"n型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層と、m面窒化物半導体層を含み、前記n型窒化物半導体層および前記p型窒化物半導体層に挟まれた活性層領域と、前記n型窒化物半導体層に電気的に接続されたn型電極と、前記p型窒化物半導体層に電気的に接続されたp型電極と、前記活性層領域で発生する偏光光を外部へ取り出す出射面と、前記出射面に設けられたストライプ構造であって、前記m面窒化物半導体層のa軸方向と5°以上80°以下または-80°以上-5°以下の角度をなす方向に伸びる複数の凸部を有するストライプ構造と、を備えた半導体発光素子。前記複数の凸部は、前記出射面と非平行な少なくとも1つの斜面を有する請求項1に記載の半導体発光素子。前記複数の凸部の周期は300nm以上である請求項1または2に記載の半導体発光素子。前記複数の凸部の周期は8μm以下である請求項1から3の何れかに記載の半導体発光素子。前記ストライプ構造において、前記複数の凸部は、前記m面窒化物半導体層の前記a軸方向と30°以上60°以下または-60°以上-30°以下の角度をなす方向に伸びている請求項1から4の何れかに記載の半導体発光素子。前記偏光光は、前記a軸方向よりもc軸方向に広い放射角度を有する配光特性で、前記活性層領域で発生する請求項1から5の何れかに記載の半導体発光素子。第1および第2の主面を有するn型窒化物半導体基板をさらに備え、前記第1の主面は、前記n型窒化物半導体層に接しており、前記出射面は、前記第2の主面である請求項1から6の何れかに記載の半導体発光素子。前記p型窒化物半導体層は、第1および第2の主面を有し、前記第2の主面は前記活性層領域側に位置しており、前記出射面は前記第1の主面である請求項1から7の何れかに記載の半導体発光素子。前記n型窒化物半導体層に接して設けられたn型窒化物半導体基板と、第1および第2の主面を有する光出力部材とをさらに備え、前記第1の主面は、前記n型窒化物半導体基板の前記n型窒化物半導体層に接している面とは反対の面に接しており、前記出射面は、前記第2の主面である請求項1から8の何れかに記載の半導体発光素子。前記光出力部材の屈折率は1より大きい請求項1から9の何れかに記載の半導体発光素子。n型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層と、前記n型窒化物半導体層および前記p型窒化物半導体層に挟まれており、m面窒化物半導体層を含む活性層領域とを有する半導体積層構造を基板上に形成する工程と、前記n型窒化物半導体層に電気的に接続されたn型電極および前記p型窒化物半導体層に電気的に接続されたp型電極を形成する工程と、前記基板の前記半導体積層構造が設けられていない面に、前記m面窒化物半導体層のa軸方向と5°以上80°以下または-80°以上-5°以下の角度をなす方向に伸びる複数の凸部を有するストライプ構造を形成する工程と、を包含する半導体発光素子の製造方法。n型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層と、前記n型窒化物半導体層および前記p型窒化物半導体層に挟まれており、m面窒化物半導体層を含む活性層領域とを有する半導体積層構造を基板上に形成する工程と、前記n型窒化物半導体層に電気的に接続されたn型電極および前記p型窒化物半導体層に電気的に接続されたp型電極を形成する工程と、前記基板の前記半導体積層構造が設けられていない面に、前記m面窒化物半導体層のa軸方向と30°以上60°以下または-60°以上-30°以下の角度をなす方向に伸びる複数の凸部を有するストライプ構造を形成する工程と、を包含する半導体発光素子の製造方法。また、照明用途では、高輝度LEDを実現することが求められており、m面発光素子の作製にあたり、活性層から出射する光を高い光取出し効率で外部へ取り出すことが重要となる。非特許文献2は、発光素子の出射面にランダムな微細構造を設けることにより、光取出し効率を高めることを開示している。出射面に、全反射角よりも小さい角度で入射する活性層からの光は、出射面から外部へ出射することができないため、ランダムな微細構造を設けることによって、全反射角よりも大きい角度で出射面に入射する光の割合を高められ、光取出し効率が向上する。ランダムな微細構造は、光取出し効率を向上させる効果に加えて、偏光方向をランダムに変化させる効果もある。したがって、同様の構造をm面発光素子の出射面に形成することで、偏光特性のないm面発光素子が実現できると考えられる。非特許文献2は、自己組織化金ナノマスクを利用する方法以下、SA-Au法と表記するを用いてランダムな微細構造を形成することを開示している。SA-Au法によれば、出射面に金属薄膜を成膜し、その後、加熱することで金属薄膜をサブミクロンサイズのアイランド状に凝集させる。凝集した金属をハードマスクとし、ドライエッチングを行うことでランダムな微細構造を形成することができる。しかし、SA-Au法によれば、金属薄膜の加熱凝集工程において、面内バラツキが発生するため、再現性良く、ランダムな微細構造を形成するのが困難である。このため、非特許文献2に開示された方法を用いて、高い光取出し効率を有する発光素子を歩留まり良く作製することは困難である。また、結晶異方性を利用したウェットエッチング法により、このようなランダムな微細構造をc面を主面とする半導体発光素子以下、c面発光素子と表記するの出射面に形成する方法も提案されている。しかし、上記ウェットエッチング法によりランダムな微細構造をm面発光素子の出射面に形成することは困難である。m面発光素子の出射面は、c面を主面とする半導体発光素子の出射面と結晶面が異なり、提案されている結晶方位の異方性を利用することができないからである。特許文献3は、非極性面または半極性面を主面とする半導体を有する発光素子において、出射する光の偏光方向に対して垂直方向に伸びるストライプ状の溝を形成することにより、出射効率の低下を抑制することを開示している。また、特許文献4は、出射する光の配光特性を改善するために、特許文献3と同様、発光素子の偏光方向に対して垂直に伸びる凹凸形状が出射面に設けられた発光ダイオード装置を開示している。特許文献3によれば、ブリュースター角で出射面へ入射する光のうちp波成分は、反射することなく反射率ゼロ出射面から透過することができるため、出射する光の偏光方向に対して垂直方向に伸びるストライプ状の溝を構成する面を出射面とすれば、光の偏光方向はp波成分の方向と一致し、偏光光の透過率を高めることができると記載している。しかし、本願発明者が詳細に検討したところ、ブリュースター角で出射面に入射する光は非常に少なく、偏光光の透過率向上に対する効果は極めて限定的であることを見出した。本発明はこのような従来技術の課題の少なくとも1つを解決し、偏光特性が抑制され、光取出し効率の向上を実現できるm面窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。また、配光特性が改善された光を出射するm面窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。本発明の半導体発光素子は、n型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層と、m面窒化物半導体層を含み、前記n型窒化物半導体層および前記p型窒化物半導体層に挟まれた活性層領域と、前記n型窒化物半導体層に電気的に接続されたn型電極と、前記p型窒化物半導体層に電気的に接続されたp型電極と、前記活性層領域で発生する偏光光を外部へ取出す出射面と、前記出射面に設けられたストライプ構造であって、前記m面窒化物半導体層のa軸方向と5°以上80°以下または-80°以上-5°以下の角度をなす方向に伸びる複数の凸部を有するストライプ構造とを備える。本発明の半導体発光素子は、n型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層と、m面窒化物半導体層を含み、前記n型窒化物半導体層および前記p型窒化物半導体層に挟まれた活性層領域と、前記n型窒化物半導体層に電気的に接続されたn型電極と、前記p型窒化物半導体層に電気的に接続されたp型電極と、前記活性層領域で発生する偏光光を外部へ取り出す出射面と、前記出射面に設けられたストライプ構造であって、前記m面窒化物半導体層のa軸方向と30°以上60°以下または-60°以上-30°以下の角度をなす方向に伸びる複数の凸部を有するストライプ構造とを備える。ある好ましい実施形態において、前記複数の凸部は、前記出射面と非平行な少なくとも1つの斜面を有する。ある好ましい実施形態において、前記偏光光は、前記a軸方向よりもc軸方向に広い放射角度を有する配光特性で、前記活性層領域で発生する。ある好ましい実施形態において、半導体発光素子は、第1および第2の主面を有するn型窒化物半導体基板をさらに備え、前記第1の主面は、前記n型窒化物半導体層に接しており、前記出射面は、前記第2の主面である。ある好ましい実施形態において、前記p型窒化物半導体層は、第1および第2の主面を有し、前記第2の主面は前記活性層領域側に位置しており、前記出射面は前記第1の主面である。ある好ましい実施形態において、半導体発光素子は、前記n型窒化物半導体層に接して設けられたn型窒化物半導体基板と、第1および第2の主面を有する光出力部材とをさらに備え、前記第1の主面は、前記n型窒化物半導体基板の前記n型窒化物半導体層に接している面とは反対の面に接しており、前記出射面は、前記第2の主面である。ある好ましい実施形態において、前記光出力部材の屈折率は1より大きい。ある好ましい実施形態において、前記複数の凸部の周期は300nm以上である。ある好ましい実施形態において、前記複数の凸部の周期は8μm以下である。本発明の半導体発光素子の製造方法は、n型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層と、前記n型窒化物半導体層および前記p型窒化物半導体層に挟まれており、m面窒化物半導体層を含む活性層領域とを有する半導体積層構造を基板上に形成する工程と、前記n型窒化物半導体層に電気的に接続されたn型電極および前記p型窒化物半導体層に電気的に接続されたp型電極を形成する工程と、前記基板の前記半導体積層構造が設けられていない面に、前記m面窒化物半導体層のa軸方向と5°以上80°以下または-80°以上-5°以下の角度をなす方向に伸びる複数の凸部を有するストライプ構造を形成する工程と、を包含する。本発明の半導体発光素子の製造方法は、n型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層と、前記n型窒化物半導体層および前記p型窒化物半導体層に挟まれており、m面窒化物半導体層を含む活性層領域とを有する半導体積層構造を基板上に形成する工程と、前記n型窒化物半導体層に電気的に接続されたn型電極および前記p型窒化物半導体層に電気的に接続されたp型電極を形成する工程と、前記基板の前記半導体積層構造が設けられていない面に、前記m面窒化物半導体層のa軸方向と30°以上60°以下または-60°以上-30°以下の角度をなす方向に伸びる複数の凸部を有するストライプ構造を形成する工程と、を包含する。本発明の半導体発光素子によれば、活性層領域で発光した光を取り出す出射面に、a軸と5°以上または-5°以下の角度をなす方向に伸びるストライプ構造が設けられているため、偏光光を、ストライプを構成する凸部の斜面にp波およびs波の合成波として入射させることができる。p波およびs波の合成波で入射した光は、偏光方向を曲げられ、透過する。また、斜面に入射した光のp波およびs波の割合は、ストライプ構造において幅広く変化させることができる。したがって、偏光方向もさまざまな方向に曲げられ、半導体発光素子から出射する光の偏光特性は抑制される。また、ストライプ構造は、a軸と80°以下または-80°以上の角度をなす方向に設けられているため、活性層領域で発光した光の大部分をストライプ構造の斜面に入射させることができる。このため、光取出し効率も向上させることができる。さらに、入射した光はm軸に近づくように凸部の斜面と外部との境界で屈折するため、配光特性の非対称性が改善される。本願発明者は、m面窒化物系半導体発光素子において活性層から発光する光の偏光特性および配光特性と出射面との関係を詳細に検討した。その結果、出射される光の偏光特性は、窒化物系半導体発光素子の活性層で発生した偏光光が持つ主たる電界ベクトルの方向と出射面の形状の関係に依存していることを見出した。また、出射される光の配光特性は、偏光光が持つ主たる伝搬ベクトルの方向と出射面の形状の関係に依存していることを見出した。これらの知見に基づき、本願発明者は、m面発光素子において、出射面の形状を最適化することによって、出射する光における偏光特性の抑制、光取出し効率向上、および配光特性の改善を実現できる窒化物系半導体発光素子を想到した。以下、図面を参照しながら本発明による発光素子の実施形態を説明する。以下の図面においては、説明の簡略化のため、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照符号で示す場合がある。なお、本発明は以下の実施の形態に限定されない。第1の実施形態図3は、本発明による半導体発光素子の第1の実施形態の断面構造を模式的に示している。図3に示すように半導体発光素子101は基板10と、基板10上に形成されており、活性層領域22を含む半導体積層構造20を備える。以下において詳細に説明するように、半導体発光素子101は、窒化物系半導体のm面を主面とする活性層において高効率で発光した偏光光を、出射面において偏光特性を抑制し、出射する。半導体積層構造20は、m面を主面とする活性層領域22を含み、窒化物半導体、より具体的には、AlxInyGazNxyz=1、x≧0、y≧0、z≧0半導体から形成されている。半導体積層構造20は活性層領域22の他に、n型窒化物半導体層21およびp型窒化物半導体層23を含み、活性層領域22は、n型窒化物半導体層21およびp型窒化物半導体層23に挟まれている。特に図示しないが、活性層領域22とp型窒化物半導体層23との間に、アンドープのGaN層を設けても良い。また、半導体発光素子101は、n型窒化物半導体層21およびp型窒化物半導体層23にそれぞれ電気的に接続されたn型電極30およびp型電極40をさらに備えている。本実施形態では、半導体積層構造20に凹部31を設けることによって、n型窒化物半導体層21の一部を露出させ、露出したn型窒化物半導体層21上にn型電極30が設けられている。n型電極30は、例えば、Ti層およびPt層の積層構造Ti/Ptなどで形成される。また、p型窒化物半導体層23上にp型電極40が設けられている。p型電極40は概ねp型窒化物半導体層23の表面全体を覆っていることが好ましい。p型電極40は例えば、Pd層およびPt層の積層構造Pd/Ptなどで形成される。基板10は、半導体積層構造20を形成するのに適したものが選ばれる。具体的には、GaN基板の他、酸化ガリウム、SiC基板、Si基板、サファイア基板などを用いることができる。基板10上にm面を主面とする活性層領域を含む半導体積層構造20をエピタキシャル成長させるためには、SiC基板やサファイア基板の面方位もm面である方が好ましい。ただし、r面サファイア基板上にa面GaNが成長することが報告されているように、mを主面とする活性層領域22を成長させるために、基板10の表面がm面であることは必須ではない。また、基板10以外の他の基板上に半導体積層構造20が形成された後、半導体積層構造20を他の基板から剥がし取り、半導体積層構造20を基板10に貼り付けてもよい。n型窒化物半導体層21は、例えばn型のAluGavInwNuvw=1、u≧0、v≧0、w≧0から形成されている。n型ドーパントとして、例えばシリコンSiを用いることができる。p型窒化物半導体層23は、例えばp型のAlsGatNst=1、s≧0、t≧0半導体から形成されている。p型ドーパントとして、例えばマグネシウムMgを用いることができる。Mg以外のp型ドーパントとして、例えば亜鉛Zn、ベリリウムBeなどを用いてもよい。p型窒化物半導体層23において、Alの組成比率sは、厚さ方向に一様であってもよいし、Alの組成比率sが厚さ方向に連続的または階段的に変化していてもよい。具体的には、p型窒化物半導体層23の厚さは、例えば、0.2μm以上2μm以下程度である。p型窒化物半導体層23において、第1の主面23a近傍、すなわち、p型電極40との界面近傍はAlの組成比率sがゼロであること、つまり、GaNであることが好ましい。また、この場合、GaNにはp型の不純物が高濃度で含まれており、コンタクト層として機能することが好ましい。特に図示しないが、p型窒化物半導体層23とp型電極40との間にp-GaNからなるコンタクト層が設けられていてもよい。活性層領域22は、半導体発光素子101における発光領域であり、高い発光効率で発光するため、m面上に形成された窒化物半導体層を含む。活性層領域22で発光する光はa軸方向の偏光光となる。活性層領域22は、m面に対して成長方向が垂直であり活性層領域の第1の主面22aおよび第2の主面22bはm面である。ただし、第1の主面22aおよび第2の主面22bは、m面に対して完全に平行な面である必要はなく、m面から所定の角度で傾斜していてもよい。傾斜角度は、第1の主面22aまたは第2の主面22bの法線とm面の法線とが形成する角度により規定される。傾斜角度θの絶対値は、c軸方向において5°以下、好ましくは1°以下の範囲であればよい。また、a軸方向において5°以下、好ましくは1°以下の範囲であればよい。このような傾斜角度であれば、活性層領域の第1の主面22aまたは第2の主面22bは、全体的にm面から傾斜しているが、微視的には1から数原子層オーダーの高さのステップによって構成され、多数のm面領域を含んでいると考えられる。このため、m面から絶対値で5°以下の角度で傾斜している面は、m面と同様の性質を有すると考えられる。したがって、本実施形態のm面窒化物半導体層は、m面から絶対値で5°以下の角度で傾斜している面上に形成された窒化物半導体層を含む。なお、傾斜角度θの絶対値が5°より大きくなると、ピエゾ電界によって内部量子効率が低下する。したがって、傾斜角度θの絶対値を5°以下に設定する。活性層領域22は、例えば、m面窒化物半導体層である厚さ3nm以上20nm以下程度のGa1xInxN井戸層0<x<1と、厚さ5nm以上30nm以下程度のGaNバリア層とが交互に積層されたGaInN/GaN多重量子井戸MQW構造を有している。半導体発光素子101から出射する光の波長は、活性層領域22を構成する半導体のバンドギャップの大きさ、より具体的には、井戸層の半導体組成であるGa1xInxN半導体におけるInの組成xによって決まる。m面上に形成された活性層領域22にはピエゾ電界が発生しない。このため、In組成を増加させても発光効率の低下が抑制される。その結果、窒化物系半導体を用いた半導体発光素子であってもIn組成を大きく増加することにより、赤色の発光ダイオードを実現することができる。基板10は、第1の主面10aおよび第2の主面10bを有し、第1の主面10aは半導体積層構造20のn型窒化物半導体層21と接している。第2の主面10bは活性層領域22で発光した偏光光を取り出す出射面となる。本実施形態では、第2の主面10bに、偏光特性を抑制した光を取り出すためにストライプ構造50が設けられている。以下、ストライプ構造50を詳細に説明する。図4aは、ストライプ構造50を模式的に示した斜視図である。また、図4aの左上に、活性層領域22に含まれるm面窒化物半導体層の結晶軸の方向とストライプ構造の凸部尾根またはリッジ50aの伸びる方向を示している。図4aに示すように、ストライプ構造50は、m面窒化物半導体層のa軸と5°以上80°以下の角度をなす方向に伸びる複数の凸部50aを有している。ストライプ構造50が設けられる第2の主面10b、つまり出射面は、a軸およびc軸と平行であり、m軸に垂直である。なお、ストライプ構造50は、m面窒化物半導体層のa軸と-80°以上-5°以下の角度をなす方向に伸びる複数の凸部50aを有していてもよい。好ましくは、凸部50aの伸びる方向は、m面窒化物半導体層のa軸と30°以上60°以下、または、-60°以上-30°以下の角度をなしている。さらに好ましくは、凸部50aの伸びる方向は、m面窒化物半導体層のa軸と40°以上50°以下、または、-50°以上-40°以下の角度をなしている。複数の凸部50aの間にはa軸と5°以上80°以下または-80°以上-5°以下の角度をなす方向に伸びる複数の溝50bが形成されるため、ストライプ構造50は、複数の溝50bを備えているとも言える。本願明細書では、ストライプ構造50が設けられる部材からの偏光光の出射を議論するため、ストライプ構造50は凸部を有するとして説明する。しかし、ストライプ構造50は、出射面に溝を設けることによって凸部を形成してもよい。本実施形態では、各凸部50aは、出射面である第2の主面10bと平行な上面53と、出射面と非平行な少なくとも1つの斜面52とを含む。ただし、各凸部50aは、第2の主面10bと非平行な少なくとも1つの斜面52を含んでいればよい。また、以下において、説明するように、斜面52は曲面であってもよい。各凸部50aの高さhはλ/4×n以上が好ましく、λ/4×n以上10μm以下がより好ましい。ここで、λは活性層領域22の発光波長、nはストライプ構造50を構成している材料の屈折率である。本実施形態では、基板10を構成している材料の屈折率である。例えば、活性層領域22で発生する偏光光の波長を450nm、ストライプ構造50を構成している材料の屈折率nを2.5とすると、高さhは45nm以上であることが好ましい。高さhをλ/4×n以上とすることで、ストライプ構造50は光取出し効率向上の効果が得られる。高さhの上限は製造方法に依存する。例えば化学的ドライエッチングを用いた場合、ストライプ構造の斜面には、α=65°程度となる結晶面が発生しやすいため、ストライプ構造のアスペクト比は1.2程度になる。ここで、アスペクト比とは、ストライプ構造50の底辺の長さbとストライプ構造50の高さhの比で表し、式1に示す値を言う。この場合、底辺の長さb=10μmのとき、高さhの上限は12μmとなる。ここで化学的ドライエッチングとは、塩素ラジカルなど、窒化物半導体に対して化学反応性が高いプラズマ条件下でのドライエッチングのことである。一方、物理的ドライエッチングを用いた場合、ストライプ構造のアスペクト比は5程度まで高めることが可能である。この場合、底辺の長さb=10μmのとき、高さhは50μmとなる。ここで物理的ドライエッチングとは、塩素イオンなどのプラズマ条件下による物理的な窒化物半導体のドライエッチングのことである。ただし、実際には高さhは基板の厚さ以上の高さは実現できない。また好ましくは、高さhは基板の厚さの半分程度以下にすることで、ストライプ構造形成後も基板の剛性を保つことが可能となり、取扱上の問題が生じない。図4bは、ストライプ構造50の1つの凸部50aの長手方向凸部50aの伸びる方向に垂直な断面形状56を一般的に示している。図4bの示すように、斜面52は複数の斜面部分を有していても良い。このとき、それぞれの斜面部分とm面のなす角をαiji,jは整数であり、0≦i,j≦∞を満たすとすると、αij≠αlmi≠lまたはj≠mであり、かつ、0≦l,m≦i,jであってもよい。αijは、凸部50aの長手方向と垂直方向に配列したi番目の斜面52において、凸部50aの根元からj番目の斜面部分とm面出射面あるいは第2の主面とがなす角度を示す。また、一本の凸部50aの長手方向において、異なる断面形状56を有していても良い。上記のような断面形状56には、例えば、図5aに示すような三角形の形状や、図5bに示すような、左右非対称の形状が含まれる。また、j=∞、つまり、斜面52が、多数のαijの異なる微小傾斜部分によって構成されている場合、図5cに示すように、断面形状56は円や楕円の一部等、曲線を含む形状となる。さらに、ストライプ構造50を構成する凸部50aは、等間隔に規則的に配置する必要はなく、ピッチpが変調されている場合も本願の効果は得られる。凸部50aの高さhも、すべてにおいて、同一である必要はなく、複数の凸部50aの高さが異なっていてもよい。図4cは、ストライプ構造50を上面から見た図を模式的に示したものである。上述したように、ストライプ構造50の凸部50aの伸びる方向とa軸のなす角β以下、角βと表記するは、5°≦|β|≦80°であることが好ましく、30°≦|β|≦60°であることがより好ましい。40°≦|β|≦50°であることがさらに好ましい。ここで、角βとは、図4a中のハッチングされた平面54と斜面52の交わる直線55と、a軸のなす角とし、|β|は角βの絶対値とする。すなわち、5°≦|β|≦80°は、角βが5°以上80°以下または-80°以上-5°以下を意味している。また、以下の実施例において説明するように上述した範囲であれば、本発明の顕著な効果が見られる。平面54はa軸とc軸の作る平面以下、ac平面と表記すると平行な面であり、平面54は斜面52と交わる範囲において存在する。図4dは、図4cの一部の拡大図である。図4dで示すように直線55は必ずしも一本の直線である必要はなく、1つの直線55がa軸に対して異なる角度をなす複数の線分で構成されていてもよい。このとき、図4dに示すように、直線55のそれぞれの線分とa軸のなす角をβiji,jは整数であり、0≦i,j≦∞を満たすと置くと、βij≠βlmi≠lまたはj≠mであり、かつ、0≦l,m≦i,jであっても良い。ただし、5°≦|βij|≦80°、より好ましくは、30°≦|β|≦60°を満たしている。図6aに示すように、ストライプ構造50において、隣接する1対の凸部50aが、凸部50aの伸びる方向と非平行に伸びる1つ以上の接続部50cによって接続されていてもよい。また、図6bに示すように、ストライプ構造50において、凸部50aが凸部50aの伸びる方向と非平行に伸びる1つ以上の溝部50dにより分断され、破線状になっていてもよい。これらの場合において、接続部50cまたは溝部50dの長さ実線で示すよりも凸部50aの長さ破線で示すのほうが長いことが好ましい。以下、ストライプ構造50と半導体発光素子101から出射する光の偏光特性との関係、ストライプ構造50と光取出し効率の関係およびストライプ構造50と配光特性の関係を説明する。図3に示すように、活性層領域22で発生した偏光光は、n型窒化物半導体層21および基板10を伝搬し、出射面である第2の主面10bに入射以下において、入射光と表記するする。入射光の一部は、ストライプ構造50を構成している材料の外部へ伝搬する。また、入射光の他の一部は、第2の主面10bにおいて反射し、再びストライプ構造50を構成している材料の内部へ伝搬する。以下において、ストライプ構造50を構成している材料の外部へ伝搬した光を透過光と表記し、ストライプ構造50を構成している材料の内部へ伝搬した光を反射光と表記する。また、入射光の強度に対する透過光の強度を、透過率と表記し、入射光の強度に対する反射光の強度を、反射率と表記する。さらに、入射光の伝搬ベクトルと、出射面第2の主面10bに対する法線ベクトルのなす角を入射角、透過光の伝搬ベクトルと、出射面に対する法線ベクトルのなす角を、屈折角、入射光の伝搬ベクトルと出射面に対する法線ベクトルが作る面を入射面と表記する。ここで、伝搬ベクトルとは、光の進む方向と考えることができる。さらに、光を入射面に平行な電界ベクトル成分と、入射面に垂直な電界ベクトル成分の2つの成分に分解し、それぞれp波s波と表記する。次に、平面に入射する入射光の持つ偏光特性が、透過光において抑制される条件を考察する。図7は、平面に入射する入射光の入射角に対する透過率および反射率の関係を、p波成分とs波成分に分解して計算した結果を示している。計算は、以下の式2から式5に示すフレネルの公式を用いた。ただし、Rpはp波の反射率、Rsはs波の反射率、Tpはp波の透過率、Tsはs波の透過率、θiは入射角、θtは屈折角とする。また、ストライプ構造50を構成している材料の屈折率nを2.5、ストライプ構造50を構成している材料の外部の屈折率を1.0として計算した。図7から分かるように、入射光のp波成分とs波成分は、それぞれ異なる透過率及び反射率を有する。このことは、入射光がp波とs波との合成波で形成される場合、入射光のp波における電界ベクトルのスカラー量とs波における電界ベクトルのスカラー量の割合は、平面を透過すると変化する、つまり、透過光の偏光方向は入射光の偏光方向から変化していること意味している。しかし、入射光のp波成分またはs波成分のいずれかがゼロである場合、ゼロである波の成分は透過光中に生じ得ない。このため、スカラー量の割合が変化することはなく、電界ベクトルの方向が維持される。このことから、偏光特性を抑制するためには、ストライプ構造50の外部と接する面に入射する光がp波成分またはs波成分のみとならないようにすればよい。m面を主面とする窒化物系半導体からなる半導体発光素子101はa軸方向の偏光光を持つ。図8aはa軸方向の偏光光の伝搬ベクトルの主な存在範囲を模式的に表した図である。伝搬ベクトルは電界ベクトルに垂直な方向の成分が主である。今、点qで発生したa軸方向の偏光光の伝搬ベクトルk1、k2は図8a中のハッチングされた平面60、すなわちm軸とc軸の作る平面以下、mc平面と表記するに対して平行な平面に、主に存在する。図8bは、点qで発生した偏光光の配光特性を示している。acm座標の原点に点qを配置した場合、上述したように、偏光光はa軸方向ma平面よりもc軸方向mc平面における放射角度の方が広いという配光特性を有している。このような配光特性のため、出射面にストライプ構造50を形成する場合、透過光の偏光特性は、ストライプ構造50とa軸のなす角βに依存する。図9に示すように、例えば、ストライプの方向がa軸と平行β=0°の構造を持つ半導体発光素子では、ストライプ構造50の斜面52や上面53における入射光は、a軸方向に偏光しているため、s波が主成分となる。偏光光はa軸方向に電界強度分布が偏っており、a軸方向と直交方向における電界強度分布は小さい。したがって、斜面52および上面53に入射する入射光のp波成分はほぼゼロである。このため、上述した理由から、β=0°の場合、透過光の偏光特性はほぼ維持される。角βが0°よりも大きくなると、つまり、ストライプの方向がa軸と非平行になると、斜面52とa軸とが非平行となる。このため、斜面52に入射する入射光にp波成分が生じる。このため、上述した理由から偏光特性が抑制される。角βが負の値をとる場合も同様である。角βが90°の場合にも偏光特性を抑制することができる。角βが90°の場合、図10に示すようにストライプはc軸方向に伸びる。図10に示すように、点qで発生したa軸方向の偏光光の伝搬ベクトルは、例えば、k1やk2のようにmc平面内に存在する。このとき、伝搬ベクトルk1とc軸のなす角を90°とすると、伝搬ベクトルk1の入射面はma平面と平行になる。電界ベクトルの方向はa軸方向なので、伝搬ベクトルk1を有する偏光光k1は、ストライプ構造50の斜面52にp波として入射する。また、s波成分は存在しない。このため、偏光光k1の電界ベクトルの方向は維持される。しかし、点qで発生したa軸方向の偏光光の多くは、伝搬ベクトルk2のように、伝搬ベクトルとc軸とのなす角が90°とは異なる角度となる。伝搬ベクトルk2の入射面はma平面と平行とはならない。このとき、伝搬ベクトルk2を有する偏光光k2は、ストライプ構造50の斜面52にs波とp波の合成波として入射することになる。よって、偏光光k2は、斜面52から外部へ透過する際、p波およびs波のスカラー量の割合が変化し、電界ベクトルの方向も変化する。このため、点qで発生したa軸方向の偏光光は、偏光光k1を除き、全ての偏光光が斜面52において電界ベクトルの方向を乱される。その結果、β=90°の場合、偏光度を減少させることができる。ここで、偏光度とは、式6で表される値を言う。ImaxおよびIminは、次のような計測を行った際に得られる値を言う。出射面に対して平行に偏光板を設置し、上記偏光板を回転させ、偏光板を透過した光の強度を計測する。計測された光の強度は、ある角度で最大値をとり、別の角度で最小値をとる。このとき、最大値をImaxとし、最小値をIminとする。光の強度が全ての角度で同一である場合、ImaxとIminとは等しく、偏光度はゼロとなる。上述のように、偏光特性が抑制される程度は角βに依存する。また、偏光特性が維持されるのは、β=0という特殊な条件に限定されることが分かる。以下の実施例において説明するように、偏光特性が抑制される程度は、例えば、比偏光度によって評価することでき、詳細な実験を行い、比偏光度を評価した結果、角βは5°以上が好ましく、30°以上60°以下がより好ましいことが分かった。ここで、比偏光度とは、β=x0<x≦90のストライプ構造を持つ半導体発光素子の偏光度を、β=0のストライプ構造を持つ半導体発光素子の偏光度で規格化した値であり、式7で示す値を言う。ただし、0<x≦90とする。また、図10から分かるように、角βが0°以外の値をとる場合、上述したように斜面52は、a軸と非平行となるため、斜面52に入射する入射光にp波成分が生じる。これに対し、凸部50aの上面53はa軸およびc軸に平行であるため、角βが0°以外の値をとる場合でも、活性層領域22で発生した偏光光は、p波成分が生じない方向で上面53に入射し得る。このため、上面53から出射する光では、斜面52から出射する光ほど偏光特性が抑制されない。しかし、ストライプ構造の各凸部50aが少なくとも1つの斜面52を含む限り、ストライプ構造を設けない場合に比べて、偏光特性が抑制される。これらの点から、ストライプ構造の複数の凸部は、出射面である第2の主面10bと平行な上面53を有していないことが好ましい。具体的には、例えば、ストライプ構造は、図5aに示すような三角形の断面形状を有する凸部、あるいは、図5cに示すような円または楕円等の断面形状を備えた凸部を有していることが好ましい。したがって、本実施形態の半導体発光素子の用途に応じて、偏光特性の抑制の程度とストライプ構造における凸部の断面形状を選択することが好ましい。次に、角βと光取出し効率の関係に関して考察する。出射面にストライプ構造50を有する半導体発光素子の光取出し効率は、発光した光がストライプ構造50の斜面52に入射することで向上する。これは、平坦な出射面であれば、全反射してしまう光であっても、斜面52に入射することで、全反射角以下の角度で入射し、外部へ取り出される光が存在するためである。また、斜面52に全反射角以上の角度で入射した光も、斜面52において反射することにより、光の方向が変化し、次に斜面52に入射する際、全反射角以下となる可能性が増加するからである。これらのことから、光取出し効率の向上には、発光した光が高い確率で斜面52に入射することが好ましい。このため、ストライプ構造50における凸部50aのピッチPは小さい方がよい。図11aはストライプ構造50を上面から見た図である。また、図11bはストライプ構造の拡大図である。m面を主面とする窒化物系半導体からなる半導体発光素子101で発光した光は、図8bに示すようにc軸方向に広い放射角度を持つ。したがって、上述した光取出し効率を考慮する場合、ストライプ構造50のピッチをc軸に沿って考えることが必要である。図11bに示すように、隣接する1対の凸部50aにおいてピッチPは凸部50aの伸びる方向と垂直な方向において定義される。隣接する1対の凸部50aのc軸に沿ったピッチを見かけ上のピッチPrとした場合、見かけ上のピッチPrは以下の式8で与えられる。見かけ上のピッチPrをピッチPで規格化したPr/Pと角βの関係を図12に示す。挿入図は角βが0°から85°の範囲における拡大図である。角βが90°近づくと、Pr/Pは急激に大きくなる。つまり、光取出し効率は低下する。図12により、角β≦80°であれば、Pr/P<6となり、小さなピッチPrを確保でき、光取出し効率を高めることができる。また、角β≦60°であれば、Pr/P≦2となり、十分小さなピッチPrを確保でき、大きな取り出し効率を実現できる。これらのことから、角βは、β≦80°または、-80°≦βであることが好ましく、β≦60°または、-60°≦βであることがより好ましい。上述した偏光特性と角βとの関係および光取出し効率と角βとの関係より、偏光特性を十分に減少させ、かつ光取出し効率を向上させるためには、角βは、5°≦|β|≦80°であることが好ましく、30°≦|β|≦60°であることがより好ましいといえる。本実施形態の半導体発光素子は、上述した条件で偏光光をストライプ構造50に入射させることにより、配光特性の非対称性も改善することができる。図13aおよびbは、光取り出し構造を備えておらず、m面と平行な出射面61を有する半導体発光素子から光が出射する場合の光線の屈折方向を説明している、図13aは、a軸方向から見た図であり、出射面61に入射する入射光は、出射面52に近づく方向に屈折し、半導体発光素子の外部へ出射する。その結果、透過光の伝搬ベクトルはc軸方向に近づく。また、図8bを参照して説明したように、a軸方向の偏光光の伝搬ベクトルは、a軸方向成分が少ない。このため、図13bのようにc軸方向から見ると、主たる入射光は出射面に対し、ほぼ垂直に入射し、ほぼ屈折することなく透過する。これは、活性層領域で発生する偏光光が、もともとa軸方向よりもc軸方向に放射角度が広い配光特性を有しているのに、m面と平行な出射面61から偏光光が出射することにより、より、c軸方向における放射角度が広がることを意味する。このことから、半導体発光素子101から出射される光の伝搬ベクトルは、a軸方向成分<c軸方向成分という関係が成り立つ。この関係は、a軸方向に出射する光強度<c軸方向に出射する光強度という関係が成り立つことを意味する。すなわち、配光特性の非対称性がある。これに対し、本実施形態の半導体発光素子101によれば、図13cに示すように、ストライプ構造50の斜面52に入射光は、出射面に近づく方向に透過し、結果として、透過光の伝搬ベクトルはm軸に近づく。つまり、c軸方向における放射角度が狭くなるように屈折する。したがって、半導体発光素子101から出射する偏光光は、平坦な出射面61を持つ半導体発光素子から出射した光と比較し、伝搬ベクトルのc軸方向成分が減少している。その結果、伝搬ベクトルのa軸方向成分と、c軸方向成分の量が近くなり、配光特性の非対称性が改善される。このように本発明の半導体発光素子によれば、活性層領域で発生した光を取り出す出射面に、a軸と5°≦|β|、より好ましくは、30°≦|β|をなす角に伸びるストライプ構造が設けられているため、a軸方向の偏光光をストライプを構成する凸部の斜面や上面にs波成分とp波成分の合成波として入射させることができる。このため、偏光特性を抑制し、偏光度が低下した光を出射する。また、|β|≦80°、より好ましくは、|β|≦60°をなす角に伸びるストライプ構造が設けられているため、発生した光がストライプ構造の斜面に効率よく入射させることができる。このため、光取出し効率を向上させることができる。さらに、a軸方向の偏光光は、m軸に近づくように凸部の斜面と外部との境界で屈折するため、配光特性の非対称性が改善される。本発明は、透過率の高さあるいは反射率の低さではなく、偏光特性を減少できる条件を満たしてストライプ構造に入射する光をできるだけ多くするという観点でストライプ構造を半導体発光素子の出射面に設けている。この点で、反射率がゼロとなるブリュースター角で出射面へ光を入射させる特許文献3の半導体発光素子は、本発明とは全く異なる思想に基づいていると言える。なお、出射面にストライプ構造を設けるという点で、特開2001-201746号公報は関連した技術を開示している。しかし、特開2001-201746号公報は、液晶表示素子のバックライト用導光体に、所定の高さを有する複数のリブを形成することによって、導光体に入射した無偏光光を偏光光に変換し、出射させることを開示しており、本発明とは偏光の制御が全く逆である。この技術は、図7に示すように、平面に入射する光のP成分とS成分とで反射率および透過率が異なることを利用するに過ぎず、上述した本発明の半導体発光素子の目的や構造、取出し効率が向上する原理などとは全く異なる。以下、半導体発光素子101の製造方法の一例を説明する。図14に示すように、まず半導体積層構造20を形成する。例えば、n型GaNによって構成される基板10の上に、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法により半導体積層構造20を形成していく。具体的には、m面を主面とするn型GaNによって構成される10の上に、n型窒化物半導体層21をエピタキシャル成長させる。例えば、n型不純物としてシリコンを用い、GaCH33トリメチルガリウム、TMG、およびNH3を原料として用い、900°C以上1100°C以下程度の成長温度で、GaNからなる厚さ3μm程度のn型窒化物半導体層21を形成する。次に、n型窒化物半導体層21上に、活性層領域22を形成する。活性層領域22は、例えば、厚さ9nm程度のGa1xInxN井戸層と、厚さ9nm程度のGaNバリア層が交互に積層されたGaInN/GaN多重量子井戸MQW構造を形成する。Ga1xInxN井戸層を形成する際には、Inの取り込みを行うために、成長温度を800°Cに下げることが好ましい。半導体発光素子101の用途に応じて発光波長を選択し、波長に応じたIn組成xを決定する。波長を450nm青色にする場合にはIn組成xを0.18以上0.2以下に決定する。520nm緑色であればx=0.29以上0.31以下であり、630nm赤色であればx=0.43以上0.44以下となる。このIn組成の制御によって照明装置に用いる青色、緑色および赤色を発光する半導体発光素子101が得られる。活性層領域22の上に、例えば厚さ30nm程度のアンドープGaN層を堆積しても良い図示せず。アンドープGaN層の上に、p型窒化物半導体層23を形成する。例えば、p型不純物としてCp2Mgシクロペンタジエニルマグネシウムを用い、TMG、AlCH33トリメチルアルミニウム、TMAおよびNH3を原料として用い、900°C以上1100°C以下程度の成長温度で、厚さ70nm程度のp-AlxGa1xNからなるp型窒化物半導体層23を形成する。ここで、xは、例えば、0.14程度とする。次に、p型窒化物半導体層23上に、Cp2Mgをドーパントとして用い、例えば厚さ0.5μm程度のp-GaNコンタクト層を堆積する図示せず。次に、800度から900度程度の温度で、20分間程度熱処理を行う。次に、p型電極40及びn型電極30を形成する。塩素系ガスを用いてドライエッチングを行うことにより、p-GaNコンタクト層、p型窒化物半導体層23、アンドープGaN層、活性層領域22およびn型窒化物半導体層21の一部を除去して凹部31を形成し、n型窒化物半導体層21の一部を露出させる。次いで、凹部31の底部に位置し、露出したn型窒化物半導体層21の一部上に、n型電極30として、例えば、Ti/Pt層を形成する。また、p-GaNコンタクト層上にp型電極40として例えば、Pd/Pt層を形成する。その後、熱処理を行って、Ti/Pt層とn型窒化物半導体層21、および、Pd/Pt層とp-GaNコンタクト層を合金化させ、n型窒化物半導体層21およびp-GaNコンタクト層にそれぞれn型電極30およびp型電極40を得る。その後、基板10の第2の主面10bを研磨することにより、半導体発光素子101の厚さを小さくし、半導体発光素子101内での光の吸収を抑える。半導体発光素子101の厚さは、例えば、100μmとすると、半導体発光素子101を回路基板に実装する際にハンドリングしやすい。これにより、図14に記載の平坦出射面14を有する半導体発光素子101の構造が完成する。次に、平坦出射面14にストライプ構造50を形成する。ストライプ構造50は、例えば、コンタクト露光装置を用いた方法や、電子線描画装置を用いた方法、ナノインプリントを用いた方法、ステッパーを用いた方法など、様々な方法で形成することができる。本実施形態では、特に、コンタクト露光装置および電子線描画装置を用いストライプ構造50の形成方法を詳細に説明する。なお、ストライプ構造50を形成する前の出射面である第2の主面10bを平坦出射面14と表記する。まず、平坦出射面14にハードマスク材料として、例えば、SiO2膜を成膜する。SiO2膜は、例えば、プラズマ化学気相成長法pCVDにより成膜する。次に、レジストをハードマスク上に塗布する。レジスト塗布後、コンタクト露光装置または電子線描画装置を用いて露光を行い、現像処理を行うことにより、a軸と5°≦|β|≦80°、より好ましくは30°≦|β|≦60°をなす方向に伸びる複数のストライプパターンを有するレジストパターンを形成する。レジストパターンをマスクとし、ハードマスクのドライエッチングを行う。ハードマスクのドライエッチングは、例えば、CF4ガスとO2ガスを用いて行う。次に、ハードマスクをマスクとし、平坦出射面14のドライエッチングを行う。平坦出射面14のドライエッチングは、塩素系ガスを用いて行う。最後にハードマスクをドライエッチングにより除去する。これにより、図3に示すように、ストライプ構造50が基板10の第2の主面10bに設けられた半導体発光素子101が完成する。なお、平坦出射面14にストライプ構造50を形成する方法は次のような方法もある。すなわち、まず、平坦出射面14上にフォトレジストを塗布し、コンタクト露光装置を用いて露光を行い、現像処理を行うことにより、a軸と5°≦|β|≦80°、より好ましくは30°≦|β|≦60°をなす方向に伸びる複数のストライプパターンを有するレジストパターンを形成する。上記フォトレジストを加熱することによりドライエッチング耐性を向上させる。その後、上記フォトレジストをマスクとし、塩素系ガスを用いて平坦出射面14のドライエッチングを行う。このとき、同時にフォトレジストも除去される。これにより、図3に示すように、ストライプ構造50が基板10の第2の主面10bに設けられた半導体発光素子101が完成する。また、半導体積層構造20の形成には、主面がm面であるn型GaN基板ではなく、例えば、SiC基板、サファイア基板、LiAlO2基板、Ga2O3基板、SiC基板、Si基板上に結晶成長されたm面GaN層などを用いてもよい。この場合、上述の基板に窒化物系半導体をエピタキシャル成長させる前に、ストライプ構造50を形成しておき、上記エピタキシャル成長後に、レーザーリフトオフなどを用い上記基板を剥離する。このとき、エピタキシャル成長させる前に形成したストライプ構造50が、窒化物系半導体に転写されることになる。そのため、結果的に、上記基板を剥離したあと、ストライプ構造50を有する半導体発光素子101を得ることができる。以上より半導体発光素子101を完成することもできる。ここで、基板上にm面からなる窒化物系半導体をエピタキシャル成長させるためには、SiC基板やサファイア基板の面方位もm面である方が好ましい。ただし、r面サファイア基板上にa面GaNが成長することが報告されているように、mを主面とする半導体層を成長させるために、基板10の主面がm面であることは必須ではない。少なくとも活性層領域22がm面に平行であり、その結晶成長の方向がm面と垂直であればよい。第2の実施形態図15は、本発明による半導体発光素子の第2の実施形態の断面構造を模式的に示している。図15に示すように半導体発光素子102は、基板10と、基板10の第1の主面10a上に形成されており、活性層領域22を含む半導体積層構造20と、基板10の第2の主面10bに接して設けられた光出力部材13とを備える。また、半導体積層構造20には、n型電極30およびp型電極40が設けられている。半導体積層構造20、n型電極30およびp型電極40の構造は第1の実施形態と同じである。光出力部材13は、基板10の半導体積層構造20側と異なる面である第2の主面10bに接するように設けられている。光出力部材13の第1の主面13aは基板10に接しており、第2の主面13bにストライプ構造50が設けられている。光出力部材13は、例えば、活性層領域22で発生する偏光光を透過するSiO2、SiN、SiC、TiO2、サファイア、LiAlO2、Ga2O3などGaN半導体以外の材料からなる。光出力部材13は、より好ましくは、ドライエッチングなどにより加工が容易な材料からなる。一般的にn型GaNによって構成される基板10のような窒化物系半導体のドライエッチングは、エッチングレートが遅い、側壁形状の制御が難しいなどの課題があった。これに対して、このような材料からなる光出力部材13を備えることによって、ストライプ構造50の形成が容易になる。また、光出力部材13にSiO2やSiNを用いる場合、フッ素酸を含む水溶液などを用い、ウェットエッチングによってストライプ構造50を形成することも可能となる。また、光出力部材13の屈折率noは、ストライプ構造50が設けられた第2の主面13bが接している外部の媒体の屈折率nt以上nt<noであることが好ましい。これにより、基板10から外部へ直接偏光光を透過させる場合に比べて、基板10の第2の主面10bを透過する光の透過率を高め、光の取り出し効率をより向上させることができる。なお、光出力部材13から出射する偏光光の偏光度は、光出力部材13を構成する材料の屈折率no、ストライプ構造50の凸部50aの伸びる方向とa軸とのなす角度β図4cおよび斜面52がm面に依存する。半導体発光素子102は、例えば、以下の方法によって製造することができる。まず、図14に示すように、第1の実施形態と同様の方法によって、基板10の上に半導体積層構造20を形成する。基板10として、主面がm面であるn型GaN基板、SiC基板、サファイア基板、LiAlO2基板、Ga2O3基板を用いることができる。また、n型電極30およびp型電極40を形成する。その後、基板10の第2の主面10bに、光出力部材13を形成する。SiO2からなる光出力部材13を形成する場合には、プラズマ化学気相成長法などによって、SiO2膜を形成する。膜厚が大きくなると、膜質が低下し、透過率が低下しやすい。このため、光出力部材13の厚さは、10μm以下であることが好ましい。その後、第1の実施形態で説明したようにSiO2膜上にレジストパターンを形成し、レジストパターンを用いてSiO2膜をエッチングする。例えば、CF4ガスおよびO2ガスの混合ガスを用い、ドライエッチングを行うことによって、窒化物半導体からなる基板10をエッチングするよりも容易に、かつ、制御性よくストライプ構造50を形成することができる。これにより図15に示す半導体発光素子102が完成する。第3の実施形態図16は、本発明による半導体発光素子の第3の実施形態の断面構造を模式的に示している。図16に示すように半導体発光素子103は、基板10と、基板10の第1の主面10a上に形成されており、活性層領域22を含む半導体積層構造20と、n型電極30と、p型電極40とを備える。半導体発光素子103は、半導体積層構造20に凹部31が設けられておらず、n型電極30が基板10のストライプ構造50が設けられた第2の主面10bに設けられている点で第1の実施形態と異なっている。半導体積層構造20の積層構造、p型電極40およびストライプ構造50は第1の実施形態と同じ構造を備えている。図16に示すようにn型電極30は、例えば、Ti層およびPt層の積層構造Ti/Ptなどからなり、ストライプ構造50の一部を覆うように設けられている。半導体発光素子103によれば、半導体積層構造20に凹部31を設ける必要がないため、素子構造が簡単になり、製造コストを低減することが可能となる。半導体発光素子103は、例えば以下の方法によって製造することができる。まず、第1の実施形態で説明したように、基板10の第1の主面10a上に半導体積層構造20上に形成する。その後、全体の厚さが100μm程度になるまで、基板10を研磨する。次に、第1の実施形態で説明したように基板10の第2の主面10bにストライプ構造50を形成する。ストライプ構造50の形成後、電極を形成する。まず、ストライプ構造50が形成された第2の主面10bの一部上に、n型電極30として、例えば、Ti/Pt層を形成する。また、p型窒化物半導体層23上にp型電極40として、例えば、Pd/Pt層を形成する。その後、熱処理を行って、Ti/Pt層と基板10、および、Pd/Pt層とp-GaNコンタクト層を合金化させ、基板10およびp-GaNコンタクト層にそれぞれ電気的に接続されたn型電極30およびp型電極40を得る。これにより、図16に示す半導体発光素子103が完成する。第4の実施形態図17は、本発明による半導体発光素子の第4の実施形態の断面構造を模式的に示している。図17に示すように、半導体発光素子104は、基板10と、基板10の第1の主面10a上に形成されており、活性層領域22を含む半導体積層構造20と、光出力部材13と、n型電極30とp型電極40とを備えている。半導体発光素子104は、基板10の第2の主面10bに設けられたストライプ構造50を覆うように光出力部材13が設けられている点で、第1の実施形態と異なる。また、ストライプ構造50が基板10に設けられている点で第2の実施形態と異なっている。半導体積層構造20、n型電極30、p型電極40およびストライプ構造50の構造は第1の実施形態と同じである。基板10の第2の主面10bに設けられたストライプ構造50を覆う光出力部材13の屈折率noは、半導体発光素子104の外部の媒体の屈折率ntよりも大きいことnt<noが好ましい。また、光出力部材13は、活性層領域22で発生する偏光光に対して高い透過率を有していることが好ましい。これにより、基板10から外部へ直接偏光光を透過させる場合に比べて、基板10の第2の主面10bを透過する光の透過率を高め、光の取り出し効率をより向上させることができる。光出力部材13は、例えば、活性層領域22で発生する偏光光を透過するSiO2、SiN、SiC、TiO2、サファイア、LiAlO2、Ga2O3などGaN半導体以外の材料からなる。光出力部材13は、ストライプ構造50の溝50bを完全に埋め、外部の媒体と接する第2の主面13bが平坦になっていてもよいし、第2の主面13bにストライプ構造50と対応するストライプ構造50’を備えていてもよい。光出力部材13の屈折率noは、nt<no<n1の関係を満たしていることが好ましい。ここで、n1は、基板10の屈折率である。このように屈折率が、n1からntまで段階的に変化することにより、活性層領域22で発生する偏光光の透過率がさらに向上する。半導体発光素子104は、例えば、以下の方法によって形成できる。まず、第1の実施形態で説明したように、基板10上に半導体積層構造20、n型電極30、p型電極40を形成する。さらに基板10の第2の主面10bにストライプ構造50を形成する。その後、出力部材13を堆積する。例えば、出力部材13として、SiO2膜を成膜する場合には、プラズマ化学気相成長法を用いることができる。その後、必要であれば、光出力部材13に第2の実施形態で説明した方法により、ストライプ構造50’を形成する。第5の実施形態図18は、本発明による半導体発光素子の第5の実施形態の断面構造を模式的に示している。図18に示すように、半導体発光素子105は、基板10と、基板10の第1の主面10a上に形成されており、活性層領域22を含む半導体積層構造20と、光出力部材13と、n型電極30とp型電極40とを備えている。半導体発光素子105は、光出力部材13がp型窒化物半導体層23に接して設けられており、活性層領域22で発生した偏光光がp型窒化物半導体層23を透過して光出力部材13から出射する点で第1の実施形態と異なっている。図18に示すように、p型窒化物半導体層23の第2の主面23bは、活性層領域23側に位置している。p型窒化物半導体層23の第1の主面23aには、光出力部材13が設けられている。光出力部材13のp型窒化物半導体層23に接していない側に位置する第1の主面13aは出射面であり、第1の主面13aにストライプ構造50が設けられている。また、p型窒化物半導体層23の第1の主面23aの一部にはp型電極40も設けられている。基板10の第2の主面10bには、n型電極30が設けられており、電気的に接続されている。半導体積層構造20およびストライプ構造50は第1の実施形態と同じ構造を備えている。光出力部材13は、例えば、活性層領域22で発生する偏光光を透過するSiO2、SiN、SiC、TiO2、サファイア、LiAlO2、Ga2O3などGaN半導体以外の材料からなる。光出力部材13は、より好ましくは、ドライエッチングなどにより加工が容易な材料からなる。光出力部材13の屈折率noは、ストライプ構造50が設けられた第1の主面13aが接している外部の媒体の屈折率nt以上nt<noであることが好ましい。これにより、p型窒化物半導体層23から外部へ直接偏光光を透過させる場合に比べて、p型窒化物半導体層23の第1の主面23aを透過する光の透過率を高めることができる。さらに、第2の実施形態に比べて、光出力部材13と活性層領域22との間隔を短くし、活性層領域22で発生した偏光光が半導体層で吸収されるのを抑制することができる。このため、いっそう、光の取り出し効率を向上させることができる。また、第2の実施形態で説明したように、ストライプ構造50の形成も容易となる。半導体発光素子105は、例えは、以下の方法により製造することができる。まず、図18に示すように、第1の実施形態と同様の方法によって基板10の上に半導体積層構造20を形成する。その後、基板10を研磨し、全体の厚さを100μm程度にする。次に、電極を形成する。まず、基板10の第2の主面10bにn型電極30として、例えば、Ti/Pt層を形成する。また、p型窒化物半導体層23の一部上に、p型電極40としてPd/Pt層を形成する。その後、熱処理を行って、Ti/Pt層と基板10、および、Pd/Pt層とp-GaNコンタクト層とを合金化させ、基板10およびp-GaNコンタクト層にそれぞれ接合したn型電極30およびp型電極40を得ることができる。電極形成後、p型窒化物半導体層23の第1の主面23a上に光出力部材13を形成する。SiO2からなる光出力部材13を形成する場合には、プラズマ化学気相成長法などによって、SiO2膜を形成する。膜厚が大きくなると、膜質が低下し、透過率が低下しやすい。このため、光出力部材13の厚さは、10μm以下であることが好ましい。その後、第1の実施形態で説明したようにSiO2膜上にレジストパターンを形成し、レジストパターンを用いてSiO2膜をエッチングする。例えば、CF4ガスおよびO2ガスの混合ガスを用い、ドライエッチングを行うことによって、容易に、かつ、制御性よくストライプ構造50を形成することができる。最後に、ストライプ構造50上にレジストパターンを形成し、レジストパターンを用いてSiO2膜をエッチングする。例えば、フッ酸を用い、ウェットエッチングを行うことによって、p型電極40を露出させる。これにより図18に示す半導体発光素子105が完成する。第6の実施形態図19は、本発明による半導体発光素子の第6の実施形態の断面構造を模式的に示している。図19に示すように、半導体発光素子106は、基板10と、基板10の第1の主面10a上に形成されており、活性層領域22を含む半導体積層構造20と、n型電極30とp型電極40とを備えている。半導体発光素子106は、p型窒化物半導体層23の第1の主面23aにストライプ構造50が設けられており、ストライプ構造50の表面全体を覆うように、p型電極40が形成されている点で第5の実施形態と異なる。p型電極40は、本実施形態ではITOからなる透明電極である。透明電極とp型窒化物半導体層23との間に、p型窒化物半導体層23とオーミック接合する十分薄い金属の層を設けてもよい。半導体発光素子106によれば、p型電極40をp型窒化物半導体層23の第1の主面23a全体に設けることができるため、低抵抗のp型オーミック接合を実現することができる。半導体発光素子106は例えば以下の方法によって製造することができる。まず、図19に示すように、第1の実施形態と同様の方法によって基板10の上に半導体積層構造20を形成する。その後、基板10を研磨し、全体の厚さを100μm程度にする。次に、p型窒化物半導体層23の第1の主面23aにストライプ構造50を形成する。その後、電極を形成する。まず、基板10上にn型電極30として、例えば、Ti/Pt層を形成する。また、ストライプ構造50上にp型電極40として、例えば、ITO層を形成する。その後、熱処理を行って、Ti/Pt層と基板10、および、ITO層とp型窒化物半導体層23を合金化させ、基板10およびp型窒化物半導体層にそれぞれ接合したn型電極30およびp型電極40を得ることができる。これにより、図19に示す半導体発光素子106が完成する。第7の実施形態図20は、本発明による半導体発光素子の第7の実施形態の断面構造を模式的に示している。図20に示すように、半導体発光素子107は、基板10と、基板10の第1の主面10a上に形成されており、活性層領域22を含む半導体積層構造20と、n型電極30とp型電極40とを備えている。半導体発光素子107は、p型電極40がp型窒化物半導体層23の第1の主面23aに設けられたストライプ構造50の一部にのみ設けられている点で第6の実施形態と異なる。p型電極40を小さくすることにより、第6の実施形態と比較して、p型電極40による光の吸収を抑制することができ、光取出し効率を向上させることができる。半導体発光素子107は例えば以下の方法によって製造することができる。まず、図20に示すように、第1の実施形態と同様の方法によって基板10の上に半導体積層構造20を形成する。その後、基板10を研磨し、全体の厚さを100μm程度にする。次に、p型窒化物半導体層23の第1の主面23aにストライプ構造50を形成する。その後、電極を形成する。まず、基板10上にn型電極30として、例えば、Ti/Pt層を形成する。また、ストライプ構造50の一部にp型電極40として、例えば、Pd/Pt層を形成する。その後、熱処理を行って、Ti/Pt層と基板10、および、Pd/Pt層とp型窒化物半導体層23を合金化させ、基板10およびp型窒化物半導体層にそれぞれ接合したn型電極30およびp型電極40を得ることができる。これにより、図20に示す半導体発光素子107が完成する。本発明による効果を確認するため、第1の実施形態の製造方法に従い、種々の半導体発光素子を作製し、特性を評価した。実施例1、参考例1、比較例1の作製まず、図3に示すように、基板10上に半導体積層構造20をエピタキシャル成長させた。成長には、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法を用いた。具体的には、基板10としてm面を有するn型のGaN基板の上に、n型窒化物半導体層21をエピタキシャル成長させた。n型不純物としてシリコンを用い、TMGGaCH33、およびNH3を原料として反応室に供給し、1050°Cの成長温度で、GaNからなる厚さ3μmのn型窒化物半導体層21を形成した。次に、n型窒化物半導体層21上に、活性層領域22を形成した。活性層領域22は、厚さ9nmのGa1xInxNxは0.19井戸層と、厚さ9nmのGaNバリア層が交互に積層されたGaInN/GaN多重量子井戸MQW構造を有している。Ga1xInxN井戸層を形成する際、Inの取り込みを行うために、成長温度を800°Cに下げた。次に、活性層領域22の上に、厚さ30nmのアンドープGaN層図示せずを堆積した。アンドープGaN層の上に、p型窒化物半導体層23を形成した。p型不純物としてCp2Mgシクロペンタジエニルマグネシウムを用い、TMG、TMAおよびNH3を原料として反応室に供給し、1050°Cの成長温度で、厚さ70nmのp-Al014Ga086Nからなるp型窒化物半導体層23を形成した。次に、p型窒化物半導体層23上に、Cp2Mgをドーパントとして用い、厚さ0.5μmのp-GaNコンタクト層図示せずを堆積した。次に、塩素系ガスを用いてドライエッチングを行うことにより、p-GaNコンタクト層、p型窒化物半導体層23、アンドープGaN層、活性層領域22およびn型窒化物半導体層21の一部を除去して凹部31を形成し、n型窒化物半導体層21の一部を露出させた。次いで、凹部31の底部に位置し、露出したn型窒化物半導体層21の一部上に、n型電極30として、Ti/Pt層を形成した。また、p-GaNコンタクト層上にp型電極40として、Pd/Pt層を形成した。その後、熱処理を行って、Ti/Pt層とn型窒化物半導体層21、および、Pd/Pt層とp-GaNコンタクト層を合金化させ、n型窒化物半導体層およびp-GaNコンタクト層にそれぞれn型電極30およびp型電極40を得た。その後、基板10を研磨することで、全体の厚さを100μmに薄膜化した。これにより半導体発光素子の部分を完成させた。次にストライプ構造50を作製した。基板10の第2の主面10bにハードマスク材料として、SiO2膜を成膜した。SiO2膜は、プラズマ化学気相成長法により成膜した。次に、電子線描画用レジストをハードマスク上に塗布し、電子線描画装置を用いて、電子線描画用レジストのパターニングを行った。電子線描画用レジストをマスクとし、ハードマスクのドライエッチングを行った。ハードマスクのドライエッチングは、CF4ガスとO2ガスを用いた。さらに、ハードマスクをマスクとし、基板10の第2の主面10bのドライエッチングを塩素系ガスを用いて行った。最後にハードマスクをドライエッチングにより除去した。上記の方法により、半導体発光素子を製作した。ストライプ構造のピッチpは300nmであり、高さhは300nmとした。また、断面形状は、台形に近い形状とした。上記断面形状の模式図を図21aに示す。ストライプの伸びる方向がa軸と平行β=0である参考例1、a軸と45°の角度をなすβ=45実施例1およびa軸と直交するβ=90比較例1を作製した。実施例2、参考例2、比較例2の作製実施例1、参考例1、比較例1と同様の手順により、半導体発光素子の部分を作製した。その後、ストライプ構造を、実施例1、参考例1、比較例1とは異なる手順で作製した。すなわち、基板10の第2の主面10bにハードマスク材料として、SiO2膜を成膜した。SiO2膜は、プラズマ化学気相成長法により成膜した。次に、フォトレジストをハードマスク上に塗布し、コンタクト露光装置を用いて、フォトレジストのパターニングを行った。フォトレジストをマスクとし、ハードマスクのドライエッチングを行った。ハードマスクのドライエッチングは、CF4ガスとO2ガスを用いた。さらに、ハードマスクをマスクとし、基板10の第2の主面10bのドライエッチングを塩素系ガスを用いて行った。最後にハードマスクをドライエッチングにより除去した。上記の方法により、半導体発光素子を製作した。ストライプ構造のピッチpは8μmであり、高さhは4μmとした。また、断面形状は、台形に近い形状とした。上記断面形状の模式図を図21aに示す。ストライプの伸びる方向がa軸と平行β=0である参考例2、a軸と45°の角度をなすβ=45実施例2およびa軸と直交するβ=90比較例2を作製した。実施例3、参考例3、比較例3の作製ストライプ構造とa軸のなす角が、β=0°、5°、30°、45°、90°となる半導体発光素子を作製した。まず、実施例1、参考例1、比較例1と同様の手順により、半導体発光素子の部分を作製した。その後、ストライプ構造を、実施例1、参考例1、比較例1とは異なる手順で作製した。すなわち、基板10の第2の主面10bにフォトレジストを塗布し、コンタクト露光装置を用いて、フォトレジストのパターニングを行い、フォトレジストを230°Cで加熱した。フォトレジストをマスクとし、基板10の第2の主面10bのドライエッチングを塩素系ガスを用いて行った。このとき、フォトレジストも上記ドライエッチングにより同時に除去される。上記の方法により、半導体発光素子を製作した。ストライプ構造のピッチpは8μmであり、高さhは2.5μmとした。また、上記製造方法でストライプ構造を作製することにより、実施例2、参考例2、比較例2とは異なる断面形状を得ることができる。すなわち、断面形状は、二等辺三角形に近い形状とした。上記断面形状の模式図を図21bに示す。ストライプの伸びる方向がa軸と平行β=0である参考例3、a軸と5°、30°、45°の角度をなすβ=5、30、45実施例3およびa軸と直交するβ=90比較例3を作製した。比較例4の作製実施例1と同様の手順により、ストライプ構造50を設けないことのみが異なる半導体発光素子を作製し、比較例4とした。実施例1-3、参考例1-3、比較例1-4の特性評価作製した半導体発光素子の特性を評価した。伝搬ベクトルkの存在範囲がmc平面に平行な平面が主であること図8a参照を確認することを目的とし、比較例4の半導体発光素子の配光特性を計測した。図22aは配光特性を計測した結果を示すグラフである。図23は、測定に用いた構成を模式的に示している。比較例4の半導体発光素子をフリップチップ実装し、発光素子チップ71として測定に用いた。発光素子チップ71に電源72から電流を流すことにより発光が得られる。発光素子チップ71は、図23において示すz軸を中心軸として回転させ、フォトディテクタ73により光強度を計測した。図22aに示すa軸方向とは、図23に示すx軸をm軸、y軸をa軸、z軸をc軸としたときの計測結果であり、図22aに示すc軸方向とは図23に示すx軸をm軸、y軸をc軸、z軸をa軸、としたときの計測結果である。図22aから、a軸方向に比べ、c軸方向において、広い角度に渡って光強度が強い配光特性を持っていることが分かる。つまり、放射角度はa軸方向よりもc軸方向において広く、配光特性に非対称性がある。図22bおよび図22cは、図22aに示す結果を模式的に表している。図22bでは、mc平面に伝搬する光を模式的に表しており、mc平面において、広い範囲にわたって強い光を発していることが分かる。一方、図22cでは、ma平面に伝搬する光を模式的に表しており、m軸方向において、強い光を発していることが分かる。また、a軸方向成分を持つ光は少ない。ここで、m軸方向に発する光は、mc平面とma平面で共有する光である。これらのことから、発生した光はmc平面に主に存在していることが分かる。次に、実施例1、参考例1、比較例1の半導体発光素子の配光特性を計測した。測定に用いた構成は、図23に示す通りである。図24は、参考例1β=0、実施例1β=45、比較例1β=90の半導体発光素子における配光特性を計測した結果を示すグラフである。図24aは、a軸方向の計測結果であり、図24bは、c軸方向の計測結果を示している。ここで、a軸方向とは、図23に示すx軸をm軸、y軸をa軸、z軸をc軸、としたときの計測結果であり、c軸方向とは図22に示すx軸をm軸、y軸をc軸、z軸をa軸、としたときの計測結果である。図24aから、a軸方向の配光特性は、角βに依存しないことが分かる。これに対し、c軸方向の配光特性は、図24bから、角βの値が45°以下のとき、0°付近、すなわちm軸方向の光強度の割合が大きくなっていることが分かる。すなわち、角βの値が45°以下のとき、a軸方向の配光特性とc軸方向の配光特性は類似することが分かる。これらの結果から、実施例1の半導体発光素子では、配光特性の非対称性が改善されていることが分かる。次に、出射した偏光光において、偏光度がどの程度抑制されているかを確認した。図25は、半導体発光素子Sにおける、ストライプ構造50のピッチp及び角度βと偏光度の維持の関係を調べた測定結果である。ここで、半導体発光素子Sとは、実施例1、2、参考例1、2、比較例1、2の総称とする。また、偏光度の維持とは、ストライプ構造が設けられていない比較例4の有する偏光度に対する維持を言い、式9で表される値を言う。図26は測定に用いた構成を模式的に示している。半導体発光素子Sまたは比較例4の半導体発光素子をフリップチップ実装し、発光素子チップ71として測定に用いた。発光素子チップ71に電源72から電流を流すことにより発光が得られる。発光素子チップ71から出射した光は偏光板74を通過し、フォトディテクタ73において光の強度を計測した。発光素子チップ71から出射する光が偏光光を有する場合、偏光板74を回転させることにより、光の強度が変化することが観測される。図25に示すように、少なくともピッチ300nm以上8μm以下のストライプ構造において、角βが45°および90°である場合、偏光度が70程度に低下することが分かる。これに対し、角度βが0°の場合、偏光度が維持されていることが分かる。角βと偏光度の関係をさらに詳しく調べるため、実施例3、参考例3、比較例3の半導体発光素子における偏光度を計測した。図27は実施例3、参考例3、比較例3の計測結果である。なお、計測結果は比偏光度として評価した。比偏光度とは、式7で表される値を言う。より具体的に表現しなおすと、比偏光度とは、実施例3または比較例3の偏光度を参考例3の偏光度で規格化した値を言い、式10で表される値を言う。図27に示すように、角βが5°以上で偏光度が0.4以下と大きく減少していることが分かる。特に、角βが30°以上になると比偏光度は0.25以下になる。また、比偏光度の減少率は緩やかになり、角βが45°付近で最小値をとることが分かる。半導体発光素子を製造する際の凸部の伸びる方向の方位誤差が5°程度であるとすれば、角βは40°以上50°以下が最も好ましいと言える。なお、図25に示す測定結果では、角β=45°および角β=90°における偏光度の維持率は50以上であるのに対し、図27に示す測定結果では、角β=45°および角β=90°における偏光度の維持率は20程度になっている。これは、上述したようにストライプ構造の凸部における断面形状の違いによるものと考えられる。具体的には、図25に示す測定結果が得られた半導体発光素子のストライプ構造における凸部53aの断面形状は、図21aに示す通り上面53を有する。上面53から出射する光は上述したように偏光特性が十分には抑制されないため、図25に示す測定結果が得られた半導体発光素子においては、角βが0より大きくなっても、出射する光の偏光度が比較的高い値に維持されると考えられる。これに対して、図27に示す測定結果が得られた半導体発光素子のストライプ構造における凸部53aの断面形状は、図21bに示す通り上面を有しない。このため、偏光特性がより抑制されていると考えられる。このように、ストライプ構造における凸部の断面形状によって、偏光度の維持率は異なる。しかし、斜面による偏光特性の抑制効果の角βの依存性は、断面形状にかかわらず同じであると考えられる。したがって、ストライプ構造における凸部の断面形状に関わらず、角βは5°以上80°以下が好ましく、30°以上60°以下がより好ましく、45°程度が最も好ましいと考えられる。次に、光取出し効率を確認した。図28は実施例1、参考例1、比較例1の半導体発光素子における、比光取出し効率となす角βの関係を調べた測定結果を示している。比光取出し効率とは、実施例1または参考例1または比較例1の半導体発光素子における光取出し効率を、比較例3の平坦出射面を有する半導体発光素子における光取出し効率で規格化した値である。図28より、平坦出射面14にストライプ構造50を形成することにより、比光取出し効率が1より大きい値、具体的には、1.1以上になっていることが分かる。特になす角βが0°および45°である場合、比光取出し効率は1.2以上になり、大幅に光取出し効率が改善していることが分かる。このように実施例1、2または3の半導体発光素子によれば、図24に示すように、配光特性の非対称性が改善され、また、図25、図27に示すように、偏光光の偏光特性を減少させる。また、図28に示すように、光取出し効率が大幅に改善する。したがって、実施例1、2または3の半導体発光素子は偏光度が小さく、高効率で配光特性に優れた光源として用いることができることが分かった。"