半導体領域の中に形成された第1導電型の電荷蓄積領域と、前記半導体領域の中に形成された第2導電型の不純物半導体領域からなる素子分離半導体領域と、前記半導体領域の中であって前記素子分離半導体領域の上に形成された第2導電型の不純物半導体領域からなるチャネルストップ領域と、前記チャネルストップ領域の上に配置された絶縁体とを含み、前記絶縁体は、前記素子分離半導体領域の上に前記チャネルストップ領域を介して配置された第1絶縁部と、前記第1絶縁部の外側に隣接して配置されて前記第1絶縁部から遠ざかるに従って厚さが薄くなる構造を有する第2絶縁部と、前記第1絶縁部の上に形成された第3絶縁部を含み、前記第3絶縁部は、上面および側面を有し、前記側面は、前記第3絶縁部の前記上面と前記第2絶縁部の上面とを接続するように構成されている、ことを特徴とする固体撮像装置。前記電荷蓄積領域は、前記第2絶縁部を介して前記半導体領域にイオンを注入することによって形成されて前記チャネルストップ領域と接している周辺部を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。前記チャネルストップ領域の外側境界の一部は、前記第2絶縁部の内側境界の外側かつ前記第2絶縁部の外側境界の内側に存在する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像装置。前記第1絶縁部の上面が前記第2絶縁部の前記上面の最大高さよりも低い位置に配置され、これにより前記第1絶縁部の前記上面および前記第2絶縁部の前記上面によって凹部が形成され、前記第3絶縁部は、前記凹部を充填する部分を含む、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記第1絶縁部および前記第2絶縁部がシリコン酸化物で構成されている、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。前記第1絶縁部、前記第2絶縁部および前記第3絶縁部がシリコン酸化物で構成されている、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。半導体領域の上にポリシリコン膜を形成する工程と、開口を有するマスクを前記ポリシリコン膜の上に形成する工程と、前記マスクを使って前記ポリシリコン膜の一部分を選択的に熱酸化することによって、第1絶縁部と、前記第1絶縁部の外側に隣接して配置されて前記第1絶縁部から遠ざかるに従って厚さが薄くなる構造を有する第2絶縁部とを形成する工程と、前記半導体領域にイオンを注入することによって第2導電型の不純物半導体領域からなるチャネルストップ領域を形成する工程と、前記半導体領域にイオンを注入することによって第2導電型の不純物半導体領域からなる素子分離半導体領域を形成する工程と、前記第2絶縁部をマスクとして前記半導体領域にイオンを注入することによって、前記チャネルストップ領域と接するように、前記半導体領域の中に第1導電型の電荷蓄積領域を形成する工程と、を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。前記ポリシリコン膜を形成する前に前記半導体領域の上に絶縁膜を形成する工程を更に含み、前記ポリシリコン膜は、前記絶縁膜の上に形成される、ことを特徴とする請求項7に記載の固体撮像装置の製造方法。前記マスクを形成する工程は、前記ポリシリコン膜の上にシリコン窒化膜を形成する工程と、前記シリコン窒化膜の上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを使って前記シリコン窒化膜をエッチングして前記シリコン窒化膜に開口を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項7又は8に記載の固体撮像装置の製造方法。前記マスクを形成した後であって前記ポリシリコン膜を熱酸化させる前に、前記マスクの前記開口に露出した領域における前記ポリシリコン膜をエッチングすることによって前記ポリシリコン膜に凹部を形成する工程を更に含む、ことを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。前記第1絶縁部と第2絶縁部とを形成する工程の後に、前記チャネルストップ領域を形成する工程を実施することを特徴とする請求項7乃至10のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。前記第1絶縁部の上に第3絶縁部を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項7乃至11のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。半導体基板の中に形成された第1導電型の電荷蓄積領域と、絶縁体を含む素子分離部とを含み、前記絶縁体は、半導体基板の上に配置された第1絶縁部と、前記第1絶縁部の外側に隣接して配置されて前記第1絶縁部から遠ざかるに従って厚さが薄くなる構造を有する第2絶縁部と、前記第1絶縁部の上に設けられた第3絶縁部とを含み、前記第3絶縁部は、上面および側面を有し、前記側面は、前記第3絶縁部の前記上面と前記第2絶縁部の上面とを接続するように構成されている、ことを特徴とする固体撮像装置。前記第1絶縁部と前記第2絶縁部との境界と前記第3絶縁部の前記側面とが同一の平面に含まれる、ことを特徴とする請求項13に記載の固体撮像装置。前記第1絶縁部の上面が前記第2絶縁部の前記上面の最大高さよりも低い位置に配置され、これにより前記第1絶縁部の前記上面および前記第2絶縁部の前記上面によって凹部が形成され、前記絶縁体は、前記凹部を充填する部分を含む第3絶縁部を更に含む、ことを特徴とする請求項13又は14に記載の固体撮像装置。前記絶縁体の下に、前記半導体基板の中に形成された第2導電型の不純物半導体領域からなる素子分離半導体領域と、前記半導体基板の中であって前記素子分離半導体領域の上に形成された第2導電型の不純物半導体領域からなるチャネルストップ領域と、を有することを特徴とする請求項13乃至15のいずれか1項に記載の固体撮像装置。請求項1乃至5及び13乃至16のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、を備えることを特徴とするカメラ。半導体領域の上にポリシリコン膜を形成する工程と、開口を有するマスクを前記ポリシリコン膜の上に形成する工程と、前記マスクを使って前記ポリシリコン膜の一部分を選択的に熱酸化することによって、第1絶縁部と、前記第1絶縁部の外側に隣接して配置されて前記第1絶縁部から遠ざかるに従って厚さが薄くなる構造を有する第2絶縁部とを形成する工程と、前記第1絶縁部の上に第3絶縁部となる絶縁膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。前記半導体領域の上にシリコン酸化膜を形成する工程を更に有し、前記熱酸化する工程において、前記第1絶縁部は前記シリコン酸化膜を含むことを特徴とする請求項18に記載の固体撮像装置の製造方法。特許文献1に開示された構造では、画素形成領域における素子分離部の素子分離層12の下にN型の電荷蓄積領域14を延在させるには、素子分離層12の下にイオンを注入する必要がある。イオンの注入方法としては、イオンの注方向を傾斜させる方法が考えられる。しかし、この方法で微細な画素の電荷蓄積領域14を形成すると、素子分離層12の下面に接するP型領域11Aとそれに接するN型の電荷蓄積領域14との間での電界緩和が不充分になり、電界集中による暗電流の増加や傷画素の増加が懸念される。N型の電荷蓄積領域14をシリコン基板の深い位置に形成するために、素子分離部11、12を貫通させることができる高エネルギーでN型不純物イオンを注入することが考えられる。しかし、この方法では、電荷蓄積領域14を形成すべき領域のうち素子分離部11、12の下方部分以外の領域ではN型不純物イオンが深く注入されてしまう。電荷蓄積領域14が基板の深い位置まで形成されると、隣接画素間での光電変換素子の分離が困難になる。更に、特許文献1に開示された方法では、素子分離層を形成する際のエッチング処理においてシリコン基板の表面を直接エッチングするためシリコン基板にダメージが入ってしまう。シリコン基板のエッチングダメージは、画像信号のノイズ源となりうるので、可能な限り低減させるべきである。本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、飽和電荷量を大きくし、素子分離部の近傍における電界集中を緩和し、基板のエッチングダメージを低減するために有利な技術を提供することを目的とする。本発明の1つの側面は、固体撮像装置に係り、該固体撮像装置は、半導体の中に形成された第1導電型の電荷蓄積領域と、前記半導体の中に形成された第2導電型の不純物半導体領域からなる素子分離半導体領域と、前記半導体の中であって前記素子分離半導体領域の上に形成された第2導電型の不純物半導体領域からなるチャネルストップ領域と、前記チャネルストップ領域の上に配置された絶縁体とを含み、前記絶縁体は、前記素子分離半導体領域の上に前記チャネルストップ領域を介して配置された第1絶縁部と、前記第1絶縁部の外側に隣接して配置されて前記第1絶縁部から遠ざかるに従って厚さが薄くなる構造を有する第2絶縁部とを含む。本発明によれば、飽和電荷量を大きくし、素子分離部の近傍における電界集中を緩和し、基板のエッチングダメージを低減するために有利な技術が提供される。本発明の固体撮像装置は、MOSイメージセンサとして構成されてもよいし、CCDイメージセンサとして構成されてもよいし、他のタイプのイメージセンサとして構成されてもよい。固体撮像装置は、例えば、複数の画素が複数行、複数列を構成するように2次元的に配列された画素アレイと、画素アレイにおける行を選択する垂直走査回路と、画素アレイにおける列を選択する水平走査回路とを含みうる。画素アレイが配置された領域を画素領域と呼び、垂直走査回路および水平走査回路などの周辺回路が配置された領域画素領域以外の領域を周辺領域と呼ぶことができる。図1を参照しながら本発明の第1実施形態の固体撮像装置における画素の構成を説明する。なお、図1には、1つの画素の部分的な構成が例示的に示されている。各画素は、第1導電型の半導体領域としての半導体基板1に形成された第1導電型の電荷蓄積領域2と、絶縁体20と、第2導電型の不純物半導体領域からなる素子分離半導体領域7と、第2導電型の不純物半導体領域からなるチャネルストップ領域5とを含む。ここで、第1導電型は、n型およびp型のいずれでもよく、第2導電型は第1導電型とは異なる導電型である。絶縁体20の一部と素子分離半導体領域7とによって、素子と素子とを分離する素子分離部が構成される。電荷蓄積領域2は、入射した光の量に応じた電荷を発生して蓄積する領域である。素子分離半導体領域7は、信号電荷に対してポテンシャルバリアを構成し、電荷蓄積領域2と他の素子例えば、他の電荷蓄積領域2とを相互に分離する機能を有する。絶縁体20は、素子分離半導体領域7の上にチャネルストップ領域5を介して配置された第1絶縁部4と、第1絶縁部4からその側方に延びる第2絶縁部8とを含む。絶縁体20は、典型的には、第1絶縁部4の上に配置された第3絶縁部6を更に含みうる。第3絶縁部6は、素子分離半導体領域7の上における絶縁体20の厚さを増加させ、素子の分離効果を高めることに寄与しうる。第1絶縁部4、第3絶縁部6および第2絶縁部8は、典型的には同一材料で構成され、一体的な構成を有しうる。第2絶縁部8は、第1絶縁部4の外側に隣接して配置され、第1絶縁部4から遠ざかるに従って厚さが滑らかに薄くなる構造を有する。第1絶縁部4は、例えば、ポリシリコン膜を酸化することによって形成されうる。第1絶縁部4の下面は、電荷蓄積領域2における半導体基板1の表面と比べて低い位置に存在しうる。このような構造は、第1絶縁部4を形成する際に半導体基板1の表面を浅く酸化することによって得ることができる。第3絶縁部6は、第2絶縁部8の上面83の最大高さよりも高い高さを有する上面61と、上面61と第2絶縁部8の上面83とを接続する側面62とを含む。側面62は、典型的には、半導体基板1の表面に対して垂直でありうる。第3絶縁部6は、例えば、第1絶縁部4の上にシリコン酸化物をCVD法によって堆積させることによって形成されうる。第2絶縁部8は、例えば、ポリシリコン膜を酸化させることによって形成されうる。絶縁体20は、第2絶縁部8の外側において半導体基板1の表面を覆う絶縁膜3を含みうる。第1絶縁部4、第2絶縁部8および第3絶縁部6を含む絶縁体20は、平らな第1上面61と、第2上面第2絶縁部8の上面83と、第1上面61と第2上面83とを接続する側面62とを含む絶縁体として把握することができる。ここで、第2上面第2絶縁部8の上面83は、第1上面61から遠ざかるに従って滑らかに高さが低くなる。また、第1上面61は、第2上面83よりも高さが高い。また、絶縁体20は、第1絶縁部4の第1下面41と第2絶縁部8の第2下面84とを含む。第1下面41と第2下面84とは連続的で滑らかな面を形成する。電荷蓄積領域2は、第2絶縁部8および、絶縁膜3が存在する場合には絶縁膜3を介して半導体基板1にイオンを注入することによって形成される。電荷蓄積領域2は、チャネルストップ領域5と接している周辺部21を含む。周辺部21は、第2絶縁部8を介して半導体基板1にイオンを注入することによって形成された部分であり、電荷蓄積領域2の他の部分よりも不純物濃度が低い。チャネルストップ領域5の外側境界の一部は、第2絶縁部8の内側境界81の外側かつ第2絶縁部8の外側境界82の内側に存在しうる。ここで、第1絶縁部4と第2絶縁部8との境界、即ち第2絶縁部8の内側境界81は、第1絶縁部4から遠ざかるに従って絶縁体20の厚さが薄くなり始める位置である。第1絶縁部4と第2絶縁部8との境界と第3絶縁部6の側面とは同一の平面に含まれうる。また、絶縁膜3が存在する場合において、第2絶縁部8と絶縁膜3との境界、即ち第2絶縁部8の外側境界82は、第1絶縁部4から遠ざかっても絶縁体20の厚さが変化しなくなる位置である。第1実施形態によれば、絶縁体20を構成する第2絶縁部8が第1絶縁部4から遠ざかるに従って厚さが滑らかに薄くなる構造を有する。したがって、絶縁体20と半導体基板1ここでは、半導体基板1は、電荷蓄積領域2、チャネルストップ領域5、素子分離半導体領域7を含む。との境界が滑らかな曲面で構成される。電荷蓄積領域2の周辺部21における不純物濃度は電荷蓄積領域2の他の部分よりも低いので、チャネルストップ領域5と電荷蓄積領域2とが接触する部分における電界集中が抑制され、電荷蓄積領域2に混入するリーク電流を低減することができる。また、第1実施形態によれば、電荷蓄積領域2は、第2絶縁部8の領域の下に形成されるとともに第1絶縁部4の領域の下にまで延びている。これにより、電荷蓄積領域2の体積を増加させ、飽和電荷量を増加させることができる。また、第1実施形態によれば、半導体基板1にトレンチを形成することなく絶縁体20を形成するので、半導体基板1のエッチングダメージを低減することができる。以下、図2を参照しながら本発明の第1実施形態の固体撮像装置の製造方法を例示的に説明する。なお、図2では、画素を構成する他の素子例えば、トランジスタや、周辺回路例えば、垂直走査回路、水平走査回路を構成する素子については省略されている。ここでは、より具体的な例を提供するために、第1導電型がn型、第2導電型がp型である例を説明する。まず、図2aに示す工程では、まず、第1導電型の半導体基板例えば、n型のシリコン基板1を準備し、その表面を酸化させることによって酸化膜例えば、シリコン酸化膜3を形成する。次に、絶縁膜3の上にポリシリコン膜9を形成する。なお、絶縁膜3の形成工程は、任意的に実施されうる工程である。ポリシリコン膜9は、例えば、CVD法化学気相成長により、20~70nmの範囲内の厚さを有するように形成されうる。次に、ポリシリコン膜9の上にシリコン窒化膜10を形成する。シリコン窒化膜10は、例えば、CVD法により、100~200nmの範囲内に厚さを有するように形成されうる。シリコン窒化膜10は、後述する熱酸化膜の形成時図2c参照にマスクとして機能しうるだけでなく、第3絶縁部6を形成するためにCMP法化学的機械的研磨法によって酸化膜を研磨する研磨工程図2e参照でストッパー膜として機能しうる。次に、図2bに示す工程では、第1絶縁部4を形成すべき領域に開口を有するレジストパターン11を形成し、レジストパターン11を使ってシリコン窒化膜10をエッチングすることによって開口12を形成する。このとき、シリコン窒化膜10とポリシリコン膜9とのエッチング選択比を高くし、ポリシリコン膜9の表面を露出させる。次に、図2cに示す工程では、レジストパターン11およびシリコン窒化膜10をマスクとして、ポリシリコン膜9の一部分および半導体基板1の表面の一部分を選択的に熱酸化する。このとき、ポリシリコン膜9および半導体基板1の表面のうち開口12によって外側境界が規定される領域に第1絶縁部4が形成され、第1絶縁部4の外側に第2絶縁部8が形成される。第2絶縁部8は、第1絶縁部4から遠ざかるに従って厚さが滑らかに薄くなる構造を有する。ポリシリコン膜9が存在することで滑らかな上面を有する第2絶縁部8が形成可能である。この部分を有することで、例えば、ポリシリコン膜などの導電膜のパターニング等での残渣を低減することが可能となる。上記の説明から明らかなとおり、熱酸化は、第1絶縁部4の下面が半導体基板1に到達するように実施されうる。図2cに示す工程では、第1絶縁部4の形成に次いで、レジストパターン11およびシリコン窒化膜10をマスクとして半導体基板1に第2導電型の不純物半導体領域を形成するためのイオンを注入してチャネルストップ領域5を形成する。例えば、半導体基板1にp型不純物例えば、ボロンを1×1012~7×1013個/cm2の範囲内で注入することによってチャネルストップ領域5が形成される。次に、図2dに示す工程では、素子分離半導体領域7を形成すべき領域に開口を有するレジストパターン13を形成する。そして、レジストパターン13をマスクとして半導体基板1に第2導電型の不純物半導体領域を形成するためのイオンを注入して素子分離半導体領域7を形成する。例えば、半導体基板1にp型不純物例えば、ボロンを1×1012~1×1015個/cm2の範囲内で注入することによって素子分離半導体領域7が形成される。素子分離半導体領域7の幅は、開口12よりも狭い幅であってもよいし、開口12と同じ幅であってもよい。しかし、素子分離半導体領域7の幅が狭いほど、電荷蓄積領域2の面積を大きく形成することができ、飽和電荷量を大きくすることができる。なお、素子分離半導体領域7を形成した後にチャネルストップ領域5を形成してもよい。また、これらの形成工程は熱酸化による絶縁部の形成の前に行ってもよい。しかし、特にチャネルストップ領域5は熱酸化の後に形成することで不純物の拡散を抑制することが可能となり、飽和電荷量を制御することが可能となる。素子分離半導体領域7の形成後にレジストパターン13が除去される。次に、図2eに示す工程では、第1絶縁部4に重なるようにシリコン窒化膜10の開口12内に第3絶縁部6を充填する。第3絶縁部6は、例えば、シリコン酸化物で形成されうる。第3絶縁部6は、例えば、プラズマCVD法等のCVD法によって形成されうる。第3絶縁部6は、開口12を充填しつつシリコン窒化膜10を覆うように絶縁膜を形成した後に、該絶縁膜をCMP法によって平坦化することによって形成されうる。このとき、シリコン窒化膜10よりも該絶縁膜の研磨速度が速い研磨剤を用いることで、シリコン窒化膜10がストッパーとして作用し、図2eに示すようにシリコン窒化膜10上の絶縁膜が除去され、第1絶縁部4に重なるように第3絶縁部6が形成される。第3の絶縁部6を形成することによって、素子分離性能を低下させずに第1の絶縁部4を形成する際の熱酸化の量を削減することが可能となる。よって、第3の絶縁部6を形成しない場合に比べて、素子分離性能を維持したままで第2絶縁部8の幅内側境界81と外側境界82との距離を狭めることが可能となる。第2絶縁部8の幅が狭まることで、電荷蓄積部の面積体積を増大させることが可能となる。次に、図2fに示す工程では、例えば、熱リン酸を使ってシリコン窒化膜10を選択的に除去し、次いで、例えば、アンモニア過水を使ってポリシリコン膜9を選択的に除去する。次に、図2gに示す工程では、電荷蓄積領域2を形成するべき領域に開口を有するレジストパターン14を形成する。そして、レジストパターン14および第3絶縁部6をマスクとして、第1導電型の不純物半導体領域を形成するためのイオンを半導体基板1に注入することにより電荷蓄積領域2を形成する。例えば、n型不純物である砒素を半導体基板1に注入することにより電荷蓄積領域2が形成されうる。砒素は、第2絶縁部8の領域の下に潜り込むむように傾斜をつけて半導体基板1に注入されうる。電荷蓄積領域2は、第2絶縁部8を介して半導体基板1にイオンを注入することによって形成されるので、電荷蓄積領域2の周辺部21チャネルストップ領域5と接する部分における不純物濃度が他の部分よりも低くなる。以下、図3を参照しながら本発明の第2実施形態の固体撮像装置における画素の構成を説明する。なお、図3には、1つの画素の部分的な構成が例示的に示されている。以下で特に言及しない事項については、第1実施形態に従いうる。第2実施形態の固体撮像装置は、厚さhを有する第1絶縁部4の上面が第2絶縁部8の上面83の最大高さよりも低い位置半導体基板1の表面に近い位置に配置されている点で第1実施形態と異なる。第2実施形態の固体撮像装置では、第2絶縁部6が第1絶縁部4の上面と第2絶縁部8の上面との段差によって構成される凹部に充填された部分を有する。第3絶縁部6を構成する材料は、第1絶縁部4および第2絶縁部8を構成する材料と異なっていてもよいし、第1絶縁部4および第2絶縁部8を構成する材料と同一であってもよい。以下、図4aを参照しながら本発明の第2実施形態の固体撮像装置の製造方法を例示的に説明する。なお、図4では、画素を構成する他の素子例えば、トランジスタや、周辺回路例えば、垂直走査回路、水平走査回路を構成する素子については省略されている。図4aに示す工程は、図2aに示す工程と同様でありうる。図4bに示す工程では、画素領域の第1絶縁部4を形成すべき領域に開口を有するレジストパターン11を形成し、レジストパターン11をマスクとしてシリコン窒化膜10をエッチングすることによって開口12を形成する。更に、開口12に露出した領域のポリシリコン膜9をエッチングすることによって当該領域におけるポリシリコン膜9の厚さを薄くしポリシリコン膜9に凹部を形成する。ポリシリコン膜9の厚さによって図4cによって形成される第1絶縁部4の厚さを任意の厚さhに制御することができる。図4cに示す工程では、レジストパターン11およびシリコン窒化膜10をマスクとして、ポリシリコン膜9および半導体基板1の表面のうち開口12に対応する領域を熱酸化する。このとき、ポリシリコン膜9および半導体基板1の表面のうち開口12によって外側境界が規定される領域に、厚さhを有する第1絶縁部4が形成される。また、第1絶縁部4の外側に第3絶縁部8が形成される。図4に示す工程は、図2に示す工程と同様である。第2実施形態によれば、図4bに示す工程においてシリコン窒化膜10をエッチングして凹部を形成するので、第2絶縁部8を形成するための熱酸化に要する時間が短縮される。これは、例えば、半導体基板1に不要な不純物が拡散することを抑制するために寄与しうる。以下、上記の各実施形態に係る固体撮像装置の応用例として、該固体撮像装置が組み込まれたカメラについて例示的に説明する。カメラの概念には、撮影を主目的とする装置のみならず、撮影機能を補助的に備える装置例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末も含まれる。カメラは、上記の実施形態として例示された本発明に係る固体撮像装置と、該固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部とを含む。該処理部は、例えば、A/D変換器、および、該A/D変換器から出力されるデジタルデータを処理するプロセッサを含みうる。