面内の第1の方向に配向した微細孔を持つ誘電体媒質層Lと、それと直行する方向でかつ面内の第二の方向に配向した微細孔を持つ誘電体媒質層Hとが少なくとも一層以上、交互に繰り返す様に積層した事を特徴とする偏光素子。前記偏光素子を2つのプリズムの間に密着して配置したことを特徴とする偏光素子。前記偏光素子の層Lと層Hは下記の条件式を満たす様にとるとき、前記第1の方向をP偏光として透過し、前記第2の方向をS偏光として反射する偏光分離素子であることを特徴とする偏光素子。|nH1-nL1|<nH2-nL21ただし、nL1:L層の第1の方向の有効屈折率nL2:L層の第2の方向の有効屈折率nH1:H層の第1の方向の有効屈折率nH1:H層の第2の方向の有効屈折率請求項3において、前記プリズムは以下の条件式を満たす事を特徴とする偏光素子。nH2>nP>nL22ただし、nP:プリズムの屈折率前記1から4の誘電体媒質はTiO2であることを特徴とする偏光素子。しかしながら、一般的な光学干渉を用いた誘電体多層膜を用いた偏光分離素子では偏光分離にブリュースター角を使用している。このため、入射角度特性が劣る傾向がある。また、一方の偏光特性に対して干渉を用いて設計すると、他方の偏光への干渉の影響が無視できず、両方の偏光に対して、同時に設計を行う事は非常に煩雑になってくるという課題があった。特許文献2に開示されているSWS構造より成る偏光分離素子はS偏光とP偏光を効果に分離することができる。しかしながら、S偏光の全反射条件を満たすような1次元格子はffフィリングファクターが小さく、格子の幅が細くなる。また、格子高さも必要とするため格子のアスペクト比格子高さ/格子幅が大きな形状となり製造に高い技術が必要となる。そのためコスト的に不利になると言う課題が有った。上記目的を達成するために、本発明は、面内の第1の方向に配向した微細孔を持つ誘電体媒質層Lと、それと直行する方向でかつ面内の第二の方向に配向した微細孔を持つ誘電体媒質層Hとが少なくとも一層以上、交互に繰り返す様に積層した事を特徴とする。本発明によれば、高いアスペクト比の1次元格子を用いずに、より安価なコストで、入射射角度特性及び広帯域特性に優れた偏光分離素子及びそれを有する光学機器の提供することができる。以下に、本発明の好ましい実施の形態を、添付の図面に基づいて詳細に説明する。図1は、本発明の実施形態にかかわる偏光分離素子である。[実施例1]図1に本発明、実施例1の偏光分離素子の構成を示す。表1に実施例1の構成をあらわす設計値を示す。図1において、プリズムの入射面25に対して、偏光分離層は45°傾いている。入射面25に垂直に入射する光線1820が偏光分離層23に入射する際の入射平面と、本実施例の偏光分離層に対して定義する第1の方向は図2のように平行に配置となっている。また同様に、第2の方向は直交する配置となっている。ここで、第1の方向とは、誘電体媒質層Lの微細孔が配向した方向であり、第2の方向は誘電体媒質層Hの微細孔が配向した方向である。偏光分離層で、S偏光の入射光は反射光となり、入射側プリズム22にある入射面25とは別の射出面26から射出させる。また、P偏光の入射光は透過光となり、射出側プリズム24にある射出面27から射出させる構成となっている。図3は偏光分離素子を図1のA方向から見た断面図である。図4は図3のB方向のから見た偏光分離層の断面構造図である。図5は図3の偏光分離素子の偏光分離層部分の断面構造図である。図6は誘電体媒質層Lと誘電体媒質層Hとの積層の様子を示す模式図である。図4、図5、図6に示すように、面内の一方向に配向した微細孔を持つ誘電体媒質層Lと誘電体媒質層Hが交互に積層したものである。その際、誘電体媒質層Lと誘電体媒質層Hの微細孔の配向方向はお互いに直交する配置としている。誘電体媒質層の誘電体としてはTiO2を用いている。この一方向に配向した微細孔を持つ誘電体媒質層は屈折率の構造複屈折を持つ。図7はTiO2を媒質としたときの、ffフィリングファクターと有効屈折率を示すグラフである。RCWA法厳密波結合解析により計算した薄膜としての反射率、透過率から有効屈折率を求めたものである。図8に示すように、微細孔の配向方向と電場の振動方向が平行な方向の偏光をTE偏光、微細孔の配向方向と電場の振動方向が直交する方向の偏光とTM偏光とする。ここで、ffは全体の体積に対する媒質の割合である。図8に示すように、微細孔の孔径が大きくなると、ffは小さくなり、逆に、孔径が細くなると、ffは大きくなる。グラフでは、ffは便宜上0までプロットしてあるが、微細孔の孔径がピッチ隣の細孔との距離より大きくなることはないので、ffは0までは形状が存在しない。誘電体媒質層Lはff=0.36、誘電体媒質層Hはff=0.64であり、その時の有効屈折率は表の通りになる。P偏光に関しては、プリズムの屈折率1.70に対して、誘電体媒質層L、Hそれぞれ1.60、1.80と屈折率が近いので、ブリュースター角付近の広範囲で良好に透過する。一方、S偏光に関しては、プリズムの屈折率1.70を挟んで、誘電体媒質層L、Hそれぞれ1.45、1.95と屈折率差が大きいので、効率良く多層膜干渉での反射を生じさせる事が可能である。誘電体媒質層L、誘電体媒質層Hはそれぞれ10層繰り返し、プリズム側に誘電体媒質層Lを配置している。図8がこの実施例1の有効屈折率で多層膜として薄膜計算による性能のシミュレーション結果である。波長550nmの入射光に対して、P偏光、S偏光の透過率の入射角度特性を示している。横軸はプリズム媒質中の入射角度を示している。45°の入射角に対してP偏光では透過し、S偏光では、十分に反射している。条件式1は誘電体媒質層L、誘電体媒質層Hの構造複屈折の取り方に関してP偏光の屈折率差を小さくして、S偏光の屈折率差を大きくするためのものである。これにより効率良い構成とすることができる。条件式2はプリズムに対して、誘電体媒質層L、誘電体媒質層Hの構造複屈折の関係を示すもので、この条件式の範囲の時に設定することで、P偏光の透過の際に、プリズムとのブリュースター角による透過を満たし易くなる。これによって、簡易な構成で偏光分離素子が得られる。なお、本実施例に関して、誘電体媒質はTiO2に限らず、適当な誘電体を用いても構わない。また、誘電体媒質層L、誘電体媒質層H、プリズムのいずれかの間に単層または、多層からなる誘電体薄膜を配置しても良い。さらに、プリズムと偏光分離層の片側あるいは、両側に接着材などの樹脂を配置しても良い。[実施例2]実施例1と同様に、図1に本発明、実施例2の偏光分離素子の構成を示す。表2に実施例2の構成をあらわす設計値を示す。入射光、射出光に対する位置関係、および、入射光配向の関係は実施例1と同様である。実施例1と同様に、図4、図5、図6に示すように、面内の一方向に配向した微細孔を持つ誘電体媒質層Lと誘電体媒質層Hが交互に積層したものである。その際、誘電体媒質層Lと誘電体媒質層Hの微細孔の配向方向はお互いに直交する配置としている。誘電体媒質層の誘電体としてはTiO2を用いている。誘電体媒質層Lはff=0.36、誘電体媒質層Hはff=0.75であり、その時の有効屈折率は表2の通りになる。P偏光に関しては、プリズムの屈折率1.85に対して、誘電体媒質層L、Hそれぞれ1.60、1.96と屈折率が近いので、ブリュースター角付近の広範囲で良好に透過する。一方、S偏光に関しては、プリズムの屈折率1.85を挟んで、誘電体媒質層L、Hそれぞれ1.45、2.06と屈折率差が大きいので、効率良く多層膜干渉での反射を生じさせる事が可能である。誘電体媒質層L、誘電体媒質層Hはそれぞれ6層繰り返し、プリズム側に誘電体媒質層Lを配置している。実施例1と比較してプリズムの屈折率が高いため誘電体媒質層Lと誘電体媒質層Hの屈折率差を大きくすることで、全体の層数を削減している。図8がこの実施例2の有効屈折率で多層膜として薄膜計算による性能のシミュレーション結果である。波長550nmの入射光に対して、P偏光、S偏光の透過率の入射角度特性を示している。横軸はプリズム媒質中の入射角度を示している。45°の入射角に対してP偏光では透過し、S偏光では、十分に反射している。条件式1、条件式2を満たすことで、誘電体媒質層L、誘電体媒質層Hとプリズムの屈折率の関係を効率良い構成とすることが可能となっている。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。