複数の鉄心24と、それぞれの鉄心24に巻回され、回転軸13の位置制御のための磁束を発生させる制御電流用コイルCdと、前記制御電流用コイルCdよりも多い巻数Nbでそれぞれの鉄心24に巻回され、バイアス磁束を発生させるバイアス電流用コイルCbと、を備えていることを特徴とする磁気軸受。請求項1の磁気軸受において、前記バイアス電流用コイルCbの巻数は、該バイアス電流用コイルCbの巻数をNb、前記制御電流用コイルCdのインダクタンスをLc、前記制御電流Idがバイアス電流用コイルCbに及ぼす影響の割合を示した相互インダクタンスをM、制御電流用コイルCdの巻数をNcとした場合に、Nb≦Nc×Lc/Mの関係を満たすことを特徴とする磁気軸受。請求項1の磁気軸受において、前記バイアス電流用コイルCbに電力を供給するバイアス電流供給装置41の電流容量は、前記制御電流用コイルCdに電力を供給する制御電流供給装置42の電流容量よりも小さいことを特徴とする磁気軸受。請求項1の磁気軸受において、前記バイアス電流Ibは、前記制御電流Idよりも小さいことを特徴とする磁気軸受。一般的に磁気軸受では、電磁石で発生する損失と、電磁石への電流を制御する電源装置の損失があり、例えば、バイアス電流は常に流すので、電源装置の損失はバイアス電流によるものが支配的になる。そして、磁気軸受では、このような損失の大きさがしばしば問題とされる。本発明は前記の問題に着目してなされたものであり、磁気軸受において損失の低減を図ることを目的としている。前記の課題を解決するため、本発明の一態様は、複数の鉄心24と、それぞれの鉄心24に巻回され、回転軸13の位置制御のための磁束を発生させる制御電流用コイルCdと、前記制御電流用コイルCdよりも多い巻数Nbでそれぞれの鉄心24に巻回され、バイアス磁束を発生させるバイアス電流用コイルCbと、を備えていることを特徴とする。磁気軸受では一般的に、コイルに一定のバイアス電流を流すことで、ステータにバイアス磁束を流しておく。そこから力を制御する場合は、力を発生させたい方向のティース鉄心に巻回した、あるコイルの電流を増やし、その軸方向の反対側にあるティースに巻回してあるコイルの電流を減ずることで、回転軸に与える力を制御する。この構成では、バイアス電流用コイルCbの巻数が制御電流用コイルCdの巻数よりも多いので、同じ大きさの磁力を発生させるための電流は、バイアス電流用コイルCbの方が制御電流用コイルCdよりも小さくなる。また、バイアス電流用コイルCbの巻数を増やしたことで、バイアス電流用コイルCbのインダクタンスLbもより大きくなる。本発明によれば、制御電流用コイルCdの最大起磁力とバイアス電流用コイルCbの最大起磁力を同じに設定したとすれば、バイアス電流Ibの最大値は、制御電流Idの最大値よりも小さくなる。すなわち、本発明では、損失の大きさが電流の大きさに左右される電流供給装置41でバイアス電流Ibを供給する場合に、その電流供給装置41における損失を低減させることが可能になる。また、バイアス電流用コイルCbのインダクタンスLbがより大きくなるので、バイアス電流用コイルCbにおけるリプルが低減する。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態は、本質的に好ましい例示であって、本発明、その適用物、あるいはその用途の範囲を制限することを意図するものではない。《発明の実施形態1》全体構成本発明の実施形態として磁気軸受を適用したターボ圧縮機を説明する。図1は、実施形態1に係るターボ圧縮機1の構造を示す概略図である。ターボ圧縮機1は、図1に示すように、ケーシング2、羽根車9、電動機10、制御部30、及び電源部40を備えている。ケーシング2は、両端が閉塞された円筒状に形成され、円筒軸線が水平向きとなるように配置されている。ケーシング2内の空間は、壁部3によって区画されている。該壁部3よりも右側の空間が、羽根車9を収容するインペラ室4を形成し、該壁部3よりも左側の空間が、電動機10を収容する電動機空間5を形成している。羽根車9は、複数の羽根によって外形が略円錐形状となるように形成されている。羽根車9は、電動機10の駆動軸13回転軸の一端に固定された状態で、インペラ室4内に収容されている。電動機10は、ケーシング2内に収容され、羽根車9を駆動する。この例では、電動機10は、いわゆる永久磁石同期モータである。電動機10は、電動機用ステータ11、ロータ12、駆動軸13、及び軸受機構8を備えている。電動機用ステータ11は、ケーシング2の内周壁に固定されている。駆動軸13は、その軸心がロータ12の軸心と同軸となるようにロータ12に固定されている。軸受機構8は、ラジアル方向用タッチダウン軸受14、スラスト磁気軸受15、スラスト方向用及びラジアル方向用タッチダウン軸受16例えばアンギュラ玉軸受、及び2つの磁気軸受2020を備えている。磁気軸受2020には、後に詳述するように、複数の電磁石25が設けられ、各電磁石25の電磁力の合成電磁力Fを駆動軸13に付与し、駆動軸13を非接触状態で支持するように構成されている。ラジアル方向用タッチダウン軸受14は、例えば玉軸受で構成され、磁気軸受20の非通電時に駆動軸13を支持する。磁気軸受20の構成以下の説明では、軸方向とは駆動軸13の軸心の方向をいい、径方向とは前記軸心と直交する方向をいう。また、外周側とは前記軸心からより遠い側をいい、内周側とは前記軸心により近い側をいう。図2は、磁気軸受20の端面側を模式的に示す図である。また、図3は、磁気軸受20の縦断面図駆動軸方向の断面図である。本実施形態の磁気軸受20は、いわゆる4極型ヘテロポーラ型のラジアル磁気軸受である。磁気軸受20は、ステータ21、及びギャップセンサ図示は省略を備えている。-ステータ21-ステータ21は、ステータコア22、制御電流用コイルCd、及びバイアス電流用コイルCbを備えている。ステータコア22は、バックヨーク23と複数のティース24鉄心とを備えている。ステータコア22は、例えば電磁鋼板を積層して構成する。バックヨーク23は、円環状に形成されている。図2に示すように、ティース24は、4つ設けられている。それぞれのティース24は、バックヨーク23と一体形成され、該バックヨーク23の内周面から内周側へ向かって突出している。4つのティース24は、バックヨーク23の内周に沿って90度ピッチで配置されている。それぞれのティース24には、制御電流用コイルCdとバイアス電流用コイルCbとによって電磁石25が形成されている。それぞれのティース24は、直方体状であり、前記軸心に平行な面と該軸心に直交する面軸方向端面と呼ぶを有している。-制御電流用コイルCd-制御電流用コイルCdは、駆動軸13の位置制御のための電磁力を発生させる。ここでは、位置制御のために制御電流用コイルCdに流す電流を制御電流Idと呼ぶ。制御電流用コイルCdは、ティース24ごとに設けられている。この例では、制御電流用コイルCdは、ティース24の外周寄りに配置されている。勿論、制御電流用コイルCdをティース24の内周寄りに配置することも可能である。各ティース24の制御電流用コイルCdは、集中巻方式で巻線部材例えば被覆付き銅線が巻回されて形成され、駆動軸13を挟んで互いに対向した制御電流用コイルCd同士は直列接続されている。それぞれのティース24への巻線部材の巻回は、例えば、巻線用ノズルを用いて行えばよい。制御電流用コイルCdの巻数の設定では、必要な起磁力、制御性などを勘案する。例えば、巻数をより多くすると、起磁力をより大きくできるが、インダクタンスLcも大きくなって応答性すなわち制御性が低下する。詳しくは、制御電流用コイルCdのインダクタンスLcは巻数Ncの2乗に比例し、インダクタンスLcは制御の反応速度に影響する。したがって、電流制御における反応速度によって制御電流用コイルCdの巻数Ncが決まる。すなわち、制御電流用コイルCdの巻数Ncには、制御性から定まる上限があると考えられる。なお、図2は、各コイルCbCdの配置箇所を説明するものであって、実際の巻数やコイル同士の間隔などを示したものではない。-バイアス電流用コイルCb-バイアス電流用コイルCbは、制御電流Idの値と合成電磁力Fとの関係を線形にするためのバイアス磁束を発生させるコイルである。ここでは、バイアス電流用コイルCbに流す電流をバイアス電流Ibとよぶ。各ティース24のバイアス電流用コイルCbは、集中巻方式で配線部材が巻回されて構成されている。本実施形態では、制御電流用コイルCdを先にティース24に巻回した後に、バイアス電流用コイルCbを巻回してある。そのため、バイアス電流用コイルCbは、制御電流用コイルCdよりも、ティース24の内周側に位置している。各ティース24のバイアス電流用コイルCbは、直列接続されている。バイアス電流用コイルCbに電流を流すと、各ティース24に電磁力を発生させることができる。本実施形態では、バイアス電流用コイルCbの巻数Nbは、制御電流用コイルCdの巻数Ncよりも多く構成されている。軸受機構8では、バイアス電流Ibには、直流電流が用いられ、駆動軸13の位置を制御するための制御電流Idに比べて、バイアス電流Ibは制御の反応速度は遅くてもよい。そのため、バイアス電流用コイルCbは、制御電流用コイルCdに比べて多く巻くことが可能になる。電源部40電源部40は、各コイルCbCdに電力を供給する。電源部40は、バイアス電流供給装置41と、制御電流供給装置42とを備えている。バイアス電流供給装置41は、バイアス電流Ib直流をバイアス電流用コイルCbに流す。また、制御電流供給装置42は、制御電流Idを制御電流用コイルCdに流す。バイアス電流供給装置41や制御電流供給装置42には、一例として、いわゆるPWMPulseWidthModulationアンプを採用することができる。PWMアンプは、例えば、バイポーラ型トランジスタのスイッチングによって出力電圧を制御する。この構成では、例えばバイアス電流供給装置41では、所定のバイアス電流Ibを流すための損失の大きさが、電流の大きさに左右されることになる。なお、電源部40の構成は例示であり、例えばバイアス電流供給装置41には、所定の直流電源装置を採用してバイアス電流用コイルCbに所定のバイアス電流Ibを流すようにする。この例では、バイアス電流供給装置41は、制御電流供給装置42よりも電流容量が小さく構成されている。すなわち、バイアス電流供給装置41は、制御電流供給装置42よりも低コストで構成できる。図2では、バイアス電流供給装置41及び制御電流供給装置42と、各コイルCbCdの接続関係を模式的に示してある。本実施形態では、直列接続された制御電流用コイルCdが2組あるので制御電流供給装置42の出力は2つ設けられているが、図2では、Y軸上に並んだ制御電流用コイルCdについてのみの結線状態を例示してある。X軸上に並んだ制御電流用コイルCdも同様に直列接続されて、制御電流供給装置42から電力供給される。この構成により、磁気軸受20では、制御電流Idを、直列接続の制御電流用コイルCdの対の単位で制御できる。すなわち、磁気軸受20では、制御電流用コイルCdによる電磁力を軸X軸、Y軸単位で制御できる。なお、制御電流用コイルCd同士を直列接続せずに、制御電流Idを制御電流用コイルCdごとに制御すれば、ティース単位で電磁力を制御することができる。バイアス電流供給装置41及び制御電流供給装置42が各コイルCbCdに供給する電圧の大きさは、制御部30が制御する。例えば、制御電流供給装置42は、制御部30が出力した電圧指令値に応じて出力電圧を変化させる。これにより制御電流用コイルCdに流れる電流が変化する。制御部30制御部30は、駆動軸13が所望の位置で非接触支持されるように、ギャップセンサ図示省略の検出値を用いて位置制御を行う。位置制御では、制御部30は、制御電流供給装置42を介して制御電流Idの大きさを制御する。このとき制御部30は、各電磁石25の合成電磁力Fと、制御電流Idとの関係が線形になるように、バイアス電流用コイルCbに所定のバイアス電流Ibを流す。バイアス電流Ibは一定値の直流としてもよいし、駆動軸13の負荷などに応じて制御してもよい。なお、バイアス電流Ibを制御する場合には、その制御は、一般的には、位置制御の制御周期よりも長い周期例えば位置制御の周期の100倍以上の周期で行えばよいと考えられる。つまり、バイアス電流用コイルCbには、制御電流用コイルCdほどの高速な制御性は求められない。各コイルの電流値の関係磁気軸受20では、制御電流用コイルCdによる起磁力の最大値と、バイアス電流用コイルCbによる起磁力の最大値とを同じにするのが好ましい。例えば、これらの起磁力の最大値が互いに異なると、合成電磁力Fと制御電流Idとの線形性を確保できる範囲が狭くなるからである。本実施形態でも制御部30によって、バイアス電流用コイルCbの最大起磁力と制御電流用コイルCdの最大起磁力が同じになるように制御を行う。そのような制御を行うと、本実施形態では、バイアス電流Ibの最大値は制御電流Idの最大値よりも小さくなる。これは、バイアス電流用コイルCbの巻数Nbを制御電流用コイルCdの巻数Ncよりも多くした結果、同じ大きさの磁力を発生させるための電流が、バイアス電流用コイルCbの方が制御電流用コイルCdよりも小さくなるからである。すなわち、本実施形態では、バイアス電流供給装置41における電流値をより小さくできる。本実施形態における効果以上のように、本実施形態によれば、バイアス電流Ibをより小さくできるので、損失の大きさが電流の大きさに左右されるバイアス電流供給装置41では、損失を低減させることが可能になる。また、バイアス電流用コイルCbの巻数Nbを増やしたことで、バイアス電流用コイルCbのインダクタンスLbもより大きくなり、バイアス電流用コイルCbにおけるリプルが低減する。その結果、鉄損を低減させることが可能になる。《実施形態1の変形例》バイアス電流用コイルCbの巻数Nbは、次式1のように定めるのが好適である。Nc<Nb≦Nc×Lc/M式1ここで、Lcは、制御電流用コイルCdのインダクタンスである。Mは、制御電流Idがバイアス電流用コイルCbに及ぼす影響の割合を示した相互インダクタンスである。また、Ncは、制御電流用コイルCdの巻数である。図4は、制御電流Idがバイアス電流用コイルCbに及ぼす影響を説明する図である。同図において、i2は、制御電流Idである。i1は、制御電流Idの影響によってバイアス電流用コイルCbに生ずる電流である。また、Rbはバイアス電流用コイルCbの直流抵抗成分である。バイアス電流用コイルCbと制御電流用コイルCdは電気的に結合している。そのため、制御電流Idの変化によって、バイアス電流用コイルCbには誘導電流が発生する。この誘導電流の変化の速度は、制御電流Idの変化の速度と同等であり、その大きさは相互インダクタンスMに比例する。したがって、バイアス電流Ibの制御応答速度を制御電流Idの制御応答速度と同等にするためには、バイアス電流用コイルCbの巻数NbをNc×Lc/Mにする必要がある。つまり、巻数Nbが式1を満足するように定めることで、バイアス電流Ibの制御性を制御電流Idと同等以上に保った状態で、バイアス電流供給装置41の損失低減や、バイアス電流供給装置41の電流容量低減の効果を発揮できる。すなわち、本変形例では、バイアス電流Ibの制御性を維持しつつ、実施形態1の効果を得ることが可能になる。それゆえ、本変形例は、バイアス電流Ibの可変制御を行う磁気軸受に有用である。《発明の実施形態2》図5は、実施形態2の磁気軸受20の端面側を模式的に示す図である。磁気軸受20は、図5に示すように、いわゆる8極型ヘテロポーラ型のラジアル軸受である。この例でも、磁気軸受20は、ステータ21、及びギャップセンサ図示は省略を備えている。ステータ21は、ステータコア22、制御電流用コイルCd、及びバイアス電流用コイルCbを備えている。本実施形態においても、制御電流用コイルCdは、ステータコア22のそれぞれのティース24に集中巻方式で巻線部材が巻回されている。また、各ティース24のバイアス電流用コイルCbは、集中巻方式で巻線部材が巻回されて構成されている。本実施形態においても、バイアス電流用コイルCbの巻数Nbを制御電流用コイルCdの巻数Ncよりも多くしてあり、実施形態1の磁気軸受20と同様の効果を得ることができる。《その他の実施形態》なお、制御電流用コイルCdをバイアス電流用コイルCbよりも内周側に配置してもよい。また、磁気軸受20の用途はターボ圧縮機1には限定されない。例えば、ターボ分子ポンプ等、回転軸を有する種々の機器に応用できる。