"標的容積50に照射するための荷電粒子照射装置10であって、各々供給されるべき規定された線量を有する一連の規定された照射点140を定義する治療方針70を受け取るために適応され、加速器20、ビーム移送システム30および少なくとも1個の走査磁石100;110を有する照射ユニット40、線量検出器120および前記走査磁石100;110と前記標的容積50の間に設置される少なくとも1台のビーム位置モニタ、対応する磁気設定が適用される時、ビーム90が前記規定された照射点を指すように、前記走査磁石の公称磁気設定に対応する任意の前記規定された照射点に対して算出するための手段および前記ビーム位置モニタ130において対応する予想される位置を算出するための手段を備えるコントローラ80を備え、前記コントローラ80が、更にa同調基準点を前記一連の規定された照射点から選択するための手段と、b前記選択された同調基準点に与えられるべき規定された同調線量を特定するための手段であって、前記規定された同調線量が前記選択された同調基準点において前記規定された線量と同等であるかまたはより少ない手段と、c前記ビーム位置モニタ130によって与えられるビーム位置と前記選択された同調基準点に対する前記ビーム位置モニタ130において前記予想される位置を比較するための手段と、d前記選択された同調基準点に対して前記ビーム位置モニタ130において前記予想される位置に前記ビーム位置モニタによって与えられる前記ビーム位置を位置合わせするために、前記走査磁石100;110の前記公称磁気設定に適用されるべき第1の補正を計算するための手段と、e前記第1の補正に従って全ての前記規定された照射点に対して前記走査磁石の前記公称磁気設定を補正するための手段と、を備えることを特徴とする装置。同調基準点を選択するための前記手段が、最も高い規定された線量を備えた前記照射点140の間で、同調基準点を選択するように適応されることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子照射装置10。同調基準点を選択するための前記手段が、閾値より上の規定された線量を有する照射点140の凸形の領域の中心で、同調基準点を選択するように適応されることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子照射装置10。同調基準点を選択するための前記手段が、閾値より上の規定された線量を有する照射点140の凸形の領域で無作為に、同調基準点を選択するように適応されることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子照射装置10。規定された同調線量を特定するための前記手段が、前記選択された同調基準点に対して前記規定された線量の10分の1より小さい規定された同調線量を特定するように適応されることを特徴とする請求項1~4のうちいずれかに記載の荷電粒子照射装置10。規定された同調線量を特定するための前記手段が、前記選択された同調基準点に対して前記規定された線量の100分の1より小さい規定された同調線量を特定するように適応されることを特徴とする請求項5に記載の荷電粒子照射装置10。前記コントローラ80が前記規定された同調線量を前記選択された同調基準点に対するまたは最も近い照射点に対する前記規定された線量から減ずるための手段を更に備えることを特徴とする請求項1~6のうちいずれかに記載の荷電粒子照射装置10。標的容積50に照射するための荷電粒子照射装置10であって、各々供給されるべき規定された線量を有する一連の規定された照射点140を定義する治療方針70を受け取るために適応され、加速器20、ビーム移送システム30および少なくとも1個の走査磁石100;110を有する照射ユニット40、線量検出器120および前記走査磁石100;110と前記標的容積50の間に設置される少なくとも1台のビーム位置モニタ130、対応する磁気設定が適用される時、前記ビームが前記規定された照射点140を指すように、前記走査磁石100;110の公称磁気設定に対応する前記規定された照射点140のいずれかに対して算出するための手段および前記ビーム位置モニタにおいて対応する予想される位置を算出するための手段を備えるコントローラ80、を備える装置10において、荷電粒子ビーム90の供給を調整するための方法であって、それが以下のステップ、すなわち、a同調基準点を前記一連の規定された照射点140から選択するステップと、b前記選択された同調基準点に与えられるべき規定された同調線量を特定するステップであって、前記規定された同調線量が前記選択された同調基準点において前記規定された線量と同等であるかまたはより少ないステップと、c前記ビーム位置モニタ130によって与えられるビーム位置と前記選択された同調基準点に対する前記ビーム位置モニタ130において前記予想される位置を比較するステップと、d前記選択された同調基準点に対して前記ビーム位置モニタ130において前記予想される位置に前記ビーム位置モニタ130によって与えられる前記ビーム位置を位置合わせするために、前記走査磁石100;110の前記公称磁気設定に適用されるべき第1の補正を計算するステップと、e前記第1の補正に従って全ての前記規定された照射点に対して前記走査磁石の前記公称磁気設定を補正するステップと、を含むことを特徴とする方法。同調基準点を選択する前記ステップが、最も高い規定された線量を備えた前記照射点140の間で、同調基準点を選択することを特徴とする請求項8に記載の方法。同調基準点を選択する前記ステップが、閾値より上の規定された線量を有する照射点140の凸形の領域の中心で、同調基準点を選択することを特徴とする請求項8に記載の方法。同調基準点を選択する前記ステップが、閾値より上の規定された線量を有する照射点140の凸形の領域で無作為に、同調基準点を選択することを特徴とする請求項8に記載の方法。規定された同調線量を特定する前記ステップが、前記選択された同調基準点に対して前記規定された線量の10分の1より小さい規定された同調線量を特定することを特徴とする請求項8ないし11のうちいずれかに記載の方法。規定された同調線量を特定する前記ステップが、前記選択された同調基準点に対して前記規定された線量の100分の1より小さい規定された同調線量を特定することを特徴とする請求項12に記載の方法。前記規定された同調線量を前記選択された同調基準点に対するまたは最も近い照射点に対する前記規定された線量から減ずるステップを更に含むことを特徴とする請求項8ないし13のうちいずれかに記載の方法。上述した技法は、いくつかの欠点を提示する。ペンシルビーム走査技法またはスポット走査技法による腫瘍の治療にとって、ビームの位置合わせにおける系統または偶然誤差を有する確率は高く、およびこの場合に、標的容積、すなわち腫瘍内に含まれる最初の小容積要素の照射は、適している標的となる容積要素で始まらず、健康な組織の一部である可能性がある別の容積要素で始まる。f.i.連続走査によって腫瘍または腫瘍の層に照射するために、ビームが間違った位置で第1の容積要素に照射する場合、誤差が、照射されるべき次の要素体積に対して作られる。また、Reismoster他の上述した参考文献で述べたように、標的容積要素に関するビームの位置合わせの狂いが、ガントリの回転の後で生じる可能性がある。走査磁石の良好な位置合わせおよび設定が正確な治療を保証することにとって重要であるので、治療方針に従って標的容積すなわち腫瘍に含まれる明確な第1の標的容積要素から始まり、およびしたがって、腫瘍に含まれる定義された第1のおよび更なる容積要素に関する供給の誤差を最小化する、正確な方法で荷電粒子ビームによって腫瘍を走査することが可能である荷電粒子照射装置および方法に対する必要性が、ある。この方法は、水ファントムを使用して時間がかかる較正の必要性を限定する多数の患者の治療を可能にするために効率的ですばやくなければならない。第1の態様に従って、本発明は、標的容積に照射するための荷電粒子照射装置であって、各々供給されるべき規定された線量を有する一連の規定された照射点を定義する治療方針を受け取るために適応され、加速器、ビーム移送システムおよび少なくとも1個の走査磁石を有する照射ユニット、線量検出器および前記走査磁石と前記標的容積の間に設置される少なくとも1台のビーム位置モニタ、対応する磁気設定が適用される時、ビームが前記規定された照射点を指すように、走査磁石の公称磁気設定に対応する任意の前記規定された照射点に対して算出するための手段および前記ビーム位置モニタにおいて対応する予想される位置を算出するための手段を備えるコントローラを備える装置に関する。本発明によれば、このコントローラが更に、a同調基準点を前記一連の規定された照射点から選択するための手段と、b前記選択された同調基準点に与えられるべき規定された同調線量を特定するための手段であって、前記規定された同調線量が前記選択された同調基準点において前記規定された線量と同等であるかまたはより少ない手段と、cビーム位置モニタによって与えられるビーム位置と前記選択された同調基準点に対する前記ビーム位置モニタにおいて予想される位置を比較するための手段と、d前記選択された同調基準点に対して前記ビーム位置モニタにおいて予想される位置にビーム位置モニタによって与えられるビーム位置を位置合わせするために、走査磁石の前記公称磁気設定に適用されるべき第1の補正を計算するための手段と、e前記第1の補正に従って全ての前記規定された照射点に対して走査磁石の公称磁気設定を補正するための手段と、を備える。それゆえに、本発明に従う装置は、全規定された照射点に対する走査磁石の磁気設定に適用されるべき補正を決定することが可能であるために、1つの基準点でビーム位置の1つの単一測定を実行する必要があるだけである。同調基準点を選択するための手段は、好ましくは、最も高い規定された線量を備えた照射点の間で、または閾値より上の規定された線量を有する照射点の凸形の領域の中心で、または閾値より上の規定された線量を有する照射点の凸形の領域で無作為に、のいずれかで同調基準点を選択するのに適している。好ましくは、規定された同調線量を特定するための手段が、選択された同調基準点に対して規定された線量の10分の1より小さい、好ましくは100分の1より小さい規定された同調線量を特定するのに適している。より好ましくは、前記コントローラが前記規定された同調線量を前記選択された同調基準点に対するまたは最も近い照射点に対する規定された線量から減ずるための手段を更に備える。第2の態様に従って、本発明は、標的容積に照射するための荷電粒子照射装置であって、各々供給されるべき規定された線量を有する一連の規定された照射点を定義する治療方針を受け取るために適応され、加速器、ビーム移送システムおよび少なくとも1個の走査磁石を有する照射ユニット、線量検出器および前記走査磁石と前記標的容積の間に設置される少なくとも1台のビーム位置モニタ、対応する磁気設定が適用される時、ビームが前記規定された照射点を指すように、走査磁石の公称磁気設定に対応する任意の前記規定された照射点に対して算出するための手段および前記ビーム位置モニタにおいて対応する予想される位置を算出するための手段を備えるコントローラを備える装置において、荷電粒子ビームの供給を調整するための方法に関する。本発明に従って、この方法が以下のステップを含む:a同調基準点を前記一連の規定された照射点から選択するステップと、b前記選択された同調基準点に与えられるべき規定された同調線量を特定するステップであって、前記規定された同調線量が前記選択された同調基準点において前記規定された線量と同等であるかまたはより少ないステップと、cビーム位置モニタによって与えられるビーム位置と前記選択された同調基準点に対する前記ビーム位置モニタにおいて予想される位置を比較するステップと、d前記選択された同調基準点に対して前記ビーム位置モニタにおいて予想される位置にビーム位置モニタによって与えられるビーム位置を位置合わせするために、走査磁石の前記公称磁気設定に適用されるべき第1の補正を計算するステップと、e前記第1の補正に従って全ての前記規定された照射点に対して走査磁石の公称磁気設定を補正するステップ。同調基準点を選択するステップが、最も高い規定された線量を備えた照射点の間で、または閾値より上の規定された線量を有する照射点の領域の中心で、または閾値より上の規定された線量を有する照射点の領域で無作為にさえ、同調基準点を選択することができる。好ましくは、規定された同調線量を特定するステップが、選択された同調基準点に対してまたは最も近い照射点に対して規定された線量の100分の1より小さい規定された同調線量を特定する。この方法が、前記規定された同調線量を前記選択された同調基準点に対する規定された線量から減ずるステップを更に含むことができる。図1は、本発明に従う例示的な荷電粒子照射装置10の一般的な概略図である。それは、例えば陽子、α粒子または炭素イオンのような荷電粒子を加速するための例えばサイクロトロンまたはシンクロトロンであることができる加速器20を備える。ビーム移送系30は、標的50が位置する位置まで荷電粒子のビーム90を移送する。標的50は、ビームを測定するためのファントムまたは治療されるべき患者の一部のどちらかであることができる。照射ユニット40は、治療方針の要件に従ってビームを成形するかまたは向ける機能を実行する。コントローラ80はとりわけ、照射ユニット40を制御する機能を実行する。治療方針システム60荷電粒子照射装置10の一部分でないが、明確にするため図1に示されるが、コントローラ80に治療方針70を供給する。ペンシルビーム走査PBS技法の場合、治療方針は一組の規定された照射点を備え、前記点でそれぞれ供給されるべき規定された線量と関連している。照射点は、通常層として関連づけられ、各層が標的内に所定の深度で位置する。図2は、本発明に用いられる照射ユニット40のより詳細な図である。照射ユニット40は、主ビーム軸Zに対して垂直な第1の方向Xにビーム90をそらすための第1の走査磁石100およびまた、主ビーム軸Zに対してかつ第1の方向Xに対して垂直な第2の方向Yに、ビーム90をそらすための第2の走査磁石110を備える。加えて、ビーム位置モニタ130がビームのX,Y位置を測定するために設けられる。ビーム位置モニタ130は、例えば垂直に配設される一組のワイヤカウンタまたは電離箱のXYマトリクスであることができる。照射ユニット40は、任意選択でまた、線量検出器120を備えることができる。この線量検出器120は、例えば完全平面電離箱であることができる。線量検出器は、それを横断するビーム90によって標的50に供給される線量を測定する。本発明によれば、コントローラ80が以下の機能を実行する:a治療方針システム60から治療方針70を受け取った後に、同調基準点を受け取られた一連の規定された照射点140から選択する、b前記選択された同調基準点に与えられるべき規定された同調線量であって前記選択された同調基準点において前記規定された線量と同等であるかまたはより少ない前記規定された同調線量を特定し、同調基準点が次いで、それが規定された同調線量を受け取るまで、ビームによって照射される、c規定された同調線量による同調基準点の照射の間に、ビーム位置モニタ130によって与えられるビーム位置と前記選択された同調基準点に対する前記ビーム位置モニタ130において予想される位置を比較する、d前記選択された同調基準点に対して前記ビーム位置モニタ130において予想される位置にビーム位置モニタ130によって与えられるビーム位置を位置合わせするために、走査磁石100;110の前記公称磁気設定に適用されるべき第1の補正を計算する、この第1の補正は、磁石電流の単純な線形補正であることができる。位置偏向の関数において磁石電流補正を与えるパラメータが、好ましくは測定または計算によって前もって決定される、e前記第1の補正に従って全ての前記規定された照射点に対して走査磁石の公称磁気設定を補正する。機能eを実行するために、コントローラ80は例えば各規定された照射点に対する走査磁石の公称磁気設定に適用されるべき補正を最初に計算することができ、各補正が前記第1の補正の関数であり、そして次に、計算された補正に基づいて各規定された照射点に対する走査磁石の補正磁気設定を計算して保存し、そして次に、標的上でビームを走査する時、補正磁気設定に従って走査磁石を制御する。あるいは、コントローラが走査照射プロセスの間に照射点毎にこれらの補正を計算して適用することができる。各規定された照射点に対する走査磁石の公称磁気設定に適用される補正は、例えば全て第1の補正の同じ関数であることができる:点1に対する補正=点2に対する補正=....=点nに対する補正=f第1の補正特定の場合には、各規定された照射点に対する補正は、第1の補正に等しい。あるいは、各規定された照射点に対する走査磁石の公称磁気設定に適用されるべき補正は、第1の補正の異なる関数であることができる:点1に対する補正=f1第1の補正、点2に対する補正=f2第1の補正、点nに対する補正=fn第1の補正、ここでf1、f2、....、fnは少なくとも2つの関数が互いに異なる関数である。任意の補正が実際、2つの補正値:第1の走査磁石100に対する1つの値X補正および第2の走査磁石110に対する別の値Y補正を備えることがもちろん理解されなければならない。別の特定の場合には、所定の照射点に対する補正は、第1の補正のおよびその照射点のX,Y位置の関数である:点iに対するX補正=fXi、第1の補正_X、点iに対するY補正=fYi、第1の補正_Y、ここで、Xi,Yiはそれぞれ点iのX,Y座標であり、そして、第1の補正_Xは第1の走査磁石100に対する第1の補正であり、および、第1の補正_Yは第2の走査磁石110に対する第1の補正である。コントローラ80によってステップc、dおよびe内に実行される機能が、次に例示的な計算によって更に、詳述される。ビーム位置モニタ130のレベルでのビームの位置が、関連するビーム位置モニタ内の座標XMonitor、YMonitorによって識別され、および、標的50が位置するいわゆるアイソセンタのレベルでの同じビームの位置が、関連するアイソセンタ内の座標Xisoc、Yisocによって識別される。関連するビーム位置モニタおよび関連するアイソセンタは、両方とも主ビーム軸Zに垂直である。関連するアイソセンタは、主ビーム軸Z上にその原点を有する。スキャンされてないビームすなわち、両方の走査磁石100および110がオフであるを考慮する時、4つのパラメータαx、βx、αy、βyの組が、ビーム位置モニタ130でのこのスキャンされてないビームの位置と以下の等式を通してのアイソセンタでのその位置との間の相関を定義する:Xisoc=αxXMonitorβxYisoc=αyYMonitorβyこれらの等式は、アイソセンタ平面のレベルでのおよびビーム位置モニタ130のレベルでの座標系を連結している。アイソセンタ平面でのスキャンされてないビームの理論上の位置は、関連するアイソセンタ内の座標IsoXUnscan、IsoYUnscanを通して定義され、および、関連するビーム位置モニタ内の対応する座標が、上記の等式によって算出されることができる。スキャンされてないビームのアイソセンタでのこれらの位置が、所定の照射点にビームをもたらすために、走査磁石100、110によって加えられるべき偏向を算出するために考慮に入れられる必要がある。実際に、照射位置140の1つに対する関連するアイソセンタ内のビームの予想される位置として位置座標DefIX、DeflYを考慮する。次いで、予想される位置DefIX、DeflYに到達するために走査磁石100,110によって加えられるべき全偏向dX、dYが、以下を通して計算される:dX=DefIXIsoXOffsetdY=DeflYIsoYOffsetここで、IsoXOffset=-IsoXUnscanIsoYOffset=-IsoYUnscanこれらの偏向dX,dYに対応して、ビーム位置モニタにおける位置XMonitor、YMonitorが次に以下の関係を通して計算されることができる:XMonitor=dXDistancetoXMagnet/SADXIsoXUnscan-βx/αxYMonitor=dYDistancetoYMagnet/SADYIsoYUnscan-βy/αyここで、SADXおよびSADYはそれぞれXおよびYにおけるソースから軸までの距離であり、ならびに、DistancetoXMagnetおよびDistancetoYmagnetはビーム位置モニタからそれぞれの走査磁石までの距離である。照射点に対する走査磁石の磁気設定を算出する時、課題は、それらが変化する可能性があるので、IsoXoffsetおよびIsoYoffsetの値が周知でなく、および、それゆえに、補正が適用される必要があることである。本発明の装置および方法が、同調基準点で測定を実行することによって決定されるIsoOffset補正に対応する第1の補正に従って全照射点に対する公称磁界偏向すなわち走査磁石の磁気設定を補正することを提供する。上記のように同調基準点で照射をする時、ビーム位置モニタにおいて予想される位置XExpectedおよびYExpectedとビーム位置モニタ130によって与えられるビーム位置すなわち測定位置:XMeasuredおよびYMeasuredを次のように比較するすなわち、上に検討されたコントローラの機能cを実行する:DeltaXMonitor=XExpected-XMeasuredDeltaYMonitor=YExpected-YMeasuredこれらの比較は次いで、以下の関係を通してアイソセンタでの位置誤差XErrorIso、YErrorIsoと連結される:XErrorIso=αx.DeltaXMonitorYErrorIso=αy.DeltaYMonitorこれらの誤差は、同調基準点で測定される位置から予想される位置までビームをもたらすために走査磁石に適用される必要がある第1の補正に対応するすなわち上に検討されたコントローラの機能dを実行する。更なるステップ上に検討されたコントローラの機能eにおいて、全ての規定された照射点に対する走査磁石の偏向に対する補正すなわち前記磁石の磁気設定に対する補正が、第1の補正に従ってなされる。全照射点に対する偏向を算出するために、XおよびYにおける新規のIsoOffsetが、次のように最初に算出される:XNewIsoOffset=-IsoXUnscanXErrorIsoYNewIsoOffset=-IsoYUnscanYErrorIso関連するアイソセンタ内の予想される位置DeflX,DeflYを有する照射点に対する合計走査磁界偏向DX,DYはそれで、次のように表現される:DX=DefIXXNewIsoOffsetDy=DeflYYNewIsoOffset同じ等式が、関連するアイソセンタ内の予想される位置DefIX、DeflYを有する全照射点140に対して新規の合計磁界偏向DX,DY、すなわち走査磁石に適用されるべき磁気設定を算出するために使用される。この例示的な計算方法は、走査磁石によって誘導される偏向が再現可能であり、かつ入射ビームから独立しているという想定に基づく。同調基準点の選択が、好ましくは健康な組織に照射する危険性を低下させるためになされる。このために、同調基準点は好ましくは、最も高い規定された線量を備えた照射点の間で、または閾値より上の規定された線量を有する照射点の凸形の領域の中心で、または閾値より上の規定された線量を有する照射点の凸形の領域で無作為に、のいずれかで選択される。好ましくは、同調中に供給される同調線量が、例えば、位置合わせの狂いが小さい時同調基準点の規定された線量から、または例えば、位置合わせの狂いがより重要な時最も近い照射点の規定された線量からのいずれかから減じられる。同調基準点の選ばれた位置が何であれ、同調線量は前記同調基準点の規定された線量に関して小さいとして好ましくは選択され、それでも、意味があるかつ正確な測定を実行するためにビーム位置モニタ130に十分である。好ましくは、同調線量は、同調基準点に対して規定された線量の10分の1より少なく、より好ましくは100分の1より少ない。本発明の照射装置および方法を用いて、同調段階中に照射ユニット40と標的50との間にビーム止め具を挿入する何の必要も、ない。本発明は、例えば2、3ミリメートルの直径のスポットサイズのような小さいスポットサイズを使用する時、特に役立つ。実際に、小さいスポットサイズを使用する時、粒子ビームの小さい2、3ミリメートル位置合わせの狂いが、照射が規定された照射点から遠く離れて実行されることを引き起こす可能性がある。本発明の状況において、一連の規定された照射点が必ずしも厳密に照射されるべき標的の全点を代表しなければならないというわけではなく、標的の一部分を代表することができるということが理解されなければならない。一連の規定された照射点が、標的の層またはさらに標的の層の一部分のような、標的の一部分だけを代表する場合には、いくつかの同調基準点が、-標的の各部分に対して1つ-および、それゆえに、本発明の有効範囲から逸脱することなく、いくつかの対応する第1の補正があることができる。本発明が特定の実施態様に関して記載され、それが本発明の例証となり、かつ限定として解釈されるべきでない。さらに一般的にいえば、本発明が特に示されたおよび/または先に記載されたものによって限定されないことが、当業者によって認識される。本発明は、ありとあらゆる新規な特性特徴および特性特徴のありとあらゆる組み合わせに属する。請求項内の参照番号は、それらの保護の有効範囲を限定しない。動詞備える、含む、からなるまたはその他の変形、同じくそれらのそれぞれの活用形の使用は、述べられるもの以外の要素の存在を除外しない。要素に先行する冠詞a、anまたはtheの使用は、複数のこの種の要素の存在を除外しない。"