"無機基板上にポリイミド前駆体溶液を塗布乾燥熱処理することによりポリイミド皮膜を得、ポリイミド皮膜上に薄膜デバイスを形成した後に、無機基板から剥離して極薄デバイスを得るプロセスに用いられるポリイミド前駆体溶液において、概ポリイミド前駆体溶液が溶剤と芳香族テトラカルボン酸無水物類と、ジカルボン酸無水物類と、ベンザゾール骨格を有するジアミン類とから得られるポリアミドとを主成分とするポリアミド酸溶液であり、芳香族テトラカルボン酸無水物類が有するカルボン酸無水物基のモル数Anと、ジカルボン酸無水物類とが有するカルボン酸無水物基のモル数Bnと、ジアミン類が有するアミノ基のモル数Cnとが、以下の関係1式と2式とを同時に満足することを特徴とするポリイミド前駆体溶液。0.90≦Cn/AnBn<1.00≦Bn/An≦0.05ポリイミド皮膜の線膨張係数が、-5ppm/°C~8ppm/°Cである請求項1記載の極薄デバイス製造用ポリイミド前駆体溶液。無機基板からのポリイミド皮膜の剥離力が、1.6N/cm~7.0N/cmである請求項1又は2記載の極薄デバイス製造用ポリイミド前駆体溶液。本発明は、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、電子ペーパー等の表示デバイス、太陽電池の受光デバイスである極薄デバイスにおいて、ガラス基板等のキャリア基板上に塗布することで簡単にかつ所望の膜厚の薄膜を形成し、その樹脂薄膜上に回路やディスプレイ層等を形成できるとともに、耐熱性に優れ、熱膨張係数の低いポリイミド膜となって、回路等の形成過程でキャリア基板層からのはがれやキャリア基板層のそりを生じさせず、回路等のはがれなどの欠陥も生じず、そしてその後、キャリア基板から欠陥を生じずに剥離ができる、液状の極薄デバイス基板形成用ポリイミド前駆体溶液樹脂組成物、これを用いた極薄デバイス及びその製造方法を提供するものである。本発明者らは、極薄デバイスを製造する上において、芳香族テトラカルボン酸類とベンゾオキサゾール構造骨格を有する芳香族ジアミン類との反応によって得られる特定のポリアミド酸溶液が、無機のキャリア基板上で塗布乾燥イミド化して塗膜と成し、塗膜上にデバイスを形成するに十分な接着力を有し、かつ、デバイスを形成した後にキャリア基板から引き剥がす場合に、デバイスを破壊することなく剥離が可能で、さらに直交する2方向で測っていずれも-5pm/K~8ppm/Kの線膨張係数を示し、極薄デバイスとしての取り扱いが可能なポリイミドフィルムを与える事を見出し、本発明に到達した。すなわち本発明は以下の構成からなる。1.ガラス、セラミックなどから選択される無機基板上にポリイミド前駆体溶液を塗布乾燥熱処理することにより無機基板/ポリイミド皮膜からなる積層体を得、積層体のポリイミド皮膜面、ないし無機基板面に薄膜デバイスを形成して得られる極薄デバイスの製造プロセスに用いられるポリイミド前駆体溶液において、概ポリイミド前駆体溶液が溶剤と芳香族テトラカルボン酸無水物類と、ジカルボン酸無水物類と、ベンザゾール骨格を有するジアミン類とから得られるポリアミドとを主成分とするポリアミド酸溶液であり、芳香族テトラカルボン酸無水物類が有するカルボン酸無水物基のモル数Anと、ジカルボン酸無水物類とが有するカルボン酸無水物基のモル数Bnと、ジアミン類が有するアミノ基のモル数Cnとが、以下の関係1式と2式とを同時に満足することを特徴とするポリイミド前駆体溶液。0.90≦Cn/AnBn<1.00≦Bn/An≦0.052.ポリイミド皮膜の線膨張係数が、-5ppm/°C~8ppm/°Cである1.の極薄デバイス製造用ポリイミド前駆体溶液。3.無機基板からのポリイミド皮膜の剥離力が、1.6N/cm~20N/cmである1.又は2.の極薄デバイス製造用ポリイミド前駆体溶液。本願においてはテトラカルボン酸二無水物には、1分子にカルボン酸無水物基が2個、ジカルボン酸無水物類にはカルボン酸無水物基が1個と数える。高温環境におかれても使用耐久性に優れ、回路形成時の高温暴露においても耐久性があり、伸び縮みが少ない為、電気回路、半導体素子に応力が加わる事が少なく、また、無機基板との線膨張係数に差が少ないことから、無機基板との積層体上で回路を高温で形成する際にも、反りも生じにくいことからが安定な電気配線および電気素子をつくることができ、また、無機層に比べ、平坦で表面粗さの小さい表面を容易に作れることから、微細配線を作成しやすい、絶縁性で可撓性、耐熱性を兼ね備えた電子デバイス作成などに極めて有意義であり、しかも適正な接着性を兼備した、有用な極薄デバイス製造用ポリイミド前駆体溶液である。本発明の極薄デバイス製造用ポリイミド前駆体溶液は、その後に形成されるポリイミド皮膜層が、自己支持性のポリイミドフィルムであり、芳香族テトラカルボン酸類と芳香族ジアミン類との反応によって得られるポリイミドのフィルムの線膨張係数フィルムの長さ方向と幅方向でいずれもが-5ppm/°C~8ppm/°Cとなるポリイミドであり、しかも無機基板からのポリイミド皮膜の剥離力以下、90度剥離強度ともいうが、1.6N/cm~20N/cm、好ましくは2.5~14N/cm、さらに好ましくは3.5~11N/cm、なおさらにお好ましくは4.2~8.9Ncmであり、デバイス成形時には剥離せず、またデバイス完成後は補強用被膜となり得るもので、芳香族テトラカルボン酸類無水物、酸、およびアミド結合性誘導体を総称して類という、以下同と芳香族ジアミン類アミン、およびアミド結合性誘導体を総称して類という、以下同とを反応させて得られるポリアミド酸溶液を流延、乾燥、熱処理イミド化して皮膜フィルムとなす方法で得られるポリイミドであることが好ましく、これらのポリイミドの前駆体溶液ポリアミド酸溶液である。本発明の極薄デバイス製造用ポリイミド前駆体溶液において、芳香族テトラカルボン酸無水物類が有するカルボン酸無水物基のモル数Anと、ジカルボン酸無水物類とが有するカルボン酸無水物基のモル数Bnと、ジアミン類が有するアミノ基のモル数Cnとが、関係1式と2式とを同時に満足することが必須であり、0.90≦Cn/AnBn<1.00≦Bn/An≦0.05本願におけるCn/AnBnは0.95≦Cn/AnBn<1.0が好ましく、0.97≦Cn/AnBn<1.0が、なお好ましく、0.98≦Cn/AnBn<1.0が、更に好ましく、0.98≦Cn/AnBn<0.999が、なおさらに好ましい。本願におけるBn/Anは、0≦Bn/An≦0.08が好ましく0<Bn/An≦0.08がなお、好ましく0<Bn/An≦0.03がさらに好ましく0.001<Bn/An≦0.02がなおさらに好ましい。この範囲を逸脱する場合は、形成されたポリイミド皮膜の引張破断強度及び引張破断伸度が充分なものとはなりえない場合が多く、かつ無機基板からのポリイミド皮膜の剥離力が、1.6N/cm~7.0N/cmとはならず、また皮膜ポリイミドフィルムの線膨張係数フィルムの長さ方向と幅方向でいずれもが-5ppm/°C~8ppm/°Cの範囲から外れる場合が多くなり、有用な極薄デバイス製造用ポリイミド前駆体溶液にならない。これらの溶液に用いられる溶剤としては、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミドなどが挙げられる。本発明に用いるベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類の分子構造は特に限定されるものではなく、具体的には以下のものが挙げられる。これらの中でも、合成のし易さの観点から、アミノアミノフェニルベンゾオキサゾールの各異性体が好ましく、5-アミノ-2-p-アミノフェニルベンゾオキサゾールがより好ましい。ここで、各異性体とは、アミノアミノフェニルベンゾオキサゾールが有する2つアミノ基が配位位置に応じて定められる各異性体である例;上記化1~化4に記載の各化合物。これらのジアミンは、単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。本発明においては、全ジアミンの30モル以下であれば下記に例示されるジアミン類を一種または二種以上を併用しても構わない。そのようなジアミン類としては、例えば、4,4-ビス3-アミノフェノキシビフェニル、ビス[4-3-アミノフェノキシフェニル]ケトン、ビス[4-3-アミノフェノキシフェニル]スルフィド、ビス[4-3-アミノフェノキシフェニル]スルホン、2,2-ビス[4-3-アミノフェノキシフェニル]プロパン、2,2-ビス[4-3-アミノフェノキシフェニル]-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン、m-フェニレンジアミン、o-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、m-アミノベンジルアミン、p-アミノベンジルアミン、3,3-ジアミノジフェニルエーテル、3,4-ジアミノジフェニルエーテル、4,4-ジアミノジフェニルエーテル、3,3-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3-ジアミノジフェニルスルホキシド、3,4-ジアミノジフェニルスルホキシド、4,4-ジアミノジフェニルスルホキシド、3,3-ジアミノジフェニルスルホン、3,4-ジアミノジフェニルスルホン、4,4-ジアミノジフェニルスルホン、3,3-ジアミノベンゾフェノン、3,4-ジアミノベンゾフェノン、4,4-ジアミノベンゾフェノン、3,3-ジアミノジフェニルメタン、3,4-ジアミノジフェニルメタン、4,4-ジアミノジフェニルメタン、ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]メタン、1,1-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]エタン、1,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]エタン、1,1-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]プロパン、1,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]プロパン、1,3-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]プロパン、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]プロパン、1,1-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]ブタン、1,3-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]ブタン、1,4-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]ブタン、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]ブタン、2,3-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]ブタン、2-[4-4-アミノフェノキシフェニル]-2-[4-4-アミノフェノキシ-3-メチルフェニル]プロパン、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシ-3-メチルフェニル]プロパン、2-[4-4-アミノフェノキシフェニル]-2-[4-4-アミノフェノキシ-3,5-ジメチルフェニル]プロパン、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシ-3,5-ジメチルフェニル]プロパン、2,2-ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン、1,4-ビス3-アミノフェノキシベンゼン、1,3-ビス3-アミノフェノキシベンゼン、1,4-ビス4-アミノフェノキシベンゼン、4,4-ビス4-アミノフェノキシビフェニル、ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]ケトン、ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]スルフィド、ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]スルホキシド、ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]スルホン、ビス[4-3-アミノフェノキシフェニル]エーテル、ビス[4-4-アミノフェノキシフェニル]エーテル、1,3-ビス[4-4-アミノフェノキシベンゾイル]ベンゼン、1,3-ビス[4-3-アミノフェノキシベンゾイル]ベンゼン、1,4-ビス[4-3-アミノフェノキシベンゾイル]ベンゼン、4,4-ビス[3-アミノフェノキシベンゾイル]ベンゼン、1,1-ビス[4-3-アミノフェノキシフェニル]プロパン、1,3-ビス[4-3-アミノフェノキシフェニル]プロパン、3,4-ジアミノジフェニルスルフィド、2,2-ビス[3-3-アミノフェノキシフェニル]-1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン、ビス[4-3-アミノフェノキシフェニル]メタン、1,1-ビス[4-3-アミノフェノキシフェニル]エタン、1,2-ビス[4-3-アミノフェノキシフェニル]エタン、ビス[4-3-アミノフェノキシフェニル]スルホキシド、4,4-ビス[3-4-アミノフェノキシベンゾイル]ジフェニルエーテル、4,4-ビス[3-3-アミノフェノキシベンゾイル]ジフェニルエーテル、4,4-ビス[4-4-アミノ-α,α-ジメチルベンジルフェノキシ]ベンゾフェノン、4,4-ビス[4-4-アミノ-α,α-ジメチルベンジルフェノキシ]ジフェニルスルホン、ビス[4-{4-4-アミノフェノキシフェノキシ}フェニル]スルホン、1,4-ビス[4-4-アミノフェノキシフェノキシ-α,α-ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3-ビス[4-4-アミノフェノキシフェノキシ-α,α-ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3-ビス[4-4-アミノ-6-トリフルオロメチルフェノキシ-α,α-ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3-ビス[4-4-アミノ-6-フルオロフェノキシ-α,α-ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3-ビス[4-4-アミノ-6-メチルフェノキシ-α,α-ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3-ビス[4-4-アミノ-6-シアノフェノキシ-α,α-ジメチルベンジル]ベンゼン、3,3-ジアミノ-4,4-ジフェノキシベンゾフェノン、4,4-ジアミノ-5,5-ジフェノキシベンゾフェノン、3,4-ジアミノ-4,5-ジフェノキシベンゾフェノン、3,3-ジアミノ-4-フェノキシベンゾフェノン、4,4-ジアミノ-5-フェノキシベンゾフェノン、3,4-ジアミノ-4-フェノキシベンゾフェノン、3,4-ジアミノ-5-フェノキシベンゾフェノン、3,3-ジアミノ-4,4-ジビフェノキシベンゾフェノン、4,4-ジアミノ-5,5-ジビフェノキシベンゾフェノン、3,4-ジアミノ-4,5-ジビフェノキシベンゾフェノン、3,3-ジアミノ-4-ビフェノキシベンゾフェノン、4,4-ジアミノ-5-ビフェノキシベンゾフェノン、3,4-ジアミノ-4-ビフェノキシベンゾフェノン、3,4-ジアミノ-5-ビフェノキシベンゾフェノン、1,3-ビス3-アミノ-4-フェノキシベンゾイルベンゼン、1,4-ビス3-アミノ-4-フェノキシベンゾイルベンゼン、1,3-ビス4-アミノ-5-フェノキシベンゾイルベンゼン、1,4-ビス4-アミノ-5-フェノキシベンゾイルベンゼン、1,3-ビス3-アミノ-4-ビフェノキシベンゾイルベンゼン、1,4-ビス3-アミノ-4-ビフェノキシベンゾイルベンゼン、1,3-ビス4-アミノ-5-ビフェノキシベンゾイルベンゼン、1,4-ビス4-アミノ-5-ビフェノキシベンゾイルベンゼン、2,6-ビス[4-4-アミノ-α,α-ジメチルベンジルフェノキシ]ベンゾニトリル、1、3-3-アミノプロピル―1,1,3,3-テトラメチルジシロキサンおよび上記芳香族ジアミンの芳香環上の水素原子の一部もしくは全てがハロゲン原子、炭素数1~3のアルキル基またはアルコキシル基、シアノ基、またはアルキル基またはアルコキシル基の水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子で置換された炭素数1~3のハロゲン化アルキル基またはアルコキシル基で置換された芳香族ジアミン等が挙げられる。<芳香族テトラカルボン酸無水物類>本発明で用いられる芳香族テトラカルボン酸無水物類としては、具体的には、以下のものが挙げられる。これらのテトラカルボン酸二無水物は単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。芳香族テトラカルボン酸類と芳香族ジアミン類とを反応重合させてポリアミド酸を得るときに用いる溶媒は、原料となるモノマーおよび生成するポリアミド酸のいずれをも溶解するものであれば特に限定されないが、極性有機溶媒が好ましく、例えば、N-メチル-2-ピロリドン、N-アセチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリックアミド、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、スルホラン、ハロゲン化フェノール類等があげられる。これらの溶媒は、単独あるいは混合して使用することができる。溶媒の使用量は、原料となるモノマーを溶解するのに十分な量であればよく、具体的な使用量としては、モノマーを溶解した溶液に占めるモノマーの重量が、通常5~40重量、好ましくは10~30重量となるような量が挙げられる。ポリアミド酸を得るための重合反応以下、単に重合反応ともいうの条件は従来公知の条件を適用すればよく、具体例として、有機溶媒中、0~80°Cの温度範囲で、10分~30時間連続して撹拌および/または混合することが挙げられる。必要により重合反応を分割するなど、温度を上下させてもかまわない。この場合に、両モノマーの添加順序には特に制限はないが、芳香族ジアミン類の溶液中に芳香族テトラカルボン酸無水物類を添加するのが好ましい。重合反応によって得られるポリアミド酸溶液に占めるポリアミド酸の重量は、好ましくは5~40重量、より好ましくは10~30重量であり、前記溶液の粘度はブルックフィールド粘度計による測定25°Cで、前記ポリイミド層を得るためのもので好ましくは10~2000Pasであり、より好ましくは100~1000Pasである。重合反応中に真空脱泡することは、良質なポリアミド酸溶液を製造するのに有効である。また、重合反応の前に芳香族ジアミン類に少量の末端封止剤を添加して重合を制御することを行ってもよい。末端封止剤としては、モノアミン化合物ないし、ジカルボン酸無水物を用いることが出来、好ましくはジカルボン酸無水物である。本発明に使用されるジカルボン酸無水物類としては、シュウ酸、マロン酸、マレイン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベイン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フタル酸などの酸無水物を例示することができ、好ましくはマレイン酸のように二重結合を有する酸無水物である。さらに、アセチレン系化合物であって、ジカルボン酸やモノアミンの形態を有しポリイミドの末端停止機能を有する化合物も使用することができる。例えば、4-エチニルフタル酸無水物や、4-フェニルエチニルフタル酸無水物が挙げられる。末端停止剤の内、ジカルボン酸無水物は、本発明の酸無水物基に数え、その規定される範囲内で使用することが出来る。重合反応により得られるポリアミド酸溶液から、ポリイミド皮膜を形成するためには、ポリアミド酸溶液を無機基板上に塗布して乾燥し、さらに高温で熱処理に供することでイミド化反応させる方法が挙げられる。無機基板へのポリアミド酸溶液の塗布は、スリット付き口金からの流延、押出機による押出しや、スリットコート、スクリーン印刷、リバースコート等を含むが、これらに限られず従来公知の溶液の塗布手段を適宜用いることができる。本発明におけるポリイミド前駆体溶液においては、その溶液中に粒子を添加含有せしめて、皮膜フィルム表面に微細な凹凸を付与し層フィルムの接着性などを改善することも採用できる。粒子としては、無機や有機の0.03μm~0.8μm程度の平均粒子径を有する微粒子が使用でき、具体例として、酸化チタン、アルミナ、シリカ、炭酸カルシウム、燐酸カルシウム、燐酸水素カルシウム、ピロ燐酸カルシウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、粘土鉱物などの微粒子が挙げられる。これらの微粒子はポリイミドに対して好ましくは、0.20~2.0質量の範囲で含有させることが好ましい。微粒子の含有量が0.20質量未満であるときは、接着性の向上がそれほどなく好ましくない。一方2.0質量を超えると表面凹凸が大きくなり過ぎ接着性の向上が見られても平滑性の低下を招くなどによる課題を残し好ましくない。電気回路の配線幅が微細になってきた場合、粒子の粒子径は配線幅に比べ十分小さい事が望ましい。このため、電気回路を形成する側のポリイミド層厚さ方向少なくとも3μmの部分には20nm以上長径を持つ粒子は入っていないものも望まれる。このことにより、電気回路層と接している側の高分子層は平滑となり、平滑な電気回路層との原子レベルで見た接触確率が上がり、接着に好適となる。また好ましくは、電気回路層と接している側の高分子層の5μm以上の部分が20nm以上長径を持つ粒子は入っていない事が好ましい。本発明における無機基板とは、ガラスとセラミックス等の、硬く脆い材質からなる板を意味する。本発明に使用される積層体における無機基板としてのガラス層とは石英ガラス、高ケイ酸ガラス96シリカ、ソーダ石灰ガラス、鉛ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラスパイレックス登録商標、ホウケイ酸ガラス無アルカリ、ホウケイ酸ガラスマイクロシート、アルミノケイ酸塩ガラスが含まれる。中でも線膨張係数が5ppm/°C以下のものが望ましく、液晶用ガラスのコーニング1753、イーグルXG、日本電気硝子OA10G、旭硝子AN100などが望ましい。本発明の積層体におけるセラミック層とはAL2O3、Mullite、AlN、SiC、Si3N4、結晶化ガラス、Cordierite、Spodumene、PbBSGCaZrO3Al2O3、CrystallizedglassAl2O3、CrystallizedCaBSGBSGQuartz、BSGQuartzBSGAl2O3、PbBSGAl2O3、Glass-ceramic、ゼロデュア材などの基盤用セラミックス、TiO2、、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム。アルミナ、MgO、ステアタイト、BaTi4O9、BaTi03、BaTi03CaZrO3、BaSrCaZrTio3、BaO3、PMNPTPFNPFWなどのキャパシター材料、PbNb2O6、Pb05Be05Nb2O6PbTiO3BaTiO3PZT0855PZT95PT05BT0873PZT097PT03BTPLZTなどの圧電材料が含まれる。本発明における無機基板としては、さらにシリコンウエハ、SiCウエハ、ダイヤモンドウエハ、GaAsウエハ、などを含めることも出来る。本発明における無機基板とポリイミド皮膜からなる積層体において、ポリイミド皮膜層の厚さは、充分な絶縁性を持ち、電気特性その他の特性を維持する以上に厚いと、乾燥に時間がかかり作成は困難であり、膜形成にコストと時間がかかり望ましくない、このため、実現範囲としては、0.5μm~50μmであり、より好ましくは1μmから25μmの範囲である。該厚み範囲の薄膜上に後述のデバイスを形成したものを、本願においては極薄デバイスと称する。本発明に使用される積層体における無機基板の厚さは1~1200μmの範囲であり、好ましくは2~450μmの範囲であり、さらに好ましくは2.8~160μmの範囲であり、なおさらに好ましくは3.6μm~70μm、よりさらに好ましくは4.8~27μmの範囲である。本発明における線膨張係数とは、30から400°Cの間で測った平均値をCTEとして算出している。金属やセラミックスではこの温度範囲で変化がない事が多いが、ポリイミド層ではこの温度範囲で、CTEが変化する事があるが、測定下限を0°C、30°C、50°Cといったものに置き換えてもよく、測定上限を200°C、300°C、450°Cに置き換えることも可能である。本発明に使用される積層体における無機基板としての無機基板層の線膨張係数は、-5ppm/°C~8ppm/°Cであり、より好ましくは2ppm/°C~7ppm/°Cであり、無機基板として多用されるガラスやシリコンウエハのそれが1.2ppm/°C~3.5ppm/°Cであることに由来するものである。これより大きいものでは、熱履歴または回路形成時に部分的に応力が加わる事があり、反りの発生やポリイミド層の剥離が発生し易くなる。本発明における90度剥離強度とは、1.6N/cm~20N/cmが好ましく、より好ましくは2.5~9.5N/cm、さらに好ましくは3.8~7.2N/cmである。1.6N/cm未満では実用的デバイスとしての利用が困難であり、20N/cmを超える場合は無機基板からのポリイミド被膜をはぎ取る際に支障が出ることが多くなる。本発明における極薄デバイスとは高分子フィルムからなる基材上に、能動デバイス、受動デバイス、センシングデバイス、発光デバイス、受光デバイス、微細機構部品などからなる電子回路ないしMEMS素子などが形成されたものを云う。これらの極薄デバイスには素子間を連絡するための金属配線が設けられる場合が多い。ここに金属とは、銅、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Mo、Ti、Wなどを主成分とする。金属配線のことを言う。望ましくは銅配線にポリイミドフィルムとの間にバリア層として、NiCr合金やTi合金が入っている物が挙げられる。本発明における能動素子として半導体素子を例示出来る。本発明における半導体素子とは、電力用半導体素子、薄膜トランジスター、センサー、太陽電池或は論理回路、MEMS素子、発光素子、受光素子、アクチュエーター素子、および、市販の半導体素子チップを貼り付けるものも含む。本発明における電力用半導体素子とは、電力の変換や制御用に最適化された半導体で、通常の半導体素子に比べて高耐圧化、大電流化、高速高周波化されているものをいう。整流ダイオード、パワートランジスタ、パワーMOSFET、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、サイリスタ、ゲートターンオフサイリスタ、トライアックなどを含む。本発明における薄膜トランジスターとは、トランジスターを構成する半導体層および素子を構成する絶縁膜、電極、保護絶縁膜などが、薄膜を堆積させて作製されているものをいう。通常シリコンウエハのシリコンを半導体層として使用するものとは、区別する。通常薄膜を真空蒸着などのPVD物理的蒸着、プラズマCVDなどのCVD化学的蒸着といった、真空を利用する手法によって作製する。このため、シリコンウエハのように単結晶ではないものを含む。Siを使っても、微結晶シリコンTFT、高温ポリシリコンTFT、低温ポリシリコンTFT、そして酸化物半導体TFT、有機半導体TFTなどを含む。本発明におけるセンサーとは、ストレインゲージロードセル半導体圧力センサー光センサー光電素子フォトダイオード磁気センサー接触式温度センサーサーミスタ温度センサー抵抗測温体温度センサー熱電対温度センサー非接触式温度センサー放射温度計マイクロフォンイオン濃度センサーガス濃度センサー変位センサーポテンショメータ差動トランス変位センサー回転角センサーリニアエンコーダタコジェネレータロータリエンコーダ光位置センサー超音波距離計静電容量変位計レーザードップラー振動速度計レーザードップラー流速計ジャイロセンサー加速度センサー地震センサー一次元画像リニアイメージセンサー二次元画像CCDイメージセンサーCMOSイメージセンサー液漏液センサーリークセンサー液検知センサーレベルセンサー硬度センサー電場センサー電流センサー電圧センサー電力センサー赤外線センサー放射線センサー湿度センサーにおいセンサー流量センサー傾斜センサー振動センサー時間センサーおよび、これらのセンサーを複合した複合センサーや、これらのセンサーで検出した値から何らかの計算式に基づき別の物理量や感性値などを出力するセンサーなどがを含む本発明におけるMEMSとは、MEMS技術を利用して作成した物をさし、インクジェットプリンターヘッド、走査型プローブ顕微鏡用プローブ、LSIフプローバー用コンタクタ、マスクレス露光用光空間変調器、光集積化素子、赤外線センサー、流量センサー、加速度センサー、MEMSジャイロセンサー、RFMEMSスイッチ、体内体外血圧センサーそして、グレーティングライトバルブ、デジタルマイクロミラーデバイスなどを使ったビデオプロジェクター、などを含む。本発明における太陽電池とは、上述した積層体のポリイミド層上に半導体からなる光電変換層を含む積層体が形成されてなる。以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例によって限定されるものではない。なお、以下の実施例における物性の評価方法は以下の通りである。1.ポリアミド酸の還元粘度ηsp/Cポリマー濃度が0.2g/dlとなるようにN-メチル-2-ピロリドン又は、N,N-ジメチルアセトアミドに溶解した溶液をウベローデ型の粘度管により30°Cで測定した。ポリアミド酸溶液の調製に使用した溶媒がN,N-ジメチルアセトアミドの場合は、N,N-ジメチルアセトアミドを使用してポリマーを溶解し、測定した。2.ポリイミド層などの厚さマイクロメーターファインリューフ社製、ミリトロン1245Dを用いて測定した。3.ポリイミド層の引張弾性率、引張破断強度および引張破断伸度上記力学特性測定用サンプルは、8インチのシリコンウエハ上に、ポリアミド前駆体溶液ワニスを塗布した。塗布はスピンコーターにて、焼成後膜厚が20μmとなるように調整した。100°Cにて乾燥を10分行なった後に、N2を流しているマッフル炉に入れて、3°C/min.の昇温速度で室温から350°Cに昇温して、350°Cで、1時間温度を維持してワニスを焼成した。この後にポリイミド皮膜フィルムを剥がしたものを、100mm×10mmの短冊状に切り出したものを試験片として測定した。引張試験機島津製作所製、オートグラフR機種名AG-5000Aを用い、引張速度50mm/分、チャック間距離40mmの条件で、引張弾性率、引張破断強度及び引張破断伸度を測定した。4.90度剥離強度JISC6471の90度剥離法に従って、試料の剥離強度は下記条件で90度剥離試験を行うことで求めた。剥離強度測定用サンプルは、パターンをつける前の無機層にポリイミド皮膜を上記3.と同様にしてつけたもので測定した。N=5の測定の平均値を測定値とした。装置名;島津製作所社製オートグラフAG-IS測定温度;室温剥離速度;50mm/min.雰囲気;大気測定サンプル幅;1cm5.線膨張係数CTE上記3.と同様にして得た、測定対象のポリイミド層を、直交する2方向において、下記条件にて伸縮率を測定し、30°C~45°C、45°C~60°C、...と15°Cの間隔での伸縮率/温度を測定し、この測定を400°Cまで行い、全測定値の平均値をCTEとして算出した。試料は前記3.ポリイミド皮膜の引張弾性率、引張破断強度および引張破断伸度の測定用試料を用いた。機器名;MACサイエンス社製TMA4000S試料長さ;20mm試料幅;2mm昇温開始温度;25°C昇温終了温度;400°C昇温速度;5°C/min雰囲気;アルゴン荷重;35g/mm26.5重量減温度の測定ガラス/ポリイミド積層体からポリイミド被膜を剥がし、そのポリイミド皮膜をサンプルに用いて、5重量減温度を測定した。測定は、島津製作所製TGA装置を用いて、アルゴン雰囲気下にて、室温から150°Cまで昇温速度10°C/分で上昇させ、150°Cにて30分間保持して吸着水分を十分に揮発させてから、昇温速度10°C/分にて700°Cまで温度を上げ、得られた重量減曲線において、150°Cにて30分間保持した時点での重量から5低下した温度を読み取った。7.耐熱性評価、耐アルカリ性、耐酸性、耐溶剤性の評価方法ガラス/ポリイミド積層体を400°Cに保持したドライオーブンに60分入れ、取り出して室温まで冷却し、フィルムの剥離有無、ブリスター等の発生有無などの外観観察を行い、耐熱性評価とした。5水酸化ナトリウム溶液、10硫酸、トルエン、にそれぞれ24時間、室温にて浸漬し、その後の外観観察を行いそれぞれ、耐アルカリ性、耐酸性、耐溶剤性の評価とした。8.Ra値測定表面形態粗度の計測は表面物性評価機能付走査型プローブ顕微鏡エスアイアイナノテクノロジー株式会社製SPA300/SPI3800Nを使用した。計測はDFMモードで行い、カンチレバーはエスアイアイナノテクノロジー株式会社製DF3又はDF20を使用した。スキャナーはFS-20Aを使用し、走査範囲は2μm四方、測定分解能は512×512ピクセルとした。計測像については二次傾き補正を行った後、装置付属のソフトウエアでRa値を算出した。《製造例1》窒素導入管,温度計,攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、5-アミノ-2-p-アミノフェニルベンゾオキサゾールDAMBO、N-メチル-2-ピロリドンNMPを導入し、完全に溶解させた後、ピロメリット酸二無水物PMDA、マレイン酸無水物MAを表1の記載となるように導入し、僅かに25°Cの反応温度で48時間攪拌すると、黄色で粘調なポリアミド酸溶液ワニスを得た。ワニスの溶液特性を表1.に示す。ワニス製造例2~6以下、製造例1と同様の手順に従って、表1に示す配合比でポリアミド酸溶液を調整し、溶液特性を評価した。結果を表1.に示す。《実施例1》製造例1で得られたワニスを、アプリケーターを用いて、無アルカリガラス基板上に塗布し、防爆型のオーブンで90°C、60分乾燥し、次いで20°C/分で200°Cまで温度を上げ、200°Cにて30分間保持、次いで300°Cまで20°C/分で温度を上げ15分間保持、さらに20°C/分で490まで温度を上げ、1分保持後に、外気を導入し、室温まで冷却し、ガラス/ポリイミド積層体を得た。なお、ワニス塗布量は、乾燥熱処理後のフィルム厚が20μmとなるようにワニス塗布量を加減して行った。得られたガラス/ポリイミド積層体を、耐熱性評価400°C1時間、外観、耐アルカリ性、耐酸性、耐溶剤性を評価した。結果を表2.に示す。実施例1にて得られたガラス/ポリイミド積層体は、いずれもガラスからポリイミド被膜が剥離することなく、ブリスターなども生じずに良好な結果であった。《実施例2~4、比較例1~2》同様にして、製造例2~4にて得られたワニスを用いて、実施例2~4のガラス/ポリイミド積層体を得た。同様にして評価を行った。結果を表2.に示す。実施例2~4にて得られたガラス/ポリイミド積層体は、いずれもガラスからポリイミド被膜が剥離することなく、ブリスターなども生じずに良好な結果であった。同様にして製造例5、製造例6にて得られたワニスを用いて、比較例1、比較例2のガラス/ポリイミド積層体を得た。同様にして評価を行った。結果を表2.に示す。比較例1では、得られたガラス/ポリイミド積層体は、ガラスからポリイミド被膜が剥離する際にフィルムが脆く、剥離力の測定は困難であった。また比較例2にて得られたガラス/ポリイミド積層体は、ガラスからポリイミド被膜の接着力が極端に弱く、プロセス中でのウエット洗浄工程に耐えられないと判断された。《回路形成後剥離による極薄デバイスの応用例》実施例1で得られたガラス/ポリイミド積層体を用いて極薄デバイスを作製した。まず積層体のポリイミド膜上に、ポリイミド膜からの不純物の拡散を防止するためにCVD法によるSiN膜を形成し、さらにその上にSiO2膜を堆積した。次に前記SiO2膜の上にCVD法によるa-Si膜を堆積し、その後チャンネル部のa-Si膜をドライエッチング法を用いて薄くし脱水素処理をした基板にエキシマレーザーを照射してエキシマレーザーアニール処理を施し、前記a-Si膜をポリシリコン膜に変化させた。次いで前記ポリシリコン膜の上にゲート絶縁膜を堆積させ、前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極材料を堆積しパターニング形成してゲート電極の形成を行い、その後ソースドレイン部を形成するための不純物をイオンドープ法を用い不純物導入してTFTを形成した。TFT形成工程中、ポリイミド膜にはプロセスを阻害する様な特段の変化は生じなかった。得られた極薄デバイスのTFTの動作確認を行い、良好なスイッチング特性を示す事を確認した。実施例2で得られたガラス/ポリイミド積層体を用いて極薄デバイスを作製した。まず積層体のガラス面側上に、下地層としてCVD法によるSi0膜を形成した。次いで脱水素処理をした基板にエキシマレーザーを照射してエキシマレーザーアニール処理を施し、前記a-Si膜をポリシリコン膜に変化させた。次いで前記ポリシリコン膜の上にゲート絶縁膜を堆積させ、前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極材料を堆積しパターニング形成してゲート電極の形成を行い、その後ソースドレイン部を形成するための不純物をイオンドープ法を用い不純物導入してTFTを形成した。TFT形成工程中、ポリイミド膜にはプロセスを阻害する様な特段の変化は生じなかった。以下同様に実施例、比較例にて得られたガラス/ポリイミド積層体を用いて、同様にTFTを形成し、ガラス基板からTFTをポリイミド膜ごと剥離してフィルムデバイスを得、同様に動作確認を行った。実施例にて得られたガラス/ポリイミド積層体からは良好なTFT特性を示すフィルムデバイスを得ることが出来たが、比較例1においてはプロセス途中でポリイミド膜が剥がれ、さらに剥がれた部分が破損したため、完全なフィルムデバイスを得ることが出来なかった。また比較例2では、加工プロセスでのスプレー洗浄中に、端が剥がれたため、以後の工程を中止した。"