互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、前記放射線検出素子から画像データを読み出す画像データ読み出し処理の際に、オン電圧を印加する前記各走査線を順次切り替えながら印加する走査駆動手段と、前記各走査線に接続され、前記走査線を介してオン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させ、前記走査線を介してオフ電圧が印加されると前記放射線検出素子内に電荷を蓄積させるスイッチ手段と、前記画像データ読み出し処理の際には、前記放射線検出素子から前記信号線に放出された前記電荷を前記画像データに変換して読み出す読み出し回路と、少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記放射線検出素子からの前記データの読み出し処理を行わせる制御手段と、を備え、前記制御手段は、放射線画像撮影前に、前記走査駆動手段から全ての前記走査線にオフ電圧を印加して前記各スイッチ手段をオフ状態とした状態で、前記読み出し回路に周期的に読み出し動作を行わせて、前記スイッチ手段を介して前記放射線検出素子からリークした前記電荷をリークデータに変換するリークデータ読み出し処理を繰り返し行わせ、読み出した前記リークデータが閾値を越えた時点で放射線の照射が開始されたことを検出することを特徴とする放射線画像撮影装置。前記制御手段は、放射線画像撮影前に繰り返し行わせる前記リークデータ読み出し処理の際に、前記リークデータ読み出し処理と次の前記リークデータ読み出し処理との間に、前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を印加させて前記各放射線検出素子から余分な電荷を除去するリセット処理を行わせることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の放射線画像撮影装置。前記制御手段は、前記各放射線検出素子から余分な電荷を除去するために、放射線画像撮影前に繰り返し行わせる前記リークデータ読み出し処理の際に、前記リークデータ読み出し処理と次の前記リークデータ読み出し処理との間に、前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を印加させて前記画像データ読み出し処理を行わせることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の放射線画像撮影装置。前記走査駆動手段は、前記各走査線に順次オン電圧を印加する際、直前のリセット処理または直前の画像データ読み出し処理の際にオン電圧を印加した前記走査線に前記検出部上で隣接する走査線以外の走査線にオン電圧を印加するようにして、前記リセット処理または前記画像データ読み出し処理を行うことを特徴とする請求の範囲第2項または第3項に記載の放射線画像撮影装置。前記走査駆動手段は、前記各走査線に順次オン電圧を印加する際、前記検出部上で隣接しない複数の前記走査線に同時にオン電圧を印加して前記リセット処理または前記画像データ読み出し処理を行うことを特徴とする請求の範囲第2項から第4項のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。前記制御手段は、周期的に繰り返し行われる前記リークデータ読み出し処理で読み出された前記各リークデータの履歴に基づいて、前記閾値を更新させながら設定することを特徴とする請求の範囲第1項から第5項のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。前記制御手段は、同一の前記リークデータ読み出し処理で読み出された前記リークデータの中から最大値と最小値とを抽出し、前記最大値から前記最小値を差し引いた差分を算出し、算出した前記差分が閾値を越えた時点で放射線の照射が開始されたことを検出することを特徴とする請求の範囲第1項から第6項のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。所定個数の前記読み出し回路が形成された複数の読み出しICを備え、前記制御手段は、前記同一のリークデータ読み出し処理で読み出された前記リークデータの代わりに、同一の前記リークデータ読み出し処理で読み出された前記各リークデータの前記各読み出しICごとの平均値をそれぞれ算出し、前記各リークデータの前記各読み出しICごとの平均値の中から最大値と最小値とを抽出することを特徴とする請求の範囲第7項に記載の放射線画像撮影装置。前記制御手段は、今回の前記リークデータ読み出し処理の直前の前記リークデータ読み出し処理を含む所定回数分の過去の前記各リークデータ読み出し処理で読み出された前記各リークデータの移動平均をそれぞれ算出し、前記各リークデータから前記移動平均をそれぞれ減算した値の中から最大値と最小値とを抽出し、前記最大値から前記最小値を差し引いた差分を算出し、算出した前記差分が閾値を越えた時点で放射線の照射が開始されたことを検出することを特徴とする請求の範囲第1項から第6項のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。所定個数の前記読み出し回路が形成された複数の読み出しICを備え、前記制御手段は、前記同一のリークデータ読み出し処理で読み出された前記リークデータの代わりに、同一の前記リークデータ読み出し処理で読み出された前記各リークデータの前記各読み出しICごとの平均値をそれぞれ算出し、今回の前記リークデータ読み出し処理の直前の前記リークデータ読み出し処理を含む所定回数分の過去の前記各リークデータ読み出し処理で読み出された前記各リークデータの前記平均値の移動平均をそれぞれ算出し、前記各リークデータの前記各読み出しICごとの平均値から前記平均値の移動平均をそれぞれ減算した値の中から最大値と最小値とを抽出することを特徴とする請求の範囲第9項に記載の放射線画像撮影装置。前記読み出し回路は、前記放射線検出素子から放出された前記電荷または前記スイッチ手段を介して前記放射線検出素子からリークした前記電荷を電圧値に変換して出力する増幅回路と、前記増幅回路に前記電荷が流入する前に前記増幅回路が出力する前記電圧値を保持し、前記増幅回路に前記電荷が流入した後に前記増幅回路が出力する前記電圧値を保持して、前者の前記電圧値と後者の前記電圧値との差分を前記画像データまたは前記リークデータとして出力する相関二重サンプリング回路と、を備え、前記相関二重サンプリング回路は、前記リークデータ読み出し処理の際の前記2回の保持動作の間の時間間隔が、前記画像データ読み出し処理の際の前記2回の保持動作の間の時間間隔よりも長い時間間隔になるように制御されることを特徴とする請求の範囲第1項から第10項のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。前記制御手段は、放射線の照射が開始されたことを検出すると、前記走査駆動手段から全ての前記走査線にオフ電圧を印加して前記各スイッチ手段をオフ状態とした状態を維持して電荷蓄積モードに移行し、前記読み出し回路に周期的に読み出し動作を行わせて前記リークデータ読み出し処理を繰り返し行わせ、読み出した前記リークデータが前記閾値以下になった時点で放射線の照射が終了したことを検出すると、前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を順次印加させ、前記読み出し回路に順次読み出し動作を行わせて、前記各放射線検出素子からそれぞれ画像データを読み出す画像データ読み出し処理を行わせることを特徴とする請求の範囲第1項から第11項のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。前記制御手段は、前記画像データ読み出し処理を終了した後、放射線が照射されない状態で、前記放射線画像撮影前のリークデータ読み出し処理、前記電荷蓄積モードへの移行、および前記画像データ読み出し処理と同じタイミングで前記走査駆動手段から前記各走査線に印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替え、前記読み出し回路に順次読み出し動作を行わせて、リークデータ読み出し処理、前記電荷蓄積モードへの移行、および前記各放射線検出素子からそれぞれオフセット補正値を読み出すオフセット補正値読み出し処理を行わせることを特徴とする請求の範囲第12項に記載の放射線画像撮影装置。しかしながら、バイアス線は、通常、各放射線検出素子の電極に接続されている。そのため、上記のようにバイアス線に電流検出手段を設けると、電流検出手段で発生したノイズがバイアス線を介して各放射線検出素子に伝わり、放射線の照射により各放射線検出素子内で発生する電荷すなわち画像データに、電流検出手段で発生したノイズに起因するノイズ成分が重畳されてしまう。これは、バイアス線に電流検出手段を設ける場合に限らず、放射線画像撮影装置に新たに設けられた電流検出手段で、放射線の照射により放射線画像撮影装置内の各配線を流れる電流の電流値が増加することを検出するように構成する場合には、上記の問題が避けられない問題として生じる。そして、上記のように、電流検出手段で発生したノイズに起因するノイズ成分が画像データに重畳されると、そのような画像データに基づいて生成した放射線画像では、通常の場合、画質が劣化する。そして、画質が劣化すると放射線画像が非常に見づらいものとなり、例えば、放射線画像を医療における診断用等に用いるような場合には、放射線画像を見た医師等が画像中に撮影されている病変部を見落としてしまったり、或いは、病変部でない部分に病変があると誤診してしまう虞れが生じる。しかし、取得された画像データに対する画像処理によって、当該画像データ中から、電流検出手段で発生したノイズに起因するノイズ成分を除去することは、必ずしも容易ではない。また、例えば、新たな回路等を設けて、電流検出手段で発生したノイズが放射線検出素子に伝わらないように構成することも可能であるが、新たな回路等に対する制御が必要になったり、新たな回路等で電力が余計に消費される等の新たな問題が生じ得る。本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、装置に新たな手段を設けず、装置に既設の各手段を用いて、装置自体で少なくとも放射線の照射の開始を的確に検出することが可能な放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。また、取得された画像データに基づいて生成される放射線画像の画質を良好なものとすることが可能な放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、前記放射線検出素子から画像データを読み出す画像データ読み出し処理の際に、オン電圧を印加する前記各走査線を順次切り替えながら印加する走査駆動手段と、前記各走査線に接続され、前記走査線を介してオン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させ、前記走査線を介してオフ電圧が印加されると前記放射線検出素子内に電荷を蓄積させるスイッチ手段と、前記画像データ読み出し処理の際には、前記放射線検出素子から前記信号線に放出された前記電荷を前記画像データに変換して読み出す読み出し回路と、少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記放射線検出素子からの前記データの読み出し処理を行わせる制御手段と、を備え、前記制御手段は、放射線画像撮影前に、前記走査駆動手段から全ての前記走査線にオフ電圧を印加して前記各スイッチ手段をオフ状態とした状態で、前記読み出し回路に周期的に読み出し動作を行わせて、前記スイッチ手段を介して前記放射線検出素子からリークした前記電荷をリークデータに変換するリークデータ読み出し処理を繰り返し行わせ、読み出した前記リークデータが閾値を越えた時点で放射線の照射が開始されたことを検出することを特徴とする。本発明のような方式の放射線画像撮影装置によれば、通常の放射線画像撮影装置に設けられている読み出し回路を用い、スイッチ手段を介して放射線検出素子からリークする電荷をリークデータとして読み出し、そのリークデータが増加したことに基づいて放射線の照射が開始されたことを検出する。そのため、放射線発生装置とのインターフェースを構築しなくても、放射線の照射に起因して内部を流れるリーク電流が増加するスイッチ手段の特性を利用して、放射線画像撮影装置自体で少なくとも放射線の照射が開始されたことを的確に検出することが可能となる。また、それとともに、電流検出手段等の新たな手段を装置に設けなくても、放射線画像撮影装置自体で少なくとも放射線の照射が開始されたことを的確に検出することが可能となるため、電流検出手段等の新たな手段等で電力が余計に消費されたり、新たな手段で発生したノイズが、各放射線検出素子から読み出される画像データに重畳されることがなく、画像データに基づいて生成される放射線画像の画質を良好なものとすることが可能となる。以下、本発明に係る放射線画像撮影装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、以下では、放射線画像撮影装置が、シンチレータ等を備え、照射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換して電気信号を得るいわゆる間接型の放射線画像撮影装置である場合について説明するが、本発明は、直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することが可能である。また、放射線画像撮影装置が可搬型である場合について説明するが、支持台等と一体的に形成された放射線画像撮影装置に対しても適用される。[第1の実施の形態]図1は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観斜視図であり、図2は、図1のX-X線に沿う断面図である。本実施形態に係る放射線画像撮影装置1は、図1や図2に示すように、筐体2内にシンチレータ3や基板4等が収納されて構成されている。筐体2は、少なくとも放射線入射面Rが放射線を透過するカーボン板やプラスチック等の材料で形成されている。なお、図1や図2では、筐体2がフレーム板2Aとバック板2Bとで形成された、いわゆる弁当箱型である場合が示されているが、筐体2を一体的に角筒状に形成した、いわゆるモノコック型とすることも可能である。また、図1に示すように、筐体2の側面部分には、電源スイッチ36や、LED等で構成されたインジケータ37、バッテリ41後述する図7参照の交換等のために開閉可能とされた蓋部材38等が配置されている。また、本実施形態では、蓋部材38の側面部には、後述する画像データd等の情報を画像処理用のコンピュータ等の外部装置との間で無線方式で送受信するための通信手段であるアンテナ装置39が埋め込まれている。なお、アンテナ装置39の設置位置は蓋部材38の側面部に限らず、放射線画像撮影装置1の任意の位置にアンテナ装置39を設置することが可能である。また、設置するアンテナ装置39は1個に限らず、複数設けることも可能である。さらに、画像データd等を外部装置との間でケーブル等の有線方式で送受信するように構成することも可能であり、その場合は、ケーブル等を差し込むなどして接続するための接続端子等が放射線画像撮影装置1の側面部等に設けられる。図2に示すように、筐体2の内部には、基板4の下方側に図示しない鉛の薄板等を介して基台31が配置され、基台31には、電子部品32等が配設されたPCB基板33や緩衝部材34等が取り付けられている。なお、本実施形態では、基板4やシンチレータ3の放射線入射面Rには、それらを保護するためのガラス基板35が配設されている。シンチレータ3は、基板4の後述する検出部Pに対向する状態で配置されるようになっている。シンチレータ3は、例えば、蛍光体を主成分とし、放射線の入射を受けると300~800nmの波長の電磁波、すなわち可視光を中心とした電磁波に変換して出力するものが用いられる。基板4は、本実施形態では、ガラス基板で構成されており、図3に示すように、基板4のシンチレータ3に対向する側の面4a上には、複数の走査線5と複数の信号線6とが互いに交差するように配設されている。基板4の面4a上の複数の走査線5と複数の信号線6により区画された各小領域rには、放射線検出素子7がそれぞれ設けられている。このように、走査線5と信号線6で区画された各小領域rに二次元状に配列された複数の放射線検出素子7が設けられた領域r全体、すなわち図3に一点鎖線で示される領域が検出部Pとされている。本実施形態では、放射線検出素子7としてフォトダイオードが用いられているが、この他にも例えばフォトトランジスタ等を用いることも可能である。各放射線検出素子7は、図3や図4の拡大図に示すように、スイッチ手段であるTFT8のソース電極8sに接続されている。また、TFT8のドレイン電極8dは信号線6に接続されている。そして、TFT8は、後述する走査駆動手段15により、接続された走査線5にオン電圧が印加され、走査線5を介してゲート電極8gにオン電圧が印加されるとオン状態となり、放射線検出素子7内に蓄積されている電荷を信号線6に放出させるようになっている。また、TFT8は、接続された走査線5にオフ電圧が印加され、走査線5を介してゲート電極8gにオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、放射線検出素子7から信号線6への電荷の放出を停止して、電荷を放射線検出素子7内に保持して蓄積させるようになっている。ここで、本実施形態における放射線検出素子7やTFT8の構造について、図5に示す断面図を用いて簡単に説明する。図5は、図4におけるY-Y線に沿う断面図である。基板4の面4a上に、AlやCr等からなるTFT8のゲート電極8gが走査線5と一体的に積層されて形成されており、ゲート電極8g上および面4a上に積層された窒化シリコンSiNx等からなるゲート絶縁層81上のゲート電極8gの上方部分に、水素化アモルファスシリコンa-Si等からなる半導体層82を介して、放射線検出素子7の第1電極74と接続されたソース電極8sと、信号線6と一体的に形成されるドレイン電極8dとが積層されて形成されている。ソース電極8sとドレイン電極8dとは、窒化シリコンSiNx等からなる第1パッシベーション層83によって分割されており、さらに第1パッシベーション層83は両電極8s、8dを上側から被覆している。また、半導体層82とソース電極8sやドレイン電極8dとの間には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてn型に形成されたオーミックコンタクト層84a、84bがそれぞれ積層されている。以上のようにしてTFT8が形成されている。また、放射線検出素子7の部分では、基板4の面4a上に前記ゲート絶縁層81と一体的に形成される絶縁層71の上にAlやCr等が積層されて補助電極72が形成されており、補助電極72上に前記第1パッシベーション層83と一体的に形成される絶縁層73を挟んでAlやCr、Mo等からなる第1電極74が積層されている。第1電極74は、第1パッシベーション層83に形成されたホールHを介してTFT8のソース電極8sに接続されている。なお、補助電極72は必ずしも設けられなくてもよい。第1電極74の上には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてn型に形成されたn層75、水素化アモルファスシリコンで形成された変換層であるi層76、水素化アモルファスシリコンにIII族元素をドープしてp型に形成されたp層77が下方から順に積層されて形成されている。そして、放射線画像撮影時に、放射線画像撮影装置1に対して照射された放射線が筐体2の放射線入射面Rから入射し、シンチレータ3で可視光等の電磁波に変換され、変換された電磁波が図中上方から照射されると、電磁波が放射線検出素子7のi層76に到達して、i層76内で電子正孔対が発生する。放射線検出素子7は、このようにして、シンチレータ3から照射された電磁波を電荷電子正孔対に変換するようになっている。また、p層77の上には、ITO等の透明電極とされた第2電極78が積層されて形成されており、照射された電磁波がi層76等に到達するように構成されている。本実施形態では、以上のようにして放射線検出素子7が形成されている。なお、p層77、i層76、n層75の積層の順番は上下逆であってもよい。また、本実施形態では、放射線検出素子7として、上記のようにp層77、i層76、n層75の順に積層されて形成されたいわゆるpin型の放射線検出素子を用いる場合が説明されているが、これに限定されない。放射線検出素子7の第2電極78の上面には、第2電極78を介して放射線検出素子7にバイアス電圧を印加するバイアス線9が接続されている。なお、放射線検出素子7の第2電極78やバイアス線9、TFT8側に延出された第1電極74、TFT8の第1パッシベーション層83等、すなわち放射線検出素子7とTFT8の上面部分は、その上方側から窒化シリコンSiNx等からなる第2パッシベーション層79で被覆されている。図3や図4に示すように、本実施形態では、それぞれ列状に配置された複数の放射線検出素子7に1本のバイアス線9が接続されており、各バイアス線9はそれぞれ信号線6に平行に配設されている。また、各バイアス線9は、基板4の検出部Pの外側の位置で結線10に結束されている。本実施形態では、図3に示すように、各走査線5や各信号線6、バイアス線9の結線10は、それぞれ基板4の端縁部付近に設けられた入出力端子パッドともいう11に接続されている。各入出力端子11には、図6に示すように、後述する走査駆動手段15のゲートドライバ15bを構成するゲートIC12a等のチップがフィルム上に組み込まれたCOFChipOnFilm12が異方性導電接着フィルムAnisotropicConductiveFilmや異方性導電ペーストAnisotropicConductivePaste等の異方性導電性接着材料13を介して接続されている。また、COF12は、基板4の裏面4b側に引き回され、裏面4b側で前述したPCB基板33に接続されるようになっている。このようにして、放射線画像撮影装置1の基板4部分が形成されている。なお、図6では、電子部品32等の図示が省略されている。ここで、放射線画像撮影装置1の回路構成について説明する。図7は本実施形態に係る放射線画像撮影装置1の等価回路を表すブロック図であり、図8は検出部Pを構成する1画素分についての等価回路を表すブロック図である。前述したように、基板4の検出部Pの各放射線検出素子7は、その第2電極78にそれぞれバイアス線9が接続されており、各バイアス線9は結線10に結束されてバイアス電源14に接続されている。バイアス電源14は、結線10および各バイアス線9を介して各放射線検出素子7の第2電極78にそれぞれバイアス電圧を印加するようになっている。また、バイアス電源14は、後述する制御手段22に接続されており、制御手段22により、バイアス電源14から各放射線検出素子7に印加するバイアス電圧が制御されるようになっている。図7や図8に示すように、本実施形態では、放射線検出素子7のp層77側図5参照に第2電極78を介してバイアス線9が接続されていることからも分かるように、バイアス電源14からは、放射線検出素子7の第2電極78にバイアス線9を介してバイアス電圧として放射線検出素子7の第1電極74側にかかる電圧以下の電圧すなわちいわゆる逆バイアス電圧が印加されるようになっている。各放射線検出素子7の第1電極74はTFT8のソース電極8s図7、図8中ではSと表記されている。に接続されており、各TFT8のゲート電極8g図7、図8中ではGと表記されている。は、後述する走査駆動手段15のゲートドライバ15bから延びる走査線5の各ラインL1~Lxにそれぞれ接続されている。また、各TFT8のドレイン電極8d図7、図8中ではDと表記されている。は各信号線6にそれぞれ接続されている。走査駆動手段15は、配線15cを介してゲートドライバ15bにオン電圧とオフ電圧を供給する電源回路15aと、走査線5の各ラインL1~Lxに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧の間で切り替えて各TFT8のオン状態とオフ状態とを切り替えるゲートドライバ15bとを備えている。本実施形態では、後述するように、走査駆動手段15は、走査線5の各ラインL1~Lxにオン電圧が順次印加されたり、或いは、走査線5の全てのラインL1~Lxにオフ電圧が印加された状態が維持されたりするようになっている。そして、少なくとも、放射線画像撮影後、各放射線検出素子7から画像データdを読み出す画像データ読み出し処理、すなわち、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射により各放射線検出素子7内で発生して蓄積された電荷の読み出し処理の際には、走査駆動手段15は、例えば図9に示すように、ゲートドライバ15bから印加する電圧をデータ読み出し用のオン電圧とオフ電圧との間で切り替える走査線5のラインL1~Lxを順次切り替えて、走査線5の各ラインL1~Lxに接続されている各放射線検出素子7から画像データdをそれぞれ読み出させるようになっている。また、本発明では、放射線画像撮影前、すなわち放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射が開始される前に、走査駆動手段15から走査線5の全てのラインL1~Lxにオフ電圧を印加して各TFT8をオフ状態とした状態で、後述する読み出し回路17を周期的に駆動させて、各TFT8を介して各放射線検出素子7からリークしてくる電荷をリークデータDleakに変換するリークデータ読み出し処理を行わせるが、これについては、後で詳しく説明する。図7や図8に示すように、各信号線6は、各読み出しIC16内に形成された各読み出し回路17にそれぞれ接続されている。なお、本実施形態では、読み出しIC16に、1本の信号線6につき1個ずつ読み出し回路17が設けられている。読み出し回路17は、増幅回路18と相関二重サンプリング回路19等で構成されている。読み出しIC16内には、さらに、アナログマルチプレクサ21と、A/D変換器20とが設けられている。なお、図7や図8中では、相関二重サンプリング回路19はCDSと表記されている。また、図8中では、アナログマルチプレクサ21は省略されている。本実施形態では、増幅回路18はチャージアンプ回路で構成されており、オペアンプ18aと、オペアンプ18aにそれぞれ並列にコンデンサ18bおよび電荷リセット用スイッチ18cが接続されて構成されている。また、増幅回路18には、増幅回路18に電力を供給するための電源供給部18dが接続されている。また、オペアンプ18aと相関二重サンプリング回路19との間には、電荷リセット用スイッチ18cと連動して開閉するスイッチ18eが設けられている。増幅回路18のオペアンプ18aの入力側の反転入力端子には信号線6が接続されており、増幅回路18の入力側の非反転入力端子には基準電位V0が印加されるようになっている。なお、基準電位V0は適宜の値に設定され、本実施形態では、例えば0[V]が印加されるようになっている。また、増幅回路18の電荷リセット用スイッチ18cは、制御手段22に接続されており、制御手段22によりオン/オフが制御されるようになっており、電荷リセット用スイッチ18cがオン状態とされるとスイッチ18eがそれと連動してオフ状態となり、電荷リセット用スイッチ18cがオフ状態とされるとスイッチ18eがそれと連動してオン状態となるようになっている。増幅回路18では、画像データ読み出し処理やリークデータ読み出し処理の際に、電荷リセット用スイッチ18cがオフ状態、スイッチ18eがオン状態の状態で、オン状態とされた各TFT8を介して各放射線検出素子7から蓄積されていた電荷が信号線6に放出され画像データ読み出し処理の場合、或いはオフ状態とされた各TFT8を介して各放射線検出素子7から電荷が信号線6にリークするとリークデータ読み出し処理の場合、電荷が信号線6を流れて、増幅回路18のコンデンサ18bに流入して蓄積される。そして、増幅回路18では、コンデンサ18bに蓄積された電荷量に応じた電圧値がオペアンプ18aの出力側から出力されるようになっている。増幅回路18は、このようにして、各放射線検出素子7から出力された電荷量に応じて電圧値を出力して電荷電圧変換するようになっている。なお、増幅回路18を、放射線検出素子7から出力された電荷に応じて電流を出力するように構成することも可能である。また、増幅回路18をリセットする際には、電荷リセット用スイッチ18cがオン状態とされ、それに連動してスイッチ18eがオフ状態となると、増幅回路18の入力側と出力側とが短絡されてコンデンサ18bに蓄積された電荷が放電される。そして、放電された電荷がオペアンプ18aの出力端子側からオペアンプ18a内を通り、非反転入力端子から出てアースされたり、電源供給部18dに流れ出すことで、増幅回路18がリセットされるようになっている。増幅回路18の出力側には、相関二重サンプリング回路CDS19が接続されている。相関二重サンプリング回路19は、本実施形態では、サンプルホールド機能を有しており、この相関二重サンプリング回路19におけるサンプルホールド機能は、制御手段22から送信されるパルス信号によりそのオン/オフが制御されるようになっている。すなわち、例えば画像データ読み出し処理の際には、図10に示すように、まず、各読み出し回路17の増幅回路18の電荷リセット用スイッチ18cを制御してオフ状態とされる。その際、電荷リセット用スイッチ18cをオフ状態にした瞬間に、いわゆるkTCノイズが発生し、増幅回路18のコンデンサ18bにkTCノイズに起因する電荷が溜まる。そのため、図11に示すように、増幅回路18から出力される電圧値が、電荷リセット用スイッチ18cをオフ状態にした瞬間図11では18coffと表示に、前述した基準電位V0からkTCノイズに起因する電荷の分だけ変化して電圧値Vinに変わる。制御手段22は、この段階で、図10に示すように、相関二重サンプリング回路19に1回目のパルス信号Sp1を送信して、その時点図11ではCDS保持左側と表示で増幅回路18から出力されている電圧値Vinを保持させる。続いて、図9に示したように、走査駆動手段15のゲートドライバ15bから1本の走査線5例えば走査線5のラインLnにオン電圧を印加してその走査線5にゲート電極8gが接続されているTFT8をオン状態とすると図10参照。図11ではTFTonと表示、これらのTFT8が接続されている各放射線検出素子7から蓄積された電荷が各信号線6を介して増幅回路18のコンデンサ18bに流れ込んで蓄積され、図11に示すように、コンデンサ18bに蓄積された電荷量に応じて増幅回路18から出力される電圧値が上昇する。そして、制御手段22は、所定時間が経過した後、図10に示すように、ゲートドライバ15bから当該走査線5に印加しているオン電圧をオフ電圧に切り替えてその走査線5にゲート電極8gが接続されているTFT8をオフ状態とし図11ではTFToffと表示、この段階で各相関二重サンプリング回路19に2回目のパルス信号Sp2を送信して、その時点で増幅回路18から出力されている電圧値Vfiを保持させる図11ではCDS保持右側と表示。各相関二重サンプリング回路19は、2回目のパルス信号Sp2で電圧値Vfiを保持すると、電圧値の差分Vfi-Vinを算出し、算出した差分Vfi-Vinをアナログ値の画像データdとして下流側に出力するようになっている。相関二重サンプリング回路19から出力された各放射線検出素子7の画像データdは、アナログマルチプレクサ21に送信され、アナログマルチプレクサ21から順次A/D変換器20に送信される。そして、A/D変換器20で順次デジタル値の画像データdに変換されて記憶手段40に出力されて順次保存されるようになっている。また、制御手段22は、上記のような各放射線検出素子7から画像データdを読み出す画像データ読み出し処理を、図9に示したように、走査駆動手段15のゲートドライバ15bからオン電圧が印加される走査線5の各ラインL1~Lxが順次切り替えられるごとに行うようになっている。なお、図10や後述する図12等では、電荷リセット用スイッチ18cのオン/オフしか記載されておらず、スイッチ18e図8参照のオン/オフについては記載されていないが、前述したように、スイッチ18eは電荷リセット用スイッチ18cのオン/オフと連動してオフ/オン動作する。また、以下の説明においても、電荷リセット用スイッチ18cの動作等のみについて述べる場合があるが、その場合も同様である。一方、後述するように、本発明では、各TFT8がオフ状態の状態で、読み出し回路17を周期的に駆動させて、各TFT8を介して各放射線検出素子7からリークしてくる電荷をリークデータDleakに変換するリークデータ読み出し処理が行われる。リークデータ読み出し処理は、各TFT8がオフ状態とされた状態で行われるため、図12に示すように、走査駆動手段15から走査線5の全てのラインL1~Lxにオフ電圧が印加される。すなわち、図10に示した画像データ読み出し処理の場合と異なり、リークデータ読み出し処理では、各TFT8のオン/オフ動作は行われず、少なくともリークデータ読み出し処理の期間中は、各TFT8は常時オフ状態とされる。そして、図12に示すように、制御手段22による電荷リセット用スイッチ18cのオン/オフ制御や、相関二重サンプリング回路19へのパルス信号Sp1、Sp2の送信等は画像データ読み出し処理の場合と同様に行われ、図11に示したように、各TFT8を介して各放射線検出素子7からリークした電荷が増幅回路18のコンデンサ18bに流れ込んで蓄積された分だけ、増幅回路18から出力される電圧値が上昇する。なお、リークデータ読み出し処理の場合、増幅回路18から出力される電圧値は上昇するが、画像データ読み出し処理の場合の上昇の度合いに比べれば、通常、リークデータ読み出し処理の場合の電圧値の上昇の度合いは小さい。各相関二重サンプリング回路19は、画像データ読み出し処理の場合と同様に、2回目のパルス信号Sp2で電圧値Vfiを保持すると、電圧値の差分Vfi-Vinを算出し、リークデータ読み出し処理の場合には、算出した差分Vfi-Vinをアナログ値のリークデータDleakとして下流側に出力する。そして、相関二重サンプリング回路19から出力されたリークデータDleakは、アナログマルチプレクサ21を介して順次A/D変換器20に送信され、順次デジタル値のリークデータDleakに変換される。制御手段22は、図示しないCPUCentralProcessingUnitやROMReadOnlyMemory、RAMRandomAccessMemory、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピュータや、FPGAFieldProgrammableGateArray等により構成されている。専用の制御回路で構成されていてもよい。そして、制御手段22は、放射線画像撮影装置1の各部材の動作等を制御するようになっている。また、図7等に示すように、制御手段22には、DRAMDynamicRAM等で構成される記憶手段40が接続されている。また、本実施形態では、制御手段22には、前述したアンテナ装置39が接続されており、さらに、検出部Pや走査駆動手段15、読み出し回路17、記憶手段40、バイアス電源14等の各部材に電力を供給するためのバッテリ41が接続されている。また、バッテリ41には、図示しない充電装置からバッテリ41に電力を供給してバッテリ41を充電する際の接続端子42が取り付けられている。前述したように、制御手段22は、バイアス電源14を制御してバイアス電源14から各放射線検出素子7に印加するバイアス電圧を設定したり可変させたりするなど、放射線画像撮影装置1の各機能部の動作を制御するようになっている。以下、制御手段22におけるリークデータ読み出し処理や放射線の照射開始の検出等について説明するとともに、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1の作用について説明する。[リークデータ読み出し処理と放射線の照射開始検出の原理]次に、本発明におけるリークデータ読み出し処理と、リークデータ読み出し処理により読み出されたリークデータDleakに基づく放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射開始の検出について説明する。前述したように、本発明では、放射線画像撮影前の、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射が開始される前から、リークデータ読み出し処理を開始するようになっている。このリークデータ読み出し処理は、例えば、放射線技師等の操作者により放射線画像撮影装置1の電源スイッチ36図1参照が押下されたり、放射線画像撮影装置1が覚醒状態に遷移されたり、或いは、外部装置からリークデータ読み出し処理を開始する旨の信号等を受信した時点で開始される。そして、本実施形態では、制御手段22は、図12に示したリークデータ読み出し処理を周期的に繰り返して行うようになっている。すなわち、図13に示すように、走査駆動手段15から走査線5の全てのラインL1~Lxにオフ電圧を印加して各TFT8をオフ状態とした状態で、増幅回路18の電荷リセット用スイッチ18cのオン/オフと相関二重サンプリング回路19へのパルス信号Sp1、Sp2の送信を周期的に繰り返し行うようになっている。リークデータ読み出し処理の際、走査駆動手段15から走査線5の全てのラインL1~Lxにオフ電圧が印加されており、各TFT8はオフ状態になっているため、各放射線検出素子7内で発生した電荷は各放射線検出素子7内に蓄積されるが、TFTの特性上、図14に示すように、各TFT8がオフ状態であっても各TFT8を介して各放射線検出素子7から各電荷qが信号線6に僅かずつリークする。そして、前述したように、各放射線検出素子7からリークした各電荷qは信号線6を流れて増幅回路18のコンデンサ18bに流入して蓄積される。また、増幅回路18では、コンデンサ18bに蓄積された電荷量に応じた電圧値がオペアンプ18aの出力側から出力されるため、電荷リセット用スイッチ18cをオフ状態とした後、増幅回路18から出力される電圧値は図11に示したように増加し、相関二重サンプリング回路19は、パルス信号Sp1、Sp2に応じて保持した電圧値Vin、Vfiの差分Vfi-VinをリークデータDleakとして出力する。このように、リークデータ読み出し処理では、1本の信号線6に接続されている各放射線検出素子7から各TFT8を介してリークする各電荷qの合計値が増幅回路18のコンデンサ18bに蓄積され、リークした各電荷qの合計値に相当するデータがリークデータDleakとして読み出し回路18ごとに変換されて読み出される。一方、スイッチ手段であるTFT8は、放射線が照射されると、或いは、本実施形態のようにシンチレータ3図2等参照により放射線から変換された電磁波が照射されると、TFT8内を流れるリーク電流の量が増加することが知られている。これは、TFT8に電磁波が照射されることにより、TFT8の半導体層82図5参照内に新たに電子正孔対が発生するためと考えられている。そして、放射線の照射或いは放射線から変換された電磁波の照射。以下同じ。により、各TFT8内を流れるリーク電流の量が増加し、各TFT8を介した各放射線検出素子7からの電荷のリーク量が増加すると、1本の信号線6に接続されている各放射線検出素子7からリークする各電荷qの合計値が増加し、それに対応するリークデータDleakも増加する。そのため、上記のように周期的に繰り返し行われるリークデータ読み出し処理により読み出されたリークデータDleakを時系列的にプロットすると、例えば図15に示すように、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射が開始された時刻t1でリークデータDleakの値が大きくなる。そこで、図13に示した周期的に繰り返されるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータDleakを制御手段22で監視するように構成し、読み出したリークデータDleakが、設定された閾値Dth図15参照を越えた時点で放射線の照射が開始されたことを検出することが可能となる。本発明に係る放射線画像撮影装置1では、以上のようにして、制御手段22は、放射線画像撮影前から、走査駆動手段15から走査線5の全てのラインL1~Lxにオフ電圧を印加して各TFT8をオフ状態とした状態で、読み出し回路17に周期的に読み出し動作を行わせて、各TFT8を介して各放射線検出素子7からリークした電荷qをリークデータDleakに変換するリークデータ読み出し処理を繰り返し行わせ、読み出したリークデータDleakが閾値Dthを越えた時点で放射線の照射が開始されたことを検出するようになっている。以上が、本発明におけるリークデータ読み出し処理と放射線の照射開始検出の原理である。そして、このように構成することで、前述した特許文献4や特許文献5に記載の発明のように、放射線画像撮影装置1に電流検出手段等の新たな手段を設けず、放射線画像撮影装置1に既設の読み出し回路17等を用いて、放射線画像撮影装置1自体で少なくとも放射線の照射の開始を的確に検出することが可能となる。前述した図14に示したように、リークデータDleakとして、読み出し回路17ごとのリークデータDleakが各読み出し回路17からそれぞれ出力される。そして、読み出し回路17は、検出部Pに数千本から数万本設けられた信号線6ごとに1つずつ設けられている。そのため、本実施形態では、1回のリークデータ読み出し処理で数千~数万個のリークデータDleakが各読み出し回路17から出力される。本実施形態では、制御手段22は、リークデータ読み出し処理ごとに読み出されるこれらの各リークデータDleakの中から最大値を抽出し、そのリークデータDleakの最大値が閾値Dthを越えたか否かを判断するようになっている。このように構成すれば、例えば、放射線が放射線画像撮影装置1の検出部Pの狭い範囲にのみ照射されたような場合すなわち照射野が絞られて照射された場合には、放射線が照射されなかった部分ではリークデータDleakが上昇しないが、放射線が照射された部分でリークデータDleakが上昇したことを的確に抽出して、放射線の照射の開始を的確に検出することが可能となる。なお、各読み出し回路17の性能にもよるが、読み出し回路17で発生するノイズが大きいと、ノイズが重畳されたリークデータDleakが閾値Dthを越えてしまい、放射線の照射が開始されたと誤検出してしまう虞れがある場合がある。そのような場合には、例えば、所定個の読み出し回路17が設けられた各読み出しIC16ごとにリークデータDleakの合計値或いは平均値を算出するように構成し、その合計値或いは平均値の中から最大値を抽出して、その最大値と閾値Dthとを比較するように構成することも可能である。読み出しIC16内には、通常、128個や256個等の多数の読み出し回路17が形成される。そのため、上記のように構成すれば、各読み出し回路17で発生するノイズがリークデータDleakの合計値或いは平均値を算出する際に互いに相殺されるため、各読み出し回路17で発生するノイズのリークデータDleakに対する影響を低減させることが可能となる。また、上記のように個々のリークデータDleakの最大値を抽出したり、読み出しIC16ごとのリークデータDleakの合計値或いは平均値を算出してその中から最大値を抽出して、閾値Dthと比較するように構成する代わりに、1回のリークデータ読み出し処理の際に各読み出し回路17で読み出された全てのリークデータDleakの合計値或いは平均値を算出して、その合計値或いは平均値と閾値Dthとを比較するように構成することも可能である。このように構成すれば、最大値を抽出する処理が不要になる。以下では、各読み出し回路17ごとに読み出されたリークデータDleakの中から最大値を抽出する場合について説明するが、各読み出しIC16ごとに算出したリークデータDleakの合計値或いは平均値の中から最大値を抽出する場合や、各読み出し回路17で読み出された全てのリークデータDleakの合計値或いは平均値を算出する場合についても同様に説明される。また、図13等に示したように、走査駆動手段15から走査線5の全てのラインL1~Lxにオフ電圧を印加して各TFT8をオフ状態とした状態を継続すると、各放射線検出素子7内で発生した暗電荷が各放射線検出素子7内に蓄積されるが、これを除去する方法については後で説明する。[閾値の決め方について]次に、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射が開始されたか否かの判断の基準となる上記の閾値Dthの決め方について説明する。本発明者らの研究によれば、スイッチ手段であるTFT8を介して放射線検出素子7からリークする電荷qは、少なくともTFT8の温度によって変化することが分かっている。図16は、TFT8をオフ状態とした状態TFT8のゲート電極8gにオフ電圧を印加した状態でTFT8内を流れるリーク電流Ioffが、TFT8の温度変化に従ってどのように変化するかを表すグラフである。なお、図16では、TFT8をオン状態とした状態TFT8のゲート電極8gにオン電圧を印加した状態でTFT8内を流れる電流Ionの温度依存性もあわせて示されている。なお、この実験は、TFT8のドレイン電極8d図7、図8参照に信号線6を介して増幅回路18から0[V]の基準電位V0が印加され、TFT8のゲート電極gには走査駆動手段15から走査線5を介して-10[V]のオフ電圧が印加され、放射線検出素子7にバイアス線9を介して-5[V]のバイアス電圧逆バイアス電圧が印加された状態で、しかも、放射線検出素子7にバイアス電圧に相当する電荷が蓄積されている状態、すなわち本実施形態では放射線検出素子7であるフォトダイオードの飽和電荷量に相当する電荷が蓄積されている状態で、TFT8の温度を可変させながら、リーク電流Ioffを実測して行われた。また、TFT8をオン状態とした状態TFT8のゲート電極8gにオン電圧を印加した状態でTFT8内を流れる電流Ionの温度依存性を求める対照実験でも、同様の条件で行い、走査駆動手段15からTFT8のゲート電極gに印加する電圧を15[V]のオン電圧に切り替えて電流Ionを実測した。図16に示すように、TFT8をオフ状態とした状態でTFT8内を流れるリーク電流Ioffが、TFT8の温度が上昇するに従って指数関数的に増加する理由は必ずしも明らかではないが、少なくとも、TFT8の温度が上昇することにより、TFT8を構成する原子の熱による振動が激しくなり、TFT8の半導体層82図5参照内のキャリア密度が増加するためと考えられている。上記のように、TFT8の温度によって、オフ状態のTFT8内を流れるリーク電流Ioff、すなわちTFT8を介して放射線検出素子7からリークする電荷qの電荷量が変動するとしても、例えば前述した支持台等と一体的に形成された放射線画像撮影装置1では、装置外部の電源から常時電力を供給するように構成することが可能であり、バイアス電圧14や走査駆動手段15、読み出し回路17を含む読み出しIC16等を長時間稼動させた状態としておけば、TFT8の温度が安定して一定の温度となる。そして、一定の温度になったTFT8を介して放射線検出素子7からリークする電荷qは、ある程度のゆらぎが生じるが、ほぼ一定の値となる。そのため、前述した1本の信号線6に接続されている各放射線検出素子7から各TFT8を介してリークする各電荷qの合計値に相当するリークデータDleakも、ある程度のゆらぎが生じるが、ほぼ一定の値となる。そのため、それらのリークデータDleakの中から抽出される最大値も、ある程度のゆらぎが生じるが、ほぼ一定の値となる。しかし、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されると、各TFT8を介してリークする各電荷qが増加することによって、図15に示したように、各読み出し回路17で読み出された各リークデータDleakの中から抽出される最大値が格段に大きな値に増加する。従って、このような場合には、予め、上記のように放射線画像撮影装置1に常時電力を供給してTFT8の温度が安定した状況におけるリークデータDleakの最大値を測定しておき、また、放射線画像撮影装置1に放射線を照射した場合のリークデータDleakの最大値を測定しておき、閾値Dthを、それらの間の所定の値に予め設定するように構成することが可能である。一方、上記で説明したようなバッテリ内蔵型の放射線画像撮影装置1の場合、バッテリ41図7参照の電力消費をできるだけ抑制するために、放射線画像撮影が行われる直前に放射線画像撮影装置1の電源スイッチ36図1参照が押下されたり、放射線画像撮影装置1が覚醒状態に遷移されてバイアス電圧14や走査駆動手段15、読み出しIC16等が起動される場合も多い。このような場合、TFT8の温度は、バイアス電圧14や走査駆動手段15、読み出しIC16等が起動されて基板4図3等参照の温度が上がるに従って上昇していく。そのため、例えば放射線画像撮影装置1の電源スイッチ36を押下した直後から、図13に示したようなリークデータ読み出し処理を周期的に繰り返して行った場合、例えば図17に示すように、各読み出し回路17で読み出された各リークデータDleakの中の最大値Dleakmaxが、TFT8の温度上昇にあわせて次第に大きな値になっていく。そのため、閾値Dthを、例えば予め一定値Dthproに設定するように構成すると、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されていないにもかかわらず、TFT8の温度上昇により各読み出し回路17で読み出された各リークデータDleakの値が大きくなり、その最大値Dleakmaxが一定値の閾値Dthproを越えた時点で、制御手段22が誤って放射線の照射が開始されたと判断してしまう虞れがある。そこで、放射線画像撮影装置1が、特に上記のようなバッテリ内蔵型の放射線画像撮影装置の場合には、制御手段22が、周期的に繰り返し行われるリークデータ読み出し処理で読み出された各リークデータDleak上記の場合には各リークデータDleakの最大値Dleakmaxの履歴に基づいて、閾値Dthを更新させながら設定するように構成することが可能である。具体的には、例えば、リークデータ読み出し処理を行うごとに、当該リークデータ読み出し処理の直前のリークデータ読み出し処理を含む10回や100回等の所定回数分の過去の各リークデータ読み出し処理で抽出されたリークデータDleakの最大値Dleakmaxの平均値、すなわち移動平均の平均値Dleakaveを算出し、その平均値Dleakaveに予め設定された所定値を加算して閾値Dthとするように構成することが可能である。このように構成すれば、図18Aに示すように、閾値Dthをリークデータ読み出し処理ごとに更新させながら設定することが可能となる。そして、TFT8の温度上昇により各読み出し回路17で読み出された各リークデータDleakの値が大きくなっても、それに応じて閾値Dthも大きくなり、放射線の照射開始を誤検出することが的確に防止される。また、今回のリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータDleakの中から抽出されたリークデータDleakの最大値Dleakmaxが、図15に示したように大きく変化して閾値Dthを越えれば、今回のリークデータ読み出し処理が行われた時点で放射線の照射が開始されたことを的確に検出することが可能となる。また、例えば、制御手段22にピークホールド機能を持たせ、或いはピークホールド手段を設け、リークデータ読み出し処理を行うごとに、今回抽出したリークデータDleakの最大値Dleakmaxが既に保持されている過去の最大値Dleakmaxより大きければ、最大値Dleakmaxを今回抽出した最大値Dleakmaxに更新して保持するように構成する。そして、保持されている最大値Dleakmaxに、予め設定された所定値を加算して閾値Dthとするように構成することが可能である。このように構成すれば、図18Bに示すように、閾値Dthをリークデータ読み出し処理ごとに更新させながら設定することが可能となる。そして、TFT8の温度上昇により各読み出し回路17で読み出された各リークデータDleakの値が大きくなっても、保持される過去の最大値Dleakmaxもその大きな値に更新され、それに応じて閾値Dthも大きくなる。そのため、放射線の照射開始を誤検出することが的確に防止される。また、この場合も、今回のリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータDleakの中から抽出されたリークデータDleakの最大値Dleakmaxが大きく変化して閾値Dthを越えれば、今回のリークデータ読み出し処理が行われた時点で放射線の照射が開始されたことを的確に検出することが可能となる。[暗電荷等の除去について]前述したように、本発明に係る放射線画像撮影前のリークデータ読み出し処理や放射線の照射開始の検出は、図13等に示したように、走査駆動手段15から走査線5の全てのラインL1~Lxにオフ電圧を印加して各TFT8をオフ状態とした状態で行われる。しかし、この状態を継続すると、放射線検出素子7自体の熱温度による熱励起等によって発生したいわゆる暗電荷が、各放射線検出素子7内に蓄積され、暗電荷の蓄積量が増加していくことがよく知られている。また、各放射線検出素子7には、各放射線検出素子7の寄生容量をCとした場合にQ=CV本実施形態の場合、Vは基準電圧V0とバイアス電圧との差の関係で算出される飽和電荷量Qまでしか電荷を蓄積できない。そのため、各放射線検出素子7内に暗電荷等の多くの余分な電荷が蓄積されて残存していると、放射線の照射により各放射線検出素子7内で新たに発生する電荷すなわち被写体の情報が担持された有用な電荷を蓄積するためのダイナミックレンジが狭められてしまうという問題が生じる。そのため、放射線画像撮影前に周期的に繰り返し行われるリークデータ読み出し処理の際に、各放射線検出素子7内に残存する暗電荷等の余分な電荷を除去することが必要となる。そこで、本実施形態では、制御手段22は、上記のように、リークデータ読み出し処理の際に、走査駆動手段15から走査線5の全てのラインL1~Lxにオフ電圧を印加した状態でリークデータDleakの読み出し処理を行うが、図19に示すように、その周期的に行わせるリークデータ読み出し処理の際に、リークデータ読み出し処理と次のリークデータ読み出し処理との間に、走査駆動手段15から走査線5の各ラインL1~Lxにオン電圧を印加させて各放射線検出素子7から余分な電荷を放出させて除去するリセット処理を行わせるようになっている。各放射線検出素子7のリセット処理では、読み出し回路17の増幅回路18の電荷リセット用スイッチ18cがオン状態とされ、図示を省略するがそれに連動してスイッチ18e図8参照がオフ状態とされた状態で、本実施形態では走査駆動手段15から走査線5の各ラインL1~Lxに順次オン電圧が印加される。そのため、オン電圧が印加された走査線5のラインL1~Lxに接続されている各TFT8がオン状態となり、各放射線検出素子7から当該各TFT8を介して信号線6に余分な電荷が放出される。そして、信号線6に放出された電荷は、増幅回路18の電荷リセット用スイッチ18cを通って、増幅回路18のオペアンプ18aの出力端子側からオペアンプ18a内を通り、非反転入力端子から出てアースされたり、電源供給部18dに流れ出して、各放射線検出素子7や読み出し回路17内から除去される。このように構成することで、各放射線検出素子7から暗電荷等の余分な電荷が的確に除去されるため、各放射線検出素子7内に暗電荷等が蓄積され続けて各放射線検出素子7内で新たに発生する電荷を蓄積するためのダイナミックレンジが狭められることを確実に防止することが可能となる。また、そのため、図15に示したように、リークデータDleak正確にはリークデータDleakの最大値Dleakmaxや各読み出しIC16ごとにリークデータDleakの合計値或いは平均値の最大値等であるが、以下、単にリークデータDleakという。を監視して的確に放射線の照射開始を検出することが可能となるとともに、放射線の照射により各放射線検出素子7内で発生する電荷を広いダイナミックレンジで余裕をもって蓄積させることが可能となり、照射された放射線の線量に応じた画像データdを的確に取得することが可能となる。なお、図19では、各放射線検出素子7のリセット処理として、走査駆動手段15から走査線5の各ラインL1~Lxにオン電圧を順次印加する場合すなわち、走査線5の1ラインずつオン電圧を印加していき、オン電圧を印加する走査線5のラインLを順次切り替える場合について説明したが、周期的に行わせるリークデータ読み出し処理の際に、リークデータ読み出し処理と次のリークデータ読み出し処理との間に、走査駆動手段15から走査線5の全てのラインL1~Lxに一斉にオン電圧を印加させて各放射線検出素子7のリセット処理を行うように構成することも可能である。また、周期的に行わせるリークデータ読み出し処理の際に、リークデータ読み出し処理と次のリークデータ読み出し処理との間に、各放射線検出素子7のリセット処理を行う代わりに、図20に示すように、走査駆動手段15から走査線5の各ラインL1~Lxにオン電圧を順次印加させて、各放射線検出素子7から放出させた電荷を画像データdに変換して読み出す画像データ読み出し処理を行うように構成することも可能である。このように構成しても、各放射線検出素子7から余分な電荷を除去することができる。このように構成する場合、画像データ読み出し処理は、図10を用いて説明した仕方で行われる。また、読み出された画像データdは、制御手段22による放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射開始の判断材料としては用いられないが、読み出された画像データdを有効利用することは可能であり、適宜の仕方で行われる。[リークデータのS/N比の改善について]ここで、リークデータDleakのS/N比の改善について説明する。走査駆動手段15から走査線5の全てのラインL1~Lxにオフ電圧を印加した状態で各TFT8を介して各放射線検出素子7からリークした電荷q図14参照に起因するリークデータDleakは、図16に示したように、オフ状態のTFT8内を流れるリーク電流Ioffがオン状態のTFT8内を流れる電流Ionに比べて桁違いに小さいことからも分かるように、通常、小さい値になる。そのため、リークデータDleakは、走査駆動手段15の電源回路15a図7参照で発生し、走査線5の各ラインL1~Lxを介して伝達されるノイズや読み出し回路17等で発生するノイズによる影響を受け易いといえる。すなわち、リークデータDleakのS/N比が必ずしも良くない場合が生じ得る。[手法1]例えば図21に示すデータは、単位時間当たりの線量すなわち線量率が約0.5[μR/ms]の非常に低い放射線を放射線画像撮影装置1に照射した場合に各リークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータDleakの例であり、時刻t1に放射線の照射が開始され、時刻t2に照射を終了した場合の例である。臨床的には、一般に、1~2[μR/ms]が最低レベルの線量率と言われており、上記の条件はそれよりさらに低い線量率の放射線を照射した場合に相当するが、このように極端に低い線量率の放射線が放射線画像撮影装置1に照射された場合、図21に示すように、放射線の照射によるリークデータDleakの上昇分がノイズに埋もれてしまい、少なくとも放射線の照射開始を検出することができなくなる。ここで、リークデータDleakに重畳されるノイズについて検討すると、少なくとも、走査駆動手段15の電源回路15aに由来するノイズは、図7に示したように、1個の電源回路15aで発生したノイズがゲートドライバ15bを経て走査線5の各ラインL1~Lxを介して各TFT8に瞬時に伝達されるものである。そのため、電源回路15aで発生したノイズが同時に全てのTFT8に伝達されて、読み出されるリークデータDleakに重畳される。また、図7に示したように、バイアス電源14は結線10や各バイアス線9を介して各放射線検出素子7に接続されており、バイアス電源14で発生したノイズが乗ったバイアス電圧が各放射線検出素子7に印加される。各放射線検出素子7は第1電極74と第2電極78との間にi層76図5参照等が介在する状態であり、一種のコンデンサ状の構造になっているため、寄生容量を有している。そして、この寄生容量をC、バイアス電圧をVbiasとした場合、各放射線検出素子7には基本的にQ=CV0-Vbiasで表される電荷Qが蓄積されており、この電荷Qが前述したバイアス電圧Vbiasのノイズでゆらぐ。このように、バイアス電圧Vbiasのノイズにより、各放射線検出素子7内に蓄積される電荷にもノイズが生じるため、この電荷のごく一部がTFT8内を流れて生じるリーク電流Ioffにもバイアス電圧Vbiasのノイズに起因するノイズが重畳される。そのため、読み出されるリークデータDleakには、このバイアス電圧Vbiasのノイズに起因するノイズも重畳される。さらに、各読み出しIC16側からも、各読み出しIC16等で発生するノイズに起因するノイズが各信号線6を介して各TFT8等に重畳される。このようにして、同じタイミングで読み出されるリークデータDleakには、装置内の各機能部で発生する各種のノイズに起因する同じノイズが重畳される。従って、1回のリークデータ読み出し処理で、各読み出し回路17で読み出された各リークデータDleakには、走査駆動手段15の電源回路15a由来のノイズやバイアス電源14由来のノイズ等の各種のノイズが各リークデータDleakに同時に重畳されている。そこで、このように、1回のリークデータ読み出し処理で読み出された各リークデータDleakに電源回路15a等由来の同じノイズが重畳されていることを利用して、例えば、下記のように構成することで、リークデータDleakのS/N比を改善することが可能となる。[手法1-1]放射線画像撮影装置1に放射線を照射する際、放射線画像撮影装置1の放射線入射面R図1、図2参照側から見た場合、図22に示すように、放射線画像撮影装置1のシンチレータ3や検出部Pの全域ではなく、シンチレータ3や検出部Pの一部に照射野Fが絞られて放射線が照射される場合がある。特に、聴器のシュラー撮影等のように、放射線画像撮影装置1に低い線量率の放射線を照射する場合には、放射線の照射野Fが絞られて照射される場合が多い。なお、図22では、信号線6は図中の上下方向に延在するように配線されているものとする。放射線がこのように照射される場合、放射線の照射野Fに対応する検出部P上の位置、すなわち照射された放射線がシンチレータ3で変換された電磁波が入射し得る位置に設けられた各放射線検出素子7では、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されると、上記のように各TFT8を介してリークした電荷qに基づくリークデータDleakが図15に示したように上昇する。しかし、放射線の照射野Fに対応する検出部P上の位置以外の位置、すなわちシンチレータ3からの電磁波が入射しない検出部P上の位置に設けられた各放射線検出素子7では、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されても、各TFT8内を流れるリーク電流は増加しないため、各TFT8を介してリークした電荷qに基づくリークデータDleakは上昇しない。そして、前述したように、いずれの位置の放射線検出素子7に接続されているTFT8においても、走査線5の各ラインL1~Lxを介して走査駆動手段15の電源回路15aで発生したノイズが各TFT8に同時に伝達される。そのため、電源回路15aで発生したノイズが同時に全てのTFT8に伝達されて、読み出されるリークデータDleakに重畳される。そこで、これを利用して、制御手段22で、シンチレータ3から照射された電磁波が入射し得る検出部P上の位置すなわち放射線の照射野Fに対応する検出部P上の位置の各放射線検出素子7から読み出されたリークデータDleakから、シンチレータ3から照射された電磁波が入射しない検出部P上の位置すなわち放射線の照射野Fに対応する検出部P上の位置以外の位置に設けられた各放射線検出素子7から読み出されたリークデータDleakを差し引いた差分ΔDを算出し、算出した差分ΔDが、当該差分ΔDについて設定された閾値ΔDthを越えた時点で放射線の照射が開始されたことを検出するように構成することが可能である。なお、この場合、上記のように、放射線を、放射線画像撮影装置1のシンチレータ3や検出部Pの全域ではなく、シンチレータ3や検出部Pの一部に照射するように、照射野Fを絞って照射することが前提となる。しかし、この場合、放射線画像撮影装置1に照射される放射線の照射野Fは、通常、撮影ごとに、撮影の都合上、最も適した放射線入射面R上の位置に設定される。そのため、照射野Fが、図22に示すように放射線入射面Rの中央付近に設定される場合もあるが、シンチレータ3や検出部Pの周縁部付近に対応する位置に設定される場合もあるため、予め信号線6を特定し、その信号線6に接続されている各放射線検出素子7をシンチレータ3から電磁波が入射しない放射線検出素子として予め特定しておくことができない。そこで、例えば、制御手段22で、各信号線6ごとすなわち各読み出し回路17ごとに読み出された各リークデータDleakの中から最大値Dleakmaxと最小値Dleakminを抽出し、最大値Dleakmaxから最小値Dleakminを差し引いた差分ΔDを算出し、算出した差分ΔDが、当該差分ΔDについて設定された閾値ΔDthを越えた時点で放射線の照射が開始されたことを検出するように構成することが可能である。しかし、この場合も、各読み出し回路17ごとに読み出された各リークデータDleakには、通常、各読み出し回路17の読み出し特性に起因するオフセット分がそれぞれ重畳されるため、例えば、信号線6を介して各読み出し回路17に接続されている各放射線検出素子7から同じ量の電荷qがリークしても、各読み出し回路17で読み出される各リークデータDleakは各オフセット分だけ異なる値になる。そのため、例えば、リークデータ読み出し処理を行うごとに、当該リークデータ読み出し処理の直前のリークデータ読み出し処理を含む5回や10回等の所定回数分の過去の各リークデータ読み出し処理で抽出されたリークデータDleakの移動平均を、各読み出し回路17ごとに算出し、今回のリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータDleakからこの移動平均を減算して、この減算した値を今回のリークデータ読み出し処理で当該読み出し回路17で読み出されたリークデータDleakとする。そして、上記のように、各信号線6ごとすなわち各読み出し回路17ごとに読み出された各リークデータDleakからそれぞれ移動平均を減算して算出された各リークデータDleakの中から最大値Dleakmaxと最小値Dleakminを抽出し、最大値Dleakmaxから最小値Dleakminを差し引いた差分ΔDを算出し、算出した差分ΔDが、当該差分ΔDについて設定された閾値ΔDthを越えた時点で放射線の照射が開始されたことを検出するように構成することが可能である。このように構成すれば、放射線画像撮影装置1に放射線が照射される前には、各読み出し回路17で読み出されたリークデータDleakから移動平均を減算して算出されたリークデータDleakはいずれもほぼ0に近い値になるため、図23に示すように、時刻t1で放射線が照射される前は、それらの最大値Dleakmaxから最小値Dleakminを差し引いた差分ΔDは0に近い値になる。しかし、例えば図22に示したように放射線画像撮影装置1に放射線が照射された場合、前述したように、放射線の照射野Fに対応する検出部P上の位置に配置されている信号線6では、当該信号線6に接続されている各TFT8内を流れるリーク電流が増加して、当該信号線6に対応する読み出し回路17で読み出されたリークデータDleakが上昇するが、放射線の照射野Fに対応する検出部P上の位置以外の位置に配置されている信号線6では、当該信号線6に接続されている各TFT8内を流れるリーク電流は増加せず、当該信号線6に対応する読み出し回路17で読み出されたリークデータDleakは上昇しない。そのため、図23に示すように、時刻t1で放射線が照射された後は、各読み出し回路17で読み出されたリークデータDleakから移動平均を減算して算出されたリークデータDleakの最大値Dleakmaxから最小値Dleakminを差し引いた差分ΔDは、0とは有意に異なる正の値になる。そのため、この差分ΔDに対して、閾値ΔDthを適切な値に設定しておくことで、例えば図21に示したような非常に弱い放射線が放射線画像撮影装置1に照射された場合でも、図23に示したように、放射線の照射の開始や終了を的確に検出することが可能となる。このように、差分ΔDを算出するように構成することで、少なくともリークデータDleakに重畳されている電源回路15aに由来するノイズ成分を除去することが可能となり、リークデータDleakのS/N比を改善することが可能となる。そして、閾値ΔDthを適切な値に設定して、算出した差分ΔDに基づいて放射線の照射が開始されたことを検出するように構成することで、放射線の照射開始を的確に検出することが可能となる。なお、前述したように、図21に示すデータは、前述したように、通常の放射線画像撮影ではあり得ないほど極端に低い線量率の放射線が放射線画像撮影装置1に照射された場合のデータであり、そのようなデータに対しても図23に示すような結果が得られるため、通常の、より高い線量率の放射線が放射線画像撮影装置1に照射された場合には、より鮮明に差分ΔDが上昇することは言うまでもない。また、放射線画像撮影装置1に照射される放射線の線量率が高い場合も低い場合も、照射野Fが絞られずに放射線画像撮影装置1の放射線入射面R図1等参照の全域に対して放射線が照射される場合もある。このような場合には、上記の[手法1-1]の処理の仕方では放射線の照射の開始や終了を検出することができない。しかし、その一方で、[手法1-1]の処理の仕方を採用すれば、例えば上記の原理の説明で示した手法では必ずしも的確に放射線の照射の開始や終了を検出できないような微弱な線量率の放射線が照射された場合図21参照でも、図23に示したように、的確に放射線の照射の開始や終了を検出することが可能となる。そこで、実際の放射線画像撮影装置1では、上記の原理の説明で示した手法と、上記の[手法1-1]に示した手法とを併用し、両方の手法で同時に放射線の照射の開始や終了が検出された場合は勿論、それらの手法のうち、いずれかの手法で放射線の照射の開始や終了が検出された時点で、放射線の照射の開始や終了を検出するように構成することが望ましい。ところで、図24に示すように、読み出しIC16図7等参照には、それぞれ各読み出し回路17が例えば128個や256個等の所定個数ずつ形成されている。そして、例えば、1個の読み出しIC16に読み出し回路17が128個形成されており、信号線6が1024本配線されている場合には、読み出しIC16が少なくとも8個設けられる。そして、上記のように、放射線が放射線画像撮影装置1に対して照射野F図22参照が絞られた状態で照射される場合、例えば8個の読み出しIC16の中には、読み出しIC16に各信号線6を介して接続されている各放射線検出素子7が、上記の放射線の照射野Fに対応する検出部P上の位置以外の位置、すなわちシンチレータ3からの電磁波が入射しない検出部P上の位置に設けられた各放射線検出素子7となるような読み出しIC16が存在すると考えられる。すなわち、放射線の照射野Fが絞られたことにより、放射線画像撮影装置1には放射線が照射されているにもかかわらず、ある読み出しIC16に接続されている全ての放射線検出素子7に放射線が到達しない正確にはシンチレータ3で放射線から変換された電磁波が入射しない、そのような読み出しIC16が存在すると考えられる。そのため、上記のように、各読み出し回路17ごとに読み出された各リークデータDleakからそれぞれ移動平均を減算して算出された各リークデータDleakの中から最大値と最小値を抽出するように構成する代わりに、例えば、各読み出し回路17ごとに読み出された各リークデータDleakからそれぞれ移動平均を減算して算出された各リークデータDleakの各読み出しIC16ごとの平均値を算出し、各読み出しIC16ごとの平均値の中から最大値と最小値を抽出するように構成することも可能である。このように構成すれば、上記の例では、読み出しIC16は8個であるから各読み出しIC16ごとの平均値の数も8個になり、最大値や最小値の抽出処理を容易に行うことが可能となる。一方、実際の放射線画像撮影装置1では、信号線6やそれに対応する読み出し回路17は数千~数万あり、上記のいずれの場合も、その全てについてそれぞれ移動平均を算出し、各読み出し回路17ごとに読み出された各リークデータDleakからそれぞれ移動平均を減算しなければならず、処理に時間がかかる可能性がある。そして、このように上記の各処理に時間がかかる場合には、各リークデータ読み出しごとに放射線の照射が開始されたか否かの判断等を遅れ、後述するように、放射線画像p上に線欠陥が連続して現れるといった問題等が生じる可能性がある。そこで、図24に示したように、読み出しIC16に、それぞれ各読み出し回路17が例えば128個や256個等の所定個数ずつ形成されていることを利用して、上記のように各読み出し回路17ごとに読み出された各リークデータDleakからそれぞれ移動平均を減算する代わりに、例えば、1回のリークデータ読み出し処理で、1個の読み出しIC16について各読み出し回路17から出力される128個のリークデータDleakの読み出しIC16ごとの平均値を先に算出するように構成することが可能である。このように構成すれば、1回のリークデータ読み出し処理ごとの読み出しIC16ごとの各リークデータDleakの平均値の個数は、上記の例の場合、読み出しIC16の個数に等しい8個になる。そして、これらの8個の読み出しIC16ごとのリークデータDleakの平均値について、それぞれ移動平均を算出し、各平均値から移動平均をそれぞれ減算し、移動平均が減算された各平均値を比較してそれらの中から最大値と最小値を抽出し、最大値から最小値を差し引いた差分ΔDを算出し、算出した差分ΔDが閾値ΔDthを越えた時点で放射線の照射が開始されたことを検出するように構成することが可能である。このように構成すれば、上記のように、放射線の照射の開始や終了を的確に検出することが可能となるとともに、1回のリークデータ読み出し処理で各読み出し回路17で読み出される1024個のリークデータDleakについて移動平均を算出する必要はなく、8個の読み出しIC16ごとのリークデータDleakの平均値に対して移動平均を算出すればよくなる。そのため、移動平均の算出や、リークデータDleakの平均値からの移動平均の減算、最大値および最小値の抽出、差分ΔDの算出、差分ΔDと閾値ΔDthとの比較の一連の各処理を速やかに行うことが可能となり、リークデータ読み出し処理ごとに行われる放射線の照射が開始されたか否かの判断等を、速やかに行うことが可能となる。また、このように読み出しIC16ごとに各リークデータDleakの平均値を算出するように構成すれば、読み出しIC16内の多数の読み出し回路17ごとに発生する電気ノイズがリークデータDleakの平均値を算出する際に互いに相殺されるため、各読み出し回路17で発生する電気ノイズのリークデータDleakやその移動平均に対する影響を低減させることが可能となるといった利点もある。[手法1-2]一方、放射線画像撮影装置1によっては、図25に模式的に示すように、もともとシンチレータ3が基板4上に設けられた検出部Pより小さく形成される場合がある。なお、図25においても、信号線6は図中の上下方向に延在するように配線されているものとする。そして、このように構成されている場合、検出部P上のシンチレータ3直下の位置、すなわち照射された放射線がシンチレータ3で変換された電磁波が入射し得る位置に設けられた各放射線検出素子7では、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されると、上記のように各TFT8を介してリークした電荷qに基づくリークデータDleakが図15に示したように上昇する。しかし、検出部P上のシンチレータ3直下以外の位置、すなわちシンチレータ3からの電磁波が入射しない検出部P上の位置に設けられた各放射線検出素子7では、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されても、各TFT8内を流れるリーク電流は増加しないため、各TFT8を介してリークした電荷qに基づくリークデータDleakは上昇しない。そして、前述したように、いずれの位置の放射線検出素子7に接続されているTFT8においても、走査線5の各ラインL1~Lxを介して走査駆動手段15の電源回路15aやバイアス電源14等で発生したノイズが各TFT8や各放射線検出素子7に同時に伝達される。そのため、電源回路15a等で発生したノイズが同時に全てのTFT8に伝達されて、読み出されるリークデータDleakに重畳される。そこで、これを利用して、制御手段22で、シンチレータ3から照射された電磁波が入射し得る検出部P上の位置すなわちシンチレータ3直下の位置の各放射線検出素子7から読み出されたリークデータDleakから、シンチレータ3から照射された電磁波が入射しない検出部P上の位置すなわちシンチレータ3直下以外の位置に設けられた各放射線検出素子7から読み出されたリークデータDleakを差し引いた差分ΔDを算出し、上記と同様に、算出した差分ΔDが閾値ΔDthを越えた時点で放射線の照射が開始されたことを検出するように構成することが可能である。この場合、シンチレータ3直下以外の位置のうち、図25中に斜線を付して示したシンチレータ3直下以外の位置Aに配線されている信号線6には、位置Aの各放射線検出素子7からリークした電荷qが流れ込むが、シンチレータ3直下の位置の各放射線検出素子7からリークした電荷qも流れ込む。そのため、これらの信号線6に設けられている各読み出し回路17で読み出されたリークデータDleakは、前述した2種類のリークデータDleakのうち、前者の、シンチレータ3から照射された電磁波が入射し得る検出部P上の位置すなわちシンチレータ3直下の位置の各放射線検出素子7から読み出されたリークデータDleakとして扱われる。一方、シンチレータ3直下以外の位置のうち、図25中に斜線を付して示したシンチレータ3直下以外の位置Bに配線されている信号線6に接続されている各放射線検出素子7は、全てシンチレータ3直下以外の位置Bにあり、それらの各放射線検出素子7には、シンチレータ3から照射された電磁波は入射しない。そのため、この位置Bの各信号線6ごと、すなわち当該各信号線6に設けられた各読み出し回路17ごとに読み出されたリークデータDleakには、シンチレータ3直下の位置の各放射線検出素子7からリークした電荷qによる寄与分が混在せず、これらの各読み出し回路17からは、照射された放射線やシンチレータ3から照射された電磁波には関係しないリークデータDleak、すなわち走査駆動手段15の電源回路15aで発生したノイズに起因するリークデータDleakが読み出される。そのため、これらの位置Bに配線された信号線6すなわち信号線6がその全長にわたってシンチレータ3直下以外の位置に配線されている信号線6に設けられている各読み出し回路17で読み出されたリークデータDleakは、前述した2種類のリークデータDleakのうち、後者の、シンチレータ3から照射された電磁波が入射しない検出部P上の位置すなわちシンチレータ3直下以外の位置に設けられた各放射線検出素子7から読み出されたリークデータDleakとして扱うことができる。なお、上記のように構成して差分ΔDを算出する場合、後者の、シンチレータ3から照射された電磁波が入射しない検出部P上の位置すなわちシンチレータ3直下以外の位置に設けられた各放射線検出素子7から読み出されたリークデータDleakとして、例えば、上記の位置Bに配線された各信号線6に設けられている各読み出し回路17で読み出されたリークデータDleakのうちの1つのリークデータDleakを選択して用いるように構成することも可能であり、それらのリークデータDleakの平均値を算出して後者のリークデータDleakとして用いるように構成することも可能である。そして、上記のように構成する場合、例えば図21に示したデータに基づいて上記のようにして差分ΔDを算出すると、図23に示したように、リークデータDleakに重畳されていた電源回路15aに由来するノイズ成分がリークデータDleakから的確に除去される。そして、差分ΔDの上昇分として放射線の照射によるリークデータDleakの上昇分を抽出することができる。このように、放射線画像撮影装置1が図25に示したように構成されている場合に、上記のように各処理を行って差分ΔDを算出するように構成することで、少なくともリークデータDleakに重畳されている電源回路15aに由来するノイズ成分を除去することが可能となり、リークデータDleakのS/N比を改善することが可能となる。そして、閾値ΔDthを適切な値に設定して、算出した差分ΔDに基づいて放射線の照射が開始されたことを検出するように構成することで、放射線の照射開始を的確に検出することが可能となる。なお、この[手法1-2]の場合も、各読み出し回路17ごとに読み出された各リークデータDleakには、各読み出し回路17の読み出し特性に起因するオフセット分がそれぞれ重畳されるため、上記の[手法1-1]の場合と同様に、リークデータ読み出し処理を行うごとに、当該リークデータ読み出し処理の直前のリークデータ読み出し処理を含む所定回数分の過去の各リークデータ読み出し処理で読み出された、位置Aや位置Bに配線された各信号線6に設けられている各読み出し回路17で読み出されたリークデータDleakの移動平均を、各読み出し回路17ごとに算出したり、今回のリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータDleakからこの移動平均を減算して、この減算した値を今回のリークデータ読み出し処理で当該読み出し回路17で読み出されたリークデータDleakとする等の処理が行われることが好ましい。また、この場合、各読み出し回路17で読み出されたリークデータDleakから移動平均を減算した値をリークデータDleakとする処理を、常時行うように構成するか、或いは、照射される放射線の線量率が非常に低い場合にのみ行うように構成するかは適宜決められる。[手法2]また、リークデータDleakのS/N比を改善する手法として、前述したチャージアンプ回路で構成された増幅回路18のコンデンサ18bの容量を可変できるように構成しておき、放射線画像撮影前に繰り返し行われるリークデータ読み出し処理の際には、増幅回路18のコンデンサ18bの容量cfが、画像データ読み出し処理の際の容量よりも小さくなるように可変するように構成することも可能である。前述したように、増幅回路18は、放射線検出素子7からリークして流れ込みコンデンサ18bに蓄積された電荷qに応じた電圧値を出力するが、コンデンサ18bの容量cfが小さくなるように可変させることで、V=q/cfの関係に従って、コンデンサ18bに同じ電荷量qが蓄積された場合でも、増幅回路18から出力される電圧値Vを大きくすることができる。その際、放射線検出素子7からリークした電荷qに元々重畳されているノイズ成分、すなわち例えば上記のような電源回路15aに由来するノイズ成分については、増幅回路18から出力される電圧値Vが大きくなることでノイズ成分も大きくなり、S/N比は改善されないが、少なくとも増幅回路18を含む読み出し回路17で発生するノイズ成分については電圧値Vが大きくなってもノイズ成分は大きくならない。従って、この場合は、少なくとも増幅回路18を含む読み出し回路17で発生するノイズ成分についてS/N比を改善することが可能となる。なお、コンデンサ18bの容量cfをあまり下げすぎると、コンデンサ18bが各放射線検出素子7からリークした各電荷qで飽和し易くなるが、コンデンサ18bが飽和すると、当該コンデンサ18bを備える読み出し回路17での次回以降の読み出しに悪影響を及ぼす場合があるため、コンデンサ18bの容量cfは適切な値に低下されるように調整される。また、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射後に行われる画像データ読み出し処理の際には、コンデンサ18bの容量cfは、通常の所定の容量に戻される。また、読み出し回路17の増幅回路18を、例えば、図26に示すように構成することで、増幅回路18のコンデンサ18bの容量を可変できるように構成することが可能となる。具体的には、チャージアンプ回路で構成された増幅回路18のオペアンプ18aに並列に接続するコンデンサを、図8に示したように1つのコンデンサ18bとする代わりに、各コンデンサC1~C4をそれぞれ並列に接続する。そして、各コンデンサC2~C4にスイッチSw1~Sw3をそれぞれ直列に接続するように構成する。なお、コンデンサC1にもスイッチを直列に接続するように構成することも可能である。そして、スイッチSw1~Sw3のオン/オフを切り替えることで、増幅回路18のコンデンサ18bの容量を可変できるように構成することが可能となる。なお、この場合、コンデンサ18bの容量cfは、コンデンサC1の容量と、スイッチSw1~Sw3のうちオン状態とされたスイッチに直列に接続されているコンデンサC2~C4の各容量との合計値になる。[手法3]また、リークデータDleakは、前述したように、オフ状態のTFT8内を流れるリーク電流Ioffに由来する。その際、図5に示したTFT8の断面構造を模式的に表した図27に示すように、TFT8のゲート電極8gにオフ電圧が印加されているため、TFT8の半導体層82のゲート電極8g側図27中では下側は電子の密度が小さい状態になっている。そして、この半導体層82のゲート電極8g側の電子密度が小さい領域を正孔が流れることによって、オフ状態のTFT8内をリーク電流Ioffが流れると考えられている。なお、この場合、本実施形態では、ソース電極8sに接続されている放射線検出素子7の第2電極78図27では図示省略に逆バイアス電圧が印加されているため、リーク電流Ioffは、相対的に電位が高いドレイン電極8d側から、半導体層82のゲート電極8g側の領域を通って、相対的に電位が低いソース電極8s側に流れる。一方、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されて、シンチレータ3図27中では図示省略で放射線から変換された電磁波が照射されると、シンチレータ3は図中では上側に設けられているため、電子正孔対は、主にTFT8の半導体層82のシンチレータ3側図27中では上側で発生する。そして、上記のように、半導体層82のシンチレータ3側では電子密度が比較的高くなっているため、発生した正孔が電子と再結合する確率が高くなる。そのため、前述したように、放射線の照射によりシンチレータ3から電磁波が照射されることで、TFT8の半導体層82内で電子正孔対が発生し、オフ状態のTFT8内を流れるリーク電流Ioffの量が増加するが、キャリアである正孔の一部は電子と再結合してしまうため、リーク電流Ioffの増加率を低減させてしまう。そこで、TFT8の半導体層82のシンチレータ3側でも電子密度が低い領域を形成すれば、キャリアである正孔が、半導体層82のゲート電極8g側の領域と、半導体層82のシンチレータ3側の領域の2つのチャネルを流れるようになり、リークデータDleakの値をより大きくすることが可能となる。そして、リークデータDleakの値を大きくすることで、リークデータDleakのS/N比を改善することが可能となる。TFT8の半導体層82のシンチレータ3側にも電子密度が低い領域を形成するためには、例えば、図28に示すように、各TFT8のシンチレータ3図28では図示が省略されており、図中上側に設けられている。側に配線85を配置し、少なくとも放射線画像撮影前に繰り返し行われるリークデータ読み出し処理の際に、配線85に負の電圧を印加するように構成することが可能である。具体的には、配線85は、ITO等の、シンチレータ3から照射される電磁波を透過する導電性材料で形成され、例えば、各信号線6に平行に、各信号線6と同数設けられる。そして、少なくとも放射線画像撮影前に繰り返し行われるリークデータ読み出し処理の際には、例えば、走査駆動手段15から各走査線5に印加されるオフ電圧と同じ負の電圧が印加されるように構成される。なお、各配線85に印加する負の電圧は、必ずしもオフ電圧と同じ値の負の電圧である必要はなく、上記のように、TFT8の半導体層82のシンチレータ3側に電子密度が低い領域を的確に形成することができる電圧に設定される。また、各配線85に、走査駆動手段15の電源回路15aからオフ電圧を印加するように構成することも可能であり、また、他の電源回路から負の電圧を印加するように構成することも可能である。また、少なくとも放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射後に行われる画像データ読み出し処理の際に、各放射線検出素子7からの画像データdの読み出しに悪影響を与えないようにするために、各配線85への負の電圧の印加は停止されすなわちフローティング状態とされ、または0[V]等の所定の電圧が印加される。さらに、図28では、配線85やバイアス線9を、放射線検出素子7やTFT8の上方に積層して形成した第1平坦化層80aの上面すなわち図示しないシンチレータ3側の面上に形成し、その上方にさらに第2平坦化層80bを形成する場合が示されているが、配線85を形成する形態はこの形態に限定されず、TFT8の半導体層82のシンチレータ3側に電子密度が低い領域を形成することができるものであれば、配線85を適宜の位置に配置することが可能である。[手法4]また、図12に示したリークデータ読み出し処理と、図10に示した画像データ読み出し処理とを比較して分かるように、本実施形態では、これまで、リークデータ読み出し処理を、画像データ読み出し処理と同じタイミングで行うことを前提として説明した。すなわち、リークデータ読み出し処理の際に、制御手段22から相関二重サンプリング回路19に1回目のパルス信号Sp1を送信してから2回目のパルス信号Sp2を送信するまでの時間間隔が、画像データ読み出し処理の場合と同じ時間間隔で行われる場合について説明した。しかし、リークデータ読み出し処理を、必ずしも画像データ読み出し処理と同じタイミングで行う必要はなく、図29に示すように、リークデータ読み出し処理の際に、制御手段22から相関二重サンプリング回路19にパルス信号Sp1、Sp2をそれぞれ送信する時間間隔が、画像データ読み出し処理の際の時間間隔よりも長い時間間隔になるように制御することで、リークデータDleakのS/N比を改善することが可能となる。すなわち、図29に示すように、各リークデータ読み出し処理の際のパルス信号Sp1、Sp2の各送信の時間間隔を長くすると、その分、各放射線検出素子7からリークした電荷qの増幅回路18のコンデンサ18bへの蓄積量が多くなるため、リークデータDleakの値が大きくなる。しかし、リークデータDleakに重畳されるノイズ成分は、時間的に増大するものではなく、相関二重サンプリング回路19に1回目のパルス信号Sp1を送信した際に保持される増幅回路18からの電圧値Vinに重畳されているノイズ成分と、2回目のパルス信号Sp2を送信した際に保持される増幅回路18からの電圧値Vfiに重畳されているノイズ成分との差分であるから、パルス信号Sp1、Sp2の各送信の時間間隔を長くしても大きくならない。すなわち、リークデータDleakは、図30に示すように、制御手段22から相関二重サンプリング回路19にパルス信号Sp1、Sp2をそれぞれ送信する時間間隔が長くなるほど、各放射線検出素子7からリークした電荷qの増幅回路18のコンデンサ18bへの蓄積量が多くなり、増幅回路18から出力される電圧値が上昇して、電圧値Vinと電圧値Vfiの差分がより大きく増加するため、値が大きくなる。一方、リークデータDleakに重畳されるノイズ成分は、図30に示すように、時間的に増加する上記の電圧値が時間的に細かく増減する振動分として表すことができる。そして、この振動分として表されるノイズ成分は、時間に依存してその振動の幅すなわち図30における上下方向の振動の幅が増加していくものではなく、時間に依存せずほぼ一定の振動の幅で、時間的に上昇する電圧値すなわちリークデータDleakとして読み出される電圧値に重畳される。そのため、リークデータDleakに重畳されるノイズ成分は、パルス信号Sp1、Sp2の各送信の時間間隔を長くしても大きくならない。そのため、上記のように、リークデータ読み出し処理の際にパルス信号Sp1、Sp2をそれぞれ送信する時間間隔を画像データ読み出し処理の際の時間間隔よりも長い時間間隔になるように制御することで、リークデータDleakは大きくなるが、リークデータDleakに重畳されるノイズ成分は大きくならないため、リークデータDleakのS/N比を改善することが可能となる。なお、図29では、図19に示した、リークデータ読み出し処理と次のリークデータ読み出し処理との間に各放射線検出素子7のリセット処理を行うように構成されている場合に、各リークデータ読み出し処理の際のパルス信号Sp1、Sp2の各送信の時間間隔を長くした場合が示されているが、図20に示した、リークデータ読み出し処理の間に画像データ読み出し処理を行うように構成されている場合にも同様に各リークデータ読み出し処理の際のパルス信号Sp1、Sp2の各送信の時間間隔を長くすることができる。また、上記の手法1~手法4を適宜組み合わせて行うように構成することも可能である。[線欠陥が連続して現れないようにするための処理について]図19や図20に示したように、放射線画像撮影前に周期的に繰り返し行われるリークデータ読み出し処理や、読み出されたリークデータDleakに基づく放射線の照射開始の検出を行う際に、各放射線検出素子7内で発生する暗電荷等の余分な電荷を除去するために、リークデータ読み出し処理と次のリークデータ読み出し処理との間に、各放射線検出素子7のリセット処理や各放射線検出素子7からの画像データ読み出し処理を行う場合、以下のような問題が生じる虞れがある。なお、以下では、リークデータ読み出し処理と次のリークデータ読み出し処理との間に各放射線検出素子7のリセット処理を行う場合について説明するが、リークデータ読み出し処理の間に各放射線検出素子7からの画像データ読み出し処理を行う場合も同様に説明される。リークデータ読み出し処理の間に各放射線検出素子7のリセット処理を行う場合、例えば図31に示すように、走査線5のラインL1にオン電圧を印加した後に1回目のリークデータ読み出し処理を行い、走査線5のラインL2にオン電圧を印加した後に2回目のリークデータ読み出し処理を行うように構成されているものとする。図31等の電荷リセット用スイッチ18cのタイミングチャートの上方の数字は、何回目のリークデータ読み出し処理であるかを表している。そして、例えば、3回目のリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータDleakに基づいても放射線の照射の開始は検出されなかったが、4回目のリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータDleakに基づいて放射線の照射の開始が検出された場合、4回目のリークデータ読み出し処理の直前のリセット処理でオン電圧が印加された走査線5のラインL4に接続されている各放射線検出素子7から、放射線の照射により各放射線検出素子7内で発生した有用な電荷の一部が各TFT8を介して信号線6に放出されてしまう。そのため、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射後に行われる画像データ読み出し処理で、走査線5のラインL4に接続されている各放射線検出素子7から読み出された各画像データdは、必ずしも有効なデータであるとは言い難い場合がある。そこで、上記のように構成する場合、リークデータDleakに基づいて放射線の照射の開始が検出されたリークデータ読み出し処理上記の例では4回目のリークデータ読み出し処理の直前のリセット処理でオン電圧が印加された走査線5上記の例では走査線5のラインL4に接続されている各放射線検出素子7から読み出された画像データdを無効とするように構成される場合がある。このように構成する場合、図32に示すように、読み出された画像データdに基づいて生成される放射線画像p上に、当該走査線5に沿って無効とされた画像データdが線状に並ぶため、いわゆる線欠陥が生じる。そのため、このような場合には、例えば画像データdが無効とされた走査線5のラインL4に接続されている各放射線検出素子7については、無効とされた画像データdを破棄し、当該走査線5に隣接する走査線5のラインL3とラインL5に接続されている各放射線検出素子7から読み出された各画像データdで例えば線形補間する等して、それぞれ画像データdを算出するように構成される。一方、放射線発生装置から放射線画像撮影装置1に放射線が照射される際、照射される放射線の線量が照射開始直後に瞬時に立ち上がって所定の線量に達すれば、図31に示したように、放射線の照射が開始された後の最初のリークデータ読み出し処理上記の例では4回目のリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータDleakに基づいて放射線の照射の開始を検出することができる。しかし、放射線発生装置から照射される放射線の線量の立ち上がりが遅いような場合、例えば図33に示すように、実際には4回目のリークデータ読み出し処理が行われた時点で放射線の照射が開始されているにもかかわらず、4回目のリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータDleakが前述した閾値Dthを越えず、各放射線検出素子7のリセット処理が行われた後、5回目のリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータDleakが閾値Dthを越えて、初めて放射線の照射の開始が検出される場合があり得る。このような場合、上記のように4回目のリークデータ読み出し処理の直前のリセット処理だけでなく、5回目のリークデータ読み出し処理の直前のリセット処理でオン電圧が印加された走査線5のラインL5に接続されている各放射線検出素子7からも、放射線の照射により各放射線検出素子7内で発生した電荷が各TFT8を介して信号線6に放出されてしまう。そのため、走査線5のラインL4に接続されている各放射線検出素子7だけでなく、走査線5のラインL5に接続されている各放射線検出素子7から読み出された各画像データdも、有効なデータであるとは言い難く、無効とせざるを得なくなる。そして、上記のように走査線5のラインL4、L5或いはそれ以上の走査線5の各ラインLにそれぞれ接続されている各放射線検出素子7からの画像データdが無効とされると、図34に示すように、放射線画像p上に、走査線5のラインL4、L5或いはそれ以上に沿って無効とされた画像データdがそれぞれ線状に並び、線欠陥が連続して現れる状態となる。このように放射線画像p上で線欠陥が連続して現れる状態であっても、例えば上記と同様にそれらの走査線5に隣接する走査線5のラインL3とラインL6に接続されている各放射線検出素子7から読み出された各画像データdで例えば線形補間する等して、走査線5のラインL4、L5に接続されている各放射線検出素子7の画像データdをそれぞれ算出するように構成することが考えられなくはない。しかし、例えば、放射線画像pを医療における診断用等に用いるような場合、放射線画像pに撮影されているはずの小さな病変部が、上記の線形補間で修正されて放射線画像p上から消えてしまう虞れがある。そのため、上記のように、放射線発生装置から照射される放射線の線量の立ち上がりが遅いような場合でも、放射線画像p上で線欠陥が連続して現れないようにするための処理が必要となる。以下、その処理について説明する。[処理1]放射線画像p上で線欠陥が連続して現れないようにするための処理として、例えば、前述したリークデータのS/N比を改善するための手法4図29参照のように、例えば、リークデータ読み出し処理の際に、制御手段22から相関二重サンプリング回路19にパルス信号Sp1、Sp2をそれぞれ送信する時間間隔が画像データ読み出し処理の際の時間間隔よりも長い時間間隔になるように構成することが可能である。このように構成すれば、前述したように、1回のリークデータ読み出し処理に要する時間が長くなり、しかも、各放射線検出素子7からリークした電荷qの増幅回路18のコンデンサ18bへの蓄積量が多くなり、リークデータDleakの値が大きくなるため、上記のように放射線発生装置から照射される放射線の線量の立ち上がりが遅いような場合でも、1回のリークデータ読み出し処理で放射線の照射開始を検出できる可能性を高めることが可能となる。[処理2]また、放射線画像p上で線欠陥が連続して現れる可能性を生じさせている理由は、リークデータ読み出し処理の間に行う各放射線検出素子7のリセット処理において、例えば図33に示したように、走査線5の各ラインL1~Lxを1ラインずつシフトさせながらオン電圧を順次印加しているためであるとも考えられる。そのため、放射線画像p上で線欠陥が連続して現れないようにするための別の処理として、例えば、上記のように、走査線5の各ラインL1~Lxを1ラインずつシフトさせながらオン電圧を順次印加して各放射線検出素子7のリセット処理を行う代わりに、走査駆動手段15から走査線5の各ラインL1~Lxに順次オン電圧を印加する際、直前のリセット処理の際にオン電圧を印加した走査線5に隣接する走査線5以外の走査線5にオン電圧を印加するようにして、各放射線検出素子7のリセット処理を行うように構成することが可能である。具体的には、例えば図35に示すように、オン電圧を印加してリセット処理を行う走査線5のラインが、その直前にオン電圧を印加してリセット処理を行った走査線5のラインに隣接するラインにならないようにして、各放射線検出素子7のリセット処理を行う。このように構成すれば、上記と同様に、例えば、実際には4回目のリークデータ読み出し処理が行われた時点で放射線の照射が開始されたにもかかわらず、5回目のリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータDleakに基づいて放射線の照射の開始が検出された場合、4回目のリークデータ読み出し処理の直前にリセット処理が行われた走査線5のラインL5に接続されている各放射線検出素子7からの画像データdだけでなく、5回目のリークデータ読み出し処理の直前にリセット処理が行われた走査線5のラインL3に接続されている各放射線検出素子7からの画像データdも無効とされる。このように、この場合には、走査線5のラインL3とラインL5にそれぞれ接続されている各放射線検出素子7から読み出された画像データdが無効とされるため、図示は省略するが、放射線画像p上の線欠陥が連続して現れない状態とすることが可能となる。なお、放射線画像p上で線欠陥が連続して現れないとしても、図35に示した例では、放射線画像p上で線欠陥が近接した位置に現れてしまうため、必ずしも好ましくない。そのため、実際的には、オン電圧を印加してリセット処理を行った走査線5のラインLと、その直後にオン電圧を印加する走査線5のラインLとの間隔を大きく開けるように構成することが好ましい。そこで、例えば、前述した走査駆動手段15が、ゲートドライバ15bを構成する各ゲートIC12a図6参照の例えば128個の端子にそれぞれ走査線5が接続されて構成されているような場合、まず、第1のゲートIC12aの1番目の端子に接続されている走査線5にオン電圧を印加して各放射線検出素子7のリセット処理を行い、次のリセット処理では第2のゲートIC12aの1番目の端子に接続されている走査線5にオン電圧を印加してリセット処理を行う。このようにして、各ゲートIC12aの1番目の端子に接続されている走査線5にオン電圧を順次印加してリセット処理を行った後、続いて、同様にして、各ゲートIC12aの2番目、3番目、...の各端子に接続されている走査線5にオン電圧を順次印加してリセット処理を行うようにして各放射線検出素子7のリセット処理を行うように構成することが可能である。なお、上記の処理1と処理2とを組み合わせて行うように構成することも可能である。[複数の走査線に同時にオン電圧を印加する処理について]また、上記の各例では、周期的に行われるリークデータ読み出し処理の際の各放射線検出素子7のリセット処理や各放射線検出素子7からの画像データ読み出し処理を、走査駆動手段15から走査線5の各ラインL1~Lxに順次オン電圧を印加して行う場合について説明したが、走査線5の複数のラインLに同時にオン電圧を印加して、各放射線検出素子7のリセット処理や各放射線検出素子7からの画像データ読み出し処理を行うように構成することも可能である。例えば、上記のように、走査駆動手段15のゲートドライバ15bを構成する各ゲートIC12aの各端子にそれぞれ128本の走査線5が接続されているような場合、図36に示すように、各ゲートIC12aの1番目の端子に接続されている各走査線5に同時にオン電圧を印加して各放射線検出素子7のリセット処理等を行い、次のリセット処理では、各ゲートIC12aの2番目の端子に接続されている各走査線5に同時にオン電圧を印加してリセット処理等を行うように構成される。その際、上記のように放射線画像p上の線欠陥が連続して現れないようにするために、同時にオン電圧が印加される走査線5の複数のラインLは、検出部P上で隣接しない複数の走査線5とされる。このように構成すれば、各走査線5にオン電圧を印加する周期が早くなり、各走査線5に接続されている各放射線検出素子7内に蓄積される暗電荷等の余分な電荷をより少なくすることが可能となる。なお、図36では、各ゲートIC12aごとに、図31に示したように、走査線5の各ラインL1~Lxを1ラインずつシフトさせながらオン電圧を順次印加して各放射線検出素子7のリセット処理等を行う場合を示したが、図35に示したように、相前後してオン電圧を印加する走査線5の各ラインL1~Lxが隣接する走査線同士にならないようにして、オン電圧を順次印加して各放射線検出素子7のリセット処理等を行うように構成することも可能である。また、上記の処理1のように、リークデータ読み出し処理の際に制御手段22から相関二重サンプリング回路19にパルス信号Sp1、Sp2をそれぞれ送信する時間間隔を長くすることも可能であり、適宜の処理の仕方と組み合わせて実施される。[放射線の照射開始の検出後の処理について]次に、上記のようにして制御手段22が周期的に繰り返し行われるリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータDleakに基づいて、すなわちリークデータDleakが閾値Dthを越えたと判断して、放射線の照射が開始されたことを検出した後の各処理について説明する。なお、以下では、放射線画像撮影前の処理として、図31に示したような処理を行う場合について説明するが、上記の各手法や各処理を行うことが可能であることは言うまでもない。[電荷蓄積モードへの移行および電荷蓄積モードにおける処理]制御手段22は、上記のようにして放射線の照射が開始されたことを検出すると、走査駆動手段15から走査線5の全てのラインL1~Lxにオフ電圧を印加して、各TFT8をオフ状態とした状態を維持して電荷蓄積モードに移行する。この電荷蓄積モードとは、放射線の照射により各放射線検出素子7内で発生する電荷を各放射線検出素子7内に蓄積させるモードのことである。そして、電荷蓄積モードにおいては、図37に示すように、通常の放射線画像撮影の場合と同様に、読み出し回路17による読み出し動作を停止させ、増幅回路18の電荷リセット用スイッチ18cをオン状態とした状態で、予め設定された所定時間待機するように構成することが可能である。一方、図38に示すように、制御手段22が上記のようにして放射線の照射が開始されたことを検出した後、走査駆動手段15から走査線5の全てのラインL1~Lxにオフ電圧を印加して電荷蓄積モードに移行するが、その際、読み出し回路17に周期的に読み出し動作を行わせてリークデータ読み出し処理を繰り返し行わせ、読み出したリークデータDleakの監視を続行するように構成することも可能である。なお、電荷蓄積モードで各放射線検出素子7のリセット処理や各放射線検出素子7からの画像データ読み出し処理を行うと、放射線の照射により各放射線検出素子7内で発生した有用な電荷が失われてしまうため、図38に示すように、放射線の照射開始検出後のリークデータ読み出し処理の際には、各放射線検出素子7のリセット処理や各放射線検出素子7からの画像データ読み出し処理は行わない。このように構成すると、図39に示すように、時刻t1すなわち図38に示した4回目のリークデータ読み出し処理。図15に示した時刻t1と同じで読み出されたリークデータDleakが閾値Dthを越えたことで放射線の照射の開始が検出され、電荷蓄積モードに移行した後、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されている間は、放射線の照射開始検出後のリークデータ読み出し処理ごとに読み出されるリークデータDleak前述したように正確にはリークデータ読み出し処理ごとに各読み出し回路17で読み出された各リークデータDleakの中の最大値Dleakmax等は、閾値Dthを越えた高い値になる。そして、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射が終了した後、最初に行われるリーク読み出し処理図38のα参照で読み出されたリークデータDleakは、放射線の照射が終了したことにより各TFT8内を流れるリーク電流の量が元の暗時の量に戻るため、当該α回目のリークデータ読み出し処理が行われた時刻t2に、閾値Dth以下の値に低下する。そのため、放射線の照射開始を検出して電荷蓄積モードに移行した後も周期的にリークデータ読み出し処理を繰り返し行わせ、読み出したリークデータDleakを監視するように構成することで、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射の終了を検出することが可能となる。そして、この場合、制御手段22は、読み出されたリークデータDleakが閾値Dth以下になった時点で放射線の照射が終了したと判断して、放射線の照射の終了を検出するように構成される。このように構成すれば、図38に示したように、放射線の照射の終了を検出すると、すぐに画像データ読み出し処理を開始することが可能となり、画像データ読み出し処理以降の処理を迅速に行うことが可能となる。特に、放射線画像撮影装置1を用いた放射線画像撮影では、外部のコンピュータ等で画像データdに対して本格的な画像処理を行って診断用放射線画像を生成する前に、プレビュー画像を作成して表示し、放射線技師等がそのプレビュー画像を見て、被写体が放射線画像上に撮影されているか否かや被写体が放射線画像上の適切な位置に撮影されているか否か等を確認するように構成される場合が多い。その場合には、再撮影の要否を迅速に判定し、再撮影が必要であれば速やかに再撮影を行うようにすることで被写体となる被験者にかかる負担を軽減することが可能となるが、上記のように、放射線の照射の終了後、速やかに画像データ読み出し処理を開始することが可能となることで、プレビュー画像を速やかに表示することが可能となり、放射線技師等が迅速に再撮影の要否を判定することが可能となるといった利点がある。また、図37に示したように、放射線の照射開始後の電荷蓄積モードにおいて、通常の放射線画像撮影の場合と同様に、読み出し回路17による読み出し動作を停止させて所定時間待機するように構成すれば、電荷蓄積モードでリークデータ読み出し処理を行わずに済み、放射線画像撮影装置1の電力消費を抑制することが可能となるといった利点がある。また、走査線5の全てのラインL1~Lxにオフ電圧を印加し、各読み出し回路17の差動を停止させるだけなので、制御構成が簡単になるといった利点もある。なお、図39では、時刻t2で放射線の照射の終了を検出した後もリークデータ読み出し処理を引き続き行ってリークデータDleakを読み出す場合が示されているが、これはあくまで放射線の照射に伴ってリークデータDleakがどのように変化するかを示すための実験例であり、実際には、時刻t2で放射線の照射の終了を検出すると、リークデータ読み出し処理を停止し、すぐに画像データ読み出し処理が開始される。[画像データ読み出し処理について]図37に示した場合には所定時間が経過した時点で、また、図38に示した場合には放射線の照射の終了を検出した時点で、制御手段22は、図37や図38に示したように、続いて、走査駆動手段15から走査線5の各ラインL1~Lxにオン電圧を順次印加させ、読み出し回路17に順次読み出し動作を行わせて、各放射線検出素子7からそれぞれ画像データdを読み出す画像データ読み出し処理を行わせる。画像データ読み出し処理では、図10や図11に示したように走査駆動手段15や読み出し回路17等が作動して、読み出された画像データdが記憶手段40図7等参照に順次保存される。なお、図37や図38では、画像データ読み出し処理において、放射線画像撮影前のリークデータ読み出し処理の際に最後にオン電圧が印加されて各放射線検出素子7のリセット処理が行われた走査線5のラインL4の次のラインL5から順次画像データdを読み出し、走査線5の最終ラインLxの読み出し処理を終えた後、走査線5の最初のラインL1に戻ってラインL4まで読み出し処理を行う場合が示されているが、画像データ読み出し処理では、例えば走査線5の最初のラインL1から順次画像データdの読み出し処理を行うように構成することも可能である。[放射線の照射開始の誤検出防止について]ここで、放射線の照射開始の誤検出を防止する処理について説明する。例えば、上記のように、ある時刻t1にリークデータDleakの値が大きくなって閾値Dthを越えたとしても、瞬間的に大きなノイズが乗る等して何らかの原因でたまたまリークデータDleakが大きくなったような場合もあり得る。このような場合、図38に示した場合には、図40に示すように、電荷蓄積モードに移行した次のリークデータ読み出し処理で読み出されるリークデータDleakは元の閾値Dth以下の値に戻るため、即座に画像データ読み出し処理が開始されてしまう。また、図37に示した場合には、時刻t1から所定時間が経過した後、自動的に画像データ読み出し処理を開始してしまう。しかし、このように画像データ読み出し処理を行っても、各放射線検出素子7からは被写体に関する何の情報も担持されていない電荷すなわち暗電荷等の無用な電荷が画像データdとして読み出されるだけであり、無駄な処理が行われることになる。また、このような無駄な画像データ読み出し処理を行っている間に、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されて放射線画像撮影が行われると、放射線の照射により各放射線検出素子7内で発生した有用な電荷が各放射線検出素子7内に蓄積されるべきであるにもかかわらず、画像データ読み出し処理で異常な状態で読み出されてしまうため、有効な画像データdを得ることができなくなる。そして、再撮影が必要となり、被写体となる被験者が受ける被曝線量が増大し、被験者に負担をかけることになる。そこで、このような事態が生じることを防止し、放射線の照射開始の誤検出を防止するために、例えば図38に示したように、放射線の照射開始を検出して電荷蓄積モードに移行した後も周期的にリークデータ読み出し処理を繰り返し行わせてリークデータDleakを監視するように構成されている場合、読み出されたリークデータDleakが閾値Dthを越えて放射線の照射が開始されたことを検出したリークデータ読み出し処理の直後のリークデータ読み出し処理で、読み出されたリークデータDleakが閾値Dth以下になった場合には、電荷蓄積モードへの移行を解除して、放射線画像撮影前の状態に戻すように構成することが可能である。すなわち、図40に示したような状態になった場合には、放射線の照射が開始されたことは検出されなかったとして、電荷蓄積モードへの移行を解除して、前述した放射線画像撮影前の状態、すなわち周期的にリークデータ読み出し処理を繰り返しながら放射線の照射開始を待つ状態に戻す。このように構成すれば、瞬間的に大きなノイズが乗る等して何らかの原因でたまたまリークデータDleakが大きくなり、閾値Dthを越えたため、放射線の照射が開始されたと誤検出した場合であっても、放射線の照射開始が誤検出であると的確に判断して、周期的にリークデータ読み出し処理を繰り返しながら放射線の照射開始を待つ状態に戻すことが可能となる。なお、図37に示した場合には、上記の構成のままであると、放射線の照射開始を誤検出すると自動的に電荷蓄積モードに移行してしまうため、図38に示した場合のように、放射線の照射開始を検出した後もリークデータ読み出し処理を続行し、読み出されたリークデータDleakが閾値Dthを越える状態が所定回数続き、放射線の照射開始が誤検出でないことを確認した段階で、リークデータ読み出し処理を停止し、所定時間待機するように構成することが可能である。この場合も、読み出されたリークデータDleakが閾値Dthを越えて放射線の照射が開始されたことを検出したリークデータ読み出し処理の直後のリークデータ読み出し処理で、読み出されたリークデータDleakが閾値Dth以下になった場合には、電荷蓄積モードへの移行を解除して、放射線画像撮影前の状態に戻すように構成される。そして、このように構成することで、上記と同様の効果を得ることが可能となる。また、図38に示した場合や図37に示した場合の上記の変形例のいずれの場合にも当てはまることであるが、実際に放射線画像撮影装置1に放射線が照射されて時刻t1でリークデータDleakが閾値Dthを越えたにもかかわらず、その次のリークデータ読み出し処理で、例えば大きな負のノイズが乗るなど何らかの原因でリークデータDleakが閾値Dth以下になった場合には、上記の構成のままであると、電荷蓄積モードへの移行が解除されて放射線画像撮影前の状態に戻ってしまう。そして、リークデータ読み出し処理の間に各放射線検出素子7のリセット処理や各放射線検出素子7からの画像データ読み出し処理が行われ、その間も照射されている放射線の照射により各放射線検出素子7内で発生した有用な電荷が失われてしまう虞れがある。そこで、例えば、図40に示したように、リークデータDleakが閾値Dthを越えた放射線の照射開始を検出した後、次のリークデータ読み出し処理で閾値Dth以下の値に低下した場合に、即座に電荷蓄積モードへの移行を解除するのではなく、続けてリークデータ読み出し処理を行い、読み出されたリークデータDleakが閾値Dth以下の値になる処理が、2回以上の適宜の回数に設定された所定回数繰り返された場合に、電荷蓄積モードへの移行を解除して放射線画像撮影前の状態に戻すように構成することが可能である。また、1回のリークデータ読み出し処理に要する時間と放射線の照射時間との関係から考えて、リークデータDleakが閾値Dthを越えた状態が複数回のリークデータ読み出し処理で連続して生じたが、放射線の照射時間よりも十分に短く、放射線の照射ではないと判断される時間内にリークデータDleakが元の閾値Dth以下の値に戻ったような場合に、放射線の照射開始を誤検出したとして、電荷蓄積モードへの移行を解除して、放射線画像撮影前の状態に戻すように構成することも可能である。このように、放射線の照射が開始されたことを検出した後も、リークデータ読み出し処理を行わせるように構成し、放射線の照射が開始されたことを検出したリークデータ読み出し処理後のリークデータ読み出し処理で、読み出されたリークデータDleakが、明らかに放射線の照射ではないと判断できるような時間内にすなわち放射線の照射開始を検出したリークデータ読み出し処理直後のリークデータ読み出し処理を含む所定回数のリークデータ読み出し処理で閾値Dth以下になった場合に、電荷蓄積モードへの移行を解除して、放射線画像撮影前の状態に戻すように構成することで、放射線の照射開始の誤検出を的確に防止することが可能となる。以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1によれば、通常の放射線画像撮影装置に設けられている読み出し回路17を用い、スイッチ手段であるTFT8を介して放射線検出素子7からリークする電荷qをリークデータDleakとして読み出し、そのリークデータDleakが増加したことに基づいて放射線の照射が開始されたことを検出する。そのため、放射線発生装置とのインターフェースを構築しなくても、放射線の照射に起因して内部を流れるリーク電流が増加するTFT8の特性を利用して、放射線画像撮影装置1自体で少なくとも放射線の照射が開始されたことを的確に検出することが可能となる。また、それとともに、電流検出手段等の新たな手段を装置に設けなくても、放射線画像撮影装置1自体で少なくとも放射線の照射が開始されたことを的確に検出することが可能となるため、電流検出手段等の新たな手段等で電力が余計に消費されたり、新たな手段で発生したノイズが、各放射線検出素子7から読み出される画像データdに重畳されることがなく、画像データdに基づいて生成される放射線画像の画質を良好なものとすることが可能となる。[第2の実施の形態]以上の第1の実施形態では、上記のように、放射線画像撮影前のリークデータ読み出し処理その間に行われる各放射線検出素子7のリセット処理や各放射線検出素子7からの画像データ読み出し処理を含む。や、放射線画像撮影時の電荷蓄積モード、放射線画像撮影後の画像データ読み出し処理までの各処理について説明した。第2の実施形態では、通常の放射線画像撮影装置で画像データ読み出し処理後に行われる、オフセット補正値Oを取得するための処理について説明する。オフセット補正値Oはダーク読取値とも呼ばれ、電荷蓄積モードに移行して各TFT8がオフ状態とされていた間に、放射線の照射により各放射線検出素子7内で発生して蓄積される電荷とは別に、放射線検出素子7自体の熱温度による熱励起等によって発生した暗電荷等が各放射線検出素子7内に蓄積された、画像データdのオフセット分に相当する。このように、このオフセット補正値Oは、放射線画像撮影後の画像データ読み出し処理で読み出された画像データdに含まれた状態で読み出される。そのため、通常、放射線画像撮影の前または後に、放射線画像撮影装置1に放射線を照射せず、各TFT8をオフ状態とした状態で放射線画像撮影装置1を放置した後、画像データ読み出し処理と同様にして各放射線検出素子7から蓄積された暗電荷等を読み出すことで各放射線検出素子7ごとにオフセット補正値Oを取得し、外部のコンピュータ等で行われる放射線画像の生成処理で、各画像データdからそれぞれオフセット補正値Oを減算して、放射線の照射により発生した電荷のみに由来する真の画像データdを算出し、この真の画像データdに基づいて放射線画像が生成される。従って、このオフセット補正値Oを的確に取得することができないと、各画像データdからオフセット補正値Oを減算して得られる真の画像データdが正常な値ではなくなり、それに基づいて生成される放射線画像が異常なものとなったり、画質が劣化したものとなってしまう。そこで、本実施形態では、放射線画像撮影装置1でオフセット補正値Oを的確に取得するための処理について説明する。なお、本実施形態では、オフセット補正値Oを放射線画像撮影後に取得する場合について説明する。また、上記のように、各放射線検出素子7からオフセット補正値Oを読み出す処理は、図10や図11に示した画像データ読み出し処理と同様にして行われるが、以下、それと区別して、オフセット補正値読み出し処理という。ここで、オフセット補正値Oを取得する際の前提となる事項について説明する。[前提1]オフセット補正値Oは、上記のように、各TFT8がオフ状態とされていた間に放射線検出素子7内で発生して蓄積された電荷暗電荷に相当するものであるが、より正確に言えば、本実施形態や第1の実施形態では、放射線画像撮影前のリークデータ読み出し処理の際の各放射線検出素子7のリセット処理或いは各放射線検出素子7からの画像データ読み出し処理。以下同じ。で走査線5のあるラインLnに印加したオン電圧をオフ電圧に切り替えてから、放射線画像撮影後の画像データ読み出し処理で走査線5の当該ラインLnに印加したオン電圧をオフ電圧に切り替えるまでの間に、放射線検出素子7内で発生して蓄積された電荷に相当するものである。なお、以下では、上記の走査線5のあるラインLnに印加したオン電圧をオフ電圧に切り替えてから放射線画像撮影後の画像データ読み出し処理で走査線5の当該ラインLnに印加したオン電圧をオフ電圧に切り替えるまでの間の時間間隔を、TFT8のオフ時間という。また、このTFT8のオフ時間は、走査線5のラインL1~L4では、後述する図41等におけるT1~T4で表される時間間隔である。[前提2]一方、第1の実施形態で示したように、放射線画像撮影前のリークデータ読み出し処理の間に各放射線検出素子7のリセット処理や各放射線検出素子7からの画像データ読み出し処理を行う場合図37、図38参照や、リークデータ読み出し処理の際に相関二重サンプリング回路19へのパルス信号Sp1、Sp2の各送信の時間間隔を長くする場合図29参照等には、TFT8のオフ時間は、図41等にT1、T2、T3、T4で示すように、走査線5の各ラインL1~Lxごとにそれぞれ異なる時間間隔になる。なお、図41等では、図38に示した処理の場合が示されており、以下の説明においても図38に示した処理の場合について説明するが、図37や図29等に示した処理の場合についても同様に説明されることは言うまでもない。また、以下の場合も、図37や図38に示した処理の場合と同様に、実際には走査線5の各ラインL1~Lxにオン電圧やオフ電圧をそれぞれ印加して各処理が行われるが、以下の説明では、走査線5の全ラインL1~Lxを記載すると図が見づらくなる。そのため、以下では、図を見易くするため、図41に示すように走査線のラインL1~L4に対してオン電圧やオフ電圧をそれぞれ印加して各処理を行うものとして説明する。[前提3]本発明者らが行った実験では、オフセット補正値Oは、TFT8のオフ時間には必ずしも線形にすなわち比例して増加するものではないことが分かっている。これは、上記のように放射線を照射しない状態で放射線画像撮影装置1を放置した場合に各放射線検出素子7内で発生する暗電荷の発生速度が時間変化に対して非線形であるためと考えられる。なお、オフセット補正値Oは、TFT8のオフ時間が同じであれば、同じ値になる。以上の各事項を前提として、オフセット補正値Oを取得するための処理を、以下の各構成例のようにして構成することが可能である。[オフセット補正値Oを取得するための処理][構成例1]上記の前提3で述べたように、オフセット補正値Oは、TFT8のオフ時間に比例する形では増加しないが、TFT8のオフ時間が同じであれば同じ値になる。そこで、例えば、以下のようにして、走査線5の各ラインLごとのTFT8のオフ時間を、画像データ読み出し処理とオフセット補正値読み出し処理とで同じオフ時間になるように構成することができる。すなわち、図41に示したように、放射線画像撮影前のリークデータ読み出し処理および各放射線検出素子7のリセット処理、電荷蓄積モードへの移行、および放射線画像撮影後の各放射線検出素子7からの画像データ読み出し処理を行った後、図42に示すように、それらの各処理と同じタイミングで走査駆動手段15から走査線5の各ラインL1~Lxに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替え、読み出し回路17に順次読み出し動作を行わせて、リークデータ読み出し処理および各放射線検出素子7のリセット処理、電荷蓄積モードへの移行ただし放射線は照射されない。、およびオフセット補正値読み出し処理を行う。つまり、簡単に言えば、画像データdを読み出す際の処理シーケンスすなわちリークデータ読み出し処理等、電荷蓄積モードへの移行、および画像データ読み出し処理と同じ処理シーケンスを画像データ読み出し処理後に繰り返して、オフセット補正値Oを読み出す。このように構成すれば、画像データdを読み出す際の処理シーケンスと同じ処理シーケンスでオフセット補正値Oが読み出されるため、上記のように、走査線の各ラインL1~L4実際には走査線5の各ラインL1~Lx。以下同じ。ごとのTFT8のオフ時間T1~T4同士が互いに異なる場合であっても、走査線の各ラインL1~L4ごとに見た場合には、画像データdを読み出す際のTFT8のオフ時間と、その後のオフセット補正値Oを読み出す際のTFT8のオフ時間とが同じ時間間隔になる。そのため、オフセット補正値O自体は走査線5の各ラインL1~L4ごとにそれぞれ異なる値になるとしても、走査線の各ラインL1~L4ごとに見た場合には、画像データ読み出し処理で読み出された画像データdに含まれるオフセット分と、オフセット補正値読み出し処理で読み出されたオフセット補正値Oとが同じ値になる。そして、各放射線検出素子7ごとに見た場合も、画像データ読み出し処理で放射線検出素子7から読み出された画像データdに含まれるオフセット分と、その後のオフセット補正値読み出し処理で当該放射線検出素子7から読み出されたオフセット補正値Oとが同じ値になる。従って、放射線画像の生成処理の際に、画像データ読み出し処理で読み出された各画像データdから、オフセット補正値読み出し処理で読み出されたオフセット補正値Oを減算することで、放射線の照射により発生した電荷のみに由来する真の画像データdを各放射線検出素子7ごとに的確に算出することが可能となる。そして、この真の画像データdに基づいて放射線画像を的確に生成することが可能となる。このように構成する場合、放射線画像撮影装置1の制御手段22は、画像データ読み出し処理で各放射線検出素子7から読み出された画像データdを記憶手段40図7等参照に順次保存させた後、続けて他の撮影を行わない場合には、自動的に同じ処理シーケンスを繰り返してオフセット補正値読み出し処理を行い、読み出されたオフセット補正値Oを記憶手段40に順次保存させる。そして、適宜のタイミングで各画像データdと各オフセット補正値Oとを記憶手段40から順次読み出して、それらのデータをアンテナ装置39図1、図7等参照等を介して画像処理を行う外部のコンピュータ等に送信するように構成される。なお、図41や図42では、走査線5の最終ラインL4にオン電圧が印加されて各放射線検出素子8のリセット処理が行われた直後のリークデータ読み出し処理図41における4すなわち4回目のリーク読み出し処理で読み出されたリークデータDleakに基づいて放射線の照射の開始が検出され、画像データ読み出し処理では、走査線5の最初のラインL1から画像データdの読み出し処理が行われる場合について示した。ここで、図43に示すように、例えば、走査線5の途中のラインL2にオン電圧が印加されて各放射線検出素子8のリセット処理が行われた直後のリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータDleakに基づいて放射線の照射の開始が検出された場合には、前述したように、画像データ読み出し処理では、走査線5の次のラインL3から画像データdの読み出し処理を行うように構成することができる。なお、これは、図38に示した場合と同様に処理を行う場合である。この場合、この[構成例1]では、図44に示すように、放射線画像撮影後の各放射線検出素子7からの画像データ読み出し処理を行った後、放射線画像撮影後の各放射線検出素子7からの画像データ読み出し処理までの各処理と同じタイミングで走査駆動手段15から走査線5の各ラインL1~Lxに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替え、読み出し回路17に順次読み出し動作を行わせて、リークデータ読み出し処理および各放射線検出素子7のリセット処理、電荷蓄積モードへの移行ただし放射線は照射されない。、およびオフセット補正値読み出し処理を行う。また、前述したように、この場合、図45に示すように、例えば、走査線5の途中のラインL2にオン電圧が印加されて各放射線検出素子8のリセット処理が行われた直後のリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータDleakに基づいて放射線の照射の開始が検出された場合でも、画像データ読み出し処理では、走査線5の最初のラインL1から画像データdの読み出し処理を行うように構成することも可能である。この場合、TFT8のオフ時間T1~T4は、走査線5のラインL1~L4ごとに比較的大きく異なる値になり、特に、検出部P上で隣接する走査線5のラインL2、L3同士のTFT8のオフ時間T2、T3は大きく異なるようになる。しかし、この場合も、図46に示すように、放射線画像撮影後の各放射線検出素子7からの画像データ読み出し処理を行った後、放射線画像撮影後の各放射線検出素子7からの画像データ読み出し処理までの各処理と同じタイミングで走査駆動手段15から走査線5の各ラインL1~Lxに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替え、読み出し回路17に順次読み出し動作を行わせて、リークデータ読み出し処理および各放射線検出素子7のリセット処理、電荷蓄積モードへの移行ただし放射線は照射されない。、およびオフセット補正値読み出し処理を行う。このように、図43に示したように構成しても、図45に示したように構成しても、図44や図46に示したように画像データ読み出し処理後の各処理を行うように構成することで、走査線の各ラインL1~L4実際には走査線5の各ラインL1~Lx。以下同じ。ごとのTFT8のオフ時間T1~T4同士が互いに異なる場合であっても、走査線の各ラインL1~L4ごとに見た場合には、画像データdを読み出す際のTFT8のオフ時間と、その後のオフセット補正値Oを読み出す際のTFT8のオフ時間とが同じ時間間隔になる。そのため、走査線の各ラインL1~L4ごとに見た場合には、画像データ読み出し処理で読み出された画像データdに含まれるオフセット分と、オフセット補正値読み出し処理で読み出されたオフセット補正値Oとが同じ値になり、各放射線検出素子7ごとに見た場合も、画像データ読み出し処理で放射線検出素子7から読み出された画像データdに含まれるオフセット分と、その後のオフセット補正値読み出し処理で当該放射線検出素子7から読み出されたオフセット補正値Oとが同じ値になる。従って、放射線画像の生成処理の際に、画像データ読み出し処理で読み出された各画像データdから、オフセット補正値読み出し処理で読み出されたオフセット補正値Oを減算することで、放射線の照射により発生した電荷のみに由来する真の画像データdを各放射線検出素子7ごとに的確に算出することが可能となる。そして、この真の画像データdに基づいて放射線画像を的確に生成することが可能となる。なお、下記の[構成例2]や[構成例3]においても、図43や図45に示したように構成することが可能であり、そのように構成する場合も、以下に述べる作用効果と同様の作用効果を得ることが可能である。そのため、下記の[構成例2]や[構成例3]においては、図43や図45に示したように構成した場合の説明は省略する。[構成例2]また、電荷リセット用スイッチ18cやパルス信号Spの図示を省略するが、例えば、図47に概略的に示すように、画像データ読み出し処理が終了した後、放射線が照射されない状態で、走査線5の各ラインL1~L4ごとに、画像データ読み出し処理で走査線5に印加したオン電圧をオフ電圧に切り替えてからオフセット補正値読み出し処理で走査線5に印加したオン電圧をオフ電圧に切り替えるまでのTFT8のオフ時間が、図41に示したTFT8のオフ時間T1~T4とそれぞれ同じになるようなタイミングでオフセット補正値読み出し処理を行うように構成することが可能である。すなわち、簡単に言えば、走査線5の各ラインL1~L4ごとに、放射線画像撮影前の各放射線検出素子7のリセット処理から画像データ読み出し処理までの時間間隔すなわちTFT8のオフ時間T1~T4と、画像データ読み出し処理からオフセット補正値読み出し処理までの時間間隔オフ時間が同じになるように、それぞれオフセット補正値読み出し処理を行う。また、図48に概略的に示すように、画像データ読み出し処理が終了した後で各放射線検出素子7のリセット処理を行い、その後、この各放射線検出素子7のリセット処理からオフセット補正値読み出し処理までの時間間隔が、放射線画像撮影前の各放射線検出素子7のリセット処理から画像データ読み出し処理までの時間間隔と同じになるように、それぞれオフセット補正値読み出し処理を行うように構成することも可能である。このように構成すれば、画像データ読み出す処理の際のTFT8のオフ時間T1~T4と、オフセット補正値読み出し処理の際のTFT8のオフ時間T1~T4とが同じ時間間隔になるため、上記と同様に、各放射線検出素子7ごとに、画像データ読み出し処理で読み出された画像データdに含まれるオフセット分と、オフセット補正値読み出し処理で読み出されたオフセット補正値Oとが同じ値になる。そのため、放射線画像の生成処理の際に、画像データ読み出し処理で読み出された各画像データdから、オフセット補正値読み出し処理で読み出されたオフセット補正値Oを減算することで、放射線の照射により発生した電荷のみに由来する真の画像データdを各放射線検出素子7ごとに的確に算出することが可能となる。そして、この真の画像データdに基づいて放射線画像を的確に生成することが可能となる。[構成例3]一方、図49に示すように、画像データ読み出し処理を終了した後、すぐに、或いは所定時間経過後に、放射線が照射されない状態で、画像データ読み出し処理と同じタイミングで走査駆動手段15から走査線5の各ラインL1~L4にオン電圧を順次印加させてオフセット補正値読み出し処理を行うように構成することも可能である。なお、図48に示した場合と同様に、画像データ読み出し処理が終了した後で一旦各放射線検出素子7のリセット処理を行い、その後、オフセット補正値読み出し処理を行うように構成することも可能である。この場合、画像データ読み出し処理からオフセット補正値読み出し処理までの時間間隔すなわちTFT8のオフ時間が、走査線5の全てのラインL1~L4で同じ時間間隔Taになる。しかし、この場合、放射線画像撮影前のリークデータ読み出し処理時のリセット処理から画像データ読み出し処理までの走査線5の各ラインL1~L4ごとのTFT8のオフ時間T1~T4と、画像データ読み出し処理からオフセット補正値読み出し処理までの時間間隔Taとは同じ時間間隔にならないため、走査線の各ラインL1~L4ごとに見た場合、画像データ読み出し処理で読み出された画像データdに含まれるオフセット分と、オフセット補正値読み出し処理で読み出されたオフセット補正値Oとが同じ値にならない。そのため、画像データ読み出し処理で読み出された各画像データdから、オフセット補正値読み出し処理で読み出されたオフセット補正値Oを減算しても、真の画像データdを的確に算出することができない。すなわち、本来の真の画像データdとは異なる値になってしまう。そこで、この構成例3の場合には、予め図50に示すようなTFT8のオフ時間Tと基準となるオフセット補正値Oとの関係を表すテーブルや関係式を実験的に求めておき、そのテーブルや関係式を、放射線画像撮影装置1から送信されてきた画像データdやオフセット補正値Oに基づいて画像処理を行う外部のコンピュータ等に予め保持させておく。なお、この場合、実験は、例えば、放射線画像撮影装置1の読み出し回路17を含む各機能部に長時間通電する等して、各機能部や基板4等の温度等が安定した状態で行われる。そして、例えば、画像データ読み出し処理で走査線5のラインL1に接続されている各放射線検出素子7から読み出された画像データdに含まれるオフセット分以下、オフセット分O1と表す。を算出する場合には、コンピュータ等は、まず、上記のテーブルを参照し、或いは上記の関係式に従って、オフ時間T1に対応する基準となるオフセット補正値O1図50参照を読み出し、或いは算出する。しかし、図50に示したテーブルや関係式を求める際の読み出し回路17の温度等の撮影条件と、実際に放射線画像撮影が行われた撮影条件とが異なるため、このように読み出され或いは算出された基準となるオフセット補正値O1を、そのまま上記のオフセット分O1として用いることができない。そのため、例えば、上記のテーブルや関係式に基づいて、オフ時間Taにおける基準となるオフセット補正値Oa図50参照を求め、基準となるオフセット補正値O1と上記のオフセット分O1との比が、基準となるオフセット補正値Oaとオフセット補正値読み出し処理で読み出されたオフセット補正値Oとの比に等しい、すなわち、O1:O1=Oa:O...1が成り立つことを利用して、下記1式から導出される下記2式に従って、読み出されたオフセット補正値Oから上記のオフセット分O1を算出する。O1=O×O1/Oa...2そして、画像データ読み出し処理で読み出された各画像データdから、上記2式に従って算出したオフセット分O1を減算することで、放射線の照射により発生した電荷のみに由来する真の画像データdを各放射線検出素子7ごとに的確に算出することが可能となる。また、走査線5のラインL2~L4についても同様にして処理を行い、画像データ読み出し処理で走査線5のラインL2~L4に接続されている各放射線検出素子7から読み出された画像データdに含まれるオフセット分すなわちオフセット分O2~O4を算出し、画像データ読み出し処理で読み出された各画像データdから、算出したオフセット分O2~O4をそれぞれ減算することで、放射線の照射により発生した電荷のみに由来する真の画像データdを各放射線検出素子7ごとに的確に算出することが可能となる。そして、上記のように構成することで、構成例3の場合においても、算出した真の画像データdに基づいて放射線画像を的確に生成することが可能となる。なお、上記の各構成例では、画像データ読み出し処理後に、オフセット補正値読み出し処理を含むオフセット補正値Oを取得するための処理をそれぞれ1回だけ行う場合について説明したが、例えば、オフセット補正値Oを取得するための処理を複数回行うように構成し、各処理で得られた各オフセット補正値Oを、放射線検出素子7ごとに平均し、その平均値を各放射線検出素子7ごとのオフセット補正値Oとして用いるように構成することも可能である。[第3の実施形態]上記の第2の実施形態では、各TFT8をオフ状態としている間に各放射線検出素子7内で発生し蓄積される、放射線検出素子7自体の熱温度による熱励起等によって発生した暗電荷等に起因するオフセット補正値Oを取得する場合の種々の構成例について説明した。そして、本発明に係る放射線画像撮影装置1では、上記のように、放射線画像撮影前、すなわち放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射が開始される前に、図12に示したように、画像データ読み出し処理の場合図10参照と同じオン/オフ動作のタイミングで読み出し回路17や走査駆動手段15等を駆動してリークデータ読み出し処理を行い、或いは、図29に示したように、制御手段22から相関二重サンプリング回路19にパルス信号Sp1、Sp2をそれぞれ送信する時間間隔を画像データ読み出し処理の場合よりも長い時間間隔になるように送信してリークデータ読み出し処理を行う。また、図19や図20、図29等に示したように、放射線画像撮影前にリークデータ読み出し処理を周期的に繰り返して行う際に、リークデータ読み出し処理と次のリークデータ読み出し処理との間で、各放射線検出素子7のリセット処理や各放射線検出素子7からの画像データdの読み出し処理を行わせる。一方、上記の各実施形態では、放射線画像撮影後の画像データ読み出し処理では、通常の場合の画像データ読み出し処理と同様のタイミングで読み出し処理が行われる。そして、走査線5のラインLnにオン電圧を印加してリセット処理等を行った次のリークデータ読み出し処理で放射線の照射開始を検出した場合、放射線画像撮影後の画像データ読み出し処理では、次のラインLn1から順次オン電圧を印加して各放射線検出素子7からの画像データdの読み出し処理が行われ図37、図38、図43等参照、或いは、走査線5の最初のラインL1から順次オン電圧を印加して各放射線検出素子7からの画像データdの読み出し処理が行われる図45等参照。そのため、放射線画像撮影前のリークデータ読み出し処理で行われるリセット処理等で各TFT8がオン状態からオフ状態とされてから、画像データ読み出し処理で各TFT8がオン状態からオフ状態とされるまでのTFT8のオフ時間T1~T4が、走査線の各ラインL1~L4同士では互いに異なるオフ時間になる。そこで、上記の第2の実施形態の[構成例1]や[構成例2]では、画像データ読み出し処理までのTFT8のオフ時間T1~T4が走査線の各ラインL1~L4同士では互いに異なっても、走査線の各ラインL1~L4ごとに見た場合には、画像データ読み出す処理までのTFT8のオフ時間と、その後、オフセット補正値読み出し処理までのTFT8のオフ時間とが同じ時間間隔になるように構成して、画像データ読み出し処理で読み出された画像データdに含まれる暗電荷等に起因するオフセット分と同じ値のオフセット補正値Oがオフセット補正値読み出し処理で読み出されるように構成した。また、上記の第2の実施形態の[構成例3]では、画像データ読み出し処理後、すぐに、或いは所定時間経過後に画像データ読み出し処理と同じタイミングで走査駆動手段15から走査線5の各ラインL1~L4にオン電圧を順次印加させてオフセット補正値読み出し処理を行うように構成し、後の演算処理で、オフセット補正値読み出し処理で読み出されたオフセット補正値Oから、画像データ読み出し処理で読み出された画像データdに含まれるオフセット分O1を算出するように構成した。ところで、本発明者らの研究によれば、放射線画像撮影装置1に強い放射線が照射された場合、各放射線検出素子7からの画像データdの読み出し処理を行った後、上記のようにしてオフセット補正値Oを読み出すと、前述したような放射線検出素子7自体の熱温度による熱励起等によって発生した暗電荷等に起因するオフセット分だけでなく、それとは別のいわゆるラグlagによるオフセット分が読み出されることが分かっている。そして、暗電荷等に起因するオフセット分は、例えば各放射線検出素子7のリセット処理を繰り返すことによって比較的容易に除去されるが、ラグによるオフセット分は、各放射線検出素子7のリセット処理を繰り返し行っても容易には消えないという特徴があることが分かっている。すなわち、暗電荷等に起因するオフセット分は、各放射線検出素子7のリセット処理を繰り返すと、比較的速やかに0に近い値まで低下する。しかし、ラグによるオフセット分は、各放射線検出素子7のリセット処理を繰り返してもなかなか除去できず、リセット処理を繰り返し行っても、放射線を照射しない状態で放射線画像撮影装置1を放置した後でオフセット補正値読み出し処理を行うと、暗電荷等に起因するオフセット分のみの場合よりも大きい値のオフセット補正値Oが読み出される。このように、各放射線検出素子のリセット処理を繰り返しても、ラグによるオフセット分が容易に除去できない理由は、強い放射線の照射により放射線検出素子7内で発生した電子や正孔の一部が、一種の準安定なエネルギーレベルmetastablestateに遷移して、放射線検出素子7内での移動性を失った状態が比較的長時間保たれるためと考えられている。そして、この準安定なエネルギー状態の電子や正孔は、熱エネルギーによって、ある確率で、この準安定なエネルギーよりも高いと考えられるエネルギーレベルの伝導帯に遷移して移動性が復活する。そのため、放射線画像撮影後に例えば各放射線検出素子7のリセット処理を繰り返してもラグによるオフセット分がなかなか除去できず、放射線画像撮影後のオフセット補正値読み出し処理で、暗電荷等に起因するオフセット分にラグによるオフセット分が重畳されて、オフセット補正値Oとして読み出されると考えられている。なお、以下、このラグによるオフセット分をOlagと表す。なお、このラグによるオフセット分Olagは、強い放射線が照射された場合ばかりでなく、弱い放射線を含む通常の線量の放射線が照射された場合にも生じる。しかし、さほど強くない放射線が照射された場合には、オフセット補正値Oに含まれるラグによるオフセット分Olagの割合が無視できる程度に小さい場合が多い。どの程度の線量の放射線が照射された場合にラグによるオフセット分Olagが無視できない程度に大きくなるかは、放射線画像撮影装置1に用いられるフォトダイオード等の放射線検出素子7の性能等によって決まる。そのため、以下で説明する第3の実施形態の手法を、どの程度の線量の放射線が照射された際に用いるかは、放射線画像撮影装置1ごとに適宜決められる。また、常時、第3の実施形態の手法で画像データ読み出し処理やオフセット補正値読み出し処理を行うように構成することも可能である。一方、本発明者らの研究では、放射線画像撮影装置1に放射線が照射された後の画像データ読み出し処理で、図51に示すように、走査線5の各ラインLnにオン電圧が順次印加されて画像データdが読み出された場合、走査線5の各ラインLnに印加された電圧がオン電圧からオフ電圧に切り替えられた直後からラグによるオフセット分Olagが発生する。そして、単位時間あたりに発生するラグによるオフセット分OlagをΔOlagと表すと、この単位時間あたりのラグによるオフセット分ΔOlagは、図51に示すように、走査線5の各ラインLnに印加された電圧がオン電圧からオフ電圧に切り替えられた時点で最も大きく、その後、徐々に減衰していくことが分かっている。そのため、単位時間あたりのオフセット分ΔOlagの時間当たりの積分値として表すことができるラグによるオフセット分Olagは、時間的に図51に示すように増加する値になる。そして、ラグによるオフセット分Olagがこのように時間的に増加するため、以下のような問題が生じる。前述したように、放射線画像撮影後の画像データ読み出し処理で読み出される画像データdには、放射線の照射により各放射線検出素子7内で発生した電荷に由来する真の画像データdと、暗電荷等に起因するオフセット分以下、Odと表す。とが含まれる。従って、d=dOd...3の関係が成り立つ。また、オフセット補正値読み出し処理で読み出されるオフセット補正値Oには、暗電荷等に起因するオフセット分Odと、ラグによるオフセット分Olagとが含まれる。従って、O=OdOlag...4の関係が成り立つ。そのため、通常の画像処理の仕方に従って、画像データdからオフセット補正値Oを減算すると、暗電荷等に起因するオフセット分Odは相殺され、d-O=dOd-OdOlag∴d-O=d-Olag...5となる。いま、例えば、放射線画像撮影装置1に強い放射線を一様に、すなわち放射線入射面R図1等参照の前面に同じ線量の強い放射線を照射した場合を考える。この場合、最終的に得られる各放射線検出素子7ごとのデータは、同じ値になるはずである。なお、この場合、放射線検出素子7の異常や、読み出し回路17ごとのオフセット分等は考慮しない。この場合、放射線の照射により各放射線検出素子7内で発生した電荷に由来する真の画像データdは同じ値になる。しかし、例えば図43および図44に示したように各処理を行うと、走査線5の各ラインL1~L4ごとにTFT8のオフ時間T1~T4が異なるため、図52Aに示すように、走査線5の各ラインL1~L4ごとのラグによるオフセット分Olag~Olagの値が、互いに異なる値になる。そのため、上記のように画像データdからオフセット補正値Oを減算する処理を行うと、上記5式中のdは同じ値だが、Olagが走査線5の各ラインL1~L4ごとに異なる値になるため、画像データdからオフセット補正値Oを減算して算出された値d-Oも走査線5の各ラインL1~L4ごとに異なる値になってしまう。しかも、図43および図44に示したように各処理を行う場合、走査線5の各ラインL1~L4のうち、走査線5のラインL2でTFT8のオフ時間T2が最も短くなり、隣接する走査線5のラインL3でTFT8のオフ時間T3が最も長くなる。そのため、図52Aに示したように、ラグによるオフセット分Olag~Olag中では、ラグによるオフセット分Olagが最も小さい値になり、ラグによるオフセット分Olagが最も大きな値になる。そのため、算出した値d-Oに基づいて放射線画像を生成すると、放射線画像撮影装置1に強い放射線を一様に照射して撮影を行ったため放射線画像の全域が同じ明るさ輝度になるはずであるにもかかわらず、放射線画像の明るさが画像の各領域で僅かずつ異なる状態になるうえ、さらに、放射線画像上の、走査線5のラインL2、L3に対応する位置で明るさに段差ができる。図45および図46に示したように各処理を行う場合には、オフ時間が最も短い走査線5のラインL2と最も長い走査線5のラインL3とで、TFT8のオフ時間T2、T3の差がより大きくなるため、図52Bに示すように、ラグによるオフセット分OlagとOlagとの差がより大きくなるため、上記の現象がより顕著に現れる。そこで、本実施形態では、これを防止するための1つの方法として、例えば、図53に示すように、放射線画像撮影後の画像データ読み出し処理において走査線5の各ラインL1~L4走査線5の各ラインL1~Lxの場合も同様である。以下同じ。にオン電圧を順次印加するタイミングを、走査線5の全てのラインL1~L4でTFT8のオフ時間T1~T4が同じ時間間隔Tcになるように可変させるように構成することが可能である。このように構成すれば、上記の第2の実施形態の[構成例1]のように、画像データdを読み出す際の処理シーケンスと、画像データ読み出し処理後、オフセット補正値Oを読み出すまでの処理シーケンスを同じ処理シーケンスにする場合や、[構成例2]のように、走査線5の各ラインL1~L4ごとに、画像データ読み出し処理までのTFT8のオフ時間T1~T4とオフセット補正値読み出し処理までのTFT8のオフ時間T1~T4が同じになるようにオフセット補正値読み出し処理を行う場合には、画像データ読み出し処理前後のTFT8のオフ時間T1~T4が全て同じ時間間隔Tcになる。そのため、上記の例のように、放射線画像撮影装置1に強い放射線を一様に照射した場合には、図51や図52A、図52Bからも分かるように、ラグによるオフセット分Olag~Olagが全て同じ値になる。そして、放射線の照射により各放射線検出素子7内で発生した電荷に由来する真の画像データdは同じ値になるから、上記5式に従って算出される値d-Oが、走査線5の全てのラインL1~L4で同じ値になる。そのため、算出した値d-Oに基づいて放射線画像を生成すると、放射線画像撮影装置1に強い放射線を一様に照射して撮影を行った場合には、放射線画像の全域が同じ明るさになる。このようにして、上記のような放射線画像上の明るさに段差が生じることを防止することができる。なお、この場合、図45に示したように、例えば、走査線5の途中のラインL2にオン電圧が印加されて各放射線検出素子8のリセット処理が行われた直後のリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータDleakに基づいて放射線の照射の開始が検出された場合に、画像データ読み出し処理では、走査線5の最初のラインL1から画像データdの読み出し処理を行うように構成すると、上記のように走査線5の各ラインL1~L4についてTFT8のオフ時間T1~T4を同じ時間間隔Tcにすることができない。そのため、上記のようにして走査線5の各ラインL1~L4についてTFT8のオフ時間T1~T4を同じ時間間隔Tcにするように構成する場合には、図43に示したように、例えば、走査線5の途中のラインL2にオン電圧が印加されて各放射線検出素子8のリセット処理が行われた直後のリークデータ読み出し処理で読み出されたリークデータDleakに基づいて放射線の照射の開始が検出された場合には、画像データ読み出し処理では、走査線5の次のラインL3から画像データdの読み出し処理を行うように構成される。また、上記の第2の実施形態の[構成例3]の場合も、画像データ読み出し処理からオフセット補正値読み出し処理までの時間間隔Taを、上記の時間間隔Tcと同じ時間間隔とすることで、上記と同様の効果を奏することが可能となる。また、その場合、画像データ読み出し処理前後のTFT8のオフ時間T1~T4は、全て同じ時間間隔Tcになるため、上記のテーブルや関係式に基づき、上記2式に従って暗電荷に起因するオフセット分Od式中ではO1を算出する必要もなくなる。なお、前述したように、このラグによるオフセット分Olagは、強い放射線が照射された場合に問題となり、弱い放射線や通常の線量の放射線が照射された場合には問題にならない場合も多い。そこで、例えば、放射線画像撮影装置1に照射される線量に応じて、放射線画像撮影後の画像データ読み出し処理で走査線5の各ラインL1~Lxにオン電圧およびオフ電圧を印加するタイミングを、通常のタイミングで行わせるモード第2の実施形態の場合と、タイミングを可変させて行わせるモード第3の実施形態の場合との間で切り替えることができるように構成することも可能である。このように構成すれば、本実施形態のように放射線画像撮影後の画像データ読み出し処理で走査線5の各ラインL1~Lxにオン電圧を順次印加するタイミングを可変させると、放射線画像撮影装置1での各処理に要する時間が、通常のタイミングの場合に比べて若干長くなるが、弱い放射線や通常の線量の放射線が照射された場合には、通常のタイミングで画像データ読み出し処理を行うことで、このような処理に要する時間が長くなることを防止することが可能となる。なお、上記の各実施形態では、図31や図32に示したように、例えば、リークデータDleakに基づいて放射線の照射の開始が検出された4回目のリークデータ読み出し処理の直前のリセット処理でオン電圧が印加された走査線5のラインL4に接続されている各放射線検出素子7から読み出された画像データdを無効とし、周囲の各画像データdで線形補間する等して画像データdを算出する場合について説明した。しかし、これらの画像データdを無効とせず、これらの画像データdを修正して画像データdを復元するように構成することも可能である。