"パターン描画装置における現像ローディング補正方法であって、フォトマスクブランクスに描画する回路パターンを、現像ローディングの影響が出る現像ローディング効果小区画に分割するローディング効果小区画分割過程と、回路パターンを前記フォトマスクブランクスに描画する際に、1つの現像ローディング効果小区画に対して、他の現像ローディング効果小区画から現像液中に溶解するレジストの拡散による影響度を算出し、そこに各現像ローディング効果小区画における回路パターン密度を乗じることにより、レジスト拡散影響度マップとして作成する過程と、前記算出された各現像ローディング効果小区画におけるレジスト拡散影響度と、レジスト拡散影響度と寸法変動量の関係式あるいはその基準テーブルから、各現像ローディング効果小区画における寸法変動量マップを作成する過程と、前記算出された各現像ローディング効果小区画における寸法変動量マップと、寸法変動量と照射エネルギー補正量の関係式あるいはその基準テーブルから、各現像ローディング効果小区画の照射エネルギー補正量マップを作成する過程と、各現像ローディング効果小区画の照射エネルギー補正量マップと、照射エネルギー補正量と適正近接効果補正係数の関係式あるいはその基準テーブルから、各現像ローディング効果小区画の近接効果補正係数マップを作成する過程とを備えることを特徴とする現像ローディング補正方法。請求項1に記載の現像ローディング補正方法を備えることを特徴とするパターン描画装置。請求項1に記載の現像ローディング補正方法を用いることを特徴とするフォトマスク製造方法。請求項2に記載のパターン描画装置を用いることを特徴とするフォトマスク製造方法。請求項1に記載の現像ローディング補正方法を用いて製造されたフォトマスク。請求項2に記載のパターン描画装置を用いて製造されたフォトマスク。現像ローディングによるパターン疎密の寸法差を抑えるために、フォトマスク面内の回路パターン密度分布から、パターン描画装置での照射エネルギー量を調整する方法があるが、現像ローディングによるパターン疎密の寸法差を精度良く補正することが困難である。そこで、本発明は、上述の問題を解決するためになされたものであり、フォトマスク面内の回路パターン密度分布に加え、パターン面積密度と寸法変動量の関係式あるいは基準テーブルと、照射エネルギー補正量と適正近接効果補正係数の関係式あるいは基準テーブルを用いて照射エネルギー量と近接効果補正係数を調整することで、現像ローディングによるパターン疎密の寸法差を精度良く補正する方法を提供することを目的とする。請求項1に係る発明は、パターン描画装置における現像ローディング補正方法であって、フォトマスクブランクスに描画する回路パターンを、現像ローディングの影響が出る現像ローディング効果小区画に分割するローディング効果小区画分割過程と、回路パターンを前記フォトマスクブランクスに描画する際に、1つの現像ローディング効果小区画に対して、他の現像ローディング効果小区画から現像液中に溶解するレジストの拡散による影響度を算出し、そこに各現像ローディング効果小区画における回路パターン密度を乗じることにより、レジスト拡散影響度マップとして作成する過程と、前記算出された各現像ローディング効果小区画におけるレジスト拡散影響度と、レジスト拡散影響度と寸法変動量の関係式あるいはその基準テーブルから、各現像ローディング効果小区画における寸法変動量マップを作成する過程と、前記算出された各現像ローディング効果小区画における寸法変動量マップと、寸法変動量と照射エネルギー補正量の関係式あるいはその基準テーブルから、各現像ローディング効果小区画の照射エネルギー補正量マップを作成する過程と、各現像ローディング効果小区画の照射エネルギー補正量マップと、照射エネルギー補正量と適正近接効果補正係数の関係式あるいはその基準テーブルから、各現像ローディング効果小区画の近接効果補正係数マップを作成する過程とを備えることを特徴とする現像ローディング補正方法である。請求項2に係る発明は、前記請求項1に記載の現像ローディング補正方法を備えることを特徴とするパターン描画装置である。請求項3に係る発明は、前記請求項1に記載の現像ローディング補正方法を用いることを特徴とするフォトマスク製造方法である。請求項4に係る発明は、前記請求項2に記載のパターン描画装置を用いることを特徴とする、フォトマスク製造方法である。請求項5に係る発明は、前記請求項1に記載の現像ローディング補正方法を用いて製造されたフォトマスクである。請求項6に係る発明は、前記請求項2に記載のパターン描画装置を用いて製造されたフォトマスクである。本発明の現像ローディング補正方法は、フォトマスク面内の回路パターン密度分布に加え、パターン面積密度と寸法変動量の関係式あるいは基準テーブルを用いて照射エネルギー量と近接効果補正係数を調整することと、照射エネルギー補正量と適正近接効果補正係数の関係式あるいはその基準テーブルを用いて近接効果補正係数を調整することにより、現像ローディングによるパターン疎密の寸法差を精度良く補正することが可能となる。本発明の現像ローディング補正方法を用いることにより、現像ローディングによるパターン疎密の寸法差を精度良く補正することが可能となり、フォトマスクの寸法面内均一性を改善することが可能となる。以下、本実施の形態における照射エネルギー補正量の演算方法の流れの一例を示す。まず、図1に示すように、基板面内の描画領域について、μm~mmオーダー、例えば、0.5~1mmの寸法でメッシュ状に分割された現像ローディング効果補正用の単位領域を定義する。次に、各現像ローディング効果補正単位領域x,yおける、現像ローディング効果を補正する照射エネルギー補正量αx,yを計算する。現像時に現像液へ溶解したレジストの拡散分布は、拡散半径σのガウス分布で近似でき、基板面内の任意の点x,yにおける現像液へ溶解したレジスト拡散影響度Ex,yは以下の様に求められる。よって、各現像ローディング効果補正単位領域x,yおけるレジスト拡散影響度Ex,yは、以下の様に表される。ここでγは現像ローディング効果補正係数、ρx、yは現像ローディング効果補正用単位領域におけるパターン面積密度、Smeshは現像ローディング効果補正用の単位領域の面積である。次に、レジスト拡散影響度Eとパターン寸法変動量Lの関係を任意の関数にする。この関係式から、各現像ローディング補正単位領域x,yにおけるパターン寸法変動量Lx,yが算出できる。次に、パターン寸法変動量Lとその寸法変動量を補正するための照射エネルギー補正量αの関係を任意の関数にする。この関係式から、各現像ローディング補正単位領域x,yにおける現像ローディング効果を補正するための照射エネルギー補正量αx,yが算出できる。次に、照射エネルギー補正量αと適正近接効果補正係数ηの関係を任意の関数にするこの関係式と、前記各現像ローディング補正単位領域x,yにおける現像ローディング効果を補正するための照射エネルギー補正量αx,yから、各現像ローディング補正単位領域x,yにおける適正近接効果補正係数ηx,yが算出できる。次に、上記現像ローディング補正に必要な各パラメータおよび関数の算出方法の一例を示す。現像ローディング評価用の基板として、Cr遮光膜付き6インチの石英基板石英ガラスまたは単にQzともいうを準備し、この基板に化学増幅型電子線用ポジ型レジストをコートする。次に、電子線描画機にて図2のパターンを描画する。パターンA1からA5は、寸法測定パターンである。また、パターンBからIは、ダミーパターンであり、そのパターン密度をB<C<D<E<F<G<H<Iの順番で設定する。ダミーパターンBのパターン密度は、出来るだけ小さいほうが好ましい。また、このダミーパターンの電子線照射量は、このパターンBからIのパターン密度と電子線照射量の関係がパターン密度=k/電子線照射量kは任意の定数となるように設定する。また、ダミーパターンは、寸法測定パターン内の寸法測定箇所に近接効果の影響を与えないよう、寸法測定箇所から距離を開けて配置する。また、ダミーパターンは、指定した電子線照射量にて描画するために、電子線描画機でのかぶり補正機能や近接効果補正機能等の電子線照射量補正機能を用いない。また、パターンJは、それぞれ電子線照射量と近接効果補正係数が異なる複数個の寸法測定パターン群であり、各パターンには面積密度が異なるパターンが複数個存在している。次に、上記基板にPEBPostExposureBakeおよび現像処理をして寸法測定パターンを測定し、現像ローディング補正に必要な各パラメータおよび関数を下記方法にて算出する。まず、パターン寸法変動量とその寸法変動量を補正するための相対照射量の関係式の作成方法について示す。電子線照射量が異なるパターンJの寸法測定パターンにおいて、パターン面積密度が前記寸法測定パターンA1からA5と同じパターン部を測定し、電子線照射エネルギー補正量と寸法変動量の関係をグラフにする。図3aはそのグラフである。このプロットを任意の関数に近似、あるいはその基準テーブルを作成する等により、数4の関係式が作成できる。なお、本方法においては、6種類の電子線照射量にて実施しているが、この個数に限定されない。次に、電子線照射エネルギー補正量と適正近接効果補正係数の関係式の作成方法について示す。電子線照射量と近接効果補正係数が異なるパターンJの寸法測定パターンを測定し、各パターン内に存在する面積密度が異なるパターンの寸法が均一となる電子線照射量と近接効果補正係数の組み合わせをグラフにする。図3bはそのグラフである。このプロットを任意の関数に近似、あるいはその基準テーブルを作成する等により、数5の関係式が作成できる。なお、本方法においては、6種類の電子線照射量と近接効果補正係数にて実施しているが、この個数に限定されない。次に、レジスト拡散影響度とパターン寸法変動量の関係式の作成方法について示す。ダミーパターンBからIのパターン密度と電子線照射量の関係が、パターン密度=k/電子線照射量kは任意の定数の関係にあるので、ダミーパターンBからIが、寸法測定パターンA1からA5の測定部bからiに与えるfoggingによるエネルギー量は同じになる。一方、ダミーパターンBからIのパターン密度の違いから、寸法測定パターンA1からA5の測定部bからiに与える現像ローディングの影響が異なる。従って、寸法測定パターンA1からA5の測定部bからiが、ダミーパターンBからIより受けるfoggingの影響は同じであるが、現像ローディングの影響は異なる。この現像ローディングの影響により、測定部bからiのパターン寸法に違いが生じる。ここで、測定部bを基準にして測定部cからiとのパターン寸法差をそれぞれ計算する。一方、ダミーパターンBのパターン密度を基準にしてダミーパターンCからIのパターン密度の差を計算する。このパターン密度の差は現像液へのレジスト拡散量の差になるので、レジスト拡散影響度の差となる。ここで、ダミーパターンBのパターン密度は出来るだけ小さくしていることから、パターン密度はほぼ0と解釈でき、先のレジスト拡散影響度の差はレジスト拡散影響度としてよい。このレジスト拡散影響度と先に計算したパターン寸法差すなわち寸法変動量をグラフにしたものが、図4である。この関係を任意の関数に近似、あるいはその基準テーブルを作成する事により数3の関係式が作成でき、0から100までの任意のレジスト拡散影響度とそのときのパターン寸法変動量が出せるようになる。なお、本方法においては、8個のダミーパターンを設けているが、この個数に限定されない。次に、拡散半径σと現像ローディング効果補正係数γの算出方法について示す。まず、寸法測定パターンであるA1とA5を測定し、その差を算出する。そのグラフを図5に示す。次に、レジスト拡散影響度Eとパターン寸法変動量Lの関係式数3を用いて、図5の縦軸を寸法変動量からレジスト拡散影響度に変換する。そのグラフを図6に示す。このグラフを数1の関数にフィッティングさせ、その際のσとγを算出する。現像ローディング評価用の基板として、Cr遮光膜付き6インチQz石英ガラス基板を2枚準備し、これらの基板に化学増幅型電子線用ポジ型レジストを200nm厚にコートした。次に、電子線描画機にて図7のパターンを描画した。パターンKおよびK ́には、1000nmのラインアンドスペースパターンを用いた。パターンMにはパターン密度100のパターン内全面描画パターンを用いた。パターンNにはパターン密度25になるように1000nmのラインアンドスペースパターンを用いた。パターンNの電子線照射量は、パターンMの電子線照射量の4倍になるように設定した。また、パターンMおよびNは、電子線描画機でのかぶり補正機能や近接効果補正機能等の露光量補正機能を用いなかった。片方の基板のパターンKおよびK ́の電子線照射量には、前述方法にて作成した現像ローディング補正を適用し、もう一方の基板のパターンKおよびK ́の電子線照射量には、現像ローディング補正を適用しなかった。次に、上記基板にPEBおよび現像処理を施し、それぞれ基板のパターンKおよびK ́を走査型電子顕微鏡にて50000倍の倍率でパターンKとパターンK ́の1000nmのスペース部を1mm間隔で測長し、その差分から現像ローディングによる寸法変動量を算出した。現像ローディング補正を適用しなかった基板の現像ローディングによる寸法変動量の結果を図8、現像ローディング補正を適用した基板の現像ローディングによる寸法変動量の結果を図9に示す。現像ローディング補正を適用した基板はパターン疎部から密部まで均一な傾向となっており、現像ローディングが精度良く補正出来ていることが確認できた。"