表面上に第1のスイッチング素子が接合された第1の電極と、表面上に第2のスイッチング素子が接合された第2の電極と、第3の電極とを、前記第1の電極、前記第1のスイッチング素子、前記第2の電極、前記第2のスイッチング素子及び前記第3の電極の順に積層方向に配置したパワーモジュールにおいて、前記第1乃至第3の電極とそれぞれ電気的に接続される第1乃至第3の電極片と、前記第1及び第2のスイッチング素子とそれぞれ電気的に接続される第1及び第2の信号線とを有し、前記第1乃至第3の電極片と前記第1及び第2の信号線は、前記第2の電極と同一平面上で外側に延びて設けられたことを特徴とするパワーモジュール。前記第1のスイッチング素子は、前記第2の電極と積層方向に重ならない領域を有することを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュール。前記第2の電極と、前記第1乃至第3の電極片と、前記第1及び第2の信号線とが、同一のリードフレーム上に構成されていることを特徴とする請求項2に記載のパワーモジュール。前記第3の電極片の接合部が、前記第1及び第2の電極片と積層方向に重ならない領域を有することを特徴とする請求項3に記載のパワーモジュール。前記第1乃至第3の電極片と、前記第1及び第2の信号線とは、前記第2の電極を介して反対側に設けられたことを特徴とする請求項4に記載のパワーモジュール。前記第1及び第2の信号線は、ワイヤボンディングにより前記第1及び第2のスイッチング素子に接続されたことを特徴とする請求項5に記載のパワーモジュール。前記第1及び第2の電極は、合同な形状を有することを特徴とする請求項6に記載のパワーモジュール。前記第1及び第2の電極は、長方形形状であることを特徴とする請求項7に記載のパワーモジュール。前記第1のスイッチング素子と前記第2の電極、及び前記第2のスイッチング素子と前記第3の電極は、金属ブロックからなるスペーサを介して積層されていることを特徴とする請求項8に記載のパワーモジュール。前記第1乃至第3の電極片及び前記第1及び第2の信号線の外側部分のみが露出するように、前記第1乃至第3の電極、前記第1乃至第3の電極片及び前記第1及び第2の信号線がモールド成形により樹脂封止されたことを特徴とする請求項9に記載のパワーモジュール。ところで、上述の特許文献1に記載の構成では、異なる高さに配置されたミドルサイド電極とローサイド電極の各々の外側に信号線が設けられており、第1のスイッチング素子及び第2のスイッチング素子をミドルサイド電極及びローサイド電極に半田付けし、第1のスイッチング素子及び第2のスイッチング素子を各々の信号線にワイヤボンディングした後、積層する構造となっている。ここで、信号線と電極は絶縁をとる必要があるため、モールド樹脂外のリードフレームで保持する必要があり、ミドルサイド電極とローサイド電極の各々に保持フレームを設けている。かかる保持フレームは、スペースの関係から、上面視したときに、同一領域内で重なり合う部分を有する形状とならざるを得ない。しかしながら、モールド樹脂によりモールド封止を行う際には、信号線及び保持フレームを金型で上下から型締めする必要があるが、上下の保持フレームに重なり合う部分が存在すると、上下から金型で単純に挟み込んで成形を行うことができず、金型の成形が極めて困難になるという問題があった。そこで、本発明は、モールド成形を容易に行うことができ、電極形状を簡素化しつつ、小型高出力を実現できるパワーモジュールを提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るパワーモジュールは、表面上に第1のスイッチング素子が接合された第1の電極と、表面上に第2のスイッチング素子が接合された第2の電極と、第3の電極とを、前記第1の電極、前記第1のスイッチング素子、前記第2の電極、前記第2のスイッチング素子及び前記第3の電極の順に積層方向に配置したパワーモジュールにおいて、前記第1乃至第3の電極とそれぞれ電気的に接続される第1乃至第3の電極片と、前記第1及び第2のスイッチング素子とそれぞれ電気的に接続される第1及び第2の信号線とを有し、前記第1乃至第3の電極片と前記第1及び第2の信号線は、前記第2の電極と同一平面上で外側に延びて設けられたことを特徴とする。本発明によれば、小型高出力が可能な積層型のパワーモジュールにおいて、モールド成形を容易に行うことができるとともに、電極構造を簡素化することができる。以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。図1は、本発明の実施例1に係るパワーモジュールの一例を示した断面構成図である。図1において、実施例1に係るパワーモジュールは、下部電極10と、中間電極11と、上部電極12と、半導体スイッチング素子20、21と、ダイオード25、26と、はんだ30と、スペーサ40と、信号線61と、ボンディングワイヤ70、71と、電極片81とを備える。また、図1において、樹脂封止を行うためのモールド樹脂90が破線で示されている。図1において、下部電極10の表面上にはんだ30により半導体スイッチング素子20とダイオード25が接合され、半導体スイッチング素子20及びダイオード25の上にスペーサ40がはんだ30により接合されている。そして、スペーサ40の上には中間電極11がやはりはんだ30により接合され、中間電極11の表面上には半導体スイッチング素子21及びダイオード26がはんだ30により接合されている。半導体スイッチング素子21及びダイオード26の上には、スペーサ40がはんだ30により接合され、スペーサ40の上には上部電極12がはんだ30により接合されている。このように、実施例1に係るパワーモジュールは、スペーサ40を途中に介して、下部電極10、半導体スイッチング素子20及びダイオード25、中間電極11、半導体スイッチング素子13及びダイオード26、上部電極12の順に積層された構造となっている。なお、スペーサ40と中間電極11との間のはんだ30及びスペーサ40と上部電極12との間のはんだ30は極めて薄いので、図1以降の図においては、スペーサと電極との間のはんだは省略して図示するものとする。中間電極11と同じ平面上には、信号線61と電極片81とが配置されている。信号線61には、中間電極11上の半導体スイッチング素子21がボンディングワイヤ71により接続されている。また、電極片81は、中間電極11から外側に延びるように設けられている。図2は、本発明の実施例1に係るパワーモジュールの一例の平面分解図であり、図1に対応している。よって、図1の構成要素と同一の構成要素には、同一の参照符号を付している。図2において、下部電極10の表面上に半導体スイッチング素子20及びダイオード25が設けられている点と、中間電極11の表面上に半導体スイッチング素子21及びダイオード26が設けられている点は、図1と同様である。一方、中間電極11の周囲を囲むようにリードフレーム50が設けられ、リードフレーム50上の左側には信号線60に加えて信号線61、右側には電極片81に加えて電極片80、82が設けられている構成が、新たに示されている。また、上部電極12の上面には何も設けられていない点も、図1で示した構成と同様である。信号線60は、図1においては信号線61の背後に隠れていた信号線であり、下部電極10の表面上の半導体スイッチング素子20は、信号線60に接続される。また、中間電極11の表面上の半導体スイッチング素子21は、図1に示されたように、信号線61に接続される。図1及び図2に示すように、信号線60及び信号線61は、ともに中間電極11と同一平面上で外側に延びるように延在して配置されている。なお、図1及び図2から分かるように、下部電極10上の半導体スイッチング素子20は、中間電極11と積層方向において重ならない領域を有する。つまり、半導体スイッチング素子20は、中間電極11から上面視したときに、半導体スイッチング素子20の左側端部がはみ出した状態となる。これにより、下部電極10上の半導体スイッチング素子20は、中間電極11に接続経路を遮られることなく、容易にボンディングワイヤ70により信号線60と接続が可能となる。また、電極片81の両側には、下部電極10に接続される電極片80と、上部電極12に接続される電極片82が配置されている。図1及び図2に示されるように、電極片81は、中間電極11から右側に延びるように設けられる。一方、電極片80は下方に向かって斜め内側中央側に延び、電極片82は上方に向かって斜め内側中央側に延び、下部電極10及び上部電極12を中間電極11の下と上にそれぞれ配置したときに、下部電極10及び上部電極12と各々接触するように構成されている。なお、この点の詳細は後述する。また、図2に示すように、中間電極11、信号線60、61及び電極片80、81、82は、1枚のリードフレーム50から総て構成されている。これにより、1枚の金属板を加工して中間電極11、信号線60、61、電極片80、81、82及びリードフレーム50を総て構成することができ、実施例1に係るパワーモジュールの加工を極めて容易にすることができる。更に、図1及び図2において、中間電極11は、厚さの異なる異形材から構成されているが、下部電極10及び上部電極12は、板状の板材で構成されている。これにより、下部電極10及び上部電極12の加工費を低減させ、歩留まりを向上させることができる。また、下部電極10と上部電極12は、互いに合同な形状を有する同一の電極部材として構成されてよい。これにより、下部電極10と上部電極12は、同一の金型を用いて形成することができ、加工費を低減させることができる。下部電極10及び上部電極12は、簡素な形状に形成されてよく、例えば、長方形形状に構成されてよい。長方形形状を有する板状部材であれば、低コストで製造することができるので、歩留まりを一層向上させることができる。次に、図1及び図2を引き続き参照しながら、個々の構成要素について説明する。下部電極10は、下部に配置された電極であり、表面上に半導体スイッチング素子20及びダイオード25が接合されて設けられる。なお、半導体スイッチング素子20及びダイオード25の下部電極10の表面上への接合は、はんだ30により行われる。下部電極10と半導体スイッチング素子20及びダイオード25は、はんだ30により、下部電極10に物理的に接合されるだけではなく、電気的にも接続される。半導体スイッチング素子20は、電圧の印加によりオンオフのスイッチングを行うための素子であり、例えば、IGBTInsulatedGateBipolarTransistorやMOSMetalOxideSemiconductorトランジスタ等が用いられる。ダイオード25は、半導体スイッチング素子20と並列に接続されて設けられる整流素子である。半導体スイッチング素子20は、ゲート等の制御端子に信号線60が接続され、信号線60からの入力によりオンオフが制御される。従来、下部電極10の表面上に設けられている半導体スイッチング素子20は、下部電極10と同じ水平面上に信号線60が設けられていたが、本実施例に係るパワーモジュールにおいては、中間電極81と同じ水平面上に信号線60が配置され、上方にある信号線60とボンディングワイヤ70により接続が行われている。スペーサ40は、中間電極11と半導体スイッチング素子20との間隔を形成するとともに、中間電極11と半導体スイッチング素子20とを電気的に接続する役割を果たす。半導体スイッチング素子20と中間電極11との間に間隔を形成することにより、半導体スイッチング素子20で発生した熱を効果的に放出することができる。スペーサ40は、例えば、柱状の金属ブロックから構成されてよく、例えば、銅ブロックから構成されてもよい。ダイオード25上のスペーサ40も、ダイオード25と中間電極11との間隔を形成するとともに、ダイオード25と中間電極11とを電気的に接続している。なお、下部電極10は、電極片81と同じ平面上に設けられた電極片80に接続され、電極片80から電力が供給される。中間電極11は、半導体スイッチング素子20、21の出力電極となる電極である。中間電極11の表面上にある半導体スイッチング素子21は、はんだ接合により、中間電極11と電気的にも接続されている。半導体スイッチング素子21は、電圧の印加によりオンオフが制御されるスイッチング素子であり、半導体スイッチング素子20と同様、IGBTやMOSトランジスタが用いられてよい。また、ダイオード26は、半導体スイッチング素子21と並列に接続される整流素子である。半導体スイッチング素子21のゲート等の制御端子は、中間電極11と同一平面上にある信号線61とボンディングワイヤ71により接続されている。また、電極片81は、中間電極11から水平に延び、外部と接続されて中間電極11上の半導体スイッチング素子21及びダイオード26に電力を供給する。上部電極12は、スペーサ40を介して半導体スイッチング素子21及びダイオード26の上に積層されてこれらを覆う電極である。スペーサ40は、上述のように金属ブロックであり、配線としての役割を果たすので、半導体スイッチング素子21及びダイオード26と上部電極12とを電気的に接続する。また、半導体スイッチング素子21及びダイオード26と上部電極12との間に間隔を形成し、放熱を促進する役割を果たす。また、上部電極12は、電極片82に接続され、電極片82から電力が供給される。例えば、上部電極12に供給される電力を高電位側、下部電極10に供給される電力を低電位側とすると、中間電極11、半導体スイッチング素子21及びダイオード26は上アームを構成し、下部電極10、半導体スイッチング素子22及びダイオード25は下アームを構成する。また、実施例1に係るパワーモジュールは、半導体スイッチング素子20、21を直列接続した構成を有し、素子積層型の小型高出力の構成を有する。なお、図2に示すように、最初の段階では、信号線60、61及び電極片80~82は、総てリードフレーム50に接続されているが、リードフレーム50がモールド樹脂90の外に突出するようにモールド成形される。そして、モールド成形後は、モールド樹脂90から外に突出したリードフレーム50が切断され、下部電極10、中間電極11及び上部電極12間で絶縁された状態となる。図1においては、既にリードフレーム50が切断された状態のパワーモジュールが示されている。図3は、本発明の実施例1に係るパワーモジュールの中間電極11の配置位置について説明するための図である。なお、全体構成及び個々の構成要素については、図1とほぼ同様であるので、同一の参照符号を付してその説明を省略する。図3において、半導体スイッチング素子20の表面上の一部分が、中間電極11に重ならない領域Aを有している。つまり、中間電極11が、半導体スイッチング素子20に設けられた信号パッド上方を避けて配置されている。かかる構成により、半導体スイッチング素子20の上方にフリーな領域Aを確保でき、下側の半導体スイッチング素子20が信号線60とボンディング接続し易い構成にすることができる。また、上部電極12は、中間電極11と重なる位置に配置され、中間電極11とともに、半導体スイッチング素子20のワイヤボンディングのスペースを確保している。このように、下部電極10上に設置された半導体スイッチング素子20の上方に接続スペースを確保することにより、ワイヤボンディングを容易に行うことができるパワーモジュールとすることができる。図4は、本発明の実施例1に係るパワーモジュールの上部電極12と接続される電極片82の一例を示した構成図である。図4において、本実施例に係るパワーモジュールの上部電極12と接続される電極片82を含む断面構成が示されている。図4において、電極片82が、平行な2辺を結ぶように、中央から裾野に開くような形状をしており、一端の上面が上部電極12の右側端部の下面に接続されている。そして、電極片82は、上部電極12の右側端部下面から、外側に開くように斜め下に延び、中間電極11と同一平面上に到達した所で、外側に水平に延びた形状となっている。そして、電極片82の上部電極12の下面との接続点の下方は、中間電極11及び下部電極10が存在しない領域Bが確保されている。電極片82の上面電極12への接続は、上部電極12を下方、下部電極10を上方にして上下を反転させた状態で、上方から電極片82の接合部にはんだ30を滴下することにより行われる。このような場合には、電極片82を上部電極12に接続加工するためのスペースを確保する必要があるため、図4に示すように、電極片82と上部電極12との接続部の下方の領域Bには、はんだ30の滴下を妨げる中間電極11及び下部電極10を設けないこととし、接続作業用のスペースを確保している。このように、必要に応じて、上部電極12と電極片82との接続点の下方に、中間電極11及び下部電極10の存在しない領域Bを設けることにより、上部電極12に電極片82を接続するための接続スペースを確保することができる。なお、かかる領域Bのスペースは、必須ではなく、必要に応じて設けるようにしてよい。なお、中間電極11と同一平面上にあるリードフレーム50から下方に延びた電極片80は、下部電極10と中間電極11とを接合する際に、同時に下部電極10に接合されるので、領域Bのようなスペースを設ける必要は無い。図5は、本発明の実施例1に係るパワーモジュールのモールド成形工程の一例を示した図である。図5において、実施例1に係るパワーモジュールが、モールド成形を行うための金型100に型締めされた状態が示されている。金型100は、上型102と、下型101とを備え、両者で型締めし、空間にモールド樹脂90を充填して成形することにより行われる。ここで、実施例1に係るパワーモジュールは、信号線60、61及び電極片80~82が、上型102と下型101の境界であるパーティングラインPLと一致しているため、信号線60、61及び電極片80~82を、パーティングラインPLの位置に配置して型締めすることができる。つまり、例えば、下型101の左側に、信号線60、61を収容できる型を成形し、右側に電極片80~82を収容できる型を成形しておけば、上型102と下型101とを型締めすることによりモールド成形を行うための型ができ、容易にモールド成形を行うことができる。これにより、金型100の成形が簡素で容易になるとともに、モールド成形自体も一般的な工程で行うことができる。このように、本実施例に係るパワーモジュールによれば、信号線60、61及び電極片80~82の高さを総て、金型100のパーティングラインPLと一致する中間電極11と同じ高さとすることにより、金型100の形状を簡素化し、モールド成形を容易に行うことができる。また、上部電極12及び下部電極10は板状部材とすることができるので、歩留まりを大きく向上させることができる。更に、ワイヤボンディングを行って半導体スイッチング素子20、21を信号線60、61に接続する際には、下部電極10の表面上にある半導体スイッチング素子20と信号線60との接続スペースを確保し、容易にワイヤボンディングを行うことができる。更に、電極片82を上部電極12に接続する際も、接続スペースが確保されているので、容易に接続を行うことができる。図6Aは、比較例として従来のパワーモジュールの構成を示した図である。図6Aにおいて、下部電極110、半導体素子20及びダイオード25、スペーサ40、中間電極111、半導体スイッチング素子21及びダイオード26、スペーサ40及び上部電極112の順で積層された構造を有する点は、本実施例に係るパワーモジュールと同様であるが、信号線160、161が下部電極110及び中間電極111、電極片180、181、182が下部電極110、中間電極111及び上部電極112と同一平面上にある点で、本実施例に係るパワーモジュールと異なっている。かかる配置構成に伴い、信号線160と下部電極110上の半導体スイッチング素子20との接続は、ボンディングワイヤ170により同一平面上で行われ、信号線161と中間電極111上の半導体スイッチング素子21との接続もボンディングワイヤ171により同一平面上で行われている。かかる構成では、下部電極110及び中間電極111の双方が、信号線160、161及び電極片180、181と厚さが異なり、異形材の組み合わせから全体が構成されている。更に上部電極112も電極片182との厚さが異なり、厚さの異なる異形材同士の組み合わせから構成されている。よって、中間電極111と下部電極110が、信号線160、161及び電極片180、181を含めた全体としては厚さの異なる部分を有して構成されることになるため、構造が複雑となって加工の歩留まりが悪くなり、電極部材を製造するコストが増大するという問題があった。図6Bは、比較例として従来のパワーモジュールの構成を示した平面分解図であり、図6Aに対応している。図6Bに示すように、下部電極110、中間電極111及び上部電極112の総てが、電極片180、181、182を含めると異なる形状を有しており、本実施例に係るパワーモジュールのように、単純な板材で構成されている電極が存在しない。よって、電極製造時の歩留まりが悪くなってしまう。また、下部電極110及び中間電極111に設けられたリードフレーム150、151に着目すると、下部電極110と中間電極111とを積層して配置したときに、リードフレーム150とリードフレーム151とを上面視すると、互いに重なり合う部分が生じてしまう。このような箇所は、モールド成形時に成形が困難となるが、その点は、次に述べる。図6Cは、比較例として従来のパワーモジュールのモールド成形工程を示した図である。図6Cにおいて、上型202と下型201からなる金型200に従来のパワーモジュールが型締めされている。図6Cにおいて、右側の電極片180~182については、電極片180~182の突出位置を上面視的にずらすことで、モールド成形が可能となっている。しかしながら、信号線160、161の部分については、リードフレーム150、15同士が重なり合うため、上型202と下型201とで上下から型締めすることができない。このように、従来のパワーモジュールでは、信号線160、161が同一平面上になく、パーティングラインPLで上下から挟むように信号線160、161を配置することができないので、単純なモールド成形では加工ができず、加工費が高くなってしまう。一方、本実施例に係るパワーモジュールによれば、図5に示したように、信号線60、61及び電極片80~82が総て同一のパーティングラインPL上に配置され、上下で挟むだけで型締めを行うことができるので、容易にモールド成形を行うことができる。また、上部電極12及び下部電極10は、板材で構成することができるので、歩留まりも大きく向上させることができる。このように、本実施例に係るパワーモジュールによれば、モールド成形時の金型100及びパワーモジュール自体の電極10、12を簡素化することにより、小型高出力を保ちつつ、製造時の歩留まりを大幅に向上させることができる。図7は、本発明の実施例2に係るパワーモジュールの一例を示した図である。図7において、実施例2に係るパワーモジュールは、下部電極10と、中間電極13と、上部電極14と、半導体スイッチング素子20、21と、信号線60、61とを備える。図7においては、実施例1の変更部分のみが示されているが、その他の構成要素については、実施例1と同様の構成要素を備えてよい。また、実施例1に係るパワーモジュールと同様の構成要素については、実施例1と同様の参照番号を付し、その説明を省略するものとする。図7において、実施例2に係るパワーモジュールは、実施例1において存在したスペーサ40が無くなり、中間電極13の下面及び上部電極14の下面に凸部41が代わりに設けられた点で、実施例1に係るパワーモジュールと異なっている。このように、パワーモジュール20と中間電極13、パワーモジュール21と上部電極14との間隔を適切に保つことができ、パワーモジュール20、21同士を直列接続できれば、独立したスペーサ40の代わりに、電極一体型の凸部41を設けるようにしてもよい。図8は、実施例1に係るパワーモジュールを、図7と同様の形式で示した図である。図8に示されるように、スペーサ40を独立して設けると、部品点数が多くなる。一方、図7においては、中間電極13及び上部電極14の形状がやや複雑になり、電極加工費は増加するものの、スペーサ40を廃止することにより、部品点数を削減することができるとともに、組立加工費も低減することができる。よって、図7のような実施例2に係るパワーモジュールの構成とするか、図8のような実施例1に係るパワーモジュールの構成とするかは、用途及びトータルコストに応じて適宜選択することができる。なお、凸部41は、半導体スイッチング素子20、21及びダイオード25、26の上部に、例えば1mm以上の凸形状として設けるようにしてもよい。このように、実施例2に係るパワーモジュールによれば、部品点数及び組立時の加工費を低減させ、コスト低減を行うことができる。図9は、本発明の実施例3に係るパワーモジュールの一例の中間電極の平面構成を示した図である。図9において、実施例3に係るパワーモジュールは、下部電極15と、中間電極16と、半導体スイッチング素子22、23と、ダイオード28と、リードフレーム51と、信号線62、63と、ボンディングワイヤ72、73と、電極片83、84、85とを備える。中間電極16、信号線62、63及び電極片83~84は、1つのリードフレーム51上に、同一平面上に形成されている。実施例3に係るパワーモジュールにおいては、半導体スイッチング素子22、23及びダイオード28が、下部電極15及び中間電極16上に各々3個ずつ備えられており、この点で実施例1に係るパワーモジュールと異なっている。実施例1に係るパワーモジュールは、単相インバータ等の単相用のパワーモジュールとして構成されていたが、実施例3に係るパワーモジュールにおいては、三相インバータ等の三相用のパワーモジュールとして構成された例について説明する。半導体スイッチング素子23及びダイオード28は、中間電極16上に、U相、V相、W相に対応して3個ずつ設けられている。よって、各相の出力電極となる電極片84も、3個の半導体スイッチング素子23及びダイオード28に対応して、3枚ずつ中間電極16から外側に延びるように設けられている。なお、図9においては、3枚の電極片84が総て1枚のリードフレーム51により接続された状態となっているが、モールド成形した後に、電極片84は各々切断されて電気的に互いに絶縁される。一方、下部電極15に接続される電極片83と、上部電極図9においては図示せずに接続される電極片85は、3個の半導体スイッチング素子23及びダイオード28で共通とすることができ、各々1枚ずつ設けられている。図9において、上部電極85は、内側信号線62、63側に向かって延びた部分が示されているが、この部分で上部電極と接続される。下部電極16に接続される電極片84には、そのような内側に延びる部分が示されていないが、実際には、中間電極16の下方に、同様な内側に延びる部分を有している。また、信号線62、63側においては、中間電極16よりも下部電極15が外側にはみ出しており、下部電極15上の半導体スイッチング素子22が、中間電極16と重ならない部分を外側に有している。下部電極15上の半導体スイッチング素子22が、積層方向において中間電極16と重ならない部分を有することにより、ボンディングワイヤ72を用いた下部電極15上の半導体スイッチング素子22と信号線62の接続を容易に行うことができる。下部電極15上の半導体スイッチング素子22も、3相に対応して3個ずつ備えられているので、3個の半導体スイッチング素子22について、ワイヤボンディングによる信号線62との接続が行われているが、いずれも接続スペースが確保でき、容易にワイヤボンディングを行うことができる。なお、中間電極16上の半導体スイッチング素子23と信号線63は、同一平面上にあるので、ボンディングワイヤ73を用いて、一般的なワイヤボンディングにより容易に接続を行うことができる。このように、実施例3に係るパワーモジュールは、信号線62、63、電極片83~85及び中間電極16が同一のリードフレーム51上に形成され、総て同一平面上にあるので、モールド成形時に、パーティングラインの成形が容易な構成となっている。図10は、実施例3に係るパワーモジュールの一例を示した分解斜視図である。図10において、中間電極16の構成は図9に対応しているので、同一の構成要素には図9と同一の参照符号を付してその説明を省略する。図10において、実施例3に係るパワーモジュールは、下部電極15の表面上に半導体スイッチング素子22及びダイオード27が3個ずつ接合配置され、各々の半導体スイッチング素子22及びダイオード27上にスペーサ42が設けられ、その上に中間電極16が積層されて設けられている。中間電極16の表面上には、半導体スイッチング素子23及びダイオード28が3個ずつ設けられ、その上にスペーサ42を介して上部電極17が積層された構成となっている。下部電極15及び上部電極17は、実施例3に係るパワーモジュールにおいても、板材で構成されており、歩留まりを向上できる構成となっている。図11は、実施例3に係るパワーモジュールの一例を示した断面構成図である。図11において、下部電極15、半導体スイッチング素子22及びダイオード27、スペーサ42、中間電極16、半導体スイッチング素子23及びダイオード28及び上部電極17の順に下から積層された断面構成が示されている。中間電極16からは、電極片84が右側の外側に水平に延び、反対側には、信号線62が左側の外側に水平に延びて配置されている、信号線62には、下部電極15上の半導体スイッチング素子22が下方からボンディングワイヤ72により接続され、信号線63図11には図示せずには、中間電極16上の半導体スイッチング素子23がボンディングワイヤ73により接続されている。半導体スイッチング素子22は、積層方向において中間電極16と重ならない部分を有し、中間電極16よりも信号線62側にはみ出しているので、ボンディングワイヤ72による接続スペースを確保でき、容易にワイヤボンディングを行うことができる。また、図11には電極片85が示されていないが、上部電極17の下方に中間電極16及び下部電極15と重ならないスペースがあり、上部電極17への電極片85への接合が容易な構成となっている。また、下部電極15、中間電極16及び上部電極17は、側面をモールド樹脂90でモールド成形され、信号線62及び電極片84の外側がモールド樹脂90から突出して露出している。信号線62及び電極片84は同一平面上にあり、また図示されていない信号線63及び電極片83、85も同一平面上にあるため、モールド成形時のパーティングラインの構成を容易にすることができる構成となっている。更に、信号線62、63と電極片83~85が中間電極16を介して反対側に配置された構成であるため、信号線62、63とパワー線である電極片83~85を離間させることができ、ノイズの発生し難い構成となっている。また、下部電極15の下面と、上部電極17の上面は樹脂封止されずに露出しており、冷却効率を高めることができる構成となっている。例えば、露出した上部電極17の上面及び下部電極15の下面に冷却フィンを設けるようにすれば、パワーモジュールの冷却効率を高めることができる。図12Aは、実施例3に係るパワーモジュールの完成状態を示した斜視図である。図12Aにおいて、手前側に電極片83~85、奥側に信号線62、63、中央に半導体スイッチング素子23及びダイオード28が配置された状態が示されている。電極片84は、三相出力用に3個突出して設けられており、上部電極17用の電極片85と、下部電極15用の電極片83は、三相で共通とすることができるので、1個ずつ突出して設けられている。また、信号線62、63は、下部電極15上の半導体スイッチング素子22用の信号線62と、中間電極16上の半導体スイッチング素子23用の信号線63が、同一平面上に設けられた構成となっている。図12Bは、図12Aで示した実施例3に係るパワーモジュールを反対側から示した斜視図である。図12Bにおいて、信号線62、63が手前側に示されているが、ボンディングワイヤ73を用いた同一平面上での半導体スイッチング素子23と信号線63のワイヤボンディングと、ボンディングワイヤ72を用いた下部電極15上の半導体スイッチング素子22と信号線62のワイヤボンディングが交互に行われていることが示されている。実施例3に係るパワーモジュールによれば、三相用のパワーモジュールにおいても、モールド成形を容易にするとともに、電極形状を簡素化し、歩留まりを向上させることができる。次に、図13A~図13Eを用いて、実施例3に係るパワーモジュールの製造方法を説明する。図13A~図13Eは、実施例3に係るパワーモジュールの製造方法の一例の一連の工程を示した図である。なお、実施例3において既に説明した構成要素には同一の参照符号を付し、その説明を省略する。図13Aは、実施例3に係るパワーモジュールの製造方法の半導体スイッチング素子接合工程の一例を示した正面図である。半導体スイッチング素子接合工程においては、下部電極15及び中間電極16上に、半導体スイッチング素子22、23がそれぞれ接合される。具体的には、下部電極15の表面上には、半導体スイッチング素子22がはんだ31を用いてはんだ付けにより接合される。また、中間電極16の表面上には、半導体スイッチング素子23がはんだ31を用いてはんだ付けにより接合される。なお、半導体スイッチング素子接合工程においては、半導体スイッチング素子22、23の他、半導体スイッチング素子22、23上に、スペーサ42がやはりはんだ31を用いたはんだ付けにより接合される。なお、図13Aにおいて、図9で示したように、下部電極15は一枚の板状の電極であるため、3個の半導体スイッチング素子22が板状の下部電極15の表面上に接合される。一方、中間電極16は、各相の半導体スイッチング素子23の接合領域毎に分離した形状であったため、図13Aにおいても対応し、半導体スイッチング素子23毎に分離して中間電極16上に接合配置されている。半導体スイッチング素子接合工程により、パワーモジュールの上アームと下アームが完成する。なお、上アームはプラス側、下アームはマイナス側であるが、本実施例においては、下部電極15及びその表面上に接合された半導体スイッチング素子22を上アームU、中間電極16及びその表面上に接合された半導体スイッチング素子23を下アームLとして説明する。図13Bは、実施例3に係るパワーモジュールの製造方法の上アーム下アーム接合工程の一例を示した正面図である。上アーム下アーム接合工程においては、上アームUと下アームLがはんだ接合される。図13Bにおいては、下部電極15及び半導体スイッチング素子22を有する上アームU上に、中間電極16及び半導体スイッチング素子23を有する下アームLがはんだ31によりはんだ接合されている。図13Cは、実施例3に係るパワーモジュールの製造方法のワイヤボンディング工程の一例を示した側面図である。図13A及び図13Bにおいては、正面図を示していたが、図13Cにおいては、ワイヤボンディング工程の接続関係が分かるように側面図が示されている。ワイヤボンディング工程においては、半導体スイッチング素子22、23と信号線62、63とのボンディングワイヤ72、73を用いた接合が行われる。図13Cに示すように、下部電極15の表面上の半導体スイッチング素子22は、中間電極16と同一平面上にある信号線62と段差を有するが、中間電極16に覆われない部分を有し、ボンディングワイヤ72を配置する接続スペースを確保できている。また、中間電極16上の半導体スイッチング素子23は、同一平面上にある信号線63に接続される。なお、ボンディングワイヤ72、73は、用途に応じて種々の材料からなるワイヤが用いられてよいが、例えば、アルミニウムワイヤを用いてもよい。また、信号線62、63と反対側においては、電極片83~85が設けられているが、電極片83と下部電極15との接続は、この段階で同時に行われる。電極片83の接合も、はんだ31を用いたはんだ接合であってよい。図13Dは、実施例3に係るパワーモジュールの製造方法の上部電極接合工程の一例を示した正面図である。上部電極接合工程においては、中間電極16上の半導体スイッチング素子23の上部に、上部電極17が接合される。接合は、はんだ31を用いたはんだ接合により行われてよい。これにより、下アームLの半導体スイッチング素子23がIGBTの場合には、IGBTのエミッタ同士が接続されることになる。なお、上部電極接合工程において、上部電極17と電極片85とのはんだ接合も併せて行うようにする。上部電極接合工程により、積層型パワーモジュールの電気的接続が完成する。図13Eは、実施例3に係るパワーモジュールの製造工程のモールド成形工程の一例を示した正面図である。モールド成形工程においては、上部電極17の上面及び下部電極15の下面以外はモールド樹脂により封止される。その際、図13Cで示したように、金型のパーティングラインは、同一平面上にある信号線62、63及び電極片83~85を型締めすればよいだけであるので、簡素な形状に構成することができる。また、上部電極17及び下部電極15は、板材を用いることができるので、電極構成を簡素化し、歩留まりを向上させることができる。この後、必要に応じて上部電極17の上面及び/又は下部電極15の下面に冷却用のフィンを設け、パワーモジュールの冷却効率を高める構成としてもよい。下部電極15及び上部電極17は単なる板材であるので、フィンを設ける加工も容易に行うことができる。なお、上面電極17の上面及び/又は下部電極15の下面に冷却フィンを設ける構成は、実施例1及び実施例2に係るパワーモジュールにも適用することができる。以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。