"複数のローラ間に張設されて走行しているワイヤソーに対して、該ワイヤソーの走行方向に沿って配置した複数の柱状の単結晶体を相対的に押圧し、前記ワイヤソーによって前記単結晶体を切断する単結晶体の切断方法であって、切断する対象である前記単結晶体が、中心軸に沿って一方端側から他方端側に向かう方向における構成元素の配列状態と、前記中心軸に沿って前記他方端側から前記一方端側に向かう方向における構成元素の配列状態とが異なっており、複数の前記単結晶体を、前記中心軸を前記ワイヤソーの走行方向に対して交差させるとともに、隣り合う2つの前記単結晶体同士で、前記一方端から前記他方端に向かう方向が反対となるように、前記ワイヤソーの走行方向に沿って互いに平行に1列に並べて配置し、走行している前記ワイヤソーに対して、配置した複数の前記単結晶体を相対的に押圧し、複数の前記単結晶体をそれぞれ切断することを特徴とする単結晶体の切断方法。前記ワイヤソーに対する前記単結晶体の押圧方向に沿った、前記単結晶体の結晶方位を、複数の前記単結晶体でいずれも同じとすることを特徴とする請求項1記載の単結晶体の切断方法。前記単結晶体に六方晶系の単結晶を用いることを特徴とする請求項1または2記載の単結晶体の切断方法。前記単結晶体が金属酸化物であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の単結晶体の切断方法。前記単結晶体に円柱状のものを用いることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の単結晶体の切断方法。例えば酸化亜鉛など、金属酸化物の六方晶の単結晶体など、インゴット状の単結晶体の中心軸に沿って一方端側から他方端側に向かう方向に見た場合の構成元素の配列状態と、中心軸に上記他方端側から上記一方端側に向かう方向における構成元素の配列状態とが異なっているものがある。すなわち、これらの結晶は、複数の単位格子にわたって複数種類の元素が配列しているため、例えば、結晶構造の0001方位を示すベクトルに沿って見た場合と、この0001方位と逆向きの、結晶構造の000-1方位を示すベクトルに沿って見た場合とでは、各種類の元素の配列順序や相対位置関係が異なっている。このような結晶では、例えば0001方位および000-1方位に平行な軸に対し、特定の方向に傾いた高次の結晶面で、結晶面における各構成元素の結合力が比較的強くなり、この特定方向に傾いた高次の結晶面が、表面に表れやすくなる傾向を有している。図5は、従来のワイヤソー装置を用いて、金属酸化物の六方晶の単結晶体を切断している状態について説明する概略斜視図である。図5に示すように、例えば0001方位および000-1方位に平行な軸を中心軸とする、金属酸化物の六方晶の単結晶体120について、図5に示すワイヤソー装置100を用いて切断する場合、図5に矢印で示すように、軸方向から特定方向に傾いてワイヤが切れ上がりやすく、切断によって得られるウエハの表面が傾いたり、微小な凹凸を備えた形状になり易いといった課題を有していた。これは、上述のように、特定方向に傾いた高次の結晶軸に沿って、ワイヤが進行しやすいことが原因と考えられる。本願は、かかる課題を解決するためになされたものである。上記課題を解決するために、本願は、複数のローラ間に張設されて走行しているワイヤソーに対して、該ワイヤソーの走行方向に沿って配置した複数の柱状の単結晶体を相対的に押圧し、前記ワイヤソーによって前記単結晶体を切断する単結晶体の切断方法であって、前記単結晶体に、中心軸に沿って一方端側から他方端側に向かう方向における構成元素の配列状態と、前記中心軸に沿って前記他方端側から前記一方端側に向かう方向における構成元素の配列状態とが異なっているものを用い、複数の前記単結晶体を、前記中心軸を前記ワイヤソーの走行方向に対して交差させるとともに、隣り合う2つの前記単結晶体同士で、前記一方端から前記他方端に向かう方向が反対となるように、前記ワイヤソーの走行方向に沿って互いに平行に1列に並べて配置し、走行している前記ワイヤソーに対して、配置した複数の前記単結晶体を一斉に相対的に押圧し、複数の前記単結晶体をそれぞれ切断することを特徴とする単結晶体の切断方法を提供する。本発明によれば、所望の結晶方位に高精度に対応する切断面をもつ単結晶ウエハを得ることができる。また、表面の平坦度が高い単結晶ウエハを得ることができる。以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本発明の単結晶体の切断方法の一実施形態について説明する図である。本発明の単結晶体の切断方法、図1に示すワイヤソー装置1を用いて行われる。ワイヤー装置1は、複数のローラ12と、これら複数のローラ12の間に張設されて走行するワイヤソー14と、保持手段16と、押圧手段18とを備えている。図1に示す例では、複数のローラ12の間に張設されて走行しているワイヤソー19に対して、ワイヤソー19の走行方向に沿って配置した、複数の柱状の単結晶体20を相対的に押圧し、ワイヤソー19によって単結晶体20を切断して、複数枚の単結晶ウエハ以下、単にウエハともいうを得る状態について示している。保持手段16は、ワイヤソー19に平行な下面を備えており、ワイヤソーの走行方向に沿って複数本実施形態では2つ配列されている。各保持手段16aおよび16bには、単結晶体20aおよび20bが、それぞれ配置されている。保持手段16aおよび16bの下面は、複数のローラ12の間に張設されて走行している、複数のワイヤソー19の走行面に略平行に配置されている。ワイヤソー19の走行面とは、各ワイヤソー19の軸心を含む仮想平面であり、より厳密には、各ワイヤソー19の軸心からの距離の和が最も小さくなる仮想平面をいう。保持手段16の上記下面は平面状であり、単結晶体20に形成されている平坦面が、接着剤等の接合手段を介して、保持手段16のこの下面に接合されている。ここで平坦面は、切り出した後のウエハにおいて、いわゆるオリエンテーションフラット面に対応する部分であり、円柱状の単結晶体20aおよび20bの周面の一部に形成された、単結晶体20aおよび20bの、各中心軸OaおよびObにそれぞれ平行な面である。平坦面には、単結晶体20の特定の結晶方位に垂直な結晶面が現れている。この平坦面における結晶面については、後に説明する。押圧手段18は、保持手段16aおよび16bを一体的に保持した土台部材を、図1中の上下方向に昇降させる。これにより、押圧手段18は、走行しているワイヤソー19に対して、保持手段16aおよび16bが保持する単結晶体20aおよび20bを、保持手段16aおよび16bに保持した状態で同時に相対的に押圧させる。押圧手段18による押圧により、ワイヤソー19は、単結晶体20aおよび20bに対して切れ上がることで、単結晶体20aおよび20bは複数のウエハに切り分けられる。なお、本実施形態では、保持手段16の対向面を、ワイヤソー19の走行面に平行に設定している状態について説明しているが、切断によって取得したいウエハ表面の状態、すなわち、取得したいウエハ表面の結晶面方位や、取得したいウエハ表面の、特定結晶方位に対するオフセット角等に応じて、設定すればよい。本実施形態で切断する単結晶体20aおよび20bは、いずれも、例えば酸化亜鉛等の、金属酸化物からなる六方晶の結晶からなる、いわゆるインゴット状の長尺の単結晶体である。本実施形態で切断する単結晶体20aおよび20bは、中心軸に沿った一方端A側から他方端B側に向かう方向における構成元素の配列状態と、中心軸に沿って他方端B側から一方端A側に向かう方向における構成元素の配列状態とが異なっている。本実施形態の単結晶体20aおよび20bは、いずれも中心軸OOaおよびObが、0001方位および000-1方位に平行であり、一方端A側から他方端B側に向かう方向が0001方向、一方端B側から他方端A側に向かう方向が000―1方向に対応している。図2は、単結晶体20aおよび20bの結晶構造について説明するための図である。図2では、単結晶体20aおよび20bに共通する結晶構造について、単位格子を縦方向に2つ並べた状態を示している。図2では各元素の配置位置等は示していないが、単結晶体20aおよび20bでは、結晶構造の0001方位を示すベクトルに沿って見た場合と、この0001方位と逆向きの、結晶構造の000-1方位を示すベクトルに沿って見た場合とでは、各種類の元素の配列順序や配列位置が異なっている。このような結晶では、例えば0001方位および000-1方位に平行な軸に対し、特定の方向に傾いた高次の結晶面で、結晶面における各構成元素の結合力が比較的強くなり、この特定方向に傾いた高次の結晶面が、表面に表れやすくなる傾向を有している。例えば、10-12方位を示すベクトルに沿って見た場合と、10-1-2方位を示すベクトルに沿って見た場合とでも、結晶の配列状態が異なっている。本実施形態では、例えば図2に示す、例えば10-12面からなる高次結晶面Dは結合力が比較的強い一方、10-1-2面からなる高次結晶面D ́では結合力が比較的弱く、高次結晶面Dに沿って単結晶体が劈開し易い一方で、高次結晶面D ́に沿っては劈開され難い。本実施形態では、複数の単結晶体20aおよび20bが、各中心軸OaおよびObをワイヤソー19の走行方向に対して交差させるとともに、隣り合う2つの単結晶体20aおよび20bの間で、中心軸OaおよびObに沿った方向における構成元素の配列状態が異なるように交互に、ワイヤソー19の走行方向に沿って互いに平行に1列に並べて配置している。すなわち、より詳しくは、本実施形態では、各単結晶体20aおよび20bそれぞれにおける、一方端Aから一方端Bに向かう方向のベクトル0001方向に対応が、2つの単結晶体20aおよび20bとで、互いに反対の方向を向くように配置されている。加えて、ワイヤソー装置1では、2つの単結晶体20aおよび20bが、矢印Mに示す方向11-20方向に垂直に移動される。すなわち、単結晶体20aおよび20bは、11-20面に平行な平坦面を備え、ワイヤソー装置1では、この平坦面が、上記保持部材16aおよび16bの上述の下面に対向した状態で、単結晶体20aおよび20bそれぞれが、各保持手段16aおよび16bに、それぞれ接合されている。また、ワイヤソー19は、この平坦面に平行な面11-20面に平行な面を走行面として、この矢印Mと中心軸Oとの双方に垂直な方向矢印Rで示すに沿って走行するワイヤソー19に押圧される。ワイヤソー装置1において、各単結晶体20aおよび20bにおける結晶方位とワイヤソーとの関係が、以上の関係になるよう単結晶体およびワイヤソー装置の各部材が設定されている。本実施形態では、この配置の状態で、走行しているワイヤソー19に対して、配置した複数の単結晶体20aおよび20bを同時に相対的に押圧し、それぞれの単結晶体20aおよび20bをそれぞれ切断する。図3は、ワイヤソー装置1を用いて、単結晶体20aおよび20bを切断している状態について説明する概略側面図である。図3aは単結晶体20aのみを示し、図3bは単結晶体20bのみを示し、図3cは単結晶体20aおよび20bを併せて示している。図3a~cはいずれも、図1に示す矢印Sに示す方向に沿った見た場合の側面図である。仮に、単結晶体20aのみを1本だけ配置して切断する場合は、単結晶体20bのみを1本だけ配置して切断する場合では、図3およびbに破線で示す、結合力が比較的強い高次結晶面Dに沿ってワイヤソー19が切れ込むような力がワイヤソー19に働く。この力によって、ワイヤソー19が、図3中の矢印Cで示す方向に進行するように切れ込み、ワイヤソー19は、単結晶体20aおよび20bの、ワイヤソー19に対する押圧方向図3中の下向きに対して、ずれた方向に進行する。このずれ量は微小な場合が多いが、高次結晶面の結合力やワイヤソー19にかかる張力、ワイヤソー19の表面状態など、複数の要因によって変動し、制御が難しい。しかしならが、本実施形態では、単結晶体20aおよび20bは、中心軸に沿った一方端A側から他方端B側に向かう方向における構成元素の配列状態と、中心軸に沿って前記他方端側から前記一方端側に向かう方向における構成元素の配列状態とが異なっている。より詳しくは、本実施形態では、各単結晶体20aおよび20bそれぞれにおける、一方端Aから一方端Bに向かう方向のベクトル0001方向に対応が、2つの単結晶体20aおよび20b間で反対となるよう配置されている。このため、図3cに示すように、単結晶体20aと単結晶体20bとで、高次結晶面の存在に起因してワイヤにかかる力上記ずれの原因となる力が相殺され、単結晶体の押圧方向に対するワイヤソー19のずれ量を小さくすることができる。本実施形態では、中心軸に沿った一方端A側から他方端B側に向かう方向における構成元素の配列状態と、中心軸に沿って他方端B側から一方端A側に向かう方向における構成元素の配列状態とが異なっている単結晶体であっても、所望の結晶方位に高精度に対応する切断面をもつ単結晶ウエハを得ることができる。また、ワイヤの切れ込み方向のずれが抑制されるので、所望する切れ込み方向に沿って、高い平坦性を有するウエハを得ることができる。図4は、本発明の単結晶体の切断方法の、他の実施形態について説明する図である。図4は、同一の単結晶体を3つ平行に配置した例である。図4に示す場合も、隣り合う2つの単結晶体間で中心軸に沿った一方向における構成元素の配列状態が異なるように、交互に配置されている。図4に示す場合も、各単結晶間における、中心軸方向に沿って見る方向を変えた場合に現れる、構成元素の配列状態の相違に起因してワイヤソー19にかかる力が、隣り合った単結晶体の間で逆方向に働き、ワイヤソー19の切れ込み方向のずれの程度が小さくされる。単結晶体の数等は特に限定されない。なお、上記実施形態では、金属酸化物の六方向晶を例に挙げたが、切断する対象の単結晶体の結晶構造の種類は特に限定されない。中心軸に沿って一方端側から他方端側に向かう方向における構成元素の配列状態と、前記中心軸に沿って前記他方端側から前記一方端側に向かう方向における構成元素の配列状態とが異なっている単結晶であれば、ずれ方向の力を打ち消し合う効果を奏する。例えば、フッ化カルシウム,燐化インジウム,窒化ガリウム,砒化ガリウムまたは炭化珪素等の単結晶体などの各種単結晶体の切断においても、上述の効果を奏する。単結晶体が金属酸化物の場合、金属と酸素との配列状態が複雑になり、特徴的な高次結晶面を備えることが多く、さらに六方晶の場合に顕著になる。本願発明は、金属酸化物の切断、また、六方晶の切断において、顕著な効果を奏する。また、単結晶体の断面形状について特に限定はされないが、円柱状であれば、切れ込み当初はワイヤソー19と単結晶体20aとの接触長さが小さく、切断が進行するにつれて、この接触長さが徐々に長くなっている。単結晶体が円形状の場合、切断当初で大きなずれが生じることがなく、ずれ方向の力も、均等さを保ちながら徐々に大きくなっていくので、切断当初から切断終了まで、このずれ方向の力が高精度に均等した状態で維持することができる。単結晶体は円柱状であることが好ましい。以上、本発明の一実施形態について図面を用いて説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行ってもよいのはもちろんである。"