"VCSELであるデータ送信用の発光素子と、該発光素子に少なくともバイアス電流を含んだ電流を供給する駆動回路と、周囲の温度に応じた信号が自律的に出力される信号回路とを備え、上記信号は、上記電流を、上記発光素子の温度特性に対応するように調整するものであり、上記VCSELは、温度に対して閾値電流が単調増加するように共振器長が設定されていることを特徴とする光伝送システム。上記VCSELは、温度に対して閾値電流が直線的に増加するように共振器長が設定されていることを特徴とする請求項1に記載の光伝送システム。請求項1または2に記載の光伝送システムと、光データ受信用の受光素子とを備えることを特徴とする光伝送モジュール。請求項1または2に記載の光伝送システムを含む第1の光モジュールと、光伝送路と、光データ受信用の受光素子を含む第2の光モジュールとを備え、上記光伝送路の一方の端部に上記第1の光モジュールが設けられ、該光伝送路の他方の端部に上記第2の光モジュールが設けられていることを特徴とする光伝送モジュール。上記光伝送路は、光導波路であることを特徴とする請求項4に記載の光伝送モジュール。上記光導波路は、ポリマー導波路であることを特徴とする請求項5に記載の光伝送モジュール。上記光導波路は、フレキシブル性を有することを特徴とする請求項5または6に記載の光伝送モジュール。請求項3から7の何れか一項に記載の光伝送モジュールを備えることを特徴とする電子機器。しかしながら、上記構成では、モニタフォトダイオードPD、演算処理回路、記憶部、および光出力モニタ信号生成部を含むフィードバック回路が必要であるため、光送信器が大型化してしまう。加えて、このフィードバック回路での消費電力も問題となる。これらの問題は、小型低消費電力が求められるモバイル装置例えば、携帯電話用のデータ伝送モジュールでより顕著なものとなる。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、小型で低消費電力の光伝送モジュールを提供する点にある。本発明の発光素子回路は、上記課題を解決するために、発光素子と、該発光素子に電流を供給する駆動回路と、周囲の温度に応じた信号が自律的に出力される信号回路とを備え、上記信号は、上記電流を、上記発光素子の温度特性に対応するように調整することを特徴とする。本構成によれば、上記信号によって発光素子に供給する電流を発光素子の温度特性に適応した値にできるため、余分なマージン分を減らし、低消費電力化を実現できる。また、本信号回路は自律的に上記信号を出力するため、フィードバック回路や演算処理回路あるいは記憶回路が不要となり、さらなる低消費電力化とモジュールの小型化を図ることができる。本発明の光伝送システムは、上記発光素子回路を備え、上記発光素子はデータ送信用の発光素子であり、上記電流が、変調電流およびバイアス電流の少なくとも一方を含んでいることを特徴とする。こうすれば、小型低消費電力の光伝送システムを実現できる。上記光伝送システムにおいては、上記電流が、変調電流およびバイアス電流からなっていても良い。この場合、上記信号が、上記変調電流およびバイアス電流それぞれを、発光素子の温度特性に対応するように調整することが好ましい。こうすれば、発光素子に供給する変調電流およびバイアス電流それぞれを発光素子の温度特性に適応したものにできるため、余分なマージン分をさらに減らし、一層の低消費電力化を実現できる。また、上記光伝送システムにおいては、上記発光素子にVCSEL面発光型半導体レーザを用いることができる。この場合、上記VCSELは、温度に対して閾値電流が単調増加するように共振器長が設定されていることが好ましい。また、本発明の光伝送モジュールは、上記光伝送システムと、光データ受信用の受光素子とを備えることを特徴とする。また、本発明の光伝送モジュールは、光データ送信用の発光素子と、上記発光素子に電流を供給する駆動回路と、光データ受信用の受光素子と、周囲の温度に応じた信号が自律的に出力される信号回路とを備え、上記信号は、上記電流を、発光素子の温度特性および受光素子の温度特性に対応するように調整することを特徴とする。本構成によれば、上記信号によって発光素子に供給する電流を発光素子の温度特性および受光素子に適応した値にできるため、余分なマージン分を減らし、低消費電力化を実現できる。また、本信号回路は自律的に上記信号を出力するため、フィードバック回路や演算処理回路あるいは記憶回路が不要となり、さらなる低消費電力化とモジュールの小型化を図ることができる。本発明の光伝送モジュールは、請求項1記載の発光素子回路を含む第1の光モジュールと、光伝送路と、光データ受信用の受光素子を含む第2の光モジュールとを備え、上記光伝送路の一方の端部に上記第1の光モジュールが設けられ、該光伝送路の他方の端部に上記第2の光モジュールが設けられていることを特徴とする。この場合、上記光伝送路は、光導波路であっても良く、この光導波路はポリマー導波路であっても良い。また、上記光導波路は、フレキシブル性を有していても良い。また、本発明の電子機器は、上記光伝送モジュールを備えることを特徴とする。以上のように、本発明の発光素子回路によれば、信号回路から自律的に出力される信号が、発光素子に供給する電流を、発光素子の温度特性に適応した値に調整するため、余分なマージン分を減らし、低消費電力化を実現することができる。また、本信号回路は上記信号を自律的に出力するため、さらなる低消費電力化とモジュールの小型化を図ることができる。本実施の形態を図1~図20に基づいて説明すれば、以下のとおりである。図13は本発明の光伝送モジュールの一構成例を示すブロック図である。同図に示すように、光伝送モジュール1は、送信部2、光導波路8、および受信部5を備える。送信部2は、例えばVCSELを用いた送信用の発光素子4と、出力調整回路11信号回路と、ドライバ回路3駆動回路とを備える。また、受信部5は、PD等の受信用の受光素子6と、アンプ回路7とを備える。出力調整回路11とドライバ回路3は電源Vccに接続している。また、光導波路光伝送路8は、例えばポリマー導波路であり、フレキシブル性を有することが好ましい。なお、本光伝送モジュール1は、例えば、携帯電話のCPU基板およびLCD基板間のデータ伝送用に好適に用いられる。図1は、送信部の一具体例を示すブロック図である。同図に示すように、送信部2においては、ドライバ回路3に、CPU等から送られる変調信号Ms-Msと、出力調整回路11から出力された信号とが入力される。ここで、出力調整回路11は、外部発光素子からのフィードバック回路や演算処理回路等の制御を受けることなく自律的に、周囲の温度に応じた信号を出力する。ドライバ回路3は、変調電流Imodとバイアス電流Ibiasとを生成し、これらの総和を駆動電流Idとして発光素子4に供給する。図2は、上記の送信部をより具体的に示したブロック図である。同図に示すように、出力調整回路11は、第1の信号生成回路と、第2の信号生成回路とを備え、ドライバ回路3は、変調電流供給回路3aと、バイアス電流供給回路3bとを備える。第1の信号生成回路11aは温度に応じた第1の信号MCASを自律的に出力し、変調電流供給回路3aは、この第1の信号MCASを受けて温度に応じた変調電流Imodを生成し、これを発光素子4に供給する。すなわち、第1の信号MCASは、変調電流供給回路3aが生成する変調電流Imodを直接調整する。また、第2の信号生成回路11bは温度に応じた第2の信号BCASを自律的に出力し、バイアス電流供給回路3bは、この第2の信号BCASを受けて温度に応じたバイアス電流Ibiasを生成し、これを発光素子4に供給する。すなわち、第2の信号BCASは、変調電流供給回路3bが生成する変調電流Ibiasを直接調整する。図9は、変調電流供給回路およびバイアス電流供給回路からなるドライバ回路の一具体例である。図9に示すように、変調電流供給回路3aは、抵抗R20~R24とNPN型のバイポーラトランジスタTR30~32とを備える。トランジスタTR30は、そのコレクタが抵抗R20を介してVccに接続され、そのエミッタが抵抗R22を介してトランジスタTR32のコレクタに接続される。このトランジスタTR30のベースには変調信号Msが与えられる。また、トランジスタTR31は、そのコレクタが抵抗R21を介してVccに接続され、そのエミッタが抵抗R23を介してトランジスタTR32のコレクタに接続される。このトランジスタTR31のベースには変調信号Ms-が与えられる。また、トランジスタTR32のエミッタには抵抗R24を介してGNDが接続され、トランジスタTR32のベースには第1の信号MCASが与えられる。上記構成によれば、トランジスタTR30およびTR31が変調信号を電流変換し、この電流を、トランジスタTR32が第1の信号MCASに基づいて増幅する。これにより、トランジスタR30のコレクタおよび抵抗R20間のノードあるいはトランジスタR31のコレクタおよび抵抗R21間のノードから変調電流Imodが取り出される。また、図9に示すように、バイアス電流供給回路3bは、抵抗R25R26とNPN型のバイポーラトランジスタTR33とを備える。トランジスタTR33は、そのコレクタが抵抗R25を介してVccに接続され、そのエミッタが抵抗R26を介してGNDが接続される。トランジスタTR33のベースには第2の信号BCASが与えられる。上記構成によれば、Vccからの電流を、トランジスタTR33が第2の信号BCASに基づいて増幅する。これにより、抵抗R25およびトランジスタR33のコレクタ間のノードからバイアス電流Ibiasが取り出される。本実施の形態では、温度に応じた第1の信号MCASが、変調電流Imodを、送信用発光素子4の温度特性に対応するように自動制御調整し、温度に応じた第2の信号BCASが、バイアス電流Ibiasを、送信用発光素子4の温度特性に対応するように自動制御調整する。すなわち、VCSELを用いた発光素子4は温度特性を有しており、その閾値電流Ithは、温度に対し、-30°C付近に軸をもつ下に凸の二次曲線に沿って変化し図14図15参照、その電流-出力I-P特性の傾きSEは、温度に対してリニアに減少する図14図16参照。このような発光素子4の温度特性に対応するように、本実施の形態では、変調電流Imodの振幅が、温度に対してリニアに増加する温度特性を有し図10参照、バイアス電流Ibiasが、温度に対して-30°C付近を軸とする下に凸の二次曲線に沿って変化するすなわち、実使用温度範囲おいて逓増する温度特性を有している図11参照。例えば、0<T2<T3の場合、図12abに示すように、T3における変調電流Imodの振幅はT2における変調電流Imodの振幅より大きく、T3におけるバイアス電流IbiasもT2におけるバイアス電流Ibiasより大きくなっている。ここで、第1の信号生成回路11aは、変調電流Imodを上記の温度特性を有するように直接調整しうる第1の信号MCASを自律的に出力する。このため、第1の信号生成回路11aは、例えば図3のように構成される。すなわち、第1の信号生成回路11aは、電源VccとGNDとの間に抵抗RnicrおよびRcuが直列に接続された構成であり、抵抗RnicrおよびRcu間のノードから、出力Voutとして第1の信号MCASが取り出される。この抵抗RnicrおよびRcuは温度特性を有し、各抵抗RcuRnicrの抵抗値は温度によって図5のように変化し、これによって、Vout第1の信号MCASは、温度に対して直線的単調にに増加する図6参照。一方、第2の信号生成回路11bは、バイアス電流Ibiasを上記の温度特性を有するように直接調整しうる第2の信号BCASを自律的に出力する。このため、第2の信号生成回路11bは、例えば図4のように構成される。すなわち、第2の信号生成回路11bは、トランジスタTr、抵抗Rc、抵抗Re、抵抗R1~R2、およびオペアンプAMPを備える。トランジスタTrは、そのコレクタが抵抗Rcを介してノードn1に接続され、そのエミッタが抵抗Reを介してノードn3に接続され、そのベースがノードn2に接続されている。ノードn1はVccに接続され、ノードn1n2間には抵抗R1が配され、ノードn2n3間には抵抗R2が配される。さらに、ノードn1およびトランジスタTrのエミッタが、負帰還がなされたオペアンプの各入力に接続され、オペアンプの出力Voutとして第2の信号BCASが取り出される。なお、ノードn3およびトランジスタTrのコレクタを、負帰還がなされたオペアンプの各入力に接続しても良い。ここで、抵抗Rc、抵抗Re、抵抗R1~R2の各抵抗値は、温度によらず図4のとおりであるが、トランジスタTrは温度特性を有しており、抵抗Rcを流れる電流Icは温度によって図7のように変化する。これによって、Vout第2の信号BCASは、図8に示すように、温度に対して、-30°C付近を軸とする下に凸の二次曲線に沿って変化するすなわち、実使用温度範囲においては逓増する。以上のように、本光伝送モジュール1の送信部2によれば、バイアス電流Ibiasおよび変調電流Imodを発光素子4の温度特性に適応したものにできるため、余分なマージン分が減り、低消費電力化を実現できる。また、PDを含むフィードバック回路や演算処理回路あるいは記憶回路が不要であるため、さらなる低消費電力化とモジュールの小型化を図ることができる。なお、本光伝送モジュール1の送信部2を図17のように構成することもできる。すなわち、バイアス電流についてはフィードバック調整を行う。同図に示すように、送信部2は、出力調整回路11と、ドライバ回路3と、フィードバック回路40とを備える。出力調整回路11は第1の信号生成回路11aを備え、ドライバ回路3は変調電流供給回路3aとバイアス電流供給回路3cとを備える。第1の信号生成回路11aは温度に応じた第1の信号MCASを自律的に出力し、変調電流供給回路3aは、この第1の信号MCASを受けて温度に応じた変調電流Imodを生成し、これを発光素子4に供給する。バイアス電流供給回路3cは、フィードバック回路40からの信号を受けて発光素子40の出力に応じたバイアス電流Ibiasを生成し、これを発光素子4に供給する。すなわち、第1の信号MCASは、変調電流Imodを直接調整する。また、本光伝送モジュール1の送信部2を図18のように構成することもできる。すなわち、出力調整回路11に温度センサ図示せずを設ける。同図に示すように、出力調整回路11は、温度センサを有する第1の信号生成回路11xと、温度センサを有する第2の信号生成回路11yとを備え、ドライバ回路3は、変調電流供給回路3dと、バイアス電流供給回路3eとを備える。第1の信号生成回路11xは温度に応じて第1の信号MTASを自律的に出力し、変調電流供給回路3dは、この第1の信号MTASを受けて温度に応じた変調電流Imodを生成し、これを発光素子4に供給する。すなわち、第1の信号MTASは、変調電流Imodを直接調整する。第2の信号生成回路11yは温度に応じて第2の信号BTASを自律的に出力し、変調電流供給回路3eは、この第2の信号BTASを受けて温度に応じたバイアス電流Ibiasを生成し、これを発光素子4に供給する。すなわち、第2の信号BTASは、バイアス電流Ibiasを直接調整する。また、本光伝送モジュール1の送信部2を図19のように構成することもできる。すなわち、出力調整回路11から出力される信号を共通とする。同図に示すように、出力調整回路11は、信号生成回路11zを備え、ドライバ回路3は、変調電流供給回路3fと、バイアス電流供給回路3gとを備える。信号生成回路11zは温度に応じて共通の信号CASを自律的に出力し、変調電流供給回路3fは、この信号CASを受けて温度に応じた変調電流Imodを生成し、これを発光素子4に供給する。また、変調電流供給回路3eも、上記共通信号CASを受けて温度に応じたバイアス電流Ibiasを生成し、これを発光素子4に供給する。すなわち、信号CASは、変調電流Imodおよびバイアス電流Ibiasを直接調整する。また、本光伝送モジュール1の送信部2を図20のように構成することもできる。すなわち、発光素子4のみならず受信部の受光素子の温度特性例えば、フォトダイオードの変換効率の温度特性も考慮して出力調整回路11を構成する。同図に示すように、出力調整回路11は、第1の信号生成回路11Pと、第2の信号生成回路11Qとを備え、ドライバ回路3は、変調電流供給回路3aと、バイアス電流供給回路3bとを備える。第1の信号生成回路11Pは、温度に応じて、受光素子の温度特性も考慮した第1の信号MGASを自律的に出力し、変調電流供給回路3aは、この第1の信号MGASを受けて温度に応じた変調電流Imodを生成し、これを発光素子4に供給する。すなわち、第1の信号MGASは、変調電流Imodを直接調整する。第2の信号生成回路11Qは、温度に応じて、受光素子の温度特性も考慮した第2の信号BGASを自律的に出力し、バイアス電流供給回路3bは、この第2の信号BGASを受けて温度に応じたバイアス電流Ibiasを生成し、これを発光素子4に供給する。すなわち、第2の信号BGASは、バイアス電流Ibiasを直接調整する。こうすれば、変調電流Imodおよびバイアス電流Ibiasは、受光素子の温度特性も考慮されたものとでき、光伝送モジュールの一層の省電力化が実現できる。なお、発光素子4に用いるVCSELは、閾値電流が温度に対して直線的に増加するように共振器長共振器長=有効p-DBR長活性層の厚み有効n-DBR長、図21参照を設定しておくことが好ましい。また、送信部2を構成する場合に、発光素子4と出力調整回路11とをできるだけ近づけておくことが好ましい。例えば、両者の間隔を10mm以内とする。また、送信部の発光素子には、レーザダイオードLD、有機ELあるいはLED等を用いても構わない。本光伝送モジュールは、以下のように様々な電子機器に応用可能である。まず、第1の応用例として、折り畳み式携帯電話,折り畳み式PHSPersonalHandyphoneSystem,折り畳み式PDAPersonalDigitalAssistant,折り畳み式ノートパソコン等の折り畳み式の電子機器におけるヒンジ部に用いることができる。この場合、光伝送モジュールの光導波路光伝送路にフレキシブル性をもたせることが好ましい。図23a~図23cは、本光伝送モジュールを折り畳み式携帯電話に適用した例を示している。すなわち、図23aは本光伝送モジュールを内蔵した折り畳み式携帯電話の外観を示す斜視図である。図23bは、図23aに示した折り畳み式携帯電話における、本光伝送モジュールが適用されている部分のブロック図である。この図に示すように、折り畳み式携帯電話140における本体140a側に設けられた制御部141と、本体の一端にヒンジ部を軸として回転可能に備えられる蓋駆動部140b側に設けられた外部メモリ142,カメラ部デジタルカメラ143,表示部液晶ディスプレイ表示144とが、それぞれ光伝送モジュール104によって接続されている。図23cは、図23aにおけるヒンジ部破線で囲んだ部分の透視平面図である。この図に示すように、光伝送モジュール104は、ヒンジ部における支持棒に巻きつけて屈曲させることによって、本体側に設けられた制御部と、蓋側に設けられた外部メモリ142,カメラ部143,表示部144とをそれぞれ接続している。光伝送モジュール104を、これらの折り畳み式電子機器に適用することにより、限られた空間で高速、大容量の通信を実現できる。したがって、例えば、折り畳み式液晶表示装置などの、高速、大容量のデータ通信が必要であって、小型化が求められる機器に特に好適である。第2の応用例として、本光伝送モジュールは、印刷装置電子機器におけるプリンタヘッドやハードディスク記録再生装置における読み取り部など、駆動部を有する装置に適用できる。この場合、光伝送モジュールの光導波路光伝送路にフレキシブル性を持たせる。図22a~図22cは、本光伝送モジュールを印刷装置に適用した例を示している。図22aは、印刷装置の外観を示す斜視図である。この図に示すように、印刷装置150は、用紙152の幅方向に移動しながら用紙152に対して印刷を行うプリンタヘッド151を備えており、このプリンタヘッド151に光伝送モジュール204の一端が接続されている。図22bは、印刷装置における、本光伝送モジュールが適用されている部分のブロック図である。この図に示すように、光伝送モジュール204の一端部例えば、受信部5はプリンタヘッド151に接続されており、他端部例えば、送信部2は印刷装置150における本体側基板に接続されている。なお、この本体側基板には、印刷装置150の各部の動作を制御する制御手段などが備えられる。図22cおよび図22dは、印刷装置においてプリンタヘッドが移動駆動した場合の、本光伝送モジュールの光伝送路の湾曲状態を示す斜視図である。この図に示すように、光伝送モジュール204をプリンタヘッド151のような駆動部に適用する場合、プリンタヘッド151の駆動によってその光伝送路の湾曲状態が変化するとともに、該光伝送路の各位置が繰り返し湾曲される。ここで、光伝送モジュール204の光伝送路はフレキシブル性を有しているため、これらの駆動部に好適である。また、光伝送モジュール204をこれらの駆動部に適用することにより、駆動部を用いた高速、大容量通信を実現できる。図24は、光伝送モジュールをハードディスク記録再生装置に適用した例を示している。この場合も、光伝送モジュールの光導波路光伝送路にフレキシブル性を持たせることが好ましい。この図に示すように、ハードディスク記録再生装置160は、ディスクハードディスク161、ヘッド読み取り、書き込み用ヘッド162、基板導入部163、駆動部駆動モータ164、光伝送モジュール304を備えている。駆動部164は、ヘッド162をディスク161の半径方向に沿って駆動させるものである。ヘッド162は、ディスク161上に記録された情報を読み取り、また、ディスク161上に情報を書き込むものである。なお、ヘッド162は、光伝送モジュール304を介して基板導入部163に接続されており、ディスク161から読み取った情報を光信号として基板導入部163に伝搬させ、また、基板導入部163から伝搬された、ディスク161に書き込む情報の光信号を受け取る。このように、光伝送モジュール304をハードディスク記録再生装置160におけるヘッド162のような駆動部に適用することにより、高速、大容量通信を実現できる。本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。変形例本発明の一形態に係る発光素子回路は、発光素子と、該発光素子に電流を供給する駆動回路と、周囲の温度に応じた信号が自律的に出力される信号回路とを備え、上記信号は、上記電流を、上記発光素子の温度特性に対応するように調整することを特徴とする。本構成によれば、上記信号によって発光素子に供給する電流を発光素子の温度特性に適応した値にできるため、余分なマージン分を減らし、低消費電力化を実現できる。また、本信号回路は自律的に上記信号を出力するため、フィードバック回路や演算処理回路あるいは記憶回路が不要となり、さらなる低消費電力化とモジュールの小型化を図ることができる。上記信号回路は、温度によって素子特性が変化する回路素子を備えることが好ましい。こうすれば、信号回路の小型化省電力化を図ることができる。この回路素子はトランジスタであっても良いし、抵抗であっても良い。この場合、上記信号回路を、温度特性の異なる複数種のトランジスタを含んで構成し、あるいは温度特性の異なる複数種の抵抗を含んで構成し、またあるいは温度特性を有するトランジスタと温度特性を有する抵抗を含んで構成しても構わない。さらに、上記信号回路を温度センサを含んで構成することも可能である。また、本発光素子回路においては、上記信号は、温度に対して直線的に変化する電気信号であっても良いし、温度に対して逓増する電気信号であっても良い。本発明の一形態に係る光伝送システムは、上記発光素子回路を備え、上記発光素子はデータ送信用の発光素子であり、上記電流が、変調電流およびバイアス電流の少なくとも一方を含んでいることを特徴とする。こうすれば、小型低消費電力の光伝送システムを実現できる。上記光伝送システムにおいては、上記電流が、変調電流およびバイアス電流からなっていても良い。この場合、上記信号が、上記変調電流およびバイアス電流それぞれを、発光素子の温度特性に対応するように調整することが好ましい。こうすれば、発光素子に供給する変調電流およびバイアス電流それぞれを発光素子の温度特性に適応したものにできるため、余分なマージン分をさらに減らし、一層の低消費電力化を実現できる。また、上記光伝送システムにおいては、上記信号回路は、周囲の温度に応じた第1の信号が自律的に出力される第1の信号回路と、周囲の温度に応じた第2の信号が自律的に出力される第2の信号回路とからなり、上記第1の信号が、上記変調電流を、発光素子の温度特性に対応するように調整し、上記第2の信号が、上記バイアス電流を、発光素子の温度特性に対応するように調整しても良い。こうすれば、発光素子に供給する変調電流およびバイアス電流それぞれを発光素子の温度特性に適応したものにできるため、余分なマージン分をさらに減らし、一層の低消費電力化を実現できる。また、上記光伝送システムにおいては、上記信号回路は、周囲の温度に応じた第1の信号が自律的に出力される第1の信号回路からなり、上記第1の信号が、上記変調電流を、発光素子の温度特性に対応するように調整し、上記バイアス電流は上記発光素子の出力に基づいてフィードバック調整されても良い。また、上記光伝送システムにおいては、上記発光素子にVCSEL面発光型半導体レーザを用いることができる。この場合、上記VCSELは、温度に対して閾値電流が直線的に増加するように共振器長が設定されていることが好ましい。また、本発明の一形態に係る光伝送モジュールは、上記光伝送システムと、光データ受信用の受光素子とを備えることを特徴とする。また、本発明の一形態に係る光伝送モジュールは、光データ送信用の発光素子と、上記発光素子に電流を供給する駆動回路と、光データ受信用の受光素子と、周囲の温度に応じた信号が自律的に出力される信号回路とを備え、上記信号は、上記電流を、発光素子の温度特性および受光素子の温度特性に対応するように調整することを特徴とする。本構成によれば、上記信号によって発光素子に供給する電流を発光素子の温度特性および受光素子に適応した値にできるため、余分なマージン分を減らし、低消費電力化を実現できる。また、本信号回路は自律的に上記信号を出力するため、フィードバック回路や演算処理回路あるいは記憶回路が不要となり、さらなる低消費電力化とモジュールの小型化を図ることができる。本発明の一形態に係る光伝送モジュールは、上記発光素子回路を含む第1の光モジュールと、光伝送路と、光データ受信用の受光素子を含む第2の光モジュールとを備え、上記光伝送路の一方の端部に上記第1の光モジュールが設けられ、該光伝送路の他方の端部に上記第2の光モジュールが設けられていることを特徴とする。この場合、上記光伝送路は、光導波路であっても良く、この光導波路はポリマー導波路であっても良い。また、上記光導波路は、フレキシブル性を有していても良い。また、本発明の一形態に係る電子機器は、上記光伝送モジュールを備えることを特徴とする。"