エッチング対象物が収容される真空槽と、前記真空槽にエッチングガスを供給するエッチングガス供給部と、前記真空槽にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、前記真空槽内のガスで該真空槽内にプラズマを生成するプラズマ生成部とを備え、前記エッチングガスのプラズマで前記エッチング対象物をエッチングし、前記クリーニングガスのプラズマで前記真空槽内のエッチング生成物をクリーニングするプラズマエッチング装置であって、前記エッチング対象物が、イリジウム及び白金の少なくとも1つを含み、前記クリーニングガスが、六フッ化硫黄ガスと酸素ガスとが混合されたガスであることを特徴とするプラズマエッチング装置。前記プラズマ生成部は、前記真空槽の外側に配置された誘導コイルと、前記エッチング対象物が載置されるステージに内蔵されたバイアス電極と、前記誘導コイルに高周波電力を供給するコイル用高周波電源と、前記バイアス電極に高周波電力を供給するバイアス用高周波電源とを備え、前記誘導コイルと前記バイアス電極とを用いて前記エッチング対象物をエッチングし、前記誘導コイルのみを用いて前記エッチング生成物をクリーニングする請求項1に記載のプラズマエッチング装置。前記エッチングガスが、塩素ガスを含む請求項1又は2に記載のプラズマエッチング装置。前記真空槽内の圧力を調整する圧力調整部を備え、前記圧力調整部は、前記プラズマ生成部が前記クリーニングガスでプラズマを生成するときに、前記真空槽内の圧力を1Pa以上3Pa以下にする請求項1~3のいずれか一項に記載のプラズマエッチング装置。真空槽内にクリーニングガスを供給する工程と、前記クリーニングガスで前記真空槽内にプラズマを生成する工程とを有し、前記真空槽内のエッチング生成物を前記プラズマでクリーニングするプラズマクリーニング方法であって、前記エッチング生成物が、イリジウム及び白金の少なくとも1つを含み、前記クリーニングガスが、六フッ化硫黄ガスと酸素ガスとが混合されたガスであることを特徴とするプラズマクリーニング方法。上述のように、フッ素含有ガスを用いたプラズマクリーニング処理によれば、真空槽の内側面に付着したエッチング生成物をクリーニングすることが可能ではある。しかしながら、エッチングの対象物に上述した貴金属元素が含まれると、フッ素含有ガスからなるプラズマでは、相対的に大きい価数の貴金属元素が揮発性の貴金属フッ化物として排気される一方、相対的に小さい価数の貴金属元素が不揮発性の貴金属フッ化物として真空槽の内側面に堆積し続けることが、本願発明者により認められている。しかも、不揮発性の貴金属フッ化物がエッチング生成物の表面に堆積すると、この堆積物に覆われたエッチング生成物が、フッ素含有ガスからなるプラズマと反応し難くなる。結局のところ、エッチング生成物の一部がクリーニングされるとはいえ、不揮発性の貴金属フッ化物及びこれによって覆われたエッチング生成物が、上述と同様の問題を引き起こしてしまうことから、上記プラズマエッチング装置には、未だ改善の余地が残されている。本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、貴金属元素を含むエッチング生成物が真空槽内に堆積することを抑えることのできるプラズマエッチング装置、及びプラズマクリーニング方法を提供することにある。以下、上記課題を解決するための手段及びその作用効果について記載する。本発明の態様の一つは、エッチング対象物が収容される真空槽と、前記真空槽にエッチングガスを供給するエッチングガス供給部と、前記真空槽にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、前記真空槽内のガスで該真空槽内にプラズマを生成するプラズマ生成部とを備え、前記エッチングガスのプラズマで前記エッチング対象物をエッチングし、前記クリーニングガスのプラズマで前記真空槽内のエッチング生成物をクリーニングするプラズマエッチング装置であって、前記エッチング対象物が、イリジウム及び白金の少なくとも1つを含み、前記クリーニングガスが、六フッ化硫黄ガスと酸素ガスとが混合されたガスである。本発明の態様の一つは、真空槽内にクリーニングガスを供給する工程と、前記クリーニングガスで前記真空槽内にプラズマを生成する工程とを有し、前記真空槽内のエッチング生成物を前記プラズマでクリーニングするプラズマクリーニング方法であって、前記エッチング生成物が、イリジウム及び白金の少なくとも1つを含み、前記クリーニングガスが、六フッ化硫黄ガスと酸素ガスとが混合されたガスである。本願発明者は、イリジウム及び白金の少なくとも1つを含むエッチング生成物のクリーニングについて鋭意研究する中で、以下のような現象を見出した。すなわち、従来のプラズマクリーニング方法では、六フッ化硫黄SF6ガスのプラズマによって、真空槽の内側面に付着したエッチング生成物を除去しており、これによれば、エッチング生成物の一部は除去されるものの、他の一部は除去されないことを見出した。加えて、本願発明者は、プラズマクリーニングによって除去されなかったエッチング生成物にはエッチャントの構成元素の一つであるフッ素が含まれることも見出した。これは、上記エッチング生成物の除去をSF6ガスのプラズマで行った場合、相対的に揮発性の高いフッ化物IrF6、PtF6と、相対的に揮発性の低いフッ化物IrF3、PtF4とが生成され、その上で、これらのうち揮発性の高いフッ化物のみが真空槽から排気されているものと考えられる。そして、本願発明者は、上記真空槽のプラズマクリーニングについて鋭意研究する中で、SF6と酸素O2ガスとが混合されたクリーニングガスのプラズマを用いることで、相対的に揮発性の低いフッ化物の生成が抑えられ、エッチング生成物のクリーニングが円滑に行われることを見出した。こうした発見を受けて、上記態様では、SF6ガスとO2ガスとが混合されたガスであるクリーニングガスが真空槽に供給され、そして、該クリーニングガスのプラズマが真空槽内で生成される。そのため、上述のような相対的に揮発性の低いフッ化物よりも、相対的に揮発性の高いフッ化物が優先的に生成されるようになる。それゆえに、貴金属元素を含むエッチング生成物が真空槽内に堆積することを抑えることが可能となる。本発明の態様の一つでは、前記プラズマ生成部は、前記真空槽の外側に配置された誘導コイルと、前記エッチング対象物が載置されるステージに内蔵されたバイアス電極と、前記誘導コイルに高周波電力を供給するコイル用高周波電源と、前記バイアス電極に高周波電力を供給するバイアス用高周波電源とを備え、前記誘導コイルと前記バイアス電極とを用いて前記エッチング対象物をエッチングし、前記誘導コイルのみを用いて前記エッチング生成物をクリーニングする。エッチング対象物が載置されたステージにバイアス用の高周波電力が供給されることは、エッチング形状の異方性を高めるために有効な手段である。一方、プラズマクリーニング処理時のように、エッチング対象物がステージに載置されていない状態では、バイアス用の高周波電力がステージに供給されると、ステージの表面にて過度の腐食が進行する虞がある。このような問題は、プラズマクリーニング処理が行われる際に、ダミーとなる対象物をステージに載置することで解消することが可能である。しかし、ダミーとなる対象物を準備すること、プラズマクリーニング処理が行われる都度、ダミーとなる対象物をステージに載置すること等、プラズマエッチング装置の処理の効率を下げるような新たな問題が生じることとなる。この点、上記態様によれば、エッチング処理では、誘導コイルとバイアス電極との双方が高周波電力の供給源として用いられる一方、プラズマクリーニング処理では、誘導コイルのみが高周波電力の供給源として用いられる。それゆえに、貴金属元素を含むエッチング生成物が真空槽内に堆積することを抑えつつ、ステージの表面における腐食がプラズマクリーニング処理で進行することを抑えることが可能にもなる。本発明の態様の一つは、前記エッチングガスが、塩素ガスを含む。イリジウム及び白金は、その塩化物の揮発性が低いことから、該塩化物を含むエッチング生成物は、真空槽の内側面に付着しやすい。一方、エッチング形状の異方性を担保する上では、イリジウムや白金が含まれるエッチング対象物に対し、こうした塩素をエッチャントに適用することも有効的である。そして、上記態様であれば、こうした貴金属元素と塩素との反応によって生成されたエッチング生成物を除去することが可能であるから、上述した効果がより顕著になる。本発明の態様の一つは、前記真空槽内の圧力を調整する圧力調整部を備え、前記圧力調整部は、前記プラズマ生成部が前記クリーニングガスでプラズマを生成するときに、前記真空槽内の圧力を1Pa以上3Pa以下にする。本願発明者は、上記プラズマクリーニングのプロセス条件について鋭意研究する中で、プラズマクリーニングを行う際に、真空槽内の圧力が高くなる程、エッチング生成物の除去速度が小さくなり、且つ、真空槽内の圧力が3Paを超えると、エッチング生成物の除去速度は、100nm/minよりも小さくなることを見出した。つまり、本願発明者は、真空槽内の圧力が3Paより高いときには、真空槽にて行われるクリーニング以外の他の処理の合間に、エッチング生成物の除去を行うには実用上好ましくない程度のエッチング速度としかならないことを見出した。上記態様では、エッチング生成物の除去を行うときに真空槽内の圧力を1Pa以上3Pa以下とすることから、エッチング生成物の除去効率が好ましい高さに維持される。以下、本発明にかかるプラズマエッチング装置、及びプラズマクリーニング方法における一実施形態について、図1~図5を参照して説明する。[プラズマエッチング装置の全体構成]図1に示されるように、プラズマエッチング装置10が有する真空槽Cは、有底筒状のアルミニウムからなる収容器11と、収容器11の開口を封止する石英からなる誘電窓12とから構成されている。真空槽C内には、エッチング対象物としての基板Sを保持する円柱状のステージ13が、収容器11と同一軸線上に配置されている。ステージ13には、該ステージ13に載置される基板Sを加熱する抵抗加熱ヒーターが内蔵され、また、外部から高周波電力が供給されるバイアス電極が内蔵されている。ステージ13に載置される基板Sは、例えば、シリコン基板に下部電極層、強誘電体層、上部電極層、及びマスクパターンがこの順に積層された積層体である。このうち、下部電極層及び上部電極層の各々は、イリジウム及び白金の少なくとも1つの貴金属元素からなる。また、強誘電体層は、例えばチタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマスランタン鉛、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛、及びタンタル酸ビスマスストロンチウム等からなる。ステージ13に内蔵されたバイアス電極には、バイアス用高周波電源14が、バイアス用整合器15を介して接続されている。バイアス用高周波電源14は、例えば13.56MHzの周波数の高周波電力を出力する。バイアス用整合器15は、バイアス用高周波電源14の出力インピーダンスと、負荷の入力インピーダンスとを整合させることで、高周波電力の反射を抑える。収容器11の側面に貫通形成された排気口11aには、圧力調整部を構成する排気部16が接続されている。排気部16は、ターボ分子ポンプ、該ターボ分子ポンプの後段に接続されたドライポンプ、及びこれらポンプによる排気流量を調節するバルブ等から構成され、真空槽C内を排気するとともに、該真空槽C内を所定圧力に調整する。収容器11の側面に貫通形成されたガス供給口11bには、エッチングガス供給部17aと、クリーニングガス供給部を構成する六フッ化硫黄ガス供給部17b及び酸素ガス供給部17cとが接続されている。エッチングガス供給部17aは、エッチングガスを構成する所定流量の塩素ガス、及び所定流量のアルゴンガスを真空槽Cに供給する。六フッ化硫黄ガス供給部17bは、クリーニングガスを構成する所定流量のSF6ガスを真空槽Cに供給する。酸素ガス供給部17cは、これもまたクリーニングガスを構成する所定流量のO2ガスを真空槽Cに供給する。収容器11の外側面には、該収容器11の内側面を温調するための熱交換器18が接続されている。熱交換器18は、例えば、収容器11の壁面内に形成された温媒通路中を流れる温媒の温度を室温よりも高い所定温度に温調することで、収容器11の内側面を室温よりも高い所定温度に温調する。誘電窓12の上方には、環状の誘導コイル21が、誘電窓12と平行に配設されている。誘導コイル21は、収容器11及びステージ13と同一軸線上に配置された2回巻きのスパイラルアンテナである。誘導コイル21には、コイル用高周波電源22が、コイル用整合器23を介して接続されている。コイル用高周波電源22は、周波数が例えば13.56MHzの高周波電力を出力する。コイル用整合器23は、誘導コイル21の出力インピーダンスと、負荷の入力インピーダンスとを整合させることで、高周波電力から反射を抑える。誘導コイル21と誘電窓12との間には、誘電窓12における基板S側の側面にマグネトロン磁場を生成するための複数の永久磁石24が、誘導コイル21と同径の環状をなすように配置されている。プラズマエッチング装置10が有する制御装置30には、上述した各構成要素の駆動の態様を制御するプログラムであるプロセスレシピが格納されている。プロセスレシピは、エッチング処理やプラズマクリーニング処理を実行するためのものである。制御装置30は、抵抗加熱ヒーターを駆動するためのドライバを有し、抵抗加熱ヒーターを駆動するための駆動電流をドライバから抵抗加熱ヒーターに出力する。そして、制御装置30がエッチング処理及びプラズマクリーニング処理を行う際、ステージ13は、制御装置30からの駆動電流に応じた出力値で該ステージ13に載置された基板Sを加熱する。制御装置30は、バイアス用高周波電源14に接続されるとともに、バイアス用高周波電源14の出力値を制御するための出力指令を該バイアス用高周波電源14に出力する。そして、制御装置30がエッチング処理を行う際、バイアス用高周波電源14は、制御装置30からの出力指令に応じた出力値でステージ13のバイアス電極に高周波電力を出力する。制御装置30は、コイル用高周波電源22に接続されるとともに、コイル用高周波電源22の出力値を制御するための出力指令を該コイル用高周波電源22に出力する。そして、制御装置30がエッチング処理及びプラズマクリーニング処理を行う際、コイル用高周波電源22は、制御装置30からの出力指令に応じた出力値で誘導コイル21に高周波電力を出力する。制御装置30は、排気部16に接続されるとともに、排気部16を駆動するための駆動指令を該排気部16に出力する。そして、制御装置30がエッチング処理及びプラズマクリーニング処理を行う際、排気部16は、制御装置30からの駆動指令に応じて真空槽Cを排気するとともに、真空槽Cの圧力をプロセス圧力に調節する。制御装置30は、エッチングガス供給部17aに接続されるとともに、マスフローコントローラの出力値を制御するための出力指令を該エッチングガス供給部17aに出力する。そして、制御装置30がエッチング処理を行う際、エッチングガス供給部17aは、制御装置30からの出力指令に応じた流量でエッチングガスを供給する。制御装置30は、六フッ化硫黄ガス供給部17bに接続されるとともに、マスフローコントローラの出力値を制御するための出力指令を該六フッ化硫黄ガス供給部17bに出力する。そして、制御装置30がプラズマクリーニング処理を行う際、六フッ化硫黄ガス供給部17bは、制御装置30からの出力指令に応じた流量でSF6ガスを供給する。制御装置30は、酸素ガス供給部17cに接続されるとともに、マスフローコントローラの出力値を制御するための出力指令を該酸素ガス供給部17cに出力する。そして、制御装置30がプラズマクリーニング処理を行う際、酸素ガス供給部17cは、制御装置30からの出力指令に応じた流量でO2ガスを供給する。制御装置30は、熱交換器18に接続されるとともに、熱交換器18を駆動するための駆動指令を該熱交換器18に出力する。そして、制御装置30がエッチング処理及びプラズマクリーニング処理を行う際、熱交換器18は、制御装置30からの駆動指令に応じて真空槽Cの内側面を所定温度に昇温する。[プラズマエッチング装置の作用]次に、プラズマエッチング装置10の作用の一つであるプラズマクリーニング処理時の作用について説明する。なお、プラズマエッチング装置10の行うプラズマクリーニング処理とは、上記基板Sのエッチング処理時に、真空槽Cの内側面に付着したエッチング生成物を除去する処理である。そこで、以下では、プラズマクリーニング処理にあわせて、それ以前に行われるエッチング処理についても説明する。プラズマエッチング装置10にて基板Sのエッチング処理が行われる際には、まず、制御装置30は、エッチング処理を実行するためのプロセスレシピを読み出し、該プロセスレシピに基づいてプラズマエッチング装置10をエッチング処理の開始状態にセットする。すなわち、制御装置30は、排気部16を駆動して真空槽C内を所定圧力に減圧するとともに、ステージ13の抵抗加熱ヒーターを駆動してステージ13を所定温度に昇温する。また、制御装置30は、熱交換器18を駆動して真空槽Cの内側面を所定温度に昇温する。次いで、真空槽Cの内側面が所定温度に昇温されると、制御装置30は、図示されない基板搬送ロボットを駆動し、基板Sを真空槽C内に搬入して、該基板Sをステージ13に保持する。基板Sの搬入が完了すると、制御装置30は、エッチングガス供給部17aを駆動し、該エッチングガス供給部17aから所定流量の塩素ガスを真空槽C内に供給する。その後、制御装置30は、コイル用高周波電源22を駆動し、コイル用高周波電源22から誘導コイル21に所定電力値で高周波電力を出力する。これにより、真空槽C内には、エッチングガスからプラズマが生成される。コイル用高周波電源22が高周波電力を出力すると、制御装置30は、バイアス用高周波電源14を駆動し、バイアス用高周波電源14からステージ13に所定値の高周波電力を出力する。これにより、基板Sにバイアス電圧が印加され、プラズマに含まれる正イオンが基板Sの表面に引き込まれる。これにより、基板Sの表面である積層膜が、その表面から裏面側に向かって順にエッチングされる。なお、制御装置30に格納されたプロセスレシピに含まれるエッチング条件の一例を以下に示す。[エッチング条件]塩素ガスの流量10sccmアルゴンガスの流量40sccm真空槽C内の圧力0.5Paコイル用高周波電源の出力1000Wバイアス用高周波電源の出力500W基板Sの温度300°C収容器11の内側面の温度200°Cこうしたエッチング処理によれば、基板Sの表面である積層膜が所定形状にパターニングされるとともに、基板Sを構成する各層が、エッチングガス、特に塩素と反応して不揮発性のエッチング生成物を生成する。すなわち、下部電極層や上部電極層を構成するイリジウムや白金が塩素と反応してイリジウムの塩化物や白金の塩化物を生成する。ここで、イリジウムの塩化物の融点は、763°Cであり、また白金の塩化物の融点は、581°Cであり、いずれの塩化物も、上述したプロセス環境において揮発性が乏しい化合物である。それゆえに、基板Sのエッチングが行われることによって、真空槽Cの内側面には、エッチング生成物であるイリジウムの塩化物や白金の塩化物が付着することになる。そこで、所定枚数の基板Sに対してエッチング処理が行われた後には、プラズマエッチング装置10に付着したエッチング生成物を除去するためのプラズマクリーニング処理が行われる。プラズマクリーニング処理が行われる際には、まず、制御装置30は、プラズマクリーニング処理を実行するためのプロセスレシピを読み出し、該プロセスレシピに基づいてプラズマエッチング装置10をプラズマクリーニング処理の開始状態にセットする。すなわち、制御装置30は、真空槽C内に基板Sが搬入されていない状態で、上記排気部16による排気を継続し、真空槽C内を所定圧力にまで減圧する。また、制御装置30は、ステージ13の抵抗加熱ヒーターを駆動してステージ13を所定温度に昇温する。また、制御装置30は、熱交換器18を駆動して真空槽Cの内側面を所定温度に昇温する。次いで、制御装置30は、六フッ化硫黄ガス供給部17bを駆動し、該六フッ化硫黄ガス供給部17bから真空槽Cに所定流量のSF6ガスを供給する。また、制御装置30は、酸素ガス供給部17cを駆動し、該酸素ガス供給部17cから真空槽Cに所定流量のO2ガスを供給する。その後、制御装置30は、コイル用高周波電源22を駆動し、コイル用高周波電源22から誘導コイル21に所定値の高周波電力を出力する。これにより、真空槽C内には、クリーニングガスからプラズマが生成される。なお、制御装置30に格納されたプロセスレシピに含まれるプラズマクリーニング条件の一例を以下に示す。[プラズマクリーニング条件]SF6ガスの流量100sccmO2ガスの供給流量50sccm真空槽C内の圧力1Paコイル用高周波電源の出力2500Wステージ13の温度350°C収容器11の内側面の温度200°Cこれにより、真空槽Cの内側面に付着した貴金属塩化物が、上記クリーニングガスからなるプラズマと反応することによって、相対的に揮発性の高い貴金属フッ化物が優先的に生成される。これにより、真空槽Cに付着したエッチング生成物の表面に、相対的に揮発性の低い貴金属フッ化物による堆積物の層が形成されることを抑えることができる。そして、エッチング生成物の略全体にて、該エッチング生成物と上記プラズマとの反応が進行することになる。そのため、従来のプラズマクリーニング処理と比較して、すなわち、相対的に揮発性の低い貴金属フッ化物がエッチング生成物の表面に堆積してエッチング生成物とプラズマとの反応が妨げられていた処理と比較して、エッチング生成物の除去効率が高められることになる。[試験例]次に、上記プラズマクリーニング処理におけるエッチング生成物の除去効率に関し、該除去効率の評価試験の結果について説明する。なお、プラズマクリーニング処理では、バイアス用高周波電源14からの高周波電力が、ステージ13に供給されていない。そのため、バイアス電圧が印加されない真空槽Cの内側面を、同じくバイアスが印加されないステージ13の上面で模擬することが可能である。そこで、下記試験例1~4では、真空槽Cの内側面に堆積したエッチング生成物が、試験用基板の表面に形成された貴金属膜で模擬されている。[試験例1]直径200mmのシリコン基板上に、200nmの厚さを有したイリジウム層が積層された試験用基板を作成した。そして、上記プラズマエッチング装置10内に試験用基板を搬入した後、クリーニングガスによるプラズマを生成し、試験用基板の表面を該プラズマに曝した。そして、プラズマに曝された後の試験用基板の表面及び断面を撮像し、該表面における組成をエネルギー分散型X線分光法EnergyDispersiveXraySpectroscopyEDXにより計測した。プラズマクリーニング処理に用いたプラズマの生成条件である試験条件1を以下に示すとともに、プラズマクリーニング処理後のSEM画像及びEDXの計測結果を図2に示す。[試験条件1]SF6ガスの流量100sccmO2ガスの供給流量50sccm真空槽C内の圧力1Paコイル用高周波電源の出力2500Wステージ13の温度350°C収容器11の内側面の温度200°Cこれにより、図2aに示されるように、イリジウム層41上に堆積物の層が形成されることなく、該イリジウム層41の表面における略全体がエッチングされることが認められた。また、エッチング後のイリジウム層41の組成をEDXにより分析したところ、図2bに示されるように、イリジウム層41は、エッチングに用いたSF6ガス及びO2ガスの構成元素をほとんど含んでいなかった。こうした結果からも、上記試験条件1によるプラズマとイリジウムとの反応によれば、たとえ相対的に揮発性の低いイリジウムフッ化物が生成されたとしても、エッチングを妨げる程度に堆積物が形成されることが抑えられることが認められた。[試験例2]試験例1と同じ構成からなる試験用基板を真空槽C内に搬入し、以下の条件、すなわち試験条件1からO2ガスが除かれた条件でプラズマを生成し、試験用基板の表面を該プラズマに曝した。そして、プラズマに曝された後の試験用基板における表面及び断面を撮像し、該表面における組成をEDXにより計測した。プラズマクリーニング処理に用いたプラズマの生成条件である試験条件2を以下に示すとともに、プラズマクリーニング処理後のSEM画像及びEDXの計測結果を図3に示す。[試験条件2]SF6ガスの流量150sccm真空槽C内の圧力1Paコイル用高周波電源の出力2500Wステージ13の温度350°C収容器11の内側面の温度200°C試験条件2によるイリジウム層のエッチングによれば、図3aに示されるように、イリジウム層51の略全体に堆積物層52が認められた。また、エッチング後のイリジウム層51の組成を上記EDXにより分析したところ、図3bに示されるように、イリジウム層51は、イリジウムに加えて、フッ素を含んでいることが認められた。つまり、SF6ガスのみからなるプラズマにイリジウム層51が曝されると、SF6ガスとイリジウムとの反応によって生成されたエッチング生成物であるイリジウムフッ化物が、イリジウム層51の表面における略全体に堆積物層52を形成することが認められた。このように、SF6ガスのみからなるプラズマにイリジウム層51が曝されると、イリジウム層51の表面には、相対的に揮発性の低いイリジウムフッ化物が堆積物層52を形成してしまい、これが、その下層に存在するイリジウム層51とプラズマとの反応を妨げてしまう。これにより、堆積物層52が形成された以降のイリジウム層51のエッチングが進行しなくなってしまう。こうした結果から、SF6ガスとO2ガスとのクリーニングガスのプラズマにイリジウム層が曝されることにより、相対的に揮発性の高いイリジウムフッ化物が優先的に生成されることがわかった。そして、揮発性の高いイリジウムフッ化物が生成される程度とは、相対的に揮発性の低いイリジウムフッ化物を含んだ堆積物の層が、イリジウム層の表面に形成されない程度であって、それゆえに、こうした堆積物層によってイリジウム層のエッチングが妨げられることが抑えられる。なお、こうした現象は、イリジウムの単体がプラズマに曝される場合に限らず、該イリジウム層のエッチングにより生成されたエッチング生成物、すなわちイリジウム塩化物においても認められた。また、上記試験例1、2では、貴金属層の一例としてイリジウム層が用いられた結果が示されているが、貴金属層として白金層を用いた場合であっても、同様の傾向は認められた。ちなみに、イリジウムと白金とは、フッ素が含まれるプラズマとの反応によって、揮発性のフッ化物と不揮発性のフッ化物とを生成し得る貴金属元素である。詳述すると、フッ素が含まれるプラズマとイリジウムとの反応では、融点が250°Cの不揮発性のIrF3と、融点が44°Cであって、沸点が53°Cである揮発性のIrF6とが生成され得る。また、フッ素が含まれるプラズマと白金との反応では、融点が600°Cの不揮発性のPtF4と、融点が61°Cであって、沸点が69°Cである揮発性のPtF6とが生成され得る。そして、試験例1によれば、SF6ガスとO2ガスとが混合されたガスからなるプラズマとこれら貴金属元素との反応では、貴金属元素の価数が大きいフッ化物である揮発性のフッ化物が生成されることが認められた。また、試験例2によれば、SF6ガスのみからなるプラズマとこれらの貴金属元素との反応では、貴金属元素の価数が小さいフッ化物である不揮発性のフッ化物が生成されることが認められた。[試験例3]試験例1と同じ構成からなる試験用基板を真空槽C内に搬入し、基板温度を300°C、350°C、及び400°Cとし、それ以外の条件を試験条件1と同じ条件として、各温度条件におけるイリジウム層のエッチングレートを測定した。図4に示されるように、基板温度が300°Cのときのエッチングレートは、20nm/minであり、基板温度が350°Cのときのエッチングレートは、160nm/minであり、基板温度が400°Cのときのエッチングレートは、800nm/minであった。このように、基板温度が高い程、イリジウム層のエッチングレートが高くなることが認められた。なお、こうした現象は、イリジウムの単体がプラズマに曝される場合に限らず、該イリジウム層のエッチングにより生成されたエッチング生成物、すなわちイリジウム塩化物においても認められた。また、上記試験例3では、貴金属層の一例としてイリジウム層が用いられた結果が示されているが、貴金属層として白金層を用いた場合であっても、同様の傾向は認められた。こうした結果から、プラズマクリーニング処理では、熱交換器18が、真空槽Cの内側面の温度を室温より高くすることが好ましく、ステージ13からの輻射熱により内側面が加熱されることに鑑みれば、抵抗加熱ヒーターが、ステージ13の温度を室温より高くすることが好ましい。[試験例4]試験例1と同じ構成からなる試験用基板を真空槽C内に搬入し、真空槽C内の圧力を1Pa、3Pa、及び10Paとし、それ以外の条件を試験条件1と同じ条件として、各圧力条件においるイリジウム層のエッチングレートを測定した。図5に示されるように、真空槽C内の圧力が1Paのときのエッチングレートは、160nm/minであり、3Paのときのエッチングレートは、120nm/minであり、10Paのときのエッチングレートは、80nm/minであった。このように、真空槽C内の圧力が低い程、イリジウム層のエッチングレートが高くなることが認められた。なお、こうした現象は、イリジウムの単体がプラズマに曝される場合に限らず、該イリジウム層のエッチングにより生成されたエッチング生成物、すなわちイリジウム塩化物においても認められた。また、上記試験例4では、貴金属層の一例としてイリジウム層が用いられた結果が示されているが、貴金属層として白金層を用いた場合であっても、同様の傾向は認められた。こうした結果から、イリジウム層のエッチングレートを実用上好ましい速度である100nm/min以上とするためには、真空槽C内の圧力を1Pa以上3Pa以下とすることが好ましい。つまり、上記プラズマエッチング装置10のプラズマクリーニング処理を行うときにも、真空槽C内の圧力が1Pa以上3Pa以下であることが好ましい。以上説明したように、上記実施形態によれば以下に列挙する効果を得ることができる。1SF6ガスとO2ガスとが混合したクリーニングガスを真空槽Cに供給し、該クリーニングガスのプラズマを真空槽C内に生成することで、基板Sのエッチングにより生じたエッチング生成物をクリーニングするようにしている。そのため、相対的に揮発性の低い貴金属フッ化物よりも、相対的に揮発性の高い貴金属フッ化物が優先的に生成されるようになる。それゆえに、上記エッチング生成物の除去効率を高めることができる。2ステージ13に内蔵されたバイアス電極に高周波電力が供給されることは、エッチング形状の異方性を高めるために有効な手段である。一方、プラズマクリーニング処理時のように、基板Sがステージ13に載置されていない状態では、バイアス電極に高周波電力が供給されると、ステージ13の表面にて過度の腐食が進行する虞がある。この点、上記実施形態では、エッチング処理にて、誘導コイル21とバイアス電極との双方が高周波電力の供給源として用いられる一方、プラズマクリーニング処理では、誘導コイル21のみが高周波電力の供給源として用いられる。それゆえに、貴金属元素を含むエッチング生成物が真空槽C内に堆積することを抑えつつ、ステージ13の表面における腐食がプラズマクリーニング処理で進行することを抑えることが可能にもなる。3イリジウム及び白金は、その塩化物の揮発性が低いことから、該塩化物を含むエッチング生成物は、真空槽Cの内側面に付着しやすい。一方、エッチング形状の異方性を担保する上では、イリジウムや白金が含まれるエッチング対象物に対し、こうした塩素をエッチャントに適用することも有効的である。そして、上記実施形態であれば、こうした貴金属元素と塩素との反応によって生成されたエッチング生成物を除去することが可能であるから、上述した効果がより顕著になる。4エッチング生成物の除去を行うときには、真空槽C内の圧力を1Pa以上3Pa以下とする。そのため、エッチング生成物の除去効率が好ましい高さに維持される。なお、上記実施形態は、以下のように適宜変更して実施することができる。基板Sが有する貴金属層は、イリジウム及び白金の少なくとも一つからなる構成であればよく、例えば、上部電極層及び下部電極層がイリジウムからなる構成であってもよく、あるいは上部電極層及び下部電極層が白金からなる構成であってもよい。また、上部電極層がイリジウムからなるとともに、下部電極層が白金からなる構成であってもよく、あるいは上部電極層が白金からなるとともに、下部電極層がイリジウムからなる構成であってもよい。こうした構成であっても、上記1~4に準じた効果を得ることができる。エッチング対象物は、上部電極層と下部電極層とのいずれか一方であってもよく、また、誘電体層が含まれない構成であってもよい。要は、エッチング対象物は、イリジウム及び白金の少なくとも一つからなる貴金属層であればよい。こうした構成であっても、上記1~4に準じた効果を得ることができる。プラズマクリーニング処理を行うときには、真空槽C内の圧力が、1Pa以上3Pa以下の範囲に含まれていなくともよい。要は、真空槽Cの内側面に付着したエッチング生成物を除去可能な圧力であればよい。こうした構成であっても、上記1~3に準じた効果を得ることができる。エッチングガス供給部17aが供給するエッチングガスは、塩素ガスとアルゴンガスとが混合されたガスの他、塩素ガスのみであってもよく、あるいは臭素ガスや臭素ガスとアルゴンガスとが混合されたガスであってもよい。こうした構成であっても、上記12に準じた効果を得ることができる。プラズマクリーニング処理が行われる際には、ステージ13上にダミー基板が載置されてもよい。このような構成であれば、上記12に準じた効果に加え、以下の効果を得ることが可能でもある。5プラズマクリーニング処理によって真空槽Cの内側面から剥がれたエッチング生成物が、ステージ13に付着することを抑えられる。また、プラズマクリーニング処理が行われる際には、ステージ13上にダミー基板が載置され、且つステージ13のバイアス電極に高周波電力が供給されてもよい。このような構成であれば、ステージ13の周辺に付着したエッチング生成物を効果的にクリーニングすることが可能にもなる。プラズマエッチング装置の備えるプラズマ生成部は、ステージ13の備えるバイアス電極と誘導コイル21とに限らず、バイアス電極とこれと対向する平板電極とによって構成されてもよい。熱交換器18は、プラズマクリーニング処理時の温度がエッチング処理時の温度よりも高くなるように、真空槽Cの内側面の温度を切替える構成であってもよい。例えば、制御装置30は、エッチング処理を行う際に、エッチング処理用の設定温度に基づく駆動指令を熱交換器18に出力し、熱交換器18は、制御装置30からの駆動指令に応じて真空槽Cの内側面を温調する。また、制御装置30は、プラズマクリーニング処理を行う際に、プラズマクリーニング処理用の設定温度に基づく駆動指令を熱交換器18に出力し、熱交換器18は、制御装置30からの駆動指令に応じて真空槽Cの内側面を温調する。このような構成であれば、上記1~4に準じた効果に加え、以下の効果を得ることが可能でもある。6各プロセスに適した雰囲気の温度で、エッチング処理とプラズマクリーニング処理とを行うことが可能となる。上記試験例3に示されるように、プラズマクリーニング処理時における内側面の温度が高いほど、エッチング生成物の取り除かれる速度が高くなる。一方、エッチング処理においては、エッチング形状や選択比を確保する上で、こうした内側面の温度に関し、プラズマクリーニング処理時の温度よりも低い温度が必要とされる場合も少なくない。上述した構成であれば、このような要請に応えることが可能にもなる。なお、真空槽Cの内側面の温度を所定温度に調節する構成は、上記熱交換器18の他、収容器11の外側面に取付けられた抵抗加熱ヒーターであってもよく、要は、真空槽Cの内側面の温度を室温よりも高い所定温度に調節する可能な構成であればよい。ステージ13に内蔵される抵抗加熱ヒーターは、プラズマクリーニング処理時の温度がエッチング処理時の温度よりも高くなるように、ステージ13の温度を切替える構成であってもよい。例えば、制御装置30の備えるドライバは、エッチング処理を行う際に、エッチング処理用の設定温度に基づく駆動電流を抵抗加熱ヒーターに出力し、抵抗加熱ヒーターは、制御装置30からの駆動電流に応じてステージ13を昇温する。また、制御装置30の備えるドライバは、プラズマクリーニング処理を行う際に、プラズマクリーニング処理用の設定温度に基づく駆動電流を抵抗加熱ヒーターに出力し、抵抗加熱ヒーターは、制御装置30からの駆動電流に応じてステージ13を昇温する。このような構成であれば、上記1~4に準じた効果に加え、以下の効果を得ることが可能でもある。6各プロセスに適したステージ13の温度で、エッチング処理とプラズマクリーニング処理とを行うことが可能となる。上記試験例3に示されるように、プラズマクリーニング処理時における内側面の温度が高いほど、エッチング生成物の取り除かれる速度が高くなる。ステージ13からの輻射熱により内側面が加熱されることを鑑みれば、プラズマクリーニング処理時におけるステージ13の温度も高い方が好ましい。一方、エッチング処理においては、エッチング形状や選択比を確保する上で、こうしたステージ13の温度に関し、プラズマクリーニング処理時の温度よりも低い温度が必要とされる場合も少なくない。上述した構成であれば、このような要請に応えることが可能にもなる。SF6ガスとO2ガスとの流量比は、SF6ガスとO2ガスとからなるクリーニングガスの全流量のうち、O2ガスの流量が、10以上50以下であることが好ましい。O2ガスの流量が10未満となる場合には、揮発性の貴金属フッ化物の生成量が不揮発性の貴金属フッ化物の生成量よりも小さくなる。一方、O2ガスの流量が50を超える場合には、貴金属フッ化物の生成量そのものが、実用上好ましくない程度にまで小さくなる。