"複数の画素を含む表示領域81と、平面的に見て前記表示領域の外側に配置された端子領域83と、前記表示領域と前記端子領域との間に介在する中間領域82とを有し、前記画素を駆動するための駆動素子を有する表示パネルであって、前記駆動素子は、ゲート電極21と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜2と、前記ゲート絶縁層を部分的に覆うソース電極22とを備え、前記端子領域には、前記ゲート電極と同層であるゲートメタル層によって形成された複数のゲート端子13と前記ソース電極と同層であるソースメタル層によって形成された複数のソース端子14とが平面的に見て交互に配列されており、前記複数のソース端子の各々からは、前記ソースメタル層によって形成されたソース端子引出線16が前記中間領域に向けて延在し、前記中間領域および前記端子領域には、前記ソース端子引出線を覆うように無機絶縁膜5が設けられており、前記中間領域には、前記無機絶縁膜を覆うように有機絶縁膜6が設けられており、前記端子領域における前記無機絶縁膜の厚みは、前記中間領域における前記無機絶縁膜の厚みより小さくなっており、前記無機絶縁膜は、前記端子領域において前記ソース端子の表面の少なくとも一部を露出させる開口部を有する、表示パネル。複数の画素を含む表示領域81と、平面的に見て前記表示領域の外側に配置された端子領域83と、前記表示領域と前記端子領域との間に介在する中間領域82とを有し、前記画素を駆動するための駆動素子を有する表示パネルであって、前記駆動素子は、ゲート電極21と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜2と、前記ゲート絶縁層を部分的に覆うソース電極22とを備え、前記端子領域には、前記ゲート電極と同層であるゲートメタル層によって形成された複数のゲート端子13と前記ソース電極と同層であるソースメタル層によって形成された複数のソース端子14とが平面的に見て交互に配列されており、前記複数のソース端子の各々からは、前記ソースメタル層によって形成されたソース端子引出線16が前記中間領域に向けて延在し、前記中間領域には、前記ソース端子引出線を覆うように形成された無機絶縁膜5と、前記無機絶縁膜を覆うように形成された有機絶縁膜6とが設けられており、前記中間領域は、前記有機絶縁膜が第1の厚みを有する中間第1領域82aと、前記中間第1領域と前記端子領域との間に配置され、前記有機絶縁膜が前記第1の厚みより薄い第2の厚みを有する中間第2領域82bとを含み、前記無機絶縁膜は、前記ソース端子の表面の少なくとも一部を露出させるように前記中間第2領域と前記端子領域との境界で途切れている、表示パネル。複数の画素を含む表示領域81と、前記表示領域の外側に配置された端子領域83と、前記表示領域と前記端子領域との間に介在する中間領域82とを有し、前記画素を駆動するための駆動素子を有する表示パネルの製造方法であって、前記基板の表面にゲートメタル層41を成膜する工程と、前記ゲートメタル層をパターニングして複数のゲート電極、前記複数のゲート電極からそれぞれ延在するゲート端子引出線15、および前記ゲート端子引出線の端にそれぞれ接続された複数のゲート端子13を形成する工程と、前記複数のゲート電極および前記ゲート端子引出線を覆うようにゲート絶縁膜2を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜を覆うようにソースメタル層42を成膜する工程と、前記ソースメタル層をパターニングして、前記複数のゲート端子と交互に配列される複数のソース端子14および前記複数のソース端子の各々から延在するソース端子引出線16を形成する工程と、前記複数のソース端子および前記ソース端子引出線を覆うように無機絶縁膜5を成膜する工程と、前記無機絶縁膜を覆うように有機絶縁膜6を成膜する工程と、光を透過させない遮光部51と光をそのまま透過させる開口部52と前記遮光部および前記開口部にともに隣接して光を前記開口部より低い透過率で透過させるハーフトーン部53とを有するマスク50を用いて前記有機絶縁膜を露光する工程と、前記有機絶縁膜を現像することによって、前記有機絶縁膜が厚い領域である中間領域82と前記有機絶縁膜が薄く残る部分および前記有機絶縁膜がない部分を含む端子領域83とを形成する工程と、前記有機絶縁膜をマスクとして前記無機絶縁膜をエッチングすることによって、前記有機絶縁膜がない部分においては前記複数のソース端子を露出させ、かつ、前記端子領域のうち前記有機絶縁膜が薄く残る部分では前記有機絶縁膜がなくなって前記無機絶縁膜の厚みが前記有機絶縁膜に覆われた領域における前記無機絶縁膜の厚みに比べて薄くなるようにする工程とを含む、表示パネルの製造方法。複数の画素を含む表示領域81と、前記表示領域の外側に配置された端子領域83と、前記表示領域と前記端子領域との間に介在する中間領域82とを有し、前記画素を駆動するための駆動素子を有する表示パネルの製造方法であって、前記基板の表面にゲートメタル層41を成膜する工程と、前記ゲートメタル層をパターニングして複数のゲート電極、前記複数のゲート電極からそれぞれ延在するゲート端子引出線15、および前記ゲート端子引出線の端にそれぞれ接続された複数のゲート端子13を形成する工程と、前記複数のゲート電極および前記ゲート端子引出線を覆うようにゲート絶縁膜2を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜を覆うようにソースメタル層42を成膜する工程と、前記ソースメタル層をパターニングして、前記複数のゲート端子と交互に配列される複数のソース端子14および前記複数のソース端子の各々から延在するソース端子引出線16を形成する工程と、前記複数のソース端子および前記ソース端子引出線を覆うように無機絶縁膜5を成膜する工程と、前記無機絶縁膜を覆うように有機絶縁膜6を成膜する工程と、光を透過させない遮光部51と光をそのまま透過させる開口部52と前記遮光部および前記開口部にともに隣接して光を前記開口部より低い透過率で透過させるハーフトーン部53とを有するマスク50を用いて前記有機絶縁膜を露光する工程と、前記有機絶縁膜を現像することによって、前記有機絶縁膜が厚い領域である中間第1領域82aと前記有機絶縁膜が薄く残る中間第2領域82bと前記有機絶縁膜がない部分である端子領域83とを形成する工程と、前記有機絶縁膜をマスクとして前記無機絶縁膜をエッチングすることによって、前記端子領域においては前記複数のソース端子を露出させ、かつ、前記中間第2領域では前記有機絶縁膜がさらに薄くなって残るようにする工程とを含む、表示パネルの製造方法。前記遮光部は遮光性材料からなる膜であり、前記ハーフトーン部は、前記遮光部に比べて前記膜の膜厚を薄くしたものである、請求項3または4に記載の表示パネルの製造方法。前記遮光部は遮光性材料からなる膜であり、前記ハーフトーン部は、前記膜に複数のスリットを設けたものである、請求項3または4に記載の表示パネルの製造方法。前記遮光部は遮光性材料からなる膜であり、前記ハーフトーン部は、前記膜の縁をジグザグ形状にしたものである、請求項3または4に記載の表示パネルの製造方法。端子領域における端子としては、ゲートメタル層を利用したゲート端子と、ソースメタル層を利用したソース端子とがありうる。通常は、特許文献1に示されるように、表示領域の外側の2辺を用い、複数のゲート端子と複数のソース端子とはそれぞれ別々の辺に分けて配列されている。しかし、表示領域の1つの辺に沿って複数のゲート端子と複数のソース端子との両方を配列する場合もある。以下、表示パネルの構造中の上下関係に言及する際には、基板のある側を下とし、上へ順に積層していくものと仮定する。ゲートメタル層はゲート絶縁膜より下側にあり、ソースメタル層はゲート絶縁膜より上側にある。ゲート端子およびゲート端子引出線に関しては、ゲート端子の表面のうち真に電気的接続に用いられる部分以外はゲート絶縁膜に覆われた状態としておけるので、後工程における各種処理時には、ゲート端子の一部およびゲート端子引出配線はゲート絶縁膜によって保護されている。これに対して、ソース端子およびソース端子引出線に関しては、ゲート絶縁膜より上側にあるので、ゲート絶縁膜で覆って保護するわけにはいかず、露出しがちとなる。そのため、後工程における各種処理時には、ソース端子およびソース端子引出線は傷がついたり腐食したり断線したりする可能性がある。特にソース端子引出線は通常3~5μm程度の幅であって細いので断線するおそれがある。そこで、本発明は、表示パネルの外部接続端子をゲートメタル層とソースメタル層との組合せ配置によって1つの辺に沿って形成する構造において、ソース端子引出線を保護することができる構造およびその製造方法を提供することを目的とする。なお、ここで各用語の意味を整理する。表示領域において縦横に多数平行に延在している配線については、TFT素子のゲート電極と電気的に接続されたものをゲート配線、TFT素子のソース電極と電気的に接続されたものをソース配線と呼ぶ。端子領域においてはゲート配線、ソース配線のいずれかとそれぞれ何らかの電気的接続をするために多数の端子が形成されている。ゲートメタルを利用した端子をゲート端子と呼び、ゲート端子を引き出すためにゲートメタルによって形成された配線をゲート端子引出線と呼ぶ。ソースメタルを利用した端子をソース端子と呼び、ソース端子を引き出すためにソースメタルによって形成された配線をソース端子引出線と呼ぶ。必ずしもゲート配線の続きとしてゲート端子が形成され、ソース配線の続きとしてソース端子が形成されるわけではない。たとえば、ソース配線に対して、ゲートメタルを利用した端子、すなわち、ゲート端子が接続される場合もある。この場合、当該ソース配線と当該ゲート端子との間での電気的接続を実現する構造が設けられる。上記目的を達成するため、本発明に基づく表示パネルは、複数の画素を含む表示領域と、平面的に見て上記表示領域の外側に配置された端子領域と、上記表示領域と上記端子領域との間に介在する中間領域とを有し、上記画素を駆動するための駆動素子を有する表示パネルであって、上記駆動素子は、ゲート電極と、上記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁層を部分的に覆うソース電極とを備え、上記端子領域には、上記ゲート電極と同層であるゲートメタル層によって形成された複数のゲート端子と上記ソース電極と同層であるソースメタル層によって形成された複数のソース端子とが平面的に見て交互に配列されており、上記複数のソース端子の各々からは、上記ソースメタル層によって形成されたソース端子引出線が上記中間領域に向けて延在し、上記中間領域および上記端子領域には、上記ソース端子引出線を覆うように無機絶縁膜が設けられており、上記中間領域には、上記無機絶縁膜を覆うように有機絶縁膜が設けられており、上記端子領域における上記無機絶縁膜の厚みは、上記中間領域における上記無機絶縁膜の厚みより小さくなっており、上記無機絶縁膜は、上記端子領域において上記ソース端子の表面の少なくとも一部を露出させる開口部を有する。本発明によれば、端子領域においてソース端子引出線は無機絶縁膜に覆われた構造となっているので、表示パネルの外部接続端子をゲートメタル層とソースメタル層との組合せ配置によって1つの辺に沿って形成する構造において、ソース端子引出線を保護することができる。実施の形態1図1~図5を参照して、本発明に基づく実施の形態1における表示パネルについて説明する。まず、本実施の形態における表示パネルの全体を図1に示す。この表示パネルは液晶表示パネル101である。液晶表示パネル101は、ガラス基板を用いて作成されたものであり、平面的に見て中央やや上部に縦長の表示領域81を有し、下辺の近傍にドライバ200を備える。表示領域81には画像を表示するための複数の画素が含まれる。表示領域81には、図2に示すように、各画素を駆動するための駆動素子としてのTFT素子20が配置されている。各TFT素子20はゲート電極21とソース電極22とドレイン電極23とを備える。図2におけるIII-III線に関する矢視断面図を図3に示す。TFT素子20は、いわゆるボトムゲート型である。TFT素子20においては、基板1の上面にゲート電極21が配置され、ゲート電極21をゲート絶縁膜2が覆っており、ゲート絶縁膜2の上面を部分的に覆うようにソース電極22とドレイン電極23とが配置されている。ドレイン電極23は画素電極に電気的に接続されている。ゲート絶縁膜2はたとえばSiNxまたはSiOxで形成されていてよい。なお、ゲート電極21と同材料で同時に形成された層をゲートメタル層といい、ソース電極22と同材料で同時に形成された層をソースメタル層というものとする。図1においては、ドライバ200から表示領域81の左右の各辺に向けて多数の走査信号線すなわちゲート配線群300が延在している。ドライバ200から表示領域81の下辺に向けて多数のデータ信号線すなわちソース配線群400が延在している。図1においては、ゲート配線群300およびソース配線群400は何もない余白の領域を指しているように見えるが、この領域においてはきわめて細い多数の配線が縞模様をなすように配列されており、そのピッチが小さすぎるために図示されずに余白のように見えているに過ぎない。ゲート配線群300に含まれる個々の配線は、表示領域81に含まれる各TFT素子20のゲート電極21に電気信号を送るためのものであり、ソース配線群400に含まれる個々の配線は、各TFT素子20のソース電極22に電気信号を送るためのものである。TFT素子20を覆うように無機絶縁膜5が設けられており、無機絶縁膜5をさらに覆うように有機絶縁膜6が設けられている。無機絶縁膜5に比べて有機絶縁膜6は厚くなっている。無機絶縁膜5はたとえばSiNxまたはSiOxで形成されていてよい。無機絶縁膜5の厚みは0.1~0.6μm程度であってよい。有機絶縁膜6はたとえば感光性のアクリル樹脂で形成されていてよい。有機絶縁膜6の厚みは1~4μm程度であってよい。図1におけるZ1部を拡大したところを図4に示す。図1ではドライバ200が重なっているが、図4ではドライバ200を取り去った状態を示している。図4では、表示領域81の各辺から延在する配線とドライバ200との電気的接続を行なうための端子の列が見えている。図4に示されているのは、中間領域82と端子領域83との境界近傍である。端子領域83に、ゲート端子13とソース端子14が配置されている。ゲート端子13およびソース端子14はいずれも長手方向と幅方向とを有する。ゲート端子13およびソース端子14は短冊形状であってもよく、長円形状であってもよい。ゲート端子13およびソース端子14は、図4に示すように短冊形状の四隅を面取りした八角形であってもよい。ゲート端子13およびソース端子14はそれぞれゲート端子引出線15およびソース端子引出線16より幅が広くなっている。ゲート端子13のみ、ソース端子14のみに注目すれば、それぞれ、中間領域82の端から一定の距離の位置において互いに平行に配置されている。ゲート端子13は中間領域82から遠い側に配置され、ソース端子14は中間領域82から近い側に配置されている。ゲート端子引出線15およびソース端子引出線16は、いずれも中間領域82から端子領域83に進入するように延在している。ゲート端子引出線15とソース端子引出線16とは互いに平行に配置されている。本実施の形態においては、ある1本のゲート配線に対して、ゲート端子引出線およびゲート端子が電気的に接続されており、前記ある1本のゲート配線に隣接するゲート配線に対しては、ソース端子引出線およびソース端子が電気的に接続されている。さらに、ある1本のソース配線に対して、ソース端子引出線およびソース端子が電気的に接続されており、前記ある1本のソース配線に隣接するソース配線に対しては、ゲート端子引出線およびゲート端子が電気的に接続されている。図4におけるV-V線に関する矢視断面図を図5に示す。ソースメタル層の一部がソース端子14となっている。ソース端子14の下側にはアイランド状のゲートメタル層41tが配置されている。すなわち、ソース端子14とゲートメタル層41tとは重なり合っている。ただし、ソース端子14とゲートメタル層41tとはゲート絶縁膜2によって電気的に隔離されている。ゲート絶縁膜2はゲートメタル層41tを覆うように形成されている。ソースメタル層は無機絶縁膜5に覆われている。無機絶縁膜5が開口している部分がソース端子14である。ソース端子14においては、ソースメタル層は、直接露出するのではなく、ITO膜4によって覆われている。本実施の形態では、ソース端子14の下側に配置されたゲートメタル層41tは、基板1の表面からの、ゲート端子13の高さとソース端子14の高さとを合わせるために配置されているものである。ゲートメタル層41tがこのように配置されることによって、ソース端子14の高さが増し、ゲート端子13の高さと近くなる。このようにすることで、ドライバ200を実装する際の接続信頼性の向上を図っている。ただし、端子部の膜構成、膜厚によってはこのような目的のゲートメタル層41tは配置しなくてもよい。図5に示すように、中間領域82においては、無機絶縁膜5の上側は有機絶縁膜6によって覆われている。無機絶縁膜5の厚みは、有機絶縁膜6に覆われている部分に比べて、有機絶縁膜6に覆われていない部分では薄くなっている。本実施の形態における表示パネル101は、複数の画素を含む表示領域81と、平面的に見て表示領域81の外側に配置された端子領域83と、表示領域81と端子領域83との間に介在する中間領域82とを有し、前記画素を駆動するための駆動素子としてのTFT素子20を有する表示パネルである。前記駆動素子は、ゲート電極21と、ゲート電極21を覆うゲート絶縁膜2と、ゲート絶縁層2を部分的に覆うソース電極22とを備える。端子領域83には、ゲート電極21と同層であるゲートメタル層によって形成された複数のゲート端子13とソース電極22と同層であるソースメタル層によって形成された複数のソース端子14とが平面的に見て交互に配列されている。複数のソース端子14の各々からは、前記ソースメタル層によって形成されたソース端子引出線16が中間領域82に向けて延在する。中間領域82および端子領域83には、ソース端子引出線16を覆うように無機絶縁膜5が設けられている。中間領域82には、無機絶縁膜5を覆うように有機絶縁膜6が設けられている。端子領域83における無機絶縁膜5の厚みは、中間領域82における無機絶縁膜5の厚みより小さくなっている。無機絶縁膜5は、端子領域83においてソース端子14の表面の少なくとも一部を露出させる開口部を有する。本実施の形態における表示パネルでは、図5に示すように、端子領域83においてソース端子引出線16は薄い無機絶縁膜5に覆われた構造となっているので、表示パネルの外部接続端子をゲートメタル層とソースメタル層との組合せ配置によって1つの辺に沿って形成する構造において、ソース端子引出線を保護することができる。実施の形態2図6~図9を参照して、本発明に基づく実施の形態2における表示パネルについて説明する。まず、本実施の形態における表示パネルの全体を図6に示す。この表示パネルは液晶表示パネル102である。図6におけるZ2部を拡大したところを図7に示す。図7におけるVIII-VIII線に関する矢視断面図を図8に示す。図8では基板1の上にゲート端子引出線15の断面と、ソース端子14の断面とが見えている。ゲート端子引出線15はゲートメタル層によって形成されている。ゲート端子引出線15においてはゲート絶縁膜2の上側を半導体層3が覆っている。ソース端子14の上側は透明導電膜としてのITO膜4によって覆われている。ITO膜4はゲート絶縁膜2の側面をも覆い、基板1の表面に達している。図7におけるIX-IX線に関する矢視断面図を図9に示す。液晶表示パネル102が備える駆動素子の拡大断面図は図3に示したものと同じであるので、駆動素子およびその各部に関する符号は図3に示したものを使用する。本実施の形態における表示パネル102は、複数の画素を含む表示領域81と、平面的に見て表示領域81の外側に配置された端子領域83と、表示領域81と端子領域83との間に介在する中間領域82とを有し、前記画素を駆動するための駆動素子としてのTFT素子20を有する表示パネルである。前記駆動素子は、ゲート電極21と、ゲート電極21を覆うゲート絶縁膜2と、ゲート絶縁層2を部分的に覆うソース電極22とを備える。端子領域83には、ゲート電極21と同層であるゲートメタル層によって形成された複数のゲート端子13とソース電極22と同層であるソースメタル層によって形成された複数のソース端子14とが平面的に見て交互に配列されている。複数のソース端子14の各々からは、前記ソースメタル層によって形成されたソース端子引出線16が前記中間領域82に向けて延在する。中間領域82には、ソース端子引出線16を覆うように形成された無機絶縁膜5と、無機絶縁膜5を覆うように形成された有機絶縁膜6とが設けられている。中間領域82は、有機絶縁膜6が第1の厚みを有する中間第1領域82aと、中間第1領域82aと端子領域83との間に配置され、有機絶縁膜6が前記第1の厚みより薄い第2の厚みを有する中間第2領域82bとを含む。無機絶縁膜5は、ソース端子14の表面の少なくとも一部を露出させるように中間第2領域82bと端子領域83との境界で途切れている。本実施の形態では、ゲートメタル層は単層であるものとするが、ゲートメタル層は単層に限らない。ゲートメタル層は、AlまたはAl合金の単層であってもよいが、その他に、TiN/Al/Ti、Ti/Al、Cu/Tiなどのような積層体であってもよい。図9に示した例では、ソースメタル層はTi層16aとAl層16bとの2層構造となっているが、ソースメタル層の構造はこれに限らない。ソースメタル層の構造の他の例としては、Al合金/Mo、Mo/Al/Mo、Cu/Tiなどであってもよい。図9に示した例では、ソース端子14においては、ソースメタル層のうちAl層16bがなくなってTi層16aのみが延在している。中間第2領域82bと端子領域83との境目においては、Al層16bがエッチングによって後退しており、無機絶縁膜5がオーバーハングした構造となっている。図9に示した例では、端子領域83においてソース端子14を覆っているITO膜4は、中間第2領域82bと中間第1領域82aとの境目まで乗り上がるように延在している。ITO膜4は、中間第2領域82bの途中のいずれかの位置まで延在しているだけでもよく、中間第1領域82aの途中のいずれかの位置まで進入して延在していてもよい。本実施の形態では、図9に示したように、ソース端子14の下にゲートメタル層が配置されていない構造を前提に説明したが、実施の形態1と同様に、端子の膜構成、膜厚によっては、端子同士の高さを合わせるためにソース端子14の下にゲートメタル層を配置してもよい。本実施の形態における表示パネルでは、端子領域83に近いところまでソース端子引出線16が無機絶縁膜5および有機絶縁膜6に覆われた構造となっているので、表示パネルの外部接続端子をゲートメタルとソースメタルとの組合せ配置によって1つの辺に沿って形成する構造において、ソース端子引出線を保護することができる。しかも、中間第2領域82bにおいては有機絶縁膜6が薄くなっているので、図10に示すようにACF粒子19を用いてソース端子14とバンプ17との間の接続を行なうために矢印91の向きの加圧を行なった際に、図11に示すように、余分なACF粒子19が円滑に中間領域82の方へ逃げることができ、端子領域83と中間領域82との境目の段差31におけるACF粒子19の凝集を避けることができる。なお、段差31にACF粒子が凝集した場合の一例の平面図を図12に示す。ACF粒子の径はたとえば3~5μm程度であり、端子間隔数μm~数十μm程度と比較して十分な大きさを有している。このような凝集は隣接端子同士のリークの原因となるため、好ましくない。段差31の近傍を平面的に見たところを図13に示す。各端子にITO膜4を形成する際には一旦ITO膜を全面に形成してからその上にレジスト膜パターンを形成し、このレジスト膜パターンを用いてITO膜4をパターニングする作業が行なわれる。たとえば部位32は端子同士の間隙であるので、ITO膜は除去されるべきである。しかし、段差31における高低差が大きいと、段差31のうちレジスト膜を除去すべき部位32におけるレジスト膜の厚みが厚くなる。そのため、部位32にレジスト膜が残存してしまって十分にITO膜が除去されず、その結果、互いに隣接する配線161,162間で短絡が生じるおそれがある。しかし、本実施の形態における表示パネルでは、中間第2領域82bにおいては有機絶縁膜6が薄くなっているので、段差31における高低差を小さく抑えることができ、その結果、ITO膜の残存による短絡不良の発生率を低減することができる。実施の形態3図14~図25を参照して、本発明に基づく実施の形態3における表示パネルの製造方法について説明する。本実施の形態における表示パネルの製造方法は、実施の形態1で説明した表示パネルを得るために好適な製造方法である。本実施の形態における表示パネルの製造方法のフローチャートを図14に示す。本実施の形態における表示パネルの製造方法は、複数の画素を含む表示領域と、前記表示領域の外側に配置された端子領域と、前記表示領域と前記端子領域との間に介在する中間領域とを有し、前記画素を駆動するための駆動素子を有する表示パネルの製造方法であって、前記基板の表面にゲートメタル層を成膜する工程S1と、前記ゲートメタル層をパターニングして複数のゲート電極、前記複数のゲート電極からそれぞれ延在するゲート端子引出線、および前記ゲート端子引出線の端にそれぞれ接続された複数のゲート端子を形成する工程S2と、前記複数のゲート電極および前記ゲート端子引出線を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程S3と、前記ゲート絶縁膜を覆うようにソースメタル層を成膜する工程S5と、前記ソースメタル層をパターニングして、前記複数のゲート端子と交互に配列される複数のソース端子および前記複数のソース端子の各々から延在するソース端子引出線を形成する工程S6と、前記複数のソース端子および前記ソース端子引出線を覆うように無機絶縁膜を成膜する工程S7と、前記無機絶縁膜を覆うように有機絶縁膜を成膜する工程S8と、光を透過させない遮光部と光をそのまま透過させる開口部と前記遮光部および前記開口部にともに隣接して光を前記開口部より低い透過率で透過させるハーフトーン部とを有するマスクを用いて前記有機絶縁膜を露光する工程S9と、前記有機絶縁膜を現像することによって、前記有機絶縁膜が厚い領域である中間領域と前記有機絶縁膜が薄く残る部分および前記有機絶縁膜がない部分を含む端子領域とを形成する工程S10と、前記有機絶縁膜をマスクとして前記無機絶縁膜をエッチングすることによって、前記有機絶縁膜がない部分においては前記複数のソース端子を露出させ、かつ、前記端子領域のうち前記有機絶縁膜が薄く残る部分では前記有機絶縁膜がなくなって前記無機絶縁膜の厚みが前記有機絶縁膜に覆われた領域における前記無機絶縁膜の厚みに比べて薄くなるようにする工程S11とを含む。この表示パネルの製造方法においては、通常、工程S3でゲート絶縁膜を形成した後、かつ、工程S5でソースメタル層を形成する前に、工程S4としてゲート絶縁膜を覆うように半導体層が形成される。この表示パネルの製造方法のうち工程S9から工程S11に関して詳しく説明する。工程S9を行なう際のゲート端子予定領域近傍とソース端子予定領域近傍との様子をそれぞれ図15、図16に示す。ゲート端子予定領域近傍では図15に示すように、基板1の上面においてパターニング済のゲートメタル層41がゲート絶縁膜2、無機絶縁膜5および有機絶縁膜6の積層体に覆われている。マスク50を通じて露光が行なわれている。マスク50には遮光部51と開口部52とハーフトーン部53とを有する。図15においては開口部52がのちにゲート端子となるべき領域に相当する。ソース端子予定領域近傍では図16に示すように、基板1の上面をまずゲート絶縁膜2が覆っており、その上側にソースメタル層42がパターニングされた状態で形成されている。ソースメタル層42を覆うように無機絶縁膜5が形成され、さらにその上を覆うように有機絶縁膜6が形成されている。図16においては開口部52がのちにソース端子となるべき領域に相当する。工程S10において有機絶縁膜6を現像した後の状態でのゲート端子予定領域近傍とソース端子予定領域近傍との様子をそれぞれ図17、図18に示す。いずれも開口部52に相当する領域では有機絶縁膜6がなくなっており、ハーフトーン部53に対応する領域では有機絶縁膜6が薄く残っている。工程S11において有機絶縁膜6をマスクとして無機絶縁膜5をエッチングした後の状態でのゲート端子予定領域近傍とソース端子予定領域近傍との様子をそれぞれ図19、図20に示す。いずれも図17、図18で有機絶縁膜6が薄く残っていた領域では有機絶縁膜6がなくなり、無機絶縁膜5は厚み方向に部分的にエッチング除去されて薄くなっている。有機絶縁膜が薄く残っていた領域から有機絶縁膜がなくなっているのは、有機絶縁膜はマスクの役割を果たすとはいえある程度はエッチング除去されるものであり、有機絶縁膜の元々の厚みが薄い領域では無機絶縁膜のエッチングをしている間に有機絶縁膜の厚みの全てが除去されてしまうからである。図19に示すように、ゲート端子予定領域近傍のうち図17で有機絶縁膜6が既になくなっていた領域では、無機絶縁膜5およびゲート絶縁膜2がなくなっている。図20に示すように、ソース端子予定領域近傍のうち図18で有機絶縁膜6が既になくなっていた領域では、無機絶縁膜5がなくなっている。さらにITO膜を全面に成膜した状態でのゲート端子予定領域近傍とソース端子予定領域近傍との様子をそれぞれ図21、図22に示す。マスク50の開口部52に対応する領域では、それぞれゲートメタル層41、ソースメタル層42に直接接するようにITO膜4が形成されている。さらに、ITO膜をパターニングして所望部分だけを残すようにした後の状態でのゲート端子予定領域近傍とソース端子予定領域近傍との様子をそれぞれ図23、図24に示す。こうして、図23に示すように、ゲート端子13およびゲート端子引出線15が形成され、図24に示すように、ソース端子14およびソース端子引出線16が形成される。図4に示したように端子領域83にゲート端子13とソース端子14とを形成しようとする場合、マスク50としてはたとえば図25に示すようなものを使用すればよい。本実施の形態における表示パネルの製造方法によれば、ハーフトーン部を有するマスクを用いて有機絶縁膜を露光する工程S9を含むので、有機絶縁膜に厚みの異なる部分を形成することができ、工程S11ではこの厚みの差を利用して無機絶縁膜にソース端子のための開口部を形成すると同時に薄い無機絶縁膜が覆う領域を形成することができる。したがって、端子領域においてソース端子引出線は薄い無機絶縁膜に覆われた構造となっているので、表示パネルの外部接続端子をゲートメタルとソースメタルとの組合せ配置によって1つの辺に沿って形成する構造において、ソース端子引出線を保護することができる。言い換えれば、本実施の形態では、線幅の広いソース端子の端にほぼ重なるように無機絶縁膜の外縁が位置するように無機絶縁膜を形成することができ、線幅が狭いソース端子引出線を無機絶縁膜によって覆って保護することができるので、ソース端子引出線の断線を抑制することができる。実施の形態4図26を参照して、本発明に基づく実施の形態4における表示パネルの製造方法について説明する。本実施の形態における表示パネルの製造方法は、実施の形態2で説明した表示パネルを得るために好適な製造方法である。本実施の形態における表示パネルの製造方法のフローチャートを図26に示す。本実施の形態における表示パネルの製造方法は、複数の画素を含む表示領域と、前記表示領域の外側に配置された端子領域と、前記表示領域と前記端子領域との間に介在する中間領域とを有し、前記画素を駆動するための駆動素子を有する表示パネルの製造方法であって、前記基板の表面にゲートメタル層を成膜する工程S1と、前記ゲートメタル層をパターニングして複数のゲート電極、前記複数のゲート電極からそれぞれ延在するゲート端子引出線、および前記ゲート端子引出線の端にそれぞれ接続された複数のゲート端子を形成する工程S2と、前記複数のゲート電極および前記ゲート端子引出線を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程S3と、前記ゲート絶縁膜を覆うようにソースメタル層を成膜する工程S5と、前記ソースメタル層をパターニングして、前記複数のゲート端子と交互に配列される複数のソース端子および前記複数のソース端子の各々から延在するソース端子引出線を形成する工程S6と、前記複数のソース端子および前記ソース端子引出線を覆うように無機絶縁膜を成膜する工程S7と、前記無機絶縁膜を覆うように有機絶縁膜を成膜する工程S8と、光を透過させない遮光部と光をそのまま透過させる開口部と前記遮光部および前記開口部にともに隣接して光を前記開口部より低い透過率で透過させるハーフトーン部とを有するマスクを用いて前記有機絶縁膜を露光する工程S19と、前記有機絶縁膜を現像することによって、前記有機絶縁膜が厚い領域である中間第1領域と前記有機絶縁膜が薄く残る中間第2領域と前記有機絶縁膜がない部分である端子領域とを形成する工程S20と、前記有機絶縁膜をマスクとして前記無機絶縁膜をエッチングすることによって、前記端子領域においては前記複数のソース端子を露出させ、かつ、前記中間第2領域では前記有機絶縁膜がさらに薄くなって残るようにする工程S21とを含む。この表示パネルの製造方法においては、通常、工程S3でゲート絶縁膜を形成した後、かつ、工程S5でソースメタル層を形成する前に、工程S4としてゲート絶縁膜を覆うように半導体層が形成される。本実施の形態では、工程S18における有機絶縁膜の厚みや露光時間を調整することによって、工程S20の結果、中間第2領域においてもなお有機絶縁膜が薄く残るようにしている。本実施の形態における表示パネルの製造方法によれば、ハーフトーン部を有するマスクを用いて有機絶縁膜を露光する工程S19を含むので、有機絶縁膜に厚みの異なる部分を形成することができ、工程S21ではこの厚みの差を利用して無機絶縁膜にソース端子のための開口部を形成すると同時に薄い有機絶縁膜が覆う領域を形成することができる。したがって、端子領域に近接する中間第2領域においてソース端子引出線は薄い有機絶縁膜に覆われた構造となっているので、表示パネルの外部接続端子をゲートメタルとソースメタルとの組合せ配置によって1つの辺に沿って形成する構造において、ソース端子引出線を保護することができる。なお、実施の形態3,4のいずれにも適用可能なマスク50のハーフトーン部53の構造について説明する。前記遮光部は遮光性材料からなる膜であり、前記ハーフトーン部は、前記遮光部に比べて前記膜の膜厚を薄くしたものであってよい。遮光性材料とはたとえばクロムである。遮光部はクロム膜で形成されたものであってよい。前記遮光部は遮光性材料からなる膜であり、前記ハーフトーン部は、前記膜に複数のスリットを設けたものであってよい。たとえば図27に示すように、ハーフトーン部53は、遮光部51を形成する材料膜の外縁部において、端子の幅方向に平行なスリットを多数設けて横縞状としてもよい。あるいは、図28に示すように、ハーフトーン部53は、遮光部51を形成する材料膜の外縁部において、端子の長手方向に平行な切込みを多数設けて縦縞状としてもよい。図27に示すハーフトーン部53においては、遮光部分の幅が約2μmであり、遮光部分同士の間隙は約1.5μmである。これらの寸法は、有機絶縁膜6の膜厚などにより適切に設定すればよい。前記遮光部は遮光性材料からなる膜であり、前記ハーフトーン部は、前記膜の縁をジグザグ形状にしたものであってよい。ここでいうジグザグ形状とは、ピッチに比べて入り込む長さが大きなジグザグ形状である。たとえば図29に示すものであってよい。図29に示すようなハーフトーン部であれば、ハーフトーン部の中でも部位によって透過率が異なり、透過率は徐々に変化することになるので、図30に示すように、有機絶縁膜6の端部においてなだらかな傾斜を有する段差を形成することができる。ハーフトーン部は、上述のように材料の厚みを変化させることやスリットなどを設けることによって実現することもできるが、その他に、微細パターンを設けることによっても実現可能である。微細パターンを設けることで領域全体の透過率を調整することができるからである。なお、微細パターンを設けることによってハーフトーンを実現したものをグレートーンと呼ぶものとする。なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。"