基板と、前記基板上の酸化グラフェン層と、前記酸化グラフェン層上の第1化合物半導体層と、を含む化合物半導体装置。前記酸化グラフェン層は、複数の酸化グラフェンシートを含み、前記基板の表面の一部は、前記複数の酸化グラフェンシートの間から露出される請求項1に記載の化合物半導体装置。前記第1化合物半導体層は、前記複数の酸化グラフェンシートの間から露出される前記基板の表面と接触する請求項2に記載の化合物半導体装置。前記基板と前記第1化合物半導体層との間にバッファ層をさらに含み、前記バッファ層は、AlN、AlGaN、GaN、InGaN、InNまたはAlGaInN中の少なくとも一つを含む請求項1に記載の化合物半導体装置。前記バッファ層の厚さは1nm~200nmである請求項4に記載の化合物半導体装置。前記基板と前記酸化グラフェン層の間に第2化合物半導体層をさらに含む請求項1に記載の化合物半導体装置。前記酸化グラフェン層は、複数の酸化グラフェンシートを含み、前記第2化合物半導体層の表面の一部は、前記複数の酸化グラフェンシートの間から露出される請求項6に記載の化合物半導体装置。前記第1化合物半導体層は、AlN、AlGaN、GaN、InGaN、InNまたはAlGaInN中の少なくとも一つを含む窒化物半導体層である請求項1に記載の化合物半導体装置。前記基板は、サファイア、スピネル、GaAs、InP、SiC、またはSi中の少なくとも一つを含む請求項1に記載の化合物半導体装置。前記酸化グラフェン層は、複数の酸化グラフェンシートを含み、前記酸化グラフェンシートの長軸の長さは、50nm~100μmであり、厚さは03nm~2μmである請求項1に記載の化合物半導体装置。前記酸化グラフェン層は、機能化されたグラフェン層を含む請求項1に記載の化合物半導体装置。基板と、前記基板上のn型化合物半導体層と、前記n型化合物半導体層上の活性層と、前記基板と前記活性層との間に提供され、複数の酸化グラフェンシートを含む酸化グラフェン層と、前記活性層上のp型化合物半導体層と、を含む発光素子。前記n型化合物半導体層は、第1半導体層と第2半導体層を含み、前記酸化グラフェン層は、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に提供される請求項12に記載の発光素子。前記酸化グラフェン層は、前記基板と前記n型化合物半導体層との間に提供される請求項12に記載の発光素子。基板上に、複数の酸化グラフェンシートを含む酸化グラフェン層を形成する工程と、前記複数の酸化グラフェンシートの間の露出した領域から第1化合物半導体層を選択的に成長させる工程と、を含む化合物半導体装置の製造方法。前記酸化グラフェン層は、前記基板の表面上に形成され、前記第1化合物半導体層は、前記複数の酸化グラフェンシートの間の露出された前記基板から選択的に成長される請求項15に記載の化合物半導体装置の製造方法。前記基板と前記第1化合物半導体層との間にバッファ層を形成する工程をさらに含む請求項16に記載の化合物半導体の製造方法。前記バッファ層は、AlN、AlGaN、GaN、InGaN、InNまたはAlGaInN中の少なくとも一つを含み、前記バッファ層を形成する工程は400°C~1200°Cで行われる請求項17に記載の化合物半導体の製造方法。前記基板と前記酸化グラフェン層の間に第2化合物半導体層を形成する工程をさらに含み、前記酸化グラフェン層は、前記第2化合物半導体層の表面と接触するように形成される請求項15に記載の化合物半導体装置の製造方法。前記第1化合物半導体層は、前記複数の酸化グラフェンシートの間から露出された前記第2化合物半導体層の表面から選択的に成長される請求項19に記載の化合物半導体装置の製造方法。前記酸化グラフェン層を形成する工程は、酸化グラファイトから複数の酸化グラフェンシートを剥離する工程と、前記複数の酸化グラフェンシートをスピンコート、ラングミュアブロジェット法、ディップコーティング、スプレーコーティング、またはドロップコーティング中の少なくとも一つの方法で前記基板上に塗布する工程と、を含む請求項15に記載の化合物半導体装置の製造方法。前記第1化合物半導体層の選択的成長は650°C~1200°Cで行われる請求項15に記載の化合物半導体装置の製造方法。本発明の一つの目的は、高品質の化合物半導体層を簡素化された工程で形成することにある。本発明のもう一つの目的は、基板と化合物半導体層との間の格子定数の違いによる応力を緩和させることにある。上記技術的課題を解決するための化合物半導体装置が提供される。前記化合物半導体装置は、基板、前記基板上の酸化グラフェン層、前記酸化グラフェン層上の第1化合物半導体層を含むことができる。一実施態様では、酸化グラフェン層は、複数の酸化グラフェンシートを含み、前記基板の表面の一部は、前記複数の酸化グラフェンシートの間から露出される。前記第1化合物半導体層は、前記複数の酸化グラフェンシートの間から露出される前記基板の表面と接触する。前記基板と前記第1化合物半導体層との間にバッファ層をさらに含み、前記バッファ層は、AlN、AlGaN、InN、InGaN、AlGaInNまたはGaN中の少なくとも一つを含むことができる。前記バッファ層の厚さは1~200nmを有することができる。一実施例では、前記基板と前記酸化グラフェン層の間に第2化合物半導体層をさらに含むことができる。前記酸化グラフェン層は、複数の酸化グラフェンシートを含み、前記第2化合物半導体層の表面の一部は、前記複数の酸化グラフェンシートの間から露出される。一実施例では、前記第1化合物半導体層は、GaN、AlN、InN、InGaN、AlGaNまたはAlGaInN中の少なくとも一つを含む窒化物半導体層からなることができる。前記基板は、サファイア、スピネル、GaAs、InP、SiC、またはSi中の少なくとも一つを含むことができる。前記酸化グラフェン層は、複数の酸化グラフェンシートを含み、前記酸化グラフェンシートの長軸の長さは、50nm~100μmであり、厚さは03nm~2μmである。前記酸化グラフェン層は、機能化されたグラフェン層を含むことができる。上記技術的課題を解決するための発光素子が提供される。前記発光素子は、基板と、前記基板上のn型化合物半導体層と、前記n型化合物半導体層上の活性層と、前記基板と前記活性層との間に提供され、複数の酸化グラフェンシートを含む酸化グラフェン層と、前記活性層上のp型化合物半導体層とを含むことができる。一実施例では、前記n型化合物半導体層は第1半導体層と第2半導体層を含み、前記酸化グラフェン層は、第1半導体層と第2半導体層との間に提供される。前記酸化グラフェン層は、前記基板と前記n型化合物半導体層との間に提供される。上記技術的課題を解決するための化合物半導体装置の製造方法が提供される。前記の方法は、基板上に複数の酸化グラフェンシートを含む酸化グラフェン層を形成する工程と、前記複数の酸化グラフェンシートの間の露出した領域から選択的に第1化合物半導体層を成長させる工程とを含むことができる。一実施態様では、酸化グラフェン層は、前記基板の表面上に形成され、前記第1化合物半導体層は、前記複数の酸化グラフェンシートの間の露出された前記基板から選択的に成長される。前記基板と前記第1化合物半導体層との間にバッファ層を形成する工程をさらに含むことができる。一実施例では、前記バッファ層は、GaN、AlN、InN、InGaN、AlGaNまたはAlGaInN中の少なくとも一つを含み、前記バッファ層の形成は、400~1200°Cで行うことができる。一実施例では、前記基板と前記酸化グラフェン層の間に第2化合物半導体層を形成する工程をさらに含み、前記酸化グラフェン層は、前記第2化合物半導体層の表面に接触するように形成することができる。前記第1化合物半導体層は、前記複数の酸化グラフェンシートの間から露出された前記第2化合物半導体層の表面から選択的に成長される。一実施態様では、酸化グラフェン層を形成する工程は、酸化グラファイトから複数の酸化グラフェンシートを剥離する工程、及び前記複数の酸化グラフェンシートをスピンコート、ラングミュアブロジェット法、ディップコーティング、スプレーコーティング、またはドロップコーティング中の少なくとも一つの方法で前記基板上に塗布する工程を含むことができる。前記第1化合物半導体層の選択的成長は、650~1200°Cで行うことができる。本発明の一実施例によれば、酸化グラフェンをマスクとして高品質の化合物半導体層を選択的に形成することができる。また、本発明の一実施例によれば、基板と化合物半導体層との間に酸化グラフェンを提供して、基板と化合物半導体層との間の格子定数の違いによる応力を調節することができる。以上の本発明の目的、特徴の及び利点は、添付された図面と以下の好ましい実施例からより明確となる。なお、本発明は、ここで説明される実施例に限定されるものではなく、他の形態で具体化できることは勿論である。本明細書では、ある膜が他の膜または基板上にあると記述される場合は、他の膜または基板上に直接形成される場合、またはそれらの間に第3の膜が介在する場合も含むことができる。また、図面のにおいて、構成のサイズと厚さなどは、説明の便宜を図り誇張される場合もある。また、本明細書の多様な実施例では、第1、第2、第3などの用語が、多様な分野、膜などを記述するために用いられているが、これらの領域、膜がこのような用語によって限定されるものではなく、単に、ある所定の領域または膜を別の領域または膜と区別するために用いられるものである。本明細書で及びまたはという表現は、前後に記載されて構成要素中の少なくとも一つを含む意味で使用されている。また、明細書全般にわたり、同一符号で表示された部分は同一構成要素を示す。図1~図4は、本発明の一実施例に係る化合物半導体装置及びその製造方法を説明するための断面図である。図1に示すように、基板100上に酸化グラフェン層110を形成することができる。前記基板100は、サファイア、スピネル、GaAs、InP、SiC、またはSi基板からなることができる。前記酸化グラフェン層110は、複数の酸化グラフェンシートを含むことができる。本明細書では、酸化グラフェンシートは、前記酸化グラフェン層を構成する酸化グラフェンの一部を指すことができる。前記基板100の表面の一部は、前記複数の酸化グラフェンシートの間に露出することができる。前記酸化グラフェン層110は、多様な方法で形成することができる。一例として、グラファイトを硫酸に入れた後、過マンガン酸カリウムを徐々に添加した後、温度を35°Cに上げた後、テフロンコーティングされた棒磁石を入れて約2時間攪拌する。その後、十分な量の水を加えて、過酸化水素をガスが発生しなくなるまで加える。その後、ガラスフィルターを介して酸化グラファイトをろ過した後、常温真空下で約12時間以上乾燥させる。乾燥された酸化グラファイトを使用目的に合わせて適量の水を加えて超音波処理により酸化グラファイトを剥離させて酸化グラフェンシートを形成する。前記超音波処理時間が長いほど、形成された酸化グラフェンシートのサイズが小さくなる。また、酸化グラフェンシートの大きさを調節するために、ゆっくりテフロンコーティングされた棒磁石で攪拌させて酸化グラファイトを剥離させることもできる。また、前記酸化グラフェンシートは、公知の多様な方法によって形成することができる。前記のグラフェンシートの形状は、非定形的に、前記酸化グラファイトの形状、超音波処理方法、攪拌方法により多様な形状を呈することができる。上記のように形成された酸化グラフェンシートは、前記基板100上に多様な方法で蒸着することができる。一例として、前記酸化グラフェンシートは、スピンコート、ラングミュアブロジェット法、ディップコーティング、スプレーコーティング、またはドロップコーティング中の少なくとも一つの方法で前記基板100上に塗布することができる。このような蒸着工程では、前記酸化グラフェン層110の一部は還元されてグラフェンと類似する構造になることもある。酸化グラフェンの化学的物性または電気的特性などを変えるために、多様な官能基が追加されて機能化されたグラフェンシートが形成される。本明細書で酸化グラフェンは、グラフェン単一層だけでなく、単一層が少ない数で積層された層を含むことができる。また、酸化グラフェンは、機能化されたグラフェンシートを含むことができる。図11~図14は、前記酸化グラフェン層110が形成された基板の走査型電子顕微鏡写真である。写真において、黒色で示された部分が酸化グラフェン層110を構成する酸化グラフェンシートを示す。図11から図14に行くほど、単位媒質当りの酸化グラファイトの濃度は、略1μgmlから略100mgmlに順次増加する。図示のように、酸化グラファイトの濃度が高いほど、前記基板100表面の多い面積が前記酸化グラフェン層110によって覆われることになる。前記酸化グラフェンシートの長軸の長さは、50nm~100μmであり、厚さは03nm~2μmである。前記酸化グラフェン層110が前記基板100の上面を覆う割合は、10~100の範囲で多様に変更できる。図15は、前記基板100上に形成された前記酸化グラフェン層110のAFM写真である。AFMを利用して前記酸化グラフェン層110の厚さを測定した。aa’線における前記酸化グラフェン層110の厚さは略03nmであり、bb線における前記酸化グラフェン層110の厚さは略1nmである。前記酸化グラフェン層110は、前記基板100上に特定パターンの形態で提供される。つまり、前記基板100の一部領域には前記酸化グラフェン層110が形成され、他の領域には前記酸化グラフェン層110が形成されない。一例として、前記酸化グラフェン層110は、前記基板100上にストライプパターンで提供される。このような酸化グラフェン層110の形態、前記酸化グラフェンシートの大きさ、厚さは、使用目的に応じて多様に変形することが可能である。図2~図4に示すように、前記酸化グラフェン層110によって露出された前記基板100上に第1化合物半導体層120が形成される。前記第1化合物半導体層120は、GaN、AlN、InN、AlGaN、InGaNまたはAlGaInN中の少なくとも一つを含む窒化物半導体層からなることができる。前記第1化合物半導体層120は、特定の導電型を持つように不純物原子を注入することができる。一例として、前記第1化合物半導体層120は、n型化合物半導体層からなることができる。前記第1化合物半導体層120は、半導体層の用途に応じて多様な不純物原子を注入することができる。一例として、Si、Ge、Mg、Zn、O、Se、Mn、Ti、Ni、またはFe中の少なくとも一つ以上の原子を注入することができる。不純物原子の注入は、insituドーピング、exsituドーピングまたはイオン注入によって行うことができる。前記第1化合物半導体層120は、前記酸化グラフェン層110をマスクとして使用することにより、露出された前記基板100の表面と接触しながら、選択的に成長する。一例として、前記第1化合物半導体層120は、有機金属気相成長法、分子線エピタキシー法、液相エピタキシー法、気相エピタキシー法などの方法で形成することができる。一例として、前記第1化合物半導体層120の成長は、略650~1200°Cで行うことができる。前記第1化合物半導体層120は、図示のように、前記酸化グラフェン層110によって露出された前記基板100の表面から徐々に成長し、形成工程が進むにつれて露出された基板の各表面から形成された結晶が側面に成長し、相互接続されて均一な半導体層に成長する。このように、前記基板100の一部から前記第1化合物半導体層120を形成する場合、格子定数の違いによる成長初期に発生する結晶欠陥の数が著しく減少される。また、側方成長が促進されて転位も側方に曲がり、半導体素子の上面まで到達する結晶欠陥の数を減らすことができる。前記酸化グラフェン層110は、高弾性を有する。よって、前記基板100と前記第1化合物半導体層120との間の格子定数の違いによって発生する応力を緩和することができる。図5~図8は、本発明の他の実施例による化合物半導体装置及びその製造方法を説明するための断面図である。説明の簡略化を図り、重複する構成の説明は省略する。図5に示すように、前記基板100と前記酸化グラフェン層110の間に第2化合物半導体層125が提供される。一例として、前記第2化合物半導体層125の厚さは略1μmである。前記第2化合物半導体層125は、前記第1化合物半導体層120と同一物質からなることができるが、これには限定されない。前記第2化合物半導体層125は、前記第1化合物半導体層120と同一導電型を有することができる。一例として、前記第1及び第2化合物半導体層120、125は、n型GaN層からなることができる。前記酸化グラフェン層110は、前記第2化合物半導体層125の表面の一部を露出することができる。前記酸化グラフェン層110の酸化グラフェンシートの間に露出された前記第2化合物半導体層125の表面から前記第1化合物半導体層120が選択的に成長する。このような成長工程は、前記第2化合物半導体層125の形成時に発生した多数の転位を遮断して、前記第1化合物半導体層120の結晶欠陥を減らすことができる。図6及び図7に示すように、前記基板100と前記第1化合物半導体層120との間にバッファ層105が提供される。前記バッファ層105は、前記基板100と前記第1化合物半導体層120との格子定数の違いによる結晶欠陥を減らすことができる。前記バッファ層105は、AlN、AlGaN、GaN、InGaN、InN、AlGaInNまたはこれらの組合せからなることができる。前記バッファ層105がAlN、AlGaN、またはAlGaInN層である場合、前記バッファ層105は、約400~1200°Cで略1~200nmの厚さに形成される。前記バッファ層がInGaN、InNまたはGaN層である場合、前記バッファ層105は、約400~1000°Cで略1~100nmの厚さに形成される。このようなバッファ層105上に前記第1化合物半導体層120を形成する場合、界面エネルギーを減らして高密度の核生成が可能である。よって、多くの核から成長した半導体結晶が相互に接触して平面成長が促進される。図6は、前記酸化グラフェン層110が形成される前、前記バッファ層105が形成された実施例であり、図7は、前記酸化グラフェン層110が形成された後、前記酸化グラフェン層110によって露出された前記基板100上に前記バッファ層105が提供される実施例である。図8は、図4で説明した実施例の構成に、前記基板100と前記第2化合物半導体層125との間に第2酸化グラフェン層115が追加された実施例である。前記第2酸化グラフェン層115は、前記基板100及び前記第2化合物半導体層125と接触する。前記第2酸化グラフェン層115は、前記基板100の全面を覆うことができる。前記第2酸化グラフェン層115は、高弾性によって前記基板100と前記第2化合物半導体層125との間の格子不整合による応力を緩和することができる。図示とは違うように、前記第2酸化グラフェン層115は、前記基板100の一部を露出して、第1酸化グラフェン層110と一緒に選択的成長のマスクとして作用することもできる。本発明の実施例による化合物半導体の成長方法は、LED、LD、高温高出力素子、HEMT、HBTなど多様な素子に使用することができる。以下、上述した成長方法によって形成された素子の一例を説明する。説明の簡略化を図り、重複する構造に対する説明は省略する。図9及び図10は、本発明の実施例により化合物半導体層が成長した発光素子の断面図である。前記発光素子は、基板100上に順番に積層されたn型化合物半導体層121、活性層130、及びp型化合物半導体層140を含むことができる。一例として、前記n型とp型化合物半導体層の121、140は、それぞれn型またはp型不純物でドーピングされたGaN層からなることができる。図9に示すように、前記酸化グラフェン層110は、前記基板100と前記n型化合物半導体層121の間に提供される。図10に示すように、前記n型化合物半導体層121は、第1半導体層122と第2半導体層123を含み、前記酸化グラフェン層110は、前記第1半導体層122と前記第2半導体層123の間に提供される。前記活性層130は、多重量子井戸層と、前記量子井戸層の間のバリア層を含むことができる。前記量子井戸層は、電子と正孔の再結合によって光を発生させることができる。前記量子井戸層及び障壁層は、組成が異なるInxGa1xN層からなることができる。前記活性層130は、MOCVD、VPE、またはLPEなどによって形成することができる。前記n型化合物半導体層121上にn型電極160が提供され、前記p型化合物半導体層140上にp型電極150を提供することができる。前記n型とp型の電極150、160は、NiとAuを含む物質またはITOを含む物質からなることができる。本発明の実施例に係る発光素子は、前記酸化グラフェン層110によって結晶欠陥を減少させることができる。よって、発光素子の発光効率を向上させることができる。図16は、本発明の実施例により形成されたGaN層のX線ロッキングカーブである。前記酸化グラフェン層110が蒸着された前記基板100に選択的成長方法によって形成されたGaN層のX線ロッキングカーブの半値幅は略014°で、本発明の実施例により形成されたGaN層の品質が従来の方法により形成されたGaN層に比べて優れていることが分かる。図17及び図18は、本発明の実施例により形成された窒化物半導体の走査型電子顕微鏡写真で、図17は化合物半導体の平面図であり、図18は断面図である。基板としてはシリコン基板が使用され、化合物半導体はGaN層が蒸着されている。図18に示すように、基板100上に順番にバッファ層105、第2化合物半導体層125、酸化グラフェン層110と、第1化合物半導体層120が形成されている。前記バッファ層105は略772nmの厚さで前記基板100上に形成され、前記バッファ層105、前記第2化合物半導体層125、前記酸化グラフェン層110と、前記第1化合物半導体層120の厚さの総和は略137μmである。図17に示すように、本発明の実施例により形成された前記第1化合物半導体層120の表面は格子欠陥がほとんどない。以上、添付図面を参照して本発明の実施例を説明したが、本発明はその特定の実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想の範囲内で種々の変形が可能であることはいうまでもない。