"フォトダイオードを各々含むM×N個MおよびNは2以上の整数の画素がM行N列に2次元配列されて成る受光部と、各列毎に配設され、対応する列の前記画素に含まれる前記フォトダイオードと読出用スイッチを介して接続されたN本の読出用配線と、前記N本の読出用配線のそれぞれに接続され、当該読出用配線を経て入力された電荷の量に応じた電圧値を出力する積分回路、前記積分回路と入力用スイッチを介して直列に接続され、前記積分回路から出力された電圧値を保持する保持回路、および前記保持回路に接続され、前記保持回路に保持された電圧値を出力させる出力用スイッチを有する信号接続部と、各画素の前記読出用スイッチおよび前記入力用スイッチの開閉動作を制御するとともに、前記出力用スイッチの開閉動作を制御して、各画素の前記フォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値を前記保持回路から順次に出力させる制御部と、を備え、前記読出用スイッチは、多結晶シリコンを含む半導体スイッチであり、前記積分回路は、前記読出用配線と前記保持回路との間に直列に接続されたアンプ、および前記アンプに対し並列に接続された積分用容量素子を有しており、前記制御部は、前記読出用スイッチを接続状態とすることにより前記フォトダイオードの電荷を前記積分回路に出力させたのち、前記読出用スイッチを非接続状態とし、その後、前記積分回路から前記保持回路へ電圧値を出力させる第1の動作、前記積分用容量素子に保持された電荷を放電させるとともに、前記読出用スイッチを接続状態にして前記フォトダイオードに保持された電荷を放電させる第2の動作、および前記保持回路に保持された電圧値を順次に出力させる第3の動作を有し、前記第1の動作を実行した後、前記第2の動作と前記第3の動作とを並行して実行することを特徴とする固体撮像装置。前記第2の動作において、前記読出用スイッチを非接続状態にした後に、前記積分用容量素子の放電を終了することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。フォトダイオードを各々含むM×N個MおよびNは2以上の整数の画素がM行N列に2次元配列されて成る受光部と、各列毎に配設され、対応する列の前記画素に含まれる前記フォトダイオードと読出用スイッチを介して接続されたN本の読出用配線と、前記読出用配線に直列に接続されたアンプおよび前記アンプに対し並列に接続された積分用容量素子を有しており、前記読出用配線を経て入力された電荷の量に応じた電圧値を出力する積分回路と、前記積分回路から出力された電圧値を保持する保持回路と、を備える固体撮像装置の駆動方法であって、前記読出用スイッチを接続状態にすることにより前記フォトダイオードの電荷を前記積分回路に出力させたのち、前記読出用スイッチを非接続状態とし、その後、前記積分回路から前記保持回路へ電圧値を出力させる第1のステップと、前記積分用容量素子に保持された電荷を放電させるとともに、前記読出用スイッチを接続状態にして前記フォトダイオードに保持された電荷を放電させる第2のステップと、前記保持回路に保持された電圧値を順次に出力させる第3のステップと、を備え、前記読出用スイッチは、多結晶シリコンを含む半導体スイッチであり、前記第1のステップの後に、前記第2のステップと前記第3のステップとを並行して行うことを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。前記第2のステップにおいて、前記読出用スイッチを非接続状態にした後に、前記積分用容量素子の放電を終了することを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置の駆動方法。2次元フラットパネルイメージセンサは、アモルファスシリコンを用いて形成されたフォトダイオードとスイッチング素子とを含む複数の画素によって構成される。この構成による2次元フラットパネルイメージセンサにおいてフレームレートを速くすると、アモルファスシリコンで形成された、例えば電界効果型トランジスタFieldEffectTransistor、以下FETというのようなスイッチング素子を非接続状態とした際に過渡的に電荷がトラップされる、いわゆるメモリ効果が顕著に現れる。非晶質であるアモルファスシリコンは、FETのチャネルに電荷をトラップする準位の密度が高いためである。従って、トラップされた電荷を放出するための安定時間を必要とするという問題点がある以下、メモリ効果による課題という。さらに、フォトダイオードに蓄積された電荷が、所定の転送時間内ですべて転送されず、次のフレームのデータに重畳するという問題を有している以下、遅延効果による課題という。パッシブピクセル型の構成において、各行を順次走査するローリングシャッタ方式が採用される場合、フォトダイオードからの信号が1行分同時に信号接続部へ転送される保持期間と、それらの保持された信号が数列分走査して読み出される読出期間とが交互に繰り返されるが、フレームレートを速くするために保持期間を短くすると、メモリ効果および遅延効果が顕著となり、イメージラグが顕著となる。特許文献1では、メモリ効果および遅延効果による問題を解決するために、積分回路のリセット期間と、フォトダイオードの電荷を転送するサンプリング時間の一部とを重複させる方法が開示されている。しかし、特許文献1に開示されたタイミングチャートに従って駆動させた場合には、次の問題が生じる。すなわち、FETを接続状態にした際には過渡電荷が生じ、この過渡電荷はフォトダイオードから転送される電荷に重畳されるが、このタイミングチャートでは過渡電荷が重畳されたままサンプリング時間が終了するので、重畳された過渡電荷はキャンセルされない以下、スイッチングノイズによる課題という。そこで、本発明は、メモリ効果による課題、遅延効果による課題、およびスイッチングノイズによる課題を解決することができる固体撮像装置、および固体撮像装置の駆動方法を提供することを目的とする。本発明に係る固体撮像装置は、フォトダイオードを各々含むM×N個MおよびNは2以上の整数の画素がM行N列に2次元配列されて成る受光部と、各列毎に配設され、対応する列の画素に含まれるフォトダイオードと読出用スイッチを介して接続されたN本の読出用配線と、N本の読出用配線のそれぞれに接続され、当該読出用配線を経て入力された電荷の量に応じた電圧値を出力する積分回路、積分回路と入力用スイッチを介して直列に接続され、積分回路から出力された電圧値を保持する保持回路、および保持回路に接続され、保持回路に保持された電圧値を出力させる出力用スイッチを有する信号接続部と、各画素の読出用スイッチおよび入力用スイッチの開閉動作を制御するとともに、出力用スイッチの開閉動作を制御して、各画素のフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値を保持回路から順次に出力させる制御部と、を備え、読出用スイッチは、多結晶シリコンを含む半導体スイッチであり、積分回路は、読出用配線と保持回路との間に直列に接続されたアンプ、およびアンプに対し並列に接続された積分用容量素子を有しており、制御部は、読出用スイッチを接続状態とすることによりフォトダイオードの電荷を積分回路に出力させたのち、読出用スイッチを非接続状態とし、その後、積分回路から保持回路へ電圧値を出力させる第1の動作、積分用容量素子に保持された電荷を放電させるとともに、読出用スイッチを接続状態にしてフォトダイオードに保持された電荷を放電させる第2の動作、および保持回路に保持された電圧値を順次に出力させる第3の動作を有し、第1の動作を実行した後、第2の動作と第3の動作とを並行して実行することを特徴とする。本発明に係る固体撮像装置においては、読出用スイッチを接続状態とすることによりフォトダイオードの電荷を積分回路に出力させたのち、読出用スイッチを非接続状態としている。これにより、読出用スイッチを接続状態にした際に生じた過渡電荷を、読出用スイッチを非接続状態にした際に生じた逆極性を有する過渡電荷によりキャンセルすることができる。従って、スイッチングノイズによる課題を解決することができる。また、積分用容量素子に保持された電荷を放電させるとともに、読出用スイッチを接続状態にしてフォトダイオードに保持された電荷を放電させている。これにより、フォトダイオードの電荷を積分回路に出力する際にフォトダイオードに残留した電荷を、積分用容量素子の放電と併せて放電することが可能となる。従って、遅延効果による課題を解決することができる。また、読出用スイッチは、多結晶シリコンを含む半導体スイッチである。これによれば、メモリ効果による課題を解決することができる。なお、ここでいう第2の動作において、読出用スイッチを非接続状態にした後に、積分用容量素子の放電を終了することが好ましい。これによれば、フォトダイオードに残留した電荷の放電を安定して行うことができる。また、本発明に係る固体撮像装置の駆動方法は、フォトダイオードを各々含むM×N個MおよびNは2以上の整数の画素がM行N列に2次元配列されて成る受光部と、各列毎に配設され、対応する列の画素に含まれるフォトダイオードと読出用スイッチを介して接続されたN本の読出用配線と、読出用配線に直列に接続されたアンプおよびアンプに対し並列に接続された積分用容量素子を有しており、読出用配線を経て入力された電荷の量に応じた電圧値を出力する積分回路と、積分回路から出力された電圧値を保持する保持回路と、を備える固体撮像装置の駆動方法であって、読出用スイッチを接続状態にすることによりフォトダイオードの電荷を積分回路に出力させたのち、読出用スイッチを非接続状態とし、その後、積分回路から保持回路へ電圧値を出力させる第1のステップと、積分用容量素子に保持された電荷を放電させるとともに、読出用スイッチを接続状態にしてフォトダイオードに保持された電荷を放電させる第2のステップと、保持回路に保持された電圧値を順次に出力させる第3のステップと、を備え、読出用スイッチは、多結晶シリコンを含む半導体スイッチであり、第1のステップの後に、第2のステップと第3のステップとを並行して行うことを特徴とする。本発明に係る固体撮像装置の駆動方法においては、読出用スイッチを接続状態とすることによりフォトダイオードの電荷を積分回路に出力させたのち、読出用スイッチを非接続状態としている。これにより、読出用スイッチを接続状態にした際に生じた過渡電荷を、読出用スイッチを非接続状態にした際に生じた逆極性を有する過渡電荷によりキャンセルすることができる。従って、スイッチングノイズによる課題を解決することができる。また、積分用容量素子に保持された電荷を放電させるとともに、読出用スイッチを接続状態にしてフォトダイオードに保持された電荷を放電させている。これにより、フォトダイオードの電荷を積分回路に出力する際にフォトダイオードに残留した電荷を、積分用容量素子の放電と併せて放電することが可能となる。従って、遅延効果による課題を解決することができる。また、読出用スイッチは、多結晶シリコンを含む半導体スイッチである。これによれば、メモリ効果による課題を解決することができる。なお、ここでいう第2のステップにおいて、読出用スイッチを非接続状態にした後に、積分用容量素子の放電を終了することが好ましい。これによれば、フォトダイオードに残留した電荷の放電を安定して行うことができる。本発明による固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法によれば、メモリ効果による課題、遅延効果による課題、およびスイッチングノイズによる課題を解決することができる。以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。本実施形態に係る固体撮像装置は、例えば医療用X線撮像システムに用いられ、特に歯科医療におけるパノラマ撮影、セファロ撮影、CT撮影といった撮像モードによって、被検者の顎部のX線像を撮像するシステムに用いられる。このため、本実施形態の固体撮像装置は大面積のガラス基板上に多結晶シリコンが堆積されて成る薄膜トランジスタを備えており、単結晶シリコンウェハから作製された従来の固体撮像装置と比較して、格段に広い受光面積を有する。図1~図3は、本実施形態における固体撮像装置1の構成を示す図である。図1は固体撮像装置1を示す平面図であり、図2は固体撮像装置1の一部を拡大した平面図である。さらに、図3は、図2のI-I線における側断面図である。なお、図1~図3には、理解を容易にするためXYZ直交座標系を併せて示している。図1に示すように、固体撮像装置1は、ガラス基板7の主面に作り込まれた受光部10、信号接続部20、および走査シフトレジスタ40を備えている。なお、受光部10、信号接続部20、および走査シフトレジスタ40は、それぞれ別個のガラス基板7上に形成されていても良い。図2に示すように、受光部10は、M×N個の画素PがM行N列に2次元配列されることにより構成されている。画素Pm,nは第m行第n列に位置する。ここで、mは1以上M以下の各整数であり、nは1以上N以下の各整数である。なお、図2において、列方向はX軸方向と一致し、行方向はY軸方向と一致する。M,Nそれぞれは2以上の整数である。画素Pは、フォトダイオードPD、スイッチSW1読出用スイッチを備えている。スイッチSW1には、第m行選択用配線LV,mが接続されている。フォトダイオードPDはスイッチSW1を介して第n列読出用配線LO,nに接続されている。また、図3に示すように、フォトダイオードPD、スイッチSW1、および第n列読出用配線LO,nは、ガラス基板7上に設けられたシリコン膜3の表面に形成されている。さらに、フォトダイオードPD、スイッチSW1、第n列読出用配線LO,nの上には絶縁層5を介してシンチレータ4が設けられている。フォトダイオードPDは、例えば、アモルファスシリコンを含んで構成されている。本実施形態のフォトダイオードPDは、多結晶シリコンからなるn型半導体層21と、n型半導体層21上に設けられたアモルファスシリコンからなるi型半導体層22と、i型半導体層22上に設けられたアモルファスシリコンからなるp型半導体層23とを有する。スイッチSW1は、多結晶シリコンにより形成されたFETであり、チャネル領域11と、チャネル領域11の一方の側面に配置されたソース領域12と、チャネル領域11の他方の側面に配置されたドレイン領域13と、チャネル領域11上に形成されたゲート絶縁膜14及びゲート電極15とを有する。第n列読出用配線LO,nは、金属により形成されている。シンチレータ4は、入射したX線に応じてシンチレーション光を発生してX線像を光像へと変換し、この光像を受光部10へ出力する。読出用スイッチSW1を構成する多結晶シリコンは、低温多結晶シリコンであると尚よい。低温多結晶シリコンは100~600°Cのプロセス温度で形成される多結晶シリコンである。100~600°Cのプロセス温度の範囲は、無アルカリガラスを基板として使える温度範囲であることから、ガラス基板上に大面積の固体撮像装置1を製造することが可能となる。無アルカリガラスは例えば0.3~1.2mmの厚さを有する板状ガラスであり、いわゆるサブストレート用ガラスとして用いられるものである。この無アルカリガラスは、アルカリ分を殆ど含まず、低膨張率、高耐熱性を有し、安定した特性を有している。また、低温多結晶シリコン系デバイスの移動度は10~600cm2/Vsであり、アモルファスシリコンの移動度0.3~1.0cm2/Vsよりも大きくすることができる。すなわち、ON抵抗を低くすることが可能である。図3に示すような画素Pは、例えば、次のような工程により製造される。まず、ガラス基板7上にアモルファスシリコンを製膜する。製膜方法としては、例えばプラズマCVDが好適である。次に、エキシマレーザアニールによりレーザビームをアモルファスシリコン膜に順次照射してアモルファスシリコン膜の全面を多結晶シリコン化する。こうして、シリコン膜3が形成される。続いて、この多結晶シリコン層の一部の領域上に、ゲート絶縁膜14としてのSiO2膜を形成したのち、その上にゲート電極を形成する。続いて、ソース領域12およびドレイン領域13となるべき領域にイオン注入工程を実施する。その後、多結晶シリコン層のパターニングを実施し、露光およびエッチングを繰り返し実施して、電極およびコンタクトホール等を形成する。また、画素Pとなるべき領域におけるシリコン膜3にイオンを注入してn型としたのち、その上に、i型およびp型のアモルファスシリコン層すなわちi型半導体層22及びp型半導体層23を順に積層してPIN型フォトダイオードPDを形成し、その後に、絶縁層5となるパシベーション膜を形成する。図1に示す信号接続部20は、受光部10の各画素Pから出力された電荷の量に応じた電圧値を保持し、その保持した電圧値を順次に出力する。走査シフトレジスタ40は、各画素Pに蓄積された電荷が行毎に信号接続部20へ順次出力されるように各画素Pを制御する。続いて、本実施形態に係る固体撮像装置1の詳細な構成について説明する。図4は、固体撮像装置1の内部構成を示す図である。受光部10は、M×N個の画素P1,1~PM,NがM行N列に2次元配列されて成る。画素Pm,nは第m行第n列に位置する。第m行のN個の画素Pm,1~Pm,Nそれぞれは、第m行選択用配線LV,mにより走査シフトレジスタ40と接続されている。なお、図4において、走査シフトレジスタ40は制御部6に含まれている。第n列のM個の画素P1,n~PM,nそれぞれの出力端は、第n列読出用配線LO,nにより、信号接続部20の積分回路Snと接続されている。信号接続部20は、N個の積分回路S1~SNおよびN個の保持回路H1~HNを含む。各積分回路Snは共通の構成を有している。また、各保持回路Hnは共通の構成を有している。各積分回路Snは、第n列読出用配線LO,nと接続された入力端を有し、この入力端に入力された電荷を蓄積して、その蓄積電荷量に応じた電圧値を出力端から保持回路Hnへ出力する。N個の積分回路S1~SNそれぞれは、リセット用配線LRにより制御部6と接続されている。各保持回路Hnは、積分回路Snの出力端と接続された入力端を有し、この入力端に入力される電圧値を保持し、その保持した電圧値を出力端から電圧出力用配線Loutへ出力する。N個の保持回路H1~HNそれぞれは、保持用配線LHにより制御部6と接続されている。また、各保持回路Hnは、第n列選択用配線LS,nにより制御部6の読出シフトレジスタ41と接続されている。制御部6の走査シフトレジスタ40は、第m行選択制御信号Vselmを第m行選択用配線LV,mへ出力して、この第m行選択制御信号Vselmを第m行のN個の画素Pm,1~Pm,Nそれぞれに与える。M個の行選択制御信号Vsel1~VselMは順次に有意値とされる。また、制御部6の読出シフトレジスタ41は、第n列選択制御信号Hshiftnを第n列選択用配線LS,nへ出力して、この第n列選択制御信号Hshiftnを保持回路Hnに与える。N個の列選択制御信号Hshift1~HshiftNも順次に有意値とされる。また、制御部6は、リセット制御信号Resetをリセット用配線LRへ出力して、このリセット制御信号ResetをN個の積分回路S1~SNそれぞれに与える。制御部6は、保持制御信号Holdを保持用配線LHへ出力して、この保持制御信号HoldをN個の保持回路H1~HNそれぞれに与える。図5は、固体撮像装置1の画素Pm,n、積分回路Snおよび保持回路Hnそれぞれの回路図である。ここでは、M×N個の画素P1,1~PM,Nを代表して画素Pm,nの回路図を示し、N個の積分回路S1~SNを代表して積分回路Snの回路図を示し、また、N個の保持回路H1~HNを代表して保持回路Hnの回路図を示す。すなわち、第m行第n列の画素Pm,nおよび第n列読出用配線LO,nに関連する回路部分を示す。画素Pm,nは、フォトダイオードPDおよび読出用スイッチSW1を含む。フォトダイオードPDのアノード端子は接地され、フォトダイオードPDのカソード端子は読出用スイッチSW1を介して第n列読出用配線LO,nと接続されている。フォトダイオードPDは、入射光強度に応じた量の電荷を発生し、その発生した電荷を接合容量部に蓄積する。読出用スイッチSW1は、制御部6から第m行選択用配線LV,mを通った第m行選択制御信号Vselmが与えられる。第m行選択制御信号Vselmは、受光部10における第m行のN個の画素Pm,1~Pm,Nそれぞれの読出用スイッチSW1の開閉動作を指示するものである。この画素Pm,nでは、第m行選択制御信号Vselmがローレベルであるときに、読出用スイッチSW1が開いて、フォトダイオードPDで発生した電荷は、第n列読出用配線LO,nへ出力されることなく、接合容量部に蓄積される。一方、第m行選択制御信号Vselmがハイレベルであるときに、読出用スイッチSW1が閉じて、それまでフォトダイオードPDで発生して接合容量部に蓄積されていた電荷は、読出用スイッチSW1を経て、第n列読出用配線LO,nへ出力される。第n列読出用配線LO,nは、受光部10における第n列のM個の画素P1,n~PM,nそれぞれの読出用スイッチSW1と接続されている。第n列読出用配線LO,nは、M個の画素P1,n~PM,nのうちの何れかの画素のフォトダイオードPDで発生した電荷を、該画素の読出用スイッチSW1を介して読み出して、積分回路Snへ転送する。積分回路Snは、アンプA2,帰還容量部である積分用容量素子C21、および放電用スイッチSW21を含む。積分用容量素子C21および放電用スイッチSW21は、互いに並列的に接続されて、アンプA2の入力端子と出力端子との間に設けられている。アンプA2の入力端子は、第n列読出用配線LO,nと接続されている。放電用スイッチSW21には、制御部6からリセット用配線LRを経たリセット制御信号Resetが与えられる。リセット制御信号Resetは、N個の積分回路S1~SNそれぞれの放電用スイッチSW21の開閉動作を指示するものである。この積分回路Snでは、リセット制御信号Resetがハイレベルであるときに、放電用スイッチSW21が閉じて、帰還容量部積分用容量素子C21が放電され、積分回路Snから出力される電圧値が初期化される。一方、リセット制御信号Resetがローレベルであるときに、放電用スイッチSW21が開いて、入力端に入力された電荷が帰還容量部積分用容量素子C21に蓄積され、その蓄積電荷量に応じた電圧値が積分回路Snから出力される。保持回路Hnは、入力用スイッチSW31,出力用スイッチSW32および保持用容量素子C3を含む。保持用容量素子C3の一端は接地されている。保持用容量素子C3の他端は、入力用スイッチSW31を介して積分回路Snの出力端と接続され、出力用スイッチSW32を介して電圧出力用配線Loutと接続されている。入力用スイッチSW31には、制御部6から保持用配線LHを通った保持制御信号Holdが与えられる。保持制御信号Holdは、N個の保持回路H1~HNそれぞれの入力用スイッチSW31の開閉動作を指示するものである。出力用スイッチSW32には、制御部6から第n列選択用配線LS,nを通った第n列選択制御信号Hshiftnが与えられる。第n列選択制御信号Hshiftnは、保持回路Hnの出力用スイッチSW32の開閉動作を指示するものである。この保持回路Hnでは、保持制御信号Holdがハイレベルからローレベルに転じると、入力用スイッチSW31が閉状態から開状態に転じて、そのときに入力端に入力されている電圧値が保持用容量素子C3に保持される。また、第n列選択制御信号Hshiftnがハイレベルであるときに、出力用スイッチSW32が閉じて、保持用容量素子C3に保持されている電圧値が電圧出力用配線Loutへ出力される。制御部6は、受光部10における第m行のN個の画素Pm,1~Pm,Nそれぞれの受光強度に応じた電圧値を出力するに際して、リセット制御信号Resetにより、N個の積分回路S1~SNそれぞれの放電用スイッチSW21を所定期間に亘り閉じた後に開くよう指示したのち、第m行選択制御信号Vselmにより、受光部10における第m行のN個の画素Pm,1~Pm,Nそれぞれの読出用スイッチSW1を所定期間に亘り閉じた後に開くよう指示する。読出用スイッチSW1が開いた後、制御部6は、保持制御信号Holdにより、N個の保持回路H1~HNそれぞれの入力用スイッチSW31を閉状態から開状態に転じるよう指示する。そして、制御部6は、リセット制御信号Resetにより、N個の積分回路S1~SNそれぞれの放電用スイッチSW21を閉じるように指示すると同時に、第m行選択制御信号Vselmにより、受光部10における第m行のN個の画素Pm,1~Pm,Nそれぞれの読出用スイッチSW1を所定期間に亘り閉じるよう指示する。さらに、放電用スイッチSW21を閉じる指示および読出用スイッチSW1を閉じる指示と並行して、列選択制御信号Hshift1~HshiftNにより、N個の保持回路H1~HNそれぞれの出力用スイッチSW32を順次に一定期間だけ閉じるよう指示する。制御部6は、以上のような制御を各行について順次に行う。このように、制御部6は、受光部10におけるM×N個の画素P1,1~PM,Nそれぞれの読出用スイッチSW1の開閉動作を制御するとともに、信号接続部20における電圧値の保持動作および出力動作を制御する。これにより、制御部6は、受光部10におけるM×N個の画素P1,1~PM,NそれぞれのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値をフレームデータとして信号接続部20から繰り返し出力させる。本実施形態に係る固体撮像装置1の動作は以下のとおりである。図6は、本実施形態に係る固体撮像装置1の動作を説明するタイミングチャートである。なお、以下では、固体撮像装置1の動作と共に、本実施形態による固体撮像装置の駆動方法について説明する。図6には、上から順に、aN個の積分回路S1~SNそれぞれの放電用スイッチSW21の開閉動作を指示するリセット制御信号Reset、b、c受光部10における第1行および第2行の画素P1,1~P1,N,P2,1~P2,Nそれぞれの読出用スイッチSW1の開閉動作を指示する第1行選択制御信号Vsel1および第2行選択制御信号Vsel2、dN個の保持回路H1~HNそれぞれの入力用スイッチSW31の開閉動作を指示する保持制御信号Holdが示されている。また、図6には、更に続いて順に、e保持回路H1の出力用スイッチSW32の開閉動作を指示する第1列選択制御信号Hshift1、f保持回路Hnの出力用スイッチSW32の開閉動作を指示する第n列選択制御信号Hshiftn、g保持回路HNの出力用スイッチSW32の開閉動作を指示する第N列選択制御信号HshiftNが示されている。第1行の画素P1,1~P1,NのフォトダイオードPDで発生し接合容量部に蓄積された電荷の読出しは、以下のようにして行われる。時刻t10前には、M個の行選択制御信号Vsel1~VselM、N個の列選択制御信号Hshift1~HshiftN、リセット制御信号Resetおよび保持制御信号Holdのそれぞれは、ローレベルとされている。時刻t10から時刻t11までの期間、制御部6からリセット用配線LRに出力されるリセット制御信号Resetがハイレベルとなり、これにより、N個の積分回路S1~SNそれぞれにおいて、放電用スイッチSW21が接続状態となって、積分用容量素子C21が放電される。<第1の動作第1のステップ>時刻t11より後の時刻t12から時刻t13までの期間、制御部6から第1行選択用配線LV,1に出力される第1行選択制御信号Vsel1がハイレベルとなり、これにより、受光部10における第1行のN個の画素P1,1~P1,Nそれぞれの読出用スイッチSW1が接続状態となる。N個の画素P1,1~P1,NそれぞれのフォトダイオードPDで発生し接合容量部に蓄積された電荷は、読出用スイッチSW1及び第n列読出用配線LO,1~LO,Nを通って積分回路S1~SNに出力され、積分用容量素子C21に蓄積される。積分回路S1~SNからは、積分用容量素子C21に蓄積された電荷量に応じた大きさの電圧が出力される。なお、時刻t13ののち、第1行のN個の画素P1,1~P1,Nそれぞれの読出用スイッチSW1は非接続状態とされる。そして、時刻t13より後の時刻t14から時刻t15までの期間、制御部6から保持用配線LHへ出力される保持制御信号Holdがハイレベルとなり、これにより、N個の保持回路H1~HNのそれぞれにおいて入力用スイッチSW31が接続状態となる。積分回路S1~SNから出力された電圧の大きさは、保持回路H1~HNによって保持される。<第2の動作第2のステップ>そして、時刻t15より後の時刻t16から時刻t17までの期間、制御部6からリセット用配線LRに出力されるリセット制御信号Resetがハイレベルとなり、これにより、N個の積分回路S1~SNそれぞれにおいて、放電用スイッチSW21が接続状態となり、積分用容量素子C21が放電される。また、このような積分用容量素子C21の放電動作と並行して、時刻t15より後の時刻t18から時刻t19までの期間、制御部6から第1行選択用配線LV,1に出力される第1行選択制御信号Vsel1がハイレベルとなり、これにより、受光部10における第1行のN個の画素P1,1~P1,Nそれぞれの読出用スイッチSW1が接続状態となる。時刻t12から時刻t13までの間にフォトダイオードPDから出力されずに残存していた電荷は、このとき読出用スイッチSW1及び第n列読出用配線LO,1~LO,Nを通って積分回路S1~SNに出力され、積分用容量素子C21に蓄えられていた電荷と共に放電される。なお、図6に示したタイミングチャートでは積分用容量素子C21の放電開始時刻t16の後に画素P1,1~P1,NそれぞれのフォトダイオードPDの放電が開始時刻t18されているが、画素P1,1~P1,NそれぞれのフォトダイオードPDの放電開始の後に積分用容量素子C21の放電が開始されてもよい。また、フォトダイオードPDに残留した電荷の放電を安定して行うために、図6に示すように、読出用スイッチSW1を非接続状態にして画素P1,1~P1,NそれぞれのフォトダイオードPDの放電が終了時刻t19した後に、放電用スイッチSW21を非接続状態にして積分用容量素子C21の放電を終了時刻t17することが好ましい。<第3の動作第3のステップ>さらに、本実施形態では、上述した第2の動作第2のステップと並行して、以下の第3の動作第3のステップを実行する。すなわち、時刻t15より後の時刻t20から時刻t21までの期間、制御部6から列選択用配線LS,1~LS,Nに出力される列選択制御信号Hshift1~HshiftNが順次に一定期間だけハイレベルとなり、これにより、N個の保持回路H1~HNそれぞれの出力用スイッチSW32が順次に一定期間だけ接続状態となって、各保持回路H1~HNの保持用容量素子C3に保持されている電圧値は出力用スイッチSW32を経て電圧出力用配線Loutへ順次に出力される。本実施形態では、以上のような第1行についての動作に続いて、以降、第2行から第M行まで同様の動作が行われて、1回の撮像で得られる画像を表すフレームデータが得られる。また、第M行について動作が終了すると、再び第1行から第M行までの範囲で同様の動作が行われて、次の画像を表すフレームデータが得られる。このように、一定周期で同様の動作を繰り返すことで、受光部10が受光した光像の2次元強度分布を表す電圧値Voutが電圧出力用配線Loutへ出力されて、繰り返してフレームデータが得られる。上記した固体撮像装置1によれば、読出用スイッチSW1を接続状態とすることによりフォトダイオードPDの電荷を積分回路Snに出力させたのち、この積分回路Snからの出力電圧値を保持回路Hnによって保持する前に読出用スイッチSW1を非接続状態としている。これにより、読出用スイッチSW1を接続状態にした際に生じた過渡電荷を、読出用スイッチSW1を非接続状態にした際に生じた逆極性を有する過渡電荷によりキャンセルすることができる。従って、スイッチングノイズによる課題を解決することができる。また、積分用容量素子C21に保持された電荷を放電させるとともに、読出用スイッチSW1を接続状態にしてフォトダイオードPDに保持された電荷を放電させている。これにより、フォトダイオードPDの電荷を積分回路Snに出力する際にフォトダイオードPDに残留した電荷を、積分用容量素子C21の放電と併せて放電することが可能となる。従って、遅延効果による課題を解決することができる。さらに、上記した積分用容量素子C21に保持された電荷の放電およびフォトダイオードPDに残留した電荷の放電を実施する第2の動作第2のステップと並行して、保持回路Hnに保持された電圧値を順次に出力させる第3の動作第3のステップを実行する。これにより、フレームレートを低下させることなく、高速で固体撮像装置1を駆動することができる。また、本実施形態によれば、新たな回路を付加することなく、スイッチングノイズによる課題および遅延効果による課題を解決することができる。また、本実施形態によれば、感度の低下は1000分の1以下に抑えることができる。また、読出用スイッチSW1は、多結晶シリコンを含む半導体スイッチであることが好ましい。多結晶シリコンは、アモルファスシリコンと比較して、トラップ準位の密度が低く、スイッチを非接続とした際のメモリ効果が発生しにくい。これにより、メモリ効果による課題を解決することができる。また、本実施形態のように、読出用スイッチSW1を非接続状態にした後に、放電用スイッチSW21を非接続状態にして積分用容量素子C21の放電を終了することが好ましい。これによれば、フォトダイオードに残留した電荷の放電を安定して行うことができる。"