セラミック板の一方の片面にCuまたはCu合金からなるCu板が、セラミック板の他方の片面にAlまたはAl合金からなるAl板が、放電プラズマ焼結法によりそれぞれ接合されていることを特徴とする積層材。セラミック板の一方の片面にCu板が、セラミック板とCu板との間の接合界面にろう材を介さないで、直接的に接合されている請求項1記載の積層材。セラミック板の他方の片面にAl板が、セラミック板とAl板との間の接合界面にろう材を介さないで、直接的に接合されている請求項1又は2記載の積層材。セラミック板が、AlN、Al2O3、Si3N4、SiC、Y2O3、CaO、BNおよびBeOよりなる群から選ばれた1種の材料からなる請求項1~3のうちのいずれかに記載の積層材。セラミック板と、CuまたはCu合金からなるCu板とを、セラミック板の一方の片面上にCu板が配置されるように積層する第1積層工程と、セラミック板とCu板との第1積層体を1対の放電プラズマ焼結用電極間に配置する第1積層体配置工程と、両電極間の導通を確保した状態で、両電極間にパルス電流を通電することにより、第1積層体のセラミック板とCu板とを接合する第1接合工程と、第1接合工程により得られたセラミック板とCu板との接合体と、AlまたはAl合金からなるAl板とを、接合体のセラミック板の他方の片面上にAl板が配置されるように積層する第2積層工程と、接合体とAl板との第2積層体を1対の放電プラズマ焼結用電極間に配置する第2積層体配置工程と、両電極間の導通を確保した状態で、両電極間にパルス電流を通電することにより、第2積層体のセラミック板とAl板とを接合する第2接合工程と、を含むことを特徴とする積層材の製造方法。第1接合工程では、接合を、Cu板の融点よりも低い温度で行うとともに、第2接合工程では、接合を、Al板の融点よりも低い温度で行う請求項5記載の積層材の製造方法。第1接合工程では、接合を、第1積層体をその積層方向の両側から10~100MPaで加圧しながら行うとともに、第2接合工程では、接合を、第2積層体をその積層方向の両側から10~100MPaで加圧しながら行う請求項5または6記載の積層材の製造方法。第1接合工程では、接合を、不活性ガス雰囲気中または真空雰囲気中で行うとともに、第2接合工程では、接合を、不活性ガス雰囲気中または真空雰囲気中で行う請求項5~7のうちのいずれかに記載の積層材の製造方法。しかしながら、上記方法では、金属板とセラミック板との間の接合界面にろう材層が形成されるため接合界面の接合信頼性を損なう恐れがある。例えば、Al板とセラミック板との接合を行うためには、接合界面にAl-Si合金のろう材層が形成されるが、Al-Si合金はAl板のAlよりも硬いため、高温-低温の冷熱サイクルに伴う接合界面に働く応力が非常に大きなものとなる。その結果、界面付近で材料破壊が発生してAl板とセラミック板とが剥離する。また、Al板表面にNiめっき層を形成するためには、たとえばAl板表面の粗さが小さいことなどの制約があり、この制約のためにAl板表面に対して機械的化学的前処理を施さなければならず、その結果、Al板表面にNi層を形成するコストが高くなる問題があった。さらに、Al板表面に部分的にまたはある面だけを選択的にNi層を形成したいときは、Niめっきではマスキング工程が必須となり、製造コストが高くなる問題もあった。本発明は、上述した技術背景に鑑みてなされたもので、その目的は、金属板とセラミック板との間の界面剥離を防止することができるし、製造コストの低減を図ることができ、更に、放熱特性を向上させることができる積層材およびその製造方法を提供することにある。本発明は以下の手段を提供する。[1]セラミック板の一方の片面にCuまたはCu合金からなるCu板が、セラミック板の他方の片面にAlまたはAl合金からなるAl板が、放電プラズマ焼結法によりそれぞれ接合されていることを特徴とする積層材。[2]セラミック板の一方の片面にCu板が、セラミック板とCu板との間の接合界面にろう材を介さないで、直接的に接合されている前項1記載の積層材。[3]セラミック板の他方の片面にAl板が、セラミック板とAl板との間の接合界面にろう材を介さないで、直接的に接合されている前項1又は2記載の積層材。[4]セラミック板が、AlN、Al2O3、Si3N4、SiC、Y2O3、CaO、BNおよびBeOよりなる群から選ばれた1種の材料からなる前項1~3のうちのいずれかに記載の積層材。[5]セラミック板と、CuまたはCu合金からなるCu板とを、セラミック板の一方の片面上にCu板が配置されるように積層する第1積層工程と、セラミック板とCu板との第1積層体を1対の放電プラズマ焼結用電極間に配置する第1積層体配置工程と、両電極間の導通を確保した状態で、両電極間にパルス電流を通電することにより、第1積層体のセラミック板とCu板とを接合する第1接合工程と、第1接合工程により得られたセラミック板とCu板との接合体と、AlまたはAl合金からなるAl板とを、接合体のセラミック板の他方の片面上にAl板が配置されるように積層する第2積層工程と、接合体とAl板との第2積層体を1対の放電プラズマ焼結用電極間に配置する第2積層体配置工程と、両電極間の導通を確保した状態で、両電極間にパルス電流を通電することにより、第2積層体のセラミック板とAl板とを接合する第2接合工程と、を含むことを特徴とする積層材の製造方法。[6]第1接合工程では、接合を、Cu板の融点よりも低い温度で行うとともに、第2接合工程では、接合を、Al板の融点よりも低い温度で行う前項5記載の積層材の製造方法。[7]第1接合工程では、接合を、第1積層体をその積層方向の両側から10~100MPaで加圧しながら行うとともに、第2接合工程では、接合を、第2積層体をその積層方向の両側から10~100MPaで加圧しながら行う前項5または6記載の積層材の製造方法。[8]第1接合工程では、接合を、不活性ガス雰囲気中または真空雰囲気中で行うとともに、第2接合工程では、接合を、不活性ガス雰囲気中または真空雰囲気中で行う前項5~7のうちのいずれかに記載の積層材の製造方法。[1]~[3]の積層材によれば、放電プラズマ焼結法によりセラミック板の所定の面にそれぞれCu板およびAl板が接合されているので、セラミック板と金属板即ちCu板、Al板との間の接合界面に、AgやTi等の活性金属を含むろう材を配置する必要なく、即ち直接接合が可能となる。そのため、冷熱サイクルに伴うセラミック板と金属板との間の界面剥離が抑制され、もって接合信頼性が向上する。さらに、ろう材を使用しないので、積層材の製造コストの低減を図ることができる。さらに、[1]~[3]の積層材によれば、セラミック板の一方の片面にCu板が接合されることで、放熱特性が向上するとともに、Cu板に直接的にはんだ付けができるので、Al板では必須となっていたはんだ接合性を向上させるためのNiめっき工程を必要としない。これにより、製造コストの更なる低減を図ることができる。しかも、セラミック板の他方の片面にAl板が接合されているので、例えば、AlやAl合金製ヒートシンクなどの放熱部材をろう付けなどの金属的な接合によりAl板に貼り付けることができ、その結果、軽量で且つ放熱特性が向上したパワーデバイス冷却部材パワーモジュール用ベースを得ることができる。[4]の積層材によれば、セラミック板がAlN、Al2O3、Si3N4、SiC、Y2O3、CaO、BNおよびBeOよりなる群から選ばれた1種の材料からなるので、Cu板を配線層として利用することができるし、セラミック板を電気絶縁性能に優れた電気絶縁層として利用することができる。したがって、例えば、積層材のAl板の表面にAlやAl合金製ヒートシンクなどの放熱部材をろう付けすることにより、半導体モジュール用ベースとしてたとえばパワーモジュール用ベースを形成することができる。そして、このベースの積層材のCu板に半導体素子としてたとえばパワーデバイスを実装することで半導体モジュールとしてパワーモジュールを製造することができる。このパワーモジュールによれば、パワーデバイスと放熱部材との間には、Cu板、セラミック板およびAl板が配置されているだけなので、パワーデバイスから放熱部材までの熱伝導の経路が短くなり、パワーデバイスから発せられる熱の放熱性能が向上する。また、金属板即ちCu板、Al板とセラミック板との間には熱伝導率の低いろう材を介在させる必要はなく、両金属板とセラミック板との間の熱伝導性が優れたものになる。[5]の積層材の製造方法によれば、[1]~[4]の積層材をろう材を用いなくても製造することができ、そのため、温度変化によるセラミックと金属板即ちCu板、Al板との間の接合界面の接合信頼性を高めることができる。さらに、ろう材を使用しないので、積層材を安価に製造することができる。[6]の積層材の製造方法によれば、第1接合工程での接合時に、Cu板の部分的な溶融などによる変形を防止することができるし、第2接合工程での接合時に、Al板の部分的な溶融などによる変形を防止することができる。ここで、第1接合工程では、接合温度は、933~1073°C好ましくは950~1000°Cの範囲内に設定されるのが良い。第2接合工程では、接合温度は510~650°C好ましくは520~600°Cの範囲内に設定されるのが良い。[7]の積層材の製造方法によれば、Cu板とセラミック板との間での接合欠陥の発生を効果的に防止することができるし、Al板とセラミック板との間での接合欠陥の発生を効果的に防止することができる。[8]の積層材の製造方法によれば、Cu板とセラミック板との間での接合欠陥の発生を効果的に防止することができるし、Al板とセラミック板との間での接合欠陥の発生を効果的に防止することができる。以下、この発明の一実施形態を図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、各図面の上下を上下というものとする。また、全図面を通じて同一部分および同一物には同一符号を付して重複する説明を省略する。実施形態1図1~4は、本発明の一実施形態の積層材およびその製造方法を説明するための図である。本実施形態は、積層材が、半導体素子例:パワーデバイスが実装される絶縁基板として利用可能なものである場合について示している。図1に示すように、本実施形態の積層材は、少なくとも1枚のセラミック板と、セラミック板の一方の片側に配置された少なくとも1枚のCuまたはCu合金からなるCu板と、セラミック板の他方の片側に配置された少なくとも1枚のAlまたはAl合金からなるAl板とが、積層されたものである。この積層材では、セラミック板は水平状に配置されている。Cu板はセラミック板の上面上にセラミック板と隣接して配置されている。Al板はセラミック板の下面上にセラミック板と隣接して配置されている。そして、互いに隣り合う板どうしが放電プラズマ焼結法により接合されている。したがって、Cu板は積層材の上側の最外側に配置されており、セラミック板はCu板とAl板との間に配置されており、Al板は積層材の下側の最外側に配置されている。セラミック板とCu板とが放電プラズマ焼結法により接合されているので、セラミック板の上面にCu板が、セラミック板とCu板との間にろう材を介することなく、すなわち直接的に接合されている。また同じく、セラミック板とAl板とが放電プラズマ焼結法により接合されているので、セラミック板の下面にAl板が、セラミック板とAl板との間にろう材を介することなく、すなわち直接的に接合されている。ここでは、1枚のセラミック板が1枚のCu板と1枚のAl板との間に位置するように積層されるとともに、互いに隣り合うCu板とセラミック板およびセラミック板とAl板とが放電プラズマ焼結法により順次段階的に接合されたものである。また、この積層材は三層構造である。積層材の上下両面、すなわちCu板の上面およびAl板の下面の平面度は、それぞれ100μm以下である。Cu板は、上述したようにCuまたはCu合金からなる。Al板は、上述したようにAlまたはAl合金からなる。因みに、Cu板およびAl板を構成する材料の融点は、それぞれ、Cu:1083°C、Al:660°Cであり、Cu合金およびAl合金の融点は、通常、それぞれ、CuおよびAlの融点よりも低い。Cu板およびAl板の厚みは3mm以下好ましくは200μm以上であることが良い。Cu板およびAl板は、公知の適当な方法で形成される。セラミック板は、AlN、Al2O3、Si3N4、SiC、Y2O3、CaO、BNおよびBeOよりなる群から選ばれた1種の電気絶縁性材料からなる。セラミック板の厚みは1mm以下好ましくは300μm以上であることが好ましい。セラミック板は、たとえば、AlN、Al2O3、Si3N4、SiC、Y2O3、CaO、BNおよびBeOよりなる群から選ばれた1種の材料の粉末を、適当な焼結助剤を用いて放電プラズマ焼結法により焼結することにより形成される。また、セラミック板は、AlN、Al2O3、Si3N4、SiC、Y2O3、CaO、BNおよびBeOよりなる群から選ばれた1種の材料の粉末を用いて熱間静水圧プレスHIPすることにより形成されていてもよい。ここで、各セラミック材料の融点または分解点は、AlN:2200°C、Al2O3:2050°C、Si3N4:1900°C、SiC:2000°C、Y2O3:2400°C、CaO:2570°C、BN:3000°C、BeO:2570°Cであり、Cu板およびAl板を構成する材料の融点よりも高くなっている。Cu板、Al板およびセラミック板の形状は、それぞれ平面視で例えば四角形状である。ただし本発明では、Cu板、Al板およびセラミック板は、平面視で四角形状であることに限定されるものではなく、その他に、多角形状、円形状、楕円形状、または、任意の曲線で囲まれた形状であっても良い。さらに、これらの板は、同一形状であっても良いし、相似形状であっても良いし、異形形状であっても良い。セラミック板の上面および下面の外形寸法は、それぞれCu板の下面およびAl板の上面の外形寸法よりも少し大きくなっている。そして、セラミック板におけるCu板と接合された側の面即ち、セラミック板の上面の外周縁よりも内側に、Cu板のセラミック板との接合面即ち、Cu板の下面が位置している。さらに、セラミック板におけるAl板と接合された側の面即ち、セラミック板の下面の外周縁よりも内側に、Al板のセラミック板との接合面即ち、Al板の下面が位置している。本実施形態の積層材では、セラミック板におけるCu板と接合された側の面は、セラミック板の上面である。セラミック板におけるAl板と接合された側の面は、セラミック板の下面である。さらに、セラミック板の上面はCu板との隣接面でもあり、またセラミック板の下面はAl板との隣接面でもある。また、Cu板のセラミック板との接合面は、Cu板の下面である。Al板のセラミック板との接合面は、Al板の上面である。図1に示すように、セラミック板の上面の外周縁からCu板の接合面までの距離dは、0.5mm以上であることが望ましく、また同じく、セラミック板の下面の外周縁からAl板の接合面までの距離dは、0.5mm以上であることが望ましい。こうすることにより、Cu板の外周縁部からの漏電を確実に防止することができる。なお、距離dの上限は特に限定されるものではなく、通常2.0mm位である。図示は省略したが、積層材の一応用例用途例を以下にあげる。積層材は、例えば、電気鉄道車両などの電動機の電力変換装置に使用されるMOSFET、IGBTおよびダイオードなどの半導体素子が実装される基板あるいは冷却部材に用いられる。半導体素子としては、電力の送変電制御装置、鉄道車両の駆動制御装置、自動車のエンジン制御装置、インバータ駆動装置、家庭用エアコン制御装置、太陽光発電用制御装置などに用いられるパワーデバイスが、作動の際のスイッチング時の発熱が大きいために好適に挙げられる。パワーデバイスの冷却には放熱器が使用される。パワーデバイスと放熱器とを備えたパワーモジュールでは、一般に、パワーデバイスと放熱器との間に、熱的には伝導体であるが電気的には絶縁体として機能する性質を有する積層材が配置されている。この積層材として、本実施形態の積層材が好適に用いられる。具体的には、積層材は、Cu板を備えているので、直接はんだ付けが可能な配線層を有する熱伝導性絶縁基板として好適に用いられる。さらに、積層材は、Cu板が半導体素子と隣接するので、半導体素子から発せられる熱を効率的に拡散することができ、そのため、放熱特性が良い配線層を有する絶縁基板としても用いられる。さらに、積層材は、Cu板の配置側とは反対側にAl板を備えているので、軽量で放熱性の良いAlまたはAl合金製ヒートシンクをろう付けなどの金属的な接合によりAl板に貼り付けることができる。これにより、半導体素子から発せられる熱を効率良くヒートシンクに伝えて放熱しうる放熱部材を構成することができる。次に、積層材の製造方法について、図2~4を参照して説明する。すなわち、CuまたはCu合金からなり、かつ一般的な製法で作製されたCu板と、AlまたはAl合金からなり、かつ一般的な製法で作製されたAl板と、AlN、Al2O3、Si3N4、SiC、Y2O3、CaO、BNおよびBeOよりなる群から選ばれた1種の材料からなり、かつ一般的な製法で作製されたセラミック板とを用意する。ここで、Cu板およびAl板の表面粗さは、それぞれ算術平均粗さRaで1.0μm以下であることが好ましく、厚みは3mm以下であることが好ましい。セラミック板の表面粗さは、算術平均粗さRaで1.5μm以下であることが好ましく、厚みは1mm以下であることが好ましい。ついで、放電プラズマ焼結装置の導電性を有する筒状の黒鉛製焼結用ダイ内に、セラミック板とCu板とを、セラミック板の上面上にCu板がセラミック板と隣接して配置されるように、且つ、セラミック板の上面の外周縁よりも内側にCu板の下面からなる接合予定面が位置するように積層して配置する。このように、セラミック板とCu板とが積層されることで第1積層体が形成される。互いに隣り合う板どうしは面接触している。ダイの上下方向の高さは、Cu板およびセラミック板の厚みの合計よりも高くなっており、ダイの上下両端部は、Cu板およびセラミック板よりも上下方向外側に突出している。ついで、ダイ内におけるCu板およびセラミック板からなる第1積層体の上下両側にそれぞれ黒鉛製パンチを配置するとともに、上パンチの上面および下パンチの下面にそれぞれ電極を電気的に接触させる。この状態では、両パンチおよびダイによって両電極間の導通が確保される。なお本発明では、第1積層体は、積層構造が保たれていれば積層順番が上下逆転しても良い。さらに、第1積層体を複数個、ダイ内に上下方向に重ねるように配置しても良い。この場合、隣り合う第1積層体どうしの間には、ダイと同等な材料で作製された板材をスペーサーとして設置することが望ましい。さらに、両電極間には、第1積層体を1つ以上含んだダイと両パンチとからなる群を、複数個並列に並べて配置しても良い。ついで、1~10Paの真空雰囲気中、または窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気中において、第1積層体を上下両パンチまたは両電極により上下両方向、すなわち第1積層体の積層方向の両側から加圧しつつ、両電極間にパルス電流を通電することにより、Cu板の融点よりも低い温度に加熱昇温するとともに、当該温度に所定時間保持し、これによりセラミック板とCu板とを接合する。この工程を放電プラズマ焼結法による第1接合工程という。こうして、図3に示した二層構造の接合体が得られる。なお、第1積層体を複数個、ダイ内に重ねるように配置した場合、接合体は複数個同時に製造される。また、両電極間に、第1積層体を含んだダイと両パンチとからなる群を、複数個並列に並べて配置した場合、接合体は複数個同時に製造される。上述した第1接合工程での接合条件は、Cu板およびセラミック板の材料や寸法に応じて異なるが、たとえば通電するパルス電流1000~30000A、加圧力10~100MPa、接合温度933~1073°C好ましくは950~1000°C、接合温度保持時間1~30minである。図3に示した第1接合体では、セラミック板の上面にCu板が、セラミック板とCu板との間の接合界面にろう材を介することなく、すなわち直接的に接合されている。さらに、Cu板のセラミック面との接合面は、セラミック板の上面の外周縁よりも内側に位置している。ついで、図4に示すように、放電プラズマ焼結装置の黒鉛製焼結用ダイ内に、接合体とAl板とを、接合体のセラミック板の下面上にAl板が配置されるように、且つ、セラミック板の下面の外周縁よりも内側にAl板の上面からなる接合予定面が位置するように積層して配置する。このように、接合体とAl板とが積層されることで第2積層体が形成される。互いに隣り合う板どうしは面接触している。ダイの上下方向の高さは、接合体およびAl板の厚みの合計よりも高くなっており、ダイの上下両端部は、接合体のCu板およびAl板よりも上下方向外側に突出している。ついで、ダイ内における接合体およびAl板からなる第2積層体の上下両側に黒鉛製パンチを配置するとともに、上パンチの上面および下パンチの下面にそれぞれ電極を電気的に接触させる。この状態では、両パンチおよびダイによって両電極間の導通が確保される。なお本発明では、第2積層体は、積層構造が保たれていれば積層順番が上下逆転しても良い。さらに、第2積層体を複数個、ダイ内に上下方向に重ねるように配置しても良い。この場合、隣り合う第2積層体どうしの間には、ダイと同等な材料で作製された板材をスペーサーとして設置することが望ましい。さらに、両電極間には、第2積層体を1つ以上含んだダイと両パンチとからなる群を、複数個並列に並べて配置しても良い。ついで、1~10Paの真空雰囲気中、または窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気中において、第2積層体を上下両パンチまたは両電極により上下両方向、すなわち第2積層体の積層方向の両側から加圧しつつ、両電極間にパルス電流を通電することにより、Al板の融点よりも低い温度に加熱昇温するとともに、当該温度に所定時間保持し、これにより第2積層体のセラミック板とAl板とを接合する。この工程を放電プラズマ焼結法による第2接合工程という。こうして、図1に示した所望する積層材が製造される。なお、第2積層体を複数個、ダイ内に重ねるように配置した場合、積層材は複数個同時に製造される。また、両電極間に、第2積層体を含んだダイと両パンチとからなる群を、複数個並列に並べて配置した場合、積層材は複数個同時に製造される。上述した第2接合工程での接合条件は、接合体のセラミック板およびAl板の材料や寸法に応じて異なるが、たとえば通電するパルス電流1000~30000A、加圧力10~100MPa、接合温度510~650°C好ましくは520~600°C、接合温度保持時間1~30minである。ここで、Al板の融点は一般にCu板の融点よりも低いことから、本実施形態のようにAl板とセラミック板との接合をCuとセラミック板との接合の後で行うことにより、Cu板とセラミック板との接合の際にAl板が溶融するのを回避することができ、これにより、接合状態が良好な所望する三層構造Cu/セラミック/Alの積層材を確実に得ることができる。なお、Cu板およびAl板とセラミック板とが接合されるメカニズムは明確ではないが、次の通りであると考えられる。すなわち、金属板即ちCu板、Al板とセラミック板との積層体を積層方向の両側から加圧すると、金属板が降伏することにより、金属板を構成する材料がセラミック板表面の微小な凹部に入り込み、金属板とセラミック板との接触面積が大きくなる。この状態で、放電プラズマ焼結装置の両電極間にパルス電流を通電し、金属板を加熱すると、金属板が軟化して金属板とセラミック板との接触面積が一層大きくなる。このとき、金属板表面とセラミック板表面との接触部付近において放電プラズマが放射されると、金属板表面の酸化皮膜が破壊、除去されるので、活性な表面が露出する。この金属板の活性面がセラミック板の表面と接触すると、物質拡散により金属板とセラミック板とが接合されると考えられる。以上で本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、様々に変更可能である。以下、この発明による積層材の具体的実施例について、比較例とともに説明する。<実施例1>この実施例の積層材は、上記実施形態の積層材である。純度99.5質量のCuからなりかつ縦32mm、横26mm、厚み0.6mmの1枚のCu板と、純度99.99質量のAlからなりかつ縦32mm、横26mm、厚み0.6mの1枚のAl板と、縦34mm、横28mm、厚み0.635mmの1枚のAlN製セラミック板とを用意した。そして、Cu板、Al板およびセラミック板の表面に、有機溶剤を用いて脱脂処理を施した。なお、酸化皮膜の除去処理は施していない。Cu板の両面の表面粗さは、算術平均粗さでRa1.1μmm、Al板の両面の表面粗さは、算術平均粗さでRa0.9μm、セラミック板の両面の表面粗さは、算術平均粗さでRa0.8μmであった。Raは、JIS日本工業規格B0601:1994に準拠して測定した。ついで、図2に示すように、焼結用ダイ内に、セラミック板とCu板とを、セラミック板の上面上にCu板がセラミック板と隣接して配置されるように、且つ、セラミック板の上面の外周縁よりも内側にCu板の下面からなる接合予定面が位置するように積層して配置した。このとき、セラミック板の重心位置とCu板の重心位置とが厚さ方向に一致するようにこれらの板を配置した。そして、ダイ内におけるCu板およびセラミック板からなる第1積層体の上下両側にそれぞれ黒鉛製パンチを配置するとともに、上パンチの上面および下パンチの下面にそれぞれ電極を電気的に接触させた。この状態では、両パンチおよびダイによって両電極間の導通が確保される。ついで、1~10Paの真空雰囲気中において、第1積層体を上下両パンチにより上下両側から20MPaの圧力で加圧しつつ、両電極間に最大2500Aのパルス電流を通電することにより第1積層体を室温から25分間かけて950°Cまで加熱するとともに、950°Cで5分間保持し、これにより、Cu板とセラミック板とを接合した[第1接合工程]。ついで、両電極間の通電を停止した後、冷却することにより、図3に示した二層構造の接合体を製造した。ついで、同じく図4に示すように、焼結用ダイ内に、接合体とAl板とを、接合体のセラミック板の下面上にAl板がセラミック板と隣接して配置されるように、且つ、セラミック板の下面の外周縁よりも内側にAl板の接合予定面が位置するように積層して配置した。そして、ダイ内における接合体およびAl板からなる第2積層体の上下両側にそれぞれ黒鉛製パンチを配置するとともに、上パンチの上面および下パンチの下面にそれぞれ電極を電気的に接触させた。この状態では、両パンチおよびダイによって両電極間の導通が確保される。ついで、1~10Paの真空雰囲気中において、第2積層体を上下両パンチにより上下両側から20MPaの圧力で加圧しつつ、両電極間に最大1500Aのパルス電流を通電することにより第2積層体を室温から10分間かけて550°Cまで加熱するとともに、550°Cで5分間保持し、これにより、第2積層体のセラミック板とAl板3とを接合した[第2接合工程]。ついで、両電極間の通電を停止した後、冷却することにより、図1に示した所望する三層構造の積層材を製造した。製造された積層材では、Cu板とセラミック板との接合、および、Al板とセラミック板との接合を、いずれも放電プラズマ焼結法により行っているので、ろう材を用いる必要がなく、そのため、積層材の製造コストを低減できた。また、積層材の両面の平面度を測定したところ、70μmであった。さらに、積層材におけるCu板とセラミック板との接合状態およびAl板とセラミック板との接合状態を確認するため、積層材の断面観察を行ったところ、接合界面には欠陥が見られず、良好な接合が行われていた。また、積層材について、-40°C⇔125°C、1000サイクルという試験条件の冷熱サイクル試験を行った。そして、Cu板とセラミック板との間の接合界面、および、Al板とセラミック板との間の接合界面における剥離の有無を調べた。その結果を表1中の剥離欄に示す。同欄に示すように、それぞれの接合界面に剥離は発生していなかった。また、積層材のAl板の表面にAl製水冷式シートシンクをろう付けし、次いで積層材のCu板の表面に半導体素子をはんだ付けした。そして、積層材の放熱性能として熱抵抗を調べた。その結果を表1中の放熱性能欄に示す。同欄に示すように、半導体素子直下にAlよりも熱伝導率が2倍程度大きいCu板が配置されているので、放熱性能が高く、半導体素子から発する熱を効率的に放熱することができた。さらに、この積層材では、半導体素子をはんだ付けする前にNiめっきを施す必要がないので、積層材の製造コストを更に低減できた。さらに、積層材のAl板の表面にシートシンクをろう付けする際においては、積層材とヒートシンクとを金属的に接合することができた。<実施例2>両電極間でのパルス電流の通電を窒素からなる不活性ガス雰囲気中で行ったことを除いては、実施例1と同様にして三層構造の積層材を製造した。製造された積層材の両面の平面度を測定したところ、72μmであった。さらに、積層材におけるCu板とセラミック板との接合状態およびAl板とセラミック板との接合状態を確認するため、積層材の断面観察を行ったところ、接合界面には欠陥が見られず、良好な接合が行われていた。また、積層材について、実施例1の冷熱サイクル試験と同じ試験条件で冷熱サイクル試験を行った。そして、Cu板とセラミック板との間の接合界面、および、Al板とセラミック板との間の接合界面における剥離の有無を調べた。その結果を表1中の剥離欄に示す。同欄に示すように、それぞれの接合界面に剥離は発生しなかった。また、積層材のAl板の表面にAl製水冷式シートシンクをろう付けし、次いで積層材のCu板の表面に半導体素子をはんだ付けした。そして、積層材の放熱性能熱抵抗を調べた。その結果を表1中の放熱性能欄に示す。同欄に示すように、実施例2の積層材でも放熱性能が高く、半導体素子から発する熱を効率的に放熱することができた。さらに、この積層材では、半導体素子をはんだ付けする前にNiめっきを施す必要がないので、積層材の製造コストを更に低減できた。さらに、積層材のAl板の表面にシートシンクをろう付けする際においては、積層材とヒートシンクとを金属的に接合することができた。<比較例1>図5に示した三層構造の積層材を次のように製造した。実施例1で用いたAl板およびセラミック板と同じ材料形状からなる2枚のAl板および1枚のセラミック板を用意した。すなわち、Al板は、純度99.99質量のAlからなりかつその形状が縦32mm、横26mm、厚み0.6mmである。セラミック板は、AlNからなりかつその形状が縦34mm、横28mm、厚み0.635mmである。そして、セラミック板の両面にそれぞれAl板を、各Al板とセラミック板との間に介在させたAl-Si合金からなるろう材によりろう付けし、これにより、図5に示した積層材を製造した。製造された積層材について、実施例1の冷熱サイクル試験と同じ試験条件で冷熱サイクル試験を行った。そして、各Al板とセラミック板との間の接合界面における剥離の有無を調べた。その結果を表1中の剥離欄に示す。同欄に示すように、それぞれの接合界面に剥離が発生した。また、積層材の一方のAl板の表面にAl製水冷式シートシンクをろう付けし、次いで積層材の他方のAl板の表面にNiめっきを施してNiめっき層を形成し、その後、Niめっき層の表面に半導体素子をはんだ付けした。そして、積層材の放熱性能熱抵抗を調べた。その結果を表1中の放熱性能欄に示す。同欄に示すように、積層材の放熱性能が実施例1および2の積層材よりも悪かった。さらに、この積層材では、半導体素子をはんだ付けする前にNiめっきを施す必要があったので、積層材の製造コストを増加した。<比較例2>図6に示した三層構造の積層材を次のように製造した。実施例1で用いたCu板およびセラミック板と同じ材料形状からなる2枚のCu板および1枚のセラミック板を用意した。すなわち、Cu板は、純度99.5質量のCuからなりかつその形状が縦32mm、横26mm、厚み0.6mmである。セラミック板は、AlNからなりかつその形状が縦34mm、横28mm、厚み0.635mmである。そして、セラミック板の両面にそれぞれCu板を、各Cu板とセラミック板との間に介在させたTiとAgからなる活性金属を含んだろう材によりろう付けし、これにより、図6に示した積層材を製造した。製造された積層材について、実施例1の冷熱サイクル試験と同じ試験条件で冷熱サイクル試験を行った。そして、各Cu板とセラミック板との間の接合界面における剥離の有無を調べた。その結果を表1中の剥離欄に示す。同欄に示すように、それぞれの接合界面に剥離が発生した。また、積層材の一方のCu板の表面にAl製水冷式シートシンクを熱伝導グリースで接着し、次いで積層材の他方のCu板の表面に半導体素子をはんだ付けした。そして、積層材の放熱性能熱抵抗を調べた。その結果を表1中の放熱性能欄に示す。同欄に示すように、積層材の放熱性能が実施例1および2の積層材よりも悪かった。