"基板上の選択的な領域に設けられた第1電極と、前記第1電極に非対向な領域に形成されると共に段差を有する溝と、前記第1電極上の領域から前記溝まで延在形成され、前記溝の段差により分断された有機半導体層と、前記有機半導体層上に設けられた第2電極と、前記第2電極上に設けられた保護膜とを備え、前記第2電極および前記保護膜の一方または両方が、前記溝に対向する領域において繋がって形成されている半導体装置。前記基板上に、前記第1電極に対向して開口を有する第1絶縁膜を備え、前記溝は、前記第1絶縁膜の選択的な領域に形成されている請求項1に記載の半導体装置。前記基板上に第2絶縁膜を介して前記第1電極が設けられ、前記溝は、前記第2絶縁膜の選択的な領域に形成されている請求項1に記載の半導体装置。前記溝に対向する領域において前記第2電極が繋がって形成され、前記第2電極は、前記溝の前記有機半導体層と反対側の領域において、前記保護膜から露出している請求項1に記載の半導体装置。前記第2電極の前記保護膜からの露出部分を覆ってコンタクトメタル層が形成されている請求項4に記載の半導体装置。前記保護膜の端部がテーパを有する請求項5に記載の半導体装置。前記第2電極の端部がテーパを有する請求項5に記載の半導体装置。前記有機半導体層が光電変換機能を有する請求項1に記載の半導体装置。基板上の選択的な領域に第1電極を形成する工程と、前記第1電極に非対向な領域において段差を有する溝を形成する工程と、前記第1電極上の領域から前記溝まで延在して、前記溝の段差により分断された有機半導体層を形成する工程と、前記有機半導体層上に第2電極を形成する工程と、前記第2電極上に保護膜を形成する工程とを含み、前記第2電極および前記保護膜の一方または両方を、前記溝に対向する領域において繋げて形成する半導体装置の製造方法。前記第2電極を形成する工程では、前記有機半導体装置の成膜方法よりも指向性の低い成膜方法を用い、前記第2電極を前記溝に対向する領域において繋げて形成する請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記溝を形成する工程では、前記基板上に第1絶縁膜を成膜し、前記第1絶縁膜の前記第1電極に対向する領域に開口を形成すると共に、他の選択的な領域をエッチングすることにより前記溝を形成し、前記第1電極を形成する工程において、前記第1電極と共に前記溝のエッチングストッパ層を形成する請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記第1電極は、前記基板上に第2絶縁膜を介して形成され、前記第1電極を加工する際に、前記第2絶縁膜の選択的な領域をエッチングすることにより、前記溝を、前記下部電極と共に一括形成する請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記溝に対向する領域において前記第2電極を繋げて形成し、前記第2電極を、前記溝の前記有機半導体層と反対側の領域において加工することにより、前記保護膜から露出させる請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記第2電極の前記保護膜からの露出部分を覆ってコンタクトメタル層を形成する工程を含む請求項13に記載の半導体装置の製造方法。前記有機半導体層として光電変換材料を用いる請求項9に記載の半導体装置の製造方法。各画素が1または複数の有機光電変換部を含み、前記有機光電変換部は、基板上の選択的な領域に設けられた第1電極と、前記第1電極に非対向な領域に形成されると共に段差を有する溝と、前記第1電極上の領域から前記溝まで延在形成され、前記溝の段差により分断された有機光電変換層と、前記有機光電変換層上に設けられた第2電極と、前記第2電極上に設けられた保護膜とを備え、前記第2電極および前記保護膜の一方または両方が、前記溝に対向する領域において繋がって形成されている固体撮像装置。前記第2電極が前記溝に対向する領域において繋がって形成され、各画素に共通して設けられている請求項16に記載の固体撮像装置。前記画素が複数配設された画素部の周辺に、前記画素部を駆動する周辺回路部を備え、前記溝は、前記画素部と前記周辺回路部との間の領域に設けられている請求項16に記載の固体撮像装置。前記画素が複数配設された画素部において、前記溝は、各画素間の領域に設けられている請求項16に記載の固体撮像装置。各画素が1または複数の有機光電変換部を含み、前記有機光電変換部は、基板上の選択的な領域に設けられた第1電極と、前記第1電極に非対向な領域に形成されると共に段差を有する溝と、前記第1電極上の領域から前記溝まで延在形成され、前記溝の段差により分断された有機光電変換層と、前記有機光電変換層上に設けられた第2電極と、前記第2電極上に設けられた保護膜とを備え、前記第2電極および前記保護膜の一方または両方が、前記溝に対向する領域において繋がって形成されている固体撮像装置を有する電子機器。上記特許文献1,2のような有機光電変換部を有する固体撮像装置では、有機半導体層上において、電極などの無機膜をパターニングする必要がある。このような有機半導体層上に無機膜を積層した構造を有する半導体装置において、有機半導体層の損傷を抑制して、歩留まりおよび信頼性の向上した半導体装置の実現が望まれている。本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、有機半導体を用いたデバイスにおいて、歩留まりおよび信頼性を向上させることが可能な半導体装置とその製造方法、固体撮像装置および電子機器を提供することにある。本開示の半導体装置は、基板上の選択的な領域に設けられた第1電極と、第1電極に非対向な領域に形成されると共に段差を有する溝と、第1電極上の領域から溝まで延在形成され、溝の段差により分断された有機半導体層と、有機半導体層上に設けられた第2電極と、第2電極上に設けられた保護膜とを備え、第2電極および保護膜の一方または両方が、溝に対向する領域において繋がって形成されているものである。本開示の半導体装置の製造方法は、基板上の選択的な領域に第1電極を形成する工程と、第1電極に非対向な領域において段差を有する溝を形成する工程と、第1電極上の領域から溝まで延在して、溝の段差により分断された有機半導体層を形成する工程と、有機半導体層上に第2電極を形成する工程と、第2電極上に保護膜を形成する工程とを含み、第2電極および前記保護膜の一方または両方を、溝に対向する領域において繋げて形成するものである。本開示の半導体装置および半導体装置の製造方法では、基板上において、第1電極に非対向な領域に段差を有する溝が形成されている。第1電極上に形成される有機半導体層が、この溝の段差によって分断され、有機半導体層上の第2電極および保護膜の一方または両方が、その溝に対向する領域において繋がって形成されている。これにより、製造プロセスにおいて、有機半導体層上の第2電極および保護膜等の無機膜の形成時に使用される薬液の影響により、有機半導体層が損傷を受けにくくなる。本開示の固体撮像装置は、各画素が1または複数の有機光電変換部を含み、有機光電変換部は、基板上の選択的な領域に設けられた第1電極と、第1電極に非対向な領域に形成されると共に段差を有する溝と、第1電極上の領域から溝まで延在形成され、溝の段差により分断された有機光電変換層と、有機光電変換層上に設けられた第2電極と、第2電極上に設けられた保護膜とを備え、第2電極および保護膜の一方または両方が、溝に対向する領域において繋がって形成されているものである。本開示の電子機器は、上記本開示の固体撮像装置を有するものである。本開示の半導体装置および半導体装置の製造方法によれば、基板上の第1電極に非対向な領域に段差を有する溝が設けられ、第1電極上の有機半導体層が、この溝の段差によって分断される一方、第2電極および保護膜の一方または両方が、その溝に対向する領域において繋がって形成されている。これにより、製造プロセスにおいて、有機半導体層の損傷を抑制することができる。よって、有機半導体を用いたデバイスにおいて、歩留まりおよび信頼性を向上させることが可能となる。本開示の固体撮像装置および電子機器によれば、各画素の有機光電変換部において、基板上の第1電極に非対向な領域に段差を有する溝が設けられ、第1電極上の有機半導体層が、この溝の段差によって分断される一方、第2電極および保護膜の一方または両方が、その溝に対向する領域において繋がって形成されている。これにより、製造プロセスにおいて、有機半導体層の損傷を抑制することができる。よって、歩留まりおよび信頼性を向上させることが可能となる。以下、本開示における実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明する順序は、下記の通りである。1.第1の実施形態下部電極分離用の絶縁膜を利用して溝を設けた例2.第2の実施形態層間絶縁膜を利用して溝を設けた例3.変形例1画素間に溝を設けた場合の例4.変形例2封止膜端部にテーパを形成した例5.変形例3上部電極端部にテーパを形成した例6.変形例4溝付近における上部電極および封止膜の接続の他の例7.変形例5溝付近における上部電極および封止膜の接続の他の例8.変形例6溝付近における上部電極および封止膜の接続の他の例9.適用例1固体撮像装置の例10.適用例2電子機器カメラの例<第1の実施の形態>[構成]図1は、本開示の一実施の形態の半導体装置半導体装置10の断面構成を表すものである。半導体装置10は、例えば後述の固体撮像装置1における画素部10Aとその周辺部10Bとの境界付近の構造に相当するものである。詳細は後述するが、画素部10Aには、例えば有機光電変換素子よりなる複数の画素が形成され、周辺部10Bには、各画素を駆動するための周辺回路が形成されている。半導体装置10は、半導体基板11上に、層間絶縁膜12を介して下部電極13a第1電極を有している。この下部電極13aは、半導体基板11上の選択的な領域に配設されており、層間絶縁膜12には、下部電極13aと、図示しない配線層とを電気的に接続させるための導電性プラグ120aが埋設されている。基板11上には、下部電極13aに対向して開口を有する絶縁膜14が設けられ、この絶縁膜14の開口に、有機光電変換層15が形成されている。絶縁膜14は、そのような開口とは異なる領域下部電極13aに非対向な領域に、溝20を有しており、有機光電変換層15は、絶縁膜14の開口内部から、絶縁膜14の溝20まで延在形成され、溝20において分断されている段切れしている。この有機光電変換層15上には、上部電極16第2電極および封止膜17保護膜がこの順に積層されている。これらの上部電極16および封止膜17の端部を覆うように、コンタクトメタル層18が形成されている。コンタクトメタル層18は、例えば下部電極13aと同層に配設される配線層13bと、層間絶縁膜12に埋設された導電性プラグ120bとを介して図示しない配線層に接続されている。尚、本実施の形態の有機光電変換層15が、本開示における有機半導体層の一具体例である。半導体基板11は、例えばシリコンSi等よりなる。但し、半導体装置10の用途によっては、ガラスやプラスチック、あるいは表面が絶縁処理された金属板により構成されていてもよい。導電性プラグ120a,120bは、半導体基板11とのコネクタとして機能するものである。これらの導電性プラグ120a,120bは、例えばチタンTi、窒化チタンTiNおよびタングステンWなどの材料の積層膜により構成されることが望ましい。層間絶縁膜12は、例えば半導体基板11シリコンとの界面準位を低減させると共に、シリコン層110との界面からの暗電流の発生を抑制するために、界面準位の小さな絶縁膜を含んで構成されることが望ましい。例えば、半導体基板11側から順に、酸化ハフニウムHfO2膜とシリコン化合物膜とが形成された積層膜を用いることができる。シリコン化合物膜としては、例えば酸化シリコンSiO2膜、窒化シリコンSiN膜および酸窒化シリコン膜SiONのうちのいずれかよりなる単層膜あるいは、これらのうちの2種以上よりなる積層膜を用いることができる。絶縁膜14は、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンおよび酸化アルミニウムAlOx等のうちの1種よりなる単層膜か、あるいはこれらのうちの2種以上よりなる積層膜により構成されている。尚、絶縁膜14は、半導体装置10が固体撮像装置に用いられる場合には、各画素の下部電極13a間を電気的に分離する機能を有する。また、この他にも、半導体基板11などの周囲の膜に内包された水分等から有機光電変換層15を保護するために、透水性および吸湿性の低い膜であることが望ましい。このような材料としては例えば窒化シリコン、酸化アルミニウムが挙げられる。また、上部電極16透明導電膜との光学干渉による反射成分を考慮した材料であることがより望ましく、例えば上部電極16としてITOを用いた場合には、窒化シリコンを用いるとよい。ITOと窒化シリコンとは、屈折率が近いことから、干渉効果を低減し易くなるためである。溝20は、絶縁膜14の表面に段差を形成し、この段差によって有機光電変換層15を分断するものである。この溝20は、本実施の形態では、絶縁膜14の画素部10Aと周辺部10Bとの境界領域に、下部電極13aと同層に形成されたストッパ13cの上面までを貫通するように設けられている。ストッパ13cは、溝20の深さを制御するものであり、例えば下部電極13aと同一材料により構成されている。このストッパ13cは、下部電極13aをパターン形成する際に同時に形成することができる。尚、溝20およびその付近の具体的な構成については後述する。下部電極13aは、光透過性を有する導電膜により構成され、例えば、ITOインジウム錫酸化物により構成されている。但し、下部電極13aの構成材料としては、このITOの他にも、ドーパントを添加した酸化スズSnO2系材料、あるいはアルミニウム亜鉛酸化物ZnOにドーパントを添加してなる酸化亜鉛系材料を用いてもよい。酸化亜鉛系材料としては、例えば、ドーパントとしてアルミニウムAlを添加したアルミニウム亜鉛酸化物AZO、ガリウムGa添加のガリウム亜鉛酸化物GZO、インジウムIn添加のインジウム亜鉛酸化物IZOが挙げられる。また、この他にも、CuI、InSbO4、ZnMgO、CuInO2、MgIN2O4、CdO、ZnSnO3等が用いられてもよい。有機光電変換層15は、選択的な波長域の光を光電変換する一方、他の波長域の光を透過させる有機半導体により構成されている。有機半導体としては、有機p型半導体および有機n型半導体のうちの一方または両方を含んで構成されることが望ましい。このような有機半導体としては、キナクリドン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、およびフルオランテン誘導体のうちのいずれか1種が好適に用いられる。あるいは、フェニレンビニレン、フルオレン、カルバゾール、インドール、ピレン、ピロール、ピコリン、チオフェン、アセチレン、ジアセチレン等の重合体やその誘導体が用いられていてもよい。加えて、金属錯体色素、シアニン系色素、メロシアニン系色素、フェニルキサンテン系色素、トリフェニルメタン系色素、ロダシアニン系色素、キサンテン系色素、大環状アザアヌレン系色素、アズレン系色素、ナフトキノン、アントラキノン系色素、アントラセンおよびピレン等の縮合多環芳香族および芳香環ないし複素環化合物が縮合した鎖状化合物、または、スクアリリウム基およびクロコニツクメチン基を結合鎖として持つキノリン、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール等の二つの含窒素複素環、または、スクアリリウム基およびクロコニツクメチン基により結合したシアニン系類似の色素等を好ましく用いることができる。尚、上記金属錯体色素としては、ジチオール金属錯体系色素、金属フタロシアニン色素、金属ポルフィリン色素、またはルテニウム錯体色素が好ましいが、これらに限定されるものではない。このような有機光電変換層15の厚みは、例えば50nm~250nmである。この有機光電変換層15の下部電極13aとの間、および上部電極16との間には、図示しない他の層が設けられていてもよい。例えば、下部電極13a側から順に、下引き膜、電子ブロッキング膜、有機光電変換層15、正孔ブロッキング膜、バッファ膜および仕事関数調整膜が積層された構造であってもよい。上部電極16は、下部電極13aと同様の光透過性を有する導電膜により構成されている。本実施の形態では、この上部電極16が溝20に対向する領域において繋がって形成されている。上部電極16の厚みは、例えば50nm~150nmである。封止膜17は、この上部電極16上に形成されたものであり、例えば、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンおよび酸化アルミニウム等のうちの1種よりなる単層膜か、あるいはこれらのうちの2種以上よりなる積層膜である。この封止膜17は、本実施の形態では、上部電極16の上面を覆うように、溝20に対向する領域においても繋がって形成されている。但し、封止膜17の端部周辺部10Bに対応する領域では、コンタクトメタル層18との接続のため、上部電極16を露出するように形成されている。この封止膜17の厚みは、例えば100nm~1μmである。コンタクトメタル層18は、例えば、チタン、タングステン、窒化チタンおよびアルミニウム等のいずれか、あるいはそれらのうちの2種以上よりなる積層膜により構成されている。溝20付近の詳細構成図2は、溝20付近の構成を拡大して示したものである。本実施の形態では、溝20は、絶縁膜14を、ストッパ13cの上面まで略垂直に掘り下げられて形成されている。具体的には、溝20の内壁20Sが絶縁膜14の上面と略直角を成すように形成され、これにより段差を生じさせている。この溝20の段差により、画素部10Aと周辺部10Bとの境界において、有機光電変換層15の一部が分断され、半導体装置10の光電変換動作に寄与しない有機光電変換材料の堆積層15aが、溝20の底面ストッパ13cの上面にも形成される。有機光電変換層15上には、上述のように上部電極16および封止膜17が積層されるが、本実施の形態では、これらの上部電極16および封止膜17の両方が、溝20に対向する領域において繋がって形成されている。上部電極16は、溝20の少なくとも上部を埋め込むように、即ち有機光電変換層15の端部15eを覆うように形成されている。ここでは、上部電極16が溝20の上部のみを埋め込む構成を示しているが、溝20に充填されるように上部電極16が形成されていてもよい。一方、周辺部10Bに対向する領域では、上部電極16と絶縁膜14との間に、空隙H1を有している有機光電変換層が形成されていない。本実施の形態において、溝20の幅dは、上部電極16の厚みt2よりも小さくd<t2なるように形成されていることが望ましい。また、より望ましくは、幅dは、有機光電変換層15の厚みt1と同等かそれよりも大きくなっているとよい。これにより、溝20において有機光電変換層15を分断しつつ、上部電極16については分断することなく繋げて形成し易くなる。溝20の深さhは、有機光電変換層15と堆積層15aとの接触を避けるために、有機光電変換層15の厚みt1より大きいh>t1ことが望ましい。このような溝20のアスペクト比深h/幅dは、例えば1~4程度である。これらの幅d,hは、上記を考慮するとともに、有機光電変換層15および上部電極16の各成膜条件を考慮して、適切な値に設定されればよい。例えば、有機光電変換層15を真空蒸着法、上部電極16をスパッタ法により成膜する場合には、t1=100nm、t2=150nm、d=100nm、h=200nmアスペクト比が2と設定することができる。図3は、溝20の平面レイアウト構成を表したものである。このように、溝20は、例えば矩形状の画素部10Aを囲むように、画素部10Aと周辺部10Bとの間に設けられている。溝20は、例えば矩形状の領域を囲むように形成されるが、その角コーナー部分に対応する領域では、上部電極16は必ずしも繋がっていなくともよい。[製造方法]上記のような半導体装置10は、例えば次のようにして製造することができる。図4~図11は、半導体装置10の製造方法を工程順に表したものである。まず、図4Aに示したように、半導体基板11の面S1上に、層間絶縁膜12および導電性プラグ120a,120bを形成する。この際、具体的には、まず、半導体基板11上に、例えば、ALD原子層堆積法により酸化ハフニウム膜を成膜した後、例えばプラズマCVDChemicalVaporDeposition:化学気相成長法により酸化シリコン膜を成膜する。尚、この後、必要に応じて、例えばCMPChemicalMechanicalPolishing:化学機械研磨法により、層間絶縁膜12の表面を平坦化する。次いで、層間絶縁膜12の選択的な領域に、コンタクトホールを形成し、これらを上述した材料により埋め込むことで導電性プラグ120a,120bを形成する。尚、この後、必要に応じて、例えばCMP法等を用いて、層間絶縁膜12上の余剰のプラグ材料タングステン等を除去する。続いて、図4Bに示したように、層間絶縁膜12上に下部電極13aを形成する。具体的には、まず、層間絶縁膜12上の全面にわたって、例えばスパッタ法により、上述した透明導電膜を成膜する。この後、フォトリソグラフィ法を用いたエッチング例えばドライエッチングまたはウェットエッチングにより、選択的な部分を除去することにより、下部電極13aを形成する。この際、下部電極13aを、導電性プラグ120aに対向する領域に形成すると共に、導電性プラグ120bに対向する領域、および溝20の形成予定領域にそれぞれ透明導電膜を残存させることにより、配線層13bおよびストッパ13cを、下部電極13aと共に一括して形成する。溝20の形成次いで、絶縁膜14を形成する。この際、まず、図5Aに示したように、半導体基板11上の全面にわたって、層間絶縁膜12、下部電極13a、配線層13bおよびストッパ13cを覆うように、上述した材料よりなる絶縁膜14を、例えばプラズマCVD法により成膜する。この後、図5Bに示したように、成膜した絶縁膜14の下部電極13aに対向する領域に、例えばフォトリソグラフィ法を用いたドライエッチングにより、開口14Haを形成し、下部電極13aを露出させる。次いで、図5Cに示したように、ストッパ13cに対向する領域に、例えばフォトリソグラフィ法を用いたウェットエッチングにより、上述した幅および深さ例えば、幅100nm,深さ200nmとなるように溝20を形成する。尚、開口14haの形成工程と、溝20の形成工程は、この逆であってもよく、あるいは開口14haおよび溝20を同時に形成してもよい。有機光電変換層15の形成次に、有機光電変換層15を形成する。具体的には、まず、図6Aに示したように、基板全面にわたって、上述した材料および膜厚例えば100nmよりなる有機光電変換材料を、できるだけ指向性の高い成膜手法、例えば真空蒸着法により形成する。有機光電変換材料の溝20の内壁への付着を防ぎ、溝20の段差によって分断させ易くするためである。この際、蒸着源としては、十分な指向性を得るために、蒸着分子が射出される面の面積が、成膜される基板および蒸着源間の距離に比べ、十分に小さいもの点源もしくはライン源が使用されることが望ましい。また、有機光電変換材料が水分の影響により劣化しないように、蒸着装置のチャンバー内を、1.0×105Pa以下の圧力下で、かつ水分圧を十分に落とした雰囲気に保持することが望ましい。加えて、蒸着時に結晶粒の肥大化による平滑化が損なわれることを防ぐため、100°C以下で基板温度を制御するとよい。尚、上述のように、有機光電変換層15の上層または下層に、他の有機層電子ブロッキング層等を形成する際には、各層を真空工程において連続的に真空一貫プロセスで形成する。これにより、図6Bに示したように、溝20の段差によって、有機光電変換材料が、絶縁膜14上およびストッパ13c上にそれぞれ分断されて堆積する。この結果、下部電極13a上には、有機光電変換層15が形成されると共に、溝20の底面には、堆積層15aが形成される。尚、この段階では、絶縁膜14上の溝20よりも外側の領域周辺部10Bに対応する領域にも、堆積された有機光電変換材料堆積層15bが残存する。上部電極16の成膜続いて、上部電極16を形成する。まず、図7Aに示したように、上述した透明導電膜材料例えばITOを、上述した膜厚例えば150nmにより基板全面にわたって、できるだけ指向性の低い成膜手法、例えばスパッタ法により成膜する。上部電極16の溝20に対するカバレッジ性を高めるためである。スパッタ成膜条件は、有機光電変換層15にプラズマが晒される影響を低減するために、基板およびターゲット間の距離を150nm以上とし、アルゴンガス圧0.3Paアルゴンガス流量15sccm、酸素ガス分圧比1、直流電力密度10W/cm2以下であることが望ましい。尚、この際、有機光電変換層15は、水分、酸素、水素などの影響を受けて特性が変動し易いため、上部電極16を、有機光電変換層15と真空一貫プロセスにより成膜することが望ましい。この真空一貫での成膜を考慮すると、上部電極16の成膜手法としては、例えば、乾式のマグネトロンDCスパッタ法や蒸着法、CVD法が挙げられる。また、成膜時には、有機光電変換層15への熱的、化学的および電気的ダメージを考慮した条件設定例えば成膜温度200°C以下等が必要である。これにより、図7Bに示したように、有機光電変換層15a,15bを覆い、かつ溝20の上部を埋め込むように、上部電極16が形成される。封止膜17の成膜次いで、図8Aに示したように、上部電極16上に封止膜17を、例えばCVD法またはスパッタ法により形成する。尚、この際、封止膜17についても、上述した理由から、有機光電変換層15および上部電極16と真空一貫プロセスにより成膜することが望ましい。尚、この封止膜17を十分な厚み例えば500nmで成膜することにより、溝20のコーナー部分において上部電極16のカバレッジ性が低下した場合完全に繋がらずにホールが生じた場合にも、封止膜17でこのホール部分を覆って、有機光電変換層17の露出を防ぐことができる。これにより、後工程において薬液から有機光電変換層15を保護することができる。上部電極16および封止膜17の加工:コンタクト用開口の形成続いて、周辺部10Bにおいて、形成した有機光電変換層15、上部電極16および封止膜17を、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより選択的に除去し、配線層13bとのコンタクトを形成する。具体的には、まず、図8Bに示したように、封止膜17上にフォトレジスト膜110を成膜した後、このフォトレジスト膜110を、溝20よりも外側の領域に端面110eが位置するようにパターニングする。こうすることで、後の工程において、加工残渣を除去するために洗浄性の高い有機薬液を使用しても、有機光電変換材料の消失が、溝20よりも内側画素部10A側の領域に及ぶことが抑制される。加工箇所の清浄化と画素部10Aにおける有機光電変換層15の保護が可能となる。この後、図9Aに示したように、フォトレジスト膜110をマスクとしてエッチングを行い、封止膜17、上部電極16および有機光電変換層15bの一部を選択的に除去する。これにより、配線層13bが露出する。次いで、図9Bに示したように、フォトレジスト膜110をアッシングにより除去し、有機薬液を用いて加工残渣を除去する。有機薬液としては、例えば、フッ化アンモニウム系有機薬液、アミン系有機薬液、濃硫酸系薬液または濃硝酸系薬液などの薬液を用いるが、これらの薬液が有機光電変換層15などの有機膜に浸入すると、有機膜に損傷を与えたり、膜自体を消失したりする。このため、溝20よりも外側の領域に形成された有機光電変換層15bは損失し除去され、空隙H1となる。一方、溝20よりも内側の有機光電変換層15は、上部電極16の溝20に対向する架橋部分Bによって、有機薬液の侵入が抑制され、薬液の影響を受けずに残存する。堆積層15aも同様である。また、上述のように、フォトレジスト膜110の端面110eを溝20よりも外側に形成することにより、上部電極16の欠陥ピンホールおよび結晶粒界からの薬液の浸透から有機光電変換層15を保護することができる。また、これにより、洗浄性の高い有機薬液の使用が可能となり、配線層13表面の清浄化が進むことで、コンタクトメタル層18との接触抵抗が低減される。続いて、封止膜17の端部を、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより選択的に除去し、上部電極16を露出させる。具体的には、まず、図10Aに示したように、封止膜17上にフォトレジスト膜111を成膜した後、このフォトレジスト膜111を、その端面111eが、溝20よりも外側で、かつ上部電極16の端面16eよりも内側の領域に位置するようにパターニングする。この後、図10Bに示したように、フォトレジスト膜111をマスクとしてエッチングを行い、封止膜17の端部のみを選択的に除去する。これにより、上部電極16の端部が露出する。尚、エッチング後、上記と同様にして、フォトレジスト膜111を剥離し、有機薬液による洗浄を行うが、この際にも、有機光電変換層15は架橋部分Bにより、有機薬液の影響を受けずに済む。最後に、図11に示したように、コンタクトメタル層18を例えば蒸着法またはスパッタ法により形成する。これにより、配線層13と上部電極16との電気的接続がなされ、図1に示した半導体装置10を完成する。[効果]上記のような半導体装置10では、画素部10Aにおいて、例えば封止膜17の上方から光が入射すると、その入射光の一部が有機光電変換層15において光電変換され、その受光量に応じて信号電荷が得られる。このような半導体装置10では、有機半導体からなる有機光電変換層15上に、ITOなどの無機膜よりなる上部電極16を加工形成する必要がある。ここで、上部電極16を加工する際には、フォトリソグラフィ法が用いられるが、この場合フォトレジスト剥離後の洗浄工程において、有機薬液を使用する。この有機薬液は、有機光電変換層15に侵入すると、有機光電変換層15を消失する可能性がある。本実施の形態では、半導体基板11上の絶縁膜14に溝20が設けられ、この溝20に対向する領域において、有機光電変換層15が分断される一方、上部電極16および封止膜17は繋がって形成されている。これにより、上部電極16および封止膜17の加工工程において使用される有機薬液の有機光電変換層15への侵入が抑制される。以上説明したように本実施の形態では、半導体基板11上の下部電極13aに非対向な領域に段差を有する溝20が設けられ、下部電極13a上の有機光電変換層15が、この溝20の段差によって分断される一方、上部電極16および封止膜17が、その溝20に対向する領域において繋がって形成されている。これにより、製造プロセスにおいて、有機光電変換層15の損傷を抑制することができる。よって、有機半導体を用いたデバイスにおいて、歩留まりおよび信頼性を向上させることが可能となる。<第2の実施の形態>[構成]図12は、本開示の第2の実施の形態の半導体装置の断面構成を表すものである。この半導体装置は、上記第1の実施の形態の半導体装置10と同様、後述の固体撮像装置1における画素部10Aとその周辺部10Bとの境界付近の構造に相当するものである。尚、上記第1の実施の形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜説明を省略する。本実施の形態の半導体装置では、上記第1の実施の形態と同様、半導体基板11上に、層間絶縁膜12を介して下部電極13aを有している。層間絶縁膜12には、導電性プラグ120aが埋設されている。下部電極13a上には、有機光電変換層15が形成され、この有機光電変換層15上には、上部電極16および封止膜17保護膜がこの順に積層されている。上部電極16および封止膜17の端部を覆うように、コンタクトメタル層18が形成され、コンタクトメタル層18は、配線層13bおよび導電性プラグ120bと電気的に接続されている。但し、本実施の形態では、下部電極13aの下層に設けられた層間絶縁膜12を貫通するように、溝20Aが形成されている。この溝20Aに対向する領域において、有機光電変換層15は分断され、上部電極16および封止膜17は繋がって形成されている。また、本実施の形態では、溝20Aにより、下部電極13aと配線層13bとが分離されている。周辺部10Bでは、上部電極16と配線層13bとの間には空隙H1が形成されている。溝20Aは、上記第1の実施の形態の溝20と同様、層間絶縁膜12の表面に段差を形成し、この段差によって有機光電変換層15を分断するものであり、層間絶縁膜12の画素部10Aと周辺部10Bとの境界領域に形成されている。また、溝20Aの内壁は層間絶縁膜12の上面と略直角を成すように形成され、溝20Aの底面に堆積層15aが形成されている。また、溝20Aの幅や深さについての設計条件についても、上記第1の実施の形態の溝20の場合と同様である。尚、本実施の形態では、溝20Aを介する画素部10Aから周辺部10bへの漏れ電流が、画素部10Aにおいて発生する光電流よりも十分に低いものであることが望ましい。このため、溝20Aにおいて有機光電変換層15が絶縁され、また、下部電極13aの厚みが十分に薄いことが望まれる。一例としては、溝20Aの幅が100nm,深さが200nm、有機光電変換層15の厚みが100nmである場合には、下部電極13aの厚みは、50nm程度である。[製造方法]本実施の形態の半導体装置は、例えば次のようにして製造することができる。即ち、まず、図13Aに示したように、上記第1の実施の形態と同様にして、半導体基板11上に層間絶縁膜12および導電性プラグを形成した後、透明導電膜13を基板全面にわたって成膜する。この後、図13Bに示したように、透明導電膜13を例えばフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより、下部電極13aおよび配線層13bを形成すると同時に、溝20Aを形成する。続いて、図14Aに示したように、基板全面にわたって、上記第1の実施の形態と同様にして、上述した材料よりなる有機光電変換材料を、例えば真空蒸着法により形成する。これにより、下部電極13a上には、有機光電変換層15が形成されると共に、溝20の底面には堆積層15a、配線層13b上には、堆積層15bがそれぞれ残存する。この後、図14Bに示したように、上記第1の実施の形態と同様にして、透明導電膜材料を基板全面にわたって、例えばスパッタ法により成膜する。これにより、有機光電変換層15a,15bを覆い、かつ溝20Aの上部を埋め込むように、上部電極16が形成される。次いで、図15Aに示したように、上記第1の実施の形態と同様にして、上部電極16上に封止膜17を、例えばCVD法またはスパッタ法により形成した後、この封止膜17上に、端面110eを有するフォトレジスト膜110を成膜する。この後、図15Bに示したように、上記第1の実施の形態と同様にして、フォトレジスト膜110をマスクとしてエッチングを行い、封止膜17、上部電極16および有機光電変換層15bの一部を選択的に除去する。その後、フォトレジスト膜110をアッシングにより除去し、有機薬液を用いて加工残渣を除去する洗浄する。本実施の形態においても、溝20Aよりも内側の有機光電変換層15は、上部電極16の架橋部分Bによって、有機薬液の侵入が抑制され、薬液の影響を受けずに残存する。また、洗浄性の高い有機薬液の使用が可能となり、配線層13bとコンタクトメタル層18との接触抵抗が低減される。この後、上記第1の実施の形態と同様にして、封止膜17の端部を、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより選択的に除去した後、コンタクトメタル層18を形成することにより、図12に示した半導体装置を完成する。[効果]本実施の形態の半導体装置においても、上記第1の実施の形態の半導体装置10と同様、有機半導体からなる有機光電変換層15上に、ITOなどの無機膜よりなる上部電極16を加工形成する必要がある。本実施の形態では、半導体基板11上の層間絶縁膜12に溝20Aが設けられ、この溝20Aに対向する領域において、有機光電変換層15が分断される一方、上部電極16および封止膜17は繋がって形成されている。これにより、上部電極16および封止膜17の加工工程において使用される有機薬液の有機光電変換層15への侵入が抑制される。よって、本実施の形態においても、製造プロセスにおいて、有機光電変換層15の損傷を抑制することができ、上記第1の実施の形態と同等の効果を得ることができる。以下、上記第1,第2の実施の形態の半導体装置の変形例変形例1~5について説明する。尚、上記第1,第2の実施の形態と同一の構成要素については、同一の符号を付し、適宜説明を省略する。<変形例1>図16は、変形例1に係る半導体装置の断面構成を表すものである。この半導体装置は、上記第1の実施の形態の半導体装置10と同様、後述の固体撮像装置1に適用されるものであるが、図16では、画素部10Aにおける画素間の構造を示している。即ち、上記第1の実施の形態では、画素部10Aと周辺部10Bとの間に、溝20を形成したが、本変形例では、更に、画素10A1同士の間にも溝20を形成している。具体的には、本変形例では、下部電極13a間を電気的に分離する絶縁膜14に溝20が形成されており、この溝20の段差によって、有機光電変換層15が分断されている画素間で不連続となっている。上部電極16および封止膜17は、溝20に対向する領域においても繋がって形成されている各画素10A1に共通の層として形成されている。図17A,Bは、本変形例における溝20の平面レイアウト構成を表したものである。図17Aに示したように、溝20は、画素部10Aおよび周辺部10Bの間の領域だけでなく、それらの境界よりも内側の領域を矩形状に囲むように形成されていてもよい。あるいは、図17Bに示したように、各画素10A1あるいは数画素からなる画素ブロック領域を格子状に囲むように、形成されていてもよい。本変形例のように、画素部10Aと周辺部10Bとの間の領域だけでなく、画素部10Aにも溝20を形成することにより、上記第1の実施の形態と同等の効果を得ることができると共に、多重にガードを形成できることから、上部電極16および封止膜17の欠陥等が生じ外部から、薬液や水分等の侵入が生じた場合であっても、有機光電変換層15の損傷の拡大を抑制することができる。換言すると、有機光電変換層15の損傷を外側の一部の領域に留め、その内側の領域まで進行することを抑制できる。よって、歩留まりおよび信頼性の向上に有利となる。<変形例2>図18は、変形例2に係る半導体装置の断面構成を表すものである。この半導体装置は、上記第1の実施の形態の半導体装置10と同様、後述の固体撮像装置1における画素部10Aとその周辺部10Bとの境界付近の構造に相当するものである。上記第1の実施の形態では、封止膜17の端部は垂直に加工されているが、本変形例のように、封止膜17の端部17eがテーパを有していてもよい。例えば、封止膜17を上部電極16とエッチング選択比が確保できる条件で、ドライエッチングを施すことにより、上部電極16の端部を露出させつつ、封止膜17の端部17eにテーパを形成する。これにより、コンタクトメタル層18と上部電極16との接触面を確保すると共に、コンタクトメタル層18のカバレッジ性を高めることができる。<変形例3>図19は、変形例3に係る半導体装置の断面構成を表すものである。この半導体装置は、上記第1の実施の形態の半導体装置10と同様、後述の固体撮像装置1における画素部10Aとその周辺部10Bとの境界付近の構造に相当するものである。本変形例では、上記変形例2と同様、封止膜17の端部17eがテーパを有すると共に、上部電極16の端部16eもテーパを有している。これにより、上記変形例1と同様の効果を得ると共に、上部電極16とコンタクトメタル層18との接触面積を増やし、電気的接続を確保し易くなる。<変形例4>図20は、変形例4に係る半導体装置における溝付近の断面構成を表すものである。上記実施の形態等では、溝20の内壁20Sが絶縁膜14の上面と直角をなす場合を例に挙げたが、本変形例の溝20Bのように、内壁20S1が逆テーパを有していてもよい。この場合も、溝20Bの上部側の開口幅dが上記第1の実施の形態において説明したように、有機光電変換層15の厚みや上部電極16の厚みに応じて設定されていればよい。<変形例5~7>図21~図23は、変形例5~7に係る半導体装置における溝付近の断面構成を表すものである。上記実施の形態等では、溝20に対向する領域において、上部電極16および封止膜17の両方が繋がっている構成としたが、これらのうちの一方が繋がっていればよい。例えば、図21に示したように、溝20に対向する領域において、上部電極16aが分断される一方、封止膜17が繋がった構成であってもよいし、図22に示したように、封止膜17aが溝20内に充填されるように形成されていてもよい。このような上部電極16が分断された構成は、例えば後述の固体撮像装置1において、上部電極側から信号電荷の取り出しを行う場合に有用である。尚、半導体装置10の用途によっては、図23に示したように、上部電極16aおよび封止膜17bの両方が溝20の段差によって分断されていてもよい。<適用例1>図24は、上記実施の形態等において説明した半導体装置を適用した固体撮像装置固体撮像装置1の全体構成を表したものである。固体撮像装置1は、例えばCMOSイメージセンサであり、半導体基板11上に、撮像エリアとしての画素部10Aを有すると共に、この画素部10Aの周辺領域上記周辺部10Bに相当に、例えば行走査部131、水平選択部133、水平選択部134およびシステム制御部132からなる周辺回路部130を有している。画素部10Aは、例えば行列状に2次元配置された複数の単位画素P画素10A1を有している。この単位画素Pには、例えば画素行ごとに画素駆動線Lread具体的には行選択線およびリセット制御線が配線され、画素列ごとに垂直信号線Lsigが配線されている。画素駆動線Lreadは、画素からの信号読み出しのための駆動信号を伝送するものである。画素駆動線Lreadの一端は、行走査部131の各行に対応した出力端に接続されている。行走査部131は、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、画素部10Aの各画素Pを、例えば行単位で駆動する画素駆動部である。行走査部131によって選択走査された画素行の各画素Pから出力される信号は、垂直信号線Lsigの各々を通して水平選択部133に供給される。水平選択部133は、垂直信号線Lsigごとに設けられたアンプや水平選択スイッチ等によって構成されている。水平選択部134は、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、水平選択部133の各水平選択スイッチを走査しつつ順番に駆動するものである。この水平選択部134による選択走査により、垂直信号線Lsigの各々を通して伝送される各画素の信号が順番に水平信号線19に出力され、当該水平信号線19を通して基板11の外部へ伝送される。行走査部131、水平選択部133、水平選択部134および水平信号線19からなる回路部分は、基板11上に直に形成されていてもよいし、あるいは外部制御ICに配設されたものであってもよい。また、それらの回路部分は、ケーブル等により接続された他の基板に形成されていてもよい。システム制御部132は、基板11の外部から与えられるクロックや、動作モードを指令するデータなどを受け取り、また、放射線撮像装置1の内部情報などのデータを出力するものである。システム制御部132はさらに、各種のタイミング信号を生成するタイミングジェネレータを有し、当該タイミングジェネレータで生成された各種のタイミング信号を基に行走査部131、水平選択部133および水平選択部134などの周辺回路の駆動制御を行う。このような固体撮像装置1では、各画素が例えば次のような構成を有している。図25は、画素部10Aと周辺部10Bとの境界付近の1つ画素10A1の断面構成を表したものである。このように、固体撮像装置1は、半導体基板11の表面受光面と反対側の面S2側に、画素トランジスタ後述の転送トランジスタTr1~3を含むを有すると共に、多層配線層多層配線層51を有する、いわゆる裏面照射型の構造を有している。画素10A1では、互いに異なる波長域の光を選択的に検出して光電変換を行う有機光電変換部と無機光電変換部とを縦方向に積層した構造を有している。これによりカラーフィルタを用いることなく、画素毎に複数種類の色信号を取得可能となる。ここでは、画素10A1が、1つの有機光電変換部11Gと2つの無機光電変換部11B,11Rとの積層構造を有しており、これにより、赤R,緑G,青Bの各色信号を取得するようになっている。具体的には、有機光電変換部11Gは、半導体基板11の裏面面S1上に形成され、無機光電変換部11B,11Rは、半導体基板11内に埋め込み形成されている。以下、各部の構成について説明する。半導体基板11半導体基板11は、例えばn型のシリコンSi層110の所定の領域に、無機光電変換部11B,11Rと緑用蓄電層110Gとが埋め込み形成されたものである。半導体基板11には、また、有機光電変換部11Gからの電荷電子または正孔ホールの伝送経路となる導電性プラグ120a1,120b1が埋設されている。本実施の形態では、この半導体基板11の裏面面S1が受光面となっていえる。半導体基板11の表面面S2側には、有機光電変換部11G,無機光電変換部11B,11Rのそれぞれに対応する複数の画素トランジスタ転送トランジスタTr1~Tr3を含むが形成されると共に、ロジック回路等からなる周辺回路が形成されている。画素トランジスタとしては、例えば転送トランジスタ、リセットトランジスタ、増幅トランジスタおよび選択トランジスタが挙げられる。これらの画素トランジスタは、いずれも例えばMOSトランジスタにより構成され、面S2側のp型半導体ウェル領域に形成されている。このような画素トランジスタを含む回路が、赤、緑、青の光電変換部毎に形成されている。各回路では、これらの画素トランジスタのうち、例えば転送トランジスタ、リセットトランジスタおよび増幅トランジスタからなる、計3つのトランジスタを含む3トランジスタ構成を有していてもよいし、これに選択トランジスタを加えた4トランジスタ構成であってもよい。ここでは、これらの画素トランジスタのうち、転送トランジスタTr1~Tr3についてのみ図示および説明を行っている。また、転送トランジスタ以外の他の画素トランジスタについては、光電変換部間あるいは画素間において共有することもできる。また、フローティングディフージョンを共有する、いわゆる画素共有構造を適用することもできる。転送トランジスタTr1~Tr3は、ゲート電極ゲート電極TG1~TG3と、フローティングディフージョンFD113,114,116とを含んで構成されている。これらのうち、ゲート電極TG1~TG3は、多層配線層51内に設けられ、FD113,114,116は、半導体基板11内に形成されている。転送トランジスタTr1は、有機光電変換部11Gにおいて発生し、緑用蓄電層110Gに蓄積された、緑色に対応する信号電荷本実施の形態では電子を、後述の垂直信号線Lsigへ転送するものである。転送トランジスタTr2は、無機光電変換部11Bにおいて発生し、蓄積された、青色に対応する信号電荷ここでは電子を、後述の垂直信号線Lsigへ転送するものである。同様に、転送トランジスタTr3は、無機光電変換部11Rにおいて発生し、蓄積された、赤色に対応する信号電荷本実施の形態では電子を、後述の垂直信号線Lsigへ転送するものである。無機光電変換部11B,11Rはそれぞれ、pn接合を有するフォトダイオードPhotoDiodeであり、半導体基板11内の光路上において、面S1側から無機光電変換部11B,11Rの順に形成されている。これらのうち、無機光電変換部11Bは、青色光を選択的に検出して青色に対応する信号電荷を蓄積させるものであり、例えば半導体基板11の面S1に沿った選択的な領域から、多層配線層51との界面近傍の領域にかけて延在して形成されている。無機光電変換部11Rは、赤色光を選択的に検出して赤色に対応する信号電荷を蓄積させるものであり、例えば無機光電変換部11Bよりも下層面S2側の領域にわたって形成されている。尚、青Bは、例えば450nm~495nmの波長域、赤Rは、例えば620nm~750nmの波長域にそれぞれ対応する色であり、無機光電変換部11B,11Rはそれぞれ、各波長域のうちの一部または全部の波長域の光を検出可能となっていればよい。緑用蓄電層110Gは、例えば電子蓄積層となるn型領域を含んで構成されている。n型領域の一部は、導電性プラグ120a1に接続されており、下部電極13a側から導電性プラグ120a1を介して伝送される電子を蓄積するようになっている。導電性プラグ120a1,120b1は、導電性プラグ120a2,120b2と共に、有機光電変換部11Gと半導体基板11とのコネクタとして機能すると共に、有機光電変換部11Gにおいて生じた電子またはホールの伝送経路となるものである。ここでは、導電性プラグ120a1は、有機光電変換部11Gの下部電極13aと導通しており、緑用蓄電層110Gと接続されている。導電性プラグ120b1は、有機光電変換部11Gの上部電極16と導通しており、ホールを排出するための配線となっている。これらの導電性プラグ120a1,120b1はそれぞれ、例えば貫通ビアにタングステン等の導電膜材料が埋設されて形成されている。この場合、例えばシリコンとの短絡を抑制するために、酸化シリコンSiO2または窒化シリコンSiNなどの絶縁膜でビア側面が覆われていることが望ましい。あるいは、導電性プラグ120a1,120b1は、導電型の半導体層により埋め込み形成されたものであってもよい。この場合、導電性プラグ120a1はn型とし電子の伝送経路となるため、導電性プラグ120b1は、p型とするホールの伝送経路となるためとよい。多層配線層51上記のような半導体基板11の面S2上には、多層配線層51が形成されている。多層配線層51では、複数の配線51aが層間絶縁膜52を介して配設されている。このように、画素10A1では、多層配線層51が受光面とは反対側に形成されており、いわゆる裏面照射型の固体撮像装置を実現可能となっている。この多層配線層51には、例えばシリコンよりなる支持基板53が貼り合わせられている。有機光電変換部11G有機光電変換部11Gは、有機半導体を用いて、選択的な波長域の光ここでは緑色光を吸収して、電子ホール対を発生させる有機光電変換素子である。有機光電変換部11Gは、信号電荷を取り出すための一対の電極下部電極13a,上部電極16間に有機光電変換層15を挟み込んだ構成を有している。下部電極13aおよび上部電極16は、配線層やコンタクトメタル層を介して、半導体基板11内に埋設された導電性プラグ120a1,120b1に電気的に接続されている。具体的には、有機光電変換部11Gでは、半導体基板11の面S1上に、層間絶縁膜12A,12B上述の層間絶縁膜12に相当が形成され、層間絶縁膜12Aには、導電性プラグ120a1,120b1のそれぞれと対向する領域に貫通孔が設けられ、各貫通孔に導電性プラグ120a2,120b2が埋設されている。層間絶縁膜12Bには、導電性プラグ120a2,120b2のそれぞれと対向する領域に、導電性プラグ120a3,120b3が埋設されている。この層間絶縁膜12B上に、下部電極13aが設けられると共に、この下部電極13aと絶縁膜14によって電気的に分離された配線層13bが設けられている。これらのうち、下部電極13a上に、有機光電変換層15が形成され、有機光電変換層15を覆うように上部電極16および封止膜17が形成されている。上部電極16に電気的に接続されて、コンタクトメタル層18が形成されている。導電性プラグ120a2,a3上述の導電性プラグ120aに相当は、導電性プラグ120a1と共にコネクタとして機能すると共に、下部電極13aから緑用蓄電層110Gへの電荷電子の伝送経路を形成するものである。導電性プラグ120b2,b3上述の導電性プラグ120bに相当は、導電性プラグ120b1と共にコネクタとして機能すると共に、配線層13bおよびコンタクトメタル層18と共に、上部電極16からの電荷ホールの排出経路を形成するものである。導電性プラグ120a2,120b2は、遮光膜としても機能させるために、例えばチタンTi、窒化チタンTiNおよびタングステンなどの金属材料の積層膜により構成されることが望ましい。また、このような積層膜を用いることにより、導電性プラグ120a1,120b1をn型またはp型の半導体層として形成した場合にも、シリコンとのコンタクトを確保することができるため望ましい。下部電極13aは、半導体基板11内に形成された無機光電変換部11B,11Rの受光面と正対して、これらの受光面を覆う領域に画素毎に設けられている。上部電極16は、各画素に共通して設けられている。有機光電変換部11Gでは、封止膜17およびコンタクトメタル層18上の全面を覆うように、平坦化膜21が形成されている。平坦化膜21上には、オンチップレンズ22マイクロレンズが設けられている。オンチップレンズ22は、その上方から入射した光を、有機光電変換層11G、無機光電変換層11B,11Rの各受光面へ集光させるものである。本実施の形態では、多層配線層51が半導体基板11の面S2側に形成されていることから、有機光電変換層11G、無機光電変換層11B,11Rの各受光面を互いに近づけて配置することができ、オンチップレンズ22のF値に依存して生じる各色間の感度のばらつきを低減することができる。このような固体撮像装置1では、例えば次のようにして受光信号が取得される。画素10A1へ入射した光Lのうち、まず、緑色光Lgが、有機光電変換部11Gにおいて選択的に検出吸収され、光電変換される。これにより、発生した電子ホール対のうちの電子が下部電極13a側から取り出された後、導電性プラグ120a1~120a3を介して緑用蓄電層110Gへ蓄積される。蓄積された電子は、読み出し動作の際に図示しない画素トランジスタを介して垂直信号線Lsigへ読み出される。尚、ホールは、上部電極16側から、コンタクトメタル層18、配線層13bおよび導電性プラグ120b1~120b3を介して排出される。続いて、有機光電変換部11Gを透過した光のうち、青色光は無機光電変換部11B、赤色光は無機光電変換部11Rにおいて、それぞれ順に吸収され、光電変換される。無機光電変換部11Bでは、入射した青色光に対応した電子が図示しないn型領域に蓄積され、蓄積された電子は、読み出し動作の際に、図示しない画素トランジスタを介して垂直信号線Lsigへ読み出される。尚、ホールは、図示しないp型領域に蓄積される。同様に、無機光電変換部11Rでは、入射した赤色光に対応した電子がn型領域に蓄積され、蓄積された電子は、読み出し動作の際に、図示しない画素トランジスタを介して垂直信号線Lsigへ読み出される。尚、ホールは、図示しないp型領域に蓄積される。このように、縦方向に有機光電変換部11Gと、無機光電変換部11B,11Rとを積層することにより、カラーフィルタを設けることなく、赤、緑、青の色光を分離して検出すし、各色の信号電荷を得ることができる。これにより、カラーフィルタの色光吸収に起因する光損失感度低下や、画素補間処理に伴う偽色の発生を抑制することができる。<適用例2>上述の固体撮像装置1は、例えばデジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、撮像機能を有する携帯電話など、撮像機能を備えたあらゆるタイプの電子機器に適用することができる。図26に、その一例として、電子機器2カメラの概略構成を示す。この電子機器2は、例えば静止画または動画を撮影可能なビデオカメラであり、固体撮像装置1と、光学系光学レンズ310と、シャッタ装置311と、固体撮像装置1およびシャッタ装置311を駆動する駆動部313と、信号処理部312とを有する。光学系310は、被写体からの像光入射光を固体撮像装置1の画素部10Aへ導くものである。この光学系310は、複数の光学レンズから構成されていてもよい。シャッタ装置311は、固体撮像装置1への光照射期間および遮光期間を制御するものである。駆動部313は、固体撮像装置1の転送動作およびシャッタ装置311のシャッタ動作を制御するものである。信号処理部312は、固体撮像装置1から出力された信号に対し、各種の信号処理を行うものである。信号処理後の映像信号Doutは、メモリなどの記憶媒体に記憶されるか、あるいは、モニタ等に出力される。以上、実施の形態および変形例を挙げて説明したが、本開示内容は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、光電変換素子固体撮像装置として、緑色光を検出する有機光電変換部11Gと、青色光,赤色光をそれぞれ検出する無機光電変換部11B,11Rとを積層させた構成としたが、本開示内容はこのような構造に限定されるものではない。即ち、有機光電変換部において赤色光あるいは青色光を検出するようにしてもよいし、無機光電変換部において緑色光を検出するようにしてもよい。また、これらの有機光電変換部および無機光電変換部の数やその比率も限定されるものではなく、2以上の有機光電変換部を設けてもよいし、有機光電変換部だけで複数色の色信号が得られるようにしてもよい。また、有機光電変換部および無機光電変換部を縦方向に積層させる構造に限らず、基板面に沿って並列させてもよい。また、上記実施の形態等では、裏面照射型の固体撮像装置の構成を例示したが、本開示内容は表面照射型の固体撮像装置にも適用可能である。更に、上記実施の形態等では、本開示の半導体装置として有機半導体を用いた光電変換素子を例に挙げたが、この他にも、有機半導体上に無機膜がパターン形成された積層構造を有する様々な半導体装置、例えば、有機薄膜トランジスタあるいは有機電界発光素子等にも適用可能である。加えて、本開示の半導体装置および固体撮像装置では、上記実施の形態等で説明した各構成要素を全て備えている必要はなく、また逆に他の層を備えていてもよい。尚、本開示は、以下のような構成であってもよい。1基板上の選択的な領域に設けられた第1電極と、前記第1電極に非対向な領域に形成されると共に段差を有する溝と、前記第1電極上の領域から前記溝まで延在形成され、前記溝の段差により分断された有機半導体層と、前記有機半導体層上に設けられた第2電極と、前記第2電極上に設けられた保護膜とを備え、前記第2電極および前記保護膜の一方または両方が、前記溝に対向する領域において繋がって形成されている半導体装置。2前記基板上に、前記第1電極に対向して開口を有する第1絶縁膜を備え、前記溝は、前記第1絶縁膜の選択的な領域に形成されている上記1に記載の半導体装置。3前記基板上に第2絶縁膜を介して前記第1電極が設けられ、前記溝は、前記第2絶縁膜の選択的な領域に形成されている上記1または2に記載の半導体装置。4前記溝に対向する領域において前記第2電極が繋がって形成され、前記第2電極は、前記溝の前記有機半導体層と反対側の領域において、前記保護膜から露出している上記1~3のいずれかに記載の半導体装置。5前記第2電極の前記保護膜からの露出部分を覆ってコンタクトメタル層が形成されている上記4に記載の半導体装置。6前記保護膜の端部がテーパを有する上記5に記載の半導体装置。7前記第2電極の端部がテーパを有する上記5に記載の半導体装置。8前記有機半導体層が光電変換機能を有する上記1~7のいずれかに記載の半導体装置。9基板上の選択的な領域に第1電極を形成する工程と、前記第1電極に非対向な領域において段差を有する溝を形成する工程と、前記第1電極上の領域から前記溝まで延在して、前記溝の段差により分断された有機半導体層を形成する工程と、前記有機半導体層上に第2電極を形成する工程と、前記第2電極上に保護膜を形成する工程とを含み、前記第2電極および前記保護膜の一方または両方を、前記溝に対向する領域において繋げて形成する半導体装置の製造方法。10前記第2電極を形成する工程では、前記有機半導体装置の成膜方法よりも指向性の低い成膜方法を用い、前記第2電極を前記溝に対向する領域において繋げて形成する上記9に記載の半導体装置の製造方法。11前記溝を形成する工程では、前記基板上に第1絶縁膜を成膜し、前記第1絶縁膜の前記第1電極に対向する領域に開口を形成すると共に、他の選択的な領域をエッチングすることにより前記溝を形成し、前記第1電極を形成する工程において、前記第1電極と共に前記溝のエッチングストッパ層を形成する上記9または10に記載の半導体装置の製造方法。12前記第1電極は、前記基板上に第2絶縁膜を介して形成され、前記第1電極を加工する際に、前記第2絶縁膜の選択的な領域をエッチングすることにより、前記溝を、前記下部電極と共に一括形成する上記9~11のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。13前記溝に対向する領域において前記第2電極を繋げて形成し、前記第2電極を、前記溝の前記有機半導体層と反対側の領域において加工することにより、前記保護膜から露出させる上記9~12のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。14前記第2電極の前記保護膜からの露出部分を覆ってコンタクトメタル層を形成する工程を含む上記13に記載の半導体装置の製造方法。15前記有機半導体層として光電変換材料を用いる上記9~14のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。16各画素が1または複数の有機光電変換部を含み、前記有機光電変換部は、基板上の選択的な領域に設けられた第1電極と、前記第1電極に非対向な領域に形成されると共に段差を有する溝と、前記第1電極上の領域から前記溝まで延在形成され、前記溝の段差により分断された有機光電変換層と、前記有機光電変換層上に設けられた第2電極と、前記第2電極上に設けられた保護膜とを備え、前記第2電極および前記保護膜の一方または両方が、前記溝に対向する領域において繋がって形成されている固体撮像装置。17前記第2電極が前記溝に対向する領域において繋がって形成され、各画素に共通して設けられている上記16に記載の固体撮像装置。18前記画素が複数配設された画素部の周辺に、前記画素部を駆動する周辺回路部を備え、前記溝は、前記画素部と前記周辺回路部との間の領域に設けられている上記16または17に記載の固体撮像装置。19前記画素が複数配設された画素部において、前記溝は、各画素間の領域に設けられている上記16~18のいずれかに記載の固体撮像装置。20各画素が1または複数の有機光電変換部を含み、前記有機光電変換部は、基板上の選択的な領域に設けられた第1電極と、前記第1電極に非対向な領域に形成されると共に段差を有する溝と、前記第1電極上の領域から前記溝まで延在形成され、前記溝の段差により分断された有機光電変換層と、前記有機光電変換層上に設けられた第2電極と、前記第2電極上に設けられた保護膜とを備え、前記第2電極および前記保護膜の一方または両方が、前記溝に対向する領域において繋がって形成されている固体撮像装置を有する電子機器。"