少なくとも1つの半導体レーザを含み、所定波長のパルスレーザ光を出力するように構成されたマスタオシレータと、少なくとも1つの増幅波長領域を有し、前記マスタオシレータから出力されるパルスレーザ光を増幅するように構成された少なくとも1つの増幅器と、前記マスタオシレータから出力されるパルスレーザ光の波長のチャーピング範囲が前記少なくとも1つの増幅波長領域の少なくとも一部と重なるように、前記マスタオシレータから出力されるパルスレーザ光の出力波長に影響するパラメータを制御するための制御部と、を含むレーザ装置。前記パラメータは前記半導体レーザの光路長である、請求項1に記載のレーザ装置。前記制御部は、前記半導体レーザの温度を制御することで前記光路長を調整する、請求項2に記載のレーザ装置。前記少なくとも1つの半導体レーザの出力レーザ光の光路上であって、前記マスタオシレータ内において当該半導体レーザを挟んで互いに反対側に配置された少なくとも1つの出力カプラと少なくとも1つのグレーティングと、前記出力カプラと前記半導体レーザとの間のガス密度および前記半導体レーザと前記グレーティングとの間のガス密度の少なくともいずれか一方を制御することで前記光路長を調整する制御を実行するための前記制御部と、を含む請求項2に記載のレーザ装置。前記少なくとも1つの半導体レーザの出力レーザ光の光路上であって、前記マスタオシレータ内において当該半導体レーザを挟んで互いに反対側に配置された少なくとも1つの出力カプラと少なくとも1つのグレーティングと、前記出力カプラと前記半導体レーザとの間の距離および前記半導体レーザと前記グレーティングとの間の距離の少なくともいずれか一方を調節する制御を少なくとも実行するための前記制御部と、を含む請求項2に記載のレーザ装置。前記制御部は、前記半導体レーザに供給する電流量を制御することで前記光路長を調整する、請求項2に記載のレーザ装置。前記少なくとも1つの半導体レーザの出力レーザ光の光路上であって、前記マスタオシレータ内において当該半導体レーザを挟んで互いに反対側に配置された少なくとも1つの出力カプラと少なくとも1つのグレーティングと、前記パラメータとして前記グレーティングの回折面と前記光路とが成す角度を制御するための前記制御部と、を含む請求項1に記載のレーザ装置。前記半導体レーザは、マルチ縦モードの前記パルスレーザ光を出力するように構成された、請求項1に記載のレーザ装置。前記マスタオシレータは、前記半導体レーザを複数含み、各半導体レーザは、シングル縦モードの前記パルスレーザ光を出力するように構成された、請求項1に記載のレーザ装置。前記複数の半導体レーザのうち少なくとも2つは、略同じ波長の前記パルスレーザ光を出力するように構成された、請求項9に記載のレーザ装置。前記増幅器を複数含む、請求項1に記載のレーザ装置。前記増幅器は再生増幅器をさらに含む、請求項1に記載のレーザ装置。前記半導体レーザへ電流を入力するための電流制御器をさらに含み、前記制御部は、前記電流制御器が前記半導体レーザに前記電流を入力した入力タイミングから前記パルスレーザ光が当該パルスレーザ光の光路上における所定の位置に到達する到達タイミングまでの時間に基づいて、前記電流制御器が前記半導体レーザへ前記電流を入力する入力タイミングを制御する、請求項1に記載のレーザ装置。前記所定の位置は、前記増幅器の光出力側に位置し、前記所定の位置には、前記パルスレーザ光を検出するモニタユニットが配置され、前記パルスレーザ光が前記所定の位置に到達する到達タイミングは、前記モニタユニットによる前記パルスレーザ光の検出結果に基づいて取得される、請求項13に記載のレーザ装置。少なくとも1つの半導体レーザを含み、所定波長のパルスレーザ光を出力するように構成されたマスタオシレータ、少なくとも1つの増幅波長領域を有し、前記マスタオシレータから出力されるパルスレーザ光を増幅するように構成された少なくとも1つの増幅器、および前記マスタオシレータから出力されるパルスレーザ光の波長のチャーピング範囲の少なくとも一部が前記増幅波長領域の少なくとも一部と重なるように、前記マスタオシレータから出力されるパルスレーザ光の出力波長に影響するパラメータを制御するための制御部を含むレーザ装置と、チャンバと、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するように構成されたターゲット供給部と、前記所定の領域付近から放射された光のうち少なくとも極端紫外光を選択的に反射するように構成された集光ミラーと、を含む極端紫外光生成システム。少なくとも1つの半導体レーザを含むマスタオシレータから出力されるパルスレーザ光を増幅器で増幅するレーザ装置の制御方法であって、前記半導体レーザ光の波長のチャーピング範囲が少なくとも前記増幅器の増幅波長領域の一部と重なるように前記半導体レーザから出力されるパルスレーザ光の出力波長に影響するパラメータを制御しつつ、前記マスタオシレータからパルスレーザ光を出力させることと、次に前記マスタオシレータから出力された前記パルスレーザ光を1つ以上の増幅波長領域を有する少なくとも1つの増幅器で増幅することと、を含むレーザ装置の制御方法。前記パラメータは前記半導体レーザの光路長である、請求項16に記載の方法。前記半導体レーザの温度を制御することで前記光路長を調整する、請求項17に記載の方法。前記マスタオシレータは、出力カプラと、グレーティングとを備え、前記半導体レーザは、前記出力カプラと前記グレーティングとの間に配置され、前記出力カプラと前記半導体レーザとの間のガス密度、および前記半導体レーザと前記グレーティングとの間のガス密度の少なくともいずれか一方を制御することで前記光路長を調整する、請求項17に記載の方法。前記マスタオシレータは、出力カプラと、グレーティングとを備え、前記半導体レーザは、前記出力カプラと前記グレーティングとの間に配置され、前記出力カプラと前記半導体レーザとの間の距離、および前記半導体レーザと前記グレーティングとの間の距離の少なくともいずれか一方を調節することで前記光路長を調整する、請求項17に記載の方法。前記半導体レーザに供給する電流量を制御することで前記光路長を調整する、請求項17に記載の方法。前記マスタオシレータは、出力カプラと、グレーティングとを備え、前記半導体レーザの共振器は、前記出力カプラと前記グレーティングとによって構成され、前記パラメータとして前記グレーティングの角度を調節することで前記出力波長を制御する、請求項16に記載の方法。前記マスタオシレータは、マルチ縦モードの前記パルスレーザ光を出力する、請求項16に記載の方法。前記マスタオシレータは、前記半導体レーザを複数含み、各半導体レーザは、シングル縦モードの前記パルスレーザ光を出力する、請求項16に記載の方法。前記複数の半導体レーザのうち少なくとも2つは、同じ波長の前記パルスレーザ光を出力する、請求項24に記載の方法。前記マスタオシレータから出力された前記パルスレーザ光の波長が前記増幅器の前記増幅波長領域と重なるように、前記マスタオシレータの出力波長と出力タイミングを調節する、請求項16に記載の方法。前記増幅器による遅延時間に基づいて前記マスタオシレータに前記パルスレーザ光を出力させるタイミングを制御する、請求項16に記載の方法。前記マスタオシレータから出力された前記パルスレーザ光を再生増幅する再生増幅器をさらに含み、前記再生増幅器による遅延時間に基づいて前記マスタオシレータに前記パルスレーザ光を出力させるタイミングを制御する、請求項16に記載の方法。前記半導体レーザに前記電流が入力された入力タイミングから前記パルスレーザ光が当該パルスレーザ光の光学路上における所定の位置に到達する到達タイミングまでの時間に基づいて、前記半導体レーザへ前記電流を入力する入力タイミングを制御する、請求項16に記載の方法。少なくとも1つの半導体レーザを含むマスタオシレータから出力されるパルスレーザ光を増幅器で増幅し、該増幅されたパルスレーザ光をターゲットに照射して極端紫外光を生成する極端紫外光生成方法であって、前記パルスレーザ光の波長のチャーピング範囲が少なくとも前記増幅器の増幅波長領域の一部と重なるように前記マスタオシレータレーザの出力波長を制御しつつ、前記マスタオシレータからパルスレーザ光を出力させることと、前記マスタオシレータから出力された前記パルスレーザ光を1つ以上の増幅波長領域を有する少なくとも1つの増幅器で増幅することと、前記増幅されたパルスレーザ光をチャンバ内の内部の所定の領域にあるターゲットに照射することと、前記所定の領域付近から放射された光のうち極端紫外光を選択的に反射することで該極端紫外光を外部に出力することと、を含む極端紫外光生成方法。