複数の走査線と、複数のデータ線と、前記複数のデータ線の各々の電位をそれぞれ保持する第1保持容量と、複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して設けられた画素回路と、前記画素回路を駆動する駆動回路と、を有し、前記画素回路は、ゲートソース間の電圧に応じた電流を供給する第1トランジスターと、前記第1トランジスターにより供給された電流に応じた輝度で発光する発光素子と、前記第1トランジスターのゲートソース間の電圧を保持する第2保持容量と、前記データ線と前記第1トランジスターのゲートとの間でオンまたはオフする第2トランジスターと、前記第1トランジスターのゲートドレインの間でオンまたはオフする第3トランジスターと、を含み、前記駆動回路は、第1期間に、前記第2トランジスターをオフさせた状態で、前記データ線に階調レベルに応じた電位のデータ信号を供給し、前記第1期間に続く第2期間に、前記第2トランジスターおよび第3トランジスターをオンさせ、前記第2期間の後の第3期間では、前記第2トランジスターおよび前記第3トランジスターをオフさせることを特徴とする電気光学装置。前記画素回路は、一端が前記第1トランジスターのゲートに接続された第3保持容量を含み、前記制御回路は、前記第2トランジスターおよび前記第3トランジスターをオフさせた状態で、前記第3保持容量の他端の電位を、前記第2保持容量に保持された電圧を減少させる方向に変化させることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。一端が前記データ線に接続された第4保持容量を有し、前記制御回路は、前記第2トランジスターをオンさせた状態であって、前記第3トランジスターをオフさせた状態で、前記第4保持容量の他端の電位を、前記第2保持容量に保持された電圧を減少させる方向に変化させることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。前記データ線には、第1データ線と第2データ線とがあり、前記駆動回路は、前記複数の走査線を所定の順番で選択し、前記複数の走査線のうち一の走査線に対応する画素回路は、前記第1データ線に対応し、前記一の走査線の次に選択される走査線に対応する画素回路は、前記第2データ線に対応し、前記一の走査線に対応する画素回路において、前記第2期間の動作が進行しているときに、前記一の走査線の次に選択される走査線に対応する画素回路において、前記第1期間の動作が進行していることを特徴とする請求項2または3に記載の電気光学装置。前記第1データ線と前記第2データ線との間に、所定の電位に維持された給電線が配設されたことを特徴とする請求項4に記載の電気光学装置。前記駆動回路は、前記第1期間に、前記第3トランジスターをオンさせ、その後、オフさせることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の電気光学装置。前記駆動回路は、前記第3期間の前に前記第2トランジスターをオフさせるタイミングを、時間的に前後に移動可能とすることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の電気光学装置。前記画素回路は、前記第1トランジスターと前記発光素子との間でオンまたはオフする第4トランジスターを有し、前記制御回路は、前記第3期間において前記第4トランジスターをオンさせることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の電気光学装置。複数の走査線と、複数のデータ線と、前記複数のデータ線の各々の電位をそれぞれ保持する第1保持容量と、複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して設けられた画素回路と、を有し、前記画素回路は、ゲートソース間の電圧に応じた電流を供給する第1トランジスターと、前記第1トランジスターにより供給された電流に応じた輝度で発光する発光素子と、前記第1トランジスターのゲートソース間の電圧を保持する第2保持容量と、前記データ線と前記第1トランジスターのゲートとの間でオンまたはオフする第2トランジスターと、前記第1トランジスターのゲートドレインの間でオンまたはオフする第3トランジスターと、を含む電気光学装置の駆動方法であって、第1期間に、前記第2トランジスターをオフさせた状態で、前記データ線に階調レベルに応じた電位のデータ信号を供給し、前記第1期間に続く第2期間に、前記第2トランジスターおよび第3トランジスターをオンさせ、前記第2期間の後の第3期間では、前記第2トランジスターおよび前記第3トランジスターをオフさせることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。請求項1乃至8のいずれかに記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。ところで、表示サイズの小型化や表示の高精細化に伴って、画素回路が微細化されると、保持容量の容量サイズが小さくなって、トランジスターの特性を十分に補償することができなくなる、という問題が生じた。本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的の一つは、トランジスターのゲートソース間の電圧を保持する保持容量の容量サイズが小さくても、当該トランジスターの特性を十分に補償することが可能な技術を提供することにある。上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置にあっては、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記複数のデータ線の各々の電位をそれぞれ保持する第1保持容量と、複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して設けられた画素回路と、前記画素回路を駆動する駆動回路と、を有し、前記画素回路は、ゲートソース間の電圧に応じた電流を供給する第1トランジスターと、前記第1トランジスターにより供給された電流に応じた輝度で発光する発光素子と、前記第1トランジスターのゲートソース間の電圧を保持する第2保持容量と、前記データ線と前記第1トランジスターのゲートとの間でオンまたはオフする第2トランジスターと、前記第1トランジスターのゲートドレインの間でオンまたはオフする第3トランジスターと、を含み、前記駆動回路は、第1期間に、前記第2トランジスターをオフさせた状態で、前記データ線に階調レベルに応じた電位のデータ信号を供給し、前記第1期間に続く第2期間に、前記第2トランジスターおよび第3トランジスターをオンさせ、前記第2期間の後の第3期間では、前記第2トランジスターおよび前記第3トランジスターをオフさせることを特徴とする。本発明によれば、第1期間に、データ線に付加された第1保持容量は、階調レベルに応じた電圧を保持する。第2期間において、第1トランジスターは、第3トランジスターによってダイオード接続される。このダイオード接続によって流れる電流によって、第1保持容量に保持された電圧が第1トランジスターの駆動能力に応じて負帰還制御される。このため、画素回路において第1トランジスターのゲートソース間の電圧を保持する第2保持容量の容量サイズが小さくても、第1トランジスターの特性を十分に補償することができる。ところで、このままでは第2期間においてダイオード接続された第1トランジスターのゲートソース間の電圧を、閾値電圧近傍にさせることが困難になり、低階調側黒側の表現が低下する可能性がある。そこで、本発明において、前記画素回路は、一端が前記第1トランジスターのゲートに接続された第3保持容量を含み、前記制御回路は、前記第2トランジスターおよび前記第3トランジスターをオフさせた状態で、前記第3保持容量の他端の電位を、前記第2保持容量に保持された電圧を減少させる方向に変化させる構成が好ましい。この構成によれば、画素回路に設けられた第3保持容量を介して、第1トランジスターのゲートの電位がオフセットされるので、第3期間の開始時には、第1トランジスターのゲートソース間の電圧を、閾値電圧近傍にさせることが容易になり、低階調側の表現を改善することができる。また、低階調側の表現を改善するために、本発明において、一端が前記データ線に接続された第4保持容量を有し、前記制御回路は、前記第2トランジスターをオンさせた状態であって、前記第3トランジスターをオフさせた状態で、前記第4保持容量の他端の電位を、前記第2保持容量に保持された電圧を減少させる方向に変化させる構成としても良い。この構成によれば、画素回路外にあって、データ線に接続された第4保持容量を介して、第1トランジスターのゲートの電位がオフセットされるので、第3期間の開始時には、第1トランジスターのゲートソース間の電圧を、閾値電圧近傍にさせることが容易になる。いずれの構成においても、前記データ線には、第1データ線と第2データ線とがあり、前記駆動回路は、前記複数の走査線を所定の順番で選択し、前記複数の走査線のうち一の走査線に対応する画素回路は、前記第1データ線に対応し、前記一の走査線の次に選択される走査線に対応する画素回路は、前記第2データ線に対応し、前記一の走査線に対応する画素回路において、前記第2期間の動作が進行しているときに、前記一の走査線の次に選択される走査線に対応する画素回路において、前記第1期間の動作が進行していることが好ましい。これにより、垂直周波数が同じでも、第1期間および第2期間として倍の時間を確保することができる。ここで、前記第1データ線と前記第2データ線との間に、所定の電位に維持された給電線が配設された態様が好ましい。この態様によれば、第1データ線と第2データ線との容量結合によって一方の電位変動が他方の電位に影響を与えてしまうことを防止することができる。本発明において、前記駆動回路は、前記第1期間に、前記第3トランジスターをオンさせ、その後、オフさせる構成が好ましい。この構成によれば、第3トランジスターのオンによって、それまで第2保持容量に保持されていた電圧が初期化されるので、第2期間における負帰還制御に及ぼす影響を抑えることができる。また、本発明において、前記第3期間の前に前記第3トランジスターをオフさせるタイミングを、時間的に前後に移動可能とする構成としても良い。第1期間に第1保持容量に保持された電圧、すなわち階調レベルに応じた電圧は、負帰還制御により、第1トランジスターの駆動能力に応じて変更されるが、この負帰還制御の終期は、第2期間以降、第3トランジスターがオフするときである。したがって、前記第3トランジスターをオフさせるタイミングを時間的に前または後に移動させると、負帰還制御期間が一律に短く、または、長くなる。このため、第1トランジスターのゲートソース間の電圧に反映されて、発光素子に供給する電流、すなわち、発光素子の輝度を調整することが可能になる。本発明において、前記画素回路は、前記第1トランジスターと前記発光素子との間でオンまたはオフする第4トランジスターを有し、前記制御回路は、前記第3期間において前記第4トランジスターをオンさせる構成としても良い。なお、本発明は、電気光学装置のほか、電気光学装置の駆動方法や、当該電気光学装置を有する電子機器として概念することも可能である。電子機器は、典型的には、ヘッドマウントディスプレイや電子ビューファイダーのなどの表示装置が挙げられる。以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。<第1実施形態>図1は、表示システム1の全体構成を示すブロック図である。この表示システム1は、本発明の第1実施形態に係る電気光学装置10のほか、制御回路2、温度センサー3および光センサー4を含む構成となっている。電気光学装置10は、複数の画素回路や当該画素回路を駆動する駆動回路などが例えばシリコン基板に形成された有機EL装置であって、画素回路には、発光素子の一例であるOLEDが用いられている。温度センサー3は、電気光学装置10の周辺環境における温度を検出して、その温度情報を制御回路2に供給する。光センサー4は、周辺環境における輝度を検出して、その輝度情報を制御回路2に供給する。制御回路2には、表示すべき画像を示す画像信号Vidが信号Syncに同期して供給される。制御回路2は、電気光学装置10における駆動回路を制御するために、信号Syncにしたがって各種の制御信号を電気光学装置10に供給するとともに、画像信号Vidを、電気光学装置10の制御に合わせてデータ信号Vd~Vdに変換して出力する。なお、制御回路2は、検出された環境温度や環境輝度による設定情報に応じて、後述するように電気光学装置10における輝度を調整する場合がある。図2は、第1実施形態に係る電気光学装置10の構成を示す図である。この図に示されるように、電気光学装置10は、走査線駆動回路20と、デマルチプレクサ30と、表示部100とに大別される。このうち、表示部100には、表示すべき画像の画素に対応した画素回路110がマトリクス状に配列されている。詳細には、表示部100において、m行の走査線12が図において横方向に延在して設けられ、また、3列毎にグループ化された3n列のデータ線14が図において縦方向に延在し、かつ、各走査線12と互いに電気的な絶縁を保って設けられている。そして、m行の走査線12と3n列のデータ線14との交差部に対応して、画素回路110が設けられている。このため、本実施形態において画素回路110は、縦m行×横3n列でマトリクス状に配列している。m、nは、いずれも自然数である。走査線12および画素回路110のマトリクスのうち、行ロウを区別するために、図において上から順に1、2、3、...、m-1、m行と呼ぶ場合がある。同様にデータ線14および画素回路110のマトリクスの列カラムを区別するために、図において左から順に1、2、3、...、3n-1、3n列と呼ぶ場合がある。また、データ線14のグループを一般化して説明するために、1以上n以下の整数jを用いると、図1において左から数えてj番目のグループには、3j-2列目、3j-1列目および3j列目のデータ線14が属している、ということになる。なお、同一行の走査線12と同一グループに属する3列のデータ線14との交差に対応した3つの画素回路110は、それぞれR赤、G緑、B青の画素に対応して、これらの3画素が表示すべきカラー画像の1ドットを表現する。すなわち、本実施形態では、RGBに対応したOLEDの発光によって1ドットのカラーを加法混色で表現する構成となっている。電気光学装置10には、次のような制御信号が制御回路2から供給される。詳細には、制御回路2から、走査線駆動回路20を制御するための制御信号Ctryと、デマルチプレクサ30での選択を制御するための正論理の制御信号Sel、Sel、Selと、これらの相補的な関係にある負論理の制御信号/Sel、/Sel、/Selとが供給される。なお、制御信号Ctryには、実際にはパルス信号や、クロック信号、イネーブル信号など、複数の信号が含まれる。また、制御回路2から、デマルチプレクサ30での選択タイミングに合わせてデータ信号Vd、Vd、...、Vdが1、2、...、n番目のグループに対応して供給される。なお、データ信号Vd~Vdが取り得る電位の最高値Vdataは、階調レベルが最低である黒レベルに相当し、最低値Vdataは、階調レベルが最高である白レベルに相当する。走査線駆動回路20は、フレームの期間にわたって走査線12を1行毎に順番に走査するための走査信号を、制御回路2から供給される制御信号Ctryにしたがって生成するものである。ここで、1、2、3、...、m-1、m行目の走査線12に供給される走査信号を、それぞれGwr、Gwr、Gwr、...、Gwr、Gwrと表記している。なお、走査線駆動回路20は、走査信号Gwr~Gwrのほかにも、当該走査信号に同期した各種の制御信号を生成して表示部100に供給するが、図2においては図示を省略している。また、フレームの期間とは、電気光学装置10が1カットコマ分の画像を表示するのに要する期間をいい、信号Syncで規定される垂直走査周波数が120Hzであれば、その1周期分の8.3秒の期間である。デマルチプレクサ30は、データ線14毎に設けられたトランスミッションゲート34の集合体であり、各グループを構成する3列のデータ線14に対し、データ信号を順番に供給するものである。ここで、j番目のグループに属する3j-2、3j-1、3j列目のデータ線14に対応したトランスミッションゲート34の入力端には、それぞれデータ信号Vdが共通に供給され、各出力端は、それぞれ対応するデータ線14の一端に接続されている。また、j番目のグループにおいて左端列である3j-2列目のデータ線14に設けられたトランスミッションゲート34は、制御信号SelがHレベルであるとき制御信号/SelがLレベルであるときにオン導通して、データ信号Vdを当該左端列のデータ線14に供給する。同様に、j番目のグループにおいて中央列である3j-1列目のデータ線14に設けられたトランスミッションゲート34は、制御信号SelがHレベルであるとき制御信号/SelがLレベルであるときにオンし、データ信号Vdを当該中央列のデータ線14に供給する。j番目のグループにおいて右端列である3j列目のデータ線14に設けられたトランスミッションゲート34は、制御信号SelがHレベルであるとき制御信号/SelがLレベルであるときにオンし、データ信号Vdを当該右端列のデータ線14に供給する。第1保持容量としての保持容量70は、データ線14毎に設けられている。詳細には、保持容量70の一端はデータ線14に接続され、他端は、各列の保持容量70にわたって共通の例えば電位Vssに接地されている。なお、電位Vssは、論理信号である走査信号や制御信号のLレベルに相当する。また、本実施形態では、便宜的に走査線駆動回路20およびデマルチプレクサ30に分けているが、これらについては、まとめて、画素回路110を駆動する駆動回路として概念することが可能である。図3を参照して画素回路110について説明する。各画素回路110については電気的にみれば互いに同一構成なので、ここでは、i行目であって、j番目のグループのうち左端列である3j-2列に位置するもので代表して説明する。なお、iは、画素回路110が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、1以上m以下の整数である。図3に示されるように、画素回路110は、Pチャネル型のトランジスター121~125と、OLED130と、保持容量132、133とを含む。また、i行目の画素回路110には、走査信号Gwrのほか、制御信号Gcmp、Gel、Gorst、Vrfが、走査線駆動回路20によって共通に供給される。i行3j-2列の画素回路110におけるトランジスター122にあっては、ゲートノードがi行目の走査線12に接続され、ドレインまたはソースノードの一方が3j-2列目のデータ線14に接続され、他方がトランジスター121におけるゲートノードgと、保持容量132の一端と、保持容量133の一端と、トランジスター123のドレインノードとにそれぞれ接続されている。トランジスター121にあっては、ソースノードが給電線116に接続され、ドレインノードがトランジスター123のソースノードと、トランジスター124のソースノードとにそれぞれ接続されている。ここで、給電線116には、画素回路110において電源の高位側となる電位Velが給電される。トランジスター123にあって、ゲートノードにはi行目に対応した制御信号Gcmpが供給される。トランジスター124にあって、ゲートノードにはi行目に対応した制御信号Gelが供給され、ドレインノードがトランジスター125のソースノードとOLED130のアノードとにそれぞれ接続されている。トランジスター125にあって、ゲートノードにはi行目に対応した制御信号Gorstが供給され、ドレインノードは電位Vorstに保たれている。ここで、トランジスター121が第1トランジスターに相当し、トランジスター122が第2トランジスターに相当し、トランジスター123が第3トランジスターに相当し、トランジスター124が第4トランジスターに相当する。また、保持容量132が第2保持容量に相当し、保持容量133が第3保持容量に相当する。ここで、保持容量70、132、133の容量サイズをそれぞれC1、C2、C3としたとき、保持容量70、132、133の容量サイズは、本実施形態では、次のような関係にある。C1>>C2>C3すなわち、データ線14に付加された保持容量70の容量サイズは、画素回路110に設けられた保持容量132、133の容量サイズと比較すれば十分に大きい。なお、保持容量132の他端は、給電線116に接続される。保持容量133の他端は、制御信号Vrfが供給される信号線117に接続される。この制御信号Vrfは、制御信号Gel、Gcmp、Gorstのような論理信号ではなく、高位側の電位がVrfHであり、低位側の電位がVrfLで規定される。また、本実施形態において電気光学装置10はシリコン基板に形成されるので、トランジスター121~125の基板電位を電位Velとしている。OLED130のカソードは、画素回路110のすべてにわたって共通である共通電極118であり、画素回路110において電源の低位側となる電位Vctに保たれている。OLED130のアノードは、画素回路110毎に個別に設けられる画素電極である。OLED130は、上記シリコン基板において、アノードと光透過性を有するカソードとで白色有機EL層を挟持した素子である。そして、OLED130には、出射側カソード側にRGBのいずれかに対応したカラーフィルターが重ねられる。このようなOLED130において、アノードからカソードに電流が流れると、カソードから注入された電子とアノードから注入された正孔とが有機EL層で再結合して励起子が生成され、白色光が発生する。このときに発生した白色光は、シリコン基板アノードとは反対側のカソードを透過し、カラーフィルターによる着色を経て、観察者側に視認される構成となっている。図4を参照して電気光学装置10の動作について説明する。なお、図4は、電気光学装置10における各部の動作を説明するためのタイミングチャートであるが、電圧振幅を示す縦スケールは、説明便宜のために必ずしも一致していない。この図に示されるように、走査線駆動回路20が走査信号Gwr~Gwrの電位を順番に切り替えることによって、1フレームの期間において1~m行目の走査線12が1水平走査期間H毎に順番に走査される。1水平走査期間Hでの動作は、各行の画素回路110にわたって共通である。そこで以下については、i行目が水平走査される走査期間において、i行3j-2列の画素回路110について着目して動作を説明する。本実施形態において、i行目の走査期間は、大別すると、図4に示されるように初期化期間および補償期間に分けられる。そして、補償期間の後、間をおいて発光期間となり、1フレームの期間経過後に再びi行目の走査期間に至る。このため、時間の順でいえば、発光期間→初期化期間→補償期間→発光期間というサイクルの繰り返しとなる。なお、図4においては、i行目の走査期間に着目しているので、i行目の制御信号Gel、Gcmp、Gorst、Vrfについて図示しているが、i行目以外の制御信号についても、対応する行の走査信号を基準とした波形となる。<発光期間>説明の便宜上、初期化期間の前提となる発光期間から説明する。図4に示されるように、i行目の発光期間では、走査信号GwrがHレベルである。また、論理信号である制御信号Gel、Gcmp、Gorstのうち、制御信号GelのみがLレベルであり、他はHレベルである。このため、i行3j-2列の画素回路110においては、図5に示されるように、トランジスター124がオンする一方、トランジスター122、123、125がオフしている。したがって、トランジスター121は、ゲートソース間の電圧Vgs、すなわち保持容量132で保持された電圧に応じた電流IdsをOLED130に供給する。後述するように発光期間における電圧Vgsは、階調レベルに応じた電圧を、トランジスター121の駆動能力に応じて負帰還制御した電圧である。このため、OLED130には、階調レベルに応じた電流が、トランジスター121における駆動能力を相殺した状態で流れて発光することになる。なお、i行目の発光期間においては、i行目以外の水平走査によって、走査される行に対応したデータ信号が供給されるので、データ線14の電位は適宜変動する。ただし、i行目の画素回路110においては、トランジスター122がオフしているので、データ線14の電位変動を考慮する必要はない。また、図5においては、動作説明で重要となる経路を太線で示している以下、図6~図8、図14~図17においても同様である。<初期化期間>次に、i行目の初期化期間第1期間に至ると、発光期間と比較して、制御信号GelがHレベルに、制御信号Gcmp、GorstがLレベルに、それぞれ転じるとともに、制御信号Vrfが電位VrfLとなる。このため、i行3j-2列の画素回路110においては、図6に示されるように、トランジスター123、125がオンする一方、トランジスター124がオフする。第1に、トランジスター123のオンによってトランジスター121は、ダイオード接続状態になる。これにより、トランジスター121のゲートソース間の電圧Vgsが当該トランジスター121の閾値電圧Vthに収束するので、保持容量132による保持電圧は、発光期間における電圧状態からリセットされる。また、保持容量133の保持電圧についても、同様に、発光期間における電圧状態からリセットされる。したがって、次の補償期間において、ゲートノードgがデータ線14に接続された際に、保持容量132、133の保持電圧の影響を受けないようになっている。第2に、トランジスター124のオフによってOLED130に流れる電流経路が遮断されるとともに、トランジスター125のオンによってOLED130のアノードが電位Vorstにリセットされる。OLED130は、上述したようにアノードとカソードとで有機EL層を挟持した構成であるので、アノードカソードの間には並列に容量が寄生する。発光期間においてOLED130に電流が流れていたときに、当該OLED130のアノードカソード間の両端電圧が寄生容量によって保持されるが、当該寄生容量の保持電圧は、トランジスター125のオンによってリセットされる。このため、本実施形態では、後の発光期間においてOLED130に再び電流が流れるときに、寄生容量で保持された電圧の影響を受けにくくなる。詳細には、例えば高輝度の表示状態から低輝度の表示状態に転じるときに、リセットしない構成であると、輝度が高い大電流が流れたときの高電圧が保持されてしまうので、次に、小電流を流そうとしても、過剰な電流が流れてしまって、低輝度の表示状態にさせることができなくなる。これに対して、本実施形態では、トランジスター125のオンによってOLED130のアノードの電位がリセットされるので、低輝度側の再現性が高められることになる。なお、本実施形態において、電位Vorstについては、当該電位Vorstと共通電極118の電位Vctとの差がOLED130の発光閾値電圧を下回るように設定される。このため、初期化期間および、次に説明する補償期間において、OLED130はオフ非発光状態である。第3に、i行目の初期化期間では、データ信号Vd~Vdとして、i行目であって各グループに属する3列のうち、左端列、中央列、右端列の画素の階調レベルに対応した電位のデータ信号が順番に供給される。例えば制御回路2は、j番目のグループでいえば、図4に示されるようにデータ信号Vdを、i行3j-2列の画素、i行3j-1列の画素、i行3j列の画素、の階調レベルに応じた電位に順番に切り替えて出力する。また、制御回路2は、データ信号の出力に合わせて、制御信号Sel、Sel、Selを排他的にHレベルとする。なお、図4では省略しているが、制御回路2は、制御信号Sel、Sel、Selの各論理レベルをそれぞれ反転させた制御信号/Sel、/Sel、/Selも出力している。これによって、デマルチプレクサ30では、各グループにおいてトランスミッションゲート34が左端列、中央列、右端列の順番でオンして、各グループに属する3列のうち、左端列、中央列、右端列の画素のデータ信号がそれぞれに対応するデータ線14に順番に供給される。したがって、データ線14に付加された保持容量70の各々は、i行目であって、対応する列の画素の階調レベルに応じた電圧に充電されることになる。3j-2列目のデータ線14でいえば、i行3j-2列の画素の階調レベルに応じた電圧に充電される。なお、制御信号Sel、Sel、SelがHレベルからLレベルになると、各列のトランスミッションゲート34がそれぞれオフになる。このため、各列のデータ線14は、初期化期間においては、それぞれ電気的にどの部分にも接続されないフローティング状態になるが、供給されたデータ信号は保持容量70によって保持される。なお、次の補償期間に至る前に、制御信号Gcmpが一旦Hレベルになるので、トランジスター121のダイオード接続が一旦解除される。<補償期間>次に、i行目の補償期間第2期間に至ると、走査信号GwrがLレベルに、制御信号GorstがHレベルに、それぞれ変化する。このため、i行3j-2列の画素回路110においては、図7に示されるように、トランジスター122がオンする一方、トランジスター125がオフする。トランジスター122のオンによって、トランジスター121のゲートノードgは、データ線14に接続された状態になる。また、i行目の補償期間では、制御信号Gcmpが再びLレベルになるので、トランジスター121はダイオード接続状態になる。このため、電流が、給電線116→トランジスター121→トランジスター123→トランジスター122→3j-2列目のデータ線14という経路で流れて、当該データ線14に付加された保持容量70を充電する。このときに流れる電流は、トランジスター121の駆動能力移動度、閾値電圧に応じて異なるので、データ線14ゲートノードgの電位上昇スピードに次のような変化をもたらす。すなわち、このときに流れる電流は、トランジスター121の駆動能力が高いほど多くなるので、データ線14ゲートノードgの電位上昇スピードが速くなる一方、トランジスター121の駆動能力が低いほど少なくなるので、データ線14の電位上昇スピードが遅くなる。当該データ線14を当該電流によって充電する直前の電位は、i行3j-2列の画素の階調レベルに応じた電位である。このため、トランジスター123がオフして補償期間が終了した時点における当該データ線14の電位は、階調レベルに応じた電位を、トランジスター121の駆動能力に応じて変更したものとなる。これを、トランジスター121のゲートソース間の電圧Vgsでみてみると、次のような負帰還制御が働くことになる。すなわち、トランジスター121の駆動能力が高ければ、当該データ線14は、階調レベルに応じた電位からの上昇スピードが速くなり、補償期間の終了時点における電圧Vgsが低くなる結果、駆動能力が高いトランジスター121に対しては、電流が少なく流れる方向に制御が働く。反対に、トランジスター121の駆動能力が低ければ、当該データ線14では、階調レベルに応じた電位からの上昇スピードが遅くなり、補償期間の終了時点における電圧Vgsが高くなる結果、駆動能力が低いトランジスター121に対しては、電流が多く流れる方向に制御が働く。やがて制御信号GcmpがHレベルになる。制御信号GcmpがHレベルになると、トランジスター123がオフになり、トランジスター121のダイオード接続が解除されるので、i行目の補償期間が終了することになる。この後、走査信号GwrがHレベルになると、トランジスター122がオフするので、ゲートノードgはデータ線14から電気的に切り離される。このとき、トランジスター121のゲートソース間の電圧Vgsは、保持容量132に保持される。<オフセット>i行目の補償期間が終了した後に発光期間に至る。第1実施形態においては、i行目の発光期間の開始時に、i行目の信号線117に供給される制御信号Vrfが、すなわち保持容量133の他端が、低位側の電位VrfLから高位側の電位VrfHに上昇する。一方、保持容量132の他端は電位Velに固定されている。このため、図8に示されるように、保持容量132、133の一端同士の接続点であるゲートノードgの電位は、保持容量133の他端における電位変動分VrfH-VrfLを保持容量132、133の容量比に応じた分だけ上昇する方向にオフセットされる。トランジスター121のゲートソース間の電圧Vgsでみれば、当該電圧Vgsは、ゲートノードgの電位上昇分だけ減少する。このように本実施形態において、ゲートノードgの電位をオフセットする理由は、次の通りである。詳細には、発光期間において、階調レベルが最低の黒レベルであるときに相当する電圧Vgsは閾値電圧のVthであり、以下、電圧Vgsは、階調レベルが高くなるにつれて白レベルに近づくにつれて、閾値電圧Vthから高くなる。一方、本実施形態では、補償期間において、ダイオード接続したトランジスター121によって電流を流し、ゲートノードgデータ線14の電位を上昇させて、保持容量132に保持される電圧Vgsを低くしている。しかしながら、電圧Vgsが閾値電圧Vthに近づくにつれて、トランジスター121においてソースからドレインに向かって電流が流れにくくなる。したがって、オフセットしない構成では発光期間に至るまでに、電圧Vgsを閾値電圧Vthに近づけることが困難になるので、低輝度側での階調表現が劣ってしまうことになる。このため、本実施形態では、発光期間の開始時において、ゲートノードgの電位をオフセットすることによって、電圧Vgsを絶対値でみて一律に減少させている。これにより、補償期間の終了時までに電圧Vgsが、電圧Vthに到達しなくても、オフセットによって電圧Vthにシフトさせることができるので、低輝度側の階調表現を改善することが可能になる。<発光期間>書込期間が終了すると、発光期間第3期間に至る。この発光期間では、制御信号GelがLレベルになるので、i行3j-2列の画素回路110においては、トランジスター124がオンする。このため、先の図5に示したように、トランジスター121におけるゲートソース間の電圧Vgsに応じた電流IdsがOLED130に供給されることになる。このような動作は、i行目の走査期間において、着目した3j-2列目の画素回路110以外のi行目の画素回路110においても時間的に並列して実行される。さらに、このようなi行目の動作は、1フレームの期間において1、2、3、...、m-1、m行目の順番で実行されるとともに、フレーム毎に繰り返される。この動作において、各画素回路110におけるOLED130には、トランジスター121の駆動能力のばらつきを補償した電流がそれぞれ供給される。したがって、本実施形態によれば、画素回路110毎にトランジスター121の駆動能力がばらついても、そのばらつきに起因した輝度のムラが抑制されるので、高品位な表示が可能となる。ところで、表示サイズの小型化や表示の高精細化に伴って保持容量132の容量サイズが非常に小さい構成において、先行文献で述べられるような負帰還制御する技術、すなわち、階調レベルに応じた電圧を保持容量132によって保持させるとともに、当該保持電圧によってトランジスター121に電流を流して、当該保持電圧を負帰還制御する技術を適用したとき、次のような問題が生じる。すなわち、保持容量132の容量サイズが非常に小さい場合に、負帰還制御のためにトランジスター121に電流が流れたとき、ゲートソース間の電圧Vgsが瞬時に閾値電圧Vthに達してしまう結果、階調レベルに応じた電圧が失われてしまう。このため、OLED130に階調レベルに応じた電流を流すことができなくなる。これに対し、本実施形態では、初期化期間において、階調レベルに応じた電圧をデータ線14に付加された保持容量70によって一旦保持させるとともに、補償期間において、保持容量70の保持電圧を、トランジスター121の駆動能力に応じて負帰還制御し、最終的に保持容量132に保持させる構成となっている。すなわち、本実施形態では、負帰還制御の対象は、画素回路110内の保持容量132による保持電圧ではなく、データ線14に付加された保持容量70による保持電圧としている。上述したように、保持容量70の容量サイズは保持容量132の容量サイズよりも十分大きいので、保持容量132の容量サイズが非常に小さくても、負帰還制御の際に、ゲートソース間の電圧Vgsが瞬時に閾値電圧Vthに達してしまうことはない。したがって、本実施形態によれば、負帰還制御の際に保持容量132の容量サイズが非常に小さくても、その影響をほとんど無視することができるのである。ところで、OLED130は、一般には負の抵抗温度特性を有するので、低温時には高温時よりも電流が流れにくくなる。また、周辺環境が明るいとき、表示部100による表示画像が見にくくなる。このため、低温時や明るいときには、表示部100による表示画像の輝度を高める方向に制御する必要がある。第1実施形態において保持容量70の保持電圧は、すなわち階調レベルに応じた電圧は負帰還制御によってトランジスター121の駆動能力に応じて変更されるが、この負帰還制御の期間が短いほど階調レベルに応じた電圧からの変化分が少なくなる。電圧Vgsについて絶対値でみれば、負帰還制御の期間が短いほど、低下分が少なくなり、発光期間においてOLED130に流れる電流を多くする方向に作用する。このため、第1実施形態では、負帰還制御の期間を短くすることで、表示部100の表示部の画像の輝度を高めることができる。ここで、負帰還制御の期間とは、トランジスター121の駆動能力に応じた電流が給電線116からデータ線14に流れる期間であるから、トランジスター122、123がともにオンしている期間である。負帰還制御の期間の終期に着目したとき、トランジスター122をトランジスター123よりも先にオフさせてしまうと、容量サイズの小さい保持容量132が瞬時に閾値電圧Vthに充電されてしまうので、トランジスター123をトランジスター122よりも先にオフさせる必要がある。具体的には、温度センサー3によって低温であると検出された場合や、光センサー4によって明るいと検出された場合、制御回路2は、走査線駆動回路20に対し図4において矢印aで示されるように、走査信号GwrがLレベルの状態において、制御信号GcmpがLからHレベルに変化させるタイミングを時間的に前側に移動させる構成が好ましいといえる。これにより、負帰還制御の期間を短くなるので、表示部100による表示画像の輝度を高めることができる。反対に、温度センサー3によって高温であると検出された場合や、光センサー4によって暗いと検出された場合、制御回路2は、走査線駆動回路20に対し図4において矢印bで示されるように、走査信号GwrがLレベルの状態において、制御信号GcmpがLからHレベルに変化させるタイミングを時間的に後側に移動させる構成が好ましいといえる。これにより、負帰還制御の期間を長くなるので、表示部100による表示画像の輝度を低くすることができる。なお、ここでは、i行目に着目して説明しているが、1~m行目の走査期間において、走査信号Gwr~GwrがLレベルである場合に、制御信号Gcmp~GcmpがLからHレベルに変化させるタイミングが時間的に前または後側に同じ割合で移動することになる。<第1実施形態の応用>第1実施形態においては、図4に示されるようにi行目でいえば、i行目の水平走査期間Hのうち、ほぼ前半を初期化期間とし、ほぼ後半を補償期間としている。第1実施形態では、このような水平走査を1行ずつ排他的かつ順番に実行する必要があるので、高速動作が要求される。そこで、このような高速動作を緩和させることができる応用例について説明する。図9は、第1実施形態の応用例に係る電気光学装置10の構成を示す図であり、図10は、その応用例に係る電気光学装置10における各部の動作を説明するためのタイミングチャートである。まず、第1実施形態の応用例では、図9に示されるように、表示部100の各列においては、第1データ線14aと、給電線77と、第2データ線14bとの3本が設けられている。このうち、第1データ線14aは、奇数1、3、5、...行目の画素回路110に対応し、第2データ線14bは、偶数2、4、6、...行目の画素回路110に対応している。また、給電線77は、各列において第1データ線14aと第2データ線14bとの間にそれぞれ位置し、例えば共通の電位Vssにそれぞれ接地されている。保持容量71は、第1データ線14a毎に設けられ、その一端が第1データ線14aに接続され、他端は、例えば電位Vssに共通接地されている。保持容量72は、第2データ線14b毎に設けられ、その一端が第2データ線14bに接続され、他端は、例えば電位Vssに共通接地されている。また、第1データ線14aに対応してデマルチプレクサ31が設けられ、第2データ線14bに対応してデマルチプレクサ32が設けられている。デマルチプレクサ31、32の構成自体については、デマルチプレクサ30と同様である。なお、制御回路2からデマルチプレクサ31、32に供給される制御信号は次の通りである。詳細には、デマルチプレクサ31には、正論理の制御信号Selod、Selod、Selodと、負論理の制御信号/Selod、/Selod、/Selodとが供給される。制御信号Selod、Selod、Selodは、奇数行の初期化期間におけるデータ信号の出力に合わせて順番にHレベルとなる。制御信号/Selod、/Selod、/Selodは、それぞれ制御信号Selod、Selod、Selodを論理反転の関係にある信号である。一方、デマルチプレクサ32には、正論理の制御信号Selev、Selev、Selevと、負論理の制御信号/Selev、/Selev、/Selevとが供給される。制御信号Selev、Selev、Selevは、偶数行の初期化期間におけるデータ信号の出力に合わせて順番にHレベルとなる。制御信号/Selev、/Selev、/Selevは、それぞれ制御信号Selev、Selev、Selevを論理反転の関係にある信号である。なお、画素回路110の構成自体については、奇数行目が第1データ線14aに対応し、偶数行目が第2データ線14bに対応すること以外、図3に示した構成と同様である。第1実施形態の応用例において、連続する2行の動作を説明するためにi-1を奇数とし、iを偶数とする。図10に示されるように、この応用例ではi-1行目の補償期間と次のi行目の初期化期間とが重複して実行される。すなわち、i-1行目の補償期間において、第1データ線14aに設けられた保持容量71の保持電圧をトランジスター121の駆動能力に応じて負帰還制御する動作と、i行目の初期化期間において、階調レベルに応じた電圧を、第2データ線14bに設けられた保持容量72に充電させる動作とが同時並行的に実行される。なお、図10においては図示を省略しているが、i行目の補償期間と次のi1行目の初期化期間とが重複して実行される。このため、応用例では、走査信号Gwr~GwrがLレベルとなる期間を、図4に示した例と比較してほぼ倍にすることができるとともに、各行における初期化期間と補償期間も、ほぼ倍の期間を確保することができるので、第1実施形態と比較して、高速動作を緩和することができるのである。なお、図10において、i-1行目およびi行目の走査期間に対応した制御信号の拡大図は、図4における制御信号の拡大図よりも時間軸の横スケールを半分に圧縮して記載している。また、この応用例では、各列において第1データ線14aと第2データ線14bとが近接して配置されるが、その間に、一定電位に保たれた給電線77が位置している。このため、給電線77は、シールド線として機能することになるので、第1データ線14aまたは第2データ線14bのいずれか一方による電位変化が容量結合によって他方に伝播してしまうことが抑えられる。なお、この応用例では、走査線12を1、2、3、4、...、m-1、m行目という順番で水平走査する場合を例にとって説明したが、次のような飛び越し走査にも適用できる。例えば、第1フィールドで1、3、5、...、m-3、m-1行目、というように奇数行目を順番に走査し、第2フィールドで2、4、6、...、m-2、m行目、というように偶数行目を順番に走査する場合にも適用可能である。この場合、第1データ線14aについては、1、2、5、6、...、m-3、m-2行目に対応させ、第2データ線14bについては、3、4、7、8、...、m-1、m行目に対応させれば良い。すなわち、時間的に連続して2行の走査線に対応する画素回路110については、互いに異なるデータ線に対応させれば良い。また、この応用例においても、走査信号Gwr~Gwrの各々がLレベルである場合に、制御信号Gcmp~GcmpがLからHレベルにそれぞれ変化するタイミングを時間的に前または後側に同じ割合で移動させることによって、表示画像の輝度を調整することが可能である。<第2実施形態>上述した第1実施形態およびその応用例においては、補償期間終了後におけるゲートノードgのオフセットを、画素回路110の内の保持容量133を介したカップリングにより与える構成とした。次に説明する第2実施形態においては、このオフセットを、画素回路110の外の保持容量を介したカップリングにより与える構成としたものである。図11は、第2実施形態に係る電気光学装置10の構成を示す図である。この図に示されるように第2実施形態では、第1実施形態図2参照と比較してオフセット回路40が設けられる。オフセット回路40は、保持容量44、トランスミッションゲート46およびNチャネル型のトランジスター48の組がデータ線14毎に設けられた集合体である。このうち、保持容量44の一端は、対応するデータ線14に接続されている。トランジスター48にあっては、ソースノードが電位Vssに接地され、ドレインノードがトランスミッションゲート46の出力端とともに保持容量44の他端に接続され、ゲートノードには、制御回路2から制御信号Giniが供給される。トランスミッションゲート46にあっては、入力端に電位Vrefが給電されて、入力端から出力端へのオンまたはオフが、正論理の制御信号Grefと、これの相補的な関係にある負論理の制御信号/Grefとによって制御される。制御信号Gref、/Grefは、制御回路2から供給される。図12は、第2実施形態における画素回路110の構成を示す図である。この図に示される画素回路110が第1実施形態図3参照の画素回路と相違している点は、保持容量133を有していない点にある。このため、第2実施形態では、信号線117も設けられていない。ここで、保持容量44の容量サイズをC4としたとき、保持容量70、132、44の容量サイズは、本実施形態では、次のような関係となるように設定される。C1>C4>>C2すなわち、保持容量44の容量サイズは、保持容量70の容量サイズよりも小さいが、保持容量132の容量サイズと比較すれば十分に大きい。図13を参照して第2実施形態に係る電気光学装置10の動作について説明する。なお、図13は、第2実施形態における各部の動作を説明するためのタイミングチャートであるが、電圧振幅を示す縦スケールは、説明便宜のために必ずしも一致していない。この図に示されるように、第2実施形態においても、i行目の走査期間は、初期化期間および補償期間に分けられる。そして、補償期間の後、間をおいて発光期間となり、1フレームの期間経過後に再びi行目の走査期間に至る。また、以下については、第1実施形態と同様に、i行目の走査期間において、i行3j-2列の画素回路110について着目して動作を説明する。<発光期間>説明の便宜上、初期化期間の前提となる発光期間から説明する。図13に示されるように、i行目の発光期間では、走査信号GwrがHレベルである。また、制御信号Gel、Gcmp、Gorstのうち、制御信号GelのみがLレベルであり、他はHレベルである。このため、i行3j-2列の画素回路110においては、図14に示されるように、トランジスター124がオンする一方、トランジスター122、123、125がオフしている。したがって、トランジスター121は、ゲートソース間の電圧Vgs、すなわち保持容量132で保持された電圧に応じた電流IdsをOLED130に供給する。なお、i行目の発光期間においては、i行目以外の水平走査によって、走査される行に対応したデータ信号の供給などによって、データ線14の電位は適宜変動する。ただし、i行目の画素回路110においては、トランジスター122がオフしているので、データ線14の電位変動を考慮する必要はない。<初期化期間>次に、i行目の初期化期間に至ると、発光期間と比較して、制御信号GelがHレベルに、制御信号Gcmp、GorstがLレベルに、それぞれ転じる。このため、i行3j-2列の画素回路110においては、図15に示されるように、トランジスター123、125がオンする一方、トランジスター124がオフする。このため、トランジスター121がダイオード接続状態になるので、保持容量132の保持電圧がトランジスター121の閾値電圧Vthに初期化されるとともに、OLED130のアノードが電位Vorstにリセットされる。また、i行目の初期化期間において、制御信号GiniがHレベルになるので、トランジスター48がオンする一方、制御信号GrefがLレベルになるので、トランスミッションゲート46がオフする。このため、保持容量44の他端は電位Vssに接地される。一方、i行目の初期化期間においては、デマルチプレクサ30によって、各データ線14にはi行目であって対応する列の画素の階調レベルに応じたデータ信号が供給される。このため、3j-2列目のデータ線14に付加された保持容量70は、i行3j-2列の画素の階調レベルに応じた電圧に充電されることになる。なお、次の補償期間に至る前に、制御信号Gcmpが一旦Hレベルになるので、トランジスター121のダイオード接続が解除される点については第1実施形態と同様である。<補償期間>次に、i行目の補償期間に至ると、走査信号GwrがLレベルに、制御信号GorstがHレベルに、それぞれ変化する。このため、i行3j-2列の画素回路110においては、図16に示されるように、トランジスター122がオンする一方、トランジスター125がオフする。また、i行目の補償期間では、制御信号Gcmpが再びLレベルになるので、トランジスター121はダイオード接続状態になる。このため、電流が、給電線116→トランジスター121→トランジスター123→トランジスター122→3j-2列目のデータ線14という経路で流れるので、当該データ線14に付加された保持容量70、44を充電する。このときに流れる電流は、第1実施形態で説明したように、トランジスター121の駆動能力に応じて異なる。このため、補償期間の終了時における保持容量132の保持電圧は、階調レベルに応じた電圧を、トランジスター121の駆動能力に応じた負帰還制御によって補正したものとなる。なお、トランジスター125のオフによって、OLED130のアノードはフローティング状態になるが、直前の電位Vorstに寄生容量によって維持される。やがて、制御信号GcmpがHレベルになると、トランジスター121のダイオード接続が解除されるので、i行目の補償期間が終了することになる。<オフセット>i行目の補償期間が終了した後に、走査信号GwrがLレベルを維持した状態で、制御信号GiniがLレベルになった後、制御信号GrefがHレベルに制御信号/GrefがLレベルに変化する。このため、図17に示されるように、トランジスター48がオフする一方、トランスミッションゲート46がオンするので、保持容量44の他端は電位Vssから電位Vrefに上昇する。ここで、トランジスター122がオンした状態において保持容量132の他端は電位Velに固定され、保持容量70の他端も電位Vssに接地されている。このため、ゲートノードgの電位は、保持容量44の他端における電位変動分Vref-Vssを、保持容量44、70、132の容量比に応じた分だけ上昇する方向にオフセットされる。なお、保持容量132の容量サイズは、保持容量44、70と比較して十分に小さいので、実際には、ゲートノードgの電位変動は、保持容量44の他端における電位変動分と保持容量44、70の容量比とでほぼ定まる。このように第2実施形態では、発光期間の開始前においてゲートノードgの電位をオフセットすることによって、電圧Vgsを絶対値でみて一律に減少させているので、第1実施形態と同様に、低輝度側の階調表現を改善することが可能になる。<発光期間>第2実施形態では、ゲートノードgの電位がオフセットされた後に、間をおいてi行目の発光期間に至る。この発光期間では、制御信号GelがLレベルになるので、i行3j-2列の画素回路110においては、トランジスター124がオンする。このため、先の図14に示したように、トランジスター121におけるゲートソース間の電圧Vgsに応じた電流IdsがOLED130に供給されることになる。なお、i行目の発光期間の開始は、次のi1行目の初期化期間の開始を意味する。このため、制御信号GiniがHレベルに、制御信号GrefがLレベルに、それぞれ変化し、保持容量44の他端が電位Vssに接地される。これにより、i1行目に対応したデータ信号が供給されたときの準備が完了する。発光期間において、各画素回路110におけるOLED130には、トランジスター121の駆動能力のばらつきを補償した電流がそれぞれ供給される。このため、第2実施形態において、画素回路110毎にトランジスター121の駆動能力がばらついても、そのばらつきに起因した輝度のムラが抑制されるので、高品位な表示が可能となる。また、第2実施形態においては、オフセットの際に、第1実施形態のように画素回路110毎の保持容量133ではなく、各列に共通の保持容量44を用いているので、列を共通とする画素回路110にわたってオフセット量が相違する、ということを防止することができる。また、第2実施形態においても、走査信号Gwr~Gwrの各々がLレベルである場合に、制御信号Gcmp~GcmpがLからHレベルにそれぞれ変化するタイミングを時間的に前または後側に同じ割合で移動させることによって、表示画像の輝度を調整することが可能である。<第2実施形態の応用>第2実施形態においても、第1実施形態の場合と同様に高速動作を緩和させることができる。そこで次に、高速動作を緩和させることが可能な第2実施形態の応用例について説明する。図18は、第2実施形態の応用例に係る電気光学装置10の構成を示す図であり、図19は、当該応用例に係る電気光学装置10における各部の動作を説明するためのタイミングチャートである。第2実施形態の応用例では、図18に示されるように、表示部100の各列において図9と同様に、第1データ線14aと、給電線77と、第2データ線14bとの3本が設けられる。また、保持容量71についても第1データ線14a毎に、保持容量72についても第2データ線14b毎に、それぞれ同様に設けられる。また、第1データ線14aに対応してデマルチプレクサ31およびオフセット回路41が設けられ、第2データ線14bに対応してデマルチプレクサ32およびオフセット回路42が設けられている。なお、オフセット回路41、42の構成自体については、オフセット回路40と同様である。ただし、制御回路2からオフセット回路41、42に供給される制御信号は次の通りである。詳細には、オフセット回路41には、制御信号Grefod/Grefod、Giniodが供給される。制御信号Grefod/Grefodは、奇数行の初期化期間が終了する毎に一時的にHLレベルとなり、制御信号Giniodは、制御信号GrefodがLレベルとなる期間にHレベルとなる。一方、オフセット回路42には、制御信号Grefev/Grefev、Ginievが供給される。制御信号Grefev/Grefevは、偶数行の初期化期間が終了する毎に一時的にHLレベルとなり、制御信号Ginievは、制御信号GrefevがLレベルとなる期間にHレベルとなる。なお、画素回路110の構成自体については、奇数行目が第1データ線14aに対応するとともに、偶数行目が第2データ線14bに対応すること以外、図12に示した構成と同様である。第2実施形態の応用例において、連続する2行の動作を説明するためにi-1を奇数とし、iを偶数とする。図19に示されるように、第2実施形態の応用例では、i-1行目の補償期間において、第1データ線14aに設けられた保持容量71の保持電圧をトランジスター121の駆動能力に応じて負帰還制御する動作と、i行目の初期化期間において、階調レベルに応じた電圧を、第2データ線14bに設けられた保持容量72に充電させる動作とが同時並行的に実行される。このため、応用例では、走査信号Gwr~GwrがLレベルとなる期間を、図13に示した例と比較してほぼ倍にすることができるとともに、各行における初期化期間と補償期間も、ほぼ倍の期間を確保することができるので、第2実施形態と比較して、高速動作を緩和することができるのである。なお、図19において、i-1行目およびi行目の走査期間に対応した制御信号の拡大図は、図13における制御信号の拡大図よりも時間軸の横スケールを半分に圧縮して記載している。第2実施形態の応用例において、給電線77がシールド線として機能することについては、第1実施形態の応用例と同様である。また、時間的に連続して2行の走査線に対応する画素回路110については、互いに異なるデータ線に対応させれば良い点についても、第1実施形態の応用例と同様である。さらに、制御信号Gcmp~GcmpがLからHレベルにそれぞれ変化するタイミングを時間的に前または後側に同じ割合で移動させることによって、表示画像の輝度を調整することについても、第1実施形態の応用例と同様である。<応用変形例>本発明は、上述した実施形態や応用例などの実施形態等に限定されるものではなく、例えば次に述べるような各種の変形が可能である。また、次に述べる変形の態様は、任意に選択された一または複数を適宜に組み合わせることもできる。<デマルチプレクサ>実施形態等では、データ線14を3列毎にグループ化するとともに、各グループにおいてデータ線14を順番に選択して、データ信号を供給する構成としたが、グループを構成するデータ線数については2であっても良いし、4以上であっても良い。また、グループ化せずに、初期化期間において各列のデータ線14にデータ信号を一斉に供給して、各列の保持容量70を充電させる構成としても良い。<トランジスターのチャネル型>上述した実施形態等では、画素回路110におけるトランジスター121~125をPチャネル型で統一したが、Nチャネル型で統一しても良い。また、Pチャネル型およびNチャネル型を適宜組み合わせても良い。<その他>実施形態等においては、電気光学装置10をシリコン基板に集積した構成としたが、他の半導体基板に形成した構成しても良い。また、ポリシリコンプロセスを適用してガラス基板等に形成しても良い。いずれにしても、本発明は、画素回路110が微細化されて、保持容量132の容量サイズが小さくならざるを得ない構成に有効である。実施形態等では、電気光学素子として発光素子であるOLEDを例示したが、例えば無機発光ダイオードやLEDLightEmittingDiodeであっても良い。<電子機器>次に、実施形態等や応用例に係る電気光学装置10を適用した電子機器について説明する。電気光学装置10は、画素が小サイズで高精細な表示な用途に向いている。そこで、電子機器として、ヘッドマウントディスプレイを例に挙げて説明する。図20は、ヘッドマウントディスプレイの外観を示す図であり、図21は、その光学的な構成を示す図である。まず、図20に示されるように、ヘッドマウントディスプレイ300は、外観的には、一般的な眼鏡と同様にテンプル310や、ブリッジ320、レンズ301L、301Rを有する。また、ヘッドマウントディスプレイ300は、図21に示されるように、ブリッジ320近傍であってレンズ301L、301Rの奥側図において下側には、左眼用の電気光学装置10Lと右眼用の電気光学装置10Rとが設けられる。電気光学装置10Lの画像表示面は、図21において左側となるように配置している。これによって電気光学装置10Lによる表示画像は、光学レンズ302Lを介して図において9時の方向に出射する。ハーフミラー303Lは、電気光学装置10Lによる表示画像を6時の方向に反射させる一方で、12時の方向から入射した光を透過させる。電気光学装置10Rの画像表示面は、電気光学装置10Lとは反対の右側となるように配置している。これによって電気光学装置10Rによる表示画像は、光学レンズ302Rを介して図において3時の方向に出射する。ハーフミラー303Rは、電気光学装置10Rによる表示画像を6時方向に反射させる一方で、12時の方向から入射した光を透過させる。この構成において、ヘッドマウントディスプレイ300の装着者は、電気光学装置10L、10Rによる表示画像を、外の様子と重ね合わせたシースルー状態で観察することができる。また、このヘッドマウントディスプレイ300において、視差を伴う両眼画像のうち、左眼用画像を電気光学装置10Lに表示させ、右眼用画像を電気光学装置10Rに表示させると、装着者に対し、表示された画像があたかも奥行きや立体感を持つかのように知覚させることができる3D表示。なお、電気光学装置10については、ヘッドマウントディスプレイ300のほかにも、ビデオカメラやレンズ交換式のデジタルカメラなどにおける電子式ビューファインダーにも適用可能である。