"基板と、前記基板の上方に行列状に形成された複数の画素電極と、前記画素電極の上方に行方向に延伸して形成され、列方向に向かい合う画素電極の端部を被覆する絶縁膜と、行方向に向かい合う前記画素電極の間に相当する部分の上方に、列方向に延伸して形成された隔壁と、前記隔壁により構成される開口部内に形成された正孔輸送層と、前記開口部における前記正孔輸送層の上方に形成された有機発光層と、前記有機発光層の上方に形成された共通電極と、を備える有機EL表示パネルであって、前記画素電極における前記絶縁膜を除く領域の上方に形成された有機発光層を発光部とする第1発光部と、前記画素電極の上方であり、かつ、前記絶縁膜の上方の領域に形成された有機発光層を発光部とする第2発光部と、から光が発せられる、有機EL表示パネル。前記絶縁膜は酸化シリコン、窒化シリコン、および酸窒化シリコンの少なくともいずれかを含んで構成され、当該絶縁膜の膜厚は10nm以上75nm以下である、請求項1に記載の有機EL表示パネル。前記正孔輸送層における正孔移動度は、前記有機発光層における正孔移動度に対して103倍以上105倍以下である、請求項1に記載の有機EL表示パネル。第2発光部における発光量が、第1発光部における発光量の10分の1以上である、請求項1に記載の有機EL表示パネル。ところで、有機EL表示パネルのさらなる高輝度化が要求されている。本発明は上記の課題に鑑みてなされたもので、高輝度化を図ることが可能な有機EL表示パネルを提供することを目的とする。本発明の一態様における有機EL表示パネルは、基板と、前記基板の上方に行列状に形成された複数の画素電極と、前記画素電極の上方に行方向に延伸して形成され、列方向に向かい合う画素電極の端部を被覆する絶縁膜と、行方向に向かい合う前記画素電極の間に相当する部分の上方に、列方向に延伸して形成された隔壁と、前記隔壁により構成される開口部内に形成された正孔輸送層と、前記開口部における前記正孔輸送層の上方に形成された有機発光層と、前記有機発光層の上方に形成された共通電極と、を備える有機EL表示パネルであって、前記画素電極における前記絶縁膜を除く領域の上方に形成された有機発光層を発光部とする第1発光部と、前記画素電極の上方であり、かつ、前記絶縁膜の上方の領域に形成された有機発光層を発光部とする第2発光部と、から光が発せられる。本発明の一態様に係る有機EL表示パネルでは、従来から発光部として機能していた第1発光部に加えて、従来では発光部として機能していなかった領域、すなわち、画素電極の上方であり、かつ、絶縁膜の上方の領域に形成された有機発光層を第2発光部として機能させることができる。この結果、有機EL表示パネルにおける発光面積を拡張することができるため、発光輝度の向上を図ることができる。したがって、本発明によれば高輝度化を図ることが可能である。≪本発明の一態様の概要≫本発明の一態様に係る有機EL表示パネルは、基板と、前記基板の上方に行列状に形成された複数の画素電極と、前記画素電極の上方に行方向に延伸して形成され、列方向に向かい合う画素電極の端部を被覆する絶縁膜と、行方向に向かい合う前記画素電極の間に相当する部分の上方に、列方向に延伸して形成された隔壁と、前記隔壁により構成される開口部内に形成された正孔輸送層と、前記開口部における前記正孔輸送層の上方に形成された有機発光層と、前記有機発光層の上方に形成された共通電極と、を備える有機EL表示パネルであって、前記画素電極における前記絶縁膜を除く領域の上方に形成された有機発光層を発光部とする第1発光部と、前記画素電極の上方であり、かつ、前記絶縁膜の上方の領域に形成された有機発光層を発光部とする第2発光部と、から光が発せられる。また、本発明の一態様に係る有機EL表示パネルの特定の局面では、前記絶縁膜は酸化シリコン、窒化シリコン、および酸窒化シリコンの少なくともいずれかを含んで構成され、当該絶縁膜の膜厚は10nm以上75nm以下である。また、本発明の一態様に係る有機EL表示パネルの特定の局面では、前記正孔輸送層における正孔移動度は、前記有機発光層における正孔移動度に対して103倍以上105倍以下である。また、本発明の一態様に係る有機EL表示パネルの特定の局面では、第2発光部における発光量が、第1発光部における発光量の10分の1以上である。≪実施の態様≫[有機EL表示パネル100の構成]図1は、実施の態様に係る有機EL表示パネル100の構成を模式的に示す平面図である。図2aは図1におけるA-A’断面図YZ断面図であり、図2bは図1におけるB-B’断面図ZX断面図である。有機EL表示パネル100は、有機材料の電界発光現象を利用したパネルであり、いわゆるトップエミッション型である。有機EL表示パネル100は、複数の有機EL素子20が、XY方向に行列状に配列されてなる。図1においては、赤色R,緑色G,青色Bの各色に対応する有機EL素子をそれぞれサブピクセル20R,20G,20Bとして示しており、20R,20G,20Bの3つのサブピクセルの組み合わせが1画素に相当する。有機EL表示パネル100の主な特徴は、図2aに示すように、第1発光部A1と第2発光部A2,A2’を有する点である。有機EL表示パネル100は、その主な構成として、TFT基板4、画素電極5、正孔注入層6、画素規制層7、隔壁8、正孔輸送層9、有機発光層10、共通電極11を備える。<TFT基板4>TFT基板4は、基板1、SD電極2、層間絶縁膜3からなる。基板1は、有機EL表示パネル100のベース部分となる基板であって、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料で形成されている。基板1の表面に形成されたSD電極2は、有機EL素子20をアクティブマトリクス方式で駆動するためのTFTのソースドレイン電極である。TFTは、チャネル材料にシリコンを用いたものでも、インジウムガリウム亜鉛酸化物などの酸化物半導体を用いたものでも、ペンタセン等の有機半導体を用いたものでもよい。層間絶縁膜3は、例えばポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料等の絶縁性に優れる有機材料からなり、基板1のTFTを被覆している。この層間絶縁膜3には、有機EL素子20毎に、厚み方向Z方向に掘り下げたコンタクトホール13が形成されている。このコンタクトホール13は円形の下面を持つ孔であり、コンタクトホール13を介してSD電極2と画素電極5が電気的に接続される。<画素電極5>TFT基板4の上には、画素電極陽極5が形成されている。画素電極5は層間絶縁膜3に設けられたコンタクトホール13に沿うように設けられており、このコンタクトホール13を介して画素電極5とSD電極2が接続される。有機EL表示パネル100を本実施の態様のようにトップエミッション型とする場合には、画素電極5は、光反射性であることが好ましい。このような材料としては、例えば、APC銀、パラジウム、銅の合金、ARA銀、ルビジウム、金の合金、MoCrモリブデンとクロムの合金、NiCrニッケルとクロムの合金等を挙げることができる。画素電極5は、各有機EL素子20に対応するようにXY方向に行列状に形成されている。<正孔注入層6>画素電極5の上には、正孔注入層6が形成されている。正孔注入層6は、画素電極5から有機発光層10への正孔の注入を促進させる目的で設けられているものであり、画素電極5と同様の形状で形成されている。正孔注入層6としては、例えば、銀Ag、モリブデンMo、クロムCr、バナジウムV、タングステンW、ニッケルNi、イリジウムIrなどの酸化物、あるいは、PEDOTポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物などの導電性ポリマー材料を用いることができる。なお、画素電極5と正孔注入層6との間に、各層間の接合性を良好にする目的でITO酸化インジウムスズ層またはIZO酸化インジウム亜鉛層が設けられることもある。<画素規制層7>正孔注入層6の上には、画素電極5の端部画素電極5の角部と共通電極11間が短絡することを防止することを目的として、画素規制層7が形成されている。画素規制層7は本発明における絶縁膜に相当し、Y方向に向かい合う画素電極5の端部を被覆するように形成されている。画素規制層7は、X方向に延伸して形成されたライン状の層であって、Y方向に隣接する画素電極5,正孔注入層6同士の間隙並びコンタクトホール13の内面を覆うように、Y方向に等ピッチ且つ等幅で配されている。本実施の態様においては、第2発光部A2,A2’を構成するために、画素規制層7の材料には比誘電率が3.8以上のものが用いられており、このような材料としては、例えば酸化シリコンSiO、窒化シリコンSiN、酸窒化シリコンSiON等の絶縁性材料が挙げられる。さらに望ましくは、これらの絶縁性材料よりも誘電率が高いハフニウム酸化シリコン、酸窒化ハフニウムアルミネート等の、高誘電率ゲート絶縁膜いわゆるHigh-kゲート絶縁膜材料である。さらに、第2発光部A2,A2’を構成するために、画素規制層7の膜厚は10[nm]以上75[nm]以下の範囲から選択されている。画素規制層7の膜厚が10[nm]よりも薄い場合には、画素電極5と共通電極11とが短絡しない程度に十分に画素電極5の端部を被覆することが困難になるおそれや、絶縁膜破壊やトンネル電流などの発生により短絡してしまうおそれがある。また、画素規制層7の膜厚が75[nm]を超える場合、例えば、100[nm]の膜厚の酸化シリコンを画素規制層7とした場合には、第2発光部A2,A2’を構成することができなくなる。<隔壁8>画素規制層7の上には、X方向に隣接する有機EL素子20を区画する目的で隔壁8が形成されている。隔壁8は、絶縁性の有機材料例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等から構成され、少なくとも表面が撥液性を持つように形成されている。隔壁8は、X方向に向かい合う画素電極5の間に相当する部分の上方に、Y方向に延伸して形成されたライン状の層であり、X方向に等ピッチで形成されている。図2bに示すように、隔壁8の断面形状は台形であり、その幅は均一である。<正孔輸送層9>X方向に隣接する隔壁8により構成される開口部内には、正孔輸送層9が形成されている。正孔輸送層9は、有機発光層10への正孔輸送を促進させる目的で設けられているものである。本実施の態様では第2発光部A2,A2’を構成するために、正孔輸送層9の材料には有機発光層10における正孔移動度に対して、103倍以上105倍以下の正孔移動度を有するものが選択される。このような材料としては、例えば、4,4’-ビス[N-ナフチル-N-フェニル-アミノ]ビフェニルα-NPBまたはα-NPD、N,N’-ビス3-メチルフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミンTPDなどのトリアリールアミン系化合物等を挙げることができる。<有機発光層10>隔壁8により構成される開口部内における正孔輸送層9の上には、有機発光層10が形成されている。有機発光層10は、キャリアの再結合による発光を行う部位である。有機EL素子20Rにおいては、Rに対応する有機材料を含む有機発光層10が形成されており、有機EL素子20Gにおいては、Gに対応する有機材料を含む有機発光層10が形成されており、有機EL素子20Bにおいては、Bに対応する有機材料を含む有機発光層10が形成されている。上述したように、有機発光層10を構成する材料は、その正孔移動度が正孔輸送層におけるものの103分の1以上105分の1以下となるように選択される。有機発光層10として用いることが可能な材料としては、ポリパラフェニレンビニレンPPV、ポリフルオレンや、例えば、特許公開公報特開平5-163488号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、8-ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、2-ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とIII族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等が挙げられる。なお、図2aにおいてB1で示す領域は、画素電極5が形成されていない領域に相当し、光を発さない非発光部である。<共通電極11>有機発光層10の上には、その全面に亘って共通電極陰極11が形成されている。有機EL表示パネル100はトップエミッション型であるため、共通電極11にはITO、IZO等の透光性の導電材料が用いられている。<その他>コンタクトホール13の上方の領域においては、画素電極5だけでなく正孔注入層6、画素規制層7、正孔輸送層9、有機発光層10、共通電極11もこのコンタクトホール13に沿って形成される。この結果、コンタクトホール13の上方に窪み部15が形成される。共通電極11の上には、有機発光層10が水分や空気等に触れて劣化することを抑制する目的で封止層が設けられる。有機EL表示パネル100はトップエミッション型であるため、封止層の材料としては、例えば、SiN、SiON等の光透過性材料を用いる。[第2発光部A2,A2’が生まれる原理]画素規制層7、正孔輸送層9、有機発光層10の材料を、所定条件を満たすように選択することで、第2発光部を構成することができる。この所定条件とは、1画素規制層7の比誘電率が3.8以上であること、2画素規制層7の膜厚が10[nm]以上75[nm]以下であること、3正孔輸送層9が有機発光層10に対して103倍以上105倍以下の正孔移動度を有することの3つの要件を全て満たすことが望ましい。図3は、第2発光部A2,A2’が生まれる原理を説明するための図である。図3aは、図2aに示すYZ断面図図1におけるA-A’断面図の一部を取り出した図であり、図3bは図3aにおける破線部分の模式拡大図である。画素電極5と共通電極11との間に電流が流されると、図3bの矢印で示すように、両電極間に存在する画素規制層7、正孔輸送層9、有機発光層10に電界が生じる。ここで、正孔輸送層9には、有機発光層10に対して103倍以上105倍以下の正孔移動度を有する材料が用いられている上記3の要件。有機発光層10の内部よりも正孔輸送層9の内部の方が正孔23が移動し易くなる結果、図3bに破線の矢印で示すように、正孔輸送層9中に存在する正孔23が画素規制層7上にまで回り込むことができる。上記3の要件を満たさない場合には、正孔輸送層9中に存在する正孔23が画素規制層7上にまで回り込みにくくなるため、第2発光部は生まれない。図3bに図示されていない第2発光部A2’についても、第2発光部A2と同様の原理で説明することができる。[各種実験]各層の電荷再結合図4,5は、有機EL表示パネル100を構成する各層の電荷再結合の分布を示すシミュレーション結果である。図4,5の各図における、各領域に付したハッチングと電荷の再結合量との関係は、同図の下部に記載した凡例を参照されたい。有機EL素子においては、電子と正孔の再結合により生じるエネルギーのほとんどが発光として放出されることが知られている。そのため、電荷の再結合量と有機発光層における発光量との相関が強い。以下、電荷の再結合量を有機発光層10における発光量と仮定し、説明を続ける。図4a,b,cは、画素規制層7上の有機発光層10の膜厚が画素電極5上の有機発光層10の膜厚と等しい場合のシミュレーション結果である。図5は、有機発光層10の上面が均一にならされた結果、画素規制層7上の有機発光層10の膜厚と画素電極5上の有機発光層10の膜厚とが異なる場合のシミュレーション結果である。図4の場合の方が、図5と比較して全体的に有機発光層10の膜厚が厚くなっている。図4,5において、画素電極5上の有機発光層10の膜厚は80[nm]である。また、図5において、画素規制層7上の有機発光層10の膜厚はそれぞれ、aが70[nm]、bが60[nm]、cが50[nm]である。また、図4,5の各図において、a,b,cはそれぞれ、画素規制層7の膜厚を10[nm],20[nm],30[nm]とした場合のシミュレーション結果である。なお、図4a,b,cにおいては、有機発光層10の膜厚はそれぞれ同一である。しかし、画素規制層7が存在する領域における共通電極11の膜厚は、画素規制層7の膜厚が厚くなるに従って薄くなっている。図5a,b,cにおいては、共通電極11の膜厚がそれぞれ同一である一方、画素規制層7が存在する領域における有機発光層10の膜厚は、画素規制層7の膜厚が厚くなるに従って薄くなっている。図4,5の各図において、画素電極5上に存在する正孔輸送層9と有機発光層10との界面付近だけでなく、画素規制層7上に存在する正孔輸送層9と有機発光層10との界面付近においても、比較的発光が増大していることがわかる。これは、画素規制層7上に存在する正孔輸送層9に正孔が回り込み、正孔輸送層9と有機発光層10との界面でキャリアの再結合が良好に行われていることを示すものである。また、図4と図5とを比較すると、有機発光層10の膜厚が薄い図5の場合の方が、画素規制層7上に存在する正孔輸送層9と有機発光層10との界面付近における発光が多く、さらに、強発光領域がより広範に広がっていることがわかる。この傾向は、有機発光層10の膜厚が異なる図5a,b,cの比較によっても見て取れる。これは、有機発光層10の膜厚が薄い方が、画素電極と共通電極との間に電流が流された場合に生じる電界がより大きなものになり、画素規制層7上に存在する正孔輸送層9と有機発光層10との界面でのキャリアの再結合が活発に行われることが理由として考えられる。さらに、有機発光層10の膜厚が同一であるが画素規制層7の膜厚が互いに異なる図4a,b,cを比較すると、画素規制層7の膜厚が厚いほど、画素規制層7の斜面近傍の正孔輸送層9と有機発光層10との界面付近図4において破線で囲った領域における発光が強くなっている。したがって、画素規制層7の膜厚が厚いほどキャリアの再結合がより良好に行われていることがわかる。この理由としては、本来、画素電極5と共通電極11間の縦方向にしか生じない電界が、画素規制層7によって斜めに電界が発生する結果、画素規制層7の斜面近傍で強電界となるためであると考えられる。なお、図5a,b,cの比較によっても、画素規制層7の膜厚が厚くなるに従って、画素規制層7上に存在する正孔輸送層9と有機発光層10との界面付近における発光が強くなっているのが見て取れる。しかしながら、図5a,b,cでは、画素規制層7の膜厚が厚くなるのに伴って有機発光層10の膜厚が薄くなっている。そのため、図5a,b,c間における発光強度の違いには、画素規制層7の膜厚による影響と有機発光層10の膜厚による影響の両方が含まれていることになる。なお、画素規制層7上に存在する正孔輸送層9と有機発光層10との界面付近において発光が生じているとする根拠は、第2発光部に相当する領域における再結合量が、従来から発光部として機能していた第1発光部に相当する領域における再結合量と同等であるからである。すなわち、画素電極5上に存在する正孔輸送層9と有機発光層10との界面付近における再結合量と、画素規制層7上に存在する正孔輸送層9と有機発光層10との界面付近における再結合量とが同程度であるからである。ここで、画素電極5の上方であり、かつ、画素規制層7の上方の領域に形成された有機発光層10における発光量が、第1発光部A1における発光量の10分の1以上であれば、第2発光部A2,A2’が形成されていると考えることができる。以下、この詳細について説明する。図6は、比較例に係る有機EL表示パネルを構成する各層の電荷再結合の分布を示すシミュレーション結果である。比較例における有機EL表示パネルでは、正孔輸送層9における正孔移動度を、有機発光層10における正孔移動度に対して102倍としている。すなわち、図6は、第2発光部が構成されていない有機EL表示パネルにおける各層の電荷再結合の分布を示すものである。比較例においては、画素規制層7上に存在する正孔輸送層9と有機発光層10との界面のうち、画素電極5の上方に比較的近い領域においては発光量が増大し、発光が起こっている。しかしながら、画素電極5の上方から遠ざかると発光量が減少し、発光が生じていないことがわかる。これは、正孔輸送層9における正孔移動度が有機発光層10における正孔移動度に対して102倍である場合には、正孔が画素規制層7上に存在する正孔輸送層9全体に回り込むことができないためであると考えられる。シミュレーションの結果より、画素電極5の上方から比較的遠い領域における発光量は、画素電極5の上方に比較的近い領域における発光量のおよそ10分の1以下であることがわかった。したがって、画素電極5の上方であり、かつ、画素規制層7の上方の領域に形成された有機発光層10における発光量が、第1発光部A1における発光量の10分の1以上であれば、第2発光部A2,A2’が形成されていると考えることができる。発光実験図7は、画素規制層7の膜厚が異なる種々の実験用パネルにおける発光実験の結果を示す図である。図7a,b,c,d,eはそれぞれ、画素規制層7の膜厚を25[nm],50[nm],75[nm],100[nm],300[nm]とした実験用パネルにおける結果である。図7a,b,cは、本願の対象とする膜厚の画素規制層7を有する場合の結果であり、図7d,eは比較例である。また、図中にRで示しているのは赤色の有機EL素子に、Gで示しているのは緑色の有機EL素子に、Bで示しているのは青色の有機EL素子にそれぞれ相当する。各実験用パネルの構造は図2で示したものと同様であり、画素規制層7を除く各層の材料および膜厚は各実験用パネルで共通である。具体的には、画素電極の材料としてアルミニウムを用い、その膜厚を200[nm]とした。正孔注入層の材料はITOを用い、その膜厚を50[nm]とした。正孔輸送層9の材料はN,N,N’,N’-テトラフェニルジアミノベンゼンTPBを用い、その膜厚を50[nm]とした。有機発光層10の材料はポリパラフェニレンビニレンPPVを用い、その膜厚を100[nm]とした。共通電極はバリウムとITOからなる積層体を用い、その膜厚を50[nm]とした。図7a,b,cに示す本願パネルは、コンタクトホール窪み部に相当する領域では依然として発光が弱いものの、比較例である図7d,eの場合に比して発光面積が拡張されていることが見て取れる。図7fは、図7cにおける破線で示す部分の拡大図である。図7fにおいてA1,A2,A2’,B1で示す領域は、それぞれ図2aに示す第1発光部A1、第2発光部A2,A2’、非発光部B1に対応している。[有機EL表示パネル100の製造方法]図8~10は、有機EL表示パネル100の製造方法の一例を示す図である。図8~10の各図において、a1,b1,c1は、図1におけるA-A’断面図の一部分YZ断面図に相当し、a2,b2,c2は、図1におけるB-B’断面図の一部分ZX断面図に相当する。まず、基板1を準備し、スパッタ成膜装置のチャンバー内に載置する。そして、チャンバー内に所定のスパッタガスを導入し、図8a1,a2に示すように反応性スパッタ法に基づきSD電極2を形成する。次に、SD電極2を覆うように、厚さ4[μm]程度の感光性有機材料例えば、シロキサン共重合型感光性ポリイミド等をスピンコート法等で成膜する。この感光性有機材料からなる層を、パターンマスクを用いたフォトリソグラフィー法でパターニングすることにより、図8b1,b2に示すようにコンタクトホール13を有する層間絶縁膜3が形成される。ここで、コンタクトホール13の開口形状は、パターンマスクに形成された開口形状に基づく形状に形成される。したがって、パターンマスクの開口形状を調整することにより、コンタクトホール13の開口形状を調整することができる。また、コンタクトホール13の内周面の傾斜は、パターンマスクとして、ハーフトーンマスクを用いることにより、調整することが可能である。層間絶縁膜3の他の形成方法を説明する。まず、層間絶縁膜を構成する材料からなる絶縁材料膜を基板1の上面全体に亘って形成する。そして、絶縁材料膜の上にフォトレジストを重ねて塗布し、その上に、形成しようとするコンタクトホール13の形状に合わせたパターンマスクを重ねる。続いて、パターンマスクの上から、フォトレジストの材料が感光するような波長の光を照射し、その後に現像液で現像することによりレジストパターンを形成する。その後、余分な絶縁材料膜及び未硬化のフォトレジストを、水系もしくは非水系のエッチング液剥離剤で洗い出し、さらに、フォトレジストの残渣を純水で洗浄して除去することにより、コンタクトホール13を有する層間絶縁膜3が形成される。次に、画素電極5を形成する図8c1,c2。具体的には、層間絶縁膜3の上に50~400[nm]の厚みの金属材料層をスパッタ法で成膜し、ウェットエッチングでパターニングすることにより形成される。このとき、画素電極5がコンタクトホール13の内面に沿って凹入して形成される結果、画素電極5とSD電極2とが電気接続される。次に、画素電極5の上に所定の金属酸化物材料層を反応性スパッタ法で成膜し、金属酸化物材料層をフォトリソグラフィーとウェットエッチングでパターニングする。これにより、正孔注入層6が形成される図9a1,a2。続いて、SiO、SiN、SiON、ハフニウム酸化シリコン、酸窒化ハフニウムアルミネート等からなる絶縁材料層をCVDChemicalVaporDeposition法により成膜する。ここで、本実施の態様においては、第2発光部A2,A2’を構成するために、当該絶縁材料層を10[nm]以上75[nm]以下の膜厚となるように成膜する。そして、ドライエッチングでパターニングすることにより、画素規制層7を形成する図9b1,b2。次に、感光性のレジスト材料、もしくはフッ素系やアクリル系材料を含有するレジスト材料を画素規制層7上に塗布し、フォトリソグラフィー法でパターニングすることにより、隔壁8を形成する図9c1,c2。なお、図9c1には隔壁8は現れていない。。この隔壁8を形成する工程では、以降の工程で塗布するインク正孔輸送層用インクまたは有機発光層用インクと隔壁8との接触角を調節したり、隔壁8の表面に撥液性を付与したりすることを目的として、隔壁8の表面に対しアルカリ性溶液や水、有機溶媒等による表面処理、もしくは、プラズマ処理を施すこととしてもよい。次に、正孔輸送層9を、ウェット方式で形成する図10a1,a2。具体的には、正孔輸送層材料である有機材料と溶媒を所定比率で混合して正孔輸送層用インクを作製し、インクジェット法に基づき、正孔輸送層用インクを隔壁8により構成される開口部内に塗布する。そして、正孔輸送層用インクに含まれる溶媒を蒸発乾燥させることにより、正孔輸送層9が形成される。次に、有機発光層10を正孔輸送層9と同様にウェット方式で形成する図10b1,b2。まず、有機発光層材料である有機材料と溶媒を所定比率で混合して有機発光層用インクを作製し、インクジェット法に基づき、この有機発光層用インクを隔壁8により構成される開口部内における正孔輸送層9の上面に塗布する。次に、有機発光層用インクに含まれる溶媒を蒸発乾燥させることにより、有機発光層10が形成される。なお、有機発光層用インクに混合する有機材料は、発光色ごとに異なっている。なお、正孔輸送層用インクおよび有機発光層用インクを塗布する方法として、上記のインクジェット法のほか、ディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等を用いてもよい。続いて、有機発光層10の上面全体に亘って、ITO、IZO等の材料を真空蒸着法で成膜することにより、共通電極11を形成する図10c1,c2。最後に、共通電極11を覆うように、SiN、SiON等の光透過性材料を真空蒸着法で成膜することにより封止層を形成する。以上の工程により、有機EL表示パネル100が完成する。[変形例その他]以上、実施の態様について説明したが、本発明は上記の実施の態様に限られない。例えば、以下のような変形例等が考えられる。1画素電極上に形成された正孔注入層は本発明において必須の構成要件ではない。これらを備えない有機EL表示パネルに対しても本発明を適用することが可能である。2図1に示されたコンタクトホールは、その内面が順テーパー状に傾斜して、下面側よりも上面側開口側で孔径の大きい円錐台形状となっているが、下面側と上面側の孔径が同等の円柱形状であってもよい。また、コンタクトホールの下面の形状は、円形以外にも、楕円形、矩形などの形状とすることもできる。3上記の実施の態様で示した有機EL表示パネルの製造方法は単なる一例である。真空成膜法を用いて成膜すると説明した層を、例えばインクジェット法等の塗布法によって形成することとしてもよいし、逆に、インクジェット法を用いて成膜すると説明した層を、例えば真空成膜法によって形成することとしてもよい。4上記の実施の態様における有機EL表示パネルは、共通電極側を表示面とするトップエミッション型であるとしたが、本発明はこれに限定されない。画素電極側を表示面とする、いわゆるボトムエミッション型の有機EL表示パネルとすることもできる。また、共通電極側と画素電極側の両方から光を取り出す両面発光型であってもよい。5上記の実施の態様で使用している、材料、数値等は好ましい例を例示しているだけであり、この態様に限定されることはない。また、本発明の技術的思想の範囲を逸脱しない範囲で、適宜変更は可能である。さらに、各図面における部材の縮尺は実際のものとは異なる。なお、数値範囲を示す際に用いる符号~は、その両端の数値を含む。"