RuとPdを主要成分として含有するRu-Pd系スパッタリングターゲットであって、Ruを1~40at含有して残部がPdおよび不可避的不純物からなるRu-Pd合金相と、不可避的不純物を含むRu相とが互いに分散した構造を有することを特徴とするRu-Pd系スパッタリングターゲット。請求項1において、ターゲット全体に対する酸素の含有量が100質量ppm以下であることを特徴とするRu-Pd系スパッタリングターゲット。請求項1または2において、ターゲット全体に対する窒素、炭素、硫黄の含有量がそれぞれ10質量ppm以下であることを特徴とするRu-Pd系スパッタリングターゲット。請求項1~3のいずれかにおいて、ターゲット全体に対するPdの含有量が1~50atであることを特徴とするRu-Pd系スパッタリングターゲット。請求項1~4のいずれかにおいて、垂直磁気記録媒体用であることを特徴とするRu-Pd系スパッタリングターゲット。Ruを1~40at含有し、残部がPdおよび不可避的不純物からなるRu-Pd合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Ru-Pd合金粉末に、粉末全体に対するPdの含有量が1~50atとなるように不可避的不純物を含むRu粉末を混合して混合粉末を作製した後、作製した該混合粉末を加圧下で加熱して成形することを特徴とするRu-Pd系スパッタリングターゲットの製造方法。請求項6において、得られるRu-Pd系スパッタリングターゲット中の酸素含有量を100質量ppm以下とすることを特徴とするRu-Pd系スパッタリングターゲットの製造方法。請求項6または7において、得られるRu-Pd系スパッタリングターゲット中の窒素、炭素、硫黄の含有量をそれぞれ10質量ppm以下とすることを特徴とするRu-Pd系スパッタリングターゲットの製造方法。請求項6~8のいずれかにおいて、前記Ru粉末は、還元処理がなされていることを特徴とするRu-Pd系スパッタリングターゲットの製造方法。請求項6~9のいずれかにおいて、前記アトマイズ法は、アルゴンガスまたは窒素ガスを用いて行うことを特徴とするRu-Pd系スパッタリングターゲットの製造方法。請求項6~10のいずれかにおいて、得られるRu-Pd系スパッタリングターゲットは、垂直磁気記録媒体用であることを特徴とするRu-Pd系スパッタリングターゲットの製造方法。請求項6~11のいずれかに記載の製造方法により製造されるRu-Pd系スパッタリングターゲット。本発明は、かかる状況に鑑みてなされたものであって、Ruターゲットの代替として用いることができるRu-Pd系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供することを課題とする。本発明者は、前記課題を解決するため鋭意研究開発を行った結果、以下のRu-Pd系スパッタリングターゲット及びその製造方法により、前記課題を解決できることを見出し、本発明をするに至った。即ち、本発明に係るRu-Pd系スパッタリングターゲットの第1の態様は、RuとPdを主要成分として含有するRu-Pd系スパッタリングターゲットであって、Ruを1~40at含有して残部がPdおよび不可避的不純物からなるRu-Pd合金相と、不可避的不純物を含むRu相とが互いに分散した構造を有することを特徴とするRu-Pd系スパッタリングターゲットである。ここで、Ru-Pd合金相と、不可避的不純物を含むRu相とが互いに分散とは、Ru-Pd合金相が分散媒、Ru相が分散質となっている状態、および、Ru相が分散媒、Ru-Pd合金相が分散質となっている状態を含み、さらにRu-Pd合金相とRu相とが混ざり合っているがどちらが分散媒で、どちらが分散質とは言えない状態も含む概念である。ターゲット全体に対する酸素の含有量が100質量ppm以下であることが好ましい。また、ターゲット全体に対する窒素、炭素、硫黄の含有量がそれぞれ10質量ppm以下であることが好ましい。ターゲット全体に対するPdの含有量は、例えば1~50atとすることができる。また、前記Ru-Pd系スパッタリングターゲットの中には、垂直磁気記録媒体用として好適に用いることができるものがある。本発明に係るRu-Pd系スパッタリングターゲットの製造方法は、Ruを1~40at含有し、残部がPdおよび不可避的不純物からなるRu-Pd合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Ru-Pd合金粉末に、粉末全体に対するPdの含有量が1~50atとなるように不可避的不純物を含むRu粉末を混合して混合粉末を作製した後、作製した該混合粉末を加圧下で加熱して成形することを特徴とするRu-Pd系スパッタリングターゲットの製造方法である。得られるRu-Pd系スパッタリングターゲット中の酸素含有量を100質量ppm以下とすることが好ましい。また、得られるRu-Pd系スパッタリングターゲット中の窒素、炭素、硫黄の含有量をそれぞれ10質量ppm以下とすることが好ましい。前記Ru粉末は、還元処理がなされていることが好ましい。前記アトマイズ法は、アルゴンガスまたは窒素ガスを用いて行うことが好ましい。得られるRu-Pd系スパッタリングターゲットの中には、垂直磁気記録媒体用として好適に用いることができるものがある。本発明に係るRu-Pd系スパッタリングターゲットの第2の態様は、前記製造方法により製造されるRu-Pd系スパッタリングターゲットである。本発明に係るRu-Pd系スパッタリングターゲットは、Ruターゲットを代替することができる。また、ターゲット中の酸素含有量を100質量ppm以下に抑えた場合には、スパッタリングによって得られるRu-Pd層中の酸素量を低減させることができるとともに、該ターゲットを用いてのスパッタリング時にノジュールおよびパーティクル等の不具合が発生しにくくなる。本発明に係るRu-Pd系スパッタリングターゲットの製造方法によれば、Ruターゲットを代替することができるRu-Pd系スパッタリングターゲットを製造することができる。また、得られるRu-Pd系スパッタリングターゲット中の酸素含有量を100質量ppm以下に抑えるように製造した場合には、該ターゲットを用いてのスパッタリング時にノジュールおよびパーティクル等の不具合が発生しにくくなる。また、Ru-Pd合金粉末をアルゴンガスまたは窒素ガスを用いたアトマイズ法で作製する場合には、得られるRu-Pd系スパッタリングターゲット中の酸素含有量をより低く抑えることができる。また、Ru-Pd合金粉末と混合するRu粉末に還元処理をなしておくと、得られるRu-Pd系スパッタリングターゲット中の酸素含有量をより低く抑えることができる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。1.スパッタリングターゲットの構成成分および構造本発明の実施形態に係るRu-Pd系スパッタリングターゲットは、RuとPdを主要成分として含有するRu-Pd系スパッタリングターゲットであって、Ruを1~40at含有して残部がPdおよび不可避的不純物からなるRu-Pd合金相と、不可避的不純物を含むRu相とが互いに分散した構造を有することを特徴とする。1-1.PdについてPdはRuと同じく貴金属であり、また、Pdの原子番号は46であってRuの原子番号44と近く、原子半径等の特性がPdはRuと近似している。このため、Ruの結晶格子においてRu原子を所定量以下だけPd原子と置換してもRuの六方最密充填構造hcpの結晶格子は歪みにくい。したがって、Pdは、垂直磁気記録方式ハードディスクのRu層において、Ru原子と置換する役割を有し、Ruターゲットの代替となり得るRu-Pdターゲットの主成分となるという役割を有する。Ru原子と置換するPd原子の量が多くなりすぎるとRuの六方最密充填構造hcpの結晶格子は歪みが大きくなりすぎ、スパッタリングにより得られる膜において六方最密充填構造hcpを維持できなくなるおそれがあるので、本発明の実施形態に係るRu-Pd系スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット全体に対するPdの含有量は50at以下であることが好ましい。また、ターゲット全体に対するPdの量が少なすぎるとRuの使用量を減らすという目的が達成できなくなるので、ターゲット全体に対するPdの含有量は1at以上であることが好ましい。即ち、本発明の実施形態に係るRu-Pd系スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット全体に対するPdの含有量は1~50atRuの含有量は50~99atであることが好ましい。また、前記した六方最密充填構造hcpの結晶格子の歪みの観点およびRuの使用量を減らすという観点から、本発明の実施形態に係るRu-Pd系スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット全体に対するPdの含有量は10~40atRuの含有量は60~90atであることがより好ましく、20~30atRuの含有量は70~80atであることが特に好ましい。1-2.ターゲットの構造について本発明の実施形態に係るRu-Pd系スパッタリングターゲットの構造は、Ruを1~40at含有して残部がPdおよび不可避的不純物からなるRu-Pd合金相と、不可避的不純物を含むRu相とが互いに分散した構造である。このような分散構造とすることにより、Ru-Pd合金相中のRuの含有量が1~40atと少なくても、ターゲット全体に対するRuの含有量を50~99atと多くすることができる。ターゲット全体に対するPdの含有量は1~50atである。なお、実施例で後述するように、このような構造のRu-Pd系スパッタリングターゲットを用いて作製したRu-Pd合金層をRu層に替えて下地層として用いたハードディスクであっても、記録特性に有意な差がないことを確認している。Ru-Pd合金相に対するRuの含有量についての数値限定理由を説明する。前記したように、Ru-Pd合金相中のRuの含有量は1~40atである。Ru-Pd合金相はRuを1~40at含有しているため、ターゲット全体においてPdのみが存在する箇所がなくなり、Pdは常にRuと併存することになる。この結果、本実施形態に係るターゲットを用いてのスパッタリングにおいて、特定の箇所の削られる速度スパッタリングレートが極端に大きくなるということがなくなり、スパッタリングは良好なものとなる。Ru-Pd合金相中のRuの含有量が1atを下回ると、スパッタリングの際に、Ru-Pd合金相のスパッタリングレートが極端に大きくなるおそれがある。一方、Ru-Pd合金相中のRuの含有量が40atを上回るようにするためには、Ruの含有量が40atを上回るRu-Pd合金溶湯を用いてアトマイズを行ってRu-Pd合金粉末を作製する必要があるが、Ruの含有量が40atを上回るRu-Pd合金の融点は高く、Ru-Pd合金溶湯の温度を2000°C以上に加熱する必要があり、通常のルツボ例えばMgO製を使用することができず、また、生産効率が落ち、製造コストが高くなる。以上述べたターゲット中のRuの分布の観点、Ru-Pd合金溶湯の加熱の観点から見て、Ru-Pd合金相におけるRuの含有量は1~40atであることが必要であるが、5~20atであることが好ましく、7~15atであることがより好ましく、9~11atであることが特に好ましい。2.製造方法について本発明の実施形態に係るRu-Pd系スパッタリングターゲットの製造方法は、Ruを1~40at含有して残部がPdおよび不可避的不純物からなるRu-Pd合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Ru-Pd合金粉末に、粉末全体に対するPdの含有量が1~50atとなるように不可避的不純物を含むRu粉末を混合して混合粉末を作製した後、作製した該混合粉末を加圧下で加熱して成形することを特徴とする。このような製造方法を採ることにより、得られるターゲットは、Ruを1~40at含有して残部がPdおよび不可避的不純物からなるRu-Pd合金相と、不可避的不純物を含むRu相とが互いに分散した構造になる。また、アトマイズ法に用いるべく原料金属Ru、Pdを加熱して合金溶湯とすることにより、原料金属Ru、Pd中に含まれる酸素等の不純物が揮発して取り除かれるため、得られるRu-Pd系スパッタリングターゲット中の酸素含有量を低減させることができる。2-1.Ru-Pd合金粉末の作製についてRuを1~40at含有して残部がPdおよび不可避的不純物からなる溶湯に、アトマイズ法を適用して、該溶湯と同一組成のRu-Pd合金粉末を作製する。Ru-Pd合金粉末にRuを1~40at含有させることにより、該Ru-Pd合金粉末を用いて得られるターゲットにおいて、Pdのみが存在する箇所がなくなり、Pdは常にRuと併存することになる。この結果、得られるターゲットを用いてのスパッタリングにおいて、特定の箇所のスパッタリングレートが極端に大きくなるということがなくなり、該ターゲットを用いてのスパッタリングは良好なものとなる。Ru-Pd合金粉末中のRuの含有量が1atを下回ると、得られるターゲットを用いてのスパッタリングにおいて、特定の箇所のスパッタリングレートが極端に大きくなるおそれがある。一方、Ru-Pd合金粉末中のRuの含有量が40atを上回るようにするためには、アトマイズ法に用いる溶湯中のRuの含有量も40atを上回らせる必要があり、このためには前述したように溶湯の温度を2000°C以上に加熱する必要があり、製造コストが高くなる。以上述べたターゲット中のRuの分布の観点、Ru-Pd合金溶湯の加熱の観点から見て、Ru-Pd合金粉末におけるRuの含有量は1~40atであることが必要であるが、5~20atであることが好ましく、7~15atであることがより好ましく、9~11atであることが特に好ましい。また、アトマイズ法によりRu-Pd合金粉末を作製するため、前述したように原料金属Ru、Pdはいったん高温まで加熱されて溶湯となるので、その段階で、Na、K等のアルカリ金属やCa等のアルカリ土類金属、酸素や窒素等のガス不純物は外部に揮発して除去される。また硫黄も外部に揮発して除去される。このため、得られるRu-Pd合金粉末中の不純物量は少なくなる。したがって、アトマイズ法により得られたRu-Pd合金粉末を用いて得られるターゲット中の不純物も少なくなり、酸素含有量は100質量ppm以下に抑えることができる。また、窒素、炭素、硫黄の含有量もそれぞれ10質量ppm以下に抑えることができる。このため、該ターゲットを用いてのスパッタリングは良好なものとなり、得られるRu-Pd膜も良好なものとなる。該ターゲットを用いてのスパッタリングをより良好にするとともに、得られるRu-Pd膜もより良好なものとする観点から、Ru-Pd系スパッタリングターゲット中の酸素含有量は50質量ppm以下に抑えることがより好ましく、窒素、炭素、硫黄の含有量はそれぞれ5質量ppm以下、8質量ppm以下、3質量ppm以下に抑えることがより好ましい。また、アルゴンガスまたは窒素ガスを使用したガスアトマイズ法で作製すると、得られるRu-Pd合金粉末において、酸素含有量をより低く抑えることができ、より良好な原料粉末となる。なお、適用可能なアトマイズ法としては、例えばガスアトマイズ法、遠心力アトマイズ法等がある。2-2.混合粉末について前記のようにしてアトマイズ法により得られたRu-Pd合金粉末に、粉末全体に対するPdの含有量が1~50atとなるように平均粒径5~100μmのRu粉末を混合して混合粉末を作製する。用いるRu粉末の平均粒径が大きすぎると、得られるターゲットにおいてPdの分布の均一性が低下し、スパッタリングの際の均一なエロージョンが得られなくなるおそれがある。ここで、良好なターゲットを得るためには、Ru粉末中の酸素、窒素、炭素、硫黄等の不純物量も減らした方が好ましく、そのためにはRu粉末を還元雰囲気中で加熱して還元処理をすることが好ましい。Ru粉末を還元雰囲気中で加熱することにより、酸素、窒素、炭素、硫黄等の不純物量を減らしたRu粉末を製造することが可能となる。混合粉末全体に対するPdの含有量が1~50atとなることで、得られるターゲットにおいても、Pdの含有量はターゲット全体に対して1~50atとなる。このため、該ターゲットを用いてスパッタリングにより形成されるRu-Pd合金層の結晶構造はRuの結晶構造と同じ六方最密充填構造hcpとなり得るので、該Ru-Pd合金層の上には、良好にc軸配向した磁性記録層を形成することが可能となる。2-3.成形方法について前記混合粉末を加圧下で加熱して成形する方法は特に限定されず、例えば、ホットプレス法、熱間等方圧プレス法HIP法、放電プラズマ焼結法SPS法等を用いることができる。3.効果について前述したように、Ru-Pd合金粉末中のRuの含有量が40atを上回るようにするためには、アトマイズ法に用いるRu-Pd合金溶湯中のRuの含有量も40atを上回らせる必要があり、このためには前述したようにRu-Pd合金溶湯の温度を2000°C以上に加熱する必要があり、通常のルツボを使用することができないため製造コストが高くなる。そこで、本実施形態のRu-Pd系スパッタリングターゲットにおいては、Ruを1~40at含有して残部がPdおよび不可避的不純物からなるRu-Pd合金相と、不可避的不純物を含むRu相とが互いに分散した構造にしており、この構造とすることによりRu-Pd合金相のRu含有量を40以下に減らし、Ru-Pd合金粉末の作製時にRu-Pd合金溶湯の温度を2000°C以上に加熱する必要をなくしている。また、本実施形態のRu-Pd系スパッタリングターゲットの製造方法においては、Ruの含有量が1~40atであるRu-Pd合金粉末に、Pdの含有量が粉末全体に対して1~50atとなるように平均粒径5~100μmのRu粉末を混合して混合粉末を作製し、作製した該混合粉末を加圧下で加熱して成形し、ターゲットを得ている。Ruの含有量が1~40atであるRu-Pd合金粉末をアトマイズ法により作製するためのRu-Pd合金溶湯の温度は2000°C未満でよく、通常のルツボが使用可能であり、生産効率を落とさずに作製が可能である。このため、本実施形態の製造方法においては、ターゲット全体に対してPdが1~50at、Ruが50~99at含有されているRu-Pd系スパッタリングターゲットを生産効率よく、経済的に作製することができる。なお、本実施形態のRu-Pd系スパッタリングターゲットは、Ruを1~40at含有して残部がPdおよび不可避的不純物からなるRu-Pd合金相と、不可避的不純物を含むRu相とが互いに分散した構造を有するが、実施例で後述するように、このような構造のRu-Pd系スパッタリングターゲットを用いて作製したRu-Pd合金層をRu層に替えて下地層として用いたハードディスクであっても、記録特性に有意な差はないことを確認している。4.用途について本実施形態に係るRu-Pd系スパッタリングターゲットを用いて形成する層は、垂直磁気記録方式ハードディスクの下地層にRu層の代替として用いることができ、本実施形態に係るRu-Pd系スパッタリングターゲットは、Ruターゲットを代替することができる。ただし、本実施形態に係るRu-Pd系スパッタリングターゲットは、垂直磁気記録媒体用という用途に限定されず、Ru層が用いられている用途であれば、垂直磁気記録媒体用以外の用途例えば、接触電極等にも好適に用いることができると考えられる。実施例1本実施例1では、ターゲット組成の目標を85atRu-15atPdに設定してターゲットの作製を行った。まず、合金組成がRu:10at、Pd:90atとなるようにバルク状の各金属を秤量し、高周波で加熱して1800°CのRu-Pd合金溶湯とし、アルゴンガスを用いたガスアトマイズ法により10atRu-90atPd合金粉末を作製した。得られた合金粉末の平均粒径を日機装株式会社製のマイクロトラックMT3000により測定したところ、50μmであった。得られたRu-Pd合金粉末に、Pdの含有量が粉末全体に対して15atとなるように平均粒径10μmのRu粉末を添加し、混合攪拌機で1時間混合して混合粉末を作製した。得られた混合粉末を、温度:1280°C、圧力:25MPa、時間:45min、雰囲気:5×102Pa以下の真空中の条件でホットプレスを行い、焼結体を得た。サンプル数は1とした。作製した焼結体の密度をアルキメデス法により測定し、それぞれの測定値を理論密度で除して相対密度を求めた。その結果を下記の表1に示す。得られた焼結体の断面を日本電子株式会社製の電子顕微鏡JSM-6500Fで観察した。図1、図2に該電子顕微鏡により撮像した組織写真を示す。図1は低倍率の組織写真であり、図2は高倍率の組織写真である。図1、図2において、白い部分がRu-Pd合金相であり、灰色の部分がRu相であり、得られた焼結体は、Ru-Pd合金相とRu層とが互いに分散した構造となっていることがわかる。次に、得られた焼結体を、直径161mm、厚さ11mmに加工し、スパッタリングターゲットとした。得られたスパッタリングターゲットについて、LECO社製のTC-600型酸素窒素同時分析装置およびHORIBA製CS炭素硫黄分析装置により酸素、窒素、炭素、硫黄の含有量を2回測定したところ、下記の表2のようになった。下記の表2において、酸素、窒素の値はLECO社製のTC-600型酸素窒素同時分析装置による測定結果であり、炭素、硫黄の値はHORIBA製CS炭素硫黄分析装置による測定結果である。次に、得られたスパッタリングターゲットを用いてキャノンアネルバ株式会社製のスパッタリング装置によりスパッタリングを行い、Ru層の替わりにRu-Pd合金層を形成させたが、スパッタリング時にノジュールおよびパーティクル等の不具合の発生は観察されず、良好にスパッタリングを行うことができた。それ以降はRu層を形成させた場合と同様の手順でハードディスクを作製し、その記録特性を評価したところ、下地層にRu層を用いたハードディスクと比べて記録特性に差がなかった。実施例2本実施例2では、ターゲット組成の目標を75atRu-25atPdに設定してターゲットの作製を行った。用いたRu-Pd合金粉末とRu粉末は実施例1のものと同様であるが、その配合比率を変え、Pdの含有量が粉末全体に対して25atとなるように混合粉末を作製した。それ以外は実施例1と同様にして、焼結体、スパッタリングターゲット、ハードディスクを作製するとともに、それらについて評価を行った。得られた焼結体は、日本電子株式会社製の電子顕微鏡JSM-6500Fで観察したところ、Ru-Pd合金相とRu層とが互いに分散した構造となっていた。下記表3に焼結体の密度の測定結果を示し、下記表4にスパッタリングターゲット中の酸素、窒素、炭素、硫黄の含有量の測定結果を示す。得られたスパッタリングターゲットを用いてキャノンアネルバ株式会社製のスパッタリング装置によりスパッタリングを行い、Ru層の替わりにRu-Pd合金層を形成させたが、スパッタリング時にノジュールおよびパーティクル等の不具合の発生は観察されず、良好にスパッタリングを行うことができた。それ以降はRu層を形成させた場合と同様の手順でハードディスクを作製し、その記録特性を評価したところ、下地層にRu層を用いたハードディスクと比べて記録特性に差がなかった。比較例1本比較例1では、ターゲット組成の目標を実施例1と同様の85atRu-15atPdに設定してターゲットの作製を行ったが、Ru-Pd合金粉末は用いず、Ru粉末とPd粉末とを用いて混合粉末を作製し、ターゲットの作製を行った。まず、平均粒径10μmのRu粉末と平均粒径5μmのPd粉末とを、実施例1のターゲットの組成と同様の組成である、Ru:85at、Pd:15atとなるように秤量し、混合攪拌機で1時間混合して混合粉末を作製した。なお、用いたRu粉末、Pd粉末は、還元雰囲気中で加熱して還元処理を行っている。得られた混合粉末を、実施例1と同様の条件である、温度:1280°C、圧力:25MPa、時間:45min、雰囲気:5×102Pa以下の真空中の条件でホットプレスを行い、焼結体を得た。作製した焼結体の密度をアルキメデス法により測定し、それぞれの測定値を理論密度で除して相対密度を求めた。その結果を下記の表5に示す。得られた焼結体を実施例1と同様に加工を行い、スパッタリングターゲットとした。得られたスパッタリングターゲットについて、LECO社製のTC-600型酸素窒素同時分析装置およびHORIBA製CS炭素硫黄分析装置により酸素、窒素、炭素、硫黄の含有量を2回測定したところ、下記の表6のようになった。下記の表6において、酸素、窒素の値はLECO社製のTC-600型酸素窒素同時分析装置による測定結果であり、炭素、硫黄の値はHORIBA製CS炭素硫黄分析装置による測定結果である。次に、得られたスパッタリングターゲットを用いてキャノンアネルバ株式会社製のスパッタリング装置によりスパッタリングを行い、Ru-Pd合金層の形成を行ったところ、スパッタリング時にノジュールおよびパーティクルの発生が観察された。それ以降はRu層を形成させた場合と同様の手順でハードディスクを作製し、その記録特性を評価したところ、下地層にRu層を用いたハードディスクと比べて記録特性がわずかであるが劣った。比較例2本比較例2では、ターゲット組成の目標を実施例2と同様の75atRu-25atPdに設定してターゲットの作製を行ったが、Ru-Pd合金粉末は用いず、Ru粉末とPd粉末とを用いて混合粉末を作製し、ターゲットの作製を行った。まず、平均粒径10μmのRu粉末と平均粒径5μmのPd粉末とを、実施例1のターゲットの組成と同様の組成である、Ru:75at、Pd:25atとなるように秤量し、混合攪拌機で1時間混合して混合粉末を作製した。なお、用いたRu粉末、Pd粉末は、還元雰囲気中で加熱して還元処理を行っている。得られた混合粉末を、実施例1と同様の条件である、温度:1280°C、圧力:25MPa、時間:45min、雰囲気:5×102Pa以下の真空中の条件でホットプレスを行い、焼結体を得た。作製した焼結体の密度をアルキメデス法により測定し、それぞれの測定値を理論密度で除して相対密度を求めた。その結果を下記の表7に示す。得られた焼結体を実施例2と同様に加工を行い、スパッタリングターゲットとした。得られたスパッタリングターゲットについて、LECO社製のTC-600型酸素窒素同時分析装置およびHORIBA製CS分析装置により酸素、窒素、炭素、硫黄の含有量を2回測定したところ、下記の表8のようになった。下記の表8において、酸素、窒素の値はLECO社製のTC-600型酸素窒素同時分析装置による測定結果であり、炭素、硫黄の値はHORIBA製CS炭素硫黄分析装置による測定結果である。次に、得られたスパッタリングターゲットを用いてキャノンアネルバ株式会社製のスパッタリング装置によりスパッタリングを行い、Ru-Pd合金層の形成を行ったところ、スパッタリング時にノジュールおよびパーティクルの発生が観察された。それ以降はRu層を形成させた場合と同様の手順でハードディスクを作製し、その記録特性を評価したところ、下地層にRu層を用いたハードディスクと比べて記録特性がわずかであるが劣った。考察実施例1、2、比較例1、2におけるターゲット中の酸素、窒素、炭素、硫黄の含有量の測定結果、スパッタリング時のノジュール、パーティクルの発生の有無、およびハードディスクの記録特性の評価結果を下記の表9にまとめて示す。なお、ハードディスクの記録特性の評価では、下地層にRuを用いたハードディスクと比べて記録特性に差がない場合を○、下地層にRuを用いたハードディスクと比べて記録特性が劣る場合を×として、表9に記載している。アトマイズ法を用いて作製したRu-Pd合金粉末にRu粉末を混合して混合粉末を作製してホットプレスを行った、本発明の範囲内である実施例1、2においては、いずれも、得られたスパッタリングターゲット中の酸素含有量が100質量ppm以下であるのに対し、Ru粉末、Pd粉末を用いて混合粉末を作製してホットプレスを行った、本発明の範囲外である比較例1、2においては、いずれも、得られたスパッタリングターゲット中の酸素含有量が100質量ppmを上回っており、ターゲット中の酸素含有量が高くなっている。また、本発明の範囲内である実施例1、2においては、いずれも、得られたスパッタリングターゲットの窒素、炭素、硫黄の含有量が10質量ppm以下であるのに対し、本発明の範囲外である比較例1、2においては、いずれも、得られたスパッタリングターゲット中の窒素、炭素、硫黄の含有量が10質量ppmを上回っており、ターゲット中の窒素、炭素、硫黄の含有量が高くなっている。また、本発明の範囲内である実施例1、2においては、スパッタリング時にノジュール、パーティクル等の不具合の発生は見られなかったが、本発明の範囲外である比較例1、2においては、いずれも、スパッタリング時にノジュール、パーティクルが見られた。また、本発明の範囲内である実施例1、2においては、下地層にRuを用いたハードディスクと比べて記録特性に差がなかったが、本発明の範囲外である比較例1、2においては、下地層にRuを用いたハードディスクと比べて記録特性が劣った。