"エネルギービーム源により生成されたエネルギービームを用いて基板にパターンを描画する描画装置であって、前記エネルギービーム源と前記基板との間に配置され、堆積物が堆積される部材と、前記堆積物を除去する除去ユニットと、を備え、前記除去ユニットは、前記エネルギービームが照射されることによって、前記堆積物を分解する活性種を気体から生成するための触媒と、前記活性種が生成される位置に前記気体を供給する気体供給機構と、前記堆積物の除去処理を行う場合に前記触媒を前記エネルギービームが照射される第1位置に移動し、前記基板に描画処理を行う場合に前記触媒を前記エネルギービームが照射されない第2位置に移動する移動機構と、を含む、ことを特徴とする描画装置。前記少なくとも1つの除去ユニットに含まれる触媒は、前記基板を搭載して移動するステージ上で前記基板が搭載されない位置に搭載され、前記ステージによって前記第1位置と前記第2位置とに移動される、ことを特徴とする請求項1に記載の描画装置。前記移動機構は、前記基板と同一の形状に形成された触媒を、前記基板を搭載して移動するステージ上で前記基板が搭載されるべき位置と前記触媒を保管し前記エネルギービームが照射されない位置とに移動する、ことを特徴とする請求項1に記載の描画装置。前記除去処理を行う場合に前記気体供給機構から供給された気体が前記エネルギービーム源へ侵入することを制限する制限機構をさらに備える、ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の描画装置。前記制限機構は、開口を有して前記エネルギービームの通過方向に直交する方向に移動可能なオリフィス板を含む、ことを特徴とする請求項4に記載の描画装置。前記エネルギービーム源と前記基板との間であって前記部材よりも前記基板を搭載して移動するステージの側に配置され、堆積物が堆積される第2の部材と、前記エネルギービームが照射されることによって、前記第2の部材に堆積された堆積物を分解する活性種を気体から生成するための第2の触媒と、をさらに備え、前記除去処理を行う場合に前記エネルギービームの一部が前記第1の触媒を照射し、前記エネルギービームの他の一部が前記第1の触媒に照射されずに前記第2の触媒に照射されるように、前記第1の触媒の形状が構成されている、ことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の描画装置。前記第1の触媒は、ワイヤ状又は網目状である、ことを特徴とする請求項6に記載の描画装置。前記気体は水素を含み、前記活性種は水素ラジカルを含み、前記触媒は、タングステン、白金、モリブデン、ニッケル、レニウム及びタンタルの少なくとも1つを含む、ことを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の描画装置。前記エネルギービームは、荷電粒子ビーム又は極紫外光である、ことを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の描画装置。請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載の描画装置を用いて基板にパターンを描画する工程と、前記工程でパターンが描画された基板を現像する工程と、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。特許文献1には、約2000~2300Kに加熱されたタングステン又はタンタルのホットフィラメントによって水素から水素ラジカルを生成する様子が図示されている。ホットフィラメントを堆積物が堆積された光学部材の近傍に配置すると、光学部材が加熱されて歪が生じるので描画精度が低下する。一方、ホットフィラメントを光学部材から距離をとって配置すると、ホットフィラメントの作用によって生成された水素ラジカルが、堆積物が堆積された光学部材に到達するまでに失活し堆積物の分解作用が低下する。また、触媒を用いる場合においても、同様の問題が発生する。本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、部材に堆積された堆積物を効率的に除去する描画装置を提供することを目的とする。本発明は、エネルギービーム源により生成されたエネルギービームを用いて基板にパターンを描画する描画装置であって、前記エネルギービーム源と前記基板との間に配置され、堆積物が堆積される部材と、前記堆積物を除去する除去ユニットと、を備え、前記除去ユニットは、前記エネルギービームが照射されることによって、前記堆積物を分解する活性種を気体から生成するための触媒と、前記活性種が生成される位置に前記気体を供給する気体供給機構と、前記堆積物の除去処理を行う場合に前記触媒を前記エネルギービームが照射される第1位置に移動し、前記基板に描画処理を行う場合に前記触媒を前記エネルギービームが照射されない第2位置に移動する移動機構と、を含む、ことを特徴とする。本発明によれば、描画処理に支障を与えずに部材に堆積された堆積物を速やかに除去する描画装置を提供することができる。以下に、図面を用いて本発明の実施形態を説明する。[第1実施形態]第1実施形態の描画装置は電子ビームを用いて基板にパターンを描画する描画処理を行う電子ビーム描画装置である。図1において、電子銃1はクロスオーバー2を形成し、電子ビーム3をクロスオーバー2から出射する。電子銃1は、エネルギービームとしての電子ビームを生成するエネルギービーム源を構成している。クロスオーバー2から出射された電子ビーム3は、コリメーターレンズ4の作用により平行ビームとなり、マルチ荷電ビーム光学系を構成するアパーチャアレイ6に入射する。アパーチャアレイ6は、マトリクス状に配列された複数の円形状の開口を有し、入射した電子ビーム3は複数の電子ビームに分割される。アパーチャアレイ6を通過した電子ビームは、円形状の開口を有した3枚の電極板図中では、3枚を一体で図示しているから構成される第1の静電レンズアレイ7に入射する。静電レンズアレイ7を通過した電子ビーム3が最初にクロスオーバーを形成する位置に小さな開口をマトリクス状に配置したストッピングアパーチャアレイ9が配設される。ストッピングアパーチャアレイ9によるブランキング動作は、ブランカーアレイ8により実行される。ストッピングアパーチャアレイ9を通過した電子ビーム3は、第2の静電レンズアレイ11により結像され、ウエハまたはマスクなどの基板12上に元のクロスオーバー2の像を結像する。描画処理の間、基板12はX方向にステージ13により連続的に移動し、レーザ測長機による実時間での測長結果を基準として基板12の表面上の像がディフレクター10でY方向に偏向され、かつブランカーアレイ8でブランキングされる。上記の描画処理によって、所望の潜像をレジストに形成することができる。これらの部材は、容器20の内部の電子銃1と基板12との間に配置される。また、電子ビーム描画装置は、真空ポンプ等の排気機構を備え、排気口14を介して排気することにより容器20の内部に真空環境例えば1E-5Pa以下の圧力を形成可能となっている。特に電子レンズ部は高い真空度が要求されるため、ガスの発生が多いステージ部とは別に排気系を設置する場合もある。このような電子ビーム描画装置において、コリメーターレンズ4、アパーチャアレイ6、第1の静電レンズアレイ7、ブランカーアレイ8、ストッピングアパーチャアレイ9、ディフレクター10、第2の静電レンズアレイ11等に堆積物が堆積されることがある。コリメーターレンズ4、アパーチャアレイ6、第1の静電レンズアレイ7、ブランカーアレイ8、ストッピングアパーチャアレイ9、ディフレクター10、第2の静電レンズアレイ11等は、堆積物が堆積される部材または第2の部材を構成している。このような堆積物として、例えば炭素蒸着物が挙げられ、電子ビーム描画装置を構成する部材から放出されるアウトガスや、基板12に塗布されたレジスト感光剤から放出される炭素化合物が要因となる。この堆積物は、電子ビーム3や電子ビーム3によって生成される二次電子や反射電子が照射されることによってプラス又はマイナスに帯電し、電子ビーム3の電子に引力又は斥力を与えることによって、電子ビーム3の電子を所望の軌道から外すおそれがある。特にレジストに近い第2の静電レンズアレイ11では、レジストから放出される炭素蒸着物の影響を強く受ける。そのため、基板12にパターンを描画するときにレジストから放出される炭素物質と、同時に発生する二次電子とが反応した堆積物が第2の静電レンズアレイ11に堆積し易い。また、アパーチャアレイ6はレジストからの距離が遠いため、レジスト由来の炭素物質の影響は小さいが、電子銃1に近いため高照度の電子ビーム3が照射される。電子ビーム3の照度が高くなるに従って堆積物の生成速度が早くなるため、アパーチャアレイ6にも多くの堆積物が付着する。本実施形態において、電子ビーム描画装置は、堆積物が堆積された部材または第2の部材から堆積物を分解して除去する除去ユニットを備えており、部材の近傍で除去ユニットにより生成された活性種ラジカルが堆積物と反応することによって、堆積物を分解する。除去ユニットは、電子ビーム3と、第1の触媒18と、第1の気体導入管気体供給機構17と、第1の触媒の移動機構5と、第2の触媒15と、第2の気体導入管16と、第2の触媒の移動機構でもあるステージ13とを備える。除去ユニットで生成される活性種は反応性が高いため、堆積物が存在する部材と触媒との間隔が長い場合には、堆積物に到達する過程で活性種が失活して活性種の量が減って、堆積物の分解能力が低下してしまう。本実施形態では、除去処理を行う場合に、第1の触媒18および第2の触媒15を、堆積物を除去したい部材の近傍に移動させることが出来るので、堆積物の近傍で活性種を生成することができる。したがって、堆積物に到達する過程での活性種の失活が少なく、高濃度の活性種で堆積物を分解することができる。以下で除去ユニットにおける各部の構成および機能について、一例としての除去処理を示しながら説明してゆく。第1の触媒18および第2の触媒15が第1の触媒の移動機構5およびステージ13によって、電子ビーム3が照射されない第2位置から電子ビームが照射される第1位置に移動させられる。第2の触媒15は、基板12を搭載するステージ上で基板12が搭載されない位置に配置されている。したがって、第2の触媒15は、ステージ13によって電子ビーム3が照射される第1位置と電子ビーム3が照射されない第2位置とを切り替えることができる。第1の触媒18は、エネルギー源の側に配置される触媒を構成し、第2の触媒15はステージの側に配置される触媒を構成している。第2の触媒15を移動する移動機構は、基板12を支持するステージ13に限らず、別途専用のステージを設けてその上に設置しても良い。第2の触媒15は、基板12と同一の形状に形成されたものを用いてもよい。この場合、不図示の移動機構は、第2の触媒15を保管する位置と、ステージ13上の基板12が搭載されるべき位置とに第2の触媒15を移動させる。そうすると、第2の触媒15を設置する場所をステージ13上で確保しておく必要がなくなるため、ステージ13のサイズを小さくすることができる。第1の触媒18は、第1の移動機構5によって電子ビーム3が照射される第1位置と電子ビーム3が照射されない第2位置とに移動される。第1の移動機構5は、例えば駆動機構としてパルスモータを用いてもよく、周知の技術を適用し得る。第1の触媒18および第2の触媒15は、堆積物の除去処理を行う場合に、電子ビーム3の少なくとも一部が触媒に照射される位置に移動する。本実施形態では、第2の触媒15が板状で、第1の触媒18がワイヤ状の場合を示したが、これに限らない。例えば、第1の触媒18はメッシュ状網目状でも良い。つまり、除去処理を行う場合に、電子ビーム3の一部が第1の触媒18を照射し、電子ビーム3の他の一部が第2の触媒15を照射するようにすることが効果的である。本実施形態で示しているように、第1の触媒18をワイヤ状で構成した場合、電子ビーム3の一部が第1の触媒18を通過することができるため、第1の触媒18と第2の触媒15とに、同時に、電子ビーム3を照射することが可能である。このとき、複数の部材に対して同時に除去処理を行いうるため、除去処理に要する時間を短縮することが出来る。また、第1の触媒18および第2の触媒15と同様の機能を有する触媒を他の部材のために設けても良い。例えばアパーチャアレイ6とブランカーアレイ8との間に第3の触媒および第3の触媒の移動機構を設けても良い。第3の触媒を設けることによって、アパーチャアレイ6およびブランカーアレイ8に高濃度の活性種を供給することが可能となり、効率よく洗浄することができる。オリフィス板19は、第1、第2の気体導入管16,17から供給される気体が電子銃1へ侵入することを制限する制限機構である。オリフィス板19は、電子銃1から出射された電子ビームを通過させる開口を有する例えば板状の部材であり、電子ビームの通過方向に直交する方向に移動可能である。図3にオリフィス板19の一例を示す。図3ではクロスオーバー2から放出された電子ビーム3がオリフィス板19の開口を通過したものだけがアパーチャアレイ6に入射するように構成されている。オリフィス板19は駆動機構を有し、駆動機構は、アパーチャアレイ6の開口部すべてに、順に電子ビーム3を入射するようにオリフィス板19を移動させる。また、コリメーターレンズ4によって電子ビーム3を収束させた実施形態を図4に示す。これによって、より高電流量の電子ビーム3をオリフィス板19より下流に通過させることができる。電子ビーム3を収束させるために別途電子光学系をオリフィス板19とクロスオーバー2との間に設けてもよい。このオリフィス板19の前後で2桁以上の圧力差をつけたい場合には、オリフィス板19の開口の面積は合計で7.9mm2以下であればよく、開口の合計面積が7.9mm2以下となる小さな開口を複数有してもよい。このような構成により、第1の気体導入管17や第2の気体導入管16から供給される気体が電子銃1へ流入することを抑制することができ、気体が供給された状態で電子ビーム3を照射することによる電子銃1の劣化を防止することが出来る。また、本実施形態ではコリメーターレンズ4とアパーチャアレイ6との間にオリフィス板19を設けているが、電子銃1とコリメーターレンズ4との間にオリフィス板19を設けても良い。第1の気体導入管17および第2の気体導入管16により、第1の触媒18および第2の触媒15に気体を供給する。第1の気体導入管17及び第2の気体導入管16から供給する気体は第1の触媒18および第2の触媒15の近傍に供給する。気体の供給は排気口14から気体を排気しながら行っても良いし、排気せずに行っても良い。除去処理を行う場合、気体を供給する前に部材への電力の供給を停止しておく。これによって、気体が供給されたときに部材の電極間で放電が発生することを防止することができる。電子ビーム3を生成する場合には、部材の電極間に放電が発生しない程度の電圧を供給するために不図示の制御システムで制御しながら部材に電圧を供給する。気体を供給し、第1の触媒18および第2の触媒15の近傍が所望の圧力、例えば01~100Paに達すると、電子ビーム3を第1の触媒18および第2の触媒15に照射する。ただし、各触媒を照射するタイミングは、これに限られるものではなく、第1の触媒18へ電子ビーム3を照射し第1の触媒18の近傍の堆積物を除去した後に、第1の触媒18を電子ビーム3の経路から退避させて、第2の触媒15に電子ビーム3を照射しても良い。電子ビーム3は部材の設定条件が描画処理時とは異なる条件で第1の触媒18および第2の触媒15に照射されても良い。例えば、基板12の場所において描画処理時よりも電子ビーム3のビーム径が広がるように部材を設定しても良い。電子ビーム3の照射を開始すると活性種が生成され、生成された活性種と部材の堆積物とが反応し、堆積物を除去してゆく。除去された堆積物は排気口14から容器20の外部に排出される。堆積物の除去が完了した後に、電子ビーム3の照射を停止し、第1の気体導入管17および第2の気体導入管16からの気体の供給を停止する。堆積物の除去が完了したかどうかの判断は、電子ビーム3を不図示のアライメントマークに照射することによって、所望の光学特性が復元されているか確認しても良いし、あらかじめ設定しておいた時間が経過すれば除去できたと判断しても良い。第1の触媒18および第2の触媒15を、第1の触媒の移動機構5およびステージ13及びによって、電子ビーム3が照射されない位置に移動させて除去処理を終了する。図1において、アパーチャアレイ6部材および第2の静電レンズアレイ11第2の部材から堆積物を除去する例を示した。しかし、他の部材から堆積物を除去するように設けてもよい。本実施形態によれば、除去動作を行う場合に、堆積物が堆積された部材の近傍で電子ビームが照射される位置に触媒を移動するので、堆積物の近傍で活性種を発生させることができる。堆積物が触媒の近くにあるため、活性種の失活量は少なくなり高濃度の活性種を堆積物に供給することができる。したがって、堆積物の分解に要する時間を短くできるため、描画装置の生産性スループットを向上させることができる。なお、上述の構成に加えて、第1の気体導入管17、第2の気体導入管16、ステージ13、部材の少なくとも一部を活性種の失活を抑制可能な材料で構成してもよい。例えば、活性種として水素ラジカルを例にとると、SiO2など、水素ラジカルの消滅確率が02以下の材料が適用される。材料表面と水素原子が1回衝突した場合に水素ラジカルの90が消滅するとき、水素ラジカルが材料表面と10回衝突すると消滅確率が02となる。第1の触媒18および第2の触媒15は、第1の気体導入管17および第2の気体導入管16からの気体と反応して活性種を生成可能な触媒であり、例えば、タングステン、白金、モリブデン、ニッケル、レニウム及びタンタルの少なくとも1つを含む。第1の触媒18および第2の触媒15と反応して活性種を生成可能な気体は、例えば、水素、アンモニア、酸素、窒素の少なくとも1つを含む。生成される活性種としては、例えば、水素ラジカル、窒素ラジカル、酸素ラジカルがあげられるが、これらに限らない。第1実施形態では、除去ユニットを電子ビーム描画装置に適用したが、電子ビーム以外の他の荷電粒子ビームを用いて描画する荷電粒子ビーム描画装置に適用してもよい。[第2実施形態]第2実施形態の描画装置は、波長13nm程度の極紫外光を用いて基板にパターンを描画するEUVEUV:ExtremeUltraViolet露光装置に適用する。図2は、EUV露光装置の概略を示す図である。EUV露光装置は、極紫外光を用いて、レチクル原版37に形成されたパターンをウエハ基板12に転写する。EUV露光装置は、極紫外光を生成する光源ユニットと、生成された極紫外光をレチクルに導く照明光学系と、レチクル37の表面で反射された極紫外光を基板に導く投影光学系を備える。また、EUV露光装置は、ウエハ基板12を移動させるウエハステージ13と、レチクル37を移動させるレチクルステージ34とを備える。これらの構成要素は、容器20の内部に配置される。また、EUV露光装置は、真空ポンプ等の排気機構を備え、排気口14を介して排気することにより容器20の内部に真空環境例えば1E-5Pa以下の圧力を形成可能となっている。光源ユニットは、レーザ30と、発光媒体32と、集光ミラー31とを備える。レーザ30から発光媒体32にレーザを照射することによって、極紫外光が取り出され、取り出された極紫外光は、集光ミラー31により集光される。集光ミラー31からの極紫外光は、照明光学系としての多層膜ミラー35により反射され、レチクル37に導かれる。レチクル37の表面で反射した極紫外光は、投影光学系としての多層膜ミラー36a~fにより反射され、ウエハ12に導かれる。投影光学系は、レチクル37のパターンをウエハ12に縮小させて投影する。このようなEUV露光装置において、照明光学系や投影光学系を構成する多層膜ミラー35,36a~fに堆積物が堆積するおそれがある。このような堆積物として、例えば炭素物質が挙げられ、EUV露光装置を構成する部材から放出されるアウトガスや、ウエハに12塗布されたレジスト感光剤から放出される炭素化合物が要因となる。この堆積物は、極紫外光の反射率を低下させ、レジストに照射される光量を低下してスループットが低下させてしまう。本実施形態において、EUV露光装置は、上述の除去ユニットを備えており、除去ユニットで生成された水素ラジカルをこれらの多層膜ミラー35、36a~fに供給することによって、水素ラジカルと堆積物とを反応させて、堆積物を分解し除去する。除去処理の手順の一例を以下に示す。第1の触媒18および第2の触媒15を第1の触媒の移動機構5及びウエハステージ13によってEUVの光路に移動する。第1の触媒18および第2の触媒15は、EUVの光路に進入したとき、少なくとも各触媒の一部にEUVが照射されるように構成されている。本実施形態では、第1の触媒18がワイヤ状で第2の触媒15が板状である場合を示したが、これに限らない。例えば、第1の触媒18はメッシュ状でも良い。また、第1の触媒18および第2の触媒15と同様の機能を有する触媒を複数設けても良い。例えば照明系の多層膜ミラー35の近傍に第3の触媒および第3の触媒の移動機構を設けても良い。また、発光点32に気体が侵入することを制限する不図示のオリフィス板を有してもよい。オリフィス板は、例えば板状の部材で構成されており、一部に開口を有している。この開口の面積は79mm2以下が望ましく、小さな開口を複数有してもよく、開口面積の合計が79mm2以下となればよい。このような構成により、発光点32に気体が供給されることを抑制することができ、EUV光が導入された気体に吸収されてEUV光の強度が低下することを抑制することが出来る。次に、第1の気体導入管17および第2の気体導入管17より、第1の触媒18および第2の触媒15に気体を供給する。第1の気体導入管17及び第2の気体導入管16から供給される気体は第1の触媒18および第2の触媒15の近傍に供給することが望ましい。気体の供給は排気口14から気体を排気しながら行っても良いし、排気せずに行っても良い。このとき、除去処理時に使用されない部材への電力の供給を停止しておくことが好ましく、例えば、レチクルステージ34やウエハステージ13がこれにあたる。これによって、気体が供給されたときに部材間で放電が発生することを防止することができる。気体を供給し、第1の触媒18および第2の触媒15の近傍が所望の圧力、例えば01~100Paに達すると、EUVを第1の触媒18および第2の触媒15に照射する。ただし、各触媒を照射するタイミングは、これに限られるものではなく、第1の触媒18へEUVを照射し第1の触媒18の近傍の堆積物を除去した後に、第1の触媒18をEUVの光路から退避させて、第2の触媒15にEUVを照射しても良い。EUVの照射を開始すると活性種が生成され、生成された活性種と多層膜ミラーの堆積物とが反応し、堆積物を分解してゆく。分解された堆積物は排気口14から容器20の外部に排出される。堆積物の除去が完了した後に、EUVの照射を停止し、第1の気体導入管17および第2の気体導入管16からの気体の供給を停止する。堆積物の除去が完了したかどうかの判断は、EUVを不図示の検出器に照射することによって、所望の光量が復元されているか確認しても良いし、あらかじめ設定しておいた時間が経過すれば除去できたと判断しても良い。第1の触媒18および第2の触媒15を、第1の触媒の移動機構5とウエハステージ13とによって、EUVの光路から退避させて除去処理を終了する。なお、図2において、多層膜ミラー36から堆積物を除去する例を示したが、他の部材から堆積物を除去するために用いてもよく、部材以外の部材から堆積物を除去するために用いてもよい。本実施形態によれば、除去処理に要する時間を短くできるため、EUV露光装置の生産性スループットを向上させることができる。[デバイス製造方法]エネルギービームを用いてパターンを描画する描画装置を用いたデバイス製造方法の例を説明する。デバイスとして、例えば、半導体デバイス、液晶表示デバイスが製造される。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の描画装置を使用して感光剤が塗布されたウエハにパターンを描画する工程と、パターンが描画されたウエハを現像する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程ダイシング、ボンディングと、パッケージング工程封入を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の描画装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板にパターンを描画する工程と、パターンが描画されたガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。"