厚さ方向に貫通する複数の通気孔が設けられるとともに、各通気孔は、放電面に開口する噴出側孔部と、その反対面に開口する導入側孔部とを厚さ方向の中間部で連結してなり、前記噴出側孔部は、前記導入側孔部との連結部から放電面に向かうにしたがって相互に離間する方向に傾斜する複数の細孔により構成され、前記導入側孔部は、前記連結部における横断面積と同じか又はそれより小さい横断面積を有し、前記各細孔の長さ方向に対して交差する方向に形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置用電極板。前記導入側孔部は、厚さ方向に対して交差する方向に傾斜していることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置用電極板。ところで、電極板は、プラズマ処理を繰り返し行うことにより、プラズマにさらされる部分が削られて消耗するが、通気孔においてはプラズマの一部がエッチングガスの流れに逆らって逆流する現象が生じる。この通気孔は厚さ方向に貫通しているため、通気孔から電極板の背面に向けてプラズマが入り込むと、冷却板の一部がスパッタされて、被処理基板が汚染されるおそれがある。特許文献2記載の電極板では、貫通細孔が傾斜しているので、プラズマが進入しにくいが、この貫通細孔に沿ってプラズマが進入すると、逆流を防止することが難しい。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができるとともに、プラズマの逆流を確実に防止して冷却板の損傷及び被処理基板の汚染を防ぐことができるプラズマ処理装置用電極板を提供することを目的とする。本発明のプラズマ処理装置用電極板は、厚さ方向に貫通する複数の通気孔が設けられるとともに、各通気孔は、放電面に開口する噴出側孔部と、その反対面に開口する導入側孔部とを厚さ方向の中間部で連結してなり、前記噴出側孔部は、前記導入側孔部との連結部から放電面に向かうにしたがって相互に離間する方向に傾斜する複数の細孔により構成され、前記導入側孔部は、前記連結部における横断面積と同じか又はそれより小さい横断面積を有し、前記各細孔の長さ方向に対して交差する方向に形成されていることを特徴とする。傾斜した複数の細孔により噴出側孔部が構成されているので、放電面からプラズマ用ガスを細孔の傾斜方向に噴出する。したがって、各噴出側孔部からのプラズマ用ガスの流れが交差することにより、分散しながらガスが流れ、面内均一なプラズマ処理を行うことができる。また、噴出側孔部の各細孔が傾斜しているので、プラズマが進入しにくい。この噴出側孔部の機能は特許文献2記載の発明と同様である。しかしながら、特許文献2記載の電極板では、プラズマが貫通細孔に沿って進入すると、この貫通細孔は有底大径孔部分の底部分に開口し、かつ有底大径孔部分の径が大きいため、有底大径孔部分の内部にまでプラズマが侵入し、その結果、冷却板に到達するおそれがある。これに対して、本発明の電極板では、噴出側孔部に沿ってプラズマが上昇したとしても、導入側孔部は、噴出側孔部の各細孔の長さ方向と交差し、かつ連結部における横断面積と同じか小さい横断面積に形成されているので、その連結部から導入側通路にかけて横断面積を広げることなく屈曲した通路となり、これにより、連結部を越えてプラズマが逆流することが防止される。本発明の電極板において、前記導入側孔部は、厚さ方向に対して交差する方向に傾斜しているとよい。この場合も、噴出側孔部の各細孔は相互に傾斜しているので、この細孔の傾斜とともに導入側孔部の傾斜により、プラズマの逆流をより確実に防止することができる。本発明のプラズマ処理装置用電極板によれば、ガスの流れを均一に保ち、被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができるとともに、プラズマの逆流を確実に防止して冷却板の損傷を防ぐことができる。以下、本発明の電極板の実施形態を、図面を参照しながら説明する。まず、この電極板が用いられるプラズマ処理装置としてプラズマエッチング装置1について説明する。このプラズマエッチング装置1は、図1の概略断面図に示されるように、真空チャンバー2内の上部に電極板上部電極3が設けられるとともに、下部に上下動可能な架台下部電極4が電極板3と相互間隔をおいて平行に設けられている。この場合、上部の電極板3は絶縁体5により真空チャンバー2の壁に対して絶縁状態に支持されているとともに、架台4の上には、静電チャック6と、その周りを囲むシリコン製の支持リング7とが設けられており、静電チャック6の上に、支持リング7により周縁部を支持した状態でウエハ被処理基板8を載置するようになっている。また、真空チャンバー2の上部にはエッチングガス供給管9が設けられ、このエッチングガス供給管9から送られてきたエッチングガスは拡散部材10を経由した後、電極板3に設けられた通気孔11を通してウエハ8に向かって流され、真空チャンバー2の側部の排出口12から外部に排出される構成とされている。一方、電極板3と架台4との間には高周波電源13により高周波電圧が印加されるようになっている。また、電極板3は、シリコンによって円板状に形成されており、その背面には熱伝導性に優れるアルミニウム等からなる冷却板14が固定され、この冷却板14にも電極板3の通気孔11に連通するように、この通気孔11と同じピッチで貫通孔15が形成されている。そして、電極板3は、背面が冷却板に接触した状態でねじ止め等によってプラズマエッチング装置1内に固定される。電極板3の詳細構造については後述する。プラズマエッチング装置1では、高周波電源13から高周波電圧を印加してエッチングガスを供給すると、このエッチングガスは拡散部材10を経由して、電極板3に設けられた通気孔11を通って電極板3と架台4との間の空間に放出され、この空間内でプラズマとなってウエハ8に当り、このプラズマによるスパッタリングすなわち物理反応と、エッチングガスの化学反応とにより、ウエハ8の表面がエッチングされる。また、ウエハ8の均一なエッチングを行う目的で、発生したプラズマをウエハ8の中央部に集中させ、外周部へ拡散するのを阻止して電極板3とウエハ8との間に均一なプラズマを発生させるために、通常、プラズマ発生領域16がシリコン製のシールドリング17で囲われた状態とされている。次に、本発明の第1実施形態の電極板3の詳細構造について図2~図4を参照しながら説明する。この電極板3には、厚さ方向に平行に貫通する通気孔11が複数設けられている。この通気孔11は、プラズマエッチングを行う際に、電極板3とウエハ8との間にエッチングガスを供給するために用いられる。なお、電極板3は、単結晶シリコン、柱状晶シリコン、又は多結晶シリコンにより円板状に形成されている。通気孔11は、図2~図4に示すように、プラズマ発生領域16に向けられる放電面21に開口する噴出側孔部22と、その反対面に開口する導入側孔部23とが厚さ方向の中間部で連結されて構成されている。噴出側孔部22は、厚さ方向の中間位置に設けられる導入側孔部23との連結部24から放電面21に向かうにしたがって相互に離間する方向に傾斜する複数の細孔25により構成されている。図示例では、噴出側孔部22は2本の細孔25により構成され、これら細孔25は、電極板3の厚さ方向に対して同じ角度θで傾斜している。一方、導入側孔部23は、厚さ方向に沿って形成されていることにより、噴出側孔部22の両細孔25のいずれとも交差する方向に延びている。この場合、導入側孔部23の横断面積は、図示例では各細孔25の横断面積と同じ横断面積に設定されている。したがって、通気孔11の内周面は細孔25から導入側孔部23に至るまで段差のない平滑な内周面に形成されているが、導入側孔部23の横断面積は、各細孔25と必ずしも同じ横断面積でなくともよく、これらの連結部24における横断面積と同じか又はそれより小さい横断面積に設定される。そして、これら導入側孔部23と噴出側孔部22の両細孔25とが、このような形状、配置とされていることにより、通気孔11全体としては逆Y字状をなす形状とされている。なお、導入側孔部23、噴出側孔部22の具体的寸法等は特に限定されるものではないが、例えば、導入側孔部23は内径が0.2mm~0.8mm、噴出側孔部22の各細孔25も内径が0.2mm~0.8mmに形成され、各細孔25は電極板3の厚さ方向とのなす角度θが10°~30°で傾斜している。また、連結部24の位置は、電極板3の厚さの中央位置、つまり導入側孔部23の長さL1と噴出側孔部22の長さL2とが電極板3の厚さの半分ずつを占める比率L1:L2=5:5の比率で形成される位置から、噴出側孔部22の方が導入側孔部23よりも長い比率、例えば導入側孔部23の長さL1と噴出側孔部22の長さL2との比率が3:7となる位置の範囲内に配置される。そして、このような通気孔11が5mm~40mmのピッチで直径200mm~600mmの電極板3に多数設けられる。このように構成した電極板3において、導入側孔部23から導入されたエッチングガスは、噴出側孔部22の各細孔25から垂直方向に対して傾斜して噴出するので、各細孔25からのエッチングガスの流れが隣接する通気孔11の間で交差することにより、分散しながらガスが流れ、面内均一なプラズマ処理を行うことができる。この分散効果を発揮するには、細孔の角度θが10°以上が好ましく、30°を超えると、孔明け加工において隣接する通気孔と干渉するおそれがあるので、その角度θは30°以内が好ましい。また、噴出側孔部22の各細孔25は電極板3の厚さ方向に対して傾斜して形成されているので、プラズマが進入しにくいが、万一、プラズマが細孔25に沿って進入したとしても、導入側孔部23は、各細孔25の横断面積と同じ横断面積に設定されているので、図3の破線で示すように導入側孔部23の内周面にプラズマが衝突し、それ以上の上昇を防止することができる。因みに、前述した特許文献2記載の電極板の場合では、貫通細孔本実施形態の細孔に相当に沿ってプラズマが上昇したとすると、広い有底大径部分から電極板の上方にプラズマが抜けて冷却板に到達するおそれがある。この実施形態では、プラズマが細孔25に沿って逆流したとしても導入側孔部23によってそれ以上の上昇を防止し、冷却板まで到達することを確実に防止することができる。なお、前述したように、導入側孔部23の横断面積は、各細孔25の横断面積と同じ横断面積に設定されているが、連結部24における横断面積より小さい横断面積に設定されていると、導入側孔部23でのガスの流速も大きくなるのでプラズマの逆流防止効果をさらに高めることができる。導入側孔部23の長さL1と噴出側孔部22の長さL2との比は、噴出側孔部22はプラズマ処理の進行とともに開口部が消耗してくるので、なるべく長い方がよく、電極板3の厚さの半分以上を占めるものとし、長過ぎると、プラズマの逆流防止機能を損なうおそれがあるので、L1:L2=3:7までとするのが好ましい。図5は、本発明の第2実施形態の電極板を示している。第1実施形態の電極板3では、図3のA-A線に沿う断面では、導入側孔部23、噴出側孔部22とも電極板3の厚さ方向に沿って形成したが、この実施形態の電極板31においては、通気孔32が、導入側孔部33を電極板31の厚さ方向に対して傾斜させて形成している。図5のB-B線に沿う断面は図3に示す形状と同様に逆Y字状になる。この電極板31においては、噴出側孔部22の傾斜した細孔25により、ガスを分散させることができるので、面内均一なプラズマ処理を行うことができるとともに、通気孔32内において、電極板31を貫通する方向に直線状に連通する部分が第1実施形態のものより少なくなるため、プラズマの逆流をより確実に防止することができる。図6及び図7は、本発明の第3実施形態の電極板を示している。この実施形態の電極板35においては、通気孔36は、導入側孔部37も噴出側孔部22と同様、2本の細孔38により構成されており、これら導入側孔部37の細孔38と噴出側孔部22の細孔25とがX字状をなすように連結されている。この場合、導入側孔部37は図5と同様に電極板35の厚さ方向に対して傾斜して形成される。この図6は図7のD-D線に沿う断面に相当している。この第3実施形態の電極板35においても、噴出側孔部22の傾斜した細孔25により、ガスを分散させることができるので、面内均一なプラズマ処理を行うことができるのは前述の各実施形態のものと同様である。この実施形態の場合は、導入側孔部37の細孔38と噴出側孔部22の細孔25とがX字状をなしているので、これらが同一平面状に配置される場合は、導入側孔部37の細孔38と噴出側孔部22の細孔25と直線状に連通するため、その直線に沿って斜めに進入したプラズマの逆流のおそれが生じるが、噴出側孔部22の両細孔25により形成される仮想平面に対して導入側孔部37の両細孔38により形成される仮想平面が屈曲した配置とされているので、プラズマの逆流を防止することができる。なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。第3実施形態では、図6に示すようにX字状をなす通気孔37を図7に示すように屈曲させたが、導入側孔部の両細孔の傾斜角度と、噴出側孔部の両細孔の傾斜角度とを異ならせるなどにより、導入側孔部の細孔と噴出側孔部の細孔とが直線状に連通しないようにしてもよい。