"一般式1:式中、R1は水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を表す。R2は炭素数1~20の直鎖状、炭素数の3~20分岐鎖状または環状の炭化水素基を示し、それらを構成する炭素原子の一部が酸素原子に置き換わっていてもよく、同一炭素に結合する2個の水素原子が酸素原子と置き換わって=Oとなってもよく、さらに炭化水素のC-H結合のHがOHと置き換わってC-OHとなっていてもよく、水素原子の一部または全部がフッ素原子に置換されてもよい。R3~R10は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~20の直鎖状、炭素数の3~20分岐鎖状または環状の炭化水素基を示し、それらを構成する炭素原子の一部が酸素原子に置き換わっていてもよく、同一炭素に結合する2個の水素原子が酸素原子と置き換わって=Oとなってもよく、さらに炭化水素のC-H結合のHがOHと置き換わってC-OHとなっていてもよく、水素原子の一部または全部がフッ素原子に置換されてもよい。また、R3~R10の一部あるいは全部が結合して、環状化合物を形成してもよく、nとmは炭素数であり、それぞれが独立して0~5の整数である。Aは、それが結合している炭素原子と一緒になってカルボニル基C=Oまたは、当該カルボニル基が保護基によって保護された次のアセタール構造をとる。但し、X1、X2はそれぞれ独立して、炭素数1~6のアルキル基を表す。該アルキル基の水素原子の一部または全部がフッ素、塩素、臭素原子、フェニル基、置換フェニル基に置換されていてもよく、該アルキル基のC-C結合の一部がC=C二重結合となっていてもよく、X1、X2はつながって全体として環状アセタール構造をとってもよい。で表される重合性単量体。一般式2、一般式3または一般式4:式2、式3または式4中、R1は水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を表し、R2は、炭素数1~20の直鎖状、炭素数3~20の分岐鎖状または環状の炭化水素基を示しそれらを構成する炭素原子の一部が酸素原子に置き換わっていてもよく、同一炭素に結合する2個の水素原子が酸素原子と置き換わって=Oとなってもよく、さらに炭化水素のC-H結合のHがOHと置き換わってC-OHとなっていてもよく、水素原子の一部または全部がフッ素原子に置換されてもよい。Aは、それが結合している炭素原子と一緒になってカルボニル基C=Oまたは、当該カルボニル基が保護基によって保護された次のアセタール構造をとる。但し、X1とX2はそれぞれ独立して、炭素数1~6のアルキル基を表す。該アルキル基の水素原子の一部または全部がフッ素、塩素、臭素原子、フェニル基または置換フェニル基に置換されていてもよい。また該アルキル基のC-C結合の一部がC=C二重結合となっていてもよい。またX1とX2はつながって全体として環状アセタール構造をとってもよい。のいずれかで表される重合性単量体。R1が水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基、R2がメチル基、エチル基またはイソプロピル基であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の重合性単量体。一般式5:式中、R1は水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を表す。R2は炭素数1~20の直鎖状、炭素数の3~20分岐鎖状または環状の炭化水素基を示し、それらを構成する炭素原子の一部が酸素原子に置き換わっていてもよく、同一炭素に結合する2個の水素原子が酸素原子と置き換わって=Oとなってもよく、さらに炭化水素のC-H結合のHがOHと置き換わってC-OHとなっていてもよく、水素原子の一部または全部がフッ素原子に置換されてもよい。R3~R10は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~20の直鎖状、炭素数の3~20分岐鎖状または環状の炭化水素基を示し、それらを構成する炭素原子の一部が酸素原子に置き換わっていてもよく、同一炭素に結合する2個の水素原子が酸素原子と置き換わって=Oとなってもよく、さらに炭化水素のC-H結合のHがOHと置き換わってC-OHとなっていてもよく、水素原子の一部または全部がフッ素原子に置換されてもよい。また、R3~R10の一部あるいは全部結合して、環状化合物を形成してもよく、nおよびmは炭素数であり、それぞれが独立して0~5の整数である。Aは、それが結合している炭素原子と一緒になってカルボニル基C=Oまたは、当該カルボニル基が保護基によって保護された次のアセタール構造をとる。但し、X1とX2はそれぞれ独立して、炭素数1~6のアルキル基を表す。該アルキル基の水素原子の一部または全部がフッ素、塩素、臭素原子、フェニル基または置換フェニル基に置換されていてもよい。また該アルキル基のC-C結合の一部がC=C二重結合となっていてもよい。またX1とX2はつながって全体として環状アセタール構造をとってもよい。で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする重合体。一般式6、一般式7または一般式8:R1は水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を表し、R2は炭素数1~20の直鎖状、炭素数の3~20分岐鎖状または環状の炭化水素基を示し、それらを構成する炭素原子の一部が酸素原子に置き換わっていてもよく、同一炭素に結合する2個の水素原子が酸素原子と置き換わって=Oとなってもよく、さらに炭化水素のC-H結合のHがOHと置き換わってC-OHとなっていてもよく、水素原子の一部または全部がフッ素原子に置換されてもよい。Aは、それが結合している炭素原子と一緒になってカルボニル基C=Oまたは、当該カルボニル基が保護基によって保護された次のアセタール構造をとる。但し、X1とX2はそれぞれ独立して、炭素数1~6のアルキル基を表す。該アルキル基の水素原子の一部または全部がフッ素、塩素、臭素原子、フェニル基または置換フェニル基に置換されていてもよい。また該アルキル基のC-C結合の一部がC=C二重結合となっていてもよい。またX1とX2はつながって全体として環状アセタール構造をとってもよい。のいずれかで表される繰り返し単位を含む請求項4に記載の重合体。R1は水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基、R2はメチル基、エチル基またはイソプロピル基で表されることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の重合体。請求項4乃至請求項6のいずれか1項に記載の重合体が、さらに1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-ヒドロキシイソプロピル基-CCF32OH基を含むことを特徴とする重合体。請求項4乃至請求項7のいずれか1項に記載の重合体が、さらに一般式9または一般式10:R1は水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基、Bは単結合、メチレン基、フェニレン基、-O-、-C=O-O-、または-C=O-NR16-を表す。R16は水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状、環状の炭化水素基であり、一部または全部の水素原子がフッ素原子、水酸基、アルコキシル基で置換されていてもよく、-O-、-C=O-O-、-C=O-NH-、-C=O-、-O-C=O-NH-、または-NH-C=O-NH-の少なくとも1種以上を含有してもよい。Dは単結合、炭素数1~20の直鎖状、炭素数3~20の分岐状、環状のアルキレン基またはフェニレン基であり、一部または全部の水素原子がフッ素原子、水酸基、またはアルコキシル基で置換されていてもよく、-O-、-C=O-O-、-C=O-NH-、-C=O-、-O-C=O-NH-、または-NH-C=O-NH-のうち少なくとも1以上を含有してもよく、EはSO3-、CO2-、CF3SO22C-、またはCF3SO2N-である。R11~13は相互に独立に、置換基を有していてもよい。炭素数1~30の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の環状の1価の炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数6~30のアリール基、または置換基を有してもよい原子数4~30の1価のヘテロ環状有機基を示す。R11、R12およびR13のうちの何れか2つ以上が硫黄原子を介して相互に結合して環を形成していてもよい。R14およびR15は相互に独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~30の直鎖状または単総数1~20の分岐鎖状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の環状の1価の炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数6~30のアリール基、または置換基を有してもよい炭素数4~30の1価のヘテロ環状有機基を示す。またはR14とR15とがヨウ素原子を介して相互に結合して環を形成していてもよい。で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする重合体。請求項4乃至請求項8のいずれか1項に記載の重合体を含有することを特徴とするレジスト材料。酸発生剤、塩基性化合物、有機溶剤のうち少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項9に記載のレジスト材料。有機溶媒に炭素数5~20のアルコール系溶剤を用いたことを特徴とする請求項10に記載のレジスト材料。基板上に形成された第1のレジストパターン上に第2のレジストパターンを形成するダブルパターニング法であって、請求項9乃至請求項11のいずれか1項に記載のレジスト材料を用いることを特徴とするパターン形成方法。請求項9乃至請求項11のいずれか1項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する第1の工程と、当該基板を加熱処理してレジスト膜を形成し、露光機を用いて波長300nm以下の紫外光および極紫外光でフォトマスクを介しレジスト膜を露光する第2の工程と、レジスト膜の露光部位を現像液に溶解させて現像し、基板上にパターン形成する第3の工程からなることを特徴とするパターン形成方法。ウェハーと投影レンズの間に水を挿入し、露光機用いて、ArFエキシマレーザから発振させた波長193nmの紫外光を照射する、請求項9乃至請求項11のいずれか1項に記載のレジスト材料を用いた液浸リソグラフィー法。波長13.5nmの紫外光を用いる、請求項9乃至請求項11のいずれか1項に記載のレジスト材料を用いたEUVリソグラフィー法。前述のように、従来の酸分解性ユニットを構成要素とするレジスト用樹脂は、微細加工パターンサイズの微小化に対応した欠陥抑制が十分でないという問題があった。本願発明は、化学増幅レジスト材料として有用な新規な酸分解性をもつ重合性単量体、重合体およびそれを用いたレジスト材料およびそのパターン形成方法を見出すことを課題とする。即ち、本願発明は、上記課題の解決のために、フォトリソグラフィーにおいて微細なパターン形成を可能とするレジスト樹脂に用いる新規な酸分解性モノマー重合性単量体を提供することを課題とする。特に、リソグラフィーにおける波長300nm以下の紫外光での露光、たとえば、露光装置の光源にフッ化クリプトン以下、KrFと略するエキシマレーザまたはArFエキシマレーザを用いるリソグラフィー、ArFエキシマレーザによる液浸リソグラフィー、ArFエキシマレーザを用いてのダブルパターンニング法およびEUVリソグラフィーによるパターン微細加工に適するレジスト用の酸分解性モノマーとしての、化学増幅レジスト材料として有用且つ新規な酸分解性重合性単量体、これを用いて重合または共重合された重合体、およびそれを用いたレジスト材料およびそのパターン形成方法を提供することを課題とする。具体的には、露光前に水に対する適度な撥水性とアルコール系溶剤に対する溶解性を有し、露光後には現像液に対する速やかな溶解性を示し、ドライ露光のみならず液浸露光においても、焦点深度が深く合焦の制御を行いやすく、マスクエラーファクターマスク上のパターンと、転写された基板上のパターンとの寸法差異、ラインエッジラフネスレジストのエッジが直線から凹凸にずれる現象が少なく、高い解像度のパターン形成が可能であり、さらに、炭素数5~20のアルコール系溶剤等の従来のレジスト材料を溶解しない溶剤で溶液化できるためダブルパターニング法にも適用できる化学増幅レジスト材料として有用且つ新規な酸分解性重合性単量体、これを用いて重合または共重合された重合体、およびそれを用いたレジスト材料およびそのパターン形成方法を提供することを課題とする。本発明者らは上記課題に鑑み、鋭意検討を行った。その結果、酸分解性ユニットの保護基部分として、カルボニル基カルボニル基がアセタールとしてさらに保護されたものも含むを有する新規な構成ユニットが有用であることを見出すに至り、このようなユニットを有する重合性単量体以下、酸分解性単量体と呼ぶことがある、ならびにそれを用いた重合体以下、樹脂と呼ぶことがあるを得た。得られた樹脂は、従来の類例比較例に比較して優れた撥水性能を示し、露光分解後の極性溶媒への溶解性も格段に良好であり、その結果、スカムもなく、良好なレジストパターンが得られることが判明した。これは導入されたカルボニル基の持つ適度な極性に起因すると推測される。即ち、露光前は水に対してよりバランスの取れた撥水性と親水性を示し、露光後も該カルボニル基は分解されず保持されたままであるため、脱離した保護基がレジストの洗浄液として用いられる高極性有機溶媒、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート以下、PGMEAと略する等への高い親和性を示し、溶解性の改善に寄与したものと考えられる。また、レジスト上にスカムを残さず、速やかな溶解性を有するために、レジストパターン形成において頭はり形状と呼ばれる、レジストパターンの断面において、上部の線幅が下部の線幅よりも大きくなる現象も大幅に抑制されることとなった。本願発明においては、カルボニル基が酸分解性ユニットの保護基中に存在することが重要である。その証拠として、共重合樹脂中の、該酸分解性ユニット以外のユニットがカルボニル基を有していても所望の性能は得られない比較例を参照。例えば、露光前の樹脂の撥水性に関しても、カルボニル基が酸分解性ユニットの保護基中に存在することで、特異的に高い性能が得られることが分かった。即ち、本発明者らは重合性単量体モノマー、重合体樹脂およびそれを用いたレジスト材料およびそのパターン形成方法を見出し、本願発明の完成に到達した。本発明者らは、レジスト材料に用いる酸分解性を有する重合性単量体であって、カルボニル基を有する特定の単量体を用いることで、以前から保護基として使用されている非極性のアルキル基のみの場合と比較して、カルボニル基の極性により、レジストとした際に、水に対してバランスの取れた撥水性と親水性を示すようになり、アルコール系溶媒に対しても充分な溶解性を示し、さらに露光後、その保護基中のカルボニル基は分解されず保持されたままなので、カルボニル基が有する高極性により、極性の高い現像液に、従来品と比べ格段に溶解しやすくなり、スカムもなく、良好なレジストパターンを形成し得ることを見出した。本願発明の特徴は、レジスト材料として使用される重合体の構成ユニットとしてのメタアクリル酸エステル系重合性単量体のアルコール部位=保護基が3級アルコールであり、且つそのアルコール部位が環状化合物を有し、少なくとも一つのC=Oアセタール化された形態も含むを持つことである。即ち、本願発明は、露光後に脱離する保護基としてカルボニル基を有する新規な酸分解性重合性単量体であるメタアクリレート化合物、これを用いて重合または共重合された重合体およびそれを用いたレジスト材料およびそのパターン形成方法に関するものである。本願発明を、以下、[発明1]~[発明15]に示す。[発明1]一般式1:式中、R1は水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を表す。R2は炭素数1~20の直鎖状、炭素数の3~20分岐鎖状または環状の炭化水素基を示し、それらを構成する炭素原子の一部が酸素原子に置き換わっていてもよく、同一炭素に結合する2個の水素原子が酸素原子と置き換わって=Oとなってもよく、さらに炭化水素のC-H結合のHがOHと置き換わってC-OHとなっていてもよく、水素原子の一部または全部がフッ素原子に置換されてもよい。R3~R10は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~20の直鎖状、炭素数の3~20分岐鎖状または環状の炭化水素基を示し、それらを構成する炭素原子の一部が酸素原子に置き換わっていてもよく、同一炭素に結合する2個の水素原子が酸素原子と置き換わって=Oとなってもよく、さらに炭化水素のC-H結合のHがOHと置き換わってC-OHとなっていてもよく、水素原子の一部または全部がフッ素原子に置換されてもよい。また、R3~R10の一部あるいは全部が結合して、環状化合物を形成してもよく、nとmは炭素数であり、それぞれが独立して0~5の整数である。Aは、それが結合している炭素原子と一緒になってカルボニル基C=Oまたは、当該カルボニル基が保護基によって保護された次のアセタール構造をとる。但し、X1、X2はそれぞれ独立して、炭素数1~6のアルキル基を表す。該アルキル基の水素原子の一部または全部はフッ素、塩素、臭素原子、フェニル基、置換フェニル基に置換されていてもよく、該アルキル基のC-C結合の一部がC=C二重結合となっていてもよく、X1、X2はつながって全体として環状アセタール構造をとってもよい。で表される重合性単量体[発明2]一般式2、一般式3または一般式4:式2、式3または式4中、R1は水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を表し、R2は、炭素数1~20の直鎖状、炭素数3~20の分岐鎖状または環状の炭化水素基を示しそれらを構成する炭素原子の一部が酸素原子に置き換わっていてもよく、同一炭素に結合する2個の水素原子が酸素原子と置き換わって=Oとなってもよく、さらに炭化水素のC-H結合のHがOHと置き換わってC-OHとなっていてもよく、水素原子の一部または全部がフッ素原子に置換されてもよい。Aは、それが結合している炭素原子と一緒になってカルボニル基C=Oまたは、当該カルボニル基が保護基によって保護された次のアセタール構造をとる。但し、X1、X2はそれぞれ独立して、炭素数1~6のアルキル基を表す。該アルキル基の水素原子の一部または全部が、フッ素、塩素、臭素原子、フェニル基、置換フェニル基に置換されていてもよい。また該アルキル基のC-C結合の一部がC=C二重結合となっていてもよい。またX1、X2はつながって全体として環状アセタール構造をとってもよい。のいずれかで表される発明1の重合性単量体。[発明3]R1が水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基、R2がメチル基、エチル基またはイソプロピル基であることを特徴とする発明1または発明2の重合性単量体。これら重合性単量体を用い重合してなる重合体は、レジストの材料として有用である。[発明4]発明1に記載の一般式1に記載の重合性単量体が重合してなる一般式5:式中、R1は水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を表す。R2は炭素数1~20の直鎖状、炭素数の3~20分岐鎖状または環状の炭化水素基を示し、それらを構成する炭素原子の一部が酸素原子に置き換わっていてもよく、同一炭素に結合する2個の水素原子が酸素原子と置き換わって=Oとなってもよく、さらに炭化水素のC-H結合のHがOHと置き換わってC-OHとなっていてもよく、水素原子の一部または全部がフッ素原子に置換されてもよい。R3~R10は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~20の直鎖状、炭素数の3~20分岐鎖状または環状の炭化水素基を示し、それらを構成する炭素原子の一部が酸素原子に置き換わっていてもよく、同一炭素に結合する2個の水素原子が酸素原子と置き換わって=Oとなってもよく、さらに炭化水素のC-H結合のHがOHと置き換わってC-OHとなっていてもよく、水素原子の一部または全部がフッ素原子に置換されてもよい。また、R3~R10の一部あるいは全部が結合して、環状化合物を形成してもよく、nとmは炭素数であり、それぞれが独立して0~5の整数である。Aは、それが結合している炭素原子と一緒になってカルボニル基C=Oまたは、当該カルボニル基が保護基によって保護された次のアセタール構造をとる。但し、X1、X2はそれぞれ独立して、炭素数1~6のアルキル基を表す。該アルキル基の水素原子の一部または全部が、フッ素、塩素、臭素原子、フェニル基、置換フェニル基に置換されていてもよい。また該アルキル基のC-C結合の一部がC=C二重結合となっていてもよい。またX1、X2はつながって全体として環状アセタール構造をとってもよい。で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする重合体。[発明5]一般式6、一般式7または一般式8:R1は水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を表し、R2は炭素数1~20の直鎖状、炭素数の3~20分岐鎖状または環状の炭化水素基を示し、それらを構成する炭素原子の一部が酸素原子に置き換わっていてもよく、同一炭素に結合する2個の水素原子が酸素原子と置き換わって=Oとなってもよく、さらに炭化水素のC-H結合のHがOHと置き換わってC-OHとなっていてもよく、水素原子の一部または全部がフッ素原子に置換されてもよい。Aは、それが結合している炭素原子と一緒になってカルボニル基C=Oまたは、当該カルボニル基が保護基によって保護された次のアセタール構造をとる。但し、X1、X2はそれぞれ独立して、炭素数1~6のアルキル基を表す。該アルキル基の水素原子の一部または全部がフッ素、塩素、臭素原子、フェニル基、置換フェニル基に置換されていてもよい。また該アルキル基のC-C結合の一部がC=C二重結合となっていてもよい。またX1、X2はつながって全体として環状アセタール構造をとってもよい。のいずれかで表される繰り返し単位を含む発明4の重合体。[発明6]R2はメチル基、エチル基またはイソプロピル基で表されることを特徴とする発明4または発明5の重合体。[発明7]発明4~6のいずれかの重合体が、さらに1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-ヒドロキシイソプロピル基-CCF32OH基を有する繰り返し単位を含むことを特徴とする重合体。発明7の重合体は、発明1~3のいずれかの重合性単量体と、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-ヒドロキシイソプロピル基-CCF32OH基を有する重合性単量体を重合させることにより得られる。尚、重合の際、他の重合性単量体を加えてもよい。[発明8]発明4~7のいずれかの重合体が、さらに一般式9または一般式10:R1は水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基、Bは単結合、メチレン基、フェニレン基、-O-、-C=O-O-、または-C=O-NR16-を表す。R16は水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状、環状の炭化水素基であり、一部または全部の水素原子がフッ素原子、水酸基、アルコキシル基で置換されていてもよく、-O-、-C=O-O-、-C=O-NH-、-C=O-、-O-C=O-NH-、または-NH-C=O-NH-の少なくとも1種以上を含有してもよい。Dは単結合、炭素数1~20の直鎖状、炭素数3~20の分岐状、環状のアルキレン基またはフェニレン基であり、一部または全部の水素原子がフッ素原子、水酸基、またはアルコキシル基で置換されていてもよく、-O-、-C=O-O-、-C=O-NH-、-C=O-、-O-C=O-NH-、または-NH-C=O-NH-のうち少なくとも1以上を含有してもよく、EはSO3-、CO2-、CF3SO22C-、またはCF3SO2N-である。R11~13は相互に独立に、置換基を有していてもよい。炭素数1~30の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の環状の1価の炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数6~30のアリール基、または置換基を有してもよい原子数4~30の1価のヘテロ環状有機基を示す。R11、R12およびR13のうちの何れか2つ以上が硫黄原子を介して相互に結合して環を形成していてもよい。R14およびR15は相互に独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~30の直鎖状または単総数1~20の分岐鎖状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の環状の1価の炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数6~30のアリール基、または置換基を有してもよい炭素数4~30の1価のヘテロ環状有機基を示す。またはR14とR15とがヨウ素原子を介して相互に結合して環を形成していてもよい。で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする重合体。発明8の重合性単量体は、発明1~3または発明7の重合性単量体と、一般式11または一般式12:R1は水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基、Bは単結合、メチレン基、フェニレン基、-O-、-C=O-O-、または-C=O-NR16-を表す。R16は水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状、環状の炭化水素基であり、一部または全部の水素原子が、フッ素原子、水酸基、アルコキシル基で置換されていてもよく、-O-、-C=O-O-、-C=O-NH-、-C=O-、-O-C=O-NH-、または-NH-C=O-NH-の少なくとも1種以上を含有してもよい。Dは単結合、炭素数1~20の直鎖状、炭素数3~20の分岐状、環状のアルキレン基またはフェニレン基であり、一部または全部の水素原子がフッ素原子、水酸基、またはアルコキシル基で置換されていてもよく、-O-、-C=O-O-、-C=O-NH-、-C=O-、-O-C=O-NH-、または-NH-C=O-NH-のうち少なくとも1以上を含有してもよく、EはSO3-、CO2-、CF3SO22C-、またはCF3SO2N-である。R11~13は相互に独立に、置換基を有していてもよい。炭素数1~30の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の環状の1価の炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数6~30のアリール基、または置換基を有してもよい原子数4~30の1価のヘテロ環状有機基を示す。R11、R12およびR13のうちの何れか2つ以上が硫黄原子を介して相互に結合して環を形成していてもよい。R14およびR15は相互に独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~30の直鎖状または単総数1~20の分岐鎖状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の環状の1価の炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数6~30のアリール基、または置換基を有してもよい炭素数4~30の1価のヘテロ環状有機基を示す。またはR14とR15とがヨウ素原子を介して相互に結合して環を形成していてもよい。で表される塩を有する重合性単量体を共重合させることで得られる。尚、重合の際、他の重合性単量体を加えてもよい。[発明9]発明4~8の重合体を含有することを特徴とするレジスト材料。[発明10]酸発生剤、塩基性化合物、有機溶剤のうち少なくとも一種を含むことを特徴とする発明9に記載のレジスト材料。[発明11]有機溶媒に炭素数5~20のアルコール系溶剤を用いたことを特徴とする発明10に記載のレジスト材料。尚、本願発明のレジスト材料は、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザによる紫外光波長193nmを用いたリソグラフィー、特に液浸リソグラフィーおよびダブルパターニング法、極紫外光波長13.5nmを用いるEUVリソグラフィー等に適したレジスト材料として使用される。[発明12]基板上に形成された第1のレジストパターン上に第2のレジストパターンを形成するダブルパターニング法であって、発明9~11のレジスト材料を用いることを特徴とするパターン形成方法。[発明13]発明9~11のレジスト材料を基板上に塗布する第1の工程と、当該基板を加熱処理してレジスト膜を形成し、露光機を用いて波長300nm以下の紫外光でフォトマスクを介しレジスト膜を露光する第2の工程と、レジスト膜の露光部位を現像液に溶解させて現像し、基板上にパターン形成する第3の工程含むことを特徴とするパターン形成方法。[発明14]ウェハーと投影レンズの間に水を挿入し、露光機用いて、ArFエキシマレーザから発振させた波長193nmの紫外光を照射する、発明9~11のレジスト材料を用いた液浸リソグラフィー法。[発明15]波長13.5nmの紫外光を用いる、発明9~11のレジスト材料を用いたEUVリソグラフィー法。本願発明の酸分解性重合性単量体を用いてなるレジスト材料は、露光前に水に対する適度な撥水性とアルコール系溶剤に対する溶解性を有し、露光後に脱離する保護基が極性基であるカルボニル基を有するため、極性のある現像液やリンス液に溶解し易くなりレジスト上にスカムを残さず、速やかな溶解性を示し、ドライ露光のみならず液浸露光においても、焦点深度が深く合焦の制御を行いやすく、マスクエラーファクターおよびラインエッジラフネスが少なく、高い解像度のパターン形成が可能である。特に、本願発明の重合性単量体は、以前から使用されている非極性のアルキル基のみを有する従来の酸分解性の重合性単量体、例えば、2-エチル-2-アダマンチルメタクリレート、1-エチルシクロオクチルメタクリレートに比較して、その構造中にメタアクリル酸エステル系重合性単量体のアルコール部位=保護基が3級アルコールであり、且つそのアルコール部位が環状化合物を有し、少なくとも一つのC=Oアセタール化された形態も含むを持つことにより、溶剤に対する溶剤溶解性が高い。また、炭素数5~20のアルコール系溶剤等の従来のレジスト材料を溶解しない溶剤で溶液化することが可能な化学増幅レジスト材料として有用である。特に、液浸用やダブルパターニングプロセス用のレジストとして有用である。また、本願発明の重合性単量体は撥水性があり、液浸露光装置によるリソグラフィーにおいて、レジストへの水の浸入を防いでウォーターマーク欠陥現像時、リンス後の水滴残りによる欠陥の発生を抑制できる。以下、本願発明を実施するための形態について詳細に説明する。1重合性単量体本願発明の重合性単量体は、一般式1で表される重合性単量体である。式中、R1は水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を表す。R2は炭素数1~20の直鎖状、炭素数の3~20分岐鎖状または環状の炭化水素基を示し、それらを構成する炭素原子の一部が酸素原子に置き換わっていてもよく、同一炭素に結合する2個の水素原子が酸素原子と置き換わって=Oとなってもよく、さらに炭化水素のC-H結合のHがOHと置き換わってC-OHとなっていてもよく、水素原子の一部または全部がフッ素原子に置換されてもよい。R3~R10は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~20の直鎖状、炭素数の3~20分岐鎖状または環状の炭化水素基を示し、それらを構成する炭素原子の一部が酸素原子に置き換わっていてもよく、同一炭素に結合する2個の水素原子が酸素原子と置き換わって=Oとなってもよく、さらに炭化水素のC-H結合のHがOHと置き換わってC-OHとなっていてもよく、水素原子の一部または全部がフッ素原子に置換されてもよい。また、R3~R10の一部あるいは全部が結合して、環状化合物を形成してもよく、nとmは炭素数であり、それぞれが独立して0~5の整数である。一般式1の重合性単量体において、酸素原子の導入は溶剤への溶解性、ハロゲン原子の中でもフッ素原子への置換は、撥水性および透明性を調整するのに有用で、必要に応じて任意に導入される。一般式1の重合性単量体において、R2~R10を例示すると、炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、n-プロピル基、iso-プロピル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、シクロペンチル基、sec-ペンチル基,ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロへキシル基、エチルヘキシル基、ノルボルネル基、アダマンチル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、エチニル基、フェニル基、ベンジル基または4-メトキシベンジル基が挙げられ、上記官能基の一部または全部がフッ素原子で置換されたものでもよい。また、酸素原子を含むものを例示すると、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、sec-ブチトキシ基、tert-ブチトキシ基、n-ペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、sec-ペンチルオキシ基,ネオペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロへキシルオキシ基、エチルヘキシルオキシ基、ノルボルネルオキシ基、アダマンチルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ基、ペンテニルオキシ基、エチニルオキシ基、フェニルオキシ基、ベンジルオキシ基、4-メトキシベンジルオキシ基、メトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、エトキシエチル基、ブトキシエチル基、シクロヘキシルオキシエチル基、ベンジルオキシエチル基、フェネチルオキシエチル基、エトキシプロピル基、ベンジルオキシプロピル基、フェネチルオキシプロピル基、エトキシブチル基、エトキシイソブチル基の鎖状のエーテル、テトラヒドロフラニル基またはテトラヒドロピラニル基の環状エーテルが挙げられる。アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリル基、ラウリロイル基、ミリストイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペロイル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル基、アクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイル基、クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、フマロイル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベンゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル基、テノイル基、ニコチノイル基またはイソニコチノイル基を挙げることができる。さらに、上記置換基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されたものを使用することもできる。また、一般式1において、Aは、それが結合している炭素原子と一緒になってカルボニル基C=Oまたは、当該カルボニル基が保護基によって保護された次のアセタール構造をとる。但し、X1、X2はそれぞれ独立して、炭素数1~6のアルキル基を表す。該アルキル基の水素原子の一部または全部がフッ素、塩素、臭素原子、フェニル基、置換フェニル基に置換されていてもよく、該アルキル基のC-C結合の一部がC=C二重結合となっていてもよく、X1、X2はつながって全体として環状アセタール構造をとってもよい。一般式1で表される重合性単量体のX1およびX2を例示すると、それぞれ独立に、-CH3、-CH2CH3、-CH2CCl3または-CH2Phが挙げられ、X1とX2が結合した例は、-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-、-CH2CCH22CH2-、-CH2CHCH2Br-、-CH2CHCH2CH2CH=CH-または-CH2CHPhO-挙げられる。入手の容易さやコスト面を考量すると、-CH3,-CH2CH3,-CH2Ph、-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-または-CH2CCH22CH2-、が好適に用いられる。また、一般式1で表される重合性単量体は酸分解性モノマーであり、さらに酸分解中にX1またはX2も同時に脱離するので、一般式1で表される重合性単量体は、欠陥低減機能を有すると期待される。一般式1の重合性単量体は、R2~R10の一部または全部が結合した環状構造を含み、環状構造がリソグラフィーのエッチング工程に耐性があることは既知なため、環状構造を有する一般式1で表される環状重合性単量体が好適に用いられる。次いで、発明2、3に記載の重合性単量体について説明する。発明2、3には、一般式2~4で表される重合性単量体が記載される。一般式1で表される重合性単量体で、nとmはそれぞれが独立して0~5の整数の範囲なので4~14員環となるが、原料の入手容易さを考慮すると、5員環あるいは6員環が好ましく、原料コストまで考えると6員環で示される一般式2~4の重合性単量体が好ましい。一般式2~4で表される重合性単量体において、R2はメチル基、エチル基またはイソプロピル基が好ましく、合成の容易さでメチル基およびエチル基がより好ましく、特にエチル基を用いると紫外光、極紫外光の照射により、光酸発生剤より発生した酸により、当該重合性単量体が分解しやすいことから、エチル基が好適である。一般式1~4で表される重合性単量体の製造に関しては、相当するジケトン体の片側をアセタール保護した化合物に、金属反応剤を作用し、続くメタクリルエステル化とアセタール脱保護から導くことができる特許文献1,2。2本願発明の重合性単量体と共重合可能な重合性単量体次いで、本願発明の重合性単量体と共重合可能な重合性単量体について説明する。2.1重合性単量体本願発明の重合性単量体と共重合可能な単量体は、一般式1で表される重合性単量体と共重合可能なものであり、具体的には、無水マレイン酸、アクリル酸エステル類、含フッ素アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、含フッ素メタクリル酸エステル類、スチレン系化合物、含フッ素スチレン系化合物、ビニルエーテル類、含フッ素ビニルエーテル類、アリルエーテル類、含フッ素アリルエーテル類、オレフィン類、含フッ素オレフィン類、ノルボルネン化合物、含フッ素ノルボルネン化合物、二酸化硫黄、ビニルシラン類、ビニルスルホン酸またはビニルスルホン酸エステルが挙げられる。一般式1で表される重合性単量体と共重合可能なアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステルとしては、エステル側鎖について特に制限なく使用できるが、公知の化合物を例示するならば、メチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、n-プロピルアクリレート、n-プロピルメタクリレート、イソプロピルアクリレート、イソプロピルメタクリレート、n-ブチルアクリレート、n-ブチルメタクリレート、イソブチルアクリレート、イソブチルメタクリレート、n-ヘキシルアクリレート、n-ヘキシルメタクリレート、n-オクチルアクリレート、n-オクチルメタクリレート、2-エチルヘキシルアクリレート、2-エチルヘキシルメタクリレート、ラウリルアクリレート、ラウリルメタクリレート、2-ヒドロキシエチルアクリレート、2-ヒドロキシエチルメタクリレート、2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-ヒドロキシプロピルメタクリレート、3-オキソシクロヘキシルアクリレート、3-オキソシクロヘキシルメタクリレート、アダマンチルアクリレート、アダマンチルメタクリレート、ヒドロキシアダマンチルアクリレート、ヒドロキシアダマンチルメタクリレート、シクロヘキシルアクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、トリシクロデカニルメタクリレートのアクリル酸またはメタクリル酸のアルキルエステル、エチレングリコール、プロピレングリコール、テトラメチレングリコール基を含有したアクリレートまたはメタクリレート、さらにアクリルアミド、メタクリルアミド、N-メチロールアクリルアミド、N-メチロールメタクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド等の不飽和アミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、アルコキシシラン含有のビニルシラン、アクリル酸またはメタクリル酸エステル、酸分解性基を含有したアクリレートまたはメタクリレートとしては、tert-ブチルアクリレート、tert-ブチルメタクリレート、メチルシクロペンチルアクリレート、メチルシクロペンチルメタクリレート、エチルシクロペンチルメタクリレート、エチルシクロペンチルアクリレート、メチルシクロヘキシルアクリレート、メチルシクロヘキシルメタクリレート、エチルシクロヘキシルアクリレート、エチルシクロヘキシルメタクリレート、メチルシクロペプチルアクリレート、メチルシクロペプチルメタクリレート、エチルシクロペプチルアクリレート、エチルシクロペプチルメタクリレート、メチルシクロオクチルアクリレート、メチルシクロオクチルメタクリレート、エチルシクロオクチルアクリレート、エチルシクロオクチルメタクリレート、メチルシクロノニルアクリレート、メチルシクロノニルメタクリレート、エチルシクロノニルアクリレート、エチルシクロノニルメタクリレート、メチルシクロデカニルアクリレート、メチルシクロデカニルメタクリレート、エチルシクロデカニルアクリレート、エチルシクロデカニルメタクリレート、メチルアダマンチルアクリレート、メチルアダマンチルメタクリレート、エチルアダマンチルアクリレートまたはエチルアダマンチルメタクリレートを例示でき、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、δ-バレロラクトン、ノルボルナンブチロラクトンまたはノルボルナンバレロラクトン基等の密着性基となるラクトン構造を含有したアクリレート、メタクリレート、アクリル酸またはメタクリル酸が使用できる。さらにα位にシアノ基を含有した上記アクリレート類化合物、類似化合物としてマレイン酸、フマル酸または無水マレイン酸を共重合することも可能である。また、上記の含フッ素アクリル酸エステルまたは含フッ素メタクリル酸エステルとしては、フッ素原子またはフッ素原子を有する基がアクリルのα位に含有した単量体、あるいはエステル部位にフッ素原子を含有した置換基からなるアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステルであって、α位とエステル部ともにフッ素を含有した含フッ素化合物も好適である。さらにα位にシアノ基が導入されていてもよい。例えば、α位に含フッ素アルキル基が導入された単量体としては、上述した非フッ素系のアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステルのα位にトリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、ノナフルオロ-n-ブチル基が付与された単量体が採用される。一方、そのエステル部位にフッ素を含有する単量体としては、エステル部位にパーフルオロアルキル基を含むフルオロアルキル基を有し、またはエステル部位にフッ素原子を含んでもよい環状構造を有し、例えば、前記環状構造が、フッ素原子、トリフルオロメチル基またはヘキサフルオロイソプロピル水酸基で置換された含フッ素ベンゼン環、含フッ素シクロペンタン環、含フッ素シクロヘキサン環または含フッ素シクロヘプタン環であるアクリル酸エステルあるいはメタクリル酸エステルが挙げられる。また、エステル部位が含フッ素のt-ブチルエステル基である、アクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステルも挙げられる。これらのアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステルのα位に含フッ素アルキル基を有していてもよい。このような単量体としては、2,2,2-トリフルオロエチルアクリレート、2,2,3,3-テトラフルオロプロピルアクリレート、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロイソプロピルアクリレート、ヘプタフルオロイソプロピルアクリレート、1,1-ジヒドロヘプタフルオロ-n-ブチルアクリレート、1,1,5-トリヒドロオクタフルオロ-n-ペンチルアクリレート、1,1,2,2-テトラヒドロトリデカフルオロ-n-オクチルアクリレート、1,1,2,2-テトラヒドロヘプタデカフルオロ-n-デシルアクリレート、2,2,2-トリフルオロエチルメタクリレート、2,2,3,3-テトラフルオロプロピルメタクリレート、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロイソプロピルメタクリレート、ヘプタフルオロイソプロピルメタクリレート、1,1-ジヒドロヘプタフルオロ-n-ブチルメタクリレート、1,1,5-トリヒドロオクタフルオロ-n-ペンチルメタクリレート、1,1,2,2-テトラヒドロトリデカフルオロ-n-オクチルメタクリレート、1,1,2,2-テトラヒドロヘプタデカフルオロ-n-デシルメタクリレート、パーフルオロシクロヘキシルメチルアクリレート、パーフルオロシクロヘキシルメチルメタクリレート、6-[3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-トリフルオロメチルプロピル]ビシクロ[2.2.1]ヘプチル-2-イルアクリレート、6-[3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-トリフルオロメチルプロピル]ビシクロ[2.2.1]ヘプチル-2-イル2-トリフルオロメチルアクリレート、6-[3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-トリフルオロメチルプロピル]ビシクロ[2.2.1]ヘプチル-2-イルメタクリレート、1,4-ビス1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-ヒドロキシイソプロピルシクロヘキシルアクリレート、1、4-ビス1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-ヒドロキシイソプロピルシクロヘキシルメタクリレート、または1,4-ビス1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-ヒドロキシイソプロピルシクロヘキシル2-トリフルオロメチルアクリレートが挙げられる。また、本願発明の重合性単量体と共重合可能な重合性単量体は、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-ヒドロキシイソプロピル基-CCF32OH基を有する重合性単量体が好ましく、そのアルコール部位による密着性および離脱したアルコール部位のアルカリ溶解性から、レジスト材料として用いフォトリソグラフィーによりパターニングした際、スカム低減の効果がある。本願発明の重合性単量体と共重合可能な、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-ヒドロキシイソプロピル基-CCF32OH基を有する重合性単量体として、具体的に下記に示す化合物が挙げられる。これらの式中、R1は水素原子、ハロゲン原子、メチル基、またはトリフルオロメチル基を表す。また、ヘキサフルオロイソプロピル基中の水酸基は、その一部または全部が保護基で保護されていてもよい。本願発明の重合性単量体と共重合可能なスチレン系化合物、含フッ素スチレン系化合物としては、スチレン、フッ素化スチレン、ヒドロキシスチレン等が使用できる。具体的には、フッ素原子またはトリフルオロメチル基で芳香環の水素を置換したスチレンである、ペンタフルオロスチレン、トリフルオロメチルスチレンまたはビストリフルオロメチルスチレ、あるいはヘキサフルオロイソプロピル水酸基またはその水酸基を保護した官能基で芳香環の水素を置換したスチレンが挙げられる。また、α位にハロゲン、アルキル基、含フッ素アルキル基が結合した上記スチレン、パーフルオロビニル基含有のスチレンが挙げられる。また、本願発明の重合性単量体と共重合可能なビニルエーテル、含フッ素ビニルエーテル、アリルエーテルが使用でき、含フッ素アリルエーテルとしては、ヒドロキシル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヒドロキシエチル基またはヒドロキシブチル基を含有するアルキルビニルエーテルあるいはアルキルアリルエーテルが使用できる。また、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、芳香環またはその環状構造内に水素やカルボニル結合を有した環状型ビニル、アリルエーテル、上記官能基の水素の一部または全部がフッ素原子で置換された含フッ素ビニルエーテルあるいは含フッ素アリルエーテルも使用できる。尚、ビニルエステル、ビニルシラン、オレフィン、含フッ素オレフィン、ノルボルネン化合物または含フッ素ノルボルネン化合物、その他の重合性不飽和結合を含有した化合物も本願発明において、使用することが可能である。上記、本願発明の重合性単量体と共重合可能なオレフィンとしては、エチレン、プロピレン、イソブテン、シクロペンテンまたはシクロヘキセン、含フッ素オレフィンとしては、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレンまたはヘキサフルオロイソブテンを使用できる。上記、本願発明の重合性単量体と共重合可能なノルボルネン化合物、含フッ素ノルボルネン化合物は、一核または複数の核構造を有するノルボルネン単量体である。具体的には、含フッ素オレフィン、アリルアルコール、含フッ素アリルアルコール、ホモアリルアルコールまたは含フッ素ホモアリルアルコールが、不飽和化合物であるアクリル酸、α-フルオロアクリル酸、α-トリフルオロメチルアクリル酸、メタクリル酸、本明細書で記載した全部のアクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、含フッ素アクリル酸エステルもしくは含フッ素メタクリル酸エステル、2-ベンゾイルオキシペンタフルオロプロパン、2-メトキシエトキシメチルオキシペンタフルオロプロペン、2-テトラヒドロキシピラニルオキシペンタフルオロプロペン、2-ベンゾイルオキシトリフルオロエチレンまたは2-メトキメチルオキシトリフルオロエチレンと、シクロペンタジエンあるいはシクロヘキサジエンのDiels-Alder付加反応で生成するノルボルネン化合物である、3-5-ビシクロ[2.2.1]ヘプテン-2-イル-1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-プロパノールが挙げられる。本願発明において、本半発明の重合体単量体と共重合可能な重合性単量体として、基板との密着性の向上を目的にラクトン構造を含むユニットを用いることができる。かかるユニットには、ラクトン含有の環式重合体が好適に用いられる。このようなラクトン含有の環式重合性単量体としては、γ-ブチロラクトンから水素原子1つを除いた単環式のラクトン構造を有する単量体、ノルボルナンラクトンから水素原子1つを除いた多環式のラクトン構造を有する単量体が挙げられる。ラクトン構造をレジストに含有することによって、基板との密着性を向上するばかりでなく、現像液との親和性を高めることが可能となる。尚、以上の本願発明の重合性単量体と共重合可能な単量体は、単独でも2種以上を併用してもよい。2.2塩を有する重合性単量体また、一般式1で表される本願発明の重合性単量体と重合する重合性単量体には、光酸発生剤PhotoAcidGenerator以下、PAGと略するとして露光により酸を発生する、塩を有する重合性単量体が挙げられる。重合性単量体が共重合してなる共重合体の化学構造中にPAGが含有されると、共重合体に別途添加する添加型PAGと比較して、化学構造においてPAGが酸分解性基の近傍に位置することから露光感度が上昇するため、露光において、照射光の強度が低く、低エネルギーの状態でも分解し、酸の発生が可能になり、さらにPAG自身の拡散距離が短いため、レジスト材料として用いフォトリソグラフィーによりパターニングした際、ラインエッジラフネス低減の効果がある。本願発明の重合性単量体と共重合可能な塩を有する重合性単量体としては、一般式11、12に例示される。式中、R1は水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基、Bは単結合、メチレン基、フェニレン基、-O-、-C=O-O-、-C=Oまたは-NR16-を表す。R16は水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状または環状の炭化水素基であり、一部または全部の水素原子がフッ素原子、水酸基、またはアルコキシル基で置換されていてもよく、-O-、-C=O-O-、-C=O-NH-、-C=O-、-O-C=O-NH-、または-NH-C=O-NH-から選ばれた少なくとも1種以上を含有してもよい。Dは単結合、炭素数1~20の直鎖状、分岐状、環状のアルキレン基またはフェニレン基であり、一部または全部の水素原子がフッ素原子、水酸基、アルコキシル基で置換されていてもよく、-O-、-C=O-O-、-C=O-NH-、-C=O-、-O-C=O-NH-、または-NH-C=O-NH-から選ばれた少なくとも1種以上を含有してもよく、EはSO3-、CO2-、CF3SO22C-、またはCF3SO2N-である。R11~13は相互に独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~30の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の環状の1価の炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数6~30のアリール基、または置換基を有してもよい原子数4~30の1価のヘテロ環状有機基を示す、R11、R12およびR13のうちの何れか2つ以上が硫黄原子を介して相互に結合して環を形成していてもよい。R14およびR15は相互に独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~30の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数3~30の環状の1価の炭化水素基の1価の炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数6~30のアリール基、または置換基を有してもよい原子数4~30の1価のヘテロ環状有機基を示す。R14とR15とがヨウ素原子を介して相互に結合して環を形成していてもよい。上記一般式9および10におけるアニオンは、具体的には下記のものを例示することができる。R1は水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基、Xは酸素原子あるいはNR16である。R16は水素原子、炭素数1~20の直鎖状、分岐状、環状の炭化水素基であり、一部または全部の水素原子がフッ素原子、水酸基、またはアルコキシル基で置換されていてもよく、-O-、-C=O-O-、-C=O-NH-、-C=O-、-O-C=O-NH-、または-NH-C=O-NH-から選ばれた少なくとも1種以上を含有してもよい。本願発明のオニウム塩は発生する酸の構造すなわちアニオン側を限定するものであるが、カチオン側は特に限定しない。一般式9または10において、R11~R15の非置換の炭素数1~30の直鎖状、分岐状の1価の炭化水素基、または炭素数3~30の環状の1価の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、i-ペンチル基、1,1-ジメチルプロピル基、1-メチルブチル基、1,1-ジメチルブチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、i-ヘキシル基、n-オクチル基、i-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、4-t-ブチルシクロヘキシル基等のアルキル基、シクロヘキセニル基、ノルボルネン骨格を有する基、ノルボルナン骨格を有する基、イソボルニル骨格を有する基、トリシクロデカン骨格を有する基、テトラシクロドデカン骨格を有する基、またはアダマンタン骨格を有する基を挙げることができる。前記炭化水素基の置換基としては、例えば、炭素数6~30のアリール基、炭素数2~30の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルケニル基や、ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子、またはケイ素原子等のヘテロ原子を含む原子数1~30の基等を挙げることができる。なお、これらの置換基はさらに任意の置換基、例えば前記した置換基を1種以上有することもできる。前記置換基で置換された炭素数1~30の直鎖状、分岐状もしくは環状の1価の炭化水素基としては、例えば、ベンジル基、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル基、エチルチオメチル基、フェノキシメチル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、アセチルメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、クロロメチル基、トリクロロメチル基、2-フルオロプロピル基、トリフルオロアセチルメチル基、トリクロロアセチルメチル基、ペンタフルオロベンゾイルメチル基、アミノメチル基、シクロヘキシルアミノメチル基、ジフェニルホスフィノメチル基、トリメチルシリルメチル基、2-フェニルエチル基、または3-フェニルプロピル基、2-アミノエチル基を挙げることができる。また、R11~R15の非置換の炭素数6~30のアリール基としては、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントリル基、または-フェナントリル基を挙げることができる。また、R11~R15の非置換の原子数4~30の1価のヘテロ環状有機基としては、例えば、フリル基、チエニル基、ピラニル基、ピロリル基、チアントレニル基、ピラゾリル基、イソチアゾリル基、イソオキサゾリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、または3-テトラヒドロチオフェン-1,1-ジオキシド基を挙げることができる。前記アリール基および1価のヘテロ環状有機基の置換基としては、炭素数1~30の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基や、ハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子、またはケイ素原子等のヘテロ原子を含む原子数1~30の基等を挙げることができる。なお、これらの置換基はさらに任意の置換基、例えば前記した置換基を1種以上有してもよい。前記置換基で置換された炭素数6~30のアリール基としては、例えば、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、p-ヒドロキシフェニル基、p-メトキシフェニル基、メシチル基、o-クメニル基、2,3-キシリル基、2,4-キシリル基、2,5-キシリル基、2,6-キシリル基、3,4-キシリル基、3,5-キシリル基、p-フルオロフェニル基、p-トリフルオロメチルフェニル基、p-クロロフェニル基、p-ブロモフェニル基、またはp-ヨードフェニル基等を挙げることができる。前記置換基で置換された原子数4~30の1価のヘテロ環状有機基としては、例えば、2-ブロモフリル基、3-メトキシチエニル基、3-ブロモテトラヒドロピラニル基、4-メトキシテトラヒドロピラニル基、または4-メトキシテトラヒドロチオピラニル基等を挙げることができる。1価のオニウムカチオン部位は、例えばAdvancesinPolymerScienceVol62p1481984に記載されている一般的な方法に準じて製造することができる。好ましい1価のオニウムカチオンとしては、例えば、下記式3-1~3-64で表されるスルホニウムカチオン、下記式4-1~4-39で表されるヨードニウムカチオン等を挙げることができる。これらの1価のオニウムカチオンのうち、前記式3-1、式3-2、式3-6、式3-8、式3-13、式3-19、式3-25、式3-27、式3-29、式3-51または式3-54で表されるスルホニウムカチオン;前記式4-1または式4-11で表されるヨードニウムカチオン等が好ましく、前記式3-1で表されるトリフェニルスルホニウムカチオンが特に好ましい。本願発明の一般式1で表される繰り返し構造単位を有するオニウム塩の樹脂において、オニウム塩の部分は酸発生剤として機能し、露光ないしは加熱によりスルホン酸を発生する作用を有し、特に、後述する感放射線性樹脂組成物における感放射線性酸発生剤として極めて好適に使用することができる。3.重合体本願発明の重合体は、例えば、一般式5~8で表される繰返し単位を含むことを特徴とする重合体のことであり、前述の一般式1~4で表される重合性単量体の有する二重結合が開裂して単独でまたは他の重合性二重結合を有する単量体と共重合することにより製造できる。一般式5の繰り返し単位を有する重合体は、たとえば、一般式1で示される酸分解性単量体を重合反応に供して得られ、以下のように、一般式1であらわされる構造が同様に一般式5にも適用される。式中、R1は水素原子、ハロゲン原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を表す。R2は炭素数1~20の直鎖状、炭素数の3~20分岐鎖状または環状の炭化水素基を示し、それらを構成する炭素原子の一部が酸素原子に置き換わっていてもよく、同一炭素に結合する2個の水素原子が酸素原子と置き換わって=Oとなってもよく、さらに炭化水素のC-H結合のHがOHと置き換わってC-OHとなっていてもよく、水素原子の一部または全部がフッ素原子に置換されてもよい。R3~R10は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~20の直鎖状、炭素数の3~20分岐鎖状または環状の炭化水素基を示し、それらを構成する炭素原子の一部が酸素原子に置き換わっていてもよく、同一炭素に結合する2個の水素原子が酸素原子と置き換わって=Oとなってもよく、さらに炭化水素のC-H結合のHがOHと置き換わってC-OHとなっていてもよく、水素原子の一部または全部がフッ素原子に置換されてもよい。また、R3~R10の一部あるいは全部結合して、環状化合物を形成してもよく、n、mは炭素数であり、それぞれが独立して0~5の整数である。Aは、それが結合している炭素原子と一緒になってカルボニル基C=Oまたは、当該カルボニル基が保護基によって保護された次のアセタール構造をとる。但し、X1、X2はそれぞれ独立して、炭素数1~6のアルキル基を表す。該アルキル基の水素原子の一部または全部がフッ素、塩素、臭素原子、フェニル基、置換フェニル基に置換されていてもよい。また該アルキル基のC-C結合の一部がC=C二重結合となっていてもよい。またX1、X2はつながって全体として環状アセタール構造をとってもよい。重合性単量体と同様の理由で、一般式6~8で示される重合体を本願発明のレジスト材料に使用することが望ましく、中でも、R2がエチル基の重合体が好適に用いられる。本願発明の重合体は、複数の単量体からなる繰り返し単位で構成されていてもよい。その割合は特に制限なく設定されるが、例えば以下に示す範囲は好ましく採用される。本願発明の重合体において、一般式1~4で表される重合性単量体からなる繰り返し単位を1mol以上、100mol以下、より好ましくは5mol以上、90mol以下含有し、酸不安定性基を有する繰り返し単位を1mol以上100mol以下、好ましくは5mol以上、80mol以下、より好ましくは10mol以上、60mol以下の範囲で含有することができる。一般式1~4で表される含フッ素重合性単量体からなる繰り返し単位が1molよりも小さい場合には、レジストとした際に本願発明の単量体を用いたことによる明確な効果が期待できない。また、酸不安定性基を有する繰り返し単位が1molよりも小さい場合には、露光によるアルカリ現像液に対する溶解性の変化が小さすぎて、パターニングにおけるコントラスト向上が期待できない。このときに、酸不安定基を有する繰り返し単位として一般的な単量体を用いてもよいし、本願発明の一般式1~4で表される単量体に酸不安定性基を付加してもよく、重合後に酸不安定基を付加してもよい。4.重合体の重合方法本願発明の重合体の重合方法としては、一般的に使用される方法であれば特に制限されないが、ラジカル重合、イオン重合が好ましく、場合により、配位アニオン重合、リビングアニオン重合、カチオン重合、開環メタセシス重合またはビニレン重合を採用してもよい。ラジカル重合は、ラジカル重合開始剤あるいはラジカル開始源の存在下で、例えば、塊状重合、溶液重合、懸濁重合または乳化重合により、回分式、半連続式または連続式のいずれかの操作で行えばよい。ラジカル重合開始剤としては特に限定されるものではないが、例としてアゾ系化合物、過酸化物系化合物、レドックス系化合物が挙げられ、とくにアゾビスイソブチロニトリル、t-ブチルパーオキシピバレート、ジ-t-ブチルパーオキシド、i-ブチリルパーオキシド、ラウロイルパーオキサイド、スクシン酸パーオキシド、ジシンナミルパーオキシド、ジ-n-プロピルパーオキシジカーボネート、t-ブチルパーオキシアリルモノカーボネート、過酸化ベンゾイル、過酸化水素または過硫酸アンモニウムを用いることが好ましい。重合反応に用いる反応容器は特に限定されない。また、重合反応においては、重合溶媒を用いてもよい。重合溶媒としては、ラジカル重合を阻害しないものが好ましく、代表的なものとしては、エステル系溶剤である酢酸エチル、酢酸n-ブチル、ケトン系溶剤であるアセトンまたはメチルイソブチルケトン、芳香族系溶剤であるトルエン、炭化水素系溶剤であるシクロヘキサン、アルコール系溶剤であるメタノール、イソプロピルアルコールまたはエチレングリコールモノメチルエーテルが挙げられる。また、水、エーテル系、環状エーテル系、フロン系の溶媒を使用してもよい。これらの溶剤は単独あるいは2種類以上を混合してもよい。また、メルカプタンのような分子量調整剤を併用してもよい。共重反応の反応温度はラジカル重合開始剤あるいはラジカル重合開始源により適宜変更され、通常は20°C以上、200°C以下が好ましく、特に30°C以上、140°C以下の範囲が好ましい。一方、開環メタセシス重合は、共触媒存在下、IV、V、VI、VII属の遷移金属触媒を用いればよく、溶媒存在下、公知の方法を用いればよい。重合触媒としては特に限定されるものではないが、例としてTi系、V系、Mo系またはW系触媒が挙げられ、特に、塩化チタンIV、塩化バナジウムIV、バナジウムトリスアセチルアセトナート、バナジウムビスアセチルアセトナートジクロリド、塩化モリブデンVIまたは塩化タングステンVIが好ましい。触媒量としては、使用モノマーに対して0.001mol以上、10mol以下、好ましくは、0.01mol以上、1mol以下の範囲である。共触媒としては、アルキルアルミニウム、アルキルスズが挙げられる。特に、アルキルアルミニウムにおいては、トリアルキルアルアルミニウム類であるトリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリプロピルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリ-2-メチルブチルアルミニウム、トリ-3-メチルブチルアルミニウム、トリ-2-メチルペンチルアルミニウム、トリ-3-メチルペンチルアルミニウム、トリ-4-メチルペンチルアルミニウム、トリ-2-メチルヘキシルアルミニウム、トリ-3-メチルヘキシルアルミニウムまたはトリオクチルアルミニウム、ジアルキルアルミニウムハライド類であるジメチルアルミニウムクロライド、ジエチルアルミニウムクロライド、ジイソプロピルアルミニウムクロライドまたはジイソブチルアルミニウムクロライド、モノアルキルアルミニウムハライド類であるメチルアルミニウムジクロライド、エチルアルミニウムジクロライド、エチルアルミニウムジアイオダイド、プロピルアルミニウムジクロライド、イソプロピルアルミニウムジクロライド、ブチルアルミニウムジクロライドまたはイソブチルアルミニウムジクロライド、アルキルアルミニウムセスキクロライド類であるメチルアルミニウムセスキクロライド、エチルアルミニウムセスキクロライド、プロピルアルミニウムセスキクロライド、イソブチルアルミニウムセスキクロライドが挙げられる。アルキルスズにおいては、テトラ-n-ブチルスズ、テトラフェニルスズ、トリフェニルクロロスズが挙げられる。共触媒量は、遷移金属触媒に対して、モル比で、100当量以下、好ましくは30当量以下である。また、重合溶媒としては重合反応を阻害しなければよく、芳香族炭化水素系溶媒であるベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼンまたはジクロロベンゼン、炭化水素系溶媒であるヘキサン、ヘプタンまたはシクロヘキサン、ハロゲン化炭化水素溶媒である四塩化炭素、クロロホルム、塩化メチレンまたは1,2-ジクロロエタンが挙げられる。また、これらの溶剤は単独でもあるいは2種類以上を混合しても使用できる。反応温度は、通常は-70°C以上、200°C以下が好ましく、特に-30°C以上、60°C以下の範囲が好ましい。ビニレン重合は、共触媒存在下、VIII属の遷移金属触媒である鉄、ニッケル、ロジウム、パラジウムまたは白金、IVBからVIB属の金属触媒であるジルコニウム、チタン、バナジウム、クロム、モリブデンまたはタングステンを用いればよく、溶媒存在下、公知の方法で行えばよい。重合触媒としては特に限定されるものではないが、VIII属の遷移金属である鉄IIクロライド、鉄IIIクロライド、鉄IIブロマイド、鉄IIIブロマイド、鉄IIアセテート、鉄IIIアセチルアセトナート、フェロセン、ニッケロセン、ニッケルIIアセテート、ニッケルブロマイド、ニッケルクロライド、ジクロロヘキシルニッケルアセテート、ニッケルラクテート、ニッケルオキサイド、ニッケルテトラフルオロボレート、ビスアリルニッケル、ビスシクロペンタジエニルニッケル、ニッケルIIヘキサフルオロアセチルアセトナートテトラハイドレート、ニッケルIIトリフルオロアセチルアセトナートジハイドレート、ニッケルIIアセチルアセトナートテトラハイドレート、塩化ロジウムIII、ロジウムトリストリフェニルホスフィントリクロライド、パラジウムIIビストリフルオロアセテート、パラジウムIIビスアセチルアセトナート、パラジウムII2-エチルヘキサノエート、パラジウムIIブロマイド、パラジウムIIクロライド、パラジウムIIアイオダイド、パラジウムIIオキサイド、モノアセトニトリルトリストリフェニルホスフィンパラジウムIIテトラフルオロボレート、テトラキスアセトニトリルパラジウムIIテトラフルオロボレート、ジクロロビスアセトニトリルパラジウムII、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウムII、ジクロロビスベンゾニトリルパラジウムII、パラジウムアセチルアセトナート、パラジウムビスアセトニトリルジクロライド、パラジウムビスジメチルスルホキサイドジクロライドまたはプラチニウムビストリエチルホスフィンハイドロブロマイド、IVBからVIB属の遷移金属である塩化バナジウムIV、バナジウムトリスアセチルアセトナート、バナジウムビスアセチルアセトナートジクロリド、トリメトキシペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムIV、ビスシクロペンタジエニルチタニウムジクロリドまたビスシクロペンタジエニルジルコニウムジクロリドを用いることが好ましい。触媒の使用量としては、使用モノマー単量体に対して0.001mol以上、10mol以下、好ましくは0.01mol以上、1mol以下の範囲である。共触媒は、アルキルアルミノキサン、アルキルアルミニウムが挙げられる。特に、トリアルキルアルアルミニウムであるメチルアルミノキサンMAO、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリプロピルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリ-2-メチルブチルアルミニウム、トリ-3-メチルブチルアルミニウム、トリ-2-メチルペンチルアルミニウム、トリ-3-メチルペンチルアルミニウム、トリ-4-メチルペンチルアルミニウム、トリ-2-メチルヘキシルアルミニウム、トリ-3-メチルヘキシルアルミニウムまたはトリオクチルアルミニウム、ジアルキルアルミニウムハライド類であるジメチルアルミニウムクロライド、ジエチルアルミニウムクロライド、ジイソプロピルアルミニウムクロライドまたはジイソブチルアルミニウムクロライド、モノアルキルアルミニウムハライドであるメチルアルミニウムジクロライド、エチルアルミニウムジクロライド、エチルアルミニウムジアイオダイド、プロピルアルミニウムジクロライド、イソプロピルアルミニウムジクロライド、ブチルアルミニウムジクロライドまたはイソブチルアルミニウムジクロライド、アルキルアルミニウムセスキクロライドであるメチルアルミニウムセスキクロライド、エチルアルミニウムセスキクロライド、プロピルアルミニウムセスキクロライドまたはイソブチルアルミニウムセスキクロライドが好適に使用される。共触媒の使用量は、メチルアルミノキサンの場合、Al換算で50当量以上、500当量以下、その他のアルキルアルミニウムにおいては、遷移金属触媒に対してモル比で、100当量以下、好ましくは30当量以下を使用する。また、重合溶媒としては重合反応を阻害しなければよく、芳香族炭化水素であるベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼンまたはジクロロベンゼン、炭化水素であるヘキサン、ヘプタン、ノナン、デカンまたはシクロヘキサン、ケトンであるアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンまたはシクロペンタノン、エステルである酢酸エチル、酢酸ブチル、アルコールであるメタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ノナノール、オクタノール、1-オクタノール、2-オクタノール、3-オクタノール、4-メチル-2-ペンタノールまたはエチレングリコール、ハロゲン化炭化水素である四塩化炭素、クロロホルム、塩化メチレンまたは1,2-ジクロロエタン、他にジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジグリム、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPEGMEA、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルPEGME、プロピレングリコールジアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル、乳酸エチルEL、ジメチルホルムアミド、N-メチルピロリドンまたはN-シクロヘキシルピロリドンが使用できる。また、これらの溶剤は単独でもあるいは2種類以上を混合してもよい。反応温度は、通常は-70°C以上、200°C以下が好ましく、特に-40°C以上、80°C以下が好ましい。このようにして得られる本願発明の重合体の溶液または分散液から、媒質である有機溶媒または水を除去する方法としては、公知の方法を利用でき、再沈殿ろ過または減圧下での加熱留出を行う。本願発明の重合体の数平均分子量としては、通常、1,000以上、100,000以下、好ましくは3,000以上、50,000以下が好ましい。5.レジスト材料次いで、本願発明のレジスト材料について説明する。5.1レジスト配合本願発明の重合体は、特に光増感ポジ型レジスト材料として好適に用いられ、本願発明は、上記含フッ素重合体を含有するレジスト材料、とりわけポジ型レジスト材料を提供する。この場合、レジスト材料としては、Aベース樹脂として上記重合体、B光酸発生剤、C塩基性化合物およびD溶剤を含有するものが望ましい。また、必要によりE界面活性剤を含有してもよい。B~C各々について説明する。5.2B光酸発生剤光酸発生剤は紫外光または極紫外光を照射することで、酸を発生する機能を有する感光剤であり、本願発明のレジスト材料に用いる光酸発生剤には、特に制限はなく、化学増幅型レジストの酸発生剤として用いられるものの中から、発生した酸により、一般式5~8の繰り返し単位を分解し溶剤に可溶化するものであれば、任意のものを選択して使用することができる。このような酸発生剤の例としては、オニウムスルホネートであるヨードニウムスルホネートまたはスルホニウムスルホネート、他にスルホン酸エステル、N-イミドスルホネート、N-オキシムスルホネート、o-ニトロベンジルスルホネートまたはピロガロールのトリスメタンスルホネートが使用できる。これらの光酸発生剤に、高エネルギー光を照射することで発生する酸は、アルカンスルホン酸、アリールスルホン酸、部分的にまたは完全にフッ素化されたアリールスルホン酸、アルカンスルホン酸である。部分的にまたは完全にフッ素化されたアルカンスルホン酸を発生する光酸発生剤は、脱保護しにくい保護基に対しても十分な酸強度を有することから有効である。具体的には、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナートまたはトリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホナートが使用できる。5.3C塩基性化合物本願発明のレジスト材料に塩基性化合物を配合することができる。当該塩基性化合物は、酸発生剤より発生する酸がレジスト膜中に拡散する際の拡散速度を抑制する働きがある。この働きにより、酸拡散距離を調整してレジストパターン形状の改善や、引き置き時の安定性を向上する効果が期待される。このような塩基性化合物は、脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミンまたは脂肪族多環式アミンが挙げられる。第2級または第3級の脂肪族アミンが好ましく、アルキルアルコールアミンがより好ましく採用される。具体的には、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデカニルアミン、トリドデシルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデカニルアミン、ジドデシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デカニルアミン、ドデシルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジオクタノールアミン、トリオクタノールアミン、アニリン、ピリジン、ピコリン、ルチジン、ビピリジン、ピロール、ピペリジン、ピペラジン、インドールまたはヘキサメチレンテトラミンが挙げられる。これらは単独でも2種以上組み合わせて使用してもよい。また、その配合量は、好ましくは重合体100重量部に対して0.001重量部以上、2重量部以下、より好ましくは重合体100重量部に対して0.01重量部以上、1重量部以下である。配合量が0.001重量部よりも少ないと添加剤としての効果が十分得られず、2重量部を超えると解像性および感度が低下する場合がある。5.4D溶剤本願発明のレジスト材料に用いる溶剤としては、配合する各成分を溶解して均一な溶液にできればよく、従来のレジスト用溶剤の中から選択して用いることができる。また、2種類以上の溶剤を混合して用いることも可能である。具体的には、ケトンであるアセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2-ヘプタノン、アルコールであるイソプロパノール、ブタノール、イソブタノール、n-ペンタノール、イソペンタノール、tert-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、2,3-ジメチル-2-ペンタノール、n-ヘキシサノール、n-ヘプタノール、2-ヘプタノール、n-オクタノール、n-デカノール、s-アミルアルコール、t-アミルアルコール、イソアミルアルコール、2-エチル-1-ブタノール、ラウリルアルコール、ヘキシルデカノール、オレイルアルコール、多価アルコールおよびその誘導体であるエチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEAまたはプロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、エステルである乳酸メチル、乳酸エチルEL、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチルまたはエトキシプロピオン酸エチル、芳香族系溶剤であるトルエン、キシレン、エーテルであるジエチルエーテル、ジオキサン、アニソールまたはジイソプロピルエーテル、フッ素系溶剤であるフロン、代替フロン、パーフルオロ化合物またはヘキサフルオロイソプロピルアルコール、他に、塗布性を高める目的で高沸点弱溶剤であるターペン系の石油ナフサ溶媒またはパラフィン系溶媒等が使用可能である。これらの中でも特に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME、乳酸エチルELまたはシクロヘキサノンが好ましく採用される。本願発明のレジスト液に配合する溶剤の量は特に限定されないが、好ましくはレジスト液の固形分濃度が3質量以上、25質量以下、より好ましくは5質量以上、15質量以下になる様に用いられる。レジストの固形分濃度を調整することによって、形成される樹脂膜の膜厚を調整することが可能である。さらに、本願発明重合体は、幅広い溶剤に対する溶解性に優れており、上記のアルコール系溶剤の中でも、炭素数5~20のアルコール系溶剤に溶解することは特筆すべきことである。かかるアルコールの具体例としては、n-ペンタノール、イソペンタノール、tert-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、2,3-ジメチル-2-ペンタノール、n-ヘキシサノール、n-ヘプタノール、2-ヘプタノール、n-オクタノール、n-デカノール、s-アミルアルコール、t-アミルアルコール、イソアミルアルコール、2-エチル-1-ブタノール、ラウリルアルコール、ヘキシルデカノールまたはオレイルアルコールが挙げられる。汎用的に用いられているレジスト材料は、このような炭素原子を5以上有するアルコール系溶剤には溶解しないことを考え合わせると、本願発明のレジスト材料は通常のレジストパターン形成方法において幅広い溶剤の使用を可能にするばかりでなく、後述するダブルパターニング法によるパターン形成方法のレジスト材料として有用であり、新たな用途に展開できる。5.5E界面活性剤本願発明のレジスト材料においては、必要により界面活性剤を添加してもよい。かかる界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤またはシリコン系界面活性剤、あるいはフッ素原子とケイ素原子の両方を有する界面活性剤のいずれか、あるいは2種以上を含有することができる。6パターン形成方法次いで本願発明のパターン形成方法について説明する。6.1パターン形成方法本願発明のレジスト材料を使用してパターンを形成する方法は、基板上に該レジスト材料レジスト液を塗布する工程、基板上に加熱処理してレジスト膜を成形した後、露光機を用い、フォトマスクを介して波長300nm以下の紫外光および極紫外光を含む高エネルギー線でレジスト膜を露光する工程、基板を加熱処理後にアルカリ現像液でレジスト膜溶解し、現像してレジストパターンを形成する工程から成っており、何れも公知のリソグラフィー技術を採用して行うことができる。例えば、先ず、シリコンウェハー上にスピンコートの手法によってレジスト材料を塗布して薄膜を形成し、これをホットプレート上で60°C以上、200°C以下、10秒以上、10分以下、好ましくは80°C以上、150°C以下、30秒以上、2分以下の加熱条件でプリベークする。次いで、目的のレジストパターンを形成するためのフォトマスクを設置し、紫外光、エキシマレーザ、X線等の高エネルギー線もしくは電子線ElectoronBeam、以下、EBと略するを露光量1mJ/cm2以上、200mJ/cm2以下、好ましくは10mJ/cm2以上、100mJ/cm2以下となるように照射した後、ホットプレート上で60°C以上、150°C以下、10秒以上、5分間以下、好ましくは、80°C以上、130°C以下、30秒以上、3分以下の加熱条件でポストエクスポーザーベーク露光により生じた酸をレジスト内に拡散するため、露光後ベークすること。以後、PEBと略する。を行う。その後、例えば0.1質量以上、5質量以下、好ましくは2質量以上、3質量以下のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAHのアルカリ水溶液の現像液を用い、10秒以上、3分間以下、好ましくは30秒以上、2分以下、ディップ法、パドル法、スプレー法等の既存の方法で現像することによって目的のパターンが形成される。尚、上記PEBは、必要に応じて行えばよい。本願発明のパターン形成方法で用いられる基板は、シリコンウェハーの他にも金属やガラスの基板を用いることが可能である。また、基板上には有機系あるいは無機系の膜が設けられていてもよい。例えば、反射防止膜、多層レジストの下層があってもよく、パターンが形成されていてもよい。尚、本願発明のレジスト材料は、露光に用いる光源および波長は、特に限定されないが、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2エキシマレーザ波長157nm、EUV波長13.5nm、EB、X線によるリソグラフィーによる微細パターニングに好適に使用でき、特に、KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザおよびEUVによるリソグラフィーに好適に採用される。6.2液浸リソグラフィーまた、本願発明のレジスト材料は、液浸リソグラフィーのレジスト材料としても好適に使用できる。即ち、レジストとレンズの間を、空気よりも屈折率の大きい媒体である水で満たして露光する液浸リソグラフィーにおいて、本願発明のレジスト材料は、耐水性が高く、適度な撥水性を有しながら現像液親和性があることから、微細なパターン形成が可能である。液浸リソグラフィーにおいては、レジストの保護膜であるトップコートを用いる場合と用いない場合があるが、本願発明のレジスト材料はいずれの場合にも組成と配合を調整することによって適用することができる。特に、本願発明のレジスト材料は、KrFエキシマレーザおよびArFエキシマレーザによる液浸リソグラフィーのレジスト材料としても好適に使用できる。液浸リソグラフィーの媒体としては、水の他にもフッ素系溶剤、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤または含硫黄溶剤が挙げられ、本願発明のレジスト材料は広く適用できる。6.3ダブルパターニング法本願発明のレジスト材料は、ダブルパターニング法のレジスト材料として使用することが可能である。本願発明の別の態様として、ダブルパターニング法によるパターン形成方法を提示するが、パターン形成法は現在もなお多数開発中であり、以下の方法に限定されない。本願発明のレジスト材料は、KrFエキシマレーザおよびArFエキシマレーザによるダブルパターニング法のレジスト材料としても好適に使用できる。尚、本願発明のレジスト材料を用いたダブルパターニング法において、第1のレジスト膜とは、以下に示すパターン形成プロセスにおいて、先に形成されるレジスト膜をいい、リソグラフィーによりレジスト膜に形成されたレジストパターンを第1のレジストパターンという。同様に、第2のレジスト膜とは、第1のレジストパターン上にリソグラフィーにより形成された2層目のレジスト膜であり、第2のレジストパターンとはそのレジスト膜に形成されたレジストパターンを表す。また、後述する説明において、第1のレジスト膜を与えるレジスト材料を便宜上第1のレジスト材料といい、第2のレジスト膜を与えるレジスト材料を便宜上第2のレジスト材料ということもある。ダブルパターンニング法の一形態として、リソグラフィーにより、シリコンウェハー上に形成した第1のレジスト膜を露光し、加熱処理後に露光部を溶解させて現像してパターンを形成後、次いで、その上に第2のレジスト膜を形成し、第1のレジスト膜とは異なるパターンで第2のレジスト膜を露光し、次いで同様に現像しパターンを形成する方法が挙げられる。この操作により、従来のレジストパターンよりも微細なパターンを形成することができる。尚、第2のレジスト膜の塗布前に、第1のレジスト膜に形成したパターンの保持を目的にフリージング処理をすることもある。以下に、ダブルパターンニング法によるパターン形成方法について、さらに説明する。尚、各工程の塗布、熱処理、露光、現像プロセスについては、前述のパターン形成方法と同様の手法で行うことができる。先ず、第1のレジスト材料を用い、スピンコート法によりシリコンウェハーに塗布後、加熱処理をすることにより第1のレジスト膜を形成する。次いで、リソグラフィーにより、フォトマスクを介して波長300nm以下の高エネルギー線の照射による露光、露光部を現像液に溶解して現像処理をすることにより第1のレジスト膜に第1のレジストパターンが形成される。次に、第1のレジストパターン上に、溶媒に溶解した第2のレジスト材料をスピンコート法により塗布後、加熱処理をして第2のレジスト膜を形成する。このとき、前記溶剤は第1のレジストパターンを侵さないことが要求される。さらに、リソグラフィーにより、上記第2のレジスト膜にフォトマスクを介して波長300nm以下の高エネルギー線で露光する。このとき、第1のレジスト膜とは異なるパターンのフォトマスクを使用することにより、微細なパターン形成のための露光がなされる。その後、必要に応じて加熱処理、即ち、PEBを行い、次いで現像液で現像するプロセスを経て第2のレジストパターンが形成される。現像液としては、上記のようにテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH等のアルカリ水溶液の現像液が好適に用いられる。上記のダブルパターニング法によるパターン形成方法においては、第1のレジスト材料、および溶剤、第2のレジスト材料および溶剤の組合せについて、最適化を図る必要がある。本願発明のダブルパターニングによるパターン形成方法は、本願発明の特定の繰返し単位を有する重合体を含むレジスト材料を特定の溶剤を用いて調製して第2のレジスト材料として使用することを提唱するものであるが、以下に適当な組合せについて説明する。本願発明のダブルパターニング法によるパターン形成方法においては、第2のレジスト材料に用いる溶剤は第1のレジストパターンを侵さない溶剤であれば特に限定されないが、第1のレジスト組成物として、汎用のレジスト組成物を用いた場合は、炭素数5~20のアルコール系溶媒を好適に用いることができる。ここでいう汎用のレジスト組成物とは、カルボン酸基等の溶解性基をアダマンタン、シクロペンタン等の脂環式炭化水素系のユニットで保護した繰返し単位を有する樹脂を用いたレジスト組成物を言う。そこのようなレジスト組成物として、例えば、ヒドロキシアダマンチルメタクリレートMA-HAD、エチルアダマンチルメタクリレートMA-EADまたはγブチロラクトンメタクリレートMA-GBLよりなる共重合体を成分とするレジスト組成物が好適に用いられる。このような共重合体は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA、プロピレングリコールモノメチルエーテルPGMEのような多価アルコール誘導体、または酸エチルEL等のエステル類には可溶であるものの、炭素数5~20のアルコール系溶媒には不溶であり、例えば、炭素数6の4-メチル-2-ペンタノールには不溶である参考例2。一方、前述のように本願発明の重合体は、幅広い溶剤に対する溶解性に優れており、4-メチル-2-ペンタノールMIBC等の炭素数5~20のアルコール系溶剤に可溶である。上記炭素数5~20のアルコール系溶剤としては、n-ペンタノール、イソペンタノール、tert-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、2,3-ジメチル-2-ペンタノール、n-ヘキシサノール、n-ヘプタノール、2-ヘプタノール、n-オクタノール、n-デカノール、s-アミルアルコール、t-アミルアルコール、イソアミルアルコール、2-エチル-1-ブタノール、ラウリルアルコール、ヘキシルデカノールまたはオレイルアルコールが挙げられる。特に、本願発明の重合体の溶解性に優れ、取り扱いが容易なことより、tert-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノールまたは2,3-ジメチル-2-ペンタノールを用いることが好ましい。即ち、本願発明の重合体を炭素数5~20のアルコール系溶剤を用いて調製したレジスト組成物は、ダブルパターンニング法の2層目に塗布するレジスト組成物上記、第2のレジスト組成物として有用である。上記ダブルパターンニング法において、基板として第1のレジスト材料を予め塗布してレジスト膜とし、リソグラフィーにより、パターン形成したものを使用することも可能である。この場合、その後に続くプロセスは上記の第2レジスト材料を塗布するプロセス以降の操作を行えばよく、予めレジストパターンが形成された基板上にレジスト材料を塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して波長300nm以下の高エネルギー線で露光する工程と、必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程を行うことにより、パターンが形成できる。このとき使用するレジスト材料としては本願発明のレジスト材料を用いることができ、当該レジスト材料を調製する際の溶剤として、上記の炭素数5~20のアルコール系溶剤が好適に用いられる。尚、ここでいう予めパターンを形成してある基板とは、必ずしも現像したものである必要はなく、フリージング処理等でパターンの保持がなされていればよい。以下、実施例にて本願発明を詳細に説明する。ただし、本願発明は以下の実施例に限定されるものではない。[単量体合成例1]化合物4の合成窒素雰囲気下、氷冷下でTHF80gと2モル濃度のエチルマグネシウムクロリドのTHF溶液176mlを加えた後、テトラヒドロフラン以下、THFとする。170gに溶かした状態の上記化合物1を50.0g滴下し、室温約20°Cにて1時間撹拌した。反応液にジイソプロピルエーテル150gを加えて、飽和塩化アンモニウム水、飽和食塩水の順に洗浄した。得られた溶液を濃縮した後、温度110°C、減圧度1.333hPa以下の条件で減圧蒸留を行い、50.4gの化合物2を収率85で得た。窒素雰囲気下、50.4gの上記化合物2をTHF100gに溶かした後、ドライアイス-アセトンバスにて冷却し、1.67モル濃度のn-ブチルリチウムのヘキサン溶液170mlを滴下した。20分間撹拌後、THF50gに溶かしたメタクリロイルクロリド30.0gを加え、室温まで昇温した。反応液にジイソプロピルエーテル150gを加えて、飽和重曹水で洗浄した。得られた溶液を減圧濃縮することにより、62.0gの上記化合物3を収率90質量で得た。尚、化合物3は、前述の一般式4で表される化合物に含まれる。化合物3のNMR測定結果1H-NMR溶媒:CDCl3,基準物質:TMS;δppm0.853H,t,1.612H,m,1.933H,s,2.062H,m2.322H,m,2.522H,m,2.702H,m,3.964H,m,5.581H,s,6.101H,s.次いで、62.0gの化合物3に、アセトン90g、水60gおよびp-トルエンスルホン酸一水和物6.0gを加え、温度50°C下で6時間撹拌を続けた。反応液に飽和重曹水を加えアセトンを減圧濃縮した後、ジイソプロピルエーテルを180g加えて、飽和食塩水で洗浄した。得られた溶液を濃縮した後、温度125°C、減圧度、1.333hPa以下のの条件で減圧蒸留を行い、21.2gの化合物4を収率41で得た。尚、化合物4は、前述の一般式4で表される化合物の中に含まれる。化合物4のNMR測定結果1H-NMR溶媒:CDCl3,基準物質:TMS;δppm0.913H,t,1.782H,m,1.933H,s,2.062H,m2.322H,m,2.522H,m,2.702H,m,5.581H,s,6.101H,s.[単量体合成例2]化合物9の合成100.0gの上記化合物5に、トルエン400g、エチレングリコール55.4g、p-トルエンスルホン酸一水和物17.0gおよびピリジン7.1gを加え、温度115°Cでトルエンを還流させつつ、水を共沸させた。反応液にジイソプロピルエーテルを200g加えて重曹水、飽和食塩水の順に洗浄した。得られた溶液を濃縮した後、温度120°C、減圧度、1.333hPa以下の条件で減圧蒸留を行い、49.1gの上記化合物6を収率35質量で得た。窒素雰囲気下、氷冷下、THF180gと2モル濃度のエチルマグネシウムクロリドのTHF溶液131mlを加えた後、THF40gに溶かした状態の上記化合物6を34.0g滴下し、1時間撹拌した。反応液にジイソプロピルエーテル100gを加え、飽和塩化アンモニウム水、飽和食塩水の順に洗浄した。得られた溶液を濃縮した後、温度110°C、減圧度、1.333hPa以下の条件で減圧蒸留し、34.4gの上記化合物7を収率85質量で得た。窒素雰囲気下、30.0gの上記化合物7を、THF60gに溶かした後、ドライアイス-アセトンバスにて冷却した。次いで、n-ブチルリチウムが1.67モル濃度のヘキサン溶液を100ml滴下した。20分間撹拌後、THF30gに溶かしたメタクリロイルクロリド17.9gを加え、室温まで昇温した。反応液にジイソプロピルエーテル90gを加えて、飽和重曹水で洗浄した。得られた溶液を減圧濃縮することにより、上記化合物8の粗体36.0gを得た。尚、化合物8は前述の一般式3で表される化合物に含まれる。36.0gの上記化合物8に、アセトン54g、水36gおよびp-トルエンスルホン酸一水和物3.6gを加え、50°Cで6時間撹拌を続けた。反応液に飽和重曹水を加えアセトンを減圧濃縮した後、ジイソプロピルエーテル100gを加えて、飽和食塩水で洗浄した。得られた溶液を濃縮した後、温度115°C、減圧度、1.333hPa以下の条件で減圧蒸留を行い、7.4gの上記化合物9を収率25質量で得た。尚、化合物9は、前述の一般式3で表される化合物に含まれる。化合物9のNMR測定結果1H-NMR溶媒:CDCl3,基準物質:TMS;δppm0.933H,t,1.692H,m,1.923H,s,1.982H,m2.302H,m,2.662H,m,2.982H,m,5.511H,s,6.001H,s.[実施例1]重合体1の合成ガラス製フラスコ中で、2-ブタノン、101.2gに、上記化合物4、12.6g、MA35、25.0g、MNLA、13.0gおよびn-ドデシルメルカプタン東京化成株式会社製、以下同じ0.6gを溶解した。この溶液に重合開始剤として、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル和光純薬株式会社製、以下同じ、以後AIBNと略するを1.4g加えてから撹拌しながら脱気し、窒素ガスを導入した後に75°Cにて16時間の反応を行った。反応終了後の溶液を607.2gのn-ヘプタンに滴下し、白色の沈殿を得た。この沈殿を濾別し、60°Cにて減圧乾燥を行い38.7gの白色固体重合体1を得た。以下の示すように、重合体1は、化合物4、MA35、MNLAが重合したユニット繰り返し単位を含む。GPC測定結果:Mn=9,800、Mw/Mn=1.7.[実施例2]重合体2の合成ガラス製フラスコ中で、2-ブタノン、101.2gに、上記化合物9、12.6g、MA35、25.0g、MNLA、13.0gおよびn-ドデシルメルカプタン0.6gを溶解した。この溶液に重合開始剤として前記AIBNを1.4g加えてから撹拌しながら脱気し窒素ガスを導入した後、75°Cにて16時間の反応を行った。反応終了後の溶液を607.2gのn-ヘプタンに滴下し、白色の沈殿を得た。この沈殿を濾別し、60°Cにて減圧乾燥を行い40.6gの白色固体重合体2を得た。以下に示すように、重合体2は、化合物8、MA35およびMNLAが重合したニットを含む。GPC測定結果Mn=11,000、Mw/Mn=1.9[実施例3]重合体3の合成ガラス製フラスコ中で、2-ブタノン、106.4gに、上記化合物3、15.2g、MA35、25.0g、MNLA、13.0gおよびn-ドデシルメルカプタン0.55gを溶解した。この溶液に重合開始剤としてAIBNを1.2g加えてから撹拌しながら脱気し窒素ガスを導入した後、温度75°Cにて16時間の反応を行った。反応終了後の溶液を638.4gのn-ヘプタンに滴下し、白色の沈殿を得た。この沈殿を濾別し、温度60°Cにて減圧乾燥を行い48.6gの重合体3を白色固体として得た。以下に示すように、重合体3は、化合物3、MA35およびMNLAが重合したユニットを含む。GPC測定結果:Mn=17,300、Mw/Mn=2.2[実施例4]重合体4の合成ガラス製フラスコ中で、2-ブタノンに、80.2g、上記化合物4、12.6g、MA3-4OH、17.5g、MA-GBL、10.0gおよびn-ドデシルメルカプタン0.6gを溶解した。この溶液に重合開始剤としてAIBNを1.3g加え撹拌しながら脱気し、窒素ガスを導入した後に温度75°Cにて16時間の反応を行った。反応終了後の溶液を481.2gのn-ヘプタンに滴下し、白色の沈殿を得た。この沈殿を濾別し、温度60°Cにて減圧乾燥を行い36.4gの重合体4を白色固体として得た。以下に示すように、重合体4は、化合物4、MA3-4OH、MA-GBLが重合したユニットを含む。GPC測定結果:Mn=16,200、Mw/Mn=2.3[実施例5]重合体5の合成ガラス製フラスコ中で、2-ブタノン74.2gに、上記化合物4、12.6g、MA-ADOH、14.5g、MA-GBL、10.0gおよびn-ドデシルメルカプタン0.6gを溶解した。この溶液に重合開始剤としてAIBNを1.3g加え撹拌しながら脱気し、窒素ガスを導入した後に温度75°Cにて16時間の反応を行った。反応終了後の溶液を452.8gのn-ヘプタンに滴下し、白色の沈殿を得た。この沈殿を濾別し、温度60°Cにて減圧乾燥を行い30.4gの重合体5を白色固体として得た。以下に示すように、重合体5は化合物4、MA-ADOHおよびMA-GBLが重合したユニットを含む。GPC測定結果:Mn=17,300、Mw/Mn=2.1[実施例6]重合体6の合成ガラス製フラスコ中で、2-ブタノン69.4gに、上記化合物4、11.6g、MA-ADOHを12.5g、MA-GBLを8.7g、TPS-IMAを1.9g及びn-ドデシルメルカプタン東京化成株式会社製を0.6g溶解した。この溶液に重合開始剤としてAIBNを1.3g加えてから撹拌しながら脱気し、窒素ガスを導入した後に温度75°Cにて16時間の反応を行った。反応終了後の溶液を555.2gのn-ヘプタンに滴下し、白色の沈殿を得た。この沈殿を濾別し、温度60°Cにて減圧乾燥を行い25.3gの重合体6を白色固体として得た。下記のように、重合体6は、化合物4、MA-ADOH、MA-GBLおよびTPS-IMAが重合したユニットを含む。GPC測定結果:Mn=14,700、Mw/Mn=2.2[実施例7]重合体7の合成ガラス製フラスコ中で、2-ブタノン、91.2gに、上記化合物4、11.6g、MA35、22.4g、MA-GBL、8.7g、TPS-IMA、1.9gおよびn-ドデシルメルカプタン0.6gを溶解した。この溶液に重合開始剤としてAIBNを1.3g加え撹拌しながら脱気し、窒素ガスを導入した後に温度75°Cにて16時間の反応を行った。反応終了後の溶液を729.6gのn-ヘプタンに滴下し、白色の沈殿を得た。この沈殿を濾別し、温度60°Cにて減圧乾燥を行い38.4gの重合体7を白色固体として得た。以下に示すように、重合体7は、化合物4、MA35、MA-GBLおよびTPS-IMAが重合したユニットを含む。GPC測定結果:Mn=12,800、Mw/Mn=1.9[比較例1]比較重合体1の合成重合体1における化合物4の替わりに、MA-ECpを用い、本願発明の範疇に属さない比較重合体1を合成した。ガラス製フラスコ中で、2-ブタノン97.8gに、上記MA-ECp、10.9g、MA35、25.0g、MNLA、13.0gおよびn-ドデシルメルカプタン0.6gを溶解した。この溶液に重合開始剤としてAIBNを1.4g加えてから撹拌しながら脱気し、窒素ガスを導入した後に、温度75°Cにて16時間の反応を行った。反応終了後の溶液を586.8gのn-ヘプタンに滴下し、白色の沈殿を得た。この沈殿を濾別し、温度60°Cにて減圧乾燥を行い、34.9gの比較重合体1を白色固体として得た。以下に示すように、比較重合体1は、MA-ECp、MA35およびMNLAが重合したユニットを含む。GPC測定結果:Mn=9,100、Mw/Mn=1.9[比較例2]比較重合体2の合成重合体4における化合物4の変わりに、MA-EADを用いて本願発明の範疇に属さない比較重合体2を合成した。ガラス製フラスコ中で、2-ブタノン84.8gに、上記MA-EAD、14.9g、MA3-4OH、17.5g、MA-GBL、10.0gおよびn-ドデシルメルカプタン0.6gを溶解した。この溶液に重合開始剤としてAIBNを1.3g加え撹拌しながら脱気し、窒素ガスを導入した後に、温度75°Cにて16時間の反応を行った。反応終了後の溶液を254.4gのn-ヘプタンに滴下し、白色の沈殿を得た。この沈殿を濾別し、温度60°Cにて減圧乾燥を行い31.8gの白色固体比較重合体2を得た。以下に示すように、比較重合体2は、MA-EAD、MA3-4OHおよびMA-GBLが重合したユニットを含む。GPC測定結果:Mn=10,600、Mw/Mn=2.2[比較例3]比較重合体3の合成重合体5における化合物4の変わりに、MA-EADを用いて本願発明の範疇に属さない比較重合体3を合成した。ガラス製フラスコ中で、2-ブタノン98.8gに、上記MA-EAD、21.9g、MA-ADOH、17.5g、MA-GBL、10.0gおよびn-ドデシルメルカプタン0.6gを溶解した。この溶液に重合開始剤としてAIBNを1.3g加え撹拌しながら脱気し、窒素ガスを導入した後に、温度75°Cにて16時間の反応を行った。反応終了後の溶液を395.2gのn-ヘプタンに滴下し、白色の沈殿を得た。この沈殿を濾別し、温度60°Cにて減圧乾燥を行い34.1gの白色固体比較重合体3を得た。以下に示すように、比較重合体3は、MA-EAD、MA-ADOHおよびMA-GBLが重合したユニットを含む。GPC測定結果:Mn=18,600、Mw/Mn=2.8[比較例4]比較重合体4の合成重合体6における化合物4の変わりに、MA-EADを用いて本願発明の範疇に属さない比較重合体4を合成した。ガラス製フラスコ中で、2-ブタノン、77.0gに、上記MA-EAD、15.4g、MA-ADOH、12.5g、MA-GBL、8.7g、TPS-IMA、1.9gおよびn-ドデシルメルカプタン0.6gを溶解した。この溶液に重合開始剤としてAIBNを1.3g加え撹拌しながら脱気し、窒素ガスを導入した後に、温度75°Cにて16時間の反応を行った。反応終了後の溶液を308.0gのn-ヘプタンに滴下し、白色の沈殿を得た。この沈殿を濾別し、温度60°Cにて減圧乾燥を行い23.1gの白色固体比較重合体2を得た。以下に示すように、比較重合体4は、MA-EAD、MA-ADOH、MA-GBLおよびTPS-IMAが重合したユニットを含む。GPC測定結果:Mn=15,200、Mw/Mn=2.5[重合結果]重合体1~7および比較重合体1~4について、分子量と組成を測定した。重合体の分子量数平均分子量Mnと分子量分散Mnと重量平均分子量Mwの比Mw/Mnは、東ソー株式会社製、高速GPC装置、品番、HLC-8320GPCにおいて、東ソー株式会社製ALPHA-MカラムとALPHA-2500カラムを1本ずつ直列に繋ぎ、展開溶媒としてテトラヒドロフランを用いて測定した。検出器は屈折率差検出器を用いた。また、重合体の組成は1H-NMRおよび19F-NMRによって確認した。測定した結果を表1に示す。[レジスト配合]重合体1~7および比較重合体1~4を用い、各々PAG、塩基性化合物、溶剤を加え、表2の実施例1~7、比較例1~4に示す割合で配合してレジスト溶液を調製した各々、レジスト-1~7、比較レジスト-1~4とする。調製したレジスト溶液は、孔径0.2μmのメンブランフィルターでろ過した後、反射防止膜日産化学工業株式会社製、ARC29A、厚さ78nmを塗布した後、温度200°Cで60秒間焼成して乾燥したシリコンウェハー上に、スピナーを用いて、回転数1,500rpmで塗布し、次いで、ホットプレート上で100°C、90秒間乾燥した。[接触角測定]得られたシリコンウェハー上の樹脂膜は、接触角計協和界面科学株式会社製を用いて水滴の接触角を測定した。結果を表2に示す。表2に示すように、本願発明の新規酸分解性重合体を配合したレジスト-1~7は、比較レジスト-1~4から得られた樹脂膜よりも接触角が高いことがわかった。レジスト-1~7と比較レジスト-1~4との接触角の差は、カルボニル基を有するレジスト-1~7、有しない比較レジスト-1~4ことによる酸分解性基中のカルボニル基の有無の違いであり、カルボニル基が撥水性向上に寄与したことは明らかである。この撥水性向上の結果、液浸露光装置によるリソグラフィーにおいて、レジストへの水の浸入を防いでウォーターマーク欠陥現像時、リンス後の水滴残りによる欠陥の発生を抑制が期待される。[現像液溶解性試験]前述と同様に、レジストを塗布して樹脂膜を形成したシリコンウェハーを、アルカリ現像液に浸漬し溶解性を試験した。樹脂の溶解は、浸漬後の膜の残存を光干渉型の膜厚計で測定することによって調べた。結果を表3に示した。レジスト-1~7、および比較レジスト-1~4は、いずれも未露光の状態ではアルカリ現像液に不溶であり、露光後は可溶となった。このことから、試験したレジスト全てが感光性樹脂としての溶解コントラストを有していることが示された。[露光解像試験]前述と同様に、レジストを塗布して樹脂膜を形成したシリコンウェハーを、100°Cで60秒間プリベークを行った後、フォトマスクを介して、ArFレーザによる波長193nmの紫外光で露光した。露光後のウェハーを回転させながら純水を2分間滴下した。その後、120°Cで60秒間PEBを行い、アルカリ現像液で現像した。得られたパターンを走査型電子顕微鏡SEMで観察し、解像性の評価を行った。レジスト-1~7を用いた実施例5~11の場合には、ラフネスや欠陥がなく断面が矩形のパターンが形成され、非常に良好な解像性を示した。これは、露光後にレジスト-1~7中の酸分解性基から脱離する保護基が極性基であるカルボニル基を有するため、極性のある現像液に溶解し易くなりレジスト上にスカムを残さず、速やかな溶解性を有することに起因した結果である。これに対して、比較レジスト-1~4を用いた比較例3~6とも、現像液の溶解性不良によるものと思われる頭はり形状レジストパターンの断面において、上部の線幅が株の線幅より大きいで、また、残渣による欠陥が多数あるパターンが観測された。これは、露光後に比較レジスト-1~4中の酸分解性基から脱離する保護基が非極性の炭化水素であるため、極性のある現像液に溶解し難くなりレジスト上にスカムを残した結果である。[4-メチル-2-ペンタノールMIBCへの溶剤溶解性試験]前述と同様のレジスト配合で、レジスト材料を塗布して樹脂膜を形成したシリコンウェハーを、4-メチル-2-ペンタノールMIBCに浸漬し、溶解性を試験した。結果を表3に示す。レジスト-1~7を用いた実施例1~7の場合には、レジスト-1~7中の酸分解性基に極性基のカルボニル基を有するので、若干の極性を有するアルコール系溶剤であるMIBCに速やかに溶解し、各々良好な溶解性を示した。これに対して、比較レジスト-1~4を用いた比較例1~4では、酸分解性基が非極性の炭化水素基であるため、極性を有するMIBCへの溶剤溶解性はなく、不溶であることが判った。これらの実験結果より、第1のレジスト膜にパターン形成後に第2のレジスト膜を塗布して露光処理するパターン形成方法、即ち、ダブルパターニング法において、例えば、第1のレジスト膜に汎用レジスト組成物を用いた場合、第2のレジスト膜形成用のレジスト材料として、本願発明の重合体を使用したMIBCに溶解して調製したレジスト材料、例えば、前述のレジスト1~7を使用可能なことが示唆された。即ち、第2のレジスト材料に用いる溶媒この場合、MIBCは、第1のレジスト膜に形成されたレジストパターンを侵さないので、第1のレジストパターンに影響を与えることなく第2のレジスト膜を形成することが可能となる。"