基板と基板上に設けられた多層反射膜と、多層反射膜上に設けられた光吸収層を具備し、光吸収層がタンタルを含有する複数の層からなり、多層反射膜に近いほうの層に含まれるタンタルの含有率が、その後に積層して形成した層のタンタル含有率よりも高い反射型フォトマスクブランクにおいて、タンタルを含有する複数の層の上に、タンタル以外の金属を主成分として含有する層をさらに積層してなることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。タンタル以外の金属がニオブ、チタン、アルミニウム、クロムの中から選択される1つ以上の金属であることを特徴とする請求項1に記載の反射型フォトマスクブランク。タンタル以外の金属を主成分として含有する層が、ニオブ、チタン、アルミニウム、クロムの中から選択される一つ以上の物質とケイ素を主成分として含有することを特徴とする請求項1に記載の反射型フォトマスクブランク。請求項1ないし3いずれか1項に記載の反射型フォトマスクブランクの、タンタル以外の金属を主成分として含有する層を除去し、タンタルを含有する層の一部を除去してパターンを形成したことを特徴とする反射型フォトマスク。請求項4に記載の反射型フォトマスクを露光装置に設置し、前記マスクを用いたリソグラフィ法による露光転写を行ない、パターン形成を行なうことを特徴とするパターン転写方法。しかし、光吸収層の表層近くのタンタル含有率の低い光吸収膜はタンタル含有率の高い膜と比較して、導電性が低い。このため、透明性を大きくした膜をパターン加工するために電子線にてパターン露光する際にチャージアップによりパターンの位置や形状に歪みを生じることがある。このような問題点は、解決されていない。本発明は、以上の問題点を解決するものであり、EUV光による露光時およびDUV光による検査時において反射領域に対して良好なコントラストが得られ、電子線でのパターン露光によるチャージアップのない反射型フォトマスクブランクおよびそれを用いた反射型フォトマスク並びにそれを用いたパターン転写方法を提供することを課題とする。本発明は係る課題に鑑みなされたもので、請求項1の発明は、基板と基板上に設けられた多層反射膜と、多層反射膜上に設けられた光吸収層を具備し、光吸収層がタンタルを含有する複数の層からなり、多層反射膜に近いほうの層に含まれるタンタルの含有率が、その後に積層して形成した層のタンタル含有率よりも高い反射型フォトマスクブランクにおいて、タンタルを含有する複数の層の上に、タンタル以外の金属を主成分として含有する層をさらに積層してなることを特徴とする反射型フォトマスクブランクとしたものである。本発明の請求項2の発明は、タンタル以外の金属がニオブ、チタン、アルミニウム、クロムの中から選択される1つ以上の金属であることを特徴とする請求項1に記載の反射型フォトマスクブランクとしたものである。本発明の請求項3の発明は、タンタル以外の金属を主成分として含有する層が、ニオブ、チタン、アルミニウム、クロムの中から選択される一つ以上の物質とケイ素を主成分として含有することを特徴とする請求項1に記載の反射型フォトマスクブランクとしたものである。本発明の請求項4の発明は、請求項1ないし3いずれか1項に記載の反射型フォトマスクブランクの、タンタル以外の金属を主成分として含有する層を除去し、タンタルを含有する層の一部を除去してパターンを形成したことを特徴とする反射型フォトマスクとしたものである。本発明の請求項5の発明は、請求項4に記載の反射型フォトマスクを露光装置に設置し、前記マスクを用いたリソグラフィ法による露光転写を行ない、パターン形成を行なうことを特徴とするパターン転写方法としたものである。本発明によれば、反射型フォトマスクブランクおよび反射型フォトマスクに使用される光吸収層が、タンタルを含有する複数の層からなり、多層反射膜に近い層のタンタル含有率が、その上に形成された層よりも高いことにより、EUV光による露光時のみならずDUV光による検査時においても、反射領域に対して良好なコントラストが得られ、反射型フォトマスクの検査精度およびそのパターン転写精度が良好となり、タンタルを含有する複数の層の上に、タンタル以外の金属を主成分として含有する層をさらに積層することで、電子線でのパターン露光によるチャージアップのない反射型フォトマスクブランクおよびそれを用いた反射型フォトマスクとすることが出来る。。また、本発明のパターン転写方法によると、試料基板上に形成されたレジストに対し、精度良いパターン露光が長期間可能となり、その結果、電子デバイス等のパターンの製造を、高い歩留まりで行なうことが出来る。本発明の反射型フォトマスクブランクは、基板と基板上に設けられた多層反射膜と、多層反射膜上に設けられた光吸収層を具備し、光吸収層がタンタルを含有する複数の層からなり、多層反射膜に近いほうの層に含まれるタンタルの含有率が、その後に積層して形成した層のタンタル含有率よりも高い反射型フォトマスクブランクを前提とする。そして上記のタンタルを含有する複数の層の上に、タンタル以外の金属を主成分として含有する層をさらに積層してなる反射型フォトマスクブランクである。反射型フォトマスクブランクは、反射型フォトマスクに加工する前の製品であって、光吸収層は転写される露光パターンに応じたパターン加工がなされていない。図1は本発明にかかる反射型フォトマスクブランクの一例の構成を断面で示す説明図、および図2は本発明にかかる反射型フォトマスクの一例の構成を断面で表す説明図である。図1に示すように、本例の反射型フォトマスクブランク10は基板1上に多層反射膜2、キャッピング層3、2層光吸収膜4、5、およびタンタル以外の金属を含む層であるエッチングマスク層6を順次積層した構造を有する。多層反射膜2は多層積層されているけれども簡略して単層で示している。本発明の反射型フォトマスクは、上記反射型フォトマスクブランクの光吸収膜4、5がパターン加工され、エッチングマスク層6が除去された構成である。図2に示すように、本発明の反射型フォトマスク20は光吸収膜4、5の代わりにパターン加工された光吸収層4a、5aが設けられており、このパターン加工により光吸収膜4、5が部分的に除去されてキャッピング層の一部が露出された部分が反射領域B、除去されずに残った光吸収層4a、5aの表面が吸収領域Aを構成している。また、本発明の反射型フォトマスクブランクの製造方法は上記反射型フォトマスクブランクを用いて上記反射型フォトマスクを得るための方法の一例であって、上記反射型フォトマスクブランクのエッチングマスク層の上にレジスト層を形成し、露光、現像することにより所定のパターンに応じて該レジスト層を部分的に除去し、エッチングマスク層の表面を露出させる工程、およびエッチングマスク層を介して光吸収層をパターン加工する工程を具備する。図3ないし図4に本発明の反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクの製造工程の一例を説明するための図を断面で示す。基板としては、熱膨張係数の小さい材料で平坦度がよく、表面粗さが小さい材料が好ましく、例えば図3aに示すようにSiO2-TiO2ガラスを平坦に研磨して表面を清浄にしたガラス基板1を用意する。次に、基板1の上にDCマグネトロンスパッタによりモリブデン2.8nmとケイ素4.2nmを交互に約40周期積層して、図3bに示すように、波長13~14nmのEUV光に対して反射率が最大となるような多層反射膜2を作成することができる。なお、この多層反射膜2は多層膜であるけれども、図中では単層で示している。その後、図3cに示すように、例えばジルコニウムシリサイド等のキャッピング層3をDCマグネトロンスパッタにより、例えば5ないし10nmの厚さに成膜することができる。さらに図3dに示すように、キャッピング層3上にタンタルとケイ素からなる第1の光吸収膜4とタンタルケイ素、酸素、窒素からなる第2の光吸収膜5をそれぞれ50ないし100nm、20ないし60nmの厚さにDCマグネトロンスパッタにより成膜することができる。光吸収膜5上には、図3eに示すように、例えばニオブシリサイドからなるエッチングマスク層6を形成することができる。このようにして本例の反射型フォトマスクブランクを作成できる。その後、エッチングマスク層6を例えば電子線リソグラフィ技術によりパターン加工することができる。まずエッチングマスク層6上に、図3fに示すように、電子線露光用レジスト塗布液を塗布し、ベーキングをおこなうことにより電子線露光用レジスト層7を形成する。次に、レジスト層7に電子線描画装置により所望のパターンを描画し、例えば2.38wt水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液により現像処理をおこない、図3gに示すようにエッチングマスク層6をエッチングするためのレジストパターン7aを形成することができる。次に塩素を含む雰囲気下でドライエッチングをおこなうことにより、図3hに示すようにエッチングマスク層6のパターン6aを形成することができる。次にフッ素を含む雰囲気下、たとえばC2F6ガスを含むガスを用いてドライエッチングをおこなうことによりレジストパターン7aおよびエッチングマスクパターン6aに対応した光吸収膜パターン5aを図4iに示すように形成することができる。図4iではレジストパターン7aが示されているが、吸収膜パターン5aを形成するエッチングの途中で消失してもよく、エッチングマスクパターン6aが十分に残存していればよい。次にレジストパターン7aを例えば酸素ガスを用いたプラズマアッシングにより除去し、エッチングマスクパターン6aを例えば塩素ガスを含む雰囲気でエッチング除去することにより、図4jに示すように、吸収膜パターン5aと光吸収層4の一部が表面に露出した状態となる。この状態で吸収膜パターンが正常に形成されているかどうかを遠紫外光により検査することができ、必要に応じて欠陥を修正することができる。また、検査や修正の前後に適宜洗浄工程を設けてもよい。さらに、吸収膜パターン5aをエッチングマスクとして塩素を含む雰囲気中でドライエッチングをおこなうことにより図4kに示したような2層吸収パターン4a、5aを備えた反射型マスクが得られる。キャッピング層3は吸収膜パターン4aを形成するときのエッチング停止層として機能する。本発明に用いられる多層反射膜としては、EUV領域の波長で高い反射率を得るために屈折率の異なる材料を多層に積層した膜を用いることができる。高い反射率を得るためには、各層間の界面で急峻に屈折率が変化することが望まれる。13.5nm付近の波長のEUV光を使用する場合、モリブデンとケイ素を交互に積層した多層膜を用いることができる。多層膜の最上層は真空との屈折率差の大きいモリブデンの方が反射率を高くできるが、モリブデン表面に生成する酸化膜が不安定であることから、最上層はケイ素とすることが多い。最上層は多層膜を保護する観点からキャッピング層と呼ばれる。キャッピング層は表面酸化に対して安定なケイ素以外の材料を最上層としてもよく、多層膜の反射を損なわないように消衰係数が小さく、また、前記理由により屈折率が1からなるべく離れていることが好ましい。本発明に係る光吸収層は、少なくとも2層の光吸収膜を有する。ここで使用される光吸収膜はマスク上にパターン加工され、露光プロセスにおいて転写されるパターンの光強度の小さい領域を形成するものをいう。光吸収膜としてはEUV波長の光を吸収する能力の高い材料が使用され得る。吸収能力は露光に用いられる光の波長における消衰係数で定まる。本発明では、使用される光吸収膜がタンタルを含む複数の層からなり、多層反射膜に近い層のタンタル含有率が、その上に形成される吸収層のタンタル含有率よりも高い。タンタル単体をスパッタリングにより成膜すると、結晶粒子が成長しやすく、応力の経時変化が大きくなるために、低い応力の膜とすることが困難となる傾向がある。また、粒子が粗いとパターン端部の粗さLineEdgeRoughnessが大きくなり、転写性能を劣化させる原因となる。たとえば、タンタルとケイ素をターゲットとしてスパッタリングすると、ケイ素の含有量を5以上とすると、タンタルの結晶構造は見られなくなり、アモルファスとなる。この条件で、スパッタリングの電流値やガスの流量を適宜選択することによって、低応力の膜が得られる。ケイ素の量が過剰であると、膜の密度が低下し、タンタルによる高い吸収効果が損なわれる。したがって、タンタルを主成分とする光吸収膜のタンタル含有率は比較的高いことが好ましい。光吸収膜の一部をエッチング除去した後にパターンが正常に形成されたかどうかを検査するために、遠紫外光による欠陥検査装置を用いようとした場合に、前記のタンタル含有率の高い膜の反射率は概ね40ないし60の範囲にある。一方、光吸収膜の一部を除去して多層反射膜の表面が露出した部分の反射率もまた、40ないし60の範囲にある。したがって、タンタル含有率の高い光吸収膜のパターン欠陥検査を遠紫外光でおこなうことが困難になってしまう。このような問題を解決する方法として、膜の材料に窒素や酸素を含有したものを用いる方法や、光吸収膜上に反射防止層を設ける方法がある。反射防止層は層の上面と下面の反射の干渉効果を利用するものであり、用いる光の波長において比較的透明性の高い材料であることが要求される。タンタル含有率の高い材料をパターン加工する場合、塩素を含むガスを用いたドライエッチングを用いることができる。タンタルの含有率が90以上であるような材料をICP誘導結合プラズマ方式のドライエッチング装置を使用し、ポリヒドロキシスチレン系のベースポリマーを使用した典型的な電子線露光用レジストをエッチングマスクとしてパターンを形成する際に、レジストに対するエッチングの選択比は0.5ないし0.7程度であり、必ずしも良好とはいえないが、素子寸法のエッチングバイアスを適正に設定することにより、要求されるパターンを形成することが可能である。しかしながら、前記の検査光のコントラストを向上させる目的で酸化度を高くした膜を塩素ガスを用いてエッチングした場合、エッチング速度が大幅に低下し、レジストとの選択比も0.1未満となってしまう。このため、タンタルを主成分とする光吸収膜でDUV検査光に対する反射率が低くなるように設定した膜を塩素系のプラズマのみでエッチング加工することはきわめて困難である。このような酸化の進行したタンタルを主成分とする材料はフッ素系のガスを用いてエッチング加工することができる。例えばエッチングガスとしてC2F6を用いて酸素含有率が40-60であるような膜をエッチングすると、レジストとの選択比は0.7程度の値が得られる。これまでに提案された単層の光吸収層を具備した反射型フォトマスクブランクは、光吸収層と多層反射膜の間に修正用のバッファー層を設けるのが典型的である。光吸収層とバッファー層はドライエッチングに対して互いに選択比の高くなる組み合わせが好適に用いられる。例えば、一方を塩素系のエッチングガスに対してエッチング速度が大きく、フッ素系のエッチングガスに対してエッチング速度が小さい材料、他方を塩素系のエッチングガスに対してエッチング速度が小さく、フッ素系のエッチングガスに対してエッチング速度が大きい材料を選択するのが典型的である。ここでいう塩素系のエッチングガスとは、例えば塩素Cl2、三塩化ホウ素BCl3、塩化水素HCl等を指し、フッ素系エッチングガスとは、例えばパーフルオロエタンC2F6、六フッ化硫黄SF6、三フッ化窒素NF3等のガスのことをいう。前記2層吸収膜に対して、さらに修正用のバッファー層を設けることもできるが、上記吸収膜をエッチング加工した段階でエッチングマスクを剥離して検査、修正し、上層吸収膜のパターンをエッチングマスクとしてパターン加工することができれば、2層吸収膜の他に修正用のバッファー層を設ける必要はない。遠紫外光を用いた欠陥検査装置を使用してパターン検査をおこなう場合の反射コントラストに注目すると、既に説明したように、タンタルを90以上含有した層の遠紫外領域の反射率は、吸収膜をエッチングして多層反射膜あるいはキャッピング層表面の反射率との差が小さい。いいかえれば、酸素含有率を高くしてタンタル含有率を低くした第2の吸収層の成膜条件を適宜選択して、前記第1の吸収層に対して反射コントラストを大きくなるようにすれば、第1の吸収層をエッチング除去して多層膜表面あるいはキャッピング層の表面が露出した部分との反射コントラストも大きくなり好都合である。本発明のフォトマスクブランクは前記の複数の吸収膜の上にさらにタンタル以外の金属を主成分とする層をさらに設けることができる。この層は吸収膜の一部をエッチングにより除去する際にレジストとともにエッチングマスクとなる。以後、この層をエッチングマスク層と呼ぶ。タンタル含有率が低い前記の光吸収膜はフッ素系のガスで好適にエッチングされ得る。したがって、エッチングマスク層は塩素系のエッチングガスで容易にエッチングすることが可能で、フッ素系のエッチングガスに対して耐性が大きいことが望ましい。また、タンタル含有率の低い前記の光吸収膜はタンタル含有率の高い膜と比較して、導電性が低い。このため、透明性を大きくした膜をパターン加工するために電子線にてパターン露光する際にチャージアップによりパターンの位置や形状に歪みを生じることがある。したがって、エッチングマスク層の材料としては、金属含有率が高く、導電性が高い材料を好適に用いることができる。さらに、前記エッチングマスク層としては、窒素を含有しない材料を好適に用いることができる。また、これにより、前記タンタルの含有率の低い光吸収層に窒素を含有させることにより膜の特性をさらに改善することも可能となる。前記の要件を満たすエッチングマスク層の材料として、具体的にはニオブ、チタン、アルミニウム、クロムから選択される一つ以上の金属を含む材料をあげることができる。金属単体でスパッタリングをおこなうと、結晶粒子が成長しやすいことから、上記金属を組合せたり、ケイ素をさらに含有する膜を好適に用いることができる。チタンやアルミニウム等の軽元素を主成分とすれば、電子線描画時の電子の後方散乱によるパターン寸法変動に対する影響を低減することもできる。また、本発明の反射型フォトマスクブランクは、多層反射膜と光吸収膜の間にタンタル以外の金属を主成分として含有する膜をさらに設けることができる。この層は多層反射膜のすぐ上にあって、多層反射膜の損傷による反射率の変動を防止することからキャッピング層と呼ばれる。本発明においてキャッピング層のすぐ上にあるタンタル含有率の高い光吸収層は、塩素系のエッチングガスを使用してエッチング加工される。したがって、本発明におけるキャッピング層は塩素系ガスを使用したドライエッチングに対して高い耐性を有する材料から選択された材料を好適に用いることができる。また、図2から明らかなように、キャッピング層は最終的に反射型フォトマスクを形成した際に、反射領域の最上層となる。このことから、キャッピング層の材料はEUVの露光波長において消衰係数が小さく、また、屈折率が真空の屈折率すなわち1との差が大きいものを好適に用いることができる。具体的にはルテニウム、ジルコニウム、イットリウムから選択される一つ以上の金属を含有する材料を好適に用いることができる。特にジルコニウムとケイ素を含有する材料を用いることにより、洗浄液等の化学物質に対して安定な膜とすることができる。本発明によるフォトマスクを用いたパターン転写方法は、例えば、先ず被加工層を表面に形成した基板上にフォトレジスト層を設けたのち、本発明によるフォトマスクを介して反射した極端紫外線を選択的に照射する。次いで、現像工程において不必要な部分のフォトレジスト層を除去し、基板上にレジスト層のパターンを形成させたのち、このレジスト層のパターンをマスクとして被加工層を処理し、次いで、レジスト層のパターンを除去することにより、フォトマスクパターンに忠実なパターンを基板上に転写する方法である。以下に実施例を示し、本発明をより詳細に説明する。図3ないし図4を用いて、実施例1の反射型フォトマスクの製造工程について説明する。基板1として、図3aに示すように6インチ×6インチ×0.25インチの大きさの合成石英ガラス基板を用意した。図3bに示すように、基板1上にDCマグネトロンスパッタ装置を用いてモリブデンとケイ素のターゲットを交互に使用し、アルゴン雰囲気で2.8nmの膜厚を有するMo層、および4.2nmの膜厚を有するSi層を1周期として40周期積層し、280nmの厚さを有する多層反射膜2を形成した。多層反射膜2の最上層はケイ素とした。この多層反射膜2の波長257nmにおける反射率は63であった。次に、図3cに示すように、多層反射膜2の上にジルコニウムとケイ素の原子数比が1:2のスパッタリングターゲットを使用して、ジルコニウムシリサイドからなるキャッピング層3を7nmの厚さで成膜した。次に図3dに示すように、アルゴンガス雰囲気下でタンタルとケイ素のスパッタリングターゲットを使用し、パワー比6:1でDCマグネトロンスパッタリングにより80nmの厚さにタンタルとケイ素からなる第1の光吸収膜4を成膜し、引き続き、タンタルとケイ素のスパッタリングターゲットを使用し、パワー比を1:3として、アルゴンと酸素の流量比を7:1とした反応性DCスパッタリングにより第2の吸収膜5を28nmの厚さに成膜した。それぞれの吸収膜をX線光電子分光法により分析して膜の組成を調べたところ、第1の光吸収膜のタンタル含有率は94であり、第2の光吸収膜のタンタル含有率は30であった。第2の光吸収膜を形成した面の波長257nmにおける反射率は5であった。さらに、ニオブとケイ素をスパッタリングターゲットとして使用し、パワー比1:2、アルゴンガス雰囲気下でDCマグネトロンスパッタリングによりエッチングマスク層6を30nmの厚さに形成して、図3eに示すようなEUV光用反射型マスクブランクを得た。上記マスクブランクに電子線レジストFEP171富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製を300nmの厚さにスピンコートし、ホットプレートにて110°Cで10分間のベーキングをおこない、図3fに示すようにレジスト層7を形成した。次いで、電子線描画装置を用いて、10μC/cm2のドーズ量でパターンを描画した。描画後のブランクをホットプレートにて110°Cで10分間ベーキングし、2.38wtの水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で90秒間現像処理して、純水でリンスした後にスピン乾燥して図3gに示すようなレジストパターン7aを得た。続いて、ICPエッチング装置を用いて、塩素ガスとヘリウムガスを用いて前記レジストパターン7aを介して、図3hに示すように、吸収膜をパターン加工するためのエッチングマスクパターン6aを得た。このエッチング条件において、エッチングマスク層6のエッチング速度は230nm/min、レジスト膜のエッチング速度は85nm/minであり、選択比は2.7となり十分に大きい値であった。次にICPエッチング装置を使用しC2F6ガスとヘリウムガスを1:7で混合した雰囲気下で前記第2の光吸収層のパターン5aを得た。このエッチング条件において、前記エッチングマスク層6のエッチング速度は9nm/min、第2の吸収膜のエッチング速度は13nm/minであり、エッチングマスクに対するエッチングの選択比は十分に大きい値であった。一方、このエッチング条件におけるレジスト材料のエッチング速度は22nm/minであった。このことから、エッチングマスク層による選択比の改善効果は2倍以上であり非常に大きい。次に、酸素プラズマによりレジストパターン7aを除去し、引き続いて塩素ガスとヘリウムガスを混合したプラズマ雰囲気下でニオブとケイ素からなるエッチングマスク層を除去した。エッチングマスク層のエッチング速度は230nm/minで非常に大きく、約8秒で除去されることから、第1の吸収層の露出した部分は十分な膜厚で残留している。この状態でタンタル含有率の低い第2の吸収層が残留した吸収領域の257nmにおける反射率は3.0、タンタル含有率の高い第1の吸収層が残留した反射領域の257nmにおける反射率は54.2であった。したがって、反射コントラストは90であり十分なコントラストでパターン形状を確認することができた。ここでいう反射コントラストは高反射率部の反射率-低反射率部の反射率/高反射率部の反射率低反射率部の反射率×100で計算される値である。パターンの確認後、再度塩素ガスとヘリウムガスの混合ガスによるプラズマにより第1の吸収膜をエッチングして、反射型マスク20を得た。このエッチング条件において、タンタル含有率の低い第2の吸収層のエッチング速度は4nm/minであり、タンタル含有率の高い第1の吸収層のエッチング速度は42nm/minであった。第1の吸収層の膜厚は80nmであることから20程度のオーバーエッチングをおこなっても第2の吸収層の膜厚の減少量は約9nmと微小であった。この状態でタンタル含有率の低い第2の吸収層の残留した部分の波長257nmにおける反射率は3.4であり、ジルコニウムとケイ素からなるキャッピング層の257nmにおける反射率は55.0であった。したがって反射コントラストは88であり、十分にパターン欠陥を検査できる値であった。