プロセス流体に熱結合する構造の抵抗型温度センサRTDセンサ、RTDを通して電流を供給するように構成された第1及び第2の電気的接続、RTD全体の電圧を計測するように構成された第3及び第4の電気的接続、そして、RTDへの劣化した接続を識別し、反応して、RTDへ劣化した接続が発生している間、プロセス流体の温度を計測するように構成されている計測回路であって、第1、第2、第3、そして第4の電気的接続のすべてより少なく使用してプロセス流体の温度を計測するように構成されている計測回路、を含む、プロセス流体の温度を計測するための装置。故障した接続が、EMF又は任意の経路の経路抵抗の変化に基づき検知される、請求項1記載の装置。計測回路が、RTDへの3つの接続を使用してプロセス流体の温度を計測するように構成されている、請求項1記載の装置。計測回路が、RTDへの2つの接続を使用してプロセス流体の温度を計測するように構成されている、請求項1記載の装置。RTDへの第1及び第2の接続が、RTDの第1端に結合され、第1及び第2の接続のどちらかが、RTD全体に選択的に電流を提供できるように構成されている、請求項1記載の装置。基準抵抗を含み、そして、温度計測がRTDの抵抗と基準抵抗の抵抗の比較に関連する、請求項1記載の装置。プロセス制御ループに出力を提供するように構成されている回路を含む、請求項1記載の装置。プロセス制御ループが、装置の回路に給電するように更に構成されている、2線プロセス制御ループを含む、請求項7記載の装置。プロセス制御ループが無線プロセス制御ループを含む、請求項7記載の装置。RTDへの劣化した接続が検知されたことを表示する出力を提供するように構成されたI/O回路を含む、請求項1記載の装置。出力がプロセス制御ループに提供される、請求項10記載の装置。抵抗型温度センサRTDをプロセス流体へ熱結合すること、RTDへの第1及び第2の接続を使用して、電流をRTD全体へ流させること、RTDへの第3及び第4の接続を使用して、RTD全体の電圧を計測すること、EMF又は経路抵抗での変化に基づき、RTDへの劣化した接続を識別すること、そしてRTDへの第1、第2、第3及び第4の接続の全てより少ない接続を使用して、プロセス流体の温度を計測すること、を含む、プロセス流体の温度を検知する方法において、RTDへ劣化した接続が発生している間温度の計測が行われる方法。RTDの抵抗が、RTDへの3つの接続を使用して計測される、請求項12記載の方法。RTDの抵抗が、RTDへの2つの接続を使用して計測される、請求項12記載の方法。RTDへの第1及び第2の接続がRTDの第1端に結合し、第1及び第2接続のどちらかが、RTD全体に選択的に電流を提供できるように構成されている、請求項12記載の方法。基準抵抗を含み、そして、温度計測がRTDの抵抗と基準抵抗の抵抗との比較に関連している、請求項12記載の方法。検知した温度に関する出力をプロセス制御ループに提供することを含む、請求項12記載の方法。プロセス制御ループが2線プロセス制御ループを含む、請求項17記載の方法。プロセス制御ループが無線プロセス制御ループを含む、請求項17記載の方法。RTDへの劣化した接続が検知されたことを表示する出力を提供することを含む、請求項12記載の方法。出力がプロセス制御ループに提供される、請求項20記載の方法。本発明は、RTDへの接続が劣化し又は不可能な状態においても、抵抗型温度センサRTDを使用してプロセス流体の温度を検知する方法及び装置を提供する。RTDセンサがプロセス流体の温度を計測に使用される。そのようなセンサ、又はそのようなセンサへの電気的接続は、経時的な劣化又は健全性の喪失がありうる。ある場合には、オペレータが定期的に予定されるメンテナンスを提供し、センサが終局的に故障する前の予防的なメンテナンスを行うことができる。このような場合、不必要なメンテナンスが行われたり、機能しているセンサや関連した導線が不必要に廃棄されたりする可能性がある。RTDの故障は数多くの異なる原因から生じる可能性がある。RTDそのものが故障する場合、又はRTDへの接続が不可能な場合がある。例えば、RTDセンサへの接合接続が故障したり、擦り切れたり緩くなったり、あるいはセンサ内の内部溶接が温度と振動により装置にストレスがかかるため劣化しうる。故障する前に、これらの問題は増大した経路抵抗と過大な電圧残留EMFという結果になる可能性がある例えば、2002年3月12日に発行された、ERRORCOMPENSATIONFORAPROCESSFLUIDTEMPERATURETRANSMITTERという名称の米国特許第6356191号を参照。増大した経路抵抗は信号対雑音比を減少させ、計測に雑音が多くなる原因となる。更に、増大した経路抵抗は、計測回路に内在する時定数がより大きくなるため、計測の誤りにつながる可能性がある。経路抵抗が大きくなれば、測定を行うのにより長い時定数が必要とされる。通常、プロセス変量計測システムに使用されるアナログデジタル変換器は、増大した経路抵抗により増加した時定数に適合しない場合がある、プログラミング可能なセットリングタイムを有する。増大したEMFはRTDセンサ接続に関する周知の問題であり、正確な計測を行うプロセス変量トランスミッタの性能に直接影響を与えうる。プロセス変量トランスミッタは、過大なEMFのレベルを低く修正するように構成されることができる。しかしながら、過大な電圧は計測回路を飽和させる場合がある。上記の状態は、切迫したセンサの故障又は接続の健全性を検知するために使用することができる。温度センサが故障した時、プロセス変量トランスミッタは、センサが交換されるか、接続が修復されるまで、オフラインにする必要がある。故障しているセンサに関する状態についての情報を前もって提供し、センサがまだ有効な計測ができる間に、メンテナンスを予定できるようにすることが望ましいであろう。一つの態様では、本発明は、一定時間にわたってRTDセンサの計測経路特性の追跡及び比較をする方法及び装置を提供する。異常状態の表示を提供することができ、所望ならば、増大した経路抵抗及び過大な残留EMFを修正する、トランスミッタによる自動修正を利用することができる。上記のように、増大した経路抵抗及び過大な残留EMFの両方は、センサ計測の精度に影響を及ぼし、そして配線のゆるみ、振動、又は腐食により生じうる劣悪な状態でのセンサ素子の劣化により影響を受ける。経路抵抗は4線RTDの各センサ配線及び3線RTDの2つの各配線に対して計測できる。更に、残留EMFは該経路の各々に対して計測できる。残留EMFは、通常のRTD計測でRTDを励起するのに使用される電流を止めることによって計測できる。一度電流を止めると、残留電圧は、あたかも電圧センサのように、かつ、そのように用いられたかのように、又はその測定値から減算されたかのように測定され得る。プロセス変量トランスミッタは、センサが通常作動する間、特性の変化を監視することができ、そして、配線の1つが他の配線に関して増大した抵抗又はEMFを有した時に確認することができる。図1は、工業プロセス制御又はモニタリングシステム10を示す略図であり、プロセス変量トランスミッタ12がプロセス配管14として示される工業プロセスに接続される。プロセス変量トランスミッタ12は、本発明によるプロセス温度トランスミッタを含むことができる。トランスミッタ12は、2線式プロセス制御ループ16に結合していることが示され、更には2線式プロセス制御ループ16を通してローカル制御室18に接続していることが図示される。制御室18は、電源18A及び検知抵抗18Bとして示されている。プロセス制御ループ16は、ホストシステムへの任意のプロセス制御ループ又は無線接続によるものとすることができる。ループ16は電流を流している状態で示されている。一つの構成では、2線式ループが提供され、そこで同じ2本の配線がトランスミッタ12に電力を提供するのに使用され、同様にトランスミッタ12と通信を提供するように使用される。例えば、ループ16は、電流レベルが、プロセス変量を表すトランスミッタ12により制御される、4~20mAの電流ループを含むことができる。もう一つの例の構成では、デジタル信号はループ16上で調整されてプロセス情報を伝える。温度トランスミッタ12は配管16に担持されるプロセス流体に結合し、プロセス流体の温度を検知するように構成される。更に別の例では、無線情報を有線情報に代える。図2は、プロセス制御ループ16に結合する温度トランスミッタ12の簡略化ブロック図である。トランスミッタ12は、第1、第2、第3及び第4の端子接続を有する端子ブロック34に結合する、抵抗型の温度センサRTD32を有する計測回路30を含む。アナログデジタル変換器36は、端子ブロック34の端子に結合し、接続A、B、C、D及びEを含む。アナログデジタル変換器36はアナログ信号をデジタル値に変換するように構成され、このデジタル値はマイクロプロセッサ40に提供される。マイクロプロセッ40は、アナログデジタル変換器の操作を制御するように、また、メモリ42に保存されている指示に従って操作するようにも構成されている。入出力回路44は、プロセス制御ループ16に結合し、ループ16上のマイクロプロセッサ40により提供された情報を送信するように、又はループ16から受けた情報をマイクロプロセッサ40に提供するように構成されている。図2に示す構成では、入出力回路44はトランスミッタ12の回路に電力を提供するようにも構成されている。温度センサ32は4線式ケルビン接続を通って端子ブロック34に結合する。図2に示す構成では、ソース電流は、端子ブロック34の最初の端子を通過し、温度センサ32を通って流れ、そして端子ブロック34の3番目の端子により受け取られる。リファレンス選択スイッチ50は、端子3及び4に接合している両方の配線の経路抵抗を計測するために使用される、接地への冗長な経路として使用される。それはまた、劣化の状態により経路66を除外する位置に切り換える必要がある場合に、第2の接地経路を提供する方法として使用される。センサ32と端子ブロック34との電気的接続は、経路抵抗62、64、66及び68として示されている寄生抵抗を含む。作動中、マイクロプロセッサ40は温度センサ32の抵抗を計測するように構成されている。いくつかの構成では、マイクロプロセッサ40は計測された抵抗を温度変換するように構成することができる。図2に示した構成を使用して、温度センサ32全体の電圧は、以下のように計測できる。基準抵抗52全体の電圧は、であり、次に、センサ32の抵抗は、である。通常の作動中、トランスミッタは、上記の式3を使用して温度を検知するように構成されてもよい。異常状態、例えばEMF又は関連する他の導線の経路抵抗変化をトランスミッタが検知すると、例えばプロセス制御ループ16を介して警告をオペレータに提供することができる。この種の診断警告は、検出エラーがセンサ計測に影響しない場合に提供することができる。オペレータに提供される情報は、例えば、検出された特定の事象とともにセンサ32への接続経路が異常状態を引き起こした事象を含むことができる。しかし、異常状態が閾値、例えばメモリ42に保存された閾値レベルを超えた場合に、トランスミッタ12は温度計測に影響する種類の重大な異常状態が起こったという出力表示を提供してもよい。マイクロプロセッサ40は、異常状態が生じている接続を回避すべく計測回路を変更し、そして3線センサとして作動するように構成することができる。図3は、トランスミッタ12が、3線接続を使用して温度センサ32の抵抗を計測するように構成されていることを示す。これは、経路1が劣化し、それが4線計測に含まないということが最善であるという意味での一つの例である。トランスミッタは経路1を自動計測から除去し、3線構造の経路2、3、そして4を使用する。トランスミッタが、3線モードで作動できる数多くの方法がある。いずれか1つの経路が故障すると、トランスミッタは残りの3線モードを使用できる。図3中の、温度センサ32の抵抗RRTDは、以下の式を使用して計測できる。この構造は、オペレータが異常事態を解消するまで、非常に正確な計測を提供するであろう。図3において、マイクロプロセッサ40は、アナログデジタル変換器36の作動を制御して励起電流経路を選択的に提供し、それによりいずれか1つの配線を除去して3線モードでの温度センサ32の作動を継続させることができる。上記のように、マイクロプロセッサ40は3線モードの作動でもオペレータに警告出力を提供できる。異常事象の検出は、標準偏差、最小及び最大レベル、またその他のような統計値のモニタリングを含む、任意の適切な診断技法に基づくことができる。3線構造に切り換えることに加えて、センサ32は、4線のうち2線が故障した場合、2線モードで作動することができる。このような構造において、精度が失われ、誤りがもたらされる。接続リード線の抵抗は、計測の精度を増大するために補償しなければならない。しかしながら、これはトランスミッタ12が、故障が修復されるまで、たとえ不正確であっても何らかの計測を提供できる。好ましい実施態様を参照しながら本発明を説明したが、当業者は、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、形態及び詳細に変更を加えることができることを認識するであろう。