"下記化学式1又は化学式2で表されるカルバゾール誘導体。一対の電極間に発光層を含む1層又は複数層の有機層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の少なくとも1層が、請求項1記載のカルバゾール誘導体の重合物を含有していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。前記有機層の少なくとも1層が、ホスト材料としての請求項1記載のカルバゾール誘導体の重合物と、ゲスト材料としての蛍光又はリン光材料とを含有していることを特徴とする請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。前記化学式2で表されるカルバゾール誘導体の重合物、又は、前記化学式1で表されるカルバゾール誘導体と前記化学式2で表されるカルバゾール誘導体との混合物の重合物を含有する有機層と電極との間に電子輸送層の塗布膜が形成されていることを特徴とする請求項2又は3に記載のエレクトロルミネッセンス素子。しかしながら、上記特許文献1~4に記載されている重合性材料は、主骨格にホール輸送性に優れるが、電子輸送性に劣るアリールアミンを有しており、これらの材料の適用は、ホール注入又は輸送層に限られていた。これによれば、重合性ホール注入又は輸送層の上層に発光層を塗布積層することは可能であるが、重合性発光層でない場合、その上層の電子輸送層は、低分子材料の真空蒸着による成膜あるいはアルコール可溶性材料の塗布成膜により形成する必要があった。このため、塗布成膜において使用する溶媒の種類に限定されない電子輸送層の材料選択を可能とするためには、発光層のホスト材料にも適用し得る重合性材料が求められる。さらには、発光層に好適なバイポーラ電荷輸送性及び高い発光量子収率を同時に実現し得る重合性ホスト材料が望まれる。本発明は、上記技術的課題を解決するためになされたものであり、塗布成膜において、使用する溶媒の種類に限定されることなく、各層が機能分離された多段積層を可能とする重合性材料、特に、発光層の上に電子輸送層の塗布を可能とするために、発光層のホスト材料としても適用し得る重合性材料及びこれを用いた有機EL素子を提供することを目的とするものである。本発明によれば、上記技術的課題を解決するものとして、下記化学式1又は化学式2で表されるカルバゾール誘導体が提供される。上記のようなカルバゾール誘導体は、熱重合性材料であり、かつ、ホスト材料として適用し得るため、塗布成膜による有機EL材料として好適に用いることができる。本発明に係る有機EL素子は、一対の電極間に発光層を含む1層又は複数層の有機層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機層の少なくとも1層が、前記カルバゾール誘導体の重合物を含有していることを特徴とする。上記の本発明に係るカルバゾール誘導体を用いることにより、有機EL素子を構成する各層の積層を塗布成膜により好適に行うことができる。前記有機EL素子においては、前記有機層の少なくとも1層が、ホスト材料としての前記カルバゾール誘導体の重合物と、ゲスト材料としての蛍光又はリン光材料とを含有していることが好ましい。前記カルバゾール誘導体は、発光層におけるホスト材料としても好適に用いることができる。上記有機EL素子においては、前記化学式2で表されるカルバゾール誘導体の重合物、又は、前記化学式1で表されるカルバゾール誘導体と前記化学式2で表されるカルバゾール誘導体との混合物の重合物を含有する有機層と電極との間には、電子輸送層の塗布膜も好適に形成することができる。本発明に係るカルバゾール誘導体は、塗布成膜において、使用する溶媒の種類に限定されることなく、各層が機能分離された多段積層構造の形成を可能とする優れた熱重合性材料である。前記カルバゾール誘導体によれば、特に、発光層の上に電子輸送層の塗布成膜が可能となり、かつ、発光層のホスト材料としても機能し得る。したがって、前記カルバゾール誘導体を用いた本発明に係る有機EL素子は、大面積かつ低コストな表示素子や光源としての有効利用が期待される。以下、本発明について、より詳細に説明する。本発明に係るカルバゾール誘導体は、上記化学式1又は化学式2で表される構造からなる。これらの化合物は、一般的なホスト材料である、カルバゾール誘導体の4,4’-ビスカルバゾール-9-イルビフェニル略称:CBPにビニルベンジルエーテル基を導入したものであり、化学式1は1つ導入したもの略称:V-CBP、化学式2は2つ導入したもの略称:DV-CBPである。ビニルベンジルエーテル基は、有機半導体の光電気特性へ影響を与えることが懸念される重合開始剤を必要とせず、比較的に低い温度で熱重合する。本発明は、このビニルベンジルエーテル基を、一般的なホスト材料であるCBPに導入することにより、重合性材料とホスト材料との両機能を併せ持つ新規なカルバゾール誘導体であるV-CBP、DV-CBPを合成したことに基づくものである。V-CBP及びDV-CBPの合成方法は特に限定されるものではないが、それらの合成経路の一例を下記に示す。まず、9H-カルバゾールと4,4’-ジヨードビフェニルを出発原料としたウルマン反応によりCBPが得られる。カルバゾール部位の3位にビルスマイヤー-ハック反応によりホルミル基を導入し、水素化ホウ素ナトリウムで還元することによりアルコール体が得られる。そして、ウィリアムソンエーテル法により4-ビニルベンジルクロライドとカップリングさせることにより、目的化合物であるV-CBPとDV-CBPを合成することができる。なお、それぞれの具体的な合成例は、下記実施例に示す。また、本発明に係る有機EL素子は、前記V-CBP又はDV-CBPの重合物を、一対の電極間に発光層を含む1層又は複数層の有機層を備えた有機EL素子の前記有機層の少なくとも1層に含有しているものである。このような有機EL素子の構成は、具体的には、第1の電極/発光層/第2の電極、第1の電極/ホール注入層/発光層/第2の電極、第1の電極/ホール注入層/発光層/電子輸送層/第2の電極、第1の電極/ホール注入層/ホール輸送層/発光層/電子輸送層/第2の電極等の構造等が挙げられる。さらに、ホール輸送発光層、電子注入層、電子輸送発光層等をも含む公知の積層構造とすることもできる。前記V-CBP又はDV-CBPの重合物は、上記積層構造におけるいずれの有機層に用いられてもよく、ホール輸送材料、発光材料、電子輸送材料とともに分散して用いたり、また、これらの分散させた層中へ発光色素をドープしたりすることも可能である。前記V-CBP又はDV-CBPの重合物は、蛍光又はリン光材料をゲスト材料とした場合に、ホスト材料として機能し得ることから、発光層においても好適に適用することができる。また、DV-CBPの重合物、又は、V-CBPとDV-CBPとの混合物の重合物を発光層におけるホスト材料として用いた場合、発光層の不溶化も図られるため、その上に、電子輸送層を塗布成膜によって形成することが可能となる。すなわち、DV-CBPの重合物、又は、V-CBPとDV-CBPとの混合物の重合物を含有する有機層と電極との間においても、機能分離された電子輸送層の塗布膜を積層させることができる。したがって、有機EL素子の積層構造において、電極等の金属層以外の有機層は、すべて塗布膜により形成することが可能となる。前記有機EL素子の積層構造において、本発明に係る重合性材料であるカルバゾール誘導体以外の成膜材料は、特に限定されるものではなく、公知のものから適宜選択して用いることができ、低分子系又は高分子系のいずれであってもよい。前記各層の膜厚は、各層同士の適応性や求められる全体の層厚さ等を考慮して、適宜状況に応じて定められるが、通常、5nm~5μmの範囲内であることが好ましい。上記各層の成膜方法は、蒸着法やスピンコート等の塗布法等のいずれでもよいが、上記のように、本発明に係るカルバゾール誘導体は、素子の大面積化や低コスト化に有利な塗布成膜において、特にその優位性を発揮し得るものであることから、塗布法がより好ましい。以下、本発明を実施例に基づきさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。合成例1V-CBPの合成9H-カルバゾール18.0g,0.108mol、4,4’-ジヨードビフェニル20.0g,0.0492mol、銅粉8.6g,0.135mol、炭酸カリウム54.4g,0.394mol、18-クラウン-6-エーテル2.6g,9.8mmol、o-ジクロロベンゼン125mLを、窒素雰囲気下、175°Cにて20時間加熱撹拌した。室温まで放冷後、クロロホルムに溶解させ、セライトにより不溶物をろ過した。ろ液を水に注ぎ、水相をクロロホルムにて抽出し、有機層を飽和食塩水にて洗浄後、硫酸マグネシウムにより乾燥させた。溶液を減圧下にて濃縮後、メタノールを加え、析出した白色固体をろ過し、目的物CBPを得た。収量22.8g、収率95であった。なお、生成物は、1H-NMR、13C-NMR及び元素分析により同定した以下、同様。次に、CBP10.0g,21.2mmolをクロロベンゼン150mL、DMF40.0mL,0.44molに溶解させ、窒素雰囲気下にてフォスフォリルクロライド1.80mL,19.8mmolを滴下した。95°Cにて24時間加熱撹拌し、反応溶液を氷塊に注いだ。溶液を炭酸カリウムにて中和後、水相をクロロホルムにて抽出し、有機層を飽和食塩水にて洗浄後、硫酸マグネシウムにより乾燥した。溶液を減圧下にて濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーDCMにより精製し、目的物CBP-CHOを白色固体として得た。収量4.78g、収率44であった。CBP-CHO2.00g,3.90mmolにTHF150mL、EtOH100mL、NaBH41.32g,35.1mmolを加え、24時間撹拌した。水を加え反応を停止後、有機溶媒を減圧下にて留去させた。0.1M水酸化ナトリウム水溶液、水、クロロホルムにより洗浄し、目的物CBP-CH2OHを白色固体として得た。収量1.97g、収率97であった。CBP-CH2OH1.00g,1.95mmolをDMF30mLに溶解させ、窒素下にてNaH流動パラフィン分散,min.55,0.14g,3.0mmolを加え、3時間撹拌した。反応溶液を0°Cに冷却し、4-ビニルベンジルクロライド0.39mL,2.9mmolを滴下した。60°Cにて24時間加熱撹拌後、水を加え反応を停止させた。水相をDCMにて抽出し、有機層を飽和食塩水にて洗浄後、硫酸マグネシウムにより乾燥させた。溶液を減圧下にて濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーDCM:ヘキサン=3:2により精製し、目的物V-CBPを白色固体として得た。収量0.50g、収率40であった。合成例2DV-CBPの合成CBP10.0g,21.2mmolをクロロベンゼン150mL、DMF40.0mL,0.44molに溶解させ、窒素雰囲気下にてフォスフォリルクロライド47mL,0.52molを滴下した。95°Cにて9時間加熱撹拌し、反応溶液を氷塊に注いだ。溶液を炭酸カリウムにて中和後、水相をクロロホルムにて抽出し、有機層を飽和食塩水にて洗浄後、硫酸マグネシウムにより乾燥させた。溶液を減圧下にて濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーDCM:EtOAc=1:0~99:1により精製し、目的物CBP-2CHOを白色固体として得た。収量5.50g、収率48であった。CBP-2CHO5.00g,9.26mmolにTHF200mL、EtOH120mL、NaBH41.69g,44.7mmolを加え、24時間撹拌した。水を加え反応を停止後、有機溶媒を減圧下にて留去させた。0.1M水酸化ナトリウム水溶液、水、クロロホルムにより洗浄して、目的物CBP-2CH2OHを白色固体として得た。収量4.90g、収率97であった。CBP-2CH2OH1.00g,1.80mmolをDMF80mLに溶解させ、窒素下にてNaHパラフィン分散,min.55,0.25g,5.4mmolを加え、3時間撹拌した。反応溶液を0°Cに冷却し、4-ビニルベンジルクロライド0.76mL,5.4mmolを滴下した。60°Cにて24時間加熱撹拌後、水を加え反応を停止させた。水相をDCMにて抽出し、有機層を飽和食塩水にて洗浄後、硫酸マグネシウムにより乾燥させた。溶液を減圧下にて濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーDCM:ヘキサン=3:2、分取GPC1,2-ジクロロエタンにより精製し、目的物DV-CBPを白色固体として得た。収量0.45g、収率32であった。上記により合成したV-CBP及びDV-CBPについて、以下の実施例において各種特性評価を行った。実施例1熱重量測定TGATGAは、熱量分析装置SEIKOEXSTAR6000TGDTA6200unitを用いて、試料をアルミパンに載せ、昇温速度10°C/minで測定した。重量5減衰時の温度から、V-CBPとDV-CBPの分解温度を375°Cと見積もった。実施例2示差走査熱量DSC測定DSCは、示差走査熱量計PerkinElmerDiamondDSCPyrisを用いて、試料をアルミパン中に封印し、昇温速度10°C/mi冷却速度、100°C/minで測定した。V-CBPは、72°Cにガラス転移に由来する吸熱ピークと、159°Cに重合反応によるブロードな発熱ピークが観測された。DV-CBPは、177°Cに融解に由来する吸熱ピークと、183°Cに重合反応による発熱ピークが観測された。V-CBP及びDV-CBPのいずれも、降温後、再度昇温したところ、明確なピークは現れず、重合後は熱的に安定であることが確認された。実施例3熱重合薄膜の不溶性試験重合後のV-CBP及びDV-CBP薄膜の不溶性試験を行った。重合膜は、グローブボックス内の窒素雰囲気下にて石英基板上にスピンコート後、180°Cで30分間加熱することにより成膜した。各重合膜をクロロホルム、o-ジクロロベンゼン、THFに30分間浸漬し、紫外-可視UV-vis吸収スペクトル測定島津製作所UV3150紫外可視近赤外分光光度計から吸光度の変化を確認した。DV-CBPの重合膜は、UV-vis吸収スペクトルにおいて吸光度は減少せず、非常に高い不溶性を有していた。重合基を1つだけ持つV-CBPは線状のポリマーを生成するが、重合基を2つ持つDV-CBPは3次元的に架橋したポリマーを生成するため、より高い不溶性を示したと考えられる。また、V-CBPとDV-CBPを重量比1:1で混合した重合膜も、同様に高い不溶性を示した。これにより、塗布成膜したDV-CBP又はV-CBPとDV-CBPの混合物は熱重合膜となることにより、その上に電子輸送層等を塗布成膜可能であることが示された。実施例4フォトルミネッセンスPLスペクトル測定蛍光分光光度計JobinYvonSpexFluroMax2を用いて、V-CBP、DV-CBPの重合膜のPLスペクトルを測定したところ、386nm、380nmにそれぞれ最大発光波長を持つ青色発光が認められた。実施例5リン光スペクトル測定ストリークカメラ及びクライオスタット浜松ホトニクス製を用いて、5KにおけるDV-CBPの重合膜のリン光スペクトルを測定した。短波長側の発光端からDV-CBPの重合膜の三重項エネルギーを2.60eVと見積もった。DV-CBPはCBP2.60eVと同等の三重項エネルギーを有することが認められた。実施例6イオン化ポテンシャルIp測定光電子収量分光法により、DV-CBPの重合膜のイオン化ポテンシャルIpを測定した。大気下の測定にはAC3理研計器、真空下の測定にはPYS202Y住友重機械工業を用いた。また、UV-vis吸収スペクトルの吸収端から光学エネルギーギャップを求め、イオン化ポテンシャルとの差から電子親和力Eaを見積もった。DV-CBPの重合膜のIpは、大気下で6.10eV、真空下で6.20eVであり、Eaは2.75eVであった。一方、CBPは、Ipが大気下で6.10eV、真空下で5.91eV、Eaが2.66eVであった。このように、DV-CBPの重合膜のIpとEaは、その主骨格であるCBPと同等の値を示し、熱重合基はCBPの電子状態に影響を与えていないことが確認された。実施例7蛍光材料ドープ膜の発光量子収率PLQE測定DV-CBPに青色蛍光材料4,4’-ビス[4-ジフェニルアミノスチリル]ビフェニル略称:BDAVBiを8wtの濃度でドープした薄膜のPLQEを測定した。DV-CBPポリマーのドープ膜は、グローブボックス内の窒素雰囲気下、石英基板上にスピンコート後、180°Cにて30分間加熱することにより成膜した。DV-CBPをホストに用いた場合、PLQEは0.75であり、CBPの0.78と同等の高い効率を示した。このことから、ホストから蛍光ドーパントへ効率的に励起子が移動していること、及び、熱重合基が消光剤として働いていないことが認められた。また、DV-CBPは熱のみで重合し、発光材料の光学特性に影響を及ぼす懸念のある開始剤を用いていないことも、高いPLQEの一因であると考えられる。以下、DV-CBPを有機EL素子に適用した実施例を示す。実施例8DV-CBPを用いた塗布型青色蛍光有機EL素子図1に示すような層構成からなる有機EL素子を作製した。インジウム-スズ酸化物略称:ITO付きガラス基板陽極1上にポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸略称:PEDOT:PSSの水分散液をスピンコートした後、120°Cにて10分間加熱し、バッファ層240nmを成膜した。次いで、青色蛍光材料4,4’-ビス[4-ジフェニルアミノスチリル]ビフェニル略称:BDAVBiとDV-CBPを重量比1:12の割合で混合し、1,2-ジメトキシエタンに溶解させ、PEDOT:PSS上にスピンコートした後、180°Cにて30分間加熱し、不溶性の発光層340nmを成膜した。さらに、2,2’,2-1,3,5-ベンゼントリイルトリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:TPBiを1,2-ジクロロエタンに溶解させ、不溶性の発光層上にスピンコートした後、135°Cにて1時間加熱し、電子輸送層450nmを成膜した。最後に、電子注入層5としてLiF1nmと、Al陰極680nmを真空蒸着により成膜した。上記において作製した有機EL素子の層構成は以下のとおりである。なお、spはスピンコート塗布、vdは真空蒸着による成膜であることを意味する以下、同様。ITO/PEDOT:PSS40nm,sp/DV-CBP:8wtBDAVBi40nm,sp/TPBi50nm,sp/LiF1nm,vd/Al80nm,vdまた、ホスト材料にV-CBPとDV-CBPを重量比1:1で混合した重合膜を用いた場合も、上記のDV-CBP単独と同様に高い不溶性を示し、発光層上にさらに電子輸送層を塗布成膜することができた。このように、塗布成膜後、重合し不溶化する材料を発光層に用いることにより、アルコール可溶性材料に限られていた電子輸送層の塗布成膜が、本実施例で用いた1,2-ジクロロエタンのような溶解性の高い溶媒でも可能となった。実施例9塗布型緑色リン光有機EL素子ITO付きガラス基板陽極1上にPEDOT:PSSの水分散液をスピンコートし、120°Cにて10分間加熱し、バッファ層220nmを成膜した。DV-TCTA化17をp-キシレンに溶解させ、PEDOT:PSS上にスピンコートした後、180°Cにて30分間加熱し、不溶性のホール輸送層720nmを成膜した。次いで、トリス[2-4-トルイルピリジン]イリジウムIII略称:Irmppy3とDV-CBPを重量比1:12の割合で混合し、1,2-ジメトキシエタンに溶解させ、不溶性のホール輸送層7上にスピンコートした後、180°Cにて30分間加熱し、不溶性の発光層340nmを成膜した。さらに、TPBiを1,2-ジクロロエタンに溶解させ、不溶性の発光層3上にスピンコートした後、135°Cにて1時間加熱し、電子輸送層450nmを成膜した。最後に、電子注入層5としてLiF1nmと、Al陰極680nmを真空蒸着により成膜した。上記において作製した有機EL素子の層構成は以下のとおりである。ITO/PEDOT:PSS20nm,sp/DV-TCTA20nm,sp/DV-CBP:8wtIrmppy320nm,sp/TPBi50nm,sp/LiF1nm,vd/Al80nm,vd"