リフレッシュ動作を行うことを示すリフレッシュコマンドの発行を検出し、リフレッシュ検出信号を生成する、リフレッシュコマンド検出回路と、前記リフレッシュ検出信号に基づいて、リフレッシュ動作時に駆動される複数の昇圧回路の動作を制御するための制御信号群を生成する、台数決定回路と、を具備し、前記台数決定回路は、前記リフレッシュ検出信号の生成間隔に基づいて、リフレッシュ動作時に駆動される前記昇圧回路の台数を決定し、決定した台数の前記昇圧回路を駆動させる信号群を、前記制御信号群として生成する昇圧回路用制御回路。請求項1に記載された昇圧回路用制御回路であって、前記台数決定回路は、前記リフレッシュ検出信号の生成間隔を示す間隔信号群を生成する、間隔検出回路と、現サイクルに生成された前記間隔信号群に基づいて、次サイクルにおける前記制御信号群を生成する、制御信号群生成回路と、現サイクルにおける前記制御信号群に基づいて、現サイクルにおいて駆動している前記昇圧回路の台数を示す状態信号群を生成する、状態信号群生成回路とを備え、前記制御信号群生成回路は、前記状態信号群に基づいて、次サイクルにおいて駆動される前記昇圧回路の台数を決定する昇圧回路用制御回路。請求項2に記載された昇圧回路用制御回路であって、前記制御信号群生成回路は、前記制御信号群として、前記複数の昇圧回路を第1状態乃至第3状態のいずれかで駆動させる信号群を生成し、前記第1状態は、基本台数の前記昇圧回路が駆動される状態であり、前記第2状態は、中間台数の前記昇圧回路が駆動される状態であり、前記第3状態は、最大台数の前記昇圧回路が駆動される状態であり、前記中間台数は、前記基本台数より多く、前記最大台数よりも少ない昇圧回路用制御回路。請求項3に記載された昇圧回路用制御回路であって、前記間隔検出回路は、第1信号を前記間隔信号群に含まれる信号の一つとして生成する、第1信号生成回路を含み、前記第1信号は、前サイクルと現サイクルとで連続して前記リフレッシュ検出信号が生成されたことを示す信号である昇圧回路用制御回路。請求項4に記載された昇圧回路用制御回路であって、前記制御信号群生成回路は、前記第1信号を取得した場合に、次サイクルにおける前記制御信号群として、前記第3状態で前記複数の昇圧回路が駆動されるような信号群を、生成する昇圧回路用制御回路。請求項3乃至5のいずれかに記載された昇圧回路用制御回路であって、前記間隔検出回路は、第2信号を前記間隔信号群に含まれる信号の一つとして生成する、第2信号生成回路を含み、前記第2信号は、1サイクル間隔で前記リフレッシュ検出信号が生成されたことを示す信号である昇圧回路用制御回路。請求項6に記載された昇圧回路用制御回路であって、前記制御信号群生成回路は、前記複数の昇圧回路の状態が前記第1状態であるときに前記第2信号を取得した場合に、次サイクルにおいて、前記制御信号群として、前記複数の昇圧回路を前記第2状態で動作させるような信号群を生成する昇圧回路用制御回路。請求項3乃至7のいずれかに記載された昇圧回路用制御回路であって、前記間隔検出回路は、第3信号を前記間隔信号群に含まれる信号の一つとして生成する、第3信号生成回路を含み、前記第3信号は、予め定められたサイクル数の間において前記リフレッシュ検出信号が生成されなかったことを示す信号である昇圧回路用制御回路。請求項8に記載された昇圧回路用制御回路であって、前記制御信号群生成回路は、前記複数の昇圧回路の状態が前記第2状態であり、前記第3信号を取得した場合に、次サイクルにおいて、前記制御信号群として、前記複数の昇圧回路を前記第1状態で動作させるような信号群を生成する昇圧回路用制御回路。リフレッシュ動作を行うことを示すリフレッシュコマンドの発行を検出し、リフレッシュ検出信号を生成するステップと、前記リフレッシュ検出信号に基づいて、リフレッシュ動作時に駆動される複数の昇圧回路の動作を制御する制御信号群を生成するステップと、を具備し、前記制御信号群を生成するステップは、前記リフレッシュ検出信号の生成間隔に基づいて、リフレッシュ動作時に駆動される前記昇圧回路の台数を決定し、決定した台数の前記昇圧回路を駆動させる信号群を、前記制御信号群として生成するステップを含んでいる半導体集積回路装置の動作方法。DRAMにおいて、リフレッシュ動作が実行されるタイミングは、固定的ではない。リフレッシュ動作の発生間隔は、広い場合もあれば、狭い場合もある。リフレッシュ動作の発生間隔が広い場合、消費される電荷量は少なく、昇圧回路が生成する電流は少なくて済むと考えられる。しかしながら、特許文献1に記載された技術では、リフレッシュ動作の発生間隔が考慮されていない。従って、リフレッシュ動作の発生間隔が広い場合であっても、昇圧回路によって多量の電流が生成され、ピーク電流が増大してしまう、という問題点があった。また、特許文献2乃至6のいずれにおいても、リフレッシュ動作の発生間隔については、考慮されていない。そこで、本発明の課題は、ピーク電流を抑制することができる、半導体集積回路装置及び半導体集積回路装置の動作方法を提供することにある。本発明に係る昇圧回路用制御回路は、リフレッシュ動作を行うことを示すリフレッシュコマンドの発行を検出し、リフレッシュ検出信号を生成する、リフレッシュコマンド検出回路と、前記リフレッシュ検出信号に基づいて、リフレッシュ動作時に駆動される複数の昇圧回路の動作を制御するための制御信号群を生成する、台数決定回路とを具備する。前記台数決定回路は、前記リフレッシュ検出信号の生成間隔に基づいて、リフレッシュ動作時に駆動される前記昇圧回路の台数を決定し、決定した台数の前記昇圧回路を駆動させる信号群を、前記制御信号群として生成する。本発明によれば、台数決定回路が設けられているため、リフレッシュ検出信号の生成間隔に応じて、駆動される昇圧回路の台数が決定される。すなわち、リフレッシュ動作の実行間隔に応じて、昇圧回路の台数を適切に調整することが可能となり、ピーク電流の増大を有効に抑えることができる。本発明に係る半導体集積回路装置の動作方法は、リフレッシュ動作を行うことを示すリフレッシュコマンドの発行を検出し、リフレッシュ検出信号を生成するステップと、前記リフレッシュ検出信号に基づいて、リフレッシュ動作時に駆動される複数の昇圧回路の動作を制御する制御信号群を生成するステップとを具備する。前記制御信号群を生成するステップは、前記リフレッシュ検出信号の生成間隔に基づいて、リフレッシュ動作時に駆動される前記昇圧回路の台数を決定し、決定した台数の前記昇圧回路を駆動させる信号群を、前記制御信号群として生成するステップを含んでいる。本発明によれば、ピーク電流を抑制することができる、昇圧回路用制御回路及び半導体集積回路装置の動作方法が提供される。以下に、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。図2は、本実施形態に係る半導体集積回路装置1を示す全体構成図である。図2に示されるように、半導体集積回路装置1は、昇圧回路用制御回路2、昇圧電圧発生部3、及びメモリアレイ4を備えている。メモリアレイ4は、電荷を蓄えることによりデータを保持する部分である。本実施形態では、メモリアレイ4は、DRAMに含まれるメモリセルアレイ部分であるものとする。メモリアレイ4には、リフレッシュ動作制御回路図示せずが接続されている。メモリアレイ4に電荷を補充するために、リフレッシュ動作制御回路により、メモリアレイ4のリフレッシュ動作が実行される。リフレッシュ動作時には、昇圧電圧発生部3から内部昇圧電源を介してメモリアレイ4に電流が供給される。昇圧電圧発生部3は、昇圧電圧を発生させ、内部昇圧電源に対して電流を供給する部分である。昇圧電圧発生部3から内部昇圧電源に供給される電流が、電流ICPとして記載される。昇圧電圧発生部3は、出力端VBOOT、及び複数のチャージポンプ回路昇圧回路7-1~7-5を有している。各チャージポンプ回路7-1~7-5の出力端は、出力端VBOOTに接続されている。駆動しているチャージポンプ回路の台数が多ければ多いほど、電流ICPは大きくなる。本実施形態において、チャージポンプ回路7-1、7-2は、リフレッシュ動作時に常に駆動される。一方、チャージポンプ回路7-3~7-5の駆動は、昇圧回路用制御回路2によって制御される。昇圧回路用制御回路2は、昇圧電圧発生部3の動作を制御する回路である。昇圧回路用制御回路2は、リフレッシュコマンド検出回路5、及び台数決定回路6を有している。リフレッシュコマンド検出回路5は、リフレッシュコマンドの発行を検出し、検出結果を示すリフレッシュ検出信号RINを生成する機能を有している。リフレッシュコマンド検出回路5は、制御信号CSBチップ選択信号、制御信号REFB反転リフレッシュ制御信号、及び制御信号WEB反転ライトイネーブル信号に基づいて、リフレッシュ検出信号RINを生成する。これらの制御信号CSB、REFB、RINは、例えば、リフレッシュ動作制御回路により、生成される。図3は、リフレッシュコマンド検出回路5を示す構成図である。図3に示されるように、リフレッシュコマンド検出回路5は、インバータ8、インバータ9、及び3入力型NAND回路10を有している。インバータ8の入力端には、制御信号CSBが供給される。インバータ9の入力端には、制御信号REFBが供給される。3入力型NAND回路10の3つの入力端には、インバータ8の出力信号、インバータ9の出力信号、及び制御信号WEBが供給される。3入力型NAND回路10の出力端からは、リフレッシュ検出信号RINが出力される。本実施形態では、リフレッシュコマンドが発行された場合に、リフレッシュ検出信号RINとして、グランドレベル以下、Lレベルの信号が生成される。台数決定回路6図2参照は、昇圧電圧発生部3において駆動されるチャージポンプ回路の台数を決定する機能を有している。台数決定回路6は、基準クロック信号CLK及びリフレッシュ検出信号RINに基づいて、リフレッシュコマンドの発生間隔を検出し、検出結果に基づいて、制御信号群制御信号CPC1及び制御信号CPC2を生成する。制御信号群CPC1、CPC2は、各チャージポンプ回路の動作を制御するための信号群である。制御信号CPC1は、チャージポンプ回路7-4及び7-5に供給され、制御信号CPC2は、チャージポンプ回路7-3に供給される。本実施形態では、制御信号CPC1として電源レベル以下、Hレベルと記載するの信号が供給されたときに、チャージポンプ回路7-4及び7-5が駆動される。また、制御信号CPC2として、Hレベルの信号が供給されたときに、チャージポンプ回路7-3が駆動されるものとする。本実施形態では、上述のように、台数決定回路6が設けられていることにより、リフレッシュコマンドの発生間隔に応じて、駆動されるチャージポンプ回路の台数を調整することが可能である。そのため、リフレッシュ動作の発生間隔に応じて、必要最低限の台数のチャージポンプ回路だけを動作させることが可能となり、ピーク電流の増大を抑制することが可能となる。続いて、台数決定回路6について詳細に説明する。まず、図4を参照し、台数決定回路6の概略動作について説明する。図4は、台数決定回路6の動作方法を概略的に示す状態遷移図である。台数決定回路6は、昇圧電圧発生部3を、第1状態S1乃至第3状態S3のいずれかになるように、制御する。ここで、第1状態S1は、基本台数のチャージポンプ回路が駆動する状態を示す。制御信号CPC1及び制御信号CPC2が共にLレベルである場合、基本台数2台のチャージポンプ回路7-1及び7-2のみが駆動され、昇圧電圧発生部3は第1状態S1になる。第2状態S2は、中間台数本実施形態では3台のチャージポンプ回路が駆動する状態を示す。制御信号CPC1がLレベルであり、制御信号CPC2がHレベルである場合、チャージポンプ回路7-1~7-3が駆動され、チャージポンプ回路7-4及び7-5は駆動されない。その結果、3台のチャージポンプ回路が駆動され、昇圧電圧発生部3は第2状態S2になる。第3状態S3は、最大台数本実施形態では5台のチャージポンプ回路が駆動する状態を示す。制御信号CPC1及び制御信号CPC2がともにHレベルである場合、全てのチャージポンプ回路7-1~7-5が駆動される。その結果、昇圧電圧発生部3は第2状態S3になる。図4に示されるように、台数決定回路6は、条件A1乃至A5が成立した場合に、昇圧電圧発生部3の状態を変更する。条件A1は、リフレッシュコマンドが、1クロックサイクルの間隔を空けて生成された場合に、成立する。条件A1が成立すると、昇圧電圧発生部3の状態は、第1状態S1から第2状態S2に遷移する。条件A2は、2クロックサイクル間で連続してリフレッシュコマンドが発行された場合に、成立する。条件A2が成立すると、昇圧電圧発生部3の状態は、第1状態S1から第3状態S3に遷移する。条件A3は、現クロックサイクルを含めて3クロックサイクルの間、リフレッシュコマンドが発行されなかった場合に、成立する。条件A3が成立すると、昇圧電圧発生部3の状態は、第2状態S2から第1状態S1に遷移する。条件A4は、2クロックサイクル間で連続してリフレッシュコマンドが発行された場合に、成立する。条件A4が成立すると、昇圧電圧発生部3の状態は、第2状態S1から第3状態S3に遷移する。条件A5は、現クロックサイクルにおいて、リフレッシュコマンドが発行されなかった場合に、成立する。条件A5が成立すると、昇圧電圧発生部3の状態は、第3状態S3から第2状態S2に遷移する。次いで、上述のような機能を実現するための台数決定回路6の構成の一例について、詳述する。図5は、台数決定回路6の一例を示す回路図である。図5に示されるように、台数決定回路6は、間隔検出回路11、制御信号群生成回路12、及び状態信号群生成回路13を備えている。間隔検出回路11は、リフレッシュ検出信号RINに基づいて、間隔信号群RX2、RWR、DNBを生成する回路である。間隔信号群RX2、RWR、DNBは、リフレッシュコマンドの発行間隔を示す信号群である。間隔信号群は、RX2信号第1信号、RWR信号第2信号、及びDNB信号第3信号を含んでいる。RX2信号は、連続してリフレッシュコマンドが発行されたのか否かを示す信号であり、連続してリフレッシュコマンドが発行された場合にHレベルになる。RWR信号は、リフレッシュコマンドが1クロックサイクルの間隔を空けて生成されたのか否かを示す信号であり、リフレッシュコマンドが1クロックサイクルの間隔を空けて生成された場合に、Hレベルになる。DNB信号は、現クロックサイクルを含めて3クロックサイクルの間、リフレッシュコマンドが検出されなかったのか否かを示す信号であり、リフレッシュコマンドが3クロックサイクルの間検出されなかった場合に、Lレベルになる。状態信号群生成回路13は、状態信号群状態信号CP2、状態信号CP3を生成する回路である。状態信号群は、現在の昇圧電圧発生部3の状態を示す信号群である。状態信号群生成回路13は、現クロックサイクルにおける制御信号群CP1及びCP2に基づいて、状態信号群CP2及びCP3を生成する。制御信号群生成回路12は、制御信号群CPC1及びCPC2を生成する回路である。制御信号群生成回路12は、現クロックサイクルにおける間隔信号群RX2、PWR、DNB、及び状態信号群CP2及びCP3に基づいて、次のクロックサイクルにおいて出力される制御信号群CPC1及びCPC2を生成する。続いて、台数決定回路6に含まれる各回路の構成について、詳細に説明する。まず、間隔検出回路11について説明する。間隔検出回路11は、RX2信号生成回路19、RWR信号生成回路20、及びDNB信号生成回路21を有している。RX2信号はRX2信号生成回路19により生成され、RWR信号はRWR信号生成回路20により生成され、DNB信号はDNB信号生成回路21により生成される。RX2信号生成回路19は、インバータ15、Dフリップフロップ回路16、2入力型NAND回路17、及びインバータ18を有している。インバータ15の入力端には、リフレッシュ検出信号RINが供給される。Dフリップフロップ回路16の入力端は、インバータ15の出力端に接続されている。Dフリップフロップ回路16は、基準クロック信号CLKに同期して動作し、現クロックサイクルにおいて取り込んだ信号を、次のクロックサイクルにおいて出力する。2入力型NAND回路17の一方の入力端は、インバータ15の出力端に接続されている。2入力型NAND回路17の他方の入力端は、Dフリップフロップ回路16の出力端に接続されている。2入力型NAND回路17の出力端は、インバータ18の入力端に接続されている。RX2信号は、インバータ18の出力端から出力される。このような構成を採用することにより、直前のクロックサイクル及び現クロックサイクルの双方においてリフレッシュコマンドが検出された場合リフレッシュ検出信号RINがLレベルであった場合に、RX2信号としてHレベルの信号が生成されることになる。RWR信号生成回路20は、2入力型NAND回路22、インバータ23、Dフリップフロップ回路24、2入力型NAND回路25、及びインバータ26を有している。2入力型NAND回路22の一方の入力端には、リフレッシュ検出信号RINが供給される。2入力型NAND回路22の他方の入力端は、Dフリップフロップ回路16の出力端に接続されている。2入力型NAND回路22の出力端は、インバータ23を介して、Dフリップフロップ回路24の入力端に接続されている。Dフリップフロップ回路24の出力端は、2入力型NAND回路25における一方の入力端に接続されている。2入力型NAND回路25における他方の入力端は、インバータ15の出力端に接続されている。2入力型NAND回路25の出力端は、インバータ26の入力端に接続されている。RWR信号は、インバータ26の出力端から出力される。このような構成を採用することにより、1クロックサイクルの間隔を空けてリフレッシュコマンドが検出された場合に、RWR信号としてHレベルの信号が生成されることになる。DNB信号生成回路21は、2入力型NAND回路27、インバータ28、Dフリップフロップ回路29、2入力型NAND回路30、インバータ31、Dフリップフロップ回路32、及び2入力型NAND回路33を有している。2入力型NAND回路27の一方の入力端には、リフレッシュ検出信号RINが供給される。2入力型NAND回路27の他方の入力端は、インバータ14の出力端に接続されている。尚、インバータ14は、状態信号CPC1を反転させて出力するように構成されている。2入力型NAND回路27の出力端は、インバータ28を介して、Dフリップフロップ回路29の入力端に接続されている。Dフリップフロップ回路29の出力端は、2入力型NAND回路30における一方の入力端に接続されている。2入力型NAND回路30における他方の入力端には、リフレッシュ検出信号RINが供給される。2入力型NAND回路30の出力端は、インバータ31を介して、Dフリップフロップ回路32の入力端に接続されている。Dフリップフロップ回路32の出力端は、2入力型NAND回路33における一方の入力端に接続されている。2入力型NAND回路33における他方の入力端には、リフレッシュ検出信号RINが供給される。2入力型NAND回路33の出力端からは、DNB信号が出力される。このような構成を採用することにより、3クロックサイクルの間リフレッシュコマンドが検出されなかった場合に、DNB信号としてLレベルの信号が生成されることになる。続いて、状態信号群生成回路13の構成を詳細に説明する。状態信号群生成回路13は、2入力型NOR回路42、2入力型NOR回路43、及びインバータ44を有している。2入力型NOR回路42における一方の入力端には、制御信号CPC1が供給される。2入力型NOR回路42における他方の入力端には、制御信号CPC2が供給される。2入力型NOR回路42の出力端からは、状態信号CP2が出力される。インバータ44は、制御信号CPC2を反転させて出力するように構成されている。2入力型NOR回路43における一方の入力端には、制御信号CPC1が供給される。2入力型NOR回路43における他方の入力端は、インバータ44の出力端に接続されている。このような構成を採用することにより、制御信号CPC1及び制御信号CPC2がともにLレベルのとき第1状態S1のとき、状態信号CP2としてHレベルの信号が生成される。また、制御信号CPC1がLレベルであり、制御信号CPC2がHレベルである場合第2状態S2の場合、状態信号CP3としてHレベルの信号が生成される。続いて、制御信号群生成回路12の構成を詳細に説明する。制御信号群生成回路12は、Dフリップフロップ回路35、Dフリップフロップ回路41、2入力型NOR回路34、2入力型NAND回路36、インバータ37、2入力型NAND回路38、2入力型NAND回路39、及びインバータ40を有している。Dフリップフロップ回路35の入力端には、RX2信号が供給される。Dフリップフロップ回路35の出力端からは、制御信号CPC1が出力される。2入力型NOR回路34には、一方の入力端からRX2信号が供給され、他方の入力端からRWR信号が供給される。2入力型NOR回路34の出力端からは、UPB信号が出力される。2入力型NAND回路36の一方の入力端は、2入力型NOR回路34の出力端に接続されている。2入力型NAND回路36の他方の入力端には、状態信号CP2が供給される。2入力型NAND回路36の出力端は、2入力型NAND回路39の一方の入力端に接続されている。インバータ37の入力端には、DNB信号が供給される。インバータ37の出力端は、2入力型NAND回路38における一方の入力端に接続されている。2入力型NAND回路38における他方の入力端には、状態信号CP3が供給される。2入力型NAND回路38の出力端は、2入力型NAND回路39における他方の入力端に接続されている。2入力型NAND回路39の出力端は、インバータ40を介して、Dフリップフロップ回路41の入力端に接続されている。Dフリップフロップ回路41の出力端からは、制御信号CPC2が出力される。このような構成を採用することにより、RX2信号としてHレベルの信号が生成された場合リフレッシュコマンドが連続して検出された場合、次のクロックサイクルにおいて、Dフリップフロップ回路35から、制御信号CPC1としてHレベルの信号が出力される。一方、RX2信号がLレベル信号である場合には、次のクロックサイクルにおける制御信号CPC1は、Lレベルになる。また、RX2信号及びRWR信号のうちの何れか一方がHレベルである場合には、2入力型NAND回路34が、UPB信号として、Lレベルの信号を出力する。この場合、Dフリップフロップ回路41には、Hレベルの信号が取り込まれ、次のクロックサイクルにおいて、制御信号CPC2としてHレベルの信号が出力される。また、DNB信号としてLレベルの信号が供給された場合3クロックサイクルの間リフレッシュコマンドが検出されなかった場合、Dフリップフロップ回路41には、Lレベルの信号が取り込まれる。この場合、次のクロックサイクルにおいて、Dフリップフロップ回路41は、Lレベルの信号を制御信号CPC2として出力する。以上説明した回路構成を採用することにより、台数決定回路6によって、図4に示した動作方法を実現することが可能になる。次に、本実施形態に係る半導体集積回路装置1の動作方法について、詳細に説明する。図6は、本実施形態に係る半導体集積回路装置の動作例を示すタイミングチャートである。図6には、クロックサイクルC0~C8までの波形が示されている。図6には、基準クロック信号CLK、制御信号CSB、WEB、REFB、リフレッシュコマンド検出信号RIN、制御信号群CPC1及びCPC2、RWR信号、RX2信号、UPB信号、DNB信号、及び状態信号群CP2及びCP3の波形が示されている。また、図6には、昇圧電圧発生部3の状態State、及び電流ICPの波形も示されている。電流ICPは、既述のように、昇圧電圧発生部3の出力端VBOOTからメモリアレイ4に流れる電流である。第1状態S1の場合のピーク電流がPeak1として示され、第2状態S2におけるピーク電流がPeak2として示され、第3状態S3におけるピーク電流がPeak3として示されている。以下に、各クロックサイクルC0~C8における動作について説明する。尚、初期状態では、制御信号CPC1及びCPC2はいずれもLレベルであり、昇圧電圧発生部3の状態は第1状態である。この場合には、昇圧電圧発生部3において、2台のチャージポンプ回路7-1、7-2図2参照のみが動作する。クロックサイクルC0において、リフレッシュコマンドが発行される。尚、リフレッシュコマンドの発行時には、次にクロック信号CLKが立ち上がる時刻よりもセットアップ時間t1だけ前の時刻において、制御信号[CSB、WEB、REFB]として、[Lレベル、Hレベル、Lレベル]の信号が入力される。これにより、リフレッシュコマンド検出回路5が、リフレッシュコマンドの発行を検出し、リフレッシュ検出信号RINとしてLレベルの信号を生成する。ここで、クロックサイクルC0において発行されたリフレッシュコマンドが、1クロックサイクル間隔で発行されたリフレッシュコマンドであるものとする。このとき、台数決定回路6では、RWR信号としてHレベルの信号が生成される。その結果、UPB信号がLレベルになる。その結果、次のクロックサイクルC1において、制御信号CPC2がHレベルになる。従って、クロックサイクルC1では、昇圧電圧発生部3の状態が第2状態S2になり、3台のチャージポンプ回路7-1~7-3が動作する。このとき、電流ICPは、3台のチャージポンプ回路7-1~7-3によって出力される電流の合計値、ピーク電流はPeak2になる。クロックサイクルC1においても、リフレッシュコマンドが発行される。すなわち、リフレッシュ検出信号RINとして、Lレベルの信号が生成される。この場合、RX2信号が、Hレベルになる。そのため、次のクロックサイクルC2において、制御信号CPC1がHレベルになる。また、RX2信号がHレベルになることにより、UPB信号がLレベルになる。そのため、次のクロックサイクルC2において、制御信号CPC2もHレベルになる。従って、クロックサイクルC2においては、昇圧電圧発生部3の状態が第3状態S3になり、全てのチャージポンプ回路7-1~7-5が動作する。このとき、電流ICPのピークは最も高くなり、ピーク電流はPeak3になる。クロックサイクルC2では、リフレッシュコマンドが発行されない。この場合、リフレッシュコマンド検出回路6は、リフレッシュ検出信号RINとして、Hレベルの信号を出力する。この場合、RX2信号はLレベルとなる。そのため、次のクロックサイクルC3においては、制御信号CPC1がLレベルになる。一方、DNB信号はHレベルのままであるので、次のクロックサイクルC3において、制御信号CPC2はHレベルのままである。従って、次のクロックサイクルC3において、昇圧電圧発生部3の状態が第3状態S3から第2状態S2に遷移する。クロックサイクルC3においても、リフレッシュコマンドが発行されない。この場合、DNB信号はHレベルのままとなり、次のクロックサイクルC4における昇圧電圧発生部3の状態は、第2状態S2のままになる。クロックサイクルC4においても、リフレッシュコマンドが発行されない。この場合、DNB信号はHレベルのままとなり、次のクロックサイクルC5における昇圧電圧発生部3の状態は、第2状態S2のままになる。クロックサイクルC5においても、リフレッシュコマンドが発行されない。この場合、クロックサイクルC5を含めて3クロックサイクルの間、リフレッシュ検出信号RINがHレベルのままとなる。そのため、DNB信号として、Lレベルの信号が出力される。その結果、次のクロックサイクルC6においては、制御信号CPC2がLレベルになり、昇圧電圧発生部3は、第2状態S2から第1状態S1に遷移する。クロックサイクルC6においては、リフレッシュコマンドが発行される。この場合、リフレッシュ検出信号RINとして、Lレベルの信号が生成される。しかしながら、RX2信号及びRWR信号は、いずれもLレベルとなる。また、DNB信号として、Hレベルの信号が出力される。したがって、次のクロックサイクルC7における昇圧電圧発生部3の状態は、第1状態S1のままになる。クロックサイクルC7においては、リフレッシュコマンドが発行されない。この場合、リフレッシュ検出信号RINとして、Hレベルの信号が生成される。RX2信号及びRWR信号は、いずれもLレベルとなる。また、DNB信号として、Hレベルの信号が出力される。従って、次のクロックサイクルC8における昇圧電圧発生部3の状態は、第1状態S1のままになる。以上説明したように、本実施形態によれば、リフレッシュコマンドの発行間隔に応じて、駆動されるチャージポンプ回路の台数が調整される。具体的には、リフレッシュコマンドの発行間隔が広い場合には、駆動するチャージポンプ回路の台数が減らされ、リフレッシュコマンドの発行間隔が狭い場合には、駆動するチャージポンプ回路の台数が増やされる。すなわち、リフレッシュコマンドの発行間隔が小さい場合には、駆動するチャージポンプ回路の台数が増やされ、十分な量の電荷を内部昇圧電源に供給することができる。一方、発行間隔が大きい場合には、駆動するチャージポンプ回路の台数が減らされ、ピーク電流ICPを抑制することができる。次に、本実施形態に係る効果を詳しく説明するため、実施例及び比較例について説明する。実施例1実施例1では、本実施形態に係る半導体集積回路1の動作例の一例について説明する。図7は、本実施例における動作タイミングを示すタイミングチャートである。図7には、基準クロック信号CLK、制御信号CSB、WEB、REFB、リフレッシュコマンド検出信号RIN、制御信号群CPC1及びCPC2、及び電流ICPの波形が示されている。尚、図7には、リフレッシュサイクルREF_CYCLE1~リフレッシュサイクル4までの間の各信号の波形が示されている。尚、各リフレッシュサイクルには、複数のクロックサイクルが含まれている。REF_CYCLE1では、クロックサイクルC1-1及びクロックサイクルC1-2において、リフレッシュコマンドの発行が連続して検出されている。尚、クロックサイクルC1-2は、REF_CYCLE1における最後のクロックサイクルであり、クロックサイクルC1-1は、クロックサイクルC1-2の直前のクロックサイクルである。この場合、REF_CYCLE2における最初のクロックサイクルにおいては、制御信号群CPC1、CPC2が、いずれもHレベルになる。昇圧電圧発生回路3では、全てのチャージポンプ回路が駆動される。そのため、電流ICPのピークは、Peak3になる。また、REF_CYCLE2における最後のクロックサイクルC2-2において、リフレッシュコマンドが検出されている。しかしながら、このときのリフレッシュコマンドと前回のリフレッシュコマンドとの間の発行間隔は、3クロックサイクル以上である。従って、REF_CYCLE3においては、制御信号CPC1及び制御信号CPC2が共にLレベルになる。その結果、昇圧電圧発生回路3では、2台のチャージポンプ回路のみが駆動され、電流ICPのピークは、Peak1になる。また、REF_CYCLE3における最後のクロックサイクルC3-2において、リフレッシュコマンドが発行されている。この場合も、リフレッシュコマンドの発行間隔は3クロックサイクル以上である。従って、昇圧電圧発生回路3では、2台のチャージポンプ回路のみが駆動され、電流ICPのピークは、Peak1になる。比較例1続いて、比較例1について説明する。比較例1では、リフレッシュコマンドの発行間隔に関わらず、同一リフレッシュサイクルにおいて駆動されるチャージポンプ回路の台数は一定であるものとする。図8は、実施例と同じタイミングでリフレッシュコマンドが発行された場合における比較例1の動作タイミングを示す図である。図8に示されるように、REF_CYCLE3においては、リフレッシュ間隔が広いのにも関わらず、電流ICPのピークは、Peak3である。REF_CYCLE4においても、同様である。実施例1を比較例1と比較すれば、実施例1では、リフレッシュサイクルが一定であったとしても、リフレッシュコマンドの間隔が広い場合には、駆動するチャージポンプの台数が抑制されることが理解される。その結果、ピーク電流を減らす事ができる。加えて、従来技術特許文献1では、リフレッシュサイクルの設定入力を行なうための端子が専用に必要となる。これに対して、本実施形態によれば、リフレッシュモードの入力端子だけ設けられていれば、動作するチャージポンプの台数を制御することが可能である。以上、本発明について、実施形態、実施例、及び比較例を用いて説明した。但し、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、リフレッシュコマンドの発行の検出間隔に応じて昇圧電圧発生部3の動作が制御されるように構成されていれば、他の構成を採用することも可能である。例えば、本実施形態では、図4に示される条件A1乃至A5に基づいて、昇圧電圧発生部3の状態が遷移する場合について説明した。但し、これらの条件が成立するか否かを判断する際に用いられるリフレッシュコマンドの発行間隔の基準値は、一例である。また、本実施形態では、昇圧電圧発生部3が、第1状態S1乃至第3状態S3のいずれかの状態を取りうる場合について説明した。但し、各状態におけるチャージポンプ回路の駆動台数は、必要に応じて変更されてもよい。