"オプトエレクトロニクス半導体デバイス100において、該オプトエレクトロニクス半導体デバイスは、-上側面12と、該上側面12とは反対側にある下側面11とを備えた支持体1を有しており、ただし当該支持体1は、導電性の取付領域1Aと、導電性の接続領域1Cと、電気的に絶縁性の酸化領域1Bとによって構成されており、前記オプトエレクトロニクス半導体デバイス100はさらに、-前記支持体1の前記上側面において前記取付領域1Aの区域に配置された少なくとも1つのオプトエレクトロニクス素子2を有しており、-前記酸化領域1Bは、前記接続領域1Cと前記取付領域1Aとを電気的に絶縁し、-前記酸化領域1Bは、前記支持体1の前記上側面12から当該支持体1の前記下側面11まで中断されることなく連続しており、-前記取付領域1Aおよび前記接続領域1Cはアルミニウム10によって構成されており、-前記酸化領域1Bは、前記アルミニウム10の酸化物15によって構成されており、-前記取付領域1A、前記酸化領域1Bおよび前記接続領域1Cはつながって構成されておりかつ1つのユニットを構成している、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス100。請求項1に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス100において、前記支持体1の前記下側面11において前記取付領域1Aおよび/または前記接続領域1Cの区域に構成される少なくとも1つの別の酸化領域40を有しており、当該別の酸化領域40は、どの箇所においても垂直方向Vに前記支持体1を完全には形成しない、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス100。請求項1または2に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス100において、前記酸化領域1Bは、前記取付領域1Aと前記接続領域1Cとの間において横方向Lに少なくとも部分的に配置されている、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス100。請求項1から3までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス100において、前記酸化領域1Bは、前記取付領域1Aおよび/または前記接続領域1Cを少なくとも部分的に取り囲む、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス100。請求項1から4までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス100において、前記取付領域1Aおよび/または前記接続領域1Cは、前記酸化領域1Bを少なくとも部分的に取り囲む、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス100。請求項1から5までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス100において、前記支持体1の厚さは、少なくとも01mmであり、かつ最大で04mmである、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス100。請求項1から6までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス100において、前記支持体2の前記下側面11において、前記取付領域1Aおよび前記接続領域1Cに配置される接続箇所A1,A2を有しており、当該接続箇所A1,A2は前記支持体1を横方向Lに突き出ていない、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス100。請求項1から7までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス100において、前記支持体1は少なくとも部分的にケーシング体3によって覆われている、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス100。請求項8に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス100において、前記支持体1は、少なくとも部分的に前記ケーシング体3に埋め込まれている、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス100。請求項1から9までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス100において、前記半導体デバイス100の少なくとも1つの側面101は、切り離しによって形成されており、前記側面101は、少なくとも部分的に前記酸化領域1Bの外側面10Bによって構成される、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス100。請求項1から10までのいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス100において、前記半導体デバイス100の少なくとも1つの側面101は、切り離しによって形成されており、当該側面101は、前記取付領域1Aの外側面10Aおよび/または前記接続領域1Cの外側面10Cだけによって構成される、ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス100。"