"集積回路ICに正電圧のESDパルスに対する保護を提供する、カスコード接地ゲートNFETを含むデバイスであって、前記ICのICパッドと前記カスコード接地ゲートNFETのドレインとの間に結合されたダイオードネットワーク、ここで、前記ダイオードネットワークは、前記デバイスの前記ターンオン電圧を所望のレベルに設定する;および前記ICパッドでの容量性ローディングcapacitiveloadingを低減するために、前記カスコード接地ゲートNFETの前記ドレインでの前記バイアス電圧を所望のレベルに設定するための、プリチャージ回路;を具備してなるデバイス。前記プリチャージ回路は、正の電源に結合されたアノードと、前記カスコード接地ゲートNFETの前記ドレインおよび前記ダイオードネットワークに結合されたカソードとを有するダイオードを具備してなる請求項1に記載のデバイス。前記ダイオードネットワークは、少なくとも、前記カスコード接地ゲートNFETの前記ドレインに結合されたカソードと、前記ICの前記ICパッドに結合されたアノードとを有する第1のダイードを具備してなる請求項1に記載のデバイス。前記ダイオードネットワークは、前記ICの前記ICパッドに結合された前記第1のダイードのアノードと、前記カスコード接地ゲートNFETの前記ドレインに結合された最後のダイオードのカソードとを有する、直列に接続された複数のダイオードを具備してなる請求項3に記載のデバイス。前記複数のダイードは、PNウェルダイードである請求項4に記載のデバイス。前記カスコード接地ゲートNFETは、少なくともカスコード構成の第1のNFETおよび第2のNFETを具備してなり、ここで、前記第1のNFETのゲートは第1の抵抗器を介してグランドに結合され、前記第1のNFETの前記ドレインは前記第2のNFETの前記ソースに接続され、前記第2のNFETの前記ドレインは前記ダイオードネットワークに結合され、そして、前記第2のNFETの前記ゲートは第2の抵抗器を介して電源に結合されている請求項1に記載のデバイス。前記カスコード接地ゲートNFETのゲートをバイアスするためのチャージポンプをさらに具備してなる請求項1に記載のデバイス。ICに負電圧のESDパルスに対する保護を提供する、カスコード接地ゲートNFETを含むデバイスであって、前記ICのICパッドと前記カスコード接地ゲートNFETの前記ソースとの間に結合されたダイオードネットワーク、ここで、前記ダイオードネットワークは、前記デバイスの前記ターンオン電圧を所望のレベルに設定する;および前記カスコード接地ゲートNFETの前記ゲートで所望の負電圧レベルに設定するためのバイアス回路を具備してなるデバイス。前記カスコード接地ゲートNFETは、少なくともカスコード構成の第1のNFETおよび第2のNFETを具備してなり、ここで、前記バイアス回路は、前記第2のNFETの前記ソースに結合された第1の端子、グランドに結合された第2の端子、および、前記第1のNFETの前記ゲートに結合された第3の端子を有し、前記第3の端子は、前記第1のNFETの前記ゲートに所望の負電圧レベルを提供する請求項8に記載のデバイス。前記ダイオードネットワークは、少なくとも、前記カスコード接地ゲートNFETの前記ソースに結合されたアノードと、前記ICの前記ICパッドに結合されたカソードとを有する第1のダイードを具備してなる請求項8に記載のデバイス。前記ダイオードネットワークは、直列に接続された複数のダイオードを具備してなり、前記複数のダイオードは、前記ICの前記ICパッドに結合された前記直列中の最初thefirstのダイードのアノードと、前記カスコード接地ゲートNFETの前記ドレインに結合された前記直列中の最後thelastのダイオードのカソードとを有している請求項10に記載のデバイス。前記ダイオードは、抵抗器を介して正の電源に結合されたディープNウェル端子を有するNPウェルダイードである請求項11に記載のデバイス。前記バイアス回路は、前記第1のNFETの前記ゲートに所望の負電圧レベルを設定するためのチャージポンプである請求項9に記載のデバイス。前記バイアス回路は、直列接続の複数のNFETおよび抵抗器を具備してなり、ここで、各NFETデバイスは、前記カスコード接地ゲートNFETの前記第2のNFETの前記ソースに結合された第1のNFETデバイス、前記カスコード接地ゲートNFETの前記第1のNFETの前記ゲートおよび前記抵抗器の第1の端子に結合された前記直列接続の最後のNFETデバイス、グランドに結合された前記抵抗機器の前記第2の端子を有する、ダイオードとして構成されている請求項9に記載のデバイス。ICに正電圧のESDパルスによって引き起こされるESD放電に対する保護を提供するための、カスコード接地ゲートNFET202、プリチャージ回路およびダイオードネットワークを有する第1のESDクランプ、ここで、前記ダイオードネットワークは前記ICのICパッドと前記カスコード接地ゲートNFETのドレインノードとの間に結合され、および、ここで、前記第1のESDクランプは、前記ICパッドからグランドに放電するために、前記ESD放電に対して電気的パスelectricalpathを提供する;および前記ICに負電圧のESDパルスによって引き起こされるESD放電に対する保護を提供するための、前記第1のESDクランプに並列に結合された、カスコード接地ゲートNFET、バイアス回路およびダイオードネットワークを有する第2のESDクランプ、ここで、前記ダイオードネットワークは前記ICのICパッドと前記カスコード接地ゲートNFETのソースとの間に結合され、および、ここで、前記第2のESDクランプは、グランドからICパッドに放電するために、前記ESD放電に対して電気的パスを提供するを具備してなるデバイス。前記バイアス回路は、前記第2のESDクランプの前記カスコード接地ゲートNFETの前記ゲートに所望の負電圧を設定する。RFフロントエンドRFFEスイッチに結合されたICパッドを含んでいるICであって、ESDクランプであって、カスコード接地ゲートNFET、プリチャージ回路および前記ESDクランプのターンオン電圧を所望のレベルに設定するためのダイオードネットワークを有する前記ESDクランプ、ここで、前記ダイオードネットワークは前記ICの前記ICパッドと前記カスコード接地ゲートNFETのドレインとの間に結合され、および、ここで、前記ESDクランプは、前記ICパッドからグランドに放電するために、前記ESD放電に対して電気的パスを提供することにより、前記ICに正電圧のESDパルスによって引き起こされる放電に対する保護を提供する;および負電圧のESDパルスに対して前記ICを保護するための、グランドから前記ICパッドに放電するために前記ESD放電に対して電気的パスを提供する、グランドと前記RFFEスイッチの直列スイッチとの間に結合されたESD保護回路を具備してなるIC。前記ESD保護回路は、グランドに結合されたアノードと、前記直列スイッチに結合されたカソードとを有するESDダイードである請求項17に記載のIC。前記ESD保護回路は、ESDダイードに結合された前記RFFEスイッチのシャントスイッチを具備してなり、前記ESDダイードは、グランドに結合されたアノードと、前記シャントスイッチに結合されたカソードとを有する請求項17に記載のIC。前記プリチャージ回路は、前記ICパッドでの容量性ローディングを低減するために、前記カスコード接地ゲートNFETの前記ドレインでのバイアス電圧を所望のレベルに設定する請求項17に記載のIC。前記プリチャージ回路は、正の電源に結合されたアノードと、前記カスコード接地ゲートNFETの前記ドレインおよび前記ダイオードネットワークに結合されたカソードとを有するダイオードを具備してなる請求項20に記載のIC前記ダイオードネットワークは、少なくとも、前記カスコード接地ゲートNFETの前記ドレインに結合されたカソードと、前記ICの前記ICパッドに結合されたアノードとを有する第1のダイードを具備してなる請求項17に記載のIC。前記ダイオードネットワークは、直列に接続された複数のダイオードであって、前記ICの前記ICパッドに結合された前記直列中の最初の前記ダイードのアノードと、前記カスコード接地ゲートNFETの前記ドレインに結合された前記直列中の最後のダイオードのカソードとを有する前記複数のダイオードを具備してなる請求項20に記載のIC。前記複数のダイオードは、PNウェルダイオードである請求項23に記載のIC。前記カスコード接地ゲートNFETは、少なくともカスコード構成の第1のNFETおよび第2のNFETを具備してなり、そして、ここで、前記第1のNFETの前記ゲートは第1の抵抗器を介してグランドに結合され、前記第1のNFETの前記ドレインは前記第2のNFETの前記ソースに接続され、前記第2のNFETの前記ドレインは前記ダイオードネットワークに結合され、そして、前記第2のNFETの前記ゲートは第2の抵抗器を介して電源に結合されている請求項17に記載のIC。ICに正電圧のESDパルスによって引き起こされるESD放電に対する保護を提供するためのESDクランプを含んでいるデバイス200であって、前記デバイスのターンオン電圧を所望のレベルに設定するための、前記ICのICパッドと前記ESDクランプのノードとの間に結合された手段;および前記ICパッドでの容量性ローディングを低減するために、前記ノードにバイアス電圧を所望のレベルに設定するための手段を具備してなるデバイス。ICに負電圧のESDパルスに対する保護を提供するための、少なくとも第1の端子および第2の端子を有するESDクランプを含んでいるデバイス;前記デバイスのターンオン電圧を所望のレベルに設定するための、前記ICのICパッドと前記ESDクランプの第1の端子との間に結合された手段;および前記ESDクランプの前記第2の端子に所望の負電圧レベルを提供するために、前記ESDクランプの前記第1の端子および前記第2の端子にバイアス電圧を所望のレベルに設定するための手段を具備してなるデバイス。RFFEスイッチに結合されたICパッドを含んでいるICであって、ESDクランプであって、iカスコード接地ゲートNFET202、ii前記ESDクランプのターンオン電圧を所望のレベルに設定するための、前記ICの前記ICパッド1114,1214と前記カスコード接地ゲートNFETのドレインとの間に結合された、手段、および、iii前記ICパッドでの容量性ローディングを低減するために、前記カスコード接地ゲートNFETの前記端子でのバイアス電圧を所望のレベルに設定する、手段を有しており、ここで、前記ESDクランプ1110,200は、前記ICパッドからグランドに放電するために、前記ESD放電に対して電気的パスを提供することにより、前記IC1100,1200に正電圧のESDパルスによって引き起こされる放電に対する保護を提供する;および負電圧のESDパルスに対して前記IC1100,1200を保護するための、グランドから前記ICパッドに放電するために前記ESD放電に対して電気的パスを提供する、グランドと前記RFFEスイッチの直列スイッチ1125,1240との間に結合された手段1142,1242を具備してなるIC。用語例示的なexemplaryは、例example、事例instanceまたは例証illustrationとして仕えることを意味するために本明細書では使用されている。例示として本明細書に述べられた如何なる実施形態も、他の例示的な実施形態よりも好ましいまたは有利であるとは必ずしも解釈されない。添付図面に関連して以下に記載する詳細な説明は、本発明の例示的な実施形態の説明として意図されており、本発明が実施できる唯一の実施形態を示すためには意図されていない。用語例示的なexemplaryは、例example、事例instanceまたは例証illustrationとして仕えることを意味するために本明細書では使用され、必ずしも他の例示的な実施形態よりも好ましいまたは有利であるとは本明細書では必ずしも解釈されない。詳細な説明は、本発明の例示的な実施形態の徹底的な理解を提供することを目的とする具体的な詳細を含む。これらの具体的な説明がなくても当業者であれば、本明細書に記載された本発明の例示的な実施形態は実施できることは明らかであろう。いくつかの事例では、周知の構造およびデバイスは、本明細書に提示された例示的な設計の新規性が不明瞭になることを避けるために、ブロック図の形式で示されている。情報および信号は、種々の異なる技術や手法の任意のものを用いて表され得ることは、当業者に理解されるだろう。例えば、上記記載の全体にわたって言及されるデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁界または磁界粒子、光場または光粒子、またはこれらの任意の組み合わせたものによって表され得る。本開示は、高電圧および高周波数動作の両方を必要とするRFICのための改良されたESD保護回路に向けられている。正のESD電圧パルスの期間中だけ、負のESD電圧パルスの期間中だけ、または、正および負の両方のESDパルスの期間中に、ESD保護を提供することが可能なESD保護回路の様々な実施形態が開示されている。図2は、正電圧のESDパルスの期間中に、ESD保護を提供するESD保護デバイスの実施形態を示している。図2に示されるように、ESD保護デバイス200は、プリチャージ回路206、ダイオードネットワーク208とカスコード接地cascodegroundedゲートNFETGGNFET202を具備する。ダイオードネットワーク208は、直列に接続された複数のダイオードを具備している。例示の目的のために、2つだけ、218と228が示されている。当業者であれば、直列に接続された任意の数のダイオードがダイオードネットワーク208を形成し得ることは分かる得る。各ダイオードはPNウェルダイオードである。ダイオードネットワークが1つのPNウェルダイオードだけを具備するアプリケーションがある。直列構成内の最初に置かれたダイオードのアノードはICパッドに結合され、そして、直列構成内の最後に置かれたダイオードのカソードは、カスコードGGNFET202のドレイン、ノードDに結合されている。図2に示される具体例においては、第1のダイード218のアノードは、ICパッド204に接続されている。第1のダイオード218のカソードは、第2のダイオード228のアノードに結合され、そして、第2のダイオード228のカソードは、カスコードGGNFET202のドレイン、ノードDに接続されている。プリチャージ回路206の第1の端子は正の電源Vddに結合され、そして、プリチャージ回路206の第2の端子は、第2のダイオード228のカソードおよびカスコードGGNFET202のドレインに接続されている。カスコードGGNFET202のソース、ノードSは、グランドに結合されている。カスコードGGNFET202は、少なくとも2つのNFETデバイス、第1のNFET212Np1および第2の第NFET214Np2で構成される。第1のNFETデバイス212のゲート端子は、抵抗器222を介して、接地に結合されている。第1のNFETデバイス212のドレイン端子は、第2のNFETデバイス214のソース端子に接続されている。第2のNFETデバイス214は、第1のNFETデバイス212にカスコードされている。第2のNFETデバイス214のゲートは、抵抗224を介して、正の電源Vddに結合されている。正の電源Vddは、抵抗器224を介して第2のNFETデバイス214のゲートに結合することによって、カスコードGGNFETデバイス202にバイアスを提供する。当業者には、正の電圧源から動作するチャージポンプ回路はまた、第2のNFETデバイス214のゲートに結合することによって、カスコードGGNFETデバイス202にバイアスを提供するために使用される得ることは明らかであろう。プリチャージネットワーク206は、ダイオード216を具備する。ダイオード216のアノードは正のポテンシャルVddに結合されている。ダイオード216のカソードは、カスコードGGNFET202のドレイン、ノードDに結合されている。代替の実施形態では、ダイオード接続MOSFETは、ダイオード216の代わりに使用することができる。カスコードGGNFET202は、正電圧のESDパルスの期間中に、ICパッド204からグランドにサージする電流をシャントするためのアクティブ放電パスを提供する。ICパッド204での信号がグランドよりも高くスイングするので、ダイオードネットワーク208は、カスコードGGNFET202を横切る電圧を、カスコードGGNFETが耐えられるつまり、それがブレークダウンしない、または通常動作の期間中にターンオンしないレベルに低減する。ダイオードのネットワークは、GGNFETに直列の各ダイオードの接合電圧の合計によって、通常動作の期間中のESD保護デバイス200のターンオン電圧を増加させる。結果として、ICパッドでの許容可能な電圧スイングは増加する。選択された直列に接続されたダイオードの数は、ESD回路のターンオン電圧を所望のレベルに設定するために用いることが可能である。ダイオードネットワークはまた、カスコードGGNFET202によってICパッド204に現れる高い容量性ローディングcapacitiveloadingを低減する。ダイオードネットワーク208にプリチャージ回路206を結合することによって、ICパッド204への容量性ローディングは、ダイオードネットワーク208のそれにまで低減される。プリチャージ回路206は、カスコードGGNFET202のドレインでのDC電圧レベルを確立する。カスコードGGNFETのドレインにDC電圧を確立することは、平衡DC電圧に達するために、カスコードGGNFETのドレインに現れる信号からの、必要とされる電荷の量を減らす。よって、ICパッドのキャパシタンスをダイオードネットワークのそれまでに効果的に減らすことができる。ESDデバイス200は、ICパッドからグランドへの方向だけに電流を効率的に伝導することができ、よって、正電圧のESDパルスの期間中だけにICにESD保護を提供する。ESDデバイス200は、グランドからICパッドへの方向に電流を伝導しないこともあるので、負電圧のESDパルスの期間中にICにESD保護を提供しないこともある。負電圧のESDパルスの期間中にESD保護を提供することができる代替的な実施形態は以下に記載される。図3は、負電圧のESDパルスの期間中にESD保護を提供するESD保護デバイス200の代替の実施形態を示している。図3に示されるように、ESD保護デバイス300は、バイアス回路306、ダイオードネットワーク308およびカスコード接地ゲートNFET302を具備している。バイアス回路306は、カスコードGGNFET302のソース、ノードSに結合された第1の端子、グランドに結合された第2の端子、および、カスコード接地ゲートNFETの第1のNFET312のゲートG2に結合された第3の端子を有する。カスコードGGNFET302は、少なくとも2つのNFETデバイス、第1のNFETデバイス312Nnlおよび第2のNFETデバイス314Nn2で構成される。第1のNFETデバイス312は、第2のNFETデバイス314にカスコードされている。NFETデバイス312のドレインはグランドに結合されている。第1のNFETデバイス312のゲートは、バイアス回路306の第3の端子に結合されている。第1のNFETデバイス312のソースは、第2のNFETデバイス314のドレインに接続されている。第2のデバイス314のゲートは、抵抗器324を介して、第2のNFETデバイス314のソースに結合されている。ダイオードネットワーク308は、直列に接続された第1のダイオード318および第2のダイオード328を具備している。例示の目的のために、2つだけ、318および328が示されている。当業者であれば、直列に接続された任意の数のダイオードがダイオードネットワーク308を形成することができることは理解できる。各ダイオードは、深いNウェル内のNPウェルダイオードである。ダイオードネットワークが1つのNPウェルダイオードだけを具備するアプリケーションがある。NFETデバイスNn1およびNn2はトリプルウェルプロセス内にある。カスコードGGNFET302は、負電圧のESDパルスの期間中に、グランドからICパッド304への過電流をシャントするために、活性放電パスactivedischargepathを提供する。前の実施形態と同様のやり方で、ICパッド304での信号がグランドよりも低くスイングするので、ダイオードネットワーク308は、カスコードGGNFET302を横切る電圧を、カスコードGGNFETがブレークダウンすること、または通常動作の期間中にターンオンすることなく耐えられるレベルに低減する。ダイオードネットワークは、通常動作の期間中にESD保護素子300の電圧ターンオンを増大させ、そして、カスコードGGNFETによって、ICパッド304に現れる高い容量性ローディングを低減する。カスコードバイアスは、NFETデバイスのペア、312Nn1および314Nn2が必要になる。NFETデバイスはトリプルウェルプロセス内であるため、負電圧がカスコードバイアスのために必要になる。カスコードGGNFETのゲートでの適切な負電圧は、ICの通常動作の期間中にカスコードGGNFETがオフに留まることを保証する。負電圧は、図3の実施形態に示されたICパッドに現れるRF信号を用いたバイアス回路、または、図4の実施形態に示されたチャージポンプを用いたバイアス回路によって発生されても構わない。当業者であれば、このような負の電源が使用可能である場合には、所望のカスコードバイアス電圧を提供するために負の電源を用いても構わないことは、明らかであろう。図3の例示的な実施形態では、ダイオードネットワーク308は、RF信号を整流し、そして、カスコードGGNFET302のソース、ノードSにDC電圧を設定する。カスコードGGNFET302のソースにDC電圧を確立することは、平衡DC電圧に達するために、カスコードGGNFET302のドレインに現れる信号からの必要とされる電荷の量を減らす。よって、ICパッド302でのキャパシタンスをダイオードネットワーク308のそれまでに効果的に減らすことができる。バイアス回路306は、NFETデバイスNn1312のゲートG2に適切な負電圧を生成するために、カスコードGGNFETのソースでのDC電圧を使用する。図4は、負のESD電圧パルスの期間中にESD保護を提供するESD保護デバイスの代替の実施形態を示している。図4に示されるように、ESD保護デバイス300aは、チャージポンプ回路316、ダイオードネットワーク308およびカスコード接地ゲートNFET302を具備している。図4の例示的な実施形態では、チャージポンプ回路316は、NFETデバイス312のゲートに適切な負バイアス電圧を供給するバイアス回路306の代わりに使用される。チャージポンプ回路316は、正の電源Vddに結合された第1の端末、グランドに結合された第2の端子およびNFET312のゲートに結合された第3の端子を有する。チャージポンプ回路316は、所望のカスコードのバイアス電圧を供給するために、正の電源Vddで動作する。当業者であれば、電源の正電圧を負電圧に変換するために様々なチャージポンプ回路を用いることができることは明らかであり、したがって、チャージポンプ回路の実装は示されていない。チャージポンプに現れる負荷はゲート容量であるため、チャージポンプは非常に少ない電力を消費するように設計することができる。一般に、ダイオード318および328の深いNウェル端子は、デバイス318および328のそれらのPウェル接合とNウェルとの間に形成された寄生ダイオードを逆にバイアするために、正の電源Vddに接続されている。図5は、図3に示されるESD保護デバイスの例示的な実施形態を示している。図5に示された例示的な実施形態では、バイアス回路306aは、複数のNFETs3つ示されるおよび抵抗器を具備する。複数のNFETsは直列に接続され、そして、それらはディープNウェルN1、N2、およびN3内に製造されている。前記NFETsは、ダイオード接続された構成になっており、そして、カスコードGGNFET302のゲートからそのカスコードGGNFETのソースに低インピーダンスを提供する。カスコードGGNFETのソースは、RF信号によってパワーアップされているので、カスコードGGNFETのゲートでのカスコードバイアス電圧は、カスコードGGNFETのソースでのバイアス電圧に急速に従う。カスコードNFETのソースに関してのバイアス電圧は、NFETのしきい値電圧Vt降下の約3倍である。バイアス回路のDC電流は、抵抗器Rn2326の値で割れたN1-N3のVt降下の3倍の和を引いたカスコードGGNFETのソースでのバイアス電圧によって設定される。NFETsに接続されたダイオードの数は、カスコードNFETに対して所望の負電圧を生成するために、適切に選択されている。図3、図4および図5に示されたESDデバイスのパルス正ESDテストpulsedpositiveESDtestingの期間中、ダイオード328のN/Pウェル接合は、順方向バイアスされたPウェル/ディープNウェル接合を介して、Vddノードへとアバランシェを起こしたことが分かって、これはESDテスト期間中にグランドに保持される。その結果、ダイオード328は、ESDデバイスが到達できる所望のトリガ電圧の前に破壊するであろう。ダイオード328のN/Pウェル接合の障害電圧failurevoltageは、ディープNウェル端子および正の電源Vddに抵抗器301を直列に配置することによって改善され得る。結果として、故障電圧は、故障期間中に起こり得る電流と電流の抵抗器301の抵抗値との積によって増加される。図6は、正および負のESD電圧パルスの期間中に保護を提供する双方向のESD保護デバイスを示している。ESD保護デバイス600は、正のESDクランプ200および負のESDクランプ300を具備する。正のESDクランプ200は、負のESDクランプ300と並列に接続されている。正のESDクランプ200は、正のESDパルスの期間中に保護を提供し、そして、図2のESD保護回路を具備する。負のESDクランプ300は、負のESDパルスの期間中にESD保護を提供する。当業者には、図3、図4および図5に提示された例示的な実施形態のいずれも、負のESDクランプとして用いられ得ることは明らかであろう。本実施形態は、CMOSデバイスを参照して説明されている。しかし、当業者は、本発明は、バイポーラ、BiCMOSプロセス、SiGeBiCMOS、および、ESDによって引き起こされるダメージを受けやすい他のプロセスに適用され得ることを分かるであろう。本発明は、ESD過渡電圧が任意のゲート酸化膜やその他の脆弱な半導体デバイスを損傷しないように適切に制限するようなターンオン電圧および高電流クランプ特性を有するESD保護デバイスの様々な実施形態を含んでいる。図7は、iICパッドに適用された正弦波電圧、ii図2に示される実施形態におけるような正のESDクランプおよびiii図5に示される実施形態におけるような負のESDクランプを伴う、ICパッドの電圧の例示的な電気的シミュレーションを示している。正のESDクランプと負のESDクランプとは並列に接続されている。無線周波数RF信号源抵抗は50Ωに設定されていた。RF信号の振幅は6.5Vに設定されていた、そして、DCオフセット電圧は1.1Vに設定されていた。周波数は2.5GHzに設定されていた。なお、数サイクルの間は、ESD保護デバイス200のカスコードGGNFETのドレイン、ノードDの部分的な充電、および、ESD保護デバイス300のカスコードGGNFETのソース、ノードSの完全の充電に起因する、短い過渡電流brieftransientがある。数サイクルの後、定常状態に達する。図8は、図5のドレインノードDおよび図5のESD保護デバイスのソースノードSのバイアス電圧を示している。曲線800は、ドレインノードDでのバイアス電圧を示している。そして、曲線801は、ソースノードSでのバイアス電圧を示している。なお、前記複数の電圧は、カスコードGGNFETの最大ブレークダウン電圧よりも低く、提示された例では7.2Vである。図9は、ICパッドでの定常状態の電圧および電流の波形を示している。曲線900は、定常状態の電圧波形を示し、そして、曲線901は、定常状態の電流波形を示している。なお、電流は、電圧とは約90度の位相の不一致があり、これは主に2つのESDクランプの容量性ローディングの結果である。実効容量は125fFになると計算される。図10は、正のESDパルスに対しての、図2および5に示された例示的なESD保護デバイスを具備している製造された双方向のESD保護デバイスの測定された伝送線パルスTLPプロットを示している。図11は、負のESDパルスに対しての、図2および5に示された例示的なESD保護デバイスを具備している製造された双方向のESD保護デバイスの測定された伝送線パルスTLPプロットを示している。測定に用いられたTLPは100nsのパルス幅を持っていた。TLP故障電流と人体モデルHBM故障電圧との間の変換係数は、約2kVHBM/ATLPである。したがって、この複合クランプは、2kVHBMの業界全体の共通仕様のために十分以上である。図12は、集積化された単極三投SP3TRFフロントエンドRFFEスイッチに結合されたICパッドを有するICを示している。ICパッドは、双方向ESDクランプによって保護されている。双方向ESDクランプ1010は、ICパッド1014に印加される正電圧または負電圧のESDパルスのどちらかの期間中にIC1000に保護を提供するために、ICパッド1014に結合されている。双方向クランプ1010は、図6のデバイス600などのデバイスを具備する。ICパッドは、RFフロントエンドRFFEスイッチ1013を介して、集積化されたパワーアンプ1011、集積化された低ノイズ増幅器1012、および、第2のIC1015に結合されている。RFFEスイッチ1013は、単極三投SP3Tスイッチであり、そして、送信パス1023、受信パス1024および第2のICパス1025を具備している。RFFEスイッチ1013は、3つのポート、ポート-1P1、ポート-2P2およびポート-3P3を有する単極であり、それぞれ、信パス1023、受信パス1024および第2のICパス1025に関連づけられている。送信パス1023は、PA1011に結合された第1の端末、ICパッド1014に結合された第2の端子、および、グランドに結合された第3の端子を有する。受信パス1024は、LNA1012に結合された第1の端末、ICパッド1014に結合された第2の端子、および、グランドに結合された第3の端子を有する。第2のICパス1025は、第2のICパッド1034に結合された第1の端末、ICパッド1014に結合された第2の端子、および、グランドに結合された第3の端子を有する。第2のICパッド1034は、負のESDダイオード1032および正のESDダイオード1030に結合されている。特定の状況では、RFFEスイッチを介してICパッドに結合されたRF回路のRF性能を向上させるために、双方向ESDクランプ1010に現れる寄生容量をさらに低減することが望ましい。寄生容量のさらなる低減は、図2のESDデバイス200などの正のESDクランプが、RFFEスイッチまたは第2のICのパッドまたはそれらの両方に結合されたICパッドにESD保護を提供するために用いられさえすれば、可能であり得る。1つのESDクランプだけがICパッドに結合されているときに、寄生容量はかなり低減される。図13は、RFFEスイッチに結合されたICパッドを有するICのESD保護の例示的な実施形態を示している。ICパッド1114は、正のESDクランプ1110に結合されている。ICパッドは、RFフロントエンドRFFEスイッチ1113を介して、集積化されたパワーアンプ1111、集積化された低ノイズ増幅器1112および第2のIC1115にさらに結合されている。RFFEスイッチ1113は、単極三投SP3Tスイッチであり、そして、送信パス1123、受信パス1124および第2のICパス1125を具備する。第2のICパス1125は、直列スイッチ1140およびシャントスイッチ1144を具備する。直列スイッチ1140は、ICパッド1114に結合された1つの端子および第2のICパッド1134に結合された第2の端子を有する。RFFEスイッチ1113は、3つのポート、それぞれ、送信パス1123、受信パス1124および第2のICパス1125に関連づけられている、ポート-1P1、ポート-2P2およびポート-3P3を有する単極である。送信パス1023は、PA1111に結合された第1の端末、ICパッド1114に結合された第2の端子、および、グランドに結合された第3の端子を有する。受信パス1124は、LNA1112に結合された第1の端末、ICパッド1114に結合された第2の端子、および、グランドに結合された第3の端子を有する。第2のICパス1125は、第2のICパッド1134に結合された第1の端末、ICパッド1114に結合された第2の端子、および、グランドに結合された第3の端子を有する。第2のICパッド1134は、正のESDクランプ1130およびESD保護回路1124に結合されている。正のESDクランプ1110および1130の各々は、図2のデバイス2000などのESDデバイスを具備する。正のESDクランプ1110は、ICパッド1114に印加された正のESD電圧パルスの期間中に、IC1100にESD保護を提供する。しかし、図2のESDデバイス2000は、グランドからICパッド1114への方向に電流を効率的に伝導することができないこともあり、よって、負電圧のESD電圧の期間中にICにESD保護を提供することができないこともある。負電圧のESDパルスに対してのESD保護は、ICパッド1114から負のESDダイオード1132のグランドまでに形成された低インピーダンスパスによって提供される。低インピーダンスパスは、直列スイッチ1140およびESD保護回路1142を具備する。ESD保護回路1142は、グランドに結合されたアノードおよびICパッド1134に接続されたカソードを有するESDダイオード1132を具備する。負電圧のESDパルスの期間中、ICパッド1114はグランドよりも低い電位にある。結果として、第2のICパス1125の直列スイッチ1140は、ターンオンし、そして、ESDダイオード1132を介してグランドから低インピーダンスパスを提供する。したがって、ESD電流は、負のESD電圧パルスの期間中、ESDダイオードを介してグラウンドから流れることができる。ESDダイオードなどのESD保護回路を介してグランドに結合されるRFFEスイッチのパスがない場合、図14に示されるようなESD保護回路を形成するために、ESDダイオードはRFFEスイッチのシャントパスに適切に接続することが可能であり、そして、以下に記載される。図14は、RFFEスイッチに結合されたICパッドを有するICのESD保護の代替の実施形態を示している。ICパッド1214は、正のESDクランプ1210に結合されている。ICパッドは、RFフロントエンドRFFEスイッチ1213を介して、集積化されたパワーアンプ1211、集積化された低ノイズ増幅器1212にさらに結合されている。RFFEスイッチ1213は、単極双投SP2Tスイッチであり、そして、送信パス1223および受信パス1224を具備する。受信パス1224は、直列スイッチ1240およびシャントスイッチ1244を具備する。シャントスイッチ1244は、キャパシタ1230を介してグランドに結合されている。RFFEスイッチ1213は、2つのポート、それぞれ、送信パス1223および受信パス1224に関連づけられている、ポート-1P1およびポート-2P2を有する単極である。送信パス1223は、PA1211に結合された第1の端末、ICパッド1214に結合された第2の端子、および、グランドに結合された第3の端子を有する。受信パス1224は、LNA1212に結合された第1の端末、ICパッド1214に結合された第2の端子、および、グランドに結合された第3の端子を有する。正のESDクランプ1210は、図2のESDデバイス200などのESDデバイスを具備する。正のESDクランプ1210は、ICパッド1214に印加された正電圧のESDパルスの期間中、IC1200にESD保護を提供する。しかし、図2のESDデバイス2000は、グランドからICパッド1214への方向に電流を効率的に伝導することができないこともあり、よって、負電圧のESD電圧パルスの期間中にICにESD保護を提供することができないこともある。負電圧のESDパルスに対してのESD保護は、直列スイッチ1240をESD保護回路1242に接続することによって提供されている。ESD保護回路1242は、ESDダイオード1232に結合されたシャントスイッチ1244を含む。ESDダイオード1232は、グランドに結合されたアノードおよびシャントスイッチ1134に結合されたカソードを有する。負電圧のESDパルスの期間中、ICパッド1214はグランドよりも低い電位にある。結果として、直列スイッチ1240およびシャントスイッチ1244はターンオンして、ESDダイオード1232を介してグランドからICパッドに低インピーダンスパスを提供する。したがって、ESD電流は、負電圧のESDパルスの期間中、ESDダイオードを介してグラウンドから流れることができる。当業者は、図13および図14を参照して示された提案されたソルーションは、SP3TおよびSP2TタイプのRFFEスイッチには限定されないこともさらに分かるであろう。提案されたESD保護ソリューションは、RFFEスイッチに結合されたICパッドを有するICにESD保護を提供し得り、ここで、前記RFFEスイッチは各々にポートがある任意の数のパスpathを具備する。図15は、負電圧のESDパルスに対しての製造された双方向のESD保護デバイスの測定された伝送線パルスTLPプロットを示している。測定に使用されたTLPは100nsのパルス幅を持っていた。なお、電圧および電流は、絶対値としてプロットされており、そして、実際にはグランドに対しては負である。正のESDパルスのTLP測定は、図10に示された結果と同じ結果を示しており、何故なら、ESD保護は、主に正のESCクランプによるからである。当業者には、本明細書に開示された実施例に関連して説明された種々の例示的な論理ブロック、モジュール、回路およびアルゴリズムステップは、電子的なハードウェア、コンピュータソフトウェアまたはこれらの組み合わせとして実装され得ることが、さらに理解されるだろう。ハードウェアとソフトウェアとの互換性を明確に示すために、種々の例示的な要素、ブロック、モジュール、回路、およびステップは、全般的にそれらの機能性の観点から、上記では説明してきた。そのような機能性がハードウェアで実装されるかソフトウェアで実装されるかは、個々のアプリケーションおよび全体のシステムに課せられた設計の制約に依存する。当業者は、上記の機能性を、各個別のアプリケーションにつき種々の方法で実装し得るが、そのような実装の決定は、開示された例示的な実施形態の範囲からの逸脱を生じさせないものとして解釈されるべきではない。本明細書内に開示された実施形態に関連して述べられた種々の例示的な論理ブロック、モジュールおよび回路は、本明細書で述べられた機能を実行するように設計された汎用プロセッサ、デジタルシグナルプロセッサDSP、特定用途向け集積回路ASIC、フィールドプログラマブルゲートアレイシグナルFPGA、またはその他のプログラマブル論理デバイス、ディスクリートゲートまたはトランジスタロジック、ディスクリートハードウェア部品、またはこれらを組み合わせたものによって、実装または実行され得る。汎用プロセッサは、マイクロプロセッサであっても良いが、代わりにプロセッサは従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、またはステートマシンであっても良い。プロセッサはまた、コンピューティングデバイスを組み合わせたものとして実装されてもよく、例えば、DSPとマイクロプロセッサ、複数のマイクロプロセッサ、DSPコアと接続された一つ以上のマイクロプロセッサ、またはその他のそのような構成を組み合わせたものである。本明細書に開示された実施形態に関連して述べられた方法またはアルゴリズムのステップは、ハードウェア、プロセシングによって実行されるソフトウェアモジュール、またはこれら2つを組み合わせたものによって、直接的に具体化され得る。ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリRAM、フラッシュメモリ、読取り専用メモリROM、消去可能なプログラマブル読取り専用メモリEPROM、電気的消去可能なプログラマブル読取り専用メモリEEPROM、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、CD-ROM、または当技術分野で知られている任意の他の形態の記憶媒体内に存在し得る。例示的な記憶媒体は、プロセッサが、記憶媒体から情報を読み出し、記憶媒体に情報を書き込むことができるようにプロセッサに結合されている。代替法では、記憶媒体は、プロセッサと一体であってよい。プロセッサおよび記憶媒体は、ASIC内に存在してもよい。ASICは、ユーザ端末内に存在してもよい。代替法では、プロセッサおよび記憶媒体は、ユーザ端末内でディスクリートコンポーネントとして存在してもよい。1つまたは複数の例示の実施形態においては、説明される機能は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、またはそれらの適切な任意の組合せの形で実施され得る。ソフトウェアの形でインプリメントされる場合、それらの機能は、コンピュータ読取り可能媒体上に1つまたは複数の命令またはコードとして記憶され、あるいはその上で送信され得る。コンピュータ読取り可能媒体は、ある場所から別の場所へのコンピュータプログラムの転送を容易にする任意の媒体を含めて、コンピュータストレージ媒体と、通信媒体との両方を含んでいる。ストレージ媒体は、コンピュータによってアクセスされることができる任意の利用可能な媒体とすることができる。例として、限定するものではないが、そのようなコンピュータストレージ媒体は、RAM、ROM、EEPROM、CD-ROMまたは他の光ディスクストレージ、磁気ディスクストレージまたは他の磁気ストレージデバイス、もしくは命令またはデータ構造の形態で望ましいプログラムコードを搬送し、または記憶するために使用されることができ、そしてコンピュータによってアクセスされることができる他の任意の媒体、を備えることができる。また、いかなる接続connectionもコンピュータ読取り可能媒体と適切に呼ばれる。例えば、ソフトウェアが、同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペア、デジタル加入者回線DSL、または赤外線、無線、マイクロ波などのワイヤレス技術を使用して、ウェブサイト、サーバ、または他のリモートソースから送信される場合、そのときには同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペア、DSL、または赤外線、無線、マイクロ波などのワイヤレス技術は、媒体の定義の中に含まれる。ここにおいて使用されるようなディスクおよびディスクは、コンパクトディスクCD、レーザーディスク登録商標、光ディスク、デジタル多用途ディスクDVD、フロッピー登録商標ディスク、およびブルーレイディスクを含み、ここでディスクは通常、データを磁気的に再生するが、ディスクは、レーザを用いて光学的にデータを再生する。上記の組合せもまた、コンピュータ読取り可能媒体の範囲内に含められるべきである。開示された例示的な実施形態の先の説明は、任意の当業者が本発明を作るかまたは使用することを可能にするために提供されている。これらの例示的な実施形態に対する種々の変更が、当業者に容易に明らかになることになり、そして、本明細書で規定される一般的な原理が、本発明の趣旨または範囲から逸脱することなく、他の実施形態に適用されてもよい。したがって、本発明は、本明細書で示す実施形態に限定されることを意図されるのではなく、添付特許請求の範囲によって規定される原理および新規な特徴に矛盾しない、考えられる最も広い範囲に一致することが意図される。"