それぞれ異なる視点から被写体を撮影した複数のサブ画像を含むライトフィールド画像から再構成画像を生成する再構成画像生成装置において、前記ライトフィールド画像を取得する画像取得部と、前記ライトフィールド画像を撮影した撮影パラメータを取得する撮影パラメータ取得部と、前記撮影パラメータに基づいて、前記撮影したライトフィールド画像に含まれる前記サブ画像の領域であるサブ画像領域を定めたマスクを取得するマスク取得部と、前記再構成画像を構成する再構成画素と、前記マスク取得部が取得したマスクが定めたサブ画像領域にある画素であるサブ画素と、の対応を定義する対応定義部と、前記再構成画素の画素値を、前記対応定義部が定義した当該再構成画素に対応するサブ画素の画素値に基づいて決定することにより、前記再構成画像を生成する画像生成部と、を備えることを特徴とする再構成画像生成装置。前記撮影パラメータの所定範囲について、複数の前記マスクのそれぞれに対応する前記撮影パラメータの条件を定義したマスク情報を記憶するマスク条件記憶部を備え、前記マスク取得部は、前記マスク条件記憶部に記憶されたマスク情報に基づいて、前記撮影パラメータ取得部が取得した前記撮影パラメータに合致するマスクを抽出する、ことを特徴とする請求項1に記載の再構成画像生成装置。前記ライトフィールド画像は、被写体からの光を捉えるメインレンズと、当該メインレンズがとらえた光をさらに捉える前記複数の視点にそれぞれ対応する複数のマイクロレンズと、を用いて撮影された画像であり、前記撮影パラメータは、前記ライトフィールド画像を撮影したメインレンズの有効径、当該メインレンズを収めた鏡胴の被写体側の長さである外側鏡胴長、当該鏡胴のマイクロレンズ側の長さである内側鏡胴長、の少なくとも一つに対応するパラメータを含む、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の再構成画像生成装置。前記マスク取得部が取得するマスクは、前記撮影パラメータ及び前記ライトフィールド画像を撮影した光学機器の物理構成におけるその他の条件が同じであれば、前記メインレンズの最大径が大きくなるに従って、前記ライトフィールド画像のうち前記メインレンズの光軸に対応する部位に近い中央部と、遠い周辺部と、において前記サブ画像領域の形状の差が小さくなる、ことを特徴とする請求項3に記載の再構成画像生成装置。前記マスク取得部が取得するマスクは、前記撮影パラメータ及び前記ライトフィールド画像を撮影した光学機器の物理構成におけるその他の条件が同じであれば、前記メインレンズの有効径が大きくなるに従って前記サブ画像領域も大きくなる、ことを特徴とする請求項3又は4に記載の再構成画像生成装置。前記マスク取得部が取得するマスクは、前記撮影パラメータ及び前記ライトフィールド画像を撮影した光学機器の物理構成におけるその他の条件が同じであれば、前記メインレンズの内側鏡胴長又は外側鏡胴長のいずれかが長くなるに従って、前記ライトフィールド画像のうち前記メインレンズの光軸に対応する部位に近い中央部と、遠い周辺部と、において前記サブ画像領域の形状の差が大きくなる、ことを特徴とする請求項3乃至5のいずれか一項に記載の再構成画像生成装置。前記マスク取得部が取得するマスクは、前記マイクロレンズのそれぞれに対して、一つのサブ画像領域を定義し、前記マイクロレンズが前記メインレンズの光軸から遠いほど、対応するサブ画像領域の形状が大きくゆがむように定義されている、ことを特徴とする請求項3乃至6のいずれか一項に記載の再構成画像生成装置。前記マスク取得部が取得するマスクは、前記マイクロレンズのそれぞれに対して、一つのサブ画像領域を定義し、前記マイクロレンズ間の距離又はマイクロレンズと撮像面との距離の少なくとも何れか一方が大きくなると、対応するサブ画像領域の中心が大きく離れる、ことを特徴とする請求項3乃至6のいずれか一項に記載の再構成画像生成装置。前記マスク取得部が取得するマスクは、前記撮影パラメータ取得部が取得した撮影パラメータでライトフィールド画像を撮影した場合に想定されるS/N比が許容範囲である範囲を前記サブ画像領域として定めたマスクである、ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の再構成画像生成装置。被写体からの光を捉えるメインレンズと、当該メインレンズがとらえた光をさらに捉える複数の視点にそれぞれ対応する複数のマイクロレンズと、を用いて、それぞれ異なる視点から被写体を撮影した複数のサブ画像を含むライトフィールド画像を撮影する撮影部と、前記ライトフィールド画像を撮影した撮影パラメータを取得する撮影パラメータ取得部と、前記撮影パラメータに基づいて、前記撮影したライトフィールド画像に含まれる前記サブ画像の領域であるサブ画像領域を定めたマスクを取得するマスク取得部と、前記ライトフィールド画像から生成する再構成画像を構成する再構成画素と、前記マスク取得部が取得したマスクが定めたサブ画像領域にある画素であるサブ画素と、の対応を定義する対応定義部と、前記再構成画素の画素値を、前記対応定義部が定義した当該再構成画素に対応するサブ画素の画素値に基づいて決定することにより、前記再構成画像を生成する画像生成部と、を備えることを特徴とするデジタルカメラ。それぞれ異なる視点から被写体を撮影した複数のサブ画像を含むライトフィールド画像から再構成画像を生成する再構成画像生成方法であって、前記ライトフィールド画像を取得する工程と、前記ライトフィールド画像を撮影した撮影パラメータを取得する工程と、前記取得した撮影パラメータに基づいて、前記撮影したライトフィールド画像に含まれる前記サブ画像の領域であるサブ画像領域を定めたマスクを取得する工程と、前記再構成画像を構成する再構成画素と、前記取得したマスクが定めたサブ画像領域にある画素であるサブ画素と、の対応を定義する工程と、前記再構成画素の画素値を、前記定義した当該再構成画素に対応するサブ画素の画素値に基づいて決定することにより、前記再構成画像を生成する工程と、を含むことを特徴とする再構成画像生成方法。それぞれ異なる視点から被写体を撮影した複数のサブ画像を含むライトフィールド画像から再構成画像を生成する再構成画像生成装置を制御するコンピュータに、前記ライトフィールド画像を取得する処理、前記ライトフィールド画像を撮影した撮影パラメータを取得する処理、前記取得した撮影パラメータに基づいて、前記撮影したライトフィールド画像に含まれる前記サブ画像の領域であるサブ画像領域を定めたマスクを取得する処理、前記再構成画像を構成する再構成画素と、前記取得したマスクが定めたサブ画像領域にある画素であるサブ画素と、の対応を定義する処理、前記再構成画素の画素値を、前記定義した当該再構成画素に対応するサブ画素の画素値に基づいて決定することにより、前記再構成画像を生成する処理、を実行させることを特徴とするプログラム。特許文献1の技術では、光線追跡により再構成画像の画素再構成画素に対応する撮影した画像の画素を定める。しかし、光線追跡の結果抽出した全てのライトフィールド画像上の画素が被写体の再構成に使用できるわけではない。再構成画素の画素値を正しく定めるためには、被写体が写っていない、あるいはノイズの強い画素については算出対象外としなければならない。しかし、光線追跡の結果抽出した画素が再構成のために使用できるか逐一判別すると、再構成画像を生成するための必要計算量が大きくなる。本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、複数の視点から得られたライトフィールド画像から再構成画像を生成するにあたって、必要計算量が少ない再構成画像生成装置、デジタルカメラ、再構成画像生成方法及びプログラムを提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本願発明に係る再構成画像生成装置は、それぞれ異なる視点から被写体を撮影した複数のサブ画像を含むライトフィールド画像から再構成画像を生成する再構成画像生成装置において、前記ライトフィールド画像を取得する画像取得部と、前記ライトフィールド画像を撮影した撮影パラメータを取得する撮影パラメータ取得部と、前記撮影パラメータに基づいて、前記撮影したライトフィールド画像に含まれる前記サブ画像の領域であるサブ画像領域を定めたマスクを取得するマスク取得部と、前記再構成画像を構成する再構成画素と、前記マスク取得部が取得したマスクが定めたサブ画像領域にある画素であるサブ画素と、の対応を定義する対応定義部と、前記再構成画素の画素値を、前記対応定義部が定義した当該再構成画素に対応するサブ画素の画素値に基づいて決定することにより、前記再構成画像を生成する画像生成部と、を備えることを特徴とする。本発明によれば、複数の視点から得られたライトフィールド画像から再構成画像を生成するにあたって、必要計算量を低減することができる。以下、本発明を実施するための形態に係るデジタルカメラ及び画像再構成装置再構成画像生成装置を、図を参照しながら説明する。なお、図中同一又は相当する部分には同一符号を付す。実施形態1実施形態1に係る画像再構成装置30は、図1に示すデジタルカメラ1に搭載されている。デジタルカメラ1は、被写体を撮影して複数のサブ画像からなるライトフィールド画像を取得し、再構成画像を生成する機能を備える。画像再構成装置30は、このうちサブ画像を含むライトフィールド画像から再構成画像を生成する機能を担当する。デジタルカメラ1は、図1に示すように、撮像部10と、画像再構成装置30を含む情報処理部20と、記憶部40と、インターフェース部I/F部50と、から構成される。デジタルカメラ1は、このような構成により、外部被写体からの光線情報を取得して、被写体を表す画像を再構成して表示する。撮像部10は、光学装置110と、イメージセンサ120と、から構成され、被写体を複数の視点から撮像する。光学装置110は、図2に示すように、シャッタ111と、絞り112と、メインレンズMLと、サブレンズアレイSLAマイクロレンズアレイと、から構成され、外部からの光線をメインレンズMLによって捉え、サブレンズアレイSLAを構成する各サブレンズSLの光学中心を視点として得られる光学像をイメージセンサ120撮像面IEに投影する。イメージセンサ120は、光学装置110が投影した光学像を電気信号に変換して情報処理部20に伝達するもので、例えば、CCDChargeCoupledDeviceやCMOSComplementallyMatalOxideSemiconductorなどの撮像素子と、撮像素子が生成した電気信号を情報処理部20に伝達する伝達部と、から構成される。シャッタ111は、イメージセンサ120への外部光の入射と遮蔽を制御する。絞り112は、メインレンズに侵入する光の一部を遮蔽し、撮像設定が示す絞り値に相当するようにメインレンズの透過部位を限定する。メインレンズMLは、一又は複数の凸レンズ、凹レンズ、非球面レンズ等から構成され、撮影時の被写体OBの光を光学像としてメインレンズMLとサブレンズアレイSLAとの間の仮想的な結像面MIP上に結像させる。なお、撮影時の被写体OBは一個の物体に限られず、図2に示すようにメインレンズMLからそれぞれ異なる距離だけ離れた複数の構成物であってよい。サブレンズアレイSLAは、平面上に格子状に配置されたM×N個のサブレンズマイクロレンズSLから構成される。サブレンズアレイSLAは、メインレンズMLが結像面MIP上に結像させた光学像を、それぞれのサブレンズSLの光学中心を視点として観測した光学像として、イメージセンサ120を構成するイメージセンサの撮像面IE上に結像する。メインレンズMLが成す平面と撮像面IEが成す平面とから構成される空間をライトフィールドと呼ぶ。メインレンズMLについて、最大径LDと、有効径EDと、が定義できる。最大径LDは、メインレンズMLの物理的な直径である。一方、有効径EDはメインレンズMLのうち撮影に使用できる領域の直径である。メインレンズMLのうち、有効径EDの外部は、メインレンズMLに貼り付けられた各種フィルタや絞り112、メインレンズML周辺の物理構造によってメインレンズに入出力する光線が遮られることにより、メインレンズMLのうち周辺部を通過する光線が有効でない領域ノイズが大きい領域、あるいは光が透過しない領域である。有効径EDは、上記フィルタ等の物理構造によって光線が遮られる部位を工場出荷時に測定し、また撮像設定が示す絞り112のF値を取得することで定義できる。図2の例では、被写体OBのある部分POBからの光線がメインレンズMLの有効径EDをなす部分有効部を通過し、複数のサブレンズSL上に投影されている。このように、被写体OBの部分POBから発された光が、メインレンズMLの有効部を通過してサブレンズアレイSLA上に投影される領域を、部分POBのメインレンズブラーMLB図2の網掛け部分と呼ぶ。メインレンズMLは鏡胴LBの内部に納められている。鏡胴LBはメインレンズMLの光学中心で被写体側外側鏡胴と、結像面MIP側内側鏡胴とに分かれる。図2では、外側鏡胴の長さをLolb、内側鏡胴の長さをLilbとしている。また、メインレンズMLの光学中心からメインレンズの結像面MIPまでの距離をb1、結像面MIPからサブレンズアレイSLAがなす面までの距離をa2、サブレンズアレイSLAからイメージセンサの撮像面IEの距離をc2、メインレンズMLとサブレンズアレイSLAとの距離をc1とする。撮像部10は、上記構成により、ライトフィールドを通過する全ての光線の情報を含んだライトフィールド画像LFIを撮影する。ブロック状の被写体OBを撮影したLFIの一例を図3aに示す。このLFIは、格子状に配置されたM×N個のサブレンズSLマイクロレンズのそれぞれに対応する画像サブ画像S、S11~SMNから構成されている。例えば、左上のサブ画像S11は、被写体OBを左上から撮影した画像に相当し、右下のサブ画像SMNは被写体OBを右下から撮影した画像に相当する。第i行のサブ画像横の一列のサブ画像Si1~SiNは、メインレンズMLが結像した像を、サブレンズアレイSLAの第i行の横に並んだサブレンズSLで結像したステレオ画像に相当する。同様に、第j列のサブ画像縦の一列のサブ画像S1j~SMjは、メインレンズMLが結像した像を、サブレンズアレイSLAマイクロレンズアレイの第j列の縦に並んだサブレンズSLで撮影したステレオ画像に相当する。デジタルカメラ1は、図3bに示すように、LFIから被写体を再構成した再構成画像RIを生成する。なお、本実施形態では各サブ画像Sはグレースケール画像であり、サブ画像を構成する各画素は画素値スカラー値を持つ。図1に示す情報処理部20は、物理的にはCPUCentralProcessingUnitと、RAMRandomAccessMemoryと、内部バスと、I/Oポートと、から構成され、画像処理部210、画像再構成装置30、撮像制御部220、として機能する。画像処理部210は、イメージセンサ120から電気信号を取得し、取得した電気信号を記憶部40の撮像設定記憶部410が記憶する撮像設定情報に基づいて画像データに変換する。画像処理部210は、画像データと、撮像設定情報に所定の情報固定パラメータを加えた撮影設定情報と、を画像再構成装置30に伝達する。画像再構成装置30は、画像処理部210から伝達されたLFIを用いて再構成画像を生成する。画像再構成装置30が再構成画像を生成する処理については後述する。画像再構成装置30は、生成した再構成画像を記憶部40の画像記憶部420に記憶する。撮像制御部220は、記憶部40の撮像設定記憶部410に記憶された撮像設定情報に基づいて撮像部10を制御し、撮像部10を用いて被写体OBを撮影する。記憶部40は、RAMRandom-AccessMemory等から構成される主記憶装置と、フラッシュメモリ、ハードディスク、等の不揮発性メモリから構成される外部記憶装置と、から構成される。主記憶装置は外部記憶装置に記憶されている制御プログラムや情報をロードし、情報処理部20の作業領域として用いられる。外部記憶装置は、後述する処理を情報処理部20に行わせるための制御プログラムと情報とをあらかじめ記憶し、これらの制御プログラムや情報を情報処理部20の指示に従って主記憶装置に伝達する。また、情報処理部20の指示に従って、情報処理部20の処理に基づく情報とインターフェース部50から伝達された情報とを記憶する。記憶部40は、機能的には、撮像設定記憶部410と、画像記憶部420と、から構成される。撮像設定記憶部410は、撮像設定情報を記憶する。撮像設定記憶部410が記憶する撮像設定情報撮像パラメータには、撮像時に変化しうる撮像パラメータとしてメインレンズMLとサブレンズアレイSLAとの距離、メインレンズの焦点距離fML、メインレンズを収めた鏡胴LBの内側の長さ内側鏡胴長及び外側の長さ外側鏡胴長、露光時間を特定する情報、絞りF値、メインレンズの有効径EDに対応、シャッタ速度等が含まれる。本実施形態では、メインレンズの焦点距離fMLと、内側鏡胴長及び外側鏡胴長と、メインレンズMLとサブレンズアレイSLAとの距離と、のそれぞれに一意に対応するパラメータとしてズーム値を用いることとする。撮像設定記憶部410は、さらに固定パラメータ既存値としてメインレンズの最大径LDと、サブレンズアレイSLAを構成する各サブレンズSLのメインレンズの光軸OAに対する相対位置情報と、を含む。また、メインレンズMLからサブレンズアレイSLAまでの距離c1、サブレンズアレイSLAから撮像素子の表面撮像面IEまでの距離c2、各サブレンズの径、各撮像素子のサブレンズに対する相対位置、等の情報を記憶している。撮像設定記憶部410は、撮像パラメータを撮像制御部220に伝達する。また、撮像設定記憶部410は、撮像部10の撮像設定情報及び固定パラメータを示す情報を画像処理部210に伝達する。画像記憶部420は、画像再構成装置30が再構成した画像を記憶する。画像記憶部420は、インターフェース部50のI/O部510と表示部520とに、記憶した画像を伝達する。インターフェース部図ではI/F部と記述する50は、デジタルカメラ1とその使用者ユーザあるいは外部装置とのインターフェースに係る構成であり、I/O部510と、表示部520と、操作部530と、から構成される。I/O部Input/Output部510は、物理的にはUSBUniversalSerialBusコネクタやビデオ出力端子と、入出力制御部と、から構成される。I/O部510は記憶部40に記憶された情報を外部のコンピュータに出力し、外部から伝達された情報を記憶部40に伝達する。表示部520は、液晶表示装置や有機ELElectroLuminescenceディスプレイ等から構成され、撮像設定記憶部410に記憶される撮像パラメータを入力するための画面や、デジタルカメラ1を操作するための画面を表示する。また、表示部520は、画像記憶部420に記憶された画像を表示する。操作部530は、例えばデジタルカメラ1に備えられた各種ボタンや表示部520に備えられたタッチパネルと、各種ボタンやタッチパネルに行われた操作の情報を検出して記憶部40と情報処理部20とに伝達する伝達部を含み、ユーザ操作の情報を記憶部40や情報処理部20に伝達する。デジタルカメラ1は上記構成により、図3bに示すようにLFIを撮影し、LFIから再構成画像RIを生成して出力する。次に、画像再構成装置30の構成について、図4を参照して説明する。画像再構成装置30は、図4aに示すように情報処理部31と、主記憶部32と、外部記憶部33と、入出力部36と、内部バス37と、から構成される。情報処理部31は、CPUCentralProcessingUnitと、内部キャッシュとして用いるRAMRandomAccessMemoryから構成され、画像再構成装置30のその他の部位を用いて後述する処理を実行する。主記憶部32は、記憶部40の主記憶装置と同様の物理構成を持つ。外部記憶部33は、記憶部40の外部記憶装置と同様の物理構成を持ち、プログラム38を記憶している。入出力部36は、IO部510と同様の物理構成を持つ。内部バス37は、情報処理部31と、主記憶部32と、外部記憶部33と、入出力部36と、を接続する。情報処理部31、主記憶部32と、外部記憶部33と、入出力部36と、内部バス37と、はデジタルカメラ1の情報処理部20の内部回路と、記憶部40と、インターフェース部50と、によって実現される機能ブロックであってもよい。画像再構成装置30は、外部記憶部33に記憶されたプログラム38及びデータを主記憶部32にコピーして、情報処理部31が、主記憶部32を使用してプログラム38を実行することにより、後述する画像を再構成するための処理を実行する。画像再構成装置30は、上記のような物理構成により、図4bに示すように、LFI取得部300と、撮影設定取得部310と、情報処理部320と、記憶部330と、出力部340と、として機能する。情報処理部320はマスク取得部3210と原型定義部3220と再構成画素選択部3230と対応画素抽出部3240と画素値算出部3250とを含む。記憶部330はマスク記憶部3310と再構成設定記憶部3320と再構成画像記憶部3330とを含む。LFI取得部300は、画像処理部210からLFIを受け取り、情報処理部320のマスク取得部3210に伝達する。撮影設定取得部310は画像処理部210から撮影設定情報を受け取り、情報処理部320のマスク取得部3210に伝達する。情報処理部320は、LFI取得部300と撮影設定取得部310とから取得した情報と、記憶部330に記憶された情報と、を用いて、LFIから再構成画像を生成して再構成画像記憶部3330を通して出力部340に出力する。記憶部330のマスク記憶部3310は、後述するマスクとパラメータマスク対応表とを記憶する。再構成設定記憶部3320は、再構成画像に写るべき被写体のメインレンズからの仮想的な距離a1を含む再構成設定を記憶する。再構成画像記憶部3330は、情報処理部320が算出する再構成画像の各画素の画素値を記憶する。また、生成を終えた再構成画像を出力部340に伝達する。出力部340は伝達された再構成画像を外部画像記憶部420に出力する。情報処理部320のマスク取得部3210は、LFI取得部300からLFIを、撮影設定取得部310から撮影設定情報を取得すると、マスク記憶部3310に記憶されたマスクのうち、撮影設定情報に応じたマスクを取得する。このマスクは、LFIを構成する画素について、サブ画像に含まれる領域サブ画像内領域と含まれない領域サブ画像外領域とを区別して定義する。ここで、マスク記憶部3310が記憶し、マスク取得部3210が取得するマスクについて、図5~図7を参照して説明する。メインレンズMLは、鏡胴LBに収められている図5a、図5c。メインレンズMLを通ってあるサブレンズSL1を通じた光は撮像面IE上に被写体の像サブ画像を投影する。サブ画像は、メインレンズMLとサブレンズSL1の光学中心を結んだ直線を通る光線を主光線とし、主光線を中心とした所定の角度からの光線の情報を含む。あるサブレンズを通る主光線と撮像面IEとの交点が、そのサブレンズSL1に対応するサブ画像の中心サブ画像中心SICとなる図5aのSIC1、図5cのSIC2。撮像面IEには、対応するサブレンズSL1、SL2を通った光により、サブ画像中心SIC1、SIC2を中心とする境界が曖昧な像を投影する。この像は、サブレンズが円形である場合は、メインレンズMLの光軸OAの近辺で略円形となる。この像はサブ画像に対応するが、その外辺部はメインレンズのうち有効径ED外の部分や鏡胴LB等のカメラの物理構成から影響を受けるためノイズを多く含む。さらに、外辺部ではマイクロレンズの収差の影響も大きい。そのため、外辺部はS/N比が小さく、再構成画像を生成する際にノイズの原因となる。撮像面IE上のある画素のS/N比は、その他の条件が同じでも撮影設定撮像パラメータ及びカメラの物理構造等により変動する。そのため、再構成処理にあたって、撮影設定に基づき各画素のS/N比を推定し、許容範囲であるか判別する処理が必要となる。しかし、このような処理を再構成時に各画素について実行すると計算量が大きくなってしまう。本実施形態ではLFIの画素LFI画素のうちS/N比が許容範囲である領域をサブ画像内領域、サブ画像内領域の画素をサブ画素と呼ぶ。本実施形態では、サブ画像内領域の画像をサブ画像とする。一方、許容範囲外である領域をサブ画像外領域、サブ画像外領域の画素を非サブ画素とする。本実施形態では、サブ画像内領域とサブ画像外領域を定義したマスクを、設計上想定される可変パラメータ撮影設定のうち可変な設定に対応して複数記憶しておく。複数のマスクのうち、再構成時に現在の撮影設定に応じたマスクを選択して用いることで、計算量を小さくする。以下、あるサブレンズに対応するサブ画素の集合を、そのサブレンズのサブ画像とする。鏡胴LBは入射する光を遮るが、光軸OAに近いサブレンズSL1等を通る光線については、その影響は小さい図5a。そのため、LFIの光軸OAに対応する部分LFI中心に近い部分では、サブ画像SI1の形状が円形に近い図5b左。そのため、マスクの定義するサブ画像もこの部分では円形に近い図5b右。なお、図5b右では、サブ画素を白で、非サブ画素を黒で、それぞれ示している。以下同様である。一方、光軸OAから遠いサブレンズSL2等を通る光線については、特に周辺部で鏡胴LBの影響を強く受けるため、サブ画像も歪んでいる図5d左。図5cに示すように、SI2上で光軸OAに遠い部分は鏡胴LBの外側外側鏡胴の部分の影響を主に受ける。一方、SI2上で光軸OAに近い部分は鏡胴LBの内側内側鏡胴の影響を主に受ける。そのため、マスクの定義するサブ画像もこの部分では内側鏡胴の長さLilbと外側鏡胴の長さLolbに影響を受けて歪んでいる図5d右。マスク取得部3210が取得するマスクMの具体的な形状を、図6を参照して説明する。マスクMは、LFIの数に対応する数の窓それぞれサブ画像内領域に対応をもつ。マスクの中央は光軸OALFI中心に対応し、LFI中心を原点として横軸をx、縦軸をyとする座標系を定義する図6a。この例では、マスクはx軸方向に61個-30~30個、y軸方向に39個-19~19、の窓を持つ。以下、横にx個目、縦にy個目の窓をWx、y、Wx、yに対応するサブ画像をSIx、yと標記する。一つのサブ画像に対応する窓の例として、図6aの左上の窓W-29、18を図6bに示す。図6bでは、窓の中心SI-29、18のサブ画像中心に対応をSIC、SICとLFI中心を通る直線をcx、SICを通りcxに垂直な直線をpxで示している。cxの矢印はLFI中心の方向を示す。図6bの例では、W-29、18はLFI中心に向かって外側が内側と比して大きく潰れた歪な円形を示す。この形状は、図6cに示したように、pxから内側は長径がaで短軸がbinの楕円2点鎖線で近似できる。一方、外側は長軸がaで短軸がboutの楕円点線で近似できる。マスクの各窓の形状およびサブ画像中心の位置は、以下のパラメータによって定まる。マスクを生成する具体的な方法については後述する。1メインレンズの設定メインレンズの最大径LD、有効径ED、内側鏡胴長Lilb、外側鏡胴長Lolb2メインレンズマイクロレンズ撮像素子撮像面IEの位置関係メインレンズとマイクロレンズとの距離c1、マイクロレンズと撮像面IEとの距離c23個々のマイクロレンズの、光軸OAからの距離、大きさ及び形状マスク記憶部3310は、上記パラメータのうち設定上固定されたパラメータに適合するように生成されたマスクを記憶している。また、撮影ごとに可変するパラメータについては、設定上想定される範囲でパラメータに適合するマスクを複数記憶している。各マスクにはインデックスとなる識別子1~Mが割り当てられている。マスク記憶部3310は、各マスクの識別子と、そのマスクに対応する各可変パラメータの範囲と、を対応付けて登録したパラメータマスク対応表図7をさらに記憶している。パラメータマスク対応表の例を図7に示す。このパラメータマスク対応表は、考慮すべき可変パラメータが絞り値とズーム値メインレンズの位置に対応とである場合のパラメータマスク対応表の例である。ここで、絞り値はメインレンズの有効径EDに1対1に対応する。また、ズーム値によりメインレンズの位置が定まれば、本実施形態のようにメインレンズの交換等を考慮しない場合の内側鏡胴長及び外側鏡胴長、焦点距離fMLが一意に定まる。この例では、ズームはデジタルにN段階例えば25段階に設定でき、絞りは1最小絞りから100最大開放まで設定可能である。パラメータマスク対応表はこれらの可変パラメータが取り得る値について、対応するマスクを一つ定義している。図7の例では、撮像設定が示すズームの値が2でありと、絞りの値が18であれば、マスク取得部3210は対応するマスクとしてm2を取得する。マスク取得部3210は、パラメータマスク対応表が定義する現在の撮影設定情報に合致するマスクを取得する。そして、取得したマスクをLFIに重ねて、原型定義部3220に伝達する。原型定義部3220は、再構成設定記憶部3320に記憶されている再構成設定に基づいて、再構成画像の原型ひな形をメインレンズMLから距離a1の面再構成面に配置する。ここで言う原型とは、画素値が全て0あるいは未設定の画像である。そして、定義した原型を再構成画素選択部3230に伝達する。再構成画素選択部3230は、原型定義部3220が定義した再構成画像の画素再構成画素のうち一つを注目画素として定める。そして、対応画素抽出部3240に、注目画素の情報を伝達する。対応画素抽出部3240は、再構成画素選択部3230が選択した注目画素から光線追跡して、注目画素からの光が届いたLFI上の画素対応画素候補をサブレンズ毎に抽出する。対応画素抽出部3240は、対応画素候補のうちそのサブレンズに対応する窓の内部サブレンズ内領域に位置する画素を、注目画素に対応する画素対応画素として抽出する。一方、対応画素候補のうち、そのサブレンズに対応する窓の外側サブレンズ外領域に位置する画素については後述の画素値算出処理の処理対象から除外する。なお、本実施形態では想定される撮影設定及び再構成設定に対して、注目画素の対応画素は各サブレンズについて一つであるように調整されているとする。対応画素抽出部3240は抽出した対応画素の情報を画素値算出部3250に伝達する。画素値算出部3250は、対応画素の画素値に基づいて注目画素の画素値を算出する。この処理の具体的な内容については後述する。画素値算出部3250は算出した注目画素の画素値を再構成画像記憶部3330に記憶する。再構成画素選択部3230から画素値算出部3250が再構成画像に含まれる全ての画素を順次注目画素として画素値を定め、再構成画素を算出する。ここで、画像再構成装置30が実行するLFIから再構成画像を生成して出力するための処理再構成画像出力処理を、図8から図10を参照して説明する。ユーザがデジタルカメラ1を用いてLFIを撮影し、画像処理部210がLFIを生成して撮影設定情報と共に画像再構成装置30に伝達すると、画像再構成装置30は図8に示す再構成画像出力処理を開始する。再構成画像出力処理では、まずLFI取得部300がLFIを取得するステップS101。そして、撮影設定取得部310が撮影設定情報を取得するステップS102。次に、マスク取得部3210が、パラメータマスク対応表が定める撮影設定情報に合致するマスクを取得するステップS103。具体的には、撮影設定情報のうち撮影毎に変化し、マスクの取得にあたって考慮されるべく定められたパラメータここでは絞り値とズーム値を引数としてパラメータマスク対応表を参照し、マスクのインデックスを取得する。そして、マスク記憶部3310に記憶された複数のマスクのうち、取得したインデックスに合致するマスクを取得する。そしてマスクをLFIに重ねて、LFIをサブ画像内領域とサブ画像外領域とに分別する。そして、取得したマスクを用いて、再構成画像を生成するための処理再構成画像生成処理を実行するステップS105。ステップS105で実行される再構成画像生成処理を、図9と図10を参照して説明する。まず、再構成画素選択部3230は、再構成設定が指定するメインレンズと再構成面RFとの距離を特定しステップS201、再構成面RFに再構成画像のひな形原型を設置するステップS202。そして再構成画素選択部3230が、k2をカウンタ変数として、再構成画素の一つを注目画素とするステップS203。このとき、注目画素は図10における再構成面RF上の注目部位PSに対応する。次に、対応画素抽出部3240が注目部位PSからの光線が撮影設定情報を用いてメインレンズの主点を通過してマイクロレンズアレイに到達した位置サブレンズ上の到達位置PSLを特定する。対応画素抽出部3240が到達位置PSLを中心に、注目部位からの光が届いた範囲メインレンズブラー、図10の網線領域を、レンズの特性からもとめる。メインレンズブラーの直径は、メインレンズMLと再構成面RFとの距離a1、メインレンズと結像面MIPとの距離b1a1とメインレンズの焦点距離fMLから算出、結像面MIPとサブレンズアレイSLAとの距離a2と、メインレンズの有効径EDと、から三角形の相似を用いて算出する。対応画素抽出部3240がサブレンズアレイSLAに含まれるサブレンズSLの内、一部又は全てがメインレンズブラーに含まれるサブレンズSLを特定する。図10の例では、SL1~SL5がメインレンズブラーに含まれる。そして、対応画素抽出部3240がk3をカウンタ変数として、特定されたサブレンズの内k3番目のサブレンズを注目レンズとして選択するステップS204。注目画素からの光線が、選択されたサブレンズによって結像される位置にある、サブ画像上の画素対応画素候補を光線追跡により抽出するステップS205。具体的には、対応画素候補到達点PEに対応を以下の手順で算出する。まず、再構成面RFに対応するメインレンズの焦点面までの距離b1は既知の数値a1及びfMLを用い、次の式1から算出することが出来る。また、a2は既知の数値c1から、式1を用いて算出したb1を減算することで求めることができる。さらに、被写体距離a1と、距離b1と、既知の数値xPSと光軸OAとの距離を以下の式2に用いて、注目部位PSが、光軸OAからメインレンズMLを通して結像する点結像点PFまでの距離x’を算出するx’=xb1/a1...2さらに、光軸OAからk3番目のサブレンズSL図10の例ではSL5の主点までの距離d、上記の式2を用いて算出された距離x’、マイクロレンズアレイLAから撮像面IEまでの距離c2、及び距離a2を以下の式3に用いて、到達点PEと光軸OAとの距離x’’を算出する。Y軸方向にも同様に計算し、到達点PEの位置を特定する。そして、対応画素抽出部3240は対応画素候補がマスクが定義する注目サブレンズのサブ画像内領域の内部にある画素サブ画素であるか判別するステップS206。ステップS206で対応画素候補がサブ画像内領域にないと判別するとステップS206;NO、その画素は注目画素について有効な情報を含まないと判断できる。そこで、ステップS207をスキップして、以後この画素については注目画素の画素値を求めるにあたって計算の対象としない。そして、k3をインクリメントしてステップS209、次のサブレンズを注目サブレンズとしてステップS204から処理を繰り返す。サブ画像内領域の内部にあるサブ画素であると判別するとステップS206;YES、その画素は対応画素であると判別する。そして、画素値算出部3250が注目サブレンズとメインレンズブラーとが重なっている面積を計算し、これをサブレンズの面積で割ってサブレンズの重み係数とするステップS207。そして、全てのメインレンズブラーと重なっているサブレンズについて上記処理済みであるか判別するステップS208。未処理のサブレンズがある場合ステップS208;NO、k3をインクリメントしてステップS209、次のサブレンズを注目サブレンズとしてステップS204から処理を繰り返す。全てのメインレンズブラーと重なっているサブレンズについて処理済の場合ステップS208;YES、ステップS206で判別した各対応画素の画素値を抽出し、ステップS207で算出した重みを用いて重み付け加算する。重み付け加算した値を、重なり面積の総和で除算して注目画像の画素値とするステップS210。ステップS210で注目画素の画素値を算出すると、次に全ての再構成画素について上記処理を実行したか判別するステップS211。未処理の再構成画素がある場合ステップS211;NO、k2をインクリメントしステップS212、次の再構成画素を注目画素としてステップS203から処理を繰り返す。一方、全ての再構成画素について処理済であるとした場合はステップS211;YES、再構成画像生成処理は終了する。図8に戻って、ステップS105で再構成画像を生成すると、出力部340が生成した再構成画像を外部画像記憶部420に出力するステップS106。そして、再構成画像出力処理は終了する。その後、再構成画像は表示部520やI/O部510に出力される。次に、マスク記憶部3310が記憶するマスクの生成処理の例を、図11を参照して説明する。デジタルカメラ1の画像再構成装置30のマスク記憶部3310に記憶するためのマスクは、情報処理装置以下、マスク生成装置が図11に示すマスク生成処理を実行することによって生成する。マスク生成装置は、図4aに示すような物理構成を持つ情報処理装置である。マスク生成装置は、デジタルカメラ1の情報処理部であってもよいし、一般的なコンピュータであっても良い。マスク生成装置は、電源が入れられ、マスクを生成するための処理を開始するユーザの操作を受け付けると、図11に示すマスク生成処理を開始する。マスク生成処理では、まず生成すべきマスクの設定LFIの解像度、サブ画像の縦横それぞれの個数を取得するステップS301。ここでは、図6aに示す縦に39個、横に61個のサブ画像のための窓を持つマスクを生成する。合わせて、初期設定として全ての領域をサブ画像外領域として設定する。そして、マスク生成装置はマスクを生成するための設定を取得するステップS302。ここでは、設定値としてデジタルカメラ1における以下の数値を取得する。1生成するマスクが対応する絞り値代表値及び絞り値に対応するメインレンズの有効径ED。また、このマスクを適用しうる絞り値の範囲。2メインレンズMLの最大径LD。3生成するマスクが対応するズーム値。また、そのズーム値でメインレンズを設定した場合の焦点距離fML、内側鏡胴長Lilb、外側鏡胴長Lolb、メインレンズMLとサブレンズアレイSLAとの距離c1。4各サブレンズの配置サブレンズの光学中心の光軸OAに対する相対位置5撮像面IEとサブレンズアレイSLAとの距離c2。これら1~5の各パラメータは、それぞれ代表値と、適用できる許容範囲を定めたものであってよい。この設定値は、デジタルカメラ1の物理的な構成を鑑みて今回のマスク生成処理で生成するマスクの設定値としてユーザが入力するものとする。そして、各窓W-30、-19~W30、19の長軸a図6cの軸px方向の長さを算出するステップS303。aは絞り値に対応するメインレンズの有効径EDが他の条件は一定として大きくなるほど大きくなる。また距離c2が他の条件は一定として大きくなるほど大きくなる。さらに、距離c1が他の条件は一定として小さくなると大きくなる。なおここでは、長軸aは有効径EDと、メインレンズMLとサブレンズアレイSLAとの距離c1と、撮像面IEとサブレンズアレイSLAとの距離c2と、を用いて以下の式4で算出するとする。a=D×c2/c14ここでは長軸aは全ての窓について共通とする。なお、aはメインレンズの有効径ED又は距離c2が大きくなるほど、また距離c1が小さくなるほど、大きくなることを条件として任意の算出方法を用いて算出しても良い。例えば、D^2×c2^2/c1^2といった式で代替可能である。また、教師画像をデジタルカメラ1に撮影させ、得られたLFI上のサブ画像の候補を教師画像と比較し、ノイズが一定以下である軸px方向の領域の長さを平均して、得られた数値を各サブ画像の長軸aとして設定しても良い。そして、k1をカウンタ変数とし、サブレンズアレイSLA上のk1番目のサブレンズSLを注目サブレンズとして選択するステップS304次に、注目サブレンズについて、サブ画像中心SICの位置を求めるステップS305。サブ画像中心SICは、メインレンズMLの光学中心と、注目サブレンズの光学中心とを結んだ直線が撮像面IEと交わる点である。以下、注目サブレンズの光学中心と光軸OAとの距離をx’’とする。さらに、対応する部位の窓のLFI中心方向の軸cx方向の長さ図6cのbin及びboutを算出するステップS306。あるサブレンズSLに対応するサブ画像SIにおいて、boutとbinを算出する方法を、図12を参照して説明する。サブ画像SIに到達する光は、メインレンズMLとサブレンズSLの光学中心を貫く直線Lを中心とした所定範囲の光線である。ここで、サブレンズSLの光学中心と、内側鏡胴の端とを結ぶ線外側線Loutは、サブ画像の光軸OA側の領域に到達する光のうち、その主光線が鏡胴LBに接触しない最も鏡胴LBよりのラインである。また、サブ画像SIの光軸OAから外側の点からサブレンズSLの光学中心を通って、メインレンズMLに到達する光について光路追跡を行うと、その主光線が外側鏡胴に接触する最も鏡胴LBよりの線内側線Linを求めることが出来る。図12に示すように、サブ画像SIに到達する光のうち、主光線が鏡胴LBに遮られない光線は、外側線Loutと内側線Linの間の光である。メインレンズMLの光軸OAと、LoutとメインレンズMLの交点との距離をDoutとする。LinとメインレンズMLの交点との距離をDinとする。DoutとDinはメインレンズの屈折率ズーム値に一対一に対応と、c1と、c2と、Lolbと、Lilbと、サブレンズの光軸OAからの相対位置x’から求めることが出来る。図12が示すように、boutは、サブ画像に到達する光が外側鏡胴に遮られる度合いが小さいDoutが大きいほど大きくなる。また、c2が大きいほど大きくなる。一方、c1が大きくなれば小さくなる。binは、内側鏡胴に遮られる度合いが小さいDoutが大きいほど大きくなる。また、c2が大きいほど大きくなる。一方、c1が大きくなれば小さくなる。また、有効径EDの端部と鏡胴LBとの距離が小さい最大径LDと有効径EDとの差が小さいほど、鏡胴LBに光が遮られる割合は大きい。そのため、最大径LDが同じ場合、有効径EDが小さくなるとサブ画像SIの形の歪みboutとbinの差が大きくなる。本実施形態では外側線Loutと内側線Linの間の領域を有効なサブ画像の領域とし、boutとbinとを、図12から導出できる次の式5、6を用いて算出する。bin=Din×c2/c1×2...5bout=Dout×c2/c1×2...6なお、binは内側鏡胴に遮られる度合いが小さいほど小さくなるc2が大きいほど大きくなり、c1が大きくなれば小さくなることを条件として任意の算出方法を用いて算出しても良い。例えば、式5はDin^2×c2^2/c1^2といった式で代替可能である。また、教師画像をデジタルカメラ1に撮影させ、得られたLFI上のサブ画像の候補を教師画像と比較し、ノイズが一定以下である軸cxの内側方向の領域の長さ求め、得られた数値を各サブ画像の長さbinとして設定しても良い。boutについても同様の変形が可能である。上記のようにステップS306で式5と式6とを用いてbinとboutを求めると、ステップS305で求めたサブ画像中心と光軸OAとを結んだ軸cxと、軸cxと垂直に交わりサブ画像中心を通る軸pxと、をマスク上で定めるステップS307。さらに、上記方法で求めた形状で、マスク上に注目サブレンズに対応する窓サブ画像内領域を定義するステップS308。ここでは、サブ画像中心から軸pxの光軸OA側が長軸aで短軸がbinの楕円図6cの点線の楕円であり、光軸OAの逆側が長軸aで短軸がboutの楕円図6cの2点鎖線の楕円である領域を、注目サブレンズの対応窓サブ画像内領域としてマスク上に定義する。なお、このマスクを用いる場合は、たとえ形式上ここで求めたサブ画像内領域に到達したとしても、注目サブレンズ対応サブレンズでないサブレンズを通った光線追跡の結果であれば、サブ画像外領域として扱う。次に、全てのサブレンズについて、対応するサブ画像内領域を定義したか判別するステップS309。未処理のサブレンズが残っていた場合ステップS309;NO、カウンタ変数k1をインクリメントしステップS310、次のサブレンズを注目サブレンズとしてステップS304から処理を繰り返す。一方、全てのサブレンズについて上記処理済であればステップS309;YES、現在のパラメータについてマスク生成処理を終了する。このように生成されたマスクは、マスクのインデックスを与えられてマスク記憶部3310に記憶される。さらに、与えられたインデックスと、このマスクを適用できる範囲の対応する動的パラメータと、を対応付けてパラメータマスク対応表に登録される。本実施形態で、外側鏡胴長Lolbが変化した場合にマスクに与える影響を、図13を用いて説明する。外側鏡胴長Lolbが短い場合図13a、サブレンズSL2が光軸OAからやや大きい距離x’だけ離れていた場合でも、対応するサブ画像SI3のboutは長軸aに比べて小さくならない。外側鏡胴長Lolbが図13aより長くなると、図13b、サブレンズSL2が同じ距離x’だけ離れていた場合に、サブレンズを通して対応サブ画像SI4の軸pxの光軸OAの逆方向の領域に届く光は外側鏡胴に遮られる。その結果、対応するサブ画像SI4のboutは長軸aに比べて小さくなる。さらに外側鏡胴長Lolbが長くなり図13c、外側鏡胴がサブレンズSL2とメインレンズMLとを結ぶ直線に接触する場合は図13c、軸pxの光軸OAの逆方向の領域に届くはずの光はほぼ遮断される。その結果、boutは非常に短くなるSI5。この変化は、内側鏡胴長Lilbとbinについても同様に考えることが出来る。以上の処理を設定上必要なパラメータについて実行して、マスク記憶部3310に記憶させる。このマスクを用いると、再構成画像生成及び表示のための処理を少ない必要計算量で実行することができる。以上説明したように、上記実施形態では各サブ画素サブ画像毎に光線追跡を行い、撮影パラメータと撮影に用いた光学系の物理構造に鑑みてS/N比の多寡を推定する必要が無い。また、サブ画素ごとの重み付け処理を、マスクが定義したサブ画像内領域の画素のみ対して実行することができる。そのため、本実施形態の画像再構成装置30によれば、LFIを取得したパラメータに合致したマスクを用いてサブ画像内領域かサブ画像外領域かを高速に判定することが出来るため、再構成画像の生成のために必要な計算量が減少する。また、マスクが定義する、その撮影設定でLFIを取得した場合にS/N比が許容範囲であると想定される画素のみを用いて画素値を決定するため、ノイズが少ない再構成画像を生成することが出来る。また、本実施形態のデジタルカメラ1を用いれば、LFIを取得し、再構成画像を生成する処理が一つのハードウェアで高速に実行できる。また、最構成画像を生成するための処理量が少ないため、デジタルカメラ1を小型化することが出来る。変形例本発明は、上記実施形態に限定されず、さまざまな変形が可能である。例えば、上記実施例ではマスクを図11のマスク生成処理を用いて生成した。しかし、本発明で用いるマスクの生成方法はこれに限られない。本発明のマスクは、次のような性質を持つマスクを生成する任意の方法を用いて生成されて良い。ある撮影パラメータに対応するマスクを生成するその他の方法の例として、教師データとなる被写体をデジタルカメラ1を用いてその撮影パラメータで撮影させる方法が考えられる。このような方法では、得られたLFIの画素からS/N比が所定の許容範囲に収まる領域を求めてサブ画像内領域とする。また、上記実施形態では図7のパラメータマスク対応表を用いてマスクを取得したが、本発明の実施形態ではこれに限らず、動的に設定が必要な任意のパラメータのそれぞれについてマスクを対応付けたパラメータマスク対応表を用いることが出来る。例えば、デジタルカメラ1がメインレンズやサブレンズを交換可能な場合には、鏡胴長とfMLとをそれぞれ独立したパラメータとしたパラメータマスク対応表を用いてマスクのインデックスを取得してもよい。また、パラメータのマスクを対応付ける方法はパラメータマスク対応表によらず、既知の任意の対応付け方法で代替可能である。このようなパラメータとマスクとを対応付ける方法を用いてマスクを選択する構成により、撮影時のパラメータに合致するマスクを、高速に取得することが出来る。望ましくは本発明のマスクはメインレンズの最大径LDが大きくなり、その他の設定が一定であれば、LFIの周辺部と中央部でマスク形状の差異が小さくなる。即ち、LFIの中心部周辺でサブ画像内領域が正円に近い場合に、LDが大きければLFIの周辺部でも正円に近い形状となる。このような性質を持つことにより、マスクはメインレンズの最大径を反映するので、このマスクを用いるとメインレンズの大きさを織り込んだ精度の高い再構成画像を生成できる。望ましくは本発明のマスクはメインレンズの有効径EDが大きくなり、その他の設定が一定であれば、サブ画像内領域がそれぞれ大きくなる。このような性質を持つことにより、マスクはメインレンズの有効径を反映するので、このマスクを用いるとメインレンズの有効径を織り込んだ精度の高い再構成画像を生成できる。望ましくは本発明のマスクはメインレンズの鏡胴長内側及び外側が長くなり、その他の設定が一定であれば、LFIの中心部周辺と周辺部でサブ画像内領域の形状の差異上記実施例ではbinとboutの差が大きくなる。このような性質を持つことにより、マスクは鏡胴により光線が遮られる程度を反映する。そのため、このようなマスクを用いると鏡胴により光線が遮られる程度を織り込んだ精度の高い再構成画像を生成できる。望ましくは本発明のマスクはサブレンズが光軸OAから遠くなるほど、対応するサブ画像内領域の形状の歪み上記実施例ではbinとboutの差が大きくなる。このような性質を持つことにより、マスクはサブレンズの位置を反映することとなるので、このマスクを用いるとサブレンズの位置を織り込んだ精度の高い再構成画像を生成できる。望ましくは本発明のマスクはサブレンズとサブレンズとの間の距離が大きいほど、また、サブレンズと撮像面との距離が離れるほど、サブ画像中心同士の距離も離れる。一方、メインレンズとサブレンズの距離が離れるほど、サブ画像中心同士は密着する。このような性質を持つことにより、マスクはそのサブレンズ画像中心の位置をサブレンズと撮像面の位置を織り込んで定めたものとなる。そのため、このようなマスクを用いることにより、精度の高い再構成画像を生成できる。なお、上記説明ではマスク記憶部3310は複数のマスクを記憶しおり、パラメータに基づいて好適なマスクを選択するものとした。しかし、LFIを撮影する設定によるマスクの形状の差が小さく、一つのマスクで設定全体をカバーできる場合は、マスクは一つだけでも良い。また、上記説明では一つのサブレンズについて対応画素がひとつである場合について説明したが、本発明は一つのサブレンズについて複数の対応画素がある場合でも応用できる。このような場合は、光線追跡で一つのサブレンズにつき複数の対応画素候補を抽出し、それぞれについてサブ画像内領域にあるか否か判別して対応画素か否か定めればよい。また、上記説明ではLFIと同じ大きさのマスクを記憶するものとしたが、本発明はこれに限らず、マスク中で形状が同一視できる領域については省略した形で記憶するものとしても良い。例えば、左上の領域全体の1/4だけをデータとして記憶し、左上以外の部分は左右又は上下に反転して記憶したデータを配置しても良い。このような構成によれば、マスクを記憶する記憶領域を節約できる。さらに、本発明のマスクを用いて対応画素候補から対応画素を抽出する方法は、LFIから再構成画像を生成する任意の方法例えば特許文献1で例示された方法に応用可能である。また、上記実施例では、画像をグレースケール画像であるとして説明したが、本発明の処理対象となる画像はグレースケール画像に限らない。例えば、画像は各画素にRレッド、Gグリーン、Bブルー、の三つの画素値が定義されたRGB画像であってよい。この場合、画素値をRGBのベクトル値として同様に処理する。また、R、G、B、の各値をそれぞれ独立したグレースケール画像として、それぞれ上記処理を行っても良い。この構成によれば、カラー画像であるライトフィールド画像からカラー画像である再構成画素を生成できる。その他、前記のハードウェア構成やフローチャートは一例であり、任意に変更および修正が可能である。情報処理部31、主記憶部32、外部記憶部33、などから構成される画像再構成のための制御処理を行う中心となる部分は、専用のシステムによらず、通常のコンピュータシステムを用いて実現可能である。たとえば、前記の動作を実行するためのコンピュータプログラムを、コンピュータが読み取り可能な記録媒体フレキシブルディスク、CD-ROM、DVD-ROMなどに格納して配布し、前記コンピュータプログラムをコンピュータにインストールし、を構成してもよい。また、インターネットなどの通信ネットワーク上のサーバ装置が有する記憶装置に前記コンピュータプログラムを格納しておき、通常のコンピュータシステムがダウンロードなどすることで画像再構成装置を構成してもよい。画像再構成装置の機能を、OSオペレーティングシステムとアプリケーションプログラムの分担、またはOSとアプリケーションプログラムとの協働により実現する場合などには、アプリケーションプログラム部分のみを記録媒体や記憶装置に格納してもよい。また、搬送波にコンピュータプログラムを重畳し、通信ネットワークを介して配信することも可能である。そして、このコンピュータプログラムを起動し、OSの制御下で、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、前記の処理を実行できるように構成してもよい。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、本発明には、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲が含まれる。以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。付記1それぞれ異なる視点から被写体を撮影した複数のサブ画像を含むライトフィールド画像から再構成画像を生成する再構成画像生成装置において、前記ライトフィールド画像を取得する画像取得部と、前記ライトフィールド画像を撮影した撮影パラメータを取得する撮影パラメータ取得部と、前記撮影パラメータに基づいて、前記撮影したライトフィールド画像に含まれる前記サブ画像の領域であるサブ画像領域を定めたマスクを取得するマスク取得部と、前記再構成画像を構成する再構成画素と、前記マスク取得部が取得したマスクが定めたサブ画像領域にある画素であるサブ画素と、の対応を定義する対応定義部と、前記再構成画素の画素値を、前記対応定義部が定義した当該再構成画素に対応するサブ画素の画素値に基づいて決定することにより、前記再構成画像を生成する画像生成部と、を備えることを特徴とする再構成画像生成装置。付記2前記撮影パラメータの所定範囲について、複数の前記マスクのそれぞれに対応する前記撮影パラメータの条件を定義したマスク情報を記憶するマスク条件記憶部を備え、前記マスク取得部は、前記マスク条件記憶部に記憶されたマスク情報に基づいて、前記撮影パラメータ取得部が取得した前記撮影パラメータに合致するマスクを抽出する、ことを特徴とする付記1に記載の再構成画像生成装置。付記3前記ライトフィールド画像は、被写体からの光を捉えるメインレンズと、当該メインレンズがとらえた光をさらに捉える前記複数の視点にそれぞれ対応する複数のマイクロレンズと、を用いて撮影された画像であり、前記撮影パラメータは、前記ライトフィールド画像を撮影したメインレンズの有効径、当該メインレンズを収めた鏡胴の被写体側の長さである外側鏡胴長、当該鏡胴のマイクロレンズ側の長さである内側鏡胴長、の少なくとも一つに対応するパラメータを含む、ことを特徴とする付記1又は2に記載の再構成画像生成装置。付記4前記マスク取得部が取得するマスクは、前記撮影パラメータ及び前記ライトフィールド画像を撮影した光学機器の物理構成におけるその他の条件が同じであれば、前記メインレンズの最大径が大きくなるに従って、前記ライトフィールド画像のうち前記メインレンズの光軸に対応する部位に近い中央部と、遠い周辺部と、において前記サブ画像領域の形状の差が小さくなる、ことを特徴とする付記3に記載の再構成画像生成装置。付記5前記マスク取得部が取得するマスクは、前記撮影パラメータ及び前記ライトフィールド画像を撮影した光学機器の物理構成におけるその他の条件が同じであれば、前記メインレンズの有効径が大きくなるに従って前記サブ画像領域も大きくなる、ことを特徴とする付記3又は4に記載の再構成画像生成装置。付記6前記マスク取得部が取得するマスクは、前記撮影パラメータ及び前記ライトフィールド画像を撮影した光学機器の物理構成におけるその他の条件が同じであれば、前記メインレンズの内側鏡胴長又は外側鏡胴長のいずれかが長くなるに従って、前記ライトフィールド画像のうち前記メインレンズの光軸に対応する部位に近い中央部と、遠い周辺部と、において前記サブ画像領域の形状の差が大きくなる、ことを特徴とする付記3乃至5のいずれか一つに記載の再構成画像生成装置。付記7前記マスク取得部が取得するマスクは、前記マイクロレンズのそれぞれに対して、一つのサブ画像領域を定義し、前記マイクロレンズが前記メインレンズの光軸から遠いほど、対応するサブ画像領域の形状が大きくゆがむように定義されている、ことを特徴とする付記3乃至6のいずれか一つに記載の再構成画像生成装置。付記8前記マスク取得部が取得するマスクは、前記マイクロレンズのそれぞれに対して、一つのサブ画像領域を定義し、前記マイクロレンズ間の距離又はマイクロレンズと撮像面との距離の少なくとも何れか一方が大きくなると、対応するサブ画像領域の中心が大きく離れる、ことを特徴とする付記3乃至6のいずれか一つに記載の再構成画像生成装置。付記9前記マスク取得部が取得するマスクは、前記撮影パラメータ取得部が取得した撮影パラメータでライトフィールド画像を撮影した場合に想定されるS/N比が許容範囲である範囲を前記サブ画像領域として定めたマスクである、ことを特徴とする付記1乃至8のいずれか一つに記載の再構成画像生成装置。付記10被写体からの光を捉えるメインレンズと、当該メインレンズがとらえた光をさらに捉える複数の視点にそれぞれ対応する複数のマイクロレンズと、を用いて、それぞれ異なる視点から被写体を撮影した複数のサブ画像を含むライトフィールド画像を撮影する撮影部と、前記ライトフィールド画像を撮影した撮影パラメータを取得する撮影パラメータ取得部と、前記撮影パラメータに基づいて、前記撮影したライトフィールド画像に含まれる前記サブ画像の領域であるサブ画像領域を定めたマスクを取得するマスク取得部と、前記ライトフィールド画像から生成する再構成画像を構成する再構成画素と、前記マスク取得部が取得したマスクが定めたサブ画像領域にある画素であるサブ画素と、の対応を定義する対応定義部と、前記再構成画素の画素値を、前記対応定義部が定義した当該再構成画素に対応するサブ画素の画素値に基づいて決定することにより、前記再構成画像を生成する画像生成部と、を備えることを特徴とするデジタルカメラ。付記11それぞれ異なる視点から被写体を撮影した複数のサブ画像を含むライトフィールド画像から再構成画像を生成する再構成画像生成方法であって、前記ライトフィールド画像を取得する工程と、前記ライトフィールド画像を撮影した撮影パラメータを取得する工程と、前記取得した撮影パラメータに基づいて、前記撮影したライトフィールド画像に含まれる前記サブ画像の領域であるサブ画像領域を定めたマスクを取得する工程と、前記再構成画像を構成する再構成画素と、前記取得したマスクが定めたサブ画像領域にある画素であるサブ画素と、の対応を定義する工程と、前記再構成画素の画素値を、前記定義した当該再構成画素に対応するサブ画素の画素値に基づいて決定することにより、前記再構成画像を生成する工程と、を含むことを特徴とする再構成画像生成方法。付記12それぞれ異なる視点から被写体を撮影した複数のサブ画像を含むライトフィールド画像から再構成画像を生成する再構成画像生成装置を制御するコンピュータに、前記ライトフィールド画像を取得する処理、前記ライトフィールド画像を撮影した撮影パラメータを取得する処理、前記取得した撮影パラメータに基づいて、前記撮影したライトフィールド画像に含まれる前記サブ画像の領域であるサブ画像領域を定めたマスクを取得する処理、前記再構成画像を構成する再構成画素と、前記取得したマスクが定めたサブ画像領域にある画素であるサブ画素と、の対応を定義する処理、前記再構成画素の画素値を、前記定義した当該再構成画素に対応するサブ画素の画素値に基づいて決定することにより、前記再構成画像を生成する処理、を実行させることを特徴とするプログラム。