第1の光電変換素子と、前記第1の光電変換素子の出力電圧を変換する第1の電圧変換素子と、前記第1の光電変換素子と特性の異なる第2の光電変換素子と、前記第2の光電変換素子の出力電圧を変換する第2の電圧変換素子と、前記第1の電圧変換素子及び第2の電圧変換素子各々のタイミングを制御する制御素子とを有することを特徴とする光電変換装置。第1の太陽電池と、前記第1の太陽電池の出力電圧を変換する第1の電圧変換素子と、前記第1の太陽電池と特性の異なる第2の太陽電池と、前記第2の太陽電池の出力電圧を変換する第2の電圧変換素子と、前記第1の電圧変換素子及び第2の電圧変換素子各々のタイミングを制御する制御素子とを有することを特徴とする光電変換装置。第1の光電変換素子と、前記第1の光電変換素子の出力電圧を変換する第1のDC-DCコンバータと、前記第1の光電変換素子と特性の異なる第2の光電変換素子と、前記第2の光電変換素子の出力電圧を変換する第2のDC-DCコンバータと、前記第1のDC-DCコンバータ及び第2のDC-DCコンバータ各々のタイミングを制御する制御素子とを有することを特徴とする光電変換装置。第1の太陽電池と、前記第1の太陽電池の出力電圧を変換する第1のDC-DCコンバータと、前記第1の太陽電池と特性の異なる第2の太陽電池と、前記第2の太陽電池の出力電圧を変換する第2のDC-DCコンバータと、前記第1のDC-DCコンバータ及び第2のDC-DCコンバータ各々のタイミングを制御する制御素子とを有することを特徴とする光電変換装置。第1の光電変換素子と、前記第1の光電変換素子の出力電圧を変換する第1の電圧変換素子と、前記第1の光電変換素子と特性の異なる第2の光電変換素子と、前記第2の光電変換素子の出力電圧を変換する第2の電圧変換素子と、前記第1の電圧変換素子及び第2の電圧変換素子各々を、最大電力点追従し、かつ、タイミングを制御する制御素子とを有することを特徴とする光電変換装置。第1の太陽電池と、前記第1の太陽電池の出力電圧を変換する第1の電圧変換素子と、前記第1の太陽電池と特性の異なる第2の太陽電池と、前記第2の太陽電池の出力電圧を変換する第2の電圧変換素子と、前記第1の電圧変換素子及び第2の電圧変換素子各々を、最大電力点追従し、かつ、タイミングを制御する制御素子とを有することを特徴とする光電変換装置。第1の光電変換素子と、前記第1の光電変換素子の出力電圧を変換する第1のDC-DCコンバータと、前記第1の光電変換素子と特性の異なる第2の光電変換素子と、前記第2の光電変換素子の出力電圧を変換する第2のDC-DCコンバータと、前記第1のDC-DCコンバータ及び第2のDC-DCコンバータ各々を、最大電力点追従し、かつ、タイミングを制御する制御素子とを有することを特徴とする光電変換装置。第1の太陽電池と、前記第1の太陽電池の出力電圧を変換する第1のDC-DCコンバータと、前記第1の太陽電池と特性の異なる第2の太陽電池と、前記第2の太陽電池の出力電圧を変換する第2のDC-DCコンバータと、前記第1のDC-DCコンバータ及び第2のDC-DCコンバータ各々を、最大電力点追従し、かつ、タイミングを制御する制御素子とを有することを特徴とする光電変換装置。請求項1、請求項3、請求項5、請求項7のいずれか一項において、前記第1の光電変換素子及び第2の光電変換素子は、太陽電池であり、前記太陽電池は、非晶質珪素膜を用いた太陽電池、単結晶珪素膜を用いた太陽電池、HITHeterojunctionwithIntrinsicThin-layer太陽電池、CIG系薄膜太陽電池、CdTe太陽電池、有機薄膜太陽電池、色素増感太陽電池のいずれか一であることを特徴とする光電変換装置。請求項2、請求項4、請求項6、請求項8のいずれか一項において、前記第1の太陽電池及び第2の太陽電池は、非晶質珪素膜を用いた太陽電池、単結晶珪素膜を用いた太陽電池、HITHeterojunctionwithIntrinsicThin-layer太陽電池、CIG系薄膜太陽電池、CdTe太陽電池、有機薄膜太陽電池、色素増感太陽電池のいずれか一であることを特徴とする光電変換装置。該電力変換素子の電力変換動作や入力電圧制御などにより、太陽電池の出力にリップル脈動が生じる。このリップルが大きすぎると、太陽電池の動作は最大出力点から離れて出力低下を招く。よって開示される発明の一様態では、リップルを抑制することを課題の一とする。また該リップルが大きすぎると、光電変換装置の出力電圧が低下する。そこで開示される発明の一様態では、光電変換装置の出力電圧の低下を抑制することを課題の一とする。第1の光電変換素子、該第1の光電変換素子を制御する第1の電力変換素子、該第1の光電変換素子とは特性の異なる第2の光電変換素子、及び該第2の光電変換素子を制御する第2の電力変換素子を有する光電変換装置を作製する。第1の電力変換素子及び第2の電力変換素子は、それぞれ上記MPPT制御を行う制御素子が接続され、該制御素子によりそれぞれ最大電力が取り出される。当該光電変換装置において、第1の光電変換素子及び第1の電力変換素子から出力される第1の電力、並びに、第2の光電変換素子及び第2の電力変換素子から出力される第2の電力を加算する。制御素子は、第1の電力及び第2の電力を加算した出力電力のリップルが小さくなるように制御する。上記第1の電力変換素子及び第2の電力変換素子として、例えばDC-DCコンバータが挙げられる。DC-DCコンバータは、太陽電池が出力する直流電圧を昇圧或いは降圧することが可能であり好適である。DC-DCコンバータは、直流電圧を、別の直流電圧に変換する回路である。DC-DCコンバータの変換方式としては、リニア方式やスイッチング方式が代表的である。DC-DCコンバータは、スイッチング素子を有しており、該スイッチング素子は、太陽電池が出力する直流電圧の電圧値を別の電圧値に変換する時間と直流電圧の電圧値を別の電圧値に変換しない時間を制御する。すなわち、スイッチング素子がオンになると、直流電圧が昇圧或いは降圧され続け、スイッチング素子がオフになると、直流電圧の昇圧或いは降圧等の電圧変換が停止される。太陽電池の出力する直流電圧は、すなわちDC-DCコンバータの入力電圧である。DC-DCコンバータの出力電圧は、スイッチング素子のオンになる時間とオフになる時間によって制御されると言える。開示される発明の一様態は、第1の光電変換素子、該第1の光電変換素子の出力電圧を変換する第1の電圧変換素子、該第1の光電変換素子と特性の異なる第2の光電変換素子、該第2の光電変換素子の出力電圧を変換する第2の電圧変換素子、及び該第1の電圧変換素子及び第2の電圧変換素子各々のタイミングを制御する制御素子を有する光電変換装置に関する。第1の光電変換素子として、例えば非晶質半導体膜を用いた太陽電池が挙げられる。さらに具体的には、第1の光電変換素子として、非晶質珪素膜を用いた太陽電池が挙げられる。第2の光電変換素子として、例えば単結晶半導体膜を用いた太陽電池が挙げられる。さらに具体的には、第2の光電変換素子として、単結晶珪素膜を用いた太陽電池が挙げられる。第1の電圧変換素子及び第2の電圧変換素子は、該第1の電圧変換素子及び第2の電圧変換素子に接続された制御素子によって制御される。制御素子は該第1の電圧変換素子及び第2の電圧変換素子それぞれのるタイミングを制御する。該電圧変換素子のタイミングは、制御素子より出力されたパルス幅変調PulseWidthModulation:PWM信号以下PWM信号と呼ぶによって制御される。開示される発明の一様態は、第1の太陽電池と、前記第1の太陽電池の出力電圧を変換する第1の電圧変換素子と、前記第1の太陽電池と特性の異なる第2の太陽電池と、前記第2の太陽電池の出力電圧を変換する第2の電圧変換素子と、前記第1の電圧変換素子及び第2の電圧変換素子各々のタイミングを制御する制御素子とを有することを特徴とする光電変換装置に関する。開示される発明の一様態は、第1の光電変換素子と、前記第1の光電変換素子の出力電圧を変換する第1のDC-DCコンバータと、前記第1の光電変換素子と特性の異なる第2の光電変換素子と、前記第2の光電変換素子の出力電圧を変換する第2のDC-DCコンバータと、前記第1のDC-DCコンバータ及び第2のDC-DCコンバータ各々のタイミングを制御する制御素子とを有することを特徴とする光電変換装置に関する。開示される発明の一様態は、第1の太陽電池と、前記第1の太陽電池の出力電圧を変換する第1のDC-DCコンバータと、前記第1の太陽電池と特性の異なる第2の太陽電池と、前記第2の太陽電池の出力電圧を変換する第2のDC-DCコンバータと、前記第1のDC-DCコンバータ及び第2のDC-DCコンバータ各々のタイミングを制御する制御素子とを有することを特徴とする光電変換装置に関する。開示される発明の一様態は、第1の光電変換素子と、前記第1の光電変換素子の出力電圧を変換する第1の電圧変換素子と、前記第1の光電変換素子と特性の異なる第2の光電変換素子と、前記第2の光電変換素子の出力電圧を変換する第2の電圧変換素子と、前記第1の電圧変換素子及び第2の電圧変換素子各々を、最大電力点追従し、かつ、タイミングを制御する制御素子とを有することを特徴とする光電変換装置に関する。開示される発明の一様態は、第1の太陽電池と、前記第1の太陽電池の出力電圧を変換する第1の電圧変換素子と、前記第1の太陽電池と特性の異なる第2の太陽電池と、前記第2の太陽電池の出力電圧を変換する第2の電圧変換素子と、前記第1の電圧変換素子及び第2の電圧変換素子各々を、最大電力点追従し、かつ、タイミングを制御する制御素子とを有することを特徴とする光電変換装置に関する。開示される発明の一様態は、第1の光電変換素子と、前記第1の光電変換素子の出力電圧を変換する第1のDC-DCコンバータと、前記第1の光電変換素子と特性の異なる第2の光電変換素子と、前記第2の光電変換素子の出力電圧を変換する第2のDC-DCコンバータと、前記第1のDC-DCコンバータ及び第2のDC-DCコンバータ各々を、最大電力点追従し、かつ、タイミングを制御する制御素子とを有することを特徴とする光電変換装置に関する。開示される発明の一様態は、第1の太陽電池と、前記第1の太陽電池の出力電圧を変換する第1のDC-DCコンバータと、前記第1の太陽電池と特性の異なる第2の太陽電池と、前記第2の太陽電池の出力電圧を変換する第2のDC-DCコンバータと、前記第1のDC-DCコンバータ及び第2のDC-DCコンバータ各々を、最大電力点追従し、かつ、タイミングを制御する制御素子とを有することを特徴とする光電変換装置に関する。開示される発明の一様態において、当該第1の光電変換素子及び第2の光電変換素子は、太陽電池であり、当該太陽電池は、非晶質珪素膜を用いた太陽電池、単結晶珪素膜を用いた太陽電池、HITHeterojunctionwithIntrinsicThin-layer太陽電池、CIG系薄膜太陽電池、CdTe太陽電池、有機薄膜太陽電池、色素増感太陽電池のいずれか一であることを特徴とする。開示される発明の一様態において、当該第1の太陽電池及び第2の太陽電池は、非晶質珪素膜を用いた太陽電池、単結晶珪素膜を用いた太陽電池、HITHeterojunctionwithIntrinsicThin-layer太陽電池、CIG系薄膜太陽電池、CdTe太陽電池、有機薄膜太陽電池、色素増感太陽電池のいずれか一であることを特徴とする。開示される発明の一様態により、リップル電圧を抑制することが可能である。また開示される発明の一様態では、光電変換装置の出力電圧の低下を抑制することが可能である。以下、本明細書に開示された発明の実施の態様について、図面を参照して説明する。但し、本明細書に開示された発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本明細書に開示された発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に示す図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。[実施の形態1]本実施の形態の光電変換装置を、図1、図2A~図2B、図3A~図3B、図4A~図4B、図5A~図5B、図6A~図6B、図7、図8A~図8B、図9A~図9B、図10、図11、図12A~図12B、図13、図15、図17A~図17B、図18A~図18E、図19A~図19C、図20A~図20Cを用いて説明する。本実施の形態の光電変換装置100を図1に示す。図1に示す光電変換装置100は、第1の光電変換素子101、第1の光電変換素子101に接続される第1の電圧変換素子103、第2の光電変換素子102、第2の光電変換素子102に接続される第2の電圧変換素子104、制御素子105を有している。制御素子105から、第1の電圧変換素子103を制御する第1のPWM信号PWM_1、及び第2の電圧変換素子104を制御する第2のPWM信号PWM_2が入力される。制御素子105は、第1の光電変換素子101及び第2の光電変換素子102の最大電力を取り出すように、第1の電圧変換素子103及び第2の電圧変換素子104を最大電力点追従MPPT制御する。第1の電圧変換素子103及び第2の電圧変換素子104の制御は各々、第1のPWM信号PWM_1及び第2のPWM信号PWM_2によって行われる。第1の光電変換素子101で発生した電圧V1_1は、第1の電圧変換素子103により、電圧V2_1に変換される。第2の光電変換素子102で発生した電圧V1_2は、第2の電圧変換素子104により、電圧V2_2に変換される。第1の電圧変換素子103から出力された電圧V2_1、及び第2の電圧変換素子104から出力された電圧V2_2は加算され、出力電圧Voutとして光電変換装置100の外部に出力される。なお光電変換装置100には、バッテリ、インバータ、電圧安定回路等の外部回路106が接続されていてもよい。本実施の形態の第1の電圧変換素子103及び第2の電圧変換素子104を、図2A~図2Bを用いて説明する。本実施の形態では、第1の電圧変換素子103及び第2の電圧変換素子104の一例として、直流電圧の電圧値を別の電圧値に変換するDC-DCコンバータについて述べる。図2Aに示す電圧変換素子301は、トランジスタ302、コイル303、ダイオード304、コンデンサ305を有する昇圧回路である。電圧変換素子301は、光電変換素子307の出力電圧を変換する素子である。光電変換素子307は、上述の第1の光電変換素子101又は第2の光電変換素子102、あるいはその両方である。コイル303の一方の端子は、光電変換素子307のp型半導体層側の電極に電気的に接続されている。コイル303の他方の端子はトランジスタ302のソースあるいはドレインの一方と電気的に接続されている。トランジスタ302のソースあるいはドレインの一方は、コイル303の他方の端子及びダイオード304の入力端子と電気的に接続されている。トランジスタ302のソースあるいはドレインの他方は、光電変換素子307のn型半導体層側の電極及びコンデンサ305の一方の端子と電気的に接続されている。コンデンサ305の他方の端子は、ダイオード304の出力端子及び出力端子OUTに電気的に接続されている。なお、光電変換素子307のn型半導体層側の電極、トランジスタ302のソースあるいはドレインの他方、及びコンデンサ305の一方の端子は接地されている。なお、上記トランジスタのゲートとは、ゲート電極及びゲート配線の一部または全部のことをいう。ゲート配線とは、少なくとも一つのトランジスタのゲート電極と、別の電極や別の配線とを電気的に接続させるための配線のことをいう。上記トランジスタのソースとは、ソース領域、ソース電極、及びソース配線の一部または全部のことをいう。ソース領域とは、半導体層のうち、抵抗値がチャネル形成領域より低い領域のことをいう。ソース電極とは、ソース領域に接続される部分の導電層のことをいう。ソース配線とは、少なくとも一つのトランジスタのソース電極と、別の電極や別の配線とを電気的に接続させるための配線のことをいう。上記トランジスタのドレインとは、ドレイン領域、ドレイン電極、及びドレイン配線の一部または全部のことをいう。ドレイン領域とは、半導体層のうち、抵抗値がチャネル形成領域より低い領域のことをいう。ドレイン電極とは、ドレイン領域に接続される部分の導電層のことをいう。ドレイン配線とは、少なくとも一つのトランジスタのドレイン電極と、別の電極や別の配線とを電気的に接続させるための配線のことをいう。また、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造や動作条件などによって互いに入れ替わるため、いずれがソースまたはドレインであるかを限定することが困難である。そこで、本書類明細書、特許請求の範囲または図面などにおいては、ソース及びドレインのいずれか一方をソース及びドレインの一方と表記し、他方をソース及びドレインの他方と表記する。トランジスタ302はスイッチング素子として機能する。またトランジスタ302のゲートは、電圧変換素子301の制御回路に接続されている。電圧変換素子301の制御回路からの信号PWMにより、トランジスタ302はオン状態あるいはオフ状態となる。Hハイレベルの信号PWMが入力されるとトランジスタ302はオン状態となり、Lローレベルの信号PWMが入力されるとトランジスタ302はオフ状態となる。スイッチング素子であるトランジスタ302がオン状態のとき、コイル303に流れ込む電流により、コイル303には励磁エネルギーが蓄えられる。トランジスタ302がオフ状態になると、コイル303に蓄えられた励磁エネルギーが放出される。コイル303から放出される励磁エネルギーに起因する電圧が、電圧V1に上積みされて電圧V2となる。これにより電圧変換素子301は昇圧回路として機能する。すなわち、トランジスタ302がオン状態の時間が長いほど、蓄えられる励磁エネルギーが増える。そのため、トランジスタ302がオン状態の時間が長いほど、電圧V1に上積みされる電圧が増大し、電圧V2が増大する。よって、トランジスタ302がオン状態の時間が長いほど、電圧変換素子301が出力する電圧V2が増大すると言える。スイッチング素子であるトランジスタ302がオン状態の時間をTon、トランジスタ302がオフ状態の時間をToffとする。出力する電圧V2の値は、以下の式1で表される。V2=V1×TonToff/Toff式1トランジスタ302のオン状態の時間Tonが長く、コイル303に蓄えたエネルギーが大きいほど、大電力を取り出すことができる。なお本実施の形態において、トランジスタ302として例えば電界効果トランジスタを用いることができる。電界効果トランジスタは、ゲート、ソース、及びドレインを少なくとも有する。電界効果トランジスタとしては、例えば薄膜トランジスタTFTともいうを用いることができる。また、電界効果トランジスタとしては、例えばトップゲート型、又はボトムゲート型のトランジスタを用いることができる。また、電界効果トランジスタは、n型の導電型にすることができる。また、本実施の形態における電界効果トランジスタは、例えばチャネル形成領域としての機能を有する酸化物半導体膜を有するトランジスタを用いる。なお、チャネル形成領域の水素濃度は、5×1019atoms/cm3以下、好ましくは5×1018atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1017atoms/cm3以下とする。該水素濃度は、例えば二次イオン質量分析法SIMS:SecondaryIonMassSpectroscopyによる値である。またトランジスタのキャリア濃度は、1×1014/cm3以下、好ましくは1×1012/cm3以下とする。また本実施の形態において、コイル303として、基板上にコイル状に形成した配線を用いることができる。また本実施の形態において、ダイオード304として、例えばショットキーバリアダイオードを用いることができる。また、本実施の形態において、コンデンサ305として、例えば第1の電極と、第2の電極と、誘電体と、を有する構成のコンデンサを用いることができる。図2Bに示す電圧変換素子311は、トランジスタ312、コイル313、ダイオード314、コンデンサ315を有する降圧回路である。電圧変換素子311は、光電変換素子317の出力電圧を変換する素子である。光電変換素子317は、上述の第1の光電変換素子101又は第2の光電変換素子102、あるいはその両方である。トランジスタ312のソースあるいはドレインの一方は、光電変換素子317のp型半導体層側の電極に電気的に接続されている。トランジスタ312のソースあるいはドレインの他方は、ダイオード314の出力端子及びコイル313の一方の端子と電気的に接続されている。ダイオード314の入力端子は、光電変換素子317のn型半導体層側の電極及びコンデンサ315の一方の端子に電気的に接続されている。ダイオード314の出力端子は、トランジスタ312のソースあるいはドレインの他方及びコイル313の一方の端子と電気的に接続されている。コイル313の一方の端子は、トランジスタ312のソースあるいはドレインの他方及びダイオード314の出力端子に電気的に接続されている。コイル313の他方の端子は、コンデンサ315の他方の端子及び出力端子OUTに電気的に接続されている。なお、光電変換素子317のn型半導体層側の電極、ダイオード314の入力端子、及びコンデンサ315の一方の端子は接地されている。トランジスタ312はスイッチング素子として機能する。またトランジスタ312のゲートは、電圧変換素子311の制御回路に接続されている。電圧変換素子311の制御回路からの信号PWMにより、トランジスタ312はオン状態あるいはオフ状態となる。スイッチング素子であるトランジスタ312がオン状態のとき、降圧回路の電流により、コイル313には励磁エネルギーが蓄えられる。トランジスタ312がオフ状態になると、コイル313は電流を保とうとして起電力を発生させ、ダイオード314をオン状態にする。ダイオード314を通じて電流が流れることによって、電圧がV2になる。電圧V1より電圧V2が低下するため、電圧変換素子311は降圧回路として機能する。なお本実施の形態において、トランジスタ312として例えば電界効果トランジスタを用いることができる。また本実施の形態において、コイル313として、基板上にコイル状に形成した配線を用いることができる。また本実施の形態において、ダイオード314として、例えばショットキーバリアダイオードを用いることができる。また、本実施の形態において、コンデンサ315として、例えば第1の電極と、第2の電極と、誘電体とを有する構成のコンデンサを用いることができる。以下に、第1の電圧変換素子及び第2の電圧変換素子のタイミングを制御する方法について述べる。まず図20A及び図20Bに、第1の電圧変換素子103に入力され、第1の電圧変換素子103の出力を制御するPWM信号PWM_1_A及びPWM信号PWM_1_B、並びに第2の電圧変換素子104に入力され、第2の電圧変換素子104の出力を制御するPWM信号PWM_2_A及びPWM信号PWM_2_Bのタイミングチャートを示す。ただし、PWM信号PWM_1_A及びPWM信号PWM_2_Aでは、PWM信号PWM_2_Aがオフ状態になるタイミングで、PWM信号PWM_1_Aがオン状態となる例を示している。すなわちPWM信号PWM_1_Aがオン状態になる時間Ton_1及びPWM信号PWM_2_Aがオン状態になる時間Ton_2が重畳しない例を示す図20A参照。またこのときの出力電圧Vout_Aを図20Cに示す。一方、PWM信号PWM_1_B及びPWM信号PWM_2_Bでは、PWM信号PWM_1_Bがオン状態となる時間Ton_1及びPWM信号PWM_2_Bがオン状態となる時間Ton_2が重畳している例を示す図20B参照。またこのときの出力電圧Vout_Bを図20Cに示す。PWM信号PWM_1_Aのオン状態となる時間Ton_1及びPWM信号PWM_2_Aがオン状態となる時間Ton_2は重畳しない。そのため、第1の電圧変換素子103から出力される電圧V2_1が昇圧される時間と、第2の電圧変換素子104から出力される電圧V2_2が昇圧される時間は重畳しない。電圧V2_1が昇圧される時間及び電圧V2_2が昇圧される時間が重畳しないため、電圧V2_1及び電圧V2_2を加算した電圧である出力電圧Vout_Aの変動幅WAは抑制される。一方、PWM信号PWM_1_Bのオン状態となる時間Ton_1の及びPWM信号PWM_2_Bがオン状態となる時間Ton_2は、一部が重畳する。そのため、第1の電圧変換素子103から出力される電圧V2_1が昇圧される時間と、第2の電圧変換素子104から出力される電圧V2_2が昇圧される時間は、一部重畳する。電圧V2_1が昇圧される時間及び電圧V2_2が昇圧される時間が、一部重畳するため、電圧V2_1及び電圧V2_2を加算した電圧である出力電圧Vout_Bの変動幅WBは、出力電圧Vout_Aの変動幅WAよりも大きくなってしまう。すなわち、PWM信号PWM_1_Bのオン状態となる時間Ton_1及びPWM信号PWM_2_Bがオン状態となる時間Ton_2が重畳している場合は、リップル電圧が増大する。以上から、PWM信号PWM_1のオン状態となる時間Ton_1及びPWM信号PWM_2がオン状態となる時間Ton_2を重畳させないことは、リップル電圧を抑制するという点で好適である。以下、PWM信号PWM_1及びPWM信号PWM_2の様々な例を示す。図3A及び図3Bに、第1の電圧変換素子103に入力され、第1の電圧変換素子103の出力を制御するPWM信号PWM_1、並びに第2の電圧変換素子104に入力され、第2の電圧変換素子104の出力を制御するPWM信号PWM_2のタイミングチャートを示す。ここで、図1に示す第1の光電変換素子101及び第2の光電変換素子102に接続されている2つの昇圧回路において、PWM信号PWM_1及びPWM信号PWM_2の周期Tを同じ長さにすると好適である。PWM信号PWM_1及びPWM信号PWM_2の周期Tを同じ長さにすると、制御素子105の規模を小さくすることができる。制御素子105の規模を小さくすることができると、光電変換装置100の消費電力を低減することが可能である。光電変換装置100の消費電力を低減することができると、光電変換装置100の効率を向上させることが可能である。図3Aにおいて、第1の電圧変換素子103に入力されるPWM信号PWM_1のTon_1、及び第2の電圧変換素子104に入力されるPWM信号PWM_2のTon_2が重畳しないように制御する。なお点線で囲まれた領域は、PWM信号PWM_1のTon_1及びPWM信号PWM_2のTon_2が重ならない時間を示している。なお、Ton_1は、第1の電圧変換素子103のトランジスタ302がオン状態の時間、Ton_2は、第2の電圧変換素子104のトランジスタ302がオン状態の時間を示している。これにより第1の電圧変換素子103から出力される電圧V2_1、及び第2の電圧変換素子104から出力される電圧V2_2を加算した出力電圧Voutは、変動幅が抑制される。すなわち図1に示す光電変換装置100のリップル電圧が抑制される。さらに、図1に示す制御素子105により、第1の電圧変換素子103及び第2の電圧変換素子104に対して最大電力点追従MaximumPowerPointTracking:MPPT制御が行われた場合のタイミングチャートを図3Bに示す。なお図3Bでは、太陽光の強度が図3Aよりも小さくなった場合のタイミングチャートである。太陽光の強度が変わることにより、太陽電池の最大電力点が変わるため、最大電力点追従MPPT制御により、Tonの長さが変わる。図3Bに示すTon_1は、図3Aに示すTon_1より長い。かつ、図3Bに示すTon_2は、図3Aに示すTon_2より長い。図3Bでは、図3Aに比べて、太陽光の強度が小さくなったため、電圧変換する時間、本実施の形態では昇圧する時間を長くして、より大きい出力電圧Voutを得る。図3Bでは、図3Aと比較して、PWM信号PWM_1のTon_1及びPWM信号PWM_2のTon_2のそれぞれが長くなり、かつ重ならないように制御される。以上から第1の電圧変換素子103から出力される電圧V2_1、及び第2の電圧変換素子104から出力される電圧V2_2とを加算した出力電圧Voutは、変動幅が抑制される。すなわち図1に示す光電変換装置100のリップル電圧が抑制される。図4A及び図4Bに、図3A及び図3Bとは異なるタイミングチャートの例を示す。図4Aでは、PWM信号PWM_1がオン状態の中間点と、PWM信号PWM_2がオン状態の中間点とを、周期Tの1/2となるように制御した例を示す。図4Bでは、太陽光の強度が図4Aよりも小さくなった場合のタイミングチャートである。太陽光の強度が変わることにより、太陽電池の最大電力点が変わるため、MPPT制御により、Tonの長さが変わる。図4Bでは、図4Aと比較して、PWM信号PWM_1のTon_1及びPWM信号PWM_2のTon_2のそれぞれが長くなり、かつ重ならないように制御される。以上から第1の電圧変換素子103から出力される電圧V2_1、及び第2の電圧変換素子104から出力される電圧V2_2を加算した出力電圧Voutは、変動幅が抑制される。すなわち図1に示す光電変換装置100のリップル電圧が抑制される。図5A及び図5Bに、図3A及び図3Bとは異なるタイミングチャートの例を示す。図5Aでは、PWM信号PWM_1がオン状態になるタイミングと、PWM信号PWM_2がオン状態になるタイミングとを、周期Tの1/2となるように制御した例を示す。図5Bでは、太陽光の強度が図5Aよりも小さくなった場合のタイミングチャートである。太陽光の強度が変わることにより、太陽電池の最大電力点が変わるため、最大電力点追従MPPT制御により、Tonの長さが変わる。図5Bでは、図5Aと比較して、PWM信号PWM_1のTon_1及びPWM信号PWM_2のTon_2のそれぞれが長くなり、かつ重ならないように制御される。以上から第1の電圧変換素子103から出力される電圧V2_1、及び第2の電圧変換素子104から出力される電圧V2_2を加算した出力電圧Voutは、変動幅が抑制される。すなわち図1に示す光電変換装置100のリップル電圧が抑制される。図6A及び図6Bに、図3A及び図3Bとは異なるタイミングチャートの例を示す。図6A及び図6Bでは、PWM信号PWM_1がオフ状態になるタイミングで、PWM信号PWM_2がオン状態となる例を示している。図6Bでは、太陽光の強度が図6Aよりも小さくなった場合のタイミングチャートである。太陽光の強度が変わることにより、太陽電池の最大電力点が変わるため、最大電力点追従MPPT制御により、Tonの長さが変わる。図6Bでは、図6Aと比較して、PWM信号PWM_1のTon_1及びPWM信号PWM_2のTon_2のそれぞれが長くなり、かつ重ならないように制御される。以上から第1の電圧変換素子103から出力される電圧V2_1、及び第2の電圧変換素子104から出力される電圧V2_2を加算した出力電圧Voutは、変動幅が抑制される。すなわち図1に示す光電変換装置100のリップル電圧が抑制される。最大電力点追従MPPT制御により、PWM信号PWM_1のTon_1及びPWM信号PWM_2のTon_2とが長くなる場合が生じる。Ton_1及びTon_2の合計が周期Tより長くなり、Ton_1及びTon_2が重畳した場合を図7に示す。上述の通り、Ton_1及びTon_2を重畳させないことが、リップル電圧を抑制するという点で好ましい。しかしながら、Ton_1及びTon_2が重畳してしまう場合は、PWM信号PWM_1及びPWM信号PWM_2を、Toff_1とToff_2が重畳しないように制御すると好適である。Toff_1は、第1の電圧変換素子103のトランジスタ302がオフ状態の時間、Toff_2は、第2の電圧変換素子104のトランジスタ302がオフ状態の時間である。Toff_1とToff_2が重畳しないように制御すると、Ton_1とTon_2が重畳しない場合と同様に、電力を変換しない時間が重畳しないので、リップル電圧を抑制することが可能である。図3A~図3B、図4A~図4B、図5A~図5B、図6A~図6B、図7では、光電変換素子及び電圧変換素子が2組の場合のタイミングチャートを示した。しかしながら、光電変換素子及び電圧変換素子の組は、2組に限定されるものではなく、3組以上であってもよい。図15に、3組の光電変換素子及び電圧変換素子を有する光電変換装置100を示す。図15に示す光電変換装置100は、第1の光電変換素子101、第1の光電変換素子101に接続される第1の電圧変換素子103、第2の光電変換素子102、第2の光電変換素子102に接続される第2の電圧変換素子104、第3の光電変換素子107、第3の光電変換素子107に接続される第3の電圧変換素子108、制御素子105を有している。制御素子105から、第1の電圧変換素子103を制御する第1のPWM信号PWM_1、第2の電圧変換素子104を制御する第2のPWM信号PWM_2、及び第3の電圧変換素子108を制御する第3のPWM信号PWM_3が入力される。制御素子105は、第1の光電変換素子101、第2の光電変換素子102、及び第3の光電変換素子107の最大電力を取り出すように、第1の電圧変換素子103、第2の電圧変換素子104、及び第3の電圧変換素子108を制御する。第1の電圧変換素子103、第2の電圧変換素子104、及び第3の電圧変換素子108の制御は各々、第1のPWM信号PWM_1、第2のPWM信号PWM_2、及び第3のPWM信号PWM_3によって行われる。第1の光電変換素子101で発生した電圧V1_1は、第1の電圧変換素子103により、電圧V2_1に変換される。第2の光電変換素子102で発生した電圧V1_2は、第2の電圧変換素子104により、電圧V2_2に変換される。第3の光電変換素子107で発生した電圧V1_3は、第3の電圧変換素子108により、電圧V2_3に変換される。第1の電圧変換素子103から出力された電圧V2_1、第2の電圧変換素子104から出力された電圧V2_2、及び第3の電圧変換素子108から出力された電圧V2_3は加算され、出力電圧Voutとして光電変換装置100の外部に出力される。なお光電変換装置100には、バッテリ、インバータ、電圧安定回路等の外部回路106が接続されていてもよい。図8A及び図8Bでは、周期Tを三分割T/3と表記するし、PWM信号PWM_1、PWM信号PWM_2、及びPWM信号PWM_3各々がオンになるタイミングを、T/3ずつずらした例を示している。すなわち、PWM信号PWM_1がオン状態になるタイミングのT/3後に、PWM信号PWM_2がオン状態になる。次いで、PWM信号PWM_2がオン状態になるタイミングのT/3後に、PWM信号PWM_3がオン状態になる。図8Bでは、太陽光の強度が図8Aよりも小さくなった場合のタイミングチャートである。太陽光の強度が変わることにより、太陽電池の最大電力点が変わるため、最大電力点追従MPPT制御により、Tonの長さが変わる。図8Bでは、図8Aと比較して、PWM信号PWM_1のTon_1、PWM信号PWM_2のTon_2、及びPWM信号PWM_3のTon_3のそれぞれが長くなり、かつ重ならないように制御される。以上から第1の電圧変換素子103から出力される電圧V2_1、第2の電圧変換素子104から出力される電圧V2_2、及び第3の電圧変換素子108から出力される電圧V2_3を加算した出力電圧Voutは、変動幅が抑制される。すなわち図1に示す光電変換装置100のリップル電圧が抑制される。なお光電変換素子及び電圧変換素子を4組以上用いた場合には、図15とその説明に基づいて、光電変換装置100の回路を作製し、図8A~図8Bとその説明に基づいて、PWM信号及びオンの時間Tonを決定すればよい。図3A~図3B、図4A~図4B、図5A~図5B、図6A~図6B、図7、図8A~図8Bでは、第1の光電変換素子101及び第2の光電変換素子102に接続されている2つの昇圧回路において、PWM信号PWM_1及びPWM信号PWM_2の周期Tが同じ長さである例を示した。しかし本実施の形態では、PWM信号PWM_1及びPWM信号PWM_2の周期は、同じ長さに限定されない。PWM信号PWM_1の周期及びPWM信号PWM_2の周期が異なる長さである場合は、それぞれのTonTon_1及びTon_2の重畳を制御しやすいので好適である。図9にPWM信号PWM_1及びPWM信号PWM_2の周期が異なる例を示す。PWM信号PWM_1の周期T1及びPWM信号PWM_2の周期T2は互いに異なる周期である。図9では、PWM信号PWM_1の周期T1及びPWM信号PWM_2の周期T2が異なる例として、T2がT1の半分T2=T1/2である例を示す。図9A及び図9Bでは、PWM信号PWM_2の周期T2がPWM信号PWM_1の周期T1の半分でり、2つ目のPWM信号PWM_1がオン状態になるタイミングで、2つ目のPWM信号PWM_2がオフ状態となる。図9Bでは、太陽光の強度が図9Aよりも小さくなった場合のタイミングチャートである。太陽光の強度が変わることにより、太陽電池の最大電力点が変わるため、最大電力点追従MPPT制御により、Tonの長さが変わる。図9Bでは、図9Aと比較して、PWM信号PWM_1のTon_1及びPWM信号PWM_1のTon_2のそれぞれが長くなり、かつ重ならないように制御される。以上から第1の電圧変換素子103から出力される電圧V2_1、及び第2の電圧変換素子104から出力される電圧V2_2を加算した出力電圧Voutは、変動幅が抑制される。すなわち図1に示す光電変換装置100のリップル電圧が抑制される。本実施の形態では、図1に示す光電変換素子101として、例えば、図10に示す非晶質半導体層を光電変換層211に有する太陽電池、光電変換素子102として、図13に示す単結晶半導体層を光電変換層415に有する太陽電池を用いる。また第1の電圧変換素子103及び第2の電圧変換素子104として、図2Aに示す昇圧回路を用いる。ただしこれらの素子は一例であり、これらに限定されるものではない。本実施の形態の第1の光電変換素子101を図10を用いて説明する。本実施の形態では、光電変換素子101の一例として、非晶質半導体層を光電変換層に有する太陽電池について述べる。図10に示す太陽電池は、基板201上に、p型非晶質半導体層213、真性非晶質半導体層214、及びn型非晶質半導体層215を有する、非晶質半導体層の光電変換層211を備えている。光電変換層211の一方の面には、導電膜210が設けられている。光電変換層211の他方の面には、導電膜212が設けられている。具体的には、導電膜210上に、p型非晶質半導体層213、真性非晶質半導体層214、n型非晶質半導体層215が積層される。n型非晶質半導体層215上には、導電膜212が設けられる。導電膜210、光電変換層211、及び導電膜212はそれぞれ、所定の形状に加工されている。当該所定の形状に加工された導電膜210、光電変換層211、及び導電膜212は、1つのセルを構成する。各セルは、異なるセルと直列に接続されている。各セルが異なるセルと直列に接続されていると、出力電圧を上昇させることが可能である。基板201は、基板201側から光が入射することを想定して、太陽光に対して透光性を有する材料を用いる。透光性を有する基板201として、例えば、青板ガラス、白板ガラス、鉛ガラス、強化ガラス、セラミックガラスなどのガラス板を用いることができる。また、アルミノシリケート酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスなどの無アルカリガラス基板、石英基板、セラミック基板を用いることができる。透光性を有する基板201として、プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板プラスチック基板を用いる場合は、上記基板と比較して耐熱温度が一般的に低い傾向にあるが、作製工程における処理温度に耐え得るのであれば用いることが可能である。プラスチック基板として、ポリエステル、ポリエーテルスルホンPES、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリカーボネートPC、ポリアミド系合成繊維、ポリエーテルエーテルケトンPEEK、ポリスルホンPSF、ポリエーテルイミドPEI、ポリアリレートPAR、ポリブチレンテレフタレートPBT、ポリイミド、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂などが挙げられる。ポリエステルとして、例えば、ポリエチレンテレフタレートPETが挙げられる。導電膜210は、基板201側から光が入射するので、太陽光に対して透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性を有する導電材料として、例えば、インジウム錫酸化物IndiumTinOxide:ITO、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物ITSO、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛、酸化亜鉛ZnOを含むインジウム亜鉛酸化物IZOIndiumZincOxide、ガリウムGaをドープしたZnO、酸化スズSnO2、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物などが好適である。なお、導電膜210にインジウム錫酸化物を用いる場合、導電膜210上に、p型非晶質半導体層213を形成すると、p型非晶質半導体層213中に存在する水素が、導電膜210中のインジウム錫酸化物を還元してしまう。そのため、導電膜210の膜質が劣化する恐れがある。インジウム錫酸化物を導電膜210に用いる場合、インジウム錫酸化物が還元されるのを防ぐために、インジウム錫酸化物を用いた導電膜とp型非晶質半導体層213との間に、酸化スズを用いた導電膜、または、酸化亜鉛と窒化アルミニウムとの混合材料を含む導電性材料を用いた導電膜を、数十nmの膜厚で積層したものを、導電膜210として用いることが好ましい。また、導電膜210の、光電変換層211側の面に凹凸を形成しておくと、導電膜210において光が屈折または乱反射する。このため、光電変換層211内における光の吸収率を高め、変換効率を高めることができるので好適である。導電膜210上には、p型非晶質半導体層213、真性非晶質半導体層214、n型非晶質半導体層215が順に積層された光電変換層211が設けられている。本実施の形態では、p型非晶質半導体層213として、p型非晶質珪素層を用いる。p型非晶質珪素層は、p型を付与する元素、例えばホウ素を含む珪素層である。また本実施の形態では、真性非晶質半導体層214として、真性非晶質珪素層を用いる。本実施の形態では、n型非晶質半導体層215として、n型非晶質珪素層を用いる。n型非晶質珪素層は、n型を付与する元素、例えばリンを含む珪素層である。なお、本実施の形態では、光電変換層211として、p型非晶質半導体層213、真性非晶質半導体層214、n型非晶質半導体層215が順に積層された例を示すが、積層の順番はn型非晶質半導体層、真性非晶質半導体層、p型非晶質半導体層の順でもよい。ただし、非晶質半導体層あるいは単結晶半導体層に限らず、p型半導体層はn型半導体層よりも、光が入射される側に近くなるよう配置することが望ましい。ホールのキャリアとしての寿命は、電子のキャリアとしての寿命の約半分と短い。pin接合を有する光電変換層に光が照射されると、真性半導体層内において多量の電子とホールが形成され、電子はn型半導体層側へ、ホールはp型半導体層側へ移動し、起電力を得ることができる。光の照射をp型半導体層側から行うと、電子とホールの形成が、真性半導体層内のn型半導体層よりもp型半導体層に近い側において多く行われる。そのため、寿命が短いホールがp型半導体層へ移動する距離を、短くすることができ、その結果、高い起電力を得ることができる。本実施の形態では、光はp型半導体層側及びn型半導体層側の両方から入射する。そのため、光電変換層の積層の順番は、n型半導体層、真性半導体層、p型半導体層、あるいは、p型半導体層、真性半導体層、n型半導体層、のどちらでもよい。しかし、入射する光の強度がより強い側にp型半導体層を設けると、より高い起電力を得ることができる。本実施の形態では、光電変換層211の上部からも光が入射する光電変換素子を例とする。よって、導電膜212は、導電膜210と同様に、可視光に対して透光性を有する上記導電材料を用いることが好適である。次いで、第2の光電変換素子102を、図13を用いて説明する。本実施の形態では、光電変換素子102の一例として、単結晶半導体層を光電変換層に有する太陽電池について述べる。図13は、単結晶半導体層を光電変換層に有する太陽電池の断面図である。なお、図13に示す太陽電池は、光電変換層415と接する導電膜422側から光が入射して、光電効果を発現する。ここでは、導電膜422側が主受光面となり、導電膜424側が裏面となる。具体的には、導電膜424上にn型単結晶半導体層408を含む単結晶半導体層410が形成され、該単結晶半導体層410上にp型半導体層414が形成されている。なお、n型半導体層であるn型単結晶半導体層408とp型半導体層414は、積層の順が逆であってもよい。その場合は、導電膜424上にp型単結晶半導体層を含む単結晶半導体層が形成され、該単結晶半導体層上にn型半導体層が形成される。単結晶半導体層410の導電膜424が形成された面の周辺端部には、絶縁層404が形成されている。また、図13で示す光電変換装置の側面では、単結晶半導体層410を覆ってp型半導体層414が形成される例を示している。導電膜424と、側面に形成されたp型半導体層414及び導電膜422の積層構造との間に、絶縁層404が設けられている。図13に示す太陽電池は、単結晶半導体層410及びp型半導体層414で構成される。また、単結晶半導体層410の一表面側にn型単結晶半導体層408が形成されている。n型単結晶半導体層408は、単結晶半導体層410の導電膜424と接する側に設けられている。なお、単結晶半導体層410のn型単結晶半導体層408が形成されていない領域を、便宜的に非拡散単結晶半導体層409ともいう。p型半導体層414は、単結晶半導体層410の導電膜424が形成される側の面と反対側の面に設けられている。単結晶半導体層410は、薄板化された単結晶半導体基板であり、1μm以上10μm以下、好ましくは3μm以上5μm以下の厚さを有する。単結晶半導体層410は、代表的には単結晶珪素層が適用される。例えば、単結晶半導体層410は、イオン注入法又はイオンドーピング法を利用して単結晶半導体基板にイオンを照射し、その後熱処理を行うことにより単結晶半導体基板の一部を分離することで得ることができる。また、多光子吸収を生じるレーザビームを単結晶半導体基板に照射して、その後単結晶半導体基板の一部を分離する方法を適用してもよい。なお、本明細書では、イオン注入は原料ガスから生成されるイオンを質量分離して対象物に照射して該イオンを構成する元素を添加する方式を指す。イオンドーピングとは原料ガスから生成されるイオンを質量分離せず対象物に照射して該イオンを構成する元素を添加する方式を指す。n型単結晶半導体層408は、n型を付与する不純物元素を含む。p型半導体層414は、p型を付与する不純物元素を含む。ただし、n型単結晶半導体層408に代えてp型単結晶半導体層を、p型半導体層414に代えてn型半導体層を形成することも可能である。n型を付与する不純物元素としてはリン、ヒ素などの元素周期表第15族元素が適用される。p型を付与する不純物元素としてはホウ素、アルミニウムなどの元素周期表第13族元素が適用される。n型単結晶半導体層408は、単結晶半導体層410の導電膜424が形成される側の面に、n型を付与する不純物元素をイオン注入法、イオンドーピング法、熱拡散法又はレーザドーピング法により導入して形成することができる。単結晶半導体層410のうち、n型単結晶半導体層408が形成されなかった領域を、非拡散単結晶半導体層409とする。非拡散単結晶半導体層409は、単結晶半導体層410を分離した単結晶半導体基板と同じ導電型を示す。単結晶半導体層410を分離する単結晶半導体基板がn型半導体基板であれば非拡散単結晶半導体層409はn型半導体層となり、p型半導体基板であれば非拡散単結晶半導体層409はp型半導体層となる。非拡散単結晶半導体層409としては、n型半導体層又はp型半導体層が適用され、n型単結晶半導体層408と同じ導電型としてもよいし、p型半導体層414と同じ導電型としてもよい。非拡散単結晶半導体層409とn型単結晶半導体層408が同じ導電型である場合は、n型単結晶半導体層408と比較して、非拡散単結晶半導体層409の不純物濃度は低濃度とすることが好ましい。n型単結晶半導体層408と非拡散単結晶半導体層409とに含まれる不純物の濃度差をつけ、n型単結晶半導体層408の方を高濃度とすることで、キャリアの収集効率を高めることができる。p型半導体層414としては、単結晶半導体層410の導電膜424が形成される側の面とと反対側の面に、p型を付与する不純物元素を含む半導体層を形成する。具体的には、ドーピングガスと半導体材料ガスとを混合した原料ガスを用いて、化学気相成長法、代表的にはプラズマCVD法によりp型半導体層414を形成することができる。p型半導体層414は、微結晶半導体層、非晶質半導体層、又は単結晶半導体層で形成される。p型半導体層414としては、代表的には微結晶珪素層が適用される。光電変換層415のn型単結晶半導体層408に接して、導電膜424が設けられている。導電膜424は、本形態に係る太陽電池の裏面側に設けられており、裏面電極ともいえる。光電変換層415のp型半導体層414に接して、導電膜422が設けられている。導電膜422は、本実施の形態に係る太陽電池の主受光面側に設けられており、受光面電極ともいえる。本実施の形態に係る太陽電池において、導電膜424と導電膜422は、一方は正極、他方は負極に対応する。本実施の形態に係る太陽電池は、光電変換を行う光電変換層415に対して、正極に対応する電極と負極に対応する電極を反対側に配置する構成とする。本実施の形態に係る太陽電池は、光が入射する側にp型半導体層が配置され、裏面側にn型半導体層が配置されることが好ましい。つまり、光入射側となる導電膜422と接してp型半導体層414が配置され、裏面側となる導電膜424と接してn型単結晶半導体層408が配置されることが好適である。上述のように、ホールのキャリアとしての寿命は、電子のキャリアとしての寿命の約半分と短い。そのため、ホールキャリアライフを考慮すると、ホールの移動距離を短くする方が好ましい。なお、裏面側となる導電膜424と接する単結晶半導体層410をp型単結晶半導体層とし、さらにp型を付与する不純物元素を導入して、単結晶半導体層410よりも高濃度なp型半導体であるp型単結晶半導体層を形成して、裏面電界BSF;BackSurfaceFieldを形成することもできる。BSFによる光閉じこめ効果により、光励起により生成されたキャリア電子とホールの再結合を防ぎキャリア収集効率を高めることができる。なお、この場合は、光入射側となる導電膜422と接してn型半導体層が配置されることとなる。なお本実施の形態では、光電変換素子101として非晶質半導体層を光電変換層211として有する太陽電池、光電変換素子102として単結晶半導体層を光電変換層415として有する太陽電池を用いたが、これに限定されない。光電変換素子101及び光電変換素子102は、互いに特性の異なる光電変換素子であれば、どのような光電変換素子も適用可能である。また、本実施の形態では、光電変換素子101と光電変換素子102を別々の作製工程で作製するが、光電変換素子101及び光電変換素子102を積層すると、第1の光電変換素子101及び第2の光電変換素子102の占有面積を低減可能であるという点で好適である。以下に、異なる特性を有する光電変換素子101及び光電変換素子102を積層した例について、図11を用いて説明する。図11に単結晶半導体層を第1の光電変換層、及び非晶質半導体層を第2の光電変換層に有し、当該第1及び第2の光電変換層が積層された太陽電池の断面図を示す。図11に示す太陽電池は、支持基板901上に、絶縁層902、導電膜903、第1の光電変換層911、導電膜915、絶縁層917、第2の光電変換層912、導電膜918が順に積層された構造を有している。第1の光電変換層911は、p型単結晶半導体層904、真性微結晶半導体層905、n型微結晶半導体層906の積層構造である。支持基板901は、絶縁表面を有する基板又は絶縁基板である。該絶縁基板としては、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われる各種ガラス基板を用いることができる。または、上記ガラス基板の他、セラミック基板、石英基板やサファイア基板などの絶縁体でなる絶縁基板、金属やステンレスなどの導電体でなる基板の表面を絶縁処理した基板などを用いても良い。絶縁層902は支持基板901と導電膜903とを接着する機能を有している。この意味において、絶縁層902を接合層と呼ぶことができる。また、導電膜903は第1の光電変換層911と接して形成されているため、第1の光電変換層911は絶縁層902によって支持基板901に固定されることになる。導電膜903は、透光性を有する材料により形成されていると、太陽光を透過させるので好適である。上記導電膜903の第1の光電変換層911が形成されていない領域には、補助電極916が形成されており、これにより、電気エネルギーの外部への取り出しを可能としている。第1の光電変換層911において、p型単結晶半導体層904及びn型微結晶半導体層906はそれぞれ、p型を付与する不純物元素を含む単結晶半導体層及びn型を付与する不純物元素を含む微結晶半導体層である。p型を付与する不純物元素としてはホウ素、アルミニウムなどの第13族元素を用いることができ、n型不純物元素としてはリン、ヒ素などの第15族元素を用いることができる。なお、第1の光電変換層911として、p型単結晶半導体層904、真性微結晶半導体層905、n型微結晶半導体層906の順で積層したが、p型半導体層とn型半導体層の積層関係は逆であってもよい。その場合は、p型単結晶半導体層904の代わりにn型単結晶半導体層、及びn型微結晶半導体層906の代わりにp型微結晶半導体層を形成すればよい。ただし、第1の光電変換層911として、n型単結晶半導体層、真性微結晶半導体層、p型微結晶半導体層を積層した場合は、第2の光電変換層912もn型半導体層、真性半導体層、p型半導体層の順に積層する必要がある。p型単結晶半導体層904は、代表的には単結晶珪素層で形成される。p型単結晶半導体層904は、単結晶半導体基板を分割して形成することができる。例えば、単結晶半導体基板中に水素などのイオンを高濃度に導入し、該イオン導入領域において単結晶半導体基板を分割することでp型単結晶半導体層904を形成する。上記の単結晶半導体基板としては、単結晶シリコンウェハを用いれば良い。真性微結晶半導体層905及びn型微結晶半導体層906は、p型単結晶半導体層904に微結晶半導体層を形成し、該微結晶半導体層の一部にn型を付与する不純物元素を添加することにより形成する。該微結晶半導体層中のn型を付与する不純物元素が添加された領域が、n型微結晶半導体層906となり、添加されなかった領域が、真性微結晶半導体層905となる。n型微結晶半導体層906を覆って、絶縁層917が設けられている。絶縁層917は、第1の光電変換層911及び第2の光電変換層912を絶縁分離する機能を有する。絶縁層917上には、第2の光電変換層912及び導電膜918が積層されている。第2の光電変換層912は、p型非晶質半導体層907、真性非晶質半導体層908、n型非晶質半導体層909を有している。上記絶縁層917の第2の光電変換層912が形成されていない領域には、補助電極919が形成されており、これにより、電気エネルギーの外部への取り出しを可能としている。p型非晶質半導体層907、真性非晶質半導体層908、n型非晶質半導体層909として、それぞれ、例えばp型非晶質珪素層、真性非晶質珪素層、n型非晶質珪素層を用いることができる。当該p型非晶質珪素層、真性非晶質珪素層、n型非晶質珪素層は、例えばプラズマCVD法を用いて形成すればよい。プラズマCVD法によりp型非晶質珪素層を形成する際には、原材料としてシラン系ガス及びジボランを用いて成膜すればよい。またプラズマCVD法により真性非晶質珪素層を形成する際には、原材料としてシラン系ガスを用いて成膜すればよい。またプラズマCVD法によりn型非晶質珪素層を形成する際には、原材料としてシラン系ガス及びホスフィンを用いて成膜すればよい。n型非晶質半導体層909に接して、導電膜918が設けられている。導電膜918は、透光性を有する材料により形成されていると、太陽光を透過させるので好適である。図11に示す、第1の光電変換層911を第1の光電変換素子101、及び第2の光電変換層912を第2の光電変換素子102として用いると、第1の光電変換素子101及び第2の光電変換素子102の占有面積を抑制することができるので好適である。また、光電変換層に用いられる半導体の材料として、例えば珪素以外に、ゲルマニウム、炭化珪素、ガリウムヒ素、リン化インジウム、セレン化亜鉛、窒化ガリウム、シリコンゲルマニウムなどのような化合物半導体も用いることができる。また、光電変換層として、非晶質半導体層や単結晶半導体層だけでなく、多結晶半導体層や微結晶半導体層を用いてもよい。多結晶半導体を用いて光電変換層を形成する場合、非晶質半導体膜または微結晶半導体膜を、レーザ結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの結晶化を助長する触媒元素を用いた熱結晶化法等を単独で、或いは複数組み合わせて実施することで、形成することができる。また、多結晶半導体層を、スパッタ法、プラズマCVD法、熱CVD法などを用いて、直接形成しても良い。あるいは、本実施の形態は、単結晶半導体層の代わりに多結晶半導体層を適用することもでき、代表的には多結晶珪素層を適用することができる。単結晶半導体層の代わりに多結晶半導体層を適用した場合、本実施の形態における単結晶半導体は多結晶半導体に置き換えることが可能である。さらに、第1の光電変換素子101及び第2の光電変換素子102として、HITHeterojunctionwithIntrinsicThin-layer太陽電池、CIG系薄膜太陽電池、CdTe太陽電池、有機薄膜太陽電池、色素増感太陽電池などを用いることが可能である。本実施の形態では、特性が異なる太陽電池であれば、種類の如何を問わずどのような太陽電池にも適用可能である。以上から第1の光電変換素子、及び、該第1の光電変換素子と特性の異なる第2の光電変換素子を得ることが可能である。また、第1の光電変換素子、及び該第1の光電変換素子と特性の異なる第2の光電変換素子では、それぞれ最大電力点が異なる。最大電力点が異なる第1及び第2の光電変換素子に各々、第1及び第2の電圧変換素子を接続する。当該第1の電圧変換素子及び第2の電圧変換素子は、接続されている各々の光電変換素子の特性に合わせてMPPT制御が行えるため、出力効率が高くなる。以上から、第1の光電変換素子、及び該第1の光電変換素子と特性の異なる第2の光電変換素子の出力を加算した光電変換装置は、出力効率が高いという点で好適である。図2Aに示す電圧変換素子301のトランジスタ302或いは図2Bに示す電圧変換素子311のトランジスタ312の例として、後述のトランジスタ710を挙げる。トランジスタ710の構造及びその作製方法について、図17A~図17B、図18A~図18E、図19A~図19Cを用いて説明する。まず、図17Aにトランジスタ710の平面、図17Bにその断面構造の一例を示す。図17Aはトップゲート構造のトランジスタ710の平面図であり、図17Bは図17Aの線A-A’における断面図である。トランジスタ710は、基板700上に、絶縁膜707、酸化物半導体膜712、ソース電極及びドレイン電極の一方である電極716、ソース電極及びドレイン電極の他方である電極717、ゲート絶縁膜702、及び、ゲート電極711を有し、電極716、電極717にはそれぞれ配線層714、配線層715が接して設けられ、電気的に接続されている。トランジスタ710は、ソース電極及びドレイン電極である電極716及び電極717が、チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜712の上面で接しているので、トップコンタクト型のトランジスタと言える。酸化物半導体膜712はチャネル形成領域として機能する。また酸化物半導体膜712は透光性を有する。なお、図17Aに示すトランジスタ710はシングルゲート構造のトランジスタを示しているが、本実施の形態はこの構成に限定されるものではなく、ゲート電極を複数有し、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造のトランジスタとしてもよい。トランジスタ710のチャネル形成領域としての機能を有する酸化物半導体膜は、高純度の酸化物半導体膜であることが好適である。高純度の酸化物半導体膜を有するトランジスタの特徴及びその利点について、以下に説明する。高純度の酸化物半導体膜は、酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性に悪影響を与える不純物が極めて少ないレベルにまで低減されたものである。電気特性に悪影響を与える不純物の代表例としては、水素が挙げられる。水素は、酸化物半導体膜中でキャリアの供与体ドナーとなり得る不純物であり、酸化物半導体膜中に水素が多量に含まれていると、酸化物半導体がn型化されてしまう。このように水素が多量に含まれた酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、ノーマリーオンとなってしまう。そして、トランジスタのオンオフ比を十分にとることができない。本明細書における高純度の酸化物半導体膜は、酸化物半導体膜における水素が極力低減され、過剰な酸化処理が行われているものであって、真性又は実質的に真性な半導体膜を指す。高純度の酸化物半導体膜の一例としては、キャリア濃度が1×1014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3未満、さらに好ましくは1×1011/cm3未満、または6.0×1010/cm3未満である酸化物半導体膜が挙げられる。過剰な酸化処理の具体例としては、酸化物半導体膜に水素、水、及び水酸基等を除去するための加熱処理を行った後、連続して酸素雰囲気または窒素及び酸素を含む雰囲気例えば、窒素と酸素の体積比が4:1での加熱処理を行う方法が挙げられる。酸化物半導体膜に含まれる水素を徹底的に除去し、過剰な酸化処理を行うことにより得られる高純度の酸化物半導体膜をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、シリコンをチャネル形成領域に用いたトランジスタ等に比較して、オフ電流が非常に小さいという特徴を有している。また、本実施の形態においては、高純度の酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、nチャネル型のトランジスタであるものとして以下説明する。なお、本明細書においてオフ電流リーク電流ともいうとは、nチャネル型のトランジスタでしきい値Vthが正である場合、室温において-20V以上-5V以下の範囲で任意のゲート電圧を印加したときにトランジスタのソース-ドレイン間を流れる電流のことを指す。なお、室温は、15度以上25度以下とする。本明細書に開示する酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、室温において、チャネル幅Wあたりの電流値が100zA/μm以下、好ましくは10zA/μm以下である。なお、オフ電流とドレイン電圧の値が分かればオームの法則からトランジスタがオフ状態のときの抵抗値オフ抵抗Rを算出することができ、チャネル形成領域の断面積Aとチャネル長Lが分かればρ=RA/Lの式Rはオフ抵抗を表すからオフ抵抗率ρを算出することもできる。オフ抵抗率は1×109Ωm以上または1×1010Ωm以上が好ましい。ここで、断面積Aは、チャネル形成領域の膜厚をdとし、チャネル幅をWとするとき、A=dWから算出することができる。また、酸化物半導体膜のエネルギーギャップは、2eV以上、好ましくは2.5eV以上、より好ましくは3eV以上である。また、高純度の酸化物半導体膜を用いたトランジスタは温度特性が良好である。代表的には、温度を-25°Cから150°Cまでの範囲で変化させた際のトランジスタの電流電圧特性を測定すると、オン電流、オフ電流、電界効果移動度、S値、及びしきい値電圧の変動がほとんどなく、温度による電流電圧特性の劣化がほとんど見られない。次に、酸化物半導体膜を用いたトランジスタのホットキャリア劣化について説明する。ホットキャリア劣化とは、高速に加速された電子がドレイン近傍のチャネル形成領域からゲート絶縁膜中に注入されて固定電荷となることや、高速に加速された電子がゲート絶縁膜界面にトラップ準位を形成することにより、しきい電圧の変動やゲートリーク電流等のトランジスタ特性の劣化が生じたりすることであり、ホットキャリア劣化の要因としては、チャネルホットエレクトロン注入CHE注入とドレインアバランシェホットキャリア注入DAHC注入がある。シリコンはバンドギャップが1.12eVと小さいため、アバランシェ降伏によって雪崩的に電子が発生しやすく、ゲート絶縁膜への障壁を越えられるほど高速に加速される電子数が増加する。一方、本実施の形態で示す酸化物半導体膜は、バンドギャップが3.15eVと広いため、アバランシェ降伏が生じにくく、シリコンと比べてホットキャリア劣化の耐性が高い。なお、高耐圧材料の一つであるシリコンカーバイドのバンドギャップと酸化物半導体のバンドギャップは同等である。しかし、シリコンカーバイドよりも、酸化物半導体の方が移動度が小さいため、電子が加速されにくい。また、ゲート絶縁膜である酸化膜との障壁が、シリコンカーバイド、窒化ガリウム、シリコンよりも、酸化物半導体の方が大きいため、酸化膜に注入される電子が極めて少ない。酸化膜に注入される電子が極めて少ないため、シリコンカーバイド、窒化ガリウム、シリコンよりも、酸化物半導体の方がホットキャリア劣化が生じにくく、ドレイン耐圧が高いといえる。このため、チャネル形成領域として機能する酸化物半導体と、ソース電極及びドレイン電極との間に、意図的に低濃度不純物領域を形成する必要が無く、トランジスタ構造が極めて簡単になり、製造工程数を低減できる。以上のように、酸化物半導体を用いたトランジスタはドレイン耐圧が高く、具体的には100V以上、好ましくは500V以上、好ましくは1kV以上のドレイン耐圧を有することが可能である。上述の酸化物半導体は、可視光の透過率に優れた半導体である。そのため、このような透光性を有する酸化物半導体をチャネル形成領域として有するトランジスタは、光電変換素子と重畳して形成されていても、光電変換素子に可視光が到達するのを阻害しない。次に、図18A~図18Eを用いて、トランジスタ710を作製する工程について説明する。まず、基板700を用意する。基板700は、基板700側からトランジスタ710に光が入射することを想定して、基板700は太陽光に対して透光性を有している材料を用いる。透光性を有する基板700として、例えば、青板ガラス、白板ガラス、鉛ガラス、強化ガラス、セラミックガラスなどのガラス板を用いることができる。また、アルミノシリケート酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラスなどの無アルカリガラス基板、石英基板、セラミック基板を用いることができる。透光性を有する基板700として、プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板プラスチック基板を用いる場合は、上記基板と比較して耐熱温度が一般的に低い傾向にあるが、作製工程における処理温度に耐え得るのであれば用いることが可能である。プラスチック基板として、ポリエステル、ポリエーテルスルホンPES、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリカーボネートPC、ポリアミド系合成繊維、ポリエーテルエーテルケトンPEEK、ポリスルホンPSF、ポリエーテルイミドPEI、ポリアリレートPAR、ポリブチレンテレフタレートPBT、ポリイミド、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂などが挙げられる。ポリエステルとして、例えば、ポリエチレンテレフタレートPETが挙げられる。基板700上に下地膜となる絶縁膜707を形成する。絶縁膜707としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などの酸化物絶縁膜を用いると好ましい。絶縁膜707の形成方法としては、プラズマCVD法、スパッタリング法等を用いることができるが、絶縁膜707中に水素が多量に含まれないようにするためには、スパッタリング法で絶縁膜707を成膜することが好ましい。本実施の形態においては、絶縁膜707としてスパッタリング法により酸化シリコン膜を形成する。具体的には、基板700を処理室へ搬送した後、水素及び水分が除去され、かつ高純度酸素を含むスパッタガスを導入し、シリコンまたはシリコン酸化物のターゲットを用いて、基板700上に絶縁膜707として酸化シリコン膜を成膜する。なお、成膜時の基板700は室温でもよいし、加熱されていてもよい。成膜条件の具体例としては、ターゲットとして石英好ましくは合成石英を用い、基板温度108°C、基板700とターゲット間の距離T-S間距離を60mm、圧力0.4Pa、高周波電源1.5kW、酸素及びアルゴン酸素流量25sccm:アルゴン流量25sccm=1:1雰囲気下でRFスパッタリング法により酸化シリコン膜を成膜する。膜厚は100nmとする。なお、ターゲットとして石英好ましくは合成石英に代えてシリコンターゲットを用いることもできる。また、スパッタガスとして酸素及びアルゴンの混合ガスに代えて酸素ガスを用いてもよい。ここで、絶縁膜707を成膜する際に用いるスパッタガスは、水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物がppmレベル、好ましくはppbレベルの濃度まで除去された高純度ガスを用いる。また、絶縁膜707の成膜時において、処理室内の残留水分を除去しつつ絶縁膜707を成膜することにより、絶縁膜707に水素、水、水酸基又は水素化物などが含まれないようにすることが好ましい。処理室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプを用いればよい。例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることができる。また、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを組み合わせて使用することが好ましい。クライオポンプを用いて排気した処理室は、水素原子や、水H2O等の水素原子を含む化合物等が排気されるため、当該処理室で成膜した絶縁膜707は、水素原子が極力取り込まれにくく好ましい。スパッタリング法にはスパッタ用電源に高周波電源を用いるRFスパッタリング法と、DCスパッタリング法があり、さらにパルス的にバイアスを与えるパルスDCスパッタリング法もある。RFスパッタリング法は主に絶縁膜を成膜する場合に用いられ、DCスパッタリング法は主に金属膜を成膜する場合に用いられる。また、材料の異なるターゲットを複数設置可能な多元スパッタ装置もある。多元スパッタ装置は、同一チャンバーで異なる材料膜を積層成膜することも、同一チャンバーで複数種類の材料を同時に放電させて成膜することもできる。また、チャンバー内部に磁石機構を備えたマグネトロンスパッタリング法を用いるスパッタ装置や、グロー放電を使わずマイクロ波を用いて発生させたプラズマを用いるECRスパッタリング法を用いるスパッタ装置を用いることができる。また、スパッタリング法を用いる成膜方法としては、成膜中にターゲット物質とスパッタガス成分とを化学反応させ、それらの化合物薄膜を形成するリアクティブスパッタリング法や、成膜中に基板にも電圧をかけるバイアススパッタリング法もある。また、絶縁膜707は単層構造に限定されず、積層構造でもよい。例えば、基板700側から窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、又は窒化酸化アルミニウム膜などの窒化物絶縁膜と、上記酸化物絶縁膜との積層構造としてもよい。例えば、基板上に高純度窒素を含むスパッタガスを導入し、シリコンターゲットを用いて窒化シリコン膜を成膜し、その後、スパッタガスを高純度酸素ガスに切り替えて、酸化シリコン膜を成膜する。この場合においても、先に説明したのと同様に、処理室内の残留水分を除去しつつ窒化シリコン膜や酸化シリコン膜を成膜することが好ましい。また、成膜時に基板を加熱してもよい。次に、絶縁膜707上に酸化物半導体膜をスパッタリング法により形成する。酸化物半導体膜に水素、水酸基及び水分が極力含まれないようにするために、成膜の前処理として、スパッタリング装置の予備加熱室で絶縁膜707が形成された基板700を予備加熱し、基板700に吸着した水素、水分などの不純物を脱離し排気することが好ましい。なお、予備加熱室に設ける排気手段は、水素原子や、水H2O等の水素原子を含む化合物等を排気するためクライオポンプが好ましい。また、この予備加熱は、後に形成するゲート絶縁膜702の成膜前の基板700に対して行うことが好ましい。また、後に形成する電極716及び電極717まで形成した基板700に対しても同様に行うことが好ましい。ただし、これらの予備加熱の処理は省略してもよい。なお、酸化物半導体膜をスパッタリング法により成膜する前に、アルゴンガスを導入してプラズマを発生させる逆スパッタを行い、絶縁膜707の表面に付着しているゴミを除去することも好ましい。逆スパッタとは、アルゴン雰囲気下で基板に高周波電源を用いて電圧を印加することによって基板近傍にプラズマを形成し、表面を改質する方法である。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウム、酸素等を用いてもよい。酸化物半導体膜のターゲットとしては、酸化亜鉛を主成分とする金属酸化物のターゲットを用いることができる。上記ターゲットとして、例えば、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1mol数比、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2mol数比、またはIn2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:4mol数比であるターゲットを用いることができる。また、In、Ga、及びZnを含むターゲットの充填率は90以上100以下、好ましくは95以上100未満である。充填率の高いターゲットを用いることにより、成膜した酸化物半導体膜は緻密な膜となる。なお、酸化物半導体膜の成膜の際は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、または希ガス及び酸素混合雰囲気下とすればよい。ここで、酸化物半導体膜を成膜する際に用いるスパッタガスは、水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物がppmレベル、好ましくはppbレベルの濃度まで除去された高純度ガスを用いる。酸化物半導体膜は、減圧状態に保持された処理室内に基板を保持し、処理室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入し、金属酸化物をターゲットとして基板700上に成膜する。処理室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。また、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素原子、水H2Oなど水素原子を含む化合物より好ましくは炭素原子を含む化合物も等が排気されるため、当該成膜室で成膜した酸化物半導体膜に含まれる不純物の濃度を低減できる。また、酸化物半導体膜成膜時に基板を室温状態のままとするか、または400°C未満の温度に加熱してもよい。酸化物半導体膜の成膜条件の一例としては、基板温度を室温、基板とターゲットの間との距離を110mm、圧力0.4Pa、直流DC電源0.5kW、酸素及びアルゴン酸素流量15sccm:アルゴン流量30sccm=1:2雰囲気下の条件が挙げられる。なお、パルス直流DC電源を用いると、ごみが軽減でき、膜厚分布も均一となるために好ましい。酸化物半導体膜の膜厚は、膜厚2nm以上200nm以下とすればよく、好ましくは5nm以上30nm以下とする。なお、適用する酸化物半導体の材料により適切な膜厚は異なり、材料に応じて適宜膜厚を選択すればよい。以上では、酸化物半導体として、三元系金属の酸化物であるIn-Ga-Zn-O系酸化物を用いる例を示したが、その他にも、四元系金属の酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn-O系や、他の三元系金属の酸化物であるIn-Sn-Zn-O系、In-Al-Zn-O系、Sn-Ga-Zn-O系、Al-Ga-Zn-O系、Sn-Al-Zn-O系や、二元系金属の酸化物であるIn-Zn-O系、In-Ga-O系、Sn-Zn-O系、Al-Zn-O系、Zn-Mg-O系、Sn-Mg-O系、In-Mg-O系や、In-O系、Sn-O系、Zn-O系などの酸化物半導体を用いることができる。また、上記酸化物半導体はSiを含んでいてもよい。また、これらの酸化物半導体は、非晶質であってもよいし、結晶質であってもよい。または、非単結晶であってもよいし、単結晶であってもよい。なお、本明細書において、三元系金属の酸化物とは、酸素Oの他に3つの金属元素を含む金属酸化物を指す。同様にして、四元系金属の酸化物とは、酸素Oの他に4つの金属元素を含む金属酸化物、二元系金属の酸化物とは、酸素Oの他に2つの金属元素を含む金属酸化物を指す。また、酸化物半導体膜として、InMO3ZnOmm>0で表記される薄膜を用いることもできる。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoから選ばれた一または複数の金属元素である。例えば、Mとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、またはGa及びCoが挙げられる。次に、酸化物半導体膜を第1のフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体膜712に加工する図18A参照。なお、島状の酸化物半導体膜712を形成するためのレジストをインクジェット法で形成してもよい。レジストをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。なお、酸化物半導体膜のエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよく、両方を用いてもよい。ドライエッチングを行う場合、平行平板型RIEReactiveIonEtching法や、ICPInductivelyCoupledPlasma:誘導結合型プラズマエッチング法を用いることができる。所望の加工形状にエッチングできるように、エッチング条件コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等を適宜調節する。ドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、塩素を含むガス塩素系ガス、例えば塩素Cl2、三塩化硼素BCl3、四塩化珪素SiCl4、四塩化炭素CCl4などが好ましいが、フッ素を含むガスフッ素系ガス、例えば四弗化炭素CF4、六弗化硫黄SF6、三弗化窒素NF3、トリフルオロメタンCHF3など、臭化水素HBr、酸素O2、またはこれらのガスにヘリウムHeやアルゴンArなどの希ガスを添加したガス等を用いることもできる。ウェットエッチングに用いるエッチング液としては、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液、アンモニア過水31重量過酸化水素水:28重量アンモニア水:水=5:2:2などを用いることができる。また、ITO07N関東化学社製を用いてもよい。エッチングの条件エッチング液、エッチング時間、温度等については、酸化物半導体の材料に合わせて適宜調節すればよい。また、ウェットエッチングを行う場合、エッチング液はエッチングされた材料とともに洗浄によって除去される。その除去された材料を含むエッチング液の廃液を精製し、含まれる材料を再利用してもよい。当該エッチング後の廃液から酸化物半導体膜に含まれる材料例えば、インジウム等のレアメタルを回収して再利用することにより、資源を有効活用することができる。本実施の形態では、エッチング液として燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液を用いたウェットエッチング法により、酸化物半導体膜を島状の酸化物半導体膜712に加工する。次に、酸化物半導体膜712に第1の加熱処理を行う。第1の加熱処理の温度は、400°C以上750°C以下、好ましくは400°C以上基板の歪み点未満とする。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導体膜712に対して窒素雰囲気下450°Cにおいて1時間の加熱処理を行うことにより、酸化物半導体膜712への水や水素の混入を防ぎ、酸化物半導体膜712を得る。この第1の加熱処理によって酸化物半導体膜712から水素、水、及び水酸基等を除去することができる。なお、加熱処理装置は電気炉に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を備えていてもよい。例えば、GRTAGasRapidThermalAnnealing装置、LRTALampRapidThermalAnnealing装置等のRTARapidThermalAnnealing装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光電磁波の輻射により、被処理物を加熱する装置である。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。気体としては、不活性ガス代表的には、アルゴン等の希ガスまたは窒素ガスを用いることができる。例えば、第1の加熱処理として、650°C~700°Cの高温に加熱した不活性ガス中に基板を移動させて入れ、数分間加熱した後、基板を移動させて高温に加熱した不活性ガス中から出すGRTAを行ってもよい。GRTAを用いることにより、短時間での高温加熱処理が可能となる。第1の加熱処理の際の雰囲気には、水、水素などが含まれないようにすることが好ましい。または、加熱処理装置の内に導入する窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン等のガスの純度を、6N99.9999以上、好ましくは7N99.99999以上、即ち不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とすることが好ましい。なお、第1の加熱処理の条件、または酸化物半導体膜の材料によっては、第1の加熱処理により島状の酸化物半導体膜712が結晶化し、微結晶化または多結晶化する場合もある。例えば、結晶化率が80以上の微結晶の酸化物半導体膜となる場合もある。ただし、第1の加熱処理を行っても島状の酸化物半導体膜712が結晶化せず、非晶質の酸化物半導体膜となる場合もある。また、非晶質の酸化物半導体膜の中に微結晶部粒径1nm以上20nm以下代表的には2nm以上4nm以下が混在する酸化物半導体膜となる場合もある。また、酸化物半導体膜に対する第1の加熱処理は、島状の酸化物半導体膜に加工する前の酸化物半導体膜に行ってもよい。この場合、第1の加熱処理後に、加熱処理装置から基板を取り出し、第1のフォトリソグラフィ工程を行う。その他に、第1の加熱処理は、酸化物半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を積層した後、またはソース電極及びドレイン電極上にゲート絶縁膜を形成した後、のいずれで行ってもよい。第1の加熱処理においては、酸化物半導体膜中から水素、水、及び水酸基等の不純物を除去することを主な目的としているが、この第1の加熱処理の際に酸化物半導体膜中に酸素欠損が生じてしまうおそれがある。このため、第1の加熱処理の後に、過剰な酸化処理を行うことが好ましい。過剰な酸化処理の具体例としては、第1の加熱処理の後、連続して酸素雰囲気または窒素及び酸素を含む雰囲気例えば、窒素と酸素の体積比が4:1での加熱処理を行う方法が挙げられる。第1の加熱処理は、酸化物半導体膜に対する脱水化、脱水素化の効果を奏する。次に、絶縁膜707及び酸化物半導体膜712上に、導電膜を形成する。導電膜は、スパッタリング法や真空蒸着法により形成すればよい。該導電膜は透光性を有する導電膜を用いて形成する必要がある。このような透光性を有する導電膜として、導電性を有する金属酸化物が挙げられる。導電性を有する金属酸化物としては、酸化インジウムIn2O3、酸化スズSnO2、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金In2O3―ZnOまたは前記金属酸化物材料にシリコン若しくは酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。また、導電膜は、単層構造としてもよいし、2層以上の積層構造としてもよい。次に、第2のフォトリソグラフィ工程により導電膜上にレジストを形成し、選択的にエッチングを行って電極716及び電極717を形成した後、レジストを除去する図18B参照。電極716はソース電極及びドレイン電極の一方として機能し、電極717はソース電極及びドレイン電極の他方として機能する。ここで、電極716及び電極717の端部がテーパとなるようにエッチングすると、上に積層するゲート絶縁膜の被覆性が向上するため好ましい。なお、電極716、電極717を形成するためのレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。また基板700の大きさが大きければ、後述の工程で形成されるトランジスタが占める面積を大きくできるという点で好適である。トランジスタが占める面積が大きいと、チャネル幅Wを広くすることが可能である。トランジスタのチャネル幅Wが広いと、電流能力を稼ぐことが可能である。次に、絶縁膜707、酸化物半導体膜712、電極716、電極717上にゲート絶縁膜702を形成する図18C参照。ゲート絶縁膜702は、プラズマCVD法又はスパッタリング法等を用いて形成する。またゲート絶縁膜702は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化アルミニウム膜を単層又は積層して形成することができる。ゲート絶縁膜702を形成する際は、水素が含まれないようにすることが好ましい。このため、成膜時の雰囲気に水素を極力減らすことが可能なスパッタリング法でゲート絶縁膜702を成膜することが好ましい。スパッタリング法により酸化シリコン膜を成膜する場合には、ターゲットとしてシリコンターゲット又は石英ターゲットを用い、スパッタガスとして酸素、または酸素及びアルゴンの混合ガスを用いて行う。また、ゲート絶縁膜702は、基板700側から順に酸化シリコン膜と窒化シリコン膜を積層した構造とすることもできる。例えば、第1のゲート絶縁膜として膜厚5nm以上300nm以下の酸化シリコン膜SiOxx>0を形成し、第1のゲート絶縁膜上に第2のゲート絶縁膜として膜厚50nm以上200nm以下の窒化シリコン膜SiNyy>0を積層して、ゲート絶縁膜としてもよい。例えば、積層したゲート絶縁膜のn膜厚は、100nmとする。本実施の形態では、圧力0.4Pa、高周波電源1.5kW、酸素及びアルゴン酸素流量25sccm:アルゴン流量25sccm=1:1雰囲気下でRFスパッタリング法により膜厚100nmの酸化シリコン膜を形成する。次に、第3のフォトリソグラフィ工程によりレジストを形成し、選択的にエッチングを行ってゲート絶縁膜702の一部を除去することにより、電極716及び電極717それぞれに達する開口718及び開口719を形成する図18D参照。なお、レジストマスクをインクジェット法で形成する場合、フォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。次に、ゲート絶縁膜702、開口718、及び開口719上に導電膜を形成した後、第4のフォトリソグラフィ工程によりゲート電極711、配線層714、配線層715を形成する。ゲート電極711、配線層714、配線層715は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料、又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層又は積層して形成することができる。ゲート電極711、配線層714、配線層715の2層構造の具体例としては、アルミニウム層上にモリブデン層が積層された構造、銅層上にモリブデン層が積層された構造、銅層上に窒化チタン層若しくは窒化タンタル層が積層された構造、または窒化チタン層上にモリブデン層が積層された構造が挙げられる。また、3層構造の具体例としては、タングステン層または窒化タングステン層と、アルミニウム及びシリコンの合金層またはアルミニウム及びチタンの合金層と、窒化チタン層またはチタン層とが積層された構造が挙げられる。なお、ゲート電極711、配線層714、配線層715は、透光性を有する導電膜を用いて形成することも可能である。当該透光性を有する導電膜として、導電性を有する金属酸化物が挙げられる。導電性を有する金属酸化物としては、酸化インジウムIn2O3、酸化スズSnO2、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金In2O3―ZnOまたは前記金属酸化物材料にシリコン若しくは酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。また、導電膜は、単層構造としてもよいし、2層以上の積層構造としてもよい。次に、不活性ガス雰囲気下、または酸素ガス雰囲気下で第2の加熱処理好ましくは200°C以上400°C以下、例えば250°C以上350°C以下を行う。本実施の形態では、窒素雰囲気下で250°C、1時間の第2の加熱処理を行う。なお、第2の加熱処理は、トランジスタ710上に保護絶縁膜や平坦化絶縁膜を形成してから行ってもよい。また、大気中、100°C以上200°C以下、1時間以上30時間以下での加熱処理を更に行ってもよい。この加熱処理は、一定の加熱温度を保持して加熱してもよいし、室温から、100°C以上200°Cの加熱温度への昇温と、加熱温度から室温までの降温を複数回繰り返して行ってもよい。以上の工程により、水素、水分、水素化物、水酸化物の濃度が低減された、高純度の酸化物半導体膜712を有するトランジスタ710を形成することができる図18E参照。また、トランジスタ710上に保護絶縁膜や、平坦化のための平坦化絶縁膜を設けてもよい。保護絶縁膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化アルミニウム膜を単層又は積層して形成することができる。また、平坦化絶縁膜としては、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料low-k材料、シロキサン系樹脂、PSGリンガラス、BPSGリンボロンガラス等を用いることもできる。また、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで平坦化絶縁膜を形成してもよい。ここで、シロキサン系樹脂とは、シロキサン系材料を出発材料として形成されたSi-O-Si結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は置換基としては有機基例えばアルキル基やアリール基を用いても良い。また、有機基はフルオロ基を有していても良い。平坦化絶縁膜の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタ法、SOG法、スピンコート法、ディップ法、スプレー塗布法、液滴吐出法インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等等の方法、ドクターナイフ、ロールコータ、カーテンコータ、ナイフコーター等のツールを用いることができる。上述したように、酸化物半導体膜を成膜するに際し、反応雰囲気中の残留水分を除去することで、酸化物半導体膜中の水素及び水素化物の濃度を低減することができる。次に図17に示すトランジスタと異なる構造の例、高純度の酸化物半導体を用いたトランジスタの構造の他の例を、図19A~図19Cに示す。図19Aに示すトランジスタ720は、ボトムゲート型トランジスタである。トランジスタ720は、基板700上に形成されたゲート電極721と、ゲート電極721上のゲート絶縁膜722と、ゲート絶縁膜722上においてゲート電極721と重畳する酸化物半導体膜723と、酸化物半導体膜723上においてゲート電極721と重畳するチャネル保護膜724と、酸化物半導体膜723上に形成された導電膜725及び導電膜726とを有する。さらに、トランジスタ720は、酸化物半導体膜723上に形成された絶縁膜727を、その構成要素に含めても良い。トランジスタ720は、ソース電極及びドレイン電極である導電膜725及び導電膜726が、チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜723の上面で接しているので、トップコンタクト型のトランジスタと言える。チャネル保護膜724を設けることによって、酸化物半導体膜723のチャネル形成領域となる部分に対する、後の工程時におけるダメージエッチング時のプラズマやエッチング剤による膜減りなどを防ぐことができる。従ってトランジスタの信頼性を向上させることができる。チャネル保護膜724には、酸素を含む無機材料酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、または酸化窒化アルミニウムなどを用いることができる。チャネル保護膜724は、プラズマCVD法や熱CVD法などの気相成長法やスパッタリング法を用いて形成することができる。チャネル保護膜724は成膜後にエッチングにより形状を加工する。ここでは、スパッタ法により酸化珪素膜を形成し、フォトリソグラフィによるマスクを用いてエッチング加工することでチャネル保護膜724を形成する。また、酸化物半導体膜723に接してチャネル保護膜724を形成すると、酸化物半導体膜723中のチャネル保護膜724と接する領域が高抵抗化し、高抵抗化酸化物半導体領域となる。チャネル保護膜724の形成により、酸化物半導体膜723は、チャネル保護膜724との界面近傍に高抵抗化酸化物半導体領域を有することができる。なお、トランジスタ720は、絶縁膜727上に、バックゲート電極をさらに有していても良い。バックゲート電極は、酸化物半導体膜723のチャネル形成領域と重なるように形成する。バックゲート電極は、電気的に絶縁しているフローティングの状態であっても良いし、電位が与えられる状態であっても良い。後者の場合、バックゲート電極には、ゲート電極721と同じ高さの電位が与えられていても良いし、グラウンドなどの固定電位が与えられていても良い。バックゲート電極に与える電位の高さを制御することで、トランジスタ720の閾値電圧を制御することができる。図19Bに示すトランジスタ730は、ボトムゲート型トランジスタである。トランジスタ730は、基板700上に形成されたゲート電極731と、ゲート電極731上のゲート絶縁膜732と、ゲート絶縁膜732上の導電膜733及び導電膜734と、ゲート電極731と重なっている酸化物半導体膜735とを有する。さらに、トランジスタ730は、酸化物半導体膜735上に形成された絶縁膜737を、その構成要素に含めても良い。トランジスタ730は、ソース電極及びドレイン電極である導電膜733及び導電膜734が、チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜735の下面で接しているので、ボトムコンタクト型のトランジスタと言える。また、ボトムコンタクト型のトランジスタ730の場合、導電膜733及び導電膜734の膜厚は、後に形成される酸化物半導体膜735が段切れを起こすのを防ぐために、薄くするのが望ましい。具体的には、10nm~200nm、好ましくは50nm~75nmとする。なお、トランジスタ730は、絶縁膜737上に、バックゲート電極をさらに有していても良い。バックゲート電極は、酸化物半導体膜735のチャネル形成領域と重畳するように形成する。バックゲート電極は、電気的に絶縁しているフローティングの状態であっても良いし、電位が与えられる状態であっても良い。後者の場合、バックゲート電極には、ゲート電極731と同じ高さの電位が与えられていても良いし、グラウンドなどの固定電位が与えられていても良い。バックゲート電極に与える電位の高さを制御することで、トランジスタ730の閾値電圧を制御することができる。図19Cに示すトランジスタ740は、トップゲート型トランジスタである。トランジスタ740は、基板700上に形成された導電膜741及び導電膜742と、導電膜741及び導電膜742上に形成された酸化物半導体膜743と、酸化物半導体膜743上のゲート絶縁膜744と、ゲート絶縁膜744上において酸化物半導体膜743と重なっているゲート電極745とを有する。さらに、トランジスタ740は、ゲート電極745上に形成された絶縁膜747を、その構成要素に含めても良い。トランジスタ740は、ソース電極及びドレイン電極である導電膜741及び導電膜742が、チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜743の下面で接しているので、ボトムコンタクト型のトランジスタと言える。また、トップゲート型のトランジスタ740の場合、導電膜741及び導電膜742の膜厚は、後に形成される酸化物半導体膜743が段切れを起こすのを防ぐために、薄くするのが望ましい。具体的には、10nm~200nm、好ましくは50nm~75nmとする。電圧変換素子301のトランジスタ302として、酸化物半導体膜をチャネル形成領域として有するトランジスタ710、トランジスタ720、トランジスタ730、トランジスタ740を用いると、耐圧が高いので好適である。ただし、電圧変換素子301のトランジスタ302の構造は、トランジスタ710、トランジスタ720、トランジスタ730、トランジスタ740の構造に限定されるものではない。トランジスタ302又はトランジスタ312として、例えばパワーMOSMISFETを用いると、より耐圧が高いので好適である。以上から第1の光電変換素子101の出力電圧を変換する第1の電圧変換素子103、及び第2の光電変換素子102の出力電圧を変換する第2の電圧変換素子104を得ることが可能である。本実施の形態により、耐圧の高い酸化物半導体膜をチャネル形成領域に有するトランジスタを用いて、第1の電圧変換素子103及び第2の電圧変換素子104を得ることが可能である。以上説明したように、本実施の形態の光電変換装置は、リップル電圧を抑制することが可能である。また本実施の形態の光電変換装置は、出力電圧の低下を抑制することが可能である。[実施の形態2]本実施の形態では、実施の形態1の光電変換装置に、さらに電圧変換素子を追加した光電変換装置の回路構成の一例について、図14及び図16を用いて説明する。追加された電圧変換素子により、実施の形態1の光電変換装置からの出力電圧は、他の機器の作動に最適な電圧になるように変換される。図16に、光電変換装置100、電圧変換素子601_1、電圧変換素子601_2、及び外部回路106を示す。図16に示す光電変換装置100及び外部回路106は図1と同様である。第1の光電変換素子101に接続される第1の電圧変換素子103には、電圧変換素子601_1が接続される。また第2の光電変換素子102に接続される第2の電圧変換素子104には、電圧変換素子601_2が接続される。電圧変換素子601_1には、電圧変換素子103で変換された電圧V2_1が入力される。電圧変換素子601_1に入力された電圧V2_1は、電圧変換素子601_1により、電圧V3_1に変換される。同様にして、電圧変換素子601_2には、電圧変換素子104で変換された電圧V2_2が入力される。電圧変換素子601_2に入力された電圧V2_2は、電圧変換素子601_2により、電圧V3_2に変換される。電圧変換素子601_1から出力された電圧V3_1、及び電圧変換素子601_2から出力された電圧V3_2は加算され、出力電圧Voutとして外部に出力される。電圧変換素子601_1は、電圧変換回路602_1、及び電圧変換回路602_1の制御回路603_1を有している。また電圧変換素子601_2は、電圧変換回路602_2、及び電圧変換回路602_2の制御回路603_2を有している。電圧変換回路602_1は、制御回路603_1からのPWM信号PWM_Aにより制御される。また電圧変換回路602_2は、制御回路603_2からのPWM信号PWM_Bにより制御される。図16に示す電圧変換素子601_1及び電圧変換素子601_2の構成例を図14に示す。ただし、図14に示す電圧変換素子601は、図16に示す電圧変換素子601_1及び電圧変換素子601_2に対応している。図14に示す電圧変換回路602は、図16に示す電圧変換回路602_1及び電圧変換回路602_2に対応している。図14に示す制御回路603は、図16に示す制御回路603_1及び制御回路603_2に対応している。また図14に示すパルス幅変調信号PWMは、図16に示すPWM信号PWM_A及びPWM信号PWM_Bに対応している。図14に示す電圧変換素子601は、電圧変換回路602、及び電圧変換回路602の制御回路603を有している。図14では、電圧変換回路602の例として、DC-DCコンバータを示す。電圧変換回路602は、トランジスタ611、コイル612、ダイオード613、及びコンデンサ614を有している。制御回路603は、三角波発生回路621、デジタル制御方式の回路650、パルス幅変調出力ドライバ623、抵抗624、及び抵抗625を有している。また点線の矢印627は帰還回路のループを表している。抵抗624の出力電圧である帰還電圧Vfbは、デジタル制御方式の回路650に入力される。デジタル制御方式の回路650は、コンパレータ651、デジタル演算処理回路652、パルス幅変調出力ドライバ653、及びローパスフィルタ654ローパスフィルタ:LowPassFilterLPFを有している。デジタル制御方式の回路650の内、デジタル演算処理回路652及びパルス幅変調出力ドライバ653はデジタル回路である。デジタル回路は、回路を流れる信号の基準に対する高低によって、1か0ゼロかを判断する。デジタル回路は、1か0ゼロかを判断するため、デジタル回路を構成する素子の特性がばらついても、正しく処理する事が可能である。またデジタル制御方式の回路650は、占有面積の大きい受動素子例えば、容量や抵抗の使用を抑制してるので、回路の占有面積を小さくすることが可能であるという点で好適である。コンパレータ651は、反転入力端子REFから入力される参照電圧Vrefと、非反転入力端子から入力される帰還電圧Vfbとを比較して、HハイレベルかLローレベル、すなわち1か0ゼロであるデジタル信号を出力する。デジタル演算処理回路652は、デジタル平均化積分器652a及びデジタルパルス幅変調器652bを有している。またデジタル演算処理回路652には、外部からクロック分割器655が接続され、クロック分割器655からのクロック信号が入力される。デジタル演算処理回路652は、コンパレータ651から出力されたデジタル信号を、平均化処理、積分化処理、及び、デジタルパルス幅変調処理を行う。デジタル演算処理回路652中のデジタル平均化積分器652aが平均化処理及び積分化処理を行い、デジタルパルス幅変調器652bがデジタルパルス幅変調処理を行う。デジタル演算処理回路652では、まず、コンパレータ651から出力されたデジタル信号HハイレベルまたはLローレベルをNビット保持し、HとLの回数を比較し、多い方の信号を出力する。これによりデジタル信号の平均化が行われる。平均化されたデジタル信号に応じて、Hであれば-1、Lであれば1を加えて積算する。これにより、平均化されたデジタル信号が積分される。積分されたデジタル信号に応じて、パルス幅変調の位相位置の設定を行う。これによりデジタルパルス幅変調処理化が行われる。デジタルパルス幅変調処理化されたパルス幅変調出力信号は、パルス幅変調出力ドライバ653に入力される。三角波発生回路621は、パルス幅変調生成信号に必要な三角波Voscを発生させる回路である。パルス幅変調出力ドライバ623の反転入力端子にはデジタル制御方式の回路650の出力信号Verrが入力され、非反転入力端子には三角波発生回路621が生成した三角波Voscが入力される。パルス幅変調出力ドライバ623は、デジタル制御方式の回路650の出力信号Verrと三角波Voscを比較し、三角波Voscの信号レベルがデジタル制御方式の回路650の出力信号Verrより大きい場合は、Hハイレベルをパルス幅変調信号PWMとしてトランジスタ611に出力する。一方、三角波Voscの信号レベルがデジタル制御方式の回路650の出力信号Verrより小さい場合は、Lローレベルをパルス幅変調信号PWM信号PWMとしてトランジスタ611に出力する。本実施の形態の光電変換装置は、リップル電圧を抑制することが可能である。また本実施の形態の光電変換装置は、出力電圧の低下を抑制することが可能である。また本実施の形態により、最大電力点追従MPPT制御を行う制御素子だけでなく、他の機器の作動に最適な電圧となるように制御を行う制御素子を設けた光電変換装置を得ることが可能である。[実施の形態3]本実施の形態では、実施の形態1又は実施の形態2などにより得られる光電変換装置を用いて、太陽光発電モジュールを得る。得られた太陽光発電モジュールを電動推進車両に搭載する例について説明する。本実施の形態の太陽光発電モジュールの例を、図12A~図12B、図21、図22A~図22B、図23A~図23Bに示す。本実施の形態の太陽光発電モジュールは、実施の形態1又は実施の形態2に示す光電変換装置を用いて作製される。図21に、複数の太陽光発電モジュールを有する太陽光発電モジュール800を用いた太陽光発電システムの例を示す。図21では、太陽光発電モジュール800として、2つの太陽光発電モジュール太陽光発電モジュール811及び太陽光発電モジュール812を示す。なお、本実施の形態では、太陽光発電モジュールの数が2つである場合について説明するが、太陽光発電モジュールの数は、2つに限定されるものではなく、3つ以上であってもよい。太陽光発電モジュールの数が多ければ多いほど、発電される電力が増大する。太陽光発電モジュール811には、DC-DCコンバータ等を具備する電圧変換回路851が接続されている。該電圧変換回路851により、太陽光発電モジュール811の出力電圧が昇圧或いは降圧される。太陽光発電モジュール812は、DC-DCコンバータ等を具備する電圧変換回路852が接続されている。該電圧変換回路852により、太陽光発電モジュール812の出力電圧が昇圧或いは降圧される。電圧変換回路851及び電圧変換回路852には、制御回路853が接続されている。制御回路853は、太陽光発電モジュール811及び太陽光発電モジュール812の最大電力を取り出すように、電圧変換回路851及び電圧変換回路852を最大電力点追従MPPT制御する。また、制御回路853は、電圧変換回路851及び電圧変換回路852からの出力電圧を制御し、蓄電池840を充電する。また制御回路853は、蓄電池840が十分に充電されている場合、太陽光発電モジュール800から供給される電力を外部回路841に直接出力するよう制御する。当該複数の太陽光発電モジュール800は、実施の形態1又は実施の形態2に示す光電変換装置を用いて作製する。本実施の形態では、太陽光発電モジュール811の例として、実施の形態1で述べた非晶質半導体層を光電変換層211に有する太陽電池図10参照を用いる。太陽光発電モジュール812の例として、実施の形態1で述べた単結晶半導体層を光電変換層415に有する太陽電池図13参照を用いる。なお、太陽光発電モジュール811又は太陽光発電モジュール812は、上記太陽電池に限定されるものではなく、実施の形態1で述べた他の太陽電池であってもよい。蓄電池840として電気二重層キャパシタを用いると、充電に化学反応を必要としないため、急速な充電が可能である。また、化学反応を利用する鉛蓄電池などに比べ、寿命を8倍程度、充放電効率を1.5倍程度に高めることができる。本実施の形態において示す太陽光発電システムは、照明、電子機器など、電力を使用する様々な外部回路841に対して用いることができる。図12A及び図12Bに、太陽光発電モジュール811の構造の一例を示す。太陽光発電モジュール811は、実施の形態1で述べた、非晶質半導体層を有する光電変換層211を用いた太陽電池である。図12A及び図12Bにおいて、図10と同じものは同じ符号で示している。図12Bは、図12AのB-B’に対する断面図である。光電変換層211上に設けられた導電膜212に接して、補助電極807及び補助電極808が設けられる。補助電極807及び補助電極808はそれぞれ、最も端部のセルの導電膜212に電気的に接続されている。図22A~図22Bに、太陽光発電モジュール812の構造の一例を示す。太陽光発電モジュール812は、支持基板802上に設けられた光電変換層820により構成されている。支持基板802と光電変換層820の間には、支持基板802側から絶縁層804、第1の電極806が設けられている。また、第1の電極806は補助電極816と接続している。補助電極816及び第2の電極818は支持基板802の一表面側光電変換層820が形成されている側に形成され、支持基板802の端部で外部端子コネクタ用の裏面電極836及び裏面電極837とそれぞれ接続する。図22Bは、図22AのC-C’に対応する断面図であり、支持基板802の貫通口を通じて、補助電極816が裏面電極836と接続し、第2の電極818が裏面電極837と接続する様子を示している。本実施の形態では、光電変換層820として単結晶半導体層を有する光電変換層415を用いる。図23Aおよび図23Bに、図21に示した太陽光発電モジュール800をルーフ部分に用いた電動推進車両860乗用自動車の例を示す。太陽光発電モジュール800は、コンバータ862を介してバッテリーまたはキャパシタ864に接続されている。すなわち、バッテリーまたはキャパシタ864は、太陽光発電モジュール800から供給される電力を用いて充電される。また、エンジン866の動作状況をモニタ868で監視して、その状況に応じて充電及び放電を選択させる構成としても良い。太陽光発電モジュール800は、熱によって光電変換効率が低下する傾向にある。このような光電変換効率の低下を抑制するために、太陽光発電モジュール800内に冷却用の液体などを循環させる構成としても良い。例えば、ラジエータ870の冷却水を循環ポンプ872によって循環させる構成とすることができる。もちろん、冷却用の液体をラジエータ870と共用することには限定されない。また、光電変換効率の低下が深刻でない場合には、液体を循環させる構成は不要である。本実施の形態の光電変換装置は、リップル電圧を抑制することが可能である。また本実施の形態の光電変換装置は、出力電圧の低下を抑制することが可能である。該光電変換装置を用いた太陽光発電モジュールを搭載することが可能なので、信頼性の高い電動推進車両を得ることが可能のため好適である。