"誘電体層および金属層が積層されて成る誘電体基板と、導波管とを接続する導波管接続構造であって、前記誘電体基板は、前記導波管に接続される前記金属層の接続面上に設けられた金属層貫通孔と、前記誘電体基板に設けられたビアおよび前記金属層により取り囲まれるようにして形成され、前記金属層貫通孔に臨んで連通するキャビティとを備えることを特徴とする導波管接続構造。前記キャビティは、誘電率が異なる複数のキャビティ領域が積層されて構成されていることを特徴とする請求項1に記載の導波管接続構造。各前記キャビティ領域は、前記金属層と前記ビアとにより取り囲まれるようにして形成され、積層方向で隣接する前記キャビティ領域同士は、前記キャビティ領域同士間の前記金属層に設けられた貫通孔によって連通し、前記キャビティ領域の両端部を成す前記ビア間の間隔は、各前記複数のキャビティ領域毎に異なることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の導波管接続構造。前記導波管は、前記誘電体基板に接続される接続部の接続面上に設けられた溝部を備えることを特徴とする請求項1から請求項3の何れか1つに記載の導波管接続構造。前記キャビティの両端部を成す前記ビア間の間隔dは、前記溝部以外の共振経路長を1として、自由空間内の信号伝搬波長λと、前記溝部の深さhとにより、d=λ/2-h-1を満たすように設定されていることを特徴とする請求項4に記載の導波管接続構造。前記キャビティの両端部を成す前記ビア間の間隔は、自由空間内の信号伝搬波長の1/4波長であることを特徴とする請求項1から請求項4の何れか1つに記載の導波管接続構造。前記キャビティは、前記導波管の長手方向に平行に形成されていることを特徴とする請求項1から請求項6の何れか1つに記載の導波管接続構造。前記キャビティは、前記導波管の短手方向に平行に形成されていることを特徴とする請求項1から請求項6の何れか1つに記載の導波管接続構造。前記キャビティは、前記導波管の周囲を取り囲むように形成されていることを特徴とする請求項1から請求項6の何れか1つに記載の導波管接続構造。ところで、上記従来技術に係る高周波モジュールによれば、所定周波数の高周波信号の漏洩は所定深さ=λ/4のチョーク溝によって抑制されることになるが、樹脂基板と導波管との接続境界およびチョーク溝などを経路とする共振器が形成されることに起因して、所定周波数以外の他の周波数帯域の共振周波数で共振が生じる場合がある。このため、所定周波数に加えて、他の周波数帯域を所望周波数帯域として用いる設定において、所望周波数帯域が共振周波数を含む周波数帯域と一致する場合には、高周波信号の漏洩を抑制することが困難であるという問題が生じる。本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、樹脂基板と導波管との接続境界での所望周波数帯域の高周波信号の漏洩を抑制することが可能な導波管接続構造を提供することを目的としている。上記課題を解決して係る目的を達成するために、本発明の導波管接続構造は、誘電体層および金属層が積層されて成る誘電体基板と、導波管とを接続する導波管接続構造であって、前記誘電体基板は、前記導波管に接続される前記金属層の接続面上に設けられた金属層貫通孔と、前記誘電体基板に設けられたビアおよび前記金属層により取り囲まれるようにして形成され、前記金属層貫通孔に臨んで連通するキャビティとを備える。本発明の導波管接続構造によれば、導波管が接続される誘電体基板にビアおよび金属層により取り囲まれるようにして形成されたキャビティを備えることにより、樹脂基板と導波管との接続境界に漏洩する高周波信号は、この接続境界とキャビティとを経路として共振する。これにより、キャビティを備えていない場合に比べて、共振周波数を低周波化することができる。しかも、この共振周波数をキャビティの大きさに応じて制御することができ、所望周波数帯域が共振周波数を含む周波数帯域と一致しないように制御することで、所望周波数帯域の高周波信号の漏洩を抑制することができる。以下、本発明の一実施形態に係る導波管接続構造について添付図面を参照しながら説明する。本実施の形態による導波管接続構造10は、例えば図1に示すように、導波管11と、この導波管11が接続される誘電体基板12とを備えて構成されている。導波管11は、例えば、マイクロ波を伝送する筒状の中空導波管であり、軸方向Aに直交する断面形状が矩形形状に形成された方形導波管である。導波管11は、軸方向Aの一方の端部において、マイクロ波が入射あるいは出射される入出射部11aを軸方向Aの一端に備え、軸方向Aの他方の端部において、誘電体基板12に接続される開口端11bを有するフランジ状の接続部21を備えている。誘電体基板12は、誘電体層31および金属層32が交互に積層されて構成され、複数の金属層32に電気的に接続されたビア33と、導波管11の開口端11bに臨んで連通し、誘電体基板12を厚さ方向に貫通する中空部34とを備えている。なお、中空部34には、適宜の誘電体が配置されていてもよい。そして、誘電体基板12の厚さ方向つまり軸方向Aに平行な方向の一方の端部おいて、導波管11の接続部21の対向面21Aに対向する金属層32の接続面32A上には、この金属層32を厚さ方向に貫通する金属層貫通孔32aが設けられている。そして、誘電体基板12は、金属層貫通孔32aが設けられた金属層32を含む複数の金属層32と、複数のビア33とにより取り囲まれるようにして形成され、金属層貫通孔32aに臨んで連通するキャビティ35を備えている。なお、キャビティ35は、例えば図2Aに示すように、軸方向Aに対する断面矩形状の導波管11の長手方向Lに平行に形成されてもよいし、例えば図2Bに示すように、軸方向Aに対する断面矩形状の導波管11の短手方向Sに平行に形成されてもよいし、例えば図2Cに示すように、軸方向Aから見て断面矩形状の導波管11の周囲を取り囲むように形成されてもよい。本実施の形態による導波管接続構造10は上記構成を備えており、次に、この導波管接続構造10とマイクロ波の通過損失について説明する。この導波管接続構造10では、キャビティ35の両端部を成すビア33,33間の間隔dが、導波管11から誘電体基板12の中空部34に入力されるマイクロ波の自由空間内の信号伝搬波長λの1/4波長=λ/4に設定されることによって、例えば導波管11の接続部21の対向面21A上に所定深さ=λ/4のチョーク溝を備える必要無しに、誘電体基板12と導波管11との接続境界におけるマイクロ波の漏洩は抑制される。さらに、この導波管接続構造10では、導波管11から誘電体基板12の中空部34に入力されるマイクロ波の一部は、誘電体基板12と導波管11との接続境界に漏洩し、この接続境界とキャビティ35とを導波し、接続境界およびキャビティ35を経路として共振することから、例えばキャビティ35を備えていない場合に比べて共振周波数が低周波化し、マイクロ波の漏洩は抑制される。また、この導波管接続構造10では、キャビティ35の両端部を成すビア33,33間の間隔dを増大傾向に変化させることつまり、軸方向Aに直交する方向でのキャビティ35の長さを増大傾向に変化させることに伴い、接続境界およびキャビティ35を経路とする共振の共振周波数は低下傾向に変化することから、ビア33,33間の間隔dに応じて共振周波数は制御され、マイクロ波の漏洩は抑制される。上述したように、本実施の形態による導波管接続構造10によれば、導波管11が接続される誘電体基板12にビア33および金属層32により取り囲まれるようにして形成されたキャビティ35を備えることにより、例えば導波管11の接続部21の対向面21A上にチョーク溝を備えていない場合であっても、マイクロ波が誘電体基板12と導波管11との接続境界に漏洩することを抑制することができる。さらに、誘電体基板12と導波管11との接続境界に漏洩したマイクロ波は、この接続境界とキャビティ35とを導波し、接続境界およびキャビティ35を経路として共振することから、例えばキャビティ35を備えていない場合に比べて共振周波数を低周波化することができ、マイクロ波の漏洩を抑制することができる。しかも、キャビティ35の両端部を成すビア33,33間の間隔dを増大傾向に変化させることつまり、軸方向Aに直交する方向でのキャビティ35の長さを増大傾向に変化させることに伴い、接続境界およびキャビティ35を経路とする共振の共振周波数は低下傾向に変化することから、ビア33,33間の間隔dに応じて共振周波数を制御することができ、マイクロ波の漏洩を容易に抑制することができる。なお、上述した実施の形態においては、例えば図3,4に示すように、導波管11に対して軸非対称になるようにして、異なる構成の複数のキャビティ35,...,35を形成してもよい。例えば、図3に示す上述した実施の形態の第1変形例に係る導波管接続構造10では、軸方向Aに直交する方向において導波管11を両側から挟み込むように配置された2つのキャビティ35,35のうち、一方のキャビティ3535Aは、複数、例えば2つのキャビティ領域41,42が誘電体基板12の厚さ方向に積層されて形成されている。各キャビティ領域41,42は、各キャビティ領域41,42毎に金属層32とビア33とにより取り囲まれるようにして形成され、積層方向で隣接するキャビティ領域41,42同士は、これらのキャビティ領域41,42間の金属層32に設けられた金属層貫通孔32aによって連通している。また、各キャビティ領域41,42は、各キャビティ領域41,42の両端部を成すビア33,33間の間隔dが同一に形成されている。また、他方のキャビティ3535Bは、金属層32とビア33とにより取り囲まれるようにして形成された単一のキャビティ領域43により構成されている。この第1変形例によれば、異なる構成の複数のキャビティ35,...,35によって、複数の所望周波数帯域においてマイクロ波の漏洩を抑制することができる。また、例えば図4に示す上述した実施の形態の第2変形例に係る導波管接続構造10では、軸方向Aに直交する方向において導波管11を両側から挟み込むように配置された2つのキャビティ35,35のうち、一方のキャビティ3535Cは、複数、例えば2つのキャビティ領域44,45が誘電体基板12の厚さ方向に積層されて形成されている。各キャビティ領域44,45は、各キャビティ領域44,45毎に金属層32とビア33とにより取り囲まれるようにして形成され、積層方向で隣接するキャビティ領域44,45同士は、これらのキャビティ領域44,45間の金属層32に設けられた金属層貫通孔32aによって連通している。また、各キャビティ領域44,45は、各キャビティ領域44,45の両端部を成すビア33,33間の間隔d1,d2が互いに異なるように形成されている。また、他方のキャビティ3535Dは、複数、例えば2つのキャビティ領域46,47が誘電体基板12の厚さ方向に積層されて形成されている。各キャビティ領域46,47は、各キャビティ領域46,47毎に金属層32とビア33とにより取り囲まれるようにして形成され、積層方向で隣接するキャビティ領域46,47同士は、これらのキャビティ領域46,47間の金属層32に設けられた金属層貫通孔32aによって連通している。そして、キャビティ領域46,47間の金属層32に設けられた金属層貫通孔32aと、導波管11の接続部21に対向する金属層32に設けられた金属層貫通孔32aとは、軸方向Aに平行な方向において対向しないように、軸方向Aに直交する方向でずれた位置に設けられている。この第2変形例によれば、異なる構成の複数のキャビティ35,...,35によって、複数の所望周波数帯域においてマイクロ波の漏洩を抑制することができる。また、誘電体基板12の厚さ方向に積層されたキャビティ領域46,47間の金属層32に設けられた金属層貫通孔32aと、導波管11の接続部21に対向する金属層32に設けられた金属層貫通孔32aとは、軸方向Aに平行な方向において対向する必要が無く、誘電体基板12の設計自由度を向上させることができる。なお、上述した実施の形態においては、例えば図5に示す上述した実施の形態の第3変形例に係る導波管接続構造10のように、キャビティ35内に複数、例えば2つの異なる誘電率の誘電体51,52が誘電体基板12の厚さ方向に積層されて配置されていてもよい。この第3変形例によれば、異なる誘電率の誘電体51,52が誘電体基板12の厚さ方向に積層されて配置されることにより、誘電体基板12と導波管11との接続境界に漏洩したマイクロ波をキャビティ35内に導波させ易くなり、キャビティ35によるマイクロ波の漏洩抑制の有効性を向上させることができる。例えば、誘電体基板12の厚さ方向において導波管11の接続部21に近接した位置には誘電率の低い誘電体を配置し、導波管11の接続部21から離間した位置には誘電率の高い誘電体を配置することによって、誘電体基板12と導波管11との接続境界の空気層とキャビティ35内との誘電率の差を小さくすることができ、接続境界に漏洩したマイクロ波をキャビティ35内に導波させ易くなる。なお、上述した実施の形態においては、例えば図6に示す上述した実施の形態の第4変形例に係る導波管接続構造10のように、中空部34の導波管11側の開口端34aは、導波管11の接続部21の対向面21Aに対向する金属層32によって閉塞されてもよい。この第4変形例によれば、軸方向Aにおいて導波管11から誘電体基板12に向かい伝送されたマイクロ波は、誘電体基板12の中空部34の導波管11側の開口端34aを閉塞する金属層32によって軸方向Aに直交する方向に伝送方向が変更される。つまり、この金属層32によって、所謂ベンド部が形成されており、このベンド部におけるマイクロ波の漏洩を、キャビティ35によって抑制することができるとともに、このベンド部を経路として含む共振の共振周波数を制御することができる。なお、上述した実施の形態においては、例えば図7に示す上述した実施の形態の第5変形例に係る導波管接続構造10のように、導波管11は、フランジ状の接続部21の対向面21A上に設けられた溝部61を備えてもよい。この導波管11の溝部61は、導波管11の接続部21に対向する金属層32に設けられた金属層貫通孔32aに対向して連通するように配置されている。この第5変形例によれば、誘電体基板12と導波管11との接続境界に漏洩したマイクロ波は、この接続境界と溝部61とキャビティ35とを導波し、接続境界および溝部61およびキャビティ35を経路として共振することから、例えば溝部61およびキャビティ35を備えていない場合に比べて共振周波数を低周波化することができ、マイクロ波の漏洩を抑制することができる。さらに、この第5変形例においては、キャビティ35の両端部を成すビア33,33間の間隔dを、溝部61以外の共振経路長を1として、マイクロ波の自由空間内の信号伝搬波長λと、溝部61の深さhとにより、実効電気長において、d=λ/2-h-1を満たすように設定してもよい。この場合には、ビア33,33間の間隔dに応じて共振周波数を制御することができ、マイクロ波の漏洩を容易に抑制することができる。なお、この第5変形例においては、例えば図8に示す第6変形例に係る導波管接続構造10のように、この導波管11の溝部61と、導波管11の接続部21に対向する金属層32に設けられた金属層貫通孔32aとは、軸方向Aに平行な方向において対向しないように、軸方向Aに直交する方向でずれた位置に設けられてもよい。この第6変形例によれば、導波管11の溝部61と、導波管11の接続部21に対向する金属層32に設けられた金属層貫通孔32aとは、軸方向Aに平行な方向において対向する必要が無く、誘電体基板12の設計自由度を向上させることができる。例えば図9には、上述した実施の形態の第5変形例に係る導波管接続構造10と、比較例の導波管接続構造とに対して、導波管11から誘電体基板12の中空部34に入力される高周波信号の周波数に応じた通過損失の変化のシミュレーションの結果を示した。なお、比較例の導波管接続構造は、上述した実施の形態の第5変形例に係る導波管接続構造10においてキャビティ35を省略したものに相当している。比較例では、所定周波数foHzに対して、1.5foおよび1.1fo付近の周波数帯域内にて3つの共振が発生しており、これらの共振の共振周波数において通過損失が増大している。これに対して、第5変形例では、共振が発生する周波数帯域が全体的に低周波化して、この周波数帯域内における共振の数は1.3foおよび1.05foの2つに減っている。すなわち、比較例に比べて、キャビティ35を有する第5変形例では、導波管11と誘電体基板12との接続境界を経路として含む共振の共振周波数を低周波化することができることが認められる。また、例えば図10には、上述した実施の形態の第5変形例に係る導波管接続構造10において、キャビティ35の両端部を成すビア33,33間の間隔dを、3つの異なる間隔do,1.4do,1.8doに変化させた場合に対して、導波管11から誘電体基板12の中空部34に入力される高周波信号の周波数に応じた通過損失の変化のシミュレーションの結果を示した。キャビティ35の両端部を成すビア33,33間の間隔dを増大傾向に変化させることつまり、軸方向Aに直交する方向でのキャビティ35の長さを増大傾向に変化させることに伴い、導波管11と誘電体基板12との接続境界を経路として含む共振の共振周波数は低下傾向に変化することが認められる。"