"水を介してレジスト被膜を露光する液浸露光に用いられる液浸露光用感放射線性樹脂組成物であって、樹脂と、感放射線性酸発生剤と、t-ブトキシカルボニル基が窒素原子に結合している化合物からなる酸拡散制御剤と、溶剤と、を含有することを特徴とする液浸露光用感放射線性樹脂組成物。t-ブトキシカルボニル基が窒素原子に結合している前記化合物が、下記一般式Aで表される化合物である請求項1に記載の液浸露光用感放射線性樹脂組成物。一般式Aにおいて、Rは相互に独立に水素原子、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、Rは相互に結合して、それぞれが結合している炭素原子とともに炭素数1~20の2価の複素環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。前記樹脂がラクトン骨格を含む繰り返し単位を含有する請求項1又は2に記載の液浸露光用感放射線性樹脂組成物。本発明の目的は、得られるパターン形状が良好であり、焦点深度に優れ且つ液浸露光時に接触した水への溶出物の量が少ない液浸露光用感放射線性樹脂組成物を提供することにある。前記の目的を達成するための手段として、請求項1の発明は、水を介してレジスト被膜を露光する液浸露光に用いられる液浸露光用感放射線性樹脂組成物であって、樹脂と、感放射線性酸発生剤と、t-ブトキシカルボニル基が窒素原子に結合している化合物からなる酸拡散制御剤と、溶剤と、を含有することを特徴とする液浸露光用感放射線性樹脂組成物である。請求項2の発明は、t-ブトキシカルボニル基が窒素原子に結合している前記化合物が、下記一般式Aで表される化合物である請求項1に記載の液浸露光用感放射線性樹脂組成物である。一般式Aにおいて、Rは相互に独立に水素原子、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、Rは相互に結合して、それぞれが結合している炭素原子とともに炭素数1~20の2価の複素環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。請求項3の発明は、前記樹脂がラクトン骨格を含む繰り返し単位を含有する請求項1又は2に記載の液浸露光用感放射線性樹脂組成物である。本発明の特定の化合物からなる酸拡散制御剤を含む液浸露光用感放射線性樹脂組成物を用いれば、得られるパターン形状が良好で解像度及び焦点深度にも優れ且つ液浸露光時に接触する水への溶出物の量を低減することができる。以下、本発明を詳細に説明する。<樹脂>本発明における樹脂は、酸の作用によりアルカリ可溶性となるアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性の樹脂以下、樹脂Aともいう。である。ここでいうアルカリ不溶性又はアルカリ難溶性とは、樹脂Aを含有する感放射線性樹脂組成物から形成されたレジスト被膜からレジストパターンを形成する際に採用されるアルカリ現像条件下で、当該レジスト被膜の代わりに樹脂Aのみを用いた被膜を現像した場合に、当該被膜の初期膜厚の50以上が現像後に残存する性質を意味する。前記樹脂Aとしては、例えば、ノルボルネン誘導体等を重合して得られる主鎖にノルボルナン環等の脂環式骨格を有する樹脂、ノルボルネン誘導体と無水マレイン酸を共重合して得られる主鎖にノルボルナン環及び無水マレイン酸誘導体を有する樹脂、ノルボルネン誘導体とメタアクリル化合物を共重合して得られる主鎖にノルボルナン環とメタアクリル骨格が混在する樹脂、ノルボルネン誘導体と無水マレイン酸、メタアクリル化合物を共重合して得られる主鎖にノルボルナン環と無水マレイン酸誘導体とメタアクリル骨格が混在する樹脂、メタアクリル化合物を共重合して得られる主鎖がメタアクリル骨格の樹脂等が挙げられる。尚、本明細書中におけるメタアクリルとは、アクリル、メタクリルのどちらか一方或いは両方を示す。特に、前記樹脂Aとしては、ラクトン骨格を含む繰り返し単位以下、繰り返し単位1という。を少なくとも1種類以上含有するものが好ましい。この繰り返し単位1を有することにより、樹脂Aの剛直性が大きくなり、その結果、液浸露光時における酸発生剤や酸拡散制御剤等の水への溶出が低減されると推測される。ラクトン骨格を含む前記繰り返し単位1としては、例えば、下記一般式1-1~1-6に示す繰り返し単位が挙げられる。一般式1-1~1-6の各式において、R1は水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、又はヒドロキシメチル基を示し、R2は水素原子又は炭素数1~4の置換基を有してもよいアルキル基を示し、R3は水素原子又はメトキシ基を示す。また、Aは単結合又はメチレン基を示し、Bは酸素原子又はメチレン基を示す。更に、lは1~3の整数を示し、mは0又は1である。前記R2における、炭素数1~4の置換基を有してもよいアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等を挙げることができる。また、本発明における樹脂Aは、前記繰り返し単位1以外の繰り返し単位を含んでいてもよく、下記一般式2で表される繰り返し単位以下、繰り返し単位2という。を含有していることが好ましい。一般式2において、R4は水素原子又はメチル基を示す。各々のR5は相互に独立に炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体、又は炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を示し、且つ、R5は以下の1又は2の条件を満たす。1R5のうちの少なくとも1つは炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体である。2いずれか2つのR5が相互に結合して、それぞれが結合している炭素原子と共に炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成し、残りのR5が炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基若しくはその誘導体、又は炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基である。一般式2において、R5の炭素数4~20の1価の脂環式炭化水素基、及び何れか2つのR5が相互に結合して形成した炭素数4~20の2価の脂環式炭化水素基としては、例えば、ノルボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン、アダマンタンや、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカン類等に由来する脂環族環からなる基;これらの脂環族環からなる基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の炭素数1~4の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基等を挙げることができる。これらの脂環式炭化水素基のうち、ノルボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン、アダマンタン、シクロペンタン又はシクロヘキサンに由来する脂環族環からなる基や、これらの脂環族環からなる基を前記アルキル基で置換した基等が好ましい。また、前記脂環式炭化水素基の誘導体としては、例えば、ヒドロキシル基;カルボキシル基;オキソ基即ち、=O基;ヒドロキシメチル基、1-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキシエチル基、1-ヒドロキシプロピル基、2-ヒドロキシプロピル基、3-ヒドロキシプロピル基、1-ヒドロキシブチル基、2-ヒドロキシブチル基、3-ヒドロキシブチル基、4-ヒドロキシブチル基等の炭素数1~4のヒドロキシアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基等の炭素数1~4のアルコキシル基;シアノ基;シアノメチル基、2-シアノエチル基、3-シアノプロピル基、4-シアノブチル基等の炭素数2~5のシアノアルキル基等の置換基を1種以上或いは1個以上有する基を挙げることができる。これらの置換基のうち、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ヒドロキシメチル基、シアノ基、シアノメチル基等が好ましい。また、R5の炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基のうち、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基が好ましい。また、一般式2における基-COOCR53は、酸の作用により解離してカルボキシル基を形成する酸解離性基をなしている。以下、基-COOCR53を酸解離性基iという。好ましい酸解離性基iとしては、例えば、下記式a、式b、式c又は式dで表される基が好ましい。式a、式b、式c及び式dにおいて、各R6は相互に独立に炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を示し、mは0又は1である。式a、式b、式c及び式dにおいて、R6の炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等を挙げることができる。これらのアルキル基のうち、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基が好ましい。式aで表される基としては、特に、2つのR6がともにメチル基である基が好ましい。また、式bで表される基としては、特に、R6がメチル基、エチル基、n-プロピル基、又はi-プロピル基である基が好ましい。また、式cで表される基としては、特に、mが0でR6がメチル基である基、mが0でR6がエチル基である基、mが1でR6がメチル基である基、mが1でR6がエチル基である基が好ましい。式dで表される基としては、特に、2つのR6がともにメチル基である基が好ましい。また、前記以外の酸解離性基iとしては、例えば、t-ブトキシカルボニル基や、下記式e-1~e-41の基等を挙げることができる。また、本発明における樹脂Aは、前記繰り返し単位2を2種以上含有していてもよい。尚、前記繰り返し単位1及び繰り返し単位2は、それぞれ対応するメタアクリル酸誘導体に由来する繰り返し単位である尚、明細書中、メタアクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの双方を意味するものとする。樹脂Aは、更に、繰り返し単位1及び繰り返し単位2以外の繰り返し単位以下、他の繰り返し単位という。を1種以上含有することができる。この他の繰り返し単位としては、下記一般式3~5で表される繰り返し単位以下、一般式3の繰り返し単位を繰り返し単位3、一般式4の繰り返し単位を繰り返し単位4、一般式5の繰り返し単位を繰り返し単位5、及び、芳香族化合物に由来する繰り返し単位から選ばれる少なくとも1種の繰り返し単位を含有することが好ましい。一般式3において、R7は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示し、Xは炭素数7~20の多環型脂環式炭化水素基である。尚、この炭素数7~20の多環型脂環式炭化水素基は、炭素数1~4のアルキル基、ヒドロキシル基、シアノ基、炭素数1~10のヒドロキシアルキル基で置換されていてもよい。一般式4において、R8は水素原子、炭素数1~4のアルキル基、トリフルオロメチル基、又はヒドロキシメチル基を示し、R9は2価の有機基を示す。一般式5において、R10は水素又はメチル基を表し、Xは単結合又は炭素数1~3の2価の有機基を表し、Yは相互に独立に単結合又は炭素数1~3の2価の有機基を表し、R11は相互に独立に水素原子、水酸基、シアノ基、又はCOOR12基を表す但し、R12は水素原子或いは炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数3~20の脂環式のアルキル基を表す。。前記一般式3で表される繰り返し単位3のXは、炭素数7~20の多環型脂環式炭化水素基である。このような多環型脂環式炭化水素基としては、例えば、下記式に示すように、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン3a、ビシクロ[2.2.2]オクタン3b、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン3c、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン3d、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカン3e等のシクロアルカン類に由来する脂環族環からなる炭化水素基が挙げられる。これらのシクロアルカン由来の脂環族環は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の炭素数1~4の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換してもよい。これらは例えば、以下の様な具体例で表されるが、これらのアルキル基によって置換されたものに限定されるものではなく、ヒドロキシル基、シアノ基、炭素数1~10のヒドロキシアルキル基、カルボキシル基、酸素で置換されたものであってもよい。また、これらの繰り返し単位3は1種又は2種以上を含有することができる。一般式4で表される繰り返し単位4のR8は水素原子、炭素数1~4のアルキル基、トリフルオロメチル基、又はヒドロキシメチル基を示す。炭素数1~4のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等のアルキル基が挙げられる。一般式4で表される繰り返し単位4のR9としての2価の有機基は、好ましくは2価の炭化水素基であり、2価の炭化水素基の中でも好ましくは鎖状又は環状の炭化水素基が好ましく、アルキレングリコール基、アルキレンエステル基であってもよい。好ましいR9としては、メチレン基、エチレン基、1,3-プロピレン基若しくは1,2-プロピレン基などのプロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、トリデカメチレン基、テトラデカメチレン基、ペンタデカメチレン基、ヘキサデカメチレン基、ヘプタデカメチレン基、オクタデカメチレン基、ノナデカメチレン基、インサレン基、1-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル1,3-プロピレン基、2-メチル-1,2-プロピレン基、1-メチル-1,4-ブチレン基、2-メチル-1,4-ブチレン基、メチリデン基、エチリデン基、プロピリデン基、又は、2-プロピリデン基等の飽和鎖状炭化水素基、1,3-シクロブチレン基などのシクロブチレン基、1,3-シクロペンチレン基などのシクロペンチレン基、1,4-シクロヘキシレン基などのシクロヘキシレン基、1,5-シクロオクチレン基などのシクロオクチレン基等の炭素数3~10のシクロアルキレン基などの単環式炭化水素環基、1,4-ノルボルニレン基若しくは2,5-ノルボルニレン基などのノルボルニレン基、1,5-アダマンチレン基、2,6-アダマンチレン基などのアダマンチレン基等の2~4環式炭素数4~30の炭化水素環基などの架橋環式炭化水素環基等が挙げられる。特にR9として2価の脂肪族環状炭化水素基を含むときは、ビストリフルオロメチル-ヒドロキシ-メチル基と該脂肪族環状炭化水素基との間にスペーサーとして炭素数1~4のアルキレン基を挿入することが好ましい。また、R9としては、2,5-ノルボルニレン基を含む炭化水素基、1,2-エチレン基、プロピレン基が好ましい。特に好ましい繰り返し単位4は、以下に示す式4-1~4-4である。一般式5で表される繰り返し単位5において、Xは単結合又は炭素数1~3の2価の有機基を表し、Yは相互に独立に単結合又は炭素数1~3の2価の有機基を表すが、X及びYで表される炭素数1~3の2価の有機基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基が挙げられる。一般式5で表される繰り返し単位5におけるR11で表される-COOR12基のR12は、水素原子或いは炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数3~20の脂環式のアルキル基を表す。R12における、前記炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基を例示できる。また、前記炭素数3~20の脂環式のアルキル基としては、-CnH2n-1nは3~20の整数で表されるシクロアルキル基、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等が、また、多環型脂環式アルキル基、例えばビシクロ[2.2.1]ヘプチル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デシル基、テトラシクロ[6.2.13,6.02,7]ドデカニル基、アダマンチル基等、又は、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基の1種以上或いは1個以上でシクロアルキル基又は多環型脂環式アルキル基の一部を置換した基等が挙げられる。尚、3つのR11のうち少なくとも一つは水素原子でなく、且つXが単結合のときは、3つのYのうち少なくとも一つは炭素数1~3の2価の有機基であることが好ましい。一般式5で表される繰り返し単位5を生じさせる好ましい単量体としては、メタアクリル酸3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシ-5-シアノアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシ-5-カルボキシルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシ-5-メトキシカルボニルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシメチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3,5-ジヒドロキシメチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシ-5-ヒドロキシメチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-シアノ-5-ヒドロキシメチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシメチル-5-カルボキシルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシメチル-5-メトキシカルボニルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-シアノアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3,5-ジシアノアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-シアノ-5-カルボキシルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-シアノ-5-メトキシカルボニルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-カルボキシルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3,5-ジカルボキシルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-カルボキシル-5-メトキシカルボニルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-メトキシカルボニルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3,5-ジメトキシカルボニルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシ-5-メチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3,5-ジヒドロキシ-7-メチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシ-5-シアノ-7-メチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシ-5-カルボキシル-7-メチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシ-5-メトキシカルボニル-7-メチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシメチル-5-メチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3,5-ジヒドロキシメチル-7-メチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシ-5-ヒドロキシメチル-7-メチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3-シアノ-5-ヒドロキシメチル-7-メチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシメチル-5-カルボキシル-7-メチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシメチル-5-メトキシカルボニル-7-メチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3-シアノ-5-メチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3,5-ジシアノ-7-メチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3-シアノ-5-カルボキシル-7-メチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3-シアノ-5-メトキシカルボニル-7-メチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3-カルボキシル-5-メチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3,5-ジカルボキシル-7-メチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3-カルボキシル-5-メトキシカルボニル-7-メチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3-メトキシカルボニル-5-メチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3,5-ジメトキシカルボニル-7-メチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシ-5-メチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3,5-ジヒドロキシ-7-メチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシ-5-シアノ-7-メチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシ-5-カルボキシル-7-メチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシ-5-メトキシカルボニル-7-メチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシメチル-5-メチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3,5-ジヒドロキシメチル-7-メチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシ-5-ヒドロキシメチル-7-メチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-シアノ-5-ヒドロキシメチル-7-メチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシメチル-5-カルボキシル-7-メチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシメチル-5-メトキシカルボニル-7-メチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-シアノ-5-メチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3,5-ジシアノ-7-メチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-シアノ-5-カルボキシル-7-メチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-シアノ-5-メトキシカルボニル-7-メチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-カルボキシル-5-メチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3,5-ジカルボキシル-7-メチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-カルボキシル-5-メトキシカルボニル-7-メチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-メトキシカルボニル-5-メチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3,5-ジメトキシカルボニル-7-メチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシ-5,7-ジメチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシメチル-5,7-ジメチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3-シアノ-5,7-ジメチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3-カルボキシル-5,7-ジメチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3-メトキシカルボニル-5,7-ジメチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシ-5,7-ジメチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシメチル-5,7-ジメチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-シアノ-5,7-ジメチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-カルボキシル-5,7-ジメチルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-メトキシカルボニル-5,7-ジメチルアダマンタン-1-イルメチルエステル等が挙げられる。これらのなかでも、メタアクリル酸3-ヒドロキシアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3,5-ジヒドロキシアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-シアノアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-カルボキシルアダマンタン-1-イルメチルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシ-5-メチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3,5-ジヒドロキシ-7-メチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシ-5,7-ジメチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3-カルボキシル-5,7-ジメチルアダマンタン-1-イルエステル、メタアクリル酸3-ヒドロキシ-5,7-ジメチルアダマンタン-1-イルメチルエステル等の単量体が特に好ましい。また、前記芳香族化合物に由来する繰り返し単位を生じさせる好ましい単量体としては、スチレン、α-メチルスチレン、2-メチルスチレン、3-メチルスチレン、4-メチルスチレン、2-メトキシスチレン、3-メトキシスチレン、4-メトキシスチレン、4-2-t-ブトキシカルボニルエチルオキシスチレン2-ヒドロキシスチレン、3-ヒドロキシスチレン、4-ヒドロキシスチレン、2-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、3-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、4-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、2-メチル-3-ヒドロキシスチレン、4-メチル-3-ヒドロキシスチレン、5-メチル-3-ヒドロキシスチレン、2-メチル-4-ヒドロキシスチレン、3-メチル-4-ヒドロキシスチレン、3,4-ジヒドロキシスチレン、2,4,6-トリヒドロキシスチレン、4-t-ブトキシスチレン、4-t-ブトキシ-α-メチルスチレン、4-2-エチル-2-プロポキシスチレン、4-2-エチル-2-プロポキシ-α-メチルスチレン、4-1-エトキシエトキシスチレン、4-1-エトキシエトキシ-α-メチルスチレン、メタアクリル酸フェニル、メタアクリル酸ベンジル、アセナフチレン、5-ヒドロキシアセナフチレン、1-ビニルナフタレン、2-ビニルナフタレン、2-ヒドロキシ-6-ビニルナフタレン、1-ナフチルメタアクリレート、2-ナフチルメタアクリレート、1-ナフチルメチルメタアクリレート、1-アントリルメタアクリレート、2-アントリルメタアクリレート、9-アントリルメタアクリレート、9-アントリルメチルメタアクリレート、1-ビニルピレン等が挙げられる。更に、本発明における樹脂Aは、前記繰り返し単位1~5及び芳香族に由来する繰り返し単位以外の繰り返し単位以下、更に他の繰り返し単位という。を1種以上含有することができる。この更に他の繰り返し単位としては、例えば、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸n-プロピル、メタアクリル酸n-ブチル、メタアクリル酸2-メチルプロピル、メタアクリル酸1-メチルプロピル、メタアクリル酸t-ブチル、メタアクリル酸2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸2-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸3-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸シクロプロピル、メタアクリル酸シクロペンチル、メタアクリル酸シクロヘキシル、メタアクリル酸4-メトキシシクロヘキシル、メタアクリル酸2-シクロペンチルオキシカルボニルエチル、メタアクリル酸2-シクロヘキシルオキシカルボニルエチル、メタアクリル酸2-4-メトキシシクロヘキシルオキシカルボニルエチル等の有橋式炭化水素骨格をもたないメタアクリル酸エステル類;α-ヒドロキシメチルアクリル酸メチル、α-ヒドロキシメチルアクリル酸エチル、α-ヒドロキシメチルアクリル酸n-プロピル、α-ヒドロキシメチルアクリル酸n-ブチル等のα-ヒドロキシメチルアクリル酸エステル類;メタアクリロニトリル、α-クロロアクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル、メサコンニトリル、シトラコンニトリル、イタコンニトリル等の不飽和ニトリル化合物;メタアクリルアミド、N,N-ジメチルメタアクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコンアミド、イタコンアミド等の不飽和アミド化合物;N-メタアクリロイルモルホリン、N-ビニル-ε-カプロラクタム、N-ビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビニルイミダゾール等の他の含窒素ビニル化合物;メタアクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、無水イタコン酸、シトラコン酸、無水シトラコン酸、メサコン酸等の不飽和カルボン酸無水物類;メタアクリル酸2-カルボキシエチル、メタアクリル酸2-カルボキシプロピル、メタアクリル酸3-カルボキシプロピル、メタアクリル酸4-カルボキシブチル、メタアクリル酸4-カルボキシシクロヘキシル等の不飽和カルボン酸の有橋式炭化水素骨格をもたないカルボキシル基含有エステル類;α-メタアクリロイルオキシ-β-メトキシカルボニル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイルオキシ-β-エトキシカルボニル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイルオキシ-β-n-プロポキシカルボニル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイルオキシ-β-i-プロポキシカルボニル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイルオキシ-β-n-ブトキシカルボニル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイルオキシ-β-2-メチルプロポキシカルボニル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイルオキシ-β-1-メチルプロポキシカルボニル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイルオキシ-β-t-ブトキシカルボニル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイルオキシ-β-シクロヘキシルオキシカルボニル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイルオキシ-β-4-t-ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイルオキシ-β-フェノキシカルボニル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイルオキシ-β-1-エトキシエトキシカルボニル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイルオキシ-β-1-シクロヘキシルオキシエトキシカルボニル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイルオキシ-β-t-ブトキシカルボニルメトキシカルボニル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイルオキシ-β-テトラヒドロフラニルオキシカルボニル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイルオキシ-β-テトラヒドロピラニルオキシカルボニル-γ-ブチロラクトン、α-メトキシカルボニル-β-メタアクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン、α-エトキシカルボニル-β-メタアクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン、α-n-プロポキシカルボニル-β-メタアクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン、α-i-プロポキシカルボニル-β-メタアクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン、α-n-ブトキシカルボニル-β-メタアクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン、α-2-メチルプロポキシカルボニル-β-メタアクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン、α-1-メチルプロポキシカルボニル-β-メタアクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン、α-t-ブトキシカルボニル-β-メタアクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン、α-シクロヘキシルオキシカルボニル-β-メタアクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン、α-4-t-ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル-β-メタアクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン、α-フェノキシカルボニル-β-メタアクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン、α-1-エトキシエトキシカルボニル-β-メタアクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン、α-1-シクロヘキシルオキシエトキシカルボニル-β-メタアクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン、α-t-ブトキシカルボニルメトキシカルボニル-β-メタアクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン、α-テトラヒドロフラニルオキシカルボニル-β-メタアクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン、α-テトラヒドロピラニルオキシカルボニル-β-メタアクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン等の酸解離性基を有するメタアクリロイルオキシラクトン化合物;α-メタアクリロイルオキシ-β-フルオロ-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイルオキシ-β-ヒドロキシ-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイルオキシ-β-メチル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイルオキシ-β-エチル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイルオキシ-β,β-ジメチル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイルオキシ-β-メトキシ-γ-ブチロラクトン、α-フルオロ-β-メタアクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン、α-ヒドロキシ-β-メタアクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン、α-メチル-β-メタアクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン、α-エチル-β-メタアクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン、α,α-ジメチル-β-メタアクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン、α-メトキシ-β-メタアクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイルオキシ-δ-メバロノラクトン等の酸解離性基をもたないメタアクリロイルオキシラクトン化合物等の単官能性単量体や、1,2-アダマンタンジオールジメタアクリレート、1,3-アダマンタンジオールジメタアクリレート、1,4-アダマンタンジオールジメタアクリレート、トリシクロデカニルジメチロールジメタアクリレート等の有橋式炭化水素骨格を有する多官能性単量体;メチレングリコールジメタアクリレート、エチレングリコールジメタアクリレート、プロピレングリコールジメタアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジメタアクリレート、2,5-ジメチル-2,5-ヘキサンジオールジメタアクリレート、1,8-オクタンジオールジメタアクリレート、1,9-ノナンジオールジメタアクリレート、1,4-ビス2-ヒドロキシプロピルベンゼンジメタアクリレート、1,3-ビス2-ヒドロキシプロピルベンゼンジメタアクリレート等の有橋式炭化水素骨格をもたない多官能性単量体等の多官能性単量体の重合性不飽和結合が開裂した単位を挙げることができる。これらの前記式1~5及び芳香族に由来する繰り返し単位以外の、更に他の繰り返し単位のうち、有橋式炭化水素骨格を有するメタアクリル酸エステル類の重合性不飽和結合が開裂した単位等が好ましい。樹脂Aにおいて、前記繰り返し単位1の含有率は、樹脂Aにおける全繰り返し単位の合計100モルに対して、5~85モルであることが好ましく、より好ましくは10~70モル、更に好ましくは15~60モルである。この繰り返し単位1の含有率が5モル未満では、現像性、露光余裕が悪化する傾向がある尚、露光余裕とは、露光量の変化に対する線幅の変動を示す。。一方85モルを超えると、樹脂全体の溶剤への溶解性が低くなり、解像度が悪化する傾向がある。また、前記繰り返し単位2の含有率は、樹脂Aにおける全繰り返し単位の合計100モルに対して、10~70モルであることが好ましく、より好ましくは15~60モル、更に好ましくは20~50モルである。この繰り返し単位2の含有率が10モル未満では、レジストとしての解像度が低下するおそれがあり、一方70モルを超えると、露光余裕が悪化するおそれがある。また、前記繰り返し単位3の含有率は、樹脂Aにおける全繰り返し単位の合計100モルに対して、30モル以下であることが好ましく、より好ましくは25モル以下である。この繰り返し単位3の含有率が30モルを超えると、得られるレジスト被膜がアルカリ現像液により膨潤しやすくなったり、アルカリ現像液に対する溶解性が低下したりするおそれがある。また、前記繰り返し単位4の含有率は、樹脂Aにおける全繰り返し単位の合計100モルに対して、30モル以下であることが好ましく、より好ましくは25モル以下である。この繰り返し単位4の含有率が30モルを超えると、レジストパターンのトップロスが生じパターン形状が悪化するおそれがある。また、前記繰り返し単位5の含有率は、樹脂Aにおける全繰り返し単位の合計100モルに対して、30モル以下であることが好ましく、より好ましくは25モル以下である。この繰り返し単位5の含有率が30モルを超えると、得られるレジスト被膜がアルカリ現像液により膨潤しやすくなったり、アルカリ現像液に対する溶解性が低下したりするおそれがある。また、前記芳香族に由来する繰り返し単位の含有率は、樹脂Aにおける全繰り返し単位の合計100モルに対して、40モル以下であることが好ましく、より好ましくは30モル以下である。この芳香族に由来する繰り返し単位の含有率が40モルを超えると、放射線透過率が低くなりパターンプロファイルが悪化するおそれがある。更に、前記更に他の繰り返し単位の含有率は、樹脂Aにおける全繰り返し単位の合計100モルに対して、50モル以下であることが好ましく、より好ましくは40モル以下である。樹脂Aは、例えば、その各繰り返し単位に対応する重合性不飽和単量体を、ヒドロパーオキシド類、ジアルキルパーオキシド類、ジアシルパーオキシド類、アゾ化合物等のラジカル重合開始剤を使用し、必要に応じて連鎖移動剤の存在下、適当な溶媒中で重合することにより製造することができる。前記重合に使用される溶媒としては、例えば、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等のアルカン類;シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン類;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類;クロロブタン類、ブロモヘキサン類、ジクロロエタン類、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-ブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類;アセトン、2-ブタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-ヘプタノン等のケトン類;テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエトキシエタン類等のエーテル類等を挙げることができる。これらの溶媒は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。また、前記重合における反応温度は、通常、40~150°C、好ましくは50~120°Cであり、反応時間は、通常、1~48時間、好ましくは1~24時間である。樹脂AのゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCによるポリスチレン換算重量平均分子量以下、Mwという。は、特に限定されないが、好ましくは1000~100000、更に好ましくは1000~30000、更に好ましくは1000~20000である。この場合、樹脂AのMwが1000未満では、レジストとしたときの耐熱性が低下する傾向があり、一方100000を超えると、レジストとしたときの現像性が低下する傾向がある。また、樹脂AのMwとゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCによるポリスチレン換算数平均分子量以下、Mnという。との比Mw/Mnは、通常、1~5、好ましくは1~3である。また、本発明における樹脂Aにおいては、この樹脂Aを調製する際に用いられる単量体由来の低分子量成分の含有量が固形分換算にて、この樹脂100質量に対して0.1質量以下であることが好ましく、より好ましくは0.07質量以下、更に好ましくは0.05質量以下である。この含有量が0.1質量以下である場合には、液浸露光時に接触した水への溶出物の量を少なくすることができる。更に、レジスト保管時にレジスト中に異物が発生することがなく、レジスト塗布時においても塗布ムラが発生することなく、レジストパターン形成時における欠陥の発生を十分に抑制することができる。前記単量体由来の低分子量成分としては、モノマー、ダイマー、トリマー、オリゴマーが挙げられ、Mw500以下の成分とすることができる。このMw500以下の成分は、例えば、水洗、液々抽出等の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法との組み合わせ等により除去することができる。また、樹脂の高速液体クロマトグラフィーHPLCにより分析することができる。尚、樹脂Aは、ハロゲン、金属等の不純物の含有量が少ないほど好ましく、それにより、レジストとしたときの感度、解像度、プロセス安定性、パターン形状等を更に改善することができる。また、樹脂Aの精製法としては、例えば、水洗、液々抽出等の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法との組み合わせ等を挙げることができる。本発明において、樹脂Aは、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。<感放射線性酸発生剤>本発明において使用される感放射線性酸発生剤以下、単に酸発生剤Bともいう。は、露光により発生する酸の作用によって、樹脂A中に存在する酸解離性基を解離させ保護基を脱離させ、その結果レジスト被膜の露光部がアルカリ現像液に易溶性となり、ポジ型のレジストパターンを形成する作用を有するものである。本発明における酸発生剤Bとしては、下記一般式6で表される化合物以下、酸発生剤1という。を含むものが好ましい。一般式6において、R13は水素原子、フッ素原子、水酸基、炭素原子数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素原子数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシル基、炭素原子数2~11の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシカルボニル基を示し、R14は炭素原子数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、アルコキシル基若しくは炭素原子数1~10の直鎖状、分岐状、環状のアルカンスルホニル基を示し、R15は独立に炭素原子数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、置換されていてもよいフェニル基又は置換基されていてもよいナフチル基を示すか、或いは2個のR15が互いに結合して炭素原子数2~10の2価の基を形成しており、該2価の基は置換されていてもよく、kは0~2の整数であり、X-は式:R16CnF2nSO3-式中、R16は、フッ素原子又は置換されていてもよい炭素原子数1~12の炭化水素基を示し、nは1~10の整数であるで表されるアニオンを示し、rは0~10の整数である。一般式6において、R13、R14及びR15の炭素原子数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基等を挙げることができる。これらのアルキル基のうち、メチル基、エチル基、n-ブチル基、t-ブチル基等が好ましい。また、R13及びR14の炭素原子数1~10の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシル基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシルオキシ基等を挙げることができる。これらのアルコキシル基のうち、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、n-ブトキシ基等が好ましい。また、R13の炭素原子数2~11の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、n-ペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、n-ヘキシルオキシカルボニル基、n-ヘプチルオキシカルボニル基、n-オクチルオキシカルボニル基、2-エチルヘキシルオキシカルボニル基、n-ノニルオキシカルボニル基、n-デシルオキシカルボニル基等を挙げることができる。これらのアルコキシカルボニル基のうち、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基等が好ましい。また、R14の炭素原子数1~10の直鎖状、分岐状、環状のアルカンスルホニル基としては、例えば、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n-プロパンスルホニル基、n-ブタンスルホニル基、tert-ブタンスルホニル基、n-ペンタンスルホニル基、ネオペンタンスルホニル基、n-ヘキサンスルホニル基、n-ヘプタンスルホニル基、n-オクタンスルホニル基、2-エチルヘキサンスルホニル基n-ノナンスルホニル基、n-デカンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等を挙げることができる。これらのアルカンスルホニル基のうちメタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n-プロパンスルホニル基、n-ブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等が好ましい。また、rとしては、0~2が好ましい。一般式6において、R15の置換されていてもよいフェニル基としては、例えば、フェニル基、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、2,3-ジメチルフェニル基、2,4-ジメチルフェニル基、2,5-ジメチルフェニル基、2,6-ジメチルフェニル基、3,4-ジメチルフェニル基、3,5-ジメチルフェニル基、2,4,6-トリメチルフェニル基、4-エチルフェニル基、4-t-ブチルフェニル基、4-シクロヘキシルフェニル基、4-フルオロフェニル基等のフェニル基又は炭素原子数1~10の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基で置換されたフェニル基;これらのフェニル基又はアルキル置換フェニル基を、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシル基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等の少なくとも一種の基1個以上で置換した基等を挙げることができる。フェニル基及びアルキル置換フェニル基に対する置換基のうち、前記アルコキシル基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、2-メチルプロポキシ基、1-メチルプロポキシ基、t-ブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素原子数1~20の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシル基等を挙げることができる。また、前記アルコキシアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、1-メトキシエチル基、2-メトキシエチル基、1-エトキシエチル基、2-エトキシエチル基等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシアルキル基等を挙げることができる。また、前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、i-プロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、2-メチルプロポキシカルボニル基、1-メチルプロポキシカルボニル基、t-ブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニル基等を挙げることができる。また、前記アルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n-プロポキシカルボニルオキシ基、i-プロポキシカルボニルオキシ基、n-ブトキシカルボニルオキシ基、t-ブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル等の炭素原子数2~21の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。一般式6におけるR15の置換されていてもよいフェニル基としては、フェニル基、4-シクロヘキシルフェニル基、4-t-ブチルフェニル基、4-メトキシフェニル基、4-t-ブトキシフェニル基等が好ましい。また、R15の置換されていてもよいナフチル基としては、例えば、1-ナフチル基、2-メチル-1-ナフチル基、3-メチル-1-ナフチル基、4-メチル-1-ナフチル基、4-メチル-1-ナフチル基、5-メチル-1-ナフチル基、6-メチル-1-ナフチル基、7-メチル-1-ナフチル基、8-メチル-1-ナフチル基、2,3-ジメチル-1-ナフチル基、2,4-ジメチル-1-ナフチル基、2,5-ジメチル-1-ナフチル基、2,6-ジメチル-1-ナフチル基、2,7-ジメチル-1-ナフチル基、2,8-ジメチル-1-ナフチル基、3,4-ジメチル-1-ナフチル基、3,5-ジメチル-1-ナフチル基、3,6-ジメチル-1-ナフチル基、3,7-ジメチル-1-ナフチル基、3,8-ジメチル-1-ナフチル基、4,5-ジメチル-1-ナフチル基、5,8-ジメチル-1-ナフチル基、4-エチル-1-ナフチル基2-ナフチル基、1-メチル-2-ナフチル基、3-メチル-2-ナフチル基、4-メチル-2-ナフチル基等のナフチル基又は炭素原子数1~10の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基で置換されたナフチル基;これらのナフチル基又はアルキル置換ナフチル基を、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシル基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等の少なくとも1種の基1個以上で置換した基等を挙げることができる。前記置換基であるアルコキシル基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基及びアルコキシカルボニルオキシ基としては、例えば、前記フェニル基及びアルキル置換フェニル基について例示した基を挙げることができる。一般式6におけるR15の置換されていてもよいナフチル基としては、1-ナフチル基、1-4-メトキシナフチル基、1-4-エトキシナフチル基、1-4-n-プロポキシナフチル基、1-4-n-ブトキシナフチル基、2-7-メトキシナフチル基、2-7-エトキシナフチル基、2-7-n-プロポキシナフチル基、2-7-n-ブトキシナフチル基等が好ましい。また、2個のR15が互いに結合して形成した炭素原子数2~10の2価の基としては、式6中の硫黄原子と共に5員又は6員の環、特に好ましくは5員の環即ち、テトラヒドロチオフェン環を形成する基が望ましい。また、前記2価の基に対する置換基としては、例えば、前記フェニル基及びアルキル置換フェニル基に対する置換基として例示したヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシル基、アルコキアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基等を挙げることができる。一般式6におけるR15としては、メチル基、エチル基、フェニル基、4-メトキシフェニル基、1-ナフチル基、2個のR15が互いに結合して硫黄原子と共にテトラヒドロチオフェン環構造を形成する2価の基等が好ましい。一般式6の好ましいカチオン部位としては、トリフェニルスルホニウムカチオン、トリ-1-ナフチルスルホニウムカチオン、トリ-tert-ブチルフェニルスルホニウムカチオン、4-フルオロフェニル-ジフェニルスルホニウムカチオン、ジ-4-フルオロフェニル-フェニルスルホニウムカチオン、トリ-4-フルオロフェニルスルホニウムカチオン、4-シクロヘキシルフェニル-ジフェニルスルホニウムカチオン、4-メタンスルホニルフェニル-ジフェニルスルホニウムカチオン、4-シクロヘキサンスルホニル-ジフェニルスルホニウムカチオン、1-ナフチルジメチルスルホニウムカチオン、1-ナフチルジエチルスルホニウムカチオン、1-4-ヒドロキシナフチルジメチルスルホニウムカチオン、1-4-メチルナフチルジメチルスルホニウムカチオン、1-4-メチルナフチルジエチルスルホニウムカチオン、1-4-シアノナフチルジメチルスルホニウムカチオン、1-4-シアノナフチルジエチルスルホニウムカチオン、1-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルテトラヒドロチオフェニウムカチオン、1-4-メトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウムカチオン、1-4-エトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウムカチオン、1-4-n-プロポキシナフチルテトラヒドロチオフェニウムカチオン、1-4-n-ブトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウムカチオン、2-7-メトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウムカチオン、2-7-エトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウムカチオン、2-7-n-プロポキシナフチルテトラヒドロチオフェニウムカチオン、2-7-n-ブトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウムカチオン等が挙げられる。一般式6のX-で表されるR16CnF2nSO3-アニオン中のCnF2n-基は、炭素原子数nのパーフルオロアルキレン基であるが、該基は直鎖状若しくは分岐状であることができる。ここで、nは1、2、4又は8であることが好ましい。R16における置換されていてもよい炭素原子数1~12の炭化水素基としては、炭素数1~12のアルキル基、シクロアルキル基、有橋脂環式炭化水素基が好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、ネオペンチル基、n-ヘキシル基、シクロヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基、ノルボルニル基、ノルボニルメチル基、ヒドロキシノルボルニル基、アダマンチル基等を挙げることができる。一般式6の好ましいアニオン部位としては、トリフルオロメタンスルホネートアニオン、パーフルオロ-n-ブタンスルホネートアニオン、パーフルオロ-n-オクタンスルホネートアニオン、2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネートアニオン、2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-イル-1,1-ジフルオロエタンスルホネートアニオン等が挙げられる。本発明において、酸発生剤1は、一種単独でも又は2種以上を混合しても使用することができる。また、本発明における感放射線性酸発生剤として使用することのできる、前記酸発生剤B以外の感放射線性酸発生剤以下、他の酸発生剤という。としては、例えば、オニウム塩化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物等を挙げることができる。これらの他の酸発生剤としては、例えば、下記のものを挙げることができる。オニウム塩化合物:オニウム塩化合物としては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げることができる。オニウム塩化合物の具体例としては、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、シクロヘキシル2-オキソシクロヘキシルメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル2-オキソシクロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、2-オキソシクロヘキシルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等を挙げることができる。ハロゲン含有化合物:ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有複素環式化合物等を挙げることができる。ハロゲン含有化合物の具体例としては、フェニルビストリクロロメチル-s-トリアジン、4-メトキシフェニルビストリクロロメチル-s-トリアジン、1-ナフチルビストリクロロメチル-s-トリアジン等のトリクロロメチル-s-トリアジン誘導体や、1,1-ビス4-クロロフェニル-2,2,2-トリクロロエタン等を挙げることができる。ジアゾケトン化合物:ジアゾケトン化合物としては、例えば、1,3-ジケト-2-ジアゾ化合物、ジアゾベンゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物等を挙げることができる。ジアゾケトンの具体例としては、1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホニルクロリド、1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホニルクロリド、2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノンの1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル又は1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステル、1,1,1-トリス4-ヒドロキシフェニルエタンの1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル又は1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステル等を挙げることができる。スルホン化合物:スルホン化合物としては、例えば、β-ケトスルホン、β-スルホニルスルホンや、これらの化合物のα-ジアゾ化合物等を挙げることができる。スルホン化合物の具体例としては、4-トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビスフェニルスルホニルメタン等を挙げることができる。スルホン酸化合物:スルホン酸化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、アルキルスルホン酸イミド、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等を挙げることができる。スルホン酸化合物の具体例としては、ベンゾイントシレート、ピロガロールのトリストリフルオロメタンスルホネート、ニトロベンジル-9,10-ジエトキシアントラセン-2-スルホネート、トリフルオロメタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、パーフルオロ-n-オクタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、N-トリフルオロメタンスルホニルオキシスクシンイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシスクシンイミド、N-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシスクシンイミド、N-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホニルオキシスクシンイミド、1,8-ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスルホネート、1,8-ナフタレンジカルボン酸イミドノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1,8-ナフタレンジカルボン酸イミドパーフルオロ-n-オクタンスルホネート等を挙げることができる。これらの他の酸発生剤のうち、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホネート、シクロヘキシル2-オキソシクロヘキシルメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル2-オキソシクロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、2-オキソシクロヘキシルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフルオロメタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、パーフルオロ-n-オクタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボジイミド、N-トリフルオロメタンスルホニルオキシスクシンイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシスクシンイミド、N-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシスクシンイミド、N-2-ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-イル-1,1,2,2-テトラフルオロエタンスルホニルオキシスクシンイミド、1,8-ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスルホネート等が好ましい。前記他の酸発生剤は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。本発明において、酸発生剤Bと他の酸発生剤の合計使用量は、レジストとしての感度及び現像性を確保する観点から、樹脂A100質量部に対して、通常、0.1~20質量部、好ましくは0.5~10質量部である。この場合、前記合計使用量が0.1質量部未満では、感度及び現像性が低下する傾向があり、一方20質量部を超えると、放射線に対する透明性が低下して、矩形のレジストパターンを得られ難くなる傾向がある。また、他の酸発生剤の使用割合は、酸発生剤Bと他の酸発生剤との合計100質量に対して、通常、80質量以下、好ましくは60質量以下である。<t-ブトキシカルボニル基が窒素原子に結合している酸拡散制御剤>本発明における液浸露光用感放射線性樹脂組成物は、酸拡散制御剤を含有する。そして、本発明においては、この酸拡散制御剤として、t-ブトキシカルボニル基が窒素原子に結合している化合物からなるものを含有することを必須とする。本発明において、前記酸拡散制御剤は、露光により酸発生剤から生じる酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制する作用を有する成分である。このような酸拡散制御剤を配合することにより、得られる感放射線性樹脂組成物の貯蔵安定性が向上し、またレジストとしての解像度が更に向上するとともに、露光から露光後の加熱処理までの引き置き時間PEDの変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れた組成物が得られる。また、前記t-ブトキシカルボニル基が窒素原子に結合していることにより、液浸露光時の水媒体への酸拡散制御剤の溶出を抑えることができる。前記t-ブトキシカルボニル基が窒素原子に結合している化合物としては、例えば、下記一般式Aで表される化合物が挙げられる。一般式Aにおいて、Rは相互に独立に水素原子、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。また、Rは相互に結合して、それぞれが結合している炭素原子とともに炭素数1~20の2価の複素環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。一般式Aにおいて、Rが示すアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、官能基、複素原子で置換されていてもよい。前記Rの分岐状若しくは環状のアルキル基、アリール基又はアラルキル基これらのアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、官能基、複素原子で置換されていてもよいとしては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン等の直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、これらのアルカンに由来する基を、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ノルボルナン、アダマンタン、ノラダマンタン等のシクロアルカンに由来する基、これらのシクロアルカンに由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン等の芳香族化合物に由来する基、これらの芳香族化合物に由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、2-メチルプロピル基、1-メチルプロピル基、t-ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、インドール、インドリン、キノリン、パーヒドロキノリン、インダゾール、ベンズイミダゾール等の複素環化合物に由来する基、これらの複素環化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルキル基或いは芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基、直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基シクロアルカンに由来する基をフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等の芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基等或いは前記の置換基がヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基で置換された基等が挙げられる。また、前記Rが相互に結合して、それぞれが結合している炭素原子とともに形成する炭素数1~20の2価の複素環式炭化水素基若しくはその誘導体としては、例えば、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、1,4,5,6-テトラヒドロピリミジン、1,2,3,4-テトラヒドロキノリン、1,2,3,6-テトラヒドロピリジン、ホモピペラジン、4-アザベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、5-アザベンゾトリアゾール、1H-1,2,3-トリアゾール、1,4,7-トリアザシクロノナン、テトラゾール、7-アザインドール、インダゾール、ベンズイミダゾール、イミダゾ[1,2-a]ピリジン、1S,4S--2,5-ジアザビシクロ[2.2.1]ヘプタン、1,5,7-トリアザビシクロ[4.4.0]デック-5-エン、インドール、インドリン、1,2,3,4-テトラヒドロキノキサリン、パーヒドロキノリン、1,5,9-トリアザシクロドデカン等の複素環式化合物に由来する基、これらの複素環式化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、シクロアルカンに由来する基、芳香族化合物に由来する基、複素環化合物に由来する基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基の1種以上或いは1個以上で置換した基等が挙げられる。これらのなかでも、特に好ましい酸拡散制御剤としては、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-オクチルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-ノニルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジ-n-デシルアミン、N-t-ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-2-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン、S---1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、R--1-t-ブトキシカルボニル-2-ピロリジンメタノール、N-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン、N-t-ブトキシカルボニルピロリジン、N-t-ブトキシカルボニルモルホリン、N-t-ブトキシカルボニルピペラジン、N,N-ジ-t-ブトキシカルボニル-1-アダマンチルアミン、N,N-ジ-t-ブトキシカルボニル-N-メチル-1-アダマンチルアミン、N-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N,N’N’-テトラ-t-ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,7-ジアミノヘプタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,8-ジアミノオクタン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,9-ジアミノノナン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,10-ジアミノデカン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-1,12-ジアミノドデカン、N,N’-ジ-t-ブトキシカルボニル-4,4’-ジアミノジフェニルメタン、N-t-ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-メチルベンズイミダゾール、N-t-ブトキシカルボニル-2-フェニルベンズイミダゾール等が挙げられる。本発明において、t-ブトキシカルボニル基が窒素原子に結合している酸拡散制御剤は、一種単独でも又は2種以上を混合しても使用することができる。また、本発明における酸拡散制御剤として使用することのできる、前記t-ブトキシカルボニル基が窒素原子に結合している酸拡散制御剤以外の他の酸拡散制御剤としては、例えば、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン、シクロヘキシルアミン等のモノシクロアルキルアミン類;ジ-n-ブチルアミン、ジ-n-ペンチルアミン、ジ-n-ヘキシルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジ-n-ノニルアミン、ジ-n-デシルアミン、シクロヘキシルメチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジシクロアルキルアミン類;トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デシルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリシクロアルキルアミン類;2,2’,2-ニトロトリエタノール等の置換アルキルアミン;アニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、ナフチルアミン、2,4,6-トリ-tert-ブチル-N-メチルアニリン、N-フェニルジエタノールアミン、2,6-ジイソプロピルアニリン等の芳香族アミン類;エチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノジフェニルアミン、2,2-ビス4-アミノフェニルプロパン、2-3-アミノフェニル-2-4-アミノフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-3-ヒドロキシフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-4-ヒドロキシフェニルプロパン、1,4-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、1,3-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、ビス2-ジメチルアミノエチルエーテル、ビス2-ジエチルアミノエチルエーテル、1-2-ヒドロキシエチル-2-イミダゾリジノン、2-キノキサリノール、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、N,N,N’,N,N-ペンタメチルジエチレントリアミン、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、2-ジメチルアミノエチルアクリルアミドの重合体等、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン、N-アセチル-1-アダマンチルアミン、イソシアヌル酸トリス2-ヒドロキシエチル、尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリ-n-ブチルチオウレア、イミダゾール、4-メチルイミダゾール、4-メチル-2-フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、2-フェニルベンズイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチル-1H-イミダゾール等のイミダゾール類;ピリジン、2-メチルピリジン、4-メチルピリジン、2-エチルピリジン、4-エチルピリジン、2-フェニルピリジン、4-フェニルピリジン、2-メチル-4-フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、4-ヒドロキシキノリン、8-オキシキノリン、アクリジン、2,2’:6’,2-ターピリジン等のピリジン類;ピペラジン、1-2-ヒドロキシエチルピペラジン等のピペラジン類のほか、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペリジンエタノール、3-ピペリジノ-1,2-プロパンジオール、モルホリン、4-メチルモルホリン、1-4-モルホリニルエタノール、4-アセチルモルホリン、3-N-モルホリノ-1,2-プロパンジオール、1,4-ジメチルピペラジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が好ましく用いられる。これらの他の酸拡散制御剤は、単独で又は2種以上混合して使用することができる。本発明において、t-ブトキシカルボニル基が窒素原子に結合している酸拡散制御剤と他の酸拡散制御剤の合計使用量は、樹脂A100質量部に対して、通常、15質量部以下、好ましくは10質量部以下、更に好ましくは5質量部以下である。この場合、酸拡散制御剤の配合量が15質量部を超えると、レジストとしての感度が低下する傾向がある。尚、酸拡散制御剤の配合量が0.001質量部未満であると、プロセス条件によっては、レジストとしてのパターン形状や寸法忠実度が低下するおそれがある。また、他の酸拡散制御剤の使用割合は、t-ブトキシカルボニル基が窒素原子に結合している酸拡散制御剤と他の酸拡散制御剤の合計100質量に対して、通常、60質量以下、好ましくは50質量以下である。<添加剤>本発明の感放射線性樹脂組成物には、必要に応じて、脂環族添加剤、界面活性剤、増感剤等の各種の添加剤を配合することができる。前記脂環族添加剤は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等を更に改善する作用を示す成分である。このような脂環族添加剤としては、例えば、1-アダマンタンカルボン酸、2-アダマンタノン、1-アダマンタンカルボン酸t-ブチル、1-アダマンタンカルボン酸t-ブトキシカルボニルメチル、1-アダマンタンカルボン酸α-ブチロラクトンエステル、1,3-アダマンタンジカルボン酸ジ-t-ブチル、1-アダマンタン酢酸t-ブチル、1-アダマンタン酢酸t-ブトキシカルボニルメチル、1,3-アダマンタンジ酢酸ジ-t-ブチル、2,5-ジメチル-2,5-ジアダマンチルカルボニルオキシヘキサン等のアダマンタン誘導体類;デオキシコール酸t-ブチル、デオキシコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸2-エトキシエチル、デオキシコール酸2-シクロヘキシルオキシエチル、デオキシコール酸3-オキソシクロヘキシル、デオキシコール酸テトラヒドロピラニル、デオキシコール酸メバロノラクトンエステル等のデオキシコール酸エステル類;リトコール酸t-ブチル、リトコール酸t-ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸2-エトキシエチル、リトコール酸2-シクロヘキシルオキシエチル、リトコール酸3-オキソシクロヘキシル、リトコール酸テトラヒドロピラニル、リトコール酸メバロノラクトンエステル等のリトコール酸エステル類;アジピン酸ジメチル、アジピン酸ジエチル、アジピン酸ジプロピル、アジピン酸ジn-ブチル、アジピン酸ジt-ブチル等のアルキルカルボン酸エステル類や、3-2-ヒドロキシ-2,2-ビストリフルオロメチルエチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン等を挙げることができる。これらの脂環族添加剤は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。また、前記界面活性剤は、塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する作用を示す成分である。このような界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn-オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn-ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤のほか、以下商品名で、KP341信越化学工業株式会社製、ポリフローNo.75、同No.95共栄社化学株式会社製、エフトップEF301、同EF303、同EF352トーケムプロダクツ株式会社製、メガファックスF171、同F173大日本インキ化学工業株式会社製、フロラードFC430、同FC431住友スリーエム株式会社製、アサヒガードAG710、サーフロンS-382、同SC-101、同SC-102、同SC-103、同SC-104、同SC-105、同SC-106旭硝子株式会社製等を挙げることができる。これらの界面活性剤は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。また、前記増感剤は、放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを酸発生剤Bに伝達し、それにより酸の生成量を増加する作用を示すもので、感放射線性樹脂組成物のみかけの感度を向上させる効果を有する。このような増感剤としては、カルバゾール類、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、フェノール類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等を挙げることができる。これらの増感剤は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。また、染料或いは顔料を配合することにより、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を緩和でき、接着助剤を配合することにより、基板との接着性を改善することができる。更に、前記以外の添加剤としては、アルカリ可溶性樹脂、酸解離性の保護基を有する低分子のアルカリ溶解性制御剤、ハレーション防止剤、保存安定化剤、消泡剤等を挙げることができる。<組成物溶液の調製>本発明の感放射線性樹脂組成物は、普通、その使用に際して、全固形分濃度が、通常、1~50質量、好ましくは1~25質量となるように、溶剤に溶解したのち、例えば孔径0.2μm程度のフィルターでろ過することによって、組成物溶液として調製される。前記組成物溶液の調製に使用される溶剤としては、例えば、2-ブタノン、2-ペンタノン、3-メチル-2-ブタノン、2-ヘキサノン、4-メチル-2-ペンタノン、3-メチル-2-ペンタノン、3,3-ジメチル-2-ブタノン、2-ヘプタノン、2-オクタノン等の直鎖状若しくは分岐状のケトン類;シクロペンタノン、3-メチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、2-メチルシクロヘキサノン、2,6-ジメチルシクロヘキサノン、イソホロン等の環状のケトン類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-n-プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-i-プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-n-ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-i-ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-sec-ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ-t-ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;2-ヒドロキシプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシプロピオン酸n-プロピル、2-ヒドロキシプロピオン酸i-プロピル、2-ヒドロキシプロピオン酸n-ブチル、2-ヒドロキシプロピオン酸i-ブチル、2-ヒドロキシプロピオン酸sec-ブチル、2-ヒドロキシプロピオン酸t-ブチル等の2-ヒドロキシプロピオン酸アルキル類;3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル等の3-アルコキシプロピオン酸アルキル類のほか、n-プロピルアルコール、i-プロピルアルコール、n-ブチルアルコール、t-ブチルアルコール、シクロヘキサノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ-n-プロピルエーテル、エチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ-n-ブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ-n-プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ-n-プロピルエーテル、トルエン、キシレン、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2-ヒドロキシ-3-メチル酪酸メチル、3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルプロピオネート、3-メチル-3-メトキシブチルブチレート、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸n-ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、N-メチルピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ベンジルエチルエーテル、ジ-n-ヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、カプロン酸、カプリル酸、1-オクタノール、1-ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、しゅう酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ-ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン等を挙げることができる。これらのなかでも、直鎖状若しくは分岐状のケトン類、環状のケトン類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、2-ヒドロキシプロピオン酸アルキル類、3-アルコキシプロピオン酸アルキル類、γ-ブチロラクトン等が好ましい。これらの溶剤は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。<レジストパターンの形成方法>本発明の感放射線性樹脂組成物は、特に化学増幅型レジストとして有用である。前記化学増幅型レジストにおいては、露光により酸発生剤から発生した酸の作用によって、樹脂A中の酸解離性基が解離して、カルボキシル基を生じ、その結果、レジストの露光部のアルカリ現像液に対する溶解性が高くなり、該露光部がアルカリ現像液によって溶解、除去され、ポジ型のレジストパターンが得られる。本発明の感放射線性樹脂組成物からレジストパターンを形成する際には、組成物溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によって、例えば、シリコンウェハ、アルミニウムで被覆されたウエハ等の基板上に塗布することにより、レジスト被膜を形成し、場合により予め加熱処理以下、PBという。を行ったのち、所定のレジストパターンを形成するように該レジスト被膜に露光する。その際に使用される放射線としては、使用される酸発生剤の種類に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等を適宜選定して使用されるが、ArFエキシマレーザー波長193nm或いはKrFエキシマレーザー波長248nmで代表される遠紫外線が好ましく、特にArFエキシマレーザー波長193nmが好ましい。また、露光量等の露光条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成や添加剤の種類等に応じて適宜選定される。本発明においては、露光後に加熱処理PEBを行うことが好ましい。このPEBにより、樹脂A中の酸解離性基の解離反応が円滑に進行する。PEBの加熱条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成によって変わるが、通常、30~200°C、好ましくは50~170°Cである。本発明においては、感放射線性樹脂組成物の潜在能力を最大限に引き出すため、例えば特公平6-12452号公報等に開示されているように、使用される基板上に有機系或いは無機系の反射防止膜を形成しておくこともでき、また環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するため、例えば特開平5-188598号公報等に開示されているように、レジスト被膜上に保護膜を設けることもでき、或いはこれらの技術を併用することもできる。次いで、露光されたレジスト被膜を現像することにより、所定のレジストパターンを形成する。現像に使用される現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも1種を溶解したアルカリ性水溶液が好ましい。前記アルカリ性水溶液の濃度は、通常、10質量以下である。この場合、アルカリ性水溶液の濃度が10質量を超えると、非露光部も現像液に溶解するおそれがあり好ましくない。また、前記アルカリ性水溶液からなる現像液には、例えば有機溶媒を添加することもできる。前記有機溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルi-ブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、3-メチルシクロペンタノン、2,6-ジメチルシクロヘキサノン等のケトン類;メチルアルコール、エチルアルコール、n-プロピルアルコール、i-プロピルアルコール、n-ブチルアルコール、t-ブチルアルコール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、1,4-ヘキサンジオール、1,4-ヘキサンジメチロール等のアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類;酢酸エチル、酢酸n-ブチル、酢酸i-アミル等のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類や、フェノール、アセトニルアセトン、ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。これらの有機溶媒は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。有機溶媒の使用量は、アルカリ性水溶液に対して、100容量以下が好ましい。この場合、有機溶媒の使用量が100容量を超えると、現像性が低下して、露光部の現像残りが多くなるおそれがある。また、アルカリ性水溶液からなる現像液には、界面活性剤等を適量添加することもできる。尚、アルカリ性水溶液からなる現像液で現像したのちは、一般に、水で洗浄して乾燥する。以下、実施例を挙げて、本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。ここで、部は、特記しない限り質量基準である。下記の各合成例における各測定評価は、下記の要領で行った。1Mw及びMn東ソー株製GPCカラムG2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本を用い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCにより測定した。また、分散度Mw/Mnは測定結果より算出した。213CNMR分析各重合体の13C-NMR分析は、日本電子株製JNM-EX270を用い、測定溶媒としてCDCL3を使用して実施した。3単量体由来の低分子量成分の量ジーエルサイエンス製IntersilODS25μmカラム4.6mmφ×250mmを用い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶媒アクリロニトリル/0.1リン酸水溶液の分析条件で、高速液体クロマトグラフィーHPLCにより測定した。以下、各合成例について説明する。<合成例1-1>下記化合物M-153.93g50モル、化合物M-210.69g10モル、化合物M-335.38g40モルを2-ブタノン200gに溶解し、更にジメチル2,2-アゾビス2-メチルプロピオネート5.58gを投入した単量体溶液を準備し、100gの2-ブタノンを投入した1000mlの三口フラスコを30分窒素パージした。窒素パージの後、反応釜を攪拌しながら80°Cに加熱し、事前に準備した前記単量体溶液を滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液は水冷することにより30°C以下に冷却し、2000gのメタノールへ投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別された白色粉末を2度400gのメタノールにてスラリー上で洗浄した後、ろ別し、50°Cにて17時間乾燥し、白色粉末の重合体を得た74g、収率74。この重合体はMwが6900、Mw/Mnが1.70、13CNMR分析の結果、化合物M-1、化合物M-2、化合物M-3に由来する各繰り返し単位の含有率が53.0:9.8:37.2モルの共重合体であった。この重合体をアクリル系重合体A-1とする。尚、この重合体中の各単量体由来の低分子量成分の含有量は、この重合体100質量に対して、0.03質量であった。<合成例1-2>単量体溶液を下記化合物M-148.22g48モル、化合物M-440.25g38モル、化合物M-311.53g14モル、を2-ブタノン200gに溶解し、更に2,2’-アゾビスイソブチロニトリル3.71gを投入した溶液とした以外は、合成例1-1と同様にして樹脂を合成した。この樹脂は分子量が5200、Mw/Mnが1.62であり、13C-NMR分析の結果、化合物M-1、化合物M-4、化合物M-3に由来する各繰り返し単位の含有率が50.0:37.0:13.0モルの共重合体であった。この重合体を樹脂A-2とする。尚、この重合体中の各単量体由来の低分子量成分の含有量は、この重合体100質量に対して、0.03質量であった。<合成例1-3>下記化合物M-157.39g50モル、下記化合物M-634.75g40モルを2-ブタノン200gに溶解し、更にジメチル2,2-アゾビス2-メチルプロピオネート5.95gを投入した単量体溶液を調製した。1000mlの三口フラスコに下記化合物M-57.86g10モルと2-ブタノン100gを入れ攪拌し均一溶液とした後、フラスコ内を30分間窒素でパージした後、フラスコ内を攪拌しながら80°Cに加熱し、前記単量体溶液を滴下漏斗から3時間かけて滴下した。滴下終了後、反応液を3時間80°Cにて加熱しながら攪拌した。重合終了後、重合溶液は水冷することにより30°C以下に冷却し、2000gのメタノールへ投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別された白色粉末を2度400gのメタノールにてスラリー上で洗浄した後、ろ別し、50°Cにて17時間乾燥し、白色粉末の重合体を得た78g、収率78。この樹脂は分子量が7100、Mw/Mnが1.70であり、13C-NMR分析の結果、化合物M-1、化合物M-5、化合物M-6に由来する各繰り返し単位の含有率が50.5:10.3:39.2モルの共重合体であった。この重合体を樹脂A-3とする。尚、この重合体中の各単量体由来の低分子量成分の含有量は、この重合体100質量に対して、0.03質量であった。<<感放射線性樹脂組成物の評価>>表1に示す成分からなる各組成物について各種評価を行った。溶出に関する評価結果を表2に示す。尚、表1に示す樹脂以外の成分は以下の通りであり、表中、部は、特記しない限り質量基準である。<酸発生剤B>B-1:トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート<酸拡散制御剤C>C-1:N-t-ブトキシカルボニルピロリジンC-2:トリエタノールアミン<溶剤D>D-1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートD-2:γ-ブチロラクトンまた、評価方法は以下の通りである。評価方法1溶出量酸発生剤溶出量及び酸拡散制御剤溶出量:図1に示すように、予めCLEANTRACKACT8東京エレクトロン株式会社製にてHMDSヘキサメチルジシラザン31処理100°C、60秒を行った8インチシリコンウェハ3上の中心部に、中央部が直径11.3cmの円形状にくり抜かれたシリコンゴムシート4クレハエラストマー社製、厚み;1.0mm、形状;1辺30cmの正方形を載せた。次いで、シリコンゴム中央部のくり抜き部に10mLホールピペットを用いて10mlの超純水5を満たした。その後、予めCLEANTRACKACT8により、膜厚77nmの下層反射防止膜ARC29A、ブルワーサイエンス社製61を形成し、次いで、表1のレジスト組成物を上記CLEANTRACKACT8にて、上記下層反射防止膜61上にスピンコートし、ベーク115°C、60秒することにより膜厚205nmのレジスト被膜62を形成したシリコンウェハ6を、レジスト塗膜面が上記超純水5と接触するようあわせ、且つ超純水5がシリコンゴム4から漏れないように、上記シリコンゴムシート4上に載せた。そして、その状態のまま10秒間保った。その後、前記8インチシリコンウェハ6を取り除き、超純水5をガラス注射器にて回収し、これを分析用サンプルとした。尚、実験終了後の超純水の回収率は95以上であった。次いで、前記で得られた超純水中の光酸発生剤のアニオン部のピーク強度を、LC-MS液体クロマトグラフ質量分析計、LC部:AGILENT社製SERIES1100、MS部:PerseptiveBiosystems,Inc.社製Marinerを用いて下記の測定条件により測定した。その際、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネートの1ppb、10ppb、100ppb水溶液の各ピーク強度を前記測定条件で測定して検量線を作成し、この検量線を用いて前記ピーク強度から溶出量を算出した。また、同様にして、酸拡散制御剤の1ppb、10ppb、100ppb水溶液の各ピーク強度を前記測定条件で測定して検量線を作成し、この検量線を用いて前記ピーク強度から酸拡散制御剤の溶出量を算出した。その溶出量が、1.0×10-11mol/cm2/sec以上であった場合は、不良、以下であった場合は良好とした。カラム条件使用カラム;CAPCELLPAKMG、資生堂株式会社製、1本流量;0.2ml/分流出溶剤:水/メタノール3/7に0.1質量のギ酸を添加したもの測定温度;35°C2感度:基板として、表面に膜厚77nmの下層反射防止膜ARC29A、ブルワーサイエンス社製を形成した12インチシリコンウェハを用いた。尚、この反射防止膜の形成には、CLEANTRACKACT12東京エレクトロン株式会社製を用いた。次いで、表1のレジスト組成物を前記基板上に、前記CLEANTRACKACT12にて、スピンコートし、表2の条件でPBを行うことにより、膜厚150nmのレジスト被膜を形成した。このレジスト被膜に、ArFエキシマレーザー露光装置TWINSCANXT1250i、ASML製、証明条件;NA0.85シグマ0.93/0.69により、マスクパターンを介して露光した。その後、表3に示す条件でPEBを行ったのち、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により、23°Cで30秒間現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形成した。このとき、線幅90nmのラインアンドスペースパターン1L1Sを1対1の線幅に形成する露光量を最適露光量とし、この最適露光量を感度とした。尚、この測長には走査型電子顕微鏡S-9380、株式会社日立ハイテクノロジーズ社製を用いた。3パターンの断面形状:90nmラインアンドスペースパターンの断面形状を株式会社日立ハイテクノロジーズ社製S-4800にて観察し、図2に示すように、レジストパターンの中間での線幅Lbと、膜の上部での線幅Laを測り、0.9≦La-Lb/Lb≦1.1の範囲を○とし、それ以外を×として評価した。表2から明らかなように、本発明の液浸露光用感放射線性樹脂組成物を用いた場合には、得られるパターン形状が良好であり、且つ液浸露光時に接触した水への溶出物の量が少ないことが分かった。"