"入射光を電気信号に変換する光電変換部を有する画素と、前記画素に対応して形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタを介して前記入射光を前記光電変換部に集光するマイクロレンズと、を含む複数の画素領域と、前記マイクロレンズ側の第1の端面と該第1の端面と対向する第2の端面とを有し、前記複数の画素領域の各画素領域の辺部に形成された第1遮光部と、前記マイクロレンズ側の第1の端面と該第1の端面と対向する第2の端面とを有し、前記画素の表面から、前記第1の端面までの距離が、前記第1遮光部より短く、前記画素領域の角部に形成された第2遮光部と、を備える固体撮像装置。前記第1遮光部の厚さは、前記第2遮光部の厚さより大きく、前記第1、2遮光部、及び前記カラーフィルタは同一平面上に形成された請求項1記載の固体撮像装置。前記カラーフィルタと接する面側から所望の深さに形成されたトレンチ部を有するシリコン層をさらに備え、前記第2遮光部の少なくとも一部が前記トレンチ部内に設けられている請求項1記載の固体撮像装置。前記第1遮光部の少なくとも一部が前記トレンチ部内に設けられ、前記第1遮光部の前記トレンチ部内に設けられていない部分の厚さが、前記第2遮光部の前記トレンチ部内に設けられていない部分の厚さより大きい請求項3記載の固体撮像装置。前記第1、第2遮光部の少なくとも一方の前記トレンチ部内に設けられた部分と、前記第1、第2遮光部の少なくとも一方の前記トレンチ部内に設けられていない部分とで異なる材料を含む請求項4記載の固体撮像装置。前記第1遮光部は、突起部と、該突起部の面に設けられた遮光層とを有し、前記第2遮光部は、前記遮光層と同じ厚さを有する請求項2記載の固体撮像装置。前記カラーフィルタの厚さは、前記第1遮光部の前記厚さより厚い請求項2または請求項4記載の固体撮像装置。前記カラーフィルタは、第1乃至第3色目フィルタ成分を有し、前記第2及び第3色目フィルタ成分は前記第1色目フィルタで囲まれており、前記第1色目フィルタ成分には角部にホールが形成されている請求項1乃至請求項6記載の固体撮像装置。前記マイクロレンズは、前記画素領域の前記辺部の厚さが前記画素領域の前記角部の厚さより厚い請求項1乃至請求項8記載の固体撮像装置。前記画素部、前記カラーフィルタ、前記マイクロレンズは基板上に形成され、前記基板の周辺部に設けられる前記マイクロレンズの中心は、対応する前記カラーフィルタ及び前記画素の中心に対し、前記基板の中心方向にずらして配置される請求項1乃至請求項9記載の固体撮像装置。入射光を電気信号に変換する光電変換部を有する画素を形成する工程と、前記画素に対応して形成されたカラーフィルタを形成する工程と、前記カラーフィルタを介して前記入射光を前記光電変換部に集光するマイクロレンズを形成する工程と、前記画素、前記カラーフィルタ及び前記マイクロレンズで構成される画素領域の辺部に形成され、前記マイクロレンズ側の第1の端面と該第1の端面と対向する第2の端面とを有する第1遮光部、及び前記マイクロレンズ側の第1の端面と該第1の端面と対向する第2の端面とを有し、前記画素の表面から、前記第1の端面までの距離が、前記第1遮光部より短く、前記画素領域の角部に形成された第2遮光部を形成する工程と、を備える固体撮像装置の製造方法。前記第1遮光部及び前記第2遮光部を形成する工程は、前記画素または前記画素と前記カラーフィルタとの間に配置される層の前記カラーフィルタ側の面に遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜の厚さより低い深さを有する開口部を、前記遮光膜の前記画素領域の角部に形成する工程と、前記遮光膜の前記画素領域の辺部に前記第1遮光部の幅より広いレジストを形成し、前記遮光膜の前記画素領域の角部に前記開口部より小さいレジストを形成し、該レジストをマスクとして前記遮光膜をエッチングすることで前記第1遮光部及び前記第2遮光部を形成する工程と、を含む請求項11記載の製造方法。前記第1遮光部及び前記第2遮光部を形成する工程は、前記画素または前記画素と前記カラーフィルタとの間に配置されるシリコン層の前記カラーフィルタ側の面に遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜の前記画素境界の内部に前記遮光膜の厚さと同じ深さを有する開口部を形成する工程と、前記遮光膜の前記画素領域の内部及び辺部にレジストを形成し、該レジストをマスクとして前記遮光膜の厚さより浅く前記遮光膜をエッチングすることで前記第1遮光部及び前記第2遮光部を形成する工程と、を含む請求項11記載の製造方法。前記第1遮光部及び前記第2遮光部を形成する工程は、前記画素または前記画素と前記カラーフィルタとの間に配置されるシリコン層の前記カラーフィルタ側の面に遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜の前記画素領域の辺部に第1透過率を有するレジストを、前記画素領域の角部に第2透過率を有するレジストを、前記画素領域の内部に第3透過率を有するレジストを形成し、該レジストをマスクとして前記遮光膜をエッチングすることで前記第1遮光部及び前記第2遮光部を形成する工程と、を含む請求項11記載の製造方法。前記第1遮光部及び前記第2遮光部を形成する工程は、前記画素または前記画素と前記カラーフィルタとの間に配置されるシリコン層の前記カラーフィルタ側の面であって、前記画素領域の辺部に突起部を形成する工程と、前記画素または前記シリコン層、及び前記突起部に前記遮光膜を形成する工程と、前記画素領域の内側の遮光膜を除去する工程と、を含む請求項11記載の製造方法。前記第1遮光部及び前記第2遮光部を形成する工程は、前記画素または前記画素と前記カラーフィルタとの間に配置されるシリコン層の前記カラーフィルタ側の面にトレンチ部を形成する工程と、前記画素または前記シリコン層の前記カラーフィルタ側の面、及びトレンチ部の表面に遮光膜を形成する工程と、前記画素領域の角部及び内部に形成されたレジストをマスクとして前記遮光膜をエッチングすることで前記第1遮光部及び前記第2遮光部を形成する工程と、を含む請求項11記載の製造方法。前記カラーフィルタを形成する工程は、前記カラーフィルタの厚さが前記第1遮光部の厚さより厚く形成される工程を含む請求項11乃至請求項16記載の製造方法。前記カラーフィルタを形成する工程は、第1色目フィルタ成分で、第2色目フィルタ成分と第3色目フィルタ成分のそれぞれの周囲を囲んだカラーフィルタを形成する工程であり、前記画素または前記カラーフィルタと前記画素との間に配置されるシリコン層に形成したマスクの開口部内に第1色目フィルタ成分、または第2色目フィルタ成分と第3色目フィルタ成分、のいずれかを形成する工程と、前記マスクを除去して形成された開口部に残りの色フィルタ成分を形成する工程と、前記第1色目フィルタ成分の前記画素領域の角部にホールを形成する工程と、を含む請求項11乃至請求項17記載の製造方法。入射光を電気信号に変換する光電変換部を有する画素と、前記画素に対応して形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタを介して前記入射光を前記光電変換部に集光するマイクロレンズと、とを含む複数の画素領域と、前記マイクロレンズ側の第1の端面と該第1の端面と対向する第2の端面とを有し、前記複数の画素領域の各画素領域の辺部に形成された第1遮光部と、前記マイクロレンズ側の第1の端面と該第1の端面と対向する第2の端面とを有し、前記画素の表面から、前記第1の端面までの距離が、前記第1遮光部より短く、前記画素領域の角部に形成された第2遮光部と、を備える固体撮像装置と、前記光電変換部に前記入射光を導く光学レンズと、前記電気信号を処理する信号処理回路と、を備える電子機器。しかしながら特許文献1で開示される方法では、マイクロレンズの他に、層内マイクロ凹レンズを設ける必要があり、マイクロレンズから受光部までの厚みを小さくすることが難しいという問題がある。本発明は、上述の点を鑑みてなされたものであり、光感度の低下を抑制する固体撮像装置、その製造方法を提供するものである。また、本発明は、かかる固体撮像装置を備えた電子機器を提供するものである。上記課題を解決するため、本発明に係る固体撮像装置は、入射光を電気信号に変換する光電変換部を有する画素と、前記画素に対応して形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタを介して前記入射光を前記光電変換部に集光するマイクロレンズと、を含む複数の画素領域と、前記マイクロレンズ側の第1の端面と該第1の端面と対向する第2の端面とを有し、前記複数の画素領域の各画素領域の辺部に形成された第1遮光部と、前記マイクロレンズ側の第1の端面と該第1の端面と対向する第2の端面とを有し、前記画素の表面から、前記第1の端面までの距離が、前記第1遮光部より短く、前記画素領域の角部に形成された第2遮光部と、を備える。本発明に係る固体撮像装置では、画素領域の角部に形成された第2遮光部の前記画素の表面から前記マイクロレンズ側の端面までの距離が第1遮光部より短い。このため、マイクロレンズの角部からの入射光が第2遮光部に遮られることなく光電変換部に入射される。これにより、光電変換部に入射される光が増加する。また、本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、入射光を電気信号に変換する光電変換部を有する画素を形成する工程と、前記画素に対応して形成されたカラーフィルタを形成する工程と、前記カラーフィルタを介して前記入射光を前記光電変換部に集光するマイクロレンズを形成する工程と、前記画素、前記カラーフィルタ及び前記マイクロレンズで構成される画素領域の辺部に形成され、前記マイクロレンズと接する第1の端面と該第1の端面と対向する第2の端面とを有する第1遮光部、及び前記マイクロレンズと接する第1の端面と該第1の端面と対向する第2の端面とを有し、前記画素の表面から、前記第1の端面までの距離が、前記第1遮光部より短く、前記画素領域の角部に形成された第2遮光部を形成する工程と、を備える。本発明に係る電子機器は、上述した固体撮像装置と、光学レンズと、信号処理回路とを有する。本発明によれば、光感度の低下を抑制することができる。第1実施形態図1は、本発明の第1実施形態に係る固体撮像装置の一例を示す概略構成図である。図1に示す固体撮像装置1は、シリコンで構成される基板11と、基板11上に配列された複数の画素2を有する画素部3と、垂直駆動回路4と、カラム信号処理回路5と、水平駆動回路6と、出力回路7と、制御回路8と、を備える。画素部3は、2次元アレイ状に規則的に複数配置された画素2を有する。画素部3は、実際に入射光を受光し光電変換によって生成された信号電荷を増幅してカラム信号処理回路5に読み出す有効画素領域と、黒レベルの基準になる光学的黒を出力するための黒基準画素領域図示せずとで構成される。黒基準画素領域は、通常有効画素領域の外周部に形成される。画素2は、例えばフォトダイオードである光電変換素子図示せずと、複数の画素トランジスタ図示せずで構成される。画素2は、基板11上に2次元アレイ状に規則的に複数配置される。複数の画素トランジスタは、転送トランジスタ、リセットトランジスタ、選択トランジスタ、アンプトランジスタで構成される4つのMOSトランジスタであっても、選択トランジスタを除いた3つのトランジスタであってもよい。制御回路8は、垂直同期信号、水平同期信号及びマスタクロックに基づいて、垂直駆動回路4、カラム信号処理回路5、及び水平駆動回路6の動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。制御回路8は、クロック信号や制御信号を用いて垂直駆動回路4、カラム信号処理回路5、及び水平駆動回路6を制御する。垂直駆動回路4は、例えばシフトレジスタで構成され、画素2を行単位で順次垂直方向に選択走査する。垂直駆動回路4は、画素2の光電変換素子での受光量に応じて生成された信号電荷に基づく画素信号を、垂直信号線を通してカラム信号処理回路5に供給する。カラム信号処理回路5は、例えば画素2の列毎に配置されており、1行分の画素2から出力される信号を画素列毎に黒基準画素領域からの信号によって、ノイズ除去や信号増幅などの信号処理を行う。カラム信号処理回路5の出力段には、図示しない水平選択スイッチが水平信号線10との間に設けられている。水平駆動回路6は、例えばシフトレジスタで構成される。水平駆動回路6は、水平走査パルスを順次出力することで、カラム信号処理回路5の各々を順番に選択し、各カラム信号処理回路5から画素信号を水平信号線10に出力させる。出力回路7は、水平信号線10を介して、各カラム信号処理回路5から順次供給される画素信号に対し信号処理を施して図示しない外部装置に出力する。次に、図2を用いて、固体撮像装置1の詳細を説明する。図2aは、固体撮像装置1の画素部3の辺方向における断面図である。図2bは、固体撮像装置1の画素部3の対角方向における断面図である。図2に示すように、本実施形態の固体撮像装置1は、基板11と、基板11の表面側に形成された配線層26、及び支持基板14と、基板11の裏面側に形成されたカラーフィルタ15、及びマイクロレンズ16と、を備える。基板11は、例えば3μm~5μm程度の厚みを有し、シリコンで構成される半導体基板である。基板11には光電変換素子PDと、画素回路部を構成する複数の画素トランジスタTrとで構成される画素2が、二次元マトリクス状に複数形成されている。また、図2では図示を省略するが、基板11に形成された画素2の周辺領域には、周辺回路部が構成されている。光電変換素子PDは、例えばフォトダイオードであり、入射光の受光量に応じた信号電荷が生成され、蓄積される。画素トランジスタTrは、基板11の表面側に形成された図示しないソースドレイン領域と、基板11の表面上にゲート絶縁膜29を介して形成されたゲート電極28と、を有している。また、隣接する画素2の間には、基板11の表面から裏面にかけて高濃度不純物領域で構成される素子分離領域24が形成されている。素子分離領域24により、各画素2は電気的に分離されている。配線層26は、基板11の表面側に形成されており、層間絶縁膜27を介して複数層図2では3層に積層された配線25を有する。配線層26に形成される配線25を介して、画素2を構成する画素トランジスタTrが駆動される。支持基板14は、配線層26の基板11に面する側とは反対側の面に形成されている。支持基板14は、製造段階で基板11の強度を確保するために構成されるものであり、例えばシリコン基板で構成される。カラーフィルタ15は、基板11の裏面側に形成されており、画素毎に例えば、第1色目、第2色目、及び第3色目フィルタ成分を有する。以下の説明では、第1色目フィルタ成分、第2色目フィルタ成分及び3色目フィルタ成分を、それぞれグリーンフィルタ成分、レッドフィルタ成分及びブルーフィルタ成分としているが、これに限らず、任意の色フィルタ成分とすることが可能である。また、色フィルタ成分以外でも、例えば可視光を透過する透明樹脂や、例えば透明樹脂中にカーボンブラック色素を添加して形成されるNDフィルタのように可視光を減衰するフィルタ成分を用いることも可能である。カラーフィルタ15では、所望の波長の光が透過され、透過した光が基板11内の光電変換素子PDに入射する。カラーフィルタ15の各色フィルタ成分の間には、第1遮光部17と第2遮光部18が設けられている。以下の説明では、第1遮光部17と第2遮光部18とを合わせて遮光膜とも称する。第1遮光部17は、画素2からマイクロレンズ16に最も近い面第1の端面までの距離が、第2遮光部18よりも長くなっている。つまり、第1遮光部17及び第2遮光部18の画素2からマイクロレンズ16に最も近い面までの距離をそれぞれd1、d2d1、d2>0とすると、d1>d2となる。遮光膜は、入射光が隣接する光電変換素子PDに漏れる混色を低減するために設けられている。カラーフィルタ15及び遮光膜の詳細は後述する。マイクロレンズ16は、カラーフィルタ15の基板11に面する側とは反対側の面に形成されている。マイクロレンズ16は、カラーフィルタ15の各色フィルタ成分の1つを介して入射光を光電変換素子PDに集光する。なお、ここでは図示しないが、基板11と遮光膜との間に絶縁膜を設けてもよく、遮光膜と、基板または絶縁膜との間にバリアメタルを設けてもよい。本実施形態では、図2の一点鎖線から一点鎖線で囲まれた部分であって、画素2、カラーフィルタ15の色フィルタ成分、マイクロレンズ16を含む領域を画素領域と称する。各画素領域の境界である図2の波線を画素境界と称する。本実施形態に係る固体撮像装置1の画素領域の平面は四角形状をしており、該四角形状の対向する辺の中点を通る線分を画素領域の辺方向、四角形状の対角線を結ぶ線分を画素領域の対角方向と称する。図3を用いて本実施形態に係るマイクロレンズ16の詳細を説明する。一般的に用いられるマイクロレンズ16の形成方法は二通りある。ひとつは、感光性樹脂からなるマイクロレンズ材を、カバー膜を介してカラーフィルタ15上に塗布した後、プリベーク、露光、現像、ブリーチング露光処理を順次行った後に感光性樹脂の熱軟化点以上の温度で熱処理を行う方法である。この方法により、凸形状を持ったマイクロレンズ16がカラーフィルタ15上に形成される。熱処理を行う際、隣接する画素に形成された感光性樹脂パターン同士が融着しないように条件設定を行う。これは、熱処理により流動した樹脂が接触すると、表面張力によりパターンが流れてしまい、レンズ形状が崩れてしまうからである。もうひとつの方法として、カラーフィルタ15上にマイクロレンズ材を形成し、このマイクロレンズ材の上に凸形状を持ったレンズ形状のマスク層を形成し、該マスク層を下地のマイクロレンズ材にエッチング転写する方法がある。この方法では、カラーフィルタ15にマイクロレンズ材を形成した後に、マイクロレンズ材の上に感光性樹脂を塗布、プリベーク、露光、現像処理を順次行った後に感光性樹脂の熱軟化点以上の温度で熱処理を行い、凸形状を持ったレンズ状のマスク層を形成する。次に、マスク層を下地のマイクロレンズ材にエッチングすることでマイクロレンズ16を形成する。この方法によれば、エッチング条件を適宜調整することで、マスク層の寸法よりも平面的に大きく形成することが可能となり、マイクロレンズ16の有効面積が広がり、より集光性の高いレンズが形成可能となる。図3aに、上述した方法を用いて、隣接するマイクロレンズ16の各辺が接触するまでエッチング処理を行ったマイクロレンズ16の平面図を示す。図3bは、図3aに示すマイクロレンズ16のa-a’、b-b’、c-c’における断面図である。a-a’、b-b’が画素領域における辺方向にあたり、c-c’が画素領域における対角方向にあたる。図3cに示すように、隣接するマイクロレンズ16の辺が接触するまでエッチング処理を行った場合、a-a’、b-b’、c-c’におけるマイクロレンズ16の厚さh1は同一となる。また、図3aに示すように、マイクロレンズ16の角部、すなわち対角方向c-c’に隙間が空いた状態となる。ここで、本実施形態に係るマイクロレンズ16は、図3bのように隣接するマイクロレンズ16の辺が接触した後もエッチング処理を延長して形成する。これにより、図3aに示すマイクロレンズ16の角部に存在していた隙間が小さくなる。図3bに、対角方向の隙間が実質的に接触するまでエッチング処理を行ったマイクロレンズ16の平面図を示す。隣接するマイクロレンズ16に隙間があっても、この隙間が200nm以下であれば、光の波長より十分小さく固体撮像装置の感度特性に影響を与えないため、隣接するマイクロレンズ16は、実質的に接触しているとする。図3dは、図3bに示すマイクロレンズ16のd-d’、e-e’、f-f’における断面図である。図3dに示すように、d-d’、e-eにおけるマイクロレンズ16の厚さh2は同一となり、f-f’におけるマイクロレンズ16の厚さh3は、h2より厚くh3>h2となる。このように、隣接するマイクロレンズ16の角部が接触するまでエッチング処理を行った場合、マイクロレンズ16の断面方向につき、マイクロレンズ16の辺に接触するボトム位置に対して、角部に接触するボトム位置の膜厚が厚いマイクロレンズ16が形成される。隣接するマイクロレンズ16の辺が接触した後もエッチング処理を延長することで、平面的にマイクロレンズ16の無効領域を小さくし、有効領域を大きくすることが可能となる。次に図4を用いて、本実施形態に係るカラーフィルタ15及び遮光膜について説明する。図4aは、カラーフィルタ15及び遮光膜の平面図である。図4bは、図4aのa-a’画素領域の辺方向、図4cは、b-b’画素領域の対角方向における断面のうち遮光膜のみを示した図である。図4aに示すように、カラーフィルタ15は、レッドフィルタ成分Rと、グリーンフィルタ成分Gと、ブルーフィルタ成分Bが、いわゆるベイヤー配列されている。つまり、カラーフィルタ15は、グリーンフィルタ成分Bが市松状に配列され、レッドフィルタ成分R及びブルーフィルタ成分Bが線順次に配列されたパターンを有する。遮光膜は、画素境界上、すなわち画素領域の周囲であってカラーフィルタ15と同一平面上に形成される。遮光膜は、図4aの通り格子状に形成される。遮光膜は、画素領域の辺部に形成された第1遮光部17と、画素境界の角部に形成された第2遮光部18と、を有する。第1遮光部17は、格子状の遮光膜の辺部に形成される。画素領域はマイクロレンズ16側からみて略四角形状をしている。略四角形状の辺を含み一定の幅を持った領域を画素領域の辺部と称する。第1遮光部17は、カラーフィルタ15と同一平面上であって画素領域の辺部に形成される。第1遮光部17は、マイクロレンズ16と接する端面第1の端面と、第1の端面と対向し素子分離領域24と接する端面第2の端面とを有する。第1遮光部17は、所定の膜厚がd1を有し、第1の端面の幅が第2の端面の幅より狭い略テーパ形状を有する。第2遮光部18は、格子状の遮光膜の交差部に形成される。第2遮光部18は、所定の膜厚がd2を有し、平面視で十字形状を有する。画素領域はマイクロレンズ16側からみて四角形状をしている。該四角形状の角を含み一定の幅を持った領域を画素領域の角部と称する。第2遮光部18は、カラーフィルタ15と同一平面上であって画素領域の角部に形成される。第2遮光部18は、マイクロレンズ16と接する端面第1の端面と、第1の端面と対向し素子分離領域24と接する端面第2の端面とを有する。カラーフィルタ15の各色フィルタ成分は、画素領域の辺部及び角部を除く画素領域の内部に形成される。図2aに示すように第1遮光部17の膜厚d1とカラーフィルタ15の膜厚は同じであるため、画素領域の辺部では第1遮光部17のマイクロレンズ16側の端面と各色フィルタ成分のマイクロレンズ16側の面とが同一平面となるよう形成される。図2bに示すように第2遮光部18の膜厚d2はカラーフィルタ15の膜厚より薄いため、各色フィルタ成分は、第2遮光部18のマイクロレンズ16側の端面第1の端面上にオーバーラップして形成される。なお、本実施形態に係る固体撮像装置1は、基板11の裏面側に画素2の上にカラーフィルタ15及び遮光膜が形成されている。そのため第1遮光部17の膜厚と、画素2表面からマイクロレンズ16側の第1遮光部17の端面第1の端面までの距離が等しい。また第2遮光部18の膜厚と、画素2表面からマイクロレンズ16側の第2遮光部18の端面第1の端面までの距離も等しい。例えば、画素2とカラーフィルタ及び遮光膜との間に絶縁膜や基板等が設けられている場合は、第1遮光部17の膜厚は、画素2表面からマイクロレンズ16側の第1遮光部17の端面第1の端面までの距離より短くなる。第2遮光部18も同様である。次に、図5を用いて第2遮光部18の膜厚d2を第1遮光部17の膜厚d1より薄くd2<d1としたことによる効果を説明する。図5a、bは、本実施形態に係る固体撮像装置1のマイクロレンズ16、カラーフィルタ15及び遮光膜の断面を示す図である。図5aは、図3cのd-d’またはe-e’及び図4aのa-a’における固体撮像装置1の断面図である。図5bは、図3cのf-f’及び図4aのb-b’における固体撮像装置1の断面図である。図5c、dは、第2遮光部18の膜厚d2を第1遮光部17の膜厚d1と同じd1=d2とした場合の固体撮像装置1を示している。第2遮光部18の膜厚d2以外は、図5a、bと同じ構成である。図5では、マイクロレンズ16を介して集光される入射光のうち垂直に入射した光を実線で、主光線が傾き、斜めに入射した光斜め入射光を破線で示している。図5a、cに示すように、固体撮像装置1のマイクロレンズ16の中心を通り、画素境界と平行な面画素領域の辺方向における断面では、光は垂直入射光、斜め入射光共に、遮光膜に遮られることなくカラーフィルタ15に入射されている。図5dに示すように、固体撮像装置1のマイクロレンズ16の中心、及び画素領域の対角線を通る面画素領域の対角方向における断面では、入射光は遮光膜に遮られてしまい、いわゆるケラレが生じている。特に、マイクロレンズ16の角部では、垂直入射光、斜め入射光ともに遮光膜で反射してしまい、固体撮像装置1の光感度が低下してしまう。遮光膜は、基板11上に遮光層の成膜を行った後にリソグラフィー法を用いてレジストパターンを形成し、次いでドライエッチ法を用いてエッチングを行うことで形成される。リソグラフィー法で形成されたレジストパターンは、平面的に開口が小さくなるよう開口部がラウンド形状を持つ図4a参照。従って、遮光膜の辺方向の幅w1に対して対角方向の幅w2がより広く形成されてしまう。このように、第2遮光部18の線幅w2は、第1遮光部17の線幅w1より広くなってしまうため、マイクロレンズ16の角部から入射された光の多くが第2遮光部18で反射してしまい、固体撮像装置1の光感度が低下してしまう。一方、図5bに示すように、第2遮光部18の膜厚d2を第1遮光部17の膜厚d1より薄くすると、遮光膜に遮られる入射光が減少する。特に、マイクロレンズ16の角部では、垂直入射光が遮光膜に遮られることなくカラーフィルタ15を通過している。また斜め入射光も一部は遮光膜で反射してしまうが、図5dでは通過できなかった斜め入射光Lがカラーフィルタ15を通過している。このように、第2遮光部18の膜厚d2を低くすることで、遮光膜で反射する入射光を減らすことができるため、固体撮像装置1の光感度の低下を抑制することができる。また第1遮光部17の膜厚d1を低くせず、カラーフィルタ15と同じ膜厚としているため、入射光が隣接する光電変換素子PDに漏れる混色を低減することができる。さらに、第2遮光部18の膜厚d2をカラーフィルタ15の膜厚より薄くすることで、第2遮光部18の上部にカラーフィルタ15が形成されない領域が生じる。これにより、図6に示すように、マイクロレンズ16の角部を第2遮光部18の上部のカラーフィルタ15が形成されない領域に形成するようにしてもよい。つまり、カラーフィルタ15の光電変換素子PD側の面からマイクロレンズ16の角部までの距離d3を、カラーフィルタ15の膜厚d1より短くしてよい。これにより、固体撮像装置を低背化することが可能となる。次に、図7A~Fを用いて本実施形態に係る固体撮像装置1の製造方法を説明する。なお、画素部3は従来技術と同様に形成できるため、説明を省略する。まず図7A~Fを用いて固体撮像装置1の第1、第2遮光部17,18を製造する第1の方法について説明する。図7A~Fのaは画素領域の辺方向における断面図を、bは画素領域の対角方向における断面図を示す。図7中の波線は、画素領域の境界を示す。図7Aに示すように、まず図示しない基板11上に絶縁膜30を形成する。絶縁膜30は、単層でも多層でもよい。例えば、絶縁膜30は、基板11上にシリコン酸化膜、その上にハフニウム酸化膜を積層した2層膜としてもよい。この場合、シリコン酸化膜及びハフニウム酸化膜はそれぞれ入射光の反射を低減するように所定な膜厚で形成される。次に、絶縁膜30の上に遮光膜31を形成する。遮光膜31は、入射光を遮る材料で形成される。例えば、遮光膜31として導電性の材料を用いる場合は、アルミニウム、タングステンなどを用いる。また遮光膜31として有機材料を用いる場合は、カーボンブラックや、チタンブラックを含む有機膜など黒色の色材を分散した材料を用いる。図7Bに示すように、遮光膜31上に第1のフォトレジスト32を形成する。第1のフォトレジスト32は、第2遮光部18と同様に十字形状を有し、該十字形状の幅が第2遮光部18よりも大きい開口部を画素領域の角部に有する図7BのA。第1のフォトレジスト32をマスクとして、その下地の遮光膜31をドライエッチングする図7C参照。ここでは、図7CのBに示すように、遮光膜31の厚さ以下でエッチングが終了するようにドライエッチングが行われる。これにより、遮光膜31には凹状の穴が形成される。ドライエッチングが終了すると、第1のフォトレジスト32が除去され、遮光膜31上に第2のフォトレジスト33が形成される。第2のフォトレジスト33は、画素領域の辺部に第1遮光部17と、画素領域の角部に第2遮光部18と同様の形状になるように形成される。従って、第2のフォトレジスト33のうち画素領域の角部に形成される部分は、遮光膜31の凹状の穴の内側に形成される図7DのC参照。図7Eに示すように、第2のフォトレジスト33をマスクとして、その下地の遮光膜31をドライエッチングし、図7Fに示すように、第2のフォトレジスト33を除去することで、第1遮光部17、第2遮光部18が形成される。このように、フォトレジストパータン及びドライエッチングをそれぞれ2回行うことで、厚さの異なる第1遮光部17と第2遮光部18を形成することができる。次に図8A~Fを用いて、本実施形態に係る固体撮像装置1の第1、第2遮光部17,18の別の製造方法第2の製造方法について説明する。図8A~Fのaは画素領域の辺方向における断面図を、bは画素領域の対角方向における断面図を示す。図8中の波線は、画素領域の境界を示す。図8Aは、図7Bと同じであるため説明を省略する。図8Bに示すように、遮光膜31上に第1のフォトレジスト34を形成する。第1のフォトレジスト34は、画素領域の境界に形成され、厚さが一定の格子形状を有する。第1のフォトレジスト34をマスクとして、その下地の遮光膜31をドライエッチングする図8C参照。ここでは、図7CのBと異なり、遮光膜31と同じ厚さでエッチングが終了する。これにより、遮光膜31は、厚さが一定の格子形状となる。ドライエッチングが終了すると、第1のフォトレジスト34が除去され、遮光膜31上に第2のフォトレジスト35が形成される。第2のフォトレジスト35は、画素領域の角部に、第2遮光部18と同じ十字形状の開口部を有する。第2のフォトレジスト35をマスクとして、その下地の遮光膜31をドライエッチングする。ここでは、遮光膜31を、第1遮光部17より薄くなるようにエッチングが行われる。これにより、第1遮光部17より膜厚が薄い第2遮光部18を形成する。図8Fに示すように、ドライエッチング後、第2のフォトレジスト35を除去することで第1遮光部17、第2遮光部18が形成される。このように、先に格子状の遮光膜31を形成してから厚さの異なる第1遮光部17と第2遮光部18を形成することもできる。図9を用いて、第1,第2遮光部17,18の第3の製造方法について説明する。図9aはフォトレジスト46の平面図、図9bは辺方向の断面図、図9cは対角方向の断面図である。遮光膜31を形成する方法は、図7Aと同じである。遮光膜31上に図9に示すフォトレジスト46を形成するフォトレジスト46は、画素領域の辺部に形成され一定の厚さを有する第1レジスト48と、画素領域の角部に形成され第1レジスト48より薄い第2レジスト49とを有する。フォトレジスト46をマスクとし、遮光膜31のドライエッチング条件フォトレジスト46と遮光膜31のエッチング選択比を調整することで、第1、第2遮光部17,18を形成する。これにより、1回のドライエッチングで厚さの異なる第1遮光部17と第2遮光部18を形成することができる。次に図10A~Cを用いて、第1,2遮光部17,18の第4の製造方法について説明する。第4の製造方法では、遮光膜31を形成する前に、突起部40を形成する点が第1~第3の製造方法と異なる。図10A~Cのaは、画素領域をマイクロレンズが形成される方向から見た平面図、bは画素領域の辺方向図10aのa-a’方向の断面図、cは画素領域の対角方向図10aのb-b’方向の断面図である。図10中の波線は画素領域の境界を示す。まず画素部3が形成された基板11上に突起部40を形成する図10A。突起部40は、例えばシリコン酸化膜などで形成される。突起部40は、基板11上の画素領域の辺部に一定の厚みを持った直方体形状に形成される。次に、基板11及び突起部40の上に絶縁膜30を形成する図10B。絶縁膜30を形成した後、画素領域の内部の絶縁膜30を除去する図10C。これにより、画素領域の辺部には突起部及び遮光膜31の厚さと同じ膜厚を有する第1遮光部17が、画素領域の角部には遮光膜31の厚さと同じ膜厚を有する第2遮光部18が形成される。第1~第4の方法などで第1、2遮光部17,18を形成した後に、カラーフィルタ15を形成する。以下、図11A~Eを用いてカラーフィルタ15の形成方法の一例を説明する。図11A~Eのaは画素領域の辺方向の断面図、bは画素領域の対角方向の断面図である。図11Aに示すように、第1色目フィルタ成分ここではGreenの分光特性を有するように複数の顔料が添加された光重合ネガ型フォトレジストGreenフォトレジスト41が絶縁膜30及び第1,2遮光部17,18の上に塗布される。次に、フォトリソグラフィー法を用いてGreenフォトレジスト41をパターニングする。ここでは、第1,2遮光部17,18に囲まれたGreenフォトレジスト41が市松模様に配置されるようにパターニングする。図11BのA,Bに示すように、Greenフォトレジスト41のパターンエッジは、第1,2遮光部17,18のマイクロレンズ16側の端面上で形成される。すなわち、Greenフォトレジスト41は、第1,2遮光部17,18のマイクロレンズ16側の端面と一部接している。図11Cに示すように、第2色目フィルタ成分ここではBlueの分光特性を有するように複数の顔料が添付された光重合ネガ型フォトレジストBlueフォトレジスト42が絶縁膜30、第1,2遮光部17,18、及びGreenフォトレジスト41の上に塗布される次に、フォトリソグラフィー法を用いてBlueフォトレジスト42をパターニングする。ここでは、第1,2遮光部17,18に囲まれたBlueフォトレジスト42が線順次に配列されるようにパターニングする。続いて、第3色目フィルタ成分ここではRedの分光特性を有するように複数の顔料が添付された光重合ネガ型フォトレジストRedフォトレジストを形成する。Redフォトレジストを形成する方法は、Blueフォトレジスト42を形成する方法と同じであるため説明を省略する。図11Eに示すように、CMPChemicalMechanicalPolishingやドライエッチング法を用いて、Green,Blue,Redフォトレジストに対して平滑化処理を施す。平滑化処理は、カラーフィルタ15が第1遮光部17と同じ膜厚になるまで行われる。CMPを用いて各フォトレジストを平滑化した場合、第1遮光部17のマイクロレンズ16側の端面が研磨ストッパーとなる。なお、図12aに示すように、図11BでGreenフォトレジスト41のパターン密着性が悪い場合は、画素領域の対角方向のGreenフォトレジスト41を連結してもよい。これによりGreenフォトレジスト41の密着面積が拡大する。例えばGreenフォトレジスト41のパターニングを行う際、フォトマスクの連結部分の線幅ステッパーで縮小される際の線幅が0.3ミクロン以下とし、i-線露光を行う。これにより、Greenフォトレジスト41の膜厚は、画素領域の内部よりも画素領域の角部フォトマスクの連結部が薄くなる図12aのA参照。。これは、Greenフォトレジスト41が光重合ネガ型フォトレジストであるためである。Greenフォトレジスト41の解像度及びi-線露光の際の分解能等の観点から、フォトマスクの連結部分の線幅を0.3ミクロン以下とすると、Greenフォトレジスト41は十分な露光エネルギーを得ることができず、レジスト膜中で十分な光重合反応が促進しない。従って、Greenフォトレジスト41の膜厚は、画素領域の内部よりも画素領域の角部フォトマスクの連結部が薄くなる。また、図12bに示すように、図11CでBlueフォトレジスト42をパターニングする際に、Blueフォトレジスト42は、Greenフォトレジスト41とオーバーラップするようにパターニングしてもよい特に図12bのB参照。。これは、図11Eに示すように平滑化処理を行うため、第1遮光部17のマイクロレンズ16の端面より高い位置のカラーフィルタ15が消失するためである。なお、図示しないが、Redフォトレジストも同様に、Greenフォトレジスト41及びBlueフォトレジスト42にオーバーラップして形成してもよい。RedフォトレジストとGreenフォトレジスト41は、第1遮光部17のマイクロレンズ16側の端面上でオーバーラップする。RedフォトレジストとBlueフォトレジスト42は、第2遮光部18のマイクロレンズ16側の端面上でオーバーラップする。上述したカラーフィルタ15の形成例では、Green、Blue、Redの順に色目フィルタ成分を形成したが、色目フィルタ成分の形成順はこれに限られない。図13A~Fを用いてマイクロレンズ16の形成方法を説明する。図13のA~Fのaは画素領域の辺方向の断面図、bは画素領域の対角方向の断面図である。図13Aに示すように、カラーフィルタ15を形成した後、カラーフィルタ15上にマイクロレンズ母材43を形成する。マイクロレンズ母材には、ポリスチレン系樹脂、ノボラック系樹脂、これら樹脂とアクリル系樹脂の共重合系樹脂、或いはアクリル系樹脂の側鎖に芳香環を付与した樹脂などが用いられる。図13Bに示すように、マイクロレンズ母材43の上にポジ型フォトレジスト44を塗布する。ポジ型フォトレジスト44には、例えば主成分としてノボラック樹脂が用いられる。次に、ポジ型フォトレジスト44を、フォトリソグラフィー法を用いて各画素に対応してパターニングする図13C。パターン形成したポジ型フォトレジスト44を熱軟化点より高い温度で熱処理を行い、レンズ形状のポジ型フォトレジスト44を形成する図13D。ポジ型フォトレジスト44の線幅は、画素領域の辺方向w1が対角方向w2より狭くなる。レンズ形状のポジ型フォトレジスト44をマスクとして、ドライエッチング法を用いて該レンズ形状を下地のマイクロレンズ母材43にパターン転写する図13E。ポジ型フォトレジスト44の線幅は、画素領域の辺方向w1が対角方向w2より狭いため、画素領域の辺方向で隣接するレンズは実質的に間隔がないが、対角方向で隣接するレンズは間隔がある。本実施形態に係る固体撮像装置1では、対角方向で隣接するレンズの間隔をなくすため、エッチングを継続して行う。図13Fに示すように、辺方向で隣接するレンズの間隔が実質的になくなった後もエッチングを継続して行うことで、対角方向で隣接するレンズの間隔が実質的にゼロとなる。上述したようにマイクロレンズ16を形成することで、マイクロレンズ16は、画素境界の辺部の厚さh4が、角部の厚さh5より厚くなる。つまり、マイクロレンズ16は、上面の高さが同一で、画素領域の角部に形成されたマイクロレンズ16の底面隣接するマイクロレンズ16が接する箇所より、辺部に形成されたマイクロレンズ16の底面が低い位置カラーフィルタ15により近い位置に形成される。以上のように、第1実施形態に係る固体撮像装置1によると、画素領域の辺部に第1遮光部17を、画素領域の角部に第1遮光部17より薄い第2遮光部18を設けることで、マイクロレンズ16以外のレンズを用いることなく遮光膜で反射する入射光を減らすことができ、固体撮像装置1の光感度の低下を抑制することができる。また第1遮光部17の膜厚を低くせず、カラーフィルタ15と同じ膜厚としているため、入射光が隣接する光電変換素子PDに漏れる混色を低減することができる。本実施形態に係る固体撮像装置1は、カラーフィルタ15の光電変換素子PD側の面からマイクロレンズ16の角部までの距離d3を、カラーフィルタ15の膜厚d1より短くすることができ、マイクロレンズ16をより薄く形成することが可能となる。このため、固体撮像装置1をさらに薄くすることが可能となる。変形例1次に、図14を用いて第1実施形態の変形例1を説明する。カラーフィルタ15の膜厚を、図11に示すように第1遮光部17と同一とすることが難しい場合がある。カラーフィルタ15は通常フォトリソグラフィー法を用いて形成される。色素染料や顔料を添加した感光性樹脂いわゆるフォトレジストがカラーフィルタ15の材料となる。カラーフィルタ15の材料として、感光性樹脂をベース組成とした光重合ネガ型フォトレジストを用いた場合、その固形分中には、色素、分散樹脂、モノマー、光重合開始剤や添加剤などが含まれる。カラーフィルタ15は、各色目フィルタ成分で分光特性が異なるため、同じ顔料が共通で使用される場合もあるが、主にその固形分中に添加される顔料種やその添加量が異なる。顔料種やその添加量が異なるため、カラーフィルタ15の固形分中に含まれる分散樹脂、モノマー、光重合開始剤や添加剤などの添加量やその種類も異なる場合がある。顔料を添加した感光性樹脂は、通常紫外線例えばi-線を用いてパターニング露光される。顔料は紫外線を吸収するため、感光性樹脂をベース組成とした光重合ネガ型レジストをパターン露光する場合、露光された部分の重合反応が効率よく進行しない。通常の感光性樹脂は、パターニング特性を重視してその材料組成が決定されるが、顔料が添加された感光性樹脂は、添加された顔料の影響でパターニング特性を確保することが難しい。また、固体撮像装置1の特性を向上させるためには、マイクロレンズ16から画素部3までの厚みを小さくする必要がある。カラーフィルタ15の膜厚も薄膜化が望まれている。分光特性を維持したままカラーフィルタ15の膜厚を薄く形成するためには、カラーフィルタ15に含まれる顔料濃度を濃くしなければならない。カラーフィルタ15の顔料濃度を濃くすると、紫外線の吸収が増大し、パターニング特性の確保がさらに困難となってしまう。そこで、本変形例では、カラーフィルタ15の平滑化処理を行わず、カラーフィルタ15の膜厚を第1遮光部17より厚くする場合の例を説明する。カラーフィルタ15の形成方法は、図111~4と同じである。ただし、Greenフォトレジスト41、Blueフォトレジスト42、及びRedフォトレジストをオーバーラップして形成している場合は、各フォトレジストがオーバーラップしない程度まで平滑化処理を行ってもよい。図14に、カラーフィルタ15の平滑化処理を行わない場合の固体撮像装置1の断面図を示す。図14aは、画素領域の辺方向における固体撮像装置1の断面図、図14bは、対角方向における固体撮像装置1の断面図を示す。図14に示すように、カラーフィルタ15の平滑化処理を行わない場合も第1実施形態と同様の効果を得ることができる。変形例2次に、図15を用いて第1実施形態の変形例2を説明する。図15aは、本変形例に係る固体撮像装置の辺方向における断面図、図15bは、対角方向における断面図を示す。本変形例に係る固体撮像装置は、遮光膜とカラーフィルタ15の間にカラーフィルタ15よりも屈折率の低い膜59を形成している点で第1実施形態と異なる。膜59の材料としては、シリコン酸化膜SiOやシリコン酸化炭化膜SiOCや、アクリル系樹脂などが挙げられる。膜59は、第1遮光部17及び第2遮光部18形成後に形成される。例えば、膜59がシリコン酸化膜やシリコン酸化炭化膜などの場合はプラズマCVD法を、アクリル系樹脂などの場合は塗布法を用いて、膜59が形成される。また、変形例2の別の例を図16に示す。膜59は、複数の膜を積層して形成してもよい。図16では、膜59として、アクリル系樹脂などで形成された膜591と、シリコン酸化膜SiOやシリコン酸化炭化膜SiOCなどで形成された膜592との2層を積層した膜を用いている。さらに、変形例2の別の例を図17に示す。図17では、膜592を、第1遮光部17及び第2遮光部18の第1の端面に設けている点で図16の固体撮像装置と異なる。図17に示すように、膜592を、第1遮光部17及び第2遮光部18の第1の端面に設けることで、カラーフィルタ15を所望の膜厚としつつ固体撮像装置の低背化が図れる。以上のように、遮光膜形成後、カラーフィルタ15より屈折率の低い膜59を形成し、カラーフィルタ15を形成することで、入射した光が膜59によって全反射しやすくなり、固体撮像装置の集光率が向上する。また、カラーフィルタ15と絶縁膜との密着性を向上させることができる。第2実施形態図18~図20を用いて本発明の第2実施形態に係る固体撮像装置100を説明する。本実施形態に係る固体撮像装置100はカラーフィルタが異なる点を除き、第1実施形態に係る固体撮像装置1と同じ構成を有し、同様の製造方法で製造できるため、同一符号を付し重ねての説明を省略する。本実施形態に係る固体撮像装置100のカラーフィルタ50は、第2及び第3色目フィルタ成分が第1色目フィルタで囲まれており、第1色目フィルタ成分には画素領域の角部にホールが形成されている。図18は、カラーフィルタ50の平面図である。図18の波線は、画素領域の境界を示す。カラーフィルタ50は、ホール51が形成されたグリーンフィルタ成分2Gと、ブルーフィルタ成分2Bと、レッドフィルタ成分2Rとを有する。カラーフィルタ50は、ブルーフィルタ成分2Bとレッドフィルタ成分2Rが、周囲をグリーンフィルタ成分2Gで囲まれるようなパターンに形成される。すなわち、グリーンフィルタ成分2G、ブルーフィルタ成分2B及びレッドフィルタ成分2Rは、それぞれ略正四角形状に形成される。そのうち、グリーンフィルタ成分2Gは、隣接する四隅部52が接触して全体として連続一体に形成される。従って、ブルーフィルタ成分2Bとレッドフィルタ成分2Rは、それぞれ単位フィルタ成分でみると、グリーンフィルタ成分2Gより面積が小さく、それぞれグリーンフィルタ成分2Gに囲まれて独立に形成される。グリーンフィルタ成分2Gの四隅部52は、画素領域の角部に形成される。グリーンフィルタ成分2Gの四隅部52には、ホール51が形成される。各フィルタ成分2R,2G,2Bを形成する材料としては、材料固形分中に感光成分を含まない材料を用いてもよい。フィルタ成分材料としては、顔料分散液とバインダー樹脂とモノマーと光重合開始剤と溶剤とから成る光硬化型材料で構成することができる。あるいは、フィルタ成分材料としては、顔料分散液とバインダー樹脂と熱硬化剤と溶剤とから成る熱硬化型材料で構成することができる。バインダー樹脂としては、例えばアクリル系樹脂、ノボラック系樹脂、スチレン系樹脂や、それらの共重合系樹脂を用いることができる。熱硬化剤としては、例えばメラミン系硬化剤、尿素系硬化剤、エポキシ系硬化剤などを用いることができる。溶剤としては、例えば乳酸エチル及びジメチルホルムアミドを用いることができる。次に、図19、図20を用いて本実施形態に係る固体撮像装置100の製造方法を説明する。なお、カラーフィルタ50の製造方法以外は第1実施形態と同じである。図19A~Fのaは、図18のa-a’におけるカラーフィルタ50の断面図である。図19A~Fのbは、図18のb-b’におけるカラーフィルタ50の断面図である。図19A~Fのcは、図18のc-a’におけるカラーフィルタ50の断面図である。図19A~Fのdは、図18のc-c’におけるカラーフィルタ50の断面図である。まず、図19Aに示すように、基板11の上にブルーフィルタ成分2Bを形成する。ブルーフィルタ成分2Bの分光特性を有するように複数の顔料が添加された光重合ネガ型フォトレジストBlueフォトレジストが基板11の上に塗布される。次に、図18に示すようにブルーフィルタ成分2Bが配置されるよう、フォトリソグラフィー法を用いてBlueフォトレジストをパターニングする。Blueフォトレジストのパターンエッジは、第1,2遮光部17,18のマイクロレンズ16側の端面上で形成される。すなわち、Blueフォトレジストは、第1,2遮光部17,18のマイクロレンズ16側の端面と一部接している。図19Bに示すように、基板11の上にレッドフィルタ成分2Rを形成する。レッドフィルタ成分2Rの分光特性を有するように複数の顔料が添加された光重合ネガ型フォトレジストRedフォトレジストが基板11の上に塗布される。次に、図18に示すようにレッドフィルタ成分2Rが配置されるよう、フォトリソグラフィー法を用いてRedフォトレジストをパターニングする。Redフォトレジストのパターンエッジは、第1,2遮光部17,18のマイクロレンズ16側の端面上で形成される。すなわち、Redフォトレジストは、第1,2遮光部17,18のマイクロレンズ16側の端面と一部接している。なお、レッドフィルタ成分2R及びブルーフィルタ成分2Bの形成順は入れ替えてもよい。すなわち、レッドフィルタ成分2Rを形成した後にブルーフィルタ成分2Bを形成してもよい。図19Cに示すように、ブルーフィルタ成分2B及びレッドフィルタ成分2Rを形成した後に無機膜53を形成する。無機膜53としては、例えばシリコン酸化膜や、シリコン酸化窒化膜などが用いられる。なお、図示は省略するが、無機膜53として、シリコン酸化窒化膜を用いた場合、成膜条件を調整して屈折率をマイクロレンズ16と同じになるよう調整してもよい。これにより、無機膜53での界面反射が低減し、固体撮像装置100の集光特性を向上させることができる。図19Dに示すように、無機膜53の上にグリーンフィルタ成分2Gを形成する。ここでは、フォトリソグラフィー法を用いてGreenフォトレジストをパターニングすることで、グリーンフィルタ成分2Gを形成する。次に、図19Eに示すようにグリーンフィルタ成分2Gにホール51を形成する。図20に示す、画素領域の角部である四隅部52に幅wの遮光部54を有するマスク55を用いてホール51を形成する。マスク55を用いてリソグラフィー法でパターンを形成することでホール51は形成される。Greenフォトレジストは、光重合ネガ型フォトレジストであるため、マスク55を用いてパターンを形成することで、画素領域の角部四隅部52にホール51が形成される。また、ホール51以外の領域は、マスク55の開口領域露光される光が透過する領域で露光されるため、光重合反応が充分進行する。これにより、Greenフォトレジストが硬化し、無機膜53上にグリーンフィルタ成分2Gが形成される。遮光部54の幅wや露光量を調整することで、グリーンフィルタ成分2Gに形成されるホール51の大きさ径や深さが決定される。図19Eでは、第2遮光部18上部までホール51が形成された例を示しているが、第2遮光部18上にグリーンフィルタ成分2Gを残してホール51を形成してもよい図示せず。この場合、グリーンフィルタ成分2Gの断面が凹形状を示すホール51が形成される。図19Fに示すように、CMPChemicalMechanicalPolishingやドライエッチング法を用いて、Green,Blue,Redフォトレジストに対して平滑化処理を施す。平滑化処理は、カラーフィルタ15が第1遮光部17と同じ膜厚になるまで行われる。CMPを用いて各フォトレジストを平滑化した場合、第1遮光部17のマイクロレンズ16側の端面が研磨ストッパーとなる。以上のように、本実施形態に係る固体撮像装置100は、第1実施形態に係る固体撮像装置1と同様の効果が得られるとともに、グリーンフィルタ成分2Gの各四隅部52が接触して連続一体に形成されるので、カラーフィルタ50が剥離しにくくなる。さらに、第2遮光部18の上にホール51を形成することで、図6に示す例と同様に固体撮像装置100を薄くすることができる。また、無機膜53が第1,2遮光部17,18を覆うことで、第1,2遮光部17,18表面の反射が低減し、固体撮像装置100のフレアの低減等を図ることができる。なお、ブルーフィルタ成分2B及びレッドフィルタ成分2Rは、ハードマスクを利用して、グリーンフィルタ成分2Gに対してセルフアライメントで形成してもよい。第3実施形態次に、図21~図23を用いて第3実施形態に係る固体撮像装置200を説明する。本実施形態に係る固体撮像装置200は、遮光膜の一部を基板11に埋め込んでいる点を除き第1実施形態に係る固体撮像装置1と同じ構成を有し、同様の製造方法で製造できるため、同一符号を付し重ねての説明を省略する。図21aは、第3実施形態に係る固体撮像装置200の辺方向の断面図、図21bは対角方向の断面図である。図21に示すように、固体撮像装置200は、画素2とカラーフィルタ15との間に設けられ、トレンチ部62が形成された基板63と、基板63の裏面に形成された膜60とを有する。基板63は、基板63の裏面側に所望の深さに形成されたトレンチ部62を有している。トレンチ部62は、基板63の画素領域の角部に、第2遮光部18と同じ十字形状を有するように形成される。トレンチ部62の内部には第2遮光部61が形成される。第2遮光部61のマイクロレンズ側の端面第1の端面は、基板63と面一に構成される。第2遮光部61の厚さd2は、第1遮光部17の厚さd1と同じであっても、長くても短くてもよい。第2遮光部61の材料は、第1遮光部17と同じである。第2遮光部61のマイクロレンズ側の端面は、基板63と面一に構成されるため、画素2から第2遮光部61のマイクロレンズ側の端面までの距離は、基板63の厚さと同じになる。一方、第1遮光部17は、基板63上に形成されるため、画素2から第1遮光部17のマイクロレンズ側の端面までの距離は、基板63の厚さと第1遮光部17の厚さとを合わせたものとなる。従って、第1遮光部17は、画素2からマイクロレンズ16に最も近い面第1の端面までの距離が、第2遮光部18よりも長くなっている。なお、ここでは図示しないが、第1実施形態と同様に第2遮光部61と、膜60との間にバリアメタルを設けてもよい。膜60は、例えばシリコン酸化膜SiOやシリコン酸化炭化膜SiOCや、アクリル系樹脂などを材料とし、プラズマCVD法や塗布法を用いて形成される。次に、図22を用いて本実施形態に係る固体撮像装置200の製造方法を説明する。図22A~Fのaは固体撮像装置200の辺方向の断面図、bは固体撮像装置200の対角方向の断面図である。図22Aに示すように画素2上の基板63の裏面にフォトレジスト56を形成し、素子分離領域24の第2遮光部61を形成する領域に開口部が形成されるように露光、現像する。図22Bに示すように、所望の形状にパターニングされたフォトレジストをマスクとしてドライエッチングすることで基板63の裏面から所望の深さに達するトレンチ部62を形成する。トレンチ部62の深さd2は、基板63の裏面側から入射する斜め入射光を受光面側で遮光できる程度の深さに形成されればよく、本実施形態では、基板63の裏側から例えば500nm~1000nmの深さでトレンチ部62を形成する。次に、基板63の裏面上に膜60を、例えばプラズマCVD法や塗布法を用いて形成する図22C。膜60を形成後、膜60上に遮光膜31を形成する図22D。遮光膜31の上に図23に示すフォトレジスト64を形成する図22E。図23の波線は、画素領域の境界を示す。図23に示すようにフォトレジスト64は、第1遮光部17と同様に四角形状を有し、画素領域の辺部に形成される。フォトレジスト64をマスクとして、その下地の遮光膜をドライエッチングする。ここでは、画素領域の内部に基板63の表面が露出するよう、第1遮光部17の厚さd1と同じ深さまで遮光膜がドライエッチングされる。図22Fに示すように、ドライエッチング後フォトレジストを除去することで、第1遮光部17、第2遮光部61が形成される。以上のように、本実施形態に係る固体撮像装置200は、第1実施形態と同じ効果を得られるととともに、第2遮光部61を基板63に埋め込むことで、第2遮光部61の厚さを図2に示す固体撮像装置1の第2遮光部18より厚くすることができる。これにより、入射光が隣接する光電変換素子PDに漏れる混色の低減効果を向上させることができる。なお、本実施形態に係る第2遮光部61は、マイクロレンズ側の端面が基板63の裏面と面一になるよう形成しているが、図24bに示すように裏面から突出しているように構成してもよい。また、図24aに示すように第1遮光部17の一部も基板63に埋め込むように形成してもよい。また、画素2上に基板63を設け遮光膜を形成するのではなく、画素2の素子分離領域24に遮光膜を埋め込むようにしてもよい。この場合、第1遮光部17、第2遮光部61のトレンチ部62内に設けられている部分図24のAと、トレンチ部62内に設けられていない部分図24のBとで異なる黒色顔料を含むようにしてもよい。例えば、トレンチ部62内に設けられている部分Aを導電性の材料で構成し、トレンチ部62外に設けられている部分Bを黒色の色材を分散した有機材料で構成してもよい。画素2の素子分離領域24に遮光膜を埋め込む場合、第1,2遮光部17、61の画素2からマイクロレンズ16に最も近い面第1の端面までの距離は図24のBの部分の厚さとなり、第1遮光部17の方が第2遮光部18よりも長くなっている。本実施形態では、トレンチ部62を基板63の素子分離領域24に設けているが、例えば画素2の表面とカラーフィルタ15の間にシリコン層が存在する場合は、該シリコン層にトレンチ部を設けてもよい。これらトレンチ部62が設けられるシリコンの領域をまとめてシリコン層と称する。トレンチ部62は、シリコン層のカラーフィルタ15と接する面側から所望の深さに形成される。本実施形態では、図2に示す固体撮像装置1の第2遮光部18を基板11に埋め込んだ例について説明したが、図14に示す固体撮像装置100の第2遮光部18を基板11に埋め込んでもよい。第4実施形態続いて、図25及び図26を用いて本発明の第4実施形態に係る固体撮像装置300を説明する。固体撮像装置300は、第1実施形態に係る固体撮像装置1に瞳補正をおこなったものである。それ以外の点は、固体撮像装置1と同じであるため同一符号を付し重ねての説明を省略する。固体撮像装置300の基板11の中央画素では垂直入射光が多く入射し、周辺画素では斜め入射光が多く入射する。図5Dに示すように、画素2、カラーフィルタ15及びマイクロレンズ16を一直線上に配置すると斜め入射光に対して光感度が低下する。そこで、本実施形態に係る固体撮像装置300では、図25に示すように、カラーフィルタ15を配置するピッチP1よりもマイクロレンズ16を配置するピッチP2を小さくしている。図25は、固体撮像装置300のマイクロレンズ側からみた平面図である。図示しないが、画素2を配置するピッチは、カラーフィルタ15と同じであるものとする。図26a、bに、基板11の周辺画素図25のAの断面図を示す。図26aは周辺画素の辺方向における断面図、図26bは周辺画素の対角方向における断面図を示す。なお、中心画素の断面図は図5a、bと同じであるため説明を省略する。図26c、dは、図26a、bの第2遮光部18の膜厚d2を第1遮光部17の膜厚d1と同じとした場合の固体撮像装置を示している。すなわち、図5c、dに示す固体撮像装置に瞳補正を行っている。図26a、bに示すように、マイクロレンズ16の中心c2は、カラーフィルタ15の中心c1に対し、基板11の中心方向にずらして配置される。図26dに示すように、第2遮光部18の膜厚d2を第1遮光部17の膜厚d1と同じとした場合、瞳補正を行っても斜め入射光L1,L2ともにケラレてしまっている。このように、第2遮光部18の膜厚をカラーフィルタ15と同じ高さにしてしまうと、瞳補正の効果が得られにくい。一方、図26bに示すように、第2遮光部18の膜厚d2を第1遮光部17の膜厚d1より薄くすると、斜め入射光L1,L2ともにカラーフィルタ15に入射される。また、画素中心ではケラレていた斜め入射光L2図5b参照が、周辺画素ではケラレずにカラーフィルタ15に入射されていることがわかる。以上のように、本実施形態に係る固体撮像装置300は、第1実施形態と同様の効果が得られるとともに、瞳補正を行うことで基板の周辺部に設けられる画素でのケラレがさらに減少するため、特に周辺画素での固体撮像装置300の光感度を向上させることができる。本実施形態では、瞳補正を行うためマイクロレンズ16とカラーフィルタ15の中心をずらしているが、製造ばらつきによりずれてしまう場合がある。さらにドライエッチング装置や露光装置などの半導体製造装置の製造ばらつきにより第1遮光部17、第2遮光部18の線幅や形成位置がばらついてしまう可能性がある。第1遮光部17、第2遮光部18の線幅や形成位置がばらつくと、遮光膜とマイクロレンズ16との相対的な位置関係が変わり、ノイズの発生量がばらついたり光感度が低下したりする可能性がある。しかしながら、本実施形態に示すように、第2遮光部18の膜厚d2を第1遮光部17より薄くすることで、図26bに示したように第2遮光部18でケラレる入射光を少なくし、固体撮像装置300の特性を向上させることができる。なお、本実施形態では、第1実施形態の固体撮像装置1に対して瞳補正を行う場合について説明したが変形例1,2、第2、第3実施形態の固体撮像装置に対して同様の瞳補正を行っても同様の効果が得られる。第5実施形態次に、図27を用いて、本発明の第5実施形態では、固体撮像装置1の応用例を説明する。図27は、固体撮像装置1を電子機器400に応用した例を示す。電子機器400としては、例えばデジタルカメラや、携帯電話機等のカメラ、スキャナ、監視カメラ等が挙げられるが、ここでは電子機器400がデジタルカメラである場合について説明する。本実施形態に係る電子機器400は、固体撮像装置1と、光学レンズ210と、シャッタ装置211と、駆動回路212と、信号処理回路213とを有する。光学レンズ210は、被写体からの像光入射光を固体撮像装置1の撮像面上に結像させる。これにより固体撮像装置1内に一定期間信号電荷が蓄積される。シャッタ装置211は、固体撮像装置1への光照射期間及び遮光期間を制御する。駆動回路212は、固体撮像装置1の転送動作およびシャッタ装置211のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。固体撮像装置1は、駆動信号に基づき光電変換素子PDに蓄積された信号電荷を電気信号として出力する。信号処理回路213は、各種の信号処理を行う。信号処理回路213は、固体撮像装置1が出力する電気信号に対して信号処理を施して映像信号を生成し、逗子市内メモリなどの記憶媒体やモニタ等に出力する。以上のように、本実施形態に係る電子機器400は、第1実施形態に係る固体撮像装置1を搭載しているため、光感度を向上させることができ、映像信号の画質を向上させることができる。ここでは、電子機器400に第1実施形態に係る固体撮像装置1を搭載する例を示したが、電子機器400に変形例1,2、第2~第4実施形態に係る固体撮像装置を搭載してもよい。なお、上述した各実施形態では、固体撮像装置としてCMOS型の裏面照射型固体撮像装置を例に説明したが、CCD型の固体撮像装置であっても表面照射型固体撮像装置であっても本発明を適用できることは言うまでもない。最後に、上述した各実施形態の説明は本発明の一例であり、本発明は上述の実施の形態に限定されることはない。このため、上述した各実施の形態以外であっても、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。"