"一対の信号線と、前記信号線の下方に形成され、樹脂で形成された第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層の下に形成され、電源又はグランドに接続される第1の導電層と、前記信号線の上方に形成され、樹脂で形成された第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層の上に形成され、電源又はグランドに接続される第2の導電層と、を含むことを特徴とする多層回路基板。前記第1の導電層から前記第2の導電層まで貫通する貫通孔と、前記第1の導電層及び前記第2の導電層を覆うと共に、前記貫通孔に埋め込まれた樹脂と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の多層回路基板。前記貫通孔の内壁を覆う導電層を有することを特徴とする請求項2に記載の多層回路基板。樹脂で形成された第1の絶縁層の上に一対の信号線を形成する工程と、前記信号線の上に、樹脂で形成された第2の絶縁層を配置する工程と、前記第1の絶縁層の下面に形成された第1の導電層から、前記第2の絶縁層の上面に形成された第2の導電層までを貫通する貫通孔を形成する工程と、を含む多層回路基板の製造方法。前記貫通孔の内壁を導電膜で覆う工程を有することを特徴とする請求項4に記載の多層回路基板の製造方法。しかしながら、配線パターン111のレイアウトによっては、ガラス繊維織物の方向がたまたま一致することがあり、このような場合には、その領域における信号遅延を防止できなかった。このために、信号遅延を確実に防止しようとすると、配線パターン111のレイアウトに制約が生じていた。さらに、ガラス繊維織物を格子状に織り込んだ大きい基材から、ガラス繊維織物が斜め配置されるように基板を分割しようとすると、使用されない部分が増えるので製造コストが増大する。この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、多層回路基板に用いた差動伝送の信号遅延を防止することを目的とする。実施形態の一観点によれば、一対の信号線と、前記信号線の下方に形成され、樹脂で形成された第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層の下に形成され、電源又はグランドに接続される第1の導電層と、前記信号線の上方に形成され、樹脂で形成された第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層の上に形成され、電源又はグランドに接続される第2の導電層と、を含むことを特徴とする多層回路基板が提供される。また、実施形態の別の観点によれば、樹脂で形成された第1の絶縁層の上に一対の信号線を形成する工程と、前記信号線の上に、樹脂で形成された第2の絶縁層を配置する工程と、前記第1の絶縁層の下面に形成された第1の導電層から、前記第2の絶縁層の上面に形成された第2の導電層までを貫通する貫通孔を形成する工程と、を含む多層回路基板の製造方法が提供される。信号線と第1及び第2の導電層との間に、ガラス繊維織物を有しない樹脂で形成された絶縁層を配置したので、ガラス繊維織物の影響を受けない。発明の目的及び利点は、請求の範囲に具体的に記載された構成要素及び組み合わせによって実現され達成される。前述の一般的な説明及び以下の詳細な説明は、典型例及び説明のためのものであって、本発明を限定するためのものではない。第1の実施の形態図面を参照して第1の実施の形態に係る多層回路基板の製造方法について説明する。まず、図1Aに示す断面構造を得るまでの工程について説明する。絶縁層1の両面に銅箔2A,2Bを1枚ずつ貼り付けて両面銅張り板3を形成する。絶縁層1は、加撓性を有し、ガラス繊維を含まない。さらに、絶縁層1は、多層回路基板が使用される温度範囲内にはガラス転移温度を有しないポリイミド樹脂フィルムが用いられる。より好ましくは、絶縁層1は銅箔2A,2Bと同じか同程度の熱膨張率を有する樹脂から形成される。このような絶縁層1としては、例えば、ポリイミドフィルムの一種である宇部興産株式会社製のユーピレックスが使用できる。また、この絶縁層1の厚さは、任意に選択できるが例えば100μmの厚さとする。上側の銅箔2A第2の導電層は、絶縁層1の上面の全体を覆い、下側の銅箔2B第1の導電層は絶縁層1の下面の全面を覆う。続いて、両面銅張り板3の各銅箔2A,2Bのそれぞれの表面にフォトレジスト膜5A,5Bを塗布によって形成する。フォトレジスト膜5Aは上側の銅箔2Aの全面を覆い、フォトレジスト膜5Bは下側の銅箔2Bの全面を覆う。図1Bに示すように、上側のフォトレジスト膜5Aを露光及び現像してパターニングしてレジストパターン5Cを形成する。フォトレジストパターン5Cは、後の工程で形成する配線のパターンに併せてレジスト膜5Aが部分的に残されることによって形成される。一方、下側のフォトレジスト膜5Bは、パターニングしない。ここで、上側のフォトレジスト膜5Aをパターニングする代わりに、下側のフォトレジスト膜5Bをパターニングしても良い。この後、図1Cに断面構造を示すように、レジストパターン5Cをマスクにして上側の銅箔2Aをウェットエッチングして一対の配線パターン10を形成する。一対の配線パターン10は、所定の間隔を設けて平行に配置され、例えば、高速差動伝送の信号線として用いられる。一方、下側の銅箔2Bは、フォトレジスト膜5Bにカバーされているので、エッチングされない。一対の配線パターン10上に残されたフォトレジストパターン5Cと、下面側の銅箔2Bを保護していたフォトレジスト膜5Bは、アッシングや薬液処理によって除去する。これによって、絶縁層1の片面のみに配線パターン10が形成され、下側の銅箔2Bが残されたコア材11が得られる。一方、図1Dに示すように、別の両面銅張り板3を形成し、上側の銅箔2Aの全面にフォトレジスト膜5Aを塗布によって形成する。下側の銅箔2Bにはフォトレジスト膜5Bを塗布しない。続いて、露出している下側の銅箔2Bをウェットエッチングによって除去する。このとき、上側の銅箔2Aはフォトレジスト膜5Aで保護されているので全て残る。これによって、図1Eに示すように、片面銅張りコア材20が得られる。片面銅張りコア材20としては、絶縁層1の上側のみに銅箔2Aを予め貼り付けたコア材を使用しても良い。続いて、図1Fに示すように、コア材11の上に、接着層25を介して片面銅張りコア材20を積層する。接着層25は、コア材11の配線パターン10上に配置され、片面銅張りコア材20は、接着層25に樹脂層1を密着させる。接着層25には、例えば、京セラケミカル製のTFA-860FBが用いられ、その厚さは25μmとする。この後、コア材11及び片面銅張りコア材20を加熱が可能な真空プレスによって一体化させる。これによって、図1Gに示すように、3層板31が形成される。3層板31は、一対の配線パターン10を絶縁層1が上下に挟み、下側の絶縁層1第1の絶縁層を介して銅箔2Bが配置され、上側の絶縁膜1第2の絶縁層を介して銅箔2Aが配置された構造を有する。銅箔2A,2Bの幅は、各配線パターン10の幅より十分に大きい。このような構造は、配線パターン10を信号線とし、その上下の銅箔2A,2Bを電源層又はグランド層とするストリップライン構造である。次に、図1Hに示す断面構造を得るまでの工程について説明する。上側の銅箔2Aの表面にフォトレジスト膜32Aを塗布によって形成する。同様に、下側の銅箔2Bの表面にフォトレジスト膜32Bを塗布によって形成する。さらに、それぞれのフォトレジスト膜32A,32Bを露光及び現像してパターニングする。このときに形成されるレジストパターン33A,33Bは、後の工程で形成する配線のパターンに併せてフォトレジスト膜32A,32Bが残されることで形成される。続いて、レジストパターン33A,33Bをマスクとして用いて銅箔2A,2Bをウェットエッチングする。レジストパターン33Aから露出する銅箔2Aと、レジストパターン33Bから露出する銅箔2Bとが除去される。これによって、上面と下面のそれぞれに表面配線パターン35を有する3層配線板41が形成される。表面配線パターン35は、一対の配線パターン10の上下に配置されるグランド層36,37と、一対の配線パターン10が存在しない領域に形成された配線パターン38,39とを有する。グランド層36,37は、いずれか一方を電源層として使用しても良いし、両方を電源層として使用しても良い。配線パターン38,39は、不図示の回路や他の部品などに電気的に接続される。このように、この3層配線板41は、一対の配線パターン10を有するストリップライン構造と、配線パターン38,39とが一体に形成された多層の回路基板である。差動伝送の信号線として使用される一対の配線パターン10の上下には、配線パターン38,39が形成されないので、配線パターン10と配線パターン38,39の間のクロストークは生じない。続いて、図1Iに示す断面構造を得るまでの工程について説明する。表面配線パターン35上に残されたレジストパターン33A,33Bをアッシングや薬液処理によって除去する。続いて、3層配線板41の所定位置に不図示の機械ドリルを用いて、貫通孔42を複数形成する。貫通孔42は、上側の表面配線パターン35銅箔2Aから下側の表面配線パターン35銅箔2Bまで貫通し、少なくとも配線パターン10を挟む位置に1つずつ形成される。また、図示を省略するが、貫通孔42は、配線パターン10に沿って細長に形成しても良い。この後、3層配線板41を含む多数の基板材料を積層する。この実施の形態では、図1Jに示すように、下側から銅箔44、未硬化の樹脂層43、3層配線板41、未硬化の樹脂層43、3層配線板41、未硬化の樹脂層43、銅箔44を積層する。未硬化の樹脂層43は、エポキシ樹脂などの熱硬化性の樹脂43Aにガラス繊維織物43Bを含有させた構成を有し、ガラス繊維織物は、例えば2方向に交差するように積層されたガラスクロスになっている。図1Iに配列して表示する積層体の積層数や、構成要素の種類は、これに限定されない。例えば、銅箔44、未硬化の樹脂層43、3層配線板41、未硬化の樹脂層43、銅箔44を積層させても良い。図1Kに示すように、3層配線板41などを積層した状態では、3層配線板41の上側のグランド層36と配線パターン38の上に未硬化の樹脂層43第2の層間絶縁層が密着配置される。このために、グランド層36及び配線パターン38の間の配線溝35Aは空洞になっている。同様に、3層配線板41の下側のグランド層37と配線パターン39の下に未硬化の樹脂層43第1の層間絶縁層が密着配置される。このために、グランド層37及び配線パターン39の間の配線溝35Aは空洞になっている。さらに、貫通孔42は、空洞のままである。続いて、図1Lに示す断面構造を得るまでの工程について説明する。3層配線板41の上下に未硬化の樹脂層43と銅箔44をそれぞれ重ねた後、真空プレスによって一括積層する。真空プレス時の加熱によって、樹脂層43の樹脂43Aが溶融、硬化する過程で、樹脂43Aが配線パターン38,39などの溝35Aに充填される。同様に、溶融した樹脂43Aが3層配線板41の貫通孔42に埋め込まれる。この状態で樹脂を硬化させると、貫通孔42が樹脂43Aで埋められる。さらに、各3層配線板41が上下の一対の硬化した樹脂層45によって挟まれることで一体化された多層の回路基板51が形成される。ここで、一括成型時に樹脂43Aが貫通孔42に充填されることによって、3層配線板41を上下に挟む一対の樹脂層43が一体となって硬化させられる。貫通孔42を通り上下一体となった樹脂43Aは、各3層配線板41のハトメとして機能する。即ち、3層配線板41は、樹脂層45によって上下から強固に押さえ付けされているので、膨らむことはできない。例えば、外部から熱が加えられたときに、接着層25にガスが発生し、かつそのガスが集まった場合には、ガスが膨らもうとする力によって、3層配線板41が押し拡げられて、樹脂層1や配線パターン10が剥がれ易くなることが考えられる。しかしながら、この多層の回路基板51では、貫通孔42を通って上下に連結された樹脂43Aが3層配線板41を上と下から押さえ込むことによって、3層配線板41の膨らみを防止し、絶縁層1や接着層25、配線パターン10などの層間剥離が防止される。以上、説明したように、この実施形態によれば、配線パターン10を内蔵した3層配線板41の絶縁層1にガラス繊維織物を有しないポリイミドフィルムなどの樹脂材料を用いたので、ガラス繊維織物の疎密による影響を排除できる。一対の配線パターン10を差動伝送に用いた場合には、信号遅延を低減でき、信頼性の高い多層回路基板が得られる。3層配線板41は、ストリップライン構造が一体的に形成されているので、取り扱いが容易である。例えば、図4bに示す従来の多層回路基板120と同じ積層構造を形成した場合に比べて、多層回路基板51は厚さが薄くなる。また、3層配線板41に貫通孔42を形成し、一括積層時に貫通孔42内に樹脂43Aを埋め込むようにしたので、3層配線板41を挟む一対の樹脂層45及び貫通孔42内の樹脂43Aで3層配線板41の層間剥離を防止できる。これによって、多層回路基板51には、高い寸法精度や高い信頼性、熱安定性を実現できる。貫通孔42は、一対の配線パターン10を挟む位置に形成したので、一対の配線パターン10が形成された領域の層間剥離をより確実に防止できる。また、樹脂43Aは、貫通孔42内に隙間無く充填されることが好ましいが、層間剥離を防止できる強度を有するのであれば、一部に空隙を有しても良い。さらに、絶縁層1は、多層回路基板51の使用温度範囲内ではガラス転移しない材料を用いて製造されているので、銅箔2を用いた表面配線パターン35との間に反りや剥がれを生じ難い。このために、3層配線板41を一体として取り扱うことができ、使用温度範囲内での信頼性を向上できる。第2の実施の形態図面を参照して第2の実施の形態について説明する。第1の実施の形態と同じ構成要素には同一の符号を付してある。また、第1の実施の形態と重複する説明は省略する。最初に、図1Aから図1Iに示すように、3層配線板41を形成し、一対の配線パターン10を挟むように貫通孔42を形成する。続いて、図2Aに示すように、貫通孔42の内壁に、例えば銅などの導電膜62を成長させる。導電膜62は、電解めっき法又は無電解めっき法によって所定の厚さに形成される。一対の配線パターン10の上下のグランド層36,37は、貫通孔42内の導電膜62によって電気的に接続される。グランド層36,37は、電源パターンとして使用することも可能である。続いて、図2Bに示すように、下側から銅箔44、未硬化の樹脂層43、貫通孔42に導電膜62を形成した3層配線板61、未硬化の樹脂層43、3層配線板61、未硬化の樹脂層43、銅箔44を積層する。この段階では、グランド層37及び配線パターン39の間の配線溝35Aは空洞になっている。さらに、貫通孔42は、空洞のままである。続いて、図2Cに示すように、真空プレスによって多層回路基板65を一括積層によって形成する。真空プレス時の加熱によって、樹脂層43の樹脂43Aが溶融、硬化する過程で、樹脂43Aが配線パターン37,39などの溝35Aに充填される。同様に、溶融した樹脂43Aが3層配線板61の貫通孔42に充填される。この状態で樹脂を硬化させると、貫通孔42が樹脂43Aで埋められる。さらに、各3層配線板61が上下の一対の硬化した樹脂層45によって挟まれることで一体化された多層の回路基板65が形成される。ここで、貫通孔42に充填された樹脂43Aがハトメとなり、3層配線板41の上下に配置された樹脂層43が接着層23の膨らみを防止する。さらに、貫通孔42の内壁に形成された導電膜62もハトメとして機能して接着層23の膨らみを防止する。以上、説明したように、この実施形態によれば、3層配線板61の貫通孔42に導電膜62を形成したので、3層配線板41を挟む一対の樹脂層45及び貫通孔42内の樹脂43Aで3層配線板41の層間剥離をさらに防止できる。その他の作用及び効果は、第1の実施の形態と同様である。ここで、実施形態の変形例について説明する。図3に示すように、一対の配線パターン10を挟む一対のグランド層36,37を切り欠き68によって区画しても良い。また、図示を省略するが、図1Iに示す3層配線板41に切り欠き68を形成しても良い。ここで挙げた全ての例及び条件的表現は、発明者が技術促進に貢献した発明及び概念を読者が理解するのを助けるためのものであり、ここで具体的に挙げたそのような例及び条件に限定することなく解釈するものであり、また、明細書におけるそのような例の編成は本発明の優劣を示すこととは関係ない。本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、それに対して種々の変更、置換及び変形を施すことができる。以下に、前記の実施の形態の特徴を付記する。付記1一対の信号線と、前記信号線の下方に形成され、樹脂で形成された第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層の下に形成され、電源又はグランドに接続される第1の導電層と、前記信号線の上方に形成され、樹脂で形成された第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層の上に形成され、電源又はグランドに接続される第2の導電層と、を含むことを特徴とする多層回路基板。付記2前記第1の導電層から前記第2の導電層まで貫通する貫通孔と、前記第1の導電層及び前記第2の導電層を覆うと共に、前記貫通孔に埋め込まれた樹脂と、を含むことを特徴とする付記1に記載の多層回路基板。付記3前記貫通孔の内壁を覆う導電膜を有することを特徴とする付記2に記載の多層回路基板。付記4前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層は、使用温度範囲内でガラス転移温度を有しないポリイミド樹脂から形成されていることを特徴とする付記1乃至付記3のいずれか一項に記載の多層回路基板。付記5前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層は、前記第1の導電層及び前記第2の導電層と同じ熱膨張率を有することを特徴とする付記4に記載の多層回路基板。付記6前記貫通孔は、前記一対の信号線を挟んで形成されていることを特徴とする付記1乃至付記5のいずれか一項に記載の多層回路基板。付記7樹脂で形成された第1の絶縁層の上に一対の信号線を形成する工程と、前記信号線の上に、樹脂で形成された第2の絶縁層を配置する工程と、前記第1の絶縁層の下面に形成された第1の導電層から、前記第2の絶縁層の上面に形成された第2の導電層までを貫通する貫通孔を形成する工程と、を含む多層回路基板の製造方法。付記8前記貫通孔の内壁を導電膜で覆う工程を有することを特徴とする付記7に記載の多層回路基板の製造方法。付記9前記第1の導電層の下に未硬化の樹脂を含む第1の層間絶縁層を配置し、前記第2の導電層の上に未硬化の樹脂を含む第2の層間絶縁層を配置し、前記第1の層間絶縁層を前記第1の導電層に、前記第2の層間絶縁層を前記第2の導電層にそれぞれ接合する際に、前記第1の層間絶縁層及び前記第2の層間絶縁層の樹脂を前記貫通孔に埋め込む工程を含むことを特徴とする付記7又は付記8に記載の多層回路基板の製造方法。付記10前記第1の層間絶縁層を前記第1の導電層に、前記第2の層間絶縁層を前記第2の導電層にそれぞれ接合する工程は、未硬化の樹脂を溶融させて前記貫通孔に埋め込む工程と、溶融した樹脂を硬化させる工程とを含むことを特徴とする付記9に記載の多層回路基板の製造方法。1絶縁層第1の絶縁層、第2の絶縁層2A銅箔第2の導体層2B銅箔第1の導電層10配線パターン信号線41、613層配線板42貫通孔43A樹脂51、65多層回路基板62導電膜"