"Si半導体素子と、ワイドバンドギャップ半導体素子とを備えた電力用半導体モジュールであって、前記ワイドバンドギャップ半導体素子は、前記電力用半導体モジュールの中央領域に配置され、前記Si半導体素子は、前記中央領域の両側または周辺に配置されたことを特徴とする電力用半導体モジュール。Si半導体素子と、ワイドバンドギャップ半導体素子とを備えた電力用半導体モジュールであって、前記ワイドバンドギャップ半導体素子は、前記複数のSi半導体素子に挟まれるように配置、または囲まれるように配置されたことを特徴とする電力用半導体モジュール。前記Si半導体素子はスイッチング素子であり、前記ワイドバンドギャップ半導体素子はダイオードであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電力用半導体モジュール。前記Si半導体素子はダイオードであり、前記ワイドバンドギャップ半導体素子はスイッチング素子であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電力用半導体モジュール。前記Si半導体素子および前記ワイドバンドギャップ半導体素子は、同一の絶縁基板に実装されたことを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の電力用半導体モジュール。前記Si半導体素子および前記ワイドバンドギャップ半導体素子は、それぞれ別々の絶縁基板に実装されたことを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の電力用半導体モジュール。前記Si半導体素子が実装された絶縁基板および前記ワイドバンドギャップ半導体素子が実装された絶縁基板は、同一のベース板上に設置されたことを特徴とする請求項5または6に記載の電力用半導体モジュール。前記Si半導体素子が実装された絶縁基板および前記ワイドバンドギャップ半導体素子が実装された絶縁基板は、それぞれ別々のベース板上に設置されたことを特徴とする請求項6に記載の電力用半導体モジュール。前記ワイドバンドギャップ半導体素子が配置された領域を覆う絶縁封止材は、前記Si半導体素子が配置された領域を覆う絶縁封止材よりも高耐熱特性を有することを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載の電力用半導体モジュール。前記ワイドバンドギャップ半導体素子が配置された領域を覆う絶縁封止材は、フッ素系樹脂、ポリイミド、ポリアミド、エポキシ、高耐熱シリコーン系樹脂のいずれかで形成され、前記Si半導体素子が配置された領域を覆う絶縁封止材は、シリコーンゲルまたはシリコーンゴムで形成されたことを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載の電力用半導体モジュール。前記ワイドバンドギャップ半導体素子は、シリコンカーバイト、窒化ガリウム系材料、またはダイヤモンドで作製されたことを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載の電力用半導体モジュール。Si製スイッチング素子とSiC製ダイオードを同一の電力用半導体モジュール内に配置する場合、Si製スイッチング素子に比べてSiC製ダイオードの方が、損失が小さく、高温での動作が可能であるため、その特性を考慮し、熱的に最適な配置や構造とする必要がある。特許文献1に示された従来の半導体モジュールでは、Si製スイッチング素子とSiC製ダイオードは左右に分かれて配置されている。Si製スイッチング素子とSiC製ダイオードは別々の絶縁基板上に配置されているが、複数のSi製スイッチング素子を配置する場合、Si製スイッチング素子同士の熱干渉により、電力用半導体モジュールの中央領域に配置されたSi製スイッチング素子の温度が上昇する可能性があるという問題点があった。この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、Si半導体で作製されたスイッチング素子と、より高温利用可能なワイドバンドギャップ半導体で作製されたダイオードとを同一の電力用半導体モジュール内に配置する場合、Si半導体で作製されたスイッチング素子の温度上昇が低く抑えられ、冷却効率の高い電力用半導体モジュールを得るものである。この発明に係る電力用半導体モジュールは、Si半導体素子と、ワイドバンドギャップ半導体素子とを備えた電力用半導体モジュールであって、ワイドバンドギャップ半導体素子は、電力用半導体モジュールの中央領域に配置され、Si半導体素子は、中央領域の両側または周辺に配置されたものである。この発明に係る電力用半導体モジュールは、ワイドバンドギャップ半導体素子が電力用半導体モジュールの中央領域に配置され、Si半導体素子が中央領域の両側または周辺に配置されるので、Si半導体素子の温度上昇が低く抑えられ、電力用半導体モジュールの冷却効率を高くすることができる。実施の形態1.図1は、この発明を実施するための実施の形態1における電力用半導体モジュールの断面図であり、電力用半導体モジュールの断面を簡略化して示した図である。図1において、電力用半導体モジュール100は、ベース板1、絶縁基板2、導体パターン3、Si半導体で作製されたSi製スイッチング素子4、ワイドバンドギャップ半導体であるSiC半導体で作製されたSiC製ダイオード5、ワイヤ配線6、主電極7,8、制御端子9,10、ケース11、絶縁封止材12などによって構成されている。Si製スイッチング素子4がSi半導体素子であり、SiC製ダイオード5がワイドバンドギャップ半導体素子である。ベース板1は、電力用半導体モジュール100を外部の冷却器へ取り付けるものであり、ベース板1の一方の面図1においては下側に図示しない冷却器が外部から取り付けられる。ベース板1を介して、電力用半導体モジュール100内部で発生した熱は外部へ放出される。ベース板1の他方の面図1においては上側には絶縁基板2が半田などにより設置されている。絶縁基板2の一方の面図1においては下側はベース板1に取り付けられる面であるが、絶縁基板2の他方の面図1においては上側には電流経路となる導体パターン3が形成されている。導体パターン3上にはSi製スイッチング素子4とSiC製ダイオード5が実装されている。Si製スイッチング素子4はオン/オフ制御可能な半導体素子であれば良く、例えばIGBTInsulatedGateBipolarTransistorやMOSFETMetal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistorなどが用いられる。また、SiC製ダイオード5としては、例えばショットキーバリアダイオードやPiNp-intrinsic-nダイオードなどが用いられる。Si製スイッチング素子4とSiC製ダイオード5は電気的には逆並列に接続されており、例えばSi製スイッチング素子4としてIGBTを用いる場合には、IGBTのコレクタとSiC製ダイオード5のカソードが導体パターン3を介して電気的に接続される。Si製スイッチング素子4およびSiC製ダイオード5にはワイヤ配線6が施されており、導体パターン3およびワイヤ配線6を介して電気的に主電極7,8および制御端子9,10に接続されている。主電極7,8は、図示しない外部回路に接続され、電力変換器などの主回路を構成する。制御端子9,10には、Si製スイッチング素子4をオン/オフ制御する制御信号が外部回路から与えられる。なお、図1では電力用半導体モジュール内の構成をわかりやすくするために、主電極7,8および制御端子9,10を簡略化して記載している。Si製スイッチング素子4やSiC製ダイオード5などの電力用半導体モジュール100を構成する部品類はケース11内に収納されている。そして、電力用半導体モジュール100内部の絶縁を保つため、ケース11内には絶縁封止材12が充填されている。図2は、図1に示した状態から主電極7,8、制御端子9,10、ケース11、および絶縁封止材12を外した状態で電力用半導体モジュール100を上面から見た場合の電力用半導体モジュールの内部配置を示す上面図である。図2において、図1と同一の符号を付したものは、同一またはこれに相当するものであり、このことは明細書の全文において共通することである。図1に示した主電極7は、導体パターン3上の主電極取り付け点13に接続され、主電極8、制御端子9,10はそれぞれ、主電極取り付け点14、制御端子取り付け点15,16に接続され、導体パターン3およびワイヤ配線6を介して、Si製スイッチング素子4やSiC製ダイオード5と電気的に接続されている。また、ベース板1には取り付け穴17が設けられており、電力用半導体モジュール100は取り付け穴17を利用して外部の冷却器などに取り付けられる。Si製スイッチング素子4、SiC製ダイオード5は、電力用半導体モジュール100にそれぞれ複数個図2では、Si製スイッチング素子4が16個、SiC製ダイオード5が32個配置されている。図2において、複数のSiC製ダイオード5は、電力用半導体モジュール100の中央領域にまとまって配置されている。本実施の形態における、中央領域とは、電力用半導体モジュール100を上面から見て左右を分断する帯状の領域のことである。複数のSi製スイッチング素子4は、この中央領域の両側の領域に分かれて配置電力用半導体モジュール100の両サイドに配置されている。つまり、SiC製ダイオード5は、複数のSi製スイッチング素子4の間に挟まれるように配置されている。一例として、図2では、電力用半導体モジュール100の両側に8個ずつ分かれてSi製スイッチング素子4が配置され、その間に32個のSiC製ダイオード5が配置されている。一般に、スイッチング素子やダイオードなどの半導体素子を同一の電力用半導体モジュール内に多数実装する場合、各半導体素子の損失が同じであっても、電力用半導体モジュールの中央領域に実装された半導体素子は放熱しにくいため、温度が上昇しやすい。一方、電力用半導体モジュールの両サイドまたは周辺部に実装された半導体素子は放熱しやすく、温度上昇しにくい。このため、例えばダイオードにスイッチング素子と同じSi半導体を用いて電力用半導体モジュールの中央領域に実装した場合、ダイオードの温度が上昇しすぎるという問題がある。しかしながら、SiC製ダイオードは低損失という特徴があるため、本実施の形態のように、SiC製ダイオード5を電力用半導体モジュール100の中央領域に配置しても、温度上昇を抑制することができる。また、SiC製ダイオード5は高温利用可能であるため、温度が上昇しやすい中央領域に配置しても、正常に動作させることができる。さらに、Si製スイッチング素子4を中央領域の両側に配置したため、Si製スイッチング素子4からの放熱がしやすく、温度上昇を抑制することができる。このため、例えば外部に設ける冷却器の小型化や、Si製スイッチング素子4の配置領域を小さくして電力用半導体モジュール100自体を小型化することが可能となる。なお、SiC製ダイオード5は高温利用可能という特徴があり、高温利用する場合には、例えばダイオードの配置領域を小さくできるなどの利点がある。ただし、必ずしも高温で利用する必要はなく、Si製スイッチング素子4と同じ温度範囲で用いても良い。その場合でも、損失が低いことから、電力用半導体モジュール100の中央領域に配置することができる。また、絶縁封止材や半田などのダイオード周辺部品についてもSi製スイッチング素子4と同じ温度範囲で使用できるものが使用可能となる。また、高温まで利用しないため、ヒートサイクルに対する信頼性も向上する。また、電力用半導体モジュール100の中央領域にSiC製ダイオード5を配置し、両側にSi製スイッチング素子4を配置するため、SiC製ダイオード5の放熱性が悪く、Si製スイッチング素子4の放熱性が良くなる。このため、Si製スイッチング素子4の放熱性をSiC製ダイオード5の放熱性より良くするために、Si製スイッチング素子4直下の冷却性能をSiC製ダイオード5直下の冷却性能より高めるような特別な冷却器を設置する必要がなく、それぞれ使用可能な温度範囲で使えるため、汎用性が高くなる。本実施の形態における電力用半導体モジュール100では、同じベース板1、絶縁基板2上にSi製スイッチング素子4とSiC製ダイオード5を配置している。Si製スイッチング素子、SiC製ダイオードをそれぞれ別々の絶縁基板、ベース板上に配置した場合には、熱干渉の影響が抑えられるという利点がある。しかしながら、スイッチング素子の損失が大きくなる運転条件とダイオードの損失が大きくなる運転条件が異なる場合が考えられる。例えば、電力用半導体モジュールをインバータとしてモータ駆動に用いる場合、インバータ側からモータ側にエネルギーを供給する力行運転では、ダイオードに比べてスイッチング素子の通電時間が長く、スイッチング素子の損失が大きくなり、モータ側からインバータ側へエネルギーを供給する回生運転では、スイッチング素子に比べてダイオードの通電時間が長く、ダイオードの損失が大きくなる。このため、SiC製ダイオード5に比べてSi製スイッチング素子4の損失が大きい条件では、SiC製ダイオード5からの熱干渉の影響は小さく、Si製スイッチング素子4から、絶縁基板2、ベース板1全体を使って放熱できるので、同じベース板1、絶縁基板2上にSi製スイッチング素子4とSiC製ダイオード5を配置した方が、電力用半導体モジュール100全体の放熱性が向上する。また、同じベース板1、絶縁基板2上にSi製スイッチング素子4とSiC製ダイオード5を配置した方が、部品点数が減り、配線も容易という利点もある。本実施の形態における電力用半導体モジュールの構成は一例であり、SiC製ダイオード5が電力用半導体モジュール100の中央領域に配置され、Si製スイッチング素子4が中央領域の両側に配置されればよいので、電力用半導体モジュール100を構成する他の部品類の配置などに特に制約はない。例えば、主電極7,8や制御電極9,10とSi製スイッチング素子4やSiC製ダイオード5との間の接続についても、電気的に接続されていれば良く、主電極7,8に直接ワイヤ配線にて接続したり、ワイヤ配線を使わずにブスバーを用いた配線にしても良い。このような場合、電力用半導体モジュール100内部のSi製スイッチング素子4やSiC製ダイオード5の配置が多少変わる可能性があるが、SiC製ダイオード5が電力用半導体モジュール100の中央領域に、Si製スイッチング素子4が中央領域の両側に配置されていれば良い。以上のように、低損失で高温利用可能なワイドバンドギャップ半導体であるSiC半導体で作製されたSiC製ダイオード5を、温度が上昇しやすい電力用半導体モジュール100の中央領域に配置し、Si半導体で作製されたSi製スイッチング素子4を高温になりにくい電力用半導体モジュール100の両サイドに配置するので、Si製スイッチング素子4の温度上昇が低く抑えられ、電力用半導体モジュール100の冷却効率を高くすることができる。なお、本実施の形態では、SiC製ダイオード5を電力用半導体モジュール100の中央領域に配置し、Si製スイッチング素子4を電力用半導体モジュール100の両サイドに配置している場合について説明した。しかしながら、SiC半導体で作製されたSiC製スイッチング素子およびSi半導体で作製されたSi製ダイオードを用い、SiC製スイッチング素子を電力用半導体モジュールの中央領域に配置し、Si製ダイオードを電力用半導体の両サイドに配置してもよい。この場合には、SiC製スイッチング素子およびSi製ダイオードの配置に応じて、導体パターン、ワイヤ配線、主電極、制御端子等も適正に配置される。このように、低損失で高温利用可能なワイドギャップ半導体であるSiC製スイッチング素子を温度が上昇しやすい電力用半導体モジュールの中央領域に配置し、Si製ダイオードを高温になりにくい電力半導体モジュールの両サイドに配置するので、Si製ダイオードの温度上昇が低く抑えられ、電力用半導体モジュールの冷却効率を高くすることができる。実施の形態2.図3は、この発明を実施するための実施の形態2における電力用半導体モジュールの内部配置を示す上面図である。図2と同様に、主電極、制御端子、ケース、および絶縁封止材を外した状態で電力用半導体モジュール200を上面から見た図である。実施の形態1では、SiC製ダイオード5が電力用半導体モジュール100の中央領域に配置され、Si製スイッチング素子4が中央領域の両側に配置されていたが、本実施の形態では、Si製スイッチング素子4が中央領域を囲む周辺部に配置電力用半導体モジュール200の周辺部に配置されている点が実施の形態1と異なる。Si製スイッチング素子4、SiC製ダイオード5は、電力用半導体モジュール200にそれぞれ複数個図3では、Si製スイッチング素子4が16個、SiC製ダイオード5が32個配置されている。図3において、複数のSiC製ダイオード5は、電力用半導体モジュール200の中央領域にまとまって配置されている。本実施の形態における、中央領域とは、電力用半導体モジュール200を上面から見て中心部の領域のことである。複数のSi製スイッチング素子4は、この中央領域を囲む周辺部に配置されている。つまり、Si製スイッチング素子4に囲まれるようにSiC製ダイオード5が電力用半導体モジュール200の中央領域に配置されている。一例として、図3では、外周を形成するように16個のSi製スイッチング素子4が配置され、16個のSi製スイッチング素子4に囲まれるように32個のSiC製ダイオード5が配置されている。なお、Si製スイッチング素子4とSiC製ダイオード5の配置変更に伴い、ワイヤ配線6などの配線パターンも変更されている。本実施の形態によれば、低損失、高温利用可能といった特徴を有するSiC製ダイオード5を用いているので、SiC製ダイオードを電力用半導体モジュール200の中央領域に配置し、全てのSi製スイッチング素子4を中央領域の周辺部に配置することができる。このため、実施の形態1の構成よりも更にSi製スイッチング素子4の放熱性が良く、Si製スイッチング素子4の温度上昇を抑制することができる。なお、SiC製ダイオード5は高温利用可能という特徴があるが、必ずしも高温で使う必要はなく、Si製スイッチング素子4と同じ温度範囲で用いても良い。本実施の形態における電力用半導体モジュールの構成は一例であり、SiC製ダイオード5が電力用半導体モジュール200の中央領域に配置され、Si製スイッチング素子4が中央領域を囲む周辺部に配置されればよいので、実施の形態1と同様に、電力用半導体モジュール200を構成する他の部品類の配置などに特に制約はない。例えば、主電極7,8や制御電極9,10とSi製スイッチング素子4やSiC製ダイオード5との間の接続についても、電気的に接続されていれば良く、主電極7,8に直接ワイヤ配線にて接続したり、ワイヤ配線を使わずにブスバーを用いた配線にしても良い。このような場合、電力用半導体モジュール200内部のSi製スイッチング素子4やSiC製ダイオード5の配置が多少変わる可能性があるが、SiC製ダイオード5が電力用半導体モジュール200の中央領域に配置され、Si製スイッチング素子4が中央領域を囲む周辺部に配置されていれば良い。以上のように、低損失で高温利用可能なワイドバンドギャップ半導体であるSiC半導体で作製されたSiC製ダイオード5を、温度が上昇しやすい電力用半導体モジュール200の中央領域に配置し、Si半導体で作製されたSi製スイッチング素子4を高温になりにくい電力用半導体モジュール200の周辺部に配置するので、Si製スイッチング素子4の温度上昇が低く抑えられ、電力用半導体モジュール200の冷却効率を高くすることができる。なお、本実施の形態では、SiC製ダイオード5を電力用半導体モジュール200の中央領域に配置し、Si製スイッチング素子4を電力用半導体モジュール200の周辺部に配置している場合について説明した。しかしながら、SiC半導体で作製されたSiC製スイッチング素子およびSi半導体で作製されたSi製ダイオードを用い、SiC製スイッチング素子を電力用半導体モジュールの中央領域に配置し、Si製ダイオードを電力用半導体の周辺部に配置してもよい。この場合には、SiC製スイッチング素子およびSi製ダイオードの配置に応じて、導体パターン、ワイヤ配線、主電極、制御端子等も適正に配置される。このように、低損失で高温利用可能なワイドギャップ半導体であるSiC製スイッチング素子を温度が上昇しやすい電力用半導体モジュールの中央領域に配置し、Si製ダイオードを高温になりにくい電力半導体モジュールの周辺部に配置するので、Si製ダイオードの温度上昇が低く抑えられ、電力用半導体モジュールの冷却効率を高くすることができる。実施の形態3.図4は、この発明を実施するための実施の形態3における電力用半導体モジュールの内部配置を示す上面図である。図2と同様に、主電極、制御端子、ケース、および絶縁封止材を外した状態で電力用半導体モジュール300を上面から見た図である。本実施の形態では、Si製スイッチング素子4とSiC製ダイオード5が別々の絶縁基板18,19上に実装されている点が実施の形態1と異なる。Si製スイッチング素子4は、スイッチング素子用絶縁基板18に、SiC製ダイオード5は、ダイオード用絶縁基板19にそれぞれ実装されている。また、Si製スイッチング素子4とSiC製ダイオード5が別々の絶縁基板18,19に実装されるため、スイッチング素子用絶縁基板18の導体パターンとダイオード用絶縁基板19の導体パターンを電気的に接続するワイヤ配線20を別途設けている。なお、ワイヤ配線を用いなくても、電気的に接続されれば良く、例えば、主電極7,8に直接ワイヤ配線にて接続したり、ワイヤ配線を使わずにブスバーを用いた配線にしても良い。実施の形態1、2における電力用半導体モジュールのように、Si製スイッチング素子4とSiC製ダイオード5が同一の絶縁基板2上に実装されている場合、Si製スイッチング素子4とSiC製ダイオード5が同時に発熱する条件で動作させると、Si製スイッチング素子4とSiC製ダイオード5の熱干渉により、温度が上昇する。本実施の形態は、このような熱干渉の影響を軽減するためのものであり、Si製スイッチング素子4とSiC製ダイオード5が別々の絶縁基板18,19上に実装されているので、Si製スイッチング素子4がSiC製ダイオード5からの熱干渉の影響を受けにくくなり、Si製スイッチング素子4の温度上昇を抑制することができる。なお、スイッチング素子用絶縁基板18とダイオード用絶縁基板19は同じ材質であっても良いし、SiC製ダイオード5を高温で利用する場合には耐熱性やヒートサイクル性を考慮して異なる材質のものを用いても良い。以上のように、Si製スイッチング素子4とSiC製ダイオード5が別々の絶縁基板18,19上に実装されているので、Si製スイッチング素子4がSiC製ダイオード5からの熱干渉の影響を受けにくくなり、Si製スイッチング素子4の温度上昇を抑制することができる。実施の形態4.図5は、この発明を実施するための実施の形態4における電力用半導体モジュールの断面図であり、電力用半導体モジュールの断面を簡略化して示した図である。図2と同様に、主電極、制御端子、ケース、および絶縁封止材を外した状態で電力用半導体モジュール400を上面から見た図である。本実施の形態では、Si製スイッチング素子4が実装されたスイッチング素子用絶縁基板18とSiC製ダイオード5が実装されたダイオード用絶縁基板19が別々のベース板21,22上に取り付けられている点が実施の形態3と異なる。Si製スイッチング素子4が実装されたスイッチング素子用絶縁基板18がスイッチング素子用ベース板21に取り付けられ、SiC製ダイオード5が実装されたダイオード用絶縁基板19は、ダイオード用ベース板22に取り付けられている。図5では、ダイオード用ベース板22の両側にスイッチング素子用ベース板21が設けられている。スイッチング素子用ベース板21とダイオード用ベース板22との間は樹脂などの断熱性材料23によって接続されている。また、各ベース板21,22には、取り付け穴17が設けられている。実施の形態1~3における電力用半導体モジュールのように、Si製スイッチング素子4とSiC製ダイオード5が同一のベース板1上に実装されている場合、Si製スイッチング素子4とSiC製ダイオード5が同時に発熱する条件で動作させると、Si製スイッチング素子4とSiC製ダイオード5の熱干渉により、温度が上昇する。本実施の形態は、このような熱干渉の影響を軽減するためのものであり、Si製スイッチング素子4とSiC製ダイオード5が別々のベース板21,22上に実装されているので、Si製スイッチング素子4がSiC製ダイオード5からの熱干渉の影響を受けにくくなり、実施の形態3で示した電力用半導体モジュール300よりさらに、Si製スイッチング素子4の温度上昇を抑制することができる。以上のように、Si製スイッチング素子4とSiC製ダイオード5が別々のベース板21,22上に実装されているので、Si製スイッチング素子4がSiC製ダイオード5からの熱干渉の影響を受けにくくなり、Si製スイッチング素子4の温度上昇を抑制することができる。実施の形態5.図6は、この発明を実施するための実施の形態5における電力用半導体モジュールの断面図であり、電力用半導体モジュールの断面を簡略化して示した図である。図6には、主電極および制御端子を示していない。本実施の形態における電力用半導体モジュール500では、ケース11内に充填される絶縁封止材を1種類とせずに、高耐熱絶縁封止材24と低耐熱絶縁封止材25の2種類を用いている点が実施の形態1~4と異なる。SiC製ダイオード5の周辺には高耐熱絶縁封止材24を用い、Si製スイッチング素子4の周辺など、それ以外の部分には高耐熱封止材24に比べて耐熱性の低い低耐熱絶縁封止材25を用いている。高耐熱絶縁封止材24としては、例えばフッ素系樹脂やポリイミド、ポリアミド、エポキシ、さらには、架橋密度を上げたり、金属酸化物を添加したりした耐熱性を高めたシリコーン系樹脂が用いられる。低耐熱絶縁封止材25としては、シリコーンゲル、シリコーンゴムなどが用いられる。高耐熱絶縁封止材24は、SiC製ダイオード5とSiC製ダイオード5に接続されるワイヤ配線6を覆うことが望ましく、ヒートサイクルに対する信頼性を確保するためには、ワイヤ配線が異なる2種類の絶縁封止材24,25間にまたがらない方が望ましい。このように、SiC製ダイオード5の周辺に高耐熱絶縁封止材24を用いることにより、SiC製ダイオード5を高温まで利用可能となる。また、Si製スイッチング素子4の周辺など、それ以外の部分に低耐熱絶縁封止材25を用いているが、低耐熱絶縁封止材25は高耐熱絶縁封止材24に比べれば安価なため、高耐熱絶縁封止材24のみを用いる場合に比べて、製造コストを抑えることができる。また、フッ素系樹脂やポリイミド、ポリアミドなど、高耐熱絶縁封止材によっては厚膜化が困難な場合もあり、本実施の形態のように高耐熱絶縁封止材24をSiC製ダイオード5周辺のみを覆うように限定することにより、厚膜化の困難な高耐熱絶縁封止材を用いることも可能となる。図6は、Si製スイッチング素子4とSiC製ダイオード5が、別々のベース板21,22や絶縁基板18,19に実装されている場合を示しているが、実施の形態1~3における電力用半導体モジュールのように、Si製スイッチング素子4とSiC製ダイオード5が同一のベース板1に取り付けられた同一の絶縁基板2に実装される場合や、ベース板1は同一であるが別々の絶縁基板18,19上に実装される場合など、Si製スイッチング素子とSiC製ダイオードの配置などが異なる場合においても適用することができる。以上のように、SiC製ダイオード5が配置された領域を覆う高耐熱絶縁封止材24は、Si製スイッチング素子4が配置された領域を覆う低耐熱絶縁封止材25よりも高耐熱特性を有するので、SiC製ダイオード5を高温まで利用可能となる。なお、全ての実施の形態において、ダイオードにSiC半導体を用いる場合について説明を行ったが、Si製スイッチング素子に比べてダイオードの方が低損失、高温利用可能といった特徴を有していれば良く、例えばダイオードに窒化ガリウム系材料、またはダイヤモンドなど他のワイドバンドギャップ半導体を用いても良い。"