回路基板と、前記回路基板の上面に実装された支持部材と、前記支持部材の上に実装された音響センサと、前記支持部材の内部に形成された空洞内に納めて、前記回路基板の上面に実装された信号処理回路と、前記音響センサ、前記支持部材及び前記信号処理回路を覆って前記回路基板の上面に固定されたカバーとを備えたマイクロフォンにおいて、前記音響センサは、上面側にフロントチャンバとなる空間が形成されるとともに、下面側にバックチャンバとなる空間を備えており、前記支持部材は、前記カバー及び前記回路基板で囲まれた空間のうち前記音響センサ及び前記支持部材の外部に位置する空間と、前記音響センサ内の前記バックチャンバとなる空間との間で音響振動を伝達させることのできる音響伝達通路を形成されていることを特徴とするマイクロフォン。前記カバーは、音響振動を導入するための音導入孔を開口され、前記音響センサは、前記フロントチャンバとなる空間の周囲を、前記カバーの内面の前記音導入孔を囲む領域に密着させられていることを特徴とする、請求項1に記載のマイクロフォン。前記支持部材は、前記音響センサと前記回路基板とを電気的に接続するための配線構造を備えていることを特徴とする、請求項1に記載のマイクロフォン。前記音響伝達通路は、前記支持部材の上面部を凹状又は溝状に窪ませて形成されていることを特徴とする、請求項1に記載のマイクロフォン。前記信号処理回路を収納するための前記空洞は、前記支持部材を上下に貫通していることを特徴とする、請求項1に記載のマイクロフォン。前記信号処理回路を収納するための前記空洞は、前記支持部材の下面に凹設されており、前記空洞と前記音響伝達通路とが前記支持部材によって仕切られていることを特徴とする、請求項1に記載のマイクロフォン。本発明は、上記のような技術的課題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、上方から見た平面積を小さくすることができ、しかも、音響センサのバックチャンバの容積をより大きくすることのできるマイクロフォンを提供することにある。本発明に係るマイクロフォンは、回路基板と、前記回路基板の上面に実装された支持部材と、前記支持部材の上に実装された音響センサと、前記支持部材の内部に形成された空洞内に納めて、前記回路基板の上面に実装された信号処理回路と、前記音響センサ、前記支持部材及び前記信号処理回路を覆って前記回路基板の上面に固定されたカバーとを備えたマイクロフォンにおいて、前記音響センサは、上面側にフロントチャンバとなる空間が形成されるとともに、下面側にバックチャンバとなる空間を備えており、前記支持部材は、前記カバー及び前記回路基板で囲まれた空間のうち前記音響センサ及び前記支持部材の外部に位置する空間と、前記音響センサ内の前記バックチャンバとなる空間との間で音響振動を伝達させることのできる音響伝達通路を形成されていることを特徴としている。本発明のマイクロフォンにあっては、信号処理回路の上方に音響センサを配置しているので、音響センサと信号処理回路を実装するための領域の平面積を小さくすることができ、マイクロフォンを小型化することができる。また、支持部材に音響伝達通路を設けたことにより、カバー及び回路基板で囲まれた空間のうち音響センサ及び支持部材の外部に位置する空間を音響センサのバックチャンバとして利用できるようになる。その結果、音響センサのバックチャンバの容積を実質的に大きくし、マイクロフォンの感度を向上させることができる。本発明のある実施態様によるマイクロフォンは、前記カバーに、音響振動を導入するための音導入孔を開口され、前記音響センサが、前記フロントチャンバとなる空間の周囲を、前記カバーの内面の前記音導入孔を囲む領域に密着させられていることを特徴としている。かかる実施態様によれば、音導入孔からマイクロフォン内に導入された音響振動がフロントチャンバの外へ漏れにくくなる。よって、音導入孔から入った音響振動がバックチャンバ側へ回り込みにくく、バックチャンバ側へ回り込んだ音響振動によってマイクロフォンの感度が低下しにくくなる。本発明の別な実施態様によるマイクロフォンでは、前記支持部材が、前記音響センサと前記回路基板とを電気的に接続するための配線構造を備えている。かかる実施態様によれば、ボンディングワイヤを用いることなく音響センサと回路基板を接続することができるので、ボンディングワイヤを用いた場合よりもカバーと回路基板からなるパッケージの高さを低くでき、マイクロフォンを低背化ないし小型化することができる。本発明のさらに別な実施態様によるマイクロフォンでは、前記音響伝達通路が、前記支持部材の上面部を凹状又は溝状に窪ませて形成されている。かかる実施態様によれば、音響伝達通路の加工が容易になる。本発明のさらに別な実施態様によるマイクロフォンでは、前記信号処理回路を収納するための前記空洞が、前記支持部材を上下に貫通している。かかる実施態様によれば、信号処理回路を収納するための空洞が音響センサのバックチャンバの一部となるので、音響センサのバックチャンバ容積をより一層大きくでき、マイクロフォンの感度を向上させることができる。本発明のさらに別な実施態様によるマイクロフォンでは、前記信号処理回路を収納するための前記空洞が、前記支持部材の下面に凹設されており、前記空洞と前記音響伝達通路とが前記支持部材によって仕切られている。かかる実施態様によれば、音響センサと信号処理回路の間で短絡事故が生じることがない。また、信号処理回路を水分や埃などから保護することができる。なお、本発明における前記課題を解決するための手段は、以上説明した構成要素を適宜組み合せた特徴を有するものであり、本発明はかかる構成要素の組合せによる多くのバリエーションを可能とするものである。以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々設計変更することができる。第1の実施形態以下、図3-図5を参照して本発明の実施形態1によるマイクロフォンを説明する。図3は、実施形態1に係るマイクロフォン41の構造を示す断面図である。また、図4Aは、マイクロフォン41に用いられているインターポーザ52支持部材の斜視図、図4Bは、インターポーザ52を上下反転させた状態で示す斜視図である。図5A及び図5Bはインターポーザ52の断面図であって、図5Aは図4AのX-X線断面を示し、図5Bは図4AのY-Y線断面を示す。マイクロフォン41にあっては、カバー42と回路基板43によってパッケージが形成されている。このパッケージ内には、音響センサ51、インターポーザ52および信号処理回路53が納められている。パッケージの一部を構成する回路基板43の上面には、インターポーザ52や信号処理回路53を接合させるための複数個の上面電極パッド44が設けられている。回路基板43の下面には、マイクロフォン41をプリント配線基板などに実装するときに、マイクロフォン41をプリント配線基板などに接続させるための複数個の下面電極パッド45が設けられている。カバー42は、下面が開口した箱状をしており、絶縁性材料たとえば、プラスチックからなるカバー本体46の内面に金属メッキ膜による電磁シールド膜47が形成されている。また、カバー42にはパッケージ内に音響振動を導き入れるための音導入孔48が少なくとも1箇所に開口されている。なお、カバー本体46は金属製であってもよく、その場合にはカバー本体46が電磁シールドの機能を有するので、別途電磁シールド膜47を設ける必要はない。音響センサ51はMEMS技術を利用して作製された静電容量型素子である。図3に示すように、音響センサ51は、全体をシリコン基板54によって保持されている。シリコン基板54には、上下に貫通するようにしてフロントチャンバ55が開口されている。シリコン基板54の下面には、フロントチャンバ55の下面開口を覆うようにして、薄膜状のダイアフラム56が設けられている。ダイアフラム56は、導電性を有するポリシリコンによって形成されている。したがって、ダイアフラム56は、それ自体が可動電極板となっている。ダイアフラム56は、外周縁の複数箇所をアンカー図示せずによって支持されることにより、シリコン基板54の下面で膜状に張られており、アンカー間においてダイアフラム56の外周縁とシリコン基板54の下面との間にベントホール狭い隙間が形成されている。ダイアフラム56の下方には、ダイアフラム56との間にエアギャップ58空隙を形成するようにして、バックプレート57が設けられており、バックプレート57の外周部はシリコン基板54の下面に固定されている。また、バックプレート57の上面には、ダイアフラム56と対向するようにして固定電極板59が設けられている。バックプレート57は絶縁性のSiNによって形成され、固定電極板59は導電性のポリシリコンによって形成されている。この結果、エアギャップ58を介して対向しているダイアフラム56と固定電極板59によって音響振動検知用のキャパシタが構成されている。バックプレート57及び固定電極板59のほぼ全体には、ダイアフラム56を振動させた後の音響振動を通過させるためのアコースティックホール60音響孔が多数穿孔されている。ダイアフラム56の端部からは引出配線61が延出されている。引出配線61の端部には、バックプレート57に埋め込まれた電極部62が電気的に接続されている。また、固定電極板59の端部からは引出配線63が延出されている。引出配線63の端部には、バックプレート57に埋め込まれた電極部64が電気的に接続されている。電極部62の下面は、音響センサ51の下面の四隅のうちいずれか1箇所の隅部に露出しており、電極部62の下面にはバンプ67が設けられている。電極部64の下面は、音響センサ51の下面の四隅のうち別な隅部において露出しており、電極部64の下面にはバンプ67が設けられている。音響センサ51の下面の四隅のうち、電極部62、64が設けられていない隅部には、ダミーの電極図示せずが設けられている。ダミーの電極とは、音響センサ51の下面をハンダなどで機械的に固定するための電極であって、電気的な働きを有しないものである。ダミーの電極にもバンプが設けられている。インターポーザ52は、図4A、図4B、図5A及び図5Bに示すような構造を有している。インターポーザ52は、絶縁性材料によって角筒状に形成されており、インターポーザ52内には信号処理回路53を納めることのできる上下に貫通した空洞70が形成されている。また、インターポーザ52の壁面上部には通気用切欠71音響伝達通路が形成されている。インターポーザ52は、音響センサ51と回路基板43を電気接続するための構造を備えている。すなわち、インターポーザ52の四隅のうち1箇所には貫通電極65が埋め込まれており、インターポーザ52の上面には貫通電極65と導通したパッド部65aが設けられ、下面には貫通電極65と導通したパッド部65bが設けられている。インターポーザ52の四隅のうち別な箇所には、同様に、貫通電極66が埋め込まれており、インターポーザ52の上面には貫通電極66と導通したパッド部66aが設けられ、下面には貫通電極66と導通したパッド部66bが設けられている。さらに、インターポーザ52の四隅のうち貫通電極65、66が設けられていない箇所では、インターポーザ52の上面にダミー電極72aが設けられ、下面にダミー電極72bが設けられている。ダミー電極72a、72bは機械的に接続してインターポーザ52を固定するための電極であり、上面のダミー電極72aと下面のダミー電極72bとは電気的には導通していない。なお、図4及び図5のインターポーザ52では、その壁面上部に通気用切欠71が形成されているが、インターポーザ52の壁面下部に通気用切欠71を設けてもよい。また、インターポーザ52の壁面に通気用開口音響伝達通路を窓状に開口してもよい。ただし、通気用切欠や通気用開口などの音響伝達通路は、音響振動による動的な圧力変化を伝えられるだけの通路断面積を有していることが必要である。信号処理回路53ASICは、音響センサ51から出力される音響検知信号を増幅し、さらにその信号をデジタル信号に変換して出力するための回路である。信号処理回路53の下面には、音響センサ51からの信号を入力させるための電極部69や信号処理された信号を出力するための電極部69が設けられている。マイクロフォン41は、つぎのようにして組み立てられている。音響センサ51は、インターポーザ52の上に載置され、電極部62の下面に設けたバンプ67が貫通電極65の上面パッド部65aに接合され、電極部64の下面に設けたバンプ67が貫通電極66の上面パッド部66aに接合されている。また、音響センサ51の下面に設けられたダミーの電極のバンプ67は、インターポーザ52の上面のダミー電極72aに接合されている。この結果、音響センサ51は4箇所のバンプ67によってインターポーザ52の上面に機械的に固定されている。さらに、音響センサ51の電極部62、64は、それぞれ貫通電極65、66を通じてインターポーザ52の下面パッド部65b、66bに導通している。インターポーザ52の下面に設けられたパッド部65b、66b及びダミー電極72bは、それぞれハンダや導電性接着剤などの導電材料68によって回路基板43の上面電極パッド44に接合される。信号処理回路53の電極部69も、ハンダや導電性接着剤などの導電材料68によって回路基板43の上面電極パッド44に接合される。カバー42は、回路基板43の上面に実装された音響センサ51、インターポーザ52及び信号処理回路53を覆うようにして、回路基板43の上面に重ねられる。このとき、カバー42の音導入孔48は、音響センサ51のフロントチャンバ55内に臨むように配置される。音響センサ51の上面シリコン基板54の上面全体は、接着樹脂50を用いてカバー42の内面に全周を接着され封止される。カバー42の下面は回路基板43の上面に導電性接着剤によって接着され、電磁シールド膜47は回路基板43のグランド電極に導通させられる。しかして、音導入孔48からマイクロフォン41内に音響振動が入ると、音響振動は音響センサ51のフロントチャンバ55内に導かれる。音響振動はダイアフラム56を振動させるので、ダイアフラム56と固定電極板59とで構成されるキャパシタの静電容量を変化させ、この静電容量の変化が音響検知信号として電極部62、64から出力される。音響センサ51から出力された音響検知信号は、貫通電極65、66を通って上面電極パッド44へ伝えられる。貫通電極65、66のパッド部65b、66bを接合された上面電極パッド44は、回路基板43の上面又は内部に設けられた配線パターン図示せずによって信号処理回路53の信号入力用の電極部69を接合された上面電極パッド44に導通している。よって、音響センサ51の音響検知信号は、それぞれ信号入力用の電極部69から信号処理回路53内に入力される。また、信号出力用の電極部69を接合された上面電極パッド44は、回路基板43の内部に設けた配線構造図示せずによって回路基板43の下面電極パッド45に接続されている。よって、信号処理回路53で処理された出力信号は、回路基板43の下面電極パッド45から外部へ出力される。なお、音響センサ51と信号処理回路53の電気的な接続形態やインターポーザ52における貫通電極数などは、音響センサ51や信号処理回路53の構成により変わるので、上記説明は一例を表したものである。このような構成の音響センサ51では、以下のような作用効果を得ることができる。音響センサ51では、インターポーザ52に設けた貫通電極65、66を通じて音響センサ51と信号処理回路53を接続している。そのため、ボンディングワイヤを用いて接続する場合のようにボンディングワイヤの弛み分を考慮する必要が無くなり、音響センサ51の高さを不必要に高くすることがなくなる。また、音響センサ51と信号処理回路53を上下に配置しているので、音響センサ51を実装するための領域とは別に信号処理回路53を実装するための領域を必要としなくなり、従来のように横に並べて配置する場合と比べると、マイクロフォン41の平面積を非常に小さくすることができる。よって、音響センサ51や信号処理回路53のサイズを小さくできない場合であっても、マイクロフォン41を小型化することが可能になる。この音響センサ51では、音導入孔48とダイアフラム56の間のシリコン基板54で囲まれた空間がフロントチャンバ55となっている。一方、ダイアフラム56の下面側の空間が音響センサ51のバックチャンバとなる。しかし、ダイアフラム56を通過した後の音響振動は、アコースティックホール60を通過してインターポーザ52内の空洞70へ広がり、さらに通気用切欠71を通過してパッケージ内空間49へ広がることができる。ここで、パッケージ内空間49とは、カバー42と回路基板43で囲まれたパッケージ内の空間のうち、音響センサ51及びインターポーザ52の外側の空間をいう。したがって、音響センサ51では、音響センサ51内のダイアフラム56よりも下側の空間と、インターポーザ52内の空洞70と、パッケージ内空間49とを合わせた空間が実質的なバックチャンバとなる。すなわち、このマイクロフォン41では、パッケージ内の空間のうち、フロントチャンバ55を除くほとんどすべての空間がバックチャンバとなる。音響センサ51の感度はバックチャンバの容積が大きいほど向上する。このマイクロフォン41では、パッケージ内の空間の大部分をバックチャンバとして利用することができるので、音響センサ51の感度を向上させることができる。なお、特許文献1に示したマイクロフォン31では、スペーサ32に水平方向の連通孔34が形成されている。しかし、これは本実施形態の通気用切欠71とは異なり、熱膨張や気圧変化などによって生じるバックチャンバ内外での静圧差を緩和するものであり、音響振動を伝えるものではない。特許文献1のマイクロフォン31において、音響振動を伝えるほど連通孔34の通路断面積を大きくすれば、音響センサ15のバックチャンバ容積が広くなる。しかし、マイクロフォン31において連通孔34の通路断面積を大きくすると、音響センサ15のフロントチャンバとバックチャンバとが連通してしまい、音響センサ15の感度が得られなくなる。また、特許文献2でも、立体回路基板とプリント基板との間に通気孔を形成しているが、この通気孔も特許文献1の連通孔と同じ目的で設けられたものである。また、本実施形態のマイクロフォン41では、カバー42の内面に電磁シールド膜47を形成している回路基板43の内部にも電磁シールド膜を設けてあってもよい。ので、音響センサ51や信号処理回路53を外来ノイズから遮断することができ、マイクロフォン41のS/N比を向上させることができる。第1の実施形態のマイクロフォンの製造方法つぎに、実施形態1のマイクロフォン41を製造する工程を図6-図10に基づいて説明する。インターポーザ52は、複数個が一度に作製される。図6Aは、一体に作製された複数個のインターポーザ52を示す平面図である。図6Bは、図6AのZ-Z線に沿った断面を示す。複数個のインターポーザ52は、つぎのようにして作製される。絶縁性Siウエハ73の下面に金属メッキや蒸着を施すことによってパッド部65b、66b及びダミー電極72bをそれぞれの所定位置に形成する。ついで、パッド部65b、66bの位置においてSiウエハ73に貫通孔を形成する。この貫通孔内にメッキなどで金属材料を堆積させて貫通電極65、66を作製する。さらに、貫通電極65、66の位置で、Siウエハ73の上面に金属メッキや蒸着によってパッド部65a、66aを形成する。このとき同時に、Siウエハ73の上面の所定位置にダミー電極72aを形成する。この後、一組のパッド部65a、66a及びダミー電極72aに囲まれた領域の中央部をエッチングすることにより、上下に貫通した空洞70を開口させる。また、Siウエハ73の上面を溝状にエッチングして通気用切欠71を形成する。こうして一体に作製された複数個のインターポーザ52を表したものが図6A及び図6Bである。音響センサ51も、複数個が一度に作製される。図7Aは、一体に作製された複数個の音響センサ51を示す断面図である。Siウエハ74の上面には、音響センサ51となる各領域ごとにポリシリコン製のダイアフラム56が設けられている。ダイアフラム56の上には犠牲層75が形成され、犠牲層75の上面には固定電極板59とバックプレート57が設けられる。また、各音響センサ51となる領域の各隅部には、電極部62、64とダミーの電極が設けられる。図7Bに示すように、図7Aのように作製された音響センサ51は、上下反転させて図6のインターポーザ52の上面に重ねられ、バンプ67によって電極部62とパッド部65a、電極部64とパッド部66a、ダミーの電極とダミー電極72aがそれぞれ接合される。この結果、複数個の音響センサ51を構成されたSiウエハ74と複数個のインターポーザ52を構成されたSiウエハ73が一体に張り合わされる。ついで、図8Aに示すように、音響センサ51の上面を研磨してSiウエハ74の厚みを薄くする。1枚のSiウエハ74に形成された音響センサ51単独であれば、Siウエハ74を研磨して厚みを薄くすると、研磨工程やその後の工程でSiウエハ74に割れや欠けが発生し、音響センサ51の歩留まりが低下する。しかし、ここで説明する製造方法では、2枚のSiウエハ、すなわちSiウエハ73とSiウエハ74を貼り合わせた状態でSiウエハ74を研磨するので、Siウエハ74の剛性を高めて研磨を行うことができ、Siウエハ74の研磨が容易に、かつ、歩留まりよく行えるようになる。この後、図8Bに示すように、音響センサ51の犠牲層75をエッチングにより除去し、ダイアフラム56と固定電極板59の間にエアギャップ58を形成する。この結果、ダイアフラム56は振動可能な膜状に形成される。ついで、図8Bに1点鎖線で示すカッティングラインに沿ってSiウエハ74、73をダイシングする。この結果、図9Aに示すように、音響センサ51及びインターポーザ52は上下に接合されたままで1個1個切り離される。つぎに、回路基板43の上面に信号処理回路53をフリップチップ実装し、導電材料68によって信号処理回路53の電極部69を回路基板43の上面電極パッド44に接合させる。こうして、回路基板43の上に実装された信号処理回路53を図9Bに示す。ついで、図10Aに示すように、信号処理回路53を覆うようにして回路基板43の上にインターポーザ52と音響センサ51を重ね、信号処理回路53をインターポーザ52の空洞70内に納める。このとき、導電材料68によってインターポーザ52のパッド部65b、66bとダミー電極72bをそれぞれ回路基板43の上面電極パッド44に接合する。この後、図10Bに示すように、音響センサ51、インターポーザ52及び信号処理回路53を覆うようにして回路基板43の上にカバー42を重ねる。カバー42には、あらかじめ音導入孔48が開口されており、カバー42を回路基板43に重ねたとき音導入孔48はフロントチャンバ55の上面開口内に納まる。ついで、カバー42の下面を導電性接着剤によって回路基板43に接合させる。このとき同時に、音響センサ51の上面を接着樹脂50によってカバー42の内面に接着し、音響センサ51の上面全周とカバー42の内面との間を封止し、音導入孔48から入った音響振動が音響センサ51とカバー42の間の隙間から漏れないようにする。このようにしてマイクロフォン41を製造すれば、Siウエハ74の研磨時にSiウエハ74に割れや欠けが発生しにくくなるので、マイクロフォン41の製造工程における歩留まりが向上する。また、Siウエハ74に割れや欠けが発生しにくくなるので、研磨によってSiウエハ74の厚みを薄くでき、音響センサ51の高さを小さくすることができる。音響センサ51の高さを小さくできると、カバー42も高さの低いものを用いることができるようになり、マイクロフォン41の低背化と小型化が可能になる。第2の実施形態図11は、本発明の実施形態2によるマイクロフォン81を示す断面図である。このマイクロフォン81は、実施形態1のマイクロフォン41とはインターポーザ52の形状が異なっているだけである。従って、実施形態2のマイクロフォン81においては、インターポーザ52以外の説明は省略する。マイクロフォン81に用いられているインターポーザ52では、図12A及び図12Bに示すように、信号処理回路53を収容するための空洞70は下面開口した箱状となっていて上面は塞がれている。一方、インターポーザ52の上面には1本又は複数本の溝状をした通気用切欠71が設けられている。したがって、音響センサ51のダイアフラム56の下の空間バックチャンバは、信号処理回路53を収納するための空洞70を経由することなく、通気用切欠71を通ってパッケージ内空間49と連通している。よって、実質的にバックチャンバの容積を大きくすることができ、マイクロフォン81の感度を向上させることができる。また、このマイクロフォン81では、上下に配置された音響センサ51と信号処理回路53がインターポーザ52によって仕切られているので、音響センサ51と信号処理回路53の短絡事故などを防ぐことができる。さらに、信号処理回路53はインターポーザ52によって覆われているので、音導入孔48から入り込んだ水分や埃から信号処理回路53を保護することができる。その他の実施形態インターポーザ52は、実施形態1、2で述べたような構造以外にも種々の構造が可能である。たとえば図13A及び図13Bに示す実施形態では、実施形態2のように空洞70と通気用切欠71が分離されたインターポーザ52において、空洞70とパッケージ内空間49を連通させるための通気用切欠82をインターポーザ52の下部に設け、空洞70内もバックチャンバとして利用できるようにしたものである。また、図14A及び図14Bに示す実施形態は、空洞70と分離してインターポーザ52の上面に設けた通気用切欠71を十文字形の溝状にしたものである。図15A及び図15Bに示すものはさらに別な実施形態である。このインターポーザ52では、インターポーザ52の上面に沿ってパッド部65aから延長電極部83aを延出し、インターポーザ52の下面に沿ってパッド部65bから延長電極部83bを延出し、延長電極部83aの先端部と延長電極部83bの先端部間を貫通電極65で接続している。同様に、インターポーザ52の上面に沿ってパッド部66aから延長電極部84aを延出し、インターポーザ52の下面に沿ってパッド部66bから延長電極部84bを延出し、延長電極部84aの先端部と延長電極部84bの先端部間を貫通電極66で接続している。このような実施形態によれば、貫通電極65、66を自由な位置に設けることが可能になる。