各々配向膜が形成された面が離間対向するように配置された一対の基板の間に挟持された強誘電性液晶に発生した配向欠陥部に光を照射して、前記配向欠陥部のみを局所的にスメクティックC相の状態からスメクティックA相の相転移温度以上の温度に加熱する加熱ステップと、前記加熱ステップにより加熱した前記配向欠陥部を、前記スメクティックA相の相転移温度以上の所定の設定温度で一定時間加熱保持する加熱保持ステップと、前記一定時間経過後に前記配向欠陥部を一定の割合で前記スメクティックC相の相転移温度以下の温度まで低下させる降温ステップとを含むことを特徴とする強誘電性液晶の配向方法。前記加熱ステップは、前記配向欠陥部に照射する光として、前記配向膜が吸収可能な波長の光を用いることを特徴とする請求項1記載の強誘電性液晶の配向方法。特許文献1、2、または3記載の方法により強誘電性液晶にジグザグ欠陥が発生した液晶セルに対して、クリアリングを実施すれば、発生していたジグザグ欠陥を減少させることができる。しかしながら、ジグザグ欠陥は、主に強誘電性液晶が温度の低下に伴ってSmA相からSmC相へ相転移する際に発生するため、液晶セル全体をSmA相以上となる温度に加熱をしてしまうと、ジグザグ欠陥が発生し易い過程を再度通過することとなって、その時点で新たにジグザグ欠陥が発生し、ジグザグ欠陥を効率良く減少させることができないという問題がある。本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、強誘電性液晶に発生した配向欠陥部を、効率良く減少させることが可能な強誘電性液晶の配向方法を提供することを目的とする。上記の目的を達成するため、本発明の強誘電性液晶の配向方法は、各々配向膜が形成された面が離間対向するように配置された一対の基板の間に挟持された強誘電性液晶に発生した配向欠陥部に光を照射して、配向欠陥部のみを局所的にスメクティックC相の状態からスメクティックA相の相転移温度以上の温度に加熱する加熱ステップと、加熱ステップにより加熱した配向欠陥部を、スメクティックA相の相転移温度以上の所定の設定温度で一定時間加熱保持する加熱保持ステップと、一定時間経過後に配向欠陥部を一定の割合でスメクティックC相の相転移温度以下の温度まで低下させる降温ステップとを含むことを特徴とする。また、上記の目的を達成するため、本発明の強誘電性液晶の配向方法は、上記加熱ステップが、配向欠陥部に照射する光として、配向膜が吸収可能な波長の光を用いることを特徴とする。本発明によれば、強誘電性液晶に発生した配向欠陥部を、効率良く減少させることができる。次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。図1は、本発明になる強誘電性液晶の配向方法の一実施の形態を模式的に示す。同図において、強誘電性液晶表示素子以下、液晶セル11は従来の製造方法により製造された表示素子で、前述したように、各々配向膜図示せずが形成された面が離間対向するように、シール材図示せずを介して互いに貼り合わされた一対の基板12と13との間に挟持された強誘電性液晶14に、配向欠陥部であるジグザグ欠陥部15cが発生している。ジグザグ欠陥部15cは、目的とする強誘電性液晶14のC2配向領域である15aと15bとの境界に存在するC1配向領域である。ここで、C2配向及びC1配向は、シェブロン構造におけるくの字の屈曲方向がラビング方向に対しどちらであるかにより分けられる。液晶セル11はSmC相の状態にある。本実施の形態では、この液晶セル11の上方の所定位置にランプヒータ21を配置して、ランプヒータ21からの照射光22をレンズ23を通してジグザグ欠陥15cに照射できるようにすると共に、液晶セル11の下面にパネルヒータ24を配置して、ジグザグ欠陥15cを修復する。なお、ランプヒータ21の代わりにレーザ光源などの他の光源を用いることもできる。次に、本実施の形態による強誘電性液晶の配向方法について、図2の温度対時間特性図及び図3のフローチャートを併せ参照して説明する。まず、液晶セル11の全体を、液晶セル11の下面側に設置されたパネルヒータ24によってSmC相の状態にある液晶セル11をSmC相からSmA相へ相転移する温度以下に保持するステップS1。この温度は、使用する強誘電性液晶14の種類により異なるもので、例えば75°C前後であり、効果的な温度範囲としては、SmA相の相転移温度T1に対して、例えば50°C以内であるが、この範囲に限定されるものではない。次に、配向欠陥部、すなわちジグザグ欠陥部15cを例えば目視などにより認識しステップS2、その位置の上方にランプヒータ21を位置決めするステップS3。続いて、ランプヒータ21をオンONとし、ランプヒータ21からレンズ23を通してジグザグ欠陥部15cに照射光22を照射するステップS4。照射光22の照射領域はジグザグ欠陥部15cの大きさによって異なるが、通常は10μmから1000μm以内の大きさである。照射領域の形も、円形や四角形などに限定されるものではなく、照射装置ここではランプヒータ21に適した形状を採用すればよい。ランプヒータ21の照射光22の場合には、通常はランプヒータ21にハロゲンランプを用いるので、吸収帯は赤外域の波長を用いる。従って、700nm以上の波長をカットするようなフィルタ等を設置しない構成のものを使用することが必要となる。なお、ランプヒータ21の代わりにレーザ光源を使用する場合は、使用するレーザ光22の波長は、ある程度、配向膜が吸収可能な波長を有するものが用いられる。これは、配向膜等の吸収による発熱によって、ジグザグ欠陥部15cの局所的な加熱を可能とするからである。例えば、ポリイミド等、有機膜もしくは高分子膜からなる配向膜の場合は、波長550nm以下のレーザ光を用いることが好ましい。以上のような照射光を用いてジグザグ欠陥部15cを加熱すると共に、ジグザグ欠陥部15cの周辺の温度を公知の方法によりモニタする。そして、このモニタによりジグザグ欠陥部15cの加熱昇温温度が所定の設定温度に達したかどうかを監視するステップS5。この設定温度は、修復対象のジグザグ欠陥部がある強誘電性液晶14の種類により異なるもので、例えば85°C前後であり、効果的な温度範囲としては、SmA相の相転移温度T1に対して、例えば50°C以内である。ただし、本発明はこの範囲に限定されるものではないが、少なくともSmA相の相転移温度T1以上の温度とする必要がある。なお、ジグザグ欠陥部15c以外の領域はSmC相以下の温度に保持されている。続いて、ジグザグ欠陥部15cの加熱昇温温度が所定の設定温度に達した時には、その設定温度を所定時間TPの間保持するステップS6。この設定温度を保持する効果的な所定時間TPは、加熱温度や液晶セル11の形成条件セルギャップ、配向膜の異方性、液晶分子のプレチルト角、強誘電性液晶14の種類等により変化するが、例えば1分以上であるが、この範囲に限定されるものではない。その後、液晶セル11の温度を所定温度以下に降温するステップS7。この降温方法は、例えば照射光22のパワーを徐々に低減するか、照射領域をジグザグ欠陥部15cから少しずつ移動することで局所的な加熱部の温度をSmC相の温度まで下げる方法などがある。パネルヒータ24によって加温されている液晶セル11の加熱温度本実施の形態の場合75°C前後まで下げることが好ましいが、少なくともSmA相の相転移温度T1以下の温度まで下げることが必要である。このようにして、液晶セル11は、図2に示すように、例えばSmA相の相転移温度T1より50°C低い温度から、上記の相転移温度T1より50°C高い設定温度でジグザグ欠陥部15cが局所的に所定の時間TP例えば1分間加熱保持された後、上記の相転移温度T1より50°C低い温度まで徐々に降温される。この場合、降温速度が重要であり、この降温過程の中で、ジグザグ欠陥部15cにおけるシェブロン構造の再構築が促進され、ジグザグ欠陥15cが効率良く減少する。具体的には、1°C分前後の降温速度が好適である。このように、本実施の形態によれば、局所的に発生するジグザグ欠陥部15cをSmA相の相転移温度以上の温度まで加熱した後に、SmC相の相転移温度以下の温度まで、徐々に降温させるようにしたため、その降温過程で、ジグザグ欠陥部15cの配向は周辺の正常な液晶分子の配向に修復されていく。これは、液晶分子間の相互作用によるもので、SmC相の相転移温度以下の温度に保持された周囲の正常な配向領域15a、15bに対して、ジグザグ欠陥部15cは与えられた熱エネルギーによって、SmA相の状態となっているが、徐々に温度が低下しSmC相となる際に、液晶分子に周囲の正常な配向領域15a、15bの配向方向に揃えようとする相互作用が働くためであり、ジグザグ欠陥部15cにおけるシェブロン構造の再構築が促進されることで、ジグザグ欠陥部15cが効率良く減少する。なお、液晶セル11全体をSmA相の相転移温度以上の温度に加熱する場合には、前述したように、正常な配向領域15a、15bも含めてジグザグ欠陥部15cが発生し易い過程を通過してしまうために、ジグザグ欠陥部15cを効率良く減少させることができない。本実施の形態では、ジグザグ欠陥部15cのみを局所的に加熱した後降温する場合に得られる上記の周辺正常部との配向規制力の相互作用によりジグザグ欠陥部15cを効率良く減少させることができる。また、本実施形態では、ジグザグ欠陥部15c以外は、スメクティックC相の相転移温度以下の温度に保持されるために、ジグザグ欠陥部15cは、最低限の熱エネルギーを与えるだけでスメクティックA相の相転移温度以上の温度となり、配向膜に与える熱的ダメージが少ないという特長も得られる。