窓孔を有する第1の基板と、両面のそれぞれに複数の分離独立した回路パターンが形成された第2の基板が貼り合わされた構造を有する半導体光学装置であって、前記半導体光学装置は、前記第1の基板、前記第2の基板の夫々の側面につなげて形成された複数の分離独立した導体パターンを有し、前記第1の基板の窓孔内に位置する前記第2の基板上に半導体光学素子が実装されていることを特徴とする半導体光学装置。前記各導体パターンは、ダイシングにより切断されたスルーホールであることを特徴とする請求項1に記載の半導体光学装置。前記第2の基板の前記第1の基板が貼り合わされた面と反対側の面に形成された全ての回路パターンは、その一部が絶縁層で被覆されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体光学装置。窓孔を有する第1の基板と、両面のそれぞれに複数の分離独立した回路パターンが形成された第2の基板とを貼り合わせる工程と、前記貼り合わせ工程後に第1の基板と第2の基板を貫通するスルーホールを形成する工程と、前記スルーホール内に金属メッキする工程と、前記第1の基板の窓孔内に位置する前記第2の基板に対して半導体光学素子を実装する工程と、前記スルーホールを横断するように貼り合わされた前記第1の基板と前記第2の基板を切断する工程とを含んだことを特徴とする半導体光学装置の製造方法。ところで、上記構成の発光ダイオード80は、実装基板に形成された実装パターンに半田実装するにあたり、実装基板に対する実装強度が低く、且つ実装基板に対して傾いた状態で実装される恐れがある。以下、具体的に、図13~図15に示す発光ダイオード80の実装基板に対する半田実装手順を参照して説明する。まず、図13のように、実装基板95に形成された実装パターン96にシルク印刷等により半田ペースト97を塗布し、発光ダイオード80の実装面88の角部位置に設けられたスルーホール89が実装基板95に設けられた実装パターン96上に位置するように該発光ダイオード80を実装基板95に載置する。次に、半田リフロープロセス等により半田ペースト97を加熱して該半田ペースト97を溶融する。すると図14のように、実装基板95の実装パターン96と発光ダイオード80のスルーホール89が半田98を介して接合半田接合される。ところで、実装基板95に形成される実装パターン96は、発光ダイオード80のスルーホール89の位置決めを容易に行うことができ且つ半田接合後に高い接合強度を確保することができるように、スルーホール89よりも大きく設けられる。その場合、半田ペースト加熱前の、発光ダイオード80を実装基板95に載置した状態において、半田ペースト97は発光ダイオード80のスルーホールが形成されていないリフレクタ86の下方にも位置することになる図13参照。すると、半田ペースト97の加熱溶融後の冷却硬化時に、溶融半田の体積収縮によってリフレクタ86の下方に位置していた半田は基板81の下方に向かって収縮される。一方、溶融時点で基板81の下方に位置していた半田は体積収縮によってもスルーホール89との密着性により移動しない。よって、冷却硬化によって基板81のリフレクタ86側のみが収縮された半田によって押し上げられることになる。その結果、半田ペースト97の冷却硬化後には、発光ダイオード80は図14のように、その基板81側が実装基板95に近づく方向で且つリフレクタ86側が実装基板95と離れる方向となるように、実装基板95に対して傾いた状態で実装されることになる。このような、実装基板95に対する発光ダイオード80の実装時の傾きは、発光ダイオード80のスルーホール89の大きさに対して実装基板95の実装パターン96の大きさの比率が大きいほど発生し易い。また、半田リフロープロセス前の、発光ダイオード80を半田ペースト97が塗布された実装基板95上に載置した時点で、発光ダイオード80が実装基板95に対して傾いた状態に載置されることが考えられ、その場合は、半田リフロープロセス後の状態も当然、発光ダイオード80が実装基板95に対して傾斜した状態で実装されることになる。この問題に対しては、図15のように、発光ダイオード80を実装基板95に載置したときに、実装基板95の、発光ダイオード80のリフレクタ86が位置する部分に傾き防止のスペーサ部99をレジスト等によって形成することが考えられる。しかしながら、この場合は、構成部材及び製造工数の増加により製造コストのコストアップを招くことになる。ところで、スルーホール89は発光ダイオード80の基板81にのみ設けられリフレクタ86には設けられていない。そのため、発光ダイオード80が実装された実装基板95が衝撃や振動を受けた場合、リフレクタ86側は固定されていないため、発光ダイオード80が実装基板95から離脱する恐れがある。そこで、本発明は上記問題に鑑みて創案なされたもので、その目的とするところは、表面実装型で且つサイドビュー型の半導体光学装置において、実装基板に実装するに際し、実装基板に対して高い実装強度で且つ傾きを生じることなく実装することが可能な半導体光学装置を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明の請求項1に記載された発明は、窓孔を有する第1の基板と、両面のそれぞれに複数の分離独立した回路パターンが形成された第2の基板が貼り合わされた構造を有する半導体光学装置であって、前記半導体光学装置は、前記第1の基板、前記第2の基板の夫々の側面につなげて形成された複数の分離独立した導体パターンを有し、前記第1の基板の窓孔内に位置する前記第2の基板上に半導体光学素子が実装されていることを特徴とするものである。また、本発明の請求項2に記載された発明は、請求項1において、前記各導体パターンは、ダイシングにより切断されたスルーホールであることを特徴とするものである。また、本発明の請求項3に記載された発明は、請求項1または請求項2において、前記第2の基板の前記第1の基板が貼り合わされた面と反対側の面に形成された全ての回路パターンは、その一部が絶縁層で被覆されていることを特徴とするものである。また、本発明の請求項4に記載された発明は、窓孔を有する第1の基板と、両面のそれぞれに複数の分離独立した回路パターンが形成された第2の基板とを貼り合わせる工程と、前記貼り合わせ工程後に第1の基板と第2の基板を貫通するスルーホールを形成する工程と、前記スルーホール内に金属メッキする工程と、前記第1の基板の窓孔内に位置する前記第2の基板に対して半導体光学素子を実装する工程と、前記スルーホールを横断するように貼り合わされた前記第1の基板と前記第2の基板を切断する工程とを含んだことを特徴とするものである。本発明の半導体光学装置は、窓孔を有する第1の基板と両面に回路パターンが形成された第2の基板が接着シートにより貼り合わされた3層構造からなり、3層構造を構成する第1の基板、接着シート及び第2の基板の夫々の側面に繋げて導体パターンを形成すると共に該導体パターンを第2の基板の両面に形成された各回路パターンに連結するようにした。そして、第1の基板の窓孔内の第2の基板上に半導体発光素子を実装すると共に該窓孔内に透光性樹脂を充填した。上記構成の半導体光学装置は、実装基板に実装するに際しては、実装基板に形成された実装パターンに半導体光学装置に形成された導体パターンを半田を介して半田接合する。これにより、実装基板に対する半導体光学装置の実装強度を高めることができると共に実装基板に対して傾きを生じることなく正規の実装状態を確保することができる。以下、この発明の好適な実施形態を図1から図11を参照しながら、詳細に説明する同一部分については同じ符号を付す。尚、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの実施形態に限られるものではない。図1~図3は、本発明の実施形態の半導体光学装置に係わる説明図であり、図1は半導体光学装置を光照射方向から見た斜視説明図であり、図2は半導体光学装置を光照射方向と反対方向から見た斜視説明図であり、図3は半導体光学装置を光照射方向から見た正面説明図である。なお、図1、図2では説明のため実装面が上方に位置するように図示している。半導体光学装置1は、ガラスエポキシ基板からなり両面に導電部材からなる回路パターン11が形成されてなるボンディング基板10と、同じくガラスエポキシ基板からなるリフレクタ基板20と、ボンディング基板10とリフレクタ基板20を貼り合わせる接着シート30の3つの層からなる3層構造を有している。ボンディング基板10は、一方の側の面接着シート30を介してリフレクタ基板20が貼り合わされた側の面に、一方の縁部から対向する他方の縁部まで夫々分離独立した状態で延びる複数本本実施形態においては6本の回路パターン11が形成されており、中央部に各回路パターン11に部分的に形成された3組の一対のダイボンディングパッド11aとワイヤボンディングパッド11bを有している。ボンディング基板10の他方の面接着シート30を介してリフレクタ基板20が貼り合わされた面と反対側の面には、上記一方の面と同様な方向で一方の縁部から対向する他方の縁部まで夫々分離独立した状態で延びる複数本本実施形態においては6本の回路パターン11が形成されており、一方の縁部近部に各回路パターン11に部分的に形成された3組の一対の外部接続電極パッド11c、11dを有している。また、ボンディング基板10の他方の面の中央部には、各回路パターン11を部分的に覆うと共に外部接続電極パッド11c、11dに被らないように絶縁性のレジスト膜12が塗布されている。レジスト膜12の外部接続電極パッド11c、11d側のエッジ12aは、半導体光学装置1を後述する円弧状スルーホール6が形成された面を下にして置いたときに、該半導体光学装置1の重心よりも下方に位置するように設定されている。リフレクタ基板20は中央部に貫通窓孔21を有しており、ボンディング基板10の、ダイボンディングパッド11a及びワイヤボンディングパッド11bが形成された側の面に接着シート30を介して貼り合わされている。ボンディング基板10とリフレクタ基板20を貼り合わせる接着シート30は、少なくともボンディング基板10の貫通窓孔21で囲まれた範囲には存在せず、貫通窓孔21の底部には、ボンディング基板10に形成された3組の一対のダイボンディングパッド11aとワイヤボンディングパッド11bが露出している。そのうち、各ダイボンディングパッド11aには、半導体発光素子以下、LED素子と呼称する2が半田等の導電接合部材を介してダイボンディングされることによりLED素子2の下部電極がダイボンディングパッド11aに電気的に接続され、一端部がLED素子2の上部電極に接続されたボンディングワイヤ3の他端部がワイヤボンディングパッド11bにワイヤボンディングされることによりLED素子2の上部電極がボンディングワイヤ3を介してワイヤボンディングパッド11bに電気的に接続されている。更に、ボンディング基板10と、接着シート30と、リフレクタ基板20からなる3層構造の側面及び角面には、ボンディング基板10、接着シート30及びリフレクタ基板20の各側面に沿って繋がって延びる6つの断面円弧状の凹溝4が設けられると共に各凹溝4の内面には金属メッキ層5が設けられており、これにより円弧状スルーホール6が形成されている。6つの円弧状スルーホール6のうち3つは、その内面に形成された金属メッキ層5が、各ダイボンディングパッド11aを有する各回路パターン11と各外部接続電極パッド11cに接続されて各ダイボンディングパッド11aと各外部接続電極パッド11cの電気的導通が図られ、他の3つは、その内面に形成された金属メッキ層5が、各ワイヤボンディングパッド11bを有する各回路パターン11と各外部接続電極パッド11dに接続されて各ワイヤボンディングパッド11bと各外部接続電極パッド11dの電気的導通が図られている。そこで、外部接続電極パッド11c、11dの間にLED素子駆動用の電圧を印加すると、その電圧は円弧状スルーホール6を介してダイボンディングパッド11aとワイヤボンディングパッド11bの間に印加され、それによって、ダイボンディング及びワイヤボンディングが施されたLED素子2が駆動点灯する。なお、リフレクタ基板20の貫通窓孔21には透光性樹脂22が充填され、貫通窓孔21内に配設されたLED素子2及びボンディングワイヤ3が樹脂封止されている。次に、上記構成の半導体光学装置の製造工程について、図4~図10を参照して説明する。なお、以下の工程で作製する半導体光学装置は上述の半導体光学装置とはLED素子の数及び配置が異なる。但し、基本的な構成は同一である。まず、図4の多数個取りリフレクタ基板40の準備工程において、ガラスエポキシ基板からなり、所定の形状及び大きさの貫通窓孔21が縦横それぞれ所定の間隔で複数個設けられた多数個取り基板以下、多数個取りリフレクタ基板と呼称する40を準備する次に、図5aボンディング基板の一方の面を示す図及び図5bボンディング基板の他方の面を示す図の多数個取りボンディング基板45の準備工程において、ガラスエポキシ基板の一方の面に、一方の縁部から対向する他方の縁部まで所定の間隔で夫々分離独立した状態で延びる複数の回路パターン11が形成されると共に各回路パターン11の所定の位置にダイボンディングパッド11a及びワイヤボンディングパッド11bが形成され、他方の面に、上記一方の面と同様な方向で一方の縁部から対向する他方の縁部まで所定の間隔で夫々分離独立した状態で延びる複数の回路パターン11が形成されると共に各回路パターン11の所定の位置に外部接続電極パッド11c、11dが形成された多数個取り基板以下、多数個取りボンディング基板と呼称する45を準備する。次に、図6の貼り合わせ工程において、多数個取りボンディング基板45の上記一方の面に接着シート30を介して多数個取りリクレクタ基板40を貼付する。この時、接着シート30は予め多数個取りリフレクタ基板40の貫通窓孔21に対応する位置に該貫通窓孔21と同様に窓孔を設けている。したがって、貫通窓孔21の底部には、多数個取りボンディング基板45に形成された回路パターン11、ダイボンディングパッド11a及びワイヤボンディングパッド11bが露出している。次に、図7のスルーホール形成工程において、多数個取りボンディング基板45の上記一方の面に形成された各回路パターン11及び上記他方の面に形成された外部接続電極パッド11c、11dに対応する位置に、多数個取りリフレクタ基板40、接着シート30及び多数個取りボンディング基板45を貫通する貫通孔50を設ける。その後、貫通孔50の開口部以外の部分にマスクを施して貫通孔50内に無電解の金属メッキを施し、金属メッキ層5を形成する。その後、マスクを除去すると、貫通孔50の内面に金属メッキ層5が設けられてなるスルーホール51が形成され、該スルーホール51が一方の面の回路パターン11と他方の面の外部接続電極パッド11c、11dに接続されて、各ダイボンディングパッド11aと各外部接続電極パッド11cの電気的導通が図られると共に各ワイヤボンディングパッド11bと各外部接続電極パッド11dの電気的導通が図られる。次に、図8のボンディング工程において、多数個取りリフレクタ基板40の貫通窓孔21内に露出したダイボンディングパッド11aにLED素子2を半田等の導電性接合部材を介してダイボンディングし、ボンディングワイヤ3の一端部と他端部を夫々LED素子2の上部電極と多数個取りリフレクタ基板40の貫通窓孔21内に露出したワイヤボンディングパッド11bにワイヤボンディングする。次に、図9の樹脂封止工程において、多数個取りリフレクタ基板40の貫通窓孔21内に透光性樹脂22を充填して硬化させ、LED素子2及びボンディングワイヤ3を樹脂封止する。次に、図10のダイシング工程において、縦横所定の間隔でダイシングして個々の半導体光学装置1に個片化する。この場合、スルーホール51を貫通窓孔21の直下に当たるものは2分割、隅部に当たるものは4分割する位置でダイシングされる。以上の工程を経て作製された半導体光学装置1は、実装基板60に対して図11で示す状態で実装される。半導体光学装置1を実装する実装基板60は、予め導電部材からなる実装パターン61が形成されており、半導体光学装置1はその実装基板60の実装パターン61が形成された面に該半導体光学装置1の円弧状スルーホール6が形成された面を対向させた状態で円弧状スルーホール6を導体パターン61に半田62による半田接合している。ここで、導体パターン61は半導体光学装置1のボンディング基板10、接着シート30、リフレクタ基板20を足した側面幅よりも幅広に設けられている。これにより、半導体光学装置1は導体パターン61の幅に収まるように搭載することができる。このとき、半田62は円弧状スルーホール6の内部を満たすと共に、外部続電極パッド11c、11dに濡れ上がりによる半田フィレット63を形成している。つまり、外部続電極パッド11c、11dは半田接合時に半田フィレット63を形成して接合強度を高めるために設けられたものである。但し、外部接続電極パッド11c、11dの上部にはレジスト膜12が形成されており、半田62の過剰な濡れ上がりを防止している。これにより、外部接続電極11c、11dパッド側に多量の半田62が移動することにより起こる所謂マンハッタン現象の発生を防止している。実装基板60に半田実装された半導体光学装置1は、発光光の照射方向を実装基板60の基板面と略平行な方向としており、それ故、表面実装型で且つサイドビュー型の半導体光学装置と呼称されるものである。なお、上記実施形態の半導体光学装置1には、角面に、金属メッキ層5が設けられた凹溝4が設けられているが、上記半導体光学装置の製造工程を経て作製された半導体光学装置1には角面に凹溝が設けられていない。凹溝を設けるか或いは設けないかは、LED素子2の数や回路構成に基づいて適宜設定される。以上説明したように、上記半導体光学装置は、実装基板60の実装パターン61に半田接合される半導体光学装置1の円弧状スルーホール6が、該半導体光学装置1を構成するボンディング基板10、接着シート30及びリフレクタ基板20に沿って設けられており、実装パターン61に半田接合したときに半導体光学装置1は半田接合部より突出することはない。そのため、半田62の加熱溶融後の冷却硬化時に、溶融半田の体積収縮による引張力が半導体光学装置1全体に均等に加わることになり、半導体光学装置1が実装基板60に対して傾いた状態で実装されることはない。同様に、半田リフロープロセス前の時点においても、実装パターン61がリフレクタ基板20に設けられた円弧状スルーホール6の全体を含めるような大きめに作られているため、半導体光学装置1が実装基板60に対して傾いた状態に載置されることがなく、半田リフロープロセス後も正規の実装状態が保持される。また、円弧状スルーホール6のうち隅部に当たる4分割のスルーホールは2分割のスルーホールよりも大きめに設けられている。これにより、左右方向のアライメントも向上している。また、外部接続電極パッド11c、11dの上部にはレジスト膜12が形成されており、半田62の過剰な濡れ上がりを防止している。これにより、外部接続電極パッド11c、11d側に多量の半田62が移動することにより起こる所謂マンハッタン現象の発生を防止している。また、実装基板60に対する半導体光学装置1の半田接合は、半導体光学装置1の円弧状スルーホール6内面の金属メッキ層5及び外部接続電極パッド11c、11dを介して行われる。そのため、特に、実装基板60の実装パターン61に対する接合面に円弧状スルーホール6内面の金属メッキ層5を用いることにより半田接合面積を広く確保することが可能となり、実装基板60に対する半導体光学装置1の実装強度を高めることができる。このことは、半導体光学装置を小型化した場合においても、実装基板に対する半導体光学装置の良好な実装強度を確保することが可能となることを意味するものである。半田接合面積を広くできることにより、LED素子の発熱を効率よく半導体光学装置から逃がすことができ、熱によるLED素子の発光効率の低下を抑制すると共に信頼性を向上させることができる。また、上記製造工程において説明したように、スルーホール51は、多数個取りボンディング基板45と多数個取りリフレクタ基板40を接着シート30で貼り合わせた後に夫々を貫く貫通孔を一括して設け、その後内面に金属メッキ層を一括して設けることにより形成することができる。そのため、製造工程が簡略化され、製造コストの低減を図ることができる。さらに、半導体光学装置1は実装基板60に対して傾くことなく半田実装できるため、半導体光学装置1の円弧状スルーホール6に対する実装基板60の実装パターン61の大きさの制約が小さくなり、従来の大きさよりも大きく形成することができる。そのため、実装基板60の実装パターン61の形状寸法精度、及び位置精度の許容度を従来よりも大きく取ることが可能となり、実装基板60の低コスト化及び半導体光学装置の実装歩留りの向上を図ることができる。なお、ボンディング基板及びリフレクタ基板は必ずしもガラスエポキシ基板を用いる必要はなく、例えば、いずれもセラミック基板を用いることも可能である。その場合は、ボンディング基板のグリーンシートとリフレクタ基板のグリーンシートを直接重ね合わせて圧着して焼成することのより積層体を一体化することができるため、両基板を貼り合わせるための接着シートは不要である。同時に、半田接合時の半田の濡れ上がりを防止するレジスト膜は必要なく、いずれかのセラミック基板を活用することで可能となる。また、ボンディング基板とリフレクタ基板を夫々異なる部材で形成することもできる。例えば、ボンディング基板にガラスエポキシ基板を用い、リフレクタ基板に白色で高光反射率を有する部材を用いることにより、光の利用効率を高めることができる。以上の説明では、半導体発光素子LED素子を実装した構成のため半導体光学装置として説明したが、半導体発光素子の替わりにフォトダイオードやフォトトランジスタ等の半導体受光素子を用いることも可能である。その場合、半導体光学装置ではなく半導体受光装置となる。したがって、半導体発光素子及び半導体受光素子のいずれも用いることができることから半導体装置とすることも可能である。