オプトエレクトロニクス半導体チップ2を備えたデバイス1であって、前記半導体チップ2が、接続層3によって接続支持体4上に固定されて被覆材5に埋め込まれており、前記接続層と前記被覆材との間の少なくとも一部の領域に分離層6が配置されていることを特徴とするデバイス。前記分離層は前記被覆材よりも小さい弾性率を有する、請求項1記載のデバイス。前記分離層は最大で1GPaの弾性率を有する、請求項1または2記載のデバイス。前記分離層には粒子が埋め込まれている、請求項1から3までのいずれか1項記載のデバイス。前記分離層は、動作中に前記半導体チップから放出される放射または前記半導体チップによって検出される放射に対して、反射性を有するように構成されている、請求項1から4までのいずれか1項記載のデバイス。前記分離層は、動作中に前記半導体チップから放出される放射または前記半導体チップによって検出される放射に対して、所望に応じた吸収性を有するように構成されている、請求項1から4までのいずれか1項記載のデバイス。前記分離層は、前記デバイスを上から見たとき、前記接続層のうち前記半導体チップを越えて突出する部分を完全に覆っている、請求項1から6までのいずれか1項記載のデバイス。前記分離層は直接に前記半導体チップに接している、請求項1から7までのいずれか1項記載のデバイス。前記半導体チップは垂直方向で前記分離層の上方に突出する、請求項1から8までのいずれか1項記載のデバイス。前記デバイスはケーシングボディ40を備えており、前記半導体チップは前記ケーシングボディのキャビティ410内に配置されている、請求項1から9までのいずれか1項記載のデバイス。前記キャビティの底面は前記分離層によって完全に覆われている、請求項10記載のデバイス。前記分離層は、ガラス転移点が室温以下である材料を含む、請求項1から11までのいずれか1項記載のデバイス。オプトエレクトロニクス半導体チップ2を備えたデバイス1の製造方法であって、接続支持体4を用意するステップと、前記半導体チップ2を接続層3により前記接続支持体4上に固定するステップと、前記接続層3上に分離層6を被着するステップと、前記半導体チップ2が被覆材5内に埋め込まれるように、該被覆材5を前記分離層6上に設けるステップとを含むことを特徴とするデバイスの製造方法。前記分離層をディスペンサによって形成する、請求項13記載のデバイスの製造方法。請求項1から12までのいずれか1項記載のデバイスを製造する、請求項13または14記載のデバイスの製造方法。