、実施例6の光電変換素子15の製造方法の概要を説明する。[工程-600]先ず、実施例5の[工程-500]と同様にして、支持体113絶縁膜112上にゲート電極114を形成した後、[工程-510]と同様にして、ゲート電極114及び絶縁膜112上にゲート絶縁層115を形成する。[工程-610]その後、[工程-530]と同様の方法に基づき、ゲート絶縁層115の上にチャネル形成領域117及びチャネル形成領域延在部118を形成する。[工程-620]その後、チャネル形成領域延在部118の上に、チャネル形成領域117を挟むようにソース/ドレイン電極116を、実施例5の[工程-520]と同様にして形成する。但し、ソース/ドレイン電極116の成膜を行う際、チャネル形成領域117をハードマスクで覆うことによって、ソース/ドレイン電極116をフォトリソグラフィプロセス無しで形成することができる。[工程-630]最後に、[工程-540]と同様の工程を実行することで、ボトムゲート/トップコンタクト型のFETTFT構造を有する光電変換素子15を得ることができる。実施例7にあっては、3端子型電子デバイス構造として、具体的には、トップゲート/ボトムコンタクト型のFETと同じ構成、構造を採用した。より具体的には、トップゲート/ボトムコンタクト型の3端子型電子デバイス構造から成る実施例7の光電変換素子16は、図8のAに模式的な一部断面図を示すように、a支持体113上に形成された第1電極/第2電極ソース/ドレイン電極116に相当する、b第1電極/第2電極ソース/ドレイン電極116の間の支持体113上に形成された光電変換材料層チャネル形成領域117に相当する、c第1電極/第2電極ソース/ドレイン電極116及び光電変換材料層チャネル形成領域117上に形成された絶縁層ゲート絶縁層115に相当する、並びに、d絶縁層ゲート絶縁層115上に形成された制御電極ゲート電極114に相当する、を備えている。以下、実施例7の光電変換素子16の製造方法の概要を説明する。[工程-700]先ず、支持体113上に、ソース/ドレイン電極116を、実施例5の[工程-520]と同様にして形成する。[工程-710]その後、ソース/ドレイン電極116の間の支持体113絶縁膜112上に、[工程-530]と同様の方法に基づき、チャネル形成領域117を形成する。実際には、ソース/ドレイン電極116の上にチャネル形成領域延在部118が形成される。[工程-720]次に、ソース/ドレイン電極116及びチャネル形成領域117上に実際には、チャネル形成領域117及びチャネル形成領域延在部118上に、ゲート絶縁層115を形成する。具体的には、PVAをスピンコーティング法にて全面に成膜することで、ゲート絶縁層115を得ることができる。[工程-730]その後、ゲート絶縁層115上にゲート電極114を形成する。具体的には、密着層としてのクロムCr層図示せず、及び、ゲート電極114としての金Au層を、順次、真空蒸着法にて全面に成膜する。ゲート電極114の成膜を行う際、ゲート絶縁層115の一部をハードマスクで覆うことによって、ゲート電極114をフォトリソグラフィプロセス無しで形成することができる。最後に、[工程-540]と同様の工程を実行することで、トップゲート/ボトムコンタクト型のFETTFT構造を有する光電変換素子16を得ることができる。実施例8にあっては、3端子型電子デバイス構造として、具体的には、トップゲート/トップコンタクト型のFETと同じ構成、構造を採用した。より具体的には、トップゲート/トップコンタクト型の3端子型電子デバイス構造から成る実施例8の光電変換素子17は、図8のBに模式的な一部断面図を示すように、a支持体113上に形成された光電変換材料層チャネル形成領域117に相当する及び光電変換材料層延在部118、b光電変換材料層延在部118上に形成された第1電極/第2電極ソース/ドレイン電極116に相当する、c第1電極/第2電極ソース/ドレイン電極116及び光電変換材料層チャネル形成領域117上に形成された絶縁層ゲート絶縁層115に相当する、並びに、d絶縁層ゲート絶縁層115上に形成された制御電極ゲート電極114に相当する、を備えている。以下、実施例8の光電変換素子17の製造方法の概要を説明する。[工程-800]先ず、支持体113上に、[工程-530]と同様の方法に基づき、チャネル形成領域117及びチャネル形成領域延在部118を形成する。[工程-810]次いで、チャネル形成領域延在部118上に、チャネル形成領域117を挟むように、ソース/ドレイン電極116を、実施例5の[工程-520]と同様にして形成する。但し、ソース/ドレイン電極116の成膜を行う際、チャネル形成領域117をハードマスクで覆うことによって、ソース/ドレイン電極116をフォトリソグラフィプロセス無しで形成することができる。[工程-820]次いで、ソース/ドレイン電極116及びチャネル形成領域117上に、ゲート絶縁層115を形成する。具体的には、PVAをスピンコーティング法にて全面に成膜することで、ゲート絶縁層115を得ることができる。[工程-830]その後、実施例7の[工程-730]と同様にして、ゲート絶縁層115上にゲート電極114を形成する。最後に、[工程-540]と同様の工程を実行することで、トップゲート/トップコンタクト型のFETTFT構造を有する光電変換素子17を得ることができる。実施例9は、実施例1~実施例4にて説明した光電変換装置及び光電変換素子を備えた固体撮像装置に関する。図9に、実施例9の固体撮像装置固体撮像素子の概念図を示す。実施例9の固体撮像装置50は、半導体基板例えばSi基板上に、実施例1~実施例4にて説明した光電変換素子60光電変換素子11,12,13が2次元アレイ状に配列された撮像領域51、並びに、その周辺回路としての垂直駆動回路52、カラム信号処理回路53、水平駆動回路54、出力回路55及び制御回路56等から構成されている。尚、これらの回路は周知の回路から構成することができるし、また、他の回路構成例えば、従来のCCD撮像装置やCMOS撮像装置にて用いられる各種の回路を用いて構成することができることは云うまでもない。制御回路56は、垂直同期信号、水平同期信号及びマスタクロックに基づいて、垂直駆動回路52、カラム信号処理回路53及び水平駆動回路54の動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。そして、生成されたクロック信号や制御信号は、垂直駆動回路52、カラム信号処理回路53及び水平駆動回路54に入力される。垂直駆動回路52は、例えば、シフトレジスタによって構成され、撮像領域51の各光電変換素子60を行単位で順次垂直方向に選択走査する。そして、各光電変換素子60における受光量に応じて生成した電流信号に基づく画素信号は、垂直信号線57を介してカラム信号処理回路53に送られる。カラム信号処理回路53は、例えば、光電変換素子60の列毎に配置されており、1行分の光電変換素子60から出力される信号を光電変換素子毎に黒基準画素図示しないが、有効画素領域の周囲に形成されるからの信号によって、ノイズ除去や信号増幅の信号処理を行う。カラム信号処理回路53の出力段には、水平選択スイッチ図示せずが水平信号線58との間に接続されて設けられる。水平駆動回路54は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路53の各々を順次選択し、カラム信号処理回路53の各々から信号を水平信号線58に出力する。出力回路55は、カラム信号処理回路53の各々から水平信号線58を介して順次供給される信号に対し、信号処理を行って出力する。電流検出回路40の一部分の一例を、図10に示す。電流検出回路40は、例えば、1列の光電変換素子60に対して1つ設けられている。ここで、電流検出回路40はカラム信号処理回路53内に配設されている。但し、電流検出回路40を1つの光電変換素子60に対して1つ設けてもよい。図10に示す電流検出回路40にあっては、光電変換素子60において生成した電流によって抵抗端に生じる電位を非反転増幅器に入力することで、電圧に変換している。尚、図10に示した電流検出回路40を他の実施例に適用することは云うまでもないし、他の構成、構造の電流検出回路を用いることができることも云うまでもない。光電変換材料層を構成する材料にも依るが、光電変換材料層それ自体がカラーフィルターとしても機能する構成とすることができるので、カラーフィルターを配設しなくとも色分離が可能である。但し、場合によっては、光電変換素子60の光入射側の上方には、例えば、赤色、緑色、青色、シアン色、マゼンダ色、黄色等の特定波長を透過させる周知のカラーフィルターを配設してもよい。また、固体撮像装置は、表面照射型とすることもできるし、裏面照射型とすることもできる。また、必要に応じて、光電変換素子60への光の入射を制御するためのシャッターを配設してもよい。以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例にて説明した光電変換装置や光電変換素子、固体撮像装置の構造や構成、製造条件、製造方法、使用した材料は例示であり、適宜変更することができる。本発明の光電変換装置を太陽電池として機能させる場合には、第1電極と第2電極との間に電圧を印加しない状態で光電変換材料層に光を照射すればよく、このような形態にあっては、場合によっては、光電変換材料層にて生成する電流を検出する電流検出回路は不要である。"