複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、前記複数の荷電粒子線をそれぞれブランキングする複数のブランキング偏向器を含むブランキング偏向器アレイと、描画データに基づいて前記ブランキング偏向器アレイを制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記描画データにしたがって制御した場合に前記ブランキング偏向器アレイが生成する磁場による前記複数の荷電粒子線の前記基板上での位置誤差が低減するように、前記ブランキング偏向器アレイを制御する、ことを特徴とする描画装置。前記制御部は、前記描画データに基づく初期のブランキング指令にしたがって動作する前記複数のブランキング偏向器の動作率の変化に基づいて前記位置誤差を求め、該位置誤差が低減するように前記初期のブランキング指令を変更する、ことを特徴とする請求項1に記載の描画装置。前記制御部は、ブロック分けされた前記複数のブランキング偏向器の各ブロックでの前記動作率の変化に基づいて、前記位置誤差を求める、ことを特徴とする請求項2に記載の描画装置。前記制御部は、前記動作率の変化に基づいて前記磁場の変化を求め、該変化に基づいて前記位置誤差を求める、ことを特徴とする請求項2に記載の描画装置。複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置で用いられる描画データを生成する描画データ生成方法であって、前記描画装置は、前記複数の荷電粒子線をそれぞれブランキングする複数のブランキング偏向器を含むブランキング偏向器アレイを介して前記複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であり、前記描画データの生成は、初期の描画データに基づくブランキング指令にしたがって動作した場合に前記ブランキング偏向器アレイが生成する磁場による前記複数の荷電粒子線の前記基板上での位置誤差が低減するように、前記初期の描画データを変更してなされる、ことを特徴とする描画データ生成方法。前記初期の描画データに基づくブランキング指令にしたがって動作した場合の前記複数のブランキング偏向器の動作率の変化を求め、前記動作率の変化に基づいて、前記磁場の変化を求め、前記磁場の変化に基づいて、前記位置誤差を求め、前記位置誤差に基づいて、前記初期の描画データを変更する、ことを特徴とする請求項5に記載の描画データ生成方法。請求項5または6に記載の描画データ生成方法における処理をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。請求項1ないし4のいずれか1項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、前記工程で描画を行われた基板を現像する工程と、を含むことを特徴とする物品の製造方法。マルチビーム方式の荷電粒子線描画装置では、さらなるスループットの向上のために、荷電粒子線の本数をさらに増加させることが考えられる。しかしながら、荷電粒子線の本数の増加は、ブランキング偏向器アレイに構成される回路規模の増大を意味する。ここで、ブランキング偏向器アレイに構成される回路の動作率は、描画パターンにより変動するため、ブランキング偏向器アレイ中の回路を流れる電流は、描画処理中に刻々と変化しうる。ブランキング偏向器アレイの電極対を通過する荷電粒子線は、上記電流の変化による磁場の変動の影響を受けて不安定となりやすい。このため、回路規模の増大は、結果的に、磁場変動が描画装置の解像性能や重ね合わせ精度に及ぼす影響を大きくしうる。本発明は、ブランキング偏向器アレイにより生じる磁場の影響の軽減に有利な描画装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、複数の荷電粒子線をそれぞれブランキングする複数のブランキング偏向器を含むブランキング偏向器アレイと、描画データに基づいてブランキング偏向器アレイを制御する制御部と、を有し、制御部は、描画データにしたがって制御した場合にブランキング偏向器アレイが生成する磁場による複数の荷電粒子線の基板上での位置誤差が低減するように、ブランキング偏向器アレイを制御することを特徴とする。本発明によれば、例えば、ブランキング偏向器アレイにより生じる磁場の影響の軽減に有利な描画装置を提供することができる。以下、本発明を実施するための形態について図面等を参照して説明する。まず、本発明の一実施形態に係る荷電粒子線描画装置以下描画装置というについて説明する。特に、本実施形態の描画装置は、複数の電子ビーム荷電粒子線を偏向させ、電子ビームの照射のON/OFFを個別に制御することで、所定の描画データを被処理基板上基板上の所定の位置に描画するマルチビーム方式を採用するものとする。ここで、荷電粒子線は、本実施形態のような電子線に限定されず、イオン線などの他の荷電粒子線であってもよい。図1は、本実施形態に係る描画装置の構成を示す図である。なお、以下の各図では、被処理基板に対する電子ビームの照射方向にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内に互いに直交するX軸およびY軸を取っている。さらに、以下の各図では、図1と同一構成のものには同一の符号を付す。描画装置1は、電子銃2と、該電子銃2のクロスオーバ3から発散した電子ビームを複数の電子ビームに分割、偏向、および結像させる光学系4と、被処理基板を保持する基板ステージ5と、描画装置1の各構成要素の動作などを制御する制御部6とを備える。なお、電子ビームは、大気圧雰囲気ではすぐに減衰し、また高電圧による放電を防止する意味もかねて、制御部6を除く上記構成要素は、不図示の真空排気系により内部圧力が適宜調整された空間内に設置される。例えば、電子銃2および光学系4は、高い真空度に保たれた電子光学鏡筒内に設置される。同様に、基板ステージ5は、電子光学鏡筒内よりも比較的低い真空度に保たれたチャンバー内に設置される。また、被処理基板7は、例えば、単結晶シリコンからなるウエハであり、表面上には感光性のレジストが塗布されている。電子銃2は、熱や電界の印加により電子ビームを放出する機構であり、図中ではクロスオーバ3から放出された電子ビームの軌道2aを点線で示している。光学系4は、電子銃2側から順に、コリメーターレンズ10、アパーチャアレイ11、第1静電レンズアレイ12、ブランキング偏向器アレイ13、ブランキングアパーチャアレイ14、偏向器アレイ15、および第2静電レンズアレイ16を備える。コリメーターレンズ10は、電磁レンズで構成され、クロスオーバ3で発散した電子ビームを平行ビームとする光学素子である。アパーチャアレイ11は、マトリクス状に配列した複数の円形状の開口を有し、コリメーターレンズ10から入射した電子ビームを複数の電子ビームに分割する機構である。第1静電レンズアレイ12は、円形状の開口を有する3枚の電極板図中、3枚の電極板を一体で示しているから構成され、ブランキングアパーチャアレイ14に対して電子ビームを結像させる光学素子である。ブランキング偏向器アレイ13およびブランキングアパーチャアレイ14は、共にマトリクス状に配置され、各電子ビームの照射のON非ブランキング状態/OFFブランキング状態動作を実施する機構である。特に、ブランキングアパーチャアレイ14は、第1静電レンズアレイ12が最初に電子ビームのクロスオーバを形成する位置に配置される。偏向器アレイ15は、基板ステージ5に載置された被処理基板7の表面上の像をX軸方向に偏向する機構である。さらに、第2静電レンズアレイ16は、ブランキングアパーチャアレイ14を通過した電子ビームを被処理基板7に結像させる光学素子である。ここで、上記ブランキング偏向器アレイ13の構成について詳説する。図2は、ブランキング偏向器アレイ13の構成を示す平面図である。ブランキング偏向器アレイ13は、電極対20と、この電極対20によるブランキング動作を制御する駆動回路21とを含むブランキングデバイスブランキング偏向器22がアレイ状に配列されてなる。ここでは、6列×8行で配列された計48個のブランキングデバイス22を有する場合を例示している。電極対20は、第1静電レンズアレイ12により収束した電子ビームが通過する開口部において互いに対向するように、不図示の被駆動電極とアース電極とを備える。この被駆動電極は、同じブランキングデバイス内の駆動回路21に接続され、一方、アース電極は、ブランキング偏向器アレイ13内の不図示のグランドラインに接続されている。また、ブランキング偏向器アレイ13は、光ファイバや電気ケーブルなどで構成された配線23を介して、後述するブランキング指令生成回路36からのシリアル化、またはパラレル化された指令情報ブランキング信号を受信する複数の通信処理回路24を含む。この通信処理回路24は、データ分配バス25を介して指令情報を各駆動回路21に送信する。駆動回路21は、この指令情報に基づいて電極対20の被駆動電極に駆動電流を供給し、電極対20に電界を発生させて電子ビームのブランキング動作を制御する。なお、ブランキング偏向器アレイ13におけるブランキングデバイス22の数や配置は、以上のような構成に限られない。当該配置は、例えば、いわゆる千鳥格子状の配置などであってもよい。基板ステージ5は、被処理基板7を、例えば静電引力により保持しつつ、少なくともXY軸方向に適宜移動駆動可能であり、その位置は、不図示の干渉計レーザー測長器などにより実時間で計測される。制御部6は、描画装置1の描画に関わる各構成要素の動作を制御する各種制御回路と、各制御回路を統括する主制御部30とを有する。各制御回路として、まず、第1~第3レンズ制御回路31、32、33は、それぞれコリメーターレンズ10、第1静電レンズアレイ12、および第2静電レンズアレイ16の動作を制御する。描画パターン発生回路34は、描画パターンを生成し、この描画パターンは、ビットマップ変換回路35によりビットマップデータに変換される。ブランキング指令生成回路36は、このビットマップデータに基づいて上記指令情報を生成する。ここで、制御部6は、ブランキング指令生成回路36を含むものであり、ブランキング偏向器アレイ13を制御する制御部として機能する。偏向アンプ部37は、偏向信号発生回路38により生成される偏向信号に基づいて偏向器アレイ15の動作を制御する。ステージ制御回路39は、主制御部30からの指令であるステージ位置座標に基づいて基板ステージ5への指令目標値を算出し、駆動後の位置がこの目標値となるように基板ステージ5を駆動させる。このステージ制御回路39は、パターン描画中は、被処理基板7基板ステージ5をY軸方向に連続的にスキャンさせる。このとき、偏向器アレイ15は、干渉計などの基板ステージ5の測長結果を基準として、被処理基板7の表面上の像をX軸方向に偏向させる。そして、ブランキング偏向器アレイ13は、被処理基板7上で目標線量が得られるように電子ビームの照射のON/OFFを実施する。次に、描画装置1の作用について説明する。スループットの向上のため、採用する電子ビームの本数を増加させると、ブランキング偏向器アレイ13を構成する回路規模が増大する。例えば、ブランキング偏向器アレイ13を構成する各駆動回路21の動作率は、描画パターンにより変動し、ブランキング偏向器アレイ13の回路に流れる電流は、描画処理中に刻々と変化する。このとき、ブランキング偏向器アレイ13の各電極対20の間を通過する電子ビームは、電子ビームの本数の増加に伴う回路規模の増大に起因して増大した磁場の変動の影響を受け、その位置が変動する。そこで、本実施形態の描画装置1は、例えば、制御部6内のブランキング指令生成回路36において、当該変動を低減するように、ビットマップ変換回路35から出力された描画パターン描画データを補正する。まず、本実施形態に係るブランキング指令生成回路指令生成部:以下指令生成回路という36の内部処理について説明する。図3は、本実施形態における指令生成回路36の内部処理の流れを示すフローチャートである。まず、指令生成回路36は、ビットマップ変換回路35にて設定された描画パターンを受信し、この描画パターンに応じた駆動回路21の動作率の変化を算出する動作率変化算出工程:ステップS100。次に、指令生成回路36は、ステップS100にて算出された動作率の変化に基づいて、ブランキング偏向器アレイ13の電流の変化を算出する電流変化算出工程:ステップS101。次に、指令生成回路36は、ステップS101にて算出された電流の変化に基づいて、ブランキング偏向器アレイ13が生成する磁場の変化を算出する磁場変化算出工程:ステップS102。次に、指令生成回路36は、ステップS102にて算出された磁場の変化に基づいて、電子ビームの偏向量を算出し、さらにこの偏向量に基づいて、被処理基板7上での電子ビームのシフト量位置誤差を算出するシフト量算出工程:ステップS103。次に、指令生成回路36は、ステップS103にて算出されたシフト量に基づいて、描画パターンを補正し描画データ補正工程:ステップS104、それに対応した指令情報ブランキング指令を通信処理回路24に送信する。以下、上記各算出工程および補正工程について詳説する。まず、ステップS100における駆動回路21の動作率の変化の算出について説明する。図4は、駆動回路21の動作率変化の算出を説明するためのブランキング偏向器アレイ13の状態を示す図である。図4では、6列×8行で配列されたブランキングデバイス22を、一例として、列単位6列にブロック分けし、列ごとに駆動回路21の動作率の変化を算出する場合を示している。ここで、8つのブランキングデバイス22を含む列単位のブロックを、便宜上第1ブロック50~第6ブロック55と表記する。ここで、初期のブランキング指令に基づく、描画処理中のあるタイミング第1タイミングでの駆動回路21の動作状況は、図4aに示すように、動作中ブランキング動作中:図中白抜きと非動作中図中黒塗りとに分かれている。例えば、第1ブロック50では、動作中の駆動回路21は、6つであり、非動作中の駆動回路21は、2つである。これに対して、図4bは、図4aの第1タイミングに続く第2タイミングでの駆動回路21の動作状況を示す図である。例えば、第1ブロック50では、動作中の駆動回路21が4つに、非動作中の駆動回路21が4つに変化している。なお、表1は、各ブロックでの駆動回路21の動作状況動作回路数をまとめたものである。ここで、指令生成回路36は、駆動回路21の第1タイミングでの動作回路数と、第2タイミングでの動作回路数との差を計算することで駆動回路21の動作率の変化とすることができる。なお、複数のブランキングデバイス22をブロックで分割する方法は、上記の方法に限らない。また、動作率の変化でなく、動作しているブランキングデバイス22の位置まで考慮した動作状態の変化を捉えるようにしてもよい。次に、ステップS101におけるブランキング偏向器アレイ13の電流の変化変動の算出について説明する。ブランキング偏向器アレイ13が動作する、すなわち複数の駆動回路21が動作する際の電流は、ブランキング偏向器アレイ13の仕様に依存する。すなわち、電流は、例えば、CMOS回路のゲート容量、接合容量、配線容量および負荷容量と、それに印加する駆動信号の電圧および周波数とから見積もることができる。また、電流は、実際にブランキング偏向器アレイ13を駆動して直接測定することによっても得ることができる。そして、指令生成回路36は、上述のようにして得られた電流に表1から得られる駆動回路21の動作率変化を乗算すれば、電流の変化を算出することができる。なお、駆動回路21と電極対20を接続する配線は、不図示であるが、Z軸方向にも存在するため、電流は、Z軸方向にも流れる。次に、ステップS102におけるブランキング偏向器アレイ13が生成する磁場の変化変動の算出について説明する。例えば、図4に示す動作状況における第1ブロック50~第6ブロック55のいずれかのブロック特定ブロックでの電流変動による磁場変動ΔBは、その周辺に位置する駆動回路21との距離から、例えば、数1で表される。なお、Z軸方向に流れる電流の変化による磁場の変化は、例えば、X軸方向において生じる。ここで、μは、真空の透磁率であり、ΔInnはブロックを特定する番号は、上記電流の変化変動量であり、また、Rnは、特定ブロックと他のブロックとの間の距離である。当該距離は、例えば、各ブロックの中心点どうしの距離として計算できる。すなわち、任意のブロックでの磁場の変化は、その周辺に位置する各ブロックが生成する磁場の変化を積算した結果となる。次に、ステップS103におけるシフト量の算出について説明する。指令生成回路36は、上述の磁場の変化の算出結果に基づいて、磁場の変化による電子ビームの偏向量を算出する。なお、磁場の変化による電子ビームの偏向方向は、磁場の変化の方向がX軸方向であるとすると、Y軸方向となる。そして、指令生成回路36は、被処理基板7上での電子ビームのシフト量位置誤差ΔYを、例えば、数2を用いて計算する。ここで、Lは、ブランキング偏向器アレイ13から、基板ステージ5に載置される被処理基板7までの距離であり、lエルは、ブランキング偏向器アレイ13の電子ビームへの進行方向Z軸方向での寸法である。そして、指令生成回路36は、ステップS104にて、シフト量ΔYに基づいて、初期の描画パターンを補正変更する。なお、本実施形態では、指令生成回路36は、電流変化や磁場変化の算出を駆動回路21の動作率変化に基づいて実行したが、本発明は、これに限定されるものではない。例えば、指令生成回路36は、基板ステージ5の上部に設置された検出器により、駆動回路21の種々の動作状況での電子ビームのシフト量位置誤差を測定し、当該測定の結果に基づいて初期の描画パターンを補正するようにしてもよい。以上のように、本実施形態によれば、ブランキング偏向器アレイにより生じる磁場の影響の軽減に有利な描画装置を提供することができる。なお、指令生成回路36は、上記のような処理を実行するために、CPU、FPGA、またはASICなどのロジック回路とメモリとを含みうる。また、本実施形態では、指令生成回路36は、制御部6に含まれ、ブランキング偏向器アレイ13を含む回路基板から分離した部品としている。しかしながら、指令生成回路36の配置は、それには限られない。例えば、指令生成回路36の一部または全ての機能を実行するデバイス回路要素を、ブランキング偏向器アレイ13を含む回路基板に集積化してもよい。描画データ生成プログラム本発明は、以下の処理を実行することによっても実現される。すなわち、上述した実施形態の機能を実現するプログラムソフトウェアを、ネットワークまたは各種記憶媒体を介してシステムあるいは装置に供給する。そして、供給されたかつ記憶されたプログラムを、そのシステムあるいは装置のコンピュータまたはCPUやMPUなどが記憶装置から読み出して実行する処理である。この場合、そのプログラム、および係るプログラムを記憶した記憶媒体は、本発明を構成することになる。物品の製造方法本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイスなどのマイクロデバイスや微細構造を有する素子などの物品を製造するのに好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程基板に描画を行う工程と、該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含み得る。さらに、該製造方法は、他の周知の工程酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなどを含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能品質生産性生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。