積層された半導体層中に活性層を備え、該活性層に形成された導波路を伝搬する光を誘導放出により増幅する半導体光増幅装置であって、前記導波路は、光を伝搬する経路の途中で複数に分岐された分岐部と、該複数に分岐された分岐部が該導波路の端部側で結合される結合部と、を備え、前記複数に分岐された導波路は、光路長差が生じるように構成され、前記光路長差によって、前記導波路を伝搬する光が前記結合部で結合して合波される際に干渉し合って、ファブリペローモードのリップルを低減することが可能に構成されていることを特徴とする半導体光増幅装置。前記導波路の光路長差は、各導波路への注入電流量を変え、それらの導波路の光路に屈折率差を与えることによって、光路長差が生じるように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体光増幅装置。前記導波路の光路長差は、各導波路の温度を変え、それらの導波路の光路に屈折率差を与えることによって、光路長差が生じるように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体光増幅装置。前記導波路の光路長差は、各導波路の長さに差を持たせて形成することによって、光路長差が生じるように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体光増幅装置。前記導波路は、前記複数に分岐された分岐部として、第1の光路と第2の光路とによる2本に分岐された分岐部を備え、前記第1の光路の屈折率をn1、前記第2の光路の屈折率をn2とし、前記第1の光路の長さl1、前記第2の光路の長さl2とし、使用する波長帯域をλstart≦λ≦λendとするとき、λが次の式を満たすように前記導波路の光路長差を調整することを特徴とする請求項2から4のいずれか1項に記載の半導体光増幅装置。前記導波路は、前記複数に分岐された分岐部として、第1の光路と第2の光路とによる2本に分岐された分岐部を備え、前記第1の光路の屈折率をn1、前記第2の光路の屈折率をn2とし、前記第1の光路の長さl1、前記第2の光路の長さl2とし、使用する波長帯域をλstart≦λ≦λendとするとき、λが次の式を満たすように前記導波路の光路長差を調整することを特徴とする請求項2から4のいずれか1項に記載の半導体光増幅装置。請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体光増幅装置を利得媒体として構成されていることを特徴とする波長掃引光源装置。請求項7に記載の波長掃引光源装置において、二つの反射部により構成される光共振器内に前記半導体光増幅装置による利得媒体と、波長分散素子とが配置され、前記二つの反射部のうち一つがスリット状反射部により構成され、該スリット状反射部が前記光共振器において前記波長分散素子によって異なる空間的位置に分散された波長群の光を反射する側に配され、前記スリット状反射部が移動することで時間とともに異なる波長を反射し、前記半導体光増幅装置による利得媒体へ戻し、光共振器内で共振させるように構成されていることを特徴とする波長掃引光源装置。請求項5または請求項6に記載の半導体光増幅装置を利得媒体として構成されている波長掃引光源装置を駆動する駆動方法であって、波長の掃引と時間的に同期させて、次の式を満たす波長λが発振波長となるように前記導波路の光路長差を調整して駆動することを特徴とする波長掃引光源装置の駆動方法。光源部からの光を測定光と参照光とに分割し、前記測定光を被検体に導くと共に前記参照光を参照ミラーに導き、前記被検体によって反射あるいは散乱された前記測定光による戻り光と、前記参照ミラーによって反射された参照光とを用い、前記被検体の断層画像を撮像する光断層画像撮像装置であって、前記光源部が、請求項7または8請求項に記載の波長掃引光源装置によって構成されていることを特徴とする光断層画像撮像装置。しかしながら、上記従来例のものにおいては、つぎのような課題を有している。特許文献1のように複数個のSOAを用い、FPモードのリップルを相殺し低減を図るものでは、各SOAのリップル波形が近い形状であり、なおかつ位相を制御よくずらして重ね合わせる必要がある。しかし、実際には各素子の利得や屈折率などの特性に個体差があり、なおかつ各素子の周囲温度など環境因子が存在するため、リップルの周期や位相を正確に制御することは困難であった。また、特許文献2のように、特定の波長の組みで実効的にリップルの相殺を図るものでは、広い波長帯域での使用を想定した際には必ずしも満足の得られるものではなかった。本発明は、上記課題に鑑み、個体差による影響や周囲温度による影響を抑制し、ファブリペローモードのリップルを低減することが可能となる半導体光増幅器、波長掃引光源装置とその駆動方法及び該光源装置を備える光断層画像撮像装置の提供を目的とする。本発明の半導体光増幅器は、積層された半導体層中に活性層を備え、該活性層に形成された導波路を伝搬する光を誘導放出により増幅する半導体光増幅装置であって、前記導波路は、光を伝搬する経路の途中で複数に分岐された分岐部と、該複数に分岐された分岐部が該導波路の端部側で結合される結合部と、を備え、前記複数に分岐された導波路は、光路長差が生じるように構成され、前記光路長差によって、前記導波路を伝搬する光が前記結合部で結合して合波される際に干渉し合って、ファブリペローモードのリップルを低減することが可能に構成されていることを特徴とする。また、本発明の波長掃引光源装置は、半導体光増幅装置を利得媒体として構成されていることを特徴とする。また、本発明の波長掃引光源装置の駆動方法は、上記した半導体光増幅装置を利得媒体として構成されている波長掃引光源装置を駆動する駆動方法であって、波長の掃引と時間的に同期させて、次の式を満たす波長λが発振波長となるように前記導波路の光路長差を調整して駆動することを特徴とする。また、本発明の光断層画像撮像装置は、光源部からの光を測定光と参照光とに分割し、前記測定光を被検体に導くと共に前記参照光を参照ミラーに導き、前記被検体によって反射あるいは散乱された前記測定光による戻り光と、前記参照ミラーによって反射された参照光とを用い、前記被検体の断層画像を撮像する光断層画像撮像装置であって、前記光源部が、上記した波長掃引光源装置によって構成されていることを特徴とする。本発明によれば、個体差による影響や周囲温度による影響を抑制し、ファブリペローモードのリップルを低減することが可能となる半導体光増幅器、波長掃引光源装置とその駆動方法及び該光源装置を備える光断層画像撮像装置を実現することができる。つぎに、本発明の実施形態における半導体光増幅装置以下、これをSOAと記す。について説明する。本実施形態のSOAは、積層された半導体層中に活性層を備え、該活性層に形成された導波路を伝搬する光を誘導放出により増幅するように構成されている。活性層に形成されている導波路は、光を伝搬する経路の途中で複数に分岐された分岐部と、該複数に分岐された分岐部が該導波路の端部側で結合される結合部と、を備える。その際、分岐した一方の導波路の光路長が、もう一方に対しわずかに差を持つようにされている。これにより、再結合されたときに合波した光が干渉し合って、ファブリペローモードのリップルの影響を低減することが可能となる。すなわち、このような構成によれば、複数個のSOAを用いる必要がないことから、個体差による影響や周囲温度による影響を排除することができ、形状の等しいファブリペローモードを重畳することで、効率的にリップルを相殺することが可能となる。以下に、上記本実施形態のSOAによる動作について、更に説明する。通常のファブリペロー干渉の透過率は、つぎの式1によって表される。ここで、r1、r2は干渉計を形成する2枚の反射体つまりSOAの端面の反射率であり、波長λ、屈折率n、長さlである。屈折率nと長さlの積である光路長と波長によって決まる位相δによって周期的な振動を持つ。よって、ほぼ同じ形状の周期的な透過率を持つTが位相δを反周期ずらして、つまり光路長nlをわずかに変えて重なりあえば、互いに相殺されリップルの影響が低減される。これに対し、本実施形態のSOAはつぎのように構成される。図1に、本実施形態のSOAの構成例を説明する上面図を示す。図1に示すように、導波路101は途中で分岐し、再度統合される構造を持ち、入射した光は光路102と103を通って合波される。このとき、端面104の反射率をr1、端面105の反射率をr2、光路第1の光路102の屈折率をn1、長さをl1とし、同様に光路第2の光路103の屈折率をn2、長さをl2とする。同一素子上なので光路102、103の利得の差は無視できるほど小さい。それぞれ光路102の透過率T1、光路103の透過率T2は、つぎの式2で表される。よって、光路102と103を通った光波の干渉であるT1T2は、つぎの式3となる。ただし、とする。ここで、導波路102の長さl1と導波路103の長さl2が等しく、である。いま、二つの光路長はわずかな差であり、長さがともに等しくlなので屈折率n1とn2は近い値をとり、互いの屈折率の関係は、となる。したがって、波長λに対し振動の速さ、つまり位相の変化量はδ1δ2>>δ1-δ2となる。そのうえで、リップルの振幅を求めるために式3のエンベロープを考える。エンベロープは速い振動成分である、δ1δ2/2=mπm:整数のときを考え、として、式3を整理すると、つぎの式4となる。リップルの振幅が最小となるのは式4の振動中心なので、を満たすときであり、整理すると、つぎの式5となる。ここで、使用する波長帯域をλstart≦λ≦λendとするとき、λが上記式5を満たすように前記導波路の光路長差を調整する。以上をもとに、透過率に重畳されるFPモードのリップルの振幅エンベロープを表すと図2のようになる。長波長側から順に交点201がm=0、交点202がm=1の点である。この整数mが使用する波長帯域内に入るよう次式の関係における光路長差を調整する。mの値が小さい交点の周囲ほど広い波長帯域に渡って、干渉の効果により振幅を小さくでき、FPモードの影響を低減できる。図3に、本実施形態のSOAにおいてFPモードのリップルの影響が低減される様子を示す。図3aは1本の導波路の通常のSOAの透過率リップルを表し、図3bは本実施形態のSOAのm=0の周囲での透過率リップルを表す。このようにFPモードのリップルの影響は位相をずらした干渉の効果により低減される。図4に、分岐した導波路に光路長差を生じさせる構成例について説明する図を示す。このような光路長差を生じさせる方法として、図4aのような各導波路に応じて分離した構造の電極401、402を作製し、各電極への注入電流量を変えることで屈折率差を与える方法でも良い。これは注入電流量によって光路長差を適宜所望の値へと可変でき、リップル低減の効果を最大限に発揮できる点で好適である。また、光路102と103の長さに差を持たせ光路長差を与えることも、図4bのように1枚の電極構造403で駆動でき、作製コストの面で好適である。そして、温度によって各光路の屈折率に差を与える方法も、電流変調と比較して環境に鈍感な変化であることから速い擾乱成分を排除できる点で好適である。さらに、分岐させる導波路構造は2本に限らず複数本の構成でも良い。これは干渉させてリップルの低減を図る際に、より広い帯域でリップル相殺の効果を得られる点で好適である。[実施例1]実施例1として、本発明を適用した半導体光増幅器SOAの構成例を、図5を用いて説明する。図5aは光の進行方向に対して垂直な横方向から見た本発明に係るSOAの断面図であり、図5bは上面から見た図である。本実施例の半導体光増幅器SOAは、図5aに示すように、下から順にn側電極501、基板502、nクラッド層503、活性層504、pクラッド層505、pコンタクト層506、p側電極507、508、保護層511を備える。導波路は光路509と510に分離され、再統合される。活性層504やクラッド層503、505は所望の波長帯に応じた材料で構成されるのが好適であり、本実施例では中心波長850nm帯として、活性層にGaAs、クラッド層にAlGaAs、基板にGaAsを用いた。保護層には二酸化ケイ素を用い、電極には金を用いた。このような構成は半導体プロセスを用いて作製した。具体的には、エピタキシャル成長およびドーピングを用いて基板上にnクラッド層503、活性層504、pクラッド層505を作製し、EB描画プロセスを用いて導波路パターンを形成する。その後、コンタクト層506、電極507、508を作製する。このとき、描画パターンの大きさに応じてフォトリソグラフィーを用いることも好適である。また、製膜の材料によって、スパッタリングや真空蒸着を使い分けることも好適である。このようにして作製したSOAの作用について説明する。SOA両端面の反射率がr1=r2=0.0001、導波路509、510の長さlが1400μm、導波路509の屈折率がn1=3.400000であった。このとき、電極508から導波路510へ注入される電流量を調整することで導波路510の屈折率n2を調整し、整数mが0から5までの式5を満たす波長が850nmとなるようにした。このときの導波路510の屈折率n2の値を表1に示し、透過率リップルの振幅エンベロープを図6aからfに示す。[表1]ここで、表中の低減度とは元の振幅をaとし、リップルの振幅が低減された帯域の端での振幅最大値をbとしたとき、低減度=b/aとしてパーセント表示したものである。これを図6dに示す。当然、m=0の点が使用する波長帯域の中心波長である波長850nmの場所に来たときが広い波長帯域に渡ってリップルの振幅を大きく低減できるが、m=5までは10程度の低減効果が得られることが分かる。特に、m=2以下であれば、元のリップル振幅の半分以下に低減できる。以上のことから、λが次の式6を満たすように導波路の光路長差を調整することが好ましく、更に、λが次の式7を満たすように導波路の光路長差を調整することがより好ましい。また、前述した式5においてm=0を満たす波長が800nmから850nm、900nmと変化した時の様子を図12a、b、cに示す。ここから、式5を満たすリップル振幅の最小点が使用帯域の両端に来た場合でも効果があることが分かる。[実施例2]実施例2として、本発明の半導体光増幅装置を利得媒体に用いた波長掃引光源の構成例について、図7を用いて説明する。本実施例の波長掃引光源は、SOA701、回折格子702、スリット状のミラーが同一円周上に多数配置された円板703、コリメータレンズ704、705、集光レンズ706、取り出し側の部分反射ミラー707を備える。ここで、円板703上のスリット状ミラースリット状反射部と部分反射ミラー707とによる二つの反射部により光共振器が構成されている。また、上記スリット状ミラースリット状反射部が光共振器において波長分散素子である回折格子702によって異なる空間的位置に分散された波長群の光を反射する側に配されている。そして、この光共振器内における回折格子702によって空間的に分散された光の一部が円板703上のスリット状ミラーによって反射され、部分反射ミラー707との間で共振することにより発振するように構成されている。また、円板703が回転スリット状反射部が移動することにより切り出される波長が変化することで発振波長が変化し、部分反射ミラー707から取り出される光が波長掃引光源として機能する。このような波長掃引光源の利得媒体に対し本発明に係るSOAを用いた場合、利得にFPモードのリップルが重畳されないため、発振波長の飛びを低減できる。図8のように利得スペクトル801にリップルが存在すると、波長を掃引した際にリップルの山の部分で発振が起こり、掃引波長802は時間とともに飛び飛びとなる。この影響、つまり波長の不連続性を低減できる点で本実施例のSOAを利得媒体に用いることは好適である。なお、波長掃引の機構は本実施例の構成に限定されるものではなく、回折格子とポリゴンミラーの組み合わせや、MEMSMicroElectroMechanicalSystems波長可変フィルターを共振器内に配置した構成でも良い。[実施例3]実施例3として、本発明の波長掃引光源の駆動方法の一例について、図9を用いて説明する。ここでの駆動方法は、実施例2に記載したような波長掃引光源を用いて、波長掃引の周期と同期させて一方の導波路上に形成された電極からの注入電流量を時間とともに周期的に変化させる駆動方法である。図9aに光源の波長掃引中の時間と発振波長の変化を示す。時刻t1のときに波長λ1で発振しており、同様に時刻t2のときに波長λ2、時刻t3のときに波長λ3の関係である。この時間に対する波長変化と同期させて導波路への注入電流量を変化させ屈折率を変えることにより、FPモードのリップルを低減させる効果が最も高い式5を満足する波長を波長掃引と同期させる。波長の掃引と時間的に同期させて、次の式を満たす波長λが発振波長となるように導波路の光路長差を調整する。図9bは時刻t1のときに式5を満足する点901が波長λ1となる様子を示す。同様に図9c、dには、時刻t2のときの式5を満足する点902が波長λ2、時刻t3のときの式5を満足する点903が波長λ3となる様子を示す。このようにリップルが最小となるような式5を満たす波長が時間とともに周期的に変化し、この変化が発振波長と一致するようにする。これは使用する波長帯域において、発振時の波長において最大限にリップル低減の効果を得られる点で好適である。[実施例4]実施例4として、本発明の波長掃引光源装置を光源部に用いたSS-OCTSwept-SourceOpticalCoherenceTomographyによる断層画像を撮像する光断層画像撮像装置の一例について説明する。図10に示すように、波長可変光源1001から照射された光は、カプラ1002を通じて被検体1003へと導かれるサンプル光測定光1004と、固定ミラー参照ミラー1005へと導かれる参照光1006とに分割される。分割されたあと、サンプル光1004はコリメータレンズ1007と走査鏡1008および対物レンズ1009を経て、被検体1003へと導かれる。被検体1003の深さ情報を持って反射されあるいは散乱された前記サンプル光測定光による戻り光はもと来た光路を戻り、再びカプラ干渉部1002に戻る。一方、参照光1006はコリメータレンズ1010、対物レンズ1011を通過したのち固定ミラー参照ミラー1005にて反射され、もと来た光路を戻り再びカプラ1002へと戻り、サンプル光と合波された干渉光がフォトダイオード1012へと導かれ干渉信号を生成する。計算処理機画像処理部1013においてこの干渉信号を光源走査信号をもとに再配列し、フーリエ変換を中心とした信号処理をすることで深さ方向断層画像を取得できる。本発明に係る波長掃引光源装置を用いることで、出射光のスペクトル形状が単峰性に近い形状で安定に発振することからOCT測定に適したものを用いることができ、測定時のS/N比を向上できるという観点から好適である。利得スペクトル1101にFPモードのリップルが重畳されていた場合、図11aの発振波長1102と1103のように波長によって強度差が生じる。これはOCT測定時には強度ノイズとなりS/N比を悪化させる。また、図11bのように発振波長によって単峰性の発振ピーク1104、複峰性の発振ピーク1105が生じる。このことは、OCTにおいて測定した干渉信号を波数に対しフーリエ変換し、その周波数成分の強度から反射位置を導出するため、スペクトル形状に凹凸が存在するとその形状に応じた信号がフーリエ変換後にも重畳されるため好ましくない。また、測定用光源のスペクトルが単峰性ではない場合、フーリエ変換した信号の両側にサイドローブが出現し、本来の反射位置を示す信号の分解能を劣化させるため、本発明に係る光源装置を用いることは分解能向上の観点からも好適である。