"一般式Iの化合物であって、式中、Zは、ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、前記ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数である、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって置換されたC1~C22-アルキルラジカル、ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、前記ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数である、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって置換されるC5~C12-シクロアルキルラジカル、ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、前記ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数である、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって置換されるC6~C14-アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカル、ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、前記ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数である、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換されるC7~C30-アラルキルラジカル、または、トリアルキルシリルラジカルR5R6R7Si式中、R5、R6、R7は互いに独立に、同一もしくは異なるC1~C18-アルキルラジカルであるに対応する、化合物。Zは、ラジカル-A-R4式中、Aは、非分岐のC1~C18-アルキレンラジカルを表し、R4は、ハロゲン、チオール基またはホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、前記ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応するを表すを表す、請求項1に記載の化合物。Aは、非分岐のC1~C12-アルキレンラジカルを表し、R4は、ホスホン酸基-POOH2を表す、請求項2に記載の化合物。一般式Iの化合物を含む半導体層であって、式中、Zはハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、前記ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数である、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換されるC1~C22-アルキルラジカル、ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、前記ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数である、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換されるC5~C12-シクロアルキルラジカル、ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、前記ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数である、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換されるC6~C14-アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカル、または、ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、前記ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数である、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換されるC7~C30-アラルキルラジカル、または、トリアルキルシリルラジカルR5R6R7Si式中、R5、R6、R7は互いに独立に、同一もしくは異なるC1~C18-アルキルラジカルであるに対応する、半導体層。前記一般式Iにおいて、Zは、ラジカル-A-R4式中、Aは、C1~C22-アルキレンラジカルを表し、R4は、ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、前記ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数である、チオール基、トリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルである、C6~C14-アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカルを表すを表し、前記半導体層がこの一般式Iの化合物の単分子層を含む、請求項4に記載の半導体層。請求項4または請求項5に記載の半導体層を含む電子部品。前記部品は電界効果トランンジスター、発光部品、光起電力セル、レーザーまたはセンサーである、請求項6に記載の電子部品。Zは、C1~C22-アルキルラジカル、C5~C12-シクロアルキルラジカル、C6~C14-アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカル、C7~C30-アラルキルラジカル、またはトリアルキルシリルラジカルR5R6R7Si式中、R5、R6、R7は互いに独立に、同一もしくは異なるC1~C18-アルキルラジカルであるに対応し、前記電子部品が電界効果トランジスターである、請求項6または請求項7に記載の電子部品。i基板を準備する工程と、ii一般式Iの化合物を含む層を前記基板に付与する工程であって、式中、Zは、ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、前記ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数である、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換されるC1~C22-アルキルラジカル、ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、前記ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数である、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換されるC5~C12-シクロアルキルラジカル、ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、前記ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数である、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換されるC6~C14-アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカル、または、ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、前記ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数である、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換されるC7~C30-アラルキルラジカル、または、トリアルキルシリルラジカルR5R6R7Si式中、R5、R6、R7は互いに独立に、同一もしくは異なるC1~C18-アルキルラジカルであるに対応する工程とを含む、電子部品の製造のためのプロセス。前記一般式Iの化合物は、溶液からまたは気相堆積により前記基板に付与される、請求項9に記載のプロセス。前記一般式Iにおいて、Zは、ラジカル-A-R4式中、Aは、C1~C22-アルキレンラジカルを表し、R4は、ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、前記ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数である、チオール基、トリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるまたはC6~C14-アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカルを表すに対応し、この一般式Iの化合物が単分子層として前記基板に付与される、請求項9または請求項10に記載のプロセス。請求項9から請求項11のいずれか1項に記載のプロセスによって得られる電子部品。電子部品の中の半導性層における、一般式Iの化合物の使用であって、式中、Zは、ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、前記ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数である、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換されるC1~C22-アルキルラジカル、ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、前記ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数である、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換されるC5~C12-シクロアルキルラジカル、ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、前記ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数である、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換されるC6~C14-アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカル、または、ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、前記ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数である、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換されるC7~C30-アラルキルラジカル、または、トリアルキルシリルラジカルR5R6R7Si式中、R5、R6、R7は互いに独立に、同一もしくは異なるC1~C18-アルキルラジカルであるに対応する、使用。前記一般式Iの化合物において、Zは、ラジカル-A-R4式中、Aは、C1~C22-アルキレンラジカルを表し、R4は、ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、前記ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数である、チオール基、トリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるまたはC6~C14-アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカルを表すに対応し、前記半導体層がこの一般式Iの化合物の単分子層を含む、請求項13に記載の使用。前記半導体層が誘電体層の機能も果たす、請求項14に記載の使用。従って、溶液から加工される半導体膜は、気相堆積されたものより粗悪な特性を持ち続けている。従って、溶媒からの加工後の特性が改善された半導体に対するニーズがある。本発明は、半導性有機化合物に関連して、特に電子部品での半導体層の構成要素としてこのような半導性有機化合物の使用に関連して先行技術から生じる欠点を克服するという目的に基づいた。本発明の目的は、特に、通常の溶媒からだけでなく気相堆積によっても加工することができ、かつ良好な特性を有する半導性膜を生じる有機化合物を提供することであった。そのような化合物は、大面積にわたる有機半導体層の付与のために著しく適しているであろう。さらに、これらの有機化合物からの半導体層の製造では、電子工学での使用に適した均一の厚さおよび形態を有する高品質の層が形成されるべきである。上記の目的を成し遂げるための寄与は、一般式Iの化合物によりなされる。式中、Zは、ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数である、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって置換されるC1~C22-アルキル基ラジカル、ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数である、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって置換されるC5~C12-シクロアルキルラジカル、ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数である、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって置換されるC6~C14-アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカル、ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数である、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換されるC7~C30-アラルキルラジカル、または、トリアルキルシリルラジカルR5R6R7Si式中、R5、R6、R7は互いに独立に、同一もしくは異なるC1~C18-アルキルラジカルであるに対応する。これに関して、F、Cl、BrおよびIがハロゲンとして好ましい。本発明による特に好ましい化合物は、Zは、ラジカル-A-R4式中、Aは、好ましくは非分岐のC1~C22-アルキレンラジカル、特に好ましくは、好ましくは非分岐のC1~C18-アルキレンラジカル、最も好ましくは、好ましくは非分岐のC1~C12-アルキレンラジカルを表し、R4は、ハロゲンHal、特に好ましくは、F、Cl、BrもしくはI、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキル、特に好ましくはエチルもしくはメチル基に対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nHalはF、Cl、BrもしくはIであり、R2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数である、チオール基、トリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるまたはC6~C14-アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカルを表すに対応する化合物である。驚くべきことに、特定の一置換された[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]-ベンゾチオフェン誘導体が特定の特性を有する特に適切な膜を与えることが見出された。これは驚くべきことであり予期されないことであり、なぜなら、僅かにしか溶解しない無置換誘導体とは対照的に、現在まで二置換された誘導体だけが湿式処理のために必要とされる溶解度を有するからである。しかしながら、先行技術から公知の二置換されたBTBT誘導体の欠点は、例えばジアルキル化されたBTBTの蒸気圧が著しく低下することであり、このことは気相堆積による加工を困難にさせる。一置換されたBTBTからの膜の電気的特性も改善される。これはまったく予期されないことであり、なぜなら、オリゴマー半導体を用いたOTFTの十分な移動度ついて、その必須条件の1つが最適化された層形態であるからである。現在までの先行技術によれば、これは、特に対称化合物が最適な配置を可能にするとき成し遂げられる。例えば、米国特許第6,690,029号明細書もしくはChem.Rev.2006年、第106巻、5028-5048頁およびAngew.Chem.2008年、第120巻、460-492頁に記載される対称に置換されたアセン誘導体およびこれらの結晶配置、またはH.Ebata、T.Izawa、E.Miyazaki、K.Takimiya、M.Ikeda、H.Kuwabara、T.Yui、J.Am.Chem.Soc.第129巻、15732-15733頁2007年ならびに特許出願、国際公開第2006/077888A号パンフレット、国際公開第2007/125671A号パンフレットおよび国際公開第2008/047896A号に記載される対称置換されたBTBT誘導体を参照のこと。本発明による一置換された[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]-ベンゾチオフェン誘導体の特に好ましい実施形態によれば、Zは、ラジカル-A-R4、式中、Aは、好ましくは非分岐の直鎖C1~C18-アルキレンラジカル-CH2n-、nは1~18の整数であるを表し、R4は、ハロゲン、好ましくはF、Cl、BrもしくはI、またはホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキル、特に好ましくはエチルもしくはメチル基に対応するを表すを表す。本発明による一置換された[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]-ベンゾチオフェン誘導体のさらにより好ましい実施形態によれば、Zは、ラジカル-A-R4式中、Aは、好ましくは非分岐の直鎖C1~C12-アルキレンラジカル-CH2n-、nは1~12の整数であるを表し、R4は、ホスホン酸基-POOH2を表すを表す。欧州特許出願公開第1531155A号明細書は電子部品における半導体層としての一官能性半導体分子の使用を請求する。特に、これらの化合物は単分子層を形成する。それらの構造のため、それら化合物はここで、誘電体層の機能だけでなく半導体層の機能も有する単分子層を構築できる。さらに、Nature、2008年、第455巻、956頁は、誘電体としての酸化シリコン表面上での単分子半導体層としてのこのような一官能性半導体分子の使用を記載する。NanoLetters、2010年、第10巻、1998頁において、同じ化合物の単分子層がポリマー誘電体上で得られている。原則として、上記の本発明による式Iの化合物は、酸化物表面またはポリマー表面上の単分子層の製造に適している。一般式Iの化合物の合成は、例えば、BTBTを、少なくとも1:1のモル比で、カルボン酸クロライドZ’-CO-Cl式中、Z’は、1つのCH2基だけ短縮させたラジカルZに対応するラジカルを示すと反応させることにより、二つの段階で実施することができる。それにより形成される一般式IIの中間体生成物は単離され、次いで還元され一般式Iの化合物を与える。この還元は、例えば、ヒドラジンまたは水素化ホウ素ナトリウム/塩化アルミニウム系を用い実施することができる。ホスホン酸基を有する一般式Iの化合物は、例えば、まず、ハロゲン置換されたカルボン酸クロライドZ’-CO-Clすなわち、ラジカルZ’の中の水素原子がハロゲンで置き換えられている化合物を使用し、次いでカルボニル基を還元した後、例えば、ホスホン酸トリエチルエステルとの反応、必要に応じて、続く脱アルキル化のためのトリメチルシリルブロマイドとの反応により、ハロゲン基をホスホン酸またはホスホン酸エステル基で置き換えるプロセスに基づき得ることができる。上記の目的を成し遂げるための寄与は、一般式Iの化合物を含む半導体層によってもなされる。式中、Zは、ハロゲン、好ましくはF、Cl、BrもしくはI、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキル、特に好ましくはエチルもしくはメチル基に対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数であり、HalはF、Cl、BrもしくはIである、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換される、任意に分岐し、しかし好ましくは非分岐のC1~C22-アルキルラジカル、ハロゲン、好ましくはF、Cl、BrもしくはI、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキル、特に好ましくはエチルもしくはメチル基に対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数であり、HalはF、Cl、BrもしくはIである、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換されるC5~C12-シクロアルキルラジカル、ハロゲン、好ましくはF、Cl、BrもしくはI、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキル、特に好ましくはエチルもしくはメチル基に対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数であり、HalはF、Cl、BrもしくはIである、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換されるC6~C14-アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカル、ハロゲン、好ましくはF、Cl、BrもしくはI、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキル、特に好ましくはエチルもしくはメチル基に対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数であり、HalはF、Cl、BrもしくはIである、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換されるC7~C30-アラルキルラジカル、または、トリアルキルシリルラジカルR4R5R6Si式中、R4、R5、R6は互いに独立に、同一もしくは異なる、直鎖もしくは分岐のC1~C18-アルキルラジカルであるに対応する。少なくとも10-4cm2Vsの電荷キャリア移動度を有する、一般式Iの化合物の層は特に好ましい。電荷キャリアは、例えば正孔電荷である。電荷移動度は、例えば、M.PopeおよびC.E.Swenberg、有機結晶およびポリマーにおける電子的プロセスElectronicProcessesinOrganicCrystalsandPolymers、第2版、709-713頁オックスフォード大学出版OxfordUniversityPresses、ニューヨーク、オックスフォード、1999年に記載されるように求められることができる。上記の一般式Iの化合物の調製は、本発明による上記の一般式Iの化合物の調製と同様に実施することができる。本発明による半導体層の特定の実施形態によれば、Zは、ラジカル-A-R4式中、Aは、好ましくは非分岐のC1~C22-アルキレンラジカル、特に好ましくは、好ましくは非分岐のC1~C18-アルキレンラジカル、最も好ましくは、好ましくは非分岐のC1~C12-アルキレンラジカルを表し、R4は、ハロゲン、好ましくはF、Cl、BrもしくはI、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキル、特に好ましくはエチルもしくはメチル基に対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数であり、HalはF、Cl、BrもしくはIである、チオール基、トリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるまたはC6~C14-アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカル、特に好ましくはハロゲンまたはホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基、最も好ましくはホスホン酸基を表すに対応する。この場合において、半導体層が、一般式Iの化合物の単分子層を含むことがとりわけ好ましく、一般式Iの化合物の自己組織化された単一層SAM層を含むことがとりわけ好ましい。本発明により使用されるさらに好ましい化合物は、Zが無置換、非分岐または分岐のC1~C18-アルキルラジカルを表す化合物である。この点について、特に好ましい半導体層は、Zが、例えば、n-トリデシル、n-ドデシル、n-ヘキシルまたはエチルである一般式Iの化合物、すなわち、以下の式I-1~I-4の化合物を構成要素として含む層である。2-トリデシル-BTBTは使用されることがとりわけ好ましい。上記の目的を成し遂げるための寄与は、本発明による上記の半導体層を含む電子部品、好ましくは、電界効果トランンジスターFET、発光部品、特に有機発光ダイオード、光起電力セル、レーザーまたはセンサーである電子部品によってもなされる。ゲート電極としての基板、好ましくは二酸化シリコン層を有するシリコンウェハー、この基板に付与される絶縁層、例えば、ポリスチレン層もしくは酸化アルミニウム層、この絶縁層に付与され、かつ一般式Iの化合物を含む半導体層、ならびにこの半導体層に付与される電極ドレインおよぶソースを含む電界効果トランジスター、特に有機電界効果トランジスターは、電子部品として特に好ましい。特に、一般式Iの化合物でのラジカルZが上記のラジカル-A-R4に対応する場合、上記電子部品が、単分子半導体層として、特に好ましくは自己組織化された単一層SAMとして一般式Iの化合物を含むことが好ましい。この点について、電子部品、好ましくは電界効果トランジスターにおいて、そのような単一層が半導体層の機能だけでなく誘電体層絶縁体層の機能を果たしていれば、さらに都合がよい可能性がある。特に、一般式Iの化合物でのラジカルZがC1~C22-アルキルラジカル、C5~C12-シクロアルキルラジカル、C6~C14-アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカル、C7~C30-アラルキルラジカル、またはトリアルキルシリルラジカルR5R6R7Si式中、R5、R6、R7は互いに独立に、同一もしくは異なる、直鎖もしくは分岐のC1~C18-アルキルラジカルであるに対応する場合、当該電子部品が電界効果トランジスターに対応することはさらに好ましい。層、特に一般式Iの化合物から単分子層を形成するための適切な基板は、酸化物表面、例えば、酸化インジウムスズITO、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化鉄、またはポリマー表面であり、このポリマー表面は、適宜、前処理、例えば、プラズマ処理または適切な加水分解プロセスにより活性化される。酸化物表面上での単分子層の形成のため使用されることが好ましい一般式Iの化合物は、一般式Iにおいて、Zが上記のラジカル-A-R4に対応し、-A-R4において、R4が、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキル、特に好ましくはエチルもしくはメチル基に対応する、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数であり、HalはF、Cl、BrもしくはIである、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるに対応する化合物である。単分子層の製造のため使用されることがとりわけ好ましい一般式Iの化合物は、R1がホスホン酸基またはハロシリルラジカル-SiHalnR13-nR1はC1~C2-アルキルであり、nは1~3の整数であり、HalはF、Cl、BrもしくはIであるに対応する化合物である。上記の目的を成し遂げるための寄与は、i基板を準備する工程と、ii一般式Iの化合物を含む層をこの基板に付与する工程であって、式中、Zが、ハロゲン、好ましくはF、Cl、BrもしくはI、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数であり、HalはF、Cl、BrもしくはIである、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換されるC1-C22-アルキルラジカル、ハロゲン、好ましくはF、Cl、BrもしくはI、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数であり、HalはF、Cl、BrもしくはIである、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換されるC5~C12-シクロアルキルラジカル、ハロゲン、好ましくはF、Cl、BrもしくはI、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数であり、HalはF、Cl、BrもしくはIである、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換されるC6~C14-アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカル、または、ハロゲン、好ましくはF、Cl、BrもしくはI、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数であり、HalはF、Cl、BrもしくはIである、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換されるC7~C30-アラルキルラジカル、または、トリアルキルシリルラジカルR5R6R7Si式中、R5、R6、R7は互いに独立に、同一もしくは異なるC1~C18-アルキルラジカルであるに対応する工程とを含む、電子部品を製造するためのプロセスによってもなされる。本発明により使用される、または本発明による一般式Iの化合物は、一般に、通常の有機溶媒に易溶性であり、従って、溶液からの加工に著しく適している。特に適した溶媒は芳香族化合物、エーテルまたはハロゲン化脂肪族炭化水素、例えば、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン、メチルtert-ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、塩化メチレンもしくはクロロホルム、またはこれらの混合物である。一般式Iの化合物は、それゆえに良好な半導性、さらには優れた膜形成特性を有する。従って、本発明により使用される化合物は大面積にわたるコーティングにとりわけ適している。さらに、本発明により使用される、または本発明による一般式Iの半導性化合物は優れた熱安定性および良好な経時特性を有する。溶解のプロセスは室温で実施されることが好ましいが、高温で実施することもできる。しかしながら、本発明により使用される、または本発明による一般式Iの化合物が有する優れた溶解性のため、温度を上げることは概して必要とされない。得られる溶液は安定かつ加工可能である。本発明による、または本発明により使用される一般式Iの化合物は、上記の従来の溶媒、例えば、芳香族化合物、エーテルまたはハロゲン化脂肪族炭化水素に、いずれの場合も溶媒の重量に基づき、少なくとも0.1重量、好ましくは少なくとも1重量、特に好ましくは少なくとも5重量の範囲まで溶解できる。構築されたシリコンウェハー、または例えば、ITOでコーティングされた、コーティングされたガラス基板は、例えば、一般式Iの化合物を含む半導体層がプロセス工程iiで付与される、本発明による電子部品における基板としての役割を果たすことができる。本発明による、または本発明により使用される一般式Iの化合物は、公知のプロセス、例えば、噴霧、浸漬、印刷およびナイフコーティング、スピンコーティングおよびインクジェット印刷、特に好ましくは適切な溶媒、例えばトルエンからのスピンコーティング、滴下、インクジェット印刷プロセスによって、溶液から基板に付与することができる。本発明による、または本発明により使用される一般式Iの化合物の気相堆積も同様に可能である。これに関して、本発明による、または本発明により使用される一般式Iの化合物は高い揮発性を特徴とする。この揮発性は、例えばTakimiyaら上記参照によって記載されたものなどの対応する二置換された化合物の場合よりも有利に高い。なお、気相堆積による加工または加工性は、触れられた参考文献には全く記載されていない。一般式Iの化合物を含む、本発明によるプロセスによって製造される層は、付与の後、例えば、熱処理、または例えば構造化を目的にレーザーアブレーションよってさらに修飾されてもよい。本発明による、または本発明で使用される一般式Iの化合物、特に、Zが上記のラジカル-A-R4に対応する化合物は、蒸発した溶液から均一の厚さおよび形態を有する高品質の層を形成し、従って、電子工学での使用に適している。本発明によるプロセスの特定の実施形態によれば、Zは上記のラジカル-A-R4に対応し、一般式Iの化合物はプロセス工程iiで単分子層として部品に付与される。これに関して、単分子層としてのこの付与は、一般式Iの化合物の自己組織化によって生じることSAM層が好ましい。上記の目的を成し遂げるための寄与は、電子部品、好ましくは本発明による電子部品に関連して好ましい電子部品として上ですでに触れられた電子部品の中の半導体層における、一般式Iの化合物の使用によってもなされる。式中、Zは、ハロゲン、好ましくはF、Cl、BrもしくはI、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数であり、HalはF、Cl、BrもしくはIである、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換されるC1~C22-アルキルラジカル、ハロゲン、好ましくはF、Cl、BrもしくはI、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数であり、HalはF、Cl、BrもしくはIである、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換されるC5~C12-シクロアルキルラジカル、ハロゲン、好ましくはF、Cl、BrもしくはI、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数であり、HalはF、Cl、BrもしくはIである、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換されるC6~C14-アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカル、または、ハロゲン、好ましくはF、Cl、BrもしくはI、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基-POOR12式中、ラジカルR1は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはC1~C12-アルキルに対応する、スルホン酸基-SO3H、ハロシリルラジカル-SiHalnR23-nR2はC1~C18-アルキルであり、nは1~3の整数であり、HalはF、Cl、BrもしくはIである、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル-SiOR33R3はC1~C18-アルキルであるによって任意に置換されるC7~C30-アラルキルラジカル、または、トリアルキルシリルラジカルR5R6R7Si式中、R5、R6、R7は互いに独立に、同一もしくは異なるC1~C18-アルキルラジカルであるに対応する。本発明による使用の特定の実施形態によれば、Zは上で定義されたラジカル-A-R4に対応し、半導体層は一般式Iの化合物を含む単分子層、特に好ましくはSAM層である。以下の実施例および図面は、本発明を例によって説明する役割を果たすが、限定するものとして解釈されるべきではない。調製例12-トリデシル-[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン2-トリデシル-BTBT、I-1a[1]ベンゾチエノ[3,2-b]ベンゾチエン-2-イルトリデカン-1-オン2-トリデカノイル-BTBT:I-12.0g8.3mmolのBTBTを、まず、150mlの乾燥塩化メチレンに導入した。4.0g30mmolの塩化アルミニウムを計量し、-20°Cでこの混合物に入れ、次いで、この混合物を-70°Cに冷却した。その後、7.71g33.1mmolのn-トリデカノイルクロライドを20分間にわたって滴下した。その後、この混合物を-70°Cで1.5時間、撹拌した。次いで、75mlの水を滴下し、この反応を停止し、反応混合物を23°Cまで徐々に温めた。沈殿した固体を濾過し、トルエン/エタノール1:1から再結晶した。収量2.2g、収率61。1H-NMR[CDCl3;TMSに対するppmδ;400MHz]:8.56d,J=1.2Hz,1H;8.06dd,J1=1.2Hz,J2=8.4Hz,1H;7,94m,3H;7.48m,2H;3.07t,J=7.4Hz,2H;1,80quint,J=7.4Hz,2H;1.47~1.22m,18H;0.88t,J=7.0Hz,3H。b2-トリデシル-BTBT1.81g47.8mmolの水素化ホウ素ナトリウムを、30mlの乾燥テトラヒドロフラン中の2.10g4.8mmolの2-トリデカノイル-BTBT調製例1aで調製の溶液に23°Cで添加した。その後、3.50g26.3mmolの塩化アルミニウムを添加した。発熱反応が静まった後、この混合物を還流下で2時間、撹拌した。その後、50mlの水を21°Cで滴下した。発泡しながら進む発熱反応が静まった後、2.0g収率98の生成物を吸引濾過した。これは、移動相としてトルエンを用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーまたは昇華により精製できる。1H-NMR[CDCl3;TMSに対するppmδ;400MHz]:7.91d,J=8.0Hz,1H;7.86dd,J1=1.2Hz,J2=7.8Hz,1H;7.79d,J=8.0Hz,1H;7.72d,J=1.2Hz,1H;7.45ddd,J1=1.2Hz,J2=7.6Hz,J3=8.0Hz,1H;7.38ddd,J1=1.5Hz,J2=7.0Hz,J3=7.8Hz,1H;7.28dd,J1=1.5Hz,J2=8.3Hz,1H;2.76t,J=7.8Hz,2H;1.70quint,J=7.5Hz,2H;1.34m,2H;1.25m,18H;0.87t,J=6.9Hz,3H。調製例22-ドデシル-[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン2-ドデシル-BTBT:I-2a[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチエン-2-イルドデカン-1-オン2-ドデカノイル-BTBT2.0g8.3mmolのBTBTを、まず、150mlの乾燥塩化メチレンに導入した。4.0g30mmolの塩化アルミニウムを計量し、-30°Cでこの混合物に入れ、次いで、この混合物を-70°Cに冷却した。その後、7.28g33.3mmolのn-ドデカノイルクロライドを10分間にわたって滴下した。その後、この混合物を、-70°Cで1時間、撹拌した。23°Cでさらに5時間、撹拌した後、40mlの水を滴下し、この反応を停止し、反応混合物を23°Cに温めた。沈殿した固体を濾過し、トルエンから再結晶した。次いで、この混合物を、移動相としてトルエンを用い、シリカゲルを通したクロマトグラフィーにかけた。収量0.4g。1H-NMR[CDCl3;TMSに対するppmδ;400MHz]:8.55dd,J1=0.6Hz,J2=1.5Hz,1H;8.05dd,J1=1.5Hz,J2=8.4Hz,1H;7.93m,3H;7.47m,2H;3.06t,J=7.4Hz,2H;1.79quint,J=7.6Hz,2H;1.45~1.23m,16H;0.88t,J=6.6Hz,3H。b2-ドデシル-BTBT176mg4.7mmolの水素化ホウ素ナトリウムを、5mlの乾燥テトラヒドロフラン中の0.4g0.9mmolの2-ドデカノイル-BTBT調製例2aで調製の溶液に23°Cで添加した。その後、348mg2.6mmolの塩化アルミニウムを添加した。この混合物を還流下で3時間、撹拌した。その後、15mlの水を、冷却しながら滴下した。発熱反応が静まった後、生成物を吸引濾過し、水で洗浄し、次いで、移動相としてトルエンを用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーまたは昇華により精製した。収量230mg、収率61。1H-NMR[CDCl3;TMSに対するppmδ;400MHz]:7.91d,J=8.0Hz,1H;7.86d,J=7.8Hz,1H;7.79d,J=8.2Hz,1H;7.72s,1H;7.45ddd,J1=1.0Hz,J2=7.4Hz,J3=7.8Hz,1H;7.38ddd,J1=1.0Hz,J2=6.9Hz,J3=7.8Hz,1H;7.28dd,J1=1.5Hz,J2=8.3Hz,1H;2.76t,J=7.8Hz,2H;1.70quint,J=7.5Hz,2H;1,34m,2H;1.26m,16H;0.87t,J=6.8Hz,3H。調製例32-ヘキシル-[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェンI-3:2-ヘキシル-BTBTa[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチエン-2-イルヘキサン-1-オン2-ヘキサノイル-BTBT2.0g8.3mmolのBTBTを、まず、150mlの乾燥塩化メチレンに導入した。4.0g30mmolの塩化アルミニウムを計量し、-40°Cでこの混合物に入れ、次いで、この混合物を-70°Cに冷却した。その後、4.44g33mmolのn-ヘキサノイルクロライドを15分間にわたって滴下した。その後、この混合物を-70°Cで7時間、撹拌した。次いで、75mlの水を滴下し、この反応を停止し、反応混合物を23°Cまで徐々に温めた。沈殿した固体を濾過した1.53gの生成物。水相を塩化メチレンで抽出した。水で洗浄し、蒸発乾燥した後、この相からさらに0.85gの生成物を単離した。精製をトルエンから再結晶により実施した。収量2.38g、収率85。1H-NMR[CDCl3;TMSに対するppmδ;400MHz]:8.54d,J=1.5Hz,1H;8.05dd,J1=1.5Hz,J2=8.3Hz,1H;7.93m,3H;7.47m,2H;3.06t,J=7.4Hz,2H;1.80m,2H;1.41m,4H;0.93t,J=7.1Hz,3H。b2-ヘキシル-BTBT0.91g24.1mmolの水素化ホウ素ナトリウムを、13mlの乾燥テトラヒドロフラン中の0.82g2.4mmolの2-ヘキサノイル-BTBT調製例3aで調製の溶液に23°Cで添加した。その後、1.77g13.3mmolの塩化アルミニウムを添加した。この混合物を還流下で2時間、撹拌した。その後、10mlの水を、冷却しながら滴下した。発熱反応が静まった後、20mlの酢酸エチルを加え、さらに10mlの水を加え、相を分離した。水相をもう一度、酢酸エチルで抽出した。有機相を3回、水で洗浄した。次いで、酢酸エチル相を合わせ、蒸発乾燥した。粗収量0.78g、収率99、融点119°C。精製を酢酸エチルから再結晶により実施した。1H-NMR[CDCl3;TMSに対するppmδ;400MHz]:7.91d,J=7.9Hz,1H;7.86d,J=7.6Hz,1H;7.78d,J=8.0Hz,1H;7.71s,1H;7.44ddd,J1=1.3Hz,J2=6.9Hz,J3=7.8Hz,1H;7.38ddd,J1=1.5Hz,J2=7.3Hz,J3=8.3Hz,1H;7.28dd,J1=1.5Hz,J2=8.3Hz,1H;2.76t,J=7.6Hz,2H;1.69quint,J=7.6Hz,2H;1.33m,6H;0.89t,J=7.0Hz,3H。調製例42-エチル-[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェンI-4:2-エチル-BTBTa[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチエン-2-イルエタン-1-オン2-アセチル-BTBT4.0g16.6mmolのBTBTを、まず、300mlの乾燥塩化メチレンに導入した。6.0g45mmolの塩化アルミニウムを計量し、-30°Cでこの混合物に入れ、次いで、この混合物を-70°Cに冷却した。その後、3.3g42mmolのアセチルクロライドを20分間にわたって滴下した。その後、この混合物を-70°Cで5時間、撹拌した。次いで、25mlの水を滴下し、この反応を停止し、反応混合物を23°Cまで徐々に温めた。沈殿した固体を濾過した。さらなる分量の生成物を塩化メチレン相から単離し、生成物を少量の冷却した塩化メチレンおよび水/エタノールで洗浄した。収量3.66g、収率78。1H-NMR[CDCl3;TMSに対するppmδ;400MHz]:8.51d,J=1.4Hz,1H;8.03dd,J1=1.5Hz,J2=8.3Hz,1H;7.91m,2H;7.89d,J=8.3Hz,1H;7.46m,2H;2.69s,3H。b2-エチル-BTBT2.42g64mmolの水素化ホウ素ナトリウムを、36mlの乾燥テトラヒドロフラン中の1.82g6.4mmolの2-アセチル-BTBT調製例4aで調製の溶液に23°Cで添加した。その後、4.69g35.2mmolの塩化アルミニウムを0°Cで添加した。発熱反応が静まった後、この混合物を還流下で、さらに2.5時間、撹拌した。その後、30mlの水を、冷却しながら滴下した。その後、20mlの酢酸エチルを加え、さらに10mlの水を加え、相を分離した。有機相を2回、水で洗浄した。そうして、合計0.9gの非常に純粋な2-エチル-BTBTが沈殿し、融点138~139°C。さらに0.34gの僅かに純度の低い生成物を母溶液から単離した。全体の収率72。精製を酢酸エチルから再結晶により実施した。1H-NMR[CDCl3;TMSに対するppmδ;400MHz]:7.91d,J=8.0Hz,1H;7.86dd,J1=1.2Hz,J2=8.0Hz,1H;7.79d,J=8.0Hz,1H;7.74s,1H;7.45ddd,J1=1.4Hz,J2=7.4Hz,J3=7.8Hz,1H;7.38ddd,J1=1.1Hz,J2=6.9Hz,J3=8.3Hz,1H;7.30dd,J1=1.5Hz,J2=7.8Hz,1H;2.81q,J=7.6Hz,2H;1.33t,J=7.6Hz,3H。実施例12-12-ブロモドデシル-BTBTa[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチエン-2-イル-12-ブロモドデカン-1-オン2-12-ブロモドデカノイル-BTBT1.0g4.2mmolのBTBTを、まず、100mlの乾燥塩化メチレンに導入した。0.83g6.2mmolの塩化アルミニウムを計量し、-10°Cでこの混合物に入れ、次いで、この混合物を-70°Cに冷却した。その後、1.85g6.2mmolの12-ブロモドデカノイルクロライドを20分間にわたって滴下した。その後、この混合物を-70°Cで1.5時間、撹拌した。次いで、40mlの水を滴下し、この反応を停止し、反応混合物を23°Cまで徐々に温めた。水相を、各回30mlの塩化メチレンで2回抽出し、その後、合わせた有機相を50mlの水で洗浄した。溶媒を蒸発乾燥した後、得られた固体を大量のエタノールで洗浄し、さらなる精製なしで還元bに供した。融点123°C、収量1.91g、収率91。1H-NMR[CDCl3;TMSに対するppmδ;400MHz]:8.54d,J=1.0Hz,1H;8.05dd,J1=1.4Hz,J2=8.3Hz,1H;7.93m,3H;7.47m,2H;3.40t,J=7.0Hz,2H;3.06t,J=7.3Hz,2H;1.85quint,J=6.8Hz,2H;1.79quint,J=7.4Hz,2H;1.46~1.25m,14H。b[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチエン-2-イル-12-ブロモドデカン2-12-ブロモドデシル-BTBT2.58g68.2mmolの水素化ホウ素ナトリウムを、15mlの乾燥テトラヒドロフラン中の1.7g3.4mmolの2-12-ブロモドデカノイル-BTBT実施例1aで調製の溶液に23°Cで添加した。その後、0.99g7.4mmolの塩化アルミニウムを10°Cで添加した。発熱反応が静まった後、この混合物を還流下で3時間、撹拌した。その後、10mlの水を21°Cで滴下した。発泡しながら進む発熱反応が静まった後、さらに10mlの水および20mlの酢酸エチルを加えた。この混合物を23°Cで14時間、撹拌した。沈殿した生成物を濾過し、移動相としてトルエンを用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーまたは昇華により精製した。収量0.7g収率42、融点87°C。1H-NMR[CDCl3;TMSに対するppmδ;400MHz]:7.90d,J=7.8Hz,1H;7.86d,J=7.7Hz,1H;7.78d,J=8.2Hz,1H;7.71s,1H;7.44ddd,J1=1.2Hz,J2=6.9Hz,J3=7.8Hz,1H;7.38ddd,J1=1.2Hz,J2=7.2Hz,J3=7.8Hz,1H;7.27dd,J1=1.5Hz,J2=7.8Hz,1H;3.39t,J=6.8Hz,2H;2.75t,J=7.7Hz,2H;1.84quint,J=6.9Hz,2H;1.69quint,J=7.2Hz,2H;1.45~1.23m,16H。実施例22-11-ブロモウンデシル-BTBTa[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチエン-2-イル-11-ブロモウンデカン-1-オン2-11-ブロモウンデカノイル-BTBT1.7g7.1mmolのBTBTを、まず、125mlの乾燥塩化メチレンに導入した。1.41g10.6mmolの塩化アルミニウムを計量し、-10°Cでこの混合物に入れ、次いで、この混合物を-70°Cに冷却した。その後、3.0g10.6mmolの11-ブロモウンデカノイルクロライドを5分間にわたって滴下した。その後、この混合物を-70°Cで1時間、撹拌した。冷却を除去し、一晩放置した後、30mlの水を滴下し、反応を停止した。有機相を飽和塩化ナトリウムで洗浄し中性にした。溶媒を蒸発乾燥した後、得られた固体をエタノールで再結晶した。収量3.32g、収率95。1H-NMR[CDCl3;TMSに対するppmδ;400MHz]:8.55d,J=1.4Hz,1H;8.05dd,J1=1.4Hz,J2=8.3Hz,1H;7.93m,3H;7.47m,2H;3.40t,J=6.8Hz,2H;3.06t,J=7.3Hz,2H;1.85quint,J=7.0Hz,2H;1.80quint,J=7.4Hz,2H;1.47~1.628m,12H。b[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチエン-2-イル-11-ブロモウンデカン2-11-ブロモウンデシル-BTBT0.52g13.6mmolの水素化ホウ素ナトリウムを、12mlの乾燥テトラヒドロフラン中、1.65g3.4mmolの2-11-ブロモウンデカノイル-BTBT実施例2aで調製に23°Cで添加した。その後、0.99g7.4mmolの塩化アルミニウムを添加した。発熱反応が静まった後、この混合物を23°Cで2時間、撹拌した。その後、15mlの水を滴下した。発泡しながら進む発熱反応が静まった後、15mlの酢酸エチルを加えた。沈殿した粗生成物を、有機相の母溶液から得られた画分と共に再結晶した。収量0.69g収率43、融点78°C。1H-NMR[CDCl3;TMSに対するppmδ;400MHz]:7.90d,J=7.8Hz,1H;7.86d,J=7.8Hz,1H;7.78d,J=8.1Hz,1H;7.71d,J=1.0Hz,1H;7.44ddd,J1=1.0Hz,J2=7.3Hz,J3=7.9Hz,1H;7.37ddd,J1=1.3Hz,J2=7.4Hz,J3=7.8Hz,1H;7.28dd,J1=1.5Hz,J2=8.3Hz,1H;3.39t,J=6.9Hz,2H;2.76t,J=7.6Hz,2H;1.84quint,J=7.2Hz,2H;1.70quint,J=7.5Hz,2H;1.45~1.24m,14H。実施例3[12-[1]ベンゾチエノ[3,2-b]ベンゾチエン-2-イル-ドデシル]ホスホン酸ジエチル[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチエン-2-イル-12-ブロモドデカン0.585g、1.2mmolおよびリン酸トリエチルエステル10mlを160°Cで16時間、加熱した。次いで、揮発性成分を真空中で取り除いた。残渣をトルエンに溶解し、溶液を、シリカゲルを通したクロマトグラフィーにかけた。溶出を、まず、トルエンで実施し、次いで、生成物をトルエン:エタノール4:1の混合物で溶出した。収量0.44g収率67の淡黄色の固体。1H-NMR[CDCl3;TMSに対するppmδ;400MHz]:7.90d,J=7.89Hz,1H;7.86dd,J1=1.18Hz,J2=7.69Hz,1H;7.78d,J=8.05Hz,1H;7.71d,J=0.85Hz,1H;7.44m,1H;7.38m,1H;4.09m,4H;2.75t,J=7.57Hz,2H;1.71m,4H;1.58m,2H;1.31m,Hz。実施例4[12-[1]ベンゾチエノ[3,2-b]ベンゾチエン-2-イル-ドデシル]ホスホン酸[12-[1]ベンゾチエノ[3,2-b]ベンゾチエン-2-イル-ドデシル]ホスホン酸ジエチル0.218g、0.4mmolを20mlのトルエンに溶解した。トリメチルシリルブロマイド1.06ml、0.8mmolを5分間にわたって注射器を用いこの溶液に滴下し、この溶液を、まず、23°Cで1時間、次いで60°Cで1時間、そして80°Cで16時間、撹拌した。冷却後、10mlのメタノールを加え、この混合物を少しの間、沸騰させた。白い沈殿物を吸引濾過し、THFから再結晶した。収量50mg収率25.5の白い固体。MSEI:m/z=488100[M],4085[M-POOH2]。実施例52-ベンジル-[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェンa2-ベンゾイル-[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン2.0g8.3mmolのBTBTを、まず、150mlの乾燥塩化メチレンに導入した。3.0g22.5mmolの塩化アルミニウムを計量し、-20°Cでこの混合物に入れ、次いで、この混合物を-70°Cに冷却した。その後、2.95g21mmolのベンゾイルクロライドを5分間にわたって滴下した。その後、この混合物を-70°Cで5時間、撹拌した。次いで、25mlの水を滴下し、反応を停止し、反応混合物を23°Cまで徐々に温めた。沈殿した固体1.7gを濾過し、エタノール/水で洗浄した融点222°C。ほとんど同じ融点を有するさらなる0.4gの生成物を有機相から単離した。2つの画分をさらなる精製なしに実施例1bによる還元に供した。収量2.1g、収率73。1H-NMR[CDCl3;TMSに対するppmδ;400MHz]:8.40m,1H;7.95m,4H;7.85m,2H;7.63tt,J1=2.0Hz,J2=7.4Hz,1H;7.56~7.44m,4H。b2-ベンジル-[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン2.29g60.5mmolの水素化ホウ素ナトリウムを、30mlの乾燥テトラヒドロフラン中の2.10g6.1mmolの2-ベンゾイル-[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン実施例5aで調製の溶液に22°Cで添加した。その後、この混合物を0°Cに冷却し、4.45g33.4mmolの塩化アルミニウムを添加した。発熱反応が静まった後、この混合物を還流下で2時間、撹拌した。その後、30mlの水を22°Cで滴下した。発泡しながら進む発熱反応が静まった後、生成物のほぼ無色の結晶1.87g収率93を吸引濾過し、水/エタノールで洗浄した。これは、移動相としてトルエンを用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーまたは昇華により精製できる。1H-NMR[CDCl3;TMSに対するppmδ;400MHz]:7.90d,J=7.8Hz,1H;7.86dd,J1=1.5Hz,J2=7.8Hz,1H;7.79d,J=8.2Hz,1H;7.71d,J=1.0Hz,1H;7.45ddd,J1=1.5Hz,J2=7.3Hz,J3=7.8Hz,1H;7.40ddd,J1=1.5Hz,J2=7.3Hz,J3=7.8Hz,1H;7.31m,3H;7.24m,2H;4.14s,2H.実施例6OFET素子の作成aOFETのための基板と洗浄一方の面が磨かれ、熱成長させた酸化物層300nm厚を有するp-ドープされたシリコンウェハーSil-Chemを寸法25mm×25mmの基板にカットした。まず、基板を十分に洗浄した。付着したシリコン破片を、蒸留水を流しクリーンルームワイパーBemcotM-3、AsahiKaseiCorp.で擦ることにより取り除き、次いで、この基板を超音波漕中、15分間、60°Cで2強度の水/Mucasol水溶液を用い洗浄した。その後、基板を蒸留水ですすぎ、遠心分離機で遠心乾燥した。コーティングの直前に、磨かれた表面をUV/オゾン反応装置でPR-100、UVPInc.、英国、ケンブリッジ、10分間洗浄した。b誘電体層i.オクチルジメチルクロロシランODMS:誘電体中間層のため使用するオクチルジメチルクロロシランAldrich、246859を、内部底面をちょうど覆うようにペトリ皿に注ぎ込んだ。洗浄したSi基板を縁を下にして収容するマガジンを上に置いた。ひっくり返したガラスビーカーですべてを覆い、ペトリ皿を70°Cに加熱した。基板をオクチルジメチルクロロシランの濃縮された雰囲気下に15分間留めた。ii.ヘキサメチルジシラザンHMDS:誘電体中間層のために使用するヘキサメチルジシラザンAldrich、37921-2を、洗浄したSi基板が垂直に立っているマガジンを含むガラスビーカーに注ぎ込んだ。このシラザンは完全に基板を覆った。ガラスビーカーを覆い、ホットプレート上で70°Cに加熱した。基板を、このシラザン中に24時間留めた。次いで、基板を乾燥した窒素の流れの中で乾燥した。iii.ポリマー:使用するポリマーは、ポリスチレンAldrich、CAS番号9003-53-6、ParaloidB-72Dr.G.Kremer製のアクリレートエステルポリマー、品番67400およびCOC5013TopasAdvancedPolymersGmbH製のシクロオレフィンポリマー、品目Topas5013S-04、バッチ番号119412であった。適切なポリマーを5mg/mlの濃度でトルエン中に溶解した。約1mlのこのポリマー溶液を、上記の基板の上に広げた。次いで、スピンコーターKarlSuess、RC8により薄層を製造した。スピンコーティングの間の条件は、回転速度、2,000rpm、加速度、200rp分秒であり、蓋は開いていた。溶液を用いたスピンコーティングの後、基板をホットプレート上に置き、約130°Cで1分間乾燥した。c有機半導体溶液からの半導体層の付与のため、適した溶媒中で調製例1~4からの化合物の溶液を調製した。それらの溶液の濃度は0.3重量であった。誘電体中間層を設けた基板を、磨いた面を上にして、スピンコーターKarlSuess、Gyrset商標登録RC8のホルダーに置き、ヘアードライヤーで約70°Cに加熱した。約1mlのまだ熱い有機半導体溶液を表面に滴下し、有機半導体溶液を基板上に、加速度500rps2でGyrset商標登録を開けて、30秒間、1,200rpmでスピンコーティングした。この方法で製造した膜をホットプレートで、70°Cで3分間乾燥した。この層は均一で曇りを示さなかった。熱昇華による気相からの有機半導体層の付与のため、誘電体層を設けた基板を気相堆積ユニットUnivex350、Leyboldに移した。約25mgの本発明による化合物を熱エバポレーターMoBoat、Umicore0482054に入れた。10-3Paの圧力下、本発明による化合物が融解し、蒸発するまで、エバポレーターを流れる電流を増加させた。d電極の付与次いで、ソースおよびドレインのための電極をこの層の上に気相堆積した。2つの組み合わせ櫛の4つのくぼみを有する、電気めっきで製造したNi箔を含むシャドウマスクを気相堆積のために使用した。個々の櫛の歯は幅100μmおよび長さ4.7mmであった。コーティングした基板の表面上にマスクを置き、磁石で裏から固定した。この基板を、気相堆積ユニットUnivex350、Leybold中で金の気相堆積にかけた。この方法で製造した電極の構造は、幅100μmで分離し、14.85cmの長さを有していた。e静電容量測定この構成の静電容量を、有機半導体層なしで同様な方法で調製した基板を同じシャドウマスクの後ろで並行に気相堆積することにより求めた。p-ドープされたシリコンウェハーと気相堆積した電極との間の静電容量をマルチメーター、MetraHit18S、GossenMetrawattGmbHを用いて求めた。この構成、例えば、誘電体としたポリスチレンを用いて測定した静電容量はC=1.15nFであり、電極構造に基づいて単位面積あたりの静電容量はC=10.9nF/cm2となった。f電気的特性2つの電流-電圧源Keithley238を用いて、特徴曲線を測定した。1つの電圧源は電位をソースおよびドレインに印加し、それによって、流れる電流を求め、一方、第2の電圧源は電位をゲートおよびソースに印加する。ソースおよびドレインは印刷したAuピンで接触し、高ドープされたSiウェハーはゲート電極を形成し、これは、酸化物がないように擦過した裏面を介して接触した。特徴曲線をプロットし、例えば有機薄膜トランジスター:最新の進歩ついての概説Organicthin-filmtransistors:Areviewofrecentadvances、C.D.Dimitrakopoulos、D.J.Mascaro、IBMJ.Res.Dev.第45巻、第1号、2001年1月に記載される公知の方法により評価した。電気的特性図1は、このトランジスター構造に対する以下の関連のあるパラメーターを与えた。i.移動度ii.オン/オフ比IDUG=-60V/IDUG=0V注:オフ電流測定IDUG=0Vの感度は、不完全に遮蔽されたケーブルのために約1nAに制限される。iii.しきい電圧これらOFET図1の電気的特性の結果を表1にまとめる。説明実施例6a:調製例1からの化合物I-1である2-トリデシル-BTBTを有するOFET実施例6b:調製例2からの化合物I-2である2-ドデシル-BTBTを有するOFET実施例6c:調製例3からの化合物I-3である2-ヘキシル-BTBTを有するOFET実施例6d:調製例4からの化合物I-4である2-エチル-BTBTを有するOFET実施例6e~6k:調製例1からの化合物I-1である2-トリデシル-BTBTを有するOFETODMSはオクチルジメチルクロロシランあるHMDSはヘキサメチルジシラザンであるPSはポリスチレンである実施例7100nm厚の酸化シリコン層を有するシリコンウェハーを、まず、アセトンおよびイソプロパノールですすぎ、乾燥した。次いで、30nm厚のアルミニウム層を3~4Å/秒の気相堆積速度でゲート電極として酸化物表面上に堆積した。アルミニウム層を、2分の酸素プラズマ処理より表面を酸化し、その結果、約4nm厚のAlOx層が形成した。この方法で製造した基板を、[12-[1]ベンゾチエノ[3,2-b]ベンゾチエン-2-イル-ドデシル]ホスホン酸実施例4からの化合物のテトラヒドロフラン溶液0.3mmol/lに20時間、浸した。次いで、この基板をテトラヒドロフランですすぎ、乾燥した。次いで、ソース電極およびドレイン電極ための30nm金端子を、シャドウマスクを通してUnivex気相堆積ユニット中で気相堆積した気相堆積速度:最初の10nmについては0.1Å/秒、次いで0.2Å/秒。電極構造はW×L=150×8nmであった。トランジスター測定において、2桁のゲート電流に対するドレイン電流の比およびドレイン電流の変調および数ナノアンペア領域でのオン/オフ比を測定した。実施例8100nm厚の酸化シリコン層を有するシリコンウェハーを、まず、アセトンおよびイソプロパノールですすぎ、乾燥した。次いで、30nm厚のアルミニウム層を3~4Å/秒の気相堆積速度でゲート電極として酸化物表面上に堆積した。アルミニウム層を、2.5分の酸素プラズマ処理より表面を酸化し、その結果、約5nm厚のAlOx層が形成した。約30nm厚の2-トリデシル-[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン2-トリデシル-BTBT:調製例1からの化合物I-1層を基板へ気相堆積した。次いで、ソース電極およびドレイン電極ための30nm金端子を、シャドウマスクを通してUnivex気相堆積ユニット中で気相堆積した気相堆積速度、最初の10nmについては0.1Å/秒、次いで0.2Å/秒。電極構造はW×L=500×200μmであった。トランジスター測定は電荷移動度3.2cm2/Vsを与えた。図3および4を参照実施例9100nm厚の酸化シリコン層を有するシリコンウェハーを、まず、アセトンおよびイソプロパノールですすぎ、乾燥した。次いで、30nm厚のアルミニウム層を3~4Å/秒の気相堆積速度でゲート電極として酸化物表面上に堆積した。アルミニウム層を、2.5分の酸素プラズマ処理より表面を酸化し、その結果、約5nm厚のAlOx層が形成した。この方法で製造した基板を、テトラデカンホスホン酸C14PAのテトラヒドロフラン溶液0.3mmol/lに20時間、浸した。次いで、この基板をテトラヒドロフランですすぎ、乾燥した。約30nm厚の2-トリデシル-[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン2-トリデシル-BTBT:調製例1からの化合物I-1層をこの方法で処理した基板に気相堆積した。次いで、ソース電極およびドレイン電極ための30nm金端子を、シャドウマスクを通してUnivex気相堆積ユニット中で気相堆積した気相堆積速度:最初の10nmについては0.1Å/秒、次いで0.2Å/秒。電極構造はW×L=500×200μmであった。トランジスター測定は電荷移動度1.9cm2/Vsを与えた。図5および6を参照"