レーザ発振器からレーザ光を射出し、前記レーザ光をレンズで集光して被照射物の表面に垂直方向から入射させてビームスポットを形成し、前記レーザ光に対して前記被照射物を前記ビームスポットに対し相対的に移動させて、前記被照射物に前記レーザ光の照射を行い、前記被照射物を移動させる前に、オートフォーカス機構によって前記被照射物と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とするレーザ照射方法。レーザ発振器からレーザ光を射出し、前記レーザ光をレンズで集光して1方向に沿ってうねりが存在する被照射物の表面に垂直方向から入射させてビームスポットを形成し、前記レーザ光に対して前記被照射物をうねりが存在する第1の方向および前記第1の方向と直交する第2の方向に相対的に移動させて、前記被照射物に前記レーザ光の照射を行い、前記第2の方向に移動させる前に、オートフォーカス機構によって前記被照射物と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とするレーザ照射方法。レーザ発振器からレーザ光を射出し、前記レーザ光をレンズで集光して1方向に沿ってうねりが存在する被照射物の表面に垂直方向から入射させてビームスポットを形成し、前記レーザ光に対して前記被照射物をうねりが存在する第1の方向および前記第1の方向と直交する第2の方向に相対的に移動させて、前記被照射物に前記レーザ光の照射を行い、前記第1の方向への移動時に、オートフォーカス機構によって前記被照射物と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とするレーザ照射方法。レーザ発振器からレーザ光を射出し、前記レーザ光をレンズで集光して被照射物の表面に対して斜め方向から入射させてビームスポットを形成し、前記レーザ光に対して前記被照射物を前記ビームスポットに対し相対的に移動させて、前記被照射物に前記レーザ光の照射を行い、前記被照射物を移動させる前に、オートフォーカス機構によって前記被照射物と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とするレーザ照射方法。レーザ発振器からレーザ光を射出し、前記レーザ光をレンズで集光して1方向に沿ってうねりが存在する被照射物の表面に対して斜め方向から入射させてビームスポットを形成し、前記レーザ光に対して前記被照射物をうねりが存在する第1の方向および前記第1の方向と直交する第2の方向に相対的に移動させて、前記被照射物に前記レーザ光の照射を行い、前記第2の方向に移動させる前に、オートフォーカス機構によって前記被照射物と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とするレーザ照射方法。レーザ発振器からレーザ光を射出し、前記レーザ光をレンズで集光して1方向に沿ってうねりが存在する被照射物の表面に対して斜め方向から入射させて前記被照射物の表面にビームスポットを形成し、前記レーザ光に対して前記被照射物をうねりが存在する第1の方向および前記第1の方向と直交する第2の方向に相対的に移動させて、前記被照射物に前記レーザ光の照射を行い、前記第1の方向への移動時に、オートフォーカス機構によって前記被照射物と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とするレーザ照射方法。請求項1乃至6のいずれか一項において、前記オートフォーカス機構として、接触式変位計を用いることを特徴とするレーザ照射方法。請求項1乃至6のいずれか一項において、前記オートフォーカス機構は、前記レーザ発振器とは異なるレーザ発振器から前記レーザ光と異なる他のレーザ光を射出し、前記他のレーザ光を前記被照射物の表面に入射させ、前記被照射物の表面に反射された前記他のレーザ光を検出することによって、前記被照射物と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とするレーザ照射方法。請求項1乃至3のいずれか一項において、前記オートフォーカス機構は、前記レーザ発振器とは異なるレーザ発振器から前記レーザ光と異なる他のレーザ光を射出し、前記他のレーザ光を前記被照射物の表面に斜め方向から入射させ、前記被照射物の表面に反射された前記他のレーザ光を検出することによって、前記被照射物と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とするレーザ照射方法。請求項8または9において、前記被照射物の表面に反射された前記他のレーザ光の検出を、4分割検出器、CCDまたはPSDを用いて行うことを特徴とするレーザ照射方法。請求項2、3、5、6のいずれか一項において、前記ビームスポットの形状を長辺方向および短辺方向を有する長方形、楕円または線状に整形し、前記ビームスポットの前記長辺方向を前記第1の方向と平行になるように配置させることを特徴とするレーザ照射方法。請求項2、3、5、6のいずれか一項において、前記被照射物と前記レンズ間の距離の制御は、前記第1の方向および第2の方向に対して垂直な第3の方向に、前記被照射物または前記レンズを移動することによって行われることを特徴とするレーザ照射方法。請求項2、3、5、6のいずれか一項において、前記レーザ光に対する前記被照射物の第1の方向への移動を、前記第2の方向への移動より低速で行うことを特徴とするレーザ照射方法。請求項1乃至13のいずれか一項において、前記レーザ発振器として、YAGレーザ、YVO4レーザ、GdVO4レーザ、YLFレーザ、Arレーザのいずれかを用いることを特徴とするレーザ照射方法。請求項1乃至14のいずれか一項において、前記レーザ発振器として、数10ps以下のパルス幅をもつパルスレーザを用いることを特徴とするレーザ照射方法。レーザ発振器からレーザ光を射出し、前記レーザ光をレンズで集光して半導体膜の表面に垂直方向から入射させてビームスポットを形成し、前記レーザ光に対して前記半導体膜を前記ビームスポットに対し相対的に移動させて、前記半導体膜に前記レーザ光を照射して前記半導体膜のアニールを行い、前記半導体膜を移動する前に、オートフォーカス機構によって前記半導体膜と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。レーザ発振器からレーザ光を射出し、前記レーザ光をレンズで集光して1方向に沿ってうねりが存在する半導体膜の表面に垂直方向から入射させてビームスポットを形成し、前記レーザ光に対して前記半導体膜をうねりが存在する第1の方向および前記第1の方向と直交する第2の方向に相対的に移動させて、前記半導体膜に前記レーザ光を照射して前記半導体膜のアニールを行い、前記第2の方向に移動させる前に、オートフォーカス機構によって前記半導体膜と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。レーザ発振器からレーザ光を射出し、前記レーザ光をレンズで集光して1方向に沿ってうねりが存在する半導体膜の表面に垂直方向から入射させてビームスポットを形成し、前記レーザ光に対して前記半導体膜をうねりが存在する第1の方向および前記第1の方向と直交する第2の方向に相対的に移動させて、前記半導体膜に前記レーザ光を照射して前記半導体膜のアニールを行い、前記第1の方向への移動時に、オートフォーカス機構によって前記半導体膜と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。レーザ発振器からレーザ光を射出し、前記レーザ光をレンズで集光して半導体膜の表面に対して斜め方向から入射させてビームスポットを形成し、前記レーザ光に対して前記半導体膜を前記ビームスポットに対し相対的に移動させて、前記半導体膜に前記レーザ光を照射して前記半導体膜のアニールを行い、前記半導体膜を移動させる前に、オートフォーカス機構によって前記半導体膜と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。レーザ発振器からレーザ光を射出し、前記レーザ光をレンズで集光して1方向に沿ってうねりが存在する半導体膜の表面に対して斜め方向から入射させてビームスポットを形成し、前記レーザ光に対して前記半導体膜をうねりが存在する第1の方向および前記第1の方向と直交する第2の方向に相対的に移動させて、前記半導体膜に前記レーザ光を照射して前記半導体膜のアニールを行い、前記第2の方向に移動させる前に、オートフォーカス機構によって前記半導体膜と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。レーザ発振器からレーザ光を射出し、前記レーザ光をレンズで集光して1方向に沿ってうねりが存在する半導体膜の表面に対して斜め方向から入射させてビームスポットを形成し、前記レーザ光に対して前記半導体膜をうねりが存在する第1の方向および前記第1の方向と直交する第2の方向に相対的に移動させて、前記半導体膜に前記レーザ光を照射して前記半導体膜のアニールを行い、前記第1の方向への移動時に、オートフォーカス機構によって前記半導体膜と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項16乃至21のいずれか一項において、前記半導体膜は、1方向にそってうねりが存在するガラス基板上に設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項16乃至22のいずれか一項において、前記オートフォーカス機構として、接触式変位計を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項16乃至22のいずれか一項において、前記オートフォーカス機構は、前記レーザ発振器とは異なるレーザ発振器から前記レーザ光と異なる他のレーザ光を射出し、前記他のレーザ光を前記半導体膜の表面に入射させ、前記半導体膜の表面に反射された前記他のレーザ光を検出することによって、前記半導体膜と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項16乃至18のいずれか一項において、前記オートフォーカス機構は、前記レーザ発振器とは異なるレーザ発振器から前記レーザ光と異なる他のレーザ光を射出し、前記他のレーザ光を前記半導体膜の表面に斜め方向から入射させ、前記半導体膜の表面に反射された前記他のレーザ光を検出することによって、前記半導体膜と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項24または25において、前記半導体膜の表面に反射された前記他のレーザ光の検出を、4分割検出器、CCDまたはPSDを用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項17、18、20、21のいずれか一項において、前記ビームスポットの形状を長辺および短辺を有する長方形、楕円または線状に整形し、前記ビームスポットの前記長辺方向を前記第1の方向と平行になるように配置させることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項17、18、20、21のいずれか一項において、前記半導体膜と前記レンズ間の距離の制御は、前記第1の方向および第2の方向に対して垂直な第3の方向に、前記半導体膜または前記レンズを移動することによって行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項17、18、20、21のいずれか一項において、前記レーザ光に対する前記半導体膜の第1の方向への移動を、前記第2の方向への移動より低速で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項16乃至29のいずれか一項において、前記レーザ発振器として、YAGレーザ、YVO4レーザ、GdVO4レーザ、YLFレーザ、Arレーザのいずれかを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項16乃至30のいずれか一項において、前記レーザ発振器として、数10ps以下のパルス幅をもつパルスレーザを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。出力の弱いレーザ光を照射する場合、レーザ光のエネルギー密度またはパワー密度を高めるために、レンズを用いて被照射物表面の1点にレーザ光を集光させる。また、レーザ光を被照射物に照射して、被照射物に直接パターンを形成する場合にも、レンズを用いて被照射物に形成されるビームスポットを集光させるように加工する。例えば、レーザ発振器としてCWレーザを用いて半導体膜の結晶化を行う場合は、スループットをできるだけ向上させる必要があるため、レンズを用いて照射面に形成されるビームスポットの形状を長方形、楕円または線状等の細長い形状に整形し、短辺方向の長さを数μm程度にまで集光する。また、被照射物にレーザ光を照射することにより微細なパターンを直接描画する場合は、ビームスポットの形状をより小さくする。レーザ光を集光して被照射物に形成されるビームスポットのスポット径を小さくするためには、開口率NAが大きいレンズを用いる必要がある。一般的に、NAと焦点深度Zはレーザ光の波長をλとすると、Z=±λ/2NA2という関係が成り立つ。そのため、NAが大きいレンズを用いると、それに伴いレンズの焦点深度は浅くなる。例えば、上記CWレーザを用いる場合には、数μmオーダーで焦点深度を合わせなければならない。しかし、ガラス基板に代表される基板は、大型になればなるほど、基板内での厚みのばらつきが大きくなり、同一基板内における厚さの差が数10μm生じることもある。例えば、厚みのばらつきがあるガラス基板等に設けられた半導体膜にレーザ光を照射してアニール等を行う場合、場所によってレンズと被照射物との距離が変化し、ビームスポットの形状が場所によって変化する。そのため、同一の基板上に形成された半導体膜においても場所によって結晶性が異なるという問題が生じる。本発明では上記問題を鑑み、被照射物内に厚さのばらつきが存在する場合であっても、被照射物に均一にレーザ光を照射する方法の提供を課題とする。また、当該レーザ光を照射する方法を用いた半導体装置の作製方法の提供を課題とする。本発明は、オートフォーカス機構を用いて被照射物上にレーザ光を集光するレンズと被照射物との距離を一定に保ちながらレーザ光の照射を行うレーザ光の照射方法である。特に、被照射物に入射するレーザ光に対して被照射物を被照射物上に形成されたビームスポットの第1の方向および第2の方向に相対的に移動させて、被照射物にレーザ光の照射を行う場合に、第1の方向および第2の方向のいずれかの方向に移動する前にオートフォーカス機構によってレンズと被照射物間との距離を制御することを特徴としている。なお、オートフォーカス機構とは、レンズを通して被照射物に照射されるレーザ光の焦点を被照射物上にあわせる機構をいう。うねりが存在する被照射物に対してレーザ光の照射を行う場合には、あらかじめうねりを考慮してオートフォーカスを行う。例えば、被照射物の1方向に沿ってうねりが存在し、うねりが存在する第1の方向および第1の方向と直角の第2の方向に被照射物を移動させてレーザ光の照射を行う際には、うねりのない第2の方向に移動させる前にオートフォーカスを行えばよい。つまり、被照射物に入射するレーザ光に対して被照射物をうねりの存在する第1の方向に相対的に移動させた後に、うねりによってレンズと被照射物間との距離が変化するが、その変化した距離の分だけオートフォーカスによって補正を行う。また、うねりの存在する第1の方向への被照射物を移動させている時にオートフォーカスによりレンズと被照射物間の距離の制御を行ってもよい。被照射物に形成されるビームスポットは、光学系により長辺方向と短辺方向を有する長方形、楕円または線状等の細長い形状に整形することができる。細長い形状のビームスポットの長辺方向をうねりが存在する第1の方向に平行に配置して、レーザ光の照射を行うと効率よくレーザ光の照射を行うことができる。なお、ここでいう光学系とは、1枚または複数枚のレンズやミラー等を組み合わせることによって、任意の部分にレーザ光を集光する等の機能を持たせたものをいう。被照射物にレーザ光を照射する方法としては、被照射物を移動させてレーザ光の照射を行ってもよいし、レーザ光を移動させて照射を行ってもよいし、被照射物とレーザ光の両方を移動させて行ってもよい。また、被照射物またはレーザ光の移動において、うねりが存在する第1の方向への移動を、第2の方向への移動より低速で行うことによって精度よく照射位置を制御して均一に照射できるため好ましい。オートフォーカスの手法としては、レーザ光の焦点を被照射物表面にあわせることが可能であれば、どのような手段を用いても構わない。例えば、検出用のレーザ光と当該レーザ光を検出する検出器4分割光検出器、CCDChargeCoupledDevice、PSDPositionSensitiveDetector等を用いて、レンズと被照射物との距離を常に測長し、レンズと被照射物との距離を一定に保つことにより、レーザ光の焦点を被照射物にあわせる。レンズと被照射物との距離の制御は、レンズまたはステージに微動装置を設けることにより行うことができる。また、レンズと被照射物との距離の測長に用いるレーザ光は被照射物をアニールするレーザ光とは別途設けてもよいし、併用して設けることも可能である。オートフォーカスの手法として他にも、CDやDVD等で用いられる手法非点収差法、ナイフエッジ法、フーコー法または臨界角法等も用いることができる。また、接触式変位計を用いて、直接被照射物に接触させることにより、レンズと被照射物との距離を制御することも可能である。なお、オートフォーカスによってレンズと被照射物間との距離の制御は、レンズを含む光学系を移動させて行ってもよいし、被照射物を移動させて行ってもよい。また、上述したレーザ照射方法を用いて、半導体膜にレーザ光を照射してアニールを行うことにより、半導体膜の結晶化または活性化等を行うことができる。さらにアニールを行った半導体膜を用いて半導体装置を作製することができる。本発明で用いるレーザ発振器は特に制限されることはなく、パルス発振または連続発振CWのいずれのレーザ発振器を用いることが可能である。パルス発振のレーザ発振器としては、エキシマレーザ、YAGレーザあるいはYVO4レーザ等を用いることができる。CWのレーザ発振器としては、YAGレーザ、YVO4レーザ、GdVO4レーザ、YLFレーザ、Arレーザを用いることができる。CWのレーザ光を用いることによって、レーザ光の照射方向に沿って長く伸びた大粒径の結晶領域が形成することができる。また、繰り返し周波数が10MHz以上のパルスレーザ発振器から射出されるレーザ光もレーザ光として利用できる。繰り返し周波数が10MHz以上のパルスレーザ発振器から射出されるレーザ光擬似CWレーザとも呼ぶを用いることによっても、レーザ光の照射方向に沿って長く伸びた大粒径の結晶領域が形成することができる。本発明を用いることにより、レーザ光の照射を行う被照射物内に厚さのばらつきが存在する場合であっても、均一にレーザ光を照射することが可能になる。また、被照射物内のうねりを考慮してレーザ光の照射を行うことによって、効率よくレーザ光の照射ができる。本発明の実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる。本発明では、被照射物にレーザ光を照射する際に、オートフォーカス機構を用いてレンズと被照射物との距離を一定に保ちながらレーザ光の照射を行う。オートフォーカス機構は、少なくともレンズを通して被照射物に照射されるレーザ光の焦点が被照射物表面上にあっているかどうかを検出する手段と、レンズと被照射物との距離を制御する手段を有している。なお、レンズと被照射物との距離を制御する手段としては、大きく分けて被照射物を移動させて制御する方法とレンズを含んだ光学系を移動させて制御する方法がある。また、被照射物内に規則的なうねりが存在する場合などは、それを考慮してレーザ光の照射を行う。例えば、ガラス基板は一般的に、製造工程に固有したうねりが一定方向に沿って存在する。そのため、ガラスを基板として用いた場合には、うねりがある方向に基板を移動させたときに限りオートフォーカス機構を用いて焦点位置を対象物の表面に合わせるが、うねりがない方向にレーザ光を走査するときにはオートフォーカス機構を用いなくてもよい。本発明において被照射物にレーザ光を照射する形態としては、半導体膜にレーザ光を照射してアニールを行う形態、半導体膜にレーザ光を照射して半導体膜の活性化を行う形態、光リソグラフィ技術による被照射物の微細加工を行う形態またはレーザ光を直接照射してパターンを形成する形態等がある。また、これらの形態に限られず、被照射物にレーザ光を照射して被照射物に加工を行うものならば何でも含まれる。なお、レーザ光の照射に用いるレーザ発振器は特に制限されることはなく、パルス発振またはCWのいずれのレーザ発振器を用いることが可能である。また、繰り返し周波数が10MHz以上のパルスレーザ発振器から射出されるレーザ光も利用できる。実施の形態1実施の形態1では、オートフォーカス機構を利用したレーザ照射方法において、レンズと被照射物間の距離を、被照射物を移動させて制御する構成に関し、図1を用いてその概要を説明する。図1において、第1のレーザ光は、10MHz以上の高繰り返し周波数のレーザ発振器101から射出され、ミラー102によって反射されて被照射物106に対して垂直方向に入射する。その後、第1のレーザ光は、それぞれ一軸方向に集光可能なシリンドリカルレンズ103、104に入射し、被照射物106に集光され、線状のビームスポット105が被照射物106上に形成される。なお、レーザ発振器101としてここでは10MHz以上の高繰り返し周波数のレーザ発振器を用いているが、これに限られず、連続発振CWのレーザ発振器も用いることができる。CWのレーザ発振器を用いる場合には、被照射物106上におけるレーザ光の入射光と反射光の干渉を避けるために、第1のレーザ光を被照射物106に対して垂直方向ではなくある一定の角度以上をもって斜め方向から入射させるとよい。この場合、レーザ光の入射方向におけるビームスポットの長さをl、レーザ光の入射角度をθ、被照射物の厚さをdとすると、レーザ光の入射角度はθ≧tan1l/2dを満たすようにするのが好ましい。被照射物106は、傾きの調整および上下に移動可能であるZ軸ステージ116、X軸ステージ117、Y軸ステージ118によって移動することが可能である。本実施の形態ではX軸ステージ117およびY軸ステージ118を移動させることによって、被照射物106に第1のレーザ光の照射を行う。シリンドリカルレンズ103および104と被照射物106の距離が常に一定になるように、レーザ発振器109、シリンドリカルレンズ110、111、4分割光検出器112およびZ軸ステージ116から構成されるオートフォーカス機構を用いる。シリンドリカルレンズ103および104と被照射物106の距離が常に一定になるというのは、シリンドリカルレンズ103および104の焦点位置が常に被照射物106上にあるということである。なお、ここではシリンドリカルレンズ103と104間の距離は固定されており、シリンドリカルレンズ104の焦点位置が被照射物106の表面に合っている場合はシリンドリカルレンズ103の焦点位置も合っているものとする。レーザ発振器109から射出した第2のレーザ光は、2枚のシリンドリカルレンズ110、111を通って被照射物106に入射し、そこで反射されたレーザ光は4分割光検出器112により検出される。このとき、被照射物106の照射面が上下することによって、第2のレーザ光の光路長が変化する。4分割光検出器112では検出した光の強弱を電気信号に変換する。そして変換された電気信号をもとに、シリンドリカルレンズ104及び被照射物106の距離が一定かつ垂直になるように、4分割光検出器112と連動したZ軸ステージ116を移動させて調整する。なお、ここでは、図1に示すように、第2のレーザ光を被照射物106の表面に斜め方向から入射させることが好ましい。この場合、第1のレーザ光は被照射物106の表面に垂直に入射させているため、第2のレーザ光を被照射物106の表面に斜め方向から入射させることによって、第1のレーザ光と第2のレーザ光を射出するための光学系の装置を別の場所に配置することが可能となり、光学系の組み立てが容易となる。図2を用いて、2枚のシリンドリカルレンズを用いた光学系における光路長とビーム形状の関係について説明する。図2において、照射面112bは図1における第1のレーザ光の焦点が被照射物106上にあっている位置合焦位置とする。このときの被照射物106におけるビームスポット形状112bが円になるように2枚のシリンドリカルレンズ110、111の焦点位置を調整する。なお、照射面112a~112dにおけるビームスポットの形状は、それぞれビームスポット形状113a~113dに対応している。被照射物106がシリンドリカルレンズ104に近づいた場合、光路長は短くなるため、照射面112aにおけるビームスポット形状113aは、楕円となる。逆に、被照射物106がシリンドリカルレンズ104から遠ざかった場合、光路長は長くなるため、照射面112cにおけるビームスポット形状113cは、ビームスポット形状113aと90度回転した方向に長い楕円となる。さらに、被照射物106が遠ざかった場合照射面112dはレーザ光の強度が弱まるため、ビームスポット形状113dはビームスポット形状113aと90度回転した方向に長い楕円となり且つ4分割光検出器に検出される値が小さくなる。また、被照射物106が傾いて設置されている場合には、反射されたレーザ光が4分割光検出器112に当たらないため、電流値が検出されない。仮に反射されたレーザ光が4分割光検出器112に当たったとしても4つの検出器においてそれぞれ偏った電流値が検出される。次に、図3を用いて4分割光検出器とビームスポットの関係について説明する。図3において、4分割光検出器の分割されたそれぞれの検出器をa、b、c、dとした。それぞれの検出器に光が当たると光の強度に比例して電流に変換される。光路長が短いとき図3A、つまり、シリンドリカルレンズ104と被照射物106との距離がシリンドリカルレンズ104の焦点距離に比べ短いときは、4分割光検出器におけるビームスポットの形状は楕円となる。このときに検出される電流値は、a=c<b=dとなる。シリンドリカルレンズ104の焦点位置に被照射物106を配置するためには、Z軸ステージ116をシリンドリカルレンズ104から離れる方向に移動させればよい。光路長が適正であるとき図3B、つまり、シリンドリカルレンズ104と被照射物106との距離がシリンドリカルレンズ104の焦点距離と同じときは、4分割光検出器におけるビームスポットの形状は円状となる。このときに検出される電流値は、a=b=c=dとなる。光路長が長いとき図3C、つまり、シリンドリカルレンズ104と被照射物106との距離がシリンドリカルレンズ104の焦点距離に比べ長いときは、4分割光検出器におけるビームスポットの形状は楕円状となる。このときに検出される電流値は、a=c>b=dとなる。シリンドリカルレンズ104の焦点位置に被照射物106を配置するためには、Z軸ステージ116をシリンドリカルレンズ104に近づく方向に移動させればよい。光路長が極めて長いとき図3D、つまり、シリンドリカルレンズ104と被照射物106との距離がシリンドリカルレンズ104の焦点距離に比べて極めて長いときは、4分割光検出器におけるビームスポットの形状は楕円状となり、4分割光検出器に当たらない光がある。このとき、それぞれの検出器における電流値の合計は、検出器に当たらない光が存在する分小さくなる。この場合も上述したCと同様に、Z軸ステージ116をシリンドリカルレンズ104に近づく方向に移動させればよい。光路長は適正であるが、被照射物106が傾いているとき図3E、つまり、シリンドリカルレンズ104の平面部と被照射物106の表面とが平行でないときは、4分割光検出器におけるビームスポットの形状は円状となる。しかし、4分割光検出器に検出される電流値は、a>b=d>cとなり、等しい電流値がbとdのみであり、aとcが等しくない。この場合は、Z軸ステージ116を、4分割光検出器側に傾けるように調整すればよい。以上のように、4分割光検出器に当たるレーザ光の強度が4つの検出器全てにおいて、常に等しい値になるようにビームスポットが中心に位置するように、Z軸ステージ116を用いて制御すればよい。なお、被照射物106としては、半導体、ガラスやプラスチック等の基板上に形成された半導体膜、金属または有機樹脂膜等のレーザ光を照射して加工できるものであれば、どのようなものでも用いることができる。例えば、被照射物106としてガラス基板上に形成された半導体膜を用いた場合には、半導体膜にレーザ光を照射して当該半導体膜のアニールを行うことができる。半導体膜表面にガラス基板に起因した厚さのばらつきが存在しても、オートフォーカス機構を用いてレーザ光を照射するため均一に半導体膜のアニールを行うことができる。また、被照射物106として有機樹脂膜を用いた場合には、有機樹脂膜にレーザ光を照射してパターンの形成や穴を形成することができる。オートフォーカス機構によってレーザ光を照射する際に、有機樹脂膜表面に正確にレーザ光の焦点を合わせることによって、パターンや穴径を正確に形成することができる。また、本実施の形態では、第2のレーザ光の検出に4分割光検出器を用いた場合を示したが、本発明はこれに限られず、CCDやPSD等を用いて検出することも可能である。また、他にもオートフォーカス機構として、第2のレーザ光を用いずに、直接被照射物106に接触して行う接触式変位計や静電容量の変化を利用する静電容量変位計や高周波磁界を利用する渦電流変位計等を用いることも可能である。また、本実施の形態では、10MHz以上の高繰り返し周波数のレーザ発振器101から射出された第1のレーザ光を被照射物106に対して垂直方向から入射させているが、上記CWレーザ発振器を用いた場合と同様に斜め方向から入射させてもよい。この場合、レーザ発振器109から射出した第2のレーザ光は、垂直方向から入射させることが好ましい。第1のレーザ光を斜めから入射させる際に、第2のレーザ光を垂直方向から入射させることによって、第1のレーザ光と第2のレーザ光を射出するための光学系の装置の配置が重ならないため、光学系の組み立てが容易となる。また、第2のレーザ光を垂直方向から入射させた場合、被照射物106に形成される第1のレーザ光のビームスポットの付近に第2のレーザ光を照射することが容易になるため、オートフォーカスの精度を向上させることができる。以上のようにレーザ光の照射において、オートフォーカス機構を設けることによって、レンズと被照射物間の距離を制御してレーザ光を照射することが可能となる。実施の形態2通常、オートフォーカスはレンズによって集光されたレーザ光の焦点を被照射物上に合わせるために常時行うことが好ましい。しかし、あらかじめ被照射物におけるうねり等の存在が予測できる場合には、そのことを考慮して必要な場合のみオートフォーカスを行うことによって処理効率を向上させることができる。そこで本実施の形態では、ある一方向に沿ってうねりが存在するガラス基板を用いた場合のレーザ照射方法に関して図8を用いて説明する。一般的に、ガラス基板は大型になるほど、ガラスの製造工程に固有したうねりが生じやすい。このうねりはガラス面内において変曲点を一つ以下持った関数で変化し、一定の方向に沿って生じている。一方、一定方向に沿って存在するうねりの方向に対して90度回転した方向においては、うねりはほとんど存在しない。そのため、このガラス基板に固有な性質を考慮して、レーザ光の照射を行うのが好ましい。図8において、半導体膜206は一方向に沿ってうねりが存在するガラス基板上に形成されているため、半導体膜206の表面はガラス基板のうねりが反映されている。第1のレーザ光は図1と同様に、CWまたは10MHz以上の高繰り返し周波数のレーザ発振器101から射出され、ミラー102によって反射されて半導体膜206に対して垂直方向に入射する。その後、第1のレーザ光はシリンドリカルレンズ103、104に入射し、ガラス基板上の半導体膜206に集光され、線状のビームスポット105に整形される。なお、前述したようにCWのレーザ発振器を用いる場合には、垂直方向ではなくある一定の角度をもって半導体膜206に第1のレーザ光を入射させるとよい。ここでは、X軸、Y軸およびZ軸からなる3次元構造において、XY軸平面にガラス基板を配置し、ガラス基板においてうねりが存在しない方向をX軸方向とし、X軸方向に対して直角な方向をY軸方向、X軸およびY軸方向に対して垂直な方向をZ軸方向とする。この場合、ガラス基板の表面のZ軸方向に対する変化は、Y軸方向にのみ存在し、X軸方向には存在しない。つまり、Y軸方向にのみ、ガラス基板の表面は凹凸を有している。このとき、ガラス基板においてうねりがない方向X軸方向に、線状ビームの短辺方向が平行になるように配置する。ガラス基板はX軸ステージ117、Y軸ステージ118およびZ軸ステージ116によって移動が制御される。X軸ステージ117はガラス基板をX軸方向に移動し、Y軸ステージ118はY軸方向に平行に移動する。Z軸ステージ116は、ガラス基板の傾きの調整およびZ軸方向に平行に移動する。本実施の形態2では、被照射物である半導体膜206をX軸方向およびY軸方向に移動させることによって半導体膜206にレーザ光の照射を行う。線状のビームスポットの短辺方向X軸方向に対して半導体膜206が移動するときに、半導体膜206に第1のレーザ光が照射されてアニールが行われる。ここでは、X軸方向に半導体膜206を移動させて、第1のレーザ光を基板の一方の端から他方の端まで照射した後、半導体膜206をY軸方向に移動させる。半導体膜206のY軸方向への移動は、次にX軸方向においてアニールする部分を決定するために行う。例えば、基板全面にアニールを行う場合には、線状ビームスポットの長辺方向分の長さだけ、半導体膜206をY軸方向に移動させて、レーザ光の照射を行えばよい。なお、ここでは第1のレーザ光を固定してX軸ステージ117およびY軸ステージ118により半導体膜206を移動させることによってレーザ光の照射を行う例を示したが、レーザ光を移動させて固定された半導体膜206にレーザ光の照射を行っても良い。また、半導体膜206とレーザ光の両方を移動させてレーザ照射を行ってもよい。X軸方向においては基板内の厚さの差は小さいため、半導体膜206をX軸方向に移動させてレーザ光の照射を行っても、シリンドリカルレンズ104と半導体膜206間の距離はほとんど変化しない。一方、Y軸方向においては、ガラス基板固有のうねりが存在するため、半導体膜206のY軸方向への移動に伴いシリンドリカルレンズ104と半導体膜206間の距離が変化する。このようにある一方向に沿ってうねりが存在する場合、レーザ照射を行っている際中に常時オートフォーカスを行う必要はない。X軸方向へ半導体膜206が移動する前にレーザ光の焦点を一度合わせればよい。X軸方向の移動においては、一度レーザ光の焦点を合わせると常にレーザの焦点が合っているため、均一にレーザ光の照射が行える。つまり、X軸方向に半導体膜206の一方の端から他方の端までアニールを行った後に、Y軸方向へ移動させ、再びX軸方向へ移動させる前に、レーザ光の焦点を半導体膜206上に合わせればよい。また、ガラス基板のうねりが大きい場合やうねりが複雑である場合には必要に応じて、オートフォーカス機構によりシリンドリカルレンズ103と半導体膜206の距離を制御しながらY軸方向へ半導体膜206を移動させてもよい。半導体膜206の移動において、アニールが行われるX軸方向への移動に対しては結晶化に最適な速度で行う。X軸方向への移動は100mm/sec以上20m/sec以下の速度、より好ましくは10~100cm/secで行うことが好ましい。この速度は、アニールによって粒径の大きい結晶が得られる範囲であり、20m/sec以上の速度で行った場合はレーザの走査軸に沿って結晶が成長しない。一方、アニールを行う位置を調整するY軸方向への半導体膜の移動はX軸方向への移動速度より十分遅く行い、好ましくは100mm/sec以下の速度で行い、高精度で位置を制御することが好ましい。オートフォーカス機構としては、実施の形態1で示したものと同様のものを用いることができる。つまりレーザ発振器109から射出した第2のレーザ光は、2枚のシリンドリカルレンズ110、111を介して半導体膜206に入射し、反射されたレーザ光を4分割光検出器112により検出する。4分割光検出器112に検出された条件をもとに、シリンドリカルレンズ104及び半導体膜206の距離が一定になるように、Z軸ステージ116を調整する。なお、本実施の形態では、1方向に大きなうねりが存在するガラス基板上に形成された半導体膜にレーザ光の照射を行う場合を示したがこれに限られない。半導体、金属、有機樹脂膜、ガラスまたはプラスチック等においてうねりが存在する被照射物であれば、どのようなものに対しても上述したようにうねりを考慮してレーザ光の照射を行うことができる。本実施の形態2で示したように、被照射物のうねりを考慮してレーザ光の照射を行うことによって、オートフォーカスを常時行う必要がないため、処理効率が向上することが可能となる。実施の形態3本実施の形態では、レンズを含む光学系を移動させることによって、レンズと被照射物間の距離を調整する場合のレーザ照射方法に関して、図4乃至図7を用いて説明する。図4において、第1のレーザ光は、CWあるいは10MHz以上の高繰り返し周波数のレーザ発振器401から射出され、ミラー402によって反射されて被照射物405に対して垂直方向に入射する。被照射物405に対して垂直に入射されたレーザ光は、オートフォーカス機構403によって高さが調節できる光学系404に入射し、被照射物405に集光され、線状ビームに整形される。なお、CWレーザ発振器を用いる場合には、ある一定の角度を持って被照射物405に第1のレーザ光を入射させる。実施の形態2で示したように、被照射物405にうねりが存在する場合は、被照射物405のうねりが少ない方向に平行になるように線状ビームの短辺方向を配置する。また、被照射物405はX軸ステージ406、Y軸ステージ407によって移動が制御される。オートフォーカス機構403はオートフォーカス機構408と連動して上下に移動することができる。被照射物405に対するレーザ光の照射は、被照射物405を乗せたX軸ステージ406およびY軸ステージ407を移動させて行う。また、レーザ光を移動させて被照射物405にレーザ光の照射を行ってもよい。光学系404に関して、図5を用いて詳しく説明する。図5は、光学系404の断面図を示しており、図5において図4と同じものは同じ符号で表している。光学系404はそれぞれ一軸方向にのみ作用する2枚のシリンドリカルレンズ610、611で構成されている。ここでは、線状ビームの長辺方向のみに作用するf=300mmのシリンドリカルレンズ610と、線状ビームの短辺方向のみに作用するf=15mmのシリンドリカルレンズ611を用いる。シリンドリカルレンズ610、611を用いることによって、レーザ光は被照射物405上で線状ビームスポットに整形される。このときのビームスポットのサイズは短辺方向の長さが10μm、長辺方向の長さが300μm程度である。次に、オートフォーカス機構403に関して、図6を用いて説明する。図6において、光学系404は光学系404の周囲に巻き付けられたボイスコイル601と磁石602及び鉄心603により、サーボ回路からボイスコイル601に駆動電流が流れることで、微小移動させることができる。次に、オートフォーカス機構408に関して、図7を用いて説明する。レーザ発振器701から射出した第2のレーザ光は、凸型球面レンズ704、シリンドリカルレンズ705を介して被照射物405に入射し、反射されたレーザ光を4分割光検出器706を用いて検出して被照射物405とオートフォーカス機構408の距離の測定を行う。測定の結果に伴い、オートフォーカス機構403によって光学系404が上下に動き光学系404と被照射物405間の距離を制御する。オートフォーカス機構408と被照射物405間の距離の測定方法に関して説明する。図7において、レーザ発振器701から射出したレーザ光は、λ/2波長板702によって偏光方向を90度回転した後、ビームスプリッター703を通過し、凸型球面レンズ704によって集光される。以下に、被照射物405の位置が凸型球面レンズ704の焦点位置にあるとき、被照射物405の位置が凸型球面レンズ704の焦点位置より近いとき、被照射物405の位置が凸型球面レンズ704の焦点位置より遠いときの3通りに関して図7A~Cを参照して説明する。なお、それぞれの場合において、4分割検出器におけるビームスポットの形状はビームスポット形状710a~710cに対応している。被照射物405の位置が凸型球面レンズ704の焦点位置にあるときは図7A、被照射物405にて反射したレーザ光は入射したときと同じ光路を通って、凸型球面レンズ704に入射しビームスプリッター703によって一部を偏向され、シリンドリカルレンズ705に入射する。シリンドリカルレンズ705は一軸方向にのみ作用する集光レンズであり、点線はシリンドリカルレンズ705が作用した方向のレーザ光の光路であり、実線はシリンドリカルレンズ705が作用しない方向のレーザの光路を示している。このとき、4分割光検出器706上でのビームスポット形状710aは円状になる。被照射物405の位置が凸型球面レンズ704の焦点位置より近いときには図7B、被照射物405にて反射したレーザ光は入射したときの光路に比べ内側の光路を通って、凸型球面レンズ704に入射し、ビームスプリッター703によって一部を偏向され、シリンドリカルレンズ705に入射する。シリンドリカルレンズ705は一軸方向にのみ作用する集光レンズであり、点線はシリンドリカルレンズ705が作用した方向のレーザの光路であり、実線はシリンドリカルレンズ705が作用しない方向のレーザの光路を示している。このとき、4分割光検出器706上でのビームスポット形状710bは、楕円状になる。被照射物405の位置が凸型球面レンズ704の焦点位置より遠いときには図7C、被照射物405にて反射したレーザ光は入射したときの光路に比べ外側の光路を通って、凸型球面レンズ704に入射し、ビームスプリッター703によって一部を偏向され、シリンドリカルレンズ705に入射する。シリンドリカルレンズ705は一軸方向にのみ作用する集光レンズであり、点線はシリンドリカルレンズ705が作用した方向のレーザの光路であり、実線はシリンドリカルレンズ705が作用しない方向のレーザの光路を示している。このとき、4分割光検出器706上でのビームスポット形状710cは、図7Bに対し90度回転した方向に楕円状になる。従って、被照射物405の位置に依存して、4分割光検出器上でのビームスポットの形状が異なるため、4分割光検出器で検出される電流値が異なり、被照射物405とオートフォーカス機構408の距離を検出することができる。オートフォーカス機構408をオートフォーカス機構403と連動させて動かすことによって、光学系404と被照射物405との距離を常に一定にすることが可能となる。なお、本実施の形態3は実施の形態1または2と自由に組み合わせて行うことができる。実施の形態4本実施の形態では、1つのレーザ発振器によってオートフォーカスを用いたレーザ光の照射を行う場合に関し、図9、10を用いて説明する。図9において、レーザ光はレーザ発振器101から射出され、ミラー102によって反射されて被照射物106に対して斜め方向から入射する。その後、レーザ光は、それぞれ一軸方向に集光可能なシリンドリカルレンズ103、104に入射して、被照射物106に集光され、被照射物106上に線状のビームスポット105が形成される。被照射物106は被照射物106の傾きの調整および上下に移動できるZ軸ステージ116、X軸ステージ117、Y軸ステージ118によって移動が可能である。また、シリンドリカルレンズ103および104と被照射物106間の距離を一定にするオートフォーカス機構を設ける。本実施の形態では、レーザ発振器101から射出されたレーザ光を被照射物106に斜め方向から入射させ、被照射物106に反射されたレーザ光を4分割光検出器112で検出することによって、オートフォーカスを行う。つまり、レーザ発振器101から射出したレーザ光を、オートフォーカス用のレーザ光として併用する。例えば、被照射物106として半導体膜を用いる場合には、レーザ発振器101から射出した1つのレーザ光によって、半導体膜へのアニールを行うレーザ光としての役割と、オートフォーカス用のレーザ光としての役割を併用することができる。シリンドリカルレンズ103および104と被照射物106間の距離の制御は、反射したレーザ光を4分割光検出器で検出することによって、図2および図3の構成と同様に行うことができる。また、この場合、レーザ発振器にCWレーザを用いることが好ましい。レーザ発振器にCWレーザを用いてレーザ光の照射を行う場合、入射したレーザ光の光と被照射物106の裏面からの反射した光とが被照射物106上で干渉するという問題がある。光の干渉を避けるためには、入射光と反射光が被照射物106上で重なりあわないように、レーザ光を被照射物106に対してある一定の角度以上をもって入射させるとよい。そのため、図9の構成ではレーザ光を斜めから入射することを前提としているため、CWレーザを用いる場合に適用するのが好ましい。図10はレーザ光を垂直入射する場合に関して、1つのレーザ発振器によってオートフォーカスを用いたレーザ光の照射を行う方法を示している。レーザ発振器201は繰り返し周波数が10MHz以上のモードロックパルスレーザ発振器を用いる。レーザ発振器201から射出したレーザ光は、偏光板202によって偏光方向を90度回転した後、ビームスプリッター203を通過し、集光レンズ204によって被照射物207上に集光される。集光されたレーザ光を用いてアニール等のレーザ光の照射を行うことができる。また、図7で示したように、被照射物207上にて反射したレーザ光は集光レンズ204に入射し、ビームスプリッター203およびシリンドリカルレンズ208を介して4分割光検出器209で検出することができる。そして検出された光は4分割光検出器209で電気信号に変換される。それぞれの検出器に検出される電気信号が等しくなるように集光レンズ204または被照射物207を移動することによって、集光レンズと被照射物間の距離を常に一定にすることができる。図10に示すように、被照射物207にレーザ光を垂直に入射する場合は、例えば、数10ps以下のパルス幅を持つ短パルスのレーザを用いるとよい。短パルスのレーザ光を垂直に入射しても、被照射物207の裏面からの反射光と入射光との光の干渉の影響を受けることがない。そのため、数10ps以下のパルス幅をもつ短パルスのレーザを用いた場合、被照射物に垂直にレーザ光を入射しても光の干渉の影響を受けることなく均一なレーザ光の照射を行うことが可能となる。また、被照射物にうねりが存在する場合は、実施の形態2で示したように、うねりを考慮してオートフォーカスを行えばよい。なお本実施の形態は実施の形態1乃至3と自由に組み合わせて行うことができる。実施の形態5本発明はレーザ光を照射する場合において、厚さに差がある被照射物に対してレーザ光を照射する場合であれば何にでも適用することができる。また、レーザ照射だけでなく電子ビーム描画やイオンビーム描画にも適用することができる。本実施の形態では、レーザ直接描画装置を用いた場合のレーザ照射方法に関して図14を用いて説明する。図14に示すように、レーザ直接描画装置1001は、レーザ光を照射する際の各種制御を実行するコンピュータ以下、PCと示す。1002と、レーザ光を出力するレーザ発振器1003と、レーザ発振器1003の電源1004と、レーザ光を減衰させるための光学系NDフィルタ1005と、レーザ光の強度を変調するための音響光学変調器Acousto-OpticModulator;AOM1006と、レーザ光の断面を縮小するためのレンズおよび光路を変更するためのミラー等で構成される光学系1007、X軸ステージ及びY軸ステージを有する基板移動機構1009と、PCから出力される制御データをデジタルーアナログ変換するD/A変換部1010と、D/A変換部から出力されるアナログ電圧に応じて音響光学変調器1006を制御するドライバ1011と、基板移動機構1009を駆動するための駆動信号を出力するドライバ1012とを備えている。また、オートフォーカス機構1013も具備している。レーザ発振器1003としては、紫外光、可視光、又は赤外光を発振することが可能なレーザ発振器を用いることができる。レーザ発振器1003としては、ArF、KrF、XeCl、Xe等のエキシマレーザ発振器、He、He-Cd、Ar、He-Ne、HF等の気体レーザ発振器、YAG、GdVO4、YVO4、YLF、YAlO3などの結晶にCr、Nd、Er、Ho、Ce、Co、Ti又はTmをドープした結晶を使った固体レーザ発振器、GaN、GaAs、GaAlAs、InGaAsP等の半導体レーザ発振器を用いることができる。なお、固体レーザ発振器においては、基本波か第2高調波~第5高調波を適用するのが好ましい。次に、レーザ直接描画装置を用いた照射方法について述べる。基板1008が基板移動機構1009に装着されると、PC1002は図外のカメラによって、基板に付されているマーカの位置を検出する。次いで、PC1002は、検出したマーカの位置データと、予め入力されている描画パターンデータとに基づいて、基板移動機構1009を移動させるための移動データを生成する。この後、PC1002が、ドライバ1011を介して音響光学変調器1006の出力光量を制御することにより、レーザ発振器1003から出力されたレーザ光は、光学系1005によって減衰された後、音響光学変調器1006によって所定の光量になるように光量が制御される。一方、音響光学変調器1006から出力されたレーザ光は、光学系1007で光路及びビームスポット形状を変化させ、レンズで集光した後、基板上に形成された光吸収層に該レーザ光を照射する。このとき、PC1002が生成した移動データに従い、基板移動機構1009をX方向及びY方向に移動制御する。この結果、所定の場所にレーザ光が照射され、光吸収層によりレーザ光の光エネルギー密度が熱エネルギーに変換される。レーザ直接描画装置を用いて、レーザ光の照射を行う場合においても、被照射物となる基板上に形成された光吸収層に対して、レンズを介してレーザ光のビームスポットの焦点を合わせる必要がある。そのため、実施の形態1または3に示したようにオートフォーカス機構1013を用いて光学系1007と基板1008の距離を一定にする。また、ガラス基板等のうねりの存在する基板上に形成されたものにレーザ直接描画装置によってパターンを形成する場合には、実施の形態2で示したようにうねりを考慮してオートフォーカス機構を利用することができる。光学系1007と基板1008の距離の制御は、図4に示したように光学系1007を移動させて行ってもよいし、図1に示したように基板1008を移動させて行ってもよい。レーザ直接描画装置で微細なパターンを形成するためには、ビームスポットの径を小さくするため、それに伴い焦点深度も浅くなるという問題がある。そのため、レーザ直接描画装置でレーザ光を照射する際に、オートフォーカス機構を利用することは非常に有効となる。なお、本実施の形態5は実施の形態1乃至4と自由に組み合わせて行うことができる。実施の形態6本実施の形態6では、レーザ光と被照射物が配置された走査ステージの両方を移動させることによって被照射物にレーザ光の照射を行う例を、図15を用いて説明する。図15において、被照射物805は回転ステージ803上に設置されており、回転ステージ803は、X軸方向の1軸方向に移動するX軸走査ステージ801上に設置されている。また、X軸走査ステージ801をまたぐようにY軸走査ステージ804が設けられ、Y軸走査ステージ804にはレーザ光を射出するレーザ発振器807とレーザ光を集光して被照射物に照射する光学系808が備えられている。光学系808によって被照射物に形成されるレーザ光のビームスポットの形状を長方形、楕円または線状等の細長い形状に整形すると効率良くレーザ光の照射が可能となり好ましい。なお、レーザ発振器807および光学系808はY軸方向に沿って移動することが可能である。レーザ発振器807としては、特に制限されることはなく、パルス発振あるいはCWのいずれかのレーザ発振器を用いることができる。また、他にもレーザ発振器807として半導体レーザを用いてもよい。半導体レーザは小型であるため、レーザ発振器807を移動する場合に扱いやすいといった利点がある。また、光学系808と被照射物805間の距離を一定にするためのオートフォーカス機構810が備わっている。オートフォーカスの手法としては、実施の形態1~5で示したいずれかの構成を用いればよい。ここでは図7で示した構成を用いて、光学系808と被照射物805間の距離の測定を行う。測定の結果に伴い、Z軸ステージ802が移動して光学系808と被照射物805間の距離を制御する。なお、ここでは被照射物805を移動させているが、光学系808をZ軸方向に移動させて光学系808と被照射物805間の距離の制御を行ってもよい。また、図8で示したように被照射物805に、うねりが存在する場合はそれを考慮にいれてレーザ光の照射を行う。例えば被照射物805のY軸方向に沿ってうねりが存在する場合のレーザ照射方法は以下のように行えばよい。まず、ビームスポットの短辺方向をX軸方向に平行に配置し、X軸方向に被照射物805を移動させる。被照射物805の一方の端から他方の端までレーザ光を1回照射した後、Y軸走査ステージ804に備えられたレーザ発振器807および光学系808をY軸方向に移動させる。Y軸方向の移動が終了した後、うねりによってずれた分だけ、オートフォーカス機構810によって光学系808と被照射物805間の距離を補正する。そして、先ほどとは逆方向のX軸方向に被照射物805を移動させて被照射物805の一方の端から他方の端までレーザ光の照射を行い、その後再びY軸方向にレーザ発振器807を移動させる。以上の操作を繰り返すことによって、基板内にうねりがある場合であっても基板全面にレーザ光を均一に照射することが可能となる。レーザ光の照射において、X軸またはY軸方向への移動は実施者が適宜設定して行えばよい。例えば、被照射物805として半導体膜を用いる場合、レーザ光を照射して半導体膜の結晶化を行う時には、X軸方向への移動は結晶化に最適な速度で行う。移動速度は100mm/sec以上20m/sec以下、より好ましくは10~100cm/secで行うことが好ましい。また、ビームスポットの長辺方向に平行な方向Y軸方向にレーザ発振器807および光学系808を移動させる際には、レーザ光の照射位置を制御するために正確に移動を行うことが好ましい。この場合、レーザ発振器807は移動速度が遅いY軸方向に移動させ、被照射物805をX軸方向に移動させているが、これと逆の構成を用いてもよい。また、被照射物805は移動させず、レーザ発振器807をX軸方向およびY軸方向へ移動させてレーザ光の照射を行ってもよい。なお、本実施の形態6は上記実施の形態1乃至5と自由に組み合わせて行うことができる。実施の形態7本実施の形態では、上記実施の形態とは異なるレーザ照射方法に関して説明する。具体的には、上記実施の形態とは異なるオートフォーカス機構を用いた場合に関して示す。図17A、Bに、オートフォーカス機構として接触式変位計を用いてレーザ光を照射する方法の一例を示す。なお、本実施の形態では、半導体膜906に斜め方向からレーザ光を照射してアニールを行う場合について示す。図17において、レーザ光は、レーザ発振器101から射出され、ミラー102によって反射され、その後、レーザ光は、それぞれ一軸方向に集光可能なシリンドリカルレンズ103、104を介して、半導体膜906に対して斜め方向から入射し、半導体膜906上に線状のビームスポット105が形成される。なお、ここでは、レーザ発振器101として、CWレーザを用いた場合を示す。半導体膜906は傾きの調整および上下に移動できるZ軸ステージ116、X軸ステージ117、Y軸ステージ118によって移動が可能である。レーザ光に対して半導体膜906を相対的に移動させてレーザ光を照射することによって、半導体膜906の全面をアニールすることができる。また、シリンドリカルレンズ103、104と半導体膜906間の距離を一定にするオートフォーカス機構を設ける。本実施の形態では、半導体膜906に直接接触することによってシリンドリカルレンズ103、104と半導体膜906の距離の制御を行う接触式変位計901を用いる。接触式変位計901としては、半導体膜906に接触させて上下方向の距離を制御できるものであればどのようなものを用いてもよい。また、レーザ発振器101として、CWレーザを用いて半導体膜906にレーザ光を照射してアニールを行う場合には、一般的に、レーザ光が照射された部分は結晶粒が大きい大粒径結晶領域903と結晶化が十分に行われない結晶性不良領域904が形成される。これは、ビームスポット105におけるレーザ光のパワー密度が分布をもっており、ビームスポット105の端部のレーザ光のパワー密度が十分でない。そのため、レーザ光が照射された場合において、ビームスポット105の端部に位置する半導体膜906に結晶性不良領域904が形成される。通常、結晶性不良領域904は、結晶化が十分に行われていないため、半導体素子を作成するのには適さない。従って、後の工程で除去される。オートフォーカス機構として接触式変位計901を用いる場合には、接触式変位計901の接触子と半導体膜906が直接接触するため、接触子と触れた部分の半導体膜906は、不純物による汚染や半導体膜の破損等の懸念がある。しかし、上述したようにCWレーザを用いる場合には、後の工程で除去される結晶性不良領域904が形成されるため、結晶性不良領域904に接触子を接触させて、半導体膜906の上下方向の変位を測長することによって、半導体膜906に影響を与えることなくオートフォーカスを行うことが可能となる。また、シリンドリカルレンズ103、104と半導体膜906間の距離をより精確に測長する場合には、レーザ光が照射される半導体膜の付近に接触式変位計の接触子902を接触させて測長することが好ましい。本実施の形態では、レーザ光を斜め方向から入射させているため、接触式変位計901を半導体膜906に形成されるビームスポット105の上に簡単に配置することができる。なお、本実施の形態では、CWレーザを用いた場合を示したが、10MHz以上の高繰り返し周波数のレーザ発振器を用いた場合でも同様に行うことができる。また、オートフォーカス機構として、接触式変位計の他に静電容量変位計や渦電流変位計等を用いて行うことも可能である。なお、本実施の形態7は上記実施の形態1乃至6と自由に組み合わせて行うことができる。実施の形態8本実施の形態では、本発明のレーザ照射方法を用いた、半導体装置の作製方法の一例について説明する。なお、本実施の形態では半導体装置の1つとして発光装置を例に挙げて説明するが、本発明を用いて作製することができる半導体装置はこれに限定されず、液晶表示装置やその他の半導体装置であってもよい。発光装置は、発光素子と電流を発光素子に供給するための手段とが、複数の各画素に備えられた半導体装置である。発光素子の一例として、OLEDOrganicLightEmittingDiodeが挙げられるが、OLEDは、電場を加えることで発生するルミネッセンスElectroluminescenceが得られる電界発光材料を含む層電界発光層と、陽極層と、陰極層とを有している。電界発光層は陽極と陰極の間に設けられており、単層または積層の層で構成されている。これらの層の中に無機化合物を含んでいる場合もある。まず、図11Aに示すようにTFT薄膜トランジスタを形成する基板500を用意する。具体的に基板500は、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板を用いる。また、石英基板、セラミック基板、金属基板または半導体基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板は、一般的に上記基板と比較して耐熱温度が低い傾向にあるが、作製工程における処理温度に耐え得るのであれば用いることが可能である。基板500の表面を、CMP法などの研磨により平坦化しておいても良い。次いで、基板500上に酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜などの絶縁膜からなる下地膜501を公知の手段スパッタ法、LPCVD法、プラズマCVD法等により形成する。本実施の形態では、下地膜501として単層の絶縁膜を用いるが、前記絶縁膜を2層以上積層させた構造を用いても良い。次に、この下地膜501の上に50nmの厚さの、非晶質半導体膜502をプラズマCVD法で形成する。非晶質半導体膜は含有水素量にもよるが、好ましくは400~550°Cで数時間加熱して脱水素処理を行い、含有水素量を5atom以下として、結晶化の工程を行うことが望ましい。また、非晶質半導体膜をスパッタ法や蒸着法などの他の作製方法で形成しても良いが、膜中に含まれる酸素、窒素などの不純物元素を十分低減させておくことが望ましい。なお、半導体膜は珪素だけではなくシリコンゲルマニウムを用いることができる。シリコンゲルマニウムを用いる場合、ゲルマニウムの濃度は0.01~4.5atomic程度であることが好ましい。ここで、下地膜501と非晶質半導体膜502は、いずれもプラズマCVD法で作製されるものであり、このとき下地膜501と非晶質半導体膜502を真空中で連続して形成しても良い。下地膜501と非晶質半導体膜502との界面を大気雰囲気にさらさない工程にすることにより、界面の汚染を防ぐことが可能となり、作製されるTFTの特性バラツキを低減させることができる。次に、図11Bに示すように、非晶質半導体膜502をレーザ結晶化法により結晶化させる。レーザ結晶化法は、本発明のオートフォーカス機構を利用したレーザ照射方法を用いて行う。もちろん、非晶質半導体膜502の結晶化はレーザ結晶化法だけでなく、他の公知の結晶化法RTAやファーネスアニール炉を用いた熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いた熱結晶化法等と組み合わせて行ってもよい。非晶質半導体膜の結晶化に際し、本実施の形態では連続発振が可能な固体レーザを用い、基本波の第2高調波、第3高調波または第4高調波を用いることで、大粒径の結晶を得ることができる。代表的には、Nd:YVO4レーザ基本波1064nmの第2高調波532nmや第3高調波355nmを用いるのが望ましい。具体的には、連続発振のYVO4レーザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換し、出力10Wのレーザ光を得る。また、共振器の中にYVO4結晶と非線形光学素子を入れて、高調波を射出する方法もある。そして、好ましくは光学系により照射面にて矩形状または楕円形状のレーザ光に成形して、被処理体である非晶質半導体膜に照射する。このときのパワー密度は0.01~100MW/cm2程度好ましくは0.1~10MW/cm2が必要である。そして、10~2000cm/sec程度の速度でレーザ光に対して相対的に非晶質半導体膜502を移動させて照射する。また、基板にうねりが存在する場合は、図8に示したようにうねりを考慮してレーザ光の照射を行うことが好ましい。なおレーザ照射は、連続発振の気体レーザもしくは固体レーザを用いることができる。気体レーザとして、Arレーザ、Krレーザなどがあり、固体レーザとして、YAGレーザ、YVO4レーザ、GdVO4レーザ、YLFレーザ、YAlO3レーザ、アレキサンドライドレーザ、Ti:サファイアレーザ、Y2O3レーザなどが挙げられる。固体レーザとしては、Cr、Nd、Er、Ho、Ce、Co、Ti、Yb又はTmがドーピングされたYAG、YVO4、YLF、YAlO3、GdVO4などの結晶を使ったレーザ等も使用可能である。当該レーザの基本波はドーピングする材料によって異なり、1μm前後の基本波を有するレーザ光が得られる。基本波に対する高調波は、非線形光学素子を用いることで得ることができる。上述したレーザ結晶化によって、結晶性が高められた領域である結晶質半導体膜503が形成される。次に、結晶質半導体膜503を所望の形状にパターニングして、TFTの活性層となる島状の半導体膜504~506を形成する図11C。なお、活性層となる島状の半導体膜504~506を形成した後、TFTのしきい値を制御するために微量な不純物元素ボロンまたはリンのドーピングを行ってもよい。次に、図11Dに示すように、活性層となる島状の半導体膜504~506を覆って、酸化シリコンまたは窒化珪素を主成分とするゲート絶縁膜507を形成する。本実施の形態では、プラズマCVD法でTEOSTetraethylOrthosilicateとO2とを混合し、反応圧力40Pa、基板温度300~400°Cとし、高周波13.56MHz、電力密度0.5~0.8W/cm2で放電させて、酸化シリコン膜を形成した。このようにして作製される酸化シリコン膜は、その後400~500°Cの熱アニールによりゲート絶縁膜として良好な特性を得ることができる。また窒化アルミニウムをゲート絶縁膜として用いることができる。窒化アルミニウムは熱伝導率が比較的高く、TFTで発生した熱を効果的に拡散させることができる。またアルミニウムの含まれない酸化珪素や酸化窒化珪素等を形成した後、窒化アルミニウムを積層したものをゲート絶縁膜として用いても良い。そして、図11Eに示すように、ゲート絶縁膜507の上に導電膜を100~500nmの厚さで成膜し、パターニングすることで、ゲート電極508~510を形成する。なお、本実施の形態ではゲート電極をTa、W、Ti、Mo、Al、Cuから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成する。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また単層の導電膜ではなく、複数の層からなる導電膜を積層したものであっても良い。例えば、第1の導電膜を窒化タンタルTaNで形成し、第2の導電膜をWとする組み合わせ、第1の導電膜を窒化タンタルTaNで形成し、第2の導電膜をAlとする組み合わせ、第1の導電膜を窒化タンタルTaNで形成し、第2の導電膜をCuとする組み合わせで形成することが好ましい。また、第1の導電膜及び第2の導電膜としてリン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜や、AgPdCu合金を用いてもよい。また、2層構造に限定されず、例えば、タングステン膜、アルミニウムとシリコンの合金Al-Si膜、窒化チタン膜を順次積層した3層構造としてもよい。また、3層構造とする場合、タングステン膜に代えて窒化タングステン膜を用いてもよいし、アルミニウムとシリコンの合金Al-Si膜に代えてアルミニウムとチタンの合金膜Al-Tiを用いてもよいし、窒化チタン膜に代えてチタン膜を用いてもよい。なお、導電膜の材料によって、適宜最適なエッチングの方法や、エッチャントの種類を選択することが重要である。次に、n型の不純物元素を添加する工程を行い、n型の不純物領域512~517を形成する。ここでは、フォスフィンPH3を用いたイオンドープ法で行った。次に図12Aに示すように、nチャネル型TFTが形成される領域をレジストマスク520で覆って、pチャネル型TFTが形成される領域に、p型の不純物元素を添加する工程を行い、p型の不純物領域518、519を形成した。ここではジボランB2H6を用いてイオンドープ法で添加した。そして、導電型の制御を目的とし、それぞれの島状の半導体膜に添加された不純物元素を活性化する工程を行う。この工程はファーネスアニール炉を用いる熱アニール法で行う。その他に、レーザアニール法、またはラピッドサーマルアニール法RTA法を適用することができる。熱アニール法では酸素濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下の窒素雰囲気中で400~700°C、代表的には500~600°Cで行うものであり、本実施の形態では500°Cで4時間の熱処理を行う。ただし、ゲート電極508~510が熱に弱い場合には、配線等を保護するため層間絶縁膜シリコンを主成分とするを形成した後で活性化を行うことが好ましい。またレーザアニール法を用いる場合、結晶化の際に用いたレーザを使用することが可能である。活性化の場合は、移動速度は結晶化と同じにし、0.01~100MW/cm2程度好ましくは0.01~10MW/cm2のパワー密度が必要となる。また結晶化の際には連続発振のレーザを用い、活性化の際にはパルス発振のレーザを用いるようにしても良い。さらに、3~100の水素を含む雰囲気中で、300~450°Cで1~12時間の熱処理を行い、島状の半導体膜を水素化する工程を行う。この工程は熱的に励起された水素により半導体膜のダングリングボンドを終端する工程である。水素化の他の手段として、プラズマ水素化プラズマにより励起された水素を用いるを行っても良い。次いで、図12Bに示すように、10~200nmの厚さの酸化窒化シリコンからなる第1無機絶縁膜521を、CVD法を用いて形成する。なお、第1無機絶縁膜は酸化窒化シリコン膜に限定されず、後に形成される有機樹脂膜への水分の出入りを抑えることができる、窒素を含む無機の絶縁膜であれば良く、例えば窒化珪素、窒化アルミニウムまたは酸化窒化アルミニウムを用いることができる。なお、窒化アルミニウムは熱伝導率が比較的高く、TFTや発光素子などで発生した熱を効果的に拡散させることができる。次に、第1無機絶縁膜521の上に、ポジ型の感光性有機樹脂から成る有機樹脂膜522を成膜する。本実施の形態ではポジ型の感光性のアクリルを用いて有機樹脂膜522を形成するが、本発明はこれに限定されない。本実施の形態では、スピンコート法によりポジ型の感光性アクリルを塗布し、焼成することで、有機樹脂膜522を形成する。なお有機樹脂膜522の膜厚は、焼成後、0.7~5μmさらに好ましくは2~4μm程度になるようにする。次に、フォトマスクを用いて開口部を形成したい部分を露光する。そして、TMAHテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを主成分とする現像液で現像した後、基板を乾燥させ、220°C、1時間程度の焼成を行う。そして、図12Bに示したように有機樹脂膜522に開口部が形成され、該開口部において第1無機絶縁膜521が一部露出された状態になる。なお、ポジ型の感光性アクリルは薄茶色に着色しているので、発光素子から発せられる光が基板側に向かっているときは、脱色処理を施す。この場合、焼成する前に、再び現像後の感光性アクリル全体を露光する。このときの露光は、開口部を形成するための露光に比べて、やや強い光を照射したり、照射時間を長くしたりするようにし、完全に露光が行なわれるようにする。例えば、2μmの膜厚のポジ型のアクリル樹脂を脱色するとき、超高圧水銀灯のスペクトル光であるg線436nmとh線405nmとi線365nmとから成る多波長光を利用する等倍投影露光装置具体的にはCanon製のMPAを用いる場合、60sec程度照射する。この露光により、ポジ型のアクリル樹脂が完全に脱色される。また本実施の形態では、現像後に220°Cで焼成を行っているが、現像後にプリベークとして100°C程度の低温で焼成してから、220°Cの高温で焼成するようにしても良い。そして図12Cに示すように、第1無機絶縁膜521が一部露出された該開口部と、有機樹脂膜522を覆って、RFスパッタ法を用いて窒化珪素からなる第2無機絶縁膜523を成膜する。第2無機絶縁膜523の膜厚は10~200nm程度が望ましい。また、第2無機絶縁膜は窒化珪素膜に限定されず、有機樹脂膜522への水分の出入りを抑えることができる、窒素を含む無機の絶縁膜であれば良く、例えば酸化窒化珪素、窒化アルミニウムまたは酸化窒化アルミニウムを用いることができる。なお、酸化窒化珪素膜または酸化窒化アルミニウム膜は、その酸素と窒素のatomicの割合が、そのバリア性に大きく関与している。酸素に対する窒素の割合が高ければ高いほど、バリア性が高められる。また、具体的には、窒素の割合が酸素の割合よりも高い方が望ましい。またRFスパッタ法を用いて成膜された膜は緻密性が高く、バリア性に優れている。RFスパッタの条件は、例えば酸化窒化珪素膜を成膜する場合、Siターゲットで、N2、Ar、N2Oをガスの流量比が31:5:4となるように流し、圧力0.4Pa、電力3000Wとして成膜する。また、例えば窒化珪素膜を成膜する場合、Siターゲットで、チャンバー内のN2、Arをガスの流量比が20:20となるように流し、圧力0.8Pa、電力3000W、成膜温度を215°Cとして成膜する。この有機樹脂膜522と、第1無機絶縁膜521と、第2無機絶縁膜523とで、第1の層間絶縁膜が形成される。次に、図12Cに示すように、有機樹脂膜522の開口部において、レジストマスク524を形成し、ゲート絶縁膜507、第1無機絶縁膜521及び第2無機絶縁膜523に、ドライエッチング法を用いてコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールの開口により、不純物領域512~515、518、519が一部露出された状態になる。このドライエッチングの条件は、ゲート絶縁膜507、第1無機絶縁膜521及び第2無機絶縁膜523の材料によって適宜設定する。本実施の形態では、ゲート絶縁膜507に酸化珪素、第1無機絶縁膜521に酸化窒化珪素、第2無機絶縁膜523に窒化珪素を用いているので、まず、CF4、O2、Heをエッチングガスとして窒化珪素からなる第2無機絶縁膜523と酸化窒化珪素からなる第1無機絶縁膜521をエッチングし、その後CHF3を用いて酸化珪素からなるゲート絶縁膜507をエッチングする。なお、エッチングの際に、開口部において有機樹脂膜522が露出しないようにすることが肝要である。次に、コンタクトホールを覆うように、第2無機絶縁膜523上に導電膜を成膜し、パターニングすることで、不純物領域512~515、518、519に接続された配線526~531が形成される図12D。なお本実施の形態では、第2無機絶縁膜523上に、Ti膜を100nm、Al膜300nm、Ti膜150nmをスパッタ法で連続して形成した3層構造の導電膜としたが本発明はこの構成に限定されない。単層の導電膜で形成しても良いし、3層以外の複数の層からなる導電膜で形成しても良い。また材料もこれに限定されない。例えば、Ti膜を成膜した後、Tiを含むAl膜を積層した導電膜を用いてもよいし、Ti膜を成膜した後、Wを含むAl膜を積層した導電膜を用いても良い。次に、第2無機絶縁膜523の上に、バンクとなる有機樹脂膜を成膜する。本実施の形態ではポジ型の感光性のアクリルを用いるが、本発明はこれに限定されない。本実施の形態では、スピンコート法によりポジ型の感光性アクリルを塗布し、焼成することで、有機樹脂膜を形成する。なお有機樹脂膜の膜厚は、焼成後、0.7~5μmさらに好ましくは2~4μm程度になるようにする。次に、フォトマスクを用いて開口部を形成したい部分を露光する。そして、TMAHテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを主成分とする現像液で現像した後、基板を乾燥させ、220°C、1時間程度の焼成を行う。そして、図12Eに示したように開口部を有する隔壁として機能する絶縁膜533が形成され、該開口部において配線529、531が一部露出された状態になる。なお、ポジ型の感光性アクリルは薄茶色に着色しているので、発光素子から発せられる光が基板側に向かっているときは、脱色処理を施す。脱色処理は有機樹脂膜522に施した脱色処理と同様に行う。隔壁として機能する絶縁膜533に感光性の有機樹脂を用いることで、開口部の断面に丸みをもたせることができるので、後に形成される電界発光層や陰極のカバレッジを良好とすることができ、発光領域が減少するシュリンクとよばれる不良を低減させることができる。そして図13Aに示すように、配線529、531が一部露出された該開口部と、バンク533を覆って、RFスパッタ法を用いて窒化珪素からなる第3無機絶縁膜534を成膜する。第3無機絶縁膜534の膜厚は10~200nm程度が望ましい。また、第3無機絶縁膜534は窒化珪素に限定されず、バンク533への水分の出入りを抑えることができる、窒素を含む無機の絶縁膜であれば良く、例えば酸化窒化珪素膜、窒化アルミニウムまたは酸化窒化アルミニウムを用いることができる。なお、酸化窒化珪素膜または酸化窒化アルミニウム膜は、その酸素と窒素のatomicの割合が、そのバリア性に大きく関与している。酸素に対する窒素の割合が高ければ高いほど、バリア性が高められる。また、具体的には、窒素の割合が酸素の割合よりも高い方が望ましい。そして、バンク533の開口部においてレジストマスク535を形成し、第3無機絶縁膜534に、ドライエッチング法を用いてコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールの開口により、配線529、531が一部露出された状態になる。このドライエッチングの条件は、第3無機絶縁膜534の材料によって適宜設定する。本実施の形態では、第3無機絶縁膜534に窒化珪素を用いているので、CF4、O2、Heをエッチングガスとして窒化珪素からなる第3無機絶縁膜534をエッチングする。なおエッチングの際に、開口部においてバンク533が露出しないようにすることが肝要である。次に、透明導電膜、例えばITO膜を110nmの厚さに形成し、パターニングを行うことで、配線531に接する画素電極540と、ダイオードで生じた電流を得るための引き出し配線541を形成する。また、酸化インジウムに2~20wtの酸化亜鉛ZnOを混合したターゲットを用いてスパッタ法により形成した透明導電膜を用いても良い。この画素電極540が発光素子の陽極となる図13B。次に、画素電極540上に電界発光層542を蒸着法により形成し、更に蒸着法により陰極MgAg電極543を形成する。このとき電界発光層542及び陰極543を形成するに先立って画素電極540に対して熱処理を施し、水分を完全に除去しておくことが望ましい。なお、本実施の形態ではOLEDの陰極としてMgAg電極を用いるが、仕事関数の小さい導電膜であれば公知の他の材料、例えばCa、Al、CaF、MgAg、AlLiであっても良い。なお陰極としてAlLiを用いた場合、窒素を含んだ第3無機絶縁膜534によって、AlLi中のLiが、第3無機絶縁膜534より基板側に入り込んでしまうのを防ぐことができる。なお、電界発光層542としては、公知の材料を用いることができる。本実施の形態では正孔輸送層Holetransportinglayer及び発光層Emittinglayerでなる2層構造を電界発光層とするが、正孔注入層、電子注入層若しくは電子輸送層のいずれかを設ける場合もある。このように組み合わせは既に様々な例が報告されており、そのいずれの構成を用いても構わない。例えば、電子輸送層またはホールブロッキング層として、SAlqやCAlqなどを用いても良い。電界発光層542の膜厚は10~400nm典型的には60~150nm、陰極543の厚さは80~200nm典型的には100~150nmとすれば良い。こうして図13Bに示すような構造の発光装置が完成する。図13Bにおいて550は画素部であり、551は駆動回路部に相当する。画素部550において、画素電極540、電界発光層542、陰極543の重なっている部分552がOLEDに相当する。なお、本実施の形態で示す発光装置の構成及び具体的な作製方法はほんの一例であり、本発明はこの構成に限定されない。実際には図13Bまで完成したら、さらに外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルムラミネートフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等や透光性のカバー材でパッケージング封入することが好ましい。その際、カバー材の内部を不活性雰囲気にしたり、内部に吸湿性材料例えば酸化バリウムを配置したりするとOLEDの信頼性が向上する。本実施の形態8は、実施の形態1乃至7と自由に組み合わせて行うことが可能である。実施の形態9本発明のレーザ照射方法を作製工程に利用して形成された半導体装置を用いた電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置カーオーディオ、オーディオコンポ等、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末モバイルコンピュータ、携帯電話機、携帯型ゲーム機または電子書籍等、記録媒体を備えた画像再生装置具体的にはDVDdigitalversatiledisc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置などが挙げられる。それら電子機器の具体例を図16に示す。図16Aはテレビ受像機であり、筐体2001、支持台2002、表示部2003、スピーカー部2004、ビデオ入力端子2005等を含む。実施の形態1乃至7に示したレーザ照射方法を表示部2003などの加工に用いることによって、テレビ受像機を作製することができる。図16Bはデジタルカメラであり、本体2101、表示部2102、受像部2103、操作キー2104、外部接続ポート2105、シャッター2106等を含む。実施の形態1乃至7に示したレーザ照射方法を表示部2102やその他回路などの加工に用いることによって、デジタルカメラを作製することができる。図16Cはコンピュータであり、本体2201、筐体2202、表示部2203、キーボード2204、外部接続ポート2205、ポインティングマウス2206等を含む。実施の形態1乃至7に示したレーザ照射方法を表示部2203やその他回路などの加工に用いることによって、コンピュータを作製することができる。図16Dはモバイルコンピュータであり、本体2301、表示部2302、スイッチ2303、操作キー2304、赤外線ポート2305等を含む。実施の形態1乃至7に示したレーザ照射方法を表示部2302やその他回路などの加工に用いることによって、モバイルコンピュータを作製することができる。図16Eは記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置DVD再生装置などであり、本体2401、筐体2402、表示部A2403、表示部B2404、記録媒体DVD等読み込み部2405、操作キー2406、スピーカー部2407等を含む。表示部A2403は主として画像情報を表示し、表示部B2404は主として文字情報を表示する。実施の形態1乃至7に示したレーザ照射方法を表示部A2403や表示部B2404またはその他の回路などの加工に用いることによって、画像再生装置を作製することができる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置にはゲーム機器なども含まれる。図16Fはゴーグル型ディスプレイヘッドマウントディスプレイであり、本体2501、表示部2502、アーム部2503を含む。実施の形態1乃至7に示したレーザ照射方法を表示部2502やその他回路などの加工に用いることによって、ゴーグル型ディスプレイを作製することができる。図16Gはビデオカメラであり、本体2601、表示部2602、筐体2603、外部接続ポート2604、リモコン受信部2605、受像部2606、バッテリー2607、音声入力部2608、操作キー2609、接眼部2610等を含む。実施の形態1乃至7に示したレーザ照射方法を表示部2602やその他回路などの加工に用いることによって、ビデオカメラを作製することができる。図16Hは携帯電話機であり、本体2701、筐体2702、表示部2703、音声入力部2704、音声出力部2705、操作キー2706、外部接続ポート2707、アンテナ2708等を含む。実施の形態1乃至7に示したレーザ照射方法を表示部2703やその他回路などの加工に用いることによって、携帯電話機を作製することができる。なお、上述した電子機器の他に、フロント型若しくはリア型のプロジェクターに用いることも可能となる。以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。本実施の形態9は、実施の形態1乃至8と自由に組み合わせて行うことが可能である。