樹脂被覆基板への少なくとも1つのブロックの投影に基づいた照射リソグラフィ方法であって、前記ブロックを前記基板に投影すべき個々のセル140aに分割するステップと、照射源110aによって前記セルを形成するステップとを含み、前記個々のセル140aのメッシュを前記工程の最大アパーチャにより特定の寸法に合わせることを特徴とする方法。照射エネルギーの線量が、前記少なくとも1つのブロックのすべての個々のセルについて、前記ブロックの端部近傍以外において均一であることを特徴とする、請求項1に記載のリソグラフィ方法。個々のセルの少なくとも1つの列が、エッチングすべき前記ブロックの端部の外側に位置することを特徴とする、請求項1または2に記載のリソグラフィ方法。エッチングすべき前記ブロックの端部近傍に位置していない個々のセルが隣接していないことを特徴とする、請求項1~3のいずれか一項に記載のリソグラフィ方法。前記個々のセル140aの前記メッシュが、前記工程の前記セルの標準メッシュより約125大きいことを特徴とする、請求項1~4のいずれか一項に記載のリソグラフィ方法。前記工程の前記セルの前記通常メッシュが、約1.6μm×1.6μmであることを特徴とする、請求項5に記載のリソグラフィ方法。請求項1~6のいずれか一項に記載のリソグラフィ方法が、ブロック端部の外側に位置付けすべきショットの幅を計算するステップと、前記ブロックの前記端部上の線量調整を計算するステップと、前記ショットを前記ブロックの外側に位置付けするステップとをさらに含み、前記幅の計算と前記線量調整の計算が、工程エネルギー自由度に関する関数関係によって関連していることを特徴とするリソグラフィ方法。前記ブロックの前記端部上の前記線量調整を計算する前記ステップが、前記照射線量と前記端部のパターンとの畳み込みによって前記線量を計算するサブステップを含むことを特徴とする、請求項7に記載のリソグラフィ方法。前記ブロックの前記端部上の前記線量調整を計算する前記ステップが、パラメータの表を呼び出すことにより前記線量を計算するサブステップを含むことを特徴とする、請求項7に記載のリソグラフィ方法。請求項8または9に記載のリソグラフィ方法が、前記ブロックの前記端部と、前記ブロックの外側に位置付けすべきショットとの間の少なくとも1つの間隔を計算するステップをさらに含むことを特徴とする、リソグラフィ方法。ブロックの寸法が500nmと等しいことを特徴とする、請求項1~10のいずれか一項に記載のリソグラフィ方法。樹脂被覆基板への少なくとも1つのブロックの投影に基づいた照射リソグラフィ方法を実行するように構成されたプログラムコード命令を含むコンピュータプログラムであって、前記プログラムをコンピュータ上で実行する場合、前記プログラムが、前記基板へ投影すべき個々のセルに前記ブロックを分割するモジュールと、照射源によって前記セルの形成を制御することができるモジュールとを含み、前記モジュールが前記工程の最大アパーチャによって決定した寸法への前記個々のセルの形成を制御することができることを特徴とする、請求項1~11のいずれか一項に記載のコンピュータプログラム。前記セルの前記形成を制御するための前記モジュールが、前記少なくとも1つのブロックのすべての前記個々のセルについて、前記ブロックの端部近傍以外において均一な前記照射エネルギーの線量を生成することを特徴とする、請求項12に記載のコンピュータプログラム。請求項12または13に記載のコンピュータプログラムが、ブロック端部の外側に位置付けすべきショットの幅の計算および、前記ブロックの前記端部上の線量調整の計算を行うことができるモジュールと、前記ブロックの外側に前記ショットを位置付けすることができるモジュールとをさらに含み、前記幅の計算と前記線量調整の計算とが工程エネルギー自由度に関する関数関係によって関連していることを特徴とする、コンピュータプログラム。請求項12または13に記載のコンピュータプログラムが、前記ブロックの前記端部と前記ブロックの外側に位置付けすべきショットとの間の少なくとも1つの間隔の計算を行うことができるモジュールをさらに含むことを特徴とする、コンピュータプログラム。この部分一括露光方式技術では、技術専門家は、構成要素の製造時間および製造コストを削減するために、描画時間、そしてしたがってショットの回数および持続時間を削減する問題に繰り返し直面している。本発明は、セルのメッシュを拡大することにより、かつ、照射線量を相関的に減少させることによりこの問題への対応を提供しており、描画時間を削減可能にする。また、このようにして、エッチングすべきブロックの全表面にわたって、端部近傍以外において均一な線量を提供することができる。有利には、22nm限界寸法の技術において、2.4μm2のセルでは、4に近いファクターによりショット数、そしてしたがって製造時間が削減される。この目的のために、本発明は、樹脂被覆基板上への少なくとも1つのブロックの投影に基づいた照射リソグラフィ方法であって、前記ブロックを、前記基板上に投影すべき個々のセルに分割するステップと、照射源により前記セルを形成するステップとを含み、前記個々のセルの寸法を前記工程の最大アパーチャにより特定の寸法に合わせることを特徴とする方法を提供する。有利には、照射エネルギーの線量は、前記少なくとも1つのブロックのすべての個々のセルについて、前記ブロックの端部近傍以外において均一である。有利には、個々のセルの少なくとも1つの列は、エッチングすべき前記ブロックの端部の外側に位置する。有利には、エッチングすべきブロックの端部近傍に位置していない個々のセルは、隣接していない。有利には、個々のセルのメッシュは、工程におけるセルの標準メッシュより約125大きい。有利には、工程におけるセルの標準メッシュは、約1.6μm×1.6μmである。有利には、本発明の方法はまた、ブロック端部の外側に位置付けすべきショットの幅を計算するステップと、前記ブロックの端部上の線量調整を計算するステップと、前記ショットを前記ブロックの外側に位置付けするステップとを含み、前記幅の計算および前記線量の計算が工程エネルギー自由度に関する関数関係によって関連している。有利には、前記ブロックの端部上の線量調整を計算するステップは、照射線量と端部のパターンとの畳み込みによって前記線量を計算するサブステップを含む。有利には、前記ブロックの端部上の線量調整を計算するステップは、パラメータの表を呼び出すことにより前記線量を計算するサブステップを含む。有利には、本発明の方法はまた、ブロックの端部と前記ブロックの外側に位置付けすべきショットとの間の少なくとも1つの間隔を計算するステップを含む。有利には、エッチングすべきブロックの寸法は、500nmと等しい。本方法を実現するために、本発明はまた、コンピュータプログラムをコンピュータ上で実行する時、樹脂被覆基板上への少なくとも1つのブロックの投影に基づいた照射リソグラフィ方法を実行するように構成されたプログラムコード命令を含むコンピュータプログラムであって、前記プログラムが、前記ブロックを、前記基板上へ投影すべき個々のセルに分割するモジュールと、照射源による前記セルの形成を制御することができるモジュールとを含み、前記制御することができるモジュールが、前記工程の最大アパーチャによって決定される寸法への前記個々のセルの形成を制御することができることを特徴とするコンピュータプログラムを提供する。有利には、前記セルの形成を制御するためのモジュールは、前記少なくとも1つのブロックのすべての個々のセルについて、前記ブロックの端部近傍以外において均一である照射エネルギーの線量を生成する。有利には、本発明のコンピュータプログラムはまた、ブロック端部の外側に位置付けすべきショットの幅の計算および前記ブロックの端部上の線量調整の計算を行うことができるモジュールと、前記ブロックの外側に前記ショットを位置付けすることができるモジュールとを含み、前記幅の計算および前記線量調整の計算が工程エネルギー自由度に関する関数関係によって関連している。有利には、本発明のコンピュータプログラムはまた、ブロックの端部と前記ブロックの外側に位置付けすべきショットとの間の少なくとも1つの間隔の計算を行うことができるモジュールを含む。本発明はまた、高い線量の回数そしてしたがって長い持続時間のショット数を減らすことができる。したがって本発明により、全体として製造時間が累積的に削減される。本発明はまた、幅が5μmを超えるすべてのブロック、すべての不透明なブロック、および入力/出力ブロックに関する設計に適用される場合、特に有利である。本発明はより深く理解され、その様々な特徴および利点は、多くの例示的実施形態およびその添付図についての以下の記述から明白になるだろう。図1a、1bおよび1cは、それぞれ電子線リソグラフィ装置の2つのレベル、それらの重ね合せの例および前記重ね合せの様々な結果を示す。従来の電子線リソグラフィ装置では、エッチングすべきパターンはまず個々の機能セル140aに分割し、樹脂被覆基板上でエッチングすることができる。前記樹脂被覆基板は、シリコンウェハ、電子回路の機能が直接照射描画によってエッチングされるように意図された、別の材料III-Vまたはガラスから作られたウェハであってもよく、前記照射は電子線照射またはイオン線照射がありうる。前記基板はまた、次いで上記と同じ材料からなるウェハをエッチングするために使用されるマスクであってもよく、前記エッチングは、電子線もしくはイオン線のエッチング方法、または光リソグラフィ方法を用いる。以下の記述において、本発明の方法について、任意の種類のウェハ上への直接描画に基づいた電子線リソグラフィ方法による例示的実施形態によって示すが、これらの実施形態は本発明の範囲全体を限定しない。本発明の方法は、ゲートアレイタイプの回路と同様に、動的、静的、ランダムアクセスもしくは読み出し専用、書き換え可能または書き換え不可能なメモリなどの繰り返しパターンを備えた機能ブロックの再生に特に適する。駆動ソフトウェアおよび/または以下の記述で説明する少なくとも1つのステンシル支持体へ適合させた後、本発明の方法を行うことができる機械は、例えば、VISTEC商標またはADVANTEST商標のブランド機械である。例示的実施形態として用いた方法では、電子源110aが2つのレベルのステンシル120aおよび130aを介して基板上に照射し、ステンシルは図1cに示した正方形、長方形または三角形のような個々の図形を含む。2つのレベルのステンシル120aおよび130aの個々の図形はそれらステンシル間で構成され、その結果、基板にエッチングされる個々のセルの寸法140aが所望の設計に一致する。2つのステンシルの構成は当業者に公知の方法で行う。この目的のために構成したソフトウェアは、電子源110aによってショットが放出される時に、2つのステンシルの個々の図形が正確に整列するように、ステンシル支持体の回転を駆動する。本発明によれば、基板にエッチングされる個々のセル140aのメッシュは、パターンの最適解像度についてメーカーが保証しているような、使用する機械のパラメータに応じて、できるだけ最大になるように選択される。このように、リソグラフィ機の解像度が、45および32nmの限界寸法の技術に相当する1.6μm×1.6μmのメッシュについてメーカーにより保証されている場合、高解像度ラインを含まないエッチングすべきパターンについて、約2.4μm×2.4μmのメッシュを使用することが可能である。これは機械の最大アパーチャであり、これらの用途の場合、解像度を損失することなく使用することができる。このように、パターンの真ん中におけるセルの平均メッシュの表面積が125、すなわちショット数のうちの約二つによる割り算、したがって露光時間の増加が得られる。その利点があるにもかかわらず、セルの寸法の増加は、解像度を高めることを優先事項とする当業者の心に自然に浮かぶ考えではない。顕著には高解像度で、すべてのタイプのパターンについて機械の設定の補正をすることなく使用できる最大アパーチャ設定を通常課す機械メーカーによって、当業者はセルの寸法の増加を断念さえしている。このように、Vistecは最大で1.6×1.6μmのメッシュについて性能レベルを保証しているが、はるかにより大きい寸法2.4μm×2.4μmのショットを有利に使用することが可能である。他の機械を用いてさらに発展させることは構想可能である。このように、これらの寸法パラメータは単に例として挙げており、非限定的である。本発明の原理は、最大表面積を有する個々のセルを生成可能にする方法の最大アパーチャを使用することでもある。第1のステンシル上のアパーチャの修正は複雑な設定手順を課すため、そのような修正を断念させることに留意されたい。他方では、本発明を実行するのに勧めているように、機械パラメータを設定せずに、第2のステンシル上のアパーチャを修正することができる。図2は、エッチングすべき4つのタイプの設計寸法による、電子線リソグラフィ装置で照射された線量をグラフで示す。4つの曲線、210、220、230および240は、それぞれ4つの場合のパターン寸法による、パターンをエッチングするために必要な線量の傾向を示す。-ラインと間隔が等しい幅1:1を有する密集したネットワークに挿入された第1のライン;-間隔の幅がラインの幅の2倍に等しい1:2半密集したネットワークに挿入された第2のライン;-孤立ライン;-1セットの接触ポイント。垂直な直線250は、方法の限界寸法を示す。図3は、本発明の一実施形態においてセルをエッチングする方法を示す。2つのステンシルレベル120aおよび130aは、電子源110aがこれらのステンシルの2つのアパーチャを組み合わせて、平均メッシュ2.4μm×2.4μmまたは使用するリソグラフィ機の最大アパーチャに対応する別のメッシュのセル140aを基板にエッチングできるように、互いに対して動的に位置付けしければならない。図4aおよび4bは、それぞれ従来技術の方法によってエッチングすべき1セットのブロック、およびエッチングしたこのセットを示す。図4aは、分割後にエッチングすべきブロックを示す。図4bは、エッチングしたブロックを示す。図5aおよび5bは、それぞれ本発明の一実施形態による方法によってエッチングすべきセルのレベルの図、およびエッチングしたセットを示す。図5aは、分割後にエッチングすべきブロックを示す。ストリップ510aが端部上にあるのに気づくだろう。ストリップ510aは、エッチングすべきパターンの外側に付け加えられた照射線量を示す。このストリップは変形例として示す。この有利な実施形態では、エッチングすべきパターンと付け加えられたストリップとの間に間隔を取る。あるいは、少なくとも1つの第2の外部ストリップを付け加え、またある間隔を取って第1の外部ストリップから離す。すべての構造において、この間隔により、方法のエネルギー自由度が高くなる。出願番号1052862で本願の出願人が出願した特許出願で開示された方法によれば、実験によってストリップ幅の0.2倍からストリップ幅の3倍の間の間隔が効果的であることが分かっている。50nm未満の幾何学構造向けのリソグラフィ方法に固有の近接効果の補正をターゲットとするこの特許出願によって記述された方法では、パターンの外側に適用すべき線量を、照射線量とエッチングすべきパターンとの畳み込みによって、またはパラメータの表を用いることによって計算する。適用すべき線量調整と、新しいパターンの寸法とを組み合わせた計算は、図7の説明として例を以下に挙げた計算に従って、工程エネルギー自由度を保存するような方法で行う。図5bはエッチングしたブロックを示す。図4bおよび5bの目視比較では、セルの数、そしてしたがって本発明の方法を使用することで生ずる露光時間が非常に著しく減少することを示す。照射エネルギーの線量が、形成されたすべての個々のセルにわたり、端部エッチングすべきブロックの内側または外側の近傍以外において均一である本発明の重要な特徴も観察することができる。本発明の方法の使用に関連する問題の1つは、第1のステンシル上のアパーチャの制御である。実際には、概して、この手順は完全なセットアップを前提としている。他方では、第2のステンシル上のパターンの寸法変更により、このセットアップを行わずにアパーチャの増加が可能になる。したがって、この変形例の実施形態は特に有利である。図6aおよび6bは、それぞれ本発明の別の変形例による方法によってエッチングすべきセルのレベルの図、およびエッチングしたこのセットを示す。図6aでは、図5aのパターンの外側に付け加えられたストリップ510aと、エッチングすべきパターンとの間に間隔620aを観察することができる。構造によっては、この間隔により工程エネルギー自由度の最適化が可能になる。別の有利な実施形態は、エッチングすべきパターンと付け加えられたストリップとの間に間隔を取ること、あるいは、第1の外部ストリップからある間隔を取って離間した少なくとも1つの第2の外部ストリップを付け加えることにある。すべての構造において、この間隔は工程エネルギー自由度を高める。実験によって、ストリップ幅の0.2倍からストリップ幅の3倍の間の間隔が効果的であることが分かっている。付加ストリップ510aの位置付けの計算は、照射線量とエッチングすべきパターンとの畳み込みから線量調整を計算する実施形態の図7によって図示する。次いで、工程エネルギー自由度を最適化するために、追加パターンの幾何学構造を少なくとも1つの寸法において補正する。さらに具体的には、その寸法で行うべき変位750は、受けた線量が樹脂の感度しきい値0.5と等しいポイントで、受けた線量の曲線720に接する直線740と、前記感度しきい値を示す直線730との交点を求めることによって、次いで、後者の直線と照射線量のプロフィール710との交点のポイントへの変位を行うことによって計算する。組み合わせた線量/パターンの計算は、二回または三回繰り返すことができる。パターン上に適用すべき線量の調整もまた、顕著には調整がパターンの外側のショットのみに適用され、他のショットが方法の標準化された値、または標準化された値より約30低い値に適用される場合、畳み込み計算をすることなくパラメータの表から計算することができる。図8は、エッチングすべきセルが隣接していない本発明の実施形態を示す。この例示的実施形態では、隣接しないように個々のセルを配置する。実際には、セルを必ずしも並置しない。有利には、セルを互いに離すことができる。描画時間は製品孤立すべき表面積×線量に関連しているため、特定の構造において、セルを並置しないことにより良好なトレードオフを見つけることが可能である。図8で示した例は全く限定的でなく、露光領域間の間隔は、それらの寸法と必ずしも等しくないことに留意されたい。本発明の方法は、直接描画に基づいた電子線リソグラフィ方法への応用例で述べている。本発明の方法はまた、イオンもしくは光子のような他の粒子を用いた別の直接描画方法、または電子線リソグラフィ方法、またはマスクを用いる光描画方法に適用することができる。したがって、上記例は本発明の特定の実施形態を示すために挙げている。上記例は、以下の請求項によって定義される本発明の範囲を全く限定しない。