可撓性の支持基板と、該支持基板の一方の面の上に位置する第1接続配線層と、該支持基板の他方の面の上に位置する光電変換層と、マグネトロンスパッタリング法により形成され、該支持基板の前記一方の面に形成されている前記第1接続配線層の面の上に位置する磁性が弱められたニッケル合金である弱磁性金属の第2接続配線層とを備える太陽電池。前記ニッケル合金が、Ni1-xTixただし、0.09≦x<1である請求項1に記載の太陽電池。前記ニッケル合金が、Ni1-xCrxただし、0.08≦x<1である請求項1に記載の太陽電池。前記ニッケル合金が、Ni1-xMoxただし、0.08≦x<1である請求項1に記載の太陽電池。前記ニッケル合金が、Ni1-xMnxただし、0.05≦x<1である請求項1に記載の太陽電池。前記ニッケル合金が、Ni1-xAlxただし、0.13≦x<1である請求項1に記載の太陽電池。前記ニッケル合金が、Ni1-xZnxただし、0.17≦x<1である請求項1に記載の太陽電池。前記支持基板の前記一方の面の上に形成されている前記第1接続配線層と前記第2接続配線層は、複数の第1面分離線により区切られて単位接続配線部の列をなしており、前記支持基板の前記他方の面の上に形成されている前記光電変換層は、該光電変換層の受光面側に位置する透明導電層と、該光電変換層の該受光面とは逆の裏面側に位置する裏面電極層と、該透明導電層および該裏面電極層に挟まれた半導体層とを含んでおり、複数の第2面分離線により区切られて、該透明導電層、該半導体層、および該裏面電極層を含んでなる単位光電変換部の列をなしており、該単位接続配線部のそれぞれが、前記支持基板を介して重なる一の単位光電変換部の前記透明導電層に対し、前記支持基板を通過するようにいくつか形成された集電孔のいずれかを通じ接続されるとともに、前記支持基板を介して当該単位接続配線部と重なる別の単位光電変換部の前記裏面電極層に対し、前記支持基板を通過するようにいくつか形成された接続孔のいずれかを通じて接続されており、これにより、前記単位光電変換部のそれぞれが、前記支持基板に開口として形成され該支持基板を貫通する前記集電孔および前記接続孔を通じ直列接続されている請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の太陽電池。可撓性の支持基板の一方の面の上に第1接続配線層を形成する工程と、該支持の他方の面の上に光電変換層を形成する工程と、該支持基板の前記一方の面に形成されている前記第1接続配線層の面の上に、磁性が弱められたニッケル合金である弱磁性金属の第2接続配線層をマグネトロンスパッタリング法により形成するスパッタリング工程とを含む太陽電池の製造方法。前記光電変換層を形成する工程より前に、前記支持基板を貫通する開口としていくつかの接続孔を形成する接続孔形成工程と、前記スパッタリング工程より前に、前記支持基板を貫通する開口としていくつかの集電孔を形成する集電孔形成工程と、前記光電変換層を形成する工程より後に、前記支持基板の前記他方の面の上に形成されており、該光電変換層の受光面側に位置する透明導電層と、該光電変換層の該受光面とは逆の裏面側に位置する裏面電極層と、該透明導電層および該裏面電極層に挟まれた半導体層とを含んでいる前記光電変換層を複数の第2面分離線により区切ることにより、該透明導電層、該半導体層、および該裏面電極層を含んでなる単位光電変換部の列を形成する第2面パターニング工程と、前記スパッタリング工程より後に、前記支持基板の前記一方の面の上に形成されている前記第1接続配線層と前記第2接続配線層とを複数の第1面分離線により区切り単位接続配線部の列を形成する第1面パターニング工程とをさらに含み、該単位接続配線部のそれぞれが、前記支持基板を介して重なる一の単位光電変換部の前記透明導電層に対し前記集電孔のいずれかを通じ接続されるとともに、前記支持基板を介して当該単位接続配線部と重なる別の単位光電変換部の前記裏面電極層に対し前記接続孔のいずれかを通じて接続されており、これにより、前記単位光電変換部のそれぞれが、前記集電孔および前記接続孔を通じ直列接続されている請求項9に記載の太陽電池の製造方法。特許文献1に提案されている直列接続構造のための実用的な太陽電池の構造においては、基板の半導体層とは逆の面である背面側に互いに接する2層の電極層または配線層が形成される。図1は、可撓性基板を採用した上述の直列接続構造の太陽電池の平面図であり、図2はその断面図である。この構造の太陽電池において、第1接続配線層17と第2接続配線層20が可撓性の支持基板15の背面に形成されている。このうち、第1接続配線層17は、銀などの低抵抗金属材料が採用される。これに対し第2接続配線層20には従来は純粋なニッケルが採用されている。これは、分離線14を形成するレーザーパターニングのために光反射率を低減し、また、作製後の太陽電池の使用期間にわたり十分な耐環境性を実現するためである。そして、上述したように、直列接続構造の太陽電池を効率良く生産するために、可撓性基板の一つの利点である長尺の基板である製造用基板の採用が可能となる。通常その製造用基板は、ロール状にして生産装置に搭載され、必要に応じてそのロールから巻き出すことによって長尺の製造用基板を展開して必要な処理が施される。処理後の製造用基板は必要に応じて再びロール状となるように巻取られる。その製造用基板は、製造用基板の長尺方向の長さつまりロール長が例えば2000mを超えることがあるほどに長尺のものとされる。このような製造用基板を対象にして上記第2接続配線層20のために純粋なニッケルを成膜する際には、生産上の3つの課題が存在する。第1の課題は、ターゲットの交換頻度が高いことである。製造用基板のロールを用いて生産を行なう際に、第2接続配線層20として採用される純粋なニッケルを成膜する処理のマグネトロンスパッタリングを行なう。このマグネトロンスパッタリングにおいて使用されるターゲットのニッケルは、成膜されて生産が進むにつれて消費される。製造用基板のロールによる生産においては、ロールの途中部分が製膜などの処理対象となっている際には、ターゲットの交換は行ないにくい。生産中の製品に悪影響が生じかねず、生産効率の低下も避けられないためである。このため、より長いロール長のロールを用いる場合や、複数ロールの製造用基板に渡りターゲットを交換せずに使うことに対する制約が生じる。生産効率の向上のために長尺の製造用基板を採用しても、ターゲットの交換頻度の高さが生産効率の向上に対する制約となりかねない。第2の課題は、スパッタ屑が生成され膜質に影響が及ぶことである。純粋なニッケルのターゲットを用いて成膜処理を行なう場合には、ターゲットの表面には異常なスパッタリング挙動によって生じる微細なニッケルの塊スパッタ屑が付着することがある。そのようなスパッタ屑が生じると、成膜のためのプラズマには異常放電などが生じやすく、成膜品質の悪化を招くおそれがある。さらにもう一つ、第3の課題として、ターゲットを交換する際に、マグネトロンスパッタリングのためのマグネットにより、残存している純粋なニッケルが引きつけられてしまい、ターゲットの交換が容易でないという問題も生じる。本発明はかかる問題点の少なくともいずれかを解決することを課題とする。本発明は、ロールにより生産される集積型太陽電池の生産効率を高めることに貢献する。本願の発明者は、上述したターゲットの交換頻度の問題や、マグネットによる交換の困難性は、純粋なニッケルを第2接続配線層に利用する限り解決が難しいと考えた。ターゲットの交換頻度が高くなる理由は、ワークピース被処理対象物である製造用基板の側に位置するターゲット表面において、磁束密度を十分な強さとするために、ターゲットをある程度以上厚くすることができないためである。つまり、第2接続配線層に磁性材料である純粋なニッケルを用いることが原因となっている。また、スパッタ屑についての生成メカニズムの詳細は不明であるが、生成される位置が、マグネトロンスパッタリングの磁束分布と関連していることから、これにも磁気が関係しているようである。そして、上述したターゲット交換時の困難性も、ターゲットを保持するバッキングプレートに交換の時点で残留しているニッケルがマグネットに引きつけられることに起因している。つまり、これも、磁性材料である純粋なニッケルを採用する限りは解決が難しい。そこで、本願の発明者は、第2接続配線層のための金属材料の磁気的性質を調整することに着目し創出された。本願の発明者は、第2接続配線層のための金属材料を、磁性が弱められたニッケル合金である弱磁性金属とすることにより、上述したニッケルの特性を活かしつつ、第2接続配線層20として使用可能な金属材料を探索し生産が容易な太陽電池およびその製造方法を創出するに至った。すなわち、本発明のある態様においては、可撓性の支持基板と、該支持基板の一方の面の上に位置する第1接続配線層と、該支持基板の他方の面の上に位置する光電変換層と、マグネトロンスパッタリング法により形成され、該支持基板の前記一方の面に形成されている前記第1接続配線層の面の上に位置する磁性が弱められたニッケル合金である弱磁性金属の第2接続配線層とを備える太陽電池が提供される。本発明のある態様においては、太陽電池の生産方法も提供される。すなわち、本発明のある態様においては、可撓性の支持基板の一方の面の上に第1接続配線層を形成する工程と、該支持の他方の面の上に光電変換層を形成する工程と、該支持基板の前記一方の面に形成されている前記第1接続配線層の面の上に、磁性が弱められたニッケル合金である弱磁性金属の第2接続配線層をマグネトロンスパッタリング法により形成するスパッタリング工程とを含む太陽電池の製造方法も提供される。なお、本発明の各態様において、磁性が弱められたニッケル合金とは、純粋なニッケルの組成からみて、ニッケルのみの有する磁性を、例えば他の元素を添加することによって弱めたニッケル合金を指す。したがって、ニッケル合金には、純粋なニッケルのみの組成のものは含まない。また、本出願において、製造用基板とは、例えば作製後の太陽電池において光電変換層を支持する支持基板となる材料を、太陽電池の生産目的に適うように形成した長尺の製造用基板である。例えば、高分子フィルムなどのフィルムは、延伸したり、キャストしたり様々な手法によって、フィルムとして製膜されて、太陽電池の生産に適するサイズや長さにして上記製造用基板が準備される。このため、本発明の各態様における支持基板のための製造用基板は、フィルムとして製膜される際のフィルム原反であっても、また、そのフィルム原反を、太陽電池の生産に適するようにスリッターなどによって幅や長さを調整したものであっても構わない。したがって、製造用基板は、最終的な太陽電池の支持基板となり、太陽電池の生産に用いられる一続きの長尺の製造用基板の任意のものを含んでいる。通常の長尺のフィルム類と同様に、製造用基板は典型的には保管等のために適宜に巻取られてロール状とされる。ターゲットとは、スパッタリングガスのイオン衝撃にさらされ、膜または層の材料を供給するための成膜原料部材である。ターゲットは、例えば、熱伝導率の高い銅などの金属からなるプレートバッキングプレートに接合されたある厚みの板材として提供される。弱磁性金属とは、通常の意味における磁性を持たない金属つまり常磁性、反磁性などの十分に小さい磁性の金属を含む。それに加え、弱磁性金属は、マグネトロンスパッタリグの成膜処理において問題にならない程度に磁性が弱められている金属を含んでいる。実際上、弱磁性との用語により示されているのは、一つには、軟磁性材料や磁石材料といった、それを通過する磁界または磁束密度に影響を強く与える材質を除くすべての材料である。さらに、磁性が弱められた金属とは、強磁性を示す金属に、その強磁性を弱めるような元素を固溶させた合金を含んでいる。本発明のいずれかの態様においては、長尺の製造用基板を利用して生産される可撓性太陽電池の生産効率を高めることが可能となる。以下、本発明に係る熱電変換構造体の実施形態を説明する。以下の説明に際し特に言及がない限り、全図にわたり共通する部分または要素には共通する参照符号が付されている。また、図中、各実施形態の要素のそれぞれは、必ずしも互いの縮尺比を保って示されてはいない。<第1実施形態>[1概要]図1は、本発明の実施形態を含み、可撓性基板を採用する直列接続構造の薄膜太陽電池の構成を示す平面図である。特に、図1aは、薄膜太陽電池の全体図であり、図1bはその一部を拡大して示す部分拡大図である。また、図2は、は、図1bの拡大平面図においてA-A’部における断面図図2aとB-B’部における断面図図2bである。さらに図3は、同太陽電池の製造工程を示す典型的な処理フローである。[1-1薄膜太陽電池の構成]本実施形態においては、SCAFSeriesConnectionthroughAperturesformedonFilm構造の集積型の薄膜太陽電池100が作製される。薄膜太陽電池100には、例えば耐候性を確実にするために付加的な部材封止部材なども適宜付加される。これらの付加的な部材については、本実施形態を明確に説明するために記載および図示が省略されている。図1aに示すように、SCAF構造の薄膜太陽電池100においては、例えば電気絶縁性を有するような可撓性の支持基板15を貫通するいくつかの集電孔11といくつかの接続孔12が形成されている。その支持基板15の一方の面第1面152、図2における紙面の下方の面に配置される各接続配線層は、第1面分離線14以下分離線14と略記するにより単位接続配線部1401、1402、140Nの列となるように各単位へと区切られている。また、支持基板15の他方の面第2面154、図2における紙面の上方の面には、単位光電変換部1201、1202、120Nの列が設けられている。これらの単位変換部1201、1202、120Nは、光を電気に変換する光電変換層10が第2面分離線13第2面分離線により区切られたものである。ここで、光電変換層10は、光電変換層10の受光面側に位置する透明導電層19と、光電変換層10の受光面とは逆の裏面側に位置する裏面電極層16と、透明導電層19および裏面電極層16に挟まれた半導体層18とを含んでいる。こうして、透明導電層19、半導体層18、および裏面電極層16をそれぞれが含み、互いに電気的に分離されている単位変換部1201、1202、120Nが形成される。以下、単位光電変換部や単位接続配線部に用いる符号については、総称する際には添え字を略した符号により示し、これらの個別のものを指す場合には添え字を付すことにより明示する。支持基板15の第1面152と第2面154は、支持基板15の厚みをなす両面からそれぞれ選択される。ここでは、支持基板15の両面のうち、光電変換層10が配置または形成される面を第2面154としている。また、薄膜太陽電池100を説明する各図面において、断面を記載する上方に向く面が第2面154として描かれ、平面を記載する各図面においては紙面が第2面154となるように描かれている。図2に示すように、支持基板15に開口として形成される集電孔11および接続孔12は、その支持基板15を貫通しており、この集電孔11および接続孔12を通じ第2面154の単位光電変換部のそれぞれが直列接続されるように構成されている。すなわち、例えば、薄膜太陽電池100の中央部をみると、分離線14、14により区切られている単位接続配線部140iは、その単位接続配線部140iと支持基板15を介して重なる一方の単位光電変換部120iの透明導電層19に対し集電孔11のいずれかを通じ接続されている。さらに単位接続配線部140iは、その同じ単位接続配線部と支持基板15を介して重なるもう一方の単位光電変換部120i1の裏面電極層16に対しても接続孔12のいずれかを通じて接続されている。この接続構成が繰り返されることにより、第1面152の単位接続配線部1401、1402、140Nのそれぞれを配線として、第2面154における単位光電変換部1201、1202、120Nがその並びの順に直列接続されている。単位光電変換部120の光電変換層10は分離線13、13により区切られたものである。ここで、接続孔12が設けられる両端部以外は、裏面電極層16とnip接合構造を含む半導体層18と透明導電層19とを支持基板15の第2面154の上にこの順に備える光電変換層10が構成されている。一方、接続孔12が設けられる両端部には、透明導電層19が形成されていない図2aの接続孔12付近参照。このため、接続孔12が設けられる両端部においては、露出された半導体層18と、その支持基板側の裏面電極層16とが接続孔12にまで延びている。そして、支持基板15は、製造用基板150を最終的な形状に裁断することによって形成される。本実施形態における太陽電池100の製造工程において、最終的に裁断されるまで、支持基板15は製造用基板150の形でハンドリングされる。[1-2薄膜太陽電池の製造工程]次に、このような構造の薄膜太陽電池100を作製する工程を、図3を参照して説明する。まず、薄膜太陽電池100を作製する支持基板15としては、絶縁性の支持基板が採用される。具体的には、例えばポリイミドフィルムが用いられる。他に採用することができる支持基板15の材質の例としては、PET、PEN、PES、アクリル、アラミド等の絶縁性プラスチックフィルムを挙げることができる。したがって、製造用基板150は、これらいずれかを例とする材質の長尺の製造用基板である。製造用基板150にはまず、接続孔12のための開口が形成される。このために打ち抜き金型パンチにより製造用基板150の所定の位置に開口が設けられる接続孔形成工程S102。次いで、減圧下において加熱することにより、製造用基板150の材質例えばポリイミドフィルムから放出されるガスを除去する脱ガス処理S104が行われる。なお、この脱ガス処理S104は、接続孔形成工程S102の前後いずれかもしくは両方において実施してもかまわない。その後、製造用基板150の他方の面第2面154に裏面電極層16が形成され裏面電極層形成工程S106、次いで、製造用基板150の面の一方の面第1面152に第1接続配線層17が形成される第1接続配線層形成工程S108。裏面電極層16は、例えば銀Agを膜厚200nmとなるようにスパッタリング法により形成される。第1接続配線層17の材質は、裏面電極層16と同じくAgが採用される。これら裏面電極層16および第1接続配線層17の材料としては、これら以外にAg合金、アルミニウムAl、銅Cu、チタニウムTi等の金属を用いることができる。これら裏面電極層16および第1接続配線層17を形成する際の成膜法としては、スパッタリング法に限らず、真空蒸着法やスプレー成膜法、印刷法、塗布法、めっき法等の公知の手法を採用することもできる。裏面電極層形成工程S106と第1接続配線層形成工程S108とを終えると、製造用基板150の第2面154に形成した裏面電極層16と製造用基板150の第1面152に形成した第1接続配線層17とは接続孔12の内側壁付近において直接重なり、互いに電気的に接続される。第1接続配線層形成工程S108を終えると、接続孔12の場合とは別の打ち抜き金型を用いることにより製造用基板150に集電孔11が形成される集電孔形成工程S110。この際には、製造用基板150のみならず、その段階において製造用基板150に形成されている裏面電極層16および第1接続配線層17も貫通するようにして集電孔11が形成される。さらに、製造用基板150の第2面154の側には半導体層18が形成される半導体層形成工程S112。この半導体層18は、例えばアモルファスシリコンのn層、i層、およびp層を製造用基板150側から配置するnip構造のシリコンSi層である。その形成のためには、例えば高周波容量結合プラズマCVDChemicalVaporDeposition法が用いられる。ここで、本実施形態において半導体層18を形成する際の成膜手法は特段限定されない。上記の高周波容量結合プラズマCVD法を用いること、さらには、そのための成膜装置として平行平板型のシャワーヘッド電極を放電電極とする装置を利用することは、本実施形態にて利用され得る好ましい成膜手法の例である。半導体層18の他の構成としては、微結晶Siをi層に用いた光電変換層としてもよいし、また、アモルファスSiのnip構造と微結晶Siのnip構造とを積層するような多接合型タンデム型の光電変換層としてもよい。n層およびp層の構成材料の別例としては、アモルファスSiOなどの合金を用いるように本実施形態を変形することも可能である。さらに各種の技術的改良を施すために、界面層やトンネル接合層としてSiOやアモルファスSi、微結晶Si層を追加することも可能である。本実施形態における半導体層18の形成の際には、蒸着処理の処理効率を高めるための他の工夫も有用である。例えば、製造用基板150を連続搬送させながら連続成膜するロールツーロール方式は、本実施形態のための好ましい工程として採用することができる。これ以外にも、搬送モードと成膜モードとを繰りかえすように動作して、成膜モードにおいては製造用基板150を停止させた状態となるようにして蒸着処理を進める手法ステッピングロール法もまた本実施形態の好ましい工程として採用することができる。半導体層形成工程S112により半導体層18が形成された後、さらに、透明導電層19として製造用基板150の第2面154の側に透明導電性材料を堆積させる透明導電層形成工程S114。この際、光電変換層10の両側端部、すなわち、接続孔12が設けられる部分には、マスクを掛けることにより透明導電性材料を堆積させないようにする。結果としてこの部分には半導体層18が露出する図2b。上述の直列接続された単位光電変換部120を複数の列をなすように設ける場合図示しないにも、各列の間には、透明導電性材料を堆積させない。こうして、透明導電層19が接続孔12の領域に形成されないようにしておく。本実施形態の透明導電層19のための透明導電性材料には各種の透明導電性材料を用いることが可能であり、その材質は特に限定されない。この透明導電性材料は、典型的には、ITO、SnO2、TiO2、ZnO、IZOIn2O3-ZnO、登録商標などの金属酸化物の透明導電性材料のいずれかまたはその組み合わせ積層体または混合物が選択される。さらに、透明導電層形成工程S114の成膜方法としてはRFスパッタリング、DCスパッタリング、印刷法、塗布法なども採用することができる。なお、裏面電極層形成工程S106、半導体層形成工程S112、透明導電層形成工程S114により、光電変換層10が形成されるため、これらを総称して光電変換層10を形成する工程ということもある。これらの工程は、接続孔12を形成した製造用基板150を対象として実行されるため、接続孔形成工程S102より後に行なわれる。次いで、製造用基板150の第1面152側の面つまり第1接続配線層17の面の上に、第2接続配線層20が形成される第2接続配線層形成工程S116、または、スパッタリング工程。この第2接続配線層形成工程S116は、集電孔11の内側壁にも第2接続配線層20を形成するため、集電孔形成工程S110より後に行なわれる。この第2接続配線層20については後述する。第2接続配線層形成工程S116を終えると、製造用基板150の第2面154の側に形成した透明導電層19と製造用基板150の、支持基板15において第1面152側となる面に形成した第2接続配線層20とが集電孔11の内側壁付近において直接重なり、互いに電気的に接続される。なお、第2接続配線層20は製造用基板150の第1面152側となる面において第1接続配線層17にも接するように形成されるため、第1面152側におけるこれらの接続配線層は互いに接続され電気的には一体化された接続配線層をなしている。第2接続配線層形成工程S116の後、製造用基板150の第2面154側に分離線13によるパターニングが行われる第2面パターニング工程S118。このパターニングのために、半導体層18が裏面電極層16と同一の形状を有するようにされる。また、第2面パターニング工程S118は、分離線13により光電変換層10を分離するものであるため、裏面電極層形成工程S106、半導体層形成工程S112、透明導電層形成工程S114により後に行なわれる。透明導電層19は、接続孔12の付近には形成されていないが、分離線13の付近は裏面電極と同じ位置において区切られる。その結果、分離線13に囲われる形状のうち端部の接続孔12の付近を除いた部分において、裏面電極層16、半導体層18半導体層、および透明導電層19が、この順に積層されてなる単位光電変換部120が形成される。単位光電変換部120を形成する工程をより確実に行うため、本実施形態で示した第2面パターニング工程S118に加えて予備的なパターニング処理を行うことも好ましい。この予備的なパターニング処理は、例えば、裏面電極層形成工程S106よりも後であって、半導体層形成工程S112よりも前となるいずれかの段階において実施される。この予備的なパターニング処理の際にも、裏面電極層16を区切るようにパターニングされるのは分離線13の位置とされる。次に、製造用基板150の第1面152の側に対しても分離線14の位置にレーザー加工が施される第1面パターニング処理S120。この第1面パターニング処理S120においては、第2接続配線層20と第1接続配線層17とが同時に分離される。したがって、第1面パターニング処理S120は、第2接続配線層形成工程S116スパッタリング工程より後に行なわれる。これにより、製造用基板150の第1面152に単位接続配線部140が形成される。この第1面パターニング処理S120においては、電力取り出し電極図示しないの電気的な分離すなわち個別化も行われ、製造用基板150の周縁部に第2面154の側の分離線と重なるようにレーザー加工により分離線が描かれるいずれも図示しない。このようにして、形成された第1面152の分離線をみると、全ての薄膜太陽電池素子を一括して囲う周縁、および二列の直列接続太陽電池素子の隣接する境界周縁導電部の内側には分離線がある。分離線14を含めて分離線の中にはどの層も残らないようにされている。こうして、形成された単位光電変換部の直列接続の列において電気的な経路を図1aの紙面の左側から順に追ってみる。まず、図1aの左側の第1の単位光電変換部1201透明導電層19、半導体層18、裏面電極16から、縦に並んだ集電孔11を通じて第1の単位接続配線部1401に接続される。そして、第1の単位接続配線部1401から接続孔12を通じて第2の単位光電変換部1202に接続される。以下、この繰り返しによって、第Nの単位光電変換部120Nまで接続されて第Nの単位接続配線部140Nまでつながっている。直列接続された単位光電変換層120全体からの出力を取り出すためには、例えば、第Nの単位接続配線部140Nが電力を取り出すための電極としても利用される。また、第1の単位光電変換部1201の裏面電極16またはその裏面電極16に接続された配線部も電力を取り出すための電極として利用される。最後に、各層が形成された製造用基板150を裁断することにより、太陽電池100が作製されるS122。その後、薄膜太陽電池モジュールの実用性を一層高めるために、封止材やバックシートなどが外装としてラミネートされる。この封止材やバックシートとしては、例えばEVA、PE、PET、ETFE、などの各種の樹脂材料が採用される。ここではこれらの材質は図示していない。[2第2接続配線形成工程]第2接続配線層形成工程S116スパッタリング工程についてさらに詳述する。[2-1製造装置構成]図4は、第2接続配線層形成工程S116スパッタリング工程において第2接続配線層20を形成するために用いられる成膜装置200の主要部分を示す構成図である。図4aは、製造用基板150との位置関係を示す斜視図であり、図4bは上面からみた平面図である。ここまでの工程において、第2面154には、光電変換層10が形成され、第1面152には、第1接続配線層17が形成されている。第2接続配線層形成工程S116においてはその第1接続配線層17の面の上に、第2接続配線層20を形成する。製造用基板150は、典型的には、その両面を垂直に延ばし、水平面に平行に移動させながら処理される。製造用基板150は、成膜の処理中には静止しており、所定の領域の処理が完了すると送られる。図4には、矢印によりこの送り動作を例示している。なお、成膜処理が完了すると、製造用基板150はロール150Rに巻取られる。そして、最終的には製造用基板150を支持基板15へと裁断し太陽電池100を作製する。第2接続配線層形成工程S116において製造用基板150の第1面152がターゲット部材210Aおよび210B以下総称してターゲット部材210と呼ぶに、また第2面154が電極240に向いている。ターゲット部材210は、概して鉛直方向に延びる矩形形状の部材であり、銅などのバッキングプレート214に接合されたターゲット材料層212を有している。本出願全般に、ターゲットの厚みと呼ぶのは、ターゲット材料層212の厚みT図4bである。ターゲット部材210Aおよび210Bは、バッキングプレート214とともに、ボルトなどの適当な締結手段によって装置に対して固定される。製造用基板150からみてバッキングプレート214の背後には、マグネット220を配置しておく。このマグネット220はターゲット部材210の製造用基板150側の表面に、磁束222を漏出させている。そして製造用基板150のターゲット部材210電極のターゲット部材210からみて背面には、ターゲット部材210とのに高周波電力を印加するための電極240が形成され、図示しない電源装置との間に接続されている。図4に示した全体は、真空槽の内部に配置される。また、必要に応じて、製造用基板150の図示しない領域に対して別の層の形成処理を行なうために、図示しない成膜装置が配置されていることもある。図示しないアルゴンガスの供給系からは制御された流量のアルゴンガスが供給されている。第2接続配線層形成工程S116は次のようにして行なわれる。まず、製造用基板150を所定量送ることにより、成膜対象の領域をターゲット部材210と電極240に概して挟まれる位置に配置する。次に、所定量の電力を電極240に投入する。その電力により、プラズマPを励起し、マグネトロンスパッタリングの処理を行う。その際、第2接続配線層20の膜質の均一性を高めるべくマグネット220を揺動させている。スパッタリングガスのイオン衝撃によってターゲット材料層212表面から脱離した金属材料原子は、製造用基板150の第1面152に堆積してゆく。[2-2ターゲットの厚み]ここで、従来の太陽電池において採用可能なターゲットの厚みT図4bは、3mmが限界であった。その理由は、スパッタリングのためのプラズマを良好に維持するのに必要な磁束密度の磁束222を漏出させることが3mmを超える厚みでは難しいためである。なお、純粋なニッケルのターゲットにおける厚みTの減少量の一例を挙げると、2000mのロール長を持つ製造用基板をロール1本分処理すると約0.7mm厚みが減少する。したがって、3mm厚のターゲット材料層212のターゲット部材210を採用する場合に、製造用基板150のロール途中での交換を行なわないとすると、製造用基板150を4ロールだけ処理する毎にターゲット部材210の交換が必要であった。これに対し、本実施形態において採用するターゲット材料層212は、例えばNi-Ti合金などの弱磁性材料である。実際に確かめたところ、Ni0.9Ti0.1のターゲット材料層212を採用する場合に厚みTを8mmとしても成膜には特段の問題は生じず、この条件において生産された第2接続配線層にも特段問題は生じない。また、この場合も、製造用基板150を1ロール分処理する毎に0.7mmの厚みの減少がみられる。したがって、8mm厚のターゲット材料層212を有するターゲット部材210を採用する場合、製造用基板150を11ロール分だけ処理完了するまでターゲット部材210の交換が不要である。このように、本実施形態においては、生産装置をメンテナンスの頻度が低下し、ダウンタイムを削減することが可能となる。上述したスパッタリングのための磁束密度をターゲット材料層212表面にて測定した値によって、上記ターゲット材料層212の材質や厚みを決定する目安が得られる。具体的には、その磁束密度が、200G20mT以上、好ましくは250G25mTとなれば、良好なスパッタリングを行なうことが可能となる。[2-3ターゲット材質の変更]本実施形態のターゲット材料層212の材質ターゲット材質は、弱磁性材料を採用することができる。従来採用していた純粋なニッケルからの材質の変更を行なう観点では、ニッケル合金として他の金属を増加してゆき、磁性が実質的に消失した組成を採用することか好ましい。表1は、本実施形態に採用することが可能な弱磁性材料の例を示している。各組成に対して、良好にスパッタリングが進行するターゲット材料層212の厚みを明示している。比較のため、従来の純粋なニッケルのみの組成についても記載している。なお、ここに示したターゲット厚みはターゲット材料層212の厚みTであり、実際に成膜が可能であることを確認したターゲット材料層212の厚みTであり、各組成において採用可能なターゲット材料層212の最大厚ではない。上述したように、Ni0.9Ti0.1のターゲット材料層212を採用する場合の厚みTは確認した範囲で8mmでも問題は無く、従来のNiの場合の最大厚は、工程上の課題に目をつむるなら3mmである。磁性の有無の欄は、本実施形態の趣旨から磁性が実質的にあるかないかを示している。[3実施例および比較例]本実施形態の実施例として、第2接続配線のために、ターゲット材料層212としてNi0.9Ti0.1を備えるターゲット部材210を利用して、図1および図2に示した構造のフレキシブル薄膜太陽電池を作製し実施例サンプルとした。比較のために、従来の純粋なニッケルを第2接続配線として採用した同一の構造のフレキシブル薄膜太陽電池も作製し比較例のサンプルとした。ターゲット材料層212の厚みは、実施例のNi0.9Ti0.1を5mm、比較例のニッケルを3mmとした。実施例、比較例は、それぞれ4サンプル作製し、太陽電池効率を測定した。なお、光電変換層10は、μC微結晶SiGeおよびμC微結晶Siのタンデム構造の半導体層18を有する光電変換層とした。[3-1スパッタリングの処理の観察]まず、スパッタ後のターゲット材料層212等の表面の状態を観察し、純粋なニッケルのマグネトロンスパッタリングに伴う別の問題であるスパッタ屑の発生状況について調査した。観察したターゲットは、上記比較例のサンプルを作製した際のニッケルのターゲットの表面と、上記実施例のサンプルを作製した際のNi0.9Ti0.1のターゲット材料層212の表面である。その結果、比較例の純粋なニッケルのターゲットの表面においては、スパッタリングされる材質の視認しうる程度のサイズの微細な塊スパッタ屑が発見された。これに対し、実施例のNi0.9Ti0.1のターゲット材料層212の表面には特にそのようなものは発見されなかった。なお、比較例の純粋なニッケルをスパッタリングする処理中に観察されたプラズマ中の異常放電は、実施例のためのターゲット材料層212の表面にはみられなかった。[3-2実施例および比較例の太陽電池の特性]次に、作製された実施例と比較例それぞれ4サンプルの太陽電池効率を測定した。測定結果を図5に示す。図5に示した実際の結果では、第2接続配線層の材質を純粋なニッケル比較例からNi0.9Ti0.1実施例へと変更することによって、太陽電池効率が約0.3程度上昇している。この結果は、第2接続配線層20の材質の上記変更が太陽電池効率の悪化につながっていないことを示していると本願の発明者は考えている。なお、第2接続配線層の純粋なニッケルの電気抵抗率は25~30μΩcmであったのに対し、Ni0.9Ti0.1では60μΩcmであった。この程度の第2接続配線層20の電気抵抗の増加は、結果として太陽電池の特性に影響しなかった。<第1実施形態:変形例>[4変形例][4-1製造条件と金属組成との関係]上述した実施例および比較例の対比から、第2接続配線層の材質の変更はより一般的な条件に合致する限り許容されると発明者は考えている。つまり、上記実施例により、第2接続配線層のための金属材料を、純粋なニッケルからニッケル合金の特定のものへと変更することによって、太陽電池特性には大きな影響がないことが確認された。このため、第2接続配線層のための金属材料を生産効率の観点から選択することに対し、太陽電池特性は障害にはなりにくく、ゆえに、本実施形態の太陽電池100の具体的構造が上記の実施例のみに限定されるものではない、と考えている。こうして、本願の発明者は、確認のために採用した実施例の特定のもの以外にも本発明の思想を実現する具体的構成を取りうると考えるに至った。そして、その具体的構成を決定するためには、太陽電池の生産にまつわる下記の二つの要因を考慮して決定される。一つは、スパッタリングを良好に行なうための要因であり、もう一つは、製造用基板150の長さおよび交換頻度を考慮した要因である。[4-1-1第1の要因]一つめの要因であるスパッタリングを良好に行なうためには、上述したように、ターゲット表面の磁束密度が200G20mT以上、好ましくは250G25mT以上であることが好ましい。これは、発明者が使用するスパッタリング装置においては、純粋なニッケルでは、3mm以上の厚みのターゲットは採用しがたいことを意味している。なお、スパッタリングの条件のみを考慮する限り、仮にマグネットを強力なものに変更することが可能であるなら、その強力なマグネットに応じて厚くしたターゲットを採用する、という方策も不可能ではない。しかし、その場合にはターゲットを交換する際の磁力による引力が強くなり、交換の作業負担を増加させる。このため、上述したようにスパッタリングにより形成する金属の材質を弱磁性金属に変化させることが最も直接的な解決策である。ここで、本実施形態において、弱磁性金属とは、実質的に磁性が問題にならない程度に、ターゲットの磁性が低減されているという趣旨に合致しているかどうかによって決定される。例えば、実施例として説明したNi0.9Ti0.1は、Ni単体金属に比して十分に小さい飽和磁気モーメントを示すものの、学術的な厳密さから非磁性金属とはされない場合もある。例えば非特許文献1磁性体ハンドブック新装版には、NiにTiを添加していった際に、飽和磁気モーメントがTiの添加量に比例して低下すること非特許文献1、第311頁、15atでその傾向が続くこと非特許文献1、第312頁、表7.16、第3列が開示され、さらに、その低下の際の傾きの値dμ/dcも開示されている同表、第2列。つまり同文献の記載からは、NiにTiを添加し飽和磁気モーメントをほぼゼロとするためには、実施例に示したものよりもニッケルの含有率を高め、Ni0.85Ti0.15とする必要があると結論づけられる。しかし、実施例にて上述したように、Ni0.9Ti0.1を採用することにより実質上は良好な結果が得られている。本願の発明者が別途検討したところ、Tiの添加量が9atの場合、つまり、Ni0.91Ti0.09の組成においても良好な結果となることを確認している。したがって、本実施形態の好ましい具体的構成は、第2接続配線層のための弱磁性金属がニッケル合金であり、そのニッケル合金が、Ni1-xTixただし、0.09≦x<1となるものである。また、さらに好ましくは、そのニッケル合金を、Ni1-xTixただし、0.15≦x<1とする。飽和磁気モーメントがゼロとはいえないにもかかわらずこの良好な結果が得られた理由は、実施例のターゲット表面において磁束密度が200G20mT以上、好ましくは250G25mTという条件が満たされるためであると考えている。そして、その数値を具体的にみると、Ni0.9Ti0.1における飽和磁気モーメントは、1原子あたりの飽和磁気モーメントにして、純粋なニッケルの値である0.6μBμBはボーア磁子の磁気モーメントの15-10/15である0.2μBとなる。また、Ni0.91Ti0.09においては、純粋なニッケルの値の15-9/15である0.24μBとなる。したがって、飽和磁気モーメントを指標とした場合には、1原子あたりの飽和磁気モーメントが0.24μB程度以下となるように組成を決定することが本実施形態のための一つの目安となる。なお、これらの、Tiなどの添加量や、その目安を与える原子あたりの飽和磁気モーメント、そして、ターゲット表面における磁束密度の各数値は、目的に応じて調整されることがある値である。例えば、より厚いターゲットを用いるために、よりターゲットの材質の磁性を弱めるべく第2接続配線層の組成を調製することが好ましい場合もある。[4-1-2第2の要因]また、もう一つの要因である製造用基板の長さおよび交換頻度の条件について、端的には、製造用基板150のロール長に応じて、および、交換頻度に応じて、ターゲットの条件、特に厚みと磁性が決定されることに注意が必要である。この点を明確に説明する説明例のために、上述したスパッタ屑の問題やターゲットの交換作業負担の問題を考慮から外し説明する。仮定の製造条件として、2000mのロール長の製造用基板150を少なくとも4ロール分をターゲットの交換なしに処理し、ターゲットの厚みの減少が、製造用基板150の1ロールあたり0.7mmとなる製造条件を考える。比較例として説明した純粋なニッケルの3mm厚ターゲットを採用すれば、この製造条件に合致させることが可能である。ところが、この製造条件をから、ロール長がより長いものに変更した場合や、製造用基板150を1ロール増加させ少なくとも5ロール分をターゲットの交換なしに処理するように変更した製造条件では、3mm厚ターゲットをより厚くしたいという要求が高まる。その場合には計算上、実施例として説明したNi0.9Ti0.1のターゲットを採用し3.5mm厚のターゲットを採用することにより対処が可能となる。なお、通常の生産工程においてはさらにばらつきを許容するための余裕が考慮される。その製造条件を、さらに、製造用基板150を11ロール分、ターゲットの交換なしに処理する、という生産効率を高めるものとする場合には計算上、ターゲットの厚みを7.7mm厚とすればよい。本願の発明者が確認したのは8mm厚までのNi0.9Ti0.1により対応可能である。なお、これ以上の厚みについても、スパッタリングを良好に行ないうるように組成を調製し、例えば、飽和磁気モーメントが消失するNi0.85Ti0.15の組成を採用することにより対処することが可能である。ここに説明した、ターゲットを交換しないで処理する製造用基板150のロール本数を増大させる場合への対処方法は、製造用基板150のロール長が増大した場合にも適用される。なお、ここでは、第2接続配線層が形成される膜厚については調整しないものとしている。ただし、その膜厚の条件を例えばより薄くすることにより、同一の組成の、同一のターゲット厚に対し処理量を増大させることが可能である。本実施形態はそのような説明したもの以外の条件変更が許容されている。このように、本実施形態の具体的構成においては、実際の条件に合わせて金属膜の組成とターゲット厚が調整される。金属膜の組成とターゲット厚の決定のために考慮される要因は、良好なスパッタリングを行ないうるかどうか、そして、単一のターゲットにおいて処理される製造用基板150の処理ロール数および各ロールの長さである。このため、本実施形態は、より一般の弱磁性金属の第2接続配線層に対して、例えば、長尺の製造用基板から裁断された可撓性の支持基板と、該製造用基板から該支持基板が裁断される前に形成され、該支持基板の一方の面の上に位置する第1接続配線層と、該製造用基板から該支持基板が裁断される前に形成され、該支持基板の他方の面の上に位置する光電変換層と、該製造用基板から該支持基板が裁断される前にマグネトロンスパッタリング法により形成され、該支持基板の前記一方の面に形成されている前記第1接続配線層の面の上に位置する磁性が弱められた弱磁性金属の第2接続配線層とを備える太陽電池としても実施される。また、本実施形態は、可撓性の支持基板となる長尺の製造用基板の一方の面の上に第1接続配線層を形成する工程と、該製造用基板の他方の面の上に光電変換層を形成する工程と、該製造用基板の前記一方の面に形成されている前記第1接続配線層の面の上に、磁性が弱められた弱磁性金属の第2接続配線層をマグネトロンスパッタリング法により形成するスパッタリング工程と、前記一方の面に前記第1接続配線層および前記第2接続配線層が形成され、前記他方の面に前記光電変換層が形成されている前記製造用基板を前記支持基板へと裁断する工程とを含む太陽電池の製造方法としても実施される。[4-2他の金属組成]上記具体的構成のための二つの要因は、他の具体的構成を導くためにも有用である。その場合にも、第2接続配線のためのターゲットの材質の磁性を弱めることが有用であり、また、完全に非磁性体とすることも必要ではない。磁性を弱めるための指標には、より具体的には、1原子あたりの飽和磁気モーメントが0.24μB程度以下となるかどうかに着目することが可能である。第2接続配線層のためのニッケル合金をNi1-xCrxただし、0.06≦x<1とすると好ましい。非特許文献1の表7.16には、傾きdμ/dcが-4.4と-6.0の2種類記載されている。このため、傾きdμ/dcが-6.0を取るような場合非特許文献1、図7.56において、ニッケル合金の組成をNi1-xCrxただし、0.06≦x<1とすることにより1原子あたりの飽和磁気モーメントを0.24μB程度以下とすることが可能である。また、上記傾きdμ/dcが-4.4と-6.0のいずれの値を取る場合であっても、Ni1-xCrxただし、0.08≦x<1とすることにより、1原子あたりの飽和磁気モーメントを0.24μB程度以下とすることが可能となる。つまり、このため、第2接続配線層をNi1-xCrxただし、0.08≦x<1とすることはさらに好ましい。なお、さらに好ましくは、第2接続配線層をNi1-xCrxただし、0.10≦x<1とする。これにより、傾きdμ/dcが-4.4と-6.0の2種類のいずれの場合に十分に磁性を弱めることが可能となる。第2接続配線層のためのニッケル合金をNi1-xMoxただし、0.08≦x<1とする構成も、本実施形態の好ましい具体的構成である。上記表に記載された傾きの値dμ/dcは、-4.5である。この場合に第2接続配線層をNi1-xMoxただし、0.08≦x<1とすると、1原子あたりの飽和磁気モーメントを0.24μB程度以下とすることが可能となる。第2接続配線層のためのニッケル合金をNi1-xMnxただし、0.05≦x<1とする構成も、本実施形態の好ましい具体的構成である。上記表に記載された傾きの値dμ/dcは、2.4または2.8である。この場合に第2接続配線層をNi1-xMnxただし、0.05≦x<1とすると、1原子あたりの飽和磁気モーメントを0.24μB程度以下とすることが可能となる。第2接続配線層のためのニッケル合金をNi1-xAlxただし、0.13≦x<1とする構成も、本実施形態の好ましい具体的構成である。上記表に記載された傾きの値dμ/dcは、3.07原文ママと-2.80と記載されている。なお、本願の発明者は、3.07を-3.07の誤記であると考えている。実際のターゲットの材質としていずれの傾きとなるかは不明であるが、非特許文献1の図7.57に従えば、第2接続配線層をNi1-xAlxただし、0.13≦x<1とすることにより、1原子あたりの飽和磁気モーメントを0.24μB程度以下とすることが可能となる。第2接続配線層のためのニッケル合金をNi1-xZnxただし、0.17≦x<1とする構成も、本実施形態の好ましい具体的構成である。上記表に記載された傾きの値dμ/dcは、-2.08または-2.11である。これらの場合にNi1-xZnxただし、0.17≦x<1とすると、1原子あたりの飽和磁気モーメントを0.24~0.25μB程度以下とすることが可能となる。非特許文献1、表7.16には0.17atを超える部分がどのようになるか開示されていないが、Ni1-xZnxただし、0.17≦x<1を作製することには特に問題はない。以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。上述の各実施形態、実施例、および変形例はいずれも発明を説明するために記載されたものであり、本出願の発明の範囲は、特許請求の範囲の記載に基づき定められるべきものである。また、各実施形態の他の組合せを含む本発明の範囲内に存在する変形例もまた、特許請求の範囲に含まれるものである。