複数の画素回路を有し、前記複数の画素回路の各々は、発光素子と、ドレインノードが電源線に電気的に接続され、ゲートノードおよびソースノード間の電圧に応じた電流を前記発光素子に流す駆動トランジスターと、前記駆動トランジスターのゲートノードとデータ線との間に電気的に接続されたスイッチングトランジスターと、を含み、初期化期間に、前記電源線の電位を第1電源電位にするとともに、前記駆動トランジスターのゲートノードに前記データ線およびスイッチングトランジスターを介し第1電位が供給され、前記駆動トランジスターのソースノードの電位を初期化し、セット期間に、前記電源線の電位を第2電源電位に切り替え、前記駆動トランジスターのゲートノードに前記データ線およびスイッチングトランジスターを介し前記第1電位とは異なる第2電位が供給され、前記発光素子を発光させない状態で、前記駆動トランジスターのゲートノードおよびソースノード間に当該駆動トランジスターの閾値電圧に相当する電圧を保持させ、書込期間に、前記駆動トランジスターのゲートノードに前記データ線およびスイッチングトランジスターを介し階調に応じた電位が供給されることを特徴とする電気光学装置。前記複数の画素回路を駆動する駆動回路を備え、前記駆動回路は、前記データ線に対し、前記初期化期間に前記第1電位を供給し、前記セット期間に前記第2電位を供給し、前記書込期間に前記階調に応じた電位を供給することを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。前記駆動回路は、信号供給回路と、前記信号供給回路または前記第2電位を供給する給電線のいずれかを選択して前記データ線に接続するスイッチと、を含み、前記信号供給回路は、前記データ線に対し、前記初期化期間に前記第1電位を供給し、前記書込期間に前記階調に応じた電位を供給し、前記スイッチは、前記初期化期間および前記書込期間に前記信号供給回路を選択し、前記セット期間に前記給電線を選択することを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。前記第1電位は、前記データ線に残留する電位であることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。前記駆動回路は、前記データ線に対し、前記セット期間に前記第2電位を供給し、前記書込期間に至るまでに前記階調に応じた電位を供給することを特徴とする請求項4に記載の電気光学装置。前記第1電位は、前記階調に応じた電位であることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。前記駆動回路は、信号供給回路と、前記信号供給回路または前記第2電位を供給する給電線のいずれかを選択して前記データ線に接続するスイッチと、を含み、前記信号供給回路は、前記データ線に対し、少なくとも前記初期化期間および前記書込期間に、前記階調に応じた電位を供給し、前記スイッチは、前記初期化期間および前記書込期間に前記信号供給回路を選択し、前記セット期間に前記給電線を選択することを特徴とする請求項6に記載の電気光学装置。発光素子と、ドレインノードが電源線に電気的に接続され、ゲートノードおよびソースノード間の電圧に応じた電流を前記発光素子に流す駆動トランジスターと、前記駆動トランジスターのゲートノードとデータ線との間に電気的に接続されたスイッチングトランジスターと、を含み、を含む画素回路を複数個有する電気光学装置の駆動方法であって、初期化期間に、前記電源線の電位を第1電源電位にするとともに、前記駆動トランジスターのゲートノードに前記データ線およびスイッチングトランジスターを介し第1電位を供給して、前記駆動トランジスターのソースノードの電位を初期化し、セット期間に、前記電源線の電位を第2電源電位に切り替え、前記駆動トランジスターのゲートノードに前記データ線およびスイッチングトランジスターを介し前記第1電位とは異なる第2電位を供給し、前記発光素子を発光させない状態で、前記駆動トランジスターのゲートノードおよびソースノード間に当該駆動トランジスターの閾値電圧に相当する電圧を保持させ、書込期間に、前記駆動トランジスターのゲートノードに前記データ線およびスイッチングトランジスターを介し階調に応じた電位を供給することを特徴とする電気光学装置の駆動方法。請求項1乃至7のいずれかに記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。ところで、上記技術においては、表示ムラを抑えることができるものの、画素数を多くして表示を高精細化することが困難である、という問題があった。本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的の一つは、表示ムラを抑えつつ、高精細化を図ることが容易とする技術を提供することにある。上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置にあっては、複数の画素回路を有し、前記複数の画素回路の各々は、発光素子と、ドレインノードが電源線に電気的に接続され、ゲートノードおよびソースノード間の電圧に応じた電流を前記発光素子に流す駆動トランジスターと、前記駆動トランジスターのゲートノードとデータ線との間に電気的に接続されたスイッチングトランジスターと、を含み、初期化期間に、前記電源線の電位を第1電源電位にするとともに、前記駆動トランジスターのゲートノードに前記データ線およびスイッチングトランジスターを介し第1電位が供給され、前記駆動トランジスターのソースノードの電位を初期化し、セット期間に、前記電源線の電位を第2電源電位に切り替え、前記駆動トランジスターのゲートノードに前記データ線およびスイッチングトランジスターを介し前記第1電位とは異なる第2電位が供給され、前記発光素子を発光させない状態で、前記駆動トランジスターのゲートノードおよびソースノード間に当該駆動トランジスターの閾値電圧に相当する電圧を保持させ、書込期間に、前記駆動トランジスターのゲートノードに前記データ線およびスイッチングトランジスターを介し階調に応じた電位が供給されることを特徴とする。本発明によれば、初期化期間において駆動トランジスターのソースノードを初期化するためにデータ線に供給される第1電位と、セット期間において駆動トランジスターのゲートノードおよびソースノード間に当該駆動トランジスターの閾値電圧に相当する電圧を保持するための第2電位とを互いに異ならせているので、初期化期間とセット期間とで共通電位を用いる構成と比較して、表示ムラを抑えつつ、高精細化を図ることが容易になる。本発明において、前記複数の画素回路を駆動する駆動回路を備え、前記駆動回路は、前記データ線に対し、前記初期化期間に前記第1電位を供給し、前記セット期間に前記第2電位を供給し、前記書込期間に前記階調に応じた電位を供給するのが好ましい。前記駆動回路は、信号供給回路と、前記信号供給回路または前記第2電位の給電線のいずれかを選択して前記データ線に接続するスイッチと、を含み、前記信号供給回路は、前記データ線に対し、前記初期化期間に前記第1電位を供給し、前記書込期間に前記階調に応じた電位を供給し、前記スイッチは、前記初期化期間および前記書込期間に前記信号供給回路を選択し、前記セット期間に前記給電線を選択する構成しても良い。このような構成によれば、データ線には、第1電位、第2電位および階調に応じた電位が順番に供給される。本発明において、前記第1電位は、前記データ線に残留する電位である構成が好ましい。この構成において、前記駆動回路は、前記データ線に対し、前記セット期間に前記第2電位を供給し、前記書込期間に至るまでに前記階調に応じた電位を供給しても良い。この構成では、第1電位としてデータ線に残留する電位を用いるので、データ線に寄生する容量に加えて、データ線に容量素子を積極的に付加しても良い。この構成によれば、データ線の電位切替回数が減少するので、その分、駆動周波数を高めたり、データ線の電位切替によって消費される電力を抑えたりすることができる。また、本発明において、前記第1電位は、前記階調に応じた電位である構成が好ましい。この構成において、前記駆動回路は、信号供給回路と、前記信号供給回路または前記第2電位を供給する給電線のいずれかを選択して前記データ線に接続するスイッチと、を含み、前記信号供給回路は、前記データ線に対し、少なくとも前記初期化期間および前記書込期間に、前記階調に応じた電位を供給し、前記スイッチは、前記初期化期間および前記書込期間に前記信号供給回路を選択し、前記セット期間に前記給電線を選択しても良い。この構成では、データ線に残留する電位ではなく、第1電位として自身の画素回路に書き込む電位、すなわち階調に応じた電位を用いる。このため、データ線の寄生容量に依らない安定した初期化が可能になる。また、信号供給回路の電位切替回数が減少するので、その分、駆動周波数を高めることができる。なお、本発明は、電気光学装置のほか、電気光学装置の駆動方法や、当該電気光学装置を有する電子機器として概念することも可能である。電子機器は、典型的には表示装置であり、電子機器としてはパーソナルコンピューターや携帯電話機が挙げられる。もっとも、本発明に係る電気光学装置の用途は、表示装置に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成するための露光装置光ヘッドにも適用可能である。以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図1は、本発明の実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。この図に示されるように、この電気光学装置1は、表示部100、制御回路200、走査線駆動回路210、電源線駆動回路220、信号供給回路230およびスイッチ回路240に大別される。このうち、表示部100には、本実施形態ではm行の走査線112が図において横方向に延在して設けられ、また、3の倍数である3n列のデータ線114が図において縦方向に延在し、かつ、各走査線112と互いに電気的な絶縁を保って設けられている。ここで、m、nは、いずれも自然数である。また、表示部100には、1行毎に個別の電源線116が設けられている。画素回路110は、m行の走査線112と3n列のデータ線114との交差部に対応して、それぞれ設けられている。このうち、同一行の走査線112と、互いに隣り合う3列のデータ線114との交差に対応した3つの画素回路110は、表示すべき画像の1ドット画素を表現するものであり、それぞれR赤、G緑、B青のサブ画素に相当する。換言すれば、本実施形態は、RGBの3つの画素回路110による加法混色で1ドットの色を表現する構成になっている。このため、表示部100で表示される画像は、ドットでみれば縦m行×横n列の配列である。ドットの列を一般化して説明するために、1以上n以下の整数jを用いると、図1において左から数えて3j-2列目、3j-1列目および3j列目のデータ線114は、それぞれj番目のドットに属し、かつ、R、G、Bの系列である、ということになる。制御回路200は、走査線駆動回路210、電源線駆動回路220、信号供給回路230およびスイッチ回路240に、各種の制御信号やクロック信号などを供給して、これらの各部を制御する。例えば、制御回路200は、制御信号の電位Diniを切り替えて出力するほか、初期化に用いる電位Vofs2を給電線26に供給する。走査線駆動回路210は、各走査線112に走査信号をそれぞれ供給するものであり、詳細には、フレームの期間において、制御回路200の制御にしたがって1、2、3、...、m-1、m行目の走査線112を1行毎に順番に走査するものである。ここで、1、2、3、...、m-1、m行目の走査線112に供給される走査信号の電位を、各行で区別するために、それぞれGw、Gw、Gw、...、Gw、Gwと表記している。また、フレームの期間とは、電気光学装置1が1カットコマ分の画像を表示するのに要する期間をいい、垂直走査周波数が60Hzであれば、その1周期分の16.67ミリ秒の期間である。電源線駆動回路220は、制御回路200の制御にしたがって1、2、3、...、m-1、m行目の電源線116の電源電位を、走査線112の走査に同期して高位側の電位VelHと低位側の電位VelLとで切り替えて供給するものである。ここで、1、2、3、...、m-1、m行目の電源線116に供給される電源電位を、各行で区別するために、それぞれVel、Vel、Vel、...、Vel、Velと表記している。信号供給回路230は、データ線114の各列に対応した信号線115に、初期化に用いる電位、または、表示内容に応じたデータ信号の電位をそれぞれ供給するものである。なお、便宜的に、図において左から数えて1、2、3、...、3n-1、3n列目の信号線115の電位を、各列で区別するために、それぞれX、X、X、...、X、Xと表記している。スイッチ回路240は、信号線115およびデータ線114のペア毎に設けられたPチャネル型のトランジスター22およびNチャネル型のトランジスター24の集合体である。詳細には、トランジスター22は、信号線115とデータ線114との間に電気的に介挿されて、電位DiniがLレベルであるときにオン導通状態になる。一方、トランジスター24は、給電線26とデータ線114との間に電気的に介挿されて、電位DiniがHレベルであるときにオン状態になる。このため、スイッチ回路240では、電位DiniがLレベルであれば、ペアになっている信号線115およびデータ線114同士がそれぞれ接続される一方、電位DiniがHレベルであれば、各データ線114が給電線に接続されて、電位Vofs2が一斉に供給される構成となっている。各列のデータ線114は、信号供給回路230とスイッチ回路240とによって駆動されることになるので、信号供給回路230とスイッチ回路240との両者を合わせたものをデータ線駆動回路として概念することができる。さらに、このようなデータ線駆動回路と走査線駆動回路210と電源線駆動回路220とによって画素回路110が駆動されることになるので、信号供給回路230とスイッチ回路240と走査線駆動回路210と電源線駆動回路220とを合わせたものを駆動回路として概念することができる。次に、図2を参照して画素回路110について説明する。図2には、i行目の走査線112と、j番目のドットに属する3列のデータ線114との交差に対応する3個分の画素回路110が主に示されている。ここで、iは、画素回路110が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、それぞれ1以上m以下の整数である。図2に示されるように、各画素回路110は、それぞれNチャネル型のトランジスター130、140と、保持容量135と、発光素子150とを有する。各画素回路110の電気的な構成については互いに同一である。トランジスター130は、スイッチングトランジスターとして機能するものであり、そのゲートノードは走査線112に接続される一方、そのドレインノードはデータ線114に接続され、そのソースノードは保持容量135の一端とトランジスター140のゲートノードとにそれぞれ接続されている。保持容量135の他端は、トランジスター140のソースノードおよび発光素子150の陽極にそれぞれ接続されている。一方、トランジスター140のドレインノードは、電源線116に接続されている。ここで、i行目の走査線112と3j-2列目のデータ線114との交差に対応するRの画素回路110において、トランジスター140のゲートノードトランジスター130のソースノードおよび保持容量135の一端をRgと表記し、トランジスター140のソースノード発光素子150の陽極をRsと表記している。なお、図2には、画素回路110のほか、スイッチ回路240についても3列分の構成が示されている。ここで、信号線115のうち、j番目のドットに属する3列のうち、R系列である3j-2列目のデータ線114に対応する信号線115の電位をXと表記している。また、3j-2列目のデータ線114の電位をVdと表記している。発光素子150は、互いに対向する陽極と陰極とで有機EL材料からなる発光層を挟持したOLEDであり、陽極から陰極に向かって流れる電流に応じた輝度にて、対応するRGBのいずれかの色で発光するように構成されている。発光素子150の陰極は、各画素回路110にわたって共通電極118に接続されている。共通電極118には、素子電源の低位側の電位Vctが給電される。容量152は、発光素子150の容量成分である。表示部100は、一般にガラス基板などの透明性を有する絶縁基板に形成されている。表示部100のうち、画素回路110におけるトランジスター130、140は、例えば薄膜トランジスターであり、非晶質シリコンや低温ポリシリコンで形成される。低温ポリシリコンとする場合、走査線駆動回路210や、電源線駆動回路220、信号供給回路230、スイッチ回路240を構成するトランジスターなどの能動素子についても画素回路110とともに、上記絶縁基板に形成される。図3を参照して電気光学装置1の動作について説明する。図3は、電気光学装置1における各部の動作を説明するための図である。この図に示されるように、走査線駆動回路210が制御回路200による制御にしたがって走査信号の電位Gw~Gwを切り替えることによって、1フレームの期間において1~m行目の走査線112を1水平走査期間H毎に順番に走査する。1水平走査期間Hでの動作は、各行の画素回路110にわたって共通である。そこで以下については、主にi行目の走査線112が走査されたときに、当該i行目にあって、j番目のドットに属する3列のうち、Rの画素回路110について着目して説明する。本実施形態において、各走査線112の走査期間は、大別すると、時間の順で初期化期間、セット期間および書込期間に分けられる。このうち、初期化期間およびセット期間については時間的に連続し、セット期間および書込期間ついては時間的に非連続となっている。ここで、制御回路200は、走査線駆動回路210に対し、i行目の走査線112の走査期間において走査信号の電位Gwを、初期化期間およびセット期間においてHレベルとさせ、セット期間の終了時から書込期間の開始時までの期間においてLレベルとさせ、書込期間において再度Hレベルとさせる。また、制御回路200は、制御信号の電位Diniを、セット期間と当該セット期間の終了時から時間Tが経過するまでの期間とにわたって連続してHレベルとし、それ以外の期間についてはLレベルとする。制御回路200は、信号供給回路230に対し、信号線115の電位X、X、X、...、X、Xを、それぞれ初期化期間において電位Vofs1とさせ、セット期間の開始時から書込期間の終了時までにわたって、i行目と対応する列との交差に対応するサブ画素の階調に応じた電位とさせる。このため、着目する3j-2列目のデータ線114に対応する信号線115の電位Xについても、初期化期間において電位Vofs1になり、セット期間の開始時から電位Vsigになる。電位Vsigは、i行目の走査線112と3j-2列目のデータ線114との交差に対応する画素回路110で表現すべきサブ画素の階調に応じた電位である。一方、制御回路200は、電源線駆動回路220に対し、i行目の電源線116の電位Velを、初期化期間において第1電源電位である低位側の電位VelLとさせ、セット期間以降では、第2電源電位である高位側の電位VelHとさせる。なお、電位Velが電位VelHから電位VelLに遷移するタイミングは、図3においては初期化期間の開始時としているが、発光素子150の発光期間を短くするのであれば、初期化期間よりも手前のタイミングで電位VelLに遷移させても良い。初期化期間では、制御信号の電位DiniがLレベルであるので、スイッチ回路240においてはトランジスター22がオンし、トランジスター24がオフする。このため、データ線114は、信号線115に接続された状態になる。初期化期間におけるXは電位Vofs1であるので、着目しているデータ線114のVdについても電位Vofs1になる。また、i行目の初期化期間では、走査信号の電位GwがHレベルに遷移して、トランジスター130がオンするので、ゲートノードRgはデータ線114に電気的に接続された状態になる。このときのデータ線114のVdは電位Vofs1であるので、ゲートノードRgについても電位Vofs1になる。一方、i行目の電源線116のVelは低位側の電位VelLである。本実施形態において電位Vofs1から電位VelLを減じた差分電圧Vofs1-VelLがトランジスター140の閾値電圧Vthtrを十分に上回るように設定されている。この設定について電位Vofs1の条件として表現し直すと、次式1で示される。VelLVthtr<Vofs1...1初期化期間において式1が満たされていると、トランジスター140が駆動状態になるので、当該トランジスター140のソースノードRs発光素子150の陽極は、電位VelLに初期化される。このように初期化期間ではトランジスター140のゲートノードRgに第1電位としてVofs1が与えられて、当該トランジスター140のソースノードRsが電位VelLに初期化される。したがって、トランジスター140のゲートノードRgおよびソースノードRsの間の電圧、すなわち保持容量135で保持される電圧は、電位Vofs1と電位VelLとの差分電圧に初期化される。なお、電位VelLと共通電極118の電位Vctとの電位差が発光素子150の発光閾値電圧Vtholedを下回るような値となるように当該電位VelLが設定されるので、初期化期間において発光素子150は、オフ状態非発光状態である。次に、セット期間では、制御信号の電位DiniがHレベルに遷移するので、スイッチ回路240においてはトランジスター22がオフし、トランジスター24がオンして、オンオフ状態が初期化期間と比較して逆転する。このため、各列のデータ線114は、信号線115から切り離されて、それぞれ給電線26に電気的に接続された状態になる。このため、着目しているデータ線114のVdは、電位Vofs2に遷移する。また、セット期間では、走査信号の電位GwがHレベルに維持されているので、トランジスター130のオン状態が継続し、トランジスター140のゲートノードRgについても電位Vofs2に遷移する。一方、発光素子150はオフ状態であるが、セット期間の開始時においてi行目の電源線116のVelは高位側の電位VelHに遷移するので、ゲートノードRsの電位Vofs2に応じた電流Idsがトランジスター140のドレインノード電源線116からソースノード発光素子150の陽極に流れる。この電流Idsは、発光素子150の容量152に流れ込むので、当該容量152の充電が開始される。この充電により、トランジスター140のソースノードRsの電位は、時間経過とともに上昇し、やがて電位Vofs2から閾値電圧Vthtrを減じた分の電位Vofs2-Vthtrに収束する。本実施形態では、セット期間においても発光素子150をオフ状態非発光状態に維持するために、ソースノードRsの電位Vofs2-Vthtrが共通電極118発光素子150の陰極の電位Vctに発光素子150の発光閾値電圧Vtholedを加えた電位VctVtholedを下回るように設定される。この設定について電位Vofs2の条件として表現し直すと、次式2で示される。Vofs2<VctVtholedVthtr...2このようにセット期間では、電源線116が電位VelHに切り替えられるとともに、トランジスター140のゲートノードRgに、第2電位としての式2を満たす電位Vofs2が与えられることによって、発光素子150のオフ状態を維持しつつ発光を阻止しつつ、ゲートノードRgおよびソースノードRs間保持容量135の両端に、当該トランジスター140の閾値電圧Vthtrに相当する電圧がセットされる。したがって、以降におけるゲートノードの電位に応じた駆動に際し、当該トランジスター140の閾値電圧Vthtrは、保持容量135の保持電圧で相殺されることになる。セット期間が終了すると、制御信号の電位GwがLレベルに遷移する。このため、トランジスター130がオフするので、トランジスター140のゲートノードRgは、ハイインピーダンスフローティング状態になる。ただし、ソースノードRsが電位Vofs2から閾値電圧Vthtrを減じた分の電位に収束して変動しないので、保持容量135を介したゲートノードは、電位Vofs2を維持することになる。セット期間の終了時から時間Tが経過したとき、制御信号の電位DiniがLレベルに遷移する。このため、各列のデータ線114は、信号線115に電気的に接続された状態になるので、着目しているデータ線114のVdは、電位Vsigに遷移する。続いて、書込期間では、走査信号の電位Gwが再度Hレベルを遷移するので、トランジスター130がオンする。このため、ゲートノードRgは、データ線114に電気的に接続された状態になるので、ゲートノードRgが電位Vsigに変化する。このとき、発光素子150はオフ状態にあるので、トランジスター140においてゲートノードRsの電位Vsigに応じて流れる電流Idsは容量152に流れ込んで、当該容量152を充電する。この充電によって、ソースノードRsの電位が再び上昇する。ここで、トランジスター140の移動度μが大きいほど、当該トランジスター140に流れる電流Idsが大きくなり、ソースノードの電位上昇量も大きくなる。反対に、移動度μが小さいほど電流Idsが小さくなり、ソースノードの電位上昇量も小さくなる。すなわち、移動度μが大きいほどトランジスター140におけるゲートノードソースノード間の電圧変動量負帰還量が大きくなる一方、移動度μが小さいほどゲートノードソースノード間の電圧変動量負帰還量が小さくなる。このため、トランジスター140のゲートノードソースノード間の電圧には、当該トランジスター140に流れる電流Idsに応じた帰還量で負帰還がかかって、当該トランジスター140において、移動度μに対する電流Idsの依存性がキャンセルされる。したがって、画素回路110毎にトランジスター140の移動度μがばらついても、そのバラツキが補償される。そして、書込期間が終了すると、走査信号の電位Gwが再度Lレベルを遷移する。このため、トランジスター130がオフするので、トランジスター140のゲートノードRgは、ハイインピーダンス状態になる。このとき、トランジスター140におけるゲートノードソースノード間の電圧保持容量135の両端電圧は、書込期間の終了時における電圧に維持されるから、トランジスター140には、当該電圧に応じた電流Idsが流れ、この結果、ソースノードRsの電位は時間の経過とともに再上昇する。ゲートノードRgはハイインピーダンス状態であるので、当該ゲートノードRgの電位は、ソースノードRsの電位上昇に連動して上昇する。この結果、トランジスター140におけるゲートノードソースノード間の電圧は、書込期間の終了時における電圧に維持されたまま、ソースノードRsの電位が上昇する。ソースノードRsの電位が上昇する過程において、発光素子150の両端電圧が発光閾値電圧Vtholedを超えると、電流Idsの一部が発光素子150にも流れ始めて、発光開始となる。まもなく容量152への充電が完了すると、電流Idsがすべて発光素子150に流れるので、当該発光素子150は、当該電流Idsに応じた輝度で発光し続けることになる。このような動作は、i行目の走査線112が走査される期間において、着目したRの画素回路110以外の画素回路110においても同様に時間的に並列して実行される。さらに、このような動作は、1フレームの期間において1、2、3、...、m-1、m行目の走査線112の順番で実行されるとともに、フレーム毎に繰り返される。このような動作において、発光素子150に流れる駆動電流は、トランジスター140の閾値電圧Vthtrや移動度μのバラツキが補償されているので、画素回路110毎にトランジスター140の特性がばらついていても、バラツキに起因した輝度のムラが抑制されることになる。本実施形態では、トランジスター140のゲートノードに与える電位を、初期化期間において電位Vofs1とし、セット期間において電位Vofs2として、互いに異ならせている。そこで比較のために、トランジスター140のゲートノードに与える電位を初期化期間とセット期間とにわたって共通化した対比例を想定してみる。初期化期間では、式1を満たす限り、トランジスター140のゲートノードに与える電位が高いほど、初期化に要する時間が短縮される。ただし、対比例では、セット期間において同時に式2を満たして、発光素子150の発光を阻止する必要があるので、トランジスター140のゲートノードに与える電位を無制限に高くすることができない。詳細には、対比例においてトランジスター140のゲートノードに与える電位Vofsは、式1および式2を同時に満たす必要から、VelLVthtr<Vofs<VctVtholedVthtrという範囲内で選択せざるを得ない。当該範囲内で電位Vofsを設定すると、例えば初期化に時間を要することになる。このため、対比例では、初期化期間を含めた1水平走査期間Hをある値以下の短い時間に設定することができない、換言すれば、行数が多い、高精細な表示が困難になるのである。これに対して、本実施形態では、トランジスター140のゲートノードに与える電位を、初期化期間において電位Vofs1とし、セット期間において電位Vofs2として、互いに異ならせているので、式1および式2を同時に満たすように設定するのは、対比例に比べて容易である。換言すれば、本実施形態では、初期化期間にトランジスター140のゲートノードに与える電位Vofs1を高く設定して、初期化に要する期間を短くしても、式2を満たすことが容易である。したがって、この意味において、本実施形態によれば、高精細な表示とバラツキの少ない高品位な表示とを両立することが可能になるのである。なお、電位Vofs1を高くするにつれて、初期化に要する時間を短くすることができる。ただし、電位Vofs1を高くするにしても、トランジスター140のゲートノードトランジスター130のソースノードを、トランジスター130のゲートノードの電位以上走査信号のHレベルに相当する電位以上にすることができない点に留意する必要がある。また、第1実施形態にあっては、各行の走査期間においてデータ線114に電位Vofs1、電位Vofs2および階調に応じた電位を順次供給する構成は、信号供給回路230およびスイッチ回路240以外の構成であっても良い。ところで、各データ線114には、図1または図2において破線で示されるようにそれぞれ容量Cpが寄生している場合がある。この場合、階調に応じた電位Vsigがデータ線114に一旦供給されると、その後、信号線115が信号供給回路230から図示省略されたスイッチによって電気的に切り離されたとしても、当該データ線114には、当該電位Vsigが保持残留し続けることになる。そこで次に、この性質を利用した第2実施形態について説明することにする。なお、第2実施形態に係る電気光学装置は、構成的には第1実施形態に係る電気光学装置と共通であり、その動作のみが異なる。このため、第2実施形態については、動作の相違点を中心に説明することにする。図4は、第2実施形態に係る電気光学装置における各部の動作を示す図である。この図に示されるように、第2実施形態において走査線駆動回路210が走査信号の電位Gw~Gwを切り替えて、1フレームの期間において1~m行目の走査線112を1水平走査期間H毎に順番に走査する点については、第1実施形態と共通である。また、第2実施形態において、i行目の走査期間についていえば、当該i行目の走査線112に供給される走査信号の電位Gwの波形、当該i行目の電源線116に供給される電位Velの波形、および、制御信号の電位Diniの波形についても、第1実施形態と同様である。ただし、第2実施形態にあって制御回路200は、信号供給回路230に対して次のように制御する点において第1実施形態と相違する。すなわち、制御回路200は、信号供給回路230に対し、i行目の走査期間のうち、制御信号の電位DiniがHからLレベルに遷移したときから書込期間の終了時までの期間にわたって、各列の信号線115に、i行目の走査線112と対応する列のデータ線114との交差に対応する画素回路110で表現すべきサブ画素の階調に応じた電位のデータ信号を供給し、この後、各列の信号線115を信号供給回路230の出力端図示省略から電気的に切り離すように制御する。着目する3j-2列目でいえば、信号線115のXは、図において実線で示されるように、制御信号の電位DiniがHからLレベルに遷移したときから書込期間の終了時までの期間にわたって電位Vsigに確定する。電位Vsigは、上述したようにi行目の走査線112と3j-2列目のデータ線114との交差に対応する画素回路110で表現すべきサブ画素の階調に応じた電位である。電位DiniがLレベルであればトランジスター22がオンするので、3j-2列目のデータ線114のVdも、図において実線で示されるように、電位DiniがHからLレベルに遷移したときから書込期間の終了時までの期間にわたって電位Vsigに確定する。書込期間の終了後、信号供給回路230が信号線115を切り離したとしても、Vdは、次のi1行目の走査期間において電位Diniが再びHレベルになるまで、破線で示されるように寄生容量Cpによって電位Vsigに保持され続けることになる。これを時間的に遡って換言してみると、データ線114には、i行目の走査期間のセット期間で電位DiniがHレベルになるまで、1つ上の、i-1行目の走査線112と3j-2列目のデータ線114との交差に対応する画素回路110で表現すべきサブ画素の階調に応じた電位Vsigが残留している、ということになる。したがって、i行目の走査期間の初期化期間において、3j-2列目のデータ線114のVdは、残留している電位Vsigである。このため、初期化期間において、ゲートノードRgは電位Vsigに初期化される。なお、電位Vsigが電位Vofs1の代わりに上記式1を満たすと、トランジスター140が駆動状態になるので、ソースノードRs発光素子150の陽極は電位VelLに、保持容量135の両端電圧はVsig-VelLに、それぞれ初期化されることとなる。以後の動作については、第1実施形態と同様である。第2実施形態によれば、初期化期間においてトランジスター140のゲートノードRgに与える電位として、1水平走査期間H前に供給されたデータ信号であって、データ線114に残留するデータ信号の電位Vsigを用いている。このため、第1実施形態のように初期化のために電位Vofs1を別途生成したり、供給したりする必要がなくなるので、その分、構成の簡易化を図ることができる。ここで、上述した第1実施形態では、1行の走査期間において、データ線114は電位Vofs1と電位Vofs2と階調に応じた電位とで順に切り替わるので、電位切替回数が3である。これに対し、第2実施形態では、1行の走査期間において、データ線114は、電位Vofs1と階調に応じた電位とで切り替わるだけであり、電位切替回数が2である。このため、データ線114が電位変動したときに寄生容量によって消費される電力を抑えることができる。また、1水平走査期間H当たりの電位切替回数が少ないので、駆動周波数を高めやすく、この意味において、第2実施形態では表示の高精細化が容易になる。なお、第2実施形態において初期化期間に用いる電位Vsigは、データ線114に残留する電位であり、1水平走査期間H前の表示内容に依存する。このため、1水平走査期間H前の、例えば1行上のサブ画素に暗い階調が指定されていた場合、データ線114に残留する電位が低いので、初期化が十分になされない可能性もある。しかしながら、1行上のサブ画素が暗かった場合に次のサブ画素も暗いときには、初期化が不十分になっても、双方のサブ画素の輝度がともに低いために、表示ムラとして視認されにくい。一方、1行上のサブ画素に暗い階調が指定されていた場合に次に走査されるサブ画素に明るい階調が指定されたときには、明るい方の画素回路では、閾値電圧や移動度が十分に補償されないので、実際には目的値と異なる輝度で発光する可能性がある。しかしながら、1行上の暗い画素であり、輝度差のある境界部分であるので、異なる輝度となっている状態が相対的に知覚されにくい。一方、1行上の画素が明るい場合、データ線114に残留する電位が高いので、初期化が不十分になることはない。表示ムラは、表示画像の階調が一様である場合に視認されやすく、輝度が急激に変化する境界部分ではムラとして視認されにくい。このため、第2実施形態において、初期化期間に用いる初期化電位Vsigが表示内容に依存するにしても、それが表示ムラとして知覚される可能性が小さい、ということができる。むしろ、第2実施形態では、トランジスター140のゲートノードに与える電位を初期化期間とセット期間とで異ならせていることによって、式1と式2とを同時に満たすことが対比例と比較して容易となる点が大きい、といえる。なお、第2実施形態にあっては、データ線114の電位残留性が高いので、書込期間に至るまでに階調に応じた電位Vsigが供給されれば、当該電位Vsigが保持されて、書込期間にトランジスター140のゲートノードに与えることができる。このため、信号供給回路230およびスイッチ回路240以外の構成によってデータ線駆動回路を構成することが可能である。また、第2実施形態にあっては、走査線112を1、2、3、...、m-1、m行目という順番で走査したが、例えば最初のフィールドで奇数行1、3、5、...を走査し、次のフィールドで偶数行2、3、4、...を走査するというな飛び越し走査にも適用可能である。飛び越し走査の場合には、ある行の走査線を走査するときに初期化期間に残留する電位は、1行上ではなく、2行上に対応して供給されたデータ信号の電位になる。一方、データ線114の寄生容量Cpが小さい場合、リークが問題となる可能性がある。このため、別途、データ線114に容量素子を付加して、データ線114の電位保持性を向上させても良い。次に、本発明の第3実施形態に係る電気光学装置について説明する。なお、第3実施形態に係る電気光学装置は、構成的には第1および第2実施形態に係る電気光学装置と共通であり、その動作のみが異なる。このため、第3実施形態についても、動作の相違点を中心に説明することにする。図5は、第3実施形態に係る電気光学装置における各部の動作を示す図である。この図に示されるように、第3実施形態において走査線駆動回路210が走査信号の電位Gw~Gwを切り替えて、1フレームの期間において1~m行目の走査線112を1水平走査期間H毎に順番に走査する点については、第1および第2実施形態と共通である。また、第3実施形態においてもi行目の走査期間についていえば、当該i行目の走査線112に供給される走査信号の電位Gwの波形、当該i行目の電源線116に供給される電位Velの波形、および、制御信号の電位Diniの波形も、第1および第2実施形態と同様である。ただし、第3実施形態にあって制御回路200は、信号供給回路230に対して次のように制御する点において第1および第2実施形態と相違する。すなわち、制御回路200は、信号供給回路230に対し、i行目の走査期間のうち、初期化期間から書込期間までの全域にわたって、各列の信号線115に供給する信号の電位を、走査するi行目の走査線112と対応する列のデータ線114との交差に対応する画素回路110で表現すべきサブ画素の階調に応じた電位とさせる。着目する3j-2列目でいえば、信号線115のXは、i行目の走査線112と3j-2列目のデータ線114との交差に対応する画素回路110で表現すべき階調に応じた電位Vsigで一定となる。このため、3j-2列目のデータ線114の電位Vdは、制御信号の電位DiniがLレベルであれば電位Vsigになり、電位DiniがHレベルであれば電位Vofs2になる。したがって、第3実施形態では、初期化期間において、ゲートノードRgは自身の画素回路110に書き込まれる電位Vsigに初期化される。なお、電位Vsigが電位Vofs1の代わりに上記式1を満たすと、トランジスター140が駆動状態になるので、ソースノードRs発光素子150の陽極は電位VelLに、保持容量135の両端電圧はVsig-VelLに、それぞれ初期化されることとなる。以後の動作については、第1実施形態と同様である。第3実施形態によれば、初期化期間においてトランジスター140のゲートノードに与える電位として、自身の画素回路110に書き込まれる電位Vsigを用いている。このため、第1実施形態のように初期化のために電位Vofs1を別途生成したり、供給したりする必要がなくなるので、その分、構成の簡易化を図ることができる。また、第3実施形態では、初期化期間から書込期間までの全域にわたって、各列の信号線115に供給する信号の電位は、階調に応じた電位だけで済む。このため、第3実施形態では、信号供給回路230を高い周波数で駆動することができるので、この意味において表示の高精細化が容易になる。一方、第3実施形態では、第2実施形態と異なり、データ線114の寄生容量Cpが用いられないので、寄生容量Cpの大きさに依らない安定した初期化が可能になる。なお、第3実施形態において、セット期間ではデータ線114が給電線26に接続されるので、信号供給回路230は、階調に応じた電位を、初期化期間から書込期間までの全域にわたって各列の信号線115に供給する必要がなく、少なくとも初期化期間および書込期間に供給すれば足りる。本発明は、上述した実施形態に限られず、種々の変形適用が可能である。例えば上述した各実施形態にあっては、行毎の電源線116に、走査線112の走査に同期して電位VelHと電位VelLとで切り替えて供給する構成としたが、電位VelHを給電する高位側電源線と電位VelLを給電する低位側電源線とを設けるとともに、いずれかの電源線を選択するスイッチを画素回路110の側に設けて、トランジスター140のドレインノードに供給する構成としても良い。各実施形態において、1ドットをRGBの3色の加法混色によって表現する構成としたが、RGBに加えて別の1色または複数色を加えても良い。例えば再現可能な色域を拡大するために例えばイエローYを加えた4色によって1ドットを構成しても良いし、輝度を向上させるためにをホワイトWを加えた4色によって1ドットを構成しても良い。一方、トランジスター24、130、140についてはそれぞれNチャネル型とし、トランジスター22についてはPチャネル型としたが、チャネル型については、適宜変更が可能である。発光素子150としては、OLEDのほか、無機EL素子やLEDLightEmittingDiode素子など、電流に応じた輝度で発光する素子が適用可能である。<電子機器>次に、本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器のいくつかについて説明する。図6は、上述した実施形態に係る電気光学装置1を表示装置として採用した電子機器その1としてのパーソナルコンピューターの外観を示す図である。パーソナルコンピューター2000は、表示装置としての電気光学装置1と本体部2010とを備える。本体部2010には、電源スイッチ2001およびキーボード2002が設けられている。電気光学装置1において、発光素子150にOLEDを使用した場合、視野角が広く見易い画面表示が可能になる。図7は、実施形態に係る電気光学装置1を表示装置として採用した電子機器その2である携帯電話機の外観を示す図である。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001や方向キー3002などのほか、受話口3003、送話口3004とともに上述した電気光学装置1を備える。方向キー3002を操作することによって、電気光学装置1に表示される画面がスクロールする。図8は、実施形態に係る電気光学装置1を表示装置として採用した電子機器その3としての携帯情報端末PDA:PersonalDigitalAssistantsの外観を示す図である。携帯情報端末4000は、複数の操作ボタン4001や方向キー4002などのほか、上述した電気光学装置1を備える。携帯情報端末4000では、所定の操作によって住所録やスケジュール帳などの各種の情報が電気光学装置1に表示されるとともに、表示された情報が方向キー4002の操作に応じてスクロールする。なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図6から図8までに示した例のほか、テレビ、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。