"回転する磁気ディスク上に浮上して、データの書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッドスライダであって、データの書き込み及び読み出しを行う記録再生素子と、該記録再生素子に対して該磁気ヘッドスライダの幅方向に配置された、通電により発熱する少なくとも1つの発熱素子と、該記録再生素子と該発熱素子の間に介在し、該発熱素子の発熱による熱膨張を伝達して、該記録再生素子の該幅方向に変位を与える熱膨張伝達部と、該熱膨張伝達部の領域の少なくとも一部を包含する領域に形成され、該熱膨張伝達部による該幅方向の変位の拘束を制限する熱変位拘束制限部と、を有する磁気ヘッドスライダ。前記磁気ヘッドスライダは、スライダ基板と、該スライダ基板の後端面に形成された薄膜積層部をから成り、前記熱変位拘束制限部は、該磁気ヘッドスライダの幅方向に、前記記録再生素子、前記熱膨張伝達部、及び前記発熱素子の少なくとも一部を包含して、該スライダ基板に面する該薄膜積層部に形成され、該薄膜積層部の部材よりもヤング率の低い部材から成る低ヤング率部として構成される、請求項1の磁気ヘッドスライダ。前記熱変位拘束制限部は、所定の幅、深さ、及び厚さを有する空隙である、請求項1または2に記載の磁気ヘッドスライダ。前記熱変位拘束制限部は、スライダの浮上面の空気軸受面を形成する領域と、該浮上面の突出を制御する突出制御用発熱素子の領域の一部には形成せず、非導電性硬質セラミックス材で充填して形成される、請求項1乃至3のいずれかの項記載の磁気ヘッドスライダ。前記熱変位拘束制限部は、スライダの浮上面の近傍と、該浮上面の突出を制御する突出制御用発熱素子の領域の一部を非導電性硬質セラミックス材で充填して、該浮上面に開口しないように形成し、かつ該空隙は浮上面と反対方向へ伸び、スライダの背面から開放して形成される、請求項1乃至3のいずれかの項記載の磁気ヘッドスライダ。前記空隙には、T字形状の非導電性硬質セラミックス材が充填され、該T字形状の上部はスライダの浮上面の空気軸受面を形成する、請求項3記載の磁気ヘッドスライダ。前記低ヤング率部は、前記スライダ基板の材料および前記薄膜積層部の材料よりヤング率が小さい部材から成る低ヤング率層により構成される、請求項2の磁気ヘッドスライダ。前記低ヤング率層を構成する部材の熱伝導率は、前記スライダ基板の材料であるAl2O3TiCより十分小さく、少なくとも前記薄膜積層部の材料であるAl2O3の熱伝導率以下である、請求項7の磁気ヘッドスライダ。前記低ヤング率層は、前記スライダ基板と前記薄膜積層部との接合面の全体に及ぶ、請求項7または8の磁気ヘッドスライダ。前記低ヤング率層は、ポリマー材により構成される、請求項7乃至9のいずれかの項記載の磁気ヘッドスライダ。前記薄膜積層部において、該磁気ヘッドスライダの幅方向に、前記記録再生素子、前記熱膨張伝達部、及び前記発熱素子の少なくとも一部を包含する前記熱変位拘束制限部第1の熱変位拘束制限部と、該磁気ヘッドスライダの幅方向に直角な方向に伸びて配設された第2の熱変位拘束制限部を有する、請求項2乃至10のいずれかの項記載の磁気ヘッドスライダ。前記薄膜積層部において、前記第1の熱変位拘束制限部と並行に、かつ第2の熱変位拘束制限部と直角に配設された第3の熱変位拘束制限部を更に有する、請求項11の磁気ヘッドスライダ。前記空隙は、前記薄膜積層部において、前記記録再生素子、前記熱膨張伝達部、及び前記発熱素子を包含し、かつ該発熱素子近傍にあって該空隙を埋める厚さの小さいブリッジを1または複数設けた、請求項3乃至12のいずれかの項記載の磁気ヘッドスライダ。前記空隙は、前記薄膜積層部において空気軸受面を形成する領域ないしスライダの浮上面には開口せず、スライダの背面に開口し、かつ該発熱素子の中央部に該空隙を埋める厚さの小さいブリッジを設けた、請求項3乃至13のいずれかの項記載の磁気ヘッドスライダ。前記第1乃至第3の熱変位拘束制限部は空隙によって構成され、かつ、前記第1の熱変位拘束制限部と前記第2の熱変位拘束制限部の間、及び又は前記第2の熱変位拘束制限部と前記第2の熱変位拘束制限部の間において、該空隙を所定の部材で埋める、厚さの小さいブリッジを形成した、請求項12の磁気ヘッドスライダ。前記薄膜積層部において、前記発熱素子第1の発熱素子と平行に1または複数の第2の発熱素子を設け、該第2の発熱素子が複数の場合、該第2の発熱素子は直列に結合して、同じ入力の制御電力によって駆動される、請求項1乃至15のいずれかの項記載の磁気ヘッドスライダ。トラックに沿ってデータが記録される磁気ディスクと、前記磁気ディスクを回転させるスピンドルモータと、前記回転する磁気ディスク上に浮上し、データの書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッドスライダであって、データの書き込み及び読み出しを行う記録再生素子と、該記録再生素子に対して該磁気ヘッドスライダの幅方向に配置された、通電により発熱する少なくとも1つの発熱素子と、該記録再生素子と該発熱素子の間に介在し、該発熱素子の発熱による熱膨張を伝達して、該記録再生素子の該幅方向に変位を与える熱膨張伝達部と、該熱膨張伝達部の領域の少なくとも一部を包含する領域に形成され、該熱膨張伝達部による該幅方向の変位の拘束を制限する熱変位拘束制限部を有する磁気ヘッドスライダと、前記発熱素子の逆特性をもつ位相進みフィルタを有し、該発熱素子を駆動制御する発熱制御回路と、前記磁気ヘッドスライダを支持するヘッド支持部と、前記ヘッド支持部を駆動して、前記磁気ヘッドスライダを前記磁気ディスクに対して相対移動させるボイスコイルモータと、前記記録再生素子が読み出したデータを基に、前記トラックに対する前記記録再生素子の位置誤差を算出する算出回路と、前記記録再生素子の位置誤差に応じて前記ヘッドアクチュエータを駆動する粗動制御回路と、前記記録再生素子の位置誤差に応じて前記発熱素子に通電する微動制御回路と、を備える磁気ディスク装置。前記磁気ヘッドスライダは、該記録再生素子の両側の横方向にそれぞれ前記発熱素子を有し、かつ前記発熱制御回路から、該記録再生素子とトラックとの位置誤差信号の正の値に比例した電力を一方の発熱素子に入力し、負の値に比例した電力を他方の発熱素子に入力して、該発熱素子の近傍の熱膨張によって該記録再生素子を変位させ、変位による位置誤差を極小にするようにフィードバック制御する、請求項17の磁気ディスク装置。前記磁気ヘッドスライダは、該記録再生素子の片側の横方向に第1の発熱素子および第2の発熱素子を有し、かつ前記発熱制御回路から、該記録再生素子から離れた位置にある第2の発熱素子には位置決め中心位置に相当する直流電力を加え、該記録再生素子とトラックとの位置誤差信号の正の値に比例した電力を該第1の発熱素子に入力し、負の値に比例した電力を該第2の発熱素子に入力して、該第1及び第2の発熱素子の近傍の熱膨張によって該記録再生素子を変位させ、当該位置誤差を極小にするようにフィードバック制御する、請求項17の磁気ディスク装置。磁気ヘッドスライダを構成するこれらの材料の物理特性を考慮して、入力電力に対するヘッドの変位応答をシミュレーションすると、特許文献1に記載の従来の発熱素子の構造では、許容できる50~100mWの発熱素子への入力電力で得られるヘッドの変位は4~8nmとなる。これは近い将来のトラックピッチ50nmを精密位置決めするために必要な変位を満たしている。しかし、発熱素子へのステップ入力電力に対するヘッドの変位の時間応答は時定数にして高々02から03ms程度と小さい。これは、駆動できる周波数帯域としては高々08kHzでしかなく、このままでは精密位置決め用アクチュエータとしての特性を満足しないという問題がある。この時定数は主として発熱素子への入力電力に対する発熱素子の近傍および伝達部の温度上昇による熱膨張の応答性で支配されている。これを高めるには、発熱素子近傍を厚さ方向にわたって一様に且つ瞬時に過熱でき、更に空気流と接近するディスク面へ熱伝導による冷却効果を高め、定常状態における温度上昇領域が発熱素子近傍のみになることが重要である。実際、シミュレーションによれば、高々スライダ空気軸受面の冷却効果は大きく、通電により温度上昇して熱膨張に寄与する領域は発熱素子の左右10μm程度の領域となっている。したがって、発熱素子からそれ以上遠い部分は発熱素子近傍の熱膨張が弾性ひずみとなってヘッドへ伝達されていることが明らかになっている。本発明の目的は、発熱素子の近傍の熱膨張変位を効率良く記録再生素子の部位まで伝達し、高速な変位応答の可能な、熱アクチュエータ構造をもつ磁気ヘッドスライダを提供することにある。また、記録再生素子の変位効率を応答速度の向上に変換することによって高精度位置決めが可能な磁気ディスク装置を提供することにある。本発明に係る磁気ヘッドスライダは、好ましくは、回転する磁気ディスク上に浮上して、データの書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッドスライダであって、データの書き込み及び読み出しを行う記録再生素子と、該記録再生素子に対して該磁気ヘッドスライダの幅方向に配置された、通電により発熱する少なくとも1つの発熱素子と、該記録再生素子と該発熱素子の間に介在し、該発熱素子の発熱による熱膨張を伝達して、該記録再生素子の該幅方向に変位を与える熱膨張伝達部と、該熱膨張伝達部の領域の少なくとも一部を包含する領域に形成され、該熱膨張伝達部による該幅方向の変位の拘束を制限する熱変位拘束制限部と、を有する磁気ヘッドスライダとして構成される。好ましい例において、前記磁気ヘッドスライダは、スライダ基板と、該スライダ基板の後端面に形成された薄膜積層部をから成り、前記熱変位拘束制限部は、該磁気ヘッドスライダの幅方向に、前記記録再生素子、前記熱膨張伝達部、及び前記発熱素子の少なくとも一部を包含して、該スライダ基板に面する該薄膜積層部に形成され、該薄膜積層部の部材よりもヤング率の低い部材から成る低ヤング率部として構成される。また好ましくは、前記熱変位拘束制限部は、所定の幅、深さ、及び厚さを有する空隙である。また好ましくは、前記熱変位拘束制限部は、スライダの浮上面の空気軸受面を形成する領域と、該浮上面の突出を制御する突出制御用発熱素子の領域の一部には形成せず、非導電性硬質セラミックス材で充填して形成される。また好ましくは、前記熱変位拘束制限部は、スライダの浮上面の近傍と、該浮上面の突出を制御する突出制御用発熱素子の領域の一部を非導電性硬質セラミックス材で充填して、該浮上面に開口しないように形成し、かつ該空隙は浮上面と反対方向へ伸び、スライダの背面から開放して形成される。また好ましくは、前記空隙には、T字形状の非導電性硬質セラミックス材が充填され、該T字形状の上部はスライダの浮上面の空気軸受面を形成する。また好ましくは、前記低ヤング率部は、前記スライダ基板の材料および前記薄膜積層部の材料よりヤング率が小さい部材から成る低ヤング率層により構成される。また好ましくは、前記低ヤング率層を構成する部材の熱伝導率は、前記スライダ基板の材料であるAl2O3TiCより十分小さく、少なくとも前記薄膜積層部の材料であるAl2O3の熱伝導率以下として構成される。また好ましくは、前記低ヤング率層は、前記スライダ基板と前記薄膜積層部との接合面の全体に及ぶように構成される。好ましくは、前記低ヤング率層は、ポリマー材により構成される。好ましい例において、前記薄膜積層部において、該磁気ヘッドスライダの幅方向に、前記記録再生素子、前記熱膨張伝達部、及び前記発熱素子の少なくとも一部を包含する前記熱変位拘束制限部第1の熱変位拘束制限部と、該磁気ヘッドスライダの幅方向に直角な方向に伸びて配設された第2の熱変位拘束制限部を有するように構成される。また好ましくは、前記薄膜積層部において、前記第1の熱変位拘束制限部と並行に、かつ第2の熱変位拘束制限部と直角に配設された第3の熱変位拘束制限部を更に有する。また好ましくは、前記空隙は、前記薄膜積層部において、前記記録再生素子、前記熱膨張伝達部、及び前記発熱素子を包含し、かつ該発熱素子近傍にあって該空隙を埋める厚さの小さいブリッジを1または複数設けて構成される。また好ましくは、前記空隙は、前記薄膜積層部において空気軸受面を形成する領域ないしスライダの浮上面には開口せず、スライダの背面に開口し、かつ該発熱素子の中央部に該空隙を埋める厚さの小さいブリッジを設けて構成される。また好ましくは、前記第1乃至第3の熱変位拘束制限部は空隙によって構成され、かつ、前記第1の熱変位拘束制限部と前記第2の熱変位拘束制限部の間、及び又は前記第2の熱変位拘束制限部と前記第2の熱変位拘束制限部の間において、該空隙を所定の部材で埋める、厚さの小さいブリッジを形成するように構成される。また好ましくは、前記薄膜積層部において、前記発熱素子第1の発熱素子と平行に1または複数の第2の発熱素子を設け、該第2の発熱素子が複数の場合、該第2の発熱素子は直列に結合して、同じ入力の制御電力によって駆動される。本発明に係る磁気ディスク装置は、好ましくは、トラックに沿ってデータが記録される磁気ディスクと、前記磁気ディスクを回転させるスピンドルモータと、前記回転する磁気ディスク上に浮上し、データの書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッドスライダであって、データの書き込み及び読み出しを行う記録再生素子と、該記録再生素子に対して該磁気ヘッドスライダの幅方向に配置された、通電により発熱する少なくとも1つの発熱素子と、該記録再生素子と該発熱素子の間に介在し、該発熱素子の発熱による熱膨張を伝達して、該記録再生素子の該幅方向に変位を与える熱膨張伝達部と、該熱膨張伝達部の領域の少なくとも一部を包含する領域に形成され、該熱膨張伝達部による該幅方向の変位の拘束を制限する熱変位拘束制限部を有する磁気ヘッドスライダと、前記発熱素子の逆特性をもつ位相進みフィルタを有し、該発熱素子を駆動制御する発熱制御回路と、前記磁気ヘッドスライダを支持するヘッド支持部と、前記ヘッド支持部を駆動して、前記磁気ヘッドスライダを前記磁気ディスクに対して相対移動させるボイスコイルモータと、前記記録再生素子が読み出したデータを基に、前記トラックに対する前記記録再生素子の位置誤差を算出する算出回路と、前記記録再生素子の位置誤差に応じて前記ヘッドアクチュエータを駆動する粗動制御回路と、前記記録再生素子の位置誤差に応じて前記発熱素子に通電する微動制御回路と、を備える磁気ディスク装置として構成される。好ましい例において、前記磁気ヘッドスライダは、該記録再生素子の両側の横方向にそれぞれ前記発熱素子を有し、かつ前記発熱制御回路から、該記録再生素子とトラックとの位置誤差信号の正の値に比例した電力を一方の発熱素子に入力し、負に値に比例した電力を他方の発熱素子に入力して、該発熱素子の近傍の熱膨張によって該記録再生素子を変位させ、変位による位置誤差を極小にするようにフィードバック制御するように構成される。また好ましくは、前記磁気ヘッドスライダは、該記録再生素子の片側の横方向に第1の発熱素子および第2の発熱素子を有し、かつ前記発熱制御回路から、該記録再生素子から離れた位置にある第2の発熱素子には位置決め中心位置に相当する直流電力を加え、該記録再生素子とトラックとの位置誤差信号の正の値に比例した電力を第1の発熱素子に入力し、負に値に比例した電力を第2の発熱素子に入力して、該第1及び第2の発熱素子の近傍の熱膨張によって該記録再生素子を変位させ、当該位置誤差を極小にするようにフィードバック制御するように構成される。本発明によれば、発熱素子の近傍の部材を効率よく熱膨張させて、発熱素子の熱膨張を記録再生素子へ効率よく伝達することができる。これにより、微小な電力で記録トラックへの追従位置決めに必要な記録再生素子変位を生じさせることが可能である。好ましい例によれば、発熱素子の逆特性をもつ位相進み補償器を用いて、発熱素子の時間応答の遅れを補償することにより、許容される温度上昇の範囲内で、記録再生素子をトラックの幅方向に対応する方向磁気ヘッドスライダの幅方向に高速高精度に変位させることができるので、よく知られた比例積分制御等と用いることにより、記録再生素子のトラックへの高帯域高精度かつ簡易な位置決めが可能となる。次に、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。磁気ディスク装置の構成図3は、本発明による磁気ヘッドスライダが適用される磁気ディスク装置の構成例を示す。カバーの図示は省略されている。磁気ディスク装置1は、筐体DE:DiskEnclosure10内に、磁気ディスク2及びヘッド支持部6などの構成部位を収納している。磁気ディスク2は、ディスクアクチュエータとしてのスピンドルモータ3に取り付けられている。磁気ディスク2には、同心円状に複数のトラックが形成されており、各トラックには、所定の周期でサーボデータが書き込まれている。サーボデータはアドレスデータ及びバースト信号を含む。ヘッド支持部6は、磁気ディスク2の隣に支承され、その先端部には磁気ヘッドスライダ4が固定されている。磁気ヘッドスライダ4は、回転する磁気ディスク2上に近接して浮上し、データの書き込み及び読み出しを行う。他方、ヘッド支持部6の後端部には、ヘッドアクチュエータとしてのボイスコイルモータ7が取り付けられている。ボイスコイルモータ7は、ヘッド支持部6を揺動駆動し、磁気ヘッドスライダ4を磁気ディスク2の略半径方向に移動させる。これら磁気ヘッドスライダ4及びボイスコイルモータ7は、ヘッド支持部6に取り付けられたFPCFlexiblePrintedCircuits8を介して、筐体10の裏側に設けられた回路基板図示せずに電気的に接続されている。磁気ヘッドスライダの熱アクチュエータ構造実施例1図1は、一実施形態による熱アクチュエータ構造を持つ磁気ヘッドスライダの部分的な構成を示す。また、図2に磁気ヘッドスライダの全体の斜視図を示す。磁気ヘッドスライダ4は、スライダ基板41と、その上に薄膜形成プロセスで形成される薄膜積層部42を備えて構成される。薄膜積層部42には、磁気ディスクのデータを読み書きする記録再生素子磁気ヘッド又は磁気変換器ということもある20と、発熱素子21a、21b総じて21ということがあると、発熱素子23と、発熱素子21による熱膨張を伝達する熱膨張伝達部25a、25b総じて25ということがあると、境界41bに近接した位置に形成された所定の深さの空隙50が設けられる。熱膨張伝達部25は、発熱素子21の近傍の熱膨張を伝達して、記録再生素子20を横方向±y方向へ移動させて位置決めを行う。また発熱素子23はその近傍の熱膨張により、記録再生素子20を磁気ヘッドスライダ4の浮上面から磁気ディスク面方向z方向へ突出させる。26a、26bは発熱素子21a、21bの外側部分である。ここで、横方向とは、所定の幅及び長さを有する磁気ヘッドスライダの幅方向を意味し、磁気ディスクとの関係で言えば、磁気ディスクのトラック幅方向を意味する。磁気ヘッドスライダ4のスライダの浮上面43には、空気軸受面44、溝面浅溝、深溝を含む45が形成されている。ここで、46は空気軸受面と溝面との段差境界線、41bは薄膜積層部42とスライダ基板41の積層部境界、47はスライダ基板の前側を切断した切断線、48はヘッドスライダの中央線x軸に一致を示す。なお、記録再生素子20、発熱素子21、ヘッド突出用の発熱素子23は浮上面ではなく、ヘッドスライダ内部に形成されているが、ここでは理解しやすいように浮上面に投影して示している。説明の便宜上、図1において以降の図面も同様、積層部境界線41bと中央線48との交点で、ヘッドスライダ浮上面の空気軸受面上に直交座標系の原点をとり、ヘッドスライダの後方へx座標軸、発熱素子21a側へy座標軸、また浮上面からヘッドスライダの内部の方向へz座標軸をそれぞれ設定する。薄膜積層部42のx方向の厚さは高々60μm程度であり、一方ヘッドスライダのy方向の幅は700μmぐらいあるから、スライダ長手方向x方向をかなり拡大して示していることに注意されたい。x軸は磁気ディスク2に形成されたトラックの伸長方向に対応し、y軸は磁気ディスクのトラックの幅方向に対応する。磁気ヘッドスライダ4は、スライダ基板41の中央部切断線47より-x側にありここでは図示されていないが、ヘッド支持部の先端のサスペンションに接着固定される。ここで、発熱素子21aに通電して加熱すると、発熱素子21aの近傍の部材が熱膨張し、この熱膨張が記録再生素子20を-y方向へ変位させる。この変位はスライダ基板の中央部ではほとんど零で、薄膜積層部の後端に近い部分で最大となる。したがって発熱素子21aへの通電により、記録再生素子をスライダ基板、すなわちヘッド支持部に対して-y方向に変位させることができる。また発熱素子21bに通電すると、同様のメカニズムで記録再生素子はy方向に変位する。この変位動作を用いて記録再生素子を±y方向へ変位させることで、記録トラックに精密に位置決めすることができる。発熱素子の入力電力に対するヘッドの変位出力の特性は、まず発熱素子の位置に影響される。発熱素子21aの端のx方向の距離をLx、y方向の距離をLy、-z方向の距離浮上面から薄膜積層部内部への深さをLzとすれば、Ly35~70μm、Lx=3~30μm、Lz=20~40μm程度がよいことがシミュレーションにより分かっている。ちなみに、Lx3.7μm、Ly=40μm、Lz=30μmの場合、ヘッドの変位は50mW入力に対して定常状態で5nm程度得られる。他方の発熱素子23に通電すると、その近傍がy方向に熱膨張すると同時に、z方向にも熱膨張して、記録再生素子面が突出する。これにより磁気ヘッドは記録再生時に記録媒体面に接近し、記録再生効率を高めることができるので、高密度記録が可能となる。一方、ヘッド位置決め用発熱素子21の近傍の浮上面もz方向に膨張する。しかし発熱素子21近傍の浮上面の突出によって空気軸受面が変化し、磁気ヘッドスライダの浮上特性に影響してはならない。このため、ヘッド位置決め熱アクチュエータ用発熱素子21のxy平面内の位置は、空気軸受面44の領域にはなく、溝面45の領域にあるように設計されている。この溝面の空気軸受面からの段差は少なくとも10nm以上ある。また、発熱素子21の通電による浮上面の突出の裾野は数十μmに及ぶので、ヘッド位置の表面の高さも上昇する。一方、記録再生素子20は発熱素子23によって、記録再生動作時にその表面を突出させ、磁気ディスク面に浮上中のヘッドと磁気ディスク面のすきまを小さくするようになっている。したがって、ヘッド位置決め用発熱素子によって変化するヘッドの表面の高さは、少なくともヘッド突出用の発熱素子23によって生じる記録再生素子の表面の突出量よりも小さくなければならない。発熱素子21のスライダ中央線から少なくとも35μm以上離れているのはこのためである。上記の説明から理解されるように、発熱素子21、記録再生素子20、および熱膨張伝達部25の領域を含む熱アクチュエータ部は、スライダ基板41の積層部境界41bの面に密着して薄膜形成プロセスで製造され、熱アクチュエータ部はスライダ基板と一体になっている。このため、空隙50の無い従来の磁気ヘッドスライダ特許文献1に記載は、熱アクチュエータのy方向変位が強く拘束されていた。しかし、本発明による磁気ヘッドスライダ4は、積層部境界41bに接近した位置に設けられた空隙50によってy方向の拘束を制限或いは除去することができ、変位効率をより一層高めることができる。この空隙50は、薄い厚さで所定の深さの四辺形状を成す穴ギャップといってもよいである。空隙50は、x方向の厚さが2~5μm程度以下で、好ましくは浮上面に開口し、z方向の深さは40μm以上で、できれば120μm程度まで及んでいることが望ましい。また、y方向の長さは、少なくとも記録再生素子20と発熱素子21a、21bとを含む。記録再生素子の変位効率を高めるためには、空隙は発熱素子を5μm程度超えた領域まで及ぶことが望ましい。これは発熱素子による温度上昇領域が発熱素子の外側5μm程度まで達し、この領域の素材が熱膨張するから、この熱膨張を拘束しないようにするためである。シミュレーションによれば、空隙のy方向長さが発熱素子外側端より5μm長くした場合で、z方向深さをSz40,6080112μmのとき、定常状態における記録再生素子の最大変位ないし変位効率は、空隙のない従来の磁気ヘッドスライダ特許文献1に記載に比べて、それぞれ2.8倍、4.9倍、5.5倍、7.6倍が得られた。なお、空隙50に限らず、他の例によれば、この空隙50をヤング率の小さい材料例えばレジン等のポリマー材により形成した層低ヤング率層でもよい。ここで、空隙や低ヤング率層を総じて低ヤング率部、或いは発熱素子による熱拘束を制限する観点から熱変位拘束制限部若しくは熱変位拘束解放部ということができる。空隙50はヤング率を零に等しくすることができるので、機能的には最も望ましい。空気の熱伝導率は、スライダ基板41の材料であるAl2O3TiCの約11000、Al2O3の約150でしかないので、発熱素子21の熱がAl2O3TiCに流出するのを遮断し、発熱素子近傍の温度上昇を増大させ、入力電力に対する熱膨張の効率を高める作用効果がある。一方、空隙50ないし低ヤング率層低ヤング率部5というは薄膜積層部の浮上面方向の拘束も減少させるので、発熱素子近傍の浮上面の熱膨張突出量も増大させる。よって熱アクチュエータによる記録再生素子の近傍の浮上面突出を抑制したい場合には、低ヤング率部5の長さは発熱素子の外側へは拡大させず、むしろ発熱素子の中央付近にとどめるのがよい。また発熱素子の記録再生素子側の端でとどめる設計も推奨できる。この場合でも、熱膨張伝達部25と記録再生素子23の領域は拘束されていないので、従来の磁気ヘッドスライダに対して記録再生素子の変位効率をかなり高めることができる。熱アクチュエータの発熱素子による記録再生素子位置の浮上面突出は空気軸受面の設計条件で変化するので、本発明の低ヤング率部5のy方向長さは図1に示した場合に限定されない。磁気ヘッドスライダの製造プロセス実施例2図4を参照して、空隙50を備える磁気ヘッドスライダの製造方法について説明する。空隙50は、スライダ基板41上に記録再生素子20及び発熱素子23を含む薄膜積層部42が薄膜形成プロセスによって形成される過程において形成される。まず、aに示すように、Al2O3TiC材からなるスライダ基板41の境界面41b上にアルミナAl2O3の膜51を形成する。この膜51の厚さは任意で0.1~1.0μm程度である。次に、bに示すように、膜51の上にアルミナアルカリ溶液で溶かすことができる金属、たとえば銅Cu50aとアルミナ50bを形成する。なおここで、銅とアルミナの層の厚さは同じであり、銅は所望の空隙に等しい幅寸法と深さをもつ領域にあり、アルミナはそれ以外の領域でスライダ基板の境界面41bと同じ面積を覆っている。銅層の深さ紙面からの深さは40~120μm程度である。また、横方向の幅は、最大で発熱素子を含み更に5μm程度外側に出る程度で、最小は発熱素子のヘッド側の位置程度である。図4では発熱素子の外側位置にほぼ等しい場合を示している。この層の厚さは01~3μmである。銅層50aとアルミナ層50bは異なるプロセスで形成されるので、それらの厚さは必ずしも一致しない。しかし継続する形成プロセスのために両者の厚さは同一にする必要があるので、必要ならば形成後平面になるように加工する。次に、cに示すように、薄膜プロセスによって、記録再生素子20、ヘッド位置決め用発熱素子21a、21b、ヘッド突出用発熱素子23を含む薄膜積層部42を形成する。これらの要素を含む薄膜積層部42の形成は、既に知られた材料及び工程を用いることにより実現できる。次に、dに示すように、磁気ヘッドスライダ4の浮上面に空気軸受面44と溝面45a、45bを形成する。46が空気軸受面の境界線である。この空気軸受面の形状はヘッド位置決め用発熱素子が溝面にあることを条件にして既存のシミュレーション技術により設計することができる。この溝面の加工はエッチング技術で溝面のスライダ部材を除去することによって成される。続いて、eに示すように、スライダ部材をアルカリ溶液に浸すことによって、銅層50aを除去し、空隙50を形成する。銅50aを除去する過程と空気軸受面を形成する過程の順序は逆でもよい。除去する銅の深さは100μmを超えても溶融除去することができる。なお、図4に示す、空隙50の長さが発熱素子の外側位置まで伸びている場合には、空気軸受面がこの空隙で切断されているので、発生する圧力の終端が空隙50の位置になる。よって空気軸受面形状はこれを考慮して設計される。図5は、上記実施形態の変形例を示す。この例は、空隙50の幅を短くし、空気軸受面44内に納まるように形成したものである。なお、空隙50の形成法は図4の工程に示したものと同様である。この例の場合、空隙50により空気軸受圧力が大気に抜けないので、ヘッドスライダの後端まで高い圧力を発生でき、記録再生素子の周辺の空気膜剛性高めることができるだけでなく、空気軸受に減衰を高める効果をもたせることができる。図5に示した幅の小さい空隙50の場合、ヘッド横変位効率は下がるが、空隙が無く減衰を高める溝と考えて空気軸受面を設計することができるという利点がある。また、空隙50を形成する方法の変形例も考えられる。例えば、薄膜積層部42を形成する薄膜形成プロセスではなく、発熱素子を含めて薄膜積層部を形成した後に、磁気ヘッドスライダの浮上面をエッチング加工する前または後に、浮上面側から研削加工またはレーザービーム加工により溝を形成することにより、空隙50を形成することができる。研削加工は、例えばシリコンウエハなどを切断するダイシングソーを用いて実現できる。この場合、回転研削ソーその厚さの最小値は25μmである。図6aはダイシングソーを用いて溝50 ́を加工する例である。スライダ浮上面43から研削加工する場合には、加工ストレスが記録再生素子20に影響しないように、スライダ基板41の境界41bよりAl2O3TiC材側に少なくとも数μm入った位置に溝50 ́を形成する。厚さが25μmのダイシングソーで加工すると振動のため溝の幅は最大40mm程度になる。図4の例と同様に、溝50 ́の幅を考慮した空気軸受面の設計が必要であるが、この例でも、十分所望の追従機能を有する浮上面を形成することができる。また溝の深さも80μm程度まで可能である。またダイシングソーで溝50 ́を加工する場合には、通常、スライダ基板上に形成された多数の磁気ヘッドスライダをそれぞれ切り離さないブロックの状態で加工するので、スライダ面の横方向に貫通した溝が形成される。この場合でも上述の原理によって、熱アクチュエータ部のスライダ基板からの機械的拘束と熱遮断効果を期待することができ、熱アクチュエータの変位効率を増大させることができる。本発明は空隙加工技術の制約から生じるこのような変形例も含む。また加工溝50の溝部45の空気軸受機能に及ぼす影響は無視できるほど小さいので、空気軸受面の設計は図4の場合と同じである。図6bは、スライダの浮上面43からレーザービーム加工を用いて、溝を形成する例である。この場合にも、図5の例と同様に、溝50 ́を空気軸受面44内に留まるように形成できる。また、レーザービームの照射する位置を変更し調整することで、溝50 ́の幅を任意に選択、調整することができる。低ヤング率材を用いた例実施例3例えば、図4~図6の例に従って、レーザービーム加工によって形成された溝50 ́に、ヤング率の小さい材料例えばレジン等のポリマー材を充填して、低ヤング率層500を形成することも可能である。ポリマー材はAl2O3TiC材に比べてヤング率が約1100、Al2O3材に比べて約150なので、その厚さが3μm程度あれば溝が無くAl2O3が充填された磁気ヘッドスライダに比べて、変位効率は2.2倍程度が得られ、厚さがその10倍大きいときは更に変位効率は大きくなる。この場合、空隙50の幅を長くしても、空隙の空気軸受による浮上特性への影響を除去することができる。溝50 ́の変形例実施例4-1スライダ基板41の境界41b近傍の薄膜積層部42に形成する空隙50について、幾つかの変形例があげられる。例えば、空隙50は浮上面に開口せず、浮上面43の数μmをAl2O3で充填することも考えられる。ただしこの場合には、熱アクチュエータの変位に対するAl2O3の力学的拘束が強くなるので、熱アクチュエータの変位効率は低下する。例えば、空隙の深さがSz112mmの場合でも、浮上面からz方向に10μmの厚さだけ空隙がなくAl2O3材で満たされていると、変位効率は2.6倍にしかならない。しかし、発熱素子の近傍の熱膨張による浮上面への突出量も抑圧できる。この場合でも上述の原理によって、熱アクチュエータ部のスライダ基板41からの機械的拘束と熱遮断効果を期待することができ、熱アクチュエータの変位効率を増大させることができる。本発明は空隙50の加工技術の制約から生じるこのような変形例を含む。浮上面に空隙の開口を形成しない場合には、熱アクチュエータの変位効率は低下するが、従来の空気軸受面の設計条件を変更する必要がなく、スライダ浮上特性および潤滑剤との整合性がよいという利点がある。このため、熱アクチュエータによるヘッドの横変位効率を極力低下させずに浮上面に溝を形成しない例として、幾つかの実施例が考えられる。空隙50の変形例実施例4-2図22は、ヘッド近傍の空気軸受面には空隙を開口せず、溝領域のみに浮上面に空隙の開口を形成した構造をもつ実施例で、空隙50が形成されているyz断面を示す。42は薄膜積層部の断面で、普通アルミナAl2O3材から成る。浮上面の突出制御TFC用発熱素子23とヘッド位置決め用発熱素子21a,21bはこの空隙の断面内にはないので破線で示している。この実施例の特徴は、空隙の中央部がT字形状のアルミナ材等の非導電性硬質セラミックス材で充填され、空隙がT字形の遮蔽ブリッジ53を持つことである。T字形の遮蔽ブリッジはy方向に長く伸び、z方向の厚さが小さい53a部分と、その中央部に-z方向に長く伸びた53b部分から成る。53a部分はその上面が空気軸受面44となっており、よってそのy方向長さは空気軸受の幅より若干大きくなっている。ブリッジ53aのz方向の厚さは、発熱素子によるヘッドのy方向変位を拘束しないようにできるだけ小さい方がよく、2~5μm程度が望ましい。一方、中央部のブリッジ53bは、主としてヘッド面を浮上面方向に熱膨張させる発熱素子23から発生する熱をスライダ基板側に伝導させて冷却効果を高め、記録再生素子の温度上昇を抑圧し、発熱素子23によるヘッド浮上すきま制御の応答性を高めるためである。このため、-z方向の長さはTFC用発熱素子の下の位置近傍まで伸びている。しかし、y方向の幅を発熱素子23と同じ幅以上にすると記録再生素子の横変位の拘束効果が強くなりすぎるので、TFC発熱素子の幅より小さくすることが望ましい。数値計算シミュレーションによれば、発熱素子21aによる記録再生素子のy方向変位効率を空隙のない場合の2倍以上に高めることができる。なお、T字形ブリッジは、上に述べた薄膜積層プロセスにおいて、薄膜積層部42の部分にアルミナを形成する際に中央部にもアルミナを形成することにより容易に加工できることは明らかである。また、ブリッジ53bは薄膜積層部とスライダ基板との結合強度を高める機能を持つ。この機能を高めるためには、図22に示すT字形中央部を更に細い幅で-z方向に延長させてアルミナ材と連結させ、空隙50が2つの領域になるようにすればよい。この場合、図22の下端中央部から伸びたブリッジの幅は、熱アクチュエータによるヘッドの横変位を拘束しないように極力狭く、例えば2~3μm程度以下が望ましい。空隙50の変形例実施例4-3図23は、図22の実施例4-1に対して,アルミナ材等によるブリッジ53cを更に設けて、空隙50の浅溝面への開口をなくした遮蔽ブリッジの例である。実施例4-1において、浮上面からz方向に10μmの厚をもつ遮蔽ブリッジをy方向に設けた例について述べたが、この実施例4-3は、空気軸受面設計条件と、TFC用発熱素子23の軸受面突出制御と記録再生素子の温度上昇に悪影響を与えないという条件を満たし、しかも発熱素子による記録再生素子の横変位量を大きくできる、浮上面に開口しない空隙構造を持つ例である。この例によれば、空隙50が浮上面の浅溝面にも開口していないので、ヘッドスライダに付着した潤滑剤が空隙に入り込んで残留する恐れがないという利点がある。図23に示す実施例4-3は、図22の実施例4-2に比べて、浮上面と反対側のスライダ背面方向に伸びた2本の空隙50dが設けてある。これは、薄膜積層時に空隙部に形成した銅を、全薄膜積層部を形成した後に溶解除去するための溶剤流入路であり、また溶解した銅を排出する排出路でもある。実施例4-2では、溶剤を空気軸受面から注入したが、実施例4-3では、スライダ背面から溶剤を注入することができるので、記録再生素子部を溶剤で腐食させないようにするための遮蔽処理が容易になる。発熱素子21a、21bによる記録再生素子の変位効率を極力低下させないため、ブリッジ53cのz方向の厚さは小さい方が望ましく、加工条件から0.5~2μm程度が望ましい。発明者が行った数値シミュレーションによれば、空隙のx方向厚さが1μmの場合、ブリッジ53a、53b、53cのz方向長さがそれぞれ3μm、25μm、1μmで、53a,53b,53cのy方向の幅がそれぞれ65μm、18μm、194μmの場合、空隙がない場合の変位効率の約2倍の変位効率が得られた。中央部にT字形ブリッジを持つ実施例4-2、及び更に溝領域にも浅い遮蔽ブリッジを設けることにより浮上面にスリットを開口しない実施例4-3の場合には、開口構造に比べて熱アクチュエータによるヘッドの横変位効率がやや低下し、発熱素子21a、21bの加熱時における浮上面の突出によるヘッド近傍の突出効果が大きくなる。またヘッド突出用発熱素子23によるヘッド部の突出量が中央部のT字形ブリッジにより抑圧され、しかもこの突出効果が遠くまで及ぶようになるので、空気軸受面のz方向突出量の最大位置がヘッド近傍からずれ、加熱素子側の軸受面の縁近傍となる場合が生じるおそれがある。これを防ぐには、発熱素子21a、21bのヘッド中央部からの距離Lyを大きく、例えば80μm~150μm程度まで大きくすることが望ましい。これにより、発熱素子21によるヘッド近傍のz方向突出量を発熱素子23による突出量の数分の1まで小さくすることができる。浮上面の突出によるヘッド浮上すきま変動はヘッド近傍の軸受面の突出量よりさらに小さくなるので、ヘッド位置決め用熱アクチュエータの制御動作が発熱素子23による浮上量制御と干渉しないようにすることができる。Lyを大きくすると、発熱素子21によるヘッドのy方向変位効率を高める効果があるが、更にヘッドの変位効率を高めるには空隙50のx方向厚さを大きくすればよい。上記したヘッド変位効率の例は全て空隙50の厚さが1μmの場合であるが、この空隙50の厚さを2μmとすれば、約1.5倍の変位効率が得られる。磁気ヘッドスライダの熱アクチュエータ構造の他の例実施例5上記実施例1による磁気ヘッドスライダは、図1及び図2に示すように、記録再生素子20の両側に発熱素子が配置された両側熱駆動形マイクロアクチュエータに適用される。両側駆動形熱アクチュエータの場合、バイアス電力は不要で、それぞれの発熱素子に電力を入力させることにより、ヘッドを発熱素子と反対方向に変位させる。この場合発熱素子には、制御すべき高周波の周波数帯域の成分のみを入れることができるので、発熱素子によるスライダ浮上面への熱膨張を抑圧することができる。他の例によれば、記録再生素子20の片側のみに発熱素子21aを配置した片側駆動形の熱アクチュエータ部を持つ磁気ヘッドスライダにも適用できる。即ち、片側の発熱素子21aを包含するように、溝50 ́或いは低ヤング率層500を形成することができる。片側駆動形熱アクチュエータは、記録再生素子を変位させる中間位置にまで変位させるバイアス電力が必要であり、そこから電力を増減させてヘッドを中間位置の前後に精密位置決めする。磁気ヘッドスライダの熱アクチュエータ構造の他の例実施例6図7は、ヤング率の小さい材料から成る低ヤング率層500を、スライダ本体と薄膜形成層の境界41bの全面に形成された磁気ヘッドスライダの例である。例えば、レジン等のポリマー材から成る低ヤング率層500の厚さをそれぞれ1、3、10μmと形成すると、熱アクチュエータの変位効率は、それぞれ、1.5倍、2.3倍、3.1倍に改善される。この場合、発熱素子のx方向距離はLx3.7μmで、発熱素子はスライダ基板の境界にかなり近いので、低ヤング率層500が無ければ、発熱素子の近傍の熱膨張と熱アクチュエータの変位に対するスライダ基板の拘束はかなり強いと予想される。また、Al2O3TiC材の熱伝導率はAl2O3材の20倍なので、熱伝導率がAl2O3の12の低ヤング率層500が境界にあれば、温度上昇による熱膨張効率の向上も変位効率増加に寄与する。上記のLx3.7μmの場合には、スライダ基板の拘束を緩和するために、Al2O3TiC材に対して厚さ22μmのAl2O3層を50に介在させると、変位効率は3.1倍に増大した。これは、Al2O3材のヤング率がAl2O3TiCに対して約12で、更に熱伝導率が120であるために、発熱素子の近傍の温度上昇を高め熱膨張を増加させ、且つ熱アクチュエータの力学的拘束を緩和させて変位効率を高めたと考えられる。これは、Lx25.7μmの場合に相当し、新たな材料層を加えたとはいえないが、Al2O3TiCの材料に比べてヤング率が小さく熱伝導率も小さい材料の層を入れた意味で、本実施例6の範囲と考えることができる。本実施例6は、要するに、一般にスライダ基板41よりヤング率が小さく、少なくともAl2O3材のヤング率以下で、またできれば熱伝導率もスライダ基板より小さく、少なくともAl2O3材の熱伝導率以下の材料をスライダ基板との境界全面に形成した磁気ヘッドスライダであるといえる。磁気ヘッドスライダの熱アクチュエータ構造の他の例実施例7図8は、ヘッド位置決め熱アクチュエータ用発熱素子21が片側に1つ設けられた磁気ヘッドスライダの例を示す。この例は、片側駆動形の熱アクチュエータ部を持つ磁気ヘッドスライダにおいて、スライダの幅方向に形成された空隙501と、記録再生素子21の左側に薄膜積層部42の厚さ方向の全域に亘って形成された空隙502を備えたものである。空隙501と502は直角の交点で連結された、L字形状となっている。実施例1と同様に、空隙501、502は浮上面に開口している。その深さは任意であるが、少なくとも浮上面から40μm以上で120μm以下が望ましい。図示の例では、空隙501のy方向長さはx軸に関してほぼ対称になっているが、発熱素子21と反対側の領域27のy方向長さは任意であり、より小さい方が望ましい。磁気ヘッドスライダは、薄膜積層部42の後端面42bに、記録再生素子20、ヘッド位置決め熱アクチュエータ用発熱素子21および記録再生素子突出用発熱素子31に通電するための端子を配置し、薄膜積層部42の内部にはこのためのリード線が薄膜形成されている。よって、空隙502はこれらと干渉しない位置に設ける必要があり、この条件を満たす範囲で、極力記録再生素子20に近い場所に設けることが望ましい。この実施例7による磁気ヘッドスライダは、実施例1に比べて熱膨張伝達部25a、記録再生素子20、領域27のy方向変位が拘束されていないので、実施例1に比べて発熱素子の変位効率を更に16から40高くすることができる。磁気ヘッドスライダの熱アクチュエータ構造の他の例実施例8図9は、片側駆動形の熱アクチュエータ部を持つ磁気ヘッドスライダにおいて、片側のy方向に2個の発熱素子21a、21cを配置した構造例である。上記実施例7によるL形の空隙を有する磁気ヘッドスライダでは、ヘッド位置決め制御を1個の発熱素子で行わねばならない。そのために、変位中間位置へのバイアス電力を加える必要があり、定常バイアス電力による記録再生素子表面の突出による干渉が大きいという課題がある。実施例8によれば、この課題を解決し、且つL形の空隙による熱アクチュエータの拘束を除去する効果を生かす。片側のy方向に2個の発熱素子21a、21cを配置している。実施例8では、記録再生素子20から遠い発熱素子21cに、記録再生素子の変位平均位置を決める定常的バイアス電力を加え、更にトラック追従制御の変動する変位のための電力はこのバイアス電力から減算量で与える。一方、-y方向の変動する変位は発熱素子21aへの入力電力で制御する。このように構成すると、発熱素子21cのバイアス電力による、記録再生素子の浮上面の突出量を大幅に低減でき、ヘッド位置決め熱アクチュエータとしての高い変位効率を与えることができる。図10は、図9のL形空隙を有するヘッド位置決め用熱アクチュエータの変形例である。この例では、空隙502が薄膜積層部42の厚さ方向全域ではなく、後端面42bに近い領域を積層膜で埋めた構造である。これは上記のように、後端面42bには多数の端子を設けなければならないので、その条件を考慮したものである。この例によるL形空隙502の構造は、実施例7図8に示した1つの発熱素子による片側駆動熱アクチュエータにも適用できる。更に他の変形例として、実施例7及び8図8~図10に示した、磁気ヘッドスライダのL形空隙501,502の一部または全部に、実施例3で述べたような、低ヤング率材又は低ヤング率で且つ熱伝導率がAl2O3より小さい材料を充填してもよい。ただし、この場合、空隙の場合に比べてヘッドの変位効率は減少する。また空隙501と502の幅は異なってよく、深さも等しくなくてもよい。また、空隙の加工法による制限から、空隙501はスライダ基板の材料に形成されてもよく、スライダ基板と薄膜積層部にまたがっていてもよい。これらはほぼ同じ機能と効果をもたらすからである。特に空隙501が浮上面からレーザ加工や機械加工によって形成される場合には、空隙501はスライダの幅方向全体に及んでいてもよい。更に、L形の空隙は浮上面に開口しておらず、浮上面近傍の領域では薄膜積層部とスライダ基板とが結合していてもよい。磁気ヘッドスライダの熱アクチュエータ構造の他の例実施例9図11は、x、y、z軸に垂直な3個の空隙を有する熱アクチュエータの例である。この例は、片側駆動のヘッド位置決め熱アクチュエータの変位効率を更に高めるために、実施例7、8に示したL形空隙に加えて、更にxy平面内でz座標において記録再生素子より下の位置に、磁気ヘッドスライダの後端面に開口する空隙503を設けた構造である。1は浮上面からみた投影図を、2は磁気ヘッドスライダの後端面側から見た投影図を示す。変位効率を高めるには、空隙503は空隙501および502に開通していることが望ましい。この実施例では、ヘッド位置決め熱アクチュエータ部をスライダ基板と薄膜積層部から分離して片持ち梁形式とし、熱アクチュエータ全体を発熱素子21a、21bの外側領域26だけで薄膜積層部ないしスライダ基板と結合している。実施例9において、空隙501の長さがx軸に関して対称であり、空隙502が薄膜積層部の後端面42bまで達し、また空隙503のz位置が浮上面から112μm下側にある場合には、50mW入力に対して記録再生素子のy方向変位は91nmに達することがシミュレーションで予測されている。従来の磁気ヘッドスライダによる熱アクチュエータの変位効率の18倍である。図12は、図11に示した構造の変形例を示す。この構造は、図11に示した3つの空隙501~503により片持ち梁形式にした熱アクチュエータの強度を、ブリッジ空隙を埋めた部分構造を適用して、熱アクチュエータの変位効率をあまり損なわずに高めたものである。熱アクチュエータ構造全体を囲む空隙501、502、503を形成し、熱アクチュエータ全体を片持ち梁構造にすると、変位効率が18倍に向上できる。しかしこの構造では、熱アクチュエータ部が発熱素子の右側のみでスライダ本体に結合しているに過ぎないので、外力により破壊するおそれがある。そこで、図12に示す変形例では、空隙501の左端と空隙502との境界、及び空隙502の下端と空隙503の左端との境界に、いずれもxz平面内に伸びたブリッジ61、62を設けた。ブリッジ61、62の長さは、空隙と同じ長さでそのy方向の厚さは空隙の幅より小さいことが望ましい。このように、ブリッジ61,62を設けることにより、熱アクチュエータの変位効率をあまり低下することなく熱アクチュエータ構造の機械的強度を高めることができ、且つ発熱素子の浮上面への突出を抑圧することができる。実施例9の更なる変形例として、上記の構造は、例えば図8に示すような、1つの発熱素子を持つ片側駆動熱アクチュエータにも適用できる。ここで、各空隙の幅は異なってもよいし、それぞれの空隙を含む面が交わる稜のすべての位置で貫通していなくてもよい。また、各空隙の一部または全部に低ヤング率材を充填する構造としてもよい。磁気ヘッドスライダの熱アクチュエータ構造の他の例実施例10-1この例は、空隙50を埋めた部分ブリッジというを設けることにより、ヘッド変位拘束を除去し、浮上面への突出を抑圧した熱アクチュエータの構造例である。上記各実施例は、いずれも熱アクチュエータのy方向の熱膨張変位に対する拘束を除去することによって熱アクチュエータの変位効率を向上させる。低ヤング率材を用いた構造例では、多くの場合その熱伝導率がスライダ基板のAl2O3TiC材より小さいので、発熱素子に生じる熱がスライダ基板41に逃げるのを防ぐ断熱効果も有する。よって、温度上昇を促進して発熱素子の近傍の熱膨張が増大し、これが入力電力に対する変位効率を高める効果もある。しかし、この断熱効果は、発熱素子の近傍だけに有効であり、発熱素子の近傍でない領域に設けた低ヤング率部5は、熱膨張伝達部や記録再生素子、さらに発熱素子と反対側の領域の力学的拘束を低減させることにより、熱アクチュエータの変位効率を高める役割をしている。上に述べた実施例1~9と、それらの変形例は、ヘッド位置決め熱アクチュエータの変位効率を高める効果があるが、同時に発熱素子近傍の浮上面の突出量をも増加させる。既に述べたように、発熱素子の近傍は空気軸受面ではなく浅溝面内にあるので、発熱素子の近傍の浮上面突出による磁気ヘッドスライダの浮上特性の影響は無視できる程度に抑圧することができる。しかし浮上面への突出領域はかなり広い領域におよぶのでヘッドと磁気ディスク面との間のすきま変動の要因になる。そこでヘッド位置決め熱アクチュエータとしての変位効率を高めつつ、浮上面への突出量を極力抑圧できるような構造が望まれる。図13を参照するに、この例は、実施例1の磁気ヘッドスライダにおいて、空隙50の発熱素子21a,21bの対応する位置にそれぞれ一個の幅の狭い材料で埋めた部分ブリッジという601,602総じて60と示すを形成する。これらのブリッジ60は空隙の深さ-z方向に延伸し、その長さは空隙の深さと同じか、少なくとも浮上面から-z方向に発熱素子の下端程度まで延伸している。このブリッジの材料は、薄膜積層部42の材料として用いるAl2O3が望ましいが、Al2O3TiC材でもよく、また他の部材でもよい。ただしそのy方向の厚さは十分小さく、全てのブリッジのy方向厚さを加算した値も空隙のy方向長さの数以下である。このように、空隙の一部に幅の狭いブリッジ60を形成することにより、熱アクチュエータのy方向変位はあまり拘束しない。しかしこのブリッジは浮上面方向には厚いので、このブリッジが形成された発熱素子の近傍の浮上面への突出は抑圧され、このためヘッド近傍の浮上面突出も顕著に抑圧できる。なお、空隙50に複数のブリッジ60を設けても熱アクチュエータのy方向変位をあまり拘束しないためには、図13の空隙の幅は実施例1の場合に比べて大きく、数μmから10μm程度あることが望ましい。また、ブリッジの幅は小さくすることが望ましい。ちなみに、図13に示すように、2つのAl2O3材によるブリッジ601,602を形成する場合、熱アクチュエータのy方向変位への拘束力が、実施例3で述べた、ヤング率がAl2O3材の2のポリマー材を充填したときと同じ拘束力をもつようなブリッジの寸法を計算してみる。今、ブリッジは空隙の深さ80μmの半分の長さを有し、空隙のy方向長さを160μmとすると、空隙の幅が3、5、8、10μmのとき、2つのブリッジの厚さはそれぞれ、1.7、2.5、3.4、3.9μmとなる。熱アクチュエータを支持するブリッジのy方向の剛性はブリッジの幅の3乗に比例し、一方浮上面突出方向の剛性はブリッジの幅に比例する。よって、もし空隙の幅が10μmのとき2つのブリッジの厚さを2.0μmとすればブリッジのy方向の拘束力をポリマー材充填の場合の1/8に低減できる。一方、浮上面突出方向の拘束力は半分に低下するが、発熱素子の近傍はブリッジによりx方向に40μmにわたって拘束されているので、浮上面への突出は空隙のない状態に近くなる。図13に示した空隙に設置するブリッジの配置には、幾つかの変形例が考えられる。例えば、発熱素子21a、21bの近傍にそれぞれ2つずつのブリッジを形成してもよい。この場合、y方向の拘束剛性がポリマー充填の場合と等しくなるブリッジの厚さは、空隙幅3、5、8、10μmに対してそれぞれ1.4、2.0、2.7、3.1μmとなる。ここで、ブリッジのy方向剛性は両端固定梁のモデルで計算できるので、各2つのブリッジの厚さを各1つの場合のブリッジ厚さの半分にすれば、発熱素子の近傍の浮上面突出を抑圧する拘束力は各1つブリッジの場合と同じままで、熱アクチュエータのy方向の拘束力を各1つブリッジの場合の1/4とすることができる。磁気ヘッドスライダの熱アクチュエータ構造の他の例実施例10-2この実施例は、図23に示した浮上面に開口しない空隙をyz平面内に設けた実施例4-3と、図13に示した発熱素子部21a,21b近傍の浮上面への熱膨張を抑圧するためのブリッジを発熱素子の中央部に設けた実施例10-1とを組み合わせた実施例である。図24を参照するに、-z方向に伸びたブリッジ54aおよび54bは、空隙でない薄膜積層部42と同様なアルミナ等で形成され、-z方向の長さは発熱素子の下部まで達するほど長く、一方その幅は発熱素子近傍の横方向の熱膨張を拘束しないように3~10μm程度に短くなっている。従って、本実施例は、記録再生素子の変位効率が高く、しかも空隙が従来のスライダ空気軸受特性に悪影響を与えることがなく、更に発熱素子による浮上面への熱膨張を抑圧できるという利点がある。なお、本実施例の変形例として,図22の空気軸受面に相当する中央領域には空隙を開口しない構造と、図13に示した発熱素子部21a,21bの中央部に―z方向に伸びるブリッジ設ける構造とを組み合わせた例も考えられる。図14は更に他の例による磁気ヘッドスライダを示す。すなわち、片側駆動形ヘッド位置決め熱アクチュエータによるヘッド近傍の浮上面への突出を抑圧するため、空隙501に2個のブリッジ601.602を形成した構造例である。この例では、記録再生素子20に近い方の発熱素子21aの近傍に対応した位置に、浮上面への突出を拘束するための2つのブリッジ601と602が形成されている。記録再生素子20から離れた位置にある発熱素子21cの浮上面への突出は、ヘッドスライダの浮上面高さにあまり影響されないので、ブリッジは設けていない。しかし必要ならば、ブリッジを追加して発熱素子21cの対応する位置に設けることも可能である。空隙501の幅は5~10μmで、ブリッジ601,602の厚さは3~4μmである。またブリッジのz方向の幅は発熱素子のz方向下端位置の50μm以上が望ましい。また図14の実施例では、2つの空隙501、502を持つので、記録再生素子と発熱素子のスライダ本体への機械的結合力が低下する恐れがある。そこで変形例として、空隙501の空隙502との境界にz方向の長さが空隙深さと同じで厚さの小さいブリッジを設けることが考えられる。この場合は、熱アクチュエータ部の機械的強度が増し、しかも熱アクチュエータ変位はあまり拘束されないという利点がある。磁気ヘッドスライダの熱アクチュエータ構造の他の例実施例11上記実施例はいずれも、熱アクチュエータの変位効率を高めるための構成例であるが、熱アクチュエータの究極的な目的は、ヘッド位置決め熱アクチュエータの応答速度を上げることである。そこで、直接に熱アクチュエータの応答速度を改善する実施例を示す。図15は、薄膜積層部42の厚さ方向に設けられた、複数の発熱素子21a、21bに対して、薄膜積層部の厚さ方向に発熱素子21dおよび21eを設置した構造例を示す。発熱素子21dは発熱素子21aとほぼ同じyおよびz方向の位置に、また発熱素子21eは発熱素子21bとほぼ同じyおよびz方向の位置に設置されている。また発熱素子21d、21eのx方向の位置は薄膜積層部の厚さ方向のほぼ中間位置にある。また発熱素子21dは発熱素子21aと直列に結合されており、発熱素子21eは発熱素子21bと直列に結合している。このため、例えば、発熱素子21a、21dは通電により同時に加熱されるので、これらの発熱素子近傍の薄膜積層部は厚さ方向に時間遅れすることなく瞬時に加熱される。これに対して、実施例1では、発熱素子21aへの通電により、まず発熱素子21aの数μmの近傍の温度が上昇し、これと同時に同じ領域の熱膨張が起こる。しかし通電後0.1msでは発熱素子21aからx方向に10μm以上離れた薄膜積層部の位置では十分に温度が上がらず、発熱素子21aの熱膨張を抑圧する関係になっている。そして通電してから0.2~0.3ms後に薄膜積層部の中央部の温度も十分に上昇し、発熱素子21aのy方向位置の領域の薄膜積層部全体が熱膨張する。この発熱素子21a近傍の薄膜積層部全体の熱膨張変位は、熱膨張伝達部25aを介して記録再生素子の-y方向変位に音速で伝播するので、この伝達時間は10ns以下である。よって発熱素子の入力電力に対するヘッドの変位の応答時間は発熱素子近傍の薄膜積層部の厚さ方向への熱の伝播時間によって支配され、時定数にして高々0.2ms程度となっている。以上のことから、図15に示すように、発熱素子を薄膜積層部42の厚さ方向に2個配置すれば、薄膜積層部の厚さ方向全体にわたって瞬時に加熱されるので熱アクチュエータの時間応答性を1.2倍程度高めることができる。なお、薄膜積層部の厚さが厚い場合には2個でなく、3個配置しこれらを直列に結合することも考えられる。また複数の発熱素子を設ける場合には、それぞれの発熱素子の抵抗は同じでなく、浮上面の冷却特性をも考慮して温度上昇が薄膜厚さ方向にほぼ均一となるように、それぞれの発熱素子の抵抗を変化させることが望ましい。上記各実施例によれば、スライダ基板に面する薄膜積層部に形成した低ヤング率部により、熱アクチュエータによる変位拘束を緩和し、変位効率を高めることができる。さらに、実施例11のように、発熱素子を薄膜積層部の厚さ方向に複数行設置し、これらを直列結合させて同時に通電するように構成すれば、変位効率を高めて、しかも時間応答性を改善したヘッド位置決め熱アクチュエータを実現することができる。ヘッド位置決め熱アクチュエータを用いた磁気ディスク装置実施例12次に、上記実施例のように構成された磁気ヘッドスライダを搭載した磁気ディスク装置における記録再生素子の位置決め制御について説明する。図16は、ヘッドの両側に発熱素子を有する熱アクチュエータをもつ2段アクチュエータの位置決め制御の制御ブロックを示す。磁気ディスク装置1は、筐体10の外の回路基板にマイクロプロセッシングユニットMPU70を有している。このMPU70は、算出回路71、粗動制御回路72及び微動制御回路7474aと74bを機能的に含んでおり、ボイスコイルモータ7及び発熱素子21をそれぞれ駆動して、記録再生素子20を磁気ディスク2に形成されたトラックに追従させる。算出回路71は、外部のホストコンピュータからの記録命令または再生命令により決定される記録再生素子20の目標トラックと、記録再生素子20が読み出したサーボデータにより特定される記録再生素子20の現在位置との差分を求めて、目標トラックに対する記録再生素子20の位置誤差を表す誤差信号PESPositionErrorSignalを算出する。粗動制御回路72は、算出回路71から入力される誤差信号PESに基づき、記録再生素子20の位置誤差を抑制するようなボイスコイルモータ7の制御指令SVを生成し、モータドライバ77を介してボイスコイルモータ7へ出力する。一方、熱アクチュエータに対する微動制御回路74は、算出回路71から入力される誤差信号PESに基づき、分離回路73で記録再生素子20の位置誤差を抑制するために発熱素子21aと21b総じて21というへ入力する成分を分離する。微動制御回路74はフィードバック制御回路で構成され、それぞれの発熱素子へ入力する誤差修正信号に比例する電力がヒータドライバ7676aと76bに生じるような制御指令SHを生成する。時間遅れ補償器7575aと75bは、発熱素子21の応答性の遅れを修正する位相進みフィルタである。ヒータドライバ76は、制御指令SHに比例する電流ないし電力をそれぞれの発熱素子に出力する。ここで、記録再生素子20の変位は発熱素子21の電力量すなわち発熱量に比例し、発熱素子21の電力量は発熱素子21の電流量の2乗に比例することから、ヒータドライバにおいて、発熱素子の電流量の2乗値を位置誤差修正信号に比例するように制御することによっても、記録再生素子20の変位量を制御することができる。このような制御指令に比例した電力を出力する制御方法は、発熱素子23の熱アクチュエータにより浮上高さを制御するTFCにおいて既に知られた技術であり、本実施形態による磁気ディスク装置への適用は容易であろう。逆特性をもつ位相進みフィルタによる応答性の向上ここで、本発明による熱アクチュエータの高い変位効率を変位応答性の向上に変換する位相進みフィルタの機能と効果について説明する。本発明の熱アクチュエータの変位出力は、上記したように、空隙などを形成しない場合の変位効率5nm50mWの3~6倍の変位効率を得ることができる。しかし熱アクチュエータのステップ電力入力に対する時定数は高々0.2ms程度であり、これは熱アクチュエータの制御帯域として0.8kHzしかないことを意味する。しかし以下に述べるように、熱アクチュエータの逆特性をもつ位相進みフィルタを用いれば、高い変位効率を時定数の低減と制御帯域の増加に変換することができる。図17は位相進みフィルタから熱アクチュエータまでの正弦波信号の伝達特性である。図17では、位相進みフィルタ75とヒータドライバ76までの周波数特性を78で、また熱アクチュエータの入力電力から記録再生素子の変位までの周波数特性80で、いずれも伝達関数で表現している。熱アクチュエータの入力電力から記録再生素子の変位までの伝達関数は、一次遅れ系で、式1で表される。ここでf0は熱アクチュエータの入力電力に対する変位応答が3dBだけ減少70に減少するカットオフ周波数で、ステップ入力に対する時定数をτとするとf0=1/2πτの関係がある。Aは定常的な入力電力に対する記録再生素子の変位で、変位効率に相当する。一方位相進みフィルタの入力からヒータドライバ出力までの伝達関数は、式2で表現される。ここで、分子の式が熱アクチュエータの伝達関数の分母の式と同じになっており、伝達関数が逆特性をもつことから逆特性をもつ位相進みフィルタの意味でILFと表現している。ILFの他の特徴は、f2f01で、この条件下ではf0より高い周波数成分の振幅を増幅し、且つ位相を進ませる性質がある。また係数Cはヒータドライバの特性で、普通電圧で処理される制御信号を電力に変換するので、ここではmWVの単位をもっている。図17は位相進みフィルタから熱アクチュエータの変位出力までの伝達関数で、式1と2の積で現され式3となる。これから、合成された伝達特性はカットオフ周波数がf2に増加していることが分かる。ここで、分かりやすいように、熱アクチュエータ自体のカットオフ周波数が1kHzで、変位効率を5倍に高めたために変位効率は5nm10mWであるとする。そこで、f0=1kHz、f2=5kHz、A=510nmmWC=1mWVとし、式1、2、3にs=2πfii=√-1:虚数単位を代入して、それぞれの振幅特性|H2πfi|、|ILF2πfi|、|He2πfi|と位相特性を描くと図18のようになる。図18aは振幅特性、bは位相特性である。これから振幅が70低減するカットオフ周波数はf0=1kHzからf2=5kHzへ増加することが分かる。なぜ変位効率を高めれば位相進みフィルタによって応答性を高めることができるかを示すために、図17において、位相進みフィルタの入力uに10Vのステップ入力を加えたときの位相進みフィルタ出力Uと熱アクチュエータの変位応答Yを、f2/f0=1、3、5、7の場合について図19に示す。図19から、熱アクチュエータへの入力Uは、入力開始時に10mWより顕著に増大し、このため図19に示すように、熱アクチュエータのヘッド変位応答は、その時定数がそれぞれf0/f2倍だけ短縮され、変位出力は5nm得られていることが分かる。ここで重要なことは、熱アクチュエータへの入力電力は、発熱温度に制限があるので、無制限に高めることはできないことである。発熱素子とその近傍の材料の物理特性が繰り返し熱応力に対しても変化しない温度は最大500°C程度と考えられる。温度上昇は発熱素子の冷却特性に依存するが、許容入力電力は高々100mW程度と考えられる。したがって熱アクチュエータの変位効率が5nm/50mWの場合には位相進みフィルタによって高速化できるのは2~3倍程度に過ぎない。マイクロアクチュエータとして要求されるカットオフ周波数は3kHz以上なので、熱アクチュエータ自体のカットオフ周波数が0.8kHzの場合には、少なくとも変位効率は2倍の5nm/25mW程度が必要である。なお、一般に熱アクチュエータ、位相進みフィルタおよびヒータドライバは高域遮断特性があり、このため図19のように、時間零のときの入力電力が有限の値をとることはなく、仔細に見れば、入力電力はゼロから立ち上がる。この特性は熱アクチュエータ乃至位相進みフィルタの伝達関数の分母にs2πf1f1f2のような式を加えることによって評価することができる。ここでは示さないが、たとえばf130f0の場合には、時定数の増加とカットオフ周波数の低下は10でしかないことが示されている。次に、図16の制御系におけるフィードバック制御回路74の動作と効果について説明する。図20は図16に示した一方の熱アクチュエータ制御回路の構成である。図16の分離回路73は省略している。熱アクチュエータは1次遅れ系なので、位置決め誤差を修正するフィードバック制御は比例積分制御とする。このときフィードバック制御回路の伝達関数は、式4で表される。このときトラックの変位位置決め目標値rから、記録再生素子の変位Yまでの伝達特性および位置誤差PESまでの伝達特性はそれぞれ、式5、6で与えられる。そこで、位置信号の比例フィードバックゲインをKp=0.5Vnm、積分フィードバックゲインをKi=2000Vnmsとしたときの、式および6で与えられるYrおよびPESrの振幅および位相特性を図21に示す。これから、目標値応答特性が70に低減し、位置誤差が70にできる周波数は10kHz以上となり、高帯域な位置決めサーボが実現できることが分かる。ここでは示さないが、制御回路の各定数を固定したままで、熱アクチュエータのカットオフ周波数が±15変化しても制御特性の変化はわずかであり、本制御系は高いロバスト性をもつと予想される。なお、図20および図21ではフィードバック制御として比例積分制御の場合を示したが、位置決め誤差の低域部の抑圧率を強くするには、2重積分制御を用いればよい。熱アクチュエータは、上述のように、発熱素子からヘッドまでの変位の伝達時間は10ns以下なので、伝達系の固有振動数は50MHz以上となる。したがって従来のボイスコイルアクチュエータやサスペンション駆動形のピエゾマイクロアクチュエータのように、伝達系の固有振動が高帯域化の制限になることがない。しかし熱アクチュエータは、時間応答性が低く、変位効率が小さいことが最大の問題である。また熱アクチュエータによるヘッドの浮上面の突出も障害要因になる。本発明によれば、浮上面への突出効果を極力抑圧しつつ、変位効率を高め、これによって時間応答性と制御帯域を高めることができる。本発明の好ましい実施形態によれば、変位効率は発熱素子自体の5倍に増加でき、また実施例9を実現できれば変位効率を10倍にできる。更に薄膜積層部の厚さ方向に2つの発熱素子を用いればカットオフ周波数1kHzが可能であると推定される。従って、これらを組み合わせれば、位相進みフィルタにより制御帯域を5~6kHzに高めることができ、これにフィーバック制御を適用すれば制御帯域10kHz以上の高トラック密度を可能とする磁気ディスク装置を実現することができる。なお、MPU60の機能構成は、上記例示のものに限られない。本実施形態では、ボイスコイルモータ7の制御と発熱素子21の制御とが独立しているが、これに限らず、微動制御回路73から出力される制御指令SHを、発熱素子21のゲインモデルを介して粗動制御回路72に誤差信号PESとともに入力するようにして、ボイスコイルモータ7の制御と発熱素子21の制御とを非干渉にしてもよい。また、上記実施形態では、ボイスコイルモータ7を1段目とし、熱アクチュエータとしての発熱素子21を2段目とした2段アクチュエータの磁気ディスク装置について説明したが、これに限らず、ピエゾ素子等からなるマイクロアクチュエータを更に含めて、3段アクチュエータの磁気ディスク装置としてもよい。すなわち、ボイスコイルモータ7を1段目とし、ヘッド支持部6に対する磁気ヘッドスライダ4Aの位置を調整するマイクロアクチュエータを2段目とし、更に熱アクチュエータとしての発熱素子21を3段目とすることにより実現できる。"