"基板上に設けられたn型導電型の窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層の表面に設けられた、前記窒化物半導体層とショットキー接合を成すショットキー電極と、前記窒化物半導体層に対してオーミック接続するオーミック電極と、を備え、前記ショットキー電極と前記窒化物半導体層の表面とが接する境界の長さの合計が、前記ショットキー電極のショットキー電極形成領域の外周長よりも長いことを特徴とする窒化物半導体ダイオード。請求項1記載の窒化物半導体ダイオードにおいて、前記外周長は、前記ショットキー電極が複数の電極により形成される場合には、上面から見てショットキー電極のすべてを取り囲む形状の最小の長さであり、前記窒化物半導体層に凹部が形成されている場合には、上面から見て前記凹部が形成されているよりも外側に形成されたドリフト層であって、当該ドリフト層を取り囲む形状の最小の長さであることを特徴とする窒化物半導体ダイオード。請求項1記載の窒化物半導体ダイオードにおいて、前記長さの合計は、前記外周長の10倍以上あることを特徴とする窒化物半導体ダイオード。請求項1記載の窒化物半導体ダイオードにおいて、前記長さの合計は、前記外周長の20倍以上であることを特徴とする窒化物半導体ダイオード。請求項1記載の窒化物半導体ダイオードにおいて、前記ショットキー電極は複数の電極から成ることを特徴とする窒化物半導体ダイオード。請求項5記載の窒化物半導体ダイオードにおいて、前記ショットキー電極は前記基板の表面から見て、同心環状に形成されていることを特徴とする窒化物半導体ダイオード。請求項6記載の窒化物半導体ダイオードにおいて、前記同心環状の夫々の電極間隔は1μm以上10μm以下であることを特徴とする窒化物半導体ダイオード。請求項5記載の窒化物半導体ダイオードにおいて、前記窒化物半導体層は基板の全面にエピタキシャル成長させた層であることを特徴とする窒化物半導体ダイオード。請求項8記載の窒化物半導体ダイオードにおいて、前記長さの合計は、前記外周長の10倍以上であることを特徴とする窒化物半導体ダイオード。請求項1記載の窒化物半導体ダイオードにおいて、前記オーミック電極は前記基板の裏面に形成されていることを特徴とする窒化物半導体ダイオード。請求項1記載の窒化物半導体ダイオードにおいて、前記窒化物半導体層は、エッチバックや選択成長のいずれもなされていないことを特徴とする窒化物半導体ダイオード。請求項1記載の窒化物半導体ダイオードにおいて、前記窒化物半導体表面に凹部が形成され、前記凹部に絶縁膜が埋め込まれ、前記ショットキー電極の一部が前記絶縁膜上に形成されていることを特徴とする窒化物半導体ダイオード。請求項12記載の窒化物半導体ダイオードにおいて、前記凹部は、前記基板の表面から見て、複数の同心環状に形成されていることを特徴とする窒化物半導体ダイオード。請求項12記載の窒化物半導体ダイオードにおいて、前記凹部はエッチバックにより形成されることを特徴とする窒化物半導体ダイオード。請求項1記載の窒化物半導体ダイオードにおいて、前記窒化物半導体層は、窒化ガリウム若しくは窒化アルミニウムガリウムが含まれることを特徴とする窒化物半導体ダイオード。請求項1記載の窒化物半導体ダイオードにおいて、前記オーミック電極は前記基基板の表面に形成され、前記基板は、n型GaN基板、サファイア基板、SiC基板、シリコン基板のいずれかから成ることを特徴とする窒化物半導体ダイオード。特許文献1によれば、逆方向耐圧に関わる課題に対して、結晶欠陥密度や転位密度の低いGaN基板を利用することの利点は大きい。しかしながら、GaN基板はシリコン基板等と比較して非常に高価であり、例えばGaN基板を用いて作製したショットキーバリアダイオードを、工業製品として実用化するためには、チップ面積を極力小さくして基板コストを下げる必要がある。特許文献1に記載されたアノード電極ショットキー電極とカソード電極オーミック電極を基板の表裏に配置して、電流が縦方向に流れる縦型ショットキーバリアダイオードの場合、ダイオードの順方向特性は、ドリフト層のキャリア濃度と厚さ、及びアノード電極がドリフト層とショットキー接合する面積、すなわち、アノード-カソード電極間におけるドリフト層の縦方向の抵抗成分でほぼ決まる。一方、逆方向耐圧特性は、上記ドリフト層のキャリア濃度と厚さでほぼ決まり、高耐圧特性を得るには、通常低キャリア濃度で厚膜のドリフト層が用いられている。これは順方向特性にとっては大きな抵抗成分となるため、大きな順方向電流を得るためには、大面積のショットキー接合面積が必要となる。言い換えれば大面積のショットキー電極を形成する領域以降、ショットキー電極形成領域と称すが、ダイオードチップ上の一方の半導体面で必要となるため、このショットキー電極形成領域の面積に応じてダイオードチップの面積、サイズが決まってしまい、大きな順方向電流を得ることとチップ面積の縮小の両立が困難であるという課題がある。また、特許文献2では、低コスト化のため、基板材料を高価なGaN基板ではなく安価なシリコン基板を用いているが、シリコン基板上への均一な窒化物半導体厚膜選択成長技術や、10μmもの高さを有する凸型窒化物半導体選択成長層脇の凹部の埋め込み平坦化技術等、複雑で技術的に難易度の高いプロセスを必要とし、技術的な困難さゆえに高い歩留りで容易に製造することは難しい。さらには凸型窒化物半導体以外のシリコン基板領域の分だけチップ面積が増大してしまうため、チップ面積の縮小が困難であり、特許文献1の構造とは異なる観点で低コスト化は難しいという課題がある。本願に係る発明の代表的なものを挙げると以下のとおりである。基板上に設けられたn型導電型の窒化物半導体層と、窒化物半導体層の表面に設けられた、窒化物半導体層とショットキー接合を成すショットキー電極と、窒化物半導体層に対してオーミック接続するオーミック電極と、を備え、ショットキー電極と窒化物半導体層の表面とが接する境界の長さの合計が、ショットキー電極のショットキー電極形成領域の外周長よりも長い窒化物半導体ダイオードである。また、上記に加え、この外周長は、ショットキー電極が複数の電極により形成される場合には、上面から見てショットキー電極のすべてを取り囲む形状の最小の長さであり、窒化物半導体層に凹部が形成されている場合には、上面から見て凹部が形成されているよりも外側に形成されたドリフト層であって、当該ドリフト層を取り囲む形状の最小の長さである窒化物半導体ダイオードである。本発明の構成によれば、従来と同じダイオードチップの面積、サイズであっても、従来よりも順方向電流の大きい窒化物半導体ダイオードを提供することができる。また、本発明の構成によれば、小さなチップ面積でも従来と同じの順方向電流が得られる窒化物半導体ダイオードを提供することができる。また、それに加え、低コストの窒化物半導体ダイオードを提供することができる。はじめに、本発明者らが行った実験結果について説明する。本発明者らは、特許文献1に記載された構成に近いエピ構造を有するGaN基板を使った縦型ショットキーバリアダイオードを試作し、アノード電極であるショットキー電極のサイズショットキー接合面積と等しいをパラメータとして実測したダイオード特性から、順方向電圧-電流密度特性を調べた。その結果を図13に示す。なお、本実験に用いたダイオードエピ基板は、n型GaN基板上に低濃度n型GaNドリフト層をエピタキシャル成長したものであり、低濃度n型GaNドリフト層のキャリア濃度は5×1015cm-3、膜厚は10μmである。パラメータであるショットキー電極は円形であり、その寸法は、直径100μmφ特性線1、200μmφ特性線2、300μmφ特性線3、400μmφ特性線4、500μmφ特性線5である。ショットキー電極金属は、夫々膜厚200nmのPd単膜である。n型GaN基板裏面には、カソード電極としてTiAlオーミック電極を配置した。図13によれば、電極サイズごとの順方向電圧-電流密度特性は一致せず、ショットキー電極サイズが小さいものほど素子抵抗が低く、高い電流密度が得られる傾向を示した。同図より、特性線1に示すショットキー電極サイズが100μmφの時の順方向電圧-電流密度特性によれば、順方向電圧が15Vの時に約700Aの電流が得られるのに対して、特性線2に示す200μmφでは、その約1/2の電流しか得られない。さらに特性線3~特性線5に示すように、電極サイズが大きくなるほど、特定の順方向電圧において得られる電流値は減少しており、この実験結果からは正確な単位面積あたりの素子抵抗、及び電流密度を見積ることはできなかった。この実験結果によれば、窒化物半導体を用いた従来構造の縦型ショットキーバリアダイオードの場合、従来のシリコンによる縦型ショットキーバリアダイオードと異なり、順方向電流はショットキー接合面積に比例した増大傾向は示さないため、必要なデバイスパラメータの取得が不可能であることが判明した。したがって、低コスト化に向けた適切なデバイス設計が困難であり、大電流駆動の窒化物半導体ショットキーバリアダイオードを製造する上で大きな問題があることを発明者らは見出した。次に、本発明者らは、電極サイズごとに電流密度の差が生じた原因を調べるため、実測した順方向特性を電極サイズごとに、窒化物半導体/ショットキー電極接合部におけるショットキー電極端部の長さを単位長さ1cmあたりに換算してグラフ化した。その結果を図14に示す。図14に示すように全てのショットキー電極サイズの特性が、ほぼ一致する傾向を示した。ショットキーバリアダイオードの順方向電流は、一般に半導体とショットキー接合する電極面全体で均等に電気が流れるものであると知られているが、本発明者らの実験によれば、少なくとも窒化物半導体であるGaNを用いて作製した縦型ショットキーバリアダイオードの順方向電流は、ショットキー電極面積に依存するのではなく、窒化物半導体/ショットキー電極接合部におけるショットキー電極端部の外周長に依存する、すなわち窒化物半導体と接合しているショットキー電極接合部の端部を主体的に流れることを伺わせる結果が得られた。そこで、さらに本発明者らは、この現象の真偽を調べるため、前記の実験に用いたダイオードエピ基板と同じ基板を使って、窒化物半導体表面に直径100μmφ、膜厚200nmのPdからなるショットキー電極を離間して16個形成し、これを配線金属により全て電気的に並列接続した形のアノード電極を備えた縦型ショットキーバリアダイオードを試作した。この時、配線金属は窒化物半導体表面には接触しないように形成している。このアノード電極は、窒化物半導体/ショットキー電極接合部におけるショットキー電極端部の合計した長さ外周長が、前述の直径400μmφのショットキー電極に対して約4倍の長さになるが、ショットキー接合面積は直径400μmφ電極と等しい面積となる。この直径100μmφ×16個のショットキー接合面積を有するダイオードの順方向特性を評価した結果を図15に示す。が、特性線4として示した従来構造である直径400μmφのショットキー電極からなるダイオードと比較して、同図中の特性線6として示した上記直径100μmφ×16個のショットキー接合面積を有するダイオードの特性は、明らかに特性の傾きが垂直に近く、従来構造である特性線4よりも素子抵抗が低くなることが判明した。これは、ショットキー電極端部において主体的に順方向電流が流れる効果によって、窒化物半導体とのショットキー接合面積が等しい場合でも、ショットキー接合しているショットキー電極端部の外周長を長くすることで、素子抵抗が低くなる効果が得られたものと推測される。さらに、上記構成を8個の接続として測定した結果、ほぼ同等の素子抵抗特性を示したが、立上り電圧が0.1~0.15V程度上昇した。これは、上記従来のショットキー電極と上記8個の接続によるショットキー電極とを比較すると、ショットキー接合面積は従来の1/2である。この立上り電圧の上昇は、このショットキー接合面積が減少したことによるものであり、このことから、ショットキー接合面積が減少した場合でも、ショットキー接合するショットキー電極端部の長さを大きくすることで、電流の立上り電圧はショットキー接合面積の減少に応じて若干上昇するものの、ダイオードの素子抵抗自体は、従来の単純な1個の円形ショットキー電極からなるダイオードよりも低減できることを示唆するものである。以上のことから、本発明者らは、ダイオードの立上り電圧を増大させずに素子抵抗を低減するためには、ショットキー接合面積を極力減少させずに、窒化物半導体とショットキー接合するショットキー電極の端部の長さを可能な限り長くすることが極めて有効であることを見出した。したがって、小さなチップ面積であっても、窒化物半導体に対してショットキー接合しているショットキー電極接合端部の長さが大きくなるように、ショットキー電極に対して、比較的簡便な形状、配置の改良を加えるだけで、従来よりも素子抵抗を低減できるため、同一チップ面積であれば従来よりも大きな順方向電流を得ることが可能となり、また同じ電流値を得る場合には従来よりもチップ面積を小さくできるため、基板コストを低減できることを本発明者らは見出した。上記得られた知見に基づき、本発明はなされたものであり、以下に本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。以下、本発明の実施例1である窒化物半導体ダイオードの実施形態について説明する。図1及び図2は、それぞれ本実施例に係る窒化物半導体ダイオードの上面図、ならびに図1上面図におけるAA’断面図である。なお、本発明の主旨は、窒化物半導体にショットキー接合するショットキー電極接合部の形状、構造に関するものであるため、以下で説明するダイオードエピ基板のエピタキシャル成長層の構成は、本発明者らの実験に用いた構成と同じものを例に示しているが、本発明の構成による効果が従来と比較しやすいために用いているものであり、これに限定されるものではない。また、図1に示した上面図では、本発明のショットキー電極接合部の形状がわかりやすいように、位置的には上部電極の下層にありながら、実線で窒化物半導体とショットキー接合するショットキー電極接合部を記している。図1及び図2について説明する。本願発明に係る実施例1の窒化物半導体ダイオードチップ1は、チップサイズが600μm×600μmであり、低濃度n型GaNドリフト層3は、n型GaN基板2上に設けられた窒化物半導体層からなり、このドリフト層3のキャリア濃度は5×1015cm-3、膜厚は10μmである。このドリフト層3に接して、図1に示すように、チップ中心を同心とした複数の円環形状からなり、電極幅aが9μmであるPdからなる多重円環状のショットキー接合電極4が最大500μmφ径に至るまで形成されており、このときの円環形状のショットキー接合電極4は全部で25個25重形成されている。ショットキー接合電極4で示された領域が、本実施例におけるショットキー電極接合部となる。なお、円環形状のショットキー接合電極4であるPdの膜厚は200nmである。内側と外側にそれぞれ隣接する円環状のショットキー接合電極4間の距離bは等間隔で全て1μmであり、円環状のショットキー接合電極4間、及び最も外側に位置する円環状のショットキー接合電極4の外側のドリフト層3上には、高抵抗体5として膜厚200nmのSiN膜が設けられている。円環状のショットキー接合電極4上、及び高抵抗体5上の所望の領域には、Ti膜厚100nm/Au膜厚4000nmからなる上部電極6が設けられており、円環状に窒化物半導体とショットキー接合するショットキー接合電極4は、上部電極6によって全て電気的に接続され、アノード電極を構成する。n型GaN基板2の裏面には、n型GaN基板2にオーミック接続するTi/Al電極からなるカソード電極7が設けられている。符号8は、ショットキー電極形成領域であり、ショットキー電極形成領域は、ショットキー電極が複数の電極により形成される場合には、上面から見てショットキー電極のすべてを取り囲む幾つかある形状の内、最小の長さを有する形状の内側の領域であり、実施例1において、ショットキー電極形成領域8は、最も外側に位置する円環状のショットキー接合電極4の外側端部で規定される曲線の内側の領域と定義される。言い換えると、このショットキー電極形成領域8は、図2で示すように、ショットキー接合電極4の外側端部と高抵抗体5の境界の内側の領域とも定義できる。また、ショットキー電極形成領域の外周長は、この最小の長さを有する形状の外周長である。なお、この領域8は、一般的なショットキー接合電極が1つから成る素子においては、ショットキー接合電極が形成されている領域そのものになる。本実施例1のおける、窒化物半導体ダイオードチップ1のショットキー電極形成領域8は、チップ上方から見て、円環状のショットキー接合電極4の最大径である直径500μmφの円形領域となる。本実施例1の窒化物半導体ダイオードにおける25個の円環状ショットキー接合電極は、窒化物半導体とのショットキー接合面積としては、従来の約0.9倍の面積に減少するが、それぞれの円環形状のショットキー電極接合部において、該ショットキー接合電極4の内周端部、及び外周端部が窒化物半導体とショットキー接合するショットキー電極接合端部となるため、上記25個の円環形状ショットキー接合電極端部の合計した長さ外周長は約40mmとなり、これは500μmφ径を有するショットキー電極形成領域の外周長に対して約25倍の長さに増加する。発明を実施するための形態の冒頭で述べた本発明の作用、効果によれば、図14に示した特性から換算して、ショットキー電極形成領域の面積が直径500μmφと小さい場合においても、順方向電圧が15Vの時に約7A近い電流が得られる。本実施例1では、同心円環形状のショットキー電極の1つの電極幅aを9μmとしたが、本発明の主旨は、所定のショットキー電極形成領域に対して、窒化物半導体にショットキー接合しているショットキー電極接合部の端部の長さ外周長の合計を大きくすることであるため、ショットキー電極形成領域面積、及び形状に応じて9μmよりも大きくても小さくても構わない。また、端部の長さの合計を長くするために、分かり易くするためショットキー電極を複数設ける構造で説明したが、このように端部の長さの合計を大きくするために必ずしも複数の電極を設ける必要はないものの、複数の電極を設けた方が効率的にショットキー電極接合部の端部の長さの合計を大きくすることができる利点がある。しかしながら、低コストの製造設備の利用、製造プロセスの容易性、放熱性とを考え合わせた場合、本発明のような多重の円環からなる同心円環形状のショットキー接合部の間隔bの最小幅寸法は、1μm程度とするのが好ましく、1μm以上10μm以下の範囲に収めることが望ましい。また、必ずしもbを一定、すなわち等間隔に複数の電極を配置する必要もなく、バラバラの幅でも良いが、スペースを無駄にしないという観点から、すべての電極幅bは、1μm以上5μm以下に収めることが望ましい。また、スペースを無駄にしないという観点から、ショットキー電極形成領域内には、オーミック電極を配置しないことが望ましく、全てショットキー電極であることが望ましい。なお、本実施例では、上部電極6にはTi/Auを用いており、Auの膜厚を4000nmもの厚膜としている。Auワイヤによる結線の場合、ワイヤーボンド時にかかる荷重を厚膜のAuで緩衝させることで、ショットキー接合部への物理的な悪影響を低減することができるためである。これを実現するために、上部電極は、少なくとも1μm以上の膜厚が望ましい。また、半田等を用いてフリップチップ実装する場合にも、厚膜のAuにより問題なく実装できる。さらに、実施例1のショットキー電極形成領域8は、基板表面から見て円形を有しているが、ワイヤーボンド時にかかる負荷を抑えるために、例えば上部電極の形状を円形でなく、チップ面積よりも若干小さい矩形で形成し、Auワイヤによる結線位置を、ショットキー電極形成領域から外れたチップ角部に近い領域にしてもよい。また、熱伝導率の高いAuをさらに4000nm以上厚膜化することで、ダイオード動作時の発熱に対して放熱性がより高くなる利点がある。また、上記高価なAuを用いる代わりに、安価なCu、Al等、その他の熱伝導率が高く、低抵抗な金属を用いても同様の効果が得られる。また、本実施例では、ショットキー電極材料としてPd単膜を用いたが、高いショットキー障壁高さが得られる金属として、Ni、Pt等を用いても良い。またこの時、窒化物半導体とのショットキー接合界面に上記Pd、Ni、Ptが設けられていれば良く、その上層に拡散バリア層として、例えばTi,Zr,Hf,V,Nb,W,Mo,Ta等の高融点金属を積層してもよく、さらにその上層にAu、Cu、Al等からなる熱伝導率が高く、低抵抗な金属を積層した多層からなるショットキー電極を設けても良い。以上のように、ショットキー電極、及び上部電極の材料、構造については、所望の性能、構造、コスト等に応じて変更可能であり、特に限定されるものではない。本実施例1では、ショットキー電極と窒化物半導体層の表面とが接する境界の長さの合計を、ショットキー電極形成領域の外周長よりも長くしたため、ショットキー電極形成領域を1つのショットキー電極ショットキー電極形成領域の外周とショットキー電極の境界の長さが等しい場合のショットキー電極で形成した場合の素子よりも、同じ順方向電圧でも多くの電流量を取ることができる。また、従来のショットキーダイオードと同一電流量でも、本発明を適用することで、チップサイズを小さくすることもできる。すなわち、大きな順方向電流を得ることとチップ面積の縮小の両立を図ることができる。また、本実施例1では、ドリフト層3を基板2上の全面にエピタキシャル成長した基板を用い、ドリフト層3の表面のエッチバック、選択成長等により物理的に加工することで基板表面に凹部を設けたりしていない。また、ドリフト層3の表面の一部にp型半導体領域を形成せずに、ダイオードを形成した。このようにダイオードを形成することで、プロセスを複雑化することなく、低コストで良好なショットキーバリアダイオードを形成することができる。また、上記物理的加工により、ショットキー電極間の幅を著しく離すとこなく、ダイオードが形成できるのでチップ面積の縮小化ができるという利点もある。次に、本発明の実施例2である窒化物半導体ダイオードの実施形態について説明する。図3及び図4は,それぞれ本実施例に係る窒化物半導体ダイオードの上面図ならびに図3上面図におけるBB’断面図である。なお、本実施例2に用いたダイオードエピ基板のエピタキシャル成長層も、実施例1で用いた構成と同じものを例に示すが、先に述べた通りこれに限定されるものではない。図3及び図4について説明する。本願発明に係る実施例の窒化物半導体ダイオードチップ1は、チップサイズが5mm×5mmであり、低濃度n型GaNドリフト層3は、n型GaN基板2上に設けられた窒化物半導体層からなり、このドリフト層3は、キャリア濃度は5×1015cm-3、膜厚は10μmである。図3に示すように、ショットキー電極接合部の形状は、n型GaNドリフト層3上に接して、電極幅cを68μmとした長尺を正四角形となるように折り曲げて閉じた形状を有しており、チップの中心を同心として、同図に示すようにチップ中央から最大49mm×49mmの領域に至るまで、Pdからなる多重のショットキー接合電極4同心環状のショットキー接合電極が形成されており、この時のショットキー接合電極4は、全部で35個35重である。この時のショットキー接合電極4で示された領域が、本実施例におけるショットキー電極接合部となる。なお、上記多重構成からなるショットキー接合電極4であるPdの膜厚は500nmであり、内側と外側にそれぞれ位置するショットキー接合電極4間の距離dは全て2μmであり、それぞれのショットキー接合電極4間、及び最も外側に位置するショットキー接合電極4の外側のn型GaNドリフト層3上には、高抵抗体5として膜厚500nmのSiO2膜が設けられている。また、上記ショットキー接合電極4上、及び高抵抗体5上の所望の領域には、Ni膜厚200nm/Cu膜厚6000nmからなる上部電極6が設けられており、35個のショットキー接合電極4は、上部電極6によって全て電気的に接続されている。また、n型GaN基板2の裏面には、n型GaN基板2にオーミック接続するTi/Al電極からなるカソード電極7が設けられている。この窒化物半導体ダイオードチップ1のショットキー電極形成領域8は、チップ上方から見て、35個のショットキー接合電極4が敷設された最大寸法である49mm×49mmの矩形領域となる。本実施例の窒化物半導体ダイオードにおける35個のショットキー接合電極は、それぞれの窒化物半導体/ショットキー接合部における内周端部、及び外周端部が、ショットキー電極接合端部となり、上記35個のショットキー電極接合端部の合計した長さ外周長は約687mmであり、これはショットキー電極形成領域の外周長の約35倍の長さに増加するが、ショットキー接合面積としては従来構造からの減少は小さい。本実施例では、順方向大電流駆動による発熱の影響を考慮して、ショットキー電極接合部の形状を、長尺を正四角形に折り曲げて閉じた状態の形とし、この時のショットキー電極接合部=窒化物半導体とショットキー接合するショットキー接合電極4の1つの接合幅cを68μmとした。ショットキー電極接合部の幅の最大寸法は、チップ面積、及び所望の順方向特性にもよるため、特に上限値を定めることはないが、cは5μm以上500μm以下が望ましい。本発明の主旨からすれば、ショットキー電極形成領域の外周長に対して、窒化物半導体/ショットキー電極接合端部の合計した長さ外周長比を、少なくとも1倍よりも大きい数字となるようにすれば、従来構造よりも素子抵抗が低減される効果は得られる。ところが、2倍、3倍程度の長さでは期待された著しい効果や、従来構造に対して大幅なチップ面積の縮小ができず、低コスト化を目指したチップ面積の小さい窒化物半導体ダイオードの実現が困難な場合がある。したがって、大幅に本発明の効果を得るために、上記外周長比を一ケタ以上大きい、10倍以上、好ましくは20倍以上とすることが望ましく、このときは、外周長比をショットキー電極形成領域の大きさに応じて、ショットキー電極接合部の幅を決定すれば良く、特に上記寸法に制限を有するものではない。また、本実施例では、長尺を4つの角を持つように折り曲げて閉じた状態正四角形とした同心を有する複数のショットキー電極接合部を設けた例について述べた。しかしながら、ショットキー電極接合部の形状は、チップ形状や面積、ショットキー電極形成領域の形状、及び面積に依存するため、正四角形に限らず、正三角形、二等辺三角形、正六角形、正三十六角形、長方形、台形、菱形等、中心を同一とした同心を有する如何なる形状をもって配置しても、本発明の主旨からみれば、何ら問題となることはない。また、本実施例、及び実施例1のショットキー電極におけるショットキー電極接合部は、内外に隣接するショットキー電極接合部の間隔を、中心から最外郭に至るまで全て同じ寸法=2μmとなるように配置したが、特に全て同じ寸法とする必要はなく、例えば、ショットキー電極形成領域の中心付近の内外で隣接したショットキー電極接合部間を狭く、同領域の外側の内外で隣接したショットキー電極接合部間を広くする等、一つのダイオードチップ内における全てのショットキー電極接合部間の距離を揃える必要はない。距離を揃える必要はないものの、dは1μm以上10μm以下が望ましい。また、内外で隣接するショットキー電極接合部間の距離、すなわち高抵抗体の幅寸法は、必要以上に大きな寸法とする必要は無く、逆に大きくすればするほど、全体的な窒化物半導体とのショットキー接合面積が減少するため、あまり大きくしすぎると順方向特性における立上り電圧の増大を引き起こす。したがって、上記寸法は特に規定する必要も無いが、ショットキー電極形成領域の大きさに応じて、せいぜい10μm以下に抑えるのが妥当である。また、上記本実施例のショットキー電極接合部の内周、及び外周にある角部は、Rをもった弧状を成している方が好ましい。これは、周辺の滑らかな曲線、もしくは直線からなるショットキー電極接合部に対して、鈍角、直角、もしくは鋭角からなる角部には、電界が集中しやすいため、逆方向耐圧の低下を招く恐れがある。上記弧状の寸法としては、ショットキー電極接合部の幅の最小寸法が1μmであるため、上記弧部における半径も1μmを最小値とするのが妥当である。実施例1や2における同心多重構造同心環状のショットキー接合電極4に代えて、99μm×99μm□からなる矩形ショットキー接合電極4を、1μm間隔でショットキー電極形成領域8上に設けた実施例3の窒化物半導体ダイオードを図5平面図に示す。なお、その他の構成は実施例2と全て同じ構成をとっている。本実施例では、4.9mm×4.9mmからなるショットキー電極形成領域において、99μm×99μm□からなる矩形ショットキー電極が合計で2401個配置されており、ショットキー電極端部の合計した長さ外周長は約950mmであり、これはショットキー電極形成領域の外周長の約48.5倍に相当する。上述した通り本発明の作用、効果によれば、さらに素子抵抗が低減し、大きな順方向電流が得られる。本実施例では、ショットキー電極の端部の長さ外周長を大きくする他の実施例として、孤立した矩形の99μm×99μm□からなるショットキー電極を所定のショットキー電極形成領域内において複数配置した例について述べたが、矩形に限らず、円形、三角形、六角形、長方形等、如何なる形状のショットキー電極を配置しても良いことは言うまでもない。また本実施例では、矩形のショットキー電極の一辺の長さを99μmとしたが、前述の同心環状ショットキー電極と同様の理由により、偶数の角部を有する多角形の寸法は、対角線の長さが1μm以上であることが望ましく、奇数の角部を有する多角形の寸法は、一つの角部から対向する辺までの垂線の長さが1μm以上であることが望ましいが、特に寸法の上限値を定めるところではない。次に実施例4である窒化物半導体ダイオードの実施形態について説明する。図6および図7は、それぞれ本実施例に係る半導体ダイオードの上面図ならびに図6の上面図におけるC-C’断面図である。実施例4は、実施例1~3のように複数の電極を設けて、ショットキー電極の端部と窒化物半導体層の表面とが接する長さを長くするのではなく、窒化物半導体層表面の一部をエッチバックすることで、長さを稼ぐ実施例である。具体的には、ショットキー接合電極の端部を形成するため、周知のホトリソグラフィ技術と、周知の塩素ガスを用いた窒化物半導体層のドライエッチング技術を用いて、低濃度n型GaNドリフト層3の所望の領域を同心環状に選択的にエッチングして、部分的にトレンチ図のT構造凹部を形成している。図7に示すように、トレンチ構造箇所には絶縁膜10が埋め込まれている。そして、図7に示すように、ショットキー電極の一部が絶縁膜上に形成されている。このようにトレンチを形成することで、ショットキー電極を複数設けることなく、窒化物半導体層の表面とショットキー電極とが接する端部を形成することができ、実施例1~3と同等の効果が得られる。なお、本実施例におけるトレンチ上部のショットキー接合電極が形成されるドリフト層の幅寸法aは、5μmであり、トレンチを設けた領域の幅寸法bも5μmとした。トレンチを形成する場合には、aは5μm以上500μm以下、bは1μm以上10μm以下が望ましい。このトレンチを形成する場合におけるショットキー形成領域は、前記窒化物半導体層に凹部が形成されている場合には、上面から見て前記凹部が形成されているよりも外側に形成されたドリフト層であって、当該ドリフト層を取り囲む幾つかの形状の内、最小の長さを有する形状の内側の領域である。また、外周長は当該最小の長さを有する形状の外周長である。つまり、実施例4では、ショットキー電極4の端部ではなく、それより内側の最外周のドリフト層と、ショットキー電極4との最も外側の境界により定義される。本実施例4でも、ショットキー電極と窒化物半導体層の表面とが接する境界の長さの合計を、ショットキー電極形成領域の外周よりも長くしたため、ショットキー電極形成領域を、基板表面を全くエッチングせず1つのショットキー電極で形成した場合の素子よりも、同じ順方向電圧でも多くの電流量を取ることができる。また、従来のショットキーダイオードと同一電流量でも、本発明を適用することで、チップサイズを小さくすることもできる。すなわち、大きな順方向電流を得ることとチップ面積の縮小の両立を図ることができる。また、本実施例4では、ドリフト層3を基板2上の全面に形成した基板を用い、ドリフト層3の表面をエッチングした素子であり、選択成長等により結晶成長技術を用いたり、ドリフト層3の表面にp型半導体領域を形成せずに、ダイオードを形成した。このようにダイオードを形成することで、結晶成長プロセスに伴うプロセスを追加することなく、低コストで良好なショットキーバリアダイオードを形成することができる。また、トレンチ幅bを2μm以下にすることにより、ドリフト間の幅を著しく離すことなく、良好な特性のダイオードが形成できるのでチップ面積の縮小化ができるという利点もある。なお、実施例4では凹部を同心環状としたが、実施例3の様に、凹部を網目状に形成し、ショットキー電極と窒化物半導体層の表面とが接する境界の長さの合計を大きくしてもよい。次に実施例5である窒化物半導体ダイオードの実施形態について説明する。図8および図9は、それぞれ本実施例に係る半導体ダイオードの上面図ならびに図8の上面図におけるD-D’の断面図である。本実施例は、これまでの基板の縦方向に電流を流す縦型ダイオードではなく、横方向に電流を流す横型のダイオードの例である。サファイア基板13上にバッファ層11を介して、キャリア濃度が1×1016cm-3、膜厚が5μmである低濃度n型GaNドリフト層3と、キャリア濃度が1×1018cm-3、膜厚が200nmである高濃度n型GaNコンタクト層12とをエピタキシャル成長した基板を用いている。ダイオードのチップ面積は1mm×1mmの矩形を成し、チップ中央部から700μmφの領域において、高濃度n型GaNコンタクト層12が周知の窒化物半導体ドライエッチングによってエッチング除去され、下層の低濃度n型GaNドリフト層3が露出している。n型GaNドリフト層3上には、実施例1で示したショットキー接合電極と同じ構成の、チップ中心を同心とした複数の円環状からなり、電極幅aが図1に示した構成と同様に9μmであるPdからなる膜厚200nmの多重円環状のショットキー接合電極4が最大500μmφ径に至るまで形成されている。円環状のショットキー接合電極4は、実施例1と同様、全部で25個25重形成されている。内側と外側にそれぞれ隣接する円環状のショットキー接合電極4間の距離bは、図1に示した構成と同様に全て1μmであり、円環状のショットキー電極4間、及び最も外側に位置する円環状のショットキー接合電極4の外側のn型GaNドリフト層3上には、高抵抗体5として膜厚200nmのSiN膜が設けられている。円環状のショットキー接合電極4上、及び高抵抗体5上の所望の領域には、Ti膜厚100nm/Au膜厚4000nmからなる上部電極6が設けられており、円環状に設けられたショットキー接合電極4は、上部電極6によって全て電気的に接続され、アノード電極を構成している。チップの外側に位置する高濃度n型GaNコンタクト層12上には、オーミック接続するTi/Al電極からなるカソード電極7が設けられている。この窒化物半導体ダイオードチップ1のショットキー電極形成領域8は、チップ上方から見て、円環状のショットキー電極4の最大径である直径500μmφの円形領域となる。本実施例の横型ダイオードは、横型ダイオードエピ基板に従来構造のショットキー電極直径500μmφの円形電極を備えた横型ダイオードと比較して、素子抵抗を従来の約2/3に低減できる。横型ダイオードの順方向電流は、主に半導体と接するショットキー接合電極の端部を主体的に流れるが、本発明のショットキー接合電極の構成とすることで、横型ダイオードにおいても従来のショットキー電極構造よりも素子抵抗を低減する効果がある。さらに、上記実施例の低濃度n型GaNドリフト層の濃度、膜厚を大きくとることにより、本発明のショットキー接合電極構造による順方向電流増大効果が大きくなる。上記横型ダイオードに本発明を適用した実施例では、基板にサファイア基板を用いた例について述べたが、この他、SiC基板、シリコン基板等を用いても良い。次に実施例6として、実施例1、2、5に適用される同心環状のショットキー電極接合部の別の形態について説明する。図10は、複数の同心円環形状からなるショットキー電極接合部の形状の一例を示すものである。同図は、複数の同心円環形状からなるショットキー電極接合部の形状として、1本の円環の幅寸法aが5μmであり、3重の同心円環からなるショットキー電極接合部の形状を示している。図11は、所望の幅を有する長尺を、所望の位置で角を有するように折り曲げて閉じた状態とした同心を有する複数の多角形からなるショットキー電極接合部の形状の一例を示すものである。同図は、長尺の幅寸法bが10μmであり、これを正五角形となるように折り曲げて閉じた状態であり、この正五角形の中心を同心とした2重の同心正五角形からなるショットキー電極接合部の形状を示している。また図12は、長尺の幅寸法cが20μmであり、これを長方形となるように折り曲げて閉じた状態であり、この長方形の中心を同心とした3重の同心長方形からなるショットキー電極接合部の形状を示している。この例では、同図に示すように、中心部にもショットキー電極接合部が存在しており、この領域を含めて3重構造を成している。仮に図12の最外周のショットキー電極接合部が存在しない2重構造の場合であり、中心部に電極が配置されている形態も本明細書では同心環状の概念に含まれる。なお、この中心部のショットキー電極接合部の寸法は、上記長尺の幅寸法cに規定される必要があるものではない。以上、様々なショットキー電極接合部の形状を説明したが、上記の形状のみに拘ることはなく、三角形、六角形、八角形等の多角形、若しくは、同心を有しながら基本的な形状が相似形で構成されるものであれば本願発明の趣旨に沿うものであり、例え、どのような形状であっても、ショットキー電極と窒化物半導体層の表面とが接する境界の長さの合計が、ショットキー電極のショットキー電極形成領域の外周長よりも長ければ良い。また、その長さの比は、10倍以上であることが望ましく、さらに20倍以上であることが望ましい。以上述べた本発明の実施例では、窒化物半導体層として、窒化ガリウムGaNである場合について述べたが、この他、一般的な窒化アルミニウムガリウムAlGaNを用いても良い。AlGaNはAl組成比を大きくしていくことで、GaNよりもバンドギャップが大きくなっていくため、例えばショットキー電極が接するドリフト層に低濃度n型AlGaNを用いると、耐圧向上に効果がある。"