"誘電体素子と、該誘電体素子の内部に設けた内部電極と、該内部電極と電気的に接続した外部電極層とを備え、前記誘電体素子と前記外部電極層の間に前記誘電体素子の全面を覆うガラス層を有し、前記外部電極層は、金属成分を含む下地電極と、樹脂電極とからなり、前記樹脂電極は、前記下地電極を覆い、かつ前記誘電体素子に前記ガラス層を介して接合することを特徴とするチップ部品。前記ガラス層は結晶化ガラスからなることを特徴とする請求項1に記載のチップ部品。前記樹脂電極は、前記誘電体素子の両端面において前記下地電極を覆い、かつ前記誘電体素子の四側面の両端部において前記誘電体素子に前記ガラス層を介して接合することを特徴とする請求項1に記載のチップ部品。セラミックグリーンシートを用意し、該セラミックグリーンシートに内部電極を挟んで積層し、焼成して誘電体素子を形成する工程と、前記誘電体素子全面を覆うガラス層をガラス溶液により形成する工程と、前記内部電極と前記ガラス層を介して電気的に接続する下地電極を形成する工程と、該下地電極を覆い前記誘電体素子表面に及ぶ樹脂電極を形成する工程を有することを特徴とするチップ部品の製造方法。前記ガラス溶液はホウケイ酸ビスマス系ガラスの溶液であることを特徴とする請求項4に記載のチップ部品の製造方法。前記ガラス溶液を被着した誘電体素子を700°C以上の温度で焼成した結晶化ガラスであることを特徴とする請求項4または請求項5に記載のチップ部品の製造方法。本発明は、上述の事情に基づいてなされたもので、大型のチップ部品でも、高性能、高品質で、実装状態において高い信頼性を確保することのできる積層チップ部品とその製造方法を提供することを目的とする。本発明のチップ部品は、誘電体素子セラミック焼成体の全表面がガラス層で覆われている。そして、外部電極層は、金属成分を含む下地電極と、樹脂電極とからなり、下地電極は誘電体素子の両端面に形成され、樹脂電極は下地電極を覆い、誘電体素子にガラス層を介して接合していることを特徴とする。ガラス層の表面にはガラス粒子による凹凸が形成されており、誘電体素子セラミック焼成体表面のガラス層が繋ぎの役割を果たし、強固で信頼性の高いセラミック素体への外部電極層の接続を確保することができる。特に凹凸が形成され易い結晶化ガラスを用いることで、ガラス層及び外部電極層との間でアンカー効果による、より強い接合を確保することができる。また、ガラス層が誘電体素子の全面を覆っていることにより、部品製造時および使用時において誘電体素子の損傷を防止するとともに、誘電体素子内部に水分等が侵入することを防ぎ、誘電体素子にめっきが付着して部品の信頼性を低下させることを防ぐこともできる。さらに、外部電極層の外層を樹脂電極で形成することにより、樹脂電極の弾力性によりチップ部品に加わる外部からのストレスの影響を低減し、誘電体素子にクラックが生じ難くなる。なお、内部電極と外部電極層との導通は、ガラス層のガラス粒子が誘電体素子表面に密な状態ではなく、疎らに付着していること、下地電極の焼成時に金属成分が流動化し下地電極材料とガラスとが混在することによって確保される。以下、本発明の実施形態について、積層チップバリスタを例に、図1乃至図5を参照して説明する。なお、各図中、同一または相当する部材または要素には、同一の符号を付して説明する。本発明に係る積層チップバリスタは、図1-図3に示すように、セラミックシート11bに内部電極11aを挟んで積層したセラミック焼成体である誘電体素子11と、該誘電体素子の表面全体を覆うガラス層12と、金属成分を含む下地電極13と樹脂電極14とからなる外部電極層15とを有している。誘電体素子11は、複数の内部電極11aがセラミックシート11bを介して互いに対向するように配設され、かつ、その一端側が交互に異なる側の端面に引き出されている。外部電極層15は、下地電極13とその上に形成された樹脂電極14とから構成されている。下地電極13は、銀ペーストを被着し焼成して形成したもので、銀を主成分としてガラスを含有している。樹脂電極14は樹脂銀ペーストを被着し加温硬化して形成したもので、樹脂を含む銀を主成分としている。樹脂電極14は、下地電極13を完全に覆い、下地電極13はガラス層12を介して誘電体素子11の端面の内部電極11aに接合している。内部電極11aと外部電極層15との導通は、ガラス層はガラスの粒子が誘電体素子11の表面に密な状態ではなく、疎らに付着していること、下地電極14の焼成時に金属成分が流動化し下地電極材料とガラスとが混在することによって確保される。ガラス層12の表面には疎らにガラス粒子が存在することで、誘電体素子表面よりも粗い凹凸が形成されており、さらに図2のBに示すように、樹脂電極14が誘電体素子11の両端部において下地電極13よりもガラス層12の表面に伸び、凹凸に入り込むことで、アンカー効果により誘電体素子11の表面と外部電極層15とが強く接続される。また、樹脂電極14は金属成分のみからなる電極と比較して弾性を有しているため、実装基板と誘電体素子11との間に生じる応力を緩和する。図3に示すように、誘電体素子11の両端部において、下地電極13がガラス層12を介して誘電体素子11の両端面Cに接合し、樹脂電極14は下地電極13を覆い、かつ誘電体素子11の四側面の両端部Bにおいて誘電体素子11にガラス層12を介して直接接合する。従って、樹脂電極14が端面において下地電極13を包含し、ガラス層12を介して誘電体素子11の四側面の両端部Bに接合するので、ガラス層12がつなぎの役割を果たし、外部電極層15の誘電体素子11の両端部への強い接続が得られる。なお、実装方向が限定される場合には、部品製造時に樹脂電極14を誘電体素子11の下部にのみ接合することもできる。これは、外部電極層の素体からの剥離が部品の実装時における下部で起こりやすいためである。また、外部電極層15上にNiめっき層16と、更にその上にSnめっき層17を形成することも可能である。Niめっき層16はハンダ食われを防止し、Snめっき層17は実装基板とのハンダ接合を良好にする。誘電体素子11の表面全体には、ガラス、特に結晶化ガラスからなるガラス層12が形成されている。このガラス層は、ガラスの粒子が残った状態であるため、表面に凹凸が形成されていて、外部電極層15に対して強固な接合性を与える。また、ガラス層の厚みは、10μm以下にすることで、下地電極13の金属成分がその焼成時に流動化し、誘電体素子11の端面に露出した内部電極11aと外部電極層15との導通が確保される。ガラス層12の組成は、B2O3Bi2O3、B2O3SiO2、B2O3Bi2O3SiO2、B2O3ZnOSiO2、B2O3Bi2O3SiO2ZnO、B2O3Bi2O3SiO2ZnOSb2O3、B2O3SiO2PbO、Bi2O3SnO2、Bi2O3B2O3等が考えられる。このガラス層は、結晶化していることが、接合性向上のため好ましい。ガラス層は、特に好ましくは、ZnOBi2O3SiO2B2O3Sb2O3で示されるホウケイ酸ビスマス系ガラスである。このガラスを700°C以上で焼き付けることで結晶化させることができる。ホウケイ酸ビスマス系ガラスの組成は、主成分として、酸化亜鉛ZnOを1~2wt、酸化ビスマスBi2O3を50~70wt、酸化ケイ素SiO2を10~20wt、酸化ホウ素B2O3を8~13wt、酸化アンチモンSb2O3を01~1wtで構成する。Bi2O3は誘電体素子への濡れ性向上のため、ZnOは誘電体素子と樹脂電極の接合強度向上のため、Sb2O3は耐酸性向上のために、それぞれ加える。ここに、酸化カルシウム,酸化マグネシウム,酸化アルミニウム,酸化ジルコニウム,酸化バリウム,酸化ストロンチウム,酸化ナトリウム,酸化リチウム,酸化カリウムから2種類以上を5wt以下含有させてもよい。ホウケイ酸ビスマス系ガラスは、SiO2B2O3組成が基本組成になり、SiO2だけでは融点が高く使用しにくいため、B2O3を添加して焼成を低温化させて使用し易くすることができる。更に低温化させるためにBi2O3を入れる。これにより焼成の低温化と共に濡れ性が向上する。しかしこの状態ではアモルファスガラスとなりめっき液に侵食される可能性がある。そこで、ZnOやSb2O3を添加して結晶化を図り、結晶化することで耐酸性を向上させる。また、ZnOBi2O3SiO2-B2O3-Sb2O3に対して、酸化カルシウム,酸化マグネシウム,酸化アルミニウム,酸化ジルコニウム,酸化バリウム,酸化ストロンチウム,酸化ナトリウム,酸化リチウム,酸化カリウムを加えると、ガラスの結晶化や低温化を促進することができる。上記ガラス組成を用いた場合の、ガラス層の焼成温度を検討した結果を表1に示す。焼成温度を検討するにあたり、熱分析装置を用いガラスの熱挙動の把握を行った。この結果、上記ガラス組成を用い、700°C以上で焼き付けることで結晶質が得られ、結晶化させることができることが分かる。ここで、耐めっき性は外部電極層表面に電解めっきを施したとき、誘電体素子表面迄めっきが延びているものの比率を示す。めっきが誘電体素子表面迄延びた場合、ガラス層がめっき液により溶けた状態になり、さらにめっき液が外部電極層と誘電体素子表面を接合するガラス層も溶かすため、外部電極層と誘電体素子表面の接合強度の劣化をもたらす。ガラス層の焼成温度を700°C以上にすることで、ガラス層の結晶相が結晶質となり、耐めっき性が向上し、それによって、誘電体素子と外部電極層の接合強度を維持することが確認できる。次に、本発明に係るチップ部品の製造工程について、図4-図5を参照して説明する。図4に示すように、この製造工程の概略は、セラミックグリーンシートを用意し、セラミックグリーンシートに内部電極を挟んで積層し焼成して誘電体素子を形成する積層工程aと、誘電体素子の全面を覆うガラス層をガラス溶液により形成するガラス層形成工程bと、内部電極と電気的に接続する下地電極を銀を主成分としたペーストを塗布することにより形成する下地電極形成工程cと、下地電極を覆いガラス層を介して前記誘電体素子表面に及ぶように樹脂電極を形成する樹脂電極形成工程dとを有している。さらに、Niめっき層形成工程eおよびSnめっき層形成工程fを設けても良い。次に、各工程について具体的に説明する。図5に示すように、積層工程では、ZnOBi2O3CoOMnONiO等のバリスタ材料を調合しS1、仮焼き粉砕整粒の工程を繰り返しS2-S4、これに有機バインダ、可塑剤等を加えて混合しスラリーを作製しS5、ドクターブレード法等でセラミックグリーンシートを作製するS6。そしてグリーンシート上にAgPd等の導体ペーストをスクリーン印刷することで内部電極を配置し、積層し、ダイシングしてセラミックチップを作製するS6-S8。そして、熱処理による脱バインダ処理を行いS9、高温で焼成することで、セラミックシートに内部電極を挟んで積層したセラミック焼成体である誘電体素子を作製するS10。さらにバリスタの信頼性を高めるため再度の熱処理であるアニールを行いS11、バレル処理によりセラミックチップの角を取りS12、誘電体素子11を完成する。次に、ガラス層形成工程S13では、誘電体素子にガラス溶液を被着し、熱処理することで、誘電体素子11の全表面に均一な厚みでガラス層12を形成する。ガラス溶液はホウケイ酸ビスマス系ガラス9wtを、ポリエチレングリコール1wt、イオン交換水90wtと共に混合して形成することが好ましい。そして、得られたガラス溶液100gを上述の誘電体素子11と混合し、その後円筒形の金属容器に移し、密閉されたボールミル架台に載せ、40°Cの熱をかけながら60rpmの回転速度で1hr回転乾燥させる。その後、各組成のガラス転移温度以上で焼成する。上述したように700°C以上で焼成することで、結晶化ガラス層12を誘電体素子11の全表面に均一に10μm以下の厚さで形成できる。なお、本実施例で用いるガラス溶液の固形分は5~15wtが最適である。次に、下地電極形成工程S14では、銀粉末70wtとガラス10~15wtとその他溶剤を混合したペーストに誘電体素子11の両端面を浸漬し、600~800°Cで焼成することで下地電極13を形成する。この焼成時に、下地電極中の銀成分が流動化してガラス層中を拡散し、誘電体素子11の端面に露出する内部電極11aと接触し、これにより内部電極11aと下地電極13との電気的導通が確保される。更に、樹脂電極形成工程S15では、銀粉末70wtに熱硬化型樹脂30wtを拡散したものに溶剤を混合したペーストに、誘電体素子11の両端面を下地電極13を覆うように浸漬する。そして、150~300°Cで硬化させて樹脂電極14を形成する。これにより、下地電極13と樹脂電極14とからなる外部電極層15を備えた積層チップバリスタが完成する。また、この後に外部電極層15上にNiめっき層16とSnめっき層17を形成することS16も可能である。Niめっき層16とSnめっき層17とは電解めっきにより容易に形成可能である。そして、これにより実装基板への搭載に際し、ハンダ接合性を良好なものとすることができる。これまで本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。"