"光信号伝搬用の導波路を形成するための基板と、前記基板の表面に配設されて、前記導波路の一部を構成する2本のアーム導波路及び前記アーム導波路と前記基板の表面とを覆うクラッドからなる導波路素子と、前記導波路素子の表面に配設され前記アーム導波路を加熱するためのヒータとを備えた導波路型可変光減衰器において、前記2本のアーム導波路間の中央部間寸法Lは、高熱伝導部材を用いることなく、前記ヒータへの電圧印加を開始してから10msec以内に、前記2本のアーム導波路がそれぞれ加熱され、かつ、所定の温度差となる寸法であることを特徴とする導波路型可変光減衰器。しかし、前者特許文献1にあっては、2つのアーム導波路94,95のうち一方のアーム導波路94をヒータ96によって単に加熱するものであるため、所望の応答時間を得ることができない。一方、後者特許文献2にあっては、放熱用突起106によってヒータ104からの発生熱を放熱用突起106から放散させて光スイッチとしての高速化を実現しているものの、光導波路102をヒータ104によって単に加熱するものであるため、この場合も特許文献1に示す導波路型可変光減衰器と同様に所望の応答時間を得ることができない。そこで、本発明者は、光干渉系を用いた導波路型可変光減衰器において応答時間を高めることの検討を開始したが、その過程で2つのアーム導波路を熱的に接続すると、ヒータへの電圧印加開始から所定の光減衰量となる2つのアーム導波路間の温度差が所定の温度差に到達するまでの時間を短縮できることを見出した。従って、本発明の目的は、ヒータへの電圧印加開始から所定の光減衰量となるまでの時間を短縮することができ、もって所望の応答時間を得ることができる導波路型可変光減衰器及びその製造方法を提供することにある。本発明は、上記目的を達成するために、光信号伝搬用の導波路を形成するための基板と、前記基板の表面に配設されて、前記導波路の一部を構成する2本のアーム導波路及び前記アーム導波路と前記基板の表面とを覆うクラッドからなる導波路素子と、前記導波路素子の表面に配設され前記アーム導波路を加熱するためのヒータとを備えた導波路型可変光減衰器において、前記2本のアーム導波路間の中央部間寸法Lは、高熱伝導部材を用いることなく、前記ヒータへの電圧印加を開始してから10msec以内に、前記2本のアーム導波路がそれぞれ加熱され、かつ、所定の温度差となる寸法であることを特徴とする導波路型可変光減衰器を提供する。本発明によると、ヒータへの電圧印加開始から所定の光減衰量となるまでの時間を短縮することができ、所望の応答時間を得ることができる。実施の形態図1は、本発明の実施の形態に係る導波路型可変光減衰器を説明するために示す上面図である。図2は、図1のA-A断面図である。導波路型可変光減衰器の全体構成図1及び図2において、符号1で示す導波路型可変光減衰器は、光信号伝搬用の導波路9を形成するための基板2と、導波路9及びクラッド8からなる光導波路素子3と、位相シフタとなるヒータ好ましくは薄膜ヒータ4と、電圧供給用の電極5,6と、高熱伝導性部材であるチップ7とから大略構成されている。基板2の構成基板2は、全体が石英製の矩形板によって形成され、その上面に光導波路素子3及びヒータ4電極5,6チップ7を実装するように構成されている。光導波路素子3の構成光導波路素子3は、図1及び図2に示すように、クラッド8及び導波路9コア径8μmからなり、基板2上に配設されている。クラッド8は、SiO2膜によって形成され、導波路9を覆うように構成されている。導波路9は、所定の間隔をもって互いに並列する入力側Y分岐導波路9A出力側Y分岐導波路9B及びこれら両Y分岐導波路9A,9Bを繋ぐ2本のアーム導波路9C,9Dを有するマッハツェンダー干渉計からなり、比屈折率差0.3となるGeドープSiO2層によって形成されている。両アーム導波路9C,9D間の中央部間寸法L図9参照は、その光学特性の影響を互いに受ける例えば光が結合するようになる間隔と同程度又はそれ以上の間隔をもって配置されている。ここでは、両アーム導波路9C,9D間の中央部間寸法Lは、両アーム導波路間寸法のうち最大の寸法に設定されている。ヒータ4の構成ヒータ4は、図1及び図2に示すように、クラッド8上に配設され、アーム導波路9C,9Dのうち例えば一方のアーム導波路9Cの中央部を被覆して加熱するように構成されている。ヒータ4の抵抗値は300Ω程度に設定されている。なお、ヒータ4は、一方のアーム導波路9Cの中央部を被覆して加熱する代わりに、他方のアーム導波路9Dの中央部を被覆して加熱するような構成としてもよい。電極5,6の構成電極5,6は、図1に示すように、クラッド8上に配設され、かつヒータ4に接続されている。そして、ヒータ4に電源電圧を供給するように構成されている。チップ7の構成チップ7は、図1及び図2に示すように、クラッド8上にヒータ4を介在させ接着剤10によって配設接着され、かつ両アーム導波路9C,9D周辺の領域に跨る両アーム導波路9C,9D及びこれら両アーム導波路9C,9D間の領域を覆うような位置に配置され、熱伝導率を160W/mKとするSiシリコンからなる平面矩形状の高熱伝導性部材によって形成されている。そして、両アーム導波路9C,9Dを熱的に接続し、導波路型可変光減衰器1の応答時間を短縮するように構成されている。チップ7の平面サイズ縦横寸法は、アーム導波路9C,9Dの中央部及びヒータ4を覆うような縦横寸法例えば縦39.6mm,横5.6mmに設定されている。また、チップ7の厚さは、両アーム導波路9C,9D間の熱伝導が効率的に行われるに十分な寸法例えば1mmに設定されている。なお、チップ7の材料としては、Siの他に、SiO2石英ガラスの熱伝導率1.3W/mKより十分に高い熱伝導率をもつAlアルミニウム:熱伝導率237W/mWやCu銅:熱伝導率401W/mKが用いられる。また、接着剤10としては、熱伝導率が比較的高いシリコーン樹脂グリース1.1W/mKが用いられるが、チップ7とクラッド8との接着を可能にするものであれば、他の材料でもよい。次に、本発明の実施の形態に係る導波路型可変光減衰器1の製造方法について説明する。導波路型可変光減衰器1の製造方法先ず、基板2上に導波路9となるGeドープSiO2膜をCVD化学気相成長法を用いて形成する。次に、フォトリソグラフィ技術などを用いて導波路9マッハツェンダー干渉計のパターンをGeドープSiO2膜に形成した後、RIEリアクティブイオンエッチングなどのエッチング技術を用いて導波路9を形成する。そして、CVDなどの成膜技術を用い、導波路9上にクラッド8となるSiO2膜を形成する。この後、フォトリソグラフィ及びRIEなどの半導体製造技術を用い、クラッド8上にヒータ4及び電極5,6を形成してから、ヒータ4及び電極5,6の一部アーム導波路9C,9Dの中央部上方を覆うようにSi製のチップ7を接着剤10によって接着する。次に、本実施の形態におけるマッハツェンダー型光干渉回路を用いた導波路型可変光減衰器1の応答時間を決定する伝熱メカニズム熱応答について、図3及び図4を参照しながら等価回路を用いて考察する。図3は、本発明の実施の形態に係る導波路型可変光減衰器のアーム導波路図1のA-A線付近におけるヒータ通電時の温度分布を示すグラフである。なお、T3はヒータ4を通電しないときヒータ4の非通電時のアーム導波路9C,9Dの温度で、一般的には雰囲気温度Taである。ヒータ通電時にはチップ7によってアーム導波路9Dにも伝熱するため、アーム導波路9Dの温度をT2とすると、温度T2>T3となる。アーム導波路9Cはヒータ4の直下付近に配置されているため、アーム導波路9Cのヒータ通電時の温度をT1とすると、T1>T2>T3となる。この温度差T1-T2を利用して本導波路型可変光減衰器1は光を減衰させる。そして、T2>T3であることによって高速スイッチングすることができる。図4は、本発明の実施の形態に係る導波路型可変光減衰器の熱応答に関し、等価回路に置き換えた場合について説明するために示す図である。図4aは導波路型可変光減衰器の断面図であり、図4bはその等価回路図である。図4に示すように、2本のアーム導波路9C,9D間の温度差は等価回路において電位差V12と置き換えることができる。ヒータ4は、電源からの電圧に応じて特定の熱量を供給するため、その特定熱量を電流Iの電源と置き換えることができる。これにより、導波路型可変光減衰器1の消費電力は等価回路における電流Iに比例する。アーム導波路9Cはヒータ4からの熱量を自身の熱容量分だけ吸収し、吸収されない熱量をアーム導波路9Dコアの周辺領域コアを含む領域に熱伝導率に応じて放出する。このため、両アーム導波路9C,9D間の体積がもつ熱容量を静電容量Cのコンデンサと、またアーム導波路9Cに吸収されない熱量をアーム導波路9Dコアの周辺領域コアを含む領域に放出する際の熱抵抗熱伝導率に応じたものを抵抗Rとそれぞれ置き換えることができる。ここで、導波路型光干渉回路の熱応答は、アーム導波路9Cに電源電流Iを接続し、コンデンサCと抵抗Rとを両アーム導波路9C,9D間に並列接続した等価回路として置き換えることができる。導波路型可変光減衰器1の応答時間については、光の減衰出力が両アーム導波路9C9D間の温度差によって決まることから、前記した等価回路においてアーム導波路9Dを0電位とした場合のアーム導波路9Cの電位差V12の過渡応答特性によって置き換えることができる。過渡応答の理論により、電位差V12の応答を求めると次の式で表される。V12t=IR1-exp-t/τ但しτ=RCここで、τは次定数であり、V12が最終値の63.2の値になるまでの時間に等しい。よって、τ=RCの値を小さくすることが等価回路においてV12の応答時間を短縮することになる。V12の応答時間を短縮することは、導波路型可変光減衰器1の両アーム導波路9C,9D間において温度差を付ける時間を短縮することになる。すなわち、導波路型可変光減衰器1の応答時間を短縮するためには、両アーム導波路9C,9D間の熱的距離熱抵抗Rを小さくすればよい。V12の応答時間はτ=RCで表される。一方、光減衰器の消費電力は消費電流I=V12/Rで表される。上記2式より、τI=V12CV12は設計で決まる定数τIは応答時間と消費電力の積の値であり、従って、応答時間及び、消費電力を小さくするためには熱容量Cを小さくすればよい。本発明ではアーム導波路9C,9D間の熱的距離熱抵抗Rと熱容量Cを小さくできるので、光減衰器の応答時間を短縮することができる。また、同時に消費電力を低減することも可能である。従って、本実施の形態においては、導波路型可変光減衰器1の応答時間を短縮するために、高熱伝導性部材Siからなるチップ7によって両アーム導波路9C,9Dが熱的に接続されている。次に、熱伝導率が互いに異なる高熱伝導性部材を用いた導波路型可変光減衰器と、高熱伝導性部材を用いない導波路型可変光減衰器との応答時間について比較考察する。高熱伝導性部材として各熱伝導率が互いに異なるSiチップまたはAlチップ若しくはCuチップを用いた導波路型可変光減衰器と従来の高熱伝導性部材を用いない導波路型可変光減衰器を用意し、これら各導波路型可変光減衰器のヒータに電圧を印加して光導波路出力を所定の時間毎に測定した。この結果、各光導波路出力の90となった時間を各導波路型可変光減衰器の応答時間とすると、従来の導波路型可変光減衰器の応答時間は30msecであるのに対し、高熱伝導性部材としてSiチップまたはAlチップ若しくはCuチップを用いた導波路型可変光減衰器の応答時間はそれぞれ約8msec,約2.5msec,約2.0msecとなった。よって、高熱伝導性部材を用いた導波路型可変光減衰器の応答時間は高熱伝導性部材を用いない導波路型可変光減衰器の応答時間に比べて短縮されることが、また高熱伝導性部材を用いた導波路型可変光減衰器の中では高熱伝導性部材の熱伝導率が高い程応答時間が短縮されることが確認された。このことは、図5のグラフ縦軸は規格化した光出力無単位を、横軸は応答時間msecを示す。に示す通りである。また、次に示すことが確認された。すなわち、導波路型可変光減衰器において、熱伝導率αが500W/mKより大きい熱伝導率をもつ高熱伝導性部材を用いた場合その応答時間に大きな影響はなく、また100W/mKより小さい熱伝導率をもつ高熱伝導性部材を用いた場合その応答時間が10msec以上となり、実用的に効果がない。よって、高熱伝導性部材の熱伝導率αは100w/mK≦α≦500W/mKの範囲内にある熱伝導率に設定されていることが望ましい高熱伝導性部材の材料としてα>500W/mKの材料を用いても何等差し支えない。このことは、図6のグラフ縦軸は応答時間msecを、横軸は熱伝導率W/mKをそれぞれ示すに示す通りである。実施の形態の効果以上説明した実施の形態によれば、次に示す効果が得られる。2本のアーム導波路9C,9Dは、高熱伝導性部材であるチップ7によってそれぞれが互いに熱的に接続されているため、ヒータ4への電圧印加開始から所定の光減衰量となるまでの時間を短縮することができ、所望の応答時間を得ることができる。以上、本発明の導波路型可変光減衰器を上記の実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能であり、例えば次に示すような変形も可能である。1本実施の形態では、チップ7がクラッド8上に接着剤10によって接着されている場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、図7に示すようにヒータ4を覆うSiO2層からなる保護膜としての電気絶縁層61厚さ3μmをクラッド8上に形成するとともに、この電気絶縁層61上に接着剤10によってチップ7を配設してもよい。この場合、電気絶縁層61の厚さに接着剤10の厚さを加えた寸法は30μm以下の寸法に設定されている。接着剤10としては、チップ7と電気絶縁層61との接着を可能にする材料であればよい。2本実施の形態では、チップ7がヒータ4の上方であって両アーム導波路9C,9D及びこれら両アーム導波路9C,9D間の領域を覆うような位置に配置されている場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、図8に示すようにアーム導波路9C及びこのアーム導波路9Cとアーム導波路9Dの近傍位置との間の領域を覆うような位置にチップ7を配置してもよい。すなわち要するに、本発明はヒータ4の発生熱がアーム導波路9Dに伝達されるのであれば、少なくともヒータ4による加熱対象側のアーム導波路を覆うような位置にチップ7が配置されていればよい。3本実施の形態において、両アーム導波路9C,9D間の中央部付近の間隔ギャップL図9参照については、各アーム導波路9C,9Dが互いに接近するような位置に配置されていることが望ましい。この場合、熱抵抗Rの低減のために、高熱伝導部材を用いて熱的距離を小さくするかわりに物理的距離を小さくして熱的距離を小さくすることができる。これにより、前述したように、両アーム導波路9C,9D間の熱抵抗Rを小さくすると共に、両アーム導波路9C,9D間の熱容量Cを小さくすることができるため、応答時間を短縮し、消費電力を低減することができる。また、比屈折率差0.3,コア径8μmの光導波路素子の場合、両アーム導波路9C,9Dの間隔Lが30μmより小さくなると、両アーム導波路9C,9Dで光結合するようになり、光学特性に影響を及ぼすため、間隔Lの下限値は30μm程度にするとよい。一方、従来の一般的間隔である250μm程度にした場合でも、高熱伝導部材を用いることにより、間隔L=30μmの場合と同程度の応答時間を得ることができる。4本実施の形態では、チップ7がアーム導波路9C,9Dの上方に配置されている場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、アーム導波路9C,9Dの下方にチップ7を配置しても実施の形態と同様の効果を奏する。"