"半導体基板からなるセンサチップと、前記センサチップの厚み方向に沿って前記センサチップと接合される板状の固定板とを有し、前記センサチップは、前記固定板との対向面に可動電極が設けられる1乃至複数の重り部と、ビーム部を介して前記重り部を回動軸の回りに回動自在に支持するフレーム部と、前記フレーム部から分離された複数の電極部と、前記各電極部に設けられる圧接電極とを備え、前記固定板は、前記可動電極と対向する複数の固定電極と、一端部で前記複数の固定電極に接続され、他端部が前記圧接電極と圧接される複数の導電パターンとが前記センサチップとの対向面に形成される半導体物理量センサであって、前記固定板は、前記複数の固定電極同士を導通させ且つ前記固定板が前記センサチップと接合された後に切断される1乃至複数の接合用導電パターンが前記センサチップとの対向面に形成され、前記センサチップは、前記接合用導電パターンの端部と圧接される接合用電極が、前記フレーム部において前記電極部よりも前記重り部から離れた位置に設けられることを特徴とする半導体物理量センサ。前記フレーム部は、前記固定板と接合される側の面における前記位置に凹部が形成され、前記接合用電極は、前記凹部の底面に成膜される金属膜からなり、熱膨張係数が前記半導体基板と近い材料からなる台座が前記金属膜と前記凹部の底面との間に配設されることを特徴とする請求項1記載の半導体物理量センサ。前記台座は、前記半導体基板と同一の半導体材料で形成されることを特徴とする請求項2記載の半導体物理量センサ。ところで、上記従来例ではセンサチップ1に対して上部固定板2a及び下部固定板2bがそれぞれ陽極接合される。この接合工程において、センサチップ1と上部固定板2aとの間に高電圧が印加されることによって重り部4が上部固定板2aに吸引されることを防ぐため、上部固定板2aの第1及び第2の固定電極20a,20b,21a,21bと重り部4を同電位に保つ必要がある。そのために上記従来例では、第1の固定電極20a,21a同士を接続する第1の接合用導電パターン25aと、第2の固定電極20b,21b同士を接続する第2の接合用導電パターン25bとが上部固定板2aに形成されている。一方、センサチップ1のフレーム部3には、第1及び第2の接合用導電パターン25a,25bの端部にそれぞれ圧接接続される接合用電極100,101が設けられている。これら2つの接合用電極100,101は、フレーム部3における重り部4,5に挟まれた部位に設けられた凹部102,103の底面にアルミなどの金属の膜が成膜されることで形成されている。而して、第1及び第2の接合用導電パターン25a,25bが接合用電極100,101に圧接接続されることで上部固定板2aの第1及び第2の固定電極20a,20b,21a,21bと重り部4を同電位に保つことができる。ただし、接合工程の終了後、不要な第1及び第2の接合用導電パターン25a,25bがレーザビームの照射等によって切断される。しかしながら、上記従来例では、フレーム部3におけるビーム部6b,7aの近傍に不要な接合用電極100,101が残ってしまう。そして、残った接合用電極100,101が高温時に膨張し、フレーム部3における重り部4,5に挟まれた部位に応力が発生するため、センサチップ1の温度特性が低下する虞がある。また、高温環境下に長時間放置された場合、接合用電極100,101が変形して応力の状態が変化し、応力状態の変化に起因して常温時のセンサチップ1の出力に変動が発生する虞がある。本発明は、上記課題に鑑みて為されたものであり、接合用電極に起因した不具合の発生を抑制することを目的とする。本発明の半導体物理量センサは、半導体基板からなるセンサチップと、前記センサチップの厚み方向に沿って前記センサチップと接合される板状の固定板とを有し、前記センサチップは、前記固定板との対向面に可動電極が設けられる1乃至複数の重り部と、ビーム部を介して前記重り部を回動軸の回りに回動自在に支持するフレーム部と、前記フレーム部から分離された複数の電極部と、前記各電極部に設けられる圧接電極とを備え、前記固定板は、前記可動電極と対向する複数の固定電極と、一端部で前記複数の固定電極に接続され、他端部が前記圧接電極と圧接される複数の導電パターンとが前記センサチップとの対向面に形成される半導体物理量センサであって、前記固定板は、前記複数の固定電極同士を導通させ且つ前記固定板が前記センサチップと接合された後に切断される1乃至複数の接合用導電パターンが前記センサチップとの対向面に形成され、前記センサチップは、前記接合用導電パターンの端部と圧接される接合用電極が、前記フレーム部において前記電極部よりも前記重り部から離れた位置に設けられることを特徴とする。この半導体物理量センサにおいて、前記フレーム部は、前記固定板と接合される側の面における前記位置に凹部が形成され、前記接合用電極は、前記凹部の底面に成膜される金属膜からなり、熱膨張係数が前記半導体基板と近い材料からなる台座が前記金属膜と前記凹部の底面との間に配設されることが好ましい。この半導体物理量センサにおいて、前記台座は、前記半導体基板と同一の半導体材料で形成されることが好ましい。本発明の半導体物理量センサは、接合用電極に起因した不具合の発生を抑制することができるという効果がある。以下、従来技術で説明した半導体加速度センサに本発明の技術思想を適用した実施形態について図面を参照して詳細に説明する。ただし、本発明の技術思想が適用可能な半導体物理量センサは加速度センサに限定されるものではない。本実施形態の半導体加速度センサは、図1に示すように従来例とほぼ共通の構成を有しているので、従来例と共通の構成要素には同一の符号を付して適宜図示並びに説明を省略する。本実施形態の半導体加速度センサは、上部固定板2aとセンサチップ1の接合時に可動電極4,5と第1及び第2の固定電極20a,20b、21a,21bを導通させて同電位とするための接合用導電パターン26、27並びに接合用電極28,29の構成が従来例と異なる。第1の接合用導電パターン26は、導電パターン23aと導電パターン23bの最も接近している部分を連結する連結部260と、連結部260の略中央から固定電極20a,20bと反対側に延出される延出部261とを有し、平面視略T字形に形成されている。同様に第2の接合用導電パターン27は、導電パターン24aと導電パターン24bの最も接近している部分を連結する連結部270と、連結部270の略中央から固定電極21a,21bと反対側に延出される延出部271とを有し、平面視略T字形に形成されている。なお、延出部261,271の先端はフレーム部3の端縁近傍まで達している。一方、第1の接合用電極28は、フレーム部3において電極部8a,8bよりも重り部4から離れた位置、具体的には、電極部8a,8bを挟んで重り部4と対向するフレーム部3の端部に配設されている。同様に第2の接合用電極29は、フレーム部3において電極部9a,9bよりも重り部5から離れた位置、具体的には、電極部9a,9bを挟んで重り部4と対向するフレーム部3の端部に配設されている。フレーム部3における前記端部にはそれぞれ凹部30,31が形成され、各凹部30,31の底面に金属の膜が成膜されることで第1及び第2の接合用電極28,29が形成されている。従来例で説明したように、第1及び第2の接合用導電パターン26,27が第1及び第2の接合用電極28,29に圧接接続されることで上部固定板2aの第1及び第2の固定電極20a,20b,21a,21bと重り部4を同電位に保つことができる。そして、センサチップ1と上部固定板2aとの接合工程の終了後、不要な第1及び第2の接合用導電パターン26,27がレーザビームの照射等によって切断される。ここで、本実施形態では接合用電極28,29がフレーム部3において電極部8a,...よりも重り部4,5から離れた位置に配設されている。そのため、従来例のように2つの重り部4,5に挟まれた幅細の部位に接合用電極100,101が設けられる場合と比較して、フレーム部3に残った接合用電極28,29の高温時の膨張や高温環境下での長時間放置による変形による不具合の発生が抑制できる。ところで、図2に示すように接合用電極28,29を構成する金属膜と凹部30,31の底面との間に台座32が配設されてもよい。つまり、台座32が配設されることで接合用電極28,29の厚みが小さくなり、熱による接合用電極28,29の総膨張量が減少してフレーム部3の応力が低減できる。なお、台座32は熱膨張係数がセンサチップ1を構成する半導体基板に近い材料、例えば、SiO2又はSiNで形成されることが好ましい。あるいは、図3に示すようにセンサチップ1を構成する半導体基板で台座32が形成されても構わない。"