"一般式G1で表される有機半導体材料。式中、EAは電子受容ユニット、HAはホール受容ユニットである。一般式G1で表される有機半導体材料。式中、EAは電子受容ユニット、HAはホール受容ユニットである。また、HAで表される骨格の結合手を水素で置換した化合物HAHと、EAで表される骨格の結合手を水素で置換した化合物EAH及び無置換のフルオレンは、電子親和力が最も大きい物質がEAH、イオン化ポテンシャルが最も小さい物質がHAHであるという関係を有する請求項2において、EAで表される骨格の結合手を水素で置換した化合物EAHの電子親和力は2.0eV以上4.0eV以下であり、HAで表される骨格の結合手を水素で置換した化合物HAHのイオン化ポテンシャルは4.5eV以上6.5eV以下であることを特徴とする有機半導体材料。請求項2において、EAで表される骨格の結合手を水素で置換した化合物EAHの電子親和力は2.0eV以上3.0eV以下であり、HAで表される骨格の結合手を水素で置換した化合物HAHのイオン化ポテンシャルは5.0eV以上6.0eV以下であることを特徴とする有機半導体材料。請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記EAは、含窒素6員芳香環基、1,2-アゾール基、1,3-アゾール基、ポリアゾール基及びこれら置換基のいずれか一を有するフェニル基のいずれか一であることを特徴とする有機半導体材料。請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記HAはπ過剰系ヘテロ芳香族置換基を有するフェニル基、またはジアリールアミノ基を有するフェニル基であることを特徴とする有機半導体材料。一対の電極間に、請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の有機半導体材料を含む発光素子。一対の電極間に、請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の有機半導体材料を含み、発光層に燐光性化合物を含むことを特徴とする発光素子。請求項7または請求項8において、請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の有機半導体材料は、発光層に含まれることを特徴とする発光素子。請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の発光素子と、前記発光素子の発光を制御する制御回路とを有する発光装置。表示部を有し、前記表示部は、請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の発光素子と前記発光素子の発光を制御する制御回路とを備えたことを特徴とする電子機器。下記一般式G2-1で表されるフルオレン誘導体。但し、式中E1は窒素原子または酸素原子を表し、窒素原子の場合はフェニル基又はビフェニル基が結合している。また、m及びnはそれぞれ独立に0又は1の値を示し、α1又はα2はそれぞれ独立にフェニレン基又はビフェニルジイル基のいずれか一を表す。また、Ar1又はAr2はそれぞれ独立にフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基及びトリフェニレニル基のいずれか一を表す。下記一般式G2-2で表されるフルオレン誘導体。但し、式中E1は窒素原子または酸素原子を表し、窒素原子の場合はフェニル基又はビフェニル基が結合している。また、mは0又は1の値を示す。下記一般式G2-3で表されるフルオレン誘導体。但し、式中mは0又は1の値を示す。下記構造式1で表されるフルオレン誘導体。特許文献1に記載されている物質は、その実施例からもわかるように、ホール輸送性を示す。そのため、特許文献1に記載されている材料を発光層のホスト材料として用いた場合、発光層をホールが突き抜けていることが予想される。特許文献1では、発光層をホールが突き抜けていくことを防止するため、発光層の陰極側にホールブロック材料でもあるBAlqを用いて正孔阻止層兼電子輸送層を形成している。このように、特許文献1に記載の上記構造を有する物資を発光層のホスト材料として用いると、当該ホスト材料がホール輸送性であるため、発光領域が発光層と電子輸送層ホールブロック層との界面に偏る可能性がある。発光領域が局所的に偏ると、三重項-三重項消滅T-Tアニヒレイションによる消光が生じてしまい、発光効率が低下してしまう。これを抑制するためには、ホスト材料は酸化及び還元のいずれも可能なバイポーラ性を有し、かつ酸化、還元の双方に安定であることが要求される。しかしながら、電子輸送性を有する骨格とホール輸送性を有する骨格を直接結合させると、バンドギャップの低下を招くために、高い三重項励起エネルギーを有する材料を得ることは困難である。また、電子輸送性を有する骨格とホール輸送性を有する骨格との間に置換基を導入して共役系を拡張してしまうと、バンドギャップの低下及び三重項励起エネルギーの低下を引き起こすという問題がある。よって、本発明は、バイポーラ性を有し且つ広いバンドギャップ又は高い三重項励起エネルギーを有する新規な有機半導体材料を提供することを目的とする。また、発光素子の駆動電圧を低減することを目的とする。また、発光素子の発光効率を向上させることを目的とする。また、発光素子、発光装置、電子機器の消費電力を低減することを目的とする。本発明者らは、電子輸送性を有する骨格とホール輸送性を有する骨格とを、フルオレンの9位の炭素を介して結合することで、広いエネルギーギャップを保ったまま電子輸送性とホール輸送性の両方を有するつまり、バイポーラ性を有する材料を得ることができることを見いだした。より具体的には、一般式G1で表される材料が、広いエネルギーギャップと、バイポーラ性とを同時に備えることを見いだした。よって、本発明の一は、一般式G1で表される有機化合物有機半導体材料である。式中、EAは電子受容ユニット、HAはホール受容ユニットである。なお、電子受容ユニットとは、ホール受容ユニットよりも電子親和力が大きく、かつ、イオン化ポテンシャルが大きいものである。また、電子受容ユニットは電子輸送性を有する骨格であり、ホール受容ユニットはホール輸送性を有する骨格である。上記構成においては、電子受容ユニットEAに結合したフルオレン基を水素で置換した化合物EAH、ホール受容ユニットHAに結合したフルオレン基を水素で置換した化合物HAH及びフルオレンの三つの物質は、最も電子親和力が大きいものが化合物EAHであり、最もイオン化ポテンシャルが小さいものが化合物HAHであるという関係を有する。なお、上記構成においてフルオレンの1位乃至8位は置換基を有していても良く、当該置換基としては、それぞれ独立に炭素数1乃至6のアルキル基または炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを選択することができる。また、上記構成において、電子受容ユニットEAに結合したフルオレン基を水素で置換した化合物EAHの電子親和力は2.0eV以上4.0eV以下であり、ホール受容ユニットHAに結合したフルオレン基を水素で置換した化合物HAHのイオン化ポテンシャルは4.5eV以上6.5eV以下であることが好ましい。特に、発光素子に用いる場合には、EAの結合手を水素で置換した化合物EAHの電子親和力は2.0eV以上3.0eV以下であり、HAの結合手を水素で置換した化合物HAHのイオン化ポテンシャルは5.0eV以上6.0eV以下であることがより好ましい。上記構成において、EAで表される置換基としては、含窒素6員芳香環基、1,2-アゾール基、1,3-アゾール基、ポリアゾール基及びこれらうちのいずれかの基を有するフェニル基などが挙げられる。また、上記構成において、HAで表される置換基としては、π電子過剰系ヘテロ芳香族置換基を有するフェニル基、またはジアリールアミノ基を有するフェニル基などが挙げられる。上述した一般式G1で表されるフルオレン誘導体は、バイポーラ性を有しているため、有機半導体材料として、発光素子や有機トランジスタなどの有機デバイスに好適に用いることができる。よって、本発明の一は、一般式G1で表される有機半導体材料を用いた発光素子である。つまり、一対の電極間に一般式G1で表される有機半導体材料を含む発光素子である。特に、一般式G1で表される有機半導体材料は、大きな三重項励起エネルギーを有するため、りん光性化合物とともに発光素子に用いた場合、より顕著な効果を有する。よって、本発明の一は、一対の電極間に、一般式G1で表される有機半導体材料を含み、発光層にりん光性化合物を含む発光素子である。また、一般式G1で表される有機半導体材料はバイポーラ性を有するため、発光層に用いることが好ましい。また、本発明は、一般式G1で表される有機半導体材料を含む発光素子を有する発光装置も範疇に含めるものである。よって、本発明の一は、一般式G1で表される有機半導体材料を含む発光素子と、発光素子の発光を制御する制御回路とを有する発光装置である。なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源照明装置を含むを含む。また、発光素子が形成されたパネルにコネクター、例えばFPCFlexibleprintedcircuitもしくはTABTapeAutomatedBondingテープもしくはTCPTapeCarrierPackageが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にCOGChipOnGlass方式によりIC集積回路が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。また、本発明の発光素子を表示部に用いた電子機器も本発明の範疇に含めるものとする。したがって、本発明の電子機器は、表示部を有し、表示部は、上述した発光素子と発光素子の発光を制御する制御回路とを備えたことを特徴とする。本発明の有機半導体材料は、バイポーラ性且つ広いエネルギーギャップ又は大きい三重項励起エネルギーを有する新規な材料である。また、本発明を適用することにより、発光素子の駆動電圧を低減することができる。また、発光素子の発光効率を向上させることができる。また、本発明を適用することにより、発光素子、発光装置、電子機器の消費電力を低減することができる。以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。実施の形態1本実施の形態では、本発明に係る有機化合物として、例えば下記有機半導体材料について説明する。本発明に係る有機半導体材料は、フルオレン骨格を有しており、当該フルオレン骨格における9位の炭素を介して電子受容ユニットとホール受容ユニットが結合している構造を有している。より具体的には、一般式G1で表される有機半導体材料である。式中、EAは電子受容ユニット、HAはホール受容ユニットである。但し、HAに結合したフルオレン基を水素で置換した物質をHAH、EAに結合したフルオレン基を水素で置換した物質をEAHとした際、HAH、EAH、フルオレンの中で最も電子親和力が大きい物質がEAH、イオン化ポテンシャルが小さい物質がHAHである関係を有する。また、式中、フルオレンの1位乃至8位は置換基を有していても良く、当該置換基としては、炭素数1乃至6のアルキル基または炭素数6乃至13のアリール基を選択することができる。このような構造を有する有機半導体材料は、分子内に電子受容ユニットおよびホール受容ユニットを有するため、電子もホールも輸送することができるバイポーラ性の材料である。分子内に電子受容ユニットとホール受容ユニットを有する化合物であっても、ユニット同士が相互作用してしまうことによってバイポーラ性を有さない場合もあるが、一般式G1で表される有機半導体材料は、フルオレンの9位の炭素を介して電子受容ユニットEAとホール受容ユニットHAが結合していることから、分子内での相互作用が抑制され、バイポーラ性を実現する。また、同様に共役の広がりをフルオレンの9位の炭素が抑制することで、広いエネルギーギャップ又は大きい三重項励起エネルギーを有する有機半導体材料となる。なお、一般式G1で表される有機半導体材料の電子親和力は、2.0eV以上4.0eV以下であることが好ましい。特に、当該有機半導体材料を発光素子に用いる場合、発光素子に用いられる一般的な有機材料の電子親和力の値を考慮すると、当該有機半導体材料の電子親和力は2.0eV以上3.0eV以下であることがより好ましい。ここで、一般式G1で表される有機半導体材料は、上述したように分子内における電子受容ユニットEAとホール受容ユニットHAの相互作用が抑制されているため、一般式G1で表される有機半導体材料の電子親和力は、最も電子親和力の大きい、EAに結合したフルオレン基を水素で置換した物質EAHの電子親和力の値とほぼ同じ値になる。よって、電子受容ユニットEAを選択する際は、EAHで表される化合物の電子親和力が2.0eV以上4.0eV以下となるユニットを選択することが好ましい。また、一般式G1で表される有機半導体材料を発光素子に用いる場合、電子受容ユニットEAを選択する際は、EAHで表される化合物の電子親和力が2.0eV以上3.0eV以下のユニットを選択することが好ましい。また、一般式G1で表される有機半導体材料のイオン化ポテンシャルは、4.5eV以上6.5eV以下であることが好ましい。特に当該有機半導体材料を発光素子に用いる場合、発光素子に用いられる一般的な有機材料のイオン化ポテンシャルの値を考慮すると、当該有機半導体材料のイオン化ポテンシャルは5.0eV以上6.0eV以下であることがより好ましい。ここで、一般式G1で表される有機半導体材料のイオン化ポテンシャルは、分子内における電子受容ユニットとホール受容ユニットの相互作用が抑制されていることから、最もイオン化ポテンシャルの小さいHAの結合手を水素で置換した物質HAHのイオン化ポテンシャルとほぼ同じ値になる。よって、ホール受容ユニットHAを選択する際は、HAHで表される化合物のイオン化ポテンシャルが4.5eV以上6.5eV以下であるユニットを選択することが好ましい。また、一般式G1で表される有機半導体材料を発光素子に用いる場合、ホール受容ユニットHAを選択する際は、HAHで表される化合物のイオン化ポテンシャルが5.0eV以上6.0eV以下であるユニットを選択することがより好ましい。このように、本実施の形態の有機半導体材料は、フルオレンの9位の炭素を介して電子受容ユニット及びホール受容ユニットを結合していることから、共役の広がりが抑制され、物質全体として、電子受容ユニットEAの大きい電子親和力と、ホール受容ユニットHAの小さいイオン化ポテンシャルを併せ持ちながらも、バンドギャップの広い有機半導体材料、または、三重項励起エネルギーの大きな有機半導体材料を得ることができるようになる。また、同様に、電子受容ユニットとホール受容ユニットの相互作用が抑制されていることから、バイポーラ性の有機半導体材料を得ることができるようになる。電子受容ユニットEAとしては、大きい電子親和力を有するπ電子不足系ヘテロ芳香族置換基が好ましい。π電子不足系ヘテロ芳香族置換基としては、含窒素6員芳香環基ただし、該含窒素6員芳香環は、芳香族炭化水素の縮環体および含窒素6員芳香環の縮環体を含む、1,2-アゾール基ただし、該1,2-アゾールは、芳香族炭化水素の縮環体および含窒素6員芳香環の縮環体を含む、1,3-アゾール基ただし、該1,3-アゾールは、芳香族炭化水素の縮環体および含窒素6員芳香環の縮環体を含む、ポリアゾール基ただし、該ポリアゾールは、芳香族炭化水素の縮環体および含窒素6員芳香環の縮環体を含む、などが挙げられる。また、これらの基のいずれかの基を有するフェニル基も同様に電子受容ユニットEAとして有効である。特に、含窒素6員芳香環基、1,3-アゾール基、ポリアゾール基及びこれらの基を有するフェニル基は、比較的大きな電子親和力を有すると共に、還元に対して安定で、高い電子輸送性を示すため、電子受容ユニットEAとして好ましい選択である。含窒素6員芳香環基としては、例えば、置換または無置換のピリジル基、置換または無置換のピラジニル基、置換または無置換のピリミジニル基、置換または無置換のピリダジニル基、置換または無置換の1,2,4-トリアジニル基、置換または無置換の1,3,5-トリアジニル基、置換または無置換のキノリル基、置換または無置換のイソキノリル基、置換または無置換の1,5-ナフチリジニル基、置換または無置換の1,6-ナフチリジニル基、置換または無置換の1,7-ナフチリジニル基、置換または無置換の1,8-ナフチリジニル基、置換または無置換の2,6-ナフチリジニル基、置換または無置換の2,7-ナフチリジニル基、置換または無置換のキノキサリニル基、置換または無置換のジベンゾキノキサリニル基、置換または無置換のキナゾリニル基、置換または無置換のフタラジニル基、置換または無置換のシンノリニル基、置換または無置換のフェナントリジニル基、置換または無置換の1,10-フェナントロリニル基、などが挙げられる。また1,2-アゾール基としては、例えば、置換または無置換のピラゾリル基、置換または無置換のイソオキサゾリル基、置換または無置換のイソチアゾリル基、置換または無置換のインダゾリル基、置換または無置換の1,2-ベンゾイソオキサゾリル基、置換または無置換の1,2-ベンゾイソチアゾリル基、置換または無置換の2,1-ベンゾイソオキサゾリル基、置換または無置換の2,1-ベンゾイソチアゾリル基、などが挙げられる。また1,3-アゾール基としては、例えば、置換または無置換のイミダゾリル基、置換または無置換のオキサゾリル基、置換または無置換のチアゾリル基、置換または無置換の1H-ベンゾイミダゾリル基、置換または無置換のベンゾオキサゾリル基、置換または無置換のベンゾチアゾリル基、イミダゾ[1,2-a]ピリジル基などが挙げられる。またポリアゾール基としては、例えば、置換または無置換の1H-1,2,3-トリアゾリル基、置換または無置換の1,2,5-オキサジアゾリル基、置換または無置換の1,2,5-チアジアゾリル基、置換または無置換の1H-1,2,4-トリアゾリル基、置換または無置換の4H-1,2,4-トリアゾリル基、置換または無置換の1,2,4-オキサジアゾリル基、置換または無置換の1,2,4-チアジアゾリル基、置換または無置換の1,3,4-オキサジアゾリル基、置換または無置換の1,3,4-チアジアゾリル基、置換または無置換の1H-ベンゾトリアゾリル基、置換または無置換の2H-ベンゾトリアゾリル基、置換または無置換の2,1,3-ベンゾオキサジアゾリル基、置換または無置換の2,1,3-ベンゾチアジアゾリル基、などが挙げられる。なお、上述した含窒素6員芳香環基、1,2-アゾール基、1,3-アゾール基、ポリアゾール基がさらに置換基を有する場合、その置換基としては、フェニル基、トリル基、ナフチル基のようなアリール基や、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基のようなヘテロアリール基や、メチル基、エチル基、イソプロピル基、tert-ブチル基のようなアルキル基などが挙げられる。含窒素6員芳香環基ただし、該含窒素6員芳香環は、芳香族炭化水素の縮環体および含窒素6員芳香環の縮環体を含むを有するフェニル基を適用した場合の電子受容ユニットEAの具体例としては、2-ピリジルフェニル基、5-メチル-2-ピリジルフェニル基、6-メチル-2-ピリジルフェニル基、3-フェニル-2-ピリジルフェニル基、6-フェニル-2-ピリジルフェニル基、3-ピリジルフェニル基、6-メチル-3-ピリジルフェニル基、2,2’:6’,2’’-テルピリジン-4’-イルフェニル基、3-フェニルピラジン-2-イルフェニル基、3,5,6-トリフェニルピラジン-2-イルフェニル基、ピリミジン-4-イルフェニル基、6-メチルピリミジン-4-イルフェニル基、6-フェニルピリミジン-4-イルフェニル基、ピリミジン-5-イルフェニル基、2,4,6-トリフェニルピリミジン-5-イルフェニル基、6-フェニルピリダジン-3-イルフェニル基、3-メチル-1,2,4-トリアジン-6-イルフェニル基、4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン-2-イルフェニル基、3-キノリルフェニル基、8-キノリルフェニル基、2,4-ジメチル-8-キノリルフェニル基、4-イソキノリルフェニル基、1,5-ナフチリジン-3-イルフェニル基、1,6-ナフチリジン-4-イルフェニル基、5,7-ジメチル-1,6-ナフチリジン-4-イルフェニル基、5-メチル-1,6-ナフチリジン-2-イルフェニル基、1,7-ナフチリジン-8-イルフェニル基、1,8-ナフチリジン-2-イルフェニル基、3-メチル-1,8-ナフチリジン-2-イルフェニル基、1,8-ナフチリジン-3-イルフェニル基、2-メチル-1,8-ナフチリジン-3-イルフェニル基、1,8-ナフチリジン-4-イルフェニル基、2,6-ナフチリジン-1-イルフェニル基、2,7-ナフチリジン-3-イルフェニル基、キノキサリン-2-イルフェニル基、3-メチルキノキサリン-2-イルフェニル基、3-イソプロピルキノキサリン-2-イルフェニル基、3-フェニルキノキサリン-2-イルフェニル基、キナゾリン-4-イルフェニル基、フタラジン-1-イルフェニル基、3-フェニルシンノリン-4-イルフェニル基、フェナントリジン-6-イルフェニル基、1,10-フェナントロリン-2-イルフェニル基、1,10-フェナントロリン-3-イルフェニル基、などが挙げられる。また、1,2-アゾール基ただし、該1,2-アゾールは、芳香族炭化水素の縮環体および含窒素6員芳香環の縮環体を含むを有するフェニル基を適用した場合の電子受容ユニットEAの具体例としては、3,5-ジフェニル-1H-ピラゾール-1-イルフェニル基、1,5-ジフェニル-1H-ピラゾール-3-イルフェニル基、5-フェニルイソオキサゾール-3-イルフェニル基、5-フェニルイソチアゾール-3-イルフェニル基、3-メチル-1,2-ベンゾイソオキサゾール-5-イルフェニル基、3-メチル-1,2-ベンゾイソチアゾール-5-イルフェニル基、2,1-ベンゾイソオキサゾール-3-イルフェニル基、2,1-ベンゾイソチアゾール-3-イルフェニル基、などが挙げられる。また、1,3-アゾール基ただし、該1,3-アゾールは、芳香族炭化水素の縮環体および含窒素6員芳香環の縮環体を含むを有するフェニル基を適用した場合の電子受容ユニットEAの具体例としては、2,4-ジフェニル-1H-イミダゾール-1-イルフェニル基、2-フェニルオキサゾール-4-イルフェニル基、2-フェニルチアゾール-4-イルフェニル基、1-メチル-1H-ベンゾイミダゾール-2-イルフェニル基、1-エチル-1H-ベンゾイミダゾール-2-イルフェニル基、1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール-2-イルフェニル基、2-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール-1-イルフェニル基、ベンゾオキサゾール-2-イルフェニル基、5-フェニルベンゾオキサゾール-2-イルフェニル基、[5-p-トリルベンゾオキサゾール-2-イル]フェニル基、ベンゾチアゾール-2-イルフェニル基、5-フェニルベンゾチアゾール-2-イルフェニル基、[5-p-トリルベンゾチアゾール-2-イル]フェニル基、イミダゾ[1,2-a]ピリジン-2-イルフェニル基、5-フェニルイミダゾ[1,2-a]ピリジン-2-イルフェニル基、などが挙げられる。また、ポリアゾール基ただし、該ポリアゾールは、芳香族炭化水素の縮環体および含窒素6員芳香環の縮環体を含むを有するフェニル基を適用した場合の電子受容ユニットEAの具体例としては、1-フェニル-1H-1,2,3-トリアゾール-4-イルフェニル基、4-フェニル-1,2,5-オキサジアゾール-3-イルフェニル基、4-フェニル-1,2,5-チアジアゾール-3-イルフェニル基、5-メチル-1-フェニル-1H-1,2,4-トリアゾール-3-イルフェニル基、4,5-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾール-3-イルフェニル基、[4-4-sec-ブチルフェニル-5-フェニル-4H-1,2,4-トリアゾール-3-イル]フェニル基、3,5-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾール-4-イルフェニル基、[4-フェニル-5-2-ピリジル-4H-1,2,4-トリアゾール-3-イル]フェニル基、[5-2-ピリジル-4-4-ピリジル-4H-1,2,4-トリアゾール-3-イル]フェニル基、[5-フェニル-4-8-キノリル-4H-1,2,4-トリアゾール-3-イル]フェニル基、3-フェニル-1,2,4-オキサジアゾール-5-イルフェニル基、3-フェニル-1,2,4-チアジアゾール-5-イルフェニル基、5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イルフェニル基、[5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]フェニル基、[5-2-ナフチル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]フェニル基、{5-[4-1-ナフチルフェニル]-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル}フェニル基、{5-[4-2-ナフチルフェニル]-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル}フェニル基、5-フェニル-1,3,4-チアジアゾール-2-イルフェニル基、[5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-チアジアゾール-2-イル]フェニル基、[5-2-ナフチル-1,3,4-チアジアゾール-2-イル]フェニル基、{5-[4-1-ナフチルフェニル]-1,3,4-チアジアゾール-2-イル}フェニル基、{5-[4-2-ナフチルフェニル]-1,3,4-チアジアゾール-2-イル}フェニル基、などが挙げられる。ホール受容ユニットHAとしては、小さいイオン化ポテンシャルを有する、π電子過剰系ヘテロ芳香族置換基を有するフェニル基、またはジアリールアミノ基を有するフェニル基が好ましい。なお、ジアリールアミノ基は、アリール基同士が直接結合してカルバゾール環を形成するか、窒素または酸素または硫黄を介して結合して環を形成してもよい。特に、ジアリールアミノ基アリール基同士が直接結合してカルバゾール環を形成するか、窒素または酸素または硫黄を介して結合して環を形成する場合を含むは、比較的小さいイオン化ポテンシャルを示すと共に、酸化に対して安定で、高いホール輸送性を示すため好ましい。フェニル基に結合するπ電子過剰系ヘテロ芳香族置換基としては、モノヘテロ5員芳香環基ただし、該モノヘテロ5員芳香環は、芳香族炭化水素の縮環体および含窒素6員芳香環の縮環体を含むが挙げられ、具体的には、置換または無置換のピロリル基、置換または無置換のフリル基、置換または無置換のチエニル基、置換または無置換のインドリル基、置換または無置換のベンゾフリル基、置換または無置換のジベンゾフラニル基、置換または無置換のベンゾチエニル基、置換または無置換のジベンゾチオフェニル基、置換または無置換のイソインドリル基、置換または無置換のイソベンゾフリル基、置換または無置換のイソベンゾチエニル基、置換または無置換のカルバゾリル基などが挙げられる。また、フェニル基に結合するジアリールアミノ基としては、置換または無置換のジフェニルアミノ基、置換または無置換のN-1-ナフチル-N-フェニルアミノ基、置換または無置換のN-2-ナフチル-N-フェニルアミノ基、などが挙げられる。さらにジアリールアミノ基は、アリール基同士が直接結合してカルバゾール環を形成するか、窒素または酸素または硫黄を介して結合して環を形成してもよく、その場合のホール受容ユニットは、置換または無置換の9H-カルバゾール-9-イル基、置換または無置換の10H-フェノキサジン-10-イル基、置換または無置換の10H-フェノチアジン-10-イル基、置換または無置換の5,10-ジヒドロフェナジン-5-イル基となる。なお、上述したモノヘテロ5員芳香環基やジアリールアミノ基がさらに置換基を有する場合、その置換基としては、フェニル基、トリル基、ナフチル基のようなアリール基や、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基のようなヘテロアリール基や、メチル基、エチル基、イソプロピル基、t-ブチル基のようなアルキル基などが挙げられる。モノヘテロ5員芳香環基ただし、該モノヘテロ5員芳香環は、芳香族炭化水素の縮環体および含窒素6員芳香環の縮環体を含むを有するホール受容ユニットHAの具体例としては、1-メチル-5-フェニル-1H-ピロール-2-イルフェニル基、1,5-ジフェニル-1H-ピロール-2-イルフェニル基、2,5-ジフェニル-1H-ピロール-1-イルフェニル基、5-フェニル-2-フリルフェニル基、5-フェニル-2-チエニルフェニル基、1H-インドール-1-イルフェニル基、2-メチル-1H-インドール-1-イルフェニル基、2-フェニル-1H-インドール-1-イルフェニル基、1-フェニル-1H-インドール-2-イルフェニル基、2-ベンゾフリルフェニル基、2-ベンゾチエニルフェニル基、2,3-ジフェニルイソインドール-1-イルフェニル基、3-フェニルイソフリルフェニル基、3-フェニルイソチエニルフェニル基、などが挙げられる。ジアリールアミノ基アリール基同士が直接結合してカルバゾール環を形成するか、窒素または酸素または硫黄を介して結合して環を形成する場合を含むを有するホール受容ユニットHAの具体例としては、ジフェニルアミノフェニル基、[N-ビフェニル-4-イル-N-フェニルアミノ]フェニル基、{N-[4-1-ナフチルフェニル]-N-フェニルアミノ}フェニル基、{N-[4-2-ナフチルフェニル]-N-フェニルアミノ}フェニル基、{N,N-ビス[4-1-ナフチルフェニル]アミノ}フェニル基、[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]フェニル基、9H-カルバゾール-9-イルフェニル基、3-フェニル-9H-カルバゾール-9-イルフェニル基、[3-1-ナフチル-9H-カルバゾール-9-イル]フェニル基、[3-2-ナフチル-9H-カルバゾール-9-イル]フェニル基、10-フェニル-5,10-ジヒドロフェナジン-5-イルフェニル基、10H-フェノキサジン-10-イルフェニル基、10H-フェノチアジン-10-イルフェニル基、などが挙げられる。一般式G1で表される有機半導体材料は電子輸送性もホール輸送性も有するバイポーラ性である。そのため、発光素子に適用した場合、駆動電圧を低減することができる。特に発光層に適用した場合に顕著な効果が得られる。また、一般式G1で表される有機半導体材料を発光層のホスト材料として用いた場合、発光領域が局所的に偏ることを抑制でき、発光性の高い物質の濃度消光や三重項-三重項消滅T-Tアニヒレイションによる消光を抑制することができる。よって、高い発光効率を実現できる。また、一般式G1で表される有機半導体材料は、中心に、フルオレン骨格を有することにより、立体的に嵩高い構造となっている。このため、膜にした場合に結晶化しにくい。よって、アモルファス状態を維持しやすく、発光素子に好適である。また、モルフォロジーに優れ、膜質が安定であることも、発光素子に適用好適である理由となる。また、電子輸送ユニットEAとホール輸送ユニットHAをつなぐ骨格が、フルオレンであり、あまり分子量の大きくない骨格であるため、溶解性にも優れ、精製がしやすく不純物による素子寿命の低下も抑制することができる。また、同様の理由により適度な昇華性を有し、蒸着がしやすいという特徴も有する。さらに、フルオレン骨格は、光照射時にも環化などの分子内反応が起こりにくく、安定に存在することができる構造である。また、一般式G1で表される有機半導体材料は、三重項励起エネルギーが大きい材料である。よって、蛍光性化合物はもちろん、りん光性化合物が発光中心材料である発光素子に用いることができる。特に、短波長の発光を示すりん光性化合物とともに用いた場合に顕著な効果が得られる。また、本発明に係る有機半導体材料は、エネルギーギャップ最高被占有軌道準位HOMO準位と最低空軌道準位LUMO準位との差が大きい材料である。よって、蛍光性化合物とともに発光素子に用いることができる。特に、短波長の発光を示す蛍光性化合物とともに用いた場合に顕著な効果が得られる。上記一般式G1で表される有機半導体材料のより具体的な例は、下記一般式G2-1で表されるフルオレン誘導体である。但し、一般式G2-1中、E1は窒素原子または酸素原子を表し、窒素原子の場合はフェニル基又はビフェニル基が結合している。また、m及びnはそれぞれ独立に0又は1の値を示し、α1及びα2はそれぞれ独立にフェニレン基又はビフェニルジイル基等のアリ-レン基を表す。また、Ar1又はAr2はそれぞれ独立にフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基及びトリフェニレニル基のいずれか一を表す。なお、一般式G2-1において、α1及びα2はフェニレン基であることが好ましい。また、Ar1又はAr2はフェニル基であることが好ましい。すなわち、下記一般式G2-2で表されるフルオレン誘導体が好ましい。但し、一般式G2-2中、E1は窒素原子または酸素原子を表し、窒素原子の場合はフェニル基又はビフェニル基が結合している。また、mは0又は1の値を示す。一般式G2-2で表されるフルオレン誘導体において、E1はフェニル基の結合した窒素原子であることが好ましく、当該フルオレン誘導体は下記一般式G2-3で表される。なお、式中mは0又は1の値を示す。一般式G2-3で表されるフルオレン誘導体において、ベンゾイミダゾール基が置換するフェニレン基はパラ置換のフェニレン基であることが好ましく、また、mは0であることが好ましい。すなわち、より好ましいフルオレン誘導体は下記構造式1で表されるフルオレン誘導体である。上述のフルオレン誘導体は電子輸送性もホール輸送性も有するバイポーラ性である。そのため、発光素子に適用した場合、駆動電圧を低減することができる。特に発光層に適用した場合に顕著な効果が得られる。また、上述のフルオレン誘導体を発光層のホスト材料として用いた場合、発光領域が局所的に偏ることを抑制でき、発光性の高い物質の濃度消光や三重項-三重項消滅T-Tアニヒレイションによる消光を抑制することができる。よって、高い発光効率を実現できる。また、上述のフルオレン誘導体は、中心に、フルオレン骨格を有することにより、立体的に嵩高い構造となっている。このため、膜にした場合に結晶化しにくい。よって、アモルファス状態を維持しやすく、発光素子に好適である。また、モルフォロジーに優れ、膜質が安定であることも、発光素子に適用好適である理由となる。また、電子輸送ユニットEAとホール輸送ユニットHAをつなぐ骨格が、フルオレンであり、あまり分子量の大きくない骨格であるため、溶解性にも優れ、精製がしやすく不純物による素子寿命の低下も抑制することができる。また、同様の理由により適度な昇華性を有し、蒸着がしやすいという特徴も有する。さらに、フルオレン骨格は、光照射時にも環化などの分子内反応が起こりにくく、安定に存在することができる構造である。また、上述のフルオレン誘導体は、三重項励起エネルギーが大きい材料である。よって、蛍光化合物はもちろん、りん光性化合物が発光中心材料である発光素子に用いることができる。特に、短波長の発光を示すりん光性化合物とともに用いた場合に顕著な効果が得られる。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1で示した下記一般式G1で表される有機半導体材料の合成方法を説明する。実施の形態1で示した有機半導体材料は、フルオレンの9位の炭素に電子輸送性ユニットと、ホール輸送性ユニットを同時に結合する材料である。つまり、非対称の物質である。ところが、無置換フルオレンの9位の炭素に結合する二つの水素はエネルギー的に完全に同一であって、識別ができないため、無置換フルオレンと電子輸送性ユニット及びホール輸送性ユニットのカップリング反応では合成が非常に困難である。そこで、本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、以下のような合成方法によって実施の形態1で示した有機半導体材料を得ることができることを見出した。式中、EAは電子受容ユニット、HAはホール受容ユニットを表す。但し、HAの結合手をHで置換した物質をHAH、EAの結合手をHで置換した物質をEAHとした際、HAH、EAH、フルオレンの中で最も電子親和力が大きい物質がEAH、イオン化ポテンシャルが小さい物質がHAHである関係を有する。また、式中、フルオレンの1位乃至8位は置換基を有していても良く、当該置換基としては、それぞれ独立に炭素数1乃至6のアルキル基または炭素数6乃至13のアリール基のいずれかを選択することができる。<合成法1>まず、電子受容ユニットEAのハロゲン化物化合物1と、ホール受容ユニットHAのアシル化合物化合物2とを反応させることで、ケトン構造を有する化合物3を得る反応式A-1-1。なお、反応式A-1-1において、X1は臭化マグネシウムグリニヤール試薬、リチウム等、結合している炭素の求核性を高くカルボニル基の炭素を求核攻撃できる程度する置換基を表し、X2はハロゲン、アルコキシ基、ヒドロキシル基、水素などを表す。また、化合物3は、下記反応式A-1-2で表される反応によっても得ることができる。下記反応式A-1-2で表される反応ではホール受容ユニットHAのハロゲン化物化合物4と、電子受容ユニットEAのアシル化合物化合物5とを反応させることで、ケトン構造を有する化合物3を得る。なお、反応式A-1-2において、X3は臭化マグネシウムグリニヤール試薬、リチウム等、結合している炭素の求核性を高くカルボニル基の炭素を求核攻撃できる程度する置換基を表し、X4はハロゲン、アルコキシ基、ヒドロキシル基、水素等を表す。続いて、ビフェニル誘導体化合物6と、化合物3とを反応させることで、アルコール体化合物7を得ることができる反応式A-2。反応式A-2において、X5は臭化マグネシウムグリニヤール試薬、リチウム等、結合している炭素の求核性を高くカルボニル基の炭素を求核攻撃できる程度にする置換基を表す。最後に、化合物7の脱水環化反応を行うことにより、本合成の目的物である一般式G1で表される有機半導体材料を得ることができる反応式A-3。反応式A-3において、用いる事ができる脱水剤としては、塩酸、硫酸などの酸触媒などが挙げられる。次に、別の方法による化合物G1の合成法をしめす。<合成法2>合成法2では、実施の形態1で示した一般式G1で表される有機半導体材料のフルオレン9位に結合しているホール受容ユニットHAを、ホール輸送骨格HA1とアリーレン基R1を用いてHA1-R1-基として表す。これにより、一般式G1で表される有機半導体材料は、下記一般式G1-1の様に表すことができる。なお合成法2において、ホール受容骨格HA1で表される置換基としては、π電子過剰系ヘテロ芳香族置換基、またはジアリールアミノ基などが挙げられる。またR1はアリーレン基を示す。まず、電子受容ユニットEAのハロゲン化物化合物1と、アシル化合物化合物8とを反応させることで、ケトン構造を有する化合物9を得ることができる反応式B-1。反応式B-1において、X1は臭化マグネシウムグリニヤール試薬、リチウム等、結合している炭素の求核性を高くカルボニル基の炭素を求核攻撃できる程度する置換基を表し、X6はハロゲン、アルコキシ基、ヒドロキシル基、水素等を表し、X7はハロゲン、ヒドロキシル基等を表す。次に、ビフェニル誘導体化合物6と、化合物9とを反応させることで、アルコール化合物7を得ることができる反応式B-2。反応式B-2において、X5は臭化マグネシウムグリニヤール試薬、リチウム等、結合している炭素の求核性を高くカルボニル基の炭素を求核攻撃できる程度する置換基を表し、X7はハロゲン、ヒドロキシル基等を表す。次いで、化合物10の脱水環化反応を行うことにより、フルオレン化合物化合物11を得ることができる反応式B-3。反応式B-3において、用いる事ができる脱水剤としては、塩酸、硫酸などの酸触媒などが挙げられる。最後に、化合物11と、ホール受容骨格HA1を有する化合物12とのカップリング反応を行うことにより、本合成の目的物である一般式G1-1で表される有機半導体材料を得ることができる反応式B-4。反応式B-4において、X7はハロゲン、トリフラート基ヒドロキシル基より合成する、X8はボロン酸ボロン酸はエチレングリコールなどにより保護された構造でも良い等を表す。反応式B-4におけるカップリング反応は、パラジウム触媒を用いた鈴木-宮浦カップリング反応等が挙げられる。次に、別の方法による化合物G1の合成法を示す。<合成法3>合成法3では、実施の形態1に示した一般式G1で表される有機半導体材料のフルオレン9位に結合している電子受容ユニットEAを、電子輸送骨格EA1とアリーレン基R2を用いてEA1-R2-基として表す。これにより一般式G1で表される有機半導体材料は下記一般式G1-2の様に表すことができる。合成法3において、EA1で表される置換基としては、含窒素6員芳香環基、1,2-アゾール基、1,3-アゾール基、ポリアゾール基などが挙げられる。またR2はアリーレン基を示す。まず、ホール受容ユニットHAのハロゲン化物化合物4と、R2を有するアシル化合物化合物13とを反応させることで、ホール受容ユニットHA、R2を含み、ケトン構造を有する化合物14を得ることができる反応式C-1。反応式C-1において、X3は臭化マグネシウムグリニヤール試薬、リチウム等、結合している炭素の求核性を高くカルボニル基の炭素を求核攻撃できる程度する置換基を表し、X9はハロゲン、アルコキシ基、ヒドロキシル基、水素等を表し、X10はハロゲン、ヒドロキシル基等を表す。次に、ビフェニル誘導体化合物6と、化合物14とを反応させることで、アルコール体化合物15を得ることができる反応式C-2。反応式C-2において、X5は臭化マグネシウムグリニヤール試薬、リチウム等、結合している炭素の求核性を高くカルボニル基の炭素を求核攻撃できる程度する置換基を表し、X10はハロゲン、ヒドロキシル基等を表す。次いで、化合物15の脱水環化反応を行うことにより、化合物16を得ることができる反応式C-3。反応式C-3において、用いる事ができる脱水剤としては、塩酸、硫酸などの酸触媒などが挙げられる。反応式C-3において、X10はハロゲン、ヒドロキシル基等を表す。最後に、化合物16と、電子受容骨格EA1を有する化合物17とのカップリング反応を行うことにより、本合成の目的物である一般式G1-2で表される有機半導体材料を得ることができる反応式C-4。反応式C-4において、X10はハロゲンまたはトリフラート基ヒドロキシル基より合成する、X11はボロン酸ボロン酸はエチレングリコールなどにより保護された構造でも良い等を表す。反応式C-4におけるカップリング反応は、パラジウム触媒を用いた鈴木-宮浦カップリング反応等が挙げられる。また、別の方法による化合物G1の合成法を示す。<合成法4>合成法4では、実施の形態1で示した一般式G1で表される有機半導体材料のフルオレン9位に結合しているホール受容ユニットHAを、ホール輸送骨格HA1とアリーレン基R1を用いてHA1-R1基として表し、電子受容ユニットEAを、電子輸送骨格EA1とアリーレン基R2を用いてEA1-R2基として表す。これにより、一般式G1で表される有機半導体材料は、下記一般式G1-3の様に表すことができる。なお、合成法4において、電子輸送骨格EA1として表される置換基としては、含窒素6員芳香環基、1,2-アゾール基、1,3-アゾール基、ポリアゾール基などが挙げられる。また、正孔輸送骨格HA1として表される置換基としては、π電子過剰系ヘテロ芳香族置換基、またはジアリールアミノ基などが挙げられる。またR1とR2はアリーレン基を示す。まず、ビフェニル誘導体化合物6と、R1及びR2を含みケトン構造を有する化合物18とを反応させることで、アルコール体化合物19を得ることができる反応式D-1。反応式D-1において、X5は臭化マグネシウムグリニヤール試薬、リチウム等、結合している炭素の求核性を高くカルボニル基の炭素を求核攻撃できる程度する置換基を表し、X12及びX13はハロゲン、ヒドロキシル基等を表す。次いで、化合物19の脱水環化反応を行うことにより、フルオレン化合物20を得ることができる反応式D-2。反応式D-2において、用いる事ができる脱水剤としては、塩酸、硫酸などの酸触媒などが挙げられる。反応式D-2において、X12、及びX13はそれぞれ独立にハロゲン又はヒドロキシル基等を表す。続いて、化合物20と、ホール受容骨格HA1を有する化合物12とのカップリング反応を行うことにより、化合物21を得ることができる反応式D-3-1。反応式D-3-1において、X12、及びX13はハロゲンまたはトリフラート基ヒドロキシル基より合成するを表し、X8はボロン酸ボロン酸はエチレングリコールなどにより保護された構造でも良い等を表す。X12及びX13は同じであっても異なっていても良い。反応式D-3-1におけるカップリング反応は、パラジウム触媒を用いた鈴木-宮浦カップリング反応等が挙げられる。最後に、化合物21と、電子受容骨格EA1を有する化合物17とのカップリング反応を行うことにより、本合成の目的物である一般式G1-3で表される有機半導体材料を得ることができる反応式D-3-2。反応式D-3-2において、X13はハロゲンまたはトリフラート基ヒドロキシル基より合成するを表し、X11はボロン酸ボロン酸はエチレングリコールなどにより保護された構造でも良い等を表す。反応式D-3-2におけるカップリング反応としては、パラジウム触媒を用いた鈴木-宮浦カップリング反応等が挙げられる。また、合成法4においては、化合物20に対して先に電子受容骨格EA1を有する化合物17をカップリングしても良い。すなわち、まず、化合物20と、電子受容骨格EA1を有する化合物17とのカップリング反応を行うことにより、化合物22を得る反応式D-4-1。反応式D-4-1において、X12、X13はハロゲンまたはトリフラート基ヒドロキシル基より合成するを表し、X11はボロン酸ボロン酸はエチレングリコールなどにより保護された構造でも良い等を表す。X12及びX13は同じであっても異なっていても良い。反応式D-4-1におけるカップリング反応としては、パラジウム触媒を用いた鈴木-宮浦カップリング反応等が挙げられる。その後、化合物22と、ホール受容骨格HA1を有する化合物12とのカップリング反応を行うことにより、本合成の目的物である一般式G1-3で表される有機半導体材料を得ることができる反応式D-4-2。反応式D-4-2において、X12はハロゲンまたはトリフラート基ヒドロキシル基より合成する、X8はボロン酸ボロン酸はエチレングリコールなどにより保護された構造でも良い等を表す。反応式D-4-2におけるカップリング反応としては、パラジウム触媒を用いた鈴木-宮浦カップリング反応等が挙げられる。以上に示したような合成法により、実施の形態1で示した有機半導体材料である一般式G1で表される有機半導体材料を合成することができる。なお、合成法1~3では、電子受容ユニットEAのみやホール受容ユニットHAのみの2置換体が生成しないため、精製がしやすい合成法である。従って、合成法1~3はフルオレンの9位に異なる2つのユニット電子受容ユニット、及びホール受容ユニットを導入する上で、非常に有効な合成法といえる。実施の形態3本実施の形態では、実施の形態1で示した有機半導体材料を用いた発光素子の一態様について、図1および図2を用いて説明する。本発明の発光素子は、一対の電極間に複数の層を有する。当該複数の層は、電極から離れたところに発光領域が形成されるように、つまり電極から離れた部位でキャリアの再結合が行われるように、キャリア注入性の高い物質やキャリア輸送性の高い物質からなる層を組み合わせて積層されたものである。本実施の形態において、発光素子は、第1の電極102と、第2の電極104と、第1の電極102と第2の電極104との間に設けられたEL層103とから構成されている。なお、本実施の形態では第1の電極102は陽極として機能し、第2の電極104は陰極として機能するものとする。つまり、第1の電極102の方が第2の電極104よりも電位が高くなるように、第1の電極102と第2の電極104に電圧を印加したときに、発光が得られるものとして、以下説明をする。基板101は発光素子の支持体として用いられる。基板101としては、例えばガラス、またはプラスチック、金属などを用いることができる。なお、発光素子の支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。なお、発光素子からの発光を、基板101を通して外部へ取り出す場合には、基板101は透光性を有する基板であることが好ましい。第1の電極102としては、仕事関数の大きい具体的には4.0eV以上であることが好ましい金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。例えば、酸化インジウム-酸化スズITO:IndiumTinOxide、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、酸化インジウム-酸化亜鉛IndiumZincOxide、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZO等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル-ゲル法などを応用して、インクジェット法、スピンコート法などにより作製しても構わない。例えば、酸化インジウム-酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し1~20wtの酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZOは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5~5wt、酸化亜鉛を0.1~1wt含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金Au、白金Pt、ニッケルNi、タングステンW、クロムCr、モリブデンMo、鉄Fe、コバルトCo、銅Cu、パラジウムPd、チタンTiまたは金属材料の窒化物例えば、窒化チタン等が挙げられる。また、グラフェンも用いることができる。また、第1の電極102と接する層として、後述する複合材料を含む層を用いた場合には、第1の電極102として、仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。例えば、アルミニウムAl、銀Ag、アルミニウムを含む合金AlSi等を用いることができる。また、仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウムLiやセシウムCs等のアルカリ金属、およびマグネシウムMg、カルシウムCa、ストロンチウムSr等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金MgAg、AlLi、ユウロピウムEu、イッテルビウムYb等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することができる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金はスパッタリング法により形成することも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより成膜することも可能である。本実施の形態で示すEL層103は、ホール注入層111、ホール輸送層112、発光層113、電子輸送層114、電子注入層115を有している。なお、EL層103は、少なくとも発光層を有していればよく、その他の層の積層構造については特に限定されない。すなわち、EL層103は、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質またはホール輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、ホール注入性の高い物質、バイポーラ性電子及びホールの輸送性の高い物質の物質、発光性の高い物質等を含む層と、実施の形態1で示した有機半導体材料とを適宜組み合わせて構成すればよい。例えば、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等を適宜組み合わせて構成することができる。各層を構成する材料について以下に具体的に示す。ホール注入層111は、ホール注入性の高い物質を含む層である。ホール注入性の高い物質としては、酸化モリブデンや酸化バナジウム、酸化ルテニウム、酸化タングステン、酸化マンガン等を用いることができる。この他、低分子の有機化合物としては、フタロシアニン略称:H2Pc、銅IIフタロシアニン略称:CuPc、バナジルフタロシアニン略称:VOPc等のフタロシアニン系の化合物、4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニルアミノトリフェニルアミン略称:TDATA、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン略称:MTDATA、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、4,4’-ビスN-{4-[N’-3-メチルフェニル-N’-フェニルアミノ]フェニル}-N-フェニルアミノビフェニル略称:DNTPD、1,3,5-トリス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ベンゼン略称:DPA3B、3-[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA1、3,6-ビス[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA2、3-[N-1-ナフチル-N-9-フェニルカルバゾール-3-イルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCN1等の芳香族アミン化合物等が挙げられる。また、ホール注入層111として、ホール輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。なお、ホール輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させたものを用いることにより、電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶことができる。つまり、第1の電極102として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料を用いることができる。これらの複合材料は、ホール輸送性の高い物質とアクセプター物質とを共蒸着することにより形成することができる。なお、本明細書中において、複合とは、単に2つの材料を混合させるだけでなく、複数の材料を混合することによって材料間での電荷の授受が行われ得る状態になることを言う。複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、ホール輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10-6cm2/Vs以上のホール移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりもホールの輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。複合材料に用いることのできる有機化合物としては、例えば、MTDATA、TDATA、DPAB、DNTPD、DPA3B、PCzPCA1、PCzPCA2、PCzPCN1、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPBまたはα-NPD、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:TPD等の芳香族アミン化合物や、4,4’-ジN-カルバゾリルビフェニル略称:CBP、1,3,5-トリス[4-N-カルバゾリルフェニル]ベンゼン略称:TCPB、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、1,4-ビス[4-N-カルバゾリルフェニル]-2,3,5,6-テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘導体や、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、2-tert-ブチル-9,10-ビス4-フェニルフェニルアントラセン略称:t-BuDBA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuAnth、9,10-ビス4-メチル-1-ナフチルアントラセン略称:DMNA、9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]-2-tert-ブチルアントラセン、9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン、9,9’-ビアントリル、10,10’-ジフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス2-フェニルフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス[2,3,4,5,6-ペンタフェニルフェニル]-9,9’-ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11-テトラtert-ブチルペリレン、ペンタセン、コロネン、4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル略称:DPVBi、9,10-ビス[4-2,2-ジフェニルビニルフェニル]アントラセン略称:DPVPA等の芳香族炭化水素化合物を挙げることができる。また、アクセプター性物質としては、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン略称:F4-TCNQ、クロラニル等の有機化合物や、遷移金属酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。また、ホール注入層111としては、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等を用いることができる。例えば、ポリN-ビニルカルバゾール略称:PVK、ポリ4-ビニルトリフェニルアミン略称:PVTPA、ポリ[N-4-{N’-[4-4-ジフェニルアミノフェニル]フェニル-N’-フェニルアミノ}フェニルメタクリルアミド]略称:PTPDMA、ポリ[N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ビスフェニルベンジジン]略称:Poly-TPDなどの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸PEDOT/PSS、ポリアニリン/ポリスチレンスルホン酸PAni/PSS等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。また、上述したPVK、PVTPA、PTPDMA、Poly-TPD等の高分子化合物と、上述したアクセプター性物質を用いて複合材料を形成し、ホール注入層111として用いてもよい。ホール輸送層112は、ホール輸送性の高い物質を含む層である。ホール輸送性の高い物質としては、低分子の有機化合物としては、NPBまたはα-NPD、TPD、4,4’-ビス[N-9,9-ジメチルフルオレン-2-イル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DFLDPBi、4,4’-ビス[N-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル-N―フェニルアミノ]ビフェニル略称:BSPB、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン略称:m-MTDATA、N-[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N-フェニル-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-アミン略称:YGASF、N,N’-ビス[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニルビフェニル-4,4’-ジアミン略称:YGABP、4-9H-カルバゾール-9-イル-2’-フェニルトリフェニルアミン略称:o-YGA1BP、4-9H-カルバゾール-9-イル-3’-フェニルトリフェニルアミン略称:m-YGA1BP、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-フェニルトリフェニルアミン略称:p-YGA1BP、1,3,5-トリN-カルバゾリルベンゼン略称:TCzB、4,4’,4’’-トリスN-カルバゾリルトリフェニルアミン略称:TCTAなどの芳香族アミン化合物を用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上のホール移動度を有する物質である。但し、電子よりもホールの輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、ホール輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。また、上述したホール輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料をホール輸送層112として用いても良い。また、ホール輸送層112として、PVK、PVTPA、PTPDMA、Poly-TPDなどの高分子化合物を用いることもできる。発光層113は、発光性の高い物質を含む層であり、種々の材料を用いることができる。例えば、発光性の高い物質としては、蛍光を発光する蛍光性化合物やりん光を発光するりん光性化合物を用いることができる。また、発光性の高い物質は、一種だけでなく複数種用いてもよい。発光層に用いることのできるりん光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIテトラキス1-ピラゾリルボラート略称:FIr6、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIピコリナート略称:FIrpic、ビス[2-3’,5’ビストリフルオロメチルフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIピコリナート略称:IrCF3ppy2pic、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:FIracacなどが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irppy3、ビス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irppy2acac、ビス1,2-ジフェニル-1H-ベンゾイミダゾラトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpbi2acac、ビスベンゾ[h]キノリナトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbzq2acacなどが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス2,4-ジフェニル-1,3-オキサゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irdpo2acac、ビス[2-4’-パーフルオロフェニルフェニルピリジナト]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irp-PF-ph2acac、ビス2-フェニルベンゾチアゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbt2acacなどが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス2-フェニルキノリナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irpq3、ビス2-フェニルキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpq2acacなどが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス[2-2’-ベンゾ[4,5-α]チエニルピリジナト-N,C3’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbtp2acac、ビス1-フェニルイソキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpiq2acac、アセチルアセトナトビス[2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリナト]イリジウムIII略称:IrFdpq2acac、2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリン白金II略称:PtOEP等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリスアセチルアセトナトモノフェナントロリンテルビウムIII略称:Tbacac3Phen、トリス1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオナトモノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuDBM3Phen、トリス[1-2-テノイル-3,3,3-トリフルオロアセトナト]モノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuTTA3Phen等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光異なる多重度間の電子遷移であるため、りん光性化合物として用いることができる。発光層に用いることのできる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、N,N’-ビス[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N,N’-ジフェニルスチルベン-4,4’-ジアミン略称:YGA2S、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:YGAPA、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-9,10-ジフェニル-2-アントリルトリフェニルアミン略称:2YGAPPA、N,9-ジフェニル-N-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPA、ペリレン、2,5,8,11-テトラ-tert-ブチルペリレン略称:TBP、4-10-フェニル-9-アントリル-4’-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルトリフェニルアミン略称:PCBAPAなどが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCABPhA、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPABPhA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル]-N-[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N-フェニルアントラセン-2-アミン略称:2YGABPhA、N,N,9-トリフェニルアントラセン-9-アミン略称:DPhAPhAなどが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、5,12-ビス1,1’-ビフェニル-4-イル-6,11-ジフェニルテトラセン略称:BPTなどが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルテトラセン-5,11-ジアミン略称:p-mPhTD、7,14-ジフェニル-N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルアセナフト[1,2-a]フルオランテン-3,10-ジアミン略称:p-mPhAFDなどが挙げられる。なお、発光層としては、上述した発光性の高い物質ゲスト材料を他の物質ホスト材料に分散させた構成としてもよい。発光性の物質を分散させるための物質ホスト材料としては、各種のものを用いることができ、発光性の高い物質ゲスト材料よりも最低空軌道準位LUMO準位が高く、最高被占有軌道準位HOMO準位が低い物質を用いることが好ましい。なお、本明細書中において、HOMO準位又はLUMO準位が高いとは、そのエネルギーレベルが大きいことを意味し、HOMO準位又はLUMO準位が低いとは、そのエネルギーレベルが小さいことを意味する。例えば、-5.5eVのHOMO準位を有する物質Aは、-5.2eVのHOMO準位を有する物質BよりHOMO準位が0.3eV低く、-5.7eVのHOMO準位を有する物質CよりHOMO準位が0.2eV高いと言うことができる。実施の形態1で示した有機半導体材料は、広いバンドギャップを有し、バイポーラ性であるため、ホスト材料として好適である。実施の形態1で示した有機半導体材料は、広いバンドギャップを有するため、短波長の発光を示すゲスト材料を用いた場合であっても効率よくゲスト材料からの発光を得ることができる。また、発光素子の駆動電圧を低減することができる。また、実施の形態1で示した有機半導体材料は、大きい三重項励起エネルギーを有するため、ゲスト材料としてりん光性化合物を用いた場合であっても効率よくゲスト材料からの発光を得ることができる。特に、短波長の発光を示すりん光性化合物を用いた場合に顕著な効果が得られる。ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するためにルブレン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、発光性の物質へのエネルギー移動をより効率良く行うためにNPB、あるいはAlq等をさらに添加してもよい。発光性の高い物質ゲスト材料を他の物質ホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光層113の結晶化を抑制することができる。また、発光性の高い物質ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。電子輸送層114は、電子輸送性の高い物質を含む層である。例えば、低分子の有機化合物として、トリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウムII略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウムIII略称:BAlq、ビス8-キノリノラト亜鉛II略称:Znq、ビス[2-2-ベンゾオキサゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnPBO、ビス[2-2-ベンゾチアゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnBTZなどの金属錯体を用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBD、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ01、2,2’,2’’-1,3,5-ベンゼントリイルトリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:TPBI、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCPなどの複素環化合物も用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、ホールよりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。また、電子輸送層114として、高分子化合物を用いることができる。例えば、ポリ[9,9-ジヘキシルフルオレン-2,7-ジイル-co-ピリジン-3,5-ジイル]略称:PF-Py、ポリ[9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル-co-2,2’-ビピリジン-6,6’-ジイル]略称:PF-BPyなどを用いることができる。電子注入層115は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入性の高い物質としては、リチウムLi、マグネシウムMg、フッ化リチウムLiF、フッ化セシウムCsF、フッ化カルシウムCaF2等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を用いることができる。例えば、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含有させたもの、例えばAlq中にマグネシウムMgを含有させたもの等を用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたものを用いることにより、第2の電極104からの電子注入が効率良く行われるためより好ましい。第2の電極104を形成する物質としては、仕事関数の小さい具体的には3.8eV以下であることが好ましい金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウムLiやセシウムCs等のアルカリ金属、およびマグネシウムMg、カルシウムCa、ストロンチウムSr等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金MgAg、AlLi、ユウロピウムEu、イッテルビウムYb等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することができる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金はスパッタリング法により形成することも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより成膜することも可能である。また、第2の電極104と電子輸送層114との間に、電子注入を促す機能を有する層である電子注入層115を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Al、Ag、ITO、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ等様々な導電性材料を第2の電極104として用いることができる。これら導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。なお、実施の形態1で示した有機半導体材料は発光性を示す場合があるため、その際は、発光性の高い物質として、発光層に用いることもできる。また、実施の形態1で示した有機半導体材料はバイポーラ性であるため、発光層以外の層例えば、ホール輸送層、電子輸送層などに用いることもできる。また、実施の形態1で示した有機半導体材料は広いバンドギャップを有するため、電子ブロック層やホールブロック層として用いることもできる。また、実施の形態1で示した有機半導体材料は大きい三重項励起エネルギーを有するため、エキシトンブロック層として用いることもできる。EL層の形成方法としては、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用いることができる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはスピンコート法など用いても構わない。また各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。実施の形態1に記載の有機半導体材料は良好な昇華性を示すことから、蒸着法により良好な膜を成膜することができる。また、実施の形態1に記載の有機半導体材料は、溶媒への溶解性にも優れるため、湿式法での成膜も問題なく適用が可能である。例えば、高分子化合物を用いて湿式法でEL層を形成してもよい。または、低分子の有機化合物を用いて湿式法で形成することもできる。また、低分子の有機化合物を用いて真空蒸着法などの乾式法を用いてEL層を形成してもよい。また、電極についても、ゾル-ゲル法を用いて湿式法で形成しても良いし、金属材料のペーストを用いて湿式法で形成してもよい。また、スパッタリング法や真空蒸着法などの乾式法を用いて形成しても良い。例えば、本発明の発光素子を表示装置に適用し、大型基板を用いて作製する場合には、発光層は湿式法により形成することが好ましい。発光層を、インクジェット法を用いて形成することにより、大型基板を用いても発光層の塗り分けが容易となる。以上のような構成を有する本発明の発光素子は、第1の電極102と第2の電極104との間に生じた電位差により電流が流れ、EL層103においてホールと電子とが再結合し、発光するものである。発光は、第1の電極102または第2の電極104のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第1の電極102または第2の電極104のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極である。例えば、第1の電極102のみが透光性を有する電極である場合、発光は第1の電極102を通って基板側から取り出される。また、第2の電極104のみが透光性を有する電極である場合、発光は第2の電極104を通って基板と逆側から取り出される。第1の電極102および第2の電極104がいずれも透光性を有する電極である場合、発光は第1の電極102および第2の電極104を通って、基板側および基板と逆側の両方から取り出される。なお、第1の電極102と第2の電極104との間に設けられる層の構成は、上記のものには限定されない。発光領域と金属とが近接することによって生じる消光を防ぐように、第1の電極102および第2の電極104から離れた部位にホールと電子とが再結合する発光領域を設けた構成であり、実施の形態1で示した有機半導体材料を有する構成であれば、上記以外のものでもよい。つまり、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質またはホール輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、ホール注入性の高い物質、バイポーラ性電子及びホールの輸送性の高い物質の物質等から成る層と、実施の形態1で示した有機半導体材料を適宜組み合わせて構成すればよい。例えば、図2に示すように、基板101上に、陰極として機能する第2の電極104、EL層103、陽極として機能する第1の電極102とが順に積層された構成としてもよい。図2では、第2の電極104上に、電子注入層115、電子輸送層114、発光層113、ホール輸送層112、ホール注入層111が順に積層された構成となっている。なお、本実施の形態においては、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に発光素子を作製している。一基板上にこのような発光素子を複数作製することで、パッシブマトリクス型の発光装置を作製することができる。また、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に、トランジスタを形成し、トランジスタと電気的に接続された電極上に発光素子を作製してもよい。これにより、トランジスタによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置を作製できる。なお、トランジスタの構造は、特に限定されない。薄膜トランジスタTFTの場合はスタガ型のTFTでもよいし、逆スタガ型のTFTでもよい。また、TFT基板に形成される駆動用回路についても、N型およびP型のTFTからなるものでもよいし、若しくはN型のTFTまたはP型のTFTのいずれか一方からのみなるものであってもよい。また、TFTに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定されない。非晶質半導体膜を用いてもよいし、結晶性半導体膜を用いてもよい。また、単結晶半導体膜を用いてもよい。単結晶半導体膜は、スマートカット法などを用いて作製することができる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。実施の形態4本実施の形態は、本発明に係る複数の発光ユニットを積層した構成の発光素子以下、積層型素子というの態様について、図3を参照して説明する。この発光素子は、第1の電極と第2の電極との間に、複数の発光ユニットを有する積層型発光素子である。各発光ユニットの構成としては、実施の形態3で示したEL層の構成と同様な構成を用いることができる。つまり、実施の形態3で示した発光素子は、1つの発光ユニットを有する発光素子である。本実施の形態では、複数の発光ユニットを有する発光素子について説明する。図3において、第1の電極501と第2の電極502との間には、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512が積層されている。第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512との間には、電荷発生層513が設けられている。第1の電極501と第2の電極502は実施の形態3と同様なものを適用することができる。また、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512は同じ構成であっても異なる構成であってもよく、その構成は実施の形態3で示したEL層の構成と同様なものを適用することができる。電荷発生層513は、第1の電極501と第2の電極502に電圧を印加したときに、一方の側の発光ユニットに電子を注入し、他方の側の発光ユニットにホールを注入する層であり、単層でも複数の層を積層した構成であってもよい。単層で構成する場合は、実施の形態3で示した電極材料や複合材料を用いることができる。この場合、電荷発生層より陽極側に位置する発光ユニットには電子注入層が設けられていることが好ましい。複数の層を積層した構成としては、ホールを注入する層と電子を注入する層とを積層する構成であることが好ましい。ホールを注入する層としては、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化レニウム、酸化ルテニウム等の半導体や絶縁体を用いることができる。あるいは、ホール輸送性の高い物質に、アクセプター物質が添加された構成であってもよい。ホール輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む層は、実施の形態3で示した複合材料であり、アクセプター物質として、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン略称:F4-TCNQや、酸化バナジウムや酸化モリブデンや酸化タングステン等の金属酸化物を含む。ホール輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマーなど、種々の化合物を用いることができる。なお、ホール輸送性の高い物質としては、ホール移動度が10-6cm2/Vs以上であるものを適用することが好ましい。但し、電子よりもホールの輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。ホール輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む複合材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。電子を注入する層としては、酸化リチウム、フッ化リチウム、炭酸セシウム等の絶縁体や半導体を用いることができる。あるいは、電子輸送性の高い物質に、ドナー性物質が添加された構成であってもよい。ドナー性物質としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期表における第13族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることができる。具体的には、リチウムLi、セシウムCs、マグネシウムMg、カルシウムCa、イッテルビウムYb、インジウムIn、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物をドナー性物質として用いてもよい。電子輸送性の高い物質としては、実施の形態3で示した材料を用いることができる。なお、電子輸送性の高い物質としては、電子移動度が10-6cm2/Vs以上であるものを適用することが好ましい。但し、ホールよりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。電子輸送性の高い物質とドナー性物質とを有する複合材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。また、電荷発生層513として、ホール輸送性の高い物質と金属酸化物を含む層と透明導電膜とを組み合わせて形成しても良い。なお、光取り出し効率の点から、電荷発生層は透光性の高い層とすることが好ましい。いずれにしても、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512に挟まれる電荷発生層513は、第1の電極501と第2の電極502に電圧を印加したときに、一方の側の発光ユニットに電子を注入し、他方の側の発光ユニットにホールを注入するものであれば良い。例えば、第1の電極の電位の方が第2の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加した場合、電荷発生層513は、第1の発光ユニット511に電子を注入し、第2の発光ユニット512にホールを注入するものであればいかなる構成でもよい。本実施の形態では、2つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、同様に、3つ以上の発光ユニットを積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での発光が可能であるため、長寿命素子を実現できる。また、照明を応用例とした場合は、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。また、それぞれの発光ユニットの発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、2つの発光ユニットを有する発光素子において、第1の発光ユニットの発光色と第2の発光ユニットの発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、3つの発光ユニットを有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第1の発光ユニットの発光色が赤色であり、第2の発光ユニットの発光色が緑色であり、第3の発光ユニットの発光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。実施の形態5本実施の形態では、本発明の発光素子を有する発光装置について説明する。本実施の形態では、画素部に本発明の発光素子を有する発光装置について図4を用いて説明する。なお、図4Aは、発光装置を示す上面図、図4Bは図4AをA-A’およびB-B’で切断した断面図である。この発光装置は、発光素子の発光を制御するものとして、点線で示された駆動回路部ソース側駆動回路601、画素部602、駆動回路部ゲート側駆動回路603を含んでいる。また、604は封止基板、605はシール材であり、シール材605で囲まれた内側は、空間607になっている。なお、引き回し配線608はソース側駆動回路601及びゲート側駆動回路603に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPCフレキシブルプリントサーキット609からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基板PWBが取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。次に、断面構造について図4Bを用いて説明する。素子基板610上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路601と、画素部602中の一つの画素が示されている。なお、ソース側駆動回路601はNチャネル型TFT623とPチャネル型TFT624とを組み合わせたCMOS回路が形成される。また、駆動回路は、種々のCMOS回路、PMOS回路もしくはNMOS回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、画素部が形成された基板と同一基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を、画素部が形成された基板と同一基板上ではなく、外部に形成することもできる。また、画素部602はスイッチング用TFT611と、電流制御用TFT612とそのドレインに電気的に接続された第1の電極613とを含む複数の画素により形成される。なお、第1の電極613の端部を覆って絶縁物614が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物614の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物614の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物614の上端部のみに曲率半径0.2μm~3μmを有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物614として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。第1の電極613上には、EL層616、および第2の電極617がそれぞれ形成されている。ここで、第1の電極613に用いる材料としては、さまざまな金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物を用いることができる。第1の電極を陽極として用いる場合には、その中でも、仕事関数の大きい好ましくは仕事関数4.0eV以上金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。例えば、珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ膜、酸化インジウム-酸化亜鉛膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Zn膜、Pt膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との3層構造等の積層膜を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。また、EL層616は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。EL層616は、実施の形態1で示した有機半導体材料を有している。また、EL層616を構成する材料としては、低分子化合物、または高分子化合物、オリゴマー、デンドリマーのいずれを用いてもよい。また、EL層に用いる材料としては、有機化合物だけでなく、無機化合物を用いてもよい。また、第2の電極617に用いる材料としては、さまざまな金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物を用いることができる。第2の電極を陰極として用いる場合には、その中でも、仕事関数の小さい好ましくは仕事関数3.8eV以下金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。例えば、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウムLiやセシウムCs等のアルカリ金属、およびマグネシウムMg、カルシウムCa、ストロンチウムSr等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金MgAg、AlLi等が挙げられる。なお、EL層616で生じた光を第2の電極617を透過させる場合には、第2の電極617として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜酸化インジウム-酸化スズITO、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、酸化インジウム-酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZO等との積層膜を用いることも可能である。さらにシール材605で封止基板604を素子基板610と貼り合わせることにより、素子基板610、封止基板604、およびシール材605で囲まれた空間607に発光素子618が備えられた構造になっている。なお、空間607には、充填材が充填されており、不活性気体窒素やアルゴン等が充填される場合の他、シール材605が充填される場合もある。なお、シール材605にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板604に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics、PVFポリビニルフロライド、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。以上のようにして、本発明の発光素子を有する発光装置を得ることができる。本発明の発光装置は、実施の形態3又は実施の形態4で示した発光素子を有する。実施の形態3又は実施の形態4で示した発光素子は高い発光効率を有する。また、駆動電圧が低い。そのため、高輝度での発光が可能な発光装置を得ることができる。また、消費電力の低い発光装置を得ることができる。以上のように、本実施の形態では、トランジスタによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置について説明したが、パッシブマトリクス型の発光装置であってもよい。図5には本発明を適用して作製したパッシブマトリクス型の発光装置を示す。なお、図5Aは、発光装置を示す斜視図、図5Bは図5AをX-Yで切断した断面図である。図5において、基板951上には、電極952と電極956との間にはEL層955が設けられている。電極952の端部は絶縁層953で覆われている。そして、絶縁層953上には隔壁層954が設けられている。隔壁層954の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層954の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接する辺の方が上辺絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接しない辺よりも短い。このように、隔壁層954を設けることで、陰極をパターニングすることができる。また、パッシブマトリクス型の発光装置においても、発光効率の高く、駆動電圧が低い本発明に係る発光素子を含むことによって、消費電力の低い発光装置を得ることができる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。実施の形態6本実施の形態では、実施の形態4に示す発光装置をその一部に含む本発明の電子機器について説明する。本発明の電子機器は、実施の形態3又は実施の形態4で示した発光素子を有し、低消費電力の表示部を有する。本発明の発光装置を用いて作製された電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置カーオーディオ、オーディオコンポ等、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等、記録媒体を備えた画像再生装置具体的にはDigitalVersatileDiscDVD等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図6に示す。図6Aは本実施の形態に係るテレビ装置であり、筐体9101、支持台9102、表示部9103、スピーカー部9104、ビデオ入力端子9105等を含む。このテレビ装置において、表示部9103は、実施の形態3又は実施の形態4で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、消費電力が低いという特徴を有している。また、駆動電圧が低いという特徴を有する。その発光素子で構成される表示部9103も同様の特徴を有するため、このテレビ装置は低消費電力化が図られている。このような特徴により、テレビ装置において、電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、筐体9101や支持台9102の小型軽量化を図ることが可能である。本実施の形態に係るテレビ装置は、低消費電力及び小型軽量化が図られているので、それにより住環境に適合した製品を提供することができる。図6Bは本実施の形態に係るコンピュータであり、本体9201、筐体9202、表示部9203、キーボード9204、外部接続ポート9205、ポインティングデバイス9206等を含む。このコンピュータにおいて、表示部9203は、実施の形態3又は実施の形態4で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、消費電力が低いという特徴を有している。また、駆動電圧が低いという特徴を有する。その発光素子で構成される表示部9203も同様の特徴を有するため、このコンピュータは低消費電力化が図られている。このような特徴により、コンピュータにおいて、電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体9201や筐体9202の小型軽量化を図ることが可能である。本実施の形態に係るコンピュータは、低消費電力及び小型軽量化が図られているので、環境に適合した製品を提供することができる。図6Cは本実施の形態に係るカメラであり、本体9301、表示部9302、筐体9303、外部接続ポート9304、リモコン受信部9305、受像部9306、バッテリー9307、音声入力部9308、操作キー9309、接眼部9310等を含む。このカメラにおいて、表示部9302は、実施の形態3又は実施の形態4で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、消費電力が低いという特徴を有している。また、駆動電圧が低いという特徴を有する。その発光素子で構成される表示部9302も同様の特徴を有するため、このカメラは低消費電力化が図られている。このような特徴により、カメラにおいて、電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体9301の小型軽量化を図ることが可能である。本実施の形態に係るカメラは、低消費電力及び小型軽量化が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。図6Dは本実施の形態に係る携帯電話であり、本体9401、筐体9402、表示部9403、音声入力部9404、音声出力部9405、操作キー9406、外部接続ポート9407、アンテナ9408等を含む。この携帯電話において、表示部9403は、実施の形態3又は実施の形態4で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、消費電力が低いという特徴を有している。また、駆動電圧が低いという特徴を有する。その発光素子で構成される表示部9403も同様の特徴を有するため、この携帯電話は低消費電力化が図られている。このような特徴により、携帯電話において、電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体9401や筐体9402の小型軽量化を図ることが可能である。本実施の形態に係る携帯電話は、低消費電力及び小型軽量化が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。図12には、図6Dとは異なる構成の携帯電話の一例を示す。図12Aが正面図、図12Bが背面図、図12Cが展開図である。図12に示す携帯電話は、電話と携帯情報端末の双方の機能を備えており、コンピュータを内蔵し、音声通話以外にも様々なデータ処理が可能な所謂スマートフォンである。図12に示す携帯電話は、筐体1001及び1002二つの筐体で構成されている。筐体1001には、表示部1101、スピーカー1102、マイクロフォン1103、操作キー1104、ポインティングデバイス1105、カメラ用レンズ1106、外部接続端子1107、イヤホン端子1108等を備え、筐体1002には、キーボード1201、外部メモリスロット1202、カメラ用レンズ1203、ライト1204等を備えている。また、アンテナは筐体1001内部に内蔵されている。また、上記構成に加えて、非接触ICチップ、小型記録装置等を内蔵していてもよい。表示部1101には、実施の形態4で示した発光装置を組み込むことが可能であり、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。表示部1101と同一面上にカメラ用レンズ1106を備えているため、テレビ電話が可能である。また、表示部1101をファインダーとしカメラ用レンズ1203及びライト1204で静止画及び動画の撮影が可能である。スピーカー1102及びマイクロフォン1103は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生等が可能である。操作キー1104では、電話の発着信、電子メール等の簡単な情報入力、画面のスクロール、カーソル移動等が可能である。更に、重なり合った筐体1001と筐体1002図12Aは、スライドし図12Cのように展開し、携帯情報端末として使用できる。この場合、キーボード1201、ポインティングデバイス1105を用い円滑な操作が可能である。外部接続端子1107はACアダプタ及びUSBケーブル等の各種ケーブルと接続可能であり、充電及びコンピュータ等とのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット1202に記録媒体を挿入しより大量のデータ保存及び移動に対応できる。また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能等を備えたものであってもよい。図7は音響再生装置、具体例としてカーオーディオであり、本体701、表示部702、操作スイッチ703、704を含む。表示部702は実施の形態4の発光装置パッシブマトリクス型またはアクティブマトリクス型で実現することができる。また、この表示部702はセグメント方式の発光装置で形成しても良い。いずれにしても、本発明に係る発光素子を用いることにより、車両用電源12~42Vを使って、低消費電力化を図りつつ、明るい表示部を構成することができる。また、本実施の形態では車載用オーディオを示すが、携帯型や家庭用のオーディオ装置に用いても良い。図8は、音響再生装置の一例としてデジタルプレーヤーを示している。図8に示すデジタルプレーヤーは、本体710、表示部711、メモリ部712、操作部713、イヤホン714等を含んでいる。なお、イヤホン714の代わりにヘッドホンや無線式イヤホンを用いることができる。表示部711として、実施の形態6の発光装置パッシブマトリクス型またはアクティブマトリクス型で実現することができる。また、この表示部711はセグメント方式の発光装置で形成しても良い。いずれにしても、本発明に係る発光素子を用いることにより、二次電池ニッケル-水素電池などを使っても表示が可能であり、低消費電力化を図りつつ、明るい表示部を構成することができる。メモリ部712は、ハードディスクや不揮発性メモリを用いている。例えば、記録容量が20~200ギガバイトGBのNAND型不揮発性メモリを用い、操作部713を操作することにより、映像や音声音楽を記録、再生することができる。なお、表示部702及び表示部711は黒色の背景に白色の文字を表示することで消費電力を抑えられる。これは携帯型のオーディオ装置において特に有効である。以上の様に、本発明を適用して作製した発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。本発明を適用することにより、低消費電力の表示部を有する電子機器を作製することが可能となる。また、本発明を適用した発光装置は、発光効率の高い発光素子を有しており、照明装置として用いることもできる。本発明を適用した発光装置は、高輝度の発光が可能であり照明装置として好適である。本発明を適用した発光素子を照明装置として用いる一態様を、図9を用いて説明する。図9には、本発明の係る発光装置を用いた照明装置として用いた電子機器の一例として、本発明を適用した発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置を示す。図9に示した液晶表示装置は、筐体901、液晶層902、バックライト903、筐体904を有し、液晶層902は、ドライバIC905と接続されている。また、バックライト903は、本発明を適用した発光装置が用いられおり、端子906により、電流が供給されている。本発明に係る発光装置は薄型で低消費電力であるため、本発明に係る発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、表示装置の薄型化、低消費電力化も可能となる。また、本発明に係る発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可能になる。図10は、本発明に係る発光装置を、照明装置である電気スタンドとして用いた例である。図10に示す電気スタンドは、筐体2001と、光源2002を有し、光源2002として、本発明に係る発光装置が用いられている。本発明の発光装置は低消費電力化されているため、電気スタンドも消費電力が低い。図11は、本発明を適用した発光装置を、室内の照明装置3001として用いた例である。本発明に係る発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、本発明に係る発光装置は、低消費電力であるため、低消費電力の照明装置として用いることが可能となる。このように、本発明を適用した発光装置を、室内の照明装置3001として用いた部屋に、図6Aで説明したような、本発明に係るテレビ装置3002を設置して公共放送や映画を鑑賞することができる。このような場合、両装置は低消費電力であるので、環境への負荷を低減することができる。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。≪合成例1≫本合成例では、実施の形態1に一般式G1として示した有機半導体材料の一つである、4-フェニル-4’-{9-[4-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール-2-イル-フェニル]-フルオレン-9-イル}-トリフェニルアミン略称:F-BPA-Pbimの合成法について詳しく説明する。F-BPA-Pbimの構造式を以下に示す。<ステップ1:4-ブロモフェニル-4-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール-2-イル-フェニル-メタノンの合成>300mL三口フラスコにて、活性マグネシウム410mg17mmolを脱水テトラヒドロフランTHF5mL中で撹拌し、ここに1,2-ジブロモエタンを約0.2mL加えて発泡、発熱するのを確認した。ここに、4-ブロモフェニル-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾールの5.2g15mmolを脱水THF溶液50mLに溶かした溶液を加えた。これを4時間加熱撹拌した後、室温まで冷まし、グリニャール試薬とした。続いて、500mL三口フラスコに、4-ブロモベンゾイルクロリドを3.7g17mmolと、脱水THFを150mL加え、-40°Cにて撹拌した。ここに、先程のグリニャール試薬を滴下し、1時間撹拌したのち、約15時間室温にて撹拌した。反応後、ここに1N-塩酸を酸性になるまで加えた。得られた混合液の有機相を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。この懸濁液をろ過し、得られたろ液を濃縮し、酢酸エチルとトルエンを加えて再結晶を行った。粉末2.5gを得た。上記反応スキームをA-1に示す。得られた化合物の分子量を、GC/MS検出器ThermoFisher製、ITQ1100イオントラップ型GCMSシステムにより測定した。これにより、分子量453.28モードはEIをメインとするピークを検出し、本合成の目的物である4-ブロモフェニル-4-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール-2-イル-フェニル-メタノンが得られたことを確認した。<ステップ2:2-{4-[9-4-ブロモフェニル-フルオレン-9-イル]-フェニル}-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾールの合成>200mL三口フラスコにて、脱水THF20mL中に溶かした2-ブロモビフェニルを1.4g6.0mmolを-80°Cにて撹拌した。ここに、4-ブロモフェニル-4-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール-2-イル-フェニル-メタノン2.5gに脱水THF50mLを加えた懸濁液を滴下して、約15時間撹拌し、アルコール体を形成させた。反応後、ここに1N-塩酸を酸性になるまで加えた。得られた混合液の有機相を水で洗浄した後、濃縮した。得られた濃縮物に、氷酢酸30mLと、濃塩酸1mLを加え、135°Cで8時間加熱撹拌した。反応後、水にこの反応液を加え、得られた固体を水で洗浄した。ヘキサンを加えて超音波洗浄し、白色粉末100mgを得た。上記反応スキームをA-2に示す。得られた化合物の分子量を、GC/MS検出器ThermoFisher製、ITQ1100イオントラップ型GCMSシステムにより測定した。これにより、分子量589.19モードはEIをメインとするピークを検出し、本合成の目的物である2-{4-[9-4-ブロモフェニル-フルオレン-9-イル]-フェニル}-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾールが得られたことを確認した。<ステップ3:4-フェニル-4’-{9-[4-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール-2-イル-フェニル]-フルオレン-9-イル}-トリフェニルアミン略称:F-BPA-Pbimの合成>200mL三口フラスコに、2-{4-[9-4-ブロモフェニル-フルオレン-9-イル]-フェニル}-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾールを100mg0.2mmol、4-ビフェニルフェニルアミンを50mg0.2mmol、ナトリウムtert-ブトキシドを500mg0.5mmol、ビスジベンジリデンアセトンパラジウム0を5.0mg10μmol加え、フラスコ内の雰囲気を窒素置換した。この混合物へ、脱水キシレン10mLを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、トリtert-ブチルホスフィン10wtヘキサン溶液60μL30μmolを加えた。この混合物を、窒素雰囲気下、130°Cで2.5時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、この反応混合液にトルエン50mLを加え、この懸濁液をフロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135、を通してろ過した。得られたろ液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて水分を吸着させた。この懸濁液をろ過してろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー展開溶媒トルエン:酢酸エチル=10:1による精製を行った。得られたフラクションを濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、粉末を収量20gで得た。上記反応スキームを下記A-3に示す。シリカゲル薄層クロマトグラフィーTLCでのRf値展開溶媒酢酸エチル:ヘキサン=1:2は、得られた粉末は0.45、2-{4-[9-4-ブロモフェニル-フルオレン-9-イル]-フェニル}-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾールは0.39、4-ビフェニルフェニルアミンは0.64だった。上記ステップ3で得られた化合物を核磁気共鳴法NMRにより測定した。以下に測定データを示す。これにより、本合成の目的物であるF-BPA-Pbim略称が得られたことを確認した。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=6.92d,J=8.7Hz,2H,6.99-7.56m,28H,7.75d,J=7.2Hz,2H,7.84d,J=7.8Hz,1H。また、1HNMRチャートを図13A、Bに示す。なお、図13Bは、図13Aを拡大して表したチャートである。測定結果から、本合成の目的物であるF-BPA-Pbim略称が得られたことを確認した。また、上記化合物の分子量を、GC/MS検出器ThermoFisher製、ITQ1100イオントラップ型GCMSシステムにより測定した。これにより、分子量753.3モードはEIをメインとするピークを検出し、本合成の目的物であるF-BPA-Pbim略称が得られたことを確認した。次に、F-BPA-Pbimのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを図14に示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。吸収スペクトルは、F-BPA-Pbimのトルエン溶液を石英セルに入れて測定しこの吸収スペクトルから、石英セルを用いて測定したトルエンの吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図示した。発光スペクトルの測定には吸収スペクトルの測定と同様に紫外可視分光光度計日本分光株式会社製、V550型を用いた。発光スペクトルは、F-BPA-Pbimのトルエン溶液を石英セルに入れて測定した。これにより、F-BPA-Pbimのトルエン溶液における吸収ピーク波長は310nm付近に存在し、発光ピーク発光波長は384nm付近励起波長320nmにあることがわかった。本実施例では、実施の形態1に一般式G1として示した本発明の一態様である有機半導体材料のフルオレン化合物4-フェニル-4’-{9-[4-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール-2-イル-フェニル]-フルオレン-9-イル}-トリフェニルアミン略称:F-BPA-Pbimの一重項における最安定構造を密度汎関数法で計算した。基底関数として、6-311それぞれの原子価軌道に三つの短縮関数を用いたtriplesplitvalence基底系の基底関数を全ての原子に適用した。上述の基底関数により、例えば、水素原子であれば、1s~3sの軌道が考慮され、また、炭素原子であれば、1s~4s、2p~4pの軌道が考慮されることになる。さらに、計算精度向上のため、分極基底系として、水素原子にはp関数を、水素原子以外にはd関数を加えた。汎関数はB3LYPを用いた。また、その構造の最低非占有分子軌道LowestUnoccupiedMolecularOrbital、略してLUMOと最高占有分子軌道HighestOccupiedMolecularOrbital、略してHOMOの計算をそれぞれ行った。なお、量子化学計算プログラムとしては、Gaussian09を使用した。計算は、ハイパフォーマンスコンピュータSGI社製、Altix4700を用いて行った。図15AにF-BPA-PbimのLUMO、BにHOMOをそれぞれ示した。図15Aでは、LUMOは電子受容ユニットEAであるベンゾイミダゾール骨格と、フルオレン骨格に広がっており、ホール受容ユニットHAまで広がっていないことが示された。図15Bでは、HOMOはホール受容ユニットHAであるアミン骨格と、フルオレン骨格の一部に広がっており、電子受容ユニットEAまで広がっていないことが示された。以上の計算により、ホール受容ユニットと電子受容ユニットがフルオレンの9位の炭素のシグマ結合を介して結合しているF-BPA-Pbimは、HOMOの広がりとLUMOの広がりがほとんど重なっていないことが示された。このことで、F-BPA-Pbimはホール受容ユニットと電子受容ユニットとを同じ分子内に有しつつも広いバンドギャップ、高いT1準位最低三重項励起エネルギー準位を持つことが示唆された。続けて、三重項における最安定構造を計算した。一重項と三重項における最安定構造のエネルギー差から、T1準位のエネルギーを計算した。使用した量子化学計算プログラムはGaussian09である。基底関数は、6-311Gd,pを用いた。汎関数はB3LYPである。計算した結果、F-BPA-Pbimの有するT1準位は、2.64eVと算出された。以上の結果からも、F-BPA-Pbimは高いT1準位をもっていることが示唆された。また、それはホール受容ユニットHAと、電子受容ユニットEAがフルオレンの9位の炭素のシグマ結合を介して結合していることにより、π共役が伸びづらいためだと示唆された。続いて、下記化学式iで表される化合物BPABImの一重項最安定構造を密度汎関数法で計算した。この化合物は本発明の一態様であるフルオレン化合物F-BPA-Pbimの、電子受容ユニットEAとホール受容ユニットHAとの結合がフルオレンの9位の炭素のシグマ結合を介していないフルオレン骨格を有していない構造を持つ物質である。使用した量子化学計算プログラムはGaussian09である。基底関数は、6-311Gd,pを用いた。汎関数はB3LYPである。また、その構造の最低非占有分子軌道LowestUnoccupiedMolecularOrbital、略してLUMOと最高占有分子軌道HighestOccupiedMolecularOrbital、略してHOMOの計算をそれぞれ行った。図16AにBPABImのLUMO、BにHOMOをそれぞれ示した。図16Aでは、LUMOは電子受容ユニットEAであるベンゾイミダゾール骨格から、ホール受容ユニットHAのアミン骨格の一部にまで広がっていることが示された。図16Bでは、HOMOはホール受容ユニットHAであるアミン骨格から、電子受容ユニットEAであるベンゾイミダゾール骨格の一部にまで広がっていることが示された。続けて、この構造最適化した分子構造を用いてT1準位のエネルギーを計算した。使用した量子化学計算プログラムはGaussian09である。基底関数は、6-311Gd,pを用いた。汎関数はB3LYPである。計算した結果、化学式iで表される化合物BPABImは、T1準位は2.47eVと算出された。以上の計算により、実施の形態1に一般式G1として示した有機半導体材料の一つであるF-BPA-Pbimは、BPABImと比較して、HOMOの広がりとLUMOの広がりの重なりがほとんどないことが示された。つまり、実施の形態1に一般式G1として示した有機半導体材料の一つであるF-BPA-Pbimは分子量が大きくても、ホール受容ユニットHAと電子受容ユニットEAの結合がフルオレンの9位の炭素のシグマ結合を介しているために、T1準位が高くなることが示された。以上の結果より、実施の形態1に一般式G1として示した有機半導体材料の一つであるF-BPA-Pbimは高いT1準位をもち、それはホール受容ユニットHAと、電子受容ユニットEAとがフルオレン骨格の9位の炭素のシグマ結合を介して結合しているためだと示唆された。また、トルエン溶液でのBPABImのスペクトルを図17に示す。実施の形態1に一般式G1として示した有機半導体材料の一つであるF-BPA-Pbimは、BPABImと比較して、吸収スペクトル、発光スペクトル共に短波長であることが分かった。以上の結果より、実施の形態1に一般式G1として示した有機半導体材料の一つであるF-BPA-Pbimは分子量が大きくても、フルオレンの9位の炭素のシグマ結合を介してホール受容ユニットHAと電子受容ユニットEAが結合しているため、S1準位や、HOMO準位とLUMO準位間のバンドギャップBgが高くなることが示された。そのため、本発明の一態様である有機半導体材料は、より短波長で発光する発光素子に好適に用いることができることが分かった。"