半導体チップ3を凹部10内に有しているケーシング本体1を備えた電子素子であって、前記半導体チップ3が前記凹部内で、第1のガラス転移点温度を有する第1のプラスチック材料からなる注型材6に埋め込まれており、前記凹部10上に、第2のガラス転移点温度を有する第2のプラスチック材料からなるカバー要素8が設けられており、前記第2のガラス転移点温度は、第1のガラス転移点温度よりも低いことを特徴とする電子素子。前記第1及び第2のプラスチック材料は、それぞれ1つの熱硬化性プラスチックを有している、請求項1記載の電子素子。前記第1及び第2のプラスチック材料は、それぞれ1つのエポキシ樹脂を有している、請求項2記載の電子素子。前記第1のガラス転移点温度は、120°C~150°Cの間の範囲にある、請求項1から3いずれか1項記載の電子素子。前記第2のガラス転移点温度は、80°C~120°Cの間の範囲にある、請求項1から4いずれか1項記載の電子素子。前記カバー要素8は、接着剤7を用いて前記注型材6上に設けられている、請求項1から5いずれか1項記載の電子素子。前記接着剤7と前記カバー要素8は、同じガラス転移点温度を有している、請求項6記載の電子素子。前記ケーシング本体1内に埋め込まれ、結合材料4を用いて半導体チップ3が取付けられている導体路フレーム2をさらに有している、請求項1から7いずれか1項記載の電子素子。前記ケーシング本体1は熱可塑性プラスチックを有している、請求項1から8いずれか1項記載の電子素子。前記熱可塑性プラスチックは、ポリフタラミドPPAを有している、請求項9記載の電子素子。前記ケーシング本体1は表面実装可能である、請求項1から10いずれか1項記載の電子素子。前記半導体チップ3は、オプトエレクトロニクス半導体チップである、請求項1から11いずれか1項記載の電子素子。前記半導体チップ3は、光を放出する半導体チップである、請求項12記載の電子素子。