"少なくとも1つの第1のチャネルによって分離された第1のコンタクトを持つサブマウントと、少なくとも1つの第2のチャネルによって分離された第2のコンタクトを具備する金属層を持つ発光構造体と、前記第2のチャネルの近傍において、前記発光構造体に熱誘起応力を減少させるために、前記発光構造体に追加された1又は複数の要素と、を有する、発光デバイス。前記1又は複数の要素は、前記発光構造体における発光素子と前記金属層との間にバッファ層を有し、前記バッファ層は、前記金属層よりも高いコンプライアンスを持つ、請求項1記載の発光デバイス。前記バッファ層は、金を含む、請求項2記載の発光デバイス。前記1又は複数の要素は、前記金属層において1又は複数のギャップを有し、前記ギャップは、前記第2のチャネルの近傍を越えて前記応力を分散させる位置にある、請求項1記載の発光デバイス。前記1又は複数の要素は、前記第2のチャネル内にフィルタ材料を有し、前記フィルタ材料は、当該フィルタ材料の熱膨張率に基づいて選択される、請求項1記載の発光デバイス。前記1又は複数の要素は、前記第1のチャネル内にフィルタ材料を有し、前記フィルタ材料は、当該フィルタ材料の熱膨張率に基づいて選択される、請求項1記載の発光デバイス。前記発光構造体は、相互接続材料によって前記サブマウントと結合され、前記1又は複数の要素は、前記第2のチャネルに隣接する領域において追加的な相互接続材料を有する、請求項1記載の発光デバイス。前記相互接続材料は、複数のマイクロバンプを有する、請求項7記載の発光デバイス。前記発光構造体は、フリップチップ構造を有する、請求項1記載の発光デバイス。前記金属層は、合金を有する、請求項1記載の発光デバイス。前記合金は、銅合金を有する、請求項10記載の発光デバイス。前記銅合金は、CuNi、CuNiTi、CuW、CuFe、及び、CuMoのうちの少なくとも1つを有する、請求項11記載の発光デバイス。前記銅合金は、CuNiTiを有する、請求項11記載の発光デバイス。少なくとも1つの第1のチャネルによって分離された第1のコンタクトを持つサブマウントと、少なくとも1つの第2のチャネルによって分離された第2のコンタクトを具備する金属層を持つ発光構造体と、を有し、前記金属層は、20°C乃至250°Cの温度範囲で、銅の熱膨張率よりも小さい熱膨張率を持つ合金を有する、発光デバイス。前記合金は、銅合金を有する、請求項14記載の発光デバイス。前記銅合金は、CuNi、CuNiTi、CuW、CuFe、及び、CuMoのうちの少なくとも1つを有する、請求項15記載の発光デバイス。前記銅合金は、CuNiTiを有する、請求項15記載の発光デバイス。前記合金の熱膨張率は、20°C乃至250°Cの温度範囲で、10ppm/Kよりも小さい、請求項14記載の発光デバイス。前記合金の熱膨張率は、20°C乃至250°Cの温度範囲で、8ppm/Kよりも小さい、請求項14記載の発光デバイス。図1Bは、成長基板170が除去された後で発光デバイス100が高温に晒された場合に生じ得る熱変形190の一例を示している。この変形190は、製造中、及び、発光デバイス100が一旦オフされて直ぐにオンされる毎に発生する可能性がある。当該変形190は、相互接続層165及び発光素子160に対して繰り返し応力を引き起こす可能性があり、また、デバイス100の故障を早める可能性がある。さらに、発光デバイスの上部層175は、発光素子160の光抽出効率を増加させるためにエッチングされてもよいが、これにより、上部層175は、故障を引き起こす応力の影響を受けやすくなる。熱サイクリングによって引き起こされる、発光デバイスにおける応力量を軽減することが好適であろう。発光デバイスのコストを著しく増加させることなく、当該応力を軽減することが好適であろう。本発明のある実施形態では、熱サイクリングによって引き起こされた応力を減少させるために、発光デバイスに要素が加えられる。代替的に、又は、追加的に、発光デバイス内にコンタクトを形成するため、熱膨張係数及び相対的なコストに基づいて、材料が選択され、ここで、銅合金は、銅よりも小さい熱膨張係数を与える。発光デバイスの要素は、熱サイクリング中の応力を分散させるために構築されてもよい。発光デバイスは、サブマウントと、チャネルによって分離されたコンタクトを具備する金属層を持つ発光構造体と、上記チャネルの近傍において、発光構造体に熱誘起応力を減少させるために追加された1又は複数の要素とを含んでいてもよい。追加された要素は、例えば、金属層と発光構造体の発光素子との間のバッファ層、金属層内の1又は複数のギャップ、チャネル内部の充填材、サブマウント上のコンタクト間の充填材、及び、チャネルに隣接する領域内の追加的なマイクロバンプを含んでいてもよい。発光デバイスは、追加的に、又は、代替的に、金属層のために、比較的低い熱膨張率を有する合金を使用してもよい。例えば、CuNi、CuNiTi、CuW、CuFe、及び、CuMoを含む銅合金が使用されてもよい。合金の熱膨張率は、好ましくは、銅の熱膨張率約16ppm/Kよりも低く、より好ましくは10ppm/Kよりも小さく、更に好ましくは8ppm/Kよりも小さい。本発明の概念の深い理解を与えるため、以下の説明では、限定というよりはむしろ例示の目的で、特別な構造、インタフェース、技術などの特別な詳細が説明される。しかしながら、本発明が、これらの特別な詳細から逸脱した他の実施形態において実施され得ることは、当該分野における当業者にとって明らかである。同様に、当該説明の文章は、図面に描かれた例示的な実施形態を対象としており、請求項中に明確に含まれる限定から外れて本発明を限定するように意図されたものでない。単純化及び明確化のため、よく知られたデバイス、回路、及び、方法の詳細な説明は、不要な詳細によって本発明の説明を曖昧にしないように、省略されている。参照しやすいように、応力は、発光素子160の最上/表面層175以下、エピ層における最上位に現れるため、当該技術分野における当業者は、破損によって誘発される応力が発光素子160又は相互接続165内のどこでも生じ得ることを理解するであろうが、この開示は、エピ層175における応力に対処する。従って、エピ層をクラッキングするなどの用語は、エピ層又はエピ層の下の任意の層をクラッキングすると理解されるべきである。同様に、コンタクト150を有する層は、コンタクト以外の他の要素を含んでいてもよく、参照しやすいように、金属層150なる用語は、以下では、発光素子160に支持を与える金属の層を特定するために用いられる。金は、図1A及び図1Bの発光デバイスの金属層150を形成するために適した材料であることが分かっている。コストを減少するため、銅が、この金属層150のための金の代わりに用いることが提案されてきた。しかしながら、銅から銅への相互接続は、発光デバイス100に対して所望の信頼性を与えず、従って、金が、マイクロバンプ層の形で、接続材料145として用いられ得る。当該態様において、金属層120のメッキ125も金である場合、金から金への相互接続が形成され、フリップチップとサブマウントとの間により信頼性の高い電気的及び/又は熱的な相互接続を与える。銅は、110GPaのヤング係数を持ち、これは、77GPaである金のヤング係数アニールされた金線の26GPaよりも強い。さらに、銅は、金よりも極めて小さい塑性効果を持つ。従って、金属層150に銅を用いることは、成長基板170が除去された場合に、エピ層175のクラッキングの可能性を低減する。しかしながら、熱サイクリング中、銅の金属層は、金の金属層よりも著しく大きな変形190を生じさせ、これは、熱サイクリング中のエピ層のクラッキングの可能性を増大させ得る。さらに、金のマイクロバンプ145が銅の金属層150とサブマウントとの間に用いられた場合、金は、比較的コンプライアンスの高い材料であり、チャネル135における銅の金属層150の端部が更に持ち上がることを可能とするため、銅の金属層150によって引き起こされる変形190の量は、より大きいものとなるであろう。ある実施形態では、金属層150のために選択される材料は、当該材料の熱膨張係数CTE:CoefficientofThermalExpansionに基づいて選択される。とりわけ、銅よりも低い熱膨張係数を持つ合金が、金属層150を形成するために使用され得る。例えば、当該合金は、CuNi、CuNiTi、CuW、CuFe、CuMoなどを含んでいてもよい。NiTi合金は、負の熱膨張係数を持つため、極めて効果的である。銅は、20°C乃至250°Cの温度範囲で、16~18.5ppm/Kの熱膨張係数を持つ。この熱膨張係数は、発光デバイスを形成するために用いられる他の材料の大部分よりも極めて高く、サブマウントとして使用され得るアルミナの10ppm/Kよりも小さい熱膨張係数よりも極めて高い。銅を、低い又は負の熱膨張係数の材料と合金化することは、銅よりも小さい熱膨張係数を有する合金を与えるであろう。有限要素解析FEA:FiniteElementAnalysisは、金属層の熱膨張係数が18ppm/Kから8ppm/Kまで低減された場合、熱サイクリングによって引き起こされた最大応力が1481MPaから384.5MPaに低減可能であることを実証した。8ppm/Kの熱膨張係数を達成すべく、メッキ工程が、Ni、TiNi、W、Fe、Moなどの銅合金を形成するために使用され得る。とりわけ、Ti0.507Ni0.493合金は、-21ppm/Kという負の熱膨張係数を持つので、最も有効である。図2に示されるように、代替的に、又は、追加的に、金又はアルミニウムなどのコンプライアント金属化層210が、金属層150と相互接続165との間のバッファとして機能し、熱サイクリングによって引き起こされる応力の幾らかを吸収するため、金属層150と相互接続165との間に導入されてもよい。金又はアルミニウムなどのより柔軟な層210が、金属層150を作るために使用されるパターンに対応して付与されてもよい。この層210は、金属層150と上層160,165との間の熱膨張係数の不整合を緩和するためのバッファとして機能する。1μmの厚さの金の層が、エピ層150内の最大主応力を42も減らし、3μmの厚さの金の層が、エピ層150内の最大主応力を49減少させ得ることが推定されている。このコンプライアント材料の連続層の代わりに、マイクロバンプの層が、このバッファ層のコンプライアンスを更に高めるために使用されてもよい。また、代替的に、又は、追加的に、マイクロバンプ層145のコンプライアンスが低減されてもよい。熱サイクリングによって引き起こされる変形の一部を吸収するためにバッファを導入するのと同じように、マイクロバンプ層のコンプライアンスを低減することは、この歪みを制限するのに役立つ。例えば、コンプライアンスは、マイクロバンプ層145の高さを減らすことによって、あるいは、図3の符号310において示されるように、とりわけチャネル135の近傍で、マイクロバンプの密度又は大きさを増加させることによって、低減され得る。代替的に、又は、追加的に、チャネル領域130又は135は、金属層150の材料に近い熱膨張係数を持つ材料で満たされてもよく、この結果、より熱的に適応した層を与え、歪み190を低減する。LED100は、レンズを形成するためにモールド又は成形されたシリコン樹脂で外側被覆されてもよい。レンズ外側被覆材料は、チャネル130,135の中へ流れ込むことが期待され、さらに、約200ppm/Kの熱膨張係数を持ち得るため、レンズ外側被覆材料の熱膨張は、金属層150の歪みとエピ層175での対応する応力とを更に増加させるであろう。サブマウント側のチャネル130をより低い熱膨張係数を有する材料で満たすことによって、チャネル内の熱膨張と、この膨張に起因する影響とが低減されるであろう。また、チャネル135を金属層150の熱膨張係数に近い熱膨張係数を持つ材料で満たすことによって、金属層150の膨張又は反りが低減されるであろう。図4に示されるように、代替的に、又は、追加的に、金属層150は、熱サイクリングによって引き起こされる応力を低減させるために、構築又はパターン化されてもよい。例えば、金属層150を作るために用いられるマスクは、小さいギャップ又は溝310、即ち金属化されていない領域を含んでいてもよく、当該領域は、金属層150と上層160,165との間の熱膨張係数の不整合の影響を再分配するのに役立つ。これらのギャップ310は、層150の熱膨張のために上層160,165において発生する横応力及び横歪みを分割し、この結果、チャネル135の上の領域における応力を同様に緩和する。本発明は、図面及び上記説明において詳細に図示及び説明されてきたが、かかる図示及び説明は、一例であって、本発明を限定するものではないと考えられるべきであり、本発明は、開示された実施形態に限定されない。開示された実施形態に対する他の変形が、当該技術分野における当業者によって、本発明を実施する際、図面、開示、及び、添付の請求項の研究から、理解及び実施され得る。請求項中、有するなる用語は、他の要素又はステップを除外せず、不定冠詞a又はanは複数を除外しない。単一のプロセッサ又は他のユニットが、請求項に記載された幾つかの項目の機能を果たしてもよい。特定の特徴が相互に異なる従属項で言及されているという単なる事実は、これらの特徴の組み合わせが好適に用いられないということを示すものではない。コンピュータプログラムは、他のハードウェアとともに、又は、他のハードウェアの一部として供給された光ストレージ媒体又は固体媒体などの適切な媒体に格納/配布されてもよいが、インターネット、あるいは、他の有線又は無線の遠隔通信システムを介してなど、他の形式で配布されてもよい。請求項中の任意の参照符号は、本発明の範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。"