基板に樹脂を塗布する塗布工程と前記塗布された樹脂と型のパターン面とを接触させる接触工程と前記パターン面と接触する前記樹脂を硬化する硬化工程とを含むインプリント方法であって、前記基板を検査して前記基板の上における異物の情報を取得する検査工程と、前記検査工程で異物が存在すると判定された場合に、前記異物を覆う膜を形成する膜形成工程と、をさらに含み、前記膜形成工程を前記接触工程より先に行うことを特徴とするインプリント方法。前記異物の情報は、前記異物の有無、大きさ及び位置を含むことを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。前記膜形成工程を前記塗布工程より先に行うことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のインプリント方法。前記膜形成工程は、前記異物を覆う材料を前記基板に塗布する工程と、前記塗布された材料を前記型と接触させることなく硬化させる工程とを含み、前記材料は、前記樹脂と同一材料であることを特徴とする請求項3に記載のインプリント方法。前記膜形成工程を前記塗布工程と前記接触工程との間に行うことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のインプリント方法。前記異物を覆う材料は、前記樹脂より高粘度であることを特徴とする請求項1乃至請求項3及び請求項5のいずれか1項に記載のインプリント方法。前記樹脂を塗布する塗布器とは別の塗布器を用いて前記異物を覆うように前記材料を前記基板に塗布することを特徴とする請求項6に記載のインプリント方法。前記材料を塗布する塗布器はシリンジを含むことを特徴とする請求項7に記載のインプリント方法。前記膜形成工程は、前記異物が存在する前記基板上の位置に対応する前記パターン面に前記材料を塗布する工程と、前記塗布された材料を前記基板上の位置に転写する工程とを含むことを特徴とする請求項6に記載のインプリント方法。前記接触工程において、前記膜の形成に起因して発生する前記パターン面に平行な方向における前記型と前記基板との位置ずれを低減するように前記基板を位置決めしながら前記樹脂と前記パターン面とを接触させることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載のインプリント方法。前記接触工程において、前記基板に形成された複数の基板側マークと前記パターン面に形成された複数の型側マークとのうち、前記異物との距離が所定値以上の基板側マークと当該基板側マークに対応する型側マークとの位置ずれの検出結果に基づいて前記パターン面に平行な方向において前記基板を位置決めしながら前記樹脂と前記パターン面とを接触させることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載のインプリント方法。前記接触工程は、前記パターン面に垂直な方向に沿って第1速度で前記型を駆動する第1工程と前記第1速度より小さな第2速度で前記型を駆動する第2工程とを含み、前記膜が形成される場合、前記パターン面が前記膜と接触する時点が前記第2工程に含まれるように前記第1工程と前記第2工程とを切り替えることを特徴とする請求項1乃至請求項11のいずれか1項に記載のインプリント方法。請求項1乃至請求項12のいずれか1項に記載のインプリント方法を用いてパタ-ンを基板に形成する工程と、前記工程で前記パタ-ンを形成された基板を加工する工程と、を含む物品の製造方法。基板に塗布された樹脂とパターン面を有する型とを接触させて前記樹脂を硬化させることによりパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、型を保持する型ステージと、基板を保持する基板ステージと、異物を覆う膜を形成する材料を塗布する塗布器と、制御器と、を備え、前記制御器は、前記基板に対する異物検査の結果を取得し、該取得された結果が異物の存在を示す場合に、前記異物を覆う膜を形成するように前記塗布器が前記基板に前記材料を塗布する動作を前記型ステージ及び前記基板ステージの少なくともいずれかを駆動して前記樹脂と前記型とを接触させる動作より先に行うように前記塗布器と前記型ステージ及び前記基板ステージの少なくともいずれかとを制御する、ことを特徴とするインプリント装置。基板に塗布された樹脂とパターン面を有する型とを接触させて前記樹脂を硬化させることによりパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、型を保持する型ステージと、基板を保持する基板ステージと、前記基板に樹脂を塗布する第1塗布器と、前記基板に異物を覆う膜を形成する材料を塗布する第2塗布器と、を備えることを特徴とするインプリント装置。しかし、現状ではウエハ上のパーティクル等の異物を予め検査装置で発見できたとしてもそれを除去する方法がない。したがって、特許文献2に開示されているようなダミーの型でインプリント処理を行うか、又は、異物が存在するショット領域に対してはインプリント処理を施さないようにせざるを得なかった。ダミーの型を使用する手法では、正常に機能する回路パターンを形成することは難しいが、インプリント後の膜厚は維持されるため、エッチング時に周囲のショット領域に対して悪影響を与えることがない。しかし、ダミーの型を保持する別の型支持体を設けるか、型を交換するかのどちらかが必要となり、装置コストの増大又は生産性の低下という問題があった。一方、異物が存在するショット領域にインプリント処理を施さない場合には、後続のエッチング工程で正常にインプリントできたショット領域に対しても悪影響を与える事が懸念される。また、いずれの手法においても、ダミーの型でインプリント処理を行ったショット領域、インプリント処理を行わなかったショット領域から使用可能なチップを生産することができない。すなわち、異物の問題がないチップ領域から使用可能なチップを生産することができず、チップの歩留まりが低下してしまう。本発明は、基板上に異物が存在していてもスループット及び歩留まりの低下を抑制するインプリント技術を提供することを目的とする。本発明は、基板に樹脂を塗布する塗布工程と前記塗布された樹脂と型のパターン面とを接触させる接触工程と前記パターン面と接触する前記樹脂を硬化する硬化工程とを含むインプリント方法であって、前記基板を検査して前記基板の上における異物の情報を取得する検査工程と、前記検査工程で異物が存在すると判定された場合に、前記異物を覆う膜を形成する膜形成工程と、をさらに含み、前記膜形成工程を前記接触工程より先に行うことを特徴とする。本発明によれば、基板上に異物が存在していてもスループット及び歩留まりの低下を抑制するインプリント技術を提供することが可能となる。インプリント方法は、通常、基板に樹脂を塗布する塗布工程と、塗布された樹脂と型のパターン面とを接触させる接触工程と、パターン面と接触する樹脂を硬化する硬化工程と、硬化された樹脂から型を引き離す離型工程とを含む。本発明に係るインプリント方法は、基板を検査して基板の上における異物の有無、大きさ、位置等の異物の情報を取得する検査工程と、検査工程で異物が存在すると判定された場合に異物を覆う膜を形成する膜形成工程とをさらに含むことを特徴としている。以下、検査工程、膜形成工程を含む本発明のインプリント方法について実施例1~4で詳しく説明する。[実施例1]実施例1は、主に半導体素子のインプリントリソグラフィ向けの型を保護する技術として構成されたものである。図1は、高粘度材料材料1で異物4を覆う膜を形成して型6を保護する手法の概念図である。型6は、マスク、原版、テンプレートとも呼ばれる。実施例1におけるインプリント方法は、背景技術において触れたJFIL方式がベースとなっている。その他のインプリント方式に対する適用事例は実施例2以降において説明する。ウエハ7には、型6のメサパターン面に形成されたパターンが転写される。ウエハ7のインプリント処理が行われるショット領域3には、図2に示されるように、予めインクジェットディスペンサーから紫外線硬化樹脂レジスト、樹脂5の細粒ドロップが滴下されている。インクジェットディスペンサーから吐出される樹脂5のドロップは数plが一般的である。インプリント処理における樹脂5の充填時間すなわち型6のパターン面の凹部とウエハ7の間に挟まれた樹脂5の中から気体が消失するまでの時間を短縮するために樹脂5の粒径を小さくする努力が行われている。樹脂5のドロップのウエハ7の上面からの高さはドロップ粒径に依存するが概ね1μm前後である。インプリントシーケンスにおいては図2のように樹脂5が塗布されたウエハ7上のショット領域3に対して型6のパターン面を近づける。樹脂5のドロップは、型6のパターン面に接触するとショット領域3のXY方向パターン面に平行な方向に拡がり、型6のパターン面を毛細管力で引き寄せる。その結果、図1の樹脂5のように塗布した樹脂体積に見合った型6とウエハ7の空隙RLTを維持した状態で均衡する。RLTの値はウエハ7上に形成するパターンの線幅によって決定され、数十nm程度の設計が一般的である。図1では、型6のパターン面を図中において省略しているが、型6のパターンは実際には型6の下面であるパターン面に形成されている。ウエハ7は、多くのプロセスを経由してインプリント装置に搬送されてくるが、その過程で様々な大きさのパーティクル等の異物4が回路形成面に付着することがある。図1中の異物4はその一例であり、上述のRLT幅に型6とウエハ7を近づけると、ウエハ7に付着した異物4の径が容易にそのRLT幅を上回る。その結果、樹脂5とパターン面とを接触させる接触動作インプリント動作ともいうによって型6のパターン面を破壊してしまうおそれがある。本実施例1では、インプリント動作を行う前に樹脂5よりも高粘度で異物4を覆う膜を形成して型6を保護する高粘度材料1を異物4の位置に滴下し、その状態でインプリント動作を行う。インプリント動作を行うに際しては、図2に示すような高粘度材料1を塗布する塗布器であるシリンジ第2塗布器2や、異物検査装置から異物検査結果を取得する構成が必要となる。インプリント動作のとき、高粘度材料1を塗布した部分がウエハ7の表面から盛り上がるため、型6は高粘度材料1が塗布された部分だけ微少量湾曲、もしくは凹んだ形状となるが、UV露光、離型後は元の形状に戻る。すなわち、本実施例1では、異物4が挟まることによって型6のパターン面のごく小さい面積に応力が集中してパターン面が破壊される異物4の周囲に高粘度材料1を塗布することで緩衝膜を設ける。そうすることにより、応力の局所集中を緩和して型6のパターン面を保護する。インプリントリソグラフィ向けに用いられる光硬化性の樹脂5は、一般的に粘度が10~20cPのものが用いられている。この数値は、ディスペンサーのジェッティング性能を維持するために必要な粘度や、型6を樹脂5と接触させたときの充填時間を短縮するための流動性を鑑みて最適化される。一方、高粘度材料1は、シリンジを用いてジェッティングする場合、0.2μmの粒径で粘度が200~300cP程度まで適用可能である。また、シリンジノズル温度を周囲温度より高温に温度保持しジェッティングした場合、吐出時の粘性を低く抑えたままウエハ着弾後の粘性をさらに高く保持させることができる。図2は、高粘度材料1を滴下して異物4を高粘度材料1で覆う様子を示している。ジェットアンドフラッシュ式インプリントリソグラフィJFIL方式でインプリントする場合、その直前にインクジェットディスペンサーでショット領域に対して樹脂5を塗布する。その際に、インプリント対象のショット領域中に異物4が存在し、その大きさ、位置が予め判っているものとする。シリンジ2は、異物4の存在する位置に高粘度材料1を滴下する。高粘度材料1は、異物4によるインプリント動作時の応力集中を緩和する効果をもたらすものであれば、高粘度のものだけに限定する必要はなく、例えば通常の樹脂5の異物4の周辺における滴下量を他の領域より増やすようにしても良い。高粘度材料1をジェッティング吐出する場合は、通常の樹脂5とインクジェットモジュールのジェッティングプロファイルを使い分ける必要がある。従って、高粘度材料1の用途、粘性、構造の簡易さなどを考慮すると、シリンジ2のようなシンプルな吐出機構であることが望ましい。また、外部装置におけるカメラによる観察でウエハ7上の高粘度材料1の塗布の有無がわかるように、高粘度材料1に蛍光剤を含有させてもよい。異物検査装置は、ウエハ7を枚葉ごとに検査し、異物4の有無、高さ、位置、材質に関する情報をインプリント装置に報告する。異物4の検出されたショット領域3は、高粘度材料1の滴下処理の対象となる。また、図2に示されるように、1つのショット領域には、通常複数図2の例では6のチップ領域602が包含されており、型6を破損せずに異物4が付着していないすべてのチップ領域602から良品のチップを製造できるようにする。図4は、図2に示した高粘度材料1を塗布した他の態様である。すなわち、異物4の周囲の複数点に高粘度材料1を塗布することによって、緩衝膜の面積を増やし、かつ高粘度材料1のジェッティングにおける着弾位置誤差を緩和する。この方法によれば高粘度材料1の着弾精度が緩和される反面、異物4の付着位置がチップ領域602やショット領域3の境界付近にある場合、高粘度材料1から形成された膜が隣接するチップ領域602に侵襲する可能性が高くなる。いずれの場合にせよ、層を形成したあとのインプリント処理結果、および膜の形成情報は、インプリント装置がウエハ7に対して自動加工した結果であるため、オンラインホストなどへのロット処理結果報告に追記される。図5は、ダイバイダイアライメントを想定したショット領域3と型6の位置ずれを検出するためのアライメントマークマーク601a~601hを図2に追記したものである。高粘度材料1を塗布した領域を含むチップ領域602eは、緩衝膜の形成により生じた型6の隆起に起因してパターン面に平行なXY方向にも位置ずれが発生することが懸念される。そこで、制御器は、緩衝膜の形成に起因して発生した型6とウエハに含まれるように、型6を高速の第1速度で駆動する第1工程と第2工程とを切り替える。図7は、本発明を適用可能な複数のインプリントシステムの構成例である。複数のインプリント装置801~804は、JFIL方式に基づいたインプリント処理を実行する。異物検査装置805は、ウエハ7をインプリント装置801~804に送る前にウエハ7上の異物4の有無を検査する。異物検査装置805は、何もパターンが形成されていないウエハ7をはじめ、アライメントマークや回路パターンが形成されたウエハ7の表面において例えば10μmから0.1μm程度の異物4の有無を検査する。異物4が発見された場合、そのウエハ7の識別ID、異物4の位置、大きさ、性質に関する情報が記録される。これらの情報は、インプリント処理されるウエハ7の付帯情報として通信経路806a~806dを経由してインプリント装置801~804に送付される。一方、検査済みのウエハ7は搬送機構808により搬送経路807を介して各インプリント装置801~804に搬入される。異物検査装置805は、それぞれのインプリント装置801~804に内蔵される構成をとってもよい。異物検査装置805が内蔵された場合、各インプリント装置801~804にウエハ7が搬送されるまでの区間でウエハ7上に異物4が付着した場合でもその発見が可能である。反面、異物4の付着のリスクが低い場合、又は、異物検査装置805の処理能力が高い場合、図7のように異物検査装置805をインプリント装置801~804から分割する構成をとった方が効率的である。図8を用いて、インプリント装置を説明する。原板となる型6は構造体10に懸架されたZ方向及びレベリング方向ωx、ωyの型ステージ上の型チャック14にパターン面を下に保持されている。ウエハ7は、XYθ方向に駆動可能なウエハステージ13上のウエハチャックに被転写面を上に保持されている。インプリントシーケンスにおいては、型チャック14に保持された型6が下方に下がってくる。ウエハ7に樹脂を塗布するディスペンサー第1塗布器15は、インクジェットプリンターに用いられているノズル構成に類した1方向に複数の微細な吐出ノズルを配置したモジュールである。JFIL方式の樹脂5を塗布する工程においては、インプリントの直前にウエハ7上のショット領域3をディスペンサー15の直下にノズルの配列と直交方向にスキャンさせ、樹脂5をショット領域3上に塗布する。シリンジ2は、異物4を覆い隠す樹脂である高粘度材料1をショット領域3に塗布する。高粘度材料1を塗布する機構と樹脂5を塗布するディスペンサー15とを共通にしないことにより、組成の異なる高粘度材料1を選択可能とした。また、粘性が高いこと、塗布エリアが小さくてもよいことを考慮して、高粘度材料1の塗布には、粒径の小さいインクジェットタイプのノズルではなく単一構成のシリンジタイプのノズルを使用する。またシリンジ2をウエハステージ13上に搭載し、高粘度材料1をウエハ7上の異物4で汚染された部分の型6の対応する部分に塗布し、型6に塗布された高粘度材料1をウエハ7上の異物4で汚染された部分に転写させてもよい。アライメントスコープ9は、ダイバイダイアライメント用のマーク601を計測するために用いられ、ショット領域3の画角に応じてXY方向に移動可能である。紫外線光源11は、樹脂5の充填後に樹脂5を硬化させるための紫外線を発生させ、ミラー12で折り曲げて型6の非パターン面から樹脂5を照射する。図8の8Bは、インプリント装置を図8中のAの面から見上げた図である。型6上には型外枠面よりもウエハ7の側に数10μm隆起したメサ面8が形成され、メサ面8上にはパターンとアライメントマーク601が形成されている。シリンジ2とディスペンサー15は、型チャック14と干渉しない位置であれば、配置される場所に関しては重要な制約はない。図11は、JFIL方式における膜の形成とインプリントシーケンスの一例である。異物検査装置805は、ウエハ7の異物検査を行いS21、その結果をインプリント装置の制御器に報告するS22。S23Aでは、制御器は、シリンジ2により高粘度材料1をウエハ7上の異物4の検出位置に滴下させる。S24以下は、JFILに基づいた典型的なインプリント処理工程である。S25では、制御器は、ディスペンサー15により通常レジストである光硬化性樹脂5をウエハ7上に塗布する。S26では、制御器は、アライメントスコープ9により基板側マーク601と不図示の型側マークの相対距離関係をダイバイダイ計測し、計測結果として得られる位置ずれ量が所定の値になるようウエハステージ13の目標値を補正する。S28で、制御器は、インプリント動作および露光動作を実施する。S29では、制御器は、型6を上方に引き上げて紫外線硬化した樹脂5から剥離する。上記S25からS29までの工程をウエハ7上に配置されたショット領域の数だけ繰り返す。[実施例2]図3は、コーターなどを用いて樹脂5をインプリント装置外で塗布するインプリント方式において、ウエハ7上に型を保護する膜を形成した実施例2を示している。この場合、インプリント装置内に通常の樹脂を塗布するディスペンサー15を持たない。実施例2において、異物検査装置805の検査結果に基づいて、インプリント装置内に設けた高粘度材料1を塗布するためのシリンジ2で膜を形成する。シリンジ2は必ずしもインプリント装置内に設ける必要はないが、ウエハ7上の場所を特定する機能を有する必要性を鑑みるとアライメント機構を備えたインプリント装置に設けることが現実的である。そして、この方式による場合、図3に示されるように、外部で予め塗布された樹脂5の上に高粘度材料1が塗布される。図12は、実施例2におけるウエハ処理工程を示したものである。インプリント装置外部の異物検査装置805は、ウエハ7に対して異物検査を行いS21、その結果をインプリント装置に報告するS22。その後S31にて、樹脂5がインプリント装置外部のコーターで塗布され、インプリント装置に搬入される。インプリント装置の制御器は、S23Aで、インプリント装置内に搬入されたウエハ7に対して材料1を塗布する。その後はショット領域3ごとのインプリント処理ループが繰り返され、制御器は、S26でダイバイダイアライメント計測、S27でアライメント補正駆動を実施した後に、S28でインプリント動作、S29で離型動作をショット領域3の数だけ反復する。また、ウエハ7の1枚分の転写パターンを描画してインプリントする方式も提案されているが、その場合、高粘度材料1を塗布後のインプリント処理ループはウエハ一括のインプリント処理に置き換えられる。[実施例3]図9は、実施例3における型を保護する膜を形成する様子を示している。実施例3では、膜を形成する高粘度材料1は樹脂5と同一材料であり、したがって、高粘度材料1のための塗布機構を設けない。異物検査装置805によって異物4が確認された場合、図13の重ね塗り処理の手順に従って、制御器は、S41で異物部分に対して通常の樹脂5を滴下する。制御器は、S42で、型6の押しつけを伴わず単に紫外線を照射して樹脂5を硬化する。この型6の押し付けを伴わない紫外線照射による樹脂5の硬化を、オープンフレーム露光OFEと称する。制御器は、S41及びS42を1回または複数回行い樹脂5の硬化物による膜5Sを形成する。この後、制御器は、通常の樹脂5をディスペンサーから他のショット領域と同様に塗布してインプリント動作を行う。実施例3の手法は、通常の樹脂5の粘性が低すぎて、樹脂5だけでは塗布量を増やしてもインプリント動作時に期待通りの樹脂の隆起部分を形成できない場合に有効である。[実施例4]図10は、実施例4における型を保護する膜を形成する様子を示している。すなわち、図9で示したオープンフレーム露光による膜の形成と図4で説明した高粘度材料1の多数の小滴による膜の形成を併用したものである。S11で、制御器は、異物4の周囲に高粘度材料1を滴下し、オープンフレーム露光を行って硬化させる5Sa。制御器は、S12で、さらにその周囲にウエハ7表面の急激な段差を解消させるためにより薄い膜を形成する5Sb。さらに、制御器は、S13で、通常の樹脂5を滴下し、S14でインプリント動作を行う。膜の形成に用いる樹脂は、実施例3に従って通常の樹脂5と同じ組成のものを用いても良い。以上、異物4がウエハ7に付着していた場合でも、設計上の範囲内において型6によるインプリント処理を可能とし、かつショット領域3内の異物汚染のされていないチップ領域602から良品のチップを製造する方法を説明した。本発明によれば、短時間で完了する高粘度材料1の滴下工程を追加するのみなので、型6の交換などで生産性を著しく落とすことがない。[物品の製造方法]物品としてのデバイス半導体集積回路素子、液晶表示素子等の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板にパターンを転写形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを転写された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア記録媒体や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを転写された基板を加工する他の処理を含みうる。以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変形及び変更が可能である。