"a互いに相対的に変位し、可変リラクタンスを有する磁気回路を提供する第1及び第2の磁気部材と、b使用時に、電流を受けて前記磁気回路を通過する磁束を生成するコイルと、c前記磁気回路を通過する磁束を表す測定信号を生成し、前記磁気回路を通過する磁束を実質的に取り囲むように配置された測定コイルと、d入力端子で前記測定信号を受信し、それに応答して、出力端子で測定信号に基づいて制御信号を提供して電流の振幅又は別のデバイスの力を制御するように配置された制御ユニットとを備える可変リラクタンスデバイス。前記第1の磁気部材がCコア又はEコアを備え、前記測定コイルが前記Cコア又はEコアの脚部に巻かれている、請求項1に記載の可変リラクタンスデバイス。前記測定コイルが、少なくとも部分的に、前記第1の磁気部材と前記第2の磁気部材とを分離するエアギャップの内部に配置される、請求項1に記載の可変リラクタンスデバイス。前記磁束に対して実質的に垂直の測定コイルの断面が、前記デバイスの実際の力と前記デバイスの動作領域内の計算された力との間の偏差を最小限にするように選択され、計算された力Fcが、Fc=kφ2で決定され、ここで、kは定数であり、φは前記測定信号から誘導される磁束を表す、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の可変リラクタンスデバイス。前記脚部に対する前記測定コイルの位置が、前記デバイスの実際の力と前記デバイスの動作領域内の計算された力との間の偏差を最小限にするように選択され、計算された力Fcが、Fc=kφ2で決定され、ここで、kは定数であり、φは前記測定信号から誘導される磁束を表す、請求項2又は請求項2を引用する請求項4のいずれかに記載の可変リラクタンスデバイス。前記第1及び/又は第2の磁気部材が、前記磁気回路を通過する磁束を生成して前記第1及び第2の磁気部材の間にバイアス力を生成する永久磁石をさらに備える、請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の可変リラクタンスデバイス。オブジェクトを位置決めするステージ装置であって、a前記オブジェクトを受けるオブジェクトテーブルと、b前記オブジェクトテーブルを支持するベースと、c前記ベースに対して前記オブジェクトテーブルを位置決めする、請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の可変リラクタンスデバイスとを備えるステージ装置。前記オブジェクトテーブルを位置決めする別のデバイスをさらに備え、前記制御ユニットが、使用時に、前記別のデバイスによって提供される力を制御するように構成される、請求項6に記載のステージ装置。前記制御信号が、第1のフィルタリングされた制御信号を得る低域通過フィルタを通過し、次に第2のフィルタリングされた制御信号を得る高域通過フィルタを通過し、前記第1のフィルタリングされた制御信号が印加されて可変リラクタンスデバイスの電流が制御され、前記第2のフィルタリングされた制御信号が印加されて前記別のデバイスの力が制御される、請求項8に記載のステージ装置。a放射ビームを調節するように構成された照明システムと、b前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築された支持体と、c基板を保持するように構成された基板テーブルと、d前記基板のターゲット部分上に前記パターン付放射ビームを投影するように構成された投影システムとを備えるリソグラフィ装置であって、前記装置が、前記パターニングデバイス又は前記基板を位置決めする、請求項7乃至請求項10のいずれか1項に記載のステージをさらに備えるリソグラフィ装置。パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するステップを含むデバイス製造方法であって、該方法が請求項7乃至請求項9のいずれか1項に記載のステージ装置によってパターニングデバイス及び/又は基板を位置決めするステップを含むデバイス製造方法。オブジェクトを位置決めするステージ装置であって、該装置が、前記オブジェクトを受けるように構成されたオブジェクトテーブルと、前記オブジェクトテーブルを支持するように構成されたベースと、前記ベースに対して前記オブジェクトテーブルを位置決めするように構成された可変リラクタンスデバイスとを備え、前記可変リラクタンスデバイスが、互いに相対的に変位して、可変リラクタンスを有する磁気回路を提供するように構成された第1及び第2の磁気部材と、電流を受けて前記磁気回路を通過する磁束を生成するコイルと、前記磁気回路を通過する磁束を表す測定信号を生成するように構成され、前記磁気回路を通過する磁束を実質的に取り囲むように配置された測定コイルと、入力端子で前記測定信号を受信し、それに応答して、出力端子で前記測定信号に基づいて制御信号を提供して前記電流の振幅又は別のデバイスの力を制御するように配置された制御ユニットとを備えるステージ装置。オブジェクトテーブルを位置決めする別のデバイスをさらに備え、前記制御ユニットが、別のデバイスによって提供される力を制御するようにさらに配置される、請求項12に記載のステージ装置。前記制御信号が、第1のフィルタリングされた制御信号を得る低域通過フィルタを通過し、次に第2のフィルタリングされた制御信号を得る高域通過フィルタを通過し、前記第1のフィルタリングされた制御信号が印加されて前記可変リラクタンスデバイスの電流が制御され、前記第2のフィルタリングされた制御信号が印加されて別のデバイスの力が制御される、請求項13に記載のステージ装置。基板のターゲット部分上にビームを投影することができる光学カラムであって、前記ターゲット部分上にビームを投影するように構成された投影システムを備える光学カラムと、前記光学カラム又はその一部を回転させる回転運動アクチュエータであって、前記光学カラム又はその一部が請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の可変リラクタンスデバイスをさらに備えた回転運動アクチュエータとを備える装置。0003より正確な力の制御が可能な可変リラクタンスデバイス又は一般に別のタイプの電磁デバイスを提供することが望ましい。0004本発明のある実施形態によれば、第1及び第2の磁気部材と、コイルと、測定コイルと、制御ユニットとを備える可変リラクタンスデバイスが提供される。第1及び第2の磁気部材は、相対的に変位して可変リラクタンスを有する磁気回路を提供する。コイルを用いて電流を受け、磁気回路を通過する磁束を生成する。測定コイルは、磁気回路を通過する磁束を表す測定信号を生成する。測定コイルは、磁気回路を通過する磁束を実質的に取り囲むように配置されている。制御ユニットは、入力端子で磁束信号を受信し、それに応答して、出力端子で測定信号に基づいて制御信号を提供して電流の振幅又は別のデバイスの力を制御する。0005本発明の別の実施形態では、オブジェクトを位置決めするステージ装置であって、オブジェクトテーブルと、ベースと、可変リラクタンスデバイスとを備える装置が提供される。オブジェクトテーブルはオブジェクトを受ける。ベースはオブジェクトテーブルを支持する。可変リラクタンスデバイスは、ベースに対してオブジェクトテーブルを位置決めする。0006本発明のさらに別の実施形態では、照明システムと、支持体と、基板テーブルと、ステージと、投影システムとを備えるリソグラフィ装置が提供される。照明システムは、放射ビームを調節するように構成される。支持体は、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築される。基板テーブルは、基板を保持するように構築される。投影システムは、基板のターゲット部分上にパターン付放射ビームを投影するように構成される。ステージは、パターニングデバイス又は基板を位置決めする。0007本発明のさらに別の実施形態では、パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するステップを含むデバイス製造方法であって、本発明のステージ装置によってパターニングデバイス及び/又は基板を位置決めするステップを含む方法が提供される。0008本発明のさらなる特徴及び利点、さらに本発明の様々な実施形態の構造及び動作を、添付の図面を参照しながら以下で詳細に説明する。本発明は本明細書で説明する特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は、本明細書では例示的目的のためにのみ提示されている。本明細書に含まれる教示に基づいて、追加の実施形態が当業者には明白になる。0019本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ1つ又は複数の実施形態を開示する。開示される実施形態は本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される実施形態に限定されない。本発明は、本明細書に添付される特許請求の範囲によって定義される。0020記載された実施形態、及び本明細書で一実施形態、ある実施形態、例示的実施形態などに言及した場合、それは記載された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造、又は特性を含まないことがあることを示す。さらに、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識にあることが理解される。0021本発明の実施形態はハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア又はその任意の組合せで実施することができる。本発明の実施形態は、1つ又は複数のプロセッサで読み取り、実行することができる機械読み取り式媒体に記憶した命令として実施することもできる。機械読み取り式媒体は、機械例えば、計算デバイスで読み取り可能な形態で情報を記憶するか、伝送する任意の機構を含むことができる。例えば、機械読み取り式媒体は読み取り専用メモリROM、ランダムアクセスメモリRAM、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響又は他の形態の伝搬信号例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号など、及びその他を含むことができる。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令を、本明細書では特定の行為を実行するものとして記述することができる。しかし、このような記述は便宜的なものにすぎず、このような行為は実際には計算デバイス、プロセッサ、コントローラ、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行する他のデバイスの結果であることを認識されたい。0022しかし、このような実施形態についてさらに詳細に説明する前に、本発明の実施形態を実施できる例示的環境を提示することが有益である。0023図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射ビームB例えば、UV放射又はその他の任意の好適な放射を調節するように構成された照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えば、マスクMAを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1の位置決めデバイスPMに接続されたマスク支持構造例えば、マスクテーブルMTとを含む。ある実施形態では、リソグラフィ装置は、パターニングデバイスの正確な位置決めのための第1の位置決めデバイスPMとしての本発明のステージ装置を備える。この装置は、また、基板例えば、レジストコートウェーハWを保持するように構築され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2の位置決めデバイスPWに接続された基板テーブル例えば、ウェーハテーブル又は一般にオブジェクトテーブルWT又は基板支持体を含む。ある実施形態では、リソグラフィ装置は、基板又はウェーハの正確な位置決めのための第2の位置決めデバイスPWとしての本発明のステージ装置を備える。リソグラフィ装置は、パターニングデバイスMAによって基板Wのターゲット部分C例えば、1つ又は複数のダイを含む上に放射ビームBに付与されるパターンを投影するように構成された投影システム例えば、屈折投影レンズシステムPSをさらに含む。0024照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。0025マスク支持構造は、パターニングデバイスを支持、すなわちその重量を支えている。マスク支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。このマスク支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。マスク支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。マスク支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書においてレチクル又はマスクという用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語であるパターニングデバイスと同義と見なすことができる。0026本明細書において使用するパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。0027パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。0028本明細書において使用する投影システムという用語は、使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして、広義に解釈されるべきである。本明細書において投影レンズという用語を使用した場合、これはさらに一般的な投影システムという用語と同義と見なされる。0029本明細書で示すように、本装置は透過タイプである例えば透過マスクを使用する。あるいは、装置は反射タイプでもよい例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する。0030リソグラフィ装置は2つデュアルステージ又はそれ以上の基板テーブル又は基板支持体及び/又は2つ以上のマスクテーブル又はマスク支持体を有するタイプでよい。このようなマルチステージ機械においては、追加のテーブル又は支持体を並行して使用するか、又は1つ又は複数の他のテーブル又は支持体を露光に使用している間に1つ又は複数のテーブル又は支持体で予備工程を実行することができる。0031リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する液浸という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。0032図1を参照すると、照明システムILは放射源SOから放射ビームを受ける。放射源及びリソグラフィ装置は、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び/又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムBDの助けにより、放射源SOから照明システムILへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源SO及び照明システムILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDとともに放射システムと呼ぶことができる。0033イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタADを含んでいてもよい。通常、イルミネータILの瞳面における強度分布の外側及び/又は内側半径範囲一般にそれぞれ、σouter及びσinnerと呼ばれるを調整することができる。また、イルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の種々のコンポーネントを含んでいてもよい。イルミネータILを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。0034放射ビームBは、マスク支持構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されたパターニングデバイス例えば、マスクMAに入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクMAを横断した放射ビームBは、投影システムPSを通過し、投影システムPSは、ビームを基板Wのターゲット部分C上に合焦させる。第2の位置決めデバイスPW及び位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサの助けにより、基板テーブルWTを、例えば様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路に位置決めするように正確に移動できる。同様に、第1の位置決めデバイスPMと別の位置センサ図1には明示されていないを用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームBの経路に対してマスクMAを正確に位置決めできる。一般に、マスクテーブルMTの移動は、第1の位置決めデバイスPMの部分を形成するロングストロークモジュール粗動位置決め及びショートストロークモジュール微動位置決めの助けにより実現できる。同様に、基板テーブルWT又は基板支持体の移動は、第2のポジショナPWの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合スキャナとは対照的に、マスクテーブルMTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。マスクMA及び基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよいスクライブレーンアライメントマークとして周知である。同様に、マスクMA上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。0035図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも1つにて使用可能である。00361.ステップモードでは、マスクテーブルMT又はマスク支持体及び基板テーブルWT又は基板支持体は基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影されるすなわち単一静的露光。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWT又は基板支持体がX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。00372.スキャンモードでは、マスクテーブルMT又はマスク支持体及び基板テーブルWT又は基板支持体は同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影されるすなわち単一動的露光。マスクテーブルMT又はマスク支持体に対する基板テーブルWT又は基板支持体の速度及び方向は、投影システムPSの拡大縮小及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の非スキャン方向における幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分のスキャン方向における高さが決まる。00383.別のモードでは、マスクテーブルMT又はマスク支持体はプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWT又は基板支持体を移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWT又は基板支持体を移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。0039上述した使用モードの組合せ及び/又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。0040本発明によるリソグラフィ装置は、上記のように、パターニングデバイス又は基板などのオブジェクトを位置決めする本発明のステージ装置を備える。しかし、リソグラフィ装置内の本発明のステージ装置又は本発明の可変リラクタンスデバイスのその他の用途も可能である。一例として、本発明の可変リラクタンスデバイスは、例えば、レチクルマスキングブレード、投影システムの光学コンポーネントなどを位置決めする可変リラクタンスアクチュエータ又はハイブリッドアクチュエータとして適用可能である。別の例として、本発明の可変リラクタンスデバイスは、例えば、磁気浮上を用いて負荷を支持する磁気軸受として又は回転軸を浮上させる別の例として適用可能である。0041以下に、本発明の可変リラクタンスデバイス及びステージ装置について詳述する。0042図2aに本発明の第1の可変リラクタンスデバイス、例えば、可変リラクタンスアクチュエータの断面図を示す。デバイス100は、互いに変位可能で例えば、X方向にそこを磁束が通過できる磁気回路点線で示す130を形成する第1の磁気部材110ステータとも呼ばれると、第2の磁気部材120ムーバとも呼ばれるとを備える。そのような磁束を生成するために、デバイスは、例えば電源図示せずから電流を供給されるように配置されたコイル140図示の実施形態では、コイルは、第1のコイル140.1と、第2のコイル140.2とを含むを備える。この実施形態に示すように、コイル140.1及び140.2は、それぞれ第1の磁気部材の脚部110.1と110.2とに巻かれている。第1の磁気部材又は第2の磁気部材のその他の位置に上記複数又は単数のコイルを装着してもよい。磁気部材は、フェライト又は希土材料を含む焼結材料など透過率が比較的大きい鉄の材料を用いて製造できる。可変リラクタンスデバイスは、測定信号160を生成する測定コイル150をさらに備える。測定信号は、例えば、磁気回路内で生成される磁束によって測定コイル150内で誘導される電圧であってもよい。本発明によれば、測定コイル150は、磁気回路130を通過する磁束を実質的に取り囲むように配置されている。本発明者らによって、磁気回路を通過する磁束を表す測定信号によって追加の測定値を実質的に必要とせずに生成された力の正確な予測が可能になるように工夫がされ、これは、対照的にホールセンサなどを用いてアクチュエータのエアギャップ内の磁束密度などの局所的な測定値を得ることになった。本発明によれば、測定コイルから得られる測定信号160は、デバイスの制御ユニット180の入力端子170に提供される。制御ユニットは、測定信号例えば、誘導電圧から磁気回路を通過する磁束を表す信号を得るためのインテグレータ図示せずを備えていてもよい。制御ユニット180は、測定信号160に基づいて、制御ユニットの出力端子190で制御信号を生成し、それによって制御信号を印加してコイル140に提供された電流の振幅を制御するようにさらに構成される。したがって、例えば、制御ユニットを電源に提供して供給される電流を制御することができる。代替的に又は追加的に、制御ユニットによって誘導された制御信号を印加して別のデバイスの力を制御できるが、これについては以下に詳述する。さらに例示するように、例えば、磁気回路130を通過する磁束を実質的に取り囲むように配置されたコイルを、デバイス100の磁気部材110、120の1つの磁気部材の脚部に巻きつけることで、オブジェクト例えば、リソグラフィ装置内のオブジェクトテーブルに印加される力をより正確に制御し、オブジェクトのより正確な位置制御を可能にするために印加できる測定信号を制御ユニットに提供できる。0043本発明者らによって測定コイルの最適な形状と位置を得てデバイスの動作領域内の力の予測を向上させることができるように工夫がされている。0044一般に、リラクタンス型デバイスでは、図2aに示す力Fは、磁気部材110、120の相対位置に大きく依存する。力Fは以下のように表される。上式で,yはデバイスの両方の部材110、120、すなわち、ステータ110とムーバ120との間のギャップ200を表し、y0はオフセット値を表す。使用時に、ステータ110は一般に静止部分に装着され、ムーバは位置決め又は移動されるオブジェクト例えば、オブジェクトテーブルに装着されることに留意されたい。式1から、デバイスの剛性Cは1を微分することで得られる。この式は、生成された力Fの強い位置依存性を示す。0045通常、可変リラクタンスデバイスの剛性は、2106[N/m]の大きさである。0046正確な位置制御を行うためには、デバイスによる生成された力Fの正確な予測が必要である。0047したがって、ステータに対するムーバの位置及び向きが知られている場合、2に従って力の変動デバイスの剛性によるを計算し、コイル140に提供される電流を補正して力を所望のレベルに調整することができる。0048本発明者らによって、ステータとムーバとの相対位置の決定は煩雑であり、又は少なくとも生成された力F又は剛性Cを決定するには不正確であることが確認されている。以下の障害が識別できる。-リソグラフィ装置内に適用される時には、リラクタンスデバイスのステータはロングストロークポジショナ例えば、上記ポジショナPW又はPMの一部に接続され、その位置決め誤差は動的な性格を有し、加速時に10~100[μm]程度である。オブジェクトテーブルムーバが装着されるの位置測定と組み合わせたロングストロークポジショナの位置測定によって、ステータに対するムーバの位置を推定できる。しかし、上記位置測定値は、デバイスのムーバとステータとの間の機構の機械的な剛性に限度があるために精度に限界がある。-システムの加熱によって機構が変形し、ムーバとステータとの相対位置が変化することがある。-ムーバとステータとの相対位置の直接の測定も考えられるが、専用の位置測定システムが必要でありしたがって、コスト増となる、スペースに限度があるため実施不可能と思われる。0049したがって、デバイスのステータとムーバとの相対位置を測定することを要せずにリラクタンス型デバイスの正確な力の予測を得ることが特に必要である。0050コイルが磁気回路内で生成された磁束を実質的に取り囲むように測定コイルを適当に位置決めすることで、正確な力の予測が得られる。0051これを例示するために、図2bは、図2aに示すデバイスの磁束分布210を概略的に示す。図2bでは、Φ1は、デバイスの第1の磁気部材の脚部110.1の端部のエアギャップ220.1を横切る磁束を表し、一方、Φ2は、第1の磁気部材110の脚部110.2の端部のエアギャップ220.2を横切る磁束を表す。0052図2aを参照すると、各々の脚部110.1、110.2の周囲にそれぞれ磁束Φ1、Φ2を測定する測定コイル150が提供されている。一般に、Φ1はΦ2に等しいため、第1又は第2の磁気部材の一方の脚部に巻かれた単一の測定コイルだけで磁気回路を通過する磁束を決定するのに十分であることに留意されたい。0053磁束Φ1及びΦ2に基づいて、デバイスの力とトルクを以下の式に従って計算できる。上式で、φ1及びφ2は、図2bに示すように、それぞれリラクタンスデバイスの極又は脚部を通過する磁束に対応する。概略的に示すCコア型デバイスでは、Z軸周りのトルクTzは一般に寄生効果と考えられることに留意されたい。0054式3から明らかなように、磁束Φ1及びΦ2とパラメータf及びgが周知の場合、例えば、制御ユニットによって正確な力とトルクが計算でき、制御信号として位置コントローラ又は電源へフィードバックされる。こうして、所期の力のセットポイントからのいかなる偏差についても補正が可能である。極を通過する磁束は、例えば、1つ又は複数の測定コイルの両端の電圧を積分することで決定できる。0055一般に、式3のパラメータf及びgは、わずかとはいえ、ムーバ及びステータも相対位置に依存することに留意されたい。本発明者らによって式4のゲインf及びgの位置依存性が最小限になる測定コイルの一意的な形状と位置がデバイスの動作領域内に存在するように工夫がされている。最適な位置及び/又は形状に到達するためにシミュレーションを実行した。シミュレーションでは、位置と形状を変化させ、デバイスによって生成される力ムーバに対するステータの様々な位置で、したがって、デバイスの動作領域を画定してを、パラメータfを一定に保ちながら、式3を用いて計算した力と比較した。図3aで、生成された力と計算された力との間の最大偏差ΔFムーバに対するステータの様々な位置で、すなわち、デバイスの動作領域上で決定されたがグラフaでは測定コイルの様々な形状測定コイル150の幅Dの変動によって示すに対して示され、グラフbではデバイスの脚部110.1に対する測定コイルの様々な位置脚部110.1に対する測定コイル150の相対位置dの変動によって示すに対して示されている。グラフに示す力の偏差ΔFを最小限にする一意的な位置が存在することに留意されたい。これらの一意的な位置は、ステータ及びムーバの形状と、ムーバとステータとの間に発生するエアギャップとによって決定される。0056したがって、ある実施形態では、測定コイルの断面は磁束に対して実質的に垂直であるか、又は測定コイルの位置は、デバイスの実際の力測定又はシミュレーションの一方から得られるとデバイスの動作領域内の計算された力との間の偏差を最小限にするように選択される。計算された力Fcは、Fc=kφ2のように決定され、ここでkは定数であり、φは測定信号から誘導された磁束を表す。0057磁気部材又は磁束部材の脚部に対する測定コイルの位置に関して、驚くべきことに、測定コイルの最適位置は、少なくとも部分的に第1及び第2の磁気部材を分離するエアギャップの内部にあることが分かっている。図2aのデバイスの部材110.1及び120の拡大図とエアギャップ200.1内の最適位置の測定コイル150を示す図3aに概略的に示す。0058なお、測定コイルの最適位置及び形状を適用することで、磁束検知による正確な力のフィードバックを得ながら大幅な較正及び/又は追加の測定は不要になる。0059本発明の可変リラクタンスデバイスの磁気部材のレイアウトに関して、様々なオプションが存在することに留意されたい。図2a及び図2bに概略的に示す実施形態では、第1の磁気部材はいわゆるCコアを含む、すなわち、磁気部材は文字Cの形状を有する。なお、Eコアなどのその他の形状も適用可能で、それによって、例えば、Cコア又はEコアの1つ又は複数の脚部に1つ又は複数の測定コイルを提供できる。0060なお、本発明のリラクタンスデバイスの磁気回路、すなわち、第1の磁気部材又は第2の磁気部材は、磁気回路内にバイアス磁束を生成できる1つ又は複数の永久磁石を含んでいてもよい。そのようなバイアス磁束は、コイルに印加された電流がゼロに等しい時でも第1及び第2の磁気部材の間に磁束、したがって力を生成できる。そのようなバイアス力は、例えば、オブジェクトをZ方向、すなわち、鉛直方向に支持するデバイスが適用された場合に有利である。そのような構成では、支持するオブジェクトの重量に少なくとも部分的に打ち消すようにバイアス力を印加してもよい。本発明に従って、測定コイルによって測定信号が生成されて制御ユニットに提供される時には、制御ユニットは測定信号に基づいて制御信号を決定できる。さらに、コイルによる磁束測定を周知のホール素子と併用してもよい。そのような実施形態では、コイルによる磁束測定を用いて高周波磁束を測定し、ホール素子を用いて低周波磁束DCを測定できる。コイルとホール素子の両方から得た測定値に基づいて高帯域の力のフィードバックが達成できるため、これは有益である。0061ある実施形態では、制御信号を印加してデバイスに印加される電流を補正して本発明のリラクタンス型デバイスによってより正確な力Fを得ることができる。磁束を表す測定信号160を受けるように配置された制御ユニット180を含む可変リラクタンスデバイス100を概略的に示す図4aにそのような構成を概略的に示す。測定信号に基づいて、制御信号400が制御ユニットによって決定され、力のセットポイントFy,setpと比較され、デバイスに電流iを提供するように配置された電源500に供給される。したがって、所期の力のセットポイントからのいかなる偏差についても補正を実行できる。0062図4bに概略的に示すある実施形態では、制御ユニット180によって決定される制御信号400が提供されて別のデバイス600、例えば、ローレンツアクチュエータの力のセットポイントが制御又は調整される。そのような構成では、可変リラクタンスデバイスは、例えば、オブジェクトテーブル上に装着されたオブジェクトの位置を制御するために特定の方向に力又はトルクを提供する別のデバイスと協働することができる。可変リラクタンスデバイスと別のデバイスの組み合わせの力を用いて所望の力のセットポイントを得ることができる。この構成では、制御信号400が力のセットポイントFysetpと比較され、別のデバイス600に電流iを供給する電源510によって使用される。0063さらに別の実施形態では、低周波外乱をリラクタンスデバイスの制御ループにフィードバックし、高周波外乱を別のデバイスの制御ループに提供できる。低周波外乱比較的大きい場合があるは可変リラクタンスデバイスによって扱われるので、この戦略では別の1つ又は複数のデバイスによって生成される必要な力が制限される。図4bと異なり、低域通過フィルタ610と、高域通過フィルタ620とを備える図4cにこの実施形態を概略的に示す。この実施形態では、制御信号400が低域通過フィルタ610を通過して第1のフィルタリングされた制御信号400.1が得られ、高域通過フィルタ620を通過して第2のフィルタリングされた制御信号400.2が得られ、第1のフィルタリングされた制御信号が印加されて可変リラクタンスデバイス100の力が制御され、第2のフィルタリングされた制御信号が印加されて別のデバイス600、例えば、ローレンツアクチュエータの力が制御される。0064上記可変リラクタンスデバイスは、例えば、リソグラフィ装置内でパターニングデバイス又は基板などのオブジェクトを位置決めするステージ装置に適用できる。そのようなステージ装置では、可変リラクタンスデバイスは、例えば、オブジェクトテーブルの正確な位置決めのために適用できる。そのようなステージ装置では、リラクタンス型デバイスの磁気回路の磁束を実質的に取り囲む測定コイルから得た測定信号から決定される、所望の力のセットポイントと実際の力との正確な関連性を得るために図4a~図4cで説明する任意の戦略を適用できる。したがって、図4b及び図4cで説明する戦略を参照すると、ステージ装置は別のデバイス例えば、ローレンツアクチュエータを備えることができ、それによって、ローレンツアクチュエータによって生成される力は、可変リラクタンスデバイスの所望の力Fysetpと計算された実際の力との間の偏差に基づく。0065さらに別の実施形態では、測定コイルは、例えば、能動型磁気軸受AMB内に適用できる。軸周りにz方向に回転自在であってRzアクチュエータは図示せず、x及びy方向の軸AXの位置を能動的に制御する能動型磁気軸受AMBによって支持された軸AXを示す図5に、そのような実施形態の一例を示す。図5に示す例では、実際に軸AXをx、y、Rx及びRy方向に制御可能なこれら2つの能動型磁気軸受AMB1,AMB2が示されている。z及びRz方向のための軸受は図示していないが、軸AXを例えば任意の好適な受動又は能動型軸受によってz方向に支持することができる。0066図6は、図5の矢印Aで切った断面図を示す。図6は、電磁石アセンブリCL,CCを備えるロータRTRとステータSTTとの間の電磁懸垂の原理に基づく能動型磁気軸受AMBと、電磁石CCに電流を供給する一組の電力増幅器図示せずと、コントローラ図示せずと、ギャップGP内のロータRTRの位置を制御するのに必要なフィードバックを提供する関連付けられた電子回路を備えた本発明の測定コイルMCとを示す断面図を示す。測定コイルMCの動作原理は、他の実施形態で説明したものと同様であり、したがって、アクチュエータについて説明した測定コイルMCの一般動作原理も、能動型磁気軸受AMBを用いた用途で有効である。通常の実施形態では、電力増幅器は、ロータRTRの周囲に配置された電磁石に等しいバイス電流を供給する。図6に示す例では、3対の能動型磁気軸受AMBが示されているが、別の数、例えば、2つ、4つ又はそれ以上の数の能動型磁気軸受AMBも可能である。ロータRTRの位置は、ロータが中心位置からそれるとバイアス電流をオフセットするコントローラによって制御される。能動型磁気軸受は摩耗がなく、低摩擦であるため従来の軸受と比較して有利であり、能動型磁気軸受は質量分布の不規則性を自動的に収容できることが多く、能動型磁気軸受は質量中心周りに極めて低い振動で回転することができる。0067本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書でウェーハ又はダイという用語を使用している場合、それぞれ、基板又はターゲット部分という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール、メトロロジーツール及び/又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。0068光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組合せを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。0069本明細書で使用する放射及びビームという用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線UV放射例えば、365nm、248nm、193nm、157nm若しくは126nm、又はこれら辺りの波長を有する及び極端紫外線光EUV放射例えば、5nm~20nmの範囲の波長を有するを含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。0070レンズという用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。0071以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。0072上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。0073特許請求の範囲を解釈するには、発明の概要及び要約書の項目ではなく、発明を実施するための形態の項目を使用するよう意図されていることを認識されたい。発明の概要及び要約書の項目は、本発明者が想定するような本発明の1つ又は複数の例示的実施形態について述べることができるが、全部の例示的実施形態を述べることはできず、したがって本発明及び添付の特許請求の範囲をいかなる意味でも限定しないものとする。0074以上では、特定の機能の実施態様を例示する機能的構成要素及びその関係の助けにより、本発明について説明してきた。これらの機能的構成要素の境界は、本明細書では説明の便宜を図って任意に画定されている。特定の機能及びその関係が適切に実行される限り、代替的な境界を画定することができる。0075特定の実施形態に関する以上の説明は、本発明の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本発明の全体的概念から逸脱することなく、このような特定の実施形態を容易に修正する、及び/又はこれを様々な用途に適応させることができる。したがって、このような適応及び修正は、本明細書に提示された教示及び案内に基づき、開示された実施形態の同等物の意味及び範囲に入るものとする。本明細書の言葉遣い又は用語は説明のためのもので、限定するものではなく、したがって本明細書の用語又は言葉遣いは、当業者には教示及び案内の観点から解釈されるべきことを理解されたい。0076本発明の幅及び範囲は、上述した例示的実施形態のいずれによっても限定されず、特許請求の範囲及びその同等物によってのみ規定されるものである。"