"ポリアミド樹脂Aと、感光剤Bと、を含むポジ型感光性樹脂組成物であって、該ポリアミド樹脂が、下記一般式1で示される構造を有するポジ型感光性樹脂組成物。式中、X1とY1はそれぞれ独立に同一であっても異なっていてもよく、X1とY1の少なくとも一方は下記一般式2で示される構造であり、Y1は少なくともカルボキシル基を2つ以上含む有機基である。式中、Zは、a構造とb構造を有し、R1は水素原子又は炭素数1~10の炭化水素基であり、R2は炭素数1~10の炭化水素基であり、R3、R4、R5、R6のうち少なくとも1つはアリール基で、残りは水素原子または炭素数1~30の有機基で、それぞれ同一でも異なっていてもよい。a構造およびb構造の重合は、ブロック重合でもランダム重合でもよい。Z部分のモルは、a構造は5~95モル、b構造は95~5モルであり、abは100モルである。ここでは一般式1で示されるNH基及び/又はC=O基に結合することを示す。前記一般式1で示される構造のX1が、脂環式構造を有する有機基を少なくとも1種以上を含むものである、請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。前記一般式2で示されるb構造が、下記式3で示される請求項1または2に記載のポジ型感光性樹脂組成物。前記一般式2で示される構造の分子量が、400以上4000以下である、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。前記一般式1で示される構造のX1が、下記式4の群より選ばれる少なくとも1種以上を含むものである、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。式中、はNH基に結合することを示す。Dは、-CH2-、-CHCH3-、-CCH32-、-O-、-S-、-SO2-、-CO-、-NHCO-、-CCF32-、又は単結合である。sは0~3の整数であり、R7はアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、シクロアルキル基の内から選ばれた1つを表す。R7が複数ある場合は、それぞれ同じでも異なっていてもよい。前記一般式1で示される構造のY1が、下記式5の群より選ばれる少なくとも1種以上を含むものである、請求項1乃至5のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。式中、はC=O基に結合することを示す。Eは-O-、-SO2-又は-CO-である。さらに、前記一般式1で示される構造のX1が、上記構造以外に、下記式6の群より選ばれる少なくとも1種以上を併用するものである、請求項1乃至6のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。式中、はNH基に結合することを示す。Fは、-CH2-、-CHCH3-、-CCH32-、-O-、-S-、-SO2-、-CO-、-NHCO-、-CCF32-、又は単結合である。uは0~3の整数であり、R8はアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、シクロアルキル基の内から選ばれた1つを表す。R8が複数ある場合は、それぞれ同じでも異なっていてもよい。さらに、前記一般式1で示される構造のY1が、上記構造以外に、下記式7の群より選ばれる少なくとも1種以上を併用するものである、請求項1乃至7のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。式中、はC=O基に結合することを示す。Gは、-O-、-SO2-又は-CO-である。vは0~2の整数であり、R9はアルキル基、アルキルエステル基、アルキルエーテル基、ハロゲン原子の内から選ばれた1つを表し、R9が複数ある場合は、それぞれ同じでも異なっていてもよい。Jは炭素数1~30のアルキル基であって、分岐構造や環状構造を有していてもよい。請求項1乃至8のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化物で構成されている、25°Cにおける弾性率が1.5GPa以下である硬化膜。請求項9に記載の硬化膜で構成されている保護膜。請求項9に記載の硬化膜で構成されている絶縁膜。請求項9に記載の硬化膜を有している半導体装置。請求項9に記載の硬化膜を有している表示装置。本発明の目的は、半導体ウエハ等の基板に塗布、露光、現像によりパターニングしたポリベンゾオキサゾール前駆体を主成分とするポリアミド樹脂を含むポジ型感光性樹脂組成物に、熱履歴を加えて脱水閉環した場合でも、半導体ウエハ等の基板の反りを低減できるポジ型感光性樹脂組成物、かかるポリベンゾオキサゾール前駆体樹脂を主成分とするポリアミド樹脂を含むポジ型感光性樹脂組成物を脱水閉環して得られる硬化膜、かかる硬化膜を有する保護膜、絶縁膜、半導体装置、表示装置を提供することにある。このような目的は、下記[1]~[13]に記載の本発明により達成される。[1]ポリアミド樹脂Aと、感光剤Bと、を含むポジ型感光性樹脂組成物であって、該ポリアミド樹脂が、下記一般式1で示される構造を有するポジ型感光性樹脂組成物。式中、X1とY1はそれぞれ独立に同一であっても異なっていてもよく、X1とY1の少なくとも一方は下記一般式2で示される構造であり、Y1は少なくともカルボキシル基を2つ以上含む有機基である。式中、Zは、a構造とb構造を有し、R1は水素原子又は炭素数1~10の炭化水素基であり、R2は炭素数1~10の炭化水素基であり、R3、R4、R5、R6のうち少なくとも1つはアリール基で、残りは水素原子または炭素数1~30の有機基で、それぞれ同一でも異なっていてもよい。a構造およびb構造の重合は、ブロック重合でもランダム重合でもよい。Z部分のモルは、a構造は5~95モル、b構造は95~5モルであり、abは100モルである。ここでは一般式1で示されるNH基及び/又はC=O基に結合することを示す。[2]前記一般式1で示される構造単位中のX1が、脂環式構造を有する有機基を少なくとも1種以上を含むものである、請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。[3]前記一般式2で示されるb構造が、下記式3で示される[1]または[2]に記載のポジ型感光性樹脂組成物。[4]前記一般式1で示される構造の分子量が、400以上4000以下である、[1]乃至[3]のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。[5]前記一般式1で示される構造のX1が、下記式4の群より選ばれる少なくとも1種以上を含むものである、[1]乃至[4]のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。式中、はNH基に結合することを示す。Dは、-CH2-、-CHCH3-、-CCH32-、-O-、-S-、-SO2-、-CO-、-NHCO-、-CCF32-、又は単結合である。sは0~3の整数であり、R7はアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、シクロアルキル基の内から選ばれた1つを表す。R7が複数ある場合は、それぞれ同じでも異なっていてもよい。[6]前記一般式1で示される構造のY1が、下記式5の群より選ばれる少なくとも1種以上を含むものである、[1]乃至[5]のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。式中、はC=O基に結合することを示す。Eは-O-、-SO2-又は-CO-である。[7]さらに、前記一般式1で示される構造のX1が、上記構造以外に、下記式6の群より選ばれる少なくとも1種以上を併用するものである、[1]乃至[6]のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。式中、はNH基に結合することを示す。Fは、-CH2-、-CHCH3-、-CCH32-、-O-、-S-、-SO2-、-CO-、-NHCO-、-CCF32-、又は単結合である。uは0~3の整数であり、R8はアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、シクロアルキル基の内から選ばれた1つを表す。R8が複数ある場合は、それぞれ同じでも異なっていてもよい。[8]さらに、前記一般式1で示される構造のY1が、上記構造以外に、下記式7の群より選ばれる少なくとも1種以上を併用するものである、[1]乃至[7]のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。式中、はC=O基に結合することを示す。Gは-O-、-SO2-又は-CO-である。vは0~2の整数であり、R9はアルキル基、アルキルエステル基、アルキルエーテル基、ハロゲン原子の内から選ばれた1つを表し、R9が複数ある場合は、それぞれ同じでも異なっていてもよい。Jは炭素数1~30のアルキル基であって、分岐構造や環状構造を有していてもよい。[9][1]乃至[8]のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化物で構成されている、25°Cにおける弾性率が1.5GPa以下である硬化膜。[10][9]に記載の硬化膜で構成されている保護膜。[11][9]に記載の硬化膜で構成されている絶縁膜。[12][9]に記載の硬化膜を有している半導体装置。[13][9]に記載の硬化膜を有している表示装置。本発明によれば、半導体ウエハ等の基板に塗布、露光、現像によりパターニングしたポリベンゾオキサゾール前駆体を主成分とするポリアミド樹脂を含むポジ型感光性樹脂組成物に、熱履歴を加えて脱水閉環した場合でも、半導体ウエハ等の基板の反りを低減できるポジ型感光性樹脂組成物およびその硬化膜、かかる硬化膜を有する保護膜、絶縁膜、半導体装置、表示装置を得ることができる。以下、本発明のポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜および半導体装置、および表示装置を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。まず、本発明のポジ型感光性樹脂組成物を説明するのに先立って、ポジ型感光性樹脂組成物を保護膜チップコート膜として備える半導体装置について説明する。図1は、半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図1中の上側を上、下側を下と言う。図1に示す半導体装置10は、QFPQuadFlatPackage型の半導体パッケージであり、半導体チップ半導体素子20と、半導体チップ20を接着層60を介して支持するダイパッド30と、半導体チップ20を保護する保護膜70と、半導体チップ20と電気的に接続されたリード40と、半導体チップ20を封止するモールド部50とを有している。ダイパッド30は、金属基板で構成され、半導体チップ20を支持する支持体として機能を有するものである。このダイパッド30は、例えば、Cu、Fe、Niやこれらの合金例えば、Cu系合金や、Fe-42Niのような鉄ニッケル系合金等の各種金属材料で構成される金属基板や、この金属基板の表面に銀メッキや、Ni-Pdメッキが施されているもの、さらにNi-Pdメッキの表面にPd層の安定性を向上するために設けられた金メッキ金フラッシュ層が設けられているもの等が用いられる。また、ダイパッド30の平面視形状は、通常、半導体チップ20の平面視形状に対応し、例えば、正方形、長方形等の四角形とされる。ダイパッド30の外周部には、複数のリード40が、放射状に設けられている。このリード40のダイパッド30と反対側の端部は、モールド部50から突出露出している。また、リード40についてモールド部50からの露出部には、その表面に金メッキ、錫メッキ、半田メッキ、半田コート等の表面処理が施されていてもよい。これにより、マザーボードが備える端子に半田を介して半導体装置10を接続する場合に、半田とリード40との密着性を向上させることができる。さらに、このようなリード40の表面処理は、モールド部50からの露出部に限らず、リード40全体に施されていてもよい。リード40は、導電性材料で構成され、例えば、前述したダイパッド30の構成材料と同一のものを用いることができる。ダイパッド30には、樹脂組成物液状樹脂組成物の硬化物で構成される接着層60を介して半導体チップ20が固着固定されている。接着層60は、ダイパッド30と半導体チップ20とを接続する機能を有するとともに半導体チップ20の駆動時に生じる熱をダイパッド30側に伝達放熱する機能を有するものである。この接着層60には、例えば、銀粉、アルミニウム粉、ニッケル粉のような金属粉や、シリカ粉末、アルミナ粉末、チタニア粉末のようなセラミック粉末を充填材として含有する、エポキシ樹脂、アクリル系化合物、ポリイミド樹脂のような熱硬化性樹脂で構成されるもの等が好適に用いられる。半導体チップ20は、その上面に、電極パッド21を有しており、この電極パッド21とリード40とが、ワイヤー22で電気的に接続されている。これにより、半導体チップ20と各リード40とが電気的に接続されている。このワイヤー22の材質は、特に限定されないが、ワイヤー22は、例えば、Au線やAl線で構成することができる。また、半導体チップ20には、電極パッド21が露出するように保護膜チップコート膜70が形成されている。この保護膜70は、モールド部を硬化収縮させて形成する際に半導体チップを保護する機能、この半導体チップを基板上に実装する半田リフロー工程における熱衝撃およびモールド材の急激な熱膨張ストレスから保護する機能等を有するものである。本発明では、この保護膜70の構成に特徴を有し、保護膜70が本発明のポジ型感光性樹脂組成物を主材料として構成されている。これら、ポジ型感光性樹脂組成物については、後に詳述する。さらに、ダイパッド30、ダイパッド30の上面側に設けられた各部材およびリード40の内側の部分は、モールド部50により封止されている。そして、その結果として、リード40の外側の端部がモールド部50から突出している。このモールド部50は、例えば、エポキシ系樹脂等の各種樹脂材料で構成することができる。このような半導体装置10は、例えば、以下のようにして製造することができる。まず、ダイパッド支持体30と、複数のリード端子40とを備えるリードフレームを用意する。また、これとは別に、電極パッド21が露出するようにパターニングされた保護膜70が設けられた半導体チップ20を用意する。このような保護膜70の半導体チップ20上への形成は、例えば、次のようにして行うことができる。すなわち、まず、ポリアミド樹脂と感光剤とを含有する液状材料ワニスを、半導体チップ20の上面のほぼ全体を覆うように供給する。次いで、この液状材料を乾燥することにより、半導体チップ20の上面にポリアミド樹脂と感光剤とを含有する膜を形成する。次いで、電極パッド21に対応する位置に形成された前記膜を、露光感光した後、エッチングする。これにより前記膜が電極パッド21を露出した形状にパターニングされる。次いで、このパターニングされた前記膜に含まれるポリベンゾオキサゾール前駆体共重合体を閉環反応して、ポリベンゾオキサゾール共重合体とすることにより、保護膜70を得ることができる。保護膜70の平均膜厚は、1~20μm程度であるのが好ましく、5~10μm程度であるのがより好ましい。これにより、前述した保護膜としての機能を確実に発揮させることができる。次に、例えば、市販のダイボンダー等の装置を用いて、ダイパッド30上に、硬化前の接着層60の構成材料を供給する。次に、この硬化前の接着層60の構成材料が介在するように、ダイパッド30上に、保護膜70が設けられている面を上側にして、半導体チップ20を載置し、加熱する。これにより、硬化前の接着層60の構成材料が硬化して、その硬化物で構成される接着層60が形成される。その結果、接着層60を介して、ダイパッド支持体30上に半導体チップ20が接合される。次に、ワイヤーボンディングにより、保護膜70から露出する電極パッド21とリード40との間に導電性ワイヤー22を形成する。これにより、電極パッド21とリード40とが電気的に接続される。次に、例えば、トランスファー成形等によりモールド部50を形成する。その後、リードフレームから樹脂止めのタイバーを打ち抜き、トリムフォーム工程を行い、半導体装置10が製造される。このような本発明の半導体装置10において、保護膜70は、前述した保護膜70としての機能を発揮させることを目的に、より低い吸水率を有するもの、より微細な形状にパターニングし得るように、より優れた透光性を有するものが求められている。かかる特性に優れたものを得ることを目的に、近年、この保護膜チップコート膜70として、ポリベンゾオキサゾール前駆体を主成分とするポリアミド樹脂で構成される膜について種々の研究がなされている。本発明者は、このようにポリベンゾオキサゾール前駆体を主成分とするポリアミド樹脂で構成される膜に着目し、鋭意検討を重ねた結果、形成される膜の低吸水率化および高透光性をもくろみ、ポリベンゾオキサゾール前駆体を主成分とするポリアミド樹脂の骨格を剛直で直線性の高いものを選択すると、ポリベンゾオキサゾール前駆体を主成分とするポリアミド樹脂を脱水閉環すると、半導体ウエハ等の基板の反りが増大するといった問題が発生することが判明した。しかしながら、前記一般式1で示される構造を有するポリアミド樹脂を閉環反応することにより得られるポリアミド樹脂を、保護膜70の主材料として構成することにより、前記問題点を解消し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明のポジ型感光性樹脂組成物の特徴は、ポリアミド樹脂Aとして、前記一般式1で示される反復単位を得る際に、前記一般式2で示されるようなシロキサン骨格と芳香環とを備えるジアミンと、カルボキシル基を2つ以上含むジカルボン酸を用いる点である。前記一般式2において、Zは、a構造とb構造を有し、R1は水素原子又は炭素数1~10の炭化水素基であり、R2は炭素数1~10の炭化水素基であり、R3、R4、R5、R6のうち少なくとも1つはアリール基で、残りは水素原子または炭素数1~30の有機基で、それぞれ同一でも異なっていてもよい。a構造およびb構造の重合は、ブロック重合でもランダム重合でもよい。Z部分のモルは、a構造は5~95モル、b構造は95~5モルであり、abは100モルである。ここでは一般式1で示されるNH基及び/又はC=O基に結合することを示す。前記一般式2で示されるようなシロキサン骨格と芳香環とを備えるジアミンは、シロキサン結合のみを増大させた場合に生じるポジ型感光性樹脂組成物の構成成分に対する溶解性の低下を、ジフェニルシロキサン構造を導入することによって抑制することができる。さらに、本発明にかかるポリアミド樹脂の硬化膜の弾性率を低くすることができるため、該硬化膜を有する半導体ウエハまたは半導体装置の応力を低減することが可能となり、半導体ウエハまたは半導体装置の反りを抑制することができる。一方で、前記一般式2で示されるようなシロキサン骨格と芳香環とを備えるジアミンにはアルカリ可溶性基が無いためアルカリへの溶解性が落ち、露光感光した後のエッチングによって十分に樹脂を除去できず、パターニング性に劣ることがあった。そこで、アルカリ可溶性に優れたカルボキシル基を2つ以上含むジカルボン酸を併用することで、アルカリ可溶性を付与しパターニング性を向上させることが可能となる。前記一般式1で示される構造を有するポリアミド樹脂Aにカルボキシル基を2つ以上含むジカルボン酸を導入するためには、該当するジカルボン酸誘導体を使用することで可能となる。該当するジカルボン酸誘導体として、例えば、ピロメリット酸二無水物、ベンゼン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、3,3′,4,4′-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3′,4′-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,4,5-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,6,7-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6,-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物、2,6-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-テトラクロロナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物、3,3′,4,4′-ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′-ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3′,4′-ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3′′,4,4′′-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2′′,3,3′′-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3′′,4′′-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス2,3-ジカルボキシフェニル-プロパン二無水物、2,2-ビス3,4-ジカルボキシフェニル-プロパン二無水物、ビス2,3-ジカルボキシフェニルエーテル二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルエーテル二無水物、ビス2,3-ジカルボキシフェニルメタン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルメタン二無水物、ビス2,3-ジカルボキシフェニルスルホン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルスルホン二無水物、1,1-ビス2,3-ジカルボキシフェニルエタン二無水物、1,1-ビス3,4-ジカルボキシフェニルエタン二無水物、ペリレン-2,3,8,9-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-4,5,10,11-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-5,6,11,12-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,7,8-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,6,7-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,9,10-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、4,4′-ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸二無水物などが挙げられるが、何らこれらに限定されるものではない。また、前記一般式2において、好ましいZの構造としては、b構造が前記式3で示されるものが好ましい。この構造を有することで柔軟性優れる樹脂とすることができる。カルボキシル基を2つ以上含むジカルボン酸構造の中でも、前記一般式5で示される構造のものがさらに好ましい。芳香族構造を導入することで、シロキサン骨格ジアミンなどにより柔軟になった樹脂に適度な剛直性を付与し、アルカリ可溶性と硬化膜の特性の信頼性を両立させることができる。また、前記一般式1で示される反復単位を得る際に用いる成分として、脂肪族構造を有するジアミン構造を導入することによって、柔軟な脂肪族構造を導入することで、さらにアルカリ可溶性を付与し、パターニング性を向上させることが可能となる。前記一般式1で示される構造を有するポリアミド樹脂Aに脂肪族構造を有するジアミン構造を導入するためには、該当するジアミンを使用することで可能となる。脂肪族構造を有するジアミンとして、例えば、1,4-ジアミノブタン、1,5-ジアミノプロパン、1,6-ジアミノヘキサン,1,7-ジアミノヘプタン、1,8-ジアミノオクタン、1,9-ジアミノノナン、1,10-ジアミノデカン、1,12-ジアミノドデカン、1,2-ジアミノシクロヘキサン、1,3-ジアミノシクロヘキサン、1,4-ジアミノシクロヘキサン、1,4-ビスアミノメチルシクロヘキサン、4,4’-メチレンビスシクロヘキシルアミン、4,4’-メチレンビスアニリンなどが挙げられるが、何らこれらに限定されるものではない。上記のジアミン構造の中でも、前記一般式4で示される構造のものがさらに好ましい。シクロヘキサン構造を導入することで、樹脂に適度な柔軟性を付与しアルカリ可溶性と硬化膜の特性の信頼性を両立させることができる。さらに、本発明のポジ型感光性樹脂組成物にかかる一般式1は、一般式2で示されるようなシロキサン骨格と芳香環とを備えるジアミンと、カルボキシル基を2つ以上含むジカルボン酸、脂肪族構造を有するジアミン以外の構造を有していてもよい。一般式1で示される式中のX1として、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環等の芳香族化合物、ビスフェノール類、ピロール類、フラン類等の複素環式化合物が挙げられ、より具体的には下記8式で示されるものを好ましく挙げることができる。これらは、必要により1種類又は2種類以上組み合わせて用いてもよい。ここではNH基に結合することを示す。Aは、-CH2-、-CCH32-、-CHCH3-、-O-、-S-、-SO2-、-CO-、-NHCO-、-COO-、―CCF32―または単結合である。R11は、アルキル基、アルキルエステル基、ハロゲン原子から選ばれた1つを示し、それぞれ同じでも異なっても良い。R12は、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、シクロアルキル基のいずれかである。R13が複数ある場合は、同じでも異なっても良い。R13は、水素原子、アルキル基、アルキルエステル基、ハロゲン原子から選ばれた1つを示す。uは0~2の整数、vは0~3の整数である。式8中でさらに好ましいものとしては、前記式6で示されるものが挙げられる。さらに、式6中で特に好ましいものとしては、下記式9で示されるものが挙げられ、これらを適用することにより、ポジ型感光性樹脂組成物からなる硬化膜の耐熱性および耐湿性を向上することができる。ここで、はNH基に、※は水酸基に結合することを示す。式中Dは、-CH2-、-CHCH3-、-CCH32-、-O-、-S-、-SO2-、-CO-、-NHCO-、-CCF32-、又は単結合である。sは1~3の整数であり、R9はアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、シクロアルキル基の内から選ばれた1つを表す。R9が複数ある場合は、それぞれ同じでも異なっていてもよい。また、一般式1で示される構造のY1として、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環等の芳香族化合物、ビスフェノール類、ピロール類、ピリジン類、フラン類等の複素環式化合物、シロキサン化合物、脂肪族化合物等が挙げられ、より具体的には下記式10で示されるものを好ましく挙げることができる。これらは1種類又は2種類以上組み合わせて用いてもよい。ここで、はC=O基に結合することを示す。式中Bは、-CH2-、-CCH32-、-O-、-S-、-SO2-、-CO-、-NHCO-、-CCF32-、又は単結合である。R14はアルキル基、アルキルエステル基、ハロゲン原子のうちから選ばれた1つを表わし、R14が複数ある場合は、それぞれ同じでも異なっていてもよい。また、R15は水素原子、アルキル基、アルキルエステル基、ハロゲン原子のうちから選ばれた1つを表わす。w=0~4の整数である。R16~R19は有機基である。R20は炭素数1~30のアルキル基であって、分岐構造や環状構造を有していてもよい。式10中でさらに好ましいものとしては、前記式7で示されるものが挙げられる。さらに、式7中で特に好ましいものとしては、下記式11で示されるものが挙げられ、これらを適用することにより、ポジ型感光性樹脂組成物からなる硬化膜の耐熱性および耐湿性を向上することができる。ここで、はC=O基に結合することを示す。tは0~2の整数であり、R10はアルキル基、アルキルエステル基、アルキルエーテル基、ハロゲン原子の内から選ばれた1つを表し、R10が複数ある場合は、それぞれ同じでも異なっていてもよい。R21は炭素数1~30のアルキル基が好ましく、分岐構造や環状構造を有していてもよい。前記式11のR21としては、炭素数6~25のアルキル基がより好ましく、分岐構造や環状構造を有していてもよい。前記一般式2で示される構造の分子量は、400~4000であることが好ましく、500~3000が特に好ましい。分子量は、一般的に用いられるゲル浸透クロマトグラフィーによって求めることができる。該分子量を上記範囲とすることで、ポリアミド樹脂の脱水閉環後の弾性率を下げる効果とポジ型感光性樹脂組成物の構成成分に対する溶解性を向上させる効果を両立することができる。また、前記一般式1で示されるポリアミド樹脂Aは、該ポリアミド樹脂Aの末端をアミノ基とし、該アミノ基を炭素間二重結合または炭素間三重結合ユニットを少なくとも1個有する脂肪族基、または環式化合物基を含む酸無水物を用いてアミドとしてキャップすることが好ましい。これにより、ポジ型感光性樹脂組成物の保存性を向上することができる。このような、アミノ基と反応した後の炭素間二重結合または炭素間三重結合を少なくとも1個有する脂肪族基または環式化合物基を含む酸無水物に起因する基としては、例えば式12、式13で示される基等を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、2種類以上組み合わせて用いても良い。これらの中で特に好ましいものとしては、下記式14で選ばれる基が好ましい。これにより、特にポジ型感光性樹脂組成物の保存性を向上することができる。また、上記方法に限定されることはなく、該ポリアミド系樹脂A中に含まれる末端の酸を炭素間二重結合または炭素間三重結合ユニットを少なくとも1個有する脂肪族基又は環式化合物基を含むアミン誘導体を用いてアミドとしてキャップすることもできる。本発明にかかる一般式1で示されるポリアミド樹脂Aは、該ポリアミド樹脂の側鎖および他方の末端の少なくとも一方に窒素含有環状化合物を有しても良い。これにより、ポジ型感光性樹脂組成物の金属配線特に銅配線等との密着性を向上することができる。その理由としては、該ポリアミド樹脂Aの一方の末端が不飽和基を有する有機基の場合、樹脂が反応する為に硬化膜の引っ張り伸び率等の機械特性が優れ、側鎖および他方の末端の少なくとも一方に窒素含有環状化合物を有する場合、その窒素含有環状化合物が銅および銅合金の金属配線と反応する為に密着性が優れるからである。前記窒素含有環状化合物としては、特に限定されるわけではないが、例えば、1-5-1H-トリアゾイルメチルアミノ基、3-1H-ピラゾイルアミノ基、4-1H-ピラゾイルアミノ基、5-1H-ピラゾイルアミノ基、1-3-1H-ピラゾイルメチルアミノ基、1-4-1H-ピラゾイルメチルアミノ基、1-5-1H-ピラゾイルメチルアミノ基、1H-テトラゾル-5-イルアミノ基、1-1H-テトラゾル-5-イルメチル-アミノ基、3-1H-テトラゾル-5-イルベンズ-アミノ基等が挙げられる。これらの中でも式15で選ばれる化合物が好ましい。これにより、特に銅および銅合金の金属配線との密着性をより向上することができる。さらに、本発明の感光性樹脂組成物には、他のアルカリ可溶性樹脂を併用しても構わない。他のアルカリ可溶性樹脂としては、水酸基、特にフェノール性水酸基および/またはカルボキシル基を有するものであり、例えばフェノール樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、メタクリル酸樹脂、メタクリル酸エステル樹脂等のアクリル系樹脂、環状オレフィン系樹脂、ポリアミド樹脂等が挙げられる。なお、フェノール樹脂としては、ノボラックに代表されるフェノール化合物とアルデヒド化合物との反応物を用いる事ができる。フェノール化合物としてはフェノール、クレゾール、キシレノールなどが挙げられ、アルデヒド化合物としてはホルムアルデヒド、アセトアルデヒドといったアルキルアルデヒド、ベンズアルデヒドといった芳香族アルデヒドなどが挙げられるが、これらに限定されない。ヒドロキシスチレン樹脂としては、ヒドロキシスチレンやスチレン及びこれらの誘導体をラジカル重合、カチオン重合やアニオン重合によって得られた重合又は共重合反応物を用いる事ができる。本発明において、ポリアミド樹脂とは、ベンゾオキサゾール前駆体構造および/またはイミド前駆体構造を有する樹脂を指す。また、ポリアミド樹脂は、ベンゾオキサゾール前駆体構造、イミド前駆体構造の一部が閉環反応することにより生じるベンゾオキサゾール構造、イミド構造を有していてもよく、また、アミド酸エステル構造を有していてもよい。本発明にかかる感光剤Bとしては、特に限定されるわけではないが、例えば、感光性ジアゾキノン化合物を挙げることができ、具体的にはフェノール化合物と1,2-ナフトキノン-2-ジアジド-5-スルホン酸または1,2-ナフトキノン-2-ジアジド-4-スルホン酸とのエステル化合物が挙げられる。より具体的には、式16~式20に示すエステル化合物を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用いても良い。式16~20中Qは、水素原子、式21のいずれかから選ばれるものである。ここで各化合物のQのうち、少なくとも1つは式21である。さらに、本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、露光、現像後によるパターニング時の残渣スカムを改善する目的で、フェノール性水酸基を有する化合物を併用することができる。前記フェノール性水酸基を有する化合物としては、特に限定されるわけではないが、式22で示されるものが挙げられる。これらは1種類又は2種類以上組み合わせて用いてもよい。前記フェノール性水酸基を有する化合物の添加量は、特に限定されるわけではないが、一般式1で示されるポリアミド樹脂100重量部に対して、1~30重量部が好ましく、より好ましくは1~20重量部である。添加量が、上記範囲内であると現像時においてさらにスカムの発生が抑制され、また、露光部の溶解性が促進されることにより感度が向上する。本発明のポジ型感光性樹脂組成物には、必要によりアクリル系、シリコーン系、フッ素系、ビニル系等の界面活性剤、シランカップリング剤、酸化防止剤等の添加剤等を含んでも良い。前記シランカップリング剤としては、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、p-スチリルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、N-2-アミノエチル-3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-2-アミノエチル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-2-アミノエチル-3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビストリエトキシプロピルテトラスルフィド、3-イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、さらに、アミノ基を有するケイ素化合物と酸二無水物又は酸無水物とを反応することにより得られるシランカップリング剤等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。前記アミノ基を有するケイ素化合物としては、特に制限されるわけではないが、例えば、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-2-アミノエチル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-2-アミノエチル―3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。前記酸無水物としては、特に制限されるわけではないが、例えば、無水マレイン酸、クロロ無水マレイン酸、シアノ無水マレイン酸、シトコン酸、無水フタル酸等などが挙げられる。また、使用にあたっては単独、又は2種類以上を併用して使用することができる。前記酸二無水物としては、特に制限されるわけではないが、例えば、ピロメリット酸二無水物、ベンゼン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,4,5-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,6,7-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物、2,6-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-テトラクロロナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’-ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’-ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物2,2’,3,3’-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物2,3,3’,4’-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス2,3-ジカルボキシフェニル-プロパン二無水物、2,2-ビス3,4-ジカルボキシフェニル-プロパン二無水物、ビス2,3-ジカルボキシフェニルエーテル二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルエーテル二無水物、ビス2,3-ジカルボキシフェニルメタン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルメタン二無水物、ビス2,3-ジカルボキシフェニルスルホン二無水物、ビス3,4-ジカルボキシフェニルスルホン二無水物、1,1-ビス2,3-ジカルボキシフェニルエタン二無水物、1,1-ビス3,4-ジカルボキシフェニルエタン二無水物、ペリレン-2,3,8,9-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-4,5,10,11-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-5,6,11,12-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,7,8-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,6,7,8-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,9,10-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、4,4’-ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸二無水物等などが挙げられる。また、使用にあたっては単独、又は2種類以上を併用して使用することができる。前記アミノ基を有するケイ素化合物と酸二無水物又は酸無水物とを反応することにより得られるシランカップリング剤としては、ポジ型感光性樹脂組成物の保存性と現像時、あるいは加熱処理後のシリコンウエハー等の基板に対する密着性が両立する、ビス3,4-ジカルボキシフェニルエーテル二無水物と3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物と3-アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス3,4-ジカルボキシフェニルスルホン二無水物と3-アミノプロピルトリエトキシシラン、無水マレイン酸と3-アミノプロピルトリエトキシシランの組合せが好ましい。本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、一般式1で示されるポリアミド樹脂A、感光材Bおよびその他の添加剤を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用する。溶剤としては、特に限定されるわけではないが、N-メチル-2-ピロリドン、γ-ブチロラクトン、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル-1,3-ブチレングリコールアセテート、1,3-ブチレングリコール-3-モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル-3-メトキシプロピオネート等が挙げられ、単独でも2種類以上混合して用いても良い。以下、本発明のポジ型感光性樹脂組成物の使用方法について詳細に説明する。まず、本発明のポジ型感光性樹脂組成物を適当な支持体基板、例えば、シリコンウエハー、セラミック基板、アルミ基板等に塗布する。塗布量は、半導体素子上に塗布する場合、硬化後の最終膜厚が0.1~30μmになるよう塗布する。膜厚が下限値を下回ると、半導体素子の保護表面膜としての機能を十分に発揮することが困難となり、上限値を越えると、微細な加工パターンを得ることが困難となるばかりでなく、加工に時間がかかりスループットが低下する。塗布方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等がある。次に、60~130°Cでプリベークして塗膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照射する。化学線としては、X線、電子線、紫外線、可視光線等が使用できるが、200~500nmの波長のものが好ましい。次に、照射部を現像液で溶解除去することによりレリーフパターンを得る。現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n-プロピルアミン等の第1アミン類、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン等の第2アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第3アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第4級アンモニウム塩等のアルカリ類の水溶液、及びこれにメタノール、エタノールのごときアルコール類等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液を好適に使用することができる。現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方式が可能である。次に、現像によって形成したレリーフパターンをリンスする。リンス液としては、蒸留水を使用する。次に加熱処理を行い、オキサゾール環、イミド環、又はオキサゾール環及びイミド環を形成し、耐熱性に富む最終パターンを得る。加熱処理温度は、180°C~380°Cが好ましく、より好ましくは200°C~350°Cである。ここで行う加熱処理が前述した熱処理工程のことである。次に、本発明によるポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜について説明する。本発明のポジ型感光性樹脂組成物の硬化物である硬化膜は、半導体素子等の半導体装置用途のみならず、TFT型液晶や有機EL等の表示体装置用途、多層回路の層間絶縁膜やフレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜や液晶配向膜としても有用である。半導体装置用途の例としては、半導体素子上に上述のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜を形成してなるパッシベーション膜、パッシベーション膜上に上述のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜を形成してなるバッファーコート膜等の保護膜、また、半導体素子上に形成された回路上に上述のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜を形成してなる層間絶縁膜等の絶縁膜、また、α線遮断膜、平坦化膜、突起樹脂ポスト、隔壁等を挙げることができる。表示装置用途の例としては、表示素子上に上述のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜を形成してなる保護膜、TFT素子やカラーフィルター用等の絶縁膜または平坦化膜、MVA型液晶表示装置用等の突起、有機EL素子陰極用等の隔壁等を挙げることができる。その使用方法は、半導体装置用途に準じ、表示素子やカラーフィルターを形成した基板上にパターン化されたポジ型感光性樹脂組成物層を、上記の方法で形成することによるものである。表示装置用途の、特に絶縁膜や平坦化膜用途では、高い透明性が要求されるが、このポジ型感光性樹脂組成物層の硬化前に、後露光工程を導入することにより、透明性に優れた樹脂層が得られることもでき、実用上さらに好ましい。前記ポジ型感光性樹脂組成物の硬化物の25°Cにおける弾性率が1.5GPa以下であるものが好ましい。さらに好ましくは、0.004GPa以上、1.2GPa以下である。本発明の半導体装置の各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。半導体装置としては、半導体チップ素子が半導体基板上に形成され、気密封止やモールド材料を用いて封止したものである。具体的には、トランジスタ、太陽電池、ダイオード、固体撮像素子、半導体チップを積層、封止した各種の半導体パッケージ、ウエハレベルチップサイズパッケージWLPなどが挙げられる。表示装置としては、TFT型液晶、有機EL、カラーフィルターなどが挙げられる。次に、本発明の具体的実施例について説明する。<ポリアミド樹脂の合成およびポリアミド樹脂の評価>実施例1よく乾燥した撹拌機付密閉反応容器中、2,2ビス3-アミノ-4-ヒドロキシフェノールヘキサフルオロプロパン以下AH6FPと称する0.549g1.5mmolにγ-ブチロラクトン以下GBLと称する4.0mLおよびピリジン0.6mL7.4mmolを加えて溶解し、セプタムキャップでシールした。次にトリメチルシリルクロリド0.8mL6.3mmolをシリンジで加えて室温で1時間撹拌してシリル化した。この溶液にジアミン成分としてのメチル基が部分的にフェニル基に置換されている両末端アミン変性ジメチルシロキサン信越シリコーン社製、アミン当量:670g/mol平均分子量1340。一般式2で示される構造の平均分子量は1308。、以下シリコーンと称するを2.010g1.5mmolを加え、撹拌して均一にした後、イソフタル酸ジクロリド東京化成製、以下IPCと称する0.548g2.7mmolを粉末のまま3~4回に分けて加えて2時間撹拌した。この溶液にピロメリット酸二無水物以下PMDAと称する0.0656g0.3mmolを粉末のまま加えた後、ピリジン0.6mL7.4mmolを加えて24時間室温で撹拌したモノマー濃度は33重量。この溶液を適当に希釈し、大量の水中に滴下して沈殿させ、水で洗浄を繰り返し、70°Cで12時間真空乾燥して樹脂の粉末を得た。GBL中、30°C、0.5重量の濃度でオストワルド粘度計にて測定したこの樹脂の固有粘度は0.23dL/gであった。この樹脂粉末を別途、GBLに溶解して濃度36重量のワニスを得た。これをガラス板に塗布し、オーブン中、100°Cで10分間乾燥した後、膜厚10μmのポリアミド樹脂膜を得た。このポリアミド樹脂膜のi線透過率は84、g線透過率は87であった。別途ガラス板上にキャスト製膜したポリアミド樹脂膜を真空中300°Cで1時間熱処理して脱水環化反応を行い、ポリアミド樹脂膜を得た。この膜は180°折曲げ試験によっても破断せず、可撓性を示した。このポリアミド樹脂膜のTgは71°C、5重量減少温度は窒素中で387°C、空気中で360°Cであり、線熱膨張係数は1200ppm/Kであった。このポリアミド樹脂膜は半導体素子の反り防止に有効な低弾性率0.035GPaを示した。また、破断強度は3.8MPa、破断伸びは26であった。一方、ガラス基板から電解銅箔に基材を変えて、同条件で塗布乾燥し、ポリアミド樹脂を製膜した後、銅箔ごと真空中300°Cで1時間熱処理して熱環化を行った。この際ポリアミド樹脂膜/銅箔積層体の反りはまったく見られなかった。実施例2よく乾燥した撹拌機付密閉反応容器中、AH6FP0.916g2.5mmolにGBL7.5mLおよびピリジン0.8mL10mmolを加えて溶解し、セプタムキャップでシールした。次にトリメチルシリルクロリド1.4mL11mmolをシリンジで加えて室温で1時間撹拌してシリル化した。この溶液にジアミン成分としてのシリコーン信越シリコーン社製、アミン当量:645g/mol平均分子量1290。一般式2で示される構造の平均分子量は1258。を2.58g2.0mmol、4,4’-メチレンビスシクロヘキシルアミン東京化成製、以下MBCHAと称するを0.105g0.5mmol加え、撹拌して均一にした後、IPC0.914g4.5mmolを粉末のまま3~4回に分けて加えて2時間撹拌した。この溶液にPMDA0.109g0.5mmolを粉末のまま加えた後、ピリジン1.0mL12.4mmolを加えて24時間室温で撹拌したモノマー濃度は29重量。この溶液を実施例1に記載した方法と同様にしてポリアミド樹脂の粉末を得た。GBL中、30°C、0.5重量の濃度でオストワルド粘度計にて測定したこの樹脂の固有粘度は0.11dL/gであった。この樹脂粉末を別途、GBLに溶解して濃度37重量のワニスを得た。これをガラス板に塗布し、オーブン中、100°Cで10分間乾燥した後、膜厚8μmのポリアミド樹脂膜を得た。このポリアミド樹脂膜のi線透過率は87、g線透過率は90であった。別途ガラス板上にキャスト製膜したポリアミド樹脂膜を真空中300°Cで1時間熱処理して脱水環化反応を行い、ポリアミド樹脂膜を得た。この膜は180°折曲げ試験によっても破断せず、可撓性を示した。このポリアミド樹脂膜のTgは65°C、5重量減少温度は窒素中で382°C、空気中で369°Cであり、線熱膨張係数は330ppm/Kであった。このポリアミド樹脂膜は半導体素子の反り防止に有効な低弾性率0.249GPaを示した。また、破断強度は8.0MPa、破断伸びは9.0であった。一方、ガラス基板から電解銅箔に基材を変えて、同条件で塗布乾燥し、ポリアミド樹脂を製膜した後、銅箔ごと真空中300°Cで1時間熱処理して熱環化を行った。この際ポリアミド樹脂膜/銅箔積層体の反りはほとんど見られなかった。ポリアミド樹脂/銅箔積層体の反りが見られなかったのは、本発明のポリアミド樹脂膜の弾性率が極めて低かったことによるものである。従って本発明のポリアミド樹脂は半導体素子において、バッファーコート膜や層間絶縁膜として適用した場合、素子の反り防止に極めて有効である。比較例1よく乾燥した撹拌機付密閉反応容器中、AH6FP1.099g3.0mmolにGBL7.0mLおよびピリジン2.4mL30mmolを加えて溶解し、セプタムキャップでシールした。次にトリメチルシリルクロリド1.9mL15mmolをシリンジで加えて室温で1時間撹拌してシリル化した。この溶液に、4,4’-オキシビスベンゾイルクロリド以下OBCと称す0.885g3.0mmolを粉末のまま3~4回に分けて加えて15時間室温で撹拌したモノマー濃度は14.3重量。この溶液を実施例1に記載した方法と同様にしてポリヒドロキシアミド樹脂以下PHAと称すの粉末を得た。GBL中、30°C、0.5重量の濃度でオストワルド粘度計にて測定したこのPHAの固有粘度は0.37dL/gであった。この樹脂粉末を別途、GBLに溶解して濃度10重量のワニスを得た。これをガラス板に塗布し、オーブン中、80°Cで2時間乾燥した後、膜厚9μmのPHA膜を得た。このPHA膜のi線透過率は58、g線透過率は89であった。別途ガラス板上にキャスト製膜したPHA膜を真空中300°Cで1時間熱処理して脱水環化反応を行い、ポリベンゾオキサゾール以下PBOと称す膜を得た。このPBO膜のTgは311°C、5重量減少温度は窒素中で532°C、空気中で512°Cであり、線熱膨張係数は58ppm/Kであった。このPBO膜の弾性率は、2.34GPaを示した。また、破断強度は110MPa、破断伸びは9.4であった。一方、ガラス基板から電解銅箔に基材を変えて、同条件で塗布乾燥し、PHAを製膜した後、銅箔ごと真空中300°Cで1時間熱処理して熱環化を行った。この際PBO膜/銅箔積層体の反りは激しく、筒状になった。なお、各実施例におけるポリアミド樹脂の各物性値等は、次の方法により測定した。<固有粘度>各実施例で得られたポリアミド樹脂をGBLに溶解し、0.5重量ポリアミド樹脂溶液を作製し、オストワルド粘度計を用いて30°Cで測定した。<ガラス転移温度:Tg>熱機械分析装置ブルカーエイエックスエス社製、TMA4000を用いて、動的粘弾性測定により、周波数0.1Hz、昇温速度5°C/分における損失ピークからポリアミド樹脂膜20μm厚のガラス転移温度を求めた。<線熱膨張係数:CTE>熱機械分析装置ブルカーエイエックスエス社製、TMA4000を用いて、熱機械分析により、荷重0.5g膜厚1μm当り、昇温温度5°C/分における試験片の伸びより、膜20μm厚の線熱膨張係数を求めた。<弾性率、破断伸び、破断強度>東洋ボールドウィン社製引張試験機テンシロンUTM-2を用いて、ポリアミド樹脂フィルム20μm厚の試験片3mm×30mmについて引張試験延伸速度:8mm/分を実施し、応力―歪曲線の初期の勾配から弾性率を、フィルムが破断した時の伸び率から破断伸びを求めた。また、試験片が破断したときの応力から破断強度を求めた。破断伸びが高いほどフィルムの靭性が高いことを意味する。<カットオフ波長>日本分光社製紫外可視分光光度計V-530を用い、ポリアミド樹脂、PHAフィルム8~10μm厚の可視紫外線透過率を200nmから900nmの範囲で測定した。透過率が0.5以下となる波長カットオフ波長を透明性の指標とした。カットオフ波長が短い程、透明性が良好であることを意味する。<光透過率透明性>日本分光社製紫外可視分光光度計V-530を用い、ポリアミド樹脂、PHAフィルム10μm厚のi線365nmおよびg線435nmにおける光透過率を測定した。透過率が高い程、透明性が良好であることを意味する。<5重量減少温度Td5Air、Td5N2>熱天秤装置ブルカーエイエックスエス社製、TG-DTA2000を用いて、大気中中の5重量減少温度としてTd5Air、窒素中の5重量減少温度としてTd5N2を求めた。<反りの評価>ポリアミド樹脂のワニスを電解銅箔1/2オンス上に流延し、オーブン中100°Cで10分間乾燥後、銅箔ごと真空中300°Cで1時間熱処理して熱環化を行った膜厚約5μm厚。このポリアミド樹脂膜/銅箔積層体を10cm×10cmに切り出し、反りの程度を評価した。反りがほとんど見られなかった状態を○、試験片が筒状になる状態を×として評価した。表1に示すように、各実施例のポリアミド樹脂膜は、各測定値ともに優れた結果が得られた。特に、引張り弾性率から明らかなように、各実施例のポリアミド樹脂膜は、優れた低応力性を示すことが明らかとなった。これは、ポリアミド樹脂骨格中にシロキサン骨格を導入したためと推察された。"