放射ビームを調整する照明システムと、前記放射ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することが可能なパターニングデバイスを支持するサポートと、基板を保持する基板テーブルと、前記基板のターゲット部分上に前記パターン付き放射ビームを投影する投影システムとを備え、前記基板テーブルは、ウェーハの下部表面の対応する部分を支持する複数の突起部を有するチャックを備え、前記突起部の少なくとも1つの頂部表面が、前記基板と前記突起部の前記頂部表面との間に縮小された接触面を画定する複数のエレメントを備える、リソグラフィ装置。前記突起部はバールである、請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記エレメントは弾性マイクロエレメントを含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記エレメントは、化学的に実質的に非反応性の端部を有するマイクロエレメントを含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記縮小された接触面は、局所最高高さ部および最低高さ部からなる実質的に規則的なパターンを備える構造を画定し、前記構造は、最高部で実質的に同一の高さを有する、請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記縮小された接触面は単一層により形成される、請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記単一層は、バッキーボール、ガラスパール、ポリマー分子あるいはナノチューブ、またはそれらの任意の組合せを含む、請求項6に記載のリソグラフィ装置。前記単一層は、有機分子、芳香族分子、脂肪族分子、有極性分子、無極性分子、ハロゲン化分子あるいはフッ化分子、またはそれらの任意の組合せを含む、請求項6に記載のリソグラフィ装置。前記単一層は、酸化物分子、窒化物分子あるいはテフロン登録商標分子、またはそれらの任意の組合せを含む、請求項6に記載のリソグラフィ装置。前記縮小された接触面は、レーザ処理された表面を含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置。リソグラフィ装置において基板を支持するための基板テーブルであって、基板の下部セクションの対応する部分を支持する複数の突起部を備え、前記突起部の少なくとも1つの頂部表面が、前記基板と前記突起部の前記頂部表面との間に縮小された接触面を画定する複数のエレメントを備える、基板テーブル。前記突起部はバールである、請求項11に記載の基板テーブル。前記エレメントは弾性マイクロエレメントを含む、請求項11に記載の基板テーブル。前記エレメントは、化学的に実質的に非反応性の端部を有するマイクロエレメントを含む、請求項11に記載の基板テーブル。前記縮小された接触面は、局所最高高さ部および最低高さ部からなる実質的に規則的なパターンを備える構造を画定し、前記構造は、最高部で実質的に同一の高さを有する、請求項11に記載の基板テーブル。前記縮小された接触面は単一層により形成される、請求項11に記載の基板テーブル。前記単一層は、バッキーボール、ガラスパール、ポリマー分子またはナノチューブ、あるいはそれらの任意の組合せを含む、請求項16に記載の基板テーブル。前記単一層は、有機分子、芳香族分子、脂肪族分子、有極性分子、無極性分子、ハロゲン化分子またはフッ化分子、あるいはそれらの任意の組合せを含む、請求項16に記載の基板テーブル。前記単一層は、酸化物分子、窒化物分子またはテフロン登録商標分子、あるいはそれらの任意の組合せを含む、請求項16に記載の基板テーブル。前記縮小された接触面は、レーザ処理された表面を含む、請求項11に記載の基板テーブル。リソグラフィ装置において基板を支持するための基板テーブルに備えられる突起部の基板リリース特性を向上させるための方法であって、前記基板が前記突起部の頂部上に配置される場合に、前記基板と前記突起部の頂部表面との間に縮小された接触面を画定する複数のエレメントを有する前記突起部頂部表面を提供するステップを含む、方法。前記突起部の前記頂部表面の上に単一層を堆積するまたは成長させるステップをさらに含む、請求項21に記載の方法。前記突起部の前記頂部表面にウェット溶液を塗布するステップと、その後に紫外線源に対して前記溶液をさらすステップ、または前記溶液を前記突起部の前記頂部表面と化学反応させることを可能にするステップとをさらに含む、請求項21に記載の方法。前記突起部の前記頂部表面に対して、プラズマ化学気相分解プロセス、または、フィルタ高電流アークプロセスを実施するステップをさらに含む、請求項21に記載の方法。レーザにより前記突起部の前記頂部表面を局所的に機械加工するステップをさらに含む、請求項21に記載の方法。0021図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に図示する。この装置は、放射ビームB例えば紫外線または可視光放射を調整するように配置構成される照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えばマスクMAを支持するように構築され、いくつかのパラメータにしたがってパターニングデバイスを正確に位置決めするように配置構成される第1のポジショナPMに連結される、サポート構造例えばマスクテーブルMTと、基板例えばレジストコートウェーハWを保持するように構築され、いくつかのパラメータにしたがって基板を正確に位置決めするように配置構成される第2のポジショナPWに連結される、基板テーブル例えばウェーハテーブルWTと、基板Wの例えば1つまたは複数のダイを含むターゲット部分C上に、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを投影するように配置構成される投影システム例えば屈折投影レンズシステムPSとを備える。0022照明システムは、放射を配向付けし、成形しまたは制御するために、屈折式、反射式、磁気式、電磁式、静電式または他のタイプの光学コンポーネント、またはそれらの任意の組合せなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含んでよい。0023サポート構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわちパターニングデバイスの重量を支える。サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計および、例えばパターニングデバイスが真空環境内に保持されるかどうかなどの他の条件に応じて、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械式、真空式、静電式または他のクランプ技術を使用することが可能である。サポート構造は、フレームまたはテーブルであってよく、例えばこれらは、必要に応じて固定式または可動式のものであってよい。このサポート構造によって、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して所望の位置に位置することを確実にすることができる。本明細書において使用されるレチクルまたはマスクという語はいずれも、より一般的な語であるパターニングデバイスと同義であると見なしてよい。0024本明細書において使用されるパターニングデバイスという語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用することが可能な任意のデバイスを指すものとして、広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフティングフィーチャすなわちいわゆるアシストフィーチャを含む場合には、基板のターゲット部分の所望のパターンと正確には一致しないことがある点に留意すべきである。一般的には、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などの、ターゲット部分中に生成されるデバイスにおける特定の機能層に一致する。0025パターニングデバイスは、透過式または反射式のものであってよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィにおいてよく知られており、バイナリ、レベンソン型alternating位相シフトおよびハーフトーン型attenuated位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドのマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例が、小さいミラーのマトリックス構成を使用し、各ミラーは、入射する放射ビームをそれぞれに異なる方向に反射するように個別に傾斜させることが可能である。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスにより反射される放射ビームにパターンを与える。0026本明細書において使用される投影システムという語は、露光放射の使用に適したまたは、液浸液の使用もしくは真空の使用などの他の要素に適した、屈折式、反射式、反射屈折式、磁気式、電磁式および静電式光学システム、あるいはそれらの任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈されるべきである。本明細書において使用される投影レンズという語はいずれも、より一般的な語である投影システムと同義であると見なしてよい。0027本明細書にて示されるように、装置は反射式のもの例えば反射式マスクの使用である。代替として、装置は透過式のもの例えば透過式マスクの使用である。0028リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルおよび/または2つ以上のマスクテーブルを有するタイプのものであってよい。そのようなマルチステージ機においては、追加のテーブルを同時に使用することができ、すなわち予備ステップを1つまたは複数のテーブル上で実施する一方で、1つまたは複数の他のテーブルを露光用に使用することができる。0029また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間のスペースを満たすように、基板の少なくとも一部分を比較的高い屈折率を有する液体、例えば水によって覆うことができるタイプのものであってよい。また、液浸液を、例えばマスクと投影システムとの間などの、リソグラフィ装置内の他のスペースに適用することができる。液浸技術は、当技術において、投影システムの開口数を増加させることでよく知られている。本明細書において使用される液浸という語は、基板などの構造体が液体中に浸漬されなければならないことを意味するのではなく、液体が露光の際に投影システムと基板との間に配置されることを意味するにすぎない。0030図1を参照すると、イルミネータILは、放射源SOから放射ビームを受ける。この放射源およびリソグラフィ装置は、例えば放射源がエキシマレーザである場合には、分離されたものであってよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムの補助により、放射源SOからイルミネータILに進む。他の場合では、例えば放射源が水銀ランプである場合には、放射源はリソグラフィ装置の一体部分であってよい。放射源SOおよびイルミネータILは、必要であればビームデリバリシステムを加えて放射システムと呼ぶことができる。0031イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調節するためのアジャスタを含んでよい。一般的には、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常、それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるは、調節することが可能である。さらに、イルミネータILは、インテグレータおよびコンデンサなどの様々な他のコンポーネントを含んでよい。イルミネータは、放射ビームを調整して、その断面における所望の均一性および強度分布を得るために使用することができる。0032放射ビームBは、サポート構造例えばマスクテーブルMT上に保持されるパターニングデバイス例えばマスクMAに入射し、パターニングデバイスによりパターン付けされる。マスクMAを横断すると、放射ビームBは、投影システムPSを通過し、同システムは基板Wのターゲット部分C上にビームを集束させる。第2のポジショナPWおよび位置センサIF2例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサの補助により、例えば放射ビームBの経路中に個々のターゲット部分Cを位置決めするように、基板テーブルWTを正確に移動させることが可能となる。同様に、第1のポジショナPMおよび別の位置センサIF1を使用して、例えばマスクライブラリからの機械検索の後に、またはスキャンの最中に、放射ビームBの経路に対してマスクMAを正確に位置決めすることが可能である。一般的には、マスクテーブルMTの移動は、ロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めの補助により実現することができ、これらのモジュールが、第1のポジショナPMの一部を形成する。同様に、基板テーブルWTの移動は、ロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができ、これらのモジュールが、第2のポジショナPWの一部を形成する。ステッパの場合スキャナとは対照的に、マスクテーブルMTはショートストロークアクチュエータのみに連結することができ、または固定することができる。マスクMAおよび基板Wは、マスクアラインメントマークM1、M2および基板アラインメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示される基板アラインメントマークは専用ターゲット部分に位置を占めるが、これらはターゲット部分間のスペースに配置することができるそれらはけがき線アラインメントマークとして知られる。同様に、2つ以上のダイがマスクMA上に設けられる状況では、マスクアラインメントマークはダイ間に配置することができる。0033図示される装置は、以下のモードの少なくとも1つにおいて使用することが可能である。00341.ステップモードでは、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTが、実質的に静止状態に保たれ、放射ビームに与えられた全パターンが、一度でターゲット部分C上に投影されるすなわち単一静止露光。次いで、基板テーブルWTは、別のターゲット部分Cを露光することが可能となるようにX方向および/またはY方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一静止露光においてイメージングされるターゲット部分Cのサイズを限定する。00352.スキャンモードでは、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTが、同期してスキャンされ、放射ビームに与えられたパターンが、ターゲット部分C上に投影されるすなわち単一動的露光。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの拡大率縮小率および像反転特性により決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一動的露光におけるターゲット部分の非スキャニング方向の幅を限定し、スキャニング動作の長さが、ターゲット部分のスキャニング方向の高さを決定する。00363.別のモードでは、マスクテーブルMTが、プログラマブルパターニングデバイスを保持しつつ実質的に静的状態に保たれ、基板テーブルWTが、移動されまたはスキャンされるとともに、放射ビームに与えられたパターンが、ターゲット部分C上に投影される。このモードでは、一般的にはパルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの各移動の後で、またはスキャン中の連続放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この作動モードは、上記に参照されるタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することが可能である。0037上述のモードの使用もしくは全く異なるモードの使用の組合せおよび/または変形を使用することもできる。0038図2は、本発明によるリソグラフィ装置用の基板テーブル1の第1の実施形態を図示する。基板テーブル1は、ウェーハなどの基板4を支持するための、バールと呼ばれる場合もある複数の突起部2、3を有する真空チャックを備える。特に、リソグラフィプロセスの実施の際には、バール2、3の上部表面11が、基板4の下部表面の対応する接触部分と接触し、接触部分に対して静的な上方に配向された力を加える。プロセスの最中の固定を確実にするために、バール2、3と基板4の下部表面との間のスペースによって形成される1つまたは複数の空洞部5が、真空に、好ましくは高真空にさらされる。真空の代替としては、静電力を利用して、基板テーブル1に対して基板4を固定することができる。0039基板4がバール2、3に固定されると、リソグラフィプロセスが実行可能となる。リソグラフィプロセスの停止後に、基板は別の位置に移動される場合がある。したがって、空洞部5内の真空化は終了されるが、ファンデルワールス力としても知られている接着力などの残留接合力、および静電力によって、基板4がバール2、3に付着する場合がある。0040バール2、3からの基板4のリリースを容易にするために、少なくとも1つのバール2、3の頂部表面が、基板リリースマイクロエレメントからなるあるパターンを備え、これにより上述の付着効果が低減され得る。弾性マイクロエレメントからなるあるパターンを設けることにより、基板とバールとの間に働く接着力例えばファンデルワールス力が低減される場合があり、それによって、固定後に基板は、信頼性の高い制御可能な形態で、比較的容易におよび即座に取り外される。詳細には、真空固定プロセスの際に、個々の弾性マイクロエレメントは、安定したリリースされた状態から圧縮された状態へと押し込まれ、それにより基板4の下部表面は、バール2、3の上部表面11に実質的に接触する。高真空プロセスの終了後には、弾性マイクロエレメントは、安定したリリースされた状態を得るために、バール2、3の上部表面11から離れるように基板4の下部表面に対して力を加え、そのようにしてリリースおよび/または剥離プロセスを誘起させ、それによってバール2、3から基板4を取り外すプロセスを容易にする。その結果、より高いスループットおよび平均故障間隔MTBFを得ることができる。0041したがって、基板4は、高信頼性を有しつつ、基板テーブル1から取り外すことができ、さらなる処理のためにリソグラフィ装置の別の部分に輸送することができる。一例としては、基板4は、基板テーブル1の一部であるいわゆるe-ピン図示せずで持ち上げることが可能であり、輸送デバイスで運び去ることが可能である。0042好ましくは、弾性マイクロエレメントからなるこのパターンは、結果的に得られる構造がその最高部で実質的に同一の高さを有するような、連続する局所最高高さ部および最低高さ部からなる実質的に規則的なパターンを含む。これによって、クランプの全体的平坦性が保たれ、バール/表面に対する基板4の付着が最低限に抑えられることが可能となり得て、それにより、チャック2、3の上への基板の固定の際に、基板をさらに容易に緩めることができ、オーバーレイの問題を低減させることができる。さらには、基板の取外し作業の際に生成される汚染粒子が低減され、これによりバールの汚染が減少し、基板テーブルの洗浄間隔が長くなり、基板テーブルの寿命が延びる場合がある。0043局所最高高さ部に変化を与えることにより、小さな垂直力が加えられる際の基板4とバール2、3との間の有効接触面を縮小することができるため、付着効果をさらに低減させることもできる。0044一実施形態においては、弾性マイクロエレメントのこのパターンは、単一層により形成することができ、そのため、比較的簡単に、上述の構造の連続する局所最高高さ部および最低高さ部からなる実質的に規則的なパターンが得られ、したがってバールの全体的平坦性が保たれる。また、頂部の単一層の直下に想定し得るバールコーティングの粗度を保つことができる。さらに、頂部の単一層の直下のバールコーティングの損耗を低減させることができ、それによってバールコーティングの寿命が延びる。単一層は、手により、または専用のデバイスを用いることにより、化学溶液を使用して再生することが可能である。同様に、単一層は、手により、または専用のデバイスを用いることにより、容易に洗浄するおよび/または除去することが可能であり、それによりバールのコーティングの寿命がさらに延びる。0045図2、図3、図4および図5においては、バールコーティング11の頂部の上の単一層は、それぞれ、ポリマー分子31、ナノチューブ32、バッキーボール33およびガラスパール34として実装される。バッキーボールは、球形のC60分子を含んでよい。単一層は、例えば金属成分を含む単一層としてなど、他の形態で実装されてもよいことを指摘しておく。0046さらに、ナノチューブ32、バッキーボール33およびガラスパール34は、弾性マイクロエレメントを形成することを指摘しておく。任意には、ポリマー分子31が、弾性特性を有してもよい。しかし、ポリマー分子31は、実質的に剛性のエレメントとして形成されてもよい。好ましくは、ポリマー分子31は、化学的に実質的に非反応性の端部を有し、それによりバール2、3と基板4との間に支承効果が得られる。ポリマー分子31によって形成されたマイクロエレメントの、化学的に実質的に非反応性の端部は、本発明の一実施形態による基板リリースマイクロエレメントの一実装形態である。化学的に実質的に非反応性のマイクロエレメントの端部の適用は、弾性マイクロエレメントの代替として、または弾性マイクロエレメントと組み合わせて実施することができる。また、ナノチューブ32およびバッキーボール33が、化学的に実質的に非反応性の端部を有してよく、それにより支承効果が得られる。ガラスパール34に関しては、弾性効果とは別に、接触面の縮小が得られ、それにより付着効果がさらに低減されることを指摘しておく。0047単一層は、所望の材料特性に応じて、有機分子、芳香族分子、脂肪族分子、有極性分子、無極性分子、ハロゲン化分子および/またはフッ化分子など、様々なタイプの分子を含んでよい。0048本発明による一実施形態によれば、特別に案出された有機コーティングが、バールの頂部上に、紫外線光源の作用下において分子の単一層を形成することが可能な有機分子を含むウェット溶液、または、単分子層の形成中に表面のSi-OH結合と反応する有機分子を含むウェット溶液のいずれかを塗布することにより施される。図6Aおよび図6Bには、基板テーブルの上に単一層を形成するための化学プロセスの一実施形態の概略図が示される。詳細には、図6Aは、化学処理前の基板テーブルを図示し、図6Bは、化学処理後の基板テーブルを図示する。0049本発明による別の実施形態においては、薄い付着防止層が、有機分子を用いたプラズマ化学気相成長PECVDPlasmaEnhancedChemicalVaporDepositionプロセスにより堆積される。PE-CVDプロセスは、表面のO2プラズマ活性化後にアルゴンイオンにより開始される、クランプの表面上での有機ラジカルのプラズマ重合を含む。このプロセスにおいては、高密度の架橋ポリマー層が形成される。使用できるポリマーのタイプとしては、架橋ポリスチレン系コーティング、架橋ポリシロキサンコーティング、および架橋テフロン登録商標系コーティングなどの芳香族の範囲から、グラファイトコーティングおよびダイヤモンド系コーティングまでに及ぶ、あらゆる入手可能なラジカル形成前駆体が含まれる。0050本発明による他の実施形態においては、例えばフィルタリングされる高電流アークFilteredHighCurrentArcなどの電弧内における、金属および/またはグラファイトなどの導電性材料の蒸発ならびにイオン化が利用され、その後にそれらのイオンは、薄いコーティングを堆積するために用いられる。ガス環境に応じて、酸化物、窒化物、さらにはテフロン登録商標CF4を用いる場合の形成が可能である。0051単一層を生成するこれらのようなプロセスにおいては、例えば約1~30nmの範囲内などの薄く高密度のコーティングをクランプの上に形成することが実現され得る。0052本発明による他の実施形態においては、例えばフェムト秒レーザなどの低電力レーザなどのレーザを使用して、バール2、3の上部表面11内に、規定されたパターンの弾性マイクロエレメントを機械加工することができる。バール2、3の上部表面11における高さの差分は、ナノメートルのオーダとすることが可能である。しかし、例えば数十ナノメートルのオーダなど、さらに大きな高さの差分を与えることも可能である。原則的には、機械加工された弾性マイクロエレメントのパターンは、任意に形成することが可能である。しかし、図7Aおよび図7Bに図示されるように、ゴルフボールパターンなど、構造化されたまたは反復されたパターンが可能であり、あるいは一般的には、球形、円形または楕円形であることが可能な凹凸頂部表面を有するパターンが可能である。さらに、例えば頂部エッジを有するなど、エッジ構造を得ることが可能である。機械加工プロセスが、図7Aに概略的に図示され、その結果として得られる基板テーブルが、図7Bに図示される。機械加工プロセスは、バールの製造後のバールの上へのコーティングステップの後に、例えば研磨、コーティングおよび/またはサンドブラストなどによって実施することが可能である。このような実施においては、クランプの全体的平坦性に影響を及ぼすことなく、バール表面を粗面化することができる。0053さらに、本発明の実施形態による基板テーブル1は、リソグラフィ装置における用途にのみ適するわけではなく、イオン注入装置またはエッチングデバイスにおいてなど、他のデバイスにおける用途にも適している。0054本文章では、ICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に対して特定の参照をする場合があるが、本明細書で説明されるリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用の誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造など、他の用途を有し得ることを理解すべきである。それらのような代替の用途において、本明細書で使用されるウェーハまたはダイという語はいずれも、より一般的な語である基板またはターゲット部分とそれぞれ同義であると見なしてよいことが、当業者には理解されよう。本明細書で参照される基板は、例えばトラック典型的には、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール、メトロロジーツールおよび/またはインスペクションツールにおいて、露光の前または後に処理されてよい。適用可能であれば、本明細書において開示されるものは、それらのおよび他の基板処理ツールに適用してよい。さらに、基板は、例えば多層ICを製造するために2度以上処理されてよく、したがって本明細書で使用される基板という語は、複数の処理された層を既に含む基板を指してもよい。0055光リソグラフィにおける本発明の実施形態の使用に対して上述で特定の参照がなされたが、本発明は、例えばインプリントリソグラフィなどの他の用途において使用することができ、場合が許すならば、光リソグラフィに限定されないことが理解されよう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス中のトポグラフィが、基板上に生成されるパターンを画成する。パターニングデバイスのトポグラフィを基板に塗布されたレジスト層中に押し付けることができ、同時にレジストは、電磁放射、熱、圧力またはそれらの組合せを与えられることによって硬化される。パターニングデバイスがレジストから取り外され、レジストが硬化した後にレジスト中にパターンが残る。0056本明細書で使用される放射およびビームという語は、紫外UV放射例えば365、355、248、193、157または126nmの、またはほぼそれらの値の波長を有するおよび極端紫外EUV放射例えば5~20nmの範囲の波長を有するを含む全てのタイプの電磁放射、ならびにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを包含する。0057レンズという語は、場合が許すならば、屈折式、反射式、磁気式、電磁式および静電式光学コンポーネントを含む種々のタイプの光学コンポーネントの中の任意の1つまたは組合せを意味し得る。0058本発明の特定の実施形態が上述で説明されたが、本発明は説明されたもの以外の形態において実施し得ることが理解されよう。例えば、本発明は、上記で開示された方法を記述する1つまたは複数の連続的な機械読取可能命令を含むコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体例えば半導体メモリ、磁気または光ディスクの形態をとってよい。0059上述の説明は例示として意図され、限定的なものではない。したがって、以下に述べられる特許請求の範囲から逸脱することなく、説明される発明に変更をなし得ることが、当業者には明らかになろう。