プラズマで分解された水素原子と、In金属またはInを含む化合物からなるIn源とを反応させることによってIn水素化物を形成するステップと、プラズマで窒素を分解することによって原子状窒素を形成するステップと、前記In水素化物と前記原子状窒素とを反応させることによって、基板上にInNを含む半導体層を形成するステップとを含む、InNを含む半導体層の成膜方法。プラズマで分解された水素原子と、Ga金属またはGaを含む化合物からなるGa源とを反応させることによってGa水素化物を形成するステップをさらに含み、前記InNを含む半導体層を形成するステップは、前記In水素化物と前記Ga水素化物と前記原子状窒素とを反応させることによって行なう、請求項1に記載のInNを含む半導体層の成膜方法。前記InNを含む半導体層は、In組成比が0.2以上である、請求項1または2に記載のInNを含む半導体層の成膜方法。前記プラズマによって生成されるイオンが、前記プロセス室に導入されるのを遮蔽するステップを含む、請求項1~3のいずれかに記載のInNを含む半導体層の成膜方法。前記基板上に前記InNを含む半導体層を形成するステップは、前記基板を100°C以上700°C以下に加熱した状態で行なう、請求項1~4のいずれかに記載のInNを含む半導体層の成膜方法。前記InNを含む半導体層を形成するステップは、1000Pa以上の圧力下で行なう、請求項1~5のいずれかに記載のInNを含む半導体層の成膜方法。プラズマで分解された水素原子とIn金属またはInを含む化合物からなるIn源とを反応させてIn水素化物を形成するIn水素化物供給部と、プラズマで窒素を分解することによって原子状窒素を形成する窒素供給部と、前記In水素化物と、前記原子状窒素とを反応させて、基板上にInNを含む半導体層を形成するプロセス室とを有する、気相成長装置。プラズマで分解された水素原子とGa金属またはGaを含む化合物からなるGa源とを反応させてGa水素化物を形成するGa水素化物供給部をさらに含み、前記In水素化物と、前記Ga水素化物と、前記原子状窒素とを反応させて、基板上にInNを含む半導体層を形成する前記プロセス室を有する、請求項7に記載の気相成長装置。前記プラズマで生成されたイオンが前記プロセス室に導入されるのを抑制するメッシュ電極を備え、前記メッシュ電極は、前記In水素化物供給部と前記プロセス室との間に設置される、請求項7または8に記載の気相成長装置。前記メッシュ電極は、前記Ga水素化物供給部と前記プロセス室との間に設置される、請求項9に記載の気相成長装置。特許文献1の成膜方法は、GaN半導体膜を成膜する上では好適と考えられるが、この成膜方法をInGaN半導体の成膜に転用することは困難である。なぜなら、水素化インジウムは、水素化ガリウムとは異なり、単体で不安定であるため、ガス配管を通じて供給することができないからである。しかも、水素化インジウムをプラズマで分解すると、不安定なインジウム化合物が生成されることもある。さらに、700°C以下の低温でInGaN半導体を成膜すると、III族有機金属化合物の重合物が生成されたり、炭素系コンタミが多くなったりして、InGaN半導体中に欠陥が生じるという問題がある。その上、基板に負バイアスを印加するため、プラズマ中で生成されたイオンをInGaN半導体に引き込んでしまい、InGaN半導体のイオンダメージを避けることができず、また荷電粒子により表面チャージを起こし、欠陥が生じることもある。したがって、特許文献1の成膜方法では、結晶性や電気特性などに優れたInGaN半導体を作製することは困難であった。また、特許文献2では、半導体薄膜中に窒素空孔が混入されるのを抑制するために、高速で成膜する必要があり、基板上に、III族ガスより高密度でV族ガスを供給する必要がある。しかし、特許文献2の成膜方法では、0.3nm/min程度のかなり遅い成膜速度で成膜する場合でも、V族ガス密度が1013~1014個cm3程度必要となる。このようなV族ガス密度で成膜するためには、たとえ高密度プラズマを使用したとしても、1000~10000Pa程度以上の圧力が必要となる。かかる高圧下でIII族ガスとV族ガスとを直接混合すると、気相反応によって種々の重合物が発生し、半導体薄膜の膜質の低下はほぼ確実である。上記のように、0.3nm/min程度のかなり遅い成膜速度ですら半導体薄膜の膜質低下が避けられないという状況であるため、さらに成膜速度を上げて成膜すると、さらに半導体薄膜の膜質が低下することは確実である。一方、700°C以下の低温で薄膜半導体を成膜すると、特許文献1と同様に、III族有機金属化合物の重合物が生成されたり、炭素系コンタミが多くなったりして、薄膜半導体中に欠陥を生じるという問題がある。また、薄膜半導体のイオンダメージを避けることができず、また荷電粒子により表面チャージを起こし、欠陥が生じることもある。以上のような理由で、In組成xが0.2を超えるInGaN混晶半導体であって、その結晶性、電気的特性、および光学特性等に優れたものを作製することは極めて困難であった。本発明は、上記のような現状に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、結晶性、電気的特性、および光学特性等に優れたInNを含む半導体層を成膜する方法を提供することである。本発明の成膜方法によれば、700°C以下の温度でInNを含む半導体層を成膜することができる。本発明のInNを含む半導体層の成膜方法は、プラズマで分解された水素原子と、In金属またはInを含む化合物からなるIn源とを反応させることによってIn水素化物を形成するステップと、プラズマで窒素を分解することによって原子状窒素を形成するステップと、In水素化物と原子状窒素とを反応させることによって、基板上にInNを含む半導体層を形成するステップとを含むことを特徴とする。プラズマで分解された水素原子と、Ga金属またはGaを含む化合物からなるGa源とを反応させることによってGa水素化物を形成するステップをさらに含み、InNを含む半導体層を形成するステップは、In水素化物とGa水素化物と原子状窒素とを反応させることによって行なうことが好ましい。上記のInNを含む半導体層は、In組成比が0.2以上であることが好ましい。プラズマによって生成されるイオンが、プロセス室に導入されるのを遮蔽するステップを含むことが好ましい。基板上にInNを含む半導体層を形成するステップは、基板を100°C以上700°C以下に加熱した状態で行なうことが好ましい。InNを含む半導体層を形成するステップは、1000Pa以上の圧力下で行なうことが好ましい。本発明は、気相成長装置に関するものでもあり、該気相成長装置は、プラズマで分解された水素原子とIn金属またはInを含む化合物からなるIn源とを反応させてIn水素化物を形成するIn水素化物供給部と、プラズマで窒素を分解することによって原子状窒素を形成する窒素供給部と、In水素化物と、原子状窒素とを反応させて、基板上にInNを含む半導体層を形成するプロセス室とを有することを特徴とする。プラズマで分解された水素原子とGa金属またはGaを含む化合物からなるGa源とを反応させてGa水素化物を形成するGa水素化物供給部をさらに含み、In水素化物と、Ga水素化物と、原子状窒素とを反応させて、基板上にInNを含む半導体層を形成するプロセス室を有することが好ましい。プラズマで生成されたイオンがプロセス室に導入されるのを抑制するメッシュ電極を備え、該メッシュ電極は、In水素化物供給部とプロセス室との間に設置されることが好ましい。メッシュ電極は、Ga水素化物供給部とプロセス室との間に設置されることが好ましい。本発明は、上記のような構成を有することにより、結晶性、電気的特性、および光学特性等に優れたInNを含む半導体層を成膜することができる。以下、本発明のInNを含む半導体層の成膜方法について図面を用いて説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものである。また、長さ、幅、厚さ、深さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜に変更されており、実際の寸法関係を表わすものではない。<実施の形態1>図1は、本発明のInNを含む半導体層の成膜方法を用いる気相成長装置の一例の模式的な断面図である。本発明は、典型的には図1に示される気相成長装置を用いてInNを含む半導体層を成膜する。以下においては、図1の気相成長装置を参照しつつ、本発明のInNを含む半導体層の成膜方法を説明する。気相成長装置本発明において、図1に示される気相成長装置は、プロセス室1を有し、該プロセス室1でIn水素化物と原子状窒素とが反応することにより、基板2上にInNを含む半導体層が形成される。プロセス室1は、図1に示されるように、In水素化物を供給するためのIn水素化物供給部17と、原子状窒素を供給するための窒素供給部18とが少なくとも接続されており、Ga水素化物を供給するためのGa水素化物供給部16が接続されることもある。また、プロセス室1には、排気口13が接続されており、かかる排気口13から未反応のガスやキャリアガスが排気される。さらに、プロセス室1には、基板2を保持するための基板保持台4が設けられており、基板保持具3によって基板2が基板保持台4の下面に保持される。また、基板2を基板保持台4に保持するために基板吸着機構図示せずが設けられることもある。図1においては、基板2の表面を下向きに配置することにより、基板2の表面にパーティクルが混入されないようにしているが、必ずしも基板2の表面を下向きに配置する必要はない。本発明のInNを含む半導体層の成膜方法は、プラズマで分解された水素原子と、In金属またはInを含む化合物からなるIn源とを反応させることによってIn水素化物を形成するステップと、プラズマで窒素を分解することによって原子状窒素を形成するステップと、In水素化物と原子状窒素とを反応させることによって、基板上にInNを含む半導体層を形成するステップとを含むことを特徴とする。このような各ステップを含む方法によってInNを含む半導体層を成膜することにより、結晶性、電気的特性、および光学特性等に優れたInNを含む半導体層を成膜することができる。以下においては、これらの各ステップを詳述する。In水素化物を形成するステップIn水素化物を形成するステップでは、以下のようにしてIn水素化物を形成する。まず、図1に示されるIn水素化物供給部17のIn源設置電極8に高周波電源からの高周波電圧、および直流電源からの直流電圧を印加することによりプラズマを生成する。次に、In水素化物供給部17に、水素ガス、または水素ガスおよび希ガスを含む反応ガス10を導入する。上記の反応ガス10に対し、In源設置電極8で発生させたプラズマを接触させることにより、反応ガス10中の水素分子がプラズマによって分解されて水素原子を形成する。この水素原子がIn金属またはInを含む化合物からなるIn源7と反応することによって、In水素化物が形成される。このようにして形成されたIn水素化物をIn水素化物供給部17からプロセス室1に供給する。このようにInを有機金属化合物ではなくIn水素化物としてプロセス室1に供給することにより、Inを含む有機金属化合物をプロセス室1に供給する場合よりも、重合物のパーティクルが形成されにくく、かつ炭素コンタミも少なくすることができる。このため、本発明の成膜方法によれば、結晶性、電気的特性、および光学特性等に優れたInを含む半導体層を作製することができる。なお、上記のプラズマと窒素との反応によって、N2、N等のイオンが生じることもあるし、プラズマとIn源との反応によって、InHx、In、H2、H等のイオンが生じることもあるし、プラズマとキャリアガスとの反応によって、Ar等のイオンが生じることもある。これらのイオンは、InNを含む半導体層の高品質な成長を阻害するものであるため、プロセス室1に導入しないことが好ましい。すなわち、上記で生じたイオンがプロセス室1に導入されると、イオン衝撃によってInN半導体層の結晶にダメージを生じるとともに、基板の表面が帯電することとなり、もってInNを含む高品質な半導体層を成長しにくくなる。上記のIn源設置電極8には、直流電源から負の直流電圧を印加することが好ましい。負の直流電圧を印加することにより、上記のプラズマで生じたイオンをIn源7に引き込むことができるため、プロセス室1にイオンが導入されにくく、イオンダメージの少ないInNを含む半導体層を成膜することができる。また、In水素化物を形成する効率を高めるという観点からは、In源7をIn加熱用ヒーター9で160°C以上に加熱することが好ましい。なお、In水素化物を形成する方法は、上記方法のみに限られるものではなく、たとえばInをレーザーアブレーションした上で、アブレーションされたIn原子を水素プラズマで処理することによってIn水素化物を形成してもよい。Ga水素化物を形成するステップ上記のIn水素化物を形成するステップに加えて、Ga水素化物を形成するステップを含むことが好ましい。Ga水素化物を形成することにより、InNを含む半導体層にGaNを導入することができ、もってInGaNを含む混晶半導体を形成することができる。なお、Ga水素化物を形成するステップは、上記のIn水素化物を形成するステップと基本的には同様の方法でGa水素化物を形成する。すなわち、上記のIn水素化物を形成するステップで説明したInをGaに読み替えることによって、Ga水素化物を形成するステップの説明となる。このため、再度の説明を省略する。ただし、Ga源6は、Ga加熱用ヒーター9で40°C以上に加熱することが好ましい。原子状窒素を形成するステップ本発明において、原子状窒素を形成するステップでは、以下のようにして原子状窒素を形成する。まず、窒素供給部18のコイル電極12に13.56MHz以上の周波数の高周波電力を印加することにより、プラズマを生成する。そして、窒素供給部18から窒素含有ガス11を導入し、かかる窒素を前述のプラズマに接触させることにより、窒素を分解して原子状窒素を形成する。ここで、原子状窒素は、窒素原子のみならず窒素ラジカルを含むものであるが、N2およびNのような窒素イオンは含まれない。このようにして形成した原子状窒素をプロセス室1に供給する。上記の窒素含有ガス11は、窒素のみに限られるものではなく、窒素に加え、たとえばアルゴンガスなどのキャリアガスを含んでいても差し支えない。プラズマで生成するイオンがプロセス室に導入されるのを遮蔽するステップIn水素化物供給部17とプロセス室1との間、Ga水素化物供給部16とプロセス室1との間、および窒素供給部18とプロセス室1との間にメッシュ電極15を設置することが好ましい。かかるメッシュ電極15に直流電圧を印加することにより、上記の各ステップのプラズマによって生成されるイオンが、プロセス室1に導入されるのを遮蔽することができ、もってイオンダメージが少ないInNを含む半導体層を成膜することができる。また、イオンがメッシュ電極15に接触すると、イオンとメッシュ電極15との間で電子の授受が行なわれることにより、イオンが中性化されてプロセス室1にイオンが導入されにくくなる。上記のメッシュ電極15には、正の直流電圧を印加することが好ましい。これにより正イオンに対する反発力を生じさせることができるため、正イオンがプロセス室1に導入されるのを抑制することができる。InNを含む半導体層を形成するステップ本発明において、InNを含む半導体層を形成するステップでは、以下のようにしてInNを含む半導体層を成膜する。まず、プロセス室1の基板保持台4に基板2をセットする。次に、基板保持台4に内蔵されている基板加熱用ヒーター5によって基板2を所定の温度に加熱した上で、プロセス室1内を所定の圧力に設定する。そして、基板2上でIn水素化物と原子状窒素とを反応させることにより、基板2上にInNを含む半導体層を成膜する。上記のIn水素化物は、Inの周りに水素が配置されているため、マイグレーションさせるのに必要なエネルギーが低下しており、原子状窒素との反応性が高い。このため、700°C以下の反応温度でも、十分にマイグレーションさせることができる。したがって、上記の基板2の加熱温度は、100°C以上700°C以下であることが好ましい。このような低温でも、結晶性に優れたInNを含む半導体層を作製することができる。上記の基板2は、450°C以上650°C以下に加熱することがより好ましく、さらに好ましくは、500°C以上600°C以下である。100°C未満であると、In水素化物と原子状窒素との反応性が十分ではないことに起因して、成膜速度が遅くなる傾向があり、700°Cを超えると、InNを含む半導体に窒素空孔などの欠陥や相分離などが生じたり、膜応力による膜ゆがみが生じたりするため好ましくない。上記のInNを含む半導体層を成膜するときの圧力は、1000Pa以上110000Pa以下であることが好ましく、1000Pa以上50000Pa以下であることがより好ましく、さらに好ましくは1000Pa以上10000Pa以下である。このような圧力で成膜することにより、InNを含む半導体層の結晶性を高めることができる。1Pa未満であると、反応性が著しく低下して結晶成長が遅くなり、203000Paを超えると、装置の安全上好ましくない。上記のInNを含む半導体層を成膜するときには、回転機構14によって基板2を0rpm以上1000rpm以下に回転させながら、基板上にInNを含む半導体層を成膜することが好ましい。上記の回転速度は、1rpm以上300rpm以下であることがより好ましく、さらに好ましくは1rpm以上100rpm以下である。このようにしてInNを含む半導体層を成膜することにより、InNを含む半導体層の面内の組成分布をより均一にすることができる。なお、図1に示されるように、プロセス室1にGa水素化物を加え、In水素化物とGa水素化物と原子状窒素とを反応させることにより、基板2上にInNを含む半導体層を形成してもよい。このようにしてInNを含む半導体層を成膜すると、InNを含む半導体層は、InNとGaNとを含む混晶半導体となる。上記のようにして作製されるInNを含む半導体層は、In組成比が0.2以上であることが好ましい。従来の成膜方法は、Inを含む有機金属化合物を供給していたため、Inを含む有機金属化合物を高温高圧で供給する必要があったが、それゆえIn組成比が0.2以上を含むInNを含む半導体層の膜質の低下を避けることができなかった。一方、本発明の成膜方法によれば、In組成比が0.2以上を含むものであって、かつ結晶性、電気的特性、および光学特性等に優れたInNを含む半導体層を成膜することができる。<実施の形態2>図2は、本発明のInNを含む半導体層の成膜方法を用いる気相成長装置の一例の模式的な断面図である。本発明のInNを含む半導体層の成膜方法は、図2に示される気相成長装置を用いて成膜してもよい。本実施の形態は、実施の形態1に比して、In源およびGa源が異なる他は実施の形態1と同様の成膜方法である。すなわち、実施の形態1では、In金属およびGa金属をIn源およびGa源として用いていたが、本実施の形態では、Inを含む化合物およびGaを含む化合物をIn源およびGa源として用いる。以下においては、実施の形態1と相違する点を説明し、実施の形態1と重複する説明は繰り返さない。In水素化物を形成するステップIn水素化物を形成するステップでは、以下のようにしてIn水素化物を形成する。まず、図1に示されるIn水素化物供給部17に接続されている部分に、水素ガス、または水素ガスおよび希ガスを含む反応ガス10を導入する。上記反応ガス10に対し、平行平板電極20で発生させたプラズマを接触させることにより、反応ガス10中の水素分子がプラズマによって分解されて水素原子を形成する。この水素原子がIn水素化物供給部17に導入されるInを含む化合物からなるIn源と反応することによって、In水素化物が形成される。このようにして形成されたIn水素化物をプロセス室1に供給する。上記のInを含む化合物としては、たとえばトリメチルインジウムTMIを挙げることができる。Ga水素化物を形成するステップGa水素化物を形成するステップは、上記のIn水素化物を形成するステップと基本的には同様の方法でGa水素化物を形成する。Gaを含む化合物としては、たとえばトリメチルガリウムTMGを挙げることができる。なお、原子状窒素を形成するステップ、およびInNを含む半導体層を形成するステップは、実施の形態1と同様である。以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。<実施例1>本実施例においては、図1に示される気相成長装置を用いて、基板2上にInNを含む半導体層として、InGaNを含む混晶半導体を作製した。本実施例で用いた気相成長装置は、図1に示されるように、In水素化物供給部17とGa水素化物供給部16と排気口13と窒素供給部18とをプロセス室1に接続した。そして、In水素化物供給部17とプロセス室1との間、Ga水素化物供給部16とプロセス室1との間、および窒素供給部18とプロセス室1との間には、メッシュ電極15を設けた。In水素化物を形成するステップまず、In源設置電極8にIn金属からなるIn源7をセットした。そして、かかるIn源7をIn加熱用ヒーター9で160°C以上に加熱した。次に、In源設置電極8に高周波電源による高周波電圧、および直流電源による負の直流電圧を印加してプラズマを発生させた。一方、水素およびアルゴンを含む反応ガス10をガス導入口から導入し、上記のプラズマに接触させた。これにより水素が分解されて水素原子となった。一方、直流電源を用いてメッシュ電極15に正の電圧を印加することにより、プラズマで発生したイオンがプロセス室1に導入されないようにした。上記の水素原子がIn源7と反応することにより、In水素化物を形成した。このようにして形成されたIn水素化物をIn水素化物供給部17からプロセス室1に供給した。Ga水素化物を形成するステップ上記のIn水素化物を形成するステップと同様にしてGa金属からなるGa源6からGa水素化物を形成し、これをGa水素化物供給部16からプロセス室1に供給した。原子状窒素を形成するステップまず、窒素供給部18のコイル電極12に13.56MHz以上の周波数の高周波電力を印加してプラズマを生成した。次に、窒素供給部18から窒素とアルゴンとを含む窒素含有ガス11を導入し、かかる窒素を前述のプラズマに接触させた。これにより窒素を分解して窒素ラジカル等の原子状窒素を形成した。このようにして形成した原子状窒素をプロセス室1に供給した。プラズマで生成するイオンがプロセス室に導入されるのを遮蔽するステップIn水素化物供給部17とプロセス室1との間、Ga水素化物供給部16とプロセス室1との間、および窒素供給部18とプロセス室1との間のメッシュ電極15に直流電圧を印加した。これにより上記の各ステップのプラズマによって生成されるイオンが、プロセス室1に導入されるのを遮蔽した。InNを含む半導体層を形成するステッププロセス室1の基板保持台4の下面に、基板2をセットし、基板吸着機構図示せずによって基板2を保持した。そして、基板保持具3によって基板2の表面が下向きになるように基板2を固定した。次に、基板保持台4に内蔵されている基板加熱用ヒーター5によって基板2を550°Cに加熱した上で、プロセス室1内を1000Paの圧力に設定した。そして、回転機構14によって基板2を100rpmに回転させながら、上記で作製したIn水素化物と原子状窒素とを基板2上で反応させることにより、基板2上にInNを含む半導体層を成膜した。なお、未反応のガスやキャリアガスは、排気口から排出した。このようにして作製したInNを含む半導体層は、結晶性、電気的特性、および光学特性等に優れたものであった。<実施例2>本実施例においては、図2に示される気相成長装置を用いて、基板2上にInNを含む半導体層として、InGaNを含む混晶半導体を作製した。本実施例で用いた気相成長装置は、図2に示されるように、In水素化物供給部17とGa水素化物供給部16と排気口13と窒素供給部18とをプロセス室1に接続した。そして、In水素化物供給部17とプロセス室1との間、Ga水素化物供給部16とプロセス室1との間、および窒素供給部18とプロセス室1との間には、メッシュ電極15を設けた。In水素化物を形成するステップまず、図1に示されるIn水素化物供給部17に接続されている部分に、水素ガス、または水素ガスおよび希ガスを含む反応ガス10を導入した。かかる反応ガス10に対し、平行平板電極20で発生させたプラズマを接触させた。これにより、反応ガス10中の水素分子がプラズマによって分解されて水素原子を形成した。この水素原子がIn水素化物供給部17に導入されるトリメチルインジウムTMIと反応することによって、In水素化物を形成した。このようにして形成されたIn水素化物をプロセス室1に供給した。Ga水素化物を形成するステップ上記のIn水素化物を形成するステップと同様にして、Ga源としてトリメチルガリウムTMGを用いてGa水素化物を形成し、これをGa水素化物供給部16からプロセス室1に供給した。原子状窒素を形成するステップ実施例1と同様の方法によって、プロセス室1に原子状窒素を導入した。プラズマで生成するイオンがプロセス室に導入されるのを遮蔽するステップ実施例1と同様の方法によって、プラズマによって生成されるイオンが、プロセス室1に導入されるのを遮蔽した。InNを含む半導体層を形成するステップ実施例1と同様の方法によって、基板上にInNを含む半導体層を成膜した。このようにして作製したInNを含む半導体層は、結晶性、電気的特性、および光学特性等に優れたものであった。以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、上述の各実施の形態および実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。