"光フィルタであって、少なくとも1つの基板と、第1の複数の交互の第1および第2の材料層、ならびに第2の複数の交互の第1および第2の材料層であって、前記第1および第2の複数の前記第1および第2の材料層の各々は、それぞれ異なる屈折率を有する、材料層と、を備え、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する電磁放射の第1の方向に対する第1の角度で第1の法線ベクトルを有する第1の表面を呈し、第1の波長で前記第1の角度の関数として可同調カットオンエッジを呈するように構成され、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する前記電磁放射の第2の方向に対する第2の角度で第2の法線ベクトルを有する第2の表面を呈し、第2の波長で前記第2の角度の関数として可同調カットオフエッジを呈するように構成され、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層は、全て前記第1の角度の関数として、前記第1の波長で第1の偏光分離を呈し、第1のS阻止帯域の波長で第1のS阻止帯域エッジを呈し、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、全て前記第2の角度の関数として、前記第2の波長で第2の偏光分離を呈し、第2のS阻止帯域の波長で第2のS阻止帯域エッジを呈し、約0度~約40度の値の任意の第1の角度の場合、前記第1の偏光分離は、前記第1の角度の関数として前記第1の波長の約1パーセントを超えず、約0度~約40度の値の任意の第2の角度の場合、前記第2の偏光分離は、前記第2の角度の関数として前記第2の波長の約1パーセントを超えず、前記第1の角度の前記値および前記第2の角度の前記値は、前記第2のS阻止帯域の波長がほぼ前記第1の波長以下になり、前記第1の波長が前記第2の波長未満になり、前記第2の波長未満がほぼ前記第1のS阻止帯域の波長以下になるような値である、光フィルタ。前記基板は、第1の基板表面と、第2の基板表面とを有し、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料は、前記第1の基板表面に被着され、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第2の基板表面に被着される、請求項1に記載の光フィルタ。前記少なくとも1つの基板を回転させるように構成されるガルボスキャナをさらに備える、請求項2に記載の光フィルタ。前記基板は、第1の基板表面と、第2の基板表面とを有し、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層が前記第1の基板表面に被着された前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層に被着される、第1の構成、ならびに前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層が前記第1の基板表面に被着された前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層に被着される、第2の構成のうちの1つから選択される構成に従って、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層ならびに前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層が前記基板に被着される、請求項1に記載の光フィルタ。前記少なくとも1つの基板を回転させるように構成されるガルボスキャナをさらに備える、請求項4に記載の光フィルタ。前記第2の基板表面に被着された反射防止コーティングをさらに備える、請求項4に記載の光フィルタ。広範囲遮断フィルタをさらに備える、請求項1に記載の光フィルタ。広範囲遮断フィルタをさらに備える、請求項4に記載の光フィルタ。第2の基板をさらに備え、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料は、前記少なくとも1つの基板に被着され、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第2の基板に被着される、請求項1に記載の光フィルタ。前記少なくとも1つの基板を回転させるように構成される第1のガルボスキャナと、前記第2の基板を回転させるように構成される第2のガルボスキャナと、をさらに備える、請求項9に記載の光フィルタ。前記少なくとも1つの基板は、前記第1の表面に平行な第1の軸の周囲を回転するように構成され、前記第2の基板は、前記第2の表面に平行な第2の軸の周囲を回転するように構成される、請求項9に記載の光フィルタ。前記少なくとも1つの基板の回転は、前記少なくとも1つの基板に入射する前記電磁放射に第1の横方向シフトを導入するように構成され、前記第2の基板の回転は、前記第2の基板に入射する前記電磁放射に第2の横方向シフトを導入するように構成される、請求項11に記載の光フィルタ。前記第1の横方向シフトおよび前記第2の横方向シフトは、ほぼ等しく、かつ反対方向である、請求項12に記載の光フィルタ。約40度~約60度の値の任意の第1の角度の場合、前記第1の偏光分離は、さらに、前記第1の角度の関数として前記第1の波長の約1を超えない、請求項1に記載の光フィルタ。約40度~約60度の値の任意の第2の角度の場合、前記第2の偏光分離は、さらに、前記第2の角度の関数として前記第2の波長の約1パーセントを超えない、請求項1に記載の光フィルタ。約40度~約60度の値の任意の第2の角度の場合、前記第2の偏光分離は、さらに、前記第2の角度の関数として前記第2の波長の約1パーセントを超えない、請求項14に記載の光フィルタ。光フィルタを作製する方法であって、第1の複数の交互の第1および第2の材料層を第1の基板表面に被着するステップと、第2の複数の交互の第1および第2の材料層を第2の基板表面に被着するステップと、を含み、前記第1および第2の複数の前記第1および第2の材料層の各々は、それぞれ異なる屈折率を有し、前記第1の基板表面に被着された前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する電磁放射の第1の方向に対する第1の角度で第1の法線ベクトルを有する第1の表面を呈し、第1の波長で前記第1の角度の関数として可同調カットオンエッジを呈するように構成され、前記第2の基板表面に被着された前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する前記電磁放射の第2の方向に対する第2の角度で第2の法線ベクトルを有する第2の表面を呈し、第2の波長で前記第2の角度の関数として可同調カットオフエッジを呈するように構成され、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第1の基板表面に被着された前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層は、全て前記第1の角度の関数として、前記第1の波長で第1の偏光分離を呈し、第1のS阻止帯域の波長で第1のS阻止帯域エッジを呈するように構成され、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第2の基板表面に被着された前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、全て前記第2の角度の関数として、前記第2の波長で第2の偏光分離を呈し、第2のS阻止帯域の波長で第2のS阻止帯域エッジを呈するように構成され、約0度~約40度の値の任意の第1の角度の場合、前記第1の偏光分離は、前記第1の角度の関数として前記第1の波長の約1パーセントを超えず、約0度~約40度の値の任意の第2の角度の場合、前記第2の偏光分離は、前記第2の角度の関数として前記第2の波長の約1パーセントを超えず、前記第1の角度の前記値および前記第2の角度の前記値は、前記第2のS阻止帯域の波長がほぼ前記第1の波長以下になり、前記第1の波長が前記第2の波長未満になり、前記第2の波長未満がほぼ前記第1のS阻止帯域の波長以下になるような値である、方法。第1の側面および第2の側面を有する少なくとも1つの基板を導入することをさらに含み、前記少なくとも1つの基板は、前記第1の側面上に前記第1の基板表面を呈し、前記第2の側面上に前記第2の基板表面を呈する、請求項17に記載の光フィルタを作製する方法。第1の側面および第2の側面を有する少なくとも1つの基板を導入することをさらに含み、前記少なくとも1つの基板は、前記第1の側面上に前記第1の基板表面を呈し、前記第1の基板表面が、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層であり、前記第2の基板表面が、前記第1の側面である、第1の構成、ならびに前記第1の基板表面が、前記第1の側面であり、前記第2の基板表面が、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層である、第2の構成のうちの1つから選択される構成に従って、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層が前記第1の基板表面に被着され、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層が前記第2の基板表面に被着される、請求項17に記載の光フィルタを作製する方法。前記第2の側面に反射防止コーティングを被着することをさらに含む、請求項19に記載の光フィルタを作製する方法。広範囲遮断フィルタを導入することをさらに含む、請求項17に記載の光フィルタを作製する方法。広範囲遮断フィルタを導入することをさらに含む、請求項19に記載の光フィルタを作製する方法。第1の側面を有する少なくとも1つの基板を導入することと、第2の側面を有する第2の基板を導入することと、をさらに含み、前記第1の基板表面は、前記第1の側面であり、前記第2の基板表面は、前記第2の側面である、請求項17に記載の光フィルタを作製する方法。前記少なくとも1つの基板は、前記第1の表面に平行な第1の軸の周囲を回転するように構成され、前記第2の基板は、前記第2の表面に平行な軸の周囲を回転するように構成される、請求項23に記載の光フィルタを作製する方法。前記少なくとも1つの基板の回転は、前記少なくとも1つの基板に入射する前記電磁放射に第1の横方向シフトを導入するように構成され、前記第2の基板の回転は、前記第2の基板に入射する前記電磁放射に第2の横方向シフトを導入するように構成される、請求項24に記載の光フィルタを作製する方法。前記第1の横方向シフトおよび前記第2の横方向シフトは、ほぼ等しく、かつ反対方向である、請求項25に記載の光フィルタを作製する方法。約40度~約60度の値の任意の第1の角度の場合、前記第1の偏光分離は、さらに、前記第1の角度の関数として前記第1の波長の約1を超えない、請求項17に記載の光フィルタを作製する方法。約40度~約60度の値の任意の第2の角度の場合、前記第2の偏光分離は、さらに、前記第2の角度の関数として前記第2の波長の約1パーセントを超えない、請求項17に記載の光フィルタを作製する方法。約40度~約60度の値の任意の第2の角度の場合、前記第2の偏光分離は、さらに、前記第2の角度の関数として前記第2の波長の約1パーセントを超えない、請求項27に記載の光フィルタを作製する方法。光フィルタであって、少なくとも1つの基板と、第1の複数の交互の第1および第2の材料層、ならびに第2の複数の交互の第1および第2の材料層であって、前記第1および第2の複数の前記第1および第2の材料層の各々は、それぞれ異なる屈折率を有る、材料層と、を備え、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する電磁放射の第1の方向に対する第1の角度で第1の法線ベクトルを有する第1の表面を呈し、第1の波長で前記第1の角度の関数として可同調カットオンエッジを呈するように構成され、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する前記電磁放射の第2の方向に対する第2の角度で第2の法線ベクトルを有する第2の表面を呈し、第2の波長で前記第2の角度の関数として可同調カットオフエッジを呈するように構成され、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層は、全て前記第1の角度の関数として、前記第1の波長で第1の偏光分離を呈し、第1のS阻止帯域の波長で第1のS阻止帯域エッジを呈し、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層に入射する前記電磁放射の場合、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、全て前記第2の角度の関数として、前記第2の波長で第2の偏光分離を呈し、第2のS阻止帯域の波長で第2のS阻止帯域エッジを呈し、前記第1の角度の前記第1の値および前記第2の角度の前記第1の値は、前記第2のS阻止帯域の波長がほぼ前記第1の波長以下になり、前記第1の波長が前記第2の波長未満になり、前記第2の波長未満がほぼ前記第1のS阻止帯域の波長以下になるような値であり、前記第1の角度の前記第1の値によって決定される前記第1の波長と、前記第2の角度の前記第1の値によって決定される前記第2の波長との分離は、前記第1の通過帯域領域の電磁放射が少なくとも約80透過され、前記第1の角度の前記第1の値によって決定される前記第1の波長と、前記第2の角度の前記第1の値によって決定される前記第2の波長との差が、第1の通過帯域幅であるような第1の通過帯域領域であり、前記第1の角度の第2の値および前記第2の角度の第2の値は、前記第2のS阻止帯域の波長がほぼ前記第1の波長以下になり、前記第1の波長が前記第2の波長未満になり、前記第2の波長未満がほぼ前記第1のS阻止帯域の波長以下になるような値であり、前記第1の角度の前記第2の値によって決定される前記第1の波長と、前記第2の角度の前記第2の値によって決定される前記第2の波長との分離は、前記第2の通過帯域領域の電磁放射が少なくとも約80透過され、前記第1の角度の前記第2の値によって決定される前記第1の波長と、前記第2の角度の前記第2の値によって決定される前記第2の波長との差が、第2の通過帯域幅であるような第2の通過帯域領域であり、前記第1の角度の前記第1の値と前記第1の角度の前記第2の値との間の値の任意の第1の角度の場合、前記第1の偏光分離は、前記第1の角度の関数として前記第1の波長の約1パーセントを超えず、前記第2の角度の前記第1の値と前記第2の角度の前記第2の値との間の値の任意の第2の角度の場合、前記第2の偏光分離は、前記第2の角度の関数として前記第2の波長の約1パーセントを超えず、前記第1の角度の前記第2の値によって決定される前記第1の波長は、前記第1の角度の前記第1の値によって決定される前記第1の波長の少なくとも約6パーセント以内であり、前記第2の角度の前記第2の値によって決定される前記第2の波長は、前記第2の角度の前記第1の値によって決定される前記第2の波長の少なくとも約6パーセント以内である、光フィルタ。前記第1の通過帯域幅は、前記第2の通過帯域幅とほぼ等しい、請求項30に記載の光フィルタ。前記基板は、第1の基板表面および第2の基板表面、を有し、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料は、前記第1の基板表面に被着され、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第2の基板表面に被着される、請求項30に記載の光フィルタ。前記基板は、第1の基板表面および第2の基板表面を有し、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層が前記第1の基板表面に被着された前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層に被着される、第1の構成、ならびに前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層が前記第1の基板表面に被着された前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層に被着される、第2の構成のうちの1つから選択される構成に従って、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層ならびに前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層が前記基板に被着される、請求項30に記載の光フィルタ。前記第2の基板表面に被着された反射防止コーティングをさらに備える、請求項33に記載の光フィルタ。広範囲遮断フィルタをさらに備える、請求項30に記載の光フィルタ。広範囲遮断フィルタをさらに備える、請求項33に記載の光フィルタ。第2の基板をさらに備え、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料は、前記少なくとも1つの基板に被着され、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第2の基板に被着される、請求項30に記載の光フィルタ。前記少なくとも1つの基板は、前記第1の表面に平行な第1の軸の周囲を回転するように構成され、前記第2の基板は、前記第2の表面に平行な軸の周囲を回転するように構成される、請求項37に記載の光フィルタ。前記少なくとも1つの基板の回転は、前記少なくとも1つの基板に入射する前記電磁放射に第1の横方向シフトを導入するように構成され、前記第2の基板の回転は、前記第2の基板に入射する前記電磁放射に第2の横方向シフトを導入するように構成される、請求項38に記載の光フィルタ。前記第1の横方向シフトおよび前記第2の横方向シフトは、ほぼ等しく、かつ反対方向である、請求項39に記載の光フィルタ。前記第1の角度の前記第2の値によって決定される前記第1の波長は、前記第1の角度の前記第1の値によって決定される前記第1の波長の少なくとも約12パーセント以内であり、前記第2の角度の前記第2の値によって決定される前記第2の波長は、前記第2の角度の前記第1の値によって決定される前記第2の波長の少なくとも約12パーセント以内である、請求項30に記載の光フィルタ。空気の屈折率よりも高い屈折率を有する入射媒体をさらに備え、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料ならびに前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記入射媒体に埋め込まれる、請求項30に記載の光フィルタ。前記入射媒体は、第1の埋め込み材料と、第2の埋め込み材料と、屈折率整合油とを含み、前記第1の埋め込み材料は、第1の入射面と、第2の入射面と、前記屈折率整合油を収容する実質的に円筒状の空洞とともに構成され、前記第2の埋め込み材料は、実質的に円筒状であり、前記第1の埋め込み材料の前記屈折率整合油を収容する前記実質的に円筒状の空洞内に回転可能に配置されるように構成され、前記第1の埋め込み材料と、前記第2の埋め込み材料と、前記屈折率整合油とは全て、実質的に等しい屈折率を呈し、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層ならびに前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第2の埋め込み材料に埋め込まれるように構成される、請求項42に記載の光フィルタ。前記第1の入射面と前記第2の入射面とは、実質的に平行であり、前記電磁放射の第1の方向に対する第3の角度で第3の法線ベクトルを呈するように構成され、前記第3の角度は実質的にゼロである、請求項43に記載の光フィルタ。前記第1の入射面に被着された第1の反射防止コーティングと、前記第2の入射面に被着された第2の反射防止コーティングと、をさらに備える、請求項44に記載の光フィルタ。前記第1の埋め込み材料および前記第2の埋め込み材料は、ガラスを含む、請求項45に記載の光フィルタ。前記第2の埋め込み材料を回転させるように構成される少なくとも1つのガルボスキャナをさらに備える、請求項46に記載の光フィルタ。前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層ならびに前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第2の埋め込み材料の直径を実質的に横断して被着されるように構成される、請求項46に記載の光フィルタ。前記入射媒体は、第1の埋め込み材料と、第2の埋め込み材料と、第3の埋め込み材料と、屈折率整合油とを含み、前記第1の埋め込み材料は、第1の入射面と、第2の入射面と、前記屈折率整合油を収容する第1の実質的に円筒状の空洞と、前記屈折率整合油を収容する第2の実質的に円筒状の空洞とともに構成され、前記第2の埋め込み材料は、実質的に円筒状であり、前記第1の埋め込み材料の前記屈折率整合油を収容する前記第1の実質的に円筒状の空洞内に回転可能に配置されるように構成され、前記第3の埋め込み材料は、実質的に円筒状であり、前記第1の埋め込み材料の前記屈折率整合油を収容する前記第2の実質的に円筒状の空洞内に回転可能に配置されるように構成され、前記第1の埋め込み材料と、前記第2の埋め込み材料と、前記第3の埋め込み材料と、前記屈折率整合油とは全て、実質的に等しい屈折率を呈し、前記複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第2の埋め込み材料に埋め込まれるように構成され、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第3の埋め込み材料に埋め込まれるように構成される、請求項42に記載の光フィルタ。空気の屈折率よりも高い屈折率を有する入射媒体をさらに備え、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料ならびに前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記入射媒体に埋め込まれる、請求項38に記載の光フィルタ。前記入射媒体は、第1の埋め込み材料と、第2の埋め込み材料と、第3の埋め込み材料と、屈折率整合油とを含み、前記第1の埋め込み材料は、第1の入射面と、第2の入射面と、前記屈折率整合油を収容する第1の実質的に円筒状の空洞と、前記屈折率整合油を収容する第2の実質的に円筒状の空洞とともに構成され、前記第2の埋め込み材料は、実質的に円筒状であり、前記第1の埋め込み材料の前記屈折率整合油を収容する前記第1の実質的に円筒状の空洞内に回転可能に配置されるように構成され、前記第3の埋め込み材料は、実質的に円筒状であり、前記第1の埋め込み材料の前記屈折率整合油を収容する前記第2の実質的に円筒状の空洞内に回転可能に配置されるように構成され、前記第1の埋め込み材料と、前記第2の埋め込み材料と、前記第3の埋め込み材料と、前記屈折率整合油とは全て、実質的に等しい屈折率を呈し、前記第1の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第2の埋め込み材料に埋め込まれるように構成され、前記第2の複数の交互の第1および第2の材料層は、前記第3の埋め込み材料に埋め込まれるように構成される、請求項50に記載の光フィルタ。請求項30に記載の第1の光フィルタと、請求項30に記載の第2の光フィルタと、を備え、前記第1の光フィルタの前記第1の角度の前記第2の値によって決定される前記第1の波長が、前記第2の光フィルタの前記第2の角度の前記第1の値によって決定される前記第2の波長とほぼ同じになるように、前記第1の光フィルタの前記第2の通過帯域幅は、前記第2の光フィルタの前記第1の通過帯域幅と重複するように構成される、光学システム。請求項32に記載の第1の光フィルタと、請求項32に記載の第2の光フィルタと、を備え、前記第1の光フィルタの前記第1の角度の前記第2の値によって決定される前記第1の波長が、前記第2の光フィルタの前記第2の角度の前記第1の値によって決定される前記第2の波長とほぼ同じになるように、前記第1の光フィルタの前記第2の通過帯域幅は、前記第2の光フィルタの前記第1の通過帯域幅と重複するように構成される、光学システム。次に、本発明の実施形態を詳細に参照し、その例を添付の図面に示す。可能である場合、同一のまたは類似する部分を言及するために図面を通して同じ参照番号が使用される。本開示による実施形態は、本質的に偏光分離を伴わない高い入射角で動作し、両方の光の偏光でほぼ等しいエッジ急峻度を示すエッジフィルタロングパスまたはカットオン型フィルタおよびショートパスまたはカットオフ型フィルタの両方を含む。本開示による実施形態はまた、両方の偏光で高いエッジ急峻度の値を有し、法線角度0度から実質的に90度までの全ての入射角度で実質的に偏光分離を示さないエッジフィルタも含む。したがって、これらの実施形態によるエッジフィルタを通過する光の偏光状態にかかわらず、開示される実施形態によって示される特性をほとんど変更せずに、この全範囲の入射角にわたって、開示される実施形態によるエッジフィルタまたは開示される実施形態によるエッジフィルタの組み合わせを角度同調させることが可能である。よって、本開示による実施形態は、法線入射でフィルタのエッジ波長または中心波長の12を超える実質的に一定であるフィルタ特性を有する実施形態等の、広い波長の範囲にわたって動作する可同調薄膜フィルタを含む。本開示による実施形態はまた、屈折率の高い層および低い層のために異なる材料の選択肢を伴う、より広い範囲にわたって可同調である可同調薄膜フィルタも含む一実施形態に従って、図5は、単一ガラス基板の対向する面に適用された可同調カットオンおよびカットオフフィルタコーティングからなる可同調バンドパスフィルタ、ならびに広い波長域にわたって実質的な帯域外遮断を提供するために法線入射で使用される広範囲遮断光フィルタを示す。図5は、第1の表面上に可同調カットオンフィルタコーティング501、そして第2の表面上に可同調カットオフフィルタコーティング502を有するガラス基板503を含むバンドパスフィルタ500を含む。一実施形態によると、参照によりその内容が本明細書に組み込まれる米国特許出願第11/896,589号LowCostFilterforFluorescenceSystemsに記載されるように、コーティング501、502の両方を基板503の単一表面上の単一コーティングに組み合わせるか、第2の表面を非被覆状態のままにするか、または反射防止ARコーティングで被覆することができる。図5に示される配置もまた、法線入射で広範囲遮断フィルタ510上に衝突する光線/光ビーム690のための、バンドパスフィルタ500とともに使用することのできる広範囲遮断フィルタ510を示す。一実施形態によると、広範囲遮断フィルタ510は、バンドパスフィルタ500によって到達可能な波長の全範囲にわたって高透過率であり、バンドパスフィルタ500の通過帯域から遠く離れており、バンドパスフィルタ500によって明らかには遮断されない波長で著しく遮断減衰する、コーティングまたはコーティングの組み合わせを含むことができる。一実施形態によると、広範囲遮断フィルタ510は、ガラス基板513上に広範囲遮断カットオンフィルタコーティング511と、広範囲遮断カットオフフィルタコーティング512とを含んでもよい。加えて、かつ一実施形態によると、広範囲遮断フィルタ510は必要とされないが、バンドパスフィルタ500を補完するために使用されてもよい。例えば、広範囲の遮断は、さもなければ弱い望ましい信号を圧倒し得る励起光または周囲光を検出器で排除するための多くの用途例えば、光ダイオードおよびCCD/CMOSカメラを含むSiに基づく検出器ではUVから約1100nm等、システムにおいて使用される検出器の感度の全範囲にわたって光を遮断するにおいて有益であり得る。しかしながら、P偏光された光は、高いAOIで大幅に減少された反射力を示す傾向があるため、高い角度でP偏光された光を遮断するためには法線入射よりもかなり多くの層が必要である。したがって、全ての偏光のために広い波長域にわたって少なくともある程度の広範囲の遮断を図5に示されるバンドパスフィルタ500に組み込むことが可能であるが、バンドパスフィルタ500のみを用いてこの遮断を行うことは、法線入射で使用される広範囲遮断カットオンフィルタコーティング511および広範囲遮断カットオフフィルタコーティング512等の補助的なフィルタを用いた場合よりもはるかに効率が悪い本明細書において、効率とは、正味コーティング厚さ当たりの遮断量を指して使用される。一実施形態に従って、図5はまた、バンドパスフィルタ500の配向を回転させること585によってフィルタ波長が同調されると、バンドパスフィルタ500から出るビーム690が横方向にすなわち、光軸に対して垂直方向に平行移動されることも示している。横方向の平行移動の量は、同調角度および基板503の厚さに依存する。非撮像システムの場合、この平行移動は、システムの設計誤差に組み込むことができる。一実施形態によると、ビームの横方向の平行移動を排除するための方法が存在する。図6は、バンドパスフィルタ500を回転させると広範囲遮断フィルタ510が逆回転する575一実施形態に従ったアセンブリを示す。一実施形態によると、この実装は、可同調カットオンエッジフィルタコーティング501、可同調カットオフエッジフィルタコーティング502を含む可同調バンドパスフィルタ500を含む。広範囲遮断フィルタ510は、広範囲遮断カットオンエッジフィルタコーティング511および広範囲遮断カットオフエッジフィルタコーティング512を含む。ここでも同様に、図6によって示される配置は、ビーム690の横方向の平行移動を排除するが、広範囲遮断フィルタ510は、高いAOI値で高度な遮断を達成するためにかなり多くの層を必要とするため、これは固定角広範囲遮断フィルタの使用ほど効率的ではない。一実施形態による代替の配置は、図7に示されるように逆回転する2つのフィルタを構成することであり、図中、フィルタ700は、可同調カットオンエッジフィルタコーティング701を含み、フィルタ705は、可同調カットオフエッジフィルタコーティング706を含む。フィルタ700および705の回転角度は、それらが等しく、かつ反対であり、したがって、ビーム790の横方向の平行移動を排除し例示目的のみであるが、平行移動を決定するフィルタ700およびフィルタ705の特性は他の点において同一である、結果として得られる性能が、効率的に固定通過帯域幅を有する可同調バンドパスフィルタの性能であるように相関していてもよい。しかしながら、図7に示されるように、一実施形態によると、カットオフエッジフィルタ706およびカットオンエッジフィルタ701に関連する波長を独立して同調することができ、したがって、独立して可同調帯域幅を有する可同調バンドパスフィルタを可能にするように、フィルタ700およびフィルタ705は、独立して回転するように構成されてもよい。よって、一実施形態によると、フィルタ700およびフィルタ705は、第2の表面が被覆されていない状態であってもよいか、または反射防止ARコーティング702もしくは広範囲遮断コーティング図示せずで被覆されてもよい。さらに、一実施形態によると、カットオンエッジフィルタコーティング511およびカットオフエッジフィルタコーティング512を有する広範囲遮断フィルタ510は、効率的なコーティング厚さの全体的な使用を提供するように、フィルタ700およびフィルタ705との組み合わせにおいて使用されてもよい。一実施形態によると、図8は、図5~7に記載される実施形態の各々に関連する可同調フィルタの比較的大きな代表的AOIでの例示的な代表的スペクトルを示す。実線801は、可同調カットオンエッジフィルタコーティング501または701のスペクトルを表し、破線802は、比較的高いAOIでの可同調カットオフエッジフィルタコーティング502または706のスペクトルを表す。点線803は、広範囲遮断カットオンエッジフィルタコーティング511のスペクトルを表し、一点長鎖線804は、広範囲遮断カットオフエッジフィルタコーティング512の固定AOIでのスペクトルを表す。波長811および809は、比較的高いAOIでのカットオンエッジフィルタコーティング501または702の阻止帯域806のエッジに関連する。範囲805波長809および810によって挟まれるは、AOI0度エッジ810と、実線801で図示されるスペクトルエッジ809に関連する比較的高いAOIとの間の通過帯域807を分ける阻止帯域のカットオンエッジに関連する可同調範囲を表す。波長812は、カットオフエッジフィルタコーティング502または706の阻止帯域の通過帯域に最も近いエッジに関連する。波長813は、広範囲遮断カットオフエッジフィルタコーティング512の阻止帯域の通過帯域に最も近いエッジに関連する。波長814は、広範囲遮断カットオンエッジフィルタコーティング511の阻止帯域の通過帯域に最も近いエッジに関連する。通過帯域808は、固定広範囲遮断フィルタ510に関連する。固定広範囲遮断型補助フィルタ図5および7と一致して示されるを含む一実施形態による比較的広い遮断フィルタを得るために、各可同調エッジフィルタの有効同調範囲は、フィルタの実際の同調範囲すなわち、範囲805等、フィルタのスペクトルの明らかな歪みなしで最大角度範囲にわたってどれくらい遠くにエッジが移動するかおよび阻止帯域幅のうちの最も小さいものである。例示目的のみであるが、我々は、阻止帯域幅阻止帯域806の幅等が実際の同調範囲範囲805等よりも小さい状況について検討する。図8のスペクトルは、必ずしもそのような関係を反映するわけではないことに留意されたい。しかしながら、それは、阻止帯域および可同調通過帯域の代表的なエンドポイントのみに依存する以下の考察を損うものではない。そのような例示的なシナリオでは、可同調エッジフィルタが、その最も長い波長にすなわち法線入射で同調される場合、広範囲遮断カットオンエッジ814は、可同調カットオンエッジフィルタの阻止帯域の最も小さい波長すなわち、エッジ811に対応する波長に配置することができる。さらに、図8は、法線入射で可同調カットオンエッジフィルタコーティングの完全なスペクトルを示さないことに留意されたい。しかしながら、我々は、検討の目的のために、可同調カットオンエッジフィルタのエッジ811に関連する波長が、法線入射で波長814とほぼ同じ波長にシフトすると仮定することができる。そのような広範囲遮断カットオンエッジの設置は、阻止帯域幅が同調範囲よりも小さいという仮定に基づくと、カットオンエッジすなわち波長814が、エッジすなわち波長809の実際の同調範囲によって達成可能な最も短い波長よりも長いため、同調範囲を制限する。同じ論法に基づいて、各可同調エッジフィルタの通過帯域幅は、カットオンおよびカットオフ同調可能エッジフィルタの合わせたスペクトルから得られる帯域通過特性によって達成可能な最大帯域幅に上限を効率的に設定する。反対に、また、可同調カットオンエッジフィルタおよび可同調カットオフエッジフィルタの各々のそれぞれの阻止帯域幅が、それぞれの可同調カットオンエッジフィルタおよび可同調カットオフエッジフィルタの実際の同調範囲よりも大きいと仮定すると、一実施形態に従って、広範囲遮断フィルタ510の固定通過帯域が、カットオンフィルタの有効同調範囲の最も短い波長すなわち波長λS、または波長809からカットオフフィルタの有効同調範囲の最も長い波長すなわち波長λL、または法線入射810でエッジ813に対応する波長までを網羅するように選択される場合、図7に示される実施形態には、ゼロと、λS-λLの差、可同調カットオンエッジフィルタコーティング701の通過帯域幅、および可同調カットオフエッジフィルタコーティング706の通過帯域幅のうちの最も小さいものとの間のいずれかの任意の通過帯域の帯域幅が選択されてもよい。さらに、いずれの中心波長が、2つのバンドパスフィルタのエッジが範囲内[λS,λL]であるという制約を受けるように選択されてもよい。さらに、一実施形態によると、組み合わされたフィルタが任意の中心波長で任意の小さな例えばおよそ0nm幅の通過帯域の帯域幅を達成できるためには、カットオフエッジフィルタコーティング706の有効同調範囲の最も短い波長が、カットオンエッジフィルタコーティング701の有効同調範囲の最も短い波長以下でなければならない。さらに、図8に示されるように、カットオフエッジフィルタコーティング706の有効同調範囲の最も短い波長は、カットオンエッジフィルタコーティング701の有効同調範囲の最も短い波長よりも長く、したがって、全体的により広いバンドパスフィルタの同調範囲を達成するように構成することが可能であるが、同調範囲の下端および上端でバンドパスフィルタの最も小さい達成可能な帯域幅により低い制限を設けることになる。一実施形態によると、本明細書で考察されるエッジフィルタは、参照により本明細書に組み込まれる米国特許出願第12/129,534号Interferencefilterfornon-zeroincidencespectroscopy、AOI約45度で使用するためのエッジフィルタを開示するおよび参照により本明細書に組み込まれる第12/238,228号Opticalthin-filmnotchfilterwithverywidepassbandregions、比較的広い通過帯域を有するノッチフィルタを開示するに記載されるような通過帯域欠陥に関連するスペクトルエッジを利用する。一実施形態に従って、図9は、本開示による例示的な可同調カットオンフィルタの法線入射AOI=0度で算出したスペクトルを示す。約600nm~約750nmの領域は、フィルタ構造を形成する約1/4波長厚の高屈折率および低屈折率の交互の薄膜層のスタックに関連する阻止帯域901である。この例では、可同調カットオンエッジ902は、約540nmで生じる。カットオフ阻止帯域エッジ903は約600nmで生じ、この波長未満は通過帯域領域である。典型的なカットオフショートパスフィルタの場合、約600nm未満の通過帯域領域においてリップルを排除するために、約1/4波長厚の層の正確な層の厚さが最適化される。しかしながら、通過帯域内の限定された範囲にわたってリップルを排除するのではなく、むしろ増強するように注意深く最適化が行われてもよく、したがって、通過帯域欠陥904と称される透過率の非常に低い領域が生じる。図9に示されるように、欠陥は、約470~約540nmの広範囲にわたって生じる。通過帯域欠陥の長波長側では、約540nmで傾斜の大きなカットオンエッジが形成される。本開示によるフィルタアセンブリの同調特性は、より高い値のAOIでスペクトルを算出した場合に明白となる。一実施形態に従って、図10は、図9に関連するフィルタのAOI=60で算出したスペクトルを示す。一実施形態によるフィルタアセンブリを用いると、欠陥の少なくとも片側に傾斜の大きなエッジが存在するように、1/4波長スタック構造に関連する通過帯域内に通過帯域欠陥1001を形成すること、および通過帯域欠陥を深い遮断によってかなり広くすることの両方が可能である。また、一実施形態によると、両方の偏光状態SおよびPに関連する通過帯域欠陥のカットオンエッジ1002が互いに整合するように構造を最適化するように、十分に多数の薄膜層が、システムの設計における十分な自由度を許容する。そのような約475nmでの2つのカットオンエッジの整合は、図10において明白である。約475nmにおけるカットオンエッジに関連する偏光分離の欠如を、約500nm~約550nmの主な阻止帯域のカットオフエッジすなわち、エッジ1004および1005で明白な分離約30nmまたはエッジ波長の約6であると比較することは有益である。対照的に、可同調通過帯域欠陥のエッジ1002に関連する分離は、1nm未満またはエッジ波長の約0.2である。一実施形態によると、S偏光およびP偏光された光に関連する通過帯域欠陥のエッジ1002の整合を達成することは、通過帯域欠陥に自然に備わった特徴ではなく、薄膜層構造は、この結果を達成するように最適化されなければならない。図10に示されるように、阻止帯域S1006は、約520nm~約680nmに存在し、阻止帯域P1007は、約540nm~約630nmに存在する。一実施形態によると、図9で算出したスペクトルから、第2の側面が被覆されていない一枚のガラスの片側にコーティングが施され、約4の反射率による損失がもたらされることが推定されるしたがって通過帯域領域の平均透過率は96。図9および10に示される例示的なスペクトルは、可同調カットオンエッジフィルタに対応する実施形態によるアセンブリの一部に関連する。可同調カットオフショートパスエッジフィルタを形成するために、通過帯域の長波長側に通過帯域が作製され、通過帯域欠陥の短波長側に傾斜の大きなカットオフエッジが形成される。したがって、可同調カットオフフィルタは、この欠陥の短波長端であり、この可同調フィルタに関連する通過帯域は、阻止帯域カットオンエッジ同調されると著しい偏光分離を示すと可同調カットオフエッジとの間の領域である。一実施形態に従って、図11および12は、可同調カットオンフィルタとカットオフフィルタの組み合わせが、どのように可同調バンドパスフィルタを形成するかを示している。上記のように、これらの2つのフィルタは、1つの基板上の単一コーティングに組み合わせられてもよいか、またはそれらは単一基板の対向する側面に被覆されてもよいか、またはそれらは、バンドパスフィルタエッジの独立した同調を達成するように、2つの独立して回転可能な基板に被覆されてもよい。一実施形態に従って、図11は、例示的な可同調カットオンエッジフィルタ1101およびカットオフエッジフィルタ1102の法線入射で算出したスペクトルを示しており、計算は、各フィルタが別個の基板に被覆され、その裏面は被覆されていない状態の実施形態によるものであるしたがって、4の反射損失を示す。AOI=0度で得られるバンドパスフィルタの通過帯域図11に示されるようなは、約540nm~約570nmである。一実施形態に従って、図12は、本開示によるフィルタが各々45°のAOIに同調された場合に得られる算出したスペクトルを示す。中心波長が約555nmから約512nmにシフトし、この時、通過帯域1201は約497nm~約527nmである。図12に示されるように、エッジ急峻度および通過帯域の帯域幅のどちらも、法線入射での値と比較して本質的に変化しないままであった。一実施形態に従って、図13は、例示的な可同調カットオンおよびカットオフフィルタが単一基板の対抗する側面に被覆された場合に得られるバンドパスフィルタについて、約0~約60度の範囲の4つの異なるAOIで両方の光の偏光について算出したスペクトルを示す。曲線1300は、AOI60度でのスペクトルを示し、曲線1310は、AOI45度でのスペクトルを示し、曲線1320は、AOI30度でのスペクトルを示し、曲線1330は、AOI0度でのスペクトルを示す。一実施形態に従って、コーティングの各々と関連する薄膜層構造屈折率値および厚さを表1に示す。スペクトルは、同調範囲全体にわたる偏光にかかわらず高い透過率および急峻なエッジを維持する一方で、法線入射で約555nm~約490nmまたは中心波長の約12に同調する能力を示している。以下の表1は、一実施形態による可同調バンドパスフィルタの例示的な設計を含む。例示的なフィルタは、2つのコーティングを備え、単一基板の対向する側面、または2つの異なる基板に被覆されてもよい。図13および表1に示されるスペクトルに関連するフィルタは、イオン助成によるイオンビームスパッタリングおよび光学的モニタリングを使用して製造したプロセスの詳細な記述については、参照により本明細書に組み込まれる米国特許第7,068,430号明細書を参照。一実施形態に従って、一連のAOIおよび両方の直交偏光状態で測定された、得られたフィルタの透過スペクトルを図14に示す。曲線1400は、AOI60度で測定されたスペクトルを示し、曲線1410は、AOI50度で測定されたスペクトルを示し、曲線1420は、AOI40度で測定されたスペクトルを示し、曲線1430は、AOI30度で測定されたスペクトルを示し、曲線1440は、AOI15度で測定されたスペクトルを示し、曲線1450は、AOI0度で測定されたスペクトルを示している。一実施形態によると、スペクトルは、分解能を0.1nmに設定したPerkinElmerLambda950商業用分光光度計を使用して測定した。使用した構成では、フィルタにおける光ビームは完全にはコリメートされておらず、円錐半角CHAは約2.5度である。この角度の範囲は、AOIが増加するにつれて明らかに減少するエッジ急峻度を説明するものである。コリメート光の実際のエッジ急峻度は比較的一定のままであるが、5度の範囲の角度を網羅するプローブ光を用いてフィルタを測定した場合、分光光度計上に設定された広い波長の分解能でフィルタを測定したかのような明らかにあまり急峻ではないエッジをもたらすように生じる平均化効果が存在する。この効果を示すために、一実施形態に従って、図15は、CHA2.5度のプローブ光を想定して、このフィルタ設計について算出したスペクトルを示す。曲線1500は、AOI60度で算出したスペクトルを示し、曲線1510は、AOI50度で算出したスペクトルを示し、曲線1520は、AOI40度で算出したスペクトルを示し、曲線1530は、AOI30度で算出したスペクトルを示し、曲線1540は、AOI15度で算出したスペクトルを示し、曲線1550は、AOI0度で算出したスペクトルを示している全てCHA2.5度のプローブ光を想定。図14および15に示されるように、測定されたスペクトルにおいて明白なエッジ急峻度の感度および不完全なコリメート光について算出したスペクトルは、一実施形態による角度同調薄膜フィルタについて考慮されるべきトレードオフを強調している。角度の所与の変化に対してフィルタの同調範囲を最大化するために、またはフィルタを同調することができる速度を最大化するために、角度の所与の変化に対する波長の変化を可能な限り大きくすること同調方程式1のneffを可能な限り小さくすることに等しいが好ましい。慣性が、所与の時間内に所与の量だけフィルタを回転させることができる速度を制限するため、速度が向上する。ガルバノメータスキャナすなわち、ガルボスキャナは、より小さい角度範囲にわたってより迅速に動作できることが知られているが、この角度に対する波長の感度増加には代償が伴う。角度の所与の変化に対する波長の変化の感度が高いほど、ある範囲の角度からなる実際の光ビームを使用した場合に鋭いスペクトル特徴を維持することが困難である。レーザに基づくシステムは、典型的に、光が例外的に良好にコリメートされる典型的には数ミリラジアン未満領域をシステム内に有する。しかしながら、多くの撮像システムの高度にコリメートされたほとんどの領域において、光線角度の範囲は1~2度以上であることが多い。有効屈折率neffによって特徴付けられる角度に対する波長の感度は、任意に調節することはできない。本開示によるフィルタの設計構造を変更することによって、neffをごく僅かに修正することができるのみである。これらのスペーサ層内に光度が局在化することから、スペーサ層材料の選択高屈折率または低屈折率材料であるかどうかがその値に著しい影響を与え得るため、多空洞ファブリペロー型フィルタのneffを修正するためにより多くの柔軟性が存在する。本開示によるフィルタのneffを明らかに変化させるために、異なるコーティング材料を選択することができる。しかしながら、屈折率差が低いと、急峻なエッジおよび広範囲の遮断を達成するために多大な数の層を必要とする結果になるため、屈折率差平均値に対する高屈折率値と低い屈折率値の差の比率をあまり減少させないように注意が払われてもよい。2つの異なる屈折率の媒体間の境界面で光の屈折を左右するスネルの法則のために、実際の薄膜コーティング層内の光のAOIは、フィルタに対する空気中のAOIよりも小さい。例えば、一実施形態によると、θ=60度の空気中のAOIで上記可同調フィルタに光が入射すると、有効屈折率が約neff=1.84であるため、層内の角度は約θeff=sin-1sinθ/neffであるか、またはこの場合θeff=28度である。しかしながら、一実施形態によると、入射媒体が空気以外の材料ガラス等である場合、層内の角度がより大きくなり、より高い波長同調感度をもたらす。例えば、可同調フィルタがガラス等の空気以外の材料に埋め込まれ、ガラスが約n=1.5の屈折率を有する実施形態埋め込み型形状によると、層内の角度は約θeff=sin-1nsinθ/neffであるか、またはガラス内の入射角がθ=60度である場合はθeff=49度である。一般に、入射媒体が入射角nを有する場合、同調依存性は以下に変化する。換言すると、これは、あたかも有効屈折率neffがneffからneff/nに変化したかのようである。よって、例示的なフィルタの場合、新しい有効屈折率は約1.84/1.5=1.23である。したがって、一実施形態によると、埋め込み型形状では波長同調範囲の増加もあり得る。例えば、埋め込み型形状のためにAOIを0度から60度に同調させることができる場合、方程式11は、波長が開始波長の約29に同調するであろうことを示唆している。上記例示的フィルタでは、同調は、555nmから555nm×0.71=394nmになるであろう。フィルタを0度から70度に同調させることができる場合、波長は開始波長の約35に同調するであろう。そのため、法線入射で650nmの中心波長になるように設計されたフィルタは、420nm未満に同調させることができる。そのようなフィルタは、波長のほぼ全可視域を網羅するであろう。しかしながら、通常、コーティング層内の角度が大きくなり、バンドパスフィルタを得ることを困難にする他の物理的作用が生じるため、そのような大きな角度範囲にわたってフィルタを同調させることは不可能である。よって、ガラス内に埋め込まれたフィルタコーティングの場合、AOIの所与の変化のために波長により大きな変化が生じる。この感度増加の利点は、所与の波長同調範囲の埋め込み型の場合、ガラス板上の空気中のコーティングの場合ほどフィルタコーティング領域が大きくなくてもよいことである。また、薄膜コーティングのコストは、コーティング領域にほぼ比例する傾向にあるため、埋め込み型アプローチには潜在的なコスト優位性が存在する。一実施形態に従って、図16は、入射光1690が、空気の代わりにガラスを通って進むことができるようにするための可能なアプローチを示す。図16に示されるように、中空ガラスシリンダ1601その端部から見た状態で示されるは、入射孔および射出孔として研磨された平坦な面1602を有する。ガラスシリンダ1604を2等分する平面に適用されたバンドパスフィルタコーティング複数可1605を有し、中空ガラスシリンダ1601の穴よりもやや小さい直径を有するガラスシリンダ1604は、その軸の周囲を自由に回転するように1685作製することができる。この回転は、間隙1606に非常に薄い層の屈折率整合油を適用することによって達成することができる。例えば、間隙1606は、約1mmまたはそれよりも小さい幅を示してもよい。さらに、一実施形態によると、平面1602のうちの一方または両方が、ARコーティングで被覆されてもよい。一実施形態に従って、図17は、ガラスシリンダ1714およびガラスシリンダ1724に適用されたフィルタ1715およびフィルタ1725をそれぞれ示しており、両方のシリンダ1714および1724は、長方形ガラスブロック1701内の2つの中空の円筒状領域の内部にある。例えば、フィルタ1715およびフィルタ1725は、個別のカットオンおよびカットオフエッジフィルタであってもよい。小さな間隙1706が、ガラスシリンダ1714、ガラスシリンダ1724、長方形ガラスブロック1701の各々の間に位置してもよい。また、一実施形態によると、2つより多くのフィルタがこの様式で連結されてもよい。一実施形態によると、一方または両方の平面1702が、ARコーティングで被覆されてもよい。一実施形態に従って、図18は、フィルタフロック1801内の可同調フィルタ1815および可同調フィルタ1825を示す。例えば、可同調フィルタ1815および1825は、バンドパスフィルタであってもよい。可同調フィルタ1815および可同調フィルタ1825は、それぞれガラスシリンダ1814およびガラスシリンダ1834に適用することができ、その両方が、長方形ガラスブロック1801内の中空の円筒状領域内に配置されてもよい。ここでも同様に、小さな間隙1706が、ガラスシリンダ1814、ガラスシリンダ1834、長方形ガラスブロック1801の各々の間に位置してもよい。一実施形態によると、一方または両方の平面1802が、ARコーティングで被覆されてもよい。コーティング層が薄いため、回転させたフィルタ層の平面がシステムの光軸に平行になり、よってシステムを通る光1890の透過率に与える影響が最小限となるように、多くのシステムにおいて、可同調フィルタ1815および可同調フィルタ1825のうちの1つの角度を回転させることが可能である。この場合、光軸と実質的に平行ではない角度に回転させたフィルタのみが、バンドパスフィルタとして動作するであろう。このように、任意の所与の時間に、一方のみまたは他方のバンドパスフィルタを使用することを選択することができ、それによって、各々が全同調範囲の一部を網羅する2つ以上のフィルタを用いて非常に広い同調範囲を網羅することが可能になる。一実施形態による可同調フィルタは、任意に広い同調範囲を有さないため、いくつかの用途のための実際の使用法は、2つ以上のフィルタを使用して有効同調範囲を拡張するための方法を必要とするかもしれない。例えば図18に示されるような、そのような拡張を達成するための1つの方式は上に記載されている。一実施形態によると、別の方式は、一連の2つ以上のフィルタまたはフィルタの組み合わせに光を再度方向付けることである。一実施形態によると、図19に一例が示され、回転可能な平面鏡1940および回転可能な平面鏡1950例えば、ガルボスキャナによって直接駆動されるは、第1の対の固定平面鏡1941および1951、または第2の対の固定平面鏡1942および1952によって画定される2つ以上の光路のうちの1つを選択するために使用することができる。一実施形態によると、鏡は、回転可能な平面鏡1940と回転可能な平面鏡1950の間の光路が全ての経路で等しくなるように配置することができる。第1の光路は、可同調カットオンフィルタ1916、可同調カットオフフィルタ1917、広範囲遮断カットオンフィルタ1921、および広範囲遮断カットオフフィルタ1922を通過する。第2の光路は、可同調カットオンフィルタ1906、可同調カットオフフィルタ1907、広範囲遮断カットオンフィルタ1911、および広範囲遮断カットオフフィルタ1912を通過する。本開示によると、本明細書に記載される可同調フィルタのための実施形態のうちのいずれもが、光路のうちのいずれに挿入されてもよい。例えば、図5に示される実施形態の代わりに、各経路は、図7および17に示されるような2つの独立して可同調エッジフィルタの組み合わせを含んでもよく、よって、バンドパスフィルタの中心波長およびその経路に関連する同調範囲内の帯域幅の任意の調節を可能にする。本開示によるシステムおよび方法は、蛍光顕微鏡検査法および他の蛍光撮像法ならびに定量化用途、ハイパースペクトル撮像法、ハイスループット分光法、そして通信を含む分野において幅広く使用される可能性を有する。例えば、本開示によるシステムおよび方法は、画像情報を運ぶ光のビームがフィルタを通過する撮像システムにおいて使用されてもよいか、またはそれは検出のために単純にサンプルから最大量の光を収集する非撮像システムであってもよい。本開示によるシステムおよび方法は、連続的な一連の波長データポイントを取得するために波長の迅速な同調を必要としてもよいか、またはシステム性能の最適な調整のために波長同調性を利用してもよい。蛍光顕微鏡検査法および他の蛍光測定法において、本開示によるシステム、方法、およびフィルタは、励起光および放射光のスペクトルを制御するために有用であり得る。本開示によるシステム、方法、およびフィルタは、実験または所与の実験内の条件を変更する間に、所望の計測柔軟性およびさらにはリアルタイムでの最適化を提供することができる。ハイパースペクトル撮像法は、地球資源のモニタリングのための遠隔センシングから、医療用画像診断、農業分析、法医学、製造等に至る範囲の用途において使用される。この技法は、各々が異なる波長であるため、各ボリュームピクセルまたはボクセルが2つの空間次元および波長に関連する強度値を含むデータの画像キューブをもたらす一連の2次元画像の取得を指す。一般に、ハイパースペクトル撮像法は、プッシュブルーム画像取得技法とともに実装され、格子分光計に取り付けられた2次元CCDアレイが、CCDの1つの軸に沿った1次元空間情報および別の軸に沿ったスペクトル情報を含む個別フレームを取得する。次いで、システムは、各連続的なフレームが新しい空間情報の列を取得するが、時間がずらされるように、他の空間軸例えば、飛行機が地球の上を飛ぶときに自然に生じるに沿って走査される。本開示によるシステム、方法、およびフィルタは、2次元画像ビームを送信するように使用することができ、それによって、各フレームが2次元の空間情報典型的には、より多くのピクセルを必要とするより高い分解能から恩恵を受けるを取得し、分解能のより低いスペクトル測定値の時間がずらされる、より望ましいことが多い取得モードを有効にする。本開示によるシステム、方法、およびフィルタはまた、特に、スループットがスペクトル分解能よりも重要である場合に、単純な小型化スペクトル測定システムを提供することもできる。また、本開示によるシステム、方法、およびフィルタはまた、試験および測定の両方の目的のための光ファイバ通信システムにおける要素であってもよく、それは、波長アジリティwavelengthagilityをもたらすことによって、それらが実装されたシステムにおける波長弁別構成要素の複雑さを大幅に単純化できるためである。当業者には、本明細書および本明細書に開示される本発明の実践から、他の実施形態が明らかであろう。本明細書および実施例は、例示に過ぎないと見なされることが意図され、本発明の真の範囲および主旨は、以下の特許請求の範囲によって示される。"