"半導体基板と、前記半導体基板上に設けられたn型GaN層と、前記n型GaN層上に設けられ、障壁層と井戸層とが交互に積層された多重量子井戸構造の発光層と、前記発光層上に設けられたp型GaNからなるコンタクト層と、を備え、前記障壁層および前記井戸層の平均屈折率が前記発光層の上下の層の平均屈折率よりも低いことを特徴とする半導体発光素子。バンドギャップが前記障壁層よりも大きい、正孔のオーバーフローを防止するオーバーフロー防止層が前記発光層と、前記n型GaN層との間に設けられていることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。支持体と、前記支持体に支持された請求項1乃至2のいずれかに記載の半導体発光素子と、前記半導体発光素子の少なくとも一部を覆うように形成された樹脂と、前記樹脂に分散され、前記半導体発光素子が発光する光の少なくとも一部を吸収し、波長変換して発光する蛍光体と、を備えたことを特徴とする発光装置。以上説明したように、従来の白色光を得るための発光素子と蛍光体の組み合わせは複雑な工程を有し、波長制御のための高いIn組成を有する発光素子を得るためには、高度に制御された製造技術を必要とした。また、演色性の高い半導体発光素子は今までのところ知られていない。本発明は、上記事情を考慮してなされたものであって、演色性の高い半導体発光素子および発光装置を提供することを目的とする。また、本発明の第1の態様による発光素子は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられたn型GaN層と、前記n型GaN層上に設けられ、障壁層と井戸層とが交互に積層された多重量子井戸構造の発光層と、前記発光層上に設けられたp型GaNからなるコンタクト層と、を備え、前記障壁層および前記井戸層の平均屈折率が前記発光層の上下の層の平均屈折率よりも低いことを特徴とする。また、本発明の第2の態様による発光装置は、支持体と、前記支持体に支持された上記記載の半導体発光素子と、前記半導体発光素子の少なくとも一部を覆うように形成された樹脂と、前記樹脂に分散され、前記半導体発光素子が発光する光の少なくとも一部を吸収し、波長変換して発光する蛍光体と、を備えたことを特徴とする。以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。第1実施形態本発明の第1実施形態による窒化物系半導体発光素子の概略の断面を図1に示す。本実施形態の半導体発光素子は、表面に幅の異なる凸部2aおよび凹部2bを有する基板2上に形成されたn型のGaNからなるガイド層3と、このGaN層3上に形成されたInGaNからなる多重量子井戸構造の発光層4と、この発光層4上に形成されたp型のGaNからなるガイド層5とを備えている。なお、本実施形態においては、コンタクト層および電極は省略している。また、各層は<0001>方向紙面上では上方向に成長される。基板2の凸部2aおよび凹部2bは、<1-100>方向図1では紙面に垂直な方向にストライプ状で存在し、凸部2aの幅wpは凹部2bの幅wrより広く凸部2aの幅wpが400μm、凹部2bの幅wrが30μmである。なお、凸部2aの幅wpは200μm以上1mm以下が良い。凸部2aの幅wpが200μmより狭いと発光領域が狭くなって、1チップから得る発光効率が下がってしまう。また、凸部2aの幅wpが1mmより大きいと積層する発光層4内のIn組成の面内不均一が顕著になる影響が出てしまい、高演色性の効果が失われる。更に、この凸部2aの幅wpは、300μm以上500μm以下であることが好ましい。凹部2bの幅wrに関しては20μm以上100μm以下が良い。凹部2bの幅wrが20nmより狭いと凹部2bに隣接する両サイドの凸部2aの成長面が交わる恐れがあり、積層する原子分子のマイグレーションが凸部2a間で自由に行なわれ、このため演色性のよいIn組成の分布が保たれずに形成されてしまう。また、凹部2bの幅wrが100μmより大きくなると一枚のウェハーから作製される窒化物系半導体発光素子の数が少なくなってしまうため好ましくない。更に、この凹部2bの幅wrは、20μm以上50μm以下であることが好ましい。なお、凹部2bの深さ、すなわち凸部2aの傾斜面の一番低い端部からの距離は、5μm以上50μm以下であることが好ましい。結晶成長後のチップ切り出しの際のスクライブラインの起点として、深さが5μm以上の凹部を設けることにより、切り出しおよびチップの分割が容易となる。しかし、深さが50μmより大きいと、凹部におけるウェハーの厚さが薄くなり、強度が弱くなる。このため、所望のチップ形状に分割するためのスクライブラインを形成する時点で、意図しない場所で凹部に沿って割れてしまい、所望のサイズのチップが得られなくなり、生産性が損なわれる。また、本実施形態において、凸部2aは表面が<11-20>方向紙面の右から左の方向に対して傾斜した傾斜面2a1となっており、この傾斜面2a1の膜面に対する傾斜角θは約0.3度である。なお、傾斜方向は左から右方向でも構わない。また、一つの基板2上に異なる傾斜方向の凸部2aが存在していても良い。異なる幅、深さ、および異なる周期を有する凹凸が存在しても構わない。傾斜角度θは0.1度以上45度以下が良いが、デバイス構造を形成するため、好ましくは0.1度以上5度以下が良く、更に演色性のよいIn組成の分布を得て、平坦性を維持できるためには、傾斜角度θは0.2度以上0.4度以下が好ましい。発光素子は、凸部2aおよび凹部2bが形成された基板2上に窒化物系半導体薄膜をエピタキシャル成長させることで作製する。薄膜は周知の技術である有機金属気相成長MOCVD法や分子線エピタキシーMBE法などを用いて成長することで作製が可能である。本実施形態の比較例として、図2に示すように、凹凸のない基板100上にn型のGaNからなるガイド層3、多重量子井戸構造のInGaNからなる発光層4、p型のGaNからなるガイド層5を積層した発光素子を作成した。なお、各層の成長方向は、本実施形態と同様に<0001>方向である。本実施形態の発光素子と比較例の発光素子を顕微フォトルミネッセンスPLによる波長ピーク測定を実施したところ、比較例の発光素子の場合、400μm角内における波長分布はほぼ一定であったのに対し、本実施形態の発光素子は±20nm~±30nmの範囲で分布していることがわかった。またそれは、凸部2aの傾斜面の高い部分から低い部分へ向かうにつれ図1では右から左に向かうにつれ波長が短波化の方向であることがわかった。これを以下に説明する。InGaN結晶成長において、In原子もしくは分子は、成長面であるC面{0001}でマイグレーションなどによる移動により行き来するが、その際、それら原子が取り込まれる場所、例えば原子層のステップ端や、原子層のステップの直線から1個から数個の原子分ずれたキンクなどにGaが存在しないと取り込まれずに蒸発拡散してしまう。このためGaが原子層ステップ端やキンク、またマイグレーションする表層により多く存在している状態をつくる必要がある。すなわち成長速度が速い状態にあるほどInの取り込み量は多くなる傾向となる。ここで、<11-20>方向に対して傾斜を持つ場合、傾斜角度に応じて表層のGa面とN面の存在比が違う。このため表層の吸着面では成長速度差が生じ、それに応じてIn原子の取込み量が変化することで、積層薄膜の同一面内においてIn組成の分布差が形成されることになる。本実施形態の場合は、凸部2aの傾斜面2a1の高い部分から低い部分へ向かってGa面の存在比が小さくなる傾向であり、それにより傾斜面2a1の高い部分にIn取込み量の多い領域が形成され、傾斜面内での波長分布差が生じたものと考えられる。また、ステップフロー成長の場合、傾斜角を持った方向へ成長が進むため、本実施形態においては、傾斜面方向への成長が支配的である。本実施形態では、積極的に<11-20>方向に対して傾斜した方向へ成長を促し、また、成長速度差を生じさせることでの相乗効果によって面内にIn組成の分布差を形成し、単一波長ではなくブロードな発光波長領域を有する発光素子を得ることが可能となる。これにより、高度に制御された製造技術を必要とせず、演色性の高い半導体発光素子を得ることができる。また、強引に成長速度を上げてIn組成の増大させるのと違い、表面荒れや点欠陥の形成、発光に寄与しない不純物の増加などをおこさずにIn組成が高い活性層を得ることが可能となったため、結晶品質の高い長波発光素子を得ることができ、素子寿命など信頼性が重要なLDへの適応も可能となった。なお、本実施形態においては、窒化物系半導体層の主成長面方向としてはC面{0001}であったがその限りではなく、他の面、例えばA面{11-20}、R面{1-102}、M面{1-100}、または{1-101}面、{11-22}面でもよい。ここで、{0001}面は0001面や000-1面等の等価な面を含むミラー指数の包括表現である。一方、<1-100>方向は六方晶系の対称性に起因した結晶学的に等価な1-100、10-10、-1100、-1010、01-10、0-110方向を含む方向群の全体を集合的に表現するミラー指数である。また、<11-20>方向は11-20、1-210、-2110、-1-120、-12-10、2-1-10方向を含む方向群の全体を集合的に表現するミラー指数である。そして、1-100方向は、これに回転対称となる10-10方向とは区別される固有の方向であり、11-20は、これに回転対称となる-12-10方向や、2-1-10方向とは区別される固有の方向を意味するミラー指数である。なお、面方位や方向において、記号-バーはその直後の数字に付随して用いられる。また、本実施形態では、基板としてGaNを用いたが、その代わりにサファイアやSiC、ZnOを用いることも可能である。第2実施形態次に、本発明の第2実施形態による窒化物系半導体発光ダイオードLEDを図3に示す。本実施形態のLEDは、第1実施形態と同様の凸部11aおよび凹部11bを有するn型GaNからなる基板11上に、n型GaNからなるコンタクト層12、n型GaNからなるガイド層13、多重量子井戸構造のInGaNからなる発光層14、p型AlGaNからなるオーバーフロー防止層15、p型GaNからなるガイド層16、およびp型GaNからなるコンタクト層17が、順次積層された積層構造を有している。なお、第1実施形態と同様に凸部11aの表面が<11-20>方向紙面の右から左の方向へ傾斜した傾斜面11a1となっている。また、凸部11aおよび凹部11bの幅は第1実施形態で説明した範囲の値となっている。本実施形態においては、凸部幅は400μm、凹部幅は30μmである。また、上記積層構造の一部分がp型GaNからなるコンタクト層17からn型GaNからなるコンタクト層12に達するまで除去され、露出したコンタクト層12上にTi/Pt/Auからなるn側電極18が形成されている。また、p型GaNからなるコンタクト層17の表面にはAgからなるp側反射電極19が形成されている。p側反射電極19は、発光層14からの光を反射し、光の取り出し効率を上げる効果がある。次に、本実施形態のLEDの製造方法について説明する。本実施形態のLEDは周知の有機金属気相成長MOCVD法により作成した。トリメチルガリウムTMG、トリメチルアルミニウムTMA、トリメチルインジウムTMI、ビスシクロペンタジエニルマグネシウムCp2Mgを用い、ガス原料として、アンモニアNH3、シランSiH4を用いた。さらに、キャリアガスとして水素及び窒素を用いた。なお、本実施形態のLEDの製造方法において、製造装置やそれら原料に限定されるものではない。まず、表面に凸部11aおよび凹部11bが形成されたn型GaNからなる基板11を有機洗浄、酸洗浄によって処理し、その後MOCVD装置の反応室内に導入し、高周波によって加熱されるサセプタ上に設置した。次いで常圧で窒素を41Lリットル/min、アンモニアを4L/minの流量で流しながら、温度1100°Cまで約12分間かけて昇温する過程において気相エッチングを施し、基板11の表面にできた自然酸化膜を除去した。次いで、キャリアガスとして水素を6L/min、窒素を18L/minの流量で流し、アンモニアを6L/min、TMGを50cc/minおよびSiH4を10cc/minの流量で60分間供給することでn型GaNからなるコンタクト層12を形成した。続いて、そのまま温度を1060°Cまで降温し、SiH4を3cc/minの流量まで下げて約3分間でn型GaNからなるガイド層13を成長した。次いで、TMG及びSiH4の供給を停止して基板11の温度を800°Cまで降温した。キャリアガスを流量が27L/minの窒素のみに切り替え、アンモニアを12L/min、TMGを3cc/minの流量で流し、この中にTMIの流量を、5cc/minと120cc/minとの組み合わせで前者が約16分、後者が約0.5分ずつ5回繰り返すように切り替えて供給し、最後にTMIを5cc/minの流量で約110分供給することにより、多重量子井戸構造のInGaNからなる発光層14を形成した。次いで、TMG、TMIの供給を停止して、窒素とアンモニアはそのままで1030°Cまで昇温した。次いで、温度を1030°Cで保持し、水素を21L/min、窒素を20L/min、アンモニアを4L/minの流量にそれぞれ切り替え、その中にTMGを25cc/分、TMAを約30cc/min、Cp2Mgを6cc/minの流量で約1分供給することによりp型AlGaNからなるオーバーフロー防止層15を形成した。次いで、このままの状態からTMAのみ供給を停止し、Cp2Mgの流量を8cc/minに切り替えて約6分供給することによりp型GaNからなるガイド層16を形成した。次いで、このままの状態からCp2Mgを50cc/minの流量で約3分供給してp型GaNからなるコンタクト層17を形成した。そして、有機金属原料の供給を停止し、キャリアガスのみ引き続き供給して基板11の温度を自然降温した。但し、アンモニアの供給は基板11の温度が500°Cに達した際に停止した。次いで、上記積層構造の一部をn型GaNからなるコンタクト層12に達するまでドライエッチング法を用いて除去し、露出したコンタクト層12上にTi/Pt/Auからなるn側電極18を形成した。また、p型GaNからなるコンタクト層17上には、Agからなるp側電極19を形成した。その後、上記積層構造を反転させ実装することでフリップチップ構造とした。次に、このようにして形成された本実施形態のLEDのI-V特性を測定したところ、良好なオーミック接触が得られた。このLEDの動作電圧は20mA時で3.5V~4V、光出力は30mWとなった。また、波長測定を行なったところ波長中心が460nmで±30nmのブロードな波長領域でピークを得た。これは領域の違いによって複数の波長ピークが存在し、それらが合わさることで得られたものと思われる。以上説明したように本実施形態によれば、高度に制御された製造技術を必要とせず、中心波長に対し波長領域幅が60nm~80nmのブロードな発光素子を得ることが可能となり、同じ面内に単一波長ではなく複数の波長領域が存在する演色性の高いLEDを得ることができる。なお、本実施形態では、基板としてGaNを用いたが、その代わりにサファイアやSiC、ZnOを用いることも可能である。また、本実施形態では、同一面側に正負の電極を有していたが、上下に電極を有する構造であってもよい。第3実施形態次に、本発明の第3実施形態による発光装置を図4に示す。本実施形態の発光装置は、より演色性の高い白色光を得るために第2実施形態の発光素子10をセラミックパッケージ外囲器23内に配置されたサブマウント26上にフリップチップ実装し、赤色蛍光体材料を分散させた樹脂22で封止した構成となっている。本実施形態の発光装置においては、凹部を有するセラミックパッケージ23の上記凹部の底部を貫通するように設けられたリード電極27上にサブマウント26が形成されている。このサブマウント26上に一対のバンプ25が設けられ、この一対のバンプ25に、第2実施形態の発光素子10の一対の電極18、19が接続されるように、発光素子10がフリップチップ実装されている。バンプ25の材料としては、金属バンプやはんだを使用するが、金バンプを用いると好ましい。バンプ25とリード電極27は金線等の導電性ワイヤなどでサブマウント26内部を貫通して接合し電気的導通を取る。リード電極27は電気伝導性が良いことが求められる。リード電極27の材料としては、鉄、銅、銅の合金等や、これらに銀、アルミニウム、金等の金属メッキが施されたものが使用できる。また、セラミックパッケージ23と発光素子10を気密封止するためシリコーン樹脂などの封止樹脂22などで接着されている。封止樹脂はシリコーン樹脂に限定されるものではない。例えば、透明タイプのビスフェノールAグリシジルエーテルやビスフェノールFグリシジルエーテルなどのエポキシ樹脂などでもよい。シリコーン樹脂22中には、上記発光素子10が発光する光の少なくとも一部を吸収し波長変換して発光する赤色の蛍光体例えばユーロピウムEuを導入したCaAlSiN4が分散されている。なお、蛍光体は赤色に限定されるものではない。セリウムで付活されたイットリウムアルミニウムガーネット系蛍光体や、ユーロピウムを導入した珪酸ストロンチウムバリウム系蛍光体、α―サイアロン蛍光体CapSi,Al12O,N16などを使用することができる。なお、記号Si,Alは、SiおよびAlの少なくとも一方を意味し、記号O,NはOおよびNの少なくとも一方を意味する。また、赤色の蛍光体としてはLa2O2S:Eu,Sm:の後の元素は付活元素を示す。以下同じ。等が用いられる。緑色の蛍光体としてはInGaNやBaMgAl27O17:Eu,Mn等が用いられる。なお、赤色の蛍光体と緑色の蛍光体とを樹脂中に分散させても良い。なお、緑色の蛍光体の代わりに或いはこれと併せて黄色の蛍光体を用いることも可能であり、例えばSr,Ca,Ba2SiO4:Eu等が用いられる。黄色の蛍光体を用いる場合は、必要に応じて赤色の蛍光体を省略することもできる。この構成により、半導体発光素子10から放出された光の一部は、蛍光体が分散された封止樹脂22を通過する際に蛍光体により波長変換される。この波長変換された光と、波長変換されずに封止樹脂22を通過した光との混色によりより演色性の高い白色光が得られる。以上説明したように、本実施形態によれば、高度に制御された製造技術を必要とせず、演色性の高い発光装置を得ることができる。なお、本実施形態の発光装置においては、発光素子の一対の電極18、19は同じ側に形成されていたが、例えば図16に示すように、反対側に形成された電極18A、19Aを備えた発光素子10Aを用いてもよい。この場合、電極18Aはワイヤ28を介してパッド25に電気的に接続される。なお、n側電極18Aは、n型GaNからなる基板にコンタクトされる。また、n側電極18Aとp側電極19Aとを上下逆の配置としてもよい。第4実施形態次に、本発明の第4実施形態による半導体発光素子を図5に示す。本実施形態の半導体発光素子30は、窒化物系半導体レーザ素子であって、第1実施形態と同様の凸部31aおよび凹部31bを有するn型GaNからなる基板31上に、n型GaN層32、n型AlGaNからなるクラッド層33、n型GaNからなる光ガイド層34、多重量子井戸構造のInGaNからなる活性層35、p型AlGaNからなるオーバーフロー防止層36、p型GaNからなる光ガイド層37、p型AlGaNからなるクラッド層38、p型GaN層39、およびp型GaNからなるコンタクト層40が、順次積層された積層構造を有している。なお、第1実施形態と同様に凸部31aの表面が<11-20>方向紙面の右から左の方向へ傾斜した傾斜面31a1となっている。また、凸部31aおよび凹部31bの幅は第1実施形態で説明した範囲に範囲の値となっている。本実施形態においては、凸部幅は400μm、凹部幅は30μmである。上記積層構造において、基板31の下部にはn型電極41が設けられている。また、基板31の凸部31a上の傾斜面31a1の高い右側すなわちIn組成の高い領域に対して、<1-100>方向へ幅2μmのリッジ形状のp側電極42が紙面に垂直方向に延在するように設けられている。なお、リッジ形状は、p型AlGaNからなるクラッド層38、p型GaN層39、p型GaNからなるコンタクト層40、およびp側電極42によって構成され、このリッジ形状により電流狭窄を行なっている。次に、本実施形態の半導体レーザ素子30の製造方法について説明する。この半導体レーザ素子30は周知の有機金属気相成長MOCVD法により作成した。トリメチルガリウムTMG、トリメチルアルミニウムTMA、トリメチルインジウムTMI、ビスシクロペンタジエニルマグネシウムCp2Mgを用い、ガス原料として、アンモニアNH3、シランSiH4を用いた。さらに、キャリアガスとして水素及び窒素を用いた。なお、本実施形態の半導体レーザ素子の製造方法において、製造装置やそれら原料に限定されるものではない。まず、表面に凸部31aおよび凹部31bが形成されたn型GaNからなる基板31を有機洗浄、酸洗浄によって処理し、その後MOCVD装置の反応室内に導入し、高周波によって加熱されるサセプタ上に設置した。次いで常圧で窒素を41L/min、アンモニアを4L/minの流速で流しながら、温度1100°Cまで約12分間かけて昇温する過程において気相エッチングを施し、表面にできた自然酸化膜を除去した。次いで、キャリアガスとして水素を6L/min、窒素を18L/minの流量で供給し、アンモニアを6L/min、TMGを50cc/minおよびSiH4を5cc/minの流量で60分間供給することでn型GaN層32を形成した。続いて、そのまま温度を1060°Cまで降温し、キャリアガスの水素を21L/min、窒素を20L/min、アンモニアを4L/minの流量に切り替え、TMGを25cc/min、TMAを5cc/min、SiH4を5cc/minの流量で120分間供給することでn型AlGaNからなるクラッド層33を形成した。このままの条件でTMAの供給を停止し、SiH4のみ3cc/minの流量まで下げて約10分間でn型GaNからなる光ガイド層34を形成した。次いで、TMG及びSiH4の供給を停止して基板温度を800°Cまで降温した。キャリアガスを窒素が27L/minの流量に切り替え、アンモニアを12L/min、TMGを3cc/minの流量で流し、この中にTMIの流量を5cc/minと195cc/minとの組み合わせで前者が約16分、後者は約2分ずつ3回繰り返すように切り替えて供給し、最後にTMIを5cc/minの流量で約120分供給することにより、多重量子井戸構造のInGaNからなる活性層35を形成した。次いで、TMG、TMIの供給を停止して、窒素とアンモニアはそのままで供給し1030°Cまで昇温した。次いで、温度を1030°Cで保持し、水素を21L/min、窒素を20L/min、アンモニアを4L/minの流量に切り替え、その中にTMGを25cc/min、TMAを約30cc/min、Cp2Mgを6cc/minの流量で約1分供給することにより、p型AlGaNからなるオーバーフロー防止層36を形成した。次いで、このままの状態からTMAのみ供給を停止し、他の物水素、窒素、アンモニア、TMG、Cp2Mgを、流量を変えずに約2分供給することにより、p型GaNからなる光ガイド層37を形成した。次いで、このままの状態からTMAを15cc/minの流量で再度供給し、Cp2Mgを8cc/minの流量に切り替えて約40分供給することによりp型AlGaNからなるクラッド層38を形成した。次いで、このままの状態からTMAのみ供給を停止し、他の物水素、窒素、アンモニア、TMG、Cp2Mgを、流量を変えずに約2分供給することにより、p型GaN層39を形成、さらに、Cp2Mgのみ50cc/minの流量に切り替えて約1分供給することによりp型GaNからなるコンタクト層40を形成した。そして、有機金属原料の供給を停止し、キャリアガスのみ引き続き供給して基板温度を自然降温した。但し、アンモニアの供給は基板温度が500°Cに達した際に停止した。このようにして作製した半導体レーザ構造を、MOCVD装置から取出し、基板31の凸部31a上の傾斜の高い右側すなわちIn組成の高い領域に対して、周知のドライエッチング法にて1-100方向へ幅2μmとなるようストライプ状にp型AlGaNからなるクラッド層38まで除去することでリッジを形成、露出したリッジ上のp型GaNからなるコンタクト層40上にNi/Auからなるp側電極42を形成した。また、n型GaNからなる基板31の裏面には周知の真空蒸着法やスパッタ法などを用いてTi/Pt/Auからなるn側電極41を形成した。なお、これら電極に用いた材料は上記材料に限定されるものではない。次に、このレーザ構造を基板側からスクライバなどを用いて[11-20]方向と平行な方向に沿って劈開することで、共振器ミラーを形成した。この共振器ミラーに、SiO2およびTiO2からなる誘導体膜を電子ビーム蒸着法など用いて蒸着し、誘導体多層反射膜を形成する。なお、この誘導体多層反射膜を形成する誘電体材料はSiO2やTiO2に限定されるものではない。このようにして作製した半導体レーザ素子は波長440nmで連続発振した。また、この半導体レーザ素子のしきい値電流が290mA、動作電圧が7V、光出力が30mWであった。以上説明したように本実施形態によれば、基板に形成した凹凸部により不均一なIn組成に伴う点欠陥の形成や、発光に寄与しない不純物の増加などを抑制しつつ、高いIn組成の領域を同一面内に形成することができるため、良質な結晶品質である活性層を装備した長波長の窒化物系半導体レーザ素子の作製が可能となった。第5実施形態次に、本発明の第5実施形態による半導体発光素子を説明する。本実施形態の半導体発光素子は、発光効率を上げるために発光層内の吸収を低減し、発光素子内部での反射光が発光層を通過することによって生じる発光効率の低下を防ぐことにより発光効率を上げる構成となっている。具体的には半導体発光素子は素子の内部と外部との屈折率差によってある割合で内部反射を生じ、発光層に戻ってきた光が発光層で吸収される。通常の直方体形状の発光素子ではこの現象により発光層で発光した光の50以上が素子外部に取り出せない状況となっている。解決策として吸収を減らすために内部反射を低減し、外部への取り出しを増加させる方法が取られている。しかし、十分ではなく更なる効率向上には発光層の吸収を抑えることが必要である。本実施形態においては、発光層で発光した光が再び発光層に吸収されることを防ぐ構成にして発光効率を向上させている。本実施形態による半導体発光素子を図6に示す。本実施形態の半導体発光素子50は、n型GaNからなる基板51上に、n型Al0.02Ga0.98Nからなるホール閉じこめ層クラッド層52、多重量子井戸構造のIn0.2Ga0.8N/In0.03Ga0.87Al0.1Nからなる活性層53、p型Al0.02Ga0.98Nからなる電子閉じこめ層クラッド層54、p型GaNからなるコンタクト層55を順次積層した積層構造を有している。また、コンタクト層55上にはp側透明電極56が設けられ、基板51の裏面クラッド層52が設けられた側と反対側の面にn側電極57が設けられている。なお、活性層53はIn0.03Ga0.87Al0.1Nからなる膜厚2nmの障壁層、In0.2Ga0.8Nからなる膜厚1.5nmの井戸層ウェル、In0.03Ga0.87Al0.1Nからなる膜厚2nmの障壁層バリアの順で交互に積層し、井戸層ウェルが合計20層積層された構成となっている。なお、本実施形態においては、基板51上に、クラッド層52、活性層53、クラッド層54、コンタクト層55を順次積層した積層構造を、MOCVD法を用いた結晶積層装置において形成した。上記積層構造を結晶積層装置より取り出し、250μm×250μmの開口を有するメタルマスクを用いて、p側電極材料となるPtを蒸着し、p側透明電極56のPt層を形成した。続いて、このPt層上にSiO2膜を製膜し、このSiO2膜上に、Pt層の膜面より小さい200μm×200μmのサイズの矩形開口を有するフォトレジストからなるレジストパターンを形成した。そして、このレジストパターンをマスクとしてフッ化アンモニウムにより上記開口部に対応するSiO2膜の部分を除去し、上記開口部の底部にPt層を露出させた。さらに上記レジストパターンを用いて上記開口部にリフトオフ法によりTi/Pt/Auの積層膜を形成することによりp側電極56を形成した。続いて、基板51の裏面側を研磨した後、この裏面に蒸着によりTi/Pt/Auの積層膜を形成し、n側電極57を形成した。次にn型GaNからなる基板51の表面に素子に沿って第1スクライブラインを形成した。第1スクライブラインの形成は、p側電極56を避けてスクライブができるようにp型GaNからなるコンタクト層55の表面を観察しながら行った。さらに形成された第1スクライブラインに垂直となる第2スクライブラインを形成した。この第2スクライブラインの形成の際にも、p側電極56を避けて素子分離ができるようにp型GaNからなるコンタクト層55の表面を観察しながら行った。上記第1および第2スクライブラインに沿って切断することによりチップに分離した。次に、上述の製造方法によって、更に井戸層ウェルの総数が10の発光素子と5の発光素子をそれぞれ製造し、本実施形態の発光素子ウェルの総数20と、ウェルの総数が10、5の発光素子の発光効率をそれぞれ測定した。なお、井戸層の総数が10、5の発光素子は、井戸層の総数が異なる以外は、本実施形態の発光素子と同じ構成となっている。この測定結果を図7に示す。図7からわかるように、井戸層の総数が5または10の発光素子では注入電流を増やすと発光効率が低下している。したがって、井戸層の総数は20以上であることが好ましいことになる。次に、井戸層の総数を変えずに井戸層の膜厚ウェル厚を2nm、3nmにそれぞれ変化させた発光素子を制作し、それぞれの発光素子の発光効率を測定した。なお、これらの発光素子は、井戸層の膜厚が異なる以外は、本実施形態の発光素子と同じ構成となっている。上記測定結果を図8に示す。図8からわかるように、井戸層の膜厚を本実施形態よりも厚くすると、発光効率が低下する。したがって、井戸層の膜厚は1.5nm以下であることが好ましい。また、井戸層の総数を変えずに障壁層の膜厚バリア厚を3nmの発光素子を制作し、発光効率を測定した。なお、この発光素子は、障壁層の膜厚が異なる以外は、本実施形態の発光素子と同じ構成となっている。上記測定結果を図9に示す。図9からわかるように、障壁層の膜厚を本実施形態よりも厚くすると、発光効率が低下する。したがって、障壁層の膜厚は2nm以下であることが好ましい。本実施形態の発光素子においては、障壁層のAlの組成比は0.1であったが、障壁層のバンドギャップを変化させるために障壁層のAlの組成が0.03の発光素子と、Alの組成比が0の発光素子を作成し、それぞれの発光素子の電流に対する発光効率を測定した結果を図10に示す。図10からわかるように、障壁層のAlの組成比を低下させると発光強度が弱くなった。これは、障壁層のAlの組成比を低下させると、井戸層と障壁層とのバンドギャップ差がなくなって多重量子井戸層でミニバンドが形成されることと、Alの組成比の低下により屈折率の値が高くなり、活性層から外に出る光の割合が減ってしまうことが原因と考えられる。したがって、光を活性層外に取り出しやすくするためには素子を構成するいずれの層よりも障壁層の屈折率が低いことが重要である。以上のことから窒化物半導体の多重量子井戸の障壁層は素子を構成するいずれの層よりもバンドギャップが大きいことで上に述べたいずれの効果ともに効果的に光を取り出すことが可能となる。なお、今回対象にしている窒化物半導体はバンドギャップの大小と屈折率の大小が逆の傾向を示すために屈折率とバンドギャップ双方について規定しなくてもバンドギャップについて規定することで同じ効果が得られる。従来のLEDにおいては効率の低下が、温度上昇によるもの、電流パスが変化して電極の下に集中することにより取り出し効率が低下するものが知られていたが、GaN系の素子においては放熱を良好にして温度が上昇しないようにしたり、電流のパスが電極の直下に位置しないようにした場合でも低下した。この効率の低下を防止するために多重量子井戸の数を増やし、かつ井戸層および障壁層の膜厚を狭くして多重量子井戸全体の厚さが増えることによる電圧上昇を防止している。また、多重量子井戸の平均屈折率が周りの層よりも低いので外に向かう光が活性層とその外の層との間で反射することを防止することができる。平均の屈折率を小さくする場合に井戸層の屈折率を小さくすることは波長が変化することとなり好ましくはない。しかし、本実施形態のように障壁層のAl組成を大きくすることが重要である。以上説明したように、本実施形態によれば、発光素子の動作時には発光層の吸収が少なくい状態で動作させることができ、高効率の発光素子を得ることができる。なお、本実施形態の発光素子の基板51に第1実施形態および第2実施形態のように凹凸を設けることにより、第1および第2実施形態と同様に、高度に制御された製造技術を必要とせず、演色性の高い半導体発光素子を得ることができる。第6実施形態次に、本発明の第6実施形態による発光装置を図11乃至図15を参照して説明する。図11に本実施形態の発光装置の平面図を示す。本実施形態の発光装置60は、マトリクス状に配置された複数図11では25個の発光ダイオード70を備えている。各発光ダイオード70は、図12に示すように、n型GaNからなる基板71上に、n型GaNからなるコンタクト層72、InGaNからなる下地層73、多重量子井戸構造の発光層74、p型AlGaNからなるキャップ層75、およびp型GaNからなるコンタクト層76が積層された構造を有している。コンタクト層76には隣接する発光ダイオード70のコンタクト層72と接続するための配線80が接続されている。したがって、図11に示すマトリクス状に配置された複数の発光ダイオード70は、配線80によって直列に接続された構成となっている。なお、図12に示すように、配線80と、キャップ層75、発光層74、下地層73、およびコンタクト層72との間には電気的絶縁をするための例えばSiO2からなる絶縁層77が設けられている。また、図11に示すマトリクス状に配置された発光ダイオード70のうち、左上の発光ダイオード70のn型GaNからなるコンタクト層72に電気的に接続するボンディングパッド90が設けられ、このボンディングパッド90は、図12に示すように、ZnO膜91と、Ti/Pt/Auの積層膜92とからなっている。また、図11に示すマトリクス状に配置された発光ダイオード70のうち、右下の発光ダイオード70のp型GaNからなるコンタクト層76に電気的に接続するボンディングパッド95が設けられ、このボンディングパッド95は、ボンディングパッド90と同様に、ZnO膜と、Ti/Pt/Auの積層膜とからなっている。なお、本実施形態においては、配線80はZnOにGaが添加された材料からなっている。また、ボンディングパッド90、95は、ZnO膜にGaが含まれていてもよい。次に、本実施形態の発光装置の製造方法を説明する。まず、結晶成長炉内で、n型GaNからなる基板71上に、n型GaNからなるコンタクト層72、InGaNからなる下地層73、多重量子井戸構造の発光層74、p型AlGaNからなるキャップ層75、およびp型GaNからなるコンタクト層76を順次積層する。この積層構造を結晶成長炉から取り出し、コンタクト層76上に、フォトレジストからなる第1レジストパターンを形成し、この第1レジストパターンをマスクとして、上記積層構造の一部分をn型GaNが露出するまでエッチングを行なう。その後、第1レジストパターンを剥離する。続いて、表面をクリーニングし、全面にSiO2膜77をCVDにより形成する。そして、このSiO2膜77上に、n側電極、p側電極を形成する部分に開口を有する第2レジストパターンを形成する。この第2レジストパターンをマスクとして、フッ化アンモニウムを用いてSiO2膜77をエッチングする。その後、第2レジストパターンを剥離する。次に、再びレジストを塗布し、このレジストをパターニングしてZnOが蒸着される部分以外の領域にレジストを残置する。その後、レーザMBE装置に導入し、ZnOを蒸着する。この際、不純物となるGaも同時に蒸着し、Gaの量が始めに多く徐々に少なくなるようにスパッタ量を調節する。蒸着が終わったらレーザMBE装置から取り出し、レジストを除去し、リフトオフすることによりGaが添加されたZnOからなる配線が形成される。更に第3のレジストパターンを形成し、この第3のレジストパターンを覆うように金属を堆積し、第3のレジストパターンを除去することにより、両端のボンディングパッド90、95を形成する。ボンディングパッド90、95にはTi/Pt/Auが適しており、Auは厚い方がよい。このように形成された本実施形態の発光装置を、図11に示す切断線A-Aで切断したときの断面図を図13に示す。本実施形態の発光装置は図13に示す矢印に示すように電流が流れる。なお、本実施形態の発光装置を構成する発光ダイオードは、直流100V、100mAで動作した。また、本実施形態の発光装置を構成する発光ダイオードを2個用いてそれぞれ極性が反対になるように並列に配線し、交流100Vに接続したところ100mAで動作した。なお、コンデンサーやコイルを用いて平滑化を行なうことで発光をさらに均一化できる。なお、本実施形態において、配線80のZnO膜の厚さは500nmであって、p型GaNからなるコンタクト層76、n型GaNからなるコンタクト層72にそれぞれに接している界面からZnOに向かって不純物であるGaは濃度が低くなるようなプロファイルを有している。これをSIMS法により確認した結果を図14に示す。SIMS法は、表面側よりスパッタしながら測定を行なった。この図14から、表面側より徐々にGaの濃度が上昇し、GaNからなるコンタクト層との界面に到達するとGaの濃度は大きく上昇していることがわかる。Ga濃度は界面付近においては1×1021cm-3を超えており、上記界面付近は半導体ではなく、いわゆるモット転移を起こし、金属的な電気特性を示す。また、高濃度なGaを含むZnOに接したp型GaNからなるコンタクト層76も2×1021cm-3程度の高濃度のMgを界面のみにドーピングすれば、この界面は電流の流れに対してpn接合が逆になるが高濃度であるためにトンネリングが起こりやすく低抵抗で接合させることができる。このために、発光装置内にLEDの個数が増えたとしても発光ダイオードと発光ダイオードとを接続することによる接触抵抗は上昇しない。なお、コンタクト層76内における、2×1021cm-3程度の高濃度のMgを含む領域の厚さは、10nm以下であることが好ましい。10nmよりも厚い場合は、結晶に欠陥が入り抵抗が高くなる。本実施形態では基板をGaNとしたがサファイア基板やSi基板であってもよい。サファイア基板、Si基板の場合には基板から素子を剥離し、光取り出し効率を向上することができる。サファイア上の場合にはレーザを照射し、剥離することができ、Si上では素子の表面を樹脂で保護した後、フッ硝酸でSi基板を除去する。いずれの場合も剥離後は支持基板に貼り付けて保持する必要がある。最終的な支持基板への接着ではその界面を発光波長に対して高反射率のもので形成しておくことにより光取り出しの効率を向上することができる。また、本実施形態ではZnO膜の形成にレーザMBEを用いたが、水溶液成長でも可能である。この場合は、レジストでのパターニングは同様に行ない、硝酸亜鉛水溶液に硝酸ガリウムを溶解させ、水温100°Cにて堆積を行なう。濃度を最適化することにより緻密で均一なZnO膜が作成できる。なお、この場合にはZnO膜中のGa濃度を厚さ方向にコントロールできないので界面付近に向かって濃度勾配をつけることができないがGa濃度を全体に高濃度にすることにより低抵抗とすることができる。この他、ZnO膜の形成はメタルマスクをレジストの代わりに用いてMBE法やスパッタ法により形成することも可能である。MBE法を用いて作成した場合にはもっともコントロール性がよく低抵抗なものが形成できる。本実施形態において、電流の流れに沿った層構造は、p型GaNなるコンタクト層/n型ZnO膜/n型GaNからなるコンタクト層という構造となっている。この層構造のバンドラインナップの模式図を図15に示す。この図15からわかるように、p型GaNからなるコンタクト層と、n型ZnO膜との接合はトンネル接合となっており、この部分での抵抗はほとんど生じない。このように、本実施形態の利点を生かすには酸化物のドーピング濃度はモット転移が生じる以上であることが望ましい。具体的にはZnOの内部においては、ドーピング濃度は1×1020cm-3である。モット転移が生じる濃度nはボーア半径をaとすると、n1/3×a=0.26という関係があることが知られているが、実際にはこれより1桁程度高い濃度で金属的な振る舞いが見られるようになる。本実施形態においては、配線となる酸化物と接する部分はGaNとなっているが、これに限らずIII族元素Ga、In、Al、Bの少なくとも1つを含む窒化物半導体でもかまわない。また本実施形態では、酸化物のドーピング材料はGaを用いたがIn、Al、Bでもかまわない。また、配線となる酸化物としてZnOを用いたがMgの酸化物MgOであってもよい。これは、ZnOおよびMgOは高濃度にGaをドーピング可能であり、GaはGaNの構成元素であるため、GaNとの界面においては、Gaが拡散し、高濃度となることも期待できるからである。また、本実施形態の発光ダイオード70の基板71の表面に第1乃至第2実施形態で説明した凹凸を設けてもよい。この場合は、第1乃至第2実施形態と同様に、演色性の高い半導体発光装置を得ることができる。また、本実施形態の発光ダイオードを第3実施形態の発光素子として用いることができる。第7実施形態次に、本発明の第7実施形態による半導体発光素子を説明する。一般に、半導体発光素子の構造ではキャリヤを閉じこめるために発光層はその周りの層であるコンタクト層やクラッド層よりもエネルギーバンドギャップが小さい材料を用いていた。通常の材料では屈折率の大きさとエネルギーバンドギャップの大きさは逆の傾向を示すので、屈折率分布は発光層の付近が高屈折率でその周りが低屈折率な構造となっていた。このような構造では発光層で発生した光のうち、水平方向に近い光は、発光層とクラッド層との界面で全反射し発光層内を導光されていく。これに対して、本実施形態の半導体発光素子においては、発光層の屈折率が発光層の周りの層の屈折率よりも小さく、屈折率の高低関係が、今までの構造とは逆になっており、発光層内を導光される光は極端に少ない。本実施形態の半導体発光素子は発光ダイオードであって、その断面を図17に示す。本実施形態の発光ダイオードは、膜厚が150μmのn型GaN基板200と、このGaN基板200上に形成された膜厚が300nmのn型GaN層202と、GaN層202の第1の領域上に形成され、正孔のオーバーフローを防止する膜厚が10nmのn型Al0.1Ga0.9Nからなるオーバーフロー防止層204と、オーバーフロー防止層204上に形成され、障壁層と井戸層とが交互に積層された多重量子井戸構造の発光層206と、発光層206上に形成されたp型GaNからなる膜厚が80nmのコンタクト層208と、このコンタクト層208上に設けられたp側電極210と、GaN層202の第1の領域と異なる領域上に形成されたn側電極212と、を備えている。発光層206を構成する障壁層は膜厚が10nmのIn0.005Al0.05Ga0.945Nからなっており、井戸層は膜厚が2.5nmのIn0.15Al0.005Ga0.845Nからなっている。本実施形態の半導体発光素子のエネルギーバンドを図18aに示し、屈折率を図18bに示す。図18a、18bからわかるように、本実施形態においては、障壁層と井戸層の平均屈折率がその上下にある層例えば、オーバーフロー防止層204、n型GaN層202、p型GaNからなるコンタクト層208の平均屈折率よりも低くなっている。さらにこの場合、n型GaN基板200の平均屈折率よりも低くなっている。本明細書では、m≧1個の層からなる構造の平均屈折率Naveとは、層厚で重み付けした平均屈折率を意味し、すなわち、i1≦i≦m番目の層の屈折率をni、その層厚をdiとすると、Nave=n1d1nmdm/d1dmで表される値である。従来の構造では、正孔の有効質量が電子の有効質量に比べて重いため、発光層を乗り越えて無効電流となる原因は電子のオーバーフローにあった。しかし、本実施形態のように、膜厚が10nmのIn0.005Al0.05Ga0.945Nからなる障壁層と、膜厚が2.5nmのIn0.15Al0.005Ga0.845Nからなる井戸層とによって発光層を形成すると、量子井戸構造の障壁層のバンドギャップが大きいため、図19の矢印で示した電子および正孔の流れのうち発光層を乗り越え、無効電流を生じさせる原因は正孔であることが本発明者達によって知見された。そこで、本実施形態では、従来の場合と逆にn側に正孔のオーバーフローを防止するオーバーフロー防止層204を設けることにより、発光効率を向上させる構造としている。なお、図19は、本実施形態の半導体発光素子のエネルギーバンド図であり、破線は量子井戸中の量子準位を示し、電子と正孔が再結合することにより発光していることを示す。また、本実施形態においては、オーバーフロー防止層は、バンドギャップが障壁層よりも大きくなるように構成されている。本実施形態においては、図20aに示すように、発光層の屈折率が発光層の周りの層の屈折率よりも小さく、屈折率の高低関係が、今までの構造とは逆になっている。このため、図20bに示すように、発光層内を導光される光は極端に少なく、さらに半導体発光素子の最外周で反射してきた光は、ある角度より浅い光の場合に発光層に戻ることなく、発光層とその外側の層との間で反射し、外に取り出される。すなわち、本実施形態においては、発光層に戻る光の割合が極端に少なくなり、半導体発光素子の外部に取り出される光が飛躍的に向上する。これに対して、従来は、発光層で発光した光が全方位に放射され、膜面方向に近い方位に放射される光は発光層に戻り、発光層で吸収されることとなる。このため、注入した電流に対して発光し、素子外部に取り出される光が減少する。なお、本実施形態において、電子のオーバーフローを防止する、エネルギーバンドギャップの大きい層がp側にあってもよい。また、本実施形態の発光ダイオードの基板200の表面に第1乃至第2実施形態で説明した凹凸を設けてもよい。この場合は、第1乃至第2実施形態と同様に、演色性の高い半導体発光装置を得ることができる。また、本実施形態の半導体発光素子を第3実施形態の発光素子として用いてもよい。また、本実施形態の半導体発光素子を第6実施形態の発光ダイオードの代わりに用いてもよい。"