"基板と、該基板の上面に形成されたクラッド層と、該クラッド層の上面上に形成された、光入力用のグレーティングを有する光導波路と、前記光導波路を覆って、前記クラッド層の上面上に形成されたオーバークラッド層と、該オーバークラッド層の上面上の、前記グレーティングに対応する部分に形成された反射膜とを備えていて、前記クラッド層の下面上の前記グレーティングに対応する部分に反射防止膜が形成されており、前記基板に、該反射防止膜を露出させる孔部が形成されていることを特徴とする光デバイス。前記光導波路が、前記グレーティングに光学的に接続されていて、光伝搬方向に沿ってテーパ状に幅が狭くなるテーパ状光導波路部分を備えていることを特徴とする請求項1に記載の光デバイス。前記グレーティングが光伝搬方向に沿って等しい周期で互いに平行に延在する凸状部分を有していて、該凸状部分が、光伝搬方向に直交する方向に延在していることを特徴とする請求項1又は2に記載の光デバイス。前記グレーティングが光伝搬方向に沿って等しい周期で互いに平行に延在する凸状部分を有していて、該凸状部分が、前記光導波路の中心線上であって、当該光導波路側に中心を有する円弧状であることを特徴とする請求項1又は2に記載の光デバイス。前記孔部にボールレンズが設けられていることを特徴とする請求項1~4の何れか一項に記載の光デバイス。前記孔部が、前記反射防止膜を頂面とする正四角錐台形であることを特徴とする請求項1~5の何れか一項に記載の光デバイス。前記基板及び前記光導波路の材質がSiであり、並びに前記クラッド層及び前記オーバークラッド層の材質がSiO2であることを特徴とする請求項1~6の何れか一項に記載の光デバイス。前記反射防止膜に向かってレーザ光を出射する発光素子が設けられていることを特徴とする請求項1~7の何れか一項に記載の光デバイス。しかしながら、特許文献1に記載の光入出力装置では、グレーティングに到達するまでに、光はSi支持基板を透過しなければならない。その結果、Si支持基板中に含まれる不純物による吸収や散乱等により、光の損失が発生する。従って、この発明の目的は、光を光導波路に結合する際の光の損失を防止することが可能な光カプラや、この光カプラにさらに発光素子を備えたデバイスなどの、光デバイスを得ることにある。上述した目的の達成を図るために、この発明の光デバイスは、基板と、クラッド層と、光導波路と、オーバークラッド層と、反射膜とを備えて構成される。ここで、クラッド層は基板の上面上に形成されている。光導波路は、クラッド層の上面上に形成されていて、光入力用のグレーティングを有する。オーバークラッド層は、クラッド層の上面上に形成されていて、光導波路を覆う。反射膜は、オーバークラッド層の上面上の、グレーティングに対応する部分に形成されている。そして、クラッド層の下面上の、グレーティングに対応する部分に反射防止膜が形成されている。基板には、反射防止膜を露出させる孔部が形成されている。この発明の光デバイスは、基板に孔部を設けており、光はこの孔部を通ってグレーティングに至るので、光を光導波路に結合する際の、基板を透過することによる光の損失を抑えることができる。以下、図面を参照して、この発明の実施形態について説明する。なお、各図において各構成要素の形状、大きさ及び配置関係について、この発明が理解できる程度に概略的に示してある。また、以下、この発明の好適な構成例について説明するが、各構成要素の材質及び数値的条件などは、単なる好適例にすぎない。従って、この発明は、以下の実施形態に何ら限定されない。また、各図において、共通する構成要素には同符号を付し、その説明を省略することもある。構造図1及び図2を参照して、この発明の光デバイスの一構成例である光カプラについて説明する。図1Aは、光カプラの構成を概略的に示す正面図であり、BはAの2点破線で囲んだ部分の拡大図である。図2は、図1AのA-A線に沿った端面図である。なお、図1A及びBにおいて、光導波路16は、オーバークラッド層18に覆われているために、直接目視することはできないが、強調して示すために実線で描いてある。光カプラ10は、基板12と、クラッド層14と、光導波路16と、オーバークラッド層18と、反射膜20と、反射防止膜22とを備えている。基板12は、上面12aと下面12bとを有する平行平板である。基板12は、例えば厚みが約600μmの単結晶Si基板とすることができる。基板12には、基板12を貫通する孔部24が設けられている。なお、孔部24については後述する。クラッド層14は、基板12の上面12aの全面を覆う層状体であり、場所によらず厚みが均一である。クラッド層14は、例えば、厚みが約2μmのSiO2層とすることができる。クラッド層14の上面14a上に、光導波路16が形成されている。また、クラッド層14の屈折率は約1.45である。光導波路16は、クラッド層14の上面14a上に形成された構造体である。光導波路16は、クラッド層14及びオーバークラッド層18よりも屈折率の高い材料により形成される。この実施形態では、光導波路16を、例えば、屈折率が約3.00であるSiとしている。光導波路16は、グレーティング16cを有している。また、この実施形態では、光導波路16は、さらに直線状光導波路部分16aと、テーパ状光導波路部分16bを備えている。直線状光導波路部分16aは、光伝搬方向Tに沿って直線状に延在するチャネル型光導波路である。直線状光導波路部分16aの光伝搬方向Tに直交する横断面寸法は、例えば、厚みが約300nm及び幅が約300nmとする。直線状光導波路部分16aの横断面寸法をこれらの値とすることにより、直線状光導波路部分16aをシングルモードの光導波路とすることができる。直線状光導波路部分16aは、グレーティング16cで受光された光を伝搬する機能を有する。テーパ状光導波路部分16bは、光伝搬方向Tに沿ってテーパ状に幅が狭まっており、このテーパの先端側が直線状光導波路部分16aに接続されている。つまり、テーパ状光導波路部分16bは、直線状光導波路部分16aと等しい幅から、後述するグレーティング16cと等しい幅まで、二等辺三角形状に拡幅する。テーパ状光導波路部分16bの、光伝搬方向Tに沿った長さは、例えば約1mmとし、及び、二等辺三角形の底辺に対応する辺の長さは、例えば約100μmとする。また、厚みは、例えば約300nmとする。テーパ状光導波路部分16bは、グレーティング16cで受光された光のサイズを、直線状光導波路部分16aの幅及び厚みで定まるサイズまで縮小する機能を有する。グレーティング16cは、光伝搬方向Tに沿って等しい周期Λで互いに平行に延在する複数の凸状部分16c1を備えている。この例においては、凸状部分16c1は、光伝搬方向Tに直交する方向に延在している。グレーティング16cの延在範囲、すなわち、凸状部分16c1が配置されている範囲は、入射光Lのスポット径以上の面積とされ、この例では、光伝搬方向Tに沿って約100μm、及び、光伝搬方向Tに直交する方向に沿って約100μmとする。また、凸状部分16c1の周期Λは、例えば800nmとする。凸状部分16c1の横断面の寸法は、例えば厚みを約300nmとし、幅光伝搬方向Tに沿った長さを約400nmとする。グレーティング16cは、入射角θで入射する波長λの入射光Lを回折して、テーパ状光導波路部分16bに結合する機能を有する。グレーティング16cの周期Λと、入射光Lの波長λ及び入射角θとの間には、従来公知の下記式1の関係が成り立つことが知られている。Λnc×sinθne=N×λ1ここで、ncはクラッド層14及びオーバークラッド層18の屈折率であり、θは、グレーティング16cの法線と入射光Lのなす角であり、neは光導波路16の屈折率であり、Nは回折次数であり、及びλは入射光Lの波長である。例えば、入射光Lの波長λを1.49μmとし、グレーティング16cの周期Λをこの実施形態のように800nmとした場合、入射角θは、約8°となる。つまり、グレーティング16cに対する法線から8°傾けて入射光Lを入射させれば、入射光Lは回折されて、テーパ状光導波路部分16bに結合される。オーバークラッド層18は、クラッド層14の上面14aに形成された層状体であり、光導波路16を覆う。また、オーバークラッド層18は、凸状部分16c1の間を埋め込む。オーバークラッド層18は、例えばSiO2層である。オーバークラッド層18の上面18aは平坦である。光導波路16が存在しない領域におけるオーバークラッド層18の厚みは、例えば約2μmとする。オーバークラッド層18の上面18a上のグレーティング16cに対応する部分に反射膜20が形成されている。また、オーバークラッド層18の屈折率は約1.45である。反射膜20は、この例では、グレーティング16cよりも大面積で、オーバークラッド層18の上面18a上に形成されている。反射膜20は、入射光Lの中で、グレーティング16cを透過した成分を反射させて再びグレーティング16cに入射させる機能を有する。反射膜20は、例えばAuやAl等の金属を材料とする。この例では、反射膜20として、蒸着法により形成された厚みが約500nmのAu膜を用いている。基板12には、上面12aから下面12bに至る、基板12を貫通する孔部24が形成されている。入射光Lの入射する側、すなわち基板12の下面12b側から見た場合、この孔部24から、グレーティング16cに対応する部分の、クラッド層14の下面14bが露出する。そして、この露出する部分のクラッド層14の下面14b上に、反射防止膜22が形成されている。孔部24は、この例では、上面12aにグレーティング16cと略同形な正方形状の開口を有し、及び、下面12bに上面12aよりも大面積な正方形状の開口を有する正四角錐台形とする。この孔部24は、例えば、単結晶Si基板である基板12をKOH水溶液でウエットエッチングすることにより形成される。なお、この実施形態においては、孔部24が正四角錐台形の場合について説明したが、孔部24は、入射光Lの伝搬を妨げず、及び、クラッド層14の下面14bのグレーティング16cに対応する部分を露出するものであれば、特に形状に制限はない。反射防止膜22は、孔部24内に露出する、グレーティング16cに対応する部分の、クラッド層14の下面14b上に設けられた膜である。反射防止膜22は、グレーティング16cへと照射された入射光Lの反射を防止する機能、及び、グレーティング16cに結合された光の光源への戻りを防止する機能を有する。反射防止膜22は、好ましくは、例えば、HfO2やTa2O5等の金属酸化膜を材料とする。この実施形態に示す例では、反射防止膜22を、蒸着法により形成された厚みが約200nmのHfO2膜とする。動作次に、図1及び図2を参照して、この実施形態の光カプラの動作について説明する。不図示の光源から出射された上述の式1を満たす入射光Lは、孔部24を通過し、反射防止膜22及びクラッド層14を透過して、入射角θでグレーティング16cに入射する。この際、基板12に孔部24が設けられているために、基板12の下面12b側から照射される入射光Lは、基板12を透過することなく、ほぼ直接グレーティング16cへと入射する。その結果、基板12の透過時に生じる入射光Lの損失を抑えることができるので、特許文献1の技術よりも入射光Lの損失を小さくすることができる。グレーティング16cに入射した入射光Lは、グレーティング16cで回折されてテーパ状光導波路部分16bに結合される。この光は、テーパ状光導波路部分16bを光伝搬方向Tに沿って伝搬する過程でスポットサイズが狭められ、直線状光導波路部分16aに至り、光カプラ10の外部に取り出される。製造方法続いて、図3及び図4を参照して、光カプラ10の製造方法について説明する。図3Aは、光カプラの製造方法を示す工程図であり、図2と同様の端面図である。図3Bは、図3Aに続く工程図であり、図2と同様の端面図である。図4Aは、図3Bに続く工程図であり、図2と同様の端面図である。図4Bは、図4Aに続く工程図であり、図2と同様の端面図である。先ず、Si製のSi支持基板12’と、クラッド層14としてのSiO2層と、Si層16’とがこの順序で積層されたSOI基板を準備する。ここで、Si支持基板12’の厚みは、例えば約600μmとする。Si層の厚みは、例えば約300nmとする図3A。続いて、クラッド層14の上面14a上に積層されているSi層16’にエッチングを行い、グレーティング16cと、直線状光導波路部分16aと、テーパ状光導波路部分16bとを備えた光導波路16を形成する。より詳細には、従来周知のフォトリソグラフィ技術を用いて、Si層16’の上面上に光導波路16に対応するレジストパターン不図示を形成する。そして、このレジストパターンをマスクとするとともに、クラッド層14をエッチングストッパとして、例えば、RIEReactiveIonEtching法によりエッチングを行う。これにより、クラッド層14の上面14a上に光導波路16が形成される図3B。続いて、光導波路16を覆って、クラッド層14の上面14a上の全面にオーバークラッド層18を成膜する。そして、オーバークラッド層18の上面18aのグレーティング16cに対応する部分に反射膜20を形成する。より詳細には、従来周知のPCVDPlasmaChemicalVaporDeposition法により、SiO2膜を、光導波路16を埋め込むように、クラッド層14の上面14a上に成膜する。そして、このSiO2膜を、従来周知のCMPChemicalMechanicalPolishing法により平坦化して、オーバークラッド層18を形成する。ここで、光導波路16が存在しない領域におけるオーバークラッド層18の厚みは、好ましくは、例えば約2μmとする。続いて、オーバークラッド層18の上面18a上に反射膜20を形成する。すなわち、フォトリソグラフィにより、反射膜20の形成予定領域を露出させるレジストパターンをオーバークラッド層18の上面18a上に形成する。そして、このレジストパターンをマスクとして、厚みが、例えば約500nmのAu膜を蒸着する。蒸着終了後、従来周知のリフトオフ法により、不要なAu膜をレジストパターンと共に取り除く。これにより、厚みが約500nmのAuからなる反射膜20が、オーバークラッド層18の上面18a上のグレーティング16cに対応する部分に形成される図4A。続いて、Si支持基板である基板12に、グレーティング16cに対応する部分の、クラッド層14の下面14bを露出させる孔部24を形成し、この露出した部分に反射防止膜22を形成する。より詳細には、まず始めに、基板12に孔部24を形成する。すなわち、基板12の下面12bの全面に、PCVD法によりSiO2膜を形成する。そして、フォトリソグラフィ及び従来周知のドライエッチングにより、孔部24の形成予定領域のSiO2膜を正方形状に除去する。そして、この正方形状の開口を有するSiO2膜をマスクにして、KOH水溶液によるウエットエッチングを行う。KOH水溶液による異方性エッチングの結果、反射防止膜22の形成予定領域のクラッド層14の下面14bを露出させた正四角錐台形の孔部24が基板12に形成される。続いて、反射防止膜22を形成する。より詳細には、フォトリソグラフィにより、反射防止膜22の形成予定領域を露出させたレジストパターンを形成する。そして、このレジストパターンをマスクとして、反射防止膜22の形成予定領域に、従来周知のスパッタリングにより、反射防止膜22としてのHfO2膜を、好ましくは、例えば約200nmの厚みで成膜する。最後に、基板12の下面12b側に残留するSiO2膜を除去する。具体的には、オーバークラッド層18を保護するために、オーバークラッド層18の上面上にレジストを塗布し、HF水溶液を用いて下面12bのSiO2膜を取り除く図4B。変形例続いて、図5~図7を参照して、光カプラの変形例について説明する。図5Aは、第1変形例の光カプラの構成を概略的に示す正面図であり、BはAの2点破線で囲んだ部分の拡大図である。図6は、第2変形例の光カプラの構成を概略的に示す、図2と同様の端面図である。図7は、第3変形例の光送信装置の構成を概略的に示す、図2と同様の端面図である。なお、図5~図7において、図1及び図2と同様の構成要素には同符号を付し、その説明を省略することもある。また、図5A及びBにおいては、光導波路16は、クラッド層14及びオーバークラッド層18に挟まれて延在しているために、直接目視することはできないが、強調して示すために実線で描いてある。第1変形例図5を参照すると、第1変形例の光カプラ50は、グレーティング52の凸状部分52aが円弧状となっている点を除き、実施形態の光カプラ10と同様に構成されている。従って、以下では、この相違点を中心に説明する。グレーティング52の凸状部分52aは円弧状であり、各凸状部分52aは、光導波路16の中心線K上にその中心C,C,を有している。このように、グレーティング52の凸状部分52aを円弧状とすることにより、グレーティング52に入射した入射光を集光した上で、直線状光導波路部分16aに結合することができる。第2変形例図6を参照すると、第2変形例の光カプラ60は、孔部24にボールレンズ62が設けられている点を除き、実施形態の光カプラ10と同様に構成されている。従って、以下では、この相違点を中心に説明する。ボールレンズ62は、孔部24のサイズと略同サイズの球体であり、孔部24内に従来周知の光学用接着剤で固定されている。ボールレンズ62としては、設計に応じて、従来周知の種々の材料を用いることができるが、この例では、好ましくは、例えば合成石英製とする。ボールレンズ62を用いることにより、入射光Lのスポットサイズを調整したり、入射光Lを集光したりすることが可能となる。なお、ボールレンズ62を備える構成は、第1変形例の光カプラ50にも適用できる。第3変形例図7を参照して、第3変形例の光デバイスとして、光送信装置について説明する。光送信装置70は、光カプラ10に発光素子72が設けられている点を除いては、光カプラ10と同様に構成されている。従って、以下では、この相違点について説明する。発光素子72は、レーザダイオード74とヒートシンク76とを備えている。レーザダイオード74はレーザ光を出射する。レーザダイオード74は、光出射端面74aが、基板12の孔部24に張り出すように固定されていて、光カプラ10の反射防止膜22に対して位置決めされている。このため、レーザダイオード74から出射された入射光Lは、基板12を透過することなく、反射防止膜22を経て光カプラ10のグレーティング16cに直接入射する。ヒートシンク76は、レーザダイオード74から発生する熱を放熱する機能を有する。ヒートシンク76が放熱を行う結果、レーザダイオード74は安定してレーザ光を出射することができる。また、ヒートシンク76は、レーザダイオード74を位置決めする機能を有している。ヒートシンク76の底面76bは基板12の下面12bに固定されている。そして、レーザダイオード74は、基板12の孔部24に張り出して、光カプラ10の反射防止膜22を臨むように、ヒートシンク76の一端面76aに固定されている。なお、この発光素子72を備える構成は、グレーティング52の凸状部分52aが円弧状である第1変形例に適用することもできるし、ボールレンズ62を備える第2変形例に適用することもできる。また、光カプラ10に、発光素子72の代わりにフォトダイオード等の受光素子を取り付ければ、光受信装置としても用いることができる。"