"下記式1:式1中、Ar1は炭素数6乃至50のアリーレン基又は複素環基を含む有機基を表す。で表される単位構造、下記式2:ただし、式2中、Ar2、Ar3、及びAr4はそれぞれ炭素数6乃至50のアリーレン基又は複素環基を含む有機基を表し、Tはカルボニル基またはスルホニル基を表す。で表される単位構造、又は式1で表される単位構造及び式2で表される単位構造の組み合わせを含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。上記式1で表される単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物であって、上記Ar1で表される有機基が、フルオレン構造を含む有機基である請求項1に記載のレジスト下層膜形成組成物。上記式2で表される単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物であって、上記Ar2で表される有機基が、フルオレン構造を含む有機基である請求項1に記載のレジスト下層膜形成組成物。上記式1で表される単位構造及び上記式2で表される単位構造の組み合わせを含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物であって、上記Ar1及びAr2で表される有機基の少なくとも一方が、フルオレン構造を含む有機基である請求項1に記載のレジスト下層膜形成組成物。上記式1で表される単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物であって、上記Ar1で表される有機基が、アリーレン基と、炭素と炭素の三重結合を含む基及び/又は炭素と炭素の二重結合を含む基との組み合わせからなる有機基である請求項1に記載のレジスト下層膜形成組成物。上記式2で表される単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物であって、上記Ar2で表される有機基が、アリーレン基と、炭素と炭素の三重結合を含む基及び/又は炭素と炭素の二重結合を含む基との組み合わせからなる有機基である請求項1に記載のレジスト下層膜形成組成物。上記式1で表される単位構造及び上記式2で表される単位構造の組み合わせを含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物であって、上記Ar1及びAr2で表される有機基の少なくとも一方が、アリーレン基と、炭素と炭素の三重結合を含む基及び/又は炭素と炭素の二重結合を含む基との組み合わせからなる有機基である請求項1に記載のレジスト下層膜形成組成物。上記式1で表される単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物であって、上記Ar1で表される有機基が、ビフェニレン構造を含む有機基である請求項1に記載のレジスト下層膜形成組成物。上記式2で表される単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物であって、上記Ar2で表される有機基が、ビフェニレン構造を含む有機基である請求項1に記載のレジスト下層膜形成組成物。上記式1で表される単位構造及び上記式2で表される単位構造の組み合わせを含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物であって、上記Ar1及びAr2で表される有機基の少なくとも一方が、ビフェニレン構造を含む有機基である請求項1に記載のレジスト下層膜形成組成物。上記式2で表される単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物であって、上記Ar3及びAr4で表される有機基の少なくとも一方が、フェニレン基である請求項1に記載のレジスト下層膜形成組成物。上記式1で表される単位構造及び上記式2で表される単位構造の組み合わせを含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物であって、上記Ar3及びAr4で表される有機基の少なくとも一方が、フェニレン基である請求項1に記載のレジスト下層膜形成組成物。更に酸、又は酸発生剤を含むものである請求項1乃至請求項12のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。請求項1乃至請求項13のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成することによって得られるレジスト下層膜。半導体基板上に請求項1乃至請求項13のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物により下層膜を形成する工程、その上にレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜に光又は電子線を照射し、次いで現像することによりレジストパターンを形成する工程、該レジスト膜のレジストパターンに従い該下層膜をエッチングする工程、及び該パターン化された下層膜に従い半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。半導体基板に請求項1乃至請求項13のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物により下層膜を形成する工程、その上にハードマスクを形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜に光又は電子線を照射し、次いで現像することによりレジストパターンを形成する工程、該レジスト膜のレジストパターンに従いハードマスクをエッチングする工程、該パターン化されたハードマスクに従い該下層膜をエッチングする工程、及び該パターン化された下層膜に従い半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。本発明は、半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いるためのレジスト下層膜形成組成物を提供しようとするものである。また本発明の目的は、レジスト層とのインターミキシングが起こらず、優れたレジストパターンが得られ、レジストに近いドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用レジスト下層膜、レジストに比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用レジスト下層膜や半導体基板に比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用レジスト下層膜を提供することにある。また本発明は、248nm、193nm、157nm等の波長の照射光を微細加工に使用する際に基板からの反射光を効果的に吸収する性能を付与することもできるリソグラフィー用レジスト下層膜を提供しようとするものである。さらに、本発明の目的はレジスト下層膜形成組成物を用いたレジストパターンの形成法を提供することにある。そして、本発明は、耐熱性も兼ね備えたレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物を提供しようとするものである。本発明は第1観点として、下記式1:式1中、Ar1は炭素数6乃至50のアリーレン基又は複素環基を含む有機基を表す。で表される単位構造、下記式2:ただし、式2中、Ar2、Ar3、及びAr4はそれぞれ炭素数6乃至50のアリーレン基又は複素環基を含む有機基を表し、Tはカルボニル基またはスルホニル基を表す。で表される単位構造、又は式1で表される単位構造及び式2で表される単位構造の組み合わせを含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物、第2観点として、上記式1で表される単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物であって、上記Ar1で表される有機基が、フルオレン構造を含む有機基である第1観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、第3観点として、上記式2で表される単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物であって、上記Ar2で表される有機基が、フルオレン構造を含む有機基である第1観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、第4観点として、上記式1で表される単位構造及び上記式2で表される単位構造の組み合わせを含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物であって、上記Ar1及びAr2で表される有機基の少なくとも一方が、フルオレン構造を含む有機基である第1観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、第5観点として、上記式1で表される単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物であって、上記Ar1で表される有機基が、アリーレン基と、炭素と炭素の三重結合を含む基及び/又は炭素と炭素の二重結合を含む基との組み合わせからなる有機基である第1観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、第6観点として、上記式2で表される単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物であって、上記Ar2で表される有機基が、アリーレン基と、炭素と炭素の三重結合を含む基及び/又は炭素と炭素の二重結合を含む基との組み合わせからなる有機基である第1観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、第7観点として、上記式1で表される単位構造及び上記式2で表される単位構造の組み合わせを含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物であって、上記Ar1及びAr2で表される有機基の少なくとも一方が、アリーレン基と、炭素と炭素の三重結合を含む基及び/又は炭素と炭素の二重結合を含む基との組み合わせからなる有機基である第1観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、第8観点として、上記式1で表される単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物であって、上記Ar1で表される有機基が、ビフェニレン構造を含む有機基である第1観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、第9観点として、上記式2で表される単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物であって、上記Ar2で表される有機基が、ビフェニレン構造を含む有機基である第1観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、第10観点として、上記式1で表される単位構造及び上記式2で表される単位構造の組み合わせを含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物であって、上記Ar1及びAr2で表される有機基の少なくとも一方が、ビフェニレン構造を含む有機基である第1観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、第11観点として、上記式2で表される単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物であって、上記Ar3及びAr4で表される有機基の少なくとも一方が、フェニレン基である第1観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、第12観点として、上記式1で表される単位構造及び上記式2で表される単位構造の組み合わせを含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物であって、上記Ar3及びAr4で表される有機基の少なくとも一方が、フェニレン基である第1観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、第13観点として、更に酸、又は酸発生剤を含むものである第1観点乃至第12観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物。第14観点として、第1観点乃至第13観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成することによって得られるレジスト下層膜、第15観点として、半導体基板上に第1観点乃至第13観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物により下層膜を形成する工程、その上にレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜に光又は電子線を照射し、次いで現像することによりレジストパターンを形成する工程、該レジスト膜のレジストパターンに従い該下層膜をエッチングする工程、及び該パターン化された下層膜に従い半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法、及び第16観点として、半導体基板に第1観点乃至第13観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物により下層膜を形成する工程、その上にハードマスクを形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜に光又は電子線を照射し、次いで現像することによりレジストパターンを形成する工程、該レジスト膜のレジストパターンに従いハードマスクをエッチングする工程、該パターン化されたハードマスクに従い該下層膜をエッチングする工程、及び該パターン化された下層膜に従い半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法である。本発明のレジスト下層膜形成組成物により、レジスト下層膜の上層部とインターミキシングを起こすことなく、良好なレジストのパターン形状を形成することができる。本発明のレジスト下層膜形成組成物には基板からの反射を効率的に抑制する性能を付与することも可能であり、露光光の反射防止膜としての効果を併せ持つこともできる。本発明のレジスト下層膜形成組成物により、レジストに近いドライエッチング速度の選択比、レジストに比べて小さいドライエッチング速度の選択比や半導体基板に比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つ、優れたレジスト下層膜を提供することができる。レジストパターンの微細化に伴いレジストパターンが現像後に倒れることを防止するためにレジストの薄膜化が行われている。そのような薄膜レジストでは、レジストパターンをエッチングプロセスでその下層膜に転写し、その下層膜をマスクとして基板加工を行うプロセスや、レジストパターンをエッチングプロセスでその下層膜に転写し、さらに下層膜に転写されたパターンを異なるガス組成を用いてその下層膜に転写するという行程を繰り返し、最終的に基板加工を行うプロセスがある。本発明のレジスト下層膜及びその形成組成物はこのプロセスに有効であり、本発明のレジスト下層膜を用いて基板を加工する時は、加工基板例えば、基板上の熱酸化ケイ素膜、窒化珪素膜、ポリシリコン膜等に対して十分にエッチング耐性を有するものである。そして、本発明のレジスト下層膜は、平坦化膜、レジスト下層膜、レジスト層の汚染防止膜、ドライエッチ選択性を有する膜として用いることができる。これにより、半導体製造のリソグラフィープロセスにおけるレジストパターン形成を、容易に、精度良く行うことができるようになる。レジスト下層膜形成組成物によるレジスト下層膜を基板上に形成し、その上にハードマスクを形成し、その上にレジスト膜を形成し、露光と現像によりレジストパターンを形成し、レジストパターンをハードマスクに転写し、ハードマスクに転写されたレジストパターンをレジスト下層膜に転写し、そのレジスト下層膜で半導体基板の加工を行うプロセスがある。このプロセスでハードマスクは有機ポリマーや無機ポリマーと溶剤を含む塗布型の組成物によって行われる場合と、無機物の真空蒸着によって行われる場合がある。無機物例えば、窒化酸化ケイ素の真空蒸着では蒸着物がレジスト下層膜表面に堆積するが、その際にレジスト下層膜表面の温度が400°C前後に上昇する。本発明によるレジスト下層膜形成組成物では用いられるポリマーがポリエーテル構造、例えばフルオレンナフトールとアリーレンアルキレンの単位構造を含む共重合体であるため極めて耐熱性が高く、蒸着物の堆積によっても熱劣化が生じにくくなる。本発明は式1で表される単位構造、式2で表される単位構造、又はそれらの組み合わせからなる単位構造を含むポリマーを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物である。そして、架橋剤と酸を含むことができ、必要に応じて酸発生剤、界面活性剤等の添加剤を含むことができる。この組成物の固形分は0.1乃至70質量、または0.1乃至60質量である。固形分はレジスト下層膜形成組成物から溶剤を除いた残りの成分の含有割合である。固形分中に上記ポリマーを1乃至100質量、または1乃至99質量、または50乃至99質量の割合で含有することができる。本発明に用いられるポリマーは、重量平均分子量が600乃至1000000、好ましくは1000乃至200000である。式1で表される単位構造はポリエーテル構造を有する単位構造を表し、式2で表される単位構造はポリエーテルエーテルケトン構造又はポリエーテルエーテルスルホン構造を有する単位構造を表す。式1で表される単位構造において、Ar1は炭素数6乃至50のアリーレン基又は複素環基を含む有機基を表す。該有機基は例えば2乃至4価を示す。また、式2において、式2中、Ar2、Ar3、及びAr4はそれぞれ炭素数6乃至50のアリーレン基又は複素環基を含む有機基を表し、Tはカルボニル基またはスルホニル基を表す。Ar1乃至Ar4で表される有機基中のアリーレン基又は複素環基は、それぞれ一種又は二種以上の組み合わせとして用いることができる。該アリーレン基及び該複素環基は例えば2乃至4価を示す。炭素数6乃至50のアリーレン基はアリール基に対応する2価の有機基であり、例えばフェニル基、o-メチルフェニル基、m-メチルフェニル基、p-メチルフェニル基、o-クロルフェニル基、m-クロルフェニル基、p-クロルフェニル基、o-フルオロフェニル基、p-フルオロフェニル基、o-メトキシフェニル基、p-メトキシフェニル基、p-ニトロフェニル基、p-シアノフェニル基、α-ナフチル基、β-ナフチル基、o-ビフェニリル基、m-ビフェニリル基、p-ビフェニリル基、1-アントリル基、2-アントリル基、9-アントリル基、1-フェナントリル基、2-フェナントリル基、3-フェナントリル基、4-フェナントリル基、9-フェナントリル基、フルオレン基、フルオレン誘導体基、ピレン基、ペンタセン基に対応する2価の基を例示することができる。複素環基は、ピロール、チオフェン、フラン、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、ピラゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、ピラン、カルバゾール等の複素環に対応する有機基を用いることができる。炭素数6乃至50のアリーレン基を含む有機基は、上記アリーレン基単独で、又は上記アリーレン基と、炭素と炭素の三重結合を含む基及び/又は炭素と炭素の二重結合を含む基との組み合わせとして用いることができる。また、上記アリーレン基を含む有機基としては、フルオレン構造を含む有機基、又はビフェニレン構造を含む有機基を用いることができる。本発明に用いられるポリマーの単位構造は例えば以下に例示することができる。本発明のレジスト下層膜形成組成物は架橋剤成分を含むことができる。その架橋剤としては、メラミン系、置換尿素系、またはそれらのポリマー系等が挙げられる。好ましくは、少なくとも2個の架橋形成置換基を有する架橋剤であり、メトキシメチル化グリコールウリル、ブトキシメチル化グリコールウリル、メトキシメチル化メラミン、ブトキシメチル化メラミン、メトキシメチル化ベンゾグワナミン、ブトキシメチル化ベンゾグワナミン、メトキシメチル化尿素、ブトキシメチル化尿素、メトキシメチル化チオ尿素、またはメトキシメチル化チオ尿素等の化合物である。また、これらの化合物の縮合体も使用することができる。また、上記架橋剤としては耐熱性の高い架橋剤を用いることができる。耐熱性の高い架橋剤としては分子内に芳香族環例えば、ベンゼン環、ナフタレン環を有する架橋形成置換基を含有する化合物を好ましく用いることができる。この化合物は下記式4で表される部分構造を有する化合物や、下記式5で表される繰り返し単位を有するポリマー又はオリゴマーが挙げられる。式4中、R7及びR8はそれぞれ水素原子、炭素数1乃至10のアルキル基、又は炭素数6乃至20のアリール基を表し、n7は1乃至4の整数を表し、n8は1乃至5-n7の整数を表し、n7n8は2乃至5の整数を表す。式5中、R9は水素原子又は炭素数1乃至10のアルキル基を表し、R10は炭素数1乃至10のアルキル基を表し、n9は1乃至4の整数を表し、n10は0乃至4-n9を表し、n9n10は1乃至4の整数を表す。オリゴマー及びポリマーは繰り返し単位構造の数が2乃至100、又は2乃至50の範囲で用いることができる。これらのアルキル基やアリール基は上述の例示を挙げることができる。式4で表される化合物、ポリマー、オリゴマー、及び式5で表される化合物、ポリマー、オリゴマーは以下に例示される。上記化合物は旭有機材工業株、本州化学工業株の製品として入手することができる。例えば上記架橋剤の中で式6-21で表される化合物は旭有機材工業株、商品名TM-BIP-Aとして入手することができる。架橋剤の添加量は、使用する塗布溶剤、使用する下地基板、要求される溶液粘度、要求される膜形状などにより変動するが、全固形分に対して0.001乃至80質量、好ましくは0.01乃至50質量、さらに好ましくは0.05乃至40質量である。これら架橋剤は自己縮合による架橋反応を起こすこともあるが、本発明の上記のポリマー中に架橋性置換基が存在する場合は、それらの架橋性置換基と架橋反応を起こすことができる。本発明では上記架橋反応を促進するための触媒としてとして、p-トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウムp-トルエンスルホン酸、サリチル酸、スルホサリチル酸、クエン酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、ナフタレンカルボン酸等の酸性化合物又は/及び2,4,4,6-テトラブロモシクロヘキサジエノン、ベンゾイントシレート、2-ニトロベンジルトシレート、その他有機スルホン酸アルキルエステル等の熱酸発生剤を配合する事ができる。配合量は全固形分に対して、0.0001乃至20質量、好ましくは0.0005乃至10質量、好ましくは0.01乃至3質量である。本発明のリソグラフィー用塗布型下層膜形成組成物は、リソグラフィー工程で上層に被覆されるフォトレジストとの酸性度を一致させる為に、光酸発生剤を添加する事ができる。好ましい光酸発生剤としては、例えば、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等のオニウム塩系光酸発生剤類、フェニル-ビストリクロロメチル-s-トリアジン等のハロゲン含有化合物系光酸発生剤類、ベンゾイントシレート、N-ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホネート等のスルホン酸系光酸発生剤類等が挙げられる。上記光酸発生剤は全固形分に対して、0.2乃至10質量、好ましくは0.4乃至5質量である。本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜材料には、上記以外に必要に応じて更なる吸光剤、レオロジー調整剤、接着補助剤、界面活性剤などを添加することができる。更なる吸光剤としては例えば、工業用色素の技術と市場CMC出版や染料便覧有機合成化学協会編に記載の市販の吸光剤、例えば、C.I.DisperseYellow1,3,4,5,7,8,13,23,31,49,50,51,54,60,64,66,68,79,82,88,90,93,102,114及び124;C.I.DisperseOrange1,5,13,25,29,30,31,44,57,72及び73;C.I.DisperseRed1,5,7,13,17,19,43,50,54,58,65,72,73,88,117,137,143,199及び210;C.I.DisperseViolet43;C.I.DisperseBlue96;C.I.FluorescentBrighteningAgent112,135及び163;C.I.SolventOrange2及び45;C.I.SolventRed1,3,8,23,24,25,27及び49;C.I.PigmentGreen10;C.I.PigmentBrown2等を好適に用いることができる。上記吸光剤は通常、リソグラフィー用レジスト下層膜材料の全固形分に対して10質量以下、好ましくは5質量以下の割合で配合される。レオロジー調整剤は、主にレジスト下層膜形成組成物の流動性を向上させ、特にベーキング工程において、レジスト下層膜の膜厚均一性の向上やホール内部へのレジスト下層膜形成組成物の充填性を高める目的で添加される。具体例としては、ジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジイソブチルフタレート、ジヘキシルフタレート、ブチルイソデシルフタレート等のフタル酸誘導体、ジノルマルブチルアジペート、ジイソブチルアジペート、ジイソオクチルアジペート、オクチルデシルアジペート等のアジピン酸誘導体、ジノルマルブチルマレート、ジエチルマレート、ジノニルマレート等のマレイン酸誘導体、メチルオレート、ブチルオレート、テトラヒドロフルフリルオレート等のオレイン酸誘導体、またはノルマルブチルステアレート、グリセリルステアレート等のステアリン酸誘導体を挙げることができる。これらのレオロジー調整剤は、リソグラフィー用レジスト下層膜材料の全固形分に対して通常30質量未満の割合で配合される。接着補助剤は、主に基板あるいはレジストとレジスト下層膜形成組成物の密着性を向上させ、特に現像においてレジストが剥離しないようにするための目的で添加される。具体例としては、トリメチルクロロシラン、ジメチルビニルクロロシラン、メチルジフエニルクロロシラン、クロロメチルジメチルクロロシラン等のクロロシラン類、トリメチルメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、ジメチルビニルエトキシシラン、ジフエニルジメトキシシラン、フエニルトリエトキシシラン等のアルコキシシラン類、ヘキサメチルジシラザン、N,N’ービストリメチルシリルウレア、ジメチルトリメチルシリルアミン、トリメチルシリルイミダゾール等のシラザン類、ビニルトリクロロシラン、γークロロプロピルトリメトキシシラン、γーアミノプロピルトリエトキシシラン、γーグリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のシラン類、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、インダゾール、イミダゾール、2ーメルカプトベンズイミダゾール、2ーメルカプトベンゾチアゾール、2ーメルカプトベンゾオキサゾール、ウラゾール、チオウラシル、メルカプトイミダゾール、メルカプトピリミジン等の複素環式化合物や、1,1ージメチルウレア、1,3ージメチルウレア等の尿素、またはチオ尿素化合物を挙げることができる。これらの接着補助剤は、リソグラフィー用レジスト下層膜材料の全固形分に対して通常5質量未満、好ましくは2質量未満の割合で配合される。本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜材料には、ピンホールやストレーション等の発生がなく、表面むらに対する塗布性をさらに向上させるために、界面活性剤を配合することができる。界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフエノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフエノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロツクコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトツプEF301、EF303、EF352株トーケムプロダクツ製、商品名、メガファックF171、F173、R-30大日本インキ株製、商品名、フロラードFC430、FC431住友スリーエム株製、商品名、アサヒガードAG710、サーフロンSー382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106旭硝子株製、商品名等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーKP341信越化学工業株製等を挙げることができる。これらの界面活性剤の配合量は、本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜材料の全固形分に対して通常2.0質量以下、好ましくは1.0質量以下である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また2種以上の組合せで添加することもできる。本発明で、上記のポリマー及び架橋剤成分、架橋触媒等を溶解させる溶剤としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2ーヒドロキシプロピオン酸エチル、2ーヒドロキシー2ーメチルプロピオン酸エチル、エトシキ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2ーヒドロキシー3ーメチルブタン酸メチル、3ーメトキシプロピオン酸メチル、3ーメトキシプロピオン酸エチル、3ーエトキシプロピオン酸エチル、3ーエトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル等を用いることができる。これらの有機溶剤は単独で、または2種以上の組合せで使用される。さらに、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等の高沸点溶剤を混合して使用することができる。これらの溶剤の中でプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル、及びシクロヘキサノン等がレベリング性の向上に対して好ましい。本発明に用いられるレジストはフォトレジストや電子線レジスト等を用いることができる。本発明におけるリソグラフィー用レジスト下層膜の上部に塗布されるフォトレジストとしてはネガ型、ポジ型いずれも使用でき、ノボラック樹脂と1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとからなるポジ型フォトレジスト、酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジスト、アルカリ可溶性バインダーと酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物と光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジスト、酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物と光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジスト、骨格にSi原子を有するフォトレジスト等があり、例えば、ロームアンドハーツ社製、商品名APEX-Eが挙げられる。また本発明におけるリソグラフィー用レジスト下層膜の上部に塗布される電子線レジストとしては、例えば主鎖にSi-Si結合を含み末端に芳香族環を含んだ樹脂と電子線の照射により酸を発生する酸発生剤から成る組成物、又は水酸基がN-カルボキシアミンを含む有機基で置換されたポリp-ヒドロキシスチレンと電子線の照射により酸を発生する酸発生剤から成る組成物等が挙げられる。後者の電子線レジスト組成物では、電子線照射によって酸発生剤から生じた酸がポリマー側鎖のN-カルボキシアミノキシ基と反応し、ポリマー側鎖が水酸基に分解しアルカリ可溶性を示しアルカリ現像液に溶解し、レジストパターンを形成するものである。この電子線の照射により酸を発生する酸発生剤は1,1-ビスp-クロロフェニル-2,2,2-トリクロロエタン、1,1-ビスp-メトキシフェニル-2,2,2-トリクロロエタン、1,1-ビスp-クロロフェニル-2,2-ジクロロエタン、2-クロロ-6-トリクロロメチルピリジン等のハロゲン化有機化合物、トリフェニルスルフォニウム塩、ジフェニルヨウドニウム塩等のオニウム塩、ニトロベンジルトシレート、ジニトロベンジルトシレート等のスルホン酸エステルが挙げられる。本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜材料を使用して形成したレジスト下層膜を有するレジストの現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n-プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジーn-ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第4級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。さらに、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。これらの中で好ましい現像液は第四級アンモニウム塩、さらに好ましくはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びコリンである。次に本発明のレジストパターン形成法について説明すると、精密集積回路素子の製造に使用される基板例えばシリコン/二酸化シリコン被覆、ガラス基板、ITO基板などの透明基板上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法によりレジスト下層膜形成組成物を塗布後、ベークして硬化させ塗布型下層膜を作成する。ここで、レジスト下層膜の膜厚としては0.01乃至3.0μmが好ましい。また塗布後ベーキングする条件としては80乃至350°Cで0.5乃至120分間である。その後レジスト下層膜上に直接、または必要に応じて1層乃至数層の塗膜材料を塗布型下層膜上に成膜した後、レジストを塗布し、所定のマスクを通して光又は電子線の照射を行い、現像、リンス、乾燥することにより良好なレジストパターンを得ることができる。必要に応じて光又は電子線の照射後加熱PEB:PostExposureBakeを行うこともできる。そして、レジストが前記工程により現像除去された部分のレジスト下層膜をドライエッチングにより除去し、所望のパターンを基板上に形成することができる。上記フォトレジストでの露光光は、近紫外線、遠紫外線、又は極外紫外線例えば、EUV等の化学線であり、例えば248nmKrFレーザー光、193nmArFレーザー光、157nmF2レーザー光等の波長の光が用いられる。光照射には、光酸発生剤から酸を発生させることができる方法であれば、特に制限なく使用することができ、露光量1乃至2000mJ/cm2、または10乃至1500mJ/cm2、または50乃至1000mJ/cm2による。また電子線レジストの電子線照射は、例えば電子線照射装置を用い照射することができる。本発明では、半導体基板にレジスト下層膜形成組成物により該レジスト下層膜を形成する工程、その上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、レジストパターンにより該レジスト下層膜をエッチングする工程、及びパターン化されたレジスト下層膜により半導体基板を加工する工程を経て半導体装置を製造することができる。今後、レジストパターンの微細化が進行すると、解像度の問題やレジストパターンが現像後に倒れるという問題が生じ、レジストの薄膜化が望まれてくる。そのため、基板加工に充分なレジストパターン膜厚を得ることが難しく、レジストパターンだけではなく、レジストと加工する半導体基板との間に作成されるレジスト下層膜にも基板加工時のマスクとしての機能を持たせるプロセスが必要になってきた。このようなプロセス用のレジスト下層膜として従来の高エッチレート性レジスト下層膜とは異なり、レジストに近いドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用レジスト下層膜、レジストに比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用レジスト下層膜や半導体基板に比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用レジスト下層膜が要求されるようになってきている。また、このようなレジスト下層膜には反射防止能を付与することも可能であり、従来の反射防止膜の機能を併せ持つことができる。一方、微細なレジストパターンを得るために、レジスト下層膜ドライエッチング時にレジストパターンとレジスト下層膜をレジスト現像時のパターン幅より細くするプロセスも使用され始めている。このようなプロセス用のレジスト下層膜として従来の高エッチレート性反射防止膜とは異なり、レジストに近いドライエッチング速度の選択比を持つレジスト下層膜が要求されるようになってきている。また、このようなレジスト下層膜には反射防止能を付与することも可能であり、従来の反射防止膜の機能を併せ持つことができる。本発明では基板上に本発明のレジスト下層膜を成膜した後、レジスト下層膜上に直接、または必要に応じて1層乃至数層の塗膜材料をレジスト下層膜上に成膜した後、レジストを塗布することができる。これによりレジストのパターン幅が狭くなり、パターン倒れを防ぐ為にレジストを薄く被覆した場合でも、適切なエッチングガスを選択することにより基板の加工が可能になる。即ち、半導体基板にレジスト下層膜形成組成物により該レジスト下層膜を形成する工程、その上にケイ素成分等を含有する塗膜材料によるハードマスクを形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、レジストパターンによりハードマスクをエッチングする工程、パターン化されたハードマスクにより該レジスト下層膜をエッチングする工程、及びパターン化されたレジスト下層膜により半導体基板を加工する工程を経て半導体装置を製造することができる。本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物は、反射防止膜としての効果を考慮した場合、光吸収部位が骨格に取りこまれているため、加熱乾燥時にフォトレジスト中への拡散物がなく、また、光吸収部位は十分に大きな吸光性能を有しているため反射光防止効果が高い。本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物では、熱安定性が高く、焼成時の分解物による上層膜への汚染が防げ、また、焼成工程の温度マージンに余裕を持たせることができるものである。さらに、本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜材料は、プロセス条件によっては、光の反射を防止する機能と、更には基板とフォトレジストとの相互作用の防止或いはフォトレジストに用いられる材料又はフォトレジストへの露光時に生成する物質の基板への悪作用を防ぐ機能とを有する膜としての使用が可能である。合成例1攪拌装置、還流器、温度計を備えているフラスコに9,9ビス4-ヒドロキシフェニルフルオレン28.04g、4,4’-ジフルオロベンゾフェノン13.97g、炭酸カリウム12.32g、N-メチル-2-ピロリジノン162.56gを入れた。その後フラスコ内を窒素置換した後、内温が140°Cまで加熱し約24時間反応させた。合成されたポリマーを室温まで冷却させた後、沈殿物を取り除くために、ろ過してろ液を回収し、N-メチル-2-ピロリジノンと2mol/l塩酸の体積比が90:10の混合液約10mlと混合させた。その後メタノールに反応ろ液を投入し再沈殿精製を行った。さらに沈殿物を水とメタノールにて沈殿物を洗浄し、85°Cで約1日真空乾燥させ本発明で用いられるポリエーテルを得た。得られたポリマーは式3-1に相当した。得られたエーテル構造を有するポリマーのGPC分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は6900、多分散度Mw/Mnは1.83であった。合成例2100ml三口フラスコに6,6’-9H-フルオレン-9,9-ジイルジナフタレン-2-オール6.76g、4,4’-ジフルオロベンゾフェノン3.27g、N-メチル-2-ピロリジノン42.72g、炭酸カリウム2.49gを入れた。その後フラスコ内を窒素置換した後、170°Cまで加熱し約24時間反応させた。その後、N-メチル-2-ピロリジノン5.84gに溶解させた1-ナフトール0.65gを加え、さらに2時間撹拌した。反応終了後、N-メチル-2-ピロリジノン20gで希釈し、沈殿物をろ過により除去した。回収したろ液をメタノール/水/トルエン350g/50g/30g混合溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を85°Cで一晩減圧乾燥した。そして、薄肌色粉末のポリエーテルを7.92g得た。得られたポリマーは式3-2に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは、9400、多分散度Mw/Mnは2.21であった。合成例3100ml三口フラスコに4-4-フルオロフェニルエチニルフェノール5.09g、N-メチル-2-ピロリジノン45.84g、炭酸カリウム3.65gを入れた。その後フラスコ内を窒素置換した後、170°Cまで加熱し約24時間反応させた。反応終了後、沈殿物をろ過により除去した。回収したろ液をメタノール400g混合溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を85°Cで一晩減圧乾燥した。そして、緑色粉末のポリエーテルを5.12g得た。得られたポリマーは式3-3に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは、51000、多分散度Mw/Mnは5.47であった。合成例4100ml三口フラスコにp-3,4-ジフルオロフェニルエチニルフェノール2.76g、9,9ビスフルオレン2.10g、N-メチル-2-ピロリジノン27.57g、炭酸カリウム3.48gを入れた。その後フラスコ内を窒素置換した後、150°Cまで加熱し約6時間反応させた。反応終了後、沈殿物をろ過により除去した。回収したろ液をメタノール/水500g/250g混合溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を85°Cで一晩減圧乾燥した。そして、肌色粉末のポリエーテルを3.70g得た。得られたポリマーは式3-4に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは、20000、多分散度Mw/Mnは4.49であった。合成例5100ml三口フラスコに9,9ビス4-ヒドロキシフェニルフルオレン8.06g、2,4-ジフルオロビフェニル4.81g、N-メチル-2-ピロリジノン32.35g、炭酸カリウム6.99gを入れた。その後フラスコ内を窒素置換した後、170°Cまで加熱し約24時間反応させた。その後、N-メチル-2-ピロリジノン8.95gに溶解させた1-ナフトール0.99gを加え、さらに2時間撹拌した。反応終了後、沈殿物をろ過により除去した。回収したろ液をメタノール/水160g/40g混合溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を85°Cで一晩減圧乾燥した。そして、肌色粉末のポリエーテルを5.90g得た。得られたポリマーは式3-5に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは1000、多分散度Mw/Mnは1.21であった。合成例6ポリエーテル構造を有するポリマーの合成の一例として、攪拌装置、還流器、温度計を備えているフラスコに22ビス4-ヒドロキシフェニルプロパン32.02g、4,4’-ジフルオロベンゾフェノン25.97g、炭酸カリウム21.30g、N-メチル-2-ピロリジノン237.76gを入れた。その後フラスコ内を窒素置換した後、内温が140°Cまで加熱し約24時間反応させた。合成されたポリマーを室温まで冷却させた後、沈殿物を取り除くために、ろ過してろ液を回収し、N-メチル-2-ピロリジノンと2mol/l塩酸の体積比が90:10の混合液約10mlと混合させた。その後メタノール/水体積比が90/10混合溶液中に反応ろ液を投入し再沈殿精製を行った。さらに沈殿物を水とメタノールにて沈殿物を洗浄し、85°Cで約1日真空乾燥させ本発明で用いられるポリエーテルを得た。得られたポリマーは式3-6に相当した。得られたエーテル構造を有するポリマーのGPC分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は7600、多分散度Mw/Mnは1.96であった。合成例7ポリエーテル構造を有するポリマーの合成の一例として、攪拌装置、還流器、温度計を備えているフラスコに9,9ビス4-ヒドロキシフェニルフルオレン17.52g、2,6-ジフルオロベンゾニトリル6.22g、炭酸カリウム7.64g、N-メチル-2-ピロリジノン94.63gを入れた。その後フラスコ内を窒素置換した後、内温が140°Cまで加熱し約24時間反応させた。合成されたポリマーを室温まで冷却させた後、沈殿物を取り除くために、ろ過してろ液を回収し、N-メチル-2-ピロリジノンと2mol/l塩酸の体積比が90:10の混合液約10mlと混合させた。その後メタノール溶液中に反応ろ液を投入し再沈殿精製を行った。さらに沈殿物を水とメタノールにて沈殿物を洗浄し、85°Cで約1日真空乾燥させ本発明で用いられるポリエーテルを19.72g得た。得られたポリマーは式3-7に相当した。得られたエーテル構造を有するポリマーのGPC分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は15000、多分散度Mw/Mnは2.65であった。合成例8ポリエーテル構造を有するポリマーの合成の一例として、攪拌装置、還流器、温度計を備えているフラスコに9,9ビス4-ヒドロキシフェニルフルオレン26.29g、2,5-ジフルオロニトロベンゼン11.35g、炭酸カリウム11.40g、N-メチル-2-ピロリジノン147.07gを入れた。その後フラスコ内を窒素置換した後、内温が140°Cまで加熱し約24時間反応させた。合成されたポリマーを室温まで冷却させた後、沈殿物を取り除くために、ろ過してろ液を回収し、N-メチル-2-ピロリジノンと2mol/l塩酸の体積比が90:10の混合液約10mlと混合させた。その後メタノール溶液中に反応ろ液を投入し再沈殿精製を行った。さらに沈殿物を水とメタノールにて沈殿物を洗浄し、85°Cで約1日真空乾燥させ本発明で用いられるポリエーテルを28.39g得た。得られたポリマーは式3-8に相当した。得られたエーテル構造を有するポリマーのGPC分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は4400、多分散度Mw/Mnは1.70であった。実施例1合成例1で得た樹脂3gに、シクロヘキサノン12gに溶解させ溶液とし、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。実施例2合成例2で得た樹脂3gに、シクロヘキサノン12gに溶解させ溶液とし、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。実施例3合成例3で得た樹脂3gに、シクロヘキサノン12gに溶解させ溶液とし、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。実施例4合成例4で得た樹脂3gに、シクロヘキサノン12gに溶解させ溶液とし、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。実施例5合成例5で得た3gのポリマーに、シクロヘキサノン12gに溶解させ溶液とし、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。実施例6合成例6で得た3gのポリマーに、シクロヘキサノン12gに溶解させ溶液とし、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。実施例7合成例1で得た樹脂20gに、架橋剤日本サイテックインダストリーズ株式会社製、成分はテトラメトキシメチルグリコールウリル、式7-13.0g、触媒としてパラトルエンスルホン酸0.30gを混合し、シクロヘキサノン88gに溶解させ溶液とし、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。実施例8合成例2で得た樹脂20gに、架橋剤日本サイテックインダストリーズ株式会社製、成分はテトラメトキシメチルグリコールウリル、式7-13.0g、触媒としてピリジニウムパラトルエンスルホネート0.30g、界面活性剤としてメガファックR-30を0.06g混合し、シクロヘキサノン88gに溶解させ溶液とし、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。比較例1クレゾールノボラック樹脂市販品、重量平均分子量は4000の溶液を使用した。実施例9合成例7で得た3gのポリマーに、シクロヘキサノン12gに溶解させ溶液とし、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。実施例10合成例8で得た3gのポリマーに、シクロヘキサノン12gに溶解させ溶液とし、多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。比較例2分子量が1000のポリエチレングリコール東京化成工業株式会社製3gに、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート12gに溶解させ溶液とした。光学パラメータの測定実施例1乃至10、比較例1乃至2で調製したレジスト下層膜溶液を、スピンコーターを用いてシリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で240°C1分間比較例1は205°C1分間、比較例2は160°C1分間、または400°C2分間焼成し、レジスト下層膜膜厚0.05μmを形成した。これらのレジスト下層膜を、分光エリプソメーターを用いて波長193nmでの屈折率n値及び光学吸光係数k値、減衰係数とも呼ぶを測定した。結果を表1に示した。フォトレジスト溶剤への溶出試験実施例1乃至10で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液を、スピンコーターを用いてシリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で240°C1分間比較例1は205°C1分間、比較例2は160°C1分間、または400°C2分間焼成し、レジスト下層膜膜厚0.20μmを形成した。このレジスト下層膜をレジストに使用する溶剤、例えば乳酸エチル、ならびにプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノンに対する浸漬試験を行った。実施例1乃至6および実施例9乃至10の溶液を240°C1分間焼成した膜はそれらの溶剤に溶解したが、400°C2分間焼成した膜は、それらの溶剤に不溶であることを確認した。また、実施例7乃至8の溶液は、400°C2分間焼成した膜だけでなく、240°C1分間焼成した膜も溶剤に不溶であることを確認した。ドライエッチング速度の測定ドライエッチング速度の測定に用いたエッチャー及びエッチングガスは以下のものを用いた。RIE-10NRサムコ製:CF4実施例1乃至10、比較例1乃至2で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液を、スピンコーターを用いてシリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で240°C1分間比較例1は205°C1分間、比較例2は160°C1分間、または400°C2分間焼成し、レジスト下層膜膜厚0.20μmを形成した。エッチングガスとしてCF4ガスを使用してドライエッチング速度を測定した。また、同様にフェノールノボラック樹脂溶液を、スピンコーターを用いてシリコンウェハー上に塗膜を形成した。エッチングガスとしてCF4ガスを使用してドライエッチング速度を測定し、実施例1乃至10、比較例1乃至2のレジスト下層膜のドライエッチング速度との比較を行った。結果を表2に示した。ドライエッチング速度比は実施例1乃至10において、240°C焼成のレジスト下層膜/240°C焼成のフェノールノボラック樹脂のドライエッチング速度比1と、400°C焼成のレジスト下層膜/240°C焼成のフェノールノボラック樹脂のドライエッチング速度比2である。比較例1において、205°C焼成のレジスト下層膜/240°C焼成のフェノールノボラック樹脂のドライエッチング速度比1と、400°C焼成のレジスト下層膜/240°C焼成のフェノールノボラック樹脂のドライエッチング速度比2である。比較例2において、160°C焼成のレジスト下層膜/240°C焼成のフェノールノボラック樹脂のドライエッチング速度比1と、400°C焼成のレジスト下層膜/240°C焼成のフェノールノボラック樹脂のドライエッチング速度比2である。膜の耐熱性試験実施例1乃至10、比較例1乃至2で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液を、スピンコーターを用いてシリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で400°C2分間焼成し、レジスト下層膜膜厚0.20μmを形成した。得られた膜を1分間で10°Cの割合で加熱して大気中で熱重量分析を行い、質量が5パーセント減少する温度を測定した。結果を表3に示した。"