ドーパントを含むドーパント膜を半導体基板の表面に形成する準備工程と、前記ドーパント膜にレーザ光を照射して、前記半導体基板の所定の領域の内部に前記ドーパントを拡散させて第1拡散層を形成する第1拡散工程と、前記半導体基板を加熱して、前記第1拡散層に前記ドーパントを拡散させて第2拡散層を形成する第2拡散工程と、を有することを特徴とする太陽電池の製造方法。前記準備工程は、半導体基板の表面に前記ドーパントの拡散を防止する拡散防止膜を形成する第1準備工程と、前記拡散防止膜の上層に前記ドーパント膜を形成する第2準備工程と、を有することを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。前記拡散防止膜は、前記半導体基板を熱酸化することによって形成された熱酸化膜であることを特徴とする請求項2に記載の太陽電池の製造方法。前記拡散防止膜は、アモルファスシリコン膜であることを特徴とする請求項2に記載の太陽電池の製造方法。前記拡散防止膜は、昇温によってガラス化するシリコン化合物を含む材料から成り、ウェットコーティング法によって形成される有機膜であることを特徴とする請求項2に記載の太陽電池の製造方法。前記拡散防止膜の膜厚は、前記第2拡散工程において前記ドーパントが前記拡散防止膜内で拡散する拡散距離よりも厚く形成することを特徴とする請求項2から5のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。前記ドーパント膜は、ドーパントと昇温によってガラス化するシリコン化合物を含む材料から成り、ウェットコーティング法によって形成される有機膜であることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。請求項1から7のいずれかに記載の方法によって製造された太陽電池。半導体基板を有する太陽電池であって、前記半導体基板の表面には、当該表面よりも突出した凸領域を有し、前記凸領域の表層のドーパント濃度は、前記凸領域外の表層のドーパント濃度よりも高いことを特徴とする太陽電池。前記特許文献に示される一般的な太陽電池構造では、全面に形成される拡散層の不純物濃度が1019cm-3程度以下であるが、電極界面に形成する高濃度領域の不純物濃度は1020cm-3程度以上である必要が有る。特許文献2に示されるような裏面電極型太陽電池構造においては、受光面側には電極および拡散層が存在しないものの、裏面側に形成されるP型層、N型層の不純物濃度は1019ないし1020cm-3程度以上に高濃度化されていることが好ましい。しかしながら、裏面電極型太陽電池構造において、工程を複雑にすることなく不純物拡散層の電極界面に不純物濃度を高濃度化した領域を形成することは不可能であった。また、特許文献3に示されるように、高濃度拡散層を選択的に形成するためにレーザドーピング技術を用いることは、拡散防止マスク形成プロセスを簡略化できるメリットがあるが、不純物濃度1019ないし1020cm-3程度以上の拡散層を形成し、かつ電極界面をさらに高濃度化することは困難であった。本発明は、上記の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、裏面電極型太陽電池構造において、拡散防止マスク形成プロセスを簡略化し、かつ拡散層表層の不純物濃度を高濃度化した不純物拡散層を形成した太陽電池およびその製造方法を提供することにある。本発明の太陽電池の製造方法は、ドーパントを含むドーパント膜を半導体基板の表面に形成する準備工程と、ドーパント膜にレーザ光を照射して、半導体基板の所定の領域の内部にドーパントを拡散させて第1拡散層を形成する第1拡散工程と、半導体基板を加熱して、第1拡散層にドーパントを拡散させて第2拡散層を形成する第2拡散工程とを有することを特徴とする。好ましくは、準備工程は、半導体基板の表面にドーパントの拡散を防止する拡散防止膜を形成する第1準備工程と、拡散防止膜の上層にドーパント膜を形成する第2準備工程とを有することを特徴とする。好ましくは、拡散防止膜は、半導体基板を熱酸化することによって形成された熱酸化膜であることを特徴とする。もしくは、拡散防止膜は、アモルファスシリコン膜であることを特徴とする。好ましくは、拡散防止膜は、昇温によってガラス化するシリコン化合物を含む材料から成り、ウェットコーティング法によって形成される有機膜であることを特徴とする。好ましくは、拡散防止膜の膜厚は、第2拡散工程においてドーパントが拡散防止膜内で拡散する拡散距離よりも厚く形成することを特徴とする。好ましくは、ドーパント膜は、ドーパントと昇温によってガラス化するシリコン化合物を含む材料から成り、ウェットコーティング法によって形成される有機膜であることを特徴とする。本発明の太陽電池は、上記記載された方法によって製造された太陽電池である。また、本発明の太陽電池は、半導体基板を有する太陽電池であって、半導体基板の表面には、当該表面よりも突出した凸領域を有し、凸領域の表層のドーパント濃度は、凸領域外の表層のドーパント濃度よりも高いことを特徴とする。本発明の太陽電池の製造方法では、裏面電極型太陽電池構造において、拡散防止マスク形成プロセスを簡略化し、かつ拡散層表層の不純物濃度を高濃度化した不純物拡散層を形成した太陽電池およびその製造方法を得ることができる。図1は、本発明の一実施形態であるN型あるいはP型の不純物拡散層を形成する第1のドーピング方法の各工程における半導体基板の状態を示し、本図を用いて、第1のドーピング方法について説明する。図1Aは、最初の工程直後の半導体基板50の状態を示し、最初の工程では、半導体基板50の表層全域にN型あるいはP型のドーパント膜60を形成する。ここで、半導体基板50は、例えば単結晶シリコンが用いられる。また、ドーパント膜60は、ウェットコーティング法で形成され、ドーパントとしてリン、ボロンをそれぞれ含有するPSGPhosphoSilicateGlass膜やBSGBoronSilicateGlass膜が用いられる。ドーパントとして用いられる材料は、昇温によってシリコン化合物の重合反応が進みガラス化する材料であって、これら材料を用いることにより、レーザ照射時のドーパント60のアブレーションを抑制することができる。図1Bは、最初の工程に続く第2の工程直後の半導体基板50の状態を示し、第2の工程では、ドーパントを拡散させる領域にレーザ光Lを照射し、ドーパント膜60内のドーパントを半導体基板50内部に拡散させて拡散層55を形成する。このとき、レーザ光Lを照射した領域のドーパント膜60は変質層61として残存している。図1Cは、第2の工程に続く第3の工程直後の半導体基板50の状態を示し、第2の工程では、半導体基板50全体を高温加熱することによって、ドーパント膜60及び変質層61のドーパントを半導体基板50内部に拡散させる。したがって、拡散層55は、ドーパント濃度が低い第1拡散層551とドーパント濃度が高い第2拡散層552に二層化される。また、拡散層55以外の領域の半導体基板50の表層には、低濃度拡散層57が形成される。ここで、ドーパントを拡散させる際、半導体基板50を、例えば800~1000°Cの拡散温度にまで加熱するが、一度300~800°Cの温度でドーパント膜60をガラス化させた後に、拡散温度にまで加熱するのが望ましい。図1Dは、第3の工程に続く第4の工程直後の半導体基板50の状態を示し、半導体基板50の裏面表層に残存している変質層61を含むドーパント膜60を除去する。ここで、変質層61を含むドーパント膜60の除去は、例えばフッ化水素酸によるエッチングが用いられる。なお、裏面電極型太陽電池の不純物拡散層を形成する場合には、ドーパント膜60をN型からP型、もしくはP型からN型に変更して上述した工程を繰り返してN型拡散層およびP型拡散層が交互に配列されるように拡散層55を形成する。このように、第1のドーピング方法によって形成される拡散層55は、ドーパント濃度が低い第1拡散層551とドーパント濃度が高い第2拡散層552が形成される。図2は、本発明の第1のドーピング方法によって形成される拡散層55の深さに対するドーパント濃度の測定結果を示している。深さX1以降の領域の濃度分布P1は第1拡散層551の濃度分布を示し、濃度分布P1の特徴は、深さX1では1×1020cm-3程度の比較的低濃度であり、深さX1からX2までの間は表層から深くなるのにしたがって緩やかにドーパント濃度が減少し、深さX2以降から急激にドーパント濃度が減少するという特徴を有している。また、表層から深さX1の領域の濃度分布P2は第2拡散層552の濃度分布を示し、濃度分布P2は、1×1020cm-3程度から1×1022cm-3程度までの範囲の比較的高濃度であって表層から深くなるのにしたがって急激に濃度が減少するという特徴を有している。そして、これら拡散層の濃度分布の特徴は、レーザ照射によるドーパントを拡散させる工程に続いて、熱拡散処理によるドーパントを拡散させる工程を行うドーピング方法によって引き起こされる特徴でもある。このように、本発明の第1のドーピング方法によって形成される拡散層55は、従来のレーザ照射によるドーピング方法によって形成される拡散層との比較において、拡散層の表層において高濃度のドーパントが形成されている。このことから、本発明の第1のドーピング方法では、従来のドーピング方法との比較において、拡散層55の表層のドーパント濃度が高濃度化されて、電極との接触抵抗が低減される半導体基板を製造することが可能となる。図3は、本発明の一実施形態であるN型あるいはP型の不純物拡散層を形成する第2のドーピング方法の各工程における半導体基板の状態を示し、本図を用いて、第2のドーピング方法について説明する。ここで、第2のドーピング方法は、第1のドーピング方法との比較において半導体基板の表層に低濃度拡散層が形成されない点で異なる。図3Aは、最初の工程直後の半導体基板50の状態を示し、最初の工程では、半導体基板50の表層全域に拡散防止膜65と、当該拡散防止膜65の上層にN型あるいはP型のドーパント膜60を形成する。ここで、半導体基板50は、例えば単結晶シリコンが用いられる。また、ドーパント膜60は、第1のドーピング方法と同様、ウェットコーティング法で形成されドーパントとしてリン、ボロンをそれぞれ含有するPSG膜やBSG膜が用いられる。拡散防止膜65は、例えばシリコン基板を熱酸化することによって形成されるSi02膜が用いられる。具体的には、ウェットコーティング法で形成されるガラス材料で、ドーパント膜60に用いられるPSG膜やBSG膜と同等の組成であり、ドーパントを含まない材料が用いられる。当該材料が用いられることにより、ドーパント膜60と拡散防止膜65との間でシリコン化合物の重合反応を起こすことが可能となって、安価でかつ強度にドーパント膜60と拡散防止膜65を密着させることが可能となる。図3Bは、最初の工程に続く第2の工程直後の半導体基板50の状態を示し、第2の工程では、ドーパントを拡散させる領域にレーザ光Lを照射し、当該領域の拡散防止膜65を変質させてドーパント膜60内のドーパントを半導体基板50内部に拡散させて拡散層55を形成する。このとき、レーザ光Lを照射した領域のドーパント膜60は、当該領域の拡散防止膜65とともに変質層62として残存している。図3Cは、第2の工程に続く第3の工程直後の半導体基板50の状態を示し、第3の工程では、半導体基板50全体を高温加熱することによって、変質層62のドーパントを半導体基板50内部に拡散させる。したがって、拡散層55は、ドーパント濃度が低い第1拡散層551とドーパント濃度が高い第2拡散層552に二層化される。また、拡散層55以外の領域へのドーパントの拡散は、拡散防止膜65によって防止される。ここで、ドーパントを拡散させる際、半導体基板50を、例えば800~1000°Cの拡散温度にまで加熱するが、一度300~800°Cの温度でドーパント膜60をガラス化させた後に、拡散温度にまで加熱するのが望ましい。また、拡散温度における拡散防止膜65内へのドーパントの拡散速度を鑑みて、ドーパントを拡散させる時間に応じた膜厚以上の拡散防止膜65を形成するのが望ましい。例えば、ドーパント膜60がPSG膜、拡散防止膜65が酸化膜SiO2膜、拡散温度が1000°C、拡散時間が20分とする場合には、拡散防止膜65の膜厚は200nm以上とするのが望ましい。図3Dは、第3の工程に続く第4の工程直後の半導体基板50の状態を示し、第4の工程では、半導体基板50の裏面表層に残存している変質層62を含むドーパント膜60と、拡散防止膜65を除去する。ここで、変質層62を含むドーパント膜60及び拡散防止膜65の除去には、例えばフッ化水素酸によるエッチングが用いられる。なお、裏面電極型太陽電池の不純物拡散層を形成する場合には、ドーパント膜60をN型からP型、もしくはP型からN型に変更して上述した工程を繰り返してN型拡散層およびP型拡散層が交互に配列されるように拡散層55を形成する。このように、第2のドーピング方法によって形成される拡散層55は、第1のドーピング方法によって形成される拡散層55と同様に、ドーパント濃度が低い第1拡散層551とドーパント濃度が高い第2拡散層552が形成される。また、第2のドーピング方法も、レーザ照射によるドーパントを拡散させる工程に続いて、熱拡散処理によるドーパントを拡散させる工程を行うドーピング方法である。このことから、第2のドーピング方法によって形成される拡散層55の濃度分布の特徴も第1のドーピング方法によるものと同様に、従来の熱拡散処理によるドーピング方法と比較して、拡散層55の表層のドーパント濃度を高濃度にすることが可能となる。図4は、本発明の一実施形態であるN型あるいはP型の不純物拡散層を形成する第3のドーピング方法の各工程における半導体基板の状態を示し、本図を用いて、第3のドーピング方法について説明する。ここで、第3のドーピング方法は、第2のドーピング方法との比較において拡散防止膜としてアモルファスシリコン膜を用いる点で異なる。図4Aは、最初の工程直後の半導体基板50の状態を示し、最初の工程では、半導体基板50の表層全域に拡散防止膜66と、当該拡散防止膜66の上層にN型あるいはP型のドーパント膜60を形成する。ここで、半導体基板50は、例えば単結晶シリコンが用いられる。また、ドーパント膜60は、第1のドーピング方法と同様、ウェットコーティング法で形成されドーパントとしてリン、ボロンをそれぞれ含有するPSG膜やBSG膜が用いられる。さらに、拡散防止膜66は、例えばCVD法により成膜されたアモルファスシリコン膜が用いられる。図4Bは、最初の工程に続く第2の工程直後の半導体基板50の状態を示し、第2の工程では、ドーパントを拡散させる領域にレーザ光Lを照射し、ドーパント膜60内のドーパントを、レーザ光Lを照射した領域の拡散防止膜66を含む半導体基板50内部に拡散させて拡散層55を形成する。つまり、単結晶シリコンである半導体基板50及びアモルファスシリコンである拡散防止膜66がレーザ光Lの照射によって溶解し、再結晶化する過程で、ドーパント膜60内のドーパントを半導体基板50及び拡散防止膜66に拡散させて拡散層55を形成する。このとき、レーザ光Lを照射した領域のドーパント膜60は変質層63として残存している。図4Cは、第2の工程に続く第3の工程直後の半導体基板50の状態を示し、第3の工程では、半導体基板50全体を高温加熱することによって、レーザ光Lを照射した領域の拡散防止膜66を含む半導体基板50内部に、変質層63のドーパントを拡散させる。したがって、拡散層55は、ドーパント濃度が低い第1拡散層551とドーパント濃度が高い第2拡散層552に二層化される。また、拡散層55以外の領域へのドーパントの拡散は、拡散防止膜66によって防止される。ここで、第2のドーピング方法と同様に、ドーパントを拡散させる際、半導体基板50を、例えば800~1000°Cの拡散温度にまで加熱するが、一度300~800°Cの温度でドーパント膜60をガラス化させた後に、拡散温度にまで加熱するのが望ましい。図4Dは、第3の工程に続く第4の工程直後の半導体基板50の状態を示し、第4の工程では、半導体基板50の裏面表層に残存しているドーパント膜60、拡散防止膜66及び変質層63を除去する。ここで、ドーパント膜60、拡散防止膜66及び変質層63の除去には、例えばフッ硝酸によるエッチングが用いられる。これによって、レーザ照射がなされていない領域の拡散防止膜66を選択的に除去することができる。この第3のドーピング方法では、レーザ照射がなされた領域の拡散防止膜66が拡散層55の一部となって形成されることから、拡散層55が周囲の半導体基板50の表面よりも突出していることを特徴とする。なお、裏面電極型太陽電池の不純物拡散層を形成する場合には、ドーパント膜60をN型からP型、もしくはP型からN型に変更して上述した工程を繰り返してN型拡散層およびP型拡散層が交互に配列されるように拡散層55を形成する。このように、第3のドーピング方法によって形成される拡散層55は、第1のドーピング方法によって形成される拡散層55と同様に、ドーパント濃度が低い第1拡散層551とドーパント濃度が高い第2拡散層552が形成される。また、第3のドーピング方法も、レーザ照射によるドーパントを拡散させる工程に続いて、熱拡散処理によるドーパントを拡散させる工程を行うドーピング方法である。このことから、第3のドーピング方法によって形成される拡散層55の濃度分布の特徴も第1のドーピング方法によるものと同様に、従来の熱拡散処理によるドーピング方法と比較して、拡散層55の表層のドーパント濃度を高濃度にすることが可能となる。図5は、本発明の一実施形態である裏面電極型太陽電池の不純物拡散層を形成する第4のドーピング方法の各工程における半導体基板の状態を示し、本図を用いて、第4のドーピング方法について説明する。ここで、第4のドーピング方法は、第2のドーピング方法との比較においてN型拡散層とP型拡散層を同時に形成する点で異なる。図5Aは、最初の工程直後の半導体基板50の状態を示し、最初の工程では、半導体基板50の表層全域に拡散防止膜65と、当該拡散防止膜65の上層に、N型のドーパントを含有するN型ドーパント膜60aとP型のドーパントを含有するP型ドーパント膜60bを形成する。ここで、第2のドーピング方法と同様、N型ドーパント膜60aとP型ドーパント膜60bは、例えばそれぞれN型ドーパント、P型ドーパントを含む有機系材料をスクリーン印刷法やインクジェット印刷法によって塗り分け形成される。また、通常、ドーパントを含まない材料によって、N型ドーパント膜60aとP型ドーパント膜60bの両者を離間するための障壁が形成される。半導体基板50は、例えば単結晶シリコンが用いられる。また、N型ドーパント膜60a、P型ドーパント膜60bは、それぞれ例えばPSG膜やBSG膜が用いられる。拡散防止膜65は、例えばシリコン基板を熱酸化することによって形成されるSi02膜が用いられる。具体的には、ウェットコーティング法で形成されるガラス材料で、ドーパント膜60に用いられるPSG膜やBSG膜と同等の組成である、ドーパントを含まない材料が用いられる。当該材料が用いられることにより、ドーパント膜60と拡散防止膜65との間でシリコン化合物の重合反応を起こすことが可能となって、安価でかつ強度にドーパント膜60と拡散防止膜65を密着させることが可能となる。図5Bは、最初の工程に続く第2の工程直後の半導体基板50の状態を示し、第2の工程では、ドーパントを拡散させる領域にレーザ光Lを照射し、N型ドーパント膜60a及びP型ドーパント膜60b内のドーパントを半導体基板50内部に拡散させてN型拡散層55a及びP型拡散層55bを形成する。このとき、レーザ光Lを照射した領域のN型ドーパント膜60a及びP型ドーパント膜60bは、当該領域の拡散防止膜65とともにN型変質層62a及びP型変質層62bとして残存している。図5Cは、第2の工程に続く第3の工程直後の半導体基板50の状態を示し、第3の工程では、半導体基板50全体を高温加熱することによって、N型変質層62a及びP型変質層62bのドーパントを半導体基板50内部に拡散させる。したがって、N型拡散層55a及びP型拡散層55bは、それぞれドーパント濃度が低いN型第1拡散層551a又はP型第1拡散層551bと、ドーパント濃度が高いN型第2拡散層552a又はP型第2拡散層552bに二層化される。また、N型拡散層55a又はP型拡散層55b以外の領域へのドーパントの拡散は、拡散防止膜65によって防止される。ここで、第2のドーピング方法と同様、ドーパントを拡散させる際、半導体基板50を、例えば800~1000°Cの拡散温度にまで加熱するが、一度300~800°Cの温度でドーパント膜60をガラス化させた後に、拡散温度にまで加熱するのが望ましい。また、拡散温度における拡散防止膜65内へのドーパントの拡散速度を鑑みて、ドーパントを拡散させる時間に応じた膜厚以上の拡散防止膜65を形成するのが望ましい。例えば、ドーパント膜60がPSG膜、拡散防止膜65が酸化膜SiO2膜、拡散温度が1000°C、拡散時間が20分とする場合には、拡散防止膜65の膜厚は200nm以上とするのが望ましい。図5Dは、第3の工程に続く第4の工程直後の半導体基板50の状態を示し、第4の工程では、第2のドーピング方法と同様、半導体基板50の裏面表層に残存しているN型変質層62a及びP型変質層62bを含むN型ドーパント膜60a及びP型ドーパント膜60bと、拡散防止膜65を除去する。このように、第4のドーピング方法によって形成されるN型拡散層55a及びP型拡散層55bは、第1のドーピング方法によって形成される拡散層55と同様に、ドーパント濃度が低いN型第1拡散層551a又はP型第1拡散層551bとドーパント濃度が高いN型第2拡散層552a又はP型第2拡散層552bが形成される。また、第4のドーピング方法も、レーザ照射によるドーパントを拡散させる工程に続いて、熱拡散処理によるドーパントを拡散させる工程を行うドーピング方法である。このことから、第4のドーピング方法によって形成されるN型拡散層55a及びP型拡散層55bの濃度分布の特徴も第1のドーピング方法によるものと同様に、従来の熱拡散処理によるドーピング方法と比較して、N型拡散層55a及びP型拡散層55bの表層のドーパント濃度を高濃度にすることが可能となる。また、第4のドーピング方法では、N型拡散層とP型拡散層を同時に形成することから、N型拡散層とP型拡散層をそれぞれに形成するドーピング方法との比較においてプロセスが簡便化される。図6は、本発明の一実施形態である裏面電極型太陽電池の不純物拡散層を形成する第5のドーピング方法の各工程における半導体基板の状態を示し、本図を用いて、第5のドーピング方法について説明する。ここで、第5のドーピング方法は、第4のドーピング方法との比較においてN型拡散層とP型拡散層を個別に形成する点で異なる。図6Aは、最初の工程直後の半導体基板50の状態を示し、最初の工程では、上述した第2のドーピング方法などを用いて、半導体基板50の表層の所定の領域に、ドーパント濃度が低いN型第1拡散層551aとドーパント濃度が高いN型第2拡散層552aとを有するN型拡散層55aを形成する。図6Bは、最初の工程に続く第2の工程直後の半導体基板50の状態を示し、第2の工程では、N型拡散層55aが形成された領域の上層に拡散防止膜65を形成する。ここで、拡散防止膜65は、例えば熱酸化あるいはウエット酸化によってシリコン基板を熱酸化することによって形成されるSi02膜が用いられる。このとき、N型拡散層55aが形成された領域の酸化速度は、形成されていない他の領域の酸化速度に比べ早く、当該N型拡散層55aが形成された領域の上層には膜圧の厚い拡散防止膜65が形成される。このことから、フッ化水素酸によるエッチングによって当該N型拡散層55aの上層だけに拡散防止膜65を形成することができる。図6Cは、第2の工程に続く第3の工程直後の半導体基板50の状態を示し、第3の工程では、P型ドーパント膜60bを形成する。ここで、P型ドーパント膜60bは、ウェットコーティング法で形成されるBSG膜が用いられる。図6Dは、第3の工程に続く第4の工程直後の半導体基板50の状態を示し、第4の工程では、ドーパントを拡散させる領域にレーザ光Lを照射し、P型ドーパント膜60b内のドーパントを半導体基板50内部に拡散させてP型拡散層55bを形成する。このとき、レーザ光Lを照射した領域のP型ドーパント膜60bはP型変質層61bとして残存している。図6Eは、第4の工程に続く第5の工程直後の半導体基板50の状態を示し、第5の工程では、半導体基板50全体を高温加熱することによって、P型ドーパント膜60b及びP型変質層61bのドーパントを半導体基板50内部に拡散させる。したがって、P型拡散層55bは、ドーパント濃度が低いP型第1拡散層551bとドーパント濃度が高いP型第2拡散層552bに二層化される。また、P型拡散層55b及び拡散防止膜65が形成されているN型拡散層55aの領域を除く半導体基板50の表層には、低濃度拡散層57が形成される。図6Fは、第5の工程に続く第6の工程直後の半導体基板50の状態を示し、第6の工程では、半導体基板50の裏面表層に残存しているP型変質層61bを含むP型ドーパント膜60bと、拡散防止膜65を除去する。ここで、P型変質層61bを含むP型ドーパント膜60bと、拡散防止膜65の除去は、例えばフッ化水素酸によるエッチングが用いられる。このように、第5のドーピング方法によって形成されるP型拡散層55bは、第1のドーピング方法によって形成される拡散層55と同様に、ドーパント濃度が低いP型第1拡散層551bとドーパント濃度が高いP型第2拡散層552bが形成される。また、第5のドーピング方法も、レーザ照射によるドーパントを拡散させる工程に続いて、熱拡散処理によるドーパントを拡散させる工程を行うドーピング方法である。このことから、第5のドーピング方法によって形成されるP型拡散層55bの濃度分布の特徴も第1のドーピング方法によるものと同様に、従来の熱拡散処理によるドーピング方法と比較して、P型拡散層55bの表層のドーパント濃度を高濃度にすることが可能となる。このように、本発明のドーピング方法では、ドーパント濃度が低い拡散層とドーパント濃度が高い拡散層に二層化されて形成される。そして、二層化されて形成された拡散層のドーパントの濃度分布は、拡散層表層においてドーパント濃度が高く、所定のドーパント濃度が深い領域に至るまで維持されている特徴を有している。このことから、従来のドーピング方法に比べ、電極との接触抵抗が低減された太陽電池用の半導体基板を製造することが可能となる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明は、特許請求の範囲と均等な範囲でのすべての変更を含むものである。