基板をエッチングしてトレンチを形成するステップと、前記トレンチ底面の基板内に接合領域を形成するステップと、前記トレンチ底面を一定の深さエッチングして側壁接合領域を形成するステップと、前記側壁接合領域に接続するビットラインを形成するステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記接合領域を形成するステップは、前記トレンチの底にドーパントを拡散させるステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記接合領域を形成するステップは、ドーパントが含まれたガスの雰囲気でアニールするステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記接合領域を形成するステップは、ドーパントが含まれたガスの雰囲気中で1次アニールするステップと、前記1次アニールより高い温度で2次アニールするステップと、を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記接合領域を形成するステップは、ドーパントをイオン注入するステップと、アニールするステップと、を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記ドーパントは、N型不純物を含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。基板をエッチングして第1トレンチによって分離される複数のボディを形成するステップと、前記第1トレンチの底面の一部を露出させるライナー膜を形成するステップと、前記第1トレンチの露出された底面の下の基板に接合領域を形成するステップと、前記接合領域の一部をエッチングして第2トレンチによって側面が露出される側壁接合領域を形成するステップと、前記側壁接合領域に接続され、前記第2トレンチを埋め込むビットラインを形成するステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記ライナー膜を形成するステップにおいて、前記第1トレンチの底面の一部には、前記第1トレンチの底の角に隣接する底面が含まれていることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。前記ライナー膜を形成するステップは、前記第1トレンチを含んだ全面にライナー窒化膜を形成するステップと、前記ライナー窒化膜上にドープド領域とアンドープド領域で分割されたライナー酸化膜を形成するステップと、前記ライナー酸化膜のドープド領域を除去して前記ライナー窒化膜の一部を露出させるステップと、前記露出されたライナー窒化膜の一部を除去して前記第1トレンチの底面の一部を露出させるステップと、を含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。前記ライナー酸化膜を形成するステップは、酸化膜を形成するステップと、チルトイオン注入によって前記酸化膜の一部にドーパントを注入するステップと、を含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記ライナー酸化膜が、TEOS酸化膜を含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記ライナー酸化膜のドープド領域を除去するステップは、湿式エッチング工程を含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記第2トレンチ上に、前記側壁接合領域を露出させる分離膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。前記分離膜を形成するステップは、前記第2トレンチの表面上に、前記側壁接合領域の側面で形成される厚さが残りの表面で形成される厚さより薄い酸化膜を形成するステップと、洗浄工程で前記酸化膜を一部除去して前記側壁接合領域の側面を露出させるステップと、を含むことを特徴とする請求項13に記載の半導体装置の製造方法。前記酸化膜を形成するステップは、プラズマ酸化工程を含むことを特徴とする請求項14に記載の半導体装置の製造方法。前記プラズマ酸化工程は、前記厚さの差異が発生するようにボトムバイアスを印加しながら行うことを特徴とする請求項15に記載の半導体装置の製造方法。前記接合領域を形成するステップは、前記第1トレンチの底にドーパントを拡散させるステップを含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法前記ビットラインを形成するステップ後に、前記ボディの上部をエッチングしてフィラーを形成するステップと、前記フィラーの側壁に垂直ワードラインを形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。前記ボディは、シリコンボディを含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。前記接合領域を形成するステップは、ドーパントが含まれたガスの雰囲気中でアニールするステップを含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。前記接合領域を形成するステップは、ドーパントが含まれたガスの雰囲気中で1次アニールするステップと、前記1次アニールより高い温度で2次アニールするステップと、を含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。前記接合領域を形成するステップは、ドーパントを前記第1トレンチの底に注入するステップと、アニールするステップと、を含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。前記ドーパントは、N型不純物を含むことを特徴とする請求項20に記載の半導体装置の製造方法。本発明は、側壁接合領域を有した半導体装置の製造方法を提供することにその目的がある。前記目的を達成するための本発明の半導体装置の製造方法は、基板をエッチングしてトレンチを形成するステップと、前記トレンチ底面の基板内に接合領域を形成するステップと、前記トレンチ底面を一定深さエッチングして側壁接合を形成するステップと、前記側壁接合に接続されるビットラインを形成するステップと、を含むことを特徴とする。また、本発明の半導体装置の製造方法は、基板をエッチングして第1トレンチによって分離される複数のボディを形成するステップと、前記第1トレンチの底面の一部を露出させるライナー膜を形成するステップと、前記第1トレンチの露出された底面の下の基板に接合領域を形成するステップと、前記接合領域の一部をエッチングして第2トレンチによって側面が露出する側壁接合を形成するステップと、前記側壁接合に接続され前記第2トレンチを埋め込むビットラインを形成するステップと、を含むことを特徴とする。上述した本発明は、トレンチエッチング工程を2回行い、2回のトレンチエッチング工程の間に側壁コンタクト形成工程と側壁接合領域形成工程を行うことによって、工程を単純化させ、開発費の節減効果を得ることができる。また、本発明は1次トレンチエッチング、アニールおよび2次トレンチエッチングによって側壁接合領域を形成する。したがって、ボディタイドBodytied構造を安定的に具現することができ、フローティングボディ構造を抑制することができる。これに伴い、閾電圧減少現象が抑制され、半導体装置のオフ状態off-state特性を向上させることができる。以下、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が本発明の技術的思想を容易に実施できるほど詳細に説明するために、本発明の最も好ましい実施形態を添付図面を参照して説明する。図1は側壁接合領域の形成形態を図示した断面図である。図1を参照すれば、トレンチ12によって分離された複数の活性領域13が基板11上に形成されている。活性領域13の側壁およびトレンチ12の表面にはライナー膜20が形成されている。ライナー膜20は、活性領域13のいずれか1つの側壁一部を露出させている。活性領域13の上部にはハードマスク膜パターン15が形成されている。図1における側壁接合領域は、次のように形成される。まず、トレンチ12をギャップフィルするようにドープド膜16を形成した後平坦化およびエッチバックを行う。ドープド膜16はドーパントがドーピングされたポリシリコンを含む。この後、アニールを行い、側壁接合領域18を形成する。しかし、側壁接合領域18の形成結果、基板11が活性領域と電気的に分離されるフローティングボディFloatingbody構造19が形成されうる。図2Aないし図2Lは、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すための工程断面図である。図2Aに示されたように、基板21上にハードマスクパターン22を形成する。基板21はシリコン基板を含む。ハードマスク膜パターン22は、ハードマスク膜を形成した後、感光膜パターン23をエッチング障壁として利用してハードマスク膜をエッチングして形成する。感光膜パターン23は、ラインアンドスペースLineandspaceパターンであって、多数の平行したライン形状の構造がスペースによって分けられる特徴がある。また、感光膜パターン23は、酸化プラズマを利用してストリップされる除去される。ハードマスクパターン22は、酸化膜または窒化膜を単独で、または酸化膜と窒化膜を積層して形成する。また、ハードマスクパターン22は、感光膜パターン23の下に非晶質カーボン膜Amorphouscarbonlayerと反射防止膜AntiReflectiveCoatinglayer;ARCを積層して形成することができる。反射防止膜ARCはシリコン酸化窒化膜SiONを含む。続いて、図2Bに示されたように、1次エッチングFirstetchを行う。例えば、ハードマスクパターン22をエッチング障壁として基板21を一定深さエッチングして複数の第1トレンチ24および複数のボディ201Bodyを形成する。エッチングされた基板を図面符号21Aとする。各ボディ201は、垂直トランジスタのチャネル、ソースおよびドレインが形成される領域である。ボディ201の側壁は、垂直プロファイルVerticalprofileを有するのが好ましい。1次エッチングは、異方性エッチングAnisotropicetchprocessを利用する。基板21がシリコン基板の場合、異方性エッチングはCl2またはHBrガスを単独で使用したり、またはこれらガスを混合して使用するプラズマ乾式エッチングPlasmadryetchを利用することができる。図2Cに示されたように、ボディ201を含んだ基板全面に第1ライナー膜25Firstlinerlayerを形成する。第1ライナー膜25はライナー窒化膜Linernitrideを含む。ライナー窒化膜はシリコン窒化膜Siliconnitride等の窒化膜を含む。例えば、第1ライナー膜25で使用されるシリコン窒化膜は化学気相蒸着法ChemicalVaporDeposition;CVDを利用して形成する。化学気相蒸着法CVDを利用してシリコン窒化膜が形成される場合、750°C以下の温度および10Torr以下の圧力でSiH2Cl2とNH3を反応させて100Å以下の厚さで形成する。続いて、第1ライナー膜25上に第2ライナー膜26を形成する。第2ライナー膜26はライナー酸化膜Lineroxideを含む。ライナー酸化膜はシリコン酸化膜Siliconoxide等の酸化膜を含む。第2ライナー膜26で使用された酸化膜はアンドープド膜Undopedlayerである。第2ライナー膜26はTEOSTetraEthylOrthoSilicateを利用して形成された酸化膜これをTEOS酸化膜というを含む。TEOS酸化膜は、化学気相蒸着法CVDを利用して形成することができる。化学気相蒸着法CVDを利用してTEOS酸化膜を形成する場合、700°C以下の温度および10Torr以下の圧力でTEOSとO2を反応させて100Å以下の厚さで形成する。続いて、図2Dに示されたように、イオン注入工程27ionimplantationprocessを行う。イオン注入工程27は一定チルト角でドーパントDopnatを注入するチルトイオン注入工程を含む。これにより第2ライナー膜26の一部にドーパントが注入される。チルト角は、約5~30°とすることができる。イオン注入工程27を行うとき、イオンビームIonbeamはハードマスクパターン22によって一部がブロックblockされる。したがって、第2ライナー膜26の一部はドーピングされるが、残りはアンドープドUndopedとして残留する。例えば、イオン注入されるドーパントはP型ドーパント、好ましくはボロンBoronであり、ボロンをイオン注入するためにドーパントソースは二フッ化ボロンBF2を使用する。二フッ化ボロンBF2を使用してイオン注入工程27を行うとき、イオン注入エネルギーは5keVを使用する。イオン注入工程27の結果、第2ライナー膜26の一部はアンドープドとして残留する。例えば、イオン注入工程27がチルト角を有して行われると、イオン注入工程で発生するイオンビームに露出された第2ライナー膜26の一部はドーパントがドーピングされたドープド第2ライナー膜26Bとなる。イオンビームによって露出されなかった、ドーパントが注入されなかった第2ライナー膜の残りの部分はアンドープド第2ライナー膜26Aとして残留する。前述したように、イオン注入工程27によって、第2ライナー膜26は、ドープド第2ライナー膜26Bとアンドープド第2ライナー膜26Aに分割される。ドープド第2ライナー膜26Bは、イオン注入工程27による格子破壊が発生して膜質が損傷Damagedされる。続いて、図2Eに示されたように、ドープド第2ライナー膜26Bを除去する。通常、酸化膜には、ドーパントのドーピングの有無に応じて湿式エッチング時にエッチング速度の差異が発生する。すなわち、ドーパントが注入されて格子が破壊されたドープド酸化膜はアンドープド酸化膜より湿式エッチング速度が速い。したがって、ドープド第2ライナー膜26Bが高い湿式エッチングレートを有するため、ドープド第2ライナー膜26Bを、アンドープド第2ライナー膜26Aを除去することなく、湿式エッチングWetetchingまたは湿式洗浄Wetcleaningを利用して除去することができる。ドープド第2ライナー膜26Bが酸化膜の場合、フッ酸HFを含むBOEBufferedOxideEtchantを利用して除去する。上記のようにドープド第2ライナー膜26Bを除去すれば、アンドープド第2ライナー膜26Aのみが残留する。続いて、図2Fに示されたように、エッチバックEtch-back等のブランケットエッチングBlanketetchによって第1ライナー膜25の一部を除去する。これによって、第1トレンチ24の底面の一部が露出する。第1ライナー膜は図面符号25A、25Bのように残留する。詳細には、ボディ201のいずれか1つの側壁では一字型スペーサ25Aとして残留し、ボディ201の他の側壁ではL字型スペーサ25Bとして残留する。L字型スペーサ25Bは、第1トレンチ24の底面の端部を露出させる。すなわち、L字型スペーサ25Bは、第1トレンチ24の底面全体をカバーしない。続いて、図2Gに示されたように、第1トレンチ24の底面の一部の下に接合領域29を形成する。接合領域29は、基板21Aにドーパントを拡散させることによって形成される。詳細には、ドーパントが隣接するボディ201の側面方向に拡散する。これによって、接合領域29は側面方向に延長され、接合領域29の一部は、隣接するボディ201のうち1つの下部に位置する。一実施形態として、接合領域29を形成するためにアニール202annealingprocessが行われる。アニール202は、ドーパントが含まれたガスの雰囲気中で行う。また、アニール202は、ドーパントが含まれたガスの雰囲気中で行う1次アニールと、1次アニール後、1次アニールより高い温度で行う2次アニールと、を含んでもよい。他の実施形態では、アニールは、接合領域29を形成するために、ドーパントを利用した直進性のイオン注入を行った後に行うことができる。好ましくは、アニール202はファーネスアニールFurnaceannealまたは急速熱アニールRapidThermalAnnealのうちいずれか1つを適用したり、2つのアニールを共に適用する。アニール202は約700°Cの温度および100Torr以下の圧力下で行われ、ドーパントはヒ素AsまたはリンP等のN型不純物を含む。例えば、ドーパントが含まれたガスとしては、AsH3、PH3を含むものが利用される。接合領域29は少なくとも1×1020atoms/cm3以上のドーピング濃度Dopingconcentrationを有する。アニールが実施されても隣接する接合領域29の間の隔離距離が確保されなければならない。すなわち、アニールが行われても、隣接する接合領域29が延長されてオーバーラップするような拡散は発生してはならない。続いて、図2Hに示されたように、洗浄工程を行いアンドープド第2ライナー膜26Aを除去する。アンドープド第2ライナー膜26Aが酸化膜であるため、洗浄工程はフッ酸HFまたはBOEBufferedOxideEtchant溶液を利用して行う。これによって、窒化膜からなる一字型スペーサ25AおよびL字型スペーサ25Bの最小限のダメージでアンドープド第2ライナー膜26Aを除去することができる。続いて、図2Iに示されたように、2次エッチングSecondtrenchetchを行い第2トレンチ30を形成する。基板21Aがエッチングされることによって、第2トレンチ30は、接合領域29を側壁接合領域29Aで分離させる深さを有する。側壁接合領域29Aは、第2トレンチ30のいずれか1つの側壁に形成される。2次エッチングによって側壁接合領域29Aの側面Sideが露出する。理論的には、第2トレンチ30のただ1つの側壁でのみ側壁接合領域29Aが形成される。2次エッチングは異方性エッチングAnisotropicを利用する。異方性エッチングはCl2またはHBrガスを単独で使用したり、またはこれらガスを混合して使用するプラズマ乾式エッチングPlasmadryetchを利用することができる。2次トレンチエッチングによって、第1トレンチ24の底面に形成されたL字型スペーサ25Bの一部がエッチングされ、L字型スペーサ25Bは一字型スペーサ25Cとなる。前述した第2トレンチ30を形成することによって、ボディ201の高さが増加し、高さが増加したボディは図面符号201Aで示される。また、2次エッチング後に基板21Aは図面符号21Bで示される。続いて、図2Jに示されたように、第2トレンチ30の表面に分離膜31を形成する。分離膜31は、隣接するボディ201Aの下部を電気的に分離させるための膜である。分離膜31は、シリコン酸化膜などの酸化膜を含む。第2トレンチ30の表面に分離膜31を形成するが、側壁接合領域29Aの表面に形成される厚さd1を第2トレンチ30の残りの表面で形成される厚さd2、d3より薄くする。分離膜31は、プラズマ酸化Plasmaoxidation工程を利用して形成する。分離膜31は、プラズマ酸化工程時にボトムバイアスBottombiasを印加することによって、側壁接合領域29Aが形成されなかった第2トレンチ30の残りの表面でさらに厚く形成される。ボトムバイアスを印加するとイオンが電場によって直進性を有するように加速されるため、側壁接合領域29Aが形成されなかった部分での厚さが増加する。好ましくは、プラズマ酸化工程は、酸素O2雰囲気および01Torrの圧力下で行われる。ボトムバイアスは、100Wを印加することができる。ここで、d2とd3の厚さは約50Åであり、d1の厚さは約50Åより薄い。プラズマ酸化工程時に、ボディ201Aの上部および側壁は、窒化膜の材質である一字型スペーサ25A、25Cによって保護されるため、酸化されない。続いて、図2Kに示されたように、洗浄工程を行い分離膜31の一部を除去する。これによって、側壁接合領域29Aの側面を選択的に露出させる。分離膜31の厚さは、側壁接合領域29Aの側面において第2トレンチ30の残りの表面より薄い。そのため、側壁接合領域29Aが露出されるターゲットとして洗浄工程を実施すると、第2トレンチ30の残りの表面では分離膜パターン31Aが一定の厚さを有して残留する。ここで、側壁接合領域29Aの露出された部分を側壁コンタクト32sidecontactという。洗浄工程は、フッ酸HFまたはBOEBufferedOxideEtchant溶液を利用して行う。続いて、図2Lに示されたように、側壁接合領域29Aに接続する埋込ビットライン33を形成する。埋込ビットライン33を形成するためにビットライン導電膜をギャップフィルした後、CMPChemicalMechanicalPolishingを利用して平坦化する。その後、側壁接合領域29Aに接する高さまでビットライン導電膜をエッチバックして、側壁接合領域29Aに接続される埋込ビットライン33を形成する。ここで、埋込ビットライン33はチタニウムTi、タングステンTungsten;W等の金属物質で形成される。次に、埋込ビットライン33を含んだ全面にビットライン保護膜34を形成する。ビットライン保護膜34は、シリコン窒化膜などの窒化膜を含む。図3は、埋込ビットラインの他の形成形態を示した図である。ここで、埋込ビットライン33を形成する前に、バリアメタル35Barriermetalをあらかじめ形成することができる。バリアメタル35は、チタニウム膜Tiとチタニウム窒化膜TiNを積層して形成することができる。バリアメタル35は、埋込ビットライン33を形成するためのエッチバック工程時に同時にエッチバックされることができる。図4Aないし図4Eは、埋込ビットライン形成後の製造方法を示すための工程断面図である。図4Aないし図4Eは、図2LのB-B’線およびC-C’線による工程断面図を示している。まず、図4Aに示されたように、ビットライン保護膜34を含んだ全面に第1層間絶縁膜41を形成する。次に、ハードマスクパターン22の表面が露出されるまで第1層間絶縁膜41を平坦化する。続いて、図4Bに示されたように、図示されていない感光膜パターンを使用してワードライントレンチ42を形成する。感光膜パターンをエッチング障壁として第1層間絶縁膜41を一定の深さエッチングする。第1層間絶縁膜41のエッチング時にハードマスクパターン22およびボディ201Aも一定の深さエッチングされる。これによって、ボディ201Bの上にフィラー201Cが形成される。ボディ201Bとフィラー201Cは活性領域となる。ボディ201Bは、側壁接合領域29Aが形成された部分であって、埋込ビットライン33と同一の方向で延長されたライン形態である。フィラー201Cは、ボディ201B上で垂直方向に整列される。フィラー201Cは、セル単位で形成される。第1層間絶縁膜41の残留厚さR1は、埋込ビットライン33と垂直ワードライン間の分離膜の役割をする。続いて、図4Cに示されたように、ワードライントレンチ図4Bの42をギャップフィルするようにワードライン導電膜44を形成する。その後、平坦化およびエッチバックが行われる。また、ワードライン導電膜44の形成前にゲート絶縁膜43を形成することができる。続いて、図4Dに示されたように、窒化膜形成後にエッチバックを行い、スペーサ45を形成する。スペーサ45をエッチング障壁としてワードライン導電膜44をエッチングしてフィラー201Cの側壁に隣接する垂直ワードライン44Aを形成する。垂直ワードライン44Aは、垂直ゲートを兼ねる。他の実施形態において、フィラー201Cを取り囲む環形ring-shapedの垂直ゲートを形成した後に、隣接する垂直ゲートを互いに接続する垂直ワードライン44Aを形成することもできる。垂直ワードライン44Aは、埋込ビットライン33と交差する方向に形成される。続いて、図4Eに示されたように、垂直ワードライン44Aを含んだ全面に第2層間絶縁膜46を形成する。ストレージノードコンタクトエッチングを行いフィラー201Cの上部を露出させる。その後、ストレージノードコンタクトプラグ48SNCplugを形成する。ストレージノードコンタクトプラグ48を形成する前にイオン注入を行い、ソース/ドレイン47Source/Drainを形成することができる。垂直ワードライン44Aによって側壁接合領域29Aとソース/ドレイン47の間に垂直方向のチャネルが形成される。続いて、ストレージノードコンタクトプラグ48上にストレージノード49Storagenodeを形成する。ストレージノード49は、シリンダCylinder形態となりうる。他の実施形態において、ストレージノード49は、フィラーまたはコンケイブConcave形態となりうる。続いて誘電膜および上部電極を形成する。本発明の技術思想は前記好ましい実施形態に応じて具体的に記述されたが、前記した実施形態はその説明のためのものであり、その制限のためであるものではないということに注意しなければならない。また、本発明の技術分野の通常の専門家ならば本発明の技術思想の範囲内で多様な実施形態が可能であること理解できるであろう。