"電源から供給される電流を所定の電流値にして流す定電流源と、2端子素子であって、その2端子素子間は可電流性であり、電流量に依存して2端子間の電位差を発生させる素子で構成される赤外線センサーと、前記赤外線センサーと同一の構造を持つダミーセンサーと、赤外線センサー用カレントミラー対を構成する第1トランジスタ及び第2トランジスタと、電源と前記第2トランジスタの間に直列接続される赤外線センサー用抵抗と、ダミーセンサー用カレントミラー対を構成する第3トランジスタ及び第4トランジスタと、電源と前記第4トランジスタの間に直列接続されるダミーセンサー用抵抗と、を備え、前記定電流源は前記赤外線センサーと前記ダミーセンサーに電流を供給し、前記赤外線センサー用カレントミラー対の前記第1トランジスタは前記赤外線センサーと接地電位間に配置され、前記第2トランジスタは前記第1トランジスタに流れる電流に比例した電流を流し、前記ダミーセンサー用カレントミラー対の前記第3トランジスタは前記ダミーセンサーと接地電位間に配置され、前記第4トランジスタは前記第3トランジスタに流れる電流に比例した電流を流し、前記第2トランジスタと前記赤外線センサー用抵抗の間の端子を赤外線センサー出力端子とし、前記第4トランジスタと前記ダミーセンサー用抵抗の間の端子をダミーセンサー出力端子とした半導体集積回路。前記赤外線センサー及び前記ダミーセンサーは飽和結線されたMOSトランジスタで構成されている請求項1に記載の半導体集積回路。前記赤外線センサー及び前記ダミーセンサーはPN接合をもつダイオードで構成されている請求項1に記載の半導体集積回路。前記定電流源は、電源と設置電位の間に直列接続された第5トランジスタ及び定電流源用抵抗と、前記第5トランジスタと前記定電流源用抵抗の間の電圧と基準電圧が等しくなるように前記第5トランジスタの駆動を制御する第1増幅器を備え、前記赤外線センサー用抵抗と前記ダミーセンサー用抵抗は、互いに同じ抵抗値をもち、かつ前記定電流源用抵抗と同じ温度係数をもっている請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体集積回路。前記定電流源はデプレッション型MOSトランジスタからなる第6トランジスタを備え、前記赤外線センサー用抵抗に替えて第7トランジスタが配置され、前記ダミーセンサー用抵抗に替えて第8トランジスタが配置されており、前記第7トランジスタ及び前記第8トランジスタは同一構造で形成され、前記第7トランジスタのゲート及び前記第8トランジスタのゲートに同一の電圧が印加され、[第6トランジスタの利得係数/2第7トランジスタの利得係数]12=1となるように第6トランジスタ、第7トランジスタ及び第8トランジスタのサイズが設定されている請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体集積回路。前記赤外線センサー出力端子の電圧及び前記ダミーセンサー出力端子の電圧を増幅するための第2増幅器と、前記第2増幅器からの出力が予め設定された電圧範囲を超えたときに検出信号を出力する比較器と、をさらに備えた請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体集積回路装置。上述のように、従来技術では、赤外線センサーの直流出力電圧が周囲温度に依存して大きく変動してしまい、後段の増幅器の入力可能電圧を広く取る必要に迫られ、その増幅器の構成を複雑にせざるを得なかった。本発明は、赤外線を受光又は放出することで発生する熱によって特性が変化するデバイスからなる赤外線センサーを備えた半導体集積回路において、赤外線センサーの直流電圧出力成分が周囲温度に依存しない構成を提供することを目的とする。本発明にかかる半導体集積回路は、電源から供給される電流を所定の電流値にして流す定電流源と、2端子素子であって、その2端子素子間は可電流性であり、電流量に依存して2端子間の電位差を発生させる素子で構成される赤外線センサーと、上記赤外線センサーと同一の構造を持つダミーセンサーと、赤外線センサー用カレントミラー対を構成する第1トランジスタ及び第2トランジスタと、電源と上記第2トランジスタの間に直列接続される赤外線センサー用抵抗と、ダミーセンサー用カレントミラー対を構成する第3トランジスタ及び第4トランジスタと、電源と上記第4トランジスタの間に直列接続されるダミーセンサー用抵抗と、を備えている。上記定電流源は上記赤外線センサーと上記ダミーセンサーに電流を供給する。上記赤外線センサー用カレントミラー対の上記第1トランジスタは上記赤外線センサーと接地電位間に配置され、上記第2トランジスタは上記第1トランジスタに流れる電流に比例した電流を流す。上記ダミーセンサー用カレントミラー対の上記第3トランジスタは上記ダミーセンサーと接地電位間に配置され、上記第4トランジスタは上記第3トランジスタに流れる電流に比例した電流を流す。上記第2トランジスタと上記赤外線センサー用抵抗の間の端子が赤外線センサー出力端子を構成し、上記第4トランジスタと上記ダミーセンサー用抵抗の間の端子がダミーセンサー出力端子を構成する。ここで、定電流源に電流を供給する電源、第2トランジスタに電流を供給する電源、及び第4トランジスタに電流を供給する電源は、同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。本発明の半導体集積回路において、上記赤外線センサー及び上記ダミーセンサーは飽和結線されたMOSトランジスタで構成されている例を挙げることができる。上記赤外線センサー及び上記ダミーセンサーはPN接合をもつダイオードで構成されていてもよい。本発明の半導体集積回路において、上記定電流源は、電源と設置電位の間に直列接続された第5トランジスタ及び定電流源用抵抗と、上記第5トランジスタと上記定電流源用抵抗の間の電圧と基準電圧が等しくなるように上記第5トランジスタの駆動を制御する増幅器を備えているようにしてもよい。この態様において、上記赤外線センサー用抵抗と上記ダミーセンサー用抵抗は、互いに同じ抵抗値をもち、かつ上記定電流源用抵抗と同じ温度係数をもっている。また、本発明の半導体集積回路において、上記定電流源はデプレッション型MOSトランジスタからなる第6トランジスタを備え、上記赤外線センサー用抵抗に替えて第7トランジスタが配置され、上記ダミーセンサー用抵抗に替えて第8トランジスタが配置されているようにしてもよい。この態様において、上記第7トランジスタ及び上記第8トランジスタは同一構造で形成され、上記第7トランジスタのゲート及び上記第8トランジスタのゲートに同一の電圧が印加され、[第6トランジスタの利得係数/2第7トランジスタの利得係数]12=1となるように第6トランジスタ、第7トランジスタ及び第8トランジスタのサイズが設定されている。また、本発明の半導体集積回路において、上記赤外線センサー出力端子の電圧及び上記ダミーセンサー出力端子の電圧を増幅するための第2増幅器と、上記第2増幅器からの出力が予め設定された電圧範囲を超えたときに検出信号を出力する比較器と、をさらに備えているようにしてもよい。本発明の半導体集積回路は、定電流源と、同一構造の赤外線センサー及びダミーセンサーと、赤外線センサー用カレントミラー対を構成する第1トランジスタ及び第2トランジスタと、電源と第2トランジスタの間に直列接続される赤外線センサー用抵抗と、ダミーセンサー用カレントミラー対を構成する第3トランジスタ及び第4トランジスタと、電源と第4トランジスタの間に直列接続されるダミーセンサー用抵抗と、を備え、第2トランジスタと赤外線センサー用抵抗の間の端子が赤外線センサー出力端子を構成し、上記第4トランジスタと上記ダミーセンサー用抵抗の間の端子がダミーセンサー出力端子を構成するようにしたので、周囲温度変化によって直流電圧が変動しない電圧を赤外線センサーの出力として扱うことができ、後段に続く増幅器の入力可能電圧を大きくとる必要がなく、その増幅器の構成を単純にできる。本発明の半導体集積回路において、定電流源は、電源と設置電位の間に直列接続された第5トランジスタ及び定電流源用抵抗と、第5トランジスタと定電流源用抵抗の間の電圧と基準電圧が等しくなるように第5トランジスタの駆動を制御する増幅器を備え、赤外線センサー用抵抗とダミーセンサー用抵抗は、互いに同じ抵抗値をもち、かつ定電流源用抵抗と同じ温度係数をもっているようにすれば、赤外線センサー出力端子の電圧とダミーセンサー出力端子の電圧を周囲温度変化に起因して変動しないようにすることができる。また、本発明の半導体集積回路において、定電流源はデプレッション型MOSトランジスタからなる第6トランジスタを備え、赤外線センサー用抵抗に替えて第7トランジスタが配置され、ダミーセンサー用抵抗に替えて第8トランジスタが配置されているようにしてもよい。この態様において、第7トランジスタ及び第8トランジスタは同一構造で形成され、第7トランジスタのゲート及び第8トランジスタのゲートに同一の電圧が印加され、[第6トランジスタの利得係数/2第7トランジスタの利得係数]12=1となるように第6トランジスタ、第7トランジスタ及び第8トランジスタのサイズが設定されているようにすれば、赤外線センサー出力端子の電圧とダミーセンサー出力端子の電圧を周囲温度変化に起因して変動しないようにすることができる。また、本発明の半導体集積回路において、赤外線センサー出力端子の電圧及びダミーセンサー出力端子の電圧を増幅するための第2増幅器と、第2増幅器からの出力が予め設定された電圧範囲を超えたときに検出信号を出力する比較器と、をさらに備えているようにすれば、生体検知センサー等の熱源検知センサーに適用できる。実施例1図6は、一実施例を説明するための回路図である。この実施例は、第1増幅器A61、NチャネルトランジスタM61第5トランジスタ、抵抗値R0をもつ定電流源用抵抗R61、及びカレントミラー対を構成するPチャネルトランジスタM62,M63によって構成される定電流源I61と、Nチャネルトランジスタからなる赤外線センサーS61と、赤外線を受光しないが赤外線センサーS61と同じ構成をもつNチャネルトランジスタからなるダミーセンサーS62と、赤外線センサー用カレントミラー対を構成するNチャネルトランジスタM64,M65と、ダミーセンサー用カレントミラー対を構成するNチャネルトランジスタM66,M67と、赤外線センサー用抵抗R62と、ダミーセンサー用抵抗R63と、赤外線センサーS61の信号を増幅するための第2増幅器A62と、増幅器A62の出力電圧を微分かつ出力電圧の直流電圧レベルを電圧Vbに合わせるためのハイパスフィルター回路HPF61と、ハイパスフィルター回路HPF61の出力から現れた信号を増幅するための増幅器A63と、帯域制限をすることで雑音電圧を抑えるためのローパスフィルターLPF61と、検出上限電圧Vc1及び検出下限電圧Vc2であるウインドウコンパレータを構成するコンパレータ比較器C61,C62と、コンパレータC61とコンパレータC62の論理和をとるためのOR回路OR61から構成されている。定電流源I61は電源Vddから供給される電流を電流IにしてセンサーS61,S62に供給する。カレントミラー対M62とM63、M64とM65、M66とM67は、ペア同士で同じデバイスサイズ及び特性のものを備えており、各カレントミラー対で同量の電流量がコピーされる。赤外線センサー用カレントミラー対のトランジスタM65第1トランジスタは赤外線センサーS61と接地電位間に配置されている。トランジスタM64第2トランジスタはトランジスタM65に流れる電流に比例した電流を流す。トランジスタM64には電源Vddから抵抗R62を介して電流が供給される。ダミーセンサー用カレントミラー対のトランジスタM66第3トランジスタはダミーセンサーS62と接地電位間に配置されている。トランジスタM67第4トランジスタはトランジスタM66に流れる電流に比例した電流を流す。トランジスタM67には電源Vddから抵抗R63を介して電流が供給される。抵抗R62,R63は、ともに同じ抵抗値R1をもち、かつ定電流源I61の抵抗R61と同じ温度係数をもつものとする。抵抗R62とトランジスタM64の間の赤外線センサー出力端子Vout61の電圧は増幅器A62の反転入力端子-に印加される。抵抗R63とトランジスタM67の間のダミーセンサー出力端子Vout62の電圧は増幅器A62の非反転入力端子に印加される。定電流源I61において、増幅器A61の非反転入力端子に与えられた基準電圧Vrefは、増幅器A61、トランジスタM61及び抵抗R61によって電流値Vref/R0電流Iに変換される。基準電圧Vrefは電源電圧や周囲温度によらず常に一定の電圧を出力する。トランジスタM62とM63はカレントミラー対を構成しているので、トランジスタM61に直列接続されたトランジスタM62に流れる電流Vref/R0と同一の電流がトランジスタM63に流れる。赤外線センサーS61が赤外線を受光又は放出していないとき、つまり図6の回路が構成されている半導体基板の温度と対象物の温度が同じときは、赤外線センサーS61とダミーセンサーS62に流れる電流はともに電流I/2で同じである。赤外線センサー用カレントミラー対を構成するトランジスタM64とM65によって、赤外線センサーS61に流れる電流I/2と同量の電流が抵抗R62にも流れる。同様に、ダミーセンサー用カレントミラー対を構成するトランジスタM66とM67によって、ダミーセンサーS62に流れる電流と同量の電流I/2が抵抗R63に流れる。そして、出力電圧Vout61,Vout62の電位は下記数式1で記述できる。赤外線センサーS61が赤外線を受光又は放出していなければ、センサーS61とS62はまったく同一のデバイス特性になるため、周囲温度が変動、つまり図6の回路が構成された半導体基板の温度が変動してもセンサーS61とS62には同じ電流が流れる。さらに、上記数式1に示されるように、抵抗R61抵抗値R0とR62,R63抵抗値R1がもつ温度特性は打ち消される。赤外線センサーS61が赤外線を受光又は放出していなければ、出力端子Vout61とVout62の電圧値は周囲温度に依存しない。一方、赤外線センサーS61が赤外線を放出又は受光したとき赤外線センサーS61に温度変化が生じることでしきい値電圧Vthが変化する。そのときに赤外線センサーS61に流れる電流の変化量∂Iは、∂I=-12∂Vthと記述できる。ここで、利得係数βS61=μnCoxWS61/LS61、μnは電子移動度、CoxはセンサーS61のゲート容量、WS61はゲート長、LS61はゲート幅である。また、∂Vthは赤外線センサーS61のしきい値電圧変化量、Iは赤外線センサーS61が赤外線を受光又は放出していないときに赤外線センサーS61に流れる電流値を示している。同様に考えて、ダミーセンサーS62に流れる電流の変化量∂Iは、∂I=12∂Vthである。赤外線センサー用カレントミラー対を構成するトランジスタM64とM65によって赤外線センサーS61に流れる電流と同量の電流が抵抗R62に流れるため、赤外線センサー出力端子Vout61の電圧変化量∂Vout61は、∂Vout61=∂IR1=-12∂VthR1となる。したがって、赤外線センサー出力端子Vout61の電圧変化量∂Vout61は赤外線センサーS61のしきい値電圧変化量∂Vthの線形関数となる。また∂Vout61はβS61、Iが大きいほど大きくなる。つまりβS61、Iを大きくとるほど赤外線センサーとしての感度が向上することが分かる。同様に考えて、ダミーセンサー出力端子Vout62の電圧変化量∂Vout62は、∂Vout62=-∂IR1=12∂VthR1と記述できる。図7は、赤外線センサーS61が赤外線を受光又は放出したときの電流変化量の数式及び電圧変化量の数式を図6の回路図に加筆した図である。上記をまとめると、赤外線センサーS61が赤外線を受光又は放出していないとき、つまり半導体基板温度と周囲温度が同じときに、増幅器A62の入力端子に接続されている出力端子Vout61とVout62は周囲温度によらず一定電圧を出力する。赤外線センサーが赤外線を受光又は放出したときは、出力端子Vout61とVout62の電圧は互いに逆極性の変動を行なう。図8は、赤外線センサーS61が赤外線を受光したときの出力端子Vout61,Vout62の電圧変化を示す波形図である。出力端子Vout61とVout62の電圧は周囲温度によらず一定であるので、増幅器A62の入力可能電圧範囲を保証温度範囲に従って変動させる必要がないため、増幅器A62の構成を単純化できる。実施例2図9は、他の実施例を説明するための回路図である。この実施例は、図6を参照して説明した実施例1に対して、抵抗R62,R63に替えて、NチャネルトランジスタM98第7トランジスタとM99第8トランジスタを備えている。トランジスタM98,M99は同一構造のエンハンスメント型MOSトランジスタで形成されている。トランジスタM98,M99のゲートには所定の電圧Vb1が印加される。また、この実施例は、図6を参照して説明した実施例1に対して、定電流源I61に替えてPチャネルトランジスタM93第6トランジスタを備えている。赤外線センサーS91に赤外線が照射又は放出されていない場合に出力端子Vout91とVout92の電圧温度特性をなくすことができるからである。PチャネルトランジスタM93は、Vgs=0としたデプレッション型MOSトランジスタで形成されており、電流Iを流す定電流源として機能する。PチャネルトランジスタM93は赤外線センサーS91とダミーセンサーS92に電流を供給する。トランジスタM93に流れる電流IM93は下記数式2で示される。赤外線センサーS91に赤外線が受光又は放出していない場合、トランジスタM98とM99にIM93/2の電流が流れるため、トランジスタM98のゲート-ソース間電圧VgsM98は下記数式3で表現できる。上記数式3より下記数式4を得る。ここで、トランジスタM93のしきい値電圧VthM93とトランジスタM98のしきい値電圧VthM98の温度特性はおおよそ等しいとみなせるので、12=1となるようにトランジスタM93とトランジスタM98のサイズを定めれば、出力端子Vout91は周囲温度によらず一定電圧を出力する。図10は、赤外線センサーS91が赤外線を受光又は放出したときの電流変化量の数式及び電圧変化量の数式を図9の回路図に加筆した図である。図10に示されたように、赤外線センサーS91が赤外線を受光又は放出している場合、赤外線センサーS91に流れる電流変化量∂IS91は∂I=-12∂Vthと記述できる。よって、出力端子Vout91の電圧変化量∂Vout91は下記数式5で表現できる。この場合、赤外線センサーとしての感度を向上させるためには、βS91値を大きく、βM98値を小さくとればよい。また、同様に考えて、出力端子Vout92の電圧変化量∂Vout92は下記数式6で表現できる。このように、実施例1で使用された抵抗R62,R63をMOSトランジスタM98、M99に置き換えた場合でも、出力端子Vout91とVout92の電圧を周囲温度によらず一定にすることができるので、出力端子Vout91,Vout92の電圧が入力される増幅器の入力可能電圧範囲を保証温度範囲に従って変動させる必要がないため、その増幅器の構成を単純化できる。実施例3図11は、さらに他の実施例を説明するための回路図である。この実施例は、図9を参照して説明した実施例2に対して、MOSトランジスタからなる赤外線センサーS91とダミーセンサーS92に替えて、PN接合をもつダイオードからなる赤外線センサーD91とダミーセンサーD92を備えている。センサーD91とD92は同一の構造で形成されている。ダイオードからなるセンサーD91,D92を用いた場合であっても、図9を参照して説明した実施例2と同様に、出力端子Vout91とVout92の電圧を周囲温度によらず一定にすることができるので、出力端子Vout91,Vout92の電圧が入力される増幅器の入力可能電圧範囲を保証温度範囲に従って変動させる必要がないため、その増幅器の構成を単純化できる。以上、本発明の実施例を説明したが、上記実施例における各デバイスの個数や形状、配置、回路構成等は一例であり、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。例えば、図6を参照して説明した実施例1において、MOSトランジスタからなる赤外線センサーS61とダミーセンサーS62に替えて、PN接合をもつダイオードからなり、互いに同一構造で形成された赤外線センサーとダミーセンサーを配置するようにしてもよい。"