"酸性基を有する基材成分Aと、前記酸性基と会合構造を形成し得る化合物Cと、前記酸性基よりも強度の高い酸を露光により発生する酸発生剤成分Bとを含有するレジスト組成物を用いて、支持体上に、前記酸性基と前記化合物Cとの会合構造を有するレジスト膜を形成する工程1と、前記レジスト膜を露光し、前記酸発生剤成分Bから発生する酸と、前記会合構造を形成していた前記化合物Cとのあらたな会合構造を形成して、前記酸性基を露出させる工程2と、前記レジスト膜を、有機溶剤を含有する現像液を用いて現像する工程3とを含むレジストパターン形成方法。前記工程3が、前記レジスト膜を、有機溶剤を含有する現像液を用いて現像し、前記レジスト膜の未露光部を溶解除去してネガ型レジストパターンを形成する工程である、請求項1記載のレジストパターン形成方法。前記工程3が、前記レジスト膜を、有機溶剤を含有する現像液を用いて現像し、前記レジスト膜の露光部を溶解除去してポジ型レジストパターンを形成する工程である、請求項1記載のレジストパターン形成方法。前記酸発生剤成分Bが、露光により酸解離定数pKaが0未満の酸を発生するイオン性化合物である、請求項1~3のいずれか一項に記載のレジストパターン形成方法。前記基材成分Aが、酸の作用により分解する構造を含まない、請求項1~4のいずれか一項に記載のレジストパターン形成方法。請求項1~5のいずれか一項に記載のレジストパターン形成方法に用いられるレジスト組成物であって、酸性基を有する基材成分Aと、前記酸性基と会合構造を形成し得る化合物Cと、前記酸性基よりも強度の高い酸を露光により発生する酸発生剤成分Bとを含有するレジスト組成物。前記酸発生剤成分Bが、露光により酸解離定数pKaが0未満の酸を発生するイオン性化合物である、請求項6記載のレジスト組成物。前記基材成分Aが、酸の作用により分解する構造を含まない、請求項6又は7記載のレジスト組成物。近年、リソグラフィー技術のさらなる進歩、応用分野の拡大等が進むなか、ポジ型の化学増幅型レジスト組成物とアルカリ現像液とを組み合わせたポジ型現像プロセスにも、種々のリソグラフィー特性の改善がよりいっそう求められる。当該ポジ型現像プロセスを適用する場合、化学増幅型レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、レジスト膜の露光部は、ベース樹脂中の酸分解性基が酸発生剤等から発生した酸の作用により分解して、アルカリ現像液に対して難溶性から可溶性へ転じる一方で、レジスト膜の未露光部はアルカリ難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像液で現像することにより、露光部と未露光部との間で溶解コントラストをつけることができ、ポジ型レジストパターンを形成できる。しかしながら、当該ポジ型現像プロセスを適用して、より微細なパターン孤立トレンチパターン、微細かつ密集したコンタクトホールパターン等を形成しようとすると、レジスト膜の露光部の、特に膜厚方向で、光学強度の弱い領域が生じてレジストパターンの解像性が低下しやすい。上記のような微細パターン形成には、光学強度の弱い領域が選択的に溶解除去されて形成するレジストパターンネガ型パターン形成方法が有用である。主流であるポジ型現像プロセスで用いられる化学増幅型レジスト組成物を用いてネガ型パターンを形成する方法としては、有機溶剤を含有する現像液有機系現像液と組み合わせたネガ型現像プロセスが知られている。当該ネガ型現像プロセスを適用する場合、化学増幅型レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、レジスト膜の露光部は、ベース樹脂中の酸分解性基が酸発生剤等から発生した酸の作用により分解して、有機系現像液に対して可溶性から難溶性へ転じる一方で、レジスト膜の未露光部は可溶性のまま変化しないため、有機系現像液で現像することにより、露光部と未露光部との間で溶解コントラストをつけることができ、ネガ型レジストパターンを形成できる。しかしながら、当該ネガ型現像プロセスでは、露光によってレジスト膜の露光部を充分に難溶化させることが難しい。これに対し、レジスト膜の露光部と未露光部との間で良好な溶解コントラストが得られやすく、微細なパターンを形成できる新規なレジストパターン形成方法が求められる。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、微細パターンを形成するのに有用なレジストパターン形成方法、及びこれに用いるレジスト組成物を提供することを課題とする。本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、これまでの、酸分解性基を有する構成単位を有するベース樹脂を用いてレジスト膜を成膜し、該酸分解性基の分解反応を経ることによってレジストパターンを形成する代わりに、基材成分中の酸性基と会合構造を形成させることでレジスト膜を成膜し、該会合構造と、露光により酸発生剤から発生する酸との間の塩交換反応により、レジスト膜露光部の有機系現像液に対する溶解性をコントロールすることによってレジストパターンを形成し得る方法を見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明の第一の態様は、酸性基を有する基材成分Aと、前記酸性基と会合構造を形成し得る化合物Cと、前記酸性基よりも強度の高い酸を露光により発生する酸発生剤成分Bとを含有するレジスト組成物を用いて、支持体上に、前記酸性基と前記化合物Cとの会合構造を有するレジスト膜を形成する工程1と、前記レジスト膜を露光し、前記酸発生剤成分Bから発生する酸と、前記会合構造を形成していた前記化合物Cとのあらたな会合構造を形成して、前記酸性基を露出させる工程2と、前記レジスト膜を、有機溶剤を含有する現像液を用いて現像する工程3とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法である。また、本発明の第二の態様は、前記第一の態様のレジストパターン形成方法に用いられるレジスト組成物であって、酸性基を有する基材成分Aと、前記酸性基と会合構造を形成し得る化合物Cと、前記酸性基よりも強度の高い酸を露光により発生する酸発生剤成分Bとを含有することを特徴とするレジスト組成物である。本明細書及び本特許請求の範囲において、脂肪族とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。アルキル基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。アルキレン基は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。ハロゲン化アルキル基は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、ハロゲン化アルキレン基は、アルキレン基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。フッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基である。フッ素化アルキレン基は、アルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基である。ヒドロキシアルキル基は、アルキル基の水素原子の一部又は全部が水酸基で置換された基である。構成単位とは、高分子化合物樹脂、重合体、共重合体を構成するモノマー単位単量体単位を意味する。露光は、放射線の照射全般を含む概念とする。本発明によれば、微細パターンを形成するのに有用なレジストパターン形成方法、及びこれに用いるレジスト組成物を提供できる。≪レジストパターン形成方法≫本発明のレジストパターン形成方法は、酸性基を有する基材成分A以下A成分ともいうと、前記酸性基と会合構造を形成し得る化合物C以下C成分ともいうと、前記酸性基よりも強度の高い酸を露光により発生する酸発生剤成分B以下B成分ともいうとを含有するレジスト組成物を用いて、支持体上に、前記酸性基と前記C成分との会合構造を有するレジスト膜を形成する工程1と、前記レジスト膜を露光し、前記B成分から発生する酸と、前記会合構造を形成していた前記C成分とのあらたな会合構造を形成して、前記酸性基を露出させる工程2と、前記レジスト膜を、有機溶剤を含有する現像液有機系現像液を用いて現像する工程3とを含む。前記A~C成分を含有するレジスト組成物を支持体上に塗布すると、前記酸性基と前記C成分との会合構造xが形成されてレジスト膜が成膜する。該レジスト膜に対して選択的露光を行うと、該レジスト膜の露光部にて、B成分から酸が発生し、該酸と、前記会合構造xを形成していた前記C成分とのあらたな会合構造yが形成するとともに、前記会合構造xを形成していた前記酸性基が露出し、レジスト膜露光部の有機系現像液に対する溶解性が変化する。一方、該レジスト膜の未露光部は、有機系現像液に対する溶解性が変化しない。これにより、レジスト膜の露光部と未露光部との間で有機系現像液に対する溶解性の差が生じる。そのため、本発明のレジストパターン形成方法においては、前記レジスト組成物がネガ型の場合、レジスト膜の未露光部が溶解除去されてネガ型レジストパターンが形成され;前記レジスト組成物がポジ型の場合、レジスト膜の露光部が溶解除去されてポジ型レジストパターンが形成される。なお、本明細書においては、レジスト膜の未露光部が溶解除去されてネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をネガ型レジスト組成物といい、レジスト膜の露光部が溶解除去されてポジ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をポジ型レジスト組成物という。前記工程1で用いられるレジスト組成物は、ポジ型レジスト組成物であってもよく、ネガ型レジスト組成物であってもよい。本発明において、酸性基と会合構造を形成し得るとは、酸性基と相互作用し合うことで、塩などの複合体となり得ることを意味する。あらたな会合構造を形成しとは、相互作用し合う相手を変えて別の複合体となることを意味する。以下、本発明のレジストパターン形成方法について、図面を参照しながら説明する。但し、本発明はこれに限定されるものではない。<第一の実施形態>図1は、ネガ型レジストパターンが形成される、本発明のレジストパターン形成方法の一実施形態例を示す。本実施形態では、A成分としてカルボキシ基を有する基材成分と、C成分として前記カルボキシ基と会合構造を形成し得るアルキルアミンと、B成分として前記カルボキシ基よりも強度の高い酸を露光により発生する酸発生剤とを含有するレジスト組成物1が用いられている。まず、図1aに示すように、該レジスト組成物1を支持体1上に塗布して成膜する。該レジスト組成物1を支持体1上に塗布すると、基材成分中の酸性基カルボキシ基と前記アルキルアミンとの会合構造x1が形成されてレジスト膜2が成膜する工程1;図1a。次に、前記で形成されたレジスト膜2を、図1bに示すように、所定のパターンが形成されたフォトマスク3を介して露光する工程2;図1b。該露光により、レジスト膜2のうち、露光された領域露光部2aでは、酸発生剤から酸が発生する。これにより、この酸発生剤から発生した酸と、前記会合構造x1を形成していたアルキルアミンとのあらたな会合構造y1が形成するとともに、前記会合構造x1を形成していた酸性基カルボキシ基が露出する。この結果、露光部2aの有機系現像液に対する溶解性が減少する。一方、未露光部2bの有機系現像液に対する溶解性は変化しないか、変化してもその変化量がわずかである。これにより、露光部2aと未露光部2bとの間に有機系現像液に対する溶解速度の差溶解コントラストが生じる工程2;図1c。その後、有機系現像液による現像を行う。これにより、レジスト膜2の露光部2aが残膜し、未露光部2bが有機系現像液に溶解除去され、その結果、図1dに示すように、支持体1上に、離間配置された複数のレジストパターン2a、2aから構成されるネガ型レジストパターンが形成される工程3;図1d。[工程1]工程1では、前記A~C成分を含有するレジスト組成物1を用いて、支持体1上に、前記酸性基カルボキシ基と前記C成分アルキルアミンとの会合構造x1を有するレジスト膜2を形成する。図2は、図1に示す実施形態についての、露光前後におけるレジスト膜中のA~C成分の存在状態を示す模式図である。図2aは露光前のレジスト膜中のA~C成分の存在状態、図2bは露光後のレジスト膜中のA~C成分の存在状態をそれぞれ示す。図2aに示すように、本実施形態では、レジスト組成物1を支持体1上に塗布して乾燥すると、A成分中の酸性基-C=O-O-Hと、C成分であるアルキルアミンN≡との間で相互作用が働き、塩に近い形態の会合構造x1が形成されてレジスト膜2が成膜する。この会合構造x1は、有機系現像液に対して可溶性を示す。なお、図2a中、VW-は、カチオン部とアニオン部とからなるB成分を示し、有機系現像液に対して可溶性を示す。かかるレジスト組成物1の詳細については後述する。支持体1としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。また、支持体1としては、上述のような基板上に、無機系および/または有機系の膜が設けられたものであってもよく、有機系の膜が設けられたものが好ましい。無機系の膜としては、無機反射防止膜無機BARCが挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜有機BARCや多層レジスト法における下層膜が挙げられる。特に、有機膜が設けられていると、基板上に、高アスペクト比のパターンを容易に形成でき、半導体の製造等において有用である。ここで、多層レジスト法とは、基板上に、少なくとも一層の有機膜下層膜と、少なくとも一層のレジスト膜とを設け、上層のレジスト膜に形成したレジストパターンをマスクとして下層のパターニングを行う方法であり、高アスペクト比のパターンを形成できるとされている。多層レジスト法には、基本的に、上層のレジスト膜と下層膜との二層構造とする方法と、これらのレジスト膜と下層膜との間に一層以上の中間層金属薄膜等を設けた三層以上の多層構造とする方法と、に分けられる。多層レジスト法によれば、下層膜により所要の厚みを確保することにより、レジスト膜を薄膜化し、高アスペクト比の微細パターン形成が可能となる。無機系の膜は、たとえばシリコン系材料などの無機系の反射防止膜組成物を基板上に塗工し、焼成等することにより形成できる。有機系の膜は、たとえば、当該膜を構成する樹脂成分等を有機溶剤に溶解した有機膜形成用材料を、基板上にスピンナー等で塗布し、好ましくは200~300°C、好ましくは30~300秒間、より好ましくは60~180秒間の加熱条件でベーク処理することにより形成できる。このとき用いられる有機膜形成用材料は、レジスト膜のような、光や電子線に対する感受性を必ずしも必要とするものではなく、該感受性を有するものであってもよく、有さないものであってもよい。具体的には、半導体素子や液晶表示素子の製造において一般的に用いられているレジストや樹脂を用いることができる。また、レジストパターンを用いて有機膜をエッチングすることにより、レジストパターンを有機膜へ転写し、有機膜パターンを形成できるように、有機膜形成用材料は、エッチング、特にドライエッチング可能な有機膜を形成できる材料であることが好ましい。中でも、酸素プラズマエッチング等のエッチングが可能な有機膜を形成できる材料であることが好ましい。このような有機膜形成用材料としては、従来、有機BARCなどの有機膜を形成するために用いられている材料であってよい。例えば、ブリューワサイエンス社製のARCシリーズ、ロームアンドハース社製のARシリーズ、東京応化工業社製のSWKシリーズなどが挙げられる。レジスト組成物1を、支持体1上に塗布してレジスト膜2を成膜する方法としては、特に限定されず、従来公知の方法により成膜できる。たとえば、レジスト組成物1を、スピンコーターを用いたスピンコート法、バーコーターを用いたバーコート法等の従来公知の方法を用いて支持体1上に塗布し、クーリングプレート上等での常温での乾燥、又はプレベークPABを行うことにより、レジスト膜2を成膜できる。プレベーク処理を行う場合、温度条件は80~150°Cが好ましく、80~100°Cがより好ましい。ベーク処理の時間は40~120秒間が好ましく、より好ましくは60~90秒間である。プレベークを行うことにより、レジスト膜厚が厚膜に設定される場合でも有機溶剤を揮発させやすい。レジスト組成物の乾燥を常温で行い、プレベークを行わないことにより、レジストパターン形成の工程数を削減することができる。プレベークの有無については、用いるレジスト組成物の材料や、形成するパターンのターゲットから、上記利点等を鑑みて、適宜決定すればよい。工程1で成膜されるレジスト膜2の膜厚は、好ましくは50~500nm、より好ましくは50~450nmである。この範囲内とすることにより、レジストパターンを高解像度で形成できる、エッチングに対する充分な耐性が得られる等の効果がある。また、プレベークを行わない場合であれば、工程1で形成されるレジスト膜2の膜厚は、300nm以下であることが好ましく、より好ましくは200nm以下である。レジスト膜2の膜厚が好ましい上限値以下であれば、常温下でのスピンコート等による塗布方法によっても、有機溶剤が残存しにくく乾燥しやすくなり、レジスト膜2の膜厚均一性支持体1の面内均一性が高まる。[工程2]工程2では、レジスト膜2を露光し、前記B成分から発生する酸と、前記会合構造x1を形成していた前記C成分アルキルアミンとのあらたな会合構造y1を形成して、前記酸性基-C=O-O-Hを露出させる。本実施形態では、レジスト膜2を所定のパターンが形成されたフォトマスク3を介して露光すると、露光部2aにおいて、酸発生剤VW-のカチオン部Vが光吸収により分解して該酸発生剤VW-から酸W-Hが発生する。そして、該酸発生剤VW-から発生した酸W-Hと、前記会合構造x1との間で塩交換反応が生じて、図2bに示すように、該酸W-Hと、前記会合構造x1を形成していたアルキルアミンN≡とのあらたな会合構造y1が形成するとともに、前記会合構造x1を形成していた酸性基-C=O-O-Hが露出する。この酸性基-C=O-O-Hが露出したレジスト膜2、及びあらたに形成した会合構造y1は、有機系現像液に対して難溶性を示す。一方、未露光部2bは、前記会合構造x1が維持されており、有機系現像液に対して可溶性を示す。すなわち、露光により、露光部2aの有機系現像液に対する溶解性が減少する一方、未露光部2bの有機系現像液に対する溶解性は変化しないか、変化してもその変化量はわずかである。これにより、露光部2aと未露光部2bとの間で、有機系現像液に対する溶解コントラストが得られる。露光量は、露光部2aに存在する酸発生剤VW-から酸W-Hが発生し、該酸W-Hと、前記会合構造x1との間で塩交換反応が生じて、あらたな会合構造y1が形成し得る程度であればよい。露光に用いる波長は、特に限定されず、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUV極紫外線、VUV真空紫外線、EB電子線、X線、軟X線などの放射線を用いて行うことができる。微細なレジストパターンを形成しやすいことから、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザーが好ましい。フォトマスク3としては、特に限定されず、公知のものを利用でき、たとえば、遮光部の透過率が0のバイナリーマスクBinary-Maskや、遮光部の透過率が6のハーフトーン型位相シフトマスクHT-Maskを用いることができる。なお、ハーフトーン型位相シフトマスクにより選択的に未露光部を形成してもよい。バイナリーマスクは、一般的には石英ガラス基板上に、遮光部としてクロム膜、酸化クロム膜等が形成されたものが用いられる。位相シフトマスクは、光の位相を変化させる部分シフタが設けられたフォトマスクである。そのため、位相シフトマスクを用いることにより、未露光部への光の入射を抑制でき、未露光部と露光部との間の対現像液溶解コントラストが向上する。位相シフトマスクとしては、ハーフトーン型位相シフトマスクの他に、レベンソン型位相シフトマスク等も挙げられる。これらの位相シフトマスクはそれぞれ市販のものが利用できる。ハーフトーン型位相シフトマスクとして、具体的には、一般的には石英ガラス基板上に、透過率が数~10程度一般的には6の遮光部シフタ膜としてMoSiモリブデンシリサイド膜、クロム膜、酸化クロム膜、酸窒化シリコン膜等が形成されたものが挙げられる。なお、本実施形態では、フォトマスク3を介して露光を行っているが、本発明はこれに限定されず、フォトマスクを介さない露光を行ってもよい。レジスト膜2の露光は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光ドライ露光により行ってもよく、液浸媒体を介しての露光液浸露光により行ってもよい。なかでも、本工程2は、より高解像性のレジストパターンを形成できることから、液浸媒体を介して露光する工程であることが好ましい。液浸露光では、上述したように、露光時に、従来は空気や窒素等の不活性ガスで満たされているレンズと支持体1上のレジスト膜2との間の部分を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒液浸媒体で満たした状態で露光を行う。より具体的には、液浸露光は、上記のようにして得られたレジスト膜2と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒液浸媒体で満たし、その状態で、所望のフォトマスク3を介して露光浸漬露光することによって実施できる。液浸媒体としては、空気の屈折率よりも大きく、かつ、当該浸漬露光によって露光されるレジスト膜2の有する屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒が好ましい。かかる溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。空気の屈折率よりも大きく、かつ、レジスト膜2の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、フッ素系不活性液体、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。フッ素系不活性液体の具体例としては、C3HCl2F5、C4F9OCH3、C4F9OC2H5、C5H3F7等のフッ素系化合物を主成分とする液体等が挙げられ、沸点が70~180°Cのものが好ましく、80~160°Cのものがより好ましい。フッ素系不活性液体が上記範囲の沸点を有するものであると、露光終了後に、液浸に用いた媒体を、簡便な方法で除去できることから好ましい。フッ素系不活性液体としては、特に、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されたパーフロオロアルキル化合物が好ましい。パーフロオロアルキル化合物として具体的には、パーフルオロアルキルエーテル化合物やパーフルオロアルキルアミン化合物を挙げることができる。さらに、具体的には、前記パーフルオロアルキルエーテル化合物としては、パーフルオロ2-ブチル-テトラヒドロフラン沸点102°Cを挙げることができ、前記パーフルオロアルキルアミン化合物としては、パーフルオロトリブチルアミン沸点174°Cを挙げることができる。本実施形態では、これまでのような基材成分中の酸分解性基の分解反応を経ることがなく、露光のみで露光部2aの有機系現像液に対する溶解性が変化し得ることから、レジスト膜2を露光した後のベークポストエクスポージャーベークPEB処理を必ずしも行う必要がない。PEB処理を行わない場合、レジスト膜2を成膜した後、工程2以降の操作をそれぞれ常温好ましくは23°C付近に温調して行うことが好ましい。PEB処理を行う場合、ベークの温度条件は50~200°C程度が好ましく、80~150°C程度がより好ましく、90~130°C程度がさらに好ましい。ベーク処理の時間は10~300秒間が好ましく、より好ましくは40~120秒間、さらに好ましくは60~90秒間である。工程2での露光後、工程3で現像するまで、常温好ましくは23°C付近での引き置き時間を任意に設けてもよい。[工程3]工程3では、前記露光後のレジスト膜2を、有機溶剤を含有する現像液有機系現像液を用いて現像する。本実施形態では、有機系現像液による現像により、露光部2aが残膜し、未露光部2bが有機系現像液に溶解除去されてネガ型レジストパターンが形成する。現像に用いる有機系現像液が含有する有機溶剤としては、露光前のレジスト膜2を溶解し得るものであればよく、公知の有機溶剤のなかから適宜選択できる。具体的には、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤及び炭化水素系溶剤を用いることができ、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤が好ましい。エステル系溶剤のなかでは、アセテート系溶剤が特に好ましい。本実施形態のように、酸性基としてカルボキシ基を有する基材成分を含有するレジスト組成物1を用いてネガ型レジストパターンを形成する場合、有機系現像液が含有する有機溶剤としては、酢酸ブチル、4-メチル-2-ペンタノール、1-ブトキシ-2-プロパノール、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、及び2-ヘプタノンからなる群より選択される1種以上が好適なものとして挙げられる。なお、該レジスト組成物1を用いてポジ型レジストパターンを形成する場合、有機系現像液が含有する有機溶剤としては、プロピレングリコールメチルエーテル、乳酸エチル等が好適なものとして挙げられる。有機系現像液には、必要に応じて公知の添加剤を配合できる。該添加剤としてはたとえば界面活性剤が挙げられる。界面活性剤としては、特に限定されないが、たとえばイオン性や非イオン性のフッ素系及び/又はシリコーン系界面活性剤等を用いることができる。界面活性剤を配合する場合、その配合量は、有機系現像液の全量に対して、通常0.001~5質量であり、0.005~2質量が好ましく、0.01~0.5質量がより好ましい。現像処理は、公知の現像方法により実施でき、該方法としてはたとえば現像液中に支持体を一定時間浸漬する方法ディップ法、支持体表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止する方法パドル法、支持体表面に現像液を噴霧する方法スプレー法、一定速度で回転している支持体上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出し続ける方法ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。現像処理後、好ましくはリンス処理を行う。リンス処理は、有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。リンス液が含有する有機溶剤としては、たとえば前記有機系現像液が含有する有機溶剤として挙げた有機溶剤のうち、レジストパターンを溶解しにくいものを適宜選択して使用できる。リンス液を用いたリンス処理洗浄処理は、公知のリンス方法により実施できる。該方法としては、たとえば一定速度で回転している支持体上にリンス液を塗出し続ける方法回転塗布法、リンス液中に支持体を一定時間浸漬する方法ディップ法、支持体表面にリンス液を噴霧する方法スプレー法等が挙げられる。前記現像処理またはリンス処理の後に、パターン上に付着している現像液またはリンス液を超臨界流体により除去する処理を行ってもよい。現像処理後またはリンス処理後、乾燥を行う。また、場合によっては、上記現像処理後にベーク処理ポストベークを行ってもよい。本発明のレジストパターン形成方法は、図1に示す実施形態ネガ型レジストパターンを形成する態様以外に、ポジ型レジストパターンを形成する態様も包含される。<第二の実施形態>図3は、ポジ型レジストパターンが形成される、本発明のレジストパターン形成方法の一実施形態例を示す。本実施形態では、A成分としてフェノール性水酸基を有する基材成分と、C成分として前記フェノール性水酸基と会合構造を形成し得る、露光により酸解離定数pKaが0以上の酸を発生するイオン性化合物と、B成分として前記フェノール性水酸基よりも強度の高い酸を露光により発生する酸発生剤とを含有するレジスト組成物2が用いられている。まず、図3aに示すように、該レジスト組成物2を支持体1上に塗布して成膜する。該レジスト組成物2を支持体1上に塗布すると、基材成分中の酸性基フェノール性水酸基と前記イオン性化合物との会合構造x2が形成されてレジスト膜2’が成膜する工程1;図3a。次に、前記で形成されたレジスト膜2’を、図3bに示すように、所定のパターンが形成されたフォトマスク3を介して露光する工程2;図3b。該露光により、レジスト膜2’のうち、露光された領域露光部2’aでは、酸発生剤から酸が発生する。これにより、この酸発生剤から発生した酸と、前記会合構造x2を形成していたイオン性化合物とのあらたな会合構造y2が形成するとともに、前記会合構造x2を形成していた酸性基フェノール性水酸基が露出する。この結果、露光部2’aの有機系現像液に対する溶解性が増大する。一方、未露光部2’bの有機系現像液に対する溶解性は変化しないか、変化してもその変化量がわずかである。これにより、露光部2’aと未露光部2’bとの間に有機系現像液に対する溶解速度の差溶解コントラストが生じる工程2;図3c。その後、有機系現像液による現像を行う。これにより、レジスト膜2’の露光部2’aが有機系現像液に溶解除去され、未露光部2’bが残膜し、その結果、図3dに示すように、支持体1上に、離間配置された複数のレジストパターン2’b、2’bから構成されるポジ型レジストパターンが形成される工程3;図3d。[工程1]工程1では、前記A~C成分を含有するレジスト組成物2を用いて、支持体1上に、前記酸性基フェノール性水酸基と前記C成分イオン性化合物との会合構造x2を有するレジスト膜2’を形成する。図4は、図3に示す実施形態についての、露光前後におけるレジスト膜中のA~C成分の存在状態を示す模式図である。図4aは露光前のレジスト膜中のA~C成分の存在状態、図4bは露光後のレジスト膜中のA~C成分の存在状態をそれぞれ示す。図4aに示すように、本実施形態では、レジスト組成物2を支持体1上に塗布して乾燥すると、A成分中の酸性基フェノール性水酸基と、C成分であるイオン性化合物YZ-との間で相互作用が働き、塩に近い形態の会合構造x2が形成されてレジスト膜2’が成膜する。この会合構造x2は、有機系現像液に対して難溶性を示す。なお、図4a中、VW-は、カチオン部とアニオン部とからなるB成分を示し、有機系現像液に対して可溶性を示す。図4中、Rは置換基を示し、tは0~4の整数である。かかるレジスト組成物2の詳細については後述する。前記以外の第二の実施形態における工程1についての説明は、前述した第一の実施形態における工程1についての説明と同様である。[工程2]工程2では、レジスト膜2’を露光し、前記B成分から発生する酸と、前記会合構造x2を形成していた前記C成分イオン性化合物とのあらたな会合構造y2を形成して、前記酸性基フェノール性水酸基を露出させる。本実施形態では、レジスト膜2’を所定のパターンが形成されたフォトマスク3を介して露光すると、露光部2’aにおいて、酸発生剤VW-のカチオン部Vが光吸収により分解して、該酸発生剤VW-から酸W-Hが発生する。そして、該酸発生剤VW-から発生した酸W-Hと、前記会合構造x2との間で塩交換反応が生じて、図4bに示すように、該酸W-Hと、前記会合構造x2を形成していたイオン性化合物YZ-中のカチオン部Yとのあらたな会合構造y2が形成するとともに、前記会合構造x2を形成していた酸性基フェノール性水酸基が露出する。この酸性基フェノール性水酸基が露出したレジスト膜2’、及びあらたに形成した会合構造y2は、有機系現像液に対して可溶性を示す。一方、未露光部2’bは、前記会合構造x2が維持されており、有機系現像液に対して難溶性を示す。すなわち、露光により、露光部2’aの有機系現像液に対する溶解性が増大する一方、未露光部2’bの有機系現像液に対する溶解性は変化しないか、変化してもその変化量はわずかである。これにより、露光部2’aと未露光部2’bとの間で、有機系現像液に対する溶解コントラストが得られる。露光量は、露光部2’aに存在する酸発生剤VW-から酸W-Hが発生し、該酸W-Hと、前記会合構造x2との間で塩交換反応が生じて、あらたな会合構造y2が形成し得る程度であればよい。前記以外の第二の実施形態における工程2についての説明は、前述した第一の実施形態における工程2についての説明と同様である。[工程3]工程3では、前記露光後のレジスト膜2’を、有機系現像液を用いて現像する。本実施形態では、有機系現像液による現像により、露光部2’aが有機系現像液に溶解除去され、未露光部2’bが残膜してポジ型レジストパターンが形成する。本実施形態のように、酸性基としてフェノール性水酸基を有する基材成分を含有するレジスト組成物2を用いてポジ型レジストパターンを形成する場合、有機系現像液が含有する有機溶剤としては、酢酸ブチル、4-メチル-2-ペンタノール、1-ブトキシ-2-プロパノール、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、及び2-ヘプタノンからなる群より選択される1種以上が好適なものとして挙げられる。なお、該レジスト組成物2を用いてネガ型レジストパターンを形成する場合、有機系現像液が含有する有機溶剤としては、n-ヘプタン、ジブチルエーテル等が好適なものとして挙げられる。前記以外の第二の実施形態における工程3についての説明は、前述した第一の実施形態における工程3についての説明と同様である。以上説明したように、レジスト組成物1又はレジスト組成物2を用いて、支持体1上にレジスト膜を形成し、露光し、有機系現像液で現像する、というレジストパターン形成方法によれば、レジスト膜の露光部と未露光部との間で良好な溶解コントラストが得られやすく、微細なパターンを形成できる。かかる本発明のレジストパターン形成方法では、従来の方法と異なり、基材成分中の酸分解性基の露光による分解反応を経ることなく、つまり、露光により基材成分の極性は変化せず、有機系現像液に対して溶解コントラストが得られる。具体的には、本発明のレジストパターン形成方法によれば、前記のA~C成分を含有するレジスト組成物を用いて、基材成分中の酸性基と会合構造を形成させることでレジスト膜を成膜し、該会合構造と、露光により酸発生剤から発生する酸との間で塩交換反応が行われることにより、レジスト膜露光部の有機系現像液に対する溶解性がコントロールされ、レジスト膜の露光部と未露光部との間の有機系現像液に対する溶解性の差を大きく生じさせることができる。このように、本発明のレジストパターン形成方法においては、新規なレジストパターン形成機構によって良好な溶解コントラストが得られ、微細なパターンを形成できる。≪レジスト組成物≫本発明のレジスト組成物は、前述した本発明のレジストパターン形成方法に用いられるレジスト組成物として好適なものであり、酸性基を有する基材成分Aと、前記酸性基と会合構造を形成し得る化合物Cと、前記酸性基よりも強度の高い酸を露光により発生する酸発生剤成分Bとを含有する。本発明においては、A成分中の酸性基と有機系現像液との組合せにより、ネガ型レジストパターン又はポジ型レジストパターンのどちらが形成されるのか、ということが決定される。前述した第一の実施形態において用いられるレジスト組成物1は、A成分としてカルボキシ基を有する基材成分と、C成分として前記カルボキシ基と会合構造を形成し得るアルキルアミンと、B成分として前記カルボキシ基よりも強度の高い酸を露光により発生する酸発生剤とを含有する。該レジスト組成物1と有機系現像液との組合せによりネガ型レジストパターンが形成されている。すなわち、第一の実施形態において、かかるレジスト組成物1はネガ型レジスト組成物である。前述した第二の実施形態において用いられるレジスト組成物2は、A成分としてフェノール性水酸基を有する基材成分と、C成分として前記フェノール性水酸基と会合構造を形成し得る、露光により酸解離定数pKaが0以上の酸を発生するイオン性化合物と、B成分として前記フェノール性水酸基よりも強度の高い酸を露光により発生する酸発生剤とを含有する。該レジスト組成物2と有機系現像液との組合せによりポジ型レジストパターンが形成されている。すなわち、第二の実施形態において、かかるレジスト組成物2はポジ型レジスト組成物である。なお、前述したように、有機系現像液の種類により、前記レジスト組成物1はポジ型レジスト組成物にも、前記レジスト組成物2はネガ型レジスト組成物にもなり得る。[基材成分A]本発明において、基材成分とは、膜形成能を有する有機化合物であり、好ましくは分子量が500以上の有機化合物が用いられる。該有機化合物の分子量が500以上であることにより、膜形成能が向上し、また、ナノレベルのレジストパターンを形成しやすい。膜形成能とは、その成分それ自体で、又は他の成分と会合構造を形成することで、膜を形成し得る特性をいう。基材成分として用いられる有機化合物は、非重合体と重合体とに大別される。非重合体としては、通常、分子量が500以上4000未満のものが用いられる。以下、低分子化合物という場合は、分子量が500以上4000未満の非重合体を示す。重合体としては、通常、分子量が1000以上のものが用いられる。本明細書及び本特許請求の範囲において樹脂という場合、分子量が1000以上の重合体を示す。重合体の分子量としては、GPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算の質量平均分子量を用いるものとする。本発明において、酸性基とは、Hを放出しやすい基を意味し、カルボキシ基;フェノール性水酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、電子吸引性基で置換されたヒドロキシアルキル基などが例示される。酸性基を有する基材成分Aは、膜形成能を有し、C成分と会合構造を形成し得るものであればよく、樹脂成分であってもよく低分子化合物成分であってもよく、又はこれらの混合物であってもよい。なかでも、レジスト膜が安定に形成されやすいことから、A成分としては、膜形成能を有し、C成分と会合構造を形成し得る樹脂成分であることが好ましい。加えて、該樹脂成分は、酸性基を含む構成単位以下この構成単位を構成単位a5という。を有する高分子化合物A1以下A1成分という。を含有するものが好ましい。構成単位a5本明細書において、構成単位a5は、酸性基を含む構成単位である。酸性基としては、カルボキシ基-COOH、フェノール性水酸基-OH、スルホンアミド基-SO2-NH2、スルホニルイミド基-SO2-NH-SO2-、電子吸引性基で置換されたヒドロキシアルキル基等が挙げられる。酸性基としてカルボキシ基-COOHを含む構成単位としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基等で置換されていてもよいアクリル酸から誘導される構成単位を含む。該置換基であるハロゲン化アルキル基におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。電子吸引性基で置換されたヒドロキシアルキル基における、電子吸引性基としてはフッ素原子、酸素原子などが挙げられる。ヒドロキシアルキル基としては、炭素数1~5のヒドロキシアルキル基が好ましく、このヒドロキシアルキル基として具体的には、炭素数1~5のアルキル基の水素原子の一部がヒドロキシ基で置換された基が挙げられる。構成単位a5は、水素原子の一部が酸性基で置換された炭化水素基を含む構成単位であることが好ましい。当該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく芳香族炭化水素基であってもよい。当該炭化水素基における脂肪族炭化水素基としては、炭素数1~10の直鎖状又は分岐鎖状の炭化水素基好ましくはアルキレン基、脂肪族環式基単環式基、多環式基が挙げられる。該脂肪族環式基単環式基、多環式基としては、例えばArFエキシマレーザー用レジスト組成物用の樹脂において、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。該脂肪族環式基の炭素数は3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~12が最も好ましい。具体的には、たとえば、モノシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。該脂肪族環式基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子、炭素数1~5のフッ素化アルキル基等が挙げられる。当該炭化水素基における芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも1つ有する炭化水素基である。芳香環は、4n2ここでのnは0と自然数を示す個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は5~30であることが好ましく、5~20がより好ましく、6~15がさらに好ましく、6~12が特に好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。2価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を2つ除いた基アリーレン基またはヘテロアリーレン基;2以上の芳香環を含む芳香族化合物たとえばビフェニル、フルオレン等から水素原子を2つ除いた基;前記芳香環の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基やヘテロアリールアルキル基における芳香環から水素原子をさらに1つ除いた基等が挙げられる。前記芳香族炭化水素環又は芳香族複素環の水素原子を置換するアルキレン基の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。該芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O等が挙げられる。前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部又は全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。構成単位a5としては、下記一般式a5-1で表される構成単位が好ましい。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。P0は-C=O-O-、-C=O-NR0-R0は水素原子又は炭素数1~5のアルキル基である又は単結合である。W0は置換基としてカルボキシ基-COOH、フェノール性水酸基-OH、スルホンアミド基-SO2-NH2、スルホニルイミド基-SO2-NH-SO2-及び電子吸引性基で置換されたヒドロキシアルキル基からなる群より選択される少なくとも一種の酸性基を有する炭化水素基、又は-COOHである。]前記式a5-1中、Rのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。Rのハロゲン化アルキル基は、前記のRのアルキル基の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。Rとしては、水素原子、炭素数1~5のアルキル基又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基が好ましく、水素原子又はメチル基が特に好ましい。前記式a5-1中、P0は、-C=O-O-、-C=O-NR0-R0は水素原子又は炭素数1~5のアルキル基である又は単結合である。R0のアルキル基としては、Rのアルキル基と同様である。前記式a5-1中、W0は、置換基としてカルボキシ基-COOH、フェノール性水酸基-OH、スルホンアミド基-SO2-NH2、スルホニルイミド基-SO2-NH-SO2-及び電子吸引性基で置換されたヒドロキシアルキル基からなる群より選択される少なくとも一種の酸性基を有する炭化水素基、又は-COOHである。置換基として酸性基を有する炭化水素基とは、炭化水素基に結合した水素原子の少なくとも一部が酸性基で置換されていることを意味する。W0における炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。W0の炭化水素基における脂肪族炭化水素基としては、炭素数1~10の直鎖状又は分岐鎖状の炭化水素基好ましくはアルキレン基、脂肪族環式基単環式基、多環式基;置換基を有していてもよいが好適に挙げられ、これらの説明は上記と同様である。W0の炭化水素基における芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも1つ有する炭化水素基置換基を有していてもよいであり、この説明は上記と同様である。構成単位a5のなかで好適なものとして、より具体的には、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のハロゲン化アルキル基等で置換されていてもよいアクリル酸から誘導される構成単位、下記一般式a5-11で表される構成単位、下記一般式a5-12で表される構成単位等が挙げられる。アクリル酸から誘導される構成単位前記のアクリル酸から誘導される構成単位としては、前記式a5-1中のP0が単結合であり、W0が-COOHである構成単位が挙げられる。[式中、Rは水素原子、炭素数1~5のアルキル基、又は炭素数1~5のハロゲン化アルキル基である。W01は置換基としてカルボキシ基-COOH、フェノール性水酸基-OH、スルホンアミド基-SO2-NH2、スルホニルイミド基-SO2-NH-SO2-及び電子吸引性基で置換されたヒドロキシアルキル基からなる群より選択される少なくとも一種の酸性基を有する芳香族炭化水素基である。P02は-C=O-O-、-C=O-NR0-R0は水素原子又は炭素数1~5のアルキル基である又は単結合である。W02は置換基としてカルボキシ基-COOH、フェノール性水酸基-OH、スルホンアミド基-SO2-NH2、スルホニルイミド基-SO2-NH-SO2-及び電子吸引性基で置換されたヒドロキシアルキル基からなる群より選択される少なくとも一種の酸性基を有する環状の炭化水素基である。]一般式a5-11で表される構成単位前記式a5-11中、Rは、前記式a5-1中のRの説明と同様である。W01における芳香族炭化水素基は、前記式a5-1中のW0の炭化水素基における芳香族炭化水素基の説明と同様である。以下に、一般式a5-11で表される構成単位の好適な具体例を示す。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。一般式a5-12で表される構成単位前記式a5-12中、Rは、前記式a5-1中のRの説明と同様である。P02は、-C=O-O-又は-C=O-NR0-R0は水素原子又は炭素数1~5のアルキル基であるであり、-C=O-O-であることが好ましい。R0のアルキル基としては、Rのアルキル基と同様である。W02における環状の炭化水素基は、前記式a5-1中のW0についての説明の中で例示した脂肪族環式基単環式基、多環式基、芳香族炭化水素基とそれぞれ同様のものが挙げられる。以下に、一般式a5-12で表される構成単位の好適な具体例を示す。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。A1成分が有する構成単位a5は、1種単独であっても2種以上であってもよい。上記の中でも、構成単位a5としては、C成分と会合構造を容易に形成しやすいことから、酸性基としてカルボキシ基-COOH又はフェノール性水酸基-OHを含む構成単位が好ましい。A1成分が構成単位a5とこれ以外の構成単位とからなる共重合体である場合、A1成分中、構成単位a5の割合は、当該A1成分を構成する全構成単位に対して5モル以上であることが好ましく、10~60モルであることがより好ましく、15~50モルであることがさらに好ましい。構成単位a5の割合が下限値以上であることにより、C成分との会合構造が形成されやすくなり、レジスト膜がより安定に成膜される。一方、上限値以下であることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。また、A1成分中、構成単位a5の割合は100モルであってもよい。すなわち、A1成分として、構成単位a5の繰り返し単位からなるホモポリマーを用いることもできる。その他の構成単位A1成分は、本発明の効果を損なわない範囲で、用途に応じ、上記の構成単位a5以外のその他の構成単位を有してもよい。かかるその他の構成単位は、上述の構成単位に分類されない構成単位であれば特に限定されるものではなく、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用好ましくはArFエキシマレーザー用等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。かかるその他の構成単位としては、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位a1、-SO2-含有環式基又はラクトン含有環式基を含む構成単位a2、酸非解離性環式基を含む構成単位a4等が挙げられる。構成単位a1本明細書において、構成単位a1は、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位である。本発明のレジスト組成物において、A1成分は、構成単位a5に加えて、さらに構成単位a1を有してもよい。本発明においては、従来と異なり、基材成分中の酸分解性基の露光による分解反応を経ずにレジストパターンを形成できることから、ベース樹脂中に構成単位a1を有している必要はないが、要求されるリソグラフィー特性に応じて、構成単位a5に加えて、さらに構成単位a1を有する高分子化合物を用いてもよい。構成単位a1における酸分解性基は、酸の作用により、当該酸分解性基の構造中の少なくとも一部の結合が開裂し得る酸分解性を有する基である。酸の作用により極性が増大する酸分解性基としては、たとえば、酸の作用により分解して極性基を生じる基が挙げられる。極性基としては、たとえばカルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルホ基-SO3H等が挙げられる。これらのなかでも、構造中に-OHを含有する極性基以下OH含有極性基ということがある。が好ましく、カルボキシ基または水酸基が好ましく、カルボキシ基が特に好ましい。酸分解性基としてより具体的には、前記極性基を酸解離性基で保護した基たとえばOH含有極性基の水素原子を酸解離性基で保護した基が挙げられる。酸解離性基は、酸の作用により、少なくとも、当該酸解離性基と該酸解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る酸解離性を有する基である。酸分解性基を構成する酸解離性基は、当該酸解離性基の解離により生成する極性基よりも極性の低い基であることが必要で、これにより、酸の作用により該酸解離性基が解離した際に、該酸解離性基よりも極性の高い極性基が生じて極性が増大する。その結果、A1成分全体の極性がより増大する。極性がより増大することにより、相対的に、有機系現像液に対する溶解性の変化が大きくなる。酸解離性基としては、特に限定されず、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性基として提案されているものを使用することができる。一般的には、メタアクリル酸等におけるカルボキシ基と環状又は鎖状の第3級アルキルエステルを形成する基;アルコキシアルキル基等のアセタール型酸解離性基などが広く知られている。ここで、第3級アルキルエステルとは、カルボキシ基の水素原子が、鎖状又は環状のアルキル基で置換されることによりエステルを形成しており、そのカルボニルオキシ基-C=O-O-の末端の酸素原子に、前記鎖状又は環状のアルキル基の第3級炭素原子が結合している構造を示す。この第3級アルキルエステルにおいては、酸が作用すると、酸素原子と第3級炭素原子との間で結合が切断され、カルボキシ基が形成される。前記鎖状又は環状のアルキル基は、置換基を有していてもよい。以下、カルボキシ基と第3級アルキルエステルを構成することにより、酸解離性となっている基を、便宜上、第3級アルキルエステル型酸解離性基という。第3級アルキルエステル型酸解離性基としては、脂肪族分岐鎖状酸解離性基、脂肪族環式基を含有する酸解離性基が挙げられる。ここで、脂肪族分岐鎖状とは、芳香族性を持たない分岐鎖状の構造を有することを示す。脂肪族分岐鎖状酸解離性基の構造は、炭素および水素からなる基炭化水素基であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、炭化水素基は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。脂肪族分岐鎖状酸解離性基としては、たとえば、-CR71R72R73で表される基が挙げられる。式中、R71~R73は、それぞれ独立に、炭素数1~5の直鎖状のアルキル基である。-CR71R72R73で表される基は、炭素数が4~8であることが好ましく、具体的にはtert-ブチル基、2-メチル-2-ブチル基、2-メチル-2-ペンチル基、3-メチル-3-ペンチル基などが挙げられる。特にtert-ブチル基が好ましい。脂肪族環式基は、芳香族性を持たない単環式基又は多環式基であることを示す。脂肪族環式基を含有する酸解離性基における脂肪族環式基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、炭素数1~5のアルコキシ基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1~5のフッ素化アルキル基、酸素原子=O等が挙げられる。該脂肪族環式基の置換基を除いた基本の環の構造は、炭素および水素からなる基炭化水素基であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、該炭化水素基は、飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。脂肪族環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。脂肪族環式基としては、例えば、炭素数1~5のアルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などの脂環式炭化水素基が挙げられる。また、これらの脂環式炭化水素基の環を構成する炭素原子の一部がエーテル基に対して、0.5~100質量部であることが好ましく、0.5~20質量部であることがより好ましい。溶媒は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。上記反応における化合物i-2の使用量は、通常、化合物i-11モルに対して0.5~5モル程度が好ましく、0.8~4モル程度がより好ましい。上記反応における反応時間は、化合物i-1と化合物i-2との反応性や、反応温度等によっても異なるが、通常、1~80時間が好ましく、3~60時間がより好ましい。上記反応における反応温度は、20°C~200°Cが好ましく、20°C~150°C程度がより好ましい。次いで、得られた化合物i-3と、化合物i-4とを反応させ、化合物c1-3を得る。式i-4中、Mは前記同様であり、Z-は対アニオンである。化合物i-3と化合物i-4とを反応させ、化合物c1-3を得る方法としては、特に限定されないが、たとえば、適当なアルカリ金属水酸化物の存在下で、化合物i-3を適当な有機溶媒及び水に溶解し、化合物i-4を添加して攪拌により反応させることにより実施できる。上記反応におけるアルカリ金属水酸化物は、特に限定されるものではなく、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられ、その使用量は化合物i-31モルに対して0.3~3モル程度が好ましい。上記反応における有機溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホルム、酢酸エチル等の溶媒が挙げられ、その使用量は、化合物i-3に対して、0.5~100質量部であることが好ましく、0.5~20質量部であることがより好ましい。溶媒は、1種を単独で用いても良く、2種以上を併用してもよい。上記反応における化合物i-4の使用量は、通常、化合物i-31モルに対して0.5~5モル程度が好ましく、0.8~4モル程度がより好ましい。上記反応における反応時間は、化合物i-3と化合物i-4との反応性や、反応温度等によっても異なるが、通常、1~80時間が好ましく、3~60時間がより好ましい。上記反応における反応温度は、20~200°Cが好ましく、20~150°C程度がより好ましい。反応終了後、反応液中の化合物c1-3を単離、精製してもよい。単離、精製には、従来公知の方法が利用でき、たとえば濃縮、溶媒抽出、蒸留、結晶化、再結晶、クロマトグラフィー等をいずれか単独で、またはこれらの2種以上を組み合わせて用いることができる。上記のようにして得られる化合物c1-3の構造は、1H-核磁気共鳴NMRスペクトル法、13C-NMRスペクトル法、19F-NMRスペクトル法、赤外線吸収IRスペクトル法、質量分析MS法、元素分析法、X線結晶回折法等の一般的な有機分析法により確認できる。C2成分C2成分としては、C1成分に該当しないものであれば特に限定されず、たとえば脂肪族アミン、芳香族アミン等のアミンが挙げられ、なかでも脂肪族アミン、特に第2級脂肪族アミンや第3級脂肪族アミンが好ましい。脂肪族アミンとは、1つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、該脂肪族基は炭素数が1~12であることが好ましい。脂肪族アミンとしては、たとえば、アンモニアNH3の水素原子の少なくとも1つを、炭素数20以下のアルキル基又はヒドロキシアルキル基で置換したアミンアルキルアミンまたはアルキルアルコールアミン、環式アミン、その他の脂肪族アミン等が挙げられる。前記アルキルアミンが有するアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。該アルキル基が直鎖状または分岐鎖状である場合、その炭素数は2~20であることがより好ましく、2~8であることがさらに好ましい。該アルキル基が環状である場合シクロアルキル基である場合、その炭素数は、3~30であることが好ましく、3~20がより好ましく、3~15がさらに好ましく、炭素数4~12であることが特に好ましく、炭素数5~10が最も好ましい。該アルキル基は単環式であってもよく、多環式であってもよい。具体的には、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等を例示できる。前記モノシクロアルカンとして、具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。また、前記ポリシクロアルカンとして、具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。前記アルキルアルコールアミンが有するヒドロキシアルキル基におけるアルキル基としては、前記アルキルアミンが有するアルキル基として挙げたものと同様のものが挙げられる。前記アルキルアミンの具体例としては、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デカニルアミン、トリ-n-ドデシルアミン等のトリアルキルアミンが挙げられる。前記アルキルアルコールアミンの具体例としては、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ-n-オクタノールアミン、トリ-n-オクタノールアミン、ステアリルジエタノールアミン、ラウリルジエタノールアミン等が挙げられる。これらの中でも、炭素数5~10のトリアルキルアミンがさらに好ましく、トリ-n-ペンチルアミン又はトリ-n-オクチルアミンが特に好ましい。環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの脂肪族単環式アミンであっても多環式のもの脂肪族多環式アミンであってもよい。脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が6~10のものが好ましく、具体的には、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]-5-ノネン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。その他の脂肪族アミンとしては、トリス2-メトキシメトキシエチルアミン、トリス{2-2-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-2-メトキシエトキシメトキシエチル}アミン、トリス{2-1-メトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシエトキシエチル}アミン、トリス{2-1-エトキシプロポキシエチル}アミン、トリス[2-{2-2-ヒドロキシエトキシエトキシ}エチル]アミン、トリエタノールアミントリアセテート等が挙げられる。芳香族アミンとしては、アニリン、ピリジン、4-ジメチルアミノピリジン、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾールまたはこれらの誘導体、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、2,6-ジイソプロピルアニリン、N-tert-ブトキシカルボニルピロリジン等が挙げられる。C2成分はいずれか1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。C2成分のなかでも、露光によりB成分との塩交換反応が良好に進行して、有機系現像液に対して溶解コントラストが得られやすいことから、アルキルアミンが好ましく、トリアルキルアミンがより好ましく、炭素数5~10のトリアルキルアミンがさらに好ましい。レジスト組成物中、C2成分の含有量は、A成分100質量部に対して、0.1~30質量部であることが好ましく、0.5~25質量部であることがより好ましく、1~20質量部であることがさらに好ましい。C2成分の含有量が上記範囲の下限値以上であると、A成分との会合構造が容易に形成され、レジスト膜をより安定に成膜できる。前記範囲の上限値以下であると、感度を良好に維持でき、スループットにも優れる。C成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。[酸発生剤成分B]本発明における酸発生剤成分Bは、前記A成分中の酸性基よりも強度の高い酸を露光により発生する酸発生剤成分である。このようなB成分としては、これまで化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されている、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキル又はビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリビススルホニルジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤などが挙げられる。かかるオニウム塩系酸発生剤としては、例えば下記一般式b-1又はb-2で表される化合物を用いることができる。[式中、R1~R3,R5~R6はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基又はアルケニル基を表す。式b-1におけるR1~R3のうち、いずれか二つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。R4は、置換基を有していてもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基を表す。]前記式b-1中、R1~R3は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいアルケニル基を表す。R1~R3のうち、いずれか二つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。R1~R3は、前記式b-c1中のR1~R3における置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基と同様である。前記式b-2中、R5~R6は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいアルケニル基を表す。R5~R6は、前記式b-c2中のR5~R6における置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基と同様である。式b-1~b-2中、R4は、置換基を有していてもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基を表す。R4におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれであってもよい。前記直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数1~10であることが好ましく、炭素数1~8であることがより好ましく、炭素数1~4であることが最も好ましい。前記環状のアルキル基としては、炭素数4~15であることが好ましく、炭素数4~10であることがさらに好ましく、炭素数6~10であることが最も好ましい。R4におけるハロゲン化アルキル基としては、前記直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。ハロゲン化アルキル基においては、当該ハロゲン化アルキル基に含まれるハロゲン原子および水素原子の合計数に対するハロゲン原子の数の割合ハロゲン化率が、10~100であることが好ましく、50~100であることが好ましく、100が最も好ましい。該ハロゲン化率が高いほど、酸の強度が強くなるので好ましい。前記R4におけるアリール基は、炭素数6~20のアリール基であることが好ましい。前記R4におけるアルケニル基は、炭素数2~10のアルケニル基であることが好ましい。前記R4において、置換基を有していてもよいとは、前記直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基における水素原子の一部または全部が置換基水素原子以外の他の原子または基で置換されていても良いことを意味する。R4における置換基の数は、1つであってもよく、2つ以上であってもよい。前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヘテロ原子、アルキル基、水酸基、式:X3-Q1-[式中、Q1は酸素原子を含む2価の連結基であり、X3は置換基を有していてもよい炭素数3~30の炭化水素基である。]で表される基等が挙げられる。前記ハロゲン原子、アルキル基としては、R4において、ハロゲン化アルキル基におけるハロゲン原子、アルキル基として挙げたもの同様のものが挙げられる。前記ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等が挙げられる。X3-Q1-で表される基において、Q1は酸素原子を含む2価の連結基である。Q1は、酸素原子以外の原子を含有してもよい。酸素原子以外の原子としては、たとえば炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。酸素原子を含む2価の連結基としては、たとえば、酸素原子エーテル結合;-O-、エステル結合-C=O-O-、アミド結合-C=O-NH-、カルボニル基-C=O-、カーボネート結合-O-C=O-O-等の非炭化水素系の酸素原子含有連結基;該非炭化水素系の酸素原子含有連結基とアルキレン基との組み合わせ等が挙げられる。該組み合わせとしては、たとえば、-R91-O-、-R92-O-C=O-、-C=O-O-R93-O-C=O-式中、R91~R93はそれぞれ独立にアルキレン基である。等が挙げられる。R91~R93におけるアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、該アルキレン基の炭素数は、1~12が好ましく、1~5がより好ましく、1~3が特に好ましい。該アルキレン基として、具体的には、たとえばメチレン基[-CH2-];-CHCH3-、-CHCH2CH3-、-CCH32-、-CCH3CH2CH3-、-CCH3CH2CH2CH3-、-CCH2CH32-等のアルキルメチレン基;エチレン基[-CH2CH2-];-CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CHCH2CH3CH2-等のアルキルエチレン基;トリメチレン基n-プロピレン基[-CH2CH2CH2-];-CHCH3CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2-等のアルキルトリメチレン基;テトラメチレン基[-CH2CH2CH2CH2-];-CHCH3CH2CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2CH2-等のアルキルテトラメチレン基;ペンタメチレン基[-CH2CH2CH2CH2CH2-]等が挙げられる。Q1としては、エステル結合またはエーテル結合を含む2価の連結基が好ましく、なかでも、-R91-O-、-R92-O-C=O-または-C=O-O-R93-O-C=O-が好ましい。X3-Q1-で表される基において、X3の炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよく、脂肪族炭化水素基であってもよい。芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素数は3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~12が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香族炭化水素基として、具体的には、フェニル基、ビフェニルbiphenyl基、フルオレニルfluorenyl基、ナフチル基、アントリルanthryl基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いたアリール基、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基等が挙げられる。前記アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。該芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、当該芳香族炭化水素基が有する芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。前者の例としては、前記アリール基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基、前記アリールアルキル基中の芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部が前記ヘテロ原子で置換されたヘテロアリールアルキル基等が挙げられる。後者の例における芳香族炭化水素基の置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O等が挙げられる。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。X3における脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基であってもよく、不飽和脂肪族炭化水素基であってもよい。また、脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。X3において、脂肪族炭化水素基は、当該脂肪族炭化水素基を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよく、当該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよい。X3におけるヘテロ原子としては、炭素原子および水素原子以外の原子であれば特に限定されず、たとえばハロゲン原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。ヘテロ原子を含む置換基は、前記ヘテロ原子のみからなるものであってもよく、前記ヘテロ原子以外の基または原子を含む基であってもよい。炭素原子の一部を置換する置換基として、具体的には、たとえば-O-、-C=O-O-、-C=O-、-O-C=O-O-、-C=O-NH-、-NH-Hがアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-等が挙げられる。脂肪族炭化水素基が環状である場合、これらの置換基を環構造中に含んでいてもよい。水素原子の一部または全部を置換する置換基として、具体的には、たとえばアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子=O、シアノ基等が挙げられる。前記アルコキシ基としては、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。前記ハロゲン化アルキル基としては、炭素数1~5のアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基等のアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。脂肪族炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、直鎖状もしくは分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基、または環状の脂肪族炭化水素基脂肪族環式基が好ましい。直鎖状の飽和炭化水素基アルキル基としては、炭素数が1~20であることが好ましく、1~15であることがより好ましく、1~10が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。分岐鎖状の飽和炭化水素基アルキル基としては、炭素数が3~20であることが好ましく、3~15であることがより好ましく、3~10が最も好ましい。具体的には、例えば、1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基などが挙げられる。不飽和炭化水素基としては、炭素数が2~10であることが好ましく、2~5が好ましく、2~4が好ましく、3が特に好ましい。直鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基アリル基、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、1-メチルプロペニル基、2-メチルプロペニル基などが挙げられる。不飽和炭化水素基としては、上記の中でも、特にプロペニル基が好ましい。脂肪族環式基としては、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。その炭素数は3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~12が最も好ましい。具体的には、たとえば、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含まない場合は、脂肪族環式基としては、多環式基が好ましく、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、アダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が最も好ましい。脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含むものである場合、該ヘテロ原子を含む置換基としては、-O-、-C=O-O-、-S-、-S=O2-、-S=O2-O-が好ましい。かかる脂肪族環式基の具体例としては、たとえば前述した式L1~L6、S1~S4で表される基等が挙げられる。X3-Q1-で表される基におけるX3は、置換基を有していてもよい環式基であることが好ましい。該環式基は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましい。前記芳香族炭化水素基としては、置換基を有していてもよいナフチル基、または置換基を有していてもよいフェニル基が好ましい。置換基を有していてもよい脂肪族環式基としては、置換基を有していてもよい多環式の脂肪族環式基が好ましい。該多環式の脂肪族環式基としては、前記ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、前述した式L2~L6、S3~S4でそれぞれ表される基等が好ましい。式b-1~b-2中、R4は、置換基としてX3-Q1-を有することが好ましい。この場合、R4としては、X3-Q1-Y10-[式中、Q1およびX3は前記と同じであり、Y10は置換基を有していてもよい炭素数1~4のアルキレン基または置換基を有していてもよい炭素数1~4のフッ素化アルキレン基である。]で表される基が好ましい。X3-Q1-Y10-で表される基において、Y10のアルキレン基としては、前記Q1で挙げたアルキレン基のうち炭素数1~4のものと同様のものが挙げられる。フッ素化アルキレン基としては、該アルキレン基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。Y10として、具体的には、-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2-、-CFCF2CF3-、-CCF32-、-CF2CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2CF2-、-CF2CFCF3CF2-、-CFCF3CFCF3-、-CCF32CF2-、-CFCF2CF3CF2-、-CFCF2CF2CF3-、-CCF3CF2CF3-;-CHF-、-CH2CF2-、-CH2CH2CF2-、-CH2CF2CF2-、-CHCF3CH2-、-CHCF2CF3-、-CCH3CF3-、-CH2CH2CH2CF2-、-CH2CH2CF2CF2-、-CHCF3CH2CH2-、-CH2CHCF3CH2-、-CHCF3CHCF3-、-CCF32CH2-;-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-、-CHCH3CH2-、-CHCH2CH3-、-CCH32-、-CH2CH2CH2CH2-、-CHCH3CH2CH2-、-CH2CHCH3CH2-、-CHCH3CHCH3-、-CCH32CH2-、-CHCH2CH3CH2-、-CHCH2CH2CH3-、-CCH3CH2CH3-等が挙げられる。Y10としては、フッ素化アルキレン基が好ましく、特に、隣接する硫黄原子に結合する炭素原子がフッ素化されているフッ素化アルキレン基が好ましい。このようなフッ素化アルキレン基としては、-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2-、-CF2CF2CF2CF2-、-CFCF3CF2CF2-、-CF2CFCF3CF2-、-CFCF3CFCF3-、-CCF32CF2-、-CFCF2CF3CF2-;-CH2CF2-、-CH2CH2CF2-、-CH2CF2CF2-;-CH2CH2CH2CF2-、-CH2CH2CF2CF2-、-CH2CF2CF2CF2-等を挙げることができる。これらの中でも、-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-、又はCH2CF2CF2-が好ましく、-CF2-、-CF2CF2-又は-CF2CF2CF2-がより好ましく、-CF2-が特に好ましい。前記アルキレン基またはフッ素化アルキレン基は、置換基を有していてもよい。アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が置換基を有するとは、当該アルキレン基またはフッ素化アルキレン基における水素原子またはフッ素原子の一部または全部が、水素原子およびフッ素原子以外の原子または基で置換されていることを意味する。アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が有していてもよい置換基としては、炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基、水酸基等が挙げられる。式b-1、b-2で表されるオニウム塩系酸発生剤の具体例としては、ジフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートpKa-3.9またはノナフルオロブタンスルホネートpKa-3.9、ビス4-tert-ブチルフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートpKa-3.7またはそのノナフルオロブタンスルホネートpKa-3.9、トリ4-メチルフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジメチル4-ヒドロキシナフチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、モノフェニルジメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;ジフェニルモノメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、4-メチルフェニルジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、4-メトキシフェニルジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、トリ4-tert-ブチルフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジフェニル1-4-メトキシナフチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート、ジ1-ナフチルフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-フェニルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-4-メチルフェニルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-4-メトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-4-エトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-フェニルテトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1-4-メチルフェニルテトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート等が挙げられる。また、これらのオニウム塩のアニオン部を下記式b1~b9のいずれかで表されるアニオンに置き換えたオニウム塩を用いることも好ましく、これらのなかでも、アニオン部を下記式b3~b6及びb9のいずれかで表されるアニオンに置き換えたオニウム塩を用いることがより好ましい。[式中、q1~q2はそれぞれ独立に1~5の整数であり、q3は1~12の整数であり、t3は1~3の整数であり、r1~r2はそれぞれ独立に0~3の整数であり、iは1~20の整数であり、R7は置換基であり、m1~m6はそれぞれ独立に0または1であり、v0~v6はそれぞれ独立に0~3の整数であり、w1~w6はそれぞれ独立に0~3の整数であり、Qは前記と同じである。]R7の置換基としては、前記X3において、脂肪族炭化水素基が有していてもよい置換基、芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。R7に付された符号r1~r2、w1~w6が2以上の整数である場合、当該化合物中の複数のR7はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。また、オニウム塩系酸発生剤としては、前記一般式b-1又はb-2において、アニオン部を下記一般式b-3又はb-4で表されるアニオン部に置き換えたオニウム塩系酸発生剤も用いることができるカチオン部はb-1又はb-2と同様。[式中、Xは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数2~6のアルキレン基を表し;Y、Zは、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~10のアルキル基を表す。]Xは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基であり、該アルキレン基の炭素数は2~6であり、好ましくは炭素数3~5、最も好ましくは炭素数3である。Y、Zは、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、該アルキル基の炭素数は1~10であり、好ましくは炭素数1~7、より好ましくは炭素数1~3である。Xのアルキレン基の炭素数またはY、Zのアルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、レジスト溶媒への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。また、Xのアルキレン基またはY、Zのアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また200nm以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するので好ましい。該アルキレン基またはアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは70~100、さらに好ましくは90~100であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基またはパーフルオロアルキル基である。また、オニウム塩系酸発生剤として、前述した一般式b-5又はb-6で表されるカチオンをカチオン部に有するスルホニウム塩を用いることもできる。さらに、前述した一般式b-7又は一般式b-8で表されるカチオンをカチオン部に有するスルホニウム塩を用いることもできる。式b-5~b-8でそれぞれ表されるカチオンをカチオン部に有するスルホニウム塩のアニオン部は、特に限定されず、これまで提案されているオニウム塩系酸発生剤のアニオン部と同様のものであってよい。かかるアニオン部としては、たとえば上記一般式b-1またはb-2で表されるオニウム塩系酸発生剤のアニオン部R4SO3-等のフッ素化アルキルスルホン酸イオン;上記一般式b-3又はb-4で表されるアニオン、前記式b1~b9のいずれかで表されるアニオン等が挙げられる。本明細書において、オキシムスルホネート系酸発生剤とは、下記一般式B-1で表される基を少なくとも1つ有する化合物であって、放射線の照射によって酸を発生する特性を有するものである。この様なオキシムスルホネート系酸発生剤は、化学増幅型レジスト組成物用として多用されているので、任意に選択して用いることができる。[式B-1中、R31、R32はそれぞれ独立に有機基を表す。]R31、R32の有機基は、炭素原子を含む基であり、炭素原子以外の原子たとえば水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子等等を有していてもよい。R31の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基またはアリール基が好ましい。これらのアルキル基、アリール基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、特に制限はなく、たとえばフッ素原子、炭素数1~6の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。ここで、置換基を有するとは、アルキル基またはアリール基の水素原子の一部または全部が置換基で置換されていることを意味する。アルキル基としては、炭素数1~20が好ましく、炭素数1~10がより好ましく、炭素数1~8がさらに好ましく、炭素数1~6が特に好ましく、炭素数1~4が最も好ましい。アルキル基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアルキル基以下、ハロゲン化アルキル基ということがあるが好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味し、完全にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味する。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。すなわち、ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。アリール基は、炭素数4~20が好ましく、炭素数4~10がより好ましく、炭素数6~10が最も好ましい。アリール基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアリール基が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味し、完全にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味する。R31としては、特に、置換基を有さない炭素数1~4のアルキル基、または炭素数1~4のフッ素化アルキル基が好ましい。R32の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基、アリール基またはシアノ基が好ましい。R32のアルキル基、アリール基としては、前記R31で挙げたアルキル基、アリール基と同様のものが挙げられる。R32としては、特に、シアノ基、置換基を有さない炭素数1~8のアルキル基、または炭素数1~8のフッ素化アルキル基が好ましい。オキシムスルホネート系酸発生剤として、さらに好ましいものとしては、下記一般式B-2またはB-3で表される化合物が挙げられる。[式B-2中、R33は、シアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。R34はアリール基である。R35は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。]前記一般式B-2において、R33の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1~10であることが好ましく、炭素数1~8がより好ましく、炭素数1~6が最も好ましい。R33としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。R33におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50以上フッ素化されていることが好ましく、70以上フッ素化されていることがより好ましく、90以上フッ素化されていることが特に好ましい。R34のアリール基としては、フェニル基、ビフェニルbiphenyl基、フルオレニルfluorenyl基、ナフチル基、アントリルanthryl基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素の環から水素原子を1つ除いた基、およびこれらの基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基等が挙げられる。これらのなかでも、フルオレニル基が好ましい。R34のアリール基は、炭素数1~10のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基等の置換基を有していても良い。該置換基におけるアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1~8であることが好ましく、炭素数1~4がさらに好ましい。また、該ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。R35の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1~10であることが好ましく、炭素数1~8がより好ましく、炭素数1~6が最も好ましい。R35としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。R35におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50以上フッ素化されていることが好ましく、70以上フッ素化されていることがより好ましく、90以上フッ素化されていることが、発生する酸の強度が高まるため特に好ましい。最も好ましくは、水素原子が100フッ素置換された完全フッ素化アルキル基である。[式B-3中、R36はシアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。R37は2または3価の芳香族炭化水素基である。R38は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。pは2または3である。]前記一般式B-3において、R36の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記R33の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。R37の2または3価の芳香族炭化水素基としては、上記R34のアリール基からさらに1または2個の水素原子を除いた基が挙げられる。R38の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記R35の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。pは、好ましくは2である。オキシムスルホネート系酸発生剤の具体例としては、α-p-トルエンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-p-クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-4-ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-4-ニトロ-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-クロロベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2,4-ジクロロベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-2,6-ジクロロベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシベンジルシアニド、α-2-クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシベンジルシアニド、α-ベンゼンスルホニルオキシイミノ-チエン-2-イルアセトニトリル、α-4-ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ-ベンジルシアニド、α-[p-トルエンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニル]アセトニトリル、α-[ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニル]アセトニトリル、α-トシルオキシイミノ-4-チエニルシアニド、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘプテニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロオクテニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-シクロヘキシルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-エチルアセトニトリル、α-プロピルスルホニルオキシイミノ-プロピルアセトニトリル、α-シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ-シクロペンチルアセトニトリル、α-シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ-シクロヘキシルアセトニトリル、α-シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-イソプロピルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-n-ブチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロペンテニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-イソプロピルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-n-ブチルスルホニルオキシイミノ-1-シクロヘキセニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-p-メトキシフェニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-p-メトキシフェニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-p-メトキシフェニルアセトニトリル、α-プロピルスルホニルオキシイミノ-p-メチルフェニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-p-ブロモフェニルアセトニトリルなどが挙げられる。また、特開平9-208554号公報段落[0012]~[0014]の[化18]~[化19]に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤、国際公開第04/074242号65~86頁目のExample1~40に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤も好適に用いることができる。また、好適なものとして以下のものを例示することができる。ジアゾメタン系酸発生剤のうち、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類の具体例としては、ビスイソプロピルスルホニルジアゾメタン、ビスp-トルエンスルホニルジアゾメタン、ビス1,1-ジメチルエチルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ビス2,4-ジメチルフェニルスルホニルジアゾメタン等が挙げられる。また、特開平11-035551号公報、特開平11-035552号公報、特開平11-035573号公報に開示されているジアゾメタン系酸発生剤も好適に用いることができる。また、ポリビススルホニルジアゾメタン類としては、例えば、特開平11-322707号公報に開示されている、1,3-ビスフェニルスルホニルジアゾメチルスルホニルプロパン、1,4-ビスフェニルスルホニルジアゾメチルスルホニルブタン、1,6-ビスフェニルスルホニルジアゾメチルスルホニルヘキサン、1,10-ビスフェニルスルホニルジアゾメチルスルホニルデカン、1,2-ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニルエタン、1,3-ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニルプロパン、1,6-ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニルヘキサン、1,10-ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニルデカンなどを挙げることができる。B成分は、上述した酸発生剤を1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。上記のなかでも、B成分は、露光により酸解離定数pKaが0未満の酸を発生するイオン性化合物であることが好ましく、pKaが-1以下の酸を発生するイオン性化合物であることがより好ましい。pKaが0未満の酸を発生するイオン性化合物を用いると、露光によりC成分との塩交換反応が良好に進行して、有機系現像液に対して溶解コントラストが得られやすくなる。pKaの下限値は特に制限されないが、pKaが-15以上の酸を発生するイオン性化合物であることが好ましく、pKaが-13以上の酸を発生するイオン性化合物であることがより好ましい。なお、上記オニウム塩におけるアニオン部の好ましい具体例として示した、スルホネート基-SO3-やスルホニルイミドアニオン基-SO2-N--SO2-には、電子吸引部位となるフッ素化アルキル基が隣接しているので、一部の例示アニオンに併記したpKaと同様、他の例示化合物もpKaが負の値の酸を発生するといえる。レジスト組成物中、B成分の含有量は、A成分100質量部に対して、0.1~50質量部であることが好ましく、0.5~45質量部であることがより好ましく、1~40質量部であることがさらに好ましく、2~40質量部であることが特に好ましい。B成分の含有量が上記範囲の下限値以上であると、露光によりC成分との塩交換反応が充分に進行する。前記範囲の上限値以下であると、有機溶剤に溶解した際に、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。[その他の成分]本発明のレジスト組成物には、さらに所望により、混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。S成分本発明のレジスト組成物は、レジスト材料を有機溶剤以下S成分ということがあるに溶解させて製造することができる。S成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができる。例えば、γ-ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル-n-ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2-ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体[これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEが好ましい];ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチルEL、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などを挙げることができる。これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。中でも、γ-ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、シクロヘキサノン、乳酸エチルELが好ましい。また、PGMEAと極性溶剤とを混合した混合溶媒も好ましい。その配合比質量比は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2の範囲内とすることが好ましい。たとえば極性溶剤としてELを配合する場合は、PGMEA:ELの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2である。また、極性溶剤としてPGMEを配合する場合は、PGMEA:PGMEの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2、さらに好ましくは3:7~7:3である。また、極性溶剤としてPGMEおよびシクロヘキサノンを配合する場合は、PGMEA:PGMEシクロヘキサノンの質量比は、好ましくは1:9~9:1、より好ましくは2:8~8:2、さらに好ましくは3:7~7:3である。また、S成分として、その他には、PGMEA、EL、または前記PGMEAと極性溶剤との混合溶媒と、γ-ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは70:30~95:5とされる。S成分の使用量は特に限定しないが、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものであるが、一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が1~20質量、好ましくは2~15質量の範囲内となる様に用いられる。以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。本実施例においてpKa酸解離定数は、ソフトウェアACD/Labs商品名、AdvancedChemistryDevelopment社製を用い、シミュレーションを行うことにより算出した。<ネガ型レジストパターン形成>実施例1、比較例1表1に示す各成分を混合して溶解することによりレジスト組成物を調製した。表1中、[]内の数値は配合量質量部であり、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。A-1:下記化学式A-1で表される共重合体。Mw10000,Mw/Mn1.87。該化学式中、構成単位の右下の数値はその構成単位の割合モルを示す。C-1:トリ-n-オクチルアミン。B-1:4-メチルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、pKa-3.9。S-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート。[コントラスト評価1]表1に示すレジスト組成物を用い、以下のようにしてレジストパターンを形成してコントラスト評価を行った。工程1:90°Cで36秒間のヘキサメチルジシラザンHMDS処理を施した8インチシリコン基板上に、各例のレジスト組成物を、スピンナーを用いて均一にそれぞれ塗布し、ベーク温度90°Cで60秒間のベーク処理PABを行ってレジスト膜膜厚130nmを成膜した。工程2:次いで、該レジスト膜に対し、露光装置VUVES-4500リソテックジャパン株式会社製を用い、0.1~60.0mJ/cm2の範囲で露光量を変えて、ArFエキシマレーザー193nmの全面露光を行った。工程3:次に、露光後のレジスト膜に対し、23°Cにて酢酸ブチルを用いて16秒間の現像を行った。現像後のレジスト膜の膜厚をNanospec6100Aナノメトリクス社製を用いて測定した。この結果を図5に示す。図5は、実施例1及び比較例1における、露光量を変化させた際のレジスト膜厚の変化を示すグラフコントラストカーブである。図5において、縦軸は現像後のレジスト膜の膜厚Åを、横軸は露光量mJ/cm2を示す。図5より、比較例1では、露光量に関係なく、膜厚がゼロに近い値を示していることから、レジスト膜は現像液に可溶であり、露光前後で、現像液に対するレジスト膜の溶解性はほとんど変化していないことが分かる。一方、実施例1では、或る露光量の範囲で、露光量の増加に伴って膜厚が大きくなっていることから、露光によってレジスト膜露光部が難溶化していることが分かる。すなわち、有機系現像液に対して溶解コントラストが得られることが分かる。<ポジ型レジストパターン形成1>実施例2~3、比較例2~3表2に示す各成分を混合して溶解することによりレジスト組成物を調製した。表2中、[]内の数値は配合量質量部であり、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。A-2:下記化学式A-2で表されるホモポリマー。Mw7000,Mw/Mn1.12,pKa9.86。該化学式中、構成単位の右下の数値はその構成単位の割合モルを示す。C-2:下記化学式C-2で表される化合物、pKa1.17。C-3:下記化学式C-3で表される化合物、pKa4.51。B-2:トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、pKa-3.9。S-2:PGMEA/PGME/シクロヘキサノン=45/30/25質量比の混合溶剤。[PGMEA/PGME混合溶剤に対する溶解性評価1]表2に示す各例のA成分とC成分とB成分との混合物を、PGMEAとPGMEとの混合溶剤PGMEA/PGME質量比=6/4に加え、該混合物の溶解性について評価した。その結果、実施例2~3における混合物の場合は白濁物を生じ、比較例2~3における混合物の場合は溶解した。実施例2~3における混合物の場合に生じた白濁物は、シクロヘキサノンをさらに加えてPGMEAとPGMEとシクロヘキサノンとの混合溶剤とすることにより溶解した。これより、白濁物は、樹脂と化合物Cとによる会合構造体であると考えられ、シクロヘキサノンを加えて溶解した状態は、会合構造体が溶液中で溶解している状態であると考えられる。[コントラスト評価2]表2に示すレジスト組成物を用い、以下のようにしてレジストパターンを形成してコントラスト評価を行った。工程1:90°Cで36秒間のヘキサメチルジシラザンHMDS処理を施した8インチシリコン基板上に、各例のレジスト組成物を、スピンナーを用いて均一にそれぞれ塗布し、ベーク温度90°Cで60秒間のベーク処理PABを行ってレジスト膜膜厚200nmを成膜した。工程2:次いで、該レジスト膜に対し、露光装置VUVES-4500リソテックジャパン株式会社製を用い、0.1~60.0mJ/cm2の範囲で露光量をそれぞれ変えて、KrFエキシマレーザー248nmの全面露光を行った。工程3:次に、露光後のレジスト膜に対し、ベーク温度90°Cで60秒間のベーク処理PEBを行い、その後、23°Cにて酢酸ブチルを用いて16秒間の現像を行った。現像後のレジスト膜の膜厚をNanospec6100Aナノメトリクス社製を用いて測定した。この結果を図6~9に示す。図6~9は、各実施例と比較例における、露光量を変化させた際のレジスト膜厚の変化を示すグラフコントラストカーブである。各図において、縦軸は現像後のレジスト膜の膜厚Åを、横軸は露光量mJ/cm2を示す。図6より、比較例2では、露光量に関係なく、膜厚がほぼゼロを示していることから、レジスト膜は現像液に可溶であり、露光前後で、現像液に対するレジスト膜の溶解性はほとんど変化していないことが分かる。図7より、比較例3では、露光量の変化に対して膜厚が一定であることから、レジスト膜は現像液に不溶であり、露光前後で、現像液に対するレジスト膜の溶解性はほとんど変化していないことが分かる。図8より、実施例2では、露光量の増加に伴って膜厚が徐々に減少し、4~5mJ/cm2の範囲で大きく膜厚が減少していることから、レジスト膜は現像液に不溶であり、或る露光量で、現像液に対するレジスト膜露光部の溶解性が大きく増大していることが分かる。図9より、実施例3では、露光量の増加に伴って膜厚が徐々に減少し、6~7mJ/cm2の範囲で大きく膜厚が減少していることから、レジスト膜は現像液に不溶であり、或る露光量で、現像液に対するレジスト膜露光部の溶解性が大きく増大していることが分かる。以上より、実施例2、3のレジスト組成物は、有機系現像液に対して溶解コントラストが得られることが分かる。加えて、実施例2は実施例3に比べて高感度であることも分かる。<ポジ型レジストパターン形成2>実施例4表3に示す各成分を混合して溶解することによりレジスト組成物を調製した。表3中、[]内の数値は配合量質量部であり、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。A-2:前記化学式A-2で表されるホモポリマー。Mw7000,Mw/Mn1.12,pKa9.86。C-3:前記化学式C-3で表される化合物、pKa4.51。B-2:トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、pKa-3.9。S-2:PGMEA/PGME/シクロヘキサノン=45/30/25質量比の混合溶剤。[PGMEA/PGME混合溶剤に対する溶解性評価2]表3に示す各例のA成分とC成分とB成分との混合物を、PGMEAとPGMEとの混合溶剤PGMEA/PGME質量比=6/4に加え、該混合物の溶解性について評価した。その結果、実施例4における混合物は白濁物を生じた。この実施例4における混合物の場合に生じた白濁物は、シクロヘキサンをさらに加えてPGMEAとPGMEとシクロヘキサンとの混合溶剤とすることにより溶解した。これより、白濁物は、樹脂と化合物Cとによる会合構造体であると考えられ、シクロヘキサノンを加えて溶解した状態は、会合構造体が溶液中で溶解している状態であると考えられる。[コントラスト評価3]表3に示すレジスト組成物を用い、以下のようにしてレジストパターンを形成してコントラスト評価を行った。工程1:90°Cで36秒間のヘキサメチルジシラザンHMDS処理を施した8インチシリコン基板上に、レジスト組成物を、スピンナーを用いて均一にそれぞれ塗布し、ベーク温度90°Cで60秒間のベーク処理PABを行ってレジスト膜膜厚200nmを成膜した。工程2:次いで、該レジスト膜に対し、KrF露光装置NSR-S203ニコン社製;NA開口数=0.68,OFFLINEを用い、KrFエキシマレーザー248nmを、ライン幅200nm/ピッチ400nmのラインアンドスペースをターゲットとするマスクパターンハーフトーンを介して選択的に照射した。工程3:次に、露光後のレジスト膜に対し、ベーク温度90°Cで60秒間のベーク処理PEBを行い、その後、23°Cにて酢酸ブチルを用いて16秒間の現像を行った。その結果、実施例4のレジスト組成物を用いた場合、ライン幅200nm/ピッチ400nmのラインアンドスペースのポジ型レジストパターンが解像したその際の最適露光量は42mJ/cm2であった。"