"基板上の膜に大気圧プラズマを照射する工程Aを含む、膜の構成物質の結晶構造を変化させることを特徴とする膜の製造方法。工程Aが、周波数が10ヘルツ~100メガヘルツ、電圧が60ボルト~100万ボルトで通電することにより大気圧下でプラズマを生成させ、生成したプラズマを直接に基板上の膜に照射する工程である、請求項1に記載の膜の製造方法。工程Aが、周波数が10ヘルツ~100メガヘルツ、電圧が60ボルト~100万ボルトで、放電管の高電圧電極に通電するか又は2枚の対向電極のどちらか一方に通電するとともに、前記放電管の内部に又は前記2枚の対向電極間にプラズマ発生用ガスを流すことにより大気圧下でプラズマを生成させ、生成したプラズマを直接に基板上の膜に照射する工程である、請求項1に記載の膜の製造方法。工程Aに用いられる放電管が、無機誘電体材料、有機高分子、又は金属からなる、請求項3に記載の膜の製造方法。工程Aに用いられる2枚の対向電極が、平板誘電体又は平板金属からなる、請求項3に記載の膜の製造方法。工程Aに用いられる平板誘電体が、無機誘電体材料又は有機高分子からなる、請求項5に記載の膜の製造方法。工程Aに用いられるプラズマ発生用ガスが、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノン、水素、窒素、酸素、二硫化硫黄、硫化水素、水蒸気、一酸化炭素、二酸化炭素、アンモニア、窒素酸化物、ハロゲン、ハロゲン化水素、シラン、GeH4、PH4、AsH3、及びB2H6からなる群から選ばれる少なくとも1種のガスである、請求項3乃至請求項6のいずれか1項に記載の膜の製造方法。前記プラズマ発生用ガスとして酸素を用いない場合、工程Aが酸素濃度100ppm以下に保たれているチャンバー内で行われる、請求項3乃至請求項7のいずれか1項に記載の膜の製造方法。工程Aにおいて、基板上の膜を加熱しながらプラズマを照射する、請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の膜の製造方法。請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載のA工程を含む膜の構成物質の結晶構造を変化させる方法。請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載のA工程の膜の製造方法に用いられるプラズマ発生装置。請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載のA工程を経て製造された電子デバイス。上述のレーザーアニール法における改善すべき問題として残されていたことは、レーザー照射効果の均一性である。この均一性を高めるための種々の方法が検討されている。1つの方法として、スリットを介すことにより、ビームのエネルギー分布の形状を矩形にできるだけ近づけて、線状ビーム内のばらつきを小さくする方法がある。上記方法に加え、不均一性をさらに緩和させるために、強いパルスレーザー光の照射の前に、それよりも弱いパルスレーザー光の予備的な照射をおこなうと、均一性が向上することが報告されている。この予備的照射を行うことによる効果は非常に高く、半導体デバイスの特性を著しく向上させることができる。これは、照射エネルギーが異なる2段階のレーザー光を照射することで、半導体膜の結晶化を段階的に行うことができ、従来の予備的照射を行わないレーザーアニールでみられた結晶性の不均一性や結晶粒界の生成、さらには応力の集中といった急激な相変化に従う種々の問題を緩和できるからである。また、この段階的な照射は、さらにその回数を増やし多段階とすることで、その効果をより高めることができる。そしてこれら2つの方法によって、レーザー照射効果の均一性をかなり向上させることができる。しかしながら、上述のような2段階照射法では、レーザー処理時間が倍になるためスループットが低下し、また、2段階照射法を行うための設備は1段階のみ照射を行う場合に比較して複雑になることからコストアップにもつながり、生産性に課題があった。また、レーザー照射効果の均一性も、かなり向上させることができたといっても、十分満足であると言えるものには程遠く、生産性性能面の双方をさらに改善できる方法が求められている。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、簡易な構成で基板上の膜被膜を処理して膜の結晶構造を確実に変化させることができ、かつ生産性に優れたプラズマアニール装置を提供することを目的とする。本発明は第1観点として、基板上の膜に大気圧プラズマを照射する工程Aを含む、膜の構成物質の結晶構造を変化させることを特徴とする膜の製造方法、第2観点として、工程Aが、周波数が10ヘルツ~100メガヘルツ、電圧が60ボルト~100万ボルトで通電することにより大気圧下でプラズマを生成させ、生成したプラズマを直接に基板上の膜に照射する工程である、第1観点に記載の膜の製造方法、第3観点として、工程Aが、周波数が10ヘルツ~100メガヘルツ、電圧が60ボルト~100万ボルトで、放電管の高電圧電極に通電するか又は2枚の対向電極のどちらか一方に通電するとともに、前記放電管の内部に又は前記2枚の対向電極間にプラズマ発生用ガスを流すことにより大気圧下でプラズマを生成させ、生成したプラズマを直接に基板上の膜に照射する工程である、第1観点に記載の膜の製造方法、第4観点として、工程Aに用いられる放電管が、無機誘電体材料、有機高分子、又は金属からなる、第3観点に記載の膜の製造方法、第5観点として、工程Aに用いられる2枚の対向電極が、平板誘電体又は平板金属からなる、第3観点に記載の膜の製造方法、第6観点として、工程Aに用いられる平板誘電体が、無機誘電体材料又は有機高分子からなる、第5観点に記載の膜の製造方法、第7観点として、工程Aに用いられるプラズマ発生用ガスが、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノン、水素、窒素、酸素、二硫化硫黄、硫化水素、水蒸気、一酸化炭素、二酸化炭素、アンモニア、窒素酸化物、ハロゲン、ハロゲン化水素、シラン、GeH4、PH4、AsH3、及びB2H6からなる群から選ばれる少なくとも1種のガスである、第3観点乃至第6観点のいずれか1項に記載の膜の製造方法、第8観点として、前記プラズマ発生用ガスとして酸素を用いない場合、工程Aが酸素濃度100ppm以下に保たれているチャンバー内で行われる、第3観点乃至第7観点のいずれか1項に記載の膜の製造方法、第9観点として、工程Aにおいて、基板上の膜を加熱しながらプラズマを照射する、第1観点乃至第8観点のいずれか1項に記載の膜の製造方法、第10観点として、第1観点乃至第9観点のいずれか1項に記載のA工程を含む膜の構成物質の結晶構造を変化させる方法、第11観点として、第1観点乃至第9観点のいずれか1項に記載のA工程の膜の製造方法に用いられるプラズマ発生装置、第12観点として、第1観点乃至第9観点のいずれか1項に記載のA工程を経て製造された電子デバイスである。本発明の膜の製造方法によれば、プラズマ照射装置プラズマアニール装置内で、プラズマ粒子が膜に衝突した部分のみを徐々に結晶化させることができる。特に本発明で用いる大気圧プラズマ熱非平衡型のプラズマの場合、周囲温度を上げることなく、照射領域の構造体の形態や結合状態を変化させることができ、即ち低温での結晶化が可能である。また、プラズマ密度は印加する電源の周波数、電圧もしくはプラズマ発生用ガスのガス濃度でコントロールすることができ、それらを制御することで結晶化の度合い、結晶化時間をコントロールすることができる。このように、大気圧中で制御されるプラズマでは、結晶化を低温にて制御しながら行うことができる。また本発明の膜の製造方法によれば、高純度ガスを用いることによって、例えば酸化が問題になる膜では、プラズマが基板の膜に照射されるところの照射領域の周囲の酸素濃度を極めて低く保つことが可能になる。これにより、プラズマが照射された膜は、酸素による影響が排された、均一な結晶粒径と表面粗さを持ち、面方位が均等化された高品質な膜に変換することが可能になる。また本発明の膜の製造方法によれば、基板全体を真空や不活性ガス雰囲気に保つ高気密なチャンバー等を必要としないので、プラズマ照射装置プラズマアニール装置の構成を簡略にしてローコスト化できるとともに、軽量、小型化を達成できるため、メンテナンスに掛かる手間を大幅に削減でき、ランニングコストを低減して生産性を向上させることが可能になる。無論、酸素を嫌う場合には高気密チャンバーを用いてガス置換を行うことも可能であるが、その場合でも従来のような高真空用チャンバーは必要としない。本発明が対象とする膜の製造方法は、上記課題を解決するために、次のようなプラズマアニール方法及びそれに用いる装置を提供するものである。すなわち、本発明の膜の製造方法は、基板に形成された膜に大気圧プラズマを照射することによって膜の結晶構造を変化させる点を特徴とするものであって、プラズマ照射にあたり、プラズマ照射装置アニール装置を用いることができる。前記プラズマ照射装置には、膜の形成された基板を載置するステージと、その上に前記基板に向けてプラズマを照射する放電管又は高電圧平板電極対向電極とが設置され、放電管の場合はその放電管にプラズマ発生用ガスを流しながら高周波高電圧を印加し、また平板電極の場合には膜の形成された基板と平板電極の間にプラズマ発生用ガスを滞留させプラズマを大気圧近傍で形成させることを特徴としている。プラズマは特に限定するものではないが安定なアニール処理を行う場合グロー状放電が望ましい。以下、本発明に係る膜の製造方法について、プラズマ照射装置プラズマアニール装置と共に、図面に基づき説明する。なお、本実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。また、基板上に被覆された膜の結晶構造を変化させる一例として、CVD法により基板上のアモルファスシリコン膜をポリシリコン膜へ変換させる方法を例示するが、無論、本発明の製造方法が対象とする膜はシリコン膜のみに限定されるわけではない。本発明は基板上の膜に大気圧プラズマを照射する工程Aを含み、膜の構成物質の結晶構造を変化させることを特徴とする、膜の製造方法である。大気圧プラズマとは大気圧760Torr下で発生させたプラズマを指す。但し、大気圧下でプラズマ発生させる際、プラズマ発生用ガスの流入や排出により系内の圧力は変化することがあり、760Torrから上下に100Torr程度変化し得る。膜の構成物質とはその膜を形成する成分を指し、例えばアモルファスシリコン膜であればシリコンケイ素を指す。そして、膜の構成物質の結晶構造を変化させるとは、例えばこのシリコンの結晶構造をアモルファスシリコンからポリシリコンに変化させることを意味する。上記膜の構成物質として、シリコン以外にも金属酸化物、金属硫化物、ドーパント含有シリコン、化合物半導体等を用いることができる。金属酸化物としては、例えば酸化珪素、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化ニッケル、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化コバルト等が挙げられる。金属硫化物は例えば硫化亜鉛、硫化カドニウム、硫化チタン、硫化コバルト、硫化鉄等が挙げられる。ドーパント含有シリコンは例えばホウ素やリンがドープされたシリコンが挙げられる。化合物半導体としては例えばヒ化ガリウム、ヒ化アルミニウムガリウム、インジウムリン、窒化ガリウム等が挙げられる。図1は、本発明に用いるプラズマ照射装置プラズマアニール装置の一例を示す概略図であって、放電管を用いるプラズマジェット型アニール装置の概略図である。なお、ここでプラズマアニールとは、例えばアモルファスシリコンをポリシリコンへと結晶変化させる間に実施されるプラズマ照射処理をさす。図1に示すように、プラズマ照射プラズマアニール装置5は、被加工物である膜を被覆した基板3を載置するステージ4と、基板3に向けてプラズマを照射する放電管1とを、ステージ4の上に間隔をあけて備えている。放電管1の先端部に備えられた高電圧電極1-aには電源2が接続されている。図1に示す装置において、ステージ4は、ステージ移動手段によって、ステージ4の平面内のX軸方向およびY軸方向に移動可能な構造とされている。プラズマの照射位置は固定とされ、ステージ4をX方軸向、Y軸方向に平面的に移動させることによって、ステージ4上に載置された基板1の一面全体にプラズマを照射させることができる構造となっている。また、場合によってはX軸方向及びY軸方向に加え、ステージ4に対して垂直方向であるZ軸方向に立体的に移動させて照射することもできる。図1に示す装置において、プラズマは放電管の先端からジェット状に噴出する。そしてプラズマは、基板1の一面に形成された膜、一例としてアモルファスシリコン膜を、ポリシリコン膜に変換させるために必要なプラズマ粒子温度を有している。プラズマパラメーターとして放電管の高電圧電極1-aに接続する電源2の電圧及び周波数、並びにプラズマ発生用ガスのガス流量を制御することで、プラズマ密度をコントロールすることができる。そしてこれにより、膜の状態を自由に変化させることができる。また本装置において、ステージ4のY軸方向に向かって所定の線速度でスキャンさせることで、加工時間プラズマ照射時間を制御できる。さらに、プラズマ密度は、プラズマ照射装置プラズマアニール装置5の放電管1の設置高さを変化させることによっても変えることが可能である。図1に示す装置において用いる放電管1は特に限定されるものではないが、例えばガラスなどの誘電体等が用いられ、その放電管の先端部に高電圧電極1-aを設置して電源2を接続することで、簡単にプラズマジェットを生成することができる。この場合、生成するプラズマは誘電体バリア型プラズマとなることから熱非平衡プラズマとなり、これにより周囲温度の上昇を抑制することができる。さらに、本発明に用いられるプラズマ照射装置プラズマアニール装置として、図2に示すように対向平板電極を用いて形成することもできる。図1に示すようなプラズマジェット型の装置では、基本的に局所的な構造変化をもたらすには好適ではあるが、大面積の処理には不向きである。このため、図2に示すような平板電極間でプラズマを生成させる装置を用いることにより大面積処理が可能となる。図2は対向平板電極を用いるプラズマ生成装置を記している。対向電極6の間の距離はプラズマ密度を変える1つのパラメーターとして使用できる。対向電極6は通常上部電極6aに高電圧電極8を接続し、この高電圧電極8に電源7を接続し、下部電極6bにアースを接続するが、特にアースを接続する必要はない。プラズマ発生用ガスはこの対向電極6間に流される。この場合、ガス流による不安定なプラズマ生成を避けるため、好ましくはガスチャンバーが用いられるが、この場合も特に減圧状態にする必要はなく、大気圧から減圧下まで様々な状態のプラズマを生成することができる。基材に形成した膜はこの電極間に設置され所定時間プラズマ処理される。以下、さらに本発明に用いるプラズマ照射装置を構成する各構成要素について詳述する。本発明は、大気圧大気圧近傍の圧力下において、金属管又は絶縁体管に高電圧電極を取り付けた放電管内にプラズマ発生用ガスを流しながら低周波数で高電圧の電気を印加することにより放電管内にプラズマを発生させ、この発生したプラズマを膜に照射することにより、膜の構成物質の形態や結合状態を変化させることができる。放電管として金属管を用いる場合には高電圧電極のみを金属管に接続し、グラウンドは大気とする図1。また、放電管としてプラスチック管等の絶縁体管を用いる場合には、高電圧電極の前後高電圧電極とは接触しない距離を保つ、またアーク放電しない距離以上はなす。にアースを取り付けることもできるが、金属管同様に大気をグランドにすることもできる。また、プラズマの放出に用いられる放電管のノズル部の材質としては周期律表4族から14族に含まれる元素単体又はそれらの化合物からなり、これに高電圧電極を接続し、グランド側を大気としてガスを流しながら、低周波数高電圧を印加させることにより発生させた電離気体およびラジカルガスとすることが可能である。プラズマ照射装置は特にペンシル状のノズルから放射するプラズマジェット図1である必要は無く、2枚の対向する平板電極に対して交流電界を印加し、この間隙にプラズマガスとなり得るガスプラズマ発生用ガス:特に限定するものではないが例えばヘリウムガス、後述参照などを流すことにより安定な大気圧プラズマを発生させ、この間隙に処理基板を静置することで処理することが可能である図2。この装置は、2枚の平板誘電体又は平板金属を対面させ、一方に高電圧電極を接続し、他方はアースを接続せず大気アースとするか又はアース電極を接続した構造を有する。そして、2枚の平板誘電体又は平板金属を大気圧中に設置し、低周波数で高電圧を印加して導入ガスプラズマ発生用ガスをプラズマ化させることにより、得られたプラズマを処理基板に照射させることができる。或いは、2枚の平板誘電体又は平板金属を減圧容器中に設置し、減圧後に導入ガスを流し、低ガス圧下、低周波数で高電圧を印加して導入ガスをプラズマ化させ、得られたプラズマを処理基板に用いることもできる。対向平板電極を用いた場合、その電極の形状としては特に限定するものではないが、放電を安定させるため、例えば銅のメッシュなど出来るだけ電界を集中できる材料を用いることが好ましい。これは、電極表面にある特定の弱点からの異常放電をさけるためであり、大気圧近傍の圧力において、安定なグロー状放電を維持するために重要である。電極材料としては放電管を用いる場合も、対向電極を用いる場合も、無機誘電体材料、有機高分子、及び金属を用いることができる。上記金属としては、例えばアルミニウム、ステンレス、銅、鉄、真鋳など、ガス流路の形成されている金属管又は金属電極は何れも使用が可能である。また、絶縁体としての有機高分子としては特に限定するものではないが、汎用プラスチック、エンジニアリングプラスチック、スーパーエンジニアリングプラスチック等を用いることができる。汎用プラスチックとしては、ポリエチレン高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂ABS樹脂、アクリロニトリルスチレン樹脂AS樹脂、アクリル樹脂、ポリテトラフルオロエチレンなどが挙げられる。また、エンジニアリングプラスチックとしては、特に限定するものではないが、例えば、ポリアミド、ナイロン、ポリアセタール、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテルm-PPE、変性PPE、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレートガラス樹脂PET-G、環状ポリオレフィン、グラスファイバー強化型ポリエチレンテレフタレートFRPなどが挙げられる。また、スーパーエンジニアリングプラスチックとしては、特に限定するものではないが、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、非晶ポリアリレート、液晶ポリエステル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリアミドなどが挙げられる。また絶縁体として無機誘電体材料を用いることもできる。これら具体例としては、特に限定するものではないが、ガラス、シリコン、ジルコニア、陶磁器、アルミナ、チタニア、シリコンカーバイト、シリコンナイトライドなどが挙げられる。プラズマの発生に必要な電源として、交流の高電圧電源を用いる。交流とは周波数が10Hz~100MHzを示し、好ましくは50Hz~100kHz、更に好ましくは5kHz~20kHzである。交流電圧は60V~100万Vの範囲でプラズマ発生が可能であるが、好ましくは1,000V~20,000V、更に好ましくは5,000V~10,000Vである。基板上の膜へのプラズマ照射時間は通常、数分~数時間であり、例えば5分間~24時間、5分間~10時間、10分間~2時間、又は20分間~1時間程度のプラズマ照射を行うことができる。また、基板上の膜は室温約20°Cでプラズマを照射することができるが、この基板を加熱して、すなわち膜を加熱しながらプラズマ照射することもできる。加熱温度は50~450°C、又は100~250°C程度である。本発明において用いるプラズマ発生用ガスは特に限定されるものではないが、電離可能なガスであれば何でも使うことができる。詳細には、上記条件で発生させたプラズマを反応活性種として使用するとき、プラズマ発生用ガスとして放電管内又は平板電極間に導入するガスは第18族元素ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、水素、窒素、酸素、一酸化炭素、二酸化炭素炭酸ガス、窒素酸化物一酸化窒素、二酸化窒素、アンモニア、ハロゲン、ハロゲン化水素、二硫化硫黄、硫化水素、水蒸気、シラン、GeH4、PH4、AsH3、及びB2H6からなる群から選ばれる少なくとも1種のガスが用いられる。通常、大気圧下安定にプラズマ生成する場合ヘリウムガスが用いられる。これはヘリウムは電離した後、基底状態に戻る際に準安定状態メタステーブルを形成し、これにより安定にプラズマ生成することができるためである。一方、窒素や酸素に関しても同様に気体の電離は可能であるが、この場合もヘリウムを混合するほうが安定なプラズマを生成することができる。すなわちプラズマ発生用ガスとして、ヘリウム単独ガス、又はヘリウムと水素、酸素、窒素、二酸化炭素ガス、一酸化炭素、フッ素、及び塩素からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスとの混合ガスとして用いることが可能である。混合ガスはヘリウム1容積に対して、水素、酸素、窒素、二酸化炭素ガス、一酸化炭素、フッ素、及び塩素からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスを10容積以下、好ましくは0.1容積以下、更に好ましくは0.001容積以下とすることができる。混合ガスは2種である必要はなく、3種以上のガスの混合でも用いることができる。プラズマ発生用ガスを2種以上混合することで、発生するプラズマ及びその2次生成物であるラジカルの状態を変えることができ、これはプラズマの発光スペクトルで観察することができる。例えばヘリウムに窒素を導入することで、ヘリウムの電離エネルギーが窒素分子を励起し、それにより紫外光に相当するエネルギーを取り出すことができる図3を参照。また、窒素ガス中でヘリウムを電離することにより窒素ガス由来の様々なラジカル、イオン種が生成される。用いられるガスの流量はプラズマパラメーターに影響するファクターであるが、一般にその流量は1ミリリットル/秒以上であり、1,000ミリリットル/秒以下の範囲で使用可能である。好ましくは10ミリリットル/秒以上で500ミリリットル/秒以下、更に好ましくは30ミリリットル/秒以上で100ミリリットル/秒以下で使用することができる。以上、生成したプラズマを膜に照射することにより、膜の構成物質の形態結晶構造を変化させることができる。特に限定するものではないが、例えばCVDにより形成されたアモルファスシリコン膜に対して前記プラズマを照射すると、容易にその結合状態を変化させ得る。このとき、プラズマジェットを用いる場合、特に限定するものではないが、膜を形成した基板をXYステージに乗せ、プラズマジェットを固定したままX軸方向又はY軸方向にスキャンすることで、プラズマ照射部の結合状態を変化させ得る。プラズマの照射対象がアモルファスシリコン膜の場合、プラズマ照射前後の形態変化をラマン散乱により追跡することができる。ラマン散乱によると、はじめはブロードなアモルファスシリコン由来の結合が200nmから600nmにかけて観察されるが、これがプラズマ照射されるに従い、そのピーク位置をシフトさせながら徐々にブロードなピークの横に鋭い多結晶シリコンのピークが現れるようになる。最終的にアモルファスシリコンのブロードなピークは消失し、多結晶シリコンのピークのみが観察されるようになる。このとき、特に放電管に誘電体を用いた熱非平衡型のプラズマを照射した場合、基材自身の温度は上昇しないため、アモルファスシリコン膜の形態のみが変化するにとどまり、基材の変形等は伴わないのが大きな特徴といえる。また、アモルファスシリコンの形態変化は一般に半導体産業で多く必要とされる技術であることから、形態変化中に酸化皮膜が形成されることを嫌う。このため、特に限定するものではないがグローブボックス等酸素を遮断した環境下でのプラズマ処理により酸化膜形成を抑制することが可能である。なお、放電管材料に金属管を用いることにより、プラズマ密度を上げることができる。この場合、先述の誘電体を放電管に用いたプラズマに比べ、その周囲温度を若干上げることができる。これによりアモルファスシリコンの結晶化速度は向上することとなる。一方、プラズマジェットではXYステージでの照射部移動がそのプロセスの作業時間を限定してしまい、大面積の処理時間が非常に長くなる。そこで平面電極を用いた平板電極間にプラズマを生成し、膜を付加した基材をこの平板電極間に設置し、プラズマ照射することによって、大面積の膜を容易に構造変換することが可能である。この場合、電極材料は前述したように特に限定するものではないが、前記プラズマジェットのとき同様、誘電体に導電テープ等で高電圧電線を取り付けた電極で、その誘電体同士を対向させた構造でもよいし、また金属電極をそのまま対向させてもよい。処理基板はこの対向電極間に設置するが、そのまま下部電極上においてもかまわない。以上述べたように、本発明のプラズマアニール装置は従来のレーザーアニール装置に比べ安価であり、かつ従来のような高温を必要とせず、低温での処理により半導体膜を形成できるものであり、半導体デバイスのプラスチック化に非常に有用な技術である。[実施例1]CVD法により形成したアモルファスシリコン膜に対して、金属放電管ステンレス管を用いたプラズマ照射装置によりプラズマジェットを照射し、その結晶状態の変化をラマン分光法により解析した。なお同一装置内で成膜とプラズマ照射を行った。アモルファスシリコン膜の形成には、グロー放電分解装置に成膜用ガスとして流量200sccmのSiH4と、流量200sccmのHeとを流した。sccmはstandardcc/minの略称であり、1分間当たりのcccm3を意味する。このガスをガス導入口より反応炉内部に導入して基板面に噴出し、ヒーターによって基板を250°Cに設定すると共に、基板支持対と電極板の間で高周波電力200Wでグロー放電を行い、5時間かけて膜厚30μmのアモルファスシリコン膜を形成した。得られたアモルファスシリコン膜のラマンスペクトルを図4に示す。ラマンスペクトルはブルカーオプティクス社製の顕微レーザーラマンSENTERRAを用い、波長532nmで測定を行った。測定結果から200nmから600nmにかけてブロードなピークが観測された。次にこの膜に対して、プラズマ照射装置内の放電管に金属放電管ステンレス管を用い、生成したプラズマを20°Cで30分照射した。このとき印加した電圧は10キロボルト、周波数は10kHzであった。プラズマ照射後のラマンスペクトル測定結果を図5に示す。図6に、プラズマ照射前10、プラズマ照射後11のシリコン膜のラマンスペクトル測定結果を重ねて示す。半値幅はプラズマ照射前10、図4のスペクトルに比較して、プラズマ照射後11、図5のスペクトルには狭くなっていることから、膜の構成物質の結合状態が変化し、アモルファスシリコンからポリシリコンに結晶構造が変化していることが確認された。"