回路層となる金属板と接合されてパワーモジュール用基板を形成するセラミックス基板であって、繊維状Si3N4粒子と、非晶質Si3N4粒子とが焼結されており、前記繊維状Si3N4粒子が、0.05μm以上3μm以下の短軸径と3以上20以下のアスペクト比を有し、且つ、一つの断面における前記繊維状Si3N4粒子のセラミックス基板に占める割合が、5面積以上95面積以下であり、前記非晶質Si3N4粒子の平均粒子径が1nm以上500nm以下であることを特徴とするセラミックス基板。請求項1に記載のセラミックス基板の表面に回路層となる金属板を接合したことを特徴とするパワーモジュール用基板。しかしながら、Si3N4は高強度であるが、AlNやAl2O3と比較して、Si3N4自身が針状の出発材料が一般的であるため難焼結性であり、高密度かつ平滑な表面を持つセラミックス基板を得ることが困難である。そのため同じ接合温度で比較した場合、接合性が悪くなる傾向があるという課題があった。すなわち、Si3N4焼結体からなるセラミックス基板を用いても、未だパワーモジュール用基板の熱サイクル時における耐久性は充分とは言えず、使用時にこのセラミックス焼結体を形成する粒子の粒界に沿って亀裂が進展することがあった。そのため、熱サイクル時の強度をさらに向上させ、耐久性の高いパワーモジュール用基板を製作可能なセラミックス焼結体が求められていた。そこで、本発明が解決しようとする技術的課題、すなわち、本発明の目的は、熱サイクル時における亀裂の進展が抑制されるとともに、焼結性および接合性に優れたパワーモジュール用基板を提供することである。前記目的を達成するために、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、本発明は、以下の手段を提案している。すなわち、本願の請求項1に係る発明は、回路層となる金属板と接合されてパワーモジュール用基板を形成するセラミックス基板であって、繊維状Si3N4粒子と、非晶質Si3N4粒子とが焼結されており、前記繊維状Si3N4粒子が、0.05μm以上3μm以下の短軸径と3以上20以下のアスペクト比を有し、且つ、一つの断面における前記繊維状Si3N4粒子のセラミックス基板に占める割合が、5面積以上95面積以下であり、前記非晶質Si3N4粒子の平均粒子径が1nm以上500nm以下であることを特徴とする。本発明に係るセラミックス基板によれば、セラミックス焼結体に含まれる繊維状Si3N4粒子は、短軸径が0.05μm以上3μm以下、且つアスペクト比が3以上20以下とされているので、前記非晶質Si3N4粒子同士を架橋し繋ぎ留める効果を充分に発揮することができる。従って、非晶質Si3N4粒子の粒界に沿って亀裂が発生した際には、この繊維状Si3N4粒子がこれら非晶質Si3N4粒子同士を架橋するようにして繋ぎ留めるとともに、ピン留め効果を奏効せしめて、亀裂が進展するのを防止する。ここで、繊維状Si3N4粒子の短軸径は、0.05μmより小さい場合や3μmより大きい場合には、充分なピン留め効果が得られないため、0.05μm以上3μm以下の範囲とすることが好ましい。また、アスペクト比は、3より小さい場合には充分なピン留め効果が得られにくくなり、20より大きい場合には焼結体の密度や表面の平滑性が低下するおそれがあるため、3以上20以下の範囲とすることが好ましい。さらに、このセラミックス基板の非晶質Si3N4粒子は、平均粒子径が1nm以上500nm以下とされており、繊維状Si3N4粒子の粒界近傍に配置されやすくなされているので、これら繊維状Si3N4粒子同士を密着させるようにして繋ぎ留め、前述の繊維状Si3N4粒子の架橋効果をより促進することができる。また、これら非晶質Si3N4粒子が、繊維状Si3N4粒子の転位の移動を抑制するピン留め効果ため、強度が向上される。また、ナノサイズの粒子が繊維状Si3N4粒子の粒界の隙間を埋めるようにして配置されるので、このセラミックス基板は相対密度が非常に高く形成されるとともにその焼結性が向上する。ここで、非晶質Si3N4粒子の平均粒子径は、1nmより小さく作製することは困難であり、また500nmより大きくすると粒子間の空隙を埋めるのに適さないため、1nm以上500nm以下の範囲とすることが好ましい。また、一つの断面における繊維状Si3N4粒子のセラミックス基板に占める割合が、5面積以上95面積以下とされており、非晶質Si3N4粒子が繊維状Si3N4粒子の粒界の隙間を埋めるようにして配置されるので、繊維状Si3N4粒子および非晶質Si3N4粒子の夫々の作用効果を確実に奏功せしめるとともに、このセラミックス基板の強度および熱サイクル時の耐久性が向上される。これら各Si3N4粒子のセラミックス基板に占める割合が夫々5面積に満たない場合は、夫々の粒子の作用効果が充分に現れず、また、これら各Si3N4粒子のセラミックス基板に占める割合が夫々95面積を超えると緻密体の作製が困難となり、焼結体の強度が逆に低減する虞があるので、前述の5面積以上95面積以下とされるのが好ましい。Si3N4粒子のアモルファス化の方法としては、特に限定されるものではないが、再現性、生産性の観点からメカノケミカル処理を用いることが好ましい。さらに、焼結後の表面粗さは、接合性向上の観点から、Raで0.4μm以下であることがより望ましい。本願の請求項2に係る発明は、請求項1に記載のセラミックス基板の表面に回路層となる金属板を接合したことを特徴とするパワーモジュール用基板である。本発明に係るパワーモジュール用基板によれば、前述のようなセラミックス基板を用いるので、熱サイクル時における亀裂の進展が抑制されるとともに、焼結性および接合性を向上することができる。本発明に係るセラミックス基板およびパワーモジュール用基板によれば、熱サイクル時における亀裂の進展が抑制されるとともに、焼結性および接合性が向上される。以下、図面を参照し、この発明の実施の形態について説明する。図1は、本発明の一実施形態に係るパワーモジュール用基板を示す概略図、図2は、図1のパワーモジュール用基板を示す拡大した概略断面図である。本実施形態に係るパワーモジュール用基板1は、図1に示すように、矩形板状のセラミックス基板11を有しており、このセラミックス基板11の表面側に回路層となる回路層用金属板13が積層されるとともに、裏面側に放熱のための熱伝導層となる熱伝導層用金属板12が積層された構成である。例えば、これら回路層用金属板13および熱伝導層用金属板12は、純Alにより形成されている。セラミックス基板11は、後述するSi3N4の板状のセラミックス材料によって構成されている。ここで、セラミックス基板11は、その厚さが例えば0.635mmとなっている。熱伝導層用金属板12は、例えばAlアルミニウムのような高熱伝導率を有する金属により形成されており、ロウ材層によってセラミックス基板11に接合固定されている。ここで、熱伝導層用金属板12の厚さは、例えば0.6mmとなっている。また、ロウ材層16は、例えばAl-Si珪素系例えばAl:93重量、Si:7重量、厚さ10μm以上15μmまたはAl-Geゲルマニウム系のロウ材により形成されている。回路層用金属板13は、熱伝導層用金属板12と同様に、例えばAlのような高熱伝導率を有する金属により形成されており、間隔を適宜あけて配置されることで回路を構成する。そして、回路層用金属板13は、ロウ材層17によってセラミックス基板11に接合固定されている。ここで、回路層用金属板13の厚さは、例えば0.6mmとなっている。また、ロウ材層17は、例えばAl-Si系またはAl-Ge系のロウ材により形成されている。また、回路層用金属板13の上面には、電子部品18がハンダ層19によって固着される。ここで、電子部品18としては、例えば半導体チップが適用可能であり、半導体チップとしてIGBTInsulatedGateBipolarTransistorなどのパワーデバイスが挙げられる。また、図2において、本実施形態のパワーモジュール用基板1に用いられるセラミックス基板11は、セラミックス材料を焼結してなるセラミックス焼結体より形成されている。詳しくは、このセラミックス基板11は、繊維状Si3N4粒子2aおよび非晶質Si3N4粒子2bとから構成されている。また、繊維状Si3N4粒子2aは、短軸径が0.05μm以上3μm以下、且つアスペクト比が3以上20以下とされている。また、非晶質Si3N4粒子2bは、平均粒子径が1nm以上500nm以下とされており、繊維状Si3N4粒子2aの粒界近傍およびこれら粒子同士の間隙を埋めるようにして配置されている。これら非晶質Si3N4粒子2bにより、このセラミックス基板11の相対密度は一定以上の高い状態が確保されており、例えば、その相対密度は98程度まで高められている。また、これら繊維状Si3N4粒子2a、非晶質Si3N4粒子2bは夫々のセラミックス基板11に占める割合が、一つの断面において5面積以上95面積以下とされている。つまり、夫々の粒子が少なくとも5面積以上含まれているのである。このセラミックス基板11の繊維状Si3N4粒子2aは、例えば、グラファイト等の反応容器内に珪素ブロックを入れ、これを真空雰囲気中で加熱し珪素蒸気を発生させるとともに、この反応容器内に窒素ガスを流入し反応させて、原料の粉末を得ることができる。また、非晶質Si3N4粒子2bは、例えば、酸化珪素微粉末とカーボンブラック微粉末とに高純度の窒化珪素微粉末を添加して十分に混合し、これを加圧して圧成体とし、この圧成体を窒素雰囲気中で1550°C~1650°Cに加熱して還元窒化し、さらに600°C~700°Cで加熱してカーボンブラックを除去することにより、原料の粉末を得ることができる。そして、これら夫々の原料粉末を十分に混合した後、Arガス雰囲気中において1800~2200°Cにて150~250MPaの条件で加圧焼結して、本実施形態のセラミックス基板11を得ることができる。以上説明したように、本実施形態のパワーモジュール用基板1によれば、セラミックス基板11の繊維状Si3N4粒子2aは、短軸径が0.05μm以上3μm以下、且つアスペクト比が3以上20以下とされているので、前述の非晶質Si3N4粒子2b同士を架橋し繋ぎ留める効果を充分に発揮することができる。従って、非晶質Si3N4粒子2bの粒界に沿って亀裂が発生した際には、この繊維状Si3N4粒子2aがこれら非晶質Si3N4粒子2b同士を架橋するようにして繋ぎ留めるとともに、ピン留め効果を奏効せしめて、亀裂が進展するのを防止する。ここで、繊維状Si3N4粒子2aの短軸径は、0.05μmより小さい場合や3μmより大きい場合には、充分なピン留め効果が得られないため、0.05μm以上3μm以下の範囲とすることが好ましい。さらに、このセラミックス基板11の非晶質Si3N4粒子2bは、平均粒子径が1nm以上500nm以下とされており、繊維状Si3N4粒子2aの粒界近傍に配置されやすくなされているので、これら非晶質Si3N4粒子2b同士を密着させるようにして繋ぎ留め、前述の繊維状Si3N4粒子2aの架橋効果をより促進することができる。また、これら非晶質Si3N4粒子2bが、繊維状Si3N4粒子2aの転位の移動を抑制するピン留め効果ため、強度が向上される。また、ナノサイズの粒子が繊維状Si3N4粒子2aの粒界の隙間を埋めるようにして配置されるので、このセラミックス基板11は相対密度が非常に高く形成されるとともにその焼結性が向上する。ここで、非晶質Si3N4粒子2bの粒子径は、1nmより小さく作製することは困難であり、また500nmより大きくすると粒子間の空隙を埋めるのに適さないため、1nm以上500nm以下の範囲とすることが好ましい。また、これら、繊維状Si3N4粒子2a、非晶質Si3N4粒子2bは夫々のセラミックス基板2に占める割合が、一つの断面において5面積以上95面積以下とされているので、夫々の粒子の作用効果を確実に奏功せしめるとともに、このセラミックス基板2の強度および熱サイクル時の耐久性が向上される。これら各Si3N4粒子のセラミックス基板11に占める割合が一つの断面において夫々5面積に満たない場合は、夫々の粒子の作用効果が充分に現れず、また、これら各Si3N4粒子のセラミックス基板11に占める割合が夫々95面積を超えると緻密体の作製が困難となり、焼結体の強度が逆に低減する虞があるので、各Si3N4粒子のセラミックス基板11に占める割合は、5面積以上95面積以下の範囲とすることが好ましい。以下に、実施例および比較例を示す。<セラミックス基板の作成>グラファイト等の反応容器内に珪素ブロックを入れ、これを真空雰囲気中で加熱し珪素蒸気を発生させるとともに、この反応容器内に窒素ガスを流入し反応させて、繊維状Si3N4粒子を得た。なお、導入する窒素ガス流量を調整することにより、短軸径およびアスペクト比が異なる複数種類の繊維状Si3N4粒子を得た。酸化珪素微粉末とカーボンブラック微粉末とに高純度の窒化珪素微粉末を添加して十分に混合し、これを加圧して圧成体とし、この圧成体を窒素雰囲気中で1550°C~1650°Cに加熱して還元窒化し、さらに600°C~700°Cで加熱してカーボンブラックを除去することにより、非晶質Si3N4粒子を得た。なお、焼成温度を調整することにより、平均粒径が異なる複数種類の繊維状Si3N4粒子を得た。そして、これら夫々のSi3N4粒子を十分に混合した後、Arガス雰囲気中において、2000°Cにて200MPaの条件で加圧焼結して、本実施形態のセラミックス基板11を得た。<パワーモジュール用基板の作成>前述のセラミックス基板板厚0.635mm、一辺が30mmの正方形の両面に、Al-Si合金のろう材箔を介して28mm角のアルミニウム金属層回路層の厚み0.6mm、放熱層の厚み1.5mmを配置した。そして、各積層体の両面にクッションシートを積層してベース板と押圧板との間に配置して加熱処理650°C、2.5×105Paを施し、それぞれパワーモジュール用基板を得た。<セラミックス基板およびパワーモジュール用基板の評価>Si3N4粒子の粒径、アスペクト比、面積比率EPMAでの観察において0.05mm2の観察視野の写真500倍を10枚撮影し、その中で観察可能なSi3N4粒子のサイズを測定し、平均粒径、アスペクト比を計算した。また、同じ観察視野の写真から、繊維状Si3N4粒子および非晶質Si3N4粒子の占める面積比率を算出した。セラミックス基板の平滑性平均面粗さRaを原子間力顕微鏡によって測定した。セラミックス基板の焼結性セラミックス基板の焼結性に関し、下記の各物性を評価した。アルキメデス法によってセラミックス基板の密度理論密度に対する百分率を測定した。焼結体の曲げ強度を、JISR1601に従って評価した。焼結体から3×4×40mmの棒状試験片を切り出し、表面をダイアモンドホイールにて長軸方向に研磨した後、スパン30mm、クロスヘッドスピード0.5mm/分の条件で室温および1300°Cで3点曲げ試験を行うことにより測定した。試験片の個数は室温用に30本、1300°C用に10本とし、値はそれらの平均値で示した。パワーモジュール用基板の接合性接合性評価は、次のように行った。各実施例および比較例のパワーモジュール用基板に、-50°C×30分→室温×10分→150°C×30°C→室温×10分を1サイクルとするヒートサイクルを1000回実施した。その後、目視および超音波探傷により、焼結板の剥離やクラック発生状況を観察した。以上の結果を表1に示した。なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、本実施形態ではパワーモジュール用基板1について説明したが、これに限られず、このパワーモジュール用基板1の表面に半導体チップ等の電子部品不図示を搭載し、パワーモジュール用基板1の裏面に熱交換器であるヒートシンク不図示を接合することによってパワーモジュールを形成してもよい。また、本実施形態では加圧焼結で作製したセラミックス基板をアルミニウム金属層と接合して、パワーモジュール用基板を作成する方法の一例を示したが、これに限定されず、例えば、セラミックス基板にホーニング処理を施した後で、セラミックス基板をアルミニウム金属層とを接合してもよい。