"表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの裏面を研削してウエーハを所定の厚みに加工するウエーハの加工方法であって、ウエーハの直径より大きい直径を有する可撓性を有するとともに紫外線を透過する保護シートを準備する保護シート準備工程と、該ウエーハの表面及び外周面を、紫外線硬化樹脂で該保護シートの表面に接合する接合工程と、該接合工程を実施した後、該紫外線硬化樹脂に紫外線を照射して該紫外線硬化樹脂を硬化させ該ウエーハを該保護シートに接合する紫外線硬化樹脂硬化工程と、該ウエーハが接合された該保護シートの裏面を研削装置のチャックテーブルの保持面に吸引保持する第1のウエーハ保持工程と、該第1のウエーハ保持工程を実施した後、該ウエーハの裏面及び該ウエーハの外周に位置する該紫外線硬化樹脂の上面に回転する研削ホイールの研削面を作用させ、該ウエーハの裏面と該紫外線硬化樹脂の上面を研削する研削工程と、該研削工程の実施前もしくは実施後に、該ウエーハの外周に位置する該紫外線硬化樹脂の全外周に渡り、該紫外線硬化樹脂の上面側から該保護シートに接する下面側に向かって径が拡大するように外周が傾斜する外周傾斜面を形成する傾斜面形成工程と、該研削工程及び該傾斜面形成工程を実施した後、該ウエーハが接合されている該保護シートの裏面を研磨装置のチャックテーブルの保持面に吸引保持する第2のウエーハ保持工程と、該第2のウエーハ保持工程を実施した後、該ウエーハの裏面及び該ウエーハの外周に位置する該紫外線硬化樹脂の上面に回転する乾式研磨ホイールの研磨面を作用させ、該ウエーハの裏面と該紫外線硬化樹脂の上面を研磨する乾式研磨工程と、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。前記ウエーハは、サファイアウエーハ、SiCウエーハ、又はGaNウエーハの何れかから構成される請求項1記載のウエーハの加工方法。上述したような技術的進歩により光デバイスウエーハの研削が可能となってきたが、最終的にはシリコンウエーハと同様に研削面を研磨して平坦化する必要がある。研削面の研磨には、化学的機械研磨CMPや固定砥粒による乾式研磨を採用することができる。ところが、CMP加工することにより、表面粗さを0.01μm以下に仕上げるには相当の加工時間を要するため、本発明者は研磨加工時間を短縮化可能な乾式研磨方法について鋭意検討を重ねている。その検討の過程において、紫外線硬化樹脂に固定された光デバイスウエーハの裏面を研磨すると、研磨ホイールに装着した研磨パッドの消耗が格段に多くなるといった問題が発生していた。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、研磨パッドの消耗を抑制可能なウエーハの加工方法を提供することである。本発明によると、表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの裏面を研削してウエーハを所定の厚みに加工するウエーハの加工方法であって、ウエーハの直径より大きい直径を有する可撓性を有するとともに紫外線を透過する保護シートを準備する保護シート準備工程と、該ウエーハの表面及び外周面を、紫外線硬化樹脂で該保護シートの表面に接合する接合工程と、該接合工程を実施した後、該紫外線硬化樹脂に紫外線を照射して該紫外線硬化樹脂を硬化させ該ウエーハを該保護シートに接合する紫外線硬化樹脂硬化工程と、該ウエーハが接合された該保護シートの裏面を研削装置のチャックテーブルの保持面に吸引保持する第1のウエーハ保持工程と、該第1のウエーハ保持工程を実施した後、該ウエーハの裏面及び該ウエーハの外周に位置する該紫外線硬化樹脂の上面に回転する研削ホイールの研削面を作用させ、該ウエーハの裏面と該紫外線硬化樹脂の上面を研削する研削工程と、該研削工程の実施前もしくは実施後に、該ウエーハの外周に位置する該紫外線硬化樹脂の全外周に渡り、該紫外線硬化樹脂の上面側から該保護シートに接する下面側に向かって径が拡大するように外周が傾斜する外周傾斜面を形成する傾斜面形成工程と、該研削工程及び該傾斜面形成工程を実施した後、該ウエーハが接合されている該保護シートの裏面を研磨装置のチャックテーブルの保持面に吸引保持する第2のウエーハ保持工程と、該第2のウエーハ保持工程を実施した後、該ウエーハの裏面及び該ウエーハの外周に位置する該紫外線硬化樹脂の上面に回転する乾式研磨ホイールの研磨面を作用させ、該ウエーハの裏面と該紫外線硬化樹脂の上面を研磨する乾式研磨工程と、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。本発明によると、傾斜面形成工程により、紫外線硬化樹脂の外周に上面側から下面側に向かって径が拡大するような傾斜面を形成したことにより、紫外線硬化樹脂の外周に研磨パッドが衝突する際の衝撃を抑制することができ、研磨パッドの消耗量を削減することができるという効果を奏する。その結果、サイズが大きいため交換作業に時間を要する研磨ホイールの交換回数を削減することができ、比較的高価な研磨ホイールの必要本数を削減することができる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明の加工方法の加工対象となる光デバイスウエーハ11の表面側斜視図が示されている。光デバイスウエーハ11は、サファイア基板13上に窒化ガリウムGaN等のエピタキシャル層半導体層15が積層されて構成されている。光デバイスウエーハ11は、エピタキシャル層15が積層された表面11aと、サファイア基板13が露出した裏面11bとを有している。サファイア基板13は例えば400μmの厚みを有しており、エピタキシャル層15は例えば5μmの厚みを有している。エピタキシャル層15にLED等の光デバイス19が格子状に形成された分割予定ラインストリート17によって区画されて形成されている。本発明のウエーハの加工方法では、まず図2に示すように、光デバイスウエーハ11の直径より大きい直径と可撓性を有し、更に紫外線を透過する材料から形成された保護シート21を準備する。そして、保護シート21の表面21a上に紫外線硬化樹脂23を塗布する。更に、光デバイスウエーハ11の表面11a側を保護シート21に塗布された紫外線硬化樹脂23に押し付け、光デバイスウエーハ11の表面11a及び外周面を紫外線硬化樹脂23に埋め込み、保護シート21の表面21aに弱い粘着力で接合する。次いで、図3に示すように、保護シート21の裏面側から紫外線ランプ25で紫外線硬化樹脂23に紫外線を照射して紫外線硬化樹脂23を硬化させ、紫外線硬化樹脂23を介して光デバイスウエーハ11を保護シート21に完全に接合する。紫外線硬化樹脂硬化工程を実施した後、光デバイスウエーハ11が接合された保護シート21の裏面を研削装置のチャックテーブル10の保持面に吸引保持する第1のウエーハ保持工程。図4において、符号12は研削装置の研削ユニットであり、スピンドル14の先端に固定されたホイールマウント16と、ホイールマウント16にねじ18で着脱可能に装着された研削ホイール20とを含んでいる。研削ホイール20は、環状基台22と、環状基台22の下面外周に固着された複数の研削砥石24とから構成される。研削装置による研削工程では、チャックテーブル10を矢印a方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ユニット12の図示しないサーボモータを駆動して研削ホイール20を矢印bで示す方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、光デバイスウエーハ11の裏面11b及びウエーハ11の外周に位置する紫外線硬化樹脂23の上面に研削砥石24を作用させ、研削ホイール20を所定の研削送り速度で所定量研削送りして、光デバイスウエーハ11を所定の厚さ、例えば100μmに研削する。研削工程実施後の断面図が図5に示されている。研削工程実施後、光デバイスウエーハ11の外周に位置する紫外線硬化樹脂23の全外周に渡り、図6に示すように、紫外線硬化樹脂23の上面側から保護シート21に接する下面側に向かって径が拡大するように外周が傾斜する外周傾斜面27を形成する傾斜面形成工程を実施する。この傾斜面形成工程は、例えば特開2011-71377号公報に示すような外周にテーパ面を有する切削ブレードによる切削か、或いは特開2011-71288号公報に示すような研削ホイールを使用した研削により実施することができる。尚、この傾斜面形成工程は、図4を参照して説明した研削工程の前に実施するようにしてもよい。研削工程及び傾斜面形成工程実施後、研磨装置のチャックテーブルの保持面で保護シート21の裏面を吸引保持し第2のウエーハ保持工程、乾式研磨ホイールの研磨面を光デバイスウエーハ11の裏面11b及びウエーハ11の外周に位置する紫外線硬化樹脂23の上面に作用させて、光デバイスウエーハ11の裏面11bと紫外線硬化樹脂23の上面を研磨する乾式研磨工程を実施する。図7を参照すると、乾式研磨を実施するのに適した研磨装置32の斜視図が示されている。34は研磨装置32のベースであり、ベース34の後方にはコラム36が立設されている。コラム36には、上下方向に伸びる一対のガイドレール38が固定されている。この一対のガイドレール38に沿って研磨ユニット研磨手段40が上下方向に移動可能に装着されている。研磨ユニット40は、スピンドルハウジング42と、スピンドルハウジング42を保持する支持部44を有しており、支持部44が一対のガイドレール38に沿って上下方向に移動する移動基台46に取り付けられている。研磨ユニット40は、スピンドルハウジング42中に回転可能に収容されたスピンドル48と、スピンドル48を回転駆動するモータ50と、スピンドル48の先端に固定されたヘッドマウント52と、ヘッドマウント52に着脱可能に装着された研磨ホイール54とを含んでいる。研磨装置32は、研磨ユニット40を一対の案内レール38に沿って上下方向に移動するボールねじ58とパルスモータ60とから構成される研磨ユニット送り機構62を備えている。パルスモータ60を駆動すると、ボールねじ58が回転し、移動基台46が上下方向に移動される。ベース34の上面には凹部34aが形成されており、この凹部34aにチャックテーブル機構64が配設されている。チャックテーブル機構64はチャックテーブル66を有しており、チャックテーブル66は図示しない移動機構によりウエーハ着脱位置Aと、研磨ユニット40に対向する研磨位置Bとの間でY軸方向に移動される。68,70は蛇腹である。ベース34の前方側には、研磨装置32のオペレータが研磨条件等を入力する操作パネル72が配設されている。図8に示すように、研磨ホイール54は、基台55に研磨パッド56を接着して構成される。研磨パッド56は中心穴56aを有しており、その研磨面56bは環状に形成されている。研磨ホイール54の基台55も研磨パッド56の中心穴56aと同径の中心穴55aを有している。中心穴55aはスピンドル48に形成された中心穴48aに連通されている。本実施形態の研磨方法によると、チャックテーブル66で吸引保持された研削済みの光デバイスウエーハ11の裏面11b及びウエーハ11の外周に位置する紫外線硬化樹脂23の上面を研磨面56bで覆った状態で、チャックテーブル66を矢印a方向に例えば60rpmで回転させるとともに、研磨ホイール54を矢印b方向に例えば1200rpmで回転させて、光デバイスウエーハ11の裏面11bと紫外線硬化樹脂23の上面を研磨する。研磨量は約1μm程度であるのが好ましい。この乾式研磨により研削歪を除去できるとともに、光デバイスウエーハ11の裏面11bの面粗さを0.0002μm以下の平滑面に仕上げることができる。本実施形態の乾式研磨工程では、光デバイスウエーハ11の裏面11bが研磨パッド56で覆われた状態で、且つ図6に示すように、紫外線硬化樹脂23に外周傾斜面27が形成された状態で研磨が遂行されるため、研磨パッド56の研磨面56bが紫外線硬化樹脂23に衝突する際の衝撃が緩和されて、光デバイスウエーハ11の外周に欠けが発生することが防止されるとともに、研磨パッド56の消耗を外周傾斜面27を有しない場合に比較して約半分程度に削減することができる。以上説明した実施形態では、本発明の加工方法をサファイア基板から形成された光デバイスウエーハ11に適用した例について説明したが、本発明の加工方法が適用される被加工物はこれに限定されるものではなく、SiC基板、GaN基板等にも同様に適用することができる。"