電子デバイスを製造する方法であって、基板を準備する工程と、少なくとも前記基板の一部の上にバリア金属を無電解めっきする工程と、はんだぬれ性を有する実質的に金を含まない湿潤層を前記バリア金属上に無電解めっきする工程とを備える方法。請求項1に記載の方法であって、実質的に金を含まない湿潤層を無電解めっきする工程は、ボランを含む無電解めっき浴を用いて実現される方法。請求項1に記載の方法であって、前記基板を準備する工程は、1または複数の電気接点パッドを備える基板を準備する工程を含み、少なくとも前記基板の一部の上に前記バリア金属を無電解めっきする工程は、前記1または複数の電気接点パッド上に前記バリア金属をめっきする工程を含む方法。請求項1に記載の方法であって、前記基板を準備する工程は、1または複数の基板貫通ビア導電体を備える基板を準備する工程を含み、少なくとも前記基板の一部の上に前記バリア金属を無電解めっきする工程は、前記1または複数の基板貫通ビア導電体上に前記バリア金属をめっきする工程を含む方法。請求項1に記載の方法であって、前記基板を準備する工程は、1または複数のビアを有する基板を準備する工程を含み、少なくとも前記基板の一部の上に前記バリア金属を無電解めっきする工程は、前記1または複数のビアの壁の上に前記バリア金属をめっきする工程を含む方法。請求項1に記載の方法であって、少なくとも前記基板の一部の上に前記バリア金属を無電解めっきする工程は、コバルトを含むバリア金属をめっきする工程を含む方法。請求項1に記載の方法であって、少なくとも前記基板の一部の上に前記バリア金属を無電解めっきする工程は、0.2マイクロメートルから1マイクロメートルの範囲、ならびに前記範囲に含まれるすべての値および範囲の厚さで前記バリア金属をめっきする工程を含む方法。請求項1に記載の方法であって、実質的に金を含まない湿潤層を無電解めっきする工程は、錫を無電解めっきする工程を含む方法。請求項1に記載の方法であって、実質的に金を含まない湿潤層を無電解めっきする工程は、銀または銀合金を無電解めっきする工程を含む方法。請求項1に記載の方法であって、実質的に金を含まない湿潤層を無電解めっきする工程は、3~4原子百分率のタングステンを含む銀-タングステン合金を無電解めっきする工程を含む方法。請求項1に記載の方法であって、実質的に金を含まない湿潤層を無電解めっきする工程は、コバルト-錫合金、コバルト-銅合金、コバルト-銀合金、コバルト-銅-錫合金、コバルト-銅-銀合金、コバルト-銀-錫合金、または、コバルト-銅-銀-錫合金を無電解めっきする工程を含む方法。請求項11に記載の方法であって、さらに、前記実質的に金を含まない湿潤層にホウ素および/またはリンを組み込む工程を備える方法。請求項1に記載の方法であって、実質的に金を含まない湿潤層を無電解めっきする工程は、ニッケル-銅合金、ニッケル-銀合金、ニッケル-銅-銀合金、ニッケル-銅-錫合金、ニッケル-銀-錫合金、または、ニッケル-銅-銀-錫合金を無電解めっきする工程を含む方法。請求項13に記載の方法であって、さらに、前記実質的に金を含まない湿潤層にホウ素および/またはリンを組み込む工程を備える方法。請求項1に記載の方法であって、実質的に金を含まない湿潤層を無電解めっきする工程は、鉄-錫合金、鉄-銅合金、鉄-銀合金、鉄-銅-錫合金、鉄-銅-銀合金、鉄-銀-錫合金、または、鉄-銅-銀-錫合金を無電解めっきする工程を含む方法。請求項15に記載の方法であって、さらに、前記実質的に金を含まない湿潤層にホウ素および/またはリンを組み込む工程を備える方法。請求項1に記載の方法であって、実質的に金を含まない湿潤層を無電解めっきする工程は、第1の組成を有する所定厚さのニッケル合金および第2の組成を有する所定厚さのニッケル合金を無電解めっきする工程を含む方法。請求項1に記載の方法であって、実質的に金を含まない湿潤層を無電解めっきする工程は、第1の組成を有する所定厚さのコバルト-錫合金および第2の組成を有する所定厚さのコバルト-錫合金を無電解めっきする工程を含む方法。請求項1に記載の方法であって、少なくとも前記基板の一部の上に前記バリア金属を無電解めっきする工程、および、はんだぬれ性を有する実質的に金を含まない湿潤層を無電解めっきする工程は、所定温度範囲で無電解めっき浴組成を用いて前記バリア金属をめっきし、別の温度範囲で前記無電解めっき浴組成を用いて前記湿潤層をめっきすることによって実現される方法。電子デバイスを製造する方法であって、1または複数の電気接点パッドならびに/もしくは1または複数の基板貫通ビア導電体を含む基板を準備する工程と、ニッケル元素およびコバルト元素の少なくとも一方を含むバリア金属を、前記1または複数の電気接点パッドならびに/もしくは前記1または複数の基板貫通ビア導電体の少なくとも一部の上に、0.2マイクロメートルから1マイクロメートルの範囲、ならびに前記範囲に含まれるすべての値および範囲の厚さで無電解めっきする工程と、1.錫または錫合金;2.3~4原子百分率のタングステンを含む銀-タングステン合金;3.コバルト-錫合金、コバルト-銅合金、コバルト-銀合金、コバルト-銅-錫合金、コバルト-銅-銀合金、コバルト-銀-錫合金、または、コバルト-銅-銀-錫合金;4.ニッケル-銅合金、ニッケル-銀合金、ニッケル-銅-銀合金、ニッケル-銅-錫合金、ニッケル-銀-錫合金、または、ニッケル-銅-銀-錫合金;5.鉄-錫合金、鉄-銅合金、鉄-銀合金、鉄-銅-錫合金、鉄-銅-銀合金、鉄-銀-錫合金、または、鉄-銅-銀-錫合金;6.第1の組成を有する所定厚さのニッケル合金および第2の組成を有する所定厚さのニッケル合金;7.第1の組成を有する所定厚さのコバルト合金および第2の組成を有する所定厚さのコバルト合金;ならびに8.第1の組成を有する所定厚さの鉄合金および第2の組成を有する所定厚さの鉄合金の内の少なくとも1つを無電解めっきして、前記バリア金属と接触し、はんだぬれ性を有する実質的に金を含まない湿潤層を形成する工程と、前記実質的に金を含まない湿潤層へのはんだ接点を形成する工程とを備える方法。メタライゼーションスタックを含む電子デバイスであって、前記メタライゼーションスタックは、無電解めっきされたバリア金属および無電解めっきされた実質的に金を含まない湿潤層を備え、前記バリア金属は前記湿潤層に接触し、前記湿潤層は、はんだによって湿潤可能である電子デバイス。請求項21に記載の電子デバイスであって、さらに、前記バリア金属によって少なくとも部分的に覆われた電気接点パッドを備える電子デバイス。請求項21に記載の電子デバイスであって、さらに、前記バリア金属によって少なくとも部分的に覆われた基板貫通ビア導電体を備える電子デバイス。請求項21に記載の電子デバイスであって、前記基板は、1または複数の基板貫通ビアを有し、前記1または複数のビアを形成する前記基板の壁は、前記バリア金属によって少なくとも部分的に覆われ、前記電子デバイスは、さらに、前記湿潤層に接触して前記1または複数のビアを実質的に満たすはんだを備える電子デバイス。請求項21に記載の電子デバイスであって、前記バリア金属は、0.2マイクロメートルから1マイクロメートルの範囲、ならびに前記範囲に含まれるすべての値および範囲の厚さを有する電子デバイス。請求項21に記載の電子デバイスであって、前記バリア金属はコバルトを含む電子デバイス。請求項21に記載の電子デバイスであって、前記湿潤層は錫または錫合金を含む電子デバイス。請求項21に記載の電子デバイスであって、前記湿潤層は、3~4原子百分率のタングステンを含む銀-タングステン合金を含む電子デバイス。請求項21に記載の電子デバイスであって、前記湿潤層は、コバルト-錫合金、コバルト-銅合金、コバルト-銀合金、コバルト-銅-錫合金、コバルト-銅-銀合金、コバルト-銀-錫合金、または、コバルト-銅-銀-錫合金を含む電子デバイス。請求項29に記載の電子デバイスであって、前記湿潤層は、さらに、ホウ素および/またはリンを含む電子デバイス。請求項21に記載の電子デバイスであって、前記湿潤層は、ニッケル-銅合金、ニッケル-銀合金、ニッケル-銅-銀合金、ニッケル-銅-錫合金、ニッケル-銀-錫合金、または、ニッケル-銅-銀-錫合金を含む電子デバイス。請求項31に記載の電子デバイスであって、前記湿潤層は、さらに、ホウ素および/またはリンを含む電子デバイス。請求項21に記載の電子デバイスであって、前記湿潤層は、鉄-錫合金、鉄-銅合金、鉄-銀合金、鉄-銅-錫合金、鉄-銅-銀合金、鉄-銀-錫合金、または、鉄-銅-銀-錫合金を含む電子デバイス。請求項33に記載の電子デバイスであって、前記湿潤層は、さらに、ホウ素および/またはリンを含む電子デバイス。請求項21に記載の電子デバイスであって、前記湿潤層は、第1の組成を有する所定厚さのニッケル-錫合金および第2の組成を有する所定厚さのニッケル-錫合金を含む電子デバイス。請求項21に記載の電子デバイスであって、前記湿潤層は、第1の組成を有する所定厚さのコバルト-錫合金および第2の組成を有する厚さのコバルト-錫合金を含む電子デバイス。請求項21に記載の電子デバイスであって、前記バリア金属は、0.2マイクロメートルから1マイクロメートルの範囲ならびに前記範囲に含まれるすべての値および範囲の厚さを有し、前記バリア金属は、ニッケル元素およびコバルト元素の少なくとも一方を含み、前記湿潤層は、1.錫または錫合金;2.3~4原子百分率のタングステンを含む銀-タングステン合金;3.コバルト-錫合金、コバルト-銅合金、コバルト-銀合金、コバルト-銅-錫合金、コバルト-銅-銀合金、コバルト-銀-錫合金、または、コバルト-銅-銀-錫合金;4.ニッケル-銅合金、ニッケル-銀合金、ニッケル-銅-銀合金、ニッケル-銅-錫合金、ニッケル-銀-錫合金、または、ニッケル-銅-銀-錫合金;5.鉄-錫合金、鉄-銅合金、鉄-銀合金、鉄-銅-錫合金、鉄-銅-銀合金、鉄-銀-錫合金、または、鉄-銅-銀-錫合金;6.第1の組成を有する所定厚さのニッケル合金および第2の組成を有する所定厚さのニッケル合金;7.第1の組成を有する所定厚さのコバルト合金および第2の組成を有する所定厚さのコバルト合金;もしくは8.第1の組成を有する所定厚さの鉄合金および第2の組成を有する所定厚さの鉄合金を含み、前記電子デバイスは、さらに、前記バリア金属によって少なくとも部分的覆われた1または複数の電気接点パッド、ならびに/もしくは、前記バリア金属によって少なくとも部分的に覆われた1または複数の基板貫通ビア導電体と、前記湿潤層に接触するはんだとを備える電子デバイス。以下に定義した用語に対して、特許請求の範囲または明細書の他の部分において異なる定義が与えられない限りは、これらの定義が適用されるべきである。すべての数値は、本明細書では、明示されているか否かにかかわらず、約という用語によって修飾されるものとして定義される。約という用語は、一般に、記載された値と等価であって、実質的に同じ特性、機能、結果などをもたらすと、当業者が考える数値の範囲を指す。低い値および高い値によって示される数値範囲は、その数値範囲内に含まれる数値すべてと、その数値範囲内に含まれる部分範囲すべてを含むものとして定義される。一例として、10から15の範囲は、10、10.1、10.47、11、11.75から12.2、12.5、13から13.8、14、14.025、および、15を含むが、これらに限定されない。本発明の1または複数の実施形態は、はんだを含む構造のための方法、装置、材料、および/または、メタライゼーション層に関する。より具体的には、本発明は、はんだを含む電子デバイスの材料およびメタライゼーション層のためのものである。以下では、本発明の実施形態について、主に、電子デバイスの製造に用いられる半導体ウエハシリコンウエハなどの処理との関連で説明する。電子デバイスは、銅および/または別の導電体を備える。電子デバイスは、はんだを含む1または複数の電気的接続を有する。しかしながら、本発明に従った実施形態は、他のタイプの半導体デバイスと、半導体ウエハ以外のウエハとに対して用いられてもよいことを理解されたい。ここで、本発明の一実施形態に従った処理フロー40を示す図1を参照する。処理フロー40は、基板を準備する工程50を備える。任意選択的に、基板は、半導体ウエハ例えば、シリコンウエハなどの基板、または、電子デバイスの製造に適した別の材料の基板であってよい。処理フロー40は、少なくとも基板の一部の上にバリア金属を無電解めっきELDする工程60を備える。処理フロー40は、さらに、湿潤層を無電解めっきする工程70など、湿式化学析出工程を備える。湿潤層は、はんだぬれ性を有する実質的に金を含まない湿潤層である。湿潤層は、バリア金属上に堆積される。任意選択的に、本発明の一実施形態の処理フローは、湿潤層とのはんだ接点を形成する工程をさらに備えた処理フロー40を含みうる。処理フロー40において、基板を準備する工程50は、様々な基板を用いて実現されうる。換言すると、本発明のさらなる実施形態の処理フロー40で、様々な基板が用いられてよい。処理フロー40のオプションとして、基板を準備する工程50は、1または複数の電気接点パッドを備える基板を準備する工程を含み、バリア金属を無電解めっきする工程60は、1または複数の電気接点パッド上にバリア金属を無電解めっきする工程を含む。処理フロー40の別のオプションとして、基板を準備する工程50は、1または複数の基板貫通ビア導電体を備える基板を準備する工程を含み、バリア金属を無電解めっきする工程60は、1または複数の基板貫通ビア導電体上にバリア金属を無電解めっきする工程を含む。処理フロー40のさらに別のオプションとして、基板を準備する工程50は、1または複数のビアを備える基板を準備する工程を含み、バリア金属を無電解めっきする工程60は、1または複数のビアの壁にバリア金属を無電解めっきする工程を含む。処理フロー40で用いるのに適切なバリア金属の例は、無電解めっきニッケル、無電解めっきニッケル合金、無電解めっきコバルト、および、無電解めっきコバルト合金を含むがそれらに限定されない。本発明の1または複数の実施形態によると、処理フロー40は、0.2マイクロメートルから1マイクロメートルの範囲ならびにその範囲に含まれるすべての値および範囲の厚さでバリア金属をめっきする工程を含む。本発明のいくつかの実施形態において、バリア金属は、めっき処理を開始させる活性化金属として機能するパラジウムまたはその他の貴金属を用いることなく、無電解めっきされる。表面活性化のためにパラジウムまたはその他の貴金属を用いる代わりに、本発明の1または複数の実施形態は、ボランなどの還元剤を含む無電解めっき浴を無電解めっき処理に用いる。本発明の1または複数の実施形態に従って、無電解めっき浴内の還元剤の少なくとも1つとしてボランを用いると、金の湿潤層を伴ったニッケル-リンバリア層に関連して典型的に生じる黒いパッドの形成を避けることができる。処理フロー40は、湿潤層を無電解めっきする工程70の1または複数のオプションを用いる本発明の様々な実施形態に変形されてもよい。処理フロー40における湿潤層を無電解めっきする工程70のオプションは、以下を含むがそれらに限定されない:錫または錫合金を無電解めっきする工程を含む実質的に金を含まない湿潤層を無電解めっきする工程。銀または銀合金を無電解めっきする工程を含む実質的に金を含まない湿潤層を無電解めっきする工程。3~4原子百分率のタングステンを含む銀-タングステン合金を無電解めっきする工程を含む実質的に金を含まない湿潤層を無電解めっきする工程。コバルト-錫合金、コバルト-銅合金、コバルト-銀合金、コバルト-銅-錫合金、コバルト-銅-銀合金、コバルト-銀-錫合金、または、コバルト-銅-銀-錫合金を無電解めっきする工程を含む実質的に金を含まない湿潤層を無電解めっきする工程。ニッケル-銅合金、ニッケル-銀合金、ニッケル-銅-銀合金、ニッケル-銅-錫合金、ニッケル-銀-錫合金、または、ニッケル-銅-銀-錫合金を無電解めっきする工程を含む実質的に金を含まない湿潤層を無電解めっきする工程。鉄-錫合金、鉄-銅合金、鉄-銀合金、鉄-銅-錫合金、鉄-銅-銀合金、鉄-銀-錫合金、または、鉄-銅-銀-錫合金を無電解めっきする工程を含む実質的に金を含まない湿潤層を無電解めっきする工程。第1の組成を有する所定厚さのニッケル合金および第2の組成を有する所定厚さのニッケル合金を無電解めっきする工程を含む実質的に金を含まない湿潤層を無電解めっきする工程。第1の組成を有する所定厚さのコバルト合金および第2の組成を有する所定厚さのコバルト合金を無電解めっきする工程を含む実質的に金を含まない湿潤層を無電解めっきする工程。第1の組成を有する所定厚さの鉄合金および第2の組成を有する所定厚さの鉄合金を無電解めっきする工程を含む実質的に金を含まない湿潤層を無電解めっきする工程。任意選択的に、本発明の1または複数の実施形態は、実質的に金を含まない湿潤層にホウ素および/またはリンを組み込む工程をさらに備えてもよい。本発明のいくつかの実施形態において、湿潤層を無電解めっきする工程70のオプションの内の1または複数を組み合わせてもよい。本発明のいくつかの実施形態において、処理フロー40は、湿潤層の表面上に1または複数の腐食防止手順を施して、はんだ接点を作るのに適した状態に表面を維持する工程をさらに含んでもよい。本発明の実施形態に適しうる腐食防止手順の例は、以下を含むがそれらに限定されない:湿潤層上に腐食防止膜を堆積させる工程;有機はんだ付け性保護層を形成する工程;腐食防止剤を含む溶液で湿潤層をリンスする工程;および、腐食を受けにくいように湿潤層の表面の組成を調整する工程。上述のように、本発明の1または複数の実施形態は、湿潤層の厚さにわたって一定ではない組成を有する湿潤層を用いる工程を含む。第1の組成を有する所定厚さのニッケル合金および第2の組成を有する所定厚さのニッケル合金を無電解めっきする工程を含む本発明の実施形態において、組成の変化は、析出過程の温度およびめっき浴の組成など、1または複数の析出条件を変えることによって達成できる。第1の組成を有する所定厚さのコバルト合金および第2の組成を有する所定厚さのコバルト合金を無電解めっきする工程を含む本発明の実施形態も、1または複数の析出条件を変化させて、湿潤層の組成の変化を達成できる。第1の組成を有する所定厚さの鉄合金および第2の組成を有する所定厚さの鉄合金を無電解めっきする工程を含む本発明の実施形態も、1または複数の析出条件を変化させて、湿潤層の組成の変化を達成できる。本発明の1または複数の実施形態は、処理フロー40に従った方法を含み、少なくとも基板の一部の上にバリア金属を無電解めっきする工程60、および、はんだぬれ性を有する実質的に金を含まない湿潤層を無電解めっきする工程70は、温度T1で所定無電解めっき浴組成を用いてバリア金属を析出させ、T1と等しくない別の温度T2で同じ無電解めっき浴組成を用いて湿潤層を析出させることによって達成される。換言すると、T1およびT2は、同じ無電解めっき浴組成から、異なる組成を有する材料を無電解析出させるのに十分なほど異なる。あるいは、少なくとも基板の一部の上にバリア金属を無電解めっきする工程60、および、はんだぬれ性を有する実質的に金を含まない湿潤層を無電解めっきする工程70は、温度範囲TR1で所定無電解めっき浴組成を用いてバリア金属を析出させ、TR1と異なる別の温度範囲TR2で同じ無電解めっき浴組成を用いて湿潤層を析出させることによって達成される。換言すると、TR1およびTR2は、同じ無電解めっき浴組成から、異なる組成を有する材料を無電解析出させるのに十分なほど異なる。1または複数の実施形態において、バリア金属の厚さ組成プロファイルは、TR1における温度変化の結果として変化しうる、および/または、湿潤層の厚さ組成プロファイルは、TR2における温度変化の結果として変化しうる。本発明の別の実施形態は、電子デバイスを製造する方法を含む。方法は、1または複数の電気接点パッドならびに/もしくは1または複数の基板貫通ビア導電体を備える基板を準備する工程を含む基板を準備する工程50を備える。方法は、さらに、ニッケル元素およびコバルト元素の少なくとも一方を含むバリア金属を無電解めっきする工程を含むバリア金属を無電解めっきする工程60を備える。1または複数の電気接点パッドならびに/もしくは1または複数の基板貫通ビア導電体の少なくとも一部を覆うバリア層は、0.2マイクロメートルから1マイクロメートルの範囲ならびにその範囲に含まれるすべての値および範囲の厚さを有する。湿潤層を無電解めっきする工程70について、方法は、以下の内の少なくとも1つを無電解めっきして、バリア金属と接触し、はんだぬれ性を有する実質的に金を含まない湿潤層を形成する工程を含む:錫または錫合金;3~4原子百分率のタングステンを含む銀-タングステン合金;銅または銅合金;コバルト-錫合金;コバルト-銅合金;コバルト-銀合金;コバルト-銅-錫合金;コバルト-銅-銀合金;コバルト-銀-錫合金;コバルト-銅-銀-錫合金;ニッケル-銅合金;ニッケル-銀合金;ニッケル-銅-銀合金;ニッケル-銅-錫合金;ニッケル-銀-錫合金;ニッケル-銅-銀-錫合金;鉄-錫合金;鉄-銅合金;鉄-銀合金;鉄-銅-錫合金;鉄-銅-銀合金;鉄-銀-錫合金;鉄-銅-銀-錫合金;第1の組成を有する所定厚さのニッケル合金および第2の組成を有する所定厚さのニッケル合金;第1の組成を有する所定厚さのコバルト合金および第2の組成を有する所定厚さのコバルト合金;ならびに、第1の組成を有する所定厚さの鉄合金および第2の組成を有する所定厚さの鉄合金。任意選択的に、方法は、実質的に金を含まない湿潤層にホウ素および/またはリンを組み込む工程をさらに備えてもよい。方法は、実質的に金を含まない湿潤層へのはんだ接点を形成する工程をさらに備える。ここで、本発明の一実施形態に従った電子デバイス100の一部の側断面図を示す図2を参照する。電子デバイス100は、ベース106と、ベース106上に支持された接点パッド110と、ベース106を覆う不動態層112とを有する基板102を備える。電子デバイス100は、さらに、電気接点パッド110上の無電解めっきバリア金属114と、バリア金属114上の実質的に金を含まない無電解めっき湿潤層118とを含むメタライゼーションスタックを備える。湿潤層118は、はんだによって湿潤可能である。電子デバイス100は、さらに、湿潤層118と接触するはんだ122を備える。図2は、別の電気接点を作るために利用可能なはんだボールとしてはんだ122を示している。図2は、さらに、任意選択的な不動態層124を有する電子デバイス100を示している。電子デバイス100のいくつかの実施形態において、基板102は、完成したまたは部分的に完成した集積回路デバイスを含みうる。任意選択的に、ベース106は、シリコンなどの半導体であってもよいし、電子デバイスの製造に適した別の材料であってもよい。任意選択的に、接点パッド110は、アルミニウム接点パッドおよび銅接点パッドなど、電子デバイスのための最終金属接点パッドなどの接点パッドを含んでよい。本発明の1または複数の実施形態は、バリア金属114によって少なくとも部分的に覆われた電気接点パッド110を有する。本発明の1または複数の実施形態は、ニッケル元素およびコバルト元素の少なくとも一方を含むバリア金属114を備える。本発明の1または複数の実施形態によると、電子デバイス100は、約0.2マイクロメートルから1マイクロメートルの範囲ならびにその範囲に含まれるすべての値および範囲の厚さのバリア金属114を有する。本発明の1または複数の実施形態において、バリア金属114は、ニッケル元素およびコバルト元素の少なくとも一方を含み、バリア金属114の厚さは、約0.2マイクロメートルから1マイクロメートルの範囲ならびにその範囲に含まれるすべての値および範囲の厚さである。本発明のさらなる実施形態は、様々な材料系の内の1または複数を含む湿潤層118を有してよい。湿潤層118として用いるのに適した材料系の例は、以下を含むがこれらに限定されない:錫または錫合金を含む湿潤層118。銀または銀合金を含む湿潤層118。3~4原子百分率のタングステンを含む銀-タングステン合金を含む湿潤層118。銅または銅合金を含む湿潤層118。コバルト-錫合金、コバルト-銅合金、コバルト-銀合金、コバルト-銅-錫合金、コバルト-銅-銀合金、コバルト-銀-錫合金、または、コバルト-銅-銀-錫合金を含む湿潤層118。ニッケル-銅合金、ニッケル-銀合金、ニッケル-銅-銀合金、ニッケル-銅-錫合金、ニッケル-銀-錫合金、または、ニッケル-銅-銀-錫合金を含む湿潤層118。鉄-錫合金、鉄-銅合金、鉄-銀合金、鉄-銅-錫合金、鉄-銅-銀合金、鉄-銀-錫合金、または、鉄-銅-銀-錫合金を含む湿潤層118。第1の組成を有する所定厚さのニッケル合金および第2の組成を有する所定厚さのニッケル合金を含む湿潤層118。第1の組成を有する所定厚さのコバルト合金および第2の組成を有する所定厚さのコバルト合金を含む湿潤層118。第1の組成を有する所定厚さの鉄合金および第2の組成を有する所定厚さの鉄合金を含む湿潤層118。ホウ素および/またはリンをさらに含む湿潤層118。ここで、本発明の一実施形態に従った電子デバイス200の一部の側断面図を示す図3を参照する。電子デバイス200は、基板貫通ビア210と基板貫通ビア導電体212とを有する基板202を備える。電子デバイス200は、さらに、基板202上の不動態層224を備える。電子デバイス200は、さらに、導電体212上の無電解めっきバリア金属214と、バリア金属214上の実質的に金を含まない湿潤層218とを含むメタライゼーションスタックを備える。オプションとして、実質的に金を含まない湿潤層218は、バリア金属214上に無電解めっきされる。湿潤層218は、はんだによって湿潤可能である。電子デバイス200は、さらに、湿潤層218と接触するはんだ222を備える。電子デバイス200のいくつかの実施形態において、基板202は、完成したまたは部分的に完成した集積回路デバイスを含みうる。任意選択的に、基板202は、シリコンなどの半導体であってもよいし、電子デバイスの製造に適した別の材料であってもよい。任意選択的に、基板貫通ビア導電体212は、アルミニウム、銅、ポリシリコン、はんだ、および、タングステンなどの導電体を含んでよいが、これらに限定されない。本発明の1または複数の実施形態は、バリア金属214によって少なくとも部分的に覆われた基板貫通ビア導電体212を有する。本発明の1または複数の実施形態は、ニッケル元素およびコバルト元素の少なくとも一方を含むバリア金属214を備える。本発明の1または複数の実施形態によると、電子デバイス200は、約0.2マイクロメートルから1マイクロメートルの範囲ならびにその範囲に含まれるすべての値および範囲の厚さのバリア金属214を有する。本発明の1または複数の実施形態において、バリア金属214は、ニッケル元素およびコバルト元素の少なくとも一方を含み、バリア金属214の厚さは、約0.2マイクロメートルから1マイクロメートルの範囲ならびにその範囲に含まれるすべての値および範囲の厚さである。本発明のさらなる実施形態は、様々な材料系の内の1または複数を含む湿潤層218を有してよい。湿潤層218として用いるのに適した材料系の例は、以下を含むがこれらに限定されない:錫または錫合金を含む湿潤層218。銀または銀合金を含む湿潤層218。3~4原子百分率のタングステンを含む銀-タングステン合金を含む湿潤層218。銅または銅合金を含む湿潤層218。コバルト-錫合金、コバルト-銅合金、コバルト-銀合金、コバルト-銅-錫合金、コバルト-銅-銀合金、コバルト-銀-錫合金、または、コバルト-銅-銀-錫合金を含む湿潤層218。ニッケル-銅合金、ニッケル-銀合金、ニッケル-銅-銀合金、ニッケル-銅-錫合金、ニッケル-銀-錫合金、または、ニッケル-銅-銀-錫合金を含む湿潤層218。鉄-錫合金、鉄-銅合金、鉄-銀合金、鉄-銅-錫合金、鉄-銅-銀合金、鉄-銀-錫合金、または、鉄-銅-銀-錫合金を含む湿潤層218。第1の組成を有する所定厚さのニッケル合金および第2の組成を有するる厚さのニッケル合金を含む湿潤層218。第1の組成を有する所定厚さのコバルト合金および第2の組成を有する所定厚さのコバルト合金を含む湿潤層218。第1の組成を有する所定厚さの鉄合金および第2の組成を有する所定厚さの鉄合金を含む湿潤層218。ホウ素および/またはリンをさらに含む湿潤層218。本発明の別の実施形態は、メタライゼーションスタックを含む電子デバイスを備える。メタライゼーションスタックは、無電解めっきされたバリア金属と、バリア金属上に無電解めっきされた実質的に金を含まない湿潤層とを含む。バリア金属は、湿潤層と電気的に接触しており、湿潤層は、はんだによって湿潤可能である。バリア金属は、0.2マイクロメートルから1マイクロメートルの範囲ならびにその範囲に含まれるすべての値および範囲の厚さを有する。バリア金属は、ニッケル元素およびコバルト元素の少なくとも一方を含む。湿潤層は、以下を含む:錫または錫合金;銀または銀合金;3~4原子百分率のタングステンを含む銀-タングステン合金;銅または銅合金;コバルト-錫合金;ホウ素および/またはリンを含むコバルト-錫合金;ニッケル-錫合金;ホウ素および/またはリンを含むニッケル-錫合金;第1の組成を有する所定厚さのニッケル-錫合金および第2の組成を有する所定厚さのニッケル-錫合金;もしくは、第1の組成を有する所定厚さのコバルト-錫合金および第2の組成を有する所定厚さのコバルト-錫合金。電子デバイスは、さらに、バリア金属によって少なくとも部分的に覆われた1または複数の電気接点パッド、および/または、バリア金属によって少なくとも部分的に覆われた1または複数の基板貫通ビア導電体を備える。この実施形態は、さらに、湿潤層と接触するはんだを備える。ここで、本発明の一実施形態に従った電子デバイス300の一部の側断面図を示す図4を参照する。電子デバイス300は、基板貫通ビア310を有する基板302を備える。電子デバイス300は、さらに、基板貫通ビア310の壁を実質的に覆うように無電解めっきされたバリア金属314と、バリア金属314上の実質的に金を含まない湿潤層318とを含む基板貫通導電体を備える。オプションとして、実質的に金を含まない湿潤層318は、バリア金属314上に無電解めっきされる。湿潤層318は、はんだによって湿潤可能である。電子デバイス300は、さらに、湿潤層318によって囲まれた中心部分を実質的に満たすように湿潤層318に接触するはんだ322を備える。図4は、バリア金属326を含む電子デバイス300を示しており、バリア金属326は、任意選択的にバリア金属314と同様の特性を有してもよいし異なる材料であってもよい。また、図4は、湿潤層330を含む電子デバイス300を示しており、湿潤層330は、任意選択的に湿潤層318と同様の特性を有してもよいし異なる材料であってもよい。電子デバイス300のいくつかの実施形態において、基板302は、完成したまたは部分的に完成した集積回路デバイスを含みうる。任意選択的に、基板302は、シリコンなどの半導体であってもよいし、電子デバイスの製造に適した別の材料であってもよい。本発明の1または複数の実施形態は、バリア金属314によって少なくとも部分的に覆われた基板貫通ビア310を規定する壁を有する。本発明の1または複数の実施形態は、ニッケル元素およびコバルト元素の少なくとも一方を含むバリア金属314を備える。本発明の1または複数の実施形態によると、電子デバイス300は、約0.2マイクロメートルから1マイクロメートルの範囲ならびにその範囲に含まれるすべての値および範囲の厚さのバリア金属314を有する。本発明の1または複数の実施形態において、バリア金属314は、ニッケルおよびコバルト元素の少なくとも一方を含み、バリア金属314の厚さは、約0.2マイクロメートルから1マイクロメートルの範囲ならびにその範囲に含まれるすべての値および範囲の厚さである。本発明のさらなる実施形態は、様々な材料系の内の1または複数を含む湿潤層318を有してよい。湿潤層318として用いるのに適した材料系の例は、以下を含むがこれらに限定されない:錫または錫合金を含む湿潤層318。銀または銀合金を含む湿潤層318。3~4原子百分率のタングステンを含む銀-タングステン合金を含む湿潤層318。銅または銅合金を含む湿潤層318。コバルト-錫合金、コバルト-銅合金、コバルト-銀合金、コバルト-銅-錫合金、コバルト-銅-銀合金、コバルト-銀-錫合金、または、コバルト-銅-銀-錫合金を含む湿潤層318。ニッケル-銅合金、ニッケル-銀合金、ニッケル-銅-銀合金、ニッケル-銅-錫合金、ニッケル-銀-錫合金、または、ニッケル-銅-銀-錫合金を含む湿潤層318。鉄-錫合金、鉄-銅合金、鉄-銀合金、鉄-銅-錫合金、鉄-銅-銀合金、鉄-銀-錫合金、または、鉄-銅-銀-錫合金を含む湿潤層318。第1の組成を有する所定厚さのニッケル合金および第2の組成を有する所定厚さのニッケル合金を含む湿潤層318。第1の組成を有する所定厚さのコバルト合金および第2の組成を有する所定厚さのコバルト合金を含む湿潤層318。第1の組成を有する所定厚さの鉄合金および第2の組成を有する所定厚さの鉄合金を含む湿潤層318。ホウ素および/またはリンをさらに含む湿潤層318。本明細書では、具体的な実施形態を参照しつつ、本発明を説明している。しかしながら、当業者は、以下の特許請求の範囲に記載の本発明の範囲から逸脱することなく、様々な変形例および変更例が可能であることを理解すべきである。したがって、本明細書は、例示を目的としたものであり、限定を意図したものではないと見なされるべきであり、かかる変形例すべてが、本発明の範囲に含まれるよう意図されている。利益、その他の利点、および、課題の解決法について、具体的な実施形態に関連して上述した。しかしながら、それらの利益、利点、課題の解決法、ならびに、任意の利益、利点、または、解決法を生じさせるもしくはより顕著にさせうる任意の要素は、任意またはすべての請求項の重要、必要、または必須の特徴または要素として解釈されない。本明細書では、備える、備えた、含む、含んだ、有する、有した、の内の少なくとも1つのような用語、または、それらのあらゆる変化形は、非排他的な包含を網羅するよう意図されている。例えば、要素のリストを備える処理、方法、物品、または装置は、それらの要素だけに限定されず、リストに明示されていないかまたはかかる処理、方法、物品、または装置に固有の他の要素をも含みうる。さらに、特に明示しない限り、またはorという語は、排他的なまたはではなく、包括的なまたはを表す。例えば、条件AまたはBは、以下のいずれによっても満たされる。Aが真または存在するかつBが偽または存在しない;Aが偽または存在しないかつBが真または存在する;AとBの両方が真または存在する。