実質的に鉛を含まない非鉛系の半導体セラミックを部品素体とし、該部品素体の両端部に外部電極が形成された正特性サーミスタであって、前記半導体セラミックは、BaTiO3系組成物を主成分とし、Baの一部が、アルカリ金属及びBiで置換され、前記半導体セラミックの理論焼結密度に対する実測焼結密度が、70~90であることを特徴とする正特性サーミスタ。前記半導体セラミックは、前記Baの一部が希土類元素で置換されていることを特徴とする請求項1記載の正特性サーミスタ。前記アルカリ金属は、Na、K、及びLiのうちの少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の正特性サーミスタ。しかしながら、特許文献1や特許文献2のようにアルカリ金属及びBiを含有したPTCサーミスタでは、アルカリ金属やBiは揮発性を有することから焼成中に揮発し、このため組成ずれを招くおそれがある。このような組成ずれを避けるためには、アルカリ金属やBiが揮発することを想定し、これらアルカリ金属やBiを設計値よりも予め余分に含有させて焼成することも考えられる。ところが、Biとアルカリ金属は部品素体内部より外周部の方が揮発しやすいことから、部品素体内部と外周部の組成が異なり、信頼性の低下を招く怖れがある。本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、長時間通電してもPTC特性を損なうことなく抵抗値の経時劣化を抑制できる信頼性の良好な非鉛系のPTCサーミスタを提供することを目的とする。本発明者らは上記目的を達成するために、非鉛系の半導体セラミックについて、理論焼結密度に対する実測焼結密度以下、単に焼結密度という。を異ならせて鋭意研究を行なったところ、半導体セラミックの焼結密度を70~90とすることにより、信頼性試験前に対して信頼性試験後の半導体セラミックの抵抗値が高抵抗化するのを抑制することができ、これにより長時間連続して電圧を印加してもPTC特性を損なうことなくPTCサーミスタの信頼性向上を図ることができるという知見を得た。本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、実質的に鉛を含まない非鉛系の半導体セラミックを部品素体とし、該部品素体の両端部に外部電極が形成されたPTCサーミスタであって、前記半導体セラミックは、BaTiO3系組成物を主成分とし、Baの一部が、アルカリ金属及びBiで置換され、前記半導体セラミックの焼結密度が、70~90であることを特徴としている。尚、上述で鉛を実質的に含まないとは、Pbを意図的に添加しないことをいい、このようにPbを意図的に添加しない組成系を、本発明では非鉛系という。また、本発明のPTCサーミスタは、前記半導体セラミックが、前記Baの一部が希土類元素で置換されているのが好ましい。また、本発明のPTCサーミスタは、前記アルカリ金属が、Na、K、及びLiのうちの少なくとも1種を含むのが好ましい。本発明のPTCサーミスタによれば、実質的に鉛を含まない非鉛系の半導体セラミックを部品素体とし、該部品素体の両端部に外部電極が形成されたPTCサーミスタであって、前記半導体セラミックは、BaTiO3系組成物を主成分とし、Baの一部が、アルカリ金属Na、K、Li及びBiで置換され、前記半導体セラミックの焼結密度が、70~90であるので、信頼性試験前に対する信頼性試験後の抵抗値が高抵抗化するのを抑制することができ、信頼性を向上することができる。すなわち、半導体セラミックの焼結密度を70~90に低下させることにより、アルカリ金属は部品素体内部からも効果的に揮発することから、不安定なアルカリ金属が結晶粒界に残存するのを抑制することができる。そしてこれにより信頼性試験前に対する信頼性試験後の半導体セラミックの抵抗値が高抵抗化するのを抑制でき、長時間連続して電圧を印加してもPTC特性を損なうことなく抵抗値の経時劣化を抑制できる信頼性の良好なPTCサーミスタを得ることが可能となる。次に、本発明の実施の形態を詳説する。図1は本発明に係るPTCサーミスタの一実施の形態を模式的にした斜視図であり、図2は図1のA-A断面図である。このPTCサーミスタは、部品素体1と、該部品素体1の両端部表面に形成された一対の外部電極2a、2bとを備えている。外部電極2a、2bは、Cu、Ni、Al、Cr、Ag、Ni-Cr合金、Ni-Cu等の導電性材料からなる一層構造又は多層構造で形成されている。部品素体1は、主成分が、一般式Aで表される半導体セラミックで形成されている。Ba1uvwMuBivLnwmTiO3...Aここで、Mは、Li、Na、Kに代表されるアルカリ金属であり、Lnは希土類元素である。この希土類元素Lnとしては、半導体化剤として作用するものであれば、特に限定されるものではなく、例えばY、Sm、Nd、Dy、及びGdの群から選択された1種以上を使用することができる。このように本半導体セラミックは、BaTiO3系組成物を主成分とし、Baの一部がアルカリ金属M、Bi、及び希土類元素Lnで置換されている。そして、本実施の形態では、上記半導体セラミックは、焼結密度が70~90となるように焼結されている。すなわち、発明が解決しようとする課題の項でも述べたように、アルカリ金属M及びBiを含有したPTCサーミスタでは、これらアルカリ金属MやBiが揮発性を有することから焼成中に揮散し、組成ずれを招くおそれがある。また、アルカリ金属Mは、部品素体1の内部よりも部品素体1の外周部から優先的に揮発する。したがって、部品素体1内ではアルカリ金属Mの濃度勾配が生じ、図3に示す外周部Bは中央部Aに比べてアルカリ金属イオンの濃度が低くなる。この場合、不安定で移動し易くなったアルカリ金属イオンは濃度勾配を打ち消すような方向に移動しようとする。したがって、このような状態で外部電極2a、2bに電圧を印加し通電すると、上記不安定なアルカリ金属イオンは、濃度勾配を打消すように結晶粒界を介して中央部Aから外周部Bの方向に移動する。そして、通電終了後にはアルカリ金属イオンは結晶粒界に残存し、その結果、粒界抵抗が増加して高抵抗化し、抵抗値が経時劣化することとなって信頼性低下を招くおそれがある。そこで、本実施の形態では、焼成後における部品素体1内のアルカリ金属Mの濃度が均一乃至略均一となるように、原料粉末を調整して焼結密度を適度に低下させ、焼成中にアルカリ金属Mを中央部Aからも効果的に揮発させている。そしてこれによりアルカリ金属Mの濃度は、部品素体1の中央部Aと外周部Bとで略同等とすることができ、アルカリ金属イオンが中央部Aから外周部Bに移動しようとするのを抑制している。その結果、通電終了時に結晶粒界に留まって粒界抵抗が増加するのを抑制することができ、長時間通電してもPTC特性を損なうことなく、抵抗値の経時劣化を抑制できる信頼性の良好な非鉛系のPTCサーミスタを得ることができる。そして、このように焼成中の揮散を部品素体1の中央部Aと外周部Bとで略同等とするためには、焼結密度を90以下に低下させる必要がある。すなわち、焼結密度が90を超えると、焼結密度が高すぎるため、従来と同様、アルカリ金属Mは外周部Bから優先的に揮散して部品素体1内でアルカリ金属Mの濃度勾配が生じ、アルカリ金属イオンが移動し易くなる。一方、焼結密度が70未満になると焼結性が低下し、結晶粒子同士の接合が不十分となって半導体化しなくなるおそれがある。したがって、焼結密度は70~90に調整する必要がある。焼結密度は、後述するようにポリメタクリル酸メチル樹脂PMMAやポリスチレン等の焼成過程で消失するような樹脂材料をセラミック原料中に含有させることにより容易に調整することができる。尚、アルカリ金属Mの置換モル量u及びBiの置換モル量vは、特に限定されるものではないが、その合計モル量uvが、0.02~0.20が好ましい。これはBaの一部をアルカリ金属M及びBiで置換することによりキュリー点Tcを上昇させることができるが、合計モル比uvが0.02未満になると、キュリー点Tcを十分に上昇できず、一方、合計モル比uvが0.20を超えると、アルカリ金属M及びBiの揮発量が増加して焼結体の理論組成からの組成ずれが生じ易くなるからである。また、希土類元素Lnのモル比wも特に限定されるものではないが、所望の半導体化をさせるためには0.0005~0.015が好ましい。また、BaサイトとTiサイトのモル比mは、化学量論組成は1.000であるが、これに限定されることなく、0.992~1.004の範囲で必要に応じて適宜選択することができる。次に、上記PTCサーミスタの製造方法を述べる。まず、セラミック素原料としてBa化合物、Ti化合物、アルカリ金属Mを含有したM化合物、Bi化合物、及び所定の希土類元素Lnを含有したLn化合物を用意する。そして、半導体セラミックの成分組成が所定比率となるように、これらセラミック素原料を秤量し、調合して混合粉末を得る。次に、この混合粉末に有機溶剤及び高分子系分散剤を加え、PSZ部分安定化ジルコニアボール等の粉砕媒体と共に、ボールミル内で湿式で十分に混合粉砕し、有機溶剤を乾燥させ、その後、所定の目開きのメッシュを使用して整粒する。続いて、800~1000°Cの範囲で2時間熱処理し、仮焼粉を得る。この仮焼粉に、酢酸ビニル系やポリビニルアルコール系等の有機バインダ、PMMA、ポリスチレン等の樹脂ビーズ、純水、及び必要に応じてMn化合物等の添加剤を加え、再び粉砕媒体と共に湿式で十分に混合粉砕し、セラミックスラリーを得る。次いで、このセラミックスラリーをプレス加工し、所定形状の成形体を得る。次いで、この成形体を、所定雰囲気中例えば、大気雰囲気中、窒素雰囲気中、又は混合気流中にて、500~600°Cで加熱して脱バインダ処理を行い、その後、所定の雰囲気中例えば、窒素雰囲気中、又は還元雰囲気の混合気流中にて、半導体化する温度、例えば、最高温度1250~1450°Cで所定時間焼成し、焼結体である部品素体1を得る。その後、めっき法、スパッタリング法、塗布焼付法等により、部品素体1の両端部に外部電極2a、2bを形成し、これによりPTCサーミスタが作製される。尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、上記半導体セラミックでは、BaTiO3を主成分とし、Baの一部が少なくともアルカリ金属及びBiで置換されていればよく、要求されるPTC特性に応じBaの一部をCaやSrと置換するのも好ましい。また、上記半導体セラミックは、上記一般式Aで表される組成物を主成分とするのであれば、必要に応じて各種添加物を含有させてもよく、例えば、抵抗温度係数の増大に寄与するMnを含有させるのも好ましい。また、半導体セラミック中に不可避不純物が混入しても特性に影響を与えるものではない。例えば、湿式での混合粉砕時に粉砕媒体に使用するPSZボールが、全体で0.2~0.3重量程度混入するおそれがあるが、特性に影響を与えるものではない。同様にセラミック素原料中に10重量ppm程度の微量のFe、Si、Cuが混入するおそれがあるが、特性に影響を与えるものではない。また、本発明の半導体セラミックは、非鉛系であるが、課題を解決するための手段の項でも述べたように、Pbを実質的に含まなければよく、特性に影響を与えない範囲で不可避的に10重量ppm以下の範囲で混入する程度のPbまでも排除するものではない。また、PTCサーミスタの外観形状も限定されるものではなく、任意の形状を使用することが可能である。次に、本発明の実施例を具体的に説明する。セラミック素原料としてBaCO3、Na2CO3、Bi2O3、TiO2、及びY2O3を用意し、焼結後の組成がBa0898Bi005Na005Y0002TiO3となるように、これらセラミック素原料を秤量し、調合して混合粉末を得た。次に、有機溶剤としてのエタノールと、高分子型の分散剤無水マレイン酸とエチレンオキサイドプロピレンオキサイドの誘導体を混合粉末に加え、PSZボールと共に、ボールミル内で24時間湿式で混合粉砕し、その後エタノールを乾燥させ、目開き300μmのメッシュで整粒した。続いて1000°Cの温度で2時間熱処理し、仮焼粉を得た。次に、この仮焼粉に、酢酸ビニル系の有機バインダー、Mn3O4、PMMA樹脂ビーズ、及び純水を加え、再び、PSZボールと共にボールミルで16時間湿式で混合粉砕し、セラミックスラリーを作製した。尚、Mn3O4は、含有量が0.05molとなるように添加した。次いで、このセラミックスラリーを乾燥させ、目開き300μmのメッシュを使用して整流し、セラミック原料粉末を得た。そして、このセラミック原料粉末を一軸プレスで98MPaの圧力で成形加工し、円板状の成形体を得た。この成形体を大気雰囲気中、600°Cの温度で2時間脱バインダ処理し、酸素濃度10000体積ppmの窒素雰囲気中、最高温度1300°Cで2時間焼成し、試料番号1~5の部品素体を得た。次いで、この部品素体をラップ研磨し、次いで、スパッタリング法を使用してNiCr/NiCu/Agの三層構造の外部電極を形成し、これにより直径12mm、厚さ2.0mm、高抵抗層の厚みyが0~500μmからなる試料番号1~5の試料を作製した。次いで、試料番号1~5の各試料について、嵩密度から焼結密度を計算した。また、試料番号1~5の各試料について、温度25°C室温での比抵抗ρ0、PTC桁数ΔR、及び抵抗変化率Δρ/ρ0を求めた。ここで、比抵抗ρ0は、直流四端子法を使用し、温度25°Cで1Vの電圧を印加して測定した。PTC桁数ΔRは、PTCサーミスタの能力を示すものであり、数式1で定義される。ΔR=logρmax/ρmin...1ここで、ρmaxは比抵抗の極大値であり、ρminは比抵抗の極小値で定義される。そして温度Tと比抵抗ρとの特性以下、ρ-T特性という。を測定し、その極大値と極小値とからPTC桁数ΔRを求めた。また、抵抗変化率Δρ/ρ0は通電試験を行って求めた。すなわち、各試料について20Vの直流電圧を印加し、1000時間放置した。そして試験前の抵抗変化率ρ0と試験後の抵抗変化率ρ1とを温度25°Cで測定し、その差Δρ=ρ1-ρ0を求め、抵抗変化率△ρ/ρ0を算出した。表1は、試料番号1~5の各試料の焼結密度、25°C室温での比抵抗ρ0、PTC桁数ΔR、抵抗変化率Δρ/ρ0を示している。試料番号1は、焼結密度が60と低く、十分に焼結させることができず、試料を半導体化させることができなかった。一方、試料番号5は、焼結密度が93と高いため、抵抗変化率Δρ/ρ0が67と大きくなった。これは通電試験で内部から表面側に移動するNa量が増大したためと思われる。これに対し試料番号2~4は、焼結密度が70~90と本発明範囲内であるので、抵抗変化率Δρ/ρ0は試料番号5に比べて小さくなり、PTC特性が向上することが分かった。図4は、焼結密度と抵抗変化率との関係を示す図であり、横軸が焼結密度、縦軸が抵抗変化率Δρ/ρ0を示している。この図4から明らかなように、焼結密度が90を超えると抵抗変化率Δρ/ρ0が増大しているのに対し、焼結密度が70~90の範囲内であれば、抵抗変化率Δρ/ρ0を50未満とすることができ、抵抗値の経時劣化を抑制でき、所望の良好な信頼性が得られることが分かった。