昇華法によって単結晶を成長させる際、種結晶の結晶成長面側に配され、前記種結晶を、前記結晶成長面が原料と対峙するように保持する種結晶保持部材であって、前記単結晶の結晶成長方向に沿って貫通し、前記種結晶の前記結晶成長面の一部を前記原料側に露出させる複数の貫通孔を有することを特徴とする種結晶保持部材。前記貫通孔の孔径は、1mm~3mmであることを特徴とする請求項1に記載の種結晶保持部材。隣り合う前記貫通孔の中心間距離は、前記貫通孔の孔径をφとしたとき、φ×1.5~φ×2.0であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の種結晶保持部材。昇華法によって、種結晶の結晶成長面上に窒化アルミニウム単結晶を成長させる窒化アルミニウム単結晶の製造装置であって、内上部に種結晶を有し、内底部に原料を収納する結晶成長容器と、前記種結晶に接して前記種結晶の原料側に配置された種結晶保持部材を備え、前記種結晶保持部材は、請求項1~3のいずれかに記載の種結晶保持部材であることを特徴とする窒化アルミニウム単結晶の製造装置。昇華法によって、種結晶の結晶成長面上に窒化アルミニウム単結晶を成長させる窒化アルミニウム単結晶の製造方法であって、前記種結晶の前記結晶成長面側に、前記窒化アルミニウム単結晶の結晶成長方向に沿って貫通し、前記種結晶の前記結晶成長面の一部を露出させる貫通孔を複数設けた種結晶保持部材を配することによって、前記種結晶の結晶成長面を前記原料と対峙するように保持する工程と、前記原料を昇華温度以上に加熱し、前記原料の昇華ガスを、前記種結晶保持部材の前記各貫通孔内を通過させ、前記種結晶の前記各貫通孔内に対応する領域もしくは前記各貫通孔内で成長した窒化アルミニウム単結晶の結晶成長端面に供給することにより、窒化アルミニウム単結晶を前記各貫通孔内に結晶成長させる工程と、前記各貫通孔内で成長した窒化アルミニウム単結晶が前記各貫通孔の前記原料側の開口を超えたところで周囲に拡大するように結晶成長させる工程を有することを特徴とする窒化アルミニウム単結晶の製造方法。ところで、一般的に、結晶成長させた単結晶からデバイス基板となるウェハを作成する場合、単結晶を、その結晶成長面に対して平行な面で切断し、研磨する。このとき、単結晶の結晶成長面が平坦でないと、切り出すウェハの径が制限されてしまい、大面積のウェハを得ることができない。このため、ウェハを作成するための単結晶は、その結晶成長面が平坦であることが好ましい。ここで、前述のような昇華法による単結晶の成長過程では、得られる窒化アルミニウム単結晶16の形状が、坩堝51内の温度分布に従って決定され、主に面内方向に均一な温度分布を形成することで、結晶成長面16aが平坦な窒化アルミニウム単結晶16を作成できる。しかし、一般的な坩堝51内での昇華ガスの対流を考えると、図4に示すような高周波誘導加熱装置21では坩堝51の壁面を主に加熱するため、原料12で発生した昇華ガスは、坩堝51の壁面付近では上昇し、結晶成長面14aに到達してからこの面に沿って中心方向に移動した後結晶成長面14aの中心付近で下降するような対流を形成する。このため、結晶成長面14aの外周部に、主に昇華ガスが供給されるかたちになり、この領域は窒化アルミニウム単結晶16が成長し易い環境になっているが、結晶成長面14aの中心付近では、昇華ガスが下向きの流れとなっているため、窒化アルミニウム単結晶16が成長し難く、成長した場合にも再昇華の起こり易い環境となっている。特に、窒化アルミニウム単結晶16を昇華法によって成長させる場合、炭化珪素の単結晶等を成長させる場合に比べ、数十倍の圧力下で結晶成長を行う必要がある。このような高圧条件下では、窒化アルミニウムの昇華ガスは数mm/secという極めて低速の流れとなるため、窒化アルミニウム単結晶16の側面付近では昇華ガスの過飽和度が高くなり、中心部に向かうに従って、昇華ガスの過飽和度が低下する現象が生じ、外周部での結晶成長がより促進されるのに対して、その中心付近での結晶成長速度はより遅くなる。その結果、得られる窒化アルミニウム単結晶16の結晶成長面16aは、外周部で盛り上がり、中心付近で凹んだ形状になってしまう。さらに、この製造装置50では、種子基板保持部材53がリング状をなしているため、種子基板保持部材53の原料側の開口周囲エッジ部分53aに昇華ガスが滞留し易く、これによって、結晶成長面14a、16aの外周部でさらに結晶成長が促進される。そのため、結晶成長面16aの外周部と中心付近との高さ差はより著しいものとなる問題がある。本発明は、前述の実情に鑑みなされたものであり、結晶成長端面の平坦性が高く、大面積のウェハを切り出すことが可能な窒化アルミニウム単結晶を得ることができる種結晶保持部材、これを用いた窒化アルミニウム単結晶の製造装置および製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明の種結晶保持部材は、昇華法によって単結晶を成長させる際、種結晶の結晶成長面側に配され、前記種結晶を、前記結晶成長面が原料と対峙するように保持する種結晶保持部材であって、前記単結晶の結晶成長方向に沿って貫通し、前記種結晶の前記結晶成長面の一部を露出させる複数の貫通孔を有することを特徴とする。本発明の種結晶保持部材によれば、原料の昇華ガスは、種結晶保持部材の各貫通孔内を通過して種結晶の結晶成長面もしくは各貫通孔内で成長した単結晶の結晶成長端面に供給され、再凝集する。これにより、各貫通孔内を充填するように単結晶が成長する第1の結晶成長過程。その後、各貫通孔内で成長した単結晶は、その成長端が各貫通孔の原料側の開口を超えたところで四方に拡大するように結晶成長し、一体化する第2の結晶成長過程。これにより、種結晶保持部材の原料側種結晶と反対側にバルク状の単結晶が得られる。ここで、このような種結晶保持部材では、原料で発生した昇華ガスが、各貫通孔の原料側の開口周囲エッジ部分に滞留し易く、この滞留ガスが各貫通孔内に流れ込むため、各貫通孔の内部はいずれも昇華ガスの過飽和度が高い状態になる。このため、各貫通孔内およびその周囲において、単結晶が、同程度の速度で効率良く成長し、全面的に結晶成長が均一に進行する。したがって、結晶成長端面の平坦性が高く、高品質な単結晶を得ることができる。本発明において、前記貫通孔の孔径は、1mm~3mmであることが好ましい。この場合、種結晶保持部材の各貫通孔の内部において、昇華ガスの過飽和度の偏りが確実に抑えられ、より平坦性の高い単結晶を得ることが可能となる。本発明において、隣り合う前記貫通孔の中心間距離は、前記貫通孔の孔径をφとしたとき、φ×1.5~φ×2.0であることが好ましい。この場合、結晶成長端面が平坦な窒化アルミニウム単結晶を短時間に得ることが可能となる。本発明の窒化アルミニウム単結晶の製造装置は、昇華法によって、種結晶の結晶成長面上に窒化アルミニウム単結晶を成長させる窒化アルミニウム単結晶の製造装置であって、内上部に種結晶を有し、内底部に原料を収納する結晶成長容器と、前記種結晶に接して前記種結晶の原料側に配置された種結晶保持部材を備え、前記種結晶保持部材は、先のいずれかに記載の種結晶保持部材であることを特徴とする。本発明に係る窒化アルミニウム単結晶の製造装置によれば、先に記載の種結晶保持部材を用いているため、種結晶保持部材の各貫通孔内およびその周囲において、窒化アルミニウム単結晶を同程度の速度で効率良く成長し、全面的に結晶の成長を均一に進行できる。したがって、結晶成長端面の平坦性が高く、高品質な窒化アルミニウム単結晶を得ることができる。本発明の窒化アルミニウム単結晶の製造方法は、昇華法によって、種結晶の結晶成長面上に窒化アルミニウム単結晶を成長させる窒化アルミニウム単結晶の製造方法であって、前記種結晶の前記結晶成長面側に、前記窒化アルミニウム単結晶の結晶成長方向に沿って貫通し、前記種結晶の前記結晶成長面の一部を露出させる貫通孔を複数設けた種結晶保持部材を配することによって、前記種結晶の結晶成長面を前記原料と対峙するように保持する工程と、前記原料を昇華温度以上に加熱し、前記原料の昇華ガスを、前記種結晶保持部材の前記各貫通孔内を通過させ、前記種結晶の前記各貫通孔内に対応する領域もしくは前記各貫通孔内で成長した窒化アルミニウム単結晶の結晶成長端面に供給することにより、窒化アルミニウム単結晶を前記各貫通孔内に結晶成長させる工程と、前記各貫通孔内で成長した窒化アルミニウム単結晶の成長端が前記各貫通孔の前記原料側の開口を超えたところで周囲に拡大するように結晶成長させる工程を有することを特徴とする。本発明の窒化アルミニウム単結晶の製造方法によれば、原料で発生した昇華ガスは、種結晶保持部材の各貫通孔の原料側の開口周囲に滞留し易く、この滞留ガスを各貫通孔内に流入できるため、各貫通孔の内部をいずれも昇華ガスの過飽和度が高い状態にできる。このため、各貫通孔内およびその周囲において、窒化アルミニウム単結晶を同程度の速度で効率良く成長し、全面的に結晶成長を均一に進行できる。したがって、結晶成長端面の平坦性が高く、高品質な窒化アルミニウム単結晶を製造することが可能となる。本発明によれば、種結晶の結晶成長面上に窒化アルミニウム単結晶を成長させる際、種結晶の結晶成長面側に、貫通孔を複数設けた種結晶保持部材を配するため、原料で発生した昇華ガスを種結晶保持部材の各貫通孔内を通過させて種結晶の結晶成長面もしくは各貫通孔内で成長した窒化アルミニウム単結晶の結晶成長端面に供給することができ、各貫通孔内を充填するように窒化アルミニウム単結晶を成長できる。更に、種結晶保持部材の貫通孔で成長させた窒化アルミニウム単結晶を貫通孔の原料側開口を超えたところで周囲に拡大するように結晶成長させることで、種結晶保持部材の種結晶と反対側に、バルク状の窒化アルミニウム単結晶を得ることができる。このような結晶成長過程において、貫通孔の内部はいずれも昇華ガスの過飽和度が高い状態になり、各貫通孔内およびその周囲において、窒化アルミニウム単結晶を同程度の速度で効率良く成長できるので、結晶成長端面の平坦性が高く、高品質な窒化アルミニウム単結晶を得ることができる。以下、図面を参照しながら、本発明に係る種結晶保持部材および窒化アルミニウム単結晶の製造装置について説明する。図1は、本発明の実施形態に係る窒化アルミニウム単結晶の製造装置の一例を模式的に示す概略構成図、図2は、図1に示す窒化アルミニウム単結晶の製造装置が備える種結晶保持部材を拡大して示す斜視図である。図1において、図4で示した従来の製造装置の要素と同一の要素には同一の符号を付してある。本実施形態の窒化アルミニウム単結晶の製造装置1は、昇華法によって種結晶14の結晶成長面14a上に窒化アルミニウムを昇華再結晶させて、窒化アルミニウム単結晶を成長させる装置である。本実施形態の窒化アルミニウム単結晶の製造装置1は、上部に開口部を有する結晶成長容器11と、前記開口部近傍に設けられた蓋体13と、蓋体13の下方に設けられた板状の種結晶保持部材20と、種結晶保持部材20の上面と蓋体13の下面との間に狭持された板状の種結晶14とを備えて構成されており、結晶成長容器11と、種結晶14及び種結晶保持部材20とで構成される空間が単結晶を成長させるための結晶成長空間17とされている。また、結晶成長容器11、蓋体13、種結晶14、種結晶保持部材20は、黒鉛製の坩堝18および坩堝18の上面に載置された黒鉛製の蓋体19により形成される空間内に配置され、坩堝18および結晶成長容器11は、側面視T字状のスタンド型の支持手段24により結晶成長用炉10内に固定されている。結晶成長容器11の内底部には、窒化アルミニウム粉末等の原料12が収納されており、種結晶14の結晶成長面14aおよび種結晶保持部材20の種結晶14と反対側の面は、原料12と対峙されている。結晶成長用の種結晶14は、例えば、板状又は円板状のSiC単結晶、AlN単結晶、AlN/SiC単結晶SiC単結晶上に膜厚200~500μm程度のAlN単結晶膜をヘテロ成長させた単結晶である。また、結晶成長用炉10の側壁には、結晶成長用炉10内に配された、坩堝18、結晶成長容器11、原料12、種結晶14を加熱する複数の加熱手段21が設けられている。加熱手段としては特に限定されるものではなく、高周波誘導加熱高周波コイル、抵抗加熱および赤外加熱といった、従来公知のものを用いることができる。加熱温度の制御は、図示略の放射温度計により坩堝18の表面温度を測定しながら、加熱手段21を調整することにより行うことができる。結晶成長用炉10の天井部には窒素ガスなどのガス供給装置に接続されたガス導入部22が形成されている。また、結晶成長用炉10の底部には、図示略の圧力調整弁を介して真空ポンプ等の減圧装置が接続され、ガス排出部23が形成されている。これらガス導入部22およびガス排出部23を操作することにより、結晶成長用炉10、坩堝18内部および結晶成長容器11内の結晶成長空間17を所定のガス圧に調整できるようになっている。ここで、外側蓋体19は、坩堝18の開口部上部に載置または嵌め合わせされている状態であり、窒素ガスの出入りが容易な準密閉的な構造となっている。同様に、蓋体13および種結晶保持部材20は、結晶成長容器11の開口部上部に載置または嵌め合わせられている状態であり、窒素ガスの出入りが容易な準密閉的な構造となっている。ガス導入部22から窒素ガスなどのプロセスガスを導入することにより、坩堝18と外側蓋体19とで形成された内部空間、および、結晶成長容器11内の結晶成長空間17に、窒素ガスなどが流入可能となっている。結晶成長容器11、蓋体13および種結晶保持部材20は、黒鉛、窒化硼素、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、炭化珪素、窒化珪素、モリブデン、タングステン、タンタル、炭化モリブデン、炭化ジルコニウム、炭化タングステン、炭化タンタル、窒化モリブデン、窒化ジルコニウム、窒化タングステン、窒化タンタルのうち少なくとも一種類から形成されている。これらの材料は、窒化アルミニウム単結晶の結晶成長時の2000°C程度の高温での熱的耐性を有するため、結晶成長容器11、蓋体13および種結晶保持部材20の材料として好ましい。また、結晶成長容器11の内底部には窒化アルミニウム粉末などの原料12が収納されるとともに、蓋体13と種結晶保持部材20との間に種結晶14が設置され、バルク結晶成長に適した窒化アルミニウムの昇華ガスに曝される。よって、結晶成長容器11、蓋体13および種結晶保持部材20を構成する材料は、窒化アルミニウムの昇華ガスによる腐食を受けないものに限られる。加えて、これらの結晶成長容器11、蓋体13および種結晶保持部材20を構成する材料からの窒化アルミニウム単結晶16への汚染固溶による汚染を防ぐために、アルミニウムのイオン半径と大きく異なる金属の単体、ないしはその窒化物又は炭化物が望ましい。したがって、結晶成長容器11、蓋体13および種結晶保持部材20の材料として前記した材料の中でも、モリブデン、タングステン、タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステン、窒化タンタル、炭化モリブデン、炭化タングステン、炭化タンタルがより好ましい。なお、酸化物については、放出された酸素により窒化アルミニウム結晶中に酸窒化アルミニウムAlON層を形成し、窒化アルミニウムの結晶成長を阻害するため、用いることはできない。前記種結晶保持部材20には、後述するように多数の貫通孔20aが設けられる。このため、その構成材料としては、ドリル加工等の機械加工によって貫通孔20aを容易に形成し得るものであることが好ましく、タンタル、タングステン等が好適である。このうちタンタルを用いて種結晶保持部材20を作成する場合には、タンタルからなる板材にドリル加工等によって貫通孔20aを形成した後、その表面に炭化処理を施して炭化タンタルの皮膜を形成することが好ましい。タンタルは、ドリル加工によって比較的容易に貫通孔20aを形成することができ、また、炭化タンタルの皮膜を形成することによって耐熱性、耐食性を向上させることができる。種結晶保持部材20は、結晶成長容器11の開口部を覆うように結晶成長容器11の周縁11a上に設置され、その上に種結晶14と蓋体13とが設置されている。すなわち、種結晶保持部材20は、種結晶14の下部結晶成長面14a側に配置され、種結晶14は蓋体13の下面と種結晶保持部材20の上面との間に狭持されて、保持されている。そのため、種結晶14は、接着剤などで蓋体13に固着されることなく、蓋体13の下面に原料12と対向して配置される。図2に示すように、種結晶保持部材20は、結晶成長容器11の内径よりも若干大径の円盤状をなし、その厚さ方向単結晶の結晶成長方向に貫通する多数の貫通孔20aが、全面的に略均一に設けられている。このような種結晶保持部材20が種結晶14の結晶成長面14a側に配置されていると、原料で発生した昇華ガスは、各貫通孔20a内を通過して種結晶14の結晶成長14a面もしくは各貫通孔20a内で成長した窒化アルミニウム単結晶の結晶成長端面に供給される。原料で発生した昇華ガスは、各貫通孔20aの原料側の開口周囲エッジ部分に滞留し易く、この滞留ガスが各貫通孔20a内に流れ込むため、各貫通孔20aの内部はいずれも昇華ガスの過飽和度が高い状態になる。このため、各貫通孔20a内およびその周囲において、窒化アルミニウム単結晶16が、同程度の速度で効率良く成長し、全面的に結晶成長が均一に進行する。なお、種結晶保持部材20の各貫通孔20aの断面形状は、特に限定されない。また、各貫通孔20aの孔径φは、1~3mmの範囲が好ましく、さらには2~3mmの範囲であることがより好ましい。各貫通孔20aの孔径φが1mm未満であると、温度等の結晶成長条件によっては、原料からの昇華ガスが各貫通孔20a内を通過し難くなり、窒化アルミニウム単結晶16の成長速度が遅くなるか、成長が阻害された状態となってしまう。また、各貫通孔20aの孔径φが3mmを超える場合には、各貫通孔20aのエッジ部分に滞留する昇華ガスが各貫通孔20a内の全域に行き渡らなくなる可能性がある。各貫通孔20aのピッチ中心間距離Pは、貫通孔20aの孔径をφとしたとき、φ×1.5~φ×2.0の範囲であることが好ましい。各貫通孔20aのピッチPを、前記範囲より大きくした場合には、各貫通孔20a付近に比べて各貫通孔20aから離れた領域での結晶成長速度が遅くなり、結晶成長端面16aに凹凸が生じる可能性がある。また、ピッチPが小さいと、種結晶保持部材20の強度が弱くなり、貫通孔20a加工が困難となる問題や、結晶成長中に割れてしまうといった問題がある。種結晶保持部材20の厚さは0.2~1mm以下であるのが好ましい。種結晶保持部材20の厚さが1mmより厚い場合、各貫通孔20aの原料側の開口から種結晶14表面までの距離が長くなるため、原料からの昇華ガスが各貫通孔を通過して種結晶まで届きにくくなり、窒化アルミニウム単結晶16の成長速度が遅くなるか、成長が阻害された状態となる問題がある。また、厚さが0.2mmより薄い場合、種結晶の重量を支えきれず、変形、破損してしまうという問題がある。なお、本実施形態においては、結晶成長容器11の開口部に種結晶保持部材20を載置した構造を例示したが、本発明はこの形態に限定されるものではない。結晶成長容器11の開口部に蓋体13を載置または嵌め合わせて設置され、蓋体13の下部であり結晶成長容器11の内壁よりも内側に種結晶保持部材20が設置されていてもよい。なお、この場合の蓋体13の下部に種結晶保持部材20を形成する方法として、例えば、蓋体13の下面に2000°C程度の結晶成長時の高温に耐えうる接合方法により接合されていればよい。また、本実施形態においては、坩堝18の内部に結晶成長容器11が設置された2重坩堝構造を例示したが、本発明はこの形態に限定されるものではない。次に、本実施形態に係る窒化アルミニウム単結晶の製造方法を、図1に示す窒化アルミニウム単結晶の製造装置1を用いる場合を例にして説明する。図3は、本発明の実施形態に係る窒化アルミニウム単結晶の製造方法において、第2の工程および第3の工程を説明するための模式図である。まず、窒化アルミニウム粉末等の原料12を結晶成長容器11内底部にセットし、結晶成長容器11の開口部に、種結晶保持部材20、種結晶14および蓋体13をこの順に設置する。これにより、種結晶14が、その結晶成長面14a側に配された種結晶保持部材20によって原料12と対峙するように保持された状態になる。続いて、結晶成長容器11内の結晶成長空間17および坩堝18と外側蓋体19とで形成された内部空間を準密閉状態とする。次いで、図示略の真空ポンプを稼動させてガス排出口23より結晶成長用炉10内部の大気を除去し、結晶成長用炉10内の圧力を減圧させる。続いて、結晶成長用炉10にガス導入部22から窒素ガスを導入する。そして、加熱手段21により坩堝18および外側蓋体19を加熱し、図示略の放射温度計で坩堝18の温度を測定してこれらの温度を制御する。窒化アルミニウム単結晶成長時は坩堝18の温度を2000°C前後に一定制御する。なお、窒化アルミニウム単結晶成長時は、坩堝18下端の温度原料温度は、外側蓋体19上側の温度結晶成長部温度よりも高温となるように設定する。結晶成長は、前述の設定温度まで加熱した後に結晶成長用炉10を減圧することで開始され、100torr以上600torr以下に定圧保持することで行われる。また、加熱中は、ガス排出部23から結晶成長用炉10内の窒素ガスを排出しつつ、ガス導入部22から窒素ガスを結晶成長用炉10内に供給することにより、結晶成長用炉10内の窒素ガス圧力および流量を適切に調整する。以上のような条件下で昇華温度以上に加熱された原料12は、分解、気化して昇華する。発生した昇華ガスは、種結晶保持部材20の各貫通孔20a内を通過して種結晶14の結晶成長14a面もしくは各貫通孔20a内で成長した窒化アルミニウム単結晶の結晶成長端面に供給され、再凝集する。これにより、図3aに示すように、各貫通孔20a内を充填するように窒化アルミニウム単結晶16Cが成長する第2の工程。各貫通孔20a内で成長させた窒化アルミニウム単結晶16Cの成長端を各貫通孔20aの原料12側の開口を超えた後、更に成長させると、図3bに示すように、窒化アルミニウム単結晶が周囲に拡大するように結晶成長し、一体化してバルク状の窒化アルミニウム単結晶16Aが得られる第3の工程。このような結晶成長過程において原料12で発生した昇華ガスは、種結晶保持部材20の各貫通孔20aの原料12側の開口周囲エッジ部分に滞留し易く、この滞留ガスが各貫通孔20a内に流れ込むため、各貫通孔20aの内部はいずれも昇華ガスの過飽和度が高い状態になる。このため、各貫通孔20a内およびその周囲において、窒化アルミニウム単結晶が、同程度の速度で効率良く成長し、全面的に結晶成長が均一に進行する。したがって、結晶成長端面の平坦性が高く、高品質な窒化アルミニウム単結晶16Aを製造できる。そして、このような窒化アルミニウム単結晶16Aを用いることで、大面積で高品質な窒化アルミニウムウェハを作成することが可能となる。以上、本発明の種結晶保持部材、窒化アルミニウム単結晶の製造装置および製造方法について説明したが、上記実施形態において、種結晶保持部材および窒化アルミニウム単結晶の製造装置を構成する各部、窒化アルミニウム単結晶の製造方法の各工程は一例であって、本発明の範囲を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。以下、実施例を示して本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。図1に示す構成の製造装置1を用いて種結晶14に対し窒化アルミニウム単結晶の成長を行った。種結晶14としては、円板状の6H-SiC単結晶を用いた。種結晶の外径は30mmである。なお、成長面の方位は0001面とした。原料12には窒化アルミニウム粉末を用いた。また、種結晶保持部材20には、厚さ方向に複数の貫通孔が形成された炭化タンタル表面に炭化タンタル層が形成されたタンタル製の円盤を使用した。種結晶保持部材20の寸法は、外径40mm、厚さ1mmであり、貫通孔の孔径φおよびピッチPは表1に示すように変化させた。坩堝18としては高純度黒鉛製のものを使用し、結晶成長容器11および蓋体13としては炭化タンタル製のものを使用した。坩堝を成長装置内に設置した後、図示略の真空ポンプにより、結晶成長用炉10内にある大気を除去し、結晶成長用炉10内を減圧した。この後、窒素ガスを装置内に導入し、坩堝温度を約2000°C結晶成長部の温度:1700~2200°C、原料部の温度:1800~2300°Cに昇温したのち、結晶成長用炉10内圧力を100~600torrへ減圧させることで、窒化アルミニウム結晶成長を開始した。成長開始から30時間経過したところで、種結晶14および原料温度を室温まで冷却させることで結晶成長を終了させた。結晶の平坦度は結晶の最も薄い部分と厚い部分との差が0.5mm以下を合格とする。この場合自立した窒化アルミニウム単結晶を切り出すことができる。以上の結果から、複数の貫通孔を設けた種結晶保持部材を種結晶の結晶成長面側に配し、原料の昇華ガスが、各貫通孔を介して、種結晶もしくは成長した窒化アルミニウム単結晶に供給される構成とすることにより、結晶性および平坦性に優れた窒化アルミニウム単結晶が得られることがわかった。そして、特に、種結晶保持部材の貫通孔の孔径φを1~3mm、より好ましくは2~3mmとすると、より平坦性に優れた窒化アルミニウム単結晶が得られるようになることがわかった。