基板搬送路において被処理基板を浮上させると共に、前記基板を基板搬送方向に平流し搬送する基板搬送装置であって、上面に複数のガス噴射孔と複数のガス吸引孔とが形成された下部ステージと、前記下部ステージの上方において、該下部ステージに対向配置されると共に、下面に複数のガス噴射孔とガス吸引孔とが形成された上部ステージと、前記下部ステージと上部ステージとに挟まれた空間に形成された前記基板搬送路と、前記基板搬送路において前記基板の幅方向両端を保持し、基板搬送方向に搬送する基板搬送手段とを備え、前記下部ステージと上部ステージとにそれぞれ形成された前記ガス噴射孔同士が対向すると共に、前記ガス吸引孔同士が対向することを特徴とする基板搬送装置。前記下部ステージと上部ステージとの間で対向する前記ガス噴射孔は、それぞれ孔の中心線が一致するように配置され、前記下部ステージと上部ステージとの間で対向する前記ガス吸引孔は、それぞれ孔の中心線が一致するように配置されていることを特徴とする請求項1に記載された基板搬送装置。前記下部ステージと上部ステージとの間で対向する前記ガス噴射孔からそれぞれ噴射されるガスの圧力または流量は同一であり、前記下部ステージと上部ステージとの間で対向する前記ガス吸引孔からそれぞれ吸引されるガスの圧力または流量は同一であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載された基板搬送装置。上面に複数のガス噴射孔と複数のガス吸引孔とが形成された下部ステージの上方に、下面に複数のガス噴射孔とガス吸引孔とが形成された上部ステージが対向配置され、前記下部ステージと上部ステージとに挟まれた空間に形成された基板搬送路において、被処理基板を浮上させると共に基板搬送方向に平流し搬送する基板搬送方法であって、前記下部ステージと前記上部ステージとにそれぞれ形成されたガス噴射孔からガス噴射を行うと共に、前記下部ステージと前記上部ステージとにそれぞれ形成されたガス吸引孔から吸引し、前記基板搬送路に所定の気流を形成するステップと、前記基板搬送路に被処理基板を搬入するステップと、前記基板搬送路に搬入された前記基板の幅方向両端を保持するステップと、前記基板の幅方向両端を保持した状態で該基板を基板搬送方向に搬送するステップとを含むことを特徴とする基板搬送方法。前記基板搬送路に被処理基板を搬入するステップの前に、前記下部ステージと前記上部ステージとにそれぞれ形成されたガス噴射孔から噴射されるガスを加熱するステップを含むことを特徴とする請求項4に記載された基板搬送方法。ところで、近年、被処理基板の大型化、及び薄型化が要求されている。しかしながら、従来の装置構成を、単に大型化した基板面積、或いは薄くなされた基板厚さに合わせても、浮上ステージ201での基板搬送において不具合が生じる虞があった。具体的には、基板面積に対する厚さが所定値よりも薄い基板Gを浮上ステージ201において浮上させた場合、図8に示すようにガス噴射孔201aからのガス噴射とガス吸引孔201bからのガス吸引とによって、基板面が波打つように凹凸状の撓みが生じ、塗布処理等の基板処理に悪影響を及ぼすという課題があった。本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、被処理基板を浮上させた状態で平流し搬送する基板搬送装置において、基板面積、或いは基板の厚さ寸法に拘わらず、基板面の平坦性を維持しながら搬送することができる基板搬送装置及び基板搬送方法を提供する。前記した課題を解決するために、本発明に係る基板搬送装置は、基板搬送路において被処理基板を浮上させると共に、前記基板を基板搬送方向に平流し搬送する基板搬送装置であって、上面に複数のガス噴射孔と複数のガス吸引孔とが形成された下部ステージと、前記下部ステージの上方において、該下部ステージに対向配置されると共に、下面に複数のガス噴射孔とガス吸引孔とが形成された上部ステージと、前記下部ステージと上部ステージとに挟まれた空間に形成された前記基板搬送路と、前記基板搬送路において前記基板の幅方向両端を保持し、基板搬送方向に搬送する基板搬送手段とを備え、前記下部ステージと上部ステージとにそれぞれ形成された前記ガス噴射孔同士が対向すると共に、前記ガス吸引孔同士が対向することに特徴を有する。尚、前記下部ステージと上部ステージとの間で対向する前記ガス噴射孔は、それぞれ孔の中心線が一致するように配置され、前記下部ステージと上部ステージとの間で対向する前記ガス吸引孔は、それぞれ孔の中心線が一致するように配置されていることが望ましい。また、前記下部ステージと上部ステージとの間で対向する前記ガス噴射孔からそれぞれ噴射されるガスの圧力または流量は、同一であることが望ましく、前記下部ステージと上部ステージとの間で対向する前記ガス吸引孔からそれぞれ吸引されるガスの圧力または流量は、同一であることが望ましい。このように構成することにより、前記下部ステージと上部ステージとに挟まれた空間に形成された基板搬送路において、上下方向からのガス噴射の圧力または流量が均衡すると共に、上下方向からの吸引圧力または吸引流量が均衡する気流を形成することができる。これにより、前記基板搬送路に搬入された被処理基板においては、上下から加わる圧力負荷が相殺されるため、撓みを抑制することができる。したがって、この構成によれば、基板面積、或いは基板の厚さ寸法に拘わらず、基板面の平坦性を維持しながら搬送することができる。また、前記した課題を解決するために、本発明に係る基板搬送方法は、上面に複数のガス噴射孔と複数のガス吸引孔とが形成された下部ステージの上方に、下面に複数のガス噴射孔とガス吸引孔とが形成された上部ステージが対向配置され、前記下部ステージと上部ステージとに挟まれた空間に形成された基板搬送路において、被処理基板を浮上させると共に基板搬送方向に平流し搬送する基板搬送方法であって、前記下部ステージと前記上部ステージとにそれぞれ形成されたガス噴射孔からガス噴射を行うと共に、前記下部ステージと前記上部ステージとにそれぞれ形成されたガス吸引孔から吸引し、前記基板搬送路に所定の気流を形成するステップと、前記基板搬送路に被処理基板を搬入するステップと、前記基板搬送路に搬入された前記基板の幅方向両端を保持するステップと、前記基板の幅方向両端を保持した状態で該基板を基板搬送方向に搬送するステップとを含むことに特徴を有する。尚、基板の熱処理を行う場合には、前記基板搬送路に被処理基板を搬入するステップの前に、前記下部ステージと前記上部ステージとにそれぞれ形成されたガス噴射孔から噴射されるガスを加熱するステップを含むことが望ましい。このような方法によれば、前記下部ステージと上部ステージとに挟まれた空間に形成された基板搬送路において、上下方向からのガス噴射の圧力または流量が均衡すると共に、上下方向からの吸引圧力または吸引流量が均衡する気流を形成することができる。これにより、前記基板搬送路に搬入された被処理基板においては、上下から加わる圧力負荷が相殺されるため、撓みを抑制することができる。したがって、この方法によれば、基板面積、或いは基板の厚さ寸法に拘わらず、基板面の平坦性を維持しながら搬送することができる。本発明によれば、被処理基板を浮上させた状態で平流し搬送する基板搬送装置において、基板面積、或いは基板の厚さ寸法に拘わらず、基板面の平坦性を維持しながら搬送することができる基板搬送装置及び基板搬送方法を得ることができる。以下、本発明の基板搬送装置にかかる一実施形態を、図面に基づき説明する。尚、この実施形態にあっては、本発明に係る基板搬送装置が、被処理基板であるガラス基板を浮上搬送しながら、前記基板に対し加熱処理を行う熱処理ユニットにおいて適用される場合を例にとって説明する。図1は、本発明の基板搬送装置が適用される熱処理ユニットの平面図であり、図2は、図1の側面図である。また、図3は、図1のA-A矢視断面図である。図1乃至図3に示すように、この熱処理ユニット1は、ガラス基板Gを枚様式に一枚ずつ浮上搬送するための浮上ステージ2を備え、基板Gが所謂平流し搬送されるように構成されている。この浮上ステージ2は、図2、図3に示すように下部ステージ2A上に所定の間隔を空けて上部ステージ2Bが配置され、それらステージ間に挟まれた空間が基板搬送路2Cとなされる。下部ステージ2Aの上面、及び上部ステージ2Bの下面には、図4aに示すように多数のガス噴射孔2aとガス吸引孔2bとがX方向とY方向に一定間隔で交互に設けられている。尚、複数のガス噴射孔2aとガス吸引孔2bの配置レイアウトは、図4aのように千鳥状に配置してもよいし、或いは、図4b、図4cに示すようにX軸方向またはY軸方向に交互に配列してもよい。下部ステージ2Aと上部ステージ2Bの内部には、図3に示すように、それぞれ正圧マニホールド3が形成され、各ステージにおいて、この正圧マニホールド3に全てのガス噴射孔2aが連通している。正圧マニホールド3には、同一の圧縮ガス供給源4から圧縮された不活性ガスが供給され、全てのガス噴射孔2aから同一圧力または同一流量で噴射されるようになっている。さらに下部ステージ2Aと上部ステージ2Bの内部においては、図示するように負圧マニホールド5が形成され、各ステージにおいて、この負圧マニホールド5に全てのガス吸引孔2bが連通している。負圧マニホールド5には、同一の真空源6が接続され、全てのガス吸引孔2bから同一圧力または同一流量でガス吸引を行うようになっている。また、前記圧縮ガス供給源4と前記真空源6とは、それぞれコンピュータからなる制御部20制御手段によって、その駆動制御がなされる。尚、本実施形態においては、下部ステージ2Aと上部ステージ2Bとに対し同一の圧縮ガス供給源4と同一の真空源6によりガスの供給及び吸引を行うようにしているが、下部ステージ2Aと上部ステージ2Bとに対しそれぞれ独立した圧縮ガス供給源4と真空源6とによりガスの供給及び吸引を行い、制御部20により噴射圧または噴射流量及び吸引圧または吸引流量を個別に制御してもよい。また、図3、図5図3の一部拡大断面図に示すように、下部ステージ2Aと上部ステージ2Bにそれぞれ形成されたガス噴射孔2a同士が対向して対をなし、各対のガス噴射孔2aの中心線が一致するように配置されている。また、下部ステージ2Aと上部ステージ2Bにそれぞれ形成されたガス吸引孔2b同士が対向して対をなし、各対のガス吸引孔2bの中心線が一致するように配置されている。このようにガス噴射孔2aとガス吸気孔2bとが配置されることによって、基板搬送路2Cにおいて、上下方向からのガス噴射の圧力が均衡すると共に上下方向からの吸引圧力が均衡する気流を形成することができる。そのため、基板搬送路2Cに搬入された基板Gにあっては、上下から加わる圧力負荷が相殺され、撓みを抑制した状態で浮上させることができる。また、図3に示すように、下部ステージ2Aにおいては、正圧マニホールド3の底部に、上部ステージ2Bにおいては、正圧マニホールド3の天井部に、面状のヒータ7が設けられている。このヒータ7は、ヒータ駆動部8からの電力供給により発熱し、正圧マニホールド3内の温度、及び例えばSUSからなるステージ2A、2B自体の温度を昇温するようになっている。これにより、ガス噴射孔2aから噴射されるガスの温度は所定温度の熱風温風となり、これが基板Gに吹き付けられて、基板Gが加熱されるように構成されている。尚、ヒータ駆動部8は、制御部20により駆動制御される。また、浮上ステージ2の幅方向Y軸方向の左右側方には、X軸方向に平行に延びる一対のガイドレール9が設けられている。各ガイドレール9には、基板搬送方向X軸方向に移動可能に取り付けられたスライダ10基板搬送手段が2台ずつ設けられている。各スライダ10には、ガラス基板Gの端部を下方から吸着保持する基板保持部11が設けられ、4つの基板保持部11により基板Gの角部が保持されている。各基板保持部11は、図3に示すように、基板Gの下面に対し吸引動作により吸着可能な吸着部材11aと、吸着部材11aをスライダ10上に立設された支柱11bに沿って昇降移動させる昇降部材11cとを有する。尚、吸着部材11aには、吸引ポンプ図示せずが接続され、基板Gとの接触領域の空気を吸引して真空状態に近づけることにより、基板Gに吸着するようになされている。また、スライダ10は、制御部20によって、その駆動制御がなされる。続いて、このように構成された熱処理ユニット1における基板搬送の一連の流れについて図6を用いて説明する。熱処理ユニット1においては、ガラス基板Gが搬入される前に、先ず、制御部20の制御によりヒータ駆動部8が駆動され、ヒータ7が所定の供給電力に応じて発熱される。これにより、正圧マニホールド3内の温度が昇温され、及び下部ステージ2A、上部ステージ2Bが所定温度に加熱される図6のステップS1。また、制御部20は、圧縮ガス供給源4から正圧マニホールド3に圧縮された不活性ガスを供給させ、真空源6により負圧マニホールド5内の雰囲気を排気させる。これにより、下部ステージ2Aと上部ステージ2Bとの間の空間、即ち基板搬送路2Cには、各ステージ2A、2Bのガス噴射孔2aから所定温度に熱せられたガスが噴射され、基板搬送路2Cに噴射されたガスはガス吸引孔2bから吸引される状態となされる図6のステップS2。尚、図3の構成にあっては、下部ステージ2Aと上部ステージ2Bのガス噴射孔2aは同一の圧縮ガス供給源4に接続されており、上下全てのガス噴射孔2aから同一圧力または同一流量でガス噴射がなされる。また、下部ステージ2Aと上部ステージ2Bのガス吸引孔2bは同一の真空源6に接続されており、上下全てのガス吸引孔2bから同一圧力または同一流量でガス吸引がなされる。基板搬送路2Cに所定の熱風気流が形成されると、浮上ステージ2の基板搬送路2Cにガラス基板Gが搬入される図6のステップS3。また、基板搬送路2Cに搬入された基板Gは、その幅方向両端が基板保持部11によって保持される図6のステップS4。ここで、上下Z軸方向に対向する各ガス噴射孔2a同士は、その中心線が一致するように配置され、同一圧力または同一流量でガス噴射しているため、上下方向からのガス噴射の圧力または流量が均衡する。また、上下Z軸方向に対向する各ガス吸引孔2b同士は、その中心線が一致するように配置され、同一圧力または同一流量でガス吸引しているため、上下方向からの吸引圧力または吸引流量が均衡する。これにより、基板Gに対し上下から加わる圧力負荷が相殺され、基板Gが撓むことなく撓みが抑制された状態で基板保持部11により保持される。基板Gは、スライダ10がレール9上を移動することにより、平坦性が維持された状態で、基板搬送路2Cを搬送される図6のステップS5。そして、この基板搬送中において、基板Gの上下面には、所定温度の熱風気流が接することになり、基板Gは所定温度に加熱されて基板搬送路2Cから搬出され、加熱処理が完了する図6のステップS6。以上のように、本発明に係る一実施形態によれば、それぞれ複数のガス噴射孔2aとガス吸引孔2bとを有する下部ステージ2Aと上部ステージ2Bとが対向配置され、その2つのステージに挟まれた空間に基板搬送路2Cが形成される。また、各ステージにそれぞれ形成されたガス噴射孔2a同士が対向して全て対をなすと共に同一圧力または同一流量でガス噴射を行い、ガス吸引孔2b同士が対向して全て対をなすと共に同一圧力または同一流量でガス吸引を行うように構成されている。これにより、基板搬送路2Cにおいて、上下方向からのガス噴射の圧力または流量が均衡すると共に、上下方向からの吸引圧力または吸引流量が均衡する気流を形成することができる。また、そのような基板搬送路2Cに搬入された基板Gにおいては、上下から加わる圧力負荷が相殺されるため、撓みを抑制することができる。したがって、本実施形態によれば、基板面積、或いは基板の厚さ寸法に拘わらず、基板面の平坦性を維持しながら搬送することができる。尚、前記実施の形態にあっては、熱処理ユニット1において、ヒータ7を正圧マニホールド3内に配置する構成としたが、ガス噴射孔2aから熱風を噴射させる構成としては、それに限定されるものではない。例えば、下部ステージ2Aと上部ステージ2Bの外面にヒータを貼り付けるように設けてもよいし、圧縮ガス供給源4から熱風を供給してもよい。また、下部ステージ2Aと上部ステージ2Bのガス噴射孔2aから同様に熱風を噴射するようにしたが、いずれか一方例えば、被処理面側のみに熱風を噴射する構成としてもよい。また、前記実施の形態にあっては、下部ステージ2Aと上部ステージ2Bとにそれぞれ形成されたガス噴射孔2aから同一圧力または同一流量でガス噴射を行い、ガス吸引孔2bから同一圧力または同一流量でガス吸引を行うものとした。しかしながら、本発明にあっては、その形態に限定されるものではなく、基板Gの自重を考慮して下部ステージ2Aと上部ステージ2Bとにおけるガス噴射圧または噴射流量、及びガス吸引圧または吸引流量をそれぞれ決定してもよい。具体的には、下部ステージ2Aからの噴射ガスによる浮上圧流量に対しては、基板Gの自重が加わるため、例えば噴射圧を設定する場合、下部ステージ2Aからの噴射ガスの圧力は、上部ステージ2Bからの噴射ガスの圧力と、基板Gの自重圧を加えた値としてもよい。また、例えば吸引圧を設定する場合、上部ステージ2Bからの吸引圧は、下部ステージ2Aからの吸引圧と、基板Gの自重圧を加えた値としてもよい。また、前記実施の形態において、熱処理ユニット1は、基板Gを加熱処理する装置として説明したが、ヒータ7に代えて、冷却手段としての冷却プレート等を配置することにより、基板Gを所定温度に冷却する熱処理ユニットとしても用いることができる。また、本発明にかかる基板搬送装置は、熱処理ユニットに限定されることなく、レジスト塗布処理ユニット等の他の基板処理ユニットにおいても好適に用いることができる。