少なくとも1つの電極パッドと、上記電極パッドを覆うように形成されたパッシベーション膜と、上記電極パッド毎に形成されたバンプとを備えている半導体チップであって、上記パッシベーション膜は、上記電極パッド毎に、該電極パッドを露出するための開口部を複数有し、上記バンプは、対応する上記電極パッドに設けられた上記複数の開口部から無電解メッキ法により形成されているとともに、該バンプの表面に凹凸部を有し、上記バンプにおける上記凹凸部の凹部の深さは、上記無電解メッキ法によってメッキが上記パッシベーション膜の表面に沿った方向に成長し始める点から該バンプの最も高い点までの高さであるバンプの高さと、該バンプに覆われた上記複数の開口部の開口部間のスペースとによって設定されていることを特徴とする半導体チップ。上記バンプは、上記パッシベーション膜の表面上に拡がって形成され、該バンプの表面の縁が曲面となっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体チップ。上記凹凸部の凹部の深さは、上記凹部の深さをΔt、上記バンプの高さをr、上記開口部間のスペースをwとするとき、r-Δt2w2/4=r2を満たすように設定されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体チップ。上記開口部間のスペースは、上記バンプの高さの2倍未満であることを特徴とする請求項3に記載の半導体チップ。上記複数の開口部の平面形状は、円形および多角形のうち少なくともいずれかであることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体チップ。少なくとも1つの電極パッドと、上記電極パッドを覆うように形成されたパッシベーション膜と、上記電極パッド毎に形成されたバンプとを備えている半導体チップであって、上記パッシベーション膜は、上記電極パッド毎に、該電極パッドを露出するための開口部を1つ有し、上記開口部は、少なくとも上記半導体チップの上記パッシベーション膜が形成された面に垂直なある1断面において、少なくとも2箇所に断続的に現れる形状を有し、上記バンプは、対応する上記電極パッドに設けられた上記開口部から無電解メッキ法により形成されているとともに、該バンプの表面に凹凸部を有し、上記バンプにおける上記凹凸部の凹部の深さは、上記無電解メッキ法によってメッキが上記パッシベーション膜の表面に沿った方向に成長し始める点から該バンプの最も高い点までの高さであるバンプの高さと、該バンプに覆われた上記開口部の上記ある1断面において現れる開口部間のスペースとによって設定されていることを特徴とする半導体チップ。上記バンプは、上記パッシベーション膜の表面上に拡がって形成され、該バンプの表面の縁が曲面となっていることを特徴とする請求項6に記載の半導体チップ。上記凹凸部の凹部の深さは、上記凹部の深さをΔt、上記バンプの高さをr、上記開口部間のスペースをwとするとき、r-Δt2w2/4=r2を満たすように設定されていることを特徴とする請求項6または7に記載の半導体チップ。上記開口部間のスペースは、上記バンプの高さの2倍未満であることを特徴とする請求項8に記載の半導体チップ。上記開口部の平面形状は、少なくとも2列の細長い部分を含む形状を有していることを特徴とする請求項6~9のいずれか1項に記載の半導体チップ。少なくとも1つの電極パッドと、上記電極パッドを覆うように形成されたパッシベーション膜と、上記電極パッド毎に形成されたバンプとを備えている半導体チップであって、上記電極パッドは、少なくとも1つのパッド開口部を有し、上記パッシベーション膜は、上記電極パッド毎に、該電極パッドおよび上記パッド開口部を露出するための開口部を1つ有し、上記開口部は、少なくとも上記半導体チップの上記パッシベーション膜が形成された面に垂直なある1断面において、上記電極パッドの表面の露出部が少なくとも2箇所に断続的に現れるように配置され、上記バンプは、対応する上記電極パッドに設けられた上記開口部から無電解メッキ法により形成されているとともに、該バンプの表面に凹凸部を有し、上記バンプにおける上記凹凸部の凹部の深さは、上記電極パッドにおいて上記パッド開口部により露出した下地の表面から該バンプの最も高い点までの高さであるバンプの高さと、該バンプに覆われた上記開口部内の上記ある1断面において現れる電極パッド間のスペースとによって設定されていることを特徴とする半導体チップ。上記バンプは、上記パッシベーション膜の表面上に拡がって形成され、該バンプの表面の縁が曲面となっていることを特徴とする請求項11に記載の半導体チップ。上記凹凸部の凹部の深さは、上記凹部の深さをΔt、上記バンプの高さをr、上記電極パッド間のスペースをwとするとき、r-Δt2w2/4=r2を満たすように設定されていることを特徴とする請求項11または12に記載の半導体チップ。上記電極パッド間のスペースは、上記バンプの高さの2倍未満であることを特徴とする請求項13に記載の半導体チップ。上記パッド開口部は、上記電極パッド内に配置されていることを特徴とする請求項11~14のいずれか1項に記載の半導体チップ。上記パッド開口部は、上記電極パッドの外形を形成するように配置されていることを特徴とする請求項11~14のいずれか1項に記載の半導体チップ。少なくとも1つの基板側電極パッドが形成された基板と、請求項1~16のいずれか1項に記載の半導体チップとを備え、上記半導体チップは、導電粒子が含有された異方性導電材を介して、フリップチップ方式により上記基板に実装され、上記半導体チップのバンプは、上記導電粒子を介して、上記基板の基板側電極パッドに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。上記凹凸部の凹部の深さは、さらに、上記導電粒子の直径の1/3以下に設定されていることを特徴とする請求項17に記載の半導体装置。しかしながら、特許文献2、3に記載のような凹部を持つバンプを形成する方法では、断面凹状の下地電極を形成する工程が必要となるため、工程数が増加するという問題がある。工程数の増加はコストアップに繋がり、近年のコストダウン要求に対応することができない。従来では、無電解メッキ法に限らず電気メッキ法においても凹部を持つバンプを形成する場合、凹部窪みの大きさや凹部の深さは下地電極の断面形状やメッキ条件に依存すると考えられていたため、下地電極の条件やメッキ条件以外に、バンプを好ましい形状に調整する条件について、全く提案されていなかった。本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、工程増加を招くことなく、無電解メッキ法により形成したバンプを、実装に好適な形状のバンプとして備える半導体チップ、および半導体装置を提供することにある。本発明の半導体チップは、上記課題を解決するために、少なくとも1つの電極パッドと、上記電極パッドを覆うように形成されたパッシベーション膜と、上記電極パッド毎に形成されたバンプとを備えている半導体チップであって、上記パッシベーション膜は、上記電極パッド毎に、該電極パッドを露出するための開口部を複数有し、上記バンプは、対応する上記電極パッドに設けられた上記複数の開口部から無電解メッキ法により形成されているとともに、該バンプの表面に凹凸部を有し、上記バンプにおける上記凹凸部の凹部の深さは、上記無電解メッキ法によってメッキが上記パッシベーション膜の表面に沿った方向に成長し始める点から該バンプの最も高い点までの高さであるバンプの高さと、該バンプに覆われた上記複数の開口部の開口部間のスペースとによって設定されていることを特徴としている。上記の構成によれば、バンプは、対応する電極パッドに設けられた複数の開口部から無電解メッキ法により形成されている。無電解メッキは、メッキが等方向に成長するという特徴を有している。ゆえに、バンプは、複数の開口部から等方向成長によって縦横方向に進行して、遂には開口部間のスペースを埋めて一体化したメッキにより構成されることになる。よって、バンプは、凹凸部が形成された表面を有することになり、無電解メッキ法により形成したバンプ特有の山型形状を改善することが可能となる。ここで、半導体チップを、異方性導電膜を用いてフリップチップ方式で実装基板に実装する場合を考えると、バンプの凹凸部は、異方性導電膜に含有された導電粒子が凹部へ残留するような形であることが望まれる。このような場合においても、上記の構成によれば、凹凸部は、開口部の個数や形状によって変更することができ、特に、導電粒子の残留に大きく寄与する凹部の深さを、バンプの高さと、バンプに覆われた複数の開口部の開口部間のスペースとによって設定することが可能となっている。よって、バンプの表面形状を、実装時に要求されるユーザーニーズに合わせて、重要な凹部の深さを確実に満たしつつ、様々な形状で形成することができる。また、凹凸部を有するバンプの形成は、無電解メッキの等方向成長という特性を活用し、パッシベーション膜への開口部の形成で対応することが可能となっている。よって、下地電極を別途形成する必要が無く、工程の増加が生じない。したがって、工程増加を招くことなく、無電解メッキ法により形成したバンプを、実装に好適な形状のバンプとして備える半導体チップを提供することができる。また、本発明の半導体チップでは、上記バンプは、上記パッシベーション膜の表面上に拡がって形成され、該バンプの表面の縁が曲面となっていることが望ましい。また、本発明の半導体チップでは、上記凹凸部の凹部の深さは、上記凹部の深さをΔt、上記バンプの高さをr、上記開口部間のスペースをwとするとき、r-Δt2w2/4=r2を満たすように設定されていることが望ましい。また、本発明の半導体チップでは、上記開口部間のスペースは、上記バンプの高さの2倍未満であることが望ましい。これにより、好適に、開口部間のスペースをメッキで埋めることが可能となる。また、本発明の半導体チップでは、上記複数の開口部の平面形状は、円形および多角形のうち少なくともいずれかであることが好ましい。本発明の半導体チップは、上記課題を解決するために、少なくとも1つの電極パッドと、上記電極パッドを覆うように形成されたパッシベーション膜と、上記電極パッド毎に形成されたバンプとを備えている半導体チップであって、上記パッシベーション膜は、上記電極パッド毎に、該電極パッドを露出するための開口部を1つ有し、上記開口部は、少なくとも上記半導体チップの上記パッシベーション膜が形成された面に垂直なある1断面において、少なくとも2箇所に断続的に現れる形状を有し、上記バンプは、対応する上記電極パッドに設けられた上記開口部から無電解メッキ法により形成されているとともに、該バンプの表面に凹凸部を有し、上記バンプにおける上記凹凸部の凹部の深さは、上記無電解メッキ法によってメッキが上記パッシベーション膜の表面に沿った方向に成長し始める点から該バンプの最も高い点までの高さであるバンプの高さと、該バンプに覆われた上記開口部の上記ある1断面において現れる開口部間のスペースとによって設定されていることを特徴としている。上記の構成によれば、バンプは、対応する電極パッドに設けられた開口部から無電解メッキ法により形成されている。無電解メッキは、メッキが等方向に成長するという特徴を有している。また、開口部は、少なくとも半導体チップのパッシベーション膜が形成された面に垂直なある1断面において、少なくとも2箇所に断続的に現れる形状を有している。ゆえに、バンプは、開口部から等方向成長によって縦横方向に進行して、遂には開口部間のスペースを埋めて一体化したメッキにより構成されることになる。よって、バンプは、凹凸部が形成された表面を有することになり、無電解メッキ法により形成したバンプ特有の山型形状を改善することが可能となる。ここで、半導体チップを、異方性導電膜を用いてフリップチップ方式で実装基板に実装する場合を考えると、バンプの凹凸部は、異方性導電膜に含有された導電粒子が凹部へ残留するような形であることが望まれる。このような場合においても、上記の構成によれば、凹凸部は、開口部の形状によって変更することができ、特に、導電粒子の残留に大きく寄与する凹部の深さを、バンプの高さと、バンプに覆われた開口部のある1断面において現れる開口部間のスペースとによって設定することが可能となっている。よって、バンプの表面形状を、実装時に要求されるユーザーニーズに合わせて、重要な凹部の深さを確実に満たしつつ、様々な形状で形成することができる。また、凹凸部を有するバンプの形成は、無電解メッキの等方向成長という特性を活用し、パッシベーション膜への開口部の形成で対応することが可能となっている。よって、下地電極を別途形成する必要が無く、工程の増加が生じない。したがって、工程増加を招くことなく、無電解メッキ法により形成したバンプを、実装に好適な形状のバンプとして備える半導体チップを提供することができる。また、本発明の半導体チップでは、上記バンプは、上記パッシベーション膜の表面上に拡がって形成され、該バンプの表面の縁が曲面となっていることが望ましい。また、本発明の半導体チップでは、上記凹凸部の凹部の深さは、上記凹部の深さをΔt、上記バンプの高さをr、上記開口部間のスペースをwとするとき、r-Δt2w2/4=r2を満たすように設定されていることが望ましい。また、本発明の半導体チップでは、上記開口部間のスペースは、上記バンプの高さの2倍未満であることが望ましい。また、本発明の半導体チップでは、上記開口部の平面形状は、少なくとも2列の細長い部分を含む形状を有していることが好ましい。本発明の半導体チップは、上記課題を解決するために、少なくとも1つの電極パッドと、上記電極パッドを覆うように形成されたパッシベーション膜と、上記電極パッド毎に形成されたバンプとを備えている半導体チップであって、上記電極パッドは、少なくとも1つのパッド開口部を有し、上記パッシベーション膜は、上記電極パッド毎に、該電極パッドおよび上記パッド開口部を露出するための開口部を1つ有し、上記開口部は、少なくとも上記半導体チップの上記パッシベーション膜が形成された面に垂直なある1断面において、上記電極パッドの表面の露出部が少なくとも2箇所に断続的に現れるように配置され、上記バンプは、対応する上記電極パッドに設けられた上記開口部から無電解メッキ法により形成されているとともに、該バンプの表面に凹凸部を有し、上記バンプにおける上記凹凸部の凹部の深さは、上記電極パッドにおいて上記パッド開口部により露出した下地の表面から該バンプの最も高い点までの高さであるバンプの高さと、該バンプに覆われた上記開口部内の上記ある1断面において現れる電極パッド間のスペースとによって設定されていることを特徴としている。上記の構成によれば、バンプは、対応する電極パッドに設けられた開口部から無電解メッキ法により形成されている。無電解メッキは、メッキが等方向に成長するという特徴を有している。また、開口部は、少なくとも半導体チップのパッシベーション膜が形成された面に垂直なある1断面において、電極パッドの表面の露出部が少なくとも2箇所に断続的に現れるように配置されている。ゆえに、バンプは、開口部から等方向成長によって縦横方向に進行して、遂には開口部内の電極パッド間のスペースを埋めて一体化したメッキにより構成されることになる。よって、バンプは、凹凸部が形成された表面を有することになり、無電解メッキ法により形成したバンプ特有の山型形状を改善することが可能となる。ここで、半導体チップを、異方性導電膜を用いてフリップチップ方式で実装基板に実装する場合を考えると、バンプの凹凸部は、異方性導電膜に含有された導電粒子が凹部へ残留するような形であることが望まれる。このような場合においても、上記の構成によれば、凹凸部は、電極パッドの露出部の形状によって変更することができ、特に、導電粒子の残留に大きく寄与する凹部の深さを、バンプの高さと、バンプに覆われた開口部内のある1断面において現れる電極パッド間のスペースとによって設定することが可能となっている。よって、バンプの表面形状を、実装時に要求されるユーザーニーズに合わせて、重要な凹部の深さを確実に満たしつつ、様々な形状で形成することができる。また、凹凸部を有するバンプの形成は、無電解メッキの等方向成長という特性を活用し、電極パッドのパターニングと、パッシベーション膜への開口部の形成とで対応することが可能となっている。よって、下地電極を別途形成する必要が無く、工程の増加が生じない。したがって、工程増加を招くことなく、無電解メッキ法により形成したバンプを、実装に好適な形状のバンプとして備える半導体チップを提供することができる。また、本発明の半導体チップでは、上記バンプは、上記パッシベーション膜の表面上に拡がって形成され、該バンプの表面の縁が曲面となっていることが望ましい。また、本発明の半導体チップでは、上記凹凸部の凹部の深さは、上記凹部の深さをΔt、上記バンプの高さをr、上記電極パッド間のスペースをwとするとき、r-Δt2w2/4=r2を満たすように設定されていることが望ましい。また、本発明の半導体チップでは、上記電極パッド間のスペースは、上記バンプの高さの2倍未満であることが望ましい。また、本発明の半導体チップでは、上記パッド開口部は、上記電極パッド内に配置されていることが好ましい。また、本発明の半導体チップでは、上記パッド開口部は、上記電極パッドの外形を形成するように配置されていることが好ましい。本発明の半導体装置は、少なくとも1つの基板側電極パッドが形成された基板と、上述の半導体チップとを備え、上記半導体チップは、導電粒子が含有された異方性導電材を介して、フリップチップ方式により上記基板に実装され、上記半導体チップのバンプは、上記導電粒子を介して、上記基板の基板側電極パッドに電気的に接続されていることを特徴としている。上記の構成によれば、バンプは、バンプ表面に凹凸部を有する、実装に好適な形状のバンプであることにより、従来と比較して導電粒子がバンプ表面に残留しやすくなっており、基板側電極パッドとバンプとに接触して挟み込まれる導電粒子を増加することが可能となる。よって、基板側電極パッドとバンプとの間に導電粒子を十分に介在させ、導通性を十分に確保することが可能となり、高い信頼性を得ることが可能となる。また、本発明の半導体装置では、上記凹凸部の凹部の深さは、さらに、上記導電粒子の直径の1/3以下に設定されていることが好ましい。これにより、凹部への導電粒子の残留を促すことが可能となる。以上のように、本発明の半導体チップは、バンプが、パッシベーション膜に形成した1つまたは複数の開口部から無電解めっき法により形成されることで、バンプの表面が凸凹部となり、バンプにおける凹凸部の凹部の深さは、該バンプの高さと、該バンプに覆われた開口部の開口部間のスペースとによって設定されている構成を有する。また、本発明の半導体チップは、電極パッドにパッド開口部が形成され、バンプが、パッシベーション膜に形成した電極パッドの一部およびパッド開口部を露出する開口部から無電解めっき法により形成されることで、バンプの表面が凸凹部となり、バンプにおける凹凸部の凹部の深さは、該バンプの高さと、該バンプに覆われた開口部内のある1断面において現れる電極パッド間のスペースとによって設定されている構成を有する。それゆえ、工程増加を招くことなく、無電解メッキ法により形成したバンプを、実装に好適な形状のバンプとして備える半導体チップを提供することができるという効果を奏する。実施の形態1本発明の一実施形態について図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。<概略構成>図3は、本実施の形態の半導体チップ11の一構成例を示す断面図である。図3に示すように、半導体チップ11は、電極パッド12、開口部14を有するパッシベーション膜13、およびバンプ15を備えている。半導体チップ11は、例えば平面視矩形のシリコン基板により構成されている。シリコン基板の一方の面には能動素子などが形成されており、以下では、この面を半導体チップ11の表面とする。半導体チップ11の表面には、配線図示せずおよび電極パッド12が形成されている。配線および電極パッド12は、メタル配線として従来一般的な金属材料により構成されている。電極パッド12は、複数設けられているが、少なくとも1つ設けられていればよい。各電極パッド12は、半導体チップ11の表面において予め定められた位置にそれぞれ配置されている。パッシベーション膜13は、半導体チップ11の表面に、電極パッド12を覆うように形成されている。パッシベーション膜13は、パッシベーション膜として従来一般的な材料により構成されている。パッシベーション膜13は、電極パッド12を露出するための開口部14を有している。開口部14は、電極パッド12毎に複数設けられている。バンプ15は、電極パッド12毎に1つ設けられている。バンプ15は、対応する電極パッド12に設けられた複数の開口部14から、無電解メッキ法により形成されている。つまりは、バンプ15は、無電解メッキ処理によって、電極パッド12の開口部14で露出した露出部の上に還元析出させた金属皮膜を成長させることにより形成されている。バンプ15の材質となる、析出する金属皮膜としては、例えば、ニッケルNi、銅Cu、銀Ag、およびパラジウムPdなどが用いられる。<バンプ>次に、バンプ15の構成について詳細に説明する。図1は、図2のA-A’線断面図であり、半導体チップ11におけるバンプ15を拡大して示している。図2は、半導体チップ11における電極パッド12を拡大して示す平面図である。なお、図2ではバンプ15を省略して図示している。図2に示すように、電極パッド12は、長方形の平面形状を有している。開口部14は、正方形の平面形状を有しており、電極パッド12よりもサイズが小さい。開口部14は、電極パッド12の上方において、2×4の行列状に配置されている。開口部14内では、電極パッド12のみが露出している。ここで、無電解メッキは、メッキが等方向に成長するという特徴を有している。それゆえ、上記のように開口部14が形成された構成によれば、無電解メッキ法によりメッキを成長させると、メッキは、複数の開口部14から等方向成長によって縦横方向に進行して、遂には開口部14間のスペースを埋めて一体化することとなる。こうして一体化したメッキは、バンプ15を構成する。具体的に説明すると、電極パッド12の露出部の上に還元析出させた金属皮膜、すなわちメッキは、開口部14内においては開口部14を充填するように成長する。そして、メッキが、パッシベーション膜13の表面であって開口部14の終端図1のkに達すると、それ以降は、縦方向に加え、横方向すなわちパッシベーション膜13の表面に沿った方向にも、メッキが成長する。こうして、等方向成長によって縦横方向に進行したメッキは、一体化し、バンプ15となる。上記のように無電解メッキ法によって形成されたバンプ15は、図1に示すように、外周部に湾曲部を有した山型形状を有している。換言すると、バンプ15は、パッシベーション膜13の表面上に拡がって形成され、バンプ表面の縁が曲面となっている。この形状は、フォトパターンレスパッシベーション膜13の開口部14に成長のため、縦方向と横方向とへ等方向成長するために形成される形状であり、無電解メッキ法を用いたことによる特徴的な形状である。また、バンプ15は、無電解メッキ法により形成されているので、電解メッキ法で形成したバンプと比較して、表面粗さが小さい平滑であるという利点を有している。さらに、バンプ15の表面には、図1に示すように、浅い凹凸部が形成される。バンプ表面の凹凸部の形状は、開口部14の配置、個数、および形状などによって決まる。ここで、半導体チップ11を、異方性導電膜を用いてフリップチップ方式で実装基板に実装する場合を考えると、バンプ15の凹凸部は、異方性導電膜に含有された導電粒子が、バンプ表面へより多く残留するような形であることが望まれる。そこで、本実施例のバンプ15では、特に、凹凸部の凹部溝の深さは、バンプ15の高さに応じて開口部14間のスペース例えば、図1の距離Pを選定することにより、任意の寸法に決めることができる。例えば、凹部の深さは、無電解メッキの等方向成長を活用して、下記の式、r-Δt2w2/4=r2r:バンプの高さΔt:凹部の深さw:開口部間のスペースを満たすように設定することができる。なお、上記式のバンプの高さrは、図1に示すように、パッシベーション膜13の表面であって開口部14の終端k、すなわち無電解メッキ法によってメッキがパッシベーション膜13の表面に沿った方向に成長し始める点横拡がりが始まる点から、バンプ15の最も高い点までの、鉛直方向の高さのことである。なお、開口部間のスペースwは、バンプの高さrの2倍未満であることが好ましい。これにより、好適に、開口部14間のスペースをメッキで埋めることが可能となる。したがって、バンプ15の表面形状を、実装時に要求されるユーザーニーズに合わせて、重要な凹部の深さを確実に満たしつつ形成することができる。また、無電解メッキ法により形成したバンプ特有の、山型形状を改善することが可能となる。また、凹凸部を有するバンプ15の形成は、無電解メッキの等方向成長という特性を活用し、パッシベーション膜13への開口部14の形成で対応することが可能となっている。よって、下地電極を別途形成する必要が無く、従来実施されていた下地電極の形成工程を省略することができる。すなわち、工程の増加が生じ得ない。<半導体チップの実装>次に、半導体チップ11の実装について、半導体チップ11を備える半導体装置を用いて説明する。図4は、半導体チップ11を備える半導体装置の一構成例を示す断面図であり、バンプ15付近の導電粒子の様子を示している。半導体装置は、半導体チップ11および実装基板21を備えている。実装基板21は、配線などが適宜形成された、半導体チップ11が実装可能な基板リジット基板やフレキシブル基板などであればよく、特に限定されない。実装基板21の一方の面には、半導体チップ11の実装領域が設けられている。上記実装領域には、半導体チップ11のバンプ15と接続するための電極パッド22が形成されている。電極パッド22は、半導体チップ11をフェースダウンで実装領域に向かい合わせたときに、バンプ15と対向するように配置されている。半導体チップ11は、異方性導電膜23を用いたフリップチップ方式によって、実装基板21に実装されている。具体的には、半導体チップ11は、実装基板21の電極パッド22上に設けられた異方性導電膜23の上に置かれ、実装基板21と半導体チップ11とが加熱圧着されることによって、実装基板21に固定されている。異方性導電膜23は、いわゆる異方性導電フィルムAnisotropicConductiveFilm:ACFであるが、これに限らず、例えば、異方性導電ペーストAnisotropicConductivePaste:ACPなどを用いてもよい。異方性導電膜23には導電粒子24が含有されている。異方性導電膜23の厚さは、例えば、20μm~50μmとすることが望ましい。導電粒子24の直径粒径は、例えば、2μm~5μm程度とすることが望ましい。バンプ15の凹部の深さは、導電粒子24の残留を促すように設定される。ここでは、凹部の深さは、例えば、0.5μmとすることが望ましい。この場合、1つのバンプ15上への導電粒子24は、約10個から20個程度存在することが確認された。また、電極パッド22とバンプ15との間の接合抵抗は、数Ωレベルであることが確認された。この接合抵抗は、従来の電解金メッキにて形成されたバンプと同等の値である。よって、本実施形態の接続構造によれば、現状の品質要求に対して、十分な性能を確保することができる。つまりは、図4に示すように、バンプ15表面には、凹凸部が形成されている。それゆえ、従来と比較して導電粒子24が残留しやすくなっており、電極パッド22とバンプ15とに接触して挟み込まれる導電粒子24を増加することが可能となっている。よって、半導体装置においては、電極パッド22とバンプ15との間に導電粒子24を十分に介在させ、導通性を十分に確保することが可能となる。なお、凹部への導電粒子の残留を促すために、バンプ15の凹部の深さは、導電粒子の直径の1/3以下に設定されていることが望ましい。また、このように凹凸部を形成することは、実装基板21へのチップ実装時に、バンプ材料自体の変形による接触面積の拡大量を期待できない、硬度の高いバンプ15に好適である。図5に、異方性導電膜を用いた実装における、導電粒子の接続量と接続抵抗との関係を示す。図5のグラフにおいて、横軸は、導電粒子の接続量、すなわち1バンプ当たりの個数を示し、縦軸は、接続抵抗Ωを示している。図5に示すように、バンプが狭幅化するほど、導電粒子の数は減少し、接続抵抗の値は大きくなる。図9に示した従来のバンプ105によれば、存在する導電粒子は約5個以下であった。これに対し、本実施の形態のバンプ15によれば、バンプ15表面に凹凸部が形成されていることにより、存在する導電粒子が増加している。ゆえに、バンプ表面に形成された凹部が、導電粒子の捕捉効果を有していることが判明した。特に、バンプ幅が狭く、バンプ15上に捕捉される導電粒子数が少ない場合に効果的であることが判明した。<まとめ>以上のように、半導体チップ11では、パッシベーション膜13は、電極パッド12毎に、電極パッド12を露出するための開口部14を複数有し、バンプ15は、対応する電極パッド12に設けられた複数の開口部14から無電解メッキ法により形成されているとともに、バンプ表面に凹凸部を有し、バンプ15における凹凸部の凹部の深さは、バンプ15の高さと、バンプ15に覆われた複数の開口部14の開口部間のスペースとによって設定されている。上記の半導体チップ11の構成によれば、バンプ15は、対応する電極パッド12に設けられた複数の開口部14から無電解メッキ法により形成されている。無電解メッキは、メッキが等方向に成長するという特徴を有している。ゆえに、バンプ15は、複数の開口部14から等方向成長によって縦横方向に進行して、遂には開口部14間のスペースを埋めて一体化したメッキにより構成されることになる。よって、バンプ15は、凹凸部が形成された表面を有することになり、無電解メッキ法により形成したバンプ特有の山型形状を改善することが可能となる。ここで、半導体チップ11を、異方性導電膜を用いてフリップチップ方式で実装基板に実装する場合を考えると、バンプ15の凹凸部は、異方性導電膜に含有された導電粒子が凹部へ残留するような形であることが望まれる。このような場合においても、上記の構成によれば、凹凸部は、開口部14の個数や形状によって変更することができ、特に、導電粒子の残留に大きく寄与する凹部の深さを、バンプ15の高さと、バンプ15に覆われた複数の開口部14の開口部間のスペースとによって設定することが可能となっている。よって、バンプ15の表面形状を、実装時に要求されるユーザーニーズに合わせて、重要な凹部の深さを確実に満たしつつ、様々な形成することができる。また、凹凸部を有するバンプ15の形成は、無電解メッキの等方向成長という特性を活用し、パッシベーション膜13への開口部14の形成で対応することが可能となっている。よって、下地電極を別途形成する必要が無く、工程の増加が生じない。したがって、工程増加を招くことなく、無電解メッキ法により形成したバンプ15を、実装に好適な形状のバンプとして備える半導体チップ11を提供することができる。<変形例>上述の半導体チップ11では、図2に示したように、平面形状が正方形の開口部14を8箇所に設けた構成を有していたが、これに限らず、開口部14の平面形状、配置、および個数、すなわちパッシベーション膜13の開口形状は変更することができる。開口部14の他の構成例を、図6a~dに示す。図6aは、平面形状が円形の開口部14aを示している。開口部14aは、平面形状以外は開口部14と同様の構成を有している。よって、開口部14aから無電解メッキ法により形成されたバンプの凹凸部は、バンプ15の凹凸部と類似した形状となる。図6bは、平面形状が細長い形状の開口部14bを示している。開口部14bは、2つ設けられ、平面視にて対向して配置されている。すなわち、2列の開口部14bが設けられている。開口部14bから無電解メッキ法により形成されたバンプの表面には、開口部14b間中心部の上方において開口部14bにほぼ平行な溝凹部が形成される。このように、開口部の平面形状は、円形であっても、多角形であってもよいし、円形と多角形とを混在させることもできる。そして、ユーザーニーズに合った表面形状凹部の位置や深さを有するように、開口部の個数と、開口部間のスペースとを設定すればよい。また、開口部は、複数設ける必要は無い。図6cおよびdは、開口部が1箇所に設けられた形態を示している。図6cに示す開口部14cは、2列の細長い部分、および、一方の細長い部分の一端と他方の細長い部分の一端と繋ぐ接続部分により構成された平面形状いわゆる、コの字形を有している。換言すると、開口部14cは、2つのL形が組み合わされた平面形状を有している。図6dに示す開口部14dは、2列の細長い部分、および、一方の細長い部分と他方の細長い部分とを端以外の地点で繋ぐ接続部分3箇所により構成された平面形状いわゆる、梯子形を有している。換言すると、開口部14dは、3つのH形が組み合わされた平面形状を有している。開口部が1箇所に設けられた形態であっても、開口部14cおよび開口部14dは、平面視にて対向する部分を含んでいる。これにより、上述した開口部が複数設けられている場合と同様に、上記対向する部分から成長したメッキは、両者間のスペースを埋めて一体化することとなる。よって、バンプ表面に凹凸部を形成することができる。このように、開口部を1箇所に設ける場合は、開口部は、平面視において対向する部分を少なくとも1箇所含む平面形状を有していればよい。換言すると、開口部は、少なくとも半導体チップ11のパッシベーション膜13が形成された面に垂直なある1断面において、少なくとも2箇所に断続的に現れる形状を有していればよい。例えば、開口部の平面形状は、少なくとも2列の細長い部分を含む形状を有していることが好ましい。そして、ユーザーニーズに合った表面形状凹部の位置や深さを有するように、対向する部分が存在する数と、対向する部分間のスペースとを設定すればよい。すなわち、上記ある1断面において現れる開口部の数と、その現れる開口部間のスペースとを設定すればよい。以上のように、開口部は、無電解メッキ法により開口部から成長したメッキが、開口している部分の間のスペースを埋めるように構成されていれば、複数設けられていてもよいし、1つ設けられていてもよい。いずれにおいても、パッシベーション膜13の開口形状を変えることにより、バンプの表面形状凹凸部を、ユーザーニーズに合わせて、所望される凹部の深さを確実に満たしつつ、様々な形状溝、窪みなどで形成することができる。なお、バンプ15の高さを決める際の起点となる図1の終端kは、電極パッド12の表面からパッシベーション膜13の厚み分離れた平面に存在している。この平面には、電極パッド12上に設けられた1つまたは複数の開口部の終端が全て存在する。これは、パッシベーション膜13を均一な厚みで形成することを前提としているためである。それゆえ、凸部すなわちバンプ15の最も高い点が複数箇所存在しても、それらはほぼ同じ高さに位置することとなる。ゆえに、バンプ15の高さを決める際の起点は、終端kのいずれであってもよい。但し、パッシベーション膜13は一様な厚みで形成されるとしたが、ここで言う一様とは厳密なものではなく、実質的に一様と見なせる範囲ほぼ一様も含んでいる。また、パッシベーション膜13は、少なくとも電極パッド12を覆う領域に、開口部14を有するように形成されていればよく、その他の領域については適宜形成されるものである。実施の形態2本発明の他の実施の形態について図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。前記実施の形態では、パッシベーション膜13に開口部14を形成することによって、バンプ15の表面に凹凸部を形成していた。本実施の形態では、開口部内の電極パッドに開口部を形成することによって、バンプの表面に凹凸部を形成する。図7は、図8のB-B’線断面図であり、半導体チップ31におけるバンプ35を拡大して示している。図8は、半導体チップ31における電極パッド32を拡大して示す平面図である。なお、図8ではバンプ35を省略して図示している。図7および図8に示すように、半導体チップ31は、電極パッド32、開口部34を有するパッシベーション膜33、およびバンプ35を備えている。半導体チップ31は、例えば平面視矩形のシリコン基板により構成されている。シリコン基板の一方の面には能動素子などが形成されており、以下では、この面下地を半導体チップ31の表面とする。半導体チップ31の表面には、配線図示せずおよび電極パッド32が形成されている。配線および電極パッド32は、メタル配線として従来一般的な金属材料により構成されている。電極パッド32は、複数設けられているが、少なくとも1つ設けられていればよい。各電極パッド32は、半導体チップ11の表面において予め定められた位置にそれぞれ配置されている。各電極パッド32は、1つのパッド開口部32bを有している。パッシベーション膜33は、半導体チップ31の表面に、電極パッド32を覆うように形成されている。パッシベーション膜33は、パッシベーション膜として従来一般的な金属材料により構成されている。パッシベーション膜33は、電極パッド32およびパッド開口部32bを露出するための開口部34を有している。開口部34は、電極パッド32毎に1つ設けられている。バンプ35は、電極パッド32毎に1つ設けられている。バンプ35は、対応する電極パッド32に設けられた開口部34から、無電解メッキ法により形成されている。つまりは、バンプ35は、無電解メッキ処理により、電極パッド32の開口部34により露出した露出面の上に還元析出させた金属皮膜を成長させることによって形成されている。バンプ35の材質となる、析出する金属皮膜としては、例えば、ニッケルNi、銅Cu、銀Ag、およびパラジウムPdなどが用いられる。図8に示すように、電極パッド32は、パッド開口部32bが設けられていることにより、1辺が開口した長方形の平面形状を有している。開口部34は、長方形の平面形状を有している。開口部34は、電極パッド32およびパッド開口部32bの上方に配置されている。開口部34内では、電極パッド32の露出面およびパッド開口部32bの一部が露出している。なお、電極パッド32の露出面のうち、表面に位置する部分を露出部32aとする。それゆえ、上記のようにパッド開口部32bおよび開口部34が形成された構成によれば、無電解メッキ法によりメッキを成長させると、メッキは、開口部34から等方向成長によって縦横方向に進行して、遂には開口部34内の電極パッド32間のスペースを埋めて一体化することとなる。こうして一体化したメッキは、バンプ35を構成する。具体的に説明すると、半導体チップ31では、電極パッド32の露出面、すなわち、露出部32aと、電極パッド32における露出部32aの内側に位置する露出した側面とが、還元析出の土台となる。これらの上に還元析出させた金属皮膜、すなわちメッキは、開口部34内においては、開口部34を充填し、かつ、開口部34内の電極パッド32間のスペースを埋めるように成長する。そして、メッキが、パッシベーション膜33の表面であって開口部34の終端に達すると、それ以降は、縦方向に加え、横方向すなわちパッシベーション膜33の表面に沿った方向にも、メッキが成長する。こうして、等方向成長によって縦横方向に進行したメッキは、一体化し、バンプ35となる。上記のように無電解メッキ法によって形成されたバンプ35は、図7に示すように、外周部に湾曲部を有した山型形状を有している。換言すると、バンプ35は、パッシベーション膜33の表面上に拡がって形成され、バンプ表面の縁が曲面となっている。この形状は、フォトパターンレスパッシベーション膜33の開口部34に成長のため、縦方向と横方向とへ等方向成長するために形成される形状であり、無電解メッキ法を用いたことによる特徴的な形状である。また、バンプ35は、無電解メッキ法により形成されているので、電解メッキ法で形成したバンプと比較して、表面粗さが小さい平滑であるという利点を有している。さらに、バンプ35の表面には、図7に示すように、浅い凹凸部が形成される。バンプ表面の凹凸部の形状は、露出部32aの配置、個数、および形状などによって決まる。ここで、半導体チップ31を、異方性導電膜を用いてフリップチップ方式で実装基板に実装する場合を考えると、バンプ35の凹凸部は、異方性導電膜に含有された導電粒子が、バンプ表面へより多く残留するような形であることが望まれる。そこで、本実施例のバンプ35では、特に、凹凸部の凹部溝の深さは、バンプ35の高さに応じて露出部32a間のスペースすなわち電極パッド32間のスペース例えば、図7の距離Qを選定することにより、任意の寸法に決めることができる。例えば、凹部の深さは、無電解メッキの等方向成長を活用して、下記の式、r-Δt2w2/4=r2r:バンプの高さΔt:凹部の深さw:電極パッド間のスペースを満たすように設定することができる。なお、上記式のバンプの高さrは、図7に示すように、下地の表面であってパッド開口部32bの終端図7のm、すなわち無電解メッキ法によってメッキが開口部34内の電極パッド32間の下地の表面に沿った方向に成長し始める点横拡がりが始まる点から、バンプ35の最も高い点までの、鉛直方向の高さのことである。換言すると、電極パッド32においてパッド開口部32bにより露出した下地の表面から、バンプ35の最も高い点までが、バンプの高さrである。なお、電極パッド間のスペースwは、バンプの高さrの2倍未満であることが好ましい。これにより、好適に、電極パッド間のスペースをメッキで埋めることが可能となる。したがって、バンプ35の表面形状を、実装時に要求されるユーザーニーズに合わせて、重要な凹部の深さを確実に満たしつつ形成することができる。また、無電解メッキ法により形成したバンプ特有の、山型形状を改善することが可能となる。なお、露出部32a間のスペースすなわち電極パッド32間のスペース図7のQは、前記実施形態の開口部14間のスペース図1のPに相当する。また、凹凸部を有するバンプ35の形成は、無電解メッキの等方向成長という特性を活用し、電極パッド32のパターニングと、パッシベーション膜33への開口部34の形成で対応することが可能となっている。よって、下地電極を別途形成する必要が無く、従来実施されていた下地電極の形成工程を省略することができる。すなわち、工程の増加が生じ得ない。以上のように、半導体チップ31では、電極パッド32は、パッド開口部32bを有し、パッシベーション膜33は、電極パッド32毎に、電極パッド32およびパッド開口部32bを露出するための開口部34を有し、開口部34は、露出部32aを設けるように配置され、バンプ35は、対応する電極パッド32に設けられた開口部34から無電解メッキ法により形成されているとともに、バンプ表面に凹凸部を有し、バンプ35における凹凸部の凹部の深さは、バンプ35の高さと、バンプ35に覆われた開口部34内の電極パッド32間のスペースとによって設定されている。上記の半導体チップ31の構成によれば、バンプ35は、対応する電極パッド32に設けられた開口部34から無電解メッキ法により形成されている。無電解メッキは、メッキが等方向に成長するという特徴を有している。また、開口部34は、露出部32aを設けるように配置されている。ゆえに、バンプ35は、開口部34から等方向成長によって縦横方向に進行して、遂には開口部34内の電極パッド32間のスペースを埋めて一体化したメッキにより構成されることになる。よって、バンプ35は、凹凸部が形成された表面を有することになり、無電解メッキ法により形成したバンプ特有の山型形状を改善することが可能となる。ここで、半導体チップ31を、異方性導電膜を用いてフリップチップ方式で実装基板に実装する場合を考えると、バンプ35の凹凸部は、異方性導電膜に含有された導電粒子が凹部へ残留するような形であることが望まれる。このような場合においても、上記の構成によれば、凹凸部は、電極パッド32の露出部32aの形状によって変更することができ、特に、導電粒子の残留に大きく寄与する凹部の深さを、バンプ35の高さと、バンプ35に覆われた開口部34内の電極パッド32間のスペースとによって設定することが可能となっている。よって、バンプ35の表面形状を、実装時に要求されるユーザーニーズに合わせて、重要な凹部の深さを確実に満たしつつ、様々な形状で形成することができる。また、凹凸部を有するバンプ35の形成は、無電解メッキの等方向成長という特性を活用し、電極パッド32のパターニングと、パッシベーション膜33への開口部34の形成とで対応することが可能となっている。よって、下地電極を別途形成する必要が無く、工程の増加が生じない。したがって、工程増加を招くことなく、無電解メッキ法により形成したバンプ35を、実装に好適な形状のバンプとして備える半導体チップ31を提供することができる。なお、上記半導体チップ31では、パッド開口部32bは、電極パッド32の外形を形成するように配置されていたが、これに限らず、電極パッド32内にパッド開口部を配置してもよい。また、パッド開口部32bは、複数箇所に設けることもできる。つまりは、開口部34内に、平面視において対向する部分を少なくとも1箇所含む平面形状を有する露出部32aが形成されればよい。換言すると、電極パッドのパターニングと合わせて、開口部は、少なくとも半導体チップ31の表面に垂直なある1断面において、電極パッドの表面の露出部が少なくとも2箇所に断続的に現れるように配置されればよい。そして、ユーザーニーズに合った表面形状凹部の位置や深さを有するように、対向する部分が存在する数と、対向する部分間のスペースとを設定すればよい。すなわち、上記ある1断面において現れる露出部の数と、その現れる露出部間すなわち電極パッド間のスペースとを設定すればよい。これにより、バンプ35の表面形状凹凸部を、ユーザーニーズに合わせて、所望される凹部の深さを確実に満たしつつ、様々な形状溝、窪みなどで形成することができる。なお、パッシベーション膜33は一様な厚みで形成されるが、ここで言う一様とは厳密なものではなく、実質的に一様と見なせる範囲ほぼ一様も含んでいる。また、パッシベーション膜33は、少なくとも電極パッド32を覆う領域に、開口部34を有するように形成されていればよく、その他の領域については適宜形成されるものである。このように、本実施形態の半導体チップ31では、前記実施の形態の半導体チップ11と同様の効果を得ることができる。バンプ表面の凹凸部は、パッシベーション膜の開口部、または、開口部内の電極パッドを下地パターンとすることで形成することができる。本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。