"半導体基板を処理するチャンバであって、前記チャンバ内に配置された基板支持体と、前記基板支持体に対向するインシトゥプラズマ源と、前記インシトゥプラズマ源を通じて前記チャンバに接続された遠隔プラズマ源とを備えるチャンバ。前記インシトゥプラズマ源が誘導性のプラズマ源である、請求項1に記載のチャンバ。前記インシトゥプラズマ源が、前記チャンバのリッド領域内に配置された導電コイルを備える、請求項1に記載のチャンバ。前記インシトゥプラズマ源が、電力源に結合されたシャワーヘッドを備え、前記遠隔プラズマ源が、前記シャワーヘッドの中心領域内の開口に接続されている、請求項1に記載のチャンバ。前記チャンバ内に配置された熱源をさらに備え、前記熱源が前記基板支持体から隔置されている、請求項1に記載のチャンバ。前記基板支持体が、前記熱源と前記インシトゥプラズマ源との間に配置されている、請求項5に記載のチャンバ。半導体基板を処理するチャンバであって、前記チャンバ内に配置された基板支持体と、前記チャンバ内で前記基板支持体に対向するように配置された高イオン密度のプラズマ源と、前記チャンバに接続された低イオン密度のプラズマ源とを備えるチャンバ。前記低イオン密度のプラズマ源が遠隔プラズマ源である、請求項7に記載のチャンバ。前記チャンバ内に配置された複数の放射熱源をさらに備える、請求項7に記載のチャンバ。前記基板支持体と前記放射熱源との間に窓をさらに備える、請求項9に記載のチャンバ。前記高イオン密度のプラズマ源が、誘導結合プラズマ源または容量結合プラズマ源であり、前記低イオン密度のプラズマ源が遠隔プラズマ源である、請求項9に記載のチャンバ。半導体基板を処理するチャンバであって、基板支持体と、前記基板支持体に対向する直接プラズマ源と、前記基板支持体から隔置された放射熱源とを備えるチャンバ。前記直接プラズマ源が、誘導結合RF、マイクロ波、またはミリメートル波プラズマ源である、請求項12に記載のチャンバ。遠隔プラズマ源をさらに備える、請求項12に記載のチャンバ。前記直接プラズマ源が誘導結合プラズマ源である、請求項14に記載のチャンバ。前記直接プラズマ源が、RF、マイクロ波、またはミリメートル波源である、請求項15に記載のチャンバ。理解を容易にするために、可能な場合、複数の図に共通の同一の要素を指すのに同一の参照番号を使用した。一実施形態で開示する要素は、具体的な記述がなくても、他の実施形態で有益に利用できることが企図される。チャンバから基板を取り出さずに基板上で様々な材料の処理および熱処理を実行するために、多機能チャンバを構成することができる。図1は、一実施形態によるそのようなチャンバ100の横断面図である。図1のチャンバは、様々なプラズマおよび熱による堆積および処理プロセスを基板上で同時に、並行して、または連続して実行することが可能である。一連の処理が基板上で実行される間、基板をチャンバ内に残すことができ、または基板を時折取り出し、後にチャンバへ戻してから後の処理を行うことができる。図1のチャンバ100は、第1の部分104、第2の部分106、および第3の部分108をもつ筐体102を有する。筐体102は、アルマイトもしくは石英とすることができ、または石英チャンバライナを有するアルマイトとすることができ、そのような材料は、電界効果トランジスタを製造する際に実行される大部分の処理に対して耐性を有する。第1の部分104、第2の部分106、および第3の部分108は、ともに一体形成することができ、またはファスナ図示せずを使用して取外し可能に取り付けることができる。筐体102内に基板支持体110が配置され、第3の部分108を通って制御アセンブリ112まで延びる。制御アセンブリ112は、基板支持体110に回転式に結合されたモータと、導管116を通じて基板支持体内で熱制御流体を提供する熱制御モジュール114と、基板支持体110に電気バイアスを提供し、または基板支持体110上に基板を静電気で固定化する電気ユニット118とを有することができる。筐体102の第1の部分104内には、基板支持体110に対向するようにプラズマ源120が配置される。プラズマ源120は、1つまたは複数のRF電源124によって通電される複数の導電ループ122を備える誘導性のプラズマ源である。プラズマ源120を貫通するように配置された処理ガス導管126によって、処理ガス源160がチャンバ100に流動的に結合され、プラズマ源120の中心部分には、基板支持体110に対向するようにガス分配器28が位置決めされている。チャンバ100には、プラズマ源120によって活性化すべき処理ガスを、ガス分配器128を通じて提供することができる。チャンバ100に有用な誘導性のプラズマ源は、本発明の譲受人に譲渡された2010年5月14日出願のInductivePlasmaSourceWithMetallicShowerHeadUsingB-FieldConcentratorという名称の米国特許出願第12/780,531号に記載されている。同出願は、参照により本明細書に組み込まれている。筐体102内には熱源130が配置され、基板支持体110の表面132から隔置される。熱源130は、放射熱源、たとえば複数の熱ランプとすることができ、熱ランプは、1列に、たとえばハニカムパターンで構成することができる。熱源130と基板支持体110との間には石英窓134が配置され、たとえば石英窓にフィルタを施して所望の波長を除去し、他の波長を伝搬させることによって、熱源130からの放射を制御する。石英窓134は、チャンバ100の処理環境から熱源130を保護することができる。便宜上、基板支持体110が熱源130とプラズマ源120との間に位置決めされているところを示すが、そのような位置決めが必ずしも必要とされるわけではない。たとえば、基板支持体110とプラズマ源120との間で筐体102の第2の部分106の周辺部の周りに環状の熱源を位置決めすることができ、石英窓またはシールドは熱源と処理環境を分離することができる。図1の実施形態では、基板支持体110は、熱源130からの放射に対して実質上透過性の材料を含むことができ、基板支持体110の表面132上に配置された基板を熱処理することができる。処理ガス導管126およびガス分配器128を通じて、または代替のアクセス点を通じて、チャンバ100にラジカル源136を結合することができる。ラジカル源136は遠隔プラズマ源とすることができ、RFまたはマイクロ波電力によって通電することができる。ポンピングポート150を真空源152に結合することによって、チャンバからガスが排気される。ポンピングポート150は、チャンバの任意の好都合な位置に配置することができる。図1の実施形態では、ポンピングポート150は、筐体102の第2の部分106内で基板支持体110の表面132付近に配置されたポンピングプレナムである。実質上連続する開口162がチャネル154につながり、チャネル154はチャンバ100を一周して真空導管156に接続され、真空源152につながる。ポンピングポートはまた、円形の入り口とすることもでき、筐体102内に形成され、導管によって真空源152に結合される。図示および記載の図1のプラズマ源120は誘導性のプラズマ源である。代替実施形態では、プラズマ源120は、基板支持体110に対向して基板支持体110に対して概ね平行に配置された平面のガス分配器など、容量性のプラズマ源とすることができる。平面のガス分配器は、ガス分配器のうち基板支持体110に対向する表面を貫通して配置されたガス流開口を有することができる。ガス流開口は通常、ガス分配器内に形成された1つまたは複数のガスプレナムと連通して、ガスがすべての開口を均等に流れるようにする。熱制御チャネルにガス流プレナムを点在させて、ガス分配器および/またはガス分配器を通って流れるガスの加熱または冷却を行うことができる。平面のガス分配器、基板支持体、またはそれらの両方にRF電力などの電力を結合して、ガス分配器と基板支持体との間に電界を確立する。別の実施形態では、図1のプラズマ源120は、マイクロ波源またはミリメートル波源とすることができる。基板支持体110に対向する構成で、同軸の長波放射源を配置することができ、同軸源と筐体102の第1の部分104との間にリフレクタを設けて、放出された放射を基板支持体110の方へ誘導する。同軸源は、アンテナ構造で構成された1つまたは複数の同軸ケーブルとすることができ、この構造は、螺旋形状、犂耕体形状、または任意の所望の分布形状とすることができる。通常、同軸アンテナ構造にはマグネトロン電源を結合して、放射線場を確立する。図1の実施形態では、図示および記載の基板支持体110は、ペデスタル型の基板支持体である。代替実施形態では、基板は、熱源130とプラズマ源120との間で筐体の第2の部分106から内方へ延びる支持リングによって支持することができる。そのような構成は、基板に対するより直接的なアクセスを熱源130に提供することができる。熱源130がランプアレイである実施形態では、複数のリフトピンにランプを点在させることができ、これらのリフトピンをリフトピンアセンブリによって作動させ、チャンバ100との間の輸送のために、基板に係合して基板を支持リングの上へ持ち上げることができる。図2は、別の実施形態による方法200を要約する流れ図である。202で、図1のチャンバ100などの多機能チャンバ内の基板支持体上に、基板が配置される。204で、基板は、多機能チャンバ内に形成されたプラズマに曝され、基板上に層が堆積される。多機能チャンバ内に配置された、誘導性または容量性とすることができるプラズマ源が、電力、たとえば約300kHz~約1,000MHz、たとえば約13.56MHzの1つまたは複数の周波数のRF電力で通電される。プラズマ源と基板支持体との間の反応空間に堆積前駆体ガスが提供され、プラズマ源によって活性化される。活性化された前駆体は、基板上に層を形成する。一実施形態では、堆積前駆体は、シランなどのケイ素源であり、基板上にケイ素層を形成する。別の実施形態では、堆積前駆体は、窒素ガスまたはアンモニアなどの窒素源であり、たとえばDPN処理で基板の表面に窒素を添加することができる。別の実施形態では、堆積前駆体は、ALD処理を実行するために、金属源または還元ガスとすることができる。通常、チャンバ内に形成されるプラズマは、イオンを多く含むプラズマ、または高いイオン密度を有するプラズマである。206で、基板は、チャンバの外側、たとえば基板を収容するチャンバから離れた遠隔のマイクロ波またはRFチャンバ内に形成されたプラズマに曝される。プラズマは、基板を収容するチャンバ内へ流され、基板はプラズマに曝される。このプラズマは、遠隔プラズマとすることができるが、通常は、ラジカルを多く含むプラズマ、または高いラジカル密度および/もしくは低いイオン密度を有するプラズマである。そのようなプラズマを提供して、動作204などのイオン反応性処理に以前に曝された酸化物層を修復するための酸化処理を実行することができる。そのようなプラズマはまた、基板上で洗浄動作を実行するために提供される窒素およびフッ素含有プラズマとすることもできる。いくつかの実施形態では、チャンバに遠隔プラズマを提供することができ、上記の動作204と同様にチャンバ内に電界を形成することによって、このプラズマを再活性化することができる。208で、多機能チャンバ内に配置された放射熱源を起動して、基板上で熱処理を実行する。熱処理は、反応ガスの存在下で実行することができ、反応ガスは、チャンバ内に配置されたプラズマ源、チャンバから離れた遠隔プラズマ源、またはそれらの両方によって活性化することができる。一例では、放射熱源を活性化し、酸素ラジカルを含むガスを提供しながら少なくとも約600°Cの温度まで基板を加熱することによって、再酸化処理を実行することができる。そのような再酸化処理は、上記の動作204など、チャンバ内に形成されたプラズマに基板が曝される処理に続いて行うことができる。一実施形態では、DPN動作および後の再酸化動作は、図1のチャンバ100などの単一の多機能チャンバ内の基板上で実行される。別の実施形態では、熱処理は、プラズマドーピング動作に続いて実行されるドーパント活性化処理とすることができる。210で、多機能チャンバ内にプラズマを形成することによって、基板上に第2の層が堆積される。第2の層は、通常はプラズマ堆積処理によって形成される任意の層とすることができ、第2のケイ素層、金属酸化物層、ドープされたケイ素層などを含むことができる。上記は本発明の実施形態を対象とするが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他のさらなる実施形態を考案することができる。"