"基板上に、画素電極と電気的に接続する第1の薄膜トランジスタを有する画素がマトリクス状に配列された画素部と、前記画素部に信号を入力する、第2の薄膜トランジスタを有する駆動回路部と、を備え、前記第2の薄膜トランジスタ上に端子電極が設けられ、前記端子電極にプリント配線回路が電気的に接続され、前記画素電極と前記端子電極とは、同一の透明導電膜をパターニングして形成されたものであることを特徴とする画像表示デバイス。第1の基板と第2の基板との間に、画素電極と電気的に接続する第1の薄膜トランジスタを有する画素がマトリクス状に配列された画素部と、前記画素部に信号を入力する、第2の薄膜トランジスタを有する駆動回路部と、を備え、前記第2の薄膜トランジスタ上に端子電極が設けられ、前記端子電極にプリント配線回路が電気的に接続され、前記画素電極と前記端子電極とは、同一の透明導電膜をパターニングして形成されたものであり、前記第1の基板及び前記第2の基板は矩形であり、前記端子電極は、前記第1の基板の1辺に設けられ、前記第1の基板の他の3辺の端面にはシール材が設けられ、前記第1の基板の前記他の3辺の端面は、前記シール材によって固定された前記第2の基板によって覆われていることを特徴とする画像表示デバイス。請求項2において、前記シール材はフィラー又は微粒子を含有することを特徴とする画像表示デバイス。請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記透明導電膜は、インジウム錫酸化物、Si元素を含むインジウム錫酸化物、酸化インジウムに2~20の酸化亜鉛を混合した材料のいずれかを用いて形成されたものであることを特徴とする画像表示デバイス。請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記端子電極と前記第2の薄膜トランジスタとの間には、絶縁膜が設けられていることを特徴とする画像表示デバイス。請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記端子電極と前記第2の薄膜トランジスタとの間には、絶縁膜が設けられ、前記絶縁膜の側面を覆う導電膜を有することを特徴とする画像表示デバイス。請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記端子電極と前記第2の薄膜トランジスタとの間には、絶縁膜が設けられ、前記絶縁膜の側面を覆う導電膜を有し、前記導電膜は、前記画素電極及び前記端子電極を形成するための前記透明導電膜と同一の透明導電膜をパターニングすることによって形成されたものであることを特徴とする画像表示デバイス。請求項5乃至請求項7のいずれか一項において、前記絶縁膜は、塗布法によって形成された絶縁膜であることを特徴とする画像表示デバイス。請求項1乃至請求項8のいずれか一に項おいて、前記プリント配線回路は異方性導電接着材によって前記端子電極と電気的に接続されていることを特徴とする画像表示デバイス。請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の画像表示デバイスを具備する、ビデオカメラ、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、又は携帯情報端末である電子機器。発光装置の製造コストの低減を図るために駆動回路を画素部と同一基板上に作り込む開発が進められている。同一基板上に画素部と、該画素部を制御する駆動回路とを形成した場合、駆動回路をTAB方式で実装したものと比べて、額縁部と呼ばれる画素領域以外の領域が占める面積が大きくなる傾向がある。額縁部の面積を小さくするために、駆動回路を構成する回路規模を小さくする必要に迫られている。特に画面サイズが5インチ以下の小型の表示パネルを内蔵する携帯電話ではさらなる狭額縁が要求されている。本発明は、さらなる狭額縁化を図ることを課題とする。また、本発明は、発光素子への酸素の到達、もしくは水分の到達を防止する構造とし、高い信頼性を備えた発光装置およびその作製方法を提供することを課題とする。また、大型基板を用いた多面取りに有利な構造を有する発光装置とし、面取り数を増やして生産性を上げることを課題とする。そこで、本発明は、駆動回路部と重なる位置に端子電極を設け、該端子電極と、プリント配線回路とを異方性導電接着材で接続する。即ち、従来では駆動回路の配置スペースと、端子電極の配置スペースを別々に設けていたが、本発明により、駆動回路の配置スペース上に端子電極を配置することによって、狭額縁化を図っている。また、端子電極は、発光素子の第1の電極と同一工程で形成するため、工程数を増やすことなく設けることができる。また、FPCを圧着する際、駆動回路に配置されたTFTなどの回路を破壊しないように、駆動回路のTFTと端子電極との間に絶縁膜または絶縁膜の積層が設けられている。加えて、本発明は、大型基板を用いた多面取りに有利な構造の発光装置とし、面取り数を増やして生産性を上げるため、基板を一つの表示パネル毎に分断した後に、基板の端面および基板周縁部に接するシール材でカバー材を固着する。基板の端面および基板周縁部に接するシール材でカバー材を固着するため、画素部から基板端面までの距離、即ち額縁を狭めることができる。加えて、基板の端面は、研磨されている表面に比べて粗く、密着性がよいため、基板周縁部におけるシール材の幅をさらに狭めることもできる。カバー材と基板との密着性を上げることは、発光装置の信頼性を向上させることに繋がる。これらの構成により、大型基板を分断するスクライブライン間隔幅を狭めることができ、一枚あたりの面取り数を増やすことができる。一枚あたりの面取り数を増やすことによって1パネル当たりの製造コストの低減を実現する。本明細書で開示する発明の構成の一つは、基板とカバー材との間に、第1の電極と、該第1の電極上に有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に第2の電極とを有する発光素子を複数有する画素部と、駆動回路部を備えた発光装置であり、前記駆動回路部上に前記第1の電極と同じ材料からなる端子電極が設けられ、該端子電極にプリント配線回路が接続されることを特徴とする発光装置である。また、他の発明の構成の一つは、基板とカバー材との間に、第1の電極と、該第1の電極上に有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に第2の電極とを有する発光素子を複数有する画素部と、駆動回路部を備えた発光装置であり、前記駆動回路部上に第1の電極と同じ材料からなる端子電極が設けられ、該端子電極にプリント配線回路が接続され、前記駆動回路部上にシール材とカバー材の端部が配置され、前記基板と前記カバー材とは、前記基板の周縁部および端面をシール材で固定され、且つ、前記カバー材の一部は基板の端面を覆っていることを特徴とする発光装置である。また、上記各構成において、前記シール材で囲まれた密閉空間には乾燥剤が配置されていることを特徴の一つとしている。また、フルカラーの発光装置において、R赤色、G緑色、B青色の発光素子のそれぞれの信頼性が異なっている場合、他の発光素子の信頼性に比べて低い発光素子の発光面積のみを拡大する。例えば、他の発光素子の信頼性に比べて低い青色の発光素子の電流密度を下げるために青色の発光面積のみを拡大することによって発光装置の信頼性を向上させる。なお、青色の発光面積を拡大するために、隔壁の幅も狭くすることが望ましい。また、本明細書で開示する発明の構成の一つは、基板と、カバー材との間に、第1の電極と、該第1の電極上に有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に第2の電極とを有する発光素子を複数有する画素部を備えた発光装置であり、前記発光素子は、赤色、緑色、青色の3種類の発光素子を有し、青色の発光素子における第1の電極面積を他の発光素子即ち、赤色の発光素子または緑色の発光素子における第1の電極面積よりも大きくすることを特徴とする発光装置である。また、本明細書で開示する発明の構成の一つは、基板と、カバー材との間に、第1の電極と、該第1の電極の端部を覆う隔壁と、前記第1の電極上に有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に第2の電極とを有する発光素子を複数有する画素部を備えた発光装置であり、前記発光素子は、赤色、緑色、青色の3種類の発光素子を有し、青色の発光素子と赤色の発光素子との間に設けられた隔壁の幅、及び青色の発光素子と緑色の発光素子との間に設けられた隔壁の幅は、赤色の発光素子と緑色の発光素子との間に設けられた隔壁の幅より狭いことを特徴とする発光装置である。上記各構成により、赤色、緑色、青色の3種類の発光素子の信頼性をほぼ同一とすることができ、フルカラー表示において、経時変化による色ずれを防止することができる。また、上記各構成において、前記基板上には、薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタを覆う絶縁膜と、該絶縁膜の側面を覆う導電膜電極パターンとを有し、前記絶縁膜上に前記第1の電極が設けられていることも特徴の一つとしている。導電膜電極パターンで絶縁膜の側面を覆うことによって、外部からの水分の侵入を防止し、発光装置の信頼性を向上させている。なお、導電膜電極パターンは、第1の電極と同じ材料で形成されている。また、上記各構成において、前記カバー材の形状は、一部が基板の端面を覆っていることを特徴の一つとしている。なお、本明細書において、覆うとは、基板の端面の一部を覆っている状態や、基板の端面を包むように完全に覆っている状態を指している。本発明の封止構造および素子構造により、発光装置の信頼性を大幅に向上させることができる。本発明の実施形態について、以下に説明する。実施の形態1図1A及び図1Bに発光装置とFPCの接続構成、および発光装置の封止構造の一例を示す。図1Aは、発光装置を上面から見た図であり、図中鎖線A-Bで切断した断面図が図1Bである。図1A及び図1Bに示すように、本発明は、同一基板上に画素部302と周辺回路部309とを形成し、周辺回路部のTFTの上方に、FPC306を接続する端子電極310を設けることを特徴としている。周辺回路部309の配置スペース上に端子電極310を配置することによって、狭額縁化を図っている。加えて、基板の端面および基板周縁部に接するシール材304でカバー材303を固着するため、画素部302から基板端面までの距離、即ち額縁をさらに狭めることができる。なお、画素部302には、有機化合物を含む層を有する発光素子がマトリクス状に配置されている。また、周辺回路部307、308、309はTFTなどで構成されている。ここでは、図1A及び図1Bに示す形状のカバー材303を用いて発光素子を含む画素部302を封止する。カバー材303の材質は水分に対するバリア性を有していれば特に限定されず、例えばW、Ni、Al、またはステンレス等の金属、ガラス、プラスチック、セラミックス等、いかなる組成の基材でもよい。また、これらの基材表面に無機絶縁膜、例えばSiNX膜、SiNXOY膜、AlNX膜、またはAlNXOY膜をコーティング形成することによってバリア性を持たせたものを用いてもよい。ここではカバー材303は金属からなる封止缶とし、発光素子からの発光は透光性を有する基板301を通過させて取り出される。カバー材303は、基板301の3辺を覆う形状となっており、3辺においては、基板端面にもシール材304が設けられて、シール材で囲まれた空間を密閉なものとしている。FPC306を実装するため、残りの一辺においては、基板表面とカバー材とをシール材で固定しており、上面から見たシール材の幅が他の3辺に比べて太くなっている。3辺においては、基板の端面にシール材304を設けることで、外気とシール材との境界面から、密閉空間とシール材との境界面までの距離を十分確保している。シール材304で囲まれた内側の密閉空間は窒素ガスで充填されており、乾燥剤305によって微量な水分が除去され、十分乾燥されている。また、基板301の端面は、研磨されている表面に比べて粗く、密着性がよいため、シール材の幅をさらに狭めることもできる。また、基板の端面にシール材304を設けることで、基板301上に画素部302および周辺回路部307、308、309を設けても、画素部302から基板端面までの距離、即ち額縁を狭めることができる。また、必要であれば、開いているスペース、またはFPC上にICチップメモリチップ、CPUチップ、電源回路チップなどを実装して集積化を図ってもよい。また、図2A~図2Cに作製工程の手順の一例を示す。まず、大面積を有する基板にTFT及び発光素子を有するパネル領域402を複数設け、アクティブマトリクス基板401を形成する。図2Aなお、パネル領域402とは少なくとも画素部を含む1つのパネルとなる領域である。次いで、画素部ごとに分断を行って基板404を得た後、一つ一つカバー材403で封止を行う。図2Bまた、封止後の基板の断面図を図2Cに示す。図2Cに示すように、基板の端面にもシール材405を設けてカバー材403を固定している。図2Cにおいては、カバー材403の端面と、基板404の裏面と、シール材405の露呈面外気側とがほぼ直線状の外縁を形成している。シール材405で囲まれた内側の密閉空間は乾燥剤406によって微量な水分が除去され、十分乾燥されている。以上の手順によって、大型基板を用いた多面取りに有利な構造を有する発光装置が得られる。本発明により、基板周縁部におけるシール材の幅を狭めることができ、一枚あたりの面取り数を増やすことができる。また、図3Aに本発明の発光装置の端部カバー材で覆われる基板端部における断面図の一例を示す。図3Aにおいて、基板101上に画素部102および周辺回路部107が設けられ、カバー材104によって封止されている。図3Aに示すように基板101の端面および基板周縁部に接するシール材103でカバー材104を固着するため、画素部102から基板端面までの距離、即ち額縁を狭めることができる。なお、画素部102には、有機化合物を含む層を有する発光素子がマトリクス状に配置されている。また、発光素子は水分に弱いため、基板101と、カバー材104と、シール材103とで囲まれた密閉空間106に乾燥剤を配置する。なお、密閉空間106には乾燥した不活性ガスが充填されている。シール材103で囲まれた内側の密閉空間106は乾燥剤105によって微量な水分が除去され、十分乾燥されている。また、乾燥剤105としては、酸化カルシウムや酸化バリウムなどのようなアルカリ土類金属の酸化物のような化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることが可能である。なお、他の乾燥剤として、ゼオライトやシリカゲル等の物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。例えば、トータル2mm幅のシール材の幅固着させた時の幅が封止に必要である場合、基板の厚さt1を0.7mmとすると、基板の端面および基板周縁部を接着すれば、基板周縁部におけるシール材103の幅w1を1.3mmとすることでトータル2mm幅を確保することができる。また、基板の端面および基板周縁部に接するシール材103としては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、PVCポリビニルクロライド、PVBポリビニルブチラルまたはEVAエチレンビニルアセテートを用いることが可能である。また、シール材はフィラー棒状またはファイバー状のスペーサや球状のスペーサを添加したものであっても良い。また、図3Bに本発明の発光装置の端部における断面図の他の一例を示す。なお、図3Bは、図3Aとカバー材の形状が異なっている。また、図3Aと同様にシール材203で囲まれた内側の密閉空間206は乾燥剤205によって微量な水分が除去され、十分乾燥されている。図3Bにおいて、基板201上に画素部202および周辺回路部207が設けられ、カバー材204によって封止されている。カバー材の形状を基板の端面と合わせることによってシール材203の側面における厚さと基板表面における厚さとが均一になるようにしている。駆動回路や保護回路などから構成される周辺回路部207を設けた場合であっても画素部202から基板端面までの距離、即ち額縁を狭めることができる。例えば、トータル1.5mm幅のシール材の幅固着させた時の幅が封止に必要である場合、基板の厚さt2を0.5mmとすると、基板の端面および基板周縁部を接着すれば、基板周縁部におけるシール材203の幅w2を1mmとすることでトータル1.5mm幅を確保することができる。また、カバー材の形状は、図3Aや図3Bの形状に特に限定されず、基板の端面を覆う形状であればよい。例えば、端面を包むコの字状の断面形状、即ち基板の裏面側まで端部がくるようなカバー材としてもよく、その場合、シール材が端面だけでなく基板裏面の一部とも接触する。なお、基板サイズが、例えば320mm×400mm、370mm×470mm、550mm×650mm、600mm×720mm、680mm×880mm、1000mm×1200mm、1100mm×1250mm、1150mm×1300mmのような大型基板に対して、効率よく発光装置を作製することを本発明により提供する。本発明において、大型基板を用いて多面取りを行う場合、画素部ごとに基板を分断した後、カバー材をシール材で固定する工程順序となる。また、TFTと発光素子の位置関係が分かるように図4に断面構造の一例を示す。図4に示す発光装置の作製手順を簡略に説明する。まず、基板10上に下地絶縁膜を形成した後、各半導体層を形成する。次いで、半導体層を覆うゲート絶縁膜を形成した後、各ゲート電極を形成する。次いで、nチャネル型TFT36を形成するため、半導体にn型を付与する不純物元素代表的にはリン、またはAsをドープし、pチャネル型TFT35、37を形成するため、半導体にp型を付与する不純物元素代表的にはボロンをドープしてソース領域およびドレイン領域、必要であればLDD領域を適宜形成する。次いで、1層目の層間絶縁膜と2層目の層間絶縁膜11を形成する。1層目の層間絶縁膜は、PCVD法で得られる無機材料酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなどを用いる。2層目の層間絶縁膜11の材料としては、PCVD法や塗布法で得られる無機材料酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなどを用いることができる。ここでは塗布法によって得られるシリコンSiと酸素Oとの結合で骨格構造が構成される絶縁膜を用いる。次いで、マスクを用いて1層目の層間絶縁膜及び2層目の層間絶縁膜11にコンタクトホールを形成すると同時に周縁部の層間絶縁膜を除去する。次いで、マスクを除去し、導電膜TiN膜、AlCNi合金膜、TiN膜の順に積層を形成した後、新たにマスクを形成し、マスクを用いてエッチングを行い、配線TFTのソース配線及びドレイン配線や、電流供給配線などを形成する。なお、AlCNi合金膜は、通電、或いは熱処理後もITOやITSOとのコンタクト抵抗値に大きな変動がない材料である。次いで、マスクを除去し、3層目の層間絶縁膜12を形成する。3層目の層間絶縁膜12としては、塗布法によって得られるシリコンSiと酸素Oとの結合で骨格構造が構成される絶縁膜を用いる。次いで、新たなマスクを用いて3層目の層間絶縁膜12にコンタクトホールを形成すると同時に周縁部の層間絶縁膜を除去する。次いで、マスクを除去し、透明導電膜を成膜した後、新たなマスクを用いてパターニングを行って第1の電極13、端子電極27、電極パターン25、26を得る。なお、電極パターン25は、層間絶縁膜の端面側面とも呼ぶを覆って外部からの水分の侵入を防止する。また、電極パターン26も同様に外部からの水分の侵入を防止する。透明導電膜としては、インジウム錫酸化物ITOの他、例えば、Si元素を含むインジウム錫酸化物ITSOや酸化インジウムに2~20の酸化亜鉛ZnOを混合したIZOIndiumZincOxideなどの透明導電材料を用いることができる。なお、ITSOは、通電、或いは熱処理によって結晶化しにくく表面の平坦性が高い材料である。次いで、マスクを除去し、新たなマスクを用いて第1の電極13の端部を覆って隔壁19を形成する。隔壁19としては、感光性または非感光性の有機材料ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン、またはSOG膜例えば、アルキル基を含むSiOx膜を膜厚0.8μm~1μmの範囲で用いる。次いで、有機化合物を含む層14を、蒸着法または塗布法を用いて形成する。なお、発光素子の信頼性を向上させるため、有機化合物を含む層14の形成前に真空加熱を行って脱気を行うことが好ましい。例えば、有機化合物材料の蒸着を行う前に、基板に含まれるガスを除去するために減圧雰囲気や不活性雰囲気で200°C~300°Cの加熱処理を行うことが望ましい。次いで、有機化合物を含む層14の上に第2の電極15、即ち、有機発光素子の陰極を膜厚10nm~800nmの範囲で形成する。第2の電極15としては、MgAg、MgIn、AlLi、CaNなどの合金や、Ca3N2、または周期表の1族もしくは2族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により形成した膜を用いることができる。また、第2の電極15として、Al中に0.3atomsのCと、3atomsのNiを含有しているAlCNi合金膜を用いてもよい。なお、AlCNi合金膜は、通電、或いは熱処理後もITOやITSOとのコンタクト抵抗値に大きな変動がない材料である。以上のようにして、発光素子およびTFTが作製される。フルカラー表示を得るためには、R、G、Bの発光素子を構成する陽極、有機化合物を含む層および陰極の各材料は適宜選択し、各膜厚も調整する。次いで、発光素子を覆って、水分の侵入を防ぐ保護層16を形成する。保護層16としては、スパッタ法またはCVD法により得られる窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜SiNO膜組成比N>OまたはSiON膜組成比N<O、炭素を主成分とする薄膜例えばDLC膜、CN膜などを用いることができる。次いで、基板を所望のサイズに分断した後、間隔を確保するためのギャップ材フィラーファイバーロッド、微粒子真絲球などなどを含有するシール材28を用い、乾燥剤18が設けられたカバー材20と基板10とを接着して封止する。シール材28で囲まれた密閉空間17は、乾燥した不活性気体で充填される。また、カバー材20の端部は、基板10の側面を覆っている。また、端子電極が設けられている側のカバー材の端部は、駆動回路部の一部と重なる位置に設けられている。同様にシール材28も駆動回路部の一部と重なる位置に設けられている。最後にFPC32を異方性導電膜31により公知の方法で端子電極27と貼りつける。端子電極27は、第1の電極13と同時に形成されたものである。また、端子電極27は駆動回路部の一部と重なる位置に設けられている。こうして作製されたアクティブマトリクス型発光装置は、カバー材20によって強固に封止され、発光装置の信頼性を向上させている。また、本発明の発光装置において、画面表示の駆動方法は特に限定されず、例えば、点順次駆動方法や線順次駆動方法や面順次駆動方法などを用いればよい。代表的には、線順次駆動方法とし、時分割階調駆動方法や面積階調駆動方法を適宜用いればよい。また、発光装置のソース線に入力する映像信号は、アナログ信号であってもよいし、デジタル信号であってもよく、適宜、映像信号に合わせて駆動回路などを設計すればよい。さらに、ビデオ信号がデジタルの発光装置において、画素に入力されるビデオ信号が定電圧CVのものと、定電流CCのものとがある。ビデオ信号が定電圧のものCVには、発光素子に印加される信号の電圧が一定のものCVCVと、発光素子に印加される信号の電流が一定のものCVCCとがある。また、ビデオ信号が定電流のものCCには、発光素子に印加される信号の電圧が一定のものCCCVと、発光素子に印加される信号の電流が一定のものCCCCとがある。また、本発明の発光装置において、静電破壊防止のための保護回路保護ダイオードなどを設けてもよい。またコントラストを高めるため、偏光板又は円偏光板を設けてもよい。実施の形態2ここでは、フルカラーの発光装置において、R、G、Bの発光素子のそれぞれの信頼性が異なっている場合、他の発光素子の信頼性に比べて低い発光素子の発光面積のみを拡大する例を図5に示す。図5は、第1の電極と、該第1の電極上に有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に第2の電極とを有する発光素子を複数配置したレイアウトである。図5にはTFTおよび第1の電極が作製されるまでのレイアウトが示されている。また、図5に示した画素レイアウト図と対応する等価回路図は、図9Eの回路図である。図5において、青色の発光素子の第1の電極801は、緑色の発光素子の第1の電極802や赤色の発光素子の第1の電極803よりも面積が大きく設計されている。また、各第1の電極の端部を覆う隔壁の幅を異ならせ、各第1の電極の間隔を異ならせている。青色の発光素子と赤色の発光素子との間に設けられた隔壁の幅、及び青色の発光素子と緑色の発光素子との間に設けられた隔壁の幅は、赤色の発光素子と緑色の発光素子との間に設けられた隔壁の幅より狭い。例えば、電極間隔wGBと電極間隔wBRは15μmとし、wRGは20μmとしている。また、緑色の発光素子の第1の電極802の幅WGと赤色の発光素子の第1の電極803の幅WRは同一幅であるが、青色の発光素子の第1の電極801の幅WBは、他の幅よりも広く、結果的に青色の発光素子における1画素当たりの開口率が64となっている。赤色の発光素子における1画素当たりの開口率と、緑色の発光素子における1画素当たりの開口率は共に50としている。こうして、青色の発光素子の発光面積のみを拡大することによって発光装置の信頼性を向上させる。なお、発光素子の発光層となる有機化合物を含む層が形成する分子励起子の種類としては一重項励起状態と三重項励起状態が可能であり、基底状態は通常一重項状態であるため、一重項励起状態からの発光は蛍光、三重項励起状態からの発光は燐光と呼ばれる。例えば、CBP4,4’ビスN-カルバゾリルビフェニルとIrppy3トリス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムとを共蒸着した膜は、三重項励起状態からの発光燐光を得ることができる有機化合物トリプレット化合物とも呼ぶである。三重項励起状態からの発光燐光は、一重項励起状態からの発光蛍光よりも発光効率が高く、同じ発光輝度を得るにも動作電圧有機発光素子を発光させるに要する電圧を低くすることが可能である。有機化合物を含む層からの発光とは、どちらの励起状態が寄与する場合も含まれる。更には、蛍光と燐光を組み合わせて用いてもよく、各RGBの発光特性発光輝度や寿命等により選択することができる。例えば、Gの発光素子のみを燐光を得ることができる有機化合物トリプレット化合物を発光層に用い、Bの発光素子とRの発光素子は蛍光を得ることができる有機化合物シングレット化合物を発光層に用いてもよい。有機化合物を含む層は、第1の電極側から順に、HILホール注入層、HTLホール輸送層、EML発光層、ETL電子輸送層、EIL電子注入層の順に積層されている。なお有機化合物を含む層は、積層構造以外に単層構造、又は無機化合物との混合構造をとることができる。また、有機化合物を含む層として、フルカラー表示とする場合、赤色R、緑色G、青色Bの発光を示す材料を、それぞれ蒸着マスクを用いた蒸着法、又はインクジェット法などによって選択的に形成すればよい。具体的には、HILとしてCuPc銅フタロシアニンやPEDOTポリエチレンジオキシチオフェン、HTLとしてα-NPD4,4’-[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]-ビフェニル、ETLとしてBCPバソキュプロインやAlq3トリス8-キノリラトアルミニウム、EILとしてBCP:LiやCaF2をそれぞれ用いる。また例えばEMLは、R、G、Bのそれぞれの発光色に対応したドーパントRの場合DCM4-ジミアメチレン-2-メチル-6-p-ジメチルアミノスチリル-4H-ピラン等、Gの場合DMQDN,N’-ジメチルキナクリドン等をドープしたAlq3を用いればよい。なお、電界発光層は上記積層構造の材料に限定されない。例えば、CuPcやPEDOTの代わりに酸化モリブデンMoOx:x=2~3等の酸化物とα-NPDやルブレンを共蒸着して形成し、ホール注入性を向上させることもできる。このような材料は、有機材料低分子又は高分子を含む、又は有機材料と無機材料の複合材料を用いることができる。また、本実施の形態は実施の形態1と自由に組み合わせることができる。以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。本実施例では、金属元素を添加した結晶化方法を用いた後、オゾン含有水溶液による酸化処理を行ない、歪みを低減する熱処理を行ない、ゲッタリングを行って半導体層を得る工程例を図6に示す。図6A中、710は、絶縁表面を有する基板、711はブロッキング層となる絶縁膜、712は非晶質構造を有する半導体膜である。まず、図6Aに示すように基板710上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜SiOxNy等の絶縁膜から成る下地絶縁膜711を形成する。次いで、下地絶縁膜上に非晶質構造を有する第1の半導体膜712を形成する。第1の半導体膜712は、シリコンを主成分とする半導体材料を用いる。代表的には、非晶質シリコン膜又は非晶質シリコンゲルマニウム膜などが適用され、プラズマCVD法や減圧CVD法、或いはスパッタ法で10~100nmの厚さに形成する。後の結晶化で良質な結晶構造を有する半導体膜を得るためには、非晶質構造を有する第1の半導体膜712の膜中に含まれる酸素、窒素などの不純物濃度を5×1018cm3二次イオン質量分析法SIMSにて測定した原子濃度以下に低減させておくと良い。これらの不純物は後の結晶化を妨害する要因となり、また、結晶化後においても捕獲中心や再結合中心の密度を増加させる要因となる。そのために、高純度の材料ガスを用いることはもとより、内壁の鏡面処理研磨処理を行った反応室や、オイルフリーの真空排気系を備えた超高真空対応のCVD装置を用いることが望ましい。次いで、非晶質構造を有する第1の半導体膜712を結晶化させる技術としてここでは特開平878329号公報記載の技術を用いて結晶化させる。同公報記載の技術は、非晶質シリコン膜アモルファスシリコン膜とも呼ばれるに対して結晶化を助長する金属元素を選択的に添加し、加熱処理を行うことで添加領域を起点として広がる結晶構造を有する半導体膜を形成するものである。この技術は、結晶化に必要とする加熱温度を低下させる効果ばかりでなく、結晶方位の配向性を単一方向に高めることが可能である。このような結晶構造を有する半導体膜でTFTを形成すると、電界効果移動度の向上のみでなく、サブスレッショルド係数S値が小さくなり、飛躍的に電気的特性を向上させることが可能となっている。まず、非晶質構造を有する第1の半導体膜712の表面に、結晶化を促進する触媒作用のある金属元素ここでは、ニッケルを重量換算で1~100ppm含む酢酸ニッケル溶液をスピナーで塗布してニッケル含有層713を形成する。図6B塗布によるニッケル含有層713の形成方法以外の他の方法として、スパッタ法、蒸着法、またはプラズマ処理により極薄い膜を形成する方法を用いてもよい。また、ここでは、全面に塗布する例を示したが、マスクを形成して選択的にニッケル含有層を形成してもよい。次いで、加熱処理を行い、結晶化を行う。この場合、結晶化は半導体の結晶化を助長する金属元素が接した半導体膜の部分でシリサイドが形成され、それを核として結晶化が進行する。こうして、図6Cに示す結晶構造を有する第1の半導体膜714aが形成される。なお、結晶化後での第1の半導体膜714aに含まれる酸素濃度は、5×1018/cm3以下とすることが望ましい。ここでは、脱水素化のための熱処理450°C、1時間の後、結晶化のための熱処理550°C~650°Cで4~24時間を行う。また、強光の照射により結晶化を行う場合は、赤外光、可視光、または紫外光のいずれか一つ、またはそれらの組み合わせを用いることが可能である。なお、必要であれば、強光を照射する前に非晶質構造を有する第1の半導体膜714aに含有する水素を放出させる熱処理を行ってもよい。また、熱処理と強光の照射とを同時に行って結晶化を行ってもよい。生産性を考慮すると、結晶化は強光の照射により結晶化を行うことが望ましい。このようにして得られる第1の半導体膜714aには、金属元素ここではニッケルが残存している。それは膜中において一様に分布していないにしろ、平均的な濃度とすれば、1×1019cm3を越える濃度で残存している。勿論、このような状態でもTFTをはじめ各種半導体素子を形成することが可能であるが、以降に示すゲッタリング方法で当該元素を除去する。ここで、レーザ光の照射を行う前に結晶化工程で形成される自然酸化膜を除去する。この自然酸化膜にはニッケルが高濃度に含まれているため、除去することが好ましい。次いで、結晶化率膜の全体積における結晶成分の割合を高め、結晶粒内に残される欠陥を補修するために、結晶構造を有する第1の半導体膜に対してレーザ光を照射する。図6Dレーザ光を照射した場合、半導体膜714bに歪みやリッジが形成され、表面に薄い表面酸化膜図示しないが形成される。このレーザ光としてはパルス発振であるレーザ光源から出射される波長400nm以下のエキシマレーザ光や、YAGレーザの第2高調波、第3高調波を用いればよい。また、レーザ光としては連続発振が可能な固体レーザを用い、基本波の第2高調波~第4高調波を用いてもよい。代表的には、NdYVO4レーザ基本波1064nmの第2高調波532nmや第3高調波355nmを適用すればよい。また、レーザ光による照射でできる表面酸化膜は、オゾン含有水溶液でできる酸化膜より硬いため、エッチングストッパーとなる酸化膜バリア層としては優れている。従って、工程数を削減することもできるため、レーザ光による表面酸化膜は特に除去しなくともよい。次いで、半導体膜714bの表面に、オゾン含有水溶液でエッチングストッパーとなる酸化膜バリア層と呼ばれる715を1~10nmの膜厚で形成する。図6E次いで、半導体膜の歪みを低減するための熱処理半導体膜が瞬間的に400~1000°C程度にまで加熱される熱処理を窒素雰囲気にて行い、半導体膜714cを得る。図6F次いで、このバリア層715上に希ガス元素を含む第2の半導体膜716aを形成する。図6Gなお、希ガス元素は、He、Ne、Ar、Kr、Xeから選ばれた一種または複数種とする。中でも安価なガスであるアルゴンArが量産上、好ましい。上記第2の半導体膜の形成方法としては、スパッタ法やプラズマCVD法などがあるが、プラズマCVD法はガスによる成膜室チャンバーとも呼ぶ内のクリーニングが行えるため、スパッタ法に比べてメンテナンスが少なくて済み、量産には適していると言える。本実施例では、酸化膜バリア層の形成前後に加熱瞬間的に400~1000°C程度にまで加熱を行って硬い酸化膜とし、プラズマなどのダメージをブロックしている。そして、第1の半導体膜はブロックしつつ、成膜時のプラズマで酸化膜バリア層のみにダメージを意図的に与え、酸化膜バリア層に歪みやダングリングボンドを形成することによって、歪みを緩和する方向に動く金属元素を効率よく通過させてゲッタリングサイトに移動および捕獲させることができる。成膜時のプラズマで酸化膜バリア層のみにダメージを意図的に与える場合には、プラズマCVD法でRFパワー密度を大きくすることが好ましい。例えば、RFパワー300W0.052W/cm2、或いはRFパワー400W0.069W/cm2、或いは400W以上とすればよい。次いで、加熱処理を行い、第1の半導体膜中における金属元素ニッケルの濃度を低減、あるいは除去するゲッタリングを行う。図6Hゲッタリングを行う加熱処理としては、強光を照射する処理、炉を用いた熱処理、または加熱されたガスに基板を投入し、数分放置した後取りだすことによって加熱を行えばよい。このゲッタリングにより、図6H中の矢印の方向即ち、基板側から第2の半導体膜表面に向かう方向に金属元素が移動し、バリア層715で覆われた第1の半導体膜714dに含まれる金属元素の除去、または金属元素の濃度の低減が行われる。次いで、バリア層715をエッチングストッパーとして、716bで示した第2の半導体膜のみを選択的に除去する。次いで、バリア層715を除去する。次いで、第1の半導体膜714dを公知のパターニング技術を用いて所望の形状の半導体層717を形成する。図6Iなお、バリア層を除去した後、レジストからなるマスクを形成する前に、オゾン水で表面に薄い酸化膜を形成することが望ましい。なお、必要があれば、パターニングを行う前に、TFTのしきい値を制御するために微量な不純物元素ボロンまたはリンのドーピングを上記酸化膜を介して行う。上記酸化膜を介してドーピングを行った場合には、酸化膜を除去し、再度オゾン含有水溶液によって酸化膜を形成する。所望の形状の半導体層を形成する工程が終了したら、半導体層の表面をフッ酸を含むエッチャントで洗浄し、ゲート絶縁膜となる珪素を主成分とする絶縁膜を形成する。この表面洗浄とゲート絶縁膜の形成は、大気にふれさせずに連続的に行うことが望ましい。次いで、ゲート絶縁膜の表面を洗浄した後、ゲート電極を形成する。次いで、半導体にn型を付与する不純物元素P、As等やp型を付与する不純物元素B等を適宜添加して、ソース領域及びドレイン領域を形成する。添加した後、不純物元素を活性化するために加熱処理、強光の照射、またはレーザ光の照射を行う。また、活性化と同時にゲート絶縁膜へのプラズマダメージやゲート絶縁膜と半導体層との界面へのプラズマダメージを回復することができる。次いで、層間絶縁膜を形成し、水素化を行って、ソース領域、ドレイン領域に達するコンタクトホールを形成し、導電膜を成膜してパターニングを行ってソース電極、またはドレイン電極を形成してTFTを完成させる。なお、ソース電極、ドレイン電極は、Mo、Ta、W、Ti、Al、Cuから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料の単層、またはこれらの積層で形成する。例えば、Ti膜と、純Al膜と、Ti膜との3層構造、或いはTi膜と、NiとCを含むAl合金膜と、Ti膜との3層構造を用いる。さらに後の工程で層間絶縁膜等を形成することを考慮して、電極断面形状をテーパー形状とすることが好ましい。こうして得られたTFTのチャネル形成領域は、比較的に平坦であり、歪みも低減することができる。そして、この得られたTFTを用いて、画素部や駆動回路を構成し、発光装置を完成させる。なお、発光装置の作製は、実施の形態1に従って得ることができる。また、必要があればチャネル形成領域とドレイン領域またはソース領域との間にLDD領域を有する低濃度ドレインLDD:LightlyDopedDrain構造としてもよい。この構造はチャネル形成領域と、高濃度に不純物元素を添加して形成するソース領域またはドレイン領域との間に低濃度に不純物元素を添加した領域を設けたものであり、この領域をLDD領域と呼んでいる。さらにゲート絶縁膜を介してLDD領域をゲート電極と重ねて配置させた、いわゆるGOLDGatedrainOverlappedLDD構造としてもよい。もし、金属元素を添加した結晶化方法を用いた場合、基板内でゲッタリングが十分にされず、ゲッタリングにバラツキが生じると、各々のTFT特性に若干の差、即ちバラツキが生じてしまうため、本実施例に示す工程は有用である。有機化合物を含む層を発光層とする発光装置EL素子を備えた発光装置にとって、TFTはアクティブマトリクス駆動方式を実現する上で、必須の素子となっている。従って、EL素子を用いた発光装置は、少なくとも、スイッチング素子として機能するTFTと、EL素子に電流を供給するTFTとが、各画素に設けられることになる。画素の回路構成、及び駆動方法によらず、EL素子と電気的に接続され、且つ、EL素子に電流を供給するTFTのオン電流Ionで画素の輝度が決定されるため、例えば、全面白表示とした場合、オン電流が一定でなければ輝度にバラツキが生じてしまうという問題がある。また、図6に示した工程順序に限定されず、例えば、レーザ光を照射した後、半導体膜の歪みを低減するための熱処理を行い、さらにオゾン含有水溶液で合計1~10nmの酸化膜を形成してもよい。また、酸化膜を除去する前に、半導体膜の歪みを低減するための熱処理を再度行い、その後、形成された酸化膜を除去してもよい。或いは、レーザ光を照射した後、半導体膜のパターニング工程、半導体膜の歪みを低減するための熱処理工程、オゾン含有水溶液で酸化膜を形成して合計1~10nmの酸化膜を形成する工程、酸化膜を除去する工程を順次行ってもよい。なお、工程削減のため酸化膜を除去せずにゲート絶縁膜を形成してもよい。或いは、レーザ光を照射した後、半導体膜のパターニング工程、オゾン含有水溶液で1~10nmの酸化膜を形成する工程、半導体膜の歪みを低減するための熱処理工程、酸化膜を除去する工程を順次行ってもよい。なお、工程削減のため酸化膜を除去せずにゲート絶縁膜を形成してもよい。また、本実施例は、実施の形態1、または実施の形態2と自由に組み合わせることができる。本実施例は、上記実施例によって作製されるEL表示パネルにFPCや、駆動用のICチップを実装する例について説明する。図7に示す図は、FPC1209を4カ所の端子部1208に貼り付けた発光装置の上面図の一例を示している。基板1210上には発光素子及びTFTを含む画素部1202と、TFTを含むゲート側駆動回路1203と、TFTを含むソース側駆動回路1201とが形成されている。本実施例においては、ソース側駆動回路1201と重なる位置に端子部1208が設けられている。TFTの活性層が結晶構造を有する半導体膜で構成されている場合には同一基板上にこれらの回路を形成することができる。従って、システムオンパネル化を実現したEL表示パネルを作製することができる。また、画素部を挟むように2カ所に設けられた接続領域1207は、発光素子の第2の電極を下層の配線とコンタクトさせるために設けている。なお、発光素子の第1の電極は画素部に設けられたTFTと電気的に接続している。また、カバー材1204は、画素部1202および接続領域1207を囲むシール材1205によって基板1210と固定されている。また、シール材1205はソース側駆動回路1201と一部重なっている。また、シール材1205に囲まれた領域に乾燥剤を配置してもよい。また、図8A及び図8Bは、狭額縁化させた小型サイズ例えば対角1.5インチで好適なCOG方式を採用した例である。図8Aは、発光装置を上面から見た図であり、図中鎖線A-Bで切断した断面図が図8Bである。同一基板上に画素部902と周辺回路部909とを形成し、周辺回路部のTFTの上方に、FPC906を接続する端子電極910を設けることを特徴としている。周辺回路部909の配置スペース上に端子電極910を配置することによって、狭額縁化を図っている。カバー材903は、基板901の3辺を覆う形状となっており、3辺においては、基板端面にもシール材904が設けられて、シール材で囲まれた空間を密閉なものとしている。シール材904で囲まれた内側の密閉空間は窒素ガスで充填されており、乾燥剤905によって微量な水分が除去され、十分乾燥されている。図8A及び図8Bに示す発光装置において、FPC906上にICチップ911が実装されている。ICチップ911が実装されている箇所は、周辺回路部909上に端子電極910が設けられ、その端子電極910はFPC906と異方性導電接着材で実装されており、さらにその上にICチップ911が積み重ねられている構造となっている。また、基板901上にCOG方式でICチップ912が実装されている。なお、ICチップ911、912は、メモリチップ、CPUチップ、電源回路チップなどで代表されるチップを指している。なお、ICチップ911、912の長辺の長さは、画素部の一辺の長さや画素ピッチを考慮して、長辺が15~80mm、短辺が1~6mmの矩形状に形成してもよいし、画素部902の一辺、又は画素部の一辺と各周辺回路の一辺とを足した長さに形成してもよい。また、本実施例は、実施の形態1、実施の形態2、または実施例1と自由に組み合わせることができる。本実施例ではEL表示パネルの画素の構成について、図9に示す等価回路図を参照して説明する。図9Aに示す画素は、列方向に信号線1410及び電源線1411~1413、行方向に走査線1414が配置される。また、スイッチング用TFT1401、駆動用TFT1403、電流制御用TFT1404、容量素子1402及び発光素子1405を有する。図9Cに示す画素は、TFT1403のゲート電極が、行方向に配置された電源線1413に接続される点が異なっており、それ以外は図9Aに示す画素と同じ構成である。つまり、図9Aと図9Cに示す両画素は、同じ等価回路図を示す。しかしながら、行方向に電源線1413が配置される場合図9Aと、列方向に電源線1413が配置される場合図9Cでは、各電源線は異なるレイヤーの導電体層で形成される。ここでは、駆動用TFT1403のゲート電極が接続される配線に注目し、これらを作製するレイヤーが異なることを表すために、図9A、図9Cとして分けて記載する。図9A、図9Cに示す画素の特徴として、画素内にTFT1403、1404が直列に接続されており、TFT1403のチャネル長L3、チャネル幅W3、TFT1404のチャネル長L4、チャネル幅W4は、L3/W3:L4/W4=5~6000:1を満たすように設定される点が挙げられる。6000:1を満たす場合の一例としては、L3が500μm、W3が3μm、L4が3μm、W4が100μmの場合がある。なお、TFT1403は、飽和領域で動作し発光素子1405に流れる電流値を制御する役目を有し、TFT1404は線形領域で動作し発光素子1405に対する電流の供給を制御する役目を有する。両TFTは同じ導電型を有していると作製工程上好ましい。またTFT1403には、エンハンスメント型だけでなく、ディプリーション型のTFTを用いてもよい。上記構成により、TFT1404が線形領域で動作するために、TFT1404のVGSの僅かな変動は発光素子1405の電流値に影響を及ぼさない。つまり、発光素子1405の電流値は、飽和領域で動作するTFT1403により決定される。上記構成により、TFTの特性バラツキに起因した発光素子の輝度ムラを改善して画質を向上させた表示装置を提供することができる。図9A~図9Dに示す画素において、TFT1401は、画素に対するビデオ信号の入力を制御するものであり、TFT1401がオンして、画素内にビデオ信号が入力されると、容量素子1402にそのビデオ信号が保持される。なお、図9A、図9Cには、容量素子1402を設けた構成を示したが、特に限定されず、ビデオ信号を保持する容量がゲート容量などでまかなうことが可能な場合には、特に容量素子1402を設けなくてもよい。図9Bに示す画素は、TFT1406と走査線1415を追加している以外は、図9Aに示す画素構成と同じである。同様に、図9Dに示す画素は、TFT1406と走査線1415を追加している以外は、図9Cに示す画素構成と同じである。TFT1406は、新たに配置された走査線1415によりオン又はオフが制御される。TFT1406がオンになると、容量素子1402に保持された電荷は放電し、TFT1406がオフする。つまり、TFT1406の配置により、強制的に発光素子1405に電流が流れない状態を作ることができる。従って、図9B、図9Dの構成は、全ての画素に対する信号の書き込みを待つことなく、書き込み期間の開始と同時又は直後に点灯期間を開始することができるため、デューティ比を向上することが可能となる。図9Eに示す画素は、列方向に信号線1450、電源線1451、1452、行方向に走査線1453が配置される。また、スイッチング用TFT1441、駆動用TFT1443、容量素子1442及び発光素子1444を有する。また、図9Eの回路図は、図5に示した画素レイアウト図と対応している。図9Fに示す画素は、TFT1445と走査線1454を追加している以外は、図9Eに示す画素構成と同じである。なお、図9Fの構成も、TFT1445の配置により、デューティ比を向上することが可能となる。また、本実施例は実施の形態1、実施の形態2、実施例1、または実施例2と自由に組み合わせることができる。本発明は、結晶構造を有する半導体膜を活性層とするTFTに限らず、非晶質半導体膜又はセミアモルファス半導体膜を活性層としたTFTを用いることができる。また、TFT構造に関係なく本発明を適用することが可能であり、例えばボトムゲート型逆スタガ型TFTや順スタガ型TFTに適用することが可能である。非晶質半導体は、プラズマCVD法やスパッタリング法等の方法により形成する。活性層を非晶質半導体で形成したTFTを用いる場合には、ボトムゲート型TFTを形成し、走査線側駆動回路及び信号線側駆動回路の両方をドライバICを実装すればよい。セミアモルファス半導体は、プラズマCVD法で300°C以下の温度で形成することが可能であり、例えば、外寸550×650mmの無アルカリガラス基板であっても、トランジスタを形成するのに必要な膜厚を短時間で形成するという特徴を有する。このような製造技術の特徴は、大画面の表示装置を作製する上で有効である。また、セミアモルファスTFTは、セミアモルファス半導体膜微結晶半導体膜、マイクロクリスタル半導体膜とも呼ばれるでチャネル形成領域を構成することにより2~10cm2/Vsecの電界効果移動度を得ることができる。従って、このTFTを画素のスイッチング用素子や、走査線側の駆動回路を構成する素子として用いることができる。従って、システムオンパネル化を実現したEL表示パネルや液晶表示パネルを作製することができる。本実施例では、半導体層をセミアモルファス半導体膜で形成することによって、走査線側の駆動回路と画素部とを同一基板上に形成する例を図10、図11、図12を用いて説明する。図10は、1~15cm2/Vsecの電界効果移動度が得られるセミアモルファス半導体膜を使ったnチャネル型のTFTで構成する走査線側駆動回路のブロック図を示している。図10において500で示すブロックが1段分のサンプリングパルスを出力するパルス出力回路に相当し、シフトレジスタはn個のパルス出力回路により構成される。501はバッファ回路であり、その先に画素502が接続される。図11は、パルス出力回路500の具体的な構成を示したものであり、nチャネル型のTFT601~612で回路が構成されている。このとき、セミアモルファス半導体膜を使ったnチャネル型のTFTの動作特性を考慮して、TFTのサイズを決定すれば良い。例えば、チャネル長を8μmとすると、チャネル幅は10~80μmの範囲で設定することができる。また、バッファ回路501の具体的な構成を図12に示す。バッファ回路も同様にnチャネル型のTFT620~636で構成されている。このとき、セミアモルファス半導体膜を使ったnチャネル型のTFTの動作特性を考慮して、TFTのサイズを決定すれば良い。例えば、チャネル長を10μmとすると、チャネル幅は10~1800μmの範囲で設定することとなる。また、本実施例は実施の形態1、実施の形態2、実施例1、実施例2、または実施例3と自由に組み合わせることができる。本発明の発光装置、及び電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置カーオーディオ、オーディオコンポ等、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等、記録媒体を備えた画像再生装置具体的にはDigitalVersatileDiscDVD等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置などが挙げられる。それら電子機器の具体例を図13、図14に示す。図13A、図13Bはデジタルカメラであり、本体2101、表示部2102、撮像部2103、操作キー2104、シャッター2106等を含む。本発明により、製造コストの低減、および高い歩留まりでデジタルカメラが実現できる。図14Aは22インチ~50インチの大画面を有する大型の表示装置であり、筐体2001、支持台2002、表示部2003、スピーカ部2004、撮像部2005、ビデオ入力端子2006等を含む。なお、表示装置は、パソコン用、TV放送受信用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。本発明により、大型表示装置における製造コストの低減および高い歩留まり、及び高い信頼性を実現することができる。図14Bはノート型パーソナルコンピュータであり、本体2201、筐体2202、表示部2203、キーボード2204、外部接続ポート2205、ポインティングマウス2206等を含む。本発明により、ノート型パーソナルコンピュータにおける製造コストの低減および高い歩留まり、及び高い信頼性を実現することができる。図14Cは記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置具体的にはDVD再生装置であり、本体2401、筐体2402、表示部A2403、表示部B2404、記録媒体DVD等読み込み部2405、操作キー2406、スピーカー部2407等を含む。表示部A2403は主として画像情報を表示し、表示部B2404は主として文字情報を表示する。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。本発明により、画像再生装置における製造コストの低減、高い歩留まり、及び高い信頼性を実現することができる。また、図14Dは携帯情報端末の斜視図であり、図14Eは折りたたんで携帯電話として使用する状態を示す斜視図である。図14Dにおいて、使用者はキーボードのように右手指で操作キー2706aを操作し、左手指で操作キー2706bを操作する。本発明により、携帯情報端末における製造コストの低減、高い歩留まり、及び高い信頼性を実現することができる。図14Eに示すように、折りたたんだ場合には、片手で本体2701を持ち、音声入力部2704、音声出力部2705、操作キー2706c、アンテナ2708等を使用する。なお、図14Dおよび図14Eに示した携帯情報端末は、主に画像および文字を横表示する高画質な表示部2703aと、縦表示する表示部2703bとを備えている。以上の様に、本発明を実施、即ち実施の形態1、実施の形態2、実施例1乃至4のいずれか一の作製方法または構成を用いて、様々な電子機器を完成させることができる。"