発光ダイオードを製造する発光ダイオードの製造方法であって、表裏の関係である第1表面及び第2表面を有し、前記第1表面上に基板が配置された発光エピタキシャル構造を準備する工程と、前記発光エピタキシャル構造の前記第2表面上に金属層を形成する工程と、陽極酸化ステップにより前記金属層を酸化し、金属酸化物層を形成する工程と、エッチングステップにより前記金属酸化物層の一部を除去し、前記金属酸化物層の中に複数のホールを形成する工程と、前記発光エピタキシャル構造に直接接触する金属電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。前記金属層は、Al、Mn、Zn、Ni、Ag又はTiであることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。前記ホールのサイズは、1nmから1000nmの間であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。前記エッチングステップにおいて、燐酸、蓚酸又は硫酸溶液であるエッチング液を用いることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。前記ホールは、前記発光エピタキシャル構造の一部を露出することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。前記金属層の厚さは、1nmから1000nmの間であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。本発明の第1の目的は、陽極酸化法により発光ダイオードの表面の金属層を酸化してから、エッチングにより金属酸化物層の一部を除去し、ナノスケールホールを均一に形成し、発光ダイオードの表面に粗化処理を施し、発光ダイオードの光取り出し効率を効果的に改善する発光ダイオードの製造方法を提供することにある。本発明の第2の目的は、陽極酸化及びエッチングを利用し、エッチングパラメータを制御することにより均一に分布したナノスケールホールを形成し、ホールのサイズ及び間隔を精確に制御する発光ダイオードの製造方法を提供することにある。本発明の第3の目的は、光取出面上に均一に分布されたホールを有する陽極酸化金属層を形成することにより非常に優れた光取り出し効率を得て、発光ダイオード素子の光出力を増大させて発光ダイオード素子の応用範囲を広げる発光ダイオードを提供することにある。このような技術的課題解決のため、本発明にあっては、表裏の関係である第1表面及び第2表面を有し、前記第1表面上に基板が配置された発光エピタキシャル構造を準備する工程と、前記発光エピタキシャル構造の前記第2表面上に金属層を形成する工程と、陽極酸化ステップにより前記金属層を酸化し、金属酸化物層を形成する工程と、エッチングステップにより前記金属酸化物層の一部を除去し、前記金属酸化物層の中に複数のホールを形成する工程とを含むことを特徴とする。本発明は、前記金属層は、Al、Mn、Zn、Ni、Ag又はTiからなることを特徴とする。本発明は、前記ホールのサイズは1から1000nmの間であることを特徴とする。本発明は、前記エッチングステップにおいて、燐酸、蓚酸又は硫酸溶液であるエッチング液を用いることを特徴とする。本発明は、前記発光エピタキシャル構造は、順次積層された第1導電型の半導体層、活性層及び第2導電型の半導体層を含み、前記第1導電型の半導体層と前記第2導電型の半導体層は、導電型が異なることを特徴とする。本発明は、前記金属層は、前記発光エピタキシャル構造の前記第2表面の第1部分上に形成され、前記発光エピタキシャル構造の前記第2表面の第2部分を露出することを特徴とする。本発明は、前記基板の薄化工程をさらに含むことを特徴とする。本発明は、前記発光エピタキシャル構造の前記第2表面の前記第2部分上と、前記基板の露出表面上とに金属電極を2つ形成する工程をさらに含むことを特徴とする。本発明は、前記ホールは、前記発光エピタキシャル構造の前記第2表面の前記第1部分の一部を露出することを特徴とする。本発明は、前記ホールは、前記発光エピタキシャル構造の前記第2表面の前記第1部分の一部を露出しないことを特徴とする。本発明は、前記発光エピタキシャル構造を準備する工程は、もう一つの基板を準備するステップと、前記発光エピタキシャル構造の前記第2表面上に形成された前記もう一つの基板上に前記発光エピタキシャル構造を形成するステップと、前記発光エピタキシャル構造の前記第1表面上に前記基板を形成するステップと、前記もう一つの基板を除去し、前記発光エピタキシャル構造の前記第2表面を露出するステップと、を含むことを特徴とする。本発明は、前記発光エピタキシャル構造の前記第2表面の前記第2部分上と、前記基板の露出表面上とに金属電極を2つ形成する工程をさらに含むことを特徴とする。本発明は、前記発光エピタキシャル構造は、前記基板と前記第1導電型の半導体層の間に形成されたバッファ層をさらに備えることを特徴とする。本発明は、前記金属層を形成する工程の前に、前記第2導電型の半導体層の一部及び前記活性層の一部を除去し、前記第1導電型の半導体層の一部を露出する工程をさらに含むことを特徴とする。本発明は、前記金属層は、前記第2導電型の半導体層の残留部分の第1部分上に形成され、前記第2導電型の半導体層の前記残留部分の第2部分を露出することを特徴とする。本発明は、前記陽極酸化ステップの後に行う前記基板の薄化ステップをさらに含むことを特徴とする。本発明は、前記第1導電型の半導体層の前記露出部分上と、記第2導電型の半導体層の前記残留部分の前記第2部分上とに金属電極を2つ形成する工程をさらに含むことを特徴とする。本発明は、前記陽極酸化ステップと金属電極の形成ステップの間に、透明電極を形成して前記金属層及び前記ホールを覆う工程をさらに含むことを特徴とする。本発明は、前記金属層の厚さは1から1000nmの間であることを特徴とする。本発明は、前記陽極酸化ステップを行うときの反応電圧は2から100Vの間であることを特徴とする。本発明は、表裏の関係である第1表面及び第2表面を有する基板を準備する工程と、前記基板上に順次積層された第1導電型の半導体層、活性層及び第2導電型の半導体層を含み、前記第1導電型の半導体層と前記第2導電型の半導体層とは導電型が異なる発光エピタキシャル構造を前記基板の前記第1表面上に形成する工程と、前記第2導電型の半導体層の一部及び前記活性層の一部を除去し、前記第1導電型の半導体層の一部を露出する工程と、前記基板の前記第2表面上に金属層を形成する工程と、陽極酸化ステップにより前記金属層を酸化し、金属酸化物層を形成する工程と、エッチングステップにより前記金属酸化物層の一部を除去し、前記金属酸化物層の中に複数のホールを形成する工程と、その表面上に少なくとも2つのボンディングバンプが設けられたサブマウントを準備する工程と、フリップチップステップを行って、前記第1導電型の半導体層及び前記第2導電型の半導体層の露出部分を前記サブマウントの前記ボンディングバンプにそれぞれ接続する工程と、を含むことを特徴とする。本発明は、前記金属層は、Al、Mn、Zn、Ni、Ag又はTiからなることを特徴とする。本発明は、前記金属層の厚さは1から1000nmの間であることを特徴とする。本発明は、前記陽極酸化ステップを行うときの反応電圧は2から100Vの間であることを特徴とする。本発明は、前記ホールのサイズは1から1000nmの間であることを特徴とする。本発明は、前記ホールは、前記基板の前記第2表面の一部を露出することを特徴とする。本発明は、表裏の関係である第1表面及び第2表面を有し、前記第1表面上に基板が配置された発光エピタキシャル構造と、前記発光エピタキシャル構造の前記第2表面上に形成され、金属層からなり複数のホールを含む陽極酸化金属層とを備えることを特徴とする。本発明は、前記金属層は、Al、Mn、Zn、Ni、Ag又はTiからなることを特徴とする。本発明は、前記金属層の厚さは1から1000nmの間であることを特徴とする。本発明は、前記ホールのサイズは1から1000nmの間であることを特徴とする。本発明は、前記発光エピタキシャル構造は、順次積層された第1導電型の半導体層、活性層及び第2導電型の半導体層を含み、前記第1導電型の半導体層と前記第2導電型の半導体層は導電型が異なることを特徴とする。本発明は、前記金属層は、前記発光エピタキシャル構造の前記第2表面の第1部分上に形成され、前記発光エピタキシャル構造の前記第2表面の第2部分を露出することを特徴とする。本発明は、前記発光エピタキシャル構造の前記第2表面の前記第2部分と、前記基板の露出表面上とに金属電極を2つ形成する工程をさらに含むことを特徴とする。本発明は、前記ホールは、前記発光エピタキシャル構造の前記第2表面の前記第1部分の一部を露出することを特徴とする。本発明は、前記ホールは、前記発光エピタキシャル構造の前記第2表面の前記第1部分の一部を露出しないことを特徴とする。本発明は、前記第2導電型の半導体層と前記活性層からなる積層構造は、前記第1導電型の半導体層の一部に配置され、前記第1導電型の半導体層のその他の部分を露出することを特徴とする。本発明は、前記金属層は、前記第2導電型の半導体層の第1部分上に形成され、前記第2導電型の半導体層の第2部分を露出することを特徴とする。本発明は、前記第1導電型の半導体層の前記露出部分上と、前記第2導電型の半導体層の前記第2部分上とに形成する2つの金属電極をさらに備えることを特徴とする。本発明は、前記陽極酸化金属層及び前記ホールを覆う透明電極をさらに備えることを特徴とする。本発明は、基板、発光エピタキシャル構造、陽極酸化金属層及びサブマウントを備える発光ダイオードであって、前記基板は、表裏の関係である第1表面及び第2表面を有し、前記発光エピタキシャル構造は、前記基板の前記第1表面上に配置され、前記基板上に順次積層された第1導電型の半導体層、活性層及び第2導電型の半導体層を含み、前記活性層及び前記第2導電型の半導体層から構成された積層構造が前記第1導電型の半導体層の一部を露出し、前記第1導電型の半導体層と前記第2導電型の半導体層は導電型が異なり、前記陽極酸化金属層は、前記基板の前記第2表面上に形成され、複数のホールを含んだ金属層からなり、前記サブマウントは、その表面上に少なくとも2つのボンディングバンプが設けられ、前記第1導電型の半導体層及び前記第2導電型の半導体層の露出部分が前記サブマウントの前記ボンディングバンプにそれぞれ接続されていることを特徴とする。本発明は、前記金属層は、Al、Mn、Zn、Ni、Ag又はTiからなることを特徴とする。本発明は、前記金属層の厚さは1から1000nmの間であることを特徴とする。本発明は、前記ホールのサイズは1から1000nmの間であることを特徴とする。本発明は、前記ホールは、前記基板の前記第2表面の一部を露出することを特徴とする。本発明の発光ダイオード及びその製造方法は、光取出面上の金属層に対して陽極酸化及びエッチングを行うことにより、素子の光取出面上に均一に分布したナノスケールホールを有する陽極酸化金属層を形成し、素子の光取出面の粗化を容易に行うことができる。そのため、製造工程が簡単で実施が容易であるだけでなく、収率を向上させ、光取出しが均一で光取り出し効率に優れた発光ダイオード素子を得ることができる。本発明の発光ダイオード及びその製造方法は、陽極酸化とエッチング技術の簡単な組み合わせにより、発光ダイオード素子の光取出面に均一な粗化処理を行う。以下、本発明がより詳細かつ完全に理解できるように、図1Aから図5Fと併せて説明する。図1Aから図1Dは、本発明の第1実施形態による発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。まず、表裏の関係にある2つの表面を有する基板100を準備する。この基板100は、GaAsやInPなどの半導体材料からなる。図1Aに示すように、エピタキシャル法を利用し、基板100の一表面上に発光エピタキシャル構造102を成長させる。発光エピタキシャル構造102は、AlGaInP系材料、InAlGaAs系材料やAlGaInN系材料などからなってもよい。一般に、この発光エピタキシャル構造102は、基板100上に順次積層された第1導電型の半導体層、活性層及び第2導電型の半導体層を含んでもよい。第1導電型の半導体層と第2導電型の半導体層は、導電型が異なり、第1導電型の半導体層がp型のとき、第2導電型の半導体層はn型であり、第1の導電型の半導体層がn型のとき、第2導電型の半導体層はp型である。続いて、スパッタリング法や蒸着法を利用し、発光エピタキシャル構造102の基板100の反対側である表面上に金属層104を形成する。図1Bに示すように、金属層104は、フォトリソグラフィエッチング法又はリフトオフliftoff法により、発光エピタキシャル構造102の表面の一部に形成され、発光エピタキシャル構造102の表面上に露出部分106が形成される。金属層104は、例えばAl、Mn、Zn、Ni、Ag又はTiからなり、約1から1000nmの間の厚さを有する。金属層104が形成された後、金属層104に陽極酸化ステップを行い、金属層104を金属酸化物層108に形成する。金属層104の陽極酸化ステップにより、多孔質構造を有する金属酸化物層108を形成し、酸化性雰囲気酸化電圧などを適切に制御することにより、金属酸化物層108の表面上に揃えて配置されたホールを形成する。第1実施形態では、陽極酸化ステップにおける反応電圧を約2から100Vの間に制御することが好ましい。金属酸化物層108の表面に形成されるホールは、酸化時間が長いほど深くなる。金属層104の陽極酸化ステップを行った後、ウェットエッチング法を利用し、金属酸化物層108の一部をエッチング液で除去する。このエッチング液は、酸性溶液例えば、燐酸、蓚酸又は硫酸溶液を用いることが好ましい。図1Cに示すように、陽極酸化ステップを行った後に形成される金属酸化物層108の表面は多孔質構造を有するため、エッチングを行うと、金属酸化物層108には均一に分布されたホール110が形成される。ホール110のサイズ及び間隔は、エッチング液の成分や濃度、エッチングの時間や温度などのパラメータを変えて調整することができる。本実施形態で形成されるホール110のサイズは、約1から1000nmの間である。本実施形態では、金属酸化物層108に貫設されたホール110は、下方にある発光エピタキシャル構造102の表面を露出させる。しかし、図1Eに示すように、他の実施形態では、金属酸化物層108のエッチングを行うと、均一に分布されたホール116が形成されるが、これらホール116は金属酸化物層108に完全に貫設された状態ではない。続いて、選択的に基板の薄化処理を行い、基板100の厚さを低減する。その後、スパッタリング法や蒸着法を利用し、図1C又は図1Eに示す発光エピタキシャル構造102の露出部分106と、基板100の発光エピタキシャル構造102の反対側である表面上に、それぞれ電極112、114を形成し、図1D又は図1Fに示すような構造を形成する。電極112、114は、良好な導電性性能を備えた金属電極であることが好ましい。本発明は、金属に陽極酸化処理を行った後、形成された金属酸化物層の中に揃えて配置されたホール構造が形成される。そして、ウェットエッチングを行って金属酸化物層の中に均一に分布されたナノスケールホールを形成することができる。そのため、全体の製造工程は複雑でなく非常に簡単である。また、発光ダイオード素子の表面の粗化処理を容易に行い、発光ダイオードの光取り出し効率を向上させ、金属酸化物層の中のホールが揃えて配置されるため、素子の光取出の均一度に悪影響を与えず、素子の発光品質を向上させることができる。図2Aから図2Eは、本発明の第2実施形態による発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。第2実施形態では、まず、エピタキシャル材料をその上に成長させるための基板200を提供する。この基板200は、GaAs、InPやサファイアsapphireなどの半導体材料からなってもよい。図2Aに示すように、エピタキシャル法を利用し、基板200の一表面上に発光エピタキシャル構造202を成長させる。発光エピタキシャル構造202は、AlGaInP系材料、InAlGaAs系材料やAlGaInN系材料などからなってもよい。この発光エピタキシャル構造202は、基板200上に順次積層された第1導電型の半導体層、活性層及び第2導電型の半導体層を含んでもよい。第1導電型の半導体層と第2導電型の半導体層は、導電型が異なる。例えば、第1導電型の半導体層がp型のとき、第2導電型の半導体層はn型であり、第1の導電型の半導体層がn型のとき、第2導電型の半導体層はp型である。続いて、もう一つの基板204を準備する。発光エピタキシャル構造202は、ウェハー接合WaferBonding法により、一方の面に成長基板200を接合し、他方の面に基板204を接合し、図2Bに示すような構造を形成する。基板204は、Si、CuやMoなどの放熱性が良好な材料からなることが好ましい。続いて、図2Cに示すように、エッチング、研磨又はレーザ技術により、成長基板200を有する発光エピタキシャル構造202の表面が露出されるまで成長基板200を除去する。続いて、スパッタリング法や蒸着法により、発光エピタキシャル構造202の基板204の反対側である露出表面上に金属層206を形成する。図2Dに示すように、金属層206を製作するときは、フォトリソグラフィエッチング法又はリフトオフ法により、発光エピタキシャル構造202の露出表面の一部に金属層206を形成し、発光エピタキシャル構造202の表面上に露出部分208を形成する。第1実施形態と同様に、金属層206は、例えばAl、Mn、Zn、Ni、Ag又はTiからなり、約1から1000nmの間の厚さを有する。続いて、陽極酸化ステップを行い、金属層206を金属酸化物層210に形成する。金属層206の陽極酸化ステップにより、多孔質構造を有する金属酸化物層210を形成する。そして、酸化性雰囲気酸化電圧などを適切に制御することにより、金属酸化物層210の表面上に、揃えて配置されたホールを形成する。第2実施形態では、陽極酸化ステップにおける反応電圧を約2から100Vの間に制御することが好ましい。金属酸化物層210の表面上に形成されるホールの深さは、酸化時間の調整により制御することができる。続いて、ウェットエッチング法により金属酸化物層210の一部をエッチング液で除去する。このエッチング液は、酸性溶液例えば、燐酸、蓚酸又は硫酸溶液を用いることが好ましい。金属酸化物層210の表面は多孔質構造であるため、ウェットエッチングを行うと、金属酸化物層210に均一に分布されたホール212が形成される。これにより、発光ダイオード素子の光取出面を粗化させることができる。ホール212のサイズ及び間隔は、エッチング液の成分や濃度、エッチングの時間や温度などのパラメータを変えて調整することができる。本実施形態で形成されるホール212のサイズは、約1から1000nmの間である。金属酸化物層210に貫設されたホール212は、下方にある発光エピタキシャル構造202の表面を露出することができる。しかし、図2Fに示すように、他の実施形態では、金属酸化物層210のエッチングを行った後のホール218は、均一に分布された状態に形成されるが、金属酸化物層210に完全に貫設された状態には形成されない。その後、スパッタリング法や蒸着法を利用し、発光エピタキシャル構造202の露出部分208と、基板204の発光エピタキシャル構造202の反対側である表面上とに、電極214、216をそれぞれ形成し、図2E又は図2Gに示すような構造である発光ダイオード素子の製作を完了する。電極214、216は、良好な導電性性能を備えた金属からなることが好ましい。上述の第1実施形態及び第2実施形態は、垂直導電型発光ダイオード素子の製造に関するが、本発明は同じ側に電極が設けられた発光ダイオード素子の製造にも応用することができる。図3Aから図3Dは、本発明の第3実施形態による発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。第3実施形態は、同じ側に電極が設けられた発光ダイオード素子の製造に関する。まず、サファイアやSiCなどからなる基板300を準備する。そして、エピタキシャル法などを利用し、基板300の表面上に発光エピタキシャル構造310を成長させる。この発光エピタキシャル構造310は、AlGaInN系材料などからなってもよい。また、この発光エピタキシャル構造310は、基板300上に順次積層された第1導電型の半導体層304、活性層306及び第2導電型の半導体層308を含んでもよい。第1導電型の半導体層304と第2導電型の半導体層308は、導電型が異なる。例えば、第1導電型の半導体層304がp型のとき、第2導電型の半導体層308はn型であり、第1導電型の半導体層304がn型のとき、第2導電型の半導体層308はp型である。本実施形態では、基板300上にスムースに半導体材料のエピタキシャル成長を行うため、第1導電型の半導体層304を成長させる前に、バッファ層302を選択的に積層させてもよい。この場合、本実施形態の発光エピタキシャル構造310は、基板300と第1導電型の半導体層304の間に形成されたバッファ層302をさらに含む。第1導電型の半導体層304及び第2導電型の半導体層308は、GaNなどからなり、活性層306は、InGaN/GaNMQWなどの構造からなってもよい。発光エピタキシャル構造310を形成した後に、フォトリソグラフィ及びエッチング技術により、下方にある第1導電型の半導体層304が露出されるまで第2導電型の半導体層308の一部及び活性層306の一部を除去し、第1導電型の半導体層304に露出部分312を画定する。続いて、図3Bに示すように、スパッタリング法又は蒸着法にフォトリソグラフィエッチング法又はリフトオフ法を組み合わせた方法により、残留された第2導電型の半導体層308の表面の一部に金属層314を形成し、第2導電型の半導体層308の表面に露出部分316を画定する。金属層314は、例えばAl、Mn、Zn、Ni、Ag又はTiからなり、約1から1000nmの間の厚さを有する。続いて、陽極酸化ステップを行い、金属層314を金属酸化物層318に形成する。第3実施形態では、陽極酸化ステップを行うときの反応電圧を約2から100Vの間に制御することが好ましい。そして、この陽極酸化ステップにより、金属層314は多孔質構造を有する金属酸化物層318に形成される。また、酸化性雰囲気酸化電圧などを適切に制御することにより、金属酸化物層318の表面上には、揃えて配置されたホールが形成される。続いて、金属酸化物層318を形成した後に、ウェットエッチング法により金属酸化物層318の一部をエッチング液で除去する。このエッチング液には、酸性溶液例えば、燐酸、蓚酸又は硫酸溶液を用いることが好ましい。金属酸化物層318の表面には、揃えて配置されたホールが形成されるため、ウェットエッチングを行うと、金属酸化物層318に均一に分布されたホール320が形成される。これにより発光ダイオード素子の光取出面を均一に粗化することができる。ホール320のサイズ及び間隔は、エッチング液の成分や濃度、エッチングの時間や温度などのパラメータを変えて調整することができる。本実施形態で形成するホール320のサイズは、約1から1000nmの間である。図3Cに示すように、金属酸化物層318に貫設されたホール320は、その下にある第2導電型の半導体層308の表面を露出させる。また、図3Fに示すように、他の実施形態では、金属酸化物層318のエッチングを行うと、ホール328は、均一に分布された状態に形成されるが、金属酸化物層318に完全に貫設された状態とはならない。その後、積層方式などを利用し、まず、透明電極326を選択的に形成し、金属酸化物層318、ホール320、及びホール320により露出された第2導電型の半導体層308の表面を覆う。透明電極326は、ITOやIZOなどからなってもよい。その後、図3Dに示すように、スパッタリング法や蒸着法を利用し、第1導電型の半導体層304の露出部分312上と、第2導電型の半導体層308の露出部分316上とに電極322、324をそれぞれ形成する。電極322、324は、良好な導電性性能を備える金属電極であることが好ましい。また本発明では、透明電極326を形成せずに、電極322、324を直接に形成してもよい。続いて、選択的に基板の薄化処理を行い、基板300の厚さを低減する。その後、積層、陽極酸化及びエッチングステップなどにより、ナノスケールホールを有する金属酸化物層330を形成し、基板300の発光エピタキシャル構造310の反対側である表面の一部を覆い、基板300の表面の残りの一部を露出させる。続いて、図3E及び図3Fに示すように、積層方式により誘電体層332を形成し、金属酸化物層330と、露出された基板300の表面上とを覆い、発光ダイオード素子の製作を完了する。誘電体層332は、全体の光取り出し効率を向上させるため、酸化ケイ素や窒化ケイ素などからなってもよい。図4Aから図4Eは、本発明の第4実施形態による発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。まず、サファイアやSiCなどからなる基板400を準備する。エピタキシャル法などを利用し、基板400の表面上に発光エピタキシャル構造410を成長させる。発光エピタキシャル構造410は、AlGaInN系材料などからなってもよい。この発光エピタキシャル構造410は、基板400上に順次積層された第1導電型の半導体層404、活性層406及び第2導電型の半導体層408を含んでもよい。第1導電型の半導体層404と第2導電型の半導体層408は、導電型が異なる。例えば、第1導電型の半導体層404がp型のとき、第2導電型の半導体層408はn型であり、第1導電型の半導体層404がn型のとき、第2導電型の半導体層408はp型である。本実施形態では、第1導電型の半導体層404のスムースなエピタキシャル成長のために、第1導電型の半導体層404を成長させる前に、バッファ層402を選択的に積層させてもよい。その場合、第4実施形態の発光エピタキシャル構造410は、基板400と第1導電型の半導体層404の間に形成されたバッファ層402をさらに含む。第1導電型の半導体層404及び第2導電型の半導体層408は、GaNなどからなり、活性層406は、InGaN/GaNMQWなどの構造からなってもよい。発光エピタキシャル構造410を形成した後に、フォトリソグラフィ及びエッチング技術により、下方にある第1導電型の半導体層404が露出されるまで第2導電型の半導体層408の一部及び活性層406の一部を除去し、第1導電型の半導体層404に露出部分412を画定する。続いて、透明電極層426を形成して第2導電型の半導体層408上の一部を覆う。その後、スパッタリング法や蒸着法を利用し、図4Aに示すように、第1導電型の半導体層404の露出部分412と、第2導電型の半導体層408の上方にある透明電極層426上とに、電極428、430をそれぞれ形成する。電極428、430は、良好な導電性性能を備える金属電極であることが好ましい。続いて、選択的に基板の薄化処理を行い、基板400の厚さを低減する。図4Bに示すように、スパッタリング法や蒸着法により、発光エピタキシャル構造410の基板400の表面上に金属層414を形成する。この金属層414は、例えばAl、Mn、Zn、Ni、Ag又はTiからなり、約1から1000nmの間の厚さを有する。続いて、陽極酸化ステップを行い、金属層414を金属酸化物層416に形成する。第4実施形態では、陽極酸化ステップにおける反応電圧を約2から100Vの間に制御することが好ましい。陽極酸化ステップを行うと、この金属層414は多孔質構造を有する金属酸化物層416に形成される。陽極酸化ステップでは、酸化性雰囲気酸化電圧などを適切に制御することにより、金属酸化物層416の表面上に揃えて配置されたホールを形成する。続いて、ウェットエッチング法により金属酸化物層416の一部をエッチング液で除去する。このエッチング液は、酸性溶液例えば、燐酸、蓚酸又は硫酸溶液を用いることが好ましい。図4Cに示すように、金属酸化物層416の表面には、揃えて配置されたホールが形成されるため、ウェットエッチングを行うと、金属酸化物層416に均一に分布されたホール418が貫設され、その下にある基板400の表面が露出される。これにより発光ダイオード素子の光取出面を均一に粗化させることができる。ホール418のサイズ及び間隔は、エッチング液の成分や濃度、エッチングの時間や温度などのパラメータを変えて調整することができる。ホール418のサイズは、約1から1000nmの間である。図4Fに示すように、金属酸化物層416をエッチングすると、ホール434は、均一に分布された状態に形成されるが、金属酸化物層416に完全に貫設された状態ではない。そして、このようなナノスケールホールは、基板400の表面における光取り出し効率を向上させることができる。続いて、図4D又は図4Fに示すように、積層方式などにより誘電体層432を形成し、金属酸化物層416及び露出された基板400の表面上を覆う。続いて、導電性のサブマウント420を準備する。このサブマウント420の一表面上には、少なくとも2つのボンディングバンプ422、424が配置される。これら2つのボンディングバンプ422、424は、電極430、428にそれぞれ対応した位置に設けられている。その後、図4E又は図4Fに示すように、フリップチップを行い、サブマウント420のボンディングバンプ424、422に電極428、430を接合し、発光ダイオード素子の製作を完了する。図5Aから図5Fは、本発明の第5実施形態による、発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。本実施形態では、まず、サファイアやSiCなどの半導体材料からなる基板500を準備する。エピタキシャル法などを利用し、基板500の表面上に発光エピタキシャル構造508を成長させ、図5Aに示すような構造を形成する。発光エピタキシャル構造508は、AlGaInN系材料などからなってもよい。この発光エピタキシャル構造508は、基板500上に順次積層された第1導電型の半導体層502、活性層504及び第2導電型の半導体層506を含んでもよい。第1導電型の半導体層502と第2導電型の半導体層506は、導電型が異なる。例えば、第1導電型の半導体層502がp型のとき、第2導電型の半導体層506はn型であり、第1導電型の半導体層502がn型のとき、第2導電型の半導体層506はp型である。第1導電型の半導体層502及び第2導電型の半導体層506は、GaNなどからなり、活性層504は、InGaN/GaNMQWなどの構造からなってもよい。続いて、もう一つの基板510を準備する。この基板510は、結合方式を利用し、発光エピタキシャル構造508の成長基板500の反対側である表面上に接合され、図5Bに示すような構造に形成する。基板510は、サファイアやガラスなどの透明材料からなることが好ましい。続いて、図5Cに示すように、エッチング、研磨又はレーザ技術により、成長基板500を有する発光エピタキシャル構造508の表面が露出されるまで成長基板500を除去する。成長基板500を除去した後、フォトリソグラフィ及びエッチング技術により、下方にある第2導電型の半導体層506が露出されるまで第1導電型の半導体層502の一部及び活性層504の一部を除去し、第2導電型の半導体層506に露出部分512を画定する。続いて、スパッタリング法や蒸着法に、フォトリソグラフィエッチング法又はリフトオフ法を組み合わせた方法により、残留された第1導電型の半導体層502の表面の一部上に金属層図示せずを形成し、第1導電型の半導体層502の表面の一部を露出させる。金属層は、例えばAl、Mn、Zn、Ni、Ag又はTiからなり、約1から1000nmの間の厚さを有する。続いて、陽極酸化ステップを行い、金属層を金属酸化物層518に形成する。第5実施形態では、陽極酸化ステップを行うときの反応電圧を約2から100Vの間に制御することが好ましい。この陽極酸化ステップにより、金属層は多孔質構造を有する金属酸化物層518に形成される。酸化性雰囲気酸化電圧などを適切に制御することにより、金属酸化物層518の表面上に揃えて配置されたホールを形成する。そして、金属酸化物層518が形成された後に、ウェットエッチング法により、金属酸化物層518の一部をエッチング液で除去する。このエッチング液は、酸性溶液例えば、燐酸、蓚酸又は硫酸溶液を用いることが好ましい。金属酸化物層518の表面には、揃えて配置されたホールが既に形成されているため、ウェットエッチングを行うと、金属酸化物層518に均一に分布されたホール520が形成され、発光ダイオード素子の光取出面を均一に粗化させることができる。ホール520のサイズ及び間隔は、エッチング液の成分や濃度、エッチングの時間や温度などのパラメータを変えて調整することができる。本実施形態で形成されるホール520のサイズは、約1から1000nmの間である。金属酸化物層518に貫設されたホール520は、下方にある第1導電型の半導体層502の表面を露出させる。しかし、他の実施形態では、金属酸化物層のエッチングを行うと、ホールが均一に分布された状態に形成されるが、金属酸化物層に完全に貫設された状態とはならない。その後、積層方式などを利用し、まず、透明電極層522を選択的に形成し、金属酸化物層518、ホール520、及びホール520により露出された第1導電型の半導体層502の表面を覆う。透明電極層522は、ITOやIZOなどからなってもよい。その後、スパッタリング法や蒸着法を利用し、第2導電型の半導体層506の露出部分512上と、第1導電型の半導体層502の露出部分上とに電極514、516をそれぞれ形成し、図5Dに示すような構造を形成する。電極514、516は、良好な導電性性能を備えた金属電極であることが好ましい。その後、積層、リソグラフィ及びエッチングステップなどにより、基板510の発光エピタキシャル構造508の反対側である表面の一部を覆うナノスケールホールを有する酸化物層524を形成する。続いて、積層方式により、酸化物層524、及び露出された基板510の表面上を覆う誘電体層526を形成し、図5Eに示すような構造を形成する。誘電体層526は、酸化ケイ素や窒化ケイ素などからなってもよい。その後、一表面上に少なくとも2つのボンディングバンプ530、532が設けられた導電性のサブマウント528を準備する。これら2つのボンディングバンプ530、532の位置は、電極516、514にそれぞれ対応している。その後、図5Fに示すように、フリップチップステップを行い、サブマウント528のボンディングバンプ530、532に電極516、514を接合し、発光ダイオード素子の製作を完成させる。上述の実施形態から分かるように、本発明は以下の長所を有する。一陽極酸化技術により発光ダイオードの表面上の金属層を酸化し、エッチング技術と組み合わせて、均一に分布されたナノスケールホールを有する金属酸化層を形成するため、発光ダイオードの表面を均一に粗化し、発光ダイオードの光取り出し効率を効率的に改善することができる。二製造工程の簡便な陽極酸化及びエッチング技術を利用し、発光ダイオードの表面上に均一に分布したナノスケールホールを形成してから、エッチングパラメータの簡単な制御により、ホールのサイズや間隔を精確に制御することができる。従って、簡単な製造工程により、発光ダイオードの収率を大幅に向上させることができる。三発光ダイオードの光取出面上に陽極酸化金属層を設ける。この陽極酸化金属層は、均一に分布された複数のホールを有するため非常に優れた光取り出し効率を得て、発光ダイオード素子の光出力を大幅に増大させるとともに、発光の均一度を向上させることができる。そのため、発光ダイオード素子の応用範囲を広げることができる。当該施術を熟知するものが理解できるように、本発明の好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではない。本発明の主旨と範囲を脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って、本出願による特許請求の範囲は、このような変更や修正を含めて広く解釈されるべきである。