基材上に半導体チップを搭載した半導体装置の製造方法であって、以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法:a撮像部、およびステージを備えた基材処理装置を準備する工程;b前記a工程の後、第1面、および前記第1面に形成されたマークを有する前記基材を、前記ステージ上に固定する工程;c前記b工程の後、前記撮像部を用いて、前記基材の前記第1面における、前記第1面よりも小さい第1視野範囲を撮像することにより第1画像を取得する工程;d前記c工程で取得した前記第1画像と、予め取得しておいた前記マークの比較対象画像とを比較し、前記第1視野範囲内に前記マークが含まれているかどうかを判定する工程;e前記d工程の後、前記基材と前記撮像部の相対位置を移動させ、前記撮像部を用いて、前記基材の前記第1面における、前記第1面よりも小さく、かつ、前記第1視野範囲とは異なる第2視野範囲を撮像し第2画像を取得する工程;f前記マークの位置に基づいて前記基材の被処理部の位置を特定し、位置合わせをする工程;ここで、前記d工程では、以下のd1~d3のいずれに該当するかを判定し、d1前記第1視野範囲内に前記マークの全体が含まれる;d2前記第1視野範囲内に前記マークの一部が含まれる;d3前記第1視野範囲内に前記マークが含まれない;前記d工程で、前記d1と判定された場合には、前記e工程を省略して前記f工程を実行し、前記d工程で、前記d2と判定された場合には、g前記d工程の後、前記第1視野範囲とは異なり、かつ、前記マークの全体が含まれる第3視野範囲に向かって前記基材と前記撮像部の相対位置を移動させる工程;h前記g工程の後、前記マークを前記撮像部にて撮像して第3画像を取得する工程;を実行した後、前記e工程を省略して前記f工程を実行し、前記d工程で、前記d3と判定された場合には、前記d工程で、前記d1または前記d2と判定されるまで、前記c工程から前記e工程を繰り返し実行する。請求項1において、前記g工程では、前記第1画像から前記マークの中心位置を算出し、算出された前記マークの中心位置が前記第3視野範囲の中心位置と重なるように前記基材と前記撮像部の相対位置を移動させることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項2において、前記第1、第2および第3視野範囲は、平面視においてそれぞれ同じ平面寸法である四角形を成し、前記第1、第2および第3視野範囲の有する最も短い辺の長さは、前記マークの外縁を構成する2点を結ぶ直線のうち、最も長い直線の距離に対して2倍以下となっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項3において、前記基材の前記第1面に形成される前記マークには、第1マークと、前記第1マークとは異なる位置に形成された第2マークとが含まれ、前記f工程では、前記第1マークおよび前記第2マークの位置に基づいて前記基材の被処理部の位置を特定し、位置合わせをすることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項4において、前記基材は平面視において、4つの角部を有する四角形を成し、前記第1マークは、前記4つの角部のうちの第1角部に形成され、前記第2マークは、前記第1角部と前記基材の中心を介して対向する第2角部に形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1において、前記マークの平面形状は円形であることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1において、前記f工程の後、前記基材の前記第1面に向かってレーザ光を照射して複数の貫通孔を形成する工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項1において、前記基材は、前記第1面とは反対側に位置する第2面、および前記第2面に形成された第2マークを有し、さらに以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法:i前記f工程の後、前記基材の前記第1面に対して加工処理を施す工程、j前記i工程の後、前記基材の前記第1面と前記第2面を反転させる工程、k前記j工程の後、前記撮像部を用いて、前記基材の前記第2面における、前記第2面よりも小さい第4視野範囲を撮像し第4画像を取得する工程;m前記k工程で取得した前記第4画像と、予め取得しておいた前記第2マークの比較対象画像とを比較し、前記第4視野範囲内に前記第2マークが含まれているかどうかを判定する工程;n前記m工程の後、前記基材と前記撮像部の相対位置を移動させ、前記撮像部を用いて、前記基材の前記第2面における、前記第2面よりも小さく、かつ、前記第1視野範囲とは異なる第5視野範囲を撮像し第5画像を取得する工程;p前記第2マークの位置に基づいて前記基材の被処理部の位置を特定し、位置合わせをする工程;ここで、前記m工程では、以下のm1~m3のいずれに該当するかを判定し、m1前記第4視野範囲内に前記第2マークの全体が含まれる;m2前記第4視野範囲内に前記第2マークの一部が含まれる;m3前記第4視野範囲内に前記第2マークが含まれない;前記m工程で、前記m1と判定された場合には、前記n工程を省略して前記p工程を実行し、前記m工程で、前記m2と判定された場合には、r前記m工程の後、前記第4視野範囲とは異なり、かつ、前記第2マークの全体が含まれる第6視野範囲に向かって前記基材と前記撮像部の相対位置を移動させる工程;s前記r工程の後、前記第2マークを前記撮像部にて撮像して第6画像を取得する工程;を実行した後、前記n工程を省略して前記p工程を実行し、前記m工程で、前記m3と判定された場合には、前記m工程で、前記m1または前記m2と判定されるまで、前記k工程から前記n工程を繰り返し実行する。請求項8において、前記g工程では、前記第1画像から前記マークの中心位置を算出し、算出された前記マークの中心位置が前記第3視野範囲の中心位置と重なるように前記基材と前記撮像部の相対位置を移動させ、前記r工程では、前記第4画像から前記マークの中心位置を算出し、算出された前記マークの中心位置が前記第6視野範囲の中心位置と重なるように前記基材と前記撮像部の相対位置を移動させることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項9において、前記第1、第2、第3、第4、第5および第6視野範囲は、平面視においてそれぞれ同じ平面寸法である四角形を成し、前記第1、第2、第3、第4、第5および第6視野範囲の有する最も短い辺の長さは、前記マークおよび前記第2マークの外縁を構成する2点を結ぶ直線のうち、最も長い直線の距離に対して2倍以下となっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項8において、前記基材の前記第1面には複数の前記マークが形成され、前記基材の前記第2面には複数の前記第2マークが形成され、前記f工程では、前記複数のマークの位置に基づいて前記基材の前記第1面側の被処理部の位置を特定し、位置合わせを行い、前記p工程では、前記複数の第2マークの位置に基づいて前記基材の前記第2面側の被処理部の位置を特定し、位置合わせをすることを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項8において、前記i工程では、前記基材の前記第1面に向かってレーザ光を照射して複数の穴を形成し、前記p工程の後、前記基材の前記複数の穴と対向する領域に前記第2面側からレーザ光を照射して複数の貫通孔を形成する工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。請求項12において、前記マークは前記第2マークと一体に形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。半導体装置などの電子装置は、例えば配線基板などの基材上に半導体チップや電子部品を搭載して使用する。近年、電子装置に対する小型化、高機能化の要求から、半導体チップや電子部品を搭載する基材への種々の加工工程においても微細加工技術が要求される。そして、基材に対して微細加工を施すためには、加工対象である基材に対して加工処理を施す処理ステージ上で、高精度で位置合わせするアライメント技術が必要となる。本願発明者は、基材配線基板に形成されたマークアライメントマークを、撮像装置アライメントカメラを用いて検出する技術について検討を行い、以下の課題を見出した。まず、このマークの検出工程では、撮像装置で撮像した画像に含まれる物体の形状と、事前に認識記憶しておいたマークの形状とを比較した結果、同じものであると判断した場合に、マークを検出したものと判断する。しかし、高精度で位置合わせを行うためには、マークの公差を小さくする必要があるため、マークの外形サイズは、基材の外形サイズに比較すると極端に小さくなる。また、撮像装置の視野範囲認識範囲はマークの外形サイズよりも大きいが、視野範囲を小さくすることで解像度が向上するため、位置合わせ精度を向上させることができる。このため、一回の撮像工程での視野範囲は、基材の外形サイズに比較すると非常に小さくなっている。また、高精度で位置合わせを行うためには、マークの全体像を取得する必要があるため、仮にマークの一部が視野範囲内に含まれていても、マークの一部の画像に基づいて基材の被処理部の正確な位置を特定することが難しい。このため、視野範囲内にマークの全体が含まれていない場合には、再度、マークを捜索する工程を継続する必要がある。ここで、予め設定された捜索軌道走査経路に沿って、順次視野範囲を移動させてマークの位置を捜索する場合、またはマークの一部が視野範囲内に入っても予め設定された捜索軌道に沿って捜索する場合、マークの全体像を取得するまでの時間マークの捜索時間が長い。このため、マークの全体像に基づいて被処理部の正確な位置を特定するまでの時間が長くなり、製造効率が低下する原因となる。本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、被処理物である基材に形成されたマークの捜索時間を短縮する技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。すなわち、本願発明の一態様である半導体装置の製造方法は、被処理物である基材と撮像部の相対位置を移動させて、前記基材よりも小さい視野範囲について前記基材を順次撮像し、前記基材に形成されたマークを検出する。ここで、撮像した画像内に前記マークの一部が含まれている場合は、前記マークの全体が前記視野範囲内に位置するように前記撮像部と前記基材の相対位置を移動させる。そして、再び、前記マークを前記撮像部にて撮像し、予め取得しておいた前記マークの比較対象画像と比較し、マークの位置を検出するものである。本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。すなわち、本願発明の一態様によれば、被処理物である基材に形成されたマークの捜索時間を短縮できる。本願における記載形式基本的用語用法の説明本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しの説明を省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、AからなるX等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、A以外の要素を含むものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、Aを主要な成分として含むX等の意味である。たとえば、シリコン部材等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、SiGeシリコンゲルマニウム合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。また、金めっき、Cu層、ニッケルめっき等といっても、そうでない旨、特に明示した場合を除き、純粋なものだけでなく、それぞれ金、Cu、ニッケル等を主要な成分とする部材を含むものとする。さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。また、実施の形態の各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するため、あるいは領域の境界を明示するために、ハッチングやドットパターンを付すことがある。実施の形態1本実施の形態では、半導体装置の一例として、配線基板上に半導体チップを搭載した半導体装置を取り上げて説明する。図1は本実施の形態の半導体装置の上面図、図2は、図1に示す半導体装置の下面図、図3は図1のA-A線に沿った断面図、図4は、図1に示す封止樹脂を取り除いた状態で、半導体装置の内部構造を示す平面図である。<半導体装置>まず、本実施の形態の半導体装置1の構成について、図1~図4を用いて説明する。図1~図4に示すように、本実施の形態の半導体装置1は、配線基板基材、インタポーザ基板10図2~図4参照および配線基板10上上面10a上に搭載された半導体チップ3図3、図4参照を備えている。また、半導体装置1は、半導体チップ3を封止する封止体4図1、図3参照を備えている。また、配線基板10の下面10b側には、半導体装置1の外部端子である複数の半田ボール電極、端子、外部端子5が、行列状に配置されている。半導体チップ3は、図4に示すように平面視において四角形を成し、図3に示すように表面上面、主面3a、表面3aの反対側に位置する裏面下面、主面3bを有している。半導体チップ3の表面3a側には、複数の半導体素子が形成され、図示しない複数の配線チップ配線を介して、表面3aに形成された複数のパッド電極、チップ電極3cと電気的に接続されている。これら複数の半導体素子、複数のパッド3cおよび複数の半導体素子と複数のパッド3cを電気的に接続する複数の配線は、半導体集積回路を構成する。また、図2および図4に示すように配線基板10は平面視において四角形を成し、図3に示すように上面表面、チップ搭載面10aおよび上面10aの反対側に位置する下面裏面、実装面10bを有している。また、図3に示すように半導体チップ3は、配線基板10の上面10a上に接着材ダイボンド材6を介して固定されている。本実施の形態では、半導体チップ3の裏面3bが配線基板10の上面10aと対向した状態で搭載する、所謂、フェイスアップ実装方式に搭載された例を示している。ただし、半導体チップ3の実装方式はフェイスアップ実装方式に限定されず、例えば、表面3aと配線基板10の上面10aを対向させた状態で搭載する、フェイスダウン実装方式フリップチップ接続方式とすることもできる。また、上面10a側には、配線基板10と半導体チップ3を電気的に接続するための複数の端子ボンディングリード、チップ接続端子11が形成されている。半導体チップ3の複数のパッド3cと配線基板10の複数の端子11は、複数のワイヤ導電性部材7を介して電気的に接続されている。また、半導体装置1を図示しない実装基板に実装する際に実装面となる配線基板10の下面10b側には、複数のランド端子、外部端子12が形成され、各ランド12には半田ボール電極、端子、外部端子5がそれぞれ接合される。複数のランド12は、配線基板10が備える複数の配線13を介して複数の端子11と電気的に接続されている。この複数の配線13には、図3に示すように配線基板10の上面10a側に形成された複数の配線上面側配線13a、下面10b側に形成された複数の配線下面側配線13bおよび配線13aと配線13bを電気的に接続するビア配線、層間配線13cが含まれる。詳しくは、配線基板10は、例えば樹脂から成り、上面表面14aおよび上面14aの反対側に位置する下面裏面14bを有する絶縁層であるコア材コア層、コア板、基材14を備えている。そしてコア材14の上面14aには、複数の配線13aおよび複数の端子11が形成されている。一方、コア材14の下面14bには、複数の配線13bおよび複数のランド12が形成される。また、コア材14には上面14a、下面14bのうち、一方の面から他方の面に向かって貫通する複数の貫通孔ビア孔が形成され、複数の貫通孔に埋め込まれた導体から成る複数のビア13cを介して配線13a、13bが電気的に接続されている。また、コア材14の上面14a上および下面14bの下は、それぞれソルダレジスト膜保護膜、絶縁膜15に覆われ、ソルダレジスト膜15に形成された複数の開口部のそれぞれにおいて、端子11およびランド12がソルダレジスト膜15から露出する。これにより、端子11にワイヤ7を、ランド12に半田ボール5をそれぞれ接合し、電気的に接続することができる。つまり、半導体装置1は、半導体チップ3が配線基板10に形成された複数の配線13を介して外部端子である複数の半田ボール5と電気的に接続される。また、図2に示すように、半導体装置1の外部端子である複数の半田ボール5は、行列状に配置されている。このように、半導体装置1の実装面に複数の外部端子が行列状に配置される半導体装置は、エリアアレイ型の半導体装置と呼ばれ、外部端子数が増加した場合であっても、実装面積の増大を抑制することができる点で優れている。なお、図1~図4に示す半導体装置1のように外部端子として半田ボール5などの導電性部材を用いる半導体装置は、BGABallGridArrayと呼ばれる。また、エリアアレイ型の半導体装置の変形例としては、LGALandGridArrayと呼ばれる半導体装置がある。LGAの場合、実装面側に配置される複数のランドに半田ボールを接合しない、あるいは半田ボールよりも少ない半田材をランドの露出面に形成する。<半導体装置の製造工程>次に、図1~図4に示す半導体装置1の製造工程について、説明する。まず、図5に示す組立てフローに沿って、半導体装置1の製造工程の概要について説明した後、基板準備工程の詳細について説明する。図5は、本実施の形態の半導体装置の組み立てフローを示す説明図である。1.基板準備工程;図6は、図5に示す基板準備工程で準備する配線基板の全体構造を示す平面図、図7は図6のB-B線に沿った拡大断面図である。まず、図5に示す基板準備工程では、図6および図7に示す配線基板を準備する。図6に示すように、本工程で準備する配線基板20は、枠部枠体20bの内側に複数の製品形成領域20aを備えている。詳しくは、複数の製品形成領域20aが行列状に配置されている。配線基板20は、図3に示す配線基板10に相当する複数の製品形成領域20aと、各製品形成領域20aの間にダイシング領域20c図7参照を有する、所謂、多数個取り基板である。このように、複数の製品形成領域20aを備える多数個取り基板を用いることで、製造効率を向上させることができる。また、図7に示すように各製品形成領域20aには、図3を用いて説明した配線基板10の構成部材がそれぞれ形成されている。詳しくは、配線基板20は、例えば樹脂から成り、上面14aおよび上面14aの反対側の下面14bを有するコア材基材14を備えている。また、配線基板20の各製品形成領域20aは、上面10a側に配置される複数の端子11、下面10b側に配置される複数のランド12および複数の端子11とランド12を電気的に接続する複数の配線13を備えている。また、コア材14の上面14a上および下面14bの下は、それぞれソルダレジスト膜15に覆われ、ソルダレジスト膜15に形成された複数の開口部のそれぞれにおいて、端子11およびランド12がソルダレジスト膜15から露出する。なお、本実施の形態では、簡単のため、コア材14の上面14aおよび下面14bにそれぞれ配線層を備えた二層の配線層構造の配線基板20を用いて説明するが、配線基板20の配線層数はこれには限定されない。例えば、コア材14の上面14aおよび下面14bに複数層の配線層を積層し、二層以上の配線層構造とすることができる。本工程で準備する配線基板20の製造方法については、後で詳細に説明する。2.チップ搭載工程;図8は、図7に示す配線基板上に、接着材を介して半導体チップを搭載した状態を示す拡大断面図である。次に、図5に示すチップ搭載工程では、図8に示すように配線基板20の各製品形成領域20a上に半導体チップ3を搭載する。本実施の形態では、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂である接着材6を介して半導体チップ3を搭載する。半導体チップ3の搭載方法は、ペースト状の樹脂から成る接着材6を配線基板20の製品形成領域20a上に塗布し、半導体チップ3で押し広げる方法、あるいは、両面に接着層を備えるテープ材フィルム材である接着材6を、予め半導体チップ3の裏面3bに貼り付けておく方法を用いることができる。3.ワイヤボンディング工程;図9は、図8に示す半導体チップと複数のリードを、ワイヤを介して電気的に接続した状態を示す拡大断面図である。次に、図5に示すワイヤボンディング工程では、図9に示すように、半導体チップ3の複数のパッド3cと複数の端子11とを、例えば金Auから成る複数のワイヤ7を介して、それぞれ電気的に接続する。なお、本実施の形態では、前記したようにフェイスアップ実装方式について説明しているので、ワイヤボンディング工程を行うが、フェイスダウン実装方式で半導体チップ3を実装する場合には、ワイヤ7に代えて、例えば半導体チップ3のパッド3c上に形成されたバンプ電極図示は省略を介してパッド3cと端子11を電気的に接続する。この場合、前記したチップ搭載工程において半導体チップ3を配線基板20上に搭載する際に、パッド3cと端子11を電気的に接続し、本工程は省略することができる。4.モールド工程;図10は、図9に示す配線基板の上面側に封止体を形成した状態を示す拡大断面図である。次に、図5に示すモールド工程では、図10に示すように、封止体4を形成し、半導体チップ3および複数のワイヤ7を封止する。図10に示す封止体4は、例えばレジンおよびフィラー材粒子から成り、成形金型を用いて形成する。封止体の形成方法としては、種々の変形例を適用することができるが、図10に示す例では、例えば、成形金型内に配線基板20を配置して、軟化可塑化させた熱硬化性樹脂封止用樹脂を、成形金型のキャビティに圧入して成形し、その後加熱硬化させる、所謂トランスファモールド方式を用いている。5.ボールマウント工程;図11は、図10に示す配線基板を反転させて半田ボールを接合した状態を示す拡大断面図である。次に、図5に示すボールマウント工程では、図11に示すように、配線基板20の下面10bにおいて露出する複数のランド12に複数の半田ボール5を接合する。本工程では、図10に示す配線基板20を反転させた状態で複数のランド12のそれぞれの上に半田ボール5を配置した後、加熱することで半田ボール5とランド12を接合する。本工程により、複数の半田ボール5は、配線基板20を介して半導体チップ3と電気的に接続される。6.個片化工程;図12は、図11に示す配線基板および封止体を分割する、個片化工程を示す拡大断面図である。次に、図5に示す個片化工程では、図12に示すように、配線基板20および封止体4を製品形成領域20a毎に分割する。分割方法は、例えば図12に示すように、ダイシングブレード切断刃21をダイシング領域ダイシングライン20cに沿って走らせることで、ダイシング領域20cを切削して切断する。以上の各工程により、図1~図4を用いて説明した半導体装置1が得られる。その後、外観検査や電気的試験など、必要な検査、試験を行い、出荷、あるいは、図示しない実装基板に実装する。<基板準備工程の詳細>次に、図5に示す基板準備工程の詳細について説明する。図13は、図5に示す基材準備工程で準備する基材の全体構造を示す平面図、図14は図13のC部の拡大平面図、図15は図13のD部の拡大平面図である。また、図16は、図13のB-B線に沿った拡大断面図である。まず、基材準備工程では、例えば、図13に示すように、配線基板20の基材となる基材30を準備する。図6に示す配線基板20の複数枚分図13では4枚分が一体に形成された平面形状を成す。また、基材30は、例えば樹脂から成り、図7に示すコア材14に相当する。また、基材30は、複数のマークアライメントマーク31を備えている。マーク31は、図5に示す基板準備工程の各工程で基材に加工処理を施す前に行う位置合わせ工程において、加工領域の位置を正確に特定するための識別マークアライメントマークである。本実施の形態では、基材30の上面14aおよび下面14b図16参照のそれぞれに、複数個図13では2個のマーク31が形成されている。また、図13に示すように基材30は平面視において、四角形を成すが、4箇所の角部のうちの一つ図14に拡大して示す角部領域に一つのマーク31aが、基材30の中心を介して該角部と対向する角部図15に拡大して示す角部領域に別のマーク31bが形成されている。また、位置合わせ工程での精度を向上させる観点からマーク31の平面寸法は小さくすることが好ましい。マーク31の平面寸法を小さくすることで、マーク31を形成する際の公差を小さくすることができるからである。本実施の形態では、円形の平面形状を成すマーク31の直径は例えば2.4mmである。次に図5に示す金属膜形成工程では、図17に示すように、基材30の上面14aおよび下面14bのそれぞれに、金属膜からなるパターン金属パターン、導体パターンを形成する。本工程では、例えば銅Cuからなる金属膜を形成し、これをパターニングすることで金属パターンを形成する。図17は、図16に示す基材の上面および下面に金属膜からなるパターンを形成した状態を示す拡大断面図である。この金属膜形成工程により、基材30の上面14a側には、複数の配線13aおよび配線13aと一体に形成された複数の端子11が形成される。また、基材30の下面14b側には、複数の配線13bおよび配線13bと一体に形成された複数のランド12が形成される。次に図5に示す貫通孔形成工程では、図18に示すように基材30の上面14a、下面14bのうち、一方の面から他方の面に向かって貫通する複数の貫通孔ビア孔13dを形成する。図18は図17に示す基材に複数の貫通孔を形成した状態を示す拡大断面図である。本実施の形態では、例えば基材30にレーザ光32を照射することにより複数の貫通孔13dを形成する。レーザ光32により貫通孔13dを形成する方法は、例えばドリルなどの切削治具により形成する方法と比較して加工精度が高いため、基材30における貫通孔13dの形成位置の位置合わせを高精度で行うことができれば、隣り合う貫通孔13d間の配置ピッチを低減することができる。次に、図5に示すビア形成工程では、図19に示すように複数の貫通孔13d内に導体膜を形成し、上面14a側の配線13aと下面14b側の配線13bを電気的に接続する。図19は、図18に示す複数の貫通孔内のそれぞれに層間配線を形成した状態を示す拡大断面図である。本実施の形態では、例えば銅Cuからなる金属膜をめっき法で貫通孔13d内に形成することで、上面14a側の配線13aと下面14b側の配線13bを電気的に接続するビア13cを形成する。次に、図5に示す絶縁膜形成工程では、図20に示すように基材30の上面14a上および下面14bの下に、それぞれソルダレジスト膜保護膜、絶縁膜15を形成する。図20は、図19に示す基材の上面および下面をそれぞれ絶縁膜で覆った状態を示す拡大断面図、図21は、図20に示す絶縁膜に開口部を形成した状態を示す拡大断面図である。この時点では、図20に示すように複数の端子11および複数のランド12のそれぞれはソルダレジスト膜15に覆われた状態になる。そして、図5に示す開口部形成工程では、ソルダレジスト膜15に複数の開口部15aを形成する。これにより、基材30の上面14a側では、開口部15aにおいて複数の端子11がソルダレジスト膜15から露出する。また、基材30の下面14b側では、開口部15aにおいて複数のランド12がソルダレジスト膜15から露出する。開口部15aの形成方法は特に限定されないが、例えばレジスト膜を用いたエッチングにより形成することができる。次に、図5に示す切断工程では、図13に示す切断ライン30aに沿って基材30を切断し、図6に示す配線基板20を取得する。ここで、図5に示す基板準備工程に含まれる、上記の各工程では、基材30に対して加工処理を施すための処理ステージ上に基材30を固定した状態で加工処理を施す。この時、基材30に対して微細加工を施すためには、処理ステージ上で、高精度で位置合わせすることが重要である。以下、図5に示す基板準備工程に含まれる各工程のうち、特に高精度な位置合わせが要求される貫通孔形成工程を例に取り上げて、位置合わせの詳細について説明する。<貫通孔形成工程の詳細>まず、図5に示す貫通孔形成工程において、図13に示す基材30の製品形成領域20aのそれぞれに孔開け加工処理を施すレーザ加工装置処理装置の構成について説明する。図22は、図5に示す貫通孔形成工程において、基材に貫通孔を形成するための基材処理装置レーザ加工装置の概要構成を示す説明図である。また、図23は、図22に示す処理装置の加工処理部の概要構成を模式的に示す説明図である。本実施の形態のレーザ加工装置基材処理装置35は、図22に示すように処理前の基材30を配置するローダ部LD、孔開け加工処理を施す処理部レーザ加工部PTU、および処理後の基材30を取り出すアンローダ部ULDを備えている。また、レーザ加工装置35は、レーザ加工装置35に電源を供給する電源部PSU、およびレーザ加工装置35の動作を制御する制御部CTUを備えている。貫通孔形成工程では、まず、基材30をローダ部LDに配置する。ローダ部LDには、例えば複数枚の基材30を積み重ねてストックすることができる。次に、レーザ加工装置35が備える搬送部CVUを用いて、基材30をローダ部LDから処理部PTUに搬送する。詳しくは、図23に示す処理部PTUのステージ処理ステージTS上に、例えば1枚ずつ搬送する。ステージTSは、搬送された基材30を保持し、固定する保持部図示は省略を備えており、基材30は、ステージTS上に固定される。次に、処理部PTU内で基材30の位置合わせを行う位置合わせ工程。図23に示すようにステージTSは、X方向、X方向と直交するY方向、およびX-Y平面内における回転角度であるθ方向に移動可能な状態で処理部PTU内に固定されており、基材30を固定した状態でX-Y平面の位置およびX-Y平面内における回転角度を調整することができる。また、レーザ加工装置35は、基材30のマーク31の位置を認識することにより基材30の位置合わせをする位置合わせ部位置合わせ装置、アライメント部36を備えている。位置合わせ部36には、基材30を撮像する撮像部アライメントカメラ36a、撮像部36aが撮像した画像信号を取り込んで処理を施し、画像データを形成する画像処理部36b、および画像処理部36bから画像データを取り込んで画像データ内におけるマークの有無を判定し、該判定結果に基づいてステージTSの移動方向および移動距離の命令信号を出力する制御部36cが含まれる。撮像部36a、画像処理部36b、制御部36cはそれぞれ電気的に接続されており、画像信号や画像データを伝送することができる。また、制御部36cはステージTSの移動方向および移動距離を制御するステージ制御回路図示は省略と電気的に接続されており、ステージ制御回路は制御部36cの命令信号に基づいて、ステージの移動方向X方向、Y方向、およびθ方向および移動距離を制御する。つまり、位置合わせ部36は、撮像部36aを用いて基材30のマーク31の位置を検出し、検出されたマーク31の位置データに基づいて基材30の被処理部孔開け加工を行う領域の位置を特定して、位置合わせを行う。次に、位置合わせ後の基材30にレーザ照射部基材加工処理部37を用いてレーザ光32図23参照を照射して、基材30に孔開け加工を施す。図23に示すようにレーザ照射部37は、レーザ光32の光源であるレーザ発振器37a、レーザ光32の照射角度を調整するミラー37b、および基材30に照射されるレーザ光32の強度、焦点距離や光線の太さ等を調整するレンズ37cを含む。また、本実施の形態では、基材30は、X方向、Y方向、およびθ方向に移動可能なステージTSに固定されており、孔開け加工を施す領域被処理部の位置は、上記した位置合わせ工程により特定されている。このため、例えばレーザ照射部37は固定した状態でステージTSを順次移動させながらレーザ光32を断続的に照射することにより、基材30に複数の貫通孔13d図18参照を形成することができる。なお、変形例として、レーザ照射部37を断続的に移動させて、複数の貫通孔13d図18参照を形成することもできるが、レーザ光32の焦点距離などにズレが生じることを防止する観点からは、レーザ照射部37は固定した状態で孔開け加工を行うことが好ましい。次に、加工処理後の基材30、すなわち、図18に示すように各製品形成領域20aに複数の貫通孔13dが形成された基材30をアンローダ部ULDに移動させる。アンローダ部ULDは、例えば複数枚の基材30を積み重ねてストックすることができ、搬送部CVUを用いて処理後の基材30を順次積み重ね、所定の枚数に到達したらレーザ加工装置35の外部に搬出する。そして、次工程例えば図5に示すビア形成工程の基板処理装置例えばめっき装置に搬送される。<位置合わせ工程の詳細>次に、前記した位置合わせ工程の詳細について説明する。図24は、図22に示す基材処理装置を用いた位置合わせ工程のフローを示す説明図である。また、図25は、図14に示す基材において、マークと捜索領域、および図23に示す撮像部の視野範囲の平面的位置関係を示す拡大平面図である。また、図26は、図25に示す第1の視野範囲を撮像して取得した画像データを示す説明図である。また、図27は、図24に示す判定工程で用いる比較用の画像データを示す説明図である。また、図28は図26とは異なる視野範囲で取得した画像データを示す説明図である。また、図29は、図25に示す視野範囲の変形例を示す拡大平面図、図30は、図29に示す視野範囲で取得した画像データを示す説明図である。また、図31は、図24に示すマーク位置算出工程でマークの位置を算出した結果に基づいて移動する視野範囲の位置を示す説明図、図32は図31に示す移動後の視野範囲について取得した画像データを示す説明図である。本実施の形態の位置合わせ工程では、図23に示す撮像部36aを用いて基材30に形成されたマーク31の位置データ座標データを取得し、該位置データに基づいて被処理部の位置貫通孔形成工程の場合、貫通孔を形成する領域の位置を特定し、処理装置貫通孔形成工程の場合、レーザ照射部37と被処理部の相対的位置関係を調整する。詳しくは、例えば、マーク31の外縁エッジ、輪郭の位置データ座標データを取得してマーク31の位置を特定し、マーク31の位置と被処理部の位置の関係予め決定された設計データから被処理部の位置を特定する。マーク31の位置は、取得する位置データの数が多いほど正確に特定することができる。このため高精度で位置合わせを行う観点からは、マーク31の外縁の位置データを数多く取得する程好ましい。例えば、本実施の形態では、撮像部36aとしてVGAVideoGraphicsArrayモード640画素×480画素でプログレッシブ走査方式のカメラを用いている。このVGAモードのカメラ撮像部36aは、種々の用途に汎用されており、コスト、入手容易性、あるいは画像処理装置と接続するインターフェースの選択性など設計の自由度の観点で好ましい。VGAモードのカメラ撮像部36aを用いた場合、一つの画像データP図26参照には、X方向に680本、Y方向に480本の表示ラインを含み、画素ピクセル数は、約33万画素となっている。この約33万画素のうち、マーク31の外縁エッジ、輪郭の位置データとして取得する画素数が多いほど、解像度が向上するのでマーク31の位置が高精度で特定可能になる。以下、図24に示すフローに沿って位置合わせ工程の詳細を説明する。図24に示す基材ロード工程では、ローダ部LD図22参照から処理前の基材30を図23に示す処理部PTUのステージ処理ステージTS上に搬送し、ステージTS上に固定する。この時、ステージTS上における基材30の位置および向きを所定の範囲内に配置するため、ガイド39図22参照などの位置合わせ治具を用いて基材30の位置および向きを位置合わせしておくことが好ましい。この時点での位置合わせは、撮像部36aを用いた位置合わせよりも要求精度は低く、例えば図25に示すように基材30に形成されたマーク31が、マーク31を捜索する予定領域である捜索領域40内に収まる程度の精度で良い。このため、例えば図22に示すようにローダ部LDにおいて、ガイド39により、ある程度の位置合わせを行った後、搬送部CVUにより、基材30の向きを維持しながらステージTS上に搬送すれば良い。また、変形例として、ステージTS上にガイドを設ければさらに位置合わせ精度が向上させることができる。ただし、ステージTSは、基材30にレーザ加工処理を施す処理ステージなので、加工時にガイドが邪魔になる場合には、図22に示すようにローダ部LDで位置合わせする方が好ましい。図22および図23に示す例では、基材30は、ローダ部LD図22参照でガイド39図22参照により位置合わせされ、搬送部CVU図により基材30の向きを維持しながらステージTS上に搬送され、ステージTS上に吸着真空吸着固定される。また、この時、図23に示す基材30が撮像部36aと接触することを防止する観点から、ステージTSへの基材30の固定は、撮像部36aから離れた位置で行うことが好ましい。次に、図24に示すステージ移動工程では、基材30図23参照と撮像部36a図23参照の相対位置を移動させて、図25に示すように基材30に形成されたマーク31が捜索領域40内に収まるように配置する。本実施の形態では、図23に示す撮像部36aを固定した状態で、基材30を保持するステージTSを移動させる。なお、ステージ移動工程では、基材30と撮像部36aの相対位置を移動させることができれば良く、ステージTSのみを移動させる態様には限定されない。例えば撮像部36aを移動させる態様、あるいは、ステージTSと撮像部36aの双方を移動させる態様を適用することができる。次に、撮像工程では、始めに、撮像部36aを制御部36c図23参照に格納されているマーク位置データに基づいてマーク31があると推測される任意の位置まで移動させる。その後、撮像部36a図23参照を用いて、基材30の視野範囲S1図25参照を撮像し、視野範囲S1内の画像データ画像P1図26参照を取得する。詳しくは、図23に示す撮像部36aが検出した画像信号例えば画素毎の明るさの濃淡の程度を信号化したデータを画像処理部36bに伝送し、画像処理部36bで画像処理を施すことにより図26に示す画像データP1が得られる。図25に示す例では、視野範囲S1には、マーク31は含まれていないため、得られる画像データP1には、マーク31の画像は含まれない。なお、マーク位置データに基づいて撮像部36aをマーク31の近傍まで移動させることにより最初の視野範囲S1にマーク31が含まれる可能性は格段に向上する。しかし、必ずしも最初の視野範囲S1にマーク31が含まれるわけではない。その理由は、マーク31に対する解像度の低下を抑制するために、視野範囲内におけるマーク31の寸法を大きくしているためである。これにより、基板30を高精度で位置合わせを行うことができるが、一方、撮像部36aの視野範囲が狭いため、最初の視野範囲S1でマーク31を撮像できない場合もある。本実施の形態では、最初の視野範囲S1にマーク31が含まれないケースに関して説明する。次に、判定工程では、撮像工程で取得した画像データP1と図27に示す比較対象用の画像データ比較対象画像PCを比較し、図25に示す視野範囲S1内にマーク31が含まれているかどうかを判定する。詳細には、例えば図23に示す画像処理部36bで形成された画像データP1図26参照は、制御部36cに伝送される。制御部36cは、図27に示す比較用の画像データPCを記憶する記憶部、および記憶部から伝送された画像データPCと画像処理部36b図23参照から伝送された画像データPを比較して、マーク31の有無、およびマーク31の全体が含まれているかどうかを判定する判定処理回路を備えている。そして制御部36cでは、判定処理回路において、画像データP、PCを比較することで、マーク31の有無を判定する。つまり、本実施の形態では、制御部36cは視野範囲内におけるマーク31の有無を判定する判定部として機能する。また、図27に示す画像データPCは、マーク31の全体が画像データP内に表示される状態で撮像し、画像処理を施した画像データPであって、図5に示す貫通孔形成工程を行う前に予め取得されている。図27に示すように、視野範囲内にマーク31が含まれている場合には、マーク31はマーク31の周囲よりも濃く表示される。なお、図27では、マーク31が周囲よりも濃く表示される実施態様を示しているが、撮像方法によっては、マーク31が周囲よりも薄く表示される場合もある。また、本実施の形態では制御部36cで判定処理を行う実施態様について説明するが、判定処理を行う判定部は制御部36cには限定されず、例えば画像処理部36bを判定部とすることもできる。また、本実施の形態の判定工程では、画像データPの比較結果が、以下の1~3のいずれに該当するかを判定する。すなわち、1図25に示す視野範囲S1内にマーク31の全体が含まれる場合、2視野範囲S1内にマーク31の一部が含まれる場合、または3視野範囲S1内に、マーク31が含まれない場合、のいずれに該当するかを判定する。例えば本実施の形態では、図24に示すように、まず、一次判定工程で、マーク検出の有無を判定する。すなわち、視野範囲S1内にマーク31の少なくとも一部が含まれているか否かを判定する。図25に示す例では、視野範囲S1内にはマーク31が含まれていないので、この一次判定工程で、上記した3視野範囲S1内に、マーク31が含まれない、と判定される。判定工程で、マーク31が検出されなかった場合、図24に示すようにステージ移動工程が再び実行され、図23に示す基材30と撮像部36aの相対位置、言い換えれば基材30における視野範囲の位置を移動させる。視野範囲を移動させる方向および移動距離は予め設定されており、例えば図25に示す捜索軌道41に沿って移動させる。図25に示す例では、最初に撮像する視野範囲S1を中心として螺旋状に視野範囲を移動させる。言い換えれば、予め設定された捜索軌道41は視野範囲S1を中心として螺旋状に視野範囲を移動させ、視野範囲S1、S2、S3、S4、の順で移動する。したがって、視野範囲S1でマーク31が検出されなかった場合には、視野範囲S1に隣接し、かつ視野範囲S1とは異なる視野範囲S2上に図23に示す撮像部36aが位置するように移動させる。なお、視野範囲S1~視野範囲S26のそれぞれ、および後述する図31に示す視野範囲SFは、同じ平面寸法となっている。次に、第2回目の撮像工程として、撮像部36a図23参照を用いて、基材30の視野範囲S2図25参照を撮像し、視野範囲S2内の画像データ画像P2図28参照を取得し、画像データP2を用いて第2回目の判定工程を行う。図25に示す例では、視野範囲S2内にマーク31の一部が含まれているので、第2回目の判定工程では、一次判定工程でマーク31が含まれている、と判定され、続く二次判定工程に移行する。なお、視野範囲S2内にもマーク31が含まれていない場合には、少なくともマーク31の一部が含まれる視野範囲を検出するまで、ステージ移動工程から判定工程を繰り返し実行する。二次判定工程では、視野範囲内にマーク31の全体が含まれているかどうかを判定する。位置合わせ工程では、前記したようにマーク31の外縁エッジ、輪郭の位置データを取得してマーク31の位置を特定する。前記したようにマーク31の位置は、取得する位置データの数が多いほど正確に特定することができる。このため、視野範囲内にマーク31の全体が含まれている場合、マーク31の一部のみが含まれている場合よりも取得する位置データの数が多くなるので、マーク31の位置をより正確に特定できる。また、例えばマーク31の一部に欠損が発生している場合であっても、マーク31全体が含まれる画像データを取得すれば、欠損箇所を認識することで、欠損箇所以外の位置データからマーク31全体の正確な位置を特定することができる。このため、本実施の形態では、二次判定工程で、視野範囲S2内にマーク31の全体が含まれているかどうかを判定し、視野範囲S2内にマーク31の一部のみが含まれている場合には、マーク31の捜索を継続する。ここで、二次判定工程で、視野範囲S2内にマーク31の一部のみが含まれている、と判定された場合、図23に示す基材30と撮像部36aの相対位置を再び移動させるが、単に予め設定された捜索軌道41図25参照に沿って移動させると、マーク31の全体が含まれた画像を取得することができない。例えば図25に示す例では、視野範囲S2および視野範囲S9にはそれぞれマーク31の一部が含まれるが、マーク31の全体が含まれる視野範囲は存在しない。また、捜索軌道41に沿って視野範囲を移動させる場合、マーク31の大部分が含まれる視野範囲S9に至るまでには、視野範囲S1~視野範囲S8までを順次撮像するので、捜索時間が長くなる。このような状態を回避する方法として、例えば、図29に示すように視野範囲SZを広くする方法が考えられる。マーク31の平面形状に対して視野範囲SZを十分に広くすれば、マーク31の全体が視野範囲SZ内に含まれる確率が上がる。しかし、図29に示す例では、マーク31の平面寸法に対する視野範囲SZの平面寸法が大きいので、例えマーク31の全体が含まれていても、画像データPZ図30参照から取得できるマーク31の外縁の位置データの数が少なくなる。このため、図29に示す例では、マーク31に対する解像度が低下するため、位置合わせ精度が低下する。つまり、マーク31の全体が含まれる画像データを取得するためには視野範囲の平面寸法は、マーク31の平面寸法よりも大きくする必要があるが、マーク31に対する解像度の低下を抑制する観点からは、マーク31の平面寸法に対する視野範囲の平面寸法は出来る限り小さくすることが好ましい。本願発明者の検討によれば、マーク31の平面最大寸法に対する視野範囲の平面最小寸法は、1倍以上、2倍以下とすることが好ましい。ここで、マーク31の平面最大寸法とは、マーク31の外縁を構成する2点を結ぶ直線のうち、最も長い直線の距離をいう。本実施の形態ではマーク31は円形の平面形状を成すので、マーク31の直径例えば図25では2.4mmが平面最大寸法に相当する。一方、視野範囲の平面最小寸法とは、視野範囲が四角形を成す場合には、最も短い辺の長さをいう。本実施の形態では、例えば各視野範囲S1~S26は、それぞれ長方形を成すので、短辺の長さ例えば図25では4.8mmが平面最小寸法に相当する。このように、マーク31の平面最大寸法に対する視野範囲の平面最小寸法を小さく、言い換えれば視野範囲内におけるマーク31の寸法を大きくすれば、マーク31に対する解像度の低下を抑制できるため、高精度で位置合わせを行うことができる。しかし、視野範囲内におけるマーク31の寸法が大きくなると、図25に示すように、複数の視野範囲に跨ってマーク31が配置される可能性が高くなる。そこで、本願発明者は、複数の視野範囲に跨ってマーク31が配置される場合であっても、短時間でマーク31全体が含まれる画像データを取得する方法について検討を行い、以下の構成を見出した。すなわち、前記した二次判定工程で、視野範囲S2内にマーク31の一部のみが含まれている場合には、図31に示すようにマーク31の全体が含まれる視野範囲SFの位置を算出し図24に示すマーク位置算出工程、視野範囲SFに向かって基材30図23参照と撮像部36a図23参照の相対位置を移動させる。言い換えれば、マーク31の一部を含む画像データP2図28参照に基づいて、予め設定されたマーク31の捜索軌道41図25参照を変更し、マーク31の全体が収まる視野範囲SFに向かって撮像部36a図23参照と基材30の相対位置を移動させる。そして、視野範囲SFの画像を撮像し、図32に示すようにマーク31の全体が含まれる画像データ画像PFを取得する。マーク31の全体が含まれる視野範囲SFの位置を算出する方法は、例えば、図28に示す画像データP2のようにマーク31の一部が含まれる画像データP2からマーク31の中心位置推定位置を算出する。そして、マーク31の中心位置が図31に示す視野範囲SFの中心となるように撮像部36a図23参照と基材30図23参照の相対位置を移動させれば、マーク31の平面寸法は、視野範囲SFの平面寸法よりも小さいので視野範囲SF内にマーク31の全体が収まることとなる。つまり、本実施の形態では、図28に示す画像データP2からマーク31の中心位置を算出し、平面視においてマーク31の中心位置と視野範囲SFの中心位置が重なるように撮像部36a図23参照と基材30図23参照の相対位置を移動させることで、マーク31の全体が含まれる視野範囲SFの位置を算出する。マーク31の中心位置は、マーク31の外形寸法が既知であれば、マーク31の外縁の位置データが2箇所以上取得することにより容易に算出することができる。例えばマーク31のように平面形状が円形を成す場合には、マーク31の中心位置を以下のように算出することができる。図33は、図31に示すマークの中心位置の算出方法の一例を示す説明図である。図31に示すように、マーク31の外縁を構成する座標点のうち、任意の2つの点A、Bを選択する。また、線分ABの中心を点Dとすると、線分ABと直交し、かつ、点Dを通過する直線Eを引く事が出来る。また、この直線Eと、マーク31の外縁との交点を点Fとすると、点Fから直線Eに沿って半径rの位置にある点Cがマーク31の中心位置なので、マーク31の中心位置の座標点を算出することができる。なお、マーク位置算出工程では、マーク31の全体が含まれる視野範囲SFの位置が判れば良いので、マーク31の中心位置を厳密に特定する必要はなく、例えば、マーク31を形成する際の加工精度の影響により、中心位置の算出結果が僅かにずれていても良い。そして、マーク31の中心位置が視野範囲SFの中心位置となるように、基材30図23参照と撮像部36a図23参照の相対位置を移動させれば、視野範囲SF内にマーク31の全体が含まれることとなる。この結果、図32に示すようにマーク31の全体を含む画像データPFを取得することができる。なお、図25に示す視野範囲S1~視野範囲S26のいずれかに、マーク31の全体が含まれている場合には、図24に示すマーク位置算出工程を行うことなく、次のマーク位置データ取得工程に進むことができる。次に、マーク位置データ取得工程では、画像データPFに含まれるマーク31の外縁エッジ、輪郭の位置データ座標データを取得する。図23に当てはめて説明すると、例えば画像処理部36bで画像データPF図32参照を形成し、制御部36cに伝送する。そして、制御部36cにおいて、画像データPFに含まれるマーク31の外縁の座標点を特定し、位置データを得る。ここで、高精度で位置合わせを行う観点から、本工程で取得するマーク31の位置データ数は多い程好ましいが、画像データPFには、マーク31の全体が含まれる。また、マーク31の平面最大寸法に対する視野範囲の平面最小寸法は、1倍以上、2倍以下となっているため、多数の位置データを取得することができる。ところで、図13に示すように本実施の形態では、基材30には複数のマーク31が形成されている。この複数のマークのうち、少なくとも一つのマーク31の位置が正確に特定されれば、基材30の被処理部の位置を概略特定することはできる。しかし、より高精度で被処理部の位置を特定する観点からは、複数のマーク31の位置データを取得することが好ましい。特に図23に示すように、X方向、Y方向に加え、X-Y平面における回転角度であるθ方向の位置合わせを行う場合には、マーク31間の距離を出来る限り離して形成することが好ましい。そこで、本実施の形態では、図13に示すように基材30の4箇所の角部のうちの一つ図14に拡大して示す角部領域に一つのマーク31aが、基材30の中心を介して該角部と対向する角部図15に拡大して示す角部領域に別のマーク31bを形成している。そして、図24に示すマーク位置データ取得工程では、例えば第1のマークであるマーク31a図13参照の位置データを取得し、第2マーク位置データ取得工程では、マーク31aとは別の第2のマークであるマーク31b図13参照の位置データを取得する。そして、マーク31aとマーク31bの位置データ座標データのずれに基づいて、図23に示すθ方向の位置ずれを特定する。なお、図24では図示を省略するが、マーク31bの位置データを取得する手順は、マーク31aの位置データを取得する手順と同様である。すなわち、前記した基材ロード工程から判定工程までの手順をマーク31a、31bについてそれぞれ行うことにより、それぞれの位置データを取得することができる。次に、被処理部位置特定工程では、マーク31の位置データに基づいて、被処理部の位置貫通孔形成工程の場合、貫通孔を形成する領域の位置を特定する。被処理部の位置は、マーク31の位置と被処理部の位置を規定する設計データと、測定したマーク31の位置データに基づいて特定することができる。この被処理部の位置の特定は、例えば図23に示す制御部36cで、予め記憶された設計データと、測定したマーク31の位置データから、被処理部の位置データとして算出する。ここで、狭い領域内に多数の貫通孔を形成するためには、被処理部の位置を高い精度で特定する必要があるが、本実施の形態によれば、前記したようにマーク31の位置を高精度で特定することができるため、被処理部の位置の特定精度も向上させることができる。次に、図24に示す位置合わせ工程では、被処理部と、処理装置貫通孔形成工程の場合、図23に示すレーザ照射部37と被処理部の相対的位置関係を調整する。相対的位置関係の調整方法は、例えば、図23に示すステージTSを、被処理部の位置データに応じてX方向、Y方向、およびθ方向に移動させて調整する。言い換えれば、レーザ照射部37から照射されるレーザ光32が被処理部上に照射されるようにステージTSを移動させる。その後、ステージTSの移動と、レーザ光32の照射を交互に繰り返すことで、多数の貫通孔を基材30に形成することができる。このように、本実施の形態によれば、例えば図31に示すように視野範囲S2にマーク31の一部が含まれていれば、マーク31の一部を含む画像データP2図28参照に基づいて、予め設定された捜索軌道41図25参照を変更するので、マーク31の全体を含む画像データPF図32参照を取得するまでの時間を短縮することができる。また、マーク31の位置を算出し、算出結果に基づいて視野範囲SFに向かって移動させるので、視野範囲SFの平面寸法を小さくしても、マーク31の全体を含む画像データPFを確実に取得することができる。また、マーク31の平面寸法に対する視野範囲の平面寸法を小さくすることができるので、マーク31の解像度を向上させることができる。この結果、高精度で位置合わせを行うことができる。<変形例>以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、前記実施の形態では、貫通孔形成工程において、図18に示す基材30の上面14a、下面14bのうち、一方の面から他方の面に向かって貫通する複数の貫通孔ビア孔13dを形成する実施態様について説明した。この実施態様の変形例として、図34および図35に示すように基材30の上面14aおよび下面14bの対向する位置からそれぞれ基材の内部に向かって貫通孔13d図35参照を形成する実施態様に適用することができる。図34および図35は図18に示す貫通孔形成工程の変形例を示す拡大断面図である。また、図36は、図34および図35に示す貫通孔形成工程で位置合わせに用いるマークの断面構造の例を示す拡大断面図である。レーザ光32を照射することにより貫通孔13dを形成する方式では、レーザ光32の照射時間に応じて、形成される貫通孔13dの開口径が大きくなる。このため、一方の面のみからレーザ光32を照射すると、レーザ光32の照射面例えば図18に示す上面14aの開口径は、その反対面例えば図18に示す下面14bよりも大きくなる。特に、基材30の厚さ上面14a、下面14b間の距離が厚い場合には、開口径の差が大きくなる。ここで、図34および図35に示すように、基材30の上面14aおよび下面14bの対向する位置からそれぞれ基材の内部に向かってレーザ光32を照射して基材30の内部で貫通させる方法以下、両面照射方式と記載するの場合、貫通孔13dの開口径の差を小さくすることができる。この両面照射方式を行う場合、基材30の上面14a側、下面14b側のそれぞれにおいて、図24を用いて説明した位置合わせ工程を行う。例えば、上面14a側に対してレーザ光32を照射して図34に示すように複数の穴13eを形成し、その後、図35に示すように上面14aと下面14bを反転させる。次に、下面14bに形成されたマーク31を用いて再び位置合わせ工程を行う。そして、基材30の複数の穴13eと対向する領域に下面14b側からレーザ光32を照射することで、複数の貫通孔13dを形成する。このため、図23に示すマーク31は、上面14a、下面14bのそれぞれに形成する。この時、上面14aに形成されたマーク31と下面14bに形成されたマーク31の位置ずれを防止する観点から、図36に示すように基材30を貫通する貫通孔33を形成し、貫通孔33内に例えば導体膜を埋め込む事でマーク31を形成することが好ましい。言い換えれば、上面14a側のマーク31下面14b側のマーク31を一体に形成することが好ましい。マーク31の位置ずれを防止することができれば、前記実施の形態で説明した位置合わせ工程を上面14a、下面14bのそれぞれで適用することにより、マーク31の位置を高精度で特定できるので、図35に示すように基材30を厚さ方向に貫通する貫通孔13dを確実に形成することができる。また、前記実施の形態では、円形の平面形状を成すマーク31を用いた位置合わせ工程について説明したが、マーク31の平面形状は、例えば図37や図38に示すように円形以外の形状であっても良い。図37および図38は、図14に示すマークの変形例を示す拡大平面図である。例えば図37に示すマーク42は、正方形の平面形状を成し、図38に示すマーク43は、三角形の頂点を対向配置した、バタフライ型と呼ばれる平面形状を成す。図37や図38に示すように、角部を有する平面形状のマーク42、43の場合、図24を用いて説明した位置合わせ工程で、取得した画像データに、角部が含まれていれば、角部の成す角度、および角部からマーク42、43の中心位置までの距離に基づいてマーク42、43の中心位置を算出することができる。ただし、前記実施の形態で説明したマーク31のように円形の平面形状とした場合、マーク31の外縁を構成する任意の2点から中心位置を算出することができるので、容易に中心位置を算出する観点からは、マーク31のように円形の平面形状とすることが好ましい。また、マーク31の方が容易に形成できるので、寸法公差を低減する観点からも好ましい。また、前記実施の形態では、基材30の一方の面上面14aまたは下面14bに複数のマーク31を形成する実施態様について説明したが、例えば、図38に示すマーク43のように、θ方向の傾きを識別することが可能な形状である場合には、一つのマーク43の位置データに基づいて、θ方向の位置合わせを行う方法も考えられる。ただし、高精度でθ方向の位置合わせを行う観点からは、前記実施の形態で説明したように離間して配置される複数のマーク31の位置データのずれに基づいてθ方向の位置ずれを特定する方法の方が好ましい。また、前記実施の形態では、図28に示す画像データP2からマーク31の中心位置を算出し、平面視においてマーク31の中心位置と視野範囲SFの中心位置が重なるように撮像部36a図23参照と基材30図23参照の相対位置を移動させることで、マーク31の全体が含まれる視野範囲SFの位置を算出する実施態様について説明した。しかし、マーク31の全体が含まれる視野範囲SFの位置を算出する方法はこれに限定されない。例えば、図28に示す画像データP2と図27に示す比較用の画像データPCを比較して画像データP2に含まれるマーク31の一部がマーク31全体のどの部分に該当するのかを判定し、その判定結果からマーク31の外縁を構成する各座標点をそれぞれ算出する。そして、各座標点の全てを含む視野範囲を算出すれば、マーク31の全体が含まれる視野範囲の位置を算出することとなる。ただし、前記実施の形態で説明したようにマーク31の中心位置を算出する方法の方が、算出処理を単純化することができる点で好ましい。また、前記実施の形態では、位置合わせ工程の適用例として、レーザ光32を照射して貫通孔13dを形成する貫通孔形成工程に適用した実施態様について説明したが、位置合わせ工程を適用する工程は、これに限定されない。例えば、図5に示す各工程のうち、基板準備工程に含まれる金属膜形成工程や開口部形成工程では、基材30の上面14aや下面14bに微細なパターンを形成する必要があるため、前記実施の形態で説明した位置合わせ工程を適用し、高精度で位置合わせを行うことが好ましい。また、前記実施の形態では、配線基板10上に半導体チップを搭載した半導体装置1の製造方法に適用した実施態様について説明したが、高い精度で基材の位置合わせ工程を行う必要がある他の実施態様に適用することができる。例えば、図39に示すように複数の電子部品44が実装基板45に搭載された電子装置46に適用することができる。図39は、図24を用いて説明した位置合わせ工程を適用して製造する電子装置の構造を示す断面図である。図39に示す電子装置46では、基材である実装基板45に複数の電子部品44が搭載されている。電子部品44には、例えば半導体装置や、抵抗、コンデンサなどの受動部品が含まれ、これらを実装基板45に搭載して電気的に接続することで電気回路を構成する。近年、例えば携帯電話など、携帯型電子機器の需要増加に伴い、電子機器、およびこれに組み込む電子装置46に対する小型化の要求がある。この要求に応えるため、実装基板45に対して微細加工を施す必要が生じる。そこで、図39に示す実装基板45を前記実施の形態で説明した図3に示す配線基板10に対応させて、前記実施の形態で説明した図5に示す基板準備工程を適用することにより、実装基板45に対して、微細な配線パターンを高精度で形成することができる。