第1の半導体集積回路と、電気的特性を測定するための測定回路及び測定端子と、前記測定回路に近接する第2の半導体集積回路と、を含むウェハの特性の測定を行う測定部と、前記第2の半導体集積回路に対して実施するウェハテストから得られる第1の電気的特性と、前記測定端子から測定した前記第2の半導体集積回路についての第2の電気的特性と、の相関に基づいて前記第1の半導体集積回路について前記第2の電気的特性を推定する制御部と、を備えることを特徴とする半導体試験装置。前記制御部は、前記第1の電気的特性と、前記第2の電気的特性と、前記第1及び第2の半導体集積回路に対して実施する試験から得られる第3の電気的特性と、の相関に基づいて前記第2の電気的特性を推定する請求項1の半導体試験装置。前記制御部は、前記第1及び第2の電気的特性の相関を、一次関数に近似させて回帰計算することで算出する請求項1の半導体試験装置。第1の半導体集積回路、及び、測定端子に近接する第2の半導体集積回路に対して実施する試験から得られる第1の電気的特性と、前記測定端子から得られる第2の電気的特性と、の相関を計算する工程と、前記第1及び第2の電気的特性の相関に基づいて、前記第1の半導体集積回路についての前記第2の電気的特性を推定する工程と、を含むことを特徴とする半導体試験方法。第1の半導体集積回路、及び、測定端子に近接する第2の半導体集積回路に対して実施する試験から得られる第1の電気的特性と、前記測定端子から得られる第2の電気的特性と、の相関を計算する処理と、前記第1及び第2の電気的特性の相関に基づいて、前記第1の半導体集積回路についての前記第2の電気的特性を推定する処理と、をコンピュータに実行させ、前記コンピュータを半導体試験装置として機能させるプログラム。なお、上記先行技術文献の各開示を、本書に引用をもって繰り込むものとする。以下の分析は、本発明の観点からなされたものである。ここで、半導体集積回路の電気的特性にはウェハテストによって取得することができる電気的特性と、ウェハテストでは取得することができない電気的特性が存在する。このウェハテストでは取得することができない電気的特性を測定するためには、専用の測定回路及び測定端子をウェハのいずれかの箇所に配置する必要がある。特許文献1において開示された技術では、ウェハに含まれる各製品回路に、専用の測定回路と、その測定回路から電気的特性を外部に出力するための専用の測定端子を設けた上で、各製品回路の電気的特性を測定している。即ち、ウェハに含まれる半導体集積回路の電気的特性の測定のために、測定対象となる全ての半導体集積回路に専用の測定回路及び測定端子を設けている。しかし、全ての半導体集積回路に対して専用の測定回路及び測定端子を配設すると、半導体集積回路の面積が増加してしまう問題が存在する。そのため、半導体集積回路の面積を増加させることなく、半導体集積回路の電気的特性の測定を可能とする半導体試験装置、半導体試験方法及びプログラムが、望まれる。本発明の第1の視点によれば、第1の半導体集積回路と、電気的特性を測定するための測定回路及び測定端子と、前記測定回路に近接する第2の半導体集積回路と、を含むウェハの特性の測定を行う測定部と、前記第2の半導体集積回路に対して実施するウェハテストから得られる第1の電気的特性と、前記測定端子から測定した前記第2の半導体集積回路についての第2の電気的特性と、の相関に基づいて前記第1の半導体集積回路について前記第2の電気的特性を推定する制御部と、を備える半導体試験装置が提供される。本発明の第2の視点によれば、第1の半導体集積回路、及び、測定端子に近接する第2の半導体集積回路に対して実施する試験から得られる第1の電気的特性と、前記測定端子から得られる第2の電気的特性と、の相関を計算する工程と、前記第1及び第2の電気的特性の相関に基づいて、前記第1の半導体集積回路についての前記第2の電気的特性を推定する工程と、を含む半導体試験方法が提供される。本発明の第3の視点によれば、第1の半導体集積回路、及び、測定端子に近接する第2の半導体集積回路に対して実施する試験から得られる第1の電気的特性と、前記測定端子から得られる第2の電気的特性と、の相関を計算する処理と、前記第1及び第2の電気的特性の相関に基づいて、前記第1の半導体集積回路についての前記第2の電気的特性を推定する処理と、をコンピュータに実行させ、前記コンピュータを半導体試験装置として機能させるプログラムが提供される。本発明の各視点によれば、半導体集積回路の面積を増加させることなく、半導体集積回路の電気的特性の測定を可能とする半導体試験装置、半導体試験方法及びプログラムが、提供される。初めに、図1を用いて一実施形態の概要について説明する。なお、この概要に付記した図面参照符号は、理解を助けるための一例として各要素に便宜上付記したものであり、本発明を図示の態様に限定することを意図するものではない。上述のように、ウェハに含まれる半導体集積回路の電気的特性には、専用の測定回路及び測定端子が必要となるものが存在する。そのような電気的特性を測定する場合には、測定対象となる全ての半導体集積回路が専用の測定回路及び測定端子を備えている必要がある。しかし、全ての半導体集積回路に対して専用の測定回路及び測定端子を配設すると、半導体集積回路の面積が増加してしまう問題がある。そのため、半導体集積回路の面積を増加させることなく、半導体集積回路の電気的特性の測定を可能とする半導体試験装置が望まれる。そこで、一例として図1に示す半導体試験装置を提供する。図1に示す半導体試験装置は、第1の半導体集積回路と、電気的特性を測定するための測定回路及び測定端子と、測定回路に近接する第2の半導体集積回路と、を含むウェハの特性の測定を行う測定部と、第1及び第2の半導体集積回路に対して実施する試験から得られる第1の電気的特性と、測定端子から測定した第2の半導体集積回路についての第2の電気的特性と、の相関に基づいて第1の半導体集積回路について第2の電気的特性を推定する制御部と、を備えている。ウェハに含まれる半導体集積回路に対して実施するウェハテストから得られる電気的特性には、相関関係を有するものが含まれる。ここで、ウェハテストにおいて全ての半導体集積回路に対して実施するテスト項目から得られる電気的特性を第1の電気的特性とする。さらに、専用の測定回路及び測定端子からのみ測定することのできる電気的特性を第2の電気的特性とする。第2の電気的特性の測定には専用の測定回路及び測定端子を必要とすることから、専用の測定回路及び測定端子に近接していない半導体集積回路の第2の電気的特性は測定することができない。しかし、上述の第1の電気的特性に、第2の電気的特性と相関関係を有するものを選択すれば、第1の電気的特性はウェハに含まれる全ての半導体集積回路に対して測定されているため、測定回路及び測定端子に近接していない半導体集積回路の第2の電気的特性を、第1及び第2の電気的特性から推定することができる。その結果、第2の電気的特性を測定するために必要であった測定回路及び測定端子を削減することができる。[第1の実施形態]次に、本発明の第1の実施形態について、図面を用いてより詳細に説明する。図2は、本実施形態に係る半導体試験装置1の構成の一例を示す図である。半導体試験装置1はウェハに含まれる半導体集積回路の電気的特性を測定する。同時に、専用の測定回路及び測定端子を用いて得られる電気的特性については、その電気的特性の推定を行う。図2に示す半導体試験装置1は、テスタ10と、テスタヘッド20と、プローブカード30と、ウェハチャック40から構成されている。さらに、図2にはウェハチャック40により固定されたウェハ50が示されている。テスタ10は、テスタヘッド20及びプローブカード30を制御し、ウェハ50の電気的特性が測定可能である。より具体的には、テスタ10はケーブル11を介してテスタヘッド20及びプローブカード30に制御信号を出力すると共に、試験結果である測定信号を受信する。なお、テスタ10は上述の制御部に相当する。図3は、テスタ10の内部構成の一例を示す図である。テスタ10は、CPUCentralProcessingUnit101と、メモリ102と、記憶部103と、操作部104と、表示部105から構成されている。電気的特性を測定する際に必要となるプログラム等は記憶部103に記憶され、CPU101においてプログラムが実行される。メモリ102はCPU101が動作する際の一次記憶媒体として機能する。ユーザが行う操作を操作部104から受け付け、ユーザの操作に必要な情報は表示部105に表示する。テスタヘッド20は、テスタ10とプローブカード30を電気的に接続するインターフェイスとして機能する。テスタヘッド20には、テスタ10から受け付けた制御信号からウェハ50に印加する信号を生成するドライバ等が含まれている。プローブカード30は、テスタヘッド20に取り付けられる。プローブカード30は、プローブ針301乃至303を備えている。プローブ針301乃至303をウェハ50に形成された電極パッドと接触させることで、測定信号の取得を行う。ウェハチャック40によりウェハ50を固定する。次に、ウェハ50について説明する。図4は、ウェハ50の正面図の一例を示す図である。ウェハ50には複数の半導体集積回路が含まれている。図4において、碁盤状のマス目がウェハ50に含まれる各半導体集積回路を表している。図4に示すウェハ50は、各半導体集積回路間に測定回路及び測定端子を備えている。ウェハ50は、9個の測定回路と測定端子を備えるものとする。なお、本実施形態における説明では、各測定回路と測定端子は一体化されているものとするが、これに限定する趣旨ではない。各測定回路と測定端子が分離して配置されていても良い。図4の黒丸が、一体化された測定回路及び測定端子を表している。以下の説明においては、一体化した測定回路及び測定端子を、測定端子501乃至509と表記する。次に、半導体試験装置1の動作について説明する。動作の説明は、半導体集積回路に含まれるトランジスタのオン電流以下、Ionと呼ぶを推定するものとして行う。Ionは、上述の第2の電気的特性に相当する。Ionは、測定回路及び測定端子を用いて測定可能であるとする。即ち、ウェハ50に含まれる半導体集積回路のうち、測定端子501乃至509に近接する半導体集積回路のIonに限り測定可能である。図5は、半導体試験装置1の動作の一例を示すフローチャートである。以下の各ステップはテスタ10において実行される。ステップS01において、推定の対象とする特性値をIonに決定する。本ステップでは、半導体試験装置1に対して、ユーザからIonを測定対象とする旨の操作が行われたものとする。ステップS02において、ウェハ50に含まれる全ての半導体集積回路に対して実施するテスト項目から、Ionと相関を持つ電気的特性を決定する。その際、データベースに蓄積された半導体集積回路の測定結果を使用してIonとの相関を計算し、Ionと相関を持つ電気的特性を決定する。若しくは、半導体試験装置1のテスタ10の記憶部103に半導体集積回路の測定結果を記憶し、Ionと相関を持つ電気的特性を計算することもできる。ここでは、ウェハ50に含まれる半導体集積回路に特定の電圧を印加した際に流れる電流値以下、IOZと呼ぶが、Ionと相関を持つものとする。なお、測定端子501乃至509に近接する半導体集積回路のIonに限り測定可能であるが、IOZは、ウェハテストによって、全ての半導体集積回路から測定できる電気的特性であるとする。IOZは、上述の第1の電気的特性に相当する。ステップS03において、ウェハ50に対してウェハテストを実施する。その際に、ウェハ50に含まれる半導体集積回路の位置に関する情報を保持しながら、IOZの測定及び記憶を行う。なお、異なる電圧を半導体集積回路に印加し、IOZを測定する。印加する電圧が高い場合のIOZをIOZH、印加する電圧が低い場合のIOZをIOZLとして以下の説明をする。図6は、ウェハテストを実施し、測定端子501乃至509に近接する半導体集積回路のIonの測定結果と、測定端子501乃至509に近接する半導体集積回路に隣接する半導体集積回路のIOZの測定結果の一例を示す図である。なお、Nチャンネル型MOSトランジスタのオン電流をIonN、Pチャンネル型MOSトランジスタのオン電流をIonPとして以下の説明をする。ステップS04において、測定端子501乃至509に近接する半導体集積回路に隣接する各半導体集積回路について、測定したIonとIOZの相関について統計的な評価を行う。その際の統計的な評価としては、IonとIOZの相関について一次関数に近似して回帰計算することが考えられる。なお、相関の計算は一次関数に近似して回帰計算することに限定されない。具体的には、図6に示すIonとIOZの測定結果に基づいて、IOZIOZH及びIOZLとIonN及びIonPとの相関を一次関数に近似して計算する。その際の計算式は、下記の式1及び2になる。IOZH=A1×IonNB1×IonPC11IOZL=A2×IonNB2×IonPC22A1、A2、B1、B2、C1、C2は回帰計算から得られる係数とする。本ステップでは、図6の測定結果に基づいて、式1及び2の係数A1、A2、B1、B2、C1、C2を算出する。ステップS05において、ステップS04で求めたIonとIOZの関係式1及び2をウェハ50に含まれる全ての半導体集積回路に適用する。ここで、ウェハ50に含まれる全ての半導体集積回路のIOZIOZH及びIOZLは、既知の値であるウェハテストによって測定されている。さらに、係数A1、A2、B1、B2、C1、C2は、ステップS04で算出されている。従って、式1及び2は、IonN及びIonPを未知数とする連立方程式と捉えることができるため、式1及び2の連立方程式を解くことによって、IonN及びIonPを算出推定することができる。Ionの推定を行った後は、ウェハ50に含まれる全ての半導体集積回路のIonを記憶部103に記憶する。若しくは、推定したIonをデータファイルとして出力することもできる。なお、半導体試験装置1はIonの推定だけではなく、推定したIonに基づいて半導体集積回路の良否を判定することもできる。図7は、式1及び2をグラフ化した際の一例を示す図である。工場から出荷する半導体集積回路の電気的特性は、一定の範囲内に収まっている必要がある。例えば、図7では長方形で囲まれた領域内にIonN及びIonPが収まっていることが必要である。なお、×印は長方形の中心値を示している。推定したIonが一定の範囲内に収まっているか否かを判断することで、生産した半導体集積回路の良否の判定を行うこともできる。本実施形態においては、所望の特性値IonN、IonPとその特性値を推定するために使用するパラメータIOZH、IOZLは、2対2の関係にある。このように、ウェハ50に含まれる全ての半導体集積回路で実施するテスト項目から得られるテスト結果パラメータと所望の電気的特性は必ずしも1対1で対応しなくても良い。即ち、IonNを推定するという観点から考えると、IonNの推定には、IOZH、IOZLの2つのパラメータが必要になり、特性値とパラメータの対応関係は1対2となる。従って、全ての半導体集積回路で実施するテスト項目から得られる電気的特性と所望の電気的特性が、1対1で対応していなくても、1対2、あるいは1対3以上の対応関係から所望の電気的特性値を推定することが可能である。より具体的には、IonNを推定するために、IOZH及びIOZLに加えて他のテストの測定結果も合わせて使用することも可能である。その結果、より高精度な電気的特性の推定が可能になる。本実施形態においては、半導体試験装置1が、ウェハ50に対するウェハテストと電気的特性の推定を行うものとして説明した。しかし、電気的特性を推定する処理を行うプログラムをコンピュータ上で実行させても良い。その場合には、ウェハテストの試験結果等が記憶されているデータベースにアクセスし、電気的特性の推定及び出力を行うことになる。以上のように、ウェハ50に含まれる全ての半導体集積回路に対して実施するテスト項目から得られるテスト結果パラメータと、専用の測定回路及び測定端子を用いることで測定可能な電気的特性の相関を利用して、本来であれば専用の測定回路及び測定端子を用いなければ測定することができない電気的特性を推定する。即ち、全ての半導体集積回路について、専用の測定回路及び測定端子を使用しなければ測定できない電気的特性を測定しようとすると、ウェハに含まれる半導体集積回路の個数と同数の測定回路及び測定端子が必要になる。より具体的には、ウェハに1000個の半導体集積回路が存在すれば、1000個の測定回路と1000本の測定端子が必要になる。しかし、一部の測定回路及び測定端子から得られた電気的特性から他の半導体集積回路の電気的特性を推定することができれば、ウェハに必要になる測定回路及び測定端子を削減できる。その結果、測定回路及び測定端子をウェハ上の全ての半導体集積回路に配設する必要はなく、各半導体集積回路自体の面積を減少させることができる。さらに、全ての半導体集積回路について専用の測定回路及び測定端子を用いて電気的特性を測定する必要がないため、半導体集積回路の電気的特性に要する測定時間及び測定工数を大幅に削減することができる。このことは、半導体集積回路のコスト低下に寄与する。なお、引用した上記の特許文献等の各開示は、本書に引用をもって繰り込むものとする。本発明の全開示請求の範囲を含むの枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態の変更調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素の多様な組み合わせないし選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。