表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、ストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、表面に保護部材が貼着されたウエーハの保護部材側を第1の研削装置のチャックテーブルに保持し、ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに研削する第1の研削工程と、所定の厚みに研削されたウエーハの保護部材側をレーザー加工装置のチャックテーブルに保持し、ウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を内部に集光点を合わせてストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、ウエーハの内部にストリートに沿って改質層が形成されたウエーハの保護部材側を第2の研削装置のチャックテーブルに保持し、ウエーハの裏面を研削して仕上がり厚みに形成する第2の研削工程と、仕上がり厚みに形成されたウエーハの裏面を環状のフレームに装着された伸張可能な粘着テープの表面に貼着するとともに、ウエーハの表面に貼着されている保護部材を剥離するウエーハ移し替え工程と、ウエーハが貼着された粘着テープを拡張してウエーハを個々のデバイスに分離する分離工程と、を含む、ことを特徴とするウエーハの加工方法。該第2の研削工程を実施することによってウエーハは改質層が形成されたストリートに沿って個々のデバイスに分割される、請求項1記載のウエーハの加工方法。該改質層形成工程はウエーハの表面からデバイスの仕上がり厚みに相当する位置より裏面側に改質層を形成し、該第2の研削工程はウエーハを仕上がり厚みに研削することにより改質層を除去する、請求項1記載のウエーハの加工方法。該ウエーハ移し替え工程はウエーハの裏面に接着フィルムを装着し、該分離工程はウエーハが貼着された粘着テープを拡張することにより接着フィルムを個々のデバイスに沿って分離する、請求項1から3のいずれかに記載のウエーハの加工方法。而して、ウエーハの厚みが厚いと、ウエーハを改質層が形成された分割予定ラインに沿って容易に破断するためには、パルスレーザー光線のエネルギーが減衰することに加え改質層を何層も重ねて形成しなければならず、生産性が悪いという問題がある。また、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成した後に、ウエーハの裏面を研削してウエーハの厚みを例えば50μm程度の仕上がり厚みに仕上げる研削工程が実施されるが、上述した改質層を形成するレーザー加工の生産性が悪いことから、上記研削工程との生産性タクトタイムを良好とするために、研削装置1台に対して高価なレーザー加工装置を2台設置して加工ラインを構成しなければならず、設備費が高額になるという問題がある。本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、改質層を形成する改質層形成工程の生産性を向上するとともに、比較的安価な設備費で研削装置とレーザー加工装置とからなる加工ラインを構成することができるウエーハの加工方法を提供することである。上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、ストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、表面に保護部材が貼着されたウエーハの保護部材側を第1の研削装置のチャックテーブルに保持し、ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに研削する第1の研削工程と、所定の厚みに研削されたウエーハの保護部材側をレーザー加工装置のチャックテーブルに保持し、ウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を内部に集光点を合わせてストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、ウエーハの内部にストリートに沿って改質層が形成されたウエーハの保護部材側を第2の研削装置のチャックテーブルに保持し、ウエーハの裏面を研削して仕上がり厚みに形成する第2の研削工程と、仕上がり厚みに形成されたウエーハの裏面を環状のフレームに装着された伸張可能な粘着テープの表面に貼着するとともに、ウエーハの表面に貼着されている保護部材を剥離するウエーハ移し替え工程と、ウエーハが貼着された粘着テープを拡張してウエーハを個々のデバイスに分離する分離工程と、を含む、ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。上記第2の研削工程を実施することによってウエーハは改質層が形成されたストリートに沿って個々のデバイスに分割される。上記改質層形成工程はウエーハの表面からデバイスの仕上がり厚みに相当する位置より裏面側に改質層を形成し、上記第2の研削工程はウエーハを仕上がり厚みに研削することにより改質層を除去する。また、上記ウエーハ移し替え工程はウエーハの裏面に接着フィルムを装着し、上記分離工程はウエーハが貼着された粘着テープを拡張することにより接着フィルムを個々のデバイスに沿って分離する。本発明におけるウエーハの加工方法によれば、改質層形成工程を実施する際には、第1の研削装置に実施される第1の研削工程においてウエーハの厚みが所定の厚みに形成されているので、レーザー光線のエネルギーの減衰が抑えられるとともに、改質層を何層も形成するために改質層形成工程を多数回実施する必要がないので、レーザー加工装置による改質層形成工程の生産性を向上することができる。また、第1の研削装置によって実施される第1の研削工程において所定の厚みに形成されたウエーハに、レーザー加工装置によって改質層形成工程を実施した後、第2の研削装置によって第2の研削工程を実施することによりウエーハの厚みを仕上がり厚みに形成するので、第1の研削装置によって実施する第1の研削工程とレーザー加工装置によって実施する改質層形成工程と第2の研削装置によって実施する第2の研削工程との生産性タクトタイムが良好となる。そして、比較的高価なレーザー加工装置1台に対して比較的安価な研削装置2台によって加工ラインを構成することができるので、設備費を抑制することが可能となる。以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。図1には、本発明に従って加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図1に示す半導体ウエーハ2は、厚みが例えば500μmのシリコンウエーハからなっており、表面2aに複数のストリート21が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート21によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス22が形成されている。以下、この半導体ウエーハ2をストリート21に沿って個々のデバイス22に分割するウエーハの加工方法について説明する。先ず、半導体ウエーハ2の表面2aに形成されたデバイス22を保護するために、半導体ウエーハ2の表面2aに保護部材を貼着する保護部材貼着工程を実施する。即ち、図2に示すように半導体ウエーハ2の表面2aに保護部材としての保護テープ3を貼着する。なお、保護テープ3は、図示の実施形態においては厚さが100μmのポリ塩化ビニルPVCからなるシート状基材の表面にアクリル樹脂系の糊が厚さ5μm程度塗布されている。半導体ウエーハ2の表面2aに保護部材としての保護テープ3を貼着したならば、半導体ウエーハ2の保護部材側を第1の研削装置のチャックテーブルに保持し、半導体ウエーハ2の裏面を研削して所定の厚みに研削する第1の研削工程を実施する。この第1の研削工程は、図3に示す第1の研削装置4を用いて実施する。図3に示す第1の研削装置4は、被加工物を保持するチャックテーブル41と、該チャックテーブル41に保持された被加工物を研削する研削手段42を具備している。チャックテーブル41は、上面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない回転駆動機構によって図3において矢印41aで示す方向に回転せしめられる。研削手段42は、スピンドルハウジング421と、該スピンドルハウジング421に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル422と、該回転スピンドル422の下端に装着されたマウンター423と、該マウンター423の下面に取り付けられた研削ホイール424とを具備している。この研削ホイール424は、円環状の基台425と、該基台425の下面に環状に装着された研削砥石426とからなっており、基台425がマウンター423の下面に締結ボルト427によって取り付けられている。上述した第1の研削装置4を用いて上記第1の研削工程を実施するには、図3に示すようにチャックテーブル41の上面保持面に上記保護部材貼着工程が実施された半導体ウエーハ2の保護テープ3側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル41上に半導体ウエーハ2を保護テープ3を介して吸着保持するウエーハ保持工程。従って、チャックテーブル41上に保持された半導体ウエーハ2は、裏面2bが上側となる。このようにチャックテーブル41上に半導体ウエーハ2を保護テープ3を介して吸引保持したならば、チャックテーブル41を図3において矢印41aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削手段42の研削ホイール424を図3において矢印424aで示す方向に例えば6000rpmで回転せしめて、図4に示すように研削砥石426を被加工面である半導体ウエーハ2の裏面2bに接触せしめ、研削ホイール424を図3および図4において矢印424bで示すように例えば1μm/秒の研削送り速度で下方チャックテーブル41の保持面に対し垂直な方向に所定量研削送りする。この結果、半導体ウエーハ2の裏面2bが研削されて半導体ウエーハ2は所定の厚み例えば200μmに形成される。次に、所定の厚みに研削された半導体ウエーハ2の保護部材側をレーザー加工装置のチャックテーブルに保持し、半導体ウエーハ2の裏面側から半導体ウエーハ2に対して透過性を有するレーザー光線を内部に集光点を合わせてストリートに沿って照射し、半導体ウエーハ2の内部にストリートに沿って改質層を形成する改質層形成工程を実施する。この改質層形成工程は、図5に示すレーザー加工装置5を用いて実施する。図5に示すレーザー加工装置5は、被加工物を保持するチャックテーブル51と、該チャックテーブル51上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段52と、チャックテーブル51上に保持された被加工物を撮像する撮像手段53を具備している。チャックテーブル51は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図5において矢印Xで示す加工送り方向および矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。上記レーザー光線照射手段52は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング521の先端に装着された集光器522からパルスレーザー光線を照射する。また、上記レーザー光線照射手段52を構成するケーシング521の先端部に装着された撮像手段53は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子CCDの外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子赤外線CCD等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。上述したレーザー加工装置5を用いて実施する改質層形成工程について、図5および図6を参照して説明する。この改質層形成工程は、先ず上述した図5に示すレーザー加工装置5のチャックテーブル51上に上記第1の研削工程が実施された半導体ウエーハ2の保護テープ3側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル51上に半導体ウエーハ2を保護テープ3を介して吸着保持するウエーハ保持工程。従って、チャックテーブル51上に保持された半導体ウエーハ2は、裏面2bが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル51は、図示しない加工送り手段によって撮像手段53の直下に位置付けられる。チャックテーブル51が撮像手段53の直下に位置付けられると、撮像手段53および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ2のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段53および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ2の所定方向に形成されているストリート21と、ストリート21に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段52の集光器522との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ2に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びるストリート21に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ2のストリート21が形成されている表面2aは下側に位置しているが、撮像手段53が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子赤外線CCD等で構成された撮像手段を備えているので、裏面2bから透かしてストリート21を撮像することができる。以上のようにしてチャックテーブル51上に保持されている半導体ウエーハ2に形成されているストリート21を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図6のaで示すようにチャックテーブル51をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段52の集光器522が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート21の一端図6のaにおいて左端をレーザー光線照射手段52の集光器522の直下に位置付ける。次に、集光器522から照射されるパルスレーザー光線の集光点Pを半導体ウエーハ2の表面2a下面からデバイスの仕上がり厚さSに相当する位置より裏面2b上面側に合わせる。即ち、デバイスの仕上がり厚さが50μmの場合には、パルスレーザー光線の集光点Pを半導体ウエーハ2の表面2a下面から例えば75μm上方の位置に合わせる。そして、集光器522からシリコンウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル51即ち半導体ウエーハ2を図6のaにおいて矢印X1で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図6のbで示すようにレーザー光線照射手段52の集光器522の照射位置がストリート21の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル51即ち半導体ウエーハ2の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ2の内部には、ストリート21に沿って表面2a下面から例えば50μm上方の位置より裏面2b上面側に厚みが例えば50μmの改質層210が形成される。この改質層210は、溶融再固化層として形成される。なお、上記改質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。光源;LD励起QスイッチNd:YVO4スレーザー波長;1064nmのパルスレーザーパルス出力:10μJ集光スポット径;φ1μm繰り返し周波数:100kHz加工送り速度;100mm/秒上述したように所定のストリート21に沿って上記改質層形成工程を実施したら、チャックテーブル51を矢印Yで示す方向に半導体ウエーハ2に形成されたストリート21の間隔だけ割り出し移動し割り出し工程し、上記改質層形成工程を遂行する。このようにして所定方向に形成された全てのストリート21に沿って上記改質層形成工程を実施したならば、チャックテーブル51を90度回動せしめて、上記所定方向に形成されたストリート21に対して直交する方向に延びるストリート21に沿って上記改質層形成工程を実行する。以上のように、改質層形成工程を実施する際には、上記第1の研削装置4によって実施される第1の研削工程において半導体ウエーハ2の厚みが例えば500μmから200μmに形成されているので、パルスレーザー光線のエネルギーの減衰が抑えられるとともに、改質層を何層も形成するために改質層形成工程を多数回実施する必要がないので、レーザー加工装置5による改質層形成工程の生産性を向上することができる。上述した改質層形成工程を実施することによって半導体ウエーハ2の内部にストリート21に沿って改質層210を形成したならば、内部にストリート21に沿って改質層210が形成された半導体ウエーハ2の保護部材側を第2の研削装置のチャックテーブルに保持し、ウエーハの裏面を研削して仕上がり厚みに形成する第2の研削工程を実施する。この第2の研削工程は、図7に示す第2の研削装置40を用いて実施する。なお、図7に示す第2の研削装置40は上記図3に示す第1の研削装置4と実質的に同様の構成であるため、同一部材には同一符号を付してその説明は省略する。上述した第2の研削装置40を用いて上記第2の研削工程を実施するには、図7に示すようにチャックテーブル41の上面保持面に上記改質層形成工程が実施された半導体ウエーハ2の保護テープ3側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル41上に半導体ウエーハ2を保護テープ3を介して吸着保持するウエーハ保持工程。従って、チャックテーブル41上に保持された半導体ウエーハ2は、裏面2bが上側となる。このようにチャックテーブル41上に半導体ウエーハ2を吸引保持したならば、チャックテーブル41を図7において矢印41aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削手段42の研削ホイール424を図7において矢印424aで示す方向に例えば6000rpmで回転せしめて、図8に示すように研削砥石426を被加工面である半導体ウエーハ2の裏面2bに接触せしめ、研削ホイール424を図7および図8において矢印424bで示すように例えば0.5μm/秒の研削送り速度で下方チャックテーブル41の保持面に対し垂直な方向に所定量研削送りする。この結果、半導体ウエーハ2の裏面2bが研削されて半導体ウエーハ2は仕上がり厚み例えば50μmに形成される。この第2の研削工程においては、半導体ウエーハ2の厚みが100μm以下になると、研削圧力が作用している半導体ウエーハ2は改質層210が形成されているストリート21に沿って破断され個々のデバイス22に分割される。そして、第2の研削工程においては、更に半導体ウエーハ2を仕上がり厚みである50μmまで研削することにより改質層210を除去する。なお、分割された複数のデバイス22は、その表面に保護テープ3が貼着されているので、バラバラにはならず半導体ウエーハ2の形態が維持されている。以上のように、上記第1の研削装置4によって実施される第1の研削工程において厚みが例えば500μmから200μmに形成された半導体ウエーハ2に、上記レーザー加工装置5によって改質層形成工程を実施した後、上記第2の研削装置40によって第2の研削工程を実施することにより半導体ウエーハ2の厚みを仕上がり厚み例えば50μmに形成するので、第1の研削装置4によって実施する第1の研削工程とレーザー加工装置5によって実施する改質層形成工程と第2の研削装置40によって実施する第2の研削工程との生産性タクトタイムが良好となる。また、比較的高価なレーザー加工装置1台に対して比較的安価な研削装置2台によって加工ラインを構成することができるので、設備費を抑制することが可能となる。次に、仕上がり厚みに形成された半導体ウエーハ2の裏面を環状のフレームに装着された伸張可能な粘着テープの表面に貼着するとともに半導体ウエーハ2の表面に貼着されている保護部材3を剥離するウエーハ移し替え工程を実施する。なお、以下の説明におけるウエーハ移し替え工程においては半導体ウエーハ2の裏面に接着フィルムを装着する接着フィルム装着工程を含んでいる即ち、図9のaおよびに示すように個々のデバイス22に分割された半導体ウエーハ2の裏面2bに接着フィルム6を装着する。このとき、80~200°Cの温度で加熱しつつ接着フィルム6を半導体ウエーハ2の裏面2bに押圧して装着する。なお、接着フィルム6は、エポキシ系樹脂で形成されており、厚さが20μmのフィルム材からなっている。このようにして半導体ウエーハ2の裏面2bに接着フィルム6を装着したならば、図9のcに示すように接着フィルム6が装着された半導体ウエーハ2の接着フィルム6側を環状のフレーム7に装着された伸張可能な粘着テープ70に貼着する。従って、半導体ウエーハ2の表面に貼着された保護テープ3は上側となる。そして、半導体ウエーハ2の表面2aに貼着されている保護テープ3を剥離する。上述したウエーハ移し替え工程の他の実施形態について、図10を参照して説明する。図10に示す実施形態は、粘着テープ70の表面に予め接着フィルム6が貼着された接着フィルム付きの粘着テープ70を使用する。即ち、図10のa、bに示すように環状のフレーム7の内側開口部を覆うように外周部が装着された粘着テープ70の表面に貼着された接着フィルム6に、個々のデバイス22に分割された半導体ウエーハ2の裏面2bを装着する。このとき、80~200°Cの温度で加熱しつつ接着フィルム6を半導体ウエーハ2の裏面2bに押圧して装着する。なお、上記粘着テープ70は、図示の実施形態においては厚さが95μmのポリオレフィンシートかならっている。このように接着フィルム付きの粘着テープ70を使用する場合には、粘着テープ70の表面に貼着された接着フィルム6に半導体ウエーハ2の裏面2bを装着することにより、接着フィルム6が装着された半導体ウエーハ2が環状のフレーム7に装着された粘着テープ70によって支持される。そして、図10のbに示すように半導体ウエーハ2の表面2aに貼着されている保護テープ3を剥離する。上記ウエーハ移し替え工程を実施したならば、半導体ウエーハ2が貼着された粘着テープ70を拡張して半導体ウエーハ2を個々のデバイス22に分離する分離工程を実施する。この分離工程は、図11に示すテープ拡張装置8を用いて実施する。図11に示すテープ拡張装置8は、上記環状のフレーム7を保持するフレーム保持手段81と、該フレーム保持手段81に保持された環状のフレーム7に装着された粘着テープ70を拡張するテープ拡張手段82と、ピックアップコレット83を具備している。フレーム保持手段81は、環状のフレーム保持部材811と、該フレーム保持部材811の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ812とからなっている。フレーム保持部材811の上面は環状のフレーム7を載置する載置面811aを形成しており、この載置面811a上に環状のフレーム7が載置される。そして、載置面811a上に載置された環状のフレーム7は、クランプ812によってフレーム保持部材811に固定される。このように構成されたフレーム保持手段81は、テープ拡張手段82によって上下方向に進退可能に支持されている。テープ拡張手段82は、上記環状のフレーム保持部材811の内側に配設される拡張ドラム821を具備している。この拡張ドラム821は、環状のフレーム7の内径より小さく該環状のフレーム7に装着された粘着テープ70に貼着される半導体ウエーハ2の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム821は、下端に支持フランジ822を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段82は、上記環状のフレーム保持部材811を上下方向に進退可能な支持手段823を具備している。この支持手段823は、上記支持フランジ822上に配設された複数のエアシリンダ823aからなっており、そのピストンロッド823bが上記環状のフレーム保持部材811の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ823aからなる支持手段823は、図12のaに示すように環状のフレーム保持部材811を載置面811aが拡張ドラム821の上端と略同一高さとなる基準位置と、図12のbに示すように拡張ドラム821の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。以上のように構成されたテープ拡張装置8を用いて実施する分離工程について図12を参照して説明する。即ち、半導体ウエーハ2ストリート21に沿って個々のデバイス22に分割されているの接着フィルム6側が貼着されている粘着テープ70が装着された環状のフレーム7を、図12のaに示すようにフレーム保持手段81を構成するフレーム保持部材811の載置面811a上に載置し、クランプ812によってフレーム保持部材811に固定するフレーム保持工程。このとき、フレーム保持部材811は図12のaに示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段82を構成する支持手段823としての複数のエアシリンダ823aを作動して、環状のフレーム保持部材811を図12のbに示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材811の載置面811a上に固定されている環状のフレーム7も下降するため、図12のbに示すように環状のフレーム7に装着された粘着テープ70は拡張ドラム821の上端縁に接して拡張せしめられるテープ拡張工程。この結果、粘着テープ70に貼着されている接着フィルム6は放射状に引張力が作用する。このように接着フィルム6に放射状に引張力が作用すると、半導体ウエーハ2はストリート21に沿って個々のデバイス22に分割されているので、個々のデバイス22に分離されて間が広がり、間隔が形成される。このため、接着フィルム6には引張力が作用するので、接着フィルム6は個々のデバイス22に沿って破断される。この分離工程が実施される際には、図12のcに示すように個々のデバイス22は互いに接触して溝幅が実質的に零0になっており、上記テープ拡張工程を実施することにより図12のdに示すように個々のデバイス22間が広がり間隔が形成される。このため、接着フィルム6はデバイス22の外周縁からはみ出すことなくデバイス22の外周縁に沿って正確に破断されるとともに、接着フィルム6の伸張が制限されデバイス22の外周縁に沿って確実に破断される。次に、図13に示すようにピックアップコレット83を作動してデバイス22裏面に接着フィルム6が装着されているを吸着し、粘着テープ70から剥離してピックアップすることにより、図14に示すようにデバイス22の外周縁に沿って正確に破断された接着フィルム6が裏面に貼着された半導体デバイス22が得られる。なお、ピックアップ工程においては、上述したように接着フィルム6が装着された個々のデバイス22間の隙間Sが広げられているので、隣接するデバイス22と接触することなく容易にピックアップすることができる。以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施例のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。上述した実施形態においては、第2の研削工程において半導体ウエーハ2が個々のデバイス22に分割される例について説明したが、第2の研削工程において分割に必要な改質層を残しておき、分離工程で個々のデバイスに分割してもよい。また、ウエーハが光デバイスウエーハの場合には、ウエーハ移し替え工程において接着フィルムは不要である。