"少なくとも一つの電気機械マイクロシステム又はナノシステムを備えたボロメータであって、前記電気機械マイクロシステム又はナノシステムが、支持体8と、懸架手段6によって前記支持体8の上方に懸架された可動質量4と、作動手段12と、検出手段14とを備え、前記懸架手段6が少なくとも二つの梁を備え、前記可動質量が光フラックスFの吸収体を形成していて、前記作動手段12が、前記可動質量の正中面内において前記可動質量の固有変形モードに従った共鳴振動数で前記可動質量4を振動させるように構成されていて、前記正中面が前記基板に対して実質的に固定されていて、前記検出手段14が前記可動質量4の振動数の変動を検出し、前記梁6の厚さが前記可動質量4の厚さの少なくとも10分の1である、ボロメータ。前記可動質量4がプレート状であり、前記可動質量の正中面が前記プレートの面である、請求項1に記載のボロメータ。前記作動手段12が、静電型であり、前記支持体8の上に、前記可動質量4の横に配置された少なくとも一つの作動電極を備える、請求項1又は2に記載のボロメータ。前記検出手段12が、容量性であり、前記支持体8の上に、前記可動質量4の横に配置された少なくとも一つの検出電極を備える、請求項1から3のいずれか一項に記載のボロメータ。前記懸架手段6が、振動の節に沿って配置された少なくとも二つの梁を備える、請求項1から4のいずれか一項に記載のボロメータ。前記光フラックスFを受光するために前記可動質量4の第一の面の上に反射防止手段19を備えた請求項1から5のいずれか一項に記載のボロメータ。前記光フラックスFを受光するために前記可動質量4の第一の面の上に、前記可動質量4の膨張係数とは異なる膨張係数を有する物質層を備えた請求項1から6のいずれか一項に記載のボロメータ。前記反射防止手段19が物質層で形成されていて、該物質層が、前記可動質量4の膨張係数とは異なる膨張係数を有する物質層も形成している、請求項7に記載のボロメータ。前記光フラックスFを受光するために前記第一の面の反対側の前記可動質量4の第二の面の上に光反射体16を備えた請求項1から8のいずれか一項に記載のボロメータ。前記光フラックスFを受光するために前記第一の面の反対側の前記可動質量4の第二の面に向き合う前記支持体8の上に光反射体16’を備え、光学共鳴キャビティ17’が前記光反射体16’と前記可動質量の第二の面との間に形成されている、請求項1から8のいずれか一項に記載のボロメータ。前記可動質量4及び前記懸架手段4が、結晶性半導体、例えばシリコン又はSiGeで形成されている、請求項1から10のいずれか一項に記載のボロメータ。前記懸架手段の物質が、前記可動質量の物質とは異なり、好ましくは結晶性物質である、請求項1から10のいずれか一項に記載のボロメータ。アレイに配置された請求項1から12のいずれか一項に記載のボロメータを複数備えたアセンブリ。請求項1から13のいずれか一項に記載のボロメータ又はアセンブリと、電子制御回路31とを備えた温度測定アセンブリであって、前記電子制御回路31が、前記ボロメータの電力供給を保証して、前記作動手段12によって前記可動質量4の自己発振の設定を制御して、且つ、前記検出手段14によって前記可動質量4の振動数の変動を測定するように構成されている、温度測定アセンブリ。前記電子制御回路31が、伸張ワイングラスモード又はラーメモード等の体積モードに従って前記可動質量4又は前記可動質量のアセンブリが振動するように設定する、請求項14に記載の温度測定アセンブリ。少なくとも一つのボロメータ2の上方に配置された光学集束デバイス33を更に備え、前記光学集束デバイス33が、前記光学フラックスFと前記可動質量4の第一の面との間に存在する、請求項14又は15に記載の温度測定アセンブリ。前記電子制御回路31及び前記ボロメータ2がアセンブルされていて、前記電子制御回路及び前記ボロメータが重ねられている、請求項14から16のいずれか一項に記載の温度測定アセンブリ。一つ又は複数のボロメータに異なる振動数の作動信号を同時に送信するための少なくとも一つの作動ワイヤと、一つ又は複数のボロメータから異なる振動数の検出信号を収集するための少なくとも一つの検出ワイヤとを備えた請求項14から17のいずれか一項に記載の温度測定アセンブリ。請求項1から13のいずれか一項に記載のボロメータを少なくとも一つ製造するための製造方法であって、前記ボロメータ2が表面技術を用いて製造され、前記懸架手段6、前記可動質量4がそれぞれ、異なる導電体又は半導体の第一の層24、第二の層30内に形成される、製造方法。基板20の上に酸化物層22を堆積させるステップと、導電体又は半導体の第一の層24を形成するステップと、前記導電体又は半導体の第一の層24をエッチングするステップと、エッチングされた前記導電体又は半導体の第一の層の上に第二の酸化物層26を堆積させるステップと、前記導電体又は半導体の第一の層24で停止するように前記第二の酸化物層26を平坦化するステップと、第三の酸化物層28を堆積させるステップと、前記第三の酸化物層28をエッチングして、前記懸架手段6間に配置される領域において前記導電体又は半導体の第一の層24を露出させるステップと、導電体又は半導体の第二の層30を形成するステップと、前記導電体又は半導体の第二の層30をエッチングするステップと、前記第二の酸化物層をエッチングするステップと、前記第一の酸化物層をエッチングすることによって前記可動質量を解放するステップとを備えた請求項19に記載の製造方法。前記導電体又は半導体の第一の層24及び/又は前記導電体又は半導体の第二の層30がエピタキシャル成長によって形成される、請求項20に記載の製造方法。前記導電体又は半導体の第一の層24の厚さが、前記導電体又は半導体の第二の層30の厚さよりも薄い、請求項20又は21に記載の製造方法。前記第一の酸化物層22のエッチングが、深掘り反応性イオンエッチングによって行われる、請求項20から22のいずれか一項に記載の製造方法。前記導電体又は半導体の第二の層の形成の後に反射防止層を堆積及びエッチングするステップを備えた請求項20から23のいずれか一項に記載の製造方法。請求項1から13のいずれか一項に記載のボロメータを少なくとも一つ製造するための製造方法であって、少なくとも一つの前記ボロメータが表面技術を用いて形成され、前記懸架手段6及び前記可動質量4が導電体又は半導体、好ましくは結晶性の層124から形成される、製造方法。基板の上に酸化物層122を堆積させるステップと、導電体又は半導体の層124を形成するステップと、前記懸架手段の横方向の画定のために前記導電体又は半導体の層124をエッチングするステップと、前記懸架手段に対して前記可動質量を画定するために樹脂の層128を堆積及びリソグラフィするステップと、前記懸架手段を備えた領域を薄化するステップと、前記酸化物層122をエッチングすることによって前記可動質量4を解放するステップとを備えた請求項25に記載の製造方法。従って、本発明の一つの課題は、ジョンソンノイズ及び1/fノイズを有さずに、上述の自己発熱の問題を解消するボロメータを提供することである。上述の課題は、その共鳴振動数で振動するように設定された少なくとも一つの電気機械マイクロ構造又はナノ構造を用いたボロメータによって解決される。光フラックスの加熱による振動数の変動は、構造が配置されている環境の温度を決定することを可能にする。電気機械マイクロ構造又はナノ構造は、可動質量を備え、その可動質量は、その平面に沿って振動することによって、可動質量に入射する光フラックスの入射角の変化を回避する。従って、本発明のボロメータは、電気抵抗を用いるものではなく、振動数の変動を用いるものであり、MEMS又はNEMS構造の可動質量がボロメータの吸収体を形成する。特に有利には、振動数の変動は、キャパシタンス容量の変動によって検出される。従って、1/fノイズ及びジョンソンノイズが回避される。従って、サーミスタの分極による自己発熱現象と、その結果としての全体的なノイズの増大が排除される。従って、本発明の主題は、少なくとも一つの電気機械マイクロシステム又はナノシステムを備えたボロメータであって、そのマイクロシステム又はナノシステムは、支持体と、懸架手段によって支持体の上方に懸架された可動質量その可動質量は光フラックス吸収体を形成していると、可動質量の正中面その正中面は基板に対して実質的に固定されているに沿ったその質量の固有変形モードに従った共鳴振動数で振動するように可動質量を設定するように構成された作動電極と、可動質量の振動数の変動を検出する検出手段とを備える。可動質量の正中面は、基板に対して実質的に固定されているとみなされる。何故ならば、質量は、懸架手段によって定められる軸周りに実質的に旋回することなく、その平面に沿って主に変形するからである。可動質量はプレート状であることが好ましく、可動質量の正中面が、プレートの平面となる。本願において、プレートとは、平面に沿って主に延伸し、厚さの薄い素子を意味する。プレートは例えば矩形のプレート又はディスクであり得る。一実施形態によると、作動手段は、静電型であり、支持体上に存在し且つ可動質量の横に配置された少なくとも一つの作動電極を備える。他の実施形態によると、検出手段は、容量性キャパシタタイプであり、支持体上に存在し且つ可動質量の横に配置された少なくとも一つの検出電極を備える。懸架手段は、振動の節に沿って配置された少なくとも二つの梁、又は振動の腹に沿って配置された少なくとも四つの梁を備え得る。好ましくは、梁は、可動質量の厚さに対して非常に小さな厚さ及び幅を有する。例えば、梁の厚さは、質量の厚さの10分の1である。例えば、梁の幅はその厚さに実質的に等しい。本発明のボロメータは、光フラックスを受光するために可動質量の第一の面の上に反射防止手段を備え得る。また、本発明のボロメータは、光フラックスを受光するために可動質量の第一の面の上に堆積され且つ可動質量の膨張係数とは異なる膨張係数を有する物質層を備え得る。例えば、その層の膨張係数は、可動質量の物質の膨張係数の少なくとも2倍又は2分の1であり得る。好ましくは、反射防止手段は物質層で形成され、その物質層が、上記可動質量の膨張係数とは異なる膨張係数を有する物質層も形成する。追加的な一特徴によると、本発明のボロメータは、光反射体を備え得て、その光反射体は、光フラックスを受光するために第一の面の反対側の可動質量の第二の面の上に配置され、可動質量が光学共鳴キャビティを形成するか、又は、その光反射体は、光フラックスを受光するために第一の面の反対側の可動質量の第二の面に対面する支持体の上に配置され、光反射体と可動質量の第二の面との間に光学共鳴キャビティが形成される。例えば、可動質量は実質的にディスク状であり、作動電極及び/又は検出電極が、ディスクの外形に対応する湾曲した形状を有する。可動質量及び/又は懸架手段は好ましくは半導体製であり、最も有利には結晶性のものであり、例えばシリコン又はSiGe製である。本発明の他の主題は、アレイに配置された本発明に係る複数のボロメータのアレイである。本発明の更なる主題は、本発明に係る一つ又は複数のボロメータと、電子制御回路とを備えた温度測定アセンブリであって、その電子制御回路は、そのボロメータの電力供給を保証し、作動手段によって可動質量の自己発振の設定を制御し、検出手段によって可動質量の振動数の変動を測定するように構成される。有利には、電子制御回路は、伸張ワイングラスモードやラーメモード等の体積モードに従って可動質量又は一組の可動質量が振動するように設定する。また、本発明に係る測定アセンブリは、少なくとも一つのボロメータの上方に配置された光学集束デバイスも備え、その光学集束デバイスは、光フラックスと可動質量の第一の面の間に存在する。測定アセンブリは、各ボロメータに対して一つの光学集束デバイスを備えるか、又は全てのボロメータに対して一つの光学集束デバイスを備え得る。例えば、電子制御回路とボロメータがアセンブルされて、制御回路とボロメータが重ねられる。有利には、複数のボロメータを備えた本発明に係る測定アセンブリは、複数のボロメータに異なる振動数の作動信号を同時に送信する少なくとも一つの作動ワイヤと、複数のボロメータから異なる振動数の検出信号を収集する少なくとも一つの検出ワイヤとを含む。これによって、作動信号の多重化及び検出信号の逆多重化が提供される。ボロメータと電子回路との間の電気接続は例えば貫通ビアによって形成される。ボロメータ及び電子回路のアセンブルは接合によって達成可能である。一変形例では、ボロメータ及び電子回路のアセンブル及び接続は、マイクロボールバンプによって達成可能である。本発明の更なる主題は、本発明に係る少なくとも一つのボロメータを製造するための方法であり、その少なくとも一つのボロメータが表面技術を用いて製造され、懸架手段、可動質量がそれぞれ、異なる導電体又は半導体の第一の層、第二の層内に得られる。一例では、本方法は、‐基板の上に酸化物層を堆積させるステップと、‐導電体又は半導体の第一の層を形成するステップと、‐導電体又は半導体の第一の層をエッチングするステップと、‐導電体又は半導体の第一の層の上に第二の酸化物層を堆積させるステップと、‐導電体又は半導体の第一の層で停止するように第二の酸化物層を平坦化するステップと、‐第三の酸化物層を堆積させるステップと、‐第三の酸化物層をエッチングして、懸架手段と懸架手段の間に配置される領域において導電体又は半導体の第一の層を露出するステップと、‐導電体又は半導体の第二の層を形成するステップと、‐導電体又は半導体の第二の層をエッチングするステップと、‐第二の酸化物層をエッチングするステップと、‐第一の酸化物層をエッチングすることによって可動質量を解放するステップとを備え得る。導電体又は半導体の第一及び/又は第二の層の形成は、例えばエピタキシャル成長によって達成される。導電体又は半導体の第一の層は、導電体又は半導体の第二の層よりもはるかに薄い厚さを有し得る。第一の酸化物層のエッチングは、例えば深掘り反応性イオンエッチングによって達成される。本発明に係る製造方法は、導電体又は半導体の第二の層の形成の後に、例えば反射防止層を堆積及びエッチングするステップを備える。本発明に係る少なくとも一つのボロメータを製造するための方法の他の例では、その少なくとも一つのボロメータが表面技術を用いて製造され、懸架手段及び可動手段が、一つの導電体又は半導体の層から得られる。本方法は、‐基板の上に酸化物層を堆積させるステップと、‐導電体又は半導体の層を形成するステップと、‐懸架手段を横方向に画定するために導電体又は半導体の層をエッチングするステップと、‐懸架手段に対して可動質量を画定するために樹脂層の堆積及びリソグラフィを行うステップと、‐懸架手段を含む領域を薄化するステップと、‐酸化物層をエッチングすることによって可動質量を解放するステップとを備え得る。懸架手段及び可動質量は、一つの導電体又は半導体の層から形成されるか、又は異なる導電体又は半導体の第一の層と第二の層の中に形成されて、それら導電体又は半導体の層のエッチングは、深掘り反応性イオンエッチングであり得る。薄化ステップは、例えば、反応性イオンエッチング又は深掘り反応性イオンエッチングによって行われる。反射防止層の堆積及びエッチングステップは、樹脂の堆積の前に行われ得る。可動質量の解放は、例えばフッ化水素酸のウェット又はドライエッチングによって達成される。本発明は、以下の説明及び添付図面によってより良く理解されるものである。図1、図2及び図3は、本発明に係るボロメータ2の実施形態の一例を示す。ボロメータ2は、梁6から懸架された少なくとも一つの可動質量を形成する懸架部4を備え、その梁は、アンカーパッド10を用いて、図2及び図3に見て取れる基板8上に固定されていて、基板8及びパッド10がボロメータ用の固定支持体を形成している。また、ボロメータは、可動質量4がその共鳴振動数で振動するように設定するための手段と、温度の関数として可動質量4の振動数の変動を検出するための手段も備える。図示されている例において、作動手段は、静電型のものであり、一つ又は複数の作動電極12を備える。この特に有利な実施形態では、検出手段は容量性のものであり、一つ又は複数の検出電極14を備える。以下に見られるように、この検出モードは限定的なものではない。以下、本発明に係るボロメータによって用いられる一般的な検出原理について説明する。振動質量は、光フラックス吸収体を形成する。以下の説明において、可動質量、振動質量、吸収体との用語は、可動質量4を指称するものとして区別なく用いられる。可動質量4は、その共鳴振動数で振動するように設定される。例えば位相ロックループPLL,phase-lockloop型の閉ループ電子機器によって、振動質量4を、制御された振幅での振動に維持して、その機械的な振動の振動数の連続的な情報を得ることが可能になる。その共鳴振動数は、ボロメータの構造物質に依存した法則に従う環境の温度変化を感知できる。小さな温度変化では、この現象を説明するのに線形の法則を用いることができる。温度に対する振動数の振る舞いは、熱係数αTによって完全に特徴付けられる:αT=1/f∂f/∂TIここで、fは系の共鳴振動数である。振動数/温度の比である応答Rは、最終的に以下の式によって与えられる:R=f0αT/GIIここで、Gは、懸架梁の熱コンダクタンスである。従って、振動数の変動の測定は、環境の温度に対する情報を与える。以下、本発明に係るボロメータについて詳細に説明する。可動質量4は、ボロメータの吸収体を形成し、赤外線光フラックスに晒される。図示される例では、可動質量は実質的にディスク状であるが、この形状は限定的なものではなく、図4Aから図4Cに示されるように、ディスク状であってもよく、四辺形例えば正方形であってもよい。一般的に、質量はプレートであり、矩形の場合にはその長さ及び幅に対して薄い厚さのものであり、ディスク状の場合にはその直径に対して薄い厚さのものである。本明細書において、プレートとは、その厚さに対して大きな断面積を有する素子を意味する。可動質量は、例えばアモルファスシリコン等の半導体製である。最も有利には、可動質量は結晶性半導体製である。一般的に、ボロメータには、光フラックス矢印Fによってシンボル化されているを集束させるためのシステムが付随し、可動質量4の寸法は、その表面が集束システムによって誘起された光回折スポットの表面に少なくとも等しくなるように選択され、可動質量又は吸収体は、集束システムの焦点面内に配置される。例えば、可動質量が正方形プレートである場合、質量の寸法は20μm×20μmである。質量がディスク状である場合、その直径は少なくとも17μmであることが好ましい。図示される例では、梁6の数は2個であるが、振動の節に配置された四つの梁を有することも想定可能である。また、図示される例の懸架梁6は直線状で、直径方向に対向する梁であり、可動質量の変形方向に実質的に直交して向けられている。本発明の一つの特徴によると、可動質量4は、基板に実質的に平行なその正中面に沿って振動する。正中面は、基板に対して実質的に固定されている。質量は、懸架ビーム6によって定められる軸周りに実質的に旋回せずに、その平面に沿って主に変形する。可動質量4は、図4A及び図4Cに示されるようにディスク状であるならば、それぞれ、例えばワイングラスモード又は伸長モード等の体積モードで振動し、図4Cに示されるように四辺形状であるならば、ラーメLameモードで振動する。体積モードでは、高品質係数QQ=10000~100000を保ちながら、高振動数典型的には100MHzから数GHzに達することができる。高品質係数と組み合わさった高振動数での検出は、振動数ジッタを制限して、安定な振動を得ることを可能にする。こうした条件下においては、熱分解能は、機械的振動子の品質によって制限されない。これらのモードは、特に質量のねじれモードと比較して、非常にロバストなシステムを得ることを可能にする。その動作中において、質量は光軸に垂直なままである。本発明によると、作動電極12は、可動質量4の横に配置される。作動電極12は、静電力を発生させることによって可動質量4をその共鳴振動数で振動させるように設定するためのものである。検出電極14は、後述のように、温度変動に起因する可動質量の振動数の変動を検出するためのものであり、この検出は容量性のものであり、キャパシタンスが各検出電極14とその対面の可動電極4の外形部分との間に形成される。キャパシタンスの変動は、各検出電極と可動質量4の外形部分との間の間隔の変動に起因するものである。図1に示される例では、ボロメータは、隣同士の二つの作動電極12と、梁6に対して作動電極12の反対側に配置された隣同士の二つの検出電極14とを備える。二つの検出電極は、示差差分測定を可能にする。質量と一方の電極との間のキャパシタンスが増大すると、質量及び第二の電極によって形成された第二のキャパシタンスが減少する。従って、二つの信号を減算することによって、連続バックグラウンドを排除して、有用な信号を2倍にすることができる。この方法によって、信号を読み取り、共鳴ピークの検出を容易にして、信号に対する連続バックグラウンドのドリフトの影響を排除することが簡単になる。ボロメータは、本発明の範囲を逸脱せずに、単一の作動電極及び単一の検出電極を備え得て、更には、検出及び作動を同時に可能にする少なくとも一つの電極を備え得る。図示される例では、電極12、14は可動質量4の外形に対応する凹面12.1、14.1を有する。ボロメータには、振動質量が振動するように設定するように作動電極12を制御して、検出電極14からデータを受信するために、電子回路及び電源が付随する。電極12、14と可動質量4の外形との間の間隔は好ましくは50nmから200nmの間であり、より好ましくは100nmのオーダである。上述のように、振動数の変動の検出は、可動質量4と一つ又は複数の検出電極14との間に誘起されるキャパシタンスの変動を測定することによって、得られる。後述のように、測定は、直接的又は示差的差分的であり得る。本発明に係るボロメータ特に梁に平行な平面における振動の配置は、光フラックスFに対する吸収体4の向きを変更せず、従って、光フラックスが吸収体に入射する入射角を変更しないという利点を有する。以下、電極12、14が示されていない図2に示されるボロメータについて説明する。この例では、ボロメータは、可動質量4の裏面の基板上に堆積されて、可動質量と共に光学共鳴キャビティ17を形成する光反射体16を備える。光反射体16は、例えば金属層である。光反射体16と対面の可動質量との間の間隔は、ファブリペロー型の光学共鳴キャビティを形成するように選択されて、この間隔はλ/4に等しく、ここでλは測定される光フラックスの波長である。有利には、ボロメータは、基板に向き合う面の反対側の可動質量の面上に堆積された数マイクロメートルの層で形成された反射防止手段19を備え得る。これらの層は、環境媒体とのインピーダンス適応を可能にして、質量内への光フラックスの透過率を最適化する。例えば、これは、典型的には数ナノメートルの薄層の例えばTiNやTi/TiNの金属層であり得て、又は、例えばSiNやSiO2等の誘電体層であり得て、又は、対象の波長範囲に適合させた光学多重層であり得る。また、有利には、可動質量の膨張係数とは異なる膨張係数を有する物質の層を、可動質量4の上に堆積させるが、これは、熱係数αTを最適化することによって、温度の関数として振動数を変調することを可能にする。この層は、金属例えばTiN、半導体例えばGe、誘電体例えばSiN、酸化物ベースの物質、又は、可動質量4の構成物質の膨張係数とは大きく異なる膨張係数を有する他の物質であり得る。この層は、質量内への光フラックスの透過率を減少させないように選択される。有利には、この層は、反射防止層を形成することもできる。非限定的なものとして、この層を、例えば反射防止目的に適合した光学多重層物質で形成することができる。一例として、Ti/TiN層は、光フラックスの透過を最適化することができ、10-5K-1のオーダの膨張係数を有し、これは、2.6×10-6K-1であるシリコンの膨張係数の略5倍である。懸架梁6は、特に有利には、質量の厚さと比較して薄い厚さのものであり、この厚さは、質量4の厚さの少なくとも10分の1であり、また、このため、懸架梁は、可動質量4よりも小さな断面積も有する。懸架梁は、正方形の断面の梁に対して、例えば50nm×50nmのナノメートルサイズ断面のものであり得て、一方、吸収体は500nmの厚さを有し得る。質量の厚さに対して薄いビームの厚さは、測定可能なノイズ等価温度差NETD,noiseequivalenttemperaturedifferenceを最少化することを可能にする。これは、センサのノイズ熱機械的ノイズ、ジョンソンのホワイトノイズ等に比例して、熱応答Rに反比例する:Sωは共鳴振動数で表されるノイズである。これは、その振動数安定性を表す。従って、NETDを最少化するため、大きな応答を得ることが考えられる。この応答自体は、熱コンダクタンスGに反比例する:R=-ηαTω0/GHz/Kω0は、マイクロ振動子の共鳴振動数であり、αTは、温度の関数としての振動数の変動を与える係数であり、ηは吸収率に関係している。従って、Gを減少させることが考えられる。梁に質量よりも薄い厚さを与えることによって、梁が熱に関して非常に抵抗性になり、コンダクタンスGを最少化することが可能になる。また、梁によって散逸する熱出力が減少する。懸架梁6が熱拡散領域であるので、特に単純且つ効率的に、非常に有利な熱分離が、吸収体4と支持体との間に得られる。梁によって散逸する出力は、梁の熱コンダクタンスGによって決定される:δP=GδTIIIここで、δPは散逸出力であり、δTは、冷源支持体と熱源吸収体との間の温度差である。小さな断面積を有する梁を用いることによって、Gが最少化され、熱損失と、フォノンノイズと称される関連熱ノイズが減少する。懸架部の長さが長くなるほど、Gは減少するが、梁は、ボロメータの機械的強度を保証するようなサイズにされる。式IIに戻ると、Gを最少化することによって、応答Rが最大化されることが確かめられる。また、比C/Gで与えられる熱定数τthを制御して、低熱定数τthが得られるようにすることが有利であり、Cは吸収体の熱容量であり、1ディラックの光パワーに応答してボロメータその平衡状態に達するのにかかる時間に対応する。また、非常に優れた振動数安定性を保証する物質つまり、ほとんどノイズ共鳴しない部材を用いることが好ましい。このため、結晶物質、Si、Ge、又は他の半導体が有利に用いられる。例えば、質量はTiN製であり、100nmから500nmのオーダの厚い厚さのものである。10nmから100nmの幅に対して、懸架梁の断面厚さは、10分の1のオーダで薄い。一例として、質量が500nmの厚さを有し、梁が略50nmの厚さを有するように生成可能である。図2及び図3では、梁は直線状である。変形例として、図6Aから図6Cは、他のビーム形状を示す。図6Aでは、梁106は銃眼crenel形状を有する。図6Bでは、梁206は二つの直線状の端部206.1、206.2と、中心部206.3とを有し、その中心部において、梁206が分かれて、中空の矩形を形成している。図6Cでは、梁306は、直線状の主梁306.1と、アンカーパッド10の隣の二次的な横梁306.2とを備え、その横梁に主梁が接続される。横梁306.2は、アンカーパッド10にその二つの軸方向端部を介して接続される。応力を緩和して、可動質量4の体積移動を促進することができる梁形状を選択することによって、ボロメータの品質係数を最適化することができる。図6Aから図6Cに示される三つの変形例は、アームの軸方向に沿った僅かな変位を効果的に許容する。図3は、図2のボロメータの変形例を示し、光反射体16’が吸収体4の底面上に配置されていて、吸収体4自体が共鳴キャビティ17’を形成している。吸収体4の厚さは、この共鳴キャビティ17’を形成するように選択されて、その厚さeはλ/4のオーダである。図2及び図3の実施形態の例では、梁は、可動質量4の下端に配置されているが、この配置は限定的なものではない。図5Aから図5Cには、可動質量に対する梁の異なる配置が示されている。図5Aでは、梁6は可動質量4の下端に配置されている。図5Bでは、梁6が可動質量の正中面に配置されていて、ボロメータが完璧な対称構造を有利に有している。図5Cでは、梁は可動質量の上端に配置されている。本発明のボロメータは、ボロメータの応答を最適化することができる50MHzから100MHzのオーダの共鳴振動数で高品質係数を提供する。また、図2及び図3に示される実施形態の二つの例は、同等の機械的性能レベルを有する。一代替実施形態では、機械応力を利用して振動の腹に沿ってピエゾ抵抗ゲージを配置することによって、ピエゾ抵抗型の検出を提供することができる。図12は、ピエゾ抵抗検出用のボロメータの実施形態の一例を示す。この例では、ボロメータは、振動質量の周りに交互に配置された四つの懸架梁6及び四つのピエゾ抵抗歪みゲージ40.1~40.4を備える。図4Aから図4Cに示されるように例えば図4A、プレートが変形して、側壁が凹状又は凸状になる。この場合、ピエゾ抵抗ゲージは、可動質量の振動の腹に配置されて、つまり、ゲージが、可動質量の側壁の中心に接続される。懸架梁6は可動質量の振動の腹に配置される。容量性検出の場合のように、ボロメータは、可動プレートを励起する励起電極図示せずを備える。ゲージ40は時間の関数として圧縮又は伸長する。こうした応力が、時間の関数としてゲージの電気抵抗の変動を発生させる。例えば、読み取り電圧Vbでゲージ40.1を分極させて、電圧-Vbでつぎのゲージ40.2を分極させることによって、ゲージ40.3、40.4の一方若しくは両方において、又は懸架ビーム6の一つにおいて出力信号Sを収集することができる。出力信号Sは、2Δr/r×Vbに比例して、ここで、rはゲージの抵抗である。Δrは、歪みの変動又はプレートの変形に比例する。図12の構成は示差差分測定を可能にする。好ましくは、歪みゲージは、電気抵抗を最少化するように短い長さのものである。代わりに、懸架手段並びに測定及び検出手段の両方として用いられる四つ又は三つのピエゾ抵抗歪みゲージのみを有することができる。この変形例は、励起電極の配置を更に簡単にする。三つのゲージの場合、一つのゲージが電圧-Vbに分極されて、他のゲージが電圧Vbに分極されて、第三のゲージを用いて、出力信号を収集する。また、例えば、複数のゲージ及び複数の懸架手段を提供したり、単一の懸架手段及び単一のゲージを提供したりすることも可能である。また、二つの懸架部のみを有することも可能である。図12は、示差差分測定を示しているが、同じ応力に晒される二つのゲージ、又は単一のゲージを用いた単純な測定を行うことが可能である。特定の一応用では、図10に示されるように、N×M個のボロメータのアレイに配置された複数のボロメータを備えたデバイスを提供することができて、例えば、赤外線撮像デバイスを形成する。例えば、ボロメータのアレイは、CMOS型の電子機器と連動して、各吸収体が自己発振するように設定することができる。アレイの走査方法は、時間多重化又は振動数多重化を区別なく用いることができて、全てのボロメータからの直接読み取りを可能にする。そして、各振動数が、ボロメータの位置をコード化する。各ボロメータは、交流電気信号で励起される。有利には、単一の作動ワイヤを用いて、N×M個のボロメータに同時にN×M個の作動信号を送信することができる。各励起信号は、アレイのうちの一つのボロメータの固有振動数のものである。二つの連続する振動数が、スペクトルの重なりを回避するのに十分離れていればそれで十分であり、典型的にはfi/Qだけ離れていて、ここで、fiはn番目のボロメータの共鳴振動数である。同様に、全ての検出信号を通過させる一つの電気ワイヤで十分である。一つ又は複数の導電性作動ワイヤ、ボロメータ毎に一つのワイヤ、及び/又は一つ又は複数の導電性検出ワイヤを備えた複数のボロメータで形成されたデバイスは、本発明の範囲から逸脱するものではない。この場合、上流の多重化電子機器が作動用に設けられ、下流の逆多重化電子機器が検出ように設けられる。この構成では、使用されるワイヤの数を減らすことによって、相互接続によって誘起される熱放射を最少化することができる。図10には、ボロメータの自己発振の設定での上述のアドレッシングモードを用いたアレイ状のボロメータを含むデバイスが示されている。アレイはN行M列である。デバイスは、図において垂直方向にN個の作動ワイヤ102と、図において水平方向に配置されたM個の検出ワイヤ104とを備える。ボロメータは、作動ワイヤ102と検出ワイヤ104との交点に配置され、各ボロメータは撮像デバイスの画素を形成する。この例では、各作動ワイヤは、M個のボロメータに作動信号を送信し、各検出ワイヤは、N個のボロメータに対する検出信号を収集する。各ボロメータは、閉自己発振ループで振動するように設定され、信号損失を補償する増幅器106と、各ボロメータに対応する各自己発振ループ用のゼロの入力/出力位相シフトを得るための一組の位相調整器108とを備える。図示される例では、この増幅器は全てのボロメータに共通である。また、前置増幅及び多重化システム110を用いて、ワイヤ102に作動信号を送信し、前置増幅及び逆多重化システム112を用いて、全ての検出信号を分離する。本発明のボロメータは、有利には表面技術を用いて製造され得るが、バルク技術例えばディープエッチングやKOHエッチング等の他の方法を用いることもできる。以下、図3に示されるような本発明に係るボロメータを製造するための表面技術法の一例を説明する。図7A、図7Dから図7H、図7A1から図7C1、図7E1、図7G1及び図7H1は、製造方法の多様な段階において得られる素子を概略的に示す。図7A、図7Dから図7Fは、図1の面A‐Aに沿った素子の断面図であり、図7A1から図7C1、図7E1、図7G1及び図7H1は、図1の面B‐Bに沿った素子の断面図である。この第一の方法は、薄い厚さの第一の層内に梁6を形成して、その第一の層の上にエピタキシャル成長させた厚い厚さの第二の層内に可動質量4を形成するために、半導体、好ましくは結晶性半導体例えばシリコン‐シリコン又はSiGeのエピタキシーを用いる。図7A及び図7A1に示される第一ステップでは、例えばシリコンの基板20が選択されて、その上に、例えば熱酸化又はPECVD酸化物を用いて例えばSiO2の酸化物層22を堆積させる。層22は例えば2.5μmの厚さを有し、これは、8~14μmの範囲内の光ビームに対するλ/4の長さに対応する。2~5μmの範囲内の光ビームに対しては、層22の厚さは略900nmとなる。次に、例えばアモルファスシリコン以下、α‐Siと指称するの層を、例えばバルクエピタキシーを用いて形成する。この層24は比較的薄くて、梁6を形成するのに用いられる。層24の厚さは、例えば50nmから100nmの間である。次に、リソグラフィを行い、これにα‐Siの層24のエッチングが続き、懸架梁6と、可動質量を形成する第一の層とを画定する。エッチングは、SiO2層22で停止する。こうして得られた素子が図7B1に示されている。次に、エッチングされた層24上に他の酸化物層26例えばSiO2の堆積を行う例えばPECVDを用いて。この層26は例えば400nmの厚さを有する。次に、この層26を平坦化して、α‐Si層24で平坦化を停止する。例えばSiO2製で例えば0.4μmの厚さを有する更なる酸化物堆積物28を形成する。このようにして得られた素子が図7C1に示されている。次のステップにおいて、リソグラフィ及びエッチングを層28から下方の層24まで行い、図7Dに示されるように層24上のα‐Siのエピタキシーを可能にする窓29を形成する。次に、図7E及び図7E1に示されるように、α‐Siの層30を例えば略1μmの厚さで堆積させる。一変形例では、質量及び梁に対して異なる物質を用いて、例えば異なる熱容量を与えることが想定される。有利には次のステップにおいて、反射防止光学層を形成するための層32例えばTi/TiNを堆積させて、これにリソグラフィ及びエッチングが続いて、図7Fに見て取れるように、反射防止部分を画定する。次のステップにおいて、例えば、深掘り反応性イオンエッチングDRIE,deepreactive-ionetchingによって、層30に対してリソグラフィ及び異方性エッチングを行い、共鳴構造を形成し、エッチングを酸化物層28で停止する。このようにして得られた素子が図7G及び図7G1に示されている。最後に、次のステップにおいて、例えば、酸化物層28のフッ化水素酸でのウェットエッチング又はドライエッチングによって、可動質量4を解放する。最終的な構造が図7H及び図7H1に示されている。可動質量4、梁6、反射防止層19及び共鳴キャビティ17を見て取ることができる。反射層は、電子機器を有する基板上に対して例えば後処理を用いて形成され、次にこの基板を、ボロメータを有する基板とアセンブルする。以下、図3のようなボロメータを得るための本発明の方法の他の例を説明する。図8A、図8Cから図8F、図8A1、図8B1、図8D1から図8F1は、製造方法の第二の例の多様なステップにおいて得られた素子を概略的に示す。図8A、図8Cから図8Fは、図1の面A‐Aに沿った素子の断面図であり、図8A1、図8B1、図8D1から図8F1は、図1の面B‐Bに沿った素子の断面図である。この第二の方法では、梁及び可動質量は、α‐Siの第一の層を堆積させることによって形成されるのではなく、梁においてα‐Siの層を薄化して、梁6及び可動質量4を同時に形成することによって形成される。図8A及び図8A1に示される第一ステップにおいて、例えばシリコンの基板120が選択され、その上に、例えば熱酸化を用いて、例えばSiO2の酸化物層122を堆積させる。この層の厚さは400nmのオーダであり得る。次に、例えばアモルファスシリコンα‐Siの層124を、例えばウェーハの完全なエピタキシーを用いて形成する。この層124は比較的厚くて、梁6及び可動質量4の両方を形成するのに用いられる。次に、α‐Siの層124に対して、リソグラフィ及びエッチングを行う例えばDRIEを用いて。エッチングをSiO2層で停止する。このようにして得られた素子が図8B1に示されている。このステップでは、同じ工程中に同じ厚さの物質で共鳴質量4及び梁6の両方を形成することができる。次に、反射防止層126の堆積、リソグラフィ及びエッチングステップを行う。得られた素子が図8Cに示されている。次のステップにおいて、樹脂層128を層124及び反射防止層126の上に堆積させ、次に、この層128をリソグラフィして、梁6を形成するように薄化される領域を画定する。このようにして得られた素子が図8D及び図8D1に示されている。次のステップにおいて、樹脂によって画定された領域を薄化する例えば反応性イオンエッチングRIE又はDRIEによってエッチングする。残った樹脂を除去する。得られた素子が図8E及び図8E1に示されている。最後に、次のステップにおいて、エッチングによって、例えば、酸化物層28のフッ化水素酸でのウェットエッチング又はドライエッチングによって、可動質量を解放する。最終的な構造が図8F及び図8F1に示されている。可動質量4、梁6、反射防止層19及び共鳴キャビティ17を見て取ることができる。反射層は、電子機器を有する基板上に対して例えば後処理を用いて形成され、次にこの基板を、ボロメータを有する基板とアセンブルする。上述の方法の一つ又は他の方法で得られたボロメータは、ボロメータを制御する電子回路31に接続され、この回路が、ボロメータの電極供給を保証して、作動電極12によって可動質量4の自己発振の設定を制御して、例えば検出電極14によって可動質量4の振動数の変動を測定する。周波数の変動の測定から対応する環境温度を計算するための手段を電子回路に提供することができ、又は、追加のシステムが付随し得る。電子回路は例えばCMOS上に形成される。図9に概略的に示されるように、本発明のボロメータ2と電子制御回路31とのアセンブリは、最も有利には、例えばウェーハとウェーハの接合によって得られ、ボロメータ2の電極と回路31との間の電気接続を、貫通接続ビア34を形成するTSV貫通シリコンビア,throughsiliconviaタイプの3次元相互接続方法を用いて形成することができる。この構成では、反射ミラーを、電子回路に対応する基板上に後処理で堆積させる。ウェーハとウェーハの接合の例は、非特許文献2に記載されている。アセンブリの実施形態のこの例は、ボロメータのアレイにも特に適している。図9のアセンブリは、光学集束デバイス33を更に備え、その光学集束デバイスは、電子制御回路31の反対側においてボロメータ上にアセンブリされて、光フラックスFとボロメータとの間に挟まれる。光学デバイスとボロメータとのアセンブルは、例えばウェーハとウェーハとの接合によって得られる。光学デバイスとボロメータとのアセンブルは、ボロメータ2と電子制御回路31とのアセンブリの後において行われることが好ましい。一変形例では、所謂AboveICプロセスを適用することが想定され、ボロメータ又はボロメータアレイを、例えばポストCMOS技術を用いて、連続的な層の堆積及びエッチングによって、電子制御回路を有する基板上に形成する。他のアセンブリ及び接続方法も想定され、例えば、ワイヤボンディングやマイクロボールバンプが挙げられる。図11A及び図11Bには、マイクロボールバンプによるアセンブリの例が示されている。図11Aでは、ボロメータ2が、インジウムボール36を用いて制御回路31上に直接アセンブルされているが、一変形例では、金又は他の適切な金属を用いることができる。ボールは、アセンブル及び接続の両方のために用いられる。図11Bでは、ボロメータ2及び制御回路が、共通の基板38上に隣同士で配置されて、ボール36を介してその基板上にアセンブルされる。基板は、制御回路31とボロメータとの間の相互接続を備える。"