"金属基板と、前記金属基板の表面の一部に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、前記金属基板が、バルブ金属基板であり、前記絶縁層が、バルブ金属の陽極酸化皮膜であり、前記金属基板の表面における300~700nmの波長領域での全反射率が、85以上であり、前記金属基板の表面の平均表面粗さRaが、0.05~2.00μmであり、原子間力顕微鏡を用いて前記金属基板の表面の50μm×50μmの範囲を512×512点測定して得られる3次元データから近似三点法により求められる実面積Sxと幾何学的測定面積S0とから下記式Iにより求められる表面積差ΔSが、0.7~50である絶縁基板。ΔS=[Sx-S0/S0×100I前記金属基板の表面の平均表面粗さRaが、0.10~1.00μmであり、前記金属基板の表面の前記表面積差ΔSが、1.0~10である請求項1に記載の絶縁基板。前記金属基板の表面の平均表面粗さRaが、0.20~0.50μmであり、前記金属基板の表面の前記表面積差ΔSが、3.5~6.0である請求項1または2に記載の絶縁基板。前記絶縁層が、その表面の一部を露出した状態で前記金属基板に埋設される請求項1~3のいずれかに記載の絶縁基板。前記絶縁層の厚みが、20~300μmである請求項1~4のいずれかに記載の絶縁基板。前記バルブ金属が、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマスおよびアンチモンからなる群から選択される少なくとも1種の金属である請求項1~5のいずれかに記載の絶縁基板。前記バルブ金属が、アルミニウムである請求項1~6のいずれかに記載の絶縁基板。LED発光素子の発光観測面側に設けられる基板である請求項1~7のいずれかに記載の絶縁基板。請求項1~8のいずれかに記載の絶縁基板を製造する絶縁基板の製造方法であって、バルブ金属基板の表面に所定の開口パターンを有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、前記マスク層の開口部に陽極酸化処理を施し、前記バルブ金属基板の表面の一部に陽極酸化皮膜を形成して絶縁基板を得る陽極酸化処理工程とを有する絶縁基板の製造方法。請求項1~8のいずれかに記載の絶縁基板と、前記絶縁基板の前記絶縁層側の上部に設けられる金属配線層とを有する配線基板。請求項10に記載の配線基板を製造する配線基板の製造方法であって、バルブ金属基板の表面に所定の開口パターンを有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、前記マスク層の開口部に陽極酸化処理を施し、前記バルブ金属基板の表面の一部に陽極酸化皮膜を形成する陽極酸化処理工程と、前記陽極酸化皮膜の表面に金属配線層を形成する金属配線層形成工程と、前記金属配線層を形成した後に前記マスク層を除去して配線基板を得る除去工程とを有する配線基板の製造方法。請求項10に記載の配線基板と、前記配線基板の前記金属配線層側の上部に設けられる青色LED発光素子と、前記青色LED発光素子の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体とを具備する白色系LED発光素子。本発明者は、特許文献1の図4に記載された陽極酸化金属基板モジュールについて検討を行った結果、陽極酸化膜を形成させる部位や厚さによっては絶縁性耐電圧に劣る場合があり、また、金属アルミニウムプレートの表面状態によっては反射率が低下し、LEDの発光効率が低下する場合があることが明らかとなり、優れた絶縁性および発光効率を両立することが困難であることが分かった。そこで、本発明は、絶縁性および発光効率のいずれにも優れる発光素子を提供することができる絶縁基板および配線基板ならびにそれらの製造方法およびそれらを用いた発光素子を提供することを目的とする。本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、絶縁基板を構成する金属基板表面の平均表面粗さRaと所定の表面積差ΔSとを特定の値とすることにより、優れた絶縁性と発光効率を両立できることを見出し、本発明を完成させた。即ち、本発明は、以下の1~12を提供する。1金属基板と、上記金属基板の表面の一部に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、上記金属基板が、バルブ金属基板であり、上記絶縁層が、バルブ金属の陽極酸化皮膜であり、上記金属基板の表面における300~700nmの波長領域での全反射率が、85以上であり、上記金属基板の表面の平均表面粗さRaが、0.05~2.00μmであり、原子間力顕微鏡を用いて上記金属基板の表面の50μm×50μmの範囲を512×512点測定して得られる3次元データから近似三点法により求められる実面積Sxと幾何学的測定面積S0とから下記式Iにより求められる表面積差ΔSが、0.7~50である絶縁基板。ΔS=[Sx-S0/S0×100I2上記金属基板の表面の平均表面粗さRaが、0.10~1.00μmであり、上記金属基板の表面の上記表面積差ΔSが、1.0~10である上記1に記載の絶縁基板。3上記金属基板の表面の平均表面粗さRaが、0.20~0.50μmであり、上記金属基板の表面の上記表面積差ΔSが、3.5~6.0である上記1または2に記載の絶縁基板。4上記絶縁層が、その表面の一部を露出した状態で上記金属基板に埋設される上記1~3のいずれかに記載の絶縁基板。5上記絶縁層の厚みが、20~300μmである上記1~4のいずれかに記載の絶縁基板。6上記バルブ金属が、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマスおよびアンチモンからなる群から選択される少なくとも1種の金属である上記1~5のいずれかに記載の絶縁基板。7上記バルブ金属が、アルミニウムである上記1~6のいずれかに記載の絶縁基板。8LED発光素子の発光観測面側に設けられる基板である上記1~7のいずれかに記載の絶縁基板。9上記1~8のいずれかに記載の絶縁基板を製造する絶縁基板の製造方法であって、バルブ金属基板の表面に所定の開口パターンを有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、上記マスク層の開口部に陽極酸化処理を施し、上記バルブ金属基板の表面の一部に陽極酸化皮膜を形成して絶縁基板を得る陽極酸化処理工程とを有する絶縁基板の製造方法。10上記1~8のいずれかに記載の絶縁基板と、上記絶縁基板の上記絶縁層側の上部に設けられる金属配線層とを有する配線基板。11上記10に記載の配線基板を製造する配線基板の製造方法であって、バルブ金属基板の表面に所定の開口パターンを有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、上記マスク層の開口部に陽極酸化処理を施し、上記バルブ金属基板の表面の一部に陽極酸化皮膜を形成する陽極酸化処理工程と、上記陽極酸化皮膜の表面に金属配線層を形成する金属配線層形成工程と、上記金属配線層を形成した後に上記マスク層を除去して配線基板を得る除去工程とを有する配線基板の製造方法。12上記10に記載の配線基板と、上記配線基板の上記金属配線層側の上部に設けられる青色LED発光素子と、上記青色LED発光素子の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体とを具備する白色系LED発光素子。以下に説明するように、本発明によれば、絶縁性および発光効率のいずれにも優れる発光素子を提供することができる絶縁基板および配線基板ならびにそれらの製造方法およびそれらを用いた発光素子を提供することができる。[絶縁基板]以下に、本発明の絶縁基板について詳細に説明する。本発明の絶縁基板は、金属基板と、上記金属基板の表面の一部に設けられる絶縁層とを有する絶縁基板であって、上記金属基板がバルブ金属基板であり、上記絶縁層がバルブ金属の陽極酸化皮膜であり、上記金属基板の表面における300~700nmの波長領域での全反射率が85以上であり、上記金属基板の表面の平均表面粗さRaが0.05~2.00μmであり、原子間力顕微鏡を用いて上記金属基板の表面の50μm×50μmの範囲を512×512点測定して得られる3次元データから近似三点法により求められる実面積Sxと幾何学的測定面積S0とから上記式Iにより求められる表面積差ΔSが0.7~50である絶縁基板である。次に、本発明の絶縁基板を構成する金属基板バルブ金属基板および絶縁層バルブ金属の陽極酸化皮膜について説明する。金属基板本発明の絶縁基板に用いられる金属基板は、バルブ金属からなる基板である。ここで、バルブ金属とは、陽極酸化により金属表面がその金属の酸化物の皮膜で覆われる特性を有し、更にその酸化皮膜が、電流を一方方向にのみ流して逆方向には非常に流しにくい特性を有する金属のことであり、その具体例としては、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモン等が挙げられる。これらのうち、本発明の絶縁基板を用いた白色系LED発光素子以下、単に本発明の発光素子ともいう。における光源の透過性が良好となり、加工性および強度にも優れる理由から、以下に詳述するアルミニウム基板であるのが好ましい。<アルミニウム基板>本発明の絶縁基板に好適に用いられるアルミニウム基板は、公知のアルミニウム基板を用いることができ、純アルミニウム基板のほか、アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板;低純度のアルミニウム例えば、リサイクル材料に高純度アルミニウムを蒸着させた基板;シリコンウエハー、石英、ガラス等の表面に蒸着、スパッタ等の方法により高純度アルミニウムを被覆させた基板;アルミニウムをラミネートした樹脂基板;等を用いることもできる。ここで、上記合金板に含まれてもよい異元素としては、ケイ素、鉄、銅、マンガン、マグネシウム、クロム、亜鉛、ビスマス、ニッケル、チタン等が挙げられ、合金中の異元素の含有量は、10質量以下であるのが好ましい。このようなアルミニウム基板は、組成や調製方法例えば、鋳造方法等等については特に限定されず、特開2007-245116号公報の[0024]~[0044]段落に記載された組成、調製方法等を適宜採用することができる。本発明においては、上記金属基板の厚みは、0.1~2.0mm程度であり、0.15~1.5mmであるのが好ましく、0.2~1.0mmであるのがより好ましい。この厚さは、ユーザーの希望等により適宜変更することができる。また、本発明においては、上記金属基板の表面における300~700nmの波長領域での全反射率以下、単に全反射率ともいう。が85以上であり、90以上であるのが好ましく、92以上であるのがより好ましい。なお、この全反射率の値は、本発明の絶縁基板の表面絶縁層により形成される表面を除くの全反射率と同様である。ここで、全反射率は、分光光度計で測定された値をいい、全反射率が85以上であると、本発明の発光素子の発光効率が良好なものとなる。更に、本発明においては、全反射率を85以上とする観点から、上記金属基板の表面の平均表面粗さRaは0.05~2.00μmであり、発光方向への反射光量を増やし、また、上記金属基板での多重反射による反射光量の低減を抑制できる等の理由から、0.10~1.00μmであるのが好ましく、0.20~0.50μmであるのがより好ましい。なお、この平均表面粗さRaの値は、本発明の絶縁基板の表面絶縁層により形成される表面を除くの平均表面粗さRaと同様である。ここで、平均表面粗さRaの値は、触針式粗さ計例えば、sufcom575、東京精密社製で2次元粗さ測定を行い、ISO4287に規定されている平均表面粗さRaを5回測定し、その平均値を用いる。更に、本発明においては、全反射率を85以上とする観点から、原子間力顕微鏡を用いて上記金属基板の表面の50μm×50μmの範囲を512×512点測定して得られる3次元データから近似三点法により求められる実面積Sxと幾何学的測定面積S0とから下記式Iにより求められる表面積差ΔSは0.7~50であり、本発明の発光素子の白色性散乱性が向上する理由から、1.0~10であるのが好ましく、3.5~6.0であるのがより好ましい。なお、この表面積差ΔSの値は、本発明の絶縁基板の表面絶縁層により形成される表面を除くの表面積差ΔSと同様である。ΔS=[Sx-S0/S0×100Iここで、表面積差ΔSは、上記金属基板の表面の凹凸の程度を示すファクターの1つである。表面積差ΔSが大きいと、より光を散乱させることができ、全反射率が高くなる。また、表面積差ΔSを求めるために、原子間力顕微鏡AtomicForceMicroscope:AFMにより表面形状を測定し、3次元データを求める。測定は、例えば、以下の条件で行うことができる。即ち、上記金属基板を1cm角の大きさに切り取って、ピエゾスキャナー上の水平な試料台にセットし、カンチレバーを試料表面にアプローチし、原子間力が働く領域に達したところで、XY方向にスキャンし、その際、試料の凹凸をZ方向のピエゾの変位でとらえる。ピエゾスキャナーは、XY方向について150μm、Z方向について10μm、走査可能なものを使用する。カンチレバーは共振周波数120~150kHz、バネ定数12~20N/mのものSI-DF20、NANOPROBE社製を用い、DFMモードDynamicForceModeで測定する。また、求めた3次元データを最小二乗近似することにより試料のわずかな傾きを補正し基準面を求める。計測の際は、表面の50μm×50μmの範囲を512×512点測定する。XY方向の分解能は1.9μm、Z方向の分解能は1nm、スキャン速度は60μm/secとする。上記で求められた3次元データfx,yを用い、隣り合う3点を抽出し、その3点で形成される微小三角形の面積の総和を求め、実面積Sxとする。表面積差ΔSは、得られた実面積Sxと幾何学的測定面積S0とから、上記式Iにより求められる。<金属基板の作製方法表面処理>上記金属基板の作製方法は特に限定されないが、上述した平均表面粗さRaおよび表面積差ΔSを有する表面形状とし、上述した全反射率を達成する観点から、少なくとも粗面化処理を含む表面処理を施す必要がある。上記表面処理としては、上記金属基板に対して、例えば、電解液を用いた電気化学的粗面化処理異なる電解液を用いた電気化学的粗面化処理を複数回施す態様も含む。以下、本段落において同様。、アルカリエッチング処理および酸によるデスマット処理を順次施す方法;機械的粗面化処理、アルカリエッチング処理、酸によるデスマット処理、電解液を用いた電気化学的粗面化処理、アルカリエッチング処理および酸によるデスマット処理を順次施す方法;アルカリエッチング処理、酸によるデスマット処理、電解液を用いた電気化学的粗面化処理、アルカリエッチング処理および酸によるデスマット処理を順次施す方法;等が挙げられる。次に、これらの表面処理について説明する。なお、以下の説明においては、金属基板の好適例であるアルミニウム基板を用いて説明する。機械的粗面化処理機械的粗面化処理としては、例えば、アルミニウム基板の表面を金属ワイヤーでひっかくワイヤーブラシグレイン法、研磨球と研磨剤でアルミニウム基板の表面を砂目立てするボールグレイン法、特開平6-135175号公報および特公昭50-40047号公報に記載されているナイロンブラシと研磨剤で表面を砂目立てするブラシグレイン法を用いることができる。また、凹凸面をアルミニウム基板に圧接する転写方法を用いることもできる。即ち、特開昭55-74898号、特開昭60-36195号、特開昭60-203496号の各公報に記載されている方法のほか、転写を数回行うことを特徴とする特開平6-55871号公報、表面が弾性であることを特徴とする特開平6-24168号公報に記載されている方法も適用可能である。また、放電加工、ショットブラスト、レーザ、プラズマエッチング等を用いて、微細な凹凸を食刻した転写ロールを用いて繰り返し転写を行う方法や、微細粒子を塗布した凹凸のある面を、アルミニウム基板に接面させ、その上より複数回繰り返し圧力を加え、アルミニウム基板に微細粒子の平均直径に相当する凹凸パターンを複数回繰り返し転写させる方法を用いることもできる。転写ロールへ微細な凹凸を付与する方法としては、特開平3-8635号、特開平3-66404号、特開昭63-65017号の各公報等に記載されている公知の方法を用いることができる。また、ロール表面にダイス、バイト、レーザ等を使って2方向から微細な溝を切り、表面に角形の凹凸をつけてもよい。このロール表面には、公知のエッチング処理等を行って、形成させた角形の凹凸が丸みを帯びるような処理を行ってもよい。また、表面の硬度を上げるために、焼き入れ、ハードクロムめっき等を行ってもよい。そのほかにも、機械的粗面化処理としては、特開昭61-162351号公報、特開昭63-104889号公報等に記載されている方法を用いることもできる。本発明においては、生産性等を考慮して上述したそれぞれの方法を併用することもできる。これらの機械的粗面化処理は、電気化学的粗面化処理の前に行うのが好ましい。以下、機械的粗面化処理として好適に用いられるブラシグレイン法について説明する。ブラシグレイン法は、一般に、円柱状の胴の表面に、ナイロン商標、プロピレン、塩化ビニル樹脂等の合成樹脂からなる合成樹脂毛等のブラシ毛を多数植設したローラ状ブラシを用い、回転するローラ状ブラシに研磨剤を含有するスラリー液を噴きかけながら、上記アルミニウム基板の表面の一方または両方を擦ることにより行う方法である。上記ローラ状ブラシおよびスラリー液の代わりに、表面に研磨層を設けたローラである研磨ローラを用いることもできる。ローラ状ブラシを用いる場合、曲げ弾性率が好ましくは10,000~40,000kgf/cm2、より好ましくは15,000~35,000kgf/cm2であり、かつ、毛腰の強さが好ましくは500gf以下、より好ましくは400gf以下であるブラシ毛を用いる。ブラシ毛の直径は、一般的には、0.2~0.9mmである。ブラシ毛の長さは、ローラ状ブラシの外径および胴の直径に応じて適宜決定することができるが、一般的には、10~100mmである。研磨剤は公知の物を用いることができる。例えば、パミストン、ケイ砂、水酸化アルミニウム、アルミナ粉、炭化ケイ素、窒化ケイ素、火山灰、カーボランダム、金剛砂等の研磨剤;これらの混合物を用いることができる。中でも、パミストン、ケイ砂が好ましい。特に、ケイ砂は、パミストンに比べて硬く、壊れにくいので粗面化効率に優れる点で好ましい。研磨剤の平均粒径は、粗面化効率に優れ、かつ、砂目立てピッチを狭くすることができる点で、3~50μmであるのが好ましく、6~45μmであるのがより好ましい。研磨剤は、例えば、水中に懸濁させて、スラリー液として用いる。スラリー液には、研磨剤のほかに、増粘剤、分散剤例えば、界面活性剤、防腐剤等を含有させることができる。スラリー液の比重は0.5~2であるのが好ましい。機械的粗面化処理に適した装置としては、例えば、特公昭50-40047号公報に記載された装置を挙げることができる。電気化学的粗面化処理電気化学的粗面化処理以下、電解粗面化処理ともいう。には、通常の交流を用いた電気化学的粗面化処理に用いられる電解液を用いることができる。中でも、塩酸または硝酸を主体とする電解液を用いるのが、上述した表面形状を得やすいので好ましい。電解粗面化処理は、例えば、特公昭48-28123号公報および英国特許第896,563号明細書に記載されている電気化学的グレイン法電解グレイン法に従うことができる。この電解グレイン法は、正弦波形の交流電流を用いるものであるが、特開昭52-58602号公報に記載されているような特殊な波形を用いて行ってもよい。また、特開平3-79799号公報に記載されている波形を用いることもできる。また、特開昭55-158298号、特開昭56-28898号、特開昭52-58602号、特開昭52-152302号、特開昭54-85802号、特開昭60-190392号、特開昭58-120531号、特開昭63-176187号、特開平1-5889号、特開平1-280590号、特開平1-118489号、特開平1-148592号、特開平1-178496号、特開平1-188315号、特開平1-154797号、特開平2-235794号、特開平3-260100号、特開平3-253600号、特開平4-72079号、特開平4-72098号、特開平3-267400号、特開平1-141094の各公報に記載されている方法も適用できる。また、前述のほかに、電解コンデンサーの製造方法として提案されている特殊な周波数の交番電流を用いて電解することも可能である。例えば、米国特許第4,276,129号明細書および同第4,676,879号明細書に記載されている。電解槽および電源については、種々提案されているが、米国特許第4203637号明細書、特開昭56-123400号、特開昭57-59770号、特開昭53-12738号、特開昭53-32821号、特開昭53-32822号、特開昭53-32823号、特開昭55-122896号、特開昭55-132884号、特開昭62-127500号、特開平1-52100号、特開平1-52098号、特開昭60-67700号、特開平1-230800号、特開平3-257199号の各公報等に記載されているものを用いることができる。また、特開昭52-58602号、特開昭52-152302号、特開昭53-12738号、特開昭53-12739号、特開昭53-32821号、特開昭53-32822号、特開昭53-32833号、特開昭53-32824号、特開昭53-32825号、特開昭54-85802号、特開昭55-122896号、特開昭55-132884号、特公昭48-28123号、特公昭51-7081号、特開昭52-133838号、特開昭52-133840号号、特開昭52-133844号、特開昭52-133845号、特開昭53-149135号、特開昭54-146234号の各公報等に記載されているもの等も用いることができる。電解液である酸性溶液としては、硝酸、塩酸のほかに、米国特許第4,671,859号、同第4,661,219号、同第4,618,405号、同第4,600,482号、同第4,566,960号、同第4,566,958号、同第4,566,959号、同第4,416,972号、同第4,374,710号、同第4,336,113号、同第4,184,932号の各明細書等に記載されている電解液を用いることもできる。酸性溶液の濃度は0.5~2.5質量であるのが好ましいが、スマット除去処理での使用を考慮すると、0.7~2.0質量であるのが特に好ましい。また、液温は20~80°Cであるのが好ましく、30~60°Cであるのがより好ましい。塩酸または硝酸を主体とする水溶液は、濃度1~100g/Lの塩酸または硝酸の水溶液に、硝酸アルミニウム、硝酸ナトリウム、硝酸アンモニウム等の硝酸イオンを有する硝酸化合物または塩化アルミニウム、塩化ナトリウム、塩化アンモニウム等の塩酸イオンを有する塩酸化合物の少なくとも一つを1g/Lから飽和するまでの範囲で添加して使用することができる。また、塩酸または硝酸を主体とする水溶液には、鉄、銅、マンガン、ニッケル、チタン、マグネシウム、シリカ等のアルミニウム合金中に含まれる金属が溶解していてもよい。好ましくは、塩酸または硝酸の濃度0.5~2質量の水溶液にアルミニウムイオンが3~50g/Lとなるように、塩化アルミニウム、硝酸アルミニウム等を添加した液を用いることが好ましい。更に、Cuと錯体を形成しうる化合物を添加して使用することによりCuを多く含有するアルミニウム基板に対しても均一な砂目立てが可能になる。Cuと錯体を形成しうる化合物としては、例えば、アンモニア;メチルアミン、エチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、トリメチルアミン、シクロヘキシルアミン、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、EDTAエチレンジアミン四酢酸等のアンモニアの水素原子を炭化水素基脂肪族、芳香族等等で置換して得られるアミン類;炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム等の金属炭酸塩類が挙げられる。また、硝酸アンモニウム、塩化アンモニウム、硫酸アンモニウム、リン酸アンモニウム、炭酸アンモニウム等のアンモニウム塩も挙げられる。温度は10~60°Cが好ましく、20~50°Cがより好ましい。電気化学的粗面化処理に用いられる交流電源波は、特に限定されず、サイン波、矩形波、台形波、三角波等が用いられるが、矩形波または台形波が好ましく、台形波が特に好ましい。台形波とは、図1に示したものをいう。この台形波において電流がゼロからピークに達するまでの時間TPは1~3msecであるのが好ましい。1msec未満であると、アルミニウム基板の進行方向と垂直に発生するチャタマークという処理ムラが発生しやすい。TPが3msecを超えると、特に硝酸電解液を用いる場合、電解処理で自然発生的に増加するアンモニウムイオン等に代表される電解液中の微量成分の影響を受けやすくなり、均一な砂目立てが行われにくくなる。台形波交流のduty比は1:2~2:1のものが使用可能であるが、特開平5-195300号公報に記載されているように、アルミニウムにコンダクタロールを用いない間接給電方式においてはduty比が1:1のものが好ましい。台形波交流の周波数は0.1~120Hzのものを用いることが可能であるが、50~70Hzが設備上好ましい。50Hzよりも低いと、主極のカーボン電極が溶解しやすくなり、また、70Hzよりも高いと、電源回路上のインダクタンス成分の影響を受けやすくなり、電源コストが高くなる。電解槽には1個以上の交流電源を接続することができる。主極に対向するアルミニウム基板に加わる交流の陽極と陰極との電流比をコントロールし、均一な砂目立てを行うことと、主極のカーボンを溶解することとを目的として、図2に示したように、補助陽極28を設置し、交流電流の一部を分流させることが好ましい。図2において、21はアルミニウム基板であり、22はラジアルドラムローラであり、23aおよび23bは主極であり、24は電解処理液であり、25は電解液供給口であり、26はスリットであり、27は電解液通路であり、28は補助陽極であり、29aおよび29bはサイリスタであり、30は交流電源であり、31は主電解槽であり、32は補助陽極槽である。整流素子またはスイッチング素子を介して電流値の一部を二つの主電極とは別の槽に設けた補助陽極に直流電流として分流させることにより、主極に対向するアルミニウム基板上で作用するアノード反応にあずかる電流値と、カソード反応にあずかる電流値との比を制御することができる。主極に対向するアルミニウム基板上で、陰極反応と陽極反応とにあずかる電気量の比陰極時電気量/陽極時電気量は、0.3~0.95であるのが好ましい。電解槽は、縦型、フラット型、ラジアル型等の公知の表面処理に用いる電解槽が使用可能であるが、特開平5-195300号公報に記載されているようなラジアル型電解槽が特に好ましい。電解槽内を通過する電解液は、アルミニウムウェブの進行方向に対してパラレルであってもカウンターであってもよい。硝酸電解硝酸を主体とする電解液を用いた電気化学的粗面化処理により、平均開口径0.7~5μmの凹凸中波構造を形成させることができる。ただし、電気量を比較的多くしたときは、電解反応が集中し、波長5μmを超える凹凸も生成する。このような表面形状を得るためには、電解反応が終了した時点でのアルミニウム基板のアノード反応にあずかる電気量の総和が、1~1000C/dm2であるのが好ましく、50~300C/dm2であるのがより好ましい。この際の電流密度は20~100A/dm2であるのが好ましい。また、例えば、高濃度、例えば、硝酸濃度15~35質量の硝酸電解液を用いて30~60°Cで電解を行ったり、硝酸濃度0.7~2質量の硝酸電解液を用いて高温、例えば、80°C以上で電解を行ったりすることで、平均開口径0.01~0.2μmの凹凸小波構造を形成させることもできる。塩酸電解塩酸はそれ自身のアルミニウム溶解力が強いため、わずかな電解を加えるだけで表面に微細な凹凸を形成させることが可能である。この微細な凹凸は、平均開口径が0.01~0.2μmの小波構造であり、アルミニウム基板の表面の全面に均一に生成する。このような表面形状を得るためには電解反応が終了した時点でのアルミニウム基板のアノード反応にあずかる電気量の総和が、1~100C/dm2であるのが好ましく、20~70C/dm2であるのがより好ましい。この際の電流密度は20~50A/dm2であるのが好ましい。上記の硝酸、塩酸等の電解液中で行われる電解粗面化処理の前および/または後に、アルミニウム基板に陰極電解処理を行うことが好ましい。この陰極電解処理により、アルミニウム基板表面にスマットが生成するとともに、水素ガスが発生してより均一な電解粗面化処理が可能となる。陰極電解処理は、酸性溶液中で陰極電気量が好ましくは3~80C/dm2、より好ましくは5~30C/dm2で行われる。陰極電気量が3C/dm2未満であると、スマット付着量が不足する場合があり、また、80C/dm2を超えると、スマット付着量が過剰となる場合がある。電解液は、電解粗面化処理で使用する溶液と同一であっても異なっていてもよい。アルカリエッチング処理アルカリエッチング処理は、上記アルミニウム基板をアルカリ溶液に接触させることにより、表層を溶解させる処理である。電解粗面化処理より前に行われるアルカリエッチング処理は、機械的粗面化処理を行っていない場合には、アルミニウム基板圧延アルミの表面の圧延油、汚れ、自然酸化皮膜等を除去することを目的として、また、既に機械的粗面化処理を行っている場合には、機械的粗面化処理によって生成した凹凸のエッジ部分を溶解させ、急峻な凹凸を滑らかなうねりを持つ表面に変えることを目的として行われる。アルカリエッチング処理の前に機械的粗面化処理を行わない場合、エッチング量は、0.1~10g/m2であるのが好ましく、1~5g/m2であるのがより好ましい。エッチング量が0.1g/m2未満であると、表面の圧延油、汚れ、自然酸化皮膜等が残存する場合があるため、後段の電解粗面化処理において均一な凹凸生成ができずムラが発生してしまう場合がある。一方、エッチング量が1~10g/m2であると、表面の圧延油、汚れ、自然酸化皮膜等の除去が十分に行われる。上記範囲を超えるエッチング量とするのは、経済的に不利となる。アルカリエッチング処理の前に機械的粗面化処理を行う場合、エッチング量は、3~20g/m2であるのが好ましく、5~15g/m2であるのがより好ましい。エッチング量が3g/m2未満であると、機械的粗面化処理等によって形成された凹凸を平滑化できない場合があり、後段の電解粗面化処理において均一な凹凸形成ができない場合がある。一方、エッチング量が20g/m2を超えると、凹凸構造が消滅してしまう場合がある。電解粗面化処理の直後に行うアルカリエッチング処理は、酸性電解液中で生成したスマットを溶解させることと、電解粗面化処理により形成された凹凸のエッジ部分を溶解させることを目的として行われる。電解粗面化処理で形成される凹凸は電解液の種類によって異なるためにその最適なエッチング量も異なるが、電解粗面化処理後に行うアルカリエッチング処理のエッチング量は、0.1~35g/m2であるのが好ましく、1~20g/m2であるのがより好ましく、2~15g/m2であるのが特に好ましい。硝酸電解液を用いた場合、塩酸電解液を用いた場合よりもエッチング量は多めに設定する必要がある。電解粗面化処理が複数回行われる場合には、それぞれの処理後に、必要に応じてアルカリエッチング処理を行うことができる。アルカリ溶液に用いられるアルカリとしては、例えば、カセイアルカリ、アルカリ金属塩が挙げられる。具体的には、カセイアルカリとしては、例えば、カセイソーダ、カセイカリが挙げられる。また、アルカリ金属塩としては、例えば、タケイ酸ソーダ、ケイ酸ソーダ、メタケイ酸カリ、ケイ酸カリ等のアルカリ金属ケイ酸塩;炭酸ソーダ、炭酸カリ等のアルカリ金属炭酸塩;アルミン酸ソーダ、アルミン酸カリ等のアルカリ金属アルミン酸塩;グルコン酸ソーダ、グルコン酸カリ等のアルカリ金属アルドン酸塩;第二リン酸ソーダ、第二リン酸カリ、第三リン酸ソーダ、第三リン酸カリ等のアルカリ金属リン酸水素塩が挙げられる。中でも、エッチング速度が速い点および安価である点から、カセイアルカリの溶液、および、カセイアルカリとアルカリ金属アルミン酸塩との両者を含有する溶液が好ましい。特に、カセイソーダの水溶液が好ましい。アルカリ溶液の濃度は、エッチング量に応じて決定することができるが、1~50質量であるのが好ましく、10~35質量であるのがより好ましい。アルカリ溶液中にアルミニウムイオンが溶解している場合には、アルミニウムイオンの濃度は、0.01~10質量であるのが好ましく、3~8質量であるのがより好ましい。アルカリ溶液の温度は20~90°Cであるのが好ましい。処理時間は1~120秒であるのが好ましい。アルミニウム基板をアルカリ溶液に接触させる方法としては、例えば、アルミニウム基板をアルカリ溶液を入れた槽の中を通過させる方法、アルミニウム基板をアルカリ溶液を入れた槽の中に浸せきさせる方法、アルカリ溶液をアルミニウム基板の表面に噴きかける方法が挙げられる。デスマット処理電解粗面化処理またはアルカリエッチング処理を行った後、表面に残留する汚れスマットを除去するために酸洗いデスマット処理が行われるのが好ましい。用いられる酸としては、例えば、硝酸、硫酸、リン酸、クロム酸、フッ化水素酸、ホウフッ化水素酸が挙げられる。上記デスマット処理は、例えば、上記アルミニウム基板を塩酸、硝酸、硫酸等の濃度0.5~30質量の酸性溶液アルミニウムイオン0.01~5質量を含有する。に接触させることにより行う。アルミニウム基板を酸性溶液に接触させる方法としては、例えば、アルミニウム基板を酸性溶液を入れた槽の中を通過させる方法、アルミニウム基板を酸性溶液を入れた槽の中に浸せきさせる方法、酸性溶液をアルミニウム基板の表面に噴きかける方法が挙げられる。デスマット処理においては、酸性溶液として、上述した電解粗面化処理において排出される硝酸を主体とする水溶液もしくは塩酸を主体とする水溶液の廃液、または、後述する陽極酸化処理において排出される硫酸を主体とする水溶液の廃液を用いることができる。デスマット処理の液温は、25~90°Cであるのが好ましい。また、処理時間は、1~180秒であるのが好ましい。デスマット処理に用いられる酸性溶液には、アルミニウムおよびアルミニウム合金成分が溶け込んでいてもよい。絶縁層本発明の絶縁基板に用いられる絶縁層は、上記金属基板バルブ金属基板の表面の一部に設けられる層であって、上述したバルブ金属の陽極酸化皮膜である。ここで、上記絶縁層は、上記金属基板とは別のバルブ金属基材の陽極酸化皮膜であってもよいが、絶縁層の形成欠陥を防ぐ観点から、上記金属基板の表面の一部に後述する陽極酸化処理を施すことによって金属基板上に形成される陽極酸化皮膜であるのが好ましい。また、表面の一部とは、後述する本発明の発光素子において設けられる青色LED発光素子と電気的に接続する配線、すなわち、後述する本発明の配線基板において設けられる金属配線層と本発明の絶縁基板との接触面を少なくとも含み、かつ、上記接触面の面積の1.2倍以下の面積となる部分をいい、上記接触面のみであるのが好ましい。本発明においては、上記絶縁層を上記金属基板の表面の一部に設けることにより、本発明の発光素子の絶縁性が良好なものとなる。また、本発明においては、青色LED発光素子が発光する際に発生する熱を速やかに上記金属基板の内部に伝熱させることができ、本発明の発光素子の放熱性が良好となる理由から、上記絶縁層は、その表面の一部を露出した状態で上記金属基板に埋設されているのが好ましく、露出表面が上記金属基板の表面から突出しているのがより好ましい。更に、本発明においては、本発明の発光素子の絶縁性がより良好となる理由から、上記絶縁層の厚みは20~300μmであるのが好ましく、80~150μmであるのがより好ましい。特に、本発明の発光素子の絶縁性と発光効率のバランスの観点から、上記絶縁層の厚みと上記金属基板の厚みとの比率絶縁層の厚み/金属基板の厚みが0.003~3.0であるのが好ましく、0.010~1.0であるのがより好ましい。[絶縁基板の製造方法]以下に、本発明の絶縁基板の製造方法について詳細に説明する。本発明の絶縁基板の製造方法は、上述した本発明の絶縁基板を製造する方法であって、バルブ金属基板の表面に所定の開口パターンを有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、上記マスク層の開口部に陽極酸化処理を施し、上記バルブ金属基板の表面の一部に陽極酸化皮膜を形成して絶縁基板を得る陽極酸化処理工程とを有する絶縁基板の製造方法である。次に、マスク層形成工程および陽極酸化処理工程について、図3に示す本発明の絶縁基板配線基板の製造方法の各工程を説明する模式図を用いて説明する。マスク層形成工程上記マスク層形成工程は、図3に示すように、バルブ金属基板1の表面に所定の開口パターン開口部2を有するマスク層3を形成する工程である。ここで、上記バルブ金属基板とは、上述した本発明の絶縁基板において説明した金属基板と同様である。また、上記所定の開口パターンとは、後述する本発明の発光素子において設けられる青色LED発光素子と電気的に接続する配線、すなわち、後述する本発明の配線基板において設けられる金属配線層の形成パターンをいう。本発明においては、上記マスク層は、例えば、上記バルブ金属基板の表面に画像記録層を形成した後に、上記画像記録層に対して露光または加熱によりエネルギーを付与して所定の開口パターンに現像する方法等により形成することができる。ここで、上記画像記録層を形成する材料は特に限定されず、従来公知の感光層フォトレジスト層や感熱層を形成する材料を用いることができ、必要に応じて、赤外線吸収剤等の添加剤も含有していてもよい。陽極酸化処理工程上記陽極酸化処理工程は、図3に示すように、マスク層3の開口部2に陽極酸化処理を施し、バルブ金属基板1の表面の一部に陽極酸化皮膜4を形成して絶縁基板5を得る工程である。ここで、上記陽極酸化皮膜は、上述した本発明の絶縁基板において説明した絶縁層を形成するものである。本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、平版印刷版用支持体の製造等で行われている従来公知の方法で施すことができる。具体的には、陽極酸化処理に用いられる溶液としては、硫酸、リン酸、クロム酸、シュウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸、アミドスルホン酸、マロン酸、クエン酸、酒石酸、ホウ酸等や、水酸化ナトリウム、水酸化マグネシウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウムなどのアルカリ金属/アルカリ土類金属の水酸化物等を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。この際、少なくともアルミニウム基板、電極、水道水、地下水等に通常含まれる成分が電解液中に含まれていても構わない。更には、第2、第3の成分が添加されていても構わない。ここでいう第2、第3の成分としては、例えば、Na、K、Mg、Li、Ca、Ti、Al、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn等の金属のイオン;アンモニウムイオン等の陽イオン;硝酸イオン、炭酸イオン、塩化物イオン、リン酸イオン、フッ化物イオン、亜硫酸イオン、チタン酸イオン、ケイ酸イオン、ホウ酸イオン等の陰イオンが挙げられ、0~10000ppm程度の濃度で含まれていてもよい。また、本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理の条件は、使用される電解液によって種々変化するので一概に決定され得ないが、一般的には電解液濃度1~80質量、液温5~70°C、電流密度0.5~60A/dm2、電圧1~600V、電解時間15秒~20時間であるのが適当であり、所望の陽極酸化皮膜量となるように調整される。更に、本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、特開昭54-81133号、特開昭57-47894号、特開昭57-51289号、特開昭57-51290号、特開昭57-54300号、特開昭57-136596号、特開昭58-107498号、特開昭60-200256号、特開昭62-136596号、特開昭63-176494号、特開平4-176897号、特開平4-280997号、特開平6-207299号、特開平5-24377号、特開平5-32083号、特開平5-125597号、特開平5-195291号の各公報等に記載されている方法を使用することもできる。中でも、特開昭54-12853号公報および特開昭48-45303号公報に記載されているように、電解液として硫酸溶液を用いるのが好ましい。電解液中の硫酸濃度は、10~300g/Lであるのが好ましく、また、アルミニウムイオン濃度は、1~25g/Lであるのが好ましく、2~10g/Lであるのがより好ましい。このような電解液は、例えば、硫酸濃度が50~200g/Lである希硫酸に硫酸アルミニウム等を添加することにより調製することができる。本発明においては、上記陽極酸化処理工程において、硫酸を含有する電解液中で陽極酸化処理を行う場合には、上記バルブ金属基板と対極との間に直流を印加してもよく、交流を印加してもよい。上記バルブ金属基板に直流を印加する場合、電流密度は1~60A/dm2であるのが好ましく、5~40A/dm2であるのがより好ましい。また、本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理を連続的に施す場合には、上記バルブ金属基板の一部に電流が集中していわゆる焼けが生じないように、陽極酸化処理の開始当初は、5~10A/dm2の低電流密度で電流を流し、陽極酸化処理が進行するにつれ、30~50A/dm2またはそれ以上に電流密度を増加させるのが好ましい。連続的に陽極酸化処理を行う場合には、上記バルブ金属基板に、電解液を介して給電する液給電方式により行うのが好ましい。更に、本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理に用いられる電解装置としては、特開昭48-26638号、特開昭47-18739号、特公昭58-24517号の各公報等に記載されているものを用いることができる。中でも、図4に示す装置が好適に用いられる。図4は、バルブ金属基板の表面を陽極酸化処理する装置の一例を示す概略図である。陽極酸化処理装置410において、バルブ金属基板416は、図4中矢印で示すように搬送される。電解液418が貯溜された給電槽412にてバルブ金属基板416は給電電極420によってに荷電される。そして、バルブ金属基板416は、給電槽412においてローラ422によって上方に搬送され、ニップローラ424によって下方に方向変換された後、電解液426が貯溜された電解処理槽414に向けて搬送され、ローラ428によって水平方向に方向転換される。ついで、バルブ金属基板416は、電解電極430によって-に荷電されることにより、その表面に陽極酸化皮膜が形成され、電解処理槽414を出たバルブ金属基板416は後工程に搬送される。上記陽極酸化処理装置410において、ローラ422、ニップローラ424およびローラ428によって方向転換手段が構成され、バルブ金属基板416は、給電槽412と電解処理槽414との槽間部において、上記ローラ422、424および428により、山型および逆U字型に搬送される。給電電極420と電解電極430とは、直流電源434に接続されている。また、図4の陽極酸化処理装置410の特徴は、給電槽412と電解処理槽414とを1枚の槽壁432で仕切り、バルブ金属基板416を槽間部において山型および逆U字型に搬送したことにある。これによって、槽間部におけるバルブ金属基板416の長さを最短にすることができる。よって、陽極酸化処理装置410の全体長を短くできるので、設備費を低減することができる。また、バルブ金属基板416を山型および逆U字型に搬送することによって、各槽412および414の槽壁432にバルブ金属基板416を通過させるための開口部を形成する必要がなくなる。よって、各槽412および414内の液面高さを必要レベルに維持するのに要する送液量を抑えることができるので、稼働費を低減することができる。本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、ある1つの処理条件で単独処理されてもよいが、陽極酸化皮膜の、場所による形状、あるいは深さ方向における形状、等のように形状を制御したい場合には、2つ以上の条件の異なる陽極酸化処理を順次組み合わせて処理してもよい。また、本発明においては、上記陽極酸化処理工程における陽極酸化処理は、形成される陽極酸化皮膜絶縁性を有する本発明の発光素子の全反射率がより向上する理由から、例えば、特許第3,714,507号、特開2002-285382号公報、特開2006-124827号公報、特開2007-231339号公報、特開2007-231405公報、特開2007-231340号公報、特開2007-238988号公報等に記載されている方法により、ハニカム状に配列したマイクロポアを形成する陽極酸化処理が好ましい。これらの処理は、各特許および公報の処理条件にて記載されている処理が好ましい。封孔処理本発明の絶縁基板の製造方法においては、上記陽極酸化皮膜絶縁層が多孔質の場合、本発明の発光素子の放熱性の観点から、皮膜中に存在するマイクロポアを封じる封孔処理を行ってもよい。封孔処理は、沸騰水処理、熱水処理、蒸気処理、ケイ酸ソーダ処理、亜硝酸塩処理、酢酸アンモニウム処理等の公知の方法に従って行うことができる。例えば、特公昭56-12518号公報、特開平4-4194号公報、特開平5-202496号公報、特開平5-179482号公報等に記載されている装置および方法で封孔処理を行ってもよい。水洗処理また、本発明の絶縁基板の製造方法においては、上述した各処理の工程終了後には水洗を行うのが好ましい。水洗には、純水、井水、水道水等を用いることができる。処理液の次工程への持ち込みを防ぐためにニップ装置を用いてもよい。その他の処理更に、本発明の絶縁基板の製造方法においては、必要に応じて絶縁基板の表面に種々の処理を施すことができる。例えば、本発明の発光素子の白色性散乱性を高めるために、酸化チタン等の白色性絶縁性材料からなる無機絶縁層、白色レジスト等の有機絶縁層を設けてもよい。また、上記白色以外にも、例えば電着処理により、酸化アルミニウムよりなる絶縁層に所望の色を着色することができる。具体的には、陽極酸化金属表面技術協会編.金属表面技術講座B1969PP.195~207、新アルマイト理論カロス出版1997PP.95~96等に記載されているような有色染色性のイオン種、具体的には、Coイオン、Feイオン、Auイオン、Pbイオン、Agイオン、Seイオン、Snイオン、Niイオン、Cuイオン、Biイオン、Moイオン、Sbイオン、Cdイオン、Asイオン等を電解液に混入して、電解処理することにより、着色を施すことができる。また、同様に酸化アルミニウムよりなる絶縁層に、更に絶縁性および高反射性を高めるため、例えば、特開平6-35174号公報の段落[0016~[0035に記載されているような、ゾルゲル法による層を設けることもできる。ここで、ゾルゲル法とは、一般に金属アルコキシドからなるゾルを加水分解重縮合反応により、流動性を失ったゲルとし、このゲルを加熱して酸化物層セラミック層を形成する方法である。また、上記金属アルコキシドは、特に限定されないが、厚さが均一性の良い層を形成させる観点から、AlO-Rn、BaO-Rn、BO-Rn、BiO-Rn、CaO-Rn、FeO-Rn、GaO-Rn、GeO-Rn、HfO-Rn、InO-Rn、KO-Rn、LaO-Rn、LiO-Rn、MgO-Rn、MoO-Rn、NaO-Rn、NbO-Rn、PbO-Rn、PoO-Rn、PoO-Rn、PO-Rn、SbO-Rn、SiO-Rn、SnO-Rn、SrO-Rn、TaO-Rn、TiO-Rn、VO-Rn、WO-Rn、YO-Rn、ZnO-Rn、ZrO-Rn等が挙げられる文章中Rは、置換基を有してもよい、鎖状、分枝状、および、環状の、炭化水素基、nは任意の自然数を示す。。中でも、絶縁層との反応性に優れ、ゾルゲル層形成性に優れた、SiO-Rn系がより好ましい。本発明においては、ゾルゲル層を形成する方法は特に限定されないが、層の厚さを制御する観点から、ゾル液を塗布して加熱する方法が好ましい。また、ゾル液の濃度としては、0.1~90質量が好ましく、1~80質量がより好ましく、5~70質量が特に好ましい。また、本発明においてゾルゲル層を形成する際には、その厚さは、高反射率、絶縁性の観点から、0.01μm~20μmが好ましく、0.05μm~15μmがより好ましく、0.1μm~10μmが特に好ましい。この範囲より厚くなると、高反射率の観点から好ましくなく、この範囲より薄くなると絶縁性の観点から好ましくない。なお、層を厚くするために、繰り返し重ねて塗布してもよい。[配線基板]以下に、本発明の配線基板について詳細に説明する。本発明の配線基板は、上述した本発明の絶縁基板と、上記絶縁基板の上記絶縁層側の上部に設けられる配線層とを有する配線基板である。本発明においては、上記金属配線層の材料は、電気を通す素材であれば特に限定されず、その具体例としては、金Au、銀Ag、銅Cu、アルミニウムAl、マグネシウムMg、ニッケルNi等が挙げられ、これらを1種単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。これらのうち、電気抵抗が低い理由からCuを用いるのが好ましい。なお、Cuによる配線層の表層には、ワイヤボンディングの容易性を高める観点から、Au層やNi/Au層を設けていてもよい。また、本発明においては、上記金属配線層の厚さは、導通信頼性およびパッケージのコンパクト性の観点から、0.5~1000μmが好ましく、1~500μmがより好ましく、5~250μmが特に好ましい。[配線基板の製造方法]以下に、本発明の配線基板の製造方法について詳細に説明する。本発明の配線基板の製造方法は、上述した本発明の配線基板を製造する方法であって、バルブ金属基板の表面に所定の開口パターンを有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、上記マスク層の開口部に陽極酸化処理を施し、上記バルブ金属基板の表面の一部に陽極酸化皮膜を形成する陽極酸化処理工程と、上記陽極酸化皮膜の表面に金属配線層を形成する金属配線層形成工程と、上記金属配線層を形成した後に上記マスク層を除去して配線基板を得る除去工程とを有する配線基板の製造方法である。次に、金属配線層形成工程および除去工程について、図3に示す本発明の絶縁基板配線基板の製造方法の各工程を説明する模式図を用いて説明する。なお、上記マスク層形成工程および上記陽極酸化処理工程は、上述した本発明の絶縁基板の製造方法において説明したものと同様である。金属配線層形成工程上記金属配線層形成工程は、図3に示すように、上記陽極酸化処理工程により形成された陽極酸化皮膜4の表面に金属配線層6を形成する工程である。ここで、上記陽極酸化皮膜の表面に金属配線層を形成する方法は、マスク層3の開口部2内に対して、例えば、電解めっき処理、無電解めっき処理、置換めっき処理などの種々めっき処理;スパッタリング処理;蒸着処理;等を施す方法が挙げられる。これらのうち、耐熱性が高い観点から、金属のみの層形成であることが好ましく、厚膜/均一形成化および高密着性の観点から、めっき処理による層形成が特に好ましい。本発明においては、上記めっき処理は、非導電性物質絶縁基板に対するめっき処理になるため、シード層と呼ばれる還元金属層を設けた後、その金属層を利用して厚い金属層を形成する手法を用いるのが好ましい。また、上記シード層の形成には、無電解めっきが用いるのが好ましく、めっき液としては、主成分例えば、金属塩、還元剤等と補助成分例えば、pH調整剤、緩衝剤、錯化剤、促進剤、安定剤、改良剤等から構成される溶液を用いるのが好ましい。なお、めっき液としては、SE-650666680、SEK-670797、SFK-63いずれも日本カニゼン社製、メルプレートNI-4128、エンプレートNI-433、エンプレートNI-411いずれもメルテックス社製等の市販品を適宜用いることができる。また、上記金属配線層の材料として銅を用いた場合、硫酸、硫酸銅、塩酸、ポリエチレングリコールおよび界面活性剤を主成分とし、その他各種添加剤を加えた種々の電解液を用いることができる。このようにして形成される金属配線層は、LED実装の設計に応じ、公知の方法でパターン形成される。また、実際にLEDが実装される箇所には、再度金属層半田も含むを設け、熱圧着や、フリップチップ、ワイヤボンディング等で、接続しやすい用に適宜加工することができる。好適な金属層としては、半田、または、金Au、銀Ag、銅Cu、アルミニウムAl、マグネシウムMg、ニッケルNi等の金属素材が好ましく、加熱によるLEDの実装の観点では、半田、または、Niを介してのAu、Agを設ける方法が接続信頼性の観点から好ましい。具体的には、パターンが形成された銅Cu配線上に、ニッケルNiを介して金Auを形成する方法としては、Niストライクめっきを施し、その後にAuめっきを施す方法が挙げられる。ここで、Niストライクめっきは、Cu配線層の表面酸化層の除去とAu層密着性確保を目的に施される。また、Niストライクめっきには、一般的なNi/塩酸混合液を用いてもよく、NIPS-100日立化成工業製等の市販品を用いてもよい。一方、Auめっきは、Niストライクめっきを施した後に、ワイヤボンディングや半田の濡れ性を向上させる目的で施される。また、Auめっきは無電解めっきで生成させるのが好ましく、HGS-5400日立化成工業社製、ミクロファブAuシリーズ、ガルバノマイスターGBシリーズ、プレシャスハブIGシリーズいずれも田中貴金属社製等の市販の処理液を用いることができる。除去工程上記除去工程は、図3に示すように、金属配線層6を形成した後にマスク層3を除去して配線基板7を得る工程である。ここで、上記マスク層を除去する方法は特に限定されず、例えば、上述したマスク層を溶解し、バルブ金属基板、陽極酸化皮膜および金属配線層が溶解しない溶液を用いて溶解し、除去する方法等が挙げられる。[白色系LED発光素子]以下に、本発明の発光素子について詳細に説明する。本発明の発光素子は、上述した本発明の配線基板と、上記配線基板の上記金属配線層側の上部に設けられる青色LED発光素子と、上記青色LED発光素子の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体とを具備する白色系LED発光素子である。なお、上述した本発明の配線基板は、使用される発光素子の形状やLEDの種類等に限定はなく、種々の用途に用いることができる。次に、本発明の白色系LED発光素子の構成を図面を用いて説明する。図5は、本発明の発光素子の好適な実施態様の一例を示す模式的な断面図である。ここで、図5に示す発光素子10は、青色LED8がYAG系の蛍光粒子11を混入した透明樹脂12でモールドされており、YAG系の蛍光粒子11によって励起された光と青色LED8の残光とにより、白色系光が発光されるものであり、青色LED8が、外部接続用の電極を兼ねた金属配線層6を有する本発明の配線基板7にワイヤボンディングされている。ここで、図5に示す青色LEDは、基板上にGaAlN、ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlN、InN、AlInGaP、InGaN、GaN、AlInGaN等の半導体を発光層として形成させたものが用いられる。半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やPN接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構造のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫外光から赤外光まで種々選択することができる。また、図5に示す透明樹脂の材質は熱硬化性樹脂が好ましい。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも1種により形成することが好ましく、特にエポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂が好ましい。また、透明樹脂は、青色LEDを保護するため硬質のものが好ましい。また、透明樹脂は、耐熱性、耐候性、耐光性に優れた樹脂を用いることが好ましい。また、透明樹脂は、所定の機能を持たせるため、フィラー、拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質、紫外線吸収剤、酸化防止剤からなる群から選択される少なくとも1種を混合することもできる。更に、図5に示す蛍光粒子は、青色LEDからの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。蛍光粒子としては、具体的には、例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に付活される窒化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体、サイアロン系蛍光体、βサイアロン系蛍光体;Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類硫化物蛍光体、アルカリ土類チオガレート蛍光体、アルカリ土類窒化ケイ素蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体;Ce等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体;Eu等のランタノイド系元素で主に付活される有機錯体;等が挙げられ、これらを1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。一方、本発明の配線基板は、紫外~青色LEDとそれを吸収し可視光領域で蛍光を発する蛍光発光体とを用いた蛍光体混色型白色系LED発光素子の配線基板として用いることもできる。これらの蛍光発光体が青色LEDからの青色光を吸収して蛍光黄色系蛍光を生じ、この蛍光と青色LEDの残光とにより、発光素子から白色系光が発光される。上述した方式は、青色LED光源チップと黄色蛍光体1種とを組み合わせたいわゆる擬似白色発光型であるが、このほかにも、例えば紫外~近紫外LED光源チップと赤色/緑色/青色蛍光体等を数種組み合わせた紫外~近紫外光源型、及び、赤色/緑色/青色3光源で白色発光させるRGB光源型、等の公知の発光方法を用いる発光ユニットの発光素子の基板に本発明の配線基板を用いることができる。本発明の配線基板にLED素子を実装する方法は加熱による実装を伴うが、半田リフローを含めての熱圧着、およびフリップチップによる実装方法では、均一かつ確実な実装を施す観点から、最高到達温度は220~350°Cが好ましく、240~320°Cがより好ましく、260~300°Cが特に好ましい。これらの最高到達温度を維持する時間としては、同観点から2秒~10分が好ましく、5秒~5分がより好ましく、10秒~3分が特に好ましい。また、金属基板と陽極酸化皮膜との熱膨張率差に起因して陽極酸化皮膜内に発生するクラックを抑制する観点から、上記最高到達温度に到達する前に、所望の一定温度で5秒~10分、より好ましくは10秒~5分、特に好ましくは20秒~3分の熱処理を施す方法をとることもできる。所望の一定温度としては、80~200°Cであることが好ましく、100~180°Cがより好ましく、120~160°Cが特に好ましい。また、ワイヤボンディングでの実装時の温度としては、確実な実装を施す観点から、80~300°Cが好ましく、90~250°Cがより好ましく、100~200°Cが特に好ましい。加熱時間としては、2秒~10分が好ましく、5秒~5分がより好ましく、10秒~3分が特に好ましい。以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。実施例1<アルミニウム基板の作製>Si:0.06質量、Fe:0.30質量、Cu:0.005質量、Mn:0.001質量、Mg:0.001質量、Zn:0.001質量、Ti:0.03質量を含有し、残部はAlと不可避不純物のアルミニウム合金を用いて溶湯を調製し、溶湯処理およびろ過を行った上で、厚さ500mm、幅1200mmの鋳塊をDC鋳造法で作成した。次いで、表面を平均10mmの厚さで面削機により削り取った後、550°Cで、約5時間均熱保持し、温度400°Cに下がったところで、熱間圧延機を用いて厚さ2.7mmの圧延板とした。更に、連続焼鈍機を用いて熱処理を500°Cで行った後、冷間圧延で、厚さ0.24mmに仕上げ、JIS1050材のアルミニウム基板を得た。このアルミニウム基板を幅1030mmにした後、以下に示す粗面化処理を施した。<粗面化処理>まず、上記アルミニウム基板に対して、下記a~cの粗面化処理を施した。ここで、粗面化処理後のアルミニウム基板表面の300~700nmの波長領域での全反射率を分光反射率測定器SP64、X-Rite社製にて測定したところ90であった。また、粗面化処理後のアルミニウム基板表面について、触針式粗さ計sufcom575、東京精密社製で2次元粗さ測定を行い、ISO4287に規定されている平均表面粗さRaを5回測定したところ、その平均値は1.20μmであった。また、粗面化処理後のアルミニウム基板表面について、原子間力顕微鏡を用い、上記式Iから求められる表面積差ΔSは13.5であった。a電気化学的粗面化処理60Hzの交流電圧を用いて連続的に電気化学的な粗面化処理を行った。このときの電解液は、硝酸10.5g/L水溶液アルミニウムイオンを5g/L、アンモニウムイオンを0.007質量含む。、液温50°Cであった。交流電源波形は図1に示した波形であり、電流値がゼロからピークに達するまでの時間TPが0.8msec、duty比1:1、台形の矩形波交流を用いて、カーボン電極を対極として電気化学的な粗面化処理を行った。補助アノードにはフェライトを用いた。使用した電解槽は図2に示すものを使用した。電流密度は電流のピーク値で30A/dm2、電気量はアルミニウム板が陽極時の電気量の総和で220C/dm2であった。補助陽極には電源から流れる電流の5を分流させた。その後、スプレーによる水洗を行った。bアルカリエッチング処理アルミニウム板をカセイソーダ濃度26質量、アルミニウムイオン濃度6.5質量の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を32°Cで行い、アルミニウム板を10.0g/m2溶解し、電気化学的粗面化処理を行ったときに生成した水酸化アルミニウムを主体とするスマット成分を除去し、また、生成した凹凸のエッジ部分を溶解してエッジ部分を滑らかにした。その後、スプレーによる水洗を行った。cデスマット処理温度30°Cの硫酸濃度15質量水溶液アルミニウムイオンを4.5質量含む。で、スプレーによるデスマット処理を行い、その後、スプレーで水洗した。なお、デスマット処理に用いた硝酸水溶液は、硝酸水溶液中で交流を用いて電気化学的粗面化処理を行う工程の廃液を用いた。<マスク層の形成>粗面化処理を施したアルミニウム基板の表面に、フォトレジストFC-230G、東洋紡社製をコートし、所定の開口パターンを付与するべくマスクを介してUV照射を施した。その後、非照射部をアルカリ現像液で現像することで完全に除去し、アルミニウム基板表面をパターン状に露出させた。<陽極酸化処理>マスク層を形成させたアルミニウム基板に対して、150g/Lの硫酸電解液を用い、50°C、20A/dm2の電流密度の条件にて定電流陽極酸化処理を施し、アルミニウム基板の表面露出部上に厚さ120μmの陽極酸化皮膜絶縁層が形成された絶縁基板を作製した。なお、陽極酸化皮膜の85μm分は、アルミニウム基板に埋設された状態で形成され、残りの35μm分は、アルミニウム基板の表面から突出された状態で形成された。<金属配線層の形成>陽極酸化処理により形成した陽極酸化皮膜上に、無電解Ni-Cuめっき法によりシード層を形成した後、電解銅めっき法により17μm厚のCu配線層を形成させた。<マスク層の除去>Cu配線層を形成させた後、無電解Niめっき法および無電解Auめっき法を順に施し、Cu配線層の表面をコートした後、モノメタノールアミン溶剤を用いて残存するマスク層をすべて除去し、配線基板を作製した。<青色LEDの実装>作製した配線基板に青色LEDをワイヤボンディング法により実装し、Cu配線層と青色LEDとを接続した。<黄色蛍光体含有封止材の形成>青色LEDを実装した後、表面に黄色蛍光体を含有した封止材を設けることで、擬似白色型LEDパッケージを作製した。実施例2上記アルカリエッチング処理bのアルミニウム溶解量を15.0g/m2とした以外は、実施例1と同様の方法により、擬似白色型LEDパッケージを作製した。なお、実施例1と同様の方法により測定したアルミニウム基板表面の全反射率は92であり、平均表面粗さRa平均値は0.55μmであり、表面積差ΔSは8.0であった。実施例3上記電気化学的粗面化処理aの電流密度のピーク値を20A/dm2とした以外は、実施例2と同様の方法により、擬似白色型LEDパッケージを作製した。なお、実施例1と同様の方法により測定したアルミニウム基板表面の全反射率は94であり、平均表面粗さRa平均値は0.30μmであり、表面積差ΔSは4.5であった。実施例45硫酸電解液を用い、15°C、25Vの電圧条件にて定電圧陽極酸化処理を施し、アルミニウム基板の表面露出部上に厚さ100μmの陽極酸化皮膜絶縁層を形成させた以外は、実施例3と同様の方法により、擬似白色型LEDパッケージを作製した。なお、陽極酸化皮膜の70μm分は、アルミニウム基板に埋設された状態で形成され、残りの30μm分は、アルミニウム基板の表面から突出された状態で形成された。実施例510硫酸電解液を用い、20°C、16Vの電圧条件にて定電圧陽極酸化処理を施し、アルミニウム基板の表面露出部上に厚さ100μmの陽極酸化皮膜絶縁層を形成させた以外は、実施例3と同様の方法により、擬似白色型LEDパッケージを作製した。なお、陽極酸化皮膜の70μm分は、アルミニウム基板に埋設された状態で形成され、残りの30μm分は、アルミニウム基板の表面から突出された状態で形成された。実施例6陽極酸化処理の後に、絶縁基板を80°Cの純水に1分間浸漬させ、浸漬させた状態で110°Cの雰囲気下で10分間加熱した処理封孔処理を施した以外は、実施例4と同様の方法により、擬似白色型LEDパッケージを作製した。実施例7上記電気化学的粗面化処理aの電流密度のピーク値を35A/dm2とし、上記アルカリエッチング処理bのアルミニウム溶解量を40.0g/m2とした以外は、実施例1と同様の方法により、擬似白色型LEDパッケージを作製した。なお、実施例1と同様の方法により測定したアルミニウム基板表面の全反射率は89であり、平均表面粗さRa平均値は0.05μmであり、表面積差ΔSは4.5であった。実施例8上記電気化学的粗面化処理aの電流密度のピーク値を35A/dm2とし、上記アルカリエッチング処理bのアルミニウム溶解量を8.0g/m2とした以外は、実施例1と同様の方法により、擬似白色型LEDパッケージを作製した。なお、実施例1と同様の方法により測定したアルミニウム基板表面の全反射率は89であり、平均表面粗さRa平均値は2.00μmであり、表面積差ΔSは4.5であった。実施例9上記電気化学的粗面化処理aの電流密度のピーク値を32A/dm2とし、上記アルカリエッチング処理bのアルミニウム溶解量を30.0g/m2とした以外は、実施例1と同様の方法により、擬似白色型LEDパッケージを作製した。なお、実施例1と同様の方法により測定したアルミニウム基板表面の全反射率は90であり、平均表面粗さRa平均値は0.12μmであり、表面積差ΔSは4.5であった。実施例10上記アルカリエッチング処理bのアルミニウム溶解量を12.0g/m2とした以外は、実施例1と同様の方法により、擬似白色型LEDパッケージを作製した。なお、実施例1と同様の方法により測定したアルミニウム基板表面の全反射率は90であり、平均表面粗さRa平均値は0.95μmであり、表面積差ΔSは4.5であった。実施例11上記電気化学的粗面化処理aの電流密度のピーク値を32A/dm2とし、上記アルカリエッチング処理bのアルミニウム溶解量を25.0g/m2とした以外は、実施例1と同様の方法により、擬似白色型LEDパッケージを作製した。なお、実施例1と同様の方法により測定したアルミニウム基板表面の全反射率は91であり、平均表面粗さRa平均値は0.22μmであり、表面積差ΔSは4.5であった。実施例12上記電気化学的粗面化処理aの電流密度のピーク値を32A/dm2とし、上記アルカリエッチング処理bのアルミニウム溶解量を20.0g/m2とした以外は、実施例1と同様の方法により、擬似白色型LEDパッケージを作製した。なお、実施例1と同様の方法により測定したアルミニウム基板表面の全反射率は91であり、平均表面粗さRa平均値は0.48μmであり、表面積差ΔSは4.5であった。比較例1~6実施例1~6において、マスク層の形成を陽極酸化処理後に施すことで、アルミニウム基板の表面全体に陽極酸化皮膜を形成させた以外は、それぞれ実施例1~6と同様の方法により、各擬似白色型LEDパッケージを作製した。比較例7粗面化処理を施さなかった以外は、実施例1と同様の方法により、擬似白色型LEDパッケージを作製した。なお、実施例1と同様の方法により測定したアルミニウム基板表面の全反射率は84であり、平均表面粗さRa平均値は0.015μmであり、表面積差ΔSは0.5であった。比較例8上記アルカリエッチング処理bのアルミニウム溶解量を40.0g/m2とした以外は、実施例1と同様の方法により、擬似白色型LEDパッケージを作製した。なお、実施例1と同様の方法により測定したアルミニウム基板表面の全反射率は85であり、平均表面粗さRa平均値は0.04μmであり、表面積差ΔSは0.9であった。比較例9上記電気化学的粗面化処理aの電流密度のピーク値を35A/dm2とし、上記アルカリエッチング処理bのアルミニウム溶解量を2.0g/m2とした以外は、実施例1と同様の方法により、擬似白色型LEDパッケージを作製した。なお、実施例1と同様の方法により測定したアルミニウム基板表面の全反射率は85であり、平均表面粗さRa平均値は1.30μmであり、表面積差ΔSは55.0であった。<発光効率>作製した各擬似白色型LEDパッケージについて、一定の電流値0.08Aで発光させた際の電圧EVと、色度X値=0.33での光拘束量lmとを測定し、下記式から発光効率lm/Wを算出した。結果を第1表に示す。発光効率1m/W=光拘束量lm/0.08A×EV<絶縁破壊電圧>得られた各擬似白色型LEDパッケージについて、JISC2110規格の方法に従い、絶縁破壊電圧kVを計測した。結果を第1表に示す。<熱伝導率>作製した各擬似白色型LEDパッケージについて、6Wで100時間発光させた間の最高到達温度°Cを計測した。結果を第1表に示す。第1表に示す結果から、アルミニウム基板の表面の全面に絶縁層陽極酸化皮膜が形成されていると、アルミニウム基板表面の全反射率、平均表面粗さRaおよび表面積差ΔSが所定の範囲内であっても、発光効率が劣ることが分かった比較例1~6。また、アルミニウム基板の表面の一部に絶縁層陽極酸化皮膜が形成されていても、平均表面粗さRaおよび表面積差ΔSが所定の範囲外であると、アルミニウム基板表面の全反射率が85未満となり、発光効率が劣ることが分かった比較例7。更に、アルミニウム基板の表面の一部に絶縁層陽極酸化皮膜が形成されていても、平均表面粗さRaおよび表面積差ΔSのいずれか一方が所定の範囲外であると、アルミニウム基板表面の全反射率は85となるが、発光効率が劣ることが分かった比較例8および9。これに対し、アルミニウム基板の表面の一部に絶縁層陽極酸化皮膜を形成し、アルミニウム基板表面の全反射率、平均表面粗さRaおよび表面積差ΔSが所定の範囲内であると、全面を絶縁層で覆った比較例1~6と同等の優れた絶縁性を有し、かつ、発光効率が極めて向上することが分かった実施例1~12。また、実施例1~6で作製した擬似白色型LEDパッケージは、比較例1~6よりも放熱性にも優れることが分かった。特に、平均表面粗さRaが0.20~0.50μmの範囲内であり、かつ、表面積差ΔSが3.5~6.0の範囲内である実施例3~6、11および12で作製した擬似白色型LEDパッケージは、絶縁性、発光効率および放熱性のバランスに優れることが分かった。"