貫通孔を有する基板の前記貫通孔内に前記基板に対して選択除去可能な材料を含む充填物が充填された基板を用意する工程と、前記基板の少なくとも一方の面であって、前記貫通孔の少なくとも一部を含む領域上に、少なくとも表面の一部が絶縁性である構造体を形成する工程と、前記構造体を形成した前記基板上にめっき層を形成する工程と、前記めっき層を形成後、前記充填物と前記構造体を除去する工程と、を含むことを特徴とする貫通孔基板の製造方法。前記構造体の前記基板との接触面の径が、前記貫通孔の径よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の貫通孔基板の製造方法。前記構造体の前記基板との接触面の径が、前記貫通孔の径よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の貫通孔基板の製造方法。前記充填物が金属であることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の貫通孔基板の製造方法。前記基板の少なくとも一方の面であって、前記貫通孔の開口端の少なくとも一部を含む領域上にシード層を形成することを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載の貫通孔基板の製造方法。前記めっき層が無電解めっき層であることを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載の貫通孔基板の製造方法。貫通孔を有する基板を有し、前記基板の少なくとも一方の面に、前記貫通孔の径以下の開口径を有し前記貫通孔と連通する開口部を有する無電解めっき層が設けられたことを特徴とする貫通孔基板。しかしながら、上記方法では、プレートに形成されたノズル孔をフォトマスクとして用いているため、従来の半導体フォトリソグラフィで用いられるようなフォトマスクに比べ孔の円形形状の精度が低くなる。このため、真円度の高い光硬化性樹脂膜の構造体を形成することは必ずしも容易ではなく、めっき層の開口部の真円度に対して影響を及ぼす。また、光硬化性樹脂膜の構造体はノズル孔の形状に相似であり、ノズル孔と異なるめっき層の開口形状を得ることは必ずしも容易ではない。さらにこの方法では、ノズル孔の径より小さな光硬化性樹脂膜の構造体をプレートのノズル孔で保持することができない。したがって、ノズル孔の径よりも小さなめっき層の孔を形成することが困難である。上記課題に鑑み、本発明の貫通孔基板の製造方法は、次の工程を含む。貫通孔を有する基板の前記貫通孔内に前記基板に対して選択除去可能な材料を含む充填物が充填された基板を用意する工程。前記基板の少なくとも一方の面であって、前記貫通孔の少なくとも一部を含む領域上に、少なくとも表面の一部が絶縁性である構造体を形成する工程。前記構造体を形成した前記基板上にめっき層を形成する工程。前記めっき層を形成後、前記充填物と前記構造体を除去する工程。また、上記課題に鑑み、本発明の貫通孔基板は、貫通孔を有する基板を有し、前記基板の少なくとも一方の面に、前記貫通孔の径以下の開口径を有し前記貫通孔と連通する開口部を有する無電解めっき層が設けられたことを特徴とする。本発明によれば、貫通孔内に充填物がある基板上に、フォトリソグラフィなどを用いて、少なくとも表面の一部が絶縁性である所定の形状を有する構造体を形成することにより、精度良く構造体を形成することができる。これにより、精度良く形成された構造体の形状がめっき層に転写されるため、めっき層に真円度等の形状精度の高い開口部を形成することができる。また、貫通孔の形状とは異なる形状の開口部でも形成することができる。本発明の特徴は、貫通孔に充填物が充填された基板の面に、少なくとも表面の一部が絶縁性の所定の形状を有する構造体を形成し、基板上にめっき層を形成後、充填物と構造体を除去することで、貫通孔と連通する開口部を有するめっき層を持つ貫通孔基板を作製することである。この考え方に基づき、本発明の貫通孔基板の製造方法や貫通孔基板の一例は、上述した基本的な構成を有する。次の様にすることもできる。構造体の基板との接触面の径構造体が長手方向に形状が均一な柱状である場合には構造体の断面の径と等しいを、貫通孔の径よりも小さくすることができる。こうすれば、電子線レンズとして用いる場合に、貫通孔径に対してめっき層の開口部の直径が小さくなる。この形態の電子線レンズの場合、めっき層の開口部の直径の方が大きいものに対して、めっき層の開口部の真円度の収差への影響は小さく、高い加工精度の真円度への要求は小さくなる。他方、構造体の基板との接触面の径を、貫通孔の径よりも大きくすることもできる。こうすれば、構造体のアスペクト比アスペクト比とは、構造体の高さまたは深さhと横幅wの比h/wである。を小さくできるため製造上の容易性が向上する。また、これに伴い、絶縁性の構造体を感光性樹脂にて形成する場合に、特殊な光源を使用しなくても作製できるようになる。また、絶縁性の構造体の高さを大きくすることもでき、これに伴いめっき層の厚さを大きくとることができ、めっき層を厚い電極とすることができ剛性が向上する。より厚い電極とすることにより、電圧印加時の静電引力による変形を抑制することもできる。また、基板の貫通孔への充填物を金属とすることができる。こうした場合、基板に耐熱性があるため、めっき液耐性を上げることができ、開口部を画成するめっき金属材料として使用できる金属の種類を増やすことができる。また、基板の少なくとも一方の面であって、貫通孔の少なくとも一部を含む領域上にシード層を形成することができる。こうすれば、基板とめっき層との密着性を上げることができる。また基板の選択された場所にめっき層を形成することができる。さらに、めっき層を無電解めっき層とすることができる。これによれば、電気めっきとは異なりシード層を連続で形成する必要がなく、さらにエッジ効果によるめっき層の膜厚分布を小さくすることができる。また、隣接する貫通孔間でめっき層が繋がっていない構造にもできるため図3d参照、めっき応力による基板の反りを小さくできる。以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態を詳細に説明する。図1は、本発明の貫通孔基板の製造方法の一実施形態の概要を説明するための断面の模式図である。本実施形態では、図1aに示す貫通孔を有する基板1の貫通孔2内に、基板に対して選択除去可能な材料を含む充填物4が充填された基板3を用意する。貫通孔を有する基板1は、シリコン、ガラス、石英等の無機材料やアクリル、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリカーボーネート等の有機樹脂材料を使用することができる。また、これら基板材料は、使用するめっき液に対して耐性のあるものから選択する。充填物4の材料は、無機材料や有機材料やそれらの混合物を使用することができる。無機材料としては金属が挙げられ、銅、ニッケル、鉄、金、亜鉛、クロム、錫及びこれらの合金を使用することができる。有機材料としては、ポリオレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリアクリル系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリビニル系樹脂、石油系樹脂、ポリスチレン系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、セルロース系樹脂などの樹脂類やそれらの混合物を使用することができる。また、これら充填物は、使用するめっき液に対して耐性のあるものから選択する。さらに、基板に対して選択除去可能な材料から選択する。充填物は必ずしも貫通孔内全てに充填されている必要はなく、貫通孔と充填物との間に段差があってもよい。例えば、貫通孔の開口端から充填物が突出していてもよいし、充填物が貫通孔の開口端から凹んでいてもよい。なぜなら、何れの場合でも、貫通孔の開口端の少なくとも一部を含む領域上に後述の構造体6を支障なく形成できるからである。本実施形態では、貫通孔の開口端の少なくとも一部を含む領域上に、少なくとも表面の一部が絶縁性の構造体6を形成する図1b。構造体6の少なくとも表面の一部を絶縁性とすることは、次の理由による。第一に、少なくとも構造体の頂面を絶縁性としてここにはめっき層が形成されない様にするためである。構造体の頂面上にめっき層が形成されてしまうと、後にたとえ構造体6と充填物4を除去したとしても、開口部9がキャップされて貫通孔でなくなってしまうからである。次に、めっき層と構造体の絶縁性表面との密着性を低減して構造体を後に除去し易くするためと、構造体のまわりに形成するめっき層の進行態様を好適にするためである。こうした意味で、頂面以外が導電性である構造体例えば、円筒形の金属の頂面に絶縁層を形成した構造体としても、めっき層に対して構造体の導電性部が選択除去可能であれば、こうした形態も可能である。典型的には構造体全体を絶縁性材料で形成すればよいが、少なくとも表面のどの部位を絶縁性とする必要があるかは構造体の形状に依存するので、場合に応じて貫通孔形成可能性の観点から決定することになる。また構造体の形状は、貫通基板貫通孔を有する基板の開口部の形状をどのような形状とするかという目的に応じて適宜調整することができる。例えば円形状の開口部を形成したい場合であれば断面形状が円形状である円柱状の構造体とすれば良い。同様に楕円形状の開口部を得る場合には断面形状が楕円形状である柱状の構造体とすれば良い。さらに多角形状の開口部を得る場合には断面形状が多角形状である柱状の構造体とすれば良い。本実施形態では、少なくとも表面が絶縁性の構造体6の基板3との接触面の径と貫通孔2の径との大きさの関係は貫通孔基板の用途によって決定する。構造体6が同じ高さで、基板3との接触面の径が大きいほど、構造体のアスペクト比が小さくなり作製が容易になる。また、基板3に対して法線方向の構造体6の断面はテーパー形状であっても、逆テーパー形状であってもよい。ここで、径とは円形形状の場合は直径のことを指し、楕円もしくは多角形の場合においては最長辺または最短辺のことを指す。本実施形態では、少なくとも表面が絶縁性の構造体6はフォトレジストを用いればフォトリソグラフィを用いて形成することができる。フォトリソグラフィ技術はIC分野をはじめ様々な電子デバイスの製造に用いられる技術であり、精度良く感光性材料を形作ることができる技術である。フォトリソグラフィとしては、UV光を利用した方法に限らず、放射光を利用したX線リソグラフィも使用することができる。さらに、電子線レジストを用いれば電子ビーム露光にて構造体を形成することも可能である。構造体6として使用できる材料は、使用するめっき液に対して耐性のあるものから選択する。また、開口部形状として所望の形状の構造体6が得られるのなら、構造体の形成方法はこれらに限定されない。例えば、要求される条件を満たすならば、ステンシルマスクを用いて露光することで構造体を形成することもできる。また、導電性材料にて構造体を形成した後に、表面に絶縁性の層を形成してもよい。次に、基板3上にめっき層7を形成する図1c。このとき、フォトリソグラフィにて形成された絶縁性の構造体6の形状がめっき層7に転写される。めっき層7の形成方法としては、無電解めっきまたは電気めっき及びこれらの組み合わせにて行うことができる。電気めっきの場合はエッジ効果によりめっき膜厚の分布が大きくなる傾向があるため、好ましくは無電解めっきを用いる。めっき層形成後にめっき層7の厚みを揃えるために研磨やエッチングをしてもよい。充填物が充填された基板3表面にシード層5を形成してもよい例えば、図4参照。シード層5の形成方法としては、スピンコート、吹き付け、ディッピング、真空スパッタ、電子ビーム蒸着、CVDChemical-Vapor-Deposition法等の何れの方法も可能である。また、めっき層を所望の領域のみに形成したいのであれば、シード層をパターニングしてもよい例えば、図3参照。また、基板表面にパラジウム触媒等を吸着させ、パラジウム触媒層をシード層として用いてもよい。貫通孔を有する基板1が導電性を有しているもの、もしくはめっき層との密着性が良いものであれば、必ずしもシード層を形成しなくてもよい。ここで、シード層上に絶縁性の構造体が形成されているところにはめっき層は形成されない。所望の領域のみにめっき層を形成する場合は、シード層をパターニングしておくか、フォトレジスト等を用いて所望の領域のみのシード層を露出しておく。電気めっきの場合にはこのシード層を通じて通電し、めっき層を形成する。シード層としては、使用するめっき液に対して耐性のあるものから選択する。無電解めっきの場合、シード層は、無電解めっき核発生を有効に行うことができる触媒の吸着層として機能する。また、貫通孔を有する基板とめっき層との密着層としても機能する。次に、めっき層7を形成後、充填物4と構造体6を除去する図1d。構造体6が除去されることにより、フォトリソグラフィにて精度良く形成された構造体の形状が転写されためっき層7の開口部9が得られる。充填物4と構造体6の除去はエッチングにて行うことができる。充填物と構造体の除去の順番は指定されない。貫通孔2の径より構造体6の径が大きい場合は、構造体を除去して充填物を除去する。貫通孔2の径より構造体6の径が小さい場合は、充填物をエッチングすることによって、構造体はリフトオフすることができる。また、充填物と構造体のどちらもエッチングできるエッチング液を用いれば、ほぼ同時にこれらを除去できる。使用するエッチング液は、貫通孔を有する基板1とめっき層7をエッチングしないものから選択する。また、必要に応じてシード層を除去してもよい。図2aから図2dは、それぞれ、図1aから図1dの状態を上から見た様子を示す。以下、具体的な実施例を挙げて本発明をより詳細に説明する。第1の実施例第1の実施例を図3を用いて説明する。本実施例では、充填物4が充填された基板3を次のように用意する。両面ミラー面の4インチで厚さ100μmのシリコンウエハを用意し、その両面に電子ビーム蒸着装置にてクロムを2000Å成膜する。その上にポジ型レジストを塗布し、フォトリソグラフィにて、30μmφのレジスト開口パターンが38μmピッチで2次元状に配置されるようにパターニングを行なう。その後、クロムエッチング水溶液にてクロムをエッチングし、シリコンを露出させる。ICP-RIEにて、露出したシリコンに対して異方性の深堀りエッチングを行い、貫通孔2を形成し、貫通孔を有する基板1を形成する。続いて、UVオゾンアッシングとクロムエッチング水溶液にてレジストとクロムを除去する。ここで、熱酸化炉に投入し、表面に1000Åの熱酸化膜を形成する。次に、貫通孔を有する基板1とステンレスフィルムとが結合された基板を次のように用意する。非イオン性界面活性剤としてポリオキシエチレンラウリルエーテル融点34°Cを用い、重量比3対1のシクロペンタノンとアセトンの混合溶媒に溶解させて10重量のポリオキシエチレンラウリルエーテル溶液を調製する。この溶液をステンレスフィルム上にスピンコートし、室温に15分間放置したところポリオキシエチレンラウリルエーテルの固体がステンレスフィルム上に析出し、非イオン性界面活性剤の層が形成される。ステンレスフィルム上の非イオン性界面活性剤層上に、貫通孔を有する基板1を重ねて置き、70°Cに加熱されたホットプレート上に置くと、ポリオキシエチレンラウリルエーテルが溶融しステンレスフィルムと貫通孔を有する基板1が互いに貼りつく。その後、室温に冷却したところポリオキシエチレンラウリルエーテルが固体になり、ステンレスフィルムと貫通孔を有する基板1が強固に貼りつく。この基板を、イオン交換水の入ったビーカーに3分間浸す。貫通孔2を観察すると、貫通孔2内からポリオキシエチレンラウリルエーテルが溶出していき貫通孔2下のステンレスフィルムが露出される。本実施例では、充填物4として銅を用い、電気めっきにて充填を行う。上記基板を硫酸銅めっき液に浸し、室温にてステンレスフィルムから48mAで5時間通電し、貫通孔2から銅のめっき層が突出するまでめっきを行う。硫酸銅めっきの陽極にはリン含有銅板を用いる。硫酸銅めっき液は次の組成にて調製されたものを用いる。硫酸銅5水和物200g/L98濃硫酸14mL/L35塩酸0.09mL/LCu-BriteVFII-A荏原ユージライト社製20mL/LCu-BriteVFII-B荏原ユージライト社製1mL/Lめっき終了後、ステンレスフィルムをピンセットで摘み、ステンレスフィルムのみを基板面に対し平行な方向にずらしていき剥離する。めっき層が突出した部分を化学的機械研磨CMPにて研磨し、充填物4が充填された基板3として用いる図3a。次に、充填物が充填された基板3の片面に、電子ビーム蒸着装置にてクロムを50Å、銅を500Åの順番で成膜する。その上にポジ型レジストを塗布し、フォトリソグラフィにて45μmφのレジスト円形パターンをそれぞれの貫通孔2上に形成する。その後、銅とクロムを順次エッチングし、レジストを除去することにより、貫通孔2を覆うように45μmφの円形のシード層5が形成される図3b。本実施例では、表面が絶縁性の構造体6として、ネガ型レジストのSU-8化薬マイクロケムを用いる。SU-8を塗布し、フォトリソグラフィにて26μmφで高さ10μmのレジスト円形パターンをそれぞれの貫通孔2上のシード層5上に形成する。200°Cのホットプレート上でレジストを硬化させる。こうすることで円柱状の構造体が形成される図3c。本実施例では、めっき層7として無電解パラジウムめっきを用いる。塩化第一錫の塩酸溶液を用い錫をシード層5に吸着させ、水洗後、パラジウムイオンを含む溶液に漬けて再び水洗した後に、無電解パラジウムめっきを行う。無電解パラジウムめっき液レクトロレスPd2000S、日本エレクトロプレイティングエンジニアヤース社製にてめっき液温度50°Cで8時間めっきを行うと、6μmの厚さの無電解パラジウムめっき層7が得られる図3d。続いて、50°Cに加熱した濃硫酸と過酸化水素水との混合水溶液に浸透させとSU-8構造体6が溶解する。水洗後、クロムのエッチング液にてシード層5をエッチングする。水洗後、銅のエッチングにて充填物4の銅をエッチング除去する。これによって無電解パラジウムめっき層7中に開口部9がある貫通孔基板8が得られる。開口部9の形状は構造体6の形状が転写され高い真円度ないし形状精度のものが得られる。こうして、基板がシリコン、充填物が銅、シード層が銅/クロムで予めパターニングされ、構造体がSU-8レジスト、めっき層が無電解パラジウム、貫通孔径>構造体径である作製方法を経て貫通孔基板を作製することができる。この貫通孔基板には、貫通孔の径以下の開口径を有し貫通孔と連通する開口部を有する無電解めっき層が設けられている。この様な貫通孔基板を静電レンズとして用いれば、特に開口部9の真円度が高いため、収束された電子ビームは、非点収差やその他の高次項の収差を低減させられる。比較例比較例を説明する。本比較例では、両面ミラー面の4インチで厚さ100μmのシリコンウエハを用意し、その両面に電子ビーム蒸着装置にてクロムを2000Å成膜する。その上にポジ型レジストを塗布し、フォトリソグラフィにて26μmφのレジスト開口パターンが38μmピッチで2次元状に配置されるようにパターニングを行なう。その後、クロムエッチング水溶液にてクロムをエッチングしシリコンを露出させる。ICP-RIEにて、露出したシリコンを異方性の深堀りエッチングを行い、貫通するまでエッチングを行う。この製法では、貫通した側の開口部は円形形状が崩れた形状になる。また、エッチングを開始した面の開口部も、レジストで形成した開口形状とは異なり、レジストの円形の開口形状の真円度に対して開口部の真円度は低下する。第2の実施例第2の実施例を図4を用いて説明する。第2の実施例においては、充填物がニッケルであること以外は第1実施例と同様な方法で充填物4が充填された基板3を用意する図4a。次に、充填物が充填された基板3の片面に電子ビーム蒸着装置にてクロムを50Å、銅を500Åの順番で成膜して、シード層5を形成する図4b。ここでは、表面が絶縁性の構造体6として、ネガ型レジストのSU-8化薬マイクロケムを用いる。SU-8を塗布し、フォトリソグラフィにて34μmφで高さ13μmのレジスト円形パターンをそれぞれの貫通孔2上のシード層5上に形成する。続いて、200°Cのホットプレート上でレジストを硬化させる図4c。こうして、表面が絶縁性の構造体6が形成される。ここでは、構造体6の径は貫通孔2の径より大きい。また本実施例では、めっき層7として電気白金めっきを用いる図4d。白金めっき液プレシャスファブPt3000、日本エレクトロプレイティングエンジニアヤース社製にてめっき液温度60°C、電流密度1A/dm2で2時間めっきを行うと、12μmの厚さの白金めっき層7が得られる。続いて、50°Cに加熱した濃硫酸と過酸化水素水との混合水溶液に浸透させとSU-8構造体6が溶解する。水洗後、クロムのエッチング液にてシード層5をエッチングする。水洗後、ニッケルのエッチングにて充填物4のニッケルをエッチング除去する図4e。これによって、開口部9を持つ白金めっき層7を含む貫通孔基板8が得られる。開口部9の形状は、型材である構造体6の形状が精確に転写され、高い真円度ないし形状精度のものが得られる。第3の実施例第3の実施例を図5を用いて説明する。本実施例では、第1実施例と同様な方法で充填物4が充填された基板3を用意する図5a。次に、充填物が充填された基板3の両面に電子ビーム蒸着装置にてクロムを50Å、銅を500Åの順番で成膜して、シード層5を形成する図5b。本実施例では、充填物が充填された基板3の両面に、表面が絶縁性の構造体6を形成する図5c。ここでも、表面が絶縁性の構造体6として、ネガ型レジストのSU-8化薬マイクロケムを用いる。SU-8を塗布し、フォトリソグラフィにて26μmφで高さ10μmのレジスト円形パターンをそれぞれの貫通孔2上のシード層5上に形成する。そして、200°Cのホットプレート上でレジストを硬化させる。もう一方の面にも、同様に表面が絶縁性の構造体6を形成する図5c。本実施例では、めっき層7として無電解パラジウムめっきを用いる。塩化第一錫の塩酸溶液を用いシード層5に錫を吸着させ、水洗後、パラジウムイオンを含む溶液につけて再び水洗した後に、無電解パラジウムめっきを行う。無電解パラジウムめっき液レクトロレスPd2000Sにてめっき液温度50°Cで7時間めっきを行うと、5μmの厚さの無電解パラジウムめっき層が得られる図5d。続いて、50°Cに加熱した濃硫酸と過酸化水素水との混合水溶液に浸透させとSU-8構造体6が溶解する。水洗後、クロムのエッチング液にてシード層5をエッチングする。水洗後、銅のエッチングにて充填物4の銅をエッチング除去する図5e。これによって、開口部9を有する無電解パラジウムめっき層7を両面に持つ貫通孔基板8が得られる。開口部9の形状は絶縁性の構造体6の形状が転写され、高い真円度ないし形状精度のものが得られる。