"中心核と前記中心核を被覆する被覆層で構成される平均粒径5μm以下のハンダ粉末において、前記中心核が銀、銅、ニッケル、インジウム、コバルト又は金を成分とする金属元素と錫との金属間化合物からなり、前記被覆層が錫からなることを特徴とするハンダ粉末。銀を含むとき銀の含有割合が前記ハンダ粉末の全体量100質量に対して0.1~10質量であり、銅を含むとき銅の含有割合が前記ハンダ粉末の全体量100質量に対して0.1~2.0質量であり、ニッケルを含むときニッケルの含有割合が前記ハンダ粉末の全体量100質量に対して0.1~1.0質量であり、インジウムを含むときインジウムの含有割合が前記ハンダ粉末の全体量100質量に対して0.1~10質量であり、コバルトを含むときコバルトの含有割合が前記ハンダ粉末の全体量100質量に対して0.1~1.0質量であり、金を含むとき金の含有割合が前記ハンダ粉末の全体量100質量に対して0.1~1.0質量である請求項1記載のハンダ粉末。請求項1又は2記載のハンダ粉末とハンダ用フラックスを混合してペースト化することにより得られたハンダ用ペースト。電子部品の実装に用いられる請求項3記載のハンダ用ペースト。しかしながら、上記従来の特許文献1,2に示された、いわゆるアトマイズ法により微細な粉末を得るためには、この方法によって得られた金属粉末を更に分級して、ファインピッチ化に対応する5μm以下の微細なものを採取する必要がある。このため、歩留まりが非常に悪くなる。一方、7μm程度の粉末であれば、この方法でも歩留まりは良くなるものの、この程度の粒径のものでは、近年のファインピッチ化には十分に対応できない。また、上記特許文献3に示されたハンダ粉末のように、錫とは異なる種類の金属元素が核になっている場合、溶食反応の後に拡散が起こるため、ハンダバンプ形成の溶融時に時間がかかるため、濡れ性が悪いという問題を有していた。本発明の目的は、ファインピッチ化を実現するハンダ用ペーストに好適な微細なハンダ粉末であって、リフロー時の溶融拡散性が良く、ハンダバンプ形成時の組成制御が容易であり、濡れ性に優れた、ハンダ粉末及びこの粉末を用いたハンダ用ペーストを提供することにある。本発明の第1の観点は、図1に示すように、中心核11と中心核を被覆する被覆層12で構成される平均粒径5μm以下のハンダ粉末10において、中心核11が銀、銅、ニッケル、インジウム、コバルト又は金を成分とする金属元素と錫との金属間化合物からなり、被覆層12が錫からなることを特徴とする。本発明の第2の観点は、第1の観点に基づく発明であって、更に銀を含むとき銀の含有割合がハンダ粉末の全体量100質量に対して0.1~10質量であり、銅を含むとき銅の含有割合がハンダ粉末の全体量100質量に対して0.1~2.0質量であり、ニッケルを含むときニッケルの含有割合がハンダ粉末の全体量100質量に対して0.1~1.0質量であり、インジウムを含むときインジウムの含有割合がハンダ粉末の全体量100質量に対して0.1~10質量であり、コバルトを含むときコバルトの含有割合がハンダ粉末の全体量100質量に対して0.1~1.0質量であり、金を含むとき金の含有割合がハンダ粉末の全体量100質量に対して0.1~1.0質量であることを特徴とする。本発明の第3の観点は、第1又は第2の観点に基づくハンダ粉末とハンダ用フラックスを混合してペースト化することにより得られたハンダ用ペーストである。本発明の第4の観点は、第3の観点に基づく発明であって、更に電子部品の実装に用いられることを特徴とする。本発明の第1の観点のハンダ粉末は、中心核と中心核を被覆する被覆層で構成される平均粒径5μm以下のハンダ粉末において、中心核が銀、銅、ニッケル、インジウム、コバルト又は金を成分とする金属元素と錫との金属間化合物からなり、被覆層が錫からなる。このように、本発明のハンダ粉末では、中心核を金属と錫との金属間化合物としているため、中心核を金属元素とした従来のハンダ粉末に比べ、リフロー時の溶融拡散性が良く、ハンダバンプ形成時の組成制御が容易であり、濡れ性に優れる。また、平均粒径5μm以下と微細な粉末であるため、この粉末を原料としたハンダ用ペーストを基板等に印刷する際に、ファインピッチパターンで印刷できる。本発明の第3の観点のハンダ用ペーストは、上記本発明のハンダ粉末を用いて得られる。そのため、このハンダ用ペーストは、リフロー時の溶融が速く、濡れ性が非常に良いため、ハンダバンプ形成時に溶融したペーストが微細な球状になって飛散する、いわゆるソルダボールの発生を大幅に抑制することができる。また、形成後のハンダバンプにおける組成をより均一にできるため、溶け残りが生じないハンダバンプを形成することができる。更にハンダ粉末は5μm以下と微細であるため、このハンダ用ペーストを用いれば、基板等にファインピッチパターンで印刷でき、より微細な電子部品を実装できる。次に本発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。本発明のハンダ粉末は、図1に示すように、中心核11と、この中心核を被覆する被覆層12により構成され、平均粒径が5μm以下、好ましくは0.1~5μmの粉末である。ハンダ粉末の平均粒径を5μm以下に限定したのは、5μmを越えるとハンダ用ペーストを基板等にファインピッチパターンで印刷できず、微細な電子部品をハンダ用ペーストにより実装できないからである。なお、本明細書において、粉末の平均粒径とは、レーザー回折散乱法を用いた粒度分布測定装置堀場製作所社製、レーザー回折/散乱式粒子径分布測定装置LA-950にて測定した体積累積中位径をいう。そして、本発明のハンダ粉末の特徴ある構成は、中心核が銀、銅、ニッケル、インジウム、コバルト又は金を成分とする金属元素と錫との金属間化合物からなり、被覆層が錫からなるところにある。このように、本発明のハンダ粉末は、中心核を金属元素と錫との金属間化合物としているため、中心核を金属元素とした従来のハンダ粉末に比べ、リフロー時の溶融拡散性が良く、ハンダバンプ形成時の組成制御が容易であり、濡れ性に優れる。また、平均粒径5μm以下と微細な粉末であるため、この粉末を原料としたハンダ用ペーストを基板等に印刷する際に、ファインピッチパターンで印刷できる。中心核を構成する金属間化合物としてはAg3Sn、Cu6Sn5、CoSn、Co3Sn2、CoSn2、Ni3Sn、Ni3Sn2、Ni3Sn4、In3Sn、InSn4、AuSn、AuSn2、AuSn4が挙げられる。ハンダ粉末が銀を含むとき、即ちハンダ粉末の中心核が銀と錫との金属間化合物から構成される場合、銀の含有割合がハンダ粉末の全体量100質量に対して0.1~10質量であることが好ましい。また、銅を含むとき銅の含有割合がハンダ粉末の全体量100質量に対して0.1~2.0質量であることが好ましい。ニッケルを含むときニッケルの含有割合がハンダ粉末の全体量100質量に対して0.1~1.0質量であることが好ましい。インジウムを含むときインジウムの含有割合がハンダ粉末の全体量100質量に対して0.1~10質量であることが好ましい。コバルトを含むときコバルトの含有割合がハンダ粉末の全体量100質量に対して0.1~1.0質量であることが好ましい。金を含むとき金の含有割合がハンダ粉末の全体量100質量に対して0.1~1.0質量であることが好ましい。ここで、上記元素の含有割合をそれぞれ上記範囲に限定したのは、共晶点から組成がずれるのを防止してハンダ粉末の融点を低くするとともに、形成したハンダバンプにおけるハンダ合金の電気抵抗の増加を抑え、機械的強度を向上させるためである。続いて、上記本発明のハンダ粉末を製造する方法について説明する。銀、銅、インジウム又は金を中心核とする場合には、先ず、溶媒に、中心核の金属間化合物を構成する金属元素、即ち銀、銅、インジウム又は金を含む化合物と、中心核の金属間化合物や被覆層を構成する錫元素を含む化合物及び分散剤とをそれぞれ添加して混合することにより、溶解液を調製する。溶解液中における金属元素を含む化合物と、錫元素を含む化合物の含有割合は、金属粉末製造後に、各金属元素の含有割合が上記範囲になるように調整する。溶媒としては、水、アルコール、エーテル、ケトン、エステル等が挙げられる。中心核を銀と錫との金属間化合物とする場合、使用される銀化合物としては、塩化銀又は硝酸銀等が挙げられる。銅化合物としては、塩化銅、硫酸銅又は酢酸銅等が挙げられる。インジウム化合物としては、塩化インジウム、硝酸インジウム又は硫酸インジウム等が挙げられる。金化合物としては、テトラクロロ金III酸等が挙げられる。一方、錫元素を含む化合物としては、塩化錫、硫化錫、酢酸錫、シュウ酸錫等が挙げられる。分散剤としては、セルロース系、ビニル系、多価アルコール等が挙げられ、その他にゼラチン、カゼイン等を用いることができる。調製した溶解液はpH調整する。溶解液のpHは、生成したハンダ粉末の再溶解等を考慮して、0~2.0の範囲に調整するのが好ましい。なお、溶媒に上記金属元素を含む化合物と錫元素を含む化合物をそれぞれ添加して溶解させた後、錯化剤を加えて、各金属元素を錯体化した後に、分散剤を添加しても良い。錯化剤を加えることでpHがアルカリ側でも金属イオンが沈殿せず、広い範囲での合成が可能となる。錯化剤としては、コハク酸、酒石酸、グリコール酸、乳酸、フタル酸、リンゴ酸、クエン酸、シュウ酸、エチレンジアミン四酢酸、イミノ二酢酸、ニトリロ三酢酸又はその塩等が挙げられる。次に、還元剤を溶解した水溶液を調製し、この水溶液のpHを、上記調製した溶解液と同程度に調整する。還元剤としては、テトラヒドロホウ酸ナトリウム、ジメチルアミンボラン等のホウ素水素化物、ヒドラジン等の窒素化合物、三価のチタンイオンや2価のクロムイオン等の金属イオン等が挙げられる。次に、上記溶解液に還元剤水溶液を添加して混合することにより、溶解液中の各金属イオンが還元され、液中に金属粉末が分散した分散液が得られる。この還元反応では、先ず、錫よりも貴な金属又は水素過電圧が低い金属が還元されて中心核が形成される。続いて錫が還元され、形成された中心核の表面に錫が析出することにより、中心核とこの中心核を被覆する錫で構成された、平均粒径5μm以下の金属粉末が形成される。ニッケル又はコバルトを中心核とする場合には、先ず、中心核の金属間化合物を構成する金属元素を含む化合物、即ちニッケル又はコバルトを含む化合物と分散剤とをそれぞれ添加して混合することにより溶解液を調製する。溶媒及び分散剤には上記と同等のものを使用できる。使用されるニッケル化合物としては、塩化ニッケル、硫酸ニッケル六水和物又は硝酸ニッケル六水和物等が挙げられる。コバルト化合物としては、塩化コバルト又は硝酸コバルト又は硫酸コバルト等が挙げられる。調製した溶解液はpH調整する。溶解液のpHは、生成したハンダ粉末の再溶解等を考慮して、0~2.0の範囲に調整するのが好ましい。次に、上記溶解液に還元剤水溶液を添加して混合することにより、溶解液中の金属イオンが還元され、液中に金属核が形成される。還元剤には上記と同等のものを使用でき、この水溶液のpHは、上記調製した溶解液と同程度に調整される。次に、中心核の金属間化合物や被覆層を構成する錫元素を含む化合物及び分散剤とを上記溶解液と同程度のpHに調整し、先ほどの混合液に追加することにより、錫が先ほどの金属核を中心として成長し、中心核とこの中心核を被覆する錫で構成された、平均粒径5μm以下の金属粉末が形成される。このような反応は微細な粒径の粉末が製造し易いという効果がある。溶解液と還元剤水溶液を混合する方法としては、容器内の溶解液に所定の添加速度で還元剤水溶液を滴下し、スターラ等で攪拌する方法や、所定の径を有する反応チューブを用い、この反応チューブ内に両液を所定の流量で注ぎ込み、混合させる方法等が挙げられる。次いで、この分散液を、デカンテーション等によって固液分離し、回収した固形分を水又はpHを0.5~2に調整した塩酸水溶液、硝酸水溶液、硫酸水溶液、或いはメタノール、エタノール、アセトン等で洗浄する。洗浄後は、再度固液分離して固形分を回収する。洗浄から固液分離までの工程を、好ましくは2~5回繰り返す。次に、回収した固形分に、沸点が100°C以上の高沸点溶媒を加えて分散させ、不活性ガス雰囲気下、所定の温度で加熱する。この加熱処理を施すことにより、上記還元反応で形成された金属粉末の金属元素からなる中心核と、中心核と接触している被覆層の一部が反応して、金属元素と錫との金属間化合物からなる中心核が形成され、この中心核を錫からなる被覆層で被覆した構成となる。使用される高沸点溶媒としてはエチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、ヒマシ油等が挙げられる。金属元素に銀を用いたとき、130~180°Cで20分間~1時間加熱することが好ましく、150°Cで30分間加熱することが特に好ましい。また、銅を用いたとき、110~150°Cで20分間~1時間加熱することが好ましく、120°Cで30分間加熱することが特に好ましい。また、ニッケルを用いたとき、150~190°Cで20分間~1時間加熱することが好ましく、170°Cで30分間加熱することが特に好ましい。また、インジウムを用いたとき、90~120°Cで20分間~1時間加熱することが好ましく、100°Cで30分間加熱することが特に好ましい。また、コバルトを用いたとき、130~160°Cで20分間~1時間加熱することが好ましく、140°Cで30分間加熱することが特に好ましい。また、金を用いたとき、180~220°Cで20分間~1時間加熱することが好ましく、200°Cで30分間加熱することが特に好ましい。なお上記温度未満での加熱、或いは保持時間が短い加熱では、中心核が金属間化合物とならない、或いは中心核が金属間化合物のみで構成されず、また上記温度を越える加熱では、錫被膜の酸化により溶融性が低下する不具合が生じる。なお、必要以上に保持時間が長い加熱を施してもその効果は代わらない。加熱後は、再度上記洗浄から固液分離までの工程を、好ましくは2~5回繰り返した後、回収した固形分を真空乾燥させることにより、本発明のハンダ粉末を得ることができる。なお、この実施の形態では、金属元素からなる中心核と、この中心核を被覆する錫からなる被覆層から構成された金属粉末の製造に、還元反応による化学的手法を用いたが、中心核の製造には、アトマイズ法のような物理的手法でも可能である。以上の工程により、本発明のハンダ粉末を得ることができる。このハンダ粉末は、ハンダ用フラックスと混合してペースト化して得られるハンダ用ペーストの材料として好適に用いられる。ハンダ用ペーストの調製は、例えばハンダ用フラックスを、好ましくは10~30質量、更に好ましくは10~25質量混合してペースト化することにより行われる。ハンダ用フラックスの混合量を10~30質量とするのは、10質量未満ではフラックス不足でペースト化できず、30質量を越えるとペースト中のフラックスの含有割合が多すぎて金属の含有割合が少なくなってしまい、ハンダ溶融時に所望のサイズのハンダバンプを得ることができないからである。このハンダ用ペーストは、上記本発明のハンダ粉末を材料としているため、溶融性及び濡れ性が非常に良く、ソルダボールが生じにくい点で優れる。また、形成後のハンダバンプにおける組成をより均一できるため、これを用いて形成されるハンダバンプは、溶け残りが生じない点で優れる。更に5μm以下の微細なハンダ粉末によって調製されるため、このハンダ用ペーストを用いれば、基板等にファインピッチパターンで印刷でき、高さのバラツキが少ないハンダバンプを形成することができる。そのため、このハンダ用ペーストは、より微細な電子部品の実装に好適に用いることができる。次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。<実施例1>先ず、水50mLに塩化銅を3.45×104mol、塩化錫を2.62×102mol加え、スターラを用いて回転速度300rpmにて5分間攪拌し、溶解液を調製した。この溶解液を塩酸にてpHを0.5に調整した後、分散剤としてポリビニルアルコール500平均分子量が500のポリビニルアルコールを0.5g加え、更に回転速度300rpmにて10分間攪拌した。次いで、この溶解液にpHを0.5に調整した1.58mol/Lの2価クロムイオン水溶液50mLを、添加速度50mL/secにて加え、回転速度500rpmにて10分間攪拌して各金属イオンを還元し、液中に金属粉末が分散する分散液を得た。この分散液を60分間静置して生成した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。その後、エチレングリコール100mLを加えて分散させ、回転速度300rpmにて攪拌しながら120°Cで30分加熱を行った。加熱後、再び分散液を60分間静置して加熱した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。最後にこれを真空乾燥機にて乾燥することにより、金属間化合物Cu6Sn5を中心核、Snを被覆層とする金属粉末を得た。<実施例2>先ず、水50mLに硫酸銀を4.36×104mol、硫酸錫を2.56×102mol加え、スターラを用いて回転速度300rpmにて5分間攪拌し、溶解液を調製した。この溶解液を硫酸にてpHを0.5に調整した後、分散剤としてポリビニルアルコール500平均分子量が500のポリビニルアルコールを0.5g加え、更に回転速度300rpmにて10分間攪拌した。次いで、この溶解液にpHを0.5に調整した1.58mol/Lの2価クロムイオン水溶液50mLを、添加速度50mL/secにて加え、回転速度500rpmにて10分間攪拌して各金属イオンを還元し、液中に金属粉末が分散する分散液を得た。この分散液を60分間静置して生成した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。その後、エチレングリコール100mLを加えて分散させ、回転速度300rpmにて攪拌しながら150°Cで30分加熱を行った。加熱後、再び分散液を60分間静置して加熱した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。最後にこれを真空乾燥機にて乾燥することにより、金属間化合物Ag3Snを中心核、Snを被覆層とする金属粉末を得た。<実施例3>先ず、水25mLに塩化コバルトを1.60×103mol加え、分散剤としてポリビニルアルコール500平均分子量が500のポリビニルアルコールを0.5g加え、スターラを用いて回転速度300rpmにて10分間攪拌し、溶解させた。次いで、この溶解液にpHを0.5に調整した1.58mol/Lの2価クロムイオン水溶液50mLを、添加速度50mL/secにて加え、回転速度500rpmにて10分間攪拌した。次に、水25mLに塩化錫を2.56×102mol加え、塩酸にてpHを0.5に調整した溶液を、添加速度50mL/secにて溶解液に加えた後、回転速度300rpmにて10分間攪拌して各金属イオンを還元し、液中に金属粉末が分散する分散液を得た。この分散液を60分間静置して生成した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。その後、エチレングリコール100mLを加えて分散させ、回転速度300rpmにて攪拌しながら140°Cで30分加熱を行った。加熱後、再び分散液を60分間静置して加熱した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。最後にこれを真空乾燥機にて乾燥することにより、金属間化合物CoSnを中心核、Snを被覆層とする金属粉末を得た。<実施例4>先ず、水25mLに塩化ニッケルを5.34×105mol加え、分散剤としてポリビニルアルコール500平均分子量が500のポリビニルアルコールを0.5g加え、スターラを用いて回転速度300rpmにて10分間攪拌し、溶解させた。次いで、この溶解液にpHを0.5に調整した1.58mol/Lの2価クロムイオン水溶液50mLを、添加速度50mL/secにて加え、回転速度500rpmにて10分間攪拌した。次に、水25mLに塩化錫を2.64×102mol加え、塩酸にてpHを0.5に調整した溶液を、添加速度50mL/secにて溶解液に加えた後、回転速度300rpmにて10分間攪拌して各金属イオンを還元し、液中に金属粉末が分散する分散液を得た。この分散液を60分間静置して生成した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。その後、エチレングリコール100mLを加えて分散させ、回転速度300rpmにて攪拌しながら170°Cで30分加熱を行った。加熱後、再び分散液を60分間静置して加熱した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。最後にこれを真空乾燥機にて乾燥することにより、金属間化合物Ni3Snを中心核、Snを被覆層とする金属粉末を得た。<実施例5>先ず、水50mLに塩化インジウムを2.73×104mol、塩化錫を2.61×102molを加え、スターラを用いて回転速度300rpmにて5分間攪拌し、溶解液を調製した。この溶解液を塩酸にてpHを0.5に調整した後、分散剤としてポリビニルアルコール500平均分子量が500のポリビニルアルコールを0.5g加え、更に回転速度300rpmにて10分間攪拌した。次いで、この溶解液にpHを0.5に調整した1.58mol/Lの2価クロムイオン水溶液50mLを、添加速度50mL/secにて加え、回転速度500rpmにて10分間攪拌して各金属イオンを還元し、液中に金属粉末が分散する分散液を得た。この分散液を60分間静置して生成した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。その後、エチレングリコール100mLを加えて分散させ、回転速度300rpmにて攪拌しながら100°Cで30分加熱を行った。加熱後、再び分散液を60分間静置して加熱した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。最後にこれを真空乾燥機にて乾燥することにより、金属間化合物In3Snを中心核、Snを被覆層とする金属粉末を得た。<実施例6>先ず、水50mLにテトラクロロ金酸を1.59×103mol、塩化錫を2.38×102molを加え、スターラを用いて回転速度300rpmにて5分間攪拌し、溶解液を調製した。この溶解液を塩酸にてpHを0.5に調整した後、分散剤としてポリビニルアルコール500平均分子量が500のポリビニルアルコールを0.5g加え、更に回転速度300rpmにて10分間攪拌した。次いで、この溶解液にpHを0.5に調整した1.58mol/Lの2価クロムイオン水溶液50mLを、添加速度50mL/secにて加え、回転速度500rpmにて10分間攪拌して各金属イオンを還元し、液中に金属粉末が分散する分散液を得た。この分散液を60分間静置して生成した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。その後、エチレングリコール100mLを加えて分散させ、回転速度300rpmにて攪拌しながら200°Cで30分加熱を行った。加熱後、再び分散液を60分間静置して加熱した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。最後にこれを真空乾燥機にて乾燥することにより、金属間化合物AuSnを中心核、Snを被覆層とする金属粉末を得た。<比較例1>先ず、水50mLに塩化銅を3.45×104mol、塩化錫を2.62×102mol加え、スターラを用いて回転速度300rpmにて5分間攪拌し、溶解液を調製した。この溶解液を塩酸にてpHを0.5に調整した後、分散剤としてポリビニルアルコール500平均分子量が500のポリビニルアルコールを0.5g加え、更に回転速度300rpmにて10分間攪拌した。次いで、この溶解液にpHを0.5に調整した1.58mol/Lの2価クロムイオン水溶液50mLを、添加速度50mL/secにて加え、回転速度500rpmにて10分間攪拌して各金属イオンを還元し、液中に金属粉末が分散する分散液を得た。この分散液を60分間静置して生成した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。最後にこれを真空乾燥機にて乾燥することにより、Cuを中心核、Snを被覆層とする金属粉末を得た。<比較例2>先ず、水50mLに硫酸銀を4.36×104mol、硫酸錫を2.56×102mol加え、スターラを用いて回転速度300rpmにて5分間攪拌し、溶解液を調製した。この溶解液を硫酸にてpHを0.5に調整した後、分散剤としてポリビニルアルコール500平均分子量が500のポリビニルアルコールを0.5g加え、更に回転速度300rpmにて10分間攪拌した。次いで、この溶解液にpHを0.5に調整した1.58mol/Lの2価クロムイオン水溶液50mLを、添加速度50mL/secにて加え、回転速度500rpmにて10分間攪拌して各金属イオンを還元し、液中に金属粉末が分散する分散液を得た。この分散液を60分間静置して生成した金属粉末を沈降させた後、上澄み液を捨て、ここに水100mLを加えて回転速度300rpmにて10分間攪拌する操作を4回繰返し、洗浄を行った。最後にこれを真空乾燥機にて乾燥することにより、Agを中心核、Snを被覆層とする金属粉末を得た。<比較試験及び評価>実施例1~6及び比較例1,2で得られた金属粉末について、次に述べる方法により、粉末を構成する金属粒子の構造、粉末の平均粒径、組成の分析又は測定を行い、また金属粉末の濡れ性を評価した。これらの結果を以下の表1に示す。また、図2に実施例2で得られた金属粉末のXRD構造解析データを示す。構造分析:粉末X線回折装置リガク社製:RINTUltima/PCにて構造分析を行った。平均粒径:レーザー回折散乱法を用いた粒度分布測定装置堀場製作所社製、レーザー回折/散乱式粒子径分布測定装置LA-950にて粒径分布を測定し、その体積累積中位径Median径、D50を金属粉末の平均粒径とした。組成:誘導結合プラズマ発光分光分析InductivelyCoupledPlasmaAtomicEmissionSpectroscopy:ICP-AESにより金属元素含有量を測定した。濡れ性評価方法はJISZ3284に記されているぬれ効力及びディウエッティング試験に準じて行った。評価についても同様に濡れ広がり度合いを1~4に区分した。図2に示すように、Snを示すピーク、Ag3Snを示すピークが検出されているが、Agを示すピークは検出されず、実施例2の金属粉末は、Sn、金属間化合物であるAg3Snの2種から構成されていることが確認できる。表1から明らかなように、中心核が金属元素からなる比較例1,2の金属粉末では濡れ広がり度合いが2であるのに対し、中心核が金属間化合物からなる実施例1~6の金属粉末では濡れ広がり度合いが1と、中心核を金属間化合物とすることで、濡れ性が向上することが確認された。"