表面および裏面を有し、縦型構造の半導体パワー素子が形成され、表面側に信号線電極71が形成されていると共に表面電極72が形成され、裏面側に裏面電極73が形成された半導体チップ7aと、前記半導体チップ7aの裏面電極73に接続されると共に第1端子Pが備えられる第1リードフレーム9と、前記半導体チップ7aの前記信号線電極71に接続される信号線端子S1および前記表面電極72に接続されると共に第2端子Oが延設された板状部10aが備えられる第2リードフレーム10と、前記第1リードフレーム9のうち前記半導体チップ7aが配置される面と反対側の面に接合された第1放熱基板12と、前記第2リードフレーム10のうち前記半導体チップ7aが配置される面と反対側の面に接合された第2放熱基板13と、前記第1端子Pおよび前記第2端子Oを露出させつつ、前記第1、第2放熱基板12、13における前記第1、第2リードフレーム9、10に接合される面と反対側の面を露出させるように、前記半導体チップ7aと前記第1、第2リードフレーム9、10および前記第1、第2放熱基板12、13を封止する樹脂部16とを有し、前記第1、第2放熱基板12、13は、共に、前記第1、第2リードフレーム9、10に接合される面を構成する第1導体部12a、13aと、前記樹脂部16から露出させられる面を構成する第2導体部12c、13c、および、これらの第1、第2導体部12a、13a、12c、13cに挟まれた絶縁基板12b、13bを備えており、前記第1導体部12a、13aおよび前記第2導体部12c、13cは、分割されていないベタ構造とされていると共に対称形状とされていることを特徴とする半導体モジュール。前記半導体チップ7aを挟んだ両側のうちの一方が前記第1リードフレーム9と前記第1放熱基板12が配置された部品構成とされ、他方が前記第2リードフレーム10と前記第2放熱基板13が配置された部品構成とされることで、前記半導体チップ7aを挟んだ両側の部品構成が対称構成になっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。表面および裏面を有し、縦型構造の半導体パワー素子が形成され、表面側に信号線電極71が形成されていると共に表面電極72が形成され、裏面側に裏面電極73が形成された第1、第2半導体チップ7a、7bと、前記第1半導体チップ7aの前記裏面電極73に接続されると共に第1端子Pが備えられる第1リードフレーム9と、前記第1半導体チップ7aの前記信号線電極71に接続される信号線端子S1と、前記第1半導体チップ7aの前記表面電極72および前記第2半導体チップ7bの前記裏面電極73に接続されると共に第2端子Oが延設された板状部10aが備えられる第2リードフレーム10と、前記第2半導体チップ7bの前記信号線電極71に接続される信号線端子S2と、前記第2半導体チップ7bの前記表面電極72に接続されると共に第3端子Nが延設された板状部11aが備えられる第3リードフレーム11と、前記第1リードフレーム9のうち前記第1半導体チップ7aが配置される面と反対側の面に接合された第1放熱基板12と、前記第2リードフレーム10のうち前記第1、第2半導体チップ7a、7bが配置される面と反対側の面に接合された第2、第3放熱基板13、14と、前記第3リードフレーム11のうち前記第2半導体チップ7bが配置される面と反対側の面に接合された第4放熱基板15と、前記第1~第3端子P、O、Nを露出させつつ、前記第1~第4放熱基板12~15における前記第1~第3リードフレーム9~11に接合される面と反対側の面を露出させるように、前記第1、第2半導体チップ7a、7bと前記第1~第3リードフレーム9、10および前記第1~第4放熱基板12~15を封止する樹脂部16とを有し、前記第1~第4放熱基板12~15は、共に、前記第1~第3リードフレーム9~11に接合される面を構成する第1導体部12a~15aと、前記樹脂部16から露出させられる面を構成する第2導体部12c~15c、および、これらの第1、第2導体部12a~15a、12c~15cに挟まれた絶縁基板12b~15bを備えており、前記第1導体部12a~15aおよび前記第2導体部12c~15cは、分割されていないベタ構造とされていると共に対称形状とされていることを特徴とする半導体モジュール。前記第1半導体チップ7aを挟んだ両側のうちの一方が前記第1リードフレーム9と前記第1放熱基板12が配置された部品構成とされ、他方が前記第2リードフレーム10と前記第2放熱基板13が配置された部品構成とされることで、前記第1半導体チップ7aを挟んだ両側の部品構成が対称構成になっており、前記第2半導体チップ7bを挟んだ両側のうちの一方が前記第2リードフレーム10と前記第3放熱基板14が配置された部品構成とされ、他方が前記第3リードフレーム11と前記第4放熱基板15が配置された部品構成とされることで、前記第2半導体チップ7bを挟んだ両側の部品構成が対称構成になっていることを特徴とする請求項3に記載の半導体モジュール。前記第2リードフレーム10のうち、前記第1半導体チップ7aが配置される場所と前記第2半導体チップ7bが配置される場所との間には、開口部10dが備えられていることを特徴とする請求項3または4に記載の半導体モジュール。前記第1リードフレーム9と前記第3リードフレーム11との間には、スナバ回路40が備えられていることを特徴とする請求項3ないし5のいずれか1つに記載の半導体モジュール。前記第1端子Pと前記第3端子Nは正極端子と負極端子であり、これら正極端子と負極端子が隣り合って配置されていることを特徴とする請求項3ないし6のいずれか1つに記載の半導体モジュール。前記第1~第3端子Pそれぞれの間において、前記樹脂部16には凹部16aもしくは凸部16bが形成されていることを特徴とする請求項3ないし7のいずれか1つに記載の半導体モジュール。前記樹脂部16を構成する樹脂は、前記第1~第4放熱基板12~15に備えられる前記第1、第2導体部12a~15a、12c~15cよりも線膨張率が小さい材料であることを特徴とする請求項3ないし8のいずれか1つに記載の半導体モジュール。請求項1ないし9のいずれか1つに記載の半導体モジュールと、前記半導体モジュールのうち、前記第1、第4放熱基板12、15が露出させられる面と、前記第2、第3放熱基板13、14が露出させられる面の両面に、内部に冷媒が還流させられるヒートシンク51、61が備えられていることを特徴とする半導体装置。前記ヒートシンク61は、前記第1、第4放熱基板12、15が露出させられる面と、前記第2、第3放熱基板13、14が露出させられる面に直接取り付けられ、前記冷媒を前記第1~第4放熱基板12~15の露出面に直接触れさせた直接冷却方式の冷却を行うことを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。しかしながら、上記特許文献1に記載の半導体装置では、放熱基板J3に反りが発生し、銅箔J3aと第1、第2半導体チップJ1、J2との接合が困難であったり、銅箔J3cとヒートシンクJ4との接合が困難になるという問題が発生する。図16は、放熱基板J3の拡大図と放熱基板J3が反った様子を示した拡大断面図である。図15および図16aに示すように、放熱基板J3の銅箔J3aは、パターニングされており、第1半導体チップJ1のゲート電極を含む信号線電極に接続される部分と、第1半導体チップJ1のエミッタ電極や第2半導体チップJ2のアノード電極に接続される部位とに分割されて絶縁される。このため、放熱基板J3の表裏面において、銅箔J3a、J3cのパターンが対称形状にならず、製造時の高温から室温に低下させる際に放熱基板J3に反りが発生するのである。実験結果によれば、200~400μmという大きな反りが確認されている。このため、図16bに示すように、例えば銅箔J3aと第1半導体チップJ1の信号線電極上に配置されたバンプJ11とが接続できなくなったり、これらの間が接続できたとしても、接合が弱くなってしまう。また、銅箔J3aと第1半導体チップJ1の信号線電極もしくは半導体チップJ1のエミッタ電極および半導体チップJ2のアノード電極との接合が取れたとしても、銅箔J3cとヒートシンクJ4との接合が行えなくなり、熱抵抗が悪化すると言う問題が生じる。本発明は上記点に鑑みて、放熱基板の反りを抑制できる構造の半導体モジュールおよびそれを備えた半導体装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、半導体チップ7aの両面に第1リードフレーム9と第2リードフレーム10を配置し、さらに第1リードフレーム9に第1放熱基板12を接合すると共に、第2リードフレーム10に第2放熱基板13を接合し、これらを樹脂部16にて樹脂封止した半導体モジュールであって、第1、第2放熱基板12、13は、共に、第1、第2リードフレーム9、10に接合される面を構成する第1導体部12a、13aと、樹脂部16から露出させられる面を構成する第2導体部12c、13c、および、これらの第1、第2導体部12a、13a、12c、13cに挟まれた絶縁基板12b、13bを備えており、第1導体部12a、13aおよび第2導体部12c、13cは、分割されていないベタ構造とされていると共に対称形状とされていることを特徴としている。このように、半導体チップ7aを第1、第2リードフレーム9、10に対して直接接続し、第1、第2放熱基板12、13の第1導体部12a、13aを介して接続される構造としていない。このため、第1導体部12a、13aを分割されていないベタ構造とすることができ、第2導体部12c、13cと対称形状にできる。したがって、高温とされる樹脂封止の後などに高温から室温に低下させる際に第1、第2放熱基板12、13に反りが発生することを抑制することが可能となる。したがって、半導体チップ7aと第1、第2リードフレーム9、10との間の接続や、第1、第2リードフレーム9、10と第1、第2放熱基板12、13との接続が良好に行われるようにできる。請求項2に記載の発明では、半導体チップ7aを挟んだ両側のうちの一方が第1リードフレーム9と第1放熱基板12が配置された部品構成とされ、他方が第2リードフレーム10と第2放熱基板13が配置された部品構成とされることで、半導体チップ7aを挟んだ両側の部品構成が対称構成になっていることを特徴としている。このように、半導体チップ7aを挟んで両側に配置される部品構成が対称構成となるようにしている。このため、非対称性に基づく反りを低減することが可能となる。特に、第1、第2放熱基板12、13の第1導体部12a、13aをベタ構造にできることから、第1、第2放熱基板12、13を共に同じ構造にすることができるため、半導体チップ7aを挟んで両側の構造がより対称的な構造となるようにできる。したがって、さらに非対称性に基づく反りを低減することが可能となる。請求項3に記載の発明では、第1半導体チップ7aの両面に第1リードフレーム9と第2リードフレーム10を配置すると共に第2半導体チップ7bの両面に第2リードフレーム10と第3リードフレーム11を配置し、さらに第1リードフレーム9に第1放熱基板12、第2リードフレーム10に第2、第3放熱基板13、14、第3リードフレーム11に第4放熱基板15を接合し、これらを樹脂部16にて樹脂封止した半導体モジュールであって、第1~第4放熱基板12~15は、共に、第1~第3リードフレーム9~11に接合される面を構成する第1導体部12a~15aと、樹脂部16から露出させられる面を構成する第2導体部12c~15c、および、これらの第1、第2導体部12a~15a、12c~15cに挟まれた絶縁基板12b~15bを備えており、第1導体部12a~15aおよび第2導体部12c~15cは、分割されていないベタ構造とされていると共に対称形状とされていることを特徴としている。このように、第1、第2半導体チップ7a、7bが備えられるような構造の半導体モジュールにおいても、第1、第2半導体チップ7a、7bを第1~第3リードフレーム9~11に対して直接接続し、第1~第4放熱基板12~15の第1導体部12a~15aを介して接続される構造としていない。このため、第1導体部12a~15aを分割されていないベタ構造とすることができ、第2導体部12c~15cと対称形状にできる。したがって、高温とされる樹脂封止の後などに高温から室温に低下させる際に第1~第4放熱基板12~15に反りが発生することを抑制することが可能となる。したがって、第1、第2半導体チップ7a、7bと第1~第3リードフレーム9~11との間の接続や、第1~第3リードフレーム9~11と第1~第4放熱基板12~15との接続が良好に行われるようにできる。請求項4に記載の発明では、第1半導体チップ7aを挟んだ両側のうちの一方が第1リードフレーム9と第1放熱基板12が配置された部品構成とされ、他方が第2リードフレーム10と第2放熱基板13が配置された部品構成とされることで、第1半導体チップ7aを挟んだ両側の部品構成が対称構成になっており、第2半導体チップ7bを挟んだ両側のうちの一方が第2リードフレーム10と第3放熱基板14が配置された部品構成とされ、他方が第3リードフレーム11と第4放熱基板15が配置された部品構成とされることで、第2半導体チップ7bを挟んだ両側の部品構成が対称構成になっていることを特徴としている。このように、第1、第2半導体チップ7a、7bを挟んで両側に配置される部品構成が対称構成となるようにしている。このため、非対称性に基づく反りを低減することが可能となる。特に、第1~第4放熱基板12~15の第1導体部12a~15aをベタ構造にできることから、第1~第4放熱基板12~15を同じ構造にすることができるため、第1、第2半導体チップ7a、7bを挟んで両側の構造がより対称的な構造となるようにできる。したがって、さらに非対称性に基づく反りを低減することが可能となる。請求項5に記載の発明では、第2リードフレーム10のうち、第1半導体チップ7aが配置される場所と第2半導体チップ7bが配置される場所との間には、開口部10dが備えられていることを特徴としている。このように、第1、第2半導体チップ7a、7bを挟んで対称形状とならない部分、つまり第2リードフレーム10のうち、第1半導体チップ7aが配置される場所と第2半導体チップ7bが配置される場所との間に開口部10dを備えるようにしている。これにより、第2リードフレーム10の部分を少なくし、少しでも非対称部を低減することができる。したがって、さらに第1、第2半導体チップ7a、7bを挟んだ両側の対称性が高くなり、さらに非対称性に基づく反りを低減することが可能となる。請求項6に記載の発明では、第1リードフレーム9と第3リードフレーム11との間には、スナバ回路40が備えられていることを特徴としている。このように、第1リードフレーム9と第3リードフレーム11との間にスナバ回路40を備えることで、更なるインダクタンスの低減が可能となり、スイッチング損失低減やサージ電圧の抑制に効果的である。請求項7に記載の発明では、第1端子Pと第3端子Nは正極端子と負極端子であり、これら正極端子と負極端子が隣り合って配置されていることを特徴としている。このように、正極端子と負極端子とを隣り合わせに配置した構造では、正極端子と負極端子の距離が近くなる。このため、電源閉ループ内面積が小さくなり、インダクタンスLを比較的小さくすることができる。これは、近い位置で電流を互いに異なる方向に流すことで磁束の打ち消しが働き、結果インダクタンスが小さくなるからである。請求項8に記載の発明では、第1~第3端子Pそれぞれの間において、樹脂部16には凹部16aもしくは凸部16bが形成されていることを特徴としている。このように、樹脂部16に凹部16aや凸部16bを設けることにより、沿面距離を稼ぎ、かつ正極負極端子間の距離を近づける事が可能なり、結果インダクタンス低減に寄与する。このことは、第1~第3端子P、O、Nの間の間隔を狭めることを意味し、結果半導体モジュールの小型化を図ることもできる。請求項9に記載の発明では、樹脂部16を構成する樹脂は、第1~第4放熱基板12~15に備えられる第1、第2導体部12a~15a、12c~15cよりも線膨張率が小さい材料であることを特徴としている。このようにすれば、樹脂部16によって第1、第2導体部12a~15a、12c~15cの伸縮を押さえることができ、より第1~第4放熱基板12~15の反りを抑制することが可能となる。請求項10に記載の発明では、請求項1ないし9のいずれか1つに記載の半導体モジュールのうち、第1、第4放熱基板12、15が露出させられる面と、第2、第3放熱基板13、14が露出させられる面の両面に、内部に冷媒が還流させられるヒートシンク51、61が備えられていることを特徴としている。このように、半導体モジュールの両面にヒートシンク51、61を配置することで、冷却機構を備えた半導体装置とすることができる。請求項11に記載の発明では、ヒートシンク61は、第1、第4放熱基板12、15が露出させられる面と、第2、第3放熱基板13、14が露出させられる面に直接取り付けられ、冷媒を第1~第4放熱基板12~15の露出面に直接触れさせた直接冷却方式の冷却を行うことを特徴としている。上記したように、第1導体部12a~15aと第2導体部12c~15cとの間に絶縁基板12b~15bを挟み込んだ第1~第4放熱基板12~15を各リードフレーム9~11に接合している。このため、絶縁基板12b~15bにより、第1導体部12a~15aと第2導体部12c~15cと間を電気的に分離できる。したがって、第1~第4放熱基板12~15の露出面に直接ヒートシンク61を取り付けることも可能となり、その露出面に直接冷媒を触れさせる直接冷却方式による冷却が可能となる。なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。第1実施形態本発明の第1実施形態について説明する。本実施形態では、本発明の一実施形態にかかる半導体モジュールが備えられたインバータを例に挙げて説明する。図1は、インバータの回路図、図2は、インバータに備えられる半導体モジュールを示した図であり、aは上面レイアウト図、bはaのA-A’断面図、cはaのB-B’断面図である。また、図3は、半導体モジュールを構成する各部の分解図である。図1に示すように、インバータ1は、直流電源2に基づいて負荷である三相モータ3を交流駆動するためのもので、直列接続した上下アームが三相分並列接続された構成とされ、上アームと下アームとの中間電位を三相モータ3のU相、V相、W相の各相に順番に入れ替えながら印加する。このインバータ1における上アームと下アームの一相分が、1つの半導体モジュール4とされ、図2および図3に示す半導体モジュール4が3つ備えられることでインバータ1が構成されている。例えば、3つの半導体モジュール4がユニット化されて一体化されることでインバータ1が構成されている。なお、インバータ1に対して並列接続されたコンデンサ1aは、平滑コンデンサであり、インダクタンス低減のために挿入してある。また、図1に示すように、各上アームと各下アームは、それぞれ、半導体パワー素子であるIGBT5とFWD6とによって構成されている。本実施形態では、IGBT5が形成された半導体チップ7とFWD6を形成した半導体チップ8共に図2、図3参照を別チップとしており、IGBT5のエミッタ-コレクタ間とFWD6のアノード-カソードとを電気的に接続している。また、各半導体モジュール4の上アームの正極端子P、負極端子N、出力端子Oおよび信号線端子S1、S2が、図2に示すように外部露出するように突き出た状態とされている。そして、正極端子P、負極端子Nおよび出力端子Oに、直流電源2の正極と負極および三相モータ3がそれぞれ接続されることによって図1に示す回路構成が構成されている。このような構成において、信号線端子S1、S2への入力電圧を制御してIGBT5のゲート電圧を制御することにより、インバータ1を駆動する。次に、このように構成されるインバータ1に備えられる半導体モジュール4の詳細構造について説明する。図2および図3に示すように、半導体モジュール4は、半導体チップ7、8と、リードフレーム9、10、11と、放熱基板12~15等を備え、これらが図2b、cに示すように樹脂部16によって樹脂封止されることで一体化された構造とされている。半導体チップ7、8は、Si、SiC、GaNなどを母材基板として構成されている。半導体チップ7は、上アーム側のIGBT5が形成された半導体チップ7aと下アーム側のIGBT5が形成された半導体チップ7bとによって構成されている。また、半導体チップ8は、上アーム側のFWD6が形成された半導体チップ8aと下アーム側のFWD6が形成された半導体チップ8bとによって構成されている。半導体チップ7a、7bは、共に、IGBT5を基板垂直方向に電流を流す縦型素子として構成したものであり、半導体チップ8a、8bは、共に、FWD6を基板垂直方向に電流を流す縦型素子として構成したものである。例えば、半導体チップ7a、7bは、表面側にゲート電極を含む信号線電極71およびエミッタ電極72が配置され、裏面側にコレクタ電極73が一面に配置された構造とされている。また、半導体チップ8a、8bは、表面側にアノード電極81、裏面側一面にカソード電極82が形成された構造とされている。本実施形態の場合、図2a、bの紙面左側が上アーム、紙面右側が下アームとされている。このため、半導体チップ7aは、紙面上方にゲート電極を含む信号線電極71およびエミッタ電極72が向けられ、紙面下方にコレクタ電極73が向けられて配置されている。また、半導体チップ7bは、半導体チップ7aと上下裏返しとされ、紙面下方にゲート電極を含む信号線電極71およびエミッタ電極72が向けられ、紙面上方にコレクタ電極73が向けられて配置されている。同様に、半導体チップ8aは、紙面上方にアノード電極が向けられ、紙面下方にカソード電極が向けられて配置されている。また、半導体チップ8bは、紙面上方にカソード電極が向けられ、紙面下方にアノード電極が向けられて配置されている。そして、図2aに示されるように、上アームの半導体チップ7a、8aが紙面上下方向に並べられ、下アームの半導体チップ7b、8bが紙面上下方向に並べられて配置されている。リードフレーム9~11は、正極端子Pが含まれるリードフレーム9と、出力端子Oおよび上アームの半導体チップ7aに接続される信号線端子S1が含まれるリードフレーム10と、負極端子Nおよび上アームの半導体チップ7aに接続される信号線端子S2が含まれるリードフレーム11がある。リードフレーム9は、板状導体で構成され、Cu、Al、Feなどを主成分とし、放熱基板12に接続される面積を有する金属板にて構成され、例えば金属板をプレス加工することで形成される。このリードフレーム9には、上アームの半導体チップ7a、8aが搭載され、接合材20、21を介して半導体チップ7aのコレクタ電極73側の面および半導体チップ8aのカソード電極82側の面が全面接合されている。また、リードフレーム9には正極端子Pが備えられており、四角板状部9aより半導体チップ7a、8aの配列方向の一方に延設され、樹脂部16の外部に引き出されている。リードフレーム10も、板状導体で構成され、例えばCu、Al、Feなどを主成分とし、放熱基板13、14に接続される面積を有する金属板にて構成され、例えば金属板をプレス加工することで形成される。このリードフレーム10には、上アームの半導体チップ7a、8aと下アームの半導体チップ7b、8bのすべてが接続される。具体的には、リードフレーム10に対して、上アームの半導体チップ7aのゲート電極を含む信号線電極71およびエミッタ電極72が接続されると共に半導体チップ8aのアノード電極81が接続され、下アームの半導体チップ7bのコレクタ電極73が接続されると共に半導体チップ8bのカソード電極82が接続される。図2cに示すように、上アームについては、半導体チップ7aは、ゲート電極を含む信号線電極71が接合材22、エミッタ電極72が接合材23を介してリードフレーム10に接続され、半導体チップ8aは、アノード電極81が接合材24を介してリードフレーム10に接続されている。また、図3に示すように、下アームについては、半導体チップ7bは、コレクタ電極73が接合材25を介してリードフレーム10に接続され、半導体チップ8bは、カソード電極82が接合材26を介してリードフレーム10に接続されている。リードフレーム10には、出力端子Oと信号線端子S1が備えられており、樹脂部16の外部に引き出されている。出力端子Oは、リードフレーム10のうち、半導体チップ7aのエミッタ電極72や半導体チップ8aのアノード電極81が接続される部分および半導体チップ7bのコレクタ電極73や半導体チップ8bのカソード電極82が接続される部分となる広面積の四角板状部10aから延設されている。具体的には、四角板状部10aの四隅のうち半導体チップ8bが配置される隅から延設されており、正極端子Pと同方向に引き出されている。また、出力端子Oは、途中で折り曲げられており、リードフレーム9の正極端子Pと同じ高さにされている。信号線端子S1は、四角板状部10aの四隅のうち、出力端子Oが配置されている隅とは対角に位置している隅に配置されている。この信号線端子S1は、複数本備えられており、最終製品としては四角板状部10aから切り離せる構造とされている。すなわち、各信号線端子S1は、半導体チップ7a、8aの配列方向が長手方向とされ、四角板状部10a側の端部が四角板状部10aから離間しており、長手方向の途中位置において四角板状部10aから伸ばされたフレーム部10bに連結されている。このフレーム部10bが最終的に切断されて切り離されることで、信号線端子S1が四角板状部10aから分離されるようになっている。なお、信号線端子S1のうち四角板状部10aと反対側の端部においてもフレーム部10cによって繋げられているが、このフレーム部10cも最終的に切断されて切り離される。このため、各信号線端子S1は、最終的には、それぞれが分離された状態となる。また、信号線端子S1における四角板状部10a側の端部は、四角板状部10aの板厚よりも薄くされている。具体的には、図2cに示すように、信号線端子S1における四角板状部10a側の端部のうち半導体チップ7a側の面は四角板状部10aと同一平面とされているが、その反対側の面は四角板状部10bよりも低い位置とされている。このため、図中矢印で示したように、信号線端子S1と放熱基板13との間に空間が空くようにされている。さらに、信号線端子S1における四角板状部10a側の端部、つまり半導体チップ7aのゲート電極を含む信号線電極71に接続される側の端部には、表裏を貫通する貫通孔17が形成されており、この貫通孔17内に接合材22が入り込んだ状態となっている。このため、接合材22が貫通孔17に入り込むことで確実に接合できると共に、貫通孔17がアンカーとして機能し、接合材22が貫通孔17から抜け難くなるようにできる。これにより、接合材22と信号線端子S1との接合をより強固に行うことが可能となる。また、信号線端子S1は長手方向の途中位置において屈曲させられており、四角板状部10aと反対側の端部がリードフレーム9と同じ高さにされている。なお、信号線端子S1における貫通孔17よりも半導体チップ7aから離れる側にも貫通孔19が形成されている。この貫通孔19により、樹脂部16にて樹脂封止を行う際に樹脂を流動させられるため、より樹脂の充填性回り込みを良くすることが可能となる。リードフレーム11も、板状導体で構成され、例えばCu、Al、Feなどを主成分とし、放熱基板15に接続される面積を有する金属板にて構成され、例えば金属板をプレス加工することで形成される。このリードフレーム11には、下アームの半導体チップ7b、8bが接続される。具体的には、半導体チップ7bは、ゲート電極を含む信号線電極71が図示しない接合材を介して、また、エミッタ電極72が接合材27を介してリードフレーム11に接続されている。半導体チップ8bは、アノード電極81が接合材28を介してリードフレーム11に接続されている。リードフレーム11には、負極端子Nと信号線端子S2が備えられており、樹脂部16の外部に引き出されている。負極端子Nは、リードフレーム11のうち、半導体チップ7bのエミッタ電極72や半導体チップ8bのアノード電極81が接続される部分となる広面積の四角板状部11aから延設されている。具体的には、負極端子Nは、リードフレーム9に備えられた正極端子Pとリードフレーム10に備えられた出力端子Oとの間の位置において、半導体チップ7b、8bの配列方向の一方に延設され、樹脂部16の外部に引き出されている。信号線端子S2は、四角板状部11aのうち、負極端子Nが配置されている方とは反対側に配置されている。この信号線端子S2も、複数本備えられており、最終製品としては四角板状部11aから切り離せる構造とされている。すなわち、各信号線端子S2は、半導体チップ7b、8bの配列方向が長手方向とされ、四角板状部11a側の端部が四角板状部11aから離間しており、長手方向の途中位置において四角板状部11aから伸ばされたフレーム部11bに連結されている。このフレーム部11bが最終的に切断されて切り離されることで、信号線端子S2が四角板状部11aから分離されるようになっている。なお、信号線端子S2のうち四角板状部11aと反対側の端部においてもフレーム部11cによって繋げられているが、このフレーム部11cも最終的に切断されて切り離される。このため、各信号線端子S2は、最終的には、それぞれが分離された状態となる。また、信号線端子S2における四角板状部11a側の先端、つまり半導体チップ7bのゲート電極を含む信号線電極71と接続される部分には、信号線端子S2の表裏を貫通する貫通孔18が形成されている。この貫通孔18は、信号線端子S1における貫通孔17と同じ役割を果たす。この貫通孔18内に信号線端子S2と信号線電極71との間を接続する図示しない接合材が入り込んだ状態とされている。なお、断面では表していないが、信号線端子S2についても、信号線端子S1と同様に、ゲート電極を含む信号線電極71に接続される側、つまり四角板状部11a側の厚みを四角板状部11aと比較して薄くしてある。また、信号線端子S2における貫通孔18よりも半導体チップ7aから離れる側にも貫通孔19を形成しており、樹脂封止の際の樹脂の充填性回り込みが良くなるようにしている。放熱基板12~15は、四角板状とされ、各リードフレーム9~11のうち半導体チップ7、8が配置される面と反対側の面に接合されることで、半導体チップ7a、7bなどで発した熱の放熱を行うものである。各放熱基板12~15は、導体部12a~15aと、絶縁基板12b~15bおよび導体部12c~15cを有した構成とされている。各放熱基板12~15に備えられる導体部12a~15aと導体部12c~15cは、共に、絶縁基板12b~15bに対して分割されてないベタ構造によって構成されており、絶縁基板12b~15bを挟んで対称的に形成されている。すなわち、四角板状の放熱基板12~15の交差する二辺をX軸とY軸と見立てたときに、X軸方向とY軸方向共に、導体部12a~15aと導体部12c~15cが基本的には対称形状とされており、厚みも等しくされている。なお、導体部12a~15aと導体部12c~15cは、基本的には全く対称形状になっていることが好ましいが、導体部12a~15aと導体部12c~15cは、放熱基板12~15の法線方向から見て少なくとも80、好ましくは95以上の面積がオーバラップするように配置場所が一致させられていればよい。導体部12a~15aは、絶縁基板12b~15bに対してリードフレーム9~11側に配置された部分であり、それぞれ、接合材29、30、31、32を介して各リードフレーム9~11に接続されている。また、絶縁基板12b~15bは、導体部12a~15aと導体部12c~15cの間に挟まれた配置とされ、これらの間を絶縁している。導体部12c~15cは、絶縁基板12b~15bに対して各リードフレーム9~11と反対側に配置されており、絶縁基板12b~15bと反対側の面が樹脂部16から露出した状態となっている。導体部12a~15aおよび導体部12c~15cは、Cu、Al、Feなどを主成分とする材料で構成され、例えば厚さ0.3~0.8mmのCu厚膜によって構成されている。また、絶縁基板12b~15bは、例えば厚さ0.1~0.5mmのSiN、AlN、Al2O3等によって構成されている。樹脂部16は、線膨張率が放熱基板12~15に備えられる導体部12a~15a、12c~15cの構成材料よりも線膨張率の低い材料で構成されている。このようにすれば、樹脂部16によって導体部12a~15a、12c~15cの伸縮を押さえることができ、より放熱基板12~15の反りを抑制することが可能となる。以上のような構造により、本実施形態にかかる半導体モジュール4が構成されている。続いて、このように構成される半導体モジュール4の製造方法について説明する。図4は、本実施形態にかかる半導体モジュール4の製造工程を示した断面図であり、図2cに対応する断面での製造工程を示している。図4aに示す工程金属板を打ち抜くことなどによって形成したリードフレーム9~11を用意するただし、図中には、リードフレーム9、10のみ記載してある。以下の図でも、図2cに対応する断面しか記載していないが、各工程の説明としては、図2cの断面以外の部分についても行うものとする。そして、リードフレーム9、11の表面における半導体チップ7a、7b、8a、8bの搭載予定箇所に接合材20、21、27、28を設置する。また、リードフレーム10の表面における半導体チップ7a、7b、8a、8bと対応する場所にはんだ23~26を設置すると共に、信号線端子S1に接合材22を設置し、信号線端子S2にも図示しない接合材を設置する。さらに、放熱基板12~15図中には、放熱基板12、13のみ記載してあるを用意し、各放熱基板12~15のうち各リードフレーム9~11との接続箇所と対応する部分にも接合材29~32を設置する。例えば、接合材20、21、23~26、29~32については、はんだ箔のような固形物、焼結型Agペースト等を印刷もしくはディスペンス等によって塗布することで形成している。信号線端子S1の接合材22や信号線端子S2の接合材については、はんだボール等を該当場所に搭載した後、リフロー処理により一次固定することで設置している。このときのリフロー処理によって、接合材20、21、23~26、29~32の仮付けを同時に行っても良い。また、信号線端子S1の接合材22や信号線端子S2の接合材については、接合材20、21、23~28と比べて高く、かつ低融点好ましくは10°C程度低融点のものによって構成されるようにしている。例えば、信号線端子S1の接合材22や信号線端子S2の接合材をSnAgCu系融点218°Cにて構成し、接合材20、21、23~28をSnCuNi系融点228°Cにて構成している。なお、接合材29~32については高さや融点について特に制限はないが、これらもSnCuNi系融点228°Cによって構成している。図4bに示す工程接合材29~32を介して各放熱基板12~15と各リードフレーム9~11とを接合する。そして、放熱基板12を接合したリードフレーム9と放熱基板15を接合したリードフレーム11を並べて配置したのち、接合材20、21、27、28の上に半導体チップ7a、7b、8a、8bを搭載する。その後、その上に放熱基板13、14を接合したリードフレーム10を裏返して、つまりリードフレーム10側がリードフレーム9、11側に向けられるようにして搭載する。図4cに示す工程リフロー処理を行う。図4bに示したように、放熱基板13、14を接合したリードフレーム10を搭載したときには、信号線端子S1の接合材22や信号線端子S2の接合材が接合材20、21、23~28よりも高くしてあることから、リードフレーム10が傾斜してガタツキが生じる。しかしながら、リフロー処理によって各接合材20~32が溶融すると、リードフレーム10の傾斜が修正され、水平となるため、ガタツキを無くすことができる。特に、上記したように、接合材22を接合材20、21、23~28よりも低融点の材料で構成すれば、リードフレーム10の傾斜要因となっている接合材22をまず溶融させて荷重を掛かられるため、接合材22の高さが接合材20、21、23~28の高さと揃うようにできる。本実施形態の場合、信号線端子S1、S2に貫通孔17、18を形成しているため、この貫通孔17、18内に接合材22の余剰分が逃げ、より接合材22の高さが接合材20、21、23~28の高さと揃うようにできる。そして、接合材20~28の高さが揃ってから更にリフロー処理の温度を上げることで、すべての接合材20~32が溶融され、各接合材20~32によって各部の接合が行われる。図4dに示す工程必要に応じてポリイミドやポリアミドなどによるプライマー処理を行った後、接合材20~32によって接合された各部を図示しない成形型内に設置し、樹脂注入を行うことで、樹脂部16にて樹脂封止する。これにより、図2に示した構造の半導体モジュール4が構成される。この後、フレーム部10b、10c、11b、11cなどの不要部分を切断する。このとき、フレーム部10b、11bの切断箇所が樹脂部16から露出することになるため、低温硬化可能な絶縁性樹脂で被覆するようにすると好ましい。このようにして、本実施形態にかかる半導体モジュール4が完成する。以上説明したような半導体モジュール4や半導体モジュール4の製造方法によれば、以下の効果を奏することが可能となる。1本実施形態では、放熱基板12~15を各リードフレーム9~11に接続した構造にしているが、半導体チップ7a、7b、8a、8bをリードフレーム9~11に対して直接接続し、放熱基板12~15の導体部12a~15aを介して接続される構造としていない。このため、次の効果を得ることができる。図5を参照して、この効果について説明する。図5aは、従来の半導体チップJ1と放熱基板J3との接続部分の拡大図、図5bは、本実施形態にかかる半導体モジュール4の半導体チップ7aとリードフレーム10および放熱基板13の近傍の断面図である。図5aに示されるように、従来では、半導体チップJ1の信号線電極を放熱基板J3の銅箔J3aを介してリードフレームJ5に接続し、エミッタ電極も放熱基板J3の銅箔J3aを介してリードフレームJ6に接続した構造としている。このため、銅箔J3aを分割した構造にしなければならなず、絶縁基板J3bの表裏に配置された銅箔J3aおよび銅箔J3cが対称的なパターンにならない。これにより、放熱基板J3に反りが発生してしまう。これに対して、図5bに示されるように、本実施形態では、半導体チップ7aが放熱基板12、13の導体部12a、13aを通じてリードフレーム10に接続される構造ではない。このため、導体部12a、13aを分割されていないベタ構造とすることができる。したがって、高温とされる樹脂封止の後などに高温から室温に低下させる際に放熱基板12、13に反りが発生することを抑制することが可能となる。したがって、半導体チップ7aとリードフレーム9、10との間の接続や、リードフレーム9、10と放熱基板12、13との接続が良好に行われるようにできる。なお、図5bでは、放熱基板12、13を例に挙げているが、放熱基板14、15についても同様のことが言える。2また、従来の半導体モジュールでは、半導体チップJ1、J2を挟んで両側の部品構成が対称構造になっていない。すなわち、図15に示したように、半導体チップJ1のゲート電極を含む信号線電極やエミッタ電極側および半導体チップJ2のアノード電極側は放熱基板J3に直接接続されるが、それらの反対側はスペーサJ7、J8を介して放熱基板J9に接続された構造とされている。このため、半導体チップJ1、J2を挟んで両側の部品構成が対称構造になっていないことによる非対称性に基づく反りが発生する。これに対して、本実施形態の半導体モジュール4では、半導体チップ7、8を挟んで両側に配置される部品構成が対称構成となっている。このため、非対称性に基づく反りを低減することが可能となる。特に、本実施形態の場合、放熱基板13の導体部13aをベタ構造にできることから、放熱基板12、13を共に同じ構造にすることができるため、半導体チップ7、8を挟んで両側の部品構成がより対称構造となるようにできる。したがって、さらに非対称性に基づく反りを低減することが可能となる。なお、本実施形態の半導体モジュール4の場合、機能上、リードフレーム10に接続される放熱基板13、14については分割せずに一枚の基板で構成することもできる。また、放熱基板12、15についても、導体部12a、15aを絶縁分離して異なる電位にできるようにすれば、分割せずに一枚の基板で構成することができる。しかしながら、放熱基板12~15を別々の基板としているため、半導体チップ7、8を挟んで両側の構造を対称的な構造にすることができる。このため、上記のような非対称性に基づく反りを低減することが可能となる。また、放熱基板12~15を別々の基板にて構成する場合、各放熱基板12~15を最小サイズに個片化すると好ましい。つまり、反りは、各放熱基板12~15の寸法が大きいほど大きくなるため、放熱基板12~15をできるだけ最小サイズにすることで、反りを低減することが可能となる。また、一枚の基板にする場合と比較して樹脂の入り込むスペースが多くなるため、樹脂流れ性回り込み性を良くすることが可能となり、樹脂の充填性をより良好にすることが可能となる。ただし、放熱基板12~15は、各半導体チップ7、8の放熱を行っていることから、各半導体チップ7、8からの熱が拡散する範囲を考慮し、熱干渉が生じない寸法とするのが好ましい。図6は、半導体チップ7、8からの熱が拡散する範囲を示した模式図である。この図に示すように、半導体チップ7、8から45°の角度で熱が拡散することになる。これを加味して、熱が拡散する範囲が重ならないように放熱基板12~15の寸法を決定すると良い。3さらに、本実施形態の半導体モジュール4では、正極端子Pと負極端子Nと出力端子Oとが、その順番に並ぶように配置され、正極端子Pと負極端子Nとが隣り合って配置されるようにしている。図1に示したように、インダクタンス低減のために、インバータ1に対して並列的に平滑用のコンデンサ1aを挿入するようにしているが、更なるインダクタンス低減のためには、正極端子Pと負極端子Nとが近い配置にされていると好ましい。図7は、正極端子Pと負極端子Nおよび出力端子Oの配置を変えた場合の様子を示した半導体モジュール4の正面レイアウト図である。図7bに示すように、正極端子Pと出力端子Oと負極端子Nが、その順番に並ぶように配置されていると、正極端子Pと出力端子Oとの距離が離れてしまう。このため、図中に示した電源閉ループ内面積が大きくなり、インダクタンスLが比較的大きくなってしまう。これに対して、図7aに示すように、本実施形態のような正極端子Pと負極端子Nとを隣り合わせに配置した構造では、正極端子Pと負極端子Nの距離が近くなる。このため、図中に示した電源閉ループ内面積が小さくなり、インダクタンスLを比較的小さくすることができる。これは、近い位置で電流を互いに異なる方向に流すことで磁束の打ち消しが働き、結果インダクタンスが小さくなるからである。第2実施形態本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してリードフレーム10の構造を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。図8は、本実施形態にかかる半導体モジュール4の正面レイアウト図である。この図に示すように、本実施形態では、リードフレーム10のうち上アームの各半導体チップ7a、8aが配置される領域と下アームの各半導体チップ7b、8bが配置される領域との間に複数の開口部10dを備えた構造としている。上記したように、半導体モジュール4は、半導体チップ7、8を挟んだ両側が対称的な構造になっているのが好ましい。しかしながら、図2bの断面図から分かるように、唯一、リードフレーム10のうち上アームの各半導体チップ7a、8aが配置される領域と下アームの各半導体チップ7b、8bが配置される領域との間は非対称部となる。このため、本実施形態では、この部分に複数の開口部10dを備えることにより、リードフレーム10の部分を少なくし、少しでも非対称部を低減するようにしている。これにより、さらに半導体チップ7、8を挟んだ両側の対称性が高くなり、さらに非対称性に基づく反りを低減することが可能となる。第2実施形態の変形例上記第2実施形態において、開口部10dの数については任意であり、どのような数としても構わない。すなわち、図8では、開口部10dが7個形成されたものを記載したが、例えば、図9に示すように、開口部10dを3個としても良い。勿論、1つであっても良いし、3個や7個以外の複数であっても良い。ただし、リードフレーム10のうち上アームの各半導体チップ7a、8aが配置される領域と下アームの各半導体チップ7b、8bが配置される領域との間は、上アームと下アームを接続する配線として機能し、この配線には大電流が流れることになる。このため、開口部10dの数を多くしたり、開口部10dの大きさを大きくすると、上アームと下アームを接続する配線の断面積を減少させて配線抵抗を高くすることになるため、配線抵抗を加味して開口部10dの数などを設計すると良い。第3実施形態本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して樹脂部16の構造を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。図10は、本実施形態にかかる半導体モジュール4の断面図である。この図に示すように、本実施形態では、リードフレーム9とリードフレーム11との間に、スナバ回路40を備えている。スナバ回路40は、抵抗R、コンデンサC、ダイオードDi等で構成される回路であり、リードフレーム9とリードフレーム11との間に構成されるインダクタンスLを低減させる役割を果たす。半導体モジュール4では、リードフレーム9→半導体チップ7a、8a→リードフレーム10→半導体チップ7b、8b→リードフレーム11の順となる電流経路を通じて電流を流す。このとき、リードフレーム9とリードフレーム11との間には大きな電位差が発生することになる。そして、インダクタンスLに対して電流時間変化di/dtを掛けた値がサージ電圧ΔVとなり、このサージ電圧ΔVが大きいと絶縁保証やスイッチング損失増大が課題となることから、インダクタンスLをできるだけ小さくするのが好ましい。したがって、本実施形態のように、リードフレーム9とリードフレーム11との間にスナバ回路40を備えることで、これらの間のインダクタンスLを低減すれば、更なるインダクタンスの低減が可能となり、スイッチング損失低減やサージ電圧の抑制に効果的である。このようなスナバ回路40は、リードフレーム9とリードフレーム11との間において、どのような形態で配置されていても良いが、本実施形態では、リードフレーム9とリードフレーム11との対向する端面同士の間に挟み込まれるようにスナバ回路40を配置している。このようにすれば、リードフレーム9とリードフレーム11との間のスペースを有効活用でき、スナバ回路40を配置するためのスペースを別途用意しなくても済むようにできる。第4実施形態本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して樹脂部16の構造を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。図11は、本実施形態にかかる半導体モジュール4の部分拡大図である。この図に示すように、本実施形態では、樹脂部16のうち正極端子Pと負極端子Nとの間に凹部16aを設けたり、負極端子Nと出力端子Oとの間に凸部16bを設けるようにしている。上記第1、第2実施形態のような半導体モジュール4では、露出している放熱基板12~15の導体部12c~15cは絶縁基板12b~15bによって内部絶縁されており、電位差が発生する部位が樹脂部16内である。このため、導体部12cと導体部15cの間や導体部13cと導体部14cの間が仮に電気的に繋がったとしても問題がなく、これらの間を狭くしても良い。しかしながら、樹脂部16から露出されている正極端子Pと負極端子Nおよび出力端子Oについては、正極端子Pと負極端子Nとの間および負極端子Nと出力端子Oとの間に電位差が発生した状態となる。このため、これらの間の沿面距離を稼ぐことが必要になる。これに対して、本実施形態のように、これらの間に凹部16aや凸部16bを設けるようにすれば、沿面距離を稼ぎ、かつ正極負極端子間の距離を近づける事が可能なり、結果インダクタンス低減に寄与する。このことは、正極端子Pと負極端子Nとの間および負極端子Nと出力端子Oとの間の間隔を狭めることを意味し、結果半導体モジュール4の小型化を図ることもできる。また、電源閉ループ内面積が小さくなり、インダクタンスLを比較的小さくすることができるし、近い位置で電流を互いに異なる方向に流すことで磁束の打ち消しが得られ易く、尚更インダクタンスLを低くすることが可能となる。第5実施形態本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態では、第1~第4実施形態で説明した半導体モジュール4を適用した半導体装置について説明する。なお、ここでは第3実施形態に示す半導体モジュール4を適用した半導体装置を例に挙げて説明するが、勿論、第1、第2、第4実施形態に示す半導体モジュール4を適用した半導体装置としても良い。図12は、本実施形態にかかる半導体装置の断面図である。この図に示すように、グリス50を介してヒートシンク51が半導体モジュール4の両面に備えられている。ヒートシンク51の内部にはフィン50が備えられていると共に、図示しない冷却装置を通じて冷却水などの冷媒が還流されている。このような構成により、グリス50を介して半導体モジュール4で発した熱を間接的に冷却する間接冷却方式での冷却が行えるようになっている。このように、半導体モジュール4の両面にヒートシンク51を配置することで、冷却機構を備えた半導体装置とすることができる。第6実施形態本発明の第6実施形態について説明する。本実施形態は、第5実施形態に対して冷却機構の構造を変更したものであり、その他に関しては第5実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。図13は、本実施形態にかかる半導体装置の断面図である。この図に示すように、一面側を底面としてその周囲を囲む側壁を有し、底面の反対面が開口していて、底部からフィン60が突き出したケース61が半導体モジュール4の両面に配置されている。ケース61内には、図示しない冷却装置を通じて冷却水などの冷媒が還流されている。ケース61は、フィン60が放熱基板12~15に突き刺さるようにして配置され、ケース61の側壁と樹脂部16との間にシールリング62が配置されることにより、冷媒漏れが防止できるようにしてある。このような構成とすれば、冷媒によって半導体モジュール4を直接冷却する直接冷却方式での冷却が行えるようになっている。放熱基板12~15の露出面側にヒートシンク61を取り付けることで冷却機能を高める構造にすることができるが、露出面がリードフレーム9~11と導通した状態になっていると、露出面に絶縁膜などを備えた状態で冷却機器などを取り付けることになる。つまり、第5実施形態で説明したような間接冷却方式しか採用できない。しかしながら、第1~第4実施形態で説明した半導体モジュール4では、導体部12a~15aと導体部12c~15cとの間に絶縁基板12b~15bを挟み込んだ放熱基板12~15を各リードフレーム9~11に接合している。このため、絶縁基板12b~15bにより、導体部12a~15aと導体部12c~15cと間を電気的に分離できる。したがって、放熱基板12~15の露出面に直接ヒートシンク61を取り付けることも可能となり、その露出面に直接冷媒を触れさせる直接冷却方式による冷却が可能となる。図14は、第5実施形態の間接冷却方式の半導体装置と本実施形態の直接冷却方式の半導体装置との冷却能力を比較したグラフである。この図に示されるように、直接冷却方式によれば、間接冷却方式と比較して約15熱抵抗を低減することが可能となる。このため、本実施形態のような直接冷却方式を採用できることで、冷却能力を向上することが可能となる。なお、ここでは第3実施形態に示す半導体モジュール4を適用した半導体装置を例に挙げて説明したが、勿論、第1、第2、第4実施形態に示す半導体モジュール4を適用した半導体装置としても良い。他の実施形態上記各実施形態では、2in1構造の半導体モジュール4を例に挙げて説明した。しかしながら、1in1構造であっても良いし、三つの上アームおよび下アームの六つの半導体パワー素子を一つの樹脂部に封止した6in1構造などに対しても、本発明を適用することができる。なお、上記各実施形態は、2in1構造であるため、上アームと下アームそれぞれで本発明が適用されていると把握することができる。すなわち、本発明でいう第1端子が正極端子Pで第1リードフレームがリードフレーム9の場合、第2端子が出力端子Oで第2リードフレームがリードフレーム10となるが、第1端子が出力端子Oで第1リードフレームがリードフレーム10の場合、第2端子が負極端子Nで第2リードフレームがリードフレーム11となる。また、上記各実施形態では、IGBTが形成された半導体チップ7aとFWDが形成された半導体チップ8aとを別チップにすると共に、IGBTが形成された半導体チップ7bとFWDが形成された半導体チップ8bとを別チップにした。しかしながら、これらをそれぞれ1チップとしても良い。また、上記実施形態では、半導体パワー素子として縦型構造のIGBTを例に挙げたが、縦型構造のパワーMOSFETであっても良い。すなわち、半導体チップ7a、7bとして、表面側に信号線電極が形成されていると共に表面電極が形成され、裏面側に裏面電極が形成された構造のものを用いた半導体モジュール4に対して本発明を適用することができる。また、上記各実施形態で説明した半導体モジュール4に備えられる各種部品の形状等については適宜設計変更可能である。例えば、リードフレーム9~11のうち半導体チップ7、8に接合される部分を四角板状部9a~11aとしたが、必ずしも四角でなくても良い。