セラミックス製絶縁層の一面に金属製導電層がろう付され、導電層における絶縁層にろう付された面とは反対側の面が電子素子搭載面となされている絶縁回路基板であって、導電層の輪郭を形成しかつ導電層の厚み方向に幅を持つ輪郭面に、ろう材を、絶縁層に対して非接触状態で溜めるろう材貯留部が形成されている絶縁回路基板。導電層の輪郭面に、絶縁層側の端部から電子素子搭載面に向かって所定の幅を有し、かつろう材貯留部内のろう材と絶縁層との接触を抑制する接触抑制部が設けられており、前記輪郭面における接触抑制部よりも電子素子搭載面側の部分に、接触抑制部に対して凹んだ凹部が形成され、当該凹部がろう材貯留部となっている請求項1記載の絶縁回路基板。導電層の輪郭面におけるろう材貯留部となる凹部の電子素子搭載面側端部が、電子素子搭載面に開口している請求項2記載の絶縁回路基板。導電層の輪郭面におけるろう材貯留部となる凹部が、前記輪郭面の全周にわたって連続的に形成されている請求項3記載の絶縁回路基板。導電層の前記輪郭面が、絶縁層側から電子素子搭載面側に向かって段部を介して順次小さくなった段付き面となされ、当該段付き面における最も絶縁層側の部分が接触抑制部となっているとともに、段付き面における接触抑制部よりも電子素子搭載面側の部分に、ろう材貯留部となる凹部が設けられている請求項4記載の絶縁回路基板。導電層が、積層されて互いに接合された複数枚の金属板からなり、全金属板の大きさが異なっているとともに、全金属板の大きさが絶縁層側から順次小さくなっている請求項5記載の絶縁回路基板。導電層の輪郭面を段付き面とする段部のうちの少なくとも1つに、電子素子搭載面側に開口した凹部が形成されている請求項5または6記載の絶縁回路基板。段部の凹部が、当該段部の全周にわたる凹溝からなる請求項7記載の絶縁回路基板。導電層の輪郭面におけるろう材貯留部となる凹部が、前記輪郭面の全周にわたって連続的に形成された溝からなる請求項2記載の絶縁回路基板。導電層が、積層されて互いに接合された複数枚の金属板からなり、導電層の厚み方向の中間部に位置する金属板の大きさが他の金属板よりも小さくなっていることによって、前記輪郭面に全周にわたる連続した溝が形成されている請求項9記載の絶縁回路基板。導電層が、積層されて互いに接合された複数枚の金属板からなり、少なくとも1枚の金属板に、当該金属板に隣接する金属板を向いた面と側面とに跨る切り欠きが形成されることによって、前記輪郭面に全周にわたる連続した溝が形成されている請求項9記載の絶縁回路基板。絶縁層が、AlN、Al2O3、SiC、Si3N4およびBeOよりなる群から選ばれた1種の材料からなり、導電層を構成する複数の金属板のうち最も絶縁層側の金属板がアルミニウムからなるとともに、Al-Si合金系ろう材により絶縁層にろう付されており、導電層を構成する複数の金属板のうち最も電子素子搭載面側の金属板がニッケル、銅、銀および金よりなる群から選ばれた1種の材料からなる請求項6、10または11記載の絶縁回路基板。導電層の電子素子搭載面の周縁部に、ろう材溜凹部が形成されている請求項1~12のうちのいずれかに記載の絶縁回路基板。導電層の輪郭面に、輪郭面と電子素子搭載面とに跨る切り欠きからなる凹部と、輪郭面の周方向にのびる溝からなる凹部とが混在して設けられている請求項2記載の絶縁回路基板。導電層が方形であり、導電層の相対向する2つの辺部に切り欠きからなる凹部が設けられ、残りの2つの辺部に溝からなる凹部が設けられている請求項14記載の絶縁回路基板。請求項1~15のうちのいずれかに記載された絶縁回路基板の絶縁層における導電層がろう付された面とは反対側の面が、冷却器にろう付されているパワーモジュール用ベース。絶縁回路基板の絶縁層と冷却器との間に応力緩和部材が介在させられ、応力緩和部材が絶縁層および冷却器にろう付されている請求項16記載のパワーモジュール用ベース。請求項16または17記載のパワーモジュール用ベースの絶縁回路基板における導電層の電子素子電子素子搭載面に、パワーデバイスがはんだ付されているパワーモジュール。請求項6記載の絶縁回路基板を製造する方法であって、セラミック板からなる絶縁層と、大きさが異なる複数枚の導電層形成用の金属板とを用意すること、絶縁層上に、すべての金属板を、最大の金属板から順に積層状に載せて上側金属板の周縁を下側金属板の周縁よりも内側に位置させるとともに、絶縁層と下端金属板との間および隣り合う金属板間にろう材を配置すること、絶縁層および全金属板を加熱して絶縁層と最大金属板、および隣り合う金属板どうしをろう付し、絶縁層上に、輪郭面が絶縁層側から最小金属板側に向かって段部を介して順次小さくなった段付き面となっている導電層を形成すること、前記段付き面における最も絶縁層寄りの部分を、導電層の厚み方向に所定の幅を有する接触抑制部とし、前記段付き面における接触抑制部よりも最小金属板側の部分に、上端が上方に開口するとともに導電層の輪郭面の全周にわたる連続した凹部からなり、かつろう材を絶縁層に対して非接触状態で溜めるろう材貯留部を形成することを特徴とする絶縁回路基板の製造方法。請求項10記載の絶縁回路基板を製造する方法であって、セラミック板からなる絶縁層と、1枚の大きさが他のものよりも小さくなっている複数枚の導電層形成用の金属板とを用意すること、絶縁層上に、すべての金属板を、最小の金属板が中間部に位置するように積層状に載せるとともに、絶縁層と下端金属板との間および隣り合う金属板間にろう材を配置すること、絶縁層および全金属板を加熱して絶縁層とこれに隣接する金属板、および隣り合う金属板どうしをろう付し、絶縁層上に、輪郭面に全周にわたる溝が連続的に形成されている導電層を形成すること、導電層の輪郭面における溝よりも絶縁層寄りの部分を、導電層の厚み方向に所定の幅を有する接触抑制部とし、前記輪郭面における接触抑制部よりも絶縁層とは反対側の部分に、前記溝からなりかつろう材を絶縁層に対して非接触状態で溜めるろう材貯留部を形成することを特徴とする絶縁回路基板の製造方法。請求項11記載の絶縁回路基板を製造する方法であって、セラミック板からなる絶縁層と、複数枚の導電層形成用の金属板とを用意し、少なくとも1枚の金属板に、その片面と側面とに跨る切り欠きを全周にわたって形成すること、絶縁層上に、すべての金属板を、切り欠きを有する金属板における切り欠きが開口する側の片面に他の金属板が存在するように載せるとともに、絶縁層と下端金属板との間および隣り合う金属板間にろう材を配置すること、絶縁層および全金属板を加熱して絶縁層とこれに隣接する金属板、および隣り合う金属板どうしをろう付し、絶縁層上に、輪郭面に全周にわたる溝が連続的に形成されている導電層を形成すること、導電層の輪郭面における溝よりも絶縁層寄りの部分を、導電層の厚み方向に所定の幅を有する接触抑制部とし、前記輪郭面における接触抑制部よりも絶縁層とは反対側の部分に、前記溝からなりかつろう材を絶縁層に対して非接触状態で溜めるろう材貯留部を形成することを特徴とする絶縁回路基板の製造方法。請求項6記載の絶縁回路基板と、当該絶縁回路基板の絶縁層における導電層がろう付された面とは反対側の面がろう付されている冷却器とを備えたパワーモジュール用ベースを製造する方法であって、冷却器と、セラミック板からなる絶縁層と、大きさが異なる複数枚の導電層形成用の金属板とを用意すること、冷却器上に絶縁層を配置するとともに、冷却器と絶縁層との間にろう材を配置すること、絶縁層上に、すべての金属板を、最大の金属板から順に積層状に載せて上側金属板の周縁を下側金属板の周縁よりも内側に位置させるとともに、絶縁層と下端金属板との間および隣り合う金属板間にろう材を配置すること、冷却器、絶縁層および全金属板を加熱して冷却器と絶縁層、絶縁層と最大金属板、および隣り合う金属板どうしをろう付し、絶縁層上に、輪郭面が絶縁層側から最小金属板側に向かって段部を介して順次小さくなった段付き面となっている導電層を形成すること、前記段付き面における最も絶縁層寄りの部分を、導電層の厚み方向に所定の幅を有する接触抑制部とし、前記段付き面における接触抑制部よりも最小金属板側の部分に、上端が上方に開口するとともに導電層の輪郭面の全周にわたる連続した凹部からなり、かつろう材を絶縁層に対して非接触状態で溜めるろう材貯留部を形成することを特徴とするパワーモジュール用ベースの製造方法。請求項10記載の絶縁回路基板と、当該絶縁回路基板の絶縁層における導電層がろう付された面とは反対側の面がろう付されている冷却器とを備えたパワーモジュール用ベースを製造する方法であって、冷却器と、セラミック板からなる絶縁層と、1枚の大きさが他のものよりも小さくなっている複数枚の導電層形成用の金属板とを用意すること、冷却器上に絶縁層を配置するとともに、冷却器と絶縁層との間にろう材を配置すること、絶縁層上に、すべての金属板を、最小の金属板が中間部に位置するように積層状に載せるとともに、絶縁層と金属板との間および隣り合う金属板間にろう材を配置すること、冷却器、絶縁層および全金属板を加熱して冷却器と絶縁層、絶縁層とこれに隣接する金属板、および隣り合う金属板どうしをろう付し、絶縁層上に、輪郭面に全周にわたる溝が連続的に形成されている導電層を形成すること、導電層の輪郭面における溝よりも絶縁層寄りの部分を、導電層の厚み方向に所定の幅を有する接触抑制部とし、前記輪郭面における接触抑制部よりも絶縁層とは反対側の部分に、前記溝からなりかつろう材を絶縁層に対して非接触状態で溜めるろう材貯留部を形成することを特徴とするパワーモジュール用ベースの製造方法。請求項11記載の絶縁回路基板と、当該絶縁回路基板の絶縁層における導電層がろう付された面とは反対側の面がろう付されている冷却器とを備えたパワーモジュール用ベースを製造する方法であって、冷却器と、セラミック板からなる絶縁層と、複数枚の導電層形成用の金属板とを用意し、少なくとも1枚の金属板に、その片面と側面とに跨る切り欠きを全周にわたって形成すること、冷却器上に絶縁層を配置するとともに、冷却器と絶縁層との間にろう材を配置すること、絶縁層上に、すべての金属板を、切り欠きを有する金属板における切り欠きが開口する側の片面に他の金属板が存在するように載せるとともに、絶縁層と下端金属板との間および隣り合う金属板間にろう材を配置すること、冷却器、絶縁層および全金属板を加熱して冷却器と絶縁層、絶縁層とこれに隣接する金属板、および隣り合う金属板どうしをろう付し、絶縁層上に、輪郭面に全周にわたる溝が連続的に形成されている導電層を形成すること、導電層の輪郭面における溝よりも絶縁層寄りの部分を、導電層の厚み方向に所定の幅を有する接触抑制部とし、前記輪郭面における接触抑制部よりも絶縁層とは反対側の部分に、前記溝からなりかつろう材を絶縁層に対して非接触状態で溜めるろう材貯留部を形成することを特徴とするパワーモジュール用ベースの製造方法。絶縁層がAlN、Al2O3、SiC、Si3N4およびBeOよりなる群から選ばれた1種の材料からなり、導電層を構成する複数の金属板のうち最も絶縁層側の金属板がアルミニウムからなり、導電層を構成する複数の金属板のうち絶縁層から最も離れた側の金属板がニッケル、銅、銀および金よりなる群から選ばれた1種の材料からなり、ろう材がAl-Si合金系ろう材からなる請求項22~24のうちのいずれかに記載のパワーモジュール用ベースの製造方法。冷却器と絶縁層との間に応力緩和部材を配置するとともに、冷却器および絶縁層と応力緩和部材との間にろう材を配置しておき、冷却器、応力緩和部材、絶縁層および全金属板を加圧しつつ加熱して冷却器と応力緩和部材、応力緩和部材と絶縁層、絶縁層とこれに隣接する金属板、および隣り合う金属板どうしをろう付する請求項22~25のうちのいずれかに記載のパワーモジュール用ベースの製造方法。この発明の目的は、上記問題を解決し、パワーモジュールの使用時に絶縁回路基板の絶縁層に割れが発生することを防止しうる絶縁回路基板およびその製造方法、パワーモジュール用ベースおよびその製造方法を提供することにある。本発明は、上記目的を達成するために以下の態様からなる。1セラミックス製絶縁層の一面に金属製導電層がろう付され、導電層における絶縁層にろう付された面とは反対側の面が電子素子搭載面となされている絶縁回路基板であって、導電層の輪郭を形成しかつ導電層の厚み方向に幅を持つ輪郭面に、ろう材を、絶縁層に対して非接触状態で溜めるろう材貯留部が形成されている絶縁回路基板。2導電層の輪郭面に、絶縁層側の端部から電子素子搭載面に向かって所定の幅を有し、かつろう材貯留部内のろう材と絶縁層との接触を抑制する接触抑制部が設けられており、前記輪郭面における接触抑制部よりも電子素子搭載面側の部分に、接触抑制部に対して凹んだ凹部が形成され、当該凹部がろう材貯留部となっている上記1記載の絶縁回路基板。3導電層の輪郭面におけるろう材貯留部となる凹部の電子素子搭載面側端部が、電子素子搭載面に開口している上記2記載の絶縁回路基板。4導電層の輪郭面におけるろう材貯留部となる凹部が、前記輪郭面の全周にわたって連続的に形成されている上記3記載の絶縁回路基板。5導電層の前記輪郭面が、絶縁層側から電子素子搭載面側に向かって段部を介して順次小さくなった段付き面となされ、当該段付き面における最も絶縁層側の部分が接触抑制部となっているとともに、段付き面における接触抑制部よりも電子素子搭載面側の部分に、ろう材貯留部となる凹部が設けられている上記4記載の絶縁回路基板。6導電層が、積層されて互いに接合された複数枚の金属板からなり、全金属板の大きさが異なっているとともに、全金属板の大きさが絶縁層側から順次小さくなっている上記5記載の絶縁回路基板。7導電層の輪郭面を段付き面とする段部のうちの少なくとも1つに、電子素子搭載面側に開口した凹部が形成されている上記5または6記載の絶縁回路基板。8段部の凹部が、当該段部の全周にわたる凹溝からなる上記7記載の絶縁回路基板。9導電層の輪郭面におけるろう材貯留部となる凹部が、前記輪郭面の全周にわたって連続的に形成された溝からなる上記2記載の絶縁回路基板。10導電層が、積層されて互いに接合された複数枚の金属板からなり、導電層の厚み方向の中間部に位置する金属板の大きさが他の金属板よりも小さくなっていることによって、前記輪郭面に全周にわたる連続した溝が形成されている上記9記載の絶縁回路基板。11導電層が、積層されて互いに接合された複数枚の金属板からなり、少なくとも1枚の金属板に、当該金属板に隣接する金属板を向いた面と側面とに跨る切り欠きが形成されることによって、前記輪郭面に全周にわたる連続した溝が形成されている上記9記載の絶縁回路基板。12絶縁層が、AlN、Al2O3、SiC、Si3N4およびBeOよりなる群から選ばれた1種の材料からなり、導電層を構成する複数の金属板のうち最も絶縁層側の金属板がアルミニウムからなるとともに、Al-Si合金系ろう材により絶縁層にろう付されており、導電層を構成する複数の金属板のうち最も電子素子搭載面側の金属板がニッケル、銅、銀および金よりなる群から選ばれた1種の材料からなる上記6、10または11記載の絶縁回路基板。13導電層の電子素子搭載面の周縁部に、ろう材溜凹部が形成されている上記1~12のうちのいずれかに記載の絶縁回路基板。14導電層の輪郭面に、輪郭面と電子素子搭載面とに跨る切り欠きからなる凹部と、輪郭面の周方向にのびる溝からなる凹部とが混在して設けられている上記2記載の絶縁回路基板。15導電層が方形であり、導電層の相対向する2つの辺部に切り欠きからなる凹部が設けられ、残りの2つの辺部に溝からなる凹部が設けられている上記14記載の絶縁回路基板。16上記1~15のうちのいずれかに記載された絶縁回路基板の絶縁層における導電層がろう付された面とは反対側の面が、冷却器にろう付されているパワーモジュール用ベース。17絶縁回路基板の絶縁層と冷却器との間に応力緩和部材が介在させられ、応力緩和部材が絶縁層および冷却器にろう付されている上記16記載のパワーモジュール用ベース。18上記16または17記載のパワーモジュール用ベースの絶縁回路基板における導電層の電子素子電子素子搭載面に、パワーデバイスがはんだ付されているパワーモジュール。19上記6記載の絶縁回路基板を製造する方法であって、セラミック板からなる絶縁層と、大きさが異なる複数枚の導電層形成用の金属板とを用意すること、絶縁層上に、すべての金属板を、最大の金属板から順に積層状に載せて上側金属板の周縁を下側金属板の周縁よりも内側に位置させるとともに、絶縁層と下端金属板との間および隣り合う金属板間にろう材を配置すること、絶縁層および全金属板を加熱して絶縁層と最大金属板、および隣り合う金属板どうしをろう付し、絶縁層上に、輪郭面が絶縁層側から最小金属板側に向かって段部を介して順次小さくなった段付き面となっている導電層を形成すること、前記段付き面における最も絶縁層寄りの部分を、導電層の厚み方向に所定の幅を有する接触抑制部とし、前記段付き面における接触抑制部よりも最小金属板側の部分に、上端が上方に開口するとともに導電層の輪郭面の全周にわたる連続した凹部からなり、かつろう材を絶縁層に対して非接触状態で溜めるろう材貯留部を形成することを特徴とする絶縁回路基板の製造方法。20上記10記載の絶縁回路基板を製造する方法であって、セラミック板からなる絶縁層と、1枚の大きさが他のものよりも小さくなっている複数枚の導電層形成用の金属板とを用意すること、絶縁層上に、すべての金属板を、最小の金属板が中間部に位置するように積層状に載せるとともに、絶縁層と下端金属板との間および隣り合う金属板間にろう材を配置すること、絶縁層および全金属板を加熱して絶縁層とこれに隣接する金属板、および隣り合う金属板どうしをろう付し、絶縁層上に、輪郭面に全周にわたる溝が連続的に形成されている導電層を形成すること、導電層の輪郭面における溝よりも絶縁層寄りの部分を、導電層の厚み方向に所定の幅を有する接触抑制部とし、前記輪郭面における接触抑制部よりも絶縁層とは反対側の部分に、前記溝からなりかつろう材を絶縁層に対して非接触状態で溜めるろう材貯留部を形成することを特徴とする絶縁回路基板の製造方法。21上記11記載の絶縁回路基板を製造する方法であって、セラミック板からなる絶縁層と、複数枚の導電層形成用の金属板とを用意し、少なくとも1枚の金属板に、その片面と側面とに跨る切り欠きを全周にわたって形成すること、絶縁層上に、すべての金属板を、切り欠きを有する金属板における切り欠きが開口する側の片面に他の金属板が存在するように載せるとともに、絶縁層と下端金属板との間および隣り合う金属板間にろう材を配置すること、絶縁層および全金属板を加熱して絶縁層とこれに隣接する金属板、および隣り合う金属板どうしをろう付し、絶縁層上に、輪郭面に全周にわたる溝が連続的に形成されている導電層を形成すること、導電層の輪郭面における溝よりも絶縁層寄りの部分を、導電層の厚み方向に所定の幅を有する接触抑制部とし、前記輪郭面における接触抑制部よりも絶縁層とは反対側の部分に、前記溝からなりかつろう材を絶縁層に対して非接触状態で溜めるろう材貯留部を形成することを特徴とする絶縁回路基板の製造方法。22上記6記載の絶縁回路基板と、当該絶縁回路基板の絶縁層における導電層がろう付された面とは反対側の面がろう付されている冷却器とを備えたパワーモジュール用ベースを製造する方法であって、冷却器と、セラミック板からなる絶縁層と、大きさが異なる複数枚の導電層形成用の金属板とを用意すること、冷却器上に絶縁層を配置するとともに、冷却器と絶縁層との間にろう材を配置すること、絶縁層上に、すべての金属板を、最大の金属板から順に積層状に載せて上側金属板の周縁を下側金属板の周縁よりも内側に位置させるとともに、絶縁層と下端金属板との間および隣り合う金属板間にろう材を配置すること、冷却器、絶縁層および全金属板を加熱して冷却器と絶縁層、絶縁層と最大金属板、および隣り合う金属板どうしをろう付し、絶縁層上に、輪郭面が絶縁層側から最小金属板側に向かって段部を介して順次小さくなった段付き面となっている導電層を形成すること、前記段付き面における最も絶縁層寄りの部分を、導電層の厚み方向に所定の幅を有する接触抑制部とし、前記段付き面における接触抑制部よりも最小金属板側の部分に、上端が上方に開口するとともに導電層の輪郭面の全周にわたる連続した凹部からなり、かつろう材を絶縁層に対して非接触状態で溜めるろう材貯留部を形成することを特徴とするパワーモジュール用ベースの製造方法。23上記10記載の絶縁回路基板と、当該絶縁回路基板の絶縁層における導電層がろう付された面とは反対側の面がろう付されている冷却器とを備えたパワーモジュール用ベースを製造する方法であって、冷却器と、セラミック板からなる絶縁層と、1枚の大きさが他のものよりも小さくなっている複数枚の導電層形成用の金属板とを用意すること、冷却器上に絶縁層を配置するとともに、冷却器と絶縁層との間にろう材を配置すること、絶縁層上に、すべての金属板を、最小の金属板が中間部に位置するように積層状に載せるとともに、絶縁層と金属板との間および隣り合う金属板間にろう材を配置すること、冷却器、絶縁層および全金属板を加熱して冷却器と絶縁層、絶縁層とこれに隣接する金属板、および隣り合う金属板どうしをろう付し、絶縁層上に、輪郭面に全周にわたる溝が連続的に形成されている導電層を形成すること、導電層の輪郭面における溝よりも絶縁層寄りの部分を、導電層の厚み方向に所定の幅を有する接触抑制部とし、前記輪郭面における接触抑制部よりも絶縁層とは反対側の部分に、前記溝からなりかつろう材を絶縁層に対して非接触状態で溜めるろう材貯留部を形成することを特徴とするパワーモジュール用ベースの製造方法。24上記11記載の絶縁回路基板と、当該絶縁回路基板の絶縁層における導電層がろう付された面とは反対側の面がろう付されている冷却器とを備えたパワーモジュール用ベースを製造する方法であって、冷却器と、セラミック板からなる絶縁層と、複数枚の導電層形成用の金属板とを用意し、少なくとも1枚の金属板に、その片面と側面とに跨る切り欠きを全周にわたって形成すること、冷却器上に絶縁層を配置するとともに、冷却器と絶縁層との間にろう材を配置すること、絶縁層上に、すべての金属板を、切り欠きを有する金属板における切り欠きが開口する側の片面に他の金属板が存在するように載せるとともに、絶縁層と下端金属板との間および隣り合う金属板間にろう材を配置すること、冷却器、絶縁層および全金属板を加熱して冷却器と絶縁層、絶縁層とこれに隣接する金属板、および隣り合う金属板どうしをろう付し、絶縁層上に、輪郭面に全周にわたる溝が連続的に形成されている導電層を形成すること、導電層の輪郭面における溝よりも絶縁層寄りの部分を、導電層の厚み方向に所定の幅を有する接触抑制部とし、前記輪郭面における接触抑制部よりも絶縁層とは反対側の部分に、前記溝からなりかつろう材を絶縁層に対して非接触状態で溜めるろう材貯留部を形成することを特徴とするパワーモジュール用ベースの製造方法。25絶縁層がAlN、Al2O3、SiC、Si3N4およびBeOよりなる群から選ばれた1種の材料からなり、導電層を構成する複数の金属板のうち最も絶縁層側の金属板がアルミニウムからなり、導電層を構成する複数の金属板のうち絶縁層から最も離れた側の金属板がニッケル、銅、銀および金よりなる群から選ばれた1種の材料からなり、ろう材がAl-Si合金系ろう材からなる上記22~24のうちのいずれかに記載のパワーモジュール用ベースの製造方法。26冷却器と絶縁層との間に応力緩和部材を配置するとともに、冷却器および絶縁層と応力緩和部材との間にろう材を配置しておき、冷却器、応力緩和部材、絶縁層および全金属板を加圧しつつ加熱して冷却器と応力緩和部材、応力緩和部材と絶縁層、絶縁層とこれに隣接する金属板、および隣り合う金属板どうしをろう付する上記22~25のうちのいずれかに記載のパワーモジュール用ベースの製造方法。上記1~15の絶縁回路基板によれば、導電層の輪郭を形成しかつ導電層の厚み方向に幅を持つ輪郭面に、ろう材を、絶縁層に対して非接触状態で溜めるろう材貯留部が形成されているので、絶縁回路基板の製造時、および絶縁回路基板を備えたパワーモジュール用ベースの製造時における絶縁層と導電層とのろう付の際に、絶縁層と導電層との間に配置したろう材が溶融するとともに、溶融ろう材が輪郭面を通って導電層の電子素子搭載面側に流れたとしても、当該溶融ろう材はろう材貯留部において溜められてここで凝固することになり、溶融ろう材が導電層の電子素子搭載面を覆い、電子素子搭載面上で凝固することが抑制される。したがって、硬化したろう材が導電層の電子素子搭載面に存在することが抑制され、導電板の電子素子搭載面に施すニッケルメッキに欠陥が生じることが抑制されるとともに、ニッケルメッキを施した導電層の電子素子搭載面に電子素子をはんだ付した場合にも、電子素子の熱サイクル寿命の低下が抑制される。しかも、ろう材貯留部は、ろう材を絶縁層に対して非接触状態で溜めるので、電子素子搭載面にニッケルメッキを施した後のパワーデバイスのはんだ付けの際の加熱冷却や、絶縁回路基板を備えたパワーモジュール用ベースにパワーデバイスがはんだ付けされているパワーモジュールの使用時の冷熱サイクルによっても、セラミック製絶縁層と凝固したろう材との接触部に生じる熱応力に起因する絶縁層の割れが防止され、パワーモジュールの冷熱信頼性が向上する。上記2~4の絶縁回路基板によれば、絶縁回路基板の製造時、および絶縁回路基板を備えたパワーモジュール用ベースの製造時における絶縁層と導電層とのろう付の際に、ろう材貯留部となる凹部内に確実に貯められてここで凝固するとともに、絶縁層との接触が効果的に防止される。上記5の絶縁回路基板によれば、絶縁回路基板の製造時、および絶縁回路基板を備えたパワーモジュール用ベースの製造時における絶縁層と導電層とのろう付の際に、絶縁層と導電層との間に配置したろう材が溶融するとともに、溶融ろう材が輪郭面を通って導電層の電子素子搭載面側に流れたとしても、当該溶融ろう材は、効果的にろう材貯留部となる凹部に貯められてここで凝固する。上記6の絶縁回路基板によれば、上記5の絶縁回路基板を比較的簡単に得ることができる。上記7および8の絶縁回路基板によれば、絶縁回路基板の製造時、および絶縁回路基板を備えたパワーモジュール用ベースの製造時における絶縁層と導電層とのろう付の際に、溶融ろう材が電子素子搭載面に流れ込むことが効果的に防止される。上記9の絶縁回路基板によれば、絶縁回路基板の製造時、および絶縁回路基板を備えたパワーモジュール用ベースの製造時における絶縁層と導電層とのろう付の際に、絶縁層と導電層との間に配置したろう材が溶融するとともに、溶融ろう材が輪郭面を通って導電層の電子素子搭載面側に流れたとしても、当該溶融ろう材は、効果的にろう材貯留部となる凹部を構成する溝に貯められてここで凝固する。上記10および11の絶縁回路基板によれば、上記9の絶縁回路基板を比較的簡単に得ることができる。上記12の絶縁回路基板によれば、導電層を構成する複数の金属板のうち最も電子素子搭載面側の金属板がニッケル、銅、銀および金よりなる群から選ばれた1種の材料からなるので、当該絶縁回路基板を備えたパワーモジュール用ベースにパワーモジュールをはんだ付けする前に、電子素子搭載面にニッケル、銅、銀または金のメッキを施す必要が無くなり、製造工数が減少するとともに製造コストが低減される。上記13の絶縁回路基板によれば、絶縁回路基板の製造時、および絶縁回路基板を備えたパワーモジュール用ベースの製造時における絶縁層と導電層とのろう付の際に、溶融ろう材が電子素子搭載面における電子素子が搭載される部分に流れ込むことが効果的に防止される。上記16および17のパワーモジュール用ベースによれば、パワーモジュール用ベースの製造時における絶縁層と導電層とのろう付の際に、絶縁層と導電層との間に配置したろう材が溶融するとともに、溶融ろう材が輪郭面を通って導電層の電子素子搭載面側に流れたとしても、当該溶融ろう材はろう材貯留部において溜められてここで凝固することになり、溶融ろう材が導電層の電子素子搭載面を覆い、電子素子搭載面上で凝固することが抑制される。したがって、硬化したろう材が導電層の電子素子搭載面に存在することが抑制され、導電板の電子素子搭載面に施すニッケルメッキに欠陥が生じることが抑制されるとともに、ニッケルメッキを施した導電層の電子素子搭載面に電子素子をはんだ付した場合にも、電子素子の熱サイクル寿命の低下が抑制される。しかも、ろう材貯留部は、ろう材を絶縁層に対して非接触状態で溜めるので、電子素子搭載面にニッケルメッキを施した後のパワーデバイスのはんだ付けの際の加熱冷却や、パワーモジュール用ベースにパワーデバイスがはんだ付けされているパワーモジュールの使用時の冷熱サイクルによっても、セラミック製絶縁層と凝固したろう材との接触部に生じる熱応力に起因する絶縁層の割れが防止され、パワーモジュールの冷熱信頼性が向上する。上記17のパワーモジュール用べースによれば、電子素子搭載面にパワーモジュールをはんだ付けしているパワーモジュールの使用時の冷熱サイクル時に、絶縁層と冷却器との線熱膨張係数の相違に起因して生じる熱応力が応力緩和部材によって緩和されるので、絶縁層にクラックが発生することが抑制される。上記19の方法によれば、上記6の絶縁回路基板を比較的簡単に製造することができる。上記20の方法によれば、上記10の絶縁回路基板を比較的簡単に製造することができる。上記21の方法によれば、上記11の絶縁回路基板を比較的簡単に製造することができる。上記22の方法によれば、上記6の絶縁回路基板を備えたパワーモジュール用ベースを比較的簡単に製造することができる。上記23の方法によれば、上記10の絶縁回路基板を備えたパワーモジュール用ベースを比較的簡単に製造することができる。上記24の方法によれば、上記11の絶縁回路基板を備えたパワーモジュール用ベースを比較的簡単に製造することができる。上記25の方法によれば、製造されたパワーモジュール用ベースにパワーモジュールをはんだ付けする前に、電子素子搭載面にニッケル、銅、銀または金のメッキを施す必要が無くなり、製造工数が減少するとともに製造コストが低減される。上記26の方法によれば、上記17のパワーモジュールを比較的簡単に製造することができる。以下、この発明の実施形態を、図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、図1の上下を上下というものとする。また、全図面を通じて同一部分および同一物には同一符号を付して重複する説明を省略する。実施形態1この実施形態は図1および図2に示すものである。図1は実施形態1の絶縁回路基板を備えたパワーモジュール用ベースにおける導電層の電子素子搭載面にパワーデバイスが実装されたパワーモジュールを示し、図2は図1の要部を示す。図1において、パワーモジュールは、パワーモジュール用ベースと、パワーモジュール用ベースに実装されたパワーデバイス電子素子とよりなる。パワーモジュール用ベースは、方形のセラミックス製絶縁板絶縁層、および絶縁板の上面にろう付された導電層からなる絶縁回路基板と、絶縁回路基板の絶縁板の下面がろう付されたアルミニウム製冷却器ヒートシンクとによって構成されている。ここでは、導電層は1枚の方形アルミニウム板からなる。なお、図1においては示されていないが、1つの絶縁板には複数の導電層がろう付され、1つの冷却器は複数の絶縁回路基板の絶縁板がろう付されるのが一般的である。絶縁回路基板の絶縁板は、必要とされる電気絶縁特性、熱伝導率および機械的強度を満たしていれば、どのようなセラミックから形成されていてもよいが、たとえばAlN、Al2O3、SiC、Si3N4およびBeOよりなる群から選ばれた1種の材料から形成されていることが好ましい。絶縁板の外周縁部は導電層の外周縁部よりも外側に位置しており、導電層と冷却器との間の絶縁性能は十分に確保されている。導電層を構成するアルミニウム板は、電気伝導率および熱伝導率が高く、変形能が高い純アルミニウム、たとえば純度99.99質量以上の純アルミニウムにより形成されていることが好ましい。そして、導電層の上面、すなわち導電層における絶縁板にろう付された面とは反対側の面が、電子素子搭載面となされている。導電層の輪郭を形成しかつ導電層の厚み方向上下方向に幅を持つ輪郭面に、ろう材を、絶縁板に対して非接触状態で溜めるろう材貯留部が設けられている。すなわち、図2に示すように、導電層の輪郭面に、絶縁板側の端部から電子素子搭載面に向かって所定の幅を有し、かつろう材貯留部内のろう材と絶縁板との接触を抑制する接触抑制部が設けられており、輪郭面における接触抑制部よりも電子素子搭載面側上側の部分に、接触抑制部に対して凹みかつ上端部が電子素子搭載面に開口した凹部が、輪郭面をなぞるようにその全周にわたって連続的に形成されている。換言すれば、導電層の輪郭面が、絶縁板側から電子素子搭載面側に向かって段部を介して順次小さくなった段付き面となされ、段付き面における最も絶縁板側の部分が接触抑制部となっているとともに、段付き面における接触抑制部よりも上側の部分に、ろう材貯留部となる凹部が形成されている。ここでは、段付き面は、1つの段部を介して1段階だけ小さくなっており、平面から見た外形が、2重となった2つの方形部を有していることになる。冷却器は、複数の冷却流体通路が並列状に設けられた扁平中空状であり、熱伝導性に優れるとともに、軽量であるアルミニウムにより形成されていることが好ましい。冷却流体としては、液体および気体のいずれを用いてもよい。なお、冷却器としては、ケース内にインナーフィンが配置されたものが用いられてもよい。パワーデバイスは、絶縁回路基板の導電層の電子素子搭載面にニッケルメッキが施された後に、電子素子搭載面のニッケルメッキ上にはんだ付けされており、これによりパワーモジュール用ベースに実装されている。パワーデバイスから発せられる熱は、導電層および絶縁板を経て冷却器に伝えられ、冷却流体通路内を流れる冷却流体に放熱されるようになっている。絶縁回路基板を含むパワーモジュール用ベースの製造方法は次の通りである。予め、プレス打ち抜き加工、打ち抜き加工と彫り込み加工、鋳造などの適当な方法によって、導電層の輪郭面となる側面に凹部を有するアルミニウム板をつくる。また、冷却器および絶縁板を用意しておく。そして、まず冷却器上に、絶縁板およびアルミニウム板をこの順序で配置する。冷却器と絶縁板との間および絶縁板とアルミニウム板との間にはそれぞれアルミニウムろう材層を設けておく。ろう材層は、たとえばSi10質量を含み、残部Alおよび不可避不純物からなるAl-Si合金系ろう材からなる。冷却器と絶縁板との間に配置されるろう材層は、ろう材箔や、心材の両面にろう材層が形成されたアルミニウムブレージングシートなどからなる。絶縁板とアルミニウム板との間に配置されるろう材層は、ろう材箔や、心材の両面にろう材層が形成されたアルミニウムブレージングシートからなる。また、絶縁板とアルミニウム板との間に配置されるろう材層は、アルミニウム板の下面に予めクラッドされていてもよい。その後、適当な治具によりアルミニウム板、絶縁板および冷却器を加圧した状態にして仮止めしたものを真空雰囲気とされた加熱炉中に入れ、適当な温度に適当な時間加熱し、絶縁板とアルミニウム板とをろう付することにより、絶縁板および導電層からなる絶縁回路基板を製造すると同時に、絶縁回路基板の絶縁板と冷却器とをろう付する。こうして、パワーモジュール用ベースが製造される。上述したパワーモジュール用ベースの製造時における絶縁板と導電層となるアルミニウム板とのろう付の際に、絶縁板とアルミニウム板との間に配置したろう材が溶融するとともに、溶融ろう材が導電層の輪郭面を通って電子素子搭載面側に流れるが、図2に鎖線で示すように、当該溶融ろう材はろう材貯留部となる凹部内に溜められてここで凝固することになり、溶融ろう材が導電層の電子素子搭載面を覆って電子素子搭載面上で凝固することが抑制される。したがって、硬化したろう材が導電層の電子素子搭載面に存在することが抑制され、導電層の電子素子搭載面に施すニッケルメッキに欠陥が生じることが抑制されるとともに、ニッケルメッキを施した導電層の電子素子搭載面にパワーデバイスをはんだ付した場合にも、パワーデバイスの熱サイクル寿命の低下が抑制される。しかも、ろう材貯留部は、ろう材を絶縁板に対して非接触状態で溜めるので、電子素子搭載面にニッケルメッキを施した後のパワーデバイスのはんだ付けの際の加熱冷却や、パワーモジュール用ベースにパワーデバイスがはんだ付けされているパワーモジュールの使用時の冷熱サイクルによっても、セラミック製絶縁板と凝固したろう材との接触部に生じる熱応力に起因する絶縁板の割れが防止され、パワーモジュールの冷熱サイクル信頼性が向上する。図3~図14は導電層の変形例を示す。図3に示す導電層は、上下方向に積層されるとともに互いにろう付され、かつ大きさの異なる複数、ここでは2枚の方形アルミニウム板からなり、全アルミニウム板の大きさが異なっているとともに、全アルミニウム板の大きさが絶縁板側下側から上側に向かって順次小さくなっている。各アルミニウム板は、図2に示す導電層を形成するアルミニウム板と同様な材質である。そして、導電層の上側アルミニウム板の上面が電子素子搭載面となっている。導電層を形成する2枚のアルミニウム板の大きさが絶縁板側下側から上側に向かって順次小さくなっていることによって、導電層の輪郭面に、下側アルミニウム板の側面からなりかつ上下方向に所定の幅を有する接触抑制部が設けられるとともに、輪郭面における接触抑制部よりも上側の部分に、接触抑制部に対して凹みかつ上端部が電子素子搭載面に開口した凹部が、輪郭面をなぞるようにその全周にわたって連続的に形成されている。そして、図2の絶縁層と同様に、導電層の輪郭面が、絶縁板側から電子素子搭載面側に向かって1つの段部を介して1段階だけ小さくなった段付き面となされ、段付き面における最も絶縁板側の部分が接触抑制部となっているとともに、段付き面における接触抑制部よりも上側の部分に、ろう材貯留部となる凹部が形成されている。その他の構成は、図2に示す導電層と同様である。図3に示す導電層を備えたパワーモジュール用ベースの製造方法は次の通りである。すなわち、冷却器と、絶縁板と、大きさが異なる2枚のアルミニウム板とを用意し、冷却器上に絶縁板を配置するとともに、絶縁板上に、両アルミニウム板を、大きいアルミニウム板から順に積層状に載せて上側アルミニウム板の周縁を下側アルミニウム板の周縁よりも内側に位置させる。冷却器と絶縁板との間、絶縁板と下側アルミニウム板との間、および両アルミニウム板間には、それぞれ図1および図2に示すパワーモジュール用ベースを製造する場合と同様なアルミニウムろう材層を設けておく。冷却器と絶縁板との間に配置されるろう材層は、ろう材箔や、心材の両面にろう材層が形成されたアルミニウムブレージングシートなどからなる。絶縁板と下側アルミニウム板との間および両アルミニウム板間に配置されるろう材層は、ろう材箔や、心材の両面にろう材層が形成されたアルミニウムブレージングシートからなる。また、絶縁板と導電層との間に配置されるろう材層は、下側アルミニウム板の下面に予めクラッドされていてもよく、両アルミニウム板間に配置されるろう材層は、上側アルミニウム板の下面または下側アルミニウム板の上面に予めクラッドされていてもよい。その後、適当な治具により両アルミニウム板、絶縁板および冷却器を加圧した状態にして仮止めしたものを真空雰囲気とされた加熱炉中に入れ、適当な温度に適当な時間加熱し、絶縁板と下側アルミニウム板および両アルミニウム板どうしろう付することにより、絶縁板上に、輪郭面が絶縁板側から上側に向かって段部を介して順次小さくなった段付き面となっている導電層を形成して、絶縁板および導電層からなる絶縁回路基板を製造すると同時に、絶縁回路基板の絶縁板と冷却器とをろう付する。こうして、パワーモジュール用ベースが製造される。図4に示す導電層は、図3に示す導電層における上側アルミニウム板の代わりに、上側アルミニウム板と同一寸法のニッケル板が用いられたものであり、ニッケル板の上面が電子素子搭載面となっている。その他の構成は図3に示す導電層と同じであり、図4に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースは、上側アルミニウム板の代わりにニッケル板を用いて、図3に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースと同様にして製造される。図4に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースの場合、導電層の電子素子搭載面にパワーデバイスをはんだ付けする前に、電子素子搭載面にニッケルメッキを施す必要がなくなる。図5に示す導電層は、図2に示す導電層と同様なアルミニウム板からなる。導電層の輪郭面は、絶縁板側から電子素子搭載面側に向かって複数、ここでは2つの段部を介して2段階に順次小さくなった段付き面となされ、段付き面における最も絶縁板側の部分が接触抑制部となっている。また、段付き面における接触抑制部よりも上側の部分に、接触抑制部に対して凹みかつ上端部が電子素子搭載面に開口するとともに、ろう材貯留部となる凹部が、輪郭面をなぞるようにその全周にわたって連続的に形成されている。段付き面は、2つの段部を介して2段階小さくなっており、平面から見た外形が、3重となった3つの方形部を有していることになる。その他の構成は図2に示す導電層と同じであり、図5に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースは、導電層の輪郭面となる側面が2つの段部を介して2段階小さくなった段付き面となっているアルミニウム板を用いて、図2に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースと同様にして製造される。図6に示す導電層は、上下方向に積層されるとともに互いにろう付され、かつ大きさの異なる複数、ここでは3枚の方形アルミニウム板からなり、全アルミニウム板の大きさが異なっているとともに、全アルミニウム板の大きさが下側から上側に向かって順次小さくなっている。各アルミニウム板は、図2に示す導電層を形成するアルミニウム板と同様な材質である。そして、導電層の上側アルミニウム板の上面が電子素子搭載面となされている。導電層を形成する3枚のアルミニウム板の大きさが下側から上側に向かって順次小さくなっていることによって、導電層の輪郭面が、絶縁板側から電子素子搭載面側に向かって複数、ここでは2つの段部を介して2段階に順次小さくなった段付き面となされ、段付き面における最も絶縁板側の部分が接触抑制部となっているとともに、段付き面における接触抑制部よりも上側の部分に、ろう材貯留部となる凹部が形成されている。その他の構成は図5に示す導電層と同じである。図6に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースは、2枚のアルミニウム板の代わりに3枚のアルミニウム板を用いて、図3に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースと同様にして製造される。図7に示す導電層は、図6に示す導電層における上側アルミニウム板の代わりに、上側アルミニウム板と同一寸法のニッケル板が用いられたものであり、ニッケル板の上面が電子素子搭載面となっている。その他の構成は図6に示す導電層と同じであり、図7に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースは、上側アルミニウム板の代わりにニッケル板を用いて、図6に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースと同様にして製造される。図7に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースの場合、導電層の電子素子搭載面にパワーデバイスをはんだ付けする前に、電子素子搭載面にニッケルメッキを施す必要がなくなる。図8に示す導電層は、図2に示す導電層と同様なアルミニウム板からなり、凹部に加えて、電子素子搭載面におけるパワーデバイスがはんだ付けされる部分よりも外周寄りの部分に、上方に開口したろう材溜凹部が形成されている。ろう材溜凹部は、導電層の周縁部の全周にわたって連続的に形成されていてもよいし、あるいは断続的に形成されていてもよい。その他の構成は図2に示す導電層と同様であり、凹部に加えてろう材溜凹部を有するアルミニウム板を用いて、図2に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースと同様にして製造される。なお、図3~図7に示す導電層においても、電子素子搭載面におけるパワーデバイスがはんだ付けされる部分よりも外周寄りの部分に、上方に開口したろう材溜凹部が形成されていてもよい。図9に示す導電層は、図2に示す導電層と同様なアルミニウム板からなり、凹部に加えて、段付き面の段部に、上方に開口しかつ段部の全周にわたる凹溝が連続的に形成されている。その他の構成は図2に示す導電層と同様であり、凹部に加えて凹溝を有するアルミニウム板を用いて、図2に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースと同様にして製造される。なお、図3~図8に示す導電層においても、段部に、上方に開口しかつ段部の全周にわたる凹溝が連続的に形成されていてもよい。図10に示す導電層は、図2に示す導電層と同様なアルミニウム板からなり、導電層の輪郭面の上下方向の中間部に、輪郭面をなぞるようにその全周にわたる溝が連続的に形成され、溝が、ろう材を、絶縁板に対して非接触状態で溜めるろう材貯留部となっている。また、導電層の輪郭面における溝よりも下方の部分に、上下方向に所定の幅を有しかつろう材貯留部内のろう材と絶縁板との接触を抑制する接触抑制部が設けられている。図10に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースは、導電層の輪郭面となる側面に溝が形成されているアルミニウム板を用いて、図2に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースと同様にして製造される。図11に示す導電層は、上下方向に積層されるとともに互いにろう付された2枚の方形アルミニウム板からなる。各アルミニウム板は、図2に示す導電層を形成するアルミニウム板と同様な材質であり、上側のアルミニウム板の肉厚は下側のアルミニウム板の肉厚よりも大きくなっている。上側アルミニウム板の下面下側アルミニウム板側を向いた面と側面とに跨る切り欠きが、上側アルミニウム板の全周にわたって形成されることによって、輪郭面の上下方向の中間部に、輪郭面をなぞるようにその全周にわたる溝が連続的に形成され、溝が、ろう材を、絶縁板に対して非接触状態で溜めるろう材貯留部となっている。その他の構成は、図10に示す導電層と同様である。図11に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースは、大きさの異なる2枚のアルミニウム板の代わりに、切り欠きを有する上側アルミニウム板と下側アルミニウム板とを用いて、図3に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースと同様にして製造される。図12に示す導電層は、上下方向に積層されるとともに互いにろう付された2枚の方形アルミニウム板からなる。各アルミニウム板は、図2に示す導電層を形成するアルミニウム板と同様な材質であり、下側のアルミニウム板の肉厚は上側のアルミニウム板の肉厚よりも大きくなっている。下側アルミニウム板の上面上側アルミニウム板側を向いた面と側面とに跨る切り欠きが、下側アルミニウム板の全周にわたって形成されることによって、輪郭面の上下方向の中間部に、輪郭面をなぞるようにその全周にわたる溝が連続的に形成され、溝が、ろう材を、絶縁板に対して非接触状態で溜めるろう材貯留部となっている。その他の構成は、図10に示す導電層と同様である。図12に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースは、大きさの異なる2枚のアルミニウム板の代わりに、上側アルミニウム板と切り欠きを有する下側アルミニウム板とを用いて、図3に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースと同様にして製造される。図13に示す導電層は、図12に示す導電層における上側アルミニウム板の代わりに、上側アルミニウム板と同一寸法のニッケル板が用いられたものであり、ニッケル板の上面が電子素子搭載面となっている。その他の構成は図12に示す導電層と同じであり、図13に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースは、上側アルミニウム板の代わりにニッケル板を用いて、図12に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースと同様にして製造される。図13に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースの場合、導電層の電子素子搭載面にパワーデバイスをはんだ付けする前に、電子素子搭載面にニッケルメッキを施す必要がなくなる。図14に示す導電層は、図13に示す導電層における下側アルミニウム板の代わりに、上下方向に積層されるとともに互いにろう付された2枚の方形アルミニウム板が用いられたものである。導電層の上下方向の中間部のアルミニウム板の外形は、下端に位置するアルミニウム板および上端の板の外形よりも小さくなっている。すなわち、導電層が、積層されるとともに互いにろう付された複数、ここでは3枚の板からなり、導電層の厚み方向の中間部に位置するアルミニウム板の大きさが他の板よりも小さくされることによって、輪郭面にその全周にわたって連続しかつろう材貯留部となる溝が形成されている。図14に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースは、大きさの異なる3枚のアルミニウム板の代わりに、ニッケル板および2枚のアルミニウム板を用いて、図6に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースと同様にして製造される。図14に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースの場合、導電層の電子素子搭載面にパワーデバイスをはんだ付けする前に、電子素子搭載面にニッケルメッキを施す必要がなくなる。なお、図14に示す導電層において、板に代えて、図12に示す導電層の上側アルミニウム板が用いられていてもよい。なお、上記においては、図3、図4、図6、図7、図11~図14に示す導電層においては、これらを形成する複数の板はろう付されているが、これに限定されるものではなく、他の適当な方法、たとえば圧延などにより接合されていてもよい。この場合、複数の板を接合して導電層を形成した後に、導電層が絶縁板にろう付される。また、図3、図4、図6、図7、図11~図14に示す導電層を形成する板の数も適宜変更可能である。図15に示す導電層は、図2に示す導電層と同様なアルミニウム板からなり、導電層の輪郭面における相対向する2つの辺部の上下方向の中間部に、当該辺部の長さ方向にのびる溝からなる凹部が形成されるとともに、凹部よりも下方の部分に、上下方向に所定の幅を有しかつろう材貯留部内のろう材と絶縁板との接触を抑制する接触抑制部が設けられている。また、導電層の輪郭面の残りの2つの辺部に、輪郭面と電子素子搭載面とに跨る切り欠きからなる凹部が形成され、凹部よりも下方の部分に、上下方向に所定の幅を有しかつろう材貯留部内のろう材と絶縁板との接触を抑制する接触抑制部が設けられている。そして、溝からなる凹部および切り欠きからなる凹部が、ろう材を、絶縁板に対して非接触状態で溜めるろう材貯留部となっている。図15に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースは、導電層の輪郭面となる側面に凹部が形成されているアルミニウム板を用いて、図2に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースと同様にして製造される。図16に示す導電層は、図2に示す導電層と同様なアルミニウム板からなり、導電層の輪郭面の下部に、上下方向に所定の幅を有する接触抑制部が設けられるとともに、接触抑制部よりも上側の部分に、接触抑制部に対して凹み、かつ上端部が電子素子搭載面に開口した複数の凹部が、各辺部の長さ方向に間隔をおいて形成されている。そして、凹部が、ろう材を、絶縁板に対して非接触状態で溜めるろう材貯留部となっている。図16に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースは、導電層の輪郭面となる側面に凹部が形成されているアルミニウム板を用いて、図2に示す導電層を有するパワーモジュール用ベースと同様にして製造される。実施形態2この実施形態は図17に示すものである。図17は実施形態2の絶縁回路基板を備えたパワーモジュール用ベースにおける導電層の電子素子搭載面にパワーデバイスが実装されたパワーモジュールを示す。図17において、パワーモジュールは、パワーモジュール用ベースと、パワーモジュール用ベースに実装されたパワーデバイス電子素子とよりなる。パワーモジュール用ベースは、実施形態1のパワーモジュール用ベースにおける絶縁回路基板の絶縁板と冷却器との間に応力緩和部材が配置され、応力緩和部材が絶縁板および冷却器にろう付されたものである。応力緩和部材は、熱伝導率が高く、しかも変形能が高い純アルミニウム、たとえば純度99.99質量以上の純アルミニウムで形成された板からなることが好ましい。図示は省略したが、応力緩和部材には、上下方向にのびる複数の貫通穴が形成されていることが好ましい。その他の構成は、実施形態1のパワーモジュール用ベースと同様である。図17に示すパワーモジュール用ベースの製造方法は、応力緩和部材を用意し、冷却器上に、応力緩和部材、絶縁板およびアルミニウム板をこの順序で配置し、冷却器と応力緩和部材との間、応力緩和部材と絶縁板との間にろう材層を設けることを除いては、実施形態1のパワーモジュール用ベースの製造方法と同様である。冷却器と応力緩和部材との間、および応力緩和部材と絶縁板との間に配置されるろう材層は、ろう材箔や、心材の両面にろう材層が形成されたアルミニウムブレージングシートなどからなる。また、冷却器と応力緩和部材との間、および応力緩和部材と絶縁板との間に配置されるろう材層は、応力緩和部材の両面に予めクラッドされていてもよい。実施形態3この実施形態は図18に示すものである。図18は実施形態3の絶縁回路基板を備えたパワーモジュール用ベースにおける導電層の電子素子搭載面にパワーデバイスが実装されたパワーモジュールを示す。図18において、パワーモジュールは、パワーモジュール用ベースと、パワーモジュール用ベースに実装されたパワーデバイス電子素子とよりなる。パワーモジュール用ベースは、実施形態2のパワーモジュール用ベースにおけるアルミニウム板上面にニッケル板が配置されてアルミニウム板にろう付されることにより、絶縁回路基板の絶縁層が構成されたものである。そして、ニッケル板の上面が電子素子搭載面となっており、ここにパワーデバイスがはんだ付けされて実装されている。その他の構成は、実施形態2のパワーモジュール用ベースと同様である。図18に示すパワーモジュール用ベースの製造方法は、ニッケル板を用意し、アルミニウム板上にニッケル板を配置し、アルミニウム板とニッケル板との間にろう材層を設けることを除いては、実施形態2のパワーモジュール用ベースの製造方法と同様である。アルミニウム板とニッケル板との間に配置されるろう材層は、ろう材箔や、心材の両面にろう材層が形成されたアルミニウムブレージングシートなどからなる。また、アルミニウム板とニッケル板との間に配置されるろう材層は、アルミニウム板の上面に予めクラッドされていてもよい。上述したニッケル板を用いた導電層において、ニッケル板に代えて、銅板、銀板または金板が用いられてもよい。以下、この発明によるパワーモジュール用ベースの具体的実施例について、比較例とともに説明する。実施例1この実施例は実施形態2のパワーモジュール用ベースである。絶縁板として、焼結助剤を含むAlNからなり、縦:35mm、横:30mm、厚み:0.63mmのものを用意した。導電層を形成するアルミニウム板として、純度99.99wtの純アルミニウムからなり、縦:33mm、横:28mm、厚み:1.0mmであるものを用意した。アルミニウム板の上面から側面にかけて、幅0.7mm、深さ0.5mmの切り欠きを形成することにより、アルミニウム板の側面に、その全周にわたって連続しかつろう材貯留部となる凹部を形成しておいた。応力緩和部材として、純度99.99wtの純アルミニウムからなり、縦:34mm、横:29mm、厚み:1.6mmのアルミニウム板からなるものを用意した。また、冷却器の代わりに、JISA3003からなり、かつ縦:60m、横:50mm、厚み:5.0mmのアルミニウム板を用意した。さらに、Al-10wtSi合金からなり、かつ厚みが25μmのろう材箔を用意した。そして、冷却器の代わりとなるアルミニウム板上に、応力緩和部材、絶縁板、およびアルミニウム板を、アルミニウム板の凹部が上側に来るように、この順序で載せた。このとき、冷却器の代わりとなるアルミニウム板と応力緩和部材との間、応力緩和部材と絶縁板との間、および絶縁板とアルミニウム板との間に、それぞれAl-10wtSi合金からなり、かつ厚みが25μmのろう材箔を配置しておいた。ついで、冷却器の代わりとなるアルミニウム板、応力緩和部材、絶縁板およびアルミニウム板を積層方向に8g/mm2の面圧を負荷して加圧しながら、600°Cの真空雰囲気中に15分間置き、冷却器の代わりとなるアルミニウム板と応力緩和部材、応力緩和部材と絶縁板、および絶縁板とアルミニウム板とをそれぞれろう付してパワーモジュール用ベースを製造した。製造されたパワーモジュール用ベースを観察したところ、凝固したろう材はアルミニウム板の凹部内に溜まり、アルミニウム板の上面には凝固したろう材は見られなかった。また、熱サイクルの信頼性を評価するために、125°Cに加熱→-40°Cに冷却を1サイクルとして3000サイクルの冷熱サイクル試験を行ったところ、絶縁板には割れは発生していなかった。実施例2この実施例は実施形態3のパワーモジュール用ベースである。上記実施例1と同じ絶縁板、アルミニウム板、応力緩和部材および冷却器の代わりとなるアルミニウム板に加えて、純度99wtの純ニッケルからなり、縦:33mm、横:28mm、厚み:0.2mmのニッケル板を用意した。さらに、Al-10wtSi合金からなり、かつ厚みが25μmおよび10μmの2種類のろう材箔を用意した。そして、冷却器の代わりとなるアルミニウム板上に、応力緩和部材、絶縁板、アルミニウム板およびニッケル板を、アルミニウム板の凹部が上側に来るように、この順序で載せた。このとき、冷却器の代わりとなるアルミニウム板と応力緩和部材との間、応力緩和部材と絶縁板との間、および絶縁板とアルミニウム板を形成するアルミニウム板との間に、それぞれ厚みが25μmのろう材箔を配置するとともに、アルミニウム板を形成するアルミニウム板とニッケル板との間に厚みが10μmのろう材箔を配置しておいた。ついで、冷却器の代わりとなるアルミニウム板、応力緩和部材、絶縁板、アルミニウム板およびニッケル板を積層方向に8g/mm2の面圧を負荷して加圧しながら、600°Cの真空雰囲気中に15分間置き、冷却器の代わりとなるアルミニウム板と応力緩和部材、応力緩和部材と絶縁板、絶縁板とアルミニウム板、およびアルミニウム板とニッケル板とをそれぞれろう付してパワーモジュール用ベースを製造した。製造されたパワーモジュール用ベースを観察したところ、凝固したろう材はアルミニウム板の凹部内に溜まり、ニッケル板の上面には凝固したろう材は見られなかった。また、熱サイクルの信頼性を評価するために、125°Cに加熱→-40°Cに冷却を1サイクルとして3000サイクルの冷熱サイクル試験を行ったところ、絶縁板には割れは発生していなかった。比較例1図19に示すように、アルミニウム板の下面から側面にかけて、幅0.7mm、深さ0.5mmの切り欠きを形成することにより、アルミニウム板の側面に、その全周にわたって連続した凹部を形成したことを除いては、上記実施例1と同じ条件で、冷却器の代わりとなるアルミニウム板と応力緩和部材、応力緩和部材と絶縁板、および絶縁板とアルミニウム板とをそれぞれろう付してパワーモジュール用ベースを製造した。製造されたパワーモジュール用ベースを観察したところ、凝固したろう材はアルミニウム板の凹部内に溜まり、アルミニウム板の上面には凝固したろう材は見られなかった。しかしながら、凹部内で凝固したろう材と絶縁板とが直接接触していた。また、熱サイクルの信頼性を評価するために、125°Cに加熱→-40°Cに冷却を1サイクルとして1000サイクルの冷熱サイクル試験を行ったところ、絶縁板に、凝固したろう材との接触部を起点として亀裂が発生していた。