"一般式I式中、Dは有機電子供与基を表し;AはDの電子親和性を超える電子親和性を有する有機電子受容基を表し;及びΠはずれて縮合した多環式の、場合によりヘテロ原子を含有するπ共役コアを表し;Aはコア上の2原子の位置でコアに結合して、Aの少なくとも一部がコアと縮合した環を形成し、DはAがコアに結合している2原子の位置以外のコア上の2原子の位置でコアに結合して、Dの少なくとも一部分がコアと縮合した環を形成し;安定ラジカルは1つ又は複数のペンダントスペーサー基で場合により置換されているの安定ラジカルを含む非線形光学発色団。コアが第1の架橋基π1をさらに含み、Dが結合している2原子の位置が第1の架橋基π1の一部である、請求項1に記載の発色団。コアが第2の架橋基π2をさらに含み、Aが結合している2原子の位置が第2の架橋基π2の一部である、請求項1に記載の発色団。コアが第2の架橋基π2をさらに含み、Aが結合している2原子の位置が第2の架橋基π2の一部である、請求項2に記載の発色団。コアが、一般式IIa式中、各Zは独立に、N、CH又はCRを表し、Rはペンダントスペーサー基を表し、及び各破線は独立に、発色団内の他の原子に対する化学結合を表すの構造を含む、請求項1に記載の発色団。コアが、一般式IIb式中、各Zは独立に、N、CH又はCRを表し、各Rは独立にペンダントスペーサー基を表し、及び各破線は独立に、発色団内の他の原子に対する化学結合を表すの構造を含む、請求項1に記載の発色団。コアが、一般式III式中、各破線は独立に、発色団内の他の原子に対する化学結合を表すの構造を含む、請求項1に記載の発色団。コアが、一般式IIc式中、各Zは独立に、N、CH又はCRを表し、QはO、S、NH又はNRを表し、各Rは独立にペンダントスペーサー基を表し、及び各破線は独立に、発色団内の他の原子に対する化学結合を表すの構造を含む、請求項1に記載の発色団。一般式式中、各Rは独立にペンダントスペーサー基を表し、及び各Accは電子受容基を表すの安定ラジカルを含む非線形光学発色団。一般式式中、各Rは独立にペンダントスペーサー基を表し、及び各Accは電子受容基を表すの安定ラジカルを含む非線形光学発色団。一般式式中、各Rは独立にペンダントスペーサー基を表し、及び各Accは電子受容基を表すの安定ラジカルを含む非線形光学発色団。各Rが、メシチル、2-エチルヘキシル及び一般式この構造はで発色団に結合しているの構造からなる群から選択された部分を独立に表す、請求項9に記載の発色団。各Rがメシチル基を表す、請求項9に記載の発色団。各Rが2-エチルヘキシル基を表す、請求項9に記載の発色団。各Rがシクロヘキシル基を表す、請求項9に記載の発色団。電子受容基が少なくとも1つのニトロ基を含む、請求項1に記載の非線形光学発色団。電子受容基が少なくとも1つのニトロ基を含む、請求項7に記載の非線形光学発色団。請求項1に記載の一般式Iの安定ラジカルの2種以上の混合物を含む非線形光学発色団組成物。一般式I’のラジカル、一般式Iaのニトロラジカル及び一般式Ibのニトロキシルラジカル式中、各Rは独立にペンダントスペーサー基を表し、及び各Accは電子受容基を表すからなる群から選択された2種以上の安定ラジカルの混合物を含む非線形光学発色団組成物。請求項1に記載の発色団を含む電気光学、太陽光変換又は光起電デバイス。[実施例]0082合成例10083本発明の実施形態による非線形光学発色団を以下の反応スキームにしたがって合成した。0084上で示した反応スキームにおいて、各Rは、メシチル即ち,2,4,6-トリメチルフェニル基を表す。同様な合成は、この及び他の開示された反応スキームによるが、第1のステップを変更して異なったアミノ化されたR基即ち、R-NH2を使用することにより異なったR基を用いて実施することができる。したがって、例えば、メシチルアミンの代わりに、2-エチルヘキシルアミンを用いて反応スキームを実施することができ、その結果各R基は2-エチルヘキシル基である。また、例えば、メシチルアミンの代わりに、シクロヘキシルアミンを用いて反応スキームを実施することもでき、その結果各R基はシクロヘキシル基である等々。それに加えて、この及び本明細書中に記載した他の合成において示した種々の構造及び中間体は静的結合の表示を含むが、種々の中間体及び最終の安定ラジカルの構造が、特定の二重結合位置が変化し得る共鳴形態で存在することは、当業者により理解されるであろう。0085示した合成例において、最終ステップの閉環した生成物は2段階で生成したと考えられる。第1のステップは、塩化ピクリルのクロロ基上の第一級アミンによる求核攻撃を構成する。次に、この中間体は残存する第二級置換アミノ基により攻撃されて示された生成物を生成する。本発明者らは代替経路の後は同様に進め得ることを見出した。最初の求核攻撃の後、ニトロ基は、その前の攻撃部位の下の芳香環の炭素原子と反応し得る。これは、本明細書においてはisoPerkinamineニトロラジカルと称する、下に示す構造を生ずる。0086ニトロラジカルを酸素空気で酸化しても、ゆっくりとIsoPerkinamineニトロキシルラジカルを生成する。合成例20087Perkinamineファミリーにおける各スペーサーR基がシクロヘキシル基であるニトロキシルラジカル合成の第2の例は下に関係する。R-NH2がシクロヘキシルアミンを表すビス-2,6-ジシクロヘキシルアミノナフタレンは2,6-ジヒドロキシナフタレンとシクロヘキシルアミンとの反応により調製され、そこで合成例1に示した一般スキームの反応の残りが実施される。最終ステップを下に記載する。0088各Rがシクロヘキシル基を表す以下の式の化合物0.200g0.397mmolを乾燥アセトニトリル9mL中の無水炭酸ナトリウム0.042g0.397mmolに加えた。これを5分間続けて攪拌した後、0.180g0.727mmolの塩化ピクリルを混合物に加えた。反応物を85°Cに18時間加熱すると、その時点で、黒色沈殿が溶液から生成した。アセトニトリルを真空で除去し、黒色固体を50mLの水で洗浄してから濾過した。母液は緑黄色である。固体を20mLのジエチルエーテルで洗浄した。固体を収集して真空で乾燥し、0.207gの材料を得た。00891HNMRdDMSO:3組のABカップリング基とともに高濃度の非常に幅の広いシグナルからなる。緑色溶液。0090EPRDMSO:3365Gを中心とするトリプレットの強いダブレット。合成例30091本発明の実施形態による非線形光学発色団は、以下の反応スキームにしたがって合成される。0092合成例40093本発明の実施形態による非線形光学発色団は、以下の反応スキームにしたがって合成される。0094評価例10095合成例1の非線形光学発色団この評価例においてはPerkinamine商標ニトロラジカル又はPNRと称するを、その質量スペクトル、電子スペクトル、核磁気共鳴スペクトル、電子スピン共鳴分光法、電気化学的挙動及びDFWM応答により評価した。0096PNRは、米国特許出願第2008/0139812号の段落0063に記載されたRがメシチルを表すラジカル化していない発色団Perkinamine商標1と同様であるが、正確に1単位大きい質量を示し、したがってプロトン化されたラジカルアニオンの存在を示す。0097電子スペクトル:Perkinamine商標1は、アセトニトリル中で約950nmに強い電荷移動偏移を示す分子である。それは溶媒極性を変化させることにより非常にソルバトクロミックにsolvatochromically偏移する。PNRもソルバトクロミックであるが、その電荷移動帯は、Perkinamine1よりエネルギーの著しく低い中赤外領域にある。PNRは、アセトニトリル中で強い電荷移動偏移を約1200nmに示す。0098核磁気共鳴スペクトル:Perkinamine1は、型通りの及び帰属可能なNMRスペクトルを有する。PNRは、スペクトルを示さず、幅広シグナルのみである。型通りの及び帰属可能なNMRスペクトルの欠如は、おそらく、PNRが常磁性であるからであって、それはそのラジカル特性の証拠である。0099電子スピン共鳴ESR分光法:Perkinamine1はESRスペクトルを示さず、それはおそらくそれが反磁性であるからである。固体PNRは、常磁性有機固体中の自由電子に特徴的なg≒2.0における強いESRシグナルを示す。溶液DMSO中で、シグナルは、ニトロキシルラジカルに特徴的なトリプレットのダブレットである。標準に対するスピンを計数すると、バッチ間で変動するが、試料が性質上20~40ラジカルであることが示された。00100電気化学的挙動:PNRは、Ag/Ag電極に対して0.25ボルトで容易に酸化され得る。それは1電子酸化であり、サイクリックボルタンメトリーの時間スケールでは完全に可逆的である。Perkinamine1は、Ag/Ag電極に対して約-0.1vで還元され得るが、その過程は可逆的ではない。00101本発明のPNRをDFWM応答について試験する場合、薄いフィルム8.3重量パーセントPNRを含有するポリカーボネート結合剤APC中で3ミクロンをおよそ1150nmの近赤外レーザー光の逆伝播コヒーレントなピコ秒ビームに曝露した。このようにして生じた一時的ホログラフの回折格子をさらに低出力の第3のビーム図4を参照されたいに曝露した。第3のビームは回折し、回折したビームの出力を測定した。回折ビームの測定された出力を、1mmの溶融水晶標準から回折した出力と同一の条件下で比較すると、出力比は数回の実験で4.6~7.9であった。縮合したシリカのχ3は周知であり、それを使用してPNR試料のχ3が縮合したシリカのχ3の2600倍、即ち4×10-19m2/V2であると計算することができる。薄いフィルム試料中のPNR分子の数密度を知って、分子のγ値を3000×10-48m5/V2であると決定することができる。この値は、他の小さい有機分子より約100倍大きく、PNRファミリーの三次NLO活性に対する有効性を示す。光学的応答は実験に使用されたレーザーのピコ秒のパルス幅内で起こることが見出された。00102本発明の広範な構想から逸脱することなく上記の実施形態に変化がなされ得ることは当業者には理解されるであろう。それ故、本発明は開示された特定の実施形態に限定されず、本発明は添付の特許請求の範囲により定義される本発明の精神及び範囲内の変更を包含することを意図されていることが理解される。本発明の実施形態による位相変調器の描写である。図1に示した位相変調器を評価するための試験手順の描写である。図1に示した位相変調器で使用されるウェハーのためのフォトマスク構築配置図のイメージである。薄いフィルム複合体の三次NLOの性質を評価するための縮重4波混合DFWM試験手順の描写である。"