炭化珪素からなる基板を準備する工程と、前記基板にイオン注入を実施する工程と、前記イオン注入が実施された前記基板上に窒化珪素からなる保護膜を形成する工程と、前記保護膜が形成された前記基板を、窒素原子を含むガスを含有する雰囲気中において1600°C以上の温度域に加熱する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。前記基板を加熱する工程では、前記保護膜が形成された前記基板が1900°C以下の温度域に加熱される、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記基板を加熱する工程では、前記保護膜が形成された前記基板が窒素ガスを含有する雰囲気中において加熱される、請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。前記保護膜を形成する工程では、CVD法により前記保護膜が形成される、請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。しかしながら、上記活性化アニールにおいては、基板は1600°C以上の高温に加熱される必要がある。そのため、上記特許文献1に記載の半導体装置の製造方法では、炭化珪素と窒化珪素との線膨張係数の違い等に起因して、窒化珪素膜に亀裂が生じるおそれがある。そして、保護膜としての窒化珪素膜に亀裂が生じると、基板の表面荒れを十分に抑制できないという問題が生じる。本発明はこのような問題に対応するためになされたものであって、その目的は、炭化珪素からなる基板の活性化アニールにおける表面荒れを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供することである。本発明に従った半導体装置の製造方法は、炭化珪素からなる基板を準備する工程と、基板にイオン注入を実施する工程と、イオン注入が実施された基板上に窒化珪素からなる保護膜を形成する工程と、保護膜が形成された基板を、窒素原子を含むガスを含有する雰囲気中において1600°C以上の温度域に加熱する工程とを備えている。本発明の半導体装置の製造方法においては、イオン注入が実施された炭化珪素からなる基板に窒化珪素からなる保護膜を形成した後、窒素原子を含むガスを含有する雰囲気中において1600°C以上の温度域に加熱することにより活性化アニールが実施される。このとき、窒化珪素からなる保護膜に亀裂が生じ得る状態となった場合でも、炭化珪素基板から離脱する珪素と雰囲気中のガスに含まれる窒素原子とが結合して生成する窒化珪素により当該亀裂の発生が抑制される。その結果、本発明の半導体装置の製造方法によれば、炭化珪素からなる基板の活性化アニールにおける表面荒れを抑制することができる。上記本発明の半導体装置の製造方法においては、基板を加熱する工程では、保護膜が形成された基板が1900°C以下の温度域に加熱されてもよい。基板の加熱温度を1900°C以下とすることにより、窒化珪素からなる保護膜により基板の表面荒れをより確実に抑制することが可能となる。上記本発明の半導体装置の製造方法においては、基板を加熱する工程では、保護膜が形成された基板が窒素ガスを含有する雰囲気中において加熱される。窒素ガスは、安価で取り扱いも容易であるため、上記基板を加熱する工程の雰囲気を構成するガス窒素原子を含むガスとして好適である。上記本発明の半導体装置の製造方法においては、保護膜を形成する工程では、CVDChemicalVaporDeposition法により保護膜が形成されてもよい。CVD法は、窒化珪素からなる保護膜を形成する方法として好適である。以上の説明から明らかなように、本発明の半導体装置の製造方法によれば、炭化珪素からなる基板の活性化アニールにおける表面荒れを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。まず、本発明の一実施の形態における半導体装置の製造方法により製造可能な半導体装置について説明する。図1を参照して、半導体装置としてのMOSFET100は、DiMOSFETであって、導電型がn型第1導電型である炭化珪素基板1と、炭化珪素からなり導電型がn型であるバッファ層2と、炭化珪素からなり導電型がn型のドリフト層3と、導電型がp型第2導電型の一対のp型ボディ領域4と、導電型がn型のn領域5と、導電型がp型のp領域6とを備えている。バッファ層2は、炭化珪素基板1の一方の主面1A上に形成され、n型不純物を含むことにより導電型がn型となっている。ドリフト層3は、バッファ層2上に形成され、n型不純物を含むことにより導電型がn型となっている。ドリフト層3に含まれるn型不純物は、たとえばN窒素であり、バッファ層2に含まれるn型不純物よりも低い濃度密度で含まれている。バッファ層2およびドリフト層3は、炭化珪素基板1の一方の主面1A上に形成されたエピタキシャル成長層である。一対のp型ボディ領域4は、エピタキシャル成長層において、炭化珪素基板1側の主面とは反対側の主面3Aを含むように互いに分離して形成され、p型不純物導電型がp型である不純物を含むことにより、導電型がp型となっている。p型ボディ領域4に含まれるp型不純物は、たとえばアルミニウムAl、硼素Bなどである。n領域5は、上記主面3Aを含み、かつp型ボディ領域4に取り囲まれるように、一対のp型ボディ領域4のそれぞれの内部に形成されている。n領域5は、n型不純物、たとえばPなどをドリフト層3に含まれるn型不純物よりも高い濃度密度で含んでいる。p領域6は、上記主面3Aを含み、かつp型ボディ領域4に取り囲まれるとともに、n領域5に隣接するように一対のp型ボディ領域4のそれぞれの内部に形成されている。p領域6は、p型不純物、たとえばAlなどをp型ボディ領域4に含まれるp型不純物よりも高い濃度密度で含んでいる。上記バッファ層2、ドリフト層3、p型ボディ領域4、n領域5およびp領域6は、活性層7を構成する。さらに、図1を参照して、MOSFET100は、ゲート絶縁膜としてのゲート酸化膜91と、ゲート電極93と、一対のソースコンタクト電極92と、層間絶縁膜94と、ソース配線95と、ドレイン電極96とを備えている。ゲート酸化膜91は、主面3Aに接触し、一方のn領域5の上部表面から他方のn領域5の上部表面にまで延在するようにエピタキシャル成長層の主面3A上に形成され、たとえば二酸化珪素SiO2からなっている。ゲート電極93は、一方のn領域5上から他方のn領域5上にまで延在するように、ゲート酸化膜91に接触して配置されている。また、ゲート電極93は、不純物が添加されたポリシリコン、Alなどの導電体からなっている。ソースコンタクト電極92は、一対のn領域5上のそれぞれから、ゲート酸化膜91から離れる向きに延在してp領域6上にまで達するとともに、主面3Aに接触して配置されている。また、ソースコンタクト電極92は、たとえばNixSiyニッケルシリサイドなど、n領域5とオーミックコンタクト可能な材料からなっている。層間絶縁膜94は、ドリフト層3の主面3A上においてゲート電極93を取り囲み、かつ一方のp型ボディ領域4上から他方のp型ボディ領域4上にまで延在するように形成され、たとえば絶縁体である二酸化珪素SiO2からなっている。ソース配線95は、ドリフト層3の主面3A上において、層間絶縁膜94を取り囲み、かつソースコンタクト電極92の上部表面上にまで延在している。また、ソース配線95は、Alなどの導電体からなり、ソースコンタクト電極92を介してn領域5と電気的に接続されている。ドレイン電極96は、炭化珪素基板1においてドリフト層3が形成される側とは反対側の主面に接触して形成されている。このドレイン電極96は、たとえばNixSiyなど、炭化珪素基板1とオーミックコンタクト可能な材料からなっており、炭化珪素基板1と電気的に接続されている。次に、MOSFET100の動作について説明する。図1を参照して、ゲート電極93の電圧が閾値電圧未満の状態、すなわちオフ状態では、ドレイン電極に電圧が印加されても、ゲート酸化膜91の直下に位置するp型ボディ領域4とドリフト層3との間のpn接合が逆バイアスとなり、非導通状態となる。一方、ゲート電極93に閾値電圧以上の電圧を印加すると、p型ボディ領域4のゲート酸化膜91と接触する付近であるチャネル領域において、反転層が形成される。その結果、n領域5とドリフト層3とが電気的に接続され、ソース配線95とドレイン電極96との間に電流が流れる。ここで、上述のようにMOSFET100では、p型ボディ領域4のゲート酸化膜91と接触する付近の領域であるチャネル領域において反転層が形成され、当該反転層を電流が流れる。そのため、主面3Aに面荒れが生じた場合、反転層における抵抗チャネル抵抗が上昇し、オン抵抗が高くなるという問題を生じ得る。しかし、本実施の形態におけるMOSFET100は、以下に説明する本実施の形態における半導体装置の製造方法により製造されていることにより、主面3Aの面荒れが低減され、上記問題の発生が抑制されている。次に、本実施の形態におけるMOSFET100の製造方法について、図2~図8を参照して説明する。図2を参照して、本実施の形態におけるMOSFET100の製造方法では、まず工程S110として炭化珪素基板準備工程が実施される。この工程S110では、図3を参照して、たとえば昇華法により製造されたインゴットをスライスして得られた炭化珪素基板1が準備される。次に、工程S120としてエピタキシャル成長工程が実施される。この工程S120では、図3を参照して、エピタキシャル成長により炭化珪素基板1の一方の主面1A上に炭化珪素からなるバッファ層2およびドリフト層3が順次形成される。これにより、炭化珪素からなる基板としてのエピタキシャル成長層付き基板8が得られる。次に、工程S130としてイオン注入工程が実施される。この工程S130では、図3および図4を参照して、まずp型ボディ領域4を形成するためのイオン注入が実施される。具体的には、たとえばAlアルミニウムイオンがドリフト層3に注入されることにより、p型ボディ領域4が形成される。次に、n領域5を形成するためのイオン注入が実施される。具体的には、たとえばPリンイオンがp型ボディ領域4に注入されることにより、p型ボディ領域4内にn領域5が形成される。さらに、p領域6を形成するためのイオン注入が実施される。具体的には、たとえばAlイオンがp型ボディ領域4に注入されることにより、p型ボディ領域4内にp領域6が形成される。上記イオン注入は、たとえばドリフト層3の主面上に二酸化珪素SiO2からなり、イオン注入を実施すべき所望の領域に開口を有するマスク層を形成して実施することができる。次に、工程S140として保護膜形成工程が実施される。この工程S140では、図5を参照して、工程S130においてイオン注入が実施されたエピタキシャル成長層付き基板8の主面3A上に窒化珪素からなる保護膜80が形成される。この保護膜80は、たとえばプラズマCVD法により形成することができる。また、保護膜80の厚みは、たとえば0.1μm以上1μm以下とすることができる。次に、工程S150として活性化アニール工程が実施される。この工程S150では、工程S140において保護膜80が形成されたエピタキシャル成長層付き基板8が、窒素原子を含むガスを含有する雰囲気中において1600°C以上の温度域に加熱される。これにより、工程S130においてイオン注入によりエピタキシャル成長層付き基板8に導入された不純物が活性化し、所望の導電型のp型ボディ領域4、n領域5およびp領域6が得られる。このとき、工程S150においてエピタキシャル成長層付き基板8が、たとえばアルゴンガス雰囲気中において加熱された場合、図6に示すように炭化珪素と窒化珪素との線膨張係数の違い等に起因して保護膜80に亀裂80Aが生じるおそれがある。この場合、エピタキシャル成長層付き基板8から離脱した珪素原子が当該亀裂80Aを通して雰囲気中に放出される。その結果、表面荒れが発生する。これに対し、本実施の形態における工程S150では、エピタキシャル成長層付き基板8が窒素原子を含むガスを含有する雰囲気中において加熱される。そのため、エピタキシャル成長層付き基板8から離脱した珪素は雰囲気中の窒素と結合し、窒化珪素となる。その結果、図7に示すように、エピタキシャル成長層付き基板8と保護膜80との境界部に窒化珪素膜82が形成されるとともに、窒化珪素からなり亀裂80Aを充填修復する亀裂抑制部81が形成される。これにより、亀裂80Aの発生や成長が抑制され、表面荒れの発生が低減される。ここで、上記窒素原子を含むガスとしては、たとえば窒素ガス、アンモニアガス、一酸化窒素ガス、二酸化窒素ガスなどを採用することができる。窒素ガスは、安価で取り扱いも容易であるため、上記窒素原子を含むガスとして特に好適である。また、工程S150では、エピタキシャル成長層付き基板8が、窒素ガス雰囲気中において加熱されてもよい。また、工程S150では、エピタキシャル成長層付き基板8の加熱温度は1900°C以下とすることが好ましい。エピタキシャル成長層付き基板8の加熱温度を1900°C以下とすることにより、窒化珪素からなる保護膜80、窒化珪素膜82および亀裂抑制部81によって表面荒れをより確実に抑制することができる。一方、イオン注入により導入された不純物の活性化の割合を向上させる観点から、工程S150におけるエピタキシャル成長層付き基板8の加熱温度は1700°C以上、たとえば1800°Cとすることが好ましい。次に、工程S160として保護膜除去工程が実施される。この工程S160では、保護膜80が除去される。保護膜80の除去は、たとえばフッ酸系の液体を用いて実施してもよいし、フッ素系プラズマ処理により実施してもよい。次に、工程S170として酸化膜形成工程が実施される。この工程S170では、図8を参照して、たとえば酸素雰囲気中において1300°Cに加熱して60分間保持する熱処理が実施されることにより、酸化膜ゲート酸化膜91が形成される。次に、工程S180として電極形成工程が実施される。図8および図1を参照して、この工程S180では、まず、たとえばCVD法、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、高濃度に不純物が添加された導電体であるポリシリコンからなるゲート電極93が形成される。その後、たとえばCVD法により、絶縁体であるSiO2からなる層間絶縁膜94が、主面3A上においてゲート電極93を取り囲むように形成される。次に、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、ソースコンタクト電極92を形成すべき領域の層間絶縁膜94と酸化膜91とが除去される。次に、たとえば蒸着法により形成されたニッケルNi膜が加熱されてシリサイド化されることにより、ソースコンタクト電極92およびドレイン電極96が形成される。そして、たとえば蒸着法により、導電体であるAlからなるソース配線95が、主面3A上において、層間絶縁膜94を取り囲むとともに、n領域5およびソースコンタクト電極92の上部表面上にまで延在するように形成される。以上の手順により、本実施の形態におけるMOSFET100が完成する。以上のように、本実施の形態におけるMOSFET100の製造方法においては、工程S150において窒化珪素からなる保護膜80に亀裂80Aが生じ得る状態となった場合でも、エピタキシャル成長層付き基板8から離脱する珪素と雰囲気中のガスに含まれる窒素原子とが結合して生成する窒化珪素により当該亀裂80Aの発生が抑制される。その結果、本実施の形態におけるMOSFET100の製造方法によれば、エピタキシャル成長層付き基板8の活性化アニールにおける表面荒れを抑制することができる。なお、上記実施の形態においては、本発明の半導体装置の製造方法の一例としてMOSFETが製造される場合について説明したが、本発明の製造方法により製造可能な半導体装置はこれに限られない。本発明の半導体装置の製造方法は、炭化珪素からなる基板にイオン注入を実施した後、活性化アニールを実施するプロセスが採用される半導体装置の製造方法に広く適用することができ、具体的にはダイオード、JFETJunctionFieldEffectTransistor、IGBTInsulatedGateBipolarTransistorなどの製造方法にも適用することができる。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。