配向金属基材上に酸化物超電導薄膜層を設ける際に、前記配向金属基材と前記酸化物超電導薄膜層の中間に形成される酸化物超電導薄膜層形成用の中間層であって、表層の結晶ドメインサイズが25nm以下であることを特徴とする酸化物超電導薄膜層形成用の中間層。請求項1に記載の酸化物超電導薄膜層形成用の中間層の上に形成されていることを特徴とする酸化物超電導薄膜層。配向金属基材上に、請求項1に記載の酸化物超電導薄膜層形成用の中間層が形成され、さらに、前記中間層の上に、酸化物超電導薄膜層が形成されていることを特徴とする酸化物超電導薄膜線材。前記酸化物超電導薄膜層が、塗布熱分解法を用いて作製されていることを特徴とする請求項3に記載の酸化物超電導薄膜線材。このような酸化物超電導薄膜線材に対して、近年、臨界電流密度Jcや臨界電流値Icなどの超電導特性の向上についての要求が益々強くなっており、基板上に形成される酸化物超電導薄膜層における結晶配向性の向上が望まれている。しかし、従来の酸化物超電導薄膜線材の製造においては、酸化物超電導薄膜層の結晶配向性が低下したり、バラツキが生じたりして、超電導特性が低下した酸化物超電導薄膜線材が製造される場合があった。このため、酸化物超電導薄膜線材の製造において、基板上に、結晶配向性の低下やバラツキの発生が抑制された高い結晶配向性を有する酸化物超電導薄膜層を形成して、高い超電導特性を有する酸化物超電導薄膜線材を安定して提供することができる技術が望まれていた。本発明者は、上記課題の解決について検討するに際し、先ず、従来の酸化物超電導薄膜層の形成において、結晶配向性の低下やバラツキが生じる原因について、種々の実験、検討を行った。その結果、酸化物超電導薄膜層の形成に際して、配向金属基材上に形成される中間層の表面状態が、酸化物超電導薄膜層の結晶配向性に大きな影響を与えていることが分かった。即ち、前記の中間層は、一般的に、基板側から順に、種層シード層、拡散防止層バリア層、格子整合層キャップ層の3層構造で形成されるが、特に表層であるキャップ層の表面状態が、酸化物超電導薄膜層の形成における結晶配向性に大きな影響を与えていることが分かった。具体的には、キャップ層は、単結晶が数十個集まった結晶粒ドメインからなる多結晶構造で構成されているが、同じ配向率で形成されたキャップ層であっても、ドメインサイズ結晶ドメインサイズにはバラツキがあり、この結晶ドメインサイズの大小が、キャップ層の上に形成される酸化物超電導薄膜層のc軸配向性に大きな影響を与えていることが分かった。即ち、キャップ層の結晶ドメインサイズが、25nmを超えているか否かにより、酸化物超電導薄膜層のc軸配向性が大きく相違することが分かった。例えば、キャップ層としてCeO2層を形成した場合、0.5~0.6nmの格子定数を有するCeO2単結晶が数十個集まって優先的にスーパーステップドメインを形成する。このとき、結晶ドメインサイズが25nm以下であれば、充分にc軸配向した酸化物超電導薄膜層が形成され、高い超電導特性を有する酸化物超電導薄膜線材を得ることができる。一方、結晶ドメインサイズが25nmを超えると、酸化物超電導薄膜層のc軸配向性が低下し、超電導特性が低下した酸化物超電導薄膜線材しか得ることができない。請求項1に記載の発明は、上記の知見に基づく発明であり、配向金属基材上に酸化物超電導薄膜層を設ける際に、前記配向金属基材と前記酸化物超電導薄膜層の中間に形成される酸化物超電導薄膜層形成用の中間層であって、表層の結晶ドメインサイズが25nm以下であることを特徴とする酸化物超電導薄膜層形成用の中間層である。中間層を形成する材料としては、酸化セリウムCeO2、イットリア安定化ジルコニアYSZ、酸化イットリウムY2O3、チタン酸ストロンチウムSrTiO3、酸化マグネシウムMgOや、バリウムジルコネートBaZrO3、アルミン酸ランタンLaAlO3等を挙げることができ、スパッタ法やPLD法などの気相法を用いて、配向金属基材上に形成される。中間層は、前記したように、一般的に、配向金属基材側から順に、種層シード層、拡散防止層バリア層、格子整合層キャップ層の3層構造で形成され、表層であるキャップ層には、格子整合性の面より、一般的に、CeO2が用いられる。なお、LSMO、STOなどをキャップ層に用いてもよい。配向金属基材としては、c軸に2軸配向した配向金属基板が好ましく、具体的には、IBAD基板、Ni-W合金基板、SUS等をベース金属としたクラッドタイプの金属基板等を挙げることができる。請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の酸化物超電導薄膜層形成用の中間層の上に形成されていることを特徴とする酸化物超電導薄膜層である。前記したように、表層の結晶ドメインサイズが25nm以下の中間層の上には、充分にc軸配向した酸化物超電導薄膜層を形成することができる。請求項3に記載の発明は、配向金属基材上に、請求項1に記載の酸化物超電導薄膜層形成用の中間層が形成され、さらに、前記中間層の上に、酸化物超電導薄膜層が形成されていることを特徴とする酸化物超電導薄膜線材である。表層の結晶ドメインサイズが25nm以下の中間層の上に形成された酸化物超電導薄膜層は、前記したように、c軸配向性が充分に高いため、高い超電導特性を有する酸化物超電導薄膜線材を提供することができる。請求項4に記載の発明は、前記酸化物超電導薄膜層が、塗布熱分解法を用いて作製されていることを特徴とする請求項3に記載の酸化物超電導薄膜線材である。塗布熱分解法MOD法は、イットリウムYなどの希土類元素RE、バリウムBa、銅Cuの各有機金属化合物を溶媒に溶解して製造された原料溶液MOD溶液を塗布して塗布膜を形成した後、例えば500°C付近で仮焼熱処理して有機金属化合物の有機成分を熱分解、除去して酸化物超電導薄膜層の前躯体である仮焼膜を作製後、作製した仮焼膜をさらに高温例えば750~850°C付近で本焼熱処理することにより結晶化を行って、REBa2Cu3O7-Xで表される酸化物超電導体REBCOからなる酸化物超電導薄膜層を製造するものであり、主に真空中で製造される気相法蒸着法、スパッタ法、パルスレーザ蒸着法等に比較して製造設備が簡単で済み、また大面積や複雑な形状への対応が容易である等の特徴を有しているため、広く用いられている。MOD法は、気相法に比べて、酸化物超電導薄膜層の形成に際して、前記した中間層の結晶ドメインサイズによる影響を強く受けるため、本発明の効果が特に顕著に発揮される。本発明によれば、酸化物超電導薄膜線材の製造において、結晶配向性の低下やバラツキの発生が抑制された高い結晶配向性を有する酸化物超電導層を形成して、高い超電導特性を有する酸化物超電導薄膜線材を安定して提供することができる。以下、本発明を実施例に基づいて説明する。以下に、配向金属基材上に中間層を設けた配向金属基板の上に、MOD法を用いてY123酸化物超電導薄膜層を形成させたY123酸化物超電導薄膜線材を例に挙げ、本発明をより具体的に説明する。1.Y123酸化物超電導薄膜線材の構成図1は、Y123酸化物超電導薄膜線材の構成を模式的に示す断面図である。図1に示すように、配向金属基板3は、配向金属基材1上に、21、22、23の3層からなる中間層2を設けて構成されている。そして、配向金属基板3の上には、Y123酸化物超電導薄膜層4が形成されている。2.Y123酸化物超電導薄膜線材の作製以下の手順により、実施例および比較例のY123酸化物超電導薄膜線材を作製した。1配向金属基材の準備配向金属基材1としては、2軸配向したNi合金基材を用いた。2中間層の作製前記配向金属基材1の上に、スパッタ法を用いて、配向金属基材1側から、Y2O3/YSZ/CeO2の順で、3層からなる中間層2を形成して、配向金属基板3とした。なお、第1層目21のY2O3は120nm、第2層目22のYSZは440nm、第3層目キャップ層23のCeO2は60nmの厚さで成膜した。このとき、表1のサンプル1~4のそれぞれに示すドメインサイズに基づき、4種類のキャップ層23を形成させた。なお、表1には、各サンプルにおけるCeO2の配向率、ポールフィギュアに基づく半値幅ΔφAve.、表面粗さRanm:1μm□を併せて示す。そして、形成された各キャップ層23の表面1μm□をAFMにて観察した写真を図2に示す。なお、図2における1~4は、表1に示すサンプル番号であり、dはドメインサイズを示している。図2より、ドメインサイズの違いにより、キャップ層23の表面状態が大きく相違していることが分かる。3酸化物超電導薄膜層の作製各サンプルの中間層2の上に、MOD法を用いて、以下の要領で、150nm厚の酸化物超電導薄膜層を作製した。イMOD溶液の作製Y、Ba、Cuの各アセチルアセトナート塩から出発してY:Ba:Cu=1:2:3の比率モル比で合成し、アルコールを溶媒としたMOD溶液を作製した。なおMOD溶液のY3、Ba2、Cu2を合わせた総カチオン濃度を1mol/Lとした。ロ塗膜作製工程形成された中間層2の上に、前記MOD溶液を塗布し、乾燥させて塗膜を作製した。ハ仮焼熱処理工程塗膜が形成された基板を、大気圧の空気雰囲気下、500°C、120分間の仮焼熱処理を行い、150nm厚のY123仮焼膜を作製した。ニ本焼熱処理工程作製されたY123仮焼膜に対し、アルゴン酸素混合ガス酸素濃度100ppm雰囲気下で、800°C、90分間の本焼熱処理を行い、150nm厚のY123超電導薄膜層4を作製し、各サンプルのY123酸化物超電導薄膜線材を得た。3.超電導特性の評価各サンプルにおける各Y123超電導薄膜層について、X線回折XRDによりY123005ピーク強度を測定した。そして、ピーク強度が800以上の場合、超電導配向c軸配向が良好○と評価した。評価結果を、測定結果実測値と併せて表1に示す。そして、ドメインサイズとY123005ピーク強度との関係を図3に示す。3考察表1および図3より、ドメインサイズが小さくなるに伴い、Y123005ピーク強度が高くなっていることが分かる。そして、表1に示すように、ドメインサイズが25nm以下のサンプル3実施例1およびサンプル4実施例2の場合、良好な超電導配向c軸配向を示している。以上より、キャップ層のドメインサイズを適切に制御することにより、良好な超電導配向c軸配向の酸化物超電導薄膜線材を作製できることが分かる。以上、本発明を実施の形態に基づき説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明と同一および均等の範囲内において、上記の実施の形態に対して種々の変更を加えることが可能である。