"大気雰囲気から真空に保持された真空室へ基板を搬送し、前記真空室から高温の基板を前記大気雰囲気に搬送する際に用いられるロードロック装置であって、真空室に対応する圧力と大気圧との間で圧力を変動可能に設けられた容器と、前記容器内にパージガスを供給するパージガス供給機構と、前記容器内を排気する排気機構と、前記パージガス供給機構と前記排気機構を制御することにより、前記容器内が前記真空室と連通した際に前記容器内の圧力を前記真空室に対応する圧力に調整し、前記容器内が前記大気雰囲気の空間と連通した際に前記容器内の圧力を大気圧に調整する圧力調整機構と、冷却機構を有し、前記容器内に設けられ、基板が近接配置されて基板を冷却する冷却部材と、前記パージガス供給機構から供給されたパージガスを基板に平行に乱流制御された状態で供給する第1のパージガス吐出部材と、前記冷却部材に近接配置された基板の下方から基板の下面に向けてパージガスを吐出する多孔質体からなる第2のパージガス吐出部材とを具備する、ロードロック装置。前記第1のパージガス吐出部材は、前記パージガス供給機構から供給されたパージガスを基板の上面に沿って乱流制御された状態で吐出するパージガス吐出ノズルを有する、請求項1に記載のロードロック装置。前記パージガス吐出ノズルは、基板の上面に一方向の基板に平行な流れが形成されるようにパージガスを吐出する、請求項2に記載のロードロック装置。前記パージガス吐出ノズルから吐出されて基板の上面に形成されるパージガス流を整流する整流部材をさらに具備する、請求項3に記載のロードロック装置。前記第1のパージガス吐出部材は、多孔質体からなる吐出部を有し、前記吐出部から前記パージガスを吐出する、請求項1に記載のロードロック装置。前記吐出部は、多孔質セラミックで構成されている、請求項5に記載のロードロック装置。前記吐出部は、吐出されたパージガスが基板の存在範囲に乱流が制御された流れを形成するように配置されている、請求項5に記載のロードロック装置。前記吐出部は、基板の存在範囲に一方向の基板に平行な流れが形成されるようにパージガスを吐出する、請求項7に記載のロードロック装置。前記吐出部から吐出されて基板の上面に形成されるパージガス流を整流する整流部材をさらに具備する、請求項8に記載のロードロック装置。前記第2のパージガス吐出部材は、多孔質セラミックで構成されている、請求項1に記載のロードロック装置。前記第2のパージガス吐出部材は、前記冷却部材の上面に嵌め込まれていることを特徴とする請求項1に記載のロードロック装置。大気雰囲気から真空に保持された真空室へ基板を搬送し、前記真空室から高温の基板を前記大気雰囲気に搬送する際に用いられるロードロック装置であって、真空室に対応する圧力と大気圧との間で圧力を変動可能に設けられた容器と、前記容器内にパージガスを供給するパージガス供給機構と、前記容器内を排気する排気機構と、前記パージガス供給機構と前記排気機構を制御することにより、前記容器内が前記真空室と連通した際に前記容器内の圧力を前記真空室に対応する圧力に調整し、前記容器内が前記大気雰囲気の空間と連通した際に前記容器内の圧力を大気圧に調整する圧力調整機構と、冷却機構を有し、前記容器内に設けられ、基板が近接配置されて基板を冷却する冷却部材と、前記冷却部材に近接配置された基板の下方から基板の下面に向けてパージガスを吐出する多孔質体からなるパージガス吐出部材とを具備する、ロードロック装置。前記多孔質体からなるパージガス吐出部材は、多孔質セラミックで構成されている、請求項12に記載のロードロック装置。前記多孔質体からなるパージガス吐出部材は、前記冷却部材の上面に嵌め込まれている、請求項12に記載のロードロック装置。大気雰囲気から真空に保持された真空室へ基板を搬送し、前記真空室から高温の基板を前記大気雰囲気に搬送する際に用いられるロードロック装置であって、真空室に対応する圧力と大気圧との間で圧力を変動可能に設けられた容器と、前記容器内にパージガスを供給するパージガス供給機構と、前記容器内を排気する排気機構と、前記パージガス供給機構と前記排気機構を制御することにより、前記容器内が前記真空室と連通した際に前記容器内の圧力を前記真空室に対応する圧力に調整し、前記容器内が前記大気雰囲気の空間と連通した際に前記容器内の圧力を大気圧に調整する圧力調整機構と、冷却機構を有し、前記容器内に設けられ、基板が近接配置されて基板を冷却する冷却部材と、前記パージガス供給機構から供給されたパージガスを基板に平行に乱流制御された状態で供給するパージガス吐出部材と、を有し、前記パージガス吐出部材は、パージガスを吐出する多孔質体からなる吐出部を有し、前記吐出部は、吐出されたパージガスが基板の存在範囲に乱流制御された流れを形成するように配置されている、ロードロック装置。以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について具体的に説明する。<本発明に係るロードロック装置が適用される真空処理システム>図1は、本発明の実施形態に係るロードロック装置が搭載されたマルチチャンバタイプの真空処理システムの概略構造を示す水平断面図である。真空処理システムは、例えば成膜処理のような高温処理を行う4つの真空処理ユニット1、2、3、4を備えており、これらの各真空処理ユニット1~4は六角形をなす搬送室5の4つの辺にそれぞれ対応して設けられている。また、搬送室5の他の2つの辺にはそれぞれ本実施形態に係るロードロック装置6、7が設けられている。これらロードロック装置6、7の搬送室5と反対側には搬入出室8が設けられており、搬入出室8のロードロック装置6、7と反対側には被処理基板としてのウエハWを収容可能な3つのキャリアCを取り付けるポート9、10、11が設けられている。真空処理ユニット1、2、3、4は、その中で処理プレート上に被処理基板であるウエハWを載置した状態で所定の真空処理、例えばエッチングや成膜処理を行うようになっている。真空処理ユニット1~4は、同図に示すように、搬送室5の各辺にゲートバルブGを介して接続され、これらは対応するゲートバルブGを開放することにより搬送室5と連通され、対応するゲートバルブGを閉じることにより搬送室5から遮断される。また、ロードロック装置6,7は、搬送室5の残りの辺のそれぞれに、第1のゲートバルブG1を介して接続され、また、搬入出室8に第2のゲートバルブG2を介して接続されている。そして、ロードロック装置6,7は、第1のゲートバルブG1を開放することにより搬送室5に連通され、第1のゲートバルブG1を閉じることにより搬送室5から遮断される。また、第2のゲートバルブG2を開放することにより搬入出室8に連通され、第2のゲートバルブG2を閉じることにより搬入出室8から遮断される。搬送室5内には、真空処理ユニット1~4、ロードロック装置6,7に対して、ウエハWの搬入出を行う搬送装置12が設けられている。この搬送装置12は、搬送室5の略中央に配設されており、回転および伸縮可能な回転伸縮部13と、その先端に設けられたウエハWを支持する2つの支持アーム14a,14bとを有しており、これら2つの支持アーム14a,14bは互いに反対方向を向くように回転伸縮部13に取り付けられている。この搬送室5内は所定の真空度に保持されるようになっている。搬入出室8のウエハ収納容器であるポート9,10、11にはそれぞれ図示しないシャッターが設けられており、これらポート9,10,11にウエハWを収容した、または空のフープFが直接取り付けられ、取り付けられた際にシャッターが外れて外気の侵入を防止しつつ搬入出室8と連通するようになっている。また、搬入出室8の側面にはアライメントチャンバ15が設けられており、そこでウエハWのアライメントが行われる。搬入出室8内には、フープFに対するウエハWの搬入出およびロードロック装置6,7に対するウエハWの搬入出を行う搬送装置16が設けられている。この搬送装置16は、多関節アーム構造を有しており、フープFの配列方向に沿ってレール18上を走行可能となっていて、その先端の支持アーム17上にウエハWを載せてその搬送を行う。この真空処理システムにおける各構成部、例えば、真空処理ユニット1~4、搬送室5、ロードロック装置6,7におけるガス供給系や排気系、搬送装置12、16、ゲートバルブ等は、マイクロプロセッサコンピュータを備えた制御部20により制御されるようになっている。制御部20は真空処理システムのプロセスシーケンスおよび制御パラメータであるプロセスレシピを記憶した記憶部や、入力手段およびディスプレイ等を備えており、選択されたプロセスレシピに従って真空処理システムを制御するようになっている。以上のように構成される真空処理システムにおいては、搬送装置16により搬入出室8に接続されたフープFからウエハWを取り出し、ロードロック装置6または7の容器31図2参照に搬入する。このとき、ロードロック装置6の容器31内は大気雰囲気にされ、その後第2のゲートバルブG2が開放された状態でウエハWが搬入される。そして、容器31内を搬送室5に対応する圧力になるまで真空排気し、第1のゲートバルブG1を開放して搬送装置12により容器31内からウエハWを受け取って、いずれかの真空処理ユニットのゲートバルブGを開いてその中にウエハWを搬入し、ウエハWに対して成膜等の高温での真空処理を行う。真空処理が終了した時点で、ゲートバルブGを開放し、搬送装置12が対応する真空処理ユニットからウエハWを搬出し、第1のゲートバルブG1を開放してウエハWをロードロック装置6および7のいずれかの容器31内に搬入し、クーリングプレート32図2参照の冷却媒体流路55図2参照を通流する冷却媒体によりウエハWを冷却しつつ、容器31内にパージガスを導入し、その中を大気圧とするウエハ冷却期間。そして、第2のゲートバルブG2を開け、搬送装置16により、フープFに処理後のウエハWを収納する。なお、2つのロードロック装置6、7について、ロードロック装置6を搬入専用にし、ロードロック装置7を搬出専用にしてもよい。<ロードロック装置の第1の実施形態>次に、本発明の第1の実施形態に係るロードロック装置について説明する。図2は本発明の第1の実施形態に係るロードロック装置を示す垂直断面図、図3はその水平断面図である。本実施形態において、ロードロック装置67は、容器31を有している。この容器31は、上部が開口した容器本体31aと、容器本体31aの上部開口を塞ぐ蓋体31bとを有している。容器31内の底部には、ウエハWが近接された状態で配置されてウエハWを冷却するクーリングプレート冷却部材32が設けられている。容器31およびクーリングプレート32は、例えばアルミニウムまたはアルミニウム合金で構成されている。容器31の一方の側壁には真空に保持された搬送室5と連通可能な開口34が設けられており、これと対向する側壁には大気圧に保持された搬入出室8と連通可能な開口35が設けられている。そして、開口34は第1のゲートバルブG1により開閉可能となっており、開口35は第2のゲートバルブG2により開閉可能となっている。クーリングプレート32には、ウエハ搬送用の3本図2では2本のみ図示のウエハ昇降ピン50がクーリングプレート32の表面上面に対して突没可能に設けられ、これらウエハ昇降ピン50は支持板51に固定されている。そして、ウエハ昇降ピン50は、エアシリンダ等の駆動機構53によりロッド52を昇降させることにより、支持板51を介して昇降され、クーリングプレート32の表面上面から突出し、搬送室5における搬送装置12の支持アーム14aもしくは14b、または搬入出室8における搬送装置16の支持アーム17が容器31に挿入された際にこれらとの間でウエハWを受け渡しする受け渡し位置と、クーリングプレート32内に没し、ウエハWをクーリングプレート32の表面上面に近接させる冷却位置とをとることができるようになっている。クーリングプレート32の上面には、3個図2では2個のみ図示のウエハ支持ピン54が取り付けられており、これらウエハ支持ピン54により、冷却位置にあるウエハWがクーリングプレート32と僅かに離隔した位置例えば0.3mmに位置されるようになっている。これにより、ウエハW裏面へのパーティクルの付着を低減することができる。クーリングプレート32内には、冷却媒体流路55が形成されており、この冷却媒体流路55には冷却媒体導入路56および冷却媒体排出路57が接続されていて、図示しない冷却媒体供給部から冷却水等の冷却媒体が通流されてクーリングプレート32に近接されたウエハWを冷却可能となっている。容器31の底部には、容器31内を真空排気するための排気口36が設けられている。排気口36には排気管41が接続されており、この排気管41には、開閉バルブ42、排気速度調整バルブ43および真空ポンプ44が設けられている。したがって、排気速度調整バルブ43および真空ポンプ44により、容器31内を所定の速度で真空排気可能となっている。一方、容器31の底部のクーリングプレート32を挟んで排気口36と反対側には、パージガス例えばN2ガスを吐出するための第1のパージガス吐出部材61が設けられている。第1のパージガス吐出部材61は、容器31の底部から上方に延びるパージガス供給部61aと、パージガス供給部61aの先端に設けられた、ウエハWの径とほぼ同等の幅を有する長尺のパージガス吐出ノズル62とを有している。パージガス供給部61aには、下方からパージガス供給配管45が接続されている。このパージガス供給配管45はパージガス源48から延びており、その途中には開閉バルブ46および流量調節バルブ47が設けられている。これにより、流量調節バルブ47により流量を調節しつつパージガス源48からパージガス供給配管45およびパージガス供給部61aを介して供給されたパージガスをパージガス吐出ノズル62からウエハWに平行に乱流制御された状態で吐出可能となっている。したがって、パージガス流は一方向の平行流となり、層流または制御された乱流、またはこれらが混合した状態となる。また、パージガス吐出ノズル62から吐出されたパージガスは、ウエハWの上面に沿って吐出可能となっている。蓋体31bの直下には、パージガス吐出ノズル62から吐出されたパージガスの乱流制御を行うための整流板63が設けられている。整流板63は、図4の底面図に示すように、パージガスの流れに沿った方向に直線状に複数の仕切り板63aが設けられており、これらの間に流路63bが形成されており、パージガス吐出ノズル62から吐出されたパージガスを整流するようになっている。整流板63が存在しなくても、パージガス吐出ノズル62から吐出されるパージガスを乱流制御された状態でウエハWに平行に流すことは可能であるが、整流板63の存在により、パージガスの乱流制御性をより高めることができる。また、クーリングプレート32の上面には、図5にも示すように、多孔質セラミック等の多孔質体からなる第2のパージガス吐出部材65が嵌め込まれている。この例では4つの円形のパージガス吐出部材65が十字状に配置されているが、パージガスを均一に吐出できれば、その形状および配置形態は問わず、例えば楕円状や矩形状、スリット状等種々の形状を採用することができ、配置形態も十字状の他、三又状等を採用することができる。パージガス吐出部材65は多孔質体であるためフィルター機能を有し、緩やかにパージガスを導入する機能を有する。このパージガス吐出部材65には、パージガス供給配管66が接続されている。このパージガス供給配管66はパージガス源48から延びており、その途中には開閉バルブ67および流量調節バルブ68が設けられている。これにより、流量調節バルブ68により流量を調節しつつパージガス源48からパージガス供給配管66を介して供給されたパージガスを緩やかにウエハWの下面に向けて吐出するようになっている。そして、真空側の搬送室5との間でウエハWの搬送を行う場合には、開閉バルブ46を閉じ、開閉バルブ42を開けた状態として、排気速度調整バルブ43を調節して所定速度で真空ポンプ44により排気管41を介して容器31内を排気し、容器31内の圧力を搬送室5内の圧力に対応する圧力とし、その状態で第1のゲートバルブG1を開けて容器31と搬送室5との間を連通する。また、大気側の搬入出室8との間でウエハWの搬送を行う場合には、開閉バルブ42を閉じ、開閉バルブ46、67を開けた状態として、流量調節バルブ47、68を調節してパージガス源48からパージガス供給配管45、66を介して窒素ガス等のパージガスを所定流量および所定分配比でウエハWの上下面に供給するとともに、容器31内の圧力を上昇させ、その中の圧力を大気圧近傍にし、その状態で第2のゲートバルブG2を開けて容器31と搬入出室8との間を連通する。容器31内の圧力は、圧力調整機構49により大気圧と所定の真空雰囲気との間で調整される。この圧力調整機構49は、圧力計59により測定された容器31内の圧力に基づいて、開閉バルブ42、排気速度調整バルブ43、流量調節バルブ47、67および開閉バルブ46、68を制御することにより容器31内の圧力を調整する。圧力調整機構49は上述の制御部20により制御される。次に、本実施形態におけるロードロック装置6、7の動作について説明する。まず、搬送装置16によりフープFから取り出されたウエハWを、容器31に搬入する。このとき、容器31内は大気雰囲気にされ、その後第2のゲートバルブG2が開放された状態でウエハWが搬入される。そして、ゲートバルブG2を閉じ、容器31内を搬送室5に対応する圧力になるまで真空排気し、次いで、第1のゲートバルブG1を開放して搬送装置12の支持アーム14aまたは14bにより容器31内からウエハWを搬出する。搬出されたウエハWは、いずれかの真空処理ユニットにより成膜等の高温での真空処理が行われる。次いで、容器31内を搬送室5に対応する圧力に調整し、第1のゲートバルブG1を開けて処理後の高温のウエハWを容器31内に搬入し、容器31内にパージガスを導入して容器31内の圧力を大気圧に上昇させる過程でウエハWを冷却する。そして、容器31内が大気圧になりかつウエハWが100°C程度以下の所定の温度まで冷却された時点で、第2のゲートバルブG2を開けて容器31内のウエハWを搬送装置16の支持アーム17により取り出して所定のフープFに収容する。このときのウエハWの冷却は、従来、クーリングプレート32に通流させる冷却媒体による冷却に依存していた。しかし、最初からウエハWをクーリングプレート32に近接させるとウエハWが反ってしまうため、初期の段階では昇降ピン50によりウエハWをクーリングプレート上方に待機させておく必要がある。そのため、ウエハWを効率良く冷却することができない。大気圧に戻すためのパージガスを用いてウエハを冷却することが考えられるが、従来は、ウエハを効率良く冷却すべくウエハの近傍にパージガスを導入しようとすると、パーティクルを巻き上げてウエハにパーティクルが付着してしまうおそれがあるため、ウエハから離れた位置からパージガスを導入せざるを得ず、ウエハの冷却には有効に機能しない。そこで、本実施形態では、処理後の高温のウエハWを搬入してウエハを冷却しつつ大気雰囲気に戻す際に、パージガス源48からパージガス供給配管45およびパージガス供給部61aを介して供給されたパージガスをパージガス吐出ノズル62から吐出し、整流板63で整流することによりウエハWに平行にかつウエハWの上面に沿って排気口36に向かう一方向の層流を形成する。このようにウエハWに平行にウエハWの上面に沿って層流を形成して強制的に対流させることにより、ウエハW上面に冷却層が形成され、対流伝熱によりウエハWの冷却を促進することができる。このとき、このような層流状態の冷却層が形成されるため、パーティクルの巻き上げが防止される。つまり、ウエハW上面の冷却層はパーティクル巻き上げ防止層としても機能する。一方、パージガス源48からのパージガスは、パージガス供給配管66にも供給され、そのパージガスは多孔質セラミックス等の多孔質体からなる第2のパージガス吐出部材65からウエハWの下面に向けて供給される。このとき、多孔質体は整流作用があるため、第2のパージガス吐出部材65から吐出されるパージガスは、層流状態で緩やかにウエハWの下面に供給され、ウエハWの下面にパージガスからなる冷却層を形成してウエハWの冷却を促進する。このとき、パージガス吐出部材65からパージガスが層流状態で緩やかに吐出されるため、周囲のパーティクルを巻き上げるおそれが極めて小さい。このため、パージガス吐出部材65から吐出されるパージガスもパーティクルを巻き上げることなくウエハWの冷却に有効に寄与する。このようにしてパーティクルを巻き上げずにウエハWにパージガスを供給することができ、しかもウエハWの上下面をともにパージガスにより冷却することができるので、ウエハWに対するパーティクル付着を抑止しつつ、高温のウエハWを極めて効率よく冷却することができる。このためウエハ処理のスループットを高くすることができる。図6は、パージガスを容器31の底部に形成されたパージガス導入口からのみ供給した従来の場合と、ウエハ上下面へのパージガス供給流量:50slmを追加した本実施形態の場合とで、ウエハWの冷却性を調査したものであり、700°C程度の高温のウエハを冷却した場合のウエハの温度変化を示す。この図に示すように、本実施形態の場合には、ウエハ温度が250°C付近になった段階から従来よりも温度低下が大きくなり、ウエハWの温度が取り出し可能な100°Cになるまでの時間が36secから29secと7secも短縮されることが確認された。次に、従来の容器底部のパージガス導入口からパージガスを導入した場合の対流伝熱の効果を把握した。図7Aは計算により求めた結果、図7Bは実測データである。図7Bの実測データは容器内圧力を大気圧とし、パージガスとしてN2を用い、N2パージがない場合と、N2ガス流量を12slmでパージした場合とでウエハの冷却特性を比較したものである。図7Aの算出条件は、容器内圧力を大気圧とし、N2パージがある場合とない場合について、N2流量と熱伝達率を、実測データを元に、算出結果のクーリング率が実測データと近似するように、特に70°Cまでのクーリング時間が近似するように設定したものである。図7Aの算出結果より、実測データと同一結果になるように熱伝達率を設定すると、N2パージ量が66sccmとなった。つまり、従来のように、単に容器底部のパージガス導入口からパージガスを導入する場合には、パージガス流量が12slmであっても、実際に冷却に寄与しているのは5程度であり、パージガスによる冷却効率は極めて低いことがわかる。この結果から、本実施形態のようにウエハ上下に直接パージガスを供給する効果を理解することができる。このように、本実施形態によれば、パージガスをウエハWに平行にかつウエハWの上面に乱流制御された状態で供給するパージガス吐出ノズル62を有する第1のパージガス吐出部材61と、冷却部材32に近接配置されたウエハWの下方からウエハWの下面に向けてパージガスを吐出する多孔質体からなる第2のパージガス吐出部材65とを設けたので、ウエハWの上面に形成された層流または制御された乱流による対流伝熱により基板を有効に冷却するとともに、パージガスの層がパーティクル巻き上げを防止する層としても機能し、また、多孔質体からなる第2のパージガス吐出部材65からは整流されたパージガスが緩やかにウエハWの下面に供給され、パーティクルを巻き上げることなくウエハWを有効に冷却する。このため、ウエハWに対するパーティクル付着を抑制しつつ高温の基板を効率良く冷却することができ、処理のスループットを高くすることができる。なお、本実施形態では、第1のパージガス吐出部材61からウエハW上面へのパージガス供給と第2のパージガス吐出部材65からウエハW下面へのパージガス供給の両方を行っているが、第2のパージガス吐出部材65からのパージガスの供給のみでも、整流されたパージガスが緩やかにウエハWの下面に供給され、パーティクルを巻き上げることなくウエハWを冷却することができ、ウエハWに対するパーティクル付着を抑制しつつ高温のウエハWを効率良く冷却することができるという効果を奏することができる。<ロードロック装置の第2の実施形態>次に、本発明の第2の実施形態に係るロードロック装置について説明する。図8は本発明の第2の実施形態に係るロードロック装置を示す垂直断面図、図9はその水平断面図である。これら図において、第1の実施形態と同じものには図2、3と同じ符号を付して説明を省略する。本実施形態に係るロードロック装置では、第1の実施形態における第1のパージガス吐出部材61とは構造が異なる第1のパージガス吐出部材71を有している。第1のパージガス吐出部材71は、容器31の底部のクーリングプレート32を挟んで排気口36と反対側に設けられており、容器31の底部から上方に延びるパージガス供給部71aと、パージガス供給部71aの先端に設けられた、ウエハWの径とほぼ同等の幅を有する長尺の多孔質体例えば多孔質セラミックスからなる吐出部72とを有している。パージガス供給部71aには、下方からパージガス供給配管45が接続されている。吐出部72は、ウエハWの上方位置から下方位置の範囲に亘って設置されている。そして、流量調節バルブ47により流量を調節しつつパージガス源48からパージガス供給配管45およびパージガス供給部71aを介して供給されたパージガスを多孔質体からなる吐出部72からウエハWに平行に乱流制御された状態で吐出可能となっている。また、吐出部72は、ウエハWの上方位置から下方位置の範囲に亘って設置されているので、吐出部72から吐出されたパージガスは、ウエハWの存在範囲に乱流制御された状態で吐出可能となっている。したがって、パージガス流は一方向の平行流となり、層流または制御された乱流、またはこれらが混合した状態となる。また、蓋体31bの直下には第1の実施形態と同様、整流板63が設けられている。本実施形態においても、整流板63が存在しなくても、吐出部72から吐出されるパージガスを乱流制御された状態でウエハWに平行に流すことは可能であるが、整流板63の存在により、パージガスの乱流制御性をより高めることができる。本実施形態では、処理後の高温のウエハWを搬入してウエハを冷却しつつ大気雰囲気に戻す際に、パージガス源48からパージガス供給配管45およびパージガス供給部71aを介して供給されたパージガスを多孔質体からなる吐出部72ら吐出し、整流板63で整流することによりウエハWに平行にかつウエハWの存在領域に排気口36に向かう一方向の乱流制御された状態の流れを形成する。このようにウエハWの存在領域にウエハWに平行に乱流制御された流れを形成して強制的に対流させることにより、ウエハWの上下面に層流または制御された乱流による冷却層が形成され、対流伝熱によりウエハWの冷却を促進することができる。このとき、吐出部72を構成する多孔質体は整流作用があるため、吐出部72から吐出されたパージガスは緩やかに流れ、パーティクルの巻き上げが防止される。一方、第1の実施形態と同様、パージガス供給配管66からのパージガスは多孔質セラミックス等の多孔質体からなる第2のパージガス吐出部材65からウエハWの下面に向けて供給されるので、多孔質体の整流作用により、パージガスは緩やかにウエハWの下面に供給され、ウエハWの下面にパージガスからなる冷却層を形成してパージガスを巻き上げることなくウエハWの冷却を促進する。このようにして本実施形態においても、パーティクルを巻き上げずにウエハWにパージガスを供給することができ、しかもウエハWの上下面をともにパージガスにより冷却することができるので、ウエハWに対するパーティクル付着を抑止しつつ、高温のウエハWを極めて効率よく冷却することができる。このためウエハ処理のスループットを高くすることができる。なお、本実施形態においても、第1のパージガス吐出部材71からウエハWへのパージガス供給と第2のパージガス吐出部材65からウエハW下面へのパージガス供給の両方を行っているが、多孔質体からなる第2のパージガス吐出部材65からのパージガスの供給のみでもよい。これにより、ウエハWを効率良く冷却することができ、ウエハWに対するパーティクル付着を抑制しつつ高温のウエハWを効率良く冷却することができるという効果を奏することができる。また、第1のパージガス吐出部材71のみでも、ウエハWの存在領域にウエハWに平行に層流もしくは制御された乱流を形成して強制的に対流させて、ウエハWの上下面に冷却層を形成するので、対流伝熱によりウエハWの冷却を促進することができ、また、吐出部72を構成する多孔質体は整流作用があるため、吐出部72から吐出されたパージガスは緩やかに流れ、パーティクルの巻き上げが防止されるので、パーティクルを巻き上げることなくウエハWを冷却することができる。<他の適用>なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、真空処理ユニットを4つ、ロードロック装置を2つ設けたマルチチャンバタイプの真空処理システムを例にとって説明したが、これらの数に限定されるものではない。また、本発明のロードロック装置は、このようなマルチチャンバタイプの真空処理装置に限らず、真空処理ユニットが1個のシステムであっても適用可能である。さらに、上記実施形態においては、ウエハ上面に一方向の層流を形成したが、これに限らず、例えば、ウエハの周囲に複数のガス吐出部材を設けて、これらガス吐出部材からウエハの上面に向けてパージガスを供給することによりウエハ上面に層流を形成する等、他の手法を用いても良い。さらにまた、被処理基板についても、半導体ウエハに限らず、FPD用ガラス基板などの他の基板を対象にすることができることはいうまでもない。"