"エッチングマスクが形成されたエッチング対象のシリコン材を、プロセスガスを導入した雰囲気に設置し、前記プロセスガスのプラズマにより前記シリコン材をテーパ状にエッチングする方法において、前記プロセスガスとして、エッチング用の第1ガスと堆積用のフッ化炭素系の第2ガスと酸素ガスとを混合させたものを用いることとし、エッチング後の前記シリコン材の前記エッチングマスクに接する面積が、前記エッチングマスクの面積より狭いことを特徴とするシリコンエッチング方法。前記第2ガス及び/または前記酸素ガスの流量を調整することにより、エッチング後の前記シリコン材のテーパ角度を制御することを特徴とする請求項1記載のシリコンエッチング方法。前記第2ガスの流量に対する前記酸素ガスの流量の比を0.5以上とすることを特徴とする請求項1または2記載のシリコンエッチング方法。前記第2ガスの流量に対する前記酸素ガスの流量の比を2以上とすることを特徴とする請求項1または2記載のシリコンエッチング方法。エッチングマスクが形成されたエッチング対象のシリコン材を、プロセスガスを導入した反応器内に設置し、前記プロセスガスのプラズマにより前記シリコン材をテーパ状にエッチングする装置において、エッチング用の第1ガスを前記反応器内へ導入する第1ガス導入手段と、堆積用のフッ化炭素系の第2ガスを前記反応器内へ導入する第2ガス導入手段と、酸素ガスを前記反応器内へ導入する第3ガス導入手段とを備え、前記反応器内に導入された前記第1ガス、前記第2ガス及び前記酸素ガスの混合ガスを前記プロセスガスとして用いるようにしており、エッチング後の前記シリコン材の前記エッチングマスクに接する面積が、前記エッチングマスクの面積より狭いことを特徴とするシリコンエッチング装置。前記第2ガスの前記反応器内への導入量及び前記酸素ガスの前記反応器内への導入量を制御する制御手段を備え、該制御手段は前記第2ガスの導入量に対する前記酸素ガスの導入量の比を2以上とするようにしたことを特徴とする請求項5記載のシリコンエッチング装置。請求項5または6記載のシリコンエッチング装置を用いて、請求項1乃至4のいずれかに記載のシリコンエッチング方法によりエッチングされたエッチングシリコン体であって、テーパ角度が55°以上85°以下であり、テーパ表面の粗さが50nm未満であることを特徴とするエッチングシリコン体。プロセスガスとしてSF6ガスを用いて、表面にエッチングマスクを形成したシリコン材にプラズマエッチングを施した場合には、等方的なエッチングが強いので、テーパ面と平坦面との境界が丸みを帯びてしまい、また、テーパ表面の粗さも200nmを超えた。なお、テーパ表面の粗さとは、テーパ表面の凹凸度を表しており、具体的には最上面と最下面との距離peaktovalleyを示すものである。また、プロセスガスとしてエッチング用ガスと堆積用ガスとの混合ガスを用いて、表面にエッチングマスクを形成したシリコン材にプラズマエッチングを施した場合、例えばSF6=130sccm,C4F8=30sccmの流量条件にてテーパ角度が65°となる鋭角的なテーパ形状は形成できたが、テーパ角度を所望の角度に制御することが難しく、また、テーパ表面の粗さも200nmを超えた。このように従来の技術では、テーパ角度を所望の値に制御することが困難であり、テーパ表面の粗さを低減することができないという問題がある。更に、従来の技術では、図1に示すように、シリコン材21とマスク22との界面にオーバーハング形状が形成されるという問題もある。特許文献1では、堆積用ガスによってテーパ形状を作成しているため、エッチング速度の低下をもたらしたり、堆積処理が進行しすぎてエッチング停止をもたらすなど、再現性に欠けるという問題がある。また、堆積用ガスの重合体を破壊する目的で酸素ガスを加えているだけであり、所望のテーパ角度を形成するような制御は行えていない。本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、所望のテーパ角度を容易に達成すると共に、テーパ表面の平滑化を実現でき、またオーバーハング形状が生じないシリコンエッチング方法及び装置並びにそれによって作製したエッチングシリコン体を提供することを目的とする。本発明に係るシリコンエッチング方法は、エッチングマスクが形成されたエッチング対象のシリコン材を、プロセスガスを導入した雰囲気に設置し、前記プロセスガスのプラズマにより前記シリコン材をテーパ状にエッチングする方法において、前記プロセスガスとして、エッチング用の第1ガスと堆積用のフッ化炭素系の第2ガスと酸素ガスとを混合させたものを用いることとし、エッチング後の前記シリコン材の前記エッチングマスクに接する面積が、前記エッチングマスクの面積より狭いことを特徴とする。本発明に係るシリコンエッチング装置は、エッチングマスクが形成されたエッチング対象のシリコン材を、プロセスガスを導入した反応器内に設置し、前記プロセスガスのプラズマにより前記シリコン材をテーパ状にエッチングする装置において、エッチング用の第1ガスを前記反応器内へ導入する第1ガス導入手段と、堆積用のフッ化炭素系の第2ガスを前記反応器内へ導入する第2ガス導入手段と、酸素ガスを前記反応器内へ導入する第3ガス導入手段とを備え、前記反応器内に導入された前記第1ガス、前記第2ガス及び前記酸素ガスの混合ガスを前記プロセスガスとして用いるようにしており、エッチング後の前記シリコン材の前記エッチングマスクに接する面積が、前記エッチングマスクの面積より狭いことを特徴とする。本発明にあっては、シリコン材をプラズマエッチングする際のプロセスガスとして、エッチング用の第1ガスと堆積用のフッ化炭素系の第2ガス例えばC4F8と酸素ガスとの混合ガスを使用する。堆積用の第2ガスにて形成されるフッ化炭素系の重合体を酸素ガスのプラズマにて破壊して、シリコン材をテーパ状にエッチングする。よって、表面粗さが少ないテーパを容易に形成できる。そして、第2ガスの重合体が酸素プラズマにて破壊されて、エッチング後のシリコン材のエッチングマスクに接する面積は、エッチングマスクの面積より狭くなる。本発明に係るシリコンエッチング方法は、第2ガス及び/または酸素ガスの流量を調整することにより、エッチング後のシリコン材のテーパ角度を制御することを特徴とする。本発明にあっては、加える第2ガス及び/または酸素ガスの流量を調整して、テーパ角度を制御する。第1ガス及び酸素ガスの流量を一定とした場合、テーパ角度が85°に近いテーパ面が垂直に近いときには第2ガスの流量を多くし、テーパ角度が85°から離れるテーパ面が大きく傾斜するときには第2ガスの流量を少なくする。また、第1ガス及び第2ガスの流量を一定とした場合、テーパ角度が85°に近いときには酸素ガスの流量を少なくし、テーパ角度が85°から離れるときには酸素ガスの流量を多くする。よって、所望のテーパ角度を容易に実現でき、具体的には、これらのガスの流量調整によって、テーパ角度を55°~85°まで容易に制御できる。本発明に係るシリコンエッチング方法は、前記第2ガスの流量に対する前記酸素ガスの流量の比を0.5以上とすることを特徴とする。本発明にあっては、酸素ガスの流量を第2ガスの流量の0.5倍以上とする。このようにすることにより、テーパ表面の粗さを50nm未満に低減できる。本発明に係るシリコンエッチング方法は、前記第2ガスの流量に対する前記酸素ガスの流量の比を2以上とすることを特徴とする。本発明に係るシリコンエッチング装置は、前記第2ガスの前記反応器内への導入量及び前記酸素ガスの前記反応器内への導入量を制御する制御手段を備え、該制御手段は前記第2ガスの導入量に対する前記酸素ガスの導入量の比を2以上とするようにしたことを特徴とする。本発明にあっては、酸素ガスの流量を第2ガスの流量の2倍以上とする。このようにすることにより、シリコン材とエッチングマスクとの界面にオーバーハング形状が発生しない。本発明に係るエッチングシリコン体は、前記本発明に係るシリコンエッチング装置を用いて、前記本発明に係るシリコンエッチング方法によりエッチングされたエッチングシリコン体であって、テーパ角度が55°以上85°以下であり、テーパ表面の粗さが50nm未満であることを特徴とする。本発明にあっては、テーパ角度が55°以上85°以下であって、テーパ表面の粗さが50nm未満であるエッチングシリコン体を提供する。このようなエッチングシリコン体は、液体の微小な流路、微細な光ファイバの載置台などの部材として利用できる。本発明では、シリコン材をプラズマエッチングする際のプロセスガスとして、エッチング用の第1ガスと堆積用のフッ化炭素系の第2ガスと酸素ガスとの混合ガスを使用するようにしたので、表面粗さが小さいテーパ形状を容易に形成することができる。また、エッチング後のシリコン材のエッチングマスクに接する面積を、エッチングマスクの面積より狭くできて、所望のテーパ角度を有するテーパ形状を形成することができる。また、本発明では、加える酸素ガス及び/または堆積用の第2ガスの流量を調整して、テーパ角度を制御するようにしたので、所望のテーパ角度を容易に実現することができる。また、本発明では、第2ガスの流量に対する酸素ガスの流量の比を0.5倍以上とするようにしたので、テーパ表面の粗さを50nm未満に低減することができる。また、本発明では、第2ガスの流量に対する酸素ガスの流量の比を2倍以上とするようにしたので、シリコン材とエッチングマスクとの界面におけるオーバーハング形状の発生を防止できる。更に、本発明では、テーパ角度が55°以上85°以下であって、テーパ表面の粗さが50nm未満であるエッチングシリコン体を提供できるため、液体の微小な流路、微細な光ファイバの載置台などの部材として利用することができる。以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。図2は、本発明に係るシリコンエッチング方法を実施するためのプラズマエッチング装置の一例の構成図である。図2に示すプラズマエッチング装置は、プラズマ発生とプラズマ引き込みとを独立的に制御する誘導結合型プラズマ装置ICPInductivelyCoupledPlasma装置である。図2において、1は反応器であり、反応器1は、コイル3への通電によってプラズマを発生させる上方側のプラズマ発生室2aと、発生されたプラズマを引き込んで試料20に対してプラズマエッチングを行う下方側の反応室2bとを有する。プラズマ発生室2aは、セラミック製の中空円筒の形状を有しており、その周面には同心状にコイル3が囲繞されている。コイル3には、マッチング回路7を介して高周波電源8が接続されている。また、プラズマ発生室2aの上部壁中央には、反応器1内へプロセスガスを導入するガス導入管4が、貫通する態様で連結されている。そして、コイル3への交流電圧の印加によって、プラズマ発生室2a内にてプロセスガスのプラズマを発生させるようになっている。ガス導入管4は、3本のガス管14a,14b,14cに分枝されており、各ガス管14a,14b,14cはSF6ガス源,C4F8ガス源,O2ガス源何れも図示せずに接続されている。これにより、エッチング用の第1ガスとしてのSF6ガスと、堆積用のフッ化炭素系の第2ガスとしてのC4F8ガスと、O2ガスとの混合ガスがプロセスガスとして反応器1内へ導入されるようになっている。各ガス管14a,14b,14cの中途には各ガスの流量を制御するマスフローコントローラMFC15a,15b,15cが設けられている。これらのマスフローコントローラ15a,15b,15c夫々は、制御部16からの制御信号に基づいて、対応する各ガスの流量を制御する。反応室2bの側部壁には、図示しない排気装置を接続した排気口5が開口されている。反応室2bの底部には、エッチング対象の試料20を載置する基板電極11を有するプラテン6が配設されている。プラテン6には、マッチング回路9を介して高周波電源10が夫々接続されている。そして、基板電極11への交流電圧の印加によって、プラズマ発生室2a内で発生されたプラズマが反応室2b内に引き込まれ、その引き込まれたプラズマにより試料20がエッチングされるようになっている。次に、このような構成のプラズマエッチング装置を用いた本発明によるシリコンエッチングについて説明する。図3は、シリコンエッチングの工程を示す図である。まず、図3aに示すような試料20を準備する。シリコン材21上にマスク材となるフォトレジストを塗布し、露光処理によってエッチングマスク22をエッチング対象以外の領域にパターン形成する。シリコン材21にエッチングマスク22を形成した試料20をプラテン6に載置する。排気口5を介して排気装置図示せずにより反応器1内を減圧し、ガス導入管4からプロセスガスSF6,C4F8及びO2の混合ガスをプラズマ発生室2a内に導入する。この際、マスフローコントローラ15a,15b,15cにより、SF6ガス,C4F8ガス,O2ガスの流量を夫々制御する。混合ガスの圧力は、4.0Pa程度である。なお、本発明では、O2ガスの流量をC4F8ガスの流量の0.5倍以上、より好ましくは2倍以上とする。これは、O2ガスの流量をC4F8ガスの流量の0.5倍以上とすることにより、テーパ表面の粗さを50nm未満に低減でき、また、O2ガスの流量をC4F8ガスの流量の2倍以上とすることにより、更にシリコン材とエッチングマスクとの界面にオーバーハング形状が発生しないようにできるからである。そして、コイル3にマッチング回路7を介して高周波電源8から交流電圧印加電力:1700W程度を印加し、プラズマ発生室2a内にてプロセスガスのプラズマを発生させ、同時に基板電極11にマッチング回路9を介して高周波電源10から交流電圧印加電力:50W程度を印加して、発生させたそのプラズマを反応室2b内に引き込み、その引き込んだプラズマにより、エッチング対象以外の領域にエッチングマスク22を形成した試料20のシリコン材21をエッチングする。この際、シリコン材21における被エッチング領域の厚さは、例えば5μm~数百μmである。このようなエッチングにより、図3bに示すように、テーパ角度θを有するエッチングシリコン体30を作製できる。また、作製されるエッチングシリコン体30では、シリコン材21とエッチングマスク22との界面にオーバーハング形状が見られず、全体に平滑なテーパ面が得られている。本発明では、O2プラズマがC4F8重合体を破壊するように作用するため、エッチングシリコン体30の上面エッチングマスク22に接する側の面の面積はエッチングマスク22の面積よりも狭くなる。これに対して、特許文献1のエッチング手法では、エッチングシリコン体の上面エッチングマスクに接する側の面の面積はエッチングマスクの面積よりも広くなる。以下、SF6ガスの流量は一定として、具体的にC4F8ガス,O2ガスの流量を制御してシリコン材21のエッチングを行った本発明の実施例及び比較例について説明する。比較例1プロセスガスとして、SF6=70sccm、C4F8=200sccm、O2=0sccmの混合ガスを用いてエッチングを行った場合、テーパ角度θ=90°、テーパ表面の粗さが10nm未満であるエッチングシリコン体30が作製された。つまり、垂直な側壁を有するエッチングシリコン体30が作製された。実施例1プロセスガスとして、SF6=70sccm、C4F8=200sccm、O2=100sccmの混合ガスO2流量/C4F8流量=0.5を用いてエッチングを行った場合、テーパ角度θ=85°、テーパ表面の粗さが50nm未満であるエッチングシリコン体30が作製された。但し、シリコン材21とエッチングマスク22との界面にオーバーハング形状が見られた。実施例2プロセスガスとして、SF6=70sccm、C4F8=200sccm、O2=500sccmの混合ガスO2流量/C4F8流量=2.5を用いてエッチングを行った場合、テーパ角度θ=65°、テーパ表面の粗さが10nm未満であるエッチングシリコン体30が作製された。シリコン材21とエッチングマスク22との界面にオーバーハング形状が見られなかった。実施例3プロセスガスとして、SF6=70sccm、C4F8=250sccm、O2=500sccmの混合ガスO2流量/C4F8流量=2を用いてエッチングを行った場合、テーパ角度θ=75°、テーパ表面の粗さが20nm未満であるエッチングシリコン体30が作製された。シリコン材21とエッチングマスク22との界面にオーバーハング形状が見られなかった。実施例4プロセスガスとして、SF6=70sccm、C4F8=350sccm、O2=500sccmの混合ガスO2流量/C4F8流量=1.4を用いてエッチングを行った場合、テーパ角度θ=85°、テーパ表面の粗さが10nm未満であるエッチングシリコン体30が作製された。但し、シリコン材21とエッチングマスク22との界面にオーバーハング形状が見られた。なお、上記比較例及び実施例1~4において、O2の流量の大小によるエッチングレートの変動はほとんどなかった。比較例及び実施例1,2の結果から、O2ガスの流量を調整することにより、テーパ角度θを制御できることが分かる。具体的には、O2ガスの流量を0sccmから500sccmまで変化させることによって、テーパ角度を85°から65°まで変えることができる。よって、O2ガスの流量を調整して、所望のテーパ角度を実現することができる。実施例2~4の結果から、C4F8ガスの流量を調整することにより、テーパ角度θを制御できることが分かる。具体的には、O2ガスの流量を一定の500sccmとしてC4F8ガスの流量を200sccmから350sccmまで変化させることによって、テーパ角度を65°から85°まで変えることができる。よって、所定量のO2ガスを加えた状態でC4F8ガスの流量を調整することにより、所望のテーパ角度を実現することができる。また、実施例1~4の結果から、C4F8ガスの流量に対するO2ガスの流量の比を0.5以上とすることにより、テーパ表面の粗さを50nm未満に制御できることが分かる。また、上記流量の比を更に大きくした実施例2~4にあっては、テーパ表面の粗さを20nm未満に低減できている。よって、O2流量/C4F8流量の比を0.5以上としておけば、テーパ角度を自由に制御してもテーパ表面を常に平滑にすることができる。また、実施例1~4の結果から、C4F8ガスの流量に対するO2ガスの流量の比を2以上とすることにより、オーバーハング形状の発生を防止できることが分かる。更なる実験の結果、コイル3への印加電圧を1200Wとし、プロセスガスとして、SF6=20sccm、C4F8=40sccm、O2=90sccmの混合ガスO2流量/C4F8流量=2.3を用いてエッチングを行った場合、オーバーハング形状が見られないテーパ角度θ=65°、テーパ表面の粗さ20nm未満のエッチングシリコン体30が作製された。一方、O2流量/C4F8流量=0.5の場合、及び、O2流量/C4F8流量=1.5の場合には何れもオーバーハング形状が見られるエッチングシリコン体30が作製された。よって、O2流量/C4F8流量の比を2以上とすることにより、オーバーハング形状が見られない良好な直線性のテーパ面を形成することができる。以上のことから、本発明では、テーパ角度の制御を容易に行えて所望のテーパ角度をなすと共に、その表面の粗さが小さくて平滑であってオーバーハングが見られないようなテーパ形状を有するエッチングシリコン体を作製できる。具体的には、テーパ角度が65°以上85°以下であり、テーパ表面の粗さが50nm未満であるようなオーバーハング形状がないエッチングシリコン体を作製できる。また、O2ガスの流量を多くすることにより、テーパ表面の粗さを10nm未満に低減することも可能である。図4は、本発明に係るシリコンエッチング方法を実施するためのプラズマエッチング装置の他の例の構成図である。図4に示すプラズマエッチング装置は、プラズマ発生とエッチング処理とを一つの室内反応器1内で行うプラズマ装置である。図4において、図2と同様または同一の部分には同一の符号を付している。反応器1は、セラミック製の中空円筒の形状を有しており、その周面には同心状にコイル3が囲繞されている。コイル3には、マッチング回路7を介して高周波電源8が接続されている。また、反応器1の上部壁中央には、反応器1内へプロセスガスを導入するガス導入管4が、貫通する態様で連結されている。そして、コイル3への交流電圧の印加によって、反応器1内にてプロセスガスのプラズマが発生される。ガス導入管4は、3本のガス管14a,14b,14cに分枝されており、各ガス管14a,14b,14cはSF6ガス源,C4F8ガス源,O2ガス源何れも図示せずに接続されている。これにより、エッチング用の第1ガスとしてのSF6ガスと、堆積用のフッ化炭素系の第2ガスとしてのC4F8ガスと、O2ガスとの混合ガスがプロセスガスとして反応器1内へ導入されるようになっている。各ガス管14a,14b,14cの中途には各ガスの流量を制御するマスフローコントローラMFC15a,15b,15cが設けられている。これらのマスフローコントローラ15a,15b,15c夫々は、制御部16からの制御信号に基づいて、対応する各ガスの流量を制御する。反応器1の側部壁には、図示しない排気装置を接続した排気口5が開口されている。反応器1の底部には、エッチング対象の試料20を載置する基板電極11を有するプラテン6が配設されている。プラテン6には、マッチング回路9を介して高周波電源10が夫々接続されている。そして、基板電極11への交流電圧の印加によって、反応器1内で発生されたプラズマが下方に引き込まれ、その引き込まれたプラズマにより試料20がエッチングされるようになっている。このような構成のプラズマ装置を用いてシリコンエッチングを行った一例について説明する。排気口5を介して排気装置図示せずにより反応器1内を減圧し、ガス導入管4からプロセスガスSF6ガス:流量50sccm,C4F8ガス:流量40sccm及びO2ガス:流量85sccmの混合ガスを反応器1内に導入する。そして、コイル3にマッチング回路7を介して高周波電源8から交流電圧印加電力:900W程度を印加し、反応器1内にてプロセスガスのプラズマを発生させ、同時に基板電極11にマッチング回路9を介して高周波電源10から交流電圧印加電力:25W程度を印加して、発生させたそのプラズマを下方に引き込み、その引き込んだプラズマにより、エッチング対象以外の領域にエッチングマスク22を形成した試料20のシリコン材21をエッチングした。この結果、テーパ角度θ=55°、テーパ表面の粗さが20nm未満であってオーバーハング形状が見られないエッチングシリコン体30が作製された。上述した例では、断面視で台形状をなすようにエッチングをする場合について説明したが、V溝状にエッチングを行う場合にも本発明を同様に適用できる。また、O2ガスを加えることによって、テーパ形状にエッチング可能であるため、エッチングの処理工程を2段階とし、第1段階ではエッチング用のガス例えばSF6及び堆積用のガス例えばC4F8のみの混合ガスを使用し、第2段階ではエッチング用のガス例えばSF6,堆積用のガス例えばC4F8及びO2ガスの混合ガスを使用することにより、図5に示すように、下側部分30aがテーパをなさず、上側部分30bがテーパ面を持つようなエッチング形状を有するエッチングシリコン体30を作製できる。なお、上述した例では、エッチング用のガスとしてSF6、堆積用のガスとしてC4F8を用いる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。エッチング用のガスとしては、SF6以外にSF4などの一般式SFxで示されるガスを使用できる。また、堆積用のガスとしては、C4F8以外にC5F8などの一般式CxFyで示されるガス、CHF3,CH2F2などの一般式CxHyFzで示されるガスを使用できる。"