"基板上にデバイスを形成する方法であって、前記基板上に配置される部分的に製造された第1のデバイスを有する基板を用意することと、前記第1のデバイスは、第1の誘電体層および前記第1の誘電体層の上に配置された第1の高k誘電体層を備える第1の膜スタックを含み、前記第1の膜スタックの上に第1の金属層を堆積することと、前記第1の金属層の第1の上面を変更して前記第1のデバイスの第1の閾値電圧を調整することとを含み、前記第1の上面の前記変更が前記第1の金属層の第1の下面にまで達しない、方法。前記第1の金属層の前記変更された第1の上面の上に第1の多結晶シリコン層または金属層を堆積することをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記第1の高k誘電体層の第1の上面を変更して、前記第1の金属層を堆積する前に第1のゲートスタックの第1の仕事関数を調整することをさらに含み、前記第1の高k誘電体層の前記第1の上面の前記変更が前記第1の高k誘電体層の第1の下面にまで達しない、請求項1に記載の方法。前記第1の金属層の前記第1の上面を変更することが、前記第1の上面を非反応性種に曝して前記曝された第1の上面を物理的に変更することと、前記物理的に変更された第1の上面を反応性種に曝して前記第1の上面を化学的に変更することとをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記第1の金属層の前記第1の上面を変更することが、ドーパント含有ガスからイオン化ドーパント種を含むプラズマを形成することと、前記基板にバイアス電圧を印加して前記イオン化ドーパント種を前記第1の上面の中に注入することとをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記第1の金属層の前記第1の上面を変更することが、前記第1の上面を、窒素含有ガスまたは酸素含有ガスの少なくとも一方から形成されたプラズマに曝すことと、前記プラズマを使用して前記第1の上面を酸化することまたは窒化することの少なくとも一方とをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記第1の金属層の前記第1の上面を変更することが、前記第1の上面を、金属含有ガスまたは酸素含有ガスの少なくとも一方から形成されたプラズマに曝すことと、前記プラズマから形成された中間層を前記第1の上面の上に堆積することとをさらに含む、請求項1に記載の方法。部分的に製造された第2のデバイスが前記基板上に配置され、前記第2のデバイスが、第2の誘電体層を備える第2の膜スタックと、前記第2の誘電体層の上に配置された第2の高k誘電体層とを含み、前記第2の誘電体層が、前記第1の膜スタックの前記第1の誘電体層と組成が実質的に同等であり、前記第2の高k誘電体層が、前記第1の高k誘電体層と組成が実質的に同等である、請求項1に記載の方法。前記第1の金属層を堆積するのと同時に前記第2の膜スタックの上に第2の金属層を堆積することをさらに含み、前記第2の金属層が前記第1の金属層と組成が実質的に同等である、請求項8に記載の方法。前記第1の金属層の前記第1の上面を変更することが、前記第1の上面だけを露出させる第1のパターニングされたマスクを堆積することと、前記第1のパターニングされたマスクによって露出させた前記第1の上面を変更することとをさらに含む、請求項9に記載の方法。前記第2の金属層の第2の上面を変更して前記第2のデバイスの第2の閾値電圧を調整することであって、前記第2の上面の前記変更が前記第2の金属層の第2の下面にまで達しないことをさらに含み、前記第2の上面を変更することが、前記第2の上面だけを露出させる第2のパターニングされたマスクを堆積することと、前記第2のパターニングされたマスクによって露出させた前記第2の上面を変更することとをさらに含む、請求項10に記載の方法。前記第1の高k誘電体層の第1の上面を変更して、前記第1および第2の金属層を堆積する前に前記第1のデバイスの前記第1の閾値電圧を調整することであって、前記第1の高k誘電体層の前記第1の上面の前記変更が、前記第1の高k誘電体層の第1の下面にまで達しないことを含み、前記第1の高k誘電体層の前記第1の上面を変更することが、前記第1の高k誘電体層の前記第1の上面だけを露出させる第1のパターニングされたマスクを堆積することと、前記第1のパターニングされたマスクによって露出させた前記第1の高k誘電体層の前記第1の上面を変更することとをさらに含む、請求項9に記載の方法。前記第1の金属層の前記変更された第1の上面の上に第1の多結晶シリコン層または金属層を堆積することと、前記第2の金属層の第2の上面の上に第2の多結晶シリコン層または金属層を堆積することとを含み、前記第1および第2の多結晶シリコン層または金属層が同時に堆積され、組成が実質的に同等である、請求項10、11または12のいずれかに記載の方法。前記第1のデバイスの前記第1の閾値電圧が前記第2のデバイスの第2の閾値電圧と異なる、請求項13に記載の方法。前記第1のデバイスがNMOSデバイスであり、前記第2のデバイスがPMOSデバイスである、請求項14に記載の方法。理解しやすいように、各図で共通である同じ要素を指定するのに、可能な場合には同じ参照番号を用いた。図は原寸に比例して描かれていなく、また分かりやすくするために簡略化されていることがある。一実施形態の要素および特徴が、さらなる詳述なしに他の実施形態に有益なように組み込まれ得ることが企図されている。本明細書では、基板上に半導体デバイスを形成する方法が開示される。本発明の方法の少なくともいくつかの実施形態では、例えば、同じ基板上にn形金属酸化物半導体NMOSデバイスとp形金属酸化物半導体PMOSデバイスの両方を含む相補形金属酸化物半導体CMOSデバイスを製作するために、または同じ基板上に任意の1つまたは複数のNMOSおよび/またはPMOSデバイスを製作するために必要とされる処理ステップの数を有利に低減することができる。本発明の方法の少なくともいくつかの実施形態では、処理ステップの数の低減により処理スループットの向上を促進することができる。図1は、本発明のいくつかの実施形態による半導体デバイスを形成する方法100を描写する。この方法は、図2A~Eに描写された半導体デバイス200の製造の諸段階に従って以下で説明される。方法100は、一般に、部分的に製造された半導体デバイス例えば、デバイス200を用意することにより102から開始する。図2Aで示されているように、部分的に製造されたデバイス200は、第1の膜スタック204および第2の膜スタック206が上に堆積された基板202を含む。例えば第1および第2の膜スタック204、206は、例えば金属酸化物半導体電界効果トランジスタMOSFET、ダイナミックランダムアクセスメモリDRAMセル、フラッシュメモリセルなどのうちの1つまたは複数である、部分的に製造された隣り合うデバイス201、203のそれぞれの第1および第2のゲートスタックの一部であり得る。方法100は、複数のゲートスタックについて説明されているが、方法100の諸実施形態はまた、例えば、MOSFETなどの単一ゲートスタックを含むデバイスの有効仕事関数EWFおよび/または閾値電圧VTを調整するために、単一ゲートスタックに適用することもできる。基板202は、直径200mmまたは300mmのウエハなどの様々な寸法、ならびに長方形または正方形のパネルを有し得る。基板202は、例えば、結晶シリコン例えば、Si<100>、Si<110>、またはSi<111>、酸化ケイ素、ストレインドシリコン、シリコンゲルマニウム、ドープされた、もしくはドープされていない多結晶シリコン、ドープされた、もしくはドープされていないシリコンウエハ、パターニングされた、もしくはパターニングされていないウエハ、シリコンオンインシュレータSOI、炭素ドープされた酸化ケイ素、窒化ケイ素、ドープされたシリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガラス、サファイアなどの材料を含み得る。例えば、第1の膜スタック204に近接する基板202の第1の領域は、第1の膜スタック204の直下に配置された第1のチャネル図示せずと、この第1のチャネルの両端部に配置された第1のソース/ドレイン領域図示せずとを含み得る。第2の膜スタック206に近接する基板202の例示的な第2の領域は、第2の膜スタック206の直下に配置された第2のチャネル図示せずと、この第2のチャネルの両端部に配置された第2のソース/ドレイン領域図示せずとを含み得る。例えば、基板202の第1の領域と第2の領域は、隣り合うデバイス間のクロストークを防止するために、例えば、浅いトレンチ分離領域STIなどの絶縁体図示せずによって分離することができる。第1の膜スタック204は、第1の誘電体層208と、この第1の誘電体層208の上に配置された第1の高k誘電体層210とを含み得る。同様に、第2の膜スタック206は、第2の誘電体層212および第2の高k誘電体層214を含み得る。第1および第2の誘電体層208、212は、組成が実質的に同等であり得る。例えば、いくつかの実施形態では、第1および第2の誘電体層208、212は、引き続いてパターニングされる単一の堆積層、またはパターニングされる領域の中に同時に堆積される単一の堆積層から形成されて、第1の誘電体層208および第2の誘電体層212を画定することができる。第1および第2の誘電体層208、212は、約3.9の誘電率、または実施形態によっては約3.9から約7までの範囲の誘電率を有する誘電体材料を含み得る。第1および第2の誘電体層208、212は、1つまたは複数の誘電体材料、例えば、二酸化ケイ素SiO2、酸窒化ケイ素SiON、または他の適切な誘電体材料のうちの少なくとも1つを含み得る。いくつかの実施形態では、第1および第2の誘電体層208、212はSiO2を含む。いくつかの実施形態では、第1および第2の誘電体層208、212は、厚さが実質的に同等であり得る。あるいは、第1および第2の誘電体層208、212は、構築されるデバイスのタイプに応じて異なる厚さを有し得る。いくつかの実施形態では、第1および第2の誘電体層は除外されることがある例えば、存在しない。例えば、存在する場合には、第1および第2の誘電体層208、212それぞれの厚さは、約7オングストロームまでとなり得る。第1および第2の高k誘電体層210、214は、組成が実質的に同等であり得る。例えば、いくつかの実施形態では、第1および第2の高k誘電体層210、214は、引き続いてパターニングされる単一の堆積層、またはパターニングされる領域の中に同時に堆積される単一の堆積層から形成されて、第1の高k誘電体層210および第2の高k誘電体層214を画定することができる。第1および第2の高k誘電体層は、約4より大きい、または約10から約80までの範囲にある誘電率を有する誘電体などの高k誘電体材料を含み得る。第1および第2の高k誘電体層210、214は、1つまたは複数の高k誘電体材料、例えば、酸化ケイ素SiO2、酸化ハフニウムHfO2、酸化ジルコニウムZrO2、ケイ酸ハフニウムHfSiO、または酸化アルミニウムAl2O3のうちの少なくとも1つを含み得る。いくつかの実施形態では、第1および第2の高k誘電体層210、214は、厚さが実質的に同等であり得る。あるいは、第1および第2の高k誘電体層210、214は、構築されるデバイスのタイプに応じて異なる厚さを有し得る。例えば、第1および第2の高k誘電体層210、214それぞれの厚さは、約10~30オングストロームであり得る。104において、任意選択で、第1の膜スタック204の第1の上面216を選択的に変更して例えば、第2の膜スタック206の第2の上面218は変更しないで、基板202上のデバイス201の有効仕事関数および/または閾値電圧を調整することができる。別法として、または一緒に、第2の膜スタック206の第2の上面218を選択的に変更して例えば、第1の膜スタック204の第1の上面216は変更しないで、基板202上のデバイス203の有効仕事関数および/または閾値電圧を調整することもできる。図2Aに示されているように、第1の上面216は第1の高k誘電体層210の上面であり得て、第2の上面218は第2の高k誘電体層214の上面であり得る。図2Bに示されているように、いくつかの実施形態では、第1の膜スタック204の第1の上面216を選択的に変更することができる図2Bに、第1の上面216の上および下の点線で示されているように。例えば、変更処理は、第1の高k誘電体層210の第1の上面216だけを露出させるマスク220を堆積することから開始し得る。マスク220は、当技術分野で知られている任意の適切な方法で堆積することができる。マスク220は、104での変更処理と適合する任意の適切なマスキング材料を含み得る。このようなマスキング材料には、フォトレジスト、窒化ケイ素Si3N4、または酸化ケイ素SiO2のうちの1つまたは複数が含まれ得る。いくつかの実施形態では、マスク220は炭素Cを含み得る。104での変更処理は、表面混合、イオン注入、表面反応、または堆積を含む、以下で論じる各変更処理の1つまたは複数を含み得る。さらに、いくつかの実施形態では、104での変更処理は、第1の高k誘電体層210を通り抜けて第1の高k誘電体層210の第1の下面222にまで達せず、あるいは第2の高k誘電体層214を通り抜けて第2の高k誘電体層214の第1の下面にまで達しない。表面混合処理は、第1の上面216を物理的に変更すること、例えば、第1の上面216を反応性表面にすることが可能なダングリングボンド、格子欠陥、高エネルギー表面フィーチャなどを生成することを含むことができ、この反応性表面は、順次または同時に化学的に変更することができる。例えば、表面混合処理は、第1の上面216を非反応性種に曝して第1の上面216を物理的に変更することを含み得る。例えば、非反応性種には、以下で論じられる高周波バイアス電源342により基板202に印加されるバイアス電力などによって第1の上面216に向けることができるアルゴンイオンAr、または他の非反応性荷電種が含まれ得る。バイアス電力は、第1の上面216に至るイオンフラックスを増大または減少させるように調整することができ、これによって第1の上面216上の物理的変更の量すなわち反応性の量が制御される。第1の上面216の物理的な変更に引き続いて、またはそれと同時に、第1の上面216を化学的に変更することができる。例えば、物理的に変更された第1の上面216を反応性種に曝して、この物理的に変更された第1の上面216を化学的に変更することができる。例えば、反応性種には、酸素イオンO-、炭素イオンC-、または窒素イオンN-のうちの1つまたは複数が含まれ得る。これらの反応性種は、第1の上面216を化学的に変更して酸化物または窒化物の1つまたは複数を形成し得る。前に論じた非反応性種と同様に、第1の上面216に至る反応性種のフラックスを調整するように高周波バイアス電源例えば、高周波バイアス電源342によってバイアス電力を基板202に印加することができ、これによって第1の上面216上の化学的な変更の量が制御される。例えば、いくつかの実施形態では、表面混合処理後に第1の上面216は、酸窒化ハフニウムHfOxNyまたは酸炭化ハフニウムHfOxCyのうちの1つまたは複数を含み得る。別法として、または一緒に、イオン注入処理を用いて、図2Bに示される第1の高k誘電体層210の第1の上面を変更することもできる。例えば、以下で論じるリアクタ300などの処理チャンバ内にプラズマを形成することができる。プラズマは、ドーパント含有ガス、例えば、ホスフィンPH3、ボランBH3、または他のドーパント含有ガスのうちの1つまたは複数から形成することができる。ドーパントには、例えば、窒素N、リンP、ホウ素B、炭素C、またはヒ素Asのうちの1つまたは複数が含まれ得る。プラズマはイオン化ドーパント種を含むことができ、このイオン化ドーパント種をバイアス電圧によって第1の上面216の方に向け、第1の上面216に注入することができる。例えば、プラズマ密度およびまたはバイアス電圧のうちの1つまたは複数を制御して、例えば、イオン化ドーパント種が第1の高k誘電体層210の第1の下面222まで浸透することを防止することができる。例えば、いくつかの実施形態では、プラズマ密度は、約5×109から約1×1011イオン/cm3までの範囲にあり得る。例えば、いくつかの実施形態では、バイアス電圧は、約100Vから約500Vまでの範囲にあり得る。いくつかの実施形態では、イオン注入は、約0から約30オングストロームまでの範囲の深さにまで達し得る。いくつかの実施形態では、イオン注入は、表面が変更されている層を完全に通り抜けて広がることがない。いくつかの実施形態では、第1の上面216に注入されるドーパントの濃度は、約5×1019から約5×1021原子/cm3までの範囲にあり得る。別法として、または一緒に、表面反応処理を利用して、第1の高k誘電体層210の第1の上面216を変更することもできる。例えば、表面反応処理は、第1の上面216の酸化、窒化または金属化のうちの1つまたは複数を含み得る。例えば、いくつかの実施形態では、第1の上面216は、窒素含有ガスまたは酸素含有ガスの少なくとも一方から形成されたプラズマに曝すことができる。例示的な窒素含有ガスには、窒素N2または亜酸化窒素N2Oのうちの1つまたは複数が含まれ得る。例示的な酸素含有ガスには、酸素O2または二酸化炭素CO2のうちの1つまたは複数が含まれ得る。プラズマは、第1の高k誘電体層210の第1の上面216を酸化または窒化することの少なくとも一方に利用することができる。例えば、いくつかの実施形態では、酸化および/または窒化された第1の上面216は、シリコンSi、ハフニウムHf、ジルコニウムZr、またはアルミニウムAlを含み得る。例えば、いくつかの実施形態では、第1の上面216の中に取り込まれた酸素の濃度は、約20から約50パーセントまでの範囲にあり得る。例えば、いくつかの実施形態では、第1の上面の中に取り込まれた窒素の濃度は、約5から約50パーセントまでの範囲にあり得る。別法として、または一緒に、堆積処理を利用して第1の高k誘電体層210の第1の上面216を変更することもできる。例えば、堆積処理は、金属含有ガスまたは酸素含有ガスの少なくとも一方から形成されたプラズマに第1の上面を曝して、第1の上面216の上に中間層を堆積することを含み得る。例えば、この中間層は、金属層、金属酸化物層、またはこれらの組み合わせを含み得る。中間層は、上に列記した変更処理と同様に、デバイス201の有効仕事関数または閾値電圧を調整するのに利用することができる。例示的な金属含有ガスには、トリメチルアルミニウムAl2CH36、ジエチル亜鉛ZnC2H52、トリメチルガリウムGaCH33、または他の金属含有ガスが含まれ得る。例示的な酸素含有ガスには、酢酸アンモニウムCH3COONH4、酢酸亜鉛ZnCH3COO2-2H20、あるいは1つまたは複数の金属酸化物が含まれ得る。例えば、いくつかの実施形態では、中間層はチタンTi、タングステンWまたはアルミニウムAlのうちの1つまたは複数を含み得る。中間層は、約4から約30オングストロームまでの範囲の厚さを有し得る。第1の高k誘電体層210の第1の上面の任意選択の変更が完了した後、マスク220は、当技術分野で知られている任意の適切な手段によって、例えばマスク剥離装置などで剥がすことができる。任意選択で、同様の変更を第2の膜スタック206の第2の上面218上に実施することができる。例えば、第2の上面218の変更は、第2の上面218だけを露出させる第2のパターニングされたマスク図示せずを堆積し、次に、露出した上面218を前に論じた各変更処理のうちの1つまたは複数を使用して変更することによって進行し得る。第2の上面218の変更は、デバイス203の所望の特性に応じて、第1の上面216の変更と同じであることも異なることもある。例えば、デバイス203はデバイス201と同じであることも異なることもある。これらのデバイスが異なる場合、例えば、一方のデバイスがNMOSデバイスであり他方のデバイスがPMOSデバイスであり得る場合、第1および第2の上面216、218の変更は、それぞれのデバイスの必要性に適した有効仕事関数および/または閾値電圧を調整するために異なることがあり得る。これらのデバイスが同じである場合、例えば、それぞれのデバイスがNMOSデバイスである、またはそれぞれがPMOSデバイスである場合、第1および第2の上面216、218の変更は、各デバイスが同じ有効仕事関数および/または閾値電圧で動作することが望まれるならば、同じでよい。あるいは、これらのデバイスが同じタイプであっても、例えば各デバイスが、異なるレベルの有効仕事関数および/また閾値電圧を必要とする別々の機能のために利用されるならば、第1および第2の上面216、218のそれぞれの変更は異なり得る。106で、図2Cに示されているように、第1の金属層224を第1の膜スタック204の上に堆積し、第2の金属層226を第2の膜スタック206の上に堆積することができる。第1および第2の金属層224、226は、例えば、以下で説明されるリアクタ300などの、104での任意選択の変更に利用されるのと同じ処理チャンバ内で行われる、または別法として、別の適切なチャンバ、例えば、物理的気相堆積PVD、化学気相堆積CVD、原子層堆積ALDなどのために構成されたチャンバ内で行われる、堆積処理などの任意の適切な処理によって堆積することができる。第1および第2の金属層224、226は、組成が実質的に同等であってよく、したがって、実質的に同様の処理、例えば、前述の処理のうちの1つまたは複数によって同時に堆積され得る。あるいは、いくつかの実施形態では、金属層224、226は組成が異なることがある。金属層224、226は、約30から約100オングストロームまでの範囲の厚さまで堆積することができる。いくつかの実施形態では、金属層224、226それぞれの厚さは、約70オングストロームであり得る。いくつかの実施形態では、第1および第2の金属層224、226は、実質的に同等の厚さを有し得る。第1および第2の金属層224、226は、デバイス201、203と共に機能してこれらのデバイスの所望の仕事関数および/また閾値電圧を生じさせることができる任意の適切な金属、金属合金または金属含有材料を含み得る。金属層224、226を構成できる例示的な金属、金属合金または金属含有材料には、窒化チタンTiN、窒化タンタルTaN、タングステンW、またはアルミニウムAlのうちの1つまたは複数が含まれ得る。104での任意選択の変更および/または以下で論じる108での変更により、方法100は、有利なことに、デバイス201、203が一方はNMOSデバイスで他方はPMOSデバイスなどの異なるタイプの場合でも、隣り合うデバイス201、203の上に組成が実質的に同等である金属層を堆積することが可能であり得る。例えば、方法100は、有利なことに、それぞれのデバイス201、203で組成が異なる金属層を堆積することに伴う、ハードマスクおよびPVDステップなどの追加の処理ステップをなくすることができる。108で、第1の金属層224の第1の上面228を選択的に変更して、基板202上に形成されたデバイス201の有効仕事関数または閾値電圧を調整することができる。別法として、または一緒に、第2の金属層226の第2の上面236を選択的に変更して、基板202上に形成されたデバイス203の有効仕事関数または閾値電圧を調整することもできる。図2Dに一実施形態として示されているように、第1の金属層224の第1の上面228を選択的に変更することができる図2Dに図示されているように、第1の上面228の上および下の点線で示されているように。例えば、変更処理は、第1の金属層224の第1の上面228だけを露出させるマスク232を堆積することによって開始することができる。マスク232は、当技術分野で知られている任意の適切な方法で堆積され得て、108での変更処理に適合した適切なマスキング材料、例えば、前に列記したマスキング材料のうちの1つまたは複数を含み得る。104での変更処理と同様に、108での変更は、表面混合、イオン注入、表面反応、または堆積のうちの1つまたは複数を含み得る。さらに、108での変更処理は、第1の金属層224を通り抜けて第1の金属層224の第1の下面234にまで達し得ない。例えば、表面混合処理を利用して第1の金属層224の第1の上面228を変更することができる。この表面混合処理は、第1の高k誘電体層210の第1の上面216に対する前述した表面混合処理と実質的に同様であり得る。例えば、第1の上面228を、物理的に変更できると共に、同時または順次に化学的に変更することができる。例えば、いくつかの実施形態では、表面混合処理後に第1の上面228は、酸素、窒素またはシリコンのうちの1つまたは複数を含み得る。別法として、または一緒に、図2Dに示されているように、イオン注入処理を用いて第1の金属層224の第1の上面228を変更することもできる。このイオン注入処理は、第1の高k誘電体層210の第1の上面216に対する前述したイオン注入処理と実質的に同様であり得る。例えば、いくつかの実施形態では、プラズマ密度は、約1×1010から約1×1011イオン/cm3までの範囲にあり得る。例えば、いくつかの実施形態では、バイアス電圧は約250Vから約1000Vまでの範囲にあり得る。例えば、いくつかの実施形態では、イオン注入は、第1の金属層224内で約10から約50オングストロームまでの範囲の深さに達し得る。例えば、いくつかの実施形態では、第1の上面228に注入されたドーパントの濃度は、約5から約50パーセントまでの範囲にあり得る。別法として、または一緒に、表面反応処理を利用して第1の金属層224の第1の上面228を変更することもできる。この表面反応処理は、第1の高k誘電体層210の第1の上面216に対する前述した表面反応処理と実質的に同様であり得る。例えば、表面反応処理は、第1の上面216の酸化、窒化、金属化のうちの1つまたは複数を含み得る。例えば、いくつかの実施形態では、酸化および/または窒化された第1の上面228は、窒化チタンTiN、酸窒化チタンTiON、または窒化タンタルTaNを含み得る。例えば、いくつかの実施形態では、第1の上面228の中に取り込まれた酸素の濃度は、約10から約20パーセントまでの範囲にあり得る。例えば、いくつかの実施形態では、第1の上面228の中に取り込まれた窒素の濃度は、約30から約50パーセントまでの範囲にあり得る。別法として、または一緒に、堆積処理を利用して第1の金属層224の第1の上面228を変更することもできる。この堆積処理は、第1の高k誘電体層210の第1の上面216に対する前述した堆積処理と実質的に同様であり得る。例えば、堆積処理では、第1の上面228の上に中間層を形成することができる。例えば、この中間層は金属層、金属酸化物層、またはこれらの組み合わせを含み得る。中間層は、上に列記した変更処理と同様に、デバイス201の有効仕事関数または閾値電圧を調整するのに利用することができる。例えば、いくつかの実施形態では、中間層は、窒化チタンTiN、窒化タンタルTaNまたはチタンシリコンTiSiのうちの1つまたは複数を含み得る。中間層は、約20から約50オングストロームまでの範囲の厚さを有し得る。第1の金属層224の第1の上面228の変更が完了すると、方法100は、第2の金属層226の第2の上面236が、例えばデバイス203の有効仕事関数および/または閾値電圧を調整するための変更を必要としない場合には、110に進むことができる。あるいは、図2Eに示されているように、第2の金属層226の第2の上面236を変更することが図2Eに第2の上面236の上および下に点線で示されているように、デバイス203の有効仕事関数および/または閾値電圧を所望の値に調整するための前に論じた変更処理のうちの1つまたは複数を用いて、同様のまたは異なるやり方で可能である。第1の金属層224の第1の上面228を変更するための前述の方法と同様に、パターニングされたマスク238を第2の上面236だけが露出されるように施すことができる。次に、第2の上面236を、前に論じた変更処理のうちの1つまたは複数を用いて変更することができ、この後マスク238を、前に論じた任意の適切な剥離処理によって剥がすことができる。第2の上面236の変更は、デバイス203の所望の特性に応じて、第1の上面228の変更と同じであることも異なることもある。例えば、デバイス203はデバイス201と同じであることも異なることもある。これらのデバイスが異なる場合、例えば、一方のデバイスがNMOSデバイスであり他方のデバイスがPMOSデバイスであり得る場合、第1および第2の上面228、236の変更は、それぞれのデバイスの必要性に適した有効仕事関数および/または閾値電圧を調整するために異なることがあり得る。これらのデバイスが同じである場合、例えば、それぞれのデバイスがNMOSデバイスである、またはそれぞれがPMOSデバイスである場合、第1および第2の上面228、236の変更は、各デバイスが同じ有効仕事関数および/または閾値電圧で動作することが望まれるならば、同じでよい。あるいは、これらのデバイスが同じタイプであっても、例えば各デバイスが、異なるレベルの有効仕事関数および/また閾値電圧を必要とする別々の機能のために利用されるならば、第1および第2の上面228、236のそれぞれの変更は異なり得る。110で、図2Fに示されているように、第1の多結晶シリコン層または金属層240を、第1の金属層224の上に堆積することができ、第2の多結晶シリコン層または金属層242を、第2の金属層226の上に堆積することができる。例えば、第1および第2の多結晶シリコン層または金属層240、242を、例えば、CVD、PVDなどの任意の適切な手段によって堆積することができる。第1および第2の多結晶シリコン層または金属層240、242は、組成が実質的に同じであり得て、同時に堆積され得る。いくつかの実施形態では、第1および第2の多結晶シリコン層または金属層240、242は、実質的に同等の厚さを有し得る。いくつかの実施形態では、第1および第2の多結晶シリコン層または金属層240、242の厚さは、約500から約1000オングストロームまでの範囲にあり得る。第1および第2の多結晶シリコン層または金属層240、242は、デバイス201、203に所望の有効仕事関数および/または閾値電圧を与えるための任意の適切な材料を含み得る。例えば、第1および第2の多結晶シリコン層または金属層240、242は、多結晶シリコン多結晶Si、タングステンW、またはアルミニウムAlのうちの1つまたは複数を含み得る。本発明の諸実施形態は、これだけには限らないが、カリフォルニア州SantaClaraのAppliedMaterials,Inc.から市販されているP3iリアクタなどのトロイダルソースプラズマ浸漬イオン注入リアクタ内で実施することができる。このような適切なリアクタおよびその動作方法は、本発明の譲受人に譲渡された米国特許第7,166,524号に記載されている。図3を参照すると、上記の出願に開示されているタイプのトロイダルソースプラズマ浸漬イオン注入P3iリアクタ300は、円筒形側壁304および円板形天井306によって画定された円筒形真空チャンバ302を有する。チャンバの床にある基板支持体ペデスタル308は、処理されるべき基板310例えば、膜スタック204、206が上に配置された基板202を支持する。天井306上のガス供給板すなわちシャワーヘッド312は、そのガスマニホルド314の中に処理ガスをガス供給パネル316から受入れ、このガス供給パネル316のガス出力は、1つまたは複数の個別ガス供給源318からの各ガスのうちのいずれか1つまたは混合物とすることができる。真空ポンプ320が、基板支持体ペデスタル308と側壁304の間に画定されたポンプ環帯322に結合される。処理領域324が基板310とガス供給板312の間に画定される。対をなす外部再入導管326、328が、処理領域324を通過するプラズマ流の再入トロイダル経路を確立し、これらのトロイダル経路は処理領域324内で交差する。導管326、328のそれぞれは、チャンバの両側に結合された一対の端部330を有する。各導管326、328は、中空導電管である。それぞれの導管326、328は、導管の2つの端部間に閉ループ導電路が形成されることを防止する直流絶縁リング332を有する。それぞれの導管326、328の環状部が環状磁気コア334で取り囲まれる。コア334を取り巻く励起コイル336が、インピーダンス整合デバイス340を介して高周波電源338に結合される。コア336のそれぞれに結合された2つの高周波電源338は、2つの周波数がわずかに異なるものであり得る。高周波電力ジェネレータ338から結合された高周波電力によりプラズマイオン電流が、それぞれの導管326、328を通ると共に処理領域324を通って延びる閉トロイダル経路内に生じる。これらのイオン電流は、それぞれの高周波電源338の周波数で振動する。バイアス電力がインピーダンス整合回路344を通して基板支持体ペデスタル308にバイアス電力ジェネレータ342によって印加される。プラズマ形成は、処理ガスまたは処理ガスの混合物をチャンバ324の中にガス供給板312を通して導入し、ジェネレータ338からの十分なソース電力を再入導管326、328に印加して導管内および処理領域324の中にトロイダルプラズマ電流を生成することによって行われる。ウエハ表面に近接するプラズマフラックスは、高周波バイアス電力ジェネレータ342により印加されるウエハバイアス電圧によって決まる。プラズマ速度またはフラックスウエハ表面をサンプリングするイオンの1平方cm当たり1秒当たりの数はプラズマ密度によって決まり、プラズマ密度は、高周波電力ジェネレータ338により印加される高周波電力のレベルによって制御される。ウエハ310での累積イオン線量イオン/平方cmは、フラックスと、そのフラックスが維持される合計時間との両方で決まる。ウエハ支持体ペデスタル308が静電チャックである場合、埋込み電極346がウエハ支持体ペデスタルの絶縁板348の中に設けられ、埋込み電極346は、ユーザが制御可能な直流チャック電圧源350と、バイアス電力ジェネレータ342とに、インピーダンス整合回路344を通して、また任意選択の分離コンデンサ352インピーダンス整合回路344内に含まれ得るを通して結合される。動作時、例えば、基板310を基板支持体ペデスタル308上に置くことができ、1つまたは複数の処理ガスをチャンバ302の中に導入して、処理ガスからのプラズマを打つことができる。動作時、プラズマをリアクタ300の中の処理ガスから発生させて、前に論じたように、基板310の表面を選択的に変更することができる。プラズマは、ジェネレータ338から十分なソース電力を再入導管326、328に印加して、前述した処理により導管326、328内および処理領域324内にプラズマイオン電流を生成することによって処理領域324内に形成される。いくつかの実施形態では、高周波バイアス電力ジェネレータ342によって送出されるウエハバイアス電圧は、ウエハ表面へのイオンのフラックス、および場合により、ウエハ上に形成される層の厚さ、またはウエハ表面に埋め込まれるプラズマ種の濃度のうちの1つまたは複数を制御するように調整され得る。いくつかの実施形態では、バイアス電力が印加されない。基板上にデバイスを形成する方法が本明細書で開示される。本発明の方法は、例えば、同じ基板上にn形金属酸化物半導体NMOSデバイスとp形金属酸化物半導体PMOSデバイスの両方を含む相補形金属酸化物半導体CMOSデバイスを製作する、または同じ基板上に任意の1つまたは複数のNMOSおよび/またはPMOSデバイスを製作するために必要とされる処理ステップの数を有利に低減することができる。本発明の方法は、処理ステップの数の低減による処理スループットの向上を促進することができる。以上は本発明の諸実施形態を対象とするが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明のその他のさらなる実施形態を考案することができる。"