"半導体素子を接着する樹脂組成物であって、A銀粉、Bグリシジル基を有する化合物、C融点が180°C以上のイミダゾール化合物を必須成分とし、化合物Bの一部がポリアルキレンオキサイド骨格ならびにグリシジルオキシフェニル基を有する化合物Dであることを特徴とする樹脂組成物。化合物Dのポリアルキレンオキサイド骨格がポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、ポリブチレンオキサイド、ポリテトラメチレンオキサイドから選ばれる少なくとも1つである請求項1記載の樹脂組成物。化合物Dが1分子内にグリシジルオキシフェニル基を2個有することを特徴とする請求項1又は2記載の樹脂組成物。イミダゾール化合物Cが2-メチルイミダゾールと2,4-ジアミノ-6-ビニルトリアジンとの付加物であることを特徴とする請求項1、2又は3記載の樹脂組成物。イミダゾール化合物Cが2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾールであることを特徴とする請求項1、2又は3記載の樹脂組成物。さらにフェノール基を有する硬化剤を含む請求項1~5のいずれか一項に記載の樹脂組成物。請求項1~6のいずれかに記載の樹脂組成物をダイアタッチ材料として用いて製作されることを特徴とする半導体装置。本発明は、Ni-Pdめっきフレームへの良好な密着性を示すとともに低弾性率を示す樹脂組成物及び本発明を半導体用ダイアタッチ材料として使用した特に耐半田クラック性等の信頼性に優れた半導体装置を提供することである。このような目的は、下記[1]~[6]に記載の本発明により達成される。[1]半導体素子を接着する樹脂組成物であって、A銀粉、Bグリシジル基を有する化合物、C融点が180°C以上のイミダゾール化合物を必須成分とし、化合物Bの一部がポリアルキレンオキサイド骨格ならびにグリシジルオキシフェニル基を有する化合物Dであることを特徴とする樹脂組成物。[2]化合物Dのポリアルキレンオキサイド骨格がポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、ポリブチレンオキサイド、ポリテトラメチレンオキサイドから選ばれる少なくとも1つである第[1]項記載の樹脂組成物。[3]化合物Dが1分子内にグリシジルオキシフェニル基を2個有することを特徴とする第[1]又は[2]項記載の樹脂組成物。[4]イミダゾール化合物Cが2-メチルイミダゾールと2,4-ジアミノ-6-ビニルトリアジンとの付加物であることを特徴とする第[1]、[2]又は[3]項記載の樹脂組成物。[5]イミダゾール化合物Cが2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾールであることを特徴とする第[1]、[2]又は[3]項記載の樹脂組成物。[6]さらにフェノール基を有する硬化剤を含む第[1]~[5]項のいずれか一項に記載の樹脂組成物。[7]第[1]~[6]項のいずれかに記載の樹脂組成物をダイアタッチ材料として用いて製作されることを特徴とする半導体装置。本発明の樹脂組成物は、Ni-Pdめっきフレームと良好な接着力を示すとともに弾性率が低く良好な低応力性を示すことができるので、本発明をダイアタッチ材料として使用することでこれまでにない高信頼性の半導体装置の提供が可能となる。本発明は、銀粉、グリシジル基を有する化合物、融点が180°C以上のイミダゾール化合物を必須成分とする樹脂組成物であり、グリシジル基を有する化合物の一部としてポリアルキレンオキサイド骨格ならびにグリシジルオキシフェニル基を有する化合物を用いることにより、Ni-Pdめっきフレームと良好な接着力を示すとともに弾性率が低く良好な低応力性を示すことができるものである。以下、本発明について詳細に説明する。本発明では通常電子材料用として市販されている銀粉Aを使用する。このような銀粉としては、還元粉、アトマイズ粉等が入手可能で、好ましい粒径としては平均粒径が1~30μmである。これ以下では樹脂組成物の粘度が高くなりすぎ、これ以上ではディスペンス時にノズル詰まりの原因となりうるからであり、電子材料用以外の銀粉ではイオン性不純物の量が多い場合があるので注意が必要である。形状はフレーク状、球状等特に限定されないが、好ましくはフレーク状のものを使用し、通常樹脂組成物中70~90重量含まれる。銀粉の割合がこれより少ない場合には導電性が悪化し、これより多い場合には樹脂組成物の粘度が高くなりすぎるためである。本発明ではグリシジル基を有する化合物Bの一部としてポリアルキレンオキサイド骨格ならびにグリシジルオキシフェニル基を有する化合物Dを使用するが、これは分子骨格にポリアルキレンオキサイドを導入することにより硬化物の弾性率を低く、すなわち良好な低応力性を示すことができるからである。このような目的のためには炭素数2~6の直鎖状あるいは分岐したアルキレン基がエーテル結合により繰り返し結合したものが好ましい。より好ましくは、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、ポリブチレンオキサイド、ポリテトラメチレンオキサイドより選ばれる少なくとも1つである。繰り返し単位の炭素数が6より多い場合には結晶化しやすくなるため低弾性率化効果が期待できない場合がある。ポリアルキレンオキサイドの繰り返し数は2~50が好ましい。繰り返し数が1に相当するアルキレングリコール残基では期待する低弾性率化効果が期待できなく、50より多くなると樹脂組成物の粘度が高くなりすぎるとともに硬化性が悪化するためである。より好ましい繰り返し数は2~10である。グリシジルオキシフェニル基を有する必要があるが、これは脂肪族と結合したグリシジルオキシ基では反応性が低く、使用できる硬化剤が例えばルイス酸、酸無水物といったものに限られてしまうためである。グリシジルオキシフェニル基を有することで電子材料分野で一般的に使用されるフェノール系硬化剤も使用することが可能となる。このような化合物としては、以下のようなものが挙げられる。ポリアルキレンオキサイドジオールの両末端に無水コハク酸等のダイマー酸無水物をハーフエステル化により導入した化合物と2-ヒドロキシビニルエーテル等の水酸基を有するビニルエーテル化合物を直接エステル化により両末端ビニルエーテル基の化合物を得た後、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビフェノールといったビスフェノール化合物あるいはその誘導体、カテコール、レゾルシノール、ハイドロキノンとあるいはこれらの誘導体といった1分子内にフェノール性水酸基を2つ有する化合物と反応することにより末端にフェノール性水酸基を2つ有しかつアルキレンオキサイド骨格を有する化合物を得、この化合物とエピクロルヒドリンを常法により反応することで得ることができる。グリシジル基を有する化合物Bとしてはポリアルキレンオキサイド骨格ならびにグリシジルオキシフェニル基を有する化合物Dを必ず使用するが、このほかにビスフェノールA、ビスフェノールFといったビスフェノール類をグリシジルエーテル化したもの、フェノールノボラック、クレゾールノボラックといったフェノール類をグリシジルエーテル化したもの、アミノフェノールのエポキシ化物を使用することができる。また低粘度化の目的で脂肪族グリシジルエーテル類、水素添加により脂肪族環にしたグリシジルエーテル類、脂環式エポキシ化合物、1官能エポキシ化合物等を使用することが可能である。化合物B中、化合物Dの割合は5~75重量である。これより少ない場合には期待する低弾性率化効果が得られず、これより多い場合には弾性率は低くなるが樹脂組成物の硬化性の低下、高粘度化のため実用上好ましくないからである。より好ましい配合割合は10~50重量である。本発明では融点が180°C以上のイミダゾール化合物Cを使用する。これはグリシジル基を有する化合物の硬化剤として必要であり、融点が180°Cより低い場合には室温での保存性が悪化するため、これ以上に限定される。特に好ましい化合物としては2-メチルイミダゾールと2,4-ジアミノ-6-ビニルトリアジンとの付加物あるいは2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾールである。これらの化合物はグリシジル基を有する化合物Bに対して0.5~20重量使用する。これより少ないと硬化性が悪く、これ以上だと接着力の低下等硬化物特性が悪化するためである。より好ましい配合割合は1~10重量であり、フェノール性水酸基を有する化合物との併用が好ましい。これは、フェノール性水酸基を有する化合物と併用したほうが良好な接着性、特に接着力の吸湿による劣化が少ないからで、使用可能なフェノール性水酸基を有する化合物としてはフェノール性水酸基が1分子内に2つ以上あれば特に限定されないが、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビフェノールといったビスフェノール類、トリヒドロキシフェニルメタン、1,1,1-トリヒドロキシフェニルエタンといった3官能フェノール化合物、あるいはフェノールノボラック、クレゾールノボラック等が挙げられる。またリン系、アミン系等の反応触媒を使用することも可能である。本発明の樹脂組成物には、必要によりカップリング剤、消泡剤、界面活性剤等の添加剤を用いることができる。本発明の樹脂組成物は、例えば各成分を予備混合した後、3本ロールを用いて混練した後真空下脱泡することにより製造することができる。本発明の樹脂組成物を用いて半導体装置を製作する方法は、公知の方法を用いることができる。例えば、市販のダイボンダーを用いて、リードフレームの所定の部位に樹脂組成物をディスペンス塗布した後、チップをマウントし、加熱硬化する。その後、ワイヤーボンディングして、エポキシ樹脂を用いてトランスファー成形することによって半導体装置を製作する。またはフリップチップ接合後アンダーフィル材で封止したフリップチップBGAなどのチップ裏面に樹脂組成物をディスペンスしヒートスプレッダー、リッドといった放熱部品を搭載し加熱硬化するなどである。[実施例1~5]化合物Dの調製1ポリアルキレンオキサイドジオールと無水コハク酸の反応化合物DaDa-1:ポリプロピレンオキサイドジオール日本油脂株製、ユニオールD-400、繰り返し数約7400gと無水コハク酸300gをトルエン1400g/アセトニトリル600gとともにセパラブルフラスコに仕込み攪拌しながら還流下ディーンスタークトラップにより脱水する。水の発生がなくなったことを確認した後、室温に冷却し4-N,NジメチルアミノピリジンDMAP12gを100gのアセトニトリルに溶解させた溶液を滴下し、50°Cで2時間攪拌した後、蒸留水1000gを添加し室温1時間攪拌した。フラスコの中身を分液ロートに取り、冷却した蒸留水を用いて5回分液洗浄した後、溶剤層を減圧乾燥することにより生成物を得た。収量約380g。以下Da-1Da-2:ポリブチレンオキサイドジオール日本油脂株製、ユニオールPB-500、繰り返し数約7500gを用いたほかはDa-1と同様にして生成物を得た。収量約52g、以下Da―22化合物Daと2ヒドロキシエチルビニルエーテルの反応化合物DbDb-1:312gのDa-1と110gの2-ヒドロキシエチルビニルエーテルならびにトルエン700g/アセトニトリル300gをセパラブルフラスコに仕込み攪拌しながら還流下ディーンスタークトラップにより脱水する。水の発生がなくなったことを確認した後、室温に冷却しジシクロヘキシルカルボジイミドDCC300gとDMAP6gをトルエン400g/アセトニトリル100gに溶解させた溶液を滴下し、室温で24時間攪拌した後、蒸留水1000gを添加し室温で1時間攪拌した。フラスコの中身を分液ロートに取り、70°Cの蒸留水を用いて分液洗浄した溶剤層をろ過することで固形分を除去した後、さらに70°Cの蒸留水を用いて4回分液洗浄し、溶剤層を減圧乾燥することにより生成物を得た。収量約210g。以下Db-1Db-2:36.1gのDa-2を用いたほかはDb-1と同様にして生成物を得た。収量約280g、以下Db―23化合物Dbとビスフェノールの反応化合物DcDc-1:77gのDb-1と60gのビスフェノールFならびにトルエン100g/アセトニトリル100gセパラブルフラスコに仕込み攪拌しながら還流下16時間反応した後、溶剤成分を減圧下留去した。溶剤成分の90以上が留去されたことを確認した。以下Dc-1Dc-2:ビスフェノールFを80g仕込んだ以外はDc-1と同様に反応を行った。以下Dc-2Dc-3:87gのDb-2と60gのビスフェノールFを使用しDc-1と同様に反応を行った。以下Dc-3Dc-4:87gのDb-2と80gのビスフェノールFを使用しDc-1と同様に反応を行った。以下Dc-44化合物Dcとエピクロルヒドリンの反応化合物D3で溶剤成分を減圧留去した状態のセパラブルフラスコに、30gの水酸化ナトリウム水溶液48と蒸留水35g、エチルアルコール50gを加え室温で攪拌することで溶解させた。室温で攪拌しながら100gのエピクロルヒドリンを4時間かけて滴下し、その後2時間攪拌をおこなった。トルエン200gを添加し乾燥窒素を導入しながら還流し、ディーンスタークトラップにて水分を除去しその後減圧することで、溶剤成分ならびに未反応のエピクロルヒドリンを除去した。さらにメチルイソブチルケトン500g/エチルアルコール100gならびに水酸化ナトリウム水溶液4810gを添加し80°Cにて2時間攪拌した後、トルエンを500gを加え還流下ディーンスタークトラップにより水分を除去した。その後分液ロートを使用し蒸留水を用いて5回分液洗浄し、溶剤層を減圧乾燥することにより反応物化合物Dを得た。Dc-1を使用した反応物化合物Dは、室温で透明の液体でエポキシ当量は480g/eq.でGPCにより測定したジグリシジルビスフェノールFの割合は42であった以下化合物D-1。同様にDc-2を使用した反応物化合物Dは、透明液状、エポキシ当量380g/eq.、ジグリシジルビスフェノールFの割合58以下化合物D-2。Dc-3を使用した反応物化合物Dは、透明液状、エポキシ当量510g/eq.、ジグリシジルビスフェノールFの割合44以下化合物D-3。Dc-4を使用した反応物化合物Dは、透明液状、エポキシ当量400g/eq.、ジグリシジルビスフェノールFの割合60以下化合物D-4。銀粉Aとしては平均粒径8μm、最大粒径30μmのフレーク状銀粉以下銀粉を、化合物BとしてはビスフェノールAとエピクロルヒドリンとの反応により得られるジグリシジルビスフェノールAエポキシ当量180、室温で液体、以下化合物Bならびに化合物D1~D4を、化合物Cとしては、2-メチルイミダゾールと2,4-ジアミノ-6-ビニルトリアジンの付加物キュアゾール2MZ-A:四国化成工業株製、融点248~258°C、以下化合物C1ならびに2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾールキュアゾール2P4MHZ:四国化成工業株製、融点191~195°C、以下化合物C2を使用した。クレジルグリシジルエーテルエポキシ当量185、以下CGE、ジシアンジアミド以下DDA、ビスフェノールF水酸基当量100、以下BPF、グリシジル基を有するシランカップリング剤信越化学工業株製、KBM-403E、以下エポキシシランを表1のように配合し、3本ロールを用いて混練し、脱泡することで樹脂組成物を得た。配合割合は重量部である。[比較例1、2]表1に示す割合で配合し実施例1と同様に樹脂組成物を得た。なお比較例2では2-メチルイミダゾールキュアゾール2MZ:四国化成工業株製、融点137~145°C、以下2MZを使用した。評価方法保存性粘度変化率:E型粘度計3°コーンを用い25°C、2.5rpmでの値を樹脂組成物作製直後と25°C、48時間放置後に測定した。48時間後の粘度変化率をもって保存性とし、粘度変化率が20未満の場合を合格とした。粘度変化率の単位は。接着強度:樹脂組成物を用いて、6×6mmのシリコンチップを金フラッシュしたNi-Pdフレームにマウントし、150°Cオーブン中30分硬化した。硬化後ならびに吸湿85°C、85、72時間処理後に自動接着力測定装置を用い260°Cでの熱時ダイシェア強度を測定した。260°C熱時ダイシェア強度が30N/チップ以上の場合を合格とした。接着強度の単位はN/チップ。弾性率:樹脂組成物を用いて4×20×0.1mmのフィルム状の試験片を作製し硬化条件150°C30分、動的粘弾性測定機DMAにて引っ張りモードでの測定を行った。測定条件は以下の通り。測定温度:室温~300°C昇温速度:5°C/分周波数:10Hz荷重:100mN250°Cにおける貯蔵弾性率を弾性率とし100MPa以下の場合を合格とした。弾性率の単位はMPa。耐リフロー性:表1に示す樹脂組成物を用い、下記の基板リードフレームとシリコンチップを150°C30分間硬化し接着した。ダイボンドしたリードフレームを封止材料スミコンEME-7026、住友ベークライト株製を用い封止し半導体装置パッケージとし、60°C、相対湿度60、192時間吸湿処理した後、IRリフロー処理260°C、10秒、3回リフローを行なった。処理後のパッケージを超音波探傷装置透過型により剥離の程度を測定した。ダイアタッチ部の剥離面積が10未満の場合を合格とした。剥離面積の単位は。パッケージ:QFP14×20×2.0mmリードフレーム:金フラッシュしたNi-Pdフレームチップサイズ:6×6mm樹脂組成物硬化条件:オーブン中150°C、15分"