"入射された光に対応する画素読み出し信号を出力する複数の単位画素と、前記単位画素から出力された前記画素読み出し信号を伝達する信号線と、前記信号線に接続され、前記単位画素から前記画素読み出し信号を読み出すための読み出し電流を供給する読み出し電流源部と、前記画素読み出し信号のレベルをディジタルデータに変換するための参照信号を生成する参照信号生成部と、前記信号線の電圧の振幅の変化を制限する閾値を前記参照信号のゲインに連動して切り替えて、前記信号線の電圧の振幅の変化を制限する振幅制限部とを備える固体撮像装置。前記振幅制限部は、前記信号線と前記振幅制限部の接続点に前記閾値を規定する定電圧を供給する請求項1に記載の固体撮像装置。前記参照信号生成部は、少なくとも2つの異なるゲインの前記参照信号を生成し、前記振幅制限部は、前記参照信号のゲインが所定の閾値より大きいときに前記定電圧を供給する請求項2に記載の固体撮像装置。前記定電圧は、外部から入力される請求項3に記載の固体撮像装置。前記画素は、マトリックス状に配置されており、前記振幅制限部は、前記マトリックスの一方の端部の前記単位画素と他方の端部の前記単位画素の近傍に配置されている請求項3に記載の固体撮像装置。前記信号線により伝達されたアナログの前記画素読み出し信号のレベルと前記参照信号のレベルとを比較する電圧比較部と、前記電圧比較部での比較処理と並行してカウント処理を行うカウンタ部とをさらに備える請求項3に記載の固体撮像装置。入射された光に対応する画素読み出し信号を出力する複数の単位画素と、前記単位画素から出力された前記画素読み出し信号を伝達する信号線と、前記信号線に接続され、前記単位画素から前記画素読み出し信号を読み出すための読み出し電流を供給する読み出し電流源部と、前記画素読み出し信号のレベルをディジタルデータに変換するための参照信号を生成する参照信号生成部と、前記信号線の電圧の振幅の変化を制限する閾値を前記参照信号のゲインに連動して切り替えて、前記信号線の電圧の振幅の変化を制限する振幅制限部とを備える撮像装置。入射された光に対応する画素読み出し信号を出力する複数の単位画素から出力された前記画素読み出し信号を信号線により伝達し、前記信号線に、前記単位画素から前記画素読み出し信号を読み出すための読み出し電流を供給し、前記画素読み出し信号のレベルをディジタルデータに変換するための参照信号を生成し、前記信号線の電圧の振幅の変化を制限する閾値を前記参照信号のゲインに連動して切り替えて、前記信号線の電圧の振幅の変化を制限する撮像方法。ここで、図3に示されるような同一行に、黒い部分101と白い部分102とが混在するような画像を撮影した場合を考える。白い部分102の画素を読み出すセレクトトランジスタ86の垂直信号線22との接続点の電圧VSLは大きく振幅することになる。この場合、セレクトトランジスタ86と垂直信号線22との接続点と、負荷MOSトランジスタ91のゲート電極との間の寄生容量により、接続点の電圧VSLの振幅量に依存してゲート電極の電圧VLOADが変動する。読み出し電流源部32の負荷MOSトランジスタ91のゲート電極は、水平方向に全列において共通に接続されており、黒い部分101の信号を読み出す列の負荷MOSトランジスタ91のゲート電極とも共通に接続されている。このため、負荷MOSトランジスタ91のゲート電極に加わるバイアス電圧VLOADが変動し、本来の黒レベルとは異なる信号が出力される。その結果、図3に示すような画像のパターンを撮影した場合、図4に示すような横帯状のノイズ以下、ストリーキングと称するが出力されてしまう。つまり、本来黒い部分101であった白い部分102の左右に、より黒い部分111が出現した画像が表示されてしまう。図5は、ストリーキングの発生の原理を説明する図である。図5を使ってストリーキングの詳細な発生メカニズムを説明する。図4に示すように白い画素の画素読み出し信号が入力された列のフローティングディフュージョン82からの信号であるFD信号をFDw、同列の接続点の電圧をVSLwとし、黒い画素の画素読み出し信号が入力された列のFD信号をFDb、同列の接続点の電圧をVSLbとする。図6のタイミングチャートに示すように、D相での画素読み出し信号の読み出しタイミングと同時にFD信号FDwの電圧は大きく低下し、電圧VSLwも同様に低下する。白い画素読み出し信号を出力しているセレクトトランジスタ86-1とその負荷MOSトランジスタ91-1との接続点電圧VSLwの接続点と、その負荷MOSトランジスタ91-1のゲート電極との間には、寄生容量Cvbwが存在する。この寄生容量Cvbwのカップリングにより、負荷MOSトランジスタ91-1のゲート電極の電圧VLOADが一時的に低下する。負荷MOSトランジスタ91-1のゲート電極は、水平方向に全ての列において共通に接続されている。そのため、全ての列の負荷MOSトランジスタ91のゲート電極の電圧VLOADが低下し、負荷MOSトランジスタ91の流す電流が減少する。その結果、黒い画素の画素読み出し信号を出力している列のセレクトトランジスタ86-2とその負荷MOSトランジスタ91-2との接続点の電圧VSLbが上昇する。負荷MOSトランジスタ91のゲート電極の電圧VLOADの変動は交流的なものであるため、接続点の電圧VSLbは時間の経過と共に元に戻る。ただし、D相信号判別のタイミングの時刻tDでも電圧が戻っていなかった場合は、その電圧がそのままAD変換され、図4に示されるようなストリーキングが発生する。本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、ストリーキングを低減することを目的とする。本技術に係る固体撮像装置は、入射された光に対応する画素読み出し信号を出力する複数の単位画素と、前記単位画素から出力された前記画素読み出し信号を伝達する信号線と、前記信号線に接続され、前記単位画素から前記画素読み出し信号を読み出すための読み出し電流を供給する読み出し電流源部と、前記画素読み出し信号のレベルをディジタルデータに変換するための参照信号を生成する参照信号生成部と、前記信号線の電圧の振幅の変化を制限する閾値を前記参照信号のゲインに連動して切り替えて、前記信号線の電圧の振幅の変化を制限する振幅制限部とを備える固体撮像装置である。前記振幅制限部は、前記信号線と前記振幅制限部の接続点に前記閾値を規定する定電圧を供給することができる。前記参照信号生成部は、少なくとも2つの異なるゲインの前記参照信号を生成し、前記振幅制限部は、前記参照信号のゲインが所定の閾値より大きいときに前記定電圧を供給することができる。前記定電圧は、外部から入力することができる。前記画素は、マトリックス状に配置されており、前記振幅制限部は、前記マトリックスの一方の端部の前記単位画素と他方の端部の前記単位画素の近傍に配置されていることができる。前記信号線により伝達されたアナログの前記画素読み出し信号のレベルと前記参照信号のレベルとを比較する電圧比較部と、前記電圧比較部での比較処理と並行してカウント処理を行うカウンタ部とをさらに備えることができる。本技術に係る撮像装置は、入射された光に対応する画素読み出し信号を出力する複数の単位画素と、前記単位画素から出力された前記画素読み出し信号を伝達する信号線と、前記信号線に接続され、前記単位画素から前記画素読み出し信号を読み出すための読み出し電流を供給する読み出し電流源部と、前記画素読み出し信号のレベルをディジタルデータに変換するための参照信号を生成する参照信号生成部と、前記信号線の電圧の振幅の変化を制限する閾値を前記参照信号のゲインに連動して切り替えて、前記信号線の電圧の振幅の変化を制限する振幅制限部とを備える撮像装置である。本技術に係る撮像方法は、入射された光に対応する画素読み出し信号を出力する複数の単位画素から出力された前記画素読み出し信号を信号線により伝達し、前記信号線に、前記単位画素から前記画素読み出し信号を読み出すための読み出し電流を供給し、前記画素読み出し信号のレベルをディジタルデータに変換するための参照信号を生成し、前記信号線の電圧の振幅の変化を制限する閾値を前記参照信号のゲインに連動して切り替えて、前記信号線の電圧の振幅の変化を制限する撮像方法である。本技術に係る固体撮像装置においては、入射された光に対応する画素読み出し信号を出力する複数の単位画素から出力された画素読み出し信号が信号線により伝達され、信号線に接続され、単位画素から画素読み出し信号を読み出すための読み出し電流を供給され、画素読み出し信号のレベルをディジタルデータに変換するための参照信号が生成され、信号線の電圧の振幅の変化を制限する閾値を参照信号のゲインに連動して切り替えて、信号線の電圧の振幅の変化が制限される。本技術によれば、ストリーキングを低減することができる。以下、本技術を実施するための形態以下、実施の形態というについて説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1第1の実施の形態1固体撮像装置の構成2振幅制限部の構成3基準電圧生成部の構成4固体撮像装置の動作5参照信号のゲイン6画素読み出し信号の大きさと制限の関係2第2の実施の形態3第3の実施の形態4第4の実施の形態5その他<第1の実施の形態>[固体撮像装置の構成]以下、図面を参照して本技術の実施の形態について詳細に説明する。なお、以下においては、X-Yアドレス型の固体撮像装置の一例である、CMOS固体撮像装置をデバイスとして使用した場合を例に説明する。また、CMOS固体撮像装置は、全ての画素がNMOSよりなるものであるとして説明する。図7は、本技術の固体撮像装置201の一実施の形態の構成を示すブロック図である。固体撮像装置201は、入射光量に応じた信号を出力するフォトダイオード281後述する図8参照を含む複数個の単位画素231が、行および列にすなわち2次元マトリクス状に配列された画素アレイ部211を有する。また固体撮像装置201は、各単位画素231からの信号出力が電圧信号であって、CDS回路などをカラム処理部216と同一の半導体領域に設けることも可能である。カラム処理部216の前段でAGCを行なう場合にはアナログ増幅、カラム処理部216の後段でAGCを行なう場合にはディジタル増幅となる。nビットのディジタルデータを単純に増幅してしまうと、階調が損なわれてしまう可能性があるため、どちらかというとアナログにて増幅した後にディジタル変換するのが好ましいと考えられる。画素アレイ部211の信号を順次読み出すため、列アドレスや列走査を制御する列走査回路215、行アドレスや行走査を制御する行走査回路212、および内部クロックを生成したり、撮像部の通信制御および信号を順次読み出すなどの機能を持つ通信タイミング制御部213が設けられている。カラム処理部216から出力されるパラレルデータをシリアルデータ化してデバイス外部に画像データDPOUTを出力することもできる。こうすることで、AD変換されたディジタルデータのビット分よりも少ない端子で高速動作出力する構成を採ることができる。図7では、簡単のため行および列の一部を省略して示しているが、現実には、各行や各列には、数十から数千の単位画素231が配置される。画素アレイ部211には、マトリックス状に配置された複数の単位画素231の下方に、振幅制限部233と読み出し電流源部232が順次配置されている。振幅制限部233は、各列に配置された振幅制限回路241と、各振幅制限回路241に基準電圧を供給する基準電圧生成部242を有している。画素信号読出用の動作電流読み出し電流を供給する読み出し電流源部232は、各列毎に負荷MOSトランジスタ291後述する図8参照を有している。[振幅制限部の構成]図8は、単位画素231と振幅制限回路241の構成を示す回路図である。単位画素231は、フォトダイオード281、フローティングディフュージョン282、並びにトランジスタ283乃至286から構成されている。フォトダイオード281は、光を受光して電荷に変換する光電変換機能とともに、その電荷を蓄積する電荷蓄積機能の各機能を兼ね備えている。読み出し選択用トランジスタ283は、転送信号TGにより駆動されたとき、フォトダイオード281の電荷をフローティングディフュージョン282に転送する。リセットトランジスタ284は、リセット信号RSTにより駆動されたとき、フローティングディフージョン282の電荷をリセットする。垂直セレクトトランジスタ286は、垂直選択信号SELにより駆動されたとき、増幅用トランジスタ285により読み出されたフローティングディフージョン282からの信号を、垂直信号線222に画素読み出し信号VSLとして出力する。垂直セレクトトランジスタ286の出力電極は垂直信号線222を介して負荷MOSトランジスタ291に接続されている。負荷MOSトランジスタ291のゲートには、基準電圧生成部242または外部から制御電圧VLOADが供給されている。垂直セレクトトランジスタ286の出力電極と負荷MOSトランジスタ291が接続されている垂直信号線222にはまた、振幅制限回路241の選択用トランジスタ302の出力電極が接続されている。選択用トランジスタ302のゲートには、行走査回路212から選択信号SELが供給される。選択用トランジスタ302の入力電極には、増幅用トランジスタ301の出力電極が接続され、増幅用トランジスタ301のゲート電極には、基準電圧生成部242により生成された基準電圧Vcが入力されている。増幅用トランジスタ301の入力電極は、所定の基準電圧に接続されている。振幅制限回路241は、縦続接続された増幅用トランジスタ301と選択用トランジスタ302により構成されており、素子数が少なく、回路面積も小さくすることができる。また振幅制限回路241は単位画素231と類似した構成を有するので、画素アレイ部211内に配置することができ、カラム処理部216の面積が大きくなるのを防止することができる。1つの基準電圧生成部242で生成した基準電圧を各列の振幅制限回路241に供給し、共通に使用するようにすることで、列毎に基準電圧を生成する場合に比べて、列毎のバラツキを抑制し、縦筋の悪化つまり、縦方向の段差が見える現象を防ぐことができる。[基準電圧生成部の構成]図9は、基準電圧生成部242の構成を示す回路図である。基準電圧生成部242は、直列に接続された抵抗321-1乃至321-5により分圧された4つの異なる電圧のいずれかを選択し、基準電圧Vcとして各振幅制限回路241に供給する。いずれの電圧を選択するかは、通信タイミング制御部213より供給されるゲイン設定信号により決定される。つまり、ゲインの大きさに応じて基準電圧が切り替えられる。[固定撮像装置の動作]図10は、基本的なAD変換動作を説明するタイミングチャートである。次に、この図10を参照して、固定撮像装置201の基本的なAD変換動作について説明する。P相の読み出し時においては、所定のタイミングでゲート電極に信号RSTが供給され、リセットトランジスタ284がオンし、フローティングディフージョン282がリセットされる。このとき、増幅用トランジスタ285と垂直セレクトトランジスタ286がオンしている。そこで、フローティングディフージョン282の電圧が増幅用トランジスタ285と垂直セレクトトランジスタ286を介して画素読み出し信号VSLとして垂直信号線222に読み出される。画素読み出し信号のレベルが安定した時刻tPのタイミングで、参照信号生成部214が参照信号RAMPを生成し、電圧比較部251に供給する。電圧比較部251は、垂直信号線222より供給された画素読み出し信号VSLと参照信号を比較し、両者の大きさが等しくなったとき、出力を反転する。時刻tPのタイミングで、カウンタ部252にはカウンタクロックCLKが供給される。カウンタ部252は電圧比較部251の出力が反転するまでこのカウンタクロックCLKをカウントダウンする。このカウント値はP相における画素読み出し信号のAD変換値である。次にD相の読み出しが行われる。D相の読み出し時においては、ゲート電極に信号TGが入力され、読み出し選択用トランジスタ283がオンする。その結果、フォトダイオード281の電荷が、読み出し選択用トランジスタ283、フローティングディフュージョン282、増幅用トランジスタ285、および垂直セレクトトランジスタ286を介して、垂直信号線222に画素読み出し信号VSLとして読み出される。画素読み出し信号のレベルが安定した時刻tDのタイミングで、参照信号生成部214が参照信号RAMPを生成し、電圧比較部251に供給する。電圧比較部251は、垂直信号線222より供給された画素読み出し信号VSLと参照信号を比較し、両者の大きさが等しくなったとき、出力を反転する。時刻tDのタイミングで、カウンタ部252にはカウンタクロックCLKが供給される。カウンタ部252は電圧比較部251の出力が反転するまでこのカウンタクロックCLKをカウントアップする。このカウント値はメモリ253に記憶された後、D相における画素読み出し信号のAD変換値として出力される。カウンタ部252には、P相の読み出し時にカウントダウンした画素読み出し信号が記憶されており、そこからカウントアップが行われる。従って、D相の読み出し時のカウント値は、P相時のカウント値との差分となり、CDS相関2重サンプリングが行われたことになる。図11は、振幅制限が行われる場合のAD変換動作を説明するタイミングチャートである。次に図11を参照して、AD変換動作時における振幅制限について説明する。便宜上、図5の回路を必要に応じて参照する。ただし、図5を本技術の図として援用する場合、そのトランジスタの符号85-1,85-2,86-1,86-2,91-1,91-2は、それぞれ符号285-1,285-2,286-1,286-2,291-1,291-2と読み替える。図4を参照して説明したように、白い画素の画素読み出し信号が入力された列のフローティングディフュージョン282からの信号であるFD信号をFDw、その列の対応する読み出し信号の電圧をVSLwとし、黒い画素の画素読み出し信号が入力された列のFD信号をFDb、その列の対応する読み出し信号の電圧をVSLbとする。最初に、図11のタイミングチャートにおけるP相の読み出し時の動作について説明する。白い画像を読み出す単位画素231と、黒い画像を読み出す単位画素231のいずれにおいても、所定のタイミングでリセット信号RSTがゲート電極に入力され、リセットトランジスタ284がオンする。これによりフローティングディフージョン282がリセットされる。このとき、増幅用トランジスタ285と垂直セレクトトランジスタ286がオンしている。そこで、白い画素のフローティングディフージョン282の電圧FDwに対応する電圧が、増幅用トランジスタ285-1から出力され、垂直セレクトトランジスタ286-1を介して画素読み出し信号VSLwとして垂直信号線222に読み出される。同様に、黒い画素のフローティングディフージョン282の電圧FDbに対応する電圧が、増幅用トランジスタ285-2から出力され、垂直セレクトトランジスタ286-2を介して画素読み出し信号VSLbとして垂直信号線222に読み出される。各垂直信号線222の画素読み出し信号は、図10を参照して説明したように、AD変換され、出力される。D相の読み出し時においては、白い画像を読み出す単位画素231においてのみ読み出しが行われ、黒い画像を読み出す単位画素231においては読み出しが行われないものとする。白い画像を読み出す単位画素231おいては、ゲート電極に信号TGが入力され、読み出し選択用トランジスタ283がオンする。その結果、フォトダイオード281の電荷がフローティングディフュージョン282に転送される。その結果、フローティングディフュージョン282の電圧FDwに対応する電圧が増幅用トランジスタ285-1から出力され、垂直セレクトトランジスタ286-1を介して、垂直信号線222に画素読み出し信号VSLwとして読み出される。図10を参照して説明したように、画素読み出し信号のレベルが安定した時刻tDのタイミングで、参照信号RAMPが生成され、電圧比較部251において、画素読み出し信号VSLwと比較され、両者の大きさが等しくなったときのカウンタクロックCLKのカウント値がメモリ253に記憶される。振幅制限回路241が動作していない場合、上述したように、ゲート電極に信号TGが入力され、読み出し選択用トランジスタ283がオンすると同時にFD信号FDwの電圧は大きく低下し、画素読み出し信号の電圧VSLwも同様に低下する。白い画素の画素読み出し信号を出力している垂直セレクトトランジスタ286-1とその負荷MOSトランジスタ291-1との接続点電圧VSLwが出力されている点と、その負荷MOSトランジスタ291-1のゲート電極との間に寄生容量Cvbwが存在する。この寄生容量Cvbwのカップリングにより、負荷MOSトランジスタ291-1のゲート電極の電圧VLOADが低下する。図11においてはこの電圧VLOADの変化が2点鎖線で示されている。負荷MOSトランジスタ291-1のゲート電極は、水平方向に全ての列で共通に接続されている。そのため、黒い画像を読み出す単位画素231の負荷MOSトランジスタ291-2のゲート電極の電圧VLOADも低下し、負荷MOSトランジスタ291-2の流す電流が減少する。その結果、黒い画素の画素読み出し信号を出力している垂直セレクトトランジスタ286-2とその負荷MOSトランジスタ291-2との接続点の電圧VSLbが上昇する。図11においてはこの電圧VSLbの変化が2点鎖線で示されている。D相信号判別のタイミングの時刻tDにおいて、黒い画素の画素読み出し信号の電圧VSLbが元に戻らない場合、その電圧がそのままAD変換され、図4に示されるようなストリーキングが発生する。しかしながら、この実施の形態の場合、D相の読み出し時において、読み出しが行われている画素いまの場合、白い画像を読み出す単位画素231において、増幅用トランジスタ301のゲート電極に基準電圧Vcが供給され、選択用トランジスタ302のゲート電極に選択信号SELが入力される。この場合における単位画素231のFD電圧をVp、振幅制限回路241の基準電圧をVc、垂直信号線222に流す電流をIVSLとすると、基準電圧VcがFD電圧Vpより十分大きい場合、次の式1に示されるように、垂直信号線222の電圧VVSLは、FD電圧Vpには依存せず、基準電圧Vcにより一意に規定される一定の値すなわち定電圧となる。式1におけるVthは負荷MOSトランジスタ291の閾値電圧を表し、βは利得係数を表す。これにより、垂直信号線222の電圧は一定となり、ストリーキングの発生が抑制される。[参照信号のゲイン]図12は、参照信号のゲインを説明する図である。図12に示すようにシングルスロープ型のカラムADCでは、画素信号のAD変換に必要な画素読み出し信号VSLのダイナミックレンジは、アナログゲイン参照信号の傾きによって決まる。低ゲインGLでは必要なダイナミックレンジDLが広く、逆に高ゲインGHでは必要なダイナミックレンジDHが狭い。図12の例では、2つの異なるゲインの参照信号が生成される。低ゲイン動作時に振幅制限動作を行った場合、本来必要なダイナミックレンジを減少させてしまうため画質特性が悪化する。そこで予め定めた所定の閾値GTHより高いゲインで振幅制限回路241を動作させ、閾値GTHより低いゲインでは動作させないことで、必要なダイナミックレンジを確保しつつ、振幅制限動作が可能となる。このことは、各ゲイン毎に閾値を設定することと理解することもできる。つまり、高ゲインGHで振幅制限回路241が動作する閾値としてはGTHが設定されるが、低ゲインGLで動作する閾値としては十分低い値が設定されていると理解することができる。この場合、実際に設定される低ゲインGLは、その十分低い閾値より高い値なので、実際には振幅制限回路241が動作しないことになる。[画素読み出し信号の大きさと制限の関係]図13は、振幅を制限する場合におけるストリーキングの大きさを説明する図である。ストリーキングは画素信号読み出し点の電圧VSLwの振幅量に依存し、その電圧VSLwの振幅が大きいほど悪化する。図13に示されるように、ストリーキングの大きさ図13の縦軸を出力画像として、白くなる方向を正、逆に黒くなる方向を負と定義した場合、画素信号読み出し点の電圧VSLの振幅図13の横軸が大きくなるほど、負の方向つまり、黒くなる方向に増大する特性を持つ。さらに画素信号読み出し点とゲート電極とのカップリングが原因であるため、ストリーキング量は同一行に存在する画素信号読み出し点の電圧VSLwの数に依存し、数が多いほど悪化する。つまり、振幅制限回路241を動作させない場合、図13に破線L2で示すように、画素振幅が大きくなるにしたがってストリーキングが悪化する。しかし振幅制限回路241を動作させることで、図13に実線L1で示すように、ある画素信号出力VSLTH以上では画素読み出し信号VSLが振幅しなくなるため、画素信号出力が大きい場合のストリーキングを低減することができる。図12の例では、ゲインを高ゲインGHと低ゲインGLのいずれかに切り替えるようにしたが、例えば高ゲインGHと低ゲインGLの他、その中間の中ゲインGMのいずれかに切り替えるようにすることができる。この場合は、高ゲインGHと中ゲインGMの間に閾値GTH1が設定され、中ゲインGMと低ゲインGLの間に閾値GTH2が設定される。そしてゲインに連動して、閾値すなわち基準電圧が切り替えられる。このように2種類以上のゲインが設定される場合に、図9を参照して説明したように、ゲインに連動して基準電圧を切り替えることで、ゲイン毎に最適な振幅制限を行うことができるため、ストリーキングの低減効果をより高めることができる。<第2の実施の形態>図14は、固定撮像装置201の第2の実施の形態の構成を示すブロック図である。この実施の形態においては、図7の個体撮像装置201の基準電圧生成部242が省略された構成とされており、その他の構成は図7の個体撮像装置201と同様である。この実施の形態においては、基準電圧がチップ外部から供給される。従って、より小型化することができる。<第3の実施の形態>図15は、固定撮像装置201の第3の実施の形態の構成を示すブロック図である。図7の実施の形態においては、振幅制限部233が、マトリックス状に配置された単位画素231の下方の端部の近傍にのみ設けられている。この第3の実施の形態においても、マトリックス状に配置された単位画素231の下方の端部の近傍に振幅制限部231-1が設けられている。しかしこれ以外に、マトリックス状に配置された単位画素231の上方の端部の近傍にも振幅制限部231-2が設けられている。基準電圧は、いずれも基準電圧生成部242から供給されているが、勿論、外部から供給するようにすることもできる。垂直信号線222も抵抗成分を有しているので、振幅制限部233から距離が遠い位置にある単位画素231は、近い位置の単位画素231に比べて、振幅制限の効果が薄くなる。そこで、第3の実施の形態のように、振幅制限部233を上下の端部にそれぞれ設けることで、効果のバラツキを抑制することができる。さらに、振幅制限部233を、単位画素233のNNは任意の整数値行おき毎に配置することもできる。これにより、よりバラツキを抑制することができる。<第4の実施の形態>[撮像装置の構成]図16は、本技術の撮像装置の実施の形態の構成を示すブロック図である。同図に示されるように、この撮像装置401は、光学系411、個体撮像装置412、信号処理部413、記録再生部414、記録部415、および制御部416により構成されている。撮像装置401は、ビデオカメラ、デジタルカメラなどの他、カメラ付きの携帯電話機やスマートフォンなどを構成する。光学系411はレンズ等を含み、被写体からの光を集光し、個体撮像装置412に入射する。個体撮像装置412は、上述した個体撮像装置201と同様の構成を有し、光学系411からの光に対応する画像信号を生成し、信号処理部413に出力する。信号処理部413は、個体撮像装置412からの画像信号を処理し、記録部415に記録するのに適した信号を生成する。記録再生部414は、信号処理部413から供給された信号を記録部415に供給し、記録させる。記録再生部414はまた、記録部415に記録された信号を再生し、図示せぬ表示部に出力する。記録部415は、ハードディスク、半導体メモリなどの記録媒体により構成される。制御部416は例えばマイクロプロセッサなどにより構成され、ユーザからの指令に応じて各部を制御する。以上、本技術について実施の形態を用いて説明したが、本技術の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。技術の要旨を逸脱しない範囲で上記実施の形態に多様な変更または改良を加えることができ、そのような変更または改良を加えた形態も本技術の技術的範囲に含まれる。また、上記の実施の形態は、クレーム請求項に係る技術を限定するものではなく、また実施の形態の中で説明されている特徴の組合せの全てが技術の解決手段に必須であるとは限らない。上述した実施の形態には種々の段階の技術が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜の組合せにより種々の技術を抽出できる。実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、効果が得られる限りにおいて、この幾つかの構成要件が削除された構成が技術として抽出され得る。<その他>本技術は、以下のような構成もとることができる。1入射された光に対応する画素読み出し信号を出力する複数の単位画素と、前記単位画素から出力された前記画素読み出し信号を伝達する信号線と、前記信号線に接続され、前記単位画素から前記画素読み出し信号を読み出すための読み出し電流を供給する読み出し電流源部と、前記画素読み出し信号のレベルをディジタルデータに変換するための参照信号を生成する参照信号生成部と、前記信号線の電圧の振幅の変化を制限する閾値を前記参照信号のゲインに連動して切り替えて、前記信号線の電圧の振幅の変化を制限する振幅制限部とを備える固体撮像装置。2前記振幅制限部は、前記信号線と前記振幅制限部の接続点に前記閾値を規定する定電圧を供給する前記1に記載の固体撮像装置。3前記参照信号生成部は、少なくとも2つの異なるゲインの前記参照信号を生成し、前記振幅制限部は、前記参照信号のゲインが所定の閾値より大きいときに前記定電圧を供給する前記2に記載の固体撮像装置。4前記定電圧は、外部から入力される前記2または3に記載の固体撮像装置。5前記画素は、マトリックス状に配置されており、前記振幅制限部は、前記マトリックスの一方の端部の前記単位画素と他方の端部の前記単位画素の近傍に配置されている前記1乃至4のいずれかに記載の固体撮像装置。6前記信号線により伝達されたアナログの前記画素読み出し信号のレベルと前記参照信号のレベルとを比較する電圧比較部と、前記電圧比較部での比較処理と並行してカウント処理を行うカウンタ部とをさらに備える前記1乃至5のいずれかに記載の固体撮像装置。7入射された光に対応する画素読み出し信号を出力する複数の単位画素と、前記単位画素から出力された前記画素読み出し信号を伝達する信号線と、前記信号線に接続され、前記単位画素から前記画素読み出し信号を読み出すための読み出し電流を供給する読み出し電流源部と、前記画素読み出し信号のレベルをディジタルデータに変換するための参照信号を生成する参照信号生成部と、前記信号線の電圧の振幅の変化を制限する閾値を前記参照信号のゲインに連動して切り替えて、前記信号線の電圧の振幅の変化を制限する振幅制限部とを備える撮像装置。9入射された光に対応する画素読み出し信号を出力する複数の単位画素から出力された前記画素読み出し信号を信号線により伝達し、前記信号線に、前記単位画素から前記画素読み出し信号を読み出すための読み出し電流を供給し、前記信号線の電圧の振幅の変化を制限する閾値を前記参照信号のゲインに連動して切り替えて、前記信号線の電圧の振幅の変化を制限する撮像方法。"