"基板と、前記基板上に第1導電型半導体層、活性層、及び第2導電型半導体層を含み、前記第1導電型半導体層の一部領域が露出される発光構造物と、前記露出される第1導電型半導体層の一部領域上の第1電極と、前記第2導電型半導体層上の第2電極と、を含み、前記発光構造物の側面は、前記基板から前記発光構造物に向かう方向と垂直な面を基準面としたときに、前記基準面に対して傾斜した第1傾斜側面を有し、前記第1傾斜側面は、当該第1傾斜側面の傾斜方向である第1方向の長さが、当該第1傾斜側面の横方向である第2方向の長さよりも大きい凹凸構造を有する、発光素子。前記第1傾斜側面は、前記第1導電型半導体層、前記活性層、及び前記第2導電型半導体層の側面からなる、請求項1に記載の発光素子。前記第1傾斜側面は、前記第1導電型半導体層の側面からなる、請求項1に記載の発光素子。前記発光構造物は、前記第2導電型半導体層、前記活性層及び前記第1導電型半導体層の一部分がメサエッチングされて前記第1導電型半導体層の一部領域を露出し、前記第1傾斜側面は、前記メサエッチングによって露出される第1導電型半導体層の上面と前記基板との間に位置する第1導電型半導体層の第1部分の側面からなる、請求項1に記載の発光素子。前記第1傾斜側面は、前記基準面に対して5°~85°の角度をなす、請求項1に記載の発光素子。前記凹凸構造は、凸部及び凹部を含み、前記凸部及び前記凹部のそれぞれは、前記第1方向の長さが前記第2方向の長さよりも長い、請求項1に記載の発光素子。前記凸部及び前記凹部の前記第2方向への断面形状は、正方形、矩形及び三角形などの多角形、又は、円形及び楕円形などの曲線形状、または尖状である、請求項6に記載の発光素子。前記基板は、前記基準面に対して傾斜した第2傾斜側面を有する、請求項1に記載の発光素子。前記第2傾斜側面は、第3方向の長さが第4方向の長さよりも長い凹凸構造を有し、前記第3方向は、前記第2傾斜側面の傾斜方向であり、前記第4方向は、前記第2傾斜側面の横方向である、請求項8に記載の発光素子。前記第2傾斜側面は、これと対応する第1傾斜側面と接し、同一の傾斜面上に設けられる、請求項9に記載の発光素子。前記第1傾斜側面及びこれに対応する第2傾斜側面上の凹凸構造は、互いに接し、同一のプロファイルを有する、請求項9に記載の発光素子。前記第2傾斜側面は、前記基準面に対して5°~85°の角度をなす、請求項8に記載の発光素子。前記メサエッチングによって前記第1部分の上部に形成されるメサ構造物の側面は垂直であり、ここで、前記メサ構造物は、前記第1導電型半導体層の第2部分、前記活性層、及び前記第2導電型半導体層を含み、前記第2部分は、前記第1部分の上部に位置する第1導電型半導体層の残りの部分である、請求項4に記載の発光素子。前記発光素子は、前記第2導電型半導体層上の伝導層をさらに含み、前記第2電極は、前記伝導層上に配置される、請求項1に記載の発光素子。前記第1傾斜側面と前記第2傾斜側面を連結する線は、前記基準面から5°~85°の角度をなす、請求項9に記載の発光素子。本発明は、発光素子の電気的特性及び光学的特性を向上させることを目的とする。実施例による発光素子は、基板と、前記基板上に第1導電型半導体層、活性層、及び第2導電型半導体層を含み、前記第1導電型半導体層の一部領域が露出される発光構造物と、前記露出される第1導電型半導体層の一部領域上の第1電極と、前記第2導電型半導体層上の第2電極と、を含み、前記発光構造物の側面は、前記基板から前記発光構造物に向かう方向と垂直な面を基準面としたときに、前記基準面に対して傾斜した第1傾斜側面を有し、前記第1傾斜側面は、当該第1傾斜側面の傾斜方向である第1方向の長さが、当該第1傾斜側面の横方向である第2方向の長さよりも長い凹凸構造を有する。前記発光素子は、前記第2導電型半導体層上の伝導層をさらに含み、前記第2電極は前記伝導層上に配置されることができる。前記第1傾斜側面は、前記第1導電型半導体層、前記活性層、及び前記第2導電型半導体層の側面からなることができる。また、前記第1傾斜側面は、前記第1導電型半導体層の側面からなることができる。前記第1傾斜側面は、前記基準面に対して5°~85°の角度をなすことができる。前記発光構造物は、前記第2導電型半導体層、前記活性層及び前記第1導電型半導体層の一部分がメサエッチングmesaetchingされて前記第1導電型半導体層の一部領域を露出し、前記第1傾斜側面は、前記メサエッチングによって露出される第1導電型半導体層の上面と前記基板との間に位置する第1導電型半導体層の第1部分の側面からなることができる。前記凹凸構造は凸部及び凹部を含み、前記凸部及び前記凹部のそれぞれは、前記第1方向の長さが前記第2方向の長さよりも長くすることができる。また、前記凸部及び前記凹部の前記第2方向への断面形状は、正方形、矩形及び三角形などの多角形であっても良く、円形及び楕円形などの曲線形状、または尖状であっても良い。前記基板は、前記基準面に対して傾斜した第2傾斜側面を有することができる。前記第2傾斜側面は、第1方向の長さが第2方向の長さよりも長い凹凸構造を有することができる。前記第2傾斜側面は、これと対応する第1傾斜側面と接し、同一の傾斜面上に設けられることができる。前記第1傾斜側面及びこれに対応する第2傾斜側面上の凹凸構造は互いに接し、同一のプロファイルを有することができる。前記第2傾斜側面は、前記基準面に対して5°~85°の角度をなすことができる。前記第1傾斜側面と前記第2傾斜側面は、前記基準面となす角度が互いに同一であっても良く、また、前記第1傾斜側面と前記第2傾斜側面は、前記基準面となす角度が互いに異なっても良い。前記メサエッチングによって前記第1部分の上部に形成されるメサ構造物の側面は垂直であり、ここで、前記メサ構造物は、前記第1導電型半導体層の第2部分、活性層及び第2導電型半導体層を含み、前記第2部分は、前記第1部分の上部に位置する第1導電型半導体層の残りの部分でありうる。前記第1傾斜側面と前記第2傾斜側面を連結する線は、前記基準面から5°~85°の角度をなすことができる。前記第2導電型半導体層から前記基板に向かうほど前記発光構造物の断面積が漸増することができる。実施例による発光素子パッケージは、パッケージボディーと、前記パッケージボディー上の発光素子と、前記パッケージボディー上に具備され、前記発光素子と連結される第1電極層と第2電極層と、前記発光素子を取り囲む充填材と、を含み、前記発光素子は、実施例による発光素子でありうる。実施例による照明装置は、基板上に複数個の発光素子パッケージを含み、光を放出する光源と、前記光源が内蔵されるハウジングと、前記光源の熱を放出する放熱部と、光源と放熱部をハウジングに結合するホルダーと、を含んでなり、前記発光素子パッケージは実施例による発光素子パッケージでありうる。上述した実施例による発光素子は、光学的特性及び電気的特性を向上させることができる。以下、添付の図面を参照し、実施例による発光素子、発光素子の製造方法及び発光素子パッケージについて説明する。上記の各実施例の説明において、各層膜、領域、パターンまたは構造物が基板、各層膜、領域、パッドまたはパターンの上onにまたは下underに形成されると記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは別の層を介在してindirectly形成されることを全て含む。また、各層の上または下は、図面を基準にして説明する。図面において、各層の厚さや大きさは、説明の便宜及び明確性のために誇張されたり、省略されたり、又は概略的に図示されている。また、各構成要素の大きさは実際の大きさを全的に反映するものではない。図1は、実施例による発光素子の斜視図である。図1を参照すると、発光素子は、基板100、前記基板100上の発光構造物105、伝導層150、第1電極170及び第2電極160を含む。前記発光構造物105は、第1導電型半導体層120、活性層130、第2導電型半導体層140を含む。例えば、前記発光構造物105は、前記基板100上に第1導電型半導体層120、活性層130、及び第2導電型半導体層140が順次に積層された構造とすることができる。ここで、前記発光構造物105は、窒化物半導体からなることができるが、これに限定されず、他の材質の発光構造物が形成されることもできる。前記基板100は、前記発光構造物105を支持し、透光性を有する材質、例えばサファイア基板、シリコンSi基板、酸化亜鉛ZnO基板及び窒化物半導体基板のうちいずれか一つ、または、GaN、InGaN、AlGaN、AlInGaN、SiC、GaP、InP、Ga203、そしてGaAsのうち少なくとも一つが積層されたテンプレートTemplate基板とすることができる。前記基板100上には前記第1導電型半導体層120が配置される。前記第1導電型半導体層120は、第1導電型半導体層のみで形成したり、前記第1導電型半導体層の下に非ドープの半導体層をさらに含むことができるが、これに限定されない。前記非ドープの半導体層は、前記第1導電型半導体層の結晶性を向上させるために形成される層であって、前記n型ドーパントがドーピングされないことで、前記第1導電型半導体層に比べて低い電気伝導性を有すること以外は、前記第1導電型半導体層と同様にすることができる。例えば、基板100と発光構造物105との間には2族乃至6族元素の化合物半導体を用いた層またはパターン、例えば、ZnO層図示せず、バッファ層図示せず、非ドープの半導体層図示せずのうち少なくとも一つの層が形成されることができる。バッファ層または非ドープの半導体層は、3族-5族元素の化合物半導体を用いて形成されることができ、バッファ層は、基板100との格子定数の差を減らすことができ、非ドープの半導体層は、ドーピングしないGaN系半導体で形成することができる。前記第1導電型半導体層120は、例えば、n型半導体層を含むことができ、前記n型半導体層は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInNなどから選択されることができ、Si、Ge、Sn、Se、Teなどのn型ドーパントがドーピングされることができる。前記第1導電型半導体層120上には前記活性層130が配置される。前記活性層130は例えば、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料を含んで形成することができ、量子細線Quantumwire構造、量子ドットQuantumdot構造、単一量子井戸構造、または多重量子井戸構造MQW:MultiQuantumWellのうち少なくとも一つを含むことができる。前記活性層130は、前記第1導電型半導体層120及び前記第2導電型半導体層140から提供される電子及び正孔の再結合recombination過程で発生されるエネルギーにより光を生成することができる。前記活性層130は、様々な波長を有する光の生成が可能な層であって、その生成する光の波長範囲は限定されない。前記活性層130上には前記第2導電型半導体層140が配置される。前記第2導電型半導体層140は、例えばp型半導体層として具現されることができ、前記p型半導体層は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばGaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInNなどから選択されることができ、Mg、Zn、Ca、Sr、Baなどのp型ドーパントがドーピングされることができる。ここで、上述とは異なり、前記第1導電型半導体層120がp型半導体層を含み、前記第2導電型半導体層140がn型半導体層を含むこともできる。また、前記第1導電型半導体層120上にはn型またはp型半導体層を含んでいる第3導電型半導体層図示せずが形成されることもでき、これによって本実施例による前記発光素子は、np、pn、npn、pnpの接合構造のうち少なくとも一つを有することができる。また、前記第1導電型半導体層120及び前記第2導電型半導体層140内の導電型ドーパントのドーピング濃度は、均一または不均一に形成されることができる。すなわち、前記複数の半導体層の構造は多様に形成されることができ、これに限定するものではない。前記発光構造物105は、第2導電型半導体層140、活性層130、及び第1導電型半導体層120の一部分がメサエッチングされて、第1導電型半導体層120の一部領域Pが露出された構造とすることができる。前記基板100及び前記発光構造物105のうち少なくとも一つは基準面に対して一定の角度で傾斜した傾斜側面142、144を有する。ここで基準面は、前記基板100の下部面、または前記基板100から前記発光構造物105に向かう方向と垂直な発光構造物105の水平面とすることができる。例えば、図1に示す発光素子は、前記基板100及び前記発光構造物105のそれぞれが、前記基準面を基準にして一定の角度で傾斜した傾斜側面142、144を有する。前記発光構造物105は、前記基準面を基準にして第1角度だけ傾斜した第1傾斜側面142を有し、前記基板100は、前記基準面を基準にして第2角度だけ傾斜した第2傾斜側面144を有することができる。例えば、前記第1角度及び前記第2角度は5°~85°とすることができ、互いに同一であっても良いが、これに限定されず、前記第1角度及び前記第2角度は、互いに異なっても良い。第1傾斜側面142とこれに対応する第2傾斜側面144とは、同一の傾斜面上で互いに接触/連結されることができる。図1に示すように、発光素子は、第1傾斜側面142を有する発光構造物105と、第2傾斜側面144を有する基板100とを具備することで、前記第2導電型半導体層140から基板100に向かうほど発光構造物105の断面積が漸増することができる。このような現象は、後述のようなエッチング工程を通じて形成されるからである。例えば、前記発光構造物105の第1傾斜側面142と、前記基板100の第2傾斜側面144とを連結する線は、前記基準面から5°~85°の角度をなすもので、前記基準面と平行なものではない。また、前記基板100と第1導電型半導体層120と活性層130及び第2導電型半導体層140のエッジ部分は丸くパターニングされており、それは、後述のように、エッチング工程で使用されるマスクのエッジが丸くパターニングされているからである。また、後述するマスクの形状にしたがって前記基板100と前記第1導電型半導体層120と前記活性層130、及び前記第2導電型半導体層140の側面には、多角形形状及び尖状などの凹凸パターン180が形成されることもできる。前記発光構造物105の第1傾斜側面142と前記基板100の第2傾斜側面144のうち少なくとも一つは凹凸パターンを有する。このとき、凹凸パターンは、傾斜方向の長さが前記傾斜方向の横方向の長さよりも大きい凹凸構造とすることができる。例えば、第1傾斜側面142の凹凸パターンは、第1方向の長さが第2方向の長さよりも長い凹凸構造であり、第2傾斜側面144の凹凸パターンは、第3方向の長さが第4方向の長さよりも長い凹凸構造とすることができる。第1方向は、第1傾斜側面142の傾斜方向111-1であり、第2方向は、第1傾斜側面142の横方向111-2とすることができる。また、第3方向は、第2傾斜側面144の傾斜方向112-1であり、第4方向は、第2傾斜側面144の横方向112-2とすることができる。このとき、傾斜方向111-1または112-1と横方向111-2または112-2とは互いに垂直とすることができる。第1傾斜側面142上の凹凸パターンと、これに対応する第2傾斜側面144上の凹凸パターンとは互いに接し、同一のプロファイルProfileを有することができる。具体的に、凹凸パターン180は凸部182及び凹部184を含み、凸部182及び凹部184は、第1方向の長さが第2方向の長さよりも大きい凸凹構造とすることができる。このとき、凸部182及び凹部184の第2方向への断面形状は、正方形、矩形、及び三角形などの多角形であっても良く、円形及び楕円形などの曲線形状、または尖状などの様々な形状とすることができる。前記伝導層150は、前記第2導電型半導体層140上に配置される。伝導層150は全反射を減少させるだけでなく、投光性がよいので活性層130から第2導電型半導体層140に放出される光の抽出効率を増加させる。伝導層150は、発光波長に対して透過率が高い透明な酸化物系物質からなることができる。例えば、透明な酸化物系物質には,ITOIndiumTinOxide、TOTinOxide、IZOIndiumZincOxide、ITZOIndiumTinZincOxide及びZnOZincOxideなどがある。発光構造物105がメサエッチングされて露出される第1導電型半導体層120の領域P上には第1電極170が配置され、第2導電型半導体層140の上の伝導層150上には第2電極160が配置されることができる。前記第1電極170と第2電極160は、Ti、Al、Alalloy、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Agalloy、Au,Hf、Pt、Ru及びAuなどのうち、一つ以上の物質または合金を含む物質であっても良く、その形態は、単層または多層とすることができる。図1に示した実施例による発光素子に電流を印加すると、電流が第1電極170と第2電極160に供給されるので、第2導電型半導体層140から活性層130に正孔が放出され、第1導電型半導体層120から活性層130に電子-が放出される。したがって、活性層130で正孔と電子が結合しながらエネルギー準位が低くなり、エネルギー準位が低くなると同時に放出されるエネルギーが光の形態で発散される。このとき、図1において矢印で示されたように、下方向に向かう光は、発光構造物105をなす各層の境界部分、またはサファイア基板100の境界面から反射されて、発光素子の前面に進行することができる。一般に、異種基板との格子不整合によるストレスによって、発光構造物をなす窒化物半導体単結晶の欠陥密度が非常に高く、したがって、発光素子の電気的光学的特性が低下することがある。そして、発光構造物が直角の構造になっているので光抽出効率が劣るが、これは臨界角内で発生されるフォトンPhotonが内部で損失されるからである。ところが、本実施例による発光素子は、基板100と発光構造物105が傾斜した側面142、144を有するように形成され、具体的には、基準面に対して5°~85°の角度で形成されることができる。したがって、傾斜側面142、144における光の反射は、光を発光素子の前面に、より多く反射させることができる。また、傾斜側面142、144上に凹凸パターン180を設けて、凹凸パターン180によって光の屈折角を変化させて光抽出効率ExtractionEfficiencyを増加させることができる。特に、発光構造物105をなす第1導電型半導体層120と活性層130、及び第2導電型半導体層140の側面に、第1方向の長さが第2方向の長さよりも大きい凹凸構造を有する凹凸パターン180を設けることによって、光の屈折角の変化による光抽出効率をさらに増加させることができる。図2a乃至図2gは、図1の発光素子の製造方法の一実施例を示す。まず、図2aに示すように、サファイア基板100上にバッファ層110を形成する。ここで、基板100としてサファイアAl2O3、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2O3、そしてGaAsなどが使用されることができる。そして、バッファ層110は、基板100と以後成長する窒化物半導体層との格子不整合及び熱膨張係数の差を減らすことができ、低温成長GaN層またはAlN層などで前記バッファ層110を成長させることができる。そして、図2bに示すように、前記バッファ層110上に窒化物半導体からなる発光構造物105を積層する。ここで、前記発光構造物105は第1導電型半導体層120と活性層130及び第2導電型半導体層140を含むことができる。前記発光構造物105は、例えば、有機金属化学蒸着法MOCVD;MetalOrganicChemicalVaporDeposition、化学蒸着法CVD;ChemicalVaporDeposition、プラズマ化学蒸着法PECVD;Plasma-EnhancedChemicalVaporDeposition、分子線成長法MBE;MolecularBeamEpitaxy、水素化物気相成長法HVPE;HydrideVaporPhaseEpitaxyなどの方法を用いて形成することができ、これに限定されるものではない。前記第1導電型半導体層120は、例えば、n型半導体層を含むことができ、前記n型半導体層は、InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1の組成式を有する半導体材料、例えばGaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInNなどから選択されることができ、Si、Ge、Sn、Se、Teなどのn型ドーパントがドーピングされることができる。そして、前記第1導電型半導体層120上に活性層130を成長させる。前記活性層130は、単一または多重量子井戸構造を有し、又、量子細線構造または量子ドット構造を含むこともできる。前記活性層130は、3族5族元素の化合物半導体材料を用いて少なくとも一つの周期を有する井戸層と障壁層、例えばInGaN井戸層/GaN障壁層、InGaN井戸層/AlGaN障壁層、及びInGaN井戸層/InGaN障壁層のうち少なくとも一つを含むことができる。前記活性層130の上又は/及び下には、導電型クラッド層が形成されることができ、前記導電型クラッド層はGaN系半導体で形成されることができる。そして、前記活性層130上に第2導電型半導体層140を成長させる。前記第2導電型半導体層140は、AlxInyGa1-x-yNの組成式ここで、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦xy≦1であるを有する窒化物半導体物質を含むことができ、Mg、Znなどのp型ドーパントを含むことができる。次いで、図2cに示すように、前記第2導電型半導体層140から前記第1導電型半導体層120の一部分までRIEReactiveIonEtching方式でメサエッチングする。すなわち、サファイア基板のように絶縁性基板を使用する場合、基板の下部に電極を形成できないため、前記第2導電型半導体層140から前記第1導電型半導体層120の一部分までメサエッチングすることによって、第1電極を形成できる空間を確保する。そして、図2dに示すように、マスク200、210を準備する。ここで、前記マスク200、210は、前記基板100とバッファ層110及び窒化物半導体をエッチングするときに使用され得る。基板上に窒化物半導体が垂直に成長された発光素子を形成する場合、窒化物半導体上に所望の大きさの単位発光素子を定義する感光膜パターンを形成した後、前記感光膜パターンをエッチングマスクとして、乾式エッチングなどの工程によって垂直に単位発光素子に分離することができる。ところが、本実施例では、窒化物半導体と基板100までも共に傾斜するようにエッチングするのでマスク100、210を覆うとき、分離された後の発光素子の間隔も考慮しなければならない。すなわち、マスク200、210の大きさは、メサエッチングされた第2導電型半導体層140の大きさと同一にまたは小さくすることができる。また、マスク210は、メサエッチングによって露出される第1導電型半導体層120の領域上にも位置する。そして、マスク200、210は、シリコン酸化物SiOxまたはシリコン窒化物SiNxからなることができ、電気的光学的特性を考慮して透明伝導性酸化物TCO;TransparentConductiveOxideを使用することができる。そして、第1マスク200は、分離する発光素子の形状を考慮して四角形形状で、側面に凹凸パターンを有していないが、第2マスク210は、発光素子の側面をパターニングするためにエッジがパターニングされた形状、または側面に凹凸パターン212を有することができる。次いで、図2e及び2fに示すように、前記第2導電型半導体層140上に第2マスク210を覆って、前記第2マスク210をエッチングマスクとして用いて、前記第2導電型半導体層140、活性層130、第1導電型半導体層120、バッファ層110及び基板100をエッチングする。このとき、図示のように、エッチング工程は、発光素子の各層layerを傾斜するようにパターニングする他、それぞれの発光素子を分離しなければならないので、基板100の全体をエッチングする。そして、第2マスク210のエッジを丸くパターニングしたものが示されているが、これに限定されず、多角形形状、尖状などの様々な形状の凹凸がパターニングされた第2マスク210を使用することができる。前記第2マスク210を用いて前記基板100及び前記発光構造物105をエッチングすることによって、前記基板100及び前記発光構造物105のそれぞれの側面を、前記基板100の下部面または水平面を基準にして一定の角度で傾斜するように形成し、前記基板100及び前記発光構造物105のそれぞれの側面に凹凸パターン180を形成する。このとき、凹凸パターン180は、第1方向の長さが第2方向の長さよりも大きい凹凸構造を有する。ここで、第1方向及び第2方向は、図1で上述した通りである。例えば、凹凸パターン180は、凸部182及び凹部184を含み、凸部182及び凹部184は、第1方向の長さが第2方向の長さよりも大きい凹凸構造とすることができる。このとき、凸部182及び凹部184の第2方向への断面形状は、正方形、矩形及び三角形などの多角形であっても良く、円形及び楕円形などの曲線形状、または尖状などの様々な形状とすることができる。そして、前記サファイア基板100のエッジと発光構造物105のエッジを連結する線は、水平面上から5°~85°の角度をなす。すなわち、直角より小さい角度をなすもので、水平面と平行なものではない。そして、エッチングは乾式エッチングによって行われることができ、図示のように、p型窒化物半導体層140から基板100まで順次に傾斜するようにすることができる。そして、上述した図2cの工程でメサエッチングによって除去された部分は傾斜しなくていい。エッチング工程が終了した後、基板100、バッファ層110、第1導電型半導体層120、活性層130及び第2導電型半導体層140は、エッジ部分が傾斜するように形成されてパターニングされる。上述したエッチング工程でマスク200、210の大きさをさらに大きくし、サファイア基板100のエッジ部分のみをパターニングすることができる。すなわち、窒化物半導体のエッジは垂直型とし、サファイア基板100のエッジのみを凹凸形状などでパターニングしても、活性層130から放出されてサファイア基板100まで進行された光を屈折/反射させて光抽出効率の増大を期待することができるからである。次いで、図2gに示すように、前記第2導電型半導体層140上に伝導層150を形成する。伝導層150は、図1での説明と同一でありうる。そして、伝導層150上に第2電極160を形成する。前記第2電極160は、それぞれクロムCr、ニッケルNi、金Au、アルミニウムAl、チタンTi、白金Ptのうち選択されたいずれか一つの金属、または前記金属などの合金で形成することができる。そして、メサエッチングされて露出された前記第1導電型半導体層120上に第1電極170を形成する。ここで、前記第1電極170は前記第2電極160の材料と同一の材料からなることができる。上述した各電極160、170は、蒸着法やスパッタリング法などで形成することができる。そして、各電極160、170の形成は、図2e及び図2fで説明した基板100と発光構造物105の側面を傾斜するようにパターニングする工程の以前に行われることもできる。図3は、発光素子パッケージの一実施例の断面図である。図3に示すように、実施例による発光素子パッケージは、パッケージボディー320と、前記パッケージボディー320に設置された第1電極層311及び第2電極層312と、前記パッケージボディー320に設置されて前記第1電極層311及び第2電極層312と電気的に連結される実施例による発光素子300と、前記発光素子300を取り囲む充填材340と、を含む。ここで、発光素子300は上述した実施例に記載された発光素子と同一である。前記パッケージボディー320は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成されることができ、前記発光素子300の周囲に傾斜面が形成されて光抽出効率を高めることができる。前記第1電極層311及び第2電極層312は互いに電気的に分離され、前記発光素子300に電源を提供する。また、前記第1電極層311及び第2電極層312は、前記発光素子300から発生された光を反射させて光効率を増加させることができ、前記発光素子300から発生された熱を外部に排出させる役割を果たすこともできる。前記発光素子300は、前記パッケージボディー320上に設置されても良く、前記第1電極層311または第2電極層312上に設置されても良い。前記発光素子300は、前記第1電極層311及び第2電極層312と、ワイヤー方式、フリップチップ方式、またはダイボンディング方式のうちいずれが一つによって電気的に連結されることができる。前記充填材340は、前記発光素子300を取り囲んで保護することができる。また、前記充填材340には蛍光体が含まれ、前記発光素子300から放出された光の波長を変化させることができる。前記発光素子パッケージは、上記に開示された各実施例の発光素子のうち少なくとも一つ、または複数個で搭載することができ、これに限定しない。また、実施例による発光素子パッケージは、複数個が基板上にアレイ配列され、前記発光素子パッケージの光経路上に光学部材である導光板、プリズムシート、拡散シートなどが配置されることができる。このような発光素子パッケージ、基板、光学部材は、ライトユニットとして機能することができる。また他の実施例は、上述した実施例に記載された半導体発光素子または発光素子パッケージを含む表示装置、指示装置、照明システムとして具現されることができ、例えば、照明システムは、ランプ及び街灯を含むことができる。図4は、他の実施例による発光素子を示す。図1の実施例とは異なって、活性層430と第2導電型半導体層440のエッジがパターニングされていない。発光素子は、基板400と、前記基板400上に積層された第1導電型半導体層420、前記第1導電型半導体層420上に配置される活性層430、前記活性層430上に配置される第2導電型半導体層440を含む発光構造物405と、前記第2導電型半導体層上の伝導層450と、前記第1導電型半導体層420上の第1電極470と、前記伝導層450上の第2電極460と、を具備する。ここで、それぞれの層の組成は、図1に示された実施例と同一でありうる。前記基板400は、前記基板400の下部面または水平面を基準にして第1角度だけ傾斜した第1傾斜側面442を有し、前記発光構造物405の第1導電型半導体層420は、前記基板400の下部面または水平面を基準にして第2角度だけ傾斜した第2傾斜側面444を有する。前記発光構造物405をなす残りの活性層430及び第2導電型半導体層440の側面は、前記基板400の下部面または水平面を基準にして垂直とすることができる。ここで、水平面は、前記基板400から前記発光構造物405に向かう方向と垂直な面とすることができる。このとき、第1角度及び第2角度は同一であっても良く、例えば、前記第1角度及び前記第2角度は5°~85°とすることができる。また、第1傾斜側面442と第2傾斜側面444は、同一の傾斜面上で互いに接触/連結されることができる。図4に示すように、発光素子は、前記第1導電型半導体層420の上面から基板400に向かうほど第1導電型半導体層420の断面積を漸増させる第2傾斜側面444を有することができる。例えば、前記基板400の第1傾斜側面442と、前記発光構造物405の第2傾斜側面444とを連結する線は、前記基板400の下部面または水平面から5°~85°の角度をなすことができる。また、前記基板400の第1傾斜側面442及び前記第1導電型半導体層420の第2傾斜側面444は凹凸パターン480を有する。このとき、第1傾斜側面442と第2傾斜側面444とに形成される凹凸パターン480は、第1方向の長さが第2方向の長さよりも大きい凹凸構造を有する。ここで、前記第1方向及び前記第2方向は、上述した通りである。例えば、凹凸パターン480は、凸部482及び凹部484を含み、凸部482及び凹部484は、第1方向の長さが第2方向の長さよりも大きい凸凹構造とすることができる。このとき、凸部482及び凹部484の第2方向への断面形状は、正方形、矩形及び三角形などの多角形であっても良く、円形及び楕円形などの曲線形状、または尖状などの様々な形状とすることができる。図4に示した実施例による発光素子に電流を印加すると、活性層430で正孔と電子が結合しながらエネルギー準位が低くなり、エネルギー準位が低くなると同時に放出されるエネルギーが光の形態で発散される。このとき、矢印で示されたように、活性層430から下方向に向かう光は、第1導電型半導体層420及び基板400の境界面から反射されて発光素子の前面に進行することになる。したがって、実施例による発光素子は、従来の発光素子において異種基板との格子不整合によるストレスによって、窒化物半導体単結晶の欠陥密度が非常に高く、したがって、発光素子の電気的光学的特性が低下され、臨界角内で発生されるフォトンが内部で損失される問題点を解決できる。すなわち、実施例による発光素子は、基板400と第1導電型半導体層420の側面が水平面に対して5°~85°の角度で傾斜するように形成されて、傾斜した側面での光の反射は、光を発光素子の前面に、より多く反射させることができ、傾斜側面442、444の凹凸パターン480は、光の屈折角を変化させて光抽出効率を増加させることができる。特に、基板400と第1導電型半導体層420の側面がパターニングされ、光の屈折角の変化による光抽出効率をさらに増加させることができる。図5a乃至図5gは、図4の発光素子の製造方法の一実施例を示す図である。図5a乃至5cに示された工程は、図2a乃至図2cでの説明と同一であり、その重複説明は省略する。また、図5dに示されたマスク500、510は、その形態は、図2dに示すものと同一であるが、本実施例では、活性層430と第2導電型半導体層440のエッジがエッチングされることを防止するために、前記第1マスク500及び第2マスク510の面積は、メサエッチングされた後の前記活性層430と第2導電型半導体層440の面積より大きく、前記第1導電型半導体層420の面積より小さくすることができる。次いで、図5e及び5fに示すように、前記第2導電型半導体層440上に第2マスク510を覆う。このとき、メサエッチングによって露出される第1導電型半導体層420の領域上にも第2マスク510が位置することができる。そして、第2マスク510を用いて前記第1導電型半導体層420をエッチングする。このとき、前記バッファ層410と基板400までも共にエッチングすることもできる。前記第2マスク510を用いて前記基板400及び前記発光構造物405をエッチングすることによって、前記第1導電型半導体層420の側面と前記基板400の側面を、基準面を基準にして一定の角度例えば、5°~85°で傾斜するように形成して、前記基板400及び前記第1導電型半導体層420のそれぞれの側面に凹凸パターン480を形成する。このとき、凹凸パターン480は、第1方向の長さが第2方向の長さよりも大きい凹凸構造を有する。図5fに示された凹凸パターン480は、図4で説明した通りである。ここで、前記各層のエッジのエッチング工程は、図2e及び図2fに示された工程と同様であるが、本実施例では、マスク510の大きさによって前記第2導電型半導体層440と前記活性層430のエッジはエッチングされない。次いで、図5gに示すように、前記第2導電型半導体層440上に伝導層450を形成する。そして、前記伝導層450上に第2電極460を形成し、メサエッチングによって露出された前記第1導電型半導体層420上に第1電極470を形成する。ここで、各電極460、470の材料、及びその形成方法は、上述した実施例と同一である。図6は、更に他の実施例による発光素子を示す。図6を参照すると、発光素子は、基板610、発光構造物605、伝導層650、第1電極670、及び第2電極660を含む。前記発光構造物605は、基板610上に配置され、第1導電型半導体層620と活性層630と第2導電型半導体層640とを含む。発光構造物605は、第2導電型半導体層640と活性層630、及び第1導電型半導体層620の一部分がメサエッチングされて、第1導電型半導体層620の一部領域を露出する。前記基板610及び前記第1導電型半導体層620の第1部分612は、基準面601を基準にして一定の角度θだけ傾斜した傾斜側面を有する。例えば、前記第1導電型半導体層620の第1部分612は、前記基準面601に対して第1角度例えば、5°~85°で傾斜した第1傾斜側面622を有する。このとき、第1導電型半導体層620の第1部分612は、メサエッチングによって露出される第1導電型半導体層620の上面と前記基板610との間に位置する第1導電型半導体層620の一部分のことをいう。また、前記基板610は、前記基準面601に対して第2角度例えば、5°~85°で傾斜した第2傾斜側面624を有し、ここで、基準面601は、基板610の下部面、または前記基板610から前記発光構造物605に向かう方向と垂直な発光構造物605の水平面とすることができる。また、前記第1角度及び前記第2角度は5°~85°とすることができ、互いに同一であっても良いが、これに限定されず、前記第1角度及び前記第2角度は、互いに異なっても良い。また、第1傾斜側面622と第2傾斜側面624は、互いに接し、同一の傾斜面上に位置することができる。メサエッチングによって形成されるメサ構造物614の側面は垂直とすることができるが、これに限定されず、前記基準面601に対して一定の傾斜を有する傾斜面とすることもできる。このとき、メサ構造物614は、前記第1導電型半導体層620の第2部分613と、活性層630と、第2導電型半導体層640とを含む。ここで、第1導電型半導体層620の第2部分613は、前記第1部分612の上部に位置する第2導電型半導体層620の残り部分のことをいう。凹凸パターン680は、第1傾斜側面622と第2傾斜側面624のうち少なくとも一つの表面に形成されることができ、傾斜方向の長さが横方向の長さよりも大きい凹凸構造とすることができる。例えば、第1傾斜側面622の凹凸パターンは、第1方向の長さが第2方向の長さよりも長い凹凸構造であり、第2傾斜側面624の凹凸パターンは、第3方向の長さが第4方向の長さよりも長い凹凸構造とすることができる。第1方向は、第1傾斜側面622の傾斜方向111-1であり、第2方向は、第1傾斜側面622の横方向111-2とすることができる。また、第3方向は、第2傾斜側面624の傾斜方向112-1であり、第4方向は、第2傾斜側面624の横方向112-2とすることができる。このとき、傾斜方向111-1または112-1と横方向111-2または112-2とは互いに垂直とすることができる。このとき、第1傾斜側面622上の凹凸パターンと、これに対応する第2傾斜側面624上の凹凸パターンとは、互いに接し、同一のプロファイルを有することができる。具体的に、凹凸パターン680は、凸部682及び凹部684を含み、凸部682及び凹部684は、傾斜方向の長さが横方向の長さよりも大きい凹凸構造とすることができる。このとき、凸部682及び凹部684の第2方向への断面形状は、正方形、矩形及び三角形などの多角形であっても良く、円形及び楕円形などの曲線形状、または尖状などの様々な形状とすることができる。実施例による発光素子は、基板610と、第1導電型半導体層620の第1部分612のそれぞれの側面が基準面601に対して5°~85°の角度で傾斜して形成されて、傾斜した側面での光の反射は、光を発光素子の前面に、より多く反射させることができ、また傾斜側面622、624の凹凸パターン680は、光の屈折角を変化させて光抽出効率を増加させることができる。図7a乃至図7cは、図6の発光素子の製造方法の一実施例を示す図である。まず、図7aに示すように、サファイア基板610上に、第1導電型半導体層620と活性層630と第2導電型半導体層640とを含み、第1導電型半導体層620の一部領域を露出する発光構造物605を形成する。ここで、格子定数の差を減らすために、前記基板610と前記第1導電型半導体層620との間にバッファ層図示せずを形成することができる。例えば、基板610上に第1導電型半導体層620、活性層630、及び第2導電型半導体層640を順次に形成する。そして、前記第2導電型半導体層640から前記第1導電型半導体層620の一部分までRIE方式でメサエッチングして、前記第1導電型半導体層620の一部領域を露出する。次に、図7bに示すように、発光構造物605上にマスク710を覆って、前記マスク710をエッチングマスクとして用いて、メサエッチングによって露出される第1導電型半導体層620のエッジ部分及びその下部の基板610をエッチングする。マスク710の形状は分離する発光素子の形状を考慮して決定できる。例えば、マスク710は四角形形状とすることができ、側面に凹凸パターンを有することができる。マスク710を用いて、露出される第1導電型半導体層620のエッジ部分と、その下部の基板100まで共に傾斜するようにエッチングする。次に、図7cに示すように、前記マスク710を用いて、前記メサエッチングによって露出される第1導電型半導体層620のエッジ部分及びその下部の基板610をエッチングすることによって、第1導電型半導体層620の第1部分612の側面と、その下部の基板610の側面を基準面601に対して一定の角度例えば、5°~85°で傾斜するように形成できて、傾斜した側面には凹凸パターン680が形成されることができる。ここで、凹凸パターン680は傾斜方向の長さが横方向の長さよりも大きい凹凸構造を有する。メサ構造物614の側面はエッチングが遮断されるので垂直とすることができる。ここで、第1導電型半導体層620の第1部分612、基準面601、メサ構造物614、傾斜方向及び横方向は、図6での説明と同一であり、その説明を省略する。図8は、実施例による発光素子パッケージを含む照明装置の一実施例の分解斜視図である。図8を参照すると、実施例による照明装置は、光を投射する光源750と、前記光源750が内蔵されるハウジング700と、前記光源750の熱を放出する放熱部740と、前記光源750と放熱部740とを前記ハウジング700に結合するホルダー760と、を含んでなる。前記ハウジング700は、電気ソケット図示せずに結合されるソケット結合部710と、前記ソケット結合部710と連結され、光源750が内蔵されるボディー部730とを含む。ボディー部730には、一つの空気流動口720が貫通して形成されることができる。前記ハウジング700のボディー部730上に複数個の空気流動口720が具備されており、前記空気流動口720は、一つの空気流動口からなることもでき、複数個の流動口を、図示のような放射状の配置以外に多様に配置することもできる。そして、前記光源750は、基板754上に複数個の発光素子パッケージ752が具備される。ここで、前記基板754は、前記ハウジング700の開口部に挿入可能な形状とすることができ、後述のように、放熱部740に熱を伝達するために熱伝導率の高い物質からなることができる。そして、前記光源750の下部にはホルダー760が具備され、前記ホルダー760はフレームと、また他の空気流動口とを含むことができる。また、図示されていないが、前記光源750の下部には光学部材が具備されて、前記光源750の発光素子パッケージ752から投射される光を拡散、散乱または収斂させることができる。実施例による照明装置は、光効率が向上された発光素子パッケージを使用して、照明装置の発光効率を向上させることができる。図9aは、実施例による発光素子パッケージを含む表示装置を示し、図9bは、図9aに示された表示装置の光源の断面図である。図9a及び図9bを参照すると、表示装置は、バックライトユニット及び液晶表示パネル860、トップカバー870Topcover、固定部材850を含む。バックライトユニットは、ボトムカバー810Bottomcoverと、ボトムカバー810の内部の一側に設けられる発光モジュール880と、ボトムカバー810の前面に配置される反射板820と、反射板820の前方に配置されて、発光モジュール880から発散される光を表示装置の前方に案内する導光板830と、導光板830の前方に配置される光学部材840と、を含む。液晶表示装置860は、光学部材840の前方に配置され、トップカバー870は、液晶表示パネル860の前方に設けられ、固定部材850は、ボトムカバー810とトップカバー870との間に配置され、ボトムカバー810とトップカバー870を共に固定させる。導光板830は、発光モジュール880から放出される光が面光源の形態で出射されるように案内する役割を果たし、前記導光板830の後方に配置される反射板820は、前記発光モジュール880から放出された光を前記導光板830の方向に反射させ、光効率を高める役割を果たす。ただし、反射板820は、本図面のように別途の構成要素として設けられることもでき、導光板830の後面やボトムカバー810の前面に反射度の高い物質でコーティングされる形態で設けられることも可能である。ここで、反射板820は、反射率が高く、超薄型で使用可能な素材を使用することができ、ポリエチレンテレフタルレートPolyEthyleneTerephtalate;PETを使用することができる。そして、導光板830は、発光モジュール880から放出される光を散乱させて、その光が液晶表示装置の画面の全領域にわたって均一に分布されるようにする。したがって、導光板830は、屈折率と透過率の良い材料からなり、ポリメチルメタアクリレートPolyMethylMethAcrylate;PMMA、ポリカーボネートPolyCarbonate;PC、又はポリエチレンPolyEthylene;PEなどで形成されることができる。そして、光学部材840は、前記導光板830の上部に具備され、導光板830から出射される光を所定の角度で拡散させる。光学部材840は、前記導光板830によって導かれた光を液晶表示パネル860の方向に均一に照射させる。光学部材840としては、拡散シート、プリズムシート又は保護シートなどの光学シートを選択的に積層したり、マイクロレンズアレイを使うこともできる。このとき、複数個の光学シートを使うこともでき、光学シートは、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂又はシリコン樹脂などの透明樹脂からなることができる。そして、上述したプリズムシート内に蛍光シートが含まれることもできることは、上述した通りである。そして、光学部材840の前面には液晶表示パネル860が具備されることができる。勿論、液晶表示パネル860の他に、光源を必要とする他の種類の表示装置を具備することもできる。ボトムカバー810上には反射板820が置かれ、反射板820の上には導光板830が置かれる。したがって、反射板820が直接に放熱部材図示せずと接触することもできる。発光モジュール880は、発光素子パッケージ881及び印刷回路基板882を含む。発光素子パッケージ881は印刷回路基板882上に実装される。ここで、発光素子パッケージ881は、図3に示された実施例でありうる。印刷回路基板882は、ブラケット812上に接合されることができる。ここで、ブラケット812は、発光素子パッケージ881の固定の他に、熱放出のために熱伝導率が高い物質からなることができ、図示されていないが、ブラケット812と発光素子パッケージ881との間には熱パッドが具備されて、熱伝達を容易にすることができる。そして、ブラケット812は、図示のように、L字状で具備され、横部812aはボトムカバー810によって支持されて、縦部812bは印刷回路基板882を固定することができる。以上の実施例に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも一つの実施例に含まれるもので、必ず一つの実施例にのみ限定されるものではない。なお、各実施例で例示された特徴、構造、効果などは、実施例の属する分野における通常の知識を有する者なら、様々に組み合わせまたは変形して実施することができる。したがって、それら組み合わせ及び変形に関係する内容はいずれも、本発明の範囲に含まれるものとして解釈すべきである。"