"酸化セリウム粒子、分散剤、ポリカルボン酸、第1解離可能酸性基のpKa値が3.2以下である強酸および水を含有する研磨剤であって、pHが4.0以上7.5以下、研磨剤中の強酸濃度が100~1000ppmであることを特徴とするCMP研磨剤。酸化セリウム粒子、分散剤、ポリカルボン酸、第1解離可能酸性基のpKa値が3.2以下である強酸および水を含有する研磨剤であって、pHが4.0以上7.5以下、研磨剤中の強酸濃度が50~1000ppmであることを特徴とするCMP研磨剤。酸化セリウム粒子、分散剤、ポリカルボン酸、第1解離可能酸性基のpKa値が3.2以下である強酸および水を含有する研磨剤であって、pHが4.0以上7.5以下、研磨剤中の強酸が、一価の強酸で濃度は50~500ppmであることを特徴とするCMP研磨剤。酸化セリウム粒子、分散剤、ポリカルボン酸、第1解離可能酸性基のpKa値が3.2以下である強酸および水を含有する研磨剤であって、pHが4.0以上7.5以下、研磨剤中の強酸が、二価の強酸で濃度は100~1000ppmであることを特徴とするCMP研磨剤。研磨剤中の強酸濃度が200~1000ppmである請求項1または4記載のCMP研磨剤。研磨剤中の強酸濃度が300~600ppmである請求項1または4記載のCMP研磨剤。強酸が硫酸である請求項1または4記載のCMP研磨剤。研磨剤中の強酸濃度が100~500ppmである請求項2または3記載のCMP研磨剤。研磨剤中の強酸濃度が150~300ppmである請求項2または3記載のCMP研磨剤。強酸の第1解離可能酸性基のpKa値が2.0以下である請求項1~9のいずれか一項記載のCMP研磨剤。強酸の第1解離可能酸性基のpKa値が1.5以下である請求項10記載のCMP研磨剤。pHが4.5以上5.5以下である請求項1~11のいずれか一項記載のCMP研磨剤。前記ポリカルボン酸が、ポリアクリル酸である請求項1~12のいずれか一項に記載のCMP研磨剤。前記分散剤が、アクリル酸アンモニウム塩を含む高分子化合物である請求項1~13のいずれか一項記載のCMP研磨剤。前記研磨剤は、未中和のポリカルボン酸と強酸または強酸塩及び水を混合させた後に、アンモニアでpH調整されたものである請求項1~14のいずれか一項記載のCMP研磨剤。前記酸化セリウム粒子の含有量が、CMP研磨剤100重量部に対して0.1重量部以上5重量部以下である請求項1~15のいずれか一項に記載のCMP研磨剤。前記ポリカルボン酸の含有量が、CMP研磨剤100重量部に対して0.01重量部以上2重量部以下である請求項1~16のいずれか一項に記載のCMP研磨剤。前記ポリカルボン酸の重量平均分子量GPCのPEG換算が、500以上20,000以下である請求項1~17のいずれか一項に記載のCMP研磨剤。前記酸化セリウム粒子の平均粒径が1nm以上400nm以下である請求項1~18のいずれか一項に記載のCMP研磨剤。前記ポリカルボン酸が、カチオン性アゾ化合物およびその塩の少なくとも一方、またはアニオン性アゾ化合物およびその塩の少なくとも一方を重合開始剤として、不飽和二重結合を有するカルボン酸およびその塩の少なくとも一方を含む単量体が重合してなる重合体である請求項1~19のいずれか一項に記載のCMP研磨剤。酸化セリウム粒子、分散剤、及び水からなる酸化セリウムスラリと、ポリカルボン酸、強酸、pH調整剤及び水を含む添加液とを混合することにより得られる請求項1~20のいずれか一項に記載のCMP研磨剤。請求項1~21のいずれか一項記載のCMP研磨剤を製造する方法であって、未中和のポリカルボン酸と強酸または強酸塩及び水を混合させた水溶液を得る工程と、該工程の後に、前記水溶液をアンモニアでpH調整する工程とを有することを特徴とするCMP研磨剤の製造方法。請求項1~21のいずれか一項に記載のCMP研磨剤を製造する方法であって、酸化セリウム粒子、分散剤、及び水からなる酸化セリウムスラリと、ポリカルボン酸、強酸、及び水を含む添加液とを混合することを特徴とするCMP研磨剤の製造方法。被研磨膜を形成した基板を研磨定盤の研磨布に押しあて加圧し、請求項1~21のいずれか一項に記載のCMP研磨剤を被研磨膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤とを相対的に動かして被研磨膜を研磨することを特徴とする基板の研磨方法。しかしながら、上記のような酸化セリウムを用いた研磨剤は、砥粒粒子の粒径が変化しやすく、パターン密度差による膜厚差が発生しやすいという問題があった。また、一般に、STI等の下地が窒化珪素で被覆された凸部アクティブ部の面積密度が小さい部分では、面積密度が大きい部分に比べ、実効研磨圧力が大きいために、研磨が先に進行しやすい。そのため、最終的に低密度部の窒化珪素の残膜厚が小さくなり膜厚ロスがおおきくなり、これによって、パターン密度差による膜厚差が大きくなりやすいという課題があった。本発明は、層間絶縁膜、BPSG膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するCMP技術において、酸化珪素膜等を、パターン密度差による膜厚差を小さく、高速に、かつプロセス管理も容易に、研磨できる研磨剤および研磨方法を提供するものである。本発明は、1酸化セリウム粒子、分散剤、ポリカルボン酸、第1解離可能酸性基のpKa値が3.2以下である強酸および水を含有する研磨剤であって、pHが4.0以上7.5以下、研磨剤中の強酸濃度が100~1000ppmであることを特徴とするCMP研磨剤に関する。本発明は、2酸化セリウム粒子、分散剤、ポリカルボン酸、第1解離可能酸性基のpKa値が3.2以下である強酸および水を含有する研磨剤であって、pHが4.0以上7.5以下、研磨剤中の強酸濃度が50~1000ppmであることを特徴とするCMP研磨剤に関する。本発明は、3酸化セリウム粒子、分散剤、ポリカルボン酸、第1解離可能酸性基のpKa値が3.2以下である強酸および水を含有する研磨剤であって、pHが4.0以上7.5以下、研磨剤中の強酸が、一価の強酸で濃度は50~500ppmであることを特徴とするCMP研磨剤に関する。本発明は、4酸化セリウム粒子、分散剤、ポリカルボン酸、第1解離可能酸性基のpKa値が3.2以下である強酸および水を含有する研磨剤であって、pHが4.0以上7.5以下、研磨剤中の強酸が、二価の強酸で濃度は100~1000ppmであることを特徴とするCMP研磨剤に関する。本発明は、5研磨剤中の強酸濃度が200~1000ppmである前記1または4記載のCMP研磨剤に関する。本発明は、6研磨剤中の強酸濃度が300~600ppmである前記1または4記載のCMP研磨剤に関する。本発明は、7強酸が硫酸である前記1または4記載のCMP研磨剤に関する。本発明は、8研磨剤中の強酸濃度が100~500ppmである前記2または3記載のCMP研磨剤に関する。本発明は、9研磨剤中の強酸濃度が150~300ppmである前記2または3記載のCMP研磨剤に関する。本発明は、10強酸の第1解離可能酸性基のpKa値が2.0以下である前記1~9のいずれか一項記載のCMP研磨剤に関する。本発明は、11強酸の第1解離可能酸性基のpKa値が1.5以下である前記10記載のCMP研磨剤に関する。本発明は、12pHが4.5以上5.5以下である前記1~11のいずれか一項記載のCMP研磨剤に関する。本発明は、13前記ポリカルボン酸が、ポリアクリル酸である前記1~12のいずれか一項に記載のCMP研磨剤に関する。本発明は、14前記分散剤が、アクリル酸アンモニウム塩を含む高分子化合物である前記1~13のいずれか一項記載のCMP研磨剤に関する。本発明は、15前記研磨剤が、未中和のポリカルボン酸と強酸または強酸塩及び水を混合させた後に、アンモニアでpH調整されたものである前記1~14のいずれか一項記載のCMP研磨剤に関する。本発明は、16前記酸化セリウム粒子の含有量が、CMP研磨剤100重量部に対して0.1重量部以上5重量部以下である前記1~15のいずれか一項に記載のCMP研磨剤に関する。本発明は、17前記ポリカルボン酸の含有量が、CMP研磨剤100重量部に対して0.01重量部以上2重量部以下である前記1~16のいずれか一項に記載のCMP研磨剤に関する。本発明は、18前記ポリカルボン酸の重量平均分子量GPCのPEG換算が、500以上20,000以下である前記1~17のいずれか一項に記載のCMP研磨剤に関する。本発明は、19前記酸化セリウム粒子の平均粒径が1nm以上400nm以下である前記1~18のいずれか一項に記載のCMP研磨剤に関する。本発明は、20前記ポリカルボン酸が、カチオン性アゾ化合物およびその塩の少なくとも一方、またはアニオン性アゾ化合物およびその塩の少なくとも一方を重合開始剤として、不飽和二重結合を有するカルボン酸およびその塩の少なくとも一方を含む単量体が重合してなる重合体である前記1~19のいずれか一項に記載のCMP研磨剤に関する。本発明は、21酸化セリウム粒子、分散剤、及び水からなる酸化セリウムスラリと、ポリカルボン酸、強酸、pH調整剤及び水を含む添加液とを混合することにより得られる前記1~20のいずれか一項に記載のCMP研磨剤に関する。本発明は、22前記1~21のいずれか一項記載のCMP研磨剤を製造する方法であって、未中和のポリカルボン酸と強酸または強酸塩及び水を混合させた水溶液を得る工程と、該工程の後に、前記水溶液をアンモニアでpH調整する工程とを有することを特徴とするCMP研磨剤の製造方法に関する。本発明は、23前記1~21のいずれか一項に記載のCMP研磨剤を製造する方法であって、酸化セリウム粒子、分散剤、及び水からなる酸化セリウムスラリと、ポリカルボン酸、強酸、及び水を含む添加液とを混合することを特徴とするCMP研磨剤の製造方法に関する。本発明は、24被研磨膜を形成した基板を研磨定盤の研磨布に押しあて加圧し、前記1~21のいずれか一項に記載のCMP研磨剤を被研磨膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤とを相対的に動かして被研磨膜を研磨することを特徴とする基板の研磨方法に関する。本願の開示は、2004年9月27日に出願された特願2004-279601号及び2005年6月20日に出願された特願2005-179464号に記載の主題と関連しており、それらの開示内容は引用によりここに援用される。本発明により、層間絶縁膜、BPSG膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜等を平坦化するCMP技術において、パターン密度差による膜厚差を低減し、高速に、かつプロセス管理も容易に、酸化珪素膜等を研磨できる研磨剤および研磨方法を提供することができる。一般に酸化セリウムは、炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩、しゅう酸塩のセリウム化合物を酸化することによって得られる。TEOS-CVD法等で形成される酸化珪素膜の研磨に使用する、酸化セリウム研磨剤は、粒子の結晶子径が大きく、かつ結晶ひずみが少ないほど、すなわち結晶性が良いほど高速研磨が可能であるが、研磨傷が入りやすい傾向がある。そこで、本発明で用いる酸化セリウム粒子は、その製造方法を限定するものではないが、酸化セリウム結晶子径は1nm以上300nm以下であることが好ましい。また、半導体素子の製造に係る研磨に使用することから、アルカリ金属及びハロゲン類の含有率は酸化セリウム粒子中10ppm以下に抑えることが好ましい。本発明において、酸化セリウム粉末を作製する方法として焼成または過酸化水素等による酸化法が使用できる。焼成温度は350°C以上900°C以下が好ましい。上記の方法により製造された酸化セリウム粒子は凝集しているため、機械的に粉砕することが好ましい。粉砕方法として、ジェットミル等による乾式粉砕や遊星ビーズミル等による湿式粉砕方法が好ましい。ジェットミルは、例えば化学工学論文集第6巻第5号1980527~532頁に説明されている。このような酸化セリウム粒子を主な分散媒である水中に分散させる方法としては、通常の攪拌機による分散処理の他にホモジナイザ、超音波分散機、湿式ボールミル等を用いることができる。上記の方法により分散された酸化セリウムをさらに微粒子化する方法として、酸化セリウム分散液を長時間静置させて大粒子を沈降させ、上澄みをポンプで汲み取ることによる沈降分級法が用いられる。他に、分散媒中の酸化セリウム粒子同士を90MPa以上の圧力で衝突させる高圧ホモジナイザを使用する方法も使用される。こうして作製された酸化セリウム粒子の平均粒径は、CMP研磨剤中で1~400nmであることが好ましい。より好ましくは1~300nmであり、さらに好ましくは1~200nmである。酸化セリウム粒子の平均粒径が1nm未満であると研磨速度が低くなる傾向があり、400nmを超えると研磨する膜に傷がつきやすくなる傾向があるからである。本発明で、酸化セリウム粒子の平均粒径とは、レーザ回折式粒度分布計で測定したD50の値体積分布のメジアン径、累積中央値をいう。本発明におけるCMP研磨剤は、例えば、上記の特徴を有する酸化セリウム粒子Aと分散剤Bと水Cを配合して粒子を分散させ、さらにポリカルボン酸D及び後述する強酸Eを添加することによって得られる。酸化セリウム粒子の濃度は研磨剤100重量部に対して0.1重量部以上5重量部以下の範囲が好ましい。より好ましくは0.2重量部以上3重量部以下である。濃度が低すぎると研磨速度が低くなる傾向があり、高すぎると凝集する傾向があるためである。B分散剤として、例えば、水溶性陰イオン性分散剤、水溶性非イオン性分散剤、水溶性陽イオン性分散剤、水溶性両性分散剤等が挙げられ、共重合成分としてアクリル酸アンモニウム塩を含む高分子化合物である分散剤が好ましい。例えば、ポリアクリル酸アンモニウム、アクリル酸アミドとアクリル酸アンモニウムとの共重合体等が挙げられる。また、共重合成分としてアクリル酸アンモニウム塩を含む高分子分散剤の少なくとも1種類と、水溶性陰イオン性分散剤、水溶性非イオン性分散剤、水溶性陽イオン性分散剤、水溶性両性分散剤から選ばれた少なくとも1種類とを含む2種類以上の分散剤を併用してもよい。半導体素子の製造に係る研磨に使用することから、分散剤中のナトリウムイオン、カリウムイオン等のアルカリ金属の含有率は10ppm以下に抑えることが好ましい。水溶性陰イオン性分散剤としては、例えば、ラウリル硫酸トリエタノールアミン、ラウリル硫酸アンモニウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸トリエタノールアミン、ポリカルボン酸型高分子分散剤等が挙げられる。前記ポリカルボン酸型高分子分散剤としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等の不飽和二重結合を有するカルボン酸単量体の重合体、不飽和二重結合を有するカルボン酸単量体と他の不飽和二重結合を有する単量体との共重合体、及びそれらのアンモニウム塩やアミン塩などが挙げられる。水溶性非イオン性分散剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレン高級アルコールエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン誘導体、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、テトラオレイン酸ポリオキシエチレンソルビット、ポリエチレングリコールモノラウレート、ポリエチレングリコールモノステアレート、ポリエチレングリコールジステアレート、ポリエチレングリコールモノオレエート、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油、2-ヒドロキシエチルメタクリレート、アルキルアルカノールアミド等が挙げられる。水溶性陽イオン性分散剤としては、例えば、ポリビニルピロリドン、ココナットアミンアセテート、ステアリルアミンアセテート等が挙げられ、水溶性両性分散剤としては、例えば、ラウリルベタイン、ステアリルベタイン、ラウリルジメチルアミンオキサイド、2-アルキル-N-カルボキシメチル-N-ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイン等が挙げられる。これらの分散剤添加量は、研磨剤中の粒子の分散性及び沈降防止、さらに研磨傷と分散剤添加量との関係から酸化セリウム粒子100重量部に対して、0.01重量部以上10重量部以下の範囲が好ましい。分散剤の重量平均分子量は、100~50,000が好ましく、1,000~10,000がより好ましい。分散剤の重量平均分子量が100未満の場合は、酸化珪素膜あるいは窒化珪素膜を研磨するときに、十分な研磨速度が得られにくい場合があり、分散剤の重量平均分子量が50,000を超えた場合は、粘度が高くなり、CMP研磨剤の保存安定性が低下する場合があるからである。本発明におけるCMP研磨剤はポリカルボン酸Dを含有することで、平坦化特性を向上することができる。また、主な被研磨膜である酸化珪素膜より、ストッパ膜である窒化珪素膜の研磨速度を抑制する効果を有するため、プロセス管理が容易となる。また、ポリカルボン酸は分散剤としての機能を持つ場合もある。ポリカルボン酸としては、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリスチレンカルボン酸、及びこれらの共重合体等が挙げられる。ポリカルボン酸は、アクリル酸/アクリル酸メチルの共重合体等のような、カルボン酸とその他の共重合可能な単量体との共重合体なども含む。その場合はカルボン酸の共重合比率が50重量以上になるようにすることが好ましい。ポリカルボン酸は、カチオン性アゾ化合物およびその塩の少なくとも一方、またはアニオン性アゾ化合物およびその塩のうち少なくとも一方を重合開始剤として、不飽和二重結合を有するカルボン酸およびその塩の少なくとも一方を含む単量体が重合してなる重合体であるのが好ましい。重合開始剤には、例えば2,2 ́-アゾビス2-2-イミダゾリン-2-イルプロパン二硫酸塩二水和物、2,2 ́-アゾビス2-2-イミダゾリン-2-イルプロパン等が挙げられる。本発明で使用されるポリカルボン酸の合成方法に制限はなく、例えばポリアクリル酸の場合、重量平均分子量がGPCのPEG換算で500以上20,000以下のものが好ましい。より好ましくは重量平均分子量1,000以上20,000以下であり、特に好ましくは、2,000以上10,000以下である。該分子量が低すぎると平坦化効果が不足となる場合があり、該分子量が高すぎると酸化セリウム粒子が凝集しやすくなったり、パターン凸部の研磨速度が低下したりする場合があるためである。ポリカルボン酸含有量は、例えばポリアクリル酸の場合、CMP研磨剤100重量部に対して、0.01重量部以上2重量部以下の範囲が好ましい。より好ましくは0.1重量部以上1重量部以下である。含有量が少なすぎると高平坦化特性が得られにくく、多すぎるとパターン凸部の研磨速度も大幅に低下したり、酸化セリウム粒子の分散安定性が低下したりする傾向がある。本発明におけるCMP研磨剤はポリカルボン酸に加えて、第1解離可能酸性基のpKa値が3.2以下の強酸Eを含有することで、平坦化特性の向上に加えて、パターン密度差による膜厚差を低減することができる。すなわち、STI等の下地が窒化珪素で被覆された凸部アクティブ部の面積密度が小さい部分での、窒化珪素の膜厚ロスを低減することができる。本発明において、強酸とは、第1解離可能酸性基のpKa値pKa1が3.2以下である酸とする。このような酸の例を次に例示する。硫酸第1解離段pKa1<0、第2解離段pKa2:1.96、以下第1解離段のpKa値のみ示す。、塩酸-3.7、硝酸-1.8、リン酸2.15、シュウ酸1.04、マレイン酸1.75、亜硫酸1.86、チオ硫酸0.6、アミド硫酸0.99、塩素酸、過塩素酸<0、亜塩素酸2.31、ヨウ化水素酸-10、過ヨウ素酸、ヨウ素酸0.77、臭化水素酸-9、過臭素酸、臭素酸、クロム酸-0.2、亜硝酸3.15、2リン酸0.8、トリポリリン酸2.0、ピクリン酸0.33、ピコリン酸1.03、ホスフィン酸1.23、ホスホン酸1.5、イソニコチン酸1.79、ニコチン酸2.05、トリクロロ酢酸0.66、ジクロロ酢酸1.30、クロロ酢酸2.68、シアノ酢酸2.47、オキサロ酢酸2.27、ニロト酢酸1.46、ブロモ酢酸2.72、フルオロ酢酸2.59、フェノキシ酢酸2.99、o-ブロモ安息香酸2.85、o-ニトロ安息香酸2.17、o-クロロ安息香酸2.92、p-アミノ安息香酸2.41、アントラニル酸2.00、フタル酸2.75、フマル酸2.85、マロン酸2.65、d-酒石酸2.83、クエン酸2.90、o-クロロアニリン2.64、2,2’-ビピリジン2.69、4,4’-ビピリジン2.69、2,6-ピリジンジカルボン酸2.09、ピルビン酸2.26、ポリスチレンスルホン酸<3.0、ポリスルホン酸<3.0、グルタミン酸2.18、サリチル酸2.81、アスパラギン酸1.93、2-アミノエチルホスホン酸1.1、グリシン2.36、アルギニン2.05、イソロイシン2.21、サルコシン2.15、オルニチン1.9、グアノシン1.8、シトルリン2.43、チロシン2.17、バリン2.26、ヒポキサンチン2.04、メチオニン2.15、リシン2.04、ロイシン2.35等が挙げられる。特に硫酸が好ましい。強酸としては、第1解離可能酸性基のpKa値が低いものほど、本発明の効果が高く、第1解離可能酸性基のpKa値が2.0以下の酸がより好ましく、該pKa値が1.5以下の酸が最も好ましい。第1解離可能酸性基のpKa値が3.2より大きいと、充分な効果が得られない。本発明で使用される強酸の研磨剤への添加方法に制限はなく、ポリカルボン酸と別に添加してもよく、ポリカルボン酸中に含有される場合もある。例えばポリカルボン酸がポリアクリル酸の場合、そのpKa1値が4~5アクリル酸が4.26であると推定されるので、それよりも解離しやすい酸を含有することにより、ポリアクリル酸の解離を抑制し、ポリアクリル酸の高平坦化効果を向上することができる。ポリカルボン酸を含有することによる高平坦化効果は、ポリカルボン酸の酸化珪素膜表面や酸化セリウム粒子表面への吸着による表面保護作用酸化珪素膜の研磨抑制作用によると考えられる。ポリカルボン酸と強酸を併用することにより、ポリカルボン酸の解離が抑制される。これにより、ポリカルボン酸の酸化珪素膜への水素結合吸着作用が強くなるために、上記のような効果が得られると考えられるが、本発明は、このメカニズムに限定されるものではない。本発明におけるpKa値は、化学便覧基礎編改訂4版平成5年9月30日発行、社団法人日本化学会著、丸善株式会社発行、II-317~II-322ページから引用したものである。また、強酸は塩の形態で研磨剤に使用されても良い。強酸塩としては、硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、シュウ酸アンモニウム、亜硫酸アンモニウム、亜硝酸アンモニウム、アミド硫酸アンモニウム、ヨウ素酸アンモニウム、過硫酸アンモニウム、過塩素酸アンモニウム等のアンモニウム塩などが挙げられる。強酸含有量は、研磨剤中の重量比で100~1000ppmが必要であり、好ましくは、200~1000ppm、より好ましくは300~600ppmである。例えば硫酸の場合、CMP研磨剤100重量部に対して、0.01重量部以上0.1重量部以下の範囲が必要である。好ましくは0.02重量部以上0.1重量部以下であり、より好ましくは0.03重量部以上0.06重量部以下である。また、強酸の種類によっては、研磨剤中の重量比で強酸含有量が50~1000ppmである必要がある。例えば一価の酸の場合などである。強酸の含有量が少なすぎるとパターン密度依存の低減効果が得られにくい傾向がある。また、多すぎるとパターン凸部の研磨速度も大幅に低下したり、酸化セリウム粒子の分散安定性が低下したりする傾向があり、長時間放置した場合に再分散しても酸化セリウム粒径が大きくなる傾向がある。実際には、研磨剤中の規定度モル濃度に酸の価数をかけたものが影響するので、分子量が小さいものほど、価数解離段数の大きいものほど、同じ重量部含有した時の効果は大きい。強酸が1価の強酸の場合、その含有量は50~500ppmであることが好ましく、100~500ppmであることがより好ましく、150~300ppmであることが特に好ましい。2価の強酸の場合、その含有量は100~1000ppmであることが好ましく、200~1000ppmであることがより好ましく、300~600ppmであることが特に好ましい。1価の強酸と2価の強酸とのそれぞれ同量を研磨剤中に配合する場合、1価の強酸よりも2価の強酸のほうが酸化セリウム粒子は凝集しにくい傾向がある。研磨剤のpHが高い場合には、高平坦性を得るために必要なポリカルボン酸の含有量が増加するが、ポリカルボン酸の含有量が不足するほど、必要な強酸量が増加する傾向がある。すなわち、研磨剤のpHが高いほど、同じ高平坦性を得るためのポリカルボン酸の添加量及び強酸量が増加することになり、酸化セリウム粒子の分散安定性が悪化し、時間経過後の粒径が大きくなる傾向があるが、本発明のパターン密度による膜厚差を低減する効果は得られる。また、本発明の研磨剤は他の水溶性高分子を併用してもよい。他の水溶性高分子としては、特に制限はなく、例えばアルギン酸、ペクチン酸、カルボキシメチルセルロース、寒天、カードラン及びプルラン等の多糖類;ポリアスパラギン酸、ポリグルタミン酸、ポリリシン、ポリリンゴ酸、ポリアミド酸、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリフマル酸、ポリアミド酸アンモニウム塩、ポリアミド酸ナトリウム塩及びポリグリオキシル酸等のポリカルボン酸及びその塩;ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン及びポリアクロレイン等のビニル系ポリマ等が挙げられる。これら水溶性高分子の重量平均分子量は500以上が好ましい。また、これらの配合量はCMP研磨剤100重量部に対して、0.01重量部以上5重量部以下の範囲が好ましい。本発明におけるCMP研磨剤は所定の範囲内の所望のpHに調整して研磨に供される。pH調整剤に制限はないが、半導体研磨に使用される場合にはアルカリ金属類よりも、アンモニア水が好適に使用される。pH調整は、まず、強酸と未中和ポリカルボン酸と水を混合した水溶液を作製し、この水溶液をアンモニア水等のpH調整剤の添加で調整することができる。その後、残りの酸化セリウム粒子等と混合してCMP研磨剤が得られる。あらかじめ所定のpHになるアンモニア量がわかっている場合には、アンモニアを入れた後で、所定の濃度の強酸を添加することもできる。また、中和率が100以下のポリカルボン酸アンモニウム塩、すなわちpH調整剤で一部または全部を予め中和したポリカルボン酸を、ポリカルボン酸及びpH調整剤の代わりに用いることもできる。この場合に、ポリカルボン酸アンモニウム塩を強酸よりも先に水と混合して、所定の濃度範囲の強酸を入れて所定のpHに調整できる。ただし、アンモニアで中和された前記ポリカルボン酸のアンモニウム塩を使用する場合、過剰に中和率100を超えて中和されたアンモニウム塩を使用したときは、所望のpHに調整する際に、過剰なアンモニア成分を中和するために酸成分を追加する必要があり、酸化セリウム粒子の分散安定性を悪化させたり、再分散させた時の酸化セリウム粒径が大きくなったりすることがある。上記ポリカルボン酸アンモニウムの中和率は、以下の方法で決定する。アングルロータを備えた日立工機株式会社製微量高速遠心分離機CF-15Rを用い、15,000rpm、30分間、研磨剤の固液分離を行う。株式会社島津製作所製全有機体炭素計TOC-5000を用い、上澄み液の有機炭素分を測定してポリカルボン酸濃度を測定する。さらに大塚電子株式会社製キャピラリ電気泳動装置CAPI-3300を用い、泳動液を10mMイミダゾール、試料注入を落差法25mm、90sec、泳動電圧を30kV、検出法をインダイレクトUV210nmとすることでアンモニウムイオン濃度を測定して、ポリカルボン酸の中和率を決定する。CMP研磨剤のpHは4.0以上、pH7.5以下の必要があり、pH4.5以上、pH5.5以下が好ましい。pHが低すぎると研磨剤自体の化学的な研磨作用が低下するために研磨速度が低下したり、分散剤が解離しにくくなったりするため酸化セリウム粒子の分散安定性が低下する傾向がある。一方pHが高すぎると平坦性が低下し、高平坦性を得るために必要なポリカルボン酸の添加量あるいは強酸の添加量が増加し、それに伴いアンモニア含有量も増えるために、酸化セリウム粒子の分散安定性が低下したり、酸化セリウムの粒径が大きくなったりする傾向があるからである。本発明においてCMP研磨剤のpHは、pHメータ例えば、横河電機株式会社製のModelPH81で測定した。標準緩衝液フタル酸塩pH緩衝液pH:4.2125°C、中性りん酸塩pH緩衝液pH6.8625°Cを用いて、2点校正した後、電極をCMP研磨剤に入れて、2分以上経過して安定した後の値を測定した。本発明の研磨剤は、酸化セリウム粒子、分散剤、及び水からなる酸化セリウムスラリと、ポリカルボン酸、強酸及び水を含み、必要に応じてアンモニア等のpH調整剤でpH調整された添加液とを分けた2液式CMP研磨剤として保存しても、また酸化セリウム粒子、分散剤、ポリカルボン酸、強酸及び水、さらに必要に応じてpH調整剤を含んだ1液式研磨剤として保存してもよい。酸化セリウムスラリと添加液とを分けた2液式研磨剤として保存する場合、これら2液の配合を任意に変えられることにより平坦化特性と研磨速度の調整が可能となる。2液式研磨剤で研磨する場合、添加液は、酸化セリウムスラリと別々の配管で送液し、これらの配管を合流させて供給配管出口の直前で混合して研磨定盤上に供給することができる。また、2液式研磨剤として保管された酸化セリウムスラリと添加剤及び脱イオン水をあらかじめ所定の配合比で混合することにより、1液型研磨剤として1つの配管で供給することもできる。更に、酸化セリウムスラリと添加剤を上記のように配管内で混合する場合に、必要に応じて脱イオン水を混合して、研磨特性を調整することもできる。本発明の研磨方法は、被研磨膜を形成した基板を研磨定盤の研磨布に押し当て加圧し、上記本発明のCMP研磨剤を被研磨膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤とを相対的に動かして被研磨膜を研磨することを特徴とする。基板として、半導体素子製造に係る基板、例えば回路素子と配線パターンが形成された段階の半導体基板、回路素子が形成された段階の半導体基板等の半導体基板上に無機絶縁層が形成された基板が挙げられる。そして、被研磨膜は、前記無機絶縁層、例えば酸化珪素膜層あるいは窒化珪素膜層及び酸化珪素膜層等が挙げられる。このような半導体基板上に形成された酸化珪素膜層あるいは窒化珪素膜層を上記CMP研磨剤で研磨することによって、酸化珪素膜層表面の凹凸を解消し、半導体基板全面にわたって平滑な面とすることができる。また、シャロートレンチ分離にも使用できる。シャロートレンチ分離に使用するためには、酸化珪素膜研磨速度と窒化珪素膜研磨速度の比、酸化珪素膜研磨速度/窒化珪素膜研磨速度が10以上であることが好ましい。この比が10未満では、酸化珪素膜研磨速度と窒化珪素膜研磨速度の差が小さく、シャロートレンチ分離をする際、所定の位置で研磨を停止しにくくなるためである。この比が10以上の場合は窒化珪素膜の研磨速度がさらに小さくなって研磨の停止が容易になり、シャロートレンチ分離により好適である。また、シャロートレンチ分離に使用するためには、研磨時に傷の発生が少ないことが好ましい。以下、無機絶縁層が形成された半導体基板の場合を例に挙げて研磨方法を説明する。本発明の研磨方法において、研磨する装置としては、研磨布パッドを貼り付け可能で、回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある研磨定盤と、半導体基板等の被研磨膜を有する基板を保持できるホルダーとを有する一般的な研磨装置が使用できる。例えば、荏原製作所株式会社製研磨装置:型番EPO-111が使用できる。研磨布としては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用でき、特に制限がない。また、研磨布にはCMP研磨剤がたまるような溝加工を施すことが好ましい。研磨条件に制限はないが、定盤の回転速度は半導体基板が飛び出さないように200rpm以下の低回転が好ましく、半導体基板にかける圧力加工荷重は研磨後に傷が発生しないように100kPa以下が好ましい。研磨している間、研磨布にはCMP研磨剤をポンプ等で連続的に供給する。この供給量に制限はないが、研磨布の表面が常にCMP研磨剤で覆われていることが好ましい。研磨終了後の半導体基板は、流水中で良く洗浄後、スピンドライヤ等を用いて半導体基板上に付着した水滴を払い落として乾燥させることが好ましい。このように被研磨膜である無機絶縁層を上記研磨剤で研磨することによって、表面の凹凸を解消し、半導体基板全面にわたって平滑な面が得られる。このようにして平坦化されたシャロートレンチを形成したあと、酸化珪素絶縁膜層の上に、アルミニウム配線を形成し、その配線間及び配線上に後述する方法により酸化珪素絶縁膜を再度形成後、上記CMP研磨剤を用いて同様に研磨して平滑な面とする。この工程を所定数繰り返すことにより、所望の層数を有する半導体基板を製造することができる。凹凸が存在する被研磨膜酸化珪素膜のグローバル平坦化を達成するには、凸部が選択的に研磨される必要がある。本発明の水溶性高分子を含有する研磨剤を用いると、酸化セリウム粒子または被研磨膜の表面に保護膜を形成する。すなわち、実効研磨荷重の小さい凹部の被研磨膜は保護されるが、実効研磨荷重の大きい凸部被研磨膜は水溶性高分子による保護膜が排除されることで選択的に研磨され、パターン依存性の少ないグローバル平坦化が達成可能である。本発明のCMP研磨剤が使用される無機絶縁膜の作製方法として、低圧CVD法、プラズマCVD法等が挙げられる。低圧CVD法による酸化珪素膜形成は、Si源としてモノシラン:SiH4、酸素源として酸素:O2を用いる。このSiH4-O2系酸化反応を400°C以下の低温で行わせることにより得られる。場合によっては、CVD後1000°Cまたはそれ以下の温度で熱処理される。高温リフローによる表面平坦化を図るためにリン:Pをドープするときには、SiH4-O2-PH3系反応ガスを用いることが好ましい。プラズマCVD法は、通常の熱平衡下では高温を必要とする化学反応が低温でできる利点を有する。プラズマ発生法には、容量結合型と誘導結合型の2つが挙げられる。反応ガスとしては、Si源としてSiH4、酸素源としてN2Oを用いたSiH4-N2O系ガスと、テトラエトキシシランTEOSをSi源に用いたTEOS-O2系ガスTEOS-プラズマCVD法が挙げられる。基板温度は250°C~400°C、反応圧力は67~400Paの範囲が好ましい。このように、本発明における酸化珪素膜にはリン、ホウ素等の元素がドープされていても良い。同様に、低圧CVD法による窒化珪素膜形成は、Si源としてジクロルシラン:SiH2Cl2、窒素源としてアンモニア:NH3を用いる。このSiH2Cl2-NH3系酸化反応を900°Cの高温で行わせることにより得られる。プラズマCVD法は、反応ガスとしては、Si源としてSiH4、窒素源としてNH3を用いたSiH4-NH3系ガスが挙げられる。基板温度は300°C~400°Cが好ましい。本発明のCMP研磨剤及び研磨方法は、半導体基板に形成された酸化珪素膜だけでなく、各種半導体装置の製造プロセス等にも適用することができる。例えば、所定の配線を有する配線板に形成された酸化珪素膜、ガラス、窒化珪素等の無機絶縁膜;ポリシリコン、Al、Cu、Ti、TiN、W、Ta、TaN等を主として含有する膜;フォトマスクレンズプリズム等の光学ガラス;ITO等の無機導電膜;ガラス及び結晶質材料で構成される光集積回路光スイッチング素子光導波路、光ファイバーの端面、シンチレータ等の光学用単結晶;固体レーザ単結晶、青色レーザLED用サファイヤ基板、SiC、GaP、GaAs等の半導体単結晶;磁気ディスク用ガラス基板;磁気ヘッド等を研磨することができる。[実施例1~実施例6及び比較例1~比較例5]酸化セリウム粒子及び酸化セリウムスラリの作製炭酸セリウム水和物60kgをアルミナ製容器に入れ、830°Cで2時間空気中で焼成することにより黄白色の粉末を約30kg得た。この粉末をX線回折法で相同定を行なったところ酸化セリウムであること確認した。焼成粉末粒子径は30~100μmであった。酸化セリウム粒子粉末30kgをジェットミルを用いて乾式粉砕を行なった。多結晶体の比表面積をBET法により測定した結果、9m2/gであった。上記で得た酸化セリウム粉末20kgと脱イオン水79.750kgを混合し、分散剤として市販のポリアクリル酸アンモニウム水溶液重量平均分子量8000重量40500gを添加し、攪拌しながら超音波分散を行なって酸化セリウム分散液を得た。超音波周波数は、400kHzで、分散時間20分で行なった。その後、10L容器に5kgずつの酸化セリウム分散液を入れて静置し、沈降分級を行なった。分級時間200時間後、容器底からの高さ110mm以上の上澄みをポンプでくみ上げた。得られた上澄みを、次いで固形分濃度が5重量になるように、脱イオン水で希釈して酸化セリウムスラリを得た。酸化セリウムスラリ中の平均粒径を測定するため適当な濃度に希釈し、レーザ回折式粒度分布計MasterSizerMicroplusMalvern社製商品名を用い、屈折率1.93、吸収0として、測定したところ、D50の値は170nmであった。また、原子吸光光度計AA-670G株式会社島津製作所製型番を用いて測定した不純物イオンNa、K、Fe、Al、Zr、Cu、Si、Tiは1ppm以下であった。ポリカルボン酸含有添加液の調製実施例1では、市販のポリアクリル酸水溶液重量平均分子量500040重量40.5gと脱イオン水4600gを混合し、酸化セリウムセリアスラリ混合後の研磨剤6000g中の硫酸濃度が200ppmになるように硫酸96重量を1.25g添加後、アンモニア水25重量にてpH4.8に調整し、最後に水溶液重量が4800gになるように脱イオン水を混合して添加液を得た。実施例2では、実施例1と同じ市販のポリアクリル酸水溶液40重量40.5gと脱イオン水4600gを混合し、セリアスラリ混合後の研磨剤6000g中の硫酸濃度が300ppmになるように硫酸96重量を1.88g添加後、アンモニア水25重量にてpH4.8に調整し、最後に水溶液重量が4800gになるように脱イオン水を混合した。実施例3では、実施例1と同じ市販のポリアクリル酸水溶液40重量40.5gと脱イオン水4600gを混合し、セリアスラリ混合後の研磨剤6000g中の硫酸濃度が600ppmになるように硫酸96重量を3.75g添加後、アンモニア水25重量にてpH4.8に調整し、最後に水溶液重量が4800gになるように脱イオン水を混合した。実施例4では、実施例1と同じ市販のポリアクリル酸水溶液40重量40.5gと脱イオン水4600gを混合し、セリアスラリ混合後の研磨剤6000g中の硫酸濃度が900ppmになるように硫酸96重量を5.63g添加後、アンモニア水25重量にてpH4.8に調整し、最後に水溶液重量が4800gになるように脱イオン水を混合した。実施例5では、実施例1と同じ市販のポリアクリル酸水溶液40重量40.5gと脱イオン水4600gを混合し、セリアスラリ混合後の研磨剤6000g中の塩酸濃度が300ppmになるように塩酸36重量を5.0g添加後、アンモニア水25重量にてpH4.8に調整し、最後に水溶液重量が4800gになるように脱イオン水を混合した。実施例6では、実施例1と同じ市販のポリアクリル酸水溶液40重量40.5gと脱イオン水4600gを混合し、セリアスラリ混合後の研磨剤6000g中の硝酸濃度が300ppmになるように硝酸70重量を2.58g添加後、アンモニア水25重量にてpH4.8に調整し、最後に水溶液重量が4800gになるように脱イオン水を混合した。比較例1では、実施例1と同じ市販のポリアクリル酸水溶液重量平均分子量500040重量40.5gと脱イオン水4600gを混合し、硫酸を添加せずに、アンモニア水25重量にてpH4.8に調整し、最後に水溶液重量が4800gになるように脱イオン水を混合した。比較例2では、比較例1と同じ市販のポリアクリル酸水溶液40重量40.5gと脱イオン水4600gを混合し、セリアスラリ混合後の研磨剤6000g中のリンゴ酸濃度が300ppmになるようにリンゴ酸を1.8g添加後、アンモニア水25重量にてpH4.8に調整し、最後に水溶液重量が4800gになるように脱イオン水を混合した。比較例3では、比較例1と同じ市販のポリアクリル酸水溶液40重量40.5gと脱イオン水4600gを混合し、セリアスラリ混合後の研磨剤6000g中のコハク酸濃度が300ppmになるようにコハク酸を1.8g添加後、アンモニア水25重量にてpH4.8に調整し、最後に水溶液重量が4800gになるように脱イオン水を混合した。比較例4では、比較例1と同じ市販のポリアクリル酸水溶液40重量40.5gと脱イオン水4600gを混合し、セリアスラリ混合後の研磨剤6000g中の酢酸濃度が300ppmになるように酢酸99.9重量を1.8g添加後、アンモニア水25重量にてpH4.8に調整し、最後に水溶液重量が4800gになるように脱イオン水を混合した。比較例5では、比較例1と同じ市販のポリアクリル酸水溶液40重量40.5gと脱イオン水4600gを混合し、セリアスラリ混合後の研磨剤6000g中の硫酸濃度が1200ppmになるように硫酸96重量を7.5g添加後、アンモニア水25重量にてpH4.8に調整し、最後に水溶液重量が4800gになるように脱イオン水を混合した。上記で使用した市販ポリアクリル酸の分子量測定のために、示差屈折計株式会社日立製作所製型番L-3300を備えたHPLCポンプ株式会社日立製作所製型番L-7100にGPCカラム日立化成工業株式会社製型番W550を接続し、0.3MNaClを移動相として用いて測定を行ったところ、その重量平均分子量はポリエチレングリコール換算値で5000であった。CMP研磨剤の調製実施例1~6及び比較例1~5の添加液4800gと上記の酸化セリウムスラリ固形分:5重量1200gを混合して、酸化セリウム系CMP研磨剤固形分:1.0重量を6000g作製した。その研磨剤のpHは5.0であった。また、研磨剤中の粒子の平均粒径をレーザ回折式粒度分布計で測定するために、適当な濃度に希釈して測定した結果、実施例1~6、比較例1~4では、D50の値は170nmであり、比較例5ではD50の値は180nmであった。また、3ヶ月経過後の粒径は、実施例1~6、比較例1~4では、D50の値は170nmのままであったが、比較例5ではD50の値が200nmであり、酸化セリウム粒子径が大きくなる傾向が見られた。さらに、得られた実施例1~6及び比較例1~5の各CMP研磨剤を遠心分離して得られた上澄み液を、キャピラリ電気泳動測定装置大塚電子株式会社製型番CAPI-3300を用いて研磨剤中の硫酸イオン濃度、塩酸イオン濃度及び硝酸イオン濃度を測定した。泳動電圧-30kV、バッファ、試料注入は落差法落差25mm、注入時間30秒で行なった。各強酸イオン濃度300、600、1000ppmの3点で検量線を作成し、濃度を算出した。その結果、実施例1~6及び比較例5の研磨剤は、所定濃度の強酸イオンを含有することを確認した。比較例1~4の研磨剤中の強酸イオン濃度は、10ppm以下であった。絶縁膜層の研磨浅素子分離STI絶縁膜CMP評価用試験ウエハのうち、パターンの形成されていないブランケットウエハとして、Si基板上にPE-TEOS酸化珪素膜SiO2が膜厚1000nm成膜されたウエハφ200mmと、Si基板上に窒化珪素膜Si3N4が膜厚200nm成膜されたウエハφ200mmを使用した。また、STIの模擬パターンが形成されたパターンウエハとしては、InternationalSEMATECH製864ウエハφ200mmを用いた。これに埋め込まれている酸化珪素SiO2の絶縁膜は、HDPHighDensityPlasma法により成膜されたものであり、膜厚が600nmのものを使用した。なお、Si3N4膜厚150nm、SiO2膜厚凸部600nm、凹部600nm、凹部深さは480nmであり、トレンチ深さ330nmSi3N4膜厚150nmからなる。パターン密度依存性の評価には、4×4mmのブロックからなるダイのなかで、ライン凸部及びスペース凹部幅が100μmピッチで、凸部パターン密度が10~90のもの、及び04×4mm凹部と1004×4mm凸部のものを使用した。ラインおよびスペースは、STIの模擬的なパターンであり、凸部であるSi3N4でマスクされたアクティブ部と凹部である溝が形成されたトレンチ部が交互に並んだパターンである。100μmピッチとは、ライン部とスペ-ス部の幅の合計が100μmであることを意味する。例えば、凸部パターン密度10とは、凸部幅10μmと凹部幅90μmが交互に並んだパターンを意味し、凸部パターン密度90とは、凸部幅90μmと凹部幅10μmが交互に並んだパターンを意味する。研磨装置AppliedMaterials社製商品名Mirraの、保持する基板取り付け用の吸着パッドを貼り付けたホルダーに上記試験ウエハをセットし、一方、φ480mmの研磨定盤にロデール社製多孔質ウレタン樹脂製の研磨パッド型番IC-1000K溝を貼り付けた。該パッド上に絶縁膜面を下にして前記ホルダーを載せ、さらに加工荷重としてメンブレン、リテーナリング、インナチューブ圧力をそれぞれ3.0psi、3.5psi、3.0psi20.6kPa、24.0kPa、20.6kPaに設定した。定盤上に上記で調製したCMP研磨剤を200mL/分の速度で滴下しながら、定盤とウエハとをそれぞれ98rpm、78rpmで作動させてSTI絶縁膜CMP評価用試験ウエハを研磨した。ブランケットウエハの研磨時間は60秒で行った。パターンウエハの研磨時間は、1004×4凸部パターン部でほぼSi3N4膜が露出するまでの時間とし、研磨定盤トルク電流値をモニタすることで、研磨の終点検出を行った。また、パターン凸部のSi3N4膜上にSiO2残膜が10nm以上ある場合には随時追加研磨を行った。研磨後のウエハを純水で良く洗浄後、乾燥した。その後、光干渉式膜厚装置ナノメトリクス社製商品名、NanospecAFT-5100を用いて、凹部の絶縁膜の残膜厚、凸部の絶縁膜の残膜厚、あるいはSi3N4膜の残膜厚を測定した。さらに段差計DektakV200-SiVeeco社製型番を用いて、研磨後の凸部と凹部の残段差を測定した。表1、表2に得られた各測定結果を示す。[実施例7~実施例9]実施例7~実施例9、比較例6では、ポリカルボン酸の合成から行なった。酸化セリウム粒子及び酸化セリウムスラリの作製実施例1~実施例6と同様の方法で行なった。ポリカルボン酸の合成実施例7では、脱イオン水960gを3リットルの合成用フラスコに投入し、窒素ガス雰囲気下で撹拌しながら90°Cに昇温後、アクリル酸547gと過硫酸アンモニウム54gを脱イオン水500gに溶解させたものを2時間かけてフラスコ中に注入した。その後90°Cで5時間保温後、冷却して取り出しポリアクリル酸水溶液を得た。不揮発分を測定したところ、25重量であった。さらに、上記で得られたポリアクリル酸の分子量測定を、実施例1で用いた市販ポリアクリル酸の分子量測定と同じ条件で行ったところ、その重量平均分子量は5000ポリエチレングリコール換算値であった。実施例8では、脱イオン水960gを3リットルの合成用フラスコに投入し、窒素ガス雰囲気下で撹拌しながら90°Cに昇温後、アクリル酸497gと2,2 ́-アゾビス2-2-イミダゾリン-2-イルプロパン二硫酸塩二水和物103gを脱イオン水500gに溶解させたものを2時間かけてフラスコ中に注入した。その後90°Cで3時間保温後、冷却して取り出してポリアクリル酸溶液を得た。不揮発分を測定したところ、25重量であった。実施例7と同様に、得られたポリアクリル酸の分子量測定を行ったところ、その重量平均分子量は3200ポリエチレングリコール換算値であった。実施例9では、脱イオン水960gを3リットルの合成用フラスコに投入し、窒素ガス雰囲気下で撹拌しながら90°Cに昇温後、メタクリル酸256g、アクリル酸255gと2,2 ́-アゾビス2-2-イミダゾリン-2-イルプロパン二硫酸塩二水和物89gを脱イオン水500gに溶解させたものを2時間かけてフラスコ中に注入した。その後90°Cで3時間保温後、冷却して取り出し水溶性高分子溶液ポリアクリル酸-メタクリル酸共重合体水溶液を得た。その不揮発分を測定したところ、25重量であった。実施例7と同様に、得られた水溶性高分子の分子量測定を行ったところ、その重量平均分子量は7,500ポリエチレングリコール換算値であった。比較例6では、脱イオン水960gを3リットルの合成用フラスコに投入し、窒素ガス雰囲気下で撹拌しながら90°Cに昇温後、アクリル酸497gと2,2 ́-アゾビス2-2-イミダゾリン-2-イルプロパン53gをメタノール500gに溶解させたものを2時間かけてフラスコ中に注入した。その後90°Cで3時間保温後、冷却して取り出しポリアクリル酸溶液を得た。その不揮発分を測定したところ、25重量であった。さらに、上記で得られたポリアクリル酸の分子量測定を実施例7と同様に測定したところ、その重量平均分子量は5000ポリエチレングリコール換算値であった。さらに、実施例7~8及び比較例6で得られたポリカルボン酸水溶液、実施例9で得られたポリアクリル酸-メタクリル酸共重合体水溶液を脱イオン水で100倍希釈した。この希釈液の硫酸イオン濃度を、前記実施例1~6のCMP研磨剤の上澄み液と同じ装置、同じ条件で測定した。硫酸イオン濃度300、600、1000ppmの3点で検量線を作成し、濃度を算出した。その結果、実施例7及び実施例9のポリマは、約8重量の硫酸イオンを含有すること、実施例8のポリマは、約9重量の硫酸イオンを含有すること、比較例6のポリマ中の硫酸イオン濃度は1重量未満であることを確認した。添加液及びCMP研磨剤の調製実施例7及び実施例8では、上記で得られたポリアクリル酸水溶液25重量64.8gと脱イオン水4600gを混合し、アンモニア水25重量にてpH4.8に調整し、最後に水溶液重量が4800gになるように脱イオン水を混合して添加液を得た。実施例9では、上記で得られたポリアクリル酸-メタクリル酸共重合体水溶液25重量64.8gと脱イオン水4600gを混合し、アンモニア水25重量にてpH4.8に調整し、最後に水溶液重量が4800gになるように脱イオン水を混合した。比較例6では、上記で得られたポリアクリル酸水溶液25重量64.8gと脱イオン水4600gを混合し、アンモニア水25重量にてpH4.8に調整し、最後に水溶液重量が4800gになるように脱イオン水を混合した。実施例7~9及び比較例6の添加液4800gと上記の酸化セリウムスラリ固形分:5重量1200gを混合して、酸化セリウム系CMP研磨剤固形分:1.0重量を6000g作製した。研磨剤pHは5.0、また、研磨剤中の粒子をレーザ回折式粒度分布計で測定するために、適当な濃度に希釈して測定した結果、実施7~9及び比較例6の研磨剤は、粒径の平均値D50が170nmであった。また、3ヶ月経過後の粒径は、粒径の平均値D50が170nmと変化が見られなかった。さらに、得られた各CMP研磨剤を遠心分離して得られた上澄み液の硫酸イオン濃度を、実施例1~6のCMP研磨剤の上澄み液と同じ装置、同じ条件で測定した。硫酸イオン濃度300、600、1000ppmの3点で検量線を作成し、濃度を算出した。その結果、実施例7、実施例8及び実施例9の研磨剤中の硫酸イオン濃度は、それぞれを240ppm、270ppm及び230ppmであることを確認した。比較例6の研磨剤中の硫酸イオン濃度は10ppm以下であった。絶縁膜層の研磨実施例1~実施例6と同様の方法で行なった。表3に得られた各測定結果を示す。[実施例10~実施例13、比較例7~比較例9]実施例10~実施例11、比較例7~8では、研磨剤のpHを変えて検討を行った。実施例12は、強酸塩を用いた検討を行った。実施例13及び比較例9では、ポリアクリル酸アンモニウム塩を用いて、強酸でpHを調整した検討を行った。酸化セリウム粒子及び酸化セリウムスラリの作製実施例1~実施例6と同様の方法で行なった。添加液の作製実施例10では、市販のポリアクリル酸水溶液重量平均分子量500040重量22.5gと脱イオン水4600gを混合し、セリアスラリ混合後の研磨剤6000g中の硫酸濃度が300ppmになるように硫酸96重量を1.88g添加後、アンモニア水25重量にてpH4.0に調整し、最後に水溶液重量が4800gになるように脱イオン水を混合した。実施例11では、実施例10と同じ市販のポリアクリル酸水溶液40重量150gと脱イオン水4500gを混合し、セリアスラリ混合後の研磨剤6000g中の硫酸濃度が1000ppmになるように硫酸96重量を6.25g添加後、アンモニア水25重量にてpH6.8に調整し、最後に水溶液重量が4800gになるように脱イオン水を混合した。実施例12では、実施例10と同じ市販のポリアクリル酸水溶液40重量40.5gと脱イオン水4600gを混合し、セリアスラリ混合後の研磨剤6000g中の硫酸濃度が300ppmになるように硫酸アンモニウムを2.44g添加後、アンモニア水25重量にてpH4.8に調整し、最後に水溶液重量が4800gになるように脱イオン水を混合した。実施例13では、市販の中和率約100のポリアクリル酸アンモニウム水溶液重量平均分子量800040重量、pH6.127.0gと脱イオン水4600gを混合し、pHが4.6になるように硝酸70重量を添加して調整後、最後に水溶液重量が4800gになるように脱イオン水を混合した。比較例7では、実施例10と同じ市販のポリアクリル酸水溶液40重量22.5gと脱イオン水4600gを混合し、セリアスラリ混合後の研磨剤6000g中の硫酸濃度が300ppmになるように硫酸96重量を1.876g添加後、アンモニア水25重量にてpH3.6に調整し、最後に水溶液重量が4800gになるように脱イオン水を混合した。比較例8では、実施例10と同じ市販のポリアクリル酸水溶液40重量225gと脱イオン水4500gを混合し、セリアスラリ混合後の研磨剤6000g中の硫酸濃度が1000ppmになるように硫酸96重量を6.25g添加後、アンモニア水25重量にてpH7.5に調整し、最後に水溶液重量が4800gになるように脱イオン水を混合した。比較例9では、市販の過剰に中和された中和率100以上のポリアクリル酸アンモニウム水溶液重量平均分子量800040重量、pH9.127.0gと脱イオン水4600gを混合し、pHが4.6になるように硝酸70重量を添加して調整後、最後に水溶液重量が4800gになるように脱イオン水を混合した。上記ポリアクリル酸アンモニウムの中和率決定は、以下の方法で行った。アングルロータを備えた日立工機株式会社製微量高速遠心分離機CF-15Rを用い15,000rpm、30分間、研磨剤の固液分離を行った。株式会社島津製作所製全有機体炭素計TOC-5000を用い、上澄み液の有機炭素分を測定することでポリアクリル酸濃度を測定した。さらに大塚電子株式会社製キャピラリ電気泳動装置CAPI-3300を用い、泳動液を10mMイミダゾール、試料注入を落差法25mm、90sec、泳動電圧を30kV、検出法をインダイレクトUV210nmとしてアンモニウムイオン濃度を測定することで、ポリアクリル酸の中和率を決定した。CMP研磨剤の調製実施例10~13及び比較例7~9の添加液4800gと上記の酸化セリウムスラリ固形分:5重量1200gを混合して、酸化セリウム系CMP研磨剤固形分:1.0重量を6000g作製した。その研磨剤のpHは、それぞれ実施例10が4.2、実施例11が7.0、実施例12が5.0、実施例13が4.8、比較例7が3.9、比較例8が7.6、そして比較例9が4.8であった。また、研磨剤中の粒子の平均粒径をレーザ回折式粒度分布計で測定するために、適当な濃度に希釈して測定した結果、実施例10~13では、D50の値は170nmであり、比較例7~9では、D50の値は180nmであった。また、3ヶ月経過後の粒径は、実施例10~11では、D50の値は180nmであり、実施例12及び13は170nmのままであった。比較例7~9では、D50の値は200nmであり、酸化セリウム粒子径がそれぞれ大きくなる傾向が見られた。実施例10~12及び比較例7~8で使用した市販ポリアクリル酸の分子量を、実施例1で用いた市販ポリアクリル酸の分子量と同じ条件で測定したところ、その重量平均分子量はポリエチレングリコール換算値で5,000であった。さらに、得られた各CMP研磨剤を遠心分離して得られた上澄み液の、硫酸イオン濃度及び硝酸イオン濃度を、実施例1~6のCMP研磨剤の上澄み液と同じ装置、同じ条件で測定した。各強酸イオン濃度300、600、1200ppmの3点で検量線を作成し、濃度を算出した。その結果、実施例10~12および比較例7~8の研磨剤は、所定濃度の硫酸イオンを含有することを確認した。また実施例13及び比較例9の研磨剤中の硝酸イオン濃度は、それぞれ520ppmと1200ppmであることがわかった。絶縁膜層の研磨実施例1~実施例6と同様の方法で行なった。表4に得られた各測定結果を示す。:ポリカルボン酸を除く:ポリカルボン酸を除く:ポリアクリル酸、ポリアクリル酸-メタクリル酸共重合体を除く:ポリアクリル酸を除く実施例1~実施例6では、ポリアクリル酸に加えて、強酸を含有することによって、強酸を含有しない比較例1に比べて、パターン研磨における凸部膜厚差が低減されている。実施例7~実施例9では、硫酸が含有されたポリアクリル酸或いはポリアクリル-メタクリル酸を使用することによって、硫酸を含有しないポリアクリル酸を使用した比較例6に比べて、パターン研磨におけるパターン密度間の凸部膜厚差が低減されている。実施例10及び実施例11では、研磨剤のpHにあわせて、ポリアクリル酸及び硫酸の含有量を調整することにより、パターン研磨におけるパターン密度間の凸部膜厚差が低減されているが、研磨剤pHが低く4に近い領域、或いはpHが高く7.5に近い領域では、3ヶ月経過後の酸化セリウム粒子径が大きくなり、長時間保管後の分散安定性が若干悪くなる傾向も見られた。実施例12では、強酸塩を使用した場合にも、同様の効果が得られた。実施例13は、ポリアクリル酸として、あらかじめ中和されたアンモニウム塩を使用して、硝酸でpH調整した例であるが、研磨剤中の硝酸イオン濃度が本発明の範囲であり、同様の効果が得られた。比較例2~4は、ポリアクリル酸とpKa>3.2の弱酸を含有した例であるが、パターン研磨におけるパターン密度間の凸部膜厚差が低減されていない。比較例5は、ポリアクリル酸に加えて強酸を含有しているが、硫酸の含有量1200ppmが多すぎるために、酸化セリウム研磨剤混合直後の粒径が大きくなり、パターンの研磨時間も長くなってしまった>350秒。比較例7及び比較例8は、研磨剤のpHが異なる場合であるが、比較例7では研磨剤pHが低すぎるためにpH3.9、充分な研磨速度が得られず、パターン研磨時間が長くなってしまい>400秒、研磨剤混合直後の酸化セリウム粒径も大きくなる傾向が見られた。比較例8では、研磨剤pHが高すぎるためにpH7.6、ポリアクリル酸及び硫酸の含有効果が充分でなく、研磨剤混合直後の酸化セリウム粒径も大きくなる傾向が見られた。比較例9は、ポリアクリル酸として、過剰に中和したアンモニウム塩を使用して、硝酸でpH調整した例であるが、研磨剤中の硝酸イオン濃度が1200ppmと高いために、パターンウエハの研磨時間450秒でも研磨残りが見られ、研磨剤混合直後の酸化セリウム粒径も大きくなる傾向が見られ、分散安定性も悪化した。"