プラズマ処理が実施される処理室内で基板を吸着する基板保持装置であって、正負の電極とを有するチャック本体と、基板の外周縁部が面接触可能なリブ部及び前記リブ部で囲繞された内部空間に所定の間隔を存して立設された複数個の支持部を有する誘電体たるチャックプレートと、両電極間に直流電圧を印加する直流電源と、チャックプレートの静電容量を通る交流電流を流す交流電源及びそのときの交流電流を測定する第1の測定手段と、を備え、前記プラズマ処理中、処理室内に発生させたプラズマから前記交流電流に重畳する交流成分を除去する除去手段を設けたことを特徴とする基板保持装置。前記直流電源及び交流電源の作動を制御する制御手段を備え、この制御手段は、第1の測定手段で測定した交流電流値が所定の範囲内となるように両電極間に印加する直流電圧を制御することを特徴とする請求項1記載の基板保持装置。前記内部空間に所定のガスを導入するガス導入手段と、この内部空間に導入されるガス流量を測定する第2の測定手段とを更に備え、前記制御手段は、第2の測定手段で測定したガス流量が所定の範囲内となるように両電極間に印加する直流電圧を制御することを特徴とする請求項1または請求項2記載の基板保持装置。前記除去手段は、特定の周波数帯域の交流成分を遮断するフィルタ回路、または、特定の周波数帯域の交流成分を遮断するフィルタとして機能するデジタルシグナルプロセッサーであることを特徴とする請求項1~請求項3のいずれか1項に記載の基板保持装置。本発明は、以上の点に鑑み、プラズマ処理中でも基板の反り状態を把握でき、その上、適切な吸着力で基板を吸着して基板の破損を招いたり、異常放電を誘発したりすることがない基板保持装置を提供することをその課題とするものである。上記課題を解決するために、本発明の基板保持装置は、プラズマ処理が実施される処理室内で基板を吸着する基板保持装置であって、正負の電極とを有するチャック本体と、基板の外周縁部が面接触可能なリブ部及び前記リブ部で囲繞された内部空間に所定の間隔を存して立設された複数個の支持部を有する誘電体たるチャックプレートと、両電極間に直流電圧を印加する直流電源と、チャックプレートの静電容量を通る交流電流を流す交流電源及びそのときの交流電流を測定する第1の測定手段と、を備え、前記プラズマ処理中、処理室内に発生させたプラズマから前記交流電流に重畳する交流成分を除去する除去手段を設けたことを特徴とする。本発明によれば、吸着すべき基板に、例えば、その中央部が内部空間から離間する方向圧縮方向への反りがあると、静電容量が変動することでインピーダンス値が変動し、第1の測定手段で測定した交流電流値が変動する。このことから、チャックプレートにて基板を吸着する際に、インピーダンス、ひいては交流電流値から基板状態が的確に把握し、これに応じた吸着力、つまり、反りのない状態で基板を吸着したときの交流電流値に基づいて直流電圧を制御して基板が吸着される。次に、上記のように基板保持装置にて吸着保持された基板に対してプラズマ処理が実施され、このプラズマ処理中にもまた、第1の測定手段で交流電流値が測定される。ここで、プラズマ処理中には、プラズマ中の交流成分が、基板状態を把握するための交流電流に重畳することでインピーダンス値が大きく変動することが本発明者らの研究により判明した。そこで、本発明においては、処理室内に発生させたプラズマから交流電流に重畳する交流成分を除去する除去手段を設けため、プラズマ処理中のインピーダンスの変動量を少なくすることができる。その結果、例えば、プラズマ処理にて基板表面に形成された膜の応力により基板が反っても、上記変動量より大きなインピーダンス値の変動を容易に捉えることが可能となり、基板状態を確実に監視できるようになる。また、本発明においては、前記直流電源及び交流電源の作動を制御する制御手段を備え、この制御手段は、第1の測定手段で測定した交流電流値が所定の範囲内となるように両電極間に印加する直流電圧を制御する構成とすれば、プラズマ処理中のインピーダンス値の変動から、基板の反りに応じて最適な吸着力で基板を吸着できる。その結果、プラズマ処理中に基板の破損を招いたり、異常放電を誘発したりすることが防止できる。その上、本発明を例えばスパッタリングによる成膜処理に用いれば、基板に反りがない状態で保持されていることで、ターゲットからの基板表面までの距離がその基板全面に亘って略均一となることで、膜厚の面内均一性を向上することもできるようになる。さらに、本発明においては、前記内部空間に所定のガスを導入するガス導入手段と、この内部空間に導入されるガス流量を測定する第2の測定手段を更に備え、前記制御手段は、第2の測定手段で測定したガス流量が所定の範囲内となるように両電極間に印加する直流電圧を制御する構成とすれば、プラズマ処理中に、吸着すべき基板にリブ部と基板の外周面との間の間隙が大きくなる方向引張方向への反りが生じると、この隙間を介した内部空間からのガスの漏洩量が変化することで、第2の測定手段で測定したガス流量も変動する。このような場合に、このガス流量が、反りのない状態で基板を吸着したときのガス流量に基づき、両電極間に印加する直流電圧を制御すれば、適切な吸着電力で基板を吸着してプラズマ処理を行い得る。尚、本発明においては、前記除去手段は、特定の周波数の交流成分を除去するフィルタ回路または特定の周波数の交流成分を除去するフィルタとして機能するデジタルシグナルプロセッサーとすればよい。以下に図面を参照して、処理すべき基板をウエハWとし、プラズマ処理装置内に配置される本実施形態の基板保持装置ECを説明する。なお、本実施形態の基板保持装置ECが用いられるプラズマ処理装置としては、DCまたはACスパッタリング装置や反応性イオンエッチング装置等、処理室内にプラズマ雰囲気を形成する方法は問わず、公知のものが利用できるため、ここでは詳細な説明を省略する。図1に示すように、基板保持装置ECは所謂静電チャックであり、図示省略の処理室内の底部に直接または基台を介して配置されるチャック本体1と、このチャック本体1の上面に設けられた誘電体たるチャックプレート2とから構成される。チャック本体1は、例えば窒化アルミ製であり、図示省略の絶縁層を介して正負の電極3a、3bが組み込まれ、両電極3a、3b間には、電源回路E内の直流電源E1から直流電圧が印加される。また、チャック本体1には、上下方向に貫通するガス通路4が形成され、このガス通路4の下端は、APC自動圧力コントローラ5を介設したガス管6を介して不活性ガスからなるアシストガスを収容したガス源7に連通し、これらの部品が本実施形態のガス供給手段を構成する。さらに、チャック本体1には、抵抗加熱式のヒータ8が内蔵され、ウエハWを所定温度に加熱保持できるようになっている。なお、チャック本体1に、冷却通路を形成して冷媒を循環させてウエハWを冷却できる構成とすることもできる。チャックプレート2は、例えば窒化アルミ製であり、ウエハW裏面の外周縁部が面接触可能な環状のリブ部2aと、リブ部2aで囲繞された内部空間2bで同心状に立設された複数個の棒状の支持部2cとを備える。そして、チャックプレート2にウエハWを載置した後、両電極3a、3b間に、直流電源E1を介して直流電圧を印加することで発生する静電気力でウエハWがチャックプレート2の表面で吸着される。このとき、ウエハW裏面の外周縁部がリブ部2aとその全周に亘って面接触することで内部空間2bが略密閉されるこの場合、ウエハWはチャックプレート2表面に略平行な状態となる。この状態で、ガス供給手段を介してアシストガスを供給すると内部空間2bにガス雰囲気の形成される。これにより、リブ部2aとウエハW裏面とで画成される内部空間2bにガス雰囲気を形成することで、ウエハWへの熱伝達をアシストして効率よく加熱または冷却できる。上記基板保持装置ECでは、チャック電源E内の直流電源E1から両電極3a、3bへの電圧印加の制御やガス供給手段による不活性ガス供給の制御等は、マイクロコンピュータなどを備えた制御手段Cにより統括制御されるようになっている。なお、ウエハW裏面の外周縁部とリブ部2aとの間にはシール部材を設けていないので、ウエハW裏面の外周縁部がリブ部2aとその全周に亘って面接触している場合でも微量例えば0.01~0.03sccmの不活性ガスが漏れることとなる。ところで、ウエハWには、図2a及びbに示すように、例えばそれ自体の応力やウエハW表面に形成した膜の応力により圧縮方向または引張方向の反りが生じている。このため、制御手段Cに予め登録された一定の設定電圧に基づき、両電極3a、3bへの印加電圧を制御してウエハWを吸着すると、ウエハWによっては反った状態のままチャックプレート2で吸着される場合が生じる。このとき、圧縮方向の反りが生じているウエハWを例に説明すると、チャック本体1上面からチャックプレート2上のウエハ裏面までの距離D1、D2は、ウエハWの中央部距離D1と、ウエハWの周辺部距離D2とで一致しなくなる図2a参照。このような場合、ヒータ8を作動してウエハWを加熱すると、不活性ガス雰囲気を介したウエハWへの熱伝達量がウエハW面内で異なり、結果として、ウエハWの温度がその面内で不均一になるという不具合が生じる。そこで、チャック電源E内で直流電源E1に交流電源E2を並列に接続し、制御手段Cにより交流電源E2から静電チャックの静電容量を通る交流電流を流し、図示省略の公知の電流計第1の測定手段Mにて測定した電流値からインピーダンス値を監視すると共に、APC5の下流側でガス管6に公知のマスフロメータ第2の測定手段9を介設してガス流量を監視することとした。そして、インピーダンス及びガス流量の少なくとも一方が所定の範囲を超えて変動すると、制御手段Cにより直流電源E1からの吸着電圧を変化させることでウエハWの吸着力を変化させ、ウエハWがチャックプレート2表面に略平行な状態、即ち、チャック本体1上面からウエハW裏面までの距離D1、D2を相互に一致させるようにした。以下に、静電チャックECでのウエハWの吸着の制御を具体的に説明する。製品たるウエハWへのプラズマ処理に先立って、チャックプレート2表面に、処理に用いられるものと同一のウエハWを載置した後、チャックプレート2表面にウエハWを載置した後に交流電源E2を介して交流電流を流し、そのときの電流値から静電容量のインピーダンス値を測定する。次に、直流電源E1を介して両電極3a、3b間に所定の直流電圧を印加してチャックプレート2表面にウエハWを吸着する。このとき、ウエハW裏面の外周縁部がリブ部2aとその全周に亘って面接触してウエハWが略水平な状態となるように直流電圧を制御する図1参照。そして、このように面接触して吸着されたときのインピーダンス値を測定し、この測定結果基準値が制御手段Cに予め記憶させておく。なお、ウエハWが略水平な状態か否かは、例えば公知の変位計を用いて判断すればよい。この状態で、ガス供給手段を介してArガスを内部空間2bに一定の流量で導入してそのガス流量をマスフロメータ9で測定すると、その当初の流量が多くなり、時間の経過と共に一定の値を示すようになり、この測定結果他の基準値が制御手段Cに予め記憶させておく。そして、上記各基準値から、ウエハWを略水平に吸着保持するために許容できる所定の範囲が決められ、制御手段Cに記憶され、ウエハ吸着準備が完了する。次に、製品たるウエハWがチャックプレート2上に搬送されて位置決めされた後、チャックプレート2表面に吸着する。このとき、交流電源E2から交流電流を流し、そのときのインピーダンスが電流計Mにて測定されると共に、マスフロメータ9にてガス流量が測定される。ここで、ウエハWに圧縮方向の反りが生じている場合、インピーダンスが変化して高くなる。他方で、ウエハWが引張方向の反りを生じている場合には、チャックプレート2にウエハWを吸着しても、リブ部2aとウエハWの外周縁部とは面接触せず、両者の間の隙間が大きくなって漏洩するガス量が大きくなるため、マスフロメータ9で測定しているガス流量が変化して多くなる。これにより、チャックプレート2に吸着されたウエハWの反り状態が把握される。次に、上記インピーダンス値及びガス流量が制御手段Cにて上記所定の範囲内に存するかが判断される。その結果、いずれか一方の測定値が所定の範囲を超えていると、制御手段Cにより直流電源E1を介して両電極3a、3b間に印加する直流電圧が変更され、その測定値が所定の範囲内に存するように制御される。そして、各測定値が所定の範囲内に存すると、例えば、ヒータ8が作動されてウエハWが所定温度例えば400°Cに加熱されて所定温度に保持され、この状態でウエハWに対してプラズマ処理が行われる。プラズマ処理中もまた、インピーダンスが所定の範囲内にあるかが間欠または連続して測定されるが、このインピーダンスの変化からウエハW状態を監視できない場合があり、また、ウエハWの吸着力が、強くなったり、弱くなったりし過ぎることが判明した。これは、処理室内に発生させたプラズマ中の交流成分が交流電流に重畳することで、インピーダンス値が変動することに起因していると考えられる。つまり、DCスパッタリング装置によりウエハWに成膜する場合を例に説明すると、ターゲットに直流電力を投入するスパッタ電源は、通常、商用の交流電力を整流して直流電力に変換した後あるいはインバータ変換にて再度交流に変換し、その出力を整流して、その直流電力をターゲットに投入している。このため、処理室内にプラズマを発生させたとき、このプラズマ中にはスパッタ電源からの交流成分が含まれ、この交流成分がチャック電源E内の交流電流に重畳してインピーダンス値が変動する。このようなインピーダンス値の変動は、プラズマ発生用の電源として交流電源や高周波電源を用いた場合や基板保持手段1に高周波電源を接続して基板にバイアス電圧を印加する場合にも、発生する。以上説明したインピーダンス値の変動を確認するため、上記構成の基板保持装置を設けた公知のDCスパッタリング装置を用いて次のような実験を行った。即ち、スパッタリングの際の条件として、ターゲットをTi製とし、スパッタ電源から投入する直流電力を18kW、アルゴンガススパッタガスの流量を8sccmとした。ウエハWを基板保持装置のチャックプレート2上に位置決め配置した後、直流電源E1により両電極3a、3b間に直流電圧を印加してチャックプレート2表面にウエハWを吸着させた。このとき、直流電源E1からの電圧を0.8kV、ガス供給手段からのアシストガスのガス圧を400Paとした。この場合のインピーダンス値は約17.5kΩであった図3参照。次に、上記条件で真空チャンバを真空排気してアルゴンを導入した後、スパッタ電源をONしてターゲットに電力投入した。このとき、直流電源E1からの両電極3a、3bへの電圧は一定とした。これによれば、図3に示すように、電力投入直後から電流計Mで測定された交流電流値が変動して、インピーダンス値が約13kΩまで低くなっており、また、電力投入中、インピーダンス値が大きく変動し、時間の経過と共に徐々に低下していることが判る。尚、図3中、線a1は、インピーダンスの変動量を示し、線b1は、直流電流の変動量を示し、線c1は、アシストガスの流量の変動量を示す。また、マスフロメータ9で測定したアシストガスのガス流量変動量も時間の経過と共に減少している。このように上記実験では、インピーダンス値の変動量が大きく、場合によっては、成膜時のTi膜の応力でウエハWに反りが判断できない場合がある。また、プラズマ処理スパッタ電源ONした後中にインピーダンス値が小さくなることで、上記と同様に直流電源E1からの直流電圧を制御すれば、ウエハWの吸着力を低下させることになる。このような場合、成膜時の膜の応力により吸着不良が発生したり、または、異常放電を誘発する虞がある。次に、上記と同じスパッタリング装置を用いて、プラズマ雰囲気中に導入するスパッタガスの流量5~40sccmの範囲及びターゲットへの投入電力5~20kWの範囲の依存性を確認した。この実験では、スパッタ電源を適宜制御して処理室内で放電させない場合のインピーダンスの変動も併せて確認した。これによれば、図4及び図4bに点線で示すように、スパッタリング時に導入するスパッタガスの導入量が多くなるに従い、インピーダンス値が大きく変動するが、投入電力を変化させても然程インピーダンスが低下するものではないことが判る。なお、図4はガス流量を変化させたときのインピーダンス値の変動を示し、図4a中、点線ー◇ーは放電させない場合、点線ー□ーは放電させた場合である。また、図4bは、スパッタ電源からの投入電力を変化させたときのインピーダンス値の変動を示し、点線ー◇ーは放電させない場合、点線ー□ーは放電させた場合である。なお、特に図示して説明しないが、高周波電源を用いた処理室内にプラズマを発生させた場合には、インピーダンス値が低くなり、また、高周波電源を用いてプラズマ処理中に基板にバイアス電圧を印加すると、その印加電圧が高くなるに従い、インピーダンス値が小さくなることが確認された。以上の実験結果を基に本発明の実施形態では、チャック電源E内に、特定の周波数の交流成分を除去するフィルタ回路Fを設けた図1参照。フィルタ回路Fとしては、図5に示すように、抵抗R1、R2R3、R4、コンデンサC1、C2C3、C4及びオペアンプOP1OP2からなる回路を直列に接続してなる所謂ローパスフィルタが用いられ、所定の遮断周波数より高い周波数の帯域を通さないようになっている。この場合、遮断周波数は、基板保持装置が用いられるプラズマ処理装置の構成部品電源の種類やバイアス電圧印加の有無やプロセス条件プラズマ処理時の処理圧内の圧力や処理時に導入するガス種は流量に応じて適宜選択される。以上の効果を確認するため、上記実験と同一のスパッタリング装置を用い、同一のスパッタ条件でウエハWに成膜した。この場合、チャック電源Eに設けたフィルタ回路Fとして、図5に示すものを用いた。これによれば、図6に示すように、電力投入直後から電流計Mで測定された交流電流値が上昇してインピーダンス値が低くなっているが、その低下量約9kΩは少なく、また、スパッタ電源から電力投入中スパッタリング中、インピーダンスの変動量も少なくなっていることが判る。尚、図3中、線a2は、インピーダンスの変動量を示し、線b2は、交流電流の変動量を示し、線c2は、アシストガスの流量の変動量を示す。また、図4及び図4bに実線で示すように、スパッタリング時に導入するスパッタガスの導入量や投入電力を変化させても殆どインピーダンス値が変動しないことが判る。図4中、実線ー▲ーが放電させない場合、実線ー■ーが放電させた場合である。また、図4b中、実線ー▲ーが放電させない場合、実線ー■ー:放電させた場合である。このように本実施形態においては、フィルタ回路Fを最適化すれば、プラズマ処理時の交流成分の影響を受けずに、インピーダンス値の変動から基板状態膜応力で反りが発生したか等を確実に把握でき、しかも、プラズマ処理中のインピーダンスの変動量に応じて制御手段Cにより直流電源E1からの直流電圧を制御すれば、最適な基板の吸着力で基板を吸着できる。その結果、プラズマ処理中にウエハWの破損を招いたり、異常放電を誘発したりすることが防止できる。なお、プラズマ処理中のインピーダンスの変動量に応じて制御手段Cにより直流電源E1からの直流電圧を制御する場合、予め、処理室内の圧力またはプラズマ処理時に導入するガス量におけるインピーダンスの変動量を予め取得しておき、この変動量を補正して制御することもできる。また、上記実施形態では、フィルタ回路Fを設けたものを例に説明したが、これに限定されるものではなく、特定の周波数帯域の交流成分を遮断できれば除去手段としては特に制限はなく、例えば、特定の周波数帯域の交流成分を遮断するフィルタとして機能するデジタルシグナルプロセッサーを用いることができ、また、プラズマ処理装置によっては、フィルタ回路とデジタルシグナルプロセッサーとを組み合わせて使用することもできる。また、上記実施形態では、DCスパッタリング装置での実験を基に説明しているが、セルフバイアス式のスパッタリング装置や反応性イオンエッチング装置にも本発明を適用すれば、最適な吸着力でウエハが吸着保持できることが確認され、また、膜厚分布の面内均一性も向上できることが確認された。