ワイヤボンディングされるパッドを備えた半導体装置であって、半導体基板と前記半導体基板の表面に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の上に設けられた金属膜と、前記金属膜の上に設けられ、前記金属膜の一部を露出させる開口部を備えた保護膜と、前記開口部の前記金属膜の上に設けられた異方性導電フィルムと、前記開口部の前記異方性導電フィルムに対してワイヤボンディングされたワイヤと、を備えることを特徴とする半導体装置。前記異方性導電フィルムは、前記開口部において、前記開口部の前記金属膜の全面の上に設けられ、前記開口部以外において、前記保護膜の上に設けられている、ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記異方性導電フィルムは、前記開口部において、前記開口部の前記金属膜の一部の面の上に設けられ、前記開口部以外において、前記保護膜の上に設けられている、ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記異方性導電フィルムは、前記開口部のみにおいて、前記開口部の前記金属膜の全面の上に設けられている、ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。前記異方性導電フィルムは、前記開口部のみにおいて、前記開口部の前記金属膜の一部の面の上に設けられている、ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。しかし、従来の技術においては、ワイヤボンディングの衝撃で発生した応力によっては、金属膜20であるパッドやパッド下の絶縁膜10にクラックが入ってしまう可能性があり、課題となっている。本発明は、上記課題に鑑みてなされ、ワイヤボンディングによるクラックが入りにくい半導体装置を提供することを目的とする。本発明は、上記課題を解決するため、ワイヤボンディングされるパッドを備える半導体装置において、金属膜と、前記金属膜の上に設けられ、前記金属膜の一部を露出させる開口部を備える保護膜と、前記開口部の前記金属膜の上に設けられる異方性導電フィルムと、前記開口部の前記異方性導電フィルムに対してワイヤボンディングされるワイヤと、を備えることを特徴とする半導体装置とする。本発明では、ワイヤボンディングの衝撃で発生した応力は、異方性導電フィルムの歪みにより、異方性導電フィルムにほとんど吸収される。よって、この衝撃で発生した応力によって金属膜及び絶縁膜にクラックが入る可能性は極めて低くなる。以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。まず、半導体装置の構成について説明する。図1は、本発明の実施例である半導体装置を示す断面模式図である。図1A及びBに示すように、半導体装置は、半導体基板7の上に設けられた絶縁膜1、さらにその上に配置された金属膜2、保護膜3、ACF異方性導電フィルム4、ワイヤ5、及び、封止樹脂6を備える。また、ACF4は、バインダ4a、及び、導電粒子4bを備える。図1Aはワイヤボンディングがなされる前の状態を示す、断面模式図である。保護膜3は、金属膜2の上に設けられる。この保護膜3は、パッドとなる金属膜2の一部を露出させる開口部を備えている。ACF4は、開口部の金属膜2の上部全面に設けられ、開口部以外においては保護膜3の上に設けられる。ACF4は、バインダ4aと導電粒子4bとからなり、複数の導電粒子4bがバインダ4aの内部で分散している。図1Bはワイヤボンディングがなされた後の状態を示す、断面模式図である。ワイヤ5は、開口部上に配置されたACF4に対してワイヤボンディングされる。従って、ボンディングされたワイヤ5と金属膜2との間にACF4が挟まれていることになる。この後、ワイヤ5とACF4を覆って封止樹脂6が充填され、パッケージに封止された半導体装置となる。次に、ワイヤボンディングにより発生する応力の影響について説明する。保護膜3の開口部はパッドの領域を定義していて、ワイヤボンディングがパッドに対して実施される前では、図1Aに示すように、ACF4は略平面状になっている。ワイヤボンディングがパッドに対して実施された後では、図1Bに示すように、ワイヤボンディングの衝撃点を中心に、この衝撃で発生した応力により、ACF4は大きく歪む。具体的には、ACF4において、バインダ4a及び導電粒子4b内部の樹脂が、ワイヤボンディングの衝撃に基づいた方向にそれぞれ潰れる。この時、この応力は、ACF4の歪みにより、ACF4にほとんど吸収される。すると、ACF4と金属膜2との接合面はほとんど歪まないので、ワイヤボンディングの衝撃は金属膜2及び絶縁膜1にほとんど影響しない。つまり、ワイヤボンディングの衝撃で発生した応力により金属膜2及び絶縁膜1にクラックが入る可能性ほとんどないことになる。また、ACF4が大きく歪むことでバインダ4aの内部で分散していた複数の導電粒子4bが互いに接触し、ワイヤ5と金属膜2とは、接触している複数の導電粒子4bを介して電気的に接続される。[効果]以上のように本実施例で示した構造においては、ワイヤボンディングの衝撃で発生した応力は、ACF4の歪みにより、ACF4にほとんど吸収される。よって、この衝撃で発生した応力により金属膜2及び絶縁膜1にクラックが入る可能性はほとんどない。[変形例1]図2は変形例1を示す。変形例1では、ACF4は、開口部において、開口部の金属膜2の一部の面の上に設けられ、開口部以外においては保護膜3の上に設けられる。このような構成にすると、開口部において、前述のACF4が設けられた一部の領域をボンディング領域として使用し、他の領域はプローブ領域として使用することが可能となる。ここで、ACF4を金属層2の上に選択的に配置するには、導電粒子4bが分散された感光性のバインダ4aを半導体ウェハ上に塗布し、感光性のバインダ4aの露光および現像により、感光性のバインダ4aが選択的に残るようにすれば良い。また、非感光性のバインダを用いてもACF4を選択的に配置することが可能である。導電粒子4bが分散された非感光性のバインダ4aをウェハ上に塗布し、その上にレジストを塗布し、露光および現像により、レジストを選択的に残す。このレジストをマスクとし、前述の非感光性のバインダ4aをエッチングし、非感光性のバインダ4aを選択的に残す。その後、レジストを剥離すれば、ACF4が選択的に設けられることになる。なお、導電粒子4bが分散された非感光性のバインダ4aの膜を、塗布ではなく接着によりウェハ上に配置しても良い。[変形例2]図3は変形例2を示す。変形例2では、ACF4は、開口部のみにおいて、開口部の金属膜2の全面の上に設けられる。この時、ACF4は、開口部以外において、保護膜3の上には設けられない。[変形例3]図4は変形例3を示す。変形例3では、ACF4は、開口部のみにおいて、開口部の金属膜2の一部の面の上に設けられる。この時、ACF4は、開口部以外において、保護膜3の上に設けられない。こうすると変形例1と同様に、開口部において、前述のACFが設けられた一部の領域はボンディング領域として使用し、他の領域はプローブ領域として使用することが可能となる。