"樹脂基板上に有機ケイ素化合物層を備え、該有機ケイ素化合物層上にアルカリ金属ケイ酸塩層を備えていることを特徴とする光電変換素子用基板。前記有機ケイ素化合物層が液相法により形成されたものであることを特徴とする請求項1記載の光電変換素子用基板。前記有機ケイ素化合物層が有機アルコキシシランの加水分解縮合反応により得られる化合物からなることを特徴とする請求項1または2記載の光電変換素子用基板。前記有機ケイ素化合物層の厚さは1μm以下であることを特徴とする請求項1、2または3記載の光電変換素子用基板。請求項1~4いずれか1項記載の光電変換素子用基板上に形成されたものであることを特徴とする光電変換素子。特許文献3に記載されている液相法は塗布液が水溶液であるため、樹脂基板のような親水性が高くない基板に対しては、はじく、剥離が発生するなどして、形成することが難しいという問題がある。また、均一な塗布ができた場合であっても、密着性が低く、剥離が発生しやすい等の課題がある。基板の濡れ性を高めるために基板表面に活性な水酸基などを形成したり、密着性を高める目的で、例えば、オゾン処理、火炎処理などを行うといった手法があるが、樹脂基板にダメージを与えてしまうといった問題がある。本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、アルカリ供給層の剥離を抑制して、安定的にアルカリ金属イオンを光電変換半導体層に対して供給することが可能であって、光電変換効率の向上に寄与することができる光電変換素子用基板、およびこの光電変換素子用基板を用いた光電変換素子を提供することを目的とするものである。本発明の光電変換素子用基板は、樹脂基板上に有機ケイ素化合物層を備え、該有機ケイ素化合物層上にアルカリ金属ケイ酸塩層を備えていることを特徴とするものである。前記有機ケイ素化合物層は液相法により形成されたものであることが好ましい。前記有機ケイ素化合物層は有機アルコキシシランの加水分解縮合反応により得られる化合物からなることがより好ましい。前記有機ケイ素化合物層の厚さは1μm以下であることが好ましい。本発明の光電変換素子は上記の光電変換素子用基板上に形成されたものであることを特徴とするものである。樹脂基板上にアルカリ金属ケイ酸塩層が直接設けられている場合、その製造過程において、樹脂基板に塗布されるアルカリ金属ケイ酸塩水溶液の乾燥による水分の蒸発や、その後の熱処理によってケイ酸塩に含まれる水分水酸基の脱水に伴い、アルカリ金属ケイ酸塩層の収縮が起こる。このため、樹脂基板とアルカリ金属ケイ酸塩層の相互作用が低くなり、樹脂基板からアルカリ金属ケイ酸塩層の剥離が生じやすくなる。本発明の光電変換素子用基板は樹脂基板上に有機ケイ素化合物層を備えているので、樹脂基板とアルカリ金属ケイ酸塩層との親和性が高くなっているため密着性が高く、剥離を抑制することが可能である。これによって、本発明の光電変換素子用基板を太陽電池等の光電変換素子に適用した場合には、光電変換の高い光電変換素子とすることができる。以下、本発明の光電変換素子用基板を図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明の光電変換素子用基板の概略断面模式図である。図1に示すように、本発明の光電変換素子用基板10は、樹脂基板2上に有機ケイ素化合物層3を備え、この有機ケイ素化合物層3上にアルカリ金属ケイ酸塩層4を備えている。有機ケイ素化合物層は炭素-ケイ素結合を持つ有機化合物の層であり、液相法により形成されたものであることが好ましい。有機ケイ素化合物としては、変性シリコーン、シリコーンレジン、アルコキシシラン化合物、クロロシラン化合物、シラザン化合物等を挙げることができ、密着層の効果を長期にわたって確保する観点からは、アルカリ金属ケイ酸塩層との結合性が高いクロロシラン化合物、アルコキシシラン化合物が好ましい。クロロシラン化合物としては、メチルトリクロロシラン、メチルジクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、フェニルトリクロロシラン、ジフェニルジクロロシラン、トリフロロプロピルトリクロロシラン、ビニルトリクロロシラン等を好ましく挙げることができる。アルコキシシラン出発物質となるモノマーは、アルコキシ基を4個有するテトラアルコキシシラン、アルコキシ基を3個有するトリアルコキシシラン、アルコキシ基を2個有するジアルコキシシラン、アルコキシ基を1個有するモノアルコキシシランを用いることができる。これらのアルコキシ基の種類は特に制限されないが、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等、アルコキシ基中の炭素原子の数が比較的少ないもの炭素数として1~4程度のものが反応性の点から有利である。また、トリアルコキシシランやジアルコキシシランを用いる場合は、アルコキシシラン中のケイ素原子には有機基、水酸基等が結合していてもよく、有機基はエポキシ基、アミノ基、メルカプト基、ビニル基、等の官能基をさらに有していてもよい。テトラアルコキシシランとしては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、ジメトキシジエトキシシラン等が好ましく挙げられる。トリアルコキシシランとしては、メチルトリメトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、シアノプロピルトリメトキシシラン、3-ブロモプロピルトリメトキシシラン、3-クロロプロピルトリメトキシシラン、2-3,4-エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、3-グリシジロキシプロピルトリメトキシシラン、3-イオドプロピルトリメトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシ[2-7-オキサビシクロ[4,1,0]ヘプト-3-イルエチル]シラン、1-[3-トリメトキシシリルプロピル]ウレア、N-[3-トリメトキシシリルプロピル]アニリン、トリメトキシ[3-フェニルアミノプロピル]シラン、アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシ[2-フェニルエチル]シラン、トリメトキシ7-オクテン-1-イルシラン、トリメトキシ3,3,3-トリフルオロプロピルシラン、3-[2-2-アミノエチルアミノエチルアミノ]プロピルトリメトキシシラン、[3-2-アミノエチルアミノプロピル]トリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-ジエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、ビス3-メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N,N-ジメチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N-[3-トリメトキシシリルプロピル]エチレンジアミン、トリメトキシ3-メチルアミノプロピルシラン、メチルトリエトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、1-ナフチルトリエトキシシラン、[2-シクロヘキセニルエチル]トリエトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-[ビス2-ヒドロキシエチルアミノ]プロピルトリエトキシシラン、3-クロロプロピルトリエトキシシラン、3-グリシジロキシプロピルトリエトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリエトキシシラン、4-クロロフェニルトリエトキシシラン、ビシクロ[2,2,1]ヘプト-5-エン-2-イルトリエトキシシラン、クロロメチルトリエトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリエトキシシラン、3-トリエトキシシリルプロピオニトリル、3-トリエトキシシリルプロピルイソシアネート、ビス[3-トリエトキシシリルプロピル]テトラスルフィド、トリエトキシ3-イソシアナトプロピルシラン、トリエトキシ3-チオイソシアナトプロピルシラン等が好ましく挙げられる。ジアルコキシシランとしては、ジメトキシジメチルシラン、ジエトキシジメチルシラン、ジエトキシ-3-グリシドキシプロピルメチルシラン、ジメトキシジフェニルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン等が好ましく挙げられる。このようなアルコキシシランは、単独で用いることもできるが2種類以上を組み合わせて用いることも可能である。また、上記のアルコキシ基を2~4個有するアルコキシシランは、アルコキシ基を1個有するモノアルコキシシランと組み合わせて使用することも可能である。このようにして用いることのできるモノアルコキシシランとしては、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、3-クロロプロピルジメチルメトキシシラン等が挙げられる。アルコキシシランは樹脂基板との相互作用を有する官能基とシロキサン結合を形成させるとことができるという観点から、モノアルコキシシラン、ジアルコキシシラン、トリアルコキシシランから選択されることが好ましく、好ましくはアルコキシ基を3個有するトリアルコキシシラン、とりわけオルガノトリアルコキシシランであることが好ましい。上記オルガノアルコキシシランは、化学式Sim4mで表され、mは1~3の整数であり、R1およびR2は炭素数1以上の有機基であるが、R1は炭素数1~8であってN、O、S等の異元素を含んでもよい有機基であることが好ましく、R2は炭素数1~8の有機基であることが好ましい。有機基-R1としては、-CH3、-C2H5、-C3H7、-C4H9、-CHOCH-、-CH=CH2、-C6H5、-CF3、-C2F5、-C3F7、-C4F9、-CH2CH2CF3、-CH2CH2C6F13、-CH2CH2C8F17、-C3H6NH2、-C3H6NHC2H4NH2、-C3H6OCH2CHOCH2、-C3H6OCOCCH3=CH2等を挙げることができ、エポキシ基、アミノ基、メルカプト基、ビニル基等がより好ましい。アルコキシ基-OR2は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が好ましく、アルコキシ基中の炭素原子の数が比較的少ないもの炭素数として1~4程度のものが反応性の点から有利である。なお、有機基およびアルコキシ基は、それぞれ同一分子内で複数存在する場合、異なる基であってもよい。樹脂基板としては、例えば、トリアセチルセルロースTAC、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、シンジオタクチックポリスチレンンSPS、ポリフェニレンスルフィドPPS、ポリカーボネートPC、ポリアリレートPAr、ポリスルホンPSF、ポリエステルスルホンPES、ポリエーテルイミドPEI、環状ポリオレフィン、ポリイミドPI等が好ましく挙げられる。アルカリ金属ケイ酸塩層としてはケイ酸リチウム、ケイ酸カリウム、ケイ酸ナトリウムが挙げられ、これらは単独でも適宜混合して形成されたものであってもよい。ケイ酸ナトリウム、ケイ酸リチウム、ケイ酸カリウムの製法は、湿式法、乾式法などが知られており、酸化ケイ素を、それぞれ水酸化ナトリウム、水酸化リチウム、水酸化カリウムで溶解するなどの手法によって作製することができる。また、アルカリ金属とケイ酸のモル比が異なる種々のアルカリ金属ケイ酸塩が市販されており、これを利用することもできる。本発明の光電変換素子用基板は、樹脂基板上に有機ケイ素化合物層を備え、この有機ケイ素化合物層上にアルカリ金属ケイ酸塩層を備えた構成となっており、樹脂基板と有機ケイ素化合物層間には主に分子間力が働き、有機ケイ素化合物層とアルカリ金属ケイ酸塩層間には、主に化学結合シロキサン結合が形成されて密着性が確保されているものと推定される。また、有機ケイ素化合物の有機官能基が導入されているため、シリカ材料などの無機結合のみからなる材料と比べて、弾性率が低いという特徴がある。このため、曲げに対する耐性が高く、基板のフレキシブル性を活かした部材としての用途が期待できる。続いて、本発明の光電変換素子用基板の製造方法について説明する。まず、有機ケイ素化合物層用の塗布液を準備する。なお、ここでは有機ケイ素化合物としてアルコキシシランを例にとって説明する。塗布液はアルコキシシランと溶剤とを混合することで調整する。溶剤としては、例えば、水、エタノール、メタノール等を用いることができる。またこれらにイソプロピルアルコールやメチルエチルケトン等を混合した混合溶剤を使用することもできる。なお、塗布液は無機物を主成分とするマトリックスの前駆体、無機物の中空粒子、及び溶剤以外にも、各種酸例えば、塩酸、酢酸、硫酸、硝酸、リン酸、等、各種塩基例えば、アンモニア、水酸化ナトリウム、炭酸水素ナトリウム等、硬化剤例えば、金属キレート化合物等、粘度調整剤例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等等、その他の成分を含有していてもよい。上記のように準備した塗布液を樹脂基板上に塗布して塗布膜を形成する。塗布液を樹脂基板上に塗布する方法としては特に限定はなく、例えば、ドクターブレード法、ワイヤーバー法、グラビア法、スプレー法、ディップコート法、スピンコート法、キャピラリーコート法等の手法を用いることができる。続いて、塗布膜中のアルコキシシランを加水分解縮合反応させる加熱を行う。ゾル-ゲル反応によるアルコキシシランの加水分解縮合反応が進行すると、アルコキシシラン類の縮合物が徐々に高分子量化する。加熱温度は50°C~200°Cが好ましく、反応時間は5分間~1時間であることが好ましい。加熱温度が200°Cを超えるとアルコキシシラン類の縮合物に空隙が生じてしまう。形成後の有機ケイ素化合物層の厚さは、1μm以下であることが好ましく、0.5μm以下であることがより好ましく、さらには0.2μm以下であることが特に好ましい。1μmよりも厚くなるとクラックが入りやすくなり、密着性が低下する。なお、有機ケイ素化合物層の厚さがあまりに薄すぎると、樹脂基板とアルカリ金属ケイ酸塩層との親和性を高くする効果が低減するため、0.001μm以上であることが好ましく、0.01μm以上であることがより好ましい。次に形成した有機ケイ素化合物層上にアルカリ金属ケイ酸塩層を作製する。アルカリ金属ケイ酸塩層はアルカリ金属ケイ酸塗布液を基板上に塗布した後、熱処理を行うことにより作製することができる。塗布する方法としては特に限定はなく、上記有機ケイ素化合物層を形成するときと同様の方法により行うことができる。熱処理は200~600°Cの範囲で行うことが好ましく、さらには300°C~500°Cの範囲で、さらには400°C~500°Cの範囲が望ましい。熱処理時間は、熱処理温度にもよるが1~30分間行うことが好ましい。200°Cよりも低温では、塗布液を十分に乾燥させることができず、耐水性の高いアルカリ金属ケイ酸塩層が形成されないため好ましくない。一方、600°Cを超える温度では、アルカリ金属ケイ酸塩のガラス転移温度を超えるため好ましくない。熱処理後のアルカリ金属ケイ酸塩層の厚さは0.01~2μm、好ましくは0.05~1.5μm、さらには0.1~1μmであることが好ましい。アルカリ金属ケイ酸塩層の厚さが2μmよりも厚くなると、熱処理時のアルカリ金属ケイ酸塩層の収縮量が大きくなってクラックが発生しやすくなるため、好ましくない。本発明の光電変換素子用基板を用いた光電変換素子について説明する。図2は、光電変換素子の一実施の形態を示す概略断面模式図である。なお、視認しやすくするため、各構成要素の縮尺等は実際のものとは適宜異ならせてある。光電変換素子1は、図2に示すように、本発明の光電変換素子用基板10上に、下部電極40と、光吸収により正孔電子対を発生する光電変換半導体層50と、バッファ層60と、透光性導電層透明電極70と、上部電極グリッド電極80とが順次積層された構成となっている。下部電極裏面電極40の成分としては特に制限されず、Mo,Cr,W,およびこれらの組合せが好ましく、Mo等が特に好ましい。下部電極裏面電極40の膜厚は制限されず、200~1000nm程度が好ましい。光電変換半導体層50は化合物半導体系光電変換半導体層であり、主成分主成分とは20質量以上の成分を意味としては特に制限されず、高光電変換効率が得られることから、カルコゲン化合物半導体、カルコパイライト構造の化合物半導体、欠陥スタナイト型構造の化合物半導体を好適に用いることができる。カルコゲン化合物S、Se、Teを含む化合物としては、II-VI化合物:ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTeなど、I-III-VI2族化合物:CuInSe2、CuGaSe2、CuIn,GaSe2、CuInS2、CuGaSe2、CuIn,GaS,Se2など、I-III3-VI5族化合物:Culn3Se5、CuGa3Se5、Culn,Ga3Se5などを好ましく挙げることができる。カルコパイライト型構造および欠陥スタナイト型構造の化合物半導体としては、I-III-VI2族化合物:CuInSe2、CuGaSe2、CuIn,GaSe2、CuInS2、CuGaSe2、CuIn,GaSSe2など、I-III3VI5族化合物:CuIn3Se5、CuGa3Se5、CuIn,Ga3Se5などを好ましく挙げることができる。ただし、上の記載において、In,Ga、S,Seは、それぞれ、In1xGax、S1ySeyただし、x=0~1、y=0~1を示す。光電変換半導体層の成膜方法としては特に制限されない。例えば、Cu,In,Ga,Sを含むCIGS系の光電変換半導体層の成膜では、セレン化法や多元蒸着法等の方法を用いて成膜することができる。光電変換半導体層50の膜厚は特に制限されず、1.0~3.0μmが好ましく、1.5~2.0μmが特に好ましい。バッファ層60は特に制限されないが、CdS、ZnS,ZnS,O及び/又はZnS,O,OH、SnS,SnS,O及び/又はSnS,O,OH、InS,InS,O及び/又はInS,O,OH等の、Cd,Zn,Sn,Inからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属元素を含む金属硫化物を含むことが好ましい。バッファ層40の膜厚は、10nm~2μmが好ましく、15~200nmがより好ましい。透光性導電層透明電極70は、光を取り込むと共に、下部電極40と対になって、光電変換層50で生成された電流が流れる電極として機能する層である。透光性導電層70の組成としては特に制限されず、ZnO:Al等のn-ZnO等が好ましい。透光性導電層70の膜厚は特に制限されず、50nm~2μmが好ましい。上部電極グリッド電極80としては特に制限されず、Al等が挙げられる。上部電極80膜厚は特に制限されず、0.1~3μmが好ましい。本発明の光電変換素子用基板は、太陽電池等に好ましく使用することができる。光電変換素子1に対して必要に応じて、カバーガラス、保護フィルム等を取り付けて、太陽電池とすることができる。以下、本発明の光電変換素子用基板を実施例によりさらに詳細に説明する。アルカリ金属ケイ酸塩層塗布液の準備3号ケイ酸ナトリウム10部、リチウムシリケート45日産化学10部、純水7部を混合し、塗布液を調液した。実施例13-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン10部、フェニルトリエトキシシラン10部、アルミニウムアセチルアセトネート0.2部、塩酸2部および純水5部を混合して、有機ケイ素化合物層の塗布液を作製した。最大突起厚さが0.01μm、厚さ100μmのポリイミドフィルムを5分間、UV-オゾン処理した。処理したポリイミドフィルム上にドクターブレード法で塗布液を塗布して塗布膜を形成し、形成した塗布膜を100°Cで乾燥させ溶媒を除去した。続いて塗布膜を170°Cで1時間加熱し、縮合反応により硬化させて有機ケイ素化合物層とした。形成した有機ケイ素化合物層上に、アルカリ金属ケイ酸塩層塗布液を滴下し、スピンコートにてアルカリ金属ケイ酸塩層を形成した。その後、基板に対して300°Cで30分間熱処理を行い半導体素子用基板を得た。実施例2実施例1において、塗布液をメチルトリメトキシシラン5部、アミノプロピルトリエトキシシラン2.8部、アルミニウムアセチルアセトネート0.2部、塩酸2部および純水5部を混合したものに変更し、これを用いた以外は同様の処理を行い、半導体素子用基板を得た。比較例1ポリイミドフィルム上に上記アルカリ金属ケイ酸塩層塗布液の準備で準備した塗布液を直接バー塗布し、乾燥後、300°Cで熱処理し、半導体素子用基板を得た。実施例1および2では、熱処理後もアルカリケイ酸塩層の剥離がなかった。一方で有機ケイ素化合物層を備えていない比較例では熱処理後にアルカリケイ酸塩層の剥離が生じた。このことから、本発明の光電変換素子用基板は、アルカリ供給層の剥離が抑制され、安定的にアルカリ金属イオンを光電変換半導体層に対して供給することが可能であり、光電変換効率の向上に寄与することができる。"