第1素子及び第2素子と、上面に前記第1素子を保持する第1ダイパッド部及び複数の第1リードを有する第1リードフレームと、上面に前記第2素子を保持する第2ダイパッド部及び複数の第2リードを有する第2リードフレームと、前記第1素子、第1ダイパッド部及び前記第1リードの少なくとも一部、並びに前記第2素子、第2ダイパッド部及び前記第2リードの少なくとも一部を封止する樹脂材からなる外装体とを備え、前記第1リードと、前記第2リードとは、前記外装体の内部において、第1接合部で直接に接合して電気的に接続された樹脂封止型半導体装置。請求項1において、前記第1リードと前記第2リードとをカシメ接合して前記第1接合部が形成された樹脂封止型半導体装置。請求項1又は2において、前記第2ダイパッド部の下面は、前記第1素子の上面よりも高く配置され、前記第1ダイパッド部の少なくとも一部と前記第2ダイパッド部の少なくとも一部とは、平面視で互いに重なる樹脂封止型半導体装置。請求項1~3のいずれか1項において、前記第1孔部は、前記第2素子を保持する面とは反対側の面から打ち抜いて形成された樹脂封止型半導体装置。請求項1~4のいずれか1項において、前記第1素子の少なくとも一部と前記第2素子の少なくとも一部とは、平面視で互いに重なるように配置されている樹脂封止型半導体装置。請求項1~5のいずれか1項において、下面が前記外装体から露出すると共に、前記第1リードフレームの下面に絶縁部材を介在して設けられた放熱板をさらに備えた樹脂封止型半導体装置。請求項1~6のいずれか1項において、前記第1接合部は、前記第1リードに形成された凸部が、前記第2リードに形成された孔部に嵌合され、且つ前記凸部の頂面が前記孔部の周囲に拡がるように形成された樹脂封止型半導体装置。請求項1~7のいずれか1項において、前記第1リードフレームの厚さは、前記第2リードフレームの厚さよりも厚い樹脂封止型半導体装置。請求項1~8のいずれか1項において、前記第2素子を保持するための前記第2ダイパッド部の周辺部に貫通孔が形成されている樹脂封止型半導体装置。請求項1~9のいずれか1項において、前記第2ダイパッド部の少なくとも下面にメッキ層が形成された樹脂封止型半導体装置。請求項10において、前記メッキ層は磁性材料からなる樹脂封止型半導体装置。請求項1~11のいずれか1項において、前記第2リードフレームは、前記第2ダイパッド部の側面から延びる突出部を有し、前記第2リードフレームの突出部と前記第1ダイパッド部とは、前記外装体の内部において、第2接合部で直接に接合して電気的に接続された樹脂封止型半導体装置。請求項1~11のいずれか1項において、前記第2リードフレームは、前記第2ダイパッド部の側面から延びる突出部を有し、前記第2リードフレームの突出部と前記第1リードとは、前記外装体の内部において、第3接合部で直接に接合して電気的に接続された樹脂封止型半導体装置。予め、第1リードフレームにおける複数の第1リードのうちの1つのリードに第1凸部を形成すると共に第2リードフレームにおける複数の第2リードのうちの1つのリードに第1孔部を形成した後、下金型に前記第1リードフレームを載置し、前記第1凸部が前記第1孔部に嵌入するように、前記第1リードフレームに前記第2リードフレームを載置し、上金型に設けられた挿入ピンにより、前記第1孔部に嵌入された前記第1凸部に加重を印加して、前記第1リードと前記第2リードとを直接に接合し、前記下金型と前記上金型との間に封止樹脂材を注入することにより、前記封止樹脂材からなる外装体を形成する樹脂封止型半導体装置の製造方法。請求項14において、前記第1凸部を押しつぶすことにより、前記第1リードと前記第2リードとをカシメ接合する樹脂封止型半導体装置の製造方法。請求項14又は15において、第2素子を保持する前記第2リードの面と反対側の面から打ち抜いて前記第1孔部を形成する樹脂封止型半導体装置の製造方法。請求項14~15のいずれか1項において、前記下金型に前記第1リードフレームを載置する前に、前記下金型に金属からなる放熱板を載置し、前記下金型に前記第1リードフレームを載置する際に、前記第1リードフレームを、前記放熱板の上に絶縁部材を介在させて載置する樹脂封止型半導体装置の製造方法。請求項14~17のいずれか1項において、予め、第2素子を保持する前記第2リードの第2ダイパッド部の周辺部に第2孔部を形成すると共に、前記第1素子を保持する前記第1リードの第1ダイパッド部の周辺部に第2凸部を形成した後、前記第1リードフレームに前記第2リードフレームを載置する際に、前記第1リードに形成された前記第1凸部及び第2凸部が、前記第2リードに形成された前記第1孔部及び第2孔部にそれぞれ陥入するように前記第2リードフレームを載置し、前記上金型に設けられた複数の挿入ピンにより、前記第1孔部及び第2孔部にそれぞれ嵌入された前記第1凸部及び第2凸部にそれぞれ加重を印加して、前記第1凸部を前記第1孔部に接合すると共に、前記第2凸部を前記第2孔部に接合する樹脂封止型半導体装置の製造方法。請求項18において、前記第1リードに前記第1凸部と前記第2凸部とを同時に形成し、前記第2リードに前記第1孔部と前記第2孔部とを同時に形成する樹脂封止型半導体装置の製造方法。ところで、上述した樹脂封止型半導体装置のさらなる小型化を図ろうとすると、立体的に配置された制御チップとパワーチップとを、平面視で互いに重なるように配置する必要が生じる。しかしながら、制御チップとパワーチップとが平面視で互いに重なるように配置されると、制御チップとパワーチップとをワイヤで直接に接続することができなくなる。すなわち、従来の樹脂封止型半導体装置の構成では、これ以上の小型化は不可能であるという問題が生じる。本発明は、前記の問題を解決し、複数のチップを封止する樹脂封止型半導体装置及びその製造方法において、立体構造を採用しながら、半導体装置のさらなる小型化を図ることを目的とする。前記の目的を達成するため、本発明の樹脂封止型半導体装置は、第1素子及び第2素子と、上面に第1素子を保持する第1ダイパッド部及び複数の第1リードを有する第1リードフレームと、上面に第2素子を保持する第2ダイパッド部及び複数の第2リードを有する第2リードフレームと、第1素子、第1ダイパッド部及び第1リードの少なくとも一部、並びに第2素子、第2ダイパッド部及び第2リードの少なくとも一部を封止する樹脂材からなる外装体とを備え、第1リードと第2リードとは、外装体の内部において、第1接合部で直接に接合して電気的に接続されたことを特徴とする。また、前記の目的を達成するため、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、予め、第1リードフレームにおける複数の第1リードのうちの1つのリードに第1凸部を形成すると共に、第2リードフレームにおける複数の第2リードのうちの1つのリードに第1孔部を形成した後、下金型に第1リードフレームを載置し、第1凸部が第1孔部に嵌入するように、第1リードフレームに第2リードフレームを載置し、上金型に設けられた挿入ピンにより、第1孔部に嵌入された第1凸部に加重を印加して、第1凸部と第1孔部とを接合し、下金型と上金型との間に封止樹脂材を注入することにより、封止樹脂材からなる外装体を形成することを特徴とする。本発明に係る樹脂封止型半導体装置及びその製造方法によると、立体構造を採用しながら、半導体装置のさらなる小型化を図ることができる。以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。なお、本発明は、本明細書に記載された特徴に基づく限り、以下に記載した内容に限定されない。第1の実施形態本発明の第1の実施形態について、図1~図5を参照しながら説明する。図1~図5に示すように、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置は、第1素子であるパワー素子1を第1ダイパッド部3Aの上に保持する第1リードフレーム3と、第2素子である制御素子4を第2ダイパッド部5Aの上に保持する第2リードフレーム5と、第1リードフレーム3の下面に絶縁シート10を介在して固着された放熱板2と、封止樹脂材からなる外装体6とから構成されている。外装体6は、パワー素子1を含む第1リードフレーム3の一方の端部と、制御素子4を含む第2リードフレーム5の一方の端部とを覆うと共に、放熱板2の下面を露出するように形成される。図3及び図5に示すように、第1ダイパッド部3Aの少なくとも一部と第2ダイパッド部5Aとは、樹脂封止型本半導体装置の小型化を図るべく、平面視で互いに重なっている。さらに、パワー素子1の少なくとも一部と制御素子4とは、平面視で互いに重なるように配置されている。このため、本実施形態においては、パワー素子1と制御素子4とは、例えば金Auからなるワイヤ32では直接に接続することができない。そこで、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置では、第1リードフレーム1においては、複数のリードのうちの1つをパワー素子用中継リード21としている。また、第2リードフレーム5においては、複数のリードのうちの1つを制御素子用中継リード22としている。これらパワー素子用中継リード21及び制御素子用中継リード22の端部同士を接合部23第1接合部により接合している。なお、図5において、パワー素子1とその上の制御素子4とは、1個ずつが対を成している。図示はしていないが、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置は、パワー素子1と制御素子4との対を2対以上含む構成を採る。但し、パワー素子1と制御素子4との1対のみの構成であっても、本発明は有効である。また、1対の素子は、パワー素子と制御素子との組み合わせに限られないことはいうまでもない。以下、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の詳細を説明する。図5に示すように、第1リードフレーム3は、例えば銅Cu等の導電性が高い金属からなる。第1リードフレーム3は、第1ダイパッド部3Aを含む複数のリードを有している。パワー素子1は、例えばIGBT絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ又はパワーMOSFET金属酸化膜型電界効果トランジスタを用いることができる。図3に示すように、パワー素子1は、第1リードフレーム3の第1ダイパッド部3Aの上面にろう材8により固着されている。パワー素子1におけるボンディングパッド図示せずと第1リードフレーム3の複数のリードとは、図3及び図5に示すように、ワイヤ31により相互に且つ電気的に接続されている。ワイヤ31には、例えばアルミニウムAlを用いることができる。また、ワイヤ31は、ワイヤに代えて、Alからなるリボン又は銅Cuからなるクリップを用いてもよい。アルミニウムからなるリボン及び銅Cuからなるクリップは、ワイヤと比べて断面積を大きくすることができるため、配線抵抗値を小さくでき、パワー損失を低減することができる。放熱板2は、例えば銅Cu又はアルミニウムAl等の熱伝導性が高い金属を用いることができる。放熱板2と第1ダイパッド部3Aとの間に設けられる絶縁シート10は、熱伝導性を有する絶縁性材料からなる。絶縁シート10は、例えば、絶縁層を接着層により上下から挟む3層構造を有している。この絶縁シート10により、放熱板2と第1ダイパッド部3Aとを電気的に絶縁しつつ、パワー素子1が発生する熱を放熱板2に効果的に伝達することができる。図3及び図5に示すように、第2リードフレーム5は、例えば銅Cu又は42アロイFe-42Ni等の導電性が高い金属からなる。第2リードフレーム5は、第2ダイパッド部5Aを含む複数のリードを有している。制御素子4は、パワー素子1を制御する素子チップであり、駆動回路及び過電流防止回路等を含む。該制御素子4は、第2リードフレーム5の第2ダイパッド部5Aの上面に、例えば銀Agペースト材により固着されている。制御素子4のボンディングパッド図示せずと第2リードフレーム5の複数のリードとは、金Auからなるワイヤ32によって互いに電気的に接続されている。図3に示すように、制御素子4を保持する第2ダイパッド部5Aは、パワー素子1の上方と間隔を空け、且つパワー素子1の上面とほぼ平行に配置されている。また、第2ダイパッド部5Aは、パワー素子1と接続されたワイヤ31の少なくとも一部を覆っている。これにより、パワー素子1の上面に対して垂直な方向平面視において、パワー素子1と接続されたワイヤ31と制御素子4との間に、第2ダイパッド部5Aが配置される。このため、パワー素子1の出力信号線であるワイヤ31により生じて制御素子4に伝播する電磁波ノイズの少なくとも一部を、第2ダイパッド部5Aによって遮蔽することができる。その結果、制御素子4の電磁波ノイズによる誤動作を防ぐことができる。なお、第2ダイパッド部5Aの少なくとも一部、好ましくは第2ダイパッド部5Aの下面にニッケルNi等の磁性材料によるメッキ層を形成してもよい。このようにメッキ層を形成すると、該メッキ層によって、パワー素子1から発生する電磁波ノイズを吸収することができる。そのため、メッキ層を形成することにより、制御素子4への電磁波ノイズの影響をより一層小さくすることができる。ところで、制御素子4は、パワー素子1を制御するために、パワー素子1と電気的に接続される必要がある。しかしながら、本実施形態においては、パワー素子1の上方に、制御素子4を保持する第2ダイパッド部5Aを立体的に配置している。このため、パワー素子1の制御素子4からの入力信号用ボンディングパッド以下、パワー素子電極というと、制御素子4のパワー素子1への出力信号用ボンディングパッド以下、制御素子電極というとをワイヤ等により直接に接続することは困難である。素子を立体的に配置している場合、パワー素子1と制御素子4とをワイヤにより接続するためには、別途設けた中継部材を介して、パワー素子電極と制御素子電極とを接続する必要がある。このような接合方法は、不安定で且つ複雑な構成となるため、ワイヤによる接続信頼性を確保することができない。そこで、図3~図5に示すように、本実施形態においては、第1リードフレーム3にパワー素子用中継リード21を設けると共に、第2リードフレーム5に制御素子用中継リード22を設け、該パワー素子用中継リード21と該制御素子用中継リード22とを接合部23によって互いに接合している。このリード同士の接合により、本実施形態では、パワー素子1と制御素子4とを電気的に接続している。具体的には、パワー素子電極と、第1リードフレーム3の複数のリードの1つであるパワー素子用中継リード21とは、ワイヤ32により電気的に接続されている。パワー素子用中継リード21は、図4に示すように、端部に曲げ加工が施されており、上面が突出する凸部21a第1凸部を有している。凸部21aの表面には例えばニッケルNi又は金Au等の接触抵抗が小さい金属による金属メッキ層が形成されている。また、パワー素子用中継リード21は、絶縁シート10を介在して放熱板2の上面に固着されている。一方、制御素子電極と、第2リードフレーム5の複数のリードの1つである制御素子用中継リード22とは、ワイヤ32により電気的に接続されている。制御素子用中継リード22の端部には孔部22a第1孔部が形成されている。該孔部22aの内壁及び上面の周縁部には、例えばニッケルNi又は金Au等の接触抵抗が小さい金属による金属メッキ層が形成されている。ここで、図4に示すように、パワー素子用中継リード21の凸部21aは、制御素子用中継リード22の孔部22aに嵌入され、凸部21aの頂部が孔部22aの周縁部の外方に向かって押しつぶされている。この押しつぶされた凸部21aと孔部22aとによって、接合部23が形成されている。すなわち、パワー素子用中継リード21と制御素子用中継リード22との接合部23は、押圧によるカシメ接合により形成されている。パワー素子用中継リード21の凸部21aの表面、並びに制御素子用中継リード22の孔部22aの内壁及び上面周縁部には、Niメッキ等の接触抵抗が小さい金属メッキ層が形成されている。このため、パワー素子用中継リード21と制御素子用中継リード22とは、機械的に接続されるだけでなく、電気的にも確実に接続される。この構成により、パワー素子1と制御素子4とは、ワイヤ32、パワー素子用中継リード21及び制御素子用中継リード22を介して相互に電気的に接続される。このように、第1ダイパッド部と第2ダイパッド部とが立体構造に、すなわち平面視で重なるように配置されて、第1素子と第2素子とが互いにワイヤで接続できない配置となる場合であっても、本発明は、複数の第1リードのうちの1つのリードと、複数の第2リードのうちの1つのリードとが、外装体の内部で直接に接合された第1接合部により、互いに電気的に接続される。このため、第1素子と第2素子とが互いにワイヤで接続できない程度にまで、樹脂封止型半導体装置を十分に小型化することができる。なお、制御素子用中継リード22に設ける孔部22aは、下方から上方に向けてプレスによって打ち抜いて形成されることが好ましい。なぜなら、この方向に打ち抜いて形成すると、孔部22aの下面の外縁部が丸みを帯びると共に、孔部22aの下面の外延部にバリが形成されないため、パワー素子用中継リード21に設けた凸部21aを嵌入させ易くなるからである。また、パワー素子電極とパワー素子用中継リード21とを接続するワイヤ31の接続距離と、制御素子電極と制御素子用中継リード22とを接続するワイヤ32の接続距離とは、できる限り短くすることが望ましい。ワイヤ32の接続距離を短くすると、パワー素子1と制御素子4とのゲートループ長が短くなるため、インダクタンスL値が小さくなって、ノイズの影響を低減することができる。その結果、制御素子4の誤動作を防止することができる。外装体6は、例えばエポキシ等の熱硬化型の樹脂材封止樹脂材からなる。外装体6は、パワー素子1及び第1ダイパッド部3A、パワー素子用中継リード21を含む第1リードフレーム3の少なくとも一部例えば、端部、並びに制御素子4及び第2ダイパッド部5A、制御素子用中継リード22を含む第2リードフレーム5の少なくとも一部例えば、端部、さらに放熱板2の側面を覆っている。このように覆うことにより、外装体6は、第1リードフレーム3及び第2リードフレーム5の一体化と、パワー素子1と制御素子4との保護を図っている。上述のように、銅又はアルミニウムからなる放熱板2の下面は、外装体6の下面から露出している。このため、パワー素子1から生じる熱を外部に効率的に伝達することができる。また、放熱板2の側面は外装体6によって覆われているため、該放熱板2と第1リードフレーム3との接合が強固となる。外装体6からそれぞれ露出する第1リードフレーム3及び第2リードフレーム5の他の端部は、樹脂封止型半導体装置の実装端子として、インバータ制御機器等の回路と接続される。また、パワー素子用中継リード21と制御素子用中継リード22との他の端部を外装体6から露出させることにより、パワー素子用中継リード21と制御素子用中継リード22との接合部23の接続状態を、外装体6の外部から検査することができる。また、第2ダイパッド部5Aに、パンチングによる打ち抜き孔貫通孔を形成してもよい。外装体6を構成する封止樹脂材が打ち抜き孔の内部にも充填されるため、第2リードフレーム5が外装体6とより強固に接続される。製造方法以下、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法について、図6~図13を参照しながら説明する。まず、パワー素子1を保持するための第1リードフレーム3を構成する複数のリードのうち、パワー素子用中継リード21の内側ダイパッド部側の端部に、例えば曲げ加工により凸部21aを形成する。続いて、第1リードフレーム3の第1ダイパッド部3Aの上に、ろう材8によりパワー素子1を固着する。その後、ワイヤ31、32によって第1リードフレーム3におけるパワー素子用中継リード21を含む複数のリードとパワー素子1のパワー素子電極とをそれぞれ接続する。一方、制御素子4を保持するための第2リードフレーム5を構成する複数のリードのうち、制御素子用中継リード22の内側ダイパッド部側の端部に、例えばプレス加工により孔部22aを形成する。続いて、第2リードフレーム5の第2ダイパッド部5Aの上に、銀ペースト材により制御素子4を固着する。その後、ワイヤ32によって第2リードフレーム5における制御素子用中継リード22を含む複数のリードと制御素子4の制御素子電極とを、それぞれ接続する。次に、図6に示すように、上金型13と下金型12との間において、絶縁シート10を仮接着した放熱板2を下金型12に絶縁シート10を上にして載置する。続いて、第1リードフレーム3を、該第1リードフレーム3の第1ダイパッド部3Aの下面及びパワー素子用中継リード21の下面が絶縁シート10とそれぞれ接するように下金型12に載置する。その後、第2リードフレーム5における制御素子用中継リード22の孔部22aと、第1リードフレーム3におけるパワー素子用中継リード21の凸部21aとが互いに対向するように、第2リードフレーム5を第1リードフレーム3の上に載置する。次に、図7の矢印51aで示す方向に第2リードフレーム5を押下して、制御素子用中継リード22の孔部22aに、パワー素子用中継リード21の凸部21aを嵌入する。なお、ここで、パワー素子用中継リード21及びパワー素子1を保持する第1リードフレーム1の厚さは、制御素子用中継リード22及び制御素子4を保持する第2リードフレーム1の厚さよりも厚い方が好ましい。このようにすると、プレスによる打ち抜きで形成された凸部21aの強度を高くでき、孔部22aへの凸部21aの嵌入を安定させることができる。その上、パワー素子用中継リード21の凸部21aの頂部が、制御素子用中継リード22の孔部22aから確実に突き出すことができる。次に、図8の矢印51bで示す方向に上金型13を下金型12に近づけることで、第1リードフレーム3及び第2リードフレーム5を、上金型13と下金型12とによってクランプする。ここで、上金型13には、第1金型挿入ピン14がパワー素子用中継リード21の凸部21aと対向するように配置されている。一方、第2金型挿入ピン15は、第1ダイパッド部3Aの一部と対向するように配置されている。次に、図9の矢印51cで示す方向に第1金型挿入ピン14を下降させて、制御素子用中継リード22の孔部22aから突き出したパワー素子用中継リード21の凸部21の頂面を、下方に押圧する。これと同時に、図9の矢印51dで示す方向に第2金型挿入ピン15を下降させて、第1ダイパッド部3Aの上面を下方に押圧する。このとき、第1リードフレーム3における第1ダイパッド部3A及びパワー素子用中継リード21の各下面には、絶縁シート10が貼り合わされている。このため、各金型挿入ピン14、15によって押圧されると、絶縁シート10が変形して、第1リードフレーム3における第1ダイパッド部3Aの厚さのばらつき、及びパワー素子用中継リード21の凸部21aの高さのばらつきを、吸収することができる。さらに、図10の矢印51eで示す方向に第1金型挿入ピン14を下降させることにより、制御素子用中継リード22の孔部22aから突き出したパワー素子用中継リード21の凸部21aの頂部を、押しつぶす。ここで、第1金型挿入ピン14の先端部は、下方を頂部とする円錐形状をしている。第1金型挿入ピン14が円錐形状であるため、押しつぶされたパワー素子用中継リード21の凸部21aの頂面は、図4に示すように、制御素子用中継リード22の孔部22aの上面の周囲に拡がるように変形する。次に、図11に示すように、トランスファモールド法により、上金型13と下金型12との間に、エポキシ等の封止樹脂材6Aを、矢印51fの方向に注入する。第1リードフレーム3と第2リードフレーム5とは、パワー素子用中継リード21の凸部21aと制御素子用中継リード22の孔部22aとが嵌合することにより一体化されている。このため、封止工程中において、各リードフレーム3、5は、ばたついたり、撓んだりすることがない。その結果、ワイヤ32等が断線するという不具合を回避することができる。なお、封止工程中は、放熱板2が第2金型挿入ピン15により下金型12に押圧されているため、封止樹脂材6Aが放熱板2の下面側に漏れ出すことはない。従って、樹脂封止後の放熱板2の下面側は、封止樹脂材6Aが回り込むことはない。その結果、放熱板2の下面側からの放熱は効果的に行われる。次に、図12に示すように、注入された封止樹脂材6Aの硬化が始まる前に、各金型挿入ピン14、15を、矢印51g及び51hの方向に上昇させる。このとき、各金型挿入ピン14、15の下端面が上金型13の内面と揃う位置で、所定の時間だけ放置する。これにより、下金型12及び上金型13から伝播する熱により、封止樹脂材6Aの硬化が促進される。これと同時に、第1リードフレーム3の第1ダイパッド部3Aと放熱板2との間に設けた絶縁シート10を構成する接着層図示せずが溶融して硬化する。これにより、絶縁シート10と第1ダイパッド部3Aの下面及び放熱板2との接着が強固となる。次に、上金型13を上昇させた後、図13に示すように、下金型12から、封止樹脂材6Aからなる外装体6を取り出す。ここで、取り出された外装体6からは、第1リードフレーム3と第2リードフレーム5とのそれぞれの外側の端部が、突き出している。この後は、第1リードフレーム3と第2リードフレーム5とのそれぞれのフレームを切断し、さらに、各リードを上方に屈曲させることにより、図3に示す樹脂封止型半導体装置を得る。このように、本実施形態によると、第1ダイパッド部3Aの上にパワー素子1を保持する第1リードフレーム3と、第2ダイパッド部5Aの上に制御素子4を保持する第2リードフレーム5とは、互いのダイパッド部3A、5Aが平面視で重なっている。さらに、第2ダイパッド部5Aは、その下方に位置するパワー素子1のほぼ全面を覆っているため、第2ダイパッド部5Aの上に保持される制御素子4は、パワー素子1からの電磁波ノイズが第2ダイパッド部5Aによって遮蔽される。なお、第2ダイパッド部5Aは、パワー素子1の上方の全面を覆う構成とする方が、パワー素子1からの電磁波ノイズの制御素子4に対する遮蔽効果が高くなる。また、本実施形態では、第1リードフレーム3の複数のリードの1つであるパワー素子用中継リード21と、第2リードフレーム5の複数のリードの1つである制御素子用中継リード22とを、接合部23により直接的且つ電気的に接合している。この構成を採ることにより、パワー素子1を保持する第1ダイパッド部3Aと制御素子4を保持する第2ダイパッド部5Aとが平面視で互いに重なるまでの立体配置とすることが可能となる。よって、該樹脂封止型半導体装置の大幅な小型化を図ることができる。なお、装置の小型化を図るという観点及び電磁波ノイズを遮蔽するという観点からは、第1素子であるパワー素子1を第2ダイパッド5Aに保持し、第2素子である制御素子4を第1ダイパッド3Aに保持する構成も可能である。但し、放熱性の観点からは、放熱板2と放熱経路を持つ第1ダイパッド5Aにパワー素子1を保持するという構成が好ましい。すなわち、第1素子及び第2素子の電気的特性及び物理的特性によって、それらを保持するダイパッド部3A、5Aリードフレーム3、5を決定すればよい。第2の実施形態以下、本発明の第2の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置について、図14及び図15を参照しながら説明する。なお、第2の実施形態において、前述の第1の実施形態と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより、説明を簡略化している。図14及び図15に示すように、本実施形態に係る第2リードフレーム5は、第2ダイパッド部5Aがパワー素子1の上方を覆うと共に、該第2ダイパッド部5Aにおける第1リードフレーム3側の側面が該第1リードフレーム3側に延びる突出部41を有している。突出部41は、第1リードフレーム3の第1ダイパッド部3Aに向かって屈曲して、第1ダイパッド部3Aと接合されている。第2ダイパッド部5Aの突出部41には、孔部41a第2孔部が設けられている。一方、第1リードフレーム3には、パワー素子1を保持するための第1ダイパッド部3Aの周辺部近傍に、曲げ加工によって上面が上方に突出する凸部3c第2凸部が形成されている。第1ダイパッド部3Aの凸部3cと第2ダイパッド部5Aの突出部41の孔部41aとを、これらが対向するように下金型12に載置し、金型挿入ピンによって凸部3cの頂面を押圧する。これにより、第2ダイパッド部5Aの突出部41と第1ダイパッド部3Aとを機械的且つ電気的に接合して、接合部24第2接合部を形成する。本実施形態に係る接合部24は、前述の第1の実施形態に係る接合部23と同様に形成されるため、詳しい形成方法の説明は省略する。なお、第1ダイパッド部3Aの凸部3cは、パワー素子用中継リード21の凸部21aを形成する曲げ工程で、同時に形成すればよい。また、第2ダイパッド部5Aの突出部41の孔部41aは、制御素子用中継リード22の孔部22aを形成するプレス工程で、同時に形成すればよい。また、本実施形態においては、第1ダイパッド部3A自体に凸部3cを設けたが、これに限られず、第1ダイパッド部3Aの側面から平行に突き出すリード部図示せずに凸部を設け、第2ダイパッド部5Aの突出部41の孔部41aと接合してもよい。以上のように、本実施形態によると、パワー素子1は、第2リードフレーム5の第2ダイパッド部5Aに覆われるため、パワー素子1が発生する電磁波ノイズが第2ダイパッド部5Aにより遮蔽される。その上、パワー素子1が発生する電磁波ノイズの一部が第2ダイパッド部5Aを介して第1リードフレーム3に流れる。このため、制御素子4に達する電磁波ノイズの量が減少し、制御素子4の誤動作の発生が抑制されて、該制御素子4の動作の信頼性を高めることができる。第3の実施形態以下、本発明の第3の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置について、図16~図18を参照しながら説明する。なお、第3の実施形態において、前述の第1及び第2の実施形態と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより、説明を簡略化している。図16及び図17に示すように、本実施形態においては、第1リードフレーム3を構成する複数のリードのうちのGND端子リード3Bに、接合部25第3接合部を形成する凸部3d第3凸部を設けている。本実施形態においては、GND端子リード3Bに設けられた凸部3dと、第2ダイパッド部5Aの突出部41に設けられた孔部41b第3孔部とから、接合部25を形成している。前述の第2の実施形態と比較すると、第2ダイパッド部5Aに設けられた突出部41が第1ダイパッド部3Aに向かって屈曲していないため、突出部41の折り曲げ部の長さを短くすることができる。このため、第2ダイパッド部5Aの面積を大きくすることができる。その結果、さらに大面積の第2ダイパッド部5Aでパワー素子1を覆うことができるので、パワー素子1から制御素子4に達する電磁波ノイズの量がさらに減少する。これにより、制御素子4の誤動作の発生が抑制されて、該制御素子4の動作の信頼性をさらに高めることができる。なお、第2ダイパッド部5Aの突出部41における接合部25を形成する部分が、上方に屈曲しているのは、GND端子リード3Bの上面と第2ダイパッド部5Aの上面との高さを一致させるためである。このようにすれば、第1リードフレーム3と第2リードフレーム5とのそれぞれの外装体6からの側方への突き出し部分の上面の高さを、互いに等しくすることができる。以下、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法の要部について、図18を参照しながら説明する。矢印51kの方向に第3金型挿入ピン16を挿入して、凸部3dが形成されたGND端子リード3Bの下面に、第3金型挿入ピン16を配置する。続いて、第2ダイパッド部5Aの突出部41に形成された孔部41bにGND端子リード3Bに形成された凸部3dを嵌入する。続いて、孔部41bの上方から第4金型挿入ピン17を矢印51jの方向に下降させて、凸部3dの先端部を押しつぶす。これにより、GND端子リード3Bと第2ダイパッド部5Aを機械的且つ電気的に接合して、接合部25を形成する。なお、GND端子リード3Bの凸部3dは、パワー素子用中継リード21の凸部21aを形成する曲げ工程により形成すればよい。また、第2ダイパッド部5Aの突出部41の孔部41bは、制御素子用中継リード22の孔部22aを形成するプレス工程により形成すればよい。ところで、各実施形態においては、パワー素子用中継リード21の凸部21aと制御素子用中継リード22の孔部22aとを、放熱板2の上側の領域で接合したが、本発明は、この構成に限られない。例えば、外装体6の内部であって、放熱板2の上側部分を除く領域で接合しても構わない。このようにすると、中継リード21、22等の各リードの設計の自由度を上げることができる。また、各実施形態において、凸部21a、凸部3c及び凸部3dは、それぞれ曲げ加工により形成したが、加工法は曲げ加工に限られない。すなわち、凸部形状であればよく、例えば、半切断加工等により形成しても構わない。半切断加工とは、例えばパワー素子用中継リード21の下面からのプレスによる打ち抜き加工を途中で停止し、円形に打ち抜く直前の半切断状態であり、円形部分がリードに接続された状態とする加工法をいう。また、各実施形態において、接合部23、24及び25を形成する際に、制御素子用中継リード22及び第2ダイパッド5Aの突出部41には、それぞれ孔部22a、41a及び41bを形成したが、いずれも孔部を設ける構成に限られない。例えば、制御素子用中継リード22及び第2ダイパッド5Aの突出部41の下面に、半切断加工又はコイニング等により、凹部を形成しても構わない。また、該凹部と凸部21a、3c及び3dとのそれぞれの接合は、押圧によるカシメ接合に限られず、Agペースト等を用いて接合してもよい。