基板の素子搭載面の上にはんだ層を介して半導体素子が接合され、基板と半導体素子がエポキシ樹脂からなる封止樹脂体で封止されてなるケースレス構造の半導体装置であって、前記基板の素子搭載面のうち、半導体素子が搭載されていない領域における半導体素子の端部位置もしくははんだ層の端部位置から素子搭載面の端部までの長さをLとした際に、縦断面的に見て0.4L~0.9Lの長さの1つの凹溝が素子搭載面の前記領域に設けられ、該凹溝内に封止樹脂体の一部が入り込んでいる半導体装置。前記凹溝が半導体素子の周囲を囲繞している請求項1に記載の半導体装置。前記半導体素子が平面視多角形の場合に、該多角形を構成する各辺の側方の前記領域に前記凹溝が設けられている請求項1に記載の半導体装置。本発明は上記する問題に鑑みてなされたものであり、ケースレス構造の半導体装置であって、基板や半導体素子を保護する封止樹脂体と基板の接合強度が高く、従来構造の半導体装置に比して加工手間も格段に低減することのできる半導体装置を提供することを目的とする。前記目的を達成すべく、本発明による半導体装置は、基板の素子搭載面の上にはんだ層を介して半導体素子が接合され、基板と半導体素子がエポキシ樹脂からなる封止樹脂体で封止されてなるケースレス構造の半導体装置であって、前記基板の素子搭載面のうち、半導体素子が搭載されていない領域における半導体素子の端部位置もしくははんだ層の端部位置から素子搭載面の端部までの長さをLとした際に、縦断面的に見て0.4L~0.9Lの長さの1つの凹溝が素子搭載面の前記領域に設けられ、該凹溝内に封止樹脂体の一部が入り込んでいるものである。本発明の半導体装置はケースレス構造の装置であり、そのために、半導体素子や基板、これらを繋ぐはんだ層を保護する封止樹脂体は比較的硬質なものが適用される。そして、この半導体装置は、基板の素子搭載面のうち、半導体素子が搭載されていない領域における半導体素子の端部位置もしくははんだ層の端部位置から素子搭載面の端部までの長さをLとした際に、縦断面的に見て0.4L~0.9Lの長さの1つの凹溝が素子搭載面の前記領域に設けられ、この凹溝内に封止樹脂体の一部が入り込んでいる構成としたこと、すなわち、従来構造の半導体装置のように多数の凹溝を設けるものではなく、比較的広幅の1つの凹溝を基板表面のはんだ層側方の領域に設け、ここに封止樹脂体の一部が入り込んだ形態のものである。たとえば半導体素子が平面視正方形や長方形、円形、楕円形の場合であって、はんだ層もこれに対応するように平面視が正方形や長方形、円形、楕円形の場合に、はんだ層の端辺の周囲の基板表面に、正方形枠状、長方形枠状、円形枠状、楕円形枠状の凹溝が形成され、この枠状の凹溝がはんだ層を囲繞する形態を挙げることができる。また、たとえば平面視が正方形、長方形のはんだ層を構成する4つの端辺に対応する基板表面領域に対して、それぞれ凹溝が形成されて計4つの凹溝が設けられた形態を挙げることができる。ここで、基板とは、回路基板、もしくは回路基板と絶縁基板の組み合わせ、もしくは回路基板と絶縁基板と応力緩和基板の組み合わせなど、のすべてを総称するものである。また、この絶縁基板は、たとえば純アルミニウムからなる基板と窒化アルミニウムからなる基盤とを積層してなる積層体DBAであってもよいことは勿論のことである。また、この半導体装置は、上記基板の下方に、ヒートシンク板や、ヒートシンク板と冷媒還流路を具備する冷却器とのアルミダイキャスト一体成形体を具備するものであってもよい。ケースレス構造ゆえに封止樹脂体は比較的硬質であることを要するため、その素材としては、エポキシ樹脂やポリイミド、さらには、これらにシリカやアルミナ、窒化ホウ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化マグネシウム等の熱伝導性フィラーが含有された素材などを挙げることができる。さらに、本発明者等による検証の結果、凹溝の幅は、導体素子が搭載されていない領域における半導体素子の端部位置もしくははんだ層の端部位置から素子搭載面の端部までの長さをLとした際に、0.4L~0.9Lの長さに設定されるのがよいことが実証されている。この凹溝の長さ範囲は、エポキシ樹脂等からなる硬質の封止樹脂体を半導体装置の構成要素とした際に、この封止樹脂体のせん断強度に対して、凹溝に入り込んだ封止樹脂体のせん断強度とこの領域における凹溝と封止樹脂体の接着強度の和からなる接続強度が封止樹脂体のせん断強度以上となるための範囲である。すなわち、0.4L~0.9Lの範囲の幅を有する凹溝の場合には、接続箇所における破壊強度は封止樹脂体の有するせん断強度で規定され、せん断破壊モードとなるのに対して、0.4L未満および0.9Lを超える範囲の幅の凹溝の場合には、封止樹脂体の内部でのせん断破壊とならず、封止樹脂体と凹溝の接着界面での界面剥離モードとなるため、封止樹脂体と基板の接合強度は低下する。上記範囲の幅に設定された凹溝内に封止樹脂体の一部を入り込ませた封止樹脂体と基板の接合構造を適用することで、外部からせん断力等が作用した際の当該接続箇所の破壊モードを界面破壊モードから封止樹脂体自身の有するせん断強度で規定されるせん断破壊モード界面破壊モードに比して破壊強度は高いとすることができ、もって当該接続箇所における接続強度を高めることができる。本発明のケースレス構造の半導体装置は、上記のごとく基板と封止樹脂体の接続強度が極めて高いものであることから、耐衝撃性、耐久性に優れており、さらには、基板表面に形成される凹溝が比較的広幅でその基数も少ないことから加工手間も低減され、製造コスト低減に繋がる。これらのことから、上記する本発明の半導体装置は、搭載部品等に対して高耐久性と製造コスト低減を要求する近時のハイブリッド車や電気自動車に車載されるインバータ等への適用に最適である。以上の説明から理解できるように、本発明の半導体装置によれば、基板の素子搭載面のうち、半導体素子が搭載されていない領域における半導体素子の端部位置もしくははんだ層の端部位置から素子搭載面の端部までの長さをLとした際に、縦断面的に見て0.4L~0.9Lの長さの1つの凹溝が素子搭載面の前記領域に設けられ、該凹溝内に封止樹脂体の一部が入り込んでいる構成を適用したことにより、基板と封止樹脂体の接続強度が極めて高く、耐衝撃性、耐久性に優れた半導体装置を提供することができる。以下、図面を参照して本発明の半導体装置の実施の形態を説明する。なお、図示する半導体装置は、1層の回路基板上にはんだ層を介して半導体素子が接続されたケースレス構造の形態を示したものであるが、これ以外の形態である回路基板と絶縁基板の組み合わせ構造や回路基板と絶縁基板と応力緩和基板の組み合わせ構造などを具備する半導体装置であってもよいし、さらには、回路基板の下面にヒートシンク板や、ヒートシンク板と冷媒還流路を具備する冷却器とのアルミダイキャスト一体成形体を具備する半導体装置などであってもよいことは勿論のことである。また、半導体素子と回路基板を繋ぐボンディングワイヤ等の図示は省略している。半導体装置の実施の形態1図1は本発明の半導体装置の一実施の形態を示した縦断面図であり、図2は図1のII-II矢視図であって半導体装置の一実施の形態の平面図である。なお、図2は、封止樹脂体を透視してその下方の平面を示したものである。図示する半導体装置10は、回路基板2の上にはんだ層3を介して半導体素子1が接続され、回路基板2の露出部、はんだ層3の露出部および半導体素子1が比較的硬質の封止樹脂体4で包囲されてその全体が大略構成されており、ケースレス構造を呈するものである。回路基板2の素子搭載面のうち、半導体素子1が搭載されていない領域に形成される凹溝2aは、図1で示すように縦断面的に見て比較的広幅の1つの凹溝であり、図2で示すように、平面的にはこのような広幅の凹溝がはんだ層3を囲繞するように長方形枠状の形態で形成されている。そして、回路基板2の素子搭載面のうち、半導体素子1が搭載されていない領域における半導体素子1の端部位置図ではそれよりも外側に張り出すはんだ層3の端部位置から素子搭載面の端部までの長さをL1とし、凹溝2aの幅をL2とした際に、L2/L1が0.4~0.9の範囲に設定されており、この凹溝2a内に封止樹脂体4の一部が入り込んで封止樹脂体4と回路基板2の露出表面の接続が図られている。凹溝2aの幅を上記範囲内に設定した理由は本発明者等によるせん断試験結果によるものであり、その規定根拠は後述するが、この範囲の幅を有する凹溝2aを設けたことにより、たとえば図7で示す従来のケースレス構造で多数の凹溝Kaを有する半導体装置Pに比して、凹溝を加工する際の手間が大きく省略でき、このことによって製造コスト削減を図ることができることに加えて、凹溝が比較的広幅となったことで封止樹脂体用の樹脂が凹溝内に十分に充填でき、ボイド等が界面に介在して接着強度が低下することが解消できる。また、図示する半導体装置10はケースレス構造であることから、半導体素子1等を保護する封止樹脂体4は比較的硬質であることを要するため、その素材としては、エポキシ樹脂やポリイミド、さらには、これらにシリカやアルミナ、窒化ホウ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化マグネシウム等の熱伝導性フィラーが含有された素材などのうちのいずれか一種が使用される。たとえば、フィラーを含有したエポキシ樹脂を素材とした場合にはその流動性が低下することになるが、凹溝2aが幅広であることから、当該凹溝2a内における低流動性素材の良好な充填性を保証することができる。図3は、封止樹脂体と基板表面の接続箇所において、半導体装置に外力が作用した際に抵抗する2つの領域を説明した模式図である。同図で示すように、半導体装置10の側方からせん断力等の外力Qが作用した際に、封止樹脂体4と回路基板2の特に凹溝2aとの接続箇所においては、封止樹脂体4内の領域A1における封止樹脂体自身の有するせん断強度と、封止樹脂体4と凹溝2aの界面図中の領域A2における接着強度が合計された接続強度で抵抗することになる。この場合に、この接続強度における界面接着強度の割合が高い場合は、当該接続箇所における破壊モードは界面破壊モード界面接着破壊モードとなる。たとえば、図7で示す従来の半導体装置Pでは、接着強度が支配的であることから界面破壊モードを有するものとなる。一方、図3に図示する半導体装置10では、凹溝2aの幅が幅広となり、接続箇所において封止樹脂体4のせん断強度を発揮する領域A1が広いことから、外力Qに対する破壊モードはせん断破壊モードとなる。そして、半導体装置10を構成する封止樹脂体4はエポキシ樹脂等からなる硬質体であることからそのせん断強度は極めて高く、したがって、界面破壊モードに比してせん断破壊モードとなる際のせん断強度接続強度は極めて高いものとなる。半導体装置の実施の形態2図4は、半導体装置の他の実施の形態を図2に対応するように平面図で示したものである。同図で示す半導体装置10Aは、平面視長方形の半導体素子1およびはんだ層3の4つの端辺に対応する4つの凹溝2a’が回路基板2の表面に形成され、各凹溝2a’内に封止樹脂体4の一部が入り込んで双方の接続が図られたものである。同平面図において、4つの隅角領域には凹溝を設けず、それ以外の4つの表面領域にのみ凹溝2a’を設け、ここに封止樹脂体4の一部を入り込ませて封止樹脂体4と回路基板2の接続を図った場合であっても、図3で示すような外力がどの方向から作用した場合であっても高い接続強度で抵抗することが可能となる。基板表面に形成される凹溝の幅の最適範囲を特定するための実験とその結果本発明者等は、図5で模擬するように、凹溝M1aを具備する回路基板M1に対してエポキシ樹脂素材の封止樹脂体M2をその一部が凹溝M1a内に入り込むようにして試験体Mを試作し、せん断力Qを付与して双方の接続強度せん断破壊時の強度を測定する実験をおこなった。ここで、試験体Mは、回路基板M1の幅L1に対する凹溝M1aの幅L2の比率を種々変化させておこない具体的には、L2/L1が0.1の場合、0.4の場合、0.6の場合、0.9の場合でそれぞれ複数の試験体を試作してせん断試験をおこなっている、各試験体の接続強度を測定した。実験結果を図6に示す。同図において、水平グラフY線は、エポキシ樹脂からなる封止樹脂体M2のせん断強度を示すグラフである。さらに、各試験体の接続強度に関する測定結果プロットを通る近似グラフを求め、同図にこれをX線上に凸の曲線グラフで示している。X線がY線よりも上に位置するL2/L1の範囲は0.4と0.9の間の範囲であり、この範囲では、封止樹脂体と回路基板の接続箇所の接続強度封止樹脂体自身の有するせん断強度と界面接着強度の合計が封止樹脂体のせん断強度である15MPaを上回り、この範囲の接続強度以上の外力に対して封止樹脂体の有するせん断強度で規定されるせん断破壊モードで破壊するものとなる。これに対し、L2/L1が0.4を下回る範囲、および、0.9を上回る範囲においては、L2/L1が小さくなるにつれて、もしくはL2/L1が大きくなるにつれて破壊モードが界面破壊モードとなり易く、接続強度が低下することになる。本実験結果より、ケースレス構造の半導体装置に関し、エポキシ樹脂等からなる硬質の封止樹脂体を具備する半導体装置においては、L2/L1の範囲が0.4と0.9の間の範囲となるように、さらに好ましくは0.5と0.7の間の範囲となるように凹溝の幅が設定されるのがよいことが実証されている。また、同グラフからも明らかなように、L2/L1が0.6の場合に接続強度が最も高くなっており、このように凹溝の幅を設定するのが望ましいことも実証されている。なお、実際の凹溝の幅としては、2mm以上の値、たとえば3mm程度に設定することができる。以上、本発明の実施の形態を図面を用いて詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲における設計変更等があっても、それらは本発明に含まれるものである。