発電機能を有する半導体接合領域が一方主面側に形成された半導体基板を備える太陽電池セルであって、少なくとも1つの端部の側面が、エネルギービーム加工により形成された分割溝の部分で割断して形成した側面であり、該側面が、前記エネルギービーム加工によるエネルギービーム加工領域と、前記割断による割断領域とから形成されており、前記エネルギービーム加工領域の深さが、太陽電池セルの厚みの35~65であることを特徴とする太陽電池セル。前記エネルギービーム加工領域の深さが、太陽電池セルの厚みの35~50であることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池セル。前記エネルギービーム加工領域が、前記一方主面と対向する他方主面側から形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の太陽電池セル。請求項1~3のいずれか1項に記載の太陽電池セルを該セルより大きな面積を有する大面積セルから製造する方法であって、前記大面積セルの端部の不要部分にエネルギービーム加工により、前記大面積セルに前記分割溝をその深さが太陽電池セルの厚みの35~65となるように形成する工程と、前記分割溝の部分で割ることにより前記不要部分を取り除き、前記大面積セルから前記太陽電池セルを製造する工程とを備えることを特徴とする太陽電池セルの製造方法。本発明の目的は、セル特性に優れ、かつ歩留り良く製造することができる太陽電池セル及びその製造方法を提供することにある。本発明は、発電機能を有する半導体接合領域が一方主面側に形成された半導体基板を備える太陽電池セルであって、少なくとも1つの側面が、エネルギービーム加工により形成された分割溝の部分で割断して形成した側面であり、該側面が、エネルギービーム加工によるエネルギービーム加工領域と、割断による割断領域とから形成されており、エネルギービーム加工領域の深さが、太陽電池セルの厚みの35~65であることを特徴としている。本発明において、太陽電池セルの少なくとも1つの側面は、エネルギービーム加工により形成された分割溝の部分で割断して形成された側面であり、該側面が、エネルギービーム加工によるエネルギービーム加工領域と、割断による割断領域とから形成されており、エネルギービーム加工領域の深さが、太陽電池セルの厚みの35~65となるように形成されている。エネルギービーム加工領域の深さが、35未満であると、分割溝の部分で割断する際に、分割溝以外の部分で割れるなどの割断不良を生じる。また、エネルギービーム加工領域の深さが65を超えると、太陽電池セルのフィルファクターFFが低下する傾向にある。エネルギービーム加工領域の深さは、より好ましくは、太陽電池セルの厚みの35~50の範囲内である。本発明において、エネルギービーム加工領域は、一方主面と対向する他方主面側から形成されていることが好ましい。すなわち、半導体基板の他方主面側からエネルギービームを照射し、エネルギービーム加工により分割溝が形成されていることが好ましい。他方主面側からエネルギービーム加工することにより、半導体接合領域へのエネルギービーム加工による影響を低減することができる。すなわち、エネルギービーム加工によるセル特性への悪影響を低減させることができる。本発明の製造方法は、上記本発明の太陽電池セルを製造することができる方法であり、上記本発明の太陽電池セルより大きな面積を有する大面積セルから上記本発明の太陽電池セルを製造する方法である。具体的には、エネルギービーム加工により、大面積セルに上記分割溝をその深さが太陽電池セルの厚みの35~65、好ましくは35~50となるように形成する工程と、分割溝の部分で割ることにより大面積セルから上記本発明の太陽電池セルを製造する工程とを備えている。本発明によれば、分割溝の深さを太陽電池セルの厚みの35~65としているので、上記本発明の太陽電池セルと同様に、分割溝で太陽電池セルを割断する際の割断不良を低減することができ、かつ分割後の太陽電池セルのセル特性を向上させることができる。本発明におけるエネルギービーム加工としては、例えば、レーザー加工、電子ビーム加工、イオンビーム加工などがあげられる。本発明において、エネルギービーム加工としては、レーザー加工が好ましく用いられる。本発明においてレーザー加工に用いるレーザーとしては、例えば、YAGレーザーを用いることができる。出力は、例えば、10~25W程度の範囲内が好ましく、太陽電池セルの表面上におけるビーム径が30~50μm程度となるようにレーザーを照射することが好ましい。レーザーを照射する際の走査速度は、140~300mm/秒程度であることが好ましい。本発明において、分割溝の深さは、上述のように、太陽電池セルの厚みの35~65であることが好ましい。また、分割溝の幅は、10~50μm程度であることが好ましい。必要に応じてレーザーの走査回数を複数回にして分割溝を形成してもよい。本発明においては、YAGレーザー以外のレーザーを用いてもよく、例えば、CO2、KrF、ArF、XeCl等の気体レーザーや、YVO4等の固体レーザーなどのレーザーを用いてもよい。本発明の太陽電池セルは、発電機能を有する半導体接合領域が一方主面側に形成された半導体基板を備える太陽電池セルである。半導体基板としては、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコンなどの結晶系シリコンを用いることができる。また、例えば、n型単結晶シリコン基板を用い、一方主面上に、i型非晶質シリコン層及びp型非晶質シリコン層を積層して形成することにより、半導体接合領域を形成することができる。また、p型単結晶シリコン基板を用いる場合には、一方主面上にi型非晶質シリコン層及びn型非晶質シリコン層を積層して形成し、半導体接合領域を形成してもよい。また、n型もしくはp型の結晶系半導体基板の表面に、p型もしくはn型のドーパントをドープすることにより半導体接合領域を形成してもよい。本発明によれば、大面積セルから分割して太陽電池セルを複数製造することができる。このようにして製造した複数の太陽電池セルをリード線等により接続し、太陽電池モジュールを作製することができる。また、大面積セルの端部の不要部分を取り除き、太陽電池セルを製造する場合にも本発明を適用することができる。本発明によれば、セル特性に優れ、かつ歩留り良く製造することができる太陽電池セルとすることができる。以下、本発明を具体的な実施例により説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。図1は、本発明に従う一実施例の太陽電池セルを作製するにあたり、大面積の太陽電池セルにレーザー光を照射して、分割溝を形成したときの状態を示す断面図である。図1に示す太陽電池セル10において、主たる受光面は、下方面である。図1に示す太陽電池セル10において、n型単結晶シリコン基板1の下方面である一方主面の上に、i型非晶質シリコン層2厚み約5nm~約20nmが形成されており、i型非晶質シリコン層2の上にp型非晶質シリコン層3厚み約5nm~約20nmが形成されている。これによって、pin接合である半導体接合領域が形成されている。p型非晶質シリコン層3の上には、ITOインジウム錫酸化物などからなる透明導電膜4厚み約30nm~約150nmが形成されている。n型単結晶シリコン基板1の反対側の他方主面上には、i型非晶質シリコン層5厚み約5nm~約20nm、及びn型非晶質シリコン層6厚み約5nm~約20nmが順次積層して形成されている。n型非晶質シリコン層6の上には、透明導電膜7厚み約30nm~約150nmが形成されている。図1は、分割前の大面積の太陽電池セルを示しており、分割溝8が、他方主面側から形成されている。分割溝8の深さdは、太陽電池セル10の厚みTの35~65となるように形成されている。図1に示す分割溝8が形成された太陽電池セル10は、分割溝8の部分で折り曲げて割ることにより割断領域9に沿って割断される。また、折り曲げて割る以外に、分割溝8の他方主面側の割断領域9に沿って棒のようなもので押し上げて分割したり、分割溝8の他方主面側から左右に応力をかけて分割したり、分割溝8の他方主面側の割断領域9に沿って熱源を走査させることで部分的に熱膨張を生じさせて亀裂を成長させて分割する方法などが挙げられる。図2は、割断後の太陽電池セル10の側面11を示す側面図である。なお、図1とは上下方向が逆になっている。太陽電池セル10の側面11は、図1に示す分割溝8によって形成されたエネルギービーム加工領域であるレーザー加工領域8aと、上記割断によって形成された割断領域9aとから形成されている。レーザー加工領域8aの深さdは、分割溝8の深さdと同じ深さとなる。レーザー光の照射により形成されているので、レーザー加工領域8aの表面にはレーザー加工による微細な凹凸が形成されており、顕微鏡等による観察で確認することができる。割断領域9aの表面は、折り曲げて割ることにより形成した割断面であるので、比較的フラットな表面である。分割溝の深さと割断加工性及びセル特性の関係分割溝の深さを変化させ、分割溝による割断の加工性と、割断加工の前後における太陽電池セルのセル特性の関係を検討した。セルの厚みが平均115μm、平均155μm、及び平均200μmの3種類のグループの太陽電池セルについて、レーザー加工による分割溝の深さを変化させた。なお、分割する前の太陽電池セルのサイズは125×125mmであり、分割後の太陽電池セルのサイズは40×123mmである。レーザー加工において照射するレーザーの照射条件は以下の通りである。レーザーの種類:YAGレーザーモード:マルチモード波長:第2高調波532nm発振方法:Qスイッチ周波数:25kHz加工点:21Wレーザーの走査速度:200mm/秒<分割溝の深さと割断加工性との関係>図5は、太陽電池セルの厚みに対する分割溝の深さ加工深さ率と、割断加工性との関係を示す図である。横軸は、太陽電池セルの厚みを示しており、図5に示すように、平均115μm、平均155μm、及び平均200μmの3種類のセル厚みを有する太陽電池セルを用いている。割断加工の加工性は、以下に示す●、▲、×で評価した。●:割断可能▲:割断不良端面に非直線部分がある×:割断不良セルに割れが発生する図5に示すように、加工深さ率が35未満になると、割断加工の際に、分割溝以外の部分で割断され、不良品が発生しやすくなることがわかる。<分割溝の深さとセル特性の関係>図6は、太陽電池セルの厚みに対する分割溝の深さ加工深さ率と、分割前後における太陽電池特性としてのフィルファクターFFの変化率との関係を示す図である。FF変化率は、分割後の太陽電池セルのFF/分割前の太陽電池のFF×100である。図6に示すように、加工深さ率が65以下であると、FFが分割前と同等もしくはそれ以上の値になり、太陽電池セルの分割後も高いセル特性が得られることがわかる。なお、表1は、図6に示す加工深さ率とFF変化率の関係を具体的な数値として示したものである。以上の結果から明らかなように、本発明に従い、分割溝の深さを太陽電池セルの厚みの35~65、さらに好ましくは35~50の範囲内とすることにより、分割後の太陽電池セルのセル特性を向上させることができ、また歩留り良く太陽電池セルを分割して製造できることがわかる。図3は、加工深さ率を48とした場合の分割後の割断側面を示しており、図4は、加工深さ率を78とした場合の分割後の割断側面を示している。図3及び図4から明らかなように、レーザー加工により形成されたレーザー加工領域は表面に微細な凹凸が形成されており、顕微鏡による観察で識別することができる。また、割断により形成された割断領域は、その表面が比較的フラットであることがわかる。図7~図10は、太陽電池セルの分割パターンを示す平面図である。図7~図10において、aは分割前の太陽電池セルを示しており、bは分割後の太陽電池セルを示している。図7~図10のaにおいて、太陽電池セル20の上には、集電極21が形成されている。この大面積の太陽電池セル20は、図7~図10のaに点線で示す割断線22に沿って割断され、bに示す太陽電池セル23が作製される。上記実施例では、大面積の太陽電池セルを分割して、複数の太陽電池セルを製造する例を示したが、本発明はこのようなものに限定されるものではなく、例えば、太陽電池セルの端部の不要部分を取り除くことを目的とする場合にも応用することができるものである。