"互いに略平行に形成された第1の主面及び第2の主面を有するとともに、前記第1及び第2の主面に略直交するように形成された複数の孔を有する誘電体層と、前記複数の孔に導電体を充填して形成された複数の柱状電極と、前記誘電体層の前記第1の主面に、前記複数の柱状電極の一部の柱状電極と導通するように形成された第1の外部電極と、前記誘電体層の前記第2の主面に、前記複数の柱状電極のうち、前記第1の外部電極と導通していないものと導通するように形成された第2の外部電極と、を備え、前記第1又は第2の外部電極の少なくとも一方が、互いに電気的に隔離された複数の導電体ユニットからなるコンデンサ。互いに略平行に形成された第1の主面及び第2の主面を有する弁金属の基材を準備する工程と、前記基材を陽極酸化し、前記第1及び第2の主面に略直交する複数の孔が形成された誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層の前記複数の孔に導電体を充填して複数の柱状電極を形成する工程と、前記第1の主面に、前記複数の柱状電極の一部の柱状電極と導通する第1の外部電極を形成する工程と、前記第2の主面に、前記複数の柱状電極のうち、前記第1の外部電極と非導通の柱状電極と導通する第2の外部電極を形成する工程と、を含み、前記第1又は第2の外部電極の少なくとも一方を、互いに電気的に隔離されるように形成するコンデンサの製造方法。しかしながら、特許文献1に記載のセラミック積層体900においては、電極の積層方向図4の上下方向に見たとき、積層された電極の数が異なる部分がある。例えば、素子の中央では、5層の浮き電極930のみが存在し、引出電極が存在しない。外部電極920、922の近傍では、4層の引出電極のみが存在する。これら以外の領域では、4層の引出電極と5層の浮き電極930がいずれも存在する。このため、セラミック積層体900の厚さは部位によって異なり、これにより、セラミック積層体900に発生する応力の分布が不均一となる。応力が不均一になると、クラック発生などの恐れがある。Al電解コンデンサや積層セラミックコンデンサが普及している。Al電解コンデンサでは、電解液を使うために液漏れの問題がある。積層セラミックコンデンサの製造工程では焼成が必要で、焼成プロセスにおいて電極誘電体間の熱収縮が発生するという問題がある。近年、これらの問題に対処する技術として、ポーラスAl2O3を応用したコンデンサが提案されている例えば特開2009-88034号公報参照。本発明者らは、このようなポーラスタイプのコンデンサを利用することによって、上述した積層タイプのコンデンサにおけるクラック発生などの不具合を改善できる可能性があることを見いだした。本発明の一実施形態によって、絶縁破壊電圧を犠牲にすることなく容量値を向上させることが可能なコンデンサ及びその製造方法、並びに、容量値を犠牲にすることなく絶縁破壊電圧を向上させることが可能なコンデンサ及びその製造方法が提供される。本発明の一実施形態に係るコンデンサは、互いに略平行に形成された第1の主面及び第2の主面を有するとともに、前記第1及び第2の主面に略直交するように形成された複数の孔を有する誘電体層と、前記複数の孔に導電体を充填して形成された複数の柱状電極と、前記誘電体層の前記第1の主面に、前記複数の柱状電極の一部の柱状電極と導通するように形成された第1の外部電極と、前記誘電体層の前記第2の主面に、前記複数の柱状電極のうち、前記第1の外部電極と導通していないものと導通するように形成された第2の外部電極と、を備え、前記第1又は第2の外部電極の少なくとも一方が、互いに電気的に隔離された複数の導電体ユニットからなる。本発明の一実施形態に係るコンデンサの製造方法は、互いに略平行に形成された第1の主面及び第2の主面を有する弁金属の基材を準備する工程と、前記基材を陽極酸化し、前記第1及び第2の主面に略直交する複数の孔が形成された誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層の前記複数の孔に導電体を充填して複数の柱状電極を形成する工程と、前記第1の主面に、前記複数の柱状電極の一部の柱状電極と導通する第1の外部電極を形成する工程と、前記第2の主面に、前記複数の柱状電極のうち、前記第1の外部電極と非導通の柱状電極と導通する第2の外部電極を形成する工程と、を含み、前記第1又は第2の外部電極の少なくとも一方を、互いに電気的に隔離されるように形成する。本発明の目的、特徴、利点は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。本発明の一実施形態によって、必要な絶縁破壊電圧を維持しつつ容量値を向上させることが可能なコンデンサ及びその製造方法、並びに、必要な容量値を維持しつつ絶縁破壊電圧を向上させることが可能なコンデンサ及びその製造方法が提供される。本出願は2010年6月30日に出願されたコンデンサ及びその製造方法と題する日本国特許出願第2010-150018号の優先権を主張する。特許出願第2010-150018号の内容は、参照により全体として本明細書に組み込まれる。以下、本発明を実施するための形態を説明する。図1を参照し、本発明の一実施形態に係るコンデンサの構造を説明する。図1は本発明の一実施形態に係るコンデンサの積層構造を示す断面図、図1は図1の一部分を拡大して示す斜視図、図1は図1をA-A線に沿って切断した断面を矢印方向から見た断面を示す模式図である。本発明の一実施形態に係るコンデンサ10は、図1に示すようにコンデンサ素子12を含む。コンデンサ素子12は、金属の陽極酸化によって多数の孔が略平行に形成された略直方体状又は略シート状の多孔体から成る誘電体層14を含む。誘電体層14は、図1に示すように、弁金属等の基材を陽極酸化することによって形成される多数のセルを有する。各セルは、有底の筒状の形状を有し、基材厚み方向に延伸する孔と、この孔を囲む基材の酸化物から成る側壁と、同様に基材の酸化物から成る底部バリア層とも呼ばれるとを有する。この陽極酸化処理により、基材表面が酸の作用により選択的に溶解され、この孔が印加電圧の作用により基材の厚み方向に向かって成長するとともに、基材表面及び形成された孔の表面及び底部に印加電圧に応じた酸化皮膜が形成される。このようにして、弁金属酸化物から成り、有底筒状の形状を有する複数のセルが基材に形成される。各セルは、平面視略六角形の形状を有するが、図1においては、セルの大きさや配置を単純に図示するために、各セルの平面視形状をほぼ円形に示した。誘電体層14に形成された多数の孔には、導電体がそれぞれ充填され、この導電体によって多数の柱状電極16が形成される。柱状電極16は、上述した特開2009-88034号公報に示すように、ランダムに正極と負極に振り分けられている。特開2009-88034号公報に記載の内容は、参照により全体として本明細書に組み込まれる。柱状電極16は、誘電体層14の一方の主面14Aと略直交するように形成されている。この主面14Aには、第1の外部電極18が形成される。第1の外部電極18は、多数の柱状電極16のうちの一部の電極と電気的に接続される。一実施形態においては、第1の外部電極18と導通する柱状電極16が負極の電極として機能する。誘電体層14の他方の主面14Bには、第2の外部電極20A、20Bが形成される。この第2の外部電極20A、20Bは、柱状電極16のうち第1の外部電極18と非導通のものと電気的に接続される。一実施形態においては、第2の外部電極20A、20Bと導通する柱状電極16が正極の電極として機能する。柱状電極16の一部例えば、負極として機能するものと前記第2の外部電極20A、20Bとは、絶縁キャップ24によって絶縁され、残りの柱状電極16例えば、正極として機能するものと第1の外部電極18とは、絶縁キャップ22によって絶縁されている。第2の外部電極20A、20Bは、誘電体層主面14B上において、互いに電気的に隔離されるように形成されており、これによって、コンデンサ10は、その容量発生部が等価回路的に2段に直列接続された構造となる。第2の外部電極20A、20Bは、外部端子26、28にそれぞれ接続されている。また、前記第1の外部電極18は保護層30によって覆われ、第2の外部電極20A、20Bは、外部端子26、28が設けられている部分を除いて保護層32により覆われている。誘電体層14の材料として、例えば、弁金属Al、Ta、Nb、Ti、Zr、Hf、Zn、W、Sbなどの酸化物が用いられる。外部電極18、20A、20B、外部端子26、28は、例えば、Cu、Ni、Cr、Ag、Au、Pd、Fe、Sn、Pb、Pt、Ir、Rh、Ru、Al等の金属、半田、及び/又はこれらの金属や半田を積層したものから成る。柱状電極16の材料として、例えば、Cu、Ni、Co、Cr、Ag、Au、Pd、Fe、Sn、Pb、Pt等のメッキ可能な金属、及び/又は、これらの合金が用いられる。絶縁キャップ22、24は、例えば、Al、Ta、Nb、Ti、Zr、Hf、Zn、W、Sb等の弁金属の酸化物、エアギャップ、ポリイミド、エポキシ、アクリル等の電着樹脂、電着TiO2、又は電着SiO2から成る。保護層30、32は、例えば、SiO2、SiN、樹脂、又は金属酸化物から成る。第1の外部電極18と第2の外部電極20A、20Bとの間隔誘電体層14の厚さは、例えば、数100nm~数100μm、第1の外部電極18及び第2の外部電極20A、20Bの厚さは、例えば、数10nm~数μmである。柱状電極16は、その径が例えば数10nm~数100nm、その長さが例えば数100nm~数100μm、隣接する柱状電極16の間隔が例えば数10nm~数100nm程度となるように形成される。絶縁キャップ22、24は、その厚さが例えば数10nm~数10μmとなるように形成され、保護層30、32は、その厚さが例えば数10nm~数10μmとなるように形成される。次に、図5及び図6を参照して、本発明の一実施形態に係るコンデンサ10の製造方法の一例を説明する。まず、図5に示すように、Al、Ta、Nb、Ti、Zr、Hf、Zn、W、Sb等の弁金属からなる基材50を用意する。この金属基材50に所定の電圧を印加して陽極酸化処理を施すことにより、図5に示すように、所望の深さ長さの第1の孔52が、金属基材50の厚み方向に複数形成される。この陽極酸化処理により、基材50の表面が酸化され、その結果、孔52の側壁及び底面は略等厚の弁金属の酸化物から成る。次に、第1の孔52を形成したときよりも大きな印加電圧を用いて、機材50に陽極酸化処理を施すことにより、図5に示すように、第1の孔52の一部の底面に第2の孔56が形成され、基材50は、下面付近の一部の領域を除いて酸化される。陽極酸化で発生する孔のピッチ孔同士の間隔は電圧に比例するため、第2の孔56は、第1の孔52の全てではなくその一部において形成される。第1段階目と第2段階目の陽極酸化処理により得られた弁金属の酸化物によって誘電体層14が構成される。図5に示す第1段階目の陽極酸化処理は、一実施形態において、印加電圧が数V~数100V、処理時間が数分~数日という条件で行われる。図5に示す第2段階目の陽極酸化処理は、電圧値が第1段階目の数倍、処理時間が数分~数十分という条件で行われる。例えば、第1段階目の印加電圧を20Vとすると、第1の孔52のピッチは約50nmとなり、第2段階目の印加電圧を40Vとすると、第2の孔56のピッチは100nmとなる。第2段階目の電圧値を第1段階目の約2倍とすることにより、第2の孔56が形成された第1の孔52と、形成されていない第1の孔52の数を概ね同数とすることができる。また、第2段階目の陽極酸化の処理時間は、数分~数十分間程度であるため、第2段階目で形成される酸化物基材54の厚さを薄くすることができる。第2段階目で形成される酸化物基材54は、後述する後工程で除去されるため、極力薄いことが望ましい。次に、図5に示すように、金属基材50の地金部分陽極酸化処理により酸化されなかった部分を除去し、続いて酸化物基材54誘電体層14の第2の孔56の下側の部分を切除することにより、図5に示すように、誘電体層14の一方の主面14Aから第2の孔56を開口させる。次に、図5に示すように、誘電体層14の他方の主面14Bに、PVD法等により、導電体からなるシード層58を形成する。次に、図6に示すように、シード層58をシードとして第2の孔56と接続された第1の孔52の内側にメッキ導体を埋め込み、柱状電極16を形成する。このとき、前記第2の孔56に接続されていない第1の孔52は、その端部が閉口しているため、孔内にメッキ導体が埋め込まれない。なお、このメッキ導体は、柱状電極16の端部16Aが、前記第2の孔56に達しないように埋め込まれる。これにより、柱状電極16の端部16Aと第2の孔56の上端との間に隙間が形成される。一実施形態においては、この隙間エアギャップが、絶縁キャップ22として利用される。他の実施形態においては、図6に示す工程後、柱状電極16の端部16Aと前記第2の孔56の上端との間に、陽極酸化、酸化物電着、樹脂電着などの方法により、空気以外の材料から成る絶縁キャップを形成するようにしてもよい。次に、図6に示すように、シード層58を除去し、点線の位置第2の孔56の上端付近で誘電体層14を切除することによって、図6に示すように、第1の孔52のうち柱状電極16が形成されていないものの端部を開口させる。次に、図6に示すように、誘電体層主面14AにPVD法等によって第1の外部電極18を形成する。そして、図6に示すように、この第1の外部電極18をシードとして、第1の孔52のうち柱状電極16が形成されていないものの内側にメッキ導体を埋め込み、残りの柱状電極16を形成する。このとき、メッキ導体の埋め込みは、柱状電極の端部16Bが、誘電体主面14Bに達しないように行われ、これにより、柱状電極16の端部16Bと第1の孔52の開口端部との間に隙間が形成される。この隙間エアギャップは、以下で詳述する第2の外部電極20Aと柱状電極端部16Bとを絶縁するための絶縁キャップ24として利用される。一実施形態においては、柱状電極16の端部16Bと第1の孔52の開口端部との間に、陽極酸化、酸化物電極、樹脂電着などの方法により、空気以外の材料から成る絶縁キャップを形成するようにしてもよい。次に、図6に示すように、誘電体層主面14Bに、第2の外部電極20Aを形成することにより、多数の柱状電極16のうちの一部が第1の外部電極18と導通し、他の柱状電極16が第2の外部電極20Aと導通するコンデンサ素子12が得られる。図5及び図6においては省略されているが、第2の外部電極20Aと同時に、第2の外部電極20Aから電気的に隔離された第2の外部電極20Bが、誘電体主面14B上に形成される。次に、第2の外部電極20A、20Bのそれぞれに図1に示す外部端子26、28を形成し、コンデンサ素子12の外部端子26、28以外の部分を保護層30、32で覆うことにより、容量発生部が2段直列に接続されたコンデンサ10が得られる。金属基材50としてAlを用いた場合には、Alが陽極酸化処理されてポーラスAl2O3から成る多孔質の誘電体層14が得られる。この多孔質の誘電体層14は、断面視略六角形の多数のセル図1においては、図示の都合上円形のセルが点線で示される。を含む。このセルのサイズは、陽極酸化電圧に比例することが知られており、その直径は約2.5nm/Vとなる。つまり、陽極酸化処理に用いる電圧を1Vにすると、セルの直径が約2.5nmとなる。一実施形態において、図1に示すように、コンデンサ構造における容量発生部の誘電体厚さT1隣接する柱状電極16の表面間の距離は、セルサイズD1のおよそ2/3となる。例えば、20Vでの陽極酸化処理を行うと、セルサイズD1は約50nm、誘電体厚さT1は約33nmになる。次に、図3~を参照して比較例を説明する。図3は比較例のコンデンサ100の積層構造を示す断面図、図3は図3の一部を拡大して示す斜視図、図3は図3をC-C線に沿って切断し、矢印方向から見た模式的な断面図である。コンデンサ100は、第2の外部電極20が単一の導電体から構成されており、外部電極28が第1の外部電極18と接続されている点以外は、コンデンサ10と同様の構造を有し、コンデンサ10と同様の工程により形成される。コンデンサ100の製造工程において、例えば、第1段階目の陽極酸化電圧は、40Vに設定される。これにより、セルサイズD3は100nm、誘電体厚さT3は約66nmとなる。第2段階目の陽極酸化処理は、第1段階目の陽極酸化処理で用いられた電圧よりも大きい電圧を用いて行われる。第1の外部電極18は、誘電体層14を貫通する接続導体106によって誘電体層主面14B上に形成された接続ランド104に接続されており、接続ランド104に設けられた外部端子28によって、第2の外部電極20と同一表面から引き出される。次に、本発明の一実施形態に係るコンデンサの容量及び絶縁破壊電圧について説明する。上述したように、本発明の一実施形態に係るコンデンサにおいては、第1段階目の陽極酸化処理に用いられる陽極酸化電圧に応じて、当該コンデンサを構成する単位コンデンサ柱状電極-誘電体層-柱状電極で構成されるの誘電体層の厚さが変わるため、コンデンサの容量及び絶縁破壊電圧は、第1段階目の陽極酸化処理に用いられる陽極酸化電圧に依存することになる。例えば、比較例のコンデンサ100の製造に用いた陽極酸化電圧の1/2倍の陽極酸化電圧を用いて第1段階目の陽極酸化処理を行って製造したコンデンサの誘電体厚さ柱状電極16間に存在する誘電体層14の厚さは、比較例のコンデンサ100の誘電体厚さの1/2倍となるため、当該コンデンサの容量は2倍になり、絶縁破壊電圧は1/2倍になる。また、陽極酸化電圧に応じてセルサイズセルの平面視の大きさのことを示し、図1のD1がその一例である。が変わるため、単位面積当たりのセルの数も陽極酸化電圧に応じて変化する。この結果、素子の厚さ第1の外部電極18と第2の外部電極20との間の距離に相当が一定の場合でも、単位面積当たりの容量を変えることができる。例えば、陽極酸化電圧を比較例のコンデンサ100の製造に用いた電圧の1/2倍にして製造されたコンデンサは、比較例のコンデンサ100と比べてセルサイズが1/2倍、単位面積あたりのセルの数が4倍となり、その結果、単位面積あたりの容量は比較例のコンデンサ100と比べて4倍となる。このように、陽極酸化電圧によって、コンデンサの誘電体厚さ、及び、単位面積当たりのセル数を調整することができる。例えば、比較例のコンデンサ100と比べて陽極酸化電圧を1/2倍にすることで、素子の厚さを一定に規定した場合において、単位面積当たりの容量が8倍、絶縁破壊電圧が1/2倍のコンデンサが得られる。比較例のコンデンサ100の製造に用いられた陽極酸化電圧の1/2倍の陽極酸化電圧を用いて製造したコンデンサ本明細書において、要素コンデンサと称することがある。を、2段、直列に接続することにより、その直列に接続されたコンデンサの合成容量は比較例のコンデンサ100の4倍8倍×1/2となり、その合計の体積は比較例のコンデンサ100の2倍となる。直列接続による体積の増大を防ぐには、接続される要素コンデンサの体積を比較例のコンデンサ100の1/2倍にすればよい。要素コンデンサの容量は体積に比例するため、比較例のコンデンサ100の1/2の体積を有する要素コンデンサを、2段、直列に接続して得られるコンデンサの容量は、比較例のコンデンサ100の2倍となる4倍×1/2。このように、比較例のコンデンサ100の製造に用いられる陽極酸化電圧の1/2倍の陽極酸化電圧を用いて製造された要素コンデンサを、2段、直列に接続することにより、比較例のコンデンサ100と同体積で、2倍の容量を有するコンデンサを得ることができる。また、直列接続されたコンデンサの各要素コンデンサに印加される電圧は、全電圧の1/2となるため、要素コンデンサを直列接続したコンデンサは、比較例のコンデンサ100と同じ絶縁破壊耐性を有する。このように、比較例のコンデンサ100の製造に用いられる陽極酸化電圧の1/2倍の陽極酸化電圧を用いて製造した要素コンデンサを、2段、直列に接続することにより、比較例のコンデンサ100と同体積を維持しつつ、比較例のコンデンサ100と同じ絶縁破壊耐性、及び、2倍の容量を有するコンデンサを得ることができる。図2は、本発明の他の実施形態に係るコンデンサ10Aを示す。コンデンサ10Aは、コンデンサ10と同じ体積素子体積を有する。図2は、本発明の他の実施形態に係るコンデンサ10Aの積層構造を示す断面図、図2は図2の一部を拡大して示す斜視図、図2は図2をB-B線に沿って切断した断面を矢印方向から見た模式的な断面図である。コンデンサ10Aは、素子の一方の主面14Aに形成され、互いに電気的に隔離された第1の外部電極18A~18Dと、他方の主面14Bに形成され、互いに電気的に隔離された第2の外部電極20A~20Eとを含んで構成されており、8段の直列構造を有する。つまり、第1の外部電極18Aと第2の外部電極20Aの間の領域に存在する柱状電極16及び誘電体層14によって第1の要素コンデンサが構成され、第2の外部電極20Aと第1の外部電極18Bとの間の領域に存在する柱状電極16及び誘電体層14によって第2の要素コンデンサが構成される。同様に、第1の外部電極18A~18Dと第2の外部電極20A~20Eとの間にそれぞれ存在する柱状電極16及び誘電体層14によって、第1~第8の要素コンデンサが構成される。外部端子26、28は、第2の外部電極20A、20Eにそれぞれ接続されているので、第1~第8の要素コンデンサが、外部端子26と外部端子28との間に直接に接続されることになる。コンデンサ10Aは、陽極酸化処理に用いる電圧の値以外は、概ねコンデンサ10と同様の工程により製造される。コンデンサ10Aの製造工程においては、例えば、10Vの電圧コンデンサ100の製造工程における電圧の1/4に相当を用いて第1段階目の陽極酸化処理が行われる。このように、コンデンサ100の製造工程で用いられる陽極酸化電圧の1/4倍の電圧で陽極酸化処理を行い、直列の段数を8段とすることにより、素子の体積がもとの状態のまま、容量を維持しつつ64倍×1/64倍、絶縁破壊電圧を2倍1/4倍×8倍にすることが可能となる。比較例のコンデンサ100を基準として、本発明の効果を検証した。比較例のコンデンサ100は、第1段階目の陽極酸化処理に用いられる陽極酸化電圧を40Vとし、サイズが1mm×0.5mm×0.1mmとなるように形成した。このコンデンサ100の容量値は0.5μF、絶縁破壊電圧は10Vであった。これに対し、第1段階目の陽極酸化電圧を20Vとして形成された要素コンデンサを、2段、直列に接続して構成した本発明の一実施形態に係るコンデンサ10においては、容量値が1μF、絶縁破壊電圧が10Vとなった。このように、本発明の一実施形態に係るコンデンサ10は、比較例のコンデンサ100に対し、同じ体積と同じ絶縁破壊耐性を維持しつつ、2倍の容量を有することが確認された。第1段階目の陽極酸化電圧を10Vとして形成された要素コンデンサを、8段、直列に接続して構成した本発明の他の実施形態に係るコンデンサ10Aにおいては、容量値が0.5μF、絶縁破壊電圧が20Vとなった。このように、本発明の他の実施形態に係るコンデンサ10Aは、比較例のコンデンサ100に対し、同じ体積と同じ容量を維持しつつ、2倍の絶縁破壊電圧を有することが確認された。コンデンサ10、10Aのように、偶数段数の直列接続とすることで、同一面上に2極の外部端子26、28を形成することができる。また、図示していないが、奇数段数の直列構造とすることで、表裏面にそれぞれ1極ずつの外部端子26、28を有する素子構造とするのも容易である。このように,素子の表面又は裏面に外部端子を設けることができるので、その側面に外部端子を設けることが必要な積層セラミックコンデンサと比較して、実装面積を小さくすることができる。このように、本発明の様々な実施形態に係るコンデンサによれば、絶縁破壊耐性を犠牲にすることなくコンデンサの容量値を向上させること、又は、容量値を犠牲にすることなく絶縁破壊耐性を向上させることが可能となる。本発明の様々な実施形態に係るコンデンサにおいては、陽極酸化電圧及び/又は直列接続の段数を調整することにより、容量値及び定格電圧の調整を容易に行うことができる。例えば、陽極酸化電圧及び/又は直列接続の段数の調整を通じて、本発明の様々な実施形態に係るコンデンサにおいて、容量値を大きくして定格電圧を小さくすること、又は、容量値を小さくして定格電圧を大きくすることができる。本発明の様々な実施形態に係るコンデンサにおいては、その実装形態に応じて、2つの外部端子をいずれも表面に設けることができるし、表面と裏面に1つずつ設けることもできる。本発明の様々な実施形態に係るコンデンサにおいては、弁金属の陽極酸化により得られた柱状電極構造により、従来の積層セラミックコンデンサのような面状電極構造と比較して、クラックの発生を抑制することができ、製造も容易である。本発明は、上述した実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加えることができる。例えば、本明細書で示した形状、寸法は一例であり、必要に応じて適宜変更可能である。本明細書で示した材料も同様に例示であり、公知の各種の材料を使用できる。例えば、誘電体層14を形成するための金属基材50として、Al以外にも、陽極酸化が可能な公知の各種の金属を用いることができる。本明細書で示した陽極酸化電圧や直列に接続される要素コンデンサの個数段数は例示であり、容量定格電圧の要求を満たすように、陽極酸化電圧や段数を調整することが可能である。本明細書で示した電極引出構造も一例であり、適宜設計変更可能である。本明細書で示した製造工程も一例であり、適宜変更することができる。例えば、第1の外部電極18と、第2の外部電極20A、20Bとはいずれを先に形成してもよい。"