アークチャンバを画定しているアークチャンバ筐体と、前記アークチャンバ内にスパッタリングターゲットを供給する供給システムとを備える装置。前記供給システムは、前記スパッタリングターゲットの浸食レートに応じて選択された供給レートで前記アークチャンバ内に前記スパッタリングターゲットを供給する請求項1に記載の装置。前記供給システムは、前記スパッタリングターゲットの一部分を前記アークチャンバ内に供給しつつ、前記スパッタリングターゲットの残りの部分は前記アークチャンバの外部に位置させる請求項1または2に記載の装置。前記供給システムは、前記スパッタリングターゲットに結合されているシャフトを有し、前記シャフトは、前記スパッタリングターゲットの一部分を前記アークチャンバ内に、前記一部分の浸食レートに応じて選択された供給レートで、搬入する請求項1から3のいずれか一項に記載の装置。前記シャフトは、前記スパッタリングターゲットに固定して結合されている回転シャフトを含み、前記供給システムはさらに、前記スパッタリングターゲットが前記アークチャンバ内に搬入されると、前記スパッタリングターゲットを回転させる請求項4に記載の装置。前記供給システムはさらに、前記回転シャフトに結合されている回転コンタクトを有し、前記回転コンタクトは、前記スパッタリングターゲットにバイアスを印加するためのバイアス信号用の電気コンタクトとなる請求項5に記載の装置。前記アークチャンバ筐体は、第1の開口および第1のカバーを有し、前記第1のカバーは、前記装置が第1のスパッタリングモードで動作している場合には開位置にあり、前記供給システムは、前記第1の開口を通して前記アークチャンバ内に前記スパッタリングターゲットを供給する請求項1から6のいずれか一項に記載の装置。前記アークチャンバ筐体はさらに、第2の開口および第2のカバーを有しており、前記装置が第2のスパッタリングモードで動作している場合、前記第2のカバーは開位置にあり、前記第1のカバーは閉位置にあり、前記供給システムは、第2のスパッタリングターゲットを前記第2の開口を通して前記アークチャンバ内へと供給する請求項7に記載の装置。前記スパッタリングターゲットは、円筒形状を持ち、前記第1の開口は、前記円筒形状を通すように円形状を持つ請求項7または8に記載の装置。前記アークチャンバの一端に配置されているカソードと、前記アークチャンバの反対端に配置されているリペラとをさらに備え、前記供給システムは、前記アークチャンバから前記スパッタリングターゲットを取り出し、前記装置が間接加熱カソードモードで動作している場合、前記第1のカバーは閉位置にある請求項7から9のいずれか一項に記載の装置。アークチャンバ筐体により画定されているアークチャンバ内にスパッタリングターゲットを供給する段階と、前記スパッタリングターゲットから粒子をエッチングする段階とを備える方法。前記スパッタリングターゲットから得られた前記粒子をイオン化する段階をさらに備える請求項11に記載の方法。前記スパッタリングターゲットから得られた前記粒子をイオン化する段階において、前記スパッタリングターゲットの一部分を前記アークチャンバ内に配置して、前記スパッタリングターゲットの残りの部分を前記アークチャンバの外部に配置する段階をさらに備える請求項12に記載の方法。前記アークチャンバ筐体で画定されている引出口からイオンビームを引き出す段階をさらに備える請求項11から13のいずれか一項に記載の方法。前記スパッタリングターゲットの浸食レートに応じて選択された供給レートで、前記アークチャンバ内に前記スパッタリングターゲットを供給する段階をさらに備える請求項11から14のいずれか一項に記載の方法。前記アークチャンバ内に前記スパッタリングターゲットを供給する段階において、前記スパッタリングターゲットを回転させる段階をさらに備える請求項11から請求項15のいずれか一項に記載の方法。前記スパッタリングターゲットにバイアスを印加する段階をさらに備える請求項11から16のいずれか一項に記載の方法。本開示の第1の側面によると、装置が提供される。当該装置は、アークチャンバを画定しているアークチャンバ筐体と、アークチャンバにスパッタリングターゲットを供給する供給システムとを備える。本開示の別の側面によると、方法が提供される。当該方法は、アークチャンバ筐体によって画定されているアークチャンバにスパッタリングターゲットを供給する段階と、スパッタリングターゲットの一部をエッチングする段階とを備える。添付図面に図示されている実施形態例を参照しつつ、より詳細に本開示を説明する。本開示は実施形態例を参照しつつ後述するが、本開示はこれに限定されないと理解されたい。当業者であれば、本明細書の教示内容を参照することで、さらなる実施例、変形例及び実施形態を認めるであろうし、他の利用分野にも想到するであろう。こういった実施例、変形例および実施形態は、本明細書で説明する本開示の範囲に含まれるものであり、本開示に大きな有用性を付与するものである。本明細書では、本開示に係る供給システムがビームラインイオン注入装置100のイオン源で利用される場合について、詳細に説明する。当業者であれば、本開示に係る供給システムは、任意の環境において、これらに限定されるものではないが、物理気相成長PVDツールまたは化学気相成長CVDツール等の成膜ツールを含む任意の目的のために、実施され得るという利点があることを認めるであろう。図1を参照すると、イオン注入装置100を示す簡略化された概略ブロック図が図示されている。イオン注入装置100は、本開示の実施形態に係るイオン源102と、ビームライン素子104と、1以上の被処理物、例えば、被処理物110を支持するエンドステーション106とを備える。イオン源102は、ビームライン素子104を介して、被処理物110に当てられるイオンビーム105を生成する。ビームライン素子104は、当業者には公知である素子であって、被処理物110にイオンビーム105を方向付けるとともに制御する素子を有するとしてよい。ビームライン素子104の例をいくつか挙げると、これらに限定されるものではないが、質量分析マグネット、分析スリット、イオンビーム加速コラムおよび/またはイオンビーム減速コラム、エネルギーフィルタ、および、コリメータ磁石またはパラレルレンズがある。当業者であれば、イオン注入装置100で利用されるビームライン素子104として、別の素子および/または追加の素子があることを認めるであろう。エンドステーション106は、1以上の被処理物、例えば、被処理物110を、イオンビーム105の進行経路内に支持して、所望の種のイオンが被処理物110に衝突するようにする。被処理物110は、例えば、半導体ウェハ、太陽電池、磁気媒体、または、材料を変質させるべくイオン処理が行われるその他の物体であってよい。エンドステーション106は、被処理物110を支持するプラテン112を有するとしてよい。プラテン112は、静電力を用いて、被処理物110を固定するとしてよい。エンドステーション106はさらに、被処理物110を所望の方向に移動させるスキャナ不図示を有するとしてよい。エンドステーション106はさらに、当業者に公知の素子を有するとしてよい。例えば、エンドステーション106は通常、被処理物をイオン注入装置100内に搬入して、イオン処理後に被処理物を搬出する自動被処理物取扱装置を有する。イオンビームの通過経路は全て、イオン処理中は真空状態になるものと当業者には理解されたい。イオン注入装置100はさらに、イオン注入装置100のさまざまなサブシステムおよび素子を制御するべくコントローラ図1には不図示を備えるとしてよい。図2を参照すると、本開示の実施形態に係るイオン源102を示す概略断面図が図示されている。明確な説明を行うべく、本開示を理解するうえで必要ないイオン源102の一部の素子については、図示を省略している。イオン源102は、アークチャンバ204を画定しているアークチャンバ筐体203を備える。アークチャンバ筐体203はさらに、正面プレート256と、正面プレート256の反対側に位置している後方壁257と、側壁253とを有する。正面プレート256にはさらに、良好に画定されたイオンビーム105を引き出す引出口215が画定されている。イオン源102はさらに、スパッタリングターゲット212をアークチャンバ204に供給する供給システム210を有する。カバー262は、開位置において、後方壁257に形成されているスパッタリングターゲット212を供給するための開口を露出するとしてよい。供給システム210は、スパッタリングターゲット212に結合されているシャフト216を駆動するアクチュエータ214を含むとしてよい。アクチュエータ214は、シャフト216を駆動するべく、モータ、歯車列、連結部等を含むとしてよい。供給システム210はさらに、コントローラ218を含むとしてよい。コントローラ218は、所望の入出力機能を実行するようにプログラミングされ得る汎用コンピュータまたは汎用コンピュータネットワークであってもよいし、または、これらを含むとしてもよい。コントローラ218はさらに、他の電子回路または電子素子を含むとしてよい。例えば、特定用途向け集積回路、他のハードワイヤード電子デバイスまたはプログラム可能な電子デバイス、個別素子回路等を含むとしてよい。コントローラ218は、アクチュエータ214に信号を供給するとしてよく、アクチュエータ214から信号を受信するとしてよい。コントローラ218はさらに、イオン源およびイオン注入装置およびその制御素子をモニタリングするべく、センサ、および、カバー262、電源、ビーム電流センサ素子等の他の素子等との間で信号を送受信するとしてよい。スパッタリングターゲット212は、所望のドーパント種に応じて、さまざまな固体材料であってよい。ホウ素Bが所望のドーパント種である場合、スパッタリングターゲット212は、ホウ素合金、ホウ化物、および、これらの混合物等、ホウ素含有固体材料であってよい。リンPが所望のドーパント種である場合、スパッタリングターゲット212は、リン含有固体材料であってよい。スパッタリングターゲット212は、固体材料の種類に応じて、融点が約摂氏400度と摂氏3000度との間にあるとしてよい。気化点も、固体材料の種類に応じて変動するとしてよい。イオン源102はさらに、アークチャンバ204内に配置されているカソード224およびリペラ222を備えるとしてよい。リペラ222は、電気的に絶縁されているとしてよい。カソード絶縁体不図示は、アークチャンバ筐体203からカソード224を電気的且つ熱的に絶縁するべく、カソード224と相対的に位置決めされるとしてよい。フィラメント250は、カソード224を加熱するべく、カソード224に近接して、アークチャンバ204の外部に配置されているとしてよい。支持ロッド252は、カソード224およびフィラメント250を支持するとしてよい。ガス源260は、イオン化のためにアークチャンバ204にガスを供給するとしてよい。引出電極アセンブリ不図示は、良好に画定されたイオンビーム105を引き出すべく引出口215に近接して配置されている。さらに、1以上の電源不図示を設けるとしてよい。例えば、フィラメント250を加熱するべくフィラメント250に電流を供給するフィラメント電源、および、アークチャンバ筐体203にバイアスを印加するアーク電源を設けるとしてよい。動作について説明すると、イオン源102を第1のスパッタリングモードで動作させるとしてよい。このモードでは、カバー262を開位置に移動させて、後方壁257に設けられている開口を露出させる。カバー262は、コントローラ218に応じて、開位置と閉位置との間を移動する駆動機構を備えるとしてよい。供給システム210はまず、スパッタリングターゲット212の一部274をアークチャンバ204内に配置する。この時、残りの部分276は、アークチャンバ204の外部に配置されている。ガス源260は、スパッタリングガスをアークチャンバ204に供給するとしてよい。スパッタリングガスは、Ar、XeまたはKr等の不活性ガス、または、Cl、BF3等の反応性ガスであってよい。フィラメント250は、対応する電源によって、熱イオン放出温度まで加熱される。フィラメント250から放出された電子は、カソード224に衝突して、カソード224を熱イオン放出温度まで加熱する。カソードから放出された電子は、加速されて、ガス源260から供給される気体分子をイオン化して、プラズマ放電を発生させる。リペラ222は、負電荷を構築して、アークチャンバ204内で電子を反発によって戻し、さらにイオン化衝突を発生させる。図2の実施形態ではカソード224が電子を供給するが、当業者であれば、他の種類のイオン源、例えば、バーナス型イオン源等では異なる電子源を備えると認めるであろう。電子源が何であろうと、アークチャンバ204内で形成されたプラズマは、スパッタリングターゲット212から材料をスパッタリングエッチングして、当該材料がプラズマ内の電子によってイオン化される。この後、イオンを引出口215から引き出して、良好に画定されたイオンビーム105を得る。このため、スパッタリングターゲット212、特に、スパッタリングターゲットのうちアークチャンバ204内のプラズマに面している露出面は、材料がそこからスパッタリングエッチングされるので、利用するにつれて浸食されていく。供給システム210は、スパッタリングターゲット212をアークチャンバ204内に供給することによって、スパッタリングターゲット212を補充するという利点がある。供給システム210は、スパッタリングターゲット212の供給制御を手動で機械的に行うとしてもよいし、コントローラ218を用いて自動で行うとしてもよい。自動制御の場合、スパッタリングターゲット212をアークチャンバ204内に入れるための供給レートは、スパッタリングターゲット212の浸食レートに応じて選択される。図3は、スパッタリングターゲット212をアークチャンバ204内に供給する供給レートと、スパッタリングタ-ゲット212のうち露出部分の浸食レートとの関係を示す図である。概して、浸食レートが高くなると、供給レートも高くなり、その逆も成立する。浸食レートは、複数のパラメータの影響を受けるとしてよい。そのようなパラメータの1つとして、スパッタリングターゲット212に固体材料として選択されたものの種類である。材料によっては、浸食が早いものがある。融点および気化点の違いも、浸食レートに影響を与える。別のパラメータとして、イオンビーム105のビーム電流である。概して、他の全てのパラメータが等しければ、ビーム電流が大きくなると、ビーム電流が小さいときよりも、浸食レートが早くなる。ファラデーカップ等、関連技術分野で公知のさまざまなセンサによって、イオンビーム105の実際のビーム電流を示すフィードバック信号がコントローラ218に供給され得る。浸食レートに影響を与えるさらに別のパラメータとして、ガス源260からアークチャンバ204に供給されるガスの種類が挙げられる。コントローラ218は、これらのパラメータおよび他のパラメータを分析して、スパッタリングターゲット212をアークチャンバ204に供給する場合に望ましい供給レートを選択するとしてよい。供給システム210はさらに、スパッタリングターゲット212をシャフト216に動かないように結合するとしてよい。一実施形態によると、シャフト216は、アクチュエータ214によって駆動される回転シャフトであるとしてよい。したがって、シャフト216およびスパッタリングターゲット212は、軸217を中心として回転するとしてよい。スパッタリングターゲット212は、アークチャンバ204内に配置されている間、さらに奥に進入することなく、回転するとしてよい。また、供給システム210はさらに、矢印278の方向に、アークチャンバ204内を直線状にスパッタリングターゲット212を進めると、スパッタリングターゲット212を回転させるとしてよい。軸217を中心としてスパッタリングターゲット212を回転させ、プラズマに露出しているスパッタリングターゲット212の表面を均一に摩耗しやすくする。図4を参照すると、アークチャンバ204の長手軸に沿った断面図であって、カソード224の方を向いた様子を示す図である。スパッタリングターゲット212は、図2と同様の視点からアークチャンバ204に近付いていくものとして図示している。アークチャンバ204内のプラズマ403は、カソード224とリペラ222との間において、円筒形状を持つ傾向がある。スパッタリングターゲット212は、プラズマ403の形状に近似したパターンで摩耗または浸食が進む傾向がある。このため、スパッタリングターゲット212が回転しておらず、プラズマ403がカソード224とリペラ222との間でこのような円筒形状を持つ場合、スパッタリングターゲット212は、摩耗パターン410を示すとしてよい。スパッタリングターゲット212が軸217を中心として回転すると、スパッタリングターゲット212はより均一に摩耗し、摩耗パターン408を示すという利点が得られる。比較的均一にスパッタリングターゲット212の露出部分を侵食することによって、イオン源の安定性が改善し、引き出されるイオンビームのビーム電流レベルが高くなるとしてよい。イオン源102はさらに、図2の実施形態の場合、非スパッタリングモード、または、間接加熱カソードモードで動作させるとしてもよい。この間接加熱カソードモードでは、供給システム210は、アークチャンバ204からスパッタリングターゲット212を完全に引き出して、カバー262を閉位置に位置決めして、後方壁257に形成されている対応する開口を閉じる。イオン源102はこの後、ドーパントガスをガス源260から供給して、カソード224から放出された電子でドーパントガスをイオン化して、従来の間接加熱カソードIHCソースとして動作させるとしてよい。したがって、イオン源102は、スパッタリングモードおよび非スパッタリングモードの両方で動作可能なマルチモード型イオン源であるとしてよい。図5は、開位置262 ́と閉位置262 ́ ́との間で移動可能なカバー262を持つイオン源102の後方壁257の一実施形態を示す図である。開位置262 ́では、カバー262は、回転軸504を中心として回転して、イオン源102の後方壁257に形成されている開口502を露出させる。供給システム210はこの後、開口502を通ってスパッタリングターゲット212をアークチャンバ204に入れるとしてよい。開口は、スパッタリングターゲット212の断面形状に応じて、さまざまな形状を持つとしてよい。図5の実施形態によると、開口502は、円筒形状のスパッタリングターゲット212を通すべく、円形の形状を持つ。このような形状の場合、スパッタリングターゲット212を回転させ易い。図6を参照すると、イオン源602の別の実施形態を示す断面平面図が図示されている。図7は、図6のライン7-7に沿った、アークチャンバ筐体203の後方壁257を示す端面図である。同様の構成要素は同様の参照番号を割り当てているので、説明をわかりやすくするべく、重複する説明は省略している。図2の実施形態と比べると、図6および図7の実施形態は、2つのスパッタリングターゲット、つまり、第1のスパッタリングターゲット612および第2のスパッタリングターゲット613を備える。図6の図示した位置では、第1のスパッタリングターゲット612は、アークチャンバ204から取り出され、図7により明瞭に図示しているが、第1のカバー662が閉位置にあって第1の開口702を被覆している。第2のスパッタリングターゲット613は、スパッタリングのために、アークチャンバ204内に一部分が配置されている。供給システム610は、第1のスパッタリングターゲット612に結合されている第1の回転シャフト616と、第2のスパッタリングターゲット613に結合されている第2の回転シャフト617とを備える。第1の回転シャフト616および第2の回転シャフト617は、駆動機構630に係合するネジ山623、624を持つとしてよい。駆動機構630は、シャフトを駆動することによって、第1のスパッタリングターゲット612および第2のスパッタリングターゲット613をそれぞれ、第1の軸648および第2の軸650を中心として回転させつつ、直線状にアークチャンバ204との間で搬入および搬出する回転駆動体であってよい。電源640は、回転シャフト616および導電性シャフト材料に結合されている回転コンタクト642を介して、第1のスパッタリングターゲット612に電気的に結合されているとしてよい。回転コンタクト642は、さまざまな導電性材料で製造され得る。電源640は、バイアス信号を第1のスパッタリングターゲット612に供給して、第1のスパッタリングターゲット612に誘引される粒子の量および強度を大きくすることによって材料のスパッタリングレートを高くし、これによってイオンビーム105のビーム電流を大きくすることができる。図6では図示を省略しているが、同様のバイアス方式を第2のスパッタリングターゲット613に適用するとしてよい。動作について説明すると、イオン源602は、複数のモードのうちいずれか1つのモードで動作させるとしてよい。第1のスパッタリングモードでは、第1のカバー662が開位置のあるとしてよく、供給システム610は、後方壁257に形成されている第1の開口702を通して第1のスパッタリングターゲット612を供給する。第2のカバー不図示は、第2のスパッタリングターゲット613が完全にアークチャンバ204の外部に位置しているので、閉位置にあって第2の開口703を被覆しているとしてよい。第2のスパッタリングモードでは、スパッタリングターゲットを逆にするとしてよい。つまり、図6に示すように、第2のスパッタリングターゲット613がアークチャンバ204に供給されており、第1のスパッタリングターゲット612が完全に取り出されて、第1のカバー662が閉位置にある。さらに別の動作モードでは、第1のスパッタリングターゲット612および第2のスパッタリングターゲット613の両方を同じ固体材料で製造して、両方を同時にアークチャンバ204内に供給するとしてよい。さらに別の動作モードでは、第1のスパッタリングターゲット612および第2のスパッタリングターゲット613の両方を完全にアークチャンバから取り出して、それぞれのカバーを閉じて、イオン源は間接加熱カソードモードで動作させるとしてよい。したがって、スパッタリングターゲットをアークチャンバに供給する供給システムが提供される。一実施形態によると、アークチャンバは、ビームライン型イオン注入装置用のイオン源のアークチャンバであってよい。当該供給システムによって、浸食されたスパッタリングターゲットを常に更新するので、供給システムを持たないアークチャンバ内にスパッタリングターゲット全体を配置することに比べると、動作寿命が長くなる。供給システムを利用することによって、スパッタリング用の更新された領域およびプロフィールもアークチャンバにおいてプラズマに示されるので、更新された領域のプロフィール制御が実行されるとしてよい。また、ビームラインイオン注入装置のイオン源の場合、スパッタリングターゲットをスパッタリングするので、ガスをアークチャンバに供給することに比べて、ダイマー状態および多価イオン種のレベルを高くし得る。例えば、ホウ素を含むスパッタリングターゲットをスパッタリングすることによって得られる所望のB種は概して、二価B状態および三価B状態の数が、三フッ化ホウ素BF3等のドーパントガスをアークチャンバに供給する従来のイオン源よりも多くなる。供給システムはさらに、1以上のスパッタリングターゲットをアークチャンバに搬入および搬出するので、さまざまな動作モードを可能とする柔軟性が得られる。また、ビームライン型イオン注入装置のイオン源の場合、種、ビーム電流等がさまざまな多くの異なる種類のイオンビームが同じイオン源によって供給されるとしてよい。本開示は、本明細書で説明した具体的な実施形態によってその範囲を限定されるものではない。本明細書で説明したものに加えて、本開示のその他のさまざまな実施形態および変形例は、当業者には、上記の説明および添付図面を参照することで明らかである。このため、そのような他の実施形態および変形例は、本開示の範囲内に含まれるものとする。さらに、本開示は特定の目的を実現するべく特定の環境での特定の実施例を挙げて本明細書で説明したが、当業者であれば、本開示の有用性はこれらに限定されるものではなく、本開示は任意の目的を実現するべく任意の環境で実施されるという利点を持つものと認めるであろう。したがって、以下に記載する請求項は、広義に、そして、本明細書で説明した本開示の意図を反映して解釈されるべきである。