"基板と接触して該基板の温度を制御する温度制御ユニットであって、前記基板と接触する板状の本体と、該本体内に埋設された複数の直線状のヒータと、前記本体内に形成されて内部を所定の温度の媒体が流れる媒体流路とを備え、各前記ヒータは互いに平行に配置され、前記媒体流路は隣接する2つの前記ヒータの間の部分を経由するように配置されることを特徴とする温度制御ユニット。前記本体の平面視における1つの前記ヒータに垂直な方向に関し、各前記ヒータ及び前記媒体流路は交互に等間隔で配置されることを特徴とする請求項1記載の温度制御ユニット。前記本体における前記基板との接触面とは反対側の面において、前記本体内に埋設された各ヒータの位置に対応するように配置された蓋をさらに備え、前記蓋は開閉可能であることを特徴とする請求項1又は2記載の温度制御ユニット。前記本体は前記蓋を取り付けるためのねじ用のねじ穴を有し、前記媒体流路は隣接する2つの前記ヒータの間において前記ねじ穴を避けるように蛇行することを特徴とする請求項3記載の温度制御ユニット。前記蛇行する媒体流路における曲部の前記本体の平面視における曲率は半径40mm以上であることを特徴とする請求項4記載の温度制御ユニット。基板を載置する基板載置台であって、前記基板と接触して該基板の温度を制御する温度制御ユニットと、該温度制御ユニットを支持する基部とを備え、前記温度制御ユニットは、前記基板と接触する板状の本体と、該本体内に埋設された複数の直線状のヒータと、前記本体内に形成されて内部を所定の温度の媒体が流れる媒体流路とを有し、各前記ヒータは互いに平行に配置され、前記媒体流路は隣接する2つの前記ヒータの間の部分を経由するように配置されることを特徴とする基板載置台。基板に処理を施す基板処理装置であって、前記基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する基板載置台とを備え、前記基板載置台は、前記基板と接触して該基板の温度を制御する温度制御ユニットと、該温度制御ユニットを支持する基部とを有し、前記温度制御ユニットは、前記基板と接触する板状の本体と、該本体内に埋設された複数の直線状のヒータと、前記本体内に形成されて内部を所定の温度の媒体が流れる媒体流路とを有し、各前記ヒータは互いに平行に配置され、前記媒体流路は隣接する2つの前記ヒータの間の部分を経由するように配置されることを特徴とする基板処理装置。基板の温度を制御する温度制御システムであって、前記基板と接触する板状の本体と、該本体内に埋設された複数の直線状のヒータと、前記本体内に形成されて内部を所定の温度の媒体が流れる媒体流路とを有し、前記基板と接触して該基板の温度を制御する温度制御ユニットと、前記ヒータの発熱量を制御するヒータ制御ユニットと、前記媒体流路を流れる媒体の流量や温度を制御する媒体制御ユニットとを備え、前記温度制御ユニットの前記本体において、各前記ヒータは互いに平行に配置され、前記媒体流路は隣接する2つの前記ヒータの間の部分を経由するように配置されることを特徴とする温度制御システム。基板と接触して該基板の温度を制御する温度制御ユニットであって、前記基板と接触する板状の本体と、該本体内に埋設された複数の直線状のヒータと、前記本体内に形成されて内部を所定の温度の媒体が流れる媒体流路とを備え、各前記ヒータは互いに平行に配置され、前記媒体流路は隣接する2つの前記ヒータの間の部分を経由するように配置される温度制御ユニットを用いる基板処理方法であって、前記基板を目標冷却温度まで冷却する際、前記媒体流路へ前記目標冷却温度よりも低い温度の媒体を供給することを特徴とする基板処理方法。前記温度制御ユニットの本体の温度が、前記目標冷却温度よりも第1の所定温度だけ高い第1の制御変更温度に到達したとき、前記媒体流路へ供給される媒体の温度を前記目標冷却温度に変更することを特徴とする請求項9記載の基板処理方法。前記第1の所定温度は2°C以上且つ20°C未満であることを特徴とする請求項10記載の基板処理方法。前記温度制御ユニットの本体の温度が、前記目標冷却温度よりも第2の所定温度だけ高い第2の制御変更温度に到達したとき、前記ヒータを発熱させ、前記第2の所定温度は前記第1の所定温度よりも低いことを特徴とする請求項9乃至11のいずれか1項に記載の基板処理方法。前記第2の所定温度は1°C以上且つ10°C未満であることを特徴とする請求項12記載の基板処理方法。前記基板を目標加熱温度まで加熱する際、前記ヒータを発熱させるとともに、前記媒体流路へ前記目標加熱温度よりも高い温度の媒体を供給することを特徴とする請求項9乃至13のいずれか1項に記載の基板処理方法。しかしながら、特許文献1の基板処理装置では、冷却ジャケットとヒータが個別なものとして分かれているため、冷却ジャケット及びヒータの間に物理的な境界が発生する。該境界は、例えば、ヒータによって基板を加熱する際、熱抵抗としてヒータからの熱が冷却ジャケットへ伝わるのを阻害するため、基板の温度が早く変化しないという問題がある。本発明の目的は、基板の温度を早く変化させることができる温度制御ユニット、基板載置台、基板処理装置、温度制御システム、及び基板処理方法を提供することにある。上記目的を達成するために、請求項1記載の温度制御ユニットは、基板と接触して該基板の温度を制御する温度制御ユニットであって、前記基板と接触する板状の本体と、該本体内に埋設された複数の直線状のヒータと、前記本体内に形成されて内部を所定の温度の媒体が流れる媒体流路とを備え、各前記ヒータは互いに平行に配置され、前記媒体流路は隣接する2つの前記ヒータの間の部分を経由するように配置されることを特徴とする。請求項2記載の温度制御ユニットは、請求項1記載の温度制御ユニットにおいて、前記本体の平面視における1つの前記ヒータに垂直な方向に関し、各前記ヒータ及び前記媒体流路は交互に等間隔で配置されることを特徴とする。請求項3記載の温度制御ユニットは、請求項1又は2記載の温度制御ユニットにおいて、前記本体における前記基板との接触面とは反対側の面において、前記本体内に埋設された各ヒータの位置に対応するように配置された蓋をさらに備え、前記蓋は開閉可能であることを特徴とする。請求項4記載の温度制御ユニットは、請求項3記載の温度制御ユニットにおいて、前記本体は前記蓋を取り付けるためのねじ用のねじ穴を有し、前記媒体流路は隣接する2つの前記ヒータの間において前記ねじ穴を避けるように蛇行することを特徴とする。請求項5記載の温度制御ユニットは、請求項4記載の温度制御ユニットにおいて、前記蛇行する媒体流路における曲部の前記本体の平面視における曲率は半径40mm以上であることを特徴とする。上記目的を達成するために、請求項6記載の基板載置台は、基板を載置する基板載置台であって、前記基板と接触して該基板の温度を制御する温度制御ユニットと、該温度制御ユニットを支持する基部とを備え、前記温度制御ユニットは、前記基板と接触する板状の本体と、該本体内に埋設された複数の直線状のヒータと、前記本体内に形成されて内部を所定の温度の媒体が流れる媒体流路とを有し、各前記ヒータは互いに平行に配置され、前記媒体流路は隣接する2つの前記ヒータの間の部分を経由するように配置されることを特徴とする。上記目的を達成するために、請求項7記載の基板処理装置は、基板に処理を施す基板処理装置であって、前記基板を収容する収容室と、該収容室内に配置されて前記基板を載置する基板載置台とを備え、前記基板載置台は、前記基板と接触して該基板の温度を制御する温度制御ユニットと、該温度制御ユニットを支持する基部とを有し、前記温度制御ユニットは、前記基板と接触する板状の本体と、該本体内に埋設された複数の直線状のヒータと、前記本体内に形成されて内部を所定の温度の媒体が流れる媒体流路とを有し、各前記ヒータは互いに平行に配置され、前記媒体流路は隣接する2つの前記ヒータの間の部分を経由するように配置されることを特徴とする。上記目的を達成するために、請求項8記載の温度制御システムは、基板の温度を制御する温度制御システムであって、前記基板と接触する板状の本体と、該本体内に埋設された複数の直線状のヒータと、前記本体内に形成されて内部を所定の温度の媒体が流れる媒体流路とを有し、前記基板と接触して該基板の温度を制御する温度制御ユニットと、前記ヒータの発熱量を制御するヒータ制御ユニットと、前記媒体流路を流れる媒体の流量や温度を制御する媒体制御ユニットとを備え、前記温度制御ユニットの前記本体において、各前記ヒータは互いに平行に配置され、前記媒体流路は隣接する2つの前記ヒータの間の部分を経由するように配置されることを特徴とする。上記目的を達成するために、請求項9記載の基板処理方法は、基板と接触して該基板の温度を制御する温度制御ユニットであって、前記基板と接触する板状の本体と、該本体内に埋設された複数の直線状のヒータと、前記本体内に形成されて内部を所定の温度の媒体が流れる媒体流路とを備え、各前記ヒータは互いに平行に配置され、前記媒体流路は隣接する2つの前記ヒータの間に位置するように配置される温度制御ユニットを用いる基板処理方法であって、前記基板を目標冷却温度まで冷却する際、前記媒体流路へ前記目標冷却温度よりも低い温度の媒体を供給することを特徴とする。請求項10記載の基板処理方法は、請求項9記載の基板処理方法において、前記温度制御ユニットの本体の温度が、前記目標冷却温度よりも第1の所定温度だけ高い第1の制御変更温度に到達したとき、前記媒体流路へ供給される媒体の温度を前記目標冷却温度に変更することを特徴とする。請求項11記載の基板処理方法は、請求項10記載の基板処理方法において、前記第1の所定温度は2°C以上且つ20°C未満であることを特徴とする。請求項12記載の基板処理方法は、請求項9乃至11のいずれか1項に記載の基板処理方法において、前記温度制御ユニットの本体の温度が、前記目標冷却温度よりも第2の所定温度だけ高い第2の制御変更温度に到達したとき、前記ヒータを発熱させ、前記第2の所定温度は前記第1の所定温度よりも低いことを特徴とする。請求項13記載の基板処理方法は、請求項12記載の基板処理方法において、前記第2の所定温度は1°C以上且つ10°C未満であることを特徴とする。請求項14記載の基板処理方法は、請求項9乃至13のいずれか1項に記載の基板処理方法において、前記基板を目標加熱温度まで加熱する際、前記ヒータを発熱させるとともに、前記媒体流路へ前記目標加熱温度よりも高い温度の媒体を供給することを特徴とする。本発明によれば、温度制御ユニットの本体内に媒体流路だけでなく複数のヒータが配置されるため、ヒータからの熱の本体への伝達が阻害されることがない。その結果、基板の温度を早く変化させることができる。また、各ヒータは互いに平行に配置され、媒体流路は隣接する2つのヒータの間に位置するように配置されるので、本体における加熱箇所及び冷却箇所の配置のバランスを向上することができ、もって、本体と接触する基板の温度を安定且つ均一に変化させることができる。また、本発明によれば、基板を目標冷却温度まで冷却する際、温度制御ユニットの本体内の媒体流路へ目標冷却温度よりも低い温度の媒体を供給するので、基板の冷却を迅速に行うことができ、もって、基板の温度を早く変化させることができる。以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。まず、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。図1は、本実施の形態に係る基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。図1において、基板処理装置10は、基板を収容する収容室11と、該収容室11内の下部に配置されて基板Wを載置する基板載置台12と、収容室11内の上部において基板載置台12と対向するように配置されたシャワーヘッド状のガス供給部13とを備え、収容室11に収容された基板Wに成膜処理を施す。基板載置台12は載置された基板Wの温度を制御し、ガス供給部13は収容室11内に処理ガスを供給する。基板処理装置10では、ガス供給部13が成膜用の処理ガスを供給するとともに、基板載置台12が基板Wを所定の高温まで加熱することにより、該基板Wへ成膜処理を施す。基板載置台12は、収容室11の下方から立設する基部14と、該基部14が上端において支持する温度制御ユニット15とを有する。温度制御ユニット15は、基板Wを接触する板状のユニット本体16と、内部に埋設されたヒータ17と、同内部に形成されたチラー流路18媒体流路と、同内部に埋設された温度センサAとを有する。ユニット本体16は伝熱性の高い材料、例えば、アルミニウムからなり、ヒータ17は外部のヒータコントローラ19ヒータ制御ユニットと配線20を介して接続され、該ヒータコントローラ19から電力を供給されることによって発熱する。チラー流路18は外部のチラーコントローラ21媒体制御ユニットと配管22を介して接続され、チラー流路18の内部をチラーコントローラ21から循環供給された媒体、例えば、ガルデン登録商標が流れる。ヒータ17は発熱することによってユニット本体16の温度を上昇させて該ユニット本体16に接触する基板Wを加熱し、チラー流路18は内部を低温の媒体冷媒が流れることによってユニット本体16の温度を下降させて該ユニット本体16に接触する基板Wを冷却する。ヒータコントローラ19、チラーコントローラ21及び温度センサAは装置コントローラ23と接続され、装置コントローラ23は、ユニット本体16に埋設された温度センサAの温度が所定の範囲に収まるように、ヒータコントローラ19およびチラーコントローラ21を制御する。具体的には、ヒータコントローラ19は装置コントローラ23から信号を受け取り、該信号に従ってヒータ17へ供給する電力の供給量や供給タイミングを制御し、チラーコントローラ21も装置コントローラ23から信号を受け取り、該信号に従ってチラー流路18へ供給する媒体の温度、供給量や供給タイミングを制御する。図2は、図1における温度制御ユニットの構成を概略的に示す図であり、図2Aは水平断面図であり、図2Bは縦断面図であり、図2Cは底面図である。図2において、温度制御ユニット15のユニット本体16の内部には温度センサAが埋設され、さらに6本の直線状のヒータ17が互いに平行に配置される。温度センサAが埋設される位置は、断面視においては、基板Wとの接触面16aに近い箇所が望ましく図2B参照。、底面視においては、中央部が望ましい図2C参照。が、特に限定されるものではない。各ヒータ17は、それぞれ3つのヒータ17を接続する2つの電線20によって平面視でE字状を呈する2つの組に分けられている。各組はE字の開放端同士が対向し、一方の組において隣接する2つのヒータ17の間に他方の組における1つのヒータ17が介在するように配置される。また、ユニット本体16の内部には1本のチラー流路18が形成されている。チラー流路18は平面視において、隣接する2つのヒータ17の間において両ヒータ17から等距離に位置するように両ヒータ17の間の部分を経由し、且つ、各ヒータ17の端部で屈曲部を擁するように配置される。さらに、ユニット本体16では、各ヒータ17及びチラー流路18が平面視における1つのヒータ17に垂直な方向Dに関して交互に等間隔で配置される図2A。ユニット本体16における基板Wとの接触面16aとは反対側の裏面16bには、ユニット本体16に埋設された各ヒータ17の組に対応するようにE字状を呈するメンテナンス用の蓋24,25が設けられる。ユニット本体16はメンテナンス用の蓋24及び25を該ユニット本体16へ取り付けるための取り付けねじ用のねじ穴26を有する。なお、本実施の形態では、図2Aに示すように、1つのヒータ17に対して2つのねじ穴26が設けられるが、ねじ穴26の数は特に限られていない。温度制御ユニット15では、温度センサAが故障した際、または、あるヒータ17が断線した際、ユニット本体16を取り外し、さらに、取り付けねじを外すことによって裏面のメンテナンス用の蓋24又は25を開蓋し、故障した温度センサA、または、断線したヒータ17を取り替える。図2の温度制御ユニット15によれば、ユニット本体16内にチラー流路18だけでなく複数のヒータ17が配置されるため、ヒータ17とチラー流路18を別個のユニットとして設けた場合に生じるヒータ17及びチラー流路18の間の境界部が存在せず、当該境界部による熱抵抗が無いため、ヒータ17からの熱のユニット本体16への伝達が阻害されることがない。また、ユニット本体16内に温度センサAが埋設されているため、ユニット本体16の温度を精度良く測定することができる。その結果、基板Wの温度を早く変化させることができる。また、温度制御ユニット15では、各ヒータ17は互いに平行に配置され、チラー流路18は隣接する2つのヒータ17の間の部分を経由するように配置され、且つユニット本体16の平面視における1つのヒータ17に垂直な方向Dに関し、各ヒータ17及びチラー流路18は交互に等間隔で配置されるので、ユニット本体16における加熱箇所及び冷却箇所の配置のバランスを向上することができる。その結果、ユニット本体16と接触する基板Wの温度を安定且つ均一に変化させることができる。また、ユニット本体16の温度を監視する温度センサAを基板Wとの接触面16aへできるだけ近い位置に埋設することにより、基板Wと、温度センサAによって測定されたユニット本体16との間の温度勾配を小さくできるため、基板Wの温度を精度よく制御することができる。また、温度制御ユニット15は、ユニット本体16の裏面16bにおいて、各ヒータ17の位置に対応するように配置された開閉可能なメンテナンス用の蓋24,25をさらに備えるので、温度センサA、若しくは、ヒータ17が破損しても当該ヒータ17を交換することでき、もって、温度制御ユニット15のランニングコストを低減することができる。また、メンテナンス用の蓋24、25がユニット本体16の接触面16aではなく裏面16bに配置されているため、メンテナンス用の蓋24、25とユニット本体16との間の境界が熱抵抗となってヒータ17による基板Wの加熱やチラー流路18の内部を流れる冷媒による基板Wの冷却を阻害することがなく、もって、基板Wの温度をより早く変化させることができる。なお、本実施の形態においては、ヒータ17が互いに平行な直線状のヒータとして説明されたが、熱交換を行う領域の形状に合わせて、同形状の曲線状のヒータを互いからの距離が一定となるように配置してもよい。この場合、曲線状のヒータとしては、例えば、円弧状の曲線や、放物線状の曲線で構成されるヒータであってもよく、また、一方向を指向しつつ蛇行する曲線状のヒータであってもよい。蛇行するヒータの場合、隣接するヒータが互いに鏡面対称となる形状であってもよく、平行移動した形状であってもよい。さらに、本実施の形態においては、チラー流路18は一本の流路からなる一系統の流路として説明したが、二本またはそれ以上の流路からなる複数系統の流路として構成してもよい。一本の流路では上流及び下流の間に温度差が生じやすいが、複数の流路で構成すれば、一系統の流路が短くなるので、上流及び下流の間の温度差を小さくすることができ、ユニット本体16における面内での熱交換の不均一を緩和することができる。図3は、図1における温度制御ユニットの変形例の構成を概略的に示す図であり、図3Aは水平断面図であり、図3Bは縦断面図であり、図3Cは底面図である。本変形例は、ヒータの数やチラーの形状が図2の温度制御ユニット15と異なる。ところで、各ねじ穴26の機能、例えば、締結力の発揮や締結力に対する耐性を確保するために、各ねじ穴26をヒータ17やチラー流路18から一定の距離以上離して配置する必要がある。その結果、ヒータ17やチラー流路18の配置場所はねじ穴26の配置場所に左右される。具体的に図2の温度制御ユニット15では、ヒータ17やチラー流路18が直線状に形成されるため、各ねじ穴26の配置場所を考慮すると、各ヒータ17及びチラー流路18をある一定以上近づけることができず、配置できるヒータ17の数が制限され、また、媒体流路18も細かく屈曲することができないので、ユニット本体16における面内の温度分布が不均一となる虞がある。これに対して、図3の温度制御ユニット27では、隣接する2つのヒータ17の間において取り付けねじ用のねじ穴26を避けるようにチラー流路18が蛇行する。これにより、チラー流路18における各曲部18aの内側に各ねじ穴26を配置すれば、各ねじ穴26からチラー流路18まで一定の距離を確保できるとともに、当該曲部18aと隣接する曲部18bをヒータ17へ近づけることできる。これにより、各ヒータ17及びチラー流路18を、図2の温度制御ユニット15におけるヒータ17及びチラー流路18よりも近づけることができる。その結果、ユニット本体16においてより多くのヒータ17を配置し、さらにチラー流路18をより細かく屈曲することができるので、ユニット本体16における面内の温度均一性を向上させることができる。例えば、図3の温度制御ユニット27では、8つのヒータ17を配置することができる。また、温度制御ユニット27では、蛇行するチラー流路18のユニット本体16の平面視における曲率が半径40mm以上に設定される。これにより、チラー流路18のコンダクタンスが極端に低下することがないので、チラー流路18内を流れる媒体の圧損が生じることがなく、媒体の供給効率が低下するのを防止することができる。なお、本変形例においてはチラー流路18を蛇行させてねじ穴26を回避させたが、チラー流路18ではなくヒータ17を蛇行させてねじ穴26を回避してもよい。次に、本発明の実施の形態に係る基板処理方法について説明する。本実施の形態に係る基板処理方法は温度制御ユニット15を備える基板処理装置10において装置コントローラ23が実行する。なお、本実施の形態に係る基板処理方法では、ユニット本体16の温度が基板Wの温度を代用するものとして、ヒータ17やチラー流路18によってユニット本体16の温度を制御する。図4は、本実施の形態に係る基板処理方法における基板の冷却時の各部温度を示すシーケンス図である。図4において、例えば、250°Cの基板Wの目標冷却温度、例えば、120°Cまでの冷却が開始されると、ヒータコントローラ19はヒータ17への電力の供給を停止し、チラーコントローラ21はチラー流路18へ供給する媒体の温度を目標冷却温度よりも低い温度である冷却用温度、例えば、80°Cまで低下させる。その後、ユニット本体16が冷却用温度の媒体によって冷却されて目標冷却温度よりも2°C以上且つ20°C未満の所定の温度第1の所定温度だけ高い温度第1の制御変更温度、例えば、130°Cに到達すると、チラーコントローラ21はチラー流路18へ供給する媒体の温度を目標冷却温度に変更し、降温速度を低下させてユニット本体16の降温度合いを緩和する。本実施の形態に係る基板処理方法によれば、基板Wを目標冷却温度まで冷却する際、チラー流路18へ目標冷却温度よりも低い温度冷却用温度の媒体を供給するので、基板Wの冷却を迅速に行うことができ、もって、基板Wの温度を早く変化させることができる。また、本実施の形態に係る基板処理方法では、ユニット本体16の温度が、目標冷却温度よりも高い第1の制御変更温度に到達したとき、チラー流路18へ供給される媒体の温度を目標冷却温度に変更するので、ユニット本体16が過剰に冷却されることがなく、もって、ユニット本体16の温度が目標冷却温度を下回るのを防止することができる。上述した本実施の形態に係る基板処理方法では、ヒータ17への電力の供給が停止されると、その後、電力の供給は再開されないが、電力の供給を意図的に再開してもよい。図5は、本実施の形態に係る基板処理方法の変形例における基板の冷却時の各部温度を示すシーケンス図である。図5において、基板Wの冷却が開始されると、ヒータコントローラ19はヒータ17への電力の供給を停止し、チラーコントローラ21はチラー流路18へ供給する媒体の温度を冷却用温度まで低下させ、ユニット本体16が冷却されて第1の制御変更温度に到達すると、チラーコントローラ21はチラー流路18へ供給する媒体の温度を目標冷却温度に変更する。その後、ユニット本体16がさらに冷却されて目標冷却温度よりも1°C以上且つ10°C未満の所定の温度第2の所定温度だけ高い温度第2の制御変更温度、例えば、125°Cに到達すると、ヒータコントローラ19はヒータ17への電力の供給を再開する。これにより、媒体の温度を目標冷却温度に変更した後に、ユニット本体16の降温速度が期待したほど下がらなくても、ユニット本体16を加熱することによってユニット本体16の降温速度を緩和することができ、もって、ユニット本体16の温度が目標冷却温度を下回るのを確実に防止することができる。また、本実施の形態に係る基板処理方法では基板Wの加熱時においてもチラー流路18へ供給する媒体の温度を変更させてもよい。図6は、本実施の形態に係る基板処理方法における基板の加熱時の各部温度を示すシーケンス図である。図6において、例えば、60°Cの基板Wの目標加熱温度、例えば、250°Cまでの加熱が開始されると、ヒータコントローラ19はヒータ17への電力の供給を開始し、チラーコントローラ21はチラー流路18へ供給する媒体の温度を目標加熱温度よりも高い温度である加熱用温度、例えば、280°Cまで上昇させる。その後、ユニット本体16が加熱されて目標加熱温度よりも2°C以上且つ20°C未満の所定の温度だけ低い温度第3の制御変更温度、例えば、240°Cに到達すると、チラーコントローラ21はチラー流路18へ供給する媒体の温度を目標加熱温度に変更する。上述した基板処理方法では、基板Wを目標加熱温度まで加熱する際、チラー流路18へ目標加熱温度よりも高い温度加熱用温度の媒体を供給するので、基板Wの加熱を迅速に行うことができ、もって、基板Wの温度を早く変化させることができる。また、上述した基板処理方法では、ユニット本体16の温度が、目標加熱温度よりも低い第3の制御変更温度に到達したとき、チラー流路18へ供給される媒体の温度を目標加熱温度に変更するので、ユニット本体16が過剰に加熱されることがなく、もって、ユニット本体16の温度が目標加熱温度を上回るのを防止することができる。上述した基板処理方法では、ヒータ17への電力の供給が開始されると、その後、電力の供給は停止されないが、意図的に電力の供給を停止してもよい。図7は、本実施の形態に係る基板処理方法の変形例における基板の加熱時の各部温度を示すシーケンス図である。図7において、基板Wの加熱が開始されると、ヒータコントローラ19はヒータ17への電力の供給を開始し、チラーコントローラ21はチラー流路18へ供給する媒体の温度を加熱用温度まで上昇させ、ユニット本体16が加熱されて第3の制御変更温度に到達すると、チラーコントローラ21はチラー流路18へ供給する媒体の温度を目標加熱温度に変更する。その後、ユニット本体16がさらに加熱されて目標加熱温度よりも1°C以上且つ10°C未満の所定の温度だけ低い温度第4の制御変更温度、例えば、245°Cに到達すると、ヒータコントローラ19はヒータ17への電力の供給を停止する。これにより、媒体の温度を目標加熱温度に変更した後に、ユニット本体16の昇温速度が期待したほど下がらなくても、ヒータ17の発熱を停止してユニット本体16への熱の供給量を急激に減らすことによってユニット本体16の昇温速度を緩和することができ、もって、ユニット本体16の温度が目標加熱温度を上回るのを確実に防止することができる。なお、本実施の形態に係る基板処理方法が実行される基板処理装置10の基板載置台12における温度制御ユニット15は、上述したように、ユニット本体16内にチラー流路18だけでなく複数のヒータ17及び温度センサAが配置され、ユニット本体16の温度は温度センサAによってチラー流路18の内部を流れる媒体の温度やヒータ17の温度を監視することにより、図6や図7に示すような、ヒータ17による加熱とチラー流路18による加熱とを併用する基板処理方法を精度よく実行することができる。上述した本実施の形態に係る基板処理方法は、処理温度が異なる複数の成膜処理の間における基板Wの温度調整に好適に用いられるが、当該基板処理方法を実行する際の収容室11内の圧力は特に限られず、大気圧乃至真空のいずれであってもよい。また、上述した本実施の形態では成膜処理を行う場合について説明したが、本発明を適用できる処理としては迅速なる温度変化を必要とする処理であればよく、上述した成膜処理には限られない。また、上述した本実施の形態に係る基板処理方法は装置コントローラ23が実行したが、基板処理装置10とネットワークを介して接続された外部のサーバ図示しないがヒータコントローラ19やチラーコントローラ21の動作を制御することによって実行してもよい。さらに、チラー流路18に供給される媒体は、ガルデンに限られず、例えば、オイル系の媒体であるシリコーンオイルを用いることができる。以上、本発明について、上記実施の形態を用いて説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。本発明の目的は、上述した実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムを記録した記憶媒体を、コンピュータ等に供給し、コンピュータのCPUが記憶媒体に格納されたプログラムを読み出して実行することによっても達成される。この場合、記憶媒体から読み出されたプログラム自体が上述した実施の形態の機能を実現することになり、プログラム及びそのプログラムを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。また、プログラムを供給するための記憶媒体としては、例えば、RAM、NV-RAM、フロッピー登録商標ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVDDVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVDRW等の光ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、他のROM等の上記プログラムを記憶できるものであればよい。或いは、上記プログラムは、インターネット、商用ネットワーク、若しくはローカルエリアネットワーク等に接続される不図示の他のコンピュータやデータベース等からダウンロードすることによりコンピュータに供給されてもよい。また、コンピュータのCPUが読み出したプログラムを実行することにより、上記実施の形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムの指示に基づき、CPU上で稼動しているOSオペレーティングシステム等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。さらに、記憶媒体から読み出されたプログラムが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるCPU等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。上記プログラムの形態は、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラム、OSに供給されるスクリプトデータ等の形態から成ってもよい。"