電源線との接続/遮断が切替制御される接続/遮断領域内に、接続/遮断領域回路を備えた半導体装置であって、第1の内部配線と、前記電源線と前記第1の内部配線の接続/遮断を切り替える第1のスイッチと、前記第1の内部配線と前記接続/遮断領域回路の接続/遮断を切り替える第2のスイッチと、容量素子と、前記第1の内部配線と前記容量素子の接続/遮断を切り替える第3のスイッチと、を備え、前記接続/遮断領域回路に対する電源供給を制御することを特徴とする半導体装置。前記第2のスイッチと前記接続/遮断領域回路間の接続ノードに接続された第2の内部配線をさらに備え、前記第2の内部配線の電位を制御することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記電源線から前記接続/遮断領域回路に電源を供給する通常モードと、前記電源線から前記接続/遮断領域回路への電源を遮断する低消費電力モードを有し、前記通常モードは、前記第1、第2のスイッチが接続状態、前記第3のスイッチが遮断状態であり、前記低消費電力モードは、前記第1、第3のスイッチが接続状態、前記第2のスイッチが遮断状態であり、前記通常モードと前記低消費電力モード間の切り替えは、前記第1のスイッチを遮断して、前記第2及び第3のスイッチの状態を切り替えた後、前記第1のスイッチを接続することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記低消費電力モードから前記通常モードに切り替える場合、切り替えの第1の期間において、前記第1のスイッチを遮断した後、前記第2のスイッチを接続して前記容量素子から前記第2の内部配線へ電荷供給して第1の閾値電位まで充電し、切り替えの第2の期間において、前記第3のスイッチを遮断した後、前記第1のスイッチを接続して前記第2の内部配線を前記電源線の電位まで充電することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。前記通常モードから前記低消費電力モードに切り替える場合、切り替えの第3の期間において、前記第1のスイッチを遮断した後、前記第3のスイッチを接続して前記第2の内部配線から前記容量素子へ電荷供給して充電し、切り替えの第4の期間において、前記第2のスイッチを遮断した後、前記第1のスイッチを接続して前記容量素子を前記電源線の電位まで充電することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。前記第2の内部配線の電位を監視する電圧検出部を、さらに備え、前記電圧検出部において、前記第2の内部配線の電位が、前記第1の閾値に達した場合に、前記第1の期間から前記第2の期間に移行するように制御がなされることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。前記第2の内部配線の電位を監視する電圧検出部を、さらに備え、前記電圧検出部において、前記第2の内部配線の電位が、第2の閾値に達した場合に、前記第3の期間から前記第4の期間に移行するように制御がなされることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。タイマを、さらに備え、前記タイマが計測した時間間隔が、所定の時間間隔に達した場合に、前記第1の期間から前記第2の期間に移行することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。タイマを、さらに備え、前記タイマが計測した時間間隔が、所定の時間間隔に達した場合に、前記第3の期間から前記第4の期間に移行することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。電源線との接続/遮断が切替制御される接続/遮断領域内に、接続/遮断領域回路を備えた半導体装置であって、第1の内部配線と、前記電源線と前記第1の内部配線の接続/遮断を切り替える第1のスイッチと、前記第1の内部配線と前記接続/遮断領域回路の接続/遮断を切り替える第2のスイッチと、一端が前記第1の内部配線に接続された抵抗素子と、前記抵抗素子の他端と前記接続/遮断領域回路間に設けられ、前記抵抗素子と前記接続/遮断領域回路の接続/遮断を切り替える第4のスイッチと、を備え、前記接続/遮断領域回路に対する電源供給を制御することを特徴とする半導体装置。前記第2のスイッチと前記接続/遮断領域回路間の接続ノード、及び前記第4のスイッチと前記接続/遮断領域回路間の接続ノードに接続された第2の内部配線をさらに備え、前記第2の内部配線の電位を制御することを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。前記電源線から前記接続/遮断領域回路に電源を供給する通常モードと、前記電源線から前記接続/遮断領域回路への電源を遮断する低消費電力モードを有し、前記通常モードは、前記第1、第2のスイッチが接続状態、前記第4のスイッチが遮断状態であり、前記低消費電力モードは、前記第1、第2及び第4のスイッチが、全て、遮断状態であり、前記低消費電力モードから前記通常モードに切り替える場合、切り替えの第5の期間において、前記第1、第4のスイッチを接続し、前記第2の内部配線の電位を、略前記電源線の電位まで上昇させ、切り替えの第6の期間において、前記第2のスイッチを遮断した後、前記第4のスイッチを遮断することを特徴とする請求項11に記載の半導体装置。前記第2の内部配線の電位を監視する電圧検出部を、さらに備え、前記電圧検出部が、前記第2の内部配線の電位が、第3の閾値電位に達した場合に、前記第5の期間から前記第6の期間に移行することを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。タイマを、さらに備え、前記タイマが計測した時間間隔が、所定の時間間隔に達した場合に、前記第5の期間から前記第6の期間に移行することを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。電源線との接続/遮断が切替制御される接続/遮断領域内の接続/遮断領域回路に対する電源制御方法であって、前記電源線から前記接続/遮断領域回路に電源供給を行う通常モードと、前記電源線から前記接続/遮断領域回路への電源供給を遮断する低消費電力モードのいずれかを選択するステップを含み、前記低消費電力モードから前記通常モードへ切り替える場合に、前記電源線と前記接続/遮断領域を遮断するステップと、容量素子の電荷を前記接続/遮断領域回路に接続された第2の内部配線に供給して、前記第2の内部配線を所定の閾値電位まで充電するステップと、前記容量素子を前記第2の内部配線から遮断するステップと、前記電源線と前記接続/遮断領域を接続し、前記電源線と前記第2の内部配線を接続状態にして、前記電源線により前記第2の内部配線を前記電源線の電位まで充電するステップと、をさらに含むことを特徴とする半導体装置の電源制御方法。電源線との接続/遮断が切替制御される接続/遮断領域内の接続/遮断領域回路に対する電源制御方法であって、前記電源線から前記接続/遮断領域回路に電源供給を行う通常モードと、前記電源線から前記接続/遮断領域回路への電源供給を遮断する低消費電力モードのいずれかを選択するステップを含み、前記通常モードから前記低消費電力モードへ切り替える場合に、前記電源線と前記接続/遮断領域を遮断するステップと、容量素子を前記接続/遮断領域回路に接続された第2の内部配線と接続状態にし、前記第2の内部配線から前記容量素子に電荷供給して、前記容量素子を充電するステップと、前記第2の内部配線を前記容量素子から遮断するステップと、前記電源線と前記接続/遮断領域を接続し、前記電源線と前記容量素子を接続状態にして、前記電源線により前記容量素子を前記電源線の電位まで充電するステップと、をさらに含むことを特徴とする半導体装置の電源制御方法。以下の分析は、本発明により与えられる。特許文献1に記載された電源制御方法は、電源線と接続/遮断領域回路を接続した際図9のスイッチ110、120を接続したタイミングの突入電流による電圧降下を抑制することはできる。しかしながら、動作モードOFFから動作モードSLEEP容量素子に接続されたスイッチがオンの状態に移るタイミングで、容量素子の再充電を開始するが、その際、容量素子に突入電流が流れ込み、容量素子に接続されている電源線に急激な電圧降下が生じるという問題が解消されていない。この電源線の電圧降下は、動作中の常時接続領域回路を誤動作させるという虞がある。従って、接続/遮断領域回路に対する電源供給を立ち上げる際に、電源線に急激な電圧降下を起こさないようにすることが、望まれている状況にある。本発明の第1の視点による半導体装置は、電源線との接続/遮断が切替制御される接続/遮断領域内に、接続/遮断領域回路を備えた半導体装置であって、第1の内部配線と、前記電源線と前記第1の内部配線の接続/遮断を切り替える第1のスイッチと、前記第1の内部配線と前記接続/遮断領域回路の接続/遮断を切り替える第2のスイッチと、容量素子と、前記第1の内部配線と前記容量素子の接続/遮断を切り替える第3のスイッチと、を備え、前記接続/遮断領域回路に対する電源供給を制御する。本発明の第2の視点による半導体装置は、電源線との接続/遮断が切替制御される接続/遮断領域内に、接続/遮断領域回路を備えた半導体装置であって、第1の内部配線と、前記電源線と前記第1の内部配線の接続/遮断を切り替える第1のスイッチと、前記第1の内部配線と前記接続/遮断領域回路の接続/遮断を切り替える第2のスイッチと、一端が前記第1の内部配線に接続された抵抗素子と、前記抵抗素子の他端と前記接続/遮断領域回路間に設けられ、前記抵抗素子と前記接続/遮断領域回路の接続/遮断を切り替える第4のスイッチと、を備え、前記接続/遮断領域回路に対する電源供給を制御する。本発明の第3の視点による半導体装置の電源制御方法は、電源線との接続/遮断が切替制御される接続/遮断領域内の接続/遮断領域回路に対する電源制御方法であって、前記電源線から前記接続/遮断領域回路に電源供給を行う通常モードと、前記電源線から前記接続/遮断領域回路への電源供給を遮断する低消費電力モードのいずれかを選択するステップを含み、前記低消費電力モードから前記通常モードへ切り替える場合に、前記電源線と前記接続/遮断領域を遮断するステップと、容量素子の電荷を前記接続/遮断領域回路に接続された第2の内部配線に供給して、前記第2の内部配線を所定の閾値電位まで充電するステップと、前記容量素子を前記第2の内部配線から遮断するステップと、前記電源線と前記接続/遮断領域を接続し、前記電源線と前記第2の内部配線を接続状態にして、前記電源線により前記第2の内部配線を前記電源線の電位まで充電するステップと、をさらに含む。本発明の第4の視点による半導体装置の電源制御方法は、電源線との接続/遮断が切替制御される接続/遮断領域内の接続/遮断領域回路に対する電源制御方法であって、前記電源線から前記接続/遮断領域回路に電源供給を行う通常モードと、前記電源線から前記接続/遮断領域回路への電源供給を遮断する低消費電力モードのいずれかを選択するステップを含み、前記通常モードから前記低消費電力モードへ切り替える場合に、前記電源線と前記接続/遮断領域を遮断するステップと、容量素子を前記接続/遮断領域回路に接続された第2の内部配線と接続状態にし、前記第2の内部配線から前記容量素子に電荷供給して、前記容量素子を所定の閾値電位まで充電するステップと、前記第2の内部配線を前記容量素子から遮断するステップと、前記電源線と前記接続/遮断領域を接続し、前記電源線と前記容量素子を接続状態にして、前記電源線により前記容量素子を前記電源線の電位まで充電するステップと、をさらに含む。本発明の第1の視点による半導体装置によれば、第1のスイッチにより接続/遮断領域回路と電源線を遮断し、突入電流が電源線に流れ込まない状態で、第2、第3のスイッチにより接続/遮断領域回路の電位をあるレベルまで制御することができるから、電源線に急激な電圧降下を起こさない半導体装置を提供することができる。本発明の第2の視点による半導体装置によれば、接続/遮断領域回路に電源供給を立ち上げる際に、抵抗素子により突入電流を緩やかにすることができるから、電源線に急激な電圧降下を起こさない半導体装置を提供することができる。本発明の第3の視点による半導体装置の電源制御方法によれば、低消費電力モードから通常モードに切り替える際に、接続/遮断領域回路と電源線を遮断し、突入電流が電源線に流れ込まない状態で、接続/遮断領域回路の電位を所定の閾値電位まで充電することができるから、電源線に急激な電圧降下を起こさない半導体装置の電源制御方法を提供することができる。本発明の第4の視点による半導体装置の電源制御方法によれば、通常モードから低消費電力モードに切り替える際に、接続/遮断領域回路と電源線を遮断し、突入電流が電源線に流れ込まない状態で、容量素子の電位を所定の閾値電位まで充電することができるから、電源線に急激な電圧降下を起こさない半導体装置の電源制御方法を提供することができる。本発明の実施形態について、必要に応じて図面を参照して説明する。なお、実施形態の説明において引用する図面及び図面の符号は実施形態の一例として示すものであり、それにより本発明による実施形態のバリエーションを制限するものではない。本発明による第1の実施形態の半導体装置は、図1に示すように、電源線401との接続/遮断が切替制御される接続/遮断領域405内に、接続/遮断領域回路411、421を備えた半導体装置であって、第1の内部配線442と、電源線401と第1の内部配線442の接続/遮断を切り替える第1のスイッチ443と、第1の内部配線442と接続/遮断領域回路411、421の接続/遮断を切り替える第2のスイッチ410、420と、容量素子413、423と、第1の内部配線442と容量素子413、423の接続/遮断を切り替える第3のスイッチ412、422と、を備え、接続/遮断領域回路411、421に対する電源供給を制御する。本発明による第2の実施形態の半導体装置は、図6に示すように、電源線401との接続/遮断が切替制御される接続/遮断領域505内に、接続/遮断領域回路411、421を備えた半導体装置であって、第1の内部配線442と、電源線401と第1の内部配線442の接続/遮断を切り替える第1のスイッチ443と、第1の内部配線442と接続/遮断領域回路411、421の接続/遮断を切り替える第2のスイッチ410、420と、一端が第1の内部配線442に接続された抵抗素子513、523と、抵抗素子513、523の他端と接続/遮断領域回路411、421間に設けられ、抵抗素子513、523と接続/遮断領域回路411、421の接続/遮断を切り替える第4のスイッチ512、522と、を備え、接続/遮断領域回路411、421に対する電源供給を制御する。本発明による第3の実施形態の半導体装置の電源制御方法は、図1、図3に示すように、電源線401との接続/遮断が切替制御される接続/遮断領域405内の接続/遮断領域回路411、421に対する電源制御方法であって、電源線401から接続/遮断領域回路411、421に電源供給を行う通常モードと、電源線401から接続/遮断領域回路411、421への電源供給を遮断する低消費電力モードのいずれかを選択するステップS100を含み、低消費電力モードから通常モードへ切り替える場合に、電源線401と接続/遮断領域を遮断するステップS106と、容量素子413、423の電荷を接続/遮断領域回路411、421に接続された第2の内部配線441、451に供給して、第2の内部配線441、451を所定の閾値電位まで充電するステップS108と、容量素子413、423を第2の内部配線441、451から遮断するステップS110と、電源線401と接続/遮断領域405を接続し、電源線401と第2の内部配線441、451を接続状態にして、電源線401により第2の内部配線441、451を電源線401の電位まで充電するステップS112と、をさらに含む。本発明による第4の実施形態の半導体装置の電源制御方法は、図1、図3に示すように、電源線401との接続/遮断が切替制御される接続/遮断領域405内の接続/遮断領域回路411、421に対する電源制御方法であって、電源線401から接続/遮断領域回路411、421に電源供給を行う通常モードと、電源線401から接続/遮断領域回路411、421への電源供給を遮断する低消費電力モードのいずれかを選択するステップS100を含み、通常モードから低消費電力モードへ切り替える場合に、電源線401と接続/遮断領域405を遮断するステップS206と、容量素子413、423を接続/遮断領域回路411、421に接続された第2の内部配線441、451と接続状態にし、第2の内部配線441、451から容量素子413、423に電荷供給して、容量素子413、423を所定の閾値電位まで充電するステップS208と、第2の内部配線441、451を容量素子413、423から遮断するステップS210と、電源線401と接続/遮断領域405を接続し、電源線401と容量素子413、423を接続状態にして、電源線401により容量素子413、423を電源線401の電位まで充電するステップS212と、をさらに含む。以下、実施例について、図面を参照して詳しく説明する。[実施例1の構成]図1は、本発明の実施例1に係る半導体装置のブロック図である。図1において回路を含む領域は、電源線401に常時接続される常時接続領域回路430と、電源線401と接続/遮断が切替制御される接続/遮断領域405に分割して構成される。また、これらの回路に対して、電源線401と基準電位線402を介して、電源400より電源供給が行われる。また、接続/遮断領域405は、第1の内部配線442、ブロック403、404により構成される。ここで、ブロックは電源制御を行う最小単位であり、各ブロック403、404には、接続/遮断領域回路411、421が含まれる。接続/遮断領域405に対する電源線401からの電源供給は、電源線401と第1の内部配線442間に設けられた第1のスイッチ443により接続/遮断の切替制御がなされる。接続/遮断領域405内のブロック403は、接続/遮断領域回路411、容量素子413、第2のスイッチ410、第3のスイッチ412、及び第2の内部配線441により構成される。第2のスイッチ410は、第1の内部配線442と接続/遮断領域回路411の接続/遮断を切り替えるスイッチである。また、第3のスイッチ412は、第1の内部配線442と容量素子413の接続/遮断を切り替えるスイッチである。また、第2の内部配線441は、第2のスイッチ410と接続/遮断領域回路411間の接続ノードN1に接続されている。第1のスイッチ443、第2のスイッチ410、第3のスイッチ412は、スイッチ制御部431から出力されるスイッチ制御信号444、4321、4341により夫々、制御される。また、ブロック404の構成及び接続は、ブロック403と同様であるため、説明は省略する。図2は、図1のスイッチ制御部431の詳細なブロック図である。スイッチ制御部431は、タイマ244と電圧検出部240で構成されている。スイッチ制御部431は、次の動作モードを決定する処理を行う際、CPU200から供給される状態遷移信号433を取得し、状態遷移信号433に応じて、スイッチ制御信号444、432n、434nを出力する但し、n=1、2。ここで、状態遷移信号433は、接続/遮断領域回路411、421に対して電源供給を行う通常モードと、接続/遮断領域回路411、421に対して電源を遮断する低消費電力モードのいずれかが選択されたモード選択結果を含んでいる。電圧検出部240は、電圧を検出するコンパレータ242を備え、コンパレータ242の一方の入力端子には第2の内部配線441が接続され、他方の入力端子には閾値電位241が供給される。コンパレータ242により第2の内部配線441の電位と、閾値電位241が比較され、比較結果を閾値電位検出信号243として出力する。具体的には、第2の内部配線441の電位が閾値電位241以上である場合にはHighが出力され、そうでない場合にはLowが出力される。また、上記した電位検出は、どちらか1方の第2の内部配線例えば、第2の内部配線441のみに対して行ってもよいし、或いは、両方の第2の内部配線441、451に対して電圧検出部240を設け、両方の第2の内部配線441、451を監視するように構成してもよい。以降の説明では、両方の第2の内部配線441、451を監視する場合について説明する。タイマ244には、CPU200からの状態遷移信号433と電圧検出部240からの閾値電位検出信号243が入力され、タイマ244は、タイマ244での計測時間に応じてスイッチ制御信号444、432n、434nを出力する但し、n=1、2。[実施例1の動作]次に、実施例1に係る半導体装置の動作を、必要に応じて図面を参照しながら詳細に説明する。まず、図2のスイッチ制御部431の動作について説明する。電圧検出部240は、第2の内部配線441、451の電位が閾値電位241に達することをコンパレータ242で検出し、閾値電位検出信号243として出力する。タイマ244は、CPU200からの状態遷移信号433をトリガにして一定時間を計測し、タイマ244の時間計測値によってスイッチ制御信号444、432n、434nをオン/オフする。次に、図3に示すフローチャート及び図4に示すタイミングチャートを参照しながら、接続/遮断領域405を低消費電力モードから通常モードに切り替える場合の動作について説明する。まず、図3のフローチャートに示すように、モード選択が行われるステップS100。具体的には、通常モード、低消費電力モードのいずれかが選択される。選択されたモード選択結果は、状態遷移信号433として、CPU200からスイッチ制御部431に入力される。ここでは、低消費電力モード時に通常モードが選択された場合について考える。その場合、状態遷移信号433は通常モードとなる。次に、スイッチ制御部431で、状態遷移信号433が通常モードから低消費電力モードに変化したか否かを判別するステップS102。状態遷移信号433は通常モードであるため、NOと判別され、次のステップS104に進む。次に、スイッチ制御部431で、状態遷移信号433が低消費電力モードから通常モードに変化したか否かを判別するステップS104。状態遷移信号433は通常モードであるため、YESと判別され、次のステップS106に進む。以下、ステップS106、S108、S110及びS112により、低消費電力から通常モードに切り替える動作が行われる。以下、図4のタイミングチャートを参照する。図4のAは、時刻T1~T6における容量素子413の電圧波形及び容量素子423の電圧波形を示す。また、図4のBは、時刻T1~T6における電源線401、第1の内部配線442、及び第2の内部配線441の夫々の電圧波形を示す。また、図4のCは、第2の内部配線441の電流波形341を示す。また、図4の下部は、スイッチ制御信号444、432n、434n但し、n=2の論理タイミング波形を示す。図4において、時刻T2までが低消費電力モード、時刻T6以降が通常モードである。また、時刻T2~T6の期間は、低消費電力モードから通常モードへの切り替え期間である。この切り替えの期間のうち、時刻T2~T5を第1の期間、時刻T5~T6を第2の期間とする。図4に示すように、低消費電力モードでは、第1のスイッチ443及び第3のスイッチ412、422は接続状態であり、第2のスイッチ410、420は遮断状態である。一方、通常モードでは、第1のスイッチ443及び第2のスイッチ410、420は接続状態であり、第3のスイッチ412、422は遮断状態である。尚、図4において、スイッチ制御信号444、432n、434nがONのとき、対応する夫々のスイッチは接続状態になり、一方、スイッチ制御信号444、432n、434nがOFFのとき、対応する夫々のスイッチは遮断状態になる。また、時刻T2までの低消費電力モードにおいて、第1のスイッチ443及び第3のスイッチ412、422は接続状態なので、容量素子413、423は電源線401の電位に充電された状態になっている。以下に、図3のステップS106、S108、S110及びS112における夫々の動作を、図4のタイミングチャートを参照しながら、説明する。まず、図3のフローチャートにおいて、電源線401と接続/遮断領域405を遮断するステップS106。具体的には、時刻T2において、第1のスイッチ443に対するスイッチ制御信号444をONからOFFにして、第1のスイッチ443を遮断する。これにより、電源線401と第1の内部配線442が遮断される。次に、図3のフローチャートにおいて、容量素子413、423により、第2の内部配線441、451の電位を第1の閾値電位まで充電するステップS108。具体的には、まず、時刻T3において、第2のスイッチ410に対するスイッチ制御信号4321をOFFからONして、第2のスイッチ410を接続する。これにより容量素子413と第2の内部配線441のノードN1が導通状態になるので、予め低消費電力モード時に容量素子413に充電されていた電荷が、第2の内部配線441のノードN1に供給され、第2の内部配線441の電位が上昇を始める。次に、時刻T4において、第2のスイッチ420に対するスイッチ制御信号4322をOFFからONして、第2のスイッチ420を接続する。これにより容量素子423、第2の内部配線441のノードN1及び第2の内部配線451のノードN2が導通状態になるので、予め低消費電力モード時に容量素子423に充電されていた電荷が、第2の内部配線441のノードN1及び第2の内部配線451のノードN2に供給され、第2の内部配線441の電位がさらに上昇すると共に、第2の内部配線451の電位も上昇を始める。図4のBに示すように、第2の内部配線441の電位は、時刻T3、T4のタイミングで開始される2段階の上昇をしている。また、図4のCに示すように、第2の内部配線441に流れる電流は、時刻T3、T4に、容量素子413、423からの電荷供給が開始されるため、時刻T3、T4の直後に、ピークを持つ突入電流となっている。また、図4のBに示すように、第1の内部配線442の電位は、突入電流の影響で、時刻T2、T3の直後に夫々、電圧降下を生じている。しかしながら、電源線401は、第1の内部配線442とは遮断されているので、時刻T2、T3直後の突入電流の影響は受けずに、一定の電位を保持している。また、図4のAに示すように、容量素子413、423は、夫々、時刻T3、T4のタイミングで電荷供給を開始し、その後、徐々に電位が下降する。次に、図3のフローチャートにおいて、容量素子413、423を第2の内部配線441、451から遮断するステップS110。具体的には、第1の閾値電位を、予め、スイッチ制御部431の閾値電位241に設定しておき、第2の内部配線441、451の電位が第1の閾値電位まで到達したことをスイッチ制御部431の電圧検出部240で検出した後、時刻T5でスイッチ制御信号4341及び4342をONからOFFし、第3のスイッチ412、422を夫々遮断する。すなわち、第2の内部配線441、451の電位が、第1の閾値電位に達した場合に、第1の期間から第2の期間に移行するように制御がなされる。次に、図3のフローチャートにおいて、電源線401と接続/遮断領域405を接続し、第2の内部配線441、451を電源線401の電位まで充電するステップS112。具体的には、時刻T6で、第1のスイッチ443に対応したスイッチ制御信号444をOFFからONし、第1のスイッチ443を接続する。電源線401と第2の内部配線441、451が導通状態になり、電源線401により第2の内部配線441、451が充電され、第2の内部配線441、451の電位が、電源線401の電位まで上昇する。以上により、接続/遮断領域回路411、421に対する電源供給の立ち上げが完了し、通常モードとして動作する。ここで、時刻T6において、電源線401から第2の内部配線441、451に充電する際、第2の内部配線441、451の電位は、既に第1の閾値電位まで上昇しているため、図4のCに示すように急激な突入電流は避けられ、図4のBに示すように、時刻T6の直後の電源線401の電圧降下は、僅かな量に抑えることができる。ここで、第1の閾値電位は、時刻T2~T6の期間を短くし、且つ、時刻T6直後の電源線401の電圧降下を少なくできるような条件を設定することが好ましい。例えば、第1の閾値電位を小さすぎる値に設定すると、第2の内部配線441、451の電位が十分に上昇していない状態で、時刻T6で電源線401に接続することになるので、電源線401と接続したときに突入電流が大きくなり、電源線401の電圧降下が大きくなってしまう。一方、第1の閾値電位を大きすぎる値に設定すると、第1の期間で第2の内部配線441、451の電位が第1の閾値電位に到達できないことが生じる虞がある。従って、第1の閾値電位を適切な値に設定することが重要である。次に、接続/遮断領域405を通常モードから低消費電力モードへ切り替える場合について、図3及び図5を参照しながら、説明する。図3のフローチャートにおいて、まず、ステップS100のモード選択で、通常モード時に低消費電力モードが選択された場合を考える。その場合、状態遷移信号433は低消費電力モードとなる。次に、ステップS102の判定では、YESと判定され、ステップS206、S208、S210及びS212により、通常モードから低消費電力モードに切り替わる動作が行われる。以下、図5のタイミングチャートを参照する。図5のAは、時刻T7~T11における容量素子413の電圧波形及び容量素子423の電圧波形を示す。また、図5のBは、時刻T7~T11における電源線401、第1の内部配線442、及び第2の内部配線441の夫々の電圧波形を示す。また、図5のCは、第2の内部配線441の電流波形341を示す。また、図5の下部は、スイッチ制御信号444、432n、434n但し、n=2の論理タイミング波形を示す。また、図5において、時刻T8までが通常モード、時刻T11以降が低消費電力モードである。また、時刻T8~時刻T11の期間は、通常モードから低消費電力モードへの切り替え期間である。また、その切り替え期間のうち、時刻T8~T10は第3の期間、時刻T10~T11は第4の期間である。以下、図3のステップS206、S208、S210、S212、及び図5を参照しながら、通常モードから低消費電力モードに切り替わる動作について詳細に説明する。図3のフローチャートにおいて、まず、電源線401と接続/遮断領域405を遮断するステップS206。具体的には、図5の時刻T8において、第1のスイッチ443に対するスイッチ制御信号444をONからOFFにして、第1のスイッチ443を遮断する。これにより、電源線401と第1の内部配線442が遮断される。次に、図3のフローチャートにおいて、第2の内部配線441、451により、容量素子413、423を充電するステップS208。具体的には、図5の時刻T9において、第3のスイッチ412に対応する制御信号4341及び第3のスイッチ422に対応する制御信号4342をOFFからONにし、第3のスイッチ412、422を接続する。これにより、第2の内部配線441のノードN1と容量素子413、第2の内部配線445のノードN2と容量素子423は導通する。従って、第2の内部配線441のノードN1から容量素子413に、第2の内部配線445のノードN2から容量素子423に対して、電荷が供給され、容量素子413、423の電位が上昇すると共に第2の内部配線441、451の電位が降下する。次に、図3のフローチャートにおいて、第2の内部配線441、451を容量素子413、423から遮断するステップS210。具体的には、第2の閾値電位を、予め、スイッチ制御部431の閾値電位241に設定しておき、第2の内部配線441、451の電位が第2の閾値電位まで降下したことをスイッチ制御部431で検出した後、図5の時刻T10で、第2のスイッチ410、420に夫々対応するスイッチ制御信号4321、4322をONからOFFし、第2のスイッチ410、420を遮断する。これにより、接続/遮断領域回路411、421は、電源線401から遮断された状態になる。すなわち、第2の内部配線441、451の電位が、第2の閾値電位に達した場合に、第3の期間から第4の期間に移行するように制御がなされる。また、第2の閾値電位の設定は、切り替え期間T8~T11の短縮と、確実な電位の検出動作という観点から、予め、最適な値に設定することが重要である。次に、図3のフローチャートにおいて、電源線401と接続/遮断領域405を接続し、容量素子413、423を電源線401の電位まで充電するステップS212。具体的には、図5の時刻T11において、第1のスイッチ443に対応するスイッチ制御信号444をOFFからONし、第1のスイッチ443を接続する。電源線401と第1の内部配線442を接続することで、第2の内部配線441、451からの容量素子413、423への電荷供給の不足分を電源線401から供給し、容量素子413、423の電位を電源線401の電位まで上昇させる。ここで、図5のBに示すように、時刻T11の直後に発生する電源線401の電圧降下は、僅かな量に抑えられていることが分かる。予め、T9~T11の期間に容量素子413、423が充電され、電位があるレベルまで上昇しているためである図5のA。以上により、接続/遮断領域回路411、421に対する電源の遮断動作が完了し、低消費電力モードとして動作する。また、容量素子413、423が電源線401の電位を保持した状態になり、再び電源線401と接続して通常モードに切り替える際の準備が完了する。以下に、実施例1による効果について説明する。実施例1による第1の効果として、接続/遮断領域回路411、421に電源線401を接続して電源供給を立ち上げる際に、電源線401の急激な電圧降下を低減できるという効果が得られる。従って、動作中の他の回路常時接続回路430等が電源線401の急激な電圧降下による誤動作を起こさないようにすることができる。その理由は、図4の時刻T3~T5において、電源線401と第1の内部配線442を遮断した状態で、容量素子413、423に充電された電荷により第2の内部配線441、451の電位を第1の閾値電位まで上昇させるため、時刻T3~T5期間の接続/遮断領域回路411、412への突入電流は電源線401に流れ込まず、電源線401の電圧効果が発生しないためである。すなわち、第1のスイッチ443を遮断状態にして、第2のスイッチ410、420及び第3のスイッチ412、422の接続/遮断を切替制御しているため、第1のスイッチ443が遮断状態の期間では、電源線401は突入電流の影響を受けないからである。また、図4の時刻T6において、電源線401から電荷供給する際に、第2の内部配線441、451は第1の閾値電位まで上昇した状態で、電源線401と第1の内部配線442を接続するため、電源線401への突入電流を抑えることができるためである。また、実施例1では、図4に示すように、時刻T3で第2のスイッチ410を接続し、時刻T4で第2のスイッチ420を接続する2段階の接続を行う制御について例示している。すなわち、接続/遮断領域405内に複数のブロック403、404がある場合に、各々のブロックに対応する第2のスイッチ410、420の接続を複数段階に分けて行う場合について例示している。このように、ブロック毎に接続するタイミングをずらす方法は、突入電流を低減するための手段として、図11に示す従来の電源制御では有効である。しかしながら、実施例1の場合には、第2のスイッチ410、420を接続したときに発生する突入電流は、電源線401に影響を与えないので、複数のブロックに対する夫々の第2のスイッチ410、420を同時に接続しても問題は発生しない。従って、複数の第2のスイッチ410、420を同時に接続するように制御してもよい時刻T3で同時に接続する。その場合、実施例1による第2の効果として、電源供給の立ち上げ時間を短縮できるという効果が得られる。また、実施例1による第3の効果として、接続/遮断領域回路411、421の電源を遮断する際には、図5の時刻T9~T10で、第2の内部配線441、451の電荷を容量素子413、423へ充電して、電位をあるレベルまで上昇させた状態で、時刻T11で電源線401を容量素子413、423に接続するため、電源線401から容量素子413、423に流れ込む突入電流を低減し、電源線401の電圧降下を低減できる効果が得られる。また、実施例1による第4の効果として、図5に示したように電源を遮断する際に容量素子413、423を電源線401の電位まで充電しておくので、次に電源供給を立ち上げる場合、図4に示した電源供給のシーケンスを即座に開始することができるという効果が得られる。また、図1に示した実施例1においては、接続/遮断領域405内のブロックの数が2の場合すなわち、n=2について例示したが、これに限定されるものではなく、任意の数のブロックに対して適用が可能である。また、実施例1において、図1に示すように第2の内部配線441、451は分離された配線であるがこれに限定されるものではなく、2つのブロック403、404を同時に立ち上げる場合には、第2の内部配線441と第2の内部配線451を繋いで共通の配線として構成してもよい。また、図1に示した実施例1においては、接続/遮断領域405と第1のスイッチ443の数が1の場合について例示しているが、複数の接続/遮断領域と複数の第1のスイッチを設けるように構成してもよい。また、実施例1においては、スイッチング制御部431内の電圧検出部240で、第2の内部配線441、451の電位を監視する場合について例示したが、別の方法として、タイマを設け、充電時間図4のT3~T5の期間、図5のT9~T10の期間を予め設定しておき、その時間を計測することによって、第1の期間から第2の期間への移行、又は第3の期間から第4の期間への移行を制御するようにしてもよい。ここで、この充電時間を計測するタイマは、図2のタイマ244を用いてもよいし、常時接続領域回路430にタイマを設けてもよい。上記した様々な多様な組み合わせに対しても、前述した実施例1の第1乃至第4の効果が得られるのは勿論である。[比較例]ここで、比較例として、特許文献1に記載された電源制御方法について説明する。図9は、特許文献1に記載された電子回路装置のブロック図である。図9において、電子回路装置は、電源線101、基準電位線102、回路130、ブロック103、ブロック104、及びスイッチ制御部131により構成されている。ブロック103、104、回路130には、電源線101を介して電源100より電源が供給されている。回路130は常に電源線101及び基準電位線102に接続されている論理回路である。これに対しブロック103、104における各スイッチ図9の110、112、120、122は、スイッチ制御部131からのスイッチ制御信号132nに基づいて、オンオフ制御される。ブロック103、104は、これらのスイッチを介して、電源線101と接続される。ここで、nはスイッチの数に等しい自然数である。図9はn=4の場合である。ブロック103はスイッチ110、回路111、スイッチ112、及び容量素子113により構成されている。スイッチ112は容量素子113と電源線101との接続をオンオフしている。スイッチ110及びスイッチ112はスイッチ制御部131から出力されるスイッチ制御信号1321および1322により制御される。容量素子113は、回路111に供給される電源電圧のレベルを安定させるためのものである。また、ブロック104はブロック103と同様の構成を有するため、説明を省略する。スイッチ制御部131は、各ブロックの次の動作状態を決定する状態遷移信号133に基づいてスイッチ制御信号132nを出力する。状態遷移信号133はマイコン不図示から供給される信号であり、スイッチ制御部131は、どのブロックをどの動作モードに遷移させるかを該状態遷移信号133に基づいて決定する。スイッチ制御部131は、決定された動作モードに応じたスイッチ制御信号132nを各スイッチ図9の110、112、120、122に送信する。図10は、ブロック103の動作モードとブロック103における各スイッチ110、112の動作状態の関係を示す。図10の表は、スイッチ制御部131内に記憶されており、スイッチ制御部131内のデコーダから出力されたデコード信号に基づいてスイッチ制御信号132nを出力する。図10の表における動作モードを示すA列は、スイッチ制御部131に入力された動作モード信号であり、列110、112はそれぞれスイッチ110、112に送るスイッチ制御信号を表している。図10では、1がスイッチONの状態、0がスイッチOFFの状態を示している。図10において、動作モードONは、回路にスイッチ110、112の両方がオンしている状態である。動作モードSLEEPは、スイッチ112のみがオンしている状態である。動作モードOFFは、スイッチ110、112の両方がオフしている状態である。ブロック103の回路111に対して、電源が遮断された状態動作モードOFFから電源を接続した状態動作モードONにして立ち上げる場合、途中に、動作モードSLEEPを設ける。具体的には、まず、動作モードSLEEPにして、回路に並列接続された容量素子113を再充電し、その後、動作モードONにして、回路111を電源線101に接続する。これにより、回路111と電源線101を接続した際の電源電圧の低下を抑制することができ、回路111を高速に起動することができる。次に、図11は、図9のブロック103、104に対して、順次、電源供給する場合のタイミングチャートである。以下に、図11を参照しながら、その動作について説明する。図11のAは、それぞれ、容量素子113、123の電圧を示している。図11のBは、電源線101の電位を示している。また、図11の下部は、スイッチ制御信号1321~4であり、スイッチがオンの状態をON、スイッチがオフの状態をOFFで示している。時刻T31~T32において、ブロック103、104は、どちらも動作モードOFFである。次に、時刻T32~T33において、ブロック103は動作モードSLEEP、ブロック104は動作モードOFFである。この期間は、容量素子113に突入電流が流れるため、電源線101は、突入電流の影響を受けて、図11のBに示すように、電圧降下を生じる。また、容量素子113では時刻T32のタイミングから充電が開始され、図11のAに示すように容量素子113の電圧は上昇する。また、時刻T33~T34において、ブロック103は動作モードON、ブロック104は動作モードOFFである。次に、時刻T34~T35において、ブロック103は動作モードON、ブロック104は動作モードSLEEPである。この期間は、容量素子123に突入電流が流れるため、電源線101は、図11のBに示すように、電圧降下を生じる。また、容量素子123では時刻T34のタイミングから充電が開始され、図11のAに示すように容量素子123の電圧は上昇する。次に、時刻T35以降は、ブロック103、104は、どちらも動作モードONである。図11のBに示すように、ブロック103が動作モードOFFから動作モードSLEEPになった直後と、ブロック104が動作モードOFFから動作モードSLEEPになった直後において、電源線101の電位は、突入電流により、電圧効果を生じる。一方、ブロック103、104が、動作モードSLEEPから動作モードONになる場合には、どちらも、それぞれ容量素子113、123を予め充電する効果により、突入電流の発生が抑制され、電源線101の電圧降下の発生が抑えられる。上記した電源線101の電圧降下の影響で、常時電源接続され動作中の回路130が、誤動作を起こす虞がある。また、ブロック104が動作モードOFFから動作モードSLEEPになった直後において発生する電源線101の電圧降下の影響で、直前に動作を開始したブロック103の回路111は、誤動作を起こす可能性がある。以上説明したように、特許文献1に記載された電源制御方法では、容量素子113、123を電源線101と接続するときに発生する突入電流による電圧降下の影響で、常時電源接続されている回路、及びそのタイミングで電源に接続されて動作中である回路が誤動作を起こす虞がある。以上、比較例として、従来の半導体装置の電源制御方法について説明した。比較例では、容量素子113、123を充電する際の突入電流が電源線101の電圧降下を起こすことが問題になるが、本発明の実施例1によれば、前述のように、突入電流による電源線401の電圧降下の問題が解消される。また、比較例では、電源線と接続して立ち上げを行う際に、容量素子113、123を充電する必要があり、充電により電位が上昇するまでの時間を要するが、本発明の実施例1では、低消費電力モード時に予め、容量素子に充電しておくため、即座に電源線からの電源供給を開始することができ、立ち上げ時間を短縮することができる。次に、実施例2に係る半導体装置について、必要に応じて図面を参照しながら説明する。図6は本発明の実施例2に係る半導体装置のブロック図である。実施例2の実施例1に対する構成の違いは、実施例1の容量素子413、423と第3のスイッチ412、422の代わりに、第1の内部配線442と第2の内部配線441、451間に抵抗素子513、523と第4のスイッチ512、522を設けている点である。また、図6に示すように、接続/遮断領域505内の2つのブロックは、ブロック503、504である。また、第2の内部配線441は、第2のスイッチ410と接続/遮断領域回路411間の接続ノードN3、及び第4のスイッチ512と接続/遮断領域回路411間の接続ノードに接続されている。また、第2の内部配線451は、第2のスイッチ420と接続/遮断領域回路421間の接続ノードN4、及び第4のスイッチ522と接続/遮断領域回路421間の接続ノードに接続されている。尚、上記以外は、実施例1と同じであるため、図6において実施例1と同じ参照符号を付与している。次に実施例2の動作について説明する。図7は、実施例2に係る半導体装置において、低消費電力モードから通常モードに切り替える場合のタイミングチャートを示している。図7のAは、時刻T21~T24における電源線401、及び第2の内部配線441の電圧波形を示す。また、図7のBは、時刻T21~T24における第2の内部配線441の電流波形341を示す。また、図7の下部は、スイッチ制御信号444、432n、434nの論理タイミング波形を示す但し、n=1、2。また、時刻T22までが低消費電力モードであり、時刻T24以降が通常モードである。また、時刻T22~T24が低消費電力モードから通常モードへの切り替えの期間である。また、その切り替えの期間のうち、時刻T22~T23が第5の期間であり、時刻T23~T24が第6の期間である。また、低消費電力モードでは、第1のスイッチ443、第2のスイッチ410、420、及び第4のスイッチ512、522は全て遮断状態である。一方、通常モードでは、第1のスイッチ443、第2のスイッチ410、420は接続状態であり、第4のスイッチ512、522は遮断状態である。次に、図7の時刻T22~T24の動作について、詳細に説明する。時刻T22において、第1のスイッチ443に対応するスイッチ制御信号444をOFFからONにし、第1のスイッチ443を接続する。それと同時に、第4のスイッチ512に対応する制御信号4341及び第4のスイッチ522に対応する制御信号4342をOFFからONにし、第4のスイッチ512、522を接続する。これにより、電源線401と第2の内部配線441のノードN3は抵抗素子513を介して接続状態になり、電源線401と第2の内部配線445のノードN4は抵抗素子523を介して接続状態になり、電源線401から、抵抗素子513、523を介して第2の内部配線441、451へ電流が流れる。抵抗素子513、523の抵抗値を、電源400の最大負荷電流を流せる程度にしておくと、第2の内部配線441、451の充電時間は遅くなるが、第5の期間で遮断/接続領域回路411、421へ流れ込む電流は緩やかになり、突入電流のピークは小さくなるので、電源線401の電圧降下を低減することができる。次に、第3の閾値電位を、予め、スイッチ制御部の閾値電位241に設定しておき、第2の内部配線441、451の電位が第3の閾値電位に到達したことをスイッチ制御部431の電圧検出部240で検出した後、時刻T23において、第2のスイッチ410に対応するスイッチ制御信号4321及び第2のスイッチ420に対応するスイッチ制御信号4322をOFFからONし、第2のスイッチ410、420を接続する。これにより、電源線401と第2の内部配線441、451は接続状態になる。すなわち、第2の内部配線441、451の電位が第3の閾値電位に達した場合に、第5の期間から第6の期間に移行するように制御がなされる。ここで、上記した電位検出は、どちらか一方の第2の内部配線例えば、第2の内部配線441のみ行ってもよいし、両方の第2の内部配線441、451を監視するように構成してもよい。以降の説明では、両方の第2の内部配線441、451を監視する場合について説明する。次に、時刻T24において、第4のスイッチ512、522に対応するスイッチ制御信号4341、4342をONからOFFし、第4のスイッチ512、522を遮断する。以上により、接続/遮断領域回路411、421に対する電源供給の立ち上げが完了し、通常モードとして動作する。通常モードにおいて、第4のスイッチ512、522は遮断状態であるため、抵抗素子513、523に電流は流れないので、抵抗素子513、523による電流消費はない。このように抵抗素子513、523に電流が流すのを、時刻T22~T24の切り替えの期間のみとし、電力消費を抑えている。次に、実施例2に係る半導体装置において、通常モードから低消費電力モードに切り替える場合について、図8を参照しながら説明する。図8のAは電源線401、第2の内部配線441の電圧波形を示す。また、図8のBは第2の内部配線441の電流波形341を示す。図8において、T26までが通常モードであり、T26以降が低消費電力モードである。実施例2において電源を遮断する場合には、切り替え期間は不要となる。具体的には、時刻T26で、第1のスイッチ443に対応するスイッチ制御信号444をONからOFFにし第1のスイッチ443を遮断すると同時に、第2のスイッチ410、420に夫々対応するスイッチ制御信号4321、4322をONからOFFし、第2のスイッチ410、420を遮断する。以上により、接続/遮断領域回路411、421に対する電源の遮断動作が完了し、低消費電力モードとして動作する。以下に、実施例2による効果について説明する。図7の第5の期間で、電源線401から抵抗素子513、523を介して第2の内部配線441、451に電源供給する際に、接続/遮断領域回路411、421へ流れ込む突入電流が緩やかになりピーク電流が小さくなる。従って、実施例2の第1の効果として、実施例1と同様に、電源線401の電圧降下を低減できる効果がある。従って、動作中の他の回路常時接続回路430等が電源線401の急激な電圧降下による誤動作を起こさないようにすることができる。また、半導体集積回路において、実施例1の容量素子413、423よりも実施例2の抵抗素子513、523のほうが面積的に有利である。容量素子413、423は内部回路全体に形成する領域を確保する必要があるが、抵抗素子513、523の場合、電源400から接続/遮断領域回路411、421までの電源配線の抵抗を外部電源の最大負荷電流を流す程度にすればよいため、面積的に小さくすることができる。従って、実施例2の第2の効果として、実施例1に比べて、小型化、低コスト化が可能であるという効果が得られる。また、実施例2の場合、容量素子を使用しないので、実施例1において行われる低消費電力モードの期間に予め容量素子を充電しておく動作が不要となる。従って、実施例2の第3の効果として、電源の遮断動作を簡略化することができ、低消費電力モードへの切り替えを短時間で行えるという効果が得られる。また、図6に示した実施例2においては、接続/遮断領域505内のブロックの数が2の場合すなわち、n=2について例示したが、これに限定されるものではなく、任意の数のブロックに対して適用が可能である。また、実施例2において、図6に示すように第2の内部配線441、451は分離された配線であるが、これに限定されるものではなく、2つのブロック503、504を同時に立ち上げる場合には、第2の内部配線441と第2の内部配線451を繋いで共通の配線として構成してもよい。また、図6に示した実施例2においては、接続/遮断領域505と第1のスイッチ443の数が1の場合について例示しているが、複数の接続/遮断領域と複数の第1のスイッチを設けるように構成してもよい。また、実施例2においては、スイッチング制御部431内の電圧検出部240で、第2の内部配線441、451の電位を監視する場合について例示しているが、別の方法として、タイマを設け、抵抗素子を介して電流を流し第2の内部配線の電位が上昇される時間図7のT22~T23の期間を予め設定しておき、その時間を計測することによって、第5の期間から第6の期間への移行を制御するようにしてもよい。ここで、この時間を計測するタイマは、図2のタイマ244を用いてもよいし、常時接続領域回路430にタイマを設けてもよい。上記した様々な多様な組み合わせに対しても、前述した実施例2の第1乃至第3の効果が得られるのは勿論である。