"セラミックス基板の一方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属回路板が接合されると共に、他方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる平板状の金属ベース板の一方の面が接合され、前記金属ベース板の他方の面には押出し材で構成される液冷式の放熱器が接合された液冷一体型基板の製造方法であって、前記金属回路板および前記金属ベース板と前記セラミックス基板との接合は溶湯接合法によって行われ、前記金属ベース板と前記放熱器との接合はろう接合法によって行われ、前記金属ベース板と前記放熱器とを、1式以上の面圧で加圧した後に加熱してろう付け接合することを特徴とする、液冷一体型基板の製造方法。面圧N/mm2=-1.25×10-3×放熱器の断面2次モーメント2.01前記放熱器は多孔管からなり、前記多孔管の冷媒の流路である溝幅Wmmと溝深さDmmとの関係が、3.3W<D<10Wを満たすことを特徴とする、請求項1に記載の液冷一体型基板の製造方法。前記多孔管の冷媒の流路である溝幅Wmmと仕切り板の幅Tmmとの関係が、-W1.4<T/W<-1.5W3.30.4≦W≦1.0の場合-0.2W0.7<T/W<-1.5W3.31.0<W<2.0の場合を満たすことを特徴とする、請求項2に記載の液冷一体型基板の製造方法。前記溝幅Wが0.4mm以上であることを特徴とする、請求項2または3に記載の液冷一体型基板の製造方法。前記金属ベース板と前記放熱器とが、前記多孔管の仕切り板に負荷される仕切り板面圧が、-0.5×D溝深さ10MPa以下となるように加圧した後に加熱してろう付け接合されたことを特徴とする、請求項2~4のいずれかに記載の液冷一体型基板の製造方法。前記放熱器は熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる、請求項1~5のいずれかに記載の液冷一体型基板の製造方法。前記金属ベース板は、熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金である、請求項1~6のいずれかに記載の液冷一体型基板の製造方法。前記金属回路板は、熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金である、請求項1~7のいずれかに記載の液冷一体型基板の製造方法。前記金属回路板の厚さt1と前記金属ベース板の厚さt2の関係はt2/t1≧2を満たす厚さに形成される、請求項1~8のいずれかに記載の液冷一体型基板の製造方法。前記金属回路板の厚さt1は0.4~3mmであり、前記金属ベース板の厚さt2は0.8~6mmである、請求項1~9のいずれかに記載の液冷一体型基板の製造方法。セラミックス基板の一方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属回路板が接合されると共に、他方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる平板状の金属ベース板の一方の面が接合され、前記金属ベース板の他方の面には押出し材で構成される液冷式の多孔管からなる放熱器が接合された液冷一体型基板において、前記金属ベース板と前記放熱器とがろう付け接合されたことを特徴とする、液冷一体型基板。前記放熱器における前記多孔管の冷媒の流路である溝幅Wmmと溝深さDmmとの関係が、3.3W<D<10Wを満たすことを特徴とする、請求項11に記載の液冷一体型基板。前記多孔管の冷媒の流路である溝幅Wmmと仕切り板の幅Tmmとの関係が、-W1.4<T/W<-1.5W3.30.4≦W≦1.0の場合-0.2W0.7<T/W<-1.5W3.31.0<W<2.0の場合を満たすことを特徴とする、請求項12に記載の液冷一体型基板。前記溝幅Wが0.4mm以上であることを特徴とする、請求項12または13に記載の液冷一体型基板。前記放熱器は熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる、請求項11~14のいずれかに記載の液冷一体型基板。前記金属ベース板は、熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金である、請求項11~15のいずれかに記載の液冷一体型基板。前記金属回路板は、熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金である、請求項11~16のいずれかに記載の液冷一体型基板。前記セラミックス基板と前記金属回路板との接合、前記セラミックス基板と前記金属ベース板との接合は、溶湯接合法あるいはろう接合法によって行われる、請求項11~17のいずれかに記載の液冷一体型基板。前記金属回路板の厚さt1と前記金属ベース板の厚さt2の関係は、t2/t1≧2を満たし、前記金属回路板の厚さt1は0.4~3mmであり、前記金属ベース板の厚さt2は0.8~6mmである、請求項11~18のいずれかに記載の液冷一体型基板。前記多孔管の仕切り板が座屈している、請求項11~19のいずれかに記載の液冷一体型基板。しかしながら、上記特許文献1に記載の金属-セラミックス基板においては、放熱を行う機構として金属ベース板の一方の面に放熱フィンを一体的に設けるとしており、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属ベース板に対して一体的に放熱フィンを形成するために、例えば鋳型等を用いてフィン形状を加工する必要があり、加工コストや原材料コストが増大してしまうといった問題があった。また、フィン形状を加工する際に、加工時に金属ベース板に発生する残留応力によって金属ベース板に反りが発生してしまう恐れもあった。さらに、複数の放熱フィンを形成するために溝加工を行う場合、金属-セラミックス基板全体一体型基板全体としての強度が不十分になってしまう恐れがあった。また、上記特許文献1に記載の金属-セラミックス基板においては、過渡熱伝導が十分に確保されない恐れがあることから、その放熱性冷却効率について更なる改良の余地があった。また、上記特許文献2、特許文献3に記載の冷却ジャケットを金属-セラミックス基板に取り付ける接合することにより、放熱性冷却効率の面で優れた金属-セラミックス基板一体型基板が得られるが、上記特許文献2、特許文献3に記載された金属-セラミックス基板は、金属ベース板に放熱フィンが形成され、その放熱フィンを覆うように収納するように冷却ジャケットが接合されているため、上述した問題点である加工コスト原材料コストの増大や一体型基板全体としての強度が不十分になってしまうといった問題点は解消されないと考えられる。さらには、特許文献3の扁平管に直接金属-セラミックス基板を接合すると、扁平管や金属-セラミックス基板の金属回路板の反りが大きくなり、電子部品の実装が困難になったり、熱衝撃が加わったときの信頼性の問題が発生することが判明した。そこで、上記問題点に鑑み、本発明の目的は、原材料コストや加工コストを低く抑え、一体型基板としての反り形状変形が低減され、優れた強度および放熱性を備えた液冷一体型基板の製造方法および液冷一体型基板を提供することにある。上記目的を達成するため、本発明によれば、セラミックス基板の一方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属回路板が接合されると共に、他方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる平板状の金属ベース板の一方の面が接合され、前記金属ベース板の他方の面には押出し材で構成される液冷式の放熱器が接合された液冷一体型基板の製造方法であって、前記金属回路板および前記金属ベース板と前記セラミックス基板との接合は溶湯接合法によって行われ、前記金属ベース板と前記放熱器との接合はろう接合法によって行われ、前記金属ベース板と前記放熱器とを、1式以上の面圧で加圧した後に加熱してろう付け接合することを特徴とする、液冷一体型基板の製造方法が提供される。面圧N/mm2=-1.25×10-3×放熱器の断面2次モーメント2.01上記液冷一体型基板の製造方法においては、前記放熱器は多孔管からなり、前記多孔管の冷媒の流路である溝幅Wmmと溝深さDmmとの関係が、3.3W<D<10Wを満たすことが好ましく、前記多孔管の冷媒の流路である溝幅Wmmと仕切り板の幅Tmmとの関係が、-W1.4<T/W<-1.5W3.30.4≦W≦1.0の場合-0.2W0.7<T/W<-1.5W3.31.0<W<2.0の場合を満たすことが好ましい。さらに、前記溝幅Wが0.4mm以上であることが好ましい。さらに、前記金属ベース板と前記放熱器とが、前記多孔管の仕切り板に負荷される仕切り板面圧が、-0.5×D溝深さ10MPa以下となるように加圧した後に加熱してろう付け接合されることが好ましい。また、上記液冷一体型基板の製造方法においては、前記放熱器は熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることが好ましく、前記金属ベース板は、熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金であることが好ましく、前記金属回路板は、熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金であることが好ましい。さらに、前記金属回路板の厚さt1と前記金属ベース板の厚さt2の関係はt2/t1≧2を満たす厚さに形成されることが好ましい。前記金属回路板の厚さt1は0.4~3mmであり、前記金属ベース板の厚さt2は0.8~6mmであることが好ましい。また、本発明によれば、セラミックス基板の一方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属回路板が接合されると共に、他方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる平板状の金属ベース板の一方の面が接合され、前記金属ベース板の他方の面には押出し材で構成される液冷式の多孔管からなる放熱器が接合された液冷一体型基板において、前記金属ベース板と前記放熱器とがろう付け接合されたことを特徴とする、液冷一体型基板が提供される。上記液冷一体型基板においては、前記放熱器における前記多孔管の冷媒の流路である溝の幅Wmmと溝深さDmmとの関係が、3.3W<D<10Wを満たすことが好ましく、前記多孔管の冷媒の流路である溝幅Wmmと仕切り板の幅Tmmとの関係が、-W1.4<T/W<-1.5W3.30.4≦W≦1.0の場合-0.2W0.7<T/W<-1.5W3.31.0<W<2.0の場合を満たすことが好ましい。さらに、前記溝幅Wが0.4mm以上であることが好ましい。また、前記放熱器は熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることが好ましく、前記金属ベース板は、熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金であることが好ましく、前記金属回路板は、熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金であることが好ましい。さらに、前記セラミックス基板と前記金属回路板との接合、前記セラミックス基板と前記金属ベース板との接合は、溶湯接合法あるいはろう接合法によって行われることが好ましい。前記金属回路板の厚さt1と前記金属ベース板の厚さt2の関係は、t2/t1≧2を満たし、前記金属回路板の厚さt1は0.4~3mmであり、前記金属ベース板の厚さt2は0.8~6mmであることが好ましい。前記多孔管の仕切り板が座屈していてもよい。本発明によれば、原材料コストや加工コストを低く抑え、一体型基板としての反り形状変形が低減され、優れた強度および放熱性を備えた液冷一体型基板の製造方法および液冷一体型基板が提供される。以下、本発明の実施の形態を、図を参照して説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。図1は本発明の実施の形態にかかる液冷一体型基板1の側面断面図である。図1に示すように、液冷一体型基板1においては、例えばAlN基板窒化アルミニウム基板やSiN基板窒化珪素基板であるセラミックス基板10の上面図1中上方にアルミニウムまたはSi、Mg、Zn、Bi、Snから選ばれる少なくとも1つの元素を含有するアルミニウム合金からなる金属回路板15が接合されており、また、セラミックス基板10の下面図1中下方にはアルミニウムまたはSi、Mg、Zn、Bi、Snから選ばれる少なくとも1つの元素を含有するアルミニウム合金からなる金属ベース板20が接合されている。また、金属ベース板20の下面図1中下方には押出し材によって構成される中空角柱形状の多孔管からなる放熱器30が接合されている。ここで、押出し材とは、押出し加工によって一体的に成形される部材を示している。なお、本実施の形態ではセラミックス基板10と金属回路板15の接合およびセラミックス基板10と金属ベース板20の接合は溶湯接合法によって接合が行われているものとし、金属ベース板20と放熱器30の接合はろう接合法によって接合が行われている。即ち、金属ベース板20と放熱器30との接合において、その間隙部31には接合のためのろう材層33が形成されることとなる。ろう接合法が行われる際に、接合対象物には所定の厚さ以上の厚みろう接時に溶けて形状が保持できない等、ろう接合に耐えうるだけの厚みが必要となるため、この場合、特に放熱器30の上面接合対象面の厚みが十分に確保されている必要がある。また、図1に示すように、放熱器30は内部空間が中空であり、その内部空間を仕切る仕切り板リブ、放熱フィン35が設けられている。本実施の形態にかかる放熱器30では、図示のように内部空間を7箇所に仕切るように仕切り板35が設けられ、放熱器30の内部空間には仕切り板35によって複数7箇所の各流路38が形成されることとなる。仕切り板35が設けられた放熱器30は押出し加工により一体物として作製される。また、図2は、液冷一体型基板1と蓋部材40の斜視図である。蓋部材40は放熱器30の手前側図2中手前側の開口部の側面30aを覆うように取り付けられる部材であり、蓋部材40は、蓋部41と蓋部41の側面放熱器30に取り付けた際の側面30aに対応する面の2箇所に設けられる液循環ポート4545a、45bから構成される。また、放熱器30において図2中手前側の開口部の反対側に設けられた開口部には、図示しない液循環ポートを有していない以外は同様の蓋部材が取り付けられる。蓋部材40は、実際に液冷一体型基板1において、金属回路板15に取り付けられた例えば半導体素子等の発熱により、液冷却が行われる場合に放熱器30に取り付けられる。液循環ポート4545a、45bには図示しない冷却液循環機構が接続され、冷却液循環機構から液循環ポート45aを介して放熱器30の内部流路38に冷却液が供給され、液循環ポート45bを介して放熱器30の内部から冷却液が冷却液循環機構に排出される。即ち、冷却液循環機構の作動により冷却液が流路38に流れこみ、その後、再度冷却液循環機構に戻るといったように、冷却液が放熱器30内と冷却液循環機構との間で循環し、放熱器30の冷却能力を一定に保つような構成となっている。この蓋部材40と放熱器30とは、金属ベース20と放熱器30とがろう接合される時、同時にろう接合しても構わない。一方、本実施の形態にかかる液冷一体型基板1においては、金属回路板15の厚さ高さt1と、金属ベース板20の厚さ高さt2の関係は、t2/t1≧2となっていることが好ましい例えば図1参照。また、この時の各値としては、t1が0.4~3mmであり、t2が0.8~6mmである。金属回路板15の高さt1と、金属ベース板20の高さt2の関係がt2/t1≧2の関係であることが望ましいのは、充分な過渡熱の放熱性を得ること、一体型基板の反りを抑制するためである。また、t1が0.4~3mmであり、t2が0.8~6mmであることが望ましいのは、充分な過渡熱の放熱性を得ること、一体型基板の反りを抑制するためである。なお、t2が3~6mmであることがさらに好ましい。また、放熱器30の材質としては、熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはSi、Mg、Zn、Bi、Snから選ばれる少なくとも1つの元素を含有するアルミニウム合金が望ましい。また、金属回路板15の表面粗さは、素子実装のための半田濡れを良くするためにRa0.3~2.0μm程度が好ましい。放熱器30の表面粗さは、一般的な押出材及び板材で得られる程度で良い。また、金属ベース板20の放熱器30接合側の表面粗さはろう付性を良くするために、Ra1.0~2.0μmが好ましい。なお、放熱器30と金属ベース板20を溶湯接合法で接合する場合はRa0.3~2.0μmでも充分に接合できる。以上、図1および図2を参照して説明した液冷一体型基板1において、例えば半導体素子等の電子部品が金属回路板15に取り付けられ使用された場合に、その電子部品から発生した熱は、上記説明したように内部に冷却液が循環する放熱器30によって放熱され、液冷一体型基板1全体が冷却される。ここで、上述したように、金属回路板15の高さt1と、金属ベース板20の高さt2の関係がt2/t1≧2となっていることや、各値を、それぞれt1が0.4~3mmであり、t2が0.8~6mmであることが望ましく、十分な放熱性を発揮する液冷一体型基板1が得られることとなる。また、金属回路板15、金属ベース板20および放熱器30の材質を、熱伝導率が170/mK以上であるアルミニウムまたはSi、Mg、Zn、Bi、Snから選ばれる少なくとも1つの元素を含有するアルミニウム合金とすることで、一体型基板としての放熱性や強度や信頼性耐熱衝撃性等が十分に確保された液冷一体型基板1が得られる。さらには、溶湯接合法やろう接合法を用いて各部材同士を接合することで接合信頼性が十分に確保される。また、放熱器30を、熱伝導率が170W/mK以上であるアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる押出し材で構成することで、放熱性も良く、放熱器30をフィン形状に切削など機械加工する場合等に比べ、放熱器30における反り形状変形の発生が抑えられると共に、押出し加工で一体的に成形を行うため、原材料コストや加工コストの面で優れた液冷一体型基板1を製造することが可能となる。本発明において、金属ベース板20と放熱器30とは、前述の通りろう付けにより接合されている。ろう付けは、金属ベース板20と放熱器30との間にろう材をセットして所定の荷重を負荷し、ろう付け炉内で、所定のろう付け温度まで加熱して行われる。本発明では、面圧=ろう付けの加熱前のセット時に負荷する荷重/金属ベース板の面積とし、この面圧を、下記1式以上とした。面圧N/mm2=-1.25×10-3×放熱器の断面2次モーメント2.01尚、放熱器30の断面2次モーメントは、次式から求める。仕切り板の平行方向に垂直な放熱器の断面の場合は、BH3/12-溝幅×本数×D3/12仕切り板の垂直方向に垂直な放熱器の断面の場合は、BH3/12-B×D3/12ただし、B:放熱器と金属ベース板の接合部の幅,H:放熱器の高さ,D:放熱器における多孔管の溝深さ仕切り板の高さ、T:仕切り板の幅ろう付け時の面圧を、金属ベース板20の剛性に対して1式以上とすることにより、反り量が低減された一体型基板を得ることができる。また、放熱器30の各溝冷却液の流路38の深さ寸法Dmmは、各溝の幅寸法Wmmに対して、3.3W<D<10Wの範囲であることが、好適な熱性能と押出し性を両立させる。さらに、幅Wmmと仕切り板の幅Tmmとが、-W1.4<T/W<-1.5W3.30.4≦W≦1.0の場合-0.2W0.7<T/W<-1.5W3.31.0<W<2.0の場合を満たすことで、好適な熱性能と押出し性を両立させることができる。さらに、仕切り板の面圧=ろう付け時に放熱器30に負荷する荷重/放熱器30の仕切り板の面積とし、仕切り板の面圧を、-0.5×D溝深さ10MPa以下とすることにより、放熱器の仕切り板の座屈を低減させることができる。ただし、仕切り板の面積は、仕切り材35を上板に平行な平面で切断したときの仕切り板の断面積を指す。以上、本発明の実施の形態の一例を説明したが、本発明は図示の形態に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。例えば、上記実施の形態において放熱器30の構成断面形状は、仕切り板35によって放熱器30の内部空間が14箇所に仕切られるものとしたが、これに限られるものではない。図3に示された実施形態においては、放熱器30の内部空間は仕切り板35によって7箇所の流路38に仕切られており、流路38において上記実施の形態と同様、冷却液が循環する構成となっている。なお、この例では仕切り板35によって放熱器30の内部空間が7箇所に仕切られ流路38を形成するとしたが、この仕切り方や流路38の形成数は任意に設定可能であり、放熱器30の放熱性冷却効率が好適になるように適宜定めることが好ましい。実施例1AlN基板の両面にアルミニウム合金が溶湯接合直接接合された放熱基板アルミック商標登録を用いて、ろう付けにより液冷一体型基板を製作するための基礎試験を行った。まず、長さ40mm×幅40mm×厚さ4mmの板材、長さ40mm×幅40mm×6mmの板材、長さ40mm×幅40mm×8mmの板材の3種類の、材質が合金番号A1100材純アルミニウムからなる放熱器と、図4に示す長さ40mm×幅40mm×厚さ8.08mmの多孔管材質:合金番号A6063アルミニウム合金製からなる放熱器を準備した。多孔管からなる放熱器には、図4の通り多数の冷媒の流路の管が連続して並んでおり、前記冷媒の流路である溝幅W管の幅が1.515mm、溝深さD管の高さが6.06mm、仕切り板の幅リブ厚さ、放熱フィン厚さが0.707mm、上板天板と下板底板の厚さがそれぞれ1.01mmであった。また、小型放熱基板として、アルミニウム合金からなる金属回路板の寸法が長さ15.7mm×幅26.4mm×厚さ0.6mmt1であって、セラミックス基板の寸法が長さ18.1mm×幅28.8mm×厚さ0.64mm、アルミニウム合金からなる金属ベース板20の寸法が長さ15.7mm×幅26.4mm×厚さ1.6mmt2を準備した。さらに、金属ベース板の20の厚さt2が0.6mmである以外は同じ構成である小型放熱基板を準備した。金属回路板および金属ベース板の材質は、0.4massSi-0.04massB-残部Alとした。なお、小型放熱基板の金属回路板及び金属ベース板は、いずれも直方体板形状であり、セラミックス基板の中央に配置、接合されている。図5に示すように、放熱器の上に、小型放熱基板の金属ベース板のアルミ部分と同一サイズ長さおよび幅のろう材組成:10massSi-1massMg-残部Al、厚さ15μmをセットして、さらにろう材の上に放熱基板を置き、その上に治具を介してインコネル登録商標の皿バネをセットして所定の荷重面圧が負荷されるようにボルトで締め付けた。次に、窒素雰囲気中のろう付け炉内にセットした後、500°Cまで50°C/min、605°Cまでは10°C/minで昇温して、ろう付け温度である605°Cで10分間保持し、その後250°Cまでは15°C/minで冷却した。このようにろう付けした後、放熱基板の金属回路板表面の反り量26.4mm長手方向を測定した。結果を表1に示す。なお、反り量は、金属回路板の端部と中央部の高さの差を3次元表面粗さ計で測定した。表1から明らかなように、面圧が増加するに従い、また、放熱器アルミ材の断面2次モーメントが増加するに従い、放熱基板表面の反り量は減少する。また、図6に示すように、反り量と放熱器アルミ材の断面2次モーメントとの間には、良い相関関係があることがわかった。放熱基板の金属ベース板の厚さを変化させても反り量には差が見られなかったので、放熱基板の金属ベース板の厚さは、反りには影響しないと考えられる。ただし、過渡熱特性などの放熱性や信頼性を考慮すると、金属ベース板の厚さは大きい方が好ましい。反りが大きいと、半導体チップを半田付けによって金属回路板表面に接合する際などに不具合が発生するため、目標としている反り量は60μm以下であり、望ましくは50μm以下である。図7に示すように、反り量を60μm以下、あるいは50μm以下にするための、面圧と断面2次モーメントの範囲が存在することがわかった。つまり、面圧N/mm2=-1.25×10-3×放熱器の断面2次モーメント2.01反り量の目標を50μmとすれば、1式を満足すれば、目標を達成できる。実施例2図4に示すような、多数の冷媒の流路の管が連続して並んでおり、冷媒の流路である溝幅W管の幅が1.515mm、溝深さD管の高さが6.06mm、仕切り板の幅リブ厚さ、放熱フィン厚さTが0.707mm、天板と底板の厚さがそれぞれ1.01mmである多孔管を、110mm押出方向×135mmに切断して多孔管からなる放熱器とし、その両側にφ18mm内径16mmのパイプを、蓋材としてろう付けした。図示しない冷却液循環機構により、冷媒は一方のパイプから供給され、多孔管を通過して他方のパイプから排出される構造となっている。また、多孔管の表面に、小型放熱基板アルミ合金からなる金属回路板として15.7mm×26.4mm×0.6mm、アルミ合金からなる金属ベース板として15.7mm×26.4mm×0.6mm、セラミックスAlN基板18.1mm×28.8mm×0.64mmを4枚ろう付けした。金属回路板15および金属ベース板20の材質は、0.4massSi-0.04massB-残部Alとした。このときの荷重を3500N、すなわち面圧を2.1N/mm2とした。ろう付け条件は実施例1と同様であるが、多孔管とパイプとのろう付けにはフラックスを塗布した。多孔管と小型放熱基板、および多孔管とパイプは同時に接合した。図8aに示すように小型放熱基板5-1、5-2、5-3、5-4の長手方向が多孔管の仕切り板に対して平行方向冷媒の流路の方向に沿ってろう付けしたタイプ平行タイプと称すと、図8bに示すように小型放熱基板6-1、6-2、6-3、6-4の長手方向が多孔管の仕切り板に対して垂直方向冷媒の流路に直角方向にろう付けしたタイプ垂直タイプと称すを試作した。これらの金属回路板表面の反り量の測定結果を図9に示す。反り量は、X方向仕切り板に対して平行方向の金属回路板表面、Y方向仕切り板に対して垂直方向の金属回路板表面、斜め方向金属回路板の対角線方向の金属回路板表面について、いずれも金属回路板の端部と中央部の高さの差として3次元表面粗さ計で測定した。図9から明らかなように、実施例1で得られた1式に基づいて面圧を設定したことにより、小型放熱基板を4枚ろう付けした場合でも、目標とする反り量50μm以下を達成することができた。また、仕切り板の方向によって断面2次モーメントが変化するので、図9に示すように反り量も変化する。そこで、X方向及びY方向の断面2次モーメントをそれぞれ計算して、さらに反り量を単位長さ当たりとして計算した結果を図10に示す。図10に示すように、仕切り板の方向が異なり断面2次モーメントが変化した場合でも、反り量は同一線上に分布することがわかり、反り量への影響因子として断面2次モーメントが妥当であることが判明した。実施例3次に、長さ40mm×幅40mm×厚さ4mmの板材、長さ40mm×幅40mm×8mmの板材の2種類の、材質がA1100材からなる放熱器と、図4に示す長さ40mm×幅40mm×厚さ8.08mmの多孔管材質:A6063合金製からなる放熱器を準備した。多孔管からなる放熱器には図4の通り多数の冷媒の流路の管が連続して並んでおり、冷媒の流路である溝幅W管の幅が1.515mm、溝深さD管の高さが6.06mm、仕切り板の幅放熱フィン厚さ、リブ厚さが0.707mm、天板と底板の厚さがそれぞれ1.01mmであった。また、放熱基板アルミックとして、アルミニウム合金からなる金属回路板の寸法が長さ27.4mm×幅32.4mm×厚さ0.6mmt1であって、セラミックス基板の寸法が28.8mm×38.8mm×0.64mmであり、アルミニウム合金からなる金属ベース板20の寸法が長さ27.4mm×幅32.4mm×厚さ1.6mmt2の大型放熱基板を準備した。金属回路板15および金属ベース板20の材質は、0.4massSi-0.04massB-残部Alとした。図5に示すように、放熱器の上に、放熱基板の金属ベース板のアルミ部分と同一サイズ長さと幅のろう材組成:10massSi-1massMg-残部Al、厚さ15μmをセットして、さらにろう材の上に放熱基板を置き、ろう付けした。ろう接の条件は、面圧以外、実施例1と同様である。このとき得られた大型放熱基板の金属回路板表面の反り量32.4mm方向を実施例1と同様に測定した。なお、ろう付け時の荷重を、1150N面圧1.31N/mm2、1600N面圧1.82N/mm2の2通りに設定して試験を行った。図11に示すように、大型放熱基板の場合でも、断面2次モーメントと反り量は良い相関関係を示すことがわかった。また、前述の厚さ4mmのアルミ板からなる放熱器及び多孔管からなる放熱器に、前記小型放熱基板及び前記大型放熱基板をろう付けした時の面圧と反り量との関係を図12に示す。放熱基板のサイズが異なるので、反り量は放熱基板のサイズで割った値を用いた。図12から明らかなように、多孔管からなる放熱器の場合、反り量反り量/放熱基板のサイズは、面圧と良い相関関係が見られており、放熱基板のサイズの影響は見られなかった。前記厚さ4mmのアルミ板からなる放熱器でも同様の結果となった。以上の結果より、放熱基板のサイズが異なっても、本発明の1式が適用できることがわかった。小型放熱基板の結果である図7に、大型放熱基板の結果を合わせた結果を図13に示す。尚、大型放熱基板の反り量を小型放熱基板の反り量に補正した。すなわち、大型放熱基板の反り量を1.1832.4/27.4で割った値で反り量を評価した。図13に示すように、大型放熱基板の結果は小型放熱基板の結果とほぼ一致した。つまり、放熱基板のサイズが変化しても1式が適用できることがわかった。以上の結果より、高放熱基板の反り量を50μm以下とするためには、1式を満足させることが必要であることがわかった。実施例4放熱器の大きさを50mm×70mmとし、放熱器として用いる多孔管の溝幅W、溝深さD、仕切り板の幅T図4参照を変化させて熱解析を行い、好適な溝幅Wと溝深さD、及び溝幅Wと仕切り板の幅T/溝幅W比との関係を求めた。さらに、多孔管の製造における押出し限界を求めた。図14に、溝幅Wと溝深さDの関係を示す。図14に示すように、D=3.3Wは、熱性能が好適となる下限であり、これより下方Dが3.3Wより小さい場合では熱性能が低下する。また、D=10Wは、押出し加工の限界となる上限であり、これを超えるすなわちDが10Wより大きいと、押出しができない。さらに、溝幅Wと仕切り板の幅T/溝幅W比の関係を図15に示す。図15に示すように、-W1.4=T/W0.4≦W≦1.0の場合-0.2W0.7=T/W1.0<W<2.0の場合で示される下限は押出し加工の限界であり、T/W=-1.5W3.275で示される上限は熱性能が好適となる限界で、これを超えると熱性能が低下する。図14および図15に示すように、熱性能と押出し限界から、溝幅W、溝深さD、仕切り板の幅Tの寸法に制約があることがわかった。なお、熱性能が好適となる下限は、金属回路基板にたとえばIGBTなどのパワー半導体チップを搭載したときの放熱性を考慮して設定したものである。図4に示すような多孔管の場合、放熱基板に負荷した荷重は、仕切り板リブ、放熱フィンに負荷される。アルミニウム合金からなる金属回路板および金属ベース板の寸法が長さ15.7mm×幅26.4mm、セラミックス基板の寸法が長さ18.1mm×幅28.8mm×厚さ0.64mm、アルミニウム合金の金属回路板15の厚さt1と金属ベース板20の厚さt2がそれぞれ0.6mmt1、1.6mmt2の放熱基板と図4に示す寸法の多孔管40mm×40mm×8.08mm、材質A6063合金からなる放熱器を、350N仕切り板の面圧2.3MPa、850N仕切り板の面圧5.7MPa、1100N仕切り板の面圧7.4MPaの3通りの荷重で、実施例1と同様にろう付けした。金属回路板15および金属ベース板20の材質は、0.4massSi-0.04massB-残部Alとした。ろう付け後の溝深さと仕切り板の変形状態を図16に示す。面圧7.4MPaでは仕切り板が大きく変形座屈し、溝深さが0.3mm減少した。面圧5.7MPaでは仕切り板の変形は小さくなり、溝深さは0.15mm減少した。面圧2.3MPaでは仕切り板の変形は非常に小さくなり、溝深さには変化が見られなかった。面圧7.3MPaの状態では冷却水の流れが不安定となり、熱性能がやや低下するが、許容範囲である。その限界の面圧は全体高さによって変化する。仕切り板の高さD‘が接合前の高さDよりも10変形すると、熱性能が金属回路板に半導体チップを搭載したときにその冷却に影響がでる程度に低下するので、それを指標として、仕切り板の変形量が10以下となる溝幅を決定した。その結果を図17に示す。そのときの仕切り板の幅は、1.0mm一定とした。溝幅が減少すると仕切り板の本数が増加するので、図17から明らかなように、溝幅が減少するに従って、仕切り板が10変形する荷重限界荷重は増加する。また、多孔管の高さが増加するに従い、限界荷重は減少する。図17の結果より、各溝幅での限界荷重を求めて、その荷重を仕切り板面積で除した値を限界面圧MPaとした。図18に示すように、その限界面圧は、多孔管の全体高さと良い相関関係にある。また、溝幅が増加するに従い限界面圧は減少するので、溝幅の小さい1.0mmで限界面圧を決定した。熱性能の低下が無い限界面圧は、-0.5×D溝深さ、仕切り板の高さ10で求められ、それ以下の面圧を設定することで仕切り板の変形が無い冷却器を得ることができる。それ以上の面圧を加えると、仕切り板の座屈がさらに増えて溝幅W1の変化が大きくなるので、仕切り板の面圧を、-0.5×D溝深さ、仕切り板の高さ10MPa以下とした。一方、大型放熱基板の場合には、荷重1100N面圧4.1MPaで、仕切り板の変形は無かった。なお、仕切り板の座屈は、金属回路板の反り量を小さくする効果があると考えられるので、前述の通り10以内の変形量であれば熱性能の低下もなく、むしろ積極的に座屈を利用しても良い。"