"画素ごとに区分されたフォトダイオードがマトリクス状に配置された受光面を有する固体撮像素子部を有するデバイス基板と、前記デバイス基板上に形成されたMEMSMicroElectroMechanicalSystems素子とを有する固体撮像装置。前記MEMS素子がXY軸位置センサである請求項1に記載の固体撮像装置。前記MEMS素子がZ軸位置センサである請求項1に記載の固体撮像装置。前記MEMS素子がマイクロフォンである請求項1に記載の固体撮像装置。前記デバイス基板に対して、前記MEMS素子または前記固体撮像装置に電気的に接続するためのパッド開口部が形成されている請求項1に記載の固体撮像装置。前記デバイス基板に対して、前記MEMS素子または前記固体撮像装置に電気的に接続するためのコンタクトホールが形成されている請求項1に記載の固体撮像装置。前記デバイス基板に対して、前記MEMS素子または前記固体撮像装置に電気的に接続するためのビアホールが形成されている請求項1に記載の固体撮像装置。前記固体撮像装置が裏面照射型の固体撮像装置である請求項1に記載の固体撮像装置。デバイス基板に、画素ごとに区分されたフォトダイオードがマトリクス状に配置された受光面を形成する工程と、前記デバイス基板上にMEMSMicroElectroMechanicalSystems素子を形成する工程とを有する固体撮像装置の製造方法。固体撮像装置と、前記固体撮像装置の撮像部に入射光を導く光学系と、前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路とを有し、前記固体撮像装置は、画素ごとに区分されたフォトダイオードがマトリクス状に配置された受光面を有する固体撮像素子部を有するデバイス基板と、前記デバイス基板上に形成されたMEMSMicroElectroMechanicalSystems素子とを有する電子機器。解決しようとする課題は、固体撮像装置において、MEMS素子を固体撮像装置と同一のチップ上に設けることが困難であることである。本発明の固体撮像装置は、画素ごとに区分されたフォトダイオードがマトリクス状に配置された受光面を有する固体撮像素子部を有するデバイス基板と、前記デバイス基板上に形成されたMEMSMicroElectroMechanicalSystems素子とを有する。上記の本発明の固体撮像装置は、デバイス基板の固体撮像素子部に、画素ごとに区分されたフォトダイオードがマトリクス状に配置された受光面を有する。上記のデバイス基板上にMEMS素子が形成されている。また、本発明の固体撮像装置の製造方法は、デバイス基板に、画素ごとに区分されたフォトダイオードがマトリクス状に配置された受光面を形成する工程と、前記デバイス基板上にMEMSMicroElectroMechanicalSystems素子を形成する工程とを有する。上記の本発明の固体撮像装置の製造方法は、デバイス基板に、画素ごとに区分されたフォトダイオードがマトリクス状に配置された受光面を形成する。また、デバイス基板上に、MEMS素子を形成する工程を有する。また、本発明の電子機器は、固体撮像装置と、前記固体撮像装置の撮像部に入射光を導く光学系と、前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路とを有し、前記固体撮像装置は、画素ごとに区分されたフォトダイオードがマトリクス状に配置された受光面を有する固体撮像素子部を有するデバイス基板と、前記デバイス基板上に形成されたMEMSMicroElectroMechanicalSystems素子とを有する。上記の本発明の電子機器は、固体撮像装置と、固体撮像装置の撮像部に入射光を導く光学系と、固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路とを有する。ここで、固体撮像装置は、デバイス基板の固体撮像素子視部に、画素ごとに区分されたフォトダイオードがマトリクス状に配置された受光面を有する。上記のデバイス基板上にMEMS素子が形成されている。本発明の固体撮像装置によれば、MEMS素子を固体撮像装置と同一のチップ上に設けることができ、装置の実装面積を縮小して装置の小型化を実現できる。本発明の固体撮像装置の製造方法によれば、MEMS素子を固体撮像装置と同一のチップ上に容易に形成することができ、装置の実装面積を縮小して装置の小型化を実現できる。本発明の電子機器によれば、MEMS素子を固体撮像装置と同一のチップ上に設けた固体撮像装置を組み込むことにより、電子機器の小型化を実現できる。以下に、本発明の固体撮像装置及びその製造方法と設計方法並びに電子機器の実施の形態について、図面を参照して説明する。尚、説明は以下の順序で行う。1.第1実施形態MEMS素子としてXY軸位置センサを同一チップ上に有する固体撮像装置2.第2実施形態MEMS素子としてZ軸位置センサを同一チップ上に有する固体撮像装置3.第3実施形態MEMS素子としてマイクロフォンを同一チップ上に有する固体撮像装置4.第1変形例5.第2変形例6.第4実施形態電子機器への適用<第1実施形態>[固体撮像装置の構成]本実施形態に係る固体撮像装置は、MEMS素子としてXY軸位置センサを同一チップ上に有する固体撮像装置である。MEMSMicroElectroMechanicalSystems素子とは、微小電気機械素子であり、一般的にはマイクロマシンとも称せられる。例えば、慣性力または振動などにより位置が可変な梁または膜などを有し、梁または膜の位置を電気的に検出することで慣性力または振動を感知するセンサを構成することができる。MEMS素子は、例えば、慣性力に対するXY軸の検出のための位置センサ、慣性力に対するZ軸の検出のための位置センサ、空気の振動を検知するマイクロフォンなどを構成することができる。本実施形態においては、上記のようにMEMS素子としてXY軸位置センサを有する。図1aは本実施形態に係る固体撮像装置の平面図であり、図1bは模式的断面図である。例えば、シリコン基板などからなるデバイス基板10と支持基板20が酸化シリコンなどの絶縁膜15を介して貼り合わされており、半導体基板が構成されている。半導体基板は、例えばMEMS素子領域R1、引き出し電極領域R2、パッド電極領域R3、周辺回路領域R4及び固体撮像素子領域R5に区分されている。例えば、MEMS素子領域1は、振動電極領域R11と固定電極領域R12からなる。例えば、振動電極領域R11には第1導電層16a及び第2導電層17aからなる振動電極が埋め込まれている。一方、固定電極領域R12には第1導電層16b及び第2導電層17bからなる固定電極が埋め込まれている。振動電極と固定電極から、平行平板型の静電容量素子が構成されている。ここで、例えば、振動電極はダイヤフラムDF構造の中空部に梁状に突出した形状となっている。この構造については後述する。例えば、デバイス基板10の絶縁膜15側の表面には、パッド電極領域R3、周辺回路領域R4、固体撮像素子領域R5などを区分するためのSTIShallowTrenchIsolation素子分離絶縁膜11が形成されている。さらにデバイス基板10の必要な領域に導電性不純物の拡散層12が形成されている。例えば、周辺回路領域R4及び固体撮像素子領域R5などにおいて、デバイス基板10の絶縁膜15側に不図示のゲート絶縁膜を介してゲート電極13が形成されており、その両側部にサイドウォール絶縁膜14が形成されている。また、例えば、サイドウォール絶縁膜14の形成領域及びその両側部におけるデバイス基板10中に不図示のソースドレインが形成されている。上記のようにしてMOSトランジスタが構成されている。例えば、固体撮像素子領域R5においては、デバイス基板10の絶縁膜15と反対側の表面に不図示のフォトダイオードが画素ごとに区分されて形成されている。フォトダイオードを含む画素がマトリクス状に配置されて受光面が構成されている。例えば、デバイス基板10の受光面側の表面には、画素の光入射領域を除いて遮光膜21が形成されている。画素の光入射領域においては、必要に応じて、赤、緑及び青色のカラーフィルタ22が画素ごとに形成されている。例えば、カラーフィルタ22の上層に光透過性の樹脂からなるオンチップレンズ23aが形成されており、遮光膜21上にはオンチップレンズ23aを構成する材料からなる樹脂層23が形成されている。例えば、パッド電極領域R3、周辺回路領域R4及び固体撮像素子領域R5において、MOSトランジスタのゲート電極などに接続する上層配線16及びパッド電極17が絶縁膜15中に埋め込まれて形成されている。パッド電極領域R3において、パッド電極17を露出するようにパッド開口部Pが形成されている。また、振動電極領域R11において、パッド開口部Pと同様に開口部が形成され、ダイヤフラム構造が形成されている。図2aは本実施形態に係る固体撮像装置に設けられたMEMS素子の詳細を示す平面図であり、図2b~eはそれぞれ図2a中のB-B’、C-C’、D-D’及びE-E’における模式断面図である。デバイス基板10と支持基板20が絶縁膜15を介して貼り合わされている。平板状の振動電極を構成する第1導電層16a及び第2導電層17aと、固定電極を構成する平板状に第1導電層16b及び第2導電層17bとが平行に交互に配置されている。図面上は3つの固定電極とその間に配置された2つの振動電極を示しているが、これに限られたものではない。固定電極及び振動電極はいずれも絶縁膜15中に埋め込まれている。固定電極及び振動電極の領域において、デバイス基板10側から支持基板20の表面まで開口部が形成されており、ダイヤフラム構造DFとなっている。ここで、図2b及び図2dに示すように、振動電極の支持基板20側に空隙15vがダイヤフラム構造DFを構成する空隙に連通して形成されている。これにより、振動電極は慣性力または振動などにより位置が可変な梁状の構造となっている。固定電極の支持基板20側には上記の空隙15vがないので、固定電極は支持基板20に十分固定された状態となっている。上記の振動電極と固定電極から平行平板型の静電容量素子が構成されており、振動電極は慣性力または振動などにより位置が可変となっている。このため、静電容量素子の静電容量を検出することで、振動電極の変位を検知し、慣性力または振動を測定することが可能となっている。本実施形態においては、MEMS素子がXY軸位置センサを構成している。例えば、上記の固体撮像素子領域R5における各画素のフォトダイオードで光を受光して得られる光信号は、フローティングディフュージョンなどを介して電圧信号などに変換され、CDS相関二重サンプリング回路などを経て画素信号として出力される。各画素から出力される画素信号から、画像データが構成される。周辺回路領域R4には、必要に応じて各種の画像処理回路が形成されており、上記で得られた画素信号からなる画像データを画像処理することができる。上記の本実施形態の固体撮像装置は、MEMS素子を固体撮像装置と同一のチップ上に設けることができ、装置の実装面積を縮小して装置の小型化を実現できる。次に、本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法について説明する。図3~図6は本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法の製造工程を示す模式断面図である。まず、図3aに示すように、例えばデバイス基板10のパッド電極領域R3、周辺回路領域R4、固体撮像素子領域R5などを区分するために、STI素子分離絶縁膜11を形成する。STI素子分離用の溝の深さは0.2~0.5μm程度であり、CVDChemicalVaporDeposition法などにより酸化シリコンなどで埋め込んで形成する。次に、図3bに示すように、例えばMEMS素子領域R1振動電極領域R11と固定電極領域R12及び固体撮像素子領域R5などにおいて、デバイス基板10の必要な領域に導電性不純物の拡散層12を形成する。例えば、画素形成用、周辺回路形成用、及び、振動電極形成用のイオン注入を行う。ここで、工程削減のために、振動電極用のイオン注入は画素形成用及び周辺回路形成用のイオン注入と兼ねても良い。ただし、振動電極は同一の極性を持った不純物のみがイオン注入されるようにする。ここで、導電性不純物はN型とP型のどちらでも良いが、なるべく高濃度のイオン注入がなされるように導電性不純物を選択するのが望ましい。次に、図3cに示すように、例えば周辺回路領域R4及び固体撮像素子領域R5などにおいて、不図示のゲート絶縁膜とゲート電極13を形成し、ゲート電極13をマスクとして導電性不純物をイオン注入して不図示のエクステンション領域を形成する。次に、ゲート電極13の両側部にサイドウォール絶縁膜14を形成し、サイドウォール絶縁膜14をマスクとして導電性不純物をイオン注入してソースドレイン領域を形成する。必要に応じて適宜RTARapidThermalAnnealing処理などの不純物活性化処理を行い、上記のようにしてMOSトランジスタを形成する。次に、図3dに示すように、例えばMOSトランジスタを被覆して全面に酸化シリコンなどの絶縁膜15aを形成する。絶縁膜15中には、パッド電極領域R3、周辺回路領域R4及び固体撮像素子領域R5において、適宜上層配線16を埋め込み、これに接続してパッド電極17を形成する。また、振動電極領域R11と固定電極領域R12においては、上層配線の形成工程と同様に第1導電層16a,16bを形成し、パッド電極17の形成工程と同様に第2導電層17a,17bを形成する。上記において、第1導電層16a,16bと第2導電層17a,17bは、図2に示すように平行平板型の静電容量素子の電極となるようにレイアウトする。次に、図3eに示すように、例えばパッド電極17、第2導電層17a,17bの上層に酸化シリコンなどを形成する。図3eでは、上記の絶縁膜15aと一体化して絶縁膜15bとして示している。次に、例えば絶縁膜15bの上面をCMPChemicalMechanicalPolishing処理により平坦化する。次に、図4aに示すように、例えば振動電極領域R11を開口するレジスト膜PR1をパターン形成し、これをマスクとしてRIE反応性イオンエッチングなどの異方性エッチング処理を行い、第2導電層17aの上部を露出させる空隙15vを形成する。上記のエッチング量は、デバイス基板と支持基板とを接合したときに、振動電極上が接合されない十分な量とする。次に、図4bに示すように、例えば絶縁膜15bの上面に別途準備した支持基板20を貼り合わせる。支持基板20の貼り合わせ面には、表面を平坦化された酸化シリコンの絶縁膜15cが予め形成されている。次に、図4cに示すように、例えば室温~400°Cの範囲のプラズマ接合処理を行い、絶縁膜15bと絶縁膜15cを一体化する。図4cでは、絶縁膜15bと絶縁膜15cを一体化して絶縁膜15として示している。プラズマ接合処理は、例えば配線が溶融などのダメージを受けない程度の温度範囲で行う。ここで、上記の空隙15vは絶縁膜15bと絶縁膜15cの界面部分に残されたままである。次に、図5aに示すように、例えばデバイス基板10の絶縁膜15とは反対側の表面から研磨及びエッチングなどを行い、700~800μm程度の板厚であったデバイス基板10をイメージセンサに必要十分な膜厚である2~4μm程度にまで薄膜化する。図5b以降の工程は、図5aまでの工程と上下を反転して示している。次に、図5bに示すように、例えばスパッタリングなどによりデバイス基板10の絶縁膜15とは反対側の表面にWあるいはAlなどを堆積して遮光膜21を形成する。次に、例えば、遮光膜として残す領域を保護するパターンのレジスト膜PR2をパターン形成し、レジスト膜PR2をマスクとしてエッチング加工し、遮光膜21をパターン加工する。ここで、遮光膜21のパターンは、固体撮像素子領域R5においては画素の光入射領域を開口するパターンとする。また、例えば、パッド電極領域R3においても開口するパターンとする。また、振動電極領域R11においては振動電極を挟む両側の領域を開口するパターンとする。次に、図5cに示すように、レジスト膜PR2を除去し、例えば、固体撮像素子領域R5において、遮光膜が除去された画素の光入射領域において、赤、緑及び青色のカラーフィルタ22を画素ごとに形成する。カラーフィルタ22は、例えばカラーフィルタ材料を塗布し、パターン露光して所定のパターンとする。次に、図6aに示すように、例えば光透過性の樹脂層23を塗布し、オンチップレンズ形成用のレジスト膜PR3を形成する。レジスト膜PR3は、例えば通常のレジスト膜を形成した後、オンチップレンズ領域を残すようにパターン加工し、熱処理で溶融させて表面張力により球面形状の表面となるようにして形成することができる。次に、図6bに示すように、ドライエッチング処理により全面にエッチバックし、レジスト膜PR3の形状を樹脂層23の表面に転写し、オンチップレンズ23aを形成する。次に、図6cに示すように、パッド開口部を開口するパターンのレジスト膜PR4をパターン形成し、ドライエッチング処理を行ってパッド開口部Pを形成し、パッド電極17を露出させる。ここで、レジスト膜PR4としては、振動電極領域R11においては振動電極を挟む両側の領域を開口するパターンとする。これにより、上記のエッチング処理で振動電極領域R11において空隙15vに連通する開口部が形成され、ダイヤフラム構造DFが形成される。上記のエッチングは、パッド電極を除去せず、かつ、空隙15vに達するようにして行う。パッド開口用のレジストPR4を除去する。以降は、通常の固体撮像装置の製造方法と同様にして製造する。以上により、図1に示す同一基板上にMEMS素子を混載する固体撮像装置を製造することができる。本実施形態の固体撮像装置の製造方法によれば、MEMS素子を固体撮像装置と同一のチップ上に容易に形成することができ、装置の実装面積を縮小して装置の小型化を実現できる。例えば、特許文献1の構成のカメラモジュールでは、固体撮像装置と位置センサなどのMEMS素子を別々に作成し、それぞれを実装してカメラモジュールを作成しており、各チップを実装する際に歩留まり低下が発生してしまう。また、位置センサ用の位置制御回路と、固体撮像装置の画像処理用回路を各チップに別々に設ける必要があり、それぞれのチップ面積が大きくなってしまい、製造コストが高くなる。固体撮像装置による画像データを位置センサによる位置情報によってカメラモジュールの手ぶれ補正用位置制御をしようとすると、固体撮像装置と位置センサ間に情報を伝送するための配線が必要になり、モジュールの製造コストが増大してしまう。本実施形態の固体撮像装置は、同一チップ上にMEMS素子を混載しており、固体撮像装置と位置センサなどのMEMS素子を別々に作成して、実装によってモジュール化した場合よりも、歩留まり低下を抑制できる。また、チップ面積を縮小して製造コストを低減できる。また、固体撮像装置と位置センサであるMEMS素子間に情報を伝送するための配線を同一チップ内に収容でき、製造コストを低減できる。<第2実施形態>[固体撮像装置の構成]本実施形態に係る固体撮像装置は、MEMS素子としてZ軸位置センサを同一チップ上に有する固体撮像装置である。実質的に第1実施形態と同様の構成であるが、MEMS素子がZ軸位置センサであることが異なる。図7は本実施形態に係る固体撮像装置の模式的断面図である。例えば、シリコン基板などからなるデバイス基板10と支持基板20が酸化シリコンなどの絶縁膜15を介して貼り合わされており、半導体基板が構成されている。半導体基板は、例えばMEMS素子領域R1、引き出し電極領域R2、パッド電極領域R3、周辺回路領域R4及び固体撮像素子領域R5に区分されている。例えば、MEMS素子領域R1には振動電極17c及び固定電極18a基板と平行になるように埋め込まれている。振動電極17cと固定電極18aから、平行平板型の静電容量素子が構成されている。引き出し電極領域R2には、振動電極17cに接続する導電層16cが絶縁膜15中に埋め込まれている。ここで、例えば、振動電極17cはダイヤフラムDF構造の中空部に梁状に突出した形状となっている。図8aは本実施形態に係る固体撮像装置に設けられたMEMS素子の詳細を示す平面図であり、図8bは図8a中のF-F’における模式断面図である。デバイス基板と支持基板を貼り合わせる絶縁膜15中に、振動電極17cと固定電極18aが埋め込まれている。振動電極17cの側から固定電極18a近傍まで開口部が形成されており、ダイヤフラム構造DFとなっている。ここで、図8bに示すように、振動電極17cと固定電極18aの間に空隙15vがダイヤフラム構造DFに連通して形成されている。これにより、振動電極17cは慣性力または振動などにより位置が可変な梁状の構造となっている。振動電極17cの側から固定電極18aはそれぞれ配線などで接続されている。上記の振動電極と固定電極から平行平板型の静電容量素子が構成されており、振動電極は慣性力または振動などにより位置が可変となっている。このため、静電容量素子の静電容量を検出することで、振動電極の変位を検知し、慣性力または振動を測定することが可能となっている。本実施形態においては、MEMS素子がZ軸位置センサを構成している。上記の本実施形態の固体撮像装置は、MEMS素子を固体撮像装置と同一のチップ上に設けることができ、装置の実装面積を縮小して装置の小型化を実現できる。次に、本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法について説明する。図9~図14は本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法の製造工程を示す模式断面図である。まず、図9aに示す工程までは、第1実施形態と同様に行う。但し、MEMS素子領域R1には振動電極17cを形成し、引き出し電極領域R2に、振動電極17cに接続する導電層16cを形成する。次に、図9bに示すように、例えばパッド電極17及び振動電極17cの上層に酸化シリコンなどを形成する。図9bでは、図9a中の絶縁膜15aと一体化して絶縁膜15bとして示している。次に、例えば絶縁膜15bの上面をCMPChemicalMechanicalPolishing処理により平坦化する。次に、図9cに示すように、例えばMEMS素子領域R1を開口するレジスト膜PR5をパターン形成し、これをマスクとしてRIE反応性イオンエッチングなどの異方性エッチング処理を行い、振動電極17cの上部を露出させる空隙15v1を形成する。また、同様にMEMS素子領域R1中における振動電極17cが形成されていない領域の一部を開口し、空隙15v2を形成する。空隙15v2の位置は、後述の空隙15v3に合わせて形成する。上記のエッチング量は、デバイス基板と支持基板とを接合したときに、振動電極上が接合されない十分な量とする。一方、別途支持基板を作成する。例えば、図10aに示すように、支持基板2上にCVD法などにより酸化シリコンを堆積して絶縁膜15dを形成する。次に、図10bに示すように、例えばスパッタリング法により絶縁膜15d上にAl、AlSi、AiCuなどの導電層18を形成する。次に、図10cに示すように、例えば固定電極として残す領域を保護するパターンのレジスト膜PR6をパターン形成し、導電層18をパターン加工して固定電極18aを形成する。次に、図10dに示すように、例えば固定電極18aの上層に酸化シリコンなどを形成する。図10dでは、図10c中の絶縁膜15dと一体化して絶縁膜15cとして示している。次に、図11aに示すように、例えば絶縁膜15cの上面をCMP処理により平坦化する。次に、図11bに示すように、例えば上記の空隙15v2に合わせた位置を開口するレジスト膜PR7をパターン形成し、これをマスクとしてRIE反応性イオンエッチングなどの異方性エッチング処理を行う。これにより、固定電極18aの一部を露出させる空隙15v3を形成する。次に、図11cに示すように、レジスト膜PR7を除去する。次に、図12aに示すように、例えば絶縁膜15bの上面に、上記の支持基板20を絶縁膜15c側から貼り合わせる。次に、図12bに示すように、例えば室温~400°Cの範囲のプラズマ接合処理を行い、絶縁膜15bと絶縁膜15cを一体化する。図12bでは、絶縁膜15bと絶縁膜15cを一体化して絶縁膜15として示している。プラズマ接合処理は、例えば配線が溶融などのダメージを受けない程度の温度範囲で行う。ここで、上記の空隙15v1は絶縁膜15bと絶縁膜15cの界面部分に残されたままである。また、位置合わせして形成された空隙15v2と空隙15v3は、一体化して1つの空隙15v2となる。次に、図12cに示すように、例えばデバイス基板10の絶縁膜15とは反対側の表面から研磨及びエッチングなどを行い、700~800μm程度の板厚であったデバイス基板10をイメージセンサに必要十分な膜厚である2~4μm程度にまで薄膜化する。図13a以降の工程は、図12cまでの工程と上下と反転して示している。次に、図13aに示すように、例えばスパッタリングなどによりデバイス基板10の絶縁膜15とは反対側の表面にWあるいはAlなどを堆積して遮光膜21を形成する。次に、例えば、遮光膜として残す領域を保護するパターンのレジスト膜PR2をパターン形成し、レジスト膜PR2をマスクとしてエッチング加工し、遮光膜21をパターン加工する。ここで、遮光膜21のパターンは、固体撮像素子領域R5においては画素の光入射領域を開口するパターンとする。また、例えば、パッド電極領域R3においても開口するパターンとする。また、MEMS素子領域R1においては振動電極17cの領域と空隙15v2の領域を開口するパターンとする。次に、図13bに示すように、レジスト膜PR2を除去し、例えば、固体撮像素子領域R5において、遮光膜が除去された画素の光入射領域において、赤、緑及び青色のカラーフィルタ22を画素ごとに形成する。カラーフィルタ22は、例えばカラーフィルタ材料を塗布し、パターン露光して所定のパターンとする。次に、図13cに示すように、例えば光透過性の樹脂層23を塗布し、オンチップレンズ形成用のレジスト膜PR3を形成する。レジスト膜PR3は、例えば通常のレジスト膜を形成した後、オンチップレンズ領域を残すようにパターン加工し、熱処理で溶融させて表面張力により球面形状の表面となるようにして形成することができる。次に、図14aに示すように、ドライエッチング処理により全面にエッチバックし、レジスト膜PR3の形状を樹脂層23の表面に転写し、オンチップレンズ23aを形成する。次に、図14bに示すように、パッド開口部を開口するパターンのレジスト膜PR8をパターン形成し、ドライエッチング処理を行ってパッド開口部P1を形成し、パッド電極17を露出させる。ここで、レジスト膜PR8としては、MEMS素子領域R1においては振動電極17cの領域と空隙15v2の領域を開口するパターンとする。これにより、上記のエッチング処理でMEMS領域R1において空隙15v1に連通する開口部が形成され、ダイヤフラム構造DFが形成される。また、空隙15v2に達する固定電極18aのためのパッド開口部P2が形成される。上記のエッチングは、パッド電極17及び振動電極16cを除去せず、かつ、空隙15v1,15v2に達するようにして行う。パッド開口用のレジストPR8を除去する。以降は、通常の固体撮像装置の製造方法と同様にして製造する。以上により、図7に示す同一基板上にMEMS素子を混載する固体撮像装置を製造することができる。本実施形態の固体撮像装置の製造方法によれば、MEMS素子を固体撮像装置と同一のチップ上に容易に形成することができ、装置の実装面積を縮小して装置の小型化を実現できる。<第3実施形態>[固体撮像装置の構成]本実施形態に係る固体撮像装置は、MEMS素子としてマイクロフォンを同一チップ上に有する固体撮像装置である。実質的に第1実施形態と同様の構成であるが、MEMS素子がマイクロフォンであることが異なる。図15は本実施形態に係る固体撮像装置の模式的断面図である。例えば、シリコン基板などからなるデバイス基板10と支持基板20が酸化シリコンなどの絶縁膜15を介して貼り合わされており、半導体基板が構成されている。半導体基板は、例えばMEMS素子領域R1、引き出し電極領域R2、パッド電極領域R3、周辺回路領域R4及び固体撮像素子領域R5に区分されている。例えば、MEMS素子領域R1には振動電極17c及び固定電極18a基板と平行になるように埋め込まれている。振動電極17cと固定電極18aから、平行平板型の静電容量素子が構成されている。引き出し電極領域R2には、振動電極17cに接続する導電層16cが絶縁膜15中に埋め込まれている。ここで、例えば、振動電極17cはダイヤフラムDF構造の中空部の底部からある間隙をもって張られた膜により形成されている。図16aは本実施形態に係る固体撮像装置に設けられたMEMS素子の詳細を示す平面図であり、図16bは図16a中のG-G’における模式断面図である。デバイス基板と支持基板を貼り合わせる絶縁膜15中に、振動電極17cと固定電極18aが埋め込まれている。振動電極17cの側から固定電極18a近傍まで開口部が形成されており、ダイヤフラム構造DFとなっている。ここで、図16bに示すように、振動電極17cの一部に例えば円形形状の開口17dが形成されており、振動電極17cと固定電極18aの間に空隙15vがダイヤフラム構造DFに連通して形成されている。これにより、振動電極17cは振動などにより位置が可変な膜状の構造となっている。振動電極17cの側から固定電極18aはそれぞれ配線などで接続されている。上記の振動電極と固定電極から平行平板型の静電容量素子が構成されており、振動電極は振動などにより位置が可変となっている。このため、静電容量素子の静電容量を検出することで、振動電極の変位を検知し、空気の振動を測定することが可能となっている。上記のようにして、本実施形態においてはMEMS素子がマイクロフォンを構成している。上記の本実施形態の固体撮像装置は、MEMS素子を固体撮像装置と同一のチップ上に設けることができ、装置の実装面積を縮小して装置の小型化を実現できる。次に、本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法について説明する。図17~図18は本実施形態に係る固体撮像装置の製造方法の製造工程を示す模式断面図である。まず、図17aに示す工程までは、第1実施形態と同様に行う。但し、MEMS素子領域R1には振動電極17cを形成し、引き出し電極領域R2に、振動電極17cに接続する導電層16cを形成する。次に、図17bに示すように、例えばパッド電極17及び振動電極17cの上層に酸化シリコンなどを形成する。図17bでは、図17a中の絶縁膜15aと一体化して絶縁膜15bとして示している。次に、例えば絶縁膜15bの上面をCMPChemicalMechanicalPolishing処理により平坦化する。次に、例えばMEMS素子領域R1を開口するレジスト膜PR5をパターン形成し、これをマスクとしてRIE反応性イオンエッチングなどの異方性エッチング処理を行い、振動電極17cの上部を露出させる空隙15v1を形成する。また、同様にMEMS素子領域R1中における振動電極17cが形成されていない領域の一部を開口し、空隙15v2を形成する。空隙15v2の位置は、後述の空隙15v3に合わせて形成する。上記のエッチング量は、デバイス基板と支持基板とを接合したときに、振動電極上が接合されない十分な量とする。一方、第2実施形態と同様にして、別途支持基板20を作成する。例えば、支持基板20には絶縁膜が形成され、固定電極18aが埋め込まれ、さらに空隙15v3が形成されている構成である。次に、図18aに示すように、例えば絶縁膜15bの上面に、上記の支持基板20を絶縁膜15c側から貼り合わせ、室温~400°Cの範囲のプラズマ接合処理を行い、絶縁膜15bと絶縁膜15cを一体化し、絶縁膜15とする。位置合わせして形成された空隙16v2と空隙15v3は、一体化して1つの空隙15v2となる。さらに、例えばデバイス基板10の絶縁膜15とは反対側の表面から薄膜化し、デバイス基板10の絶縁膜15とは反対側の表面にWあるいはAlなどを堆積して遮光膜21をパターン形成する。次に、カラーフィルタ22及びオンチップレンズ23aを形成する。次に、図18bに示すように、パッド開口部を開口するパターンのレジスト膜PR8をパターン形成し、ドライエッチング処理を行ってパッド開口部P1を形成し、パッド電極17を露出させる。ここで、レジスト膜PR8としては、MEMS素子領域R1においては振動電極17cの領域と空隙15v2の領域を開口するパターンとする。これにより、上記のエッチング処理でMEMS領域R1において空隙15v1に連通する開口部が形成され、ダイヤフラム構造DFが形成される。また、空隙15v2に達する固定電極18aのためのパッド開口部P2が形成される。上記のエッチングは、パッド電極17及び振動電極16cを除去せず、かつ、空隙15v1,15v2に達するようにして行う。パッド開口用のレジストPR8を除去する。以降は、通常の固体撮像装置の製造方法と同様にして製造する。以上により、図15に示す同一基板上にMEMS素子を混載する固体撮像装置を製造することができる。本実施形態の固体撮像装置の製造方法によれば、MEMS素子を固体撮像装置と同一のチップ上に容易に形成することができ、装置の実装面積を縮小して装置の小型化を実現できる。<第1変形例>[固体撮像装置の構成]図19は第1変形例に係る固体撮像装置を示す模式断面図である。本実施形態に係る固体撮像装置は、第1実施形態の固体撮像装置と同様の構成である。但し、パッド開口部の代わりにパッド電極に達するコンタクトホールCHが形成されており、コンタクトホールCH内にプラグ24が埋め込まれており、上層配線25が接続して形成されている。上記の第1実施形態から第3実施形態においてパッド開口部Pは必ずしも必要ではなく、コンタクトホールCHの開口工程と合わせてMEMS素子のダイヤフラム構造を形成することができる。上記のほか、コンタクトホールの代わりにビアホールが形成されていてもよい。<第2変形例>[固体撮像装置の構成]図20a及びbは第2変形例に係る固体撮像装置を示す模式断面図である。本実施形態に係る固体撮像装置は、第1実施形態の固体撮像装置と同様の構成である。但し、MEMS素子が平行平板型の静電容量素子ではなく、圧電素子またはMOS型位置センサである。図20aに示すMEMS素子は、振動電極として圧電膜16xを用いたMEMS素子である。図20aは第1実施形態の図2dの断面に相当し、振動電極は慣性力または振動などにより位置が可変となっている。このため、振動電極16xが振動することで圧電膜に起電力が生じ、これを検出回路26で検出することで振動電極の変位を検知し、慣性力または振動を測定することが可能となっている。図20bに示すMEMS素子において、支持基板20の振動電極側表層中に、ソース27S及びドレイン27Dが形成されている。振動電極をゲート電極とするMOSトランジスタが構成されている。図20bは第1実施形態の図2dの断面に相当し、振動電極は慣性力または振動などにより位置が可変となっている。このため、振動電極16aが振動することでMOSトランジスタのドレイン電流が変化し、これを検出回路28で検出することで振動電極の変位を検知し、慣性力または振動を測定することが可能となっている。<第4実施形態>[電子機器への適用]図21は、本実施形態に係る電子機器である電子機器の概略構成図である。本実施形態に係る電子機器は、静止画撮影又は動画撮影可能なビデオ電子機器の例である。本実施形態に係る電子機器は、イメージセンサ固体撮像装置50と、光学系51と、信号処理回路53などを有する。本実施形態において、上記のイメージセンサ50として、上記の第1実施形態に係る固体撮像装置が組み込まれている。光学系51は、被写体からの像光入射光をイメージセンサ50の撮像面上に結像させる。これによりイメージセンサ50内に一定期間当該信号電荷が蓄積される。蓄積された信号電荷は出力信号Voutとして取り出される。シャッタ装置は、イメージセンサ50への光照射期間及び遮光期間を制御する。画像処理部は、イメージセンサ50の転送動作及びシャッタ装置のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。画像処理部から供給される駆動信号タイミング信号により、イメージセンサ50の信号転送を行なう。信号処理回路53は、イメージセンサ50の出力信号Voutに対して種々の信号処理を施して映像信号として出力する。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶され、あるいはモニタに出力される。上記の本実施形態に係る電子機器によれば、例えばセルピッチが特に3μm以下の世代のカラー画像を撮像する固体撮像装置を有する電子機器において、受光面に入射する光の光干渉強度のばらつきを低減し、色ムラを抑制することができる。上記の実施形態では、可視光の光量に応じた信号電荷を物理量として検知する単位画素が行列状に配置されてなるイメージセンサ50に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はイメージセンサ50への適用に限られるものではない。画素アレイ部の画素列ごとにカラム回路を配置してなるカラム方式の固体撮像装置全般に対して適用可能である。また、本発明は、可視光の入射光量の分布を検知して画像として撮像する固体撮像装置への適用に限らない。赤外線やX線、あるいは粒子等の入射量の分布を画像として撮像する固体撮像装置や、広義の意味として、圧力や静電容量など、他の物理量の分布を検知して画像として撮像する指紋検出センサ等の固体撮像装置物理量分布検知装置全般に対して適用可能である。また、本発明は、固体撮像装置への適用に限られるものではなく、デジタルスチル電子機器やビデオ電子機器、携帯電話機などの撮像機能を有する電子機器などに適用可能である。なお、電子機器に搭載される上記モジュール状の形態、即ち電子機器モジュールを撮像装置とする場合もある。ビデオ電子機器やデジタルスチル電子機器、さらには携帯電話機等のモバイル機器向け電子機器モジュールなどの撮像装置において、その固体撮像装置として先述した実施形態に係るイメージセンサ50を用いることができる。上記の各実施形態の固体撮像装置及びその製造方法では、以下の利点がある。イメージセンサと位置センサ/マイクロフォンを別々に作成するのではなく、1チップに統合することによって、センサチップのカメラモジュールへの実装が2/3回から1回に減少し、実装の際の歩留まり低下を低減することができる。位置センサの位置制御回路やマイクロフォンの音声変換回路と、イメージセンサの画像処理用回路で共通するモジュールを共用できるため、チップの面積が別々に作るよりも小さくなり、モジュールとしてのコストが低減できる。イメージセンサと位置センサやマイクロフォンを1チップ化することによって、実装面積及び実装体積をほとんど増大することなくカメラモジュールに手ぶれ防止機能、上下判別機能及び音声記録機能などを追加することができる。これにより、撮像機能のついた携帯機器のスリム化及びコンパクト化に寄与できる。イメージセンサと位置センサが1チップ化されると、イメージセンサによる画像と位置センサの両方の情報を1チップ内で処理できる。これにより、配線コストを増やすこと無く、低コストでイメージセンサの画像情報及び位置センサの情報の両方を利用した手ぶれ防止用位置制御を行うことができる。本発明は上記の説明に限定されない。例えば、固体撮像装置としては、CMOSイメージセンサとCCDイメージセンサのいずれにも適用できる。また、固体撮像装置としては、裏面照射型に限定されず、通常の表面照射型の固体撮像装置にも適用できる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。"