基板上に形成される第1電極と、前記第1電極上に形成される光電変換層と、前記光電変換層上に形成される第2電極と、前記第2電極上部に配置される透光性裏面基板を含み、CIELAB色座標上でa25~0、b10~50、L20~50に該当する範囲の色相を有することを特徴とする光起電力モジュール。前記第2電極と前記裏面基板との間に形成される絶縁性保護層と、前記基板の下面、前記基板と前記第1電極との間、前記第2電極と前記絶縁性保護層との間、該絶縁性保護層と前記裏面基板との間、前記裏面基板上部のうちで少なくとも一つの位置に形成されて色相を示す光学層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の光起電力モジュール。基板上に形成される第1電極と、前記第1電極上に形成される光電変換層と、前記光電変換層上に形成される第2電極と、前記第2電極上に形成される絶縁性保護層と、前記絶縁性保護層上に配置される透光性裏面基板と、前記基板の下面、前記基板と前記第1電極との間、前記第2電極と前記絶縁性保護層との間、前記絶縁性保護層と前記裏面基板との間、前記裏面基板上部のうちで少なくとも一つの位置に形成されて、色相を示す光学層を含むことを特徴とする光起電力モジュール。CIELAB色座標上でa25~0、b10~50、L20~50に該当する範囲の色相を有することを特徴とする請求項3に記載の光起電力モジュール。前記光学層は、溶媒に対する着色用顔料及び染料の重量比が5乃至40である溶液から形成されることを特徴とする請求項2または3に記載の光起電力モジュール。前記光学層は、CIELAB色座標上でa50~10、b60~10、L60~90に該当する範囲の色相を有することを特徴とする請求項2または3に記載の光起電力モジュール。前記光学層の透過率は、近紫外線領域で5乃至40、近赤外線領域で50乃至80であることを特徴とする請求項2または3に記載の光起電力モジュール。前記光学層の吸収率は、近紫外線領域で50乃至80、近赤外線領域で10乃至25であることを特徴とする請求項2または3に記載の光起電力モジュール。透過率は、近紫外線領域で0乃至5、近赤外線領域で5乃至15であることを特徴とする請求項1または3に記載の光起電力モジュール。吸収率は、近紫外線領域で65乃至85、近赤外線領域で60乃至80であることを特徴とする請求項1または3に記載の光起電力モジュール。前記第2電極には少なくとも前記第2電極を貫通する透光性開口部が形成されていることを特徴とする請求項1または3に記載の光起電力モジュール。本発明は、使用者にとって視覚的疲労感が減るように感じさせると共に建築物に装着する時建築物と調和することができる光起電力モジュールを提供するためのものである。本発明が達成しようとする技術的課題らは、以上で言及した技術的課題らに制限されず、言及されなかったさらに他の技術的課題については、下の記載から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。本発明の実施例によると、基板上に形成される第1電極、該第1電極上に形成される光電変換層、該光電変換層上に形成される第2電極、該第2電極上部に配置される透光性裏面基板を含み、CIELAB色座標上でa:25~0、b:10~50、L:20~50に該当する範囲の色相を有することを特徴とする光起電力モジュールが提供される。一方、本発明の実施例によると、基板上に形成される第1電極、該第1電極上に形成される光電変換層、該光電変換層上に形成される第2電極、該第2電極上に形成される絶縁性保護層、該絶縁性保護層上に配置される透光性裏面基板、前記基板の下面、前記基板と前記第1電極との間、前記第2電極と前記絶縁性保護層との間、前記絶縁性保護層と前記裏面基板との間、前記裏面基板上部のうちで少なくとも一つの位置に形成されて色相を示す光学層を含むことを特徴とする光起電力モジュールが提供される。本発明によると、使用者にとって視覚的疲労感を減らすことができる色相を有する光起電力モジュールを得ることができる。また、本発明によると、建物の窓などに適用される場合、違和感または視覚的疲労感が減り、建築物との高い調和度及び美麗さも向上することができる光起電力モジュールを得ることができる。以下、添付される図面を参照して本発明の実施例による光起電力モジュールについて説明する。光起電力モジュールの構成図1乃至図5は、本発明の実施例による光起電力モジュールの構成を示す図面である。図1乃至図5を参照すると、本発明の光起電力モジュールは基板100上に順次に形成される第1電極110、光電変換層120、第2電極130を含むことができる。一方、第2電極130上には絶縁性保護層140及び裏面基板150がさらに含まれることができる。本発明の一実施例による光起電力モジュールは、少なくとも一部に光学層160を含む。光学層160は光起電力モジュールの任意の位置に含まれることができる。例えば、光学層160は図1に示されるように、基板100下部に形成されることもでき、図2に示されるように基板100と第1電極110との間に形成されることもできる。また、図3に示されるように第2電極130と絶縁性保護層140との間に形成されることもできる。一方、図4に示されるように絶縁性保護層140と裏面基板150との間に形成されることもでき、図5に示されるように裏面基板150上に形成されることもできる。また、光学層160は図1乃至図5に示される位置のうちで2箇所以上に形成されることもできる。本発明の一実施例による光学層160は、全体光起電力モジュールが色相を有するようにできる構成要素である。このような光学層160は通常的な溶媒に着色用顔料または染料を溶解することで形成される。光学層160は、例えば、コーティング層であることができる。光学層160が裏面基板150上に形成される場合には、裏面基板150上に一定の割合の着色用顔料または染料を含む溶液を塗布することで形成することができる。顔料または染料は、例えば、溶媒に対しておよそ5乃至40の重量で含まれることができる。図6及び図7は、それぞれ本発明の一実施例による光学層160の透過率及び吸収率を各波長に対して示したグラフである。一方、表1は本発明の一実施例による光学層160の透過率、反射率、吸収率を各波長帯別に示す。両面のうちで一面に光学層160が形成された裏面基板150を対象として透過率、反射率、吸収率についての測定を行い、比較のために光学層160が形成されない裏面基板150も対象として透過率、反射率、吸収率を測定した。表1中の15とは、光学層160の色濃度を示したものであり、光学層160形成の材料になる溶液において、溶媒に対する顔料または染料の重量比が15であることを意味する。表1及び図6を参照すると、光学層160の透過率は近紫外線領域でおよそ5乃至40であり、近赤外線領域でおよそ50乃至80であることを分かる。また、表1及び図7を参照すると、光学層160の吸収率は近紫外線領域でおよそ50乃至80であり、近赤外線領域でおよそ10乃至25であることを分かる。本発明の一実施例による光学層160としては上で説明した特性を満足させる物質ならどのような物質でも利用されることができる。本発明の一実施例による基板100は、絶縁性透明基板であることができる。また、基板100はガラスのようなインフレキシブル基板であってもよく、ポリマーや金属ホイルのようなフレキシブル基板であってもよい。このような基板100は、プラスチックまたはガラスなどの物質で形成されることができ、基板100が金属ホイルを含む場合基板100は、金属ホイルを覆う絶縁層を含むことができる。本発明の一実施例による第1電極110は、伝導性物質で形成されることができる。例えば、第1電極110は伝導性透明電極であってもよい。伝導透明電極は、SnO2F、ZnOB、ZnOAlなどを含む物質で形成されることができる。本発明の一実施例による光電変換層120は、非晶質光電変換層、結晶質光電変換層、化合物光電変換層、有機物光電変換層のうちの一つを含むことができる。化合物光電変換層は、IIIIVI族化合物半導体、IIVI化合物半導体、またはIIIV族化合物半導体を含むことができる。非晶質光電変換層はIII族またはV族不純物がドーピングされたシリコン層の間に不純物がドーピングされないシリコン層を含む。一方、本発明の一実施例による第1電極110、光電変換層120、第2電極130を含む太陽電池はCIGS太陽電池、CdTe太陽電池、染料感応太陽電池、有機薄膜太陽電池で実現されることもできる。以下では、光電変換層120が非晶質光電変換層を含んで構成される場合を例に挙げて説明することにする。すなわち、例えば、光電変換層120は、pタイプ半導体層、真性半導体層、nタイプ半導体層が順次に積層された形態で形成されることができる。pタイプ半導体層、真性半導体層、nタイプ半導体層の積層順序は反対になることもある。pタイプ半導体層、真性半導体層、nタイプ半導体層の順に積層される場合、光は基板100を通じて入射されて、逆手順どおりに積層される場合光は基板100の向かい側を通じて入射されることができる。pタイプ半導体層は、aSiHまたはaSiCHなどの化学式で表現される非晶質シリコン層であることができる。このようなpタイプ半導体層は、シランのようにシリコンを含む原料ガス、B2H6のようなIII族元素を含むドーピングガスと併せて水素ガスが反応室に混入されることで形成されることができる。一方、メタンガスが原料ガスとしてさらに供給されることで炭素が含まれたaSiC:Hの化学式で表現されることができるpタイプ半導体層が得られることができる。また、真性半導体層は、シリコンを含む原料ガスと水素ガスが反応室に流入されることで形成されることができる。一方、nタイプ半導体層はシリコンを含む原料ガス、PH3のようなV族元素を含むドーピングガス、水素ガスが供給されることで形成されることができる。本発明の一実施例による第2電極130は、不透明伝導性物質または透明伝導性物質で形成されることができる。第2電極130が不透明伝導性物質である場合には、光起電力モジュールに入射される光のうちで光電変換に利用されることができずにそのまま透過する光を第2電極130でもう一度反射させて光電変換効率を向上させることができる。本発明の光起電力モジュールを建物の窓などに適用する、いわゆる、BIPVモジュールで利用するためには、透光性を有することが望ましい。光起電力モジュールが透光性を有するようにするために大きく三つの方法が利用されることができる。第1の方法としては、第2電極130が不透明伝導性物質である場合に、第2電極130に透光性開口部を形成する方法である。透光性開口部が少なくとも第2電極130を貫通することで、全体光起電力モジュールは透光性を有するようになる。第1電極110、光電変換層120、第2電極130の積層体は、例えば、レーザースクライビング法などによって分離した光電変換層120を中心に複数の単位電池に分けられて、この複数の単位電池は、お互いに直列連結される。この場合、透光性開口部は複数個の単位電池の直列連結方向と平行な方向に延長されることができる。全体光電変換領域、すなわち、光電変換層120が形成された面積に対して透光性開口部が形成された面積の比を開口率と言うが、このような開口率は0乃至50であることがある。第2の方法としては、第2電極130自体を透明伝導性酸化物などの透明伝導性物質で形成するものである。透明伝導性物質は、例えば、SnO2F、ZnOB、ZnOAl、ITO、TiO2、炭素ナノチューブのうちで少なくとも一つの物質を含むことができる。第2の方法によると、第2電極130が不透明伝導性物質に比べて相対的に高い反射率を有することができず、全体として光起電力モジュールは相対的に高い光電変換効率を発揮しないこともある。但し、第2電極130が光透過性を有するため、透光性開口部などを別に形成しなくても光透過性を確保することができる。第3の方法としては、第2電極130を透明伝導性物質で形成することに加えて、第2電極130を貫通する透光性開口部を形成するものである。これによると、第2電極130が光透過性を有することに加えて、光透過性確保のための透過性開口部が形成されるために、光起電力モジュールの光透過性が向上されることができる。本発明の一実施例による光起電力モジュールは、前記三つの方法のうちで何れか一つの方法によって透光性を有する。本発明の一実施例による絶縁性保護層140は、EVA、PVF、PVB、アクリルシートまたはバックシートのうちで少なくとも一つを含むことができる。絶縁性保護層140は第2電極130と裏面基板150との間の接合材として機能をすることができ、前述したように、絶縁性保護層140の両面のうちで少なくとも一面に光学層160を含むこともできる。本発明の一実施例による裏面基板150は、透明ガラス基板または所定の色相を有するガラス基板で形成されることができる。また、ガラスの他にプラスチックなどの物質で形成されることもできる。表1及び図6を参照すると、裏面基板150は、全波長領域でおよそ50以上の透過率を有することができる。以下、本発明の一実施例による光起電力モジュールの透過率、反射率、吸収率特性及び色座標について説明する。光起電力モジュールの透過率、反射率、吸収率特性図8及び図9は、それぞれ本発明の一実施例による光起電力モジュールの透過率及び吸収率を各波長に対して示したグラフである。一方、表2は本発明の一実施例による光起電力モジュールの透過率、反射率、吸収率を各波長帯別に示す表である。第2電極130が透明伝導性物質で形成されて、開口率が0である場合の光起電力モジュールを具現化して測定を行った。また、光学層160は絶縁性保護層140と裏面基板150との間に含ませて測定を行った。表2中の10、12、13、14、15、16、17、20とは、光学層160の色濃度を示したものであり、光学層160形成の材料になる溶液において、溶媒に対する顔料または染料の重量比を意味する。表2及び図8を参照すると、光起電力モジュールの透過率は、近紫外線領域でおよそ0乃至5であり、近赤外線領域でおよそ5乃至15であることを分かる。また、表2及び図9を参照すると、光学層160の吸収率は近紫外線領域でおよそ65乃至85であり、近赤外線領域でおよそ60乃至80であることを分かる。一方、前述したように、光学層160の形成、絶縁性保護層140または裏面基板150の固有色相などによって全体光起電力モジュールは所定の色相を有することができる。図10及び表3は、本発明の一実施例による光起電力モジュールにおいて、単位電池の色相に対する色座標を示す。ここでの色座標はCIELAB色座標である。CIELAB色座標はすべての色相をX、Y、Zという三刺激値の相対的な量で表現して、このような数値を三つの座標、すなわち、L、a、b値に変換したものである。ここで、Lは明るさの変数であり、aとbは、色度座標である。aは、赤色と緑色をつなぐ軸と係わる座標であり、bは黄色と青色をつなぐ軸と係わる座標である。単位電池の色相に対する色座標は、太陽光スペクトラムの一部に該当するおよそ300nm乃至およそ1200nmの波長を有する光を単位電池に照射した時、これを透過する光のスペクトラムを対象に測定したものである。測定装置としては分光光度計の投光型装置を使用した。単位電池は光を反射する特性よりは光を透過する特性を大きく有し、肉眼で確認することができる単位電池の色相は、これを透過する光のスペクトラム特性であるので、単位電池を透過する光の色相を色座標で表現した。このように測定された色座標、すなわち、単位電池におよそ300nm乃至およそ1200nmの波長を有する光を透過させた時、可視光線領域で透過される光に対して測定した色座標に該当する値が単位電池の色相と言える。図10及び表3を参照すると、本発明の実施例による単位電池は、CIELAB色座標上でa5~35、b45~55、L30~70の範囲内に属することを分かる。全体的に、本発明の一実施例による光起電力モジュールにおいて、単位電池は黄色い系列の色相を示すものとして見られる。一方、図11及び表4は、本発明の実施例による光学層160の色座標を示す。色座標の測定方法は、上の単位電池に対する色座標測定方法と同一である。図11及び表4は、ガラス基板の両面のうちで一面に光学層160を形成させた後、色座標を測定した結果を示す。ガラス基板として透明基板を使用したために、図11及び表4に示される色座標測定値が光学層160自体の色座標値と同一であると見ても問題ない。表4中の15とは、光学層160の色濃度を示したものであり、光学層160の形成の材料になる溶液において、溶媒に対する顔料または染料の重量比が15ということを意味する。図11及び表4を参照すると、本発明の実施例による光学層160は、CIELAB色座標上でa50~10、b60~10、L60~90の範囲内に属することを分かる。図12及び表5は、本発明の実施例による光起電力モジュールの色座標を示す。色座標の測定方法は上の単位電池及び光学層に対する色座標測定方法と同一である。表5中の構成とは、光起電力モジュールに含まれる構成要素を意味し、1番は裏面基板として透明基板が含まれたものであり、2乃至9番は所定の色濃度を有する光学層160が含まれる光起電力モジュールであることを意味する。一方、表5中の10、12、13、14、15、16、17、20とは、光学層160の色濃度を示したものであり、光学層160の形成の材料になる溶液において、溶媒に対する顔料または染料の重量比を意味する。図12及び表5を参照すると、本発明の実施例による光起電力モジュールは、CIELAB色座標上でa25~0、b10~50、L20~50の範囲内に属することを分かる。本発明の光起電力モジュールは、建物の窓などに適用される場合視覚的疲労感が減った色相を示す。これによって従来のさび色またはかば色などの色相を有した光起電力モジュールに比べて相対的に視覚的疲労感を減らすようになり、建築物との高い調和度及び美麗さを向上することができるようになる。以上本発明についてその望ましい実施例を中心に説明した。本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者は、本発明が本発明の本質的な特性から逸脱しない範囲で変形された形態に具現されることができることを理解することができるであろう。また、開示された実施例は限定的な観点ではなく、説明的な観点で考慮されなければならない。本発明の範囲は前述した説明ではなく、特許請求範囲に示されており、それと同等な範囲内にあるすべての差異は、本発明に含まれるものとして解釈されなければならないであろう。