"下記式1で表される繰返し単位を含む高分子化合物を含む層を有する有機光電変換素子。但し、式1中、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素、並びに、C、H及び/又はXXはヘテロ原子であるからなる置換基からなる群より選択される基であり、Ar1及びAr2は、それぞれ独立に、C及びHからなる二価の芳香環、並びに、C、H及びXXはヘテロ原子であるからなる二価の芳香環からなる群から選択される基である。R1が水素原子である請求項1に記載の有機光電変換素子。R1が水素原子であり、R2が結合する水素原子数が2以下の炭素原子である請求項1又は2に記載の有機光電変換素子。R1が水素原子であり、R2が結合する水素原子数が1以下の炭素原子である請求項1~3のいずれか一項に記載の有機光電変換素子。前記高分子化合物が、さらに式2~27で表される単位を1種以上含む請求項1~4のいずれか一項に記載の有機光電変換素子。前記高分子化合物の数平均分子量が1,000~500,000である請求項1~5のいずれか一項に記載の有機光電変換素子。前記高分子化合物の数平均分子量が2,500~100,000である請求項1~6のいずれか一項に記載の有機光電変換素子。前記高分子化合物が電子供与性有機材料である請求項1~7のいずれか一項に記載の有機光電変換素子。前記高分子化合物を含む層が有機光電変換層である請求項1~8のいずれか一項に記載の有機光電変換素子。請求項1~9のいずれか一項に記載の有機光電変換素子を製造する方法であって、前記高分子化合物を含有する溶液を塗布することにより前記高分子化合物を含む層を形成する工程を有する、有機光電変換素子の製造方法。本発明は、優れた光電変換効率を示す有機光電変換素子、及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明の実施形態は、下記式1で表される繰返し単位を含む高分子化合物を含む層を有する有機光電変換素子に関する。但し、式1中、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素、並びに、C、H及び/又はXXはヘテロ原子であるからなる置換基からなる群より選択される基であり、Ar1及びAr2は、それぞれ独立に、C及びHからなる二価の芳香環、並びに、C、H及びXXはヘテロ原子であるからなる二価の芳香環からなる群から選択される基である。本発明の実施形態として、例えば、R1が水素原子である有機光電変換素子、R1が水素原子であり、R2が結合する水素原子数が2以下の炭素原子である有機光電変換素子、R1が水素原子であり、R2が結合する水素原子数が1以下の炭素原子である有機光電変換素子、が挙げられる。また、本発明の実施形態は、前記高分子化合物が、さらに式2~27で表される単位を1種以上含む有機光電変換素子に関する。さらに、本発明の実施形態として、前記高分子化合物の数平均分子量が、1,000~500,000である有機光電変換素子、また、前記高分子化合物の数平均分子量が2,500~100,000である有機光電変換素子が挙げられる。また、本発明の実施形態の有機光電変換素子において、前記高分子化合物を電子供与性有機材料とすることが可能である。また、本発明の実施形態の有機光電変換素子において、前記高分子化合物を含む層を有機光電変換層とすることが可能である。さらに、本発明の実施形態は、上記有機光電変換素子を製造する方法であって、前記高分子化合物を含有する溶液を塗布することにより前記高分子化合物を含む層を形成する工程を有する、有機光電変換素子の製造方法に関する。本発明の有機光電変換素子は、優れた光電変換効率を示す。また、本発明の有機光電変換素子の製造方法は、優れた光電変換効率を示す有機光電変換素子を簡便に低コストで製造することができる方法である。[有機光電変換素子]本発明の実施形態の有機光電変換素子は、下記式1で表される繰返し単位を含む高分子化合物を含む層を有する。但し、式1中、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素、並びに、C、H及び/又はXXはヘテロ原子であるからなる置換基からなる群より選択される基であり、Ar1及びAr2は、それぞれ独立に、C及びHからなる二価の芳香環、並びに、C、H及びXXはヘテロ原子であるからなる二価の芳香環からなる群から選択される基である。[高分子化合物]有機光電変換素子に含まれる高分子化合物は、上記式1で表される繰返し単位を含む。式1中、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素、並びに、C、H及び/又はXからなる置換基から選択される。C、H及び/又はXからなる置換基としては、C及びHからなる脂肪族置換基、C及びHからなる芳香族置換基、C、H及びXからなる芳香族置換基、これら以外のC、H及び/又はXからなる置換基脂肪族置換基を含む等を挙げることができる。Xはヘテロ原子であり、Xとしては、O酸素原子、N窒素原子、S硫黄原子、Si珪素原子、ハロゲン原子等が挙げられる。Cは炭素原子であり、Hは水素原子である。なお、式1において、好ましくは、R1及びR2が同時に水素となることはない。C及びHからなる脂肪族置換基としては、直鎖状でも分岐状でもよい炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のシクロアルキル基、炭素数1~12のアルケニル基、炭素数1~12のアルキニル基等が挙げられる。C及びHからなる芳香族置換基としては、直鎖状でも分岐状でもよい炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のシクロアルキル基等を置換基として有していてもよいアリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、ビフェニル基等の多環アリール基、ナフチル基、アントラセニル基等の縮合環アリール基等が挙げられる。C、H及びXからなる芳香族置換基としては、直鎖状でも分岐状でもよい炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のシクロアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基を置換基として有していてもよいアリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基等が挙げられる。C、H及び/又はXからなる置換基脂肪族置換基を含むとは、具体的には、C、H及びXからなる置換基、C及びXからなる置換基、H及びXからなる置換基、Xからなる置換基等が挙げられる。C、H及び/又はXからなる置換基としては、アルコキシ基、アルキルチオ基、ヒドロキシ基、ヒドロキシアルキル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基、これらの置換基を有するアルキル基等が挙げられる。Ar1及びAr2は、それぞれ独立に、C及びHからなる二価の芳香環、並びに、C、H及びXXはヘテロ原子であるからなる二価の芳香環からなる群から選択される基である。Xとしては、O酸素原子、N窒素原子、S硫黄原子、Si珪素原子、ハロゲン原子等が挙げられる。C及びHからなる二価の芳香環としては、二価の単環、または、2個以上、好ましくは2~5個の環が縮合してなる縮合環等の芳香族炭化水素環が挙げられる。具体的には、それぞれ二価のベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、ペリレン環、テトラセン環、ペンタセン環、フルオレン環、インデノフルオレン環、アズレン環、ヘプタレン環、ビフェニレン環、インダセン環、アセナフチレン環、フェナレン環、フルオランテン環、アセフェナントリレン環、アセアントリレン環、トリフェニレン環、クリセン環、ナフタセン環、ピセン環、ペンタフェン環、テトラフェニレン環、ヘキサフェン環、ヘキサセン環、ルビセン環、コロネン環、トリナフチレン環、ヘプタフェン環、ヘプタセン環等の芳香族炭化水素環が挙げられる。C、H及びXXはヘテロ原子であるからなる二価の芳香環としては、二価の複素単環、または、2個以上、好ましくは2~5個の環が縮合してなる縮合環等の複素芳香環が挙げられる。具体的には、それぞれ二価のピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、チオフェンオキシド環、ベンゾチオフェンオキシド環、ジベンゾチオフェンオキシド環、チオフェンジオキシド環、ベンゾチオフェンジオキシド環、ジベンゾチオフェンジオキシド環、フラン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ピロール環、インドール環、ジベンゾピロール環、シロール環、ベンゾシロール環、ジベンゾシロール環、ボロール環、ベンゾボロール環、ジベンゾボロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、トリアジン環、シンノリン環、フェナントリジン環、ペリミジン環、キナゾリノン環、イソベンゾフラン環、イソインドール環、インドリジン環、クロメン環、ベンゾピラン環、キサンテン環、キノリジン環、フェナントリジン環、ナフチリジン環、インダゾール環、フタラジン環、プリン環、プテリジン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、フェナジン環等の複素芳香環が挙げられる。Ar1及びAr2としては、中でも、芳香族炭化水素環が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環及びアントラセン環がより好ましい。Ar1及びAr2の基は置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基、1価の複素環基等が挙げられる。高分子化合物において、上記式1で表される単位の含有割合は、有機光電変換素子の効率向上のために、モノマー仕込み比率で5~50が好ましく、10~50がより好ましく、20~50がさらに好ましい。なお、モノマー仕込み比率とは、上記式で表される単位を構成するためのモノマーのモル数/全モノマーのモル数をいう。5未満もしくは50を超えると、有機光電変換素子の光電変換層に用いた際に変換効率が低下する場合がある。有機光電変換素子の効率を向上させるためには、R1及びR2としては、R1が水素原子である高分子化合物が好ましく、またR1が水素原子で、R2が結合する水素原子数が2以下の炭素原子である高分子化合物がより好ましい。さらには、R1が水素原子で、R2が結合する水素原子数が1以下の炭素原子である高分子化合物がより好ましく、R1が水素原子で、R2が結合する水素原子数が0の炭素原子である化合物が最も好ましい。なお、R2が結合する水素原子数が2以下又は1以下、0の炭素原子であるとは、R2が、遊離炭素を有する置換基であって、遊離炭素に結合している水素原子数が2以下の置換基であることを意味する。換言すると、R2が、炭素原子トリメチル構造に結合している炭素原子から遊離原子価が出ている一価の基であり、該炭素原子に結合している水素原子数が2以下の一価の基であることを意味する。高分子化合物は、式1で表される繰返し単位に加え、好ましくは、ドナー性、アクセプター性を有する繰返し単位を少なくとも1種以上含む。ドナー性、アクセプター性を有する繰返し単位は特に限定されないが、上述のChemRev200910958685923などから引用される単位が適用できる。好ましくは、例えば、下記式2~27で表される単位を含む。なお、式27中、nは1以上の整数であり、好ましくは1~10、より好ましくは2~6である。上記式2~27で表される単位が有する置換基Rとしては、水素及び一価の基からなる群から選択される基であり、特に制限はないが、例えば、-R1、-OR2、-SR3、-OCOR4、-COOR5、-SiR6R7R8又はポリエーテルである下記式ただし、R1~R11は、水素原子、炭素数1~22個の直鎖、環状若しくは分岐アルキル基又は炭素数2~30個のアリール基若しくはヘテロアリール基を表し、a、b及びcは、1以上の整数、好ましくは1~4の整数を表す。で表される置換基を挙げることができ、それぞれは同一であっても異なっていてもよい。高分子化合物が共重合体である場合、すなわち、高分子化合物が式1で表される繰返し単位以外の繰返し単位、例えば、ドナー性、アクセプター性を有する繰返し単位を含む場合、高分子化合物は、交互、ランダム、ブロック、又はグラフト共重合体であってもよい。高分子化合物の数平均分子量は1,000~500,000であることが好ましい。高分子化合物の取り扱いの容易さや、有機光電変換素子の効率向上の観点から2,500~100,000であることがより好ましい。なお、数平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフィーGPCにより、標準ポリスチレンの検量線を用いて測定することができる。高分子化合物の製造方法としては、反応性置換基を有する単量体を用い、Suzukiカップリング反応等のニッケル触媒又はパラジウム触媒により重合する方法、Grignard反応により重合する方法、KumadaTamaoカップリング反応等のゼロ価ニッケル錯体により重合する方法、FeCl3等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、あるいは適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法等が例示される。反応性置換基としては、ハロゲン原子やホウ酸エステル等の縮合反応によって結合生成に関与する基が挙げられる。式1で表される単位を構成する、反応性置換基を有する単量体は、マロン酸ジエステルあるいはその誘導体を原料とする、アルキル化剤X-CH2-Ar1-Y1及び/又はX-CH2-Ar2-Y2X=ハロゲン、Y1及びY2=反応性置換基によるアルキル化や、続く、脱炭酸反応によって得ることができる。さらに、マロン酸ジエステルのアルキル化によって得られるα,α-ジアルキル化されたマロン酸ジエステルや、脱炭酸反応によって得られるα,α-ジアルキル酢酸エステルを中間体とする合成法を用いても得ることができる。あるいは、式1で表される単位を構成する、反応性置換基を有する単量体は、アセト酢酸エステルあるいはその誘導体を原料とする、アルキル化剤X-CH2-Ar1-Y1及び/又はX-CH2-Ar2-Y2X=ハロゲン、Y1及びY2=反応性置換基によるアルキル化、続く、脱炭酸反応によって得ることができる。さらに、アルキル化によって得られるα,α-ジアルキル化されたアセト酢酸エステルや、脱炭酸反応によって得られるα,α-ジアルキルケトンを中間体とする合成法を用いても得ることができる。高分子化合物は有機光電変換素子に用いられるものであり、その純度が光電変換効率等の素子の性能に影響を与えるため、不純物は極力除去することが好ましい。高分子化合物中から不純物を除去する方法は特に限定されないが、カラムクロマトグラフィー法、再結晶法、昇華法、再沈殿法、ソクスレー抽出法、GPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる分子量分画法、濾過法、イオン交換法、キレート法等を用いることができる。なかでも、低分子量成分を除去する場合には再沈殿法やソクスレー抽出法、GPCゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる分子量分画法が好ましく用いられ、金属成分を除去する場合には再沈殿法やキレート法、イオン交換法が好ましく用いられる。これらの方法のうち、複数を組み合わせてもよい。[有機光電変換素子の構成]次に、有機光電変換素子の構成について説明する。有機光電変換素子は、一般的に、少なくとも正極と負極を有し、これらの間に光電変換層を有する。有機光電変換素子は、さらにバッファ層を有してもよい。図1は本発明の実施形態の有機光電変換素子の一例を示す模式図である。図1において1は光電変換層、2は正極、3は負極、4はバッファ層、5は基板である。式1で表される繰返し単位を含む高分子化合物を含む層を、光電変換層やバッファ層に用いることができる。[光電変換層]有機光電変換素子の一例においては、光電変換層1が式1で表される繰返し単位を含む高分子化合物を含む。高分子化合物が、さらに、ドナー性電子供与性を有する繰返し単位を含んでいるか、または、アクセプター性電子受容性を有する繰返し単位を含んでいるかに応じて、高分子化合物を電子供与性有機材料として用いることも、電子受容性有機材料として用いることも可能である。電子供与性有機材料と電子受容性有機材料は混合されていても積層されていてもよい。混合されている場合は、電子供与性有機材料と電子受容性有機材料は分子レベルで相溶しているか、相分離している。この相分離構造のドメインサイズは特に限定されるものではないが通常1nm以上50nm以下のサイズである。積層されている場合は、p型半導体特性を示す電子供与性有機材料を有する層が正極側、n型半導体特性を示す電子受容性有機材料を有する層が負極側であることが好ましい。特に、変換効率の観点から、電子供与性有機材料および電子受容性有機材料が混合されていることが好ましい。光電変換層は5nmから500nmの厚さが好ましく、より好ましくは30nmから300nmである。また、光電変換層には、前述の高分子化合物以外の電子供与性有機材料p型有機半導体及び/又は電子受容性有機材料n型有機半導体を含んでいてもよい。ここで用いることができる電子供与性有機材料p型有機半導体としては、例えば、ポリチオフェン系重合体、ポリ-p-フェニレンビニレン系重合体、ポリ-p-フェニレン系重合体、ポリフルオレン系重合体、ポリピロール系重合体、ポリアニリン系重合体、ポリアセチレン系重合体、ポリチエニレンビニレン系重合体などの共役系重合体や、H2フタロシアニンH2Pc、銅フタロシアニンCuPc、亜鉛フタロシアニンZnPc等のフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、N,N’-ジフェニル-N,N’-ジ3-メチルフェニル-4,4’-ジフェニル-1,1’-ジアミンTPD、N,N’-ジナフチル-N,N’-ジフェニル-4,4’-ジフェニル-1,1’-ジアミンNPD等のトリアリールアミン誘導体、4,4’-ジカルバゾール-9-イルビフェニルCBP等のカルバゾール誘導体、オリゴチオフェン誘導体ターチオフェン、クウォーターチオフェン、セキシチオフェン、オクチチオフェンなど等の低分子有機化合物が挙げられる。電子受容性有機材料n型有機半導体としては、例えば、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボキシリックジアンハイドライドNTCDA、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボキシリックジアンハイドライドPTCDA、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボキシリックビスベンズイミダゾールPTCBI、N,N’-ジオクチル-3,4,9,10-ナフチルテトラカルボキシジイミドPTCDI-C8H、2-4-ビフェニリル-5-4-t-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾールPBD、2,5-ジ1-ナフチル-1,3,4-オキサジアゾールBND等のオキサゾール誘導体、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-t-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾールTAZ等のトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ホスフィンオキサイド誘導体、フラーレン化合物C60、C70、C76、C78、C82、C84、C90、C94を始めとする無置換のものと、[6,6]-フェニル-C61-ブチリックアシッドメチルエステル[6,6]-PCBM、[5,6]-フェニル-C61-ブチリックアシッドメチルエステル[5,6]-PCBM、[6,6]-フェニル-C61-ブチリックアシッドヘキシルエステル[6,6]-PCBH、[6,6]-フェニル-C61-ブチリックアシッドドデシルエステル[6,6]-PCBD、フェニル-C71-ブチリックアシッドメチルエステルPC70BM、フェニル-C85-ブチリックアシッドメチルエステルPC84BMなど、カーボンナノチューブCNT、ポリ-p-フェニレンビニレン系重合体にシアノ基を導入した誘導体CN-PPVなどが挙げられる。中でも、フラーレン化合物は電荷分離速度と電子移動速度が速いため、好ましく用いられる。電子供与性有機材料と電子受容性有機材料の含有比率重量分率は特に限定されないが、電子供与性有機材料:電子受容性有機材料の重量分率が、1~99:99~1の範囲であることが好ましく、より好ましくは10~90:90~10の範囲であり、さらに好ましくは20~60:80~40の範囲である。電子供与性有機材料と電子受容性有機材料は混合して用いることが好ましい。混合方法としては特に限定されるものではないが、所望の比率で溶媒に添加した後、加熱、撹拌、超音波照射などの方法を1種または複数種組み合わせて溶媒中に溶解させる方法が挙げられる。なお、光電変換層が一層からなる場合は、上述の含有比率はその一層に含まれる電子供与性有機材料と電子受容性有機材料の含有比率となり、光電変換層が二層以上の積層構造である場合は、光電変換層全体における電子供与性有機材料と電子受容性有機材料の含有比率を意味する。[電極]前記の正極および負極材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウムスズオキサイドITO、インジウム亜鉛オキサイド等からなる導電性材料を用いて作製された膜NESA等や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ITO、インジウム亜鉛オキサイド、酸化スズが好ましい。電極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、電極材料として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。さらに電極材料としては、金属、導電性高分子等を用いることができ、好ましくは一対の電極のうち一方の電極は仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びそれらのうち2つ以上の合金、又はそれらのうち1つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち1つ以上との合金、グラファイト又はグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム-銀合金、マグネシウム-インジウム合金、マグネシウム-アルミニウム合金、インジウム-銀合金、リチウム-アルミニウム合金、リチウム-マグネシウム合金、リチウム-インジウム合金、カルシウム-アルミニウム合金等が挙げられる。本発明の実施形態の有機光電変換素子においては、正極もしくは負極のいずれかが光透過性を有することが好ましい。[バッファ層]前記バッファ層としては、電荷輸送層、即ち、正孔輸送層、電子輸送層が挙げられる。バッファ層に用いられる材料として、前述の高分子化合物に加え、前述の電子供与性有機材料及び電子受容性有機材料や後述の材料がある。具体的には、正極と光電変換層の間にバッファ層正孔輸送層を設けてもよい。正孔輸送層を形成する材料としては、ポリチオフェン系重合体、ポリ-p-フェニレンビニレン系重合体、ポリフルオレン系重合体などの導電性高分子や、フタロシアニン誘導体H2Pc、CuPc、ZnPcなど、ポルフィリン誘導体などのp型半導体特性を示す低分子有機化合物が好ましく用いられる。特に、ポリチオフェン系重合体であるポリエチレンジオキシチオフェンPEDOTやPEDOTにポリスチレンスルホネートPSSが添加されたものが好ましく用いられる。正孔輸送層は0.2nmから600nmの厚さが好ましく、より好ましくは0.2nmから200nmである。正孔輸送層層は、MnOx、WO3、SnO2、In2O3、ZnO等の各種金属酸化物でドーピングしても良い。また、負極と光電変換層の間にバッファ層電子輸送層を設けてもよい。電子輸送層を形成する材料として、特に限定されるものではないが、上述の電子受容性有機材料NTCDA、PTCDA、PTCDI-C8H、オキサゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ホスフィンオキサイド誘導体、フラーレン化合物、CNT、CN-PPVなどのようにn型半導体特性を示す有機材料が好ましく用いられる。またフッ化リチウム等のアルカリ金属、アルカリ土類金属のハロゲン化物、酸化物、酸化チタン等無機半導体の微粒子等を使用しても良い。電子輸送層は0.2nmから600nmの厚さが好ましく、より好ましくは0.2nmから200nmである。[有機光電変換素子の製造方法]次に、本発明の実施形態である光電変換素子の製造方法について説明する。光電変換素子の製造方法は、上述の高分子化合物を含有する溶液を塗布することにより上述の高分子化合物を含む層を形成する工程を有する。製造方法の一例を具体的に示すと、まず、プラスチック、ガラス等の基板上にITOなどの透明電極この場合正極に相当をスパッタリング法などにより形成する。次に、式1で表される繰返し単位を含む高分子化合物、必要に応じその他の電子供与性有機材料及び/又は電子受容性有機材料を含む光電変換素子用材料を溶媒に溶解させて溶液を作り、透明電極上に塗布し光電変換層を形成する。このとき用いられる溶媒は有機溶媒が好ましく、例えば、メタノール、エタノール、ブタノール、トルエン、キシレン、o-クロロフェノール、アセトン、酢酸エチル、エチレングリコール、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、クロロナフタレン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N-メチルピロリドン、γ-ブチロラクトンなどが挙げられる。これらを2種以上用いてもよい。光電変換層の形成には、スピンコート塗布、ブレードコート塗布、スリットダイコート塗布、スクリーン印刷塗布、バーコーター塗布、鋳型塗布、印刷転写法、浸漬引き上げ法、インクジェット法、スプレー法など何れの塗布方法を用いてもよく、膜厚制御や配向制御など、得ようとする光電変換層特性に応じて形成方法を選択すればよい。また、塗布方法に代え、真空蒸着法を用いることも可能である。例えばスピンコート塗布を行う場合には、光電変換素子用材料を1~20g/Lの濃度光電変換素子用材料と溶媒を含む溶液の体積に対する、光電変換素子用材料の重量とすることができる。また、濃度を適宜調整することで厚さ5~200nmの均質な光電変換層を得ることが可能である。形成した光電変換層に対して、溶媒を除去するために、減圧下または不活性雰囲気下窒素やアルゴン雰囲気下などでアニーリング処理を行ってもよい。アニーリング処理の好ましい温度は40°C~300°C、より好ましくは50°C~200°Cである。また、アニーリング処理を行うことで、積層した層が界面で互いに浸透して接触する実行面積が増加し、短絡電流を増大させることができる。このアニーリング処理は、負極の形成後に行ってもよい。次に、光電変換層上にAlなどの金属電極この場合負極に相当を真空蒸着法やスパッタ法により形成する。金属電極は、電子輸送層に低分子有機材料を用いて真空蒸着した場合は、引き続き、真空を保持したまま続けて形成することが好ましい。正極と光電変換層の間に正孔輸送層を設ける場合には、例えば、正孔輸送層を形成するための材料を正極上にスピンコート法、バーコーティング法、ブレードによるキャスト法等で塗布した後、真空恒温槽やホットプレートなどを用いて溶媒を除去し、正孔輸送層を形成する。フタロシアニン誘導体やポルフィリン誘導体などの低分子有機材料を使用する場合には、真空蒸着機を用いた真空蒸着法を適用することも可能である。光電変換層と負極の間に電子輸送層を設ける場合には、例えば、所望の電子輸送層を形成するための材料を光電変換層上にスピンコート法、バーコーティング法、ブレードによるキャスト法、スプレー法等で塗布した後、真空恒温槽やホットプレートなどを用いて溶媒を除去し、電子輸送層を形成する。フェナントロリン誘導体やC60などの低分子有機材料を使用する場合には、真空蒸着機を用いた真空蒸着法を適用することも可能である。有機光電変換素子は、光電変換機能、光整流機能などを利用した種々の光電変換デバイスへの応用が可能である。例えば光電池太陽電池など、電子素子光センサ、光スイッチ、フォトトランジスタなど、光記録材光メモリなどなどに有用である。[実施例1]<高分子化合物1の合成><Pd触媒の調整>窒素雰囲気下のグローブボックス中で、室温下、サンプル管にトリスジベンジリデンアセトン二パラジウム73.2mg、80μmolを秤取り、アニソール15mLを加え、30分間撹拌した。同様に、サンプル管にトリ-tert-ブチルホスフィン129.6mg、640μmolを秤取り、アニソール5mLを加え、5分間撹拌した。これらの溶液を混合し室温で30分間撹拌し触媒とした。<モノマー1の合成>無水塩化セリウムIII4.44g,18.0mmolとテトラヒドロフラン48mLの混合液を室温で12時間撹拌した。これを-78°Cに冷却し、メチルリチウムのエーテル溶液11.3mL,1.6M,18.0mmolを加え、1時間撹拌した。得られた混合液に-78°Cで2-4-ブロモベンジル-3-4-ブロモフェニルプロパン酸エチル2.56g,6.00mmolのテトラヒドロフラン6mLの溶液を加た後、2時間撹拌した。混合液に0.1Mの酢酸水溶液10mLを加えて反応を停止した後、酢酸エチルで抽出した。得られた有機層を水洗した後、無水硫酸ナトリウムを用いて乾燥し、濾過した。ろ液を減圧下濃縮して得られた残渣に、ピリジン12mL及びトリエチルシリルクロリド1.3mL,7.5mmolを室温で加え混合液を得た。この混合液を60°Cで20時間撹拌した。混合液を室温に冷却した後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて反応を停止した。混合液から有機層を分離し、水層をヘキサンで抽出した。得られた有機層を水洗した後、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥し、濾過した。ろ液を減圧下濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサンで精製し、無色の液体として上記化合物13.00g,5.7mmolを収率95で得た。窒素雰囲気下、500mL四口フラスコに化合物111.00g,20.9mmol、ビスピナコラートジボロン12.13g,47.8mmol、酢酸カリウム14.22g,145mmolを仕込み、DME293mLを加え、窒素で30分脱気した。ここにPddppfCl2CH2Cl21.51g,1.85mmolを加え、内温87°Cで4時間加熱撹拌した。反応終了後、水200mLを注ぎ、酢酸エチル200mL×3回で抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄200mL×1回後、硫酸マグネシウム20gで乾燥した。有機層から減圧下で溶媒を留去した後、シリカゲル60N関東化学株式会社製を用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーヘキサン、次いで、ヘキサン/酢酸エチル=10/1により精製したところ、淡黄色固体10.21gを得た。エタノール300mLから再結晶したところ、モノマー1が白色固体として7.00g収率54得られた。<高分子化合物1の合成>三口丸底フラスコに、モノマー11.25mmol、モノマー21.25mmol、アニソール6mLを加え、さらに調製したPd触媒溶液2mLを加えた。30分撹拌した後、10テトラエチルアンモニウム水酸化物水溶液10mLを加えた。すべての溶媒は30分以上窒素バブルにより脱気した後、使用した。この混合物を6時間加熱還流した。ここまでの全ての操作は窒素気流下で行った。反応終了後、有機層を水洗し、有機層をメタノール-水9:1に注いだ。生じた沈殿を吸引ろ過し、メタノール-水9:1で洗浄した。得られた沈殿をトルエンに溶解し、メタノールから再沈殿した。得られた沈殿を吸引ろ過し、トルエンに溶解し、TriphenylphosphinepolymerboundonstyrenedivinylbenzenecopolymerStremChemicals社、ポリマー100mgに対して500mgを加えて、一晩撹拌した。撹拌終了後、Triphenylphosphinepolymerboundonstyrenedivinylbenzenecopolymerと不溶物をろ過して取り除き、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮した。残さをトルエンに溶解した後、メタノール-アセトン8:3から再沈殿した。生じた沈殿を吸引ろ過し、メタノール-アセトン8:3で洗浄した。得られた沈殿を真空乾燥し、ポリマーを得た。分子量は、溶離液にTHFを用いたGPCポリスチレン換算により測定した。Mw=5600、Mn=3900であった。[実施例2]<高分子化合物2の合成>モノマー2をモノマー3に変更した以外は同様の方法で、高分子化合物2を合成した。分子量は、Mw=27000、Mn=10000であった。[実施例3]<有機光電変換素子の作成>ITOを1.6mm幅にパターンニングしたガラス基板上に、PEDOT:PSS分散液シュタルクヴィテック社製、AI4083LVW142を1500min-1でスピン塗布し、ホットプレート上で空気中200°C/10分加熱乾燥してバッファ層40nmを形成した。以後の操作は乾燥窒素環境下で行った。次に、各20mgの高分子化合物1とPCBMを1mLのクロロベンゼンに溶解した混合溶液をスピンコートし、光電変換層膜厚100nmを形成した。次に、光電変換層を形成したガラス基板を真空蒸着機中に移し、Al膜厚100nmを蒸着し、有機光電変換素子を作製した。得られた有機光電変換素子に、AM1.5G100mW/cm2の擬似太陽光を照射し、電流-電圧特性J-V特性を測定し、エネルギー変換効率を求めた。開放電圧は0.88V、エネルギー変換効率は0.75であった。[実施例4]<有機光電変換素子の作成>高分子化合物1を2に変更した以外は、同様の方法で有機光電変換素子を作製しエネルギー変換効率を求めたところ、開放電圧は0.85V、エネルギー変換効率は0.55であった。"