"基板保持機構に保持されて回転する基板の外周を囲むように配置され、この回転する基板から離脱する液の飛散を防止する液飛散防止カップであって、前記基板保持機構に保持されて回転する基板に対向する内周面の少なくとも一部に、粗面化処理を施して親水性皮膜を形成したことを特徴とする液飛散防止カップ。請求項1に記載の液飛散防止カップにおいて、カップ素材は、合成樹脂であることを特徴とする液飛散防止カップ。請求項1または2に記載の液飛散防止カップにおいて、前記粗面化処理は、中心線平均粗さRaが0.5~5μmの範囲となる処理であることを特徴とする液飛散防止カップ。請求項1乃至3のいずれかに記載の液飛散防止カップにおいて、前記親水性皮膜は、SiO2または半導体層間絶縁膜材料からなることを特徴とする液飛散防止カップ。請求項4に記載の液飛散防止カップにおいて、前記親水性皮膜の厚さは、0.5~2.0μmであることを特徴とする液飛散防止カップ。請求項1乃至5のいずれかに記載の液飛散防止カップにおいて、前記親水性皮膜表面の水に対する接触角は60度以下であることを特徴とする液飛散防止カップ。請求項1乃至6のいずれかに記載の液飛散防止カップにおいて、前記親水性皮膜は、スプレーコーティングによって形成されることを特徴とする液飛散防止カップ。請求項1乃至7にいずれかに記載の液飛散防止カップを備えたことを特徴とする基板処理装置。請求項7に記載の基板処理装置を備えたことを特徴とする基板研磨装置。しかし、例えば特許文献3に記載の発明のように、親水性材料酸化チタン光触媒を薄膜状に被着形成し、紫外線を長時間照射することにより、液飛散防止カップの内周面の親水化処理を施すと、紫外線照射装置を必要とすると共に処理時間が長くなり、更に親水性薄膜の耐久性親水性維持期間が必ずしも十分とはいえないと考えられる。また、液飛散防止カップの内周面をウエットブラスト等による粗面化処理、あるいは大気圧プラズマ放電処理等によって親水化表面とする方法においては、処理を行っても、液飛散防止カップの内周面は、PVC等のプラスチック素材そのままであり、カップ素材からの不純物発生を抑止できないと考えられる。更に大気圧プラズマ放電処理により親水化表面とする方法では、大気圧プラズマ放電装置を必要とする。本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、比較的簡単な構成で容易に製作でき、耐久性に優れ、しかも内周面からの液滴の跳ね返りをより確実に抑制することができるようにした液飛散防止カップ、及び該カップを備えた基板処理装置、並びに該基板処理装置を備えた研磨装置を提供することを目的とする。上記課題を解決するため本発明の液飛散防止カップは、基板保持機構に保持されて回転する基板の外周を囲むように配置され、この回転する基板から離脱する液の飛散を防止する液飛散防止カップであって、前記基板保持機構に保持されて回転する基板に対向する内周面の少なくとも一部に、粗面化処理を施して親水性皮膜を形成したことを特徴とする。このように、液飛散防止カップの内周面の少なくとも一部に粗面化処理を施して親水性皮膜を形成することにより、親水性皮膜の液飛散防止カップの内周面への密着性を高めつつ、カップ素材が外部に露出することを親水性皮膜で防止し、しかも、親水性皮膜の表面に衝突する液滴を該表面で保持して該表面に液膜を形成しつつ吸収して、液滴の基板への跳ね返りを抑制することができる。前記カップ本体は、純水等との接触角が比較的小さい、例えばPVC等の合成樹脂からなる。カップ本体をアルミニウム等の金属製としてもよい。前記粗面化処理は、中心線平均粗さRaが0.5~5μmの範囲となる処理であるこことが好ましい。粗面化処理は、例えばSiC炭化珪素細粒を使用したサンドブラスト処理であり、このブラスト処理時間とSiC細粒の粒径を調整することにより、液飛散防止カップの内周面を所望範囲の粗度とすることができる。前記親水性皮膜は、例えばSiO2または半導体層間絶縁膜材料からなる。半導体層間絶縁膜材料としては、SOG塗布ガラス:SpinonGlass等が挙げられる。親水性皮膜を、一般に高純度で耐薬品性がある半導体層間絶縁膜材料とすることで、カップ素材の溶出による基板汚染を防止することができる。前記親水性皮膜の厚さは、0.5~2.0μmであることが好ましい。このように、親水性皮膜の厚さを0.5~2.0μmとすることで、親水性皮膜が厚すぎて親水性皮膜にクラックが発生したり、親水性皮膜が薄すぎて、カップ素材が外部に露出してしまうことを防止することができる。前記親水性皮膜表面の水に対する接触角は60度以下であることが好ましい。これにより、親水性皮膜を再現性良く形成することができる。前記親水性皮膜は、例えばスプレーコーティングによって形成される。これにより、親水性皮膜を容易且つ迅速に形成することができる。本発明の基板処理装置は、前記液飛散防止カップを備えている。また、本発明の基板研磨装置は、前記基板処理装置を備えている。本発明によれば、液飛散防止カップの内周面の少なくとも一部に粗面化処理を施して親水性皮膜を形成することにより、親水性皮膜の液飛散防止カップの内周面への密着性を高めつつ、カップ素材が外部に露出することを親水性皮膜で防止し、しかも、親水性皮膜の表面に衝突する液滴を該表面で保持して該表面に液膜を形成しつつ吸収して、液滴の基板への跳ね返りを抑制することができる。これによって、液滴の跳ね返りに起因して基板表面に形成されるディフェクトやウォータマークを大幅に抑制することができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図1は、本発明の実施形態に係る液飛散防止カップを備えた基板処理装置基板洗浄装置を模式的に示す断面図である。図1に示すように、この基板処理装置は、基板Wを水平に保持する基板保持機構60と、基板保持機構60を介して基板Wの中心周りに回転させるモータ回転機構2と、基板Wの周囲に配置される、本発明の実施形態の液飛散防止カップ70と、基板Wの表面に洗浄液として純水を供給するフロントノズル4とを備えている。基板保持機構60は、ステージ61と、このステージ61を支持する中空の支持軸62と、ステージ61の上面に固定された複数のチャック10とを有している。支持軸62の内部には、洗浄液供給源に接続されたバックノズル17と、乾燥気体供給源に接続されたガスノズル18とが配置されている。洗浄液供給源には、洗浄液として純水が貯留されており、バックノズル17を通じて基板Wの裏面に純水が供給される。また、乾燥気体供給源には、乾燥気体として、N2ガスまたは乾燥空気などが貯留されており、ガスノズル18を通じて基板Wの裏面に乾燥気体が供給される。フロントノズル4は、基板Wの中心を向いて配置されている。このフロントノズル4は、図示しない純水供給源洗浄液供給源に接続され、フロントノズル4を通じて基板Wの表面の中心に純水が供給される。また、基板Wの上方には、ロタゴニ乾燥を実行するための2つのノズル20,21が並列して配置されている。ノズル20は、基板Wの表面にIPA蒸気イソプロピルアルコールとN2ガスとの混合気を供給するためのものであり、ノズル21は基板Wの表面の乾燥を防ぐために純水を供給するものである。これらノズル20,21は基板Wの径方向に沿って移動可能に構成されている。液飛散防止カップ70は、径方向内側に傾斜する内周面70aを有している。液飛散防止カップ70の上端は基板Wよりも上方に位置している。液飛散防止カップ70の内周面70aには親水性皮膜53が固定されている。この液体吸収体53は、液飛散防止カップ70の内周面70aのほぼ全体を覆っている。ステージ61および液飛散防止カップ70の下方には、液体フロントノズル4、バックノズル17から供給された洗浄液としての純水や、ノズル21から供給された純水を回収するための液受け63が配置されている。液受け63の底部には排出ポート64が設けられている。この排出ポート64は図示しない吸引源に接続されており、液受け63によって回収された液体は、周囲の気体とともに排出ポート64を通って強制的に排出される。液飛散防止カップ70は、略円筒状で上部が内側上方に向かって傾斜した傾斜部となっている。液飛散防止カップ70の素材として、この例では、純水等との接触角が比較的小さい樹脂材料であるPVCポリ塩化ビニルが使用されている。なお、PVCの代わりに、PMMAポリメチルメタクリレート、PAポリアミド、PPポリプロピレンまたはPEポリエチレン等の合成樹脂を使用しても良く、また、アルミニウム等の金属を使用しても良い。図2は、液飛散防止カップ70の要部拡大断面図を示す。図2に示すように、この例では、液飛散防止カップ70の内周面70aのそのほぼ全面に粗面化処理を施している。この粗面化処理は、例えば100程度のSiC炭化珪素細粒を使用したサンドブラスト処理であり、この粗面化処理により、液飛散防止カップ70の内周面粗面化処理面70aの中心線平均粗さRaが、例えば0.5~5μmの範囲に入るようにしている。ブラスト処理時間を調整することにより、液飛散防止カップ70の内周面粗面化処理面70aを所望範囲の粗度とすることができる。このように、液飛散防止カップ70の内周面粗面化処理面70aの中心線平均粗さRaが、例えば0.5~5μmの範囲に入るようにすることで、液飛散防止カップ70の内周面粗面化処理面70aとこの表面に形成される親水性皮膜53との密着性を良くすることができる。粗面化処理は、例えばSiC炭化珪素細粒を使用したサンドブラスト処理であり、このブラスト処理時間とSiC細粒の粒径を調整することにより、液飛散防止カップの内周面を所望範囲の粗度とすることができる。粗面化処理を行った後の液飛散防止カップ70の内周面粗面化処理面70aは、サンドブラストで使用したSiC細粒等が残留しないように、ドライアイスブラスト等の方法によって清浄化されることが望ましい。そして、粗面化処理を行った後の液飛散防止カップ70の内周面粗面化処理面70aには、例えば膜厚が0.5~2.0μm、または純水等との接触角が60度以下の親水性皮膜53が形成されている。この例では、パーヒドロポリシラザンPHPS系コーティング剤のスプレーコーティングを行い、乾燥させることで、液飛散防止カップ70の内周面粗面化処理面70aに親水性皮膜53を形成するようにしている。PHPS系コーティング剤としては、例えばNAX120-20AZElectronicMaterials社製が好適に使用される。パーヒドロポリシラザンPHPS系コーティング剤は、大気中の水分と反応してSiO2への転化が進むので、吹き付けガスとして、窒素ガス等の不活性ガスが好適に使用される。またこのコーティング液は、過度に濃いと塗布むらを生じやすいので、適当な溶剤で希釈して例えば1:1の比率で使用することが好ましい。親水性皮膜53の膜厚は、スプレーコーティング回数を調整することによって行われる。前記親水性皮膜53は、例えばSiO2または半導体層間絶縁膜材料からなる。半導体層間絶縁膜材料としては、SOG塗布ガラス:SpinonGlass等が挙げられる。親水性皮膜53を、一般に高純度で耐薬品性がある半導体層間絶縁膜材料とすることで、カップ素材の溶出による基板汚染を防止することができる。図3は、PVCからなる液飛散防止カップ70の内周面70aに、粗面化処理を施すことなく、親水性皮膜53を直接形成した時の状態を模式的に示す。このように液飛散防止カップ70の内周面70aに親水性皮膜53を直接形成すると、親水性皮膜53の液飛散防止カップ70の内周面70aに対する密着性がかなり悪くなる。図4は、液飛散防止カップ70の粗面化処理を施した内周面粗面化処理面70aに異なる膜厚の親水性皮膜53を形成した各サンプルサンプル1~7における親水性皮膜53の純水等との接触角との関係を示す。また、図5aは、サンプル1,2に対応する液飛散防止カップ70の内周面粗面化処理面70aと親水性皮膜53との関係を、図5bは、サンプル3~6に対応する液飛散防止カップ70の内周面粗面化処理面70aと親水性皮膜53との関係を、図5cは、サンプル7に対応する液飛散防止カップ70の内周面粗面化処理面70aと親水性皮膜53との関係をそれぞれ模式的に示す。図4及び図5aから、液飛散防止カップ70の内周面粗面化処理面70aに形成される親水性皮膜53の膜厚が2μm以上であると、親水性皮膜53にクラック53aが発生し、また、図4及び図5cから、液飛散防止カップ70の内周面粗面化処理面70aに形成される親水性皮膜53の膜厚が0.5μm以下であると、液飛散防止カップ70の内周面粗面化処理面73aの特に凸部が親水性皮膜53に覆われることなく、外部に露出する。これに対して、親水性皮膜53の膜厚が0.5~2μmの範囲にあれば、このような弊害がないことが判る。なお、上記の例では、液飛散防止カップ70の内周面70aのそのほぼ全面に粗面化処理を施し親水化皮膜53を形成しているが、液飛散防止カップ70の内周面70aの一部に粗面化処理を施し親水化皮膜53を形成するようにしてもよい。次に、図1に示す基板処理装置の動作について説明する。まず、モータ2により基板Wを回転させる。この状態で、フロントノズル4およびバックノズル17から純水を基板Wの表面および裏面に供給し、基板Wの全面を純水でリンスする。純水は、回転する基板Wから振り落とされ、液飛散防止カップ70に捕らえられ、液受け63により回収される。基板Wのリンス処理の間、2つのノズル20,21は、基板Wから離れた所定の待機位置にある。次に、純水の供給を停止し、フロントノズル4を基板Wから離れた所定の待機位置に移動させるとともに、2つのノズル20,21を基板Wの上方の作業位置に移動させる。そして、基板Wを150~300min-1の速度で低速回転させながら、ノズル20からIPA蒸気を、ノズル21から純水を基板Wの表面に向かって供給する。このとき、基板Wの裏面にもバックノズル17から純水を供給する。そして、2つのノズル20,21を同時に基板Wの径方向に沿って移動させる。これにより、基板Wの表面上面が乾燥される。その後、2つのノズル20,21を所定の待機位置に移動させ、バックノズル17からの純水の供給を停止する。そして、基板Wを1000~1500min-1の速度で高速回転させ、基板Wの裏面に付着している純水を振り落とす。このとき、ガスノズル18から乾燥気体を基板Wの裏面に吹き付ける。このようにして基板Wの裏面が乾燥される。この例によれば、基板Wから振り落とされた液体純水は、遠心力により基板Wから液滴となって外方に飛散し、液飛散防止カップ70に衝突する。この例では、液飛散防止カップ70の内周面70aは粗面化処理ブラスト処理が施されて親水性皮膜53が形成されているので、親水性皮膜53の表面に衝突する液滴は、該表面で保持されて該表面に液膜を形成しつつ吸収され、これによって、液滴の基板Wへの跳ね返りが抑制される。図6は、本発明の他の実施形態に係る液飛散防止カップを備えた基板処理装置基板洗浄装置を模式的に示す断面図である。図6に示すように、この基板処理装置は、基板Wを水平に保持する基板保持機構1と、基板保持機構1を介して基板Wをその中心軸周りに回転させるモータ回転機構2と、基板Wの周囲に配置される、本発明の他の実施形態に係る液飛散防止カップ3と、基板Wの表面フロント面に洗浄液として純水を供給するフロントノズル4とを備えている。洗浄液としては、純水以外に薬液が挙げられる。基板保持機構1は、基板Wの周縁部を把持する複数のチャック10と、これらチャック10が固定される円形の第1ステージ11Aと、この第1ステージ11Aを支持する中空状の第1支持軸12Aと、第1ステージ11Aを収容する凹部を有する円形の第2ステージ11Bと、第2ステージ11Bを支持する中空状の第2支持軸12Bとを有している。第1支持軸12Aは、第2支持軸12Bの内部を通って延びている。すなわち、第1ステージ11A、第2ステージ11B、第1支持軸12A、および第2支持軸12Bは、同軸上に配置されている。液飛散防止カップ3は、第2ステージ11Bの端部に固定され、第2ステージ11Bと液飛散防止カップ3とは同軸上に配置されている。チャック10に保持された基板Wと液飛散防止カップ3とは同軸上に位置する。第1支持軸12Aと第2支持軸12Bとは直動ガイド機構15によって連結されている。この直動ガイド機構15は、第1支持軸12Aと第2支持軸12Bの長手方向回転軸方向の相対移動を許容しつつ、第1支持軸12Aと第2支持軸12Bとの間でトルクの伝達を可能とする。直動ガイド機構15の具体例としては、ボールスプライン軸受が挙げられる。第2支持軸12Bの外周面にはモータ2が連結されている。モータ2のトルクは、直動ガイド機構15を介して第1支持軸12Aに伝達され、これによりチャック10に保持された基板Wが回転する。第1ステージ11Aと第2ステージ11Bとは、直動ガイド機構15を介して常に同期して回転する。すなわち、基板Wと液飛散防止カップ3とは一体に回転し、両者の相対速度は0となる。なお、基板Wと液飛散防止カップ3との間に若干の速度差があってもよい。この場合は、基板Wと液飛散防止カップ3をそれぞれ別々の回転機構により回転させることができる。なお、本明細書において、基板Wと液飛散防止カップ3とを略同一の速度で回転させるとは、基板Wと液飛散防止カップ3とを同一の方向に略同一の角速度で回転させることをいい、互いに逆方向に回転させることを含まない。第1支持軸12Aには、上下動機構としてのアクチュエータ23が連結機構24を介して連結されている。連結機構24は、第1支持軸12Aの回転を許容しつつ、アクチュエータ23の回転軸方向の駆動力を第1支持軸12Aに伝達する。アクチュエータ23は、連結機構図示せずを介して第1ステージ11A、第1支持軸12A、およびチャック10すなわち基板Wを上下動させる。このように、アクチュエータ23は、基板Wと液飛散防止カップ3とを回転軸に沿って相対移動させる相対移動機構として機能する。第1支持軸12Aの内部には、洗浄液供給源に接続されたバックノズル17と、乾燥気体供給源に接続されたガスノズル18とが配置されている。洗浄液供給源には、洗浄液として純水が貯留されており、バックノズル17を通じて基板Wの裏面に純水が供給される。また、乾燥気体供給源には、乾燥気体として、N2ガスまたは乾燥空気などが貯留されており、ガスノズル18を通じて基板Wの裏面に乾燥気体が供給される。フロントノズル4は、基板Wの中心を向いて配置されている。このフロントノズル4は、図示しない純水供給源洗浄液供給源に接続され、フロントノズル4を通じて基板Wの表面の中心に純水が供給される。また、基板Wの上方には、ロタゴニ乾燥を実行するための2つのノズル20,21が並列して配置されている。ノズル20は、基板Wの表面にIPA蒸気イソプロピルアルコールとN2ガスとの混合気を供給し、ノズル21は、基板Wの表面の乾燥を防ぐために純水を供給する。これらノズル20,21は、基板Wの径方向に沿って移動可能に構成されている。第2ステージ11Bには、複数の排出孔25が形成されている。これら排出孔25は、液飛散防止カップ3の下端に位置する上部開口と、第2ステージ11Bの下面に位置する下部開口とを有している。排出孔25は、液飛散防止カップ3の周方向に延びる長孔であり、排出孔25は、その下部開口に向かって径方向外側に傾斜している。上述したフロントノズル4およびバックノズル17から供給された洗浄液純水やノズル21から供給された純水は、ガスノズル18からのガスや周囲雰囲気通常は空気とともにこの排出孔25を通じて排出される。第2ステージ11Bには、第1ステージ11Aと第2ステージ11Bとの間に入り込んだ液体洗浄液,純水を排出するための複数の補助排出孔26が形成されている。この補助排出孔26は、第1ステージ11Aと第2ステージ11Bとの隙間に位置する上部開口と、第2ステージ11Bの下面に位置する下部開口とを有している。補助排出孔26は、上述した排出孔25と同様に、その下部開口に向かって径方向外側に傾斜している。排出孔25と補助排出孔26の下部開口の下方には、排液路30と排気路31とが設けられている。これら排液路30および排気路31は、いずれも環状に形成されており、排液路30は、排気路31の径方向外側に配置されている。このような構成によれば、排出孔25と補助排出孔26から排出された液体および気体は、遠心力により分離され、液体は排液路30に、気体は排気路31に流入する。排気路31は吸引源例えば真空ポンプ32に連結されている。これにより、基板Wの表面から、排出孔25、排気路31を通って流れるダウンフローが形成される。第2ステージ11Bの下方には、第2ステージ11Bの下面と微小な隙間を介して円板状の固定板35が配置されている。この固定板35は、回転する第2ステージ11Bによって周囲の気体が撹乱されることを防止する。第2ステージ11Bの周縁部には、下方に延びる円筒状のスカート28が固定されている。このスカート28は、排出孔25および補助排出孔26から排出された液体が周囲に飛び散らないようにするため、および液体の放出位置を基板Wから遠ざけるために設けられている。液飛散防止カップ3は、基板保持機構1により保持された基板Wを囲むように形成された内周面図2参照を有している。液飛散防止カップ3の内周面の上端は、基板Wよりも上方に位置している。内周面の直径液飛散防止カップ3の内径は、内周面の上端に向かって徐々に減少するように形成されている。すなわち、液飛散防止カップ3の内周面は全体として径方向内側に傾斜し、内周面と水平面とのなす角度θは、90度未満となっている。液飛散防止カップ3の内周面の断面形状は、2つの傾斜線から構成されている。しかしながら、液飛散防止カップ3の内周面の断面形状はこれに限定されるものではない。液飛散防止カップ3の上端の直径は、基板Wの直径よりも僅かに大きく形成されている。液飛散防止カップ3の下端は、排出孔25の上部開口の一部と重複する位置にある。これは、液飛散防止カップ3の内周面を伝って下方に流れる液体をスムーズに排出孔25に導くためである。もし、排出孔25の上部開口が液飛散防止カップ3の下端から離間した位置にあると、液体が第2ステージ11Bの上面に衝突し、液体が排出孔25にスムーズに流れ込まない。この例の配置によれば、液体が第2ステージ11Bの上面にぶつかることがないので、液体は排出孔25にスムーズに流れ込む。液飛散防止カップ3の素材として、前述の例と同様に、純水等との接触角が比較的小さい樹脂材料であるPVCポリ塩化ビニルが使用されている。なお、PVCの代わりに、PMMAポリメチルメタクリレート、PAポリアミド、PPポリプロピレンまたはPEポリエチレン等の合成樹脂を使用しても良く、また、アルミニウム等の金属を使用しても良いことは前述と同様である。前述の例と同様に、液飛散防止カップ3の内周面は、そのほぼ全面に、サンドブラスト処理が施され、粗面化処理を行った後の液飛散防止カップ3の内周面粗面化処理面に、例えば膜厚が0.5~2.0μm、または純水等との接触角が60度以下の親水性皮膜40が、例えば、パーヒドロポリシラザンPHPS系コーティング剤のスプレーコーティングを行い、乾燥させることで形成するようにしている。次に、図6に示す基板処理装置の動作について説明する。まず、モータ2により基板Wおよび液飛散防止カップ3を回転させる。この状態で、フロントノズル4およびバックノズル17から純水を基板Wの表面上面および裏面下面に供給し、基板Wの全面を純水でリンスする。基板Wに供給された純水は、遠心力により基板Wの表面および裏面全体に広がり、これにより基板Wの全体がリンスされる。回転する基板Wから振り落とされた純水は、液飛散防止カップ3に捕らえられ、排出孔25に流れ込む。基板Wのリンス処理の間、2つのノズル20,21は、基板Wから離れた所定の待機位置にある。次に、フロントノズル4からの純水の供給を停止し、フロントノズル4を基板Wから離れた所定の待機位置に移動させるとともに、2つのノズル20,21を基板Wの上方の作業位置に移動させる。そして、基板Wを150~300min-1の速度で低速回転させながら、ノズル20からIPA蒸気を、ノズル21から純水を基板Wの表面に向かって供給する。このとき、基板Wの裏面にもバックノズル17から純水を供給する。そして、2つのノズル20,21を同時に基板Wの径方向に沿って移動させる。これにより、基板Wの表面上面が乾燥される。その後、2つのノズル20,21を所定の待機位置に移動させ、バックノズル17からの純水の供給を停止する。そして、基板Wを1000~1500min-1の速度で高速回転させ、基板Wの裏面に付着している純水を振り落とす。このとき、ガスノズル18から乾燥気体を基板Wの裏面に吹き付ける。このようにして基板Wの裏面が乾燥される。基板Wの表面上面を乾燥させる間、上述したように、基板Wの表面および裏面には純水が供給される。純水は、遠心力により基板Wから液滴となって外方に飛散し、液飛散防止カップ3に衝突する。この例では、液飛散防止カップ3の内周面は粗面化処理ブラスト処理が施されて親水性皮膜40が形成されているので、親水性皮膜40の表面に衝突する液滴は、該表面で保持されて該表面に液膜を形成しつつ吸収され、これによって、液滴の基板への跳ね返りが抑制される。基板Wの乾燥が終了すると、ガスノズル18からの乾燥気体の供給を停止させる。そして、アクチュエータ23により、基板Wが液飛散防止カップ3よりも上方に位置するまで、基板Wを上昇させる。乾燥された基板Wは、図示しない搬送ロボットのハンドにより基板保持機構1から取り出される。図7は、PVCからなる液飛散防止カップ参考例1の表面内周面と純水等との接触角の関係、粗面化処理ブラスト処理を施したPVCからなる液飛散防止カップ参考例2の表面内周面の純水等との接触角の関係、及び粗面化処理を施して親水性皮膜を形成したPVCからなる液飛散防止カップ実施例1の表面内周面の純水等との接触角の関係をそれぞれ示すグラフである。図8は、参考例1の液飛散防止カップを使用して基板を洗浄した時に発生するディフェクト数、参考例2の液飛散防止カップを使用して基板を洗浄した時のディフェクト数、及び実施例1の液飛散防止カップを使用して基板を洗浄した時のディフェクト数をそれぞれ計測した時の一例を示すグラフである。図9は、参考例2の液飛散防止カップを使用して基板を洗浄した時のウォータマーク発生頻度、及び実施例1の液飛散防止カップを使用して基板を洗浄した時のウォータマーク発生頻度の一例を示すグラフである。この図7及び図8から、液飛散防止カップの表面内周面に粗面化処理ブラスト処理を施すことで、純水等との接触角を少し減らすことができるが、基板を洗浄処理した時のディフェクト発生数が多くなる。これに対して、液飛散防止カップの表面内周面に粗面化処理ブラスト処理を施して親水性皮膜を形成することで、純水等との接触角を大幅に減らし、基板を洗浄処理した時のディフェクトの生数を大幅に削減できることが判る。また、図9から、液飛散防止カップの表面内周面に粗面化処理ブラスト処理を施して親水性皮膜を形成することで、液飛散防止カップの表面内周面に粗面化処理ブラスト処理を施しただけの場合に比較して、基板を洗浄した時のウォータマーク発生頻度を大幅に削減できることが判る。これは、親水性皮膜の表面に衝突する液滴を該表面で保持して該表面に液膜を形成し、この液膜で液滴を吸収して、液滴の基板への跳ね返りを抑制することができ、しかもカップ素材が外部に露出しないように親水性皮膜で被覆することで、カップ素材からの不純物発生を親水性皮膜で抑止できるためであると考えられる。これによって、液滴の跳ね返りに起因するディフェクトやウォータマークの発生を大幅することが抑制できる。更に、液飛散防止カップの表面内周面に粗面化処理を施して親水性皮膜を形成すると、カップ素材の溶出による基板汚染を防止でき、親水性皮膜の接着面積が増え付着力が高くなるので、親水性皮膜が液飛散防止カップの表面内周面から剥離しにくくなる。しかも、親水性皮膜は、プラズマCVD法や再紫外線処理等のコストやメンテナンスのかかる形成方法を使用することなく、スプレーコーティングで比較的簡単に形成することができ、しかもメンテナンスフリーとなる。次に、図1または図6に示す基板処理装置を備えた基板研磨装置について説明する。図10は、この基板処理装置を備えた基板研磨装置の配置構成を示す平面図で、図11は、図10に示す基板研磨装置の概要を示す斜視図である。図10に示すように、基板研磨装置は、略矩形状のハウジング100を備えており、ハウジング100の内部は隔壁101a,101b,101cによってロード/アンロード部120と研磨部130130a,130bと洗浄部140とに区画されている。ロード/アンロード部102は、複数の基板をストックする基板カセットを載置する2つ以上図25では3つのフロントロード部120を備えている。これらのフロントロード部120は、研磨装置の幅方向長手方向と垂直な方向に隣接して配列されている。フロントロード部120には、オープンカセット、SMIFStandardManufacturingInterfaceポッド、又はFOUPFrontOpeningUnifiedPodを搭載することができる。ここで、SMIF、FOUPは、内部に基板カセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。また、ロード/アンロード部102には、フロントロード部120の並びに沿って走行機構121が敷設されており、この走行機構121上にフロントロード部120の配列方向に沿って移動可能な第1搬送ロボット122が設置されている。第1搬送ロボット122は走行機構121上を移動することによってフロントロード部120に搭載された基板カセットにアクセスできるようになっている。この第1搬送ロボット122は上下に2つのハンドを備えており、例えば、上側のハンドを基板カセットに研磨された基板を戻すときに使用し、下側のハンドを研磨前の基板を搬送するときに使用して、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。ロード/アンロード部102は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロード/アンロード部102の内部は、装置外部、研磨部130、及び洗浄部140のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。また、第1搬送ロボット122の走行機構121の上部には、HEPAフィルタやULPAフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット図示せずが設けられており、このフィルタファンユニットによりパーティクルや有毒蒸気、ガスが除去されたクリーンエアが常時下方に向かって吹き出している。研磨部130は、基板の研磨が行われる領域であり、第1研磨ユニット131Aと第2研磨ユニット131Bとを内部に有する第1研磨部130aと、第3研磨ユニット131Cと第4研磨ユニット131Dとを内部に有する第2研磨部130bとを備えている。これらの第1研磨ユニット131A、第2研磨ユニット131B、第3研磨ユニット131C、及び第4研磨ユニット131Dは、図10に示すように、装置の長手方向に沿って配列されている。第1研磨ユニット131Aは、研磨パッドを保持する研磨テーブル132Aと、基板を保持しかつ基板を研磨テーブル132A上の研磨パッドの研磨面に対して押圧するためのトップリング133Aと、研磨パッドの研磨面に研磨液例えば、スラリーやドレッシング液例えば、純水を供給するための研磨液供給ノズル134Aと、研磨パッドのドレッシングを行うためのドレッサ135Aと、液体例えば純水と気体例えば窒素の混合流体を霧状にして、ノズルから研磨面に噴射するアトマイザ136Aとを備えている。同様に、第2研磨ユニット131Bは、研磨テーブル132Bと、トップリング133Bと、研磨液供給ノズル134Bと、ドレッサ135Bと、アトマイザ136Bとを備えており、第3研磨ユニット131Cは、研磨テーブル132Cと、トップリング133Cと、研磨液供給ノズル134Cと、ドレッサ135Cと、アトマイザ136Cとを備えており、第4研磨ユニット131Dは、研磨テーブル132Dと、トップリング133Dと、研磨液供給ノズル302Dと、ドレッサ135Dと、アトマイザ136Dとを備えている。第1研磨部130aには、長手方向に沿った4つの搬送位置ロード/アンロード部側から順番に第1搬送位置TP1、第2搬送位置TP2、第3搬送位置TP3、第4搬送位置TP4とするの間で基板を搬送する第1リニアトランスポータ150が配置されている。この第1リニアトランスポータ150の第1搬送位置TP1の上方には、第1搬送ロボット122から受け取った基板を反転する反転機151が配置されており、その下方には上下に昇降可能なリフタ152が配置されている。また、第2搬送位置TP2の下方には上下に昇降可能なプッシャ153が、第3搬送位置TP3の下方には上下に昇降可能なプッシャ154が、第4搬送位置TP4の下方には上下に昇降可能なリフタ155がそれぞれ配置されている。また、第2研磨部130bには、第1リニアトランスポータ150に隣接して、長手方向に沿った3つの搬送位置ロード/アンロード部側から順番に第5搬送位置TP5、第6搬送位置TP6、第7搬送位置TP7とするの間で基板を搬送する第2リニアトランスポータ160が配置されている。この第2リニアトランスポータ160の第5搬送位置TP5の下方には上下に昇降可能なリフタ166が、第6搬送位置TP6の下方にはプッシャ167が、第7搬送位置TP7の下方にはプッシャ168がそれぞれ配置されている。図11に示すように、第1リニアトランスポータ150は、直線往復移動可能な4つのステージ、すなわち、第1ステージ、第2ステージ、第3ステージ、および第4ステージを備えている。これらのステージは上下に2段の構成となっている。すなわち、下段には第1ステージ、第2ステージ、第3ステージが配置され、上段には第4ステージが配置されている。下段のステージと上段のステージとは、設置される高さが異なっているため、下段のステージと上段のステージとは互いに干渉することなく自由に移動可能となっている。第1ステージは、第1搬送位置TP1と基板の受け渡し位置である第2搬送位置TP2との間で基板を搬送し、第2ステージは、第2搬送位置TP2と基板の受け渡し位置である第3搬送位置TP3との間で基板を搬送し、第3ステージは、第3搬送位置TP3と第4搬送位置TP4との間で基板を搬送する。また、第4ステージは、第1搬送位置TP1と第4搬送位置TP4との間で基板を搬送する。第2リニアトランスポータ160は、第1リニアトランスポータ150と実質的に同一の構成を有している。すなわち、上段に第5ステージおよび第6ステージが配置され、下段に第7ステージが配置されている。第5ステージは、第5搬送位置TP5と基板の受け渡し位置である第6搬送位置TP6との間で基板を搬送し、第6ステージは、第6搬送位置TP6と基板の受け渡し位置である第7搬送位置TP7との間で基板を搬送し、第7ステージは、第5搬送位置TP5と第7搬送位置TP7との間で基板を搬送する。研磨時にはスラリーを使用することを考えるとわかるように、研磨部130は最もダーティな汚れた領域である。したがって、研磨部130内のパーティクルが外部に飛散しないように、各研磨テーブルの周囲から排気が行われており、研磨部130の内部の圧力を、装置外部、周囲の洗浄部140、ロード/アンロード部102よりも低くすることでパーティクルの飛散を防止している。また、通常、研磨テーブルの下方には排気ダクト図示せずが、上方にはフィルタ図示せずがそれぞれ設けられ、これらの排気ダクト及びフィルタを介して清浄化された空気が噴き出され、ダウンフローが形成される。洗浄部140は、研磨後の基板を洗浄する領域であり、第2搬送ロボット124と、第2搬送ロボット124から受け取った基板を反転する反転機141と、研磨後の基板を洗浄する4つの洗浄ユニット142~145と、反転機141及び洗浄ユニット142~145の間で基板を搬送する搬送ユニット146とを備えている。第2搬送ロボット124、反転機141、及び洗浄ユニット142~145は、研磨装置の長手方向に沿って直列に配置されている。また、これらの洗浄ユニット142~145の上部には、クリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット図示せずが設けられており、このフィルタファンユニットによりパーティクルが除去されたクリーンエアが常時下方に向かって吹き出している。また、洗浄部140の内部は、研磨部130からのパーティクルの流入を防止するために研磨部130よりも高い圧力に常時維持されている。搬送ユニット146は、基板を把持する複数のアームを有しており、これらアームによって複数の基板を反転機141及び洗浄ユニット142~145の間で同時に水平方向に移動させることができるようになっている。洗浄ユニット142及び洗浄ユニット143としては、例えば、上下に配置されたロール状のスポンジを回転させて基板の表面及び裏面に押し付けて基板の表面及び裏面を洗浄するロールタイプの洗浄ユニットを用いることができる。また、洗浄ユニット144としては、例えば、半球状のスポンジを回転させながら基板に押し付けて洗浄するペンシルタイプの洗浄ユニットを用いることができる。洗浄ユニット145は、前述の図1または図6に示す基板処理装置である。なお、各洗浄ユニット142~144において、上述したロールタイプの洗浄ユニットやペンシルタイプの洗浄ユニットに加えて、洗浄液に超音波を当てて洗浄するメガソニックタイプの洗浄ユニットを付加的に設けてもよい。反転機151と第1搬送ロボット122との間にはシャッタ1110が設置されており、基板の搬送時にはシャッタ1110を開いて第1搬送ロボット122と反転機151との間で基板の受け渡しが行われる。また、反転機141と第2搬送ロボット124との間、反転機141と1次洗浄ユニット142との間、第1研磨部130aと第2搬送ロボット124との間、及び第2研磨部130bと第2搬送ロボット124との間にもそれぞれシャッタ111,112,113,114が設置されており、基板の搬送時にはこれらのシャッタ111,112,113,114を開いて基板の受け渡しが行われる。研磨テーブル132Aの上には研磨パッド図示せずが固定されている。研磨テーブル132Aは、その下方に配置されるモータ図示せずに連結されており、軸心周りに回転可能になっている。図11に示すように、トップリング133Aは、トップリングシャフト137Aを介してモータ及び昇降シリンダ図示せずに連結されている。これにより、トップリング133Aは昇降可能かつトップリングシャフト137A周りに回転可能となっている。このトップリング133Aの下面には、基板Wが真空吸着等によって保持される。研磨パッドの上面は、基板Wが摺接される研磨面を構成している。トップリング133Aの下面に保持された基板Wはトップリング133Aによって回転させられつつ、回転している研磨テーブル132A上の研磨パッドに押圧される。このとき、研磨液供給ノズル134Aから研磨パッドの研磨面上面に研磨液が供給され、基板Wと研磨パッドとの間に研磨液が存在した状態で基板Wが研磨される。研磨テーブル132Aおよびトップリング133Aは、基板Wと研磨面とを相対移動させる機構を構成している。第2研磨ユニット300B,第3研磨ユニット300C、および第4研磨ユニット300Dは、第1研磨ユニット300Aと同一の構成を有しているので、その説明を省略する。このような構成を有する研磨装置によれば、1枚の基板を4つの研磨ユニットで連続的に研磨するシリーズ処理、および2枚の基板を同時に研磨するパラレル処理を行うことができる。基板をシリーズ処理する場合には、基板は、フロントロード部120の基板カセット→第1搬送ロボット122→反転機151→リフタ152→第1リニアトランスポータ150の第1ステージ→プッシャ153→トップリング133A→研磨テーブル132A→プッシャ153→第1リニアトランスポータ150の第2ステージ→プッシャ154→トップリング133B→研磨テーブル132B→プッシャ154→第1リニアトランスポータ150の第3ステージ→リフタ155→第2搬送ロボット124→リフタ166→第2リニアトランスポータ160の第5ステージ→プッシャ167→トップリング133C→研磨テーブル132C→プッシャ167→第2リニアトランスポータ160の第6ステージ→プッシャ168→トップリング133D→研磨テーブル132D→プッシャ168→第2リニアトランスポータ160の第7ステージ→リフタ166→第2搬送ロボット124→反転機141→搬送ユニット146→洗浄ユニット142→搬送ユニット146→洗浄ユニット143→搬送ユニット146→洗浄ユニット144→搬送ユニット146→洗浄ユニット145→第1搬送ロボット122→フロントロード部120の基板カセットという経路で搬送される。基板をパラレル処理する場合には、一方の基板は、フロントロード部120の基板カセット→第1搬送ロボット122→反転機151→リフタ152→第1リニアトランスポータ150の第1ステージ→プッシャ153→トップリング133A→研磨テーブル132A→プッシャ153→第1リニアトランスポータ150の第2ステージ→プッシャ154→トップリング133B→研磨テーブル132B→プッシャ154→第1リニアトランスポータ150の第3ステージ→リフタ155→第2搬送ロボット124→反転機141→搬送ユニット146→洗浄ユニット142→搬送ユニット146→洗浄ユニット143→搬送ユニット146→洗浄ユニット144→搬送ユニット146→洗浄ユニット145→第1搬送ロボット122→フロントロード部120の基板カセットという経路で搬送される。また、他方の基板は、フロントロード部120の基板カセット→第1搬送ロボット122→反転機151→リフタ152→第1リニアトランスポータ150の第4ステージ→リフタ155→第2搬送ロボット124→リフタ166→第2リニアトランスポータ160の第5ステージ→プッシャ167→トップリング133C→研磨テーブル132C→プッシャ167→第2リニアトランスポータ160の第6ステージ→プッシャ168→トップリング133D→研磨テーブル132D→プッシャ168→第2リニアトランスポータ160の第7ステージ→リフタ166→第2搬送ロボット124→反転機141→搬送ユニット146→洗浄ユニット142→搬送ユニット146→洗浄ユニット143→搬送ユニット146→洗浄ユニット144→搬送ユニット146→洗浄ユニット145→第1搬送ロボット122→フロントロード部120の基板カセットという経路で搬送される。以上本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲、及び明細書と図面に記載された技術的思想の範囲内において種々の変形が可能である。"