原料融液を収容するルツボと、該ルツボを取り囲むように配置されたヒーターと、該ヒーターを取り囲むように配置されたシールドとを格納するメインチャンバーを有するチョクラルスキー法による単結晶育成装置であって、前記シールドは、炭素繊維断熱材からなるヒートシールドと、該ヒートシールドの前記ヒーター側に炭素材又は炭素繊維複合材からなるインナーシールドとを有するものであり、前記インナーシールドは、支持部材によって前記メインチャンバーの天井から吊るされたものであることを特徴とする単結晶育成装置。前記支持部材は、ワイヤー形状又は棒状であることを特徴とする請求項1に記載の単結晶育成装置。前記支持部材がワイヤー形状の場合は、前記インナーシールド上端部に設けられた穴、又は、前記インナーシールド上端部にねじ込み式若しくは接着式によって固定されたアイボルトを通じて前記インナーシールドを吊るすものであり、前記支持部材が棒状の場合は、前記インナーシールド上端部に設けられた穴にねじ込み式又は接着式によって直接前記インナーシールドを吊るすものであることを特徴とする請求項2に記載の単結晶育成装置。前記ヒートシールド及び前記インナーシールドの上部に更に上部断熱材が配されたものであり、前記支持部材は、前記シールド上部に配された断熱材に形成される貫通孔または切り欠きを通るものであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の単結晶育成装置。前記支持部材は、高融点金属又は炭素繊維材からなるものであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の単結晶育成装置。前記高融点金属は、Mo、W、又はTiであることを特徴とする請求項5に記載の単結晶育成装置。前記シールドは、底部に突起部を有する前記インナーシールドと、該インナーシールドの突起部により保持された前記ヒートシールドとを有するものであることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の単結晶育成装置。本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、インナーシールドを保持しながら熱ロスを低減して省電力化を図ることができる単結晶育成装置を提供することを目的とする。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、原料融液を収容するルツボと、該ルツボを取り囲むように配置されたヒーターと、該ヒーターを取り囲むように配置されたシールドとを格納するメインチャンバーを有するチョクラルスキー法による単結晶育成装置であって、前記シールドは、炭素繊維断熱材からなるヒートシールドと、少なくとも該ヒートシールドの前記ヒーター側に炭素材又は炭素繊維複合材からなるインナーシールドとを有するものであり、前記インナーシールドは、支持部材によって前記メインチャンバーの天井から吊るされたものであることを特徴とする単結晶育成装置を提供する。このような支持部材であれば、インナーシールドを保持しながら熱ロスを低減して省電力化を図ることができる単結晶育成装置となる。特に、このような支持部材はインナーシールドを支えても壊れにくく、また単純な構造で部品点数も少なくてすむ。また、前記支持部材は、ワイヤー形状又は棒状であることが好ましい。このような形状であれば、支持部材からの熱の伝導経路をより細く限定することができ、またインナーシールドを吊すのにより適した支持部材となる。さらに、前記支持部材がワイヤー形状の場合は、インナーシールド上端部に設けられた穴、又は、インナーシールド上端部にねじ込み式若しくは接着式によって固定されたアイボルトを通じてインナーシールドを吊るすものであることが好ましく、前記支持部材が棒状の場合は、インナーシールド上端部に設けられた穴にねじ込み式又は接着式によって直接インナーシールドを吊るすものであることが好ましい。このような構造にすれば、支持部材の取り付けや取り外しの際にも作業性が向上するものとなる。また、前記ヒートシールド及び前記インナーシールドの上部に更に上部断熱材が配されたものであり、前記支持部材は、シールド上部に配された上部断熱材に形成される貫通孔または切り欠きを通るものであることが好ましい。このように上部断熱材を有し、その貫通孔または切り欠きの中を支持部材が通るように設計することで、より熱ロスを低減して省電力化を図ることが可能である。さらに、前記支持部材は、高融点金属又は炭素繊維材からなるものであることが好ましい。また、前記高融点金属は、Moモリブデン、Wタングステン、又はTiチタンであることが好ましい。このような材質であれば、高温で安定であり、更に取扱中に破壊されてしまう心配の少ないものとなる。また、前記シールドは、底部に突起部を有するインナーシールドと、該インナーシールドの突起部により保持されたヒートシールドとを有するものであることが好ましい。このような構造にすれば、ヒートシールドとインナーシールドとを一体物として取り扱うことが可能となり、部品の取り付けや取り外しの際にも作業性が向上する。以上説明したように、本発明の単結晶育成装置であれば、インナーシールドを保持しながら熱ロスを低減して省電力化を図ることができるものとなる。また、上記のような支持部材はインナーシールドを吊り下げても壊れにくく、また単純な構造で部品点数も少なくてすむものとなるので低コストであり、さらに、取り付けや取り外しの際の作業性も向上させることができるものとなる。以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明者らはインナーシールドを保持しながら熱ロスを低減して省電力化を図ることができる単結晶育成装置について鋭意検討を重ねた結果、インナーシールドを支持部材によってメインチャンバーの天井から吊すことで熱ロスを低減して省電力化を図ることができることを見出し、また、このような支持部材であれば簡単な構造であり応力集中により壊れること等を回避できることを見出して、本発明を完成させた。以下、図を参照して本発明をより詳細に説明する。図1は本発明の単結晶育成装置の一例を示す図である。図1に示すように、本発明のCZ法単結晶育成装置1の基本的な構造は、メインチャンバー2内に原料融液3を収容するルツボ4と、そのルツボ4を取り囲むように配置された原料融液3を加熱するためのヒーター6と、そのヒーター6を取り囲むように配置された熱ロスを低減するためのシールド16とを格納するものである。更に、この単結晶育成装置1は、シールド16を構成するヒートシールド8及びインナーシールド7の上部に配された上部断熱材9、メインチャンバー2の底部に配置された湯漏れ受皿10、湯漏れ受皿10の底部に配置された底部断熱材11、湯漏れ受皿10に配置された内側壁断熱材12等を有していてもよい。このルツボ4中の原料融液3に種結晶を浸漬した後、原料融液3から棒状の単結晶5が引き上げられる。本発明におけるシールド16は、熱ロスを抑制する炭素繊維断熱材からなるヒートシールド8と、少なくとも該ヒートシールド8のヒーター6側に断熱材の劣化を抑制するための炭素材又は炭素繊維複合材からなるインナーシールド7とを有するものである。このインナーシールド7は、支持部材14によってメインチャンバー2の天井から吊されたものである。インナーシールド7はヒーター6の周囲に配されており、ヒーター6の近傍がインナーシールド7内で最も高温部分となる。この高温部分が断熱材以外の高熱伝導部材と接触すると、熱ロスが大きくなってしまう。そこでインナーシールド7を支持部材14で吊す構造とすることで熱の伝導経路が支持部材14のみに限定され、熱ロス低減可能な構造を実現することができる。特に、熱の伝導経路を細く限定するには、支持部材がワイヤー形状又は棒状であることが好ましい。具体的な実施形態を図1及び図3に示した。支持部材14の材質としては、特に限られることなく、高温で安定なものが好ましく適用可能である。特に、高融点金属または炭素繊維複合材からなる支持部材14が好ましく、このような材質であれば高温で安定であり、更に取扱中に破壊されてしまう心配が少ない。また、このような高融点金属としてはMo、W、又はTiが好ましい。より好ましい材質は、熱伝導率が低くて高温で安定な材質である。その点では、ガラス材等も壊れやすい点を除けば適用することができる。熱伝導率が低く高温で安定な材質であればここで示した材質に限らず用いることが可能である。なお、図3では3本のワイヤー形状又は棒状の支持部材14の例を描いているが、本数及び形状はこれに限るものではない。支持部材14がワイヤー形状の場合は、インナーシールド7上端部に設けられた穴17、又は、インナーシールド7上端部にねじ込み式若しくは接着式によって固定されたアイボルトを通じてインナーシールド7を吊るすものであることが好ましく、支持部材14が棒状の場合は、インナーシールド7上端部に設けられた穴17にねじ込み式又は接着式によって直接インナーシールド7を吊るすものであることが好ましい。このような構造にすれば、支持部材14の取り付けや取り外しの際にも作業性が向上するものとなる。さらに、上述した支持部材14を断熱材で遮蔽することでより熱ロスの低減を図ることができる。具体的には、ヒートシールド8及びインナーシールド7の上部に更に上部断熱材9が配された場合には、支持部材14が、図4及び図5に示すような、上部断熱材9に形成された貫通孔9a図4または切り欠き9b図5を通るものであることが好ましい。このように設計することでより熱ロスを低減することが可能である。例えば、インナーシールド7の内径がシールド16の上部断熱材9の内径より大きい場合であれば、図4に示したような貫通孔9aを有する上部断熱材9を用いることが好ましい。またインナーシールド7の内径が上部断熱材9の内径と同等であれば、図5に示したような切り欠き9bを有する上部断熱材9を用いることが好ましい。また、図1に示したように、例えばインナーシールド7の底部にツバ状の突起部15を設け、ヒートシールド8の下部をこの突起で受ける構造とすることによって、ヒートシールド8をインナーシールド7で保持することが可能である。このような構造にすれば、ヒートシールド8とインナーシールド7とを一体物として取り扱うことが可能となり、部品の取り付けや取り外しの際にも作業性が向上する。なお、本発明における支持部材14の形状は、インナーシールド7をメインチャンバー2の天井から吊すものであれば特に制限はされない。このような形状であれば支持部材14からの熱ロスを抑えることができ、また支持部材14の局所に応力が集中しにくく壊れにくい形状となる。このような形状としては、例えば図1、図3に示すようにメインチャンバー2の天井から垂直にインナーシールド7を吊す形状が挙げられる。なお、支持部材14がワイヤー形状又は棒状である場合の本数2本から約100本、形状丸棒状、多角柱状等、及び太さはインナーシールド7の重量や材質、及び支持部材14からの熱ロス等を考慮して適宜選択することができる。以下、本発明の実施例および比較例を挙げてさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。実施例炭素材からなるインナーシールドを図3に示したようなタングステンワイヤー3本からなる支持部材で吊るし、ヒートシールド及びインナーシールドの上部に更に上部断熱材を配して切り欠きを設けて図5に示したような形状とし、この切り欠きに上記支持部材を通した他は図1のような単結晶育成装置を準備した。このとき、タングステンワイヤーの直径を3.5mmとし、インナーシールドの厚さは10mmとした。この単結晶育成装置内のホットゾーンHZに直径81cm32インチのルツボに原料融液を収容し、磁場印加チョクラルスキー法MCZ法により直径30cm12インチのシリコン単結晶を育成した。より詳細には、ルツボ中の原料融液に種結晶を浸漬した後、溶融液から棒状の単結晶を引き上げながら、結晶成長軸方向に昇降可能なルツボを結晶成長中に結晶化して減少した融液の液面下降分を補うように上昇させ、融液表面の高さを一定に保ちながら単結晶の成長を行った。この単結晶育成装置を用いて問題なく結晶を育成することができた。この単結晶育成装置はインナーシールドを吊す支持部材からの熱ロスを抑制することができ、更にヒートシールド及びインナーシールドの上部に配された断熱材の切り欠きを通る支持部材からの熱ロスを一層小さいものとすることができたので、下記比較例と比較して約8の省電力を達成することができた。比較例図2に示したように支持部材で炭素材からなるインナーシールドを下から支える単結晶育成装置を準備した。このとき、インナーシールドは、図2に示したようにメインチャンバー底部に設置された炭素材で形成された湯漏れ受皿の上に、炭素材で形成された延長筒形状の支持部を載せ、その上に炭素繊維複合材で形成されたドーナツ形状の円盤によって保持する構造とした。また、このときインナーシールドの厚さは10mm、支持部材の厚さは15mmとした。この単結晶育成装置内のホットゾーンHZに直径81cm32インチのルツボを装備して、実施例と同様に磁場印加チョクラルスキー法MCZ法により直径30cm12インチのシリコン単結晶を育成した。この単結晶育成装置を用いた場合にも問題なく結晶を育成することができた。しかし、インナーシールドからの熱ロスが大きく省電力を達成することができなかった。ここではシリコン単結晶育成を例に説明を行ったが、本発明はシリコン単結晶の製造に用いられる単結晶育成装置に限られるものではなく、化合物半導体や酸化物単結晶などのCZ法を用いた単結晶育成装置に適用可能である。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。