"ブレードソー加工によってCu-Ga合金塊を切断することを特徴とするCu-Ga合金塊の切断方法。切断速度が、0.01mm/分以上、0.8mm/分以下である請求項1に記載の切断方法。切断前のCu-Ga合金塊の形状が直方体であって、該直方体の最も短い辺と切断面とが交わるように該Cu-Ga合金塊を切断する請求項1または2に記載の切断方法。上記直方体の最も短い辺の長さが70mm以下である請求項3に記載の切断方法。Cu-Ga合金塊におけるGaの組成比が、10モル以上、50モル以下である請求項1~4の何れか1項に記載の切断方法。得られるCu-Ga合金の用途が、スパッタリングターゲットであることを特徴とする請求項1~5の何れか1項に記載の切断方法。Cu-Ga合金塊が、溶解鋳造によって製造されたものである請求項1~6の何れか1項に記載の切断方法。溶解鋳造によってCu-Ga合金塊を製造する工程、およびブレードソー加工によって該Cu-Ga合金塊を切断する工程を含むことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。切断速度が、0.01mm/分以上、0.8mm/分以下である請求項8に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。切断前のCu-Ga合金塊の形状が直方体であって、該直方体の最も短い辺と切断面とが交わるように該Cu-Ga合金塊を切断する請求項8または9に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。上記直方体の最も短い辺の長さが70mm以下である請求項10に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。Cu-Ga合金塊におけるGaの組成比が、10モル以上、50モル以下である請求項8~11の何れか1項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。かかる状況下、本発明の主たる目的は、Gaの組成比が比較的大きいCu-Ga合金塊であっても、ヒビが入ったり、割れたり欠けたりすることなくこれを切断して所望の形状に切断加工することができるCu-Ga合金の切断方法を提供することにある。また本発明の他の目的は、Gaの組成比が比較的大きいCu-Ga合金からなるスパッタリングターゲットを、生産性よく製造する方法を提供することにある。本発明に係るCu-Ga合金の切断方法は、上記の課題を解決するために、ブレードソー加工によってCu-Ga合金塊を切断することを含む。すなわち、本発明は、以下の好適な態様を包含する。1ブレードソー加工によってCu-Ga合金塊を切断することを特徴とするCu-Ga合金塊の切断方法。2切断速度が、0.01mm/分以上、0.8mm/分以下である1に記載の切断方法。3切断前のCu-Ga合金塊の形状が直方体であって、該直方体の最も短い辺と切断面とが交わるように該Cu-Ga合金塊を切断する1または2に記載の切断方法。4上記直方体の最も短い辺の長さが70mm以下である3に記載の切断方法。5Cu-Ga合金塊におけるGaの組成比が、10モル以上、50モル以下である1~4の何れか1項に記載の切断方法。6得られるCu-Ga合金の用途が、スパッタリングターゲットであることを特徴とする1~5の何れか1項に記載のCu-Ga合金の切断方法。7Cu-Ga合金塊が、溶解鋳造によって製造されたものである1~6の何れか1項に記載の切断方法。8溶解鋳造によってCu-Ga合金塊を製造する工程、および、ブレードソー加工によって該Cu-Ga合金塊を切断する工程を含むことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。9切断速度が、0.01mm/分以上、0.8mm/分以下である8に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。10切断前のCu-Ga合金塊の形状が直方体であって、該直方体の最も短い辺と切断面とが交わるように該Cu-Ga合金塊を切断する8または9に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。11上記直方体の最も短い辺の長さが70mm以下である10に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。12Cu-Ga合金塊におけるGaの組成比が、10モル以上、50モル以下である8~11の何れか1項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。本発明者の検討によれば、放電加工法においては一台の設備での複数個所の同時切断を行えないことに加え加工速度が遅いこと、ウォータージェット加工法においては放電加工法の問題点に加え厚い対象物の切断が困難であること、レーザー切断法においては切断面が本質的に平滑ではなく後工程が煩雑になること、超音波マシニング加工法においてはCu-Ga合金塊の超音波吸収係数が大きく切断長さ分の超音波の透過が困難であること、ワイヤーソー加工法においては設備が高価であること、といった問題点があることが分かった。ブレードソー加工は、直線の鋼製ブレードに張力を付加して砥粒混合の加工液をかけながら加工対象物を切断する加工方法であるので、ワイヤー放電加工機と比べて設備的に安価であり、かつ一度に多数の製品を切断することもできる。ブレードソー加工によれば、Gaの組成比が比較的大きいCu-Ga合金塊であっても、ヒビが入ったり、割れたり欠けたりすることなく切断して所望の形状に切断加工することができる。また、切断して得られるCu-Ga合金にヒビが入ったり、割れたり欠けたりしにくいので、切削工程が不要となる。従って、再利用できない多量の切削クズが発生しにくいので、Cu-Ga合金からなるスパッタリングターゲット製品の歩留りが良好となる。さらに、ブレードソー加工は、NC制御と併用することにより微細な加工を行うことができ、加工精度も高い。このため、従来は必要であった圧延工程を不要とすることもできる。従って、Cu-Ga合金からなるスパッタリングターゲット製品の生産性を向上させることができる。本発明に係るスパッタリングターゲットの製造方法は、溶解鋳造によってCu-Ga合金塊を製造する工程、および、本発明に係るCu-Ga合金塊の切断方法を実施する工程を含む方法である。本発明により、Gaの組成比が比較的大きいCu-Ga合金塊であっても、ヒビが入ったり、割れたり欠けたりすることなく切断して所望の形状に切断加工することができるCu-Ga合金の切断方法を提供することができ、Gaの組成比が比較的大きいCu-Ga合金からなるスパッタリングターゲットを、生産性よく製造する方法を提供することができる。本発明に係るCu-Ga合金塊の切断方法の好適な実施形態の一例について、以下に説明する。先ず、本発明に係るCu-Ga合金塊の切断方法の切断対象物であるCu-Ga合金について説明する。<Cu-Ga合金塊>本発明に係るCu-Ga合金塊の切断方法の切断対象物であるCu-Ga合金塊は、溶解鋳造によって製造されていることが好ましい。溶解鋳造によって製造することにより、Cu中にGaが偏析しないので、Cu-Ga合金をスパッタリングターゲットとして用いてスパッタリングを行って得られる薄膜の性能を維持することができる。尚、溶解鋳造の具体的な方法は、一般的な方法を採用することができ、特に限定されるものではない。また、Cu-Ga合金の用途は、スパッタリングターゲットに限定されるものではない。Cu-Ga合金塊におけるGaの組成比は、任意の値とすればよいが、10モル以上、50モル以下であることが好ましく、15モル以上、40モル以下であることがより好ましい。特に25モルを上回る、塑性加工し難いものについて、本発明は効果を発揮する。尚、本発明においては、モルをatomicと同義語として扱うこととする。また、Cu中にGaができるだけ偏析しないようにするには、溶解鋳造によるCu-Ga合金塊の製造時にCu-Ga合金塊全体がより均一に冷却されることが望ましい。従って、溶解鋳造で得られるCu-Ga合金塊は、偏平な直方体形状、具体的には、溶解鋳造の具体的な条件にもよるが、例えば250mm×500mm×50mm程度の大きさにすることが好ましい。つまり、本発明において用いられるCu-Ga合金塊は、従来鋳造されているCu-Ga合金塊例えば240mm×300mm×1000mmの大きさと比較して、小さくかつ偏平な直方体形状に鋳造されていることが好ましい。<切断方法>本発明に係る切断方法の好適な実施形態の一例を、図1を参照しながら説明する。本発明に係る切断方法は、ブレードソー加工によって上記Cu-Ga合金塊を切断する方法である。ブレードソー加工とは、ブレードと加工対象物切断対象物であり、本発明においてはCu-Ga合金塊との間に遊離砥粒を用いて切断することにより、当該加工対象物を機械的に切断する方法である。ブレードソー加工は、ブレードの材質や直径等を制御することにより、微細な加工を行うことができ、NC制御との併用により加工精度も高い。本発明に係る切断方法においては、一般的なブレードソー加工装置を用いることができる。具体的には、例えば、図1に示すように、一般的なブレードソー加工装置は、主に、ブレード11、並びに、加工槽12で構成されている。ブレード11は、一定の張力を保った状態で、加工対象物13を切断しようとする方向と平行な方向に往復運動するようになっている。以下の説明においては、切断前のCu-Ga合金塊の形状が直方体であって、直方体の最も短い辺と切断面とが垂直に交わるようにして当該Cu-Ga合金を切断する場合を例に挙げることとする。始めに、加工槽12に、加工対象物13である直方体形状のCu-Ga合金塊を、上記切断が可能な向きに載置する。次に、当該Cu-Ga合金塊直方体の一頂点を原点として、原点から延びる三辺を座標軸X,Y,Zに合わせる。例えば、Cu-Ga合金の長手方向をX軸方向とし、厚さ方向直方体の最も短い辺の方向をY軸方向とする。従って、この場合には、ブレード11は、その供給方向がZ軸方向となるように張り渡されていることになる。次いで、切断後のCu-Ga合金の厚さが所望の厚さ、例えば厚さaとなるように、原点からZ軸方向に距離aよりもさらに少しだけ移動した位置後で研削することによって薄くなることを考慮した位置に、ブレード11をセットする。その後、ブレード11をCu-Ga合金塊と互いに交わる方向に相対移動させ、Cu-Ga合金塊に対してその全長にわたってブレードソー加工を行う。即ち、ブレード11をX軸方向に往復運動させ、かつ、Cu-Ga合金塊をZ軸方向に移動させながら、当該Cu-Ga合金塊の切断を行う。直方体形状のCu-Ga合金塊を3つ以上に切り分ける場合には、上記操作と同様の操作を繰り返し行えばよい。また、ブレード11を複数用いて一挙に切断してもよい。これにより、直方体形状のCu-Ga合金から、所望の厚さのCu-Ga合金を切り分けることができる。尚、ブレードソーの走行速度、即ち、Cu-Ga合金塊の切断速度加工速度は、好ましくは0.01mm/分以上、より好ましくは0.02mm/分以上であり、好ましくは0.8mm/分以下、より好ましくは0.7mm/分以下、特に好ましくは0.3mm/分以下である。尚、切断後のCu-Ga合金は、その切断面に、ブレードソー切断によって砥粒が付着する場合がある。しかしながら、当該砥粒は、研削するだけで容易に除去することができる。本発明に係る切断方法においては、加工対象物であるCu-Ga合金塊が偏平な直方体形状であることがより好ましい。そこで、所望の大きさのCu-Ga合金スパッタリングターゲットを得るには、切断前のCu-Ga合金塊の形状が直方体である場合には、直方体の最も短い辺と切断面とが交わるように、当該Cu-Ga合金塊を切断するいわゆるスライスを行うことが好ましい。また、上記直方体の最も短い辺の長さは、好ましくは100mm以下であり、より好ましくは70mm以下である。本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、溶解鋳造によってCu-Ga合金塊を製造する工程、および、ブレードソー加工によって、該Cu-Ga合金塊を切断する工程を含む方法である。ここで、溶解鋳造によってCu-Ga合金塊を製造する方法は、既に説明したとおりである。また、ブレードソー加工によって、該Cu-Ga合金塊を切断する方法も、既に説明したとおりである。溶解鋳造し、研削して250mm×400mm×50mmの大きさになるように調整したGaの組成比が25モルである直方体形状のCu-Ga合金1を、図2に示すように、長さ50mmの辺と切断面とが垂直に交わるようにして、ブレードソー加工で3等分に切断した。砥粒の材質として平均粒径が1μmのアルミナを用いた。そして、切断速度を0.1mm/分~0.7mm/分に制御して、Cu-Ga合金1を切断した。切断速度の平均値は0.2mm/分であった。切断して得られた合金片2...を平面研削盤で研削することにより、250mm×400mm×16mmの大きさの、3枚のスパッタリングターゲット3...を製造した。上記ブレードソー加工による切断において、得られた合金片は、割れたり欠けたりすることなく、また切断面にヒビの発生もなく所望の形状に切断加工することができた。実施例2Gaの組成比が20モルであるCu-Ga合金塊を用い、切断速度を0.02mm/分~0.1mm/分切断速度の平均値は0.05mm/分とした以外は実施例1と同様にして、250mm×400mm×16mmの大きさの、3枚のスパッタリングターゲット3...を製造した。上記ブレードソー加工による切断において、得られた合金片は、割れたり欠けたりすることなく、また切断面にヒビの発生もなく所望の形状に切断加工することができた。実施例3Gaの組成比が30モルであるCu-Ga合金塊を用い、切断速度を0.02mm/分~0.2mm/分切断速度の平均値は005mm/分とした以外は実施例1と同様にして、250mm×350mm×16mmの大きさの、3枚のスパッタリングターゲット3...を製造した。上記ブレードソー加工による切断において、得られた合金片は、割れたり欠けたりすることなく、また切断面にヒビの発生もなく所望の形状に切断加工することができた。実施例4Gaの組成比が40モルであるCu-Ga合金塊を用い、切断速度を0.02~0.2mm/分切断速度の平均値は0.05mm/分とした以外は実施例1と同様にして、250mm×400mm×16mmの大きさの、3枚のスパッタリングターゲット3...を製造した。上記ブレードソー加工による切断において、得られた合金片は、割れたり欠けたりすることなく、また切断面にヒビの発生もなく所望の形状に切断加工することができた。比較例1ブレードソー加工をウォータージェット加工に変更した以外は実施例1と同様にして、250mm×400mm×16mmの大きさの、3枚のスパッタリングターゲットの製造を試みた。しかし、ウォータージェット加工法では、目的とする切断幅である250mmを、切断に用いた水が貫通せず、切断には至らなかった。以上の実施例1~4から、本発明に係る切断方法を採用することにより、Gaの組成比が比較的大きいCu-Ga合金塊であっても、割れたり欠けたりすることなく、また切断面にヒビの発生もなく所望の形状に切断加工することができることが判った。本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。"