パターンの像を基板に投影し、該基板に前記パターンを露光する露光方法であって、下地パターンの像が投影された第1基板において露光光が照射される複数の照射領域に対して、前記複数の照射領域にまたがって第1パターンの像を投影することと、前記下地パターンの像に対する前記第1パターンの像の重ね誤差を前記照射領域ごとに求めることと、前記複数の照射領域のうちで互いに隣り合う第1の及び第2の照射領域における前記重ね誤差を前記第1の及び第2の照射領域に振り分けるように、前記第1の及び第2の照射領域での投影条件を調整することとを含む、露光方法。前記第1の照射領域での前記重ね誤差の大きさと前記第2の照射領域での前記重ね誤差の大きさとが互いに近づくように、前記投影条件を調整する、請求項1に記載の露光方法。前記投影条件を調整した状態で、前記第1基板と異なる第2基板に第2パターンを露光することを含む、請求項1又は2に記載の露光方法。マスクが有するパターンの像を、第1方向に関して互いに隣り合う第1及び第2投影領域に分割して基板に投影し、該基板に前記パターンを露光する露光方法であって、下地パターンが露光された第1基板に、第1マスクが有する第1パターンの像を前記第1及び第2投影領域に分割して投影し、前記第1基板に前記第1パターンを露光することと、前記第1投影領域によって前記第1パターンが露光された第1の照射領域、及び前記第2投影領域によって前記第1パターンが露光された第2の照射領域のそれぞれにおける、前記下地パターンと前記第1パターンとの重ね誤差を求めることと、前記第1の及び第2の照射領域のそれぞれにおける前記重ね誤差に基づいて、前記第1の及び第2の照射領域に対して前記重ね誤差が振り分けられるように、前記第1及び第2投影領域における前記パターンの像の投影条件を調整することと、前記投影条件が調整された状態で、第2マスクが有する第2パターンの像を前記第1及び第2投影領域に分割して第2基板に投影し、該第2基板に前記第2パターンを露光することとを含む、露光方法。前記投影条件は、前記第1の及び第2の照射領域のそれぞれにおける前記重ね誤差の大きさを、該前記第1の及び第2の照射領域のうちの少なくとも一方における前記重ね誤差の大きさよりも小さくさせるように調整される、請求項4に記載の露光方法。前記第1パターンと前記第2パターンとが同一である、請求項3~5のいずれか一項に記載の露光方法。前記第1マスクと前記第2マスクとが同一である、請求項4又は5に記載の露光方法。前記第1基板を走査する露光光によって前記パターンの像が投影され、前記第1パターンの像が投影されたときの前記露光光の走査方向の複数の位置での前記重ね誤差に基づき、前記走査方向での位置に応じて、前記投影条件を調整する、請求項1~7のいずれか一項に記載の露光方法。前記第1の及び第2の照射領域のそれぞれは、互いに重複する重複領域を含み、前記第1の照射領域における前記重複領域と前記第2の照射領域における前記重複領域との相対位置関係が変化しないように、前記投影条件を調整する、請求項1~8のいずれか一項に露光方法。前記第1の及び第2の照射領域のそれぞれは、互いに重複する重複領域を含み、前記第1の及び第2の照射領域のそれぞれにおいて、前記重複領域を除いた領域で前記重ね誤差を求める、請求項1~9のいずれか一項に記載の露光方法。前記第1の照射領域での前記重ね誤差と前記第2の照射領域での前記重ね誤差とを平均化するように、前記投影条件を調整する、請求項1~10のいずれか一項に記載の露光方法。前記第1の照射領域での前記重ね誤差と前記第2の照射領域での前記重ね誤差との和の半分だけ前記第1の照射領域での前記重ね誤差を減らすように、前記第1の照射領域での投影条件を調整し、かつ前記和の半分だけ前記第2の照射領域での前記重ね誤差を減らすように、前記第2の照射領域での投影条件を調整する、請求項1~11のいずれか一項に記載の露光方法。前記複数の照射領域は、第3の照射領域を含み、前記第2の照射領域は、前記第1の照射領域と前記第3の照射領域との間に配置されるとともに、前記第1の照射領域と一端側で重複し、かつ前記第3の照射領域と他端側が重複し、前記第1の照射領域での前記重ね誤差と前記第2の照射領域での前記重ね誤差を振り分けるとともに、前記第2の照射領域での前記重ね誤差と前記第3照射領域での前記重ね誤差を振り分けるように、前記第2の照射領域での前記投影条件を調整する、請求項1~12のいずれか一項に記載の露光方法。請求項1から請求項3のいずれか一項記載の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された前記基板を現像することとを含むデバイス製造方法。露光光が照射される複数の照射領域にまたがって像を投影する投影光学系と、前記投影光学系が第1の前記像を投影した領域に重ねて第2の前記像を投影するときに、前記第1の像に対する前記第2の像の重ね誤差を、前記複数の照射領域のうちで互いに隣り合う第1の及び第2の照射領域に振り分けるように、前記投影光学系による投影条件を前記照射領域ごとに制御する制御装置とを備える露光装置。請求項15に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された前記基板を現像することとを含むデバイス製造方法。複数のパターンを重ねて露光するときに、投影モジュールごとに各投影像の位置を露光済のパターンの位置に合わせて調整すると、複数の投影像間の継ぎ精度が低下する可能性がある。一方で複数の投影像の継ぎ精度を確保しようとすると、重ね誤差を減らすことが難しくなる可能性がある。本発明は、上記の事情に鑑み成されたものであって、重ね合わされるパターン間の重ね誤差を減らすことを目的の1つとする。本発明の第1の態様である露光方法は、パターンの像を基板に投影し、該基板に前記パターンを露光する露光方法であって、下地パターンの像が投影された第1基板において露光光が照射される複数の照射領域に対して、前記複数の照射領域にまたがって第1パターンの像を投影することと、前記下地パターンの像に対する前記第1パターンの像の重ね誤差を前記照射領域ごとに求めることと、前記複数の照射領域のうちで互いに隣り合う第1の及び第2の照射領域における前記重ね誤差を前記第1の及び第2の照射領域に振り分けるように、前記第1の及び第2の照射領域での投影条件を調整することとを含む。本発明の第2の態様である露光方法は、マスクが有するパターンの像を、第1方向に関して互いに隣り合う第1及び第2投影領域に分割して基板に投影し、該基板に前記パターンを露光する露光方法であって、下地パターンが露光された第1基板に、第1マスクが有する第1パターンの像を前記第1及び第2投影領域に分割して投影し、前記第1基板に前記第1パターンを露光することと、前記第1投影領域によって前記第1パターンが露光された第1の照射領域、及び前記第2投影領域によって前記第1パターンが露光された第2の照射領域のそれぞれにおける、前記下地パターンと前記第1パターンとの重ね誤差を求めることと、前記第1の及び第2の照射領域のそれぞれにおける前記重ね誤差に基づいて、前記第1の及び第2の照射領域に対して前記重ね誤差が振り分けられるように、前記第1及び第2投影領域における前記パターンの像の投影条件を調整することと、前記投影条件が調整された状態で、第2マスクが有する第2パターンの像を前記第1及び第2投影領域に分割して第2基板に投影し、該第2基板に前記第2パターンを露光することとを含む。本発明の第3の態様であるデバイス製造方法は、本発明の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された前記基板を現像することとを含む。本発明の第4の態様である露光装置は、露光光が照射される複数の照射領域にまたがって像を投影する投影光学系と、前記投影光学系が第1の前記像を投影した領域に重ねて第2の前記像を投影するときに、前記第1の像に対する前記第2の像の重ね誤差を、前記複数の照射領域のうちで互いに隣り合う第1の及び第2の照射領域に振り分けるように、前記投影光学系による投影条件を前記照射領域ごとに制御する制御装置とを備える。本発明の第5の態様であるデバイス製造方法は、本発明の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された前記基板を現像することとを含む。本発明によれば、複数の投影像での継ぎ精度を確保しつつ、重ね合わされるパターン間の重ね誤差を減らすことができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明の適用範囲は下記の実施形態に限定されない。以下の説明では、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系に基づいて各部の位置関係等について説明する。水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向すなわち鉛直方向をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転傾斜方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。図1は、露光装置の一実施形態を示す斜視図である。本実施形態の露光装置EXは、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期移動しながら、マスクMのパターンの像を基板Pに投影して露光を行うマルチレンズ方式のスキャン露光装置である。図1に示す露光装置EXは、マスクステージ1、基板ステージ2、干渉計システム3、照明システムIS、投影光学系としての投影システムPS、及び制御装置4を備えている。マスクステージ1は、マスクMを保持して移動可能である。基板ステージ2は、基板Pを保持して移動可能である。干渉計システム3は、マスクステージ1の位置と基板ステージ2の位置を測定する。照明システムISは、露光光ELでマスクMを照明する。投影システムPSは、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する。制御装置4は、露光装置EX全体の動作を制御する。マスクステージ1は、マスクMを保持可能なマスク保持部10を有する。マスクMは、パターンが形成されたレチクルを含む。本実施形態のマスク保持部10は、マスクMのパターン形成面がXY平面とほぼ平行となるように、マスクMを保持する。マスクステージ1は、例えばリニアモータ等を含む駆動システムの駆動力によって、第1~第7照明領域IR1~IR7に対して移動可能である。本実施形態のマスクステージ1は、上記の駆動システムにより、マスク保持部10にマスクMを保持した状態で、X軸、Y軸、及びθZ方向の3つの方向に移動可能である。基板ステージ2は、基板Pを保持可能な基板保持部11を有する。基板Pは、例えば液晶パネルの製造に用いられ、一辺のサイズが例えば500mm以上の平面視矩形のものである。本実施形態の基板保持部11は、基板Pの表面露光面とXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。基板Pは、感光性の基板であって、例えばガラスプレート等の基材、及びこの基材上に設けられたフォトレジスト膜等の感光膜を含む。基材の表層は、例えば反射防止膜等の各種機能膜の一部をなす膜や薄膜トランジスタの一部をなす膜、配線や電極となる膜であってもよい。この膜は、絶縁膜、導電膜、あるいは半導体膜のいずれでもよい。基板ステージ2は、例えばリニアモータ等を含む駆動システムの駆動力によって、第1~第7投影領域PR1~PR7に対して移動可能である。本実施形態の基板ステージ2は、上記の駆動システムの作動により、基板保持部11で基板Pを保持した状態で、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。干渉計システム3は、第1干渉計ユニット3A及び第2干渉計ユニット3Bを有する。第1干渉計ユニット3Aは、XY平面内におけるマスクステージ1マスクMの位置を光学的に測定可能である。第2干渉計ユニット3Bは、XY平面内における基板ステージ2基板Pの位置を光学的に測定可能である。基板Pの露光処理を実行するとき、あるいは所定の測定処理を実行するとき、制御装置4は、干渉計システム3の測定結果に基づいて、マスクステージ1と基板ステージ2との相対位置を制御する。制御装置4は、基板Pを露光するときにマスクステージ1及び基板ステージ2を制御して、マスクM及び基板PをXY平面内の所定の走査方向に移動させる。本実施形態では、基板Pの走査方向同期移動方向がX軸方向であり、マスクMの走査方向同期移動方向もX軸方向であるとする。すなわち、制御装置4は、投影システムPSの投影領域に対して基板PをX軸方向に移動させ、基板Pの移動と同期して、照明システムISの照明領域に対してマスクMをX軸方向に移動させる。マスクMと基板Pの同期移動時に、照明システムISが露光光ELでマスクMを照明し、マスクMを経由した露光光ELを投影システムPSが基板Pに投影する。本実施形態の照明システムISは、水銀ランプ5、楕円鏡6、ダイクロイックミラー7、リレー光学系8、ライトガイドユニット9、及び複数の図中では7つの照明モジュールIL1~IL7を有する。以下の説明では、照明モジュールIL1~IL7のそれぞれを適宜、第1~第7照明モジュールIL1~IL7と称する。本実施形態では、水銀ランプ5から射出された光のうちで所定波長の光、ここではg線、h線、i線のうちの1以上をダイクロイックミラー7によって分離して露光光ELに用いる。水銀ランプ5から射出された光は、楕円鏡6で反射した後に、ダイクロイックミラー7に入射する。ダイクロイックミラー7は、入射光のうちで所定の波長成分を選択的に反射させる特性を有する。ダイクロイックミラー7で反射した露光光EL分離された輝線は、リレー光学系8に入射する。リレー光学系8は、コリメートレンズ及び集光レンズを含む。リレー光学系8を通った露光光ELは、ライトガイドユニット9に入射する。ライトガイドユニット9は、リレー光学系8からの露光光ELを分岐させて第1~第7照明モジュールIL1~IL7のそれぞれに導く。第1照明モジュールIL1は、コリメートレンズ、フライアイインテグレータ、及びコンデンサレンズを備えている。ライトガイドユニット9からの露光光ELは、コリメートレンズを通ってフライアイインテグレータに入射し、フライアイインテグレータを通ってコンデンサレンズに入射する。コンデンサレンズから射出された露光光ELは、第1照明領域IR1を照明する。第2~第7照明モジュールIL2~IL7の構成は、第1照明モジュールIL1と同様である。照明システムISは、互いに異なる複数図中では7つの照明領域IR1~IR7のそれぞれに、露光光ELを照射可能である。照明領域IR1は、第1照明モジュールIL1から射出される露光光ELによって照明される。同様に、照明領域IR2~IR7は、第2~第7照明モジュールIL2~IL7によって照明される。以下の説明において、照明領域IR1~IR7を適宜、第1~第7照明領域IR1~IR7と称する。マスクMのパターン形成面に対する各照明領域の位置関係は、マスクステージ1の移動に伴って時間変化する。照明システムISは、各時刻における第1~第7照明領域IR1~IR7に相当するマスクMの一部を、均一な照度分布の露光光ELで照明する。投影システムPSは、照明モジュールIL1~IL7と同数図中では7つの投影モジュールPL1~PL7を有する。以下の説明では、投影モジュールPL1~PL7のそれぞれを適宜、第1~第7投影モジュールPL1~PL7と称する。なお、投影モジュールの数照明モジュールと同数は7つに限定されず、例えば投影システムPSが、投影モジュールを11個有し、照明システムISが、照明モジュールを11個有してもよい。投影システムPSは、互いに異なる複数図示は7つの投影領域PR1~PR7に露光光ELを投影可能である。以下の説明において、投影領域PR1~PR7を適宜、第1~第7投影領域PR1~PR7と称する。投影システムPSの各投影モジュールは、照明システムISの各照明モジュールと1対1で対応している。例えば、第1照明モジュールIL1から射出された露光光ELは、マスクM上の第1照明領域IR1を照明し、マスクMを経由した後に、第1投影モジュールPL1によって基板P上の第1投影領域PR1に投影される。同様に、第2~第7照明モジュールIL2~IL7から射出された露光光ELは、第2~第7照明領域IR2~IR7を経由して、第2~第7投影モジュールPL2~PL7によって、投影領域PR2~PR7に投影される。基板Pの露光面に対する各投影領域の位置関係は、基板ステージ2の移動に伴って時間変化する。投影システムPSは、各時刻における第1~第7照明領域IR1~IR7に対応する部分のマスクMのパターンの像を、この時刻における第1~第7投影領域PR1~PR7に対応する基板Pの一部に、所定の投影倍率で投影する。図2は、投影モジュールの構成例を示す斜視図である。第1~第7投影モジュールPL1~PL7は、いずれも同様の構成になっており、ここでは代表的に第1投影モジュールPL1の構成について説明する。図2に示す第1投影モジュールPL1は、第1ダイソン光学系21、第2ダイソン光学系22、視野絞り23、シフト機構24、ローテーション補正機構25、倍率補正機構26及び補償光学系27を有する。視野絞り23は、第1ダイソン光学系21と第2ダイソン光学系22との間の光路に配置されている。シフト機構24は、マスクステージ1マスクMと第1ダイソン光学系21との間の光路に配置されている。第1照明モジュールIL1の射出光軸は、Z軸方向と平行になっており、マスクMを経由した露光光ELは、シフト機構24を通って第1ダイソン光学系21に入射する。第1ダイソン光学系21から射出された露光光ELは、Z軸方向に進行して視野絞り23に入射し、視野絞り23を通った露光光ELは第2ダイソン光学系22に入射する。第2ダイソン光学系22から射出された露光光ELは、Z軸方向に進行して基板P上に投影像を形成する。第1ダイソン光学系21は、直角プリズム31、レンズ32及び凹面鏡33を有する。直角プリズム31は、2つの反射面を有している。2つの反射面の一方は、マスクMのパターン形成面に対して45 ゚の角度をなし、他方はマスクMのパターン形成面に対して-45°の角度をなしている。レンズ32の光軸及び凹面鏡33の光軸は、マスクMの面内方向と平行である。第2ダイソン光学系22は、第1ダイソン光学系21と同様の構成になっており、直角プリズム34、レンズ35及び凹面鏡36を有する。シフト機構24、ローテーション補正機構25及び倍率補正機構26は、第1投影モジュールPL1の結像特性調整機構を構成している。結像特性調整機構を制御することにより、基板P上での投影像の投影条件を投影モジュールごとに調整することができる。ここでいう投影条件は、基板P上での投影領域の併進位置や回転位置、形状、寸法のうちの1以上の項目を含む。投影条件は、同期走査時の基板Pに対する投影領域の位置ごとに定めることができる。投影像の投影条件を調整することによって、マスクMのパターンと比較したときの投影像の歪を補正することが可能である。シフト機構24は、投影像をX軸方向及びY軸方向に互いに独立してシフト可能である。ローテーション補正機構25は、投影像をθZ方向に回転可能である。倍率補正機構26は、投影像の倍率を調整可能である。シフト機構24、ローテーション補正機構25、倍率補正機構26は、制御装置4によって投影モジュールごとに個別に制御される。シフト機構24は、透光性を有する平行平板41、42を含む。シフト機構24は、Xシフト用の平行平板41をθY方向に回転させることによって、投影像をX軸方向にシフト併進移動させる。同様に、シフト機構は、Yシフト用の平行平板42によって投影像をY軸方向にシフトさせる。ローテーション補正機構25は、プリズム台43及びアクチュエータ44、45を有する。直角プリズム31は、アクチュエータ44、45を介してプリズム台43に取付けられている。アクチュエータ44、45は、例えばピエゾ素子により構成される。アクチュエータ44、45は、各ピエゾ素子の取付け位置で直角プリズム31とプリズム台43との間隔を変化させる。アクチュエータ44とアクチュエータ45とでピエゾ素子の伸縮量を異ならせると、直角プリズム31が第1照明モジュールIL1の射出光軸Z軸周りに回転し、基板Pに形成される投影像をθZ方向に回転する。アクチュエータ44とアクチュエータ45とでピエゾ素子の伸縮量を揃えて、直角プリズム31とプリズム台43との間隔を変化させると、直角プリズム31がX軸方向に移動する。このようにして露光光ELの結像位置を変化させることができ、ローテーション補正機構25によってフォーカスを調整することも可能である。なお、図2ではアクチュエータを2箇所に配置しているが、3以上のピエゾ素子を用いて直角プリズム31を3点以上で支持してもよい。倍率補正機構26は、例えば直角プリズム31とレンズ32との間の光路に配置されたズーム光学系により構成される。ズーム光学系は、例えば複数のレンズ及びアクチュエータを有する。複数のレンズのレンズ間隔をアクチュエータにより変化させることによって、ズーム光学系の焦点距離を可変に制御することができる。補償光学系27は、第2ダイソン光学系22のレンズ35と直角プリズム34との間の光路に配置されている。補償光学系27は、倍率補正機構26による収差等の影響を相殺するように、例えば複数のレンズにより構成される。図3は、基板上の投影領域を示す概念図である。本実施形態では、基板P上での第1~第7投影領域PR1~PR7の平面形状が、いずれも台形である。第1、第3、第5、第7投影領域PR1、PR3、PR5、PR7以下、第1グループと総称するは、Y軸方向にほぼ等間隔で並んで配置される。第2、第4、第6投影領域PR2、PR4、PR6以下、第2グループと総称するは、Y軸方向にほぼ等間隔で並んで配置される。第1グループに属する投影領域は、第2グループに属する投影領域に対して、X軸方向の負側に配置されている。Y軸方向に関して、第1グループに属する投影領域と、第2グループに属する投影領域とが交互に並んでいる。例えば、第1、第3投影領域PR1、PR3の間に、第2投影領域PR2が配置される。第1グループに属する投影領域のY軸方向の端部が、第2グループに属する投影領域のY軸方向の端部とY軸方向に関して重複するように、第1~第7投影領域PR1~PR7は配置される。露光時に基板Pを走査方向に移動させると、第1投影領域PR1に入射する露光光ELが基板Pを走査方向に走査して、この露光光ELの走査範囲である第1の照射領域PA1が露光される。同様に、第2~第7投影領域PR1に照射された露光光ELによって、それぞれ、第2~第7の照射領域PA2~PA7が露光される。第1~第7の照射領域PA1~PA7は、互いに隣り合う一対の照射領域が重複する重複領域を有している。例えば、第1の照射領域PA1は、第1重複領域PB1が第2の照射領域PA2と重複しており、第1重複領域PB1を継ぎ部として第2照射領域と和領域を構成する。同様に、第2~第7の照射領域PA2~PA7は、第2~第6重複領域PB2~PB6を継ぎ部として、Y方向に隣り合う照射領域と和領域を構成する。第1~第7投影領域PR1~PR7のそれぞれは、露光時に基板Pを走査方向に移動させたときの各照射領域の積算露光量が等しくなるように配置される。ところで、デバイスの製造工程では、デバイスの構成要素を積層して形成し、その過程で各種構成要素に応じた複数のパターンを基板上に重ねて露光することがある。投影像の投影条件は、積層構造を構成する各層によって投影モジュールごとに変化することがある。本実施形態では、投影システムPSが露光済のパターンに重ねて露光予定のパターンの像を投影するときに、制御装置4は、投影システムPSによる投影条件を制御する。詳しくは、制御装置4は、露光済のパターンと露光予定のパターンとの重ね誤差を、互いに隣り合う一対の照射領域に振り分けるように、各結像特性調整機構を制御して各照射領域での投影条件を制御する。上記の重ね誤差は、露光時の基板Pと投影領域との相対位置に応じた値であり、後述するテスト露光で予め測定されている。投影像の投影条件の調整に用いる補正量は、テスト露光での測定結果に基づいて求められている。この補正量は、基板Pに対する投影領域の相対位置に関連付けられた値として設定される。この補正量は、制御装置4の内部装置又は外部装置として設けられる記憶装置に、例えばテーブル形式で格納されている。図4は、露光方法の一実施形態を示す図である。ここでは、上記の露光装置EXの構成に基づいて、露光方法の一実施形態について説明する。本実施形態の露光方法では、まず、ステップS1、S2でテスト露光を行う。そして、ステップS3でテスト露光時の重ね誤差を求め、ステップS4で各投影モジュールでの補正情報を求める。そして、ステップS4で求めた補正情報を用いてステップS5で各投影モジュールによる投影像を補正しながらデバイスを製造するときの本露光を行う。以下、各ステップでの処理について説明する。ステップS1では、第1基板としてのテスト基板上に下地パターンを露光し、テスト基板上での下地パターンの位置情報を求める。この位置情報は、下地パターン上の複数の位置の座標を含む。本実施形態のテスト基板は、材質、寸法及び形状のうちの1以上の項目が、本露光の対象である基板P第2基板と同一である。テスト基板は、例えば基板Pと同じロットのものを使用する。下地パターンの形状については、特に限定はなく、例えばアライメントマーク等に用いられるクロスハッチ等の図形を含んだ形状や、露光された下地パターンの位置をパターン認識等により検出可能な形状、製造するデバイスを構成する膜パターンの形状等から適宜選択される。本実施形態の下地パターンは、製造するデバイスにおいて、下地パターンに対応する層の膜パターンと同一の形状である。下地パターンの位置を求める方法としては、例えば下地パターンを露光するときの各投影領域を光学的に検出する方法や、露光された下地パターンを現像して検出する方法、さらに、現像した下地パターンを利用して例えば金属配線等の反射膜パターンを形成し、この反射膜パターンを光学的に検出する方法、テスト基板の表面の凹凸あるいは変形量等を検出して下地パターンの像の位置をシミュレーション等により推定する方法等が挙げられる。また、下地パターン上の2以上の点についてテスト基板上での座標を求め、補間処理を行うこと等によって、下地パターンの3以上の位置の座標を求めることもできる。本実施形態では、下地パターンが露光された層の上に1以上の層を積層した後に、ステップS2で、露光済の下地パターンに重ねて、第1パターンの像を投影する。例えば、上述した投影システムPSを利用して、第1~第7の照射領域PA1~PA7の和領域に第1パターンの像を投影する。第1パターンの形状は、下地パターンと同様に適宜選択され、下地パターンと同一の形状であってもよいし、下地パターンと異なる形状であってもよい。本実施形態の第1パターンは、製造するデバイスにおいて、第1パターンに対応する層の膜パターンと同一の形状である。ステップS3では、例えばテスト基板上での第1パターンの位置を測定し、テスト基板上の座標を基準として下地パターンに対する第1パターンの重ね誤差を第1~第7の照射領域PA1~PA7ごとに求める。第1パターンの位置を測定する方法としては、下地パターンの位置の測定と同様の方法を用いることができる。下地パターンに対する第1パターンの重ね誤差は、例えば第1パターンが設計上で下地パターンに重ね合わされるときの第1パターンの位置を基準位置として、テスト露光での第1パターンの位置と基準位置とを結ぶベクトル以下、誤差ベクトルというで表される。図5は、照射領域と測定点との位置関係の一例を示す平面図、図6は各測定点での重ね誤差ベクトルの一例を示す概念図である。図5中の符号M1は、第1の照射領域PA1と第2の照射領域PA2との重複領域のY方向の中心線を境界線としたときに、第1投影モジュールPL1に対応して境界線よりも第1の照射領域PA1側に位置する領域以下、第1モジュール領域というを示す。同様に、符号M2~M4は、それぞれ、第2~第4投影モジュールPL2~P4に対応する第2~第4モジュール領域を示す。本実施形態では、各照射領域内の重複領域を除いた領域に複数の測定点を設定し、各測定点での第1パターンの重ね誤差を求める。例えば、図3に示した第1重複領域PB1を除いた第1の照射領域PA1内であって、第1重複領域PB1の近傍に測定点MP1~MP3を設定する。なお、測定点の数については、特に限定はなく、重ね誤差の高精細な分布を得る等の観点で測定点の数を増すこともできるし、測定の負荷を減らす等の観点で測定点の数を減らすこともできる。本実施形態では、露光時に投影領域と基板との相対位置が変化する方向X軸方向に測定点MP1~MP3が並ぶように、測定点MP1~MP3の位置を設定する。また、第1の照射領域PA1と和領域を構成する第2の照射領域PA2内については、上記の境界線に関して測定点MP1~MP3と対称的な位置に測定点を設定する。図6に示す例では、各測定点での誤差ベクトルの向き及び大きさ絶対値は、測定点のX軸方向の位置又はY軸方向の位置によって非線形に変化している。下地パターンに対する第1パターンの重ね誤差が生じる一因として、例えば基板の製造過程や輸送過程、基板を利用したデバイスの製造過程等での基板の変形が挙げられる。デバイスの製造に用いる基板と同じロットの基板をテスト基板に用いると、ロットごとの基板の変形量を加味して後述する補正情報を求めることができる。例えば、デバイスの製造に用いる基板のロットが変わるごとに重ね誤差を求めて、補正情報を求めることもできる。ステップS4では、互いに隣り合う一対の照射領域における重ね誤差を一対の照射領域に振り分けるように、例えば次に説明するように、各照射領域での補正量を示す補正情報を求める。図7aは、各照射領域での重ね誤差、補正量及び残留誤差の一例を示す図である。図7a中の符号MPは、第1モジュール領域M1と第2モジュール領域M2の境界線付近の点を示す。また、ベクトルaは、第1の照射領域PA1の点MPでの重ね誤差に相当する誤差ベクトルを示し、ベクトルbは、第2の照射領域PA2の点MPでの重ね誤差に相当する誤差ベクトルを示す。ベクトルcは、点MPでの位置の補正量に相当する補正量ベクトルを示す。ここで、重ね誤差がほぼ0になるように、第1、第2の照射領域PA1、PA2を補正する手法について考察する。この手法では、第1投影領域PR1に対応する第1投影モジュールPL1によって点MPが投影される位置が、誤差ベクトルaと同じ大きさで逆向きのベクトルだけシフトするように第1の照射領域PA1を補正する。また、第2投影領域PR2に対応する第2投影モジュールPL2によって点MPが投影される位置が、誤差ベクトルbと同じ大きさで逆向きのベクトルだけシフトするように第2の照射領域PA1を補正する。一般に、誤差ベクトルa、bは同一ではないので、第1の照射領域PA1と第2の照射領域PA2とで補正量が異なることになり、第1の照射領域PA1と第2の照射領域PA2の継ぎずれが生じる。本実施形態では誤差ベクトルa、bの平均ベクトルを補正量ベクトルcとしている。補正量ベクトルcは、誤差ベクトルa、bを用いて下記の式1で表される。誤差ベクトルa、bは、ステップS3での測定結果から得られる。図7aに示すように、本実施形態では、第1投影領域PR1に対応する第1投影モジュールPL1によって点MPが投影される位置が補正量ベクトルcだけシフトするように、第1の照射領域PA1を補正する。また、第2投影領域PR2に対応する第2投影モジュールPL2によって点MPが投影される位置が補正量ベクトルcだけシフトするように、第2の照射領域PA2を補正する。投影される点MPの位置の補正量が、第1の照射領域PA1と第2の照射領域PA2とで同じになるので、補正後の第1の照射領域PA1と第2の照射領域PA2の重複領域での継ぎ精度を補正前と同等にすることができる。図7a中のベクトルdは、第1の照射領域PA1を補正量ベクトルcだけ補正したときの、第1の照射領域PA1の点MPでの重ね誤差に相当する残留誤差ベクトルを示す。ベクトルeは、第2の照射領域PA2を補正量ベクトルcだけ補正したときの、第2の照射領域PA2の点MPでの重ね誤差に相当する残留誤差ベクトルを示す。残留誤差ベクトルdは、下記の式2で表され、残留誤差ベクトルeは、下記の式3で表される。式2及び式3から分かるように、残留誤差ベクトルdは、残留誤差ベクトルeと絶対値大きさが同じであり、向きが反対のベクトルになる。すなわち、上記の補正量だけ補正することによって、重ね誤差の分布が対称的になる。また、残留誤差ベクトルd、eの絶対値は、誤差ベクトルa、bのうちで大きい方の絶対値以下になる。換言すると、上記の補正量だけ補正することによって、重ね誤差の最大値を小さくすることができる。図7bは、各照射領域での誤差、補正量及び残留誤差の他の例を示す図である。図7bに示す例では、誤差ベクトルa、bの大きさがほぼ同じであり、誤差ベクトルa、bが第1、第2モジュール領域M1、M2の境界線に対して対称的になっている。式2及び式3から分かるように、誤差ベクトルa、bの差の絶対値が小さくなるほど、残留誤差ベクトルのd、eの絶対値が小さくなる。図7bに示す例では、残留誤差ベクトルのd、eの成分のうちで、上記の境界線に平行な成分がほぼ0となる。このように、残留誤差ベクトルのd、eの絶対値が、誤差ベクトルaの絶対値、誤差ベクトルbの絶対値のいずれよりも小さくなる場合もある。なお、上記の例では、第1、第2の照射領域PA1、PA2における重ね誤差を第1、第2の照射領域PA1、PA2に等分して振り分けるように、補正量ベクトルcを設定しているが、重ね誤差を振り分ける比率については適宜変更可能である。例えば、下記の式4に示すように、振り分けの比率tに応じて、補正量ベクトルcを設定してもよい。式4中の比率tは、0<t<1を満たす実数である。式4に示した補正量ベクトルcに基づいて補正したときの、残留誤差ベクトルdは下記の式5で表され、残留誤差ベクトルeは下記の式6で表される。上記の例は、t=1/2に設定した場合に相当する。原理的には、tの値を1/2に近づけるほど、重ね誤差の分布の対称性が高くなる。上述の補正量の算出方法等を用いて、露光時に投影領域と基板との相対位置が変化するX軸方向の複数の点について、補正量ベクトルを求めることにより、露光時の投影領域と基板との相対位置に応じた補正量を示す補正情報が得られる。得られた補正情報は、例えば上述した記憶装置に格納され、露光時に制御装置4に読み出される。投影像の投影条件を調整するには、例えば上記の結像特性調整機構による調整量を設定する。詳しくは、シフト機構による投影像のX軸方向またはY軸方向のシフト量、ローテーション補正機構による投影像の投影モジュールの光軸周りの回転角、倍率補正機構による投影像の倍率のうちの1以上を設定することにより、上記の補正量を満たすように投影像の投影条件を調整することが可能である。本実施形態では、ステップS4で得られた補正情報を用いて、基板Pに第2パターンを露光する。第2パターンは、製造するデバイスにおいて、第2パターンに対応する層の膜パターンと同じ形状である。すなわち、本実施形態では、第1パターンと第2パターンとが同一である。また、第1パターンの露光に用いる第1マスクと、第2パターンの露光に用いるマスクとが同一である。図8aは重ね誤差のX軸方向成分の値に対する出現頻度の一例を示すグラフ、図8bは重ね誤差のY軸方向成分の値に対する出現頻度の一例を示すグラフである。図8a、図8b中の比較例1は、同一のロット内の基板3枚を用いてテスト露光を行って、重ね誤差を測定した測定値に基づくプロットを示す。比較例2は比較例1の重ね誤差の測定値に対してEGAエンハンスメントグローバルアライメントによる線形補正後のデータに基づくプロットを示す。実施例は、比較例1の重ね誤差の測定値を用いて、本実施形態の露光方法に従って投影像の投影条件を調整したときのデータに基づくプロットを示す。実施例では、振り分けの比率tを1/2に設定して補正量を算出した。図9a、図9bから分かるように、比較例1と比較して実施例では、X軸方向成分及びY軸方向成分のいずれについても、重ね誤差が0となる軸周りでの対称性が向上しており、また絶対値が大きい重ね誤差の出現頻度が低下している。また、実施例では、比較例2と比較して0付近の重ね誤差の出現頻度が高くなっているとともに、絶対値が大きい重ね誤差の出現頻度が低下している。このことから、本実施形態の露光方法によれば、重ね誤差を低減することが可能であることが分かる。また、重ね誤差が0となる軸周りでの対称性が向上していることから、製造されるデバイス内での特性ばらつきを低減することも期待できる。以上のように、本実施形態の露光方法によれば、複数の投影像での継ぎ精度を確保しつつ、重ね合わされるパターン間の重ね誤差の最大値を減らすことができる。また、上述のように重複領域を除いた領域に測定点を設定すれば、各投影モジュールが投影像に及ぼす影響を、他の投影ジュールが投影像に及ぼす影響から分離すること等が容易になる。一方、重複領域内に測定点を設定すれば、1つの測定点で2つの照射領域での重ね誤差を求めることができ、測定点の数を減らすこと等ができる。また、露光時に投影領域と基板との相対位置が変化する走査方向X軸方向の複数の点で重ね誤差を求めることによって、投影領域と基板との相対位置に応じた補正情報を求めることが可能になる。この補正情報を用いて投影像の投影条件を上記の相対位置に応じて調整することにより、例えば走査方向での重ね誤差の分布が非線形になっている場合でも、重ね誤差を減らすことができる。なお、基板Pとしては、ディスプレイデバイス用のガラス基板のみならず、半導体デバイス製造用の半導体ウエハ、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版合成石英、シリコンウエハ等が適用される。露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを介した露光光ELで基板Pを走査露光するステップアンドスキャン方式の走査型露光装置スキャニングステッパの他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップアンドリピート方式の投影露光装置ステッパにも適用することができる。本発明は、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置に限られず、半導体素子製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子CCD、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造用の露光装置などにも広く適用できる。本発明は、米国特許第6341007号明細書、米国特許第6208407号明細書、米国特許第6262796号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。また、米国特許第6897963号明細書、欧州特許出願公開第1713113号明細書等に開示されているような、基板を保持する基板ステージと、基板を保持せずに、基準マークが形成された基準部材と各種の光電センサの少なくとも一方を搭載した測定ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。また、複数の基板ステージと測定ステージとを備えた露光装置を採用することができる。上記の実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を測定するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール回折格子を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。上記の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン又は位相パターン減光パターンを形成した光透過型マスクを想定しているが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6778257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれるを用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしてもよい。図9は、本発明に係るデバイス製造方法の一例を示す図である。図9に示すデバイス製造方法では、まず、例えば液晶パネル等のデバイスの機能性能設計を行うステップ201。次いで、デバイスの設計に基づいて、マスクレチクルを製作するステップ202。また、デバイスの基材であるガラスウエハー等の基板を、購入や製造等によって準備しておくステップ203。次いで、基板上にデバイスを構成する電極や配線、絶縁膜、半導体膜等の膜パターンを形成するステップ204。ステップ204は、基板上に膜を形成することと、この膜上にレジストパターンを形成することと、このレジストパターンをマスクにして上記膜をエッチングすることと、を含む。レジストパターンを形成するには、レジスト膜を形成することと、上記の実施形態に従って、マスクを経由した露光光で基板を露光することにより、形成予定の膜パターンに応じたパターンの像を基板上のレジスト膜に投影することと、露光されたレジスト膜を現像することと、を行う。次いで、製造するデバイスに応じて、例えば、基板をダイシングすることや、一対の基板を貼り合せるとともに一対の基板間に液晶層を形成すること等を行って、デバイスを組み立てるステップ205。次いで、デバイスに検査等の後処理を行うステップ206。以上のようにして、デバイスを製造することができる。