"基板が収容される処理室と、前記処理室内に少なくともシリコン含有ガスを供給するシリコン含有ガス供給系と、前記処理室内に少なくともホウ素含有ガスを供給するホウ素含有ガス供給系と、前記基板が収容された前記処理室内に前記ホウ素含有ガス供給系から前記ホウ素含有ガスを供給させ、前記基板の表面を、ホウ素元素が堆積された表面或いはホウ素元素により終端された表面に改質させた後、前記シリコン含有ガス供給系から前記シリコン含有ガスを供給させると共に、前記ホウ素含有ガス供給系から前記ホウ素含有ガスを供給させ、改質された前記基板の表面上にシリコン膜を形成するよう制御する制御部と、を備えることを特徴とする基板処理装置。処理室内に基板を搬入する工程と、前記処理室内にホウ素含有ガス供給系からホウ素含有ガスを供給し、前記基板の表面を、ホウ素元素が堆積された表面或いはホウ素元素により終端された表面に改質する工程と、前記処理室内にシリコン含有ガス供給系からシリコン含有ガスを供給させると共に前記ホウ素含有ガス供給系からホウ素含有ガスを供給し、改質された前記基板の表面上にシリコン膜を形成する工程と、シリコン膜が形成された前記基板を前記処理室外へ搬出する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。上述のシリコン膜は、基板を収容した処理室内にシリコン含有ガスを供給することで形成できる。しかしながら、かかる方法では、基板表面の状態に応じてシリコン膜表面の平坦性が低下してしまう場合があった。また、複数枚の基板を水平姿勢で積層しつつ各基板表面上に同時に成膜を行う場合には、成膜面に対向する面すなわち積層された各基板の裏面の状態に応じてシリコン膜表面の平坦性が低下してしまう場合があった。本発明は、基板表面や対向面の状態によらず、形成するシリコン膜の表面の平坦性を向上させることが可能な基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。本発明の一態様によれば、基板が収容される処理室と、前記処理室内に少なくともシリコン含有ガスを供給するシリコン含有ガス供給系と、前記処理室内に少なくともホウ素含有ガスを供給するホウ素含有ガス供給系と、前記基板が収容された前記処理室内に前記ホウ素含有ガス供給系から前記ホウ素含有ガスを供給させ、前記基板の表面を、ホウ素元素が堆積された表面或いはホウ素元素により終端された表面に改質させた後、前記シリコン含有ガス供給系から前記シリコン含有ガスを供給させると共に、前記ホウ素含有ガス供給系から前記ホウ素含有ガスを供給させ、改質された前記基板の表面上にシリコン膜を形成するよう制御する制御部と、を備える基板処理装置が提供される。本発明の他の態様によれば、処理室内に基板を搬入する工程と、前記処理室内にホウ素含有ガス供給系からホウ素含有ガスを供給し、前記基板の表面を、ホウ素元素が堆積された表面或いはホウ素元素により終端された表面に改質する工程と、前記処理室内にシリコン含有ガス供給系からシリコン含有ガスを供給させると共に前記ホウ素含有ガス供給系からホウ素含有ガスを供給し、改質された前記基板の表面上にシリコン膜を形成する工程と、シリコン膜が形成された前記基板を前記処理室外へ搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。本発明に係る半導体装置の製造方法及び基板処理装置によれば、基板表面や対向面の状態によらず、形成するシリコン膜の表面の平坦性を向上させることが可能となる。<本発明の一実施形態>以下に、本発明の一実施形態について説明する。1基板処理装置の構成まず、本実施形態に係る基板処理装置10の構成について、図1~図3を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置10の概略構成図である。図2は、本発明の一実施形態に係る処理炉202の側面断面図である。図3は、本発明の一実施形態に係る処理炉202及びその周辺構造の略図である。なお、本実施形態にかかる基板処理装置10は、例えばウエハ等の基板に酸化、拡散処理、CVDChemicalVaporDepositon処理などを行なう縦型の装置として構成されている。全体構成図1に示すように、基板処理装置10は、バッチ式縦型熱処理装置として構成されている。基板処理装置10は、内部に処理炉202などの主要部が設けられる筐体12を備えている。筐体12内への基板搬送容器ウエハキャリアとしては、ポッドフープとも呼ぶ16が用いられる。ポッド16内には、シリコンSi又は炭化シリコンSiC等で構成された基板としてのウエハ200が、例えば25枚収納されるように構成されている。筐体12の正面側には、ポッドステージ18が配置されている。ポッド16は、蓋が閉じられた状態でポッドステージ18上に載置されるように構成されている。筐体12内の正面側図1の右側であってポッドステージ18に対向する位置には、ポッド搬送装置20が設けられている。ポッド搬送装置20の近傍には、ポッド載置棚22、ポッドオープナ24及びウエハ枚数検出器26が設けられている。ポッド載置棚22は、ポッドオープナ24の上方に配置され、ポッド16を複数個載置した状態で保持するように構成されている。ウエハ枚数検出器26は、ポッドオープナ24に隣接して設けられる。ポッド搬送装置20は、ポッドステージ18とポッド載置棚22とポッドオープナ24との間でポッド16を搬送するように構成されている。ポッドオープナ24は、ポッド16の蓋を開けるように構成されている。ウエハ枚数検出器26は、蓋を開けられたポッド16内のウエハ200の枚数を検知するように構成されている。筐体12内には、ウエハ移載機28、基板保持具としてのボート217が設けられている。ウエハ移載機28は、アームツィーザ32を有し、図示しない駆動手段により、上下回転動作が可能な構造になっている。アーム32は、例えば5枚のウエハを同時に取り出すことができるように構成されている。アーム32を動かすことにより、ポッドオープナ24の位置に置かれたポッド16及びボート217間にて、ウエハ200が搬送されるように構成されている。次に、本実施形態にかかる基板処理装置10の動作について説明する。まず、図示しない工程内搬送装置によって、ウエハ200が垂直姿勢となりポッド16のウエハ出し入れ口が上方向を向くように、ポッドステージ18上にポッド16が載置される。その後、ポッド16は、ポッドステージ18によって、筐体12の後方に向けて縦方向に90°回転させられる。その結果、ポッド16内のウエハ200は水平姿勢となり、ポッド16のウエハ出し入れ口は筐体12内の後方を向く。次に、ポッド16は、ポッド搬送装置20によって、ポッド載置棚22の指定された棚位置へ自動的に搬送されて受け渡されて一時的に保管された後、ポッド載置棚22からポッドオープナ24に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ24に搬送される。ポッド16がポッドオープナ24に移載されると、ポッド16はポッドオープナ24によって蓋を開けられる。そして、蓋を開けられたポッド16は、ウエハ枚数検出器26によってポッド16内のウエハ枚数を検知される。ウエハ200は、ウエハ移載機28のアーム32によって、ウエハ出し入れ口を通じてポッド16内からピックアップされ、ウエハ移載機28の搬送動作によってボート217に装填チャージされる。ボート217にウエハ200を受け渡したウエハ移載機28は、ポッド16に戻り、次のウエハ200をボート217に装填する。予め指定された枚数のウエハ200がボート217に装填されると、図示しない炉口シャッタによって閉じられていた処理炉202の下端部が、炉口シャッタによって開放される。続いて、シールキャップ219がボートエレベータ115図2、図3参照によって上昇されることにより、ウエハ200群を保持したボート217が処理炉202内へ搬入ボートロードされる。ロード後は、処理炉202にてウエハ200に任意の処理が実施される。かかる処理については後述する。処理後、ウエハ200及びポッド16は、上述の手順とは逆の手順で筐体12の外部へ払出される。処理炉の構成続いて、本実施形態に係る処理炉202の構成について、図2を用いて説明する。図2は、本発明の一実施形態に係る処理炉202の縦断面図である。処理室図2に示すように、処理炉202は反応管としてのプロセスチューブ203を備えている。プロセスチューブ203は、内部反応管としてのインナーチューブ204と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ205と、を備えている。インナーチューブ204は、例えば石英SiO2または炭化シリコンSiC等の耐熱性材料により構成されている。インナーチューブ204は、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ204内の筒中空部には、基板としてのウエハ200上に薄膜を形成する処理を行う処理室201が形成されている。処理室201は、ウエハ200をボート217によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。アウターチューブ205は、インナーチューブ204と同心円状に設けられている。アウターチューブ205は、内径がインナーチューブ204の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウターチューブ205は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料により構成されている。ヒータプロセスチューブ203の外側には、プロセスチューブ203の側壁面を囲う同心円状に、加熱部としてのヒータ206が設けられている。ヒータ206は円筒形状に形成されている。ヒータ206は、図示しない保持板としてのヒータベースに支持されることにより垂直に据え付けられている。インナーチューブ204とアウターチューブ205との間には、温度検出器としての温度センサ263が設置されている。ヒータ206及び温度センサ263には、後述する温度制御部238が電気的に接続されている。温度制御部238は、処理室201内の温度が所定の温度分布となるように、温度センサ263により検出された温度情報に基づいてヒータ206への通電具合を所定のタイミングにて制御するように構成されている。マニホールドアウターチューブ205の下方には、アウターチューブ205と同心円状にマニホールド209が配設されている。マニホールド209は、例えばステンレス等により構成されている。マニホールド209は、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド209は、インナーチューブ204の下端部とアウターチューブ205の下端部とにそれぞれ係合している。マニホールド209は、インナーチューブ204の下端部とアウターチューブ205の下端部とをそれぞれ支持するように設けられている。なお、マニホールド209とアウターチューブ205との間には、シール部材としてのOリング220aが設けられている。マニホールド209が図示しないヒータベースに支持されることにより、プロセスチューブ203は垂直に据え付けられた状態となっている。主に、プロセスチューブ203とマニホールド209とにより反応容器が形成されている。ボート処理室201内には、基板保持具としてのボート217が、マニホールド209の下端開口の下方側から搬入されるように構成されている。ボート217は、複数枚の基板としてのウエハ200を、水平姿勢であって互いに中心を揃えた状態で、所定の間隔で配列させて保持するように構成されている。ボート217は、例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料により構成されている。ボート217の下部には、円板形状をした断熱部材としての断熱板216が、水平姿勢で多段に複数枚配置されている。断熱板216は、例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料により構成されている。断熱板216は、ヒータ206からの熱をマニホールド209側に伝え難くするように構成されている。シリコン含有ガス供給系マニホールド209には、シリコン含有ガスとして例えばモノシランSiH4ガス以下、単にシランガスとも呼ぶを処理室201内に供給するノズル230aが、処理室201内に連通するように設けられている。ノズル230aは、例えば石英等により構成されている。ノズル230aは少なくとも1本設けられており、ヒータ206と対向する領域より下方であってマニホールド209と対向する領域に設けられている。ノズル230aの上流端は、ガス供給管232aの下流端に接続されている。ガス供給管232aには、上流側から順に、シリコン含有ガス源300a、流量制御器流量制御手段としてのマスフローコントローラ241a及びバルブ310aが設けられている。上記構成により、処理室201内へ供給するシランガスの供給流量、処理室201内のシランガスの濃度や分圧を制御することができる。バルブ310a、マスフローコントローラ241aには、後述するガス流量制御部235が電気的に接続されている。ガス流量制御部235は、処理室201内へのシリコン含有ガス供給の開始や停止、供給流量等を所定のタイミングにて制御するように構成されている。主に、シリコン含有ガス源300a、バルブ310a、マスフローコントローラ241a、ガス供給管232a、ノズル230aにより、本実施形態に係るシリコン含有ガス供給系が構成される。ホウ素含有ガス供給系マニホールド209には、ホウ素含有ガスとして例えば三塩化ホウ素BCl3ガスを処理室201内に供給するノズル230bが、処理室201内に連通するように設けられている。ノズル230bは、例えば石英等により構成されている。ノズル230bは少なくとも1本設けられており、ヒータ206と対向する領域より下方であってマニホールド209と対向する領域に設けられている。ノズル230bの上流端は、ガス供給管232bの下流端に接続されている。ガス供給管232bには、上流側から順に、ホウ素含有ガス源300b、流量制御器流量制御手段としてのマスフローコントローラ241b及びバルブ310bが設けられている。上記構成により、処理室201内へ供給する三塩化ホウ素ガスの供給流量、処理室201内の三塩化ホウ素ガスの濃度や分圧を制御することができる。バルブ310b、マスフローコントローラ241bには、後述するガス流量制御部235が電気的に接続されている。ガス流量制御部235は、処理室201内へのホウ素含有ガス供給の開始や停止、供給流量等を所定のタイミングにて制御するように構成されている。主に、ホウ素含有ガス源300b、バルブ310b、マスフローコントローラ241b、ガス供給管232b、ノズル230bにより、本実施形態に係るホウ素含有ガス供給系が構成される。不活性ガス供給系マニホールド209には、不活性ガスとして例えば窒素N2ガスを処理室201内に供給するノズル230cが、処理室201内に連通するように設けられている。ノズル230cは、例えば石英等により構成されている。ノズル230cは少なくとも1本設けられており、ヒータ206と対向する領域より下方であってマニホールド209と対向する領域に設けられている。ノズル230cの上流端は、ガス供給管232cの下流端に接続されている。ガス供給管232cには、上流側から順に、不活性ガス源300c、流量制御器流量制御手段としてのマスフローコントローラ241c及びバルブ310cが設けられている。上記構成により、処理室201内へ供給する窒素ガスの供給流量、処理室201内の窒素ガスの濃度や分圧を制御することができる。バルブ310c、マスフローコントローラ241cには、後述するガス流量制御部235が電気的に接続されている。ガス流量制御部235は、処理室201内への不活性ガス供給の開始や停止、供給流量等を所定のタイミングにて制御するように構成されている。主に、不活性ガス源300c、バルブ310c、マスフローコントローラ241c、ガス供給管232c、ノズル230cにより、本実施形態に係る不活性ガス供給系が構成される。そして、主に、シリコン含有ガス供給系、ホウ素含有ガス供給系及び不活性ガス供給系により、本実施形態に係るガス供給系が構成される。排気系マニホールド209の側壁には、処理室201内を排気する排気管231が設けられている。排気管231は、マニホールド209の側面部を貫通しており、インナーチューブ204とアウターチューブ205との隙間によって形成される筒状空間250の下端部に連通している。排気管231の下流側マニホールド209との接続側と反対側には、上流側から順に、圧力検出器としての圧力センサ245、圧力調整装置としてのAPCAutoPressureControllerバルブ242、真空ポンプ246が設けられている。圧力センサ245及びAPCバルブ242には、後述する圧力制御部236が電気的に接続されている。圧力制御部236は、圧力センサ245により検知した圧力情報に基づいて、処理室201内の圧力が所定のタイミングにて所定の圧力真空度となるように、APCバルブ242の開度を制御するように構成されている。主に、排気管231、圧力センサ245、APCバルブ242及び真空ポンプ246により、本実施形態に係る排気系が構成される。シールキャップマニホールド209の下端開口には、反応容器を気密に閉塞することが可能な炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219は、例えばステンレス等の金属により構成されており、円盤状に形成されている。シールキャップ219の上面には、マニホールド209の下端と接合するシール部材としてのOリング220bが設けられている。シールキャップ219は、マニホールド209の下端に、反応容器の垂直方向下側から当接するように構成されている。回転機構シールキャップ219の下方すなわち処理室201側とは反対側には、ボート217を回転させる回転機構254が設けられている。回転機構254が備える回転軸255は、シールキャップ219を貫通するように設けられている。回転軸255の上端部は、ボート217を下方から支持している。回転機構254を作動させることにより、ボート217及びウエハ200を処理室201内で回転させることが可能に構成されている。ボートエレベータシールキャップ219は、プロセスチューブ203の外部に垂直に設けられた昇降機構としてのボートエレベータ115によって、垂直方向に昇降されるように構成されている。ボートエレベータ115を作動させることにより、ボート217を処理室201内外へ搬送ボートロード或いはボートアンロードさせることが可能に構成されている。回転機構254及びボートエレベータ115には、後述する駆動制御部237が電気的に接続されている。駆動制御部237は、回転機構254及びボートエレベータ115が所定の動作をするよう所定のタイミングにて制御するように構成されている。コントローラ上述のガス流量制御部235、圧力制御部236、駆動制御部237及び温度制御部238は、基板処理装置10全体を制御する主制御部239に電気的に接続されている。主に、ガス流量制御部235、圧力制御部236、駆動制御部237、温度制御部238及び主制御部239により、本実施形態に係る制御部としてのコントローラ240が構成されている。処理炉周辺の構成図3は、本発明の一実施形態に係る処理炉202及びその周辺構造の略図である。図3に示すように、処理炉202の下方には、予備室としてのロードロック室110が設けられている。ロードロック室110を構成する側壁の外面には、ボートエレベータ115が設けられている。ボートエレベータ115は、下基板112、ガイドシャフト116、ボール螺子118、上基板120、昇降モータ122、昇降基板130、及びベローズ128を備えている。下基板112は、ロードロック室110を構成する側壁の外面に水平姿勢で固定されている。下基板112には、昇降台114と嵌合するガイドシャフト116、及び昇降台114と螺合するボール螺子118がそれぞれ鉛直姿勢で設けられている。ガイドシャフト116及びボール螺子118の上端には、上基板120が水平姿勢で固定されている。ボール螺子118は、上基板120に設けられた昇降モータ122により回転させられるように構成されている。ガイドシャフト116は、昇降台114の上下動を許容しつつ水平方向の回転を抑制するように構成されている。ボール螺子118を回転させることにより、昇降台114が昇降するように構成されている。昇降台114には、中空の昇降シャフト124が垂直姿勢で固定されている。昇降台114と昇降シャフト124との連結部は、気密に構成されている。昇降シャフト124は、昇降台114と共に昇降するように構成されている。昇降シャフト124の下方側端部は、ロードロック室110を構成する天板126を貫通している。ロードロック室110の天板126に設けられる貫通穴の内径は、昇降シャフト124と天板126とが接触することのないように、昇降シャフト124の外径よりも大きく構成されている。ロードロック室110と昇降台114との間には、昇降シャフト124の周囲を覆うように、伸縮性を有する中空伸縮体としてのベローズ128が設けられている。昇降台114とベローズ128との連結部、及び天板126とベローズ128との連結部はそれぞれ気密に構成されており、ロードロック室110内の気密が保持されるように構成されている。ベローズ128は、昇降台114の昇降量に対応できる充分な伸縮量を有している。ベローズ128の内径は、昇降シャフト124とベローズ128とが接触することのないように、昇降シャフト124の外径よりも充分に大きく構成されている。ロードロック室110内に突出した昇降シャフト124の下端には、昇降基板130が水平姿勢で固定されている。昇降シャフト124と昇降基板130との連結部は、気密に構成されている。昇降基板130の上面には、Oリング等のシール部材を介してシールキャップ219が気密に取付けられている。昇降モータ122を駆動してボール螺子118を回転させ、昇降台114、昇降シャフト124、昇降基板130、及びシールキャップ219を上昇させることにより、処理室201内にボート217が搬入ボートロードされると共に、処理炉202の開口部炉口がシールキャップ219により閉塞されるよう構成されている。また、昇降モータ122を駆動してボール螺子118を回転させ、昇降台114、昇降シャフト124、昇降基板130、及びシールキャップ219を下降させることにより、処理室201内からボート217が搬出ボートアンロードされるよう構成されている。昇降モータ122には、駆動制御部237が電気的に接続されている。駆動制御部237は、ボートエレベータ115が所定の動作をするよう所定のタイミングにて制御するように構成されている。昇降基板130の下面には、Oリング等のシール部材を介して駆動部カバー132が気密に取付けられている。昇降基板130と駆動部カバー132とにより駆動部収納ケース140が構成されている。駆動部収納ケース140の内部は、ロードロック室110内の雰囲気と隔離されている。駆動部収納ケース140の内部には、回転機構254が設けられている。回転機構254には電力供給ケーブル138が接続されている。電力供給ケーブル138は、昇降シャフト124の上端から昇降シャフト124内を通って回転機構254まで導かれており、回転機構254に電力を供給するように構成されている。回転機構254が備える回転軸255の上端部は、シールキャップ219を貫通して、基板保持具としてのボート217を下方から支持するように構成されている。回転機構254を作動させることにより、ボート217に保持されたウエハ200を処理室201内で回転させることが可能に構成されている。また、駆動部収納ケース140の内部であって回転機構254の周囲には、冷却機構136が設けられている。冷却機構136及びシールキャップ219には冷却流路140aが形成されている。冷却流路140aには冷却水を供給する冷却水配管142が接続されている。冷却水配管142は、昇降シャフト124の上端から昇降シャフト124内を通って冷却流路140aまで導かれ、冷却流路140aにそれぞれ冷却水を供給するように構成されている。2基板処理工程次に、半導体装置の製造工程の一工程として、ウエハ200の表面表層を、ホウ素B元素が堆積された表面或いはホウ素元素により終端された表面に改質させる改質工程と、改質されたウエハ200の表面上にシリコン膜を形成する成膜工程と、を順に実施する基板処理工程について、主に図6及び図7を参照しながら説明する。図6は、本発明の一実施形態に係る基板処理工程を示すフロー図である。図7は、シラン分子の熱分解がホウ素の触媒作用により促進される様子を示す模式図である。係る基板処理工程では、上述の基板処理装置10を用い、ウエハ200上にシリコン膜として例えばアモルファスシリコンamorphoussilicon;非晶質シリコン膜以下、単にシリコン膜と呼ぶを、減圧CVD法LowPressure-ChemicalVaporDepositionにより形成する。以下の説明において、基板処理装置10を構成する各部の動作はコントローラ240によって制御される。ウエハ搬入工程S10まず、処理対象の複数枚のウエハ200を、ボート217に装填ウエハチャージする。そして、ボートエレベータ115によりシールキャップ219を下降させ、マニホールド209の下端を開口させる。そして、図2に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217を、ボートエレベータ115によって上昇させて、処理室201内に搬入ボートロードする。この状態で、マニホールド209の下端開口部は、Oリング220bを介してシールキャップ219によりシールされた状態となる。なお、処理対象のウエハ200の表面には、例えば大気中の酸素成分に曝される等により自然酸化膜としてのSiO2膜以下、自然SiO2膜が形成されている。ウエハ搬入工程S10を実施する際は、処理室201内に窒素ガスを供給して処理室201内をパージする。バルブ310cを開くことで不活性ガス源300cからガス供給管232c内に供給された窒素ガスは、MFC241cにて所定の流量となるように制御された後、ガス供給管232cを経由して、ノズル230cから処理室201内に供給される。なお、処理室201内への窒素ガスの供給は、基板処理工程の全工程が終了するまで継続する。圧力調整工程S20及び温度調整工程S30続いて、処理室201内が所定の成膜圧力真空度となるように真空ポンプ246によって真空排気する。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ242がフィードバック制御される。また、処理室201内が所定の温度となるようにヒータ206によって加熱する。この際、処理室201内の温度が所定の温度成膜温度となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ206への通電具合がフィードバック制御される。続いて、回転機構254によるボート217及びウエハ200の回転を開始する。処理室201内の圧力調整、温度調整、ボート217及びウエハ200の回転は、後述する成膜工程S40bが完了するまで継続する。改質工程S40a処理室201内が所定の温度、所定の圧力に維持された状態で、ホウ素含有ガスとしての三塩化ホウ素BCl3ガスの処理室201内への供給を開始する。すなわち、バルブ310bを開き、マスフローコントローラ241bにより流量調整された三塩化ホウ素ガスの、ガス供給管232b及びノズル230bを介した処理室201内への供給を開始する。このとき、処理室201内へ供給される窒素ガスは、三塩化ホウ素ガスを希釈する希釈ガスとして機能する。窒素ガスの供給流量を制御することで、三塩化ホウ素ガスの濃度を制御することができる。処理室201内に供給された三塩化ホウ素ガスは、インナーチューブ204内処理室201内を下方から上方へと流れ、インナーチューブ204とアウターチューブ205との隙間によって形成される筒状空間250内を上方から下方へ流れた後、排気管231からプロセスチューブ203外へと排出される。このとき、三塩化ホウ素ガスは、加熱された処理室201内を通過することで、或いは、加熱されたウエハ200表面に接触することで熱分解する。三塩化ホウ素のガス分子が熱分解されることで生じたホウ素B元素は、ウエハ200表面に堆積するか、或いは、ウエハ200表面に存在するシリコンSi元素等の未結合手と結合してこれを終端させる。また、処理室201内に供給された三塩化ホウ素ガスは、熱分解することなくウエハ200の表面に堆積することもある。これにより、ウエハ200の表面は、ホウ素元素や三塩化ホウ素のガス分子が堆積された表面、或いはシリコン元素等の未結合手がホウ素元素によって終端された表面、すなわち、ホウ素元素含有層が形成された表面に改質される。なお、ウエハ200表面に堆積或いは吸着したホウ素元素や三塩化ホウ素のガス分子は、後述する成膜工程S40bにおいて、シランガスの分解を促進する触媒として作用する。その結果、後述する成膜工程S40bにおいて、切れ目がなく連続的な、膜厚均一性及び平坦性の高いシリコン膜を形成できるようになる。また、後述する成膜工程S40bの前にウエハ200表面を予め改質することで、切れ目がなく、膜厚均一性及び平坦性の高いシリコン膜を、改質前のウエハ200表面の状態に依存することなく形成できるようになる。また、本実施形態では、三塩化ホウ素ガスを供給する際の処理室201内の最大圧力を、例えば大気圧程度にまで高めている。これにより、加熱されたウエハ200の表面全域に三塩化ホウ素ガスを確実に供給させることができ、三塩化ホウ素ガスの熱分解をより促進できるようになる。そして、ウエハ200表面全域を確実かつ均一に改質できるようになり、後述する成膜工程S40bにおいて、切れ目がなく、膜厚均一性及び平坦性が高いシリコン膜を形成できるようになる。なお、改質処理に寄与しないガスや反応生成物等は、筒状空間250を介して排気管231から排気される。成膜工程S40b改質工程S40aを所定時間実施し、ウエハ200表面の改質が完了したら、シリコン含有ガスとしてのシランSiH4ガスの処理室201内への供給を開始する。すなわち、バルブ310aを開き、マスフローコントローラ241aにより流量調整されたシランガスの、ガス供給管232a及びノズル230aを介した処理室201内への供給を開始する。また、シランガスを供給する際、処理室201内への三塩化ホウ素ガスの供給を継続する。すなわち、バルブ310bを開いたままとし、マスフローコントローラ241bにより流量調整された三塩化ホウ素ガスの、ガス供給管232b及びノズル230bを介した処理室201内への供給を継続する。このとき、処理室201内へ供給される窒素ガスは、シランガス及び三塩化ホウ素ガスを希釈する希釈ガスとして機能する。窒素ガスの供給流量を制御することで、シランガス及び三塩化ホウ素ガスの濃度を制御することができる。処理室201内に供給されたシランガス及び三塩化ホウ素ガスは、インナーチューブ204内処理室201内を下方から上方へと流れ、インナーチューブ204とアウターチューブ205との隙間によって形成される筒状空間250内を上方から下方へ流れた後、排気管231からプロセスチューブ203外へと排出される。このとき、シランガスは、加熱された処理室201内を通過することで、或いは、加熱されたウエハ200表面に接触することで熱分解する。シランガスのガス分子が熱分解されることで生じたシリコンSi元素は、改質されたウエハ200表面に堆積する。これにより、ウエハ200上にシリコン膜が形成される。なお、本実施形態では、成膜工程S40bの前に改質工程S40aを実施し、ウエハ200表面を予め改質している。これにより、平坦性の高いシリコン膜を形成することができる。すなわち、ウエハ200表面に予め堆積或いは吸着したホウ素元素や三塩化ホウ素のガス分子は、ウエハ200表面に供給されたシランガスの分解を促進する触媒として作用する。その結果、シランガスの熱分解が促進され、ウエハ200上へのシリコン元素の堆積が促され、切れ目がなく、膜厚均一性及び平坦性が高いシリコン膜を形成できる。また、ウエハ200表面を予め改質することで、改質前のウエハ200表面の状態に依存することなく、平坦性の高いシリコン膜を形成できる。すなわち、改質前のウエハ200表面に例えばSiO2膜、TiO2膜のような酸化膜が形成されていても、或いはシリコン層が露出していても、平坦性の高いシリコン膜を形成できる。また、ホウ素元素や三塩化ホウ素の触媒作用によりシランガスの分解を促進させるようにしているので、ウエハ200の表面成膜面に対向する他のウエハ200上方に積層されたウエハ200の裏面等の状態によらず、平坦性の高いシリコン膜を形成できる。図7に、シラン分子の熱分解が、ウエハ200表面に形成されたホウ素元素含有層の触媒作用により促進される様子を示す。また、本実施形態では、改質工程S40aにて三塩化ホウ素ガスを供給する際の処理室201内の最大圧力を、例えば大気圧程度にまで高めている。これにより、より平坦性の高いシリコン膜を形成できる。すなわち、ウエハ200表面全域が確実かつ均一に改質されているため、切れ目がなく連続的な、膜厚均一性及び平坦性が高いシリコン膜を形成できる。また、本実施形態では、成膜工程S40bにおいて、シランガスと三塩化ホウ素ガスとを処理室201内に同時に供給している。これにより、平坦性の高いシリコン膜を形成できる。すなわち、シランガスと同時に処理室201内に供給された三塩化ホウ素ガスは、加熱された処理室201内を通過することで、或いは、加熱されたウエハ200表面に接触することで少なくとも一部が熱分解する。熱分解されることで生じたホウ素元素や三塩化ホウ素のガス分子は、シランガスの熱分解を促進する触媒として作用する。その結果、シランガスの分解が促進され、ウエハ200上へのシリコン元素の堆積が促され、切れ目がなく連続的な、膜厚均一性及び平坦性の高いシリコン膜を形成できる。また、ホウ素元素や三塩化ホウ素の触媒作用によりシランガスの分解を促進させるようにしているので、ウエハ200の表面成膜面に対向する他のウエハ200上方に積層されたウエハ200の裏面等の状態によらず、平坦性の高いシリコン膜を形成できる。図7に、シラン分子の熱分解が、シランガスと同時に供給された三塩化ホウ素ガスや熱分解により生じたホウ素元素の触媒作用により促進される様子を示す。成膜処理に寄与しないガスや反応生成物等は、筒状空間250を介して排気管231から排気される。所定の時間が経過して所定の膜厚のシリコン膜がウエハ200上に形成されたら、バルブ310a,310bを閉じ、処理室201内へのシランガス及び三塩化ホウ素ガスの供給を停止する。N2パージ工程S50そして、バルブ310cを開いたままの状態とし、処理室201内への窒素ガスの供給を継続しつつ、処理室201内を排気することで、処理室201内をパージする。処理室201内が窒素ガスに置換されたら、APCバルブ242の開度を調整して処理室201内の圧力を常圧に復帰させる。また、ヒータ206への通電を停止し、処理室201内の温度を所定の温度に降温させる。また、回転機構254によるボート217及びウエハ200の回転を停止させる。ウエハ搬出工程S60続いて、ボートエレベータ115によりシールキャップ219を下降させて、マニホールド209の下端を開口させるとともに、処理済のウエハ200を保持したボート217を下降させて、処理室201内からボート217を搬出するボートアンロード。この際、バルブ310cを開いたままの状態とし、処理室201内への窒素ガスの供給を継続する。そして、搬出したボート217から、処理済のウエハ200を取り出したウエハディスチャージ後、バルブ310cを閉じて処理室201内への窒素ガスの供給を停止し、本実施形態にかかる基板処理工程を終了する。なお、本実施形態に係る改質工程S40aの処理条件としては、処理温度:300~500°C、三塩化ホウ素ガスの供給流量:1~1000sccm、窒素ガス希釈ガスの供給流量:1~1000sccm、処理圧力:1~133322Paが例示される。それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内の所定値で一定に維持することで、ウエハ200の表面の改質が行われる。また、本実施形態に係る成膜工程S40bの処理条件としては、処理温度:300~500°C、シランガスの供給流量:500~2000sccm、三塩化ホウ素ガスの供給流量:1~1000sccm、窒素ガス希釈ガスの供給流量:1~1000sccm、処理圧力:1~1333Paが例示される。それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内の所定値で一定に維持することで、ウエハ200上に所定の膜厚のシリコン膜が形成される。なお、切れ目がなく、膜厚均一性及び平坦性が高いシリコン膜を形成するには、少なくとも3nm以上の膜厚とすることが好ましい。3本実施形態に係る効果本発明によれば、以下に示す1つまたは複数の効果を奏する。a本実施形態よれば、成膜工程S40bの前に改質工程S40aを実施し、ウエハ200表面を予め改質している。これにより、平坦性の高いシリコン膜を形成できる。すなわち、ウエハ200表面に予め堆積或いは吸着したホウ素元素や三塩化ホウ素のガス分子は、ウエハ200表面に供給されたシランガスの分解を促進する触媒として作用する。その結果、シランガスの熱分解が促進され、ウエハ200上へのシリコン元素の堆積が促され、切れ目がなく、膜厚均一性及び平坦性が高いシリコン膜を形成できる。また、ウエハ200表面を予め改質することで、改質前のウエハ200表面の状態に依存することなく、平坦性の高いシリコン膜を形成できる。すなわち、改質前のウエハ200表面に例えばSiO2膜、TiO2膜のような酸化膜が形成されていても、或いはシリコン層が露出していても、切れ目がなく、膜厚均一性及び平坦性が高いシリコン膜を形成できる。また、ウエハ200上に堆積させたホウ素元素や三塩化ホウ素の触媒作用によりシランガスの分解を促進させるようにしているので、ウエハ200の表面成膜面に対向する他のウエハ200上方に積層されたウエハ200の裏面等の状態によらず、平坦性の高いシリコン膜を形成できる。b本実施形態によれば、改質工程S40aにおいて三塩化ホウ素ガスを供給する際の処理室201内の最大圧力を、例えば大気圧程度にまで高めている。これにより、加熱されたウエハ200の表面全域に三塩化ホウ素ガスを確実に供給でき、三塩化ホウ素ガスの熱分解をより促進できる。そして、ウエハ200表面全域を確実かつ均一に改質でき、成膜工程S40bにおいて、切れ目がなく、膜厚均一性及び平坦性が高いシリコン膜を形成できる。c本実施形態では、成膜工程S40bにてシランガスと三塩化ホウ素ガスとを同時に処理室201内に供給している。これにより、平坦性の高いシリコン膜を形成できる。すなわち、シランガスと同時に処理室201内に供給された三塩化ホウ素ガスは、加熱された処理室201内を通過することで、或いは、加熱されたウエハ200表面に接触することで少なくとも一部が熱分解する。熱分解されることで生じたホウ素元素や三塩化ホウ素のガス分子は、シランガスの熱分解を促進する触媒として作用する。その結果、シランガスの分解が促進され、ウエハ200上へのシリコン元素の堆積が促され、切れ目がなく連続的な、膜厚均一性及び平坦性の高いシリコン膜を形成できる。また、ホウ素元素や三塩化ホウ素の触媒作用によりシランガスの分解を促進させるようにしているので、ウエハ200の表面成膜面に対向する他のウエハ200上方に積層されたウエハ200の裏面等の状態によらず、平坦性の高いシリコン膜を形成できる。d本実施形態では、上述の触媒作用シランガスと同時に供給された三塩化ホウ素ガスの触媒作用、及びウエハ200表面に形成されたホウ素元素含有層の触媒作用によって、シラン分子をより低温で分解できる。その結果、より低温でのシリコン膜の形成が可能となる。e本実施形態では、上述の触媒作用シランガスと同時に供給された三塩化ホウ素ガスの触媒作用、及びウエハ200表面に形成されたホウ素元素含有層の触媒作用によって、シラン分子の熱分解を促進できる。その結果、シリコン膜の成膜速度を向上させ、基板処理の生産性を向上させることができる。なお、参考までに、従来の基板処理工程を示すフロー図を図8に示す。図8に示すように、従来の基板処理工程では、成膜工程S40’においてウエハ200の表面の改質工程を行うことなく、シリコン膜形成を行っていた。このため、ウエハ200表面の状態に応じてシリコン膜表面の平坦性が低下してしまう場合があった。すなわち、ウエハ200表面に例えばSiO2膜、TiO2膜のような酸化膜が形成されていると、シリコン膜の連続性や膜厚均一性が低下して、表面の平坦性が低下してしまう場合があった。また、複数枚のウエハ200を水平姿勢で積層しつつ各ウエハ200表面上に同時に成膜を行う場合には、成膜面に対向する面すなわち積層された各ウエハの裏面の状態に応じてシリコン膜表面の平坦性が低下してしまう場合があった。本実施例では、上述の実施形態と同様に改質工程及び成膜工程を実施して、ウエハ上にシリコン膜を形成した。また、比較例では、改質工程を行わずに成膜工程のみを実施して、ウエハ上にシリコン膜を形成した。そして、分光エリプソメータを使用してシリコン膜の膜厚を測定し、ウエハ面内膜厚均一性以下、単に膜厚均一性と呼ぶを評価した。図5aは、本発明の実施例及び比較例に係る改質処理条件を示す表図である。No.2~No.5が実施例改質工程ありを、No.1が比較例改質工程なしをそれぞれ示している。図5aに示すように、実施例No.2~No.5における処理温度は350°Cとし、処理時間は30分とし、窒素N2ガスにより5に希釈した三塩化ホウ素BCl3ガスの流量は150~300sccmとし、処理圧力は120~900Paの範囲内とした。また、実施例及び比較例では、ウエハとして、表面に酸化シリコンSiO2膜が、裏面に窒化チタンTiN膜が形成されているウエハを用いた。図4は、実施例及び比較例に係る膜厚測定箇所を示す略図である。図4中の黒丸●は分光エリプソメータによる膜厚測定位置であり、ウエハ全面に亘り49箇所でシリコン膜の膜厚を測定した。そして、以下の式1により膜厚均一性を評価した。なお、式1の膜厚偏差は、ウエハ面内におけるシリコン膜の膜厚分布のばらつきの度合いを示しており、その値が小さいほどウエハ面内における膜厚均一性が良好なことを示している。膜厚偏差=膜厚最大値-膜厚最小値/2×膜厚平均値×100式1図5bは、実施例No.2~5及び比較例No.1に係る膜厚均一性の評価結果を示すグラフ図である。図5bの横軸は処理条件No.を、縦軸はシリコン膜の膜厚偏差を示している。図5bの黒丸●は実施例No.2~5の膜厚偏差を、白丸○は比較例No.1の膜厚偏差をそれぞれ表している。図5bによれば、成膜工程の前に改質工程を実施した実施例●は、いずれも、改質工程を実施せずに成膜工程を実施した比較例○に比べて、膜厚均一性が改善している膜厚偏差が小さいことが分かるNo.2~5とNo.1との比較。これは、ウエハ表面に予め堆積させたホウ素元素等の触媒作用により、シランガスの分解が促進されたためと考えられる。また、三塩化ホウ素ガスの流量が多いほど膜厚均一性が良くなっている膜厚偏差が小さいことがわかるNo.2~No.4の比較。これは、三塩化ホウ素ガスの流量を多くすることで、加熱されたウエハの表面全域に三塩化ホウ素ガスを確実に供給させることができ、ウエハ表面全域を確実かつ均一に改質できたためと考えられる。また、三塩化ホウ素ガスの流量が同じであっても、処理圧力が高いと膜厚均一性が良くなっている膜厚偏差が小さいことがわかるNo.2とNo.3との比較。これは、処理圧力を高くすることで、加熱されたウエハの表面全域に三塩化ホウ素ガスを確実に供給させることができ、ウエハ表面全域を確実かつ均一に改質させることができたためと考えられる。<本発明の他の実施形態>以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、上述の実施形態では、改質工程S40aから成膜工程S40bまで三塩化ホウ素ガスを継続して流し、成膜工程S40bの終了時にシランガス及び三塩化ホウ素ガスの処理室201内への供給を同時に停止しているが、本発明は係る形態に限定されない。例えば、成膜工程S40bを開始する前に三塩化ホウ素ガスの供給を一旦停止してもよい。また、成膜工程S40bでは、シランガスの供給を先に開始するようにしてもよく、また、シランガス及び三塩化ホウ素ガスのうちいずれかのガスの供給を先に停止するようにしてもよい。すなわち、成膜工程S40bでは、シランガス及び三塩化ホウ素ガスの供給期間が少しでも重なっていればよい。また、上述の実施形態ではホウ素含有ガスとして三塩化ホウ素ガスを例示したが、本発明は係る形態に限らず、例えばジボランガスB2H6ガス、三フッ化ホウ素ガスBF3を用いることができる。また上述の実施形態では、シリコン含有ガスとしてモノシランSiH4、略称:MSを例示したが、本発明は係る形態に限らず、例えばモノクロロシランSiH3Cl、略称:MCS、ジクロロシランSiH2Cl2、略称:DCS、ヘキサクロロジシランSi2Cl6、略称:HCD、テトラクロロシランSiCl4、略称:STC、トリクロロシランSiHCl3、略称:TCS等の他のクロロシラン系や、トリシランSi3H8、略称:TS、ジシランSi2H6、略称:DS等の無機原料や、アミノシラン系のテトラキスジメチルアミノシランSi[NCH32]4、略称:4DMAS、トリスジメチルアミノシランSi[NCH32]3H、略称:3DMAS、ビスジエチルアミノシランSi[NC2H52]2H2、略称:2DEAS、ビスターシャリーブチルアミノシランSiH2[NHC4H9]2、略称:BTBASなどの有機原料を用いることができる。また上述の実施形態では、不活性ガスとして窒素N2ガスを例示したが、本発明は係る形態に限らず、例えばヘリウムHeガス、ネオンNeガス、アルゴンArガス等の希ガス等を用いても良く、また窒素ガスとこれらの希ガスとを組み合わせて用いても良い。また、例えば基板としてのウエハ200の表面及び裏面には、酸化シリコンSiO2膜に限らず、例えば、酸化チタンTiO2膜、窒化チタンTiN膜、シリコンSi膜等が形成されていてもよい。また、ウエハ200のシリコン層が露出していてもよい。また例えば、上述の実施形態ではウエハ200の表面上にアモルファスシリコン膜を形成しているが、本発明は係る形態に限らず、例えばウエハ200の表面上にポリシリコン膜等を形成する場合にも好適に適用可能である。また例えば、上述の実施形態では、処理室201内にガスを供給するノズルをマニホールド209と対向する領域に設けたが、本発明は係る形態に限らず、例えば少なくとも一部がヒータ206と対向する領域に設けて、シリコン含有ガス、ホウ素含有ガス、不活性ガスをウエハ200の処理領域にて供給できるようにしても良い。例えばL字型のノズルを1つ以上用いて、ガスを供給する位置をウエハ200の処理領域まで延在させることで、ガスをウエハ200の近傍で供給することができるようにしても良い。また、マニホールド209と対向する領域、又はヒータ206と対向する対向する領域のいずれにおいても、ノズルを設けても良い。また、例えば上述の実施形態では、1つの処理炉202により改質工程S40a及び成膜工程S40bを実施するようにしているが、本発明は係る形態に限らず、それぞれの工程を別々の処理炉にて実施するようにしてもよい。また例えば、上述したように、本発明に係る処理炉202の構成では、シリコン膜をCVD法に形成する構成としているが、本発明は係る形態に限らず、その他のCVD膜及びエピタキシャル膜、例えば窒化シリコン膜SiN膜等を形成する構成に本発明を適用してもよい。また、例えば上述したように、本発明に係る処理炉202の構成では、ウエハ200を複数枚処理するバッチ式装置として構成されているが、本発明は係る形態に限らず、ウエハ200を1枚毎に処理する枚様式装置に本発明を適用してもよい。<本発明の好ましい態様>次に、本発明の好ましい態様を付記する。本発明の一態様によれば、基板が収容される処理室と、前記処理室内に少なくともシリコン含有ガスを供給するシリコン含有ガス供給系と、前記処理室内に少なくともホウ素含有ガスを供給するホウ素含有ガス供給系と、前記基板が収容された前記処理室内に前記ホウ素含有ガス供給系から前記ホウ素含有ガスを供給させ、前記基板の表面を、ホウ素元素が堆積された表面或いはホウ素元素により終端された表面に改質させた後、前記シリコン含有ガス供給系から前記シリコン含有ガスを供給させると共に、前記ホウ素含有ガス供給系から前記ホウ素含有ガスを供給させ、改質された前記基板の表面上にシリコン膜を形成するよう制御する制御部と、を備える基板処理装置が提供される。好ましくは、前記基板の表面を改質させる際、ホウ素含有ガスが供給された前記処理室内の圧力を1Pa以上133322Pa以下の圧力とする。また好ましくは、前記基板の表面を改質させる際、ホウ素含有ガスが供給された前記処理室内の圧力を120Pa以上133322Pa以下の圧力とする。また好ましくは、前記ホウ素含有ガスは、三塩化ホウ素ガス、ジボランガス、三フッ化ホウ素ガスのいずれかを含む。また好ましくは、前記シリコン含有ガスは、シランガス、ジシランガス、ジクロロシランガスのいずれかを含む。また好ましくは、改質前の前記基板の表面は、シリコン、酸化シリコン、酸化チタンのいずれかにより構成されている。また好ましくは、改質前の前記基板の裏面は、シリコン、酸化シリコン、酸化チタンのいずれかにより構成されている。本発明の他の態様によれば、処理室内に基板を搬入する工程と、前記処理室内にホウ素含有ガス供給系からホウ素含有ガスを供給し、前記基板の表面を、ホウ素元素が堆積された表面或いはホウ素元素により終端された表面に改質する工程と、前記処理室内にシリコン含有ガス供給系からシリコン含有ガスを供給させると共に前記ホウ素含有ガス供給系からホウ素含有ガスを供給し、改質された前記基板の表面上にシリコン膜を形成する工程と、シリコン膜が形成された前記基板を前記処理室外へ搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。"