"Crが20mol以下、Ptが5~30mol、SiO2が5~15mol、Snが0.05~0.60mol、残余がCoである組成のスパッタリングターゲットであって、金属素地A中に分散しているSiO2の粒子B中に、前記Snが含有されていることを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲット。前記SiO2以外に、さらにTiO2、Ti2O3、Cr2O3、Ta2O5,Ti5O9、B2O3、CoO、Co3O4から選択した一種以上の酸化物を5~15mol含有し、これらの酸化物が金属素地A中に分散しており、かつこれらの酸化物中に、Snが含有されていることを特徴とする請求項1記載の強磁性材スパッタリングターゲット。Ru、B、Taから選択した一種以上の元素を、0.5~10mol含有することを特徴とする請求項1~2のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲット。相対密度が97以上であることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲット。Crが20mol以下、Ptが5~30mol、SiO2が5~15mol、Snが0.05~0.60mol、残余がCoである組成となるように、SiO2粉とSnO2粉若しくはSn粉を、予め調合し混合した後、さらにこの混合粉に、上記組成となるように同様に調合したCo粉、Cr粉、Pt粉を混合し、これらの混合粉をホットプレスして、焼結金属素地A中SiO2の粒子Bを分散させると共に、該分散したSiO2の粒子B中に、前記Snが含有された組織の焼結体を得ることを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲットの製造方法。前記SiO2以外に、さらにTiO2、Ti2O3、Cr2O3、Ta2O5,Ti5O9、B2O3、CoO、Co3O4から選択した一種以上の酸化物を5~15mol添加し、これらの酸化物が焼結金属素地A中に分散させると共に、かつこれらの酸化物中に、Snが含有された組織の焼結体を得ることを特徴とする請求項5記載の強磁性材スパッタリングターゲットの製造方法。Ru、B、Taから選択した一種以上の元素を0.5~10mol添加し、焼結することを特徴とする請求項5~6のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲットの製造方法。一般に、Co-Cr-Pt-酸化物などの、非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットにおいては、含有するSiO2、Cr2O3、TiO2などの酸化物が絶縁体であるため異常放電の原因となっている。そして、この異常放電が原因でスパッタリング中のパーティクル発生が問題となる。本発明は上記問題を鑑みて、酸化物の異常放電を抑制し、異常放電が原因となるスパッタリング中のパーティクル発生を減少させることを課題とする。これまでは、酸化物の粒径を小さくすることで異常放電の確率を減らしてきたが、磁気記録媒体の記録密度向上に伴い、許容パーティクルレベルが厳しくなってきていることから、より改善された非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、ターゲットの組成及び組織構造を調整することにより、スパッタリング時の酸化物による異常放電が生じず、パーティクルの発生の少ないターゲットが得られることを見出した。このような知見に基づき、本発明は、1Crが20mol以下、Ptが5~30mol、SiO2が5~15mol、Snが0.05~0.60mol、残余がCoである組成のスパッタリングターゲットであって、金属素地A中に分散しているSiO2の粒子B中に、前記Snが含有されていることを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。また、本発明は、2前記SiO2以外に、さらにTiO2、Ti2O3、Cr2O3、Ta2O5,Ti5O9、B2O3、CoO、Co3O4から選択した一種以上の酸化物を5~15mol含有し、これらの酸化物が金属素地A中に分散しており、かつこれらの酸化物中に、Snが含有されていることを特徴とする上記1記載の強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。さらに、本発明は、3Ru、B、Taから選択した一種以上の元素を、0.5~10mol含有することを特徴とする上記1~2のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。4相対密度が97以上であることを特徴とする上記1~3のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲットを提供する。さらに、本発明は、5Crが20mol以下、Ptが5~30mol、SiO2が5~15mol、Snが0.05~0.60mol、残余がCoである組成となるように、SiO2粉とSnO2粉若しくはSn粉を、予め調合し混合した後、さらにこの混合粉に、上記組成となるように同様に調合したCo粉、Cr粉、Pt粉を混合し、これらの混合粉をホットプレスして、焼結金属素地A中にSiO2の粒子Bを分散させると共に、該分散したSiO2の粒子B中に、前記Snが含有された組織の焼結体を得ることを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。さらに、本発明は、6前記SiO2以外に、さらにTiO2、Ti2O3、Cr2O3、Ta2O5,Ti5O9、B2O3、CoO、Co3O4から選択した一種以上の酸化物を5~15mol添加し、これらの酸化物が焼結金属素地A中に分散させると共に、かつこれらの酸化物中に、Snが含有された組織の焼結体を得ることを特徴とする上記5記載の強磁性材スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。さらに、本発明は、7Ru、B、Taから選択した一種以上の元素を0.5~10mol添加し、焼結することを特徴とする上記5~6のいずれか一項に記載の強磁性材スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。このように調整した本発明の非磁性材粒子分散型の強磁性材スパッタリングターゲットは、スパッタリング時の酸化物による異常放電が生じず、パーティクルの発生の少ないターゲットが得られる。さらに、酸化物の異常放電を抑制し、異常放電が原因となるスパッタリング中のパーティクル発生を減少させ、歩留まり向上によるコスト改善効果を得ることができるという優れた効果を有する。本発明の強磁性材スパッタリングターゲットを構成する主要成分は、Crが20mol以下、Ptが5~30mol、SiO2が5~15mol、Snが0.05~0.60mol、残余がCoである組成の金属からなる。これらのCr量、Pt量、Co量は、それぞれ強磁性材スパッタリングターゲットとして、すなわち強磁性材薄膜の特性を保有させるための有効量である。なお、当然ながらCrは必須成分として添加するものであり、0molを除く。すなわち、少なくとも分析可能な下限値以上のCr量を含有させるものである。Cr量が20mol以下であれば、微量添加する場合においても効果がある。本願発明は、これらを包含する。上記は、磁気記録媒体として必要とされる成分であり、配合割合は上記範囲内で様々に調整できるが、いずれも有効な磁気記録媒体としての特性を維持することができる。上記においては、強磁性材スパッタリングターゲットは、SiO2粉とSnO2粉若しくはSn粉を、上記の組成となるように、予め調合し混合した後、さらにこの混合粉に、上記組成となるように同様に調合したCo粉、Cr粉、Pt粉を混合し、これらの混合粉をホットプレスして作製することができる。本発明において、重要なことは焼結金属素地A中にSiO2の粒子Bを分散させると共に、該分散したSiO2の粒子B中に、前記Snが含有された組織の焼結体を得ることである。一般に、Co-Cr-Pt系の強磁性体に、SiO2を添加した場合には、焼結体スパッタリングターゲットの中でSiO2が粒子として存在するが、SiO2が絶縁体であるため、単独で存在する場合には、アーキング異常放電を誘発する原因となる。このため、本願発明においては、SiO2に電気伝導性を有するSnを導入して、電気抵抗を下げ、酸化物による異常放電を抑制するものである。SiO2の量5mol以上15mol以下とするのは、良好な磁気特性を示す一般的な範囲であるからである。Snの添加は、単独であっても良いし、複合添加であっても効果を有する。なお、単独添加は、SnO2粉又はSn粉としての添加、複合添加はSiO2粉とSnO2粉又はSiO2粉とSn粉の混合粉としての添加を意味する。その有効添加量は、0.05~0.60molの範囲である。下限値未満であると、SiO2に導電性を付与する効果がなく、また上限値を超えると、スパッタ膜の磁気特性に影響を与え、所望の特性を得られなくなる虞がある。前記SiO2以外に、さらにTiO2、Ti2O3、Cr2O3、Ta2O5,Ti5O9、B2O3、CoO、Co3O4から選択した一種以上の酸化物を5~15mol含有させることができる。これらの酸化物が金属素地A中に分散しており、かつこれらの酸化物中に、前記SiO2と同様に、Snを含有させることもできる。これらの酸化物は、必要とされる強磁性膜の種類に応じて、任意に選択し添加することができる。前記添加量は、添加の効果を発揮させるための有効量である。さらに、本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、Ru、B、Taから選択した一種以上の元素を、0.5~10molを添加することができる。これらは磁気記録媒体としての特性を向上させるために、必要に応じて添加される元素である。前記添加量は、添加の効果を発揮させるための有効量である。本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、相対密度を97以上とすることが望ましい。一般に、高密度のターゲットほどスパッタ時に発生するパーティクルの量を低減させることができることが知られている。本発明においても同様、高密度とするのが好ましい。本願発明では、相対密度97以上を達成することができる。本発明において相対密度とは、ターゲットの実測密度を計算密度理論密度ともいうで割り返して求めた値である。計算密度とはターゲットの構成成分が互いに拡散あるいは反応せずに混在していると仮定したときの密度で、次式で計算される。式:計算密度=シグマΣ構成成分の分子量×構成成分のモル比/Σ構成成分の分子量×構成成分のモル比/構成成分の文献値密度ここでΣは、ターゲットの構成成分の全てについて、和をとることを意味する。このように調整したターゲットは、スパッタリング時の酸化物によるアーキング異常放電が発生せず、パーティクルの発生の少ないターゲットが得られる。さらに、上記の通り、Snの添加によりSiO2の粒子に導電性を付与し、異常放電の発生を防止することが可能となり、歩留まり低下の原因となるパーティクルの発生量を低減させることができるという効果がある。本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製することができる。この場合、まず各金属元素の粉末と、さらに必要に応じて添加金属元素の粉末を用意する。これらの粉末は最大粒径が20μm以下のものを用いることが望ましい。また、各金属元素の粉末の代わりにこれら金属の合金粉末を用意してもよいが、その場合も最大粒径が20μm以下とすることが望ましい。一方、小さ過ぎると、酸化が促進されて成分組成が範囲内に入らないなどの問題があるため、0.1μm以上とすることがさらに望ましい。そして、これらの金属粉末及び合金粉末を所望の組成になるように秤量し、ボールミル等の公知の手法を用いて粉砕を兼ねて混合する。SiO2以外の酸化物粉末を添加する場合は、この段階で金属粉末及び合金粉末と混合すればよい。SiO2以外の酸化物粉末は最大粒径が5μm以下のものを用いることが望ましい。一方、小さ過ぎると凝集しやすくなるため、0.1μm以上のものを用いることがさらに望ましい。また、ミキサーとしては、遊星運動型ミキサーあるいは遊星運動型攪拌混合機であることが好ましい。さらに、混合中の酸化の問題を考慮すると、不活性ガス雰囲気中あるいは真空中で混合することが好ましい。さらに、Crが20mol以下、Ptが5~30mol、SiO2が5~15mol、Snが0.05~0.60mol、残余がCoである組成となるように、SiO2粉とSnO2粉若しくはSn粉を、予め調合し混合した後、さらにこの混合粉に、上記組成となるように同様に調合したCo粉、Cr粉、Pt粉を混合する方法が有効である。このようにして得られた粉末を、真空ホットプレス装置を用いて成型焼結し、所望の形状へ切削加工することで、本発明の強磁性材スパッタリングターゲットを作製することができる。添加したSn若しくはSnO2は、焼結体ターゲット中では、優先的に金属素地相に分散したSiO2粒に含有され、SiO2粒の電気抵抗を低下させるようになる。添加後の電気抵抗は、5.5×1016Ωcm以下にすることができる。Sn若しくはSnO2を添加しない場合の電気抵抗は5.5×1016Ωcmを超え、絶縁物質として作用するため、異常放電を引き起こす原因となっていたが、本願発明はこの現象を無くすことが可能となり、アーキング異常放電の発生は著しく減少した。前記、成型焼結は、ホットプレスに限らず、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。焼結時の保持温度はターゲットが十分緻密化する温度域のうち最も低い温度に設定するのが好ましい。ターゲットの組成にもよるが、多くの場合、900~1200°Cの温度範囲にある。上記においては、Co-Cr-Pt系の強磁性体について説明したが、Co-Pt系の強磁性体についても、同様な成分組成と製造方法により、同等の効果を得ることができる。以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。実施例1実施例1では、原料粉末として、あらかじめ、平均粒径1μmのSiO2粉末と平均粒径1μmのSnO2粉末を、SiO2粉末95wt、SnO2粉末5wtとなるように秤量し、ボールミルにて1時間混合し、SiO2-SnO2混合粉末を用意した。この混合粉末と、平均粒径3μmのCo粉末、平均粒径5μmのCr粉末、平均粒径3μmのPt粉末とを、ターゲットの組成が78Co-12Cr-5Pt-5SiO2-0.1SnO2molとなるように、Co粉末70.56wt、Cr粉末9.59wt、Pt粉末14.99wt、SiO2-SnO2混合粉末4.86wtの重量比率で秤量した。次に、Co粉末とCr粉末とPt粉末とSiO2-SnO2混合粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で切削加工して直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は2.8個であった。又、相対密度は98.5となり、97を超える高密度なターゲットが得られた。また、混合粉の電気抵抗を測定するために、平均粒径1μmのSiO2粉末95wtと平均粒径1μmのSnO2粉末5wtを、容量10リットルのボールミルポットに封入し、1時間回転させて混合した。この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°C、保持時間3時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして焼結体を得、この場合の電気抵抗を測定したところ、4.0×1016Ωcmであった。比較例1比較例1では、原料粉末として、平均粒径3μmのCo粉、平均粒径5μmのCr粉、平均粒径1μmのPt粉末、平均粒径1μmのSiO2粉を用意した。これらの粉末をターゲット組成が78Co-12Cr-5Pt-5SiO2molとなるように、Co粉末70.76wt、Cr粉末9.60wt、Pt15.01wt、SiO2粉末4.62wtの重量比率で秤量した。そして、これらの粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量10リットルのボールミルポットに封入し、20時間回転させて混合した。次に、この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度1100°C、保持時間2時間、加圧力30MPaの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で直径が180mm、厚さが7mmの円盤状のターゲットへ加工した。このターゲットを用いてスパッタリングした結果、定常状態時のパーティクル発生数は6.7個と増加した。なお、相対密度は98.0となり、97を超える高密度なターゲットが得られた。なお、上記実施例においては、SiO2の添加の例を示したが、さらにTiO2、Ti2O3、Cr2O3、Ta2O5,Ti5O9、B2O3、CoO、Co3O4から選択した一種以上の酸化物を添加した場合でも、SiO2を添加した場合と同等の効果を得ることができ、また、Ru、B、Taから選択した一種以上の元素を、0.5~10mol含有する場合には、磁気記録媒体としての特性を、さらに向上させることができることを確認している。"