オプトエレクトロニクス構成素子1000において、半導体チップ40と、当該半導体チップ40を少なくとも部分的に包囲する発光材料44とを有しており、当該半導体チップ40は、おおよそ465nmよりも短い主波長において、波長の短い青色スペクトル領域の1次ビームを放射し、前記発光材料44は、前記1次ビームの少なくとも1部分を、約490nmと約550nmとの間に主波長を有する、より波長の長い緑色スペクトル領域における2次ビームに変換し、1次ビームと2次ビームとからなる混合光は、約460nmと約480nmとの間の波長における主波長を有しており、当該混合光の光束は、460nmと480nmとの間の範囲に同じ主波長を有しかつ発光材料44のないオプトエレクトロニクス構成素子における光束よりも最大で130だけ大きい、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス構成素子1000。請求項1に記載のオプトエレクトロニクス構成素子において、前記半導体チップ40から放射されかつ約440nmから約455nmまでの範囲に主波長を有する1次ビームからなり、かつ、前記発光材料44から送出されかつ約490nmから約550nmまでの範囲に主波長を有する2次ビームからなる混合光の複数の色位置は、CIE線図100において接近して並んでおり、標準的な発光材料濃度の場合に前記混合光の主波長は、約2から4nmまでの波長範囲内にあり、殊に3nmである、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス構成素子。請求項2に記載のオプトエレクトロニクス構成素子において、前記混合光を放射する前記オプトエレクトロニクス構成素子1000の前記色位置は、CIE線図において、種々異なる青色基準により、殊にEN12966ClおよびEN12966C2によって形成される2次元領域上にある、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス構成素子。請求項1から3までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス構成素子において、前記発光材料44は、粒子の形態で注形コンパウンド43内に分散されている、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス構成素子。請求項1から4までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス構成素子において、前記注形コンパウンド43における前記発光材料44の濃度は、3重量パーセント以下であり、有利には1.5重量パーセントである、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス構成素子。請求項1から5までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス構成素子において、前記発光材料44は、前記半導体チップ40に直接載置される小板に配置されている、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス構成素子。請求項1から6までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス構成素子において、前記発光材料44は、前記オプトエレクトロニクス構成素子を前記半導体チップ40の周りで閉じる出射窓52に配置されている、および/または当該出射窓52内に配置されている、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス構成素子。請求項1から7までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス構成素子において、前記発光材料44は、ユーロピウム活性化された青色緑色ケイ酸塩であり、殊に組成式Ca8xyEuxMnyMg4Cl2、ただしy≧0.03およびx=0.005およびx=1.5、を有するクロロケイ酸塩である、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス構成素子。請求項1から8までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス構成素子において、前記発光材料44は、組成式2SiO4EUを有する、ユーロピウム活性化されたオルトケイ酸塩を有する、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス構成素子。請求項1から9までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス構成素子において、前記発光材料44は、組成式Ga2S4EUを有する、ユーロピウム活性化されたチオガリウム酸塩を有する、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス構成素子。請求項1から10までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス構成素子において、前記発光材料44は、組成式Ba3Si6O12N2EUを有する、ユーロピウム活性化SiONeを有する、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス構成素子。請求項1から11までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス構成素子において、前記発光材料44は、ベータSiAlONを有する、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス構成素子。請求項1から12までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス構成素子において、前記発光材料44は、70までの量子効率を有する、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス構成素子。