"内部で基板を処理する処理チャンバーに、前記基板を載置するための載置台と対向するように設けられ、前記載置台と対向する対向面に複数設けられたガス吐出孔から前記基板に向けてガスをシャワー状に供給するシャワーヘッドを備えたプラズマ処理装置であって、前記シャワーヘッドの前記対向面と反対側の面とを貫通する複数の排気孔と、前記反対側の面側の前記排気孔と連通した排気空間内に、前記反対側の面と平行に配設された導電性材料からなる環状の板体と、前記板体を移動させて前記排気孔との距離を変更するための移動手段と、を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1記載のプラズマ処理装置であって、前記板体の電気的な状態を切り替えるための切り替えスイッチを具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。請求項2記載のプラズマ処理装置であって、前記切り替えスイッチは、前記板体を電気的に接地された状態と浮遊状態とに切り替えるよう構成されたことを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1~3いずれか1項記載のプラズマ処理装置であって、同心状に配設された複数の前記板体を具備し、これらの板体は、夫々異なった前記移動手段に接続されていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項2又は3項記載のプラズマ処理装置であって、同心状に配設された複数の前記板体を具備し、これらの板体は、夫々異なった前記移動手段に接続され、かつ、異なった前記切り替えスイッチに接続されていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1~5いずれか1項記載のプラズマ処理装置であって、前記板体が、シリコン、炭化ケイ素、アルミニウムの無垢材のいずれかから構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。請求項1~6いずれか1項記載のプラズマ処理装置であって、前記処理チャンバー内に発生させたプラズマに対して直流電圧を印加する直流電圧印加機構を具備し、前記板体が当該直流電圧に対するグランド電極として作用することを特徴とするプラズマ処理装置。上述したとおり、従来のプラズマ処理装置では、処理空間内に形成した磁場によってプラズマを制御したり、プラズマを閉じ込めることが行われている。しかし、半導体装置の製造分野では、近年多層膜構造の一括エッチングが主流となってきたため、1つの処理チャンバー内で複数の工程を実施する必要性が生じている。このため、個々のプロセス条件に合ったより細かなプラズマの制御を可能とすることが求められている。本発明は、上記従来の事情に対処してなされたもので、従来に比べてより細かなプラズマの制御を可能とすることのできるプラズマ処理装置を提供しようとするものである。本発明に係るプラズマ処理装置は、内部で基板を処理する処理チャンバーに、前記基板を載置するための載置台と対向するように設けられ、前記載置台と対向する対向面に複数設けられたガス吐出孔から前記基板に向けてガスをシャワー状に供給するシャワーヘッドを備えたプラズマ処理装置であって、前記シャワーヘッドの前記対向面と反対側の面とを貫通する複数の排気孔と、前記反対側の面側の前記排気孔と連通した排気空間内に、前記反対側の面と平行に配設された導電性材料からなる環状の板体と、前記板体を移動させて前記排気孔との距離を変更するための移動手段と、を具備したことを特徴とする。本発明によれば、従来に比べてより細かなプラズマの制御を可能とすることのできるプラズマ処理装置を提供することができる。以下、本発明の詳細を、図面を参照して実施形態について説明する。図1は、本発明のプラズマ処理装置の一実施形態に係るプラズマエッチング装置200の断面構成を模式的に示すものである。図1に示すように、プラズマエッチング装置200は、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウム等からなり円筒形状に形成された処理チャンバー処理容器201を有しており、この処理チャンバー201は接地されている。処理チャンバー201内には、被処理基板としての半導体ウエハを載置し、かつ、下部電極を構成する載置台202が設けられている。この載置台202には、一又は複数の図示しないプラズマ形成用電源が接続されている。載置台202の上側には、その上に半導体ウエハを静電吸着するための静電チャック203が設けられている。静電チャック203は、絶縁材の間に電極を配置して構成されており、この電極に直流電圧を印加することにより、クーロン力によって半導体ウエハを静電吸着する。また、載置台202には、温度調節媒体を循環させるための流路204が形成されており、静電チャック203上に吸着された半導体ウエハを所定の温度に温度調整できるようになっている。また、処理チャンバー201の側壁部には、半導体ウエハを処理チャンバー201内に搬入、搬出するための開口205が形成されており、ここには、開口205を気密に閉塞するための開閉機構206が設けられている。載置台202の上方に、載置台202と所定間隔を隔てて対向するように、シャワーヘッド100が配置されている。そして、シャワーヘッド100が上部電極となり、載置台202が下部電極となる一対の対向電極が形成されている。図2に示すように、シャワーヘッド100は、下側部材1と、この下側部材1の上側に配置された上側部材2の2枚の板状部材を積層させた積層体10から構成されている。これらの下側部材1及び上側部材2は、例えば、表面に陽極酸化処理を施したアルミニウム等から構成されている。積層体10のうち、載置台202と対向する対向面14を形成する下側部材1には、ガス吐出孔11が多数形成されており、下側部材1と上側部材2との間には、これらのガス吐出孔11に連通するガス流路12が形成されている。これらのガス吐出孔11は、図1,2中に矢印で示すように、基板図1,2中下側に向けてガスをシャワー状に供給するためのものである。なお、積層体10の周縁部には、ガス流路12内にガスを導入するためのガス導入部12aが設けられている。また、積層体10には、この積層体10、すなわち、下側部材1と上側部材2とを貫通して、排気孔13が多数形成されている。これらの排気孔13は、図1,2中に点線の矢印で示すように、基板側図中下側から基板と反対側図中上側に向けてガスの流れが形成されるように排気を行う排気機構を構成している。排気孔13は、図2に示す下側部材1部分に形成された細径部分13aの直径が例えば0.5~1.5mm程度とされており、上側部材2部分に形成された大径部分13bの直径が例えば2.0~5.0mm程度とされている。図3は、シャワーヘッド100を上方から見た平面構成を示している。この図3に示すように、排気孔13は、シャワーヘッド100の周縁部処理チャンバー201に固定するための固定部となるを除き、その全領域に亘って略均等に設けられている。排気孔13の数は、例えば12インチ300mm径の半導体ウエハを処理するためのシャワーヘッド100の場合、2000~2500個程度である。なお、図3に示すように、本実施形態では、シャワーヘッド100の外形は、被処理基板である半導体ウエハの外形に合わせて円板状に構成されている。また、図3に示すように、シャワーヘッド100の上方には、後述する板体16a、板体16bが配設されている。図1に示すように、シャワーヘッド100のガス導入部12aは、処理チャンバー201に設けられたガス供給部207に接続されている。ガス供給部207には、図示しないガス供給機構から所定の処理ガスエッチングガスが供給される。また、シャワーヘッド100の上部には、筒状体210が設けられており、この筒状体210には、開閉制御弁及び開閉機構等を介してターボ分子ポンプ等の真空ポンプ図示せず。が接続されている。このように、筒状体210の内側が排気路となっており、この筒状体210の内側の排気路内に、導電性材料例えば、シリコン、炭化ケイ素、アルミニウムの無垢材から環状に形成された複数本実施形態では2つの板体16a、板体16bがシャワーヘッド100の裏面載置台202と対向する対向面14とは反対側の面15と対向するように配設されている。これらの板体16a、板体16bは、図3に示すように同心状に配設されている。シャワーヘッド100の周縁部に位置するように設けられた板体16aは、連結部材17aを介して図1中左側に示される駆動機構161aに接続されている。そして、板体16aは、この駆動機構161aによって板体16bとは独立に上下動可能とされている。一方、板体16aより中央部に設けられた板体16bは、連結部材17bを介して、図1中右側に示される駆動機構161bに接続されている。そして、板体16bは、この駆動機構161bによって板体16aとは独立に上下動可能とされている。また、板体16aには切り換えスイッチ18aが電気的に接続され、板体16bには、切り換えスイッチ18bが電気的に接続されている。これらの切り換えスイッチ18a、切り換えスイッチ18bによって、板体16a、板体16bを電気的に接地された状態と、浮遊状態フローティング状態とに設定できるようになっている。上記のように板体16a、板体16bは、駆動機構161a、駆動機構161bによって上下動し、シャワーヘッド100の排気孔13との間の距離を調節できるようになっている。また、切り換えスイッチ18a、切り換えスイッチ18bによって電気的な状態を接地された状態と、浮遊状態フローティング状態とに設定できるようになっている。これによって、処理チャンバー201内のシャワーヘッド100と載置台202との間の処理空間内から、シャワーヘッド100の裏面15側の排気空間へのプラズマのリーク状態を調整することができる。すなわち、例えば、板体16a、板体16bを、図1中下方に位置させて排気孔13に近接させた際には、物理的に及び電気的に排気孔13からのプラズマのリークを抑制した状態となる。一方、板体16a、板体16bを、図1中上方に位置させて排気孔13から離間させた際には、排気孔13からのプラズマのリークをより許容した状態となる。また、板体16a、板体16bと排気孔13との距離が離れるほど、プラズマのリーク領域が拡大するようにプラズマの状態を制御できる。さらに、例えば板体16aを図1中上方に位置させて排気孔13から離間させ、板体16bを図1中下方に位置させて排気孔13に近接させた際には、シャワーヘッド100の中央部ではプラズマのリークを抑制した状態となり、シャワーヘッド100の周縁部ではプラズマのリークを許容した状態となる。これによって、中央部と周縁部とで夫々部分的にプラズマ密度等のプラズマの状態を制御できる。例えば、処理空間における周縁部のプラズマ密度等は、中央部に比べて低下する傾向になる場合が多い。このような場合、例えば、周縁部におけるプラズマのリークを生じさせ、中央部におけるプラズマのリークを生じさせないようにすれば、処理空間内の中央部の電子やイオンが周縁部方向に移動し、処理空間内におけるプラズマ密度等の均一化を図ることができる。また、プラズマの制御のため、処理空間内のプラズマに直流電圧を印加する場合、例えば、処理空間内に直流電極を配置してこの直流電極に直流電圧を印加した場合は、板体16a、板体16bを、接地電位に接続し、直流電圧に対する接地電極として作用させることもできる。プラズマエッチング装置200によって、半導体ウエハのプラズマエッチングを行う場合、まず、半導体ウエハは、開口205から処理チャンバー201内へと搬入され、静電チャック203上に載置される。そして、半導体ウエハが静電チャック203上に静電吸着される。次いで、開口205が閉じられ、真空ポンプ等によって、処理チャンバー201内が所定の真空度まで真空引きされる。その後、所定流量の所定の処理ガスエッチングガスが、ガス供給部207からシャワーヘッド100のガス導入部12aに供給され、この処理ガスは、シャワーヘッド100のガス流路12を経てガス吐出孔11からシャワー状に載置台202上の半導体ウエハに供給される。そして、処理チャンバー201内の圧力が、所定の圧力に維持された後、載置台202にプラズマ生成用の高い周波数の高周波電力として例えば40MHzの高周波電力が印加される。これにより、上部電極としてのシャワーヘッド100と下部電極としての載置台202との間に高周波電界が生じ、エッチングガスが解離してプラズマ化する。また、これと同時に、イオン引き込み用バイアス用の低い周波数の高周波電力として例えば3.2MHzの高周波電力が載置台202に印加される。これによって、プラズマから引き出されたイオン等によって、半導体ウエハに所定のエッチング処理が行われる。上記エッチング処理において、シャワーヘッド100のガス吐出孔11からシャワー状に供給された処理ガスは、シャワーヘッド100に分散して多数形成された排気孔13から排気されるので、処理チャンバー201の下部から排気を行う場合のように、半導体ウエハの中央部から周辺部に向かうようなガスの流れが形成されることがない。このため、半導体ウエハに供給される処理ガスをより均一化することができる。また、前述したとおり、板体16a及び板体16bの位置の調整と、電気的な状態の変更によって、処理チャンバー201の処理空間内のプラズマを、筒状体210の内側の排気空間内にリークさせないようにし、或いは筒状体210の内側の排気空間内にリークさせることによって、処理空間内のプラズマの状態を制御することができる。これによって、処理空間内のプラズマを均一化することができ、半導体ウエハの各部に均一なエッチング処理を施すことができる。すなわち、処理の面内均一性を向上させることができる。このようなプラズマの制御は、処理チャンバー201内のプラズマの状態を計測する計測手段、例えば、プラズマの発光状態からプラズマの状態を検知するプラズマモニターによる計測結果に基づいて、駆動機構161a,161bによる板体16a及び板体16bの移動、及び切り換えスイッチ18a、切り換えスイッチ18bの切り換え制御する制御機構を設けることによって、自動的に行うこともできる。そして、所定のプラズマエッチング処理が終了すると、高周波電力の印加及び処理ガスの供給が停止され、上記した手順とは逆の手順で、半導体ウエハが処理チャンバー201内から搬出される。以上説明したとおり、本実施形態のプラズマエッチング装置200によれば、処理空間内のプラズマの状態を、プロセス条件によってより細かく制御することができる。また、上記のプラズマエッチング装置200では、シャワーヘッド100に設けた排気孔13から排気を行うので、従来の装置のように、載置台202の周囲又はシャワーヘッド100の周囲に排気経路を設ける必要がない。このため、処理チャンバー201の径をより被処理基板である半導体ウエハの外径に近づけることが可能となり、装置の小型化を図ることができる。また、真空ポンプを、処理チャンバー201の上方に設けており、処理チャンバー201の処理空間により近い部分から排気するので、効率良く排気することができ、真空ポンプの容量を少なくしてさらに小型化を図ることができる。以上、本発明を、実施形態について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、各種の変形が可能であることは勿論である。例えば、上記実施形態では、2つの板体16a、板体16bを配設した例について説明したが、板体の数は2つに限られるものではなく、幾つであってもよく、板体の形状も環状のものに限られるものではない。"