プラズマビームからマクロ粒子をフィルタリングするフィルタであって、前記プラズマビームが移送される屈曲ダクト、を備え、前記屈曲ダクトは、一端において流入平面上に配された長手軸を有する流入部分と接続され、反対側の他の一端において流出平面上に配された長手軸を有する流出部分と接続された、中間部分を有し、前記流入部分では、マクロ粒子を含む前記プラズマビームが、前記中間部分へ向かって、入射方向に進行可能であり、前記流出部分では、前記プラズマビームが、前記中間部分から、放射方向に進行可能であり、前記中間部分は、前記入射方向を、前記放射方向へと、90°より大きな角度で逸脱させることで、前記プラズマビームが前記中間部分を通過する時に、前記プラズマビームからマクロ粒子を除去するよう構成され、前記流入平面と前記流出平面とは、互いにオフセット角で配される、フィルタ。前記流入平面と前記流出平面との間の前記オフセット角は、20°より大きい、請求項1に記載のフィルタ。前記流入平面と前記流出平面との間の前記オフセット角は、20°と60°との間である、請求項2に記載のフィルタ。前記流入平面と前記流出平面との間の前記オフセット角は、30°と45°との間である、請求項3に記載のフィルタ。前記中間部分は、前記入射方向を、前記放射方向へと、90°より大きく、180°より小さな角度で逸脱させるように構成される、前記いずれかの請求項に記載のフィルタ。前記流入部分と前記流出部分とは同一平面内にある、前記いずれかの請求項に記載のフィルタ。前記流入部分は、一端において前記中間部分と接続され、アーク源から前記中間部分に向かって前記プラズマビームが通過する、上流部分を有する、前記いずれかの請求項に記載のフィルタ。前記上流部分は、前記アーク源からの前記プラズマビームの方向を、前記中間部分の前記入射方向へと、90°より小さな角度で逸脱させるように構成される、請求項7に記載のフィルタ。前記上流部分は、前記中間部分によりフィルタされたマクロ粒子の少なくとも一部が、前記アーク源に戻ることを防止するように構成される、請求項7又は請求項8に記載のフィルタ。前記中間部分は、第1延伸部を有し、前記入射方向に沿って、前記延伸部に向かってマクロ粒子を進行させる、前記いずれかの請求項に記載のフィルタ。前記第1延伸部の長手軸は、前記流入部分の長手軸と実質的に平行である、請求項10に記載のフィルタ。前記中間部分は、前記流出部分の長手軸と実質的に平行な長手軸を有する第2延伸部を更に有する、請求項10又は請求項11に記載のフィルタ。前記流出部分は、一端において前記中間部分と接続され、前記中間部分から基材に向かって前記プラズマビームが通過する、下流部分を更に有する、前記いずれかの請求項に記載のフィルタ。前記下流部分は、前記プラズマビームの方向を、前記放射方向から、前記基材に向かう方向へと、90°より小さな角度で逸脱させるように構成される、請求項13に記載のフィルタ。前記下流部分は、前記中間部分によってフィルタされなかった残留するマクロ粒子の少なくとも一部を更にフィルタし、それによりマクロ粒子が前記基材に向かって下流に通過するのを防止するよう構成される、請求項13又は請求項14に記載のフィルタ。基材を被覆するアーク蒸着装置であって、プラズマビームを発生するアーク源と、プラズマビームからマクロ粒子をフィルタリングするフィルタと、磁界源と、を備え、前記フィルタは、前記プラズマビームが移送される屈曲ダクトを有し、前記屈曲ダクトは、一端において流入平面上に配された長手軸を有する流入部分と接続され、反対側の他の一端において流出平面上に配された長手軸を有する流出部分と接続された、中間部分を有し、前記流入部分では、マクロ粒子を含む前記プラズマビームが、前記中間部分へ向かって、入射方向に進行可能であり、前記流出部分では、前記プラズマビームが、前記中間部分から、放射方向に進行可能であり、前記中間部分は、前記入射方向を、前記放射方向へと、90°より大きな角度で逸脱させることで、前記プラズマビームが前記中間部分を通過する時に、前記プラズマビームからマクロ粒子を除去するよう構成され、前記流入平面と前記流出平面とは、互いにオフセット角で配され、前記磁界源は、前記プラズマビームを、前記入射方向から前記放射方向へと導く磁界を供給する、アーク蒸着装置。前記流入平面と前記流出平面との間の前記オフセット角は、20°より大きい、請求項16に記載のアーク蒸着装置。前記中間部分は、前記入射方向を、前記放射方向へと、90°より大きく、180°より小さな角度で逸脱させるよう構成される、請求項16又は請求項17に記載のアーク蒸着装置。前記流入部分と前記流出部分とは同一平面内にある、請求項16から請求項18のいずれかに記載のアーク蒸着装置。前記流入部分は、一端において前記中間部分と接続され、アーク源から前記中間部分に向かって前記プラズマビームが通過する、上流部分を有する、請求項16から請求項19のいずれかに記載のアーク蒸着装置。前記上流部分は、前記アーク源からの前記プラズマビームの方向を、前記中間部分の前記入射方向へと、90°より小さな角度で逸脱させるように構成される、請求項20に記載のアーク蒸着装置。前記上流部分は、前記中間部分によりフィルタされたマクロ粒子の少なくとも一部が、前記アーク源に戻ることを防止するように構成される、請求項20又は請求項21に記載のアーク蒸着装置。前記中間部分は、第1延伸部を有し、前記入射方向に沿って、前記延伸部に向かってマクロ粒子を進行させる、請求項16から請求項22のいずれかに記載のアーク蒸着装置。前記第1延伸部の長手軸は、前記流入部分の長手軸と実質的に平行である、請求項23に記載のアーク蒸着装置。前記中間部分は、前記流出部分の長手軸と実質的に平行な長手軸を有する第2延伸部を更に有する、請求項16から請求項24のいずれかに記載のアーク蒸着装置。前記屈曲ダクトは、一端において前記流出部分と接続され、前記流出部分から基材に向かって前記プラズマビームが通過する、下流部分を更に有する、請求項16から請求項25のいずれかに記載のアーク蒸着装置。前記下流部分は、前記プラズマビームの方向を、前記放射方向から、前記基材に向かう方向へと、90°より小さな角度で逸脱させるように構成される、請求項26に記載のアーク蒸着装置。前記下流部分は、前記中間部分によってフィルタされなかった残留するマクロ粒子の少なくとも一部を更にフィルタし、それによりマクロ粒子が前記基材に向かって下流に通過するのを防止するよう構成される、請求項26又は請求項27に記載のアーク蒸着装置。前記上流部分、前記流入部分、前記中間部分、前記流出部分、および前記下流部分は、前記アーク源から前記基材へと前記プラズマビームが進行可能な、連続する経路を形成する、請求項26から請求項28のいずれかに記載のアーク蒸着装置。内部にマクロ粒子を含むプラズマビームを発生させるステップと、プラズマビームからマクロ粒子をフィルタリングするためのフィルタに、内部にマクロ粒子を含む前記プラズマビームを通すステップと、磁界を作用させるステップと、を備え、前記フィルタは、前記プラズマビームが移送される屈曲ダクトを有し、前記屈曲ダクトは、一端において流入平面上に配された長手軸を有する流入部分と接続され、反対側の他の一端において流出平面上に配された長手軸を有する流出部分と接続された、中間部分を有し、前記流入部分では、マクロ粒子を含む前記プラズマビームが、前記中間部分へ向かって、入射方向に進行可能であり、前記流出部分では、前記プラズマビームが、前記中間部分から、放射方向に進行可能であり、前記中間部分は、前記入射方向を、前記放射方向へと、90°より大きな角度で逸脱させることで、前記プラズマビームが前記中間部分を通過する時に、前記プラズマビームからマクロ粒子を除去するよう構成され、前記流入平面と前記流出平面とは、互いにオフセット角で配され、前記磁界を作用させるステップでは、前記流出部分のマクロ粒子の数が、前記流入部分のマクロ粒子の数よりも少なくなるよう、前記プラズマビームを前記入射方向から前記放射方向へと導くために、前記プラズマビームに磁界を作用させる、プラズマビームからマクロ粒子をフィルタリングする方法。0.2ミクロン以上の直径のマクロ粒子の数が、被覆1cm2あたり2個より少ない被覆の生成方法であって、内部にマクロ粒子を含むプラズマビームを発生させるステップと、プラズマビームからマクロ粒子をフィルタリングするためのフィルタに、内部にマクロ粒子を含む前記プラズマビームを通すステップと、磁界を作用させるステップと、基材を被覆するステップと、を備え、前記フィルタは、前記プラズマビームが移送される屈曲ダクトを有し、前記屈曲ダクトは、一端において流入平面上に配された長手軸を有する流入部分と接続され、反対側の他の一端において流出平面上に配された長手軸を有する流出部分と接続された、中間部分を有し、前記流入部分では、マクロ粒子を含む前記プラズマビームが、前記中間部分へ向かって、入射方向に進行可能であり、前記流出部分では、前記プラズマビームが、前記中間部分から、放射方向に進行可能であり、前記中間部分は、前記入射方向を、前記放射方向へと、90°より大きな角度で逸脱させることで、前記プラズマビームが前記中間部分を通過する時に、前記プラズマビームからマクロ粒子を除去するよう構成され、前記流入平面と前記流出平面とは、互いにオフセット角で配され、前記磁界を作用させるステップでは、前記流出部分のマクロ粒子の数が、前記流入部分のマクロ粒子の数よりも少なくなるよう、前記プラズマビームを前記入射方向から前記放射方向へと導くために、前記プラズマビームに磁界を作用させ、基材を被覆するステップでは、前記放射方向に進行する前記プラズマビームで基材を被覆し、0.2ミクロン以上の直径のマクロ粒子の数が、被覆1cm2あたり2個より少ない被覆を生成する、被覆の生成方法。請求項1から請求項15のいずれかのフィルタ、請求項16から請求項29のいずれかのアーク蒸着装置、又は、請求項30から請求項31の方法の、ハードディスクの部品を被覆するための使用。例示として、プラズマビームからマクロ粒子をフィルタリングするフィルタ、アーク蒸着装置、およびプラズマビームからマクロ粒子をフィルタリングする方法の、非制限的な実施形態が以下に開示される。プラズマビームからマクロ粒子をフィルタリングするフィルタが提供される。フィルタは、前記プラズマビームが移送される屈曲ダクトを備える。屈曲ダクトは、中間部分を有する。中間部分は、一端において、流入平面上に配された長手軸を有する流入部分と接続され、反対側の他の一端において、流出平面上に配された長手軸を有する流出部分と接続される。前記流入部分では、マクロ粒子を含む前記プラズマビームが、前記中間部分に向かって、入射方向に進行可能である。前記流出部分では、前記プラズマビームが、前記中間部分から、放射方向に進行可能である。前記中間部分は、入射方向を放射方向へと90°より大きな角度で逸脱させることで、前記プラズマビームが前記中間部分を通過する時に、前記プラズマビームからマクロ粒子を除去するよう構成される。前記流入平面と、前記流出平面とは、互いにオフセット角で配される。放射方向は、90°<X<180°、100°≦X≦170°、110°≦X≦160°、120°≦X≦150°、および130°≦X≦140°からなるグループから選択される1の角度Xだけ、入射方向から逸脱していてもよい。1の実施形態では、角度Xは、約135°である。他の1の実施形態では、角度Xは、149°、120°、および160°からなるグループから選択される。また他の1の実施形態では、角度Xは、約120°である。1の実施形態では、流入部分は、一端において前記中間部分と接続される上流部分を有する。上流部分では、アーク源から前記中間部分に向かって前記プラズマビームが通過する。上流部分は、アーク源からのプラズマビームの方向を、前記中間部分の入射方向へ、90°より小さな角度で逸脱させるよう構成されていてもよい。流入方向は、0°<Y<90°、10°≦Y≦80°、20°≦Y≦70°、30°≦Y≦60°、および40°≦Y≦50°からなるグループから選択される1の角度Yだけ、アーク源からのプラズマビームの方向から逸脱していてもよい。1の実施形態では、角度Yは、約45°である。流入部分が上流部分を有する実施形態では、上流部分を有する流入部分の流入平面と、流出平面との間のオフセット角Aは、オフセットしていてもよい。1の実施形態では、平面間のオフセット角Aは、20より大きい。他の1の実施形態では、オフセット角Aは、20°<A<90°、20°<A<80°、20°<A<70°、20°<A≦60°、30°≦A≦60°、30°≦A≦50°、および30°≦A≦45°からなるグループから選択される。1の実施形態では、角度Aは、約30°と約45°との間である。1の実施形態では、中間部分は、第1延伸部を有し、前記入射方向に沿って、延伸部に向かってマクロ粒子を進行させる。第1延伸部の長手軸は、前記流入部分の長手軸と、実質的に平行である。1の実施形態では、マクロ粒子は、流入部分から第1延伸部へと、直線経路を進行可能である。第1延伸部は、中間部分および流入部分にアクセスすることが望まれる時に、任意に開放可能な閉管部を有していてもよい。1の実施形態では、中間部分は、前記流出部分の長手軸と実質的に平行な長手軸を有する第2延伸部を更に有していてもよい。1の実施形態では、第2延伸部から流出部分へと直線経路が存在する。第2延伸部は、中間部分および流出部分にアクセスすることが望まれる時に、任意に開放可能な閉管部を有していてもよい。1の実施形態では、流入部分の長手軸、第1延伸部の長手軸、流出部分の長手軸、および第2延伸部の長手軸が単一の点で交わり、X形状の屈曲ダクトが得られる。流入部分、中間部分、および流出部分だけが存在する他の1の実施形態では、流入部分の長手軸と流出部分の長手軸とが一点で交わり、>形状の屈曲ダクトを形成する。流入部分、第1延伸部、中間部分、および流出部分だけが存在する他の1の実施形態では、流入部分の長手軸と、第1延伸部の長手軸と、流出部分の長手軸とが一点で交わり、Y形状の屈曲ダクトを形成する。X、>およびYの記号は、一般的な説明のためだけに提示したものであり、X、>およびYの記号で示される直線のなす角度を制限又は定義するものでは全くない。1の実施形態では、流出部分は、一端において中間部分と接続される下流部分を更に有する。下流部分では、前記中間部分から基材に向かって前記プラズマビームが通過する。下流部分は、プラズマビームの方向を、放射方向から、前記基材に向かう方向へと、90°より小さな角度Zで逸脱させるよう構成される。角度Zは、0°<Z<90°、10°≦Z≦80°、20°≦Z≦70°、30°≦Z≦60°、および40°≦Z≦50°からなるグループから選択されてもよい。1の実施形態では、角度Zは、約45°である。流出部分が下流部分を有する実施形態では、流入平面と、下流部分を有する流出部分の流出平面との間のオフセット角Bは、オフセットしていてもよい。1の実施形態では、平面間のオフセット角Bは20°より大きい。他の1の実施形態では、オフセット角Bは、20°<B<90°、20°<B<80°、20°<B<70°、20°<B≦60°、30°≦B≦60°、30°≦B≦50°、および30°≦B≦45°からなるグループから選択される。1の実施形態では、角度Bは、約30°と約45°との間である。流入部分が上流部分を有し、流出部分が下流部分を有する実施形態では、上流部分を有する流入部分の流入平面と、下流部分を有する流出部分の流出平面との間のオフセット角は、20°より大きい。他の1の実施形態では、流入平面と流出平面との間のオフセット角は、20°と60°との間であり、好ましくは30°と45°との間である。ここで記載される屈曲ダクトは、トロイダル状であってもよい。1の実施形態では、流入部分から流出部分まで、1つも見通し線が無くてもよい。1の実施形態では、アーク蒸着源から上流部分へとプラズマビームが進行する平面と、流入部分から流出部分へとプラズマビームが進行する平面とが、平行でない。他の1の実施形態では、流入部分から流出部分へと進行するプラズマビームと、下流部分から基材へと進行するプラズマビームとが、同一平面上にあってもよい。上流部分と、流入部分と、中間部分と、流出部分と、下流部分とは、実質的に同一の直径、又は、完全に異なる直径であってもよい。屈曲ダクトの、上流部分の直径、流入部分の直径、中間部分の直径、流出部分の直径、および下流部分の直径は、約50mm~約250mm、約60mm~約240mm、約70mm~約230mm、約80mm~約220mm、約90mm~約210mm、約100mm~約200mm、約120mm~約180mm、約140mm~約160mm、又は約140mm~約150mmの範囲の直径からなるグループから、独立して選択されてもよい。屈曲ダクトおよびその個々の部分は、磁界遮へい効果の低い、又は、磁界遮へい効果のない任意の材料から構成されてもよい。好ましくは、アーク蒸着中のプラズマビームの汚染を避けるために、屈曲ダクトおよびその個々の部分は、イオン化に実質的に不活性である材料から構成される。屈曲ダクトおよびその個々の部分は、アルミニウム、銅、その他の金属、又は、その合金のような、真空状態を維持することができる材料で構成されてもよい。1の実施形態では、屈曲ダクトおよびその個々の部分は、ステンレス鋼から構成される。屈曲ダクト内には、ライナが存在してもよい。1の実施形態では、ライナは、清掃時に取り外し可能で、ダクトの管壁に、長期間、蒸着物が堆積することを防止できる。ライナとプラズマビーム中の陽イオンとの間に反発力を与え、それにより屈曲ダクトを通過するプラズマの流量を増加させるように、ライナは、一般的には約10Vから約30Vの間で、正にバイアスされていてもよい。さらに、ライナは、プラズマビームからのマクロ粒子のフィルタリングを向上させるのに適していてもよい。1の実施形態では、ライナは、ダクトの内部に向かって突き出し、ターゲットに向かって後方へ折り曲げられているフランジ、を有する一連のリングから構成されている。ライナは、外縁周辺で1つおきに、例えば12時および6時と、3時および9時とで、リンクされた一連のリングから構成されてもよい。1の実施形態では、ライナは、柔軟性があり、ダクト内およびダクトのベンド周りに押し込むことに適するものであってもよい。また、基材を被覆するためのアーク蒸着装置が提供される。アーク蒸着装置は、プラズマビームを発生するアーク源と、上に定義したフィルタと、プラズマビームを、入射方向から放射方向へと誘くための磁界を供給する磁界源とを備える。開示のアーク蒸着装置では、処理能力を増加、あるいはアーク源のターゲットの利用を、約1~2倍にすることができる。ターゲットアーク源は、高価なクロミウム、又は、グラファイトである可能性があるため、これは有利である。その結果、比類のない、開示のベンドは、よりコスト効率がよい。プラズマビームは、ダクトの長さ方向に沿った曲線磁界によって誘導される。あるいは、プラズマビームは、交差する電磁界によって誘導されてもよい。また、屈曲ダクトには、プラズマビームに誘導磁界を供給するため、コイルが設けられてもよい。コイルは、水冷されてもよい。あるいは、永久磁石が使用されてもよい。負荷される磁界の強さは、約20~約100ガウス、約30~約90ガウス、約30~約80ガウス、約30~約70ガウス、約40~約60ガウス、約30~約60ガウス、あるいは約30~約50ガウスの範囲であってもよい。1の実施形態では、アーク源、フィルタ、および基材は、真空条件下にある。アーク蒸着装置は、アーク源、フィルタ、および基材を流体でシールする真空チャンバを更に備えていてもよい。アーク蒸着装置において真空状態を生成するために、真空手段が設けられてもよい。生成される真空圧は、10-6~10-5Torrのオーダであってもよい。アーク蒸着装置は、基材を保持するための基材保持部を更に備えていてもよい。アーク蒸着装置が陰極アーク蒸着装置である1の実施形態では、陰極を冷却するための手段があってもよい。他の1の実施形態では、アーク蒸着装置は、フィルタダクトに正のバイアスを加えるための手段を有していてもよい。アーク電源供給部は、アーク源に接続され、真空チャンバ内に配置された可動式のストライカを用いて得られる、アークのための電力とアークストライクスパークのための電力との両方を供給する。1の実施形態では、アーク電流は、20~約200アンペア、30~約150アンペア、40~約100アンペア、又は50~約80アンペアであり、電流の変化は、基材上のイオンの蒸着速度によって変化する。アーク電圧も材料に依存し、アーク電圧は、アーク源の設定によらず、極めて狭い範囲を外れて変化することはない。カーボンターゲットでは、アーク電圧は、通常約29Vである。1の実施形態では、アーク蒸着装置は、プラズマビーム中のマクロ粒子およびイオンがあらゆる無差別な方向に進行することを減らすために、アーク蒸着装置の真空チャンバの壁部、又は壁部近傍、および、陰極ターゲットとプラズマダクトの間に、バッフルを更に備える。1の実施形態では、バッフルは不導体であり、例えばセラミック製や、PTFE製である。バッフルは、非金属、例えばグラファイト製やセラミック製であってもよい。他の1の実施形態では、バッフルは、清掃のため取り外し可能である。このアーク蒸着装置は、アークにおいてガスイオン化を生じさせることが可能であってもよい。その結果、1の実施形態では、ガスの吸気口を有するガス導入手段が、真空チャンバ内に存在する。また、プラズマビームからマクロ粒子をフィルタリングする方法が提供される。フィルタリングする方法は、内部にマクロ粒子を含むプラズマビームを発生させるステップと、上で規定されたフィルタに、内部にマクロ粒子を含むプラズマビームを通すステップと、前記流出部分のマクロ粒子の数が、前記流入部分のマクロ粒子の数よりも少なくなるよう、プラズマビームを入射方向から放射方向へと導くために、プラズマビームに磁界を作用させるステップと、を含む。1の実施形態では、本願に記載された、フィルタ、アーク蒸着装置および方法を用いて、被覆1cm2あたりのマクロ粒子の数が約10個よりも少ない被覆、被覆1cm2あたりのマクロ粒子の数が約8個よりも少ない被覆、被覆1cm2あたりのマクロ粒子の数が約6個よりも少ない被覆、被覆1cm2あたりのマクロ粒子の数が約4個よりも少ない被覆、被覆1cm2あたりのマクロ粒子の数が約2個よりも少ない被覆、又は、被覆1cm2あたりのマクロ粒子の数が約1.8個よりも少ない被覆、を生成できる。マクロ粒子は、約0.2ミクロン以上、約0.5ミクロン以上、約0.8ミクロン以上、約1ミクロン以上、約2ミクロン以上、約3ミクロン以上、約4ミクロン以上、約5ミクロン以上、約6ミクロン以上、約7ミクロン以上、約8ミクロン以上、約9ミクロン以上、又は、約10ミクロン以上の大きさである。1の実施形態では、本願に記載されたフィルタ、アーク蒸着装置および方法を用いて、約0.2ミクロン以上の大きさのマクロ粒子について、被覆1cm2あたりのマクロ粒子の数が約1.8個よりも少ない被覆を生成できる。比較として、入射方向を放射方向に90°より大きな角度で逸脱させる中間部分を有しない、例えばWO96/26531に開示されるような、既知の、ダブルベント型フィルタを用いると、約0.2ミクロン以上の大きさのマクロ粒子について、被覆1cm2あたりのマクロ粒子の数量が約10倍多い被覆が生成される。