正面及び背面を有する複数の半導体素子と、当該複数の半導体素子の正面側に位置して前記半導体素子の熱を放熱する正面側放熱板と、前記複数の半導体素子の背面側に位置して前記熱を放熱する背面側放熱板と、を含む半導体装置であって、前記正面側放熱板の正面と前記背面側放熱板の背面を除いて前記半導体装置を覆う封止材を含み、前記正面側放熱板の背面と前記背面側放熱板の正面の少なくとも一方は、前記複数の半導体素子の間に位置する凸部を有することを特徴とする半導体装置。前記正面側放熱板の正面と前記背面側放熱板の背面の少なくとも一方は前記凸部に対応する凹部を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。正背方向において前記凸部の高さは前記凹部の高さよりも小さいことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記凸部は前記複数の半導体素子が並列される並列方向に対して垂直な垂直方向に延在することを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体装置。前記凸部は前記垂直方向に断続的に延在することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。前記凸部は前記垂直方向に複数条延在することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。前記凸部の始端と終端は前記正面側放熱板又は前記背面側放熱板の端部であることを特徴とする請求項4~6のいずれか一項に記載の半導体装置。前記凸部の始端と終端は前記垂直方向において前記半導体素子が側方に存在する領域に対応して設定されることを特徴とする請求項4~6のいずれか一項に記載の半導体装置。ところで、前述した樹脂と放熱板、半導体素子との間においては、熱膨張係数の差が大きく、モールド時の硬化収縮に伴って放熱板とモールド樹脂との間に剥離が発生しやすい。従来技術ではこの剥離を防止するため、放熱板のモールド樹脂つまり封止材との密着領域にプライマを塗布することが行われているが、特に複数の半導体素子を実装する場合に半導体素子間において適切な膜厚を確保できず適切に剥離を防止することが難しいという問題がある。本発明は、上記問題に鑑み、放熱板と封止材との間の剥離の発生を適切に防止することができる半導体装置を提供することを目的とする。上記の課題を解決するため、本発明による半導体装置は、正面及び背面を有する複数の半導体素子と、当該複数の半導体素子の正面側に位置して前記半導体素子の熱を放熱する正面側放熱板と、前記複数の半導体素子の背面側に位置して前記熱を放熱する背面側放熱板と、を含む半導体装置であって、前記正面側放熱板の正面と前記背面側放熱板の背面を除いて前記半導体装置を覆う封止材を含み、前記正面側放熱板の背面と前記背面側放熱板の正面の少なくとも一方は、前記複数の半導体素子の間に位置する凸部を有することを特徴とする。前記半導体装置において、前記正面側放熱板の正面と前記背面側放熱板の背面の少なくとも一方は前記凸部に対応する凹部を有することとしてもよく、正背方向において前記凸部の高さは前記凹部の高さよりも小さいこととしてもよく、前記凸部は前記複数の半導体素子が並列される並列方向に対して垂直な垂直方向に延在することとしてもよい。前記半導体装置において、前記凸部は前記垂直方向に断続的に延在することとしてもよく、前記凸部は前記垂直方向に複数条延在することとしてもよく、前記凸部の始端と終端は前記正面側放熱板又は前記背面側放熱板の端部であることとしてもよく、前記凸部の始端と終端は前記垂直方向において前記半導体素子が側方に存在する領域に対応して設定されることとしてもよい。本発明によれば、正面側放熱板及び背面側放熱板の面方向に対して封止材が硬化時に収縮しても、半導体素子と半導体素子の間に位置する正面側放熱板と背面側放熱板が凸部により正面側放熱板及び背面側放熱側と封止材との間に位置するプライマの膜厚を適切な値として確保することができる。このため、封止材と正面側放熱板及び背面側放熱板との間の接合性を高めて、正面側放熱板の背面側と封止材の正面側との間、及び、背面側放熱板の正面側と封止材の背面側との間の界面に剥離が発生することを防止することができる。以下、本発明を実施するための形態について、添付図面を参照しながら説明する。本実施例1の半導体装置1は、図1に示すように、半導体装置1は、正面及び背面を有する二の四辺形状かつ平板状の半導体素子2と、二の半導体素子2の正面側に位置して半導体素子2の熱を放熱するヒートスプレッダー3正面側放熱板と、二の半導体素子2の背面側に位置して熱を放熱するヒートスプレッダー4背面側放熱板と、を含む半導体装置1であって、ヒートスプレッダー3の正面とヒートスプレッダー4の背面を除いて半導体装置1を覆う後述する封止材を含み、ヒートスプレッダー3の背面とヒートスプレッダー4の正面は、二の半導体素子2の間に位置する凸部3a、4aを有する。さらに本実施例1の半導体装置1は、ヒートスプレッダー3の正面とヒートスプレッダー4の背面は凸部3a、4aにそれぞれ対応する凹部3b、4bを有している。凸部3a、4a及び凹部3b、4bは二の半導体素子2が並列される並列方向に対して垂直な垂直方向に延在することとしている。凸部3a、4a及び凹部3b、4bの始端と終端はヒートスプレッダー3及びヒートスプレッダー4の端部である。図1中の上側つまり正面側から視て、上述した二の半導体素子2は、背面側のヒートスプレッダー4の正面側に前後方向に並列されており、図1及び図1の半導体素子2の双方を含む断面である図2に示すように、半導体素子2の正面側には半導体素子2の正面とヒートスプレッダー3の背面との間隔を調節するスペーサ5が載置される。図2に示すように、半導体装置1は、主にそれらの外周側を封止材6にてモールド樹脂成形されて、直方体状に構成される。本実施例のヒートスプレッダー3及びヒートスプレッダー4は、銅、アルミニウムなど、熱伝導性及び電気伝導性の高い平板状の母材を、例えばプレス加工により例えば長方形状の形態に打ち抜いて構成される。このプレス加工において、ヒートスプレッダー3の凹部3bとヒートスプレッダー4の凹部4bは、図示しない方形状の型側凸部により押圧されて形成される。凹部3bと凹部4bの形成に伴い、母材が押圧方向側に移動してヒートスプレッダー3の凹部3bの反対側には凸部3aが形成され、ヒートスプレッダー4の凹部4bの反対側には凸部4aが形成される。また、スペーサ5についても熱伝導性及び電気伝導性の高い平板状の例えば銅等の母材を、例えばプレス加工により例えば半導体素子2よりも小さい正方形状の形態に打ち抜いて構成される。以下に半導体装置1の積層構造について図2を用いて詳細に説明する。図2に示すように、ヒートスプレッダー4の正面側と半導体素子2の背面との間は、下側半田層7を介して電気的、熱的に接続されている。半導体素子2の正面側とスペーサ5の背面は上側半田層8を介して電気的、熱的に接続されている。スペーサ5の正面とヒートスプレッダー3の背面側は第三半田層9を介して熱的に接続される。下側半田層7、上側半田層8、第三半田層9は、それぞれフィレット状の半田を、半導体素子2とヒートスプレッダー4との間、スペーサ5と半導体素子2との間、ヒートスプレッダー3とスペーサ5との間に載置した状態で、上述した封止材6によるモールドに先立って、加熱することにより形成される。なお、本実施例1の半導体装置1はこの加熱接合工程の後、モールドに先立って封止材6と密着し接合する部分に、封止材6を構成する樹脂との接合性を高めるため、図3に示すようにプライマ10が塗布される。図3においては、図示の便宜上、正面側のヒートスプレッダー3を省略して、塗布後のプライマ10の膜厚についてのみ拡大して示している。ここで本実施例1の前提となる構造において封止材6とヒートスプレッダー3及びヒートスプレッダー4との界面における応力の発生する態様について図4を用いて説明する。図4は、図1に示した本実施例1の半導体装置1から凸部3a、4a及び凹部3b、4bを除外した前提構造を示す。図4aは封止材6を構成する樹脂をヒートスプレッダー3とヒートスプレッダー4との隙間に充填した後、熱硬化させる段階を示している。この段階においては、樹脂の硬化反応がすすみ、化学的な架橋反応の進行に伴い体積が縮小される。この体積の縮小により、ヒートスプレッダー3の背面と樹脂との界面と、ヒートスプレッダー4の正面と樹脂との界面には図4a中矢印で示すように、接合面を剥離する方向の応力が作用する。ここで図4に示した前提構造においては、プライマ10の表面張力が強いことから、プライマ10が半導体素子2側に引き寄せられて、ヒートスプレッダー4の正面又はヒートスプレッダー3の背面の二つの半導体素子2の間に位置する部分には、プライマ10が集まりにくく膜厚を確保しにくい。また図4に示した前提構造において半導体素子2は二つ並列されて含まれており、二つの半導体素子2の外側に位置する図4b中の隙間αでは、半導体素子2及びブロック5により片持ち支持されるためヒートスプレッダー3、ヒートスプレッダー4はともに撓みやすく、樹脂の収縮に追従してヒートスプレッダー3、ヒートスプレッダー4がともに正背方向に接近する方向に撓むので剥離は発生しにくい。これに対して隙間αと異なり二つの半導体素子2の内側に位置する図4b中の隙間βでは、左右一対の半導体素子2及びブロック5により両持ち支持されるためヒートスプレッダー3、ヒートスプレッダー4はともに撓みにくく、樹脂の収縮に追従してヒートスプレッダー3、ヒートスプレッダー4がともに正背方向に接近する方向に撓まないので図4cdに示す形態の剥離γが発生しやすい。本実施例1の半導体装置1では、凸部3a、4aを樹脂に面する側に設けることで、図2に示す様に、ヒートスプレッダー3、4を樹脂により封止する前に塗布されるプライマ10の有する表面張力を利用して凸部3a、4a側に集めることができ、プライマ10の膜厚を図3中左右方向全般に亘って均等に分布させ、プライマ10の膜厚を適切に確保することができる。これによってヒートスプレッダー3、4と封止材6との接合性を高め剥離の発生を防止することができる。また本実施例1の半導体装置1においては、ヒートスプレッダー3に設けた凹部3bとヒートスプレッダー4に設けた凹部4bにより、図2中のヒートスプレッダー3、4の双方の半導体素子2の間に位置する部分δを撓ませることができる。つまり、封止材6を構成する樹脂が熱硬化により、正背方向においてヒートスプレッダー3、4から離隔する方向に圧縮されても、ヒートスプレッダー3、4の部分δもその分撓ませて封止材6との間に剥離が発生することを防止することができる。なお二つの半導体素子2の図2中左右方向の距離をLmmとし、図2中部分δの界面における応力をPMPaとすると、距離Lと応力Pとは図5中実線に示すように逆比例の関係を示し、図2中破線で示す図4中の前提構造における半導体素子2の間の部分における応力と距離Lの関係に対して左方にオフセットされたものとなる。つまり、前提構造に比べて本実施例1の半導体装置1においては剥離防止上許容される応力に対して、距離Lをなるべく短くすることができ、半導体素子2の実装密度を高めて、装置全体の小型化を図ることもできる。上述した実施例1の半導体装置1においては、正背方向における凸部3aの高さと凹部3bの高さの関係、及び、凸部4aと凹部4bとの高さの関係については特に限定しなかったが、これを規定することもできる。以下それについての実施例2について述べる。図6に示すように、本実施例2の半導体装置1においては、ヒートスプレッダー4の凸部4aの高さAに対して、凹部4bの高さBをB>Aの関係と満たすものとしている。図6中では図示を省略しているが、凸部3aの高さと凹部3bの高さの関係も後者の方が大きいものとしている。この関係を満足させるにあたっては例えば、ヒートスプレッダー3及びヒートスプレッダー4の母材を上述した型側凸部により押圧した場合に、押圧方向に対して余肉が側方により逃げやすくなるよう、母材の材料を選定する。実施例1にて述べたように、凸部によってプライマ10を半導体素子2の間に集めるにあたっては、プライマ10の有する表面張力により平板上に位置する障害物としての凸部にプライマ10が吸い寄せられることを導けば十分であり、このプライマ10を集める機能は凸部が凹部よりも小さくても確保できる。本実施例2によれば、凸部の高さをこの機能を確保する上で最低限のものとすることができる。また、この関係を満たすことにより凸部によって剛性が高くなることを抑制し凹部についてはなるべく大きなものとして、二つの半導体素子2の間に位置する部分のヒートスプレッダー3及びヒートスプレッダー4の剛性を更に低下させて、樹脂の硬化時の収縮に対する追従性を高め、剥離の防止効果を高めることができる。上述した実施例1、2においては凹部の形状は、二つの半導体素子2の並列方向に垂直な垂直方向から視て横長の長方形状であるものとし、凸部も、凹部の形状に準じる形態としているが、この形状は、前提構造において想定される図4dに示した剥離の範囲に対応させてプライマ10をどの程度集めるかと、ヒートスプレッダー3及びヒートスプレッダー4の剛性をどの程度低下させるかによって、又は、プレス加工上の都合等の事情により、適宜変更することができる。例えば図7aで示すように、ヒートスプレッダー4の二つの半導体素子2が載置された正面から視た上方視Uと、右方視Rで視た場合、図7bで示すように、凸部4a、凹部4bの形態を縦長の長方形状とすることもでき、図7cで示すように、凸部4a、凹部4bをともに三角形状とすることもできる。凸部4a及び凹部4bの垂直方向における延在形態についても、始端及び終端をヒートスプレッダー4の端部とする実施例1、2、図7bcの形態に換えて、図7dに示すように、半導体素子2の垂直方向における始端と終端に合わせることもできる。さらに、始端から終端まで連続的に凸部4a、凹部4bを延在させることに換えて、図7eに示すように、断続的に延在させることもできる。つまり凸部4a及び凹部4bの始端と終端は垂直方向において二つの半導体素子2が側方に存在する領域に対応して設定される。図7eに示す形態では、凸部4a及び凹部4bの垂直方向における延在のトータルの長さを図7dに示した形態と同等とするため、凸部4a及び凹部4bの始端及び終端を、半導体素子2に対して垂直方向に突出させる形態としている。凸部4a及び凹部4bの垂直方向における延在形態は以上述べたような一条としてもよいし、図7fに示すように多数条としてもよく、この場合において、図7gに示すように、始端及び終端をヒートスプレッダー4の端部に合わせることとしてもよい。以上述べたことはヒートスプレッダー3の凸部3a、凹部3bについても同様である。上述した実施例では、凸部を樹脂に面する側に設けることで、ヒートスプレッダーを樹脂により封止する前に塗布されるプライマの膜厚を塗布対象となる全領域に亘って適切に確保しており、これによってヒートスプレッダーと封止材との接合性を高めて剥離を防止することができる。また上述した実施例においては、封止材を構成する樹脂が硬化時に収縮することを予め考慮に入れて、ヒートスプレッダーに設けた凹部によりヒートスプレッダーの半導体素子の間に位置する部分を撓ませて、封止材がヒートスプレッダーの厚み方向にヒートスプレッダーから離隔する方向に熱硬化時の圧縮に追従させ、ヒートスプレッダーもその分撓ませて封止材との間における剥離を未然に防止することができる。なお上述した実施例においては、正面側放熱板と背面側放熱板の双方が凸部を具備しているが、プライマの膜厚確保を片面のみで行えば剥離が防止できる場合には、一方のみが具備することとしてもよい。また上述した実施例では製作容易性の観点から、凸部を裏側に凹部を設けることにより構成したが、例えば、図7defのカッコ内を除いて示すように、凹部を省略して凸部のみを設ける構成としてもよい。この場合も、凸部側から放熱板をプレス加工する等の工法により構成可能である。以上本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明は上述した実施例に制限されることなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形および置換を加えることができる。