複数枚の平板状セッターをセッター保持手段により垂直方向に多段に保持する焼成用ラックであって、該セッター保持手段が、0.01~30のSiを含有するSi-SiC、再結晶SiC、Si3N4-SiCの何れかの材質からなり、該セッター保持手段は、各平板状セッターをその外周側面の70~100を露出させた状態で保持するものであることを特徴とする焼成用ラック。セッター保持手段が、セッター保持機構を備えた複数本の垂直支柱と、該垂直支柱の下端部を支持する下端支持枠と、該垂直支柱の上端部を支持する上端支持枠を有し、該セッター保持機構が、垂直支柱の内側面に形成した複数の凹部または凸部、あるいは、平板状セッターを挟んで対面する垂直支柱間に渡した梁、の少なくとも何れかからなることを特徴とする請求項1に記載の焼成用ラック。垂直支柱が、その4隅の垂直辺を構成する角部垂直支柱、および、該角部垂直支柱間に垂直配置された中間垂直支柱からなることを特徴とする請求項2に記載の焼成用ラック。セッター保持手段が、周辺部に複数の段積み用突起を備えた枠状の平板部材からなり、平板状セッターを保持させた状態で多段に積層されたことを特徴とする請求項1に記載の焼成用ラック。セッター保持手段が、複数の段積み用突起を備え対向配置された一対の直線部材と、各段積み用突起の上部凹面間に掛け渡された梁とからなり、これらの梁の上に平板状セッターを保持させた状態で多段に積層されたことを特徴とする請求項1に記載の焼成用ラック。セッター保持手段を構成する部材が、Si-SiCからなり、その化学組成はSiC:70~99、Si:1~30であり、SiCSiを100として、さらにAl:0.01~0.2、Fe:0.01~0.2、Ca:001~0.2を含有することを特徴とする請求項1~4の何れかに記載の焼成用ラック。セッター保持手段を構成する部材の熱輻射率が、波長8μmで80~100、波長12μmで20~40、波長19μmで60~80であることを特徴とする請求項6に記載の焼成用ラック。セッター保持手段を構成する部材の算術平均による表面粗さがRa=0.1~30μm、弾性率が200~400GPa、強度が100~400MPaで、室温における熱伝導率が150~240Wmk、気孔率が1以下であることを特徴とする請求項6又は7に記載の焼成用ラック。セッター保持手段を構成する部材が再結晶SiCからなり、その化学組成はSiC:99~100であり、SiCを100としてさらにAl:0.01~0.2、Fe:0.01~0.2、Ca:001~0.2を含有することを特徴とする請求項1~4の何れかに記載の焼成用ラック。セッター保持手段を構成する部材がSi3N4-SiCからなり、その化学組成はSiC:70~80、Si3N4:20~30であり、SiCSi3N4を100としてさらにAl:0.1~0.5、Fe:0.1~0.5、Ca:001~0.2を含有することを特徴とする請求項1~4の何れかに記載の焼成用ラック。平板状セッターの材質が、0.01~30のSiを含有するSi-SiCであることを特徴とする請求項1~4の何れかに記載の焼成用ラック。従って本発明の目的は前記した従来の問題点を解決し、電子セラミック素子を多段焼成する際のエネルギー効率や量産効率に優れ、かつ、多段焼成における各段の均熱性に優れた焼成用ラックを提供することである。上記課題を解決するためになされた本発明の焼成用ラックは、複数枚の平板状セッターをセッター保持手段により垂直方向に多段に保持する焼成用ラックであって、該セッター保持手段が、0.01~30のSiを含有するSi-SiC、再結晶SiC、Si3N4-SiCの何れかの材質からなり、該セッター保持手段は、各平板状セッターをその外周側面の70~100を露出させた状態で保持するものであることを特徴とするものである。請求項2記載の発明は、請求項1に記載の焼成用ラックにおいて、セッター保持手段が、セッター保持機構を備えた複数本の垂直支柱と、該垂直支柱の下端部を支持する下端支持枠と、該垂直支柱の上端部を支持する上端支持枠を有し、該セッター保持機構が、垂直支柱の内側面に形成した複数の凹部または凸部、あるいは、平板状セッターを挟んで対面する垂直支柱間に渡した梁、の少なくとも何れかからなることを特徴とするものであり、請求項3に記載のように、垂直支柱が、その4隅の垂直辺を構成する角部垂直支柱、および、該角部垂直支柱間に垂直配置された中間垂直支柱からなるようにしてもよい。請求項4記載の発明は、請求項1に記載の焼成用ラックにおいて、セッター保持手段が、周辺部に複数の段積み用突起を備えた枠状の平板部材からなり、平板状セッターを保持させた状態で多段に積層されたことを特徴とするものである。請求項5に記載の発明は、請求項1に記載の焼成用ラックにおいて、セッター保持手段が、複数の段積み用突起を備え対向配置された一対の直線部材と、各段積み用突起の上部凹面間に掛け渡された梁とからなり、これらの梁の上に平板状セッターを保持させた状態で多段に積層されたことを特徴とするものである。なお、セッター保持手段を構成する部材が0.01~30のSiを含有するSi-SiCからなる場合には、その化学組成はSiC:70~99、Si:1~30であり、SiCSiを100としてさらにAl:0.01~0.2、Fe:0.01~0.2、Ca:001~0.2を含有するものであることが好ましい。請求項11に記載のように、平板状セッターの材質もまた0.01~30のSiを含有するSi-SiCであることが好ましい。またセッター保持手段を構成する部材が再結晶SiCからなる場合には、その化学組成はSiC:99~100であり、SiCを100としてさらにAl:0.01~0.2、Fe:0.01~0.2、Ca:001~0.2を含有するものであることが好ましい。またセッター保持手段を構成する部材がSi3N4-SiCからなる場合には、その化学組成はSiC:70~80、Si3N4:20~30であり、SiCSi3N4を100としてさらにAl:0.1~0.5、Fe:0.1~0.5、Ca:001~0.2を含有するものであることが好ましい。本発明の焼成用ラックは、0.01~30のSiを含有するSi-SiC、再結晶SiC、Si3N4-SiCの何れかの材質からなるセッター保持手段によって、複数枚の平板状セッターを、その外周側面の70~100を露出させた状態で保持するものである。これらの材質からなるセッター保持手段は一般的に用いられているアルミナ等に比較して熱輻射率が大きく、しかも平板状セッターの外周側面の70~100を露出させているため、平板状セッター上の電子セラミック素子に炉内の雰囲気温度を速やかに伝達することができる。従って多段焼成における各段の均熱性に優れる。また、これらの材質からなるセッター保持手段は一般的に用いられているアルミナ等に比較して高温条件下における強度が大きく、その分だけ小型軽量化を図ることができる。従って電子セラミック素子を多段焼成する際のエネルギー効率や量産効率に優れる。また従来、各セッター間に突起部で空間を形成しながら、セッターを複数段に段積みしていく場合、段積みに耐えうる強度を確保するように形成された突起部が占める重量や体積が、エネルギー効率や量産効率の高効率化を妨げている問題があったが、請求項2の発明の焼成用ラックは、複数本の垂直支柱と、該垂直支柱の下端部を支持する下端支持枠と、該垂直支柱の上端部を支持する上端支持枠を有し、複数枚の平板状セッターを垂直方向で多段に保持するセッター保持機構を備える構造であり、段積みに耐えうる強度を確保するように形成された突起部が不要となり、従来に比べて、エネルギー効率や量産効率の高効率化を図ることができる。また、従来、各セッター間に突起部で空間を形成しながら、セッターを複数段に段積みしていく場合、最下段のセッターの下面全面が、炉体と、直接或いはトレーを介して接触し、炉体からの熱伝導の影響を大きく受けるため、例えば、最下段のセッターで熱処理を施された電子セラミック素子は、上段で熱処理を施された電子セラミック素子に比べて製品の歩留まりが悪い等、各段における均熱化が困難である問題があったが、請求項2の発明の焼成用ラックによれは、最下段のセッターの下部面と炉体との間にも空間が形成され、炉体からの熱伝導の影響を低減するとともに、該セッター保持機構は、各平板状セッターの外周側面の70~100を各垂直支柱の間から露出させる。これにより、焼結に有害なバインダー分解ガスの排出等、炉内ガスの流れが阻害されにくくなり、各段を構成するセッターへの熱伝達がより均一になるので、各段における均熱化を図ることができる。請求項3の発明によれば、セッターをより安定的に保持することができる。また、特に、中間垂直支柱間に梁を渡す構成によれば、該梁を介して各段のセッターの中央部への熱伝導が行われるため、角部垂直支柱からの熱伝導の影響を受けるセッターの縁部との均熱化を図ることができる。請求項4の発明によれば、セッター保持手段が周辺部に複数の段積み用突起を備えた枠状の平板部材からなり、平板状セッターを保持させた状態で多段に積層した構成としたので、セッター保持手段の熱容量を小さくして電子セラミック素子を多段焼成する際のエネルギー効率や量産効率を高めることができる。また、炉内ガスとの接触性に優れ、多段焼成における各段の均熱性に優れる。請求項5記載の発明によれば、セッター保持手段が複数の段積み用突起を備え対向配置された一対の直線部材と、各段積み用突起の上部凹面間に掛け渡された梁とからなり、これらの梁の上に平板状セッターを保持させた状態で多段に積層した構成としたので、請求項4の発明と同様の効果を得ることができる。第1の実施形態図1と図2は本発明の第1の実施形態を示すものである。本実施形態の焼成用ラック1は略立方体形状を有し、セッター保持手段は、4隅の垂直辺を構成する4本の角部垂直支柱2と、該4本の角部垂直支柱22a、2b、2c、2dの下端部を支持する略ロ字状の下端支持枠4と、該4本の垂直支柱2の上端部を支持する略ロ字状の上端支持枠3から構成されている。図1に示すように、該焼成用ラック1は、平板状セッター7を挿入して使用するものである。各角部垂直支柱2の内側面には、該平板状セッター7の挿入方向に対して平行に水平溝部21が形成され、セッター保持機構を構成している。平板状セッター7は、該水平溝部21位置に挿入されて保持される。該水平溝部21は複数形成されており、各水平溝部21に複数の平板状セッター7を保持させることにより、図2に示すような、多段焼成用焼成治具を構成することができる。このように、ラックに平板状セッターを挿入して多段焼成用焼成治具を構成することにより、従来の各セッター間に突起部で空間を形成しながらセッターを段積みしていく構成に比べて、エネルギー効率や量産効率の高効率化を図ることができる。セッター保持機構の形態は、該水平溝部21に限定されず、その他、角部垂直支柱2の内側面に形成した複数の凹部または凸部、あるいは、平板状セッターを挟んで対面する角部垂直支柱2間に渡した梁等の形状を採用してもよい。本実施形態の焼成用ラック1は、隣接する角部垂直支柱間2aと2b間、及び、2cと2d間に垂直配置された中間垂直支柱55aと5bを、平板状セッター7を挟む対面位置に対で備えている。該一対の中間垂直支柱5aと5bは、各々の内側面に複数の水平孔部51を有し、平板状セッター7を挟む対面位置で対をなす水平孔部51間には梁6が渡されている。該梁6の高さは、各水平溝部21に保持される平板状セッター7の中央部を下面から支持するように、配置されている。これにより、セッターをより安定的に保持することができるため、セッターの薄肉化を図ることができる。また、該梁を介して、各段のセッターの中央部への熱伝導が行われるため、角部垂直支柱2からの熱伝導の影響を受けるセッターの縁部との均熱化を図ることができる。ただし、例えば図3に示すように、中間垂直支柱5を備えない焼成用ラック1とすることもできる。各角部垂直支柱2の内側面に形成された水平溝部21に保持された平板状セッター4の外周側面長さを、例えば図2に示すように、L1L2×2とすると、本実施形態では、角部垂直支柱2の幅sと、中間垂直支柱5の幅tによって被覆される外周側面の割合が、st×4L1L2×2×100=5~30となり、平板状セッター4の外周側面の70~95は、焼成炉内で露出される構造を有している。これにより、各段のセッター全面における良好な炉内ガス流れを確保することができる。また、図9に示す従来例のように、各セッター間に突起部8で空間を形成しながら、セッターを複数段に段積みしていく場合、最下段のセッターの下面全面が、焼成炉の炉体と、直接或いはトレーを介して接触し、炉体からの熱伝導の影響を大きく受けるため、例えば、最下段のセッターで熱処理を施された電子セラミック素子は、上段で熱処理を施された電子セラミック素子に比べて製品の歩留まりが悪い等、各段における均熱化が困難である問題があったが、本発明では、複数本の角部垂直支柱2および中間垂直支柱5以下、垂直支柱というと、該垂直支柱の下端部を支持する下端支持枠4と、該垂直支柱の上端部を支持する上端支持枠3を有し、該セッター保持機構は、該垂直支柱の内側面に形成した複数の水平溝部21からなる構成を採用することにより、最下段のセッターの下部面と炉体との間にも空間が形成され、炉体からの熱伝導の影響を低減することができる。なお、焼成用ラック自体が傾いた際にもセッターを安定保持しておく観点から、垂直支柱2、5の下端部および上端部は、各々、下端支持枠4および上端支持枠3に形成された嵌合部と嵌合して固定され、焼成ラック全体を水平な床面に対して30度傾斜させた際、下端支持枠に対する垂直支柱の傾斜角度が2°以下であることが好ましい。傾斜角度が2°以上の場合、使用時の振動が大きくなり、焼成時の炉内搬送に伴う振動で秘焼成物が損傷する問題が生じる危険性があるが、本発明の前記構成によれば、当該問題を効果的に回避することができる。上記のように、本発明の構成によれば、焼成炉の炉体からの熱伝導の影響が低減され、かつ、良好な空気流れが確保にされるため、各段を構成するセッターへの熱伝達がより均一になり、各段における均熱化を図ることができる。セッター保持手段の材質本発明の焼成用ラックは通常、不活性ガス雰囲気下で、1300~1450°C程度の高温条件下で使用される。このため本発明においては、セッター保持手段が0.01~30のSiを含有するSi-SiC、再結晶SiC、Si3N4-SiCの何れかの材質から構成される。Si-SiCはSiCの粒子間にSiを含浸させたSi含浸SiCと呼ばれる材質である。その化学組成として、SiCを70~99、Siを1~30、更に、微量成分として外配でSiCSiを100としてさらにAlを0.01~0.2、Feを0.01~0.2、Caを0.01~0.2含有することが好ましい。Siの含有率が30を超えると、強度の低下や熱輻射率の低下を招くので好ましくない。また、算術平均による表面粗さがRa=0.1~30μm、弾性率が200~400GPa、強度が100~400MPaで、室温における熱伝導率が150~240Wmk、気孔率が1以下であることが好ましい。このような、化学組成および物性を有する材質とすることにより、焼成用ラック1の軽量化かつ高強度化および長寿命化を図ることができる。このSi-SiCからなるセッター保持手段の熱輻射率は、図4のグラフ中に実線に示すように、波長8μmで80~100、波長12μmで20~40、波長19μmで60~80であることが好ましい。熱輻射率は、化学組成と表面粗さにより規定することができ、本発明では前記のように、化学組成として、SiCを70~99、Siを1~30、更に、微量成分として外配でAlを0.01~0.2、Feを0.01~0.2、Caを0.01~0.2含有する構成を採用し、表面粗さをRa=0.1~30μm、より好ましくは、Ra=10~30μmとする構成を採用することにより、当該熱輻射率を実現している。なお、図4の破線は、化学組成として、従来のセッターの主成分として一般的に使用されるアルミナを採用した場合の熱輻射率である。図4に示すように、従来のセッターの主成分として一般的に使用されるアルミナに変えてSi-SiCを用いることにより、各構成部材2、5、3、4の熱輻射率を高め、炉内における各構成部材2、3、4からの輻射熱を効果的に利用してエネルギー効率の高い焼成を可能としている。セッター保持手段を構成する各構成部材2、5、3、4の表層には、化学組成としてSiO2を90以上含有する厚さ1~10μmの被膜を備えることが好ましい。該被膜により、雰囲気ガスによる各構成部材2、5、3、4の反応劣化を抑制し、焼成用ラックの長寿命化を図ることができる。上記したSi-SiCの他に、再結晶SiCまたはSi3N4-SiCを用いることもできる。再結晶SiCはSiCの粒子間を再結晶操作により融着させて緻密化したもので、その化学組成はSiC:99~100である。しかしSiCを100としてさらにAl:0.01~0.2、Fe:0.01~0.2、Ca:01~0.2を微量成分として含有するものである。またSi3N4-SiCはSi3N4をボンドとするSiCであり、Si-SiCよりも更に高温領域での使用に適する。その化学組成はSiC:70~80、Si3N4:20~30であり、SiCSi3N4を100としてさらにAl:0.1~0.5、Fe:0.1~0.5、Ca:001~0.2を含有するものである。なおこれらの3種類の材質は以下に説明する第2、第3の実施形態についても同様に採用される。なお、平板状セッター7の材質は特に限定されるものではないが、使用温度に耐えるためにはセッター保持手段と同じ材質であることが好ましく、特に0.01~30のSiを含有するSi-SiCであることが好ましい。この材質は高温強度が大きいため、セッターの薄肉化を図ることができるからである。平板状セッター7の形状は必ずしも平坦な板とする必要はなく、例えばハニカム状としたり、メッシュ状としたりすることも可能である。これらの形状とすれば平板状セッター7を貫通して炉内ガスが流れるので、より均熱化を図ることができる。なお焼成温度が比較的低温である場合には、チタンなどの耐熱金属製のメッシュを採用することもできる。第2の実施形態図5と図6は、本発明の第2の実施形態を示すものである。本実施形態の焼成用ラック1は、セッター保持手段が、周辺部に複数の段積み用突起11を備えた枠状の平板部材10からなるものである。図5の実施形態では、長方形の平板部材10は左右両側に四角形の孔12を備え、この部分に平板状セッター7が載せられる。平板部材10の一辺の左右両端と対向する辺の中央部には段積み用突起11が突設され、孔12を囲む位置には段積み用突起11よりも低い位置決め用突起13が突設されている。図6はこのセッター保持手段に平板状セッター7を保持させ、多段に積層した状態の側面図であり、平板状セッター7は点線で表示してある。このようにこの実施形態においても、平板状セッター7の外周側面の70以上は、焼成炉内で露出される。またその材質は熱輻射率の高いSi-SiC、再結晶SiC、Si3N4-SiCの何れかであるから、第1の実施形態と同様に優れた均熱性を確保することができる。また、セッター保持手段に平板状セッター7を保持させた上で段積みすることができるので、第1の実施形態に比較して取り扱い性に優れる利点がある。第3の実施形態図7と図8は、本発明の第3の実施形態を示すものである。本実施形態の焼成用ラック1は、セッター保持手段が、複数の段積み用突起15を備え対向配置された一対の直線部材16と、各段積み用突起15の上部凹面17間に掛け渡された梁18とからなるものである。段積み用突起15は山型の突起であり、その下側には凹部19が形成されている。梁18は断面角型の棒状体であり、その両端が段積み用突起15の上部凹面17に嵌め込まれ、その上に平板状セッター7が載せられる。図8はこれらの梁18の上に平板状セッター7を保持させ、多段に積層した状態の側面図であり、平板状セッター7は点線で表示してある。図8のように下側の凹部19は梁18の上側に嵌め込まれ、積層状態を安定させる。図8に示したように、この実施形態においては、平板状セッター7の外周側面の約100を焼成炉内で露出させることができる。またその材質は熱輻射率の高いSi-SiC、再結晶SiC、Si3N4-SiCの何れかであるから、第1の実施形態と同様に優れた均熱性を確保することができる。第3の実施形態のものも、セッター保持手段に平板状セッター7を保持させた上で段積みすることができるので、第1の実施形態に比較して取り扱い性に優れる利点がある。本発明の焼成用ラックに、150mm×150mm×2mmの平板状セッターを挿入して、15段積み構造の焼成治具を構成したもの実施例1と、150mm×150mm×5mmのセッターで上面周縁に15mmの突起部を有するものを15段に積み上げて構成したもの比較例1を使用して、同一の焼成条件下で、セラミックコンデンサーの焼成1300°C、10時間を行った。表1には、各段における製品歩留まりを調べた結果製品歩留まり、各段を構成するセッターの端部と中央部の温度差を測定した結果セッター温度差°C、最上段のセッター中央部の温度と各段を構成するセッター中央部の温度差セッター中央温度差°Cを、各々示している。表1に示すように、本発明の焼成用ラックを使用することにより、各段における均熱化を図り、製品歩留まりを向上することができる。材質の影響を調べるため、表2に示す各成分比で、本発明の請求項1に係る焼成用ラックを構成し実施例2~6、比較例2~4、150mm×150mm×2mmの平板状セッターを挿入して、15段積み構造の焼成治具を構成した。これを使用して、同一の焼成条件下で、セラミックコンデンサーの焼成1300°C、10時間を行った。表2には、実施例2~6、比較例2~4に係る焼成用ラックの物性弾性率、曲げ強度、熱伝導率、気孔率、輻射率を測定した結果、中断の製品歩留まり調べた結果、焼成用ラック自体の寿命多段棚組の寿命回を、各々示している。表2に示す実施例2、3、4は0.01~30のSiを含有するSi-SiC、実施例5は再結晶SiC、実施例6はSi3N4-SiCであり、比較例2はSi含有率が過剰のSi-SiC、比較例3はアルミナ、比較例4はアルミナーシリカである。表2に示すように、0.01~30のSiを含有するSi-SiC、再結晶SiC、Si3N4-SiCの何れかの材質で請求項1に係る焼成用ラックを構成することにより、製品歩留まりの向上および、焼成用ラックの長寿命化を図ることができる。一方、比較例2~4の化学組成を有する部材で、本発明の請求項1に係る焼成用ラックを構成した場合、製品歩留まりの悪化とともに、特に棚組み寿命の顕著な低下が観察された。