電気的信号によって振動する水晶体と、前記水晶体の一方の面に第1の層、第2の層、第3の層、及び第4の層が順に積層された第1の電極と、前記水晶体の他方の面に第1の層、第2の層、第3の層、及び第4の層が順に積層された第2の電極とを含み、前記第1の層及び前記第3の層は、Ti、Ni、Cr及びTiを含む合金からなる群から選択されるいずれかの物質を含み、前記第2の層及び前記第4の層は、Ag又はAgを含む合金を含む、水晶振動子。前記水晶体の厚さに対する前記第1の電極又は第2の電極の厚さの比は、1以下である、請求項1に記載の水晶振動子。前記第1の層の厚さは、0.3から50nmである、請求項1または2に記載の水晶振動子。前記第2の層の厚さは、10から300nmである、請求項1から3の何れか1項に記載の水晶振動子。前記第3の層の厚さは、0.3から50nmである、請求項1から4の何れか1項に記載の水晶振動子。前記第4の層の厚さは、3nm以上である、請求項1から5の何れか1項に記載の水晶振動子。前記第1の電極及び前記第2の電極は、前記水晶体の面上に前記第1の層、前記第2の層、前記第3の層、及び前記第4の層が順に繰り返し積層された構造を有する、請求項1から6の何れか1項に記載の水晶振動子。水晶体の主面に順に積層された第1の層、第2の層、第3の層、及び第4の層を含み、前記第1の層及び前記第3の層は、Ti、Ni、Cr及びTiを含む合金からなる群から選択されるいずれかの物質を含み、前記第2の層及び前記第4の層は、Ag又はAgを含む合金を含む、水晶振動子の電極構造。前記水晶体の厚さに対する前記電極構造の厚さの比は、1以下である、請求項8に記載の水晶振動子の電極構造。前記水晶体の主面に前記第1の層、前記第2の層、前記第3の層、及び前記第4の層が順に繰り返し積層された、請求項8または9に記載の水晶振動子の電極構造。本発明の目的は、外部の熱的環境変化による周波数の変動特性を改善して高信頼性で且つ低製造コストの水晶振動子の電極構造及びこれを含む水晶振動子を提供することである。本発明の一実施形態による水晶振動子は、電気的信号によって振動する水晶体と、当該水晶体の両面に第1の層から第4の層が積層される第1の電極及び第2の電極とを含み、上記第1の層及び第3の層はTi、Ni、Cr及びTiを含む合金からなる群から選択されるいずれかの物質を含み、上記第2の層及び第4の層はAg又はAgを含む合金を含むことができる。上記水晶体の厚さに対する上記第1の電極又は第2の電極の厚さの比は、1以下であることができる。上記第1の層の厚さは、0.3から50nmであることができる。上記第2の層の厚さは、10から300nmであることができる。上記第3の層の厚さは、0.3から50nmであることができる。上記第4の層の厚さは、3nm以上であることができる。上記第1の電極及び第2の電極は、上記水晶体の両面に第1の層から第4の層が繰り返し積層される構造を有することができる。本発明の一実施形態による水晶振動子の電極構造は、水晶体の主面に積層される第1の層から第4の層を含み、上記第1の層及び第3の層はTi、Ni、Cr及びTiを含む合金からなる群から選択されるいずれかの物質を含み、上記第2の層及び第4の層はAg又はAgを含む合金を含むことができる。上記水晶体の厚さに対する電極の厚さの比は、1以下であることができる。上記水晶体の主面には、上記第1の層から第4の層が繰り返し積層されることができる。本発明の一実施形態によると、安定した電極構造を有する水晶振動子を提供することができる。即ち、等価直列抵抗ESR及び周波数の変動幅が小さい高信頼度の水晶振動子を製造することができる。特に、リフロー工程等の熱的ストレスが加えられる工程の後にも、周波数の変動幅が小さい水晶振動子を製造することができる。また、製造後に時間が経っても一定の周波数を維持できる水晶振動子を製造することができる。以下、添付の図面を参照して、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を容易に実施することができるように、好ましい実施形態を詳述する。但し、本発明の好ましい実施形態を詳述するにおいて、関連する公知の機能又は構成に関する具体的な説明が本発明の要旨を不要にできると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。また、類似する機能及び作用を行う箇所に対しては、全図面にわたって同一の符号を用いる。なお、明細書全体において、ある構成要素を含むということは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。以下、図1から図4を参照して本発明の一実施形態による水晶振動子及び水晶振動子の電極構造について詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態による水晶振動子パッケージ1の断面を示す。図1を参照すると、水晶振動子10は、水晶片を含む水晶体11と、当該水晶体11の両面に形成された第1の電極12a及び第2の電極12bとを含む。特に、上記第1の電極12a及び第2の電極12bは、上記水晶体11の両面に対称的に形成されることができる。これにより、上記水晶振動子10は、図1に示されるように、パッケージ構造に形成されることができる。上記水晶振動子パッケージ1は、底層16aと、当該底層16a上に形成される電極パッド14と、当該電極パッド14上に形成される導電性ペースト13によって上記水晶振動子10の一側を固定させる水晶体11と、上記底層16aの上面と上記水晶体11の他側との間に配置されるバンプ15とを含む構造を有する。この場合、上記水晶体11の上下表面には、上記電極パッド14と電気的に連結される第1の電極12a及び第2の電極12bが形成されることができる。上記底層16aの周縁部には、上記水晶体11を収納する空間を形成する支持層16bが形成されることができる。また、上記支持層16b上には、上記空間を密封するリード17が配置されることができる。図2は、図1の水晶振動子10を拡大して示す断面図である。本発明の一実施形態による水晶振動子10は、水晶体11と、当該水晶体11の両面に積層される第1の電極12a及び第2の電極12bとを含む。上記水晶体11は、電気的信号によって圧電piezo-electric効果を発生させる。上記水晶体11としては、SiO2からなる水晶片を用いることができるが、これに制限されるものではない。この場合、上記水晶体11は、水晶ウエハに切断されて加工されることができる。上記水晶体11の両面には、上記第1の電極12a及び第2の電極12bが積層される。上記第1の電極12a及び上記第2の電極12bは、上記水晶体11に電気信号を与えて当該水晶体11に圧電効果を発生させ、また、当該水晶体11の圧電効果による電気信号を出力する手段となることができる。上記第1の電極12a及び第2の電極12bは、後述する物質の蒸着工程等で上記水晶体11の両面に形成される。水晶振動子の等価直列抵抗ESR値は、電極の抵抗値と密接な関係がある。この電極の抵抗値は、下記の式1で示されることができる。ρは抵抗素子の比抵抗値を示し、Aは抵抗素子の面積を示し、Lは抵抗素子の長さを示す値である。電極の抵抗は、抵抗素子の比抵抗特性と面積に比例し、長さに反比例する。水晶振動子の電極の抵抗において、ρは電極材料の固有の比抵抗値を示し、Wは電極の幅を示し、tは電極の厚さを示し、Lは電極の長さを示す。したがって、等価直列抵抗ESRが小さい水晶振動子を製作するためには、比抵抗ρが小さい値を有する材料を選択するか、電極の長さLを短くするか又は電極の幅Wを大きくすることができる。なお、電極の厚さtを大きくする場合、等価直列抵抗ESRは小さくなることができるが、蒸着コストは大きくなる可能性がある。また、周波数の精密な調整のための電極のエッチング工程コストが増加する可能性ができる。また、電極の厚さが増加するにつれ、水晶体の機械的振動特性が落ちる可能性がある。本発明の一実施形態によると、上記水晶体11の厚さaに対する上記第1の電極12aの厚さb1又は第2の電極12bの厚さb2の比を1以下とすることができる。これは、上記第1の電極12a又は第2の電極12bの厚さの比が1を超える場合、等価直列抵抗ESR値が大きくなり過ぎ、水晶体の機械的振動特性が低下する可能性があるためである。以下、水晶振動子の電極構造についてより詳細に説明する。図3を参照すると、本発明の一実施形態による水晶振動子20の電極構造は、電気的信号によって振動する水晶体21と、当該水晶体21の両面に積層される第1の電極22a及び第2の電極22bとを含む。本発明の一実施形態によると、上記水晶体21の両面に上記第1の電極22a及び第2の電極22bが形成されるため、より精密な周波数特性を有する水晶振動子を提供することができる。上記第1の電極22a又は第2の電極22bは、第1の層23a、第2の層23b、第3の層23c及び第4の層23dが積層された構造を有する。上記第1の層23aは、上記水晶体21と、上記第1の電極22a又は第2の電極22bとの密着力を向上させ、各層間の熱膨張係数の相違を補完する役割をする。本発明の一実施形態によると、上記第1の層23aとしては、安定的で且つ電気比抵抗が低く且つ電気伝導性に優れた物質を用いることができる。上記第1の層23aとしては、Ti、Ni、Cr及びTiを含む合金からなる群から選択されるいずれかの物質を用いることができるが、これに制限されるものではない。本発明の一実施形態によると、材料費節減、熱膨張係数及び接合強度を考慮して、上記第1の層23aとしてCrを用いることができる。本発明の一実施形態によると、上記第1の層23aの厚さt1を0.3から50nmとすることができる。上記第1の層23aの厚さt1が0.3nm未満の場合、上記水晶体11と上記第1の及び第2の電極との密着力が落ちる可能性があり、50nmを超える場合、水晶振動子の抵抗が50以上増加する可能性があるためである。上記第2の層23bは、電気伝導性を与え、上記第1の電極22a又は第2の電極22bと水晶体との熱膨張係数の差を最小化することができる。電極材料と水晶体との熱膨張係数の差が存在する場合、製造工程において熱的環境変化に応じて水晶体と電極間に応力が発生することがある。これにより、製造後に周波数が変わる現象が発生することがある。本発明の一実施形態によると、上記第2の層23bとしては、Ag又はAgを含む合金を用いることができる。Ag又はAgを含む合金の場合、水晶体との熱膨張係数の差が小さいため、熱的ストレスによる周波数の変動現象を防止することができる。なお、水晶振動子の等価直列抵抗ESR値を低めるために電極の長さ及び幅を調節する場合、製品のサイズ及び水晶体の形状に応じて制約を受けることがある。したがって、比抵抗ρが小さい金属を電極材料として用いて等価直列抵抗ESR値を低めることができる。また、Ag又はAgを含む合金の場合は、金属の中でも比抵抗が小さい金属に該当するため、水晶振動子の等価直列抵抗ESRを効果的に低めることができる。本発明の一実施形態によると、上記第2の層23bの厚さt2を10から300nmとすることができる。上記第2の層23bの厚さt2が10nm未満の場合、上記第1の層23aと第2の層23b間の物質拡散現象が発生し、これにより時間が経つにつれ周波数の変動幅が100ppm程度に大きくなる現象が発生する可能性があり、厚さが300nmを超える場合、水晶振動子の抵抗が50以上増加する可能性があるためである。上記第3の層23cは、上記第4の層23dと第2の層23bとの間に形成されて導電性物質間の付着力を強化する役割をする。即ち、電極と水晶体との密着力を強化する役割をする。また、上記第2の層23bを厚くする場合、インピーダンスが増加し、当該第2の層と水晶体との熱膨張係数の差が大きくなって熱的ストレスによって周波数の変動幅が大きくなる可能性がある。したがって、上記第2の層23bの厚さを薄く形成した後に第3の層23cを形成することで、当該第2の層23bと水晶体11との熱膨張係数の差を最小化することができる。本発明の一実施形態によると、上記第3の層23cとしては、電気比抵抗が低く且つ電気伝導性に優れ且つ導電性物質との密着力を提供できる物質を用いることができる。上記第3の層23cとしては、Ti、Ni、Cr及びTiを含む合金からなる群から選択されるいずれかの物質を用いることができるが、これに制限されるものではない。上記第1の層23aの材料と上記第3の層23cの材料とを同一に用いる場合、上記第2の層23bの厚さが薄くなり、当該第2の層23bと第4の層23dとの熱膨張係数の差を補償するため、リフローreflow工程時に発生する熱応力による周波数の変動を防止することができる。本発明の一実施形態によると、上記第3の層23cの厚さt3を0.3から50nmとすることができる。上記第3の層23cの厚さt3が0.3nm未満の場合、リフロー工程後に周波数の変動幅が5ppmを超え、50nmを超える場合、電極のインピーダンスが50以上増加する可能性があるためである。上記第4の層23dは、電極構造の最外郭層であり、上記第2の層23bと同様に電気伝導性を与え、上記第1の層23a及び第3の層23cと上記水晶体11との熱膨張係数の差を補償する役割をする。また、上記第4の層23dは、最外郭層であるため、内部に形成された第1の層23aから第3の層23cを保護する役割もする。なお、製造後の周波数調整のために、上記第4の層23dは、その一部がAr等でエッチングされることもある。したがって、上記第4の層23dとしては、耐酸化性に優れ且つ周波数調整が容易な物質を用いることができる。本発明の一実施形態によると、上記第4の層23dとしては、Ag又はAgを含む合金を用いることができるが、これに制限されるものではない。特に、上記第4の層23dとしてAg又はAgを含む合金を用いる場合、周波数の変動幅が小さくなる。Auの場合、耐酸化性には優れるが、製造コストが増加することになる。なお、Auの熱膨張係数は、14.2×10-6mm/°Cであり、水晶体の熱膨張係数は、13.7×10-6mm/°Cである。Auの場合、水晶体と類似する熱膨張係数を有するため、上記第1の層及び第3の層として水晶体より熱膨張係数8.4×10-6mm/°Cが小さいCr等の金属を用いる場合、水晶体との熱膨張係数の差を十分に補償することができない。したがって、上記第4の層23dとしてAuを用いる場合、周波数の変動率が大きくなる。しかしながら、Agを用いる場合、低製造コストが可能になる。また、Agの熱膨張係数は18.9×10-6mm/°Cであるため、Cr等の金属を上記第1の層及び第3の層として用いる場合、Ag層は、当該第1の層及び第3の層との熱膨張係数の差を適宜補償することができる。したがって、製造直後の水晶振動子の周波数の変動幅を非常に小さくすることができる。より具体的には、上記第4の層23dとしてAuを用いる場合、水晶振動子の時間経過による周波数の変動幅は10ppm水準で示されるが、Agを用いる場合、時間経過による周波数の変動幅は5ppm以下に減ることができる。したがって、上記第4の層23dとしてAgを用いる場合、より精密な水晶振動子を製造することができる。本発明の一実施形態によると、上記第4の層23dの厚さt4を3nm以上とすることができる。上記第4の層23dの厚さt4が3nm未満の場合、周波数調整のためのエッチング工程において上記第3の層23cが露出されるか又は上記第3の層23cまでエッチングされる現象が発生することがあるためである。また、上記第4の層23dの厚さt4が3nm未満の場合、熱膨張係数の差を十分に補償することができないことからリフロー工程後に周波数の変動幅が5ppm以上に大きくなり、上記第3の層と第4の層間の物質拡散によって時間が経つにつれ周波数の変動幅が大きくなる可能性があるためである。上記第4の層23dの厚さt4が3nm以上の場合、リフロー工程後に周波数の変動幅が3ppm以下になり、1000時間経過後にも5ppm以下に維持されることができる。図4を参照すると、本発明の他の実施形態による水晶振動子30は、第1の層33aから第4の層33dが2回以上繰り返して水晶体31に積層された第1の電極32a及び第2の電極32bを含む。上記第1の層33aから第4の層33bが2回以上繰り返して積層される場合、上記水晶体31と上記第1の電極32a及び第2の電極32bとの密着力を強化させることができる。また、相違する電極材料との熱膨張係数の差を補償することができるため、製造工程後の周波数の変動幅をさらに減少させることができる。本発明の一実施形態によると、安定した電極構造を有する水晶振動子を提供することができる。即ち、等価直列抵抗ESR及び周波数の変動幅が小さい高信頼度の水晶振動子を製造することができる。特に、リフロー工程等の熱的ストレスが加えられる工程の後にも、周波数の変動幅が小さい水晶振動子を提供することができる。これにより、製造直後に所望の製品に直ちに適用可能な水晶振動子を製造することができる。また、製造後に時間が経っても一定の周波数を維持できる水晶振動子の提供が可能になるため、周波数の精密性が求められる製品にも適用可能である。<比較例>比較例による水晶振動子では、水晶体の両面にそれぞれ第1の層から第4の層が積層される第1の電極及び第2の電極を用いた。特に、上記第1の層及び第3の層としてはNi-Cr合金を用い、第2の層としてはAgを用い、第4の層としてはAuを用いた。<実施例>本発明の一実施形態による水晶振動子では、水晶体の両面に第1の層から第4の層が積層される第1の電極及び第2の電極を用いた。特に、上記第1の層と第3の層としてはCrを用い、第2の層と第4の層としてはAgを用いた。水晶体の厚さを41μmに製作し、第1の層から第4の層の厚さの和が350nmになるように第1の電極及び第2の電極を形成した。図5は、比較例による電極構造を採用した水晶振動子と本発明の一実施形態による電極構造を採用した水晶振動子との加速実験温度125°Cにおける時間経過による周波数特性の変動率を比較したグラフである。より具体的には、図5aは、比較例による水晶振動子の加速実験温度125°Cにおける時間経過による周波数特性の変動率を示すグラフであり、図5bは、本発明の一実施形態による水晶振動子の加速実験温度125°Cにおける時間経過による周波数特性の変動率を示すグラフである。図5aを参照すると、比較例の場合、加速実験後に周波数の変動率が6ppm程度であることを確認し、500時間が経って周波数が安定することを確認することができた。図5bを参照すると、本発明の一実施形態の場合、時間経過による周波数の変動率が2ppm未満であることを確認し、加速実験後に初期値とほぼ類似する値として水晶振動子の周波数が安定的に維持されることを確認することができた。本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されることなく、添付の特許請求の範囲によって限定される。したがって、特許請求の範囲に記載の本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で当技術分野における通常の知識を有する者によって多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これもまた添付の特許請求の範囲に記載の技術的思想に属する。