"1510nm~1540nmの少なくとも一部の波長を含む第1の波長域,およびこの第1の波長域から100nm以内の波長を含む第2の波長域の光を出射する光源と,前記光源から出射される光を伝達する第1の光ファイバと,前記第1の光ファイバで伝達された光を平行光に変換する第1のレンズと,流体が封入され,かつ前記第1のレンズから出射される光が通過する空間を有する容器と,前記空間内を通過した平行光を収束光に変換する第2のレンズと,前記第2のレンズから出射される光を伝達する第2の光ファイバと,前記第2の光ファイバで伝達された光を第1,第2の光に分岐する光分岐器と,前記第1の光が入射され,前記第1の波長域の光を通過し,前記第2の波長域の光を遮断する第1のフィルタと,前記第2の光が入射され,前記第2の波長域の光を通過し,前記第1の波長域の光を遮断する第2のフィルタと,前記第1のフィルタから出射される光を受光する第1の光検出器と,前記第2のフィルタから出射される光を受光する第2の光検出器と,前記第1,第2の光検出器それぞれからの第1,第2の電気信号に基づいて,前記流体中のアセチレンガス量を算出する信号処理器と,を備えることを特徴とするアセチレンガスセンサ。前記光源が,前記第1,第2の波長域の赤外光を発光波長領域に含むスーパールミネッセンスダイオードSLDであることを特徴とする請求項1記載のアセチレンガスセンサ。前記光源が,前記第1の波長域の赤外光を発光波長領域に含む第1の赤外光レーザと,前記第2の波長域の赤外光を発光波長領域に含む第2の赤外光レーザと,前記第1,第2の赤外光レーザから出射される光を混合する混合器と,を有することを特徴とする請求項1記載のアセチレンガスセンサ。前記容器が,互いに対向する第1,第2の面と,これら第1,第2の面それぞれに配置され,前記第1,第2の波長域の光を透過する材料からなる第1,第2の窓と,を有し,前記第1,第2のレンズが,前記容器の外部に,前記第1,第2の窓と対向して配置されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のアセチレンガスセンサ。前記第1,第2のレンズが,前記容器の内部に,互いに対向して配置されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のアセチレンガスセンサ。前記容器が,電気機器およびこの電気機器を収納し絶縁媒体を充填する電気機器容器を含む,前記電力用機器に接続されるか,少なくとも前記電力用機器の一部であり,前記流体が前記絶縁媒体であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のアセチレンガスセンサ。しかし,特許文献1記載の装置においては,アセチレンガスに対する検知管の検出感度が問題となる。アセチレンガスは,特にア-ク放電や部分放電に起因するガスであり,検出量が微量でも,電気機器に異常があると判断される。特許文献2記載の検出装置においては,光源として半導体レーザーを用いている。しかし,半導体レーザーは波長範囲が狭く,アセチレンガスの検出に適した波長範囲例えば,信号光と参照光の波長として1320nm~1550nmの広い範囲を持った半導体レーザーの作製が難しい。また,ビームスプリッタで分けた2つの光の光路長は干渉を生じるように適切に選ぶ必要があり,光路長が変化した場合には干渉光の明るさに変動を生じ,センサの検出精度を低下させる。本発明は,電力用機器に用いられる絶縁媒体からのアセチレンガスの効率的な検出を図ったアセチレンガスセンサを提供することを目的とする。本発明の一態様に係るアセチレンガスセンサは,1510nm~1540nmの少なくとも一部の波長を含む第1の波長域,およびこの第1の波長域から100nm以内の波長を含む第2の波長域の光を出射する光源と,前記光源から出射される光を伝達する第1の光ファイバと,前記第1の光ファイバで伝達された光を平行光に変換する第1のレンズと,流体が封入され,かつ前記第1のレンズから出射される光が通過する空間を有する容器と,前記空間内を通過した平行光を収束光に変換する第2のレンズと,前記第2のレンズから出射される光を伝達する第2の光ファイバと,前記第2の光ファイバで伝達された光を第1,第2の光に分岐する光分岐器と,前記第1の光が入射され,前記第1の波長域の光を通過し,前記第2の波長域の光を遮断する第1のフィルタと,前記第2の光が入射され,前記第2の波長域の光を通過し,前記第1の波長域の光を遮断する第2のフィルタと,前記第1のフィルタから出射される光を受光する第1の光検出器と,前記第2のフィルタから出射される光を受光する第2の光検出器と,前記第1,第2の光検出器それぞれからの第1,第2の電気信号に基づいて,前記流体中のアセチレンガス量を算出する信号処理器と,を備える。本発明によれば,電力用機器に用いられる絶縁媒体からのアセチレンガスの効率的な検出を図ったアセチレンガスセンサを提供できる。以下,図面を参照して,本発明の実施の形態を詳細に説明する。第1の実施の形態図1は第1の実施の形態のアセチレンガスセンサを示す概略構成図である。このアセチレンガスセンサは,スーパールミネッセンスダイオードSLD20,光ファイバ21a~21d,コリメーターレンズ22a,22b,カプラ23,帯域フィルタ24a,24b,アバランシェフォトダイオ-ドAPD25a,25b,信号処理器26,電気機器容器30を有する。図2に示すように,スーパールミネッセンスダイオードSLD20の発光スペクトルは,1555nm付近をピークとする,波長1500~1590[nm]の波長範囲である。SLD20は,1513~1543[nm]の少なくとも一部の波長を含む波長域A1,および波長域A1から間隔Dの,波長域A2の光を少なくとも出射する光源である。波長域A1,A2はそれぞれ,アセチレンによる吸収の検出アセチレンの検出,アセチレン以外の物質例えば,絶縁媒体油自体,絶縁媒体に起因する物質による吸収の検出アセチレン検出の較正リファレンスのために設定される。図2では,発光スペクトル内に波長域A1,A2が含まれ,波長域A1,A2,および間隔Dの一例として,1510~1540[nm],1560~1580[nm],および20[nm]が示される。波長域A1は,アセチレンガスの吸収波長域に対応する。図3に示すように,アセチレンガスの吸収スペクトルの範囲は,波数表示で6480~6610[cm-1]であり,波長表示だと1513~1543[nm]である。波長域A1は,この吸収波長域1513~1543[nm]の全体を含んでも良いし,その一部のみでも良い。図3に示すように,このアセチレンガスの吸収波長域には,吸収ピークP1波長:1520.1[nm],波数:6578.5[cm-1],P2波長:1530.3[nm],波数:6534.5[cm-1]が含まれる。このため,波長域A1は,吸収ピークP1,P2の少なくとも何れかを含むことが好ましい。また,感度を確保するために,波長域A1の幅W波長域A1の上下限λ1,λ2の差W=λ2-λ1が,10nm程度以上であることが好ましいより好ましくは,幅Wが20nm程度以上。波長域A2は,アセチレンガスの吸収波長域1513~1543[nm]の外に設定される。但し,アセチレン以外の物質による吸収の波長依存性を考慮すると,波長域A2が波長域A1から大きくずれることは好ましくない。このため,波長域A2と,波長域A1の間隔Dが,100nm以内である波長域A2が,波長域A1から100nm以内の波長を含むことが好ましいより好ましくは,間隔Dが,50nm以内,さらに好ましくは,間隔Dが,20nm以内。光ファイバ21aは,SLD20より出射された赤外光をコリメーターレンズ22aに伝達する。コリメーターレンズ22aは,光ファイバ21aで伝達された赤外光を平行光に変換するレンズである。電気機器容器30は,検査対象の流体が封入され,かつコリメーターレンズ22aから出射される光が通過する空間を有する容器である。この流体は,アセチレンガスを含む気体または液体である。変圧器等の絶縁媒体例えば,絶縁油自体を検査対象とできる。また絶縁媒体に溶存する気体成分アセチレン等を抽出して検査対象としても良い。電気機器容器30は,互いに対向する側板31a,31bと,これら側板31a,31bそれぞれに配置される,石英ガラス32a,32bと,を有する。石英ガラス32a,32bは,波長域A,A2の光を透過する材料からなる窓として機能する。石英ガラス32a,32bの表面に反射防止コ-トを施して,石英ガラス32a,32b表面からの赤外光の反射を防止することが好ましい。コリメーターレンズ22bは,電気機器容器30の空間内を通過した平行光を収束光に変換して,光ファイバ21bに入射させるレンズである。光ファイバ21bのコアの直径程度まで,赤外光が絞られる。光ファイバ21bは,コリメーターレンズ22bから出射される赤外光をカプラ23へと伝達する。カプラ23は,光ファイバ21bで伝達された赤外光を第1,第2の赤外光に分岐する光分岐器である。光ファイバ21c,21dは,カプラ23で分岐された第1,第2の赤外光をそれぞれ,帯域フィルタ24a,24bに伝達する。帯域フィルタ24a,24bはそれぞれ,カプラ23で分岐された第1,第2の赤外光が入射される。帯域フィルタ24aはそれぞれ,波長域A1,A2の光のみを通過する帯域フィルタ24aは,波長域A1の光を通過し,波長域A2の光を遮断する。帯域フィルタ24bは,波長域A2の光を通過し,波長域A1の光を遮断する。APD25a,25bはそれぞれ,帯域フィルタ24a,24bから出射される光を受光する光検出器として機能する。信号処理器26は,APD25a,25bそれぞれからの第1,第2の電気信号S1,S2に基づいて,電気機器容器30中の流体中のアセチレンガス量を算出する。後述のように,APD25a,25bからの信号強度S1,S2の比S1/S2またはその対数logS1/S2と,電気機器容器30中の流体中のアセチレンガス量との関係を表すテーブルTに基づき,電気機器容器30中のアセチレンガス量を算出できる。帯域フィルタ24aがアセチレンガスの吸収波長帯域に対応する波長域A1の光のみを通過することから,APD25aからの信号S1の強度例えば,APDからの出力電流は,アセチレンガスの吸収係数α1,アセチレンガスの濃度N1に従い低下する。一般に,信号S1の強度は,α1,N1,Lの関数となる。α1:アセチレンガスの吸収係数波長域A1での平均的な吸収係数N1:電気機器容器30の空間内でのアセチレンガスの濃度L:電気機器容器30の空間内の光路長但し,ここでは,アセチレン以外の物質による吸収が考慮されていない。アセチレンガス,およびアセチレン以外の物質による吸収を考慮すると,信号S1の強度は,α1,N1,Lに加えて,αx,Nx,Axの関数となる。αx:電気機器容器30の空間内でのアセチレンガス以外の物質の吸収係数波長域A1での平均的な吸収係数Nx:電気機器容器30の空間内でのアセチレンガス以外の物質の濃度Ax:石英ガラス32a,32bの表面の汚れ等による波長域A1での吸収率帯域フィルタ24bがアセチレンガスの吸収波長帯域に対応する波長域A2の光のみを通過することから,APD25bからの信号S2の強度例えば,APDからの出力電圧は,αx’,Nx,Ax’の関数となる。αx’:電気機器容器30の空間内でのアセチレンガス以外の物質の吸収係数波長域A2での平均的な吸収係数Ax’:石英ガラス32a,32bの表面の汚れ等による波長域A2での吸収率既述のように,波長域A2はアセチレンガスの吸収波長帯域を外れている。このため,信号S2には,アセチレンガスによる吸収APD出力の電圧低下は反映されず,絶縁媒体の汚れ,あるいは石英ガラス32a,32bの表面の汚れ等による吸収が反映される。即ち,信号S2は,経年変化等による通過光量の低下を表す。信号処理器26は,信号S1,S2間の比ΔSを求める。ΔS=S1/S2比ΔSをとることで,アセチレンガス以外の物質による吸収の影響をキャンセルできる。波長域A1,A2の間隔Dが大きくないことから,吸収係数αx,αx’,吸収率Ax,Ax’の相違が小さいαx~αx’,Ax~Ax’ことによる。比ΔSの対数logS1/S2とアセチレンガスの濃度N1には比例関係がある。このため,例えば,電気機器容器30の空間内にアセチレンガスの濃度が判った流体を封入し,APD25a,25bからの信号強度S1,S2を測定することで,信号強度S1,S2の比S1/S2またはその対数と電気機器容器30中の流体中のアセチレンガス量との関係を表すテーブルTを作成できる。作成されたテーブルTは,信号処理器26内に記憶され,アセチレンガス量の算出に利用できる。第1の実施形態のアセチレンガスセンサの動作以下,アセチレンガスセンサの動作を説明する。SLD20より発せられた赤外光は,光ファイバ21aによって伝達され,コリメーターレンズ22aにより平行光に変換される。この平行赤外光は,電気機器容器30の石英ガラス32a,32bを介し,電気機器容器30内の絶縁媒体を通過する。絶縁媒体を通過した赤外光は,コリメーターレンズ22bにより,絞られ,光ファイバ21bに入射,伝達される。カプラ23により赤外光は二分割され,帯域フィルタ24a,24bを介してアバランシェフォトダイオ-ドAPD25a,25bで電気信号S1,S2に変換される。既述のように,テーブルTおよび信号S1,S2に基づいて,信号処理器26が絶縁媒体中のアセチレンガス量濃度N1を算出する。即ち,信号処理器26において,APD25bからの信号S2を用いて,エチレンガス以外での吸収の影響を低減できるAPD25aからの信号S1が補正される。この結果,電気機器異常と判断される絶縁媒体中のアセチレンガスを,経年変化を考慮して感度良く検出できる。第2の実施の形態図4は第2の実施の形態の構成図である。第1の実施の形態と同一の構成には同一の符号を付し,重複する説明は省略する。第1の実施の形態においてスーパールミネッセンスダイオード20の代わりにレーザー41a,41bを用いるように変形した実施の形態である。レーザー41aは,アセチレンガスの吸収波長に対応する1513~1543[nm]の少なくとも一部の波長を含む波長域A1の赤外光を出射する光源である。レーザー41bは,アセチレンガスの吸収波長に対応せず,波長域A1から間隔D例えば,100nm以内の波長を含む波長域A2の赤外光レーザー41aの経年変化を監視する参照光を出射する光源である。第1の実施形態では光源がスーパールミネッセンスダイオードSLD20であったため,波長域A1,A2の幅W1,W2が広かった。これに対して,本実施形態では,光源がレーザー41a,41bであることから,波長域A1,A2の幅W1,W2が狭くなる。レーザー41aの発光波長をアセチレンガスの吸収ピークP1,P2に対応させることで,高感度なアセチレンの検出が可能となる。光ファイバ21e,21fはそれぞれ,レーザー41a,41bから発せられたレーザー光を伝達する。カプラ23aは,光ファイバ21e,21fによって伝達されたレーザ光を合成し,1つのビームの光とするものであり,レーザー41a,41bから出射される光を混合する混合器として機能する。干渉フィルタ42a,42bはそれぞれ,レーザー41a,41bからの出射光に対応した波長を通過させる通過波長帯域を持つフィルタである。帯域フィルタと干渉フィルタは設計時に設定された波長の光を透過させる点では同じであるが,レーザー用に特に狭い窓で意図した波長を選び出すフィルタを干渉フィルタと一般に呼ぶ。第1の実施形態と同様,信号処理器26は,APD25a,25bそれぞれからの第1,第2の電気信号S1,S2に基づいて,電気機器容器30中の流体中のアセチレンガス量を算出する。後述のように,APD25a,25bからの信号強度S1,S2の比S1/S2またはその対数と,電気機器容器30中の流体中のアセチレンガス量との関係を表すテーブルTに基づき,電気機器容器30中のアセチレンガス量を算出できる。本実施形態でも,既述のように,テーブルTおよび信号S1,S2に基づいて,信号処理器26が絶縁媒体中のアセチレンガス量濃度N1を算出する。即ち,信号処理器26において,APD25bからの信号S2を用いて,アセチレンガス以外での吸収の影響を低減できるAPD25aからの信号S1が補正される。この結果,電気機器異常と判断される絶縁媒体中のアセチレンガスを,経年変化を考慮して感度良く検出できる。第3の実施の形態図5は第3の実施の形態の構成図である。第1の実施の形態と同一の構成には同一の符号を付し,重複する説明は省略する。ここでは,第1の実施の形態と異なり,石英ガラス32a,32bは使用せず,光ファイバ21をシ-ル部33a,33bを介して,コリメーターレンズ22a,22bを電気機器容器30内部に配置する。コリメーターレンズ22a,22b間に,石英ガラス32a,32bを配置しないことで,石英ガラス32a,32bによる反射や光の損失を低減できる。この結果,絶縁媒体中のアセチレンガスをさらに感度良く検出できる。第4の実施の形態図6は第4の実施の形態の構成図である。第1の実施形態と同一の構成には同一の符号を付し,重複する説明は省略する。ここでは,前記第1の実施の形態のアセチレンガスセンサを電力用機器の一つとして変圧器に取り付けている。電気機器容器50中に鉄心51,巻線52が配置され,電気機器容器50の上部にフランジ53が取り付けられている。このフランジ53は,両側に石英ガラス32a,32bを配置したセンサ容器54のフランジ55と接続される。フランジ55は,センサ容器54の,石英ガラス32a,32bの設置面と異なる面に配置される。石英ガラス32a,32bの外部に発光部と受光部を設置することで変圧器内の絶縁油中のアセチレンガスの検出が可能となる。なお,フランジ55は,変圧器タンクに設けたボスに固定しても良い。フランジ53,55によってセンサ容器54が電気機器容器50に接続される。この結果,センサ容器54を簡単にとりはずすことが可能になり,石英ガラス32a,32b表面の汚れの除去や交換等が容易にできる。また,既設の変圧器への取り付けも容易になる。また,第3の実施の形態のようにコリメーターレンズ22をセンサ容器内に設置することも可能である。この場合,第3の実施の形態と同様に,設置点検が容易となる。その他の実施の形態本発明の実施形態は上記の実施形態に限られず拡張,変更可能であり,拡張,変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。例えば,第1,第2,第3の実施の形態における電気機器容器30,第4の実施の形態における電気機器容器50については,アセチレンガスの検出を行う対象で,絶縁媒体が封入された電力機器を持つ電力用機器であれば何でもよく変圧器,計器用変成器,ブッシング,リアクトルなどにしてもよい。また,センサの取り付け位置を変更したり,センサの取り付け数を変更したりしても良い。実施形態では,信号S1を信号S2で除算することで比S1/S2を求める,信号S1を補正している。これ以外の手法で信号S1を補正しても良い。"