"チャンバと、前記チャンバ内で基板を保持する基板保持手段と、前記基板に対する処理によって前記チャンバ内に付着した堆積物を除去するクリーニングガスを前記チャンバ内に供給するクリーニングガス供給手段と、前記チャンバ内のガスを前記チャンバの底壁に設けられたガス排出口から排出する排出手段と、を備える基板処理装置において、前記チャンバ内の前記ガス排出口の周囲に溝を備えることを特徴とする基板処理装置。前記溝内に溜まった堆積物粉の拡散を防止する拡散防止手段をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。前記溝内を加熱する加熱手段をさらに備えることを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。前記ガス排出口の端部は、前記チャンバの前記溝付近の前記底壁の上面に比して高い位置に設けられることを特徴とする請求項1~3のいずれか1つに記載の基板処理装置。前記チャンバの前記底壁には、前記チャンバの側壁から前記底壁の溝に向かって低くなる傾斜面を有する斜面構成部材をさらに備えることを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の基板処理装置。前記傾斜面を振動させる振動手段をさらに備えることを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。前記傾斜面は、アルミニウムまたはアルミニウム合金によって構成されることを特徴とする請求項5または6に記載の基板処理装置。前記チャンバの前記底壁は、前記チャンバの側壁との境界から前記溝の形成位置に向かって低くなるように傾斜していることを特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載の基板処理装置。しかし、特許文献1に記載の技術のように、成膜装置の排気系に収容部やフランジを設けることで、既存の成膜装置に新たな機構の導入を要し、場合によっては活性化したSi系粉の除外設備が必要になるという問題点があった。また、従来のLSILargeScaleIntegratedCircuitの製造工程に比べて、アモルファスシリコン太陽電池や薄膜トランジスタ、光センサ、半導体保護膜などの各種電子デバイスに使用される薄膜は大面積化しており、このような大面積薄膜の製造にはプラズマCVD装置が用いられるのが一般的である。大面積薄膜の製造に伴い、プラズマCVD装置の内壁には厚い堆積膜が付着するが、この厚い堆積膜をクリーニングガスによって除去すると、Si系粉が大量に発生するため、より処理能力の高い設備が必要となる。この発明は、上記に鑑みてなされたもので、既存の基板処理装置に対して新たな設備の導入負荷を少なくし、基板処理装置内壁に付着した厚い堆積膜の除去を行うことができる基板処理装置を得ることを目的とする。上記目的を達成するため、この発明にかかる基板処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内で基板を保持する基板保持手段と、前記基板に対する処理によって前記チャンバ内に付着した堆積物を除去するクリーニングガスを前記チャンバ内に供給するクリーニングガス供給手段と、前記チャンバ内のガスを前記チャンバの底壁に設けられたガス排出口から排出する排出手段と、を備える基板処理装置において、前記チャンバ内の前記ガス排出口の周囲に溝を備えることを特徴とする。この発明によれば、チャンバ底部の排気口の周囲にチャンバ内壁に付着した堆積物粉のトラップとなる溝を設けたので、溝内部の堆積物粉をクリーニングガスと反応させて効率よく気化させて除去することができる。また、堆積物粉を気化することによって既存の燃焼除外装置で処理することができ、成膜室内を初期化するクリーニングガスを、溝にトラップされた堆積物粉を気化させる際に利用できるので、既存の設備に対する導入負荷が少ないという効果を有する。以下に添付図面を参照して、この発明の実施の形態にかかる基板処理装置を詳細に説明する。なお、これらの実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。実施の形態1.図1は、実施の形態1による基板処理装置の構成の一例を模式的に示す断面図である。ここでは、基板処理装置としてプラズマCVD装置を例に挙げる。基板処理装置1は、成膜処理部10、排気系30およびガス供給系40に大別することができる。成膜処理部10は、たとえばアルミニウム製またはアルミニウム合金製のチャンバ11を有している。チャンバ11は、たとえば円筒形状を有している。チャンバ11内部には、処理対象である基板を水平に支持する基板保持手段であるステージ12が配置されている。ステージ12は、チャンバ11内の水平方向の中央部付近に配置され、チャンバ11内部で図示しない支持部材によって支持されている。また、ステージ12は、ヒータなどの基板加熱手段や、基板を真空吸着などの方法で保持する保持機構などを内蔵している。ヒータは、基板を処理する際に所定の温度に加熱する際に使用される。また、チャンバ11の側壁には、図示しないが基板の搬入出口が設けられており、図示しないゲートバルブによって開閉可能な構成となっている。チャンバ11内のステージ12の基板保持面に対向するように、ステージ12の上部にガス吐出部材であるシャワーヘッド13が設けられている。このシャワーヘッド13は、上部電極としても機能し、チャンバ11の側壁に絶縁部材14を介して支持されている。シャワーヘッド13には、多数の吐出孔13Aが設けられており、チャンバ11上部から供給されるガスをシャワー状にチャンバ11内の空間へと供給する。また、図示していないがシャワーヘッド13には、高周波電力をシャワーヘッド13に供給する高周波電源供給部が給電線を介して接続されている。このように、ステージ12とシャワーヘッド13とは、一対の平行平板電極を構成している。チャンバ11の底部の中央部付近には、ガス排気口15が設けられている。ガス排気口15は、たとえば円形の開口を有している。また、ガス排気口15の周囲には、基板処理後のクリーニングなどで生じた堆積物粉をトラップする溝16と、クリーニングガスで主に溝16にトラップされた堆積物粉の気化反応を促進する加熱部17と、が設けられている。さらに、チャンバ11の底部のガス排気口15の周囲には、チャンバ11の側壁の溝16の位置を基準とした所定の高さから溝16に向かって傾斜をなすすり鉢状の斜面構成部材18が設けられている。この斜面構成部材18は、クリーニング時に除去し、チャンバ11下方へと落下した堆積物粉が、自重によってさらに溝16に到達するように設けられる。斜面構成部材18の傾斜面18Aは、熱伝導率のよいたとえばアルミニウム製またはアルミニウム合金製とすることができる。熱伝導率のよいアルミニウム製またはアルミニウム合金製の傾斜面18Aとすることで、斜面構成部材18を加熱しながら効率的にクリーニングガスによって堆積物粉を気化することができる。また、斜面構成部材18の傾斜面18Aに、傾斜面18Aを振動させる図示しない振動部を設けるようにしてもよい。振動部で傾斜面18Aに振動を与えることよって、傾斜面18A上に留まった堆積物粉を溝16に向かって移動させることができる。振動部として、圧電素子に交流電圧を印加して超音波を傾斜面18Aに伝える超音波発生装置などを用いることができる。また、ガス排気口15と溝16の間には、斜面構成部材18上を滑り落ちてくる堆積物粉が直接にガス排気口15に入り込んでしまうことを防ぐ遮断部材19が設けられている。この遮断部材19は、ガス排気口15の端部がチャンバ11の底面よりも上に位置するように、ガス排気口15を構成する部材をチャンバ11内部へと延長した構成を有する。なお、ここでは、チャンバ11の底部に斜面構成部材18を設ける場合を示したが、これに限定されるものではなく、たとえばチャンバ11として、底部のガス排気口15に向かって凸形状となるような構造のもの、すなわち底部を構成する面が側壁との境界からガス排気口15に向かって低くなるように傾斜したすり鉢状の面によって構成するものでもよい。チャンバ11底部のガス排気口15には、排気系30が設けられる。排気系30は、チャンバ11底部のガス排気口15に接続される配管31と、配管31に接続される排気手段である真空ポンプ32と、真空ポンプ32によるチャンバ11内のガスの排気の度合いを切り替えるバルブ33と、有する。チャンバ11の上部付近には、ガス供給口20,21が設けられている。この図では、チャンバ11の上面の中央部付近には処理ガスを供給するガス供給口20が設けられ、チャンバ11の側壁にはクリーニングガスを供給するガス供給口21が設けられている。ガス供給系40は、処理ガスを供給する処理ガス供給系50と、クリーニングガスを供給するクリーニングガス供給系60と、を有する。処理ガス供給系50は、チャンバ11の上部に設けられるガス供給口20に接続される配管51と、配管51のもう一方の端部に設けられるガス供給源52と、ガス供給源52からチャンバ11内への処理ガスの供給のオン/オフを切り替える配管51上に設けられるガスバルブ53と、を備える。ガス供給源52に使用されるガスとして、Si膜を形成する場合には、たとえばSiH3ガス、H2ガス、Arガスなどを用いることができる。なお、図中では、配管51、ガス供給源52およびガスバルブ53がそれぞれ1つのみ図示されているが、ガス供給源52ごとにガスバルブ53や配管51が設けられる。クリーニングガス供給系60は、チャンバ11の側壁に設けられるガス供給口21に接続される配管61と、配管61のもう一方の端部に設けられるガス供給源62と、ガス供給源62からチャンバ11内へのクリーニングガスの供給のオン/オフを切り替える配管61上に設けられるガスバルブ63と、を備える。クリーニングガスとしては、Si系膜のクリーニングを行う場合には、F2,NF3,ClF3,CF4などのフッ素を含むガスまたはこれらを1種類以上含む混合ガスと、N2,Ar,He,Kr,Xe,Neなどの不活性ガスまたはこれらを1種類以上含む混合ガスと、を含むものを用いることができる。これらクリーニングガス供給後、チャンバ11の上下に設けられている電極に高周波電力供給部から高周波電力を印加することでシャワーヘッド13とステージ12との間の空間にプラズマを生成させる。ガス供給源62としては、上記のガスのうち使用されるガスに対応するものが設けられる。なお、図中では、配管61、ガス供給源62およびガスバルブ63がそれぞれ1つのみ図示されているが、ガス供給源62ごとにガスバルブ63や配管61が設けられる。また、クリーニングガスとして、リモートプラズマによるこれらのクリーニングガスがラジカルとして供給されるものであってもよい。つぎに、このような構成の基板処理装置1における処理の概要について、Si膜を成膜する場合を例に挙げて説明する。まず、図示しない基板の搬入出口から基板がチャンバ11内へと搬入され、ステージ12上に載置され、真空チャック機構などの保持機構によって固定される。ついで、排気系30によってチャンバ11内のガスが排気され、チャンバ11内を所定の真空度とする。また、成膜を行う際に必要とされる温度までステージ12を加熱する。その後、処理ガス供給系50からたとえばSi膜を形成する際に使用される処理ガスたとえばSiH3ガス、H2ガス、Arガスなどがガス供給口20を介してチャンバ11内に供給され、シャワーヘッド13の吐出孔13Aを介してシャワーヘッド13とステージ12との間の空間に供給される。チャンバ11内の圧力が所定の圧力に達すると、下部電極であるステージ12を接地した状態で、上部電極であるシャワーヘッド13に高周波電力供給部から高周波電力を印加して、シャワーヘッド13とステージ12との間の空間にプラズマを生成させる。これによって、処理ガス供給系50から供給される処理ガスが活性化され、基板上に所望の被膜ここではSi膜が形成される。このとき、プラズマと接するチャンバ11内の構成部材にも基板上と同様に膜が堆積される。所定の厚さの被膜Si膜が基板上に形成されると、高周波電力供給部からの高周波電力の供給が停止され、チャンバ11内を十分に排気した後、バルブ33を閉じ、チャンバ11内に窒素ガスや不活性ガスなどを供給して所定の圧力とし、基板の搬入出口からステージ12上の基板がチャンバ11外へと搬出される。以上が、基板処理装置1における成膜処理の概要である。つぎに、基板処理装置1におけるクリーニング処理の概要について説明する。成膜処理が終了し、チャンバ11の搬入出口から基板が搬出されると、搬入出口が閉じられ、排気系30によってチャンバ11内を所定の真空度となるように排気する。ついで、クリーニングガス供給系60からクリーニングガスやそのラジカルをチャンバ11内に供給する。このとき、成膜処理で生じたチャンバ11内壁の成膜材がフッ素などのクリーニングガスやそのラジカルによってフッ化シリコンのような形で気化するが、成膜材の一部が堆積物粉として未反応のまま、チャンバ11の下方の斜面構成部材18上へと落下する。落下した堆積物粉は、チャンバ11底部に設けられた斜面構成部材18を構成する傾斜面18A上を自重によって滑り落ち、チャンバ11底部中央付近のガス排気口15周囲に形成された溝16へと誘導される。このとき、ガス排気口15周囲の遮断部材19によって、落下した堆積物粉が直接にガス排気口15へと入り込んでしまうことを防ぐことができる。また、斜面構成部材18の傾斜面18A上に落下した未反応の堆積物粉が傾斜面18A上で留まってしまうことを防ぐために、傾斜面18Aを振動部によって振動させるようにしてもよい。溝16に設けられた加熱部17は、溝16内部が所定の温度となるように加熱し、溝16に落ち込んだ未反応の堆積物粉の加熱反応を促進する。これによって、未反応の堆積物粉が気化され、溝16内の堆積物磁場粉が除去される。また、加熱部17による溝16の加熱によって、斜面構成部材18にも熱が伝達し、斜面構成部材18の傾斜面18A上に滞留してしまった堆積物粉も効率的に気化させて除去することができる。以上のようにして、クリーニング処理が行われる。クリーニング処理が行われると、つぎの成膜処理が開始される。なお、クリーニング処理は、成膜処理のたびに行ってもよいし、成膜処理を続けて複数回行った後に1回行ってもよいし、またはチャンバ11内の側壁に付着した堆積物の厚さが所定の厚さになってから行ってもよい。この実施の形態1によれば、基板処理装置1のチャンバ11の底面の中央部付近に設けられたガス排気口15の周囲に溝16を設け、加熱部17によって溝16を加熱可能な構成としたので、チャンバ11内のクリーニング処理を行う際に、チャンバ11の内壁に付着した成膜材がクリーニング処理中に堆積物粉として落下した場合に、溝16内に未反応の堆積物粉を集中させることができる。そして、加熱反応によって堆積物粉とクリーニングガスとの反応を促進させて、チャンバ11内壁などに付着した成膜材を効率的に除去することができる。また、このような構造は、既存の設備に容易に設けることが可能であるので、新たなプロセスの導入負荷を少なくすることができるとともに、効果的にチャンバ11内壁に付着した成膜材を除去することができるという効果を有する。その結果、排気系30での目詰まりなどの懸念を抑えることができる。実施の形態2.図2は、実施の形態2によるガス排気口周囲の溝の構造を模式的に示す図である。なお、実施の形態1と同一の構成要素には同一の符号を付して、その説明を省略する。この図に示されるように、ガス排気口15の周囲に設けられる溝16の上部付近に、さらに堆積物粉の拡散を防止する拡散防止手段であるオリフィス25を備える。オリフィス25は、溝16内にトラップされた堆積物粉が舞い上がってしまうことを防ぎ、仮に堆積物粉が舞い上がってしまった場合でも、オリフィス25によって遮られ、ガス排気口15へと到達することを防ぐことができる。この実施の形態2によれば、溝16の上部付近にオリフィス25を設けたので、溝16に落ち込んだ堆積物粉が舞い上がってしまった場合でも、その舞い上がった堆積物粉のガス排気口15への侵入を防ぎ、排気系、特に真空ポンプを閉塞させたり、破損させたりすることを防ぐことができるという効果を有する。なお、上述した説明では、基板処理装置1としてプラズマCVD装置を例に挙げて説明したが、処理中にチャンバ11内壁に堆積物が付着するような装置全般に関して上記した実施の形態を適用することができる。たとえば、一般的なCVD装置、スパッタ装置、ALDAtomicLayerDeposition装置、真空蒸着装置、レーザアブレーション装置などの成膜装置のほかに、RIEReactiveIonEtching装置やアッシング装置、CDEChemicalDryEtching装置などのエッチング装置などに対しても適用することができる。また、上述した説明では、Si膜を基板上に成膜した場合にチャンバ11内壁に付着する堆積物を除去する場合を例に挙げて説明したが、Si膜に限定されるものではなく、他の材料を成膜したりエッチングしたりして、チャンバ11内壁に堆積物が付着するような場合にも同様に上記した実施の形態を適用することができる。"