第1配線と、第2配線と、前記第1配線及び前記第2配線の間に、前記第1配線及び前記第2配線より低電位な第3配線と、前記第1配線と前記第3配線とは第1の半導体領域と互いに電気的に接続する第1のゲート電極と第1のソース電極を有する第1トランジスタを介して電気的に接続され、前記第2配線と前記第3配線とは第2の半導体領域と互いに電気的に接続する第2のゲート電極と第2のソース電極を有する第2トランジスタを介して電気的に接続され、前記第1配線、前記第2配線、前記第3配線の上方又は下方には、前記第1と第2の半導体領域が設けられ、前記第1と第2の半導体領域は連続した酸化物半導体膜に設けられていることを特徴とする半導体装置。第1配線と、第2配線と、前記第1配線及び前記第2配線の間に、前記第1配線及び前記第2配線より低電位な第3配線と、前記第1配線と電気的に接続されたドレイン電極、前記第3配線と電気的に接続されたゲート電極層及びソース電極層、前記第1配線、前記第2配線、前記第3配線の上方又は下方に設けられた第1の半導体領域を有する第1トランジスタと、前記第2配線と電気的に接続されたドレイン電極層、前記第3配線と電気的に接続されたゲート電極層及びソース電極層、前記第1配線、前記第2配線、前記第3配線の上方又は下方に設けられた第2の半導体領域を有する第2トランジスタとを有し、前記第1と第2の半導体領域は連続した酸化物半導体膜に設けられていることを特徴とする半導体装置。請求項1又は請求項2において、前記第1の配線に電気的に接続する第3のトランジスタ及び前記第2の配線に電気的に接続する第4のトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。請求項3において、第3のトランジスタと電気的に接続する第1の液晶素子及び前記第4のトランジスタと電気的に接続する第2の液晶素子を有し、前記第3配線は容量配線であることを特徴とする半導体装置。請求項3において、第3のトランジスタと電気的に接続する第1の発光素子及び前記第4のトランジスタと電気的に接続する第2の発光素子を有し、前記第3配線は電源線であることを特徴とする半導体装置。請求項1乃至5のいずれか一項において、前記第1トランジスタ、及び前記第2トランジスタはゲート電極層と、ゲート絶縁層、酸化物半導体膜、ソース電極層及びドレイン電極層とが順に積層していることを特徴とする半導体装置。請求項1乃至5のいずれか一項において、前記半導体装置はノート型のパーソナルコンピュータ、携帯情報端末、電子書籍、携帯電話、デジタルビデオカメラ、及び、テレビジョン装置から選ばれた電子機器に適用されることを特徴とする半導体装置。高機能化を付与するために様々な複雑な構成を有するトランジスタを複数含む半導体装置が提案されており、そのような半導体装置の作製工程においては、フォトリソグラフィ工程を用いた加工法が多用されている。しかし、フォトリソグラフィ工程の増加はフォトマスク数や工程数の増加を招き、高コスト化及び生産性の低下を引き起こすという問題がある。そこで、本発明の一態様は、信頼性の高い酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供することを目的の一とする。また、本発明の一態様は、フォトリソグラフィ工程を削減し、より高い生産性で歩留まり良く半導体装置を提供することを目的の一とする。本明細書等に開示する半導体装置の一態様は、半導体領域として酸化物半導体膜を用いた複数のトランジスタ及び複数の配線を有する半導体装置において、第1配線と、第2配線と、第1配線及び第2配線の間に、第1配線及び第2配線より低電位な第3配線とを有し、第1配線と第3配線とはゲート電極層とソース電極層とが電気的に接続された第1トランジスタを介して電気的に接続され、第2配線と第3配線とはゲート電極層とソース電極層とが電気的に接続された第2トランジスタを介して電気的に接続され、第1配線、第2配線、第3配線の上方又は下方には、第1トランジスタ及び第2トランジスタの半導体領域に用いられる連続した酸化物半導体膜が設けられている。本明細書等に開示する半導体装置の他の一態様は、第1配線と、第2配線と、第1配線及び第2配線の間に、第1配線及び第2配線より低電位な第3配線と、ドレイン電極層が第1配線と電気的に接続され、かつゲート電極層及びソース電極層とが第3配線と電気的に接続される第1トランジスタと、ドレイン電極層が第2配線と電気的に接続され、かつゲート電極層及びソース電極層とが第3配線と電気的に接続される第2トランジスタとを有し、第1配線、第2配線、第3配線の上方又は下方には、第1トランジスタ及び第2トランジスタの半導体領域に用いられる連続した酸化物半導体膜が設けられている。よって、トランジスタの半導体領域は島状に離間した半導体層に設けられるのではなく、複数の開口を含む連続した酸化物半導体膜に設けられる。上記構成において、第1の配線及び第2の配線にはそれぞれ電気的に接続するトランジスタ、抵抗素子、及び/又は容量素子などを設けることができる。例えば、半導体装置の一態様としては、第1の配線と電気的に接続するトランジスタと、第2の配線と電気的に接続するトランジスタと、該トランジスタに電気的に接続する液晶素子を有し、第3配線が容量配線である液晶表示装置、または、第1の配線と電気的に接続するトランジスタと、第2の配線と電気的に接続するトランジスタと、該トランジスタに電気的に接続する発光素子を有し、第3配線が電源線である発光装置が挙げられる。半導体装置に含まれる複数のトランジスタはゲート電極層と、ゲート絶縁層、酸化物半導体膜、ソース電極層及びドレイン電極層とが順に積層している構造を用いることができる。半導体領域を島状の半導体層に加工するフォトリソグラフィ工程が削減されるため、フォトマスク数や工程数も削減することができる。よって、より高い生産性で歩留まり良く半導体装置を提供することができる。上記構成においては、第1の配線と第2の配線との間に、第1の配線と第2の配線より低電位な配線とゲート電極層とソース電極層とが電気的に接続されたトランジスタを設けるために、隣接する配線間の上方又は下方に連続した酸化物半導体膜に設けられていても、第1の配線と第2の配線とのリーク電流を防止することができる。よって信頼性の高い半導体装置を提供することができる。実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。トランジスタは半導体素子の一種であり、電流や電圧の増幅や、導通または非導通を制御するスイッチング動作などを実現することができる。本明細書におけるトランジスタは、IGFETInsulatedGateFieldEffectTransistorや薄膜トランジスタTFT:ThinFilmTransistorを含む。また、トランジスタのソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。また、本明細書等において電極や配線の用語は、これらの構成要素を機能的に限定するものではない。例えば、電極は配線の一部として用いられることがあり、その逆もまた同様である。さらに、電極や配線の用語は、複数の電極や配線が一体となって形成されている場合なども含む。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置およびその作製方法について、図1及び図2を参照して説明する。半導体装置の構成図1に、本発明の一態様に係る半導体装置について示す。図1Aは、半導体装置の平面図であり、図1Bは、図1Aにおける一点鎖線A1-A2及び一点鎖線B1-B2の断面に相当する。また、図1Cは、図1Aにおける領域170の等価回路に相当する。図1ABに示す半導体装置は、第1配線110aと、第2配線110bと、第1配線110a及び第2配線110bの間に、第1配線110a及び第2配線110bより低電位な第3配線111とを有する。また、第1配線110aと第3配線111とは、ゲート電極層103aとソース電極層とが接続された酸化物半導体膜106を介して電気的に接続されており、第2配線110bと第3配線111とは、ゲート電極層103aとソース電極層とが電気的に接続された酸化物半導体膜106を介して電気的に接続されている。また、図1Bに示すように、第1トランジスタ160は、基板100上に設けられたゲート電極層103aと、ゲート電極層103a上に設けられたゲート絶縁層104と、ゲート絶縁層104上に設けられた酸化物半導体膜106と、酸化物半導体膜106と電気的に接続されるソース電極層及びドレイン電極層と、を有する。ここで、第1トランジスタ160のソース電極層は、第3配線111に相当し、コンタクト126を介して、ゲート電極層103aと接続されている。また、第1トランジスタ160のドレイン電極層は、第1配線110aと電気的に接続されている。つまり、第1配線110aの一領域が、第1トランジスタ160のドレイン電極層として機能する。第2トランジスタ162も同様に、基板100上に設けられたゲート電極層103aと、ゲート電極層103a上に設けられたゲート絶縁層104と、ゲート絶縁層104上に設けられた酸化物半導体膜106と、酸化物半導体膜106と電気的に接続されるソース電極層及びドレイン電極層と、を有する。ここで、第2トランジスタ162のソース電極層は、第3配線111に相当し、コンタクト126を介して、ゲート電極層103aと接続されている。また、第2トランジスタ162のドレイン電極層は、第2配線110bと電気的に接続されている。つまり、第2配線110bの一領域が、第2トランジスタ162のドレイン電極層として機能する。なお、第1配線110a、第2配線110b、第3配線111、第1トランジスタ160及び第2トランジスタ162等を覆うように、絶縁層114を設けてもよい。図1Aに示すように、本発明の一態様に係る半導体装置において、酸化物半導体膜106は、基板100のほぼ全面にわたって形成されている。これにより、酸化物半導体膜106を島状に加工する必要がなくなるため、酸化物半導体膜106を島状に加工するためのフォトリソグラフィ工程を削減することができる。また、フォトリソグラフィ工程に必要なフォトマスク数や工程数も削減することができる。よって、高い生産性で歩留まりよく半導体装置を提供することができる。しかしながら、ほぼ全面にわたって酸化物半導体膜106を設けることで、第1配線110a、第2配線110b、及び第3配線111間に、リーク電流が生じるおそれもある。これらの配線間にリーク電流が生じると、半導体装置としての信頼性が低下してしまうおそれがある。そこで、本発明の一態様に係る半導体装置では、第1トランジスタ160及び第2トランジスタ162において、第3配線111と、ゲート電極層103aとを、コンタクト126を介して接続することにより、第1トランジスタ160及び第2トランジスタ162を、ダイオードとして機能させる。また、第1配線110aと、第2配線110bと、第1配線110a及び第2配線110bよりも低電位な第3配線111と、を設けている。これらにより、第1配線110a、第2配線110b、第3配線111の上方又は下方に、連続した酸化物半導体膜が設けられている場合であっても、第1配線110a、第2配線110b、第3配線111間に生じるリーク電流を防止することができる。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。また、図1Aには図示されていないが、第3配線111と、ゲート電極層103bとは、コンタクトを介して接続されている。したがって、第1トランジスタ160、第2トランジスタ162と同様なトランジスタが形成される。つまり、第1配線110aと第3配線111とにより、第1トランジスタ160と同様なトランジスタが形成され、第2配線110bと第3配線111とにより、第2トランジスタ162と同様なトランジスタが形成される。これらのトランジスタもダイオードとして機能させることができる。したがって、第1配線110a、第2配線110b、第3配線111の上方又は下方に、連続した酸化物半導体膜が設けられている場合であっても、第1配線110a、第2配線110b、第3配線111間に生じるリーク電流を防止することができる。なお、図1Aについては、理解を容易にするため、第1トランジスタ160及び第2トランジスタ162が形成される領域170について、点線により明示したが、第1配線110a、第2配線110b、第3配線111及びゲート電極層103aが延在する領域においては、第1トランジスタ160、第2トランジスタ162が形成される。これにより、第1配線110a、第2配線110b、第3配線111及びゲート電極層103aが延在する領域においても、第1配線110a、第2配線110b、第3配線111間に生じるリーク電流を防止することができる。同様に、第1配線110a、第2配線110b、第3配線111及びゲート電極層103bが延在する領域においても、第1配線110a、第2配線110b、第3配線111間に生じるリーク電流を防止することができる。また、ゲート電極層102、ゲート電極層103a及びゲート電極層103bを横切るように、かつ第3配線111に沿って開口部124a、124bが設けられている。これにより、連続した酸化物半導体膜106を用いた場合であっても、ゲート電極層102、ゲート電極層103a及びゲート電極層103bにリーク電流が生じることを防止することができる。図1Cに、図1ABに示す領域170の等価回路を示す。本発明の一態様に係る半導体装置は、第1配線110aと、第2配線110bと、第1配線110a及び第2配線110bより低電位な第3配線111と、を有する。また、第1トランジスタ160のドレイン電極が第1配線110aと接続され、ゲート電極及びソース電極が、第2トランジスタ162のゲート電極及びソース電極、及び第3配線111と接続され、第2トランジスタ162のドレイン電極が、第2配線110bに接続されている。また、図1Aに示すように、第1配線110a及び第2配線110bには、トランジスタ164、トランジスタ166が電気的に接続されていてもよい。トランジスタ164は、基板100上に設けられたゲート電極層102と、ゲート電極層102上に設けられたゲート絶縁層104と、ゲート絶縁層104上に設けられた酸化物半導体膜106と、酸化物半導体膜106と電気的に接続されるソース電極層及びドレイン電極層と、を有する。ここでトランジスタ164のソース電極層は、導電層112aに相当し、ドレイン電極層は、第1配線110aの一領域に相当する。同様に、トランジスタ166は、基板100上に設けられたゲート電極層102と、ゲート電極層102上に設けられたゲート絶縁層104と、ゲート絶縁層104上に設けられた酸化物半導体膜106と、酸化物半導体膜106と電気的に接続されるソース電極層及びドレイン電極層と、を有する。ここでトランジスタ166のソース電極層は、導電層112bに相当し、ドレイン電極層は、第2配線110bの一領域に相当する。トランジスタ164及びトランジスタ166においても、連続した酸化物半導体膜106が用いられている。ここで、トランジスタ164の近傍には、トランジスタ164のチャネル長方向に沿って、開口部120a、120bが設けられており、トランジスタ166の近傍には、トランジスタ166のチャネル長方向に沿って、開口部122a、122bが設けられている。これにより、連続した酸化物半導体膜106を用いた場合であっても、トランジスタ164及びトランジスタ166に生じるリーク電流を防止することができる。よって、より信頼性の高い半導体装置を提供することができる。半導体装置の作製方法次に、図1に示す半導体装置の作製方法について、図2を参照して説明する。なお、図2は、図1Aの鎖線A1-A2断面に対応する。まず、基板100上に、導電層を形成する。その後、第1のフォトリソグラフィ工程により、導電層を選択的にエッチング除去し、ゲート電極層102、ゲート電極層103aを形成する図2A参照。このとき、図1Aに示すゲート電極層103bも形成される図示せず。基板100は、ガラス基板、セラミック基板の他、本作製工程の処理温度に耐えうる程度の耐熱性を有するプラスチック基板等を用いることができる。また、基板に透光性を要しない場合には、ステンレス合金等の金属の基板の表面に絶縁層を設けたものを用いてもよい。ガラス基板としては、例えば、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス若しくはアルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板を用いるとよい。他に、石英基板、サファイア基板などを用いることができる。また、基板100として、第3世代550mm×650mm、第3.5世代600mm×720mm、または620mm×750mm、第4世代680mm×880mm、または730mm×920mm、第5世代1100mm×1300mm、第6世代1500mm×1850mm、第7世代1870mm×2200mm、第8世代2200mm×2400mm、第9世代2400mm×2800mm、2450mm×3050mm、第10世代2950mm×3400mm等のガラス基板を用いることができる。本実施の形態では、基板100にアルミノホウケイ酸ガラスを用いる。なお、基板100上に導電層を形成する前に、下地となる絶縁層を形成してもよい図示せず。下地となる絶縁層は、50nm以上300nm以下、好ましくは100nm以上200nm以下の厚さで形成する。下地となる絶縁層は、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化シリコン、酸化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコンから選ばれた一又は複数の材料による単層構造又は積層構造により形成する。これらの膜は、基板100からのアルカリ金属、アルカリ土類金属などの不純物元素の拡散を防止する機能を有する。なお、本明細書等において、窒化酸化珪素とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであって、好ましくは、ラザフォード後方散乱法RBS:RutherfordBackscatteringSpectrometry及び水素前方散乱法HFS:HydrogenForwardScatteringを用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が5~30原子、窒素が20~55原子、珪素が25~35原子、水素が10~30原子の範囲で含まれるものをいう。下地となる絶縁層は、スパッタリング法、CVD法、塗布法、印刷法等を適宜用いることができる。本実施の形態では、下地となる絶縁層として、窒化シリコンと酸化シリコンの積層を用いる。具体的には、基板100上に窒化シリコンを50nmの厚さで形成し、該窒化シリコン上に酸化シリコンを150nmの厚さで形成する。なお、下地となる絶縁層中にリンPや硼素Bがドープされていても良い。また、下地となる絶縁層に、塩素、フッ素などのハロゲン元素を含ませることで、基板100からの不純物元素の拡散を防止する機能をさらに高めることができる。下地となる絶縁層に含ませるハロゲン元素の濃度は、SIMS二次イオン質量分析計を用いた分析により得られる濃度ピークにおいて、1×1015/cm3以上1×1020/cm3以下とすればよい。また、下地となる絶縁層として酸化ガリウムを用いてもよい。また、下地となる絶縁層を酸化ガリウムと上記絶縁層の積層構造としてもよい。酸化ガリウムは帯電しにくい材料であるため、絶縁層のチャージアップによるしきい値電圧の変動を抑えることができる。ゲート電極層102及びゲート電極層103a等を形成するための導電層は、スパッタリング法、真空蒸着法、またはメッキ法を用いて100nm以上500nm以下、好ましくは200nm以上300nm以下の厚さで形成する。また、ゲート電極層102及びゲート電極層103aを形成するための導電層は、モリブデンMo、チタンTi、タングステンWタンタルTa、アルミニウムAl、銅Cu、クロムCr、ネオジムNd、スカンジウムSc等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層又は積層して形成することができる。ゲート電極層102及びゲート電極層103aは、配線としても機能するため、低抵抗材料であるAlやCuを用いることが好ましい。AlやCuを用いることで、信号遅延を低減し、高画質化を実現することができる。なお、Alは耐熱性が低く、ヒロック、ウィスカー、あるいはマイグレーションによる不良が発生しやすい。Alのマイグレーションを防ぐため、Alに、Mo、Ti、Wなどの、Alよりも融点の高い金属材料を積層することが好ましい。また、ゲート電極層102及びゲート電極層103a等に、Alを含む材料を用いる場合には、以後の工程におけるプロセス最高温度を380°C以下とすることが好ましく、さらに好ましくは350°C以下とするとよい。また、ゲート電極層102及びゲート電極層103aにCuを用いる場合も、マイグレーションによる不良やCu元素の拡散を防ぐため、Mo、Ti、Wなどの、Cuよりも融点の高い金属材料を積層することが好ましい。また、ゲート電極層102及びゲート電極層103aにCuを含む材料を用いる場合には、以後の工程におけるプロセス最高温度を450°C以下とすることが好ましい。本実施の形態では、ゲート電極層102及びゲート電極層103a等を形成するための導電層として、厚さ5nmのTi層を形成し、該Ti層上に厚さ250nmのCu層を形成する。なお、フォトリソグラフィ工程に用いるレジストマスクはインクジェット法で形成してもよい。インクジェット法では、フォトマスクを使用しないため、更に製造コストを低減することができる。また、レジストマスクはエッチング工程の後に剥離するものとし、各フォトリソグラフィ工程における説明は省くこととする。次に、ゲート電極層102、ゲート電極層103a上に、ゲート絶縁層104を形成する。その後、酸化物半導体膜106を形成する図2B参照。ゲート絶縁層104は、プラズマCVD法やスパッタリング法等を用いて、50nm以上800nm以下、好ましくは100nm以上600nm以下の厚さで形成する。また、ゲート絶縁層104は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ガリウム、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、ハフニウムシリケートHfSixOyx>0、y>0、窒素が導入されたハフニウムシリケート、窒素が導入されたハフニウムアルミネート等を用いて、単層構造又は積層構造で形成する。ゲート絶縁層104の形成は、スパッタリング法やプラズマCVD法などの他、μ波例えば周波数2.45GHzを用いた高密度プラズマCVD法などの形成方法を適用することができる。本実施の形態では、ゲート絶縁層104として、窒化シリコンと酸化シリコンの積層を用いる。具体的には、ゲート電極層102、ゲート電極層103a上に窒化シリコンを50nmの厚さで形成し、該窒化シリコン上に酸化シリコンを100nmの厚さで形成する。また、ゲート絶縁層104は保護層としても機能する。ゲート電極層102、ゲート電極層103aにCuを含む場合、窒化シリコンを含む絶縁層で覆う構成とすることで、ゲート電極層102からのCu拡散を防ぐことができる。また、ゲート絶縁層104は、この後に形成される酸化物半導体膜と同種の成分を含む絶縁材料を用いてもよい。ゲート絶縁層104を異なる層の積層とする場合には、酸化物半導体膜に接する絶縁層を、酸化物半導体と同種の成分を含む絶縁層とすればよい。このような絶縁層は酸化物半導体膜との相性が良く、これをゲート絶縁層104に用いることで、酸化物半導体膜との界面の状態を良好に保つことができるからである。ここで、酸化物半導体と同種の成分とは、酸化物半導体の構成元素から選択される一または複数の元素を意味する。例えば、酸化物半導体膜がIn-Ga-Zn系の酸化物半導体材料によって構成される場合、同種の成分を含む絶縁層の材料としては、酸化ガリウムなどがある。また、ゲート絶縁層104を積層構造とする場合には、酸化物半導体と同種の成分を含む絶縁材料でなる膜と、該膜の成分材料とは異なる材料を含む膜との積層構造としても良い。また、酸化物半導体膜は、水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物が混入しにくい方法で形成することが望ましい。酸化物半導体膜に水素、水などの不純物がなるべく含まれないようにするために、酸化物半導体膜の形成の前処理として、スパッタリング装置の予備加熱室で基板100を予備加熱し、基板100やゲート絶縁層104に吸着した水素、水などの不純物を脱離し排気することが好ましい。なお、予備加熱室に設ける排気手段はクライオポンプが好ましい。なお、この予備加熱の処理は省略することもできる。またこの予備加熱は、ゲート絶縁層104の形成前に、ゲート電極層102、ゲート電極層103aまで形成した基板100にも同様に行ってもよい。酸化物半導体膜としては、四元系金属酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn系酸化物や、三元系金属酸化物であるIn-Ga-Zn系酸化物、In-Sn-Zn系酸化物、In-Al-Zn系酸化物、Sn-Ga-Zn系酸化物、Al-Ga-Zn系酸化物、Sn-Al-Zn系酸化物や、二元系金属酸化物であるIn-Zn系酸化物、Sn-Zn系酸化物、Al-Zn系酸化物、Zn-Mg系酸化物、Sn-Mg系酸化物、In-Mg系酸化物や、In-Ga系酸化物、In系酸化物、Sn系酸化物、Zn系酸化物などを用いることができる。また、上記酸化物にSiO2が含まれていてもよい。酸化物半導体膜は、好ましくはInを含有する酸化物半導体、さらに好ましくは、In、及びGaを含有する酸化物半導体である。酸化物半導体膜をi型真性とするため、この後行う脱水化または脱水素化は有効である。ここで、例えば、In-Ga-Zn系酸化物とは、インジウムIn、ガリウムGa、亜鉛Znを有する酸化物、という意味であり、その組成比はとくに問わない。また、InとGaとZn以外の元素を含んでもよい。また、酸化物半導体膜は、化学式InMO3ZnOmm>0で表記される薄膜を用いることができる。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、またはGa及びCoなどがある。本実施の形態では、酸化物半導体膜としてIn-Ga-Zn系酸化物ターゲットを用いてスパッタリング法により30nmの厚さで形成する。また、酸化物半導体膜は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガスと酸素の混合雰囲気下においてスパッタリング法により形成することができる。酸化物半導体膜をスパッタリング法で作製するためのターゲットとしては、例えば、組成比として、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol数比]のターゲットを用い、In-Ga-Zn-O膜を形成する。また、このターゲットの材料及び組成に限定されず、例えば、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]のターゲットを用いてもよい。また、ターゲットの相対密度は90以上100以下、好ましくは95以上99.9以下である。相対密度の高い金属酸化物ターゲットを用いることにより、形成した酸化物半導体膜を緻密な膜とすることができる。酸化物半導体膜を形成する際に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。酸化物半導体膜の形成は、減圧状態に保持された形成室内に基板を保持し、基板温度を100°C以上600°C以下好ましくは300°C以上500°C以下として行う。なお、ゲート電極層102、ゲート電極層103aの材料にAlが用いられている場合は、基板温度を380°C以下、好ましくは350°C以下とする。または、ゲート電極層102、ゲート電極層103aの材料にCuが用いられている場合は、基板温度を450°C以下とする。基板を加熱しながら形成することにより、形成した酸化物半導体膜に含まれる水素、水、水素化物、または水酸化物などの不純物濃度を低減することができる。また、スパッタリングによる損傷が軽減される。そして、形成室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入し、上記ターゲットを用いて酸化物半導体膜を形成する。形成室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプ、例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。また、排気手段としては、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて排気した形成室は、例えば、水素原子、水H2Oなど水素原子を含む化合物より好ましくは炭素原子を含む化合物も等が排気されるため、当該形成室で形成した酸化物半導体膜に含まれる不純物の濃度を低減できる。形成条件の一例としては、基板とターゲットの間との距離を100mm、圧力0.6Pa、直流DC電源0.5kW、酸素酸素流量比率100雰囲気下の条件が適用される。なお、パルス直流電源を用いると、形成時に発生する粉状物質パーティクル、ごみともいうが軽減でき、膜厚分布も均一となるために好ましい。また、酸化物半導体膜中のナトリウムNa、リチウムLi、カリウムKなどのアルカリ金属の濃度は、Naは5×1016cm-3以下、好ましくは1×1016cm-3以下、さらに好ましくは1×1015cm-3以下、Liは5×1015cm-3以下、好ましくは1×1015cm-3以下、Kは5×1015cm-3以下、好ましくは1×1015cm-3以下とする。酸化物半導体は不純物に対して鈍感であり、酸化物半導体中にはかなりの金属不純物が含まれていても問題がなく、ナトリウムのようなアルカリ金属が多量に含まれる廉価なソーダ石灰ガラスも使えると指摘されている神谷、野村、細野、アモルファス酸化物半導体の物性とデバイス開発の現状、固体物理、2009年9月号、Vol.44、pp.621-633しかし、このような指摘は適切でない。アルカリ金属は酸化物半導体を構成する元素ではないため、不純物である。アルカリ土類金属も、酸化物半導体を構成する元素ではない場合において、不純物となる。特に、アルカリ金属のうちNaは、酸化物半導体膜に接する絶縁層が酸化物である場合、当該絶縁層中に拡散してNaとなる。また、Naは、酸化物半導体膜内において、酸化物半導体を構成する金属と酸素の結合を分断する、或いは、その結合中に割り込む。その結果、例えば、閾値電圧がマイナス方向にシフトすることによるノーマリオン化、移動度の低下等の、トランジスタの特性の劣化が起こり、加えて、特性のばらつきも生じる。この不純物によりもたらされるトランジスタの特性の劣化と、特性のばらつきは、酸化物半導体膜中の水素の濃度が十分に低い場合において顕著に現れる。したがって、酸化物半導体中の水素の濃度が5×1019cm-3以下、特に5×1018cm-3以下である場合には、酸化物半導体中のアルカリ金属の濃度を上記の値にすることが強く求められる。次いで、第1の加熱処理を行う。この第1の加熱処理によって酸化物半導体膜中の過剰な水素水や水酸基を含むを除去脱水化または脱水素化し、酸化物半導体膜の構造を整え、エネルギーギャップ中の欠陥準位を低減することができる。また、酸化物半導体膜と、該酸化物半導体膜が接する絶縁層との界面に生じた欠陥を低減することができる。第1の加熱処理は、減圧雰囲気下、窒素や希ガスなどの不活性ガス雰囲気下、酸素ガス雰囲気下、または超乾燥エアCRDSキャビティリングダウンレーザー分光法方式の露点計を用いて測定した場合の水分量が20ppm露点換算で-55°C以下、好ましくは1ppm以下、好ましくは10ppb以下の空気雰囲気下で、250°C以上750°C以下、または400°C以上基板の歪み点未満の温度で行う。ただし、第1のフォトリソグラフィ工程により形成されたゲート電極層102及びゲート電極層103aにAlが用いられている場合は、加熱処理の温度を380°C以下、好ましくは350°C以下とし。また、第1のフォトリソグラフィ工程により形成された配線層にCuが用いられている場合は、加熱処理の温度を450°C以下とする。本実施の形態では、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導体膜に対して窒素雰囲気下で450°C、1時間の加熱処理を行う。なお、加熱処理装置は電気炉に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を備えていてもよい。例えば、GRTAGasRapidThermalAnneal装置、LRTALampRapidThermalAnneal装置等のRTARapidThermalAnneal装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光電磁波の輻射により、被処理物を加熱する装置である。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。高温のガスには、アルゴンなどの希ガス、または窒素のような、加熱処理によって被処理物と反応しない不活性ガスが用いられる。例えば、第1の加熱処理として、高温に加熱した不活性ガス中に基板を移動させて入れ、数分間加熱した後、基板を移動させて高温に加熱した不活性ガス中から出すGRTAを行ってもよい。加熱処理を、窒素または希ガスなどの不活性ガス、酸素、超乾燥エアのガス雰囲気下で行なう場合は、これらの雰囲気に水、水素などが含まれないことが好ましい。また、加熱処理装置に導入する窒素、酸素、または希ガスの純度を、6N99.9999以上好ましくは7N99.99999以上即ち不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とすることが好ましい。次に、第2のフォトリソグラフィ工程により、酸化物半導体膜106を選択的にエッチング除去し、コンタクト126を形成する図2C参照。このとき、図1Aに示す開口部120a、120b、122a、122b、124a、124bも形成される図示せず。なお、第2のフォトリソグラフィ工程は、第1の熱処理の前に行っても良い。コンタクト126を形成する際に、開口部120a、120b、122a、122b、124a、124bも形成されるため、酸化物半導体膜106を島状に加工するためのフォトリソグラフィ工程を削減することができる。また、フォトリソグラフィ工程に必要なフォトマスク数や工程数も削減することができる。次に、酸化物半導体膜106、コンタクト126上に、導電層を形成する。その後、第3のフォトリソグラフィ工程により、導電層を選択的にエッチング除去し、第1配線110a、第2配線110b、第3配線111、及び導電層112aを形成する図2D参照。このとき、図1Aに示す導電層112bも形成される図示せず。第1配線110a、第2配線110b及び第3配線111等を形成するための導電層は、ゲート電極層102、ゲート電極層103a等を形成するための導電層を形成する場合と同様の方法及び同様の材料を用いて形成することができる。また、第1配線110a、第2配線110b及び第3配線111等を形成するための導電層は、導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては、例えば、酸化インジウムIn2O3、酸化スズSnO2、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム酸化スズIn2O3-SnO2、ITOと略記する、酸化インジウム酸化亜鉛In2O3-ZnO、またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。なお、第1配線110a、第2配線110b及び第3配線111等を形成するための導電層を選択的にエッチングする際、開口部120a、120b等に設けられている導電層もエッチングすることになる。この場合、開口部120a、120b等にゲート電極層102、ゲート電極層103a、103bが存在すると、導電層をエッチングする際に、ゲート電極層102、ゲート電極層103a、103bがエッチングされないように、エッチング条件を適宜設定する必要がある。以上により、第1トランジスタ160、第2トランジスタ162、トランジスタ164を作製することができる図2D参照。このとき、図1Aに示すトランジスタ166も作製される。次に、第1配線110a、第2配線110b及び第3配線111等の上に、絶縁層114を形成する図2E参照。絶縁層114は、下地として機能する絶縁層や、ゲート絶縁層104と同様の方法及び同様の材料を用いて形成することができる。なお、絶縁層114の形成は、水素や水などが混入しにくいという点では、スパッタリング法を用いることが好適である。絶縁層114に水素等が含まれると、その水素等が酸化物半導体膜へ浸入、又は水素等による酸化物半導体膜中の酸素の引き抜きが生じ、酸化物半導体膜106が低抵抗化n型化するおそれがある。したがって、絶縁層114は、水素や水などが含まれない手段を用いて形成することが重要である。絶縁層114としては、代表的には酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化ガリウムなどの無機絶縁材料を用いることができる。酸化ガリウムは帯電しにくい材料であるため、絶縁層のチャージアップによるしきい値電圧の変動を抑えることができる。なお、半導体領域として酸化物半導体膜を用いる場合、絶縁層114として、または、絶縁層114と積層して、酸化物半導体と同種の成分を含む金属酸化物層を形成してもよい。本実施の形態では、絶縁層114として膜厚200nmの酸化シリコンを、スパッタリング法を用いて成膜する。成膜時の基板温度は、室温以上300°C以下とすればよく、本実施の形態では100°Cとする。酸化シリコン層のスパッタリング法による形成は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、または希ガスと酸素の混合雰囲気下において行うことができる。また、ターゲットには、酸化シリコンまたはシリコンを用いることができる。例えば、シリコンをターゲットに用いて、酸素を含む雰囲気下でスパッタを行うと酸化シリコンを形成することができる。絶縁層114の成膜時における形成室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプクライオポンプなどを用いることが好ましい。クライオポンプを用いて排気した形成室で形成した絶縁層114は、絶縁層114中に含まれる不純物の濃度を低減することができる。また、絶縁層114の形成室内の残留水分を除去するための排気手段としては、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。絶縁層114を形成する際に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。次いで、減圧雰囲気下、不活性ガス雰囲気下、酸素ガス雰囲気下、または超乾燥エア雰囲気下で第2の加熱処理好ましくは200°C以上600°C以下、例えば250°C以上550°C以下を行ってもよい。ただし、第1のフォトリソグラフィ工程、及び第2のフォトリソグラフィ工程により形成された配線層にAlが用いられている場合は、加熱処理の温度を380°C以下、好ましくは350°C以下とし、また、上記配線層にCuが用いられている場合は、加熱処理の温度を450°C以下とする。例えば、窒素雰囲気下で450°C、1時間の第2の加熱処理を行ってもよい。第2の加熱処理を行うと、酸化物半導体膜の一部チャネル形成領域が絶縁層114と接した状態で昇温され、絶縁層114に含まれる酸素を酸化物半導体膜へ供給することができる。なお、上記雰囲気に水、水素などが含まれないことが好ましい。以上の工程により、図1に示す半導体装置を作製することができる図2E参照。水素濃度が十分に低減されて高純度化され、十分な酸素の供給により酸素欠乏に起因するエネルギーギャップ中の欠陥準位が低減された酸化物半導体では、キャリア濃度が1×1012/cm3未満、望ましくは、1×1011/cm3未満、より望ましくは1.45×1010/cm3未満となる。例えば、室温25°Cでのオフ電流ここでは、単位チャネル幅1μmあたりの値は、100zA/μm1zAゼプトアンペアは1×10-21A以下、望ましくは、10zA/μm以下となる。また、85°Cでは、100zA/μm1×10-19A/μm以下、望ましくは10zA/μm1×10-20A/μm以下となる。このように、i型化真性化または実質的にi型化された酸化物半導体を用いることで、極めて優れたオフ電流特性のトランジスタを得ることができる。また、高純度化された酸化物半導体を有するトランジスタは、しきい値電圧やオン電流などの電気的特性に温度依存性がほとんど見られない。また、光劣化によるトランジスタ特性の変動も少ない。このように、高純度化し、電気的にi型真性化した酸化物半導体を有するトランジスタは、電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。よって安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた信頼性の高い半導体装置を提供することができる。また、本発明の一態様によれば、半導体領域を島状の半導体層に加工するフォトリソグラフィ工程が削減されるため、フォトマスク数や工程数も削減することができる。よって、より高い生産性で歩留まり良く半導体装置を提供することができる。例えば、コンタクト126を形成する際に、開口部120a、120b、122a、122b、124a、124bも形成されるため、酸化物半導体膜106を島状に加工するためのフォトリソグラフィ工程を削減することができる。また、フォトリソグラフィ工程に必要なフォトマスク数や工程数も削減することができる。このような開口部120a、120b、122a、122b、124a、124bを設けることによって、不必要に酸化物半導体膜106を除去する必要がなくなる。これにより、酸化物半導体膜106が不必要に除去されることによって生じる段差などが形成されにくくなる。このため、酸化物半導体膜106の後に形成される絶縁層や導電層の段切れなどを防止することができる。よって、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。また、酸化物半導体膜106が不必要に除去されないため、本実施の形態の半導体装置を表示装置の画素部などに適用する場合、画素部の開口率を向上させることができる。また、本発明の一態様によれば、第1配線及び第2配線間に、第1配線及び第2配線より低電位な第3配線と、ゲート電極層とソース電極層とが電気的に接続されたトランジスタを設けるため、第1配線、第2配線及び第3配線間の上方又は下方に連続した酸化物半導体膜に設けられていても、第1配線、第2配線及び第3配線間のリーク電流を防止することができる。つまり、半導体領域を島状の半導体層に加工しない場合であっても、トランジスタ間や、配線間等にリーク電流が生じることを防止することができる。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。実施の形態2本実施の形態では、本明細書で開示する半導体装置の一例として液晶表示装置の例を図3及び図4を用いて説明する。実施の形態1と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程は、実施の形態1と同様に行うことができ、繰り返しの説明は省略する。また同じ箇所の詳細な説明は省略する。図3Aは液晶表示装置の平面図であり、図3Bは、図3Aの一点鎖線C1-C2、一点鎖線C3-C4における断面図である。なお、図3Aは、画素電極層307まで形成された基板300側の平面図であり、簡略化のため絶縁層306等は適宜省略している。また、図4は図3ABに対応する液晶表示装置の等価回路図である。図3に、複数の画素が隣接して設けられているアクティブマトリクス型の液晶表示装置における画素部の一部分を示す。図3に示す液晶表示装置には、実施の形態1に示す半導体装置が適用されている。つまり、第1配線311と、第2配線313と、第1配線311及び第2配線313より低電位な第3配線310とを有する。また、第1配線311と第3配線310とは、ゲート電極層とドレイン電極層とが接続された酸化物半導体膜303を介して電気的に接続されており、第2配線313と、第3配線310とは、ゲート電極層とソース電極層とが電気的に接続された酸化物半導体膜303を介して電気的に接続されている。また、第1配線311、第2配線313、第3配線310、第1トランジスタ331及び第2トランジスタ332等を覆うように、絶縁層305及び絶縁層306が設けられており、絶縁層305及び絶縁層306に設けられたコンタクト324を介して画素電極層307と導電層312とが接続されている。ここで、第1配線311には、トランジスタ330が電気的に接続され、トランジスタ330には液晶素子334が電気的に接続されている。この場合、第3配線310は、容量配線として機能する。液晶素子334は、画素電極層307、電極層323、及び液晶層326を含む。なお、液晶層326を挟持するように配向膜として機能する絶縁層321a、321bが設けられている。電極層323は、基板320側に設けられ、画素電極層307と電極層323とは液晶層326を介して積層する構成となっている。また、図3Bに示すように、第1トランジスタ331は、基板300上に設けられたゲート電極層304と、ゲート電極層304上に設けられたゲート絶縁層302と、ゲート絶縁層302上に設けられた酸化物半導体膜303と、酸化物半導体膜303と電気的に接続されるソース電極層及びドレイン電極層と、を有する。ここで、第1トランジスタ331のソース電極層は、第3配線310に相当し、コンタクト325を介して、ゲート電極層304と接続されている。また、第1トランジスタ331のドレイン電極層は、導電層312と電気的に接続されている。つまり、導電層312の一領域が、第1トランジスタ331のドレイン電極層として機能する。ここで、ゲート電極層304、ゲート絶縁層302、酸化物半導体膜303、導電層312は、容量素子333としても機能する。また、第2トランジスタ332も同様に、基板300上に設けられたゲート電極層304と、ゲート電極層304上に設けられたゲート絶縁層302と、ゲート絶縁層302上に設けられた酸化物半導体膜303と、酸化物半導体膜303と電気的に接続されるソース電極層及びドレイン電極層と、を有する。ここで、第2トランジスタ332のソース電極層は、第3配線310に相当し、コンタクト325を介して、ゲート電極層304と接続されている。また、第2トランジスタ332のドレイン電極層は、第2配線313と電気的に接続されている。つまり、第2配線313の一領域が、第2トランジスタ332のドレイン電極層として機能する。図3Aに示すように、本実施の形態に係る液晶表示装置においても、酸化物半導体膜303は、ほぼ全面にわたって形成されている。これにより、酸化物半導体膜303を島状に加工する必要がなくなるため、酸化物半導体膜303を島状に加工するためのフォトリソグラフィ工程を削減することができる。また、フォトリソグラフィ工程に必要なフォトマスク数や工程数も削減することができる。よって、高い生産性で歩留まりよく液晶表示装置を提供することができる。また、本実施の形態に係る液晶表示装置でも、第1トランジスタ331及び第2トランジスタ332において、第3配線310と、ゲート電極層304とを、コンタクト325を介して接続することにより、第1トランジスタ331及び第2トランジスタ332を、それぞれダイオードとして機能させることができる。また、第1配線311及び第2配線313と、第1配線311及び第2配線313よりも低電位な第3配線310と、を設けている。これらにより、第1配線311、第2配線313、第3配線310の上方又は下方に、連続した酸化物半導体膜303が設けられている場合であっても、第1配線311、第2配線313、第3配線310間に生じるリーク電流を防止することができる。よって、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。また、図3においては、第1配線311に電気的に接続するトランジスタ330を有している。トランジスタ330は、液晶素子334と電気的に接続されている。なお、図示しないが、該液晶表示装置は、第2配線313と電気的に接続するトランジスタを有しており、該トランジスタは、液晶素子と電気的に接続されている。トランジスタ330は、基板300上に設けられたゲート電極層301と、ゲート電極層301上に設けられたゲート絶縁層302と、ゲート絶縁層302上に設けられた酸化物半導体膜303と、酸化物半導体膜303と電気的に接続されるソース電極層及びドレイン電極層と、を有する。ここで、トランジスタ330のソース電極層は、導電層312に相当し、ドレイン電極層は、第1配線311の一領域に相当する。なお、第2配線に接続されるトランジスタにおいても、トランジスタ330と同様な構成である。トランジスタ330においても、連続した酸化物半導体膜303が用いられている。ここで、トランジスタ330の近傍には、トランジスタ330のチャネル長方向に沿って、開口部335a、335bが設けられている。また、開口部335bは、画素電極層307を囲むように設けられている。これにより、連続した酸化物半導体膜303を用いた場合であっても、トランジスタ330に生じるリーク電流や、配線間に生じるリーク電流を防止することができる。よって、より信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。また、このような開口部335a、335bを設けることによって、不必要に酸化物半導体膜303を除去する必要がなくなる。これにより、酸化物半導体膜303が不必要に除去されることによって生じる段差などが形成されにくくなる。このため、酸化物半導体膜303の後に形成される絶縁層や導電層の段切れなどを防止することができる。よって、液晶表示装置の歩留まりを向上させることができる。また、酸化物半導体膜303が不必要に除去されないため、画素の開口率を向上させることができる。図4に、図3の等価回路を示す。本発明の一態様に係る液晶表示装置は、第1配線311と、第2配線313と、第1配線311及び第2配線313より低電位な第3配線310と、を有する。また、第1トランジスタ330のゲート電極は、ゲート電極層301を含むゲート線と接続され、ドレイン電極が第1配線311と接続され、ソース電極が液晶素子334の電極一方と、容量素子333の電極一方と、トランジスタ331のドレイン電極と接続されている。また、容量素子333の電極の他方と、トランジスタ331のゲート電極ゲート電極層304及びソース電極、トランジスタ332のゲート電極ゲート電極層304及びソース電極は、第3配線310に接続されている。また、トランジスタ332のドレイン電極は、第2配線313に接続されている。本発明の一態様によれば、半導体領域を島状の半導体層に加工するフォトリソグラフィ工程が削減されるため、フォトマスク数や工程数も削減することができる。よって、より高い生産性で歩留まり良く液晶表示装置を提供することができる。また、本発明の一態様によれば、第1配線及び第2配線間に、第1配線及び第2配線より低電位な第3配線と、ゲート電極層とソース電極層とが電気的に接続されたトランジスタを設けるため、第1配線、第2配線及び第3配線間の上方又は下方に連続した酸化物半導体膜に設けられていても、第1配線、第2配線及び第3配線間のリーク電流を防止することができる。つまり、半導体領域を島状の半導体層に加工しない場合であっても、トランジスタ間や、配線間等にリーク電流が生じることを防止することができる。よって、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。実施の形態3本実施の形態では、本明細書で開示する半導体装置の一例として発光表示装置の例を、図5及び図6を用いて説明する。実施の形態1と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程は、実施の形態1と同様に行うことができ、繰り返しの説明は省略する。また同じ箇所の詳細な説明は省略する。図5Aは発光表示装置の平面図であり、図5Bは、図5Aの一点鎖線D1-D2、一点鎖線D3-D4における断面図である。なお、図5Aは、画素電極層207まで形成された基板200側の平面図であり、簡略化のため絶縁層206等は適宜省略している。また、図6は、図5ABに対応する発光表示装置の等価回路図である。図5に、複数の画素が隣接して設けられているアクティブマトリクス型の発光表示装置における画素部の一部分を示す。図5に示す発光表示装置には、実施の形態1に示す半導体装置が適用されている。つまり、第1配線211と、第2配線213と、第1配線211及び第2配線213より低電位な第3配線210とを有する。また、第1配線211と第3配線210とは、ゲート電極層とドレイン電極層とが接続された酸化物半導体膜203を介して電気的に接続されており、第2配線213と、第3配線210とは、ゲート電極層とソース電極層とが電気的に接続された酸化物半導体膜203を介して電気的に接続されている。また、第1配線211、第2配線213、第3配線210、第1トランジスタ231及び第2トランジスタ232等を覆うように、絶縁層205及び絶縁層206が設けられており、絶縁層205、及び絶縁層206に設けられたコンタクト224を介して画素電極層207と導電層212とが接続されている。ここで、第1配線211には、トランジスタ230が電気的に接続され、トランジスタ230には発光素子234が電気的に接続されている。この場合、第3配線210は、電源線として機能する。発光素子234は、画素電極層207、電極層223、及び発光層222を含む。なお、電極層223は、陰極として機能し、絶縁層221は隔壁として機能する。また、図5Bに示すように、第1トランジスタ231は、基板200上に設けられたゲート電極層204と、ゲート電極層204上に設けられたゲート絶縁層202と、ゲート絶縁層202上に設けられた酸化物半導体膜203と、酸化物半導体膜203と電気的に接続されるソース電極層及びドレイン電極層と、を有する。ここで、第1トランジスタ231のソース電極層は、第3配線210に相当し、コンタクト225a、225bを介して、ゲート電極層204と接続されている。また、第1トランジスタ231のドレイン電極層は、導電層212と電気的に接続されている。つまり、導電層212の一領域が、第1トランジスタ231のドレイン電極層として機能する。ここで、ゲート電極層204、ゲート絶縁層202、酸化物半導体膜203、第3配線210は、容量素子233としても機能する。また、第2トランジスタ232も同様に、基板200上に設けられたゲート電極層204と、ゲート電極層204上に設けられたゲート絶縁層202と、ゲート絶縁層202上に設けられた酸化物半導体膜203と、酸化物半導体膜203と電気的に接続されるソース電極層及びドレイン電極層と、を有する。ここで、第2トランジスタ232のソース電極層は、第3配線210に相当し、コンタクト225a、225bを介して、ゲート電極層204と接続されている。また、第2トランジスタ232のドレイン電極層は、第2配線213と電気的に接続されている。つまり、第2配線213の一領域が、第2トランジスタ232のドレイン電極層として機能する。ここで、コンタクト225a、225bを介して、ゲート電極層204と第3配線210とが、導電層216によって電気的に接続されている。図5Aに示すように、本実施の形態に係る発光表示装置においても、酸化物半導体膜203は、基板200のほぼ全面にわたって形成されている。これにより、酸化物半導体膜203を島状に加工する必要がなくなるため、酸化物半導体膜203を島状に加工するためのフォトリソグラフィ工程を削減することができる。また、フォトリソグラフィ工程に必要なフォトマスク数や工程数も削減することができる。よって、高い生産性で歩留まりよく発光表示装置を提供することができる。また、本実施の形態に係る発光表示装置でも、第1トランジスタ231及び第2トランジスタ232において、第3配線210と、ゲート電極層204とを、コンタクト225a、225bを介して接続することにより、第1トランジスタ231及び第2トランジスタ232を、それぞれダイオードとして機能させることができる。また、第1配線211及び第2配線213と、第1配線211及び第2配線213よりも低電位な第3配線210と、を設けている。これらにより、第1配線211、第2配線213、第3配線210の上方又は下方に、連続した酸化物半導体膜203が設けられている場合であっても、第1配線211、第2配線213、第3配線210間に生じるリーク電流を防止することができる。よって、信頼性の高い発光表示装置を提供することができる。また、図5においては、第1配線211に電気的に接続するトランジスタ230有しており、トランジスタ232は選択トランジスタとして機能する。また、第3配線210に電気的に接続するトランジスタ235は、発光素子234と電気的に接続されており、発光素子234を駆動するためのトランジスタとして機能する。なお、図示しないが、第2配線213においても、電気的に接続するトランジスタを有している。トランジスタ230は、基板200上に設けられたゲート電極層201と、ゲート電極層201上に設けられたゲート絶縁層202、ゲート絶縁層202上に設けられた酸化物半導体膜203と、酸化物半導体膜203と電気的に接続されるソース電極層及びドレイン電極層と、を有する。ここで、トランジスタ230のソース電極層は、導電層214に相当し、ドレイン電極層は、第1配線211の一領域に相当する。ここで、コンタクト226a、226bを介して、導電層214と、ゲート電極層208とが、導電層215によって電気的に接続されている。同様に、トランジスタ232は、基板200上に設けられたゲート電極層208と、ゲート電極層208上に設けられたゲート絶縁層202と、ゲート絶縁層202上に設けられた酸化物半導体膜203と、酸化物半導体膜203と電気的に接続されるソース電極層及びドレイン電極層と、を有する。ここで、トランジスタ232のソース電極層は、導電層212に相当し、ドレイン電極層は、第3配線210の一領域に相当する。トランジスタ230、232においても、連続した酸化物半導体膜203が用いられている。ここで、トランジスタ230の近傍には、トランジスタ230のチャネル長方向に沿って、開口部236a、236bが設けられている。また、開口部236bは、画素電極層207を囲むように設けられている。これにより、連続した酸化物半導体膜203を用いた場合であっても、トランジスタ230に生じるリーク電流や、配線間に生じるリーク電流を防止することができる。よって、より信頼性の高い発光表示装置を提供することができる。また、このような開口部236a、236bを設けることによって、不必要に酸化物半導体膜203を除去する必要がなくなる。これにより、酸化物半導体膜203が不必要に除去されることによって生じる段差などが形成されにくくなる。このため、酸化物半導体膜203の後に形成される絶縁層や導電層の段切れを防止することができる。よって、発光表示装置の歩留まりを向上させることができる。また、酸化物半導体膜203が不必要に除去されないため、画素の開口率を向上させることができる。図6に、図5の等価回路を示す。第1配線211及び第2配線213、第1配線211及び第2配線213より低電位な第3配線210と、を有する。また、トランジスタ230は、ゲート電極層201を含むゲート線と接続され、ドレイン電極が第1配線211と接続され、ソース電極が容量素子233の一方と、トランジスタ235のゲート電極と、接続されている。また、トランジスタ235のドレイン電極と、トランジスタ231のドレイン電極と、発光素子234の一方とが、接続されている。また、第3配線210は、トランジスタ231のソース電極と、ゲート電極と、トランジスタ232のソース電極、ゲート電極と、トランジスタ235のソース電極と、容量素子233の他方と接続されている。また、トランジスタ232のドレイン電極は、第2配線213接続されている。本発明の一態様によれば、半導体領域を島状の半導体層に加工するフォトリソグラフィ工程が削減されるため、フォトマスク数や工程数も削減することができる。よって、より高い生産性で歩留まり良く発光表示装置を提供することができる。また、本発明の一態様によれば、第1配線及び第2配線間に、第1配線及び第2配線より低電位な第3配線と、ゲート電極層とソース電極層とが電気的に接続されたトランジスタを設けるため、第1配線、第2配線及び第3配線間の上方又は下方に連続した酸化物半導体膜に設けられていても、第1配線、第2配線及び第3配線間のリーク電流を防止することができる。つまり、半導体領域を島状の半導体層に加工しない場合であっても、トランジスタ間や、配線間等にリーク電流が生じることを防止することができる。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。実施の形態4上記実施の形態1乃至3において、トランジスタの半導体膜に用いることのできる酸化物半導体膜の一態様を、図7を用いて説明する。本実施の形態の酸化物半導体膜は、第1の結晶性酸化物半導体膜上に第1の結晶性酸化物半導体膜よりも厚い第2の結晶性酸化物半導体膜を有する積層構造である。絶縁層400上に絶縁層437を形成する。本実施の形態では、絶縁層437として、PCVD法またはスパッタリング法を用いて、50nm以上600nm以下の膜厚の酸化物絶縁層を形成する。例えば、酸化シリコン膜、酸化ガリウム膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜、または窒化酸化シリコン膜から選ばれた一層またはこれらの積層を用いることができる。次に、絶縁層437上に膜厚1nm以上10nm以下の第1の酸化物半導体膜を形成する。第1の酸化物半導体膜の形成は、スパッタリング法を用い、そのスパッタリング法による成膜時における基板温度は200°C以上400°C以下とする。本実施の形態では、酸化物半導体用ターゲットIn-Ga-Zn系酸化物ターゲットIn2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]を用いて、基板とターゲットの間との距離を170mm、基板温度250°C、圧力0.4Pa、直流DC電源0.5kW、酸素のみ、アルゴンのみ、又はアルゴン及び酸素雰囲気下で膜厚5nmの第1の酸化物半導体膜を成膜する。次いで、基板を配置するチャンバー雰囲気を窒素、または乾燥空気とし、第1の加熱処理を行う。第1の加熱処理の温度は、400°C以上750°C以下とする。第1の加熱処理によって第1の結晶性酸化物半導体膜450aを形成する図7A参照。第1の加熱処理の温度にもよるが、第1の加熱処理によって、膜表面から結晶化が起こり、膜の表面から内部に向かって結晶成長し、C軸配向した結晶が得られる。第1の加熱処理によって、亜鉛と酸素が膜表面に多く集まり、上平面が六角形をなす亜鉛と酸素からなるグラフェンタイプの二次元結晶が最表面に1層または複数層形成され、これが膜厚方向に成長して重なり積層となる。加熱処理の温度を上げると表面から内部、そして内部から底部と結晶成長が進行する。第1の加熱処理によって、酸化物絶縁層である絶縁層437中の酸素を第1の結晶性酸化物半導体膜450aとの界面またはその近傍界面からプラスマイナス5nmに拡散させて、第1の結晶性酸化物半導体膜の酸素欠損を低減する。従って、下地絶縁層として用いられる絶縁層437は、膜中バルク中、第1の結晶性酸化物半導体膜450aと絶縁層437の界面、のいずれかには少なくとも化学量論比を超える量の酸素が存在することが好ましい。次いで、第1の結晶性酸化物半導体膜450a上に10nmよりも厚い第2の酸化物半導体膜を形成する。第2の酸化物半導体膜の形成は、スパッタリング法を用い、その成膜時における基板温度は200°C以上400°C以下とする。成膜時における基板温度を200°C以上400°C以下とすることにより、第1の結晶性酸化物半導体膜の表面上に接して成膜する酸化物半導体膜にプリカーサの整列が起き、所謂、秩序性を持たせることができる。本実施の形態では、酸化物半導体用ターゲットIn-Ga-Zn系酸化物ターゲットIn2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]を用いて、基板とターゲットの間との距離を170mm、基板温度400°C、圧力0.4Pa、直流DC電源0.5kW、酸素のみ、アルゴンのみ、又はアルゴン及び酸素雰囲気下で膜厚25nmの第2の酸化物半導体膜を成膜する。次いで、基板を配置するチャンバー雰囲気を窒素、または乾燥空気とし、第2の加熱処理を行う。第2の加熱処理の温度は、400°C以上750°C以下とする。第2の加熱処理によって第2の結晶性酸化物半導体膜450bを形成する図7B参照。第2の加熱処理は、窒素雰囲気下、酸素雰囲気下、或いは窒素と酸素の混合雰囲気下で行うことにより、第2の結晶性酸化物半導体膜の高密度化及び欠陥数の減少を図る。第2の加熱処理によって、第1の結晶性酸化物半導体膜450aを核として膜厚方向、即ち底部から内部に結晶成長が進行して第2の結晶性酸化物半導体膜450bが形成される。また、絶縁層437の形成から第2の加熱処理までの工程を大気に触れることなく連続的に行うことが好ましい。絶縁層437の形成から第2の加熱処理までの工程は、水素及び水分をほとんど含まない雰囲気不活性雰囲気、減圧雰囲気、乾燥空気雰囲気など下に制御することが好ましく、例えば、水分については露点-40°C以下、好ましくは露点-50°C以下の乾燥窒素雰囲気とする。次いで、第1の結晶性酸化物半導体膜450aと第2の結晶性酸化物半導体膜450bからなる酸化物半導体積層を加工して島状の酸化物半導体積層からなる酸化物半導体膜453を形成する図7C参照。図では、第1の結晶性酸化物半導体膜450aと第2の結晶性酸化物半導体膜450bの界面を点線で示し、酸化物半導体積層と説明しているが、明確な界面が存在しているのではなく、あくまで分かりやすく説明するために図示している。酸化物半導体積層の加工は、所望の形状のマスクを酸化物半導体積層上に形成した後、当該酸化物半導体積層をエッチングすることによって行うことができる。上述のマスクは、フォトリソグラフィなどの方法を用いて形成することができる。または、インクジェット法などの方法を用いてマスクを形成しても良い。なお、酸化物半導体積層のエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよい。もちろん、これらを組み合わせて用いてもよい。また、上記作製方法により、得られる第1の結晶性酸化物半導体膜及び第2の結晶性酸化物半導体膜は、C軸配向を有していることを特徴の一つとしている。ただし、第1の結晶性酸化物半導体膜及び第2の結晶性酸化物半導体膜は、単結晶構造ではなく、非晶質構造でもない構造であり、C軸配向を有した結晶CAxisAlignedCrystal;CAACとも呼ぶを含む酸化物を有する。なお、第1の結晶性酸化物半導体膜及び第2の結晶性酸化物半導体膜は、一部に結晶粒界を有している。CAACを得るには酸化物半導体膜の堆積初期段階において六方晶の結晶が形成されるようにすることと、当該結晶を種として結晶が成長されるようにすることが肝要である。そのためには、基板加熱温度を100°C~500°C、好適には200°C~400°C、さらに好適には250°C~300°Cにすると好ましい。また、これに加えて、成膜時の基板加熱温度よりも高い温度で、堆積された酸化物半導体膜を熱処理することで膜中に含まれるミクロな欠陥や、積層界面の欠陥を修復することができる。なお、第1及び第2の結晶性酸化物半導体膜は、少なくともZnを有する酸化物材料であり、四元系金属酸化物であるIn-Al-Ga-Zn系酸化物や、In-Al-Ga-Zn系酸化物や、In-Si-Ga-Zn系酸化物や、In-Ga-B-Zn系酸化物や、In-Sn-Ga-Zn系酸化物や、三元系金属酸化物であるIn-Ga-Zn系酸化物、In-Al-Zn系酸化物、In-Sn-Zn系酸化物、In-B-Zn系酸化物、Sn-Ga-Zn系酸化物、Al-Ga-Zn系酸化物、Sn-Al-Zn系酸化物や、二元系金属酸化物であるIn-Zn系酸化物、Sn-Zn系酸化物、Al-Zn系酸化物、Zn-Mg系酸化物や、Zn系酸化物などがある。また、上記の材料にSiO2が含まれていてもよい。なお、アルカリ金属は酸化物半導体を構成する元素ではないため、不純物である。アルカリ土類金属も、酸化物半導体を構成する元素ではない場合において、不純物となる。特に、アルカリ金属のうちNaは、酸化物半導体膜に接する絶縁膜が酸化物である場合、当該絶縁膜中に拡散してNaとなる。また、Naは、酸化物半導体膜内において、酸化物半導体を構成する金属と酸素の結合を分断する、或いは、その結合中に割り込む。その結果、例えば、閾値電圧がマイナス方向にシフトすることによるノーマリオン化、移動度の低下等の、トランジスタの特性の劣化が起こり、加えて、特性のばらつきも生じる。この不純物によりもたらされるトランジスタの特性の劣化と、特性のばらつきは、酸化物半導体膜中の水素の濃度が十分に低い場合において顕著に現れる。従って、酸化物半導体膜中の水素の濃度が5×1019cm-3以下、特に5×1018cm-3以下である場合には、上記不純物の濃度を低減することが望ましい。具体的に、二次イオン質量分析法によるNa濃度の測定値は、5×1016/cm3以下、好ましくは1×1016/cm3以下、更に好ましくは1×1015/cm3以下とするとよい。同様に、Li濃度の測定値は、5×1015/cm3以下、好ましくは1×1015/cm3以下とするとよい。同様に、K濃度の測定値は、5×1015/cm3以下、好ましくは1×1015/cm3以下とするとよい。また、第1の結晶性酸化物半導体膜上に第2の結晶性酸化物半導体膜を形成する2層構造に限定されず、第2の結晶性酸化物半導体膜の形成後に第3の結晶性酸化物半導体膜を形成するための成膜と加熱処理のプロセスを繰り返し行って、3層以上の積層構造としてもよい。上記作製方法で形成された酸化物半導体積層からなる酸化物半導体膜453を、本明細書に開示する半導体装置に適用できるトランジスタ例えば、実施の形態1乃至3におけるトランジスタ160、162、164、166、330、331、332、230、231、232、233に、適宜用いることができる。実施の形態1乃至3におけるトランジスタの電流は、主として、酸化物半導体積層の界面を流れるため、トランジスタに光照射が行われ、またはBTストレスが与えられても、トランジスタ特性の劣化は抑制される、または低減される。酸化物半導体膜453のような第1の結晶性酸化物半導体膜と第2の結晶性酸化物半導体膜の積層をトランジスタに用いることで、安定した電気的特性を有し、且つ、信頼性の高いトランジスタを実現できる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態5実施の形態1乃至4で例示したトランジスタを用いて表示機能を有する半導体装置表示装置ともいうを作製することができる。また、トランジスタを含む駆動回路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。図8Aにおいて、第1の基板4001上に設けられた画素部4002を囲むようにして、シール材4005が設けられ、第2の基板4006によって封止されている。図8Aにおいては、第1の基板4001上のシール材4005によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された走査線駆動回路4004、信号線駆動回路4003が実装されている。また別途形成された信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004または画素部4002に与えられる各種信号及び電位は、FPCFlexibleprintedcircuit4018a、4018bから供給されている。図8B及び図8Cにおいて、第1の基板4001上に設けられた画素部4002と、走査線駆動回路4004とを囲むようにして、シール材4005が設けられている。また画素部4002と、走査線駆動回路4004の上に第2の基板4006が設けられている。よって画素部4002と、走査線駆動回路4004とは、第1の基板4001とシール材4005と第2の基板4006とによって、表示素子と共に封止されている。図8B及び図8Cにおいては、第1の基板4001上のシール材4005によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路4003が実装されている。図8B及び図8Cにおいては、別途形成された信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004または画素部4002に与えられる各種信号及び電位は、FPC4018から供給されている。また図8B及び図8Cにおいては、信号線駆動回路4003を別途形成し、第1の基板4001に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部のみを別途形成して実装しても良い。なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、COGChipOnGlass方法、ワイヤボンディング方法、或いはTABTapeAutomatedBonding方法などを用いることができる。図8Aは、COG方法により信号線駆動回路4003、走査線駆動回路4004を実装する例であり、図8Bは、COG方法により信号線駆動回路4003を実装する例であり、図8Cは、TAB方法により信号線駆動回路4003を実装する例である。また、表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラを含むIC等を実装した状態にあるモジュールとを含む。なお、本明細書中における表示装置とは、画像表示デバイス、表示デバイス、もしくは光源照明装置含むを指す。また、コネクター、例えばFPCもしくはTABテープもしくはTCPが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または表示素子にCOG方式によりIC集積回路が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。また第1の基板上に設けられた画素部及び走査線駆動回路は、トランジスタを複数有しており、実施の形態1で一例を示したトランジスタを適用することができる。表示装置に設けられる表示素子としては液晶素子液晶表示素子ともいう、発光素子発光表示素子ともいう、を用いることができる。発光素子は、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ELElectroLuminescence、有機EL等が含まれる。また、電子インクなど、電気的作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。半導体装置の一態様について、図9乃至図11を用いて説明する。図9乃至図11は、図8BのM-Nにおける断面図に相当する。図9乃至図11で示すように、半導体装置は接続端子電極4015及び端子電極4016を有しており、接続端子電極4015及び端子電極4016はFPC4018が有する端子と異方性導電膜4019を介して、電気的に接続されている。接続端子電極4015は、第1の電極層4030と同じ導電膜から形成され、端子電極4016は、トランジスタ4010、トランジスタ4011のソース電極及びドレイン電極と同じ導電膜で形成されている。また、第1の基板4001上に設けられた画素部4002と、走査線駆動回路4004は、トランジスタを複数有しており、図9乃至図11では、画素部4002に含まれるトランジスタ4010と、走査線駆動回路4004に含まれるトランジスタ4011とを例示している。本実施の形態では、トランジスタ4010、トランジスタ4011として、実施の形態1で示したトランジスタを適用することができる。トランジスタ4010、トランジスタ4011は、電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。よって、図9乃至図11で示す本実施の形態の半導体装置として信頼性の高い半導体装置を提供することができる。なお、トランジスタ4011において、酸化物半導体膜のチャネル形成領域と重なる位置に導電層が設けられていてもよい。当該導電層を酸化物半導体膜のチャネル形成領域と重なる位置に設けることによって、トランジスタの信頼性が向上し、例えばバイアス-熱ストレス試験BT試験において、BT試験前後におけるトランジスタ4011のしきい値電圧の変化量を低減することができる。また、導電層の電位はトランジスタ4011のゲート電極の電位と同じでもよいし、異なっていても良く、第2のゲート電極として機能させることもできる。また、導電層4040の電位がGND、0V、或いはフローティング状態であってもよい。画素部4002に設けられたトランジスタ4010は表示素子と電気的に接続し、表示パネルを構成する。表示素子は表示を行うことがでれば特に限定されず、様々な表示素子を用いることができる。図9に表示素子として液晶素子を用いた液晶表示装置の例を示す。図9において、表示素子である液晶素子4013は、第1の電極層4030、第2の電極層4031、及び液晶層4008を含む。なお、液晶層4008を挟持するように配向膜として機能する絶縁膜4032、4033が設けられている。第2の電極層4031は第2の基板4006側に設けられ、第1の電極層4030と第2の電極層4031とは液晶層4008を介して積層する構成となっている。また、4035は絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサであり、液晶層4008の膜厚セルギャップを制御するために設けられている。なお、球状のスペーサを用いていても良い。表示素子として液晶素子を用いる場合、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。また、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために数重量以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が1msec以下と短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。よって液晶表示装置の生産性を向上させることが可能となる。また、液晶材料の固有抵抗率は、1×109Ωcm以上であり、好ましくは1×1011Ωcm以上であり、さらに好ましくは1×1012Ωcm以上である。なお、本明細書等における固有抵抗率の値は、20°Cで測定した値とする。液晶表示装置に設けられる保持容量の大きさは、画素部に配置されるトランジスタのリーク電流等を考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定される。高純度の酸化物半導体膜を有するトランジスタを用いることにより、各画素における液晶容量に対して1/3以下、好ましくは1/5以下の容量の大きさを有する保持容量を設ければ充分である。本実施の形態で用いる高純度化された酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、オフ状態における電流値オフ電流値を低くすることができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力を抑制する効果を奏する。また、本実施の形態で用いる高純度化された酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。よって、液晶表示装置の画素部に上記トランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。また、上記トランジスタは、同一基板上に駆動回路部または画素部に作り分けて作製することができるため、液晶表示装置の部品点数を削減することができる。液晶表示装置には、TNTwistedNematicモード、IPSIn-Plane-Switchingモード、FFSFringeFieldSwitchingモード、ASMAxiallySymmetricalignedMicro-cellモード、OCBOpticalCompensatedBirefringenceモード、FLCFerroelectricLiquidCrystalモード、AFLCAntiFerroelectricLiquidCrystalモードなどを用いることができる。また、ノーマリーブラック型の液晶表示装置、例えば垂直配向VAモードを採用した透過型の液晶表示装置としてもよい。ここで、垂直配向モードとは、液晶表示パネルの液晶分子の配列を制御する方式の一種であり、電圧が印加されていないときにパネル面に対して液晶分子が垂直方向を向く方式である。垂直配向モードとしては、いくつか挙げられるが、例えば、MVAMulti-DomainVerticalAlignmentモード、PVAPatternedVerticalAlignmentモード、ASVモードなどを用いることができる。また、画素ピクセルをいくつかの領域サブピクセルに分け、それぞれ別の方向に分子を倒すよう工夫されているマルチドメイン化あるいはマルチドメイン設計といわれる方法を用いることができる。また、表示装置において、ブラックマトリクス遮光層、偏光部材、位相差部材、反射防止部材などの光学部材光学基板などは適宜設ける。例えば、偏光基板及び位相差基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用いてもよい。また、バックライトとして複数の発光ダイオードLEDを用いて、時間分割表示方式フィールドシーケンシャル駆動方式を行うことも可能である。フィールドシーケンシャル駆動方式を適用することで、カラーフィルタを用いることなく、カラー表示を行うことができる。また、画素部における表示方式は、プログレッシブ方式やインターレース方式等を用いることができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、RGBRは赤、Gは緑、Bは青を表すの三色に限定されない。例えば、RGBWWは白を表す、又はRGBに、イエロー、シアン、マゼンタ等を一色以上追加したものがある。なお、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。ただし、本発明の一態様はカラー表示の表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の表示装置に適用することもできる。また、表示装置に含まれる表示素子として、エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子を適用することができる。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機EL素子、後者は無機EL素子と呼ばれている。有機EL素子は、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャリア電子および正孔が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このような発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。無機EL素子は、その素子構成により、分散型無機EL素子と薄膜型無機EL素子とに分類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー-アクセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いて説明する。発光素子は発光を取り出すために少なくとも一対の電極の一方が透明であればよい。そして、基板上にトランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対側の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、どの射出構造の発光素子も適用することができる。図10に表示素子として発光素子を用いた発光装置の例を示す。表示素子である発光素子4513は、画素部4002に設けられたトランジスタ4010と電気的に接続している。なお、発光素子4513の構成は、第1の電極層4030、電界発光層4511、第2の電極層4031の積層構造であるが、示した構成に限定されない。発光素子4513から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子4513の構成は適宜変えることができる。隔壁4510は、有機絶縁材料、又は無機絶縁材料を用いて形成する。特に感光性の樹脂材料を用い、第1の電極層4030上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。電界発光層4511は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。発光素子4513に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第2の電極層4031及び隔壁4510上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、DLC膜等を形成することができる。また、第1の基板4001、第2の基板4006、及びシール材4005によって封止された空間には充填材4514が設けられ密封されている。このように外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等やカバー材でパッケージング封入することが好ましい。充填材4514としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、PVCポリビニルクロライド、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVBポリビニルブチラルまたはEVAエチレンビニルアセテートを用いることができる。例えば充填材として窒素を用いればよい。また、必要であれば、発光素子の射出面に偏光板、又は円偏光板楕円偏光板を含む、位相差板λ/4板、λ/2板、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。また、表示装置として、電子インクを駆動させる電子ペーパーを提供することも可能である。電子ペーパーは、電気泳動表示装置電気泳動ディスプレイも呼ばれており、紙と同じ読みやすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能という利点を有している。電気泳動表示装置は、様々な形態が考えられ得るが、プラスの電荷を有する第1の粒子と、マイナスの電荷を有する第2の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒または溶質に複数分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイクロカプセル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示するものである。なお、第1の粒子または第2の粒子は染料を含み、電界がない場合において移動しないものである。また、第1の粒子の色と第2の粒子の色は異なるもの無色を含むとする。このように、電気泳動表示装置は、誘電定数の高い物質が高い電界領域に移動する、いわゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。上記マイクロカプセルを溶媒中に分散させたものが電子インクと呼ばれるものであり、この電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。なお、マイクロカプセル中の第1の粒子および第2の粒子は、導電体材料、絶縁体材料、半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレクトロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料を用いればよい。また、電子ペーパーとして、ツイストボール表示方式を用いる表示装置も適用することができる。ツイストボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極層である第1の電極層及び第2の電極層の間に配置し、第1の電極層及び第2の電極層に電位差を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法である。図11に、半導体装置の一態様としてアクティブマトリクス型の電子ペーパーを示す。図11の電子ペーパーは、ツイストボール表示方式を用いた表示装置の例である。ツイストボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極層間に配置し、電極層間に電位差を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法である。トランジスタ4010と接続する第1の電極層4030と、第2の基板4006に設けられた第2の電極層4031との間には黒色領域4615a及び白色領域4615bを有し、周りに液体で満たされているキャビティ4612を含む球形粒子4613が設けられており、球形粒子4613の周囲は樹脂等の充填材4614で充填されている。第2の電極層4031が共通電極対向電極に相当する。第2の電極層4031は、共通電位線と電気的に接続される。なお、図9乃至図11において、第1の基板4001、第2の基板4006としては、ガラス基板の他、可撓性を有する基板も用いることができ、例えば透光性を有するプラスチック基板などを用いることができる。プラスチックとしては、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics板、PVFポリビニルフルオライドフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをPVFフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。絶縁層4021は、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いて形成することができる。なお、アクリル樹脂、ポリイミド、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂等の、耐熱性を有する有機絶縁材料を用いると、平坦化絶縁膜として好適である。また上記有機絶縁材料の他に、低誘電率材料low-k材料、シロキサン系樹脂、PSGリンガラス、BPSGリンボロンガラス等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層を形成してもよい。絶縁層4021の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタリング法、スピンコート法、ディッピング法、スプレー塗布、液滴吐出法インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等、ロールコーティング、カーテンコーティング、ナイフコーティング等を用いることができる。表示装置は光源又は表示素子からの光を透過させて表示を行う。よって光が透過する画素部に設けられる基板、絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に対して透光性とする。表示素子に電圧を印加する第1の電極層及び第2の電極層画素電極層、共通電極層、対向電極層などともいうにおいては、取り出す光の方向、電極層が設けられる場所、及び電極層のパターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。第1の電極層4030、第2の電極層4031は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物以下、ITOと示す。、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。また、第1の電極層4030、第2の電極層4031はタングステンW、モリブデンMo、ジルコニウムZr、ハフニウムHf、バナジウムV、ニオブNb、タンタルTa、クロムCr、コバルトCo、ニッケルNi、チタンTi、白金Pt、アルミニウムAl、銅Cu、銀Ag等の金属、又はその合金、若しくはその窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる。また、第1の電極層4030、第2の電極層4031として、導電性高分子導電性ポリマーともいうを含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。例えば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、またはアニリン、ピロールおよびチオフェンの2種以上からなる共重合体若しくはその誘導体等が挙げられる。また、トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、駆動回路保護用の保護回路を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。以上のように実施の形態1で例示したトランジスタを適用することで、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。なお、実施の形態1で例示したトランジスタは上述の表示機能を有する半導体装置のみでなく、電源回路に搭載されるパワーデバイス、LSI等の半導体集積回路、対象物の情報を読み取るイメージセンサ機能を有する半導体装置など様々な機能を有する半導体装置に適用することが可能である。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態6本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器遊技機も含むに適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。上記実施の形態で説明した表示装置を具備する電子機器の例について説明する。図12Aは、ノート型のパーソナルコンピュータであり、本体3001、筐体3002、表示部3003、キーボード3004などによって構成されている。実施の形態1または2で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高いノート型のパーソナルコンピュータとすることができる。図12Bは、携帯情報端末PDAであり、本体3021には表示部3023と、外部インターフェイス3025と、操作ボタン3024等が設けられている。また、操作用の付属品としてスタイラス3022がある。上記実施の形態で示した半導体装置を適用することにより、より信頼性の高い携帯情報端末PDAとすることができる。図12Cは、電子書籍2700の一例を示している。例えば、電子書籍2700は、筐体2701および筐体2703の2つの筐体で構成されている。筐体2701および筐体2703は、軸部2711により一体とされており、該軸部2711を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。筐体2701には表示部2705が組み込まれ、筐体2703には表示部2707が組み込まれている。表示部2705および表示部2707は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部図12Cでは表示部2705に文章を表示し、左側の表示部図12Cでは表示部2707に画像を表示することができる。上記実施の形態で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高い電子書籍2700とすることができる。また、図12Cでは、筐体2701に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体2701において、電源2721、操作キー2723、スピーカー2725などを備えている。操作キー2723により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子イヤホン端子、USB端子など、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍2700は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。また、電子書籍2700は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。図12Dは、携帯電話であり、筐体2800及び筐体2801の二つの筐体で構成されている。筐体2801には、表示パネル2802、スピーカー2803、マイクロフォン2804、ポインティングデバイス2806、カメラ用レンズ2807、外部接続端子2808などを備えている。また、筐体2800には、携帯型情報端末の充電を行う太陽電池セル2810、外部メモリスロット2811などを備えている。また、アンテナは筐体2801内部に内蔵されている。上記実施の形態で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高い携帯電話とすることができる。また、表示パネル2802はタッチパネルを備えており、図12Dには映像表示されている複数の操作キー2805を点線で示している。なお、太陽電池セル2810で出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。表示パネル2802は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネル2802と同一面上にカメラ用レンズ2807を備えているため、テレビ電話が可能である。スピーカー2803及びマイクロフォン2804は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体2800と筐体2801は、スライドし、図12Dのように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。外部接続端子2808はACアダプタ及びUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット2811に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応できる。また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。図12Eは、デジタルビデオカメラであり、本体3051、表示部A3057、接眼部3053、操作スイッチ3054、表示部B3055、バッテリー3056などによって構成されている。上記実施の形態で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高いデジタルビデオカメラとすることができる。図12Fは、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置9600は、筐体9601に表示部9603が組み込まれている。表示部9603により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド9605により筐体9601を支持した構成を示している。上記実施の形態で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高いテレビジョン装置9600とすることができる。テレビジョン装置9600の操作は、筐体9601が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置9600は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことも可能である。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。