"磁気光学素子用の多結晶焼結体であって、該焼結体は、Tb2SiO5を主成分とし、該Tb2SiO5の含有量が90モル以上であることを特徴とする磁気光学素子用焼結体。前記焼結体は、Y2O3、Lu2O3、ZrO2、HfO2から選択される一種以上の化合物を含むものであることを特徴とする請求項1に記載の磁気光学素子用焼結体。請求項1又は請求項2に記載の磁気光学素子用焼結体を用いたものであることを特徴とする磁気光学デバイス。しかし、特許文献1,2のような材料では、実用上問題がない程度の透明な材料が得られないという欠点がある。これは、特許文献1,2の材料は高温で製造されるため、主材料となるTb2O3が高温から室温になる間に相転移を起こし易いという性質によるためか、相転移によりマトリックス相とは異なる相が共存し、この異相が光の散乱原因になっていると考えられる。この現象は特許文献1,2で開示された材料の本質的な欠点であるといえる。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、ヴェルデ定数が大きく、十分な透明性を有する磁気光学素子用焼結体を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、磁気光学素子用の多結晶焼結体であって、該焼結体は、Tb2SiO5を主成分とし、該Tb2SiO5の含有量が90モル以上であることを特徴とする磁気光学素子用焼結体を提供する。このような磁気光学素子用焼結体であれば、単位体積当りの3価のテルビウムイオンの含有量が多いため、ヴェルデ定数が大きく、また、十分に透明なものとなる。従って、磁気光学素子の小型化が可能な高品質の焼結体となる。このとき、前記焼結体は、Y2O3、Lu2O3、ZrO2、HfO2から選択される一種以上の化合物を含むものであることが好ましい。このような化合物を含むことで、透明性により優れた焼結体となる。また、本発明の磁気光学素子用焼結体を用いたものであることを特徴とする磁気光学デバイスを提供する。このような本発明の磁気光学素子用焼結体を用いたものであれば、小型化が可能で、高品質の磁気光学デバイスとなる。以上のように、本発明によれば、ヴェルデ定数の大きい、優れた透明性の磁気光学素子用焼結体となり、それを用いて小型で高品質の磁気光学デバイスとすることができる。以下、本発明について、実施態様の一例として以下詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明は、磁気光学素子用の多結晶焼結体であって、該焼結体は、Tb2SiO5を主成分とし、該Tb2SiO5の含有量が90モル以上である。本発明の焼結体であれば、3価のテルビウムイオンを従来よりも高濃度に含み、例えば使用波長である1μm帯で透明な磁気光学素子材料となる。珪酸テルビウムTb2SiO5は、その結晶構造は単斜晶系ではあるが、高温から室温まで相転移を起こすことがなく、また、波長1μm帯での吸収もない材料である。このため、還元性の雰囲気で焼成すると、3価のテルビウムイオンに起因する波長500nm付近の狭い幅での吸収以外の吸収は生じず、透光性に優れた焼結体となる。本発明の透光焼結体は、3価のテルビウムイオンを従来よりも高濃度に含むため、テルビウムガラスやテルビウムガリウムガーネット化学式Tb3Ga5O12単結晶よりも大きなヴェルデ定数を有する。このため、従来の材料よりも短い光路長でも45度のファラデー回転角が得られ、さらに、ファラデー回転子の性能を発揮させるための磁石も小型にすることができるため、アイソレータ素子等の磁気光学デバイスの小型化を図ることができる。例えばファイバーレーザでは、ヘッド部を高精度で動作させるため、ヘッド部に組み込まれる光アイソレータが小型かつ軽量となることは非常に好ましいこととなる。また、Tb2SiO5の含有量が90モル未満では、3価のテルビウムイオンの濃度が不十分で、ヴェルデ定数の向上はほどんど見られない。このとき、本発明の焼結体は、Y2O3、Lu2O3、ZrO2、HfO2から選択される一種以上の化合物を含むものであることが好ましい。珪酸テルビウム単体の焼結体でもファラデー回転子の材料として使用できるが、珪酸テルビウムは、単斜晶系のうち点群C2/cと点群P21/cの両方になるため、実用上問題はないものの、波長1μm帯で光アイソレータとしたときの挿入損失が少し見られる。従って、珪酸テルビウムを主体とする焼結体を製造するときに、例えばY2O3、Lu2O3といったTb3イオンよりもイオン半径の小さな3価となる希土類元素の酸化物や、例えばZrO2、HfO2といった焼結助剤として用いられる4価となる酸化物から選択される一種以上の化合物となるような原料を添加すると、単斜晶系が安定するため、透明性がより優れた焼結体が得られる。この場合、3価のテルビウムイオン濃度は希釈されるが、この希釈効果を抑えるためには、上記添加する物質の量は10モル未満とすることが必要となる。以下に本発明の磁気光学素子用焼結体の作製方法を説明する。本発明の焼結体の原料として、例えば、全て3価のテルビウムイオンで構成される化学式Tb2O3の純度4Nの酸化物粉末がある。市販されている純度4NのTb4O7を用いるときは、これを予め水素雰囲気で還元処理してTb2O3として用いても良い。また、原料として、酸化ケイ素は市販品の純度4NのSiO2を用いることができる。原料は、上記のような高純度であることが好ましく、また、その粒度は小さい方が焼成過程の反応性は良いが、微細すぎると取り扱いに不便であるので、原料粉末の平均粒径は数μmからサブμmのものを用いると良い。原料調整方法としては、例えばTb2O3とSiO2とを等モルになるように秤量し、軽く混合することができる。また、別の原料調整方法としては、いわゆる共沈法による方法がある。純度4NのTb2O3を0.2モル秤取し、純度6Nの硝酸に溶解し、約300mlの溶液とした後に、0.2モルのテトラエトキシシランと300mlのエタノールを加える。この溶液に純度2Nのアンモニア水を撹拌しながら滴下し、ゲル状の物質を得る。なお、原料としてTb4O7を使うときは、少量のH2O2を添加することが好ましい。この後、約70°Cで余分なエタノールを蒸発させ、120°Cで5日間乾燥させることでTb2SiO5用の原料が得られる。このように調整した原料に、ポリビニルアルコールPVAなどのバインダーを少量加え、エタノールを加えて、湿式のボールミルにより1日かけて原料粉を均一に粉砕し、混合する。得られたスラリーからエタノールを蒸発させて除去し、乾燥粉末を得る。この際スプレイドライヤーを用いると、乾燥と造粒を同時に行うことができる。この乾燥粉末を一軸プレスし、更に冷間等方加圧CIPで成形体を作製する。成形体密度が低いと、その後の焼成によって気孔が残って透過損失となるため、成形体密度は50以上であることが好ましい。次に、成形体は、バインダーを除くために仮焼きを行った後で本焼成する。本焼成には、常圧の焼成炉、真空焼成炉、ホットプレス炉などの既存の炉を用いることができる。焼成の雰囲気は、酸素分圧が高いと高酸化状態のテルビウムが生じるため、低酸素分圧とすることが好ましい。焼成炉内の酸素を除くには、水素を含む還元性の雰囲気を用いることができる。また、炉内を高真空に保つことによっても低酸素分圧を実現でき、また、酸素不純物を低減した高純度の不活性ガスを用いてもよい。焼成の条件は、焼結体の粒子が組成的、組織的に均一であり、残留気孔が少なくて緻密であり、その結果として焼結体の透光性が優れているように、各焼成法に合わせて設定する。例えば、焼成の温度は1100~1400°C、その最高温度での保持時間は0.5~24時間の範囲から選ぶことができる。炉内温度分布を均一化した焼成炉を用いて、冷却時の温度降下パターン条件を適切に選ぶことによって、熱歪の少ない多結晶体が得られ、光アイソレータに必要な高い消光比を実現することができる。このような焼成後に微小な残留気孔が残る場合は、更に熱間等方加圧HIPを付加することができる。HIP処理は、1100~1400°Cの温度範囲で数時間以内の処理によって残留気孔の低減効果が得られる。高温にするほうが残留気孔を短時間で低減できることより好ましく、残留気孔の比率としては焼結体の密度が理論密度の99.8以上気孔率では0.2以下であることが好ましい。焼結体の密度が理論密度の99.8以上であれば、光の透過率が極端に低くなることもない。焼結体の密度はアルキメデス法で測定できる。気孔率は、焼結体の実測密度と理論密度の差異から求めることができる。焼結体のヴェルデ定数は、焼結体を切り出した後に端面を鏡面加工し、既知の大きさの磁界中にセットし、偏光面の回転角度と光路長とを測定して求めることができる。上記のように作製できる本発明のTb2SiO5からなる焼結体の測定結果は、波長1.06μmでヴェルデ定数0.25min./エルステッドcmと、TGG結晶の倍の大きさを示す。このため、磁気光学デバイスに好適であり、小型ハイパワー等の特徴を有する可視光から近赤外光の固体レーザ用の光アイソレータや、また大型形状作製が可能である利点を生かした大出力レーザ用の光アイソレータにも利用可能である。以下、実施例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例1純度99.9で粒径1μm以下のTb2O3粉末を100g、SiO2粉末を16.42g、エチルアルコール150g、PVA1gを秤量し、表面を樹脂コートしたボールを用いてボールミル混合した。24時間後にスラリーを取り出し、エチルアルコールを蒸発させて乾燥粉末を得た。乾燥した粉末は、乳鉢と乳棒を用いて解砕した。この粉末を金型に入れて20MPaで円筒状に一軸成形し、更に200MPaのCIP冷間等方加圧処理を行って成形体を作製した。この成形体を、圧力20MPa、最高温度1400°Cでホットプレス焼成し、直径25mm、厚さ8mmの円板状で、Tb2SiO5の含有量が90モル以上の焼結体を得た。得られた焼結体は、相転移による割れがない透明体であった。作製した焼結体の密度は、ダイスと接触していた表面層を研削除去した後、アルキメデス法で測定した。相対密度は、99.8であった。得られた焼結体から直径3mm×長さ10mmの円柱を切り出し、対向する2面を鏡面研磨した試料を作製した。組成と密度から、上記作製した焼結体は、1cm3あたりTb3イオンを1.9×1022個以上含むことが分かった。また、焼結体の試料を0.5Tの磁場中におき、グラントムソンプリズムで挟んで1.06μmにおけるヴェルデ定数を測定したところ、0.25min./エルステッドcmであった。この焼結体の鏡面に波長1.06μmの無反射コートを施して、定法により波長1.06μmでの挿入損失と消光比を測定した結果、挿入損失は0.16dBであり、消光比は43dBを示し、光アイソレータ用磁気光学素子として使えることが確認できた。実施例2-9実施例1と同様に、ただし原料に、Y2O3、Lu2O3、ZrO2又はHfO2を5あるいは10含む粉末および各原料と等モルのSiO2を加え、実施例1と同じ手順で、Tb2SiO5の含有量が90モル以上の焼結体を作製した。実施例1と同様に、作製した焼結体の両端を鏡面化し、無反射コートを施して挿入損失を測定した結果、挿入損失は0.12dB~0.15dBと実施例1より小さな値を示した。上記添加した化合物により、焼結体の透明性がより向上したためと考えられる。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。"