インターディジテイテッドバックコンタクト太陽電池を製造する方法であって、半導体基板の裏面上に、第1ドーパント型を含む第1ドープ層を形成する工程と、第1ドープ層を覆うように誘電体マスク層を形成する工程と、誘電体マスク層と第1ドープ層とを通って複数の溝を形成する工程であって、複数の溝は、裏面に対して実質的に直交する方向に半導体基板中に延び、複数の溝の横側で第1ドープ層の下に横方向に延びる工程と、裏面に対して実質的に直交する方向に指向性ドーピング工程を行い、複数の溝の底に、第1ドーパント型とは異なる第2ドーパント型のドーパントを有するドープ領域を形成する工程と、ドーパント拡散工程を行い、基板の裏側において、エミッタ領域またはバックサーフェスフィールド領域のいずれか一方を複数の溝の間に形成し、エミッタ領域またはバックサーフェスフィールド領域の他方を複数の溝の底に形成する工程と、を含む方法。複数の溝を形成する工程は、レーザ切除の手段により溝を形成し、続いて形成された溝のウエットエッチングを行う工程を含む請求項1に記載の方法。複数の溝を形成する工程は、ドライエッチング工程を行う工程を含む請求項1に記載の方法。複数の溝を形成する工程は、誘電体層を選択的にエッチングするペーストを基板上にスクリーン印刷する工程を含む請求項1に記載の方法。指向性ドーピング工程は、イオン注入工程、プラズマドーピング工程、高い異方性を有する低圧堆積工程のいずれかを行う工程を含む請求項1~4のいずれかに記載の方法。更に、ドーパント拡散工程の前に、基板の表側に第2ドープ領域を形成する工程を含み、第2ドープ層は基板と同じドーパント型のドーパントを有する請求項1~5のいずれかに記載の方法。更に、基板の表側および/または裏側の表面パッシベーション層、表側の反射防止コーティングの1またはそれ以上を形成する工程、またはエミッタコンタクトおよびベースコンタクトを裏側に形成する工程、を含む請求項1~6のいずれかに記載の方法。エミッタコンタクトおよびベースコンタクトを形成する工程は、裏側にある異なる層を通って開口部を形成し、第1型のドープ領域と第2型のドープ領域を部分的に露出させる工程と、第1型および第2型のドープ領域上にエミッタコンタクトとベースコンタクトとを形成する工程と、を含む請求項7に記載の方法。更に、エミッタコンタクトとベースコンタクトとを電気メッキする前に、金属シード層を形成する工程を含む請求項8に記載の方法。エミッタコンタクトとベースコンタクトとを形成する工程は、1つのメタライゼーション工程で行われる請求項8または9のいずれかに記載の方法。以下の詳細な説明では、本発明の全体の理解、および特定の具体例でどのように実施するかを提供するために、多くの特定の細部が説明される。しかしながら、本発明は、それらの特定の細部無しに実施できることが理解されるであろう。他の例では、公知の方法、手順、および技術は、本発明を不明瞭にしないために、詳細には示されない。本発明は、特定の具体例について特定の図面を参照しながら説明されるが、本発明はこれに限定されるものでは無い。ここに含まれ記載された図面は模式的であり、本発明の範囲を限定しない。また図面において、図示目的で幾つかの要素の大きさは誇張され、それゆえに縮尺通りではない。更に、説明や請求の範囲中の、第1、第2、第3等の用語は、類似の要素の間で区別するために使用され、一時的、空間的、序列的、または他の方法のいずれかで順序を表す必要はない。そのように使用された用語は、適当な状況下で入替え可能であり、ここに記載された発明の具体例は、ここに記載や図示されたものと異なる順序によっても操作できることを理解すべきである。また、説明や請求の範囲中の、上、下、上に、下に等の用語は、記載目的のために使用され、相対的な位置を示すものではない。そのように使用された用語は、適当な状況下で入替え可能であり、ここに記載された発明の具体例は、ここに記載や図示されたものと異なる位置でも操作できることを理解すべきである。また、含むcomprisingの用語は、それ以降に示される要素に限定して解釈されることを排除するものであり、他の要素や工程を排除しない。このように、言及された特徴、数字、工程、または成分は、その通りに解釈され、1またはそれ以上の他の特徴、数字、工程、または成分、またはこれらの組み合わせの存在または追加を排除してはならない。このように、手段AおよびBを含むデバイスの表現の範囲は、構成要素AとBのみを含むデバイスに限定されるべきではない。本発明の文脈では、太陽電池の表面または表側は、光源に向かって配置され、これにより光を受けるために取り付けられた表面または側面である。太陽電池の裏面または裏側は、表面に対向する面または側である。基板の表側は、形成される太陽電池の表側に対応する基板の側面であり、一方基板の裏側は、形成される太陽電池の裏側に対応する基板の側面である。本発明の文脈では、インターディジテイテッド交差指型手段が混じり合い、これにより1つのグループからの部材は、他のグループからの部材と交互に存在する。特に、インターディジテイション交互嵌合は、太陽電池のバックコンタクトに関連する。そのようなインターディジテイテッドバックコンタクトの長所は、グリッドの影損失が無いことである。本発明の1つの具体例にかかるインターディジテイテッドバックコンタクト太陽電池の製造方法は、第1ドープ層を覆う誘電体マスク層を形成する工程と、誘電体マスク層と第1ドープ層とを通って複数の溝を形成する工程であって、複数の溝は、半導体基板の裏面に対して、例えば直交するような実質的に直交する方向に延びて、複数の溝の側面において第1ドープ層の下方に延びる工程と、裏面に実質的に直交する方向に指向性ドーピング工程を行い、これにより複数の溝の底に、第1ドーパント型とは異なる第2ドーパント型のドーパントでドープ領域を形成する工程と、ドーパント拡散工程を行い、これにより基板の裏側において複数の溝の間に第1型のドープ領域を形成し、複数の溝の底において第2型のドープ領域を形成する工程とを含む。一の具体例にかかる方法によるIBC太陽電池の製造プロセスの例が、図1~図8に記載される。この方法は、例えば0.5Ohmcmと10Ohmcmの間の範囲の抵抗率を有する、第1ドーパント型のドーパントを含む半導体基板、例えばn型シリコン基板が用いられる例示的具体例について記載される。しかしながら、この方法は、これに限定されず、例えばゲルマニウム基板のような他の半導体材料、および/または例えばp型基板のような他の型の基板上に太陽電池を形成するためにも使用できる。n型基板10の表面をテクスチュアした後に、n型ドーパントのような第1型のドーパントを含む、例えば第1酸化物層11のような第1ドープ層、例えばリンドープ酸化物層が、基板の裏側に形成される図1。n型ドーパントのような第1型のドーパントを含む、例えば第2ドープ酸化物層12のような第2ドープ層、例えばリンドープ酸化物層が、基板10の表側に形成される。例えばリンドープ酸化物層11、12のような、第1および第2のドープ層は、POCl3ガラス、リンドープCVD酸化物、または当業者に知られた他の好適にドープされた酸化物層でも良い。第1ドープ酸化物層11と第2ドープ酸化物層12は、例えば1つの酸化工程で同時に形成されても良い。ドープされた酸化物層の代わりとして、当業者に知られた他の好適な型のドープ層、例えばイオン注入シリコン層が用いられても良い。次に、図2に示すように、誘電体層または誘電体層スタック13が基板10の裏側に形成され、この誘電体層スタック13は、例えば酸化物層11のような第1ドープ層を覆う。誘電体層スタック13は、例えば約50nmと1マイクロメータの間の範囲の膜厚を有する堆積されたシリコン酸化物層、および/または例えば約50nmと500nmの間の範囲の膜厚、例えば約50nmと150nmの間、例えば約100nmの間の膜厚を有するシリコン窒化物層でも良い。裏側の誘電体スタック層13は、例えばシリコン窒化物層のようなパッシベーションの材料を含み、これは太陽電池の裏面をパッシベートするための水素源として使用されても良い。加えて、電極を形成する場合に、プロセスの、後の段階で形成される金属から保護する。本発明の他の具体例では、裏面のパッシベーション層または層スタックは、プロセスの後の段階で形成される。そのような具体例では、基板の裏側に存在する全ての層第1ドープ層11、およびもし存在するなら誘電体層スタック13は、ドーパント拡散工程を行った後に除去されて、その後に裏側のパッシベーション層または層スタックが形成されても良い。表側において、シリコン窒化物層14のような追加の層が、第2ドープ酸化物層12の上に形成されても良い。シリコン窒化物層14は、最終的な太陽電池構造の反射防止コーティングとして機能しても良い。それゆえに、シリコン窒化物層14の膜厚は、好適には約50nmと150nmの間の範囲である。しかしながら、本発明の他の具体例では、反射防止コーティングが、例えばドーパント拡散工程を行った後のような、プロセスの後の段階で形成されても良い。そのような具体例では、ドーパント拡散工程を行った後で、かつ反射防止コーティングを形成する前に、第2ドープ層12が除去され表面パッシベーション層が形成されても良い。次の工程では、基板10の裏側において、プロセスの後の段階でエミッタ領域が形成される位置に、例えばシリコンのような基板材料中に複数の溝17が形成される図3。複数の溝17は、例えばレーザ切除により形成される。溝17は、プロセスの後の段階で形成されるエミッタ領域の形状に対応する形状を有する。例えば、溝は、基板の裏面に平行な面における断面が、例えば矩形形状のような実質的に矩形の形状を有し、形成される太陽電池の長さを有し、例えば約40マイクロメータと2mmの間の範囲、例えば約100マイクロメータと1mmの間の範囲、例えば約300マイクロメータのオーダーの幅を有する。溝の間のピッチPは、例えば約60マイクロメータと3mmとの間の範囲でも良い。溝の深さは、プロセスの、後の段階で形成されるバックサーフェスフィールドの深さより大きい。溝の最終深さd図4に示された、基板材料中の溝17の実際の深さは、例えば約500nmと10マイクロメータとの間の範囲であり、例えば約1マイクロメータと5メイクロメータとの間である。レーザ切除で溝17を形成する代わりに、例えば誘電体層のエッチングのためのリソグラフィおよびDRIEエッチングまたはエッチングペーストのスクリーン印刷と、それに続く例えばシリコンのような基板材料中の溝のエッチングのような、当業者に知られた他の方法が用いられても良い。レーザ切除の後に、誘電体層13をマスク層に用いて、例えばNaOH系またはKOH系のエッチング溶液を用いてウエット化学エッチングが行われても良い。NaOHまたはKOH系エッチング溶液は、例えばH2O1リットル当たり約100gから200gのNaOHまたはKOHを含み、エッチングは約85°C以下で行われる。しかしながら、一の具体例にかかる方法では、当業者に知られた他の好適なエッチング溶液、例えばHNO3BHFH2O系エッチング溶液が用いられても良い。エッチング溶液は、裏側で、基板材料が、覆う層11、13より速いエッチング速度を有するように選択される。ウエット化学エッチング工程では、レーザ切除工程により例えばシリコンのような基板材料中で形成されたダメージが除去され、誘電体層13と例えば酸化物層11のような第1ドープ層のエッチング速度と比較して、例えばシリコン基板10のような基板のエッチング速度が速いことによりアンダーカットを形成する。この結果、図4に示すような構造となる。アンダーエッチングにより、溝17の横側において、吊り下げられた部分またはカンチレバーが、例えば酸化物層11のような第1ドープ層と誘電体層13により形成される。吊り下げられた部分またはアンダーカッティングの幅W0は、例えば約1ミクロメータと5ミクロメータの間の範囲である。次の工程では、図5に示すように、例えばp型ドーパントのような第2型のドーパントを用いた指向性ドーピング工程、例えばホウ素の注入工程が、基板の裏側において、裏面の平面に対して例えば直交するような、実質的に直交する方向に行われる。例えば注入工程のようなドーピング工程の結果として、例えばホウ素のようなp型ドーパントのような第2型のドーパントを含むドープ領域18が、基板10の裏側において、エミッタ領域が形成される、複数の溝17の底に形成される。注入は非常に指向性のある工程であり、溝17の横側のカンチレバーの存在は、後に、溝の底においてドープ領域18をドーパント源として用いて形成されるエミッタ領域の間と、溝17の間に第1ドープ酸化物層11をドーパント源として用いて形成されるバックサーフェスフィールドBSF領域との間を分離する。本発明の具体例では、例えばプラズマドーピングや当業者に知られた他の指向性ドーピング工程が用いられても良い。次に、例えば約5分と10分の間で、約1000°Cと1050°Cの間の範囲の温度で、高温工程が行われ、基板10の裏側の溝中で、例えばシリコンのような基板材料中に、例えばドープ領域18からのホウ素のような第2型ドーパントの拡散に1工程で繋がり、これによりエミッタ領域20を形成し、基板の裏側で溝17の間で、例えばシリコンのような基板材料中に、例えば酸化物層11のような第1ドープ層からの例えばリンのような第1型ドーパントの拡散に繋がり、バックサーフェスフィールド領域21を形成し、そして表側で例えば酸化物層12のような第2ドープ層からの、例えばリンのような第1型ドーパントの拡散に繋がり、これにより太陽電池のテクスチュア表面において、フロントサーフェスフィールド領域22を形成する。溝17の横側にカンチレバーが存在することにより、このプロセスは、裏側において、溝の側壁において、マスク層を形成する必要無しに、例えばn領域BSF領域21のような第1ドーパント型の領域と、例えばp領域エミッタ領域20のような第2ドーパント型の領域との間を良好に分離する。結果の構造が図6に示される。次に、基板の裏側に、特に、溝17の、例えばシリコン表面のような露出した基板表面に、表面パッシベーション層23が形成される図7。表面パッシベーション層23は、例えば、約3nmと10nmの間の範囲の膜厚を有する熱酸化物と堆積された酸化物または窒化物とを含むスタック、または例えば約30nmのオーダーの膜厚を有するAl2O3層と堆積された酸化物層または窒化物層とを含むスタック、または当業者に知られたパッシベーションに適した他の層または層のスタックでも良い。本発明の代わりの具体例図示せずでは、基板10上に先に形成された異なる層誘電体層13、第1ドープ層11、第2ドープ層12が、ドーパント拡散工程後に除去されて、続いて基板の全体の裏面または表面上に、表面パッシベーション層を形成しても良い。更なるプロセスは、例えばシリコンのようなドープされた半導体基板材料まで、裏側で層を通って、例えばレーザ切除により開口部を形成する工程を含み、エミッタ領域20とBSF領域21への金属ポイントコンタクトを可能にする。開口部は表面パッシベーションを通って形成され、エミッタ領域20が部分的に露出する。開口部はまた、溝17の間の層のスタック示される例では第1ドープ酸化物層11、誘電体層13を通って形成され、示された具体例では、nドープされたBSF領域21が露出する。最後に、例えばシリコンのような半導体基板10の裏側を覆う層を通って形成された開口部を通って、特に、エミッタ領域20へのエミッタコンタクト24およびBSF領域21へのベースコンタクト25を通って、金属コンタクトが形成される図8。エミッタコンタクト24とベースコンタクト25は、好適には交差指型であり、例えば櫛型形状である。双方のコンタクト型を形成するためにメタライゼーションが1つのプロセスで行われる。溝17の存在のために、エミッタコンタクト24とベースコンタクト25との間の電極分離が得られ、溝の端部で金属の不連続となる。メタライゼーションは、例えばTi/Cuスタックを含む約100nm膜厚シード層のようなシード層の堆積により行われ、続いて電気メッキ例えば約4マイクロメータ膜厚のCuの電気メッキや、金属層例えば約1マイクロメータ膜厚のAl層の堆積が行われる。図1から図8は、エミッタ領域が複数の溝の底に形成され、BSF領域が溝の間に形成されるプロセス手順を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、溝の底にBSF領域が形成され、溝の間にエミッタ領域が形成されるIBCセルを作製するために方法が用いられても良い。先の記載は、本発明の所定の具体理を詳述する。しかしながら、テキスト中でいかに詳細に前述のものがあらわされようとも、本発明は多くの方法で実施できることが認められるであろう。本発明の所定の特徴や形態を記載する場合の、特定の用語の使用は、その用語が関連する本発明の特色や形態の特定の特徴を含むように、その用語がここで再定義されて限定されることを意味するものと取るべきでないことは留意すべきである。上記詳細な説明は、様々な具体例に適用されるような、本発明の新規な特徴を示し、記載し、指摘したが、記載されたデバイスまたはプロセスの形態や細部において、様々な省略、代替え、および変形が、本発明の精神から離れることなく当業者が行えることは理解すべきである。