レーザ源から発せられたレーザビームを透明基板上に積層された薄膜へ照射して該薄膜の分断加工を行うレーザ加工装置であって、前記薄膜に照射される前記レーザビームの断面形状を、前記分断加工の進行方向前方に突出する第1の突起部を有する形状に整形するビーム形状整形光学系を有することを特徴とするレーザ加工装置。前記薄膜に照射される前記レーザビームの断面形状は、前記第1の突起部を2以上備える形状であることを特徴とする請求項1記載のレーザ加工装置。前記薄膜に照射される前記レーザビームの輪郭は、尖点の無い閉曲線であることを特徴とする請求項1記載のレーザ加工装置。前記薄膜に照射される前記レーザビームの断面形状は、前記分断加工の進行方向後方に突出する第2の突起部を有することを特徴とする請求項1記載のレーザ加工装置。前記薄膜に照射される前記レーザビームの断面形状は、前記分断加工の前後方向に対称であることを特徴とする請求項4記載のレーザ加工装置。前記薄膜に照射される前記レーザビームの断面形状は、前記分断加工の幅方向に対称であることを特徴とする請求項1記載のレーザ加工装置。前記薄膜に照射される前記レーザビームのビーム強度分布は、均一であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項記載のレーザ加工装置。レーザ源から発せられたレーザビームを透明基板上に積層された薄膜へ照射して該薄膜を分断するレーザ加工方法であって、前記薄膜に照射される前記レーザビームの断面形状を、突起部を有する形状に整形するビーム整形工程と、前記ビーム整形工程において整形されたレーザビームを前記薄膜に照射し、前記突起部を進行方向前方として前記薄膜を走査して、前記分断加工を行う工程とを有することを特徴とするレーザ加工方法。タンデム型薄膜シリコン太陽電池は、光電変換ユニット層において厚さ300nm程度の非晶質系光電変換ユニット層の上部に厚さ3μm程度の結晶質系光電変換ユニット層が積層されているため、裏面電極層と透明電極層とをコンタクトさせるためのスクライブ溝及び各セルを絶縁分離するためのスクライブ溝を形成する際、透明絶縁基板側から照射されたレーザは、非晶質系光電変換ユニット層で約95程度吸収されることとなり、結晶質系光電変換ユニット層へは入射エネルギーの約5程度しか到達しないこととなる。そのため、結晶質系光電変換ユニット層を吹き飛ばすほど結晶質形光電変換ユニット層に含まれる水素原子を加熱することができず、結晶質系光電変換ユニット層のスクライブは下部層の非晶質系光電変換ユニット層の爆発によってなされることとなる。結晶質系光電変換ユニット層は非晶質系光電変換ユニット層の十倍程度の厚さを持っているため、ビーム径30~60μm程度のビームを用いてレーザスクライブを行うと、非晶質系光電変換ユニット層に含まれる水素原子の爆発では、結晶質系光電変換ユニット層を吹き飛ばすのに十分な力を加えることができず、結晶系光電変換ユニット層で膜剥がれが発生する。その結果、裏面電極層と透明電極層とをコンタクトさせるためのスクライブ溝及び各セルを絶縁分離するためのスクライブ溝の側面には横方向の長さが10~20μm程度のテーパが発生し、非晶質系光電変換ユニットのみで形成された薄膜シリコン太陽電池以下、非晶質系薄膜シリコン太陽電池と言う。と比較してスクライブ溝幅が拡がることとなる。このように、集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池のテーパ部を含めたスクライブ溝の幅は非晶質系薄膜シリコン太陽電池のスクライブ溝の幅と比較して約20~40μm程度拡がることとなり、接続領域を縮小することが困難となる。すなわち、タンデム型薄膜シリコン太陽電池は集積化に起因して受光面積当たりの変換効率が低下してしまうという問題があった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池の集積化に伴う変換効率の低下を抑制可能なレーザ加工装置及び方法を得ることを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、レーザ源から発せられたレーザビームを透明基板上に積層された薄膜へ照射して薄膜の分断加工を行うレーザ加工装置であって、薄膜に照射されるレーザビームの断面形状を、分断加工の進行方向前方に突出する第1の突起部を有する形状に整形するビーム形状整形光学系を有することを特徴とする。本発明によれば、レーザスクライブによってスクライブ溝を形成する際に生じるテーパ面の幅を小さくできるという効果を奏する。以下に、本発明にかかるレーザ加工装置及び方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。実施の形態1.まず、長方形ビームでスクライブを行った集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池の課題について図面に基づいて説明する。図8は、集積型薄膜シリコン太陽電池の模式的な断面図であり、ここでは透明絶縁基板11側を下側、裏面電極層14141、142、143、側を上側とする。また、この例においては、太陽光は透明絶縁基板11側から照射される。スクライブ溝2012011、2012、は、透明電極層12121、122、123、を絶縁分離しており、紙面に直交する方向に直線状に延びている。スクライブ溝2022021、2022、も、紙面に直交する方向に直線状に延びており、スクライブ溝201とは交差しない。スクライブ溝2032031、2032、も紙面に直交する方向に直線状に延びており、スクライブ溝202と交差していない。スクライブ溝202は、透明絶縁基板11側からレーザを照射し、光電変換ユニット層13131、132、133、にビームエネルギーを吸収させ加熱することにより、光電変換ユニット層13内に含まれる水素原子の気化による爆発を利用して光電変換ユニット層13を吹き飛ばすことによって形成される。スクライブ溝203は、透明絶縁基板11側からレーザを照射し、光電変換ユニット層13にビームエネルギーを吸収させ光電変換ユニット層13に含まれる水素原子の気化による爆発を利用して光電変換ユニット層13及び光電変換ユニット層13上に成膜された裏面電極層14を同時に吹き飛ばすことにより形成されている。図8に示す集積型薄膜シリコン太陽電池において、発電に寄与するのは発電領域Aであり、接続領域Bは発電には寄与しない。図9は、集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池の模式的な断面図である。ここでは透明絶縁基板11側を下側、裏面電極層14141、142、143、側を上側とする。また、この例においては、太陽光は透明絶縁基板11側から照射される。スクライブ溝2012011、2012、は、透明電極層12121、122、123、を絶縁分離している。タンデム型薄膜シリコン太陽電池に関しても、上記の薄膜シリコン太陽電池の集積化と同様に集積化がなされる。ただし、タンデム型薄膜シリコン太陽電池は、光電変換ユニット層13131、132、133、において厚さ300nm程度の非晶質系光電変換ユニット層21211、212、213、の上部に厚さ3μm程度の結晶質系光電変換ユニット層22221、222、223、が積層されているため、スクライブ溝2022021、2022、及びスクライブ溝2032031、2032、を形成する際、透明絶縁基板11側から照射されたレーザは、非晶質系光電変換ユニット層21で約95程度吸収されることとなり、結晶質系光電変換ユニット層22へは入射エネルギーの約5程度しか到達しないこととなる。そのため、結晶質系光電変換ユニット層22を吹き飛ばすほど結晶質形光電変換ユニット層22に含まれる水素原子を加熱することができず、結晶質系光電変換ユニット層22のスクライブは下部層の非晶質系光電変換ユニット層21の爆発によってなされることとなる。結晶質系光電変換ユニット層22は非晶質系光電変換ユニット層21の十倍程度の厚さを持っているため、ビーム径30~60μm程度のビームを用いてレーザスクライブを行うと、非晶質系光電変換ユニット層21に含まれる水素原子の爆発では、結晶質系光電変換ユニット層22を吹き飛ばすのに十分な力を加えることができず、結晶系光電変換ユニット層22で膜剥がれが発生する。その結果、スクライブ溝202及びスクライブ溝203の側面には横方向の長さD10~20μm程度のテーパが発生し、非晶質系薄膜シリコン太陽電池のスクライブ溝幅Lと比較してスクライブ溝幅が拡がることとなる。これにより、裏面電極層14141、142、143、の面積も小さくなるため、受光面積当たりの変換効率が低下してしまう。図1は、長方形ビームによりタンデム型薄膜シリコン太陽電池をスクライブした際の加工痕を走査型電子顕微鏡SEM:ScanningElectronMicroscopeで観測した結果を示す顕微鏡写真である。図2は、ビーム形状による最大応力点の発生場所を説明するための図である。図3は、実施の形態1のレーザスクライブ法に用いるレーザビームのビーム形状の一例である。図4は、実施の形態1のレーザスクライブ法を用いた加工装置の一例である。図5は、実施の形態1のレーザスクライブ法によるタンデム型薄膜シリコン太陽電池の加工痕形状図及びその断面図である。図6は、実施の形態1のレーザスクライブ法によって加工された集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池の構造を示す図である。図1に示すSEM画像は、断面形状が長方形で大きさが約40μm×80μmのレーザビームを用いて、タンデム型薄膜シリコン太陽電池のレーザスクライブを行った結果を示すものである。図1に示すように、長方形ビームをレーザスクライブに用いると、加工痕の長辺側においては幅20μm程度の幅の広いテーパ302が発生し、短辺側においては幅5~10μmの幅の狭いテーパ301が発生することが見てとれる。スクライブ溝底面401はビーム形状を反映しており、ほぼ同じ形状大きさになっている。長方形ビームをタンデム型薄膜シリコン太陽電池に照射すると、非晶質系光電変換ユニット層21に含まれる水素原子の爆発も長方形状に発生することとなる。そのため、水素爆発によって非晶質系光電変換ユニット21の上部層である結晶系光電変換ユニット層22及び裏面電極層14にかかる応力は、長方形の長辺側中央において最大となる。図1に示した長方形ビームによる加工痕の長辺側と短辺側とにおいて幅の異なるテーパが形成された原因について以下に説明する。まず、長辺側の最大応力点から膜の亀裂が発生するが、これは水素爆発による膜の亀裂であるため幅の広いテーパ302が形成される。その後、長辺側から発生した膜の亀裂が短辺側まで伸展して短辺側のテーパを形成し、水素爆発によるテーパの形成を抑制するため、短辺側においては幅の狭いテーパ301が形成される。すなわち、最大応力点で発生した膜の亀裂が伸展することによってレーザスクライブが実現される。これにより、レーザスクライブの進行方向に最大応力点が存在するビーム形状によりスクライブを行うことで、タンデム型薄膜シリコン太陽電池のレーザスクライブにおいてテーパの発生を抑制可能であることが分かる。図2は、レーザスクライブの進行方向部に最大応力点を発生させるビーム形状を説明するための図であり、圧力を加える領域を示している。図2aにおけるエリア501は、主として圧力を加える領域であり、エリア502は補助的に圧力を加える領域を示している。このとき、エリア501およびエリア502に加える圧力は均一であり同じ大きさとする。図2aに示すように、エリア501に加えている圧力に対して補助圧力をエリア502に加えると、図2において点線で示している応力集中領域100にはエリア501、エリア502の二つのエリアからの圧力が加わることとなるため、図2aにおいて破線で示す応力集中領域100に応力が集中することとなり、最大応力点となる。このとき、矢印500の向きをレーザスクライブの進行方向とすれば、図2に示すビーム形状はレーザスクライブの進行方向部に最大応力点が存在するビーム形状となる。このように、エリア501、エリア502を重ねたビーム形状は、エリア501に対しエリア502が突起形状を形成していることが特徴である。このようなビーム形状とすることにより、長方形ビームを用いる場合よりも低い出力でレーザスクライブを実施でき、消費エネルギーを低減することが可能となる。なお、実際にはエリア501とエリア502とは、異なるビームスポットが重なっている必要はなく、エリア502に相当する部分がエリア501から突出してさえいれば、応力集中領域100は形成される。このとき、エリア501、エリア502の形状は円形でなくてもよく、三角形や四角形などの任意の形状をとることができる。なお、エリア501が長方形の場合、短辺側にエリア502を設けることで、膜の亀裂の発生の起点を短辺側とすることができる。したがって、短辺側をレーザスクライブの進行方向とすることで、スクライブ溝自体の幅を拡大することなくテーパを狭くすることが可能となる。レーザスクライブの進行方向に最大圧力点が存在するものであれば、補助圧力の数は一つでなくても良く、図2b、cに示すようにエリア503、エリア504を加えて二つ以上としても良い。特に図2bのように補助圧力の数が二つの場合は最大応力点が一箇所に集中するため膜の亀裂をスムーズに伸展させるのに適している。なお、エリア503やエリア504についてもエリア502と同様であり、異なるビームスポットとしてエリア501と重なっている必要はなく、エリア501から突出してさえいれば、応力集中領域100は形成される。また、膜の亀裂をスムーズに伸展させるためにはビームの輪郭は全体的になめらかな曲線で構成されていること、換言すると尖点の無い閉曲線であることが好ましい。例えば、図2a~cのようにビームの輪郭に尖点があると、尖点の部分で亀裂が伸展しにくくなるため、曲線を滑らかに接続した尖点のない形状とすることが好ましい。また、ビーム形状は、レーザスクライブの進行方向に対して線対称な形状であると、ビームの幅方向の中央から対称に亀裂が伸展するため、加工中心線両側へのテーパの伸展を効果的に抑制できる。図3において、図示するビーム形状101は、以上を踏まえて構成されたビーム形状であり、応力解析を行ったところ、この形状に沿って均一に圧力を加えた場合、点線で示している部分に応力集中領域100最大応力点が発生することがわかっている。このとき、図3に示す形状に沿って圧力を均一に加えるにはビーム強度分布を均一にすればよい。ただし、点線に示した部分に応力集中領域100が発生するものであればビーム強度分布は必ずしも均一にする必要はなく、たとえばレーザスクライブの進行方向へビーム強度分布のピークを偏らせるなどしてもよい。図3において、矢印500はレーザスクライブの進行方向を示しているため、最大応力点はレーザスクライブの進行方向前方に発生することとなる。よって、レーザスクライブによる膜の亀裂は最大応力点の存在するレーザスクライブの進行方向前方から発生することとなる。図3において所望のビーム形状101は、マスク転写、HOEHolographicOpticalelementなどを使用することによるビームホモジナイズなどによって得られる。図4において、図に示す加工装置は、実施の形態1におけるレーザスクライブ法を用いた加工装置の一例であり、レーザ源及び制御系601から出射されたレーザビーム602をビーム形状整形光学系603によりビーム整形し、加工点604において図3に示したビーム形状となるように調整する。このとき、Xステージ605及びYステージ606をXステージ移動方向607及びYステージ移動方向608へ移動させることにより被加工物である基板609の全面にわたってスクライブ溝610が形成されることとなる。図5aは、実施の形態1におけるレーザスクライブ法を光電変換ユニット層13及び裏面電極層14のスクライブ以下、P3スクライブと言う。において使用した場合のタンデム型薄膜シリコン太陽電池の加工痕形状を示す図であり、図5bはその断面図である。なお、図5bは、図5aにおけるVb-Vb断面を示している。スクライブの進行方向は矢印500の方向であり、スクライブの進行方向部には最大応力点から発生した爆発による幅10~20μm程度の幅の広いテーパ302が形成されているが、その最大応力点から発生した爆発による亀裂がビームの進行方向に垂直な方向にまで伸展することにより、ビームの進行方向に垂直な方向では、長方形ビームを用いる従来のレーザスクライブ法によって形成される幅10~20μm程度のテーパに比べて、幅の狭い5μm程度のテーパ301が形成されることとなる。したがって、一本の裏面電極層14のスクライブ溝203につき10~30μm程度のスクライブ溝幅の低減が可能となる。また、このときスクライブ溝底面401の形状はビーム形状とほぼ同じ形状及び大きさとなる。以上のことは、タンデム型薄膜シリコン太陽電池の光電変換ユニット層13のスクライブ以下、P2スクライブと言う。についても同様のことが言える。図6は、実施の形態1におけるレーザスクライブ法を、タンデム型薄膜シリコン太陽電池のP2スクライブ及びP3スクライブに用いた場合の集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池の断面図である。この集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池は、透明絶縁基板11、透明電極層12121、122、123、、非晶質系光電変換ユニット層21及び結晶質系光電変換ユニット層22を含む光電変換ユニット層13131、132、133、、並びに裏面電極層14141、142、143、から構成されており、透明電極層12のスクライブ溝2012011、2012、、光電変換層13のスクライブ溝2022021、2022、、裏面電極層14のスクライブ溝2032031、2032、が形成されていることにより発電領域A1、A2、A3が直列接続されている。光電変換ユニット層13のスクライブ溝202及び裏面電極層14のスクライブ溝203においてそれぞれ一本当たり10~30μm程度溝幅が低減されるため、集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池全体では、約2000~6000mm2の発電無効領域の低減となり、約0.03~0.1の変換効率の向上が見込まれる。このとき、P2スクライブ及びP3スクライブを行う際は、ビームエネルギーを吸収させ加熱することにより光電変換ユニット層13内に含まれる水素原子の気化による爆発を利用して光電変換ユニット層13を吹き飛ばすことによってスクライブ溝202、203を形成するため、レーザは透明絶縁基板11側から照射される。レーザスクライブに用いるレーザの種類は、スクライブの対象物の光吸収特性により選択される。一般に透明電極層12のスクライブではYAG等の固体レーザ、ファイバレーザの基本波波長1μm程度が用いられ、光電変換ユニット層13及び裏面電極層14のスクライブではYAG等の固体レーザ、ファイバレーザの第二高調波波長0.5μm程度、第三高調波波長0.3~0.4μm程度が使用される。以上のように実施の形態1では、スクライブの進行方向から膜の亀裂が発生するビーム形状を用いてスクライブを行い、発生した亀裂をスクライブの進行方向と垂直な方向にまで伸展させ、スクライブの進行方向と垂直な方向に発生するテーパの大きさを水素爆発起因のみで発生する場合よりも低減させる。これにより、タンデム型薄膜シリコン太陽電池において光電変換ユニット層13及び裏面電極層14をスクライブする際に問題となっていたスクライブ溝202、203における水素爆発起因のテーパの発生による接続領域の拡大を防ぐことが可能となる。よって、集積化に伴う受光面積当たりの発電効率の低下を最小限に抑えることができる。実施の形態2.図7は、実施の形態2のレーザスクライブ法に用いるレーザビームのビーム形状の一例を示す図である。図7においてビーム形状はレーザスクライブの進行方向の前後に応力集中領域100最大応力点が発生する形状をしている。その他の構成及び動作については実施の形態1と同様であり、対応する部分には図1と同一の符号を付して説明を省略する。実施の形態2では、最大応力点をスクライブの進行方向の前後にそれぞれ発生させているため、スクライブの進行方向を逆転させる場合でも、ビームを反転させることなくテーパの発生抑制効果が得られる。すなわち、レーザビームを往復走査しながらレーザスクライブを行う際に、往路だけでなく復路においてもレーザスクライブを行えるため、処理の高速化を実現できる。なお、ここではレーザ形状がスクライブの進行方向の前後で対称である場合を例としたが、最大応力点をスクライブの進行方向の前後にそれぞれ発生させることができれば前後対称でなくともよい。例えば、一方は突起を二つ備え、他方は一つ備えるレーザ形状であっても良い。上記各実施の形態においては、薄膜シリコン太陽電池のレーザスクライブを例として説明したが、これに限定されることはなく、透明基板上に積層された薄膜に透明基板を透過してレーザビームを照射して行う薄膜の分断加工全般に適用可能である。例えば、結晶系太陽電池におけるパッシベーション膜開口加工、液晶パネルや有機ELパネル、プラズマディスプレイパネル等における基板上の薄膜分断加工に適用可能である。以上のように、本発明にかかるレーザ加工装置及び方法は、薄膜シリコン太陽電池のレーザスクライブに有用であり、特に、タンデム型薄膜シリコン太陽電池のレーザスクライブに適している。