"所望パターンが形成された第1の反射型マスクを用いて、試料上にパターン露光を行う工程と、前記第1の反射型マスクの欠陥に相当する位置に反射膜のパターンを形成した第2の反射型マスクを用いて、前記試料上に補正露光を行う工程と、を含むことを特徴とする露光方法。前記第1の反射型マスクは、基板上に反射多層膜を形成し、該多層膜上に吸収体膜のパターンを形成したものであり、前記第2の反射型マスクは、前記第1の反射型マスクの欠陥に相当する位置に多層膜開口パターンを形成したものであることを特徴とする請求項1記載の露光方法。前記第2の反射型マスクは、基板上に反射多層膜を形成し、前記第1の反射型マスクの欠陥に相当する位置以外の露光領域の多層膜を除去することで露光領域内のダークフィールドを形成することを特徴とする請求項2記載の露光方法。前記第1及び第2の反射型マスクは、同一基板上に形成され、第2の反射型マスクは、第1の反射型マスクの最大露光領域内でかつ遮光帯領域の外側の領域に形成されていることを特徴とする請求項1記載の露光方法。マスク基板と、前記マスク基板上の最大露光領域内に所望パターンが形成され、且つ所望パターンの周辺に遮光帯領域が形成されたマスクパターンと、前記最大露光領域内で且つ前記遮光帯領域の外側の領域に前記所望パターンの欠陥に相当する補正用パターンが形成された補正パターンと、を具備したことを特徴とする露光用マスク。2つの反射型マスクを用いてダブルパターニングによりパターン形成を行う露光方法であって、試料上に形成すべきパターンのピッチの2倍の周期でパターンが形成され、且つ位相欠陥を有する第1の反射型マスクと、前記試料上に形成すべきパターンのピッチの2倍の周期でパターンが形成され、且つ前記第1のマスク内の欠陥箇所に対応する位置に多層膜開口パターンを追加した第2のマスクと、を用意しておき、前記第1及び第2の反射型マスクの一方を用いて、試料上に1層目のパターンを転写した後に、前記第1及び第2の反射型マスクの他方を用いて、試料上に2層目のパターンを転写することを特徴とする露光方法。発明が解決しようとする課題は、マスク作製にかかるコストや時間の増大を極力抑えつつ、マスクの多層膜の位相欠陥等があってもウエハ上の欠陥を消失させることができ、パターン寸法精度の向上をはかり得る露光方法及び露光用マスクを提供することである。実施形態の露光方法は、所望パターンが形成された第1の反射型マスクを用いて、試料上にパターン露光を行う工程と、前記第1の反射型マスクの欠陥に相当する位置に反射膜のパターンを形成した第2の反射型マスクを用いて、前記試料上に補正露光を行う工程と、を含む。以下、実施形態の露光方法を、図面を参照して説明する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係わる露光方法の基本原理を説明するための模式図であり、aは位相欠陥が存在する場合のウエハ転写インパクトを示し、bは輝点パターンマスクによるウエハ転写消失を示している。また、図中の11は多層膜反射パターン、12は吸収体パターン、13は多層膜欠陥位相欠陥、14は遮光領域、15は多層膜開口パターン、17はウエハ上の転写パターン、18はウエハ上のパターン欠陥を示している。図1aの左図に示すように、反射型露光用マスクAの多層膜に欠陥位相欠陥13が存在する場合には、図1aの右図に示すように、ウエハ上の転写パターン17にパターン欠陥である、いわゆる黒系欠陥18が生じる。そこで本実施形態では、図1bの左図に示すように、位相欠陥13が存在する1層目のマスクAに対して、1層目の欠陥が存在する箇所にのみ多層膜開口パターン15を形成した2層目のマスクBを作製し、ポジレジストを用いてウエハ上にダブルパターニングを行う。これにより、図1bの右図に示すように、ウエハ上の黒系欠陥18を除去することができ、転写パターンの低欠陥化を達成することが可能となる。この原理を用いた露光方法を、更に詳しく説明する。図2は、マスクパターンに位相欠陥が存在する1層目の露光用マスクA第1の反射型マスクと2層目露光用のマスクB第2の反射型マスクの構成を示す平面図と断面図である。マスクAは、図2aに示すように、低熱膨張率基板マスク基板21上に露光光を反射する40対程度に積層したMo/Si多層膜22を有し、該反射多層膜22上に保護層23としてRuを有し、該保護層23上に露光光を吸収するTaBN吸収体24を有し、さらに吸収体24上にマスク欠陥検査用の低反射層25以下、LR層を有する反射型マスクブランクスから作製されるEUV露光用マスクであり、多層膜欠陥に起因する位相欠陥13がマスクパターン中に存在する。マスクBは、図2bに示すように、上記と同様のマスクブランクスから作製されるものであり、遮光領域14は多層膜22を除去することにより形成される。つまり、マスクBの露光領域内においては、マスクAの位相欠陥箇所に相当する領域のみ多層膜22が存在する、多層膜開口パターン15が形成されている。次に、上記の各マスクA,Bを用いた露光方法を、図3a~dを参照して説明する。まず、図3aに示すように、Si基板31上に酸化膜32が形成され、さらにその上にポジレジスト33が塗布されたウエハを用意する。このウエハに対しマスクAを用いて露光を行うと、図3bに示すようにマスクAのパターンが露光される図中のハッチング部分34が露光領域である。このとき、マスクAの位相欠陥13が存在する場所に相当するウエハ箇所35に欠陥が転写される。即ち、欠陥に相当する部分の露光量が少なくなり、このまま現像工程を行うと、パターンの太りや短絡等の発生を招くことになる。次いで、マスクBを用いて上記ウエハに対して露光を行うと、図3cに示すように、マスクAの位相欠陥13が起因で発生した露光量不足部分が解消される。次いで、現像処理を施すことにより、図3dに示すように、マスクAの位相欠陥に起因するウエハ上の欠陥を消失させて、良好なレジストパターン36が得られる。なお、本実施形態では、1層目の露光にメインチップパターンを含むマスクAを用いて露光を行い、2層目の露光に欠陥を除去するためのマスクBを用いて露光を行ったが、マスクA,Bの露光順番を逆にしてもよい。また、本実施形態では、1層目の露光後に引き続き2層目の露光を行ったが、1層目の露光現像後に引き続き2層目の露光現像を行うようにしても良い。さらに、1層目の露光現像後に酸化膜32のエッチング加工まで行い、その後に再度レジストを塗布し2層目の露光現像酸化膜32のエッチング加工を行ってもよい。また、本実施形態では、Si基板31上の酸化膜32の加工のためのレジストパターニングを例に挙げたが、他の膜構造加工のためのレジストパターニングに対しても同様に適用できることは勿論である。さらに、本実施形態では遮光領域として多層膜を除去することにより形成したマスクを用いたが、吸収体を厚膜化若しくは積層化することで遮光領域を形成したマスクを用いてもよい。このように本実施形態では、従来の吸収体のみの加工では修正しきれない大きな位相欠陥であっても、位相欠陥が存在する1層目のマスクAに対して、1層目の欠陥が存在する箇所にのみ多層膜開口パターン15を形成した2層目のマスクBを作製し、マスクA,Bによるダブルパターニングを行うことにより、ウエハ上の欠陥を無くしてメインパターンの寸法を高精度に制御することができる。そしてこの場合、2層目のマスクBには微細なパターンは殆ど無いため、マスクBの作製にかかるコストや時間は極めて小さくて済む。従って、マスク作製にかかるコストや時間の増大を極力抑えつつ、マスクの多層膜の位相欠陥等があってもウエハ上の欠陥を消失させることができ、パターン寸法精度の向上をはかることができる。第2の実施形態図4は、第2の実施形態に係わる露光方法に用いる反射型露光用マスクの概略構成を示す平面図である。なお、図2と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。本実施形態のマスクは、低熱膨張率基板上に露光光を反射する40対程度に積層したMo/Si多層膜を有し、該反射多層膜上に保護層としてRuを有し、該保護層上に露光光を吸収する吸収体TaBNを有し、さらにTaBN吸収体上にマスク欠陥検査用の低反射層以下LR層を有する位相欠陥が存在する反射型マスクブランクスから作製されるEUV露光用マスクであり、多層膜欠陥に起因する位相欠陥がチップ領域内パターン中に存在するものとする。さらに、最大露光領域内で遮光帯領域の外側でかつ、上記位相欠陥と露光スキャン方向に垂直方向の座標が同一の箇所にのみ多層膜領域が存在する。このように本実施形態のマスクは、第1の実施形態と同様のマスクブランクスを用いて形成されるが、マスクAとマスクBとを同一基板上に形成している。マスク基板上の最大露光領域41内にマスクAと同様のマスクパターン1層目パターンAが形成され、最大露光領域41内で且つマスクパターンの形成領域の外側の領域にマスクBと同様のパターン2層目パターンBが形成されている。1層目パターンAが形成された領域の周辺は遮光帯領域42となっており、更にその外側上側の領域に2層目パターンBが形成されている。そして、マスクを載置したマスクステージ図示せずやウエハを載置したウエハステージ図示せず等の移動による1層目のスキャンでパターンAが露光され、2層目のスキャンでパターンBが露光されるものとなっている。本実施形態のマスクを用いた露光方法は、基本的には前記図3に示す通りである。まず、前記図3aに示すウエハに対して、本実施形態のマスクを用い、1層目のスキャン領域の露光を行うと、前記図3bに示すように、1層目のパターンAが露光されると共に、位相欠陥が存在する場所に相当するウエハ箇所に欠陥が転写される。次いで、上記ウエハに対して2層目のスキャン領域の露光を行うと、前記図3cに示すように、1層目のパターンAの位相欠陥13が起因で発生した露光量不足部分が解消される。次いで、現像処理を施すことにより、前記図3dに示すように、パターンAの位相欠陥に起因するウエハ上の欠陥を消失させて、良好なパターンが得られる。なお、本実施形態では、1層目の露光にメインチップパターンを含む領域の露光を行い、2層目の露光で欠陥を除去するための領域の露光を行ったが、露光スキャン領域の順番を逆にしてもよい。また、本実施形態では、1層目の露光後に引き続き2層目の露光を行ったが、1層目の露光現像後に引き続き2層目の露光現像を行うようにしても良い。さらに、1層目の露光現像後に酸化膜32のエッチング加工まで行い、その後に再度レジストを塗布し2層目の露光現像酸化膜32のエッチング加工を行ってもよい。また、本実施形態においても第1の実施形態と同様に、Si基板31上の酸化膜32の加工に限らず、他の膜構造加工のためのレジストパターニングに適用することができる。さらに、遮光領域は必ずしも多層膜を除去して形成するに限らず、吸収体を厚膜化若しくは積層化することで遮光領域を形成しても良い。このように本実施形態によれば、メインチップパターンが形成されたパターンAと開口パターンが形成されたパターンBを有するマスクを用い、パターンA,Bのダブルパターニングを行うことにより、第1の実施形態と同様にマスクの多層膜の位相欠陥等があってもウエハ上の欠陥を消失させることができ、パターン寸法精度の向上をはかることができる。しかも、マスク自体は通常のマスクAの外側にマスクBのパターンを設けるのみで良いため、マスク作製に要するコストや時間の増大は極めて少なくできる利点もある。第3の実施形態図5abは、マスクパターンに多層膜位相欠陥が存在するマスクAと2層目露光用のマスクBを示す。なお、図2と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。マスクAは、図5aに示すように、第1の実施形態で用いた反射型マスクブランクスから作製されるEUV露光用マスクであり、多層膜欠陥に起因する位相欠陥13がマスクパターン中に存在する。多層膜反射パターン11は、ウエハ上に形成すべきパターンを1本おきに間引いたものであり、従って本実施形態のマスクAでは第1の実施形態で用いたマスクAに比して、パターンピッチが2倍となっている。マスクBは、図5bに示すように、第1の実施形態で用いた反射型マスクブランクスから作製されるEUV露光用マスクであり、ウエハ上に形成すべきパターンを図5aのマスクAとは逆に間引いたものである。さらに、マスクBには、マスクAの位相欠陥箇所に相当する領域に多層膜開口パターン15が形成されている。次に、上記の各マスクA,Bを用いた露光方法を、図6a~dを参照して説明する。なお、図3と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。まず、図6aに示すように、Si基板31上に酸化膜32が形成され、さらにその上にポジレジスト33が塗布されたウエハを用意する。このウエハに対しマスクAを用いて露光を行うと、図6bに示すようにマスクAのパターンが露光される図中のハッチング部分34が露光領域である。このとき、多層膜の位相欠陥が存在する場所に相当するウエハ箇所35に欠陥が転写される。即ち、欠陥に相当する部分の露光量が少なくなり、このまま現像工程を行うと、パターンの太りや短絡等の発生を招くことになる。次いで、マスクBを用いて上記ウエハに対して露光を行うと、図6cに示すように、マスクBのパターンが露光されると共に、マスクAの位相欠陥が起因で発生した露光量不足部分が解消される。次いで、現像処理を施すことにより、図6dに示すように、マスクA,Bのそれぞれのパターンが反映されたパターン36が形成されると共に、マスクAの多層膜位相欠陥が起因で発生したウエハ欠陥箇所のレジストが除去され、マスク起因の共通欠陥を消失させることができる。なお、本実施形態においても第1の実施形態と同様に、マスクA,Bの露光順序は逆にすることもできる。また、1層目の露光現像後に引き続き2層日の露光現像を行うようにしても良い。さらに、1層目の露光現像後に酸化膜32のエッチング加工まで行い、その後に再度レジストを塗布し、2層目の露光現像酸化膜32のエッチング加工を行ってもよい。また、Si基板31上の酸化膜加工のためのレジストパターニングに限らず、他の膜構造加工のためのレジストパターニングに対しても同様に適用できることは勿論である。このように本実施形態によれば、通常のパターンを半分ずつに分離して形成された2つのマスクA,Bを用い、マスクA,Bのダブルパターニングを行うことにより、第1の実施形態と同様にマスクAの多層膜の位相欠陥等があってもウエハ上の欠陥を消失させることができ、パターン寸法精度の向上をはかることができる。また、本実施形態は、元々ダブルパターニングで2枚のマスクを用いる方法に適用するものであり、1層目のマスクAに存在する位相欠陥箇所と2層目のマスクBの座標に輝点パターンを追加するだけなので、本手法による追加工程にかかるコストや時間の増加は殆どない。変形例なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態では、マスクとしてEUV露光用マスクの例を説明したが、必ずしもEUV露光用マスクに限らず反射型マスクであれば適用可能である。また、マスクを構成する多層膜、吸収体、その他の材料等は、実施形態で説明したものに限らず適宜変更可能である。本発明の幾つかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。"