入力電圧がポータブル電子デバイス中の内部回路ユニットの定格耐電圧を超えた時過電圧保護overvoltageprotectionを働かせ、入力電圧を受ける入力ユニットと、前記ポータブル電子デバイスに接続するための出力ユニットと、前記入力ユニットに接続し、前記入力電圧を受けると共に基準電圧の出力を制限するための電圧制限ユニットと、前記入力ユニットに接続し、前記入力電圧を受けると共に前記入力電圧を分圧して分圧電圧を生成するための分圧モジュールと、前記電圧制限ユニットと前記分圧モジュールに接続し、前記基準電圧と前記分圧電圧を比較すると共に比較結果に基づいてスイッチング信号を生成するための比較モジュールと、前記入力ユニットと前記出力ユニットと前記比較モジュールに接続し、前記入力電圧をスイッチングユニットによって前記出力ユニットに出力するよう制御するための前記スイッチング信号、及び、前記入力電圧を受けるスイッチングユニットと、を含むことを特徴とする過電圧保護回路。前記電圧制限ユニットは、制限電圧を設定し、前記入力電圧が前記制限電圧を上回った時、前記電圧制限ユニットが前記制限電圧に等しくなる前記基準電圧を出力し、前記入力電圧が前記制限電圧を下回った時、前記電圧制限ユニットがゼロ電圧の前記基準電圧を出力、或いは、前記入力電圧が前記定格電圧を上回った時、前記電圧制限ユニットは前記制限電圧が前記基準電圧に等しいことを設定すると共に出力することを特徴とする請求項1に記載の過電圧保護回路。前記分圧モジュールは、前記入力電圧が前記定格電圧を上回った時、前記分圧電圧の電圧値が前記基準電圧の電圧値を下回るよう設定されることを特徴とする請求項2に記載の過電圧保護回路。前記分圧モジュールは、第1の電気抵抗ユニットと第2の電気抵抗ユニットとを更に含み、前記第1の電気抵抗ユニットと前記第2の電気抵抗ユニットが直列接続し、前記入力電圧が前記第2の電気抵抗ユニットに前記分圧電圧を生成することを特徴とする請求項1に記載の過電圧保護回路。前記比較モジュールは、第1の入力側と第2の入力側と第1の制御ユニットと第2の制御ユニットとを更に含み、前記第1の制御ユニットが前記第1の入力側と前記第2の入力側と前記第2の制御ユニットに接続し、且つ、前記第1の入力側が前記電圧制限ユニットに接続し、前記第2の入力側が前記分圧モジュールに接続し、前記基準電圧と前記分圧電圧は前記第1の制御ユニットにそれぞれ入力することで、前記基準電圧と前記分圧電圧を比較した後、制御信号を生成すると共に前記第2の制御ユニットに出力して前記スイッチング信号を生成させることを特徴とする請求項4に記載の過電圧保護回路。前記第2の制御ユニットは、3端子型素子で、一端が前記第1の制御ユニットに接続し、前記制御信号を受信するために用いられ、他の両端が前記制御信号に基づいて両端の間に開路、或いは、短絡状態を形成することを特徴とする請求項5に記載の過電圧保護回路。前記スイッチングユニットは、3端子型素子で、一端が前記比較モジュールに接続し、他端が前記入力ユニットに接続し、もう一端が前記出力ユニットに接続し、前記スイッチングユニットは該スイッチング信号に基づいて前記入力ユニットと前記出力ユニットの間の開路、或いは、短絡状態を制御することで、前記入力電圧を前記スイッチングユニットを通じて前記出力ユニットに伝送させることを特徴とする請求項6に記載の過電圧保護回路。前記第2の制御ユニットと前記該スイッチングユニットは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタMOSFETであると共に前記電圧制限ユニットがツェナーダイオードZenerdiodeであることを特徴とする請求項7に記載の過電圧保護回路。前記比較モジュールと前記入力ユニットの間に設けられ、前記スイッチングユニットを制御して前記入力電圧を前記出力ユニットに選択的に出力するための制御インターフェースモジュールを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の過電圧保護回路。入力電圧を受けるために用いられ、ポータブル電子デバイス内に設けられる内部回路ユニットと、入力電圧を受ける入力ユニットと、前記内部回路ユニットに接続し、前記入力電圧を前記内部回路ユニットに出力するために用いられる出力ユニットと、前記入力ユニットに接続し、前記入力電圧を受けると共に基準電圧の出力を制限するための電圧制限ユニットと、前記入力ユニットに接続し、前記入力電圧を受けると共に前記入力電圧を分圧して分圧電圧を生成するための分圧モジュールと、前記電圧制限ユニットと前記分圧モジュールに接続し、前記基準電圧と前記分圧電圧を比較すると共に比較結果に基づいてスイッチング信号を生成するための比較モジュールと、前記入力ユニットと前記出力ユニットと前記比較モジュールに接続し、前記入力電圧をスイッチングユニットによって前記出力ユニットに出力するよう制御するための前記スイッチング信号、及び、前記入力電圧を受けるスイッチングユニットと、を含むことを特徴とする過電圧保護回路を備えるポータブル電子デバイス。本発明の目的は、該ポータブル電子デバイス中の内部回路ユニットが定格耐電圧を超えた入力電圧を受けないよう保護する過電圧保護回路を提供することである。本発明の別の目的は、上記過電圧保護回路により、温度変化の影響を受けない状態で、安定的に該定格電圧を超えた入力電圧を該内部回路ユニットに入力されることから隔離できることである。さらに、本発明の別の目的は、上記過電圧保護回路により、該分圧モジュールを通じて必要な該定格電圧のニーズについて、該ポータブル電子デバイスの定格耐電圧のプログラマブルな設定を行うことができることである。上述の目的及び他の目的を達成するため、本発明は、入力電圧がポータブル電子デバイス中の内部回路ユニットの定格耐電圧を超えた時過電圧保護overvoltageprotectionを働かせる過電圧保護回路を提供する。該過電圧保護回路には、入力電圧を受ける入力ユニットと、該ポータブル電子デバイスに接続するための出力ユニットと、該入力ユニットに接続し、該入力電圧を受けると共に基準電圧の出力を制限するための電圧制限ユニットと、該入力ユニットに接続し、該入力電圧を受けると共に該入力電圧を分圧して分圧電圧を生成するための分圧モジュールと、該電圧制限ユニットと該分圧モジュールに接続し、該基準電圧と該分圧電圧を比較すると共に比較結果に基づいてスイッチング信号を生成するための比較モジュールと、該入力ユニットと該出力ユニットと該比較モジュールに接続し、該入力電圧をスイッチングユニットによって該出力ユニットに出力するよう制御するための該スイッチング信号及び該入力電圧を受けるスイッチングユニットと、を含む。従来の技術と比較すると、本発明の過電圧保護回路は、簡易な分圧モジュールを通じてポータブル電子デバイス中の内部回路ユニットの定格耐電圧を簡単に設定でき、且つ温度変化の影響を受けない電圧制限ユニットを組み合わせ、該定格電圧より低い入力電圧を該ポータブル電子デバイスにスムーズに供給させることができる以外に、正確に該定格電圧を超える該入力電圧つまり過電圧を該ポータブル電子デバイスに入力する前に効果的に隔離させるよう制御できる。該ポータブル電子デバイスは該定格電圧を超えた該入力電圧を受けても該ポータブル電子デバイスの内部回路ユニットに損傷を与えることを避けるほかに、更に該ポータブル電子デバイスが利用者の該入力電圧の誤使用により起きた著しい内部回路ユニットの破損から効果的に保護できる。以下、本発明の目的、特徴及び効果を更に明確に分かりやすくするため、具体的実施例を添付図面に基づいて説明する。第1の実施例本発明の第1の実施例の過電圧保護回路を図1を参照しながら説明する。図1において、該過電圧保護回路10は入力電圧Vinとポータブル電子デバイス2の間に設けられ、過電圧保護OVPを行うことに用いられる。該ポータブル電子デバイス2中の内部回路ユニット4は、耐え得る最大入力電圧を有し、該最大入力電圧を定格電圧と呼ぶ。よって、該過電圧保護は、該定格電圧を超えた該入力電圧Vinが、該ポータブル電子デバイス2に直接入力されて該内部回路ユニット4の破損が起きることを避ける。その他、該定格電圧は、更に該ポータブル電子デバイス2中の該内部回路ユニット4が耐え得ると共に動作できる最大電圧と定義され、つまり該ポータブル電子デバイス2が受けた該入力電圧Vinは、該定格電圧を超えない時、該ポータブル電子デバイス2が正常に例えば整流回路、充電/放電回路或いは表示回路などの該内部回路ユニットに供給できる。逆に、該ポータブル電子デバイス2の受けた該入力電圧Vinが該定格電圧を超えた時、該ポータブル電子デバイス2の該内部回路ユニットが破損され、該ポータブル電子デバイス2に誤動作の発生或いは更に使用できなくなる。次に、該入力電圧Vinの由来は、商用電源の交流電圧又は整流を経た後の直流電圧とすることができる。該過電圧保護回路10は、入力ユニット12と電圧制限ユニット14と分圧モジュール16と比較モジュール18とスイッチングユニット20と出力ユニット22とを含む。該入力ユニット12は該入力電圧Vinを受け、該入力電圧Vinが直流電圧又は交流電圧とすることができる。該電圧制限ユニット14は、両端を有し、一端が該入力ユニット12に接続し、他端が接地側GNDに接続する。該入力電圧Vinは該電圧制限ユニット14を通じて対応する基準電圧Vrefを生成する。該電圧制限ユニット14は、温度変化に耐える2端子型素子を採用し、該電圧制限ユニット14の電気特性が温度変化の影響を受けず、例えばツェナーダイオードZenerdiodeである。次に、該電圧制限ユニット14自体は制限電圧PVをプリセットしており、該電圧制限ユニット14が受けた該入力電圧Vinによって導通するかを決定する。言い換えると、該入力電圧Vinを該電圧制限ユニット14に印加した時、該入力電圧Vinが該制限電圧PVに下回る或いは等しくなった場合、該電圧制限ユニット14はゼロ電圧の該基準電圧Vrefつまり非導通状態を出力する。逆に、該入力電圧Vinが該制限電圧PVを上回る時、該電圧制限ユニット14は、該制限電圧PVに等しくなる該基準電圧Vrefつまり導通状態を出力する。次に、上述において言及した非導通状態とは、該電圧制限ユニット14が遮断状態になることで、該基準電圧Vrefがゼロ電位となることをいう。導通状態とは、該電圧制限ユニット14が該制限電圧PVを一定に出力し、つまり該基準電圧Vrefが該制限電圧PVに等しくなることをいう。その他、該電圧制限ユニット14の該制限電圧PVの選定は、該ポータブル電子デバイス2の該定格電圧を無視できる。図2を共に参照しながら説明する。図2において該電圧制限ユニット14は、該ツェナーダイオードを例とし、該ツェナーダイオードの該制限電圧PVは4ボルトにプリセットした時、該ツェナーダイオードの両端に印加する該入力電圧Vinが4ボルトを下回った場合、該基準電圧Vrefはゼロ電位となる。また該ツェナーダイオードの両端に印加する該入力電圧Vinが4ボルトを上回った場合、該基準電圧Vrefは該制限電圧PVに固定し、つまり該基準電圧Vrefの出力が4ボルトとなる。その他、該ツェナーダイオードを一般的なダイオードに比べると、逆接続とし、該ツェナーダイオードのn側は該入力ユニット12に接続させ、該ツェナーダイオードのp側が該接地側GNDに接続させる。該分圧モジュール16は、該入力ユニット12に接続し、且つ該入力ユニット12上の該入力電圧Vinが該分圧モジュール12を通じて分圧電圧Vvdを生成する。本発明の一実施例において、該分圧モジュール16は、第1の電気抵抗ユニット122と第2の電気抵抗ユニット124とを含む。図3に示するように、該第1の電気抵抗ユニット122と該第2の電気抵抗ユニット124は直列接続し、且つ該入力電圧Vinが該第2の電気抵抗ユニット124で該分圧電圧Vvdを生成する。その他、該第1の電気抵抗ユニット122と該第2の電気抵抗ユニット124間の抵抗値の比率を調整することで、該抵抗値の比率に対応する分圧電圧Vvdを得ることができる。該分圧電圧と該抵抗値の比率の関係を以下の通り示す。式の中のR122は第1の電気抵抗ユニット122の抵抗値で、またR124が該第2の電気抵抗ユニット124の抵抗値である。また、該分圧モジュール16は、該第1の電気抵抗ユニット122と該第2の電気抵抗ユニット124の抵抗値の比率を通じて該定格電圧を該ポータブル電子デバイス中に必要な電圧の要求に適合するよう設定できる。言い換えると、該第2の電気抵抗ユニット124上の分圧電圧Vvdは該基準電圧Vrefを上回る或いは等しくなる場合つまり下回ることではない、後記に言及する該スイッチングユニット20を開路或いは非導通状態と呼ばれるさせ、つまり該入力電圧Vinを該内部回路ユニット4に伝送できない。詳細な説明は以下の記載通りとする。該比較モジュール18は、該電圧制限ユニット14と該分圧モジュール16に接続し、該基準電圧Vrefと該分圧電圧Vvdを比較し、対応する該スイッチング信号switchedsignalSSを出力することに用いられる。該比較モジュール18の詳細を図4を参照しながら説明する。図4において、該比較モジュール18は、該電圧制限ユニット14に接続し、該基準電圧Vrefを受けるための第1の入力側182と、分圧モジュール16に接続し、該分圧電圧Vvd。を受けるための第2の入力側184と、該基準電圧Vref及び該分圧電圧Vvdを受け、且つ該基準電圧Vrefと該分圧電圧Vvdを比較した後、該制御信号CSを該第2の制御ユニット188に生成させ、該制御信号CSで該第2の制御ユニット188の開路と短絡状態を制御する第1の制御ユニット186と、第2の制御ユニット188と、を更に含む。例を挙げると、仮に該内部回路ユニット4の該定格電圧は4ボルトで、該制限電圧がPVで同じも4ボルトで、該第1の電気抵抗ユニット122が90KΩ、及び該第2の電気抵抗ユニット124が10KΩである。該入力電圧Vinは該定格電圧より低く、例えば3ボルト入力した時、該電圧制限ユニット14は電圧が0になる該基準電圧Vrefを出力し、該分圧電圧Vvdが分圧により0.3ボルトを得ると共に該比較モジュール18によって該基準電圧Vrefと該分圧電圧Vvdを比較し、該分圧電圧Vvdが該基準電圧Vrefより高くなる比較結果を得て、且つ該入力電圧Vinが該定格電圧を下回るため、該比較モジュール18が該スイッチングユニット20を制御して該入力電圧Vinを該出力ユニット22に出力させる。次に、本発明の別の一実施例において、該入力電圧Vinは該定格電圧に等しく、例えば4ボルト入力した時、該電圧制限ユニット14は電圧が0になる該基準電圧Vrefを出力し、該分圧電圧Vvdが分圧により0.4ボルトを得ると共に該比較モジュール18によって該基準電圧Vrefと該分圧電圧Vvdを比較し、やはり該分圧電圧Vvdが該基準電圧Vrefを上回る比較結果を得た場合、そこで該入力電圧Vinは該定格電圧に等しくなるが、まだ該内部回路ユニット4の許容範囲内にあるため、該比較モジュール18が該スイッチングユニット20を制御して該入力電圧Vinを該出力ユニット22に出力させて該内部回路ユニット4に供給する。しかしながら、本発明の別の一実施例において、該入力電圧Vinは該定格電圧を超え、例えば5ボルト入力した時、該電圧制限ユニット14は電圧固定の該制限電圧PVが4ボルトになる該基準電圧Vrefを出力し該分圧電圧Vvdが分圧により0.5ボルトを得ると共に該比較モジュール18によって該基準電圧Vrefと該分圧電圧Vvdを比較して該分圧電圧Vvdが該基準電圧Vrefを下回る比較結果を得た場合、該入力電圧Vinが該内部回路ユニット4の該定格電圧許容範囲を超えたため、上記比較結果により、該比較モジュール18は該スイッチングユニット20を制御して該入力電圧Vinを該内部回路ユニット4に供給できなくなる。本発明の一実施例において、該第2の制御ユニット188は3端子型素子で、一端が該第1の制御ユニット186に接続し、該制御信号CSを受信するために用いられ、他端が該スイッチングユニット20に接続し、もう一端が電圧V或いは接地GNDに接続する。言い換えると、該第2の制御ユニット188の一端が受信した該制御信号CSを通じて、別の両端が該制御信号CSに基づいて両端の間に開路或いは短絡状態を形成する。該第2の制御ユニット188は、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタMOSFETとすることができる。また図1を参照しながら説明する。該スイッチングユニット20は、該入力ユニット12と該比較モジュール18と該出力ユニット22に接続し、且つ該スイッチング信号SSに基づいて該入力ユニット12と該ポータブル電子デバイス4を接続させる。本発明の一実施例において、図5と共に参照しながら説明する。該スイッチングユニット20は3端子型素子で、そこで入力側202、出力側204及び被制御側206と定義され、且つ該入力側202が該入力ユニット12に接続し、該被制御側206が該第2の制御ユニット188に接続し、該被制御側206が受信した該スイッチング信号SSに基づいて該入力側202と該出力側204を選択的に接続し、該入力ユニット12を該出力ユニット22に接続させることができ、従って該入力電圧Vinを該出力ユニット22を通じて該ポータブル電子デバイス4に供給する。本発明の一実施例において、該第2の制御ユニット188が短絡状態になった時、該電圧Vが該第2の制御ユニット188を通じて該スイッチング信号SSを形成して該被制御側206に送信することで、該スイッチングユニット20を制御する。若しくは、該第2の制御ユニット188は該接地GNDにより該スイッチング信号SSが該被制御側206を通じて該スイッチングユニット20を制御させることができる。該スイッチングユニット20は、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタである。第2の実施例本発明の第2の実施例の過電圧保護回路について図6を参照しながら説明する。図6において、該過電圧保護回路10’は、前記実施例と同じように該入力ユニット12と該電圧制限ユニット14と該分圧モジュール16と該比較モジュール18と該スイッチングユニット20と該出力ユニット22とを備える以外に、制御インターフェースモジュール24を更に含む。該制御インターフェースモジュール24は、該入力ユニット12と該比較モジュール14と該スイッチングユニット20に接続し、該比較モジュール14が該制御インターフェースモジュール24を通じて対応する該スイッチング信号SSを生成する。図6内の該比較モジュール18、該制御インターフェースモジュール24及び該スイッチングユニット20の詳細な接続について図7を参照しながら説明する。図7において、該制御インターフェースモジュール24は直列接続電気抵抗R1とR2からなる。該入力ユニット12の該入力電圧Vinは該直列接続電気抵抗R1、R2の一部に該スイッチング信号SSを生成する。該比較モジュール18内の該第2の制御ユニット188は、3端子型素子で、一端が該第1の制御ユニット186に接続し、該制御信号CSを受信するためのであり、他端が該制御インターフェースモジュール24に接続し、もう一端が該接地側GNDに接続する。該制御信号CSが該第2の制御ユニット188を短絡状態にさせた時、該入力電圧Vinは該制御インターフェースモジュール24の直列接続電気抵抗R1、R2を通じ、また該第2の制御ユニット188を経由して該接地側GNDに接続し、且つ該直列接続電気抵抗R1とR2に電圧降下VR1とVR2をそれぞれ発生させて該直列接続電気抵抗R2上の電圧降下VR2を取り出して該スイッチング信号SSとし、並びに該被制御側206に送信して該入力側202と該出力側204を短絡させるよう制御し、従って該入力電圧Vinを該出力ユニット22に伝送させる。逆に、該制御信号CSが該第2の制御ユニット188を開路状態にさせた時、該直列接続電気抵抗R1、R2が電気回路を形成していないため、該入力電圧Vinは該直列接続電気抵抗R1、R2に電圧降下VR1とVR2を形成できない。言い換えると、該制御インターフェースモジュール24は該入力側202と該出力側204を短絡状態になるよう制御するための該スイッチング信号SSを生成できず、また該入力電圧Vinを該出力ユニット22を通じて該内部回路ユニット4に供給させることができない。本発明の一実施例の過電圧保護を備えるポータブル電子デバイスについて図8を参照しながら説明する。図8において、該ポータブル電子デバイス2’は、入力電圧Vinを受けるために用いられ、前記実施例内の該入力ユニット12と該電圧制限ユニット14と該分圧モジュール16と該比較モジュール18と該スイッチングユニット20と該出力ユニット22とを含む。該内部回路ユニット4は該ポータブル電子デバイス置2の中に設けられ、内部回路ユニット4が例えば整流ユニット、マイクロプロセッサユニット、通信ユニット或いはメモリユニットなどの回路とすることができる。該入力ユニット12は該入力電圧Vinを受けるために用いられる。該出力ユニット22は該内部回路ユニット4に接続し、該入力電圧Vinを該内部回路ユニット4に出力するために用いられる。該電圧制限ユニット14は、該入力ユニット12に接続し、該入力電圧Vinを受けると共に基準電圧Vrefを制限的に出力するために用いられる。該分圧モジュール16は、該入力ユニット12に接続し、該入力電圧Vinを受けると共に該入力電圧Vinを分圧して分圧電圧Vvdを生成するために用いられる。該比較モジュール16は該電圧制限ユニット14と該分圧モジュール16に接続し、該基準電圧Vrefと該分圧電圧Vvdを比較し、比較結果に基づいてスイッチング信号SSを生成するために用いられる。該スイッチングユニット20は該入力ユニット12と該出力ユニット22に接続し、該比較モジュール18が該スイッチング信号SS及び該入力電圧Vinを受け、該スイッチング信号SSが該入力電圧Vinを該スイッチングユニット20を通じて該出力ユニット22に出力するよう制御するために用いられる。よって、本発明の過電圧保護回路は、簡易な分圧モジュールを通じてポータブル電子デバイスの定格耐電圧を簡単に設定でき、且つ温度変化の影響を受けない電圧制限ユニットを組み合わせ、該定格電圧以下の入力電圧を該ポータブル電子デバイスにスムーズに供給させることができる以外に、正確に該定格電圧を超える該入力電圧つまり過電圧を該ポータブル電子デバイスに入力する前に効果的に隔離させるよう制御できる。該ポータブル電子デバイスは該定格電圧を超えた該入力電圧を受けても該ポータブル電子デバイスの内部回路ユニットに損傷を与えることを避けるほかに、更に該ポータブル電子デバイスが利用者の該入力電圧の誤使用により起きた著しい内部回路ユニットの破損から効果的に保護できる。