"n型窒化物半導体層105,106と、前記n型窒化物半導体層105,106上に設けられた窒化物半導体活性層107と、前記窒化物半導体活性層107上に設けられたp型窒化物半導体層108,109,110,111と、を備え、前記p型窒化物半導体層108,109,110,111は、前記窒化物半導体活性層107側から、第1のp型窒化物半導体層108と、第2のp型窒化物半導体層109と、第3のp型窒化物半導体層110と、をこの順序で含み、前記第1のp型窒化物半導体層108および前記第2のp型窒化物半導体層109はそれぞれAlを含んでおり、前記第1のp型窒化物半導体層108の平均Al組成と、前記第2のp型窒化物半導体層109の平均Al組成とは同等であり、前記第3のp型窒化物半導体層110は、前記第2のp型窒化物半導体層109よりもバンドギャップが小さく、前記第2のp型窒化物半導体層109のp型不純物濃度および前記第3のp型窒化物半導体層110のp型不純物濃度は、それぞれ、前記第1のp型窒化物半導体層108のp型不純物濃度よりも低い、窒化物半導体発光素子100。前記p型窒化物半導体層108,109,110,111は、前記第3のp型窒化物半導体層110の前記窒化物半導体活性層107の設置側とは反対側に第4のp型窒化物半導体層111をさらに含み、前記第4のp型窒化物半導体層111は、前記第2のp型窒化物半導体層109よりもバンドギャップが小さく、前記第4のp型窒化物半導体層111のp型不純物濃度は、前記第3のp型窒化物半導体層110のp型不純物濃度よりも高い、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子100。前記窒化物半導体活性層107は、複数の窒化物半導体量子井戸層と、複数の窒化物半導体障壁層と、を含む多重量子井戸構造を有しており、前記複数の窒化物半導体障壁層のうち、前記p型窒化物半導体層108,109,110,111に接する窒化物半導体障壁層以外の窒化物半導体障壁層は、n型不純物を含む、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子100。前記n型窒化物半導体層105,106は、n型窒化物半導体コンタクト層105と、n型窒化物半導体超格子層106と、を含み、前記n型窒化物半導体超格子層106は、前記n型窒化物半導体コンタクト層105と、前記窒化物半導体活性層107との間に位置して、前記n型窒化物半導体超格子層106の平均n型不純物濃度は、1×1018/cm3以上である、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子100。n型窒化物半導体層105,106上に窒化物半導体活性層107を気相成長させる工程と、前記窒化物半導体活性層107上にAlを含む第1のp型窒化物半導体層108を気相成長させる工程と、前記第1のp型窒化物半導体層108上に前記第1のp型窒化物半導体層108と平均Al組成が同等であるAlを含む第2のp型窒化物半導体層109を気相成長させる工程と、前記第2のp型窒化物半導体層109上に前記第1のp型窒化物半導体層108よりも平均Al組成が小さい第3のp型窒化物半導体層110を気相成長させる工程と、を含み、前記第2のp型窒化物半導体層109および前記第3のp型窒化物半導体層110はそれぞれ、前記第1のp型窒化物半導体層108よりも低濃度にp型不純物がドープされる、窒化物半導体発光素子100の製造方法。前記第2のp型窒化物半導体層109を気相成長させる工程の後であって、前記第3のp型窒化物半導体層110を気相成長させる工程の前に、気相成長が中断される、請求項5に記載の窒化物半導体発光素子100の製造方法。前記気相成長の中断時に、気相の圧力を変化させる、請求項6に記載の窒化物半導体発光素子100の製造方法。前記第3のp型窒化物半導体層110を気相成長させる工程の後に、前記第3のp型窒化物半導体層110上に前記第3のp型窒化物半導体層110よりも高濃度にp型不純物をドープした第4の窒化物半導体層111を気相成長させる工程をさらに含む、請求項5に記載の窒化物半導体発光素子100の製造方法。前記窒化物半導体活性層207と前記第1のp型窒化物半導体層208との間にAlを含む窒化物半導体層218をさらに含む、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子200。しかしながら、近年の環境問題への意識の高まりから、窒化物半導体発光素子の特性のさらなる向上が求められている。上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、特性に優れた窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法を提供することにある。本発明は、n型窒化物半導体層と、n型窒化物半導体層上に設けられた窒化物半導体活性層と、窒化物半導体活性層上に設けられたp型窒化物半導体層と、を備え、p型窒化物半導体層は、窒化物半導体活性層側から、第1のp型窒化物半導体層と、第2のp型窒化物半導体層と、第3のp型窒化物半導体層と、をこの順序で含み、第1のp型窒化物半導体層および第2のp型窒化物半導体層はそれぞれAlアルミニウムを含んでおり、第1のp型窒化物半導体層の平均Al組成と、第2のp型窒化物半導体層の平均Al組成とは同等であり、第3のp型窒化物半導体層は、第2のp型窒化物半導体層よりもバンドギャップが小さく、第2のp型窒化物半導体層のp型不純物濃度および第3のp型窒化物半導体層のp型不純物濃度は、それぞれ、第1のp型窒化物半導体層のp型不純物濃度よりも低い、窒化物半導体発光素子である。ここで、本発明の窒化物半導体発光素子において、p型窒化物半導体層は、第3のp型窒化物半導体層の窒化物半導体活性層の設置側とは反対側に第4のp型窒化物半導体層をさらに含み、第4のp型窒化物半導体層は、第2のp型窒化物半導体層よりもバンドギャップが小さく、第4のp型窒化物半導体層のp型不純物濃度は、第3のp型窒化物半導体層のp型不純物濃度よりも高いことが好ましい。また、本発明の窒化物半導体発光素子において、窒化物半導体活性層は、複数の窒化物半導体量子井戸層と、複数の窒化物半導体障壁層と、を含む多重量子井戸構造を有しており、複数の窒化物半導体障壁層のうち、p型窒化物半導体層に接する窒化物半導体障壁層以外の窒化物半導体障壁層はn型不純物を含むことが好ましい。また、本発明の窒化物半導体発光素子において、n型窒化物半導体層は、n型窒化物半導体コンタクト層と、n型窒化物半導体超格子層と、を含み、n型窒化物半導体超格子層は、n型窒化物半導体コンタクト層と、窒化物半導体活性層との間に位置して、n型窒化物半導体超格子層の平均n型不純物濃度は1×1018/cm3以上であることが好ましい。さらに、本発明は、n型窒化物半導体層上に窒化物半導体活性層を気相成長させる工程と、窒化物半導体活性層上に第1のp型窒化物半導体層を気相成長させる工程と、第1のp型窒化物半導体層上に第1のp型窒化物半導体層と平均Al組成が同等である第2のp型窒化物半導体層を気相成長させる工程と、第2のp型窒化物半導体層上に第1のp型窒化物半導体層よりも平均Al組成が小さい第3のp型窒化物半導体層を気相成長させる工程と、を含み、第2のp型窒化物半導体層および第3のp型窒化物半導体層はそれぞれ、第1のp型窒化物半導体層よりも低濃度にp型不純物がドープされる窒化物半導体発光素子の製造方法である。ここで、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法においては、第2のp型窒化物半導体層を気相成長させる工程の後であって、第3のp型窒化物半導体層を気相成長させる工程の前に、気相成長が中断されることが好ましい。また、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法においては、気相成長の中断時に、気相の圧力を変化させることが好ましい。また、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、第3のp型窒化物半導体層を気相成長させる工程の後に、第3のp型窒化物半導体層上に第3のp型窒化物半導体層よりもp型不純物を高濃度にドープした第4の窒化物半導体層を気相成長させる工程をさらに含むことが好ましい。また、本発明の窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体活性層と第1のp型窒化物半導体層との間にAlを含む窒化物半導体層をさらに含んでいることが好ましい。本発明によれば、特性に優れた窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法を提供することができる。以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。図1に、本実施の形態の窒化物半導体発光素子の模式的な断面図を示す。図1に示すように、本実施の形態の窒化物半導体発光素子100においては、表面に凹凸加工が施されたサファイア基板101上に、AlNからなる窒化物半導体バッファ層102、アンドープGaNからなる窒化物半導体中間層103およびn型GaNからなるn型窒化物半導体下地層104がこの順に積層されている。本明細書においては、サファイア基板101、窒化物半導体バッファ層102、窒化物半導体中間層103およびn型窒化物半導体下地層104の積層体をテンプレート基板とする。なお、テンプレート基板以外にも、たとえば、窒化物半導体とは異なる基板に窒化物半導体層を形成した基板、または窒化物半導体から成る基板などを用いることもできる。また、テンプレート基板のn型窒化物半導体下地層104上には、n型GaNからなるn型窒化物半導体コンタクト層105およびn型GaN層とn型InGaN層とが交互に積層されたn型窒化物半導体超格子層106がこの順に積層されている。n型窒化物半導体コンタクト層105は、n型GaNからなる層に限定されず、たとえば、Alx1Gay1Inz1N0≦x1≦1、0≦y1≦1、0≦z1≦1、x1y1z1≠0の式で表わされるIII族窒化物半導体からなる窒化物半導体層にn型不純物をドーピングした層などを積層することができる。n型窒化物半導体コンタクト層105としては、なかでも、Alx2Ga1x2N0≦x2≦1、好ましくは0≦x2≦0.5、より好ましくは0≦x2≦0.1の式で表わされるIII族窒化物半導体にn型不純物としてシリコンがドーピングされた窒化物半導体層を用いることが好ましい。この場合には、n型窒化物半導体コンタクト層105の良好な結晶性を確保しつつ、n型不純物のドーピング濃度を高くすることができる傾向にある。n型窒化物半導体コンタクト層105へのn型不純物のドーピング濃度は、5×1017/cm3以上5×1019/cm3以下とすることが好ましい。n型窒化物半導体コンタクト層105へのn型不純物のドーピング濃度が5×1017/cm3以上5×1019/cm3以下である場合には、後述するn側パッド電極117との良好なオーミック接触を確保することができる傾向にあるとともに、n型窒化物半導体コンタクト層105におけるクラックの発生を抑制できる傾向にあり、さらにはn型窒化物半導体コンタクト層105の良好な結晶性を確保することができる傾向にもある。アンドープGaNからなる窒化物半導体中間層103、n型GaNからなるn型窒化物半導体下地層104およびn型GaNからなるn型窒化物半導体コンタクト層105の厚さの合計は、これらの層の良好な結晶性を確保する観点から、4μm以上20μm以下であることが好ましく、4μm以上15μm以下であることがより好ましく、6μm以上15μm以下であることがさらに好ましい。これらの層の厚さの合計が4μm未満である場合にはこれらの層の結晶性が悪化したり、これらの層の表面にピットが生じるおそれがある。また、これらの層の厚さの合計が20μmを超える場合には、サファイア基板101の反りが大きくなって、製造プロセスにおいて様々な問題が発生するおそれがある。また、これらの層の厚さの合計が4μm以上15μm以下である場合、特に6μm以上15μm以下である場合には、これらの層の結晶性を良好なものとすることができる傾向にある。なお、これらの層の厚さの合計のうちn型窒化物半導体コンタクト層105の厚さの上限は特に限定されるものではない。n型窒化物半導体超格子層106の厚さは特に限定されないが、0.005μm以上0.5μm以下であることが好ましく、0.01μm以上0.1μm以下であることがより好ましい。n型窒化物半導体超格子層106の厚さが0.005μm以上0.5μm以下である場合、特に0.01μm以上0.1μm以下である場合には、n型窒化物半導体超格子層106が下地であるn型窒化物半導体コンタクト層105から伸びる結晶欠陥を減少させるとともに、n型窒化物半導体超格子層106において新たな結晶欠陥が生じにくくなる傾向にある。n型窒化物半導体超格子層106へのn型不純物のドーピングプロファイルについては、良好な結晶性を確保し、素子の動作電圧を低減する観点から、GaN層にのみn型不純物をドーピングし、その設定不純物濃度は5×1016/cm3以上1×1020/cm3以下であることが好ましい。なお、n型窒化物半導体超格子層106の構成は、上述したいずれの構成にも限定されるものではない。n型窒化物半導体超格子層106の平均n型不純物濃度は、1×1018/cm3以上であることが好ましく、3×1018/cm3以上であることがより好ましく、5×1018/cm3以上であることがさらに好ましい。n型窒化物半導体超格子層106のn型不純物がドープされる層のn型不純物濃度が上記の値である場合には、pn接合の空乏層が広がりにくいため、窒化物半導体発光素子100の静電容量が増加し、静電気放電ElectrostaticDischargeによる破壊静電破壊が生じにくくなり、静電耐圧が向上する傾向にある。なお、平均n型不純物濃度とは、n型窒化物半導体超格子層106中のn型不純物の総原子量をn型窒化物半導体超格子層106の体積で割った値である。n型窒化物半導体超格子層106上には、n型GaNからなるn型窒化物半導体障壁層とアンドープInGaN窒化物半導体量子井戸層とがn型窒化物半導体超格子層106側からこの順序で交互に積層され、最上層にアンドープGaNからなる窒化物半導体障壁層を積層してなる窒化物半導体活性層107が積層されている。なお、量子井戸層を挟む層を障壁層とするため、障壁層の数は量子井戸層の数1となる。このように、窒化物半導体活性層107の最上層以外の障壁層にn型不純物をドーピングし、最上層の障壁層をアンドープとすることによって、ホールと電子との結合位置を多重量子井戸MQW中に存在させることができるため、キャリアの注入効率が高くなり、特に大電流密度の電流を注入した場合にも、電子がオーバーフローすることのない高い発光効率の窒化物半導体発光素子を得ることができる。窒化物半導体活性層107としては上記以外にも、たとえば、Ga1z4Inz4N0<z4<0.4の式で表わされるIII族窒化物半導体からなる窒化物半導体層を量子井戸層とし、この量子井戸層よりもバンドギャップの大きいAlx3Gay3Inz3N0≦x3≦1、0≦y3≦1、0≦z3≦1、x3y3z3≠0の式で表わされる窒化物半導体からなる窒化物半導体層を障壁層として、量子井戸層と障壁層とを交互に1層ずつ積層したMQW構造を有するものを用いることができる。窒化物半導体活性層107が、たとえば、Ga1z4Inz4N0<z4<0.4の式で表わされるIII族窒化物半導体からなる窒化物半導体層を量子井戸層とする多重量子井戸MQW構造からなる場合には、所望の発光波長となるように、窒化物半導体活性層107のIn組成や厚さを制御することができる。窒化物半導体活性層107上には、p型AlGaNからなる第1のp型窒化物半導体層108と、アンドープAlGaNからなる第2のp型窒化物半導体層109と、アンドープGaNからなる第3のp型窒化物半導体層110と、p型不純物が高濃度にドープされたpGaNからなる第4のp型窒化物半導体層111とが、この順序で積層されている。第1のp型窒化物半導体層108としては、p型AlGaN以外にも、たとえば、Alx5Gay5Inz5N0<x5≦1、0≦y5≦1、0≦z5≦1の式で表わされるAlを含むIII族窒化物半導体からなる窒化物半導体層にたとえばMgなどのp型不純物をドーピングした層などを積層することができる。第2のp型窒化物半導体層109としては、アンドープAlGaN以外にも、たとえば、Alx6Gay6Inz6N0<x6≦1、0≦y6≦1、0≦z6≦1の式で表わされるAlを含むIII族窒化物半導体からなる窒化物半導体層にたとえばMgなどのp型不純物をドーピングした層などを積層することができる。第1のp型窒化物半導体層108および第2のp型窒化物半導体層109のそれぞれのバンドギャップは、電子のオーバーフローを抑制するために、窒化物半導体活性層107のバンドギャップよりも大きくすることが好ましい。そのため、第1のp型窒化物半導体層108および第2のp型窒化物半導体層109にはそれぞれAlを含む窒化物半導体層を用いることができる。また、第1のp型窒化物半導体層108の平均Al組成x5と、第2のp型窒化物半導体層109の平均Al組成x6とは同等である。第1のp型窒化物半導体層108の平均Al組成x5と、第2のp型窒化物半導体層109の平均Al組成x6とを同等にすることによって、Mgなどのp型不純物の取り込みやすさのばらつきを抑えることができるため、p型不純物の面内分布やウエハ間におけるばらつきを抑えることができる。第1のp型窒化物半導体層108の平均Al組成x5および第2のp型窒化物半導体層109の平均Al組成x6はそれぞれ、各層のAl組成が均一である場合には、そのAl組成x5、x6となるが、層厚方向に沿って不均一である場合には、各層の体積に対するAlの総原子量、Gaの総原子量、Inの総原子量およびNの総原子量の比を、それぞれ求め、これらをそれぞれNの総原子量の比で割ることによって、平均組成Alx5Gay5Inz5N0<x5≦1、0≦y5≦1、0≦z5≦1およびAlx6Gay6Inz6N0<x6≦1、0≦y6≦1、0≦z6≦1を求めることができる。第1のp型窒化物半導体層108の平均Al組成x5と、第2のp型窒化物半導体層109の平均Al組成x6とが同等であるためには、第1のp型窒化物半導体層108の平均Al組成x5と第2のp型窒化物半導体層109の平均Al組成x6との差の絶対値が0.02以下であればよい。また、第2のp型窒化物半導体層109のp型不純物濃度は、第1のp型窒化物半導体層108のp型不純物濃度よりも低い。第2のp型窒化物半導体層109のp型不純物濃度に比べて、窒化物半導体活性層107に近い側の第1のp型窒化物半導体層108のp型不純物濃度が低い場合には、窒化物半導体活性層107におけるホールの障壁が高くなってしまうため、ホールの注入効率が悪くなり、素子の発光効率が低下する。また、窒化物半導体活性層107に近い側の第1のp型窒化物半導体層108のp型不純物濃度が低く、第2のp型窒化物半導体層109のp型不純物濃度が高い場合には、静電気などの高い逆電圧がかかった場合に、空乏層が第2のp型窒化物半導体層109にまで広がってしまう。このとき、広がった空乏層中に1箇所でも静電耐圧の低い部分が存在する場合には静電破壊が起こってしまうため、静電耐圧が弱い構造になる。一方、第1のp型窒化物半導体層108のp型不純物濃度が高く、さらにはn型窒化物半導体超格子層106のn型不純物濃度が高い場合には、第1のp型窒化物半導体層108およびn型窒化物半導体超格子層106の外側に空乏層が広がりにくくなるため、静電耐圧が高くなる。また、第2のp型窒化物半導体層109のp型不純物濃度を、第1のp型窒化物半導体層108のp型不純物濃度と同一またはそれ以上とした場合には、その後の第3のp型窒化物半導体層110の積層時にMgなどのp型不純物が析出して、第2のp型窒化物半導体層109と第3のp型窒化物半導体層110との間にp型不純物濃度が局所的に高くなる層ができる。このような層は窒化物半導体活性層107へのホールの注入効率を低下させ、素子の発光効率を低下させるため、第2のp型窒化物半導体層109のp型不純物濃度は第1のp型窒化物半導体層108のp型不純物濃度よりも低くされる。なお、層中のp型不純物濃度原子濃度は、SIMSSecondaryIonMassSpectrometry法によって求めることができる。第1のp型窒化物半導体層108および第2のp型窒化物半導体層109はそれぞれ、たとえばAlGaN層とGaN層InGaN層でもよい。とを交互に積層した超格子構造であってもよい。第1のp型窒化物半導体層108および/または第2のp型窒化物半導体層109が超格子構造を有する場合には、平均Al組成は、超格子構造のAlの平均組成とされる。第1のp型窒化物半導体層108と第2のp型窒化物半導体層109との厚さの合計は特に限定されないが、0.005μm以上0.4μm以下であることが好ましく、0.001μm以上0.1μm以下であることがより好ましい。これらの層の厚さの合計が0.005μm以上0.4μm以下である場合、特に0.001μm以上0.1μm以下である場合には、p型窒化物半導体層としての機能を維持しつつ、高温成長層であるp型窒化物半導体層の成長時間を極力少なくすることにより、低温成長層である窒化物半導体活性層107へのp型不純物の拡散や熱履歴による変質を抑制することができる傾向にある。第3のp型窒化物半導体層110としては、アンドープGaN以外にも、たとえば、Alx7Gay7Inz7N0≦x7≦1、0≦y7≦1、0≦z7≦1、x7y7z7≠0の式で表わされるIII族窒化物半導体からなる窒化物半導体層にたとえばMgなどのp型不純物をドーピングした層などを積層することができる。第3のp型窒化物半導体層110の平均Al組成は、第1のp型窒化物半導体層の平均Al組成よりも小さいことが好ましい。第3のp型窒化物半導体層110の平均Al組成が第1のp型窒化物半導体層の平均Al組成よりも小さい場合には、平均Al組成が小さいためにp型窒化物半導体層としての特性が向上する。なお、第3のp型窒化物半導体層110には、Alが含まれていなくてもよい。第3のp型窒化物半導体層110のバンドギャップは、第2のp型窒化物半導体層109のバンドギャップよりも小さくされる。第3のp型窒化物半導体層110はp型窒化物半導体層としての機能が重要であるため、バンドギャップの大きさは特に要求されないのに対し、第2のp型窒化物半導体層109は窒化物半導体活性層107からp側への電子のオーバーフローを防ぐためにバンドギャップを大きくする必要がある。第3のp型窒化物半導体層110のp型不純物濃度は、第1のp型窒化物半導体層108のp型不純物濃度よりも低くされる。第3のp型窒化物半導体層110のp型不純物濃度が第1のp型窒化物半導体層108のp型不純物濃度よりも低い場合には、第2のp型窒化物半導体層109と第3のp型窒化物半導体層110との間にp型不純物濃度が高くなる部分が生じにくくなり、p型不純物の窒化物半導体活性層107への拡散が生じにくくなる傾向にある。第4のp型窒化物半導体層111としては、pGaN以外にも、たとえば、Alx8Gay8Inz8N0≦x8≦1、0≦y8≦1、0≦z8≦1、x8y8z8≠0の式で表わされるIII族窒化物半導体からなる窒化物半導体層にたとえばMgなどのp型不純物をドーピングした層などを積層することができる。第4のp型窒化物半導体層111のバンドギャップは、第2のp型窒化物半導体層109のバンドギャップよりも小さいことが好ましい。第4のp型窒化物半導体層111はp型窒化物半導体層としての機能が重要であるため、バンドギャップの大きさは特に要求されないのに対し、第1のp型窒化物半導体層108は窒化物半導体活性層107からp側への電子のオーバーフローを防ぐためにバンドギャップを大きくする必要があることが好ましいためである。第4のp型窒化物半導体層111のp型不純物濃度は、第3のp型窒化物半導体層110のp型不純物濃度よりも高いことが好ましい。第4のp型窒化物半導体層111のp型不純物濃度が第3のp型窒化物半導体層110のp型不純物濃度よりも高い場合には、第4のp型窒化物半導体層111と後述する透明電極115とのコンタクト抵抗を十分に低く保ちつつ、拡散するp型不純物の総量を抑制することができる傾向にある。第4のp型窒化物半導体層111の厚さは特に限定されないが、0.01μm以上0.5μm以下であることが好ましく、0.05μm以上0.2μm以下であることがより好ましい。第4のp型窒化物半導体層111の厚さが0.01μm以上0.5μm以下である場合、特に0.05μm以上0.2μm以下である場合には、窒化物半導体発光素子の発光出力が向上する傾向にある。第4のp型窒化物半導体層111の表面の一部には透明電極115が形成されている。また、透明電極115の表面の一部にはp側パッド電極116が電気的に接続されるようにして形成されており、n型窒化物半導体コンタクト層105の表面の一部にはn側パッド電極117が電気的に接続されるようにして形成されている。図2に、本実施の形態の窒化物半導体発光素子の模式的な上面図を示す。図2に示すように、p側パッド電極116は、透明電極115の表面内に形成されている。透明電極115の材料としては、たとえば、ITOIndiumTinOxide、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化ガリウム、IZOIndiumZincOxide、AZOAluminumZincOxideまたはGZOGalliumZincOxideなどを用いることができる。透明電極115の厚さは、10nm以上1000nm以下とすることが好ましく、50nm以上500nm以下とすることがより好ましい。透明電極115の厚さが10nm以上1000nm以下である場合、特に50nm以上500nm以下である場合には、透明電極115の比抵抗を小さくして電流の拡散を促進する効果と、透明電極115の光透過率を確保して光取り出し効率を向上させる効果とのバランスが良好であり、光出力を極大にすることができる傾向にある。p側パッド電極116およびn側パッド電極117としては、たとえば、Ni層とAu層との積層体、Ti層とAl層との積層体、Ti-Al合金層、Hf層とAl層との積層体またはHf-Al合金層などを用いることができる。また、p側パッド電極116およびn側パッド電極117としては、ITOなどの透明導電膜を用いてもよく、高反射率の金属を用いてフリップチップタイプの発光素子とすることもできる。以下に、本実施の形態の窒化物半導体発光素子の製造方法の一例について説明する。まず、サファイア基板101上に、たとえばAlNからなる窒化物半導体バッファ層102、たとえばアンドープGaNからなる窒化物半導体中間層103およびたとえばn型GaNからなるn型窒化物半導体下地層104をこの順序でたとえばMOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法などにより気相成長させることによってテンプレート基板を形成する。次に、テンプレート基板のn型窒化物半導体下地層104上に、たとえばMOCVD法によって、たとえばn型GaNからなるn型窒化物半導体コンタクト層105およびたとえばn型GaN層とアンドープInGaN層とが交互に積層されたn型窒化物半導体超格子層106をこの順に気相成長させる。次に、n型窒化物半導体超格子層106上に、たとえばMOCVD法によって、たとえばn型GaNからなるn型窒化物半導体障壁層とアンドープInGaN窒化物半導体量子井戸層とがn型窒化物半導体超格子層106側からこの順序で交互に積層され、最上層にアンドープGaNからなる窒化物半導体障壁層を積層してなる窒化物半導体活性層107を気相成長させる。ここで、窒化物半導体活性層107が、たとえば、Ga1z4Inz4N0<z4<0.4の式で表わされるIII族窒化物半導体からなる窒化物半導体層を量子井戸層とする多重量子井戸MQW構造からなる場合には、窒化物半導体活性層107の気相成長時のテンプレート基板の温度が低いと結晶性が悪化するおそれがある一方で、窒化物半導体活性層107の気相成長時のテンプレート基板の温度が高いとInNの昇華が顕著になって固相中へのInの取り込み効率が低減してIn組成が変動するおそれがある。そのため、窒化物半導体活性層107が、たとえば、Ga1z4Inz4N0<z4<0.4の式で表わされるIII族窒化物半導体からなる窒化物半導体層を量子井戸層とする多重量子井戸MQW構造からなる場合には、窒化物半導体活性層107の形成時のテンプレート基板の温度は700°C以上900°C以下であることが好ましい。次に、窒化物半導体活性層107上に、たとえばMOCVD法によって、たとえばp型AlGaNなどのAlを含む第1のp型窒化物半導体層108を気相成長させる。ここで、第1のp型窒化物半導体層108がp型AlGaNからなる場合には、第1のp型窒化物半導体層108を低い圧力で成長させるとともに、III族原料ガスの量およびV族原料ガスの量を変動させずに成長させることで均一な高品質の膜が得られる。次に、第1のp型窒化物半導体層108上に、たとえばMOCVD法によって、たとえばアンドープAlGaNなどのAlを含む第2のp型窒化物半導体層109を気相成長させる。なお、本明細書において、アンドープとは、気相成長時に不純物を意図的に入れていないことをいい、アンドープの層であっても拡散などの理由によって不純物が含まれることがある。また、第2のp型窒化物半導体層109がp型AlGaNからなる場合には、第2のp型窒化物半導体層109を低い圧力で成長させるとともに、III族原料ガスの量およびV族原料ガスの量を変動させずに成長させることで均一な高品質の膜が得られる。なお、上述したように、第2のp型窒化物半導体層109は、第1のp型窒化物半導体層108よりも平均Al組成が低く形成されるとともに、第1のp型窒化物半導体層108よりもp型不純物濃度が低濃度となるようにp型不純物がドーピングされて形成される。次に、第2のp型窒化物半導体層109上に、たとえばMOCVD法によって、たとえばアンドープGaNからなる第3のp型窒化物半導体層110からなる第2のp型窒化物半導体層109を気相成長させる。ここで、第3のp型窒化物半導体層110は、第1のp型窒化物半導体層108よりも平均Al組成が低く形成されることが好ましい。また、第3のp型窒化物半導体層110は、第1のp型窒化物半導体層108よりもp型不純物濃度が低濃度となるようにp型不純物がドーピングされて形成されることが好ましい。また、第2のp型窒化物半導体層109を気相成長させた後であって、第3のp型窒化物半導体層110を気相成長させる前に、気相成長を中断することが好ましい。この場合には、気相成長の中断中に、第3のp型窒化物半導体層110の成長レートに適した気相の圧力に変化させることができる傾向にある。次に、第3のp型窒化物半導体層110上に、たとえばMOCVD法によって、たとえばpGaNからなる第4のp型窒化物半導体層111を気相成長させる。ここで、第4のp型窒化物半導体層111は、第3のp型窒化物半導体層110よりもp型不純物濃度が高濃度となるようにp型不純物がドーピングされて形成されることが好ましい。次に、第4のp型窒化物半導体層111の表面の一部に、たとえばスパッタリング法または真空蒸着法によって、たとえばITOからなる透明電極115を形成する。次に、透明電極115の形成後のウエハの一部をエッチングにより除去して、n型窒化物半導体コンタクト層105の表面の一部を露出させる。次に、透明電極115の表面の一部にp側パッド電極116を形成するとともに、n型窒化物半導体コンタクト層105の表面の一部にn側パッド電極117を形成する。その後、スクライブ等によってウエハを個々の素子に分割することにより、本実施の形態の窒化物半導体発光素子窒化物半導体発光ダイオード素子が得られる。本実施の形態の窒化物半導体発光素子においては、窒化物半導体発光素子の製造プロセスにおける熱処理工程を経た後においても、窒化物半導体活性層107にp型不純物が拡散するのを抑制することができる一方で、窒化物半導体活性層107の近傍に高いp型不純物濃度のp型窒化物半導体層を設置できるという、通常であれば相反する構成を両立させることが可能である。これにより、高い発光効率の窒化物半導体発光素子を実現することができる。<実施例1>実施例1の窒化物半導体発光ダイオード素子として、図1および図2に示すように、表面に凹凸加工が施されたサファイア基板101上に、AlNバッファ層102、アンドープGaN層103、n型GaN下地層104n型不純物Si濃度:6×1018/cm3、n型GaNコンタクト層105n型不純物Si濃度:6×1018/cm3、厚さ:1.5μm、Siドープn型GaN層n型不純物Si濃度:5×1018/cm3、厚さ:1.75nmとSiドープn型InGaN層n型不純物Si濃度:5×1018/cm3、厚さ:1.75nmとを交互に20周期積層してなるn型超格子層106、Siドープn型GaN障壁層n型不純物Si濃度:4×1017/cm3、厚さ:6.5nmとアンドープInGaN量子井戸層厚さ:3.5nmとを交互に6周期積層した後にアンドープGaN障壁層を積層してなる窒化物半導体活性層107、Mgドープp型AlGaNからなる第1のp型窒化物半導体層108p型不純物Mg濃度:2×1019/cm3、厚さ:11.75nm、アンドープAlGaNからなる第2のp型窒化物半導体層109p型不純物Mg濃度:1×1019/cm3、厚さ:3.75nm、アンドープGaNからなる第3のp型窒化物半導体層110p型不純物Mg濃度:1×1019/cm3、厚さ:60nmおよびpGaNからなる第4のp型窒化物半導体層111p型不純物Mg濃度:3×1019/cm3、厚さ:20nmがこの順に積層されている。また、第4のp型窒化物半導体層107の表面の一部にITOからなる透明電極115が形成されており、透明電極115の表面の一部には透明電極115に近い側からNi層およびAu層の積層体からなるp側パッド電極116が形成され、n型GaNコンタクト層105の表面の一部にはNi層およびAu層の積層体からなるn側パッド電極117が形成されている。上記の構成を有する実施例1の窒化物半導体発光ダイオード素子は、以下のようにして作製した。まず、表面に凹凸加工が施されたサファイア基板101上に、スパッタリング法またはMOCVD法により、AlNバッファ層102を形成し、AlNバッファ層102上にアンドープGaN層103およびSiがドーピングされたn型GaN下地層104n型不純物Si濃度:6×1018/cm3をこの順序で積層してテンプレート基板を作製した。ここで、n型GaN下地層104のSiドーピング濃度は6×1018/cm3とした。次に、気相成長装置であるMOCVD装置内にテンプレート基板をセットし、MOCVD装置内の気相の圧力を2×102Paに制御した。次に、MOCVD装置内に、キャリアガスとしてのH2ガスと、V族原料としてのNH3ガスとを流しながらテンプレート基板を1195°Cまで昇温し、テンプレート基板のn型GaN下地層104上にn型GaNコンタクト層105n型不純物Si濃度:6×1018/cm3を1.5μmの厚さに気相成長させた。ここで、n型GaNコンタクト層105の気相成長に用いられたSiドーパント原料にはSiH4ガスを用いて、Siドーピング濃度は6×1018/cm3とした。次に、n型GaNコンタクト層105の気相成長後には、キャリアガスをH2ガスからN2ガスに切り替え、テンプレート基板の温度を870°Cまで低下させた。次に、厚さ1.75nmのSiドープn型GaN層と、厚さ1.75nmのn型InGaN層とを交互に20ペア積層することによって総厚が70nmのn型超格子層106を積層した。ここで、Siドーパント原料にはSiH4ガスを用いた。n型超格子層106をこのようにハイドープにすることで、静電気などの高い逆電圧がかかっても、空乏層はn型超格子層106より下のn型GaNコンタクト層105やテンプレート基板のn型GaN下地層104まで広がらないため、静電耐圧が高くなる。なぜなら、結晶は基板に近づくほど、結晶品質が劣り、静電気などに弱い部分が存在するが、そこまで空乏層が広がらなければ静電破壊されないためである。n型超格子層106を気相成長した後、テンプレート基板の温度を850°Cに低下させた。そして、厚さ6.5nmのSiドープn型GaN障壁層と、厚さ3.5nmのアンドープInGaN量子井戸層と、を6ペア積層した後、テンプレート基板の温度を860°Cに上昇させて厚さ6.5nmのアンドープのGaN障壁層を積層して総厚が66.5nmのMQW構造を有する窒化物半導体活性層107を形成した。ここで、Siドープn型GaN障壁層の気相成長に用いられたSiドーパント原料にはSiH4ガスを用いた。このように、窒化物半導体活性層107を構成する障壁層のうち、初めの6層にはSiをドーピングし、最後の障壁層をアンドープとすることで、ホールと電子との結合位置を窒化物半導体活性層107のMQWの内部とすることができ、大電流を注入した場合でも電子がオーバーフローすることなく高い発光効率を有する窒化物半導体発光素子が得られる。また、窒化物半導体活性層107を気相成長させた後には、後述するp型層を成長させるためにテンプレート基板の温度を上昇させるが、窒化物半導体活性層107の最上層のアンドープのGaN障壁層がダメージを受けやすい。しかしながら、最上層のアンドープのGaN障壁層をアンドープとし、テンプレート基板の温度を860°Cに上昇させてから最上層のアンドープのGaN障壁層を気相成長させることによって、最上層のアンドープのGaN障壁層の結晶品質が向上し、テンプレート基板の温度の上昇によるダメージを防ぐことができる。次に、MOCVD装置内の気相の圧力を1×104Paに低下させるとともに、テンプレート基板の温度を1110°Cに上昇させた。なお、MOCVD装置内の気相の圧力を1×104Paに低下させることによって、多数枚のウエハを成長することができるMOCVD装置内における後述するAlGaN層のAl組成のウエハ間でのばらつきやウエハ内でのAl組成のばらつきを抑制することができ、素子の歩留まりを良くすることができる。次に、MOCVD装置内に供給されるキャリアガスをN2ガスからH2ガスに切り替え、厚さ11.25nmのMgドープp型Al017Ga083Nからなる第1のp型窒化物半導体層108p型不純物Mg濃度:2×1019/cm3を気相成長させるとともに、厚さ3.75nmのアンドープAl017Ga083N層からなる第2のp型窒化物半導体層109p型不純物Mg濃度:1×1019/cm3を気相成長させた。ここで、第1のp型窒化物半導体層108の平均Al組成は17とし、第1のp型窒化物半導体層108のMgドーパント原料にはCP2Mgビスシクロペンタジエニルマグネシウムガスを用いてMgドーピング濃度は2×1019/cm3とした。また、第2のp型窒化物半導体層109の平均Al組成は17とし、第2のp型窒化物半導体層109の気相成長中にはCP2Mgガスを流さなかった。しかし、実際に成長したアンドープAlGaNからなる第2のp型窒化物半導体層109中には、拡散によりMgが取り込まれており、第2のp型窒化物半導体層109中のMg原子濃度は1×1019/cm3であった。次に、気相成長を一旦中断してMOCVD装置内の気相の圧力を2×104Paに上昇させた。その後、気相成長を開始して、厚さ60nmのアンドープのGaNからなる第3のp型窒化物半導体層110p型不純物Mg濃度:1×1019/cm3を気相成長させ、厚さ30nmのpGaNからなる第4のp型窒化物半導体層111p型不純物Mg濃度:3×1019/cm3を気相成長させた。ここで、MOCVD装置内の気相の圧力を2×104Paに戻す理由としては、Mgの活性化率が向上して、素子の動作電圧を低減することができるためである。ここで、第3のp型窒化物半導体層110の気相成長中にはCP2Mgガスを流さなかった。しかし、実際に成長したアンドープGaNからなる第3のp型窒化物半導体層110には、拡散によりMgが取り込まれており、第3のp型窒化物半導体層110中のMg原子濃度は1×1019/cm3であった。また、pGaNからなる第4のp型窒化物半導体層111のMgドーピング濃度は、3×1019/cm3とした。第4のp型窒化物半導体層111のMgドーピング濃度を3×1019/cm3といったハイドープとすることによって、第4のp型窒化物半導体層111と後述するITOからなる透明電極115とのコンタクト抵抗を低減することができるため、素子の駆動電圧を低減することができる。次に、第1のp型窒化物半導体層108、第2のp型窒化物半導体層109、第3のp型窒化物半導体層110および第4のp型窒化物半導体層111のp型化を促進するためN2ガス雰囲気中で950°Cのアニールを行なった。次に、第4のp型窒化物半導体層111の表面の一部にITOからなる透明電極115をスパッタリング法により形成した。次に、ITOの特性改善のため、透明電極115の形成後のウエハを酸素を含んだ雰囲気中で500°Cのアニールを行った。その後、透明電極115の形成後のウエハの一部をエッチングにより除去することによってn型GaNコンタクト層105の表面の一部を露出させた。そして、透明電極115の表面上およびn型GaNコンタクト層105の表面上に、それぞれ、真空蒸着法により、Ni層およびAu層からなるp側パッド電極116とn側パッド電極117とを同時に形成した。その後、p側パッド電極116とn側パッド電極117以外の全体を覆う保護膜図示せずを形成し、p側パッド電極116と透明電極115とのコンタクト抵抗ならびにn側パッド電極113とn型GaNコンタクト層105とのコンタクト抵抗をそれぞれ低減するため、保護膜を形成した状態で300°Cの熱処理を行なった。その後、スクライビングおよび曲げ応力の印加によってウエハを個々の素子に分割することにより、実施例1の窒化物半導体発光ダイオード素子を得た。上記のようにして得られた実施例1の窒化物半導体発光ダイオード素子をチップ状態樹脂封止によるパッケージング前で10個検査した結果、30mAの動作電流で発光出力が平均37mWであった。また、実施例1の窒化物半導体発光ダイオード素子の静電耐圧はHBMHumanBodyModel法で1500Vを印加して検査した結果10個とも良好であったため、1500V以上であった。したがって、実施例1の窒化物半導体発光ダイオード素子は、発光特性および静電耐圧ともに良好であった。<比較例>比較例の窒化物半導体発光ダイオード素子を以下のようにして作製した。まず、窒化物半導体活性層107までは実施例1と同様にして作製した。次に、キャリアガスをN2ガスからH2ガスに切り替え、窒化物半導体活性層107上にp型AlGaN層を15nmの厚さに気相成長した。次に、MOCVD装置内の気相の圧力を2×104Paに上昇させた後、p型GaN層を60nmの厚さに気相成長させた。そして、pGaN層を30nmの厚さに気相成長させた。その後は、実施例1と同様にして比較例の窒化物半導体発光ダイオード素子を作製した。上記のようにして得られた比較例の窒化物半導体発光ダイオード素子は、30mAの動作電流で発光出力が33mWであって、実施例1の窒化物半導体発光ダイオード素子と比較して発光出力が約1割低かった。図3に、実施例1の窒化物半導体発光ダイオード素子および比較例の窒化物半導体発光ダイオード素子のSIMSSecondaryIonMassSpectrometryによる原子濃度プロファイルを示す。図3の横軸は深さdepthを示し、縦軸は原子濃度concentrationを示している。また、図3中の1-Mgは実施例1のMg原子濃度を示し、0-Mgは比較例のMg原子濃度を示し、AlはAl相対原子濃度実施例1および比較例でほぼ一致を示しInはIn相対原子濃度実施例1および比較例でほぼ一致を示している。図3における第1の特徴は、窒化物半導体活性層107中の最上層の量子井戸層におけるMg原子濃度である。図3中に、6周期の量子井戸層の最上層に相当する箇所に縦線を引き、その箇所における比較例のMg原子濃度をY0、実施例1のMg濃度をY1とする。Y0のMg原子濃度と、Y1のMg原子濃度との両者を比較すると、実施例1の窒化物半導体発光ダイオード素子は、比較例の窒化物半導体発光ダイオード素子と比べて、量子井戸層の最上層のMg濃度を約半分に低減できていることがわかる。図3における第2の特徴は、比較例のMg原子濃度プロファイルにおいて、p型AlGaN層とp型GaN層との間にMg濃度が高くなっている点Xの存在である。本発明者らは、比較例においてこの界面に高濃度の部分があることに着目し、この界面近傍、すなわちp型AlGaN層の上部である第2のp型窒化物半導体層109と、好ましくはp型GaN層の下部である第3のp型窒化物半導体層110とにおいて、キャリア濃度を低くする気相成長を行なうことが有効であることを見出した。この気相成長方法は、第2のp型窒化物半導体層109の気相成長と第3のp型窒化物半導体層110の気相成長との間に、気相の圧力を変更することなどによって、気相成長を中断する場合に特に有効である。<実施例2>第3のp型窒化物半導体層110をアンドープではなく、Mgをドーピングして第3のp型窒化物半導体層110中のp型不純物Mg濃度を4×1019/cm3としたこと以外は実施例1と同様にして実施例2の窒化物半導体発光ダイオード素子を作製した。上記のようにして作製された実施例2の窒化物半導体発光ダイオード素子においては、実施例1と同じCp2Mg流量であっても、第4のp型窒化物半導体層111のp型不純物Mg濃度が5×1019/cm3と高くすることができる。これにより、実施例2の窒化物半導体発光ダイオード素子においては、第4のp型窒化物半導体層111と透明電極115とのコンタクト抵抗が低減し、素子の動作電圧を低減することができた。<実施例3>第3のp型窒化物半導体層110の気相成長用のガスとしてTMIトリメチルインジウムをさらに供給したこと以外は実施例1と同様にして実施例3の窒化物半導体発光ダイオード素子を作製した。第3のp型窒化物半導体層110の気相成長中のテンプレート基板の温度が1110°Cと高いため、Inは第3のp型窒化物半導体層110中には取り込まれないが、第3のp型窒化物半導体層110中のMgの活性化率を上げることができるため、素子の動作電圧を低減することができた。<実施例4>図4および図5に示すように、実施例4の窒化物半導体発光ダイオード素子200として、表面に凹凸加工が施されたサファイア基板201上に、AlNバッファ層202、アンドープGaN層203、n型GaN下地層204n型不純物Si濃度:6×1018/cm3、n型GaNコンタクト層205n型不純物Si濃度:6×1018/cm3、厚さ:1.5μm、Siドープn型GaN層n型不純物Si濃度:5×1018/cm3、厚さ:1.75nmとSiドープn型InGaN層n型不純物Si濃度:5×1018/cm3、厚さ:1.75nmとを交互に20周期積層してなるn型超格子層206、Siドープn型GaN障壁層n型不純物Si濃度:4×1017/cm3、厚さ:6.5nmとアンドープInGaN量子井戸層厚さ:3.5nmとを交互に6周期積層した後にアンドープGaN障壁層を積層してなる窒化物半導体活性層207、アンドープのAlGaN層218厚さ:2nm、Mgドープp型AlGaNからなる第1のp型窒化物半導体層208p型不純物Mg濃度:2×1019/cm3、厚さ:11.75nm、アンドープAlGaNからなる第2のp型窒化物半導体層209p型不純物Mg濃度:1×1019/cm3、厚さ:3.75nm、アンドープGaNからなる第3のp型窒化物半導体層210p型不純物Mg濃度:1×1019/cm3、厚さ:60nmおよびpGaNからなる第4のp型窒化物半導体層211p型不純物Mg濃度:3×1019/cm3、厚さ:20nmがこの順に積層されている。また、第4のp型窒化物半導体層211の表面の一部にITOからなる透明電極215が形成されており、透明電極215の表面の一部には透明電極215に近い側からNi層およびAu層の積層体からなるp側パッド電極216が形成され、n型GaNコンタクト層205の表面の一部にはNi層およびAu層の積層体からなるn側パッド電極217が形成されている。上記の構成を有する実施例4の窒化物半導体発光ダイオード素子は、以下のようにして作製した。まず、窒化物半導体活性層207までは、実施例1と同じように作製した。次に、MOCVD装置内の気相の圧力を1×104Paに低下させるとともに、テンプレート基板の温度を1110°Cに上昇させた。なお、MOCVD装置内の気相の圧力を1×104Paに低下させることによって、多数枚のウエハを成長することができるMOCVD装置内における後述するAlGaN層のAl組成のウエハ間でのばらつきやウエハ内でのAl組成のばらつきを抑制することができ、素子の歩留まりを良くすることができる。次に、MOCVD装置内に供給されるキャリアガスをN2ガスからH2ガスに切り替え、厚さ2nmのアンドープのAl017Ga083N層218を気相成長させ、次に、厚さ11.25nmのMgドープp型Al017Ga083Nからなる第1のp型窒化物半導体層208p型不純物Mg濃度:2×1019/cm3を気相成長させるとともに、厚さ3.75nmのアンドープAl017Ga083N層からなる第2のp型窒化物半導体層209p型不純物Mg濃度:1×1019/cm3を気相成長させた。ここで、アンドープAl017Ga083N層218の平均Al組成は17とし、不純物原料ガスは流していない。また、第1のp型窒化物半導体層208の平均Al組成は17とし、第1のp型窒化物半導体層208のMgドーパント原料にはCP2Mgビスシクロペンタジエニルマグネシウムガスを用いてMgドーピング濃度は2×1019/cm3とした。また、第2のp型窒化物半導体層209の平均Al組成は17とし、第2のp型窒化物半導体層209の気相成長中にはCP2Mgガスを流さなかった。次に、気相成長を一旦中断してMOCVD装置内の気相の圧力を2×104Paに上昇させた。その後、気相成長を開始して、厚さ60nmのアンドープのGaNからなる第3のp型窒化物半導体層210p型不純物Mg濃度:1×1019/cm3を気相成長させ、厚さ30nmのpGaNからなる第4のp型窒化物半導体層211p型不純物Mg濃度:3×1019/cm3を気相成長させた。このように成長したp型層の実際の不純物濃度は、以下のようになっている。実際に成長したアンドープAl017Ga083N層218中には、拡散によりMgが取り込まれている。これは、第1のp型窒化物半導体層208からMgが拡散するためであるが、このMg拡散は、第1のp型窒化物半導体層208の成長中に起こるものであり、その後の第2のp型窒化物半導体層209を成長することにより、第1のp型窒化物半導体層208からアンドープAl017Ga083N層218への拡散は止まり、その後の第3のp型窒化物半導体層210および第4のp型窒化物半導体層211の成長中は、実際には不純物原料ガスを流さずに成長した第2のp型窒化物半導体層209により、Mg拡散が防止される。アンドープAl017Ga083N層218の層厚は薄くこの層のMg濃度を検出するのは困難であるが、このアンドープAl017Ga083N層218中で、Mg濃度は急峻に変化しており、アンドープAl017Ga083N層218があることで、窒化物半導体活性層207の最上層の井戸層中のMg濃度は2×1018/cm3となり、実施例1の場合よりも、さらに活性層へのMg拡散が抑えられたことになる。アンドープAl017Ga083N層218は、Mg拡散防止の役割を果たしており、第2のp型窒化物半導体層209と同様の機能を果たしていると言える。しかし、アンドープAl017Ga083N層218だけを形成し、実質的にアンドープで作製する第2のp型窒化物半導体層209を無くすと、Mg拡散防止機能が低下してしまう。これを補うために、アンドープAl017Ga083N層218の厚さを2nmではなく、もっと厚くすると、Mg拡散防止効果は上がるが、素子の駆動電圧が上がってしまう。よって、アンドープAl017Ga083N層218の厚さを最小限の厚さにとどめることが重要である。そのためには、実質的にアンドープで作製する第2のp型窒化物半導体層209と組み合わせることによって、Mg拡散防止と駆動電圧上昇の抑制を両立することができる。図6に、実施例4の窒化物半導体発光ダイオード素子以下、実施例4の素子という。および実施例1と同様の製造方法で作製した窒化物半導体発光ダイオード素子以下、実施例1の素子という。のSIMSによる原子濃度プロファイルを示す。図6の横軸は深さdepthを示し、縦軸は原子濃度concentrationを示している。また、図6中の2-Mgは実施例1の素子のMg原子濃度を示し、3-Mgは実施例4の素子のMg原子濃度を示し、AlはAl相対原子濃度実施例4の素子と、実施例1の素子とでほぼ一致を示し、InはIn相対原子濃度実施例4の素子と、実施例1の素子とでほぼ一致を示している。また、図6中に、6周期の量子井戸層の最上層に相当する箇所に縦線を引き、その箇所における実施例1の素子のMg原子濃度をY2、実施例4の素子のMg濃度をY3とする。Y2のMg原子濃度と、Y3のMg原子濃度との両者を比較すると、Y2のMg原子濃度は7×1018/cm3であるのに対し、Y3のMg原子濃度は3×1018/cm3となって、さらにMg拡散を抑制できることが確認された。さらに、実施例4の素子の駆動電圧は、実施例1の素子と同様の30mAの動作電流で2.9Vであった。また、実施例4の素子の発光出力は、30mAの動作電流で45mWが得られた。また、実施例4の素子について、HBMモデルで-1500Vの静電耐圧試験を実施したところ、30000個の静電耐圧試験で、静電気破壊されたのは、わずか2であり、静電耐圧も良好であることがわかった。今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。"