第1の表面2aを有する第1の基板1aを、第2の表面2bを有する第2の基板1bに接合する方法において、前記第1の基板1aを少なくとも2つの支持点S1、S2によって保持するステップと、前記第1の表面2aと前記第2の表面2bが互いに向き合うように、前記第1の基板1a及び前記第2の基板1bを位置決めするステップと、少なくとも1つの加圧点P1と、前記2つの支持点S1、S2との間で、前記第2の基板1bに向かって歪みFを加えることによって、前記第1の基板1aを変形させるステップと、変形させた前記第1の表面2aと、前記第2の表面2bとを接触させるステップと、前記歪みFを徐々に緩和するステップとを含むことを特徴とする方法。加圧点の集合が成す凸包の表面積がゼロであり、支持点及び加圧点の集合が成す凸包の表面積が非ゼロである、請求項1に記載の方法。前記第1の基板1aが、前記支持点S1、S2に配置された吸引部3によって保持される、請求項1又は2に記載の方法。各吸引部6が、伸縮アーム4に連結される、請求項3に記載の方法。前記第2の基板1bが、前記第2の基板1bの両側部にそれぞれある少なくとも2つのスペーサ11を備えた支持体10上に配置され、前記スペーサが、前記第2の基板1bの厚さよりも高い、請求項1又は2に記載の方法。前記第1の基板1aが、前記スペーサ11上に載置することによって保持され、前記支持点S1、S2が、前記スペーサ11と前記第1の基板との接触点である、請求項5に記載の方法。前記支持体10が、前記第2の基板1bを保持する少なくとも1つの吸引部12を備える、請求項5又は6に記載の方法。前記歪みFが、少なくとも1つのピストンロッド5によって加えられる、請求項1~7のいずれか一項に記載の方法。前記第1の基板1aがガラスシートであり、前記第2の基板1bがシリコンタイルである、請求項1~8のいずれか一項に記載の方法。第2の基板1bごとに歪みFを前記第1の基板1aに加えることによって、前記第1の基板1aが複数の第2の基板1bに順次接合される、請求項1~9のいずれか一項に記載の方法。前記少なくとも1つのピストンロッド5が、移動装置6に取り付けられ、各歪みFを前記第1の基板1aに順次加える、請求項8又は10に記載の方法。前記第1の基板1aが、前記第1の基板1a全体を変形させることによって、複数の第2の基板1bに同時に接合される、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。本発明の目的は、シリコン基板とガラス基板との、気泡のない高品質接合基板を提供することである。さらに、本発明はまた、工業プロセスを高速化し、且つコストを節減するために、一連の基板の効率の良い接合を実現することを目的とする。上記目的のために、本発明は、第1の表面を有する第1の基板を、第2の表面を有する第2の基板に接合する方法において、第1の基板を少なくとも2つの支持点によって保持するステップと、第1の表面と第2の表面が互いに向き合うように、第1の基板及び第2の基板を位置決めするステップと、少なくとも1つの加圧点と、2つの支持点との間で、第2の基板に向かって歪みを加えることによって、第1の基板を変形させるステップと、変形させた第1の表面と、第2の表面とを接触させるステップと、歪みを徐々に緩和するステップとを含むことを特徴とする方法を提供する。本発明の好ましいが、限定するものではない特徴は、以下の通りである。加圧点の集合が成す凸包の表面積はゼロでありnull、支持点及び加圧点の集合が成す凸包の表面積は非ゼロであるnon-null。第1の基板は、支持点に配置された吸引部によって保持される。各吸引部は、伸縮アームに連結される。第2の基板は、第2の基板の両側部にそれぞれある少なくとも2つのスペーサを備えた支持体上に配置され、前記スペーサは、第2の基板の厚さよりも高い。第1の基板は、スペーサ上に載置することによって保持され、支持点は、スペーサと第1の基板との接触点である。支持体は、第2の基板を保持する少なくとも1つの吸引部を備える。歪みは、少なくとも1つのピストンロッドによって加えられる。第1の基板はガラスシートであり、第2の基板はシリコンタイルである。第1の基板は、第2の基板ごとに、歪みを第1の基板に加えることによって、複数の第2の基板に順次接合される。少なくとも1つのピストンロッドは、移動装置に取り付けられ、各歪みを第1の基板に順次加える。第1の基板は、第1の基板全体を変形させることによって、複数の第2の基板に同時に接合される。本発明の上記並びにその他の目的、特徴、及び利点は、以下の本発明の例示的な実施形態の詳細な説明を、添付の図面と併せ読めば明白となるであろう。次に、図面を参照しながら、本発明の実施可能な実施形態による方法を説明する。気泡の閉込めを回避するための唯一の解決策は、図3に示すように、接合波の伝播を慎重に制御することである。実際には、接合波面は、所与の時間で既に接合されたすなわち、接合波が既に通過した領域の境界を画し、分子引力によって未接合領域の方に延びる曲線である。この曲線が異なる2点でつながると、気泡が閉じ込められ、それによって未接合領域が取り囲まれる。空気はかかる取り囲まれた未接合領域から抜け出ることができないので、接合波面は停止することになる。したがって、接合波面は、常に連続していなければならない。例示のケースでは、接合は、点P1での接触によって開始する。次いで、接合波面は、放射状に延び、Lt1、Lt2、及びLt3は、3つの瞬間t1<t2<t3における接合波面の位置を表す。接合波面は、中央での接合開始から、空気を閉じ込めることなく、空気を押し出しながら、第2の基板1bの縁部まで延びる。この例では、本発明は、第1の表面2aを有する第1の基板1aを、第2の表面2bを有する第2の基板1bに接合する方法であって、接合波の伝播を制御する方法を提案する。第1の表面2aと第2の表面2bが互いに向き合うように、第1の基板1aを少なくとも2つの支持点S1及びS2によって保持し、第2の基板1bに近接して例えば100~1000ミクロン位置決めする。第1の基板を、2つの表面2aと2bとの間で単一の接点を有するように変形させる。この変形は、2つの支持点S1及びS2とは異なる少なくとも1つの加圧点P1と、2つの支持点S1及びS2との間で、第2の基板1bに向かって歪みFを加えることによって得られ、次いで、変形させた第1の表面2aと、第2の表面2bとを接触させる。この変形は、変形させた第1の表面2aと、第2の表面2bとが接触するまで実施することができ、或いは、第1の基板1aを変形させ、次いで、変形の完了後、並進移動によって、第1の基板1aの第1の表面1aを第2の表面2aと接触させてもよい。加圧点P1に位置するこの接触点から、接合波が開始する。第1の基板1aの反りは、約数百マイクロメートルであり、この反りは、典型的に使用される基板の横方向寸法、すなわち数百ミリメートルに比べると非常に小さい。例えば、20cm×20cmの表面を有し、縁部で支持されている厚さ775ミクロンのシリコン基板の中央で200ミクロンの反りを得るには、約1.3Nの力が必要であり、20cm×20cmの表面を有し、縁部で支持されている厚さ500ミクロンのシリコン基板の中央で200ミクロンの反りを得るには、約0.2Nの力が必要である。第1の実施形態を、図4に示す。この有利な実施形態では、第1の基板1aは、4つの支持点S1、S2、S3、及びS4で真空システムによって保持され、各支持点には吸引部3が配置されている。次いで、第1の基板1aを、第2の基板の上方10分の数ミリメートルの範囲内で位置決めする。図5a~c及びd~eは、様々な位置で接合波の伝播を開始することが可能な、支持点及び加圧点の代替幾何形状を示す。2つの支持点しか必要でない。本発明は、これらの幾何形状のいかなるものにも限定されるものではなく、当業者には、第1の基板1aの形状及び材料に応じて、支持点及び加圧点をいかに配置するかが理解されよう。支持点及び加圧点の幾何形状は、例えば以下の2つの条件を考慮することができる。少なくとも2つの支持点S1及びS2は、少なくとも1つの加圧点P1からずらさなければならない。言い換えれば、支持点及び加圧点の集合が成す凸包すなわち、少なくともこの集合のあらゆる点を含む最小多角形は、非ゼロの表面積を有していなければならない。しかし、完全に点状のpunctual物理的支持手段はなく、例えば、吸引部3は、数cm2に広がる。したがって、吸引部3が十分に大きい場合、1つの吸引部3が、十分に離れた複数の支持点として作用するので、図5d~eに示す幾何形状でも、第1の条件に矛盾することなく、本発明による方法の実施形態で使用することができる。少なくとも3つの加圧点がある場合、それら3つの加圧点は、三角形を成してはならない。言い換えれば、加圧点の集合が成す凸包は、ゼロの表面積を有していなければならない。三角形を成すと、表面2aと2bとが接触する際に、接合波面が三角形の縁部でつながり、空気が閉じ込められる恐れがある。一方、全ての加圧点が線を成す場合、空気が閉じ込められ得るゾーンは生じない。次いで、第1の基板1aを、少なくとも1つの加圧点P1と、支持点との間で、例えば、加圧点P1で第1の基板1aと接触しているピストンロッド5の移動により、歪みFを加えることによって曲げる。さらに、上記で説明した第2の条件に従い、ピストンロッド5と、第1の基板1aとの間の接触は、点状ではなく、線状でもよい。この場合、歪みFを、支持点S1、S2と、加圧線Pとの間で加える。2つの表面2aと2bとが接触すると、分子接合が開始する。最後のステップは、歪みFを緩和して、接合波を伝播させるステップである。考えられ得る第1の可能性は、真空を1回のストロークで単に緩和し、接合波の高速伝播を引き起こすことである。しかし、本出願人は、この伝播は、基板の縁部で他の場所よりも高速になることに気付いた。したがって、接合波面の中央部分はまだ基板縁部に達していないのに、接合波面の外側部分が、つながってしまう恐れがある。そのため、気泡が閉じ込められる恐れがある。こうした危険を防止するために、本発明が提案する解決策は、接合波の伝播を常に制御するように、支持点と加圧点S1、S2、P1...との間で加えた歪みFを急激にではなく、徐々に緩和することである。この目的で、吸引部3を、例えば伸縮アーム4に取り付けることができる。有利には、本発明による方法の変形形態では、第1の基板1aを、複数の第2の基板1bに接合する。実際には、第1の基板1aは、例えばガラスシートであり、第2の基板1bは、シリコンタイルである。ガラスの大判シートは、容易に製造することができ、したがって、基板は20~30cmの間の幅を一般に有するので、こうしたガラスの大判シートは、複数のシリコン基板を受けることができる。しかし、本発明は、ガラス基板とシリコン基板との接合に限られるものではない。図6は、本発明の第2の有利な実施形態による、第1の基板1aと、複数の第2の基板1bとの接合順序を概略的に示す。最初に図6a、第2の基板1bを、支持体10の上に予め位置決めし、任意選択の真空システムである吸引部12によって保持する。次いで、第1の基板1aを位置決めし、第2の基板1bの両側部すなわち2列の間に位置するスペーサ11上に載置する。これらのスペーサ11は、第2の基板の厚さを超える高さ、好ましくは少なくとも200μmは超える高さを有する。例えば775μmの厚さを有するシリコンタイルの場合、スペーサ11の高さは、したがって少なくとも975μmに達する。スペーサ11は、第1の基板1aの支持線である但し、線ではなく点の連続でもよい。第2のステップの間図6b、ピストンロッド5によって、歪みFを加える。既に説明したように、ピストンロッド5は、各タイルの中央で点状の接触、又は線状の接触を行うことができる図7a及び7b。ピストンロッド5によって加えられた歪みによって、次いで、第1の基板1aが線形スペーサ11の間で曲がることになる。その後、スペーサ11の間に位置する1つ又はいくつかの第2の基板複数可1bと、第1の基板1aとの機械接触が得られる。図7aに示す9枚のタイルは、例えば、9つのピストンを使用して、若しくは3つの線状接触ロッドを使用して、図示せず9枚全てを同時に接合すること、又は例えば図7aに示すように、3つのピストンを使用して1列ずつ、又は例えば1つのピストンを使用して、図示せず1枚ずつ接合することができる。次いで吸引部12を緩和すると、第2の基板1bは、分子接合が行われた加圧点P1だけによって保持されることになる。したがって、ピストンロッド5を徐々に短くすると、第2の基板1bは、接合波面が延びるにつれて支持体10から持ち上がってくる図6c。第1の基板1aの縁部が、各スペーサ11の高さのため加圧点P1に対して少なくとも200μm変位するのに対応する第1の基板1aの変形によって、接合界面の各点の接合波速度が、理想的には、非制御の接合中も、接合界面の中央領域で観察される最小の接合波速度を超えることがないように、接合波速度を制御することが可能となり、したがって、気泡の形成を防止することができる。本発明では、接合波速度を、接合界面の中央だけでなく、接合界面の外周でも低減させることが可能である。接合は、ピストンロッド5が再びその始動位置に到達すると終了する。接合波は、第2の基板1bの全面にわたって伝播したことになる図6d。次いで、本方法を、次の第2の基板1b、又は第2の基板1bの列に適用することができる。有利には、ピストンロッド5を、移動装置6に取り付ける。この移動装置6は、例えば3軸ロボットである。この移動装置6は、基板1bの第1の列の1つから、別の列へと移動し、それらの列に歪みFを順次加えることができる。本発明の別の有利な実施形態によれば、第1の基板1a全体を変形させ、複数の第2の基板1bに同時に接合する。この場合、図8aで分かるように、接合順序は、基板を予め位置決めステップから開始する。第1の基板1aを、支持体10上にある複数の第2の基板1bの上方で、伸縮アーム4の先端で吸引部3により真空下で保持する。第2の基板1bはそれぞれ、支持体10に埋め込まれた少なくとも1つの吸引部12によって保持することができる。基板1aの第1の表面2aの中央は、第2の基板1bの表面2bから少なくとも100μm上方に保持する。この基板1aを変形させるために、中央要素、例えばピストンロッド5を、点P1で基板1aと接触させる。吸引部3及び伸縮アーム4は、順番に移動可能であり、したがって、基板1aは自由形状を取ることができ、基板1aと吸引部3との間の接触点S1及びS2、並びにピストンロッド5のヘッドと接触する点P1によってのみ、形状が強いられる。図8bに示すように、ピストンロッド5を長く伸ばすことによって歪みFが加わり、点P1は、基板1bにより近接することになる。10N未満例えば、2~10Nの接触力を加えると、分子接合が開始する図8c。次いで、第1の基板1aに課された曲げ力を徐々に緩和することによって、接合伝播波が開始する。この接合伝播のために、伸縮アームを長く伸ばす図8d。2つの基板1aと1bとの間で、接合波面が一様に伝播するように、この緩和の速度を制限する。図8eに示すように、接合波面が他の第2の基板1bに達すると、有利には、構造10に埋め込まれた補助ピストンロッド5’によって、他の第2の基板1b上で接合波が開始する。接合順序は、第1の基板1a全体に加えた歪みが緩和されると終了する図8f。特に、第2の基板1bの列の数が、奇数又は偶数であるかに応じて、2つのケースを区別することが重要である。図8a~図8fに示すように列の数が偶数である場合、第1の接触は、中央2つの列の各縁部で行う。列の数が奇数である場合、第1の接触は中央列の中央で行う。接合機構は、横の行でも同じである。本発明による方法の本実施形態では、複数のシリコンタイルを一時に接合できるので、高速な工業プロセスが可能となる。さらに、ほんの少数の操作しか必要でないので、かかる方法によって、非常に正確な接合が保証され、したがって高品質の製品が得られる。