非磁性基体上に、それぞれ異なる金属成分組成を有する複数の金属薄膜層が積層された金属薄膜積層体であって、表面に凹欠陥部を有する前記金属薄膜積層体の、前記凹欠陥部の底部に照射され前記金属薄膜積層体を透過し前記非磁性基体に到達する電子ビームを照射して得られる第1EDXスペクトルおよび正常部表面に照射される前記電子ビームにより得られる第2EDXスペクトルを比較して得られるスペクトル強度の低下比率と、各金属成分の各金属薄膜層への配分率とから、凹欠陥部の底部が存在する金属薄膜層を特定することを特徴とする金属薄膜積層体の表面欠陥分析方法。第1EDXスペクトル強度の低下比率が0で凹欠陥部に全部存在する金属成分と、第1EDXスペクトル強度の低下比率が100で凹欠陥部に全部欠落している金属成分と、第1EDXスペクトル強度の低下比率が0より大で100未満の金属成分とのいずれかを求め、各金属成分の各金属薄膜層への配分率とから、凹欠陥部の底部が存在する金属薄膜層を特定することを特徴とする請求項1記載の金属薄膜積層体の表面欠陥分析方法。前記金属薄膜積層体が磁気記録媒体であることを特徴とする請求項1または2記載の金属薄膜積層体の表面欠陥分析方法。しかしながら、磁気記録媒体は、高記録密度の要求から、表面欠陥検査では、ますます微細な突起や凹欠陥の検出精度が要求される。そのために検査時間がかかるようになってきている。そのため、前述のAFM原子間力顕微鏡を用いる表面欠陥分析方法では、AFM原子間力顕微鏡の探針が凹欠陥の形状への正確な追従が困難な程度の微小な凹欠陥も検出しなければならなくなってきた。その結果、AFMの分析限界測定限界の関係から、正確な深さが分からない場合もあるという状況になっている。一方、磁気記録媒体の非磁性基体上にスパッタで堆積される積層体は、前述のように、軟磁性裏打ち層、非磁性結晶配向制御層、下地層、磁性層、保護層などがそれぞれ別々の真空チャンバー内でそれぞれの層を形成する材料組成からなるターゲットによるスパッタによりそれぞれナノオーダーの膜厚で形成される。従って、前述の積層体の各層の中、スパッタ中に発生した異物が原因で小突起ができ、この小突起に起因して凹欠陥となった原因の層が判明すると、その層をスパッタした真空チャンバーを特定でき、そのスパッタターゲット材料あるいはスパッタ条件などの不具合を改善することができる。しかし、凹欠陥の底部を含む層を特定する目的であっても、各層の膜厚は前述のようにナノオーダーであるので、凹欠陥の深さもナノオーダーの精度で正確に測定する必要がある。ところが、凹欠陥の直径が小さいと、前述のように前記AFMの探針が凹欠陥の形状に追従できないために、凹欠陥の深さの測定が不正確になり、凹欠陥の原因となる層の適切な特定が困難になる場合がある。さらに、状況により磁気記録媒体の前記積層膜の膜厚を若干変更することもあるので、AFMを用いる表面欠陥分析方法では、分析結果から凹欠陥の原因層の特定を困難にする要因が増加し、分析結果の解析に非常に手間がかかるという問題もある。本発明は、以上説明した点に鑑みてなされたものであり、本発明は、凹欠陥のサイズおよび成膜条件の影響を受けずに、凹欠陥部が金属薄膜積層体のいずれかの層に至る深さであると特定できる程度に分析することのできる金属薄膜積層体の表面欠陥分析方法の提供を目的とする。前記課題を達成するために、非磁性基体上に、それぞれ異なる金属成分組成を有する複数の金属薄膜層が積層された金属薄膜積層体であって、表面に凹欠陥部を有する前記金属薄膜積層体の、前記凹欠陥部の底部に照射され前記金属薄膜積層体を透過し前記非磁性基体に到達する電子ビームを照射して得られる第1EDXスペクトルおよび正常部表面に照射される前記電子ビームにより得られる第2EDXスペクトルを比較して得られるスペクトル強度の低下比率と、各金属成分の各金属薄膜層への配分率とから、凹欠陥部の底部が存在する金属薄膜層を特定する金属薄膜積層体の表面欠陥分析方法とする。また、第1EDXスペクトル強度の低下比率が0で凹欠陥部に全部存在する金属成分と、第1EDXスペクトル強度の低下比率が100で凹欠陥部に全部欠落している金属成分と、第1EDXスペクトル強度の低下比率が0より大で100未満の金属成分とのいずれかを求め、各金属成分の各金属薄膜層への配分率とから、凹欠陥部の底部が存在する金属薄膜層を特定する表面欠陥分析方法であってもよい。また、前記金属薄膜積層体を磁気記録媒体とすることがより好ましい。本発明によれば、凹欠陥の微小サイズおよび成膜条件の影響を受けずに、凹欠陥の深さを金属薄膜積層体のいずれかの層に至る深さであると特定できる程度に正確に分析することのできる金属薄膜積層体の表面欠陥分析方法を提供することができる。以下、本発明の金属薄膜積層体の表面欠陥分析方法について、金属薄膜積層体として磁気記録媒体を採りあげエネルギー分散型X線分析以降、EDX分析を活用した表面欠陥分析法の実施例について、図面を参照して詳細に説明する。本発明はその要旨を超えない限り、以下に説明する実施例の記載に限定されるものではない。前記EDX分析について説明する。図3に示すように、分析対象の試料表面に電子ビームを照射すると、電子ビームは表面からある深さまで入り込み、試料を構成する元素に特有のエネルギー値を持つX線を発生する。このX線を特性X線と言う。発生した特性X線をSi半導体検出器を用いて、X線エネルギーに比例した電流パルスに変換してスペクトル波形として出力すれば、元素分析を行うことができる。装置としては電子顕微鏡とX線分析装置とを組み合わせた分析装置になる。前述の電子ビームを試料表面に入射した際にX線が発生する機構を説明すると、入射電子が試料を構成する元素の原子核の周りを回っているK殻軌道の電子を弾き飛ばす。すると、元素内ではより安定状態に戻ろうとして電子が高エネルギーのL殻軌道から落ちてくる。この際に前記軌道のエネルギー差に相当するX線が発生する。このX線が特性X線であり、元素によって、X線のエネルギー値が異なるので、この特性X線を出力させれば、元素分析として利用することができるのである。本発明にかかる表面欠陥分析法が対象とする金属薄膜積層体、例えば磁気記録媒体101は、図1に示すようにガラス基体やアルミニウム基体などの非磁性基体100の両面にそれぞれ異なる所定の金属成分組成比率からなる金属薄膜1~5が積層された構造を有する積層体である。製造方法は、まず、非磁性基体100であるガラス基体やアルミ基体の両面をラッピング加工して磨き上げ、両面にポリッシング加工などの鏡面加工処理をする。この鏡面加工された非磁性基体を洗浄し表面欠陥検査を行う。検査後の良品基体を再度洗浄し、スパッタ法等によりCo-Zr-Nbターゲットを用いてCoZrNb軟磁性裏打ち層を形成する。次いで、Ni-Fe-Bターゲットを用いて、非磁性結晶配向制御層を形成する。さらに、Zn-Ta-Crターゲットを用いて非磁性下地層をArガス圧5.0Pa下で形成する。続いて、90モルCo-Cr-Pt-10モルSiO2ターゲットを用いて、Arガス圧4.0Pa下で磁性層を形成し、さらに、カーボン膜などの保護膜とパーフルオロポリエーテルなどの液体潤滑層を順次両面に形成して磁気記録媒体とする。それぞれの膜厚の一例としては軟磁性裏打ち層が3nm、非磁性結晶配向制御層が13nm、下地層が20nm、磁性層が6nm、保護層が10nmなどいずれもナノオーダーの膜厚である。このような製造工程で保護膜を形成した後、スパッタ成膜工程で発生した異物ターゲットから飛び出した粒塊などに起因する小突起の除去及び表面の平滑化、清浄化のため、表面のテープクリーニング等が行われる。また、一般にEDX分析を用いて金属薄膜の表面欠陥分析を実施する場合、図2aに示すように、金属薄膜積層体磁気記録媒体101の最表面上に付着した特定の外来異物10の成分を分析することが多い。一方、本発明の金属薄膜積層体の表面欠陥分析方法は、図2bに示すように、金属薄膜積層体として、非磁性基体100上に金属薄膜1~5が積層された磁気記録媒体102であって、例えば複数の金属薄膜3~5に亘る凹欠陥部を有する磁気記録媒体に対する、有効な表面欠陥分析法である。金属薄膜1、2、3、4、5の各膜厚は、例えば、それぞれ順に3nm、13nm、20nm、6nm、10nmである。具体的には、磁気記録媒体101の金属薄膜層の膜厚により照射する電子線の加速電圧を変える必要があるが、例えば、図3に示すように加速電圧15keVで照射することにより、金属薄膜層を超えて非磁性基体に達する深い電子線透過を行う。さらに電子線を正常部表面と凹欠陥部の底部とにそれぞれ照射することにより、各金属薄膜に含まれる金属成分ごとの総成分量に比例する強度を示す波形として出力する。この段階では各金属薄膜内の各金属成分を合わせた成分量の合計値の大小が分かるだけだが、正常部の成分値をリファレンスとし凹欠陥部と比較すれば、例えば図4に示すように、正常部に比して、凹欠陥部のスペクトル強度の出力値が減少している成分Aと成分Bと、凹欠陥部斜線ハッチング部の成分出力スペクトル値の無い成分Dおよび成分出力に差の無い成分Cと成分Eが読み取れる。さらに、成分Aについては正常部に対して凹欠陥部は50に減少し、成分Bは同じく90に減少している。図4の凹欠陥部と正常部の各金属成分A~Eに対応する横軸のエネルギー値における強度波形は重なり部分が分かるように少しずらして示されているが、同じエネルギー値における強度波形である。図5は、各層の金属薄膜を構成する各金属成分A、B、C、D、Eが、各金属薄膜1~5に配分されている各金属成分A~Eごとの配分率である。この図5を用いて、前記図4に示す、凹欠陥部が正常部に比べて減少している成分AとBに合致する金属薄膜を考える。図5から、積層体の表面から金属薄膜5と4に亘る凹欠陥部があったとしても、成分Bが正常部に比べて減少することはないので、少なくとも金属薄膜3より深い凹欠陥部であろうと推定できる。さらに、正常部に対して成分Aの凹欠陥部の減少比率が50であることから、凹欠陥部における金属薄膜3の成分Aは10ではないかと推測できる。10は金属成分3の正常部の配分率20の2分の1であるから、凹欠陥部の成分Bを40の2分の1である20とすると、凹欠陥部の成分Bの総成分量は80となり、図5の凹欠陥部の成分Bが正常部の成分Bに対して80であることに合致する。さらに、図4から、成分Dが凹欠陥部からまったく検出されないことから、凹欠陥部には金属薄膜4が含まれていないことが推定できる。さらに成分C、Eについては正常部と凹欠陥部とで検出量に変化が無く、同量検出されていることから凹欠陥部に金属薄膜1と2が凹欠陥部に係ること無く、凹欠陥部の下方にそのままで存在していることが分かる。以上の推測を併せて考えると、凹欠陥部の底部は金属薄膜3の膜厚の2分の1のところにあることが推測される。すなわち金属薄膜3の膜厚の2分の1までは金属薄膜層が存在していることは、各金属薄膜の膜厚が不明でも推定できる。さらに、金属薄膜層1~5が前述の磁気記録媒体の積層体である軟磁性裏打ち層3nm、非磁性結晶配向制御層13nm、下地層20nm、磁性層6nm、保護層10nmにそれぞれ順に対応するならば、凹欠陥深さは表面から26nmのところに底部があることになる。以上説明したように、この実施例に記載した磁気記録媒体の表面欠陥分析方法によれば、本発明は従来のAFMのような物理的な手段で深さを測るわけではないため、分析対象の凹欠陥部のサイズによる影響を受けない。また、各金属薄膜層の特有の成分組成を基にして算出された成分配分率から深さを算出するため、膜厚の変更など成膜条件の影響を受けずに簡単に凹欠陥深さを知ることが可能となる。