基板2と、少なくとも1つの第1パワー半導体素子および少なくとも1つの第2パワー半導体素子3a/bと、少なくとも1つの機械的に可撓な接続デバイス4とを備えたパワーアセンブリ1であって、前記基板2は、前記パワー半導体素子3a/bを回路様式に適って配置するため、相互に絶縁された複数の導体トラック22、24、26を含む第1主面を有し、前記各パワー半導体素子3a/bの、基板から離れる方に面する各第1主面30はそれぞれ少なくとも1つの第1コンタクト面310a/b、312を有し、前記可撓な接続デバイス4は、複数の導電膜40、44と、少なくとも1つの電気絶縁膜42とが交互に並ぶ一連の層から構成され、この場合、少なくとも1つの導電膜40、44は、本来的に部分膜400a/b/c、402、440、442を形成するように構造化され、第1導電膜40は、前記各パワー半導体素子3の第1主面30a/bに付随する第1コンタクト面310a/b、312に導電的にかつ直接機械的に接続される第1コンタクト面410a/b、412を含む少なくとも1つの第1部分膜400a/b/c、402を有し、前記第1導電膜40の第1部分膜400a/b、402の少なくとも1つは、第1導電膜40と第2導電膜44の間に配置される前記絶縁膜42を貫通する少なくとも1つの第1メッキ貫通孔48aによって、第2導電膜44の第2部分膜440に導電接続され、および、第2パワー半導体素子3bの第1コンタクト面310bは、同様に、前記第2部分膜440に導電接続され、かつ、この第2部分膜440を介して、前記第1パワー半導体素子3aの第1コンタクト面310aに導電接続され、および/または、前記基板2の第1導体トラック22からは電気絶縁される前記基板2の第2導体トラック24、26の第2コンタクト面244、246は、前記第2部分膜に機械的に間接的にまたは直接的に導電接続され、かつ、この第2部分膜を介して、前記第1パワー半導体素子3aの第1コンタクト面310aに導電接続される、パワーアセンブリ1。前記各パワー半導体素子3a/bの第1コンタクト面310a/b、312への前記第1膜40の第1部分膜400a/b、402のコンタクト面410a/b、412の直接的な機械的接続が、融着性結合または力締め付け方式の結合として具現化される、請求項1に記載のパワーアセンブリ。前記基板2の第2導体トラック24、26のコンタクト面244、246への第2部分膜440、442のコンタクト面444、446の直接的な機械的接続が、融着性結合または力締め付け方式の結合として具現化される、請求項1に記載のパワーアセンブリ。前記基板2の第2導体トラック24、26のコンタクト面244、246への第2部分膜440、442の間接的な機械的接続が、前記絶縁膜42を介して前記第1導電膜40の第3部分膜400cに至る第2メッキ貫通孔48bによって具現化され、前記第3部分膜は、前記第2導体トラック24、26のコンタクト面244、246に融着的にまたは力締め付け方式で結合されている、請求項1に記載のパワーアセンブリ。前記少なくとも1つの第1メッキ貫通孔48aが、前記パワー半導体素子3a/bの第1主面30a/bに隣接する絶縁膜42の第1部分420a/bに配置される、請求項1に記載のパワーアセンブリ。前記絶縁膜42の第1部分420a/bが、この部分の水平方向の広がりにおけるすべての側部において、前記各パワー半導体素子3a/bを覆ってさらにはみ出る、請求項5に記載のパワーアセンブリ。前記絶縁膜42の第1部分420a/bが、対応するパワー半導体素子3a/bに面する第2導体トラック44のコンタクト面444、446の端部454、456まで広がっている、請求項6に記載のパワーアセンブリ。第1導電膜40の各第1部分膜400a/b、402が、対応するパワー半導体素子の端部までの水平方向の最大広がりを有し、したがって、水平方向においてパワー半導体素子3a/bを覆ってさらにはみ出ることがない、請求項1に記載のパワーアセンブリ。前記導電膜40、44が50μm~500μmの厚さを有し、前記少なくとも1つの絶縁膜42が、10μm~100μmの厚さを有する、請求項1に記載のパワーアセンブリ。前記第1導電膜40が前記第2導電膜44より薄くなるように具現化される、請求項9に記載のパワーアセンブリ。本発明の目的は、特にパワー半導体素子の端部領域において、接続デバイスおよび基板の間に電気絶縁性のフィラーを部分的に設けることを省略し得るところまで接続デバイスが開発された既知のパワーアセンブリを提供することにある。この目的は、請求項1によるパワーアセンブリによって、本発明に従って実現される。好ましい実施形態が従属請求項に記述される。本発明の出発点は、ハウジングの外部接続要素と、少なくとも1つの機能性パワーアセンブリとからなるパワー半導体モジュールである。前記パワーアセンブリは、基板と、少なくとも1つの第1パワー半導体素子および少なくとも1つの第2パワー半導体素子と、少なくとも1つの機械的に可撓な接続デバイスとを有する。基板は、その一部として、パワー半導体素子を回路様式に適って配置するための、互に電気絶縁された複数の第1および第2導体トラックを備えた第1主面を有する。前記パワー半導体素子は、基板に面する主面上の第2コンタクト面に導電接続し、かつ、その位置の第1コンタクト面において対応する半導体トラックsemiconductortracksに機械的に接続することが望ましい。少なくとも1つの第1コンタクト面は、それぞれ、基板から離れる方に面するそれぞれのパワー半導体素子の主面上に配置される。パワーアセンブリの可撓な接続デバイスは、導電膜と、少なくとも1つの電気絶縁膜とが交互に並ぶ一連の層から構成され、従って、原則として少なくとも3つの膜からなる積層体になる。導電膜の少なくとも1つは、本来的に部分膜を形成するように構造化され、その結果、前記膜が取り除かれた積層体の領域が生じる。本発明によれば、第1導電膜は、付随する第1コンタクト面を含む少なくとも1つの第1部分膜を有し、前記第1コンタクト面は、対応するパワー半導体素子の第1主面上に付随する第1コンタクト面に直接機械的にかつ導電的に接続される。この場合、第1導電膜の前記第1部分膜は、第1導電膜および第2導電膜の間に配置される絶縁膜を貫通する少なくとも1つの第1メッキ貫通孔によって、第2導電膜の第2部分膜に導電接続される。前記第1メッキ貫通孔は、パワー半導体素子の第1主面に隣接する絶縁膜の第1部分に配置することが望ましい。その結果、パワー半導体素子のコンタクト面と、第1部分膜のコンタクト面と、第1部分膜そのものと、メッキ貫通孔と、第2部分膜の一部分とから構成されるいわば垂直方向の一連の層が生じることになる。さらに、絶縁膜の前記第1部分は、この部分の水平方向の広がりにおけるすべての側部において、各パワー半導体素子を十分に覆ってさらにはみ出ること、従って、前記素子を、第2膜から、あるいは少なくとも1つの第2部分膜から電気絶縁することが望ましい。対照的に、第1導電膜の第1部分膜は、対応するパワー半導体素子の端部までの水平方向の最大広がりを有し、従って、水平方向においてパワー半導体素子を覆ってさらにはみ出ることはないことが望ましい。この場合、この第1部分膜は、第2導電膜に関する接続用としてのみ役立つことになり、一方、その第2導電膜が、パワー半導体素子のさらに別の内部的な、もしくは外部的な導電接続を形成する。この形態の場合には、第1導電膜を、できるだけ薄くなるように構成することが得策である。それは、第1導電膜の断面における電流搬送容量が、第2導電膜に比べて低いことが判明し得るからである。さらに、第2パワー半導体素子の第1コンタクト面は、同様に、第1部分膜および第1メッキ貫通孔によって、第2部分膜に、従って第1パワー半導体素子の第1コンタクト面に導電接続され、これによって、2つのパワー半導体素子の第1主面の、またはそれに配置されるコンタクト面の導電接続が、第2部分膜によって生じる。上記に対する代替方式または追加として、基板の第1導体トラックからは電気絶縁される基板の第2導体トラックの第2コンタクト面が、第2部分膜に機械的に間接的にまたは直接的に接続され、その結果、パワー半導体素子またはその第1コンタクト面への前記第2コンタクト面の導電接続が形成される。この場合、直接的な機械的接続は、第2導電膜の第2部分膜のコンタクト面への基板の第2導体トラックの第2コンタクト面の融着性結合または力締め付け方式の結合によって形成することが望ましい。この場合、代替的な間接的機械的接続を、第1導電膜の第3部分膜400cの融着性結合または力締め付け方式の結合によって形成することが望ましい。この第3部分膜400cは、絶縁膜を貫通する第2メッキ貫通孔によって第2導電膜に接続される。結論的に、直接的な機械的接続というのは、離れているとしても例えば接着剤のような結合剤によってのみ互いに離隔される2つの結合物体の結合であると理解されるべきである。対照的に、間接的な機械的接続は、結合物体の間に配置される別の要素を有する。以下、本発明による解決策を、典型的な実施形態に基づいて図1~4を参照して詳しく説明する。図1は、ハーフブリッジ回路構成の回路図を示す。前記ハーフブリッジ回路は、直列回路における第1および第2のパワースイッチから構成され、前記直列回路のDC電圧入力と、前記直列回路の中央タップにおけるAC電圧出力とを備えている。通常、前記各パワースイッチは、並列に逆接続されたパワーダイオードを含む複数のパワートランジスタによって、パワー半導体素子3として形成される。前記ハーフブリッジ回路構成は、多様な異なるパワー半導体モジュールにおいて実現される重要な基本タイプのパワーエレクトロニクス回路を形成する。本発明によるパワーアセンブリは、例えば、正確に1つのこのタイプのハーフブリッジ回路構成を、パワー半導体モジュールの機能ユニットとして含む。本発明によるパワーアセンブリがこのトポロジーに限定されないことは言うまでもない。図2は、本発明によるパワーアセンブリの第1形態を断面図で示す。この図は、相互に電気絶縁された第1導体トラック22および第2導体トラック24を有する基板2を示している。この形態においては、基板2は、この絶縁機能を形成するために、絶縁物質、例えば絶縁性セラミックからなる基体20を有する。この図は、さらに、パワー半導体素子3a、この場合、パワーダイオードを示しているが、これは、2つの主面30a、32と、その主面上に配置されるコンタクト面310a、320とを有する。ここで、第2コンタクト面320は、基板2の第1導体トラック22に導電接続され、かつ機械的に固定される。接続デバイス4は、基板2から離れる方に面するパワー半導体素子3の面に配置される第1コンタクト面310aを第2導体トラック24に導電接続するために設けられる。この場合、前記接続デバイス4は、第1導電膜40および第2導電膜44と、その間に配置される絶縁膜42とを有する膜複合集積体である。この膜複合集積体4の機械的な可撓性を得るために、導電膜40、44は50μmおよび500μmの間の厚さを有し、絶縁膜42は10μmおよび100μmの間の厚さを有することが望ましい。さらにこの場合、前記の膜複合集積体4の両導電膜40、44は、本来的に、膜の一部として膜に付属する個別の部分膜400a、440を形成するように構造化される。絶縁膜42も同様に構造化される。その結果、複合集積体4は、断面においてのみ、完全に3つの膜から形成される。例えば、基板2に面する第1導電膜40は、第1主面30aの上部に、すなわち第1主面30aに直接隣接して、かつ、パワー半導体素子3のその位置の第1コンタクト面310aの領域のみに限定される態様で、第1部分膜400aを形成する。例えば、すべての既知の融着性の結合、特に焼結結合も、導電接続のための結合技術として適している。原理的には、力締め付け方式の結合も同様に用いることができる。この領域においては、膜複合集積体4の複数の切り取り部から構成される第1メッキ貫通孔48aも設けられる。これは、第1導電膜40の第1部分膜400aを第2導電膜44の第2部分膜440に導電接続するためのものである。この第2部分膜440は、第2導体トラック24のコンタクト面244に、専用に割り当てられるコンタクト面444を直接的に介して、導電的にかつ直接機械的に接続される。この接続の形成には、融着性結合または力締め付け方式の結合が同様に適している。さらに、基板2の第2導体トラック24への第2部分膜440の間接的な機械的接続が、直接的な機械的接続に対する代替方式として表現されている。このために、接続デバイス4は、第1導電膜40の第3部分膜400cを有しており、この第3部分膜400cは、第2メッキ貫通孔48bによって導電接続される。この第2メッキ貫通孔48bは第1メッキ貫通孔と同形に具現化することが望ましい。前記第3部分膜400cは、経済的な生産という理由からは当然であるが、第1部分膜400aをパワー半導体素子3のコンタクト面310aに接続するのと同じ結合技術を用いて、第2導体トラック24またはそのコンタクト面244に接続することが望ましい。原理的には、第2導体トラック24への第2部分膜440の直接的および間接的両方の機械的接続をパワーアセンブリ内部に設けることが可能である。これは、空間的な要請および周囲の素子の状況に応じて選択可能である。例えば、パワー半導体素子3と、第2導体トラックとの接触位置との間の距離が非常に短い場合に、高い電流搬送容量のために第2導電膜44を特に厚く選定しなければならないとすれば、間接的な接合が好ましいであろう。それは、その結果として、接続デバイス4の機械的な可撓性が低下するからである。接続デバイス4によって遂行されるべき他の可能性の種類および個数が、同様に、特定の用途におけるこの選択に影響する。2つの導電膜40、44の間に配置される絶縁膜42は、上記の目的のため、第2部分膜440を第2導体トラック24の第2コンタクト面244に直接接続する領域において切り取られる。従って、パワー半導体素子3の第1主面310aを第2導体トラック24に接続する領域においては、絶縁膜42は、パワー半導体素子3を覆ってさらにはみ出ており、その絶縁膜42の範囲は、パワー半導体素子3の端部領域を超えて、第2導体トラック244を第2部分膜440に接続する端部454にまで及ぶ。絶縁膜42が、すべての側部において、パワー半導体素子3の端部領域を超えてパワー半導体素子3を覆うことが望ましい。この形態の本質的な利点は、この場合、絶縁膜42が、第1導体トラック22に向く第2部分膜440の電気絶縁体として作用し、従って、この絶縁を形成するための付加的な手段の使用が省略され得ないという事実に基づく。図3は、上記のパワーアセンブリを平面図で示す。但しこの場合、パワー半導体素子3aとして、パワートランジスタが設けられる。前記パワートランジスタ3aは、その第1主面30aに、2つの第1コンタクト面310a、312を有しており、その内の大きい方310aは負荷接続用として、小さい方312は制御接続用として用いられる。図は、3つの導体トラック22、24、26を有する基板2を示しているが、この場合、第1導体トラック22および1つの第2導体トラック24は負荷電流搬送用として用いられ、別の第2導体トラック26は制御電流搬送用として用いられる。第2導体トラック24、26は、それぞれコンタクト面244、246を有するが、このコンタクト面244、246は、第2導電膜44の、それぞれ第2の、但し相互に電気絶縁された部分膜440、442に、直接機械的にかつ導電的に接続するためのものである。図2においても表現される1つの第2部分膜440は、パワー半導体素子3の負荷コンタクト面310aを1つの第2導体トラック24に接続し、一方、もう1つの第2部分膜442は、パワー半導体素子3の制御コンタクト面312を別の第2導体トラック26に接続する。それぞれの第1部分膜400aの平面図における横方向の広がり、従ってそれに付随する第1導電膜40のコンタクト面410aの横方向の広がりは、図2における水平方向の広がりに対応するが、この場合、この広がりは、それぞれ、パワー半導体素子の対応するコンタクト面310aの横方向広がりよりも小さい。絶縁膜図3には表現されていないの平面図における横方向の広がりは、図2における水平方向の前記広がりに対応するが、このような形態の場合、絶縁膜の横方向広がりは、すべての側部で、第2導体トラック24、26および第2部分膜440、442の間において、パワー半導体素子3を超えて、コンタクト面244、444、246、446のそれぞれの端部454、456にまで達する。図4は、本発明によるパワーアセンブリの第2の形態を断面図で示す。この図は、並列接続された2つの同一のパワー半導体素子3a/bの導電接続を示している。このような接続は、ハーフブリッジ回路を技術的に実現する際に必要になる場合が多い。並列に逆接続されたパワーダイオードを備えたパワートランジスタを含む回路が、同じ方式で形成される。この場合、2つのパワー半導体素子3a/bが、基板2の共通の第1導体トラック22上に配置され、それらの第2コンタクト面320によって導電接続される。この共通の導体トラック22は、原則として図2におけるものと同等に具現化される。第1主面30a/b上の第1コンタクト面310a/bは、それぞれ、第1導電膜40の第1部分膜400a/bに接続されるが、この場合、本発明によれば、前記第1導電膜40は、それぞれのパワー半導体素子3a/bの間の導電接続を形成しない。従って、前記接続を形成するためには、第1部分膜400a/bの水平方向の広がりが、パワー半導体素子3a/bの水平方向の広がりよりも小さければそれで十分である。さらに、第1部分膜400a/bの水平方向の広がりが、それぞれのパワー半導体素子3a/bの付随するコンタクト面310a/bの水平方向の広がりよりも小さければなお好ましい。2つのパワー半導体素子3a/bを接続するために、それぞれの第1部分膜400a/bは、第1メッキ貫通孔48aによって、第2導電膜44の共通の第2部分膜440に導電接続される。その結果、この第2部分膜440も、パワー半導体素子3a/bの間の導電接続を形成する。この形態においても、第1導電膜40は、断面において高い電流搬送容量を有する必要がないので、第2導電膜44に比べて特に薄く形成することが可能である。絶縁膜42も、通常は、適切な選択をした場合には非常に薄くなるように、従って第2導電膜44のみが可撓性を左右するように具現化し得るので、全接続デバイス4は高い機械的可撓性を有する。この特徴は、本発明においては、パワーアセンブリ内部の付加的な絶縁手段を省略し得るというすでにのべた利点と対に組み合わされる。さらに、詳細図は、第1メッキ貫通孔48aの実施形態を示している。この場合、図2における第2メッキ貫通孔48bも全く同じ方法で具現化するのが有利である。メッキ貫通孔48aは、接続デバイス4のすべての膜40、42、44を一直線に貫通する、複数の、好ましくは多数の丸い切抜き480から構成される。前記切抜き480と、導電膜40、44の全曝露表面とは、理想的には一様な厚さを有する金属化部分482によって被膜処理される。この金属化部分482の厚さは1μm程度にするのが有利である。