複数の基板に分割するための分割溝と、前記分割溝に所定間隔で配設される貫通孔とを備え、前記貫通孔間における前記分割溝は少なくとも一方の前記貫通孔で深くなる様に傾斜していることを特徴とするセラミック基板。前記分割溝は少なくとも2つの貫通孔のほぼ中間部分に最も深さが浅い浅溝部を有することを特徴とする請求項1に記載のセラミック基板。前記分割溝は、縦方向に形成される第1分割溝と横方向に形成される第2分割溝からなることを特徴とする請求項1又は請求項2のいずれかに記載のセラミック基板。前記基板は積層基板であり、前記貫通孔は、基板各層間を導通する側面電極キャスタレーションであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のセラミック基板。分割溝に所定間隔で配設される貫通孔とを備えたセラミック基板の製造方法において、表面に必要な配線パターンを配設したシートを積層圧着し、分割溝を形成する分割溝形成工程と、前記分割溝の形成された前記積層基板を焼成する焼成工程と、前記焼成工程で焼成した前記積層基板にめっき液を付着するめっき形成工程とを有し、前記分割溝形成工程における分割溝の形成は少なくとも一方の貫通孔において深さが深くなるように傾斜した深さとなるように形成することを特徴とするセラミック基板の製造方法。前記シートの貫通孔に導体を充填し、充填した導体中心部を打ち抜く打ち抜き工程を有することを特徴とする請求項5記載のセラミック基板の製造方法。近時、個片基板に分割する前に表面導体部などをめっき処理する基板に対する要求があり、このような要求に対応した場合、めっき液等が分割溝内に入り込むことが避けられず、めっき液や導体ペーストが入り込んだ分割溝内にがこれらめっき液や導体ペーストが残るポケット溜まり場になってしまっていた。このため、従来の全長にわたって均一の深さを有する分割溝を形成した例では、分割前にめっき処理を行った状態では、例えその後に洗浄処理を行っても、図12に示すように分割溝Aの底部にはめっき液Cが残渣してしまっていた。図12は、均一の深さを有した分割溝を形成した従来の場合に基板分割の前にめっき塗布を行った後の状態を示す断面図である。残渣物は表面と裏面間でのショートなどの電気的特性の不具合や、分割時の分割不良バリの発生原因となる問題点があった。この分割で個片化された基板の側面を図13に示す。図13に示すように一定高さにめっき残渣が形成されることとなり、上記問題点に対処するために側面を研磨するなどの工数が必要であった。図13は従来の分割で個片化された基板の研磨前の側面状態を表した図である。このため、分割の前にめっき処理を行うセラミック基板においても、分割溝内にこれらめっき液等が残るポケット溜まり場になることを防止し、その後の研磨工程などの面倒な工程が不要な、信頼性のあるセラミック基板とすることが望まれていた。本発明は上述した課題を解決するためになされたもので、分割の前にめっき処理を必要とする基板においても、めっき液等が入り込んだ分割溝内にこれらが残るポケット溜まり場になることを防止し、その後の研磨工程などの面倒な工程が不要な、信頼性のあるセラミック基板を提供することを目的とする。係る目的を達成し、上述した課題を解決する一手段として、例えば、以下の構成を備える。すなわち、複数の基板に分割するための分割溝と、前記分割溝に所定間隔で配設される貫通孔とを備え、前記貫通孔間における前記分割溝は少なくとも一方の前記貫通孔で深くなる様に傾斜していることを特徴とするセラミック基板とする。そして例えば、前記分割溝は少なくとも2つの貫通孔のほぼ中間部分に最も深さが浅い浅溝部を有することを特徴とする。又例えば、前記分割溝は、縦方向に形成される第1分割溝と横方向に形成される第2分割溝からなることを特徴とする。更に例えば、前記基板は積層基板であり、前記貫通孔は、基板各層間を導通する側面電極キャスタレーションであることを特徴とする。又は、分割溝に所定間隔で配設される貫通孔とを備えたセラミック基板の製造方法において、表面に必要な配線パターンを配設したシートを積層圧着し、分割溝を形成する分割溝形成工程と、前記分割溝の形成された前記積層基板を焼成する焼成工程と、前記焼成工程で焼成した前記積層基板にめっき液を付着するめっき形成工程とを有し、前記分割溝形成工程における分割溝の形成は少なくとも一方の貫通孔において深さが深くなるように傾斜した深さとなるように形成するセラミック基板の製造方法とすることを特徴とする。そして例えば、更に、前記シートの貫通孔に導体を充填し、充填した導体中心部を打ち抜く打ち抜き工程を有するセラミック基板の製造方法とすることを特徴とする。本発明によれば、分割の前にめっき処理を必要とするセラミック基板においても、分割溝内に残渣の発生しにくい分割溝を提供し、これにより、分割後の基板端面にめっき液や導電ペーストの残渣を解消でき、ショートや分割不良の発生を軽減できる。更に本発明によれば、めっき液だけでなく、貫通孔の内壁面への導体ペーストを吸引等で塗布する際にも、孔への傾斜溝により導体残渣の発生ができにくいセラミック基板を提供することができる。第1の実施の形態例以下、本発明に係る一発明の実施の形態例について添付図面を参照しながら詳細に説明する。まず図1及び図2を参照して本発明に係る一発明の実施の形態例のセラミック基板の構成を説明する。図1に示す本実施の形態例のセラミック基板は、多数個取り用のセラミック基板の状態で表面にめっき処理を施すことが出来るように、それぞれの基板に分割する図1の縦方向に示す第1分割溝と、図1の横方向に示す第2分割溝とが格子状に形成されており、分割溝の交差部分及び交差部分間の略中間部位に図1に○で示す貫通孔Bが形成されている。なお、図1においては、表面のシートのみ表しているが、本実施の形態例のセラミック基板は複数枚のシート複数のグリーンシートが積層された多層基板となっている。本実施の形態例では、貫通孔の径は、約φ0.1mm以上であり、基板の大きさが大きくなれば比例して貫通孔の径も大きくすることが望ましい。0.1mm以上であれば後述するめっき液などを落とし込むことが出来る。本実施の形態例の分割溝は、多層基板の各貫通孔間に全長における最深部と最浅部が連続的に形成されている。この一定間隔で貫通孔が形成されている図1の第1分割溝であるA-A断面を図2に示す。図2において、V印で示すのが交差部分の貫通孔における第2分割溝を示している。図2に示す様に本実施の形態例の分割溝は、貫通孔間の略中間部分が最浅部の頂点部分で、貫通孔部分が最深部となる様に該頂点部分から貫通孔に向かって徐々に深くなるように傾斜して形成される。分割溝は、例えば金型やカッター刃等で形成する。しかし、以上に限定されるものではなく、レーザで形成スクライブしてもよい。形成する溝の深さとしては、例えば基板に対し溝最深部:溝最浅部=約80:約20程度とすることが望ましい。このように形成することにより、例え基板表面にめっき処理を行ったとしても、溝底部にめっき液などの残渣があることはない。しかし、分割溝の深さはこれに限定されるものではなく、一定の傾度があれば適用可能である。本実施の形態例基板の製造工程を図3を参照して説明する。図3は側面電極のない場合の基板製造工程を説明する工程図である。集合基板の内層で各層間を導通するビアホールの形成工程についてはここでは触れないこととする。まずステップS1で基板を形成するシートグリーンシートにスルーホール貫通孔Bを形成する。この貫通孔は、複数シートを積層した積層基板を作成する場合の位置決めも兼ねている。続いてステップS3でシート表面に必要な配線パターンを形成するために、シート表面に導電パターン例えばAg導体パターンを印刷などで形成する。基板を形成する全てのシートに必要な配線パターンを形成すると次にステップS5において、導電パターンなどの形成された必要数のシートを積層圧着しセラミック基板を完成させる。続いてステップS7において、基板のスルーホール間に分割溝を形成する。本実施の形態例の図2では、上記したように分割溝は、貫通孔間の略中間部分に最浅部の頂点部分があり、貫通孔に向かって傾斜して徐々に深くなるように形成される。続くステップS9で分割溝を形成した基板を焼成する。更に、ステップS11において、焼成した基板の全表面の導体部分をめっき処理し、めっき処理後にめっきした基板の洗浄処理を行う。めっき方法としては例えば、無電解めっきが望ましいが、電解めっきであってもよい。本実施の形態例では、無電解めっきを行い、めっき液としてNi-AuまたはNi-Pd-Au等を使用することができる。しかし、以上の例に限定されるものではなく、基板仕様に応じて任意のめっき液を用いることが出来る。めっき処理後の洗浄処理においては、純水等によってめっき液を洗い流す。具体的には、めっきしたセラミック基板に対して例えばシャワーで洗浄液を両面にかけ、その後、洗浄液槽で濯ぐ。本発明によれば、めっき工程に続く洗浄工程において、同様に発明の効果をみることができる。つまり、めっき工程時、分割溝がスルーホールに向かって深くなっており、めっき処理中においては、めっき液が分割溝の底部からスルーホールに向かって流れ落ちやすく、更に洗浄処理においては洗浄液がめっき液とともに分割溝の底部からスルーホールに向かってに流れ落ちるため、分割溝底部に残渣が残ることがない。この点、従来の均一な深さの分割溝が形成されている場合や分割溝上に貫通孔がない場合は、洗浄液が分割溝上を十分に流動できにくいため、液体が滞留しやすい、即ち、残渣が発生しやすい構造であったのに比し、本実施の形態例の貫通孔を有する分割溝が形成された基板は、洗浄液が基板の表と裏を行き来することができる孔が複数あり、かつ、貫通孔と分割溝は傾斜角度でつながっているため、基板表裏から洗浄液が分割溝上を盛んに流動しやすく、かつ、基板から流れ落ちやすく、分割溝内の残渣が発生しない構造である。以上の工程のステップS11におけるめっき工程において、セラミック基板に形成された分割溝内におけるめっき液の流れを図4に示す。図4はめっき工程におけるめっき処理及び洗浄処理におけるめっき液、洗浄液等の液体の流路を示す図である。図4に矢印で示すようにめっき液等が流れ、ほとんどが貫通孔Bを通って図の下部に落とし込まれる。このため、分割溝内にはめっき液などの残渣が滞ることがない。その後図3のステップS13でめっきしたセラミック基板を分割溝部分から分割し、個片化する。分割溝底部近傍に残渣がないため、個片化した分割基板の側面に導電体が付着しているようなことはなく、側面の研磨などの複雑な工程は必要ない。次に図5を参照して基板の各層間を導通する側面電極キャスタレーションを有する場合のセラミック基板の分割溝形成工程を図5を参照して説明する。図5において、上述した図3に示す側面電極のない場合の分割溝形成工程と同様の工程には同一ステップ番号を附し詳細説明を省略する。まずステップS1で基板を形成するシートグリーンシートに側面電極キャスタレーションを生成するためのスルーホール貫通孔を形成する。続いてステップS21において、スルーホールに導体の印刷処理を行い、貫通孔内に導体を充填した、ビアホールを形成する。続いてステップS23において、ビアホールの中心部に小径のスルーホールを打ち抜き、分割後に集積基板の側面に露出する側面電極キャスタレーションの導体部を形成する。続くステップS3でこのようにして側面電極の導体部が形成されたシートグリーンシート表面に必要な導電パターン例えばAg導体パターンを印刷などで形成する。基板を形成する全てのシートに必要な配線パターンを形成すると次にステップS5以降の処理を行い、導電パターンなどの形成された必要数のシートを積層圧着しセラミック基板を完成させ、その後分割溝から分割して個片化する。以上のステップS3以降の処理は上述した図3の処理と同様である。以上に説明したように本実施の形態例によれば、分割溝の貫通孔間のほぼ中央近傍を最浅部とし、貫通孔に向かって徐々に深くなるように形成したため、分割の前にめっき塗布を行ったセラミック基板においても、溝内にめっき液などの残渣が発生しにくい分割溝を提供し、これにより、分割後の基板端面のめっき液等の残渣を解消でき、ショートや分割不良の発生を軽減できる。第2の実施の形態例以上に説明した第1の実施の形態例では、図2に示すように溝の貫通孔間のほぼ中央近傍を最浅部とし、貫通孔に向かって徐々に深くなるように分割溝を形成した。しかし、本発明は以上の例に限定されるものではなく、めっき液などの残渣が残り難い分割溝であればよい。例えば、貫通孔間の溝の間に深部と浅部がある図6に示す分割溝としてもよい。図6は本発明に係る第2の実施の形態例の分割溝の形成例を説明するための断面図である。第2の実施の形態例においても、基板及び分割溝の製造工程は上述した第一の実施の形態例の図3又は図5に示す工程と同様であるため詳細説明は省略する。第2の実施の形態例の分割溝では、図6に示すように、すくなくとも一方の貫通孔に向かって徐々に深くなるように溝底部が傾斜している。図6の例では、貫通孔2つの間で区切られた最短区間の分割溝は、貫通孔間で深部と浅部となるように一方に深さを変えながら傾斜している。分割溝は隣接する区間においても同様に深さを変え、一連で高低のある一直線の分割溝を形成している。分割溝全長において最深部と最浅部が繰り返すように形成されている。第2の実施の形態例も、上述した第一の実施の形態例と同様に、めっき液が分割溝の中に流れ込んでも溝底部が傾斜して貫通孔内に落とし込むため、溝内にめっき液などが残渣することを防止できる。特に分割した個別基板の大きさがさほど大きくない場合に特に適している。第3の実施の形態例以上に説明した第2の実施の形態例では、図6に示すように、隣接する2つの区間にまたがって深さを変えながら傾斜し、分割溝全長において最深部と最浅部が繰り返すように分割溝を形成した。しかし、本発明は以上の例に限定されるものではなく、例えば、隣接する2つの区間にまたがって深さを変えながら傾斜し、隣接する2つの区間で高低のある一直線の分割溝を形成し、分割溝全長において2区間毎に最浅部と最深部が繰り返す分割溝としてもよい。図7は本発明に係る第3の実施の形態例の分割溝の形成例を説明するための断面図である。第3の実施の形態例においても、基板及び分割溝の製造工程は上述した第一の実施の形態例の図3又は図5に示す工程と同様であるため詳細説明は省略する。第3の実施の形態例の分割溝では、図7に示すように、すくなくとも一方の貫通孔に向かって徐々に深くなるように溝底部が傾斜している。図7の例では、隣接する2つの区間にまたがって深さを変えながら傾斜し、隣接する2つの区間で高低のある一直線の分割溝を形成し、分割溝全長において2区間毎に最浅部と最深部が繰り返す分割溝となっており、2つの区間に渡って最深部と最浅部となるように傾斜している分割溝を形成する。第3の実施の形態例も、上述した第1及び第2の実施の形態例と同様に、めっき液が分割溝の中に流れ込んでも溝底部が傾斜して貫通孔内に落とし込むため、溝内にめっき液などが残渣することを防止できる。第4の実施の形態例以上に説明した第2、第3の実施の形態例では、図6、7に示すように貫通孔2つの間で区切られた最短区間が2つ隣接する区間で最深部―最浅部からなる一定のパターンが繰り返している分割溝を形成した。しかし、本発明は以上の例に限定されるものではなく、例えば、貫通孔間の一方の貫通孔部が最浅部で他方の貫通孔部が最深部となる分割溝としてもよい。図8は本発明に係る第4の実施の形態例の分割溝の形成例を説明するための断面図である。第4の実施の形態例においても、基板及び分割溝の製造工程は上述した第一の実施の形態例の図3又は図5に示す工程と同様であるため詳細説明は省略する。第4の実施の形態例の分割溝では、図8に示すように、貫通孔2つの間で区切られた最短区間の分割溝は貫通孔間で一方の貫通孔に向かって徐々に深くなるように溝底部が傾斜しており、分割溝の一方端部図8の例では左端部が最浅部で他方端部図8の例では右端部が最深部となるように全区間にまたがってて深さを変えながら傾斜している。このすため、上述した第1乃至第3の実施の形態例と同様に、めっき液が分割溝の中に流れ込んでも溝底部が傾斜して貫通孔内に落とし込むため、溝内にめっき液などが残渣することを防止できる。以上に説明した各実施の形態例のセラミック基板を分割溝に従って分割した場合の分割後の集積基板の上面図を図9に示す。図9は各実施の形態例における基板分割後の集積基板の上面図であるが、基板表面に形成する配線パターンの図示はここではしない。図9に示すように、第1分割溝と第2分割溝との交差部分、及び、各分割溝の交差部分間の略真ん中部分にめっき液などが分割溝内に残渣しにくい貫通孔を形成している構造である。他の実施の形態例以上の説明は、セラミック基板をめっきする例について説明した。しかし、本発明の溝の形成例は以上の例に限定されるものではなく、貫通孔内壁面に導電ペーストを吸引などで塗布する場合にも適用できる。この場合には、セラミック基板表面の所定部分の導電ペーストを塗布し、例えば図1に示す貫通孔から吸引することで、貫通孔内壁面に導電体層を形成することが出来る。この場合であっても、分割溝が傾斜しているため、分割溝内の導電ペーストが貫通孔内に引き込まれるため、分割溝内に残渣することを有効に防止できる。以上の説明における分割溝は、一方面のみに形成した例を説明したが、基板両面に形成してもよい。更に、分割後の個片基板の一方側面がショートの可能性がない場合などにおいては、第1分割溝のみに各実施の形態例の貫通孔に向かって傾斜している分割溝構造とし、第2分割溝は従来の分割溝であってもよい。更に、以上の説明においては、分割溝の傾斜は、略直線上に傾斜する場合を例示したが、本発明は以上の傾斜に限定されるものではなく、傾斜が湾曲状、の様に一定角度の傾斜でなくても良く、緩やかな曲線状の傾斜であってもよい。更に、以上の各実施の形態例では図9に示すように、溝分割溝の交差部分及び交差部分間の略中間部位に貫通孔が形成されている例について説明した。しかし本発明は以上の貫通孔の形成例に限定されるものではなく、分割溝の構造から交差部分間の略中間部位の貫通孔を省略してもめっき液の残渣を有効に抑えることが可能である。分割溝の交差部分間の略中間部位の貫通孔を省略した本発明に係る他の実施の形態例における基板分割後の集積基板の上面図を図10に示す。図10に示す様に、第1分割溝と第2分割溝の交差部分には貫通孔が形成されており、上記した各分割溝の傾斜を形成することにより、上記同様にめっき液の残渣を抑えたセラミック基板を提供でき、分割後の集積基板の側面に余分なめっき液の残渣などのない集積基板が提供可能である。更に、図10の例では、第1分割溝と第2分割溝の交差部分に貫通孔を形成ししたが本発明は以上の例に限定されるものではなく、第1分割溝と第2分割溝の交差部分でなく、交差部分間の略中間部位のみに貫通孔を形成してもめっき液の残渣を有効に抑えることが可能である。分割溝の交差部分間の略中間部位に貫通孔を形成した本発明に係る更に他の実施の形態例における基板分割後の集積基板の上面図を図11に示す。図11に示す様に第1分割溝と第2分割溝の交差部分間の略中間部位に貫通孔を形成されており、分割溝の各貫通孔間の傾斜を上記した実施の形態例の如くに形成することにより、上記同様にめっき液の残渣を抑えたセラミック基板を提供でき、分割後の集積基板の側面に余分なめっき液の残渣などのない集積基板が提供可能である。上述した各実施の形態例では、セラミック基板に形成する分割溝の深さを、貫通孔に向かって傾斜する全長に渡って山切りV字型あるいは、波線状等の起伏高低差のある軌跡を有するため、めっき処理や導電ペーストの塗布を行っても、めっき液や導電ペーストが分割溝内から貫通孔に流れ出させることができ分割溝内にめっき液や導電ペーストが残渣することを有効に防止することができる。また、さらにこの後の洗浄処理においても、洗浄液が分割溝の傾斜を流れやすく、貫通孔により基板の両面を行き来できることから、洗浄効果が格段に向上し、残渣物の発生を相乗して抑えることができる。このため、セラミック基板から個片基板に分割しても、ショートや分割不良がないものと出来る。