"内部に柱状電極が埋設されたウエーハの裏面を加工して薄化するウエーハの加工方法であって、ウエーハに埋設された柱状電極の高さを測定して柱状電極高さデータを取得する測定ステップと、ウエーハを保持する保持テーブルの保持面と、該保持テーブルで保持されたウエーハの裏面を加工する加工手段の加工面とを、該測定ステップで取得した柱状電極高さデータに基づいて相対的に傾斜させて該保持面と該加工面との対面状態を調整するとともに、該保持テーブルでウエーハを保持するウエーハ保持ステップと、該ウエーハ保持ステップを実施した後、該柱状電極高さデータに基づいて該保持テーブルで保持されたウエーハの裏面を該加工手段で加工して、該柱状電極がウエーハの裏面に露出しない状態にウエーハを薄化するウエーハ薄化ステップと、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。前記加工手段は、研削ホイール、研磨パッド、切削バイトの何れかから構成される請求項1記載のウエーハの加工方法。前記ウエーハ薄化ステップを実施した後、ウエーハの裏面にエッチングを施して前記柱状電極の端面をウエーハの裏面に露出させる柱状電極露出ステップを更に具備した請求項1又は2記載のウエーハの加工方法。一般に柱状電極は銅等の重金属を含むため、柱状電極が形成されたウエーハの裏面を薄化する際に柱状電極を研削研磨して重金属の切削屑がウエーハに付着すると、半導体デバイスは重金属によって汚染される恐れがある金属汚染。そこで、柱状電極の高さに達する寸前までウエーハの裏面を加工してウエーハを薄化した後、エッチングで柱状電極の端面をウエーハの裏面から露出させるようにすることで重金属の切削屑の発生を防止することができる。しかし、ウエーハに埋設された柱状電極には高さばらつきがあり、柱状電極の規定高さ寸前までウエーハを研削研磨すると、柱状電極を削ってしまう恐れがある。反対に、研削量や研磨量を少なくすると、エッチングで除去すべき量が増えるため、加工時間が非常に長くかかるという問題がある。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、柱状電極の切削屑で半導体デバイスを金属汚染させてしまう恐れのないウエーハの加工方法を提供することである。本発明によると、内部に柱状電極が埋設されたウエーハの裏面を加工して薄化するウエーハの加工方法であって、ウエーハに埋設された柱状電極の高さを測定して柱状電極高さデータを取得する測定ステップと、ウエーハを保持する保持テーブルの保持面と、該保持テーブルで保持されたウエーハの裏面を加工する加工手段の加工面とを、該測定ステップで取得した柱状電極高さデータに基づいて相対的に傾斜させて該保持面と該加工面との対面状態を調整するとともに、該保持テーブルでウエーハを保持するウエーハ保持ステップと、該ウエーハ保持ステップを実施した後、該柱状電極高さデータに基づいて該保持テーブルで保持されたウエーハの裏面を該加工手段で加工して、該柱状電極がウエーハの裏面に露出しない状態にウエーハを薄化するウエーハ薄化ステップと、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。好ましくは、ウエーハの加工方法は、ウエーハ薄化ステップを実施した後、ウエーハの裏面にエッチングを施して柱状電極の端面をウエーハの裏面に露出させる柱状電極露出ステップを更に具備している。本発明によると、ウエーハに埋設された柱状電極の高さデータに基づいてウエーハの裏面を加工してウエーハの薄化を行うため、ウエーハの薄化時に誤って柱状電極を加工して重金属を含む切削屑を発生させることが抑制される。従って、半導体デバイスを金属汚染させてしまう恐れを低減できる。また、ウエーハに埋設された柱状電極の高さデータに基づいて加工手段の加工面と保持テーブルの保持面との対面状態を調整するため、柱状電極の高さがウエーハ面内でなだらかに変化している場合には、柱状電極の高さに対応してウエーハを薄化することができ、柱状電極端面の突出量をウエーハ全体にわたり同等にできる。更に、柱状電極の端面の突出量をウエーハ全体にわたり同等にできると、後のパシベーション被覆工程でパシベーション膜を均一に被覆しやすいというメリットがある。以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明のウエーハの加工方法を実施するのに適した研磨装置2の斜視図を示している。4は研磨装置2のハウジングであり、ハウジング4の後方にはコラム6が立設されている。コラム6には、上下方向に延びる一対のガイドレール一本のみ図示8が固定されている。この一対のガイドレール8に沿って研磨ユニット研磨手段10が上下方向に移動可能に装着されている。研磨ユニット10は、そのハウジング20が一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動する移動基台12に取り付けられている。研磨ユニット10は、ハウジング20と、ハウジング20中に回転可能に収容されたスピンドル22図5参照と、スピンドル22を回転駆動するサーボモータ24と、スピンドル22の先端に固定された研磨パッド28を有する研磨ホイール26を含んでいる。研磨ユニット10は、研磨ユニット10を一対の案内レール8に沿って上下方向に移動するボールねじ14とパルスモータ16とから構成される研磨ユニット送り機構18を備えている。パルスモータ16をパルス駆動すると、ボールねじ14が回転し、移動基台12が上下方向に移動される。ハウジング4の中間部分には保持テーブルユニット30が配設されており、保持テーブルユニット30は図2に示す保持テーブル移動機構44によりY軸方向に移動される。56は保持テーブル移動機構をカバーする蛇腹である。ハウジング4の前側部分には、第1のウエーハカセット58と、第2のウエーハカセット60と、ウエーハ搬送ロボット62と、複数の位置決めピン66を有する位置決め機構64と、ウエーハ搬入機構ローディングアーム68と、ウエーハ搬出機構アンローディングアーム70と、スピナユニット72が配設されている。また、ハウジング4の概略中央部には、保持テーブル42を洗浄する洗浄水噴射ノズル74が設けられている。この洗浄水噴射ノズル74は、保持テーブル42が装置手前側のウエーハ搬入搬出領域に位置付けられた状態において、保持テーブル42に向かって洗浄水を噴射する。図2を参照すると、保持テーブルユニット30及び保持テーブル送り機構44の斜視図が示されている。保持テーブルユニット30は、支持基台32と、支持基台32に角度調整可能に取り付けられたテーブル支持板38と、テーブル支持板38に回転自在に配設された保持テーブル42を含んでいる。支持基台32には所定角度例えば120度離間して一対のエアシリンダ34,36が配設されており、エアシリンダ34,36のピストンロッド34a,36aの先端34b,36bはテーブル支持板38に連結されている。34b,36bは可動支持部として作用する。図3に示すように、テーブル支持板38は更に、可動支持部34b,36bから所定角度例えば120度離間して配設された固定支持部40により支持されている。テーブル支持板38のこのような支持構成により、エアシリンダ34,36を選択的に駆動すると、テーブル支持板38の水平面からの傾斜角度を任意に調整することができる。保持テーブル42はテーブル支持板38に配設されているので、これにより保持テーブル42の保持面の角度を任意に調整可能である。保持テーブルユニット30は、保持テーブル移動機構44により研磨装置2の前後方向Y軸方向に移動される。保持テーブル移動機構44は、ボールねじ46のねじ軸48と、ねじ軸48に螺合する支持基台32に取り付けられた図示しないナットと、ねじ軸48の一端に連結されたパルスモータ50とから構成される。パルスモータ50をパルス駆動すると、ボールねじ46のねじ軸48が回転し、このねじ軸48に螺合したナットを有する支持基台32が一対のガイドレール52に案内されながらパルスモータ50の回転方向に応じてY軸方向に移動される。図4を参照すると、保持テーブル42の縦断面図が示されている。保持テーブル42は、SUSステンレス鋼等から形成された枠体76を有しており、枠体76の上部には嵌合凹部78が形成されているとともに中央部に吸引路82が形成されている。吸引路82は、図示しない真空吸引源に選択的に接続される。枠体76の嵌合凹部78内にはポーラスセラミックス等から形成された吸引部80が嵌合されている。保持テーブル42の吸引部80は、保持テーブル42の回転軸42aを頂点として僅かな山形状に形成された保持面80aを有しており、吸引部80の半径Rを10cmとすると、保持面80aの中心部と周辺部との高さの差Hは10~20μm程度に形成されている。図5を参照すると、標準研磨時の吸引部80の保持面80aと研磨パッド28の研磨面加工面28aとの対面状態が示されている。この標準研磨時には、吸引部80の保持面80aと研磨パッド28の研磨面28aとは平行に維持されている。尚、図5に示した状態は、吸引部80の保持面80aの傾斜角が誇張されているため、回転軸42aが鉛直方向から非常に傾斜されて描かれているが、実際には回転軸42aはほぼ鉛直方向に維持されている。図6は本発明のウエーハの加工方法の加工対象となる半導体ウエーハ11の斜視図を示している。図6に示す半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数のストリート分割予定ライン13が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート13によって区画された各領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19をその表面に備えている。また、半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。図7の縦断面図に示すように、半導体ウエーハ11のデバイス領域17には複数の柱状電極23が埋設されている。柱状電極23は、銅等の重金属から形成されている。ウエーハ11内に埋設された柱状電極23は高さばらつきがあり、図7に示した例では中央部の柱状電極23の高さが外周部の柱状電極23に比較して若干低く形成されている。図7に示した柱状電極23の高さばらつきは一例であり、外周部の柱状電極23の高さが中央部分に比べて低くなっているようなウエーハもある。本発明のウエーハの加工方法では、まず、ウエーハに埋設された柱状電極23の高さを測定して柱状電極高さデータを取得する測定ステップを実施する。この測定ステップでは、例えば図8Aに示すように、高さ測定装置84からウエーハ11の裏面11bにIR波長のレーザビームを照射しながら高さ測定装置84を矢印方向に走査することにより、埋設された柱状電極の端面で反射された反射光とウエーハ表面で反射された反射光の強度差から図8Bに示すような、柱状電極高さデータを取得し、これを研磨装置2のコントローラのメモリに記憶する。柱状電極23の測定はウエーハ11の全面に渡り実施するのが好ましいが、例えばウエーハ11の外周部と中央部のみ測定し、中間部分は外周部と中央部の測定データで補間するようにしてもよい。本発明の好ましい実施形態では、研磨装置2によるウエーハ11の研磨を実施する前に、よく知られた研削装置によりウエーハ11の裏面11bを研削してウエーハ11を所定の厚さ例えば80μmに薄化しておく。これにより、図1に示した研磨装置2による研磨量を低減することができる。このような研削工程を実施する前に、ウエーハ11の表面11aに形成されたデバイス15を保護するために、ウエーハ11の表面11aには図9に示すように保護テープ25が貼着される。測定ステップ実施後、所定の厚さに研削加工されたウエーハ11は、図10に示すように、ウエーハ11を保持する保持テーブル42の保持面80aと、保持テーブル42で保持されたウエーハの裏面11bを研磨加工する研磨装置2の研磨パッド28の研磨面加工面28とを、測定ステップで取得した柱状電極高さデータに基づいて相対的に傾斜させて保持面80aと研磨面28aとの対面状態を調整し、調整後保持テーブル42でウエーハ11を保持するウエーハ保持ステップを実施する。本実施形態では、図8Aに示した測定ステップで、図8Bに示すようなウエーハ11の中央部分の柱状電極23の高さが外周分に比較して低い柱状電極高さデータが得られているので、標準状態の保持テーブル42の回転軸42a ́をごく小さい角度θだけ回転して回転軸42aを若干立てて保持面80aの中央部分が標準状態から若干高くなるように調整する。このように保持面80aと研磨面28aとの対面状態を調整した後、ウエーハ11を保持テーブル42の吸引部80で吸引保持する。ウエーハ保持ステップを実施した後、図8Bに示したような柱状電極高さデータに基づいて、図11に示すように、保持テーブル42で保持されたウエーハ11の裏面11bを研磨パッド28で研磨して柱状電極23がウエーハ11の裏面11bに露出しない状態にウエーハ11を薄化するウエーハ薄化ステップ研磨ステップを実施する。この研磨ステップは、保持テーブル42を矢印a方向に回転させながら、矢印b方向に回転している研磨パッド28をウエーハ11の裏面11bに押しつけよく知られた研磨液を研磨面28aに供給しながら実施する。研磨によるウエーハ薄化ステップが終了した状態の断面図が図12に示されている。図12から明らかなように、ウエーハ11の中央部分が外周部分に比べてより多く研磨され、柱状電極23の端面23aとウエーハ裏面11bとの間の間隔がウエーハ全体にわたり概略一様に形成されている。ウエーハ薄化ステップ実施後、ウエーハ11の裏面11bにエッチングを施して柱状電極23の端面23aをウエーハ11の裏面11bに露出させる柱状電極露出ステップを実施する。柱状電極露出ステップ実施後のウエーハ11の断面図が図13に示されている。エッチング方法としては、プラズマエッチング等のドライエッチング、或いはエッチング液を使用したウエットエッチングの何れの方法でもよい。上述した実施形態では、本発明のウエーハの加工方法を研磨装置2で実施している例について説明したが、加工手段は研磨装置2に限定されるものではなく、研削装置の研削ホイール、切削バイト装置の切削バイト等を使用して、本発明のウエーハ薄化ステップを実施するようにしてもよい。"