"ガラス基板1の主表面に磁気記録層2が形成される情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、前記ガラス基板1に対して研磨剤を用いて研磨処理を施す工程と、前記研磨処理を施した後に前記ガラス基板1の前記主表面に化学強化処理を施す工程と、を備え、前記研磨剤は、酸化セリウムの純度が、CeO2/TREOで99質量以上、かつ、アルカリ土類金属の含有量の総質量が10質量ppm以下であり、前記研磨処理において、軟質製研磨パッドを用いて、前記ガラス基板1に対して研磨処理を施す、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。前記ガラス基板1は、組成に0.02質量~1質量のCeを含む、請求項1に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。前記研磨剤は、酸化セリウムの純度が、CeO2/TREOで99.99質量以上、かつ、アルカリ土類金属の含有量の総質量が5質量ppm以下である、請求項1または2に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。前記研磨剤は、当該研磨剤の固形分における酸化セリウムの比率が90質量以上である、請求項1から3のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。前記研磨剤は、使用する粒径の最大値が3.5μm以下であり、平均粒子径D50値が、0.4μm~1.6μmである、請求項1から4のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。水分中に前記研磨剤が分散された研磨スラリーを用い、前記研磨スラリー中の酸化セリウムが、3質量~15質量である、請求項1から5のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。前記軟質製研磨パッドは、基材とナップ層とを含み、前記ナップ層の厚さは、430μm~620μmである、請求項1から6のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。前記ガラス基板1に対して研磨処理を施した後に、前記ガラス基板1の表面および端面を含む全面の表面に残存するアルカリ土類金属の総量を10ng/cm2以下となるように洗浄する工程を含む、請求項1から7のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって得られたガラス基板と、前記ガラス基板1の前記主表面上に形成された磁気薄膜層2と、を備え、前記情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、前記ガラス基板1に対して研磨剤を用いて研磨処理を施す工程と、前記研磨処理を施した後に前記ガラス基板1の前記主表面に化学強化処理を施す工程と、を備え、前記研磨剤は、酸化セリウムの純度が、CeO2/TREOで99質量以上、かつ、アルカリ土類金属の含有量の総質量が10質量ppm以下であり、前記研磨処理において、軟質製研磨パッドを用いて、前記ガラス基板1に対して研磨処理を施す、情報記録媒体。酸化セリウム研磨工程後に化学強化処理を施す場合、400°C前後の温度領域において30分以上の時間保持されるため、熱エネルギーによる残留ダメージの成長拡大、イオン交換応力によるウネリ周波数異常の助長などが顕著となり、後工程の仕上げ研磨工程では十分修正させきれない。その結果、動的浮上制御機構を導入した極低浮上で制御される最新のハードディスクドライブシステムにおいては、後発エラー等、記録再生における信頼性低下を発生させる割合が急激に増加した。一方、非動作衝撃性能を中心とする強度信頼性の向上は各種産業機器への導入、ドライブレコーダーへの採用などを背景に益々加速しており、ガラス基板において高い強度信頼性を確保するためには、化学強化工程が必須の処理となってきた。ここで、酸化セリウムを使用した粗研磨工程では、一般的に硬質パッドが用いられている。しかし、研磨レート生産効率が悪いことから、粗研磨でも軟質パッド軟質ポリッシャを使用して研磨を行なうこともある。また、ガラス基板に対して化学強化処理を行なっても、ガラス基板全面が均一に強化されない場合がある。これは、粗研磨工程において、酸化セリウムを用いた場合、酸化セリウムがガラス基板と化学反応していることが原因である。具体的には、SiO2が比較的多量に含有するアルミノシリケートガラス基板においては、SiO2は、SiとOとが共有結合で繋がっており、Ceは、Siと電子状態がある程度近似している。そのため、SiO2のSiがCeと置換され易い。しかし、Ce-O結合は、Si-O結合ほど共有結合性が大きくないため、置換された部分は、多少の外力で破壊され、ガラス基板の表面に微小な凹凸が発生する。このように、粗研磨工程を行なった後のガラス基板の表面には、微小な凹凸が存在することから、粗研磨工程の後にガラス基板に対して化学強化処理を行なっても、ガラス基板全面を均一に強化できない場合が生じる。近年、情報記録媒体用ガラス基板には、耐衝撃性が求められることから、ガラス基板の耐衝撃性を向上させる必要があり、化学強化処理によりガラス基板全面を均一に強化する必要がある。本発明は、上記の実情に鑑みてためされたものであって、耐衝撃性の向上を図ることが可能な情報記録媒体用ガラス基板の製造方法およびその情報記録媒体用ガラス基板を備えた情報記録媒体を提供することを目的とする。この発明に基づいた情報記録媒体用ガラス基板の製造方法においては、ガラス基板の主表面に磁気記録層が形成される情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、上記ガラス基板に対して研磨剤を用いて研磨処理を施す工程と、上記研磨処理を施した後に上記ガラス基板の上記主表面に化学強化処理を施す工程と、を備え、上記研磨剤は、酸化セリウムの純度が、CeO2/TREOで99質量以上、かつ、アルカリ土類金属の含有量の総質量が10質量ppm以下であり、上記研磨処理において、軟質製研磨パッドを用いて、上記ガラス基板に対して研磨処理を施す。なお、本発明において、TREOTotalRareEarthOxideとは、研磨剤における希土類元素の総量を意味しており、CeO2/TREOは、研磨剤における希土類元素の総量に対する酸化セリウムの割合を表す。また、本発明におけるアルカリ土類金属は第2族元素を表しており、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、ラジウムの総称である。他の形態においては、上記ガラス基板は、組成に0.02質量~1質量のCeを含む。また、好ましくは0.05質量~0.8質量、より好ましくは0.1質量~0.6質量のCeを含む。他の形態においては、上記研磨剤は、酸化セリウムの純度が、CeO2/TREOで99.99質量以上、かつ、アルカリ土類金属の含有量の総質量が5質量ppm以下である。他の形態においては、上記研磨剤は、当該研磨剤の固形分における酸化セリウムの比率が90質量以上である。他の形態においては、上記研磨剤は、使用する粒径の最大値が3.5μm以下であり、平均粒子径D50値が、0.4μm~1.6μmである。他の形態においては、水分中に上記研磨剤が分散された研磨スラリーを用い、上記研磨スラリー中の酸化セリウムが、3質量~15質量である。他の形態においては、上記軟質製研磨パッドは、基材とナップ層とを含み、上記ナップ層の厚さは、430μm~620μmである。他の形態においては、上記ガラス基板に対して研磨処理を施した後に、上記ガラス基板の表面および端面を含む全面の表面に残存するアルカリ土類金属の総量を10ng/cm2以下となるように洗浄する工程を含む。この発明に基づいた情報記録媒体においては、上述の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって得られたガラス基板と、上記ガラス基板の上記主表面上に形成された磁気薄膜層とを備える。本発明によれば、耐衝撃性の向上を図ることが可能な情報記録媒体用ガラス基板の製造方法およびその情報記録媒体用ガラス基板を備えた情報記録媒体を提供することが可能となる。本発明に基づいた実施の形態について、以下、図面を参照しながら説明する。実施の形態の説明において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。実施の形態の説明において、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。[ガラス基板1磁気ディスク10]図1および図2を参照して、まず、本実施の形態に基づく情報記録媒体用ガラス基板の製造方法によって得られるガラス基板1、およびガラス基板1を備えた磁気ディスク10について説明する。図1は、磁気ディスク10図2参照に用いられるガラス基板1を示す斜視図である。図2は、情報記録媒体として、ガラス基板1を備えた磁気ディスク10を示す斜視図である。図1に示すように、磁気ディスク10に用いられるガラス基板1情報記録媒体用ガラス基板は、中心に孔1Hが形成された環状の円板形状を呈している。ガラス基板1は、表主表面1A、裏主表面1B、内周端面1C、および外周端面1Dを有している。ガラス基板1の大きさは、たとえば0.8インチ、1.0インチ、1.8インチ、2.5インチ、または3.5インチである。ガラス基板の厚さは、破損防止の観点から、たとえば0.30mm~2.2mmである。本実施の形態におけるガラス基板の大きさは、外径が約64mm、内径が約20mm、厚さが約0.8mmである。ガラス基板の厚さとは、ガラス基板上の点対象となる任意の複数の点で測定した値の平均によって算出される値である。図2に示すように、磁気ディスク10は、上記したガラス基板1の表主表面1A上に磁気薄膜層2が形成されることによって構成される。図2中では、表主表面1A上にのみ磁気薄膜層2が形成されているが、裏主表面1B上にも磁気薄膜層2が形成されていてもよい。磁気薄膜層2は、磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂をガラス基板1の表主表面1A上にスピンコートすることによって形成されるスピンコート法。磁気薄膜層2は、ガラス基板1の表主表面1Aに対してスパッタリング法、または無電解めっき法等により形成されてもよい。ガラス基板1の表主表面1Aに形成される磁気薄膜層2の膜厚は、スピンコート法の場合は約0.3μm~1.2μm、スパッタリング法の場合は約0.04μm~0.08μm、無電解めっき法の場合は約0.05μm~0.1μmである。薄膜化および高密度化の観点からは、磁気薄膜層2はスパッタリング法または無電解めっき法によって形成されるとよい。磁気薄膜層2に用いる磁性材料としては、特に限定はなく従来公知のものが使用できるが、高い保持力を得るために結晶異方性の高いCoを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でNiやCrを加えたCo系合金などが好適である。また、熱アシスト記録用に好適な磁性層材料として、FePt系の材料が用いられてもよい。また、磁気記録ヘッドの滑りをよくするために磁気薄膜層2の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。潤滑剤としては、たとえば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテルPFPEをフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。さらに、必要により下地層や保護層を設けてもよい。磁気ディスク10における下地層は磁性膜に応じて選択される。下地層の材料としては、たとえば、Cr、Mo、Ta、Ti、W、V、B、Al、またはNiなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。また、下地層は単層とは限らず、同一または異種の層を積層した複数層構造としても構わない。たとえば、Cr/Cr、Cr/CrMo、Cr/CrV、NiAl/Cr、NiAl/CrMo、NiAl/CrV等の多層下地層としてもよい。磁気薄膜層2の摩耗や腐食を防止する保護層としては、たとえば、Cr層、Cr合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層などが挙げられる。これらの保護層は、下地層、磁性膜など共にインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。また、これらの保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一または異種の層からなる多層構成としてもよい。上記保護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。たとえば、上記保護層に替えて、Cr層の上にテトラアルコキシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して酸化ケイ素SiO2層を形成してもよい。[ガラス基板の製造方法]次に、図3に示すフローチャート図を用いて、本実施の形態におけるガラス基板情報記録媒体用ガラス基板の製造方法について説明する。本実施の形態におけるガラス基板の製造方法は、1粗ラッピング工程ステップS10、2形状加工工程ステップ20、3粗面化工程ステップ30、4精ラッピング工程ステップ40、5端面研磨工程ステップ50、6主表面研磨工程ステップ60、および7化学強化工程ステップ70を経ることによって得られたガラス基板図1におけるガラス基板1に相当に対して、磁気薄膜形成工程ステップS80が実施されてもよい。磁気薄膜形成工程ステップS80によって、磁気ディスク10が得られる。以下、これらの各ステップS10~S80について順に説明する、以下には、各ステップS10~S80間に適宜行なわれる簡易的な洗浄については記載していない。1粗ラッピング工程ステップS10溶融ガラスを、上型、下型、および胴型を用いてダイレクトプレスし、直径66mmφ、厚さ1.2mmの円盤状のガラス基板を得た。ガラス基板のガラス素材は、たとえばアルミノシリケートガラスである。ダイレクトプレス法以外に、ダウンドロー法、フロート法で形成したシートガラスから研削砥石で切り出し、円盤状のガラス基板を得ても良い。アルミノシリケートガラスの組成は、SiO2が58質量~75質量、Al2O3が5質量~23質量、Li2Oが3質量~10質量、Na2Oが4質量~13質量を主成分として含有し、また、酸化セリウムCeO2を0.1質量~2質量含有する化学強化ガラスを用いた。次に、ガラス基板に対して、ラッピング加工を施した。このラッピング加工は、寸法精度および形状精度の向上を目的としている。このラッピング工程は、両面ラッピング装置を用いて行い、砥粒の粒度を400粒径約40~60μmで行なった。詳しくは、研磨装置において粒度400のアルミナ砥粒を用い、上定盤の荷重を100kg程度に設定することによって、キャリア内に収納したガラス基板の両面を面精度0μm~1μm、表面粗さRmaxで6μm程度に仕上げた。2形状加工工程ステップS20次に、形状加工工程においては、外周端面および内周端面の研削を行ない、外径を65mm、内径中心部の孔1Hの直径を20mmとした後、外周端面および内周端面の所定の面取り加工を施した。このときのガラス基板の端面の面粗さは、Rmaxで2μm程度であった。なお、一般的に、2.5インチ型のハードディスクには、外径が65mmのガラス基板が用いられる。3粗面化工程第1研削工程:ステップS30この粗面化工程においては、平面研磨機による遊離砥粒研磨を用いる機械的方法を適用した。遊離砥粒研磨を用いてガラス基板の表面全体が、略均一の表面粗さRa=0.01μm~0.4μm程度になるように研磨加工を施した。なお、粗面化工程において目標とする表面粗さは、後述する精ラッピング工程で使用する固定砥粒の粒度との関係で決めることが好ましい。4精ラッピング工程第2研削工程:ステップS40この精ラッピング工程においては、粗面化されたガラス基板の主表面に対して、固定砥粒研磨パッドを用いて研削した。この精ラッピング工程では、粗面化されたガラス基板をラッピング装置にセットして、ダイヤモンドシートを用いてガラス基板の表面をラッピングした。ガラス基板の表面粗さRaは、0.1μm以下で、平坦度は7μm以下とすることができた。このように、事前にガラス基板の主表面が粗面化工程で粗面化されているため、微細な固定砥粒の引っ掛かりがガラス基板の主表面に形成される。これにより、固定砥粒がガラス基板の表面を滑る不具合を防止することができる。この場合、本精ラッピング工程における加工レートは、表面研磨開始から高い加工レートで実現できるものとなっている。5端面研磨工程ステップS50端面研磨工程においては、ブラシ研磨方法により、ガラス基板を回転させながらガラス基板の外周端面および内周端面の表面の粗さを、Rmaxで0.4μm、Raで0.1μm程度になるように研磨した。そして、このような端面研磨を終えたガラス基板の表面を水洗浄した。6主表面研磨工程第1研磨工程、第2研磨工程:ステップS60主表面研磨工程においては、まず、精ラッピング工程で残留した傷や歪みを除去するための第1研磨工程を、上述した両面研磨装置を用いて行なった。この第1研磨工程においては、スウェードパッドである研磨パッドを用いて、ガラス基板表面の主表面の研磨を行なった。研磨剤の酸化セリウムの純度は、CeO2/TREOで99質量以上、かつ、アルカリ土類金属の含有量の総質量が10質量ppm以下である。また、研磨剤は、酸化セリウムの純度が、CeO2/TREOで99.99質量以上、かつ、アルカリ土類金属の含有量の総質量が5質量ppm以下であることが好ましい。また、研磨剤は、研磨剤の固形分における酸化セリウム比率が90質量以上であることが好ましい。また、研磨剤には、使用する粒径の最大値が3.5μm以下であり、平均粒子径D50値が、0.4μm~1.6μmであることが好ましい。また、通常水分中に研磨剤が分散された、研磨スラリーを用い、研磨スラリー中の酸化セリウムが、3質量~15質量であることが好ましい。また、図4を参照して、研磨に用いる軟質製研磨パッド30は、基材31とナップ層32とを含み、ナップ層32の厚さは、430μm~620μmであることが好ましい。次に、上記ガラス基板を洗浄し付着している研磨剤を除去した。洗浄方法は、HFを1質量、硫酸を3質量混合させた液中にガラス基板を保持し、80kHzの超音波を照射した。その後、中性洗剤で120kHzの超音波洗浄、最後に純粋でリンスを行ない、IPA乾燥させた。洗浄後、ガラス基板1の表面および端面を含む全面の表面に残存するアルカリ土類金属の総量を10ng/cm2以下となるように洗浄することが好ましい。続いて、ガラス基板1に対して、第2研磨工程を行なった。この第2研磨工程においては、軟質ポリッシャスウェードである研磨パッドを用いて、ガラス基板の主表面の研磨を行なった。なお、研磨剤としては、第1研磨工程で用いた酸化セリウムよりも微細なシリカ砥粒を用いた。7化学強化工程ステップS70化学強化工程においては、上述した主表面研磨工程を終えたガラス基板に化学強化を施した。この場合、ガラス基板の表面に存在するイオンたとえば、アルミノシリケートガラス使用の場合、LiおよびNaよりもイオン半径の大きなイオンNaおよびKにイオン交換を行なった。ここでは、ガラス基板1の表面においてたとえば、ガラス基板表面から約5μmまで、イオン半径の大きい原子とイオン交換を行なって、ガラス基板1の表面に圧縮応力を与えることで、ガラス基板1の剛性を向上させている。以上の1粗ラッピング工程ステップS10、2形状加工工程ステップ20、3粗面化工程ステップ30、4精ラッピング工程ステップ40、5端面研磨工程ステップ50、6主表面研磨工程ステップ60、および7化学強化工程ステップ70を経ることによってガラス基板1図1参照が得られた。なお、主表面研磨工程における第2研磨工程は、化学強化工程の後に行なっても良い。8磁気薄膜形成工程ステップS80化学強化処理が完了したガラス基板図1に示すガラス基板1に相当の両主表面またはいずれか一方の主表面に対し、磁気薄膜層が形成される。磁気薄膜層は、Cr合金からなる密着層、CoFeZr合金からなる軟磁性層、Ruからなる配向制御下地層、CoCrPt合金からなる垂直磁気記録層、C系からなる保護層、およびF系からなる潤滑層が順次成膜されることによって形成される。磁気薄膜層の形成によって、図2に示す磁気ディスク10に相当する垂直磁気記録ディスクを得ることができる。本実施の形態における磁気ディスクは、磁気薄膜層から構成される垂直磁気ディスクの一例である。磁気ディスクは、いわゆる面内磁気ディスクとして磁性層等から構成されてもよい。作用効果本実施の形態によれば、主表面研磨工程S60において、SiO2が比較的多量に含有するアルミノリリケート系などのガラス基板では、SiO2はSiとOとが共有結合で繋がっており、CeはSiと電子状態がある程度近似しておりSiO2のSiと置換される。ただし、Ce-O結合は、Si-O結合ほど共有結合性が大きくないため、置換された部分が多少の力で、破壊される。ここで、アルミノシリケートガラスそのものに酸化セリウムCeO2が含有している場合に、主表面研磨工程において酸化セリウムを含むCe研磨剤を用いて研磨工程を実施した場合には、Si-O結合からCe-O結合への置換が円滑に促進され、ガラス基板表面に残存する微小な凹凸の発生を抑制することができる。ガラス基板表面への微小な凹凸の発生を抑制できることにより、化学強化処理工程においてガラス基板の表面を均一に処理でき、強化層圧縮歪層がバラつきなく形成することが可能となる。また、研磨パッドが硬質である場合、研磨中に圧力によって研磨剤がガラス基板に残りやすい。よって、スウェード等を用いた軟質製の研磨パッド研磨ポリッシャを用いることにより、Ce研磨剤のガラス基板への付着を抑制することができる。なお、軟質製の研磨パッドは、発泡構造により、独立発泡系と連続発泡系とに大別される。独立発泡系は、発泡形態から研磨スラリーが研磨布の内部に浸透せずガラス基板と研磨布の間にあるいは接触界面のみ存在するため、一般的に同一加工圧力下では、研磨スラリーの流量を少なくすることができるとされている。独立発泡系としては、気泡混入タイプ、無気泡タイプとがある。また、連続発泡系は、一般に不織布を基材とし、その遷移交絡体中に含浸された種々の樹脂が繊維同士のバインダーとして働くとともに、その樹脂相自体が連続発泡構造をもつ。連続発泡系は、独立発泡系と異なり、研磨布内部への研磨スラリーの浸透は起こる。独立発泡系としては、スウェードタイプ、不織布を基材とした研磨布凝固ポリマータイプ、凝固硬化タイプがある。中でも、ガラス基板の精密研磨用の研磨パッドとしては、スウェードタイプのものが使われている。スウェードタイプの研磨布は、例えば、天然繊維、再生繊維又は合成繊維からなる編織布又は、不織布、あるいはこれらのスチレンブタジエンゴム、ニトリルブタジエンゴム等のゴム状物質又はポリウレタンエラストマー等の樹脂を充填して得られる基材に、ポリウレタンエラストマーの溶液を塗布し、これを凝固液で処理し湿式凝固を行って多孔質銀面層を形成せしめ、水洗い乾燥後、該銀面層表面をサンドペーパーなどの研磨機などで研磨して、表面孔形状が均一で、且つ断面孔形状が基体面に垂直で均一な紡錘状気孔を有するスウェードタイプの研磨布が製造される。実施例比較例以下、図5から図7を参照して、主表面研磨工程の実施例1~6、および比較例1~4について説明する。図5には、実施例の第1研磨工程で用いた研磨剤1から研磨剤6の成分を示す。また、図6には、実施例において用いたガラス基板Aおよびガラス基板Bのそれぞれの組成成分を示す。また、図7には、実施例1~6および比較例1~4における評価結果を示す。図5に示す研磨剤のD50値平均粒子径は、0.6値であった。また、研磨剤の固形分における酸化セリウムの比率は92であった。評価方法として、動的浮上制御機構を有するハードディスクドライブにガラス基板を搭載し、ヘッド浮上量を2nmでデータの読み書き情報をした際にエラーなく行えるかどうかで判断した。ハードディスクドライブ上のうち任意の0°C~90°Cの部分を全面読み書きし、エラーポイントを捜査型分析電子顕微鏡SEM/EDXにて解析した際の100nm以上1μm未満幅の傷の量をカウントした。実施例1~実施例5は、図6に記載の研磨剤、パッド、およびガラス基板を用いた。実施例6は、洗浄工程において硫酸を用いず、HF1のみで洗浄を行なった。比較例1では、図7に記載の硬質パッド発泡ウレタンパッドを使用した。また、比較例2では、図7に記載の硬質パッド発泡ウレタンパッドを使用し、加工レートを1とした。比較例3、4では、研磨剤4、5をそれぞれ用いた以外は、実施例1と同様の条件で研磨をおこなった。評価では、実施例1~実施例6、比較例1~3のそれぞれ水準3枚で行ない、その平均値とした。なお、加工レートとは、任意の取り代量までに有する時間であり、研磨剤1と硬質パッドを使用した際のものを1とし、その他の実施例および比較例をこれに対する相対比較で評価した。なお加工レートは1より大きいほど加工速度が速くなり加工効率が上がることを指す。また、図7中のイオンコンタミは、各ガラス基板を18MΩcm以上の超純粋20°C20mlに浸漬させ、10分間静置した。この時攪拌などは行なわない。また、作業中は容器の蓋を閉め、さらにクラス100の部屋で作業を行なった。10分経過後に基板だけ取り出し抽出液をイオンクロマトグラフで測定した。使用したイオンクロマトは、ダイオネクス社製、ICS-2100を用いて測定を行なった。図7に示すように、評価結果は、実施例3が加工レートおよびエラー数ともに優れ、評価Aであった。次に、実施例1,2,4-6が評価Bであった。比較例1~4は、いずれも評価はCであった。また、上記の結果から、ガラス基板には、組成に0.02質量~1質量のCeを含むことが好ましく、また、好ましくは0.05質量~0.8質量、より好ましくは0.1質量~0.6質量のCeを含むことが良い。また研磨剤には、酸化セリウムの純度が、CeO2/TREOで99.99質量以上、かつ、アルカリ土類金属の含有量の総質量が5質量ppm以下であることが好ましい。また、研磨剤は、当該研磨剤の固形分における酸化セリウム比率が90質量以上であることが好ましい。また、ガラス基板に対して研磨処理を施した後に、ガラス基板の表面および端面を含む全面の表面に残存するアルカリ土類金属の総量イオンコンタミが10ng/cm2以下となるように洗浄することが好ましい。以上、従来ハードディスクにさらなる高密度化が求められおり、媒体およびガラス基板に対し、表面精度、清浄度が非常に高いレベルで達成されることが要求されていた。酸化セリウムを用いた研磨工程後に化学強化工程を必要とするガラス基板においては、酸化セリウム工程を起因としている表面のメカニカルダメージの影響が化学強化プロセスにおいて記録面変質、劣化の問題を誘発し、化学強化工程後に仕上げの精密研磨工程を施しても十分に修正されず、メディア作製後の記録面まで影響が蓄積し、低浮上量で安定して記録再生する事が困難となっていた。しかし、本実施の形態における製造工程においては、高純度セリウムの研磨材とスウェードタイプの研磨パッド研磨布を選択することで、安定かつ高効率な酸化セリウムの研磨加工性を確保し、同時に低弾性素材の研磨パッドの適用により、過度の機械的な応力集中を抑制緩和し、表面のメカニカルダメージを抑止することを可能とする。具体的には、不純物アルカリ土類金属が研磨反応性を阻害し、高効率の化学反応を阻害していたが、高純度セリウムにより高効率加工が可能となったため、従来加工取り代、速度を確保するために必須であった発泡ポリウレタン等の硬質研磨パッドを使用せず、弾性の低いメカニカルなダメージを抑制可能なスウェードタイプ研磨パッドを適用可能となった。これにより、化学強化において熱およびイオン交換応力によって誘発増幅されていた基板表面の欠陥および微小うねり異常等の発生頻度、程度を抑制低下させ、仕上げ研磨工程で十分除去修正できるレベルを維持し、最終的に非常に面品質の高い基板を得ることが可能となる。以上、本発明に基づいた実施の形態および各実施例について説明したが、今回開示された実施の形態および各実施例はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の技術的範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"