エッチングにより基板に凹曲面を形成する基板の加工方法であって、円形パターンの円形開口部を有する第1のマスクと、該第1のマスクの前記円形開口部と同心円状、且つ大径の環状の環状開口部を有する第2のマスクと、を用意し、前記基板面に多結晶シリコン膜を製膜し、該多結晶シリコン膜の上にフォトレジスト層を形成し、前記第1のマスクを用いて前記フォトレジスト層に前記円形開口部に相当する開口を形成してからエッチングを行うことにより前記多結晶シリコン膜に開口を形成する第1の工程と、該開口が形成された多結晶シリコン膜の上に再度フォトレジスト層を形成して前記第2のマスクを用いて前記フォトレジスト層に前記環状開口部に相当する開口を形成してからエッチングを行うことにより前記多結晶シリコン膜に前記環状開口部に相当する環状溝部を形成する第2の工程と、前記円形開口部に相当する開口及び前記環状溝部が形成された多結晶シリコン膜をマスクとして前記基板にエッチングを行う第3の工程と、を備えたことを特徴とする基板の加工方法。前記多結晶シリコン膜に形成された円形開口部の開口径をφ、前記第3の工程における前記基板と多結晶シリコン膜との選択比をα、エッチングファクタをε、相対深さの上限をDとするとき、前記円形開口部の周囲に設ける環状溝部の位置x、該環状溝部の底部の厚みtをx≦D/εφx/α≦t≦{D/εφ}/αの関係を満足するように設定したことを特徴とする請求項1に記載の基板の加工方法。前記エッチングは、等方エッチングにより行うことを特徴とする請求項1に記載の基板の加工方法。しかし、特許文献1及び2に開示されている従来技術は、不要部を除去するときに残すべき必要部のマスクまではがれてしまう可能性がある。また、除去工程を設けることにより、新たな設備や薬品等、生産コストの増大や生産性の低下を招くおそれがある。本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、不要マスク部の除去工程を削減し、仮に、不要マスク部が残った場合でも不要マスク部を除去しやすくする基板の加工方法を提供することを目的とする。本発明はかかる課題を解決するために、請求項1は、エッチングにより基板に凹曲面を形成する基板の加工方法であって、円形パターンの円形開口部を有する第1のマスクと、該第1のマスクの前記円形開口部と同心円状、且つ大径の環状の環状開口部を有する第2のマスクと、を用意し、前記基板面に多結晶シリコン膜を製膜し、該多結晶シリコン膜の上にフォトレジスト層を形成し、前記第1のマスクを用いて前記フォトレジスト層に前記円形開口部に相当する開口を形成してからエッチングを行うことにより前記多結晶シリコン膜に開口を形成する第1の工程と、該開口が形成された多結晶シリコン膜の上に再度フォトレジスト層を形成して前記第2のマスクを用いて前記フォトレジスト層に前記環状開口部に相当する開口を形成してからエッチングを行うことにより前記多結晶シリコン膜に前記環状開口部に相当する環状溝部を形成する第2の工程と、前記円形開口部に相当する開口及び前記環状溝部が形成された多結晶シリコン膜をマスクとして前記基板にエッチングを行う第3の工程と、を備えたことを特徴とする。エッチングにより基板に凹曲面を形成する場合、マスクとして使用する多結晶シリコン膜の一部が不要部として残る場合がある。この不要部は、凹曲面を形成する上で必要なエッチング液の流動を妨げるといった問題がある。そこで本発明では、多結晶シリコン膜の円形開口部の周辺に溝を形成して、エッチングの進行に伴って、溝をエッチングして貫通させることにより、円形開口部周辺の不要部を除去する。これにより、エッチング液の流動性を高めることができる。請求項2は、前記多結晶シリコン膜に形成された円形開口部の開口径をφ、前記第3の工程における前記基板と多結晶シリコン膜との選択比をα、エッチングファクタをε、相対深さの上限をDとするとき、前記円形開口部の周囲に設ける環状溝部の位置x、該環状溝部の底部の厚みtをx≦D/εφ、x/α≦t≦{D/εφ}/αの関係を満足するように設定したことを特徴とする。環状溝部の位置については、環状溝部の位置が円形開口部から離れ過ぎていると、エッチング端が広がる前に貫通がおきて、必要部のマスクにピンホールが生じた状態となり、所望の凹曲面形状が得られない。また、エッチング端が十分広がった後に貫通が起きた場合は、その過程で相対深さがかなり大きくなり、生成物が開口につまる虞があり、当初の目的が果たせなくなる。また、厚みについては、厚みが薄すぎるとエッチング端が広がる前に貫通がおきてしまい、厚すぎると相対深さがかなり大きくなり、生成物が開口につまる虞がある。このことから、環状溝部の位置と底部の厚みを適切に調整する必要がある。請求項3は、前記エッチングは、等方エッチングにより行うことを特徴とする。エッチングには、異方エッチングと等方エッチングがある。本発明の場合は、基板に凹曲面を形成するため、等方エッチングが好ましい。等方エッチングは、全ての方向に同じ速度でエッチングが進行するため、凹曲面を形成するためには好都合である。本発明によれば、不要マスク部の除去工程をなくすことで生産性が向上する。また、機械的振動や粘着力を利用して不要マスク部を除去する場合でも、除去しやすくでき、マスクの基材に密着している部分に悪影響を及ぼすことなく、基材に密着していないマスクの不要部を高周波振動の付与によって容易に、かつ確実に除去することができる。以下、本発明を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。図1は、本発明の基板の製造方法を用いたウエットエッチングによる基板への凹曲面を形成する工程を説明する図である。円形パターンの円形開口部8を有するマスクA第1のマスク図2参照と、マスクAの円形開口部8と同心円状、且つ大径の環状の環状開口部9を有するマスクB第2のマスク図2参照と、を用意し、a:基板面2に多結晶シリコン膜1を製膜する。b:多結晶シリコン膜1の上にフォトレジスト層を形成し、マスクAを用いてフォトレジスト層1に円形開口部8に相当する開口を形成してからエッチングを行うことにより多結晶シリコン膜1に開口3を形成する。c:開口3が形成された多結晶シリコン膜1の上に再度フォトレジスト層を形成してマスクBを用いてフォトレジスト層1に環状開口部9に相当する開口を形成してからエッチングを行うことにより多結晶シリコン膜1に環状開口部9に相当する環状溝部4を形成する。d:円形開口部8に相当する開口3及び環状溝部4が形成された多結晶シリコン膜1及び基板2にエッチングを行いキャビティ5を形成する。e:環状溝部4が貫通することで、マスク不要部6の一部が除去される。尚、フォトレジストの層やマスク層、エッチングによる開口の形成などは、公知の技術を用いることができる。図2はフォトレジスト露光用のフォトマスクの一例を模式的に示す図である。図3は開口の周囲に溝部を有するマスク層の形成工程を示す図である。2枚のフォトマスクを用いる場合を示す。各マスクのパターンは、図2に示す各開口8、9を1パターンとして複数配列することで形成される。これにより開口3の周囲の同心円状の環状溝部4を形成できる。同心円状とすることで、等方エッチングにより不要マスク部6が等方的に広がったときに、環状溝部4が同じタイミングで貫通するため、離脱がスムーズにおきる。また、等方形状のため、エッチング中の液の循環や、貫通が起きて開口3が広がった後も形状が変わらず、形状の均一性が維持される。図3を参照してマスク層の形成の一例について説明する。フォトレジストの層やマスク層、エッチングによる開口の形成などは、公知の技術を用いることができる。a:ガラス基板2に多結晶シリコン膜1を製膜する。b:多結晶シリコン膜1の上にフォトレジストの層を形成し図示せず、マスクA図2aを用いてフォトレジストに開口を形成する。そして多結晶シリコン膜1をエッチングして多結晶シリコン膜1に開口3を形成して、その後、フォトレジストを除去する。cフォトレジストが除去された多結晶シリコン膜1の上に再度、フォトレジストの層を形成し図示せず、マスクB図2bを用いて、アライメントをとって、フォトレジストに開口を中心とした同心円状に円環状の開口を形成する。マスクには、マスクAとBのアライメントをとるアライメントマークを設けてある。そして、多結晶シリコン膜1をエッチングして多結晶シリコン膜1に開口3を中心とした同心円状に円環状の環状溝部4を形成して、その後、フォトレジストを除去する。図4は、環状溝部をどの位置に設けて底部の厚みをどれくらいにすれば良いか示す図である。位置については、環状溝部4の位置が開口3から離れ過ぎていると、エッチング端が広がる前に貫通がおきて、必要部のマスクにピンホールが生じた状態となり、所望の凹曲面形状が得られない。また、エッチング端が十分広がった後に貫通が起きたとしても、それまでに相対深さがかなり大きくなり、生成物が開口につまるおそれがあり当初の目的が果たせない。また、厚みについては、厚みが薄すぎるとエッチング端が広がる前に貫通がおきるし、厚すぎると相対深さがかなり大きくなり、生成物が開口につまる虞がある。以上のように、環状溝部の位置と底部の厚みを適切に調整する必要がある。図4aは、環状溝部4の位置と底部tの厚みが満たすべき関係が、例えば相対深さを2以下とするには、環状溝部4を位置pマスク開口端からの距離、厚みt、開口径φ、選択比αとしたときに、下記関係であることを示したものである。p≦2φp/α≦t≦2φ/αより一般化すると、相対深さD、エッチングファクタεのときp≦D/εφp/α≦t≦D/εφ/α1エッチング端の位置x=cは、等方性の場合、深さに等しいため、相対深さD=c/φ2D≦2の球面を形成するには、環状溝部が貫通するときに、エッチング端x=cは、位置2φより内側にあり、エッチング端は環状溝部より外周にある必要がある。3そこで以下とする。環状溝部位置pを、上記範囲a0~2φとする。環状溝部膜厚tを、エッチング端が上記範囲bp~2φのときに膜が貫通するようにする。4選択比αのとき、環状溝部はc/αだけエッチングされるから、以下の関係が必要となる。即ち、環状溝部の位置p、膜厚t、開口径φ、マスクと基板の選択比αであるとき、p≦2φ、p/α≦t≦2φ/α図4bはエッチングファクタを説明する図である。キャビティ5の深さをc、キャビティ5の開口径をb、開口3の径をaとすると、エッチングファクタ=c/{b-a/2}と表せる。図5は、エッチングの進行にともなう相対深さの増大を低減する効果を示す図である。実施例として、p=10μm、t=20nm、φ=10μm、α=1000の場合を示した。点線10は、相対深さを低減する効果を示す。実践10、12は必要となるt、pの関係を示す。実施例として、p=10μm、t=20nm、φ=10μm、α=1000の場合を示す。比較例11では、相対深さは、エッチング端x=cの広がりに比例して増大するのに対して、実施例では、環状溝部4が貫通するまでは増大するが、位置c=20μmに達したとき環状溝部4が貫通する。その結果、不要マスク部の一部が除去され、φが30μmに広がって相対深さが2から0.7まで低減する。その後、エッチング進行に伴って、相対深さは増大するが、比較例11では、相対深さが2以下となるのは、エッチング径RR=φ2xが50μmまでの範囲だが、実施例では130μmまでとなり倍以上に広がる。その他、t、pを振った結果をグラフ化した。例えば、P=20μmとすると、φの広がり、相対深さの低減幅が共に増し、それぞれ50μm、0.4になる。T=10nmとすると、早く貫通するので、エッチング初期の相対深さの増大が低減される。例えば、20μmの位置に環状溝部4を設ける場合、相対深さ1~2にするためには、厚みを20~40nmにすることが少なくとも必要となる。図6は、実施例1と比較例における、マスク層とエッチングの様子とを示す図である。図6Aが比較例、図6Bが実施例1を示す。図6Aの比較例では、石英ガラス基板2に厚さ400nmの多結晶シリコン膜1を製膜した。多結晶シリコン膜1の上にフォトレジストの層を形成してマスクA図2aを用いてフォトレジストに開口径φ=10μmの開口を形成した。ドライエッチングにより多結晶シリコン膜1に開口3を形成した図6A-a。上記工程後、図6Bの実施例1では、さらにその上にフォトレジストの層を形成してマスクB図2bを用い、アライメントをとって、フォトレジストに開口3を中心とした同心円状に円環状の開口を形成した。ドライエッチングにより多結晶シリコン膜1に環状溝部4を形成した図6B-a。このとき、環状溝部の位置p=10μm、厚みt=20nm、溝幅1μmとなるようにした。上記マスクにおいて、ウエットエッチングを行なった。エッチング液としてフッ酸系の水溶液を用いた。選択比α=103程度、エッチングファクタε=1程度となり、深さ20μmエッチングしたとき、マスク層は20nmエッチングされて環状溝部4が貫通して開口が30μmに広がった。その後、エッチングを続け、深さ60μm直径130μmの凹部を得た。不要マスク部を除去する工程は設けることなく済んだ。図7Aは実施例2に係るマスク層とエッチングの様子とを示す図であり、図7Bは実施例3に係るマスク層とエッチングの様子とを示す図である。図7Aでは、環状溝部4を実施例1より外周に設けた。位置p=20μmとした。図7Bでは、環状溝部4、4aを2ヶ所に設けて、外周ほど底部の厚みを厚くした。このとき、環状溝幅4aを外周ほど狭くすることでマイクロローディング効果により外周ほど厚みを厚くした。比較例と実施例の形状観察を行なった。電子顕微鏡を用いて、凹部が設けられた面側の表面状態の観察を行い、以下の4段階の基準に従い評価した。◎:凹部表面が球面状をなし、各部位でのエッチングレートのばらつきによる不本意な凹凸の存在が一切認められない。○:各部位でのエッチングレートのばらつきによる不本意な凹凸の存在がほとんど認められない。△:各部位でのエッチングレートのばらつきによる不本意な凹凸の存在が認められる。×:各部位でのエッチングレートのばらつきによる不本意な凹凸の存在が顕著に求められる。観察したところ、以下の結果となり、実施例では所望の形状が得やすいことがわかった。実施例1△実施例2○実施例3◎比較例×これは、開口の周囲に環状溝部を設けたことにより、エッチングの途中にマスク不要部の一部または全てが除去されることで、エッチングの進行にともなう相対深さの増大が低減されて、不均一な濃度分布が生じたり、水に難溶性の生成物副生成物の影響を抑制できたためと考えられる。また、各実施例においてはマスク不要部の除去工程を設けておらず、生産性向上の可能性を示す結果と考えられる。