"表面側にMOS構造が設けられ裏面側にPN接合部が設けられた半導体チップを樹脂で封止する半導体装置の製造方法において、封止後の前記半導体チップの耐圧及びリーク電流の面内分布が均一になるような、封止前の前記半導体チップの前記PN接合部の不純物濃度の面内分布を求める工程と、この求めた不純物濃度の面内分布を持つ前記PN接合部を前記半導体チップの裏面側に形成する工程と、前記PN接合部を形成した後に前記半導体チップを前記樹脂で封止する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。前記PN接合部の不純物濃度の面内分布を求める工程は、封止後の前記半導体チップに加わる応力分布を求める工程と、前記半導体チップの耐圧及びリーク電流と前記応力分布との相関から、封止後の前記半導体チップの耐圧及びリーク電流の面内分布を求める工程とを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記PN接合部の不純物濃度の面内分布を求める工程は、封止後の前記半導体チップに流れる電流の密度分布から封止後の前記半導体チップの温度分布を求める工程と、前記半導体チップの耐圧及びリーク電流と前記温度分布との相関から、封止後の前記半導体チップの耐圧及びリーク電流の面内分布を求める工程とを有することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。しかし、従来技術では、封止後の半導体チップのOFF状態での電気特性である耐圧及びリーク電流の面内分布を均一にすることはできなかった。このため、信頼性が低下するという問題があった。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は封止後の半導体チップの耐圧及びリーク電流の面内分布を均一にすることができる半導体装置の製造方法を得るものである。本発明は、半導体チップを樹脂で封止する半導体装置の製造方法において、封止前後の前記半導体チップの耐圧及びリーク電流の面内分布の変化を求める工程と、この計算の結果に基づいて、封止後の前記半導体チップの耐圧及びリーク電流の面内分布が均一になるように、封止前の前記半導体チップの耐圧及びリーク電流の面内分布を調整する工程とを備えることを特徴とする。本発明により、封止後の半導体チップの耐圧及びリーク電流の面内分布を均一にすることができる。図1は、本発明の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。半導体チップ1の裏面は、導電性接合材2により電極基板3に接合されている。導電性接合材2は、半田、Agペースト、導電性接着剤などである。電極基板3は、熱伝導率の優れた絶縁シート4を介して放熱板5上に実装されている。半導体チップ1の表面は、AlやCuなどのワイヤ6により外部配線端子7に接続されている。半導体チップ1、電極基板3の一部、絶縁シート4、放熱板5の一部、ワイヤ6、及び外部配線端子7の一部は、絶縁性の樹脂8で封止されている。続いて、半導体チップ1の製造工程について図面を参照して説明する。図2~図8は、本発明の実施の形態に係る半導体チップの製造工程を示す断面図である。ここでは、半導体チップ1はIGBTInsulatedGateBipolarTransistorである。ただし、半導体チップ1はIGBTに限らず、MOSFETMetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistorやダイオードでもよい。まず、図2に示すように、N-型半導体基板9の表面側にP型不純物イオンを注入して拡散させて、P型ベース領域10を形成する。N-型半導体基板9はSi、GaAs、GaN、SiCなどからなる。次に、図3に示すように、P型ベース領域10の一部にN型不純物イオンを注入して拡散させて、N型ソース領域11を形成する。次に、図4に示すように、N型ソース領域11及びP型ベース領域10を貫通するトレンチを形成して、トレンチ内にゲート絶縁膜12を介してゲート電極13を埋め込む。ゲート電極13上に層間絶縁膜14を形成し、表面全面にエミッタ電極15を形成する。次に、図5に示すように、N-型半導体基板9を裏面側から所定の厚さまで研削する。次に、図6に示すように、N-型半導体基板9の裏面全面にN型不純物イオンを注入して拡散させて、N型バッファ領域16を形成する。次に、図7に示すように、N-型半導体基板9の裏面側全面にP型不純物イオンを注入して拡散させて、P型コレクタ領域17を形成する。最後に、図8に示すように、N-型半導体基板9の裏面全面にコレクタ電極18を形成する。以上の工程により半導体チップ1が製造される。ここで、半導体チップ1の表面側にMOS構造19が設けられ、半導体チップ1の裏面側にPN接合部20が設けられている。続いて、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。まず、半導体チップ1を樹脂8で封止する前に、封止後の半導体チップ1の耐圧及びリーク電流の面内分布が均一になるような、封止前の半導体チップ1のPN接合部20N型バッファ領域16及びP型コレクタ領域17の不純物濃度の面内分布を求める。次に、この求めた不純物濃度の面内分布を持つPN接合部20を半導体チップ1の裏面側に形成する。その後に、半導体チップ1をワイヤ6により外部配線端子7に接続し、半導体チップ1を樹脂8で封止する。なお、不純物濃度分布を形成する方法として、例えばイオン注入装置の走査スピードを変動させる方法がある。これにより、イオン注入装置のプロセス条件を変更するだけで新たな工程を追加すること無く、不純物濃度分布を形成することができる。または、不純物濃度分布に対応したフォトレジストマスクやステンシルマスクを用いて半導体基板に不純物イオンを打ち込んでもよい。この場合、既存の写真製版プロセスを用いるため、微細な不純物濃度分布を形成することができる。続いて、PN接合部の不純物濃度の面内分布を求める方法について、図9のフローチャートを参照して詳細に説明する。まず、パッケージ形状や樹脂8の材質に基づいて封止後の半導体チップ1に加わる応力分布を求める。ステップS1。例えば、FEM解析を用いてシミュレーションにより応力分布を計算する。または、半導体チップ1の面内にピエゾ素子又は歪ゲージ等の応力測定素子を配置して応力分布を実測する。また、ワイヤ6の位置に基づいて封止後の半導体チップ1に流れる電流の密度分布を求め、その電流の密度分布から封止後の半導体チップ1の温度分布を求めるステップS2。例えば、シミュレーションにより半導体チップ1の温度分布を計算する。または、サーモビューア等を用いて半導体チップ1の温度分布を実測する。次に、半導体チップ1の耐圧及びリーク電流の面内分布と応力分布や温度分布との相関を求めるステップS3。例えば、図10に示すように、半導体チップ1の面内の各領域に、ピエゾ素子等の応力測定素子21、温度測定素子22、及び半導体チップ1よりも大幅に小さな半導体素子23を配置する。そして、半導体チップ1に応力を与えた状態で応力測定素子21により応力を測定し、温度測定素子22により温度を測定すると同時に、半導体素子23の耐圧及びリーク電流を測定する。これにより、半導体チップ1の耐圧及びリーク電流の面内分布と応力分布や温度分布との相関を算出することができる。なお、温度測定素子22を用いる代わりに、熱電対やサーモビューア等を用いて半導体チップ1の温度を測定してもよい。次に、半導体チップ1の耐圧及びリーク電流と応力分布又は温度分布との相関から、封止後の半導体チップ1の耐圧及びリーク電流の面内分布を求めるステップS4。最後に、封止後の半導体チップ1の耐圧及びリーク電流の面内分布が均一になるような、封止前の半導体チップ1のPN接合部20の不純物濃度の面内分布を求めるステップS5。図11は、封止前の半導体チップを表面側から見た平面図である。終端領域24内に、エミッタ電極15とゲートパッド25が配置されている。エミッタ電極15にワイヤ6が接合されている。図12は、図11のI-IIに印加される応力を求めた結果を示す図である。図12には、A,B,Cの応力を半導体チップ1に加えた場合の耐圧の変動値も示されている。封止後、半導体チップ1の中央部Iには角部IIと比べて大きな圧縮応力が加わり、応力に比例して耐圧の変動幅も大きくなる。また、半導体チップ1のワイヤ6が接合される領域は、トランジスタ動作時に周辺の領域から電流が集まるため、周辺の領域よりも温度が上昇する。図13は、N型バッファ領域16のN型不純物濃度、P型コレクタ領域17のP型不純物濃度、及び半導体チップ1の温度に対する耐圧及びリーク電流の関係を示す図である。不純物濃度が下がるか又は温度が上がるほど、耐圧は下がり、リーク電流は上がる。図14は、封止後の半導体チップ1の耐圧及びリーク電流の面内分布が均一になるような、封止前の半導体チップ1のN型バッファ領域16の不純物濃度の面内分布を裏面側から見た平面図である。中央の領域26は不純物濃度が大きい。領域27の不純物濃度は領域26よりも小さく、領域28の不純物濃度は領域27よりも更に小さい。領域29は、ワイヤ6が接合される領域であり、不純物濃度が大きい。なお、ここではN型バッファ領域16について説明するが、P型コレクタ領域17でも同様である。半導体チップ1のN-型半導体基板9に応力が加わると、耐圧が下がり、リーク電流が上がる。そこで、封止後に応力が加わる領域26のN型バッファ領域16の不純物濃度を相対的に上げる。これにより、領域26の封止前の耐圧が相対的に上がるため、封止後の半導体チップ1の耐圧及びリーク電流の面内分布が均一になる。また、半導体チップ1のワイヤ6が接合される領域29は、トランジスタ動作時に周辺の領域からワイヤ6に向かって電流が集まるため、周辺の領域よりも温度が上昇し、耐圧が下がり、リーク電流が上がる。そこで、領域29のN型バッファ領域16の不純物濃度を相対的に上げる。これにより、ワイヤ6に電流を流し温度が上昇した場合でも、封止後の半導体チップ1の耐圧及びリーク電流の面内分布が均一になる。以上説明したように、本実施の形態では、封止後の半導体チップ1の耐圧及びリーク電流の面内分布が均一になるような、封止前の半導体チップ1のPN接合部20の不純物濃度の面内分布を予め求める。そして、この求めた不純物濃度の面内分布を持つPN接合部20を半導体チップ1の裏面側に形成する。その後に、半導体チップ1を樹脂8で封止する。これにより、封止後の半導体チップ1の耐圧及びリーク電流の面内分布を均一にすることができる。このため、半導体装置の信頼性を向上させることができる。"