"アノードと、該アノードの上に重なる誘電体層と、固体電解質を含む該誘電体層の上に重なるカソードとを含み、上面及び対向する下面を画定するコンデンサ要素と、前記コンデンサ要素からある方向に延び、かつ前記アノードに電気的に接続されたアノードリードと、前記アノードリードに電気的に接続された第1のアノード端子と、前記コンデンサ要素の前記下面と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第1の部分を収容する第1のカソード端子と、前記コンデンサ要素の前記上面と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第2の部分を収容する第2のカソード端子と、前記コンデンサ要素を封入し、かつ前記第1のカソード端子、第2のカソード端子、第1のアノード端子、又はこれらの組合せの少なくとも一部分を露出したままにするケースと、を含むことを特徴とするコンデンサアセンブリ。前記第1のアノード端子は、前記アノードリードの前記方向に対してある角度で位置決めされた第3の部分を収容し、該第3の部分は、該アノードリードの下側区画を受け取る上方に向いた凹部を画定することを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記アノードリードの前記方向に対してある角度で位置決めされた第4の部分を収容する第2のアノード端子を更に含み、前記第4の部分は、前記アノードリードの上側区画を受け取る下方に向いた凹部を画定する、ことを特徴とする請求項2に記載のコンデンサアセンブリ。前記アノードリードは、前記上方及び下方に向いた凹部の間に位置決めされ、かつそれらと電気的に接触することを特徴とする請求項3に記載のコンデンサアセンブリ。前記凹部は、互いに嵌合することを特徴とする請求項4に記載のコンデンサアセンブリ。前記上方に向く凹部、前記下方に向く凹部、又はその両方は、U字形状を有することを特徴とする請求項4に記載のコンデンサアセンブリ。前記アノードは、タンタル、ニオブ、又はその導電性酸化物を含むことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。前記固体電解質は、二酸化マンガン、導電性ポリマー、又はその組合せを含むことを特徴とする請求項1に記載のコンデンサアセンブリ。コンデンサアセンブリを形成する方法であって、アノードリードがそこからある方向に延びる固体電解コンデンサ要素を準備する段階と、前記アノードリードが受け取られる凹部を収容する第1のアノード端子と、前記コンデンサ要素の下面と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第1の部分を収容する第1のカソード端子とを収容する第1のリードフレーム上に該コンデンサ要素を位置決めする段階と、前記アノードリードを前記第1のアノード端子に電気的に接続する段階と、前記コンデンサ要素の上面と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第2の部分を収容する第2のカソード端子を収容する該コンデンサ要素上に第2のリードフレームを位置決めする段階と、前記コンデンサ要素を前記第1及び第2のカソード端子に電気的に接続する段階と、を含むことを特徴とする方法。導電性接着剤が、前記第1のカソード端子の前記第1の部分と前記コンデンサ要素の前記下面との間に配置されることを特徴とする請求項9に記載の方法。導電性接着剤が、前記第2のカソード端子の前記第2の部分と前記コンデンサ要素の前記上面との間に配置されることを特徴とする請求項9に記載の方法。前記アノードリードは、前記凹部で前記第1のアノード端子にレーザ溶接されることを特徴とする請求項9に記載の方法。前記第1のアノード端子は、前記アノードリードの前記方向に対してある角度で位置決めされた第3の部分を収容し、該第3の部分は、該アノードリードの下側区画を受け取る上方に向く凹部を画定することを特徴とする請求項9に記載の方法。前記第2のリードフレームは、前記アノードリードの前記方向に対してある角度で位置決めされた第4の部分を収容する第2のアノード端子を更に含み、該第4の部分は、該アノードリードの上側区画を受け取る下方に向く凹部を画定することを特徴とする請求項13に記載の方法。前記アノードリードは、前記上方及び下方に向く凹部の間に位置決めされ、かつそれらと電気的に接触されることを特徴とする請求項14に記載の方法。前記凹部は、互いに嵌合することを特徴とする請求項15に記載の方法。前記凹部は、U字形状を有することを特徴とする請求項9に記載の方法。前記コンデンサ要素を前記第1のカソード端子、第2のカソード端子、第1のアノード端子、又はその組合せの少なくとも一部分が露出したままにするようにケースに封入する段階を更に含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。前記コンデンサ要素は、アノードと、該アノードの上に重なる誘電体層と、固体電解質を含む該誘電体層の上に重なるカソードとを含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。本発明の一実施形態により、アノードと、アノードの上に重なる誘電体層と、固体電解質を含む誘電体層の上に重なるカソードとを含むコンデンサ要素を含むコンデンサアセンブリを開示する。アノードリードは、コンデンサ要素からある一定の方向に延び、かつアノードに電気的に接続される。第1のアノード端子は、アノードリードに電気的に接続される。アセンブリはまた、コンデンサ要素の下面と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第1の部分を収容する第1のカソード端子と、コンデンサ要素の上面と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第2の部分を収容する第2のカソード端子とを含む。本発明の別の実施形態により、コンデンサアセンブリを形成する方法を開示する。本方法は、アノードリードがそこからある一定の方向に延びる固体電解質コンデンサ要素を準備する段階と、アノードリードが受け取られる凹部を収容する第1のアノード端子と、コンデンサ要素の下面と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第1の部分を収容する第1のカソード端子とを収容する第1のリードフレーム上にコンデンサ要素を位置決めする段階と、アノードリードを第1のアノード端子に電気的に接続する段階と、コンデンサ要素の上面と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第2の部分を収容する第2のカソード端子を収容するコンデンサ要素上に第2のリードフレームを位置決めする段階と、コンデンサ要素を第1及び第2のカソード端子に電気的に接続する段階とを含む。本発明の他の特徴及び態様をより詳細に以下に説明する。当業者のためのその最良のモードを含む本発明の完全かつ権限付与する開示を添付図面への参照を含んで本明細書の残り部分でより詳細に説明する。本明細書及び図面における参照文字の反復使用は、本発明の同じか又は類似の特徴又は要素を表すことを意図している。本説明は、単に例示的な実施形態の説明であり、本発明のより広範な態様の制限としては意図されないことは当業者によって理解されるものとする。一般的に、本発明は、固体電解質コンデンサ要素及びそれからある一定の方向に延びるアノードリードと、第1及び第2のカソード端子と、アノード端子とを収容するコンデンサアセンブリに関する。第1のカソード端子は、コンデンサ要素の下面と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第1の部分を収容し、第2のカソード端子は、コンデンサ要素の上面と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第2の部分を収容する。そのようなサンドイッチ構成により、カソード端子とコンデンサ要素の間の表面接触の程度が高められ、これは、熱を消散させることを助けることができ、かつそれが通常は過熱を引き起こすと考えられるより高い電流が処理することを可能にする。この端子はまた、高められた機械的支持も提供することができる。図4及び図5を参照すると、コンデンサ要素33に電気的に接触する第1のカソード端子72及び第2のカソード端子172を含むコンデンサアセンブリ30の一実施形態が示されている。より詳細には、第1のカソード端子72は、コンデンサ要素33の下面39と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第1の部分73を収容する。第1のカソード端子72はまた、部分74を収容することができる。平坦構成で示されているが、部分74は、第1の部分73に対してある一定の角度で例えば、実質的に直角に、かつ任意的に、コンデンサ要素33の後面38に電気的に接触して配置することができる。この点に関して、部分74は、曲げられるその機能を容易にするために開口76を形成することができる。一体形であるとして表されているが、これらの部分は、代替的に、直接に又は付加的な導電性要素例えば、金属を通じてのいずれかで互いに接続した個別部分とすることができる。第2のカソード端子172は、コンデンサ要素33の上面37と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第2の部分173を同様に含む。上述のように、第2のカソード端子172は、部分174も収容することができ、これは、平坦であるか又は第2の部分173に対してある一定の角度で例えば、実質的に直角に、かつ任意的にコンデンサ要素33の後面38に電気的に接触して配置することができる。図示のように、コンデンサアセンブリは、コンデンサ要素33のアノードリード16に電気的に接触する第1のアノード端子62も収容する。アノードリード16例えば、ワイヤ、シートなどは、前面36、後面38、上面37及び/又は下面39のようなコンデンサ要素33のいずれかの表面から延びている。例えば、図示の実施形態では、リード16は、コンデンサ要素33の前面36から縦方向Aに延びる埋め込みワイヤの形態である。アノードリード16は、タンタル、ニオブ、ニッケル、アルミニウム、ハフニウム、チタン、並びにそれらの酸化物及び/又は窒化物のような導電材料から形成される。リード16は、コンデンサ要素33のアノードと電気的に接触され、かつ抵抗又はレーザ溶接を使用してリードを連結するか、リード16をアノード内にその形成中に例えば、焼結の前に埋め込むか、その他によるような当業技術に公知の様々な方法でアノードに接続される。図示の実施形態では、第1のアノード端子62は、リード16が延びる方向に対してある一定の角度で位置決めされた第3の部分64を含む。例えば、第3の部分64は、縦方向Aに対して実質的に直角例えば、90°±5°とすることができる。第3の部分64の上面53は、アノードリード16を受け取るための凹部51図1を参照されたいを形成する。必要に応じて、第3の部分64は、アノード端子62のコンデンサ要素33にそれを接続する時の取扱を容易にする開口部69も形成することができる。開口部69は、対向するアーチ形表面の間に形成することができ図3を参照されたい、それは、強度を高めるのに役立つ。第1のアノード端子62は、コンデンサ要素33の下面39に対して実質的に平行にかつ第3の部分64に対して実質的に直角に配置される任意的な第4の部分63も含むことができる。第4の部分63は、得られるコンデンサアセンブリ内で平坦構成に留まることができ、又はそのように所望される時はそれは、傾斜の形態に曲げることができる。一体形であるとして表されているが、代替的に、これらの部分は、直接に又は付加的な導電性要素例えば、金属を通じてのいずれかで互いに接続される個別部分とすることができることも理解すべきである。任意的に、第2のアノード端子162を使用することもできる。図示の実施形態では、第2のアノード端子162は、リード16が延びる方向に対してある一定の角度で例えば、縦方向Aに実質的に直角に配置された第5の部分164を含む。第5の部分164の下面153は、アノードリード16を受け取るための凹部151図3を参照されたいを形成する。第5の部分164は、アノード端子162の取扱を容易にするための開口部169を形成することもできる。上記と同様に、第2のアノード端子162は、コンデンサ要素33の下面39に対して実質的に平行にかつ第5の部分164に対して実質的に直角に配置される任意的な第6の部分163も含むことができる。第6の部分163は、得られるコンデンサアセンブリ内で平坦構成に留まることができ、又はそのように所望される時には、それは、傾斜の形態に曲げることができる。アノード端子内の凹部51及び151は、本明細書では1つの特定の表面に位置するとして示されている。それにも関わらず、凹部は、それぞれのアノード端子の他の表面上にも位置することができることは理解すべきである。更に、特に複数のアノードリードが使用される実施形態では、1つよりも多い凹部を各アノード端子内に形成することができる。更に、付加的な端子をそのような凹部を有して又は有さずに使用することができる。いずれにしても、第1及び第2の端子の凹部51及び151は、アノードリード16がその間に配置されるようにして互いに組み合わせることができる。より詳細には、アノードリード16の下側区画16aは、凹部51に隣接して配置することができ、アノードリード16の上側区画16bは、凹部151に隣接して配置することができる。凹部51及び151の形状及びサイズは、アノードリード16の望ましい区画を収容するのに要求されるように変えることができる。例えば、図示の実施形態では、凹部51及び151の両方は、互いに組み合わせた時に円筒形のアノードリード16を収容するための楕円形又は円形スロットを形成することができる湾曲した形状を有する。言うまでもなく、他の形状及び/又はサイズも適合する。組み合わせた凹部によって形成されるスロットに関する例示的な実施形態としては、例えば、円形、楕円形、長円形、矩形、菱形、正方形などを含むことができる。同様に、凹部それら自体に関する例示的な形状としては、例えば、湾曲形状例えば、U字形、半球形など、V字形状などを含むことができる。導電性金属例えば、銅、ニッケル、銀、ニッケル、亜鉛、錫、パラジウム、鉛、銅、アルミニウム、モリブデン、チタン、鉄、ジルコニウム、マグネシウム、及びそれらの合金のようなあらゆる導電材料を上述の端子を形成するために用いることができる。特に適切な導電性金属としては、例えば、銅、銅合金例えば、銅-ジルコニウム、銅-マグネシウム、銅-亜鉛、又は銅-鉄、ニッケル、及びニッケル合金例えば、ニッケル-鉄が挙げられる。端子の厚みは、コンデンサの厚みをできるだけ小さくするように一般的に選択される。例えば、端子の厚みは、約0.05から約1ミリメートル、一部の実施形態では、約0.05から約0.5ミリメートル、かつ約0.07から約0.2ミリメートルの範囲にすることができる。一例示的導電材料は、Wielandドイツから市販されている銅-鉄合金メタルプレートである。必要に応じて、回路基板に完成部分が装着可能であることを保証するために、当業技術で公知のように、端子の表面をニッケル、銀、金、錫などで電気メッキすることができる。1つの特定的な実施形態では、端子の両面は、それぞれニッケル及び銀フラッシュでメッキされ、一方、装着の表面は、錫半田層でこれもメッキされる。ここで、コンデンサ要素が端子に取付けられる例示的な方式を図1及び図3を参照して以下により詳細に説明する。単純化のために、単一のコンデンサアセンブリのみを説明する。しかし、リードフレームは、複数の端子を収容することができ、それらが個別のコンデンサアセンブリに切断されることを理解すべきである。図1を参照すると、上述のような第1のアノード及びカソード端子62及び72を収容する第1のリードフレームの一部分が示されている。リードフレームの一部分のみが示されており、かつそれは、明白には示されないが他の構成要素を一般的に収容することになることを理解すべきである。例えば、端子は、コンデンサの製造中にその後に除去されるメタルシートを通じて最初に接続することができる。図1の第1のリードフレームは、第1の部分64が部分63から上方に曲げられており、カソード端子72が平坦構成にある構成で示されている。図1において方向矢印で示すように、コンデンサ要素33は、その下面39が第1のカソード端子72の部分73に接触するように、かつアノードリード16が凹部51で受け取られるようにして配置される。必要に応じて、導電性接着剤図示せずが第1のカソード端子72とコンデンサ要素33の間に配置され、取付の程度が改善される。導電性接着剤は、例えば、樹脂組成物が含有された導電性金属粒子を含むことができる。金属粒子は、銀、銅、金、白金、ニッケル、亜鉛、ビスマス、その他とすることができる。樹脂組成物は、熱硬化性樹脂例えば、エポキシ樹脂、硬化剤例えば、酸無水物、及びカプリング剤例えば、シランカプリング剤を含むことができる。1つの特に適切な接着剤は、EmersonandCumingからAmiconCE3513の名称で市販されている銀充填エポキシ樹脂である。他の適切な導電性接着剤は、Osako他に付与された米国特許出願公開第2006/0038304号に説明されており、この出願は、全ての目的に対して本明細書においてその全内容が引用により組み込まれている。アノードリード16は、機械的接合、レーザ溶接、導電性接着剤などのような当業技術で公知のいずれかの技術を用いて、凹部51で第1の端子62に電気的に接続することができる。一実施形態では、例えば、アノードリード16は、凹部51で溶接される例えば、レーザ溶接される。図2の予備アセンブリが形成された状態で、第2のリードフレームをそれに接続することができる。より具体的には、図3の第2のリードフレームは、第2の部分164が部分163から上方に曲げられ、かつカソード端子172が平坦構成にある構成で示されている。図3において方向矢印で示すように、コンデンサ要素33は、その上面37が第2のカソード端子172の部分173に接触するように、かつアノードリード16が凹部51で受け取られるようにして配置される。必要に応じて、導電性接着剤図示せずが、第2のカソード端子172とコンデンサ要素33の間に配置され、取付の程度が改善される。アノードリード16は、機械的接合、レーザ溶接、導電性接着剤などのような当業技術で公知のいずれかの技術を用いて、凹部151で第2の端子162に電気的に接続することができる。一実施形態では、例えば、アノードリード16は、導電性接着剤を用いて凹部51で接続される。使用されるあらゆる接着剤は、次に、公知の技術を用いて硬化させることができる。例えば、ヒートプレスは、熱及び圧力を印加するために使用することができ、コンデンサ要素33が、第1のカソード端子72、第2のカソード端子172、及び第2のアノード端子162に十分に接着されることが保証される。得られたコンデンサアセンブリ30は、図4に示されている。コンデンサ要素が取り付けられた状態で、リードフレームは、樹脂ケーシング58図5内部に包み込まれ、このケーシングは、シリカ又はあらゆる他の公知の封入材料で充填される。ケースの幅及び長さは、意図された用途に基づいて変えることができる。適切なケーシングとしては、例えば、A、B、F、G、H、J、K、L、M、N、P、R、S、T、W、Y、又はXケースAVXCorporationを含むことができる。封入の後、それぞれの第1のアノード及びカソード端子62及び72の露出部分262及び272は、切り取られ、及び/又はケーシング58の外側に沿って曲げることができる例えば、約90°の角度で。同様に、それぞれの第1のアノード及びカソード端子162及び172の露出部分362及び372も切り取られ、かつケーシング58の外側に沿って曲げることができる例えば、約90°の角度で。このようにして、露出部分は、完成コンデンサアセンブリ30のためのJ字形状のリードを各々形成することができるが、あらゆる他の公知の形態も本発明によって形成することができる。本明細書で上述かつ図示したアセンブリ内に使用されるコンデンサ要素は、アノード、誘電体、及び固体電解質を一般的に含む。アノードは、約5,000μFV/g又はそれよりも大きく、一部の実施形態では、約25,000μFV/g又はそれよりも大きく、一部の実施形態では、約40,000μFV/g又はそれよりも大きく、かつ一部の実施形態では、約70,000から約200,000μFV/gのような高い比電荷を有するバルブ金属組成物から形成することができる。バルブ金属組成物は、タンタル、ニオブ、アルミニウム、ハフニウム、チタン、それらの合金、それらの酸化物、それらの窒化物などのようなバルブ金属すなわち、酸化が可能な金属又はバルブ金属ベースの化合物を含有する。例えば、バルブ金属組成物は、1:1.0±1.0、一部の実施形態では、1:10±0.3、一部の実施形態では、1:10±0.1、かつ一部の実施形態では、1:1±0.05のニオブの酸素に対する原子比を有するニオブ酸化物のようなニオブの導電性酸化物を含有することができる。例えば、ニオブ酸化物は、NbO07、NbO10、NbO11、及びNbO2とすることができる。好ましい実施形態では、この組成物は、NbO10を含有し、これは、高温での焼結の後でも化学的に安定に留まることができる導電性ニオブ酸化物である。そのようなバルブ金属酸化物の例は、Fifeに付与された米国特許第6,322,912号、Fife他に付与された第6,391,275号、Fife他に付与された第6,416,730号、Fifeに付与された第6,527,937号、Kimmel他に付与された第6,576,099号、Fife他に付与された第6,592,740号、及びKimmel他に付与された第6,639,787号、及びKimmel他に付与された第7,220,397号、並びにSchnitterに付与された米国特許出願公開第2005/0019581号、Schnitter他に付与された第2005/0103638号、Thomas他に付与された第2005/0013765号に説明されており、それらの全ては、全ての目的に対してそれへの引用により全体として本明細書に組み込まれている。従来型の製造手順をアノードを形成するために一般的に利用することができる。一実施形態では、所定の粒径を有するタンタル又はニオブ酸化物が最初に選択される。例えば、粒子は、薄片状、角張ったもの、結節性、及びそれらの混合又は変形とすることができる。粒子は、典型的に、少なくとも約60メッシュ、一部の実施形態では、約60から約325メッシュ、かつ一部の実施形態では、約100から約200メッシュの篩サイズ分布も有する。更に、比表面積は、約0.1から約10.0m2/g、一部の実施形態では、約0.5から約5.0m2/g、かつ一部の実施形態では、約1.0から約2.0m2/gである。用語比表面積は、吸着気体として窒素を用いたBruanauer、Emmet、及びTellerの物理的気体吸着B.E.T.法、米国化学学会誌、第60巻,1938年,p.309によって測定された表面積を意味する。更に、バルク又はScott密度は、典型的に、約0.1から約5.0グラム/立方センチg/cm3、一部の実施形態では、約0.2から約4.0g/cm3、かつ一部の実施形態では、約0.5から約3.0g/cm3である。アノードの構成を容易にするために、他の成分を導電性粒子に添加することができる。例えば、導電性粒子は、アノード本体を形成するためにプレスされる時に粒子が相互に適切に接着することを保証するように結合剤及び/又は滑剤と任意的に混合することができる。適切な結合剤としては、樟脳、ステアリン酸及び他の滑らかな態様の脂肪酸、カーボワックスUnionCarbide、グリプタルGeneralElectric、ナフタリン、植物性ワックス、及びマイクロワックス精製パラフィンを含むことができる。結合剤は、溶媒内に溶解又は分散させることができる。例示的な溶媒としては、水、アルコール、その他を含むことができる。利用される場合、結合剤及び/又は滑剤の百分率は、全重量の約0.1重量から約8重量まで変えることができる。しかし、本発明においては、結合剤及び滑剤は要求されないことを理解すべきである。得られた粉末は、あらゆる従来型の粉末プレス成形を用いて圧密化することができる。例えば、プレス成形は、ダイと1つ又は複数のパンチとを用いる単一ステーション圧密プレス成形とすることができる。代替的に、アンビル型圧密プレス成形を使用することができ、これは、ダイ及び単一のより低いパンチのみを用いる。単一ステーション圧密プレス成形は、シングルアクション、ダブルアクション、フローティングダイ、可動プラテン、対向ラム、スクリュー、衝撃、ホットプレス、コイニング、又はサイジングのような様々な機能を有するカム式、トグル/ナックル式、及び偏心/クランク式プレスのようないくつかの基本タイプで利用することができる。粉末は、アノードリード例えば、タンタルワイヤの周囲に圧密化することができる。アノードリードは、代替的に、アノード本体の押圧及び/又は焼結に続いてアノード本体に取り付けることができる例えば、溶接されることを更に認めるべきである。圧縮の後、あらゆる結合剤/滑剤は、所定の温度例えば、約150°Cから約500°Cで数分間真空の下でこのペレットを加熱することによって除去することができる。代替的に、Bishop他に付与された米国特許第6,197,252号に説明されているように、ペレットと水溶液との接触によって結合剤/滑剤を除去することができ、この特許は全ての目的に対してそれへの引用により全体として本明細書に組み込まれている。その後、ペレットは、焼結されて多孔質の一体塊が形成される。例えば、一実施形態では、ペレットは、約1200°Cから約2000°C、かつ一部の実施形態では、1500°Cから約1800°Cの温度で真空又は不活性雰囲気の下で焼結することができる。焼結時に、ペレットは、粒子間の結合の成長に起因して収縮する。上述の技術に加えて、Galvagniに付与された米国特許第4,085,435号、Sturmer他に付与された第4,945,452号、Galvagniに付与された第5,198,968号、Salisburyに付与された第5,357,399号、Galvagni他に付与された第5,394,295号、Kulkarniに付与された第5,495,386号、及びFifeに付与された第6,322,912号に説明されているようなアノード本体を構成するあらゆる他の技術を本発明により利用することもでき、それらの特許は、全ての目的に対してそれへの引用により全体として本明細書に組み込まれている。必要ではないが、アノードの厚みは、コンデンサの電気的特性を改善するように選択することができる。例えば、アノードの厚みは、約4ミリメートル又はそれ未満、一部の実施形態では、約0.05から約2ミリメートル、かつ一部の実施形態では、約0.1から約1ミリメートルとすることができる。アノードの形状も、得られるコンデンサの電気的特性を改善するように選択することができる。例えば、アノードは、湾曲、正弦波、矩形、U字形、V字形などである形状を有することができる。アノードは、表面の容積に対する比率を高めてESRをできるだけ低下させ、かつキャパシタンスの周波数応答を拡大させるために、その中に1つ又はそれよりも多くの山、溝、凹部、又は欠刻を含む溝付き形状も有することができる。そのような溝付きアノードは、例えば、Webber他に付与された米国特許第6,191,936号、Maeda他に付与された第5,949,639号、及びBourqault他に付与された第3,345,545号、並びにHahn他に付与された米国特許出願公開第2005/0270725号に説明されており、それらの全ては、全ての目的に対してそれへの引用により全体として本明細書に組み込まれている。構成された状態で、アノードは、陽極酸化することができ、それによって誘電体層がアノードを覆い、及び/又はアノード内部に形成される。陽極酸化は、それによってアノードが酸化されて比較的高い誘電率を有する材料を形成する電気化学処理である。例えば、酸化ニオブNiOアノードは、五酸化ニオブNi2O5に陽極酸化することができる。一般的に、陽極酸化は、例えば、アノードを電解質内に浸漬するなどしてアノードに電解質を最初に付加することによって行われる。電解質は、溶液例えば、水性又は非水性、分散液、溶融物などのような一般的に液体の形態である。水例えば、脱イオン水、エーテル例えば、ジエチルエーテル及びテトラヒドロフラン、アルコール例えば、メタノール、エタノール、n-プロパノール、イソプロパノール、及びブタノール、トリグリセライド、ケトン例えば、アセトン、メチルエチルケトン、及びメチルイソブチルケトン、エステル例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジエチレングリコールエーテルアセテート、及び酢酸メトキシプロピル、アミド例えば、ジメチルホルマミド、ジメチルアセタミド、ジメチルカプリリック/カプリック脂肪酸アミド、及びN-アルキルピロリドン、ニトリル例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、及びベンゾニトリル、スルホキシド又はスルホン例えば、ジメチルスルホキシドDMSO及びスルホラン等々のような溶媒が、電解質内に一般的に用いられる。溶媒は、電解質の約50重量から約99.9重量、一部の実施形態では、約75重量から約99重量、かつ一部の実施形態では、約80重量から約95重量を構成することができる。必ずしも要求されないが、水性溶媒例えば、水の使用が、望ましい酸化物を得ることを助けるために多くの場合に望ましい。実際上、水は、電解質内に使用される溶媒の約50重量又はそれよりも多く、一部の実施形態では、約70重量又はそれよりも多く、かつ一部の実施形態では、約90重量から100重量を構成することができる。電解質は、イオン導電性であり、かつ約1ミリジーメンス/センチメートルmS/cmよりも大きく、一部の実施形態では、約30mS/cm又はそれよりも大きく、かつ一部の実施形態では、約40mS/cmから約100mS/cmの25°Cの温度で測定されたイオン導電率を有する。電解質のイオン導電率を高めるために、溶媒内で解離してイオンを形成することができる化合物を使用することができる。この目的のための適切なイオン化合物としては、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸、ホウ酸、ボロン酸などのような酸と、アクリル酸、メタクリル酸、マロン酸、コハク酸、サリチル酸、スルホサリチル酸、アジピン酸、マレイン酸、リンゴ酸、オレイン酸、没食子酸、酒石酸、クエン酸、ギ酸、酢酸、グリコール酸、シュウ酸、プロピオン酸、フタール酸、イソフタール酸、グルタール酸、グルコン酸、乳酸、アスパラギン酸、グルタミン酸、イタコン酸、トリフルオロ酢酸、バルビツール酸、桂皮酸、安息香酸、4-ヒドロキシ安息香酸、アミノ安息香酸などのようなカルボン酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、スチレンスルホン酸、ナフタレンジスルホン酸、ヒドロキシベンゼンスルホン酸、ドデシルスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸などのようなスルホン酸、ポリアクリル又はポリメタクリル酸及びそれらのコポリマー例えば、マレイン-アクリル、スルホン-アクリル、及びスチレン-アクリルコポリマー、カラギニン酸、カルボキシメチルセルロース、アルギン酸などのようなポリマー酸等々を含む有機酸とを含むことができる。イオン化合物の濃度は、望ましいイオン導電率を達成するように選択される。例えば、酸例えば、リン酸は、電解質の約0.01重量から約5重量、一部の実施形態では、約0.05重量から約0.8重量、かつ一部の実施形態では、約0.1重量から約0.5重量を構成することができる。必要に応じて、イオン化合物の配合物も電解質内に用いることができる。電解質を通過して電流が流され、誘電体が形成される。電圧の値は、誘電体の厚みを管理する。例えば、電力供給は、必要な電圧に到達するまでガルバノスタットモードに最初に設定することができる。その後、電力供給は、ポテンショスタットモードに切り換えることができ、望ましい誘電体厚みがアノードの表面を覆って形成されるのが保証される。言うまでもなく、パルス又はステップポテンショスタット法のような他の公知の方法を使用することもできる。電圧は、典型的に約4から約200V、かつ一部の実施形態では、約9から約100Vの範囲である。陽極酸化中に、電解質は、約30°C又はそれよりも高く、一部の実施形態では、約40°Cから約200°C、かつ一部の実施形態では、約50°Cから約100°Cのような高い温度に維持することができる。陽極酸化は、室温で又はそれ未満で行うことができる。得られる誘電体層は、アノード表面上及びその空隙内部に形成することができる。誘電体層が形成された状態で、例えば、比較的絶縁性の樹脂材料天然又は合成で製造されたような保護コーティングを任意的に付加することができる。こうした材料は、約10オーム-cmよりも大きく、一部の実施形態では、約100よりも大きく、一部の実施形態では、約1,000オーム-cmよりも大きく、一部の実施形態では、約1×105オーム-cmよりも大きく、かつ一部の実施形態では、約1×1010オーム-cmよりも大きい比抵抗率を有することができる。本発明に利用することができる一部の樹脂材料としては、以下に制限されるものではないが、ポリウレタン、ポリスチレン、不飽和又は飽和脂肪酸のエステル例えば、グリセライド、その他が挙げられる。例えば、適切な脂肪酸のエステルとしては、以下に制限されるものではないが、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、エレオステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、アレウリチン酸、シェロール酸、その他のエステルが挙げられる。これらの脂肪酸のエステルは、得られるフィルムが安定した層に迅速に重合することを可能にする乾性油を形成する比較的複雑な組合せで使用される時に特に有用であることが公知である。こうした乾性油としては、それぞれ、1つ、2つ、及び3つのエステル化された脂肪酸アシル残基を有するモノ-、ジ-、及び/又はトリ-グリセライドを含むことができる。例えば、使用することができる一部の適切な乾性油としては、以下に制限されるものではないが、オリーブ油、アマニ油、ヒマシ油、キリ油、大豆油、及びシェラックが挙げられる。これら及び他の保護コーティングは、Fife他に付与された米国特許第6,674,635号により詳細に説明されており、この特許は、全ての目的に対してそれへの引用により全体として本明細書に組み込まれている。陽極酸化された部分は、二酸化マンガン、導電性ポリマーなどのような固体電解質を含むカソードを形成する段階を受けることができる。二酸化マンガン固体電解質は、例えば、硝酸マンガンMnNO32の熱分解によって形成することができる。こうした技術は、例えば、Sturmer他に付与された米国特許第4,945,452号に説明されており、これは、全ての目的に対してそれへの引用により全体として本明細書に組み込まれている。代替的に、1つ又はそれよりも多くのポリヘテロ環例えば、ポリピロール;ポリチオフェン、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェンPEDT;ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリ-p-フェニレン、ポリフェノレート、及びそれらの誘導体を含有する導電性ポリマーコーティングを用いることができる。更に、必要に応じて、導電性ポリマーコーティングは、複数の導電性ポリマー層から形成することができる。例えば、一実施形態では、導電性ポリマーカソードは、PEDTから形成された1つの層とポリピロールから形成された別の層とを含有することができる。様々な方法を導電性ポリマーコーティングをアノード部分上に付加するために利用することができる。例えば、電解重合、スクリーン印刷、浸漬、電着コーティング、及び噴霧のような従来型の技術を導電性ポリマーコーティングを形成するために使用することができる。一実施形態では、導電性ポリマーを形成するのに使用されるモノマー例えば、3,4-エチレンジオキシ-チオフェンが、まず重合触媒と混合されて溶液が形成される。例えば、1つの適切な重合触媒は、CLEVIOSCであり、これは、トルエンスルホン酸鉄IIIであってH.C.Starckにより販売されている。CLEVIOSCは、これもH.C.Starckによって販売されているPEDTのモノマーの3,4-エチレンジオキシチオフェンであるCLEVIOSMのための市販の触媒である。触媒分散液が生成された状態で、次に、アノード部分は、この分散液に浸漬することができ、それによってこのポリマーが、アノード部分の表面上に形成される。代替的に、触媒とモノマーとは個別にアノード部分に付加することができる。一実施形態では、例えば、触媒は、溶媒例えば、ブタノールに溶解することができ、次に、浸漬溶液としてアノード部分に付加される。アノード部分は、次に、乾燥させることができ、それから溶媒が除去される。その後、アノード部分は、適切なモノマーを含有する溶液内に浸漬することができる。モノマーが、触媒を含有するアノード部分の表面に接触した状態で、モノマーは、その上に化学的に重合する。更に、触媒例えば、CLEVIOUSCは、任意的な保護コーティングを形成するのに使用される材料例えば、樹脂材料と混合することもできる。こうした場合には、アノード部分は、次に、モノマーを含有する溶液に浸漬することができる。その結果、モノマーは、保護コーティングの表面内部及び/又はその上の触媒と接触し、それと反応して導電性ポリマーコーティングが形成される。様々な方法を上述したが、導電性ポリマーコーティングを含むコーティングをアノード部分に付加させるあらゆる他の方法も本発明において利用することができることを理解すべきである。例えば、こうした導電性ポリマーを含むコーティングを付加させる他の方法は、Sakata他に付与された米国特許第5,457,862号、Sakata他に付与された第5,473,503号、Sakata他に付与された第5,729,428号、及びKudoh他に付与された第5,812,367号に説明されており、それらは、全ての目的に対してそれへの引用により全体として本明細書に組み込まれている。殆どの実施形態では、付加された状態で、固体電解質は、ヒーリング処理することができる。ヒーリング処理は、固体電解質層の各々の付加後、又はコーティング全体の付加後に行うことができる。一部の実施形態では、例えば、固体電解質は、酸の溶液のような電解質溶液内にこのペレットを浸漬し、その後、電流が予め設定したレベルに低下するまで一定電圧を印加することにより、ヒーリング処理することができる。必要に応じて、こうしたヒーリング処理は、複数の段階で達成することができる。例えば、一実施形態では、導電性ポリマーコーティングを有するペレットが、最初にリン酸に浸漬されて約20ボルトを印加され、次に、硫酸に浸漬されて約2ボルトを印加される。この実施形態では、第2の低電圧の硫酸溶液又はトルエンスルホン酸の使用は、得られるコンデンサのキャパシタンスを高め、その誘電正接DFを低下させることを助けることができる。上述した一部又は全ての層の付加後に、得られた部分は、必要に応じて、次に洗浄することができ、様々な副産物、過剰の酸化剤、その他が除去される。更に、一部の場合には、上述の浸漬操作のうちの一部又は全ての後に、乾燥を利用することができる。例えば、触媒の付加後及び/又はペレットの洗浄後にペレットの空隙を開放し、それによって次の浸漬段階の時にそれが液体を受け取ることができるように、乾燥が望ましい場合がある。必要に応じて、各部分は、任意的に外側コーティングを付加することができる。外側コーティングは、少なくとも1つの炭素質層と、炭素質層の上に重なる少なくとも1つの金属層とを含む。金属層は、コンデンサのための半田付け可能導体、接触層、及び/又は電荷集電体として機能を果たすことができ、銅、ニッケル、銀、ニッケル、亜鉛、錫、パラジウム、鉛、銅、アルミニウム、モリブデン、チタン、鉄、ジルコニウム、マグネシウム、及びそれらの合金のような導電性金属から形成することができる。この層での使用に対して、銀は、特に適切な導電性金属である。炭素質層は、金属層と固体電解質層の間の接触を制限することができ、そうでなければこの接触は、コンデンサの抵抗を増大させることになる。炭素質層は、グラファイト、活性炭、カーボンブラックなどのような様々な公知の炭素質材料から形成することができる。炭素質層の厚みは、典型的に、約1μmから約50μm、一部の実施形態では、約2μmから約30μm、かつ一部の実施形態では、約5μmから約10μmの範囲である。同様に、金属層の厚みは、典型的に、約1μmから100μm、一部の実施形態では、約5μmから約50μm、かつ一部の実施形態では、約10μmから約25μmの範囲である。本発明は、以下の実施例によってより良く理解することができる。最初に、タンタル粉末59,750CV/gの比電荷が押圧され、5.1mmの長さ、3.7mmの幅、及び0.9mmの厚みを有するペレットサンプルとされた。タンタルワイヤ0.24mm直径が、押圧段階中にアノードペレット内に挿入された。ペレットは、1320°Cで真空焼結され、0.1リン酸内で12ボルトで陽極酸化され、120Hzでの330マイクロファラッドを有するコンデンサが製造された。導電性ポリマーカソードが、次に、順番に付加されたCLEVIOS登録商標Cトルエンスルホン酸鉄III及びCLEVIOS登録商標M3,4-エチレンジオキシチオフェンを用いて形成された。より具体的には、CLEVIOS登録商標Cがブタノール溶媒に溶解され、浸漬溶液としてペレットに付加された。ペレットは、次に乾燥させ、溶媒がそれから除去された。その後、ペレットは、CLEVIOS登録商標Mを含有する溶液内に浸漬された。ペレットは、次に、0.1リン酸内で再陽極酸化され、室温で2時間乾燥させた。6つの反復された順次的浸漬が行われ、一貫したポリマー外側層を堆積させた。アノードの製造処理を仕上げるために、外部カーボン及び銀被膜が形成された。形成された状態で、コンデンサ要素は、平坦なカソード端子パドルとアノードリード取付のためのU字形状凹部アノード端子とを有する銅ベースの単一リードフレームに取り付けられた。より詳細には、カソード端子は、銀接着剤を用いてコンデンサ要素の下面に取り付けられた。アノードリードは、U字形状凹部上にリードが適切に着座するように調整され、次に、それにレーザ溶接された。コンデンサ要素が取り付けられた状態で、リードフレームは、エポキシ樹脂内部に封入され、露出された端子は、ケースの外側に沿って曲げられた。各部分のキャパシタンス120Hzでの及びESR100kHzでのが、室温でHP4192Aインピーダンスアナライザを用いて測定された。各部分は、標準無鉛リフロープロフィール255°Cピーク温度にかけられ、次に、同じ機器を用いて再測定された。以下の表1は、3つの試験サンプル各サンプルにつき90部分からの出力中央値を要約している。表1示すように、ESR値は、リフロー後に有意に増大している。ESRでのこの増大は、大きい熱機械的応力を引き起こすコンデンサにおける熱膨張係数の有意な差に一部起因すると考えられている。コンデンサは、第2のリードフレームも使用されたことを除いて、実施例1で上述したように形成された。第2のリードフレームは、平坦なカソード端子パドルとアノードリード取付のためのU字形状凹部アノード端子とを有する点で第1のリードフレームと同じである。第2のリードフレームのカソード端子は、銀接着剤の使用によってコンデンサ要素の上面に取り付けられた本明細書で図示して説明したように。第2のリードフレームのU字形状凹部は、アノードリードを受け取るように調整され、次に、それにレーザ溶接された。コンデンサ要素がそのようなサンドウィッチ構成に取り付けられた状態で、リードフレームは、エポキシ樹脂内部に封入され、露出された端子は、ケースの外側に沿って曲げられた。各部分のキャパシタンス120Hzでの及びESR100kHzでのが、室温でHP4192Aインピーダンスアナライザを用いて測定された。各部分は、標準無鉛リフロープロフィール255°Cピーク温度にかけられ、次に、同じ機器を用いて再測定された。以下の表2は、3つの試験サンプル各サンプルにつき90部分からの出力中央値を要約している。表2示すように、これらのサンプルのESRでの増大は、実施例1の単一リードフレームのコンデンサで観測されたものよりも有意に小さい本発明のこれら及び他の修正及び変形は、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく当業者によって実施することができる。更に、様々な実施形態の態様は、全部又は一部の両方で入れ替えることができることを理解すべきである。更に、当業者は、以上の説明が単に例示的であり、添付の特許請求の範囲で更に説明するような本発明を制限する意図ではないことを認めるであろう。"