"構造体の光学測定のための物質の光学的特性を決定する方法であって、2つ又はそれ以上のアジマス角及び1つ又はそれ以上の入射角に基づいて格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階と、前記回折次数セットに基づいてシミュレートスペクトルを提供する段階と、を含む方法。前記格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階は、分離構造体と一緒に稠密格子構造を使用する段階を含む、請求項1に記載の方法。前記格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階は、二次元格子構造を使用する段階を含む、請求項1に記載の方法。前記格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階は、三次元格子構造を使用する段階を含む、請求項1に記載の方法。前記回折次数セットをシミュレートする段階は、2つ又はそれ以上の入射角に基づく、請求項1に記載の方法。前記シミュレートスペクトルをサンプルスペクトルと比較する段階を更に含む、請求項1に記載の方法。前記サンプルスペクトルは、複数の物質層を含む構造体から生成され、前記物質層の少なくとも1つは、前記サンプルスペクトルをもたらす前記構造体の測定時に、前記物質層の他の少なくとも1つをブロックする、請求項6に記載の方法。前記サンプルスペクトルは、複数の物質層を含む構造体から生成され、前記サンプルスペクトルをもたらすための前記構造体の測定は、2つの異なる波長での前記構造体の測定を含む、請求項6に記載の方法。構造体の光学測定のための物質の光学的特性を決定する方法であって、2つ又はそれ以上の入射角に基づいて格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階と、前記回折次数セットに基づいてシミュレートスペクトルを提供する段階と、を含む方法。前記格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階は、分離構造体と一緒に稠密格子構造を使用する段階を含む、請求項9に記載の方法。前記格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階は、二次元格子構造を使用する段階を含む、請求項9に記載の方法。前記格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階は、三次元格子構造を使用する段階を含む、請求項9に記載の方法。前記回折次数セットをシミュレートする段階は、更に2つ又はそれ以上のアジマス角に基づく、請求項9に記載の方法。前記シミュレートスペクトルをサンプルスペクトルと比較する段階を更に含む、請求項9に記載の方法。前記サンプルスペクトルは、複数の物質層を含む構造体から生成され、前記物質層の少なくとも1つは、前記サンプルスペクトルをもたらす前記構造体の測定時に、前記物質層の他の少なくとも1つをブロックする、請求項14に記載の方法。前記サンプルスペクトルは、複数の物質層を含む構造体から生成され、前記サンプルスペクトルをもたらすための前記構造体の測定は、2つの異なる波長での前記構造体の測定を含む、請求項14に記載の方法。データ処理システムに構造体の光学測定のための物質の光学的特性を決定する方法を実行させる命令を記憶する機械アクセス可能記憶媒体であって、前記方法は、2つ又はそれ以上のアジマス角及び1つ又はそれ以上の入射角に基づいて格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階と、前記回折次数セットに基づいてシミュレートスペクトルを提供する段階と、前記シミュレートスペクトルをサンプルスペクトルと比較する段階と、を含む、記憶媒体。格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階は、二次元格子構造を使用する段階、三次元格子構造を使用する段階、又は分離構造体と一緒に稠密格子構造を使用する段階を含む、請求項17に記載の記憶媒体。前記回折次数セットをシミュレートする段階は、2つ又はそれ以上の入射角に基づく、請求項17に記載の記憶媒体。前記サンプルスペクトルは、複数の物質層を含む構造体から生成され、前記物質層の少なくとも1つは、前記サンプルスペクトルをもたらす前記構造体の測定時に、前記物質層の他の少なくとも1つをブロックする、請求項17に記載の記憶媒体。前記サンプルスペクトルは、複数の物質層を含む構造体から生成され、前記サンプルスペクトルをもたらすための前記構造体の測定は、2つの異なる波長での前記構造体の測定を含む、請求項17に記載の記憶媒体。データ処理システムに構造体の光学測定のための物質の光学的特性を決定する方法を実行させる命令を記憶する機械アクセス可能記憶媒体であって、前記方法は、2つ又はそれ以上の入射角に基づいて格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階と、前記回折次数セットに基づいてシミュレートスペクトルを提供する段階と、前記シミュレートスペクトルをサンプルスペクトルと比較する段階と、を含む、記憶媒体。格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階は、二次元格子構造を使用する段階、三次元格子構造を使用する段階、又は分離構造体と一緒に稠密格子構造を使用する段階を含む、請求項22に記載の記憶媒体。前記回折次数セットをシミュレートする段階は、2つ又はそれ以上のアジマス角に基づく、請求項22に記載の記憶媒体。前記サンプルスペクトルは、複数の物質層を含む構造体から生成され、前記物質層の少なくとも1つは、前記サンプルスペクトルをもたらす前記構造体の測定時に、前記物質層の他の少なくとも1つをブロックする、請求項22に記載の記憶媒体。前記サンプルスペクトルは、複数の物質層を含む構造体から生成され、前記サンプルスペクトルをもたらすための前記構造体の測定は、2つの異なる波長での前記構造体の測定を含む、請求項22に記載の記憶媒体。本発明の実施形態は光学測定の分野にあり、詳細には、構造体の光学測定のための物質の光学的特性の決定方法に関する。本発明の少なくともいくつかの実施形態の態様は、構造体の光学測定のための物質の光学的特性を決定する方法を含む。回折次数セットは、2つ又はそれ以上のアジマス角及び1つ又はそれ以上の入射角に基づいて格子構造に関してシミュレートされる。次に、シミュレートスペクトルが回折次数セットに基づいて提供される。1つの実施形態において、本方法は、シミュレートスペクトルをサンプルスペクトルと比較することを更に含む。本発明の少なくともいくつかの実施形態の他の態様は、構造体の光学測定のための物質の光学的特性を決定する方法を含む。回折次数セットは、2つ又はそれ以上の入射角に基づいて格子構造に関してシミュレートされる。次に、シミュレートスペクトルが回折次数セットに基づいて提供される。1つの実施形態において、本方法は、シミュレートスペクトルをサンプルスペクトルと比較することを更に含む。本発明の少なくともいくつかの実施形態の他の態様は、データ処理システムに構造体の光学測定のための物質の光学的特性を決定する方法を実行させる命令を記憶する機械アクセス可能記憶媒体を含む。本方法では、回折次数セットは、2つ又はそれ以上のアジマス角及び1つ又はそれ以上の入射角に基づいて格子構造に関してシミュレートされる。シミュレートスペクトルが回折次数セットに基づいて提供される。本発明の少なくともいくつかの実施形態の更に他の態様は、データ処理システムに構造体の光学測定のための物質の光学的特性を決定する方法を実行させる命令を記憶する機械アクセス可能記憶媒体を含む。本方法では、回折次数セットは、2つ又はそれ以上の入射角に基づいて格子構造に関してシミュレートされる。シミュレートスペクトルが回折次数セットに基づいて提供される。本明細書は、構造体の光学測定のための物質の光学的特性の決定手法を開示する。以下の説明において、本発明の実施形態の十分な理解を可能にする目的で、n、k改良手法等の多数の特定の詳細事項が示される。当業者であれば、本発明の実施形態はこれらの特定の詳細事項がなくても実施できることを理解できるはずである。場合によっては、パターン化物質層のスタックの製作等の周知の加工ステップは、本発明の実施形態を不明瞭にしないために詳細には示されていない。更に、図示の種々の実施形態は、例示的なものであり、必ずしもスケール調整されていないこと理解されたい。本明細書は、構造体の光学測定のための物質の光学的特性を決定する方法を開示する。1つの実施形態において、本方法は、2つ又はそれ以上のアジマス角及び1つ又はそれ以上の入射角に基づいて格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階を含む。その結果、回折次数セットに基づいてシミュレートスペクトルがもたらされる。1つの実施形態において、本方法は、2つ又はそれ以上の入射角に基づいて格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階を含む。その結果、回折次数セットに基づいてシミュレートスペクトルがもたらされる。回折シグナルの次数は、周期的構造体から導かれるものとしてシミュレートできる。ゼロ次数は、周期的構造体の法線Nに関する仮想入射ビームの入射角に等しい角度での回折シグナルを示す。高次の回折次数は、1、2、3、-1、-2、-3等として指定される。また、一過性次数として知られる他の次数も考慮する。本発明の実施形態によれば、シミュレート回折シグナルは、光学測定で使用する目的で生成される。ウエハー構造体における屈折インデックス及び消光率、nk等の物質の光学的特性は、光学測定で用いるためにモデル化できる。本発明の実施形態によれば、物質の光学的特性は、ウエハー構造体を測定するための光学測定モデルの他の変数と同様に、浮動又は固定とすることができる。従来、パターン化されていないウエハーは、物質層のnkを決定するために使用することができ、結果的にモデルのnkを固定するために使用できる。しかしながら、ベアウエハーは、ウエハーが特定の製作ステップを受ける場合は潜在的なnk変化を取得できない。その代わりに、光学測定モデルの多くの変数を浮動にする段階を含む手法は、当初は改善された結果をもたらす。しかし、モデルが複雑になると、シミュレーションには多くの時間及びコンピュータリソースが必要となる。更に、多くの変数を浮動にすると構造体の測定感度が低くなり、光学測定モデルは信頼性の低い結果をもたらす。nkモデルの一例はCauchy及びTaucLaurentzである。最も基本的な式は、n=ab/λc/λ2d/λ3...式1である。式1から分かるように、多層構造体において、光学測定モデルの変数の数は急増して浮動パラメータ及びパラメータ相関の多さに起因して測定の安定問題を引き起こす可能性がある。本発明の実施形態によれば、光学測定感度及び精度メトリクス基準に適合するための、ウエハーにおける物質の光学的特性nkに関する変数を決定するための手法が提供される。第1の実施形態において、回折シグナルの測定及びシミュレートに2つ又はそれ以上のアジマス角を使用する。1つの実施形態において、従来の知識の又はウエハー分野の当業者の経験を利用して、浮動に関するnk変数を選択する。アジマス角が調整可能な光学測定デバイスを使用して、2つ又はそれ以上のアジマス角で構造体を離れた回折シグナルを測定することができる。シミュレートシグナルは、2つ又はそれ以上のアジマス角を用いて生成される。2つ又はそれ以上の測定シグナルは、結合回帰によって2つ又はそれ以上のシミュレートシグナルと組み合わせる。次に、構造体の決定プロファイルパラメータ感度及び精度を試験する。第2の実施形態において、2つ又はそれ以上の測定ターゲットを使用してウエハーの光学的特性を決定する以外は第1の実施形態の手法に従う。1つの実施形態において、ウエハーにおいて同一のターゲットの代わりに2つ又はそれ以上のターゲットを使用する。例えば、第1のターゲットは稠密格子構造、第2のターゲットは分離構造体とすることができる。第3の実施形態において、ウエハーにおいて2つ又はそれ以上の異なる構造体を使用して光学的特性を決定する以外は、第2の実施形態に従う。1つの実施形態において、2つ又はそれ以上のターゲットは、異なるタイプのターゲットとすることができる。例えば、第1のターゲットは格子構造、第2のターゲットはウエハーの非パターン化領域とすることができる。別の方法として、第1のターゲットは格子構造、第2のターゲットはコンタクトホール、ビア、又はトレンチとすることができる。さらに別の方法として、第1のターゲットはパターン化された構造体、第2のターゲットは部分的にエッチングされた類似のパターン化構造体、又は第2のターゲットは化学機械平坦化CMP構造体とすることができる。特定の実施形態において、ターゲットが同じ物資を含むことが必須要件である。第4の実施形態において、前述の第1、第2、第3の実施形態の2つ又はそれ以上を任意に組み合わせた手法によって、光学的特性を決定することができる。少なくともいくつかの本発明の実施形態において、n、k改良は格子構造に関して行う。1つの実施形態において、膜分散が考慮され、複数の入射角を使用する手法を実行して膜上の正確な分散を得るようになっている。1つの実施形態において、格子サンプルを使用する。特定の実施形態において、格子における分散は加工方法に起因して膜パッドとは異なるか、又は他の実施形態において、膜パッドは利用できない。1つの実施形態において、格子の正確なn,k分散モデルを取得する手法が提供される。1つの実施形態において、本手法は、複数のアジマス角測定及び複数の入射角測定、又はアジマス角及び入射角測定の組み合わせを用いる。1つの実施形態において、複数のターゲットを使用する。いくつかの実施形態により、問題の重複決定及び格子構造からのn、kの最適化が可能になる。特定の実施形態において、結果を得るまでの時間が延びる代わりに計算に必要なn、kの追加の膜スタック数が低減される。他の特定の実施形態において、格子構造のn、kは、膜又は格子の差分に関して取得する。計算に基づくシミュレート回折次数は、パターン化半導体膜又はフォトレジスト層等のパターン化膜に関するプロファイルパラメータを示すことができ、自動プロセス又は装置制御を調整するために使用できる。図1は、本発明の実施形態による、自動プロセス及び装置制御のためのプロファイルパラメータを決定して利用する例示的な一連の動作を示すフローチャート100を示す。フローチャート100の動作102を参照すると、ライブラリ又は訓練された機械学習システムMLSは、測定回折シグナルセットからプロファイルパラメータを得るために改善される。動作104において、構造体の少なくとも1つのプロファイルパラメータは、ライブラリ又は訓練MLSを用いて決定する。動作106において、少なくとも1つのプロファイルパラメータは、加工ステップを実行するように構成された製作クラスタに送信するが、加工ステップは、測定ステップ104の前又は後の半導体製造工程で実行することができる。動作108において、少なくとも1つの送信プロファイルパラメータを用いて製作クラスタによって実行される加工ステップのプロセス変数又は装置設定値を変更することができる。機械学習システム及びアルゴリズムも詳細は、全ての開示内容が本明細書に引用されている、2003年6月27日出願の米国特許出願番号10/608,300OPTICALMETROLOGYOFSTRUCTURESFORMEDONSEMICONDUCTORWAFERSUSINGMACHINELEARNINGSYSTEMSを参照されたい。回折次数最適化の詳細は、全ての開示内容が本明細書に引用されている、2006年3月24日出願の米国特許出願番号11/388,265OPTIMIZATIONOFDIFFRACTIONORDERSELECTIONFORTWO-DIMENSIONALSTRUCTURESを参照されたい。図2は、本発明の実施形態による、自動プロセス及び装置制御のためのプロファイルパラメータを決定及び利用するためのシステム200の例示的なブロック図である。システム200は、第1の製作クラスタ202及び光学測定システム204を含む。また、システム200は、第2の製作クラスタ206を含む。図2において第2の製作クラスタ206は第1の製作クラスタ202の後に示されるが、システム200にいて及び、例えば、製造工程において、第2の製作クラスタ206は第1の製作クラスタ202の前に配置することができる。ウエハーに適用されるフォトレジスト層の露光及び現像等のフォトグラフィープロセスは、第1の製作クラスタ202を用いて行うことができる。1つの例示的な実施形態において、光学測定システム204は、光学測定ツール208及びプロセッサ210を含む。光学測定ツール208は、構造体から取得した回折シグナルを測定するように構成される。測定回折シグナル及びシミュレート回折シグナルが一致する場合、1つ又はそれ以上のプロファイルパラメータ値が、シミュレート回折シグナルに関連する1つ又はそれ以上のプロファイルパラメータ値として決定される。1つの例示的な実施形態において、光学測定システム204は、複数のシミュレート回折シグナル及び該複数のシミュレート回折シグナルに関連する複数の1つ又はそれ以上のプロファイルパラメータ値を有するライブラリ212を含むことができる。前述のように、ライブラリは事前に生成できる。計測プロセッサ210は、構造体から取得した測定回折シグナルをライブラリ内の複数のシミュレート回折シグナルと比較できる。シミュレート回折シグナルの一致が見出される場合、ライブラリ内の一致するシミュレート回折シグナルに関連する1つ又はそれ以上のプロファイルパラメータ値は、構造体を製作するためにウエハー用途に使用される1つ又はそれ以上のプロファイルパラメータ値と仮定する。また、システム200は、計測プロセッサ216を含むことができる。1つの例示的な実施形態において、プロセッサ210は、1つ又はそれ以上のプロファイルパラメータの1つ又はそれ以上の値を計測プロセッサ216へ送信できる。次に、計測プロセッサ216は、光学測定システム204を用いて決定した1つ又はそれ以上のプロファイルパラメータの1つ又はそれ以上の値に基づいて、第1の製作クラスタ202の1つ又はそれ以上のプロセスパラメータ又は装置設定値を調整できる。また、計測プロセッサ216は、光学測定システム204を用いて決定した1つ又はそれ以上のプロファイルパラメータの1つ又はそれ以上の値に基づいて、製作クラスタ206の1つ又はそれ以上のプロセスパラメータ又は装置設定値を調整できる。前述のように、製作クラスタ206は、製作クラスタ202の前又は後でウエハーを加工できる。別の例示的な実施形態において、プロセッサ210は、測定回折シグナルセットを機械学習システム214の入力として用いると共にプロファイルパラメータを機械学習システム214の期待される出力として用いて、機械学習システム214を訓練するように構成される。本発明の1つの態様において、シミュレート回折シグナルから得られる構造体の光学測定のための物質の光学的特性の決定は、2つ又はそれ以上のアジマス角及び1つ又はそれ以上の入射角に基づいて、格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階を含む。図3は、本発明の実施形態による、構造体の光学測定のための物質の光学的特性を決定するための方法の動作を示すフローチャート300を示す。フローチャート300の動作302を参照すると、構造体の光学測定のための物質の光学的特性を決定する方法は、2つ又はそれ以上のアジマス角及び1つ又はそれ以上の入射角に基づいて、格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階を含む。本発明の実施形態によれば、格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階は、分離構造体と一緒に稠密格子構造を使用する段階を含む。1つの実施形態において回折次数セットのシミュレートは、2つ又はそれ以上の入射角に基づいている。1つの実施形態において、格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階は、三次元格子構造を使用する段階を含む。用語三次元格子構造は、本明細書では、二次元で変化するx-yプロファイルに加えてz方向の深さをもつ構造体を呼ぶ。例えば、図4Aは、本発明の実施形態による、x-y平面で変化するプロファイルを有する周期的格子400を示す。周期的格子のプロファイルは、x-yプロファイルの関数としてz方向に変化する。1つの実施形態において、格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階は、二次元格子構造を使用する段階を含む。用語二次元格子構造は、本明細書では、一次元でのみ変化するx-yプロファイルに加えてz方向の深さをもつ構造体を呼ぶ。例えば、図4Bは、本発明の実施形態による、x方向で変化するがy方向には変化しないプロファイルを有する周期的格子402を示す。周期的格子のプロファイルは、xプロファイルの関数としてz方向に変化する。二次元構造体のy方向の変化の欠如は無限である必要はないが、何らかのパターンの途切れは長距離である、例えば、y方向の何らかのパターンの途切れは、x方向のパターンの途切れよりも実質的にもっと遠くに離れると考えられることを理解されたい。フローチャート300の動作304を参照すると、構造体の光学測定のための物質の光学的特性を決定するための方法は、回折次数セットに基づいてシミュレートスペクトルを提供する段階も含む。本発明の実施形態によれば、構造体の光学測定のための物質の光学的特性を決定するための方法は、シミュレートスペクトルをサンプルスペクトルと比較する段階を更に含む。1つの実施形態において、回折次数セットは、シミュレートされて、図8に関連して以下に説明する光学測定システム800等の偏光解析光学測定システムが生成する三次元格子構造からの回折シグナルを表すようになっている。しかしながら、同じコンセプト及び原理を同様に反射干渉光分光システム等の他の光学測定システムに適用できることを理解されたい。表される回折シグナルは、限定されるものではないが、プロファイル、寸法、又は物質成分等の三次元格子構造の特徴を説明することができる。本発明の他の態様において、シミュレート回折シグナルから得られる構造体の光学測定のための物質の光学的特性の決定は、2つ又はそれ以上の入射角に基づいて格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階を含む。図5は、本発明の実施形態による、構造体の光学測定のための物質の光学的特性を決定する方法の動作を示すフローチャート500を示す。フローチャート300の動作302を参照すると、構造体の光学測定のための物質の光学的特性を決定する方法は、2つ又はそれ以上のアジマス角及び1つ又はそれ以上の入射角に基づいて、格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階を含む。本発明の実施形態によれば、格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階は、分離構造体と一緒に稠密格子構造を使用する段階を含む。1つの実施形態において、回折次数セットのシミュレートは、更に2つ又はそれ以上のアジマス角に基づくことができる。1つの実施形態において、格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階は、三次元格子構造を使用する段階を含む。用語三次元格子構造は、本明細書では、二次元で変化するx-yプロファイルに加えてz方向の深さをもつ構造体を呼ぶ。例えば、図4Aは、本発明の実施形態による、x-y平面で変化するプロファイルを有する周期的格子400を示す。周期的格子のプロファイルは、x-yプロファイルの関数としてz方向に変化する。1つの実施形態において、格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階は、二次元格子構造を使用する段階を含む。用語二次元格子構造は、本明細書では、一次元でのみ変化するx-yプロファイルに加えてz方向の深さをもつ構造体を呼ぶ。例えば、図4Bは、本発明の実施形態による、x方向で変化するがy方向には変化しないプロファイルを有する周期的格子402を示す。周期的格子のプロファイルは、xプロファイルの関数としてz方向に変化する。二次元構造体のy方向の変化の欠如は無限である必要はないが、何らかのパターンの途切れは長距離である、例えば、y方向の何らかのパターンの途切れは、x方向のパターンの途切れよりも実質的にもっと遠くに離れると考えられることを理解されたい。本発明の他の態様において、構造体の光学測定のための物質の光学的特性を決定する段階は、2つ又はそれ以上の入射角に基づいて格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階を含む。例えば、フローチャート500の動作502を参照すると、構造体の光学測定のための物質の光学的特性を決定する方法は、2つ又はそれ以上の入射角に基づいて格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階を含む。本発明の実施形態によれば、格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階は、稠密格子構造を分離構造体と一緒に使用する段階を含む。1つの実施形態において、回折次数セットのシミュレートは、更に1つ又はそれ以上のアジマス角に基づいている。フローチャート500の動作504を参照すると、構造体の光学測定のための物質の光学的特性を決定する方法は、回折次数セットに基づいてシミュレートスペクトルを提供する段階を更に含む。本発明の実施形態によれば、構造体の光学測定のための物質の光学的特性を決定するための方法は、シミュレートスペクトルをサンプルスペクトルと比較する段階を更に含む。1つの実施形態において、回折次数セットは、シミュレートされて、図8に関連して以下に説明する光学測定システム800等の偏光解析光学測定システムが生成する三次元格子構造からの回折シグナルを表すようになっている。しかしながら、同じコンセプト及び原理を同様に反射干渉光分光システム等の他の光学測定システムに適用できることを理解されたい。表される回折シグナルは、限定されるものではないが、プロファイル、寸法、又は物質成分等の三次元格子構造の特徴を説明することができる。図6は、本発明の実施形態による、構造体の光学測定のための物質の光学的特性を決定する方法の改良及び試験態様を含む決定チャート600を示す。決定チャート600の改良部602を参照すると、ブロック604において、出発点として物質の既知の良好なn、kを使用する。ブロック606において、いくつかの浮動パラメータをもつ単純モデルを使用する。一方で、ブロック608において、膜スペクトルを含むウエハーを横切る多部位からのスペクトルは、複数のアジマス角に対して決定する。ブロック606及び608からの入力は、結合アジマス角を有する全ての部位の複合回帰分析に関して、ブロック610で回帰分析する。次に、ブロック621において、平均n、k値を報告する。決定チャート600の試験部614を参照すると、ブロック616において、複数のアジマススペクトルは、ウエハー上を横切る多部位から取得する。回帰分析は、ブロック618及び620において、個々のアジマス角の各々に基づいて個々の部位の各々で行う。ブロック622において、限界寸法CD等のパラメータ変数を比較する。ブロック624において、利用可能な場合、全体の測定不確実性TMUは、参照データをチェックするための選択肢として使用できる。ブロック626において、モデルデータが参照データと合致しない場合、n、k式の値を調整して、ブロック606においてモデルを変更するために使用してサイクルを繰り返す。図7は、本発明の実施形態による、光学測定のための物質の光学的特性が決定される代表的な物質スタック700の断面図を示す。図7を参照すると、下部の反射防止膜BARC層704は、シリコンSi基板702上に配置される。レジスト層706は、BARC層704上に配置されてパターン化される。レジスト層706の個々のライン、例えばライン707は、レジスト高さ708、レジストライン限界寸法CD709、及びレジストライン側壁角SWA710等の種々の特性を有している。モデリング例において、本発明の特定の実施形態において、n、k改良に関して、BARC層704及びレジスト層706に対してn、k分散モデルを使用する。BARC層704に関してCauchy変数はA=1.45及びB=317140であり、一方でレジスト層706に関してCauchy変数はA=1.545、B=-3.10000、及びC=7.4E12である。格子スペクトルは、アジマス角に関して0度及び90度で測定する。本発明の少なくともいくつかの実施形態において、n、k改良を行い、複合回帰分析を利用して格子構造からn、kを直接改良するようになっている。例えば、1つの実施形態において、4つの形状パラメータ及び4つの分散パラメータからなる8つのパラメータが浮動される。分散モデルは、連続的な膜スタックからのモデルと合理的に一致することができる。結果は期待される有限要素法FEMの挙動に追従することができる。しかしながら、1つの実施形態において、機能強化のために、格子構造改良のために始点として最適な膜スタックモデルを使用するが、最終的な膜モデルはチェックポイントとして使用するので、これを試験において使用する必要はない。図8は、本発明の実施形態による、半導体ウエハー上の構造体のプロファイルを決定するための光学測定の利用を示すアーキテクチャ図である。光学測定システム800は、ウエハー808のターゲット構造806に計測ビーム804を投射する計測ビーム源802を含む。計測ビーム804は、入射角θでターゲット構造806に投射される。回折ビーム810は、計測ビーム受信器812で測定する。回折ビームデータ814は、プロファイルアプリケーションサーバ816に送信する。プロファイルアプリケーションサーバ816は、測定回折ビームデータ814を、ターゲット構造の限界寸法と解像度の種々の組み合わせを示すシミュレート回折ビームデータのライブラリ818と比較する。本発明の実施形態によれば、シミュレート回折ビームデータの少なくとも一部は、2つ又はそれ以上のアジマス角及び1つ又はそれ以上の入射角に基づく。本発明の別の実施形態によれば、シミュレート回折ビームデータの少なくとも一部は、2つ又はそれ以上の入射角に基づく。1つの例示的な実施形態において、測定回折ビームデータ814の最も一致するライブラリ818インスタンスを選択する。ことを理解されたい。コンセプト及び原理を示すために、回折スペクトル又はシグナル、及び関連の仮想プロファイルのライブラリを頻繁に使用するが、本発明は、回帰分析、ニューラルネットワーク、及びプロファイル抽出に使用する類似の方法等の、シミュレート回折シグナル及び関連のプロファイルパラメータセットを含むデータ空間に同様に適用できる。選択されたライブラリ816インスタンスの仮想プロファイル及び関連の限界寸法は、実際のターゲット構造806の特徴部の断面プロファイル及び限界寸法に対応すると仮定する。光学測定システム800は、回折ビーム又はシグナルを測定するための反射干渉光分光器、偏光解析器、又は他の光学測定デバイスに利用できる。本発明の実施形態の説明を容易にするために、偏光解析光学測定システムを使用して前述のコンセプト及び原理を示す。同じコンセプト及び原理を反射干渉光分光システム等の他の光学測定システムに適用できることを理解されたい。同様に、半導体ウエハーは、コンセプトの適用を示すために使用できる。再度、本方法及びプロセスは、繰り返し構造を有する他の加工物に同様に適用できる。本発明は、命令を格納した機械可読媒体を含むことができ、コンピュータシステム又は他の電子デバイスをプログラムして本発明によるプロセスを実行するために使用できる、コンピュータプログラム製品、又はソフトウェアとして提供できる。機械可読媒体は、機械例えば、コンピュータ可読形式の情報を記憶又は伝送するための任意の機構を含むことができる。例えば、機械可読例えば、コンピュータ可読媒体は、機械例えば、コンピュータ可読記憶媒体例えば、読み出し専用メモリROM、ランダムアクセスメモリRAM、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリ装置、機械例えば、コンピュータ可読伝送媒体電気、光、音響、又は他の形式の伝搬信号例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号等を含む。図9は、機械に本明細書に記載の1つ又はそれ以上の何らかの方法を行わせる命令セットを実行できる、コンピュータシステム900の例示的な形態の機械を図式表示で示す。別の実施形態において、機械は、ローカルエリアネットワークLAN、インタネット、エクストラネット、又はイントラネットで他の機械に接続例えば、ネットワーク接続できる。機械は、クライアント-サーバネットワーク環境でサーバ又はクライアント機械として、又はピアツーピア又は、分散型ネットワーク環境でピア機械として作動できる。機械は、パーソナルコンピュータPC、タブレットPC、セットトップボックスSTB、携帯情報端末PDA、携帯電話、ウェブアプライアンス、サーバ、ネットワークルータ、スイッチ又はブリッジ、又は機械が行う動作を特定する命令セット逐次等を実行可能な任意の機械とすることができる。更に、単一の機械が図示されているが、用語機械は、個々で又は結合して命令セット又は複数の命令セットを実行して本明細書に記載の1つ又はそれ以上の何らかの方法を行うようになった、任意の機械コンピュータの集合を含むと考えるべきである。例示的なコンピュータシステム900は、プロセッサ902、メインメモリ904例えば、読み出し専用メモリROM、フラッシュメモリ、シンクロナスDRAMSDRAM又はRambusDRAMRDRAM等のダイナミックランダムアクセスメモリDRAM、スタティックメモリ906例えば、フラッシュメモリ、スタティックランダムアクセスメモリSRAM、及び二次メモリ918例えば、データ記憶装置を含み、これらはバス930経由で通信することができる。プロセッサ902は、1つ又はそれ以上のマイクロプロセッサ、中央処理装置等の汎用処理装置を表す。詳細には、プロセッサ902は、複数命令セットコンピューティングCISCマイクロプロセッサ、縮小命令セットコンピューティングRISCマイクロプロセッサ、超長命令語VLIWマイクロプロセッサ、他の命令セットを実行するプロセッサ、又は命令セットの組み合わせを実行するプロセッサとすることができる。また、プロセッサ902は、1つ又はそれ以上の特定用途向け集積回路ASIC、フィールドプログラマブルゲートアレイFPGA、デジタルシグナルプロセッサDSP、ネットワークプロセッサ等の専用処理装置とすることができる。プロセッサ902は、本明細書で説明する動作及びステップを実施するための処理ロジック926を実行するように構成される。コンピュータシステム900は、ネットワークインタフェースデバイス908を更に含むことができる。また、コンピュータシステム900は、ビデオ表示ユニット910例えば、液晶ディスプレイLCD又はブラウン管CRT、英数字入力デバイス912例えば、キーボード、カーソル制御デバイス914例えば、マウス、及び信号発生装置916例えば、スピーカを含むことができる。二次メモリ918は、本明細書で説明する任意の1つ又はそれ以上の方法又は機能を具体化する1つ又はそれ以上の命令セット例えば、ソフトウェア922を記憶した機械アクセス可能記憶媒体又は、詳細にはコンピュータ可読記憶媒体931を含むことができる。また、ソフトウェア922は、コンピュータシステム900の実行時に、全て又は少なくとも部分的にメインメモリ904及び/又はプロセッサ902内に存在することができ、メインメモリ904及びプロセッサ902は機械可読記憶媒体を構成する。更に、ソフトウェア922は、ネットワークデバイス908によってネットワーク920上で送受信できる。機械アクセス可能記憶媒体931は、例示的な実施形態において単一の媒体として示されるが、用語機械可読記憶媒体は、1つ又はそれ以上の命令セットを記憶する単一の媒体又は複数の媒体例えば、集中型又は分散型データベース及び/又は関連のキャッシュ及びサーバを含むと考えるべきである。また、用語機械可読記憶媒体は、機械に本発明の1つ又はそれ以上の任意の方法を実施するように実行させる命令セットを記憶又はエンコードすることができる、任意の媒体を含むと考えるべきである。従って、用語機械可読記憶媒体は、限定的ではないが、半導体メモリ、光学的及び磁気的媒体を含むと考えるべきである。本発明の実施形態によれば、機械アクセス可能記憶媒体は、データ処理システムに構造体の光学測定のための物質の光学的特性を決定する方法を実行させる命令を記憶する。本方法は、2つ又はそれ以上のアジマス角及び1つ又はそれ以上の入射角に基づいて格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階を含む。次に、シミュレートスペクトルは、回折次数セットに基づいてもたらされる。1つの実施形態において、格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階は、分離構造体と一緒に稠密格子構造を使用する段階を含む。1つの実施形態において、格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階は、二次元格子構造を使用する段階を含む。1つの実施形態において、格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階は、三次元格子構造を使用する段階を含む。1つの実施形態において、回折次数セットをシミュレートする段階は、2つ又はそれ以上の入射角に基づく。1つの実施形態において、記憶される命令により、データ処理システムは、シミュレートスペクトルをサンプルスペクトルと比較する段階を更に含む方法を実施する。本発明の他の実施形態によれば、機械アクセス可能記憶媒体は、データ処理システムに構造体の光学測定のための物質の光学的特性を決定する方法を実行させる命令を記憶する。本方法は、2つ又はそれ以上のアジマス角に基づいて格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階を含む。次に、シミュレートスペクトルは、回折次数セットに基づいてもたらされる。1つの実施形態において、格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階は、分離構造体と一緒に稠密格子構造を使用する段階を含む。1つの実施形態において、格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階は、二次元格子構造を使用する段階を含む。1つの実施形態において、格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階は、三次元格子構造を使用する段階を含む。1つの実施形態において、回折次数セットをシミュレートする段階は、更に2つ又はそれ以上のアジマス角に基づく。1つの実施形態において、記憶される命令により、データ処理システムは、シミュレートスペクトルをサンプルスペクトルと比較する段階を更に含む方法を実施する。平面スタック又は格子スタックの物質の分散n、kを最適化するための本発明の別の態様において、特定の層の物質特性を利用できる。例えば、本発明の実施形態によれば、以下のスタックを考慮するトップダウンで定義する。つまり、フォトレジスト格子/反射防止膜ARC/ポリシリコン/窒化物/酸化物/シリコンである。ポリシリコンは、約350ナノメータ以下の光波長を吸収ブロックするが350ナノメータより大きい波長は透過させる。従って、1つの実施形態において、フォトレジスト格子及びARC層の分散は、350ナノメータ以下の波長を用いて例えば、複数の入射角、アジマス角等を用いて最適化し、次に、ポリシリコン層例えば、窒化物/酸化物/シリコンの下の物質を最適化するために可視波長を用いる。1つの実施形態において、前述の手法により、最適化問題は2つの簡単な問題に分けることができるので著しく単純になる。1つの実施形態において、この手法は、ポリシリコンが下層の格子物質をブロックするためのブロッキング物質として使用できるので、格子パラメータの測定に利用され、デバイス内測定の複雑性の問題を著しく低減する。従って、1つの実施形態において、前述の1つ又はそれ以上の方法では、複数の物質層を含む格子構造からサンプルスペクトルを生成し、サンプルスペクトルをもたらす格子構造の測定時に、少なくとも1つの物質層が少なくとも1つの他の物質層をブロックする。別の実施形態において、前述の1つ又はそれ以上の方法では、サンプルスペクトルは複数の物質層を含む格子構造から生成され、サンプルスペクトルをもたらす格子構造の測定は、2つの異なる波長で格子構造を測定することを含む。従って、物質構造体の光学測定のための光学的特性を決定する方法が開示される。本発明の実施形態によれば、方法は、2つ又はそれ以上のアジマス角及び1つ又はそれ以上の入射角に基づいて格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階を含む。次に、シミュレートスペクトルが回折次数セットに基づいてもたらされる。1つの実施形態において、格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階は、分離構造体と一緒に稠密格子構造を使用する段階を含む。本発明の他の実施形態によれば、方法は、2つ又はそれ以上の入射角に基づいて格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階を含む。次に、シミュレートスペクトルが回折次数セットに基づいてもたらされる。1つの実施形態において、格子構造に関する回折次数セットをシミュレートする段階は、分離構造体と一緒に稠密格子構造を使用する段階を含む。"