"極紫外線システムであって、伝播方向に沿って進む増幅光ビームを生成する光源と、前記増幅光ビームをターゲット場所の近くの焦点面に誘導して集束させるステアリングシステムと、極紫外線コレクターと前記ターゲット場所におけるターゲット材料とを含む極紫外線チャンバと、前記ターゲット材料の少なくとも一部分から反射されたレーザビームの像を検出するように位置決めされた少なくとも1つの検出器を含む検出システムと、前記反射レーザビームの経路内で前記ターゲット場所と前記検出システムの間にあり、該反射レーザビームの波面を前記伝播方向に沿ったターゲット焦点面位置の関数として修正するように構成された波面修正システムと、前記検出システムと前記ステアリングシステムとに結合され、前記反射レーザビームの前記検出像に基づいて前記伝播方向に沿って前記ターゲット材料に対する前記増幅光ビームの前記焦点面の場所を調節するための論理を含むコントローラと、を含むことを特徴とする極紫外線システム。前記波面修正システムは、透過光学要素を含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。前記透過光学要素は、非点収差レンズであることを特徴とする請求項2に記載のシステム。前記透過光学要素は、円柱レンズであることを特徴とする請求項2に記載のシステム。前記波面修正システムは、反射光学要素を含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。前記反射光学要素は、円柱ミラー又は鞍形ミラーを含むことを特徴とする請求項5に記載のシステム。前記反射レーザビームの前記検出像のサイズ及び向きが、前記ターゲット場所に対する前記ターゲット焦点面位置と共に変化することを特徴とする請求項1に記載のシステム。前記波面修正システムは、前記光源の出力窓と前記検出システムの間にあることを特徴とする請求項1に記載のシステム。前記波面修正システムは、前記ターゲット場所と前記光源の出力窓との間にあることを特徴とする請求項1に記載のシステム。前記検出システムによって検出される前記反射レーザビームは、前記ターゲット材料から反射された前記増幅光ビームであることを特徴とする請求項1に記載のシステム。前記ターゲット焦点面は、前記増幅光ビームの前記焦点面であることを特徴とする請求項10に記載のシステム。前記増幅光ビームと整列する案内レーザビームを生成する案内レーザを更に含み、前記案内レーザビームは、前記増幅光ビームの波長とは異なる波長で作動する、ことを特徴とする請求項11に記載のシステム。前記検出システムによって検出される前記反射レーザビームは、前記ターゲット材料から反射された前記案内レーザビームであることを特徴とする請求項12に記載のシステム。前記ターゲット焦点面は、前記案内レーザビームの焦点面であることを特徴とする請求項13に記載のシステム。前記光源は、少なくとも電力増幅器を含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。前記光源は、少なくとも主発振器を含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。極紫外線を発生させる方法であって、伝播方向に沿って進む増幅光ビームによって該増幅光ビームの焦点面でターゲット材料を照射する段階と、前記ターゲット材料から反射されたレーザビームの波面を修正し、該修正が、前記伝播方向に沿ったターゲット焦点面の位置の関数である段階と、前記修正された反射レーザビームの像を検出する段階と、前記検出像に基づいて前記増幅光ビームの前記焦点面の場所を判断する段階と、前記判断された焦点面の場所がターゲット場所に重ならない場合に前記ターゲット材料に対する該焦点面の前記位置を調節する段階と、前記調節された焦点面位置を有する前記増幅光ビームで前記ターゲット材料を照射する段階と、を含むことを特徴とする方法。前記反射レーザビームは、前記ターゲット材料から反射された前記増幅光ビームであることを特徴とする請求項17に記載の方法。前記ターゲット材料を前記増幅光ビームで照射する段階は、光源を作動させて該増幅光ビームのパルスを発生させる段階を含むことを特徴とする請求項18に記載の方法。前記反射レーザビームの前記波面を修正する段階は、前記パルスが発生している間だけ該波面を修正する段階を含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。前記反射レーザビームは、前記ターゲット材料から反射された案内レーザビームであることを特徴とする請求項17に記載の方法。前記波面を修正する段階は、前記伝播方向に対するそれぞれの横断方向に焦点を各々が有する焦点面の間に該伝播方向に沿って分離を導入する段階を含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。前記波面を修正する段階は、前記反射レーザビームの波面の曲率及び形状のうちの1つ又はそれよりも多くを修正する段階を含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。前記波面を修正する段階は、前記反射レーザビームの前記波面に非点収差を導入する段階を含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。前記焦点面の前記場所を判断する段階は、前記検出像を測定基準に適合させる段階、及び該測定基準に基づいて像強度の中心と該検出像の向きとを判断する段階を含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。前記焦点面の前記場所を判断する段階は、像強度の中心と向きとの所定の組に対して前記判断された像強度の中心と前記向きとを比較する段階を含むことを特徴とする請求項25に記載の方法。前記焦点面の前記場所を判断する段階は、前記像強度の小さい及び大きい慣性モーメント間の比が所定の値よりも大きいか否かを確認する段階と、前記検出像の前記向きが所定の角度よりも大きいか否かを確認する段階と、を含む、ことを特徴とする請求項25に記載の方法。前記焦点面の前記場所を判断する段階は、前記検出像を前記測定基準に適合させる段階、及び該測定基準に基づいて楕円率を判断する段階を含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。前記焦点面の前記場所を判断する段階は、前記判断された楕円率の特性を1組の所定の値と比較する段階を含むことを特徴とする請求項28に記載の方法。一部の一般的な態様では、極紫外線システムは、光源と、ステアリングシステムと、極紫外線チャンバと、検出システムと、波面修正システムと、検出システム及びステアリングシステムに結合されたコントローラとを含む。光源は、伝播方向に沿って進む増幅光ビームを生成し、ステアリングシステムは、増幅光ビームをターゲット場所の近くの焦点面に誘導して集束させる。極紫外線チャンバは、極紫外線コレクターと、ターゲット場所におけるターゲット材料とを含む。検出システムは、ターゲット材料の少なくとも一部分から反射されたレーザビームの像を検出するように位置決めされた少なくとも1つの検出器を含む。波面修正システムは、反射レーザビームの経路内でターゲット場所と検出システムの間にあり、反射レーザビームの波面を伝播方向に沿ったターゲット焦点面位置の関数として修正するように構成される。コントローラは、反射レーザビームの検出像に基づいて、ターゲット材料に対して伝播方向に沿って増幅光ビームの焦点面の場所を調節するための論理を含む。実施は、以下の特徴のうちの1つ又はそれよりも多くを含むことができる。例えば、波面修正システムは、透過光学要素を含むことができる。透過光学要素は、非点収差レンズ又は円柱レンズとすることができる。波面修正システムは、反射光学要素を含むことができる。反射光学要素は、円柱ミラー又は鞍形ミラーを含むことができる。反射レーザビームの検出像のサイズ及び向きは、ターゲット場所に対するターゲット焦点面の位置と共に変化することができる。波面修正システムは、光源の出力窓と検出システムの間にあるとすることができる。波面修正システムは、ターゲット場所と光源の出力窓の間にあるとすることができる。検出システムによって検出される反射レーザビームは、ターゲット材料から反射される増幅光ビームとすることができる。ターゲット焦点面は、増幅光ビームの焦点面とすることができる。システムは、増幅光ビームと整列して増幅光ビームの波長とは異なる波長で作動する案内レーザビームを生成する案内レーザを含むことができる。検出システムによって検出される反射レーザビームは、ターゲット材料から反射される案内レーザビームとすることができる。ターゲット焦点面は、案内レーザビームの焦点面とすることができる。光源は、少なくとも電力増幅器を含むことができる。光源は、少なくとも主発振器を含むことができる。別の一般的な態様では、極紫外線は、伝播方向に沿って進む増幅光ビームにより、増幅光ビームの焦点面においてターゲット材料を照射し、ターゲット材料から反射されたレーザビームの波面を修正し、修正が、伝播方向に沿ったターゲット焦点面の位置の関数であり、修正された反射レーザビームの像を検出し、検出像に基づいて増幅光ビームの焦点面の場所を判断し、判断された焦点面の場所がターゲット場所に重ならない場合に、ターゲット材料に対する焦点面の位置を調節し、調節された焦点面位置を有する増幅光ビームでターゲット材料を照射することによって発生される。実施は、以下の特徴のうちの1つ又はそれよりも多くを含むことができる。例えば、反射レーザビームは、ターゲット材料から反射される増幅光ビームとすることができる。ターゲット材料は、光源を作動させて増幅光ビームのパルスを発生させることによって増幅光ビームで照射することができる。反射レーザビームの波面は、パルスが発生している間だけ波面を修正することによって修正することができる。反射レーザビームは、ターゲット材料から反射される案内レーザビームとすることができる。反射レーザビームの波面は、各々が伝播方向に対するそれぞれの横断方向に焦点を有する焦点面の間に伝播方向に沿って分離を導入することによって修正することができる。反射レーザビームの波面は、反射レーザビームの波面の曲率及び形状のうちの1つ又はそれよりも多くを修正することによって修正することができる。反射レーザビームの波面は、反射レーザビームの波面内に非点収差を導入することによって修正することができる。焦点面の場所は、検出像を測定基準に適合させ、かつ測定基準に基づいて像強度中心及び検出像の向きを判断することによって判断することができる。焦点面の場所は、判断された像強度中心及び向きを像強度中心及び向きの所定の組と比較することによって判断することができる。焦点面の場所は、像強度の小さい慣性モーメントと大きい慣性モーメントの間の比が所定の値よりも大きいか否かを確認し、かつ検出像の向きが所定の角度よりも大きいか否かを確認することによって判断することができる。焦点面の場所は、検出像を測定基準に適合させ、かつ測定基準に基づいて楕円率を判断することによって判断することができる。焦点面の場所は、判断された楕円率の特性を1組の所定の値と比較することによって判断することができる。図1を参照すると、極紫外線システム100は、他の特徴の中でも特に、光源105、ステアリングシステム110、検出システム115、波面修正システム120、及びコントローラ125を含む。以下に詳細に解説するが、ステアリングシステム110、検出システム115、波面修正システム120、及びコントローラ125から構成されるアラインメントシステムは、定常状態で作動する間に、極紫外線チャンバ145内で光源105の焦点をターゲット材料140に対して自動的に調節する。ターゲット材料140に対する光源焦点の正確な場所は、光源105からターゲット材料140に与えられるエネルギ量、従って、プラズマによって発生するEUV光の量を判断することから重要である。光源105は、伝播方向に沿って進む増幅光ビーム130を生成する。図1では、ターゲット材料140の場所に伝播方向を矢印155で表している。ステアリングシステム110は、例えば、増幅光ビーム130を極紫外線チャンバ145内のターゲット材料140の近くの焦点領域135に誘導かつ集束させる1つ又はそれよりも多くの構成要素111、112、113を含む。焦点領域135は、くびれ部半径と焦点面150とによって定義される。くびれ部半径は、焦点面150に沿って延びている。焦点面150は、伝播方向155に対して垂直な光ビーム130のくびれ部半径が最も小さい平面である。従って、くびれ部半径も、伝播方向155に対して垂直な平面に延びている。くびれ部半径の説明は、2010年3月16日出願の最適な極紫外線出力に向けてターゲット材料を整列かつ同期させるためのシステム、方法、及び装置System,MethodandApparatusforAligningandSynchronizingTargetMaterialforOptimumExtremeUltravioletLightOutputという名称の米国特許出願第12/725,178号明細書’178出願に見出され、この文献は、その全部が引用によって本明細書に組み込まれている。ターゲット材料140は、例えば、水、錫、リチウム、キセノン、又はプラズマ状態に変換された場合にEUV範囲に輝線を有するあらゆる材料を含むことができる。例えば、錫元素は、純錫Snとして、錫化合物、例えば、SnBr4、SnBr2、SnH4として、錫合金、例えば、錫-ガリウム合金、錫-インジウム合金、錫-インジウム-ガリウム合金、又はこれらの合金のいずれかの組合せとして使用することができる。ターゲット材料140は、錫のような上述の元素のうちの1つで被覆されたワイヤを含むことができる。ターゲット材料が固体状態にある場合には、ターゲット材料は、リング、球体、又は立方体のようなあらゆる適切な形状を有することができる。ターゲット材料140は、ターゲット材料送出システム図1には示していないが、例示的な構成を図2及び図3に示すにより、チャンバ145の内部へ、更にターゲット場所に送出することができる。ターゲット場所を照射部位とも呼び、この場所で、ターゲット材料140が増幅光ビーム130によって照射され、プラズマが生成される。構成要素113は、ターゲット材料140の少なくとも一部分から反射され、ステアリングシステム110を通って戻るレーザビーム160から増幅光ビーム130を分離するように位置決めされたデバイスである。構成要素113は、ビームスプリッタのような部分透過ミラーとすることができ図1に示すように、又は光源105の出力窓とすることができる図3に示すように。部分透過ミラーとして、構成要素113は、増幅光ビーム130を構成要素112に向けて反射し、同時に反射レーザビーム160が、検出器115に向けて通過することを可能にする。構成要素112は、光源105から増幅光ビーム130を受光し、増幅光ビーム130を必要に応じて構成要素111に向けて誘導かつ修正する光学要素の集合ビーム搬送システムのようなとすることができる。構成要素112は、増幅光ビームを拡大するビーム拡大システムを含むことができる。例示的なビーム搬送システム及び例示的なビーム拡大システムの説明は、2009年12月15日出願の極紫外線光源のためのビーム搬送システムBeamTransportSystemforExtremeUltravioletLightSourceという名称の米国特許出願第12/638,092号明細書’092出願に見出すことができ、この文献は、その全部が引用によって本明細書に組み込まれている。構成要素111は、増幅光ビーム130を焦点面150に集束させる収束レンズ又は湾曲ミラーのような集束光学系を含む。集束光学系が湾曲ミラーである場合には、集束光学系は、増幅光ビーム130の波長において非常に反射性の高いコーティングを有する基板で作成することができる。例えば、ミラーは、無酸素高導電率OFHC銅基板上に米国ペンシルベニア州サクソンバーグ所在のII-VIInfraredによって製造された最大金属反射器MMRコーティングを有することができる。ミラーに対して使用することができる他のコーティングは金及び銀を含み、コーティングを適用することができる他の基板は、シリコン、モリブデン、及びアルミニウムを含む。集束光学系が収束レンズの場合には、集束光学系は、増幅光ビーム130の波長において透過を行うことができる適切な材料で作成される。例示的な集束光学系は、’092出願及び’178出願に説明されている。検出システム115は、ターゲット材料140の少なくとも一部分から反射され、ステアリングシステム110を通って戻る光ビーム160の像を検出するように位置決めされる。検出システム115は、コントローラ125に像信号を出力し、コントローラ125は、像の分析を行って、検出像のある一定の特性がターゲット材料140に対する焦点面の位置と共に如何に変化するかを判断する。検出システム115は、Ophir-SpiriconからのPyrocam登録商標IIIシリーズのような焦電性固体検出器アレイとすることができる。この特定の実施では、検出システム115は、結像デバイス固体アレイカメラだけではなく、他の特徴的機能及び分析機能のためのレーザビーム分析ソフトウエアを含む。図3に示すように、ターゲット材料340から反射されるレーザビーム360は、ターゲット材料340から反射される増幅光ビーム330とすることができる。この場合、焦点面350は、増幅光ビーム330の焦点面である。図11に示すような他の実施形態では、ターゲット材料1140から反射されるレーザビーム1160は、ターゲット材料1140から反射される案内レーザビームであり、案内レーザビームは、案内レーザから生成され、増幅光ビーム1130と整列する。一部の実施では、案内レーザビームは、増幅光ビーム1130の波長とは異なる波長で作動し、それに対して他の実施では、案内レーザビームは、増幅光ビーム1130の波長と同じ波長で作動する。案内レーザビームが増幅光ビーム1130の波長と同じ波長で作動する場合には、焦点面1150は、案内レーザビームと増幅光ビーム1130の両方の焦点面である。一方、案内レーザビームが増幅光ビーム1130の波長とは異なる波長で作動する場合には、案内レーザビームの焦点面は、焦点面1150から若干オフセットされたものとすることができ、案内レーザビームの焦点面を焦点面1150と整列させるようにこの焦点面を調節するために、案内レーザの後に補正光学系を挿入することができる。波面修正システム120は、反射レーザビーム160の経路にあり、かつターゲット材料140と検出システム115の間にある。波面修正システム120は、反射レーザビーム160の波面をターゲット材料140における伝播方向155に沿った焦点面150の位置の関数として修正するように構成される。波面修正システム120は、波面を修正するという唯一の目的を有する従って、システム100に対する付加構成要素である構成要素とすることができ、又は修正以外、例えば、ステアリングの目的を有し、波面を修正するようにも変更された構成要素とすることができる。例えば、波面修正システム120は、増幅光ビーム130を焦点面150に集束させるためだけでなく、反射ビーム160の波面を修正するためにも使用されるステアリングシステム110内の集束光学系111のような光学デバイスとすることができる。本明細書に解説するもののような一部の実施では、波面修正システム120は、ステアリングシステム110に対して外部の光学デバイスであり、従って、増幅光ビーム130を焦点面150に集束させるためには使用されない。この場合、図1に示すように、波面修正システム120は、以下により詳細に解説するように、波面修正システム120を含めることに起因するEUV生成効率に対する潜在的な悪影響を可能な限り低減するために、光源105の出力窓と検出システム115の間にあるとすることができる。一部の実施では、波面修正システム120は、図1に示すように、非点収差レンズ又は円柱レンズのような透過光学要素を含む。この形状の透過光学要素は、増幅光ビーム130の波長で透過を行うことができる材料で作成することができる。例えば、透過光学要素は、赤外線用途に対して使用することができる材料であるZnSeで作成することができる。使用することができる他の材料は、ヒ化ガリウムGaAs及びダイヤモンドを含むが、これらに限定されない。他の実施では、波面修正システム120は、図3に示すように、円柱ミラー又は双円錐ミラーのような反射光学要素を含む。双円錐ミラーは、2つの横断方向に沿って対向して湾曲し、鞍形状又は双曲放物面形状を有する面を有する。そのような双円錐ミラーは、ミラーの中心で取られた法線を横断する第1の方向に沿って凸になり、この法線及び第1の方向を横断する第2の方向に沿って凹である。一部の実施では、反射光学要素は、平面ミラーを必要な方式に湾曲させるために例えば、第1の方向に凸に、第2の方向に凹又は平面に平面ミラーの前面及び/又は後面に沿った1つ又はそれよりも多くの点に適切な力を印加することによって製造される。他の実施では、反射光学要素は、平面ミラーを研削、研磨、又は被覆して双円錐面又は円柱面を得ることによって製造される。そのような反射光学要素は、例えば、増幅光ビーム130の波長において殆どの光を反射するために、いずれかの基板と、増幅光ビーム130を反射するのに適するコーティングとで作成することができる。一部の実施では、反射光学要素は、無酸素高導電率OFHC銅基板上の米国ペンシルベニア州サクソンバーグ所在のII-VIInfraredによって製造された最大金属反射器MMRコーティングのような高反射性のコーティングで作成される。使用することができる他のコーティングは金及び銀を含み、コーティングを適用することができる他の基板は、シリコン、モリブデン、及びアルミニウムを含む。より一般的には、波面修正システム120は、反射レーザビーム160の波面を修正し、伝播方向を横断する2つの方向において2つの若干異なる焦点面を発生させる。従って、ターゲット材料から反射されるレーザビーム160の像の非対称性は、ターゲット材料に対する伝播方向155に沿った焦点面の位置と共に変化する。この非対称性は、焦点面とターゲット材料の間の相対位置を判断するために検出システム115を使用することができる。コントローラ125は、機能の中でも検出システム115に通信チャンネル165を通じて結合され、更にステアリングシステム110の1つ又はそれよりも多くの構成要素構成要素111の位置を制御するアクチュエータ170のようなに1つ又はそれよりも多くの通信チャンネル175を通じて結合される。コントローラ125は、ターゲット材料140に対する伝播方向155に沿った増幅光ビームの焦点面150の場所の調節を検出システム115から受信する反射レーザビーム160の検出像又は像データに基づいて制御する通信チャンネル175を通じて信号を送信することによりように構成される。コントローラ125は、ソフトウエア及びメモリを含む汎用コンピュータとすることができ、ソフトウエアは、コントローラ125に接続した1つ又はそれよりも多くの出力デバイスにある一定の機能を実行させる論理命令を含む。アクチュエータ170は、圧電アクチュエータ又はステッパモータ制御マイクロメートル又はあらゆる適切な種類のアクチュエータとすることができる。図2を参照するとかつ’178出願により詳細に説明されているように、極紫外線チャンバ145は、反射面と、増幅光ビーム130がターゲット材料140に向けて通過し、ターゲット材料140をターゲット場所で照射してプラズマ210を生成することを可能にする開口205とを有する極紫外線コレクター200を含む。増幅光ビーム130による照射時にターゲット材料から発せられるEUV光215は、コレクター200から中間焦点220に向けて反射される。コレクター200は、例えば、ターゲット場所に第1の焦点を有し、中間焦点220に第2の焦点を有する楕円体ミラーとすることができ、EUV光215は、光システム100から出力することができ、例えば、集積回路リソグラフィツールのような下流のデバイス222に入力することができる。チャンバ145は、コレクター200からターゲット場所に向けてテーパ付き、ステアリングシステム110に進入するプラズマ発生デブリの量を低減し、同時に増幅光ビーム130がターゲット場所に達するのを可能にする開放端を有する中空の円錐遮壁225例えば、ガスコーンを含むことができる。この目的のために、ターゲット場所に向けて誘導されるガス流を遮壁内に供給することができる。光システム100は、ターゲット材料140を液滴、液流、固体の粒子又は集塊、又は液滴中に含まれる固体粒子又は液流中に含まれる固体粒子の形態で送出するターゲット材料送出システム230も含む。ターゲット材料140は、ターゲット材料送出システム230により、チャンバ145の内部へ、更にターゲット場所に送出することができる。ターゲット材料送出システム230は、ノズル240の位置を伝播方向155に沿ってターゲット材料140の場所で、更に伝播方向155に対して垂直な方向245紙面から飛び出すに沿って制御する作動システム235を含む。光システム100は、液滴に向けて、更に検出器255に向けて方向が定められた第2の光源250を含むことができる。更に、光システム100は、パルスエネルギ、波長の関数としてのエネルギ分布、特定の波長帯域内のエネルギ、特定の波長帯域外のエネルギ、並びにEUV強度の角度分布及び/又は平均電力を含むがこれらに限定されない1つ又はそれよりも多くのEUV光パラメータを測定する検出器260を含むことができる。検出器260は、主コントローラ125による使用に向けてフィードバック信号を発生させる。フィードバック信号は、例えば、有効かつ効率的なEUV発光のために液滴を正しい場所及び時間で適正に捉えるための増幅光ビームパルスのタイミング及び焦点のようなパラメータにおける誤差を示すことができる。図3を参照すると、例示的な極紫外線システムの別の実施300は、図1に示す光システム100において説明した基本的な要素を含むように設計される。従って、光システム300も、光源305、ステアリングシステム310、検出システム315、波面修正システム320、及びコントローラ325を含む。ステアリングシステム310は、光源305から出力された増幅光ビーム330をこの場合レンズである集束光学系311に向けて反射する2つ又はそれよりも多くの構成要素312a、312bを含む。構成要素312a、312bは、コントローラ325にそれぞれの通信チャンネルを通じて電気的に接続したそれぞれのアクチュエータ322a、322bによって制御される。ステアリングシステム310は、光源305の出力窓313も含み、出力窓313は、レーザビーム360を波面修正システム320に向けて反射し、同時に増幅光ビーム330が自由に通過することを可能にする増幅光ビーム330が、波面修正システム320に入射しないように。ステアリングシステム310は、集束光学系311の位置をモニタするセンサ321を含む。光システム300は、ターゲット材料340をチャンバ345の内部へ、更にターゲット場所に送出するターゲット材料送出システム341も含む。ターゲット材料送出システム341は、ノズル343の位置を伝播方向355に沿ってターゲット材料340の場所で、更に伝播方向355に対して垂直な方向356紙面から飛び出すに沿って制御する作動システム342を含む。光システム300は、液滴に向けて、更に検出器385に向けて方向が定められた第2の光源380を含むことができる。更に、光システム300は、パルスエネルギ、波長の関数としてのエネルギ分布、特定の波長帯域内のエネルギ、特定の波長帯域外のエネルギ、並びにEUV強度の角度分布及び/又は平均電力を含むがこれらに限定されない1つ又はそれよりも多くのEUV光パラメータを測定する検出器390を含むことができる。検出器390は、主コントローラ325による使用に向けてフィードバック信号を発生させる。フィードバック信号は、例えば、有効かつ効率的なEUV発光のためにターゲット材料を正しい場所及び時間で適正に捉えるための増幅光ビームパルスのタイミング及び焦点のようなパラメータにおける誤差を示すことができる。光源105、305は、1つ又はそれよりも多くの主パルス及び一部の場合は1つ又はそれよりも多くのプレパルスを供給するための1つ又はそれよりも多くの光学増幅器、レーザ、及び/又はランプを含む。各光学増幅器は、望ましい波長を高い利得で光学的に増幅することができる利得媒質と、励起源と、内部光学系とを含む。光学増幅器は、レーザミラー、又はレーザキャビティを形成する他のフィードバックデバイスを有するか、又は持たない場合がある。従って、レーザシステムは、いずれのレーザキャビティも存在しない場合であっても、レーザ増幅器の1つ又は複数の利得媒質における反転分布に起因して増幅光ビームを生成する。しかし、レーザシステムに十分なフィードバックを供給するレーザキャビティが存在する場合には、レーザシステムは、コヒーレントなレーザビームである増幅光ビームを生成することができる。増幅光ビームという用語は、レーザシステムからの増幅されただけで必ずしもコヒーレントではないレーザ振動である光、及びレーザシステムからの増幅されてコヒーレントでもあるレーザ振動である光のうちの1つ又はそれよりも多くを含む。レーザシステムにおける光学増幅器は、CO2を含んで約9100nmと約11000nmの間、特に、約10600nmの波長の光を1000よりも大きいか又はそれに等しい利得で増幅することができる充填ガスを利得媒質として含むことができる。レーザシステムにおける使用に適する増幅器及びレーザは、パルスレーザデバイス、例えば、DC励起又はRF励起等によって約9300nm又は約10600nmの放射線を生成し、比較的高い電力、例えば、10kW又はそれよりも高く、かつ高いパルス繰返し数、例えば、50kHz又はそれよりも高くで作動するパルスガス放電CO2レーザデバイスを含むことができる。レーザシステムにおける光学増幅器は、レーザシステムを高い電力で作動させる場合に使用することができる水のような冷却システムを含むことができる。同じく図4Aを参照すると、一部の実施では、駆動レーザシステムは、ターゲット材料140、340が光キャビティの1つのミラーとして機能するいわゆる自己ターゲットレーザシステムとして構成することができる。一部の自己ターゲット配列では、主発振器が必要とされない場合がある。レーザシステム400は、独自の利得媒質及び励起源、例えば、ポンピング電極を有することができる少なくとも1つの光学増幅器405を含む。光学増幅器は、例えば、10600nmの波長λの光を増幅するために、例えば、103~106の組合せ単一通過利得を有するRFポンピング速軸流CO2増幅器チャンバとすることができる。増幅器チャンバは、レーザキャビティ共振器ミラーなしで設計することができ、従って、単独で構成された場合に、増幅光ビーム410を利得媒質を通じて1回よりも多い回数通過させるのに必要な光学構成要素を含まない。それにも関わらず、上述のように、レーザキャビティを以下の通りに形成することができる。この実施では、後部部分反射光学系415をレーザシステム400に追加し、ターゲット材料140、340をターゲット場所に配置することによってレーザキャビティを形成することができる。光学系415は、例えば、約10600nmの波長CO2増幅器チャンバが使用される場合の増幅光ビーム130、330の波長に対して約90よりも大きい反射率を有する平面ミラー、湾曲ミラー、位相共役ミラー、又はコーナ反射器とすることができる。ターゲット材料140、340及び後部部分反射光学系415は、増幅光ビーム410の一部をレーザシステム400内に反射して戻してレーザキャビティを形成するように機能する。従って、ターゲット場所におけるターゲット材料140、340の存在は、レーザシステム400にコヒーレントなレーザ振動を生成させるのに十分なフィードバックを与え、この場合、増幅光ビーム410をレーザビームと考えることができる。ターゲット材料140、340が、ターゲット場所に存在しない場合には、レーザシステム400は、増幅光ビーム410を生成するように依然としてポンピングすることができるが、レーザシステム400内のいずれかの他の構成要素が十分なフィードバックを与えない限り、コヒーレントなレーザ振動を生成することにはならない。特に、増幅光ビーム410とターゲット材料140、340との交差中には、ターゲット材料140、340は、ビーム経路に沿って光を反射することができ、光学系415と協働して光学増幅器405を通過する光キャビティを確立する。この配列は、光学増幅器405内の利得媒質が励起され、ターゲット材料140、340を照射するためのレーザビームを発生させ、プラズマを作り出し、チャンバ145、345内にEUV発光を生成する時に、ターゲット材料140、340の反射率が、キャビティ光学系415と液滴とから形成される内の光学的損失よりも大きいほど十分であるように構成される。この配列では、光学系415と光学増幅器405とターゲット材料140、340とが組み合わされ、ターゲット材料140、340が、光キャビティの1つのミラーいわゆるプラズマミラー又は機械qスイッチとして機能するいわゆる自己ターゲットレーザシステムを形成する。自己ターゲットレーザシステムは、2006年10月13日出願のEUV光源のための駆動レーザ送出システムDriveLaserDeliverySystemsforEUVLightSourceという名称の米国特許出願第11/580,414号明細書に開示されており、この文献の全体の内容が引用によって本明細書に組み込まれている。他の実施では、レーザシステム400は、ビーム経路に沿って直列で配置された一連の光学増幅器図4Cに示すようなを含む。図4Bを参照すると、別の特定の実施では、駆動レーザシステム420は、主発振器425によって発振され、一段光学増幅器430内に供給されるシードパルスを有する主発振器/電力増幅器MOPA構成を有する。光学増幅器430は、主発振器425から出力されたパルスを例えばRFポンピング速軸流CO2増幅器を用いて増幅することができ、ビーム経路に沿って進む増幅光ビーム435が生成される。同じく図4Cを参照すると、MOPA構成の別の実施では、駆動レーザシステム440は、1組の光学増幅器450、455、460に給送してビーム経路に沿って進む増幅光ビーム465を生成する主発振器445を含む。一部の実施では、光学増幅器450、455、460の各々は、内部ミラーによって折り返される10メートル増幅器長を有するRFポンピング軸流CO2レーザキューブとすることができる。図示してはいないが、この実施において3つよりも多いか又は少ない光学増幅器を使用することができる。用途に基づいて、他の種類の増幅器又はレーザ、例えば、高い電力及び高いパルス繰返し数で作動するエキシマレーザ又はフッ素分子レーザを適切なものとすることができる。例えば、繊維又は円盤形の利得媒質を有する固体レーザ、例えば、米国特許第6,625,191号明細書、第6,549,551号明細書、及び第6,567,450号明細書に示すようなMOPA構成のエキシマレーザシステム、1つ又はそれよりも多くのチャンバ、例えば、発振器チャンバ及び1つ又はそれよりも多くの増幅チャンバこれらの増幅チャンバは並列又は直列にあるを有するエキシマレーザ、主発振器/電力発振器MOPO配列、電力発振器/電力増幅器POPA配列、又は1つ又はそれよりも多くのエキシマ増幅器又はフッ素分子増幅器又は発振器チャンバにシード供給を行う固体レーザを含む例を適切なものとすることができる。他の設計も可能である。図5を参照すると、光システム100又は300を作動させるための手順500が実施される。最初に光システム100、300が起動され段階505、増幅光ビーム130、330の初期アラインメントが実施される段階510。初期アラインメントは、増幅光ビーム130、330がチャンバ145、345に入射し、ほぼターゲット場所に向けて誘導されるように、光源105、305及びステアリングシステム110、310の特徴部を調節する段階を伴っている。特に、このアラインメントは、焦点領域135、335焦点面150、350内にあるくびれ部及び焦点面150、350がターゲット材料140、340の所定の距離内にあるか否かを判断する段階を含む段階515。この初期アラインメント中に調節することができる特徴部は、例えば、構成要素112、312a、312b、構成要素113、313、及び集束光学系111、311のようなステアリングシステム110、310内の構成要素の調節位置及び調節角度を含む。焦点領域135、335がターゲット材料140、340の所定の距離内になかった場合には、光源105、305及びステアリングシステム110、310の特徴部は再度調節される段階510。調節は、EUV光215の測定電力が最大値に達するまで、又は所定の閾値よりも大きいまで、焦点領域135、335を伝播方向155、355に沿って、更に伝播方向155、355に対して垂直な方向に沿って移動するように光源の特徴部を調節する段階構成要素の位置及び角度を調節する段階のようなを含むことができる。代替的又は追加的に、調節は、EUV光215の測定電力が最大値に達するか又は所定の閾値よりも大きくなるまで、ターゲット材料140、340の位置を方向355及び356のうちの1つ又はそれよりも多くに沿って調節する段階を含むことができる。焦点領域135、335がターゲット材料140、340の所定の距離内にある場合には、光システム100、300は定常状態に入る段階520。図6を参照すると、定常状態作動420中に、光システム100、300によって手順が実施される。伝播方向755に沿って進む増幅光ビーム730及び光システム100、300を通じて誘導することができる反射レーザビーム760を示す図7A~図7Cに示す概括的な光学図を参照されたい。これらの光学図では、検出システム115、315を参照番号715、波面修正システム120、320を参照番号720、及び集束光学系111、311を参照番号711に示している。図7A~図7Cに示す要素を参照して説明するいずれの段階も、図1及び図3に示す対応する要素に同じく適用されることになる。図7Aでは、増幅光ビーム730は、ターゲット材料740を超えるか又はその後の焦点領域735に収束される。従って、ターゲット材料740は焦点面750のくびれ部に重ならず、その中に存在しない。図7Bでは、増幅光ビーム730は、ターゲット材料740の近くで、それと重なる焦点領域735に収束する。これは、ターゲット材料740がくびれ部の中に存在し、更に焦点面750に重なることを意味する。ターゲット材料740が焦点面750から所定の距離内例えば、伝播方向755に沿って約100μm内に存在する場合には、ターゲット材料740は焦点面750に重なる。この所定の距離は、集束光学系711の開口数に依存し、集束光学系711の開口数が大きい程、所定の距離は小さい。図7Cでは、増幅光ビーム730は、ターゲット材料740の前にある焦点領域735に収束する。従って、ターゲット材料740は焦点面750のくびれ部に重ならず、その中に存在しない。増幅光ビーム730は、ターゲット材料740の近くの焦点領域735に収束される段階600。この初期段階では、焦点領域735は、ターゲット材料740に厳密に重なる上記に定義したようにことのないことが可能であるが、定常状態手順520を開始することができる程度には十分に近い。焦点領域735の場所は、取りわけ、以下に解説するように検出システム715から出力された像を分析することにより、定常状態作動段階520中にターゲット材料740と重なるように調節される。ターゲット材料740から反射されたレーザビーム760は、例えば、構成要素113又は出力窓313を用いて増幅光ビーム730から分離され段階605図7A~図7Cには明瞭化のために示していない、分離されたレーザビーム760は、波面修正システム720を通じて検出システム715に向けて誘導される。例えば、図1では、レーザビーム160は、部分透過ミラー113を検出システム115に向けて通過し、同時に増幅光ビーム130は構成要素113によって反射される。別の例として、図3では、レーザビーム360は窓313から波面修正システム320に向けて反射され、同時に増幅光ビーム330は、この窓を通じてステアリングシステム310に向けて誘導される。レーザビーム760の波面は、波面修正システム720によって修正される段階610。この場合、波面修正システム720が非点収差レンズ図1に示すレンズ120のような又は双円錐ミラー図3に示す反射光学要素のようなである場合には、実験室760の伝播方向一般的に方向755とラベル付けしたを横断する2つの方向において2つの若干異なる焦点面を提供する。従って、波面修正システム720は、レーザビーム760内に非集束を導入する。レーザビーム760内に導入される非集束の量は、軸の各々における曲率の量、又は波面修正システム120、320の2つの軸の間の曲率差に依存する。更に、波面修正システム120、320は、ターゲット材料の像内に非集束をもたらすことで波面を歪曲させることにより、像コントラストを得るのに弱い光しか使用されず、SN比が低下するので、非集束が増大する時に、検出システム115、315によって得られる像の解像度は低下する。従って、焦点面の位置に関する判断を可能にするためには、システム120、320によって与えられる波面修正の量を十分な像コントラストへの要求に対して均衡させる必要がある。一部の実施では、波面修正システム120、320は、その軸のうちの少なくとも1つに沿って、例えば、約10~100メートルの間の曲率半径を有する。曲率半径の許容範囲の値は、反射レーザビーム160、360の波長、検出システム115、315の解像度、並びに反射レーザビームが通過する光学構成要素の質及び設計に少なくとも部分的に依存する。波面修正システム720によって修正されたレーザビーム760は、検出システム715において検出される段階615。レーザビーム760の光は、検出システム715において強度プロフィールを発生させ、この強度プロフィールは、増幅光ビーム130の焦点領域735に対するターゲット材料740の位置を示している。検出システム715は、そのディスプレイ719上にこの強度プロフィールの像717を発生させ段階620、像717は、ピクセル強度の2次元アレイとすることができる。コントローラ125、325は、検出システム115、315又は715の出力を受信し、この出力を分析して、焦点領域735とターゲット材料740の間の相対位置に関する情報を生成する段階625。分析段階625に関する詳細は、図8を参照して解説する。次に、コントローラ125、325は、例えば、分析段階625中に計算された重心を分析することにより、焦点くびれ部がターゲット材料740に重なるか否かを判断する段階630。焦点くびれ部がターゲット材料740に重なるか否かを判断するための重心の分析は、’178出願により詳細に説明されている。基本的に、コントローラ125、325は、増幅光ビーム730の光軸伝播方向と平行を表す像中心から重心がどれ程遠いか垂直に延びる平面に沿ってを判断する。次に、焦点くびれ部が、光軸から垂直に延びる平面に沿ってターゲット材料740と重ならないと判断された場合は段階630、コントローラ125、325は、ステアリングシステム110、310内の1つ又はそれよりも多くのアクチュエータに信号を送信して、ステアリングシステム110、310内の構成要素の位置及び/又は角度を調節し、それによって重心の場所に基づいて焦点くびれ部とターゲット材料740との相対位置を調節する段階635。この調節も、’178出願により詳細に説明されている。コントローラ125、325は、測定プラズマ特性を考慮することにより、例えば、チャンバ145、345内の個別のカメラから判断することができる測定プラズマ位置を考慮することにより、焦点くびれ部がターゲット材料740に重なるか否かに関する判断を行うことが可能である。プラズマ位置に関するそのような情報は、ターゲット材料において伝播方向を横断する軸のうちの少なくとも1つに沿った位置を判断するのに使用することができる。コントローラ125、325は、段階625において実施した分析の結果に基づいて、焦点面が光軸に沿ってターゲット材料に重なるか否かも判断する段階640。段階625における分析が、焦点面750がターゲット材料740に重ならない例えば、図7A又は図7Cに示すようにことを示す場合には、コントローラ125、325は、ステアリングシステム110、310内の1つ又はそれよりも多くのアクチュエータに信号を送信して、ステアリングシステム110、310内の構成要素の位置及び/又は角度を調節し、それによって焦点面750とターゲット材料740の間の相対位置を調節する段階645。検出システム115、315は、段階615及び段階620においてデータを取り込む。検出システム115、315は、システム115、315の速度に依存してデータを周期的に所定の期間にわたって取り込み、これらのデータ取得期間には、データ非取得間隔が挟まれる。段階635及び段階645における調節は、1つのデータ取得サイクルの後に実施することができるこの場合、サイクルは、データ取得期間にデータ非取得間隔を加えたものである。しかし、複数のデータ収集サイクル及び測定値を平均する段階の後に段階635、645で調節を実施し、光システム100、300が自己補正を行い、ステアリングシステム110、310内の要素を過度に急激に移動するのを回避することを可能にすることをより実用的とすることができる。同じく図8を参照すると、コントローラ125、325は、検出システム115、315の出力を分析して、焦点領域735とターゲット材料740の間の相対位置に関する情報を生成するための例示的な手順625を実施する。最初にコントローラ125、325は、像例えば、像717の重心を計算する段階800。この計算は、未処理像データから背景ノイズを除去する段階と、像の各軸に沿って像エネルギを計算し、この像エネルギを合計像エネルギで割算して重心を推定する段階と、推定重心に像の中心を合わせる段階とを含むことができる。次に、コントローラ125、325は、更に別の分析に進むのを助けるために、ピーク強度が閾値例えば、背景値よりも大きいか否かを判断する段階805。ピーク強度が閾値よりも大きくない場合には、コントローラ125、325は手順625を抜け、その後に、段階615検出システム715においてレーザビーム760が検出されるで定常状態作動520が再開される段階810。ピーク強度が閾値よりも大きい場合には、コントローラ125、325は、判断した重心に基づいてアレイ内の各軸の慣性モーメントを計算し段階815、慣性軸モーメントのサイズを計算し段階820、更に慣性軸モーメントの向きを計算する段階825。次に、コントローラ125、325は、段階820及び段階825において計算したサイズ及び向きに基づいて、小さい慣性モーメントと大きい慣性モーメントの間の比を計算する段階830。コントローラ125、325は、計算した比が所定の閾値例えば、0.80のようなよりも大きいか否かを判断する段階835。更に、図9を参照すると、グラフ900は、光軸に沿った焦点面の異なる位置における例示的な計算比を示している。グラフ900では、線905が、所定の閾値を示している。この比が所定の閾値よりも大きい場合は段階835、コントローラ125、325は、図7Bに示す光学図における場合と同様に、焦点面750とターゲット材料740とが光軸に沿って十分に重なると判断する段階840。この比が所定の閾値よりも大きい場合には、小さい慣性モーメントは大きい慣性モーメントよりもそれ程小さくなく、像は、図7Bに示すようにより円形に現れることになるので、上述の判断は妥当な判断である。この比が所定の閾値よりも大きくない場合は段階835、コントローラ125、325は、図7A及び図7Cの光学図における場合と同様に、焦点面750とターゲット材料740とは十分に重ならないと判断する段階845。この場合、小さい慣性モーメントは大きい慣性モーメントよりも有意に小さく、これは、像が図7A又は図7Cに示すように楕円形で現れることになることを意味する。更に、コントローラ125、325は、試験軸図7A及び図7Cに示すように、大きい慣性モーメントに関連付けられた軸として割り当てることができるの向きが、水平軸に対して所定の角度例えば、90°よりも大きいか否かも判断する段階850。試験軸の向きは、水平軸に対する試験軸の角度765とすることができる。更に、試験軸の向き765は、波面修正システム120、320の向き伝播方向に対して垂直な平面内のによって直接的な影響を受ける。上述のように、波面修正システム120、320は、反射レーザビームの波面を修正して、伝播方向を横断する2つの方向において2つの若干異なる焦点面を開発する。これらの2つの横断方向の向きは、試験軸の向き765更に試験軸に対して垂直な軸の向きを判断するものである。従って、システム120、320の2つの横断方向が伝播方向を横断する水平方向及び垂直方向である場合には、試験軸の向き765は、水平方向又は垂直方向の一方に沿わなければならない試験軸の向き765がどのように定義されるかに依存して。焦点面の位置に対して得られた試験軸の向き765の例示的な測定値のグラフ1000を示す図10を参照すると、システム120、320の2つの横断方向が、伝播方向を横断する水平方向及び垂直方向から約45°ずれている場合に、焦点面がターゲット材料の背後に存在するならば図7Aに示すように、試験軸の向き765は、水平方向の上方約45°であり、焦点面がターゲット材料の前に存在するならば図7Cに示すように、水平方向の下方約45°である。計算を実施するために、所定の角度は、試験軸の向き765と試験軸に対して垂直な軸の向きとの間にあるように設定される。コントローラ125、325が、試験軸の向き765が所定の角度例えば、90°よりも大きいと判断する場合は段階850、コントローラ125、325は、焦点面が、図7Cに示すようにターゲット材料の前に存在すると判断する段階855。コントローラ125、325が、試験軸の向き765が所定の角度例えば、90°よりも大きくないと判断する場合は段階850、コントローラ125、325は、焦点面が、図7Aに示すようにターゲット材料の背後に存在すると判断する段階860。次に、コントローラ125、325は、段階840、860、865において行われた判断を出力し、焦点くびれ部がターゲット材料に重なるか否かを確認する段階630。図11を参照すると、例示的な極紫外線システムの別の実施1100は、光源1105、ステアリングシステム1110、検出システム1115、波面修正システム1120、及びコントローラ1125を含む。簡略化のために、下記では、光システム1100に存在しない図1の光システム100内の特徴のみをより詳細に説明する。光システム1100は、システム100に示す要素に加えて、ステアリングシステム1110の構成要素を整列させるか又は増幅光ビーム1130をターゲット場所に誘導するのを助けるのに使用することができる案内レーザ1175を含む。案内レーザ1175は、ステアリングシステム1110内の光学構成要素の波長範囲にある誘導波長を有する案内レーザビーム1180を生成する。上述のように、誘導波長は、光源1105の作動波長従って、増幅光ビーム1130の波長とは異なるものとすることができる。案内レーザビーム1180は、部分透過ミラー1185例えば、ビームスプリッタを通じて増幅光ビーム1130の経路にもたらされる。更に、案内レーザ1175の案内レーザビームは、整列させる必要がある光学構成要素を通過するのに十分な電力を有するが、依然として増幅光ビーム1130よりも相対的に低い電力を有するべきである。案内レーザ1175は、光源1105が増幅光ビーム1130を生成していない間であっても作動させることができる。案内レーザ1175は、例えば、チャンバ1145内でのEUV生成の前の光源1105の初期構成中に、光源1105内の構成要素を整列させるために使用することができる。更に、この実施では、案内レーザ1175は、ステアリングシステム1110内の構成要素を整列させて、増幅光ビーム1130をターゲット場所に誘導するために使用することができる。他の実施では、案内レーザ1175は、ステアリングシステム1110内の光学構成要素を整列させて、増幅光ビーム1130をターゲット場所に向けて誘導するために、光源1105の利得媒質が反転される間に使用することができるが、レーザキャビティが存在し、かつレーザシステムがコヒーレントなレーザ振動を生成している場合であるコヒーレントレーザ振動の生成中、又はチャンバ1145内でのEUV生成中には使用することができない。案内レーザ1175が使用される場合には、アラインメントシステムは、光源1105が増幅光ビーム1130を生成していない間に例えば、パルスの合間、ターゲット材料1140から反射される案内レーザ光を反射レーザビーム1160として使用することができる。このようにして、アラインメントシステムは、光源1105が増幅光ビーム1130を生成していない時、及び従って光システム1100がチャンバ1145内でEUV光を生成しない時にも作動させることができる。同じく図12を参照すると、例示的な極紫外線システムの別の実施1200は、光源1205、ステアリングシステム1210、検出システム1215、波面修正システム1220、及びコントローラ1225を含む。簡略化のために、下記では、光システム1200内には存在しない図1の光システム100内の特徴のみを説明する。光システム1200は、システム100に示す要素に加えて、ターゲット材料1240から反射されるレーザビーム1260の他の特徴を測定することができる光モニタ1277を含む。図7A~図7Cに示す実施では、ターゲット材料740が焦点面750に重なる時に、像強度プロフィールはほぼ円形である。しかし、代替的に、ターゲット材料740が焦点面750に重なる時に、図13Bに示すように、検出システム715における像強度プロフィールが楕円形である可能性がある。適切な重ね合わせが存在する像強度プロフィールは、例えば、最大EUV電力又はいずれかの他の適切な測定基準を得るようにステアリングシステム及び/又はターゲット材料送出システムの特徴部を調節することによって経験的に判断され、従って、この経験的な判断が、最大EUV電力が非対称な又は楕円形の像強度プロフィールに対応するという認識をもたらすことが可能である。そのような状況では、コントローラは、この楕円形形状例えば、図13Bに示す形状が、ターゲット材料740が焦点面750に適切に重なる形状であると仮定する。従って、作動中に、コントローラは、この比が所定の最大値と所定の最小値の間にあり、かつ試験軸の向き角度765が所定の角度よりも小さい場合に図13Bに示すように、焦点面750とターゲット材料740とが十分に重なると判断する。更に、コントローラは、この比が所定の最小閾値よりも小さく、かつ試験軸の向き角度765が所定の角度よりも小さい場合に図13Aに示すように、焦点面750がターゲット材料740の前に存在し、この比が所定の最大閾値よりも大きい場合に図13Cに示すように、焦点面750がターゲット材料740に重なると判断することができる。上記に図6で説明した実施で解説したように、コントローラは、焦点領域135がターゲット材料に重なるか否かを判断する時に、各軸段階640及び段階645における光軸、並びに段階630及び段階635における光軸に対して垂直な平面を個々に分析して制御する。他の実施では、コントローラは、多変数手順を用いて、焦点くびれ部半径と焦点面とに対して異なる段階段階630、635と段階640、645とを実施する必要なく、焦点領域135焦点くびれ部半径と焦点面の両方がターゲット材料に重なるか否かを判断する。このようにして、コントローラは、両方の軸を同時に分析して制御する。他の実施は、以下に続く特許請求の範囲にある。"