p型半導体層とi型半導体層とn型半導体層とからなる光電変換ユニットを備えた光電変換素子であって、前記i型半導体層と前記n型半導体層との間に設けられた界面半導体層を備え、前記界面半導体層は、前記i型半導体層よりも大きなバンドギャップエネルギーを有する光電変換素子。前記界面半導体層は、アモルファスシリコンオキサイド、アモルファスシリコンカーバイド、アモルファスシリコンオキシカーバイド、アモルファスシリコンナイトライド、およびアモルファスシリコンオキシナイトライドのうちのいずれか1つを含む請求項1に記載の光電変換素子。前記光電変換ユニットを複数備え、前記界面半導体層は、複数の前記光電変換ユニットのうち光入射側に位置する光電変換ユニットにおける前記i型半導体層と前記n型半導体層との間に設けられている請求項1または2に記載の光電変換素子。前記光電変換ユニットは、基板の上に設けられ、前記光電変換ユニットの上には、透光性導電膜および第2の導電膜が順に設けられている請求項1~3のいずれかに記載の光電変換素子。前記基板は、透光性基板である請求項4に記載の光電変換素子。前記基板は、非透光性基板である請求項4に記載の光電変換素子。請求項1~6のいずれかに記載の光電変換素子を製造する方法であって、p型半導体層とi型半導体層とn型半導体層とを順次形成する工程と、酸素雰囲気下または二酸化炭素雰囲気下において前記i型半導体層の上面に対してプラズマ処理を行なって、当該i型半導体層よりも大きなバンドギャップエネルギーを有する界面半導体層を作製する工程とを備えた光電変換素子の製造方法。特許文献1~2に記載の技術では、曲線因子の改善につながるものの、新たなバッファ層を挿入するためにシラン系ガス、ドーパントガス、および希釈水素などの複数のガスを使用する必要がある。そのため、p型半導体層とi型半導体層との界面においてガスの分解のされやすさに起因して著しく組成の異なる層が界面層として形成されてしまい、これが抵抗を増大させるだけでなく再結合中心としても働くことで変換効率を劣化させる原因となることを本発明者らは発見している。また、特許文献3~4に記載の技術では、n型半導体層の材料としてワイドバンドギャップ材料を用いているため、弊害が2つ存在する。1つ目の弊害は、従来のn型アモルファスシリコンに比べると、n型半導体層の電導度が1~2桁程度落ちてしまうことである。2つ目の弊害は、充分な開放端電圧を得ようとするとn型半導体層の膜厚を数十nm相当程度とする必要があるため、低導電性なn型半導体層に起因するシリーズ抵抗の増大が短絡電流および曲線因子の低下を招いてしまい、変換効率の向上を阻害するということである。なお、非特許文献1には、タンデムセルのトンネル接合層におけるn型半導体層の作製を目的として、a-Siのi型半導体層上にCO2プラズマを照射してn型μc-Si微結晶Si層を10nm以下の膜厚で形成する技術が記載されている。本発明は、このような問題を鑑みて鋭意検討されたものであり、量産性に優れ、変換効率に優れた光電変換素子を提供することを目的としている。本発明に係る光電変換素子は、p型半導体層とi型半導体層とn型半導体層とからなる光電変換ユニットを備えている。i型半導体層とn型半導体層との間には、界面半導体層が設けられている。ここで、界面半導体層は、i型半導体層よりも大きなバンドギャップエネルギーを有する半導体層を意味する。界面半導体層は、アモルファスシリコンオキサイド、アモルファスシリコンカーバイド、アモルファスシリコンオキシカーバイド、アモルファスシリコンナイトライド、およびアモルファスシリコンオキシナイトライドのうちのいずれか1つを含むことが好ましい。光電変換ユニットを複数備えていることが好ましい。界面半導体層は、複数の光電変換ユニットのうち光入射側に位置する光電変換ユニットにおけるi型半導体層とn型半導体層との間に設けられていることが好ましい。光入射側は、基板が透光性基板であるときには基板側を意味し、基板が非透光性基板であるときには基板とは反対側を意味する。光電変換ユニットは、基板の上に設けられていることが好ましく、光電変換ユニットの上には、透光性導電膜および第2の導電膜が順に設けられていることが好ましい。本発明に係る光電変換素子の製造方法は、p型半導体層とi型半導体層とn型半導体層とを順次形成する工程と、酸素雰囲気下または二酸化炭素雰囲気下においてi型半導体層の上面に対してプラズマ処理を行なって当該i型半導体層よりも大きなバンドギャップエネルギーを有する界面半導体層を作製する工程とを備えている。本発明に係る光電変換素子では、量産性に優れ、変換効率に優れている。以下、本発明に係る光電変換素子およびその製造方法について図面を用いて説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表すものである。また、長さ、幅、厚さ、深さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜変更されており、実際の寸法関係を表すものではない。<第1の実施形態><光電変換素子の構成>図1は、第1の実施形態に係る光電変換素子の断面図である。本実施形態に係る光電変換素子は、透光性基板1の上に、透明電極2、光電変換ユニットA、透光性導電膜6、および第2の導電膜7が積層されて構成されている。光電変換ユニットAは、p型半導体層3、i型半導体層4およびn型半導体層5が積層されて構成されており、i型半導体層4とn型半導体層5との間には、界面半導体層8が作製されている。<透光性基板>透光性基板1とは、太陽光を透過可能な基板を意味し、たとえばガラス板である。よって、太陽光は透光性基板1を透過して光電変換ユニットAへ入射されるため、透光性基板1が外側入射側を向くように本実施形態に係る光電変換素子を配置することとなる。したがって、本実施形態に係る光電変換素子は耐候性に優れる。透光性基板1は、その厚みに特に限定されないが、0.7mm以上6mm以下の厚みを有していれば良い。これにより、透光性基板1を透過した光は、強度ロスをほとんど招くことなく光電変換ユニットAへ入射される。<透明電極>透明電極2は、SnO2またはZnOなどの導電性金属酸化物から成ることが好ましい。透明電極2の表面は、平滑面であっても良いが、凹凸を有していることが好ましい。これにより、入射光の散乱を増大させるという効果が得られる。透明電極2は、その膜厚に特に限定されないが、500nm以上2500nm以下の膜厚を有していれば良い。<p型半導体層とn型半導体層>p型半導体層3およびn型半導体層5は光電変換ユニットA内に拡散電位を生じさせる役目を果たし、この拡散電位の大きさによって薄型光電変換装置の重要な特性の1つである開放端電圧Vocの値が左右される。しかし、p型半導体層3およびn型半導体層5は光電変換にほとんど寄与しない不活性な層であり、p型半導体層3およびn型半導体層5にドープされた不純物により吸収される光は発電にほとんど寄与せず損失となる。したがって、p型半導体層3およびn型半導体層5の膜厚は、それぞれ、十分な拡散電位を生じさせる範囲内で可能な限り薄くすることが好ましく、たとえば7nm以上35nm以下であれば良い。このようなp型半導体層3およびn型半導体層5は、その組成に限定されず、下記i型半導体層4と同一の組成からなっても良いし、下記i型半導体層4とは異なる組成からなっても良い。また、p型半導体層3とn型半導体層5とは、同一の組成からなっても良いし、互いに異なる組成からなっても良い。好ましくは、光電変換ユニットAが内蔵電位を有するようにp型半導体層3およびn型半導体層5の各組成を設定することである。たとえば、p型半導体層3およびn型半導体層5は、それぞれ、非晶質シリコン、非晶質シリコン合金、結晶質を含むシリコン微結晶シリコンまたはμc-Siと呼ばれる、または微結晶シリコン合金などからなれば良い。より好ましくは、p型半導体層3の材料として非晶質炭化シリコンを用い、n型半導体層5の材料として微結晶シリコンを用いることである。ここで、非晶質シリコン合金とは、炭素、酸素、窒素、およびゲルマニウムなどの元素を含む非晶質シリコンを意味し、非晶質シリコンに対する炭素、酸素、窒素、およびゲルマニウムなどの元素の含有量は、たとえば5質量以上30質量以下であれば良い。また、微結晶シリコン合金とは、炭素、酸素、窒素、およびゲルマニウムなどの元素を含む微結晶シリコンを意味し、微結晶シリコンに対する炭素、酸素、窒素、およびゲルマニウムなどの元素の含有量は、2質量以上10質量以下であれば良い。さらに、微結晶シリコンとは、nmレベルの大きさの結晶を持つ微細な結晶シリコンで構成されたものであり、非晶質シリコンを一部に含むものを意味することもある。p型半導体層3にドープされるp型不純物としては、たとえばBeまたはMgなどを挙げることができる。p型半導体層3におけるp型不純物濃度は、特に限定されないが、たとえば1×1017cm3以上1×1021cm3以下であれば良い。n型半導体層5にドープされるn型不純物としては、たとえばSi、P、As、またはSbなどを挙げることができる。n型半導体層5におけるn型不純物濃度は、特に限定されないが、1×1017cm3以上1×1021cm3以下であれば良い。<i型半導体層>i型半導体層4は、光電変換に寄与する半導体層であり、理想的には導電型を決定する不純物を含まない真性の半導体層である。しかし、半導体層が微量の上記不純物を含んでいても当該半導体層のフェルミ準位が禁制帯のほぼ中央にあれば、その半導体層はpin接合のi型半導体層として機能する。よって、本明細書におけるi型半導体層4には、導電型を決定する不純物を含まない真性の半導体層だけでなく、微量の不純物を含んでいるにも関わらずフェルミ準位が禁制帯のほぼ中央にある半導体層も含まれる。ここで、微量の不純物を含むとは、たとえば1×1014cm3以上1×1018cm3以下の不純物を含むことを意味する。このようなi型半導体層4をCVDChemicalVaporDeposition法により形成する場合、i型半導体層4は、導電型を決定する不純物となるドーパントガスを原料ガスに添加せずに形成されても良いし、i型半導体層として機能する許容範囲で上記不純物を添加してi型半導体層4を形成されても良いし、大気または下地層に起因する不純物がフェルミ準位に与える影響を取り除くために微量のドーパントガスを意図的に添加してi型半導体層4を形成されても良い。i型半導体層4は、非晶質半導体層であっても良いし、結晶質半導体層であっても良い。非晶質半導体層としては、非晶質シリコン層または非晶質シリコン合金層を用いることができるが、非晶質半導体層中に水素を5~20原子含む水素化非晶質シリコン層または水素化非晶質シリコン合金層を用いることが好ましい。水素を含まない非晶質シリコン層または非晶質シリコン合金層では、未結合手ダングリングボンドに由来する欠陥密度が1019~1020cm3と高いため、水素を含まない非晶質シリコン層または非晶質シリコン合金層を光電変換素子などの半導体デバイスに用いることは難しい。これに対して、水素化非晶質シリコン層および水素化非晶質シリコン合金層では、水素が未結合手を終端するので、欠陥密度が1015~1017cm3に低減される。よって、水素化非晶質シリコン層および水素化非晶質シリコン合金層を光電変換素子などの半導体デバイスに用いることができる。ここで、水素化非晶質シリコン合金層は、炭素、酸素、窒素、およびゲルマニウムなどの元素を含む水素化非晶質シリコン層を意味する。結晶質半導体層としては、微結晶シリコン層または微結晶シリコン合金層などを用いることができるが、上記理由から水素化微結晶シリコン層または水素化微結晶シリコン合金層を用いることが好ましい。微結晶シリコンは、上記<p型半導体層とn型半導体層>で定義したとおりである。また、微結晶シリコン合金層は、炭素、酸素、窒素、およびゲルマニウムなどの元素を含む微結晶シリコン層を意味し、水素化微結晶シリコン合金層は、炭素、酸素、窒素、およびゲルマニウムなどの元素を含む水素化微結晶シリコン層を意味する。水素化とは、上述のように、層中に水素を5~20原子含むことを意味する。<界面半導体層>界面半導体層8は、i型半導体層4よりも大きなバンドギャップエネルギーを有する半導体層である。これにより、図2に示すようにi型半導体層4とn型半導体層5との界面にバンドオフセットが発生するため、i型半導体層4にはわずかな内蔵電界がつくられる。よって、i型半導体層4とn型半導体層5とが互いに異なる組成からなることに起因してi型半導体層4とn型半導体層5との界面に欠陥界面欠陥が発生した場合であっても、i型半導体層4で発生したキャリアをこの界面欠陥から遠ざける効果が得られる。したがって、i型半導体層4で発生したキャリアがこの界面欠陥に捕捉されることを防止できるため、キャリアロスが大幅に減少され、短絡電流の増加ひいては変換効率の向上につながる。上述のように、界面半導体層8は、i型半導体層4よりも大きなバンドギャップエネルギーを有していることが好ましい。そのため、界面半導体層8の材料は、i型半導体層4の材料に依存し、一概に言えない。しかし、上記<i型半導体層>で列挙した材料の仕事関数が5.30~5.45eV程度であることを考慮すれば、界面半導体層8の材料の仕事関数は、好ましくは5.45eV以上であり、より好ましくは5.45eV以上5.8eV以下であり、さらに好ましくは5.65eV以上5.80eV以下である。大気中光電子分光装置AC-3、理研計器社製でシリコン材料の仕事関数を測定したところ、アモルファスシリコンオキサイドの仕事関数は5.45~5.63eVであり、アモルファスシリコンオキシカーバイドの仕事関数は5.45~5.80eVであり、アモルファスシリコンナイトライドの仕事関数は5.65~5.80eVであった。これらの材料以外には、たとえば、アモルファスシリコンカーバイドまたはアモルファスシリコンオキシナイトライドなどもアモルファスシリコンよりも大きな仕事関数を有していると考えられる。よって、界面半導体層8は、アモルファスシリコンオキサイド、アモルファスシリコンカーバイド、アモルファスシリコンオキシカーバイド、アモルファスシリコンナイトライド、およびアモルファスシリコンオキシナイトライドのうちのいずれか1つを含むことが好ましい。界面半導体層8の膜厚は、特に限定されない。しかし、界面半導体層8は、光電変換ユニットA内に拡散電位を生じさせる役目を果たすわけでなく、また光電変換に寄与するわけでなく、i型半導体層4とn型半導体層5との界面にバンドオフセットを発生させるに過ぎない。これらのことを考慮すると、界面半導体層8の膜厚は、5nm以下であることが好ましく、1nm以上5nm以下であることがより好ましい。<透光性導電膜>透光性導電膜6は、たとえば、ITO、SnO2、またはZnOなどの導電性酸化物なれば良く、500nm以上2500nm以下の膜厚を有していれば良い。<第2の導電膜>第2の導電膜7は、たとえば、Al、Ag、Au、Cu、Pt、Cr、Ti、Zn、およびMoのうちの少なくとも一つの材料からなれば良く、100nm以上の膜厚を有していれば良い。<光電変換素子の製造方法>本実施形態に係る光電変換素子の製造方法は、p型半導体層3とi型半導体層4とn型半導体層5とを順次形成する工程と、i型半導体層4を形成してからn型半導体層5を形成する前にi型半導体層4の上面に対してプラズマ処理を行なって界面半導体層8を作製する工程とを備えている。p型半導体層3、i型半導体層4、およびn型半導体層5の各形成方法としては、特に限定されないが、たとえばプラズマCVD法好適には高周波プラズマCVD法を用いることが好ましい。また、本実施形態に係る光電変換素子の製造方法は、たとえばCVD法、スパッタ法または蒸着法などにより透明電極2を透光性基板1の上面上に形成する工程を備えていても良いし、透明電極2が透光性基板1の上面上に予め形成された基板を準備する工程を備えていても良い。また、本実施形態に係る光電変換素子の製造方法は、n型半導体層5を形成してから、たとえばスパッタ法または蒸着法などにより透光性導電膜6および第2の導電膜7をn型半導体層5の上面上に順次形成する工程を備えていることが好ましい。<p型半導体層の形成>p型半導体層3の材料に応じて原料ガスを適宜決めれば良い。たとえば、非晶質シリコンまたは微結晶シリコンからなるp型半導体層3を形成する場合には、原料ガスとしては、鎖状または環状のシラン化合物と、p型不純物の材料となる化合物とを用いれば良い。また、非晶質シリコン合金または微結晶シリコン合金からなるp型半導体層3を形成する場合には、原料ガスとしては、鎖状または環状のシラン化合物と、p型不純物の材料となる化合物と、炭素、酸素、窒素またはゲルマニウムを含む化合物とを用いれば良い。鎖状または環状のシラン化合物の供給量は、形成されるp型半導体層3の膜厚に応じて適宜設定すれば良く、たとえば2sccmStandardCubicCentimeterperMinutes以上200sccm以下であれば良い。鎖状または環状のシラン化合物に対するp型不純物の材料となる化合物の添加量は、形成されるp型半導体層3におけるp型不純物濃度に応じて適宜設定すれば良い。鎖状または環状のシラン化合物に対する炭素などを含む化合物の添加量は、形成されるp型半導体層3における炭素などの濃度に応じて適宜設定すれば良い。鎖状または環状のシラン化合物としては、たとえばSiH4、Si2H6、SiF4、SiFH3、SiF2H2、SiF3H、Si3H8、SiD4、SiHD3、SiH2D2、SiH3D、SiFD3、SiF2D2、Si2D3H3、SiF25、SiF26、SiF24、Si2F6、Si3F8、Si2H2F4、Si2H3F3、SiCl4、SiCl25、SiBr4、SiBr25、Si2Cl6、SiHCl3、SiH2Br2、SiH2Cl2、およびSi2Cl3F3などの少なくとも1つを用いることができる。p型不純物としてホウ素を選択した場合には、p型不純物の材料となる化合物としては、B2H6、B4H10、B5H9、B5H11、B6H10、B6H12、およびB6H14などの水素化ホウ素を用いても良いし、BF3、およびBCl3などのハロゲン化ホウ素を用いても良い。中でも、B2H6またはBF3が好適である。炭素を含む化合物としては、CH4、CD4、CnH2n2nは整数、CnH2nnは整数、C2H2、C6H6、CO2、CO、SiCH3H3、SiCH32H2、およびSiCH33Hなどの少なくとも1つを用いることができる。これにより、炭素を含む非晶質シリコン層または炭素を含む微結晶シリコン層が形成される。酸素を含む化合物としては、O2、CO、CO2、NO、NO2、N2O、CH3CH2OH、CH3OH、およびH2Oなどの少なくとも1つを用いることができる。これにより、酸素を含む非晶質シリコン層または酸素を含む微結晶シリコン層が形成される。窒素を含む化合物としては、N2、NH3、ND3、NO、NO2、およびN2Oなどの少なくとも1つを用いることができる。これにより、窒素を含む非晶質シリコン層または窒素を含む微結晶シリコン層が形成される。ゲルマニウムを含む化合物としては、GeH4、GeD4、GeF4、GeFH3、GeF2H2、GeF3H、GeHD3、GeH2D2、GeH3D、Ge2H6、およびGe2D6などの少なくとも1つを用いることができる。これにより、ゲルマニウムを含む非晶質シリコン層またはゲルマニウムを含む微結晶シリコン層が形成される。高周波プラズマの発生条件は、特に限定されないが、次に示す条件であれば良い。透光性基板1の温度:100°C以上300°C以下CVD装置内の圧力:30Pa以上1500Pa以下高周波電極の形状:互いに平行に配置された平板電極高周波電源の周波数:10MHz以上100MHz以下高周波電源のパワー密度:0.01W/cm2以上0.5W/cm2以下。なお、原料ガスとともに、H2、He、Ne、Ar、Xe、またはKrなどのガスをキャリアガスとしてCVD装置のチャンバー内に供給しても良い。このことは、下記<i型半導体層の形成>、<界面半導体層の作製>、および<n型半導体層の形成>においても言える。また、H2ガスに対するSiH4ガスの体積比率を1体積以上40体積以下、CVD装置内の圧力を30Pa以上800Pa以下、高周波電源のパワー密度を0.02W/cm2以上0.3W/cm2以下、および透光性基板1の温度を100°C以上250°C以下とすれば、非晶質なp型半導体層3が形成される。一方、H2ガスに対するSiH4ガスの体積比率を30体積以上400体積以下、CVD装置内の圧力を30Pa以上1300Pa以下、高周波電源のパワー密度を0.02W/cm2以上0.3W/cm2以下、および透光性基板1の温度を100°C以上250°C以下とすれば、微結晶なp型半導体層3が形成される。<i型半導体層の形成>i型半導体層4の材料に応じて原料ガスを適宜決めれば良い。たとえば、水素化非晶質シリコンまたは水素化微結晶シリコンからなるi型半導体層を形成する場合には、原料ガスとしては、鎖状または環状のシラン化合物と、水素ガスとを用いれば良い。水素化非晶質シリコン合金または水素化微結晶シリコン合金からなるi型半導体層4を形成する場合には、原料ガスとしては、鎖状または環状のシラン化合物と、水素ガスと、炭素、酸素、窒素およびゲルマニウムのいずれかを含む化合物とを用いれば良い。鎖状または環状のシラン化合物の供給量は、形成されるi型半導体層4の膜厚に応じて適宜設定すれば良く、たとえば2sccm以上200sccm以下であれば良い。鎖状または環状のシラン化合物に対する水素ガスの添加量は、i型半導体層4における水素の含有量が5~20原子となるように適宜設定すれば良い。鎖状または環状のシラン化合物に対する炭素などを含む化合物の添加量もまた、適宜設定すれば良い。鎖状または環状のシラン化合物、炭素を含む化合物、酸素を含む化合物、窒素を含む化合物、およびゲルマニウムを含む化合物としては、上記<p型半導体層の形成>で列挙した化合物を用いれば良い。高周波プラズマの発生条件は、特に限定されないが、上記<p型半導体層の形成>で列挙した条件であれば良い。非晶質なi型半導体層4および微結晶なi型半導体層4を作り分ける条件は、上記<p型半導体層の形成>で記載したとおりである。<界面半導体層の作製>i型半導体層4の上面に対してプラズマ処理を行なって界面半導体層8を作製する。ここで、プラズマ処理とは、プラズマ化された原料ガスをi型半導体層4の上面に対して照射することである。プラズマ化された原料ガスはi型半導体層4内に埋め込まれ、よって、界面半導体層8が作製される。このようにして界面半導体層8が作製されるため、i型半導体層4と界面半導体層8との境界が明確にならない場合がある。このような場合には、i型半導体層4のうち原料ガスに由来する元素の濃度が高い部分i型半導体層4のうちバンドギャップエネルギーが大きな部分が界面半導体層8に相当する。たとえば、アモルファスシリコンオキサイドからなる界面半導体層8を作製する場合には、原料ガスとしてO2を用いれば良い。アモルファスシリコンナイトライドからなる界面半導体層8を作製する場合には、原料ガスとしてN2およびNH3の少なくとも一方を用いれば良い。アモルファスシリコンオキシカーバイドからなる界面半導体層8を作製する場合には、原料ガスとしてCO2を用いれば良い。アモルファスシリコンカーバイドからなる界面半導体層8を作製する場合には、CH4を用いれば良い。アモルファスシリコンオキシナイトライドからなる界面半導体層8を作製する場合には、原料ガスとしてNO2を用いれば良い。このように、界面半導体層8は、O2、N2、NH3、CO2、CH4またはNO2などを原料ガスとして用いることにより作製されるため、複数のガスを用いることなく作製される。よって、光電変換素子の量産性の向上を図ることができる。O2ガスなどの供給量は、作製される界面半導体層8の膜厚に応じて適宜設定すれば良い。界面半導体層8の膜厚は5nm以下であることが好ましいので、O2ガスなどの供給量は、200sccm以下であることが好ましく、100sccm以下であればさらに好ましい。界面半導体層8を作製する際のプラズマ発生条件は、特に限定されないが、次に示す条件であることが好ましい。透光性基板1の温度:100°C以上400°C以下CVD装置内の圧力:7Pa以上800Pa以下高周波電極の形状:互いに平行に配置された平板電極高周波電源の周波数:10MHz以上100MHz以下、または0.2GHz以上100GHz以下マイクロ波レベルの周波数高周波電源のパワー密度:0.01W/cm2以上0.5W/cm2以下。p型半導体層3、i型半導体層4、およびn型半導体層5をそれぞれ別のチャンバーで形成する場合、i型半導体層4を形成したチャンバー内で界面半導体層8を作製することが好ましい。界面半導体層8は実質的にi型半導体層であるので、i型半導体層4と同じチャンバー内で界面半導体層8を作製することができる。これにより、i型半導体層4を形成したチャンバーのタクトの律速を防止できるので、光電変換素子の製造タクトが短縮され、光電変換素子の製造コストを下げることができる。一方、n型半導体層5を形成したチャンバー内で界面半導体層8を作製すると、そのチャンバーの内壁面に付着したドーパント成分などの不純物が界面半導体層8に影響を与え、よって、界面半導体層8における欠陥密度の増加による光電変換素子の曲線因子FFの低下を招く。p型半導体層3を形成したチャンバー内で界面半導体層8を作製した場合にも同様の不具合が生じる。この点からも、i型半導体層4を形成したチャンバー内で界面半導体層8を作製することが好ましい。<n型半導体層の形成>n型半導体層5の材料に応じて原料ガスを適宜決めれば良い。たとえば、非晶質シリコンまたは微結晶シリコンからなるn型半導体層5を形成する場合には、原料ガスとしては、鎖状または環状のシラン化合物と、n型不純物の材料となる化合物とを用いれば良い。また、非晶質シリコン合金または微結晶シリコン合金からなるn型半導体層5を形成する場合には、原料ガスとしては、鎖状または環状のシラン化合物と、p型不純物の材料となる化合物と、炭素、酸素、窒素またはゲルマニウムを含む化合物とを用いれば良い。鎖状または環状のシラン化合物の供給量は、形成されるn型半導体層5の膜厚に応じて適宜設定すれば良く、たとえば2sccm以上200sccm以下であれば良い。鎖状または環状のシラン化合物に対するn型不純物の材料となる化合物の添加量は、n型半導体層5におけるn型不純物濃度に応じて適宜設定すれば良い。鎖状または環状のシラン化合物に対する炭素などを含む化合物の添加量もまた、適宜設定すれば良い。鎖状または環状のシラン化合物、炭素を含む化合物、酸素を含む化合物、窒素を含む化合物、およびゲルマニウムを含む化合物としては、上記<p型半導体層の形成>で列挙した化合物を用いれば良い。n型不純物として燐を選択した場合には、n型不純物の材料となる化合物としては、PH3、またはP2H4などの水素化燐を用いても良いし、PH4I、PF3、PF5、PCl3、PCl5、PBr3、PBr5、またはPI3などのハロゲン化燐を用いても良い。中でも、PH3またはPF3が好適である。高周波プラズマの発生条件は、特に限定されないが、上記<p型半導体層の形成>で列挙した条件であれば良い。非晶質なn型半導体層5および微結晶なn型半導体層5を作り分ける条件は、上記<p型半導体層の形成>で記載したとおりである。<第2の実施形態>図3は、第2の実施形態に係る光電変換素子の断面図である。本実施形態に係る光電変換素子では、上記第1の実施形態における光電変換ユニット以下では前方側光電変換ユニットと記すことがあるAと透光性導電膜6との間に、別の光電変換ユニット以下では後方側光電変換ユニットと記すことがあるBが設けられている。後方側光電変換ユニットBは、界面半導体層8を含んでいない。このように前方側光電変換ユニットAが界面半導体層8を含んでいれば、前方側光電変換ユニットAの短絡電流密度Jscおよび曲線因子FFが向上するという効果が得られる。p型半導体層9、i型半導体層10、およびn型半導体層11は、それぞれ、p型半導体層3、i型半導体層4、およびn型半導体層5と略同一の材料で構成されていても良いし、p型半導体層3、i型半導体層4、およびn型半導体層5とは異なる材料で構成されていても良い。たとえば、p型半導体層3は、ボロンなどのp型不純物が0.01原子以上ドープされたp型微結晶シリコン層であれば良く、n型半導体層5は、リンなどのn型不純物が0.01原子以上ドープされたn型微結晶シリコン層であれば良い。しかし、i型半導体層4の光学的禁制帯幅がi型半導体層10の光学的禁制帯幅よりも大きくなるようにi型半導体層4およびi型半導体層10の各組成を決めることが好ましい。これにより、前方側光電変換ユニットAでは、後方側光電変換ユニットBよりも光電変換層の光学的禁制帯幅が大きくなるので、入射光の波長範囲の広範囲に亘って光電変換が可能となる。よって、入射光を有効利用することができるので、上記第1の実施形態に比べて光電変換素子の変換効率が向上する。具体的には、i型半導体層4がアモルファスシリコンからなる場合には、i型半導体層10を微結晶シリコンで構成すれば良い。また、i型半導体層4における光電変換可能な光の波長範囲がi型半導体層10における光電変換可能な光の波長範囲よりも広くなるようにi型半導体層4およびi型半導体層10の各組成を決めることが好ましい。これにより、前方側光電変換ユニットAでは、後方側光電変換ユニットBに比べて、広範囲の波長範囲にわたって光電変換が可能となる。よって、入射光を有効利用することができるので、上記第1の実施形態に比べて光電変換素子の変換効率が向上する。具体的には、i型半導体層4が微結晶シリコンからなる場合には、i型半導体層10を非晶質シリコンで構成すれば良い。本実施形態では、光電変換ユニットの個数は3個以上であっても良い。この場合には、光電変換可能な光の波長範囲が後方側入射光に対して後方側、以下同様から前方側入射光に対して前方側、以下同様へ向かって段階的に広くなるように各光電変換ユニットのi型半導体層の組成を調整すれば、本実施形態に比べて光電変換素子の変換効率がさらに向上する。また、光学的禁制帯幅が後方側から前方側へ向かって段階的に大きくなるように各光電変換ユニットのi型半導体層の組成を調整すれば、本実施形態に比べて光電変換素子の変換効率がさらに向上する。<その他の実施形態>透光性基板1の代わりに、非透光性基板を用いても良いサブストレートタイプの光電変換素子。この場合、非透光性基板の上にn型半導体層、i型半導体層およびp型半導体層が順に形成されることとなる。非透光性基板を用いた場合、光は非透光性基板とは反対側から入射されるため、非透光性基板が内側入射側とは反対側を向く。よって、入射側に透明なバリア膜またはカバーガラスが必要となる。しかし、基板の材料の選択性および基板のフレキシブル性に富むという点で有利である。また、非透光性基板に導電性を持たせることができるため、透明電極は不要である。ここで、非透光性基板とは、太陽光を透過させにくい基板であり、たとえば金属板である。光入射側から見て光電変換ユニットの後方にi型半導体層よりも屈折率の小さな反射層を設けることが好ましい。これにより、特定の波長の光が反射層で有効に反射するため、光閉じ込め効果の向上を図ることができる。よって、光電変換素子の変換効率のさらなる向上を図ることができる。さらに、上記反射層を設けることにより光電変換ユニットAの厚さをできる限り薄くすることができるため、光電変換素子の生産性の向上、つまり光電変換素子の低コスト化を図ることができる。ここで、光入射側から見て光電変換ユニットの後方に反射層を設けるとは、反射層が光電変換ユニットに接している場合だけでなく、反射層が他の層を介して光電変換ユニットの後方側に配置されている場合も含む。以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はその趣旨を超えない限り以下の実施例に限定されない。また、各図において同様の部材には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。以下の実施例1および比較例1では、非晶質な光電変換ユニットを1つ含む光電変換素子を作製し、その出力特性を測定した。<実施例1>実施例1では、図1に示す光電変換素子を作製した。製膜チャンバーを3室備えるプラズマCVD装置を用いて、透明電極2付の透光性基板1である旭硝子社製Asahi-U基板上に非晶質な光電変換ユニットAを作製した。CVD装置の製膜チャンバーは、p型半導体層を形成するチャンバーP1室と、i型半導体層を形成するチャンバーI1室と、n型半導体層を形成するチャンバー室N1室とを備えている。まず、p型半導体層3をP1室にて表1の条件で形成し、i型半導体層4をI1室にて表1の条件で形成し、その後、界面半導体層8をI1室にて表1の条件で作製し、n型半導体層5をN1室にて表1の条件で形成した。その後、スパッタ法にて厚さ60nmのZnO膜からなる透光性導電膜6を形成してから、スパッタ法にて厚さ120nmのAg膜からなる第2の導電膜7を形成した。これにより、実施例1における光電変換素子が得られた。AM1.5の光を100mW/cm2の光量で照射して、得られた光電変換素子の出力特性を室温で測定した。表1では、パワーとは高周波電源のパワーであり、基板温度とは透光性基板1の温度であり、圧力はCVD装置内の圧力である。下記表2および表4においても同様である。<比較例1>比較例1では、図4に示す光電変換素子を作製した。製膜チャンバーを3室備えるプラズマCVD装置を用いて、透明電極2付の透光性基板1である旭硝子社製Asahi-U基板上に非晶質な光電変換ユニットCを作製した。比較例1では、プラズマCVD装置としては、汎用的な連続分離形成方式のCVD装置を用いることができ、この製膜チャンバーは、p型半導体層を形成するチャンバーP1室と、i型半導体層を形成するチャンバーI1室と、n型半導体層を形成するチャンバー室N1室とで構成されている。p型半導体層3はP1室にて形成され、i型半導体層4はI1室にて形成され、n型半導体層5はN1室にて形成された。それぞれの製膜条件を表2に示す。その後、スパッタ法にて厚さ60nmのZnO膜からなる透光性導電膜6を形成してから、スパッタ法にて厚さ120nmのAg膜からなる第2の導電膜7を形成した。このようにして比較例1における光電変換素子が得られた。そして、上記実施例1と同様の方法にしたがって、得られた光電変換素子の出力特性を測定した。<結果と考察>結果を表3に示す。実施例1の光電変換素子の出力特性を測定したところ、開放端電圧Vocが0.803Vであり、短絡電流密度Jscが15.06mA/cm2であり、曲線因子FFが0.685であり、変換効率Effが8.29であった。比較例1の光電変換装置の出力特性を測定したところ、開放端電圧Vocが0.812Vであり、短絡電流密度Jscが14.86mA/cm2であり、曲線因子FFが0.680であり、変換効率Effが8.20であった。実施例1では、比較例1に比べて、短絡電流密度Jscおよび曲線因子FFが向上した。その理由としては、上記第1の実施形態で示した通りである。つまり、原料として酸素ガスを用いたプラズマ処理により、i型半導体層4よりも価電子帯が深い極薄の界面半導体層8が作製され、この界面半導体層8により、ホールキャリアの逆拡散によるキャリア再結合が阻害される。よって、キャリアロスが減り、短絡電流密度Jscおよび曲線因子FFが向上したと考えられる。以下の実施例2および比較例2では、非晶質な光電変換ユニットと微結晶な光電変換ユニットとを含む光電変換素子を作製し、その出力特性を測定した。<実施例2>実施例2では、図3に示す光電変換素子を作製した。上記実施例1における非晶質光電変換ユニットを作製後、微結晶p型半導体μc-p層9をP1室にて形成し、微結晶i型半導体μc-i層10をI1室にて形成し、微結晶n型半導体μc-n層11をN1室にて形成した。それぞれの製膜条件を表4に示す。その後、スパッタ法にて厚さ60nmのZnO膜からなる透光性導電膜6を形成してから、スパッタ法にて厚さ120nmのAg膜からなる第2の導電膜7を形成した。このようにして実施例2における光電変換素子が得られた。<比較例2>比較例2では、図5に示す光電変換素子を作製した。上記比較例1における非晶質光電変換ユニットを作製後、微結晶p型半導体層9をP1室にて形成し、微結晶i型半導体層10をI1室にて形成し、微結晶n型半導体層11をN1室にて形成した。それぞれの製膜条件を表4に示す。その後、スパッタ法にて厚さ60nmのZnO膜からなる透光性導電膜6を形成してから、スパッタ法にて厚さ120nmのAg膜からなる第2の導電膜7を形成した。このようにして比較例2における光電変換素子が得られた。<結果と考察>結果を表3に示す。実施例2の光電変換素子の出力特性を測定したところ、開放端電圧Vocが1.32Vであり、短絡電流密度Jscが11.80mA/cm2であり、曲線因子FFが0.752であり、変換効率Effが11.71であった。比較例2の光電変換装置の出力特性を測定したところ、開放端電圧Vocが1.35Vであり、短絡電流密度Jscが11.54mA/cm2であり、曲線因子FFが0.748であり、変換効率Effが11.60であった。比較例2と実施例2とを比較すると、アモルファスシリコンシングルセル上記実施例1と同様に、実施例2では比較例2に比べて短絡電流密度Jscおよび曲線因子FFが向上した。よって、タンデムセル実施例2でもアモルファスシリコンシングルセル上記実施例1と同様な現象が起こっていることが考えられる。したがって、i型半導体層4とn型半導体層5との間に界面半導体層8を作製することは変換効率の向上を図るための実用的な手段となり得る方法であると考えられる。なお、本発明者らは、旭硝子社製Asahi-U基板の代わりに非透光性基板を用いた場合サブストレートタイプの光電変換素子であっても同様の効果が期待できると考えている。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。