"初期成分として、水;平均粒径5~150nmを有する砥粒0.1~40重量;式II:式中、Aは、N及びPから選択され;各R8は、独立して、水素、飽和又は不飽和C1-15アルキル基、C6-15アリール基、C6-15アラルキル基、C6-15アルカリール基から選択され;そして式II中のアニオンは、式II中のカチオンの電荷と釣り合う任意のアニオンであってもよいで示されるアダマンチル物質0.001~1重量;式I:式中、各Xは、独立して、N及びPから選択され;R1は、飽和又は不飽和C1-C15アルキル基、C6-C15アリール基及びC6-C15アラルキル基であり;R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、それぞれ独立して、水素、飽和又は不飽和C1-C15アルキル基、C6-C15アリール基、C6-C15アラルキル基及びC6-C15アルカリール基から選択され;そして式I中のアニオンは、式I中のカチオンの2電荷と釣り合う任意のアニオン又はアニオンの組合せであってもよいで示される二価第四級物質0~1重量;ならびに水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトライソプロピルアンモニウム、水酸化テトラシクロプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトライソブチルアンモニウム、水酸化テトラtert-ブチルアンモニウム、水酸化テトラsec-ブチルアンモニウム、水酸化テトラシクロブチルアンモニウム、水酸化テトラペンチルアンモニウム、水酸化テトラシクロペンチルアンモニウム、水酸化テトラヘキシルアンモニウム、水酸化テトラシクロヘキシルアンモニウム、及びそれらの混合物から選択される第四級アンモニウム化合物0~1重量、を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物。初期成分として、a式Iで示される二価第四級物質0.001~1重量;及びb第四級アンモニウム化合物0.005~1重量、の少なくとも一つを含む、請求項1記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物。初期成分として、式Iで示される二価第四級物質を0.001~1重量含む、請求項1記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物。各Xが、Nであり;R1が、-CH26-基であり;そしてR2、R3、R4、R5、R6及びR7が、それぞれ-CH23CH3基である、請求項3記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物。Aが、Nであり、そして各R8が、-CH3基である、請求項1記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物。Aが、Nであり、そして各R8が、-CH3基である、請求項3記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物。二酸化ケイ素を含む基板を提供すること;請求項1記載のケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供すること;ケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること;そのケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面にダウンフォース0.69~34.5kPaの動的接触を生成すること;及びそのケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面又はその付近で、ケミカルメカニカルポリッシング組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上へ分配すること、を含み、ここでそのケミカルメカニカルポリッシング組成物が、2~6のpHを有する、基板のケミカルメカニカルポリッシングの方法。ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、初期成分として、平均粒径20~60nmを有するコロイダルシリカ砥粒1~10重量;式Iで示される二価第四級物質0.01~0.05重量;ならびに、式II式中、各Xが、Nであり;R1が、-CH26-基であり、そしてR2、R3、R4、R5、R6及びR7が、それぞれ-CH23CH3基であるで示されるアダマンチル物質0.01~0.05重量、を含み、式Iのカチオンが、2個の水酸化物アニオンであり;Aが、Nであり;各R8が、-CH3基であり;式II中のアニオンが、水酸化物アニオンである、請求項7記載の方法。砥粒が、コロイダルシリカであり、そしてケミカルメカニカルポリッシング組成物が、200mm研磨機でプラテン速度93rpm、キャリア速度87rpm、ケミカルメカニカルポリッシング組成物の流速200ml分、及び名目ダウンフォース20.7kPaで、少なくとも1,500Å分の二酸化ケイ素除去速度を示し、ケミカルメカニカルポリッシングパッドが、高分子中空コア微粒子及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含有するポリウレタン研磨層を含む、請求項8記載の方法。基板が、更に、SiC、SiCN、Si3N4、SiCO及びポリシリコンの少なくとも1種を含む、請求項7記載の方法。STIは、絶縁構造を形成させて、集積回路内で形成される様々な活性成分を電気的に絶縁するのに広く用いられる半導体組立法である。STI技術において、最初のステップは、通常は異方性エッチングにより、基板内の所定の位置に複数のトレンチを形成させることである。次に、シリカをこれらのトレンチそれぞれの中に堆積させる。その後、シリカをCMPにより窒化ケイ素ストップ層まで研磨して、STI構造を形成させる。効率的な研磨を実現するために、研磨スラリーが、典型的には窒化ケイ素に対するシリカの除去速度選択比に関係して高い選択比を提供する。ILD及びSTIプロセスでの従来のCMPスラリーは、高濃度の砥粒を含むことで、その有効性が高まる。不幸にも砥粒は高価であり、砥粒を多量に使用すれば、コストが法外に高くなる。酸化ケイ素を除去する砥粒の含量が低い一研磨組成物が、Liu他への米国特許第7,018,560号に開示されている。Liu他は、相互接続金属の除去を制限するためのコロージョンインヒビター;酸性pH;砥粒粒子;及び式中、R1、R2、R3及びR4は、基であり、R1は、炭素原子2~15個の炭素鎖長を有する非置換のアリール、アルキル、アラルキル、又はアルカリール基であるで形成された有機アンモニウム含有塩、を含む水性研磨組成物を開示しており、その有機アンモニウム含有塩は、二酸化ケイ素除去を促進し、そして21.7kPa未満で少なくとも1種の研磨圧でSiC、SiCN、Si3N4及びSiCOからなる群から選択される少なくとも1種のコーティングの除去を減少させる濃度を有する。それにもかかわらず、ケミカルメカニカルポリッシング組成物、及び改善された除去速度を有し砥粒濃度の低い絶縁層のケミカルメカニカルポリッシングの方法が、依然として求められている。詳細には、低い砥粒濃度による改善された絶縁層除去速度のみならず、改善された貯蔵安定性を示す、ILD及びSTIプロセスにおいて絶縁層を研磨する組成物及び方法が、求められている。本発明は、初期成分として、水;平均粒径5~150nmを有する砥粒0.1~40重量;式II:式中、Aは、N及びPから選択され;各R8は、独立して、水素、飽和又は不飽和C1-15アルキル基、C6-15アリール基、C6-15アラルキル基、C6-15アルカリール基から選択され;そして式II中のアニオンは、式II中のカチオンの電荷と釣り合う任意のアニオンであってもよいで示されるアダマンチル物質0.001~1重量;式I:式中、各Xは、独立して、N及びPから選択され;R1は、飽和又は不飽和C1-C15アルキル基、C6-C15アリール基及びC6-C15アラルキル基であり;R2、R3、R4、R5、R6及びR7は、それぞれ独立して、水素、飽和又は不飽和C1-C15アルキル基、C6-C15アリール基、C6-C15アラルキル基及びC6-C15アルカリール基から選択され;そして式I中のアニオンは、式I中のカチオンの2電荷と釣り合う任意のアニオン又はアニオンの組合せであってもよいで示される二価第四級物質diquaternarysubstance0~1重量;ならびに水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトライソプロピルアンモニウム、水酸化テトラシクロプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトライソブチルアンモニウム、水酸化テトラtert-ブチルアンモニウム、水酸化テトラsec-ブチルアンモニウム、水酸化テトラシクロブチルアンモニウム、水酸化テトラペンチルアンモニウム、水酸化テトラシクロペンチルアンモニウム、水酸化テトラヘキシルアンモニウム、水酸化テトラシクロヘキシルアンモニウム、及びそれらの混合物から選択される第四級アンモニウム化合物0~1重量、を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供する。本発明は、初期成分として、水;平均粒径5~150nmを有する砥粒0.1~40重量;式II:式中、Aが、N及びPから選択され;各R8が、独立して、水素、飽和又は不飽和C1-15アルキル基、C6-15アリール基、C6-15アラルキル基、C6-15アルカリール基から選択され;そして式II中のアニオンが、式II中のカチオンの電荷と釣り合う任意のアニオンであってもよいで示されるアダマンチル物質0.001~1重量;ならびにa式I:式中、各Xが、独立して、N及びPから選択され;R1が、飽和又は不飽和C1-C15アルキル基、C6-C15アリール基及びC6-C15アラルキル基であり;R2、R3、R4、R5、R6及びR7が、それぞれ独立して、水素、飽和又は不飽和C1-C15アルキル基、C6-C15アリール基、C6-C15アラルキル基及びC6-C15アルカリール基から選択され;そして式I中のアニオンが、式I中のカチオンの2電荷と釣り合う任意のアニオン又はアニオンの組合せであってもよいで示される二価第四級物質0.001~1重量と、b水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトライソプロピルアンモニウム、水酸化テトラシクロプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトライソブチルアンモニウム、水酸化テトラtert-ブチルアンモニウム、水酸化テトラsec-ブチルアンモニウム、水酸化テトラシクロブチルアンモニウム、水酸化テトラペンチルアンモニウム、水酸化テトラシクロペンチルアンモニウム、水酸化テトラヘキシルアンモニウム、水酸化テトラシクロヘキシルアンモニウム、及びそれらの混合物から選択される第四級アンモニウム化合物0.005~1重量、の少なくとも一方を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供する。本発明は、初期成分として、水;平均粒径5~150nmを有する砥粒0.1~40重量;式I:式中、各Xが、独立して、N及びPから選択され;R1が、飽和又は不飽和C1-C15アルキル基、C6-C15アリール基及びC6-C15アラルキル基であり;R2、R3、R4、R5、R6及びR7が、それぞれ独立して、水素、飽和又は不飽和C1-C15アルキル基、C6-C15アリール基、C6-C15アラルキル基及びC6-C15アルカリール基から選択され;そして式I中のアニオンが、式I中のカチオンの2電荷と釣り合う任意のアニオン又はアニオンの組合せであってもよいで示される二価第四級物質0.001~1重量;ならびに式II:式中、Aが、N及びPから選択され;各R8が、独立して、水素、飽和又は不飽和C1-15アルキル基、C6-15アリール基、C6-15アラルキル基、C6-15アルカリール基から選択され;そして式II中のアニオンが、式II中のカチオンの電荷と釣り合う任意のアニオンであってもよいで示されるアダマンチル物質0.001~1重量、を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供する。本発明は、初期成分として、水;平均粒径5~150nmを有する砥粒0.1~40重量;式II:式中、Aが、N及びPから選択され;各R8が、独立して、水素、飽和又は不飽和C1-15アルキル基、C6-15アリール基、C6-15アラルキル基、C6-15アルカリール基から選択され;そして式II中のアニオンが、式II中のカチオンの電荷と釣り合う任意のアニオンであってもよいで示されるアダマンチル物質0.001~1重量;ならびに水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトライソプロピルアンモニウム、水酸化テトラシクロプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトライソブチルアンモニウム、水酸化テトラtert-ブチルアンモニウム、水酸化テトラsec-ブチルアンモニウム、水酸化テトラシクロブチルアンモニウム、水酸化テトラペンチルアンモニウム、水酸化テトラシクロペンチルアンモニウム、水酸化テトラヘキシルアンモニウム、水酸化テトラシクロヘキシルアンモニウム、及びそれらの混合物から選択される第四級アンモニウム化合物0.005~1重量、を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供する。本発明は、二酸化ケイ素を含む基板を提供すること;本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供すること;ケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること;ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面にダウンフォース0.69~34.5kPaの動的接触を生成すること;及びケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面又はその付近で、ケミカルメカニカルポリッシング組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上へ分配すること、を含み、ここでそのケミカルメカニカルポリッシング組成物が、2~6のpHを有する、基板のケミカルメカニカルポリッシングの方法を提供する。本発明は、二酸化ケイ素を含む基板を提供すること;本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供すること;ケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること;ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面にダウンフォース0.69~34.5kPaの動的接触を生成すること;及びケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面又はその付近で、ケミカルメカニカルポリッシング組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上へ分配すること、を含み、ここでそのケミカルメカニカルポリッシング組成物が、2~6のpHを有し、そしてそのケミカルメカニカルポリッシング組成物が、少なくとも1,500Å分の二酸化ケイ素除去速度を示す、基板のケミカルメカニカルポリッシングの方法を提供する。詳細な説明ケミカルメカニカルポリッシング組成物への式IIで示されるアダマンチル物質の添加から得られる酸化ケイ素の除去速度Å分で測定される除去速度の変動に関連して、本明細書及び添付の特許請求の範囲で用いられる用語最小効果は、酸化ケイ素の除去速度が10以下で変動することを意味する。即ち、ケミカルメカニカルポリッシング組成物への式IIで示されるアダマンチル物質の添加が、酸化ケイ素除去速度に対して最小効果を有する場合に、以下の式が適合される:A0-A/A0の絶対値×100≦10式中、Aは、実施例で示された研磨条件下で測定された、初期成分として式IIで示されるアダマンチル物質を含む本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物の、Å分での酸化ケイ素除去速度であり、A0は、式IIで示されるアダマンチル物質がケミカルメカニカルポリッシング組成物中に存在しないことを除き同一条件下で得られたÅ分での酸化ケイ素除去速度である。本発明のケミカルメカニカルポリッシング方法で用いられるケミカルメカニカルポリッシング組成物の具体的な配合の選択は、目的の二酸化ケイ素除去速度を提供するための鍵となる。ケミカルメカニカルポリッシングのための本発明のケミカルメカニカルポリッシング方法での使用に適した基板は、その表面に堆積された二酸化ケイ素を有する半導体基板を含む。場合によりその基板は、SiC、SiCN、Si3N4、SiCO及びポリシリコンの少なくとも1種最も好ましくはSi3N4に堆積された二酸化ケイ素を有する。本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物中での使用に適した砥粒としては、例えば、無機酸化物、無機水酸化物、無機水酸化酸化物inorganichydroxideoxides、金属ホウ化物、金属炭化物、金属窒化物、高分子粒子及び前述のものの少なくとも1種を含む混合物が挙げられる。適切な無機酸化物としては、例えば、シリカSiO2、アルミナAl2O3、ジルコニアZrO2、セリアCeO2、酸化マンガンMnO2、酸化チタンTiO2、又は前述の酸化物の少なくとも1種を含む混合物が挙げられる。所望なら、これらの無機酸化物の改良形態、例えば、有機ポリマーでコーティングされた無機酸化物粒子及び無機物コーティング粒子を用いることもできる。適切な金属炭化物、ホウ化物及び窒化物としては、例えば、炭化ケイ素、窒化ケイ素、炭窒化ケイ素SiCN、炭化ホウ素、炭化タングステン、炭化ジルコニウム、ホウ化アルミニウム、炭化タンタル、炭化チタン、又は前述の金属炭化物、ホウ化物及び窒化物の少なくとも1種を含む混合物が挙げられる。好ましくは、砥粒は、コロイダルシリカ砥粒である。本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物中の砥粒は、好ましくは5~150nm、より好ましくは20~100nm、更により好ましくは20~60nm、最も好ましくは20~50nmの平均粒径を有する。本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物の砥粒は、好ましくは砥粒を0.1~40重量、より好ましくは0.1~20重量、更により好ましくは1~20重量、最も好ましくは1~10重量含む。好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、平均粒径20~60nmを有するコロイダルシリカ砥粒を含む。更により好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、平均粒径20~60nmを有するコロイダルシリカ砥粒を1~10重量含む。最も好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、平均粒径20~50nmを有するコロイダルシリカ砥粒を1~10重量含む。好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、式II:式中、Aが、N及びP好ましくはNから選択され;各R8が、独立して、水素、飽和又は不飽和C1-C15アルキル基、C6-C15アリール基、C6-C15アラルキル基及びC6-C15アルカリール基好ましくは水素及びC1-C4アルキル基;より好ましくは水素及びメチル基;最も好ましくはメチル基から選択され;そして式II中のアニオンが、式II中のカチオンの電荷と釣り合う任意のアニオンであってもよい好ましくは式II中のアニオンが、ハロゲンアニオン、水酸化物アニオン、及び亜硝酸アニオンから;より好ましくはハロゲンアニオン及び水酸化物アニオンから;最も好ましくは水酸化物アニオンから選択されるで示されるアダマンチル物質を0.001~1重量、より好ましくは0.01~0.1重量、最も好ましくは0.01~0.05重量含む。より好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、アダマンチル物質を0.001~1重量、より好ましくは0.01~0.1重量、最も好ましくは0.01~0.05重量含み、ここでアダマンチル物質は、式IIで示されるアダマンチルアンモニウム物質であり、ここでAが、Nであり;各R8が、独立して、水素、飽和又は不飽和C1-C15アルキル基、C6-C15アリール基、C6-C15アラルキル基及びC6-C15アルカリール基好ましくは水素及びC1-C4アルキル基;より好ましくは水素及びメチル基;最も好ましくはメチル基から選択され;そして式II中のアニオンが、式II中のカチオンの電荷と釣り合う任意のアニオンであってもよい好ましくは式II中のアニオンが、ハロゲンアニオン、水酸化物アニオン、及び亜硝酸アニオンから;より好ましくはハロゲンアニオン及び水酸化物アニオンから;最も好ましくは水酸化物アニオンから選択される。最も好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、以下の式:を有するアダマンチルアンモニウム物質を0.01~0.05重量含む。式IIで示されるアダマンチル物質を含むことで、酸化ケイ素の除去速度に対する最小効果により、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物の安定性が向上する。好ましくは、実施例で示された研磨条件下で測定された、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物により示されたÅ分での酸化ケイ素除去速度Aは、式IIで示されるアダマンチル物質がケミカルメカニカルポリッシング組成物中に存在しないことを除き同一条件下で得られた酸化ケイ素除去速度A0の95以上より好ましくは98以上、最も好ましくは99以上である。本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物に含まれる水は、好ましくは脱イオン及び蒸留の少なくとも一方を施されているため、不可避不純物が制限される。場合により、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、初期成分として、式I:式中、各Xが、独立して、N及びPから選択され、好ましくは各Xが、Nであり;R1が、飽和又は不飽和C1-C15アルキル基、C6-C15アリール基及びC6-C15アラルキル基好ましくはC4-C10アルキル基;より好ましくはC2-C6アルキル基;最も好ましくは-CH26-基であり;R2、R3、R4、R5、R6及びR7が、それぞれ独立して、水素、飽和又は不飽和C1-C15アルキル基、C6-C15アリール基、C6-C15アラルキル基及びC6-C15アルカリール基好ましくは水素及びC1-C4アルキル基;より好ましくは水素及びメチル基;最も好ましくはメチル基から選択され;そして式I中のアニオンが、式I中のカチオンの2電荷と釣り合う任意のアニオン又はアニオンの組合せであってもよい好ましくは式I中のアニオンが、ハロゲンアニオン、水酸化物アニオン、硝酸アニオン、硫酸アニオン及びリン酸アニオンから;より好ましくはハロゲンアニオン及び水酸化物アニオンから;最も好ましくは水酸化物アニオンから選択されるで示される二価第四級物質を含む。好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、初期成分として、式Iで示される二価第四級物質を0.001~1重量好ましくは0.01~0.1重量、最も好ましくは0.01~0.05重量含む。最も好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、式Iで示される二価第四級物質を0.01~0.05重量含み、ここで各Xが、Nであり;R1が、-CH26-基であり、そしてR2、R3、R4、R5、R6及びR7が、それぞれ-CH23CH3基である。式Iで示される二価第四級物質を含むことで、二酸化ケイ素除去速度が促進される。場合により、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、初期成分として、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトライソプロピルアンモニウム、水酸化テトラシクロプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトライソブチルアンモニウム、水酸化テトラtert-ブチルアンモニウム、水酸化テトラsec-ブチルアンモニウム、水酸化テトラシクロブチルアンモニウム、水酸化テトラペンチルアンモニウム、水酸化テトラシクロペンチルアンモニウム、水酸化テトラヘキシルアンモニウム、水酸化テトラシクロヘキシルアンモニウム、及びそれらの混合物から選択される最も好ましくは水酸化テトラエチルアンモニウムTEAH、水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH及び水酸化テトラブチルアンモニウムTBAHから選択される第四級アンモニウム化合物を0~1重量好ましくは0.005~1重量、より好ましくは0.005~0.75重量、最も好ましくは0.005~0.05重量含む。本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、場合により更に、分散剤、界面活性剤、緩衝剤及び殺生物剤から選択される追加の添加剤を含む。本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、場合により、コロージョンインヒビター剤を含まない。本明細書及び添付の特許請求の範囲で用いられる用語コロージョンインヒビター剤を含まないは、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ベンゾトリアゾール;1,2,3-ベンゾトリアゾール;5,6-ジメチル-1,2,3-ベンゾトリアゾール;1-1,2-ジカルボキシエチルベンゾトリアゾール;1-[N,N-ビスヒドロキシルエチルアミノメチル]ベンゾトリアゾール;又は1-ヒドロキシルメチルベンゾトリアゾールを含有しないことを意味する。本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、酸化剤を含まない。本明細書及び添付の特許請求の範囲で用いられる用語酸化剤を含まないは、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、酸化剤、例えば、過酸化水素、過硫酸塩例えば、モノ過硫酸アンモニウム、及びジ過硫酸カリウム及び過ヨウ素酸塩例えば、過ヨウ素酸カリウムを含有しないことを意味する。本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、pH2~6にわたり有効性を提供する。好ましくは、用いられるケミカルメカニカルポリッシング組成物は、pH2~5にわたり有効性を提供する。最も好ましくは、用いられるケミカルメカニカルポリッシング組成物は、pH2~4にわたり有効性を提供する。そのケミカルメカニカルポリッシング組成物のpHを調整するための使用に適した酸としては、例えば、リン酸、硝酸、硫酸及び塩酸が挙げられる。そのケミカルメカニカルポリッシング組成物のpHを調整するための使用に適した塩基としては、例えば、水酸化アンモニウム及び水酸化カリウムが挙げられる。好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、1,500Å分以上、より好ましくは1,800Å分以上、最も好ましくは2,000Å分以上の二酸化ケイ素除去速度を示す。好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、初期成分として、水;平均粒径5~150nm好ましくは20~100nm、より好ましくは20~60nm、最も好ましくは20~50nmを有する砥粒0.1~40重量好ましくは0.1~20重量、更により好ましくは1~20重量、最も好ましくは1~10重量;式I:式中、各Xが、独立して、N及びPから選択され、好ましくは各Xが、Nであり;R1が、飽和又は不飽和C1-C15アルキル基、C6-C15アリール基及びC6-C15アラルキル基好ましくはC4-C10アルキル基;より好ましくはC2-C6アルキル基;最も好ましくは-CH26-基であり;R2、R3、R4、R5、R6及びR7が、それぞれ独立して、水素、飽和又は不飽和C1-C15アルキル基、C6-C15アリール基、C6-C15アラルキル基及びC6-C15アルカリール基好ましくは水素及びC1-C4アルキル基;より好ましくは水素及びメチル基;最も好ましくはメチル基から選択され;そして式I中のアニオンが、式I中のカチオンの2電荷と釣り合う任意のアニオン又はアニオンの組合せであってもよい好ましくは式I中のアニオンが、ハロゲンアニオン、水酸化物アニオン、硝酸アニオン、硫酸アニオン及びリン酸アニオンから;より好ましくはハロゲンアニオン及び水酸化物アニオンから;最も好ましくは水酸化物アニオンから選択されるで示される二価第四級物質0.001~1重量好ましくは0.01~0.1重量、より好ましくは0.02~0.06重量;式II:式中、Aが、N及びP好ましくはNから選択され;各R8が、独立して、水素、飽和又は不飽和C1-C15アルキル基、C6-C15アリール基、C6-C15アラルキル基及びC6-C15アルカリール基好ましくは水素及びC1-C4アルキル基;より好ましくは水素及びメチル基;最も好ましくはメチル基から選択され;そして式II中のアニオンが、式II中のカチオンの電荷と釣り合う任意のアニオンであってもよい好ましくは式II中のアニオンが、ハロゲンアニオン、水酸化物アニオン、及び亜硝酸アニオンから;より好ましくはハロゲンアニオン及び水酸化物アニオンから;最も好ましくは水酸化物アニオンから選択されるで示されるアダマンチル物質0.001~1重量好ましくは0.01~0.1重量、最も好ましくは0.01~0.05重量;ならびに第四級アルキルアンモニウム化合物0~1重量好ましくは0.005~1重量、より好ましくは0.005~0.075重量、最も好ましくは0.005~0.05重量を含み、ここでそのケミカルメカニカルポリッシング組成物は、1,500Å分以上、好ましくは1,800Å分以上、より好ましくは2,000Å分以上の二酸化ケイ素除去速度を示す。本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、好ましくは貯蔵安定性を有する。本明細書及び添付の特許請求の範囲で用いられる用語貯蔵安定性は、100rpmに設定されたBrookfieldS00スピンドル使用の20°CのBrookfieldDVI粘度計を用いて測定された、表題のケミカルメカニカルポリッシング組成物の粘度が、55°Cで1週間貯蔵した後に5未満上昇することを意味する。より好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物は、長期貯蔵安定性を有する。本明細書及び添付の特許請求の範囲で用いられる用語長期貯蔵安定性は、100rpmに設定されたBrookfieldS00スピンドル使用の20°CのBrookfieldDVI粘度計を用いて測定された、表題のケミカルメカニカルポリッシング組成物の粘度が、55°Cで4週間貯蔵した後に15未満上昇することを意味する。本発明のケミカルメカニカルポリッシング方法は、二酸化ケイ素場合により二酸化ケイ素ならびにSiC、SiCN、Si3N4、SiCO及びポリシリコンの少なくとも1種;好ましくは窒化ケイ素上に堆積された二酸化ケイ素を含む基板を提供すること;初期成分として、水;平均粒径5~150nm好ましくは20~60nm、最も好ましくは20~50nmを有する砥粒0.1~40重量好ましくは0.1~20重量、最も好ましくは1~10重量;式I:式中、各Xが、独立して、N及びPから選択され、好ましくは各Xが、Nであり;R1が、飽和又は不飽和C1-C15アルキル基、C6-C15アリール基及びC6-C15アラルキル基好ましくはC4-C10アルキル基;より好ましくはC2-C6アルキル基;最も好ましくは-CH26-基であり;R2、R3、R4、R5、R6及びR7が、それぞれ独立して、水素、飽和又は不飽和C1-C15アルキル基、C6-C15アリール基、C6-C15アラルキル基及びC6-C15アルカリール基好ましくは水素及びC1-C4アルキル基;より好ましくは水素及びメチル基;最も好ましくはメチル基から選択され;そして式I中のアニオンが、式I中のカチオンの2電荷と釣り合う任意のアニオン又はアニオンの組合せであってもよい好ましくは式I中のアニオンが、ハロゲンアニオン、水酸化物アニオン、硝酸アニオン、硫酸アニオン及びリン酸アニオンから;より好ましくはハロゲンアニオン及び水酸化物アニオンから;最も好ましくは水酸化物アニオンから選択されるで示される二価第四級物質0~1重量好ましくは0.01~1重量、より好ましくは0.01~0.1重量、最も好ましくは0.01~0.05重量;式II:式中、Aが、N及びP好ましくはNから選択され;各R8が、独立して、水素、飽和又は不飽和C1-C15アルキル基、C6-C15アリール基、C6-C15アラルキル基及びC6-C15アルカリール基好ましくは水素及びC1-C4アルキル基;より好ましくは水素及びメチル基;最も好ましくはメチル基から選択され;そして式II中のアニオンが、式II中のカチオンの電荷と釣り合う任意のアニオンであってもよい好ましくは式II中のアニオンが、ハロゲンアニオン、水酸化物アニオン、及び亜硝酸アニオンから;より好ましくはハロゲンアニオン及び水酸化物アニオンから;最も好ましくは水酸化物アニオンから選択されるで示されるアダマンチル物質0.001~1重量好ましくは0.01~0.1重量、最も好ましくは0.01~0.05重量;ならびに第四級アルキルアンモニウム化合物0~1重量好ましくは0.005~1重量、より好ましくは0.005~0.075重量、最も好ましくは0.005~0.05重量、を含む本発明のケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供すること;ケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること;ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面にダウンフォース0.69~34.5kPa0.1~5psi、好ましくは0.69~20.7kPa0.1~3psiの動的接触を生成すること;ならびにケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面又はその付近で、ケミカルメカニカルポリッシング組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上へ分配すること、を含み、ここでそのケミカルメカニカルポリッシング組成物は、2~6、好ましくは2~5、最も好ましくは2~4のpHを有し、その二酸化ケイ素及び窒化ケイ素は、そのケミカルメカニカルポリッシング組成物に曝され、そしてそのケミカルメカニカルポリッシング組成物は、1,500Å分以上、好ましくは1,800Å分以上、より好ましくは2,000Å分以上の二酸化ケイ素除去速度を示す。好ましくは、用いられたケミカルメカニカルポリッシング組成物は、更に、窒化ケイ素に対する二酸化ケイ素の選択比≧5:1、より好ましくは≧6:1を示す。好ましくはケミカルメカニカルポリッシング組成物中で用いられる砥粒は、コロイダルシリカであり、用いられるケミカルメカニカルポリッシング組成物は、200mm研磨機例えば、AppliedMaterialsMirra登録商標研磨機でプラテン速度93rpm、キャリア速度87rpm、ケミカルメカニカルポリッシング組成物の流速200ml分、及び名目ダウンフォースnominaldownforce20.7kPa3psiで、少なくとも1,500Å分、より好ましくは少なくとも1,800Å分、最も好ましくは少なくとも2,000Å分の二酸化ケイ素除去速度を示し、そのケミカルメカニカルポリッシングパッドは、高分子中空コア微粒子及びポリウレタン含浸不織布サブパッド例えば、RohmandHaasElectronicMaterialsCMPIncから入手されるIC1010研磨パッドを含有するポリウレタン研磨層を含む。好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング方法は、二酸化ケイ素及び窒化ケイ素、好ましくは窒化ケイ素上に堆積された二酸化ケイ素を含む基板を提供すること;初期成分として、水;平均粒径20~60nmを有するコロイダルシリカ砥粒1~10重量;式I:式中、各Xが、Nであり;R1が、C4-C10アルキル基から選択され;R2、R3、R4、R5、R6及びR7が、独立してC2-C6アルキル基から選択され;そして式I中のアニオンが、式I中のカチオンの2電荷と釣り合う任意のアニオン又はアニオンの組合せであってもよい好ましくは式I中のアニオンが、ハロゲンアニオン、水酸化物アニオン、硝酸アニオン、硫酸アニオン及びリン酸アニオンから;より好ましくはハロゲンアニオン及び水酸化物アニオンから;最も好ましくは水酸化物アニオンから選択されるで示される二価第四級物質0.01~0.05重量;式II:式中、Aが、Nであり;各R8が、独立して、水素及びC1-C4アルキル基から選択され;そして式II中のアニオンが、式II中のカチオンの電荷と釣り合う任意のアニオンであってもよい好ましくは式II中のアニオンが、ハロゲンアニオン、水酸化物アニオン、及び亜硝酸アニオンから;より好ましくはハロゲンアニオン及び水酸化物アニオンから;最も好ましくは水酸化物アニオンから選択されるで示されるアダマンチル物質0.01~0.05重量;ならびに第四級アルキルアンモニウム化合物0~1重量好ましくは0.005~1重量、より好ましくは0.005~0.075重量、最も好ましくは0.005~0.05重量、を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供すること;ケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること;ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面にダウンフォース0.69~34.5kPa0.1~5psi、好ましくは0.69~20.7kPa0.1~3psiの動的接触を生成すること;ならびにケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面又はその付近で、ケミカルメカニカルポリッシング組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上へ分配すること、を含み、ここでそのケミカルメカニカルポリッシング組成物は、2~6、好ましくは2~5、最も好ましくは2~4のpHを有し、その二酸化ケイ素及び窒化ケイ素は、そのケミカルメカニカルポリッシング組成物に曝され、そしてそのケミカルメカニカルポリッシング組成物は、貯蔵安定性好ましくは長期貯蔵安定性を示す。好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング方法で用いられるケミカルメカニカルポリッシング組成物中で用いられる砥粒は、コロイダルシリカであり、用いられるケミカルメカニカルポリッシング組成物は、200mm研磨機例えば、AppliedMaterialsMirra登録商標研磨機でプラテン速度93rpmrevolutionsperminute、キャリア速度87rpm、ケミカルメカニカルポリッシング組成物の流速200ml分、及び名目ダウンフォース20.7kPa3psiで、少なくとも1,500Å分、より好ましくは少なくとも1,800Å分、最も好ましくは2,000Å分の二酸化ケイ素除去速度を示し、そのケミカルメカニカルポリッシングパッドは、高分子中空コア微粒子及びポリウレタン含浸不織布サブパッド例えば、RohmandHaasElectronicMaterialsCMPIncから入手されるIC1010研磨パッドを含有するポリウレタン研磨層を含む。好ましくは、本発明のケミカルメカニカルポリッシング方法は、二酸化ケイ素及び窒化ケイ素、好ましくは窒化ケイ素上に堆積された二酸化ケイ素を含む基板を提供すること;初期成分として、水;平均粒径20~60nmを有するコロイダルシリカ砥粒1~10重量;式I:式中、各Xが、Nであり;R1が、-CH26-基であり;R2、R3、R4、R5、R6及びR7が、それぞれ-CH23CH3基であり;そして式I中のアニオンが、2個の水酸化物アニオンであるで示される二価第四級物質0.01~0.05重量;N,N,N-トリメチル-1-アダマンチルアンモニウム水酸化物である式IIで示されるアダマンチル物質0.01~0.05重量;及びテトラエチルアンモニウム水酸化物及びテトラブチルアンモニウム水酸化物から選択される第四級アルキルアンモニウム化合物0~0.05重量、を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供すること;ケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること;ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面にダウンフォース0.69~20.7kPa0.1~3psiの動的接触を生成すること;ならびにケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の界面又はその付近で、ケミカルメカニカルポリッシング組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上へ分配すること、を含み、ここでそのケミカルメカニカルポリッシング組成物は、2~4のpHを有し、その二酸化ケイ素及び窒化ケイ素は、そのケミカルメカニカルポリッシング組成物に曝され、そしてそのケミカルメカニカルポリッシング組成物は、貯蔵安定性好ましくは長期貯蔵安定性を示す。好ましくは本発明のケミカルメカニカルポリッシングで用いられるケミカルメカニカルポリッシング組成物中で用いられる砥粒は、コロイダルシリカであり、用いられるケミカルメカニカルポリッシング組成物は、200mm研磨機例えば、AppliedMaterialsMirra登録商標研磨機でプラテン速度93rpm、キャリア速度87rpm、ケミカルメカニカルポリッシング組成物の流速200ml分、及び名目ダウンフォース20.7kPa3psiで、少なくとも1,500Å分、より好ましくは少なくとも1,800Å分、最も好ましくは少なくとも2,000Å分の二酸化ケイ素除去速度を示し、そのケミカルメカニカルポリッシングパッドは、高分子中空コア微粒子及びポリウレタン含浸不織布サブパッド例えば、RohmandHaasElectronicMaterialsCMPIncから入手されるIC1010研磨パッドを含有するポリウレタン研磨層を含む。本発明の幾つかの実施態様を、ここに以下の実施例において詳細に記載する。比較例C1及び実施例A1~A2ケミカルメカニカルポリッシング組成物の製造表1に列挙された量で成分を混和し、そして組成物のpHを表示されたリン酸又は硝酸で表1に列挙された最終pHに調整することにより、比較の研磨実施例PC1及び研磨実施例PA1~PA2即ち、ケミカルメカニカルポリッシング組成物C1及びA1~A2それぞれにおいて用いられたケミカルメカニカルポリッシング組成物を製造した。比較例PC1及び実施例PA1~PA2ケミカルメカニカルポリッシング実験二酸化ケイ素除去速度研磨試験を、比較例C1及び実施例A1~A2により製造されたケミカルメカニカルポリッシング組成物を用いて実施した。具体的には、ケミカルメカニカルポリッシング組成物C1及びA1~A2のそれぞれの二酸化ケイ素除去速度を、表1において確認した。これらの二酸化ケイ素除去速度実験を、シリコン基板上に二酸化ケイ素フィルムを有する8インチブランケットウェーハで、AppliedMaterialsMirra登録商標研磨機及びIC1010商標ポリウレタン研磨パッドRohmandHaasElectronicMaterialsCMPIncから市販を用いて、ダウンフォース20.7kPa3psi、ケミカルメカニカルポリッシング組成物の流速200ml分、テーブル回転速度93rpm及びキャリア回転速度87rpmで実施した。KLATencorFX200計測ツールを用いて研磨前及び後のフィルム厚を測定することにより、二酸化ケイ素除去速度を決定した。二酸化ケイ素除去速度実験の結果を、表2に示す。安定性促進試験比較例C1及び実施例A1~A2により製造された研磨組成物を、加速劣化実験に供試して、それらの組成物の安定性を評価した。具体的には、研磨組成物を55°Cに設定されたオーブンに4週間静置した。100rpmに設定されたBrookfieldS00スピンドル使用の20°CのBrookfieldDV1粘度計を用いて、各研磨組成物の粘度を毎週測定した。結果を表3に示す。データから、本発明の研磨組成物が、有意に高い安定性を示すことが示された。"