"緑色領域に発光を示す蛍光体であり、該蛍光体の材料組成がMgx,Cay,AwSi1-aGea酸化物で表され、0<x≦0.5、0.5≦y<1、xy=1、0<w≦0.4、0≦a≦1であり、且つAはEu、Ce、Tmから選ばれる少なくとも一つの元素であることを特徴とする蛍光体。請求項1において、該蛍光体の材料組成がMgx,Cay,AwSi酸化物で表され、0<x≦0.5、0.5≦y<1、xy=1、0<w≦0.4であり、且つAはEu、Ce、Tmから選ばれる少なくとも一つの元素であることを特徴とする蛍光体。請求項1または2に記載の蛍光体から構成される膜に接して、Si、Geから選ばれる少なくとも一つの元素を構成元素として含む隣接膜を有することを特徴とする蛍光体。該蛍光体からなる膜と該隣接膜の界面が0.1μmから1μmの周期で曲面形状を有することを特徴とする請求項3に記載の蛍光体。材料組成がMgx,Cay,AwSi1-aGea酸化物で表され、0<x≦0.5、0.5≦y<1、xy=1、0<w≦0.4、0≦a≦1であり、且つAはEu、Ce、Tmから選ばれる少なくとも一つの元素である膜に隣接して、SiあるいはGeを含む隣接膜を配置することにより、前駆体を形成する工程と、該前駆体を熱処理する工程と、を有することを特徴とする蛍光体の製造方法。該前駆体は、該膜及び該隣接膜が基板上に積層された構成からなることを特徴とする請求項5に記載の蛍光体の製造方法。請求項1から4のいずれかに記載の蛍光体と、該蛍光体を励起する手段とを具備することを特徴とする表示装置。上述したように、現在一般的にPDPに用いられている緑色蛍光体は残光時間が長く、その問題を解決するために、発光効率を犠牲にしている。上述の問題を鑑み、本発明の目的は、発光効率に影響の少なく、残光時間が短いことを特徴とする、新規な酸化物蛍光体を提供することである。またそれを用いた表示装置を提供することも目的とする。本発明によると、材料組成がMgx,Cay,AwSi1-aGea酸化物で表され、0<x≦0.5、0.5≦y<1、xy=1、0<w≦0.4、0≦a≦1であり、且つAはEu、Ce、Tmから選ばれる少なくとも一つの元素であることを特徴とする緑色蛍光体が提供される。本発明によれば、新規な酸化物蛍光体を提供し、それを用いた表示装置を提供することが出来る。以下に本発明の実施形態に関わる蛍光体、特にその膜について参考例も交えて説明する。本発明の蛍光体の組成は各種組み合わせが可能である。なお、材料組成の同定は、X線回折測定、蛍光X線測定、エネルギー分散分光測定、誘導結合プラズマ発光分析などから行うことが可能である。本発明の蛍光体の材料組成は、例えば、Mgx,Cay,EuwSi1-aGea酸化物であり、0<x≦0.5、0.5≦y<1、xy=1、0<w≦0.4、0≦a≦1の範囲内で設定すること出来る。更に、材料組成は、Mgx,Cay,Srz,EuwSi酸化物であり、0.3<x≦0.5、0.5≦y<0.7、xy=1、且つ0.005<w≦0.12の範囲内で設定することがより好ましい。また、図1に示すように、前記蛍光体から構成される膜11に接して、Si、Geから選ばれる少なくとも一つの元素を構成元素として含む隣接膜13を有することが好ましい。隣接膜の材料としては、SiO2、GeO2、SiNx、SiOxNyなどを用いることが出来る。隣接膜の膜厚は、蛍光体からなる膜のサイズにもよるが10nm~1μmである。蛍光体に接してのこのような隣接膜を配することで、蛍光体に含まれる組成であるSi、Ge、酸素に対しての組成ずれが生じにくくなるため、温度や湿度などの環境に対しての安定性に優れた蛍光体とすることが出来る。また、蛍光体からなる膜と隣接膜の界面が0.1~1μm周期で曲面形状を有することが好ましい。本発明の蛍光体は可視域での蛍光を示すが、光の波長と同程度0.1~1μm程度のサイズで界面形状が変調された構成を有することで、効果的に光を散乱させることが出来る。蛍光体の内部で発せられる光は、この界面構造で散乱されることで、蛍光体の外部に効果的に放出され得る。即ち、上述の構造により光の外部取り出し効率が向上するため、外部量子効率の高い蛍光体を得ることが出来る。本発明の蛍光体を、蛍光体膜として基板上に形成することで、結晶性の良好な蛍光体とすることが出来る。特に、後述の製造方法により、図1に示すような、ABABABA=SiO4あるいはGeO4四面体層、B=2価金属イオン層という交互に積層した結晶面を有した膜を作成することが出来る。このように、結晶性の良好な蛍光体膜を形成することで、その発光輝度、色純度、及び膜の安定性を向上させることが出来る。この際先に述べたように、蛍光体膜に隣接してSi、Geから選ばれる少なくとも一つの元素を構成元素として含む膜を配することが好ましい。上述の蛍光体と、蛍光体を励起する手段を組み合わせることで、表示装置とすることが出来る。励起手段としては、電子線、紫外線、X線などが挙げられる。即ち本発明の蛍光体を、電子線励起を用いたFEDや、紫外線励起を用いたPDPなどに適用することが出来る。なお、一般的に緑の光波長はおよそ500~560nmの範囲であるが、本発明における緑色領域とは、およそ480~580nmの範囲を含む、緑波長にスペクトルをもつ領域のことをいう。次に、前記蛍光体の製造方法について説明する。本発明の蛍光体は、MgCO3、SrCO3、CaCO3、MgCl2、SrCl2、CaCl2、Eu2O3、EuCl3、SiO2、GeO2などを出発材料として、混合、焼成することで粉末として合成されることが出来る。他にも、例えばSi、Ge、アルミナ、石英、SrTiO3などの各種基板上に膜として形成することが可能である。また蛍光体膜形成には、ゾルゲル法、真空蒸着法、化学的気相成長法など、各種成膜手段を用いることが出来るが、緻密で再現性の良い膜が比較的容易に得られるスパッタリング法を用いることが特に好ましい。これより図5を用いて製造方法の詳細を説明する。まず、SiあるいはGeを含む膜52を有する基板51を用意する。この基板上に、材料組成が参考例として、Mgx,Cay,Srz,AwSi1-aGea酸化物で表される膜53を形成する図5a。前記酸化物において、0<x≦0.45、0<y≦0.45、z≧0.4、0<w≦0.4、0≦a≦1であり、且つAはEu、Ce、Tmから選ばれる少なくとも一つの元素である。また、前記膜53は材料組成がMgx,Cay,AwSi1-aGea酸化物で表され、0<x≦0.5、0.5≦y<1、xy=1、0<w≦0.4、0≦a≦1であり、且つAはEu、Ce、Tmから選ばれる少なくとも一つの元素である膜が好適である。ここで、SiあるいはGeを含む膜52を有する基板51としては、より簡便には、Si基板上に熱酸化膜が任意の厚さで形成されたSiO2付Si基板や石英基板を用いればよい。また、そのような基板でなくても、SiO2あるいはGeO2などの膜を成膜した基板を用いることが出来る。この際、基板としては、アルミナ、石英、SrTiO3などの各種基板を用いることが出来る。膜53の形成には、ゾルゲル法、真空蒸着法、化学的気相成長法など、各種成膜手段を用いることが出来るが、緻密で再現性の良い膜が比較的容易に得られるスパッタリング法を用いることが特に好ましい。次に、結晶性の向上と付活材の活性化のために、膜53が形成された基板即ち前駆体を還元雰囲気で熱処理する図5b。ここで、還元雰囲気としては、N2、Ar、Heなどの不活性ガス、水素ガス、一酸化炭素ガス、水素や一酸化炭素とN2、Ar、Heなどの混合ガス、真空雰囲気中などがあげられる。これらの中でも、2価のEuを得るために、H2を数含んだArあるいはHeなどの混合ガスを用いることが好ましい。熱処理温度は、材料組成や雰囲気にも依存するが、例えば600°Cから1400°Cの範囲である。この熱処理工程において、膜53と隣接膜52の間で物質拡散を生じることで、結晶性に優れた蛍光体膜54を形成することが出来る。また、蛍光体膜に接している隣接膜が、蛍光体膜に含まれる組成SiあるいはGeを含む例えばSiO2、GeO2などことで、膜組成のずれに影響されにくく、簡便な手法で安定な蛍光体膜の作製が可能となる。このような物質拡散による効果を十分に得るためには、あらかじめ用意する膜52の厚さを蛍光体膜の膜厚程度以上とすることが好ましい。以下、参考例及び実施例を用いて本発明を更に説明するが、以下に限定されるものではない。参考例1本参考例は、Mg、Ca、Sr、Si及び酸素を構成元素とし、付活材として希土類が添加された組成からなり、緑色領域に発光を示す蛍光体であることを特徴とする珪酸塩蛍光体を基板上に作成する例である。図5aに示すように、まず、熱酸化膜付きSi基板上に、Mg、Ca、Sr、Eu、Si及び酸素を構成元素とした膜53を成膜する。ここで熱酸化膜付きSi基板における酸化膜52の厚さは約500nmである。成膜には、カソードを3台備えたマグネトロンスパッタリング装置を用いる。各々2程度のEu2O3の添加されたMgSiO3、CaSiO3、SrSiO3の3つのターゲット面を成膜面に対して各々20度傾けて配置し、それぞれの投入電力比を1.2:1.0:3.3とし、厚さ500nm程度の膜53を形成する。この際、基板温度は200°Cとし、アルゴンと酸素の混合ガスを流して約1Paの圧力とし、成膜速度は約3nm/min程度である。次に、成膜した基板を、真空アニール装置を用いて、2のH2を含んだAr雰囲気下、約1000°Cで熱処理する図5b。アニール済みの成膜基板に水銀ランプで254nmの紫外線を照射すると、緑色の発光が得られる。分光蛍光光度計で励起発光スペクトルを測定すると、図2に示すように、254nmに最大ピークを持つ励起スペクトル、及び478nmにピークを持ち、半値巾が60nmである発光スペクトルが得られ、発光色は青緑色である。また、図4の点AにCIE色度座標を示す。なおそれは、2価のEuイオンの4f-5d遷移により、ブロードで強い発光スペクトルと、1μ秒程度の速い発光寿命を持つ発光である。得られる蛍光体膜についてRh管球を用いた蛍光X線測定及び誘導結合プラズマ発光分析を行うと、Mgx,Cay,Srz,EuwSiOvにおいて、x=0.32、y=0.16、z=0.53、w=0.04である。また、透過電子顕微鏡により蛍光膜断面構造を観察すると、図1に示すように、それはABABABA=SiO4あるいはGeO4四面体層、B=2価金属イオン層という交互に積層した結晶面を有した膜であることがわかる。また、熱処理工程において、蛍光体膜と隣接膜の間で物質拡散を生じることで、その界面55に0.1~1μm周期の周期を持つ曲面形状が形成されている。この物質拡散を利用した熱処理により、組成変動が小さく、粒界や欠陥の少ない結晶性に優れた蛍光体を作成することが出来る。これにより、発光輝度、色純度、及び膜の安定性が向上する。他にも、幾つかの構造的な特徴がある。まず、積層結晶面と基板面のなす角度θが、10~80°などの一定の角度を有する。また、蛍光膜11の内部にサイズが1μm3程度の空隙部分密度が低い部分を有することがわかる。これらの特徴的な膜構造界面の曲面形状、結晶面と基板面の角度、空隙により、蛍光体内部で発せられた光を有効に外部に取り出すことが出来ていると思われる。即ち、このような構造により良好な外部量子効率が得られていると思われる。また、成膜時のMgSiO3、CaSiO3、SrSiO3の3つのターゲットへの投入パワーを制御し、様々な組成の蛍光膜を作製する。そうすることで、Mgx、Cay,Srz,EuwSi酸化物において、0<x≦0.45、0<y≦0.45、z≧0.4、且つ0<w≦0.4の範囲で良好な蛍光体を得ることが出来る。参考例2本参考例は、Mg、Ca、Sr、Eu、Si及び酸素を構成元素とした蛍光体膜を単結晶基板あるいは、セラミックス基板上に、形成する例である。基板としてはサファイア単結晶基板51を用いる。まず、厚さ500nm程度のSiO2膜を隣接膜52として形成する。成膜には、SiO2ターゲットを用いたマグネトロンスパッタ法を用いる。基板温度は200°C以下、アルゴンガスを流して0.5Paの圧力、成膜速度6nm/minである。次に、Mg、Ca、Sr、Eu、Si及び酸素を構成元素とした膜53を成膜する。成膜には、カソードを3台備えたマグネトロンスパッタリング装置を用いる。各々5程度のEu2O3を含むMgSiO3、CaSiO3、SrSiO3のターゲット面を成膜面に対して各々20度傾けて配置する。そしてそれぞれの投入電力比を1.0:1.0:2.0とし、基板温度100°C、アルゴンと酸素の混合ガスを流して約1Paの圧力、成膜速度約3nm/minで成膜することにより、厚さ500nm程度の膜を形成する図5a。更に、成膜した基板を、真空アニール装置を用いて、3のH2を含んだHe雰囲気下、約1000°Cで熱処理する図5b。アニール済みの成膜基板に紫外線を照射すると、青緑色の発光が得られる。得られた蛍光体膜54についてRh管球を用いた蛍光X線測定及び誘導結合プラズマ発光分析を行うと、Mgx,Cay,Srz,EuwSiOvにおいて、x=0.37、y=0.22、z=0.42、w=0.10である。本参考例の手法により、SrTiO3単結晶基板、あるいはBaTiO3セラミック焼成基板などに本発明の蛍光体の作成が可能となる。これにより、本発明の蛍光体の応用分野が拡大する。参考例3本参考例は、Mg、Ca、Sr、Eu、Si、Ge及び酸素を構成元素とした蛍光体膜の作製する例である。基板としてはサファイア単結晶基板を用いる。まず、厚さ500nm程度のGeO2膜を隣接膜52として形成する。成膜には、GeO2ターゲットを用いたマグネトロンスパッタ法を用いる。基板温度は100°C、アルゴンガスを流して0.5Paの圧力、成膜速度5nm/minである。次に、Mg、Ca、Sr、Eu、Si及び酸素を構成元素とした膜53を成膜する。成膜には、カソードを3台備えたマグネトロンスパッタリング装置を用いる。各々5程度のEu2O3を含むMgSiO3、CaSiO3、SrSiO3のターゲット面を成膜面に対して各々20度傾けて配置する。そしてそれぞれの投入電力比を1.5:1.0:5.0とし、基板温度100°C、アルゴンと酸素の混合ガスを流して約1Paの圧力、成膜速度約3nm/minで成膜することにより、厚さ500nm程度の膜を形成する図5a。更に、成膜した基板を、真空アニール装置を用いて、3のH2を含んだHe雰囲気下、約850°Cで熱処理する図5b。アニール済みの成膜基板に紫外線を照射すると、緑色の発光が得られる。得られた蛍光体膜についてRh管球を用いた蛍光X線測定及び誘導結合プラズマ発光分析を行うと、Mgx,Cay,Srz,EuwSi1-aGea酸化物において、x=0.29、y=0.13、z=0.58、w=0.13、a=0.33である。実施例1本実施例は、Mg、Ca、Eu、Si、Ge及び酸素を構成元素とした蛍光体膜を作製する例である。基板としてはSrTiO3単結晶基板を用いる。まず、厚さ500nm程度のSiO2膜を隣接膜52として形成する。成膜には、SiO2ターゲットを用いたマグネトロンスパッタ法を用いる。基板温度は200°C以下、アルゴンガスを流して0.5Paの圧力、成膜速度6nm/minである。次に、Mg、Ca、Eu、Si及び酸素を構成元素とした膜53を成膜する。成膜には、カソードを3台備えたマグネトロンスパッタリング装置を用いる。各々6程度のEu2O3を含むMgSiO3、CaSiO3のターゲット面を成膜面に対して各々20度傾けて配置する。そしてそれぞれの投入電力比を1.0:2.0とし、基板温度100°C、アルゴンと酸素の混合ガスを流して約1Paの圧力、成膜速度約3nm/minで成膜することにより、厚さ500nm程度の膜を形成する。更に、膜53の上に厚さ50nm程度のGeO2膜を隣接膜56として形成する。成膜には、GeO2ターゲットを用いたマグネトロンスパッタ法を用いた。基板温度は100°C、アルゴンガスを流して0.5Paの圧力、成膜速度5nm/minである図6a。その後、成膜した基板を、真空アニール装置を用いて、3のH2を含んだHe雰囲気下、約830°Cで熱処理する図6b。アニール済みの成膜基板に紫外線を照射すると、図3に示すように、245nmに最大ピークを持つ励起スペクトル及び、532nmに半値巾90nmのメインピークを持ち、452nmに半値巾50nmのサブピークを持つ発光スペクトルが得られる。その発光色は緑色である。図4の点BにCIE色度座標を示す。得られた蛍光体膜についてRh管球を用いた蛍光X線測定及び誘導結合プラズマ発光分析を行うと、Mgx,Cay,EuwSi1-aGea酸化物において、x=0.47、y=0.53、w=0.13、a=0.23である。更に、別途、石英基板上同様にして形成した蛍光体について、積分球を用いて量子発光効率を測定すると0.17である。実施例2本実施例は、本発明の蛍光体を適用した表示装置の例である。本実施例の表示装置は、図7に示すようにガラスからなる真空容器中不図示において、蛍光体72と電子放出素子71を対向して配してなる。複数の電子放出素子は配列して配置されており、それぞれの電子放出素子から放出された電子ビームを加速し蛍光体に照射することで、蛍光体から光を生じせしめる。蛍光体から発せられた光を用いて画像や文字を表示することが出来る。本実施例においては、蛍光体の構成は参考例1に準じている。Mg、Ca、Sr、Eu、Si、Oを構成元素とし、緑色領域に発光を示す蛍光体を石英基板に配した構成からなる。蛍光層の厚さは、約1100nmであり、この上にメタルバック73として厚さ80nmのアルミ膜が成膜されている。また、電子放出素子71はスピント型の電子放出素子であり、電子ビームの加速電圧は10kVである。本実施例の表示装置は、緑色の表示が可能であり、視認性と安定性に優れた画像を表示することが出来る。"