"リード部と配線回路を形成するように分断された配線回路部とを有するリードフレームの一方の面を上面にして、前記配線回路部の部品搭載面に少なくとも1つの半導体素子を第1の接合材を用いて接合するとともに前記配線回路部の間を架橋するように少なくとも1つの第1の電子部品を前記第1の接合材を用いて接合し、前記半導体素子および前記配線回路部をボンディングワイヤで接続し、前記リードフレームを上下反転して上面となった他方の面に、前記配線回路部の間を架橋するように少なくとも1つの第2の電子部品を前記第1の接合材よりも低い温度で接合できる第2の接合材を用いて接合し、前記リードフレームの両側をモールド樹脂により封止する、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記第1の接合材を第1のはんだとし、前記リードフレームの他方の面に当接された第1の加熱手段により前記第1のはんだの融点より高い温度で加熱して前記半導体素子および前記第1の電子部品を前記リードフレームの一方の面に接合し、前記第2の接合材を前記第1のはんだより融点の低い第2のはんだとし、前記リードフレームの一方の面の前記半導体素子および前記第1の電子部品が実装されているエリアを除くエリアの面に当接された第2の加熱手段により前記第1のはんだの融点より低くかつ前記第2のはんだの融点より高い温度で加熱して前記第2の電子部品を前記リードフレームの他方の面に接合する、ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。前記第2のはんだによる接合時において、前記第2の加熱手段が当接された前記リードフレームを高温炉に入れ、前記第2の加熱手段による加熱時に雰囲気温度を高くしたことを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。前記第1の接合材をはんだとし、前記リードフレームの他方の面に当接された加熱手段により前記はんだの融点より高い温度で加熱して前記半導体素子および前記第1の電子部品を前記リードフレームの一方の面に接合し、前記第2の接合材を熱硬化型導電性接着剤とし、高温炉により前記はんだの融点より低い雰囲気温度で加熱して前記第2の電子部品を前記リードフレームの他方の面に接合する、ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。リード部および配線回路を形成するように分断された配線回路部を有するリードフレームと、前記リードフレームの一方の面において、前記配線回路部の部品搭載面に第1の接合材を用いて接合され、前記配線回路部とはボンディングワイヤによって接続された少なくとも1つの半導体素子と、前記リードフレームの一方の面において、前記配線回路部の間を架橋するように前記第1の接合材を用いて接合された少なくとも1つの第1の電子部品と、前記リードフレームの他方の面において、前記配線回路部の間を架橋するように前記第1の接合材よりも低い温度で接合できる第2の接合材を用いて接合された少なくとも1つの第2の電子部品と、を備えていることを特徴とする半導体装置。リード部および配線回路を形成するように分断された配線回路部を有するリードフレームと、前記リードフレームの一方の面において、前記配線回路部の部品搭載面に第1の接合材を用いて接合され、前記配線回路部とはボンディングワイヤによって接続されたパワー半導体素子およびその制御用の集積回路素子と、前記リードフレームの一方の面において、前記配線回路部の間を架橋するように前記第1の接合材を用いて接合された少なくとも1つの第1の電子部品と、前記リードフレームの他方の面において、前記配線回路部の間を架橋するように前記第1の接合材よりも低い温度で接合できる第2の接合材を用いて接合された少なくとも1つの第2の電子部品と、を備えていることを特徴とするイグナイタ装置。しかし、Ni系のめっきは、コストの関係で、リードフレームのワイヤボンディングを行うエリアのみに施すのではなく、複数のリードフレームの連なり方向に各ボンディングエリアを横切るように帯状にかつ平行に施しているため、次のような問題点があった。すなわち、Ni系のめっきは、一般的に、はんだ、導電性接着剤およびモールド樹脂との密着性が悪いという性質がある。このため、めっきが施されたエリアは、ボンディングエリア以外、電子部品をはんだまたは導電性接着剤で接合するエリアとして使用できない無駄なエリアとなるため、搭載される電子部品数が制約されることになる。また、帯状のめっきは、電子部品が搭載されるエリアにかからないように配置しなければならないため、ワイヤによるボンディングエリアも制限されることになる。しかも、モールド樹脂との密着性の悪さから、モールド樹脂とリードフレームとの熱膨張率の違いがパワー半導体素子の発熱による熱サイクルでワイヤに繰り返し応力をかけることになり、その結果、ワイヤが接合近傍で切断してしまうことがある。さらに、パッケージの外形が大きくなるのを防ぐために、リードフレームの両面に電子部品を実装する場合は、製造する際に、リードフレームを傾けたり、裏返しにしたりしなければならないため、部品が所定の位置からずれることになる。そのため、一方の面に部品を絶縁性のフィルムや樹脂などで一旦仮留めしてから他方の面に部品を搭載し、はんだなどの接合材をリフローなどで溶融して電気的に接続することになる。この一方の面に電子部品を仮留めする方法は、分断された配線回路部間を架橋するように搭載される電子部品に対しては、部品の下が空間になっていてフィルム接着ができず、また、樹脂による仮留めでは工程が多くなることから、適用することができない。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、配線回路を形成するように分断されたリードフレームの両面に、複雑な工程を経由せずに、半導体素子や電子部品を搭載する半導体装置の製造方法、半導体装置およびイグナイタ装置を提供することを目的とする。本発明では上記の課題を解決するために、リード部と配線回路を形成するように分断された配線回路部とを有するリードフレームに搭載する半導体素子および電子部品を接合温度の異なる接合材を用いて接合するようにしている。すなわち、リードフレームの一方の面において、配線回路部の部品搭載面に半導体素子を第1の接合材を用いて接合し、配線回路部の間を架橋するように第1の電子部品を第1の接合材を用いて接合する。リードフレームの他方の面においては、配線回路部の間を架橋するように第2の電子部品を第2の接合材を用いて接合する。特に、第1の接合材よりも接合温度の低い第2の接合材を使用すると、リードフレームの一方の面で行った接合方法と同じ接合方法を温度だけ低くして他方の面でも実施できるので、製造工程を複雑にすることなくリードフレームの両面に部品搭載が可能になる。上記構成の半導体装置の製造方法、半導体装置およびイグナイタ装置では、リードフレームの両面に搭載する部品を接合温度の異なる2種類の接合材を用いて搭載するため、同様の製造工程でリードフレームの両面に部品搭載が可能になるという利点がある。リードフレームの一方の面と他方の面とで同様の接合方法を採用したことで、他方の面での接合に部品の仮留めなどが不要となって製造工程が複雑にならないことから、半導体装置およびこれを使用したイグナイタ装置のコストを低減することができる。ボンディングワイヤを接合するエリアを形成するためにボンディングエリア以外のエリアにもめっき部が施されるが、リードフレームの両面に部品搭載が可能なので、リードフレームの面積が小さくなり、半導体装置を小型にすることができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。図1は第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図であって、Aははんだ塗布工程を示し、Bはチップ搭載工程を示し、Cははんだ溶融工程を示し、Dはワイヤボンディング工程を示し、Eははんだ塗布工程を示し、Fは部品搭載工程を示し、Gははんだ溶融工程を示している。図2は第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法にて製造された半導体装置を示す図である。この半導体装置は、図2に示したように、半導体素子としてパワー半導体素子11およびその制御用の集積回路素子12を備え、パワー半導体素子11がイグニッションコイルの1次コイルを駆動する用途に使用されるイグナイタ装置である。パワー半導体素子11は、イグナイタ装置に必要とされる高L負荷クランプ耐量、高サージ耐量などの特性に優れたIGBTが使用される。リードフレームは、銅製の板を加工して形成され、外部接続端子を形成する複数のリード部13と、配線回路を形成するように分断された複数の配線回路部14とを有している。配線回路部14の一部は、広い面積を有していてパワー半導体素子11および集積回路素子12をそれぞれ搭載する部品搭載面15a,15bを形成している。また、分断された複数の配線回路部14には、ボンディングエリアを形成するためにNi系のめっき部16が図示の例では帯状に2本施されている。これらのめっき部16は、複数のリードフレームが連なった状態にあるときに、その連なり方向に直線状に施されるものなので、ボンディングエリアでないエリアにも施されていることになる。また、リードフレームのパワー半導体素子11および集積回路素子12が搭載されている側には、配線回路部14の間を架橋するように電子部品第1の電子部品17,18が搭載されている。さらに、リードフレームのその反対側には、配線回路部14の間を架橋するように電子部品第2の電子部品19,20が搭載されている。これらの電子部品17,18,19,20は、たとえば表面実装パッケージのチップコンデンサ、チップ抵抗器などとすることができる。パワー半導体素子11は、その主端子がリード部13の近傍の配線回路部14に施されためっき部16にボンディングワイヤ21によって接続され、制御用端子がボンディングワイヤ22によって集積回路素子12の所定の端子に接続されている。集積回路素子12の残りの端子は、ボンディングワイヤ23によってめっき部16に接続されている。パワー半導体素子11、集積回路素子12、電子部品17,18および電子部品19,20が搭載されたリードフレームは、パッケージ用材料のモールド樹脂24によって一括封止される。次に、第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を用いて上記構成の半導体装置を製造する工程を図1を参照して説明する。まず、図1のAに示したように、リードフレーム30の配線回路部14の上面にはんだ第1のはんだ31を塗布する。これは、パワー半導体素子11、集積回路素子12、電子部品17,18を接合しようとするエリアにはんだペーストを印刷することによって行われる。このはんだ31は、融点がたとえば230°C程度になるよう調製されたはんだを用いる。なお、はんだ31と後述するはんだ36は、融点の異なるはんだを用いればよく、先の工程で用いるはんだ31は、融点が、後の工程で用いるはんだ36の融点より高いものを用いればよい。次に、図1のBに示したように、塗布されたはんだ31の上にパワー半導体素子11、集積回路素子12、電子部品17,18図では、パワー半導体素子11および集積回路素子12のチップ32で示すが搭載される。このはんだ31へのチップ32の搭載は、たとえばチップマウンタにて行われる。その後、リードフレーム30は、熱板第1の加熱手段33まで搬送され、その上に載せられる。次に、図1のCに示したように、熱板33の加熱温度を調整してリフロー方式によりチップ32をリードフレーム30にはんだ接合する。すなわち、熱板33は、最初、予熱温度に設定されてリードフレーム30、はんだ31およびチップ32を予熱し、その後、はんだ31の融点より高い温度に設定されて、はんだ31を溶融する。このはんだ溶融は、短時間実施され、その後、冷却されることによってチップ32のはんだ付けが終了する。次に、図1のDに示したように、ボンディングワイヤ34による配線が行われる。この配線は、ボンディングワイヤ34を、パワー半導体素子11および集積回路素子12のようなチップ32のパッドとリード部13や配線回路部14とに接合したり、チップ32同士のパッドに接合したりして行われる。リード部13および配線回路部14との接合は、これらに施されためっき部16にて行われる。このようにしてボンディングワイヤ34による配線が行われたリードフレーム30は、上下反転され、図1のEに示したように、加熱受け台第2の加熱手段35に載せられ、リードフレーム30の配線回路部14にはんだ第2のはんだ36が塗布される。このはんだ36は、はんだ31よりも融点が低く、たとえば200°C程度の融点を有する鉛フリーはんだが用いられ、電子部品を接合しようとする配線回路部14のエリアに塗布される。加熱受け台35は、リードフレーム30が載せられたときにチップ32やボンディングワイヤ34に触れないように凹型の形状を有し、チップ32やボンディングワイヤ34が実装されているエリアを除くエリアの面でリードフレーム30を支持している。次に、図1のFに示したように、分断された配線回路部14の間を架橋するようにして、配線回路部14に塗布されたはんだ36の上に電子部品19,20のような電子部品37が搭載される。次のはんだ溶融工程では、加熱受け台35の加熱温度を調整し、リードフレーム30を介して塗布されたはんだ36に伝熱してはんだ36を溶融し、電子部品37をリードフレーム30にはんだ接合する。このとき、好ましくは、図1のGに示したように、加熱受け台35によって支持されたリードフレーム30を高温炉に入れ、リードフレーム30の雰囲気温度を、予熱および加熱時に高くし、冷却時に低くするのがよい。リードフレーム30の両面にチップ32および電子部品37がそれぞれはんだ接合された後、リードフレーム30は、その両側がモールド樹脂により封止されて半導体装置が形成される。なお、この第1の実施の形態に係る半導体装置の好ましい製造方法では、2回目のはんだ接合を高温雰囲気による加熱と加熱受け台35による加熱とを併用する形で行っているが、高温雰囲気による加熱のみでも加熱受け台35による直接加熱のみでもよい。また、上記の例において、はんだペーストを用いているが、はんだの溶融工程で発生するフラックスがその後の他の工程に影響する場合には、必要に応じてフラックス洗浄工程を追加するとよい。図3は第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図であって、Aははんだ塗布工程を示し、Bはチップ搭載工程を示し、Cははんだ溶融工程を示し、Dはワイヤボンディング工程を示し、Eは導電性接着剤塗布工程を示し、Fは部品搭載工程を示し、Gは導電性接着剤硬化工程を示している。なお、この図3において、図1に示した構成要素と同じ構成要素については同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。この第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、まず、図3のAに示したように、リードフレーム30のパワー半導体素子11、集積回路素子12、電子部品17,18が接合されるエリアにはんだ31が塗布される。次に、図3のBに示したように、塗布されたはんだ31の上にチップ32が搭載される。その後、チップ32が搭載されたリードフレーム30は、熱板33まで搬送され、その上に載せられる。次に、図3のCに示したように、熱板33の加熱温度を調整し、はんだ31を溶融してチップ32をリードフレーム30にはんだ接合する。次に、図3のDに示したように、ボンディングワイヤ34によるチップ32間の配線およびチップ32とリード部13および配線回路部14との配線が行われる。次に、ボンディングワイヤ34による配線が行われたリードフレーム30は、上下反転され、図3のEに示したように、受け台39に載せられる。この受け台39は、リードフレーム30が載せられたときにチップ32やボンディングワイヤ34に触れないように凹型の形状を有し、チップ32やボンディングワイヤ34が実装されているエリアを除くエリアの面でリードフレーム30を支持している。その後、リードフレーム30の電子部品を接合しようとする各エリアに、はんだ融点よりも低い硬化温度を有する熱硬化型導電性接着剤41がディスペンサ40により塗布される。はんだ31の融点を240°Cとした場合、熱硬化型導電性接着剤41は、硬化温度がたとえば150°C程度のものが使用される。次に、図3のFに示したように、分断された配線回路部14の間を架橋するようにして、配線回路部14に塗布された熱硬化型導電性接着剤41の上に電子部品19,20のような電子部品37が搭載される。次に、熱硬化型導電性接着剤41の上に電子部品37が搭載されたリードフレーム30は、図3のGに示したように、受け台39に支持された状態で高温炉に入れられ、熱硬化型導電性接着剤41を硬化させる。このとき、高温炉は、予熱、加熱および冷却時にそれぞれ適した温度に設定され、特に加熱時には、雰囲気温度が熱硬化型導電性接着剤41の硬化温度になるように設定される。電子部品37の接合材に熱硬化型導電性接着剤41を使用することによって、比較的製造工程を複雑にせずにリードフレーム30の両面に部品搭載が可能になる。このようにして、両面にチップ32および電子部品37がそれぞれ搭載されたリードフレーム30は、その両側がモールド樹脂により封止され、これによって半導体装置が形成される。"