"電子素子および該電子素子が第1主面に搭載された基板を有するチップ部品と、該チップ部品が前記第1主面を対向させた状態で搭載される配線基板と、前記チップ部品の表面から前記配線基板の表面にかけて設けられ、前記電子素子を封止する封止空間を取り囲む樹脂層とを備え、該樹脂層は、前記封止空間の側方に位置する部位に、外表面に開口する窪み部を有していることを特徴とする電子装置。前記樹脂層は、前記封止空間の側方で、前記チップ部品の前記第1主面、および前記配線基板の表面に接していることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。前記窪み部は、前記第1主面の外周部よりも内方まで延在していることを特徴とする請求項2に記載の電子装置。しかしながら、電子装置が置かれた環境が温度変化する場合、チップ部品および配線基板の接合部と樹脂層との熱膨張率の違いから、接合部に繰り返し応力が発生しやすくなる。従って、接合部の接続不良の問題点が生じる。本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、接合部の接続不良を抑制することが可能な電子装置を提供することにある。本発明の電子装置は、電子素子および該電子素子が第1主面に搭載された基板を有するチップ部品と、該チップ部品が前記第1主面を対向させた状態で搭載される配線基板と、前記チップ部品の表面から前記配線基板の表面にかけて設けられ、前記電子素子を封止する封止空間を取り囲む樹脂層とを備え、該樹脂層は、前記封止空間の側方に位置する部位に、外表面に開口する窪み部を有していることを特徴とするものである。本発明の電子装置によれば、電子素子および電子素子が第1主面に搭載された基板を有するチップ部品と、チップ部品が第1主面を対向させた状態で搭載される配線基板と、チップ部品の表面から配線基板の表面にかけて設けられ、電子素子を封止する封止空間を取り囲む樹脂層とを備え、樹脂層は、封止空間の側方に位置する部位に、外表面に開口する窪み部を有していることから、樹脂層における封止空間の側方の部位の体積が減少するので、チップ部品および配線基板の接合部にかかる繰り返し応力を抑制することができる。従って、チップ部品および配線基板の接続不良を抑制できる。以下に、本発明の電子装置の実施の形態の一例について図面を参照しつつ詳細に説明する。第1実施形態図1に示す電子装置1は、チップ部品2と、配線基板3と、樹脂層4とを具備している。図1に示す例においては、電子装置1として弾性表面波装置を示している。電子装置1弾性表面波装置は、携帯電話機、その他の小型通信機器等の電子機器に使用される。配線基板3は、チップ部品2が第1主面21Aを対向させた状態で搭載される。図1に示す例においては、配線基板3は、基板本体31と、この基板本体31上に設けられているパッド電極32、33と、配線図示せず。とを有している。基板本体31は、酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等のセラミック材料が用いられる。また、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の有機樹脂材料を用いてもよい。また、セラミックスまたはガラス等の無機材料をエポキシ樹脂等の有機樹脂材料に混合させて成る複合材等を用いてもよい。基板本体31は、具体的には、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウムとガラス粉末等の原料粉末をシート状に成形して成るグリーンシートを積層し、焼成することにより形成される。なお、基板本体31は、酸化アルミニウム質焼結体で形成するものに限らず、用途や気密封止する電子素子22の特性等に応じて適したものを選択することが好ましい。例えば、基板本体31は、接合材6を介してチップ部品2と電気的機械的に接合されるので、チップ部品2との接合の信頼性、つまり電子素子22の封止の気密性を高くするためには、ムライト質焼結体や、例えばガラス成分の種類や添加量を調整することにより熱膨張係数をチップ部品2の圧電基板21に近似させるようにした材料で形成することが好ましい。このような材料の例としては、酸化アルミニウム-ホウ珪酸ガラス系等のガラスセラミックス焼結体等が挙げられる。また、パッド電極32、33により伝送される電気信号の遅延を防止するような場合には、ポリイミドガラスエポキシ樹脂等の有機樹脂材料、セラミックスやガラス等の無機粉末をエポキシ樹脂等の有機樹脂で結合して成る複合材、または、酸化アルミニウム-ホウ珪酸ガラス系や酸化リチウム系等のガラスセラミックス焼結体等のような比誘電率の小さい材料で形成することが好ましい。図1に示す例においては、この基板本体31の一方の面以下、この面を表面とし、他方の面を裏面とする。上に、パッド電極32が、チップ部品2のパッド電極23と対応する位置に設けられている。基板本体31の裏面上にもパッド電極33が設けられている。基板本体31の内部には、基板本体31の表面上のパッド電極32と、基板本体31の裏面上のパッド電極33とを接続する貫通導体34が設けられている。基板本体31の内部、表面及び裏面等には、配線図示せず。が設けられている。これらの配線によって、配線基板3に実装される各種の電子部品が電気的に接続されることとなる。これらのパッド電極32、33、貫通導体34及び配線は、例えば、W、Cu、Ag、Au等の金属材料で形成されている。また、パッド電極32、33がW、Cu、Agで形成されている場合には、パッド電極32、33の表面に、Niメッキ、及びその上からAuメッキを施すことが好ましい。チップ部品2は、電子素子22および電子素子22が第1主面21Aに搭載された基板21を有する。図1および図2に示す例においては、チップ部品2として弾性表面波素子を示している。また、電子素子22としてIDTInterdigitalTransducer電極22を示している。また、基板21として圧電基板21を示している。この弾性表面波素子は、圧電基板21と、第1主面21A上に設けられたIDT電極22およびパッド電極23とを有している。圧電基板21は、LiTaO3、またはLiNbO3等の圧電性を有する単結晶基板である。圧電基板21の厚さは適宜に設定されてよいが、例えば、0.18mm~0.5mmである。圧電基板21の主面の形状は適宜に設定されてよいが、例えば矩形である。また、圧電基板21の第1主面21Aの寸法は、1辺の長さが、例えば、0.5mm~2mmである。図2に示す例においては、IDT電極22は、圧電基板21の第1主面21A上の中央近傍に、2個並べて配置されている。各IDT電極22は、櫛歯状に形成された2つの電極22a以下、櫛歯状電極22aというによって構成されている。各櫛歯状電極22aは、互いに対向し、電極指が互いに噛み合うように配置されている。パッド電極23は、IDT電極22に電気信号を供給するための電極である。また、図2に示す例においては、パッド電極23は圧電基板21の第1主面21Aに設けられている。パッド電極23は、接合材6を介してパッド電極32に接続されている。これらIDT電極22、パッド電極23は、いずれもAlまたはAl合金例えば、Al-Cu系、Al-Ti系等の金属膜で形成することができる。接合材6は、Sn-Ag系またはSn-Ag-Cu系等の半田、Au-Sn等の低融点ろう材、導電性有機樹脂等により形成されている。また、図示しないが、IDT電極22の露出した表面上には、Si,SiO2,SiNx,Al2O3等の絶縁性の高い材料から成る保護膜を設けてもよい。これによって、導電性の異物がIDT電極22の電極指間に付着することによって短絡が生じることを抑制できる。樹脂層4は、チップ部品2の表面から配線基板3の表面にかけて設けられ、電子素子22を封止する封止空間Sを取り囲んでいる。電子素子22はこの封止空間Sに封止されることにより、外部の空気中の湿気等による劣化を抑制することができる。図1に示す例においては、樹脂層4は、例えば、フェノール系樹脂,ポリイミド系樹脂またはエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂が使用される。また、樹脂層4は、例えば、10~100μmの厚みで形成されている。樹脂層4は、封止空間Sの側方に位置する部位に、外表面に開口する窪み部5を有している。この構成によって、樹脂層4における封止空間Sの側方の部位の体積が減少するので、この側方の部位の剛性が低くなる。よって、チップ部品2および配線基板3の接合部接合材6と樹脂層4とで、熱膨張率に差があったとしても、接合部の熱膨張を、樹脂層4が圧縮する力は抑制される。また、熱収縮しようとする接合部接合材6を、樹脂層4が引っ張る力も抑制される。よって、チップ部品2および配線基板3の接合部にかかる繰り返し応力を抑制できる。従って、チップ部品2および配線基板3の接続不良を抑制できる。また、図3に示す例のように、樹脂層4は、封止空間Sの側方で、チップ部品2の第1主面21A、および配線基板3の表面に接していることが好ましい。この場合には、チップ部品2の上面から加わった力の一部を、封止空間Sの側方の樹脂層4が受け持つので、チップ部品2および配線基板3の接合部接合材6に力が集中するのを抑制することができる。従って、接合部接合材6が破壊することを抑制できる。さらに、図4および図5に示す例のように、窪み部5は第1主面21Aの外周部よりも内方まで延在していることが好ましい。なお、図5における破線は、第1主面21Aの外周部を示している。このような構成によって、封止空間Sの側方の樹脂の剛性をさらに低くできる。よって、チップ部品2および配線基板3の接合部接合材6と樹脂層4とで、熱膨張率に差があったとしても、チップ部品2および配線基板3の接合部にかかる繰り返し応力をさらに抑制できる。窪み部5は、封止空間Sを囲むように、複数が配列されていればよい。また、窪み部5は、封止空間Sを囲むように、連続した環状の溝として設けられていることが好ましい。窪み部5は、樹脂層4の表面から封止空間Sの方に、例えば5~50μm入り込んで設けられている。窪み部5の幅は、例えば、5~20μmである。また、窪み部5の幅は、封止空間Sの高さと同程度であってもよい。図1に示す例においては、窪み部5を断面視した際の形状は四角形状で示されているが、断面視した際の形状は半円形状、半楕円形状等であってもよい。また、窪み部5は、外表面から封止空間S側にかけて、徐々にその幅が広くなっていることが好ましい。この場合には、封止空間S側の側方の樹脂層4の剛性を大幅に減少させつつも、窪み部5の外表面側の開口の幅を小さくできる。よって、樹脂層4のうち、厚みが薄くなっており外部に露出している部分の面積を小さくできる。よって、樹脂層4の強度を高くすることができる。以下に、図1に示す例の電子装置1の製造方法を示す。まず、基板21の第1主面21Aに、電子素子22、パッド電極23をそれぞれ形成する。次に、配線基板3を準備する。ここで、基板本体31にパッド電極32、33及び配線図示せず。を形成する方法としては、メタライズ層、めっき層、蒸着等の金属を薄膜層として被着させる手段を用いることができる。例えば、W及びAgのペーストを配線基板2の基板本体31となるグリーンシートにメタライズ層として印刷してこれをグリーンシートとともに焼成することにより形成される。また、所定の形状を有する金属箔をグリーンシートに転写して同時焼成を行う方法も採用できる。次に、チップ部品2のパッド電極23と、配線基板3のパッド電極32とを、接合材6によって電気的機械的に接続させる。接合材6による接着は、例えば、パッド電極23上に、半田ろう材でバンプを形成しておき、このバンプを溶融させてパッド電極32と接合させる。また、例えば、パッド電極23上に、Au線によるワイヤバンプを形成しておき、別途接合材を介してパッド電極32と接合させてもよい。なお、パッド電極23上にバンプを形成する方法としては、熱圧着法、または熱超音波圧着法等が用いられている。次に、加熱硬化する前のBステージ状態の樹脂層4をチップ部品2の基板21の上面に載せる。ここで、Bステージ状態の樹脂層4に、先端が針状になっている冶具等で予め窪み部5となる溝を設けておく。次に、樹脂層4に高熱を加えることによって、樹脂層4を軟化させ、チップ部品2の表面形状に沿って変形させる。しかる後に、樹脂層4にさらに熱を加え続け、樹脂層4を硬化させて、電子装置1を得る。また、図3及び図4に示す例の電子装置1を作製する場合には、樹脂層4を減圧した空間中で加熱して、チップ部品2の表面形状に沿って変形させる。そして、封止空間Sを樹脂層4によって封止させた状態で減圧を解除する。これにより、封止空間Sの側方の樹脂層4を吸着し、封止空間S中に入り込ませることができる。なお、樹脂層4の硬さ、厚み等に応じて減圧度を調整することによって、図3及び図4に示す窪み部5の大きさを調整できる。しかる後に、樹脂層4にさらに熱を加え続け、樹脂層4を硬化させて、図3及び図4に示すような電子装置1を得る。なお、図4に示す例の電子装置1においては、封止空間Sの側方の樹脂層4が、封止空間Sの中に折り込まれるように設けられている。このような構成とするためには、樹脂層4の厚みが5~25μm程度の薄さであることが必要である。一方で、樹脂層4は、薄さと同時に封止空間S内の気密性を維持することも必要とされる。よって、樹脂層4の内側に無機絶縁層を形成することが好ましい。無機絶縁層は、例えば、アルミナ、シリカ等のセラミック材料、またはガラス材料等からなる。無機絶縁層5の形成方法としては、まず、加熱硬化する前のBステージ状態の樹脂層4に、スパッタリングによって無機絶縁層を形成する。ここでは、例えば、低温スパッタリング法が用いられる。その後、無機絶縁層を形成した樹脂層4をチップ部品2に載置した後、樹脂層4を加熱硬化させて、電子装置1を得ればよい。第2実施形態図6に示す例においては、電子装置1として、マイクロミラーデバイス、光デバイス、マイクロポンプ等として使用される。図6に示す例においては、チップ部品2は、半導体基板基板21を有している。また、チップ部品2は、半導体基板21の第1主面21Aに、微小電子機械機構22としての電子素子22と、パッド電極23を有している。微小電子機械機構22は、パッド電極23と電気的に接続されている。半導体基板21は、シリコン、ポリシリコン等から成る。また、半導体基板21の第1主面21Aに、チップ部品2の微小電子機械機構22を内側に収めるような凹部不図示を形成しておいてもよい。凹部内に微小電子機械機構22の一部を収めるようにしておくと、微小電子機械機構22を収納する空間を形成するための接合材6の高さを低く抑えることができ、電子装置1の低背化に有利なものとなる。凹部はシリコンあるいはポリシリコンをフォトリソグラフィー技術やレーザ加工などのいわゆるマスクレスエッチング技術などを用いて作製され、フッ酸エッチング、ドライエッチングなどのエッチング技術を用いて作製される。半導体基板21の寸法および形状は、図1に示す例の電子装置1における圧電基板21と同様である。微小電子機械機構22は、例えば、電気スイッチ、インダクタ、キャパシタ、共振器、アンテナ、マイクロリレー、光スイッチ、ハードディスク用磁気ヘッド、マイク、バイオセンサー、DNAチップ、マイクロリアクタ、プリントヘッド、加速度センサ、圧力センサなどの各種センサ、ディスプレイデバイス等のいずれかの機能を有している。この微小電子機械機構22は、半導体微細加工技術を基本とした、いわゆるマイクロマシニングで作る部品である。なお、1素子あたり10μm~数100μm程度の寸法を有する。図6に示す例においては、配線基板3は、図1に示す例と同様に、基板本体31と、この基板本体上に設けられているパッド電極32、33と、基板本体31中に設けられた貫通電極34と、配線図示せず。とを有している。図6に示す例においては、配線基板3の上面に、チップ部品2の微小電子機械機構22を内側に収めるような凹部不図示を形成しておいてもよい。凹部内に微小電子機械機構22の一部を収めるようにしておくと、微小電子機械機構22を収納する空間を形成するための接合材6の高さを低く抑えることができ、電子装置1の低背化に有利なものとなる。基板本体31、パッド電極32、33、貫通電極34および配線の材料等は、図1に示す例と同様であるとする。図6に示す例の電子装置1における、樹脂層4は、図1に示す例のものと同様である。なお、本発明は上述した実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更,改良等が可能である。また、例えば、図7に示す例のように、チップ部品2の第1主面21Aの周縁部に、環状の堰7が設けられていることが好ましい。このような構成によれば、前述した製造方法のように、封止空間Sの側方の樹脂層4を吸着して封止空間S内に入り込ませる際、樹脂層4が電子素子22等に付着することを抑制することができる。従って、電子装置1が所望する電気特性の劣化を抑制することができる。また、例えば、図8に示す例のように、配線基板3の表面には、平面視でチップ部品2を囲むように溝8が設けられており、樹脂層4がこの溝8に入り込んでいることが好ましい。この場合には、樹脂層4と配線基板3との接着面積を大きくすることができる。よって、チップ部品2を強固に配線基板3に固定できるので、チップ部品2および配線基板3の接続不良を抑制することができる。"