"真空容器内に設けられた下部電極を兼用する載置台の基板載置領域に基板を載置すると共に、前記下部電極と上部電極との間に高周波電力を印加して処理ガスをプラズマ化し、基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記基板載置領域を囲むように前記載置台上に設けられ、プラズマの状態を調整するためのリング部材と、前記載置台の上面と前記リング部材の下面との間にて当該リング部材に沿って、前記載置台上の基板の中心に対して同心円状に設けられ、基板の裏面側にプラズマ中のイオンを引き込むように当該リング部材と基板との電位差を調整するための絶縁部材と、この絶縁部材に対して基板の径方向に隣接する位置であって、前記載置台の上面と前記リング部材の下面との間に当該上面及び下面に密着してかつ当該リング部材に沿って設けられた伝熱部材と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。前記絶縁部材の上面は、前記リング部材に接触していることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。前記絶縁部材は、伝熱部材に対して基板の径方向内側及び外側の両方に設けられていることを特徴とする請求項1または2記載のプラズマ処理装置。真空容器内に設けられた下部電極を兼用する載置台の基板載置領域に基板を載置すると共に、前記下部電極と上部電極との間に高周波電力を印加して処理ガスをプラズマ化し、基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記基板載置領域を囲むように前記載置台上に設けられ、プラズマの状態を調整するためのリング部材と、前記載置台の上面と前記リング部材の下面との間にて当該リング部材に沿って、前記載置台上の基板の中心に対して同心円状に設けられ、基板の裏面側にプラズマ中のイオンを引き込むように当該リング部材と基板との電位差を調整するための絶縁部材と、この絶縁部材と載置台の上面との間にて両者に密着し、各々リング部材に沿って、前記載置台上の基板の中心に対して同心円状にかつ互いにリング部材の径方向に離間して設けられた複数の下側伝熱部材と、前記絶縁部材とリング部材の下面との間にて両者に密着し、各々リング部材に沿って、前記載置台上の基板の中心に対して同心円状にかつ互いにリング部材の径方向に離間して設けられた複数の上側伝熱部材と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。上側伝熱部材及び下側伝熱部材の少なくとも一方は、互いにリング部材の径方向に隣接する伝熱部材間の空間を真空容器内の雰囲気に連通するように切り欠かれていることを特徴とする請求項4記載のプラズマ処理装置。真空容器内に設けられた下部電極を兼用する載置台の基板載置領域に基板を載置すると共に、前記下部電極と上部電極との間に高周波電力を印加して処理ガスをプラズマ化し、基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記基板載置領域を囲むように前記載置台上に設けられ、プラズマの状態を調整するためのリング部材と、前記載置台の上面と前記リング部材の下面との間にて当該リング部材に沿って、前記載置台上の基板の中心に対して同心円状に設けられ、基板の裏面側にプラズマ中のイオンを引き込むように当該リング部材と基板との電位差を調整するための絶縁部材と、前記リング部材の側面と絶縁部材の側面と載置台の側面との間に、これら側面に密着して、かつ当該リング部材に沿って設けられた伝熱部材と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、リング部材の温度を制御することにより、基板裏面への堆積物の付着量を抑えることができる技術を提供することにある。このため、本発明のプラズマ処理装置は、真空容器内に設けられた下部電極を兼用する載置台の基板載置領域に基板を載置すると共に、前記下部電極と上部電極との間に高周波電力を印加して処理ガスをプラズマ化し、基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記基板載置領域を囲むように前記載置台上に設けられ、プラズマの状態を調整するためのリング部材と、前記載置台の上面と前記リング部材の下面との間にて当該リング部材に沿って、前記載置台上の基板の中心に対して同心円状に設けられ、基板の裏面側にプラズマ中のイオンを引き込むように当該リング部材と基板との電位差を調整するための絶縁部材と、この絶縁部材に対して基板の径方向に隣接する位置であって、前記載置台の上面と前記リング部材の下面との間に当該上面及び下面に密着してかつ当該リング部材に沿って設けられた伝熱部材と、を備えたことを特徴とする。また、本発明の他のプラズマ処理装置は、真空容器内に設けられた下部電極を兼用する載置台の基板載置領域に基板を載置すると共に、前記下部電極と上部電極との間に高周波電力を印加して処理ガスをプラズマ化し、基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記基板載置領域を囲むように前記載置台上に設けられ、プラズマの状態を調整するためのリング部材と、前記載置台の上面と前記リング部材の下面との間にて当該リング部材に沿って、前記載置台上の基板の中心に対して同心円状に設けられ、基板の裏面側にプラズマ中のイオンを引き込むように当該リング部材と基板との電位差を調整するための絶縁部材と、この絶縁部材と載置台の上面との間にて両者に密着し、各々リング部材に沿って、前記載置台上の基板の中心に対して同心円状にかつ互いにリング部材の径方向に離間して設けられた複数の下側伝熱部材と、前記絶縁部材とリング部材の下面との間にて両者に密着し、各々リング部材に沿って、前記載置台上の基板の中心に対して同心円状にかつ互いにリング部材の径方向に離間して設けられた複数の上側伝熱部材と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、リング部材と載置台との間に伝熱部材と絶縁部材とを設けているので、プラズマ照射の際のリング部材の温度上昇を抑えることができ、基板への堆積物の付着を抑えることができる。また、基板に堆積物が付着しても、リング部材の温度変化による基板裏面側へ回り込むプラズマイオンの軌道の乱れが抑えられるため、基板裏面の堆積物のスパッタによる除去を安定して行うことができ、基板裏面への堆積物の付着量を低減することができる。以下に本発明に係る容量結合型のプラズマエッチング装置の一実施の形態について説明する。図1はこのプラズマエッチング装置2を示す縦断面図であり、このプラズマエッチング装置2は、その内部においてウエハWにプラズマ処理を施すための、例えばアルミニウムからなる気密な処理容器真空容器20を備えている。この処理容器20の底部の中央部には載置台3が設けられている。この載置台3は、円柱体の上面部の周縁部が全周に亘って切り欠かれていて、段部31が形成された形状、即ち上面部において、周縁部以外の部分が円柱状に突出した形状に構成されている。この突出した部位は、基板であるウエハWが載置される基板載置領域32以下載置領域というをなすものであり、この載置領域32を囲む段部31は、後述のリング部材の配置領域に相当する。この載置領域32の上面部には絶縁膜にチャック電極33aを配置してなる静電チャック33が設けられており、この静電チャック33上にウエハWがその周縁部が突出した状態で載置される。前記チャック電極33aは処理容器20の外に設けられた直流電源34とスイッチ35を介して電気的に接続されている。また、静電チャック33には図示しない複数の吐出口が穿設されており、図示しないガス供給部から、当該静電チャック33とウエハWとの間の微小空間に、熱媒体ガス例えばHeガスが供給されるようになっている。また、載置台3の内部には図示しない昇降ピンが設けられており、図示しない外部の搬送アームと静電チャック33との間でウエハWの受け渡しが行われるように構成されている。載置台3の内部には冷媒通流室36が設けられており、載置台3の外部に設けられた冷媒供給部37から冷媒が循環供給されるようになっている。つまり、冷媒供給部37から供給路36aを介して冷媒通流室36に供給された冷媒は、排出路36bを介して載置台3外部へ排出され、冷媒供給部37にてチラーにより所定温度まで冷却された後、再び供給路36aを介して冷媒通流室36に供給される。また、載置台3は下部電極を兼用しており、高周波電源部38に整合器39を介して接続されている。この高周波電源部38は、プラズマ中のイオンを引き込むためのバイアスを下部電極に印加するためのバイアス電源である。一方、処理容器20の天井部には、絶縁部材21を介して前記載置領域32に対向するようにシャワーヘッド4が設けられており、このシャワーヘッド4は供給路42を介してガス供給系41に接続されている。当該シャワーヘッド4の内部にはバッファ室43が形成されると共に、その下面には多数の吐出口44が穿設されており、ガス供給系41からバッファ室43に供給された処理ガスは、吐出口44を介して載置領域32側に向けて吐出されるように構成されている。また、シャワーヘッド4は上部電極を兼用しており、整合器45を介してプラズマ生成用の高周波電源部46に接続されている。さらに、処理容器20の底部には排気ポート22が設けられており、この排気ポート22には、バルブV及び圧力調整部23が介設された排気路24を介して真空排気機構である真空ポンプ25が接続されている。また、処理容器20の側壁には、シャッタ26により開閉可能なウエハWの搬送口27が設けられている。前記載置台3の上面の周縁部に形成された段部31の底面段面には、図2及び図3に示すように、絶縁部材6及び伝熱部材7を介してフォーカスリング5が設けられている。このフォーカスリング5は、載置領域32を囲むように、載置台3上に設けられ、プラズマの状態を調整するためのリング部材をなすものであり、例えばシリコン等の導電性部材により構成されている。このフォーカスリング5の内周縁は、全周に亘って切り欠かれて段部51が形成されており、ウエハWの載置領域32から突出した周縁部が、このフォーカスリング5の段部51に収まるようになっている。また、載置領域32の外周面32aと、フォーカスリング5の段部51の下部側の内周面52との間には、僅かに隙間が形成されるように載置領域32及びフォーカスリング5の形状が設定されている。こうして、ウエハWを載置領域32に載置すると、フォーカスリング5が、ウエハWの周縁部の裏面側から側方を囲むように設けられることになる。また、前記載置台3の段部31とフォーカスリング5の下面との間には、絶縁部材6と伝熱部材7とが載置台3上のウエハWの径方向に並ぶように設けられている。前記絶縁部材6は、図2及び図3に示すように、載置台3の上面とフォーカスリング5の下面との間にて、フォーカスリング5に沿って、載置台3上のウエハWの中心に対して同心円状に設けられており、前記ウエハWの裏面側にプラズマ中のイオンを引き込むように当該フォーカスリングとウエハWとの電位差を調整する役割を果たす。この例の絶縁部材6はリング状に構成され、フォーカスリング5の下面に接触すると共に、フォーカスリング5の段部51の下部側の内周面52と、載置台3の載置領域32の外周面32aとの間の隙間を埋めるように設けられている。この絶縁部材6は、石英以外に、例えば二酸化ケイ素SiO2や、セラミックス、窒化アルミニウムAlN、サファイア等により構成することができる。また、前記伝熱部材7は、絶縁部材6に対して載置台3上のウエハWの径方向に隣接する位置であって、前記載置台3の上面と前記フォーカスリング5の下面との間に、当該上面及び下面に密着してかつフォーカスリング5に沿って設けられている。この例では、伝熱部材7は、絶縁部材6に対して前記ウエハWの径方向外側に設けられている。この伝熱部材7は、フォーカスリング5を冷却して、ウエハWへのラジカル種や反応副生成物等の付着の抑制効果が顕著となる程度の伝熱性が得られるものであり、この例では熱伝導性の高い材料である、アルミナを充填した高分子シリコンゲルにより構成されている。また、伝熱部材7は、前記高分子シリコンゲル以外に、シリコン系樹脂、カーボン系樹脂やフッ素系樹脂等の熱伝導係数が高い材料で構成することができる。この例では、絶縁部材6の上面は、伝熱部材7の上面の高さと揃えられるように構成され、これら前記絶縁部材6と伝熱部材7の上にフォーカスリング5を載置することにより、石英製の絶縁部材6により高さが規制された状態でフォーカスリング5が載置台3の段部31上に設けられる。この際、伝熱部材7として、粘着性の弾性体よりなるアルミナを充填した高分子シリコンゲルを用いているので、その粘着性により伝熱部材7とフォーカスリング5との間、及び伝熱部材7と載置台3の段部31との間の密着性が確保される。また、フォーカスリング5が絶縁部材6と伝熱部材7の上に設けられたときに、ウエハWとフォーカスリング5との電位差を所定の範囲に調整し、かつフォーカスリング5が左右方向載置台3上のウエハWの径方向に傾かないように、上下方向の大きさ高さL1や、左右方向の大きさ幅L2、L3が夫々設定される。前記プラズマエッチング装置2は制御部100により制御されるように構成されている。この制御部100は例えばコンピュータからなり、プログラム、メモリ、CPUを備えている。前記プログラムには制御部100からプラズマエッチング装置2の各部に制御信号を送り、所定のエッチング処理を進行させるように命令各ステップが組み込まれている。このプログラムは、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、MO光磁気ディスク等の記憶部に格納されて制御部100にインストールされる。ここで前記プログラムには、静電チャック33のスイッチ35、高周波電源部38,46のオン、オフ、ガス供給系41による処理ガスの供給開始及び供給停止、真空ポンプ25のバルブVの開閉等を制御するためのプログラムも含まれており、制御部100のメモリに予め記憶されたプロセスレシピに応じて、前記各部が制御されるようになっている。続いて、上述のプラズマエッチング装置2の作用について説明する。先ず、シャッタ26を開き、図示しない真空搬送室から図示しない搬送アームにより、搬送口27を介して、ウエハWが処理容器20内に搬入される。そして、ウエハWは、図示しない昇降ピンと前記搬送アームとの協働作業により、静電チャック33上に受け渡され、吸着保持される。次いで、シャッタ26を閉じた後、真空ポンプ25により処理容器20内を真空排気しながら、ガス供給系41からシャワーヘッド4を介して所定の処理ガスエッチングガスを供給する。一方、高周波電源部46からシャワーヘッド4にプラズマ発生用の高周波電力を供給すると共に、高周波電源部38から載置台3にバイアス用の高周波電力を供給してプラズマを発生させ、このプラズマによりウエハWに対してエッチング処理を行う。プラズマ処理の間、載置台3上のウエハWはプラズマに曝されるため、プラズマから入熱するが、既述のように、載置台3は冷媒の循環により冷却され、予め設定された基準温度に維持されているので、ウエハWの熱がHeガスを介して載置台3に放熱されていく。従って、ウエハWは、プラズマの入熱と載置台3に放熱される作用との熱バランスにより、所定の温度に維持される。また、フォーカスリング5もプラズマに曝されることにより、プラズマから入熱するが、フォーカスリング5は熱伝導性の高い伝熱部材7を介して載置台3上に設けられており、伝熱部材7の粘着性によりフォーカスリング5の下面と伝熱部材7の上面、伝熱部材7の下面と載置台3の上面とが夫々密着しているので、フォーカスリング5の熱は、図4に示すように、伝熱部材7を介して載置台3に速やかに伝熱されていく。こうして、伝熱部材7により、後述の実施例から明らかなように、プラズマ処理の間においてフォーカスリング5が冷却されて、載置台3上のウエハWとフォーカスリング5との温度差がなくなる。この結果、ウエハWの裏面側周縁部へラジカル種や反応副生成物が選択的に進入していくことが抑えられる。このように、プラズマ処理中においてフォーカスリング5が冷却され、載置台3上のウエハWとフォーカスリング5との温度差がなくなるので、ウエハWへのラジカル種や反応副生成物の付着の抑制効果が顕著となる。さらに、絶縁部材6によりフォーカスリング5の電位が調整され、フォーカスリング5の電位よりもウエハWの電位の方が低くなるように負に大きくなるように、フォーカスリング5とウエハWとの電位差が調整されるので、プラズマ中のイオンがウエハWに引き込まれる。これにより、図4に示すように、ウエハW裏面側へ回り込むようにプラズマ中のイオンの軌道が制御され、ウエハW裏面に前記ポリマーが形成されたとしても、このポリマーがスパッタにより除去される。また、絶縁部材6にもプラズマが照射されるが、このプラズマのスパッタにより、石英より構成された絶縁部材6からOラジカルが生成され、このOラジカルによっても、前記ウエハW裏面に形成されるポリマーが除去される。こうして、所定時間ウエハWに対するエッチング処理を行った後、処理ガスの供給を停止し、高周波電源部38,46からの高周波電力の供給を停止すると共に、真空ポンプ25による処理容器20内の真空排気を停止して、ウエハWを処理容器20の外部に搬出する。上述の実施の形態によれば、フォーカスリング5の下方側に、絶縁部材6及び伝熱部材7を設けているので、プラズマ処理中のフォーカスリング5が冷却され、ウエハWの裏面側周縁部へのポリマー堆積物の付着が抑制される。この際、伝熱部材7は載置台3上のウエハWと同心円状に設けられているので、フォーカスリング5がウエハWの周方向においてほぼ均一に冷却される。また、フォーカスリング5の温度上昇が抑えられて温度が安定するため、フォーカスリング5の温度変化により、ウエハW裏面側へ回り込むプラズマ中のイオンの軌道が変化するおそれがない。このため、ウエハW裏面側に形成されたポリマーをスパッタにより安定して除去することができて、前記ポリマーの付着量を低減することができる。また、絶縁部材6と伝熱部材7は載置台3上のウエハWの径方向に互いに隣接して設けられ、フォーカスリング5はこれら絶縁部材6及び伝熱部材7の上に載置されている。この際、フォーカスリング5は石英よりなる絶縁部材6にて高さが規定されるので、フォーカスリング5の高さが変化するおそれがなく、ウエハW周縁のプラズマの乱れが抑えられる。また、絶縁部材6とフォーカスリング5との間に伝熱部材7が介在しないため、フォーカスリング5の下方側のインピーダンスが変化するおそれがなく、プラズマ処理中のフォーカスリングの電位が安定する。このように、フォーカスリング5と載置台3との間には、絶縁部材6を介して両者を電気的に接続する部位と、伝熱部材7を介して両者を熱的に接続する部位とが別個に存在することになる。これにより、絶縁部材6による電気的な制御と、伝熱部材7による温度制御とが夫々独立して行われるので、これらの制御の複雑化を抑えることができる。さらに、上述の実施の形態では、絶縁部材6が載置領域32側になるように設けられているので、絶縁部材6が載置台3上のウエハWの近傍に位置し、既述のOラジカルによるポリマーの除去が速やかに進行する。以上において、本実施の形態では、絶縁部材と伝熱部材とがフォーカスリング5と載置台3との間において、載置台3上のウエハWの径方向に互いに隣接して設けられればよく、図5に示すように、絶縁部材6が伝熱部材71に対して前記ウエハWの径方向の外側に設けるように配置してもよい。この例では、伝熱部材71は、その内周面70がフォーカスリング5の段部51の下部側の内周面52と上下方向に揃うように設けられている。続いて、本発明の第2の実施の形態について、図6及び図7を参照して説明する。この例は、絶縁部材と伝熱部材とが載置領域32の外方に同心円状に設けられる構成において、伝熱部材72の左右両側載置台3上のウエハWの径方向の両側に第1の絶縁部材62a及び第2の絶縁部材62bを夫々互いに隣接して設けたものである。このような構成は、絶縁部材62a,62b及びシート状の伝熱部材72を夫々環状に形成し、載置台3の段部31上面に、載置台3上のウエハWの径方向の内側から外側に向って、第1の絶縁部材62a、伝熱部材72、第2の絶縁部材62bがこの順序で並ぶように配列することにより形成される。この例においても、例えば石英により構成された第1の絶縁部材62a及び第2の絶縁部材62bにより、フォーカスリング5がその高さ位置が規制された状態で設けられる。また、伝熱部材72は粘着性を有しているので、その粘着性によりフォーカスリング5と伝熱部材72との間、及び伝熱部材72と載置台3との間において夫々密着される。この構成においても、載置台3とフォーカスリング5との間に、絶縁部材62a,62bと伝熱部材72が左右方向に隣接して設けられているので、フォーカスリング5が周方向に沿ってほぼ均一に冷却され、ウエハW裏面側に付着するポリマーの付着量を低減することができる。また、伝熱部材72の左右方向の両側に絶縁部材6が設けられているので、よりフォーカスリング5の高さの変化を抑えた状態で、伝熱部材72とフォーカスリング5及び載置台3との密着性を確保することができる。さらに、絶縁部材62a,62bによるフォーカスリング5の電気的制御と、伝熱部材72によるフォーカスリング6の温度制御とを独立して行うことができる。さらにまた、伝熱部材71が絶縁部材62a,62bにより囲まれた状態であるので、伝熱部材72がプラズマによりスパッタされにくくなる。これにより、伝熱部材72の消耗や劣化を抑えることができるので、フォーカスリング5の温度制御を長期的に安定して行うことができる。続いて、本実施の形態の変形例について、図8~図10を用いて説明する。図8の例は、絶縁部材63と伝熱部材73とが載置領域32の外方に、当該載置領域32と同心円状に設けられる構成において、伝熱部材73を、載置台3上のウエハWの周方向に沿って、互いに間隔を開けて設けたものである。この際、図8中A-A線に沿った断面は、図6に示すように構成されている。この際、図9に示すように、絶縁部材64の内部に、多数の伝熱部材74を載置領域32と同心円状に互いに間隔を開けて設けるようにしてもよい。この際、図9中B-B線に沿った断面は、図6に示すように構成されている。これら図8及び図9の構成は、例えば石英リングにより構成された絶縁部材63,64に、所定間隔を開けて切欠を形成し、この切欠部位に、粘着性のある弾性体よりなる伝熱部材73,74を埋め込むことにより構成される。この際、伝熱部材73,74は、その上面がフォーカスリング5に密着すると共に、下面が載置台3に密着するように絶縁部材63,54に夫々設けられる。これらの構成においても、絶縁部材6364と伝熱部材7374とは、載置台3とフォーカスリング5との間に、伝熱部材7374の左右両側に絶縁部材6364が隣接して設けられているので、上述の第2の実施の形態と同様の効果が得られる。また、図10に示す例は、絶縁部材と伝熱部材とが載置領域32の外方に当該載置領域32と同心円状に設けられる構成において、絶縁部材65a~65cとシート状の伝熱部材75a,75bとを、載置台3上のウエハWの径方向に積層するように設けたものである。このような構成は、図10a,bに示すように、石英リングにより構成された絶縁部材65a~65cを用意し、2つの絶縁部材65a,65b65b,65cにより、環状の薄いシート状の伝熱部材75a75bを両側から挟み込むことにより構成される。伝熱部材75a75bは、その上面がフォーカスリング5に密着すると共に、下面が載置台3に密着するように絶縁部材65a~65cに設けられる。ここで、前記伝熱部材75a75bの上下両端は、フォーカスリング5と載置台3とを熱的に接触させるため、夫々フォーカスリング5の下面及び載置台3の上面及び下面に密着するように設けられる。この際、図10cに示すように、伝熱部材75a75bの上下両端が、絶縁部材65a~65cの上面及び下面からはみ出すように設けると共に、フォーカスリング5の下面及び載置台3の上面に、前記はみ出し部分に対応する溝部50,30を設け、このはみ出し部分及び溝部50,30を介して、伝熱部材75a75bをフォーカスリング5及び載置台3に密着させるようにしてもよい。この構成においても、絶縁部材65a~65cと伝熱部材75a,75bとは、載置台3とフォーカスリング5との間に、伝熱部材75の左右両側に絶縁部材65が隣接するように設けられているので、上述の第2の実施の形態と同様の効果が得られる。続いて、本発明の第3の実施の形態について、図11を参照して説明する。この例は、絶縁部材66と載置台3との間に複数の下側伝熱部材76aを設けると共に、絶縁部材66とフォーカスリング5との間に複数の上側伝熱部材76bを設ける構成である。前記複数の下側伝熱部材76aは、絶縁部材66と載置台3の上面との間にて両者に密着し、各々フォーカスリング5に沿ってリング状にかつ互いにフォーカスリング5の径方向に離間して設けられている。また、前記複数の上側伝熱部材76bは、絶縁部材66とフォーカスリング5の下面との間にて両者に密着し、各々フォーカスリング5に沿ってリング状にかつ互いにフォーカスリング5の径方向に離間して設けられている。具体的には、例えば図11bに示すように、例えば石英リングよりなる絶縁部材66の上下に、複数本例えば4本の環状のシート状の下側伝熱部材76a及び上側伝熱部材76bを貼設することにより構成されている。また、夫々の伝熱部材76a,76bには、互いにフォーカスリング5の径方向に隣接する伝熱部材76a,76b間の空間を処理容器20内の雰囲気に連通するように、複数の切り欠き部77が周方向に沿って形成されている。なお、この例では、絶縁部材66の表面側の伝熱部材76aと裏面側の伝熱部材76bには、互いに上下方向に重ならないように設けられているが、これら伝熱部材76a,76bは互いに上下方向に重なるように設けてもよい。また、前記切り欠き部77は、下側伝熱部材76a及び上側伝熱部材76bの少なくとも一方に形成するようにしてもよい。この構成においては、プラズマ処理中に、フォーカスリング5の熱は、上側伝熱部材76b→絶縁部材66→下側伝熱部材76a→載置台3の系路で移動するため、プラズマ処理中においてフォーカスリング5が冷却される。これにより、上述の第1の実施の形態と同様に、ウエハW裏面側周縁部へのポリマーの付着量を低減することができる。また、伝熱部材76a,76bは、載置領域32と同心円状に設けられているので、フォーカスリング5を周方向に沿ってほぼ均一に冷却することができる。また、伝熱部材76a,76bは絶縁部材66に面接触させているので、貼り付け時に絶縁部材66と伝熱部材76a,76bとの間に気泡が混入するおそれがある。この際、伝熱部材76a,76bには切り欠き部77が形成されているため、処理容器20内を真空排気する際、この切り込み部77から気泡が抜け出して行き、結果として、プラズマ処理時には絶縁部材66と伝熱部材76a,76bとの間に気泡がほぼ存在しない状態となる。これにより、伝熱部材76a,76bと絶縁部材66との接触状態が面内フォーカスリング5の下面全体において揃えられるので、フォーカスリング5の熱が面内においてほぼ均一に載置台3側へ移動し、フォーカスリング5をほぼ均一に温度調整することができる。以上において、本発明では、図12aに示すように、フォーカスリング5の下面の高さ位置が、載置台3上のウエハWの径方向において互いに異なる場合も本発明の範囲に含まれる。また、図12bに示すように、例えば絶縁部材68と伝熱部材78とを前記ウエハWの径方向に並べて配列した場合において、絶縁部材68の内部に伝熱部材78の一部が入り込み、前記左右方向の一部において絶縁部材68と伝熱部材78とが上下方向に積層する場合も本発明の範囲に含まれる。また、図13に示すように、載置台3の上面とフォーカスリング5の下面との間に、前記載置台3上のウエハWの中心に対して同心円状に絶縁部材69を設けると共に、この載置台3の外側面と絶縁部材69の外側面と前記フォーカスリング5の外側面とに亘って、これら外側面に密着して、かつフォーカスリング5に沿って伝熱部材79を設けるようにしてもよい。この構成においても、フォーカスリング5の熱は、伝熱部材79を介して載置台3に伝熱されるので、プラズマ処理の際に、フォーカスリング5が冷却される。この際、伝熱部材79は環状に構成されてもよいし、載置台3上のウエハWの中心に対して同心円状に互いに間隔を開けて設けられるものであってもよい。図1のプラズマエッチング装置を用いてウエハWに対してプラズマ処理を行い、このときのフォーカスリング5の温度変化を測定した。この際、プラズマ発生用の高周波電源部46から1200Wの高周波電力を供給し、載置領域32上のウエハWを30°Cに設定し、処理ガスとしてCF系ガスを供給して5枚のウエハWに対して連続してプラズマ処理を行ない、フォーカスリング5の温度を低コヒーレンス光の干渉を用いた温度計により測定した実施例。また、絶縁部材6としては石英リングを用い、伝熱部材7としてはアルミナを充填した高分子シリコンゲルより、厚さが0.5mmに形成された熱伝導シートを用いた。また、比較例として、伝熱部材7を設けない場合についても同様のプラズマ処理を行い、このときのフォーカスリング5の温度を測定した。この結果を図14に示す。比較例、実施例共に、プラズマ発生のタイミングでフォーカスリング5の温度が上昇し、プラズマからフォーカスリング5へ入熱することが理解される。但し、実施例では、処理時間が経過してもフォーカスリング5の温度変化はほぼ同じであり、伝熱部材7を設けることによりフォーカスリング5の熱が載置台3へ移動し、フォーカスリング5への熱の蓄積が抑えられて、フォーカスリング5を約50°C程度に冷却できることが認められた。一方、比較例では、処理時間の経過に伴ってフォーカスリング5の温度が上昇しており、プラズマの照射を継続すると、フォーカスリング5に蓄熱され、フォーカスリング5が約230度まで上昇することが理解される。以上において、本発明は、半導体ウエハW以外にFPD用のガラス基板等の基板に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置についても適用できる。また、本発明は、エッチング処理の他、アッシングやCVD化学気相成長、プラズマトリートメント等のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に適用可能である。"