"光電変換色素を坦持した半導体微粒子を含有する光電変換層、ホール輸送剤が充填されたホール輸送層、陽極電極層を有する光電変換素子部と、エレクトロクロミック化合物を坦持した半導体微粒子を含有するエレクトロクロミック層、ホール輸送剤が充填されたホール輸送層、陽極電極層を有するエレクトロクロミック素子部と、が支持基板上に隣接配置され、前記光電変換素子部の陽極電極層と前記エレクトロクロミック素子部の陽極電極層は、1つの共通陽極電極層からなり、前記光電変換素子部のホール輸送層と前記エレクトロクロミック素子部のホール輸送層は、1つのホール輸送層からなり、前記光電変換素子部の光電変換層から前記エレクトロクロミック素子部のエレクトロクロミック層へ電子を輸送する電子輸送経路が設けられていることを特徴とする光電変換エレクトロクロミック素子。前記電子輸送経路は、前記光電変換素子部の光電変換層及び前記エレクトロクロミック素子部のエレクトロクロミック層の下層として積層形成された電子輸送層であることを特徴とする請求項1に記載の光電変換エレクトロクロミック素子。前記電子輸送経路は、複数の粒子状の電子輸送材が電気的につながって形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光電変換エレクトロクロミック素子。前記光電変換層及びエレクトロクロミック層は、前記半導体微粒子が充填されてなることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の光電変換エレクトロクロミック素子。前記半導体微粒子は、酸化物半導体材料からなることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の光電変換エレクトロクロミック素子。前記半導体微粒子は、Ti及び/又はZnを含む化合物であることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の光電変換エレクトロクロミック素子。前記ホール輸送層は、前記光電変換素子部と前記エレクトロクロミック素子部との間に、前記ホール輸送剤が透過可能な多孔質状の隔離層を備えることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の光電変換エレクトロクロミック素子。前記ホール輸送剤は、ヨウ素含有電解液であることを特徴とする請求項1~7のいずれかに記載の光電変換エレクトロクロミック素子。前記光電変換色素は、メタルフリーの有機色素であることを特徴とする請求項1~8のいずれかに記載の光電変換エレクトロクロミック素子。前記共通陽極電極層は、Pt,Au,カーボンのいずれかを含有していることを特徴とする請求項1~9のいずれかに記載の光電変換エレクトロクロミック素子。前記光電変換素子部の光電変換層及び前記エレクトロクロミック素子部のエレクトロクロミック層の前記共通陽極電極層とは反対側に共通陰極電極層を備えることを特徴とする請求項1~10のいずれかに記載の光電変換エレクトロクロミック素子。前記光電変換素子部と、前記エレクトロクロミック素子部とが、前記支持基板上に、アレイ状、格子状、ストライプ状のいずれかのパターン形状で交互に配置されていることを特徴とする請求項1~11のいずれかに記載の光電変換エレクトロクロミック素子。本発明は、以上の従来技術における課題に鑑みてなされたものであり、色素増感型太陽電池に比較的簡単に蓄電機能を付加した光電変換エレクトロクロミック素子を提供することを目的とする。前記課題を解決するために提供する本発明は、以下の通りである。なお、カッコ内に本発明を実施するための形態において対応する部位及び符号等を示す。1光電変換色素光電変換色素11bを坦持した半導体微粒子半導体微粒子11aを含有する光電変換層光電変換層11、ホール輸送剤が充填されたホール輸送層、陽極電極層を有する光電変換素子部光電変換素子部10Aと、エレクトロクロミック化合物エレクトロクロミック化合物12bを坦持した半導体微粒子半導体微粒子12aを含有するエレクトロクロミック層エレクトロクロミック層12、ホール輸送剤が充填されたホール輸送層、陽極電極層を有するエレクトロクロミック素子部エレクトロクロミック素子部10Bと、が支持基板支持基板1上に隣接配置され、前記光電変換素子部の陽極電極層と前記エレクトロクロミック素子部の陽極電極層は、1つの共通陽極電極層陽極電極層3からなり、前記光電変換素子部のホール輸送層と前記エレクトロクロミック素子部のホール輸送層は、1つのホール輸送層第1ホール輸送層13からなり、前記光電変換素子部の光電変換層から前記エレクトロクロミック素子部のエレクトロクロミック層へ電子を輸送する電子輸送経路電子輸送層4、電子輸送経路4’が設けられていることを特徴とする光電変換エレクトロクロミック素子光電変換エレクトロクロミック素子10,20,30,40,50、図1~図5。2前記電子輸送経路は、前記光電変換素子部の光電変換層及び前記エレクトロクロミック素子部のエレクトロクロミック層の下層として積層形成された電子輸送層電子輸送層4であることを特徴とする前記1に記載の光電変換エレクトロクロミック素子図1,図3,図4。3前記電子輸送経路は、複数の粒子状の電子輸送材が電気的につながって形成されていることを特徴とする前記1に記載の光電変換エレクトロクロミック素子図2,図5。4前記光電変換層及びエレクトロクロミック層は、前記半導体微粒子半導体微粒子11a,12aが充填されてなることを特徴とする前記1~3のいずれかに記載の光電変換エレクトロクロミック素子。5前記半導体微粒子は、酸化物半導体材料からなることを特徴とする前記1~4のいずれかに記載の光電変換エレクトロクロミック素子。6前記半導体微粒子は、Ti及び/又はZnを含む化合物であることを特徴とする前記1~5のいずれかに記載の光電変換エレクトロクロミック素子。7前記ホール輸送層は、前記光電変換素子部と前記エレクトロクロミック素子部との間に、前記ホール輸送剤が透過可能な多孔質状の隔離層隔離層16を備えることを特徴とする前記1~6のいずれかに記載の光電変換エレクトロクロミック素子図1,図2,図5。8前記ホール輸送剤は、ヨウ素含有電解液であることを特徴とする前記1~7のいずれかに記載の光電変換エレクトロクロミック素子。9前記光電変換色素は、メタルフリーの有機色素であることを特徴とする前記1~8のいずれかに記載の光電変換エレクトロクロミック素子。10前記共通陽極電極層は、Pt,Au,カーボンのいずれかを含有していることを特徴とする前記1~9のいずれかに記載の光電変換エレクトロクロミック素子。11前記光電変換素子部の光電変換層及び前記エレクトロクロミック素子部のエレクトロクロミック層の前記共通陽極電極層とは反対側に共通陰極電極層陰極電極層2を備えることを特徴とする前記1~10のいずれかに記載の光電変換エレクトロクロミック素子。12前記光電変換素子部と、前記エレクトロクロミック素子部とが、前記支持基板上に、アレイ状、格子状、ストライプ状のいずれかのパターン形状で交互に配置されていることを特徴とする前記1~11のいずれかに記載の光電変換エレクトロクロミック素子図6,図7。本発明の光電変換エレクトロクロミック素子によれば、色素増感型太陽電池である光電変換素子部とエレクトロクロミック素子部を隣接配置し、陽極、ホール輸送層、電子輸送経路を適切に配置することにより、電導性が向上し、発電、蓄電効率が向上する。さらにコストの低減も可能である。また、エレクトロクロミック素子部における発色消色のコントラス比も向上し、窓に使用した場合は省エネルギー効率が向上する。以下、本発明に係る光電変換エレクトロクロミック素子について詳細に説明する。本発明に係る光電変換エレクトロクロミック素子は、光電変換色素を坦持した半導体微粒子を含有する光電変換層、ホール輸送剤が充填されたホール輸送層、陽極電極層を有する光電変換素子部と、エレクトロクロミック化合物を坦持した半導体微粒子を含有するエレクトロクロミック層、ホール輸送剤が充填されたホール輸送層、陽極電極層を有するエレクトロクロミック素子部と、が支持基板上に隣接配置され、前記光電変換素子部の陽極電極層と前記エレクトロクロミック素子部の陽極電極層は、1つの共通陽極電極層からなり、前記光電変換素子部のホール輸送層と前記エレクトロクロミック素子部のホール輸送層は、1つのホール輸送層からなり、前記光電変換素子部の光電変換層から前記エレクトロクロミック素子部のエレクトロクロミック層へ電子を輸送する電子輸送経路が設けられていることを特徴とするものである。以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。第1実施形態図1は、本発明に係る光電変換エレクトロクロミック素子の第1の実施形態の構成を示す断面図である。光電変換エレクトロクロミック素子10は、光電変換素子部10Aと、エレクトロクロミック素子部10Bとが、支持基板1上で、その板面方向に隣接するように配置された構成となっている。[光電変換素子部10A]光電変換素子部10Aは、色素増感太陽電池の構造を有しており、支持基板1上に、図中下側から、陰極電極層2と、電子輸送層4と、光電変換層11と、ホール輸送剤が充填された第1ホール輸送層13と、第2ホール輸送層14と、陽極電極層3と、がその順番で積層された構成となっている。なお、少なくとも、陰極電極層2、電子輸送層4、第1ホール輸送層13、陽極電極層3は、光電変換素子部10Aとエレクトロクロミック素子部10Bに共通のものとなっている。-光電変換層11-光電変換層11は、後述する電子輸送層4上に積層形成されるものであり、粒子状の半導体材料である半導体微粒子11aを層として多孔質状を呈するように充填し、ついで該半導体微粒子11aに光電変換色素11bを吸着や結合により坦持させてなるものである。この光電変換層11は、単層であっても多層であってもよい。多層の場合、粒径の異なる半導体微粒子の分散液を多層塗布する方法や種類の異なる半導体や、樹脂、添加剤の組成が異なる塗布層を多層塗布する方法などにより形成するとよい。また、一度の塗布で膜厚が不足する場合には、多層塗布は有効な手段である。一般的に、光電変換層11の膜厚が増大するほど単位投影面積当たりの担持光電変換色素量も増えるため光の捕獲率が高くなるが、注入された電子の拡散距離も増えるため電荷の再結合によるロスも大きくなってしまう。従って、光電変換層11の膜厚は100nm~100μmが好ましい。――半導体微粒子11a――光電変換層11を構成する半導体微粒子11aは、半導体材料からなる微粒子であり、それに用いられる材料としては、特に限定されるものではなく、公知のものを使用することができる。具体的には、シリコン、ゲルマニウムのような単体半導体、あるいは金属のカルコゲニドに代表される化合物半導体、またはペロブスカイト構造を有する化合物等を挙げることができる。金属のカルコゲニドとしてはチタン、スズ、亜鉛、鉄、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、あるいはタンタルの酸化物、カドミウム、亜鉛、鉛、銀、アンチモン、ビスマスの硫化物、カドミウム、鉛のセレン化物、カドミウムのテルル化物等が挙げられる。他の化合物半導体としては亜鉛、ガリウム、インジウム、カドミウム、等のリン化物、ガリウム砒素、銅-インジウム-セレン化物、銅-インジウム-硫化物等が好ましい。また、ペロブスカイト構造を有する化合物としては、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ナトリウム、チタン酸バリウム、ニオブ酸カリウム等が好ましい。これらの中でも酸化物半導体が好ましく、特に酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化ニオブが好ましく、単独、あるいは2種以上の混合で使用しても構わない。これらの半導体の結晶型は特に限定されるものではなく、単結晶でも多結晶でも、あるいは非晶質でも構わない。半導体微粒子11aの微粒子のサイズに特に制限はないが、一次粒子の平均粒径は1~100nmが好ましく、5~50nmがより好ましい。また、より大きい平均粒径の半導体微粒子を混合し、入射光を散乱させる効果により、効率を向上させることも可能である。この場合の半導体の平均粒径は50~500nmが好ましい。光電変換層11を多孔質状に形成する方法としては、特に制限はなく、スパッタリング等の真空中で薄膜を形成する方法や湿式製膜法が挙げられる。製造コスト等を考慮した場合、特に湿式製膜法が好ましく、半導体微粒子の粉末あるいはゾルを分散した分散液あるいはペーストを調製し、電子集電電極基板上に塗布する方法が好ましい。この湿式製膜法を用いた場合、塗布方法は特に制限はなく、公知の方法に従って行なうことができる。例えば、ディップ法、スプレー法、ワイヤーバー法、スピンコート法、ローラーコート法、ブレードコート法、グラビアコート法、また、湿式印刷方法として、凸版、オフセット、グラビア、凹版、ゴム版、スクリーン印刷等様々な方法を用いることができる。機械的粉砕、あるいはミルを使用して分散液を作製する場合、少なくとも半導体微粒子単独、あるいは半導体微粒子と樹脂の混合物を水あるいは有機溶剤に分散して形成される。この時に使用される樹脂としては、スチレン、酢酸ビニル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル等によるビニル化合物の重合体や共重合体、シリコン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリエステル樹脂、セルロースエステル樹脂、セルロースエーテル樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。半導体微粒子を分散する溶媒としては、水、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、α-テルピネオール等のアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、あるいはメチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、ギ酸エチル、酢酸エチル、あるいは酢酸n-ブチル等のエステル系溶媒、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキソラン、あるいはジオキサン等のエーテル系溶媒、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、あるいはN-メチル-2-ピロリドン等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、ブロモホルム、ヨウ化メチル、ジクロロエタン、トリクロロエタン、トリクロロエチレン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン、フルオロベンゼン、ブロモベンゼン、ヨードベンゼン、あるいは1-クロロナフタレン等のハロゲン化炭化水素系溶媒、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-オクタン、1,5-ヘキサジエン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロヘキサジエン、ベンゼン、トルエン、o-キシレン、m-キシレン、p-キシレン、エチルベンゼン、あるいはクメン等の炭化水素系溶媒を挙げることができる。これらは単独、あるいは2種以上の混合溶媒として用いることができる。半導体微粒子の分散液、あるいはゾル-ゲル法等によって得られた半導体微粒子のペーストは、粒子の再凝集を防ぐため、塩酸、硝酸、酢酸等の酸、ポリオキシエチレン10オクチルフェニルエーテル等の界面活性剤、アセチルアセトン、2-アミノエタノール、エチレンジアミン等のキレート化剤等を添加することができる。また、製膜性を向上させる目的で増粘剤を添加することも有効な手段である。この時加える増粘剤としては、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール等の高分子、エチルセルロース等の増粘剤等が挙げられる。半導体微粒子は、塗布した後に粒子同士を電子的にコンタクトさせ、膜強度の向上や基板との密着性を向上させるために焼成、マイクロ波照射、電子線照射、レーザー光照射、あるいはプレス処理を行なうことが好ましい。これらの処理は単独で行なってもあるいは二種類以上組み合わせて行なってもよい。焼成する場合、焼成温度の範囲に特に制限はないが、温度を上げ過ぎると基板の抵抗が高くなったり、溶融することもあるため、30~700°Cが好ましく、100~600°Cがより好ましい。また、焼成時間にも特に制限はないが、10分~10時間が好ましい。焼成後、半導体微粒子の表面積の増大や、光増感化合物から半導体微粒子への電子注入効率を高める目的で、例えば四塩化チタンの水溶液や有機溶剤との混合溶液を用いた化学メッキや三塩化チタン水溶液を用いた電気化学的メッキ処理を行なってもよい。マイクロ波照射は、光電変換層11形成側から照射しても、裏側から照射しても構わない。照射時間には特に制限がないが、1時間以内で行なうことが好ましい。プレス処理は、100kg/cm2以上が好ましく、1000kg/cm2が更に好ましい。プレスする時間は特に制限がないが、1時間以内で行なうことが好ましい。また、プレス処理時に熱を加えても構わない。あるいは、多孔質状の光電変換層11の形成方法として、特にガス中蒸着法が好ましい。この形成方法は、竜巻状のガス中に半導体微粒子11aを半溶解状態で飛ばし、親和性のよい同質材料に優先的に積層していくものである。直径が数十nmの半導体微粒子11aを焼結等によって積層充填した膜は、多孔質状態を形成する。このナノ多孔構造は、非常に高い表面積を持ち、その表面積はラフネスファクターを用いて表わすことができる。このラフネスファクターは、基板に塗布した半導体微粒子11aの面積に対する多孔質内部の実面積を表わす数値である。従って、ラフネスファクターは大きいほど好ましいが、光電変換層11の膜厚との関係もあり、本発明においては20以上が好ましい。――光電変換色素11b――光電変換色素11bは、光電変換素子部10Aに入射してきた光により、光励起され、つづいて半導体微粒子11aに電子注入するとともに、酸化されるものである。また、光変換効率の向上のため、光電変換色素11bは、半導体微粒子11aに化学吸着している。光電変換色素11bは使用される励起光により光励起される化合物であれば特に限定されないが、具体的には以下の化合物が挙げられる。特表平7-500630号公報、特開平10-233238号公報、特開2000-26487号公報、特開2000-323191号公報、特開2001-59062号公報等に記載の金属錯体化合物、特開平10-93118号公報、特開2002-164089号公報、特開2004-95450号公報、JPhysChemC7224Vol111等に記載のクマリン化合物、同特開2004-95450号公報、ChemCommun4887等に記載のポリエン化合物、特開2003-264010号公報、特開2004-63274号公報、特開2004-115636号公報、特開2004-200068号、特開2004-235052号公報、JAmChemSoc12218Vol126、ChemCommun3036、AngewChemIntEd1923Vol47等に記載のインドリン化合物、JAmChemSoc16701Vol128、JAmChemSoc14256Vol128等に記載のチオフェン化合物、特開平11-86916号公報、特開平11-214730号公報、特開2000-106224号公報、特開2001-76773号公報、特開2003-7359号公報等に記載のシアニン色素、特開平11-214731号公報、特開平11-238905号公報、特開2001-52766号公報、特開2001-76775号公報、特開2003-7360号等に記載メロシアニン色素、特開平10-92477号公報、特開平11-273754号公報、特開平11-273755号公報、特開2003-31273号等に記載の9-アリールキサンテン化合物、特開平10-93118号公報、特開2003-31273号等に記載のトリアリールメタン化合物、特開平9-199744号公報、特開平10-233238号公報、特開平11-204821号公報、特開平11-265738号、JPhysChem2342Vol91、JPhysChemB6272Vol97、ElectroanalChem31Vol537、特開2006-032260号公報、JPorphyrinsPhthalocyanines230Vol3、AngewChemIntEd373Vol46、Langmuir5436Vol24等に記載のフタロシアニン化合物、ポルフィリン化合物等を挙げることができる。特にこの中で、金属錯体化合物、クマリン化合物、ポリエン化合物、インドリン化合物、チオフェン化合物を用いることが好ましい。半導体微粒子11aに光電変換色素11bを吸着させる方法としては、光電変換色素溶液中あるいは分散液中に半導体微粒子11aを含有する電子集電電極を浸漬する方法、溶液あるいは分散液を半導体微粒子11aを多孔質状の層に形成したものに塗布して吸着させる方法を用いることができる。前者の場合、浸漬法、ディップ法、ローラ法、エアーナイフ法等を用いることができ、後者の場合は、ワイヤーバー法、スライドホッパー法、エクストルージョン法、カーテン法、スピン法、スプレー法等を用いることができる。また、二酸化炭素などを用いた超臨界流体中で吸着させても構わない。光電変換色素11bを吸着させる際、縮合剤を併用してもよい。縮合剤は、無機物表面に物理的あるいは化学的に光電変換色素11bと半導体微粒子11aを結合すると思われる触媒的作用をするもの、または化学量論的に作用し、化学平衡を有利に移動させるものの何れであってもよい。更に、縮合助剤としてチオールやヒドロキシ化合物を添加してもよい。光電変換色素11bを溶解、あるいは分散する溶媒は、水、メタノール、エタノール、あるいはイソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、あるいはメチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、ギ酸エチル、酢酸エチル、あるいは酢酸n-ブチル等のエステル系溶媒、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキソラン、あるいはジオキサン等のエーテル系溶媒、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、あるいはN-メチル-2-ピロリドン等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、ブロモホルム、ヨウ化メチル、ジクロロエタン、トリクロロエタン、トリクロロエチレン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン、フルオロベンゼン、ブロモベンゼン、ヨードベンゼン、あるいは1-クロロナフタレン等のハロゲン化炭化水素系溶媒、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-オクタン、1,5-ヘキサジエン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロヘキサジエン、ベンゼン、トルエン、o-キシレン、m-キシレン、p-キシレン、エチルベンゼン、あるいはクメン等の炭化水素系溶媒を挙げることができ、これらは単独、あるいは2種以上の混合として用いることができる。また、光電変換色素11bは、その種類によっては化合物間の凝集を抑制した方がより効果的に働くものが存在するため、凝集解離剤を併用しても構わない。凝集解離剤としてはコール酸、ケノデオキシコール酸などのステロイド化合物、長鎖アルキルカルボン酸または長鎖アルキルホスホン酸が好ましく、用いる色素に対して適宜選ばれる。これら凝集解離剤の添加量は、色素1質量部に対して0.01~500質量部が好ましく、0.1~100質量部がより好ましい。これらを用い、光電変換色素11b、あるいは光電変換色素11bと凝集解離剤を吸着する際の温度としては、-50°C以上、200°C以下が好ましい。また、この吸着は静置しても攪拌しながら行なっても構わない。攪拌する場合の方法としては、スターラー、ボールミル、ペイントコンディショナー、サンドミル、アトライター、ディスパーザー、あるいは超音波分散等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。吸着に要する時間は、5秒以上、1000時間以下が好ましく、10秒以上、500時間以下がより好ましく、1分以上、150時間が更に好ましい。また、吸着は暗所で行なうことが好ましい。-電子輸送層4-電子輸送層4は、光電変換素子部10Aの光電変換層11及びエレクトロクロミック素子部10Bのエレクトロクロミック層12の共通の下層として支持基板1陰極電極層2上に微粒子状の電子輸送材が緻密に充填されてなる層であり、光電変換素子部10Aの光電変換層11からエレクトロクロミック素子部10Bのエレクトロクロミック層12へ電子を輸送する電子輸送経路である。なお、電子輸送層4の緻密とは、光電変換層11中の半導体微粒子11aの充填密度より高密度で無機酸化物半導体が充填されていることを意味する。ここで、電子輸送層4に用いられる電子輸送材としての半導体材料であれば特に限定されるものではなく、公知のものを使用することができる。具体的には、シリコン、ゲルマニウムのような単体半導体、あるいは金属のカルコゲニドに代表される化合物半導体、またはペロブスカイト構造を有する化合物等を挙げることができる。金属のカルコゲニドとしてはチタン、スズ、亜鉛、鉄、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、あるいはタンタルの酸化物、カドミウム、亜鉛、鉛、銀、アンチモン、ビスマスの硫化物、カドミウム、鉛のセレン化物、カドミウムのテルル化物等が挙げられる。他の化合物半導体としては亜鉛、ガリウム、インジウム、カドミウム、等のリン化物、ガリウム砒素、銅-インジウム-セレン化物、銅-インジウム-硫化物等が好ましい。また、ペロブスカイト構造を有する化合物としては、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ナトリウム、チタン酸バリウム、ニオブ酸カリウム等が好ましい。これらの中でも酸化物半導体が好ましく、特に酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化ニオブが好ましく、単独、あるいは2種以上の混合で使用しても構わない。これらの半導体の結晶型は特に限定されるものではなく、単結晶でも多結晶でも、あるいは非晶質でも構わない。半導体微粒子のサイズに特に制限はないが、一次粒子の平均粒径は1~100nmが好ましく、5~30nmがより好ましい。また、電子輸送層4の膜厚に制限はないが、10nm~1μmが好ましく、20nm~700nmがより好ましい。電子輸送層4の作製方法には特に制限はなく、スパッタリング等の真空中で薄膜を形成する方法や湿式製膜法が挙げられる。製造コスト等を考慮した場合、特に湿式製膜法が好ましく、半導体微粒子の粉末あるいはゾルを分散した分散液あるいはペーストを調製し、電子集電電極基板上に塗布する方法が好ましい。この湿式製膜法を用いた場合、塗布方法は特に制限はなく、公知の方法に従って行なうことができる。例えば、ディップ法、スプレー法、ワイヤーバー法、スピンコート法、ローラーコート法、ブレードコート法、グラビアコート法、また、湿式印刷方法として、凸版、オフセット、グラビア、凹版、ゴム版、スクリーン印刷等様々な方法を用いることができる。機械的粉砕、あるいはミルを使用して分散液を作製する場合、少なくとも半導体微粒子単独、あるいは半導体微粒子と樹脂の混合物を水あるいは有機溶剤に分散して形成される。この時に使用される樹脂としては、スチレン、酢酸ビニル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル等によるビニル化合物の重合体や共重合体、シリコン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリエステル樹脂、セルロースエステル樹脂、セルロースエーテル樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。半導体微粒子を分散する溶媒としては、水、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、α-テルピネオール等のアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、あるいはメチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、ギ酸エチル、酢酸エチル、あるいは酢酸n-ブチル等のエステル系溶媒、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキソラン、あるいはジオキサン等のエーテル系溶媒、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、あるいはN-メチル-2-ピロリドン等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、ブロモホルム、ヨウ化メチル、ジクロロエタン、トリクロロエタン、トリクロロエチレン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン、フルオロベンゼン、ブロモベンゼン、ヨードベンゼン、あるいは1-クロロナフタレン等のハロゲン化炭化水素系溶媒、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-オクタン、1,5-ヘキサジエン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロヘキサジエン、ベンゼン、トルエン、o-キシレン、m-キシレン、p-キシレン、エチルベンゼン、あるいはクメン等の炭化水素系溶媒を挙げることができる。これらは単独、あるいは2種以上の混合溶媒として用いることができる。半導体微粒子の分散液、あるいはゾル-ゲル法等によって得られた半導体微粒子のペーストは、粒子の再凝集を防ぐため、塩酸、硝酸、酢酸等の酸、ポリオキシエチレン10オクチルフェニルエーテル等の界面活性剤、アセチルアセトン、2-アミノエタノール、エチレンジアミン等のキレート化剤等を添加することができる。また、製膜性を向上させる目的で増粘剤を添加することも有効な手段である。この時加える増粘剤としては、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール等の高分子、エチルセルロース等の増粘剤等が挙げられる。半導体微粒子は、塗布した後に粒子同士を電子的にコンタクトさせ、膜強度の向上や基板との密着性を向上させるために焼成、マイクロ波照射、電子線照射、レーザー光照射、あるいはプレス処理を行なうことが好ましい。これらの処理は単独で行なってもあるいは二種類以上組み合わせて行なってもよい。焼成する場合、焼成温度の範囲に特に制限はないが、温度を上げ過ぎると基板の抵抗が高くなったり、溶融することもあるため、30~700°Cが好ましく、100~600°Cがより好ましい。また、焼成時間にも特に制限はないが、10分~10時間が好ましい。焼成後、半導体微粒子の表面積の増大や、光電変換色素から半導体微粒子への電子注入効率を高める目的で、例えば四塩化チタンの水溶液や有機溶剤との混合溶液を用いた化学メッキや三塩化チタン水溶液を用いた電気化学的メッキ処理を行なってもよい。マイクロ波照射は、電子輸送層4形成側から照射しても、裏側から照射しても構わない。照射時間には特に制限がないが、1時間以内で行なうことが好ましい。プレス処理は、100kg/cm2以上が好ましく、1000kg/cm2が更に好ましい。プレスする時間は特に制限がないが、1時間以内で行なうことが好ましい。また、プレス処理時に熱を加えても構わない。-ホール輸送層15-ホール輸送層15は、異なるホール輸送材料からなる第1ホール輸送層13、第2ホール輸送層14が積層された構造である。――第1ホール輸送層13――第1ホール輸送層13は、光電変換層11をホール輸送剤で被覆するように充填したものである。これにより、ホール輸送剤は、光電変換層11の上だけでなく、多孔質状の光電変換層11の空隙にも充填される。ここで、第1ホール輸送層13の材料ホール輸送剤としては、一般的に、支持塩を溶媒に溶解させたものが用いられる。支持塩として、例えば、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩等の無機イオン塩、4級アンモニウム塩や酸類、アルカリ類の支持塩を用いることができる。具体的には、LiClO4、LiBF4、LiAsF6、LiPF6、LiCF3SO3、LiCF3COO、KCl、NaClO3、NaCl、NaBF4、NaSCN、KBF4、MgClO42、MgBF42等を用いることができる。また、溶媒として、例えば、プロピレンカーボネート、アセトニトリル、γブチロラクトン、エチレンカーボネート、スルホラン、ジオキソラン、テトラヒドロフラン、2メチルテトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、1,2ジメトキシエタン、1,2エトキシメトキシエタン、ポリエチレングリコール、アルコール類、ポリビニルカルバゾール、テトラニトロフロオルレノン、ポリピロールなどの導電性ポリマー、液体電解質、高分子固体電解質などのイオン導電体が用いられる。液状のイオン導電体としては、例えば、ヨウ化テトラプロピルアンモニウムおよびヨウ素をアセトニトリルなどに溶解したヨウ素系イオン導電体や、ヨウ化リチウム、ヨウ素、およびジメチルプロピルイミダゾリウムヨウ素を3-メトキシプロピオニトリルなどに溶解したヨウ素系イオン導電体などが挙げられる。高分子固体電解質は、酸化還元種を溶解あるいは酸化還元種を構成する少なくとも1つの物質と結合することができる固体状の物質であれば、特に限定されない。例えば、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリエチレンサクシネート、ポリ-β-プロピオラクトン、ポリエチレンイミン、ポリアルキレンスルフィドなどの高分子化合物またはそれらの架橋体、ポリフォスファゼン、ポリシロキサン、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアルキレンオキサイドなどの高分子官能基に、ポリエーテルセグメントまたはオリゴアルキレンオキサイド構造を側鎖として付加したものまたはそれらの共重合体などが挙げられる。それらの中でも、ポリエーテルセグメントまたはオリゴアルキレンオキサイド構造を側鎖として付加したものが特に好ましい。第1ホール輸送層13の形成方法には特に制限はなく、製造コスト等を考慮した場合、湿式製膜法が好ましく、光電変換層11上に塗布する方法が好ましい。また、この湿式製膜法を用いた場合、塗布方法は特に制限はなく、公知の方法に従って行なうことができる。例えば、ディップ法、スプレー法、ワイヤーバー法、スピンコート法、ローラーコート法、ブレードコート法、グラビアコート法、また、湿式印刷方法として、凸版、オフセット、グラビア、凹版、ゴム版、スクリーン印刷等様々な方法を用いることができる。なお、光電変換エレクトロクロミック素子10において、第1ホール輸送層13は、光電変換素子部10Aのホール輸送層15とエレクトロクロミック素子部10Bのホール輸送層15に共通のものである。すなわち、光電変換素子部10Aの第1ホール輸送層13とエレクトロクロミック素子部10Bの第1ホール輸送層13はホールの移動が可能につながっている、1つのホール輸送層となっている。――第2ホール輸送層14――第2ホール輸送層14は、第1ホール輸送層13上に積層され、陽極電極層3に接するホール輸送性化合物を含む高分子材料からなる層である。製膜性に優れる高分子材料を用いることで多孔質状の光電変換層11の表面をより平滑化することができ、光電変換特性を向上することができる。また、高分子材料は、多孔質状の光電変換層11内部へ浸透することが困難であるため、逆に多孔質状の光電変換層11表面の被覆にも優れ、電極を設ける際の短絡防止にも効果を発揮するため、より高い性能を得ることが可能となる。第2ホール輸送層14に用いられるホール輸送性化合物としては、公知のホール輸送性化合物が用いられ、その具体例としては特公昭34-5466号公報等に示されているオキサジアゾール化合物、特公昭45-555号公報等に示されているトリフェニルメタン化合物、特公昭52-4188号公報等に示されているピラゾリン化合物、特公昭55-42380号公報等に示されているヒドラゾン化合物、特開昭56-123544号公報等に示されているオキサジアゾール化合物、特開昭54-58445号公報に示されているテトラアリールベンジジン化合物、特開昭58-65440号公報あるいは特開昭60-98437号公報に示されているスチルベン化合物等を挙げることができる。また、第2ホール輸送層14に用いられる高分子材料としては、公知のホール輸送性高分子材料が用いられ、その具体例としては、ポリ3-n-ヘキシルチオフェン、ポリ3-n-オクチルオキシチオフェン、ポリ9,9’-ジオクチル-フルオレン-コ-ビチオフェン、ポリ3,3’’’-ジドデシル-クォーターチオフェン、ポリ3,6-ジオクチルチエノ[3,2-b]チオフェン、ポリ2,5-ビス3-デシルチオフェン-2-イルチエノ[3,2-b]チオフェン、ポリ3,4-ジデシルチオフェン-コ-チエノ[3,2-b]チオフェン、ポリ3,6-ジオクチルチエノ[3,2-b]チオフェン-コ-チエノ[3,2-b]チオフェン、ポリ3,6-ジオクチルチエノ[3,2-b]チオフェン-コ-チオフェン、ポリ3.6-ジオクチルチエノ[3,2-b]チオフェン-コ-ビチオフェン等のポリチオフェン化合物、ポリ[2-メトキシー5-2-エチルヘキシルオキシ-1,4-フェニレンビニレン]、ポリ[2-メトキシー5-3,7-ジメチルオクチルオキシ-1,4-フェニレンビニレン]、ポリ[2-メトキシ-5-2-エチルフェキシルオキシ-1,4-フェニレンビニレン-コ-4,4’-ビフェニレンービニレン]等のポリフェニレンビニレン化合物、ポリ9,9’-ジドデシルフルオレニル-2,7-ジイル、ポリ[9,9-ジオクチル-2,7-ジビニレンフルオレン-alt-コ-9,10-アントラセン]、ポリ[9,9-ジオクチル-2,7-ジビニレンフルオレン-alt-コ-4,4’-ビフェニレン]、ポリ[9,9-ジオクチル-2,7-ジビニレンフルオレン-alt-コ-2-メトキシ-5-2-エチルヘキシルオキシ-1,4-フェニレン]、ポリ[9,9-ジオクチル-2,7-ジイル-コ-1,4-2,5-ジヘキシルオキシベンゼン]等のポリフルオレン化合物、ポリ[2,5-ジオクチルオキシ-1,4-フェニレン]、ポリ[2,5-ジ2-エチルヘキシルオキシー1,4-フェニレン]等のポリフェニレン化合物、ポリ[9,9-ジオクチルフルオレニル-2,7-ジイル-alt-コ-N,N’-ジフェニル-N,N’-ジp-ヘキシルフェニル-1,4-ジアミノベンゼン]、ポリ[9,9-ジオクチルフルオレニル-2,7-ジイル-alt-コ-N,N’-ビス4-オクチルオキシフェニルベンジジン-N,N’-1,4-ジフェニレン]、ポリ[N,N’-ビス4-オクチルオキシフェニルベンジジン-N,N’-1,4-ジフェニレン]、ポリ[N,N’-ビス4-2-エチルヘキシルオキシフェニルベンジジン-N,N’-1,4-ジフェニレン]、ポリ[フェニルイミノ-1,4-フェニレンビニレン-2,5-ジオクチルオキシ-1,4-フェニレンビニレン-1,4-フェニレン]、ポリ[p-トリルイミノ-1,4-フェニレンビニレン-2,5-ジ2-エチルヘキシルオキシ-1,4-フェニレンビニレン-1,4-フェニレン]、ポリ[4-2-エチルヘキシルオキシフェニルイミノ-1,4-ビフェニレン]等のポリアリールアミン化合物、ポリ[9,9-ジオクチルフルオレニル-2,7-ジイル-alt-コ-1,4-ベンゾ2,1’,3チアジアゾール]、ポリ3,4-ジデシルチオフェン-コ-1,4-ベンゾ2,1’,3チアジアゾール等のポリチアジアゾール化合物を挙げることができる。この中で、キャリア移動度やイオン化ポテンシャルを考慮するとポリチオフェン化合物とポリアリールアミン化合物が特に好ましい。また、上記に示したホール輸送化合物に各種添加剤を加えても構わない。添加剤としては、ヨウ素、ヨウ化リチウム、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウム、ヨウ化セシウム、ヨウ化カルシウム、ヨウ化銅、ヨウ化鉄、ヨウ化銀等の金属ヨウ化物、ヨウ化テトラアルキルアンモニウム、ヨウ化ピリジニウム等の4級アンモニウム塩、臭化リチウム、臭化ナトリウム、臭化カリウム、臭化セシウム、臭化カルシウム等の金属臭化物、臭化テトラアルキルアンモニウム、臭化ピリジニウム等の4級アンモニウム化合物の臭素塩、塩化銅、塩化銀等の金属塩化物、酢酸銅、酢酸銀、酢酸パラジウム等の酢酸金属塩、硫酸銅、硫酸亜鉛等の金属硫酸塩、フェロシアン酸塩-フェリシアン酸塩、フェロセン-フェリシニウムイオン等の金属錯体、ポリ硫化ナトリウム、アルキルチオール-アルキルジスルフィド等のイオウ化合物、ビオロゲン色素、ヒドロキノン等、ヨウ化1,2-ジメチル-3-n-プロピルイミダゾイニウム塩、ヨウ化1-メチル-3-n-ヘキシルイミダゾリニウム塩、1,2-ジメチル-3-エチルイミダゾリウムトリフロオロメタンスルホン酸塩、1-メチル-3-ブチルイミダゾリウムノナフルオロブチルスルホン酸塩、1-メチル-3-エチルイミダゾリウムビストリフルオロメチルスルホニルイミド等のInorgChem351168に記載のイオン液体、ピリジン、4-t-ブチルピリジン、ベンズイミダゾール等の塩基性化合物、リチウムトリフルオロメタンスルホニルイミド、リチウムジイソプロピルイミド等のリチウム化合物を挙げることができる。また導電性を向上させる目的で、ホール輸送化合物の一部をラジカルカチオンにするための酸化剤を添加しても構わない。その酸化剤としては、ヘキサクロロアンチモン酸トリス4-ブロモフェニルアミニウム、ヘキサフルオロアンチモネート銀、ニトロソニウムテトラフルオボラート等が好ましい。この酸化剤の添加によって全てのホール輸送材料が酸化される必要はなく、一部のみが酸化されていればよい。また添加した酸化剤は添加した後、系外に取り出しても、取り出さなくてもよい。なお、光電変換エレクトロクロミック素子10において、第2ホール輸送層14を、光電変換素子部10Aのホール輸送層15とエレクトロクロミック素子部10Bのホール輸送層15に共通のものとしてもよい。-隔離層16-ホール輸送層15は、図1に示すように、光電変換素子部10Aとエレクトロクロミック素子部10Bとの間に、少なくとも第1ホール輸送層13のホール輸送剤が透過可能な多孔質状の隔離層16を備える。この隔離層16は、エレクトロクロミック素子部10Bにおける蓄電状態を保持する時間を延長させる効果がある。隔離層16の材料としては、ホール輸送剤を透過する多孔質状となるものであればよく特に限定されるものではないが、絶縁性、耐久性及び成膜性に優れた材料を用いることができ、特に、少なくともZnSを含む材料を用いることができる。あるいは、ITOスズドープ酸化インジウムなどの導電性の材料を用いてもよい。ZnSは、スパッタ法によって、エレクトロクロミック層エレクトロクロミック層12にダメージを与えることなく高速に成膜できるという特徴を有する。更に、ZnSを主な成分として含む材料として、ZnOSiO2、ZnSSiC、ZnSSi、ZnSGe等を用いることができる。ZnSの含有率は、隔離層16を形成した際の結晶性を良好に保つために、約50~90molとすることが好ましい。従って、特に好ましい材料は、ZnSSiO28/2、ZnSSiO27/3、ZnS、ZnSZnOIn2O3Ga2O360/23/10/7であるカッコ内は質量部比率。このような隔離層16の材料を用いることにより、薄膜で良好な絶縁効果が得られ、多層化による膜強度低下すなわち膜のはがれを防止することができる。また、隔離層16を多孔質膜にすることは、隔離層16を粒子膜として形成することによって行うことができる。特にZnS等をスパッタで形成する場合、予め下引き層として粒子膜を形成することによって、ZnS等の多孔質膜を形成することができる。この場合、後述の金属酸化物層17を粒子膜として形成することもできるが、隔離層16の一部としてシリカ、アルミナ等を含む多孔質粒子膜を形成することもできる。このような手法を用いて隔離層16を多孔質膜にすることにより、第1ホール輸送層13のホール輸送剤が隔離層16を透過することが可能となるため、酸化還元反応に伴う第1ホール輸送層13中のイオンとしての電荷の移動が容易となる。なお、隔離層16の膜厚は20~500nmとすることができ、更に好ましくは50~150nmの範囲とすることができる。この範囲よりも膜厚が薄い場合、絶縁性を得にくくなる。またこの範囲よりも膜厚が厚い場合、製造コストが増大する。-陰極電極層2,陽極電極層3-電子集電電極である陰極電極層2は、光電変換素子部10Aの光電変換層11及びエレクトロクロミック素子部10Bのエレクトロクロミック層12に対して陽極電極層3とは反対側に、光電変換素子部10A,エレクトロクロミック素子部10B共通の陰極電極であり、電子輸送層4形成前に支持基板1上に形成されるものでる。また、ホール集電電極である陽極電極層3は、光電変換素子部10A,エレクトロクロミック素子部10B共通の陽極電極であり、ホール輸送層15形成後に付与されるものである。陰極電極層2,陽極電極層3は、ともに同様の電極材料を用いることができ、強度や密封性が充分に保たれるような構成では支持体は必ずしも必要ではない。その電極材料の具体例としては、白金、金、銀、銅、アルミニウム等の金属、グラファイト、フラーレン、カーボンナノチューブ等の炭素系化合物カーボン、ITO、FTO等の導電性金属酸化物、ポリチオフェン、ポリアニリン等の導電性高分子が挙げられる。また、陰極電極層2,陽極電極層3それぞれの膜厚には特に制限はなく、また単独あるいは2種以上の混合で用いても構わない。陰極電極層2の形成については、用いられる電極材料の種類により、適宜支持基板1上に塗布、ラミネート、蒸着、CVD、貼り合わせ等の手法により形成可能である。また、陽極電極層3の形成については、用いられる電極材料の種類やホール輸送層15の種類により、適宜ホール輸送層15上図1では第2ホール輸送層14上に塗布、ラミネート、蒸着、CVD、貼り合わせ等の手法により形成可能である。光電変換素子として動作するためには、陰極電極層2,陽極電極層3の少なくとも一方は実質的に透明でなければならない。本発明の場合、陰極電極層2が透明であり、光を陰極電極層2側から入射させる方法が好ましい。この場合、陽極電極層3側には光を反射させる材料を使用することが好ましく、金属、導電性酸化物を蒸着したガラス、プラスチック、あるいは金属薄膜が好ましい。また、太陽光の入射側に反射防止層を設けることも有効な手段である。[エレクトロクロミック素子部10B]エレクトロクロミック素子部10Bは、支持基板1上に、図中下側から、陰極電極層2と、電子輸送層4と、エレクトロクロミック層12と、ホール輸送剤が充填された第1ホール輸送層13と、第2ホール輸送層14と、陽極電極層3と、がその順番で積層された構成となっている。ここで、陰極電極層2、電子輸送層4、第1ホール輸送層13、陽極電極層3は、前述の通り、光電変換素子部10Aと共通のものであり、第2ホール輸送層14は、光電変換素子部10Aにおけるものと同じものであるため、説明は省略する。-エレクトロクロミック層12-エレクトロクロミック層12は、電子輸送層4上に積層形成されるものであり、粒子状の半導体材料である半導体微粒子12aを層として多孔質状を呈するように充填するとともに、該半導体微粒子12aにエレクトロクロミック化合物12bを坦持させてなるものである。このエレクトロクロミック層12は、単層であっても多層であってもよい。ここで、半導体微粒子12aは、光電変換層11で使用される半導体微粒子11aと同じものでよい。エレクトロクロミック化合物12bの材料としては、酸化還元により色の変化を起こす材料が用いられ、例えば、ポリマー系、色素系、金属錯体、金属酸化物等の公知のエレクトロクロミック化合物が用いられる。具体的には、ポリマー系、色素系、のエレクトロクロミック化合物として、アゾベンゼン系、アントラキノン系、ジアリールエテン系、ジヒドロプレン系、スチリル系、スチリルスピロピラン系、スピロオキサジン系、スピロチオピラン系、チオインジゴ系、テトラチアフルバレン系、テレフタル酸系、トリフェニルメタン系、トリフェニルアミン系、ナフトピラン系、ビオロゲン系、ピラゾリン系、フェナジン系、フェニレンジアミン系、フェノキサジン系、フェノチアジン系、フタロシアニン系、フルオラン系、フルギド系、ベンゾピラン系、メタロセン系、等の低分子系有機エレクトロクロミック化合物、ポリアニリン、ポリチオフェン等の導電性高分子化合物が挙げられる。上記中、特に、好ましくは、下記一般式1で表されるビオロゲン系化合物または、下記一般式2で表されるテレフタル酸系化合物を含む。これらの材料は発消色電位が低いため、複数の表示電極を有するエレクトロクロミック表示装置を構成した場合においても良好な発色の色値を示す。また、下記一般式3で表される2つのピリジン環アルキルカチオン構造の間に複素環式化合物誘導体構造よりなる化合物を含むことが好ましい。これらの材料はメモリ特性が高いため、画像保持時間が長く、消費電力を小さくできる。-封止材7-封止材7は、ホール輸送層15を構成する材料が漏れ出さないように光電変換エレクトロクロミック素子10をシールできるものであれば、特に限定されない。例えば、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。また、ホール輸送層15を構成する材料が固体であって、光電変換エレクトロクロミック素子10からの流出の恐れがない場合には、封止材7は必ずしも設けなくてもよい。以上のように構成された光電変換エレクトロクロミック素子10において、陰極電極層2側から光が入射すると、まず光電変換素子部10Aの光電変換層11における光電変換色素11bが光励起され、つづいて光電変換色素11bから半導体微粒子11aに電子注入が行われ、光電変換色素11bが酸化される。ついで、半導体微粒子11aに注入された電子が電子輸送層4を経由してエレクトロクロミック素子部10Bに移動し、さらにエレクトロクロミック層12において半導体微粒子12aを通ってエレクトロクロミック化合物12bに伝送される。また、光電変換色素11bで生成されたホール正孔はホール輸送層15及び陽極電極層3を通ってエレクトロクロミック素子部10Bに伝送される。これにより、エレクトロクロミック化合物12bにおいて酸化還元反応が起こり、蓄電状態となる。ついで、蓄電状態となった光電変換エレクトロクロミック素子10について、陰極電極層2及び陽極電極層3と、所定の外部回路とを電気的に接続すると、エレクトロクロミック素子部10Bが放電状態となり、外部回路に電力を供給することができる。第2実施形態図2は、本発明に係る光電変換エレクトロクロミック素子の第2の実施形態の構成を示す断面図である。光電変換エレクトロクロミック素子20は、光電変換素子部20Aと、エレクトロクロミック素子部20Bとが、支持基板1上で、その板面方向に隣接するように配置された構成となっている。ここで、光電変換エレクトロクロミック素子20は、第1実施形態である光電変換エレクトロクロミック素子10と比較すると、電子輸送層4の代わりに、電子輸送経路4’が設けられ、第2ホール輸送層14が省略されている点で異なる。また、それ以外は光電変換エレクトロクロミック素子10を構成するものと同じであり、同じ符号を付している。-電子輸送経路4’-電子輸送経路4’は、複数の粒子状の電子輸送材が電気的につながって形成されてなるものであり、陰極電極層2上において隔離層16を貫通し、光電変換層11の半導体微粒子11aとエレクトロクロミック層12の半導体微粒子12aとを電気的につなぐように配置されている。また、電子輸送経路4’を構成する粒子状の電子輸送材は、半導体微粒子11a,12aと同じものでよい。本実施形態の光電変換エレクトロクロミック素子においても、第1実施形態と同じメカニズムで、光が入射すると蓄電が行われ、必要に応じて陰極電極層2及び陽極電極層3から電力を引き出すことが可能である。第3実施形態図3は、本発明に係る光電変換エレクトロクロミック素子の第3の実施形態の構成を示す断面図である。光電変換エレクトロクロミック素子30は、光電変換素子部30Aと、エレクトロクロミック素子部30Bとが、支持基板1上で、その板面方向に隣接するように配置された構成となっている。ここで、光電変換エレクトロクロミック素子30は、第1実施形態である光電変換エレクトロクロミック素子10と比較すると、隔離層16が省略され、光電変換素子部30A側の第2ホール輸送層14と陽極電極層3との間に金属酸化物層17が設けられている点で異なる。また、それ以外は光電変換エレクトロクロミック素子10を構成するものと同じであり、同じ符号を付している。-金属酸化物層17-金属酸化物層17は、第2ホール輸送層14と陽極電極層3との間に設けられ、光電変換素子部10Aにおいて、陽極電極層3からホール輸送層15へホール正孔が戻らないようにするためのものである。金属酸化物層17を構成する金属酸化物としては、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化バナジウム、酸化ニッケルを挙げることができ、特に酸化モリブデンが好ましい。これら金属酸化物をホール輸送材料上に設ける方法としては特に制限はなく、スパッタリングや真空蒸着等の真空中で薄膜を形成する方法や湿式製膜法が挙げることができる。湿式製膜法においては、金属酸化物の粉末あるいはゾルを分散したペーストを調製し、ホール輸送層上に塗布する方法が好ましい。この湿式製膜法を用いた場合、塗布方法は特に制限はなく、公知の方法に従って行なうことができる。例えば、ディップ法、スプレー法、ワイヤーバー法、スピンコート法、ローラーコート法、ブレードコート法、グラビアコート法、また、湿式印刷方法として、凸版、オフセット、グラビア、凹版、ゴム版、スクリーン印刷等様々な方法を用いることができる。金属酸化物層17の膜厚としては、0.1~50nmが好ましく、1~10nmがより好ましい。なお、この金属酸化物層17を、図4に示すように、光電変換素子部10Aからエレクトロクロミック素子部10Bにわたって、設けてもよい。本実施形態の光電変換エレクトロクロミック素子においても、第1実施形態と同じメカニズムで、光が入射すると蓄電が行われ、必要に応じて陰極電極層2及び陽極電極層3から電力を引き出すことが可能である。第4実施形態図5は、本発明に係る光電変換エレクトロクロミック素子の第4の実施形態の構成を示す断面図である。光電変換エレクトロクロミック素子50は、光電変換素子部50Aと、エレクトロクロミック素子部50Bとが、支持基板1上で、その板厚方向板面に対して垂直方向に隣接するように配置された構成となっている。ここで、光電変換素子部50Aは、色素増感太陽電池の構造を有しており、支持基板1上に、図中下側から、エレクトロクロミック素子部50Bと共通の陰極電極層2と、電子輸送層4と、光電変換層11と、エレクトロクロミック素子部50Bと共通の陽極電極層3と、が図中上下方向に配置された構成となっている。また、エレクトロクロミック素子部50Bは、支持基板1上に、図中下側から、光電変換素子部50Aと共通の陰極電極層2と、エレクトロクロミック層12と、光電変換素子部50Aと共通の陽極電極層3と、が図中上下方向に配置された構成となっている。また、光電変換層11及びエレクトロクロミック層12の空隙には、ホール輸送剤が充填され第1ホール輸送層13が形成されている。また、光電変換素子部50Aとエレクトロクロミック素子部50Bの境界領域には、隔離層16が設けられている。この隔離層16は、第1ホール輸送層13のホール輸送剤が透過可能なものであり、例えばシリカSiO2粒子が充填された第1隔離層16aと、穴の開いたITO膜からなる第2隔離層16bが積層された構造を有する。なお、光電変換層11の半導体微粒子11aと、エレクトロクロミック層12の半導体微粒子12aは、隔離層16を突き破るように配置されており、お互いが接触している。以上のように構成された光電変換エレクトロクロミック素子50において、陰極電極層2側から光が入射すると、まず光電変換素子部50Aの光電変換層11における光電変換色素11bが光励起され、つづいて光電変換色素11bから半導体微粒子11aに電子注入が行われ、光電変換色素11bが酸化される。ついで、半導体微粒子11aに注入された電子が該半導体微粒子11aに接触している半導体微粒子11a,12aを経由してエレクトロクロミック素子部50Bに移動し、さらにエレクトロクロミック層12においてエレクトロクロミック化合物12bに伝送される。また、光電変換色素11bで生成されたホール正孔は第1ホール輸送層13を通ってエレクトロクロミック素子部50Bに伝送される。これにより、エレクトロクロミック化合物12bにおいて酸化還元反応が起こり、蓄電状態となる。ついで、蓄電状態となった光電変換エレクトロクロミック素子50について、陰極電極層2及び陽極電極層3と、所定の外部回路とを電気的に接続すると、エレクトロクロミック素子部50Bが放電状態となり、外部回路に電力を供給することができる。光電変換エレクトロクロミック素子の全体構造本発明に係る光電変換エレクトロクロミック素子の全体構造として、光電変換素子部10A,20A,30A,40Aと、エレクトロクロミック素子部10B,20B,30B,40Bとが、支持基板1上に、アレイ状、格子状、ストライプ状のいずれかのパターン形状で交互に配置されていることが好ましい。図6,図7にその構造例を示す。図6は、光電変換素子部10Aと、エレクトロクロミック素子部10Bとが、支持基板1上に、ストライプ状のパターン形状で交互に配置された構造例である。また、図7は、光電変換素子部10Aと、エレクトロクロミック素子部10Bとが、支持基板1上に、格子状のパターン形状で交互に配置された構造例である。いずれも、光電変換素子部10A,20A,30A,40Aと、エレクトロクロミック素子部10B,20B,30B,40Bとが、平面支持基板1上に、効率的に配置され、蓄電池として十分な性能を有する。以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明の実施の形態はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例1本実施例では、以下のようにして、光電変換エレクトロクロミック素子を形成した。光電変換層11の形成まず、上面にITOからなる陰極電極層2を形成したガラス基板縦30mm×横30mmを準備し、その上面の10mm×20mmの領域に、酸化チタンナノ粒子半導体微粒子11a分散液、T20商品名:ソーラロニクス社製を2μm程度ずつ4回、印刷法により塗布し、550°Cで30分間アニール処理を行うことによって、膜厚9μmの酸化チタン粒子膜を形成した。つぎに、この酸化チタン粒子膜の全領域の半分の領域10mm×10mmの領域を、下記構造式Aで表される光電変換色素Ruthenium535bisTBA商品名:ソーラロニクス社製0.5mMとしたt-BuOH/CH3CN溶液に72時間浸漬して光電変換色素11bを担持させて、光電変換層11とした。エレクトロクロミック層12の形成続いて、その部分光電変換層11の領域をテープでマスクし、下記構造式Bで表されるビオロゲン化合物の5wt2,2,3,3-テトラフロロプロパノール溶液と酸化チタンナノ粒子分散液SP210商品名:昭和タイタニウム社製とを2.4/4の質量部比率で混合した塗布液をスピンコート法により塗布し、120°Cで10分間アニール処理を行うことによって、酸化チタン粒子半導体微粒子12aとエレクトロクロミック化合物12bよりなるエレクトロクロミック層12を形成した。対向電極陽極電極層3の形成一方、先ほどのガラス基板とは別に、10mm×20mmのFTO付ガラス基板を準備し、その全面に、Ptをスパッタ法で成膜し、膜厚100nmの陽極電極層3を形成した。光電変換エレクトロクロミック素子の作製光電変換層11及びエレクトロクロミック層12を形成した基板と陽極電極層3を形成した対向基板を75μmのスペーサを介して貼り合わせ、セルを作製した。次に、過塩素酸クロライド0.1M、LiI0.1M、I20.05Mをアセトニトリル、バレロニトリルに溶解させた溶液に、一次粒径300nmの酸化チタン粒子石原産業株式会社製を35wt分散させ、電解質溶液ホール輸送剤を調製し、セル内に封入して第1ホール輸送層13を形成し、本発明の光電変換エレクトロクロミック素子を完成した。以上のように作製した光電変換エレクトロクロミック素子に太陽光を照射したところ、エレクトロクロミック素子部の深色化が確認された。ついで、光照射をやめた後は、エレクトロクロミック素子部は無色に戻り、電力スイッチを切り替えて、陰極電極層2及び陽極電極層3から電力を取り出すことができた。なお。このときの開放電圧は0.55V、電流密度は5mA、であった。実施例2実施例1において、陽極電極層3の構成材料であるPtをAuに代えた以外は、実施例1と同じ条件で光電変換エレクトロクロミック素子を作製した。この光電変換エレクトロクロミック素子に太陽光を照射したところ、エレクトロクロミック素子部の深色化が確認された。光照射をやめた後は、エレクトロクロミック素子部は無色に戻り、電力スイッチを切り替えて、陰極電極層2及び陽極電極層3から電力を取り出すことができた。実施例3実施例2において、半導体微粒子11a,12aの構成材料である酸化チタンを酸化亜鉛に代えた以外は、実施例2と同じ条件で光電変換エレクトロクロミック素子を作製した。なお、酸化亜鉛粒子膜は、酸化亜鉛ナノ粒子分散液商品名:ハクスイテック社製を2μm程度ずつ4回、印刷法により塗布し、550°Cで30分間アニール処理を行うことによって、形成した。この光電変換エレクトロクロミック素子に太陽光を照射したところ、エレクトロクロミック素子部の深色化が確認された。光照射をやめた後は、エレクトロクロミック素子部は無色に戻り、電力スイッチを切り替えて、陰極電極層2及び陽極電極層3から電力を取り出すことができた。なお、これまで本発明を図面に示した実施形態をもって説明してきたが、本発明は図面に示した実施形態に限定されるものではなく、他の実施形態、追加、変更、削除など、当業者が想到することができる範囲内で変更することができ、いずれの態様においても本発明の作用効果を奏する限り、本発明の範囲に含まれるものである。すなわち、種々の態様において、第1ホール輸送層13のホール輸送剤ゲル電解質は、適切なレドックス活性成分、及び金属イオン錯体形成プロセスによってゲル化された、少量の、複数のリガンドを備えるポリマー分子や非ポリマー分子を含む。種々の実施形態において、複数のサイトで金属イオンと錯体を形成し得る例えば、束縛基の存在によって有機化合物が用いられる。所与のレドックス成分は、それ自体液体であっても、又は液体溶媒中に溶解している固体成分であってもよい。束縛基とは、電子密度の高い少なくとも1つのドナー原子、例えば、特に酸素、窒素、硫黄、三価のリンを含むもの、を有する官能基である。非ポリマー物質あるいはポリマー物質に存在し得る複数の束縛基は、当該物質の側鎖あるいは主鎖部分の何れかに存在することができ、又はデンドリマーあるいはスターバースト分子の一部として存在することができる。また、種々の態様に従って金属イオン、特にリチウムイオンをホール輸送剤における無機の液体電解質組成物に導入することによって、光電流及び開回路電圧が向上し、電池効率が高くなる。"