"減圧可能な反応容器内に、原料ガスを導入し、高周波電力導入手段から前記反応容器内に導入された高周波電力によって前記原料ガスを分解し、前記反応容器内に配置された基体の上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、前記高周波電力の伝送経路の温度を測定する温度測定手段、前記基体を配置する手段、配置された前記基体を前記反応容器に電気的に接続する手段および前記基体と前記反応容器との電気的な接続状態を制御する手段を有し、前記温度測定手段によって測定した前記伝送経路の測定温度が、基準温度を含む所定の温度範囲内に入るように、前記反応容器と前記基体との電気的な接続状態を制御することを特徴とする堆積膜形成方法。前記電気的な接続状態を制御する手段が、前記電気的に接続する手段を構成する部材間の接触圧力を高くすることで、前記部材間の電気抵抗を低下させる請求項1に記載の堆積膜形成方法。前記電気的な接続状態を制御する手段が、前記電気的に接続する手段を構成する部材間の接触面を摺擦し、リフレッシュすることで、電気抵抗を低下させる請求項1に記載の堆積膜形成方法。前記構成する部材の接触面を摺擦する方法が、前記電気的に接続する手段を構成する部材間の接触圧力を制御しつつ、接触面を摺擦する方法である請求項3に記載の堆積膜形成方法。そして、従来、前述のような方策によって、堆積膜の膜厚および膜特性の均一性向上、生産安定性の向上が図られてきた。しかしながら、近年、例えば電子写真装置に用いられる感光体においては、電子写真装置のデジタル化、カラー化に伴い、堆積膜の均一性が、従来以上に求められている。さらに、それらに加え生産性の良い堆積膜形成装置および生産システムが求められている。堆積膜の膜厚および膜特性の均一性が求められる理由は、高画質カラーの電子写真装置では階調性が向上し、従来は問題にならなかったレベルの堆積膜の不均一性でも、画像において視覚可能な濃度ムラになる可能性が生じているためである。また、生産性の良い堆積膜形成装置および生産システムが求められる理由としては、生産効率を向上させ、今まで以上に製品価格を下げる必要が出てきているためである。そして、前述したような従来技術においては、これらの事象に関して、次のような課題がある。まず、前述の従来技術では、堆積膜の膜厚および膜特性の均一性を向上させる手法に課題が残されている。例えば、特許文献1で示されているような導電性棒状体を用いて回転手段を有した基体ホルダと反応容器を電気的に接続する場合、経時的に電気的な接続状態が不安定になる場合があるという課題が挙げられる。図1は特許文献1の堆積膜形成装置における基体上部の導通方法を示す模式図である。円筒状基体101が装着された基体ホルダ102が反応容器内に設置され、導電性棒状体103が上昇して、弁体104に接触し、基体ホルダ102と弁体104が電気的に接続される構成となっている。基体ホルダ102と導電性棒状体103との間における電気的な接続は、構造的に嵌合体である導電性部材105を用いた機構で行われている。このとき、電気的な接続が不安定になる1つ目の原因としては、導電性棒状体103と基体ホルダ102を電気的に接続する導電性部材の変質と劣化がある。導電性部材の変質と劣化はクリーニング性ガスを用いた反応容器内のクリーニングの際に発生する。クリーニングとは、堆積膜を形成する反応容器内の基体以外の部分、電極あるいは反応容器内の内壁に形成された堆積膜、あるいは粉体状の重合物以下ポリシランと略記すを除去する処理である。これらの堆積膜やポリシランを除去する理由としては、堆積膜形成時に形成される膜中に不純物として取り込まれる場合が有り、その結果、得られる膜の特性を悪化させたり、堆積膜に欠陥を形成したりする場合があるためである。このため、数回の堆積膜形成サイクル後、あるいは堆積膜形成サイクル毎に反応容器内を清掃し、目的箇所以外の部分に堆積した膜やポリシランの除去を行う。そして、この反応容器内のクリーニングの際にクリーニング性ガスを使用するため、クリーニング性ガスに曝露される箇所で導電性部材の変質や劣化が発生する。これは、クリーニング性ガスが導電性部材の表面に作用する変質と、熱による酸化が起き、変質層酸化層が形成されるためである。そして、導電性部材の変質と劣化によって、導電性棒状体103と導電性の摺擦部材106との間で接触不良が発生し、摩擦抵抗の変化で基体ホルダ102の回転不良が起こり、電気的な接続状態が不安定となる。電気的な接続状態が不安定になる2つ目の原因としては、多層膜において各層の成膜温度が異なることが挙げられる。導電性棒状体103と基体ホルダ102と導電性部材105とでは熱膨張率が異なっているため、成膜温度が異なる層では電気的な接続状態が変化しやすくなる。このため電気的な接続状態が不安定になる。これら2つの原因により電気的な接続状態が不安定になる。そして、接続状態が不安定になった結果として、プラズマ状態が不安定になり堆積膜の均一性を低下させる。さらに、プラズマ状態が不安定になることでプラズマのインピーダンスが変化するので、電力損失の状態も変わり高周波導入手段や高周波電力の伝送経路の温度が変化する。また、前述の従来技術では、安定性を向上させるための方法に課題が残されている。例えば、特許文献2に示されているような高周波導入手段の温度を参照し高周波電力を制御する手法では、先に挙げたような電気的な接続状態の不安定に対しては、根本的な対処方法にはならない。そのため、未対処のまま高周波電力を調整してしまうと本来と異なるプラズマ状態で成膜され、堆積膜の膜特性が変わる場合がある。また、特許文献3に示されているような伝送経路の温度をモニターし、高周波の整合調整を実施する場合も、前述の高周波電力を制御する方法と同様に根本的な対処方法ではない。そのため、未対処のまま高周波電力を調整してしまうと本来と異なるプラズマ状態で成膜され、堆積膜の膜特性が変わる場合がある。このように、従来技術における堆積膜の膜厚および膜特性の均一化、生産安定性の向上の方法には、改善の余地が残されている。従って、本発明は、前述のような従来技術に鑑みてなされたものであり、堆積膜の膜厚および膜特性の均一性を向上させ、安定した堆積膜形成を可能とする堆積膜形成方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明の堆積膜形成方法は、減圧可能な反応容器内に、原料ガスを導入し、高周波電力導入手段から前記反応容器内に導入された高周波電力によって前記原料ガスを分解し、前記反応容器内に配置された基体の上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、前記高周波電力の伝送経路の温度を測定する温度測定手段、前記基体を配置する手段、配置された前記基体を前記反応容器に電気的に接続する手段および前記基体と前記反応容器との電気的な接続状態を制御する手段を有し、前記温度測定手段によって測定した前記伝送経路の測定温度が、基準温度を含む所定の温度範囲内に入るように、前記反応容器と前記基体との電気的な接続状態を制御することを特徴とする。本発明によれば、堆積膜の膜厚および膜特性の均一性に優れ、安定した堆積膜形成が可能となる堆積膜形成方法を提供することができる。以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。<堆積膜形成装置>図2は、RFRadioFrequency-CVDChemicalVaporDeposition法による堆積膜形成装置の一例として、電子写真感光体を製造するための堆積膜形成装置を模式的に示した図である。電子写真感光体の製造は、堆積膜形成装置200を用い円筒状基体201上にプラズマ処理で堆積膜を積層する。本発明の堆積膜形成方法を適用可能な堆積膜形成装置は、高周波電力の伝送経路の温度を測定する温度測定手段、基体を配置する手段、配置された基体を反応容器に電気的に接続する手段および電気的な接続状態を制御する手段を有する。堆積膜形成装置200の装置構成を以下に詳しく説明する。堆積膜形成装置200は、ガス導入ブロック202および排気口203を備えた円筒状カソード電極高周波電力導入手段204、絶縁体205、上壁206、ゲート弁207、底壁208、排気バッファー部209を真空隔壁とし、減圧可能な反応容器210を形成している。また、反応容器210には、排気管211および排気バルブ212を介して不図示の排気装置真空ポンプが接続されており、反応容器210の内部が減圧可能となっている。ガス導入ブロック202は、原料ガス導入口213が円筒状基体201に対向するように複数配置されている。そして、原料ガス導入口213は供給配管214を介して、原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ不図示を内在するミキシング装置215と、原料ガス導入バルブ216を含むガス供給系に接続されている。また、反応容器210の内部には、円筒状基体201を加熱するための円筒状加熱用ヒーター234が設けられている。円筒状カソード電極204には、マッチングボックス217を介して高周波電源218が接続されている。<高周波電力の伝送経路の温度を測定する温度測定手段>また、マッチングボックス217には温度測定手段219が設けられている。温度測定手段219は、例えば、光ファイバー温度計、白金温度計、サーミスタ、熱電対などを用いることができる。円筒状カソード電極204は、セラミックスからなる絶縁体205により上壁206および底壁208、排気管211と絶縁されている。上壁206には反応容器210の内部と外部とを連通させる開閉部であるゲート弁207が設置されており、ここから反応容器210に、基体ホルダ220が搬入設置搬出される。<基体を配置する手段>反応容器210の下部には、円筒状基体201およびキャップ221が装着された基体ホルダ220の長手方向の一端側を回転可能に保持する回転保持機構222基体ホルダ保持手段が設けられている。この回転保持機構222は、基体ホルダ220が載置される回転台223と、この回転台223を支持する支軸224と、回転台223を回転させるためのモーター225とを有している。したがって、円筒状基体201は、基体ホルダ220上に装着された状態で、回転台223と共に支軸224を中心として回転させることができる。<配置された基体を反応容器に電気的に接続する手段>なお、回転台223と支軸224は導電性部材で構成されているため、円筒状基体201は、基体ホルダ220、回転台223、支軸224を介して反応容器の一部である底壁208に電気的に接続された状態となる。また、反応容器210の内部には、導電性棒状体226が回転保持機構222の支軸224およびヒーター234の内部を貫通するようにして設けられている。すなわち、導電性棒状体226は、回転保持機構222が配置されている側から基体ホルダ220の内部を貫通している。この導電性棒状体226は、構造的に嵌合体である導電性部材227、底壁208を貫通し、底壁208の下部に設置された移動装置228に接続されている。<接触面を摺擦し、リフレッシュすることで電気的な接続状態を制御する手段>そして、導電性棒状体226は、導電性部材227の表面をリフレッシュするためのリフレッシュ部229を具備している。リフレッシュ部229の材質は、導電性部材227より硬く、反応容器210内を汚染しなければいずれでも良く、Ni等の金属やステンレス等の合金でも良い。リフレッシュ部材229の表面形状としては、突起上の凹凸やひだ状等、導電性部材227の表面を研磨可能な形状であれば特に制限は無い。<部材間の接触圧力を制御することで電気的な接続状態を制御する手段>電気的な接続状態を制御する手段は、図3の固定式支持部330、可動式支持部331、昇降装置不図示で構成されている。動作としては、嵌合体である導電性部材327が、固定式支持部330と可動式支持部331で支持され、昇降装置不図示により可動式支持部331が昇降することで導電性部材327も連動して昇降する。昇降させる昇降装置232の駆動方式は、移動量やトルクが管理可能であれば特に制限は無い。電動モーターを用いたボールネジ機構に代表される精密な移動量制御が可能な駆動方式が好適である。また、空圧、油圧、水圧を用いたシリンダ機構による駆動方式でも好適である。同様に、導電性棒状体226は基体ホルダ220の長手方向に移動可能となっている。移動装置228は、反応容器210の気密を保持するためのベローおよび導電性棒状体226を移動可能とするための駆動装置共に不図示により構成されている。移動装置228の駆動方式には特に制限は無く、空圧、油圧、水圧を用いたシリンダ機構による駆動方式や、電動モーターを用いたボールネジ機構を用いた駆動方式でも良い。また、導電性棒状体226は伸縮ポールと同様の機構を有し、基体ホルダ220の反応容器内への搬入反応容器外への搬出時に待機位置に収縮され、堆積膜形成時に伸張するような伸縮可能なものでも良い。導電性部材327は、図3に示すように、基体ホルダ320の穴333と嵌合し、かつ下面334と接触する嵌合部材335、および摺擦部材336、摺擦部材337、間座338、弾性体339、台座340から構成され、可動式支持部331で支持されている。基体ホルダ320、嵌合部材335、摺動体336は導電性で、これらを介して基体ホルダ320は導電性棒状体326と電気的に接続する。また、基体ホルダ320が回転する際には、導電性部材327の嵌合部材335のみが基体ホルダ320に連れ回りし、導電性部材327の嵌合部材335、摺動体336以外の部分と導電性棒状体326は静止している。以上のように構成された堆積膜形成装置200を用いて、電子写真感光体を形成する手順の一例について以下に説明する。<基体ホルダの設置>まず、円筒状基体401およびキャップ408が装着された基体ホルダ420の設置について図4を用いて説明する。基体ホルダ420の反応容器内への搬入時は、障害にならないように導電性棒状体426は図4aに示す待機位置まで下降させる。次に、ゲート弁407を開き、基体ホルダ420を反応容器内への設置、つまり回転保持機構422の回転台423に載置し、ゲート弁407を閉める。そして、基体ホルダ420を反応容器内へ設置後、導電性棒状体426は、図4bに示す位置まで基体ホルダ420の長手方向に移動、つまり上昇する。導電性棒状体426は、反応容器の一部であるゲート弁407の弁体と接触する。すなわち、導電性棒状体426は回転保持機構422の反対側に位置する反応容器410と電気的に接続する構成となっている。<成膜>次に、設置した円筒状基体上に堆積膜を形成する方法について説明する。堆積膜は、図5に示すような円筒状基体501上に、下部阻止層502、光導電層503、上部阻止層504、表面層505が堆積された電子写真感光体を実施形態の一例として説明する。図6は、本発明の実施形態の堆積膜形成装置の模式的な断面図である。まず、円筒状基体601を装着した基体ホルダ620を設置後、排気装置不図示を運転し、反応容器610の中を排気する。真空計633の表示を見ながら、反応容器610の中の圧力がたとえば1Pa以下の所定の圧力になったところで、円筒状基体加熱用のヒーター634に電力を供給し、円筒状基体601を例えば100°Cから350°Cの所望の温度に加熱する。このとき、ミキシング装置615と、原料ガス導入バルブ616を含むガス供給系より、Ar、He等の不活性ガスを反応容器610に供給して、不活性ガス雰囲気中で加熱を行うこともできる。次に、下部阻止層502と光導電層503、上部阻止層504、表面層505の各層に応じてガス供給系において、マスフローコントローラ図示せずに流量設定を行い、各堆積膜の形成に用いるガスを反応容器610の内部に供給する。真空計633の表示を見ながら排気バルブ612を操作し、反応容器610の中の圧力が所望の圧力になるように調整する。所望の圧力が得られたところで高周波電源618より高周波電力を印加すると同時にマッチングボックス617を操作し、反応容器610の中にプラズマ放電を生起し、原料ガスを分解する。その後、速やかに高周波電力を所望の電力に調整し、温度測定手段619によりマッチングボックスの温度を測定し、電気的接続状態を制御しながら、堆積膜の形成を行う。そして、多層膜を形成する場合には、各層の堆積膜が所望の膜厚になった時点で高周波電力の印加を停止し、再び上記の手順を繰り返してそれぞれの層を形成すれば良い。または、連続的に高周波電力、原料ガスの種類、流量設定、円筒状基体加熱用のヒーター634の電力、反応容器610の中の圧力を再設定して堆積膜を形成してもよい。例えば、原料ガス流量や、圧力等を光導電層形成用の条件に一定の時間で変化させ、下部阻止層502と光導電層503の間に中間層の形成を行うこともできる。以上のようにして、所定の層だけ堆積膜の形成が終わったところで、高周波電力の印加を停止する。そして、ミキシング装置615と、原料ガス導入バルブ616を含むガス供給系の各バルブを閉じる。そして、原料ガスの供給を終えると同時に、排気バルブ612を開き、反応容器610の中を1Pa以下の圧力まで排気する。排気後、反応容器610内が所望の温度になったら窒素ガスで大気圧にし、堆積膜が形成された円筒状基体601を装着した基体ホルダ620を搬出する。搬出の際、導電性棒状体626は搬入時と同様に図4aに示す待機位置まで下降させる。その後に、反応容器610内に堆積した膜をクリーニングするため、クリーニング用ホルダ等を設置し、クリーニング性ガスにより堆積膜の除去を行う。そして、反応容器610内のクリーニング後に、電気的接続状態を維持できるようにリフレッシュ動作を実施する。<接触圧力による電気的接続状態の制御>次に、接触圧力による電気的な接続状態の制御について説明する。図7aは、堆積膜形成中の電気的な接続状態にある堆積膜形成装置を模式的に示した断面図である。堆積膜形成中の電気的接続状態は、例えば、測定箇所として伝送経路であるマッチングボックス717の真空バリコンの表面または任意の導体部分の表面の温度を温度測定手段719によって測定する。そして、各堆積膜の堆積膜形成条件におけるマッチングボックス717内の前記測定箇所の基準となる基準温度と比較することで電気的接続状態を検知できる。そして、マッチングボックス717の温度が基準温度と異なる場合は、可動式支持部731を昇降装置732により昇降させる。この昇降により、弾性体739の弾性力を利用して、嵌合部材735と基体ホルダ720の下面734との間における接触圧を適切に調整し電気的接続状態を制御可能とする。<リフレッシュ動作による電気的接続状態の制御>次に、リフレッシュ動作による電気的な接続状態の制御について説明する。図7bは、リフレッシュ動作中の堆積膜形成装置の模式図である。リフレッシュ動作の実施の要否は、プラズマ生成中の電気的接続状態をマッチングボックス717の温度測定手段719によって測定し、測定温度と基準温度とを比較して判断する。リフレッシュ動作のタイミングは、各層形成の間で高周波電力の印加を停止した時、または、前述の反応容器内のクリーニング後に実施する。リフレッシュの動作は、図7bに示したように、昇降装置732によって可動式支持部731を昇降させて、リフレッシュ部729の位置まで摺擦部材736を移動させる。そして、リフレッシュ部729の位置で、摺擦部材736を上下運動させる。その際、基準温度と測定温度との温度差に基づいて、摺擦部材736の上下運動の回数や速度を制御する。例えば、基準温度と測定温度との温度差が大きい場合は、温度差が小さい場合よりも、摺擦部材736の上下運動の回数を多くし、上下運動の速度を上げる。これによって、導電性棒状体726と摺擦部材736の接触面をリフレッシュし、電気的接続状態を制御できる。別の方法としては、図8aに示すようなリフレッシュ部841をホルダ内面に設けたクリーニング用ホルダ820によって、嵌合部材835の上面842をリフレッシュする。リフレッシュ動作は、図8bに示すようにクリーニング用ホルダ820を回転保持機構不図示により回転させながら、昇降装置不図示により嵌合部材の上面842とリフレッシュ部841が滑って表面が摺擦される程度に接触圧力を制御する。そして、嵌合部材835の上面842を摺擦し研磨する。これにより、嵌合部材835と基体ホルダの接触する面をリフレッシュし、電気的接続状態を制御可能とする。リフレッシュ動作は、クリーニング後に実施する。そして、リフレッシュ動作を行った後に、次の電子写真感光体の作製を同様に繰り返し実施する。基準温度に関しては、特別に制限は無く、例えば、堆積膜形成装置をメンテナンスし、接触面をリフレッシュして、1回目の成膜時に計測した各層成膜中の温度を用いても良いし、メンテナンスから数回目までの平均値を用いても良い。基準温度と測定箇所の温度とを比較することで、電気的接続の制御の要否を決定する。比較の仕方に特別の制限は無く、伝送経路の測定温度が基準温度を含む所定の温度範囲内に入るか否かが判断できれば良い。所定の温度範囲とは、例えば基準温度-A°C以上かつ基準温度B°C以下を意味する。A、Bはそれぞれ任意の数値である。以上が、本発明の堆積膜形成方法および堆積膜形成装置を用いた電子写真感光体の製造である。そして、本発明によれば、電気的な接続状態を制御することで、堆積膜の膜厚および膜特性の均一性に優れ、堆積膜中の欠陥が少なく、安定した堆積膜形成が可能となる。以下、実施例および比較例により本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらにより何ら制限されるものではない。なお、以下の説明では上述した実施形態において示したのと同じ部分に関しては、同じ符号を用いて説明する。<実施例1>まず、実施例1として、図2および図3に示すような堆積膜形成装置を用いて電子写真感光体を作製した。電子写真感光体として、アルミニウムよりなる外径84mm、軸方向長さ381mm、肉厚3mmの円筒状基体201の表面上に、図5に示す層構成の堆積膜を形成した。各層の成膜は表1に示す条件で行った。成膜後は、作製した電子写真感光体の搬出後、反応容器210内を三フッ化塩素ClF3とアルゴンArの混合ガスを用いてクリーニングを行った。そして、同様の条件で電子写真感光体を作製、反応容器のクリーニングを繰り返し行い、合計20本の電子写真感光体を作製した。実施例1において電気的な接続状態の検知は、温度測定手段219として安立計器製光ファイバー温度計FL-2000を用いて、マッチングボックス217の真空バリコンの表面温度を測定し、測定温度と基準温度とを比較して電気的な接続状態の変化を検知した。そして、電気的な接続状態は、各層の堆積膜形成中に基体ホルダの下面334と嵌合部材335の接触圧力を変更することによって制御した。また、基準温度は、堆積膜形成装置をメンテナンスして1回目の成膜時に計測した各層成膜中のマッチングボックスの温度を用いた。そして、測定温度が基準温度に対して±5°C変化したときに昇降装置732により、可動式支持部を昇降させ、接触圧力を調整し、測定温度が±5°C未満になるように制御した。接触圧力の調整は、基準温度より測定温度が高い場合は、可動式支持部を上昇させ接触圧力を高くなるように調整し、基準温度より測定温度が低い場合は、可動式支持部を下降させ接触圧力を低くなるように調整した。つまり、基体ホルダの下面334と嵌合部材335の接触圧力を高くすることで、基体ホルダの下面334と嵌合部材335の電気抵抗を低下させる。<比較例1>次に、比較例1として、マッチングボックス217の真空バリコンの表面温度を測定し、測定した温度と基準温度とを比較して高周波電力の出力を調整することで制御し、電子写真感光体を作製した。この時、実施例1で行った基体ホルダの下面334と嵌合部材335との接触圧力の調整は行わなかった。つまり、電気的な接続状態の制御は実施しなかった。その他は、実施例1と同様の成膜条件およびクリーニング条件で合計20本の電子写真感光体を作製した。<比較例2>次に、比較例2として、マッチングボックス217の真空バリコンの表面温度を測定し、測定した温度と基準温度とを比較して高周波電力の整合調整を行うことで制御し、電子写真感光体を作製した。この時、実施例1で行った基体ホルダの下面334と嵌合部材335の接触圧力の調整は行わなかった。つまり、電気的な接続状態の制御は実施しなかった。その他は、実施例1と同様の成膜条件およびクリーニング条件で合計20本の電子写真感光体を作製した。<実施例2>実施例2として、図7bに示すようにリフレッシュ部729を用いて摺擦部材736図3の摺擦部材336の表面導電性棒状体726と接触する面をリフレッシュした。リフレッシュによって導電性棒状体726と摺擦部材736との間の電気抵抗を適宜低下させて電子写真感光体を作製した。リフレッシュは各層形成の間でプラズマ生成を停止した時高周波電力の印加を停止した時、および反応容器のクリーニングが終了した時に実施した。その他は、実施例1と同様の成膜条件およびクリーニング条件で合計20本の電子写真感光体を作製した。<実施例3>実施例3として、図8aおよび図8bに示すようにクリーニング用ホルダ820に設けられたリフレッシュ部841を嵌合部材835の上面842に接触させ、接触圧力を制御しつつ、接触面を摺擦したクリーニング用ホルダ820を回転させた。摺擦によって嵌合部材835の上面842をリフレッシュすることで、クリーニング用ホルダ820を堆積膜形成用の基体ホルダに交換した際の基体ホルダと嵌合部材835の上面842との間の電気抵抗を低下させることができる。このように電気抵抗を適宜低下させて電子写真感光体を作製した。リフレッシュは反応容器のクリーニングが終了した時に実施した。その他は、実施例2と同様の成膜条件およびクリーニング条件で合計20本の電子写真感光体を作製した。以上のように作製した実施例1、実施例2、実施例3、比較例1、比較例2の各20本ずつの電子写真用感光体20本について、キヤノン製複写機iRC6800を実験用にマイナス帯電方式に改造した改造機に設置し、電子写真特性を評価した。電子写真特性として、面内帯電ムラ、面内感度ムラ、画像欠陥を以下の要領で評価した。面内帯電ムラ面内帯電ムラは次のように評価した。まず、主帯電器の電流値を1000μAの条件にして電子写真感光体を帯電した。この時、表面電位計TREK社製Model555P-4により電子写真感光体の暗部表面電位を測定した。そして、軸方向には電子写真感光体の中央部位置と、中央部位置を0位置とし、その両側夫々2cm間隔で16点±2cm,±4cm,±6cm,±8cm,±10cm,±12cm,±14cm,±16cmの合計17点、各点の周方向9°間隔で40点、計680点の暗部表面電位の測定を行った。そして、得られた各位置の電位の最大値と最小値の電位差を求め、作製した各条件の各々20本の電位差の平均値を面内帯電ムラとした。さらに、作製した各条件の各々20本ずつについて、面内帯電ムラの最大値と最小値の差を面内帯電ムラの振れ幅とした。そして、比較例1の電子写真感光体の面内帯電ムラを100とした相対評価を行い、以下のようにランク付けを行った。Dランク以上で本発明の効果が得られていると考える。A70未満B70以上80未満C80以上90未満D90以上100未満E100以上同様に、比較例1の電子写真感光体の面内帯電ムラの振れ幅を100とした相対評価を行い、以下のようにランク付けを行った。Dランク以上で本発明の効果が得られていると考える。A70未満B70以上80未満C80以上90未満D90以上100未満E100以上面内Vlムラ面内Vlムラは次のように評価した。まず、電子写真感光体の中央部位置の表面電位が、表面電位計TREK社製Model555P-4で測定して450V暗電位になるように主帯電器の電流値を調整した。その後に、潜像形成用レーザー波長655nmの照射を行い、潜像形成用レーザーの光量を調整して、表面電位計で測定した中央位置の表面電位が50V明電位となるようにした。そして、軸方向には電子写真感光体の中央部位置と、中央部位置を0位置とし、その両側夫々2cm間隔で16点±2cm,±4cm,±6cm,±8cm,±10cm,±12cm,±14cm,±16cmの合計17点、各点の周方向9°間隔で40点、計680点の明部表面電位の測定を行った。そして、得られた各位置の電位の最大値と最小値の電位差を求め、作製した各条件の各々20本の電位差の平均値を面内Vlムラとした。さらに、作製した各条件の各々20本ずつについて、面内Vlムラの最大値と最小値の差を面内Vlムラの振れ幅とした。そして、比較例1の電子写真感光体の面内Vlムラを100とした相対評価を行い、以下のようにランク付けを行った。Dランク以上で本発明の効果が得られていると考える。A70未満B70以上80未満C80以上90未満D90以上100未満E100以上同様に、比較例1の電子写真感光体の面内Vlムラの振れ幅を100とした相対評価を行い、以下のようにランク付けを行った。Dランク以上で本発明の効果が得られていると考える。A70未満B70以上80未満C80以上90未満D90以上100未満E100以上結果を表2に示す。表2に示すように、実施例1は、基体ホルダと嵌合部材の接触圧力を調整して電気的接続状態を制御することで、比較例1に比べ、面内帯電ムラ、面内Vlムラ、面内帯電ムラの振れ幅および面内Vlムラの振れ幅が良化することが判った。この結果は、基体ホルダと嵌合部材の接触圧力を管理制御することで、設置時のズレや導電性部材の熱膨張に起因する電気的接続状態の変動を抑制できたために、プラズマ状態も安定し良化したと考えられる。実施例2は、導電性棒状体と摺擦部材の接触部分をリフレッシュして、電気的接続状態を制御することで、実施例1に比べ、さらに面内帯電ムラ、面内Vlムラ、面内帯電ムラの振れ幅および面内Vlムラの振れ幅が良化することが判った。この結果は、クリーニングによって生じた摺擦部材表面の変質部分がリフレッシュされることで、導電性棒状体と摺擦部材の接触部分が良好な状態に維持され、導電性棒状体と摺擦部材の電気的接続が安定するために良化したと考えられる。また、円筒状基体の回転が安定することで、電子写真感光体の周方向での特性が良化したと考えられる。実施例3は、基体ホルダと嵌合部材の接触をリフレッシュして、電気的接続状態を制御することで、実施例2に比べ、面内帯電ムラの振れ幅および面内Vlムラの振れ幅がさらに良化することが判った。この結果は、基体ホルダと嵌合部材の接触面の接触圧力を制御しつつ、接触面を摺擦することで、クリーニングによって生じた嵌合部材表面の変質部分が、より確実にリフレッシュされたためと考えられる。そしてその結果、基体ホルダと嵌合部材の接触部分が良好な状態に維持され、電気的接続状態の長期的な安定性がさらに向上し良化したと考えられる。以上、実施例および比較例の結果から本発明では以下の効果が得られることがわかった。温度測定手段により伝送経路の温度を測定して、電気的接続状態を検知し制御することで、堆積膜の膜特性の均一性が向上できることがわかった。また、導電性部材をリフレッシュし電気的接続状態を制御することで、堆積膜形成における長期的な安定性が向上することがわかった。"