画素回路と、前記画素回路を駆動する駆動回路とを具備し、前記画素回路は、第1電源線と第2電源線との間に直列に接続される第1トランジスターおよび発光素子と、一端が前記第1トランジスターにおいて前記第1電源線とは非接続側のノードに接続され、他端が信号線に接続された容量素子と、を含み、前記駆動回路は、第1期間に、前記第1電源線に対して高位側の第1電位または低位側の第2電位のうち、前記第2電位を供給し、前記第1トランジスターのゲートに対して当該第1トランジスターを導通状態とさせる初期化電位を供給し、前記第1期間の後の第2期間に、前記第1電源線に対して前記第1電位を供給し、前記第1トランジスターのゲートに対して前記初期化電位を供給し、前記信号線に対して、当該第2期間の途中で前記第1トランジスターのゲートおよびソース間の電圧が低くなる方向に変化させた後に、前記容量素子にセット電流が流れるように、電位が時間的に変化する波形信号を供給し、前記第2期間の後の第3期間に、前記第1トランジスターのゲートに、階調レベルに応じた電位のデータ信号を供給することを特徴とする電気光学装置。前記駆動回路は、前記波形信号を、前記第2期間の途中で前記第3電位から第4電位に変化させた後に前記第4電位から前記第3電位に向かって直線的に変化させることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。前記駆動回路は、前記波形信号を、前記第3期間の終了点まで含むように前記第4電位から前記第3電位に向かって変化させることを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。前記駆動回路は、前記波形信号を、前記第1期間から前記第2期間の途中まで前記第3電位とさせることを特徴とする請求項3に記載の電気光学装置。前記画素回路は、前記第1トランジスターのゲートとデータ線との間に配置した第2トランジスターを含み、前記駆動回路は、前記第2トランジスターを、前記第1期間、前記第2期間および前記第3期間に導通状態とし、前記データ線に、前記第1期間および第2期間に前記初期化電位を供給し、前記第3期間に前記データ信号を供給することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の電気光学装置。前記データ線と、前記初期化電位が給電される給電線との間に配置した第3トランジスターを有し、前記第3トランジスターは、前記第1期間および第2期間において導通状態になることを特徴とする請求項5に記載の電気光学装置。第1電源線と第2電源線との間に直列に接続される第1トランジスターおよび発光素子と、一端が前記第1トランジスターにおいて前記第1電源線とは非接続側のノードに接続され、他端が信号線に接続された容量素子と、を含む電気光学装置の駆動方法であって、第1期間に、前記第1電源線に高位側の第1電位または低位側の第2電位のうち、前記第2電位を供給し、前記第1トランジスターのゲートに該第1トランジスターを導通状態とさせる初期化電位を供給し、前記第1期間の後の第2期間に、前記第1電源線に対して前記第1電位を供給し、前記第1トランジスターのゲートに対して前記初期化電位を供給し、前記信号線に対して、当該第2期間の途中で前記第1トランジスターのゲートおよびソース間の電圧が低くなる方向に変化させた後に、前記容量素子にセット電流が流れるように、電位が時間的に変化する波形信号を供給し、前記第2期間の後の第3期間に、前記第1トランジスターのゲートに階調レベルに応じた電位のデータ信号を供給することを特徴とする電気光学装置の駆動方法。請求項1乃至6のいずれかに記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。しかしながら、この技術では、発光素子に電流を供給するトランジスターの閾値電圧を補償する動作が、映像信号のサンプリングに先行する複数の水平周期で繰り返し実行されるので、その分だけ、発光期間の時間長が短くなる。したがって、発光期間の時間長を十分に確保することが困難であるという問題があった。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的の1つは、サンプリングに先行する期間においてトランジスターのゲートソース間に目的とする電圧にセットするのに要する時間を短くして、その分、発光期間の時間長を確保することにある。上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置にあっては、画素回路と、前記画素回路を駆動する駆動回路とを具備し、前記画素回路は、第1電源線と第2電源線との間に直列に接続される第1トランジスターおよび発光素子と、一端が前記第1トランジスターにおいて前記第1電源線とは非接続側のノードに接続され、他端が信号線に接続された容量素子と、を含み、前記駆動回路は、第1期間に、前記第1電源線に対して高位側の第1電位または低位側の第2電位のうち、前記第2電位を供給し、前記第1トランジスターのゲートに対して当該第1トランジスターを導通状態とさせる初期化電位を供給し、前記第1期間の後の第2期間に、前記第1電源線に対して前記第1電位を供給し、前記第1トランジスターのゲートに対して前記初期化電位を供給し、前記信号線に対して、当該第2期間の途中で前記第1トランジスターのゲートおよびソース間の電圧が低くなる方向に変化させた後に、前記容量素子にセット電流が流れるように、電位が時間的に変化する波形信号を供給し、前記第2期間の後の第3期間に、前記第1トランジスターのゲートに、階調レベルに応じた電位のデータ信号を供給することを特徴とする。本発明によれば、第2期間において、セット電流が第1トランジスターを流れるのに必要な電圧が、当該第1トランジスターのゲートソース間にセットされる途中で、波形信号の電位が変化する。この電位の変化によって、ゲートソース間の電圧が低くなる方向に、変動する。したがって、本発明では、ゲートソース間に閾値電圧をセットする場合と比較して、セットに必要な時間長を短縮することができる。本発明において、前記駆動回路は、前記波形信号を、前記第2期間の途中で前記第3電位から第4電位に変化させた後に前記第4電位から前記第3電位に向かって直線的に変化させる態様としても良いし、前記第3期間の終了点まで含むように前記第4電位から前記第3電位に向かって変化させる態様としても良いし、前記第1期間から前記第2期間の途中まで前記第3電位とさせる態様としても良い。本発明において、前記画素回路は、前記第1トランジスターのゲートとデータ線との間に配置した第2トランジスターを含み、前記駆動回路は、前記第2トランジスターを、前記第1期間、前記第2期間および前記第3期間に導通状態とし、前記データ線に、前記第1期間および第2期間に前記初期化電位を供給し、前記第3期間に前記データ信号を供給する構成としても良い。また、この構成において、前記データ線と、前記初期化電位が給電される給電線との間に配置した第3トランジスターを有し、前記第3トランジスターは、前記第1期間および第2期間において導通状態になる構成としても良い。なお、本発明は、電気光学装置のほか、電気光学装置の駆動方法や、当該電気光学装置を有する電子機器として概念することも可能である。電子機器は、典型的には表示装置であり、電子機器としてはパーソナルコンピューターや携帯電話機が挙げられる。もっとも、本発明に係る電気光学装置の用途は、表示装置に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成するための露光装置光ヘッドにも適用可能である。以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図1は、本発明の実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。この図に示されるように、電気光学装置10は、表示部100、走査線駆動回路160、電源線駆動回路170およびデマルチプレクサ240に大別される。このうち、表示部100には、表示すべき画像の画素に対応した画素回路110がマトリクス状に配列されている。詳細には、表示部100において、まず、m行の走査線112が図において横方向に延在して設けられ、また、3列毎にグループ化された3n列のデータ線114が図において縦方向に延在し、かつ、各走査線112と互いに電気的な絶縁を保って設けられている。次に、m行の走査線112と3n列のデータ線114との交差部に対応して、画素回路110が設けられている。このため、本実施形態において画素回路110は、縦m行×横3n列でマトリクス状に配列される。ここで、m、nは、いずれも自然数である。走査線112および画素回路110のマトリクスの行ロウを区別するために、図において上から順に1、2、3、...、m-1、m行と呼ぶ場合がある。また、データ線114のグループを一般化して説明するために、1以上n以下の整数jを用いると、図1において左から数えて3j-2列目、3j-1列目および3j列目のデータ線114は、それぞれj番目のブロックに属している、ということになる。また、表示部100には、1行毎に個別の電源線116および信号線118が設けられて、1行分の画素回路110にわたってそれぞれ共用されている。電気光学装置10には、図示を省略した上位の制御装置から次のような制御信号やデータ信号が供給される。すなわち、制御装置から、走査線駆動回路160を制御するための制御信号Ctra、電源線駆動回路170を制御するための制御信号Ctrb、デマルチプレクサ240の選択を制御するための制御信号Sel、Sel、Sel、初期化用の制御信号Giniが、それぞれ供給される。また、制御装置からは、データ信号Vd、Vd、...、Vdが1、2、...、n番目のブロックに対応して供給される。データ信号Vd~Vdが取り得る電位の最高値Vdataは最大輝度の白レベルに相当し、最低値Vdataは最小輝度の黒レベルに相当する。走査線駆動回路160は、フレームの期間にわたって走査線112を1行毎に順番に走査するための走査信号を、制御信号Ctraにしたがって生成するものである。ここで、1、2、3、...、m-1、m行目の走査線112に供給される走査信号を、それぞれGwr、Gwr、Gwr、...、Gwr、Gwrと表記している。なお、フレームの期間とは、電気光学装置10が1カットコマ分の画像を表示するのに要する期間をいい、垂直走査周波数が60Hzであれば、その1周期分の16.67ミリ秒の期間である。電源線駆動回路170は、1、2、3、...、m-1、m行目の電源線116および信号線118の電位を制御信号Ctrbにしたがって、すなわち走査線112の水平走査に同期して、それぞれ制御するものである。詳細には、電源線駆動回路170は、電源線116については、第1電位としての高位側の電位VelHまたは第2電位としての低位側の電位VelLのいずれかに切り替えて供給する。図1においては、1、2、3、...、m-1、m行目の電源線116に供給される電源電位を、各行で区別するために、それぞれVel、Vel、Vel、...、Vel、Velと表記している。一方、電源線駆動回路170は、水平走査される走査線112に対応した信号線118に、次のようなランプ信号波形信号を供給する。すなわち、電源線駆動回路170は、後述するようにセット期間の途中で第3電位としての電位Vrefから第4電位としての電位Vxまで立ち上がって、この後、書込期間の終了時の電位Vrefまで直線的に低下するランプ信号を供給する。1、2、3、...、m-1、m行目の信号線118に供給されるランプ信号を区別するために、それぞれVrmp、Vrmp、Vrmp、...、Vrmp、Vrmpと表記している。電源駆動回路170は、また、初期化電位Viniを給電線124に供給する。デマルチプレクサ240は、データ線114毎に設けられたNチャネル型のトランジスター242の集合体であり、各ブロックを構成する3列のデータ線114に対し、データ信号を順番に分配するものである。ここで、各ブロックにおいて左端列に位置するデータ線114、j番目のブロックでいえば、3j-2列目のデータ線114に設けられたトランジスター242は、制御信号SelがHレベルであるときにオン導通して、データ信号を当該左端列のデータ線114にサンプリングする。同様に、各ブロックにおいて中央列、右端列に位置するデータ線114、j番目のブロックでいえば、3j-1、3j列目のデータ線114に設けられたトランジスター242は、制御信号Sel、SelがHレベルであるときにそれぞれオンして、データ信号を当該中央、右端のデータ線114にそれぞれサンプリングする。なお、各列のデータ線114には、図示省略しているが、それぞれ容量が寄生している。このため、トランジスター242がオンして、データ線114にデータ信号がサンプリングされたとき、その後、トランジスター242がオフ非導通状態になっても、当該データ信号の電位が寄生容量によって保持される構成となっている。Nチャネル型のトランジスター120は、データ線114毎に設けられる。トランジスター120にあっては、ゲートノードが、制御信号Giniを供給する制御信号線122に接続され、ソースまたはドレインノードの一方が給電線124に接続され、ソースまたはドレインノードの他方がデータ線114に接続されている。なお、制御信号Giniは、各行の走査期間のうち、後述する初期化期間およびセット期間においてHレベルとなり、他の期間においてLレベルとなる信号である。なお、本実施形態では、便宜的に走査線駆動回路160、電源線駆動回路170およびデマルチプレクサ240に分けているが、これらをまとめて、画素回路110を駆動するための駆動回路として概念することも可能である。図2を参照して画素回路110について説明する。なお、この図においては、i行目及び当該i行目に対し下側で隣り合うi1行目の走査線112と、j番目のブロックに属する3列のうち、3j-2列目及び当該3j-2列目に対し右側で隣り合う3j-1列目のデータ線114との交差に対応する2×2の計4画素分の画素回路110が示されている。図に示されるように、各画素回路110は、それぞれNチャネル型のトランジスター131、132と、容量素子135、136と、OLED140とを含む構成である。各画素回路110については電気的にみれば互いに同一構成なので、i行3j-2列に位置するもので代表して説明する。i行3j-2列の画素回路110において、トランジスター132のゲートノードがi行目の走査線112に接続されている。トランジスター132において、ドレインノードまたはソースノードの一方がデータ線114に接続され、ドレインノードまたはソースノードの他方が、容量素子135の一端とトランジスター131のゲートノードgとにそれぞれ接続されている。容量素子135の他端は、トランジスター131のソースノードsと、容量素子136の一端と、OLED140の陽極とにそれぞれ接続されている。トランジスター131のドレインノードdは、i行目の電源線116に接続されている。容量素子136の他端は、i行目の信号線118に接続されている。ここで、トランジスター131が第1トランジスターとなり、トランジスター132が第2トランジスターとなる。また、ソースノードsが電源線116第1電源線とは非接続側のノードとなる。容量素子135については、トランジスター131のゲートノードgに寄生する容量を用いることができる場合がある。OLED140の陽極は、画素回路110毎に個別に設けられた画素電極である。一方、OLED140の陰極は、画素回路110のすべてにわたって共通の電極117第2電源線であって、電源の低位側の電位Vctに保たれている。OLED140は、例えばガラス基板において、互いに対向する陽極と透明性を有する陰極とで有機EL材料からなる発光層を挟持した素子である。OLED140において、発光閾値電圧を超えた状態で陽極から陰極に向かって順方向に電流が流れると、当該電流に応じた輝度にて光が発生するとともに、基板とは反対側の陰極を通過し、観察者側に視認される構成となっている。なお、図2において、Gwr、Gwrは、それぞれi、i1行目の走査線112に供給される走査信号である。Vel、Velは、それぞれi、i1行目の電源線116に供給される電源電位であり、Vrmp、Vrmpは、それぞれi、i1行目の信号線118に供給されるランプ信号である。表示部100は、一般にガラス基板などの透明性を有する絶縁基板に形成される。このため、表示部100の画素回路110におけるトランジスター131、132は、例えば薄膜トランジスターであり、非晶質シリコンや低温ポリシリコンで形成される。低温ポリシリコンで形成する場合、走査線駆動回路160および電源線駆動回路170を構成する能動素子や、トランジスター120、242については、画素回路110とともに上記絶縁基板に形成することができる。また、電気光学装置10の全体をシリコン基板のような半導体基板に形成しても良い。図3を参照して電気光学装置10の動作について説明する。なお、図3は、電気光学装置10における各部の動作を説明するための波形図であるが、論理信号以外の信号の電位を示す縦スケールは、説明便宜のために波形同士で異ならせている場合がある。この図に示されるように、走査線駆動回路160が走査信号Gwr~Gwrの電位を切り替えることによって、1フレームの期間において1~m行目の走査線112が1水平走査期間H毎に順番に走査される。1水平走査期間Hでの動作は、各行の画素回路110にわたって共通である。そこで以下については、主にi行目の走査線112が水平走査される走査期間において、当該i行目であって、j番目のブロックに属する3j-2列の画素回路110について着目して説明する。本実施形態において、i行目の走査期間は、大別すると時間の順で、初期化期間→セット期間→サンプリング期間→書込期間に分けられる。そして、書込期間の終了後に後述する条件を満たしたときから、次のフレームの初期化期間が開始するまでが発光期間となり、これらの期間が繰り返される。なお、セット期間は、目的とする電圧を容量素子135にセットする期間であり、書込期間には、トランジスター131の移動度μの補償する期間も含まれる。<発光期間>説明の便宜上、i行目の走査期間の前に、前提となる発光期間から説明する。図3に示されるように、発光期間では、走査信号GwrがLレベルである。このため、i行3j-2列の画素回路110においては、図4に示されるように、トランジスター132がオフであり、ゲートノードgは、データ線114から電気的に切り離された状態となる。ランプ信号Vrmpは電位Vrefで一定であるので、容量素子136に電流は流れない。また、容量素子135には、すなわちトランジスター131におけるゲートソース間には、後述するように階調レベルに応じた電位に対してトランジスター131の特性を相殺するように補償された電圧がセットされている。電位Velは高位側の電位VelHであるので、OLED140には、図4に示されるように当該ゲートソース間の電圧Vgsに応じた電流Idrが供給される。このため、OLED140は、階調レベルに応じた輝度で、トランジスター131における特性を相殺した状態で発光することになる。このとき、ソースノードsOLED140の陽極、容量素子136の一端は、発光期間において当該電流Idrに応じた電位に保持されることになる。<初期化期間>次に、i行目の走査期間に至る。走査期間の最初は第1期間としての初期化期間である。図3に示されるように、i行目の初期化期間では、制御信号Giniおよび走査信号GwrがそれぞれHレベルとなる。このため、図5に示されるようにi行3j-2列の画素回路110においては、トランジスター120、132がオンする。したがって、ゲートノードgは、トランジスター132、データ線114およびトランジスター120を介して給電線124に電気的に接続されるので、初期化電位Viniにセットされる図3参照。一方、電源線116における電位Velは、電源線駆動回路170によって低位側の電位VelLに切り替えられる。ここで、電位VelLと初期化電位Viniとの差分の電圧は、トランジスター131の閾値電圧Vthを十分に上回るように設定される。このため、トランジスター131がオン状態になるので、図3または図5に示されるように、ソースノードsは、電源線116の電位VelLにリセットされる。したがって、i行目の画素回路110では、トランジスター131のゲートソース間の電圧Vgs容量素子の135の保持電圧が電圧Vini-VelLにそれぞれ初期化されて、均一に揃えられることになる。また、ソースノードsは、OLED140の陽極でもある。このとき、OLED140の陽極の電位VelLについては、OLED140の陰極の電位Vctとの差分の電圧がOLED140の発光閾値電圧を超えないように設定される。このため、発光期間においてオン状態にあったOLED140は、初期化期間においてオフ状態非発光状態になる。<セット期間>初期化期間に続いて、第2期間としてのセット期間に至る。図3に示されるように、i行目のセット期間では、初期化期間と比較して、i行目の電源線116における電位Velが高位側の電位VelHに切り替えられる。これにより、電流が電源線116から、オン状態にあるトランジスター131のドレインソース間を流れるので、ソースノードsは、電位VelLから上昇し始める図3参照。i行目のセット期間の途中で、ランプ信号Vrmpが電位Vrefから電位Vxに立ち上がる。一方、セット期間において走査信号Gwrおよび制御信号Giniが引き続きHレベルであるので、トランジスター131、120がオンして、ゲートノードgが初期化電位Viniに固定されている。このため、図3または図6に示されるように、容量素子135、136の接続点であるソースノードsの電位は、ランプ信号Vrmpが立ち上がる瞬間でみたときに、容量素子136の他端に供給されたランプ信号Vrmpの電位変動分Vx-Vrefを容量素子135、135の容量比で分圧した分だけ上昇する。i行目のセット期間においてランプ信号Vrmpの電位が立ち上がった後、一定の変化率で低下する。このため、図7に示されるようにセット電流Isが、電源線116から、トランジスター131および容量素子136を順に経由して信号線118に流れる。したがって、セット期間において、トランジスター131のゲートソース間は、セット電流Isが自身のトランジスター131に流れるのに必要な電圧VthVaに収束する。換言すれば、セット期間においてソースノードsは、図3に示されるように、初期化電位Viniよりも、電圧VthVaだけ低い電位で飽和することになる。なお、本実施形態では、OLED140の陽極であるソースノードsの飽和電位Vini-Vth-Vaと、OLED140の陰極の電位Vctとの差分の電圧は、OLED140の発光閾値電圧を下回るように設定される。このため、セット期間においても、OLED140は、オフ状態を維持することになる。<サンプリング期間>セット期間の後、サンプリング期間に至る。図3に示されるように、i行目のサンプリング期間では、セット期間と比較して、走査信号Gwrおよび制御信号GiniがそれぞれLレベルになる。このため、i行3j-2列の画素回路110にあっては、図8に示されるように、トランジスター132がオフするので、トランジスター131のゲートノードgは、3j-2列目のデータ線114から電気的に切り離された状態、すなわちハイインピーダンス浮遊状態になる。各列のトランジスター120もオフするので、各データ線114は、給電線124から電気的に切り離される。このため、各データ線114については、次のデータ信号のサンプリングまで、寄生容量によって初期化電位Viniに維持される。なお、サンプリング期間においてもランプ信号Vrmpの電位は一定の変化率で低下するので、セット電流Isが流れ続ける。このため、トランジスター131のゲートソース間は、セット期間の終了時における電圧VthVaを維持することになる。i行目のサンプリング期間では、図示省略した制御装置によって、データ信号Vd~Vdとして、i行目であって各グループに属する3列のうち、左端列、中央列、右端列の画素の階調レベルに対応した電位のデータ信号が順番に供給される。このため、j番目のブロックに対応するデータ信号Vdは、図3に示されるように、i行3j-2列の画素、i行3j-1列の画素、i行3j列の画素、の階調レベルに応じた電位に変化する。また、制御装置によって、データ信号の出力に合わせて、制御信号Sel、Sel、Selが排他的にHレベルになる。これによって、デマルチプレクサ240では、各ブロックにおいてトランジスター242が左端列、中央列、右端列の順番でオンするので、各データ線114には、i行目であって、対応する列の画素の階調レベルに応じた電位のデータ信号がサンプリングされることになる。3j-2列目のデータ線114でいえば、図8に示されるように、データ信号としてi行3j-2列の画素の階調レベルに応じた電位Vdataがサンプリングされることになるなお、制御信号Sel、Sel、SelがLレベルになると、各列のトランジスター242がそれぞれオフになる。このため、各列のデータ線114は、それぞれ浮遊状態になるが、サンプリングされたデータ信号の電位は寄生容量によってそのまま保持される。<書込期間>サンプリング期間の後、第3期間としての書込期間に至る。図3に示されるように、i行目の書込期間では、サンプリング期間と比較して、走査信号Gwrが再びHレベルになる。このため、i行3j-2列の画素回路110にあっては、図9に示されるようにトランジスター131が再びオンするので、ゲートノードgには、3j-2列目のデータ線114にサンプリングされたデータ信号の電位Vdataがセットされる。このため、電位Vdataに応じた電流Idsがトランジスター131を流れるので、図3に示されるようにソースノードsの電位が再び上昇し始める。なお、i行目のセット期間においても、ランプ信号Vrmpの電位は時間経過とともにサンプリング期間と同じ割合で低下するので、セット電流Isが、ソースノードsから容量素子136を介してi行目の信号線118へ至る経路に流れる。そうとすると、トランジスター131を流れる電流Idsは、ソースノードsから、容量素子136へ向かって流れるセット電流Isと、容量素子135へ向かって流れる電流Ids-Isとに分岐することになる。このときにトランジスター131に流れる電流Idsによって、トランジスター131のゲートソース間の電圧Vgsが、次のように負帰還制御移動度補償される。すなわち、トランジスター131の移動度μが小さければ、ゲートノードgが同じ電位Vdataであっても、ドレインノードdからソースノードsに流れる電流が少なくなる。このため、ソースノードsの電位上昇量ΔVが小さくなり図3参照、その分、電圧Vgsの変化量負帰還量が大きくなるので、移動度μが小であるトランジスター131に対して、電流が多く流れる方向に制御が働く。反対に、トランジスター131の移動度μが大きければ、ゲートノードgが同じ電位Vdataであっても、ドレインノードdからソースノードsに流れる電流が多くなる。このため、ソースノードsの電位上昇量ΔVが大きくなり、その分、電圧Vgsの変化量負帰還量が小さくなるので、移動度μが大であるトランジスター131に対して、電流が少なく流れる方向に制御が働く。このようにして、結局、図3に示されるように、トランジスター131のゲートソース間の電圧Vgsは、書込期間が終了するまでに、電圧VdataVthVa-ΔVに収束することになる。<発光期間>そして、書込期間が終了すると、図3に示されるように、走査信号の電位Gwrが再びLレベルとなる。このため、図4に示されるようにトランジスター132がオフするので、ゲートノードgは、浮遊状態になる。このとき、トランジスター131におけるゲートソース間の電圧Vgs容量素子135の両端電圧は、書込期間の終了時における電圧VdataVthVa-ΔVに維持されるから、トランジスター131には当該電圧に応じた電流Idrが流れる。書込期間では、ランプ信号Vrmpの電位の低下が停止して、電位Vrefで一定となるから、容量素子136にはセット電流Isが流れない。この結果、図3に示されるように、容量素子136の一端であるソースノードsの電位は時間の経過とともに再上昇する。ゲートノードgは浮遊状態であるので、ゲートノードgの電位は、ソースノードsの電位上昇に連動して上昇する。すなわち、ゲートノードgおよびソースノードsは、書込期間の終了時の電圧VdataVthVa-ΔVを維持した状態で、それぞれ上昇する。ソースノードsの電位が上昇する過程において、OLED140の両端電圧が発光閾値電圧を超えると、電流Idrの一部がOLED140にも流れ始めて、発光開始となる。まもなく容量素子136への充電が完了すると、電流IdsがすべてOLED140に流れるので、当該OLED140は、当該電流Idrに応じた輝度で発光し続けることになる。ゲートソース間の電圧VgsがVdataVthVa-ΔVであるから、トランジスター131によってOLED140に供給される電流Idrは、当該トランジスター131が飽和領域で動作する場合を考えると、まず、閾値電圧Vthの影響が相殺される。また、電圧Vgsがトランジスター131の移動度μに応じて負帰還制御されているので、画素回路110毎に、トランジスター131の移動度μが相違しても、電流Idrのバラツキによる影響が抑えられる。このような動作は、i行目の走査期間において、着目した3j-2列目の画素回路110以外のi行目の画素回路110において時間的に並列して実行される。さらに、このようなi行目の動作は、1フレームの期間において1、2、3、...、m-1、m行目の順番で実行されるとともに、フレーム毎に繰り返される。この動作において、各画素回路110にけるOLED140には、トランジスター131の閾値電圧Vthや移動度μのバラツキが補償された電流がそれぞれ供給される。したがって、本実施形態によれば、画素回路110毎にトランジスター131の特性がばらついても、そのばらつきに起因した輝度のムラが抑制されるので、高品位な表示が可能となる。ところで、背景技術の欄で述べた従来の技術は、初期化電位Viniに固定させた状態で、トランジスター131をオンさせることによって、当該トランジスター131のゲートソース間の電圧を当該トランジスター131の閾値電圧Vthに漸近させる、というものである。しかしながら、この技術では、トランジスター131のゲートソース間の電圧が閾値電圧Vthに近づくにつれてドレインノードdからソースノードsに流れる電流は微小になり、ゲートソース間の電圧の時間変化率が非常に小さくなる。このため、トランジスター131のゲートソース間の電圧が目的とする閾値電圧に到達するまでにはトランジスター131に流れる電流の値がゼロになるまでには、非常に長い時間を要してしまうことになる。これに対して、本実施形態では、セット期間の終了時であっても、トランジスター131のドレインノードdからソースノードsにセット電流Isが流れるので、トランジスター131のゲートソース間の電圧が目的とする電圧VthVaに到達するまでの時間を短縮化することができ、その分、発光期間の時間長を確保することができる。また、本実施形態では、i行目のセット期間の途中でランプ信号Vrmpが電位Vrefから電位Vxに立ち上がるように構成されている。この立ち上がりによって、図3に示されるように、トランジスター131のゲートソース間の電圧Vgsは、一気に低くなって、目的とする電圧VthVaに近くなる。したがって、本実施形態によれば、セット期間を短縮しても、トランジスター131のゲートソース間の電圧Vgsを当該セット期間内に目的とする電圧VthVaに到達させることが十分に可能になる。換言すれば、ドレインノードdからソースノードsに流れる電流のみによって、ゲートソース間に電圧をセットする場合では、図3において破線で示されるようにセット期間内に目的電圧VthVaに到達しないときがある。このとき、トランジスター131の閾値電圧が十分に補償されないので、表示ムラが発生してしまうことになる。これに対して、本実施形態では、短いセット期間でもトランジスター131のゲートソース間を目的とする電圧VthVaに到達するので、より確実に閾値電圧を補償して、表示ムラの発生を抑えた高品位な表示が可能となるのである。なお、トランジスター131のゲートソース間の電圧を、セット期間の終了時までに目的とする電圧に到達させるためには、一見すれば、電位VelLを高めれば良いようにみえる。しかし、電位VelLを高めたときに、OLED140の陰極の電位Vctとの差分の電圧がOLED140の発光閾値電圧を超えやすくなる。発光閾値電圧を超えてしまうと、例えば階調レベルが最低値の黒が指定される場合であっても発光状態になってしまう。このため、低階調側の表現特性が悪化してしまうことになるので、電位VelLについては、むやみに高めることができない、といった事情がある。本発明は、上述した実施形態に限られず、種々の変形適用が可能である。例えば上述した実施形態にあっては、行毎の電源線116に、走査線112の走査に同期して電位VelHまたは電位VelLのいずれかを供給する構成としたが、電位VelHを給電する高位側電源線と電位VelLを給電する低位側電源線とを設けるとともに、いずれかの電源線を選択するスイッチを画素回路110内に設けて、トランジスター131のドレインノードdに供給する構成としても良い。実施形態では、データ線114を複数本毎にグループ化するとともに、各グループにおいて3列のデータ線114を順番に選択して、データ信号を供給する構成としたが、グループを構成するデータ線数については2であっても良いし、4以上であっても良い。また、グループ化せずに、書込期間において各列のデータ線114にデータ信号を一斉に供給する構成としても良い。いずれにしても、書込期間においてトランジスター131がオンしたときに、ゲートノードgに階調レベルに応じた電位のデータ信号が供給される構成であれば良い。一方、トランジスター131、132についてはそれぞれNチャネル型としたが、いずれか一方を、または、双方をPチャネル型としても良い。また、実施形態においては、発光素子としてOLED140を例示したが、無機EL素子やLEDLightEmittingDiode素子など、電流に応じた輝度で発光する素子が適用可能である。<電子機器>次に、本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器のいくつかについて説明する。図10は、上述した実施形態に係る電気光学装置10を表示装置として採用した電子機器その1としてのパーソナルコンピューターの外観を示す図である。パーソナルコンピューター2000は、表示装置としての電気光学装置10と本体部2010とを備える。本体部2010には、電源スイッチ2001およびキーボード2002が設けられている。電気光学装置10において、発光素子にOLED140を使用した場合、視野角が広く見易い画面表示が可能になる。図11は、実施形態に係る電気光学装置10を表示装置として採用した電子機器その2である携帯電話機の外観を示す図である。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001や方向キー3002などのほか、受話口3003、送話口3004とともに上述した電気光学装置10を備える。方向キー3002を操作することによって、電気光学装置10に表示される画面がスクロールする。図12は、実施形態に係る電気光学装置10を表示装置として採用した電子機器その3としての携帯情報端末PDA:PersonalDigitalAssistantsの外観を示す図である。携帯情報端末4000は、複数の操作ボタン4001や方向キー4002などのほか、上述した電気光学装置10を備える。携帯情報端末4000では、所定の操作によって住所録やスケジュール帳などの各種の情報が電気光学装置10に表示されるとともに、表示された情報が方向キー4002の操作に応じてスクロールする。なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図10から図12までに示した例のほか、テレビ、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。