"支持基板に固定される固定電極および支柱と、当該支柱にバネを介して支持される可動電極とを備え、外部振動に伴う可動電極の変位により固定電極との間の静電容量が変位する振動センサにおいて、前記可動電極、前記バネ、および棒状の突起部を有する前記支柱が一体形成された部材と、棒状の突起部を有する前記固定電極が形成された部材とをそれぞれ所定の厚さの金属薄板で構成し、前記支柱に対して前記可動電極および前記バネを一体で折り曲げ加工した後に、前記支柱および前記固定電極の突起部を前記支持基板上に形成された穴部に挿入して組み立てた構成であることを特徴とする振動センサ。請求項1に記載の振動センサにおいて、前記支柱および前記固定電極に設けられる前記突起部の間に、前記支持基板に対する前記支柱および前記固定電極の角度を固定する曲げ支持部を設けた構成であることを特徴とする振動センサ。請求項1または請求項2に記載の振動センサにおいて、前記バネの付け根となる前記可動電極および前記支柱の位置に、前記バネの延長線上にそれぞれL字型の切り込みを形成し、当該切り込み部を折り曲げて前記バネが形成された構成であることを特徴とする振動センサ。請求項1~請求項3のいずれかに記載の振動センサにおいて、前記固定電極と対向する前記可動電極の端部を折り曲げた構成であることを特徴とする振動センサ。従来の振動センサ51の固定電極51P,51Nは、金属薄板をL型に折り曲げ加工して支持基板510上に固定され、半田付けなどにより配線パターンに接続される。可動電極51Mとバネ511は、金属薄板を材料としてエッチング加工や打ち抜き加工して一体に形成した後、可動電極51Mの端部のうち、固定電極51P,51Nと対向する端部を曲げ加工し、下方へ壁状に突出した縁部を形成する。支柱512は、金属柱を支持基板510上に立設して配線パターンに接続し、その上部にバネ511の一端を半田付けなどにより固定する。このように、振動センサ51は金属薄板を加工して形成した各構成部品を支持基板510上で組み立てることができるので、製造工程にメッキプロセスを必要とせず、短時間で安価に製造することができる。しかし、固定電極51P,51Nや支柱512を支持基板510に接着する際に位置合せが困難であった。そのため、可動電極51Mが固定電極51P,51Nに接触せずに可動できる範囲が減少し、可動構造体に生じる容量変化も減少する要因になっていた。本発明は、金属薄板から形成される固定電極と可動電極を精度よく位置決めし、振動により可動構造体に生じる容量変化を100フェムトファラッド以上確保することができる振動センサを提供することを目的とする。本発明は、支持基板に固定される固定電極および支柱と、当該支柱にバネを介して支持される可動電極とを備え、外部振動に伴う可動電極の変位により固定電極との間の静電容量が変位する振動センサにおいて、可動電極、バネ、および棒状の突起部を有する支柱が一体形成された部材と、棒状の突起部を有する固定電極が形成された部材とをそれぞれ所定の厚さの金属薄板で構成し、支柱に対して可動電極およびバネを一体で折り曲げ加工した後に、支柱および固定電極の突起部を支持基板上に形成された穴部に挿入して組み立てた構成である。本発明の振動センサにおいて、支柱および固定電極に設けられる突起部の間に、支持基板に対する支柱および固定電極の角度を固定する曲げ支持部を設けた構成である。本発明の振動センサにおいて、バネの付け根となる可動電極および支柱の位置に、バネの延長線上にそれぞれL字型の切り込みを形成し、当該切り込み部を折り曲げてバネが形成された構成である。本発明の振動センサにおいて、固定電極と対向する可動電極の端部を折り曲げた構成である。本発明の振動センサは、固定電極と可動電極を精度よく位置合せすることができるので、振動センサのサイズを小さくしながら100フェムトファラッド以上の容量変化を可動構造体に生じさせることができる。また、振動センサのサイズを小さくできることから、本発明の振動センサを搭載した振動センサノードを小型化することができ、製造コストを低減できるとともに、当該振動センサノードの適用範囲を広げることができる。図1は、本発明の振動センサの実施例1の構成を示す。ここでは、平面図、A-A′断面図、B-B′断面図を示す。図1において、実施例1の振動センサを構成する固定電極11,12、可動電極13、バネ14、支柱15は、厚さ50μm~1mmの金属薄板をエッチング加工や打ち抜き加工して形成する。なお、可動電極13とバネ14と支柱15が一体形成され、折り曲げ加工により成形する。振動センサの各構成部品の折り曲げ加工、組み立て前の展開図を図2に示す。可動電極13およびバネ14は、支柱15に対して90度の角度を有する金属治具とプレス装置を用いて折り曲げられる。折り曲げ位置は、バネ14と支柱15の境界部または図2に破線で示した支柱15の先端部とする。固定電極11,12と支柱15には、棒状の突起部16図1ではそれぞれ3本が形成されており、突起部16が支持基板に形成された穴部に差し込まれる。支持基板の穴部は、ガラスエポキシやセラミックの基板を用いた場合はドリル加工で容易に形成できる。また、支持基板が半導体チップの場合でも、TSVThroughSiliconVia技術と呼ばれる貫通配線技術を応用すれば、穴部を形成できる。これらの穴部は、正確な位置決めが容易である。実施例1では、固定電極11,12と支柱15に形成された棒状の突起部16を、支持基板に位置決めして形成された穴部に挿入して組み立てるので、固定電極11,12と可動電極13の位置合せが容易であるとともにその精度を向上させることができる。これにより、可動構造体に生じる容量変化を100フェムトファラッド以上確保することが可能になる。また、金属薄板を用いるので、サイズの制約なしに可動構造体の共振周波数の設定の自由度を向上させることができる。図3は、本発明の振動センサの実施例2の構成を示す。ここでは、平面図、A-A′断面図、B-B′断面図を示す。図3において、実施例2の振動センサを構成する固定電極11,12、可動電極13、バネ14、支柱15、突起部16は、厚さ50μm~1mmの金属薄板をエッチング加工や打ち抜き加工した形成する。なお、固定電極11,12と突起部16、可動電極13とバネ14と支柱15と突起部16がそれぞれ一体形成され、折り曲げ加工により成形する。振動センサの各構成部品の折り曲げ加工、組み立て前の展開図を図4に示す。実施例1との違いは、固定電極11,12と支柱15に形成した棒状の突起部16を両端の2本とし、その間に90度に折り曲げられる曲げ支持部17を形成するところにある。なお、断面図の位置では突起部16がないが、便宜的に破線で示している。折り曲げ方法は実施例1と同様である。この曲げ支持部17は、支持基板に対する固定電極11,12と支柱15の角度を90度に固定することができ、垂直方向の位置合せの精度を向上させることができる。図5は、本発明の振動センサの実施例3の構成を示す。ここでは、平面図、A-A′断面図、B-B′断面図を示す。図5において、実施例3の振動センサを構成する固定電極11,12、可動電極13、バネ14、支柱15、突起部16、曲げ支持部17は、厚さ50μm~1mmの金属薄板をエッチング加工や打ち抜き加工した形成する。なお、固定電極11,12と突起部16、可動電極13とバネ14と支柱15と突起部16と曲げ支持部17がそれぞれ一体形成され、折り曲げ加工により成形する。振動センサの各構成部品の折り曲げ加工、組み立て前の展開図を図6に示す。実施例2との違いは、バネ14の形成方法にある。可動電極13とバネ14の付け根と、支柱15とバネ14の付け根の位置において、可動電極13および支柱15にそれぞれL字型の切り込みを形成し、バネ14を90度折り曲げて形成するところにある。バネ14の立ち上がり部は、金属薄板の厚さより厚くすることができる。折り曲げ方法は実施例1と同様である。これにより、支持基板に対する可動電極13の垂直方向の変位を抑制することができるので、支柱15の高さを低くし、支持基板と可動電極13との間隔を狭くして振動センサ全体の大きさをコンパクトにできる。なお、実施例1の構成に実施例3のバネ14の形成方法を適用してもよい。図7は、本発明の振動センサの実施例4の構成を示す。ここでは、平面図、A-A′断面図、B-B′断面図を示す。図8は、実施例4の振動センサの各構成部品の折り曲げ加工、組み立て前の展開図を示す。図7において、実施例4の振動センサは実施例3の構成に加えて、固定電極11,12と対向する可動電極13の端部を折り曲げ加工し、下方へ壁状に突出した縁部18を形成する。なお、縁部18は、図10に示す従来の振動センサ51の可動電極51Mに形成されるものと同じである。これにより、固定電極11,12と可動電極13との間に生じる容量変化を大きくすることができる。なお、実施例1または実施例2の構成に実施例4の可動電極13の縁部18の形成方法を適用してもよい。以上説明した各実施例の振動センサは、発電素子で発生させた微弱な電流を容量素子に蓄電したエネルギーで動作させる振動センサノードの構成部品として用いることができる。また、当該振動センサノードは、振動検知に要する消費電力をサブナノワットレベルに低減できるので、振動センサノードの動作時間を延ばすことができる。"