"保護層と、前記保護層上に設けられた光電変換セルと、前記光電変換セルの隙間又は前記光電変換セル外周に設けられた反射部材と、を含み、前記反射部材の断面形状は略三角形状であり、前記反射部材は光入射方向側に頂部を有し、前記反射部材は前記光電変換セルの表面より高い位置に頂部を有し、前記反射部材の表面は可視光および赤外光を70以上反射することを特徴とする光電変換モジュール。保護層と、前記保護層上に設けられた光電変換セルと、前記光電変換セルを覆う封止層と、前記封止層上に設けられた反射部材と、を含み、前記反射部材の断面形状は略三角形状であり、前記反射部材は光入射方向側に頂部を有し、前記反射部材は前記光電変換セルの表面より高い位置に頂部を有し、前記光電変換セルの隙間又は前記光電変換セルの外周と前記反射部材が重畳することを特徴とする光電変換モジュール。請求項1乃至請求項2のいずれか一項において、前記反射部材の頂部と底辺端部を結ぶ直線と、前記保護層の交差角度が45°超かつ90°未満であることを特徴とする光電変換モジュール。請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記反射部材が前記光電変換セルに重畳する面積が、前記反射部材が前記光電変換セルの隙間および前記光電変換セルの外周に重畳する面積よりも小さいことを特徴とする光電変換モジュール。請求項2乃至請求項4のいずれか一項において、前記反射部材を自在に着脱できることを特徴する光電変換モジュール。請求項1乃至請求項5のいずれか一項の光電変換モジュールを有し、光源の位置を逐次追尾して、角度を自動制御する機能を有することを特徴とする光電変換装置。しかし、特許文献1のように、光電変換セルの隙間に入射される光を、二度の反射により光電変換セルに導く方法では、透光性基板界面での全反射を用いて二度目の反射を行うため、光反射部分により反射された光の大部分は外部に出てしまうつまり、透光性基板で反射されない。したがって、光電変換セルの隙間に入射された光が発電に寄与する割合は微々たるものである。本発明は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがって、その目的は、光電変換セルの設けられていない領域に入射される光を高い効率で光電変換できる、高い発電量の光電変換モジュールを提供することを課題とする。上記目的を達成するために、本発明者は、入射光を光電変換セルに導くための反射部材を設ける箇所に着目した。具体的には、光電変換セルの設けられていない領域である、光電変換セルの隙間または光電変換セルの外周に、頂部が光電変換セルの表面より入射光側となる、すなわち光電変換セルの表面より高い位置に頂部を有するように反射部材を設ければよい。これにより、光電変換セルの隙間や光電変換セルの外周に入射する、本来なら発電に寄与しない光を、反射部材により反射させて光電変換セルに導くことができる。また、反射部材の頂部が光電変換セル表面より入射光側にある、すなわち光電変換セルの表面より高い位置に頂部を有するため、太陽光を1回の反射により光電変換セルに導くことができる。すなわち、本発明の一態様は、保護層と、保護層上に設けられた光電変換セルと、光電変換セルの隙間または光電変換セル外周の保護層上に設けられた反射部材とを含み、反射部材の頂部から保護層に対して垂直に切断した断面形状が光入射方向に頂部を有する、すなわち光電変換セルの表面より高い位置に頂部を有する略三角形状であり、反射部材の表面は70以上の可視光反射率および70以上の赤外光反射率を有しており、反射部材の頂部が光電変換セル表面より高い位置にあることを特徴とする光電変換モジュールである。上記本発明の一態様によれば、本来なら発電に寄与しない入射光を反射部材により反射させ、一度の反射により光電変換セルに導くことができる。これにより、高い発電量の光電変換モジュールを提供できる。また、本発明の一態様は、保護層と、保護層上に設けられた光電変換セルと、光電変換セルを覆う封止層と、封止層上に設けられた反射部材とを含み、反射部材の頂部から保護層に対して垂直に切断した断面形状が光入射方向に頂部を有する、すなわち光電変換セルの表面より高い位置に頂部を有する略三角形状であり、反射部材の表面は70以上の可視光反射率および70以上の赤外光反射率を有しており、光電変換セルの隙間または光電変換セルの外周と反射部材が重畳することを特徴とする光電変換モジュールである。上記本発明の一態様によれば、反射部材が光電変換セルと重畳して設けられても、封止層により光電変換セルと反射部材を絶縁状態に保てる。これにより、高い発電量の光電変換モジュール、歩留まりを低下させることなく提供できる。また、本発明の一態様は、反射部材の頂部および頂部から最も近い底辺端部を結ぶ直線と、保護層の交差角度が45°超かつ90°未満であることを特徴とする光電変換モジュールである。上記本発明の一態様によれば、反射部材により反射した入射光を、光電変換セルに効率良く導くことができる。このため、高い発電量の光電変換モジュールを提供できる。また、本発明の一態様は、光電変換セルと反射部材の重畳する面積が、光電変換セルの隙間および光電変換セルの外周と反射部材が重畳する面積よりも小さいことを特徴とする光電変換モジュールである。上記本発明の一態様によれば、反射部材と光電変換セルが重畳することにより生じる発電量の低下分より、反射部材を設けることより生じる発電量の増加分が大きくなる。このため、高い発電量の光電変換モジュールを提供できる。また、本発明の一態様は、反射部材を自在に着脱できることを特徴する光電変換モジュールである。上記本発明の一態様によれば、経時劣化や破損により性能が低下した反射部材の交換を行うことができる。このため、発電量の低下が抑制された光電変換モジュールを提供できる。また、本発明の一態様は、光源の位置を逐次追尾して、光電変換モジュールの角度を自動制御する機能を有することを特徴とする、光電変換装置である。上記本発明の一態様によれば、反射部材の影が光電変換セルにかかることによる発電量の低下を抑制できる。このため、高い発電量の光電変換装置を提供できる。なお、本明細書において、Aの上にBが形成されている、あるいは、A上にBが形成されている、と明示的に記載する場合は、Aの上にBが直接接して形成されていることに限定されない。直接接してはいない場合、つまり、AとBとの間に別の対象物が介在する場合も含むものとする。ここで、A、Bは、対象物例えば装置、素子、回路、配線、電極、端子、膜、または層などであるとする。したがって、例えば、層Aの上または層A上に層Bが形成されていると明示的に記載されている場合は、層Aの上に直接接して層Bが形成されている場合と、層Aの上に直接接して別の層例えば層Cや層Dなどが形成されていて、その上に直接接して層Bが形成されている場合とを含むものとする。なお、別の層例えば層Cや層Dなどは、単層でもよいし、複層でもよい。また、本明細書において、Aの周囲をBで覆う、と明示的に記載する場合においても、上記と同様に、Aの外周にBが直接接して形成されている場合と、Aの外周とBとの間に別の対象物が介在する場合を含むものとする。また、本明細書において光電変換層とは、光電効果内部光電効果を発現する半導体の層を含む他、内部電界や半導体接合を形成するために接合された不純物半導体層を含めたものをいう。すなわち、光電変換層とは、pn接合を代表とする、キャリア濃度が異なる複数の半導体層を接合した半導体層が含まれる。また、本明細書において光電変換セルとは、発電に寄与する一つの光電変換セルのことを示し、例えば、pn接合が形成された半導体層と上下の電極を含んだ構成がある。また、光電変換モジュールとは、複数の光電変換セルが接続配線により電気的に直列接続および/または並列接続された構成のことを示す。また、光電変換装置とは、光電変換モジュールに加えて光電変換モジュールを駆動する機構を含んだ構成のことを示す。また、本明細書において第1、第2、第3又は第4等の数詞の付く用語は、要素を区別するために便宜的に用いているものであり、数的に限定するものではなく、また配置及び段階の順序を限定するものでもない。また、本明細書において、光電変換セルに直接入射される光を直接入射光と呼称し、反射部材等を介して光電変換セルに間接的に入射される光を間接入射光と呼称する。また、本明細書において、可視光反射率がX以上という表現が用いられているが、これは、可視光領域全域において反射率X以上である必要はなく、一部の可視光領域において反射率がX以上であればよい。また、赤外光反射率がY以上という表現についても同様である。本発明によれば、光電変換セルの設けられていない領域に入射される光も光電変換できる、高い発電量の光電変換モジュールを提供できる。また、発電量の低下が抑制された光電変換モジュールを提供できる。さらに、高い発電量の光電変換装置を提供できる。実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。実施の形態1本実施の形態では、開示する発明の一態様に係る光電変換モジュールについて、図1乃至図4を用いて説明する。<本実施の形態における光電変換モジュールの構成>図1および図2に本実施の形態における光電変換モジュールの構成図の一例を示す。図1Aは、同一基板上に複数の光電変換セルが設けられ、複数の光電変換セルが直列接続および/または並列接続された光電変換モジュールの平面模式図の一例である。また、図1A中の一点鎖線X1-X2に対応する断面の模式図を図1Bに示す。なお、図2Aでは、煩雑になることを避けるため、光電変換モジュールの構成要素の一部例えば、保護基板102aなどを省略している。また、図1A中の二点鎖線で囲まれた部分a部分の拡大図を図2Aに示すと共に、図2Aの一点鎖線Y1-Y2に対応する断面の模式図を図2Bに示す。なお、保護層上に設ける光電変換セルの個数や面積、光電変換セル同士の直列接続あるいは並列接続の方法、光電変換モジュールからの電力の取り出し方法などは任意であり、所望の電力および電流、電圧や設置場所などに応じて、実施者が適宜設計すればよい。本実施の形態の光電変換モジュール100は、図1Aおよび図1Bに示すように、保護層102と、所定の間隔を隔てて配置された光電変換セル104と、接続配線106と、光電変換セル104の隙間や光電変換セル104の外周に設けられた反射部材108と、光電変換セル104および反射部材108を覆う封止層110を含んで構成される。保護層102は、少なくとも保護基材102aを有しており、さらに保護基材102aに接して保護樹脂102bを有していてもよい。保護基材102aとしては、例えば、エチレンビニルアセテートEVA、ポリエチレンテレフタレート樹脂PET、ポリエーテルスルホン樹脂PES、ポリエチレンナフタレート樹脂PEN、ポリビニルアルコール樹脂PVA、ポリカーボネート樹脂PC、ポリエチレン樹脂PE、ABS樹脂などの各種プラスチック基板、または、表面に絶縁膜が形成されたアルミ基板、ステンレス基板、銅基板などの金属基板、または、青板ガラス、白板ガラス、鉛ガラス、強化ガラス、セラミックガラスなどの各種ガラス基板、または、石英基板、セラミック基板、サファイヤ基板などを用いることができる。なお、上記以外でも、本発明の一態様である光電変換モジュールの作製プロセスに耐えうる基材であれば特に限定されない。また、保護層102側からも光が入射する場合は、保護基材102aとして、可視光透過率が80以上、より望ましくは90以上の透光性を有する基材を用いることが好ましい。保護樹脂102bとしては、例えば、エチレンビニルアセテートEVA、ポリエチレンテレフタレート樹脂PET、ポリエーテルスルホン樹脂PES、ポリエチレンナフタレート樹脂PEN、ポリビニルアルコール樹脂PVA、ポリカーボネート樹脂PC、ナイロン樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂PEEK、ポリスチレン樹脂PS、ポリスルホン樹脂PSF、ポリエーテルイミド樹脂PEI、ポリアリレート樹脂PAR、ポリブチレンテレフタレート樹脂PBT、ポリイミド樹脂PI、ポリアミド樹脂PA、ポリアミドイミド樹脂PAI、ポリイソブチレン樹脂PIB、塩素化ポリエーテル樹脂CP、メラミン樹脂MF、エポキシ樹脂EP、塩化ビニリデン樹脂PVDCポリプロピレン樹脂PP、ポリアセタール樹脂POM、フェノール樹脂PF、フラン樹脂FF、不飽和ポリエステル樹脂UP、酢酸セルロース樹脂CA、ユリア樹脂UF、キシレン樹脂XR、ジアリルフタレート樹脂DAP、ポリ酢酸ビニル樹脂PVAc、ポリエチレン樹脂PE、フッ素樹脂、ABS樹脂などの各種有機樹脂材料を用いることができる。なお、上記以外でも、本発明の一態様である光電変換モジュールの作製プロセスに耐えうる樹脂材料であれば特に限定されない。また、保護層102側からも光が入射する場合は、保護樹脂102bとして、可視光透過率が80以上、より望ましくは90以上の透光性を有する樹脂材料を用いることが好ましい。光電変換セル104の形状や設置状態は特に限定されないが、保護層102上に複数枚の光電変換セル104を設けた際に生じる光電変換セル104間の隙間が小さくなるように設置することが望ましい。しかし、例えば、単結晶シリコンウエハを用いて作製する光電変換セルでは、シリコンインゴットをスライスして作製した丸形シリコンウエハの端部の一部を除去した多角形状の単結晶シリコンウエハを用いる。このため、光電変換セルを保護層上に効率的に設けた場合でも隙間が生じる。この隙間に対して、図1Aのように反射部材108を設けることで、発電に寄与しない面積を減らし、光電変換モジュールの発電量を増加させることができる。光電変換セル104は、図2Bに示すとおり、外部から入射される光エネルギー例えば太陽光などを受光して、電気エネルギーに変換する機能を有する光電変換層112と、光電変換層112の一面に接して設けられた第1の電極114と、光電変換層112の他の一面に接して設けられた導電防止層116と、導電防止層116を貫通し光電変換層112と電気的に接続された第2の電極118を含んだ構造である。また、光電変換セル104は、第1の電極114と保護層の間に設けられた第1の導電性材料120および、第2の電極と電気的に接続された第2の導電性材料122を介して、接続配線106により電気的に接続されている。なお、接続配線106の一部は、外部装置例えば、パワーコンディショナーや蓄電装置などと光電変換モジュールを接続する外部接続端子としても機能する。本実施の形態における光電変換層112は、図2Bに示すように、光電変換層112の中心に位置する第1の半導体層112a、第1の半導体層112aの一面に形成された第2の半導体層112bおよび、第1の半導体層112aの他の一面に形成された第3の半導体層112cの三層から成る構造である。第1の半導体層112aとしては、例えば、結晶シリコン単結晶シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコンなど、または非晶質シリコンを用いることができる。または、結晶シリコンと非晶質シリコンとを含有する材料、あるいは、窒素又は炭素を含有するシリコン材料などを用いることができる。第2の半導体層112bおよび第3の半導体層112cは、第1の半導体層112aに熱拡散法、イオンドーピング法などにより導電型を付与する不純物元素を添加することで形成することができる。なお、p型を付与する不純物としては、周期表第13元素であるボロンまたはアルミニウムなどが挙げられる。また、n型を付与する不純物としては、周期表第15元素であるリン、砒素、またはアンチモンなどが挙げられる。また上記形成方法以外にも、PECVD法、熱CVD法またはスパッタ法を用いて、第1の半導体層112a、第2の半導体層112bおよび第3の半導体層112cを積層して、光電変換層112を形成してもよい。本実施の形態における光電変換層112は、第1の半導体層112aとしてp型の単結晶シリコンウエハを用い、第1の半導体層112aの一面に、p型を付与する不純物元素を添加して第2の半導体層112bを形成し、第1の半導体層112aの他の一面に、n型を付与する不純物元素を添加して第3の半導体層112cを形成した3層構造である。なお、光電変換層112の構造は上記構造に限らず、p型半導体層とn型半導体層を、それぞれ少なくとも1層以上含んで構成された、光電効果を有する層であればよい。また、シリコン材料に依らず、CIGSCuIn,GaSe2、CdTeなどの化合物半導体、あるいは、III族からV族の元素を含む化合物半導体を用いて形成してもよい。第1の電極114としては、例えば、アルミニウム、銀、ニッケル、銅、錫、チタン、モリブデン、タングステン、タンタル、又はクロムなどの金属材料や、これらの金属材料を含む合金やペースト材料を、印刷法、蒸着法またはスパッタ法など用いて単層または積層で形成して用いることができる。導電防止層116としては、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン又は窒化酸化シリコン、酸化チタンを、化学気相成長法CVD法またはスパッタ法などを用いて単層または積層で形成して用いることができる。なお、導電防止層116は、入射光の反射を防止する、反射防止膜としての機能を有することが好ましい。これにより、導電防止層116で生じる入射光の反射が抑制され、光電変換モジュールの発電量を増加させることができる。第2の電極118、第1の導電性材料120および第2の導電性材料122としては、例えば、ニッケル、アルミニウム、銀、はんだを含有するペースト材料や鉛フリーはんだなどを、印刷法、滴下法や塗布法などにより形成すればよい。なお、図2Bにおいて、第2の電極118は導電防止層116に埋め込まれた状態に形成されている以下、埋め込み電極と呼称する。このような埋め込み電極の作製方法の一例としては、導電防止層116上に第2の電極118を印刷法、滴下法や塗布法などにより形成した後に加熱処理を行い、第2の電極118の成分を導電防止層116中に拡散して貫通させる方法ファイヤースルー、焼成貫通とも呼ばれるがある。接続配線106としては、例えば、錫メッキ銅線、はんだメッキ銅線、アルミ箔、銀箔、銅箔、ニッケル箔または錫箔などの金属箔を用いることができる。また、ニッケル、アルミニウム、銀、はんだなどを含有するペースト材料やはんだなどを、印刷法や滴下法などにより導線として形成することも可能である。なお、接続配線106は、第1の導電性材料120および第2の導電性材料122により、光電変換セル104と接着されることが好ましい。反射部材108としては、保護層102と直接接しない面図1Bでの斜面部分に相当するに、入射光を反射する材質が形成され、頂部および底辺端部を結ぶ直線と、保護層の交差角度図3Aの角θが45°超かつ90°未満であることを特徴とする。例えば、図3Aのように、反射部材108全体が反射材料200で形成された構造を用いることができる。なお、図3A乃至図3Dに示す構造物は、全て反射部材108の一例を表したものである。反射材料200に用いる材料としては、例えば、アルミAl、銀Ag、金Au、クロムCr、ニッケルNi、プラチナPt、スズSn、銅Cu、タングステンWや、これらの合金が挙げられる。また、反射率を高めるため、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコンまた窒化酸化シリコンなどで表面が覆われていてもよい。なお、反射材料200は上記材料に限定されず、可視光反射率および赤外光反射率が70以上の材料であれば特に限定はされない。また、図3Bのように、基材202の表面に反射材料200が形成された構造を用いてもよい。基材202の表面のみに反射材料200を形成することで、反射部材108を安価に作製できる。なお、反射材料200の形成方法としては、スパッタ法、真空蒸着法、化学気相成長法CVDやメッキ処理などを用いることができる。また、反射材料200として機能する材料を、基材202の表面に直接塗布してもよい。基材202に用いる材料としては、例えば、各種樹脂や各種ガラスなどの安価な材料を用い、金型などの大量形成が可能な装置を用いて作製すればよい。これにより、反射部材108の価格を安価にすることができるため、大幅なコスト上昇を伴うことなく光電変換モジュールの発電量を増加することができる。また、反射部材108は断面形状が略三角形状であればよいため、図3Cのように、全体が反射材料200で形成され、表面に凹凸を有する構造や、図3Dのように、表面に凹凸を有する基材202の表面に反射材料200を形成した構造としてもよい。なお、本実施の形態では、図1Aのように光電変換セルの隙間部分と光電変換セルの外周に設けられた反射部材108の形状が異なっているが、本発明は、これに限定されるものではない。例えば、光電変換セルの隙間部分に設けられた形状の反射部材108を、光電変換セルの外周に設けてもよい。封止層110としては、少なくとも封止樹脂110aを有しており、さらに封止樹脂110aに接して封止基材110bを有していてもよい。封止樹脂110aとしては、例えば、エチレンビニルアセテートEVA、ポリエチレンテレフタレート樹脂PET、ポリエーテルスルホン樹脂PES、ポリエチレンナフタレート樹脂PEN、ポリビニルアルコール樹脂PVA、ポリカーボネート樹脂PC、ナイロン樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂PEEK、ポリスチレン樹脂PS、ポリスルホン樹脂PSF、ポリエーテルイミド樹脂PEI、ポリアリレート樹脂PAR、ポリブチレンテレフタレート樹脂PBT、ポリイミド樹脂PI、ポリアミド樹脂PA、ポリアミドイミド樹脂PAI、ポリイソブチレン樹脂PIB、塩素化ポリエーテル樹脂CP、メラミン樹脂MF、エポキシ樹脂EP、塩化ビニリデン樹脂PVDCポリプロピレン樹脂PP、ポリアセタール樹脂POM、フェノール樹脂PF、フラン樹脂FF、不飽和ポリエステル樹脂UP、酢酸セルロース樹脂CA、ユリア樹脂UF、キシレン樹脂XR、ジアリルフタレート樹脂DAP、ポリ酢酸ビニル樹脂PVAc、ポリエチレン樹脂PE、フッ素樹脂、ABS樹脂などの各種有機樹脂材料を用いることができる。なお、封止樹脂110aは、可視光透過率が80以上、より望ましくは90以上の透光性を有する樹脂材料を用いることが好ましい。また、上記以外でも、本発明の一態様である光電変換モジュールの作製プロセスに耐えうる樹脂材料であれば特に限定されない。また、上記樹脂材料を含んで形成される各種フィルムを、封止樹脂110aとして用いてもよい。その際は、光電変換セル104と封止層110の間になるべく隙間が発生しないように、図3Eに示すように、反射部材108の形状と同様の凹部を封止樹脂110aに形成し、加熱処理による溶着などにより貼り合わせることが好ましい。または、上記、凹部を設けた封止樹脂110aに反射部材108を埋め込んでから、光電変換セル104、保護層102と貼り合わせてもよい。封止基材110bとしては、各種ガラス基板や、ポリエチレンテレフタレート樹脂PET、ポリエーテルスルホン樹脂PES、ポリエチレンナフタレート樹脂PEN、ポリビニルアルコール樹脂PVA、ポリカーボネート樹脂PC、ポリエチレン樹脂PE、ABS樹脂などの各種プラスチック基板を用いることができる。光電変換セル104の周囲を封止樹脂110aおよび保護樹脂102bで覆うことにより、外部から光電変換セルへの気体成分、水分およびゴミの侵入を抑制することができる。さらに、外部から光電変換セルへの物理的な衝撃を低減することができる。このため、光電変換セル104の性能劣化を抑制できる。なお、封止層110は、可視光透過率および赤外光透過率が80以上、より望ましくは90以上の透光性を有することが好ましい。<本実施の形態における光電変換モジュールの効果>本実施の形態の構成を有する光電変換モジュールに対して、外部から光が入射された際の入射光の進行経路を図4Aおよび図4Bに示す。光電変換セルの隙間や光電変換セルの外周への入射光400は、反射部材108の斜面で反射され、光電変換セル104に導かれる。本実施の形態に記載した構成の光電変換モジュール100では、反射部材108の頂部が、光電変換セル104表面より光入射方向側にある、すなわち光電変換セル104の表面より高い位置に頂部を有するため、入射光は反射部材108の斜面での反射により光電変換セル104に到達する。光電変換セルの隙間や光電変換セルの外周への入射光400を、光電変換セル104へ効果的に導くために、反射部材108における頂部および底辺端部を結ぶ直線と、保護層との交差角度図3Aのθ部分を、45°超かつ90°未満とすればよい。なお、図4Aと比較して、図4Bのように反射部材108の傾斜角度を大きくすることにより、入射光が封止層110中を通過する距離を短縮することができる。封止層110は材料により異なるものの、紫外光領域、可視光領域、赤外光領域の光を少なからず吸収する性質を有するため、入射光400が封止層110中を通過する距離を短縮することにより、封止層110による光吸収損失を抑制し、光電変換モジュール100の発電量を増加することができる。なお、図4Aおよび図4Bでは、反射部材108は封止層110の表面から露出しない状態に設けられているが、特にこれに限定されることはない。以上のように、光電変換モジュールに本実施の形態の構成を用いることにより、効率の高い光電変換モジュールを提供できる。なお、本実施の形態のように、反射部材108の頂部が光電変換セル104の表面より入射光側になるように、すなわち光電変換セル104の表面より高い位置に頂部を有するように設けられた光電変換モジュールでは、入射光の角度により光電変換セル104の一部が反射部材108の影に覆われ、発電量が減少する可能性がある。光電変換セル104の一部が反射部材108の影に覆われないようにするため、本実施の形態に記載された光電変換モジュール100を用いて光電変換装置を作製する際は、光電変換装置に、光源の位置を逐次追尾して光電変換モジュール100の角度を自動的に制御する機能を加えることが好ましい。これにより、反射部材108の影に起因した光電変換装置の発電量低下を抑制することができる。このような光源追尾機能としては、例えば、光電変換モジュールにフォトセンサーなどの光量検出機能を有する装置以下、光量検出装置と呼称するを2つ以上設け、各光量検出装置の検出量を比較して光電変換モジュール100を最適な角度つまり、反射部材108の陰が極力発生しない角度に制御する方法などがある。なお、光源追尾機能については上記の例に限定されることはなく、既知の様々な技術を使用できる。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1にて記載した本発明の一態様とは一部の構成が異なる光電変換モジュールについて、図5乃至図7を用いて説明する。<本実施の形態における光電変換モジュールの構成>図5に本実施の形態における光電変換モジュールの構成図を示す。図5Aは本実施の形態における光電変換モジュールの上面図であり、同一基板上に複数の光電変換セルが設けられ、複数の光電変換セルが直列接続および/または並列接続された光電変換モジュールの平面の模式図である。また、図5A中の一点鎖線Z1-Z2に対応する断面の模式図の一例を図5Bに示す。なお、図5A中の二点鎖線で囲まれた部分a部分については、図2Aと同じであるため、ここでは説明を省略する。本実施の形態の光電変換モジュール500は、図5Aおよび図5Bに示すように、保護層102と、所定の間隔を隔てて配置された光電変換セル104と、接続配線106と、光電変換セル104を覆う状態に設けられた封止層110と、光電変換セル104の隙間や光電変換セル外周の封止層110上に設けられた反射部材108を含んで構成される。なお、各構成要素の詳細については実施の形態1と同じであるため、ここでは説明を省略する。本実施の形態の光電変換モジュール500では、図5Bに示すように反射部材108が封止層110上に設けられた構造となる。光電変換セル104は図2Bに示すとおり、表面に第2の電極118、第2の導電性材料122および接続配線106が設けられている。このため、光電変換セル104の表面は導電性を有している。また、反射部材108は、反射材料200としてアルミなどの導電性を有する材料が用いられた場合、表面は導電性を有することとなる。したがって、実施の形態1のように、光電変換セルの隙間や光電変換セルの外周に反射部材108を設ける場合は、反射部材108と光電変換セル104が接触しないように、反射部材108と光電変換セル104の間にスペースを確保して設置する必要がある。本実施の形態では、光電変換セル104上に封止層110を設け、封止層110上に反射部材108を設けているため、反射部材108が光電変換セル104と重畳した状態に設けられても、光電変換セル104と反射部材108を絶縁状態に保てる。このため、本実施の形態に示す光電変換モジュール500では、図5Aおよび図5Bのように、光電変換セル104の隙間面積と反射部材108の底面積を同じにすることが可能となる。これにより、光電変換モジュールの作製歩留まりを低下させることなく、光電変換モジュールの発電量を増加させることができる。なお、本実施の形態よりも光電変換セルの隙間部分が大きい他の光電変換モジュールと反射部材を共用する場合、図6に示すように、光電変換セル104の隙間面積よりも、底面積の大きい反射部材108を、本実施の形態の光電変換モジュールに用いる必要が生じる場合がある。この場合、光電変換セル104と反射部材108が重畳する面積をα、光電変換セル104の隙間や外周と反射部材108が重畳する面積をβとすると、α<βとすることにより、光電変換モジュール500の発電量を増加させることができる。このように、複数の光電変換モジュールで反射部材を共用することができるため、反射部材の作製コストを低減できる。なお、反射部材108を封止層110上に設ける方法としては、例えば、両面テープなどの接着テープや各種接着剤を用いて固定すればよく、好ましくは耐水性を有していることが望まれる。また、反射部材108の底面と封止層110の表面の両方が高い平滑性を有しており、両者を押し当てて接着できる真空接着ともいわれる場合は、接着テープや接着剤を必ずしも用いる必要はない。また、反射部材108は、固定後においても実施者が必要に応じて着脱可能な状態に設けてもよい。これにより、経時劣化や破損により性能が低下した反射部材108の交換を行うことができるため、光電変換モジュール500の発電量低下を抑制することができる。なお、着脱可能な状態に設ける方法としては、例えば、封止層110に変形や亀裂などのダメージを与えない程度の物理的な力で剥離することの可能な、弱粘着の接着剤および接着テープ、特定波長の光を照射することにより粘着性が低下する接着剤および接着テープなどを用いることができる。<本実施の形態における光電変換モジュールの効果>本実施の形態の構成を有する光電変換モジュール500に対して、外部から光が入射された際の入射光の進行経路を図7Aおよび図7Bに示す。光電変換セル104の隙間や光電変換セル104の外周への入射光400が、反射部材108の斜面で反射され、光電変換セル104に導かれる。本実施の形態に記載した構成の光電変換モジュール500では、反射部材108の頂部が、光電変換セル104の表面より光入射方向側にある、すなわち光電変換セル104の表面より高い位置に頂部を有するため、入射光は反射部材108の斜面での反射のみにて光電変換セル104に到達する。また、図7Aと比較して、図7Bのように反射部材108の傾斜角度を大きくすることにより、入射光400が封止層110中を通過する距離を短縮することができる。封止層110は材料により異なるものの、紫外光領域、可視光領域、赤外光領域の光を少なからず吸収する性質を有するため、入射光が封止層110中を通過する距離を短縮することにより、光電変換モジュール500の発電量を増加することができる。以上のように、光電変換モジュールに本実施の形態の構成を用いることにより、効率の高い光電変換モジュールを提供できる。なお、本実施の形態のように、反射部材108の頂部が光電変換セル104の表面より入射光側になるように、すなわち光電変換セル104の表面より高い位置に頂部を有するように設けられた光電変換モジュール500では、入射光の角度により光電変換セルの一部が反射部材108の影に覆われ、発電量が減少する可能性があるため、実施の形態1と同様に、光源追尾機能を加えることが望ましい。実施の形態3本実施の形態では、本発明に係る光電変換モジュールの使用形態の一例について説明する。以下に、本発明に係る光電変換モジュールを有する装置の具体例に関して図8を参照して説明する。なお、本実施の形態では、具体例として光電変換モジュールが設けられた人工衛星、および照明付き電柱についてのみ記載しているが、本発明に係る光電変換モジュールを備え、かつ光電変換モジュールにより発電された電気を使用する或いは蓄える機能を有しているものは、全て光電変換モジュールを有する装置とみなせる。図8Aは人工衛星であり、光電変換モジュール800、光電変換モジュール固定機構801を有し、光電変換モジュール800にて発電された電力を用いて、人工衛星ユニット802の一部または全部を動作させる。光電変換モジュール800は、本明細書にて説明した機構を有しており、入射光を効率的に光電変換できるため、高い発電量が得られる。したがって、多くの電力を安定して得られるため、惑星調査等に必要な様々な機器を、人工衛星ユニット802に組み込むことができる。なお、人工衛星のような過酷な環境下で、本発明に係る光電変換モジュールを用いる場合は、実施の形態1のように、反射部材が封止層により覆われる構造が好ましい。これにより、スペースデブリ宇宙ゴミの衝突などによる反射部材の劣化を抑制できる。図8Bは照明装置を備えた電柱であり、光電変換モジュール810、光電変換モジュール固定機構811を有し、光電変換モジュール810にて発電された電力を用いて、照明装置812を動作させる。また、照明装置812の動作に用いられなかった電力は、送電線813を介して電力施設などに伝送される。光電変換モジュール810は本明細書にて説明した機構を有しており、入射光を効率的に光電変換できるため、高い発電量が得られる。したがって、多くの電力を安定して得られるため、高い光量を有する照明装置を取り付け、夜間の安全性を向上させることができる。なお、照明装置を備えた電柱のような、比較的メンテナンスが容易な環境下で、本発明に係る光電変換モジュールを用いる場合は、実施の形態2のように、封止層上に反射部材を設ける構造が好ましい。これにより、劣化した反射部材の交換が可能となり、光電変換モジュールの発電量の低下を抑制することができる。"