導体46を流れる電流を測定する電流測定システム10であって、第一の磁束を測定して、該第一の磁束に比例した第一の信号20を発生するように構成されている第一のセンサ16と、第二の磁束を測定して、該第二の磁束に比例した第二の信号22を与えるように構成されており、漂遊磁場に対して前記第一のセンサよりも高い感度を有する第二のセンサ18と、前記第一のセンサ及び前記第二のセンサに結合されて、前記第一の信号及び前記第二の信号を受け取るように構成されており、前記第一の信号及び前記第二の信号を比較することにより漂遊磁場の存在を決定するようにさらに構成されているプロセッサ14とを備えた電流測定システム10。前記第一のセンサ16は、ホール効果センサ及び巨大磁気抵抗磁場センサの少なくとも一方を含んでいる、請求項1に記載のシステム10。前記第一のセンサ16は前記導体46から第一の距離130に配置され、前記第二のセンサ18は前記導体から、前記第一の距離よりも大きい第二の距離132に配置されている、請求項1に記載のシステム10。前記第一のセンサ16の周囲に少なくとも部分的に配置されて、前記第一のセンサを漂遊磁場から保護するように構成されている磁気遮蔽104をさらに含んでいる請求項1に記載のシステム10。前記プロセッサ14は、電流レベル信号60を出力するようにさらに構成されている、請求項1に記載のシステム10。前記電流レベル信号60は、前記第一の信号20及び前記第二の信号22の加重平均に基づいている、請求項5に記載のシステム10。前記電流レベル信号60はトリップ信号、実際の電流レベル信号、及び漂遊磁場レベル信号の少なくとも一つを含んでいる、請求項5に記載のシステム10。前記プロセッサ14は、前記第一の信号20が前記第二の信号22及び予め画定されている過電流レベルの何れよりも大きいときに前記トリップ信号を出力するようにさらに構成されている、請求項7に記載のシステム10。少なくとも一つの導体46が当該電源を当該負荷に結合しているような電源42と負荷44との間に配置される回路保護装置30であって、第一の磁束を測定して、該第一の磁束に比例した第一の信号20を与えるように構成されている第一のセンサ16と、第二の磁束を測定して、該第二の磁束に比例した第二の信号22を与えるように構成されており、漂遊磁場に対して前記第一のセンサよりも高い感度を有する第二のセンサ18と、前記第一のセンサ及び前記第二のセンサに結合されて、前記第一の信号及び前記第二の信号を受け取るように構成されており、漂遊磁場の存在を決定するために前記第一の信号及び前記第二の信号を比較するようにさらに構成されており、トリップ信号60を発生するようにさらに構成されているプロセッサ14と、該プロセッサに結合されて、前記トリップ信号に応答して前記電源を前記負荷から切り離すように構成されているトリップ装置34とを備えた回路保護装置30。前記プロセッサ14は、前記第二の信号22が前記第一の信号20よりも小さく、且つ前記第一の信号が過電流閾値に対してより大きい又は等しい磁場レベルに対応しているときに、前記トリップ信号60を前記トリップ装置34に出力するように構成されている、請求項9に記載の装置30。隣接する装置からの磁場が雑音を発生して、導体を流れる電流の正確な測定を妨げる。このことは、回路遮断器が、大きい突入インラッシュ電流又は短絡電流を蒙り得る多数の装置に近接しているような応用にこれらの回路遮断器が用いられるときに重大な問題となり得る。これらの大電流は典型的には過渡的であるが、大きい磁場を発生する。例えば、多相回路が多数の回路遮断器を含むことができ、各々の回路遮断器が、一つの相における電流が過電流レベルを上回った場合にこの相を切り離すように構成される。この多相回路では、過電流が一つの相の内部で発生すると、直に隣接する相の回路遮断器がこの隣接する相での過電流発生の偽指標を与える程の磁束を発生する場合がある。典型的には、導体の内部での電流レベルを測定するために配置されるホール素子に対する漂遊磁場の影響を低減するために、距離及び磁気遮蔽が用いられている。遮蔽を行なわなければ、隣接する極における電流のためホール素子の出力が導体の内部の実際の電流よりも大きい電流レベルに対応する場合があるすなわちホール素子が導体の内部の実際の電流の正確な測定を与えない。この偽信号が回路遮断器の公称設定値よりも大きくなると、回路遮断器のトリップtripping、引き外しを生じ得る。導体の内部の実際の電流が過電流レベルを下回っているときの回路遮断器のトリップを、本書では無用トリップnuisancetrippingと呼ぶ。例えば、磁心を用いて導体の磁場を集中させて、センサを漂遊磁場から遮蔽することができる。磁場遮蔽材料は、磁束を引き入れてセンサから遠ざける。さらに、センサと漂遊磁場発生源との間の距離を増大させて、漂遊磁場がセンサに及ぼす影響を小さくする。大磁場の可能性のあるシステムについて、良好な信号対雑音比すなわち隣接する装置からの低雑音を保証するのに十分な遮蔽又は距離を設けることが可能でない場合がある。幾つかの回路遮断器応用、例えば配線用回路遮断器での寸法制限は、回路遮断器同士の狭い間隔のため遮蔽及び距離の実効性を限定する。寸法が制限要素でないとしても、遮蔽のための材料が回路遮断器の加算費用となる。一観点では、導体を流れる電流を測定する電流測定システムを提供する。このシステムは、第一の磁束を測定して、第一の磁束に比例した第一の信号を発生するように構成されている第一のセンサを含んでいる。このシステムはまた、第二の磁束を測定して、第二の磁束に比例した第二の信号を与えるように構成されており、漂遊磁場に対して第一のセンサよりも高い感度を有する第二のセンサを含んでいる。このシステムはまた、第一のセンサ及び第二のセンサに結合されて、第一の信号及び第二の信号を受け取るように構成されているプロセッサを含んでいる。プロセッサはさらに、第一の信号及び第二の信号を比較することにより漂遊磁場の存在を決定するように構成されている。他の観点では、電源と負荷との間に配置される回路保護装置を提供する。少なくとも一つの導体が電源を負荷に結合する。この装置は、第一の磁束を測定して、第一の磁束に比例した第一の信号を与えるように構成されている第一のセンサを含んでいる。この装置はまた、第二の磁束を測定して、第二の磁束に比例した第二の信号を与えるように構成されている第二のセンサを含んでいる。第二のセンサは、漂遊磁場に対して第一のセンサよりも高い感度を有する。この装置はまた、第一のセンサ及び第二のセンサに結合されて、第一の信号及び第二の信号を受け取るように構成されているプロセッサを含んでいる。プロセッサはさらに、漂遊磁場の存在を決定するために第一の信号及び第二の信号を比較するように構成されている。プロセッサはさらに、トリップ信号を発生するように構成されている。この装置はまた、プロセッサに結合されて、トリップ信号に応答して電源を負荷から切り離すように構成されているトリップ装置を含んでいる。さらにもう一つの観点では、電源と負荷との間に配置される回路保護装置を組み立てる方法を提供する。少なくとも一つの導体が電源を負荷に結合する。この方法は、第一の磁束を測定する第一の磁場センサを設けるステップと、第二の磁束を測定する第二の磁場センサを設けるステップとを含んでいる。第二の磁場センサは、漂遊磁場に対して第一の磁場センサよりも高い感度を有する。この方法はまた、第一の磁束及び第二の磁束の比較に少なくとも部分的に基づいてトリップ信号を発生するようにプロセッサを構成するステップを含んでいる。本書に記載される方法、システム及び装置は、導体の電流を測定することを容易にし、例えば電流測定を利用して回路保護装置を動作させることを容易にする。回路保護装置の一例は回路遮断器である。回路保護装置に関して本書に記載されるが、本書に記載される方法、システム及び装置はまた、他の形式のシステム、例えば限定しないが電動機及び制御系統、並びに電気車輛等の内部に含まれ、又はかかるシステムと共に用いられ得る。本書に記載される方法、システム及び装置は、複数の磁場センサと、漂遊磁場の存在を識別するように構成されているプロセッサとを含んでいる。さらに、プロセッサは、測定される磁束のうち導体を流れる電流によって発生される部分と、測定される磁束のうち漂遊磁場に関連する部分とを区別することができる。本書に記載される方法、システム及び装置の技術的効果は、a第一の磁束を測定すること、b第二の磁束を測定すること、並びにc第一の磁束及び第二の磁束を比較することにより漂遊磁場の存在を決定することの少なくとも一つを含んでいる。図1は、電流測定システム10の実施形態の一例のブロック図である。電流測定システム10は、導体図2に示すを流れる電流のレベルを測定するように構成されている。この実施形態の例では、電流測定システム10は、磁束感知装置12及び処理部14を含んでいる。この実施形態の例では、磁場感知装置12は、第一のセンサ16及び第二のセンサ18を含んでいる。代替的な実施形態では、感知装置12は、電流測定システム10が本書に記載されるように作用することを可能にする任意の数のセンサを含んでいる。感知装置12は、処理部14に結合されて、処理部14に少なくとも一つの磁束信号、例えば第一の磁束信号20及び第二の磁束信号22を与える。処理部14は第一の磁束信号20及び第二の磁束信号22を処理して、電流レベル信号24を出力する。電流レベル信号24は、利用者に導体を流れる電流の指標を与えるように構成されている表示装置26によって受け取られ得る。例えば、表示装置26は、電流レベル信号24を利用者によって読み取られ得る数へ変換するように構成されている表示画面を含み得る。表示装置26はまた、警報器を含み得る。処理部14は、対応する電流レベルが予め画定されている閾値を上回ったときにのみ電流レベル信号24を出力するように構成され得る。電流レベル信号24を受け取ると、警報器は利用者に対し、測定された電流が予め画定されている閾値を上回ったことを知らせる。電流レベル信号24はまた、回路保護装置図2に示すのトリップ装置図2に示すにも与えられ得る。図2は、回路保護装置30の実施形態の一例のブロック図である。回路保護装置の非限定的な一例は回路遮断器である。但し、回路保護装置30は、本書に記載されているような過電流状態から回路を保護するように構成されている任意の装置であってよい。この実施形態の例では、回路保護装置30は、電流測定システム10及びトリップ装置34を含んでいる。この実施形態の例では、処理部14を電子式トリップ制御部とも呼ぶ。さらに、電流測定システム10は、回路保護装置30の内部に含まれるように記載されているが、磁束の測定を用いて導体を流れる電流を測定する任意のシステム及び/又は装置の内部に含まれ得る。かかるシステム及び/又は装置は、限定しないが電動機、電動機制御系統、及び電気車輛を含み得る。回路保護装置30はまた、電源36を含み得る。回路保護装置30は回路40の内部に含まれ、回路40はまた、少なくとも一つの導体46によって結合されている電源42及び負荷44を含んでいる。回路保護装置30は、過電流状態を感知すると開くすなわち回路40を途絶することにより回路40を保護する。過電流状態は本書では、予め画定されている閾値電流レベルを上回る導体の内部での電流レベルの存在として定義される。例えば、処理部14は、予め画定されている回路遮断器トリップ曲線に依存し得る瞬間過電流、短時間過電流、及び/又は長時間過電流の各状態を決定するように構成され得る。この実施形態の例では、処理部14は、信号調整回路50及びプロセッサ52を含んでいる。本書で用いられるプロセッサとの用語は、中央処理ユニット、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、縮小命令セット回路RISC、特定応用向け集積回路ASIC、論理回路、及び本書に記載される作用を実行することが可能な他の任意の回路又はプロセッサを指す。この実施形態の例では、感知装置12は複数の磁束センサ、例えば限定しないがホール効果センサ、巨大磁気抵抗型磁場センサ、異方性磁気抵抗型AMRセンサ、フラックスゲート/マイクロフラックスゲートセンサ、巨大磁気インピーダンスGMIセンサ、及び/又はトンネル磁気抵抗効果TMRセンサを含んでいる。感知装置12は、磁束を測定して、測定された磁束を示す信号54を与える。導体46を流れる電流が、当該導体46から発散する磁場を発生する。漂遊磁場が存在しない場合には、感知装置12によって測定される磁束は導体46を流れる電流の量に比例する。従って、導体46を包囲する磁場を測定することにより、導体46を流れる電流の量を決定することができる。例えば、信号54は、測定された磁束に比例する電圧レベルを有する電圧を含み得る。信号調整回路50は信号54を受け取って調整し、信号56をプロセッサ52へ出力する。例えば、信号調整回路50は、アナログ信号54を受け取ってこのアナログ信号54をディジタル信号56へ変換するアナログ-ディジタル変換器を含み得る。プロセッサ52は、信号56を受け取って処理して、導体46を流れる電流のレベルを決定する。この実施形態の例では、導体46を流れる電流のレベルが予め画定されている閾値電流レベルよりも高いと決定された場合には、プロセッサ52は電流レベル信号60を発生して、電流レベル信号60をトリップ装置34へ伝達する。本書では、電流レベル信号60をトリップ信号とも呼ぶ。予め決められた閾値電流は、導体46の内部での過電流状態に関連する電流のレベルである。この実施形態の例では、トリップ装置34は、トリップモジュール64、アクチュエータ66、及び動作機構68を含んでいる。この実施形態の例では、電源36は、動作電圧78をプロセッサ52に与え、駆動電圧80をトリップモジュール64に与える。トリップモジュール64はプロセッサ52から電流レベル信号60を受け取り、電流レベル信号60に応答して駆動電圧80をアクチュエータ66に与える。アクチュエータ66は、駆動信号82を発生して動作機構68、例えばソレノイドに与え、動作機構68をトリップさせる。すると、動作機構68は回路遮断器接点88を開く。回路遮断器接点88を開くと、接点88が閉じていたときに与えられていた電源42と負荷44との間の電気的接続が切り離される。上述のように、感知装置12は磁束を測定して、測定された磁束を示す信号54を発生する。感知装置12は、当該感知装置12によって測定される磁束が少なくとも一つの導体46を流れる電流によって発生されるように、回路40の内部に配置される。この態様で感知装置12を配置することにより、感知装置12によって測定される磁束のレベルは少なくとも一つの導体46を流れる電流の量に比例する。しかしながら、感知装置12はまた、周囲環境からの漂遊磁場にも曝され得る。特定的な一例では、ホール効果センサは、導体46の電流によって発生される磁場と漂遊磁場とを区別しない。従って、漂遊磁場は雑音を生成して、磁場センサを含む電流測定システムが正確な電流測定を与えることを妨げる場合がある。例えば、回路保護装置30は、この回路保護装置が大きい突入電流及び/又は短絡電流を蒙る多数の装置に近接しているような応用の内部に含まれ得る。これらの大電流は典型的には過渡的であるが、回路保護装置30の動作に干渉し得る大きい磁場を発生する。さらに明確に述べると、感知装置12によって測定される磁束は、他の原因によって発生される磁場すなわち漂遊磁場を含み得る。例えば、回路遮断器装置30は、多相回路の第一の相の内部の過電流状態を検出するように構成され得る。多相回路は多数の回路遮断器装置30を含んでおり、各々の回路遮断器装置30が、一つの相の内部で過電流状態が検出されたときに電源42から負荷を切断するように構成されている。しかしながら、第一の相の内部の過電流状態は、直に隣接する相に実質的な磁束を発生し、この隣接する相での過電流状態の偽指標を生ずる場合がある。従って、感知装置12によって測定される磁束は、少なくとも一つの導体46を流れる電流によって発生される磁場と、漂遊磁場とを含み得る。図3は、感知装置12図1に示すの実施形態の一例98の遠近図である。この実施形態の例では、感知装置98は、第一の磁場センサ16及び第二の磁場センサ18を含んでいる。ここでは2個の磁場センサを含むものとして記載されているが、感知装置98は、当該感知装置98が本書に記載されるように作用することを可能にする任意の数のセンサを含み得る。この実施形態の例では、感知装置98はまた、磁気遮蔽104を含んでいる。この実施形態の例では、磁気遮蔽104は、第一のセンサ16の周囲に少なくとも部分的に配置されている。さらに明確に述べると、磁気遮蔽104は、第一のセンサ16と漂遊磁場発生源との間に配置され、従って第一のセンサ16を漂遊磁場から少なくとも部分的に遮蔽する。この実施形態の例では、第二のセンサ18は漂遊磁場から遮蔽されず、従って漂遊磁場に対して第一のセンサ16よりも高感度である。代替的には、第一のセンサ16及び/又は第二のセンサ18を遮蔽する異なる強さの磁気遮蔽を設けてもよい。選択される遮蔽強さは、所望のセンサ感度を生成することを容易にするものとする。磁気遮蔽104は、厚み、配置、及び/又は材料の形式について様々であってよい。この実施形態の例では、信号54図2に示すは、第一のセンサ16からの第一の出力信号20と、第二のセンサ18からの第二の出力信号22とを含んでいる。例えば、第一の出力信号20は、第一のセンサ16によって検出される磁束に比例した電圧レベルであり、第二の出力信号22は、第二のセンサ18によって検出される磁束に比例した電圧レベルである。さらに、磁気遮蔽104は、少なくとも一つの導体46を流れる電流によって発生される磁場を第一のセンサ16に集中させることができる。この実施形態の例では、第一のセンサ16は、導体46を流れる電流によって発生される磁場に対して第一の感度を有するように構成され、第二のセンサ18は、導体46を流れる電流によって発生される磁場に対して第二の感度を有するように構成される。この実施形態の例では、第一の感度は第二の感度に対してより高い又は等しい。例えば、第一のセンサ16は、導体46から半径方向外向きに第一の距離130に配置され、第二のセンサ18は、導体46から半径方向外向きに第二の距離132に配置される。この実施形態の例では、第一の距離130は第二の距離132に対してより小さい又は等しい。磁束は導体46からの距離が増大すると共に散逸するので、第一のセンサ16は、導体46を流れる電流によって発生される磁束に対して第二のセンサ18と少なくとも同程度の感度を有する。このように、導体46を流れる電流によって発生される磁束について、第一のセンサ16の第一の出力信号20は、第二のセンサ18の第二の出力信号22に対して等しい又はより大きい。プロセッサ52は、第一の出力信号20及び第二の出力信号22を比較することにより漂遊磁場が存在するときを決定するように構成されている。典型的な動作条件時例えば漂遊磁場が存在しない又は低レベルであるときには、第一のセンサ16は導体46を流れる電流によって発生される磁場に対して第二のセンサ18と少なくとも同程度の感度を有するため、第一の出力信号20は第二の出力信号22に対して等しい又はより大きい。従って、第一の出力信号20が第二の出力信号22に対してより大きい又は等しいときには、第一のセンサ16及び第二のセンサ18が漂遊磁場に曝されていないとの指標になる。第一の出力信号20が第二の出力信号22に等しい又はより大きく、且つ第一の出力信号20が過電流状態の存在を示している場合には、プロセッサ52は、電流レベル信号60をトリップ装置34に出力するように構成されている。例えば、第一の出力信号20が第二の出力信号22に対してより大きい若しくは等しい、又は第一のセンサ16が飽和している場合には、第一の出力信号20は実際の値であると決定されて累算され、第一の出力信号20が予め画定されている過電流閾値よりも大きい電流レベルに対応している場合には、プロセッサ52は電流レベル信号60を発生して、トリップ装置34がトリップされる。しかしながら、第二の出力信号22が第一の出力信号20よりも大きいときには、第一のセンサ16及び第二のセンサ18が漂遊磁場に曝されているとの指標になる。このことは、第二のセンサ18が、漂遊磁場に対して第一のセンサ16よりも高い感度を有することによる。この実施形態の例では、プロセッサ52は、第二の出力信号22が第一の出力信号20よりも大きい場合には漂遊磁場が存在していると決定する。この実施形態の例では、プロセッサ52は、漂遊磁場が存在しているときには第一の出力信号20を無視するように構成されている。例えば、第二の出力信号22が第一の出力信号20よりも大きい場合には、第一の出力信号20が過電流状態を示していても、プロセッサ52は第一の出力信号20を無視して、電流レベル信号60をトリップ装置34に与えない。漂遊磁場が存在していると決定されたときには、第一の出力信号20は導体46の内部の過電流状態ではなく漂遊磁場によって高くなっているため、第一の出力信号20を無視することによりトリップ装置34の無用トリップが回避される。第一の代替的な実施形態では、第二の出力信号22が第一の出力信号20よりも大きいすなわち漂遊磁場が存在する場合には、プロセッサ52は、第一のセンサ16によって測定される磁束のうち漂遊磁場が原因と考えられる部分を決定する。次いで、プロセッサ52は、導体46を流れる実際の電流を決定して、導体46を流れる実際の電流が予め画定されている過電流閾値よりも高い場合には電流レベル信号60を出力する。プロセッサ52は、磁束のうち漂遊磁場を原因とする部分に基づいて第一の出力信号20を調節することができる。第一の出力信号20は、例えば第二の出力信号22と第一の出力信号20との間の差、距離130と距離132との間の差、及び/又は磁気遮蔽104によって与えられる遮蔽レベルに基づいて決定される量だけ低下させられ得る。第二のセンサ18の理想的な出力は、第一の出力信号20に基づいて、例えば記憶されているルックアップテーブル又は記憶されている計算式を用いることにより決定され得る。特定的な一実施形態では、調節後の第一の出力信号は、調節後の一次センサ値=第一の出力信号20-第二のセンサ18の理想的な出力-第二の出力信号22スケーリングファクタによって決定されることができ、スケーリングファクタは、第一のセンサ16及び第二のセンサ18の異なる配向を調節するのに用いられ得る。漂遊磁場を補償するように第一の出力信号20を調節すると、過渡的な漂遊磁場のみならず非過渡的な漂遊磁場を補償することも容易になる。もう一つの例では、第一の出力信号20及び第二の出力信号22を平均して、平均出力信号を用いて過電流状態を識別する。持続型の漂遊磁場によって生ずる長時間過電流状態及び短時間過電流状態の計算における誤差は、第一の出力信号を連続的に調節することにより回避される。第二の代替的な実施形態では、第二の出力信号22が第一の出力信号20よりも大きい場合には、プロセッサ52は、第一のセンサ16によって測定される磁束のうち漂遊磁場が原因と考えられる部分を決定して予め画定されている過電流閾値を調節し、磁束のうち漂遊磁場が原因と考えられる部分を補償する。例えば、プロセッサ52は、漂遊磁場が検出されたときに過電流閾値を増加させることができる。第三の代替的な実施形態では、第二の出力信号22が第一の出力信号20よりも大きい場合には、プロセッサ52は、第二の出力信号22が強い漂遊磁場を識別したときに回路保護装置30がトリップを生じないように、第一のセンサ16の累算を制限する。例えば、プロセッサ52は、第一のセンサ16からのデータを受け取って処理することを許されるが、累算器アキュムレータはトリップ閾値を超えることを許されない。さらに明確に述べると、累算器は、第二の出力信号22が漂遊磁場の存在に対応しているときに例えばトリップ閾値の80から90までに制限され得る。累算器を制限することにより、回路保護装置30はトリップを生じなくなるが、累算器の上昇が完全に無視される訳ではない。一旦、漂遊磁場が散逸すると、事故電流が電流閾値を上回れば、累算器はトリップ閾値に近付いているので状態に対する応答がさらに迅速になる。一旦、漂遊磁場が散逸すると、事故電流が電流閾値未満であれば、累算器は低電流レベルのため減少する。累算器を制限するためのトリップ閾値の百分率は、予め決められた固定値であってよい。百分率はまた、第二のセンサ18によって測定される相対的に強い磁場が相対的に弱い磁場よりも大きい影響を累算器に与えるように、第二のセンサ18によって測定される磁場の強さに反比例し得る。さらに、累算器を制限するためのトリップ閾値の百分率は、最適限度の特性を決定する実験から導かれる百分率を含むテーブルに記憶されてもよい。また、トリップ装置34が本書に記載されるように作用することを可能にする累算器制限百分率を算出する任意の適当な方法を用いることができる。図4は、感知装置12図1に示すの代替的な実施形態150の遠近図である。感知装置150も第一のセンサ16及び第二のセンサ18を含んでいる。この代替的な実施形態では、第一のセンサ16は、漂遊磁場発生源から第二のセンサ18よりも離隔して配置されているので漂遊磁場に対して第二のセンサ18よりも低感度である。第一のセンサ16は導体46から第一の半径方向距離160に配置され、第二のセンサ18は、導体46から第二のさらに大きい半径方向距離162に配置されている。従って、第二のセンサ18は、漂遊磁場発生源に対して第一のセンサ16よりも近接して配置されているので漂遊磁場に対して第一のセンサ16よりも高感度である。感知装置98に関して上で述べたように、プロセッサ52は、感知装置150によって測定される磁束のうち漂遊磁場によって発生されている部分、及び感知装置150によって測定される磁束のうち導体46を流れる電流によって発生されている部分を決定する。図5は、感知装置12図1に示すの第二の代替的な実施形態164の遠近図である。感知装置12の第一の代替的な実施形態150と第二の代替的な実施形態164との間で共有されている構成要素は同じ参照番号によって識別されている。第一のセンサ16は導体46から第一の半径方向距離160に配置され、第二のセンサ18は導体46から第二の半径方向距離162に配置されている。この第二の代替的な実施形態では、感知装置164は、第一のセンサ16の周囲に少なくとも部分的に配置されている磁気遮蔽104を含んでいる。さらに明確に述べると、磁気遮蔽104は第一のセンサ16と漂遊磁場発生源との間に配置され、従って第一のセンサ16を漂遊磁場から少なくとも部分的に遮蔽する。第二のセンサ18は漂遊磁場から遮蔽されていないので、漂遊磁場に対して第一のセンサ16よりも高感度である。さらに、第二のセンサ18は、導体46から遠距離で且つ漂遊磁場発生源に近接して位置しているので、やはり漂遊磁場に対して第一のセンサ16よりも高感度である。図6は、回路保護装置、例えば、回路保護装置30図2に示すを動作させる方法の一例182の流れ図180である。この実施形態の例では、方法182は、第一のセンサ、例えば第一のセンサ16図3に示すを用いて第一の磁束を測定するステップ190を含んでいる。方法182はまた、第二のセンサ、例えば第二のセンサ18図3に示すを用いて第二の磁束を測定するステップ192を含んでいる。上述のように、第二のセンサ18は、漂遊磁場に対して第一のセンサ16よりも高感度である。方法182はまた、第一の磁束及び第二の磁束を比較するステップ194と、第一の磁束及び第二の磁束の比較に少なくとも部分的に基づいてトリップ信号を与えるステップ196とを含んでいる。例えば、プロセッサ52図2に示すは、第一のセンサ16によって測定される第一の磁束を第二のセンサ18によって測定される第二の磁束に対して比較する194ように構成されている。さらに明確に述べると、比較するステップ194は、第一の磁束が第二の磁束に対してより大きい又は等しいか否かを決定するステップ200を含んでいる。さらに、第一の磁束が第二の磁束に対してより大きい又は等しいと決定された200場合には、比較するステップ194はまた、第一の磁束が予め画定されている電流レベル閾値よりも大きいか否かを決定するステップ202を含んでいる。予め画定されている電流レベル閾値は、導体46における過電流状態に対応する磁束である。第一の磁束が予め画定されている電流レベル閾値よりも大きいと決定された202場合には、プロセッサ52はトリップ信号60を発生してトリップ装置34に与える196。トリップ装置34は、トリップ信号60に応答して動作機構68図2に示すをトリップさせるように構成されている。第一の磁束が第二の磁束に対して大きくない又は等しくないと決定された200場合には、方法182はまた、漂遊磁場を補償するステップ204を含んでいる。上述のように、第二のセンサ18は漂遊磁場に対して第一のセンサ16と比較すると高感度であるため、第二の磁束が第一の磁束よりも大きい場合には漂遊磁場が存在している。例えば、短絡が回路保護装置30の近くで生ずると漂遊磁場が生成されて、第一のセンサ16よりも第二のセンサ18によって強く感知される。このことは、第一のセンサ16が漂遊磁場図3に示すから遮蔽されていること、及び/又は第一のセンサ16が漂遊磁場発生源から、第二のセンサ18図4に示すが位置しているよりも遠くに位置していることによる。この情報を用いて、プロセッサ52は漂遊磁場を補償して204、これにより回路遮断器の無用トリップを減少させる。補償するステップ204は、過渡事象時に第一の磁束を無視し、過渡事象時にトリップ回路34がトリップを生じないように第一のセンサ16の累算を制限し、且つ/又は第一のセンサ16によって測定される磁束のうち漂遊磁場が原因と考えられる部分を決定して、第一のセンサ16によって測定される合計磁束から漂遊磁場の影響を減算することにより導体46を流れる実際の電流を決定することを含み得る。プロセッサ52は、導体を流れる実際の電流を決定するために伝達関数を適用し、且つ/又は第一のセンサ16からの第一の信号20及び第二のセンサ18からの第二の信号22に基づいて漂遊磁場からの寄与を解消するように第一の磁束を補正するように構成され得る。図7は、回路保護装置30図2に示すを組み立てる方法の一例232の流れ図230である。この実施形態の例では、方法232は、第一の磁束を測定する第一の磁場センサ、例えば第一の磁場センサ16図3に示すを設けるステップ240を含んでいる。方法232はまた、第二の磁束を測定する第二の磁場センサ、例えば第二の磁場センサ18図3に示すを設けるステップ242を含んでいる。第二の磁場センサ18は、漂遊磁場に対して第一の磁場センサ16よりも高い感度を有する。この実施形態の例では、方法232はまた、第一の磁場センサ16の周囲に少なくとも部分的に磁気遮蔽、例えば磁気遮蔽104図3に示すを配置するステップを含んでいる。磁気遮蔽104は、第一の磁場センサ16によって測定される漂遊磁場を減少させる。磁気遮蔽104を第二の磁場センサ18と漂遊磁場発生源との間ではなく第一の磁場センサ16と漂遊磁場発生源との間に配置することにより、第一の磁場センサ16の漂遊磁場に対する感度が第二の磁場センサ18の漂遊磁場に対する感度に比較すると低くなる。代替的な実施形態では、第一の磁場センサ16を設けるステップ240及び第二の磁場センサ18を設けるステップ242は、第一の磁場センサ16を導体46から第一の距離、例えば第一の距離160図4に示すに配置し、第二の磁場センサ18を導体46から第二の距離、例えば第一の距離160よりも大きい第二の距離162図4に示すに配置することを含んでいる。第二の磁場センサ18を導体46から遠く且つ漂遊磁場発生源に近接して配置することにより、漂遊磁場は第一の磁場センサ16に対して有するよりも大きい影響を第二の磁場センサ18に対して有する。この実施形態の例では、方法232はまた、トリップ信号、例えば電流レベル信号60図2に示すを発生するように処理装置、例えばプロセッサ52図2に示すを構成するステップ244を含んでいる。トリップ信号60は、第一の磁束及び第二の磁束の比較に少なくとも部分的に基づく。トリップ信号60はまた、第一の磁束及び第二の磁束の少なくとも一方に基づいていてよい。方法232はまた、トリップ装置、例えばトリップ装置34図2に示すにトリップ信号60を与えるようにプロセッサ52を構成するステップを含んでいてよく、トリップ装置34は、トリップ信号60に応答して電源、例えば電源42図2に示すから負荷、例えば負荷44図2に示すを切り離すように構成されている。例えば、プロセッサ52は、第一の磁束が第二の磁束に対してより大きく又は等しく、且つ予め画定されている過電流閾値に対してより大きい又は等しいときにトリップ信号60を与える。トリップ装置34にトリップ信号60を与えるようにプロセッサ52を構成するステップはさらに、導体46の内部での実際の電流レベルを決定するようにプロセッサ52を構成することを含んでいる。実際の電流レベルは、第二の磁場センサ18によって測定される漂遊磁束に関連する量だけ第一の磁束を減少させることにより決定される。電流を測定する例示的な方法、システム及び装置が本書に記載されている。さらに明確に述べると、本書に記載される方法、システム及び装置は、測定された磁束のうち漂遊磁場に起因する部分及び測定された磁束のうち導体を流れる電流によって発生される部分を決定することを容易にする。例えば、多数の回路遮断器が近接して配置されると、これらの回路遮断機は十分に広い空間によって離隔されない場合があるため、全ての漂遊磁場が磁場センサに達するのを阻止し得る磁気遮蔽を含めることができない場合がある。代わりに、測定された磁束のうち漂遊磁場に起因する部分について補償を施して、回路保護装置の無用トリップを低減させる。本書に記載される方法、システム及び装置は、多数の回路保護装置の間の近接した間隔に配慮しており、小型の回路遮断器ボックスの製造及び動作を容易にする。さらに、本書に記載される方法、システム及び装置は、ホール効果センサの雑音不感問題を克服する。雑音不感の解決策を施さなければ、隣接する装置が突入電流又は短絡電流を蒙ると回路遮断器が無用トリップを生ずる可能性が高いため、ホール効果センサを電子式トリップに用いることができない。本書に記載される方法、システム及び装置は、2以上のホール効果センサを用いて漂遊磁場の存在を決定して、回路保護装置が漂遊磁場に応答しないようにする。一次センサは漂遊磁場に対して二次センサよりも低感度である。従って、一次センサが導体を流れる電流を監視しているような正常動作時には、一次センサ出力は二次センサ出力に対してより大きい又は等しい。漂遊磁場は、二次センサ出力が一次センサ出力よりも大きいときに存在すると決定される。本書に記載される方法、システム及び装置は、効率がよく無駄のない電流の測定を容易にする。本書では方法、システム及び装置の実施形態の例を詳細に説明し且つ/又は図示している。これらの方法及びシステムは、本書に記載される特定の実施形態に限定されている訳ではなく、各々のシステムの構成要素は各々の方法のステップと共に、本書に記載されるような他の構成要素及びステップとは別個に独立に用いられ得る。各々の構成要素、及び各々の方法ステップはまた、他の構成要素及び/又は方法ステップと共に用いられてもよい。本書に記載され且つ/又は図示される方法、システム及び装置の要素及び構成部品等を提示するときに、単数不定冠詞、定冠詞、該、前記等の用語は、要素1又は複数及び構成部品1又は複数等の1又は複数が存在することを意味するものとする。また備えている、含んでいる及び有している等の用語は内包的であるものとし、また所載の要素1又は複数及び構成部品1又は複数等以外に付加的な要素1又は複数及び構成部品1又は複数等が存在し得ることを意味するものとする。この書面の記載は、最適な態様を含めて発明を開示し、また任意の装置又はシステムを製造して利用すること及び任意の組み込まれた方法を実行することを含めてあらゆる当業者が本発明を実施することを可能にするように実例を用いている。特許付与可能な発明の範囲は特許請求の範囲によって画定されており、当業者に想到される他の実例を含み得る。かかる他の実例は、特許請求の範囲の書字言語に相違しない構造要素を有する場合、又は特許請求の範囲の書字言語と非実質的な相違を有する等価な構造要素を含む場合には、特許請求の範囲内にあるものとする。