"表面に液膜が形成された基板を略水平に保持する基板保持手段と、前記液膜を構成する液体の凝固点よりも低温にした冷却ガスをガス吐出口から前記基板の表面に向けて吐出する冷却ガス吐出手段と、前記基板に対する前記ガス吐出口の相対位置を変更して、前記基板表面における前記冷却ガスの供給位置を変更する位置変更手段と、前記液膜が凝固してなる前記液膜の凝固体を前記基板表面から除去する除去手段とを備え、前記冷却ガス吐出手段は、下面が前記基板の表面に対して略平行に近接対向する基板対向面となった基板対向部を有し、前記ガス吐出口が前記基板対向面に配置されて、前記冷却ガスが前記基板表面と前記基板対向面との間隙空間に供給されることを特徴とする基板処理装置。前記基板保持手段は前記基板を略鉛直軸周りに回転可能に構成され、前記位置変更手段は、前記基板対向面を前記基板表面に対向させつつ前記ガス吐出口を前記基板表面に沿って相対的に走査移動させる請求項1に記載の基板処理装置。前記位置変更手段は、前記ガス吐出口が前記基板対向面に穿設された前記基板対向部を前記基板表面に沿って走査移動させる請求項2に記載の基板処理装置。前記冷却ガス吐出手段は前記ガス吐出口を有するノズルを備え、該ノズル下端の外周部が外側に延伸されて前記基板対向部を構成する請求項3に記載の基板処理装置。前記冷却ガス吐出手段は前記ガス吐出口を有するノズルを備え、前記位置変更手段は前記ノズルを前記基板表面に沿って走査移動させ、前記基板対向部は、前記基板表面のほぼ全面を覆うように構成された板状部材であり、前記ノズルの通過経路に対応する切り欠き部が前記板状部材に設けられた請求項2に記載の基板処理装置。前記基板対向部は、前記基板表面のほぼ全面を覆うように構成されて、前記ガス吐出口となる開口が前記基板対向面に複数穿設された板状部材であり、前記位置変更手段は、前記複数の開口のうちの一部から選択的に前記冷却ガスを吐出させることで当該開口を前記ガス吐出口として機能させるとともに、前記ガス吐出口として機能させる前記開口を順番に切り換える請求項2に記載の基板処理装置。基板の表面に液膜を形成する液膜形成工程と、冷却ガス吐出手段から前記液膜を構成する液体の凝固点よりも低温にした冷却ガスを供給して前記液膜を凝固させる凝固工程と、凝固した前記液膜の凝固体を融解して除去する除去工程とを備え、前記凝固工程では、前記基板の表面に対して略平行な基板対向面を有する基板対向部を近接対向させ、前記基板対向面に配したガス吐出口から前記基板表面と前記基板対向面との間隙空間に前記冷却ガスを供給しながら、前記基板表面に対する前記ガス吐出口の相対位置を変化させることを特徴とする基板処理方法。本願発明者らの研究により、このような技術においては、除去効率の向上および処理時間の短縮のために液膜の冷却速度をより高めることが重要であることがわかってきた。しかしながら、上記した従来技術は以下の点において改善の余地が残されていた。すなわち、上記特許文献に記載された構造のノズルでは、吐出された冷却ガスが基板に到達した後すぐに、基板の表面に沿って、あるいは上方に向かって散逸しまうとともに、周囲雰囲気と混合されてガス温度が上がってしまう。このことから、ノズル直下以外では冷却ガスが液膜の温度低下に十分に寄与しているとは言えない。このため、液膜の温度をこれまで以上に下げるためには冷却ガスの使用量を増やしたり、ノズルの走査速度を遅くするなどの対策が必要となり、これらは処理の効率を低下させるという新たな問題を招く。この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板に形成した液膜を冷却し凝固させる基板処理装置および基板処理方法において、より短時間で効率よく液膜の温度を低下させることのできる技術を提供することを目的とする。この発明にかかる基板処理装置は、上記目的を達成するため、表面に液膜が形成された基板を略水平に保持する基板保持手段と、前記液膜を構成する液体の凝固点よりも低温にした冷却ガスをガス吐出口から前記基板の表面に向けて吐出する冷却ガス吐出手段と、前記基板に対する前記ガス吐出口の相対位置を変更して、前記基板表面における前記冷却ガスの供給位置を変更する位置変更手段と、前記液膜が凝固してなる前記液膜の凝固体を前記基板表面から除去する除去手段とを備え、前記冷却ガス吐出手段は、下面が前記基板の表面に対して略平行に近接対向する基板対向面となった基板対向部を有し、前記ガス吐出口が前記基板対向面に配置されて、前記冷却ガスが前記基板表面と前記基板対向面との間隙空間に供給されることを特徴としている。また、この発明にかかる基板処理方法は、上記目的を達成するため、基板の表面に液膜を形成する液膜形成工程と、冷却ガス吐出手段から前記液膜を構成する液体の凝固点よりも低温にした冷却ガスを供給して前記液膜を凝固させる凝固工程と、凝固した前記液膜の凝固体を融解して除去する除去工程とを備え、前記凝固工程では、前記基板の表面に対して略平行な基板対向面を有する基板対向部を近接対向させ、前記基板対向面に配したガス吐出口から前記基板表面と前記基板対向面との間隙空間に前記冷却ガスを供給しながら、前記基板表面に対する前記ガス吐出口の相対位置を変化させることを特徴としている。このように構成された発明では、ガス吐出口から吐出された冷却ガスは、基板表面と基板対向部の基板対向面との間の間隙空間を基板表面に沿って広がる。このため、冷却ガスが基板表面の液膜に触れる時間が長くなるとともに、基板表面に沿って流れる冷却ガスの流速が増大する。また、間隙空間が冷却ガスで満たされることにより周囲雰囲気が入り込み難くなり、間隙空間でのガスの温度上昇を抑制することができる。これらの作用により、この発明では、冷却ガスによる基板表面の液膜の冷却をより効率よく行うことができ、液膜を短時間でより低温にまで冷却することが可能である。この発明にかかる基板処理装置は、例えば、基板保持手段は基板を略鉛直軸周りに回転可能に構成され、位置変更手段は、基板対向面を基板表面に対向させつつガス吐出口を基板表面に沿って相対的に走査移動させるように構成されてもよい。このようにすることで、基板の全面に効率よく冷却ガスを行き渡らせて、液膜全体を凝固させることができる。より具体的には、例えば、基板対向部はガス吐出口が基板対向面に穿設されたものであり、位置変更手段は該基板対向部を基板表面に沿って走査移動させるようにしてもよい。このような構成によれば、基板対向部を走査移動させると、ガス吐出口とその周囲の基板対向面とが一体的に基板表面に沿って移動する。これにより、基板表面と基板対向面との間に間隙空間を形成しつつ、冷却ガスをその供給位置を順次変えながら基板表面全体に供給することができる。この場合において、例えば、冷却ガス吐出手段はガス吐出口を有するノズルを備え、該ノズル下端の外周部が外側に延伸されて基板対向部を構成するようにしてもよい。このような構成では、ノズル下面がガス吐出口から外向きに広がって基板対向面となっている。このような構成を有するノズルを単に基板に対して走査移動させることで、本発明の効果を得ることができる。また、他の具体的構成として、例えば、冷却ガス吐出手段はガス吐出口を有するノズルを備え、位置変更手段はノズルを基板表面に対して走査移動させるとともに、記基板対向部は、基板表面のほぼ全面を覆うように構成された板状部材であり、該板状部材にノズルの通過経路に対応する切り欠き部が設けられたものであってもよい。このような構成では、基板のほぼ全面を板状部材で覆うことにより、該板状部材の下面が基板対向面として機能する。これにより、基板表面全体が間隙空間に臨むこととなり、ガス吐出口から吐出されて間隙空間に供給された冷却ガスを長く液膜に触れさせて、効率よく液膜の冷却に寄与させることができる。また、さらに他の具体的構成として、例えば、基板対向部は、基板表面のほぼ全面を覆うように構成されて、ガス吐出口となる開口が基板対向面に複数穿設された板状部材であり、位置変更手段は、複数の開口のうちの一部から選択的に冷却ガスを吐出させることで当該開口をガス吐出口として機能させるとともに、ガス吐出口として機能させる開口を順番に切り換えるようにしてもよい。すなわち、この構成では、ガス吐出口を有するノズルの基板に対する位置を移動させるのではなく、複数設けた開口から順番に冷却ガスを吐出させることで、等価的にガス吐出口を移動させる。こうすることによっても、基板表面と基板対向面との間に間隙空間を形成しつつ、冷却ガスをその供給位置を順次変えながら基板表面全体に供給することが可能である。この発明によれば、ガス吐出口からの冷却ガスは、基板表面と基板対向部の基板対向面との間の間隙空間に吐出される。このため、冷却ガスは基板表面に沿って間隙空間を流れることとなり、冷却ガスによる基板表面の液膜の冷却をより効率よく行うことができ、液膜を短時間でより低温にまで冷却することが可能となる。<第1実施形態>図1はこの発明にかかる基板処理装置の第1実施形態を示す図である。また、図2は図1の基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は半導体ウエハ等の基板Wの表面Wfに付着しているパーティクル等の汚染物質を除去するための基板洗浄処理を実行可能な枚葉式の基板洗浄装置としての基板処理装置である。この基板処理装置は、基板Wに対して洗浄処理を施す処理空間をその内部に有する処理チャンバー1を備え、処理チャンバー1内の処理空間SPに、基板表面Wfを上方に向けた状態で基板Wを略水平姿勢に保持して回転させるスピンチャック2と、スピンチャック2に保持された基板Wの表面Wfに向けて液膜を冷却し凍結させるための冷却ガスを吐出する冷却ガスノズル3と、基板表面Wfに処理液の液滴を供給する二流体ノズル5と、スピンチャック2に保持された基板Wの表面Wfに向けて薬液を吐出する薬液吐出ノズル6と、スピンチャック2に保持された基板Wの表面Wfに対向配置された遮断部材9とが設けられている。処理液としては、薬液または純水やDIWdeionizedwater;脱イオン水等の洗浄液などが用いられる。スピンチャック2は、回転支軸21がモータを含むチャック回転機構22の回転軸に連結されており、チャック回転機構22の駆動により回転中心A0を中心に回転可能となっている。回転支軸21の上端部には、円盤状のスピンベース23が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。したがって、装置全体を制御する制御ユニット4図2からの動作指令に応じてチャック回転機構22を駆動させることによりスピンベース23が回転中心A0を中心に回転する。スピンベース23の周縁部付近には、基板Wの周縁部を把持するための複数個のチャックピン24が立設されている。チャックピン24は、円形の基板Wを確実に保持するために3個以上設けてあればよく、スピンベース23の周縁部に沿って等角度間隔で配置されている。チャックピン24のそれぞれは、基板Wの周縁部を下方から支持する基板支持部と、基板支持部に支持された基板Wの外周端面を押圧して基板Wを保持する基板保持部とを備えている。各チャックピン24は、基板保持部が基板Wの外周端面を押圧する押圧状態と、基板保持部が基板Wの外周端面から離れる解放状態との間を切り替え可能に構成されている。そして、スピンベース23に対して基板Wが受渡しされる際には、複数個のチャックピン24を解放状態とし、基板Wに対して洗浄処理を行う際には、複数個のチャックピン24を押圧状態とする。押圧状態とすることによって、複数個のチャックピン24は基板Wの周縁部を把持してその基板Wをスピンベース23から所定間隔を隔てて略水平姿勢に保持することができる。これにより、基板Wはその表面パターン形成面Wfを上方に向け、裏面Wbを下方に向けた状態で保持される。スピンチャック2の外方には、第1の回動モータ31が設けられている。第1の回動モータ31には、第1の回動軸33が接続されている。また、第1の回動軸33には、第1のアーム35が水平方向に延びるように連結され、第1のアーム35の先端に冷却ガスノズル3が取り付けられている。そして、制御ユニット4からの動作指令に応じて第1の回動モータ31が駆動されることで、第1のアーム35を第1の回動軸33回りに揺動させることができる。冷却ガスノズル3の構造については後に詳述する。冷却ガスノズル3はガス供給部64図2と接続されており、制御ユニット4からの動作指令に応じてガス供給部64から冷却ガスが冷却ガスノズル3に供給される。より具体的には、ガス供給部64に設けられた窒素ガス貯留部641から供給される窒素ガスが熱交換器642によりDIWの凝固点よりも低い温度まで冷やされる。こうして冷やされた窒素ガスが冷却ガスとして、熱交換器642から第1のアーム35内を経て冷却ガスノズル3まで配設された供給経路643に沿って冷却ガスノズル3に供給される。冷却ガスノズル3が基板表面Wfに対向配置されると、冷却ガスノズル3下面に設けられた吐出口30から基板表面Wfに向けて局部的に冷却ガスが吐出される。冷却ガスノズル3から冷却ガスを吐出させた状態で、制御ユニット4が基板Wを回転させながら該冷却ガスノズル3を基板の回転中心から外周部に向けて移動させることで、冷却ガスを基板表面Wfの全面にわたって供給できる。このとき、後述するように基板表面WfにDIWによる液膜が予め形成されていると、該液膜の全体を凍結させて基板表面Wfの全面にDIWの凍結膜を生成可能となっている。また、スピンチャック2の外方に第2の回動モータ51が設けられている。第2の回動モータ51には、第2の回動軸53が接続され、第2の回動軸53には、第2のアーム55が連結されている。また、第2のアーム55の先端に二流体ノズル5が取り付けられている。そして、制御ユニット4からの動作指令に応じて第2の回動モータ51が駆動されることで、二流体ノズル5を第2の回動軸53回りに揺動させることができる。この二流体ノズルは、処理液としてのDIWと窒素ガスとを空中ノズル外部で衝突させてDIWの液滴を生成する、いわゆる外部混合型の二流体ノズルである。また、スピンチャック2の外方には、第3の回動モータ67が設けられている。第3の回動モータ67には、第3の回動軸68が接続されている。また、第3の回動軸68には、第3のアーム69が水平方向に延びるように連結され、第3のアーム69の先端に薬液吐出ノズル6が取り付けられている。そして、制御ユニット4からの動作指令に応じて第3の回動モータ67が駆動されることで、薬液吐出ノズル6を基板Wの回転中心A0の上方の吐出位置と吐出位置から側方に退避した待機位置との間で往復移動させることができる。薬液吐出ノズル6は薬液供給部61と接続されており、制御ユニット4からの動作指令に応じてSC1溶液アンモニア水と過酸化水素水との混合水溶液等の薬液が薬液吐出ノズル6に圧送される。なお、冷却ガスノズル3、二流体ノズル5および薬液吐出ノズル6ならびにこれらに付随するアームやその回動機構としては、例えば前記した特許文献1特開2008-071875号公報に記載されたものと同一構造のものを用いることができる。そこで、本明細書ではこれらの構成についてのより詳しい説明は省略する。スピンチャック2の上方には、中心部に開口を有する円盤状の遮断部材9が設けられている。遮断部材9は、その下面底面が基板表面Wfと略平行に対向する基板対向面となっており、その平面サイズは基板Wの直径と同等以上の大きさに形成されている。遮断部材9は略円筒形状を有する支持軸91の下端部に略水平に取り付けられ、支持軸91は水平方向に延びるアーム92により基板Wの中心を通る鉛直軸回りに回転可能に保持されている。また、アーム92には、遮断部材回転機構93と遮断部材昇降機構94が接続されている。遮断部材回転機構93は、制御ユニット4からの動作指令に応じて支持軸91を基板Wの中心を通る鉛直軸回りに回転させる。また、遮断部材回転機構93は、スピンチャック2に保持された基板Wの回転に応じて基板Wと同じ回転方向でかつ略同じ回転速度で遮断部材9を回転させるように構成されている。また、遮断部材昇降機構94は、制御ユニット4からの動作指令に応じて、遮断部材9をスピンベース23に近接して対向させたり、逆に離間させることが可能となっている。具体的には、制御ユニット4は遮断部材昇降機構94を作動させることで、基板処理装置に対して基板Wを搬入出させる際には、スピンチャック2の上方の離間位置図1に示す位置に遮断部材9を上昇させる。その一方で、基板Wに対して所定の処理を施す際には、スピンチャック2に保持された基板Wの表面Wfのごく近傍に設定された対向位置まで遮断部材9を下降させる。支持軸91は中空に仕上げられ、その内部に遮断部材9の開口に連通したガス供給路95が挿通されている。ガス供給路95は、ガス供給部64と接続されており、窒素ガス貯留部641から熱交換器を通さずに供給される窒素ガスが乾燥ガスとして供給される。この実施形態では、基板Wに対する洗浄処理後の乾燥処理時に、ガス供給路95から遮断部材9と基板表面Wfとの間に形成される空間に窒素ガスを供給する。また、ガス供給路95の内部には、遮断部材9の開口に連通した液供給管96が挿通されており、液供給管96の下端にノズル97が結合されている。液供給管96には適宜の処理液が通送されて、基板Wの表面Wfに処理液を供給する。DIW供給部62はDIW貯留部621を有しており、熱交換器622はDIW貯留部621から供給されるDIWをその凝固点近傍温度まで冷却する。すなわち、DIW供給部62はDIW貯留部621から供給される常温のDIW、または熱交換器622により凝固点近傍温度まで冷却された低温のDIWを供給可能となっている。スピンチャック2の回転支軸21は中空軸からなる。回転支軸21の内部には、基板Wの裏面Wbに処理液を供給するための処理液供給管25が挿通されている。そして、回転支軸21の内壁面と処理液供給管25の外壁面の隙間は、円筒状のガス供給路29を形成している。処理液供給管25およびガス供給路29は、スピンチャック2に保持された基板Wの下面裏面Wbに近接する位置まで延びており、その先端には基板Wの下面中央部に向けて処理液およびガスを吐出する下面ノズル27が設けられている。処理液供給管25は薬液供給部61およびDIW供給部62と接続されており、薬液供給部61から供給されるSC1溶液等の薬液またはDIW供給部62から供給されるDIWなどの各種の液体が選択的に供給される。一方、ガス供給路29はガス供給部64と接続されており、スピンベース23と基板裏面Wbとの間に形成される空間にガス供給部64からの窒素ガスを供給することができる。また、スピンチャック2の周囲を取り囲むようにスプラッシュガード20が設けられており、スピンベース23の回転により回転する基板から飛散する処理液を受け止めて図示しない排液回収部へ案内する。図3は冷却ガスノズルの詳細構造を示す図である。より具体的には、図3aは冷却ガスノズル3の外観を示す図であり、図3bはその内部構造を示す縦断面図である。また、図3cは冷却ガスノズル3の底面図である。これらの図に示すように、冷却ガスノズル3のノズル筐体311の外周部はその下端部が外方向に大きく延伸されて、基板対向部として機能する平板状のフランジ312となっている。そして、このフランジ312の下面312aが、スピンチャック2に保持された基板表面Wfと対向する基板対向面となっている。ノズル筐体311および第1のアーム35の内部は中空となっており、筒状の中空部分が冷却ガスを通送させるガス供給経路643として機能している。ノズル筐体311の下部においてガス供給経路643は拡径され、通送されてきた冷却ガスの流速を低下させるバッファ空間314がノズル筐体311内に形成されている。フランジ312の基板対向面312aの略中央にはガス吐出口30が開口しており、バッファ空間314と連通している。第1のアーム35から冷却ガスノズル3に通送されてきた冷却ガスは、ノズル筐体311下端のガス吐出口30から吐出され、フランジ312の基板対向面312aと対向配置された基板表面Wfに供給される。このとき、冷却ガスがいったんバッファ空間314に案内されることにより、冷却ガスが勢いよく噴射されて基板表面Wfに形成された液膜を吹き飛ばすという問題が回避される。フランジ312のサイズについて、後述する冷却効率の点からは大きい方がよいが、これに伴い処理チャンバー1や装置全体のサイズも大きくなってしまうので、例えば基板の表面積の1/2程度の面積とすることが好ましい。例えば直径300mmの基板Wを処理する系においては、フランジ312の1辺を150mmないし200mm程度とすることができる。なお、この実施形態では、ガス供給経路643の断面形状およびガス吐出口30の開口形状が矩形であり、これに伴ってフランジ312の形状も矩形であるが、これらの形状は矩形のものに限定されず、例えば円形、長円形や他の多角形であってもよい。また、これらの形状が互いに異なっていても何ら問題ない。上記のように構成された基板処理装置では、処理チャンバー1内の処理空間SPに搬入された基板Wがスピンチャック2によって保持され、必要に応じて所定の薬液処理が実行される。また、基板Wに対して、その表面Wfに液膜を形成してこれを凍結させた後、凍結膜とともに付着物を除去する凍結洗浄処理が行われる。上記構成の装置における凍結洗浄処理の基本的な原理については特許文献1特開2008-071875号公報に記載されているので詳しい説明は省略する。図4はこの実施形態における凍結洗浄処理の態様を示すフローチャートである。また、図5は図4の処理における動作を模式的に示す図である。この装置では、未処理の基板Wが装置内に搬入され、制御ユニット4が装置各部を制御して該基板Wに対して一連の洗浄処理が実行される。まず、基板Wが表面Wfを上方に向けた状態で処理チャンバー1内に搬入されてスピンチャック2に保持されステップS101、遮断部材9がその下面を基板上面に近接対向配置される。続いて、制御ユニット4がチャック回転機構22を駆動させてスピンチャック2を回転させるとともに、ノズル97から常温のDIWを基板表面Wfに供給する。基板表面に供給されたDIWには、基板Wの回転に伴う遠心力が作用し、基板Wの径方向外向きに均一に広げられ、その一部が基板外に振り切られる。これによって、基板表面Wfの全面にわたって液膜の厚みを均一にコントロールして、基板表面Wfの全体に所定の厚みを有する液膜水膜が形成されるステップS102。なお、液膜形成に際して、上記のように基板表面Wfに供給されたDIWの一部を振り切ることは必須の要件ではない。例えば、基板Wの回転を停止させた状態あるいは基板Wを比較的低速で回転させた状態で基板WからDIWを振り切ることなく基板表面Wfに液膜を形成してもよい。液膜形成が終了すると、制御ユニット4は遮断部材9を離間位置に退避させる。この状態では、図5aに示すように、基板Wの表面Wfに所定厚さのパドル状液膜LPが形成されている。ここで、パドル状の液膜LPは、例えば薬液吐出ノズル6から供給されるSC1液によって形成されてもよい。このとき冷却ガスノズル3は基板上方から側方へ離間した待機位置にある。続いて、冷却ガスノズル3を待機位置から基板の回転中心AOの上方に移動させるステップS103。そして、図5bに示すように、回転する基板Wの表面Wfに向けて冷却ガスノズル3から冷却ガスを吐出させることで動作状態としながら、冷却ガスノズル3を徐々に基板Wの端縁位置に向けてスキャン移動させていくステップS104。これにより、基板表面Wfの表面領域に形成された液膜LPが冷やされて部分的に凍結し、図5cに示すように、凍結した領域凍結領域FRが基板表面Wfの中央部に形成される。そして、方向Dn1へのノズル3のスキャンによって凍結領域FRは基板表面Wfの中央部から周縁部へと広げられ、図5dに示すように、最終的には基板表面Wfの液膜全面が凍結する。液膜全体が凍結すると、冷却ガスの吐出を停止し冷却ガスノズル3を待機位置まで退避させる。ここで、冷却ガスとしては、例えば-150°C、50L/minの窒素ガスを用いることができる。また、凍結後の液膜の目標到達温度としては、例えば-30°Cとすることができる。冷却ガスのスキャンが終了すると、遮断部材9を再び基板表面Wfに近接配置しステップS105、さらに遮断部材9に設けられたノズル97から基板表面Wfの凍結した液膜に向けて常温のDIWを供給してリンス処理を行うステップS106。ここまでの処理が実行された時点では、基板Wが遮断部材9とスピンベース23との間に挟まれながら回転する状態で、基板Wの表面にDIWが供給されている。ここで、基板表面Wfに常温のDIWを供給するのに代えて、二流体ノズル5からDIWの液滴を供給するようにしてもよい。続いて基板へのDIWの供給を停止し、基板を高速回転により乾燥させるスピン乾燥処理を行うステップS107。すなわち、遮断部材9に設けられたノズル97およびスピンベース23に設けられた下面ノズル27から窒素ガスを吐出させながら基板Wを高速度で回転させることにより、基板Wに残留するDIWを振り切り基板Wを乾燥させる。このときに供給される窒素ガスは乾燥ガスとしての作用をするものであり、熱交換器を通さない常温のガスである。こうして乾燥処理が終了すると、処理済みの基板Wを搬出することによってステップS108、1枚の基板に対する処理が完了する。上記処理によって得られる洗浄効果について説明する。上記のようにして液膜を凍結させると、基板表面Wfとパーティクルの間に入り込んだ液膜の体積が増加摂氏0°Cの水が摂氏0°Cの氷になると、その体積はおよそ1.1倍に増加するし、パーティクルが微小距離だけ基板表面Wfから離れる。その結果、基板表面Wfとパーティクルとの間の付着力が低減され、さらにはパーティクルが基板表面Wfから脱離することとなる。このとき、基板表面Wfに微細パターンが形成されている場合であっても、液膜の体積膨張によってパターンに加わる圧力はあらゆる方向に等しく、つまりパターンに加えられる力が相殺される。そのため、パターンの剥離や倒壊を防止しながら、パーティクルのみを基板表面Wfから剥離させることができる。そして、新たに供給するDIWによって凍結した液膜を除去することにより、パーティクル等についても基板表面Wfから取り除くことができる。図6は本実施形態の冷却ガスノズルの作用を説明するための図である。本実施形態の冷却ガスノズル3は、ガス吐出口30の周囲を取り囲むフランジ312の下面が基板対向面312aとなっており、該基板対向面312aが基板表面Wfと近接対向している。このため、図6aに点線矢印で示すように、ガス吐出口30から吐出された冷却ガスは基板対向面312aと基板表面Wfより厳密には、基板表面Wfに形成された液膜LPの表面とで挟まれた間隙空間Gを基板表面Wfに沿って流通する。このため、吐出された冷却ガスは比較的長い時間にわたって基板上の液膜LPと触れることになる。また、基板対向面312aと基板表面Wfとが近接対向しているため、基板表面Wfに沿って流れる冷却ガスの流速V1が比較的高くなる。さらに、間隙空間Gに冷却ガスよりも高温の外部雰囲気が入り込んでくることが抑制され、冷却ガスと周囲雰囲気との混合に起因するガス温度の上昇が抑えられている。これに対して、比較例として図6bに示す従来の構成では、冷却ガスノズル300の下面に開口するガス吐出口303の周縁部が肉薄であり、基板表面Wfと対向する面積が極めて小さい。このため、図6bに点線矢印で示すように、基板表面Wfに向かって吐出された冷却ガスの大部分がすぐに基板表面Wfから離れてしまい、基板上の液膜と接する時間が短い。また、基板表面Wfに沿って流れる冷却ガスの流速V2が小さい。さらに、吐出された冷却ガスがすぐに周囲雰囲気と混ざってガス温度が上昇してしまうため、十分に低温のガスを基板および液膜に触れさせることが難しい。これらのことから、本実施形態の構成では、比較例の構成と比べて、冷却ガスから基板表面Wfに形成された液膜LPへの熱伝達率がより高く、基板Wおよび液膜LPをより短時間で効率よく冷却することができる。すなわち、冷却ガスの流量や処理時間が同じであれば基板Wおよび液膜LPをより低温まで冷却することができ、基板Wおよび液膜LPの到達温度が同じであれば冷却ガスの流量や処理時間をより少なくすることが可能である。本願発明者らの知見によれば、凍結洗浄処理におけるパーティクル除去効率は、凍結させた液膜LPの温度が低いほど向上することがわかっている。上記したように、本実施形態の構成では、基板Wおよび液膜LPの温度を短時間で効率よく低下させることができるため、凍結洗浄処理におけるパーティクル除去効率を向上させることが可能となる。以上のように、この実施形態では、冷却ガスノズル3、より詳しくは、下面にガス吐出口30が設けられたノズル筐体311の外周下部を外方向に拡大させて、基板対向部として機能する平板状のフランジ312を形成している。フランジ312の下面が基板対向面312aとして基板上の液膜LPに近接対向し、この状態で基板対向面312aに開口するガス吐出口30から冷却ガスを吐出させることにより、この実施形態では、冷却ガスから基板Wおよび基板上の液膜LPへの熱伝達率を高め、単に液膜LPを凍結させるのみでなく、短時間で効率よくさらに低温まで冷却することが可能である。このため、この実施形態の凍結洗浄処理では、高いパーティクル除去効率を得ることができる。以上説明したように、この実施形態においては、スピンチャック2が本発明の基板保持手段として機能する一方、冷却ガスノズル3が本発明の冷却ガス吐出手段として機能している。そして、フランジ312が本発明の基板対向部として機能するとともに、その下面312aが本発明の基板対向面に相当している。また、冷却ガスノズル3を走査移動させる第1の回動モータ31が本発明の位置変更手段として機能しており、基板Wに向けてDIWを供給するノズル97が本発明の除去手段として機能している。<第2実施形態>図7はこの発明にかかる基板処理装置の第2実施形態の要部を示す図である。この実施形態にかかる基板処理装置の基本的な構成は第1実施形態と同様であるので、ここでは相違する部分について主に説明する。この実施形態では、スピンチャック2に保持された基板Wの表面Wfのほぼ全面を覆うように、本発明の基板対向部として機能する板状部材329を、その下面基板対向面329aを基板表面Wfに対向させて近接配置する。この板状部材329は遮断部材9とは別体に形成されて支持軸328によって略水平状態に保持され、基板表面に向けて冷却ガスを供給するプロセス図4のステップS103~S104の間のみ基板上方に配置されるものである。また、遮断部材9とは異なり、板状部材329は回転しない。この実施形態における冷却ガス吐出ノズル320は、揺動軸326周りに揺動するアーム325の先端に取り付けられており、図示を省略しているがその下端には冷却ガスを吐出するガス吐出口が設けられている。また、冷却ガス吐出ノズル320の外形は概ね円筒形状である。冷却ガス吐出ノズル320は、アーム325の揺動に伴って、スピンチャック2に保持された基板Wの中心近傍位置図7bに点線で示す位置と、該基板Wの上方から退避した位置図7bに実線で示す位置との間を移動可能となっている。板状部材329のうち、冷却ガス吐出ノズル320の軌跡に相当する部分329bは切り欠かれており、アーム325の揺動に伴う冷却ガス吐出ノズル320の基板上の移動の際には冷却ガス吐出ノズル320がこの切り欠き部329bに係合するようにして移動する。これにより、冷却ガス吐出ノズル320が板状部材329に衝突することが回避されている。このような構成によっても、冷却ガス吐出ノズル320から吐出された冷却ガスを基板表面Wfと板状部材329とにより挟まれた間隙空間に供給することができる。これにより、冷却ガスを長い時間基板表面の液膜に触れさせることができ、また基板表面に沿った冷却ガスの流速を高め、さらに冷却ガスが周囲雰囲気と混合されることによるガス温度の上昇が抑えられるので、第1実施形態と同様に、基板および液膜を効率よく冷却して、優れたパーティクル除去効率を得ることができる。また、基板のほぼ全面が板状部材329により覆われるので、冷却ガスにより凍結した液膜の温度が周囲雰囲気に触れることで再び上昇することが防止され、ノズルが移動した後も凍結膜の温度を低く維持することが可能となる。<第3実施形態>上記した第1、第2実施形態では、ガス吐出口を有する冷却ガス吐出ノズルを基板表面に沿って相対的に走査移動させることにより、基板に対するガス吐出口の位置を順次変化させている。これに対して、以下に説明するこの発明にかかる第3実施形態の基板処理装置では、基板対向部に複数設けられた開口のうち1つを選択的に開放して当該開口から冷却ガスを吐出させることでガス吐出口として機能させるとともに、開放する開口を順次切り換えることにより、基板に対するガス吐出口の位置を変化させるようにしている。図8はこの発明にかかる基板処理装置の第3実施形態の要部を示す図である。より具体的には、図8aはこの実施形態における冷却ガス吐出手段の外観を示す図であり、図8bはその内部構造を示す断面図である。この実施形態にかかる基板処理装置の基本的な構成は第1および第2実施形態と同様であるので、ここでは相違する部分について主に説明する。この実施形態では、第2実施形態と同様に、スピンチャック2に保持された基板Wの表面Wfのほぼ全面を覆うように、本発明の基板対向部として機能する板状部材339を、その下面基板対向面339aを基板表面Wfに対向させて近接配置する。この板状部材339は遮断部材9とは別体に形成されて支持軸338によって略水平状態に保持され、基板表面に向けて冷却ガスを供給するプロセス図4のステップS103~S104の間のみ基板上方に配置されるものである。また、第2実施形態の板状部材329と同様、板状部材339は回転しない。板状部材339には、支持軸338に近い位置、すなわち板状部材339の中央寄りから外側に向かって順番に、複数の開口3391,3392,3393,3394が設けられている。冷却ガス吐出ノズル330は板状部材339の開口数に対応する複数の出力ポートを有するミキシングバルブ331を有し、各出力ポートが板状部材339の各開口3391,3392,3393,3394に連通している。各ポートには制御ユニット4からの制御指令に応じて互いに独立して開閉可能な開閉バルブ3311,3312,3313,3314が設けられている。例えば開閉バルブ3311が開放されると、ガス供給部64から冷却ガス吐出ノズル331へ通送されてくる冷却ガスが該バルブ3311を経て板状部材339の対応する開口3391から基板表面Wfへ向けて吐出される。すなわち、このとき開口3391がガス吐出口として機能する。他の各開口についても、対応するバルブの開閉により、必要に応じてガス吐出口として機能させることができる。この実施形態では、基板上の液膜を凍結させる際、板状部材339および冷却ガス吐出ノズル330を一体的に基板Wの上方に位置決めし、この状態でまず最初にバルブ3391のみを開き、基板表面Wfの中央回転中心に近い位置に冷却ガスを供給する。これにより基板中央部の液膜を凍結させる。次いで、隣接するバルブ3392を開くとともにバルブ3391を閉じ、基板上における冷却ガスの供給位置を外側に移動させる。その後、開放するバルブを順次外側のものに切り換えてゆく。こうすることにより、ガス吐出口を有するノズルを移動させる第1および第2実施形態と同様に、冷却ガスの供給位置を外側に向けて移動させてゆくことができる。これによって、最初基板の中心部に形成された凍結膜を順次外側へ拡大させて、最終的には基板に形成された液膜の全体を凍結させることができる。この場合において、基板表面Wfのほぼ全体が板状部材339により覆われているため、上記した第2実施形態と同様に、基板および液膜を効率よく冷却して、優れたパーティクル除去効率を得ることができる。また、基板のほぼ全面が板状部材339により覆われるので、冷却ガスにより凍結した液膜の温度が周囲雰囲気に触れることで再び上昇することが防止され、ノズルが移動した後も凍結膜の温度を低く維持することが可能となる。<その他>本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、DIWによって本発明の液膜を形成しているが、液膜を構成する液体はこれに限定されない。例えば、炭酸水、水素水、希薄濃度例えば1ppm程度のアンモニア水、希薄濃度の塩酸などを用いたり、DIWに少量の界面活性剤を加えたものを用いてもよい。また、上記実施形態では、冷却ガスとして液膜を構成する液体DIWの凝固点よりも低温にした窒素ガスを用いているが、冷却ガスは窒素ガスに限定されない。例えば、アルゴンガスのような希ガスや他の不活性ガス、乾燥空気等を用いてもよい。また、上記実施形態の基板処理装置は、DIW貯留部621および窒素ガス貯留部641をいずれも装置内部に内蔵しているが、処理液およびガスの供給源については装置の外部に設けられてもよく、例えば工場内に既設の処理液やガスの供給源を利用するようにしてもよい。また、これらを冷却するための既設設備がある場合には、該設備によって冷却された液体やガスを利用するようにしてもよい。また、上記実施形態の基板処理装置は、基板Wの上方に近接配置される遮断部材9を有するものであるが、本発明は遮断部材を有しない装置にも適用可能である。また、この実施形態の装置は基板Wをその周縁部に当接するチャックピン24によって保持するものであるが、基板の保持方法はこれに限定されるものではなく、他の方法で基板を保持する装置にも、本発明を適用することが可能である。"