発光素子であって、半導体層と、前記半導体層の第1面上に形成された発光積層構造物と、前記第1面の反対面である前記半導体層の第2面に形成され、前記第2面から垂直な方向へ延びるほど断面積が減少する複数の逆ピラミッド構造物とを含む発光素子。前記逆ピラミッド構造物の断面は、円形又は多角形を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記逆ピラミッド構造物の直径は0.5-5μmであり、逆ピラミッド構造物の間隔は0.5~10μmであることを特徴とする請求項2に記載の発光素子。前記半導体層は窒化物を含み、前記逆ピラミッド構造物の横断面は、前記第2面に平行であることを特徴とする請求項3に記載の発光素子。前記逆ピラミッド構造物と前記半導体層は、窒化物を含むことを特徴とする請求項3に記載の発光素子前記半導体層は、基板から分離された半導体層であり、前記逆ピラミッド構造物は、前記基板と前記半導体層の分離を容易にすることを特徴とする請求項5に記載の発光素子。前記逆ピラミッド構造物は、第1傾斜を有する第1逆ピラミッド構造物及び前記第1傾斜と異なる傾斜を有する第2逆ピラミッド構造物を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。前記第1逆ピラミッド構造物の断面積は、前記第2逆ピラミッド構造物の断面積よりも大きいことを特徴とする請求項2に記載の発光素子。発光素子であって、半導体層と、前記半導体層の第1面上に形成された発光積層構造物と、前記第1面の反対面である前記半導体層の第2面に形成された高さが異なる複数の凹凸とを含む発光素子。請求項1~9の発光素子を含む照明装置。発光素子を製造する方法であって、基板上にバッファ層を形成する段階と、前記バッファ層上に突出した複数のピラミッド構造物を形成する段階と、前記ピラミッド構造物の上部から結晶成長を通じて前記バッファ層と離隔した半導体層を形成し、前記ピラミッド構造物は、前記バッファ層と前記半導体層を連結している、段階と、前記半導体層上に発光積層構造物を形成する段階と、前記ピラミッド構造物を切断したり、又は前記ピラミッド構造物と前記バッファ層と接する面とを分離して前記半導体層と前記バッファ層とを分離する段階とを含む発光素子の製造方法。前記バッファ層上に突出した複数のピラミッド構造物を形成する段階は、前記バッファ層の一部を結晶成長させて複数のピラミッド構造物を形成する段階を含むことを特徴とする請求項11に記載の発光素子の製造方法。前記バッファ層の一部を結晶成長させる段階は、前記バッファ層上に露出パターンを有するマスク層を形成させる段階と、前記露出パターンにより露出する前記バッファ層の一部を結晶成長させる段階とを含むことを特徴とする請求項12に記載の発光素子の製造方法。前記半導体層及び前記発光積層構造物は、窒化物を含む物質を用いて形成され、前記半導体層を形成する段階及び前記発光積層構造物を形成する段階は、順次行われることを特徴とする請求項12に記載の発光素子の製造方法。前記半導体層と前記バッファ層を分離する段階は、前記ピラミッド構造物の一部を前記半導体層に残留させる段階を含むことを特徴とする請求項12に記載の発光素子の製造方法。前記半導体層と前記バッファ層とを分離する段階の後に、前記発光積層構造物の第1面に第1電極を形成し、前記ピラミッド構造物の一部が残留する前記半導体層の第2面に第2電極を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項15に記載の発光素子の製造方法。前記半導体層と前記バッファ層とを分離する段階の前に、前記発光積層構造物の第1面に第1電極を形成する段階を含むことを特徴とする請求項14に記載の発光素子の製造方法。前記ピラミッド構造物を切断して前記半導体層と前記バッファ層とを分離する段階は、物理的衝撃を利用することを特徴とする請求項15に記載の発光素子の製造方法。前記半導体層と前記バッファ層とを分離する段階は、前記基板にストレーンを加える段階を含むことを特徴とする請求項15に記載の発光素子の製造方法。発光素子の製造方法であって、基板上にバッファ層を形成する段階と、前記バッファ層を複数の個別の発光素子の領域に区分し、前記個別の発光素子の領域上に分離された個別の半導体層を形成し、前記個別の発光素子の領域に形成された前記個別の半導体層と前記個別の発光素子の領域に対応するバッファ層とは、複数の突起により連結されている段階と、前記個別の半導体層上に発光積層構造物を形成する段階と、前記ピラミッド構造物を切断したり、又は前記ピラミッド構造物と前記バッファ層と接する面とを分離して前記半導体層と前記バッファ層とを分離する段階とを含む発光素子の製造方法。前記バッファ層を複数の個別の発光素子の領域に区分し、前記個別の発光素子の領域上に分離された個別の半導体層を形成する段階は、前記複数の個別の発光素子の領域に該当する前記バッファ層を結晶成長させて前記複数の突起を形成する段階と、前記複数の突起上部を結晶成長させて前記個別の半導体層を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項20に記載の発光素子の製造方法。前記突起は、前記バッファ層から前記半導体層へ近づくほど断面積が狭くなるピラミッド構造物であり、前記突起を切断して前記個別の半導体層を前記バッファ層から分離する段階は、物理的な衝撃を加える段階を含むことを特徴とする請求項21に記載の発光素子の製造方法。前記半導体層と前記バッファ層を分離する段階は、前記切断された突起の一部を前記半導体層に残留させる段階を含むことを特徴とする請求項20に記載の発光素子の製造方法。前記半導体層と前記バッファ層とを分離する段階の後に、前記発光積層構造物の第1面に第1電極を形成し、前記突起の一部が残留する前記半導体層の第2面に第2電極を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項23に記載の発光素子の製造方法。前記半導体層と前記バッファ層とを分離する段階の前に、前記発光積層構造物の第1面に第1電極を形成する段階を含むことを特徴とする請求項23に記載の発光素子の製造方法。発光素子の製造方法であって、基板上にバッファ層を形成する段階と、前記バッファ層を複数の発光素子の領域に区分し、前記それぞれの発光素子の領域に複数のピラミッド構造物をそれぞれ形成する段階と、前記ピラミッド構造物の上部から、前記ピラミッド構造物を成長させて前記それぞれの発光素子の領域を区分する壁開面を有する半導体層を形成し、前記半導体層と前記バッファ層は、前記ピラミッド構造物により連結され、前記半導体層と前記バッファ層は離隔している段階と、前記半導体層上に発光積層構造物を形成して個別の予備発光素子を形成する段階と、前記ピラミッド構造物を切断して前記半導体層と前記バッファ層とを分離する段階と、前記壁開面を中心に前記個別の予備発光素子を分離する段階とを含む発光素子の製造方法。前記ピラミッド構造物を切断して前記半導体層及び前記バッファ層を分離する段階は、前記ピラミッド構造物を切断し、前記半導体層の一面に前記ピラミッド構造物の一部を残留させる段階を含むことを特徴とする請求項26に記載の発光素子の製造方法。前記ピラミッド構造物を切断して前記半導体層と前記バッファ層を分離する段階と前記壁開面を中心に前記個別の予備発光素子を分離する段階は、同時に行われることを特徴とする請求項26に記載の発光素子の製造方法。前記ピラミッド構造物の間隔を調節して前記壁開面の深さを調節する段階を含むことを特徴とする請求項26に記載の発光素子の製造方法。前記複数の発光素子の領域間の間隔は、前記発光積層構造物の高さの0.4倍~0.6倍よりも小さいことを特徴とする請求項26に記載の発光素子の製造方法。発光素子の製造方法であって、基板上にバッファ層を形成する段階と、前記バッファ層を複数の発光素子の領域に区分し、前記それぞれの発光素子の領域に複数のピラミッド構造物をそれぞれ形成する段階と、前記ピラミッド構造物の上部から、前記ピラミッド構造物を成長させて前記それぞれの発光素子の領域に該当し、互いに離隔している半導体層を形成し、前記半導体層と前記バッファ層とは、前記ピラミッド構造物により連結され、前記半導体層と前記バッファ層とは離隔している段階と、前記それぞれの半導体層上に発光積層構造物を形成して個別の発光素子を形成する段階と、前記ピラミッド構造物を切断してそれぞれの発光素子を形成する段階とを含む発光素子の製造方法。前記複数の発光素子領の域間の間隔は、前記発光積層構造物の高さの0.4倍~0.6倍よりも大きいことを特徴とする請求項31に記載の発光素子の製造方法。半導体基板テンプレートであって、基板上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層上に形成された複数のピラミッド構造物と、前記バッファ層と離隔し、前記複数のピラミッド構造物により前記バッファ層と連結されて前記バッファ層上に形成された半導体層とを含む半導体基板テンプレート。半導体基板テンプレートであって、基板上に形成され、複数の予備発光の領域に区分されるバッファ層と、前記複数の予備発光の領域の個別の予備発光の領域から上部に突出した複数の突起と、前記突起上に形成され、前記バッファ層と離隔し、前記個別の予備発光の領域上に形成された個別の半導体層とを含む半導体基板テンプレート。前記突起は、前記バッファ層から上部へ近づくほど断面積が減少するピラミッド構造物を含むことを特徴とする請求項34に記載の半導体基板テンプレート。発光素子を製造する方法であって、基板上にバッファ層を形成する段階と、前記バッファ層を複数の発光素子の領域に区分し、前記それぞれの発光素子の領域に複数のピラミッド構造物をそれぞれ形成する段階と、前記ピラミッド構造物の上部から、前記ピラミッド構造物を成長させて前記それぞれの発光素子の領域に該当するそれぞれの半導体層を形成し、前記半導体層と前記バッファ層とは、前記ピラミッド構造物により連結され、前記半導体層と前記バッファ層とは離隔している段階と、前記それぞれの半導体層上に発光積層構造物を形成し、前記それぞれの発光素子の領域間の間隔に対する前記発光積層構造物の高さの比を調節して個別の発光素子を形成する段階と、前記ピラミッド構造物を切断してそれぞれの発光素子を形成する段階とを含む発光素子の製造方法。本発明は前記のような短所を解決するために導き出されたものであって、その目的は、分離工程により半導体基板に損傷を与えない半導体テンプレート基板を提供することにある。本発明の他の目的は、優れた半導体発光素子を提供することにある。本発明の更に他の目的は、優れた半導体発光素子を製造する方法を提供することにある。本発明は、前記のような問題を解決するための方法に関連し、発光素子を形成する工程で、前記発光素子が基板から分離されるのに容易な分離層を利用する。前記分離層により本発明の一実施形態による発光素子は、逆ピラミッド構造物を含む。本発明の一態様による発光素子は、半導体層、発光積層構造物及び逆ピラミッド構造物を含む。発光積層構造物は、前記半導体層の第1面上に形成され、前記逆ピラミッド構造物は、前記第1面の反対面である前記半導体層の第2面に形成され、前記第2面から垂直な方向へ延びるほど横断面積が減少する。本発明の一態様は、発光素子の製造方法を提供する。基板上にバッファ層を形成する。前記バッファ層上に突出した複数のピラミッド構造物を形成する。前記ピラミッド構造物の上部から結晶成長を通じて前記バッファ層と離隔した半導体層を形成する。前記ピラミッド構造物は、前記バッファ層と前記半導体層とを連結する。前記半導体層上に発光積層構造物を形成する。前記ピラミッド構造物を切断したり、又は前記ピラミッド構造物と前記バッファ層と接する面を分離して前記半導体層と前記バッファ層とを分離する。本発明の一態様は、発光素子の製造方法を提供する。基板上にバッファ層を形成する。前記バッファ層を複数の個別の発光素子の領域に区分し、前記個別の発光素子の領域上に分離された個別の半導体層を形成する。前記個別の発光素子の領域に形成された前記個別の半導体層と前記個別の発光素子の領域に対応するバッファ層とは、複数の突起により連結される。前記個別の半導体層上に発光積層構造物を形成する。前記ピラミッド構造物を切断したり、又は前記ピラミッド構造物と前記バッファ層と接する面とを分離して前記半導体層と前記バッファ層とを分離する。本発明の一態様は、発光素子の製造方法を提供する。基板上にバッファ層を形成する。前記バッファ層を複数の発光素子の領域に区分し、前記それぞれの発光素子の領域に複数のピラミッド構造物をそれぞれ形成する。前記ピラミッド構造物の上部から、前記ピラミッド構造物を成長させて前記それぞれの発光素子領域を区分する壁開面を有する半導体層を形成する。前記半導体層と前記バッファ層とは、前記ピラミッド構造物により連結され、前記半導体層と前記バッファ層は離隔している。前記半導体層上に発光積層構造物を形成して個別の予備発光素子を形成する。前記ピラミッド構造物を切断して前記半導体層と前記バッファ層を分離する。前記壁開面を中心に前記個別の予備発光素子を分離する。本発明の一態様は、発光素子の製造方法を提供する。基板上にバッファ層を形成する。前記バッファ層を複数の発光素子の領域に区分し、前記それぞれの発光素子の領域に複数のピラミッド構造物をそれぞれ形成する。前記ピラミッド構造物の上部から、前記ピラミッド構造物を成長させて前記それぞれの発光素子の領域に該当し、それぞれ離隔している半導体層を形成する。前記半導体層と前記バッファ層とは、前記ピラミッド構造物により連結され、前記半導体層と前記バッファ層とは離隔している。前記それぞれの半導体層上に発光積層構造物を形成して個別の発光素子を形成する。前記ピラミッド構造物を切断してそれぞれの発光素子を形成する。本発明の一態様は、半導体基板テンプレートを提供する。半導体基板テンプレートは、基板上に形成されたバッファ層、前記バッファ層上に形成された複数のピラミッド構造物、前記バッファ層と離隔し、前記複数のピラミッド構造物により前記バッファ層と連結されて前記バッファ層上に形成された半導体層を含む。本発明の一態様は、半導体基板テンプレートを提供する。半導体基板テンプレートは基板上に形成され、複数の予備発光の領域に区分されるバッファ層、前記複数の予備発光の領域の個別の予備発光の領域から上部に突出した複数の突起、前記突起上に形成され、前記バッファ層と離隔し、前記個別の予備発光領域上に形成された個別の半導体層を含む。本発明によれば、絶縁基板から半導体基板を簡単に分離できるため、半導体基板に損傷を与えず、性能が優れた発光素子を製造できるという効果を奏する。また、別途の追加工程を要さずに半導体基板の下面に凹凸パターンを形成できるため、製造工程が簡単になり得る。更に、1つの半導体基板から個別の発光素子を分離する工程でも半導体基板に損傷を与えないことが可能である。以下では、添付の図面を参照して本発明の属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように本発明を詳細に説明する。まず、図1a及び図1bを参照して、本発明の実施形態による半導体結晶の製造方法を説明する。例えば、本実施形態は、サファイア基板を用いてn型GaN結晶を成長させることに対する実施例である。しかしながら、基板及びバッファ層、半導体層、発光積層構造物に用いられる材料は、このような実施形態により制限されない。段階S110で、絶縁性の基板10上にバッファ層20を形成し、バッファ層20上に複数の露出パターン39を有するマスク層30を形成する。図1aには、露出パターン39が円形で示されているが、露出パターン39は、四角形、三角形、六角形など多角形であってもよく、その配列も多様であり得る。基板10は、サファイア基板又は、シリコン、GaAs、InP、SiCを含む基板など多様な材料からなるグループの中から選択され得る。本発明の一実施形態において、バッファ層20は、GaN結晶を成長させて形成することができる。例えば、n型GaN結晶をHVPE結晶成長装置を用いて厚さ2~5μmに成長させて形成する。その他に、バッファ層はAlxGa1-xN0<x<1層又はAl2O3、AlN又はZnOを含むことができる。マスク層30の材料としては、SiO2やSi3N4、Cr又はAu又はTi又はNiなどのような金属を用いることができる。例えば、PECVDを用いてSiO2やSi3N4をバッファ層20上に500~5000Å程度の厚さに蒸着した後、フォトリソグラフィ工程で露出パターン39を形成してバッファ層20の一部が露出するようにする。その他に、SiO2やSi3N4を500~5000Å蒸着させて露出パターンを形成したり、又はCr若しくはAu若しくはTi若しくはNiなどのような金属metalを露出パターン形状に蒸着することができる。例えば、リフトオフ方式を用いてマスク層30を形成できる。バッファ層20上にフォトレジストを塗布し、露光工程を行う。その後、現像工程を行ってフォトレジストパターンを形成する。これにより、所望のパターン形状のバッファ層20が露出し、それ以外の部分は、フォトレジストパターンにより覆われている。バッファ層20上に形成されたフォトレジストパターン上に予備マスク層図示せずを形成する。そして、前記フォトレジストパターン及び前記フォトレジストパターン上に形成された予備マスク層を除去する。これにより、バッファ層20上に所望のパターンを有するマスク層30が形成されることができる。本発明の一実施形態において、露出パターン39が円形である場合、露出パターン39の直径は略0.5-5μmであり、隣接する露出パターン39の間隔は0.5~10μmである。段階S120で、露出パターン39により露出したバッファ層20から結晶を成長させる。例えば、HVPE結晶成長装置を用いてn型GaN結晶を選択的に成長させれば、マスク層30の露出パターン39の内部からピラミッド構造40が形成される。ピラミッド構造40とは、上部へ近づくほど断面積が狭くなる形状を意味する。例えば、ピラミッド構造物40は、円錐又は六角錐多角錐構造であり得る。例えば、GaNの基本結晶構造がウルツ鉱wurtzite構造であるため、露出パターン39により露出したバッファ層20から錐形状を有するように成長させれば、六角錐構造が形成され得る。このとき、ピラミッド構造物40の下面の直径は、露出パターン39と略同一であるか、やや大きく、露出パターン39の直径が0.5~5μmであるとき、ピラミッド構造物40の高さは、露出パターン39の直径の略1~1.5倍である0.5~7.5μm程度に形成されることができる。ピラミッド構造物40の下面は、過成長overgrowthして露出パターン39よりも広くなる。ピラミッド構造物40は、マスク層30上に突出する。ピラミッド構造物40は、六角錐構造で形成されることができる。本発明の一実施形態において、HVPEの結晶成長条件の一例は、以下の通りである。Gaの原料としてはGaメタルを用い、Nの原料としてはアンモニアNH3を用い、n型GaNを形成するために、Te又はSiをGa溶液に合成する。露出パターン39が形成された基板を反応管内に装着し、1000~1100°CでGaN結晶を成長させてn型GaNの六角錐構造を形成する。本発明の他の実施形態によれば、ピラミッド構造40の組成は、AlxGa1-xN0<x<1であり得る。ピラミッド構造40を成長させる際に用いるソースに変化を与え、バッファ層30の組成とピラミッド構造40の組成を同一に形成してもよく、異なるように形成してもよい。例えば、バッファ層20であるAlxGa1-xN0<x<1層を得るためには、バッファ層20の形成に用いられるGa溶液に入れるAlの量をGa1gに対して0gから数~数百mgを調節して組成xが0のGaNから組成xが1のAlNまで得られる。また、ピラミッド構造40の形成に用いられるGa溶液に入れるAlの量をGa1gに対して0gから数~数百mgを調節して組成xが0のGaNから組成xが1のAlNまで得られる。このように、バッファ層20の組成とピラミッド構造40の組成は、ソースの変化により調節される。即ち、バッファ層20の組成とピラミッド構造40の組成を同一に形成してもよく、異なるように形成してもよい。図5aは、本発明の実施形態によってピラミッド構造物40が形成された状態のSEM写真である。ピラミッド構造物40を形成した後、段階S130で、半導体層50を形成する。本発明の一実施形態において、半導体層50は、HVPE結晶成長装置を用いて形成されることができる。例えば、ピラミッド構造物40の側面で成長した成長層が結合して半導体層50が形成され得る。即ち、マスク層30ではバッファ層20から結晶が成長し難く、露出したピラミッド構造物40の傾斜した側面にGaN結晶が成長し始めて隣接する半導体層50で成長する結晶層が互いにくっつくようになり、半導体層50を形成する。本発明の一実施形態において、半導体層50の高さは、ピラミッド構造物40が半導体層50の厚さを支えられる厚さを有するようにすることが好ましい。例えば、半導体層50の高さは、1μm~100μmであり得る。本発明の一実施形態において、ピラミッド構造物40の組成は、GaN又はAlxGa1-xN0<x<1であり得る。成長方法においてピラミッド構造物40を成長するソースと半導体層50を成長するソースとを互いに異なるようにすれば、組成の異なる層が得られる。例えば、ピラミッド構造40を形成するために、Gaソースとアンモニアを反応させ、半導体層50を形成するために、GaソースとAlソース、そしてアンモニアを反応させる。これにより、ピラミッド構造物40はGaNが形成され、半導体層50はAlGaNが形成される。反応中において、Alの量を調節すれば、AlGaN層のAlの組成を調節できる。このような、ピラミッド構造40の組成は一例に過ぎず、ユーザがピラミッド構造40の形成に用いるソースに変化を与え、他の組成を有するピラミッド構造40を形成することも可能である。本発明の一実施形態において、半導体層50は上面が平らなflat平坦化層であり得る。例えば、ピラミッド構造物40の略1/2の高さからピラミッド構造物40の傾斜した側面に結晶が成長し始めて隣接するピラミッド構造物40で成長する結晶が互いにくっつくようになり、その後、領域全体が平坦になるまで成長を維持させて半導体層50を形成できる。半導体層50の下面は、ピラミッド構造物40の1/3の高さまで至るように形成されることができる。しかしながら、このような高さで本発明の思想が限定されることはない。半導体層50と、ピラミッド構造40及びマスク層30で取り囲まれる空いた空間部分が形成される。これにより、半導体層50の下面とマスク層30との間に分離層90になる。図5bは、本発明の実施形態によってピラミッド構造物40と半導体層50が形成された状態の側面SEM写真であって、ピラミッド構造物40隣の空き空間を確認できる。次に、段階S140で、前記半導体層50上に発光積層構造物60を形成する。例えば、n型AlGaNクラッド層、AlGaN活性層、p型AlGaNクラッド層、p型GaNキャップ層などを形成して発光積層構造物を形成できる。本発明の一実施形態において、HVPE結晶成長方法を用いて発光積層構造物60を形成できる。例えば、n型AlxGa1-xN0<x<1を含むクラッド層、AlxGa1-xN0<x<1を含む活性層、p型AlxGa1-xN0<x<1を含むクラッド層、p型GaNキャップ層を順次形成して発光積層構造物を形成できる。発光積層構造物60の各層に用いられる材料との積層順序は、所望の発光波長の範囲や光出力又は発光素子の種類によって適切に変更され得る。バッファ層20、半導体層50及び発光積層構造60が何れもHVPE方式で形成され得るので、バッファ層20、半導体層50及び発光積層構造物60は、順次形成できる。例えば、バッファ層20、半導体層50及び発光積層構造物60は、インサイチュin-situ工程で形成され得る。段階S150で、基板10、バッファ層20及びマスク層30を発光積層構造物60と分離させる。分離された表面には、不規則な凹凸が形成され得る。基板10などの分離は、超音波又は物理的振動、衝撃の印加によって実行され得る。例えば、発光積層構造物60が形成された基板10をアセトン又はメタノール又は蒸留水のような溶液に入れて超音波を加えれば、半導体層50とバッファ層20がピラミッド構造物40により連結されている分離層90で、ピラミッド構造物40が切断されることにより、分離が起きる。又は、ピラミッドの一番下の部分が基板から離れて分離が起きる。その他に、簡単な衝撃を印加することによって、ピラミッド構造物40を切断することもできる。これにより、半導体層50の下面51に逆ピラミッド構造物が形成される。逆ピラミッド構造物とは、半導体層50の下面から遠くなるほど横断面積が増加する構造物を意味する。即ち、半導体層50に形成される逆ピラミッド構造物は、発光素子と前記発光素子の形成のための基板10との分離を容易にする構造物である。その他に、レーザビームを照射して分離を行っても、このような分離は、従来のレーザリフトオフ方法に比べて、相対的に結合力が弱い分離層90のピラミッド構造物40にレーザビームを照射して分離するものである、よって、レーザビームによる熱的、機械的損傷がピラミッド下部部分の狭い領域にのみ加えられるので、基板分離時の発光積層構造物60に損傷を与えることなく、基板10の分離が可能である。また、その他に、基板10及び/又はバッファ層20にストレーンを加えてピラミッド構造物40にストレスを発生させ、ピラミッド構造物40を切断できる。分離層90があるため、発光素子の基板10からの分離が容易であり、複雑な工程が省略され、基板10から発光素子を分離する場合、発光素子の半導体層50に損傷を発生させないため、品質の良い発光素子を製造できる。図5cは、分離された発光積層構造の下面のSEM写真であって、ピラミッド構造物40が切断されることにより形成された凹凸パターンを確認できる。次に、段階S160で、発光積層構造物60の上部にp型電極71を形成し、分離された半導体層50の下面51にn型電極72を形成して発光素子を形成する。n型電極72は、前記逆ピラミッド構造物上に形成されてもよく、半導体層50の下面51に形成されてもよい。また、それぞれの電極71、72は、設計によって別途の中間層を形成した後に完成することもできる。このとき、半導体層50の下面51は、ピラミッド構造物40の切断によって逆ピラミッド構造物が形成されることができる。また、ピラミッドの下が基板から離れているので、別途のパターン工程がなくても半導体層50の下面51に突起パターンが形成されるという効果があり得る。設計によって、p型電極71は、発光積層構造物60の形成S140後、分離段階S150の前に直ちに形成しても構わない。また、S140段階によって基板10との分離工程以前の構造である半導体層50まで形成された基板10を半導体テンプレート基板として用いることができる。前記半導体テンプレート基板上に多様な電子素子構造などを形成した後、分離層を分離して多様な垂直型の半導体素子を製作することも本発明の1つになり得ることも当然である。次に、図2a及び2bを参照して、本発明の他の実施形態による発光素子の製造方法を説明する。第2の実施形態は、第1の実施形態と類似するが、分離層の領域を結合力の異なる領域にを形成して発光素子を製造する方法に関するものである。従って、マスク層30を形成するとき、図2aのように相対的に結合力が大きい第1領域31と、相対的に結合力が小さい領域32とに分けて露出パターンの直径と間隔を異なるように形成する。即ち、相対的に結合力が大きい第1領域31は、結合力が小さい第2領域32に比べて、露出パターンの直径と間隔が更に小さくなっている。例えば、第1領域31の露出パターンの直径と間隔を1μmにし、第2領域32の露出パターンの直径と間隔を3μm程度にすることができる。このような場合、図2bのように、ピラミッド構造40を形成するとき、第1領域31で形成されるピラミッド構造物40は、第2領域32のピラミッド構造物40よりも傾斜度が急峻であり、六角錐同士で更に密着しているため、相対的に空き空間が少なくなる。従って、マスク層30と半導体層50との間の分離層90は、相対的に結合力の小さい第1分離部91と相対的に結合力の大きい第2分離部92とに分けて形成される。基板に多数の発光素子を形成する場合に、半導体層50形成後の工程などで発生し得る物理的な力によって相対的に結合力の小さい第2分離部が分離されても、相対的に結合力の大きい第1分離部91によって発光積層構造物が支持されるようにする。従って、第2の実施形態の場合は、分離層90の分離前にp型電極をまず形成する場合に有用である。次に、図3a~図3dを参照して、本発明の更に他の実施形態による発光素子の製造方法を説明する。前記で説明した発光素子の製造方法は、1つの発光素子を製造する方法を中心に説明したが、本実施形態の発光素子の製造方法は、1つの基板上に多数の発光素子を形成し、これを基板から容易に分離するだけでなく、多数の発光素子を互いに容易に分離できる発光素子の製造方法に関するものである。よって、図1と類似の製造方法については、その詳細な説明を省略する。まず、図1を参照して説明したように、基板10上にバッファ層20を形成し、バッファ層20上に、図3aに示すようなマスク層30を形成する。マスク層30は、多数の発光チップ領域Aを有している。図3aでは説明の便宜上、それぞれの発光チップ領域Aを四角形で示したが、発光チップ領域Aは、四角形に限定されるものではなく、円形又は六角形など多様な設計によって形成できる。それぞれの発光チップ領域Aは、所定のチップ間隔dだけ離隔している。マスク層30のそれぞれの発光チップ領域内には、複数の露出パターン39が形成されている。例えば、本発明の一実施形態において、マスク層30を形成した後、図3bのように、HVPE方式を用いてバッファ層20から結晶を選択的に成長させて複数のピラミッド構造物40を形成し、次いで半導体層50を形成する。このとき、半導体層50をそれぞれの個別の発光積層構造物に区分する壁開面55が形成されることができる。壁開面55の深さは、チップ間隔d、工程の条件などを通じてユーザの所望する深さに調節され得る。また、本発明の一実施形態において、形成される発光積層構造物60の高さをhとするとき、高さhとチップ間隔dとの比率を調節することにより、壁開面55の深さが調節されることもできる。例えば、チップ間隔dが高さhの0.4~0.6倍よりも小さくなるように調節して、図3cに示すように、半導体チップ50の一部のみ連結され、発光積層構造物60はそれぞれ分離された構造物を形成できる。半導体層50の形成が完了すれば、図3cのように、半導体層50上に発光積層構造物60を形成する。このとき、発光積層構造物60は、半導体層50の壁開面51によりそれぞれの発光チップ領域に区分されて形成される。図3cのように発光積層構造物まで形成された後は、それぞれの発光素子を垂直及び水平方向に分離する。前記分離工程は、多様な順序で実行され得る。例えば、図3dのように分離層90を中心に超音波、振動、衝撃などを加えて垂直方向に基板などをまず分離し、次に、それぞれの発光素子を水平方向に分離できる。水平方向の分離は、物理的衝撃、加圧などの多様な方法で実行され得、例えば素子上にフィルムを貼り付けた後、ローラで圧着してそれぞれの発光素子を分離できる。その他に、適切な振動又は圧力を加えて垂直方向の分離と水平方向の分離を同時に行うこともできる。次に、発光積層構造物60の上部にp型電極図示せずを形成し、分離された半導体層50の下面にn型電極図示せずを形成して発光素子を完成する。それぞれの電極は、設計によって別途の中間層を形成した後に完成してもよい。場合によって、p型電極図示せずは垂直分離段階の前又は後、水平分離段階の後のうち、適切な時期に形成できる。また、n型電極図示せずは、水平分離段階の前又は後に形成できる。p型電極図示せずとn型電極図示せずをそれぞれの発光チップに分離した後に形成する場合は、図4のような電極形成用ジグ200を用いることができる。ジグ200は、多数の発光チップをそれぞれ収容できる適切な大きさのチップ容器部210をマトリックス状で備える。チップ選別器によりチップを選別してジグ200のそれぞれのチップ容器部210に入れた後、電極を形成する。図3e~図3gを参照すれば、本発明の他の実施形態において、マスク層30を形成した後、バッファ層20から結晶を選択的に成長させて複数のピラミッド構造物40を形成し、次いで半導体層50を形成する。このとき、図3eに示すように、半導体層50は、個別の発光素子単位で互いに分離されて形成されることができる。例えば、チップ間隔dが高さhの0.4~0.6倍よりも大きくなるように調節して個別に分離された半導体層50及び個別の発光素子構造物60を形成できる。即ち、図3fに示すように、それぞれの半導体層50上に発光素子構造物60を形成し、図3gに示すように、分離して個別の発光素子構造物60が得られる。その後、発光積層構造物60の上部にp型電極図示せずを形成し、分離された半導体層50の下面にn型電極図示せずを形成して発光素子を完成する。本発明の発光素子は、半導体層のピラミッド構造上に半導体層を形成した後に発光積層構造物を形成することによって、結晶欠陥密度が減少し、基板依存性を最小限に抑えられる。また、本発明は、垂直型発光素子の製造時に高価な伝導性金属基板を用いる必要がないだけでなく、絶縁性基板を用いる際に必須のレーザリフトオフ工程が不要とあり、簡単に基板を分離できるため、有用である。従って、垂直型発光素子の生産工程が簡単になり、生産コストも大幅に下げられる。更に、本発明による実施形態では、発光チップ領域のチップ間隔と発光積層構造物の高さを調節して発光チップ領域の六角錐構造を形成して平坦化窒化物半導体層を形成するので、垂直分離だけでなく、発光チップ間の水平分離も容易にできるようにし、生産工程を単純化させることができる。本発明の発光素子の製造方法によれば、平坦化窒化物半導体層の下面が、六角錐構造が一部切り取られた形状の凹凸パターンが形成されることで、追加の工程なしに光放出効率が最大化され得る発光素子を提供できる。以上で本願発明の技術的特徴を特定の実施形態を中心に説明したが、本願発明の属する技術分野において通常の知識を有する者であれば、本発明による技術的思想の範囲内でも多様な変形及び修正を加えられることは自明である。