"基本波の1/8波長の長さを有し、一端が入力端を形成し、他端が出力端を形成する主線路と、一端が前記主線路の前記入力端に接続された基本波の1/4波長の長さを有する第1の線路と、前記第1の線路の他端に一端が接続された抵抗体および基本波の1/4波長の長さを有する第1のオープンスタブと、前記抵抗体の他端に接続された基本波の1/8波長の長さを有する第2のオープンスタブと、一端が前記主線路の前記出力端に接続された基本波の1/4波長の長さを有する第2の線路と、前記第2の線路の他端に接続された基本波の1/4波長の長さを有する第3のオープンスタブおよび基本波の1/8波長の長さを有する第4のオープンスタブと、を備えることを特徴とする高調波抑圧回路。第1のRF線路と第2のRF線路とがキャパシタを介して接続されて構成され、一端が入力端を形成し、他端が出力端を形成し、基本波に対しては1/8波長の長さの線路と等価となり、2倍波に対しては1/4波長の長さの線路と等価となる主回路と、一端が前記主回路の前記入力端に接続された基本波の1/4波長の長さを有する第1の線路と、前記第1の線路の他端に一端が接続された抵抗体および基本波の1/4波長の長さを有する第1のオープンスタブと、前記抵抗体の他端に接続された基本波の1/8波長の長さを有する第2のオープンスタブと、一端が前記主回路の前記出力端に接続された基本波の1/4波長の長さを有する第2の線路と、前記第2の線路の他端に接続された基本波の1/4波長の長さを有する第3のオープンスタブおよび基本波の1/8波長の長さを有する第4のオープンスタブと、を備えることを特徴とする高調波抑圧回路。前記第1~4のオープンスタブのうちの少なくとも1つがラジアルスタブにより構成されたことを特徴とする請求項1または2に記載の高調波抑圧回路。しかしながら、上記従来技術では、キャパシタを用いて高周波短絡点を形成した場合は、キャパシタ分のコストが追加となるだけでなく、キャパシタの寄生インダクタンスや寄生抵抗によって発生する寄生インピーダンスにより、高周波化が困難となる。また、キャパシタを用いて高周波短絡点を形成せず、スルーホール等を用いて誘電体基板裏面の地導体に各スタブを接続することにより高周波化に対応した場合には、高調波抑圧回路とバイアス回路とを兼用することができなくなるため、デバイスやモジュールを構成する回路全体が大きくなる。このように、上記従来技術では、高周波動作と、低コスト化および小型化とを両立させることができない、という問題があった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、高周波動作と、低コスト化および小型化とを両立させることが可能な高調波抑圧回路を提供することを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明にかかる高調波抑圧回路は、基本波の1/8波長の長さを有する主線路と、一端が前記主線路の前記入力端に接続された基本波の1/4波長の長さを有する第1の線路と、前記第1の線路の他端に一端が接続された抵抗体および基本波の1/4波長の長さを有する第1のオープンスタブと、前記抵抗体の他端に接続された基本波の1/8波長の長さを有する第2のオープンスタブと、一端が前記主線路の前記出力端に接続された基本波の1/4波長の長さを有する第2の線路と、前記第2の線路の他端に接続された基本波の1/4波長の長さを有する第3のオープンスタブおよび基本波の1/8波長の長さを有する第4のオープンスタブと、を備えることを特徴とする。本発明によれば、高周波動作と、低コスト化および小型化とを両立させることが可能となる、という効果を奏する。以下に添付図面を参照し、本発明の実施の形態にかかる高調波抑圧回路について説明する。なお、以下に示す実施の形態により本発明が限定されるものではない。実施の形態1.図1は、実施の形態1にかかる高調波抑圧回路の一構成例を示す図である。図1に示すように、実施の形態1にかかる高調波抑圧回路は、入力端16a側の接続点Aと出力端16b側の接続点Bとの間を接続する基本波の1/8波長の長さを有する主線路10と、接続点Aにシャント接続された第1の分岐回路17aと、接続点Bにシャント接続された第2の分岐回路17bとを備えている。第1の分岐回路17aは、一端が接続点Aに接続された基本波の1/4波長の長さを有する第1の線路11aと、第1の線路11aの他端の接続点Cに一端が接続された50Ωの抵抗体14および基本波の1/4波長の長さを有する第1のオープンスタブ12aと、抵抗体14の他端に接続された基本波の1/8波長の長さを有する第2のオープンスタブ13aとを備えている。なお、図1に示す例では、第1のオープンスタブ12aおよび第2のオープンスタブ13aをラジアルスタブとしている。このラジアルスタブは、通常の矩形スタブに比べ、広帯域化が可能であると共に、線路長が基本波の1/4波長より短くてよいという利点がある。以下、第1のオープンスタブ12aを第1のラジアルスタブ12aと表記し、第2のオープンスタブ13aを第2のラジアルスタブ13aと表記する。第2の分岐回路17bは、一端が接続点Bに接続された基本波の1/4波長の長さを有する第2の線路11bと、第2の線路11bの他端の接続点Dに接続された基本波の1/4波長の長さを有する第3のオープンスタブ12bおよび基本波の1/8波長の長さを有する第4のオープンスタブ13bとを備えている。なお、図1に示す例では、第1のオープンスタブ12aおよび第2のオープンスタブ13aと同様に、第3のオープンスタブ12bおよび第4のオープンスタブ13bをラジアルスタブとしている。以下、第3のオープンスタブ12bを第3のラジアルスタブ12bと表記し、第4のオープンスタブ13bを第4のラジアルスタブ13bと表記する。実施の形態1にかかる高調波抑圧回路の構成では、キャパシタを用いていないため、キャパシタの寄生インダクタンスや寄生抵抗によって発生する寄生インピーダンスによる影響を受けることがない。また、抵抗体14以外の構成要素は、誘電体基板上のマイクロストリップ線路導体で形成することができる。また、物理的な接地点が存在しないため、図1に示すように、接続点Dに電源回路18を接続してDCバイアスを印加することができる。つまり、バイアス回路として機能させることも可能である。さらに、オープンスタブとして第1~第4のラジアルスタブ12a,12b,13a,13bを用いて構成しているため、オープンスタブの場合よりも短くてよく、広帯域化が可能であるという利点がある。つぎに、実施の形態1にかかる高調波抑圧回路の動作について説明する。ここでは、まず、図1および図2を参照して基本波に対する動作について説明する。図2は、実施の形態1にかかる高調波抑圧回路の基本波における等価回路を示す図である。第1の分岐回路17aにおいて、第1のラジアルスタブ12aは、基本波の1/4波長の長さを有するオープンスタブとして機能するため、第1のラジアルスタブ12aと第1の線路11aとの接続点Cは、抵抗体14および第2のラジアルスタブ13aの影響を受けることなく、基本波に対して短絡状態となる。つまり、接続点Cは、基本波に対する高周波短絡点を形成している。このとき、第1の線路11aは、基本波の1/4波長の長さを有するショートスタブとして機能するため、接続点Aから見た第1の分岐回路17aのインピーダンスは、基本波に対して開放状態となる。また、同様に、第2の分岐回路17bにおいて、第3のラジアルスタブ12bは、基本波の1/4波長の長さを有するオープンスタブとして機能するため、第2のオープンスタブ12bと第2の線路11bとの接続点Dは、第4のラジアルスタブ13bの影響を受けることなく、基本波に対して短絡状態となる。つまり、接続点Dは、基本波に対する高周波短絡点を形成している。このとき、第2の線路11bは、基本波の1/4波長の長さを有するショートスタブとして機能するため、接続点Bから見た第2の分岐回路17bのインピーダンスは、基本波に対して開放状態となる。したがって、実施の形態1にかかる高調波抑圧回路は、基本波に対しては、図2に示す等価回路で表すことができ、基本波の伝送への影響はない回路となる。つぎに、実施の形態1にかかる高調波抑圧回路の2倍波に対する動作について、図1、図3および図4を参照して説明する。図3および図4は、実施の形態1にかかる高調波抑圧回路の2倍波における等価回路を示す図である。第1の分岐回路17aにおいて、第1のラジアルスタブ12aは、2倍波の1/2波長の長さを有するオープンスタブとして機能するため、接続点Cから見た第1のラジアルスタブ12aのインピーダンスは、2倍波に対して開放状態となる。一方、第2のラジアルスタブ13aは、2倍波の1/4波長の長さを有するオープンスタブとして機能するため、接続点Cから見た抵抗体14および第2のオープンスタブ13aのインピーダンスは、2倍波に対して50Ω終端と等価となり、接続点Aから見た第1の分岐回路17aのインピーダンスは、2倍波に対して1/2波長の長さを有する第1の線路11aを介して50Ω終端された状態となる。また、同様に、第2の分岐回路17bにおいて、第3のラジアルスタブ12bは、2倍波の1/2波長の長さを有するオープンスタブとして機能するため、接続点Dから見た第3のラジアルスタブ12bのインピーダンスは、2倍波に対して開放状態となる。一方、第4のラジアルスタブ13bは、2倍波の1/4波長の長さを有するオープンスタブとして機能するため、接続点Dから見た第4のオープンスタブ13bのインピーダンスは、2倍波に対して短絡状態となり、接続点Bから見た第2の分岐回路17bのインピーダンスも、2倍波に対して短絡状態となる。したがって、実施の形態1にかかる高調波抑圧回路は、2倍波に対しては、図3に示す等価回路で表すことができる。さらに、主線路10は、接続点Bが2倍波に対する高周波短絡点を形成していることから、2倍波の1/4波長の長さを有するショートスタブとして機能するため、接続点Aから出力端16b側を見たインピーダンスは、2倍波に対して開放状態となる。つまり、実施の形態1にかかる高調波抑圧回路は、図4に示すように、2倍波に対しては、1/2波長の長さを有する第1の線路11aを介して50Ω終端された回路となる。以上説明したように、実施の形態1の高調波抑圧回路によれば、キャパシタを用いて高周波短絡点を形成していないため、キャパシタの寄生インダクタンスや寄生抵抗によって発生する寄生インピーダンスによる影響を受けることなく、高周波化が可能となる。また、部品点数が少なくなると共に、部品間を接続するためのボンディングワイヤやスルーホール加工等も不要となり、コスト上昇を抑制することができる。また、物理的な接地点が存在しないため、バイアス回路として機能させることも可能であり、デバイスやモジュールを構成する回路全体を小型化することができる。さらに、オープンスタブとしてラジアルスタブを用いて構成しているため、広帯域化が可能であると共に、回路自体の小型化も可能となる。このように、実施の形態1の高調波抑圧回路によれば、高周波動作と、低コスト化および小型化とを両立させることが可能となる。実施の形態2.図5は、実施の形態2にかかる高調波抑圧回路の一構成例を示す図である。本実施の形態では、実施の形態1において説明した主線路10に代えて、図5に示すように、第1のRF線路20aと第2のRF線路20bとがキャパシタ19を介して接続されて構成された主回路21を備えている。なお、実施の形態1と同一または同等の構成部には同一符号を付して、その詳細な説明を省略する。主回路21は、実施の形態1において説明した主線路10と同一の特性インピーダンスとなるように、つまり、基本波に対しては1/8波長の長さの線路と等価となり、2倍波に対しては1/4波長の長さの線路と等価となるように、回路定数が設定される。図5に示す例では、接続点Cに電源回路18aを接続し、接続点Dに電源回路18bを接続している。例えば、電源回路の接続点と入力端あるいは出力端との間に、固定抵抗等を含む集中定数回路が存在すると、固定抵抗等に電流が流れ、電源回路から供給された電圧の低下や発熱が生じるため、バイアス印加ができない。実施の形態2にかかる高調波抑圧回路の構成では、図5に示すように、入力端16a側と出力端16b側とがキャパシタ19によりDC的に分離され、且つ、入力端16aと電源回路18aとの間、出力端16bと電源回路18bとの間には、固定抵抗等を含む集中定数回路が存在しないため、入力端16a側と出力端16b側とで、それぞれ異なるDCバイアスを印加することができる。実施の形態2にかかる高調波抑圧回路は、例えば、高周波増幅回路の段間回路として用いることができる。つまり、入力端16aの前段および出力端16bの後段に高周波増幅器図示せずを接続し、電源回路18aを前段の高周波増幅器のドレインバイアスとして、電源回路18bを後段の高周波増幅器のゲートバイアスとして使用することが可能である。このように、実施の形態2にかかる高調波抑圧回路では、高調波抑圧回路の前段および後段の回路に対して、それぞれ異なるDCバイアスを印加することができるため、2つのバイアス回路を兼用することができる。以上説明したように、実施の形態2の高調波抑圧回路によれば、実施の形態1において説明した主線路に代えて、キャパシタを介して接続された2つのRF線路を含み、入力端側から見て、2倍波の1/4波長の長さを有するショートスタブとして機能する主回路を備えたので、実施の形態1と同様の効果を得ることができると共に、高調波抑圧回路の前段および後段の回路に対して、それぞれ異なるDCバイアスを印加する2つのバイアス回路として機能させることができ、実施の形態1よりもさらにデバイスやモジュールを構成する回路全体を小型化することができる。なお、以上の実施の形態に示した構成は、本発明の構成の一例であり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、一部を省略する等、変更して構成することも可能であることは言うまでもない。"