帯電粒子ビームの角度偏差を決定するための方法であって、複数の非垂直な側壁を有する構成要素を備えるテストオブジェクトを提供するステップと、第1の帯電粒子ビーム経路に沿って前記テストオブジェクトに向けられた帯電粒子ビームで前記構成要素の第1の側壁を走査することによって、前記第1の側壁の幅を測定するステップと、前記帯電粒子ビームと前記テストオブジェクトの関係を変更するステップと、第2の帯電粒子ビーム経路に沿って前記テストオブジェクトに向けられた帯電粒子ビームで前記構成要素の第2の側壁を走査することによって、前記第2の側壁の幅を測定するステップと、前記第1及び第2の側壁の測定された幅を比較すると共に、前記第1及び第2の帯電粒子ビーム経路を比較するステップと、前記比較に基づいて、前記第1及び第2の帯電粒子ビーム経路の少なくとも一方からの帯電粒子ビームの角度偏差を決定するステップと、を備える方法。前記構成要素の高さを測定するステップを更に備える、請求項1に記載の方法。前記関係を変更するステップは、前記帯電粒子ビームと前記テストオブジェクトとの間に相対的運動を導入するステップを含む、請求項1に記載の方法。前記第1又は第2の側壁の前記幅の少なくとも1つの測定時に、測定角が側壁角を上回り、前記第1又は第2の側壁の前記幅の少なくとも別の測定時には前記側壁角が前記測定角を上回り、前記測定角が前記帯電粒子ビームと前記第1又は第2の側壁間の角度として定義される、請求項1に記載の方法。前記角度偏差に応じてビームコントローラパラメータ値を決定するステップを更に備える、請求項1に記載の方法。画像ベース検索によって前記構成要素を検索するステップを更に備える、請求項1に記載の方法。前記帯電粒子ビームが複数の傾斜状態で位置決め可能であり、前記方法が更に、前記複数の傾斜状態の少なくとも2つについて前記帯電粒子ビームの角度偏差を決定するステップを更に備える、請求項1に記載の方法。前記角度偏差測定値が種々の誤差に応じて決まる、請求項1に記載の方法。前記測定及び変更するステップは、複数の角度偏差測定値を提供するために反復され、これらが処理されて平均角度偏差推定値が提供される、請求項1に記載の方法。前記角度偏差測定値が測定場所によって相互に異なる、請求項1に記載の方法。前記測定は、小さな角度変化によって特徴付けられている側壁部分で実行される、請求項1に記載の方法。角度変化に応じて帯電粒子ビーム偏向器を較正するステップを更に備える、請求項1に記載の方法。前記関係を変更するステップは、前記帯電粒子ビームと前記テストオブジェクトとの間に相対的な回転運動を導入するステップを更に備える、請求項1に記載の方法。帯電粒子ビームの角度偏差を決定するためのシステムであって、複数の非垂直な側壁を有する構成要素を備えるテストオブジェクトを受ける手段と、前記テストオブジェクトの前記構成要素の側壁の幅の少なくとも2つの測定を実行する手段であって、各測定が前記テストオブジェクトと帯電粒子ビーム経路に沿って前記テストオブジェクトに向けられた前記帯電粒子ビームとの間の相互作用に関連しており、前記測定値が前記帯電粒子ビーム経路と前記テスト構成との関係によって相互に異なる手段と、前記少なくとも2つの測定値とそれぞれの帯電粒子ビーム経路とを比較する手段と、前記比較に基づいて、前記帯電粒子ビーム経路の少なくとも一方からの前記帯電粒子ビームの角度偏差を決定する手段と、を備えるシステム。前記テストオブジェクトと前記帯電粒子ビームとの間に相対的運動を導入することによって関係を変更するステージを更に備える、請求項14に記載のシステム。0015本発明は帯電粒子ビームの角状変位を判断するための方法を提供しており、該方法は、i複数の側壁を有する構成要素を含むテストオブジェクトを提供するステップと、ii該構成要素の少なくとも1つの側壁の機能を測定し、該帯電粒子ビームと該テストオブジェクトの関係を変更するステップと、iii該構成要素の少なくとも1つの側壁の機能を測定するステップと、iv該測定を処理して、該帯電粒子ビームの角状変位を判断するステップと、を含む。従来、該測定は、小さな角度変化によって特徴付けられている側壁部分で実行される。0016本発明は帯電粒子ビームの角状変位を判断するための方法を提供しており、該方法は、i複数の側壁を有する構成要素を含むテストオブジェクトを提供するステップと、ii該構成要素の少なくとも1つの側壁の機能を測定するステップと、iii該帯電粒子ビームと該テストオブジェクトとの間に回転運動を導入するステップと、iv該構成要素の少なくとも1つの側壁の機能を測定するステップと、v該測定を処理して、該帯電粒子ビームの角状変位を判断するステップと、を含む。従来、該測定は、小さな角度変化によって特徴付けられている側壁部分で実行される。0017本発明は帯電粒子ビームの角状変位を判断するための方法を提供しており、該方法は、i各構成要素は複数の側壁を含む第1および第2の実質的に等しい構成要素を含むテストオブジェクトを提供するステップと、ii該第1の構成要素の少なくとも1つの側壁の機能を測定するステップと、iii該帯電粒子ビームと該テストオブジェクトの関係を変更するステップと、iv該第2の構成要素の少なくとも1つの側壁の機能を測定するステップと、v該測定を処理して、該帯電粒子ビームの角状変位を判断するステップと、を含んでおり、該少なくとも1つの測定された側壁の各側壁は小さな角度変化によって特徴付けられている。0018本発明は帯電粒子ビームシステムを較正するための方法を提供しており、該方法は、i帯電粒子ビームを一定の傾斜状態に設定するステップと、ii較正ビームコントロールパラメータ値を判断するステップと、iii該一定の傾斜状態を変更して、較正ビームコントロールパラメータを判断するステップを反復するステップと、を含む。0019本発明は帯電粒子ビームの角状変位を判断するための方法を提供しており、該方法は、i第1の平面角α1によって相互に配向されている第1および第2の構成要素を含むテストオブジェクトを提供するステップであって、該第1の構成要素は第1の側壁角β1で配向されている第1の側壁を有するのに対して、該第2の構成要素は第2の側壁角β2で配向されている第2の側壁を有するステップと、ii該第1の側壁を帯電粒子ビームで走査することによって該第1の側壁の機能を測定するステップであって、該帯電粒子ビームと該第1の側壁間の角状配向はβ1よりも大きいステップと、iii該第2の側壁を帯電粒子ビームで走査することによって該第2の側壁の機能を測定するステップであって、該帯電粒子ビームと該第2の側壁間の角状配向はβ2よりも大きいステップと、iv該第1の側壁を帯電粒子ビームで走査することによって該第1の側壁の機能を測定するステップであって、該帯電粒子ビームと該第1の側壁間の角状配向はβ1よりも小さいステップと、v該第1の側壁を帯電粒子ビームによって走査することによって該第2の側壁の機能を測定するステップであって、該帯電粒子ビームと該第2の側壁間の角状配向はβ2よりも小さいステップと、vi該測定に感応して角状変位を判断するステップと、を含む。0020本発明は帯電粒子ビームの角状変位を判断するためのシステムを提供しており、該システムは、iテストオブジェクトの構成要素の機能の少なくとも2つの測定を実行するための手段であって、各測定は該テストオブジェクトと帯電粒子ビーム間の相互作用に関連しており、該測定は、帯電粒子ビームと該テスト構成の関係によって相互に異なる手段と、ii該角状変位を判断するために該少なくとも2つの測定を処理するための手段と、を含む。0021本発明を理解し、実際に実施される様子を見るために、好ましい実施形態を、添付の図面を参照して非制限的例によってのみ次に説明する。0028本発明は、イオンビームおよび電子ビームなどの帯電粒子ビームに適用する。説明の便宜上、以下の詳細な説明は、本発明の範囲を制限することなく、電子ビームならびに電子ビームを利用するツールに言及している。従って、本発明は概して、テストオブジェクトに対して帯電粒子ビームを向けることができる制限はされないが、集光イオンビームデバイス、走査電子マイクロスコープなどの帯電粒子ビームシステムに関するが、詳細な説明は走査電子マイクロスコープ、特にCD-SEMに言及する。0029一般的なCD-SEMは、電子ビームを発生させるための電子ガンと、電子ビームの経路を判断するための偏向および傾斜ユニットと、電子ビームを検査済みオブジェクトに集光する一方で種々の収差およびずれを縮小するための集光レンズと、検出器とプロセッサとを含む。0030検査済みオブジェクトと電子ビームとの相互作用の結果として放射される二次電子などの電子は、処理ユニットによって処理される検出信号を提供する検出器に引き付けられる。検出信号を使用して、標本の種々の機能を判断し、そして検査済み標本の画像を形成することができる。0031本発明は、コンポーネント数および該コンポーネントの配置によって相互に異なっていてもよい種々のアーキテクチャのCD-SEMなどのSEM上で実現可能である。例えば、偏向ユニット数および各偏向ユニットの正確な構成は変化してもよい。CD-SEMは、レンズ内ならびにレンズ外検出器、あるいは両方の組み合わせを含んでいてもよい。0032限界寸法走査電子マイクロスコープCD-SEM100のブロック図が図1aに概略的に示されている。CD-SEM100は、電子ビーム101を放射する電子ガン103を含んでおり、これは陽極104によって抽出される。対物レンズ112は電子ビームを標本表面105aに集光する。ビームは走査偏向ユニット102を使用して標本上に走査される。0033開口106または所望の光軸それぞれに対するビームの整列は偏向ユニット108~111によって達成される。各偏向ユニットはコイルと、代替的にまたは付加的に帯電プレートなどの静電モジュールを含んでいてもよい。0034検出器16は、比較的低エネルギ3~50eVの様々な角度で標本105から逃げる二次電子を検出することができる。標本からの散乱または二次電子の測定は、光電子増倍管などに接続されているシンチレータの形態の検出器によって為されてもよい。信号の測定方法は概して本発明の理念に影響しないが、これは本発明を制限すると理解されるべきではない。0035検出信号は、コントローラ33の一部であってもよいが必ずしもそうではない処理ユニットによって処理される。処理ユニットは画像処理性能を有していてもよく、種々の方法で検出信号を処理することができる。通常、処理ユニットは専用の信号処理ハードウェアおよびソフトウェアを含む。0036一般的な処理スキームは、検出信号対走査方向の振幅を反映する波長を発生させることを含む。波長は、少なくとも1つの縁の場所と、検査済み構成要素の他の断面特徴とを判断するためにさらに処理される。0037システムの異なるパーツは種々のコントロールユニットによってコントロールされている高電圧電源ユニット21などの対応する電源ユニットに接続されており、これらの多くは説明を簡潔にするために図面から省略されている。コントロールユニットは、一定のパーツに供給される電流ならびに電圧を判断可能である。0038CD-SEM100は、偏向ユニット110および111を含むダブル偏向システムを含む。従って、第1の偏向ユニット110に導入されたビーム傾斜は第2の偏向ユニット111で補正可能である。このダブル偏向システムによって、電子ビームは、電子ビームのビーム傾斜を光軸に対して導入することなく1方向にシフトすることができる。0039本発明者らは、各偏向ユニットが角状変位を導入可能であることを発見した。角状変位はまた電子ビームの傾斜状態に依拠していてもよい。従って、角状変位を判断するために、具体的には角状変位と偏向ユニットに供給される電圧、電流などのビームコントロールパラメータの関係を判断するために、複数の角状変位検出セッションならびに較正セッションが必要とされてもよい。この関係は通常複数の係数で定義される。0040図1bは、本発明の別の実施形態に従った対物レンズ120の斜視図である。図1bにおいて、傾斜偏向は対物レンズの下で下方向に実行される。対物レンズは、四重形成で配置されて、かつ対物レンズと標本の間に位置決めされており、電子ビームの傾斜条件をコントロールするためのポールピースを有することによって対物レンズ102とは異なる。ポールピースは、リングと、例えば電子ビームが通過するポールピース間のスペースの磁束を集中させるために配置されている追加コイル図示せずを持つコアとに電気的に接続されている。0041図2~図4はテストオブジェクト200とその部分210’の一部を示している。本発明者らは、Sematechによってテストオブジェクトとして生成されたQ-Cleave-Dウェーハを使用していたが、他のテストオブジェクトもまた使用可能である。テストオブジェクトは複数の側壁を有することによって特徴付けられなければならないのに対して、測定済み側壁は側壁角の高い均一性によって特徴付けられなければならない。この均一性は、テストオブジェクトの製造プロセスにおける絶え間ない改良によって、時間と共に改良されると思われる。角度は側壁間で変化してもよい。0042テストオブジェクト200は複数のダイ220を含む平面ウェーハである。ダイは、L型構成要素120などの複数の構成要素を含む。これらのL型構成要素のうちの一部の側壁は較正プロセス時に測定される。測定済み構成要素はスクライブライン内に置かれてもよい点に注目する。0043先程の図面はL型構成要素を示しているが、他の型の構成要素もまた使用可能であり、単一のラインまたはラインの組み合わせも構成要素とみなされてもよい点にさらに注目する。0044本発明者らは、電子ビームの角状変位の判断は、構成要素の一定の機能を測定し、構成要素と電子ビームの関係を変更し、追加測定を実行することによって実現可能であることを発見した。0045本発明の実施形態によると、この変更はビームコントロールパラメータを実質的に変更することなく実現される。0046従来、変更は、テストオブジェクトをステージを移動することによって機械的に回転させることあるいは移動させることと、付加的または代替的に電子ガン、対物レンズ、偏向ユニット、電源ユニットなどを含むCD-SEMカラムを移動させることとに関連する。本発明者らはテストオブジェクトを180度回転させたが、他の回転運動もまた使用可能である。0047通常、機械的運動が導入された後、既に測定した構成要素を検索するステップが、要素または別の隣接する要素の一意の特徴を識別することによって実行される。このプロセスは、構成要素が位置付けられている検索エリアを検索する第1のステップを含む既知の検索技術を使用することによって、構成要素の座標を使用することによって、既に測定した構成要素の画像認識ベースの検索を実行することによって自動化される。この検索ステップは一定の検索誤差によって特徴付けられていてもよい。0048本発明者らは、検索誤差、回転誤差、テスト構成の角状均一性および角状変位測定誤差の結び付きがあることを発見した。より大きな検索誤差とより低い構成要素の側壁の角状均一性例えばより大きな構成要素の側壁のバリエーションはより低い角状変位の測定精度につながりうる。より低い構成要素の側壁の角状均一性は検索精度を増大させることによって補償可能である。0049本発明者らはまた、角状変位測定精度は、複数の重複サイトで測定を実行して、測定結果を統計的に処理することによって改良可能であることを発見した。従って、この統計的処理例えば平均化は測定精度を増大させ、より大きな角度変化によって特徴付けられている構成要素の使用を許容する。0050本発明者らは、i構成要素の機能を測定すること、ii構成要素を180度回転させること、iii構成要素の機能の追加測定を実行することによって、構成要素における種々の非対称が平均化されることを発見した。0051図6は、電子ビームの角状変位を判断するための方法300を示すフローチャートである。方法300は、複数の側壁を有する構成要素を含むテストオブジェクトを提供するステップ310から開始する。これらの側壁の一部が測定されて、測定済み側壁は小さな側壁角の変化によって特徴付けられる。通常、この均一性は製造プロセスに感応しており、全側壁は同じ側壁角の均一性を共にする。0052側壁角の不均一性は、ビームの角状変位の好結果の判断を妨げることがある。この不均一性はサイト間のランダムな変化とサンプル非対称差異という2つのコンポーネントに分類して説明することができる。非対称差異はまたサンプルリーディングとも言われ、つまり構成はピサの斜塔のように傾いている。これらの2つのコンポーネントを取り扱うサンプリング戦略がある。サイト間の変化については、これは、類似のサイトで多数の測定をして、結果を平均化することによって抑制可能である。平均化の法則によって、平均誤差は単一の測定誤差よりも小さい。非対称差異は、サンプルを180度回転させることによって分離された、同じ物理的場所のサンプルを2回測定することによって除去可能である。測定を得るために同じ物理的場所に戻り、これらの測定を平均化することによって、サンプルの非対称は取り消される。0053テストオブジェクトは、複数のL型構成要素を含むテストオブジェクト200と似ていてもよいが、これは必ずしもそうではない。0054構成要素は2つの垂直ラインを含んでいてもよいが、相互に平行でも垂直でもないラインを含んでいてもよいことに注目する。L型構成要素の使用によって、とりわけデカルト座標を使用する場合には計算が簡単になる。0055構成要素の少なくとも1つの側壁の機能を測定するステップ330がステップ310に続く。測定された機能は構成要素の側壁の幅であるが他の機能も測定可能である点にさらに注目する。0056ステップ330は、必要な測定精度ノイズが平均化されるとより多くの測定がより正確な結果につながると、構成要素の高さが既知であるか推定されるかに感応して、複数の傾斜状態での複数の測定を含むことができる。高さが既知である場合、単一の測定が必要であるのに対して、既知でない場合には、異なる傾斜角での2つの測定が必要である。0057電子ビームとテストオブジェクトの関係を変更するステップ350がステップ330に続く。従来、このステップはビームコントロールパラメータの実質的変化に関連していないが、機械的運動には関連している。0058構成要素の少なくとも1つの側壁の機能を測定するステップ370がステップ350に続く。0059ステップ370の測定は、電子ビームと構成要素の異なる関係によってステップ330の測定とは異なっている。図5a~図5bを参照すると、第1の側壁角β1で配向された第1の側壁を有する第1の構成要素を示している。ステップ330時に、電子ビームと測定済み構成要素間の測定角はδ1であるのに対して、ステップ370時には測定角はδ2である。δ1=β1θおよびδ2=β1-θであり、この場合XY平面内でY軸に沿って延びるラインとすると、θはZY平面での角状変位である。0060機能の測定を処理して電子ビームの角状変位を判断するステップ390がステップ370に続く。本発明者らは、角状変位はまた1つ以上の単一の傾斜ステージからの測定を処理することによって判断可能であることを発見した。0061通常、構成要素の高さを測定する予備ステップ302はステップ310に先行する。i複数の場所の1つ以上の構成要素の高さを測定して複数の高さ測定を提供し、ii複数の高さ測定を例えば平均化、加重平均、標準偏差によって統計的に処理して構成要素の高さを提供するという2段階のプロセスによって高さが判断されてもよい。高さ測定の回数は高さ測定精度のしきい値に感応する。高さ測定はCD-SEM自体によって、別のCD-SEMツールによって、あるいは原子力マイクロスコープ測定などの他のツールによって行われてもよい。0062本発明の実施形態によると、角状変位が判断されると、例えばその角状変位を実質的に縮小するためにCD-SEMを較正する必要性がある。0063較正プロセスは、電子ビームの角状変位とビームコントロールパラメータの通常複数の係数で定義される関係の判断に関連している。この関係は角状変位の複数の測定を実行することによって判断可能であり、測定回数は未知の係数の数に感応する。係数が分かると、角状変位を実質的に縮小または排除するビームコントロールパラメータ値を計算可能である。該複数の測定の各々は、異なるビームコントロールパラメータ値で、ステップ330~390の実行に関連している。例えば、角状変位が2つのビームコントロールパラメータ-コイル電流IXおよびIYに感応しており、また角状変位とこれらのパラメータの関係が4つの係数A12、CX、A21、A22およびCYで定義されるとする。数学的に説明すると、θX=A11IXA12IYCX;θY=A21IXA22IYCYとなり、ここでθXは角状変位のx成分であり、θYは角状変位のy成分である。係数が分かると、実質的にゼロの角状変位となる電流値が判断可能である。これらの式を参照すると、θXおよびθYをゼロに設定することによって、IX0およびIY0の値が抽出可能である。IX0およびIY0は、所与の電圧値および一定の傾斜状態において角状変位を実質的に縮小する電流である。0064本発明の実施形態によると、これらの係数が一定の傾斜ステージについて分かると、別の傾斜状態の較正時に使用可能である。本発明の別の実施形態によると、これらの係数が一定の電子ビームエネルギについて分かると、別の電子ビームエネルギの較正係数を推測するのに使用可能である。本発明のさらに別の実施形態によると、これらの係数が一定のツールについて分かると、別のツールを較正するのに使用可能である。本発明のさらに別の実施形態によると、より良好な入力を較正セッションに提供するために複数の係数を集めて、統計的に処理することができる。0065図7は、走査電子マイクロスコープを較正するための方法400を示すフローチャートである。方法400は、第1の構成要素および第2の構成要素を含むテストオブジェクトを提供するステップ410から開始する。第1の構成要素は、第1の側壁角β1で配向された第1の側壁を有する。第2の構成要素は、第2の側壁角β2で配向された第2の側壁を有する。0066図5bにおいて、単一の構成要素がβ1で配向された第1の側壁とβ2で配向された第2の側壁とを有する点に注目するが、これは必ずしもそうではない。各構成要素は第1または第2の側壁のいずれかを有していてもよい。あるいはまた、テストオブジェクトは、これらの側壁の一方または両方を含む複数の構成要素を含むことができる。0067第1の側壁を電子ビームで走査することによって第1の側壁の機能を測定するステップ430がステップ410に続き、ここでは電子ビームと第1の側壁間の角状配向はβ1よりも大きい。例えば、図5aよび5bを参照すると、δ1=β1θである。第2の側壁を電子ビームで走査することによって第2の側壁の機能を測定するステップ450がステップ430に続き、ここでは電子ビームと第2の側壁間の角状配向はβ2よりも大きい。例えば、図5aおよび5bを参照すると、δ3=β2θ’である。0068第1の側壁を電子ビームで走査することによって第1の側壁の機能を測定するステップ470がステップ450に続き、ここでは電子ビームと第1の側壁間の角状配向はβ1よりも小さい。例えば、図5aおよび5bを参照すると、δ1=β1-θである。0069第1の側壁を電子ビームで走査することによって第2の側壁の機能を測定するステップ490がステップ470に続き、ここでは電子ビームと第2の側壁間の角状配向はβ2よりも小さい。例えば、図5aおよび5bを参照すると、δ3=β2-θ’である。0070種々の測定ステップの順序は重要ではない点に注目する。0071本発明者らは、L型構成要素の2つの垂直な側壁を測定してから、テストオブジェクトおよび測定済み構成要素を180度回転させ、同側壁の測定を実行した点にさらに注目する。各軸に沿った角状変位は、同側壁の第1および第2の測定を平均化することによって判断された。0072測定に感応して角状変位を判断するステップ495がステップ490に続く。0073図8は、走査電子マイクロスコープを較正するための方法500を示すフローチャートである。方法500は、電子ビームを一定の傾斜状態に設定するステップ510から開始する。これは機械的調整の場合走査電子マイクロスコープおよび/またはステージの機械的および/または電気的調整によって得ることができる。0074電子ビームの角状変位を実質的に縮小する1セットのビームコントロールパラメータ値を判断するステップ530がステップ510に続く。ステップ530は、電子ビームの角状変位と複数のビームコントロールパラメータの関係通常は係数を判断する工程と、次いで較正ビームコントロールパラメータ値とも称される電子ビームの角状変位を実質的に縮小するビームコントロールパラメータ値を判断する工程とを含む。角状変位は通常、ステップ310~390またはステップ430~495などのステップの1つ以上のセッション時に測定される。0075一定の傾斜状態を変更し、較正ビームコントロールパラメータ値を判断するステップを反復するステップ550がステップ530に続く。0076上記のとおり、一定の傾斜状態/一定の電子ビームエネルギについて判断された係数および/または較正ビームコントロールパラメータ値は別の較正プロセス時に使用可能である。これらは、別の較正プロセス時に使用可能な推定を提供するのに使用することができる。他の較正プロセスは、所望の角状変位が達成されるまで、角状変位を測定し、較正プロセスを終了させるか、またはプロセスを継続させるかのいずれかによって推定をチェックすることに関連している。0077例示的設定において、本発明者らは、5つの角状変位測定を実行する一方で、異なる値、IX=0、IY=0、IX=IXMAX/3、IY=0、IX=2IXMAX/3、IY=0、IX=0、IY=IYMAX/3およびIX=0、IY=2IYMAX/3の偏向電流IXおよびIYを提供することによって係数ならびに較正ビームコントロールパラメータ値を発見した。ここでは電流IXおよびIYは電子ビームのx軸偏向およびy軸の偏向に影響を与える。これらの電流の最大値はIXMAXおよびIYNMAXと記されている。測定がなされた。0078図9~図10は、SEMを利用する方法600および700を示している。0079方法600はSEMを較正するステップ610から開始する。一定の傾斜状態を達成するためにビームコントロールパラメータを適用するステップ620がステップ610に続く。ビームの角状変位を測定するステップ630と、一定の傾斜ステージが達成されたか否かを判断するステップ640とがステップ620に続く。一定の傾斜状態が達成されると、サンプルを測定するステップ6500がステップ640に続き、あるいはビームコントロールパラメータ値を変更するステップ660がステップ640に続く。ステップ630がステップ660に続く。ステップ630は、ステップ310~390またはステップ430~495などのステップ1つ以上のセッションを含むことができる。0080方法700は、SEMを一定の傾斜状態に設定するステップ710から開始する。ビームの角状変位を測定するステップ720がステップ710に続く。実質的に同じ傾斜状態から、測定と前の測定とを比較するステップ730がステップ720に続く。比較に感応してビームコントロールパラメータを調整するか否かを判断するステップ740がステップ730に続き、その場合、ビームコントロールパラメータ値を調整するステップ750がステップ740に続く。ステップ720がステップ750に続く。ステップ740が、さらなる調整の必要性がないと判断するとプロセスは終了する。0081本発明者らは、ビームコントロールパラメータ値の変更例えば較正ビームコントロールパラメータ値の設定は、焦点の変化、大きさの変化、種々の収差の変化などの、帯電粒子ビームの特徴を変更することがあるということを発見した。従って、これらの変化を補償するステップは、これらの値が判断された後に実行されてもよい。0082検査および不良分析プロセスが複数の走査電子マイクロスコープ例えば、一定のFAB、一定のウェーハ製作プロセスライン、一定のベンダのCD-SEMによって実行される場合、同方法を使用する同テストオブジェクトによって全デバイスを較正することは非常に有用である。本発明者らは、CD-SEMの較正セッションが完了すると、テストオブジェクトが他のCD-SEMを較正するために使用されることを発見した。本発明の実施形態によると、一定のツールの較正プロセスの結果は別のツールを較正するのに使用可能である。0083本発明は、従来のツール、手順およびコンポーネントを採用することによって実用化可能である。従って、このようなツール、コンポーネントおよび手順の詳細についてここでは詳しく述べることはしない。先程の説明において、本発明の完全な理解を提供するために、一般的なラインの断面形状や偏向ユニット数などの多数の具体的詳細が述べられている。しかしながら、本発明は、具体的に述べられている詳細を用いずに実用化可能であるという点が認識されるべきである。0084本発明の例示的実施形態のみ、しかし数例のその汎用性が本開示に示され、説明されている。本発明は種々の他の組み合わせおよび環境において使用可能であり、またここに表されているような本発明の概念の範囲内で変更や修正が可能である点が理解されるべきである。