電気-光変換器EOCを制御するためのEOC制御回路、前記EOCを駆動するための駆動電流を発生する第1の電流源、及び同相モードパルスイベントが生じているかどうかを検知して、生じている場合は補償電流を発生する同相モードパルス補償CMPC回路を備える送信回路と、前記送信回路に動作的に接続された電気-光変換器EOCと、光-電気変換器OEC、増幅器、コンパレータ及び出力ドライバを有する送信回路とを具備し、前記補償電流が、前記CMPC回路の第1の出力端子から前記電流源に対して出力され、前記補償電流と前記駆動電流が加算されて、前記EOCを駆動するために使用される新しい駆動電流が発生され、また同相モードパルスイベントは、前記送信回路の基準グラウンドGND1と前記受信回路の基準グラウンドGND2との間に発生する同相モードパルス波形に対応し、前記EOCは前記CMPC回路から前記新しい駆動電流を受け取り、そして前記EOCが受信した前記新しい駆動電流による光信号を発生し、前記OECは、前記EOCが発生した光信号を受け取り、前記光信号を電気信号に変換し、そして前記電気信号を出力し、前記増幅器は、前記OECから出力された電気信号出力を増幅し、前記コンパレータは、前記増幅された電気信号を基準信号と比較して、比較結果に基づいて電気出力信号を発生し、前記出力ドライバは前記電気出力信号を受け取り、そして前記オプトアイソレーターに対して電気出力駆動信号を発生する、オプトアイソレーター。前記CMPC回路が負の傾斜を有する同相モードパルス波形に対応する同相モードパルスイベントを検知する場合のみ、前記CMPC回路が補償電流を発生する請求項1に記載のオプトアイソレーター。前記CMPC回路が正の傾斜を有する同相モードパルスに対応する同相モードパルスイベントを検知すると、前記CMPC回路が、前記補償電流を所定の最大レベルに固定する保護回路を含む請求項2に記載のオプトアイソレーター。前記CMPC回路が、約-10KV/μsecから約-50KV/μsecの範囲の負の傾斜を有する検知された同相モードパルスイベントに対して補償電流を発生する請求項2に記載のオプトアイソレーター。第1及び第2の端部を有するワイヤーの導電性部分をさらに含み、前記ワイヤーの第1の端部は前記CMPC回路の第1の入力端子に接続され、前記ワイヤーは固有の寄生容量Cparasitic2を有し、また前記CMPC回路は、前記第1の入力端子に存在する電流I_senseに基づいて同相モードパルスイベントが発生しているかどうかを検知し、前記電流I_senseはCparasitic2×-dV/dtに等しく、ここでdV/dtは検知された同相モードパルスイベント波形の傾斜に対応すると共に同相モードパルスイベント波形内の経時変化として定義される請求項2に記載のオプトアイソレーター。前記EOCがボンドワイヤによって前記送信回路に電気的に接続され、前記ボンドワイヤが固有の寄生容量Cparasitic1を有し、かつ前記ボンドワイヤが電流I_correctionを有し、前記電流I_correctionがCparasitic1×-dV/dtに等しく、また前記CMPC回路が、前記CMPC回路の前記第1の出力端子に接続された電流ミラーを備え、前記電流ミラーは少なくとも第1及び第2の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタMOSFETを含み、前記第1及び第2のMOSFETはそれぞれ前記CMPC回路のPAD_SENSEノードに接続されたゲートを有し、また前記PAD_SENSEノードは前記CMPC回路の前記第1の入力端子に接続され、そして前記第1及び第2のMOSFETはそれぞれ幅W1及びW2を有し、またW1及びW2に対する値が、比率W2/W1が比率Cparasitic1/Cparasitic2に等しくなる又はほぼ等しくなるように前記CMPC回路が設計されるときに選択される請求項5に記載のオプトアイソレーター。前記第1及び第2のMOSFETがp型MOSFETである請求項6に記載のオプトアイソレーター。オプトアイソレーターの中で同相モードパルス補償を実行する方法であって、オプトアイソレーターの同相モードパルス補償CMPC回路において、同相モードパルスイベントが発生していると前記CMPC回路が検知すると、前記オプトアイソレーターの電気-光変換器EOCを駆動するために使用されるEOC駆動電流に加えられる補償電流を前記CMPC回路の中で発生するステップと、前記CMPC回路の出力端子から前記補償電流を前記オプトアイソレーターの送信回路の電流源に対して出力するステップと、新しい駆動電流を発生するために前記電流源によって発生された駆動電流に前記補償電流を加えるステップと、前記オプトアイソレーターの前記EOCを駆動するために前記新しい駆動電流を使用するステップとを含み、前記オプトアイソレーターの前記EOCを駆動するために新しい駆動電流を使用することにより、前記電流源が発生した駆動電流内の、検知された同相モードパルスイベントが発生したことにより引き起こされる混乱が補償される、方法。前記CMPC回路が負の傾斜を有する同相モードパルス波形に対応する同相モードパルスイベントの発生を検知する場合のみ、前記CMPC回路が補償電流を発生するステップを実行する請求項8に記載の方法。前記CMPC回路が正の傾斜を有する同相モードパルスに対応する同相モードパルスイベントの発生を検知すると、前記CMPC回路の保護回路の中で、前記補償電流を所定の最大レベルに固定するステップをさらに含む請求項9に記載の方法。前記補償電流を発生するステップの間に、前記CMPC回路が、約-10KV/μsecから約-50KV/μsecの範囲の負の傾斜を有する同相モードパルスイベント波形に対応する検知された同相モードパルスイベントに対して補償電流を発生する請求項9に記載の方法。前記CMPC回路の第1の入力端子に接続された端部を有する導電性ワイヤーを用いて、前記ワイヤー内の電流I_senseを検知するステップをさらに含み、前記ワイヤーは固有の寄生容量Cparasitic2を有し、また前記CMPC回路は、前記第1の入力端子に存在する電流I_senseに基づいて同相モードパルスイベントが発生しているかどうかを検知し、前記電流I_senseはCparasitic2×-dV/dtに等しく、ここでdV/dtは検知された同相モードパルスイベント波形の傾斜に対応すると共に同相モードパルスイベント波形内の経時変化として定義される請求項9に記載の方法。前記EOCがボンドワイヤによって前記送信回路に電気的に接続され、前記ボンドワイヤが固有の寄生容量Cparasitic1を有し、かつ前記ボンドワイヤが電流I_correctionを有し、前記電流I_correctionがCparasitic1×-dV/dtに等しく、また前記CMPC回路が、前記CMPC回路の前記第1の出力端子に接続された電流ミラーを備え、前記電流ミラーは少なくとも第1及び第2の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタMOSFETを含み、前記第1及び第2のMOSFETがそれぞれ前記CMPC回路のPAD_SENSEノードに接続されたゲートを有し、また前記PAD_SENSEノードは前記CMPC回路の前記第1の入力端子に接続され、そして前記第1及び第2のMOSFETはそれぞれ幅W1及びW2を有し、またW1及びW2が、比率W2/W1が比率Cparasitic1/Cparasitic2に等しくなる又はほぼ等しくなるように前記CMPC回路が設計されるときに選択される請求項12に記載の方法。前記第1及び第2のMOSFETがp型MOSFETである請求項13に記載の方法。本発明によれば、同相モードパルス補償回路が提供される。この回路は、オプトアイソレーター内でいつ同相モードパルスイベントが発生したかを感知し、またこのイベントが発生することによって引き起こされたLED駆動電流の減少を補償するために、電流をLED駆動電流に加える。この同相モードパルス補償回路は、感知された同相モードパルスの傾斜に少なくともある程度基づいて、LED駆動電流に加えられる電流の量を自動的に調整することによって、同相モードパルス傾斜の極めて広い範囲にわたって効果的に動作することができる。さらに、この同相モードパルス補償回路は、極めて低い駆動電流で動作するLEDを用いて実現されることができ、これによりオプトアイソレーターの電力消費に関する要求事項を減らすことができる。これら及び他の特徴は、ここで図2~図4を参照して説明される。同相モードパルス補償回路及び方法の例示的な実施形態が、以下で説明される。図2は、例示的な実施形態によるオプトアイソレーター20のブロック図を例示している。図1に示されたオプトアイソレーター2と同様に、オプトアイソレーター20は、通常は1つのICパッケージの中に組み込まれている送信機用IC30と受信機用IC60とを備えている。送信機用IC30は、オプトアイソレーター20に対する電気入力信号を受け取るための入力インターフェース論理回路図示せずを有する電気-光変換器EOC制御回路35を備えている。この電気入力信号は、EOC36の動作を制御するために使用される。このEOC36は、一般に、送信機用IC30から分離され、また通常3V製造技術を用いて作られる。このEOC36は一般にLEDであるため、EOC36を、以後LED36と呼び、またEOC制御回路35を以後LED制御回路35と呼ぶことにする。このLED36は、ワイヤボンド図示せずで送信機用IC30に接続される。電源電圧VDD1及びグラウンド基準点GND1が送信機用IC30に与えられる。送信機用IC30は、LED36をオンに切り換えるための電流源37と、LED36がオフ状態にあると想定される場合にLED36を確実にオフにするために、LED制御回路35によって制御されるショートスイッチ38とを備えている。コンデンサ39は、LED36に向かうボンドワイヤと受信機用IC60のグラウンド基準ノードGND2との間の寄生容量Cparasitic1を示している。送信機用IC30は、同相モードパルス補償CMPC回路50を備えており、この回路は、線41上の部分の電流を感知し、そして同相モードパルスイベントが発生しているとCMPC回路50が感知すると、電流をLED36の駆動電流に加える。線41は、コンデンサ42として表される寄生容量Cparasitic2を有している。線41はCMPC回路50の入力パッド図示せずに接続され、また受信機用IC60のGND2近傍に対して固有の寄生容量を有している。この感知された電流は、同相モードパルスに対応する。CMPC回路50は、センサ50aと補助電流源50bとを備えている。これらは、図3を参照して後で説明されるように、1つの回路に結合されている。センサ50aが、傾斜が負でかつオプトアイソレーター20に不適当な動作をさせるに十分大きな振幅を有する同相モードパルスを検知すると、補助電流源50bは電流源37に対して正パルスを出力する。傾斜が負でかつオプトアイソレーター20に不適当な動作をさせるに十分大きな振幅を有する同相モードパルスは、本願では同相モードパルスイベントと呼ぶことにする。補助電流源50bから出力される正パルスにより、検知された同相モードパルスによって引き起こされた駆動電流内の混乱が補償され、これにより電流源37がLED36を駆動するために適当な電流が確実に出力される。図1に示された受信機用IC4と同様に、図2に示されたオプトアイソレーター20の受信機用IC60は、光-電気変換器OEC61、TIA62、コンパレータ63及び出力ドライバ64を備えている。OEC61は一般にフォトダイオードであるため、このOEC61を以後フォトダイオード61と呼ぶことにする。LED36の光出力は、受信機用IC60上のフォトダイオード61に結合される。フォトダイオード61に光子が入力すると、ダイオード61内に対応する光電流が発生する。この電流はTIA62の中で増幅され、次にその出力がコンパレータ63に送られる。コンパレータ63はTIA62からの出力を基準電圧VTH1と比較して、この出力が論理0又は論理1に対応するかどうかを判断して、出力信号を出力ドライバ64に与える。この出力ドライバ64は、ノード65においてオプトアイソレーター20に対する出力駆動信号を発生する。Cparasitic2の値は、概ね10fFの範囲である。センサ50aは、一般に、約-10KV/μsec以上の負の傾斜を有する同相モードパルスを検出するように構成される。前述されたように、そのような同相モードパルスイベントがセンサ50aによって検知されると、補助電源50bが正論理のパルスを電流源37に出力して、LED36に与えられる駆動電流の大きさを増加する。CMPC回路50は、図3を参照してこれから説明される。図3は、1つの実施形態によるCMPC回路50の概略図を例示している。センサ50a及び補助電流源50bは1つのCMPC回路50の中で構築され、かつこのCMPC回路50の複雑性は比較的低いので、同相モードパルスイベントが発生すると、それらを例えばナノセカンドのオーダといった極めて早い速度で検知及び補償することができる。このCMPC回路50は、複数のn型及びp型の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタMOSFET及び数個のダイオードで作られている。CMPC回路50の第1の入力端子61は、バイアス電流NBIASを受け取る。このバイアス電流NBIASは正極性を有しており、振幅はn型MOSFETをオンにするために十分大きい。バイアス電流NBIASは、通常は、オプトアイソレーター20が動作している間は常にこの状態に維持される。このバイアス電流NBIASは、LED制御回路35によって又はCMPC回路50の外部の他の電源によって、CMPC回路50に提供されることができる。CMPC回路50の第2の入力端子62は、線41の部分の端部に接続される。この第2の入力端子62は、本願ではPAD_SENSEと呼ぶことにする。このため、PAD_SENSE端子は、寄生容量Cparasitic2によって受信機用IC60のGND2に接続される。CMPC回路50の出力端子63は、電流源37に接続される。それぞれセンサ50a及び補助電流源50bによって実行される検知機能及び補助電流源機能は、両方とも、MOSFET65、66及び67を使用する。それらのMOSFETはまた、それぞれ、MN3、MP3及びMP4と表示されている。MN0とも名付けられているn型MOSFET68とn型MOSFETMN365との組み合わせは、1対1の電流ミラーを形成し、この電流ミラーはMOSFETMN068のゲートに加えられるバイアス電流NBIASをMOSFETMN365のゲートにも加えている。このバイアス電流NBIASは、図3に示された配列では、多くの場合、例えば2.5マイクロアンペアμAというような小さい電流である。バイアス電流NBIASはまた、p型MOSFETMN366及びMP467をオンに切り換えるため、それらはしきい値よりも高いが、電流レベルは低い。p型MOSFETMN366とMP467との組み合わせは第2の電流ミラーを形成し、PAD-SENSE入力端子62において検知された電流をp型MOSFET66及び67のゲートに加える。p型MOSFETMN366及びMP467を通る小さいバイアス電流により、寄生容量Cparasitic2に結合されている負の傾斜の同相モードパルスに対して、PAD_SENSEノード71の感受性が確実に高くされる。p型MOSFETMP467のドレイン端子は、出力端子63に接続されている。このp型MOSFETMP467は設計段階で選択された幅を有するため、それを通り電流源37を経由してLED36のアノードに流れる電流は、LED36のアノードのLED用ボンドワイヤからCparasitic1を通って失われる電流を補償するために必要とされる値を有する。LED36がオン状態のときにLED36が一定の又はほぼ一定の電流で動作し続けるために必要な補正電流I_correctionは、下記の数式によって与えられる。I_correction=Cparasitic1-dV/dtPAD_SENSINGノード71に流れ込みまたp型MOSFETMP366のゲートに与えられる電流は、下記の数式によって与えられる。I_sense=Cparasitic2-dV/dtI_correctionのI_senseに対する比率は、2つの寄生容量の比率に依存するが、dV/dtには依存しない。dV/dtは、検知された同相モードパルスの傾斜である。この関係により、p型MOSFETMP366及びMP467の電流ミラーから作られる電流ミラーに対して適切な電流利得比率に関する必要な情報が提供される。この比率状態の結果は、MP3に対するMP4の幅を決定するために使用される。下記の数式は、p型MOSFETMP366及びMP467の幅を寄生容量Cparasitic1及びCparasitic2に関係付ける。W_MP4/W_MP3=Cparasitic1/Cparasitic2この関係には大きな利点がある。特に、Cparasitic2を通して検知された同相モードパルスの負の傾斜により、結果としてCMPC回路50が出力端子63を介して、例えば、約-10KV/μsecから約-50KV/μsecまでの広範囲の傾斜値にわたって適切な振幅の補正電流を提供することになる。例えば、Cparasitic1が100fFでCparasitic2が10fFと推定される場合、W_MP4のW_MP3に対する比率は10対1である。このため、p型MOSFETMP467の幅はp型MOSFETMP366の幅の10倍に選択される。Cparasitic2の値は既知であり、またCparasitic1の値は測定されることができるため、W_MP4対W_MP3の比率は、上記の式を用いて計算されることができる。適当な幅の比率が得られるように幅W_MP3及びW_MP4を選択することによって、CMPC回路50は、同相モードパルスイベントの傾斜の大きさにおける変化に対して自動的に調整できるようになる。この特徴により、CMPC回路50が対応して補償することができる傾斜の範囲が拡大される。1つの実施形態によれば、CMPC回路50は、正に傾斜した同相モードパルスイベントに対してではなく、負に傾斜した同相モードパルスイベントを補償するように意図的に設計される。正に傾斜した同相モードパルスイベントは、実際に、LED36の駆動電流を増加させる。しかしながら、50KV/μsecもの大きな傾斜を有する同相モードパルスイベントに関してさえ、LED駆動回路に加えられる付加的な電流は、より大きな範囲にわたってLED36をオンにするだけである。これにより、受信機用IC60の出力端子65からエラーが出力されることはない。LEDは一般的に、比較的長い継続時間のより小さい電流レベルだけでなく、高い駆動電流の短いバーストを扱うようにも設計される。このため、CMPC回路50の中で正に傾斜した同相モードパルスイベントに対して補償は必要としない。しかしながら、以下でより詳細に説明するように、CMPC回路50は、振幅が極端に大きい正に傾斜した同相モードパルスイベントに対して、その部品を保護する。正に傾斜した同相モードパルスイベントの間にLED36がオフにされる場合、LEDショートスイッチ38は、LED36がオフの状態を確実に維持するように、付加的な電流を処理する必要がある。CMPC回路50が正に傾斜した同相モードパルスイベントを処理する方法を説明する前に、CMPC回路50が負に傾斜した同相モードパルスイベントを処理する方法が説明される。負に傾斜した同相モードパルスイベントが発生する場合、PAD_SENSE入力端子62において存在する電圧の負のエクスカーションが、p型MOSFETMN366及びMP467をオンにして、出力端子63を供給電圧レベルAVDDに向かって引き付ける。この状態では、CMPC回路50は、付加的な量の電流を入力端子63と電流源37との間の接続体を介して電流源37に加える。この電流源37は、LED36のアノードに接続されている。この付加的な電流を、下記では補償電流と呼ぶことにする。電流源37に加えられる補償電流は、p型MOSFETMP467の抵抗によって分割されたAVDDに等しい。この補償電流は概して、負に傾斜した同相モードパルスイベントの結果として、電流源37から引き出される電流に等しい。CMPC回路50は、更なるMOSFETMN181、MN282、MP183、MP284、及びMP585、並びに2個のダイオードD086、及びD187を含んでおり、それらは極端に大きな正に傾斜した同相モードパルスイベントに対して保護を行うために使用される。MOSFETMN181、MN282、MP183、及びMP284の組み合わせは、MOSFET85のゲートに対してバイアス電圧を発生する。これにより、温度と処理の両方が補償される。PAD_SENSE端子62上の電圧エクスカーションが正の傾斜を有し、かつp型MOSFETMP366及びMP467をオフに切り換えるために必要なレベルよりも増加する場合は、MOSFETMP585はオンになり、これによりPAD_SENSEノード71はAVDD供給レベルよりもわずかに低いが、MP366及びMP467をオフする十分高い値に制限される。これにより、PAD_SENSEノード71の電圧がAVDD供給電圧レベルを超えないレベルに固定される。2つのダイオードD086及びD187は、過度の同相モードの過渡現象から回路部品を保護するための付加的な素子である。CMPC回路50が、図3に示された構成に限定されないことに注意されたい。多数の異なる回路構成を使用して、図3を参照して前述された補償機能を実現することができる。さらに、負に傾斜した同相モードパルスイベントのみがCMPC回路50によって補償されるが、このCMPC回路50は負に傾斜したイベントと正に傾斜したイベントとの両方を補償する、又は負に傾斜したイベントではなく正に傾斜したイベントを補償するように設計することができる。一般的に言って、これはp型MOSFETをn型MOSFETに置き換えることによって、又はp型MOSFETによって実現された前述の機能を再現する付加的なn型MOSFETを加えることによって実現することができる。図4は、オプトアイソレーター内で同相モードパルスを補償するための方法を示すフローチャートを例示している。オプトアイソレーターのCMPC回路では、ブロック101で示されるように、同相モードパルスが発生しているかどうかを判断するために、同相モードパルスが検知される。前述のとおり、イベントが発生していると、同相モードパルスイベントを補償するために、CMPC回路は極めて迅速に対処することができる。同相モードパルスイベントが発生すると、ブロック102に示されているように、CMPC回路はLED駆動回路に加えられる補償電流を発生する。ブロック103に示されるように、補償電流がCMPC回路から出力され、そしてブロック104に示されるように、新しいLED駆動電流を得るために、LED駆動電流に加えられる。ブロック105に示されるように、新しいLED駆動電流が、LEDを駆動するためにオプトアイソレーターの中で使用される。本発明の原理及び概念を実証するために、例示的な実施形態を参照して本発明が説明されたことに注意されたい。本願でなされた説明に鑑みて当業者には明らかなように、本発明はこれらの実施形態に限定されることはない。例えば、図3及び図4で示された回路は、LED駆動電流を補償するために必要とされる機能を実行するために好適な実施形態の単なる実施例に過ぎない。これらのタスクを実行するために種々の回路を設計することができ、また本願で説明された実施形態に対する全てのそのような変形例及び修正例は、本発明の範囲の中に含まれる。また、このオプトアイソレーターは、同じICパッケージの中に収容された送信機用ICと受信機用ICを有するように説明されているが、これらは2つ以上のICの中で実現されることができ、またディスクリート部品を用いて実現することもできる。送信機用ICのEOCが本願ではLEDとして説明されているが、このEOCはレーザダイオードや他の素子を含む任意の種類の光源とすることができることに注意されたい。同様に、受信回路のOECが本願ではフォトダイオードとして説明されているが、このOECは光エネルギーを電気エネルギーに変換する任意の種類の素子とすることができることに注意されたい。当業者は理解されるように、本願で説明された実施形態に対して他の変形例や修正例を作ることができ、そのような修正例や変形例は本発明の範囲の中に含まれる。