"基体の上に形成され、Ta/M1/M2なる構造M1はfcc[111]結晶配向またはhcp[001]結晶配向を有する金属または合金、M2は前記M1とは異なる金属を有する複合シード層と、前記複合シード層の上に形成され、[Co/Ni]X、[CoFe/Ni]X、[CoFeR/Ni]X、[Co/NiFe]X、[Co/NiCo]X、[CoFe/NiFe]X、または[CoFe/NiCo]Xにより表される積層構造xは5から50の整数であり、CoFe層、CoFeR層またはCo層は、Ni層、NiFe層またはNiCo層よりも薄いを有するスピン注入層と、界面活性層とを含み、前記複合シード層と前記スピン注入層との間に第1の界面が形成されると共に、前記スピン注入層の前記積層構造における各一対の隣接する層間に第2の界面が形成され、前記界面活性層が、前記第1の界面および1つ以上の前記第2の界面の一方または双方に形成されているマイクロ波アシスト磁気記録構造。さらに、前記スピン注入層の上に順次形成された、界面層と、非磁性スペーサ層と、磁界生成層と、キャップ層とを含む請求項1に記載のマイクロ波アシスト磁気記録構造。前記複合シード層の前記M1がチタンTi、前記M2が銅Cuであり、前記Ta層、前記Ti=M1層および前記Cu=M2層が、それぞれ0.5nmから5nmの厚さを有する請求項1に記載のマイクロ波アシスト磁気記録構造。前記第1の界面および1つ以上の前記第2の界面の一方または双方に形成された前記界面活性層が、1原子層以下の厚さを有する酸素層より構成される請求項1に記載のマイクロ波アシスト磁気記録構造。前記非磁性スペーサ層が、GMR構造を構築するための銅Cuを含み、または、TMR構造を構築するためのMgO、AlOx、ZnOもしくはTiOxからなり、前記界面層が、CoFeB、CoFe/CoFeB、またはCoFeB/CoFeからなり、前記磁界生成層が、FeCoを含む請求項2に記載のマイクロ波アシスト磁気記録構造。基体の上に形成され、Ta/M1/M2なる構造M1はfcc[111]結晶配向またはhcp[001]結晶配向を有する金属または合金、M2は前記M1とは異なる金属を有する複合シード層と、前記複合シード層の上に形成され、[Co/Ni]X、[CoFe/Ni]X、[CoFeR/Ni]X、[Co/NiFe]X、[Co/NiCo]X、[CoFe/NiFe]X、または[CoFe/NiCo]Xにより表される積層構造xは5から30の整数であり、CoFe層、CoFeR層またはCo層は、Ni層、NiFe層またはNiCo層よりも薄いを有するリファレンス層と、界面活性層とを含み、前記複合シード層と前記リファレンス層との間に第1の界面が形成されると共に、前記リファレンス層の前記積層構造における各一対の隣接する層間に第2の界面が形成され、前記界面活性層が、前記第1の界面および1つ以上の前記第2の界面の一方または双方に形成されている磁気ランダムアクセスメモリ構造。さらに、前記リファレンス層の上に順次形成された、第1の界面層と、トンネルバリア層と、第2の界面層と、フリー層と、キャップ層とを含む請求項6に記載の磁気ランダムアクセスメモリ構造。前記複合シード層の前記M1がチタンTi、前記M2が銅Cuであり、前記Ta層、前記Ti=M1層および前記Cu=M2層が、それぞれ0.5nmから5nmの厚さを有する請求項6に記載の磁気ランダムアクセスメモリ構造。前記第1の界面および1つ以上の前記第2の界面の一方または双方に形成された前記界面活性層が、1原子層以下の厚さを有する酸素層より構成される請求項6に記載の磁気ランダムアクセスメモリ構造。前記トンネルバリア層が、MgO、AlOx、ZnOまたはTiOxからなり、前記第1および第2の界面層が、CoFeB、CoFe/CoFeB、またはCoFeB/CoFeからなる請求項7に記載の磁気ランダムアクセスメモリ構造。前記フリー層が、[CoFe/Ni]S、[CoFeR/Ni]S、[Co/NiFe]S、[Co/NiCo]S、[CoFe/NiFe]S、または[CoFe/NiCo]Sにより表される積層構造sは3から10の整数であり、CoFe層、CoFeR層またはCo層は、Ni層、NiFe層、またはNiCo層よりも薄いを有する請求項7に記載の磁気ランダムアクセスメモリ構造。再生ヘッドのセンサに隣接して形成されたハードバイアス構造であって、基体の上に形成され、Ta/M1/M2なる構造M1はfcc[111]結晶配向またはhcp[001]結晶配向を有する金属または合金、M2は前記M1とは異なる金属を有する複合シード層と、前記複合シード層の上に形成され、[Co/Ni]X、[CoFe/Ni]X、[CoFeR/Ni]X、[Co/NiFe]X、[Co/NiCo]X、[CoFe/NiFe]X、または[CoFe/NiCo]Xにより表される積層構造xは5から30であり、CoFe層、CoFeR層またはCo層は、Ni層、NiFe層またはNiCo層よりも薄いを有するハードバイアス層と、界面活性層とを含み、前記複合シード層と前記ハードバイアス層との間に第1の界面が形成されると共に、前記ハードバイアス層の前記積層構造における各一対の隣接する層間に第2の界面が形成され、前記界面活性層が、前記第1の界面および1つ以上の前記第2の界面の一方または双方に形成されているハードバイアス構造。さらに、前記ハードバイアス層の上に形成されたキャップ層を含む請求項12に記載のハードバイアス構造。前記複合シード層の前記M1がチタンTi、前記M2が銅Cuであり、前記Ta層、前記Ti=M1層および前記Cu=M2層が、それぞれ0.5nmから5nmの厚さを有する請求項12に記載のハードバイアス構造。前記第1の界面および1つ以上の前記第2の界面の一方または双方に形成された前記界面活性層が、1原子層以下の厚さを有する酸素層より構成される請求項12に記載のハードバイアス構造。基体の上に形成され、Ta/M1/M2なる構造M1はfcc[111]結晶配向またはhcp[001]結晶配向を有する金属または合金、M2は前記M1とは異なる金属を有する複合シード層と、前記複合シード層の上に形成され、[Co/Ni]X、[CoFe/Ni]X、[CoFeR/Ni]X、[Co/NiFe]X、[Co/NiCo]X、[CoFe/NiFe]X、または[CoFe/NiCo]Xにより表される積層構造xは20から60の整数であり、CoFe層、CoFeR層またはCo層は、Ni層、NiFe層またはNiCo層よりも薄いを有する高垂直磁気異方性多層膜と、界面活性層とを含み、前記複合シード層と前記高垂直磁気異方性多層膜との間に第1の界面が形成されると共に、前記高垂直磁気異方性多層膜の前記積層構造における各一対の隣接する層間に第2の界面が形成され、前記界面活性層が、前記第1の界面および1つ以上の前記第2の界面の一方または双方に形成されている垂直磁気媒体。さらに、前記高垂直磁気異方性多層膜の上に形成されたキャップ層を含む請求項16に記載の垂直磁気媒体。前記複合シード層が、最大で10nmの厚さを有するTa/Ti/Cuなる構造を有する請求項16に記載の垂直磁気媒体。前記第1の界面および1つ以上の前記第2の界面の一方または双方に形成された前記界面活性層が、1原子層以下の厚さを有する酸素層より構成される請求項16に記載の垂直磁気媒体。高垂直磁気異方性を有する磁気デバイスの製造方法であって、基体の上に、Ta/M1/M2なる構造M1はfcc[111]結晶配向またはhcp[001]結晶配向を有する金属または合金、M2は前記M1とは異なる金属を有する複合シード層を成膜する工程と、不活性ガスおよび200ワット未満のパワーを含むプラズマ処理、および、前記複合シード層の前記上面に直接または前記プラズマ処理を経て行われる自然酸化処理のうち、少なくとも一方を、前記複合シード層の前記上面に施すことにより、前記複合シード層の上面の平滑性を改善する工程と、前記複合シード層の上に、100sccmよりも高い超高圧の不活性ガスを用いて、[Co/Ni]X、[CoFe/Ni]X、[CoFeR/Ni]X、[Co/NiFe]X、[Co/NiCo]X、[CoFe/NiFe]X、または[CoFe/NiCo]Xにより表される積層構造xは5から50の整数であり、Ni層、NiFe層またはNiCo層の第1の厚さは、Co層、CoFe層またはCoFeR層の第2の厚さよりも厚く、前記NiFe層におけるFe含有量および前記NiCo層におけるCo含有量は0から50[at]を有する高垂直磁気異方性多層膜を成膜する工程とを含む磁気デバイスの製造方法。さらに、前記高垂直磁気異方性多層膜の上にキャップ層を形成する工程を含む請求項20に記載の磁気デバイスの製造方法。さらに、キャップ層を形成したのち、少なくとも180°Cの温度により前記高垂直磁気異方性多層膜を熱処理する工程を含む請求項20に記載の磁気デバイスの製造方法。前記磁気デバイスがマイクロ波アシスト磁気記録構造であり、スピン注入層としての前記高垂直磁気異方性多層膜の上に、界面層と、非磁性スペーサ層と、磁界生成層と、キャップ層とを順次形成する工程をさらに含み、前記熱処理の温度が180°Cから250°Cである請求項22に記載の磁気デバイスの製造方法。前記磁気デバイスが磁気ランダムアクセスメモリ構造であり、リファレンス層としての前記高垂直磁気異方性多層膜の上に、第1の界面層と、トンネルバリア層と、第2の界面層と、フリー層と、キャップ層とを順次形成する工程をさらに含み、前記熱処理の温度が220°Cから400°Cである請求項22に記載の磁気デバイスの製造方法。前記磁気デバイスがハードバイアス構造であり、ハードバイアス層としての前記高垂直磁気異方性多層膜の上にキャップ層を形成する工程をさらに含み、前記熱処理の温度が180°Cから250°Cである請求項22に記載の磁気デバイスの製造方法。前記磁気デバイスが垂直磁気媒体であり、前記高垂直磁気異方性多層膜の上にキャップ層を形成する工程をさらに含み、前記熱処理の温度が180°Cから400°Cである請求項22に記載の磁気デバイスの製造方法。さらに、前記高垂直磁気異方性多層膜の内部に、少なくとも1つの酸素界面活性層を形成する工程を含む請求項22に記載の磁気デバイスの製造方法。しかしながら、上述した文献はいずれも、従来技術において一般的に用いられる、より高コストの[Co/Pt]Yまたは[Co/Pd]Y積層構造の代わりとなる、高性能かつ低コストの垂直磁気異方性を有する積層構造について示唆していない。PMA材料が様々な磁気デバイス用途において広く受け入れられるようにするために、高いPMAおよび高い保磁力Hcを有する低コストの積層構造が必要とされている。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、シード層上に高い保磁力Hcを有する積層構造を積層して多層構造を形成することにより、MRAM、MAMRおよびセンサ等の磁気デバイスにおいて、[Co/Pt]Yや[Co/Pd]Yを用いた従来の積層構造の代わりとなる高性能かつ低コストのPMA積層構造を有するマイクロ波アシスト磁気記録構造、磁気ランダムアクセスメモリ構造、ハードバイアス構造および垂直磁気媒体、ならびにそのようなPMA積層構造を有する磁気デバイスの製造方法を提供することにある。本発明の他の目的は、従来の他のPMA構造により得られるものよりも高いスピン偏極効果と大きな飽和磁気ボリューム単位面積当たりの飽和磁化膜厚Mstとを有する、[Co/Ni]Xまたは[CoFe/Ni]X積層構造を有するマイクロ波アシスト磁気記録構造、磁気ランダムアクセスメモリ構造、ハードバイアス構造および垂直磁気媒体、ならびにそのようなPMA積層構造を有する磁気デバイスの製造方法を提供することにある。本発明の実施の形態によれば、上記目的は、複合シード層を有する積層構造により達成される。この複合シード層は、平滑性を向上させるべく改質された上面と、その上に形成される[Co/Ni]Xまたは[CoZFe/Ni]Xなる多層膜との間の優れた界面とを有する。但し、x=5~50、zは10~100[at原子百分率]である。複合シード層は、好ましくはTa/Ti/Cu構造を有し、下部Ta層は基体に接し、上部Cu層は最上層である。複合シード層は、より滑らかな表面を形成すべく、例えば、不活性ガスを用いたプラズマ処理PTが施され、その表面上に[Co/Ni]Xまたは[CoZFe/Ni]X多層膜が成膜される。他の例として、複合シード層の上面にプラズマ処理を施したのち、薄い酸素界面活性OSL:OxygenSurfactantLayer層を形成するようにしてもよい。さらに他の例として、複合シード層の上面に自然酸化処理NOXのみを行うことにより滑らかな表面を形成し、その表面の上に[Co/Ni]Xまたは[CoZFe/Ni]X多層膜を成膜するようにしてもよい。また、低いエネルギーと高い圧力とを含む成膜プロセスを採用することにより、Co層またはCoFe層とNi層の表面に作用するエネルギーが最小限に抑えられ、これによりPMA多層膜におけるCo層とNi層との間、またはCoFe層とNi層との間の界面が改善される。その結果、その後に成膜される層との界面が改善される。さらに、[Co/Ni]Xまたは[CoZFe/Ni]X多層膜における1つ以上のCo/Ni層またはCoFe/Ni層に対して、次のCo/Ni層またはCoFe/Ni層を成膜する前に自然酸化処理NOXを行うことにより、酸素界面活性層OSLを形成するようにしてもよい。第1の実施の形態では、MAMR構造の中に、下側のシード層と、上側の[Co/Ni]Xまたは[CoZFe/Ni]X多層膜とを含む積層構造が形成される。このシード層の上面には、プラズマ処理または酸化処理を用いた改質処理により、酸素界面活性層が形成されている。さらに、例えば、[Co/Ni]Xまたは[CoZFe/Ni]X多層膜の内部に、1つ以上の酸素界面活性層を形成するようにしてもよい。必要により、シード層の上以外の、PMA多層膜において、1つ以上の酸素界面活性層を形成してもよい。上記MAMR構造は、例えば、シード層/PMA多層膜/界面層/スペーサ層/磁界生成層FGL/キャップ層なる構造を有する。GMR構造の場合、界面層および磁界生成層は、例えばFeCoより構成され、スペーサ層は例えば銅Cuより構成される。TMR構造の場合には、スペーサ層として、例えばMgO,AlOx,TiOx,またはZnO等より構成されたトンネルバリア層を有する。第2の実施の形態は、第1の実施の形態におけるシード層/PMA層積層構造を、例えばMRAMデバイスに用いたものである。この積層構造は、例えばMTJ構造を有する場合、シード層/PMA多層膜/界面層/スペーサ層/界面層/フリー層/キャップ層なる構造を有する。スペーサ層は、MgO等からなるトンネルバリア層である。シード層は下部電極である基体に接し、キャップ層はビット線またはワード線に接していることが好ましい。第3の実施の形態は、シード層/PMA層積層構造を、磁気センサにおけるセンサ積層体例えばMTJ素子に隣接するハードバイアス構造に適用したものである。[Co/Ni]Xまたは[CoZFe/Ni]X多層膜において、x=10~40または5~30とすることにより、所望のMrt残留磁化Mrと磁性層の膜厚tとの積が得られるようにすることが好ましい。この実施の形態では、キャップ層がPMA多層膜の上面に直接形成される。第4の実施の形態は、シード層/PMA多層膜積層構造を磁気媒体に適用したものである。シード層/PMA層積層構造は、下地層または基体の上に成膜される。また、第3の実施の形態と同様に、PMA多層膜の上面の上に形成されたキャップ層を有する。この実施の形態では、複合シード層における例えばTi層の厚さを増加させることにより、さらに高い保磁力Hcが得られる。PMA多層膜として、[Co/Ni]Xまたは[CoZFe/Ni]Xなる多層膜を作用する場合、xの範囲は20~60程度である。なお、本出願は、本出願人による米国特許出願公開第2009/0257151号、米国特許出願第12/456935号、および米国特許出願第12/589614号に関連するものであり、これらのすべてを本出願に組み入れて考慮すべきである。本発明によれば、Ta/M1/M2なる構造の複合シード層の上に、[CoFe/Ni]X等の構造をもつスピン注入層または、リファレンス層、ハードバイアス層、高PMA多層膜を形成し、複合シード層とスピン注入層との間の第1の界面、および、スピン注入層の積層構造内の各一対の隣接層間における1以上の第2の界面のうち、一方または双方に界面活性層を形成するようにしたので、高い垂直磁気異方性高PMAを得ることができる。また、よりコスト高な[Co/Pt]Y系や[Co/Pd]Y系と比較して、各種デバイス用途においてそれら以上の性能をもたらすことが可能な高い保磁力Hcを得ることができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。本発明の実施の形態に係る積層構造は、各実施の形態において説明されるように、シード層と、この上部の[Co/Ni]Xまたは[CoZFe/Ni]X多層膜とを備え、マイクロ波アシスト磁気記録MAMR、磁気メモリMRAM、センサおよび磁気媒体等の磁気デバイスにおいて高い垂直磁気異方性PMAをもたらすものである。以下に説明する実施の形態はまた、[Co/Ni]Xまたは[CoZFe/Ni]X多層膜における保磁力Hcの値を増加させる各種方法を提供するものである。本発明の実施の形態は、例えば、MAMR用のボトム型のスピントルク発振器STOや、MRAM用のボトムスピンバルブ構造に用いられる場合を示している。ただし、本実施の形態において説明される高いPMAを有する積層構造は、例えば、トップ型のスピントルク発振器や、MRAMデバイスにおけるトップスピンバルブ構造またはデュアルスピンバルブ構造に導入することもできる。本出願人は、米国特許出願公開第2009/0257151号明細書において、MRAMの用途としてのPMAを有するCo/Ni積層構造の利点について開示している。[Co/Ni]X積層構造x=5~50の磁気異方性は、Co原子およびNi原子が有する3d電子と4s電子とのスピン軌道相互作用により生じる。このスピン軌道相互作用は、[111]方向に配列している結晶軸に対して異方性をもつ軌道モーメントを発生させるとともに、軌道モーメントをもったスピンモーメントの配列をもたらす。本出願人はまた、米国特許出願番号第12/589614号明細書において、[CoZFe/Ni]X積層構造およびこれに関連した積層構造について、同様なPMAの振る舞いを記載している。積層構造のPMAは、Ta/M1/M2構造またはTa/M1構造を有する複合シード層を用いることにより改善される。この場合、M1は、fcc[111]結晶配向またはhcp[001]結晶配向を有する金属または合金であり、例えば、Ruルテニウム,Tiチタン,Zrジルコニウム,Hfハフニウム,NiCrまたはNiFeCr等である。M2は、例えば、Cu銅,Tiチタン,Pdパラジウム,Wタングステン,Rhロジウム,Au金またはAg銀であり、M1とは異なる金属である。複合シード層のTa層、M1層およびM2層は、それらの上側の層におけるfcc[111]結晶構造の表面組織を向上させる上で、極めて重要である。特に、Ta/Ti/Cuより構成されるシード層は、その上に形成される多層膜におけるPMAと保磁力Hcとを向上させる上で、特に効果的であることが判明している。[Co/Ni]Xまたは[CoZFe/Ni]Xなる多層膜等からなる積層構造は、従来より用いられている[Co/Pt]Y系や[Co/Pd]Y系よりも、高いスピン偏極、低い所有権コスト、およびハードバイアスHB層を含む特定の用途において大きな飽和磁気ボリュームMstが発揮されるといった、優れた特性を有している。しかしながら、[Co/Ni]Xまたは[CoZFe/Ni]Xなる多層膜は、[Co/Pt]Y系や[Co/Pd]Y系と比較して、固有保磁力Hcが低いという不具合を有している。保磁力Hcの値が低いことは、漂遊磁界に対するロバスト性が不十分となり、結果として[Co/Ni]Xまたは[CoZFe/Ni]Xなる多層膜をデバイス用途に幅広く用いることの妨げとなっている。そこで、本出願人は、[Co/Ni]X多層膜、[CoZFe/Ni]X多層膜および関連する多層膜について、PMAと保磁力Hcとを飛躍的に改善することを目指した。上記の多層膜に固有のPMAは、CoまたはCoFe原子およびNi原子が有する3d電子と4s電子との界面スピン軌道相互作用に由来することから、[Co/Ni]X多層膜および[CoZFe/Ni]X多層膜において、互いに隣接する一組の層例えばCo/Niと一組の層例えばCo/Niとの間の界面をさらに改善する必要がある。例えば、[Co/Ni]X多層膜の場合、x-1の数の界面が存在している。本出願人は、シード層/[Co/Ni]Xなる多層構造、およびシード層/[CoZFe/Ni]Xなる多層構造において、PMAと保磁力Hcとを増加させるための3つの方法を発見した。これらの方法は、単独または互いに組み合わせて用いることができる。以下、これらの方法により作製された高いPMAを有する積層構造を磁気デバイスや磁気媒体に適用した場合の各種実施の形態について説明する。[第1の実施の形態]図2は、本発明の第1の実施の形態に係るMAMRマイクロ波アシスト磁気記録構造20を示す断面図である。このMAMR構造20は、例えば、ボトム型最下部にスピン注入層SIL:SpinInjectionLayerが設けられたもののMAMR構造であり、基体21の上に、複合シード層22と、PMA多層膜以下、リファレンス層またはスピン注入層とも呼ぶ。23と、界面層24と、スペーサ層25と、磁界生成層FGL:FieldGenerationLayer26と、キャップ層27とが順次形成された構造を有している。基体21は、例えば、第1の電極としての機能を有している。複合シード層22は、好ましくはTa/Ti/Cu構造を有している。ただし、本出願の関連出願である上記米国特許出願番号第12/589614において記載されている他の材料も好適である。下部Ta層は、基体21に接しており、例えば、0.5nm~5nm、好ましくは1.0nmの厚さを有している。中間Ti層は、0.5nm~5nm、好ましくは3nmの厚さを有している。上部Cu層は、0.5nm~5nm、好ましくは2nm~3nmの厚さを有している。本出願人は、PMA多層膜23を成膜する前に、プラズマ処理PT:PlasmaTreatmentを行うことにより、複合シード層22の平滑性が著しく向上することを見出した。プラズマ処理は、複合シード層22の最上層から約0.5nm未満の部分を喪失させて表面トポグラフィーを減らすように作用する。プラズマ処理は、例えば、約15sccm標準立方センチメートル毎分~450sccmの流速の不活性ガスAr等と、約200ワット未満のパワーとを用いて、約10秒~100秒間行う。その結果、この複合シード層22と、続いて成膜されるPMA多層膜23における[Co/Ni]層または[CoFe/Ni]層との間に、改善された界面が形成されることになる。さらに、このプラズマ処理を行ったのち、よりいっそう平滑な表面を有する複合シード層22を形成するために、第2の表面処理を行うようにしてもよい。特に、プラズマ処理後の複合シード層22の表面に、およそ1酸素原子層分の厚さ以下の厚さを有すると考えられる極めて薄い酸素界面活性層OSL:OxygenSurfactantLayerが形成される。本質的に、酸素界面活性層は、自然酸化NOX:NaturalOxidation法を行うことにより形成される。自然酸化処理は、例えば、スパッタ装置の酸素チャンバ内で、約0.01sccm~0.2sccmの酸素流量を用いて、約1秒~200秒間行われる。なお、例えば、プラズマ処理を、スパッタ成膜装置のスパッタエッチングチャンバ内で行い、自然酸化処理を、同一のスパッタ成膜装置の酸素チャンバ内で行うことにより、スループットを向上させるようにしてもよい。他の例として、プラズマ処理と自然酸化処理のいずれか一方を、複合シード層22を処理する単一の方法として用いることにより、PMA多層膜23を成膜する前に複合シード層22の平滑性を向上させてもよい。ただし、後述の実施例における各種サンプルから得られた保磁力Hcに関するデータが示すように、通常は、2つの処理を組み合わせることにより、プラズマ処理または自然酸化処理のみを用いた場合よりも高い値の保磁力Hcを生じさせることが可能である。複合シード層22の上には、[Co/Ni]Xまたは[CoFeZ/Ni]Xなる積層構造を有するPMA多層膜23が形成されている。ここで、zは0~90である。xは5~50、好ましくは10~30である。PMA多層膜23における各Co層またはCoFe層の厚さt1は、0.05nm~0.5nmであり、好ましくは0.15nm~0.3nmである。PMA多層膜23の各Ni層の厚さt2は、0.2nm~1.0nmであり、好ましくは0.35nm~0.8nmである。Ni層の厚さt2は、Co層またはCoFe層の厚さt1よりも大きくするのが好ましく、特にt2=2×t1とするのがより好ましい。隣接するCo層とNi層との間CoFe層とNi層との間のスピン軌道相互作用を最適化するためである。見方によれば、Co層CoFe層の厚さt1が約0.2nm以下である場合、Co層CoFe層は最密充填層closepackedlayerとして考えることができ、この場合、必ずしも[111]結晶配向を有しているとは限らない。本発明は、PMA多層膜23が[Cot1/NiFet2]X、[Cot1/NiCot2]X、[CoFet1/NiFet2]X、または[CoFet1/NiCot2]Xにより表される組成を有するという実施の形態をも包含している。この場合、NiCo層におけるCo含有量およびNiFe層におけるFe含有量は、それぞれ、0~50[at]である。他の例として、PMA多層膜23は、CoFeR/NiXにより表される組成を有してもよい。この場合、Rは、ルテニウムRu,ロジウムRh,パラジウムPd,チタンTi,Zrジルコニウム,Hfハフニウム,ニッケルNi,クロムCr,マグネシウムMg,マンガンMn,または銅Cu等の金属である。CoFeR合金におけるRの含有量は、好ましくは10[at]未満であり、CoFeR層の厚さは厚さt1である。本出願人は、[Co/Ni]Xまたは[CoFeZ/Ni]Xなる多層膜を含むシード層22/PMA多層膜23積層構造における保磁力Hcを改善するための別の方法を発見した。先の出願では、低いパワーおよび高圧を用いた[Co/Ni]Xの成膜方法を採用することにより、Co層とNi層との間の界面を保つようにした。本出願人はさらなる鋭意努力を重ねた結果、圧力を100sccmよりも大幅に高く増加させることが、保磁力Hcを著しく上昇させる上で重要な役割を果たしていることを見出した。すなわち、[Co/Ni]Xまたは[CoFeZ/Ni]Xを成膜する際に、100~500sccmの超高圧のアルゴンガスを用いることにより、保磁力Hcを30以上増加させることができる。さらに、上述した自然酸化法を用いることにより、PMA多層膜23を構成する1つ以上の[Co/Ni]層または[CoFe/Ni]層の表面を改善するようにしてもよい。自然酸化法を用いて形成された酸素界面活性層は、複合シード層22と[Co/Ni]層または[CoFe/Ni]層との間の界面を改善するのみならず、PMA多層膜23における、互いに隣接する[Co/Ni]層間または[CoFe/Ni]層間の界面をも改善する。なお、所望の保磁力Hcを得るためには、必ずしも[Co/Ni]X積層膜のすべての[Co/Ni]に対して自然酸化法を行う必要はない。例えば、各n番目の[Co/Ni]層nは、1よりも大きい整数のみに対して、後続の[Co/Ni]層を成膜する前に自然酸化処理を行うようにしてもよい。自然酸化処理は、Co層CoFe層とNi層のいずれかに対して行われる。すなわち、[Co/Ni]層を作製するための工程は、Co成膜/自然酸化処理/Ni成膜、または、Co成膜/Ni成膜/自然酸化処理、という手順を経ることになる。本発明の実施の形態では、複合シード層22に対して行われるプラズマ処理もしくは自然酸化処理、または、PMA多層膜23における1つ以上の層に対して行われる自然酸化処理を含む、少なくとも1つの表面改質処理を行うことにより、複合シード層22と、PMA多層膜23との界面を改善し、または、PMA多層膜23における互いに隣接する[Co/Ni]層間もしくは[CoFe/Ni]層間の界面を改善することができる。他の例として、[Co/Ni]Xまたは[CoFeZ/Ni]Xの成膜の際に超高圧のアルゴンガスを用いることにより、複合シード層/PMA多層膜なる積層構造を備えた磁気デバイスにおける保磁力Hcを向上させることができる。超高圧を用いることにより、CoまたはCoFeの表面またはNiの表面に作用するエネルギーが最小限に抑えられ、これにより隣接するCo層とNi層との間に形成される界面、または隣接するCoFe層とNi層との間に形成される界面を保つことができる。さらに他の例として、プラズマ処理または自然酸化処理を含む1つ以上の表面改質法と、PMA多層膜における[Co/Ni]層または[CoFe/Ni]層を超高圧下で成膜する方法とを組み合わせて用いることも可能である。PMA多層膜23の上には界面層24が形成されている。界面層24は、この界面層24の上に形成されるスペーサ層25の均一な成長を促進させ、より高いスピン偏極が得られるようにする役割を果たしている。界面層24は、例えば、0.5nmから2nm厚のCoFeからなる強磁性層である。または、界面層24を、例えば、CoFeB/CoFeなる複合構造図示せずとしてもよい。この場合、PMA多層膜23と接する下部CoFeB層は、0.5nmから2nmの厚さを有し、スペーサ層25と接する上部CoFe層は、0.2nmから0.8nmの厚さを有する。また、上部CoFe層は、PMA多層膜23におけるCoFeZ層と同じ含有量の鉄Feを含んでもよい。必要に応じて、界面層24が、CoFe/CoFeBなる複合構造を有するようにしてもよい。界面層24の上には、非磁性のスペーサ層25が形成されている。スペーサ層25は、GMR構造の場合、例えば、銅Cuまたは他の高い導電率を有する金属もしくは金属合金より構成される。このGMR構造は、電流制限パスCCP:CurrentConfiningPath構造を有してもよい。CCP-GMR構造は、金属パスを内部に有する絶縁層が、銅Cu等よりなる2つの金属層により挟まれたものである。他の例として、TMR構造の場合、スペーサ層25は、MgO,AlOx,TiOx,ZnO等の誘電材料、または他の金属酸化物もしくは金属窒化物により構成されている。なお、スペーサ層25の上に、図示しない第2の界面層を形成することにより、スピントランスファー発振器STOにおけるより高いスピン偏極を促すようにしてもよい。この第2の界面層は、CoFeB層、またはCoFeとCoFeBとを有する複合層により構成される強磁性層である。CoFe/CoFeB複合層の場合、下部CoFe層は、スペーサ層25に接し、上部CoFeB層は、その上に形成される磁界生成層26に接する。この場合、第2の界面層のCoFeB層およびCoFe層は、それぞれ、界面層24第1の界面層におけるCoFeB層およびCoFe層と同様の厚さを有している。必要に応じて、磁界生成層FGL26を、図2のようにスペーサ層25の上に直接形成するようにしてもよい。磁界生成層26は、例えば、FeCo等からなる磁性強磁性層である。磁界生成層26は、十分なスピントルクが印加された際に、磁気モーメントが磁化容易軸図示せずに沿って一方向から反対方向へとスイッチング可能な発振層として機能する。PMA多層膜23は、この磁界生成層26と強磁性結合している。他の例として、磁界生成層26が、例えば、[Co/Ni]Sまたは[CoFeZ/Ni]Sにより表される積層構造を有するようにしてもよい。ここで、zは0~90[at]であり、sは3~10好ましくは3~5である。例えば、磁界生成層26について選択されるzの値は、PMA多層膜23において用いられるzの値と同じである。ただし、磁界生成層26を構成する各層のCo含有量は、本実施の形態の複合シード層22/PMA多層膜23積層構造により得られる利益を犠牲にしない範囲で、PMA多層膜23を構成する各層のCo含有量と異なるようにしてもよい。なお、磁界生成層26は、垂直磁気異方性を形成するためのシード層を別途設けることを必要とせず、また、PMA多層膜23における[111]結晶配向とは異なる結晶構造を有してもよい。MAMR構造20の最上層には、キャップ層複合キャップ層27が設けられている。このキャップ層27は、例えば、Ru/Ta/Ru構造を有し、上部のRu層は、酸化を防止すると共に、その上に形成される第2の電極図示せずに対して優れた導通を図るために用いられる。必要に応じて、当該技術分野で用いられる他の材料を、キャップ層27に用いてもよい。本実施の形態に係る上記複合シード層22/PMA多層膜23積層構造の形成方法は、キャップ層27を成膜した後に熱処理を行う工程を含んでいる。この熱処理工程は、150~から300°C、好ましくは180~250°Cの範囲の温度で、0.5時間~5時間にわたって行われる。こののち、周知の方法を用いてMAMR構造20をパターニングすることにより、基体21の上に複数のMAMR素子を形成する。なお、後述する実施例の実験データは、この熱処理を行うことにより保磁力Hcがさらに著しく増加することを示している。図2に示したMAMR構造20におけるスピントランスファー発振器STO構造29は、例えば、図11に示したようなSTO型の記録ヘッド80の一部として形成される。この実施の形態において、記録ヘッド80は一体型記録再生ヘッドの一部として設けられている。すなわち、この一体型記録再生ヘッドは、再生ヘッド75と記録ヘッド80とを一体に形成したものである。再生ヘッド75は、上部シールド74aおよび下部シールド74bと、これらのシールド74a,74b間に設けられたセンサ73とを有している。記録ヘッド80は、主磁極76と、トレーリングシールド77と、STO構造60に電流を注入するための配線78とを備えている。この図では、STO構造29はボトム型構造を有し、主磁極76に近い側に積層リファレンス層としてのPMA多層膜23が位置している。この積層リファレンス層の磁化方向は、媒体の移動方向と同じ方向を向いている。発振層磁界生成層26は、図中、STO構造29における2つの矢印および円状の点線を有する層として表されているように、積層リファレンス層PMA多層膜23よりも第1電極側トレーリングシールド77側に形成され、回転自在な磁化方向を有している。図示しない他の例では、STO構造29における磁界生成層26の位置とPMA多層膜23の位置とを入れ換えることにより、トップ型のSTO構造を有するようにしてもよい。[第2の実施の形態]図3は、本発明の実施の形態に係るシード層/PMA多層膜積層構造を有するMRAM磁気ランダムアクセスメモリ構造30を示す断面図である。本実施の形態の基板31は、例えばボトム電極層である。ここで示した例では、MRAM構造30は、基体31の上に、複合シード層22と、リファレンス層として機能するPMA多層膜23と、第1の界面層32と、トンネルバリア層33と、第2の界面層34と、フリー層35と、キャップ層27とを順次形成してなるボトム型スピンバルブ構造を有する。複合シード層22およびPMA多層膜23は、上記実施の形態MAMR構造20の場合と同様の材料を用いて同様の厚さに形成され、同様の方法により作製されている。具体的には、複合シード層22は、例えばTa/Ti/Cu構造各層の厚さは0.5nm~5nm程度を有し、PMA多層膜23の形成前に、プラズマ処理および自然酸化処理のうちの少なくとも一方が施されている。また、PMA多層膜23は、[Co/Ni]X、[CoFe/Ni]X、[CoFeR/Ni]X、[Co/NiFe]X、[Co/NiCo]X、[CoFe/NiFe]X、または[CoFe/NiCo]X等の積層構造xは5から50、好ましくは5から30の整数であり、CoFe層、CoFeR層またはCo層は、Ni層、NiFe層またはNiCo層よりも薄いを有するリファレンス層である。第1の界面層32は、この第1の界面層32の上に形成されるトンネルバリア層33の均一な成長を促進し、より高いスピン偏極が得られるようにする役割を果たすものであり、例えば、0.5nm~2nm程度の厚さCoFeBからなる強磁性層である。あるいは、第1の界面層32を、例えば、CoFeB/CoFeなる複合体図示せずとして構成してもよい。この場合、PMA多層膜23と接する下部CoFeB層は、例えば0.5nm~2nm程度の厚さを有し、トンネルバリア層33と接する上部CoFe層は、例えば0.2nm~0.8nm程度の厚さを有する。なお、第1の界面層32は、CoFe/CoFeBなる構造であってもよい。第1の界面層32の上には、トンネルバリア層33が形成されている。このトンネルバリア層33は、MgOにより構成するのが好ましいが、例えば、AlOx,TiOxおよびZnO等の本技術分野において用いられている他の非磁性トンネルバリア材料を用いてもよい。MgO層は、本出願人による米国特許出願公開第2007/0111332号明細書および米国特許出願公開第2007/0148786号明細書に記載されているように、PMA多層膜23この場合では、PMA多層膜23に接する第1の界面層32の上に、第1のMg層を成膜したのち自然酸化処理を行い、最後にこの酸化させた第1のMg層の上に、第2のMg層を成膜することにより作製される。このトンネルバリア層33は、後続の熱処理によってほぼ均一なMgO層となる。MRAM構造30におけるより高いスピン偏極を促進するために、トンネルバリア層33の上に第2の界面層34を形成することが好ましい。本実施の形態では、第2の界面層34は、例えば、第1の界面層32と同じ材料組成および厚さを有する。したがって、第2の界面層34としては、CoFeB、CoFeB/CoFe、またはCoFe/CoFeBという構造が望ましい。本実施の形態において、第2の界面層34の上には、フリー層35が形成されている。フリー層35は、例えば、CoFe、CoFeB、またはそれらの組み合わせにより構成されている。他の例として、フリー層35は、CoFe/NiFeなる積層構造を有してもよい。さらに他の例として、フリー層35は、[Co/Ni]S、[CoFeZ/Ni]S、[CoFe/NiFe]S、[Co/NiFe]S、[Co/NiCo]S、または[CoFe/NiCo]Sなる積層構造を有してもよい。ここで、zは0~90[at]であり、sは3~10好ましくは3~5である。他の例として、フリー層35を省略し、第2の界面層34をフリー層35として機能させるようにしてもよい。この場合、例えば、第2の界面層34の厚さを調整することにより、結果としてMRAM構造30において得られるスピンバルブ構造の磁気特性を最適化することができる。キャップ層27は、スピンバルブ構造の最上層として設けられている。キャップ層27は、例えばRu/Ta/Ru構造を有し、上部のRu層は、酸化を防止すると共に、その上に形成される上部電極図示せずに対して優れた導通を図るために用いられる。薄いRu層をSTT-MRAM用途としてキャップ層27に用いた場合、Ruルテニウムの強力なスピン散乱効果に起因して、臨界電流密度Jcが著しく低下する。臨界電流密度は、90nm技術ノード90nmtechnologynode以降のスピントランスファー磁化反転にも適合するように、約106A/cm2であることが好ましい。臨界電流密度の値がこれよりも高いと、AlOxやMgO等の薄いトンネルバリア層を破壊する可能性もある。Ta層は、例えば、後続の処理工程においてエッチングのストップ層として機能すべく設けられている。必要に応じて、当該技術分野で用いられる他の材料を、キャップ層27に用いてもよい。MRAM構造30のすべての層を成膜したのち、例えば220~400°C、好ましくは250~360°Cの範囲で、2時間~5時間にわたる熱処理を行う。こののち、周知の方法を用いてMRAM構造30をパターニングおよびエッチングすることにより、基体31の上に複数のMRAMセルを形成する。本実施の形態では、下部電極としての基体31は、MRAM構造30と同時にパターンングされる。したがって、MRAMアレイの各MRAMセルの下には、下部電極が形成されている。[第3の実施の形態]図4は、第3の実施の形態を示すものであり、センサを安定させるためのハードバイアス構造に上記のシード層/PMA層積層構造を導入した例である。この図は、再生ヘッド構造50の内部に設けられたセンサ積層体38を、エアベアリングABS面から見た図である。図示しない基体例えば、セラミック等の上には、下部シールド41例えば、ニッケル鉄合金等が形成されている。この下部シールド41の上には、パターニングされたスピンバルブ素子センサ積層体38が周知の方法を用いて形成されている。このセンサ積層体38は、フリー層図示せずを有し、ボトム型スピンバルブ構造、トップ型スピンバルブ構造、またはデュアル型スピンバルブ構造を有している。センサ積層体38の各層は、下部シールド41の上面41sに平行な面内に形成された上面を有している。センサ積層体38は、説明を省略する周知の方法を用いて作製された上面38aおよびサイドウォール43を有している。センサ積層体38の上面38aは、上面視図示せずで円形、楕円形、または多角形の外観を呈している。図4のハードバイアス構造47は、下部シールド41の上に形成された絶縁層部分42aと、サイドウォール43に沿った絶縁層部分42bとを含む絶縁層42を含む。この絶縁層42は、例えばAlOxまたは他の絶縁材料より構成される。絶縁層部分42a,42bの上には複合シード層22が形成されている。複合シード層22は、好ましくはTa/Ti/Cu各層の厚さは0.5nm5nm程度より構成される。なお、上述した他の構成を複合シード層22に用いてもよい。複合シード層22の上には、ハードバイアス層としての役割を果たすPMA多層膜23が設けられている。このPMA多層膜23は、好ましくは、上記各実施の形態において説明した高い垂直磁気異方性を有する[Co/Ni]x、[CoFeZ/Ni]x、[CoFe/NiFe]x、[Co/NiFe]x、[Co/NiCo]x、または[CoFe/NiCo]xなる構造x=5~30を有している。矢印40aは、絶縁層部分42aの上方のシード層22の上に形成されたハードバイアスHB粒子の磁化容易軸を示し、矢印40bは、絶縁層部分42bの上方のシード層22の上に形成されたハードバイアスHB粒子の磁化容易軸を示す。これらの磁化容易軸矢印40a,40bは、その下の複合シード層22に対して垂直方向に配向しているため、x軸方向左右の方向に沿って、ハードバイアス材料の異方性磁界を打ち負かすだけの強い面内長手磁界を印加することにより、ハードバイアス層の磁化方向が印加磁界と同じ方向に配列し、PMA多層膜23ハードバイアス層が初期化される。磁界の印加を停止させたのち、ハードバイアスHB粒子の磁化は、縦方向に対してより小さな角度を有する一軸磁化容易軸方向へと落ち着く。このハードバイアス層の初期化は、好ましくは上部シールド45が形成された後に行われる。サイドウォール43に沿って成長したハードバイアス粒子の磁化方向は、磁化容易軸方向に沿いつつサイドウォール43を指し示す方向に配向する。したがって、PMA多層膜23ハードバイアス層から生ずる電荷図示せずは、主に、サイドウォール43に沿った領域46内のHBエッジ粒子に由来する表面電荷である。このような電荷配置は、実際上、センサ積層体38およびその内部のフリー層に強力なハードバイアス磁界を発生させる上で最良の状態である。電荷がサイドウォール43に最も近接する位置にあり、電荷からの立体角図示せずが最大となるからである。特に、本実施の形態に係るシード層/PMA層積層構造のハードバイアス層は、高い保磁力Hcおよび高い飽和磁気ボリュームMstを、一般的にプラチナPtを含む従来のハードバイアス層よりも低コストで得ることができる点で有利である。センサ積層体38の上面38sと同一平面上に位置する上面23sに沿った部分以外の領域におけるPMA多層膜23ハードバイアス層の上には、キャップ層27が形成されている。このキャップ層27および上面23s,38sの上に、絶縁材料からなるコンフォーマルなギャップ層44が形成され、これにより、センサ積層体38およびハードバイアス構造47が上部シールド45から隔離されている。センサ積層体38は、MRAM構造やMAMR構造と比較して高い温度による熱処理に対してより敏感であるため、キャップ層27を形成した後に行う熱処理は、180~250°C程度の低い温度を維持した上で0.5時間~5時間程度行うことが好ましい。なお、複合シード層22とPMA多層膜23ハードバイアス層とを有する上記ハードバイアス構造47は、図4に示したもの以外のハードバイアス安定化構造に用いてもよい。[第4の実施の形態]図5は、第4の実施の形態を表すもので、上記のシード層/PMA層積層構造を、磁気記録および磁気データ記憶に用いられる垂直磁気媒体に導入した例を示す。本実施の形態の垂直磁気媒体60は、基体61と、この上に順次形成された、軟磁性下地材62、複合シード層22、PMA多層膜23およびキャップ層27とを有する。なお、本実施の形態は他の垂直磁気媒体構造に適用することもできるが、あくまでも主要な特徴は、20000[Oe]=2×107/4π[A/m]よりも高い優れた異方性磁界Hkと、3000[Oe]=3×106/4π[A/m]よりも高い保磁力Hcと、5×106[erg/cc]=5×105[Jm2]よりも高い異方性定数Kuと、調整可能なMrt残留磁化Mrと磁性層の膜厚tとの積とがもたらされる、好ましい粒間交換結合を有する複合シード層22と、PMA多層膜23と、キャップ層27とを有する積層構造にある。複合シード層22がTa/Ti/Cuからなる場合、通常は、その全体の厚さを10nm以下とする。但し、Ti層の厚さを最大で10nmまで増加させることにより、上記のMAMR構造、MRAM構造およびハードバイアス構造の場合よりも高い保磁力Hcを得ることができる。[Co/Ni]x、[CoFeZ/Ni]x、[CoFe/NiFe]x、[Co/NiFe]x、[Co/NiCo]x、または[CoFe/NiCo]xより構成されるPMA多層膜23において、xは、上記各実施の形態の場合よりも高い20~60程度の値を有してもよい。キャップ層27は、例えばRu/Ta/Ruなる構成を有する。但し、本技術分野において用いられている他のキャップ層材料を用いてもよい。垂直磁気媒体60のすべての層を成膜したのち、例えば180~400°C、好ましくは200~360°Cの範囲で、2時間から5時間にわたって熱処理を行う。Ta/Ru/Cuなる構造の複合シード層を、実施の形態において説明したTa/Ti/Cuなる構造の複合シード層に置き換えた場合における、PMAの大きさと保磁力Hcの改善を示すために、以下の実験を行った。図6は、その実験結果を表すものである。試料振動型磁力計VSM:VibratingSampleMagnometerを用いて磁化曲線MH曲線からPMAの値を得るために、Ta1.0/Ru2.0/Cu2.0複合シード層と、[Co0.2/Ni0.5]15積層膜と、Ru1.0/Ta4.0/Ru3.0キャップ層とを有する部分スピンバルブ構造を、基準サンプルとして作製した。なお、各元素記号に続く数値は膜厚単位nmを示す。以下、同様である。また、基準サンプルにおけるTa/Ru/Cu複合シード層を、実施の形態に係るTa1.0/Ti2.0/Cu2.0複合シード層に置き換えたものを、実施例サンプルとして作製した。これらの各サンプルを、220°Cの温度で2時間にわたって熱処理した。図6は、これらの2つのサンプルについて測定された磁界保磁力HcのPMA成分を示している。これらの結果から、保磁力Hcは、例えば、基準サンプル図6aの580[Oe]=5.8×105/4π[A/m]から、Ta/Ti/Cuシード層を有する実施例サンプル図6bについての1150[Oe]=11.5×105/4π[A/m]へと増加することがわかる。同様に、Ta/Ti/Cuシード層を有する実施例サンプルについては、より高い異方性磁界Hk図示せずが得られた。第2の実験では、実施の形態に係る[Co/Ni]x積層膜の成膜時に超高ガス圧を用いた場合における保磁力Hcの改善を示すために、複合シード層/PMA多層膜/キャップ層なる構成を有する部分スピンバルブ構造を作製した。図7は、その実験結果を表すものである。基準サンプルとして、Ta1.0/Ti3.0/Cu3.0/[Co0.2/Ni0.5]15/Ru1.0/Ta4.0/Ru3.0なる積層構造を作製した。このサンプルでは、各Co層および各Ni層は、100sccmの流速のアルゴンArガスを用いて成膜した。また、同じ組成を有すると共に500sccmの超高流速のアルゴンガスを用いて成膜した実施例サンプルを用意した。図7aのグラフから、220°C、5時間の条件による熱処理を経た基準サンプルの積層構造の保磁力Hcは、垂直磁界について1545[Oe]=15.45×105/4π[A/m]であることがわかる。これに対し、図7bのグラフから、超高圧を用いて作製された同一の条件による熱処理を経た実施例サンプルの保磁力Hcは、2130[Oe]=21.3×105/4π[A/m]であることがわかる。次に、[Ta/Ti/Cu]なる構造を有する複合シード層に対して上記のプラズマ処理または自然酸化処理を施した場合の効果を確認するために4つのサンプルを作成し、第3の実験を行った。図8は、その実験結果を表すものである。図8aに示す基準サンプルとして、Ta1.0/Ti3.0/Cu3.0/[Co0.2/Ni0.5]15/Ru1.0/Ta4.0/Ru3.0なる部分スピンバルブ構造を、超高圧を用いて作製した。このサンプルでは、[Co/Ni]15積層膜の成膜前に複合シード層へのプラズマ処理または自然酸化処理を施してはいない。なお、この基準サンプルは図7bに示したサンプルと同じものである。第2の実施例サンプルとして、Ta1.0/Ti3.0/Cu3.0/PT/[Co0.2/Ni0.5]15/Ru1.0/Ta4.0/Ru3.0なる積層構造を作製した。このサンプルでは、[Co/Ni]15積層膜とキャップ層とを成膜する前に、複合シード層に対して、20ワットのパワーおよび50sccmの流速のアルゴンガスを用いたプラズマ処理PTを50秒間施すことにより、より滑らかな複合シード層を形成するようにした。第3の実施例サンプルとして、Ta1.0/Ti3.0/Cu3.0/OSL/[Co0.2/Ni0.5]15/Ru1.0/Ta4.0/Ru3.0なる積層構造を作製した。このサンプルでは、積層[Co/Ni]15層とキャップ層とを成膜する前に、複合シード層に対して、0.08sccmの流速の酸素を用いた自然酸化処理NOXを50秒間行うことにより、酸素界面活性層OSLを形成した。第4の実施例サンプルとして、Ta1.0/Ti3.0/Cu3.0/PT/OSL/[Co0.2/Ni0.5]15/Ru1.0/Ta4.0/Ru3.0なる積層構造を作製した。このサンプルでは、積層[Co/Ni]15層とキャップ層とを高圧条件を用いて成膜する前に、複合シード層に対して、20ワットのパワーと50sccmの流速のアルゴンガスとを用いたプラズマ処理PTを50秒間施したのち、0.08sccmの流速の酸素を用いた自然酸化処理NOXを50秒間行うことにより、酸素界面活性層OSLを形成した。これらのすべてのサンプルに対し、220°Cの熱処理を5時間行った。図8bのグラフから、第2のサンプルの保磁力Hcは、保磁力Hcが2130[Oe]=21.3×105/4π[A/m]である基準サンプル図8aと比較して、2330[Oe]=23.3×105/4π[A/m]に増加していることがわかる。また、図8cのグラフから、第3のサンプルの保磁力Hcは2520[Oe]=25.2×105/4π[A/m]に増加し、図8dのグラフから、第4のサンプルの保磁力Hcは2730[Oe]=27.3×105/4π[A/m]に増加していることがわかる。したがって、Ta/Ti/Cu複合シード層に対してプラズマ処理もしくは自然酸化処理またはその両方を施すことにより、スピンバルブ構造における保磁力Hcが向上することがわかる。また、プラズマ処理に続いて自然酸化処理を行うようにすると、性能向上において最も効果的であることがわかる。次に、[Co/Ni]x等からなる複合PMA層の中に1つ以上の酸素界面活性層を形成した場合の効果を示すために、図9に示す第4の実験を行った。基準サンプルとして、Ta1.0/Ti3.0/Cu2.0/[Co0.2/Ni0.5]15/Ru1.0/Ta4.0/Ru3.0なる部分スピンバルブ構造を作製した。各Co層および各Ni層の隣に記したアステリスクは、それらが超高圧条件500sccmの流速のアルゴンガスを用いて成膜されていることを示している。実施例サンプルとして、Ta1.0/Ti3.0/Cu2.0/{[Co0.2/Ni0.5]5/OSL}3/Ru1.0/Ta4.0/Ru3.0なる積層構造を作製した。ここでは、キャップ層を形成する前に、5つの[Co/Ni]層を成膜したのち自然酸化処理NOXを行うことにより酸素界面活性層OSLを形成するという一連の処理を全部で3回繰り返した。そして、これらのサンプルに対し、220°Cの熱処理を5時間行ったのち、MH曲線を得た。保磁力Hcが1955[Oe]=19.55×105/4π[A/m]である基準サンプル図9aと比較して、実施例サンプル図9bの保磁力Hcが2325[Oe]=23.25×105/4π[A/m]に増加していることがわかる。これは、実施例サンプルのように酸素界面活性層を形成したことによって、[Co/Ni]層と[Co/Ni]との間の界面がより滑らかになったことによるものである。図10は第5の実験の結果を表すものである。この実験は、実施の形態に係るシード層/PMA層積層構造を有するスピンバルブ構造に対して、より高い温度の熱処理を行うことによる改善を示すものである。なお、220°Cよりも高い温度の熱処理は、高温による温度偏移によって1以上の層が損傷してしまう可能性があることから、センサ等の一部の磁気デバイスには適用できない場合がある。ただし、熱処理温度をできる限り増加させることは、実施の形態に係るPMA多層膜の保持力Hcをも向上させることにつながることを本出願人は発見した。基準サンプルとして、Ta1.0/Ti3.0/Cu3.0/OSL/[Co0.2/Ni0.5]15/Ru1.0/Ta4.0/Ru3.0になる部分スピンバルブ構造を作製した。各Co層および各Ni層の隣に記したアステリスクは、それらが超高圧条件500sccmの流速のアルゴンガスを用いて成膜されていることを示している。この基準サンプルに対して220°Cの熱処理を5時間行った。一方、上記基準サンプルと同じ膜構成の実施例サンプルに対しては250°Cの熱処理を2時間行った。図10に示すMH曲線のグラフから、保磁力Hcが2560[Oe]=25.6×105/4π[A/m]図10aである基準サンプルに対して、熱処理温度を30°C上昇させた実施例サンプルの保磁力Hcは3020[Oe]=30.2×105/4π[A/m]図10bに増加していることがわかる。場合によっては、280~350°Cの範囲の熱処理温度を用いると、その保磁力Hcは、250°Cの熱処理条件において得られる保磁力Hcよりも大幅に高くなると予想される。各実施の形態において説明した、すべてのプロセスの組み合わせと構造の変更とにより、最も高い保磁力Hcを得ることができることがわかるであろう。それらの変更点を以下に示す。1シード層をTa/Ti/Cuという構成の複合シード層とするのが好ましく、この複合シード層に対してプラズマ処理または自然酸化処理を施す。2シード層の上に、[Co/Ni]x積層膜を、超高圧を用いて形成する。3[Co/Ni]x積層膜の中に、少なくとも1つの酸素界面活性層を含ませる。4デバイスの各層の信頼性に影響を及ぼさない程度の高い熱処理温度を用いる。以上説明した実施の形態を1つ以上利用することにより、高価な[Co/Pt]Y系や[Co/Pd]Y系よりも材料コストを低く抑えつつ、従来技術と比較して垂直磁気異方性PMAおよび保磁力Hcをより高い値にまで増加させることができる。また、すべての工程は、プロセスフローを妨げることなく既存の製造装置において行うことができる。したがって、本実施の形態において説明したシード層/PMA層積層構造の改善点、およびそれに付随する工程の改善点は、現在の製造スキームに容易に導入することができる上、性能の向上により、磁気記録技術をより速いペースで進展させることを可能にするものである。本発明を好適な実施の形態を参照して具体的に示し説明したが、当業者であれば、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、形式的な変更および詳細な変更をなし得ることを理解することができるであろう。"