"ダイヤモンドの合成方法であって;i原子状水素プラズマの存在下および/または原子状水素ラジカルの存在下において溶解ゾーンに、グラファイトの析出に関して炭素で飽和した液体金属を準備し;ii溶解ゾーンから堆積ゾーンに液体金属の少なくとも一部分を移送し;iii堆積ゾーン内の液体金属を原子状水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカルに暴露させ、堆積ゾーン内の液体金属が、ダイヤモンドの析出に関して炭素で飽和する、好ましくは、過飽和するように、堆積ゾーン内の液体金属の温度を溶解ゾーン内の液体金属の温度よりも低くし;iv堆積ゾーン内の液体金属から炭素を析出させ、ダイヤモンドを合成し;およびv必要に応じて、合成したダイヤモンドを金属から取り出すこと;を含む、方法。工程ivにおいて、炭素を種ダイヤモンド上に析出させるように、種ダイヤモンドを堆積ゾーン内の液体金属に少なくとも部分的に浸漬する、請求項1に記載の方法。ポンプによって溶解ゾーンから堆積ゾーンに、液体金属の少なくとも一部分を移送する、請求項1~2のいずれか1項に記載の方法。溶解ゾーンおよび堆積ゾーンを、連続的なループによって互いに流体連結する、請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。実質的に水平な配置において連続的なループを用いて行う、請求項4に記載の方法。ループが、開放した面を有する容器である、請求項4または5に記載の方法。金属が、単一の金属元素、合金、および/または2以上の金属元素を含む、請求項1~6のいずれか1項に記載の方法。金属が、鉛、ビスマス、錫、金、銀、銅、パラジウム、インジウム、ガリウム、アンチモン、ニッケル、コバルト、鉄、アルミニウム、ゲルマニウムまたはそれらの2以上の混合物を含む、請求項1~7のいずれか1項に記載の方法。金属が、銀、金、銅、パラジウム、インジウム、ガリウム、錫、アルミニウム、鉛またはそれらの2以上の混合物を含む、請求項7または8に記載の方法。方法を、不活性ガスを含む反応チャンバー内で行う、請求項1~9のいずれか1項に記載の方法。不活性ガスが、アルゴンを含む、請求項10に記載の方法。溶解ゾーン内の液体金属が、1000°C~2000°Cの範囲の温度である、請求項1~11のいずれか1項に記載の方法。堆積ゾーン内の液体金属が、800°C~2000°Cの範囲の温度である、請求項1~12のいずれか1項に記載の方法。堆積ゾーン内の液体金属の温度が、溶解ゾーン内の液体金属の温度よりも少なくとも50°C低い、請求項1~13のいずれか1項に記載の方法。方法を1Pa~150kPaの範囲の圧力で行う、請求項1~14のいずれか1項に記載の方法。金属における炭素源が、グラファイトである、請求項1~15のいずれか1項に記載の方法。ドーパントを液体金属中に含む、請求項1~16のいずれか1項に記載の方法。ホウ素、硫黄、リン、リチウム、アルミニウムおよびそれらの2以上の混合物からドーパントを選択する、請求項17に記載の方法。堆積ゾーンおよび/または溶解ゾーン内の液体金属を横切って電気的バイアスを適用することを更に含む、請求項1~18のいずれか1項に記載の方法。ダイヤモンドの合成装置であって:液体金属に炭素を溶解するための溶解ゾーンであって、原子状水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカルを前記ゾーン内の液体金属に適用するための手段を含む、溶解ゾーン;液体金属からダイヤモンドを析出するための堆積ゾーンであって、原子状水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカルを前記ゾーン内の液体金属に適用するための手段を含む、堆積ゾーン;溶解ゾーンおよび堆積ゾーンが、互いに流体連結しており;溶解ゾーンから堆積ゾーンまで液体金属をポンプ輸送するおよび/または移動させる手段;溶解ゾーンおよび堆積ゾーン内にある液体金属を個別に加熱するための加熱手段;必要に応じて、製造したダイヤモンドを装置から取り出すための手段;および装置内の雰囲気を制御するための手段を含む装置。溶解ゾーンおよび/または堆積ゾーン内の液体金属を横切って電気的バイアスを適用する手段を更に含む、請求項20に記載の装置。溶解ゾーンおよび堆積ゾーンが、開放した容器によって互いに流体連結している、請求項20または21に記載の装置。溶解ゾーンおよび堆積ゾーンが、連続的なループによって互いに流体連結している、請求項20~22のいずれか1項に記載の装置。使用時に、連続的なループが、実質的に水平である、請求項23に記載の方法。米国特許第3,142,539号は、垂直なループ構造内における過飽和炭素含有液体金属からのダイヤモンド成長を記載する。グラファイトは、ループの底において高温液体金属溶媒に溶解し、飽和したグラファイトに関して炭素-金属溶融物が形成される。従って、流体は、対流を用いるループの頂まで回って移動し、そこで、流体は冷却され、流体を、ダイヤモンドに関して炭素で過飽和にする。次いで、種ダイヤモンドは、ループの冷却部分で保持され、ゆっくりではあるが成長するのが観察される。装置は、閉鎖した金属構造であり、および従って組み立てる、メンテナンスするおよび運転することが非常に高価である。そこに存在する内部雰囲気は、不活性すなわち、アルゴンである。米国特許第3,142,539号に記載の方法は、ダイヤモンドの非常に小さな成長速度を得る高価な方法であり、および補修するのが困難である装置を用いる。システムは、成長領域において、ダイヤモンドに平行にグラファイトが格生成することを制御できないため、実際の製造したダイヤモンド物質は、必ずしも良好な質でもなく、純ダイヤモンドよりむしろ、ダイヤモンドとグラファイトの多結晶体の生成をもたらす。米国特許第6,342,195号は、少なくとも1つの非気相の炭素源物質と、少なくとも1つの金属を含む少なくとも1つの物質とを一体に混合することを含むダイヤモンド製造方法を記載する。金属または合金は、遷移金属系から少なくとも1つの元素、またはランタニド族の金属を含む。初めの炭素過飽和状態が落ち着いたまたは静まる、subsideときに支配する低い成長速度の動力学またはカイネティクス、kineticsに起因して、製造した結晶の寸法は非常に小さい。これは、システムが、溶液から出てくる炭素を連続的に補給しないからである。従って、これは、製造可能な最終製品の寸法に対して実用上の制限を設ける。米国特許第7,547,358号は、米国特許第3,142,539号においてBrinkmanにより記載されているそれに類似した性質の閉鎖したループ構造内において、ダイヤモンドを合成するシステムを記載する。記載されるシステムは、好ましくは、液体形態である高度に反応性のあるアルカリ族金属元素形態としてまたは水素化物としてを、溶媒として用いる。このシステムは、電磁気的または物理的ポンプを用いて、ループのまわりの溶媒流れを支援し、および実験の終了時に、成長した結晶を取り出す複数の方法を記載する。本発明は、主に低温システムであるが、インジウム、ガリウム、および鉛ベースの成長を利用することを記載する。米国特許第7,547,358号において、高度に反応性のあるアルカリ金属の使用は潜在的に危険である。例えば、米国特許第7,547,358号に記載のシステムは、いずれかの酸素または水蒸気がシステムの内容物に接触した場合に、壊滅的に爆発する。このシステムを維持するのに必要な安全性の特徴およびプロセスは、非常に高価であり、プロセスの経済性に影響を与える。従って、ダイヤモンドを合成するためのより安全でより経済的なプロセスをもたらすことは望ましい。米国特許第7,547,358号の方法は、適温800°Cにおいて、または800°C以下で作動するように構成される。今の従来技術は、これが、製造するダイヤモンド存在する場合の成長速度を厳しく制限することを提案する。米国特許第5,404,835号は、CVD反応器内において、ダイヤモンドを液体の水素化ニッケル膜上で成長させるCVD化学気相蒸着プロセスを開示する。ダイヤモンド結晶は、液体金属/金属水素化物表面上に形成し、該結晶は、それらの最低の自由エネルギー状態本明細書において界面エネルギーによって求められるに従って、それら自身をメニスカス上で方向付ける。更なるCVD成長は、結晶が集まるまで結晶上で生じ、および従って、製造した膜は、大部分が配向した結晶面を有する。米国特許第4,485,080号は、急冷技術を用いて、溶解した炭素で過飽和した液体金属合金溶融物から、微細なダイヤモンドグリットを製造する方法を言及する。技術は、まず、高温において、金属合金を炭素で過飽和にし、および次いで、パウダー冶金に一般的に用いるスプレー技術を用いて、この混合物を急冷することに依存する。溶剤の界面エネルギー効果、および急冷により生じる化学ポテンシャルの大きな変化は、グラファイト核ではなく微視的なダイヤモンド核の生成を支持する傾向があることが期待される。従って、これらは、長時間に亘って、固体物質に熱を適用することによって、固体状態の溶剤中でゆっくりと成長する。本発明は、従来の方法の少なくともいくらかの欠点に対処することを目的とする。ダイヤモンドを合成するための改善された方法および装置を提供することは、本発明の1つの目的である。好ましくは、当該方法は、ダイヤモンドを連続的な方法で合成できる。本発明の第1の態様において、ダイヤモンドの合成方法が提供され、当該方法は;i原子状水素プラズマの存在下および/または原子状水素ラジカルの存在下において溶解ゾーンに、グラファイトの析出に関して炭素で飽和した液体金属を準備し;ii溶解ゾーンから堆積ゾーンに液体金属の少なくとも一部分を移送し;iii堆積ゾーン内の液体金属を原子状水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカルに暴露させ、堆積ゾーン内の液体金属が、ダイヤモンドの析出に関して炭素で飽和する、好ましくは、過飽和するように、堆積ゾーン内の液体金属の温度を溶解ゾーン内の液体金属の温度よりも低くし;iv堆積ゾーン内の液体金属から炭素を析出させ、ダイヤモンドを合成し;およびv必要に応じて、合成したダイヤモンドを金属から取り出すこと;を含む。本発明の第2の態様において、ダイヤモンドを合成するための装置が提供され、該装置は:液体金属に炭素を溶解するための溶解ゾーンであって、原子状水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカルを前記ゾーン内の液体金属に適用するための手段を含む、溶解ゾーン;液体金属からダイヤモンドを析出するための堆積ゾーンであって、原子状水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカルを前記ゾーン内の液体金属に適用するための手段を含む、堆積ゾーン;溶解ゾーンおよび堆積ゾーンが、互いに流体連結しており;溶解ゾーンから堆積ゾーンまで液体金属をポンプ輸送するおよび/または移動させる手段;溶解ゾーンおよび堆積ゾーン内にある液体金属を個別に加熱するための加熱手段;必要に応じて、製造したダイヤモンドを装置から取り出すための手段;および装置内の雰囲気を制御するための手段を含む。本明細書に規定されるような各々の態様は、それとは反対に、明確な指示がない限り、任意の他の1または複数の態様により組み合わすことができる。とりわけ、好ましいまたは好都合であるものとして示される任意の特徴を、好ましいまたは好都合であるものとして示される任意の他の1または複数の特徴と組み合わすことができる。本発明は、ダイヤモンドを合成する改善された方法、および向上した特性例えば、より大きな熱伝導率および/または機械的強さを有する同位体的に純粋のダイヤモンドを合成するのに、同位体的に純粋の炭素源を用いることができる方法を提供する。本願の方法および装置は、経済的に実行可能であり、およびダイヤモンドを合成する既知の方法よりも安価である。本発明は、ダイヤモンドをドープする方法も提供する。本明細書で記載される方法を用いて、広範囲のダイヤモンド基板を、ホモエピタキシャル的にすなわち、種結晶上に、またはヘテロエピタキシャル的にすなわち、ダイヤモンドでない液体または固体の表面上に成長させ、および堆積速度を正確に制御することは可能である。本明細書に用いるように、用語水素は、好ましくは、水素の同位体、例えば、1Hプロチウム、2H重水素および3Hトリチウムのを含む。水素の他の同位体を用いてもよい。好ましくは、用語水素は、1Hプロチウムのことを言う。本明細書に用いるように、用語液体金属は、液体、半液体および/または溶融金属を含む。それは、1以上の金属の混合物をも含む。それは、合金、および1以上の合金および/または金属の混合物をも含む。本発明に用いる金属は、単一の金属元素、または合金、または2以上の金属元素および/または合金を含んでよい。好ましくは、鉛、ビスマス、錫、金、銀、銅、パラジウム、インジウム、ガリウム、アンチモン、ニッケル、コバルト、鉄、アルミニウム、ゲルマニウムおよびそれらの2以上の混合物から、金属を選択する。より好ましくは、金属は、銀、金、銅、パラジウム、インジウム、ガリウム、錫、アルミニウム、鉛またはそれらの2以上の混合物を含む。1つの実施形態において、金属は、インジウム、銀、金、鉛、またはインジウム、銀、金もしくは鉛を含む合金である。適切な合金は、鉛-金、銀-金、鉛-錫、およびインジウム-鉛の合金を含む。最も好ましくは、金属は、インジウム、銀、金、銅、パラジウム、鉛、またはインジウム、銀、金、銅、パラジウムもしくは鉛を含む合金である。適切な合金は、鉛-金、銀-金、鉛-錫、およびインジウム-鉛の合金を含む。鉛-鉄またはアルミニウム-鉛のような不混和性の金属混合物を用いてよい。好ましくは、液体金属は、アルカリ金属を含まない。とりわけ、液体金属は、アルカリ金属水素化物を含まないことが好ましい。このような物質は、酸素および/または空気に暴露した場合に、潜在的に危険である。好ましくは、金属中の炭素源はグラファイトである。典型的には、炭素源は、固体炭素源である。しかしながら、炭素質の物質の任意の他の適切な源を用いることができることを理解されたい。好ましくは、炭素質の物質は、本質的に大部分がグラファイトであり、例えば、ガラス質の炭素、圧縮されたグラファイト、または炭素ナノチューブである。炭素の同位体的に純粋な源は、例えば、向上した熱伝導性および/または向上した機械的強さのような向上した特性を有する同位体的に純粋なダイヤモンドを成長するのに用いてよい。炭素源物質は、市販の任意の密度または多孔性のグラファイト、または大部分がsp2結合の炭素原子から成る他の形態の炭素であってよい。グラファイトを用いる場合に、好ましくは、それは、99よりも高い炭素、より好ましくは、少なくとも99.99の炭素の純度を有する原子の総数の割合として、炭素の原子数に関して。しかしながら、用いるグラファイトの純度は、他の顕著な不純物が水素のみである場合に、70ほどの低さであってよいが、好ましくは、グラファイト物質における炭素および水素の2つの原子比率の組合せは、存在する他の不純物に比較して99.99を超える。特定の同位体の比率を有するダイヤモンド物質の製造が望まれるプロセスにおいて、グラファイト源は、必要に応じて、炭素12、炭素-13または炭素-14の対応する比率から構成できる。好ましくは、プランジャーによって金属に炭素源を浸漬する。炭素源を液体金属のメニスカスの下に保持すると同時に炭素が溶解するように、プランジャーを用いることができる。炭素源物質を液体金属のメニスカスの下に浸す深さは、好ましくは可能な限り低く維持される。好ましくは、この深さは、液体金属のメニスカスから炭素源の頂まで50mm未満、より好ましくは、10mm未満であり、および最も好ましくは、2mm未満である。これは、原子状水素ラジカル源および/またはプラズマ発生源によって生じる水素種が、炭素源物質の表面上に拡散するのを可能にする。これは、溶剤内の炭素濃度が、標準的な二元系状態図によって求められている報告済みの平衡値よりもずっと高い値に近づくことを確実にする。任意の特定の理論に縛られることを望まずに、これは、流体溶媒内において、簡単な溶媒-炭素二元系システムよりもずっと高い平衡濃度を示す溶媒-炭素-水素種が形成することに起因すると考えられる。金属は、好ましくは、1500°Cよりも高い、1750°C、または2000°Cよりも高い沸点を有する。金属は、好ましくは、1500°C以下、より好ましくは、1450°C以下、1000°C以下または500°C以下の融点を有する。好ましくは、グラファイトの析出に関して炭素で飽和される液体金属を供給するのに、金属は、1000°Cよりも高い温度まで加熱され、および好ましくは、1000°C~2500°Cの範囲であり、より好ましくは、液体金属は、1000°C~2000°C、1500°C~1750°C、1550°C~1750°Cまたは1550°C~1650°Cの範囲の温度まで加熱される。上記に概略を示したように、好ましくは、金属内に高濃度の炭素を形成するように、炭素源は、原子状水素および/または原子状水素プラズマの存在下で液体金属に溶解する。好ましくは、液体金属が、液体金属の最低温部分において、ダイヤモンドの析出に関して炭素で飽和するように、堆積ゾーン内において、グラファイトの析出に関して炭素で飽和した液体金属の温度を、例えば、5°C~250°C、5°C~200°C、50°C~150°C、50°C~100°C、50°C~200°Cで低下する。より好ましくは、液体金属が、液体金属の最低温部分において、ダイヤモンドの析出に関して炭素で飽和するように、温度を、50°C~200°Cで低下し、より好ましくは、125°C~175°Cで低下する。好ましくは、液体金属が、液体金属の最低温部分において、ダイヤモンドの析出に関して炭素で過飽和するように、堆積ゾーン内の液体金属の温度を低下する。堆積ゾーンもまた原子状水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカルに暴露する。他に指定がなければ、液体金属の温度および/または飽和レベルを、金属の最低温部分で測定する。液体金属が、堆積ゾーンにおいて、ダイヤモンドの析出に関して炭素で飽和するおよび好ましくは、過飽和するように、液体金属の温度を低下する。これは、金属内の炭素を析出することを可能にし、ダイヤモンドを合成することを可能にする。界面エネルギー効果の組合せに起因して、ダイヤモンドは、グラファイトに平行に溶液から析出できる。しかしながら、原子状水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカルは、任意の共析するグラファイト核を優先的に破壊し、および従ってシステムは、好ましくは、ダイヤモンドのみを製造する。本発明は、ダイヤモンド表面とのより低いエネルギー界面を形成する液体金属液体金属がグラファイト表面と相互作用するよりもの使用をもたらす。堆積ゾーンにおいて、炭素は、飽和したまたは過飽和した液体金属からダイヤモンドとして析出するまたは出てくる。これは、流体の界面エネルギー効果ならびに水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカルによる任意のグラファイト核の優先的なエッチングおよび/または破壊の両方に起因すると考えられる。1つの実施形態において、炭素が種ダイヤモンド上に析出するように、種ダイヤモンドを、堆積ゾーン内の液体金属に少なくとも部分的に浸漬する。これは、この種ダイヤモンドのより大きなダイヤモンド上への成長をもたらす。種結晶を液体金属のメニスカスの下に浸す深さは、好ましくは浅い。好ましくは、この深さは、メニスカスから種ダイヤモンドの頂まで50mm未満、より好ましくは、10mm未満、および最も好ましくは、2mm未満である。これは、好ましくは、原子状水素源および/またはプラズマ製造ユニットにより発生する原子状水素種が、ダイヤモンドを取り囲む溶剤に、拡散するのを可能にする。原子状水素のこのバックグラウンド濃度は、堆積領域のかなり過飽和にされた環境において、ダイヤモンドに平行に析出できる全てのグラファイト核を優先的に減少させる。次いで、これは、溶剤内に溶解した炭素が、ダイヤモンドとして、種ダイヤモンド表面上に析出するのを促進し、従ってその質量を増加する。ダイヤモンドを、種ダイヤモンド結晶上で成長させる本発明の実施形態において、一般に、数分に亘って溶解プロセスを実施するまで、ダイヤモンドを溶剤内で浸漬せず、および従って、溶融物は、溶解した溶媒-炭素-水素種で充分に過飽和する。これを、溶媒内でのダイヤモンド種の溶解を防ぐように行い、これは、溶媒がダイヤモンドに関して炭素で過飽和しない場合に急速に起こり得る。別の実施形態において、ダイヤモンドが液体金属から核生成するように、反応性のある原子状水素種の濃度および/または水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカルの強度を変え、および/または堆積ゾーン内の液体金属の温度を制御し、種ダイヤモンドを使用する必要性をなくす。このようにして形成されたダイヤモンドは、成長して、例えば、膜、典型的には、薄膜厚さ約50μmになる可能性があり、またはそれは、例えば、研磨剤のグリット材料として、回収および使用できる。別の実施形態において、ダイヤモンドより低密度を有する不混和性の液体金属層は、堆積ゾーンにおいて、より高密度の溶媒層の上に存在する。ダイヤモンドは、2つの液体の界面で保持される種結晶上に成長でき、または2つの液体間の界面で核生成でき、平坦な膜構造を形成できるすわなち、ダイヤモンドを浮かせる。この実施形態において、用いるいかなる種ダイヤモンドも、好ましくは、両方の溶媒層が炭素で過飽和になるまで、堆積ゾーン内に浸漬しない。高温の耐火性セラミックもまた、液体金属内に含んでよい。本発明で用いるための高温の耐火性セラミックの適切な例は、窒化ホウ素、アルミナ、ジルコニア、マグネシア、窒化アルミニウム、二酸化チタンまたは他の耐火性セラミックを、バルク材料としてまたは別の耐火性材料上へのコーティングとして含む。このようなセラミックスは、1000°Cより高い温度における方法の信頼性のある操作を可能にする。好ましくは、本発明の方法を、10Pa~150kPa、50Pa~125kPa、より好ましくは、100Pa~100kPaの範囲にある周囲圧力において行う。好ましくは、圧力は、100kPaより低い。金属がグラファイトに関して炭素で飽和/過飽和した場合に、および従って金属がダイヤモンドに関して炭素で飽和/過飽和した場合に、関連した状態図データを、または状態図データが利用不可である場合に、適切な熱力学的近似を、計算するのに用いることができる。溶解ゾーンは、任意の適切な容器および/またはチャンバーから成ってよい。好ましくは、本明細書で用いるように、用語溶解ゾーンは、1以上の液体金属が、グラファイトの析出に関して炭素で飽和できる領域またはゾーンを記載するのに用いる。堆積ゾーンは、任意の適切な容器および/またはチャンバーから成ってよい。好ましくは、本明細書に用いるように、用語堆積ゾーンは、炭素が液体金属から析出できるように、1以上の液体金属が、ダイヤモンドの析出に関して炭素で飽和、好ましくは、過飽和できる領域またはゾーンを記載するのに用いる。好ましくは、溶解ゾーンおよび堆積ゾーンは、互いに流体連結している異なるゾーンである。好ましくは、溶解ゾーンおよび堆積ゾーンは、連続的なループを用いて互いに流体連結している。好ましくは、液体金属は、ループを用いて、溶解ゾーンから堆積ゾーンに、および従って次いで、堆積ゾーンから溶解ゾーンに戻るようにポンプ輸送できる。これは、システムのまわりに液体金属を再循環することを可能にする。1つの実施形態において、溶解ゾーンから堆積ゾーンまで液体金属の連続的な流れがある。これは、堆積ゾーン内の液体金属中に存在する炭素を連続的に補給できるので好都合である。これは、多くの従来の方法の場合のように、堆積ゾーン内の液体金属中に存在する炭素が補給されなかった場合に可能であるダイヤモンドよりも大きいダイヤモンドを形成できる。1つの実施形態において、溶解ゾーンおよび堆積ゾーンは、連続的なループ以外によって、互いに流体連結している。液体金属は、溶解ゾーン内に連続的に供給でき、溶解ゾーンから堆積ゾーンまで移送でき、および次いで廃棄できる。この実施形態は、堆積ゾーン内の液体金属中に存在する炭素量を連続的に補給できる。好ましくは、本発明の方法は、実質的に水平な配置における連続的なループを用いて行う。好ましくは、本発明の方法は、水平な配置における連続的なループにより行う。ループ他には、トラックウェイと言うが、水平に対して0°~45°の角度がつけられている場合に、本発明の方法を行ってよいことを理解されたい。好ましくは、それは、水平に対して0°~20°、0°~10°または水平に対して0°~5°の角度がつけられている。好ましくは、ループ、溶解ゾーンおよび堆積ゾーンは、全て、実質的に水平な配置において位置する。代替的には、ループまたはトラックウェイのみが、実質的に水平な配置において位置してよく、または溶解ゾーンおよび堆積ゾーンが、実質的に水平な配置において位置してよいことを理解されたい。好ましくは、ループまたはトラックウェイは、開放した面を有する容器である。開放した面を有する容器は、メンテナンスするおよび実施するのに、より経済的なので、開放した面を有する容器をループまたはトラックウェイとして有することは、閉鎖した容器またはチューブよりも好都合である。液体金属の少なくとも一部分は、ポンプ輸送によって溶解ゾーンから堆積ゾーンに移送できる。電磁気的および/または機械的ポンプは、1つのゾーンから次のゾーンまで液体金属の流れを制御するのに用いることができる。所定のシステムのまわりに金属溶媒を移動するのに用いられており本発明に用いるのに適切である電磁気的ポンプおよび磁気的-水力学的ポンプまたは渦電流ポンプのような、同じ主題におけるバリエーションは、米国特許第3,038,409号に記載する。液体金属をまわりに移動するのに、動かない部分を備えたポンプを使用することは、よく知られている。2つの電極を用いて、電流を、チャンネルを横切って横方向に適用し、および前者のセットのまわりに巻かれているコイルを用いて、磁場を、チャンネルに対して垂直に適用する。これは、物理学で説明されるように、フレミング左手の法則によってチャンネルに沿った正味の流れを形成する。基本的に、これは、磁場に垂直に保持されているワイヤが力を生み出す電流がワイヤを通過して流れる場合にことを示す。この技術は、ナトリウム冷却原子炉クーラントシステム、および摩滅する動かない部分をポンプが有する際のアルミニウムスクラップ改良システム、ならびに従ってこれがメンテナンス無しに数年に亘って実施できる封止システムにおいて、広く用いられている。物理的なポンプすなわち、外輪は、電磁気EMポンプの代わりに、本願の方法に用いることができることを理解されたい。好ましくは、方法における液体金属の流速は、1分当たり1ミリリットル~1分当たり100リットルである。より好ましくは、流速は、1分当たり10ミリリットル~1分当たり1リットルである。最も好ましくは、流速は、1分当たり50ミリリットル~100ミリリットルである。好ましくは、ダイヤモンドの析出による堆積ゾーン内の液体金属からの炭素原子の損失率が、溶解ゾーンから堆積ゾーンに、更なる液体金属を流すことによる堆積ゾーン内の液体金属中の炭素原子の置換率よりも低いように、堆積ゾーン内の液体金属の流速を選択する。本発明の方法は、原子状水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカルの存在下で、溶解ゾーンに、グラファイトの析出に関して炭素で飽和した液体金属を準備することを含む。好都合には、原子状水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカルの存在それらの欠如と比較しては、溶媒化の間に液体金属への炭素の溶解度を増加させる。好ましくは、原子状水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカルを、マイクロウェブ、高温フィラメント、アークジェット、直流プラズマ成長またはフレーム方法によって発生する。このような方法は従来から知られている。原子状水素を提供する任意の他の適切な方法を用いてよい。好ましくは、原子状水素ラジカル源を、溶解ゾーン内の液体金属に亘って保持する。1つの実施形態において、本発明に用いる源は、水素原子のみおよび他の原子無しを含む。別の実施形態において、原子状水素源は、水素原子と他の原子、例えば、アルゴン原子との混合物を含んでよい。本発明の方法は、堆積ゾーン内の液体金属を、原子状水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカルに暴露させることを含む。原子状水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカルの存在は、炭素がダイヤモンドではなくグラファイトとして核生成する可能性を減少させる。好ましくは、原子状水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカルの存在は、炭素がダイヤモンドではなくグラファイトとして少量析出するまたは実質的に析出しないことを確実にする。原子状水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカルが堆積ゾーン内で存在しなかった場合に、ダイヤモンドは、多くの場合にエネルギー的に好ましいけれども、いくつかのグラファイトが、ダイヤモンドに平行に核生成しないことは予測される。水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカルが存在する場合に、これらの成長する核は即座にエッチング除去etchawayされ、および従って、製造されるダイヤモンドの質は保持される。従って、本発明の方法を用いて製造されるグラファイトに対するダイヤモンドの収率は、堆積ゾーン内において、原子状水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカルを用いない方法よりも劇的に増加する。好ましくは、原子状水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカル製造ユニットへの水素ガスの流速は、0.1sccm~10slpmである。より好ましくは、原子状水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカル製造ユニットへの水素ガスの流速は、1sccm~1slpmである。最も好ましくは、原子状水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカル製造ユニットへの水素ガスの流速は、10sccm~500slpmである。好ましくは、本発明の方法は、堆積ゾーンおよび/または溶解ゾーン内の液体金属を横切って、電気的バイアスを適用することをさらに含む。電気的バイアスを溶解ゾーンで生じさせてよい。これは、液体金属内への炭素源物質の溶解を支援するのに行われる。液体金属中の高濃度の原子状水素は、炭素の溶解度を極値Au-C-Hの場合に、50原子量と同じ高さに近づけることができる。電気的バイアスを、ダイヤモンド堆積領域内における同じ効果に対しても利用してよい。帯電した水素種を溶媒内に引き付けて、ダイヤモンドに平行に核生成できるグラファイトクラスターを破壊するように、電気的バイアスを堆積ゾーンに適用する。溶解および/または堆積ゾーン内の電気的バイアスの存在は、金属表面において、反応性のある水素種の濃度を上昇させることによって液体金属内への水素ラジカル好ましくは、プラズマからの拡散を向上し、溶媒金属内の炭素濃度を増加する。任意の特定の理論に縛られることを望まずに、これは、原子状水素ラジカルおよび金属-炭素-水素種を形成する電荷移動プロセスを経て、液体表面の上または下の両方における帯電した水素種によって生じると考えられる。適用された電場のバイアスおよび/または周波数は、ダイヤモンドの核生成および/または成長速度を制御するように調整できる。好ましくは、0.1ボルト~1000ボルトの範囲の電圧を適用する。適用された電圧バイアスは、標準的な直流電流DC、パルス状直流、または交流電流であってよい。直流電圧バイアスがパルス状である場合に、好ましくは、適用されるパルス状電場の周波数は、0Hz~100kHz、1Hz~100Hzであってよい。交流電流が適用される場合に、好ましくは、周波数は、1Hz~100kHzである。本発明の1つの実施形態において、方法は、ドーパントドープされたダイヤモンドを含むダイヤモンドを合成するのに用いることができる。ドープされたダイヤモンドは、液体金属の1以上のドーパントを含むことによって合成または成長できる。ドーパントを、ホウ素、リン、硫黄、リチウム、アルミニウムおよびそれらの2以上の混合物から選択してよい。本発明の別の実施形態において、ドープされたダイヤモンドは、水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカル発生源に、気体前躯体を追加することによって成長できる。このようなガスの例は、限定されるものではないが、成長するダイヤモンド結晶に、窒素、ホウ素、硫黄、またはリンの原子を別個にドープするように、窒素、ボラン、硫化水素、またはホスフィンを含む。好ましくは、本発明の方法は、連続的に流れる液体金属源に溶解した炭素から、1以上のダイヤモンドを連続的に製造できる。好ましくは、本発明の方法は、不活性ガスを含む反応チャンバー内で行う。好ましくは、不活性ガスは、希ガスを含む。不活性ガスは、2以上の希ガスの混合物を含んでよい。好ましくは、不活性ガスは、ヘリウムおよび/またはアルゴンを含む。最も好ましくは、不活性雰囲気は、アルゴンを含む。好ましくは、不活性ガスは、反応チャンバーの気体の総量に基づいて少なくとも90体積の希ガスを含む。より好ましくは、不活性ガスは、反応チャンバーの気体の総量に基づいて少なくとも95体積、少なくとも98体積、少なくとも99体積、少なくとも99.9体積の希ガスを含む。最も好ましくは、希ガスはアルゴンである。好ましくは、反応チャンバーの内部雰囲気は、酸素を含まない。雰囲気中の酸素の存在は、ダイヤモンドのグラファイト化の速度を上げると考えられる。反応チャンバーの雰囲気は、好ましくは、反応チャンバーの気体の総量に基づく0.1体積未満の酸素を含む。より好ましくは、雰囲気は、反応チャンバーの気体の総量に基づいて0.05体積未満、0.01体積未満、0.001体積未満または0.0001体積未満の酸素を含む。上述したように、本発明の第2の態様は、ダイヤモンドを合成する装置を提供し、該装置は:液体金属に炭素を溶解するための溶解ゾーンであって、原子状水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカルを前記ゾーン内の液体金属に適用するための手段を含む、溶解ゾーン;液体金属からダイヤモンドを析出するための堆積ゾーンであって、原子状水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカルを前記ゾーン内の液体金属に適用するための手段を含む、堆積ゾーン;溶解ゾーンおよび堆積ゾーンが、互いに流体連結しており;溶解ゾーンから堆積ゾーンまで液体金属をポンプ輸送するおよび/または移動させる手段;溶解ゾーンおよび堆積ゾーン内にある液体金属を個別に加熱するための加熱手段;必要に応じて、製造したダイヤモンドを装置から取り出すための手段;および装置内の雰囲気を制御するための手段を含む。好ましくは、装置は、堆積ゾーンおよび/または溶解ゾーンにおいて、液体金属を横切って、電気的バイアスを適用することをさらに含む。好ましくは、溶解ゾーンおよび堆積ゾーンは、開放した容器によって互いに流体連結している。より好ましくは、溶解ゾーンおよび堆積ゾーンは、連続的なループによって互いに流体連結している。使用中、好ましくは、連続的なループは、実質的に水平である。ダイヤモンドは、炭素で過飽和した溶剤から核生成および成長し得ることが長く知られている。作業は、初めはBurton、Nature1905397によって1905年に行われており、および1985年に、Sebba、N.Sugarman、Nature3161985220-220によって確認され、ダイヤモンドに関して過飽和するまで急速に駆動する鉛ベースシステムから、ダイヤモンドが核生成できることが示される。本発明者は、これまでに、なぜダイヤモンドがグラファイトに優先して所定の炭素過飽和流体内で生成するのかを予期し得る理論的な枠組みを説明している。この枠組みは、ダイヤモンドが通常グラファイトに転化する温度において、重要なグラファイト表面と比較して重要なダイヤモンド表面とのより低いエネルギー界面を形成する流体が、ダイヤモンド表面の安定性を支持する傾向があることを示す。これは、このような流体に浸漬するダイヤモンド表面における高温でのグラファイト化を抑制でき、ダイヤモンドを他の方法における破壊的なdestructive温度においてアニールまたはドープできる。本明細書に示される本発明は、炭素好ましくは、グラファイト源からダイヤモンドを連続的に成長するように、複数の新規な利益と同時にこれらの効果を引き出す。堆積工程におけるダイヤモンドの核生成および成長炭素で飽和した流体溶媒において、古典核生成論は、形成の全自由エネルギーを記載しており、ダイヤモンドまたはグラファイトの所定の核のためのΔGを、以下のように表すことができる:式中、ρは、固相の密度であり、Δuは、固相への凝縮中における化学ポテンシャルの変化であり、およびσSLは、固相と流体周囲の間の界面エネルギーである。流体液滴が、ダイヤモンドおよびグラファイトの表面上に形成する角度を測定することによって得られるぬれデータによると、σSLは、以下の式により、ぬれ角度θ、または接着作業Waから得られる:さらに、溶解した炭素の凝固における化学ポテンシャルの変化Δuは、炭素の融点に対して、溶融物における過冷却の程度の関数として規定できる:式中、ΔHvは、凝固におけるエンタルピー変化であり、ΔTは、温度変化であり、およびTmは、炭素の同素体すなわち、グラファイトまたはダイヤモンドの融点である。ΔHvに負の値を用いることは、Δuに負の値をもたらす。従って、これは、式1において、バルクエネルギーの項は負であるが、表面エネルギーの項は正であることを示す。核生成プロセスの全体の自由エネルギー変化のこの2つの要素の性質は、臨界クラスター寸法rための核生成障壁をもたらし、ダイヤモンドまたはグラファイトの核生成クラスターが臨界寸法に達すると、該クラスターは、エネルギー的に安定および成長するということを意味する。従って、このようなクラスターの成長速度は、システム内における、カイネティクス、および自由な炭素の有効性によって支配される。ダイヤモンドまたはグラファイトの臨界クラスターを形成するのに必要な自由エネルギー変化は、以下を用いて計算できる:式中、Vmは、相の分子量すなわち、ダイヤモンドに対して、3.417cm3mol-1およびグラファイトに対して、5.298cm3mol-1である。ダイヤモンドのσSLが任意値として3.7Jm-2の値でありおよびグラファイトD.V.Fedoseev,B.V.Deryagin,I.G.Varasavskaja,SurfaceCoatingsTechnology381989R7-248を参照されたいが3.1Jm-2の値でありならびにΔuの値が、理論的に予測されるそれらに比例して類似すると仮定すると、図1に示されるそれらに類似した核生成プロファイルを予測することができる。これは、概略した界面エネルギー条件を示す溶媒システムにおいて、炭素の過飽和の程度が充分に高い場合に、グラファイトに平行にダイヤモンドを核生成することが可能であることを示す。任意の特定の理論により縛られることを望まずに、これは、米国特許第3142539号においてダイヤモンド核生成が見られる理由であると考えられる。実際に、より早い作業において、米国特許第3142539号に詳細に記載される複数の溶媒流体は、実際に、このような界面エネルギー基準を満たすことが見出されている。当該刊行物において、頻繁に報告されるように、この観察は、このような流体に浸漬するダイヤモンド表面上における更なる堆積成長がどのように生じるのか説明できる。要するに、ダイヤモンドとグラファイトの間のこのような界面エネルギー差を示す高度に過飽和にされた溶媒では、表面エネルギー変化が熱力学で最も重要であり、およびグラファイトのための小さなバルクエネルギーの優先性が大部分無効にされ、および従ってダイヤモンドが生成されるようである。帯電した種およびラジカル種の両方の存在は、グラファイトに対して、成長するダイヤモンド表面を安定化させる役割を有することができ、およびこれは、本明細書に記載される本発明において、成長したダイヤモンドを最適化する役割も果たし得るということも知られている。本発明は、原子状水素ラジカルの存在が、二元系状態図データによって示される平衡値を超えて、いくつかの流体における炭素の溶解度の限界を押し上げることができ、従って、溶解した炭素と他の炭素-水素-溶媒種とで、非常に高度に過飽和になる溶媒を製造できるという事実を利用する。ダイヤモンドの堆積速度の制御低圧~周囲圧力におけるダイヤモンドの堆積のための技術の現状は、炭化水素ガスを炭素源として用いるCVD成長技術に代表される。これらの技術は、充分に高い温度で行う場合に、1時間当たり1mmに近い速度で、高品質ダイヤモンド膜を成長できる範囲まで改良されている。従って、速度制限因子は、成長媒体中での原子状炭素またはラジカル炭化水素種の有効性availabilityになる。CVDダイヤモンド堆積の最も実用的な例において、気体の環境は、成長表面に、相対的に低濃度の炭素原子をもたらす。本発明は、ダイヤモンド成長中におけるこの速度制限工程を認識しており、および成長表面に、相対的に高濃度の自由な炭素原子または炭素ラジカルをもたらすことによって、それを除去する。これは、以下に記載される様式で計算および微調整できるより高い速度のダイヤモンド成長を可能にする。ポンプによって駆動するシステムトラックウェイにおいて、溶媒が一定流速であると仮定すると、単位時間当たりに堆積ゾーン内の溶液から外に出た炭素量を見積もるように、式を導出できる。これは、mm3sec-1において、であり、式中、fは、mm3sec-1における溶媒の流速である。ΔAtcは、冷却範囲Atにおいてに亘って予測される溶融物中の炭素の平衡濃度における変化であり、MWMは、溶剤の分子量であり、およびρMは、その密度である。2つの用語ρoダイヤモンドの密度およびMWC炭素の分子量は、同位体的に平均的なaverage炭素源を用いるシステムのために一定であると仮定できるので、これを以下に書き直すことができる。Pbのような溶剤のために、M.Hansen,ConstitutionofBinaryAlloys,McGraw-Hill,NewYork1958から二元系相データを用いて、1mm3sec-1の流速における1600°Cの溶解ゾーン温度および1250°Cの堆積ゾーン温度は、1時間当たりにダイヤモンド9mm3または31.71mgの堆積をもたらすべきであると見積もることができる。しかしながら、この図は、マイクロ波、直流アークジェット、直流プラズマ成長、高温フィラメント、または他の手段によって発生した原子状水素ラジカルの存在下で加熱された溶剤中で増加した炭素溶解度を考慮に入れていない。従って、このような溶媒を用いた実験は、ΔAtcの値の変化が、二元系状態図に示される平衡値よりも、所定の温度範囲のために一般にずっと大きいことを示す。これは、堆積ゾーンにおけるダイヤモンドの核生成および堆積を熱力学的に生じるように、本発明に利用される。さらに、原子状水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカルが存在しない堆積に基づくシステムは、不可避的に、ダイヤモンドに平行にグラファイト粒子を核生成し、比例的にダイヤモンドの収率を減少させる。ダイヤモンドの収率におけるこの悪影響は、δMの項を、2つの別の項、すなわちδMD析出したダイヤモンドの質量およびδMG析出したグラファイト/sp2の結合炭素の質量に分けることによって数学的形態で表すことができる。得られる式は、製造される相対的な炭素量を表す。この式はプロセスの効率すなわち、グラファイト状の炭素のそれに対して製造されるダイヤモンドの比率の測定を表すので、プロセスのこの記載を以下のような簡単な式に簡略化する:堆積したダイヤモンドの質量/秒=温度低下に亘って析出した炭素の質量-堆積したグラファイト状炭素の質量/秒または:ここで、本発明は、グラファイトの核生成および成長を遅らせるおよび従って、δMGの項を最小限に維持するように、連続的な流れシステムの堆積ゾーンにおいて、原子状水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカルを用いる新規な工程を用いる。このような様式において、グラファイトの形成を表すことは、刊行物において、よく理解されおよび明確に定義されているが、今までに、連続的な流れ成長システムに利用されていない。本発明の堆積プロセスの効率を最適化するように、5つの可変プロセスを制御できる。これらは:1.溶解および堆積ゾーンの両方に亘って原子状水素プラズマおよび/または原子状水素ラジカルの濃度および強度2.溶解ゾーンと堆積ゾーンの間の温度差3.システムを通過する溶剤の流速4.周囲の物理的および化学的環境5.本発明のいくつかの実施形態において、溶剤および/または種ダイヤモンド結晶を横切る電圧バイアスを、溶解および堆積速度を制御するのに用いる。従って、これらの可変プロセスは、全ての従来技術実施者にもよく知られる様式で記載されている装置において制御される。これらは、限定されるものではないが、装置それは、マグネトロン、アークジェット、直流グロー、高温フィラメントまたはフォトニックベースシステムなどにおいて、プラズマおよび/または原子状水素ラジカル生成機器に対して水素ガスの流速を制御すること、このようなプラズマおよび/または原子状水素ラジカル生成装置に対して電力レベルまたは周波数を制御すること、他の一体化された加熱要素に対して電力レベルまたは周波数を制御すること抵抗方法もしくは誘導的な方法または別の方法によって、システムにおける電磁気的ポンプに対して電力レベルまたは周波数を制御すること、またはシステムのまわりの溶媒流れを調整するように、システムにおける任意の機械的ポンプの速度を制御すること、プロセスチャンバーの内側における化学的条件を制御すること限定されるものではないが、プロセス環境への水素以外の気体の流入を制御することを含む、プロセス機器の様々な部分の加熱または冷却速度を制御すること能動的または受動的方法によって、および溶解または核生成または成長の速度を向上するように、システムの部分に対する電気的バイアスを制御することを含む。添付図面を参照し、例のみを用いることによって、本発明をさらに記載する。ダイヤモンド合成プロセスの操作の前に、グラファイト源ディスクを、操作装置アーム3の末端上に乗せ、およびダイヤモンド種結晶を、操作装置アーム4の末端上に挿入することによって使用するように、チャンバーを準備する。次いで、溶媒物質を、トラックウェイ内に入れ、およびポンプ9の除去可能なセクションを所定位置に固定する。続いて、チャンバーリドを封止し、および低真空ポンプ20を作動させ、およびバルブ21を開放する。次に、0.1mbar0.01kPaの圧力まで下がるように、チャンバーをポンプ輸送し、バルブ21を閉鎖し、および続いてポート19によって、600mbar60kPaの圧力まで純粋なアルゴンで充填する。次いで、0.1mbar10Paの圧力まで下がるように、チャンバーを再びポンプ輸送し、および内側雰囲気中のどのような微量の酸素をも除去するように、アルゴンで、3回、再充填した。次いで、制御回路は、トラックウェイの下の加熱要素を作動させ、トラックウェイの平均温度を400°Cまでゆっくりと上昇させる。続いて、低真空ポンプによって、圧力を0.1mbar10Paよりも低く維持しながら、この温度で少なくとも1時間に亘って、システムを、ガスが抜けるようにしたままにする。次に、高真空ポンプ17を開始し、バルブ21を閉鎖しおよびゲートバルブ18を開放する。続いて、チャンバー圧力が0.00005mbar0.005Pa以下まで減少するまで、高真空ポンプを操作下におく。次いで、ゲートバルブ18を閉じ、および圧力が、約1mbar100Paに達するまで、アルゴンはシステム内に戻るように流れる。次に、この時点で、粗引きポンプを抑制するように、バルブ21を再開放および使用し、チャンバー内の約1mbar100Paの一定圧力を効率的に維持する。この工程において、グラファイト源操作装置アーム3、ダイヤモンド種操作装置アーム2およびプラズマ発生ユニット12の配置は、図3に示されるように、トラックウェイの近接物から離されている。次に、加熱要素の温度は、数時間に亘って操作温度を満たすようにゆっくりと上げられる。インジウムを、溶媒物質として用いたプロセスの例として、全ての要素のための温度は、1450°Cに設定される。この時点では、溶媒ポンプシステムを開始し、および流れの開始を、チャンバーの前および頂図示せずにおけるビューポートによって、視覚的に検査する。次に、溶媒流れを、素早く視覚的に検査することにより概ね知覚できるように、制御システムを用いて、溶媒流れを調整する。次いで、グラファイト源物質5が、溶解ゾーンの直接上にあるように、グラファイト源操作装置アームを回転する。続いて、溶剤内において、溶媒メニスカスの下1mmの深さまでそれを徐々に下ろす。次に、溶媒が、炭素で飽和するように、それを10分以上放置する。次いで、図4に示すように、プラズマ発生ユニット1を、溶解ゾーンのメニスカス上の所定位置に下ろす。続いて、プラズマ発生ユニットに供給した水素ガスを、設定した流速で作動させ、およびプラズマを着火した。次に、溶媒のメニスカス上のプラズマの均一な広がりを確実にするように、メニスカス上のプラズマ発生ユニットの距離を微調整する。溶媒の薄い流れ層は、水素プラズマの直接下のグラファイト源物質上を通過し、グラファイトを溶解して高度に過飽和にした溶媒-炭素-水素溶液を形成し、従って、該溶液は、溶解ゾーンの外に徐々に流れる。続いて、溶媒を充分に混合するために、10分以上に亘って、システムをこのようなまま放置する。プロセスのこの例において、種ダイヤモンド6が、堆積ゾーンの直接上にあるように、ダイヤモンド種操作装置アーム4を回転する。続いて、ダイヤモンド種を溶媒のメニスカスの下1mmの深さまで浸すまで、ダイヤモンド種を徐々に下ろす。プラズマ発生ユニット2を、所定位置まで下ろし、およびプラズマを着火する。次いで、プラズマが、堆積ゾーンのメニスカス上に広がるように、プラズマ発生ユニットの位置を微調整する。この時点において、システムの配置を、図5の表によって表す。溶解ゾーン、堆積ゾーンおよびトラックウェイの間の温度勾配は、堆積ゾーンおよびトラックウェイの下の加熱要素のために温度制御設定値を下げることによって実現される。操作のプロセスのこの例において、溶解ゾーンの温度を1550°Cまで上げ、堆積ゾーンを1350°Cまで下げ、およびトラックウェイ温度の残りを1250°Cまで下げる。堆積ゾーンにおける温度を冷やし、および温度勾配を設定する際に、ダイヤモンドは、種結晶の表面上に連続的に成長し始める。溶解ゾーンと堆積ゾーンの間の温度勾配が、さらに極端になるプロセスの他の例において、これは、ダイヤモンドクラスターが、堆積ゾーン内の溶液から核生成し始めるプロセスにおけるポイントである。続いて、堆積ゾーンで成長するダイヤモンドの範囲および速度は、温度勾配、溶媒の流速および周囲の水素プラズマの強度の調整によって、制御および微調整できる。溶媒への水素拡散の速度を上げるように電気的バイアスを用いる本発明の実施形態のために、電場の電圧または周波数は、ダイヤモンドの核生成および/または成長速度を制御するように調整できる。ダイヤモンド形態の成長が所望のように完了すると、プラズマ発生ユニットを、停止して溶解ゾーンおよび堆積ゾーンから離す。加熱要素は、溶媒物質の融点のちょうど上の温度までゆっくりと下げる。溶媒ポンプシステムへの電力を止める。次いで、グラファイト源物質およびダイヤモンド種を溶媒から取り出し、システムを、ゆっくりと冷やすように放置する。最終的に、高真空ポンプルートを用いて、0.0005mbar0.05Pa以下の圧力まで下げるように、システムをポンプ輸送し、および続いて、大気圧まで、純粋なアルゴンで充填する。充分に冷えると、チャンバーを開放し、およびダイヤモンドを、洗浄および重量測定するために取り出す。"