"界面活性剤、酸化金属溶解剤及び水を含有することを特徴とする研磨液。有機溶媒、酸化金属溶解剤及び水を含有することを特徴とする研磨液。砥粒を含む請求項1または2記載の研磨液。砥粒が、シリカ、アルミナ、セリア、チタニア、ジルコニア、ゲルマニアから選ばれる少なくとも1種である請求項3記載の研磨液。砥粒の表面がアルキル基で変性されている請求項3または4記載の研磨液。砥粒と水とを含有する研磨液であって、砥粒の表面がアルキル基で変性されていることを特徴とする研磨液。砥粒が、表面がアルキル基で変性されている、シリカ、アルミナ、セリア、チタニア、ジルコニア、ゲルマニアから選ばれる少なくとも1種である請求項6記載の研磨液。酸化金属溶解剤を含有する請求項6または7記載の研磨液。界面活性剤および有機溶媒の少なくとも一方を含有する請求項6~8のいずれか記載の研磨液。酸化金属溶解剤が、有機酸、有機酸エステル、有機酸のアンモニウム塩及び硫酸から選ばれる少なくとも1種である請求項1~5、8、9のいずれか記載の研磨液。有機溶媒を0.1~95重量含有する請求項2~5、9、10のいずれか記載の研磨液。有機溶媒がグリコール類及びその誘導体、アルコール類、炭酸エステル類から選ばれる少なくとも1種である請求項2~5、9~11のいずれか記載の研磨液。界面活性剤が非イオン性界面活性剤、陰イオン性界面活性剤から選ばれる少なくとも1種である請求項1、3~5、9~12のいずれか記載の研磨液。界面活性剤が、パーフルオロアルカンスルホン酸とその誘導体から選ばれる少なくとも1種である請求項1、3~5、9~13のいずれか記載の研磨液。界面活性剤を0.00001~20重量含有する請求項1、3~5、9~14のいずれか記載の研磨液。金属の酸化剤を含む請求項1~15のいずれか記載の研磨液。金属の酸化剤が、過酸化水素、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸及びオゾン水から選ばれる少なくとも1種である請求項16記載の研磨液。重量平均分子量が500以上の水溶性ポリマを含有する請求項1~17のいずれか記載の研磨液。前記水溶性ポリマが、多糖類、ポリカルボン酸、ポリカルボン酸エステル及びその塩、及びビニル系ポリマから選ばれた少なくとも1種である請求項18記載の研磨液。表面が凹部および凸部からなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を表面に沿って被覆するバリア導体層と、前記凹部を充填してバリア導体層を被覆する導電性物質層とを有する基体の、導電性物質層を研磨して前記凸部のバリア導体層を露出させる第1の研磨工程と、少なくともバリア導体層および凹部の導電性物質層を請求項1~19のいずれか記載の研磨液を供給しながら化学機械研磨して凸部の層間絶縁膜を露出させる第2の研磨工程とを含むことを特徴とする研磨方法。層間絶縁膜がシリコン系被膜または有機ポリマ膜である請求項20記載の研磨方法。導電性物質が銅を主成分とする請求項20または21記載の研磨方法。バリア導体層が前記層間絶縁膜へ前記導電性物質が拡散するのを防ぐバリア層であって、タンタル、窒化タンタル、タンタル合金、その他のタンタル化合物、チタン、窒化チタン、チタン合金、その他のチタン化合物、タングステン、窒化タングステン、タングステン合金、その他のタングステン化合物から選ばれる少なくとも1種を含む請求項20~22のいずれか記載の研磨方法。層間絶縁膜の研磨速度をバリア層や配線部用金属と同等に向上させるために、例えば、バリア層の導体用研磨液中の砥粒の粒径を大きくすることが考えられるが、銅或いは銅合金や酸化膜に研磨キズが発生して電気特性不良の原因になるという問題がある。また、このような電気特性不良は、CMPによる研磨後の洗浄不足により発生することもある。一方、CMP工程において、高密度配線部上の銅残渣が取りきれずショート不良を起こすといった問題があった。本発明は、上記問題点に鑑み、被研磨面の平坦性が高い研磨液を提供する。また、層間絶縁膜の研磨速度がバリア層や配線部用金属と同程度に速い研磨液を提供する。そして、この研磨液によれば、バリア層の研磨速度を低下させずに配線部の研磨速度を調整できる。さらに、研磨後の金属残渣や研磨キズを抑制できる。また、本発明は、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイス等の製造における研磨方法を提供するものである。本発明は1界面活性剤、酸化金属溶解剤及び水を含有する研磨液に関する。また、本発明は、2有機溶媒、酸化金属溶解剤及び水を含有する研磨液に関する。さらに、本発明は以下の研磨液に関する。3砥粒を含む前記1または2記載の研磨液。4砥粒が、シリカ、アルミナ、セリア、チタニア、ジルコニア、ゲルマニアから選ばれる少なくとも1種である前記3記載の研磨液。5砥粒の表面がアルキル基で変性されている前記3または4記載の研磨液。また、本発明は6砥粒と水とを含有する研磨液であって、砥粒の表面がアルキル基で変性されている研磨液に関する。さらに、本発明は以下の研磨液に関する。7砥粒が、表面がアルキル基で変性されている、シリカ、アルミナ、セリア、チタニア、ジルコニア、ゲルマニアから選ばれる少なくとも1種である前記6記載の研磨液。8酸化金属溶解剤を含有する前記6または7記載の研磨液。9界面活性剤および有機溶媒の少なくとも一方を含有する前記6~8のいずれか記載の研磨液。10酸化金属溶解剤が、有機酸、有機酸エステル、有機酸のアンモニウム塩及び硫酸から選ばれる少なくとも1種である前記1~5、8、9のいずれか記載の研磨液。11有機溶媒を0.1~95重量含有する前記2~5、9、10のいずれか記載の研磨液。12有機溶媒がグリコール類及びその誘導体、アルコール類、炭酸エステル類から選ばれる少なくとも1種である前記2~5、9~11のいずれか記載の研磨液。13界面活性剤が非イオン性界面活性剤、陰イオン性界面活性剤から選ばれる少なくとも1種である前記1、3~5、9~12のいずれか記載の研磨液。14界面活性剤が、パーフルオロアルカンスルホン酸とその誘導体から選ばれる少なくとも1種である前記1、3~5、9~13のいずれか記載の研磨液。15界面活性剤を0.00001~20重量含有する前記1、3~5、9~14のいずれか記載の研磨液。16金属の酸化剤を含む前記1~15のいずれか記載の研磨液。17金属の酸化剤が、過酸化水素、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸及びオゾン水から選ばれる少なくとも1種である前記16記載の研磨液。18重量平均分子量が500以上の水溶性ポリマを含有する前記1~17のいずれか記載の研磨液。19前記水溶性ポリマが、多糖類、ポリカルボン酸、ポリカルボン酸エステル及びその塩、及びビニル系ポリマから選ばれた少なくとも1種である前記18記載の研磨液。さらに、本発明は、20表面が凹部および凸部からなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を表面に沿って被覆するバリア導体層と、前記凹部を充填してバリア導体層を被覆する導電性物質層とを有する基体の、導電性物質層を研磨して前記凸部のバリア導体層を露出させる第1の研磨工程と、少なくともバリア導体層および凹部の導電性物質層を前記1~19のいずれか記載の研磨液を供給しながら化学機械研磨して凸部の層間絶縁膜を露出させる第2の研磨工程とを含む研磨方法に関する。また、本発明は以下の研磨方法に関する。21層間絶縁膜がシリコン系被膜または有機ポリマ膜である前記20記載の研磨方法。22導電性物質が銅を主成分とする前記20または21記載の研磨方法。23バリア導体層が前記層間絶縁膜へ前記導電性物質が拡散するのを防ぐバリア層であって、タンタル、窒化タンタル、タンタル合金、その他のタンタル化合物、チタン、窒化チタン、チタン合金、その他のチタン化合物、タングステン、窒化タングステン、タングステン合金、その他のタングステン化合物から選ばれる少なくとも1種を含む前記20~22のいずれか記載の研磨方法。本発明の研磨液により、被研磨面が複数の物質からなっていても平坦性が高い被研磨面が得られる。また、研磨後の金属残渣や研磨キズを抑制できる。さらに、バリア層の研磨速度を低下させずに層間絶縁膜の研磨速度を大きくでき、配線部用金属の研磨速度を調整できる。この研磨液を用いて化学機械研磨を行う本発明の研磨方法は、生産性が高く、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性の高い半導体デバイス及び他の電子機器の製造に好適である。本発明の研磨液の第一の特徴は、界面活性剤及び有機溶媒の少なくとも一方と、酸化金属溶解剤と水とを含有することである。好ましくは、さらに砥粒、金属の酸化剤を含有する。さらに、水溶性ポリマや金属防食剤等を、必要に応じて含有してもよい。界面活性剤は、一般に、非イオン性界面活性剤、陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤および両性界面活性剤の四種類に分類される。また、本発明における界面活性剤には、疎水性基として炭素-フッ素鎖を有するフッ素系界面活性剤を使用することもできる。例えば、パーフルオロアルカンスルホン酸とその誘導体が例示される。好ましくはパーフルオロオクタンスルホン酸とその誘導体である。フッ素系界面活性剤も上記と同様の四種類に分類される。非イオン性界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンプロピルパーフルオロオクタンスルホンアミド、ポリオキシエチレン-ポリオキシプロピレンブロックポリマー、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、プロピル-2-ヒドロキシエチルパーフルオロオクタンスルホンアミド、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステル、脂肪酸アルカノールアミド、ポリオキシエチレンアルキルアミン等及びその誘導体が挙げられ、また、アセチレンジオール及びそのエチレンオキシド付加物等のグリコール類も挙げられる。なお、上記ポリオキシエチレンは、付加したエチレンオキシドの数nが2つ以上のものだけでなく、1つ付加したものも含むこととする。陰イオン性界面活性剤としては、例えば、アルキルベンゼンスルホン酸塩、パーフルオロオクタンスルホン酸、リン酸ビス[2-N-プロピルパーフルオロオクタンスルホニルアミノエチル]エステル、アルキルスルホコハク酸エステル塩、アルキルスルホン酸塩、アルキルエーテルカルボン酸塩、アルコール硫酸エステル塩、アルキルエーテル硫酸エステル塩、アルキルリン酸エステル塩等等及びその誘導体が挙げられる。陽イオン性界面活性剤としては、例えば、脂肪族アルキルアミン塩、脂肪族第4級アンモニウム塩等が、また両性界面活性剤としては、例えばアミノカルボン酸塩等が挙げられる。これらの界面活性剤を1種単独でまたは2種以上を組み合わせて使用される。本発明の研磨液における界面活性剤としては非イオン性界面活性剤、陰イオン性界面活性剤が好ましく、特にアルカリ金属を含まないものが好ましい。さらに好ましくは、ポリエチレングリコール型非イオン性界面活性剤、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンプロピルパーフルオロオクタンスルホンアミド、グリコール類、グリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、脂肪酸アルカノールアミド、アルコール硫酸エステル塩、アルキルエーテル硫酸エステル塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルリン酸エステル塩から選ばれる少なくとも1種である。ポリエチレングリコール型非イオン性界面活性剤としては、例えばポリエチレングリコールモノラウレート、ポリエチレングリコールモノステアレート、ポリエチレングリコールジステアレート、ポリエチレングリコールモノオレエート等のポリエチレングリコール脂肪酸エステル等が挙げられる。本発明の研磨液に含まれる有機溶媒としては特に制限はないが、水と任意で混合できるものが好ましい。例えばエチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、メチルエチルカーボネート等の炭酸エステル類;ブチロラクトン、プロピロラクトン等のラクトン類;エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等のグリコール類;グリコール類の誘導体として、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテルやエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテルやエチレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノプロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノプロピルエーテルやエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル等のグリコールモノエーテル類、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテルやエチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテルやエチレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジプロピレングリコールジプロピルエーテル、トリエチレングリコールジプロピルエーテル、トリプロピレングリコールジプロピルエーテルやエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジブチルエーテル、トリプロピレングリコールジブチルエーテル等のグリコールジエーテル類など;テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、ポリエチレンオキサイド、エチレングリコールモノメチルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエーテル類;メタノール、エタノール、プロパノール、n-ブタノール、n-ペンタノール、n-ヘキサノール、イソプロパノール等のアルコール類;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類;その他フェノール、ジメチルホルムアミド、n-メチルピロリドン、酢酸エチル、乳酸エチル、スルホラン等が挙げられる。好ましい有機溶媒は、グリコール類及びその誘導体、アルコール類、炭酸エステル類から選ばれる少なくとも1種である。本発明の研磨液の第二の特徴は、水と、表面がアルキル基で変性されている砥粒とを含有することである。好ましくは、必要に応じて酸化金属溶解剤、金属の酸化剤、有機溶媒、界面活性剤をさらに含有する。さらに、ポリマや金属防食剤等を、必要に応じて含有してもよい。本発明における砥粒は、シリカ、アルミナ、ジルコニア、セリア、チタニア、ゲルマニア、炭化ケイ素等の無機物砥粒粒子、ポリスチレン、ポリアクリル、ポリ塩化ビニル等の有機物砥粒粒子のいずれを使用してもでもよい。これらのうち、シリカ、アルミナ、ジルコニア、セリア、チタニア、ゲルマニアが好ましく、特に、研磨液中での分散安定性が良く、CMPにより発生する研磨傷スクラッチの発生数の少ない、平均粒径が70nm以下のコロイダルシリカ、コロイダルアルミナが好ましく、平均粒径が40nm以下のコロイダルシリカ、コロイダルアルミナがより好ましい。粒径は、例えば光回折散乱式粒度分布計例えば、COULTERElectronics社製の商品名COULTERN4SDで測定できる。また、一次粒子が平均2粒子未満凝集している粒子が好ましく、一次粒子が平均1.2粒子未満凝集している粒子がより好ましい。さらに、平均粒度分布の標準偏差が10nm以下であることが好ましく、平均粒度分布の標準偏差が5nm以下であるのがより好ましい。これらは1種類単独で、もしくは2種類以上混合して用いることができる。本発明の第二の特徴における表面がアルキル基で変性されている砥粒としては、上記無機物砥粒粒子または上記有機物砥粒粒子の表面をアルキル基で変性したものが挙げられる。無機物砥粒粒子または有機物砥粒粒子のいずれを使用してもよく、このうち好ましい粒子も上記と同様である。変性した砥粒は1種類単独で、もしくは2種類以上混合して用いることができる。砥粒粒子表面をアルキル基で変性する方法には、特に制限はないが、砥粒粒子の表面に存在する水酸基をアルキル基を有するアルコキシシランと反応させる方法が挙げられる。アルキル基を有するアルコキシシランとしては、特に制限はないが、モノメチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルモノメトキシシラン、モノエチルトリメトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、トリエチルモノメトキシシラン、モノメチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、トリメチルモノエトキシシランが挙げられる。反応方法としては、特に制限はなく、例えば砥粒粒子とアルコキシシランとを研磨液中で室温においても反応するが、反応を加速するために加熱してもよい。コロイダルシリカはシリコンアルコキシドの加水分解または珪酸ナトリウムのイオン交換による製造方法が知られており、コロイダルアルミナは硝酸アルミニウムの加水分解による製造方法が知られている。コロイダルシリカは、粒径制御性やアルカリ金属不純物の点で、シリコンアルコキシドの加水分解による製造方法によるものが最も利用される。シリコンアルコキシドとしては、TEMSテトラメトキシシラン又はTEOSテトラエトキシシランが一般に用いられる。アルコール溶媒中で加水分解する方法において、粒径に影響するパラメータとしては、シリコンアルコキシドの濃度、触媒として用いられるアンモニア濃度とpH、反応温度、アルコール溶媒の種類分子量及び反応時間などがある。これらのパラメータを調整することによって、所望の粒径及び凝集度のコロイダルシリカ分散液を得ることができる。本発明における酸化金属溶解剤は、特に制限はないが、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、2-メチル酪酸、n-ヘキサン酸、3,3-ジメチル酪酸、2-エチル酪酸、4-メチルペンタン酸、n-ヘプタン酸、2-メチルヘキサン酸、n-オクタン酸、2-エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコール酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、p-トルエンスルホン酸等の有機酸、これらの有機酸エステル及びこれら有機酸のアンモニウム塩等が挙げられる。また塩酸、硫酸、硝酸等の無機酸、これら無機酸のアンモニウム塩類、例えば過硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、塩化アンモニウム、クロム酸等が挙げられる。これらの中では、実用的なCMP速度を維持しつつ、エッチング速度を効果的に抑制できるという点でギ酸、マロン酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸が、また、高CMP速度の点で硫酸が、金属を主成分とする導電性物質に対して好適である。これらは1種類単独で、もしくは2種類以上混合して用いることができる。本発明の研磨液に金属の酸化剤を添加しても良い。金属の酸化剤としては、過酸化水素、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸、オゾン水等が挙げられ、その中でも過酸化水素が特に好ましい。これらは1種類単独で、もしくは2種類以上混合して用いることができる。基体が集積回路用素子を含むシリコン基板である場合、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン化物などによる汚染は望ましくないので、不揮発成分を含まない酸化剤が望ましい。但し、オゾン水は組成の時間変化が激しいので過酸化水素が最も適している。但し、適用対象の基体が半導体素子を含まないガラス基板などである場合は不揮発成分を含む酸化剤であっても差し支えない。本発明の研磨液に水溶性ポリマを添加しても良い。水溶性ポリマの重量平均分子量は500以上とすることが好ましく、1500以上とすることがより好ましく、5000以上とすることが特に好ましい。重量平均分子量の上限は特に規定するものではないが、溶解性の観点から500万以下が好ましい。重量平均分子量が500未満では高い研磨速度が発現しない傾向にある。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより標準ポリスチレンの検量線を用いて測定することができる。重量平均分子量が500以上の水溶性ポリマとしては、特に制限はなく、例えばアルギン酸、ペクチン酸、カルボキシメチルセルロース、寒天、カードラン及びプルラン等の多糖類;ポリアスパラギン酸、ポリグルタミン酸、ポリリシン、ポリリンゴ酸、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸アンモニウム塩、ポリメタクリル酸ナトリウム塩、ポリアミド酸、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリフマル酸、ポリp-スチレンカルボン酸、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、アミノポリアクリルアミド、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリアクリル酸ナトリウム塩、ポリアミド酸、ポリアミド酸アンモニウム塩、ポリアミド酸ナトリウム塩及びポリグリオキシル酸等のポリカルボン酸、ポリカルボン酸エステル及びその塩;ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン及びポリアクロレイン等のビニル系ポリマ;ポリエチレングリコール等が挙げられる。これらは1種類単独で、もしくは2種類以上混合して用いることができる。但し、適用する基体が半導体集積回路用シリコン基板などの場合はアルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン化物等による汚染は望ましくないため、酸もしくはそのアンモニウム塩が望ましい。基体がガラス基板等である場合はその限りではない。その中でもペクチン酸、寒天、ポリリンゴ酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール及びポリビニルピロリドン、それらのエステル及びそれらのアンモニウム塩が好ましい。また、本発明の研磨液に金属防食剤を添加しても良い。金属防食剤として、例えば、2-メルカプトベンゾチアゾール、1,2,3-トリアゾール、1,2,4-トリアゾール、3-アミノ-1H-1,2,4-トリアゾール、ベンゾトリアゾール、1-ヒドロキシベンゾトリアゾール、1-ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾール、2,3-ジカルボキシプロピルベンゾトリアゾール、4-ヒドロキシベンゾトリアゾール、4-カルボキシル-1H-ペンゾトリアゾール、4-カルボキシル-1H-ベンゾトリアゾールメチルルエステル、4-カルボキシル-1H-ベンゾトリアゾールブチルエステル、4-カルボキシル-1H-ベンゾトリアゾールオクチルエステル、5-ヘキシルベンゾトリアゾール、[1,2,3-ベンゾトリアゾリル-1-メチル][1,2,4-トリアゾリル-1-メチル][2-エチルヘキシル]アミン、トリルトリアゾール、ナフトトリアゾール、ビス[1-ベンゾトリアゾリルメチル]ホスホン酸等が挙げられる。また、ピリミジン骨格を有するピリミジン、1,2,4-トリアゾロ[1,5-a]ピリミジン、1,3,4,6,7,8-ヘキサハイドロ-2H-ピリミド[1,2-a]ピリミジン、1,3-ジフェニル-ピリミジン-2,4,6-トリオン、1,4,5,6-テトラハイドロピリミジン、2,4,5,6-テトラアミノピリミジンサルフェイト、2,4,5-トリハイドロキシピリミジン、2,4,6-トリアミノピリミジン、2,4,6-トリクロロピリミジン、2,4,6-トリメトキシピリミジン、2,4,6-トリフェニルピリミジン、2,4-ジアミノ-6-ヒドロキシルピリミジン、2,4-ジアミノピリミジン、2-アセトアミドピリミジン、2-アミノピリミジン、2-メチル-5,7-ジフェニル-1,2,4トリアゾロ1,5-aピリミジン、2-メチルサルファニル-5,7-ジフェニル-1,2,4トリアゾロ1,5-aピリミジン、2-メチルサルファニル-5,7-ジフェニル-4,7-ジヒドロ-1,2,4トリアゾロ1,5-aピリミジン、4-アミノピラゾロ[3,4-d]ピリミジン等が挙げられる。これらは1種類単独で、もしくは2種類以上混合して用いることができる。本発明の研磨液に界面活性剤を配合する場合の配合量は、分散性及び沈降防止、さらに研磨傷との関係から、研磨液中0.00001~20重量含有するのが好ましい。すなわち研磨液の総量100gに対して、0.00001~20gとすることが好ましく、0.0001~10gとすることがより好ましく、0.0001~5gとすることが特に好ましい。配合量が0.00001g未満では、研磨液の基体の被研磨面に対する濡れ性が低く、20gを超えると研磨速度が低下する傾向がある。本発明の研磨液に有機溶媒を配合する場合の配合量は、研磨液中0.1~95重量含有するのが好ましい。すなわち研磨液の総量100gに対して、0.1~95gとすることが好ましく、0.2~50gとすることがより好ましく、0.5~10gとすることが特に好ましい。配合量が0.1g未満では、研磨液の基板に対する濡れ性が低いため十分な研磨速度が得られず、95gを超えると研磨液成分の溶解性が悪化するため好ましくない。本発明の研磨液に酸化金属溶解剤を配合する場合の配合量は、研磨剤中の界面活性剤、有機溶媒、酸化金属溶解剤、水、砥粒、金属の酸化剤及び水溶性ポリマ以下、七成分という。の総量100gに対して、0.001~20gとすることが好ましく、0.002~10gとすることがより好ましく、0.005~5gとすることが特に好ましい。配合量が0.001g未満では、研磨速度が低く、20gを超えるとエッチングの抑制が困難となり研磨面に荒れが生じる傾向がある。なお、前記七成分のうち、水の配合量は残部でよく、含有されていれば特に制限はない。本発明の研磨液に砥粒を配合する場合、砥粒の配合量は、七成分の総量100gに対して、0.01~50gとすることが好ましく、0.02~40gとすることがより好ましく、0.05~30gとすることが特に好ましい。配合量が0.01g未満では研磨速度が低く、50gを超えると研磨キズが多く発生する傾向にある。本発明の研磨液に金属の酸化剤を配合する場合の配合量は、七成分の総量100gに対して、0~50gとすることが好ましく、0~20gとすることがより好ましく、0~10gとすることが特に好ましい。配合量が50gを超えると、研磨面に荒れが生じる傾向がある。本発明の研磨液に水溶性ポリマを配合する場合の配合量は、七成分の総量100gに対して0~10gとすることが好ましく、0~5gとすることがより好ましく、0~2gとすることが特に好ましい。この配合量が10gを超えると研磨速度が低下する傾向がある。本発明の研磨液に金属防食剤を配合する場合の配合量は、七成分の総量100gに対して0~10gとすることが好ましく、0~5gとすることがより好ましく、0~2gとすることが特に好ましい。この配合量が10gを超えると研磨速度が低くなる傾向がある。本発明の研磨液には、上述した各種成分のほかに、ビクトリアピュアブルー等の染料、フタロシアニングリーン等の顔料等の着色剤等を含有させてもよい。以上のような本発明の研磨液を、半導体デバイスにおける導電性物質層と、バリア層と、層間絶縁膜との化学機械研磨CMPに使用することができる。同一条件下のCMPにおいて導電性物質層/バリア層/層間絶縁膜は研磨速度比1/0.01~20/0.01~20で研磨されるのが好ましい。より好ましくは1/0.05~10/0.05~10であり、さらに好ましくは1/0.1~10/0.01~10である。導電性物質としては、銅、銅合金、銅の酸化物、銅合金の酸化物、タングステン、タングステン合金、銀、金等の、金属が主成分の物質が挙げられ、銅、銅合金、銅の酸化物、銅合金の酸化物等の銅が主成分である導電性物質が好ましい。導電性物質層として公知のスパッタ法、メッキ法により前記物質を成膜した膜を使用できる。層間絶縁膜としては、シリコン系被膜や有機ポリマ膜が挙げられる。シリコン系被膜としては、二酸化ケイ素、フルオロシリケートグラス、オルガノシリケートグラス、シリコンオキシナイトライド、水素化シルセスキオキサン等のシリカ系被膜や、シリコンカーバイド及びシリコンナイトライドが挙げられる。また、有機ポリマ膜としては、全芳香族系低誘電率層間絶縁膜が挙げられる。特に、オルガノシリケートグラスが好ましい。これらの膜は、CVD法、スピンコート法、ディップコート法、またはスプレー法によって成膜される。バリア層は絶縁膜中への導電性物質拡散防止、および絶縁膜と導電性物質との密着性向上のために形成される。バリア層に用いられる導体は、タングステン、窒化タングステン、タングステン合金、その他のタングステン化合物、チタン、窒化チタン、チタン合金、その他のチタン化合物、タンタル、窒化タンタル、タンタル合金、その他のタンタル化合物から選ばれる1種以上を含むのが好ましい。バリア層は、1種からなる単層であっても、2種以上の積層膜であっても良い。本発明の研磨方法は、表面が凹部および凸部からなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を表面に沿って被覆するバリア層と、前記凹部を充填してバリア層を被覆する導電性物質層とを有する基体の、導電性物質層を研磨して前記凸部のバリア層を露出させる第1の研磨工程と、少なくともバリア層および凹部の導電性物質層を前記本発明の研磨液を供給しながら化学機械研磨して凸部の層間絶縁膜を露出させる第2の研磨工程とを含む。ここで、化学機械研磨には、被研磨面を有する基体を研磨定盤の研磨布パッド上に押圧した状態で研磨液を供給しながら研磨定盤と基体とを相対的に動かすことによって被研磨面を研磨する方法が挙げられる。層間絶縁膜を露出させるには、他に、金属製または樹脂製のブラシを接触させる方法、研磨液を所定の圧力で吹きつける方法が挙げられる。研磨に用いる装置としては、例えば研磨布により研磨する場合、研磨される基体を保持できるホルダと、回転数が変更可能なモータ等と接続し、研磨布を貼り付けた定盤とを有する一般的な研磨装置が使用できる。研磨布としては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用でき、特に制限がない。研磨条件には制限はないが、定盤の回転速度は基体が飛び出さないように200rpm以下の低回転が好ましい。被研磨面を有する基体の研磨布への押し付け圧力が1~100kPaであることが好ましく、CMP速度のウエハ面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、5~50kPaであることがより好ましい。研磨している間、研磨布には研磨液をポンプ等で連続的に供給する。この供給量に制限はないが、研磨布の表面が常に研磨液で覆われていることが好ましい。研磨終了後の基体は、流水中でよく洗浄後、スピンドライ等を用いて基体上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。研磨布の表面状態を常に同一にして化学機械研磨を行うために、研磨の前に研磨布のコンディショニング工程を入れるのが好ましい。例えば、ダイヤモンド粒子のついたドレッサを用いて少なくとも水を含む液で研磨布のコンディショニングを行う。続いて本発明による化学機械研磨工程を実施し、さらに、基体洗浄工程を加えるのが好ましい。本発明の研磨方法は、例えば半導体デバイスにおける配線層の形成に適用できる。以下、本発明の研磨方法の実施態様を、半導体デバイスにおける配線層の形成に沿って説明する。まず、シリコンの基板上に二酸化ケイ素等の層間絶縁膜を積層形成する。次いで、レジスト層形成、エッチング等の公知の手段によって、層間絶縁膜表面に所定パターンの凹部基板露出部を形成して凸部と凹部とを有する層間絶縁膜とする。この層間絶縁膜上に、表面の凸凹に沿って層間絶縁膜を被覆するタンタル等のバリア層を蒸着またはCVD等により成膜する。さらに、前記凹部を充填するようにバリア層を被覆する銅等の金属導電性物質層を蒸着、めっきまたはCVD等により形成する。層間絶縁膜、バリア層および導電性物質の形成厚さは、それぞれ0.01~2.0μm、1~100nm、0.01~2.5μm程度が好ましい。次に、この半導体基板の表面の導電性物質層を、例えば前記導電性物質/バリア層の研磨速度比が十分大きい前記導電性物質用の研磨液を用いて、CMPにより研磨する第1の研磨工程。これにより、基板上の凸部のバリア層が表面に露出し、凹部に前記導電性物質膜が残された所望の導体パターンが得られる。この得られたパターン面を、本発明の研磨液を使用する本発明の研磨方法における第2の研磨工程用の被研磨面として、研磨することができる。第2の研磨工程では、導電性物質、バリア層および層間絶縁膜を研磨できる本発明の研磨液を使用して、化学機械研磨により、少なくとも、前記露出しているバリア層および凹部の導電性物質を研磨する。凸部のバリア層の下の層間絶縁膜が全て露出し、凹部に配線層となる前記導電性物質層が残され、凸部と凹部との境界にバリア層の断面が露出した所望のパターンが得られた時点で研磨を終了する。研磨終了時のより優れた平坦性を確保するために、さらに、オーバー研磨例えば、第2の研磨工程で所望のパターンを得られるまでの時間が100秒の場合、この100秒の研磨に加えて50秒追加して研磨することをオーバー研磨50という。して凸部の層間絶縁膜の一部を含む深さまで研磨しても良い。このようにして形成された金属配線の上に、さらに、層間絶縁膜および第2層目の金属配線を形成し、その配線間および配線上に再度層間絶縁膜を形成後、研磨して半導体基板全面に渡って平滑な面とする。この工程を所定数繰り返すことにより、所望の配線層数を有する半導体デバイスを製造することができる。本発明の研磨液は、上記のような半導体基板に形成されたケイ素化合物膜の研磨だけでなく、所定の配線を有する配線板に形成された酸化ケイ素膜、ガラス、窒化ケイ素等の無機絶縁膜、フォトマスクレンズプリズムなどの光学ガラス、ITO等の無機導電膜、ガラス及び結晶質材料で構成される光集積回路光スイッチング素子光導波路、光ファイバの端面、シンチレータ等の光学用単結晶、固体レーザ単結晶、青色レーザ用LEDサファイア基板、SiC、GaP、GaAs等の半導体単結晶、磁気ディスク用ガラス基板、磁気ヘッド等の基板を研磨するためにも使用することができる。以下に、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明の技術思想を逸脱しない限り、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。例えば、研磨液の材料の種類やその配合比率は、本実施例記載の種類や比率以外でも構わないし、研磨対象の組成や構造も、本実施例記載以外の組成や構造でも構わない。研磨液作製方法表1~表5に示す材料をそれぞれの配合で混合して実施例1~27および比較例1~4に使用する研磨液を調製した。なお、表3、4中のグリコール類としてアセチレンジオールを、アルキルベンゼンスルホン酸塩としてドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムを使用した。基板以下の基板を用意した。ブランケット基板a:CVD法でオルガノシリケートグラス厚さ:1000nmを形成したシリコン基板。ブランケット基板b:厚さ1000nmの二酸化ケイ素をCVD法で形成したシリコン基板。ブランケット基板c:厚さ200nmのタンタル膜をスパッタ法で形成したシリコン基板。ブランケット基板d:厚さ1600nmの銅膜をスパッタ法で形成したシリコン基板。パターン基板aの作製:シリコン基板上に層間絶縁膜として上記オルガノシリケートグラス厚さ:1000nmをCVD法で成膜した。このオルガノシリケートグラスにフォトリソ法によって、配線金属部幅4.5μm、層間絶縁膜部幅0.5μmが交互に並ぶように、溝を深さ800nmで形成して表面に凹部溝部分と凸部非溝部分とのストライプ状パターン部エロージョン評価用を作製した。別に配線金属部幅100μm、層間絶縁膜部幅100μmが交互に並ぶように、同様に溝を深さ800nmで形成して表面にストライプ状パターン部ディッシング評価用を作製した。さらにこの表面にそって、スパッタ法によってバリア層として厚さ200nmのタンタル膜を形成した。前記タンタル膜の上に、スパッタ法により前記溝を全て埋める様に導電性物質層として銅膜を1.6μm形成した。突出している該銅膜を第1の研磨工程として、銅だけを研磨する高選択性のCMPにより、被研磨面に凸部のバリア層が全て露出するまで研磨して平坦化されたパターン基板aを得た研磨時間180秒間、最大研磨厚さは1.6μm。パターン基板b:層間絶縁膜として二酸化ケイ素を使用した以外はパターン基板aと同様にして作製した。実施例1~27および比較例1~4上記で調製した各研磨液を用いて、上記で用意した各基板を、下記の研磨条件で化学機械研磨した。また、銅のエッチング速度を下記の条件で各研磨液に浸漬してもとめた。化学機械研磨による研磨速度、研磨速度の面内均一性、銅エッチング速度、ディッシング量、エロージョン量、及び配線抵抗値、研磨カスの量、研磨キズの評価結果を表6~表10に示した。研磨条件[前記パターン基板の前処理である第1の研磨工程および各基板の下記の研磨に共通]研磨パッド:発泡ポリウレタン樹脂IC1000ロデール社製研磨圧力:20.6kPa210g/cm2基板と研磨定盤との相対速度:36m/min各基板の研磨工程ブランケット基板a、b、c、dを、上記で調製した各研磨液を150cc/分供給しながら、60秒間で化学機械研磨し、研磨終了後、蒸留水で洗浄処理した。パターン基板a、bを、上記で調製した各研磨液を150cc/分供給しながら、90秒間で化学機械研磨し、研磨終了後、蒸留水で洗浄処理した。なお、パターン基板aおよびbの研磨は第2の研磨工程に相当し、約30秒で凸部の層間絶縁膜は全て被研磨面に露出し、研磨終了時にはオーバー研磨されていた。評価項目1研磨速度:上記条件で研磨および洗浄したa~dのブランケット基板のうち、オルガノシリケートグラスa及び二酸化ケイ素bの研磨速度を、研磨前後での膜厚差を大日本スクリーン製造株式会社製膜厚測定装置製品名ラムダエースVL-M8000LSを用いて測定し求めた。また、タンタル膜c及び銅dの研磨速度を研磨前後での膜厚差を電気抵抗値から換算して求めた。2研磨速度の面内均一性:上記1研磨速度の標準偏差を平均値に対して百分率で表した。3銅エッチング速度:ブランケット基板dを攪拌している研磨液25°C、攪拌100rpmへ60秒間浸漬した前後の銅膜厚差を電気抵抗値から換算して求めた。4平坦性ディッシング量:上記条件で研磨および洗浄したパターン基板aおよびbの、配線金属銅部幅100μm、層間絶縁膜部幅100μmが交互に並んだストライプ状パターン部以下、ディッシング評価部という。の表面形状から、触針式段差計で絶縁膜部に対する配線金属部の膜減り量を求めた。5平坦性エロージョン量:パターン基板aおよびbに形成された配線金属部幅4.5μm、層間絶縁膜部幅0.5μmが交互に並んだ総幅2.5mmのストライプ状パターン部以下、エロージョン評価部という。の表面形状を触針式段差計により測定し、ストライプ状パターン周辺の層間絶縁膜部に対する同パターン部中央付近の層間絶縁膜部の膜減り量を求めた。6配線抵抗値:上記4ディッシング評価部において、配線長さ1mmの配線抵抗値を測定した。また、上記5エロージョン評価部において、配線長さ1mmの配線抵抗値を測定した。7洗浄性研磨カスの量:パターン基板aおよびbの表面に残った研磨カスの量をSEMを用いて観察し、1cm2当たりの個数で評価した。8研磨キズ:パターン基板aおよびbから、研磨キズの量をKLATencor社製パターンウエハ欠陥検出装置2138を用いて測定し、1cm2当たりの個数で評価した。比較例1~4では、オルガノシリケートグラスの研磨速度が小さく、研磨速度の面内均一性が大きいためにディッシング及びエロージョンが大きく配線抵抗値が増加している。また、比較例1~4では、研磨カスの量及び研磨キズの量が多い。それに対し実施例1~27では、オルガノシリケートグラスまたは二酸化ケイ素の研磨速度が大きく研磨速度の面内均一性に優れるために良好なディッシング及びエロージョン特性により配線抵抗の増加が少ない。また、研磨カスの量及び研磨キズの量が少なく良好である。"