基材に導体層を形成することと、前記導体層を有する基材に、前記導体層を覆い反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層を形成することと、レーザ光の照射により、前記シリコーン樹脂層に開口部を形成することと、ブラスト処理により、前記シリコーン樹脂層の開口部に残った残留物を除去することと、を含む、ことを特徴とするLED基板の製造方法。前記シリコーン樹脂層は、ソルダーレジストである、ことを特徴とする請求項1に記載のLED基板の製造方法。前記レーザ光の照射に先立ち、前記シリコーン樹脂層上に保護フィルムを形成し、前記レーザ光は、前記保護フィルムに開口部を形成するとともに前記シリコーン樹脂層に開口部を形成する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載のLED基板の製造方法。前記ブラスト処理後に前記保護フィルムを除去する、ことを特徴とする請求項3に記載のLED基板の製造方法。前記残留物は、シリカSiO2を含む、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のLED基板の製造方法。前記シリコーン樹脂層は、前記レーザ光の照射前においては、導体層を覆っており、前記レーザ光の照射及び前記ブラスト処理により、前記シリコーン樹脂層の開口部で前記導体層が露出する、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載のLED基板の製造方法。前記反射材粒子は、酸化チタンからなる、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載のLED基板の製造方法。前記酸化チタンは、アナターゼ型の酸化チタンである、ことを特徴とする請求項7に記載のLED基板の製造方法。前記反射材粒子は、ジルコニア、アルミナ、シリカの少なくとも1つを含む、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載のLED基板の製造方法。前記レーザ光の光源は、CO2レーザである、ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載のLED基板の製造方法。前記ブラスト処理に用いる砥粒は、水溶性である、ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載のLED基板の製造方法。前記ブラスト処理に用いる砥粒の平均粒子直径は、0.1~200μmの範囲にある、ことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載のLED基板の製造方法。前記LED基板は、青色LED用又は紫外LED用のLED基板である、ことを特徴とする請求項1乃至12のいずれか一項に記載のLED基板の製造方法。しかし、この特許文献1では、紫外線硬化型のアクリル、エポキシ樹脂を使用しており、白色膜を紫外線で露光し、これを溶剤で現像処理して開口部を設けていると考えられる。しかしながら、LED素子では白色膜は、常に光に曝露されるため、白色膜として紫外線硬化型のようないわゆる感光性樹脂を使用すると、硬化が進行しすぎて開口に寸法変化が生じたり、逆に分子鎖の結合が開裂して樹脂が劣化するなどの問題が生じる。従って、白色膜を露光、現像処理してこれに開口を形成する方法は、LED素子の製造方法として適切なものではない。本発明は、露光、現像処理を経ずして白色膜に開口を設ける方法を提供する。本発明に係るLED基板の製造方法は、基材に導体層を形成することと、前記導体層を有する基材に、前記導体層を覆い反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層を形成することと、レーザ光の照射により、前記シリコーン樹脂層に開口部を形成することと、ブラスト処理により、前記シリコーン樹脂層の開口部に残った残留物を除去することと、を含む。前記シリコーン樹脂層は、ソルダーレジストである、ことが好ましい。前記レーザ光の照射に先立ち、前記シリコーン樹脂層上に保護フィルムを形成し、前記レーザ光は、前記保護フィルムに開口部を形成するとともに前記シリコーン樹脂層に開口部を形成する、ことが好ましい。前記ブラスト処理後に前記保護フィルムを除去する、ことが好ましい。前記残留物は、シリカSiO2を含む、ことが好ましい。前記シリコーン樹脂層は、前記レーザ光の照射前においては、導体層を覆っており、前記レーザ光の照射及び前記ブラスト処理により、前記シリコーン樹脂層の開口部で前記導体層が露出する、ことが好ましい。前記反射材粒子は、酸化チタンからなる、ことが好ましい。前記酸化チタンは、アナターゼ型の酸化チタンである、ことが好ましい。前記反射材粒子は、ジルコニア、アルミナ、シリカの少なくとも1つを含む、ことが好ましい。前記レーザ光の光源は、CO2レーザである、ことが好ましい。前記ブラスト処理に用いる砥粒は、水溶性である、ことが好ましい。前記ブラスト処理に用いる砥粒の平均粒子直径は、0.1~200μmの範囲にある、ことが好ましい。前記LED基板は、青色LED用又は紫外LED用のLED基板である、ことが好ましい。本発明によれば、基材に導体層を形成することと、前記導体層を有する基材に、前記導体層を覆い反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層を形成することと、レーザ光の照射により、シリコーン樹脂層に開口部を形成することと、よりなるので、前記シリコーン樹脂層はブラスト処理により除去しやすい無機物シリカ及び反射材粒子に変化させ開口させることができる。さらにブラスト処理により、前記シリコーン樹脂層の開口部に残ったシリカを除去するので、導体層とLED素子との接続信頼性を高めることができる。光に対して安定性があるシリコーン樹脂は、黄色に変色しにくく、また、TiO2のような酸化触媒として作用する粒子が共存してもシリコーン樹脂はその分子鎖が開裂せず、劣化しない。このため、シリコーン樹脂は、500nm以下の青色~紫外光のLED光に曝露されても劣化して黄色に変色せず、また、有機樹脂に比べて電気絶縁性、耐水性、耐熱性、耐衝撃性、耐光性、寸法安定性が低下しない。このシリコーン樹脂の特性を低下させないように、シリコーン樹脂を感光化せず、シリコーン樹脂膜に開口を設けるために、レーザ加工を採用した。また、シリコーン樹脂にレーザ照射すると、SiO2が残さとして残ることを知見し、これをブラスト処理で除去することで、電気的な導通阻害のない開口面を実現した。以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図中、矢印Z1、Z2は、それぞれ基板の主面表裏面の法線方向に相当する基板の厚み方向を指す。一方、矢印X1、X2及びY1、Y2は、それぞれZ方向に直交する基板の側方を指す。基板の主面は、X-Y平面となる。また、基板の側面は、X-Z平面又はY-Z平面となる。相反する法線方向を向いた基板の2つの主面を、第1面Z1側の面、第2面Z2側の面という。直下とは、Z方向Z1側又はZ2側を意味する。導体層は、一乃至複数の導体パターンで構成される層である。導体層は、電気回路を構成する導体パターン、例えば配線グランドも含む、パッド、又はランド等を含む場合もあれば、電気回路を構成しない面状の導体パターン等を含む場合もある。孔は貫通孔に限られず、非貫通の孔も含めて、孔という。めっきには、電解めっき等の湿式めっきのほか、PVDPhysicalVaporDeposition及びCVDChemicalVaporDeposition等の乾式めっきも含まれる。光は、可視光に限られない。光には、可視光のほか、紫外線及びX線等の短い波長の電磁波及び赤外線等の長い波長の電磁波も含まれる。光の波長は、500nm以下が望ましい。図1に、本実施形態に係るLED基板の製造方法により製造されるLED基板100、及びLED基板100を用いた発光モジュール1000の概略構造を示す。図1は、本発明の実施形態に係るLED基板及び発光モジュールを示す断面図である。LED基板100は、図1に示すように、樹脂製の基板10樹脂基板と、導体層21と、反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11と、を有する。以下、基板10の表裏面2つの主面の一方を第1面F1、他方を第2面F2という。LED基板100は、LED素子200が実装されることで、発光モジュール1000となる。本実施形態では、LED素子200が、基板10の第1面F1側に実装される。LED素子200は、例えば青色LEDである。ただしこれに限られず、例えばLED素子200は、紫外LED等であってもよい。本実施形態の基板10は、絶縁性を有する例えば矩形状の樹脂基板である。本実施形態では、基板10が、ガラス繊維例えばガラス布又はガラス不織布からなる補強材を含有するエポキシ樹脂からなる。詳しくは、基板10は、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させたもの以下、ガラエポというからなる。ここで、エポキシ樹脂は、熱硬化性樹脂である。補強材は、主材料本実施形態ではエポキシ樹脂よりも熱膨張率の小さい材料である。基板10にガラス繊維を含ませることで、基板10でのクラックを抑制することが可能になる。なお、補強材を構成する材料はガラス繊維に限られず、ガラス繊維に代えて、他の無機材料を用いてもよい。例えばアラミド繊維例えばアラミド不織布又はシリカフィラーからなる補強材を用いてもよい。また、樹脂基板を構成する樹脂も任意である。例えばエポキシ樹脂に代えて、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂BT樹脂、イミド樹脂ポリイミド、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂A-PPE樹脂等を用いてもよい。本実施形態では、基板10として樹脂基板を採用している。樹脂からなる基材は、その高い柔軟性により割れにくくなるため、アルミナ又はAlN窒化アルミニウム等からなるセラミック基板に比べて薄くし易い。また、セラミック基板に比べて、樹脂基板は、低コストで入手し易く、穴あけ等の加工が容易である。本実施形態では、基板10の第1面F1上に、導体層21が形成されている。導体層21は、LED素子200の配線又はパッドとして機能し得る配線パターン21c及び21dを含む。配線パターン21cは、例えばLED素子200のアノード又はカソードに電気的に接続され、配線パターン21dは、例えばLED素子200のカソード又はアノードに電気的に接続される。導体層21は、第1面F1側の最外の導体層となる。基板10の第1面F1上及び導体層21上には、反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11が形成される。反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11により、基板10の色や材質にかかわらず、反射率を高めることが可能になる。反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11の厚さは、例えば10~500μmの範囲にある。本実施形態では、反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11が、ソルダーレジストとして機能し得るので、別途ソルダーレジストを形成する必要が無い。反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11には、開口部11aが形成されている。開口部11aでは、導体層21上に耐食層21aが形成され、開口部11aに露出した部分耐食層21a及び導体層21が、LED基板100の表面でパッドとなる。このパッドは、例えばLED素子200と電気的に接続するための外部接続端子となる。本実施形態では、反射材粒子が、アナターゼ型の酸化チタン例えば二酸化チタンからなる。また、本実施形態では、アナターゼ型の酸化チタンが反射材粒子として機能し、シリコーン樹脂が結合材として機能する。こうした反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11によれば、高い反射率が得られ易い。また、酸化チタンによれば、高い反射率が得られ易くなり、特にアナターゼ型の酸化チタンによれば、青色領域及び紫外領域の波長の光に対して高い反射率が得られ易くなる。また、シリコーン樹脂は、酸化チタンの光触媒作用に対して耐性を有し、青色領域及び紫外領域の波長の光に対して高い安定性を有するため、黄変しにくい。ただし、反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11の材質はこれに限られず、例えばアナターゼ型の酸化チタンに代えて、ルチル型の酸化チタン、または、ジルコニア、アルミナ、シリカから選ばれる少なくとも1つを含んでいればよい。また、これらの混合物例えばムライトやステアタイト等を使用してもよい。耐食層21aは、導体層21を保護する。本実施形態では、耐食層21aが、例えばNi/Au膜からなる。ただしこれに限定されず、耐食層21aの材質は任意である。また、耐食層21aは必須の構成ではなく、必要がなければ割愛してもよい。図2に、本実施形態に係るLED基板100の導体層21配線パターン21c、21dの形状を示す。図2は、本発明の実施形態に係るLED基板及び発光モジュールを示す平面図である。図2に示されるように、本実施形態では、矩形状の配線パターン21cと矩形状の配線パターン21dとが、所定の間隔をあけて配置される。LED素子200は、配線パターン21c及び21d上に配置される。ただしこれに限られず、導体層21配線パターン層の形状は任意である。図1に示されるように、本実施形態の発光モジュール1000では、フリップチップ方式で、LED素子200が実装される。これにより、LED素子200の電極が、半田200aを介して、導体層21の配線パターン21c及び21dと電気的に接続される。本実施形態のLED基板100は、屈曲性を有する。詳しくは、本実施形態では、反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11が、弾性率の低いシリコーン樹脂から構成される。また、基板10樹脂基板は、厚さが薄いことにより屈曲性を有する。このため、LED基板100は、屈曲性を有し易い。LED基板100が屈曲性を有することで、LED基板100が曲がることによって応力を吸収し易くなる。このため、落下等により衝撃が加わった場合にLED基板100が破損しにくくなる。基板10の厚さは、0.05mm~0.50mmの範囲にあることが好ましい。基板10の厚さが0.05mm未満であると、基板10の剛性が低くなって基板10が変形し易くなり、表面に実装したLED素子と、LED基板の接続部分のはんだ等に亀裂が入り易くなる。そのため、LED素子への給電部が断線しやすくなる。これに対し、基板10の厚さが0.50mmを超えると、LED素子が発する熱をLED基板裏面に放熱しにくくなるので、LED素子が高熱に曝されやすくなる。そのため、LED素子が高温になることで、LED素子の発光効率が低下し易くなる。本実施形態では、基板10が、樹脂例えばガラエポからなる。樹脂は、セラミックよりも高い柔軟性を有するため、LED基板100の屈曲性が得られ易く、落下しても割れにくい。本実施形態の発光モジュール1000は、図1に示すように、LED素子200より、例えば光LT1~LT3を発する。光の波長又はLED素子200の種類は、発光モジュール1000の用途によって、任意のものを採用することができる。発光モジュール1000の光は、例えば白色光である。白色光は、例えば青色LEDLED素子200と蛍光体とを組み合わせることで、つくることができる。詳しくは、青色LEDが発した青色の光を黄色の蛍光体に当てることで、白色が出来る。白色光を発する発光モジュール1000は、照明電球又は自動車のヘッドライト等、又は液晶ディスプレイのバックライト大型ディスプレイ又は携帯電話のディスプレイ等などに用いることができる。LED素子200から発せられる光は、例えばLED素子200上方への光LT1、LED素子200側方への光LT2、及びLED素子200直下への光LT3を含む。本実施形態の発光モジュール1000では、光LT2及びLT3がそれぞれ、反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11で反射される。これにより、LED素子200の光が基板10に当たりにくくなり、その光に起因した基板10の劣化特に樹脂の劣化が抑制される。また、本実施形態では、反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11の一部が、LED素子200の直下又はその近傍に配置される。このため、特に基板10を劣化させ易いと考えられる光LT3も、反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11で反射される。また、光LT2及びLT3はそれぞれ、反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11で反射され、光LT1と同じ方向の光になるため、発光モジュール1000の発光効率を高め易くなる。以下、図3等を参照して、LED基板100の製造方法について説明する。図3は、本発明の実施形態に係るLED基板100の製造方法を示すフローチャートであり、図3のフローチャートにより、LED基板100の製造方法の概略的な内容及び手順を説明する。本実施形態では、1つのパネルで多数のLED基板100を製造した後ステップS11~S19、それらを個別に切り出すステップS20こととする。図4は、図3に示す製造方法における樹脂基板基板10を準備する工程を説明するための図である。図5Aは、図3に示す製造方法における導体層21を形成する第1の工程を説明するための図である。図5Bは、図5Aの第1の工程の後の第2の工程を説明するための図である。図5Cは、図5Bの第2の工程の後の第3の工程を説明するための図である。図6は、図3に示す製造方法における反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11を形成する工程を説明するための図である。図7は、図3に示す製造方法における保護フィルム1003を形成する工程を説明するための図である。図8は、図3に示す製造方法におけるレーザ照射工程を説明するための図である。図9は、図8のレーザ照射後における反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11の開口部11aを示す図である。図11Aは、図3に示す製造方法におけるブラスト処理工程を説明するための図である。図11Bは、図11Aのブラスト処理後における反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11の開口部11aを示す図である。図12は、図3に示す製造方法における保護フィルム1003を除去する工程を説明するための図である。図13は、図3に示す製造方法における耐食層21aを形成する工程を説明するための図である。図3のフローチャートのステップS11では、図4に示すように、出発材料として樹脂基板基板10を用意する。本実施形態では、この段階において、基板10が、完全に硬化した状態のガラエポからなる。続けて、図3のフローチャートのステップS12で、図5Aに示すように、基板10の第1面F1上に、導体層1001例えば全面パターンを形成する。導体層1001は、例えば銅箔からなる。ただしこれに限られず、導体層1001は、電解めっき膜上層及び銅箔下層からなってもよい。また、導体層1001は、電解めっき膜上層及び無電解めっき膜中層及び銅箔下層からなってもよい。続けて、図3のフローチャートのステップS13で、基板10の第1面F1上に形成された導体層1001のパターニングを行う。具体的には、図5Bに示すように、例えばリソグラフィ技術により、第1面F1側の主面導体層1001上に、開口部1002aを有するエッチングレジスト1002を形成する。開口部1002aは、導体層21図1に対応したパターンを有する。続けて、例えばエッチング液を用いて、基板10の第1面F1上に形成された導体層1001の、エッチングレジスト1002で覆われない部分開口部1002aで露出する部位を除去する。その後、エッチングレジスト1002を除去する。これにより、図5Cに示すように、導体層1001がパターニングされ、基板10の第1面F1上に、LED素子200の配線として機能し得る導体層21が形成される。なお、エッチングは、湿式に限られず、乾式であってもよい。続けて、図3のフローチャートのステップS14で、例えばスクリーン印刷により、図6に示すように、基板10の第1面F1上に、導体層21よりも厚い反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11を形成する。具体的には、例えば未硬化のシリコーン樹脂にアナターゼ型の酸化チタンを混合し、基板10の第1面F1上に印刷する。続けて、例えば100~150°C、10~60分間保持して未硬化のシリコーン樹脂を硬化させる。これにより、反射材粒子としてアナターゼ型の酸化チタンを含有するシリコーン樹脂11が得られる。続けて、図3のフローチャートのステップS15で、図7に示すように、反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11上に、保護フィルム1003を形成する。このように、後述のレーザ光の照射図3のステップS16に先立って保護フィルム1003を形成することで、レーザ光の照射による反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11の汚れ黒点などを抑制又は防止することができる。保護フィルム1003は、例えばPETポリエチレンテレフタレートからなる。ただしこれに限られず、レーザ照射の条件及びブラスト処理の条件等に応じて、適切な材質の保護フィルム1003を用いることが好ましい。続けて、図3のフローチャートのステップS16で、図8に示すように、レーザ光の照射により、反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11に開口部11aを形成する。レーザ光は、保護フィルム1003及び反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11を貫通し、導体層は貫通しない。ここで、レーザ光の照射は、遮光マスクを用いずに部分的に行われる。詳しくは、非照射部分においてはレーザ照射を止めて、照射すべき部位のみにレーザ光を照射する。ただしこれに限定されず、遮光マスクを用いてもよい後述の図14A及び図14B参照。レーザ強度光量の調整は、パルス制御で行うことが好ましい。具体的には、例えばレーザ強度を変更する場合には、1ショット1回の照射あたりのレーザ強度は変えずに、ショット数照射回数を変更するようにする。すなわち、1ショットでは所望のレーザ強度が得られない場合には、同じ照射位置に、再度レーザ光を照射する。こうした制御方法によれば、照射条件を変える時間を省略できるため、スループットが向上すると考えられる。ただしこれに限られず、レーザ強度の調整方法は任意である。例えば照射位置ごとに照射条件を決め、照射回数を一定例えば1つの照射位置につき1ショットにしてもよい。また、同じ照射位置に複数回のレーザ照射を行う場合において、ショットごとにレーザ強度を変えてもよい。レーザ光の光源としては、CO2レーザが好ましい。CO2レーザによれば、保護フィルム1003及び反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11を貫通するために必要なエネルギーを有するレーザ光が容易に得られる。上記レーザ光の照射後の開口部11aには、図9に示すように、残留物1004が形成される。残留物1004は、例えば約0.5μmの厚さを有する。発明者により、残留物1004は、主にシリカSiO2及び反射材粒子とからなることが確認されている。図10Aは導体層上に形成されたアナターゼ型酸化チタンを含むシリコーン樹脂層にCO2レーザ光の照射により開口された、残渣の走査電子顕微鏡SEM写真である。図10Bは図10Aの領域をエネルギー分散型X線分析装置で分析したスペクトルを示す図である。図10Bより、レーザ光の照射された導体層の表面には、シリコンSi、酸素が検出され、残留物1004は、反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11を構成するシリコーン樹脂がレーザで変化したものであると推察され、無機物であるため過マンガン酸カリウム水溶液等による一般的な洗浄方法では、完全に除去することは困難である。そこで、本実施形態では、図3のフローチャートのステップS17で、図11Aに示すように、ブラスト処理により、開口部11aに残った残留物1004を除去する。反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11は、レーザ光の照射図3のステップS16前においては、基板10基材上に形成された導体層21を覆っている。図7参照レーザ光の照射によって、シリコーン樹脂がシリカに変質し、ブラスト処理図3のステップS17により容易に除去できるようになる。ブラスト処理によりショットされた砥粒を残留物1004SiO2及び反射材粒子にぶつけることで、その衝撃により残留物1004を除去することができる。こうして図11Bに示すように、開口部11aで導体層21が露出する。ブラスト処理に用いる砥粒は、水溶性である、ことが好ましい。水溶性の砥粒を使用するので、ブラスト処理後、水洗することにより砥粒が水に溶けて、砥粒を完全に除去することができる。ブラスト処理に用いる砥砥粒は、例えばNaHCO3重曹を利用することができる。NaHCO3重曹は、LED基板を構成するシリコーン樹脂層、導体層、基板と反応しにくい上に、容易に水に溶解するので、LED基板に残留しにくい。ブラスト処理に用いる砥粒の平均粒子直径は、0.1~200μmの範囲にある、ことが好ましい。砥粒の平均粒子直径が0.1μm以上であると、砥粒の運動エネルギーを大きくできるので、残留物を除去し易くなる。砥粒の平均粒子直径が200μm以下であると、加工面LED基板の白色膜の凹凸を小さくでき、LED基板の白色膜が平滑な面となる。LED基板の白色膜が平滑な面でないと、白色膜に欠けひびが発生し易くなる。続けて、図3のフローチャートのステップS18で、図12に示すように、保護フィルム1003を除去する。本実施形態では、ブラスト処理後に保護フィルム1003を除去するため、ブラスト処理の際にも反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11が保護フィルム1003で覆われていることになる。残留物は、シリカ及び反射材粒子で構成されているので保護フィルムよりもブラスト処理により加工されやすく、残留物のみを除去することができる。このため、ブラスト処理による反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11のダメージを抑制又は防止することができる。続けて、図3のフローチャートのステップS19で、図13に示すように、電解めっき又は無電解めっき又はスパッタリング等により、導体層21上に、例えばNi/Au膜からなる耐食層21aを形成する。これにより、LED基板100が完成する。なお、OSPOrganicSolderabilityPreservatives処理有機保護膜、耐熱水溶性プリフラックス、プリフラックス等の処理のことをいうを行うことにより、有機保護膜からなる耐食層21aを形成してもよい。その後、図3のフローチャートのステップS20で、パネルに形成されたLED基板100の各々について外形加工を行い、個別のLED基板100を得る。そして、検査後、良品のみを製品とする。また、こうして得られたLED基板100にLED素子200を実装することで、図1に示したような発光モジュール1000が完成する。本実施形態の製造方法は、レーザ光の照射により、反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11シリコーン樹脂層に開口部11aを形成することと、ブラスト処理により、開口部11aに残った残留物1004を除去することと、を含む。これにより、反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11の開口部11aに残った残留物1004残渣を好適に除去することができる。また、残留物1004が除去されることで、LED基板100とLED素子200とが残留物1004を介さずに互いに電気的に接続されるようになるため、反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11ソルダーレジストの開口部11aにおけるLED基板100とLED素子200との電気的接続の信頼性を高めることができる。本実施形態の製造方法は、青色LED用又は紫外LED用のLED基板の製造に適している。青色光または紫外光は、C=C結合、C-C結合を含む樹脂にダメージを与えやすい。このため、青色LEDまたは紫外LEDは、エポキシ樹脂を含め、一般的な炭素骨格の樹脂を劣化させやすい。これに対し、本実施の形態の製造方法は、シロキサン結合Si-O単位を主鎖に持つシリコーン樹脂を使用した青色光または紫外光によるダメージが少ないLED基板の加工方法を提供するので、青色LED用又は紫外LED用に適したLED基板の製造方法が得られる。本発明は、上記実施形態に限定されない。例えば以下のように変形して実施することもできる。上記実施形態では、遮光マスクを用いずに、照射すべき部位にだけにレーザ光の照射を行うようにしたが、これに限定されない。例えば図3のフローチャートのステップS16においては、図14A及び図14Bに示すように、開口部1005aを有する遮光マスク1005例えばメタルマスクを反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11のZ1側に設置して、全面にレーザ光を照射してもよい。開口部1005aは、開口部11aに対応したパターンを有する。なお、レーザ光を被照射体の全面に照射する場合には、例えば被照射体を固定して、ガルバノミラー等によりレーザ光厳密にはその照準を移動させてもよく、逆にレーザ光を固定して、コンベア等により被照射体を移動させてもよい。また、シリンドリカルレンズ等によりレーザ光をライン光にしてもよい。また、複数のレーザ装置2以上の露光ヘッドを用いてもよい。図14A及び図14Bに示す方法によれば、レーザ光が反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11全面に照射されるが、開口部1005aを通過するレーザ光以外は、遮光マスク1005で遮光され、反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11に照射されない。一方、開口部1005aを通過した光は、反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11に開口部11aを形成する。このため、こうした方法によっても、所望の位置に、開口部11aを形成することができる。なお、図14A及び図14Bの例では、保護フィルム1003を用いていないが、必要があれば、保護フィルム1003を用いてもよい。上記実施形態では、サブトラクティブ法で導体層21を形成したが、導体層21の形成方法は任意である。例えばパネルめっき法、パターンめっき法、フルアディティブ法、セミアディティブSAP法、サブトラクティブ法、転写法、及びテンティング法のいずれか1つ、又はこれらの2以上を任意に組み合わせた方法で、導体層21を形成してもよい。図15A~図15Dに、導体層21をSAP法で形成する場合の一例を示す。図15Aは、本発明の他の実施形態に係る導体層を形成する第1の工程を説明するための図である。図15Bは、図15Aの第1の工程の後の第2の工程を説明するための図である。図15Cは、図15Bの第2の工程の後の第3の工程を説明するための図である。図15Dは、図15Cの第3の工程の後の第4の工程を説明するための図である。この例では、図15Aに示すように、まず、基板10を用意し、化学めっき法により、基板10の第1面F1上に、例えば銅の無電解めっき膜2001を形成する。続けて、図15Bに示すように、リソグラフィ技術又は印刷等により、無電解めっき膜2001上に、開口部2002aを有するめっきレジスト2002を形成する。開口部2002aは、導体層21図1に対応したパターンを有する。続けて、図15Cに示すように、パターンめっき法により、めっきレジスト2002の開口部2002aに、例えば銅の電解めっき2003を形成する。具体的には、陽極にめっきする材料である銅を接続し、陰極に被めっき材である無電解めっき膜2001を接続して、めっき液に浸漬する。そして、両極間に直流の電圧を印加して電流を流し、無電解めっき膜2001の表面に銅を析出させる。その後、図15Dに示すように、例えば所定の剥離液により、めっきレジスト2002を除去し、続けて不要な無電解めっき膜2001を除去することにより、導体層21図5参照が形成される。なお、電解めっきのためのシード層は無電解めっき膜に限られず、無電解めっき膜2001に代えて、スパッタ膜等をシード層として用いてもよい。その他の点についても、上記LED基板100及び発光モジュール1000の構成、及びその構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。LED素子200の実装方法は、フリップチップに限られず任意である。例えばワイヤボンディングにより、LED素子200が実装されてもよい。基板10の形状及び材料は、基本的に任意である。例えば基板10は、セラミックからなってもよい。また、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。上記実施形態では、LED基板100が1つの導体層導体層21のみ有するプリント配線板であったが、基板10をコア基板にして多層化された多層プリント配線板にしてもよい。また、各導体層の材料は、上記のものに限定されず、用途等に応じて変更可能である。例えば導体層の材料として、銅以外の金属又は非金属の導体材料を用いてもよい。LED素子200は、青色LEDや紫外LEDに限られず、他の波長のLEDであってもよい。LED基板100及び発光モジュール1000の製造工程は、図3のフローチャートに示した順序や内容に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に順序や内容を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。図16は、本発明の他の実施形態において、ブラスト処理の前に保護フィルムを除去するLED基板の製造方法を示すフローチャートである。残留物は、無機物シリカ及び反射材粒子で構成され、反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11より厚さが薄いため、ブラスト処理により反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11より除去されやすい。このため、図16に示すように、ブラスト処理の前に保護フィルム1003を除去してもよい。ただし、ブラスト処理による反射材粒子を含有するシリコーン樹脂層11のダメージを小さくするためには、ブラスト処理後に保護フィルム1003を除去することが好ましい。上記実施形態や変形例等は、任意に組み合わせることができる。用途等に応じて適切な組み合わせを選ぶことが好ましい。例えば図14A及び図14Bに示すレーザ照射態様と、図15A~図15Dに示す導体層の形成方法と、図16に示す製造方法と、を組み合わせてもよい。以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、請求項に記載されている発明や発明を実施するための形態に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。