"p型半導体層と、上記p型半導体層上に接して積層された第1のパッシベーション膜と、上記第1のパッシベーション膜上に接して積層された第2のパッシベーション膜とを少なくとも備え、上記第1のパッシベーション膜が単独で上記p型半導体層上に接して積層された場合の界面固定電荷密度Qf1と、上記第2のパッシベーション膜が単独で上記p型半導体層上に接して積層された場合の界面固定電荷密度Qf2との間に、Qf1<Qf2の関係が成り立つことを特徴とする界面パッシベーション構造。上記p型半導体層はシリコン層であり、上記第1のパッシベーション膜および第2のパッシベーション膜は、窒化シリコン膜であることを特徴とする請求項1に記載の界面パッシベーション構造。請求項1または2に記載の界面パッシベーション構造を、裏面パッシベーション構造として備えたこと特徴とする裏面パッシベーション型太陽電池。プラズマを利用した気相成長法によって、シリコン層上に接して第1の窒化シリコン膜を積層した後、上記第1の窒化シリコン膜上に接して第2の窒化シリコン膜を積層する工程を含み、上記気相成長法に用いる各原料ガスの流量比としてのSiH4/NH3流量比の値について、上記第1の窒化シリコン膜の積層時の値より、上記第2の窒化シリコン膜の積層時の値を大きくすることを特徴とする界面パッシベーション構造の製造方法。しかしながら、前述のようにパッシベーション膜材料としてアルミナを採用すれば、界面固定電荷密度Qfが負の値となり、パラサイティックシャンティング現象の発生を回避することができるとしても、アルミナは、太陽電池の不活性化膜材料としてはあまり使われていない。なぜなら、ALDAtomicLayerDeposition等の特殊な方法を用いて堆積する必要があるためである。一般に、ALDによるアルミナ堆積速度は極めて遅いので、スループットが低く、パッシベーション膜としての量産利用に適していない。そこで、本来的に正の界面固定電荷密度Qfを有するが、太陽電池材料として使い慣れたSiNxを用いて上記問題を回避できれば、それが最も簡易な方法であって、効果が高いことになる。正のQfを有するSiNxを使用するにあたっては、前述のように、SiNx膜パッシベーション膜とp型シリコン基板p型半導体層との界面に存在する正のQfをできるだけ低減するための工夫が必要とされる。その手法については、既に良く知られている。例えば、SiNx膜を製膜するときにプラズマに流すガスに含まれるアンモニアガスの分率を増やす、プラズマを励起するRF出力を増加させる、製膜時に基板温度を低下させる、または製膜時の圧力を調節するなどの手段を用いることにより、Qfの低減を達成可能である。しかし、上記のような手段でQfを低減した場合、界面準位密度Ditが増大するという問題が生じる。特にSiNx膜に熱を加えた場合、SiNx膜とシリコン基板との界面には深刻なダメージが加わり、Ditが増大することがある。すなわち、低いQfを有する膜低Qf膜を太陽電池の裏面パッシベーション膜として採用した場合、高温でアニールを行ったときに、高いQfを有する膜高Qf膜と比較して、Ditの増加が生じやすい。そのため、低Qf膜を太陽電池の界面パッシベーションとして使用した場合、アニール工程電極形成などの高温プロセスを経ることによって、膜の特性を悪化させてしまう可能性がある。本発明はこの問題を解決するものである。すなわち、パラサイティックシャンティング現象の大幅な低減ができるほどに、低い界面固定電荷密度Qfを有していながら、裏面電極を作製する時などの高温アニールにおいても、界面準位密度Ditの十分な低減を図ることができるパッシベーション膜を提供するものである。すなわち、本発明は、パラサイティックシャンティング現象の発生を抑制し、良好な特性を実現する太陽電池を提供することを目的としている。本発明に係る界面パッシベーション構造は、p型半導体層と、上記p型半導体層上に接して積層された第1のパッシベーション膜と、上記第1のパッシベーション膜上に接して積層された第2のパッシベーション膜とを少なくとも備え、上記第1のパッシベーション膜が単独で上記p型半導体層上に接して積層された場合の界面固定電荷密度Qf1と、上記第2のパッシベーション膜が単独で上記p型半導体層上に接して積層された場合の界面固定電荷密度Qf2との間に、Qf1<Qf2の関係が成り立つことを特徴とする。上記の構成において、Qf1<Qf2の関係が成り立つことによって、上記第1のパッシベーション膜は、p型半導体層とパッシベーション膜との間の界面における界面固定電荷密度Qfを低く維持する働きをする。上記第2のパッシベーション膜は高温でアニールを行ったときに、界面準位密度Ditを低減させる働きをする。この2種類の性質の異なるパッシベーション膜の複合的な作用によって、界面固定電荷密度Qfは低く抑えられ、しかも高温アニールによっても界面準位密度Ditは劣化しないという効果が得られる。上述の効果を説明するメカニズムの仮説は以下のようである。パッシベーション膜には水素が含まれている。そうすると、パッシベーション膜を熱に暴露することにより、上記水素はパッシベーション膜の内部から脱離し、その一部はp型半導体層界面に到達する。界面に到達した上記水素は、そこに存在する未結合手を終端し、キャリアトラップを減少させることによってDitを低減させる。ここで、界面固定電荷密度Qfが高い高Qf膜では、高温にならないと水素の脱離は起こらないが、界面固定電荷密度Qfが低い低Qf膜においては、水素の脱離は低温で起こる。したがって、従来のように、パッシベーション膜が低Qf膜のみの1層の構成であれば、750°C程度の高温で膜をアニールしたとき、膜中の水素は既に脱離して無くなっているので、パッシベーション膜とp型半導体層の界面にも同様に水素は多く存在しない。この結果、未結合手が増加した状態になり、界面準位密度Ditの増加を招く。一方、本発明のパッシベーション膜では、第1層の低Qf膜とともに、第2層の高Qf膜を含んでいるので、750°C程度の高温であっても、第2層の高Qf膜から水素を十分に供給することができる。すなわち、本発明によれば、パッシベーション膜が膜質の異なる2層のパッシベーション膜を含んで構成されていることによって、高温アニール時に、p型半導体層の界面で不足する水素を、第1のパッシベーション膜からの供給が不可能となっても、高温アニールに強い第2のパッシベーション膜から供給することによって、補うことができる。これにより、高温アニールによって、パッシベーション膜全体の界面固定電荷密度Qfを低く抑え、かつ界面準位密度Ditをも低く抑えることができる。本発明に係る上記界面パッシベーション構造では、上記p型半導体層はシリコン層であり、上記第1のパッシベーション膜および第2のパッシベーション膜は、窒化シリコン膜であることを特徴とする。これにより、窒化シリコン膜は、太陽電池の構成材料として汎用されており、しかも、窒化シリコン膜が本来的に備えている正の界面固定電荷を、既に説明したとおり、低く抑えることができるので、特性の良好な太陽電池の量産に対応することが容易になる。本発明に係る裏面パッシベーション型太陽電池は、上記界面パッシベーション構造を、裏面パッシベーション構造として備えたこと特徴とする。上記界面パッシベーション構造により、界面固定電荷密度Qfおよび界面準位密度Ditを低く抑えることができるので、裏面パッシベーション型太陽電池の特性を向上させることができる。本発明に係る界面パッシベーション構造の製造方法は、プラズマを利用した気相成長法によって、シリコン層上に接して第1の窒化シリコン膜を積層した後、上記第1の窒化シリコン膜上に接して第2の窒化シリコン膜を積層する工程を含み、上記気相成長法に用いる各原料ガスの流量比としてのSiH4/NH3流量比の値について、上記第1の窒化シリコン膜の積層時の値より、上記第2の窒化シリコン膜の積層時の値を大きくすることを特徴とする。上記のように、上記気相成長法に用いる各原料ガスの流量比としてのSiH4/NH3流量比の値について、上記第1の窒化シリコン膜の積層時の値より、上記第2の窒化シリコン膜の積層時の値を大きくすることによって、前述したQf1<Qf2の関係を満足する界面パッシベーション構造を得ることができる。p型半導体層上に積層するパッシベーション膜を、性質が異なる2層のパッシベーション膜を含む構成とすることによって、諸特性の優れた太陽電池を提供することができるという効果を奏する。以下、本発明の実施の形態について、図1~図7に基づいて詳細に説明する。但し、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例に過ぎない。界面パッシベーション構造本実施形態に係る界面パッシベーション構造を図1に示す。図1に示す界面パッシベーション構造200は、例えばpn接合を有した光電変換素子の1形態である裏面パッシベーション型太陽電池に適用することができる。同図に示すように、界面パッシベーション構造200は、p型半導体層としてのp型シリコン基板以下、シリコン基板と略称する201と、パッシベーション膜202とを備えている。パッシベーション膜202は、シリコン基板201に接して積層された第1のパッシベーション膜としての窒化シリコン膜以下、SiNx膜と略称する202aと、SiNx膜202a上に接して積層された第2のパッシベーション膜としてのSiNx膜202bとを備えた2層構成となっている。但し、SiNx膜202aとSiNx膜202bとは、性質が以下のように相違している。すなわち、後述するように、SiNx膜202aが単独でシリコン基板201上に接して積層された場合の界面固定電荷密度Qf1と、SiNx膜202bが単独でシリコン基板201上に接して積層された場合の界面固定電荷密度Qf2との間に、Qf1<Qf2の関係が成り立っている。上記の構成により、SiNx膜202aとSiNx膜202bとを、750°C程度の高温でアニールした場合でも、パッシベーション膜全体の界面固定電荷密度Qf以下、単にQfと略記するを低く抑え、かつ界面準位密度Dit以下、単にDitと略記するをも低く抑えることができる。したがって、界面パッシベーション構造200を裏面パッシベーション膜として備えた太陽電池は、その特性を向上させることができる。アニール温度とDitとの関係SiNx膜とp型シリコン基板との界面に存在する正のQfを低減する従来の手法では、Ditが増大するという問題が生じることを既に説明した。ここで、太陽電池を製造する際に、電極形成などの高温プロセスを経ることによって、SiNx膜に熱を加えた場合、上記界面に深刻なダメージが加わり、Ditが増大することがある。その典型例として、一つの実験結果を図2に示す。同実験においては、SiNx膜を製膜するときに、プラズマに流すガスであるアンモニアガスとシランガスとの分率を変化させることにより、2種類のSiNx膜を作製した。一方は3.0E12cm-2以上の高いQfを有するパッシベーション膜高Qf膜であり、他方は、1.9E12cm-2以下の比較的低いQfを有するパッシベーション膜低Qf膜である。なお、3.0E12は3.0×1012を表し、1.9E12は、1.9×1012を表している。また、Ditの単位は、mincm-2eV-1である。同図によれば、上記2種類の膜における共通した振る舞いのあることが判る。それは、上記高温プロセスにおけるアニール温度を500°C以上に高くしてゆくと、Ditが一旦減少し、再度増加するような、U字型の振舞いを見せることである。しかしながら、両者の相違点として、高Qf膜においては、Ditが極小を示す温度範囲は700°C以上まで存在しているのに対して、低Qf膜では、Ditは600°C近傍で極小となり、700°Cではすでに増加を始めている。即ち、低Qf膜を太陽電池の裏面パッシベーション膜として採用した場合、高温でアニールを行ったときに、高Qf膜と比較して、Ditの増加が生じやすいという結果が得られた。ゆえに、低Qf膜を太陽電池の界面パッシベーションに使用した場合、電極形成などの高温プロセスを経ることによって、界面Ditの増加が生じ、特性を悪化させてしまう可能性がある。本願発明者は、高温プロセスによるDitの増加の問題を考慮し、SiNx膜の製膜後に施される一般的なアニール工程により、Ditを好適に低減させることができるQfの好ましい範囲を既に提案している特願2010-172659号。その提案内容にここで簡単に触れておく。本願発明者は、Qfがある値より小さくなると、アニール工程によって、Ditが増加し始め、太陽電池の特性を劣化させることを見出した。すなわち、アニール工程により、Ditを好適に低減させることができるQfには、下限点が存在する。図3のabは、上記提案内容に関する測定結果の一部であり、Qfの下限点を導出した測定結果を示している。図3のaは、原料ガスの流量比SiH4/NH3を変えてQfを測定した結果を示し、図3のbは、原料ガスの流量比SiH4/NH3を変えてDitの変化を測定した結果を示している。なお、sccmstandardcubiccentimeterperminuteは、流量の単位であり、1気圧および一定温度の条件下で規格化された1分間あたりのガス体積cm3を表している。図3のaから、原料ガスの流量比SiH4/NH3を減少させると、Qfは概ね低下する一方、アニール工程の有無によっては、Qfには、ほとんど違いが生じないことがわかる。他方、図3のbに示されるDitを見ると、アニール工程無しの場合には、SiH4/NH3流量比を変化させても大きな違いはない。しかし、アニール工程を施した場合には、SiH4/NH3流量比が25/200以上では、アニール工程無しの場合に比べて、Ditが良好に低減するのに対し、SiH4/NH3流量比が19/200以下に小さくなると、アニール工程無しの場合と比較して、Ditは低減せず、逆に増大し、その結果、アニール工程無しの場合のDitに接近することがわかる。この測定結果から、SiH4/NH3流量比が19/200に対応するQf=1.3E12cm-2がQfの下限点として導出された。このことは、パラサイティックシャンティング現象を抑制するには、Qfを小さくしたいが、Qfが上記下限点より小さいSiNx膜は、アニールに対して弱いため、これを裏面パッシベーション型太陽電池の裏面パッシベーション膜として用いるのは困難であることを意味している。実験による本発明の効果の実証本発明の効果を実証するために、上記界面パッシベーション構造200として、図4に示すサンプルを作製し、検証実験を行った。本実験において、SiNx膜202a,202bは、平行平板型プラズマ源を用いたプラズマCVD装置を用いて、下記の条件で作製された。圧力:100Pa基板温度:450°CRFパワー密度:0.074W/cm2電極間距離:30mm本条件のもとで、高いQf≒2.5E12cm-2を有するSiNx膜202bは、SiH4/NH3流量比を25sccm/50sccmとすることによって得られた。また、低いQf≒9.8E11cm-2を有するSiNx膜202aは、SiH4/NH3流量比を13sccm/200sccmに設定することにより得られた。SiNx膜202a,202bは、FzFloating-Zone法を用いて作製された2.0Ωcmのシリコン基板201の上に、全体の膜厚が306nmの一定値となるように製膜された。まず第1のパッシベーション膜低Qf膜としてのSiNx膜202aの膜厚xを、x=40~160nmの範囲で変化させて堆積した。次に、第2のパッシベーション膜高Qf膜としてのSiNx膜202bを、残りの膜厚分306-xnmだけ堆積して、パッシベーション膜202を作製した。本サンプルを焼成炉に入れ、一般的な太陽電池の電極焼成条件750°C、12秒でアニールを施した。その後、この試料のパッシベーション膜202とシリコン基板201の界面とを、C-VCapacitance-Voltage法を用いて評価した。評価は、DitおよびQfを測定することにより行った。なお、SiNx膜202aの厚さxを40,80,160nmの3通りに変えて、3種類のサンプルを作製した。図5のaは、3種類のサンプルにおけるQfの測定結果である。なお、参考のために、SiNx膜202aと同等の低Qf膜としてのSiNx膜、およびSiNx膜202bと同等の高Qf膜としてのSiNx膜を,それぞれ単独でシリコン基板201上に堆積した試料の測定結果も併記している。同図から、本発明に係る3種類のサンプルでは、パッシベーション膜202が2層の性質の異なるSiNx膜202a,202bからなる構成であるにもかかわらず、アニール後のQfが、SiNx膜202aを単独で堆積した試料のQfに近い値を示すことがわかる。このように、複合膜型のパッシベーション膜202のQfは、シリコン基板201の界面に接する第1層のパッシベーション膜202aのQf値にほぼ等しくなる。次に、図5のbに示すDitの測定結果を検討する。SiNx膜202bと同等のSiNx膜を単独でシリコン基板201上に堆積した試料では、アニールを実行することによって、Ditは1/3以下に低減し、1E11cm-2eV-1程度になっている。一方、SiNx膜202aと同等のSiNx膜を単独でシリコン基板201上に堆積した試料では、アニール後にもDitは低減せず、結果としてDitは3E11cm-2eV-1の高水準に留まっている。これに対し、Qfの値が高低2種類のSiNx膜からなるパッシベーション膜202を備えた3種類のサンプルでは、アニール後にDitは7E10cm-2eV-1になり、アニールによって、Ditが1/5程度に大幅に低減されていることがわかる。低減の割合は、低QfのSiNx膜202aの膜厚を40~160nmの範囲で変化させても、変化を示さなかった。従来では、前述の理由により、低Qf膜の単層で構成された界面パッシベーション構造では、750°Cの高温アニールを行ったときに、Ditを低減することは不可能であった。しかし、本発明のように、Qfの値が高低2種類のパッシベーション膜を積層した界面パッシベーション構造では、750°Cのアニールを行っても、低Ditを維持する低Qfを実現できることが判った。太陽電池の構成本実施形態においては、光電変換素子の一形態である裏面パッシベーション型太陽電池として、図6に示す構造の太陽電池100を採用する。なお、本太陽電池100は、後述する数値モデル計算用のモデル構造としても使用される。同図において、太陽電池100の表面側光入射側には、p型半導体層としてのp型シリコン基板101以下、シリコン基板101と呼称するの表面にn層102が形成されている。一方、太陽電池100の裏面側においては、裏面電極形成部の直上に、p層114が形成されている。太陽電池100は、さらに、反射防止膜103と、裏面パッシベーション膜106以下、パッシベーション膜106と呼称するとを含んでいる。上記反射防止膜103は、n層102の表面を被覆するように形成され、表面側のパッシベーション膜としての機能も有している。上記パッシベーション膜106は、シリコン基板101ないしp層114の一部の表面を被覆するように形成されている。すなわち、太陽電池100は、p層114と、パッシベーション膜106中の正電荷112によりn化したシリコン基板101とが、太陽電池100の裏面側のシリコン基板101界面で接する構造となっている。さらに、太陽電池100の表面には、反射防止膜103が一部除去された領域が形成されて、当該領域には表面電極層104が設けられている。パッシベーション膜106の裏面側には、裏面電極層109が形成されている。すなわち、表面電極層104に対して、シリコン基板101を挟んで対向する位置には、前もってパッシベーション膜106を一部除去しておくことによって、上記裏面電極層109が形成される。なお、図中の正電荷112は、シリコン基板101とパッシベーション膜106との界面に固定的に存在する界面固定電荷の様子を模式的に示したものである。上記パッシベーション膜106に、上記パッシベーション膜202の2層構造を適用することによって、低Ditを維持する低Qfを実現した、良好な諸特性を示す太陽電池100を得ることができる。数値モデル計算本願発明者は、太陽電池の現実的な設計に基づいて、本発明に係る積層型のパッシベーション膜を太陽電池に適用した場合と適用しなかった場合との両方について、コンピュータを用いた数値モデル計算を行った。その数値モデル計算により、太陽電池特性を導出した詳細な手順について以下に説明する。数値モデル計算の基本原理は、基板内部のキャリア輸送を支配するポアソン方程式と電流連続式とを基本に、太陽光の吸収によって励起されるキャリアの発生率とキャリアの消滅速度とを生成消滅項に代入した基本方程式を解くことにある。数値モデル計算を実行するためには、この基本方程式を線形化した後に離散化を行い、数値計算可能な連立方程式とする。そして、上記連立方程式を解くことで、太陽電池セル内部の電位分布とキャリア密度分布とが得られるので、電極間に流れる電流を求めることが可能となる。太陽電池100のモデル構造に関する数値モデル計算を実行するにあたって、キャリア移動については、パッシベーション膜106とシリコン基板101との界面に平行な方向と、同界面に垂直な方向との二方向への移動を考慮する必要が生じる。そこで、二次元でキャリア移動を扱うことのできる汎用デバイスシミュレータ例えば、シノプシス社製Sentaurusを用いた。また、具体的な計算にあたっては、上記モデル構造に対応するように、基板厚さ、不純物濃度、電子ライフタイム、表面再結合速度、表面不純物濃度、裏面パッシベーション膜接触幅図6でいえば、パッシベーション膜106とシリコン基板101とが接触している横幅、太陽光のスペクトル照度、表面反射率、表面内部反射率、裏面内部反射率、電極直下影損失などのパラメータを、実際の値として適切なものとなるように設定した。ただし、上記各種パラメータのうち、太陽電池100の裏面側において、隣り合う裏面電極105によって形成される1区画の幅Wtotは、200μmに設定した。但し、数値モデル計算では、太陽電池構造の対称性に鑑みて、図6に示すように、Wtot/2=100μmを用いた。また、n層102を含むシリコン基板101の厚さについては、計算結果において裏面パッシベーション構造の影響を強く反映させるために、比較的小さい値である50μmに設定した。なお、裏面に堆積するSiNx膜の構成は、上記検証実験で得られたデータに基づき、以下の3種類に設定した。<A>高Qf膜の単層構成Qf~2.5E12cm-2,アニール後のDit=1.0E11cm-2eV-1<B>低Qf膜の単層構成Qf~9.8E11cm-2,アニール後のDit=3.0E11cm-2eV-1<C>AおよびBの2層構成Qf~9.8E11cm-2,アニール後のDit=7.0E10cm-2eV-1A,Bは従来のパッシベーション膜であり、Cは本発明に係るパッシベーション膜である。上記A~Cの構成のパッシベーション膜を使用した場合における、太陽電池の諸特性の数値モデル計算結果を図7に表にして示す。同図の一行目に示した各特性は、いずれも数値が高いほど好ましい。まずAとBとを比較する。BはAに比べて各特性が悪い。BはAに比べてQfが小さいので、パラサイティックシャンティング現象が起こらず、本来であれば、特性は向上するはずである。しかしながら、BはAに比べてDitの値が劣悪であるため、Qfが小さいことによる特性向上の効果を打ち消してしまい、却って特性が劣化している。一方、Cについては、QfがBと同等であってAに比べて小さく、かつDitが低いという2つの効果によって、全ての特性が向上している。以上のように、数値モデル計算からも、本発明の界面パッシベーション構造によって、従来よりも太陽電池の特性を向上できることが裏づけられた。本発明に係る太陽電池の製造プロセス例以下の第一から第九に至る説明は、本実施形態に係る太陽電池100の製造プロセス例を示すものである。第一に、シリコン基板101を、RCA社が開発したRCA洗浄法で洗浄する。続いて、NaOH水溶液とイソプロピルアルコールとの混合液を用いて、液温約90°Cでエッチングを行うことによって、シリコン基板101の表面太陽電池100における受光面側に高さ数μmの微小な凹凸を形成する。このように、シリコン基板101の表面に微細凹凸構造を形成することは、テクスチャエッチングと呼ばれる。このようにテクスチャエッチングを行うことにより、シリコン基板101表面の光が散乱され、反射を抑えることができるので、太陽電池100の光利用効率を上げることができる。なお、シリコン基板101は、例えばシリコン製の基板にホウ素、アルミニウムまたはガリウムなどの3価元素を微量に加えることによって得られる。また、単結晶シリコンを用いたシリコン基板も、本発明の適用対象である。また、上記テクスチャエッチングには、反応性イオンエッチング法を用いてもよい。第二に、POCl3を含む高温気体中にシリコン基板101を置き、リンを熱拡散させ、不純物を含んだn層を、シリコン基板101の受光面表面側および裏面側に形成した。なお、シリコン基板101の表面にリンを拡散させる方法として、例えば、POCl3を用いた上記の気相拡散法以外に、P2O5を用いた塗布拡散法、Pイオンを直接拡散させるイオン打ち込み法等がある。第三に、プラズマCVD化学気相堆積;ChemicalVaporDeposition法によって、シリコン基板101の受光面側太陽電池への光の入射側に、反射防止膜103として、SiNx膜を堆積した。SiNx膜は、表面パッシベーション膜としての機能も有している。ここで、パッシベーション効果を有しており不活性化膜の機能を兼ねる反射防止膜103としては、上記SiNx膜のほかに、例えば、酸化アルミニウム膜、酸化シリコン膜または酸化チタン膜などが用いられる。しかしながら、多結晶シリコン基板を用いた太陽電池の場合には、変換効率を向上させる観点から、水素を含むSiNx膜を用いることが好ましい。また、反射防止膜103を形成する方法として、上記プラズマCVD法のほかに、触媒CVD法、常圧熱CVD法、減圧熱CVD法または光CVD法などのCVD法や、真空蒸着法またはスパッタリング法などのPVD物理気相堆積;PhysicalVaporDeposition法を用いることができる。なお、反射防止膜103としてSiNx膜を用いる場合には、膜厚の制御しやすさという観点からプラズマCVD法で形成することが好ましい。第四に、シリコン基板101表面受光面に保護テープを貼り、硝酸:フッ酸=3:1の溶液に浸漬した。これにより、シリコン基板101表面に存在するn層は残る一方、シリコン基板101裏面に存在するn層が除去され、シリコン基板101裏面が露出した。以上でn層102が形成される。第五に、本発明の界面パッシベーション構造の製造方法に相当する工程を実施する。すなわち、プラズマを利用した気相成長法として、プラズマCVD法を用いて、裏面にパッシベーション膜106を構成するSiNx膜202a第1の窒化シリコン膜およびSiNx膜202b第2の窒化シリコン膜をこの順に堆積した。本実施形態においては、多結晶シリコン基板を用いた太陽電池において変換効率を向上させる観点から、パッシベーション膜106には水素を含むSiNxを用いた。本実施形態のプラズマCVD法においては、SiNx膜202a,202bの形成に、希釈用ガスとしての窒素N2の他、原料ガスとして、モノシランSiH4、アンモニアNH3の2種類のガスを用いた。前述のように、低QfのSiNx膜202aの積層時には、SiH4/NH3流量比を例えば13sccm/200sccmに設定した。また、高低QfのSiNx膜202bの積層時には、SiNx膜202aの積層時の値より、SiNx膜202bの積層時の値を大きくし、SiH4/NH3流量比を例えば25sccm/50sccmに設定した。一般的に、Qfは、窒素を多く含むSiNx膜とシリコンとの界面においては小さく、シリコンを多く含むSiNx膜とシリコンとの界面においては増大することが知られている。そこで、上記SiNx膜202a,202bの形成段階において、プラズマを利用した気相成長法に使用されるモノシランSiH4とアンモニアNH3の流量比または混合比SiH4/NH3を変化させることにより、SiNx膜の窒素とシリコンの組成比を変化させることにより、Qfの値を調整ないし制御することができる。また、上記方法の他に、プラズマを利用した気相成長時の圧力、RFパワー、放電ギャップ、シリコン基板101の温度を変える、さらに水素を原料ガスに添加するなどの手法のいずれか1つ、または複数の手法を任意に組み合わせることによっても、上記組成比を変化させ、Qfの値を制御することができる。なお、上記の説明においては、パッシベーション膜106を構成する層の材料としてSiNxを採用したが、本発明において採用できるパッシベーション膜106の種類はこれに限られるものではなく、SiO2など他の材料を採用してもよい。第六に、フォトリソグラフィー等の方法を用いて、パッシベーション膜106に、前記裏面電極層109に対応した孔を開けた。第七に、裏面全面にアルミニウム膜を蒸着し、裏面電極層109を形成した。蒸着するアルミニウムの膜厚は、例えば2μmである。なお、裏面電極層105の形成法として、コスト重視の観点では、アルミニウムとガラスフリットとを主成分とするペースト材料を用いて印刷する方法が好ましい。また、上記真空蒸着法のほかに、スパッタ法を用いることもできる。第八に、アニール工程を行った。このアニール工程によって、裏面電極層109からシリコン基板101に、アルミニウムがp型不純物として拡散し、シリコン基板101のうち、裏面電極層109との接触部位にアルミニウム合金部p層114が形成される。このプロセスによって、正孔密度の高い良好なp層114が生成された。このことは、太陽電池100の光電変換効率を高めることに寄与する。第九に、シリコン基板101の受光面側に、導電性ペーストを用いて表面電極104を印刷し、アニールした。このときに発生するファイヤースルー現象により、表面電極104は反射防止膜103を貫通し、n層102に到達する。この結果、表面電極104から電気的出力を取り出すことができる。表面電極層104を構成する材料は特に限定されず、例えば太陽電池の分野で従来から用いられているアルミニウム、銀、チタン、パラジウムまたは金などの材料を用いることができる。また、表面電極層104の形成方法も特に限定されず、例えばスクリーン印刷法または真空蒸着法などを用いることができるが、量産性の向上および製造コストの低下の観点からはスクリーン印刷法を用いることが好ましい。なお、上記のアニール工程を施す場合のアニール条件は、裏面パッシベーション太陽電池の作製プロセスにおいて用いられる一般的なアニール条件と同じであり、例えば700°Cから800°C程度の温度でアニール工程が行われる。以上のようにして、太陽電池100を製造することができる。本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、上記実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる他の実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。"