処理室内に半導体材料ガスを導入し、ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁層上に前記処理室内で半導体膜を形成し、前記処理室内の前記半導体材料ガスを排気し、前記処理室内に希ガスのみを導入し、前記処理室内で前記半導体膜にプラズマ処理を行い、前記半導体膜上に不純物半導体膜を形成し、前記半導体膜と前記不純物半導体膜を島状に加工して半導体積層体を形成し、前記半導体積層体が有する不純物半導体層に接してソース電極及びドレイン電極を形成し、前記半導体膜の形成と前記プラズマ処理は、前記処理室内の圧力及び温度を変化させずに行い、前記処理室内のガス種のみが異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。処理室内に半導体材料ガスを導入し、ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁層上に前記処理室内で半導体膜を形成し、前記処理室内の前記半導体材料ガスを排気し、前記処理室内に希ガスと水素ガスを導入し、前記処理室内で前記半導体膜にプラズマ処理を行い、前記半導体膜上に不純物半導体膜を形成し、前記半導体膜と前記不純物半導体膜を島状に加工して半導体積層体を形成し、前記半導体積層体が有する不純物半導体層に接してソース電極及びドレイン電極を形成し、前記半導体膜の形成と前記プラズマ処理は、前記処理室内の圧力及び温度を変化させずに行い、前記処理室内のガス種のみが異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。請求項1または請求項2において、前記希ガスは、アルゴンガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。基板上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられた第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に設けられた第2の半導体層と、前記第2の半導体層上に設けられた不純物半導体層と、少なくとも前記不純物半導体層に接して設けられた第2の導電層により形成されるソース電極及びドレイン電極と、を有し、前記第1の半導体層の希ガス元素の濃度が2.5×1018cm-3以上であることを特徴とする半導体装置。請求項4において、前記希ガス元素は、アルゴンであることを特徴とする半導体装置。請求項4または請求項5において、前記第1の半導体層は、結晶性半導体を有することを特徴とする半導体装置。請求項4乃至請求項6のいずれか一に記載の薄膜トランジスタを覆って保護絶縁層が設けられ、前記保護絶縁層を介して前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極に接続する画素電極層が設けられ、前記画素電極層は前記第1の半導体層と重畳して設けられてバックゲート電極として機能することを特徴とする画素トランジスタを有する半導体装置。本発明の一態様は、工程を複雑化させることなく、TFTの閾値電圧を調整する方法を提供することを課題とする。本発明の一態様は、閾値電圧が調整されてノーマリーオフ化したTFTを提供することを課題とする。本発明の一態様は、半導体膜の形成後に、該半導体膜との反応性が乏しいガスを高濃度に含む雰囲気中でプラズマ処理を行うTFTの作製方法である。ここで、半導体膜との反応性が乏しいガスとは、半導体膜にプラズマ処理を行っても該半導体膜の表面または該半導体膜中に化合物を生成させず、且つ該半導体膜をエッチングしにくいガスをいう。このようなガスとして、例えば希ガスが挙げられる。希ガスとして、好ましくはアルゴンArガスを用いる。前記TFTの作製方法において、半導体膜に対するプラズマ処理は、半導体膜の形成工程と同一の処理室内において連続して行うことが好ましく、プラズマ処理を行う際の半導体膜との反応性が乏しいガスを高濃度に含む雰囲気は、半導体膜の形成時の雰囲気とは前記処理室内のガス種のみが異なり、半導体膜の形成時と同程度の圧力及び温度であるとよい。半導体膜に対するプラズマ処理が、該半導体膜の形成時の雰囲気と同程度の圧力及び温度により行われることで、半導体膜の形成時の雰囲気からの変化が小さいため、TFTの作製工程のスループットを高くすることができるからである。本発明の一態様は、半導体膜中に含まれる希ガス元素例えば、アルゴンの濃度が2.5×1018cm-3以上であることを特徴とするTFTである。半導体膜中に含まれる希ガス元素の濃度を前記範囲とすることで、TFTの閾値電圧を調整することができる。なお、本明細書において膜とは、CVD法プラズマCVD法などを含む。またはスパッタリング法などにより、被形成面の全面に形成されたものをいう。一方で、層とは、膜が加工されて形成されたもの、または被形成面の全面に形成されて加工を要しないものをいう。本発明の一態様によれば、工程を複雑化させることなく、TFTの閾値電圧を調整することができる。本発明の一態様によれば、閾値電圧が調整されてノーマリーオフ化したTFTを得ることができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下に示す実施の形態及び実施例の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。なお、同様のものを指す際にはハッチパターンを同じくし、特に符号を付さないことがある。そして、便宜上、絶縁層は上面図には表さないことがある。なお、以下の説明において、第1、第2などの序数は、説明の便宜上付したものであり、その数を限定するものではない。まず、本発明の一態様であるTFTの作製方法について説明する。まず、基板100上に第1の導電層102を選択的に形成する図1A。基板100は、絶縁性基板である。基板100としては、例えば、ガラス基板、石英基板、セラミック基板の他、本作製工程の処理温度に耐えうる程度の耐熱性を有するプラスチック基板などを用いることができる。なお、基板100は、透光性基板でなくてもよい。なお、これに限定されず、基板100が絶縁性でなくてもよい。第1の導電層102は、少なくともゲート電極を構成する。第1の導電層102は、導電性材料膜を形成し、フォトリソグラフィ法により加工して形成すればよい。次に、第1の導電層102が設けられた基板100を処理室200図4を参照内に導入し、第1の導電層102を覆って第1の絶縁層104を形成する図1A。第1の絶縁層104は、少なくともゲート絶縁層を構成する。第1の絶縁層104は、絶縁性材料により形成すればよい。絶縁性材料として、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、または窒化シリコンが挙げられる。なお、酸化窒化シリコンとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものであって、好ましくは、ラザフォード後方散乱法RBS:RutherfordBackscatteringSpectrometry及び水素前方散乱法HFS:HydrogenForwardscatteringSpectrometryを用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が50~70原子、窒素が0.5~15原子、シリコンが25~35原子、水素が0.1~10原子の範囲で含まれるものをいう。なお、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであって、好ましくは、RBS及びHFSを用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が5~30原子、窒素が20~55原子、シリコンが25~35原子、水素が10~30原子の範囲で含まれるものをいう。ただし、酸化窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンを構成する原子の合計を100原子としたとき、窒素、酸素、シリコン及び水素の含有比率が前記範囲内に含まれるものとする。ここで、本発明の一態様であるTFTの作製方法において用いられる、処理室200を有するプラズマCVD装置の一例について図4を参照して説明する。図4は、プラズマCVD装置の処理室の一構成を示す。処理室200は、アルミニウムまたはステンレスなどの剛性のある素材により、内部を真空排気できるように構成されている。処理室200は、機械的強度を高めるためにチャンバーの素材をステンレスとし、内面にアルミニウム溶射を施されているとよい。なお、図4に示すプラズマCVD装置は、メンテナンスしやすいように分解が可能なチャンバー構成とし、定期的に再度のアルミニウム溶射を施すことが可能な構成とするとよい。処理室200には第1の電極201上部電極とも呼ぶ。と、第1の電極201と対向する第2の電極202下部電極とも呼ぶ。が備えられている。第1の電極201には高周波電力供給手段203が連結されている。第2の電極202は接地され、基板を載置できるように構成されている。第1の電極201は絶縁材216により処理室200のチャンバー壁と絶縁分離されることで、高周波電力が漏洩しないように構成されている。絶縁材216の材料を例えばセラミック材料とする場合には、上部電極のシールにナイフエッジ型メタルシールフランジを用いることが困難であるため、Oリングシールを用いるとよい。なお、図4には、第1の電極201と第2の電極202を有する容量結合型平行平板型の構成を示しているが、これに限定されない。高周波電力を供給して処理室200の内部にグロー放電プラズマを発生させることができるものであれば、誘導結合型など他の構成であってもよい。第1の電極201は、凸部241及び凹部243が規則的に、好ましくは等間隔で配置された凹凸電極である。即ち、凸状の構造体で形成される凸部241が規則的に、好ましくは等間隔で配置されている。そして、第1の電極201の凹部243には、ガス供給手段208に接続された中空部244が設けられている。即ち、ガス供給口が設けられた共通平面が凹部243である。なお、ここでは、第2の電極202の表面からの距離が近い領域を凸部241とし、第2の電極202の表面からの距離が遠い領域を凹部243として示す。中空部244は、ガスライン246を介してガス供給手段208の半導体材料ガスが充填されたシリンダ210aに接続されている。このため、凹部243に設けられている中空部244のガス供給口からは、半導体材料ガスが処理室200に供給される。ガス供給手段208は、複数のガスが充填されたシリンダ群210、圧力調整弁211、ストップバルブ212及びマスフローコントローラ213などで構成されている。そして、シリンダ群210は、半導体材料ガスが充填されたシリンダ210aと、水素が充填されたシリンダ210bと、希ガスが充填されたシリンダ210cと、を有する。シリンダ210aに充填された半導体材料ガスとしては、例えば、シランガス、ジシランガス、ゲルマンガス、ジゲルマンガスなどが挙げられるが、これらに限定されず、他の堆積性気体を用いてもよい。シリンダ210cに充填された希ガスとしては、例えば、Ar、Xe、Krなどが挙げられるが、Arを採用することが好ましい。ヒータコントローラ215により制御される基板加熱ヒータ214は、第2の電極202内に設けられている。基板加熱ヒータ214が第2の電極202内に設けられている場合には、熱伝導加熱方式が採用される。基板加熱ヒータ214は、例えばシーズヒータで構成されているとよい。高周波電力供給手段203には、高周波電源204、整合器206及び高周波カットフィルタ229が含まれている。高周波電源204から供給される高周波電力は、第1の電極201に供給される。高周波電源204は、60MHz以下の高周波で発振して電力を供給することが可能な構成であればよい。なお、第2の電極202上に載置される基板が第7世代以上の大面積基板の場合には、高周波電源204として、波長が概ね10m以上の高周波で発振することが好ましい。例えば、13.56MHz以下、例えば3MHz以上13.56MHz以下の周波数で発振することが好ましい。高周波電源204が、前記範囲の周波数で発振することで、例えば第7世代例えば、1870mm×2200mm以上の大面積基板を第2の電極202上に載置してグロー放電を行っても、表面定在波の影響を受けることなく均一なプラズマを発生させることができるため、基板が大面積基板であっても基板全体に均質で良質な膜を作製することができる。なお、高周波電源204として周波数13.56MHzで発振する電源を用いる場合、高周波カットフィルタ229として10pF~100pFの可変コンデンサを用いることが好ましい。なお、高周波カットフィルタ229として、さらにコイルを用いて、コイルと可変コンデンサを用いる並列共振回路が構成されていてもよい。処理室200に接続されている排気手段209は、処理室200を真空排気する機能と、反応ガスを流す場合に処理室200内を所定の圧力に保持する機能が含まれている。排気手段209の構成としては、バタフライバルブ217、バタフライバルブ218、ストップバルブ219、ストップバルブ220、ストップバルブ221、ストップバルブ222、ストップバルブ223、ストップバルブ224、ターボ分子ポンプ225、ターボ分子ポンプ226及びドライポンプ227などが含まれる。なお、ターボ分子ポンプ226はストップバルブ224を介してドライポンプ227と連結されている。処理室200内を真空排気する場合には、まず、粗引き用のストップバルブ219と粗引き用のストップバルブ221を開き、処理室200内をドライポンプ227で排気した後、ストップバルブ219を閉じて、バタフライバルブ217及びストップバルブ220を開き、真空排気を行う。さらに、処理室200内を10-5Paよりも低い圧力の超高真空まで排気する場合には、処理室200内をドライポンプ227によって排気した後、バタフライバルブ217、ストップバルブ220及びストップバルブ221を閉じ、バタフライバルブ218、ストップバルブ219、ストップバルブ220、ストップバルブ221、ストップバルブ222、ストップバルブ223及びストップバルブ224を開き、直列接続されたターボ分子ポンプ225、ターボ分子ポンプ226及びドライポンプ227による排気を行って、更に真空排気する。なお、真空排気を行った後に、処理室200内を加熱処理して内壁からの脱ガス処理を行うことが好ましい。第1の電極201と第2の電極202の間隔ギャップ間隔とも呼ぶは適宜調節できるように構成されている。このギャップ間隔の調節は、処理室200内で第2の電極202の高さの調整により行うことができる構成とすればよい。ベローズ207を用いることで、処理室200内を真空に保持しつつ、このギャップ間隔の調節を行うことができる。ここで、第1の電極201の形状の一形態について、図5及び図6を用いて説明する。図5A及び図6Aは、第1の電極201を第2の電極202側からみた平面図の例であり、図5B及び図6Bは、図5A及び図6AのA-Bにおける断面図の例である。なお、図5A及び図6Aにおいて、第2の電極202側に突出している領域即ち、凸部を間隔の広いハッチパターンで示し、窪んでいる領域即ち、凹部を間隔の狭いハッチパターンで示す。図5Aに示すように、凹部243に設けられた中空部244のガス供給口は規則的に、好ましくは等間隔で配置されている。そして、図5Bに示すように、凹部243には中空部244のガス供給口が設けられている。複数の凸部241のそれぞれは分離して設けられており、凹部243は繋がった一の平面上に存在する。即ち、図5A及びBに示された第1の電極201は、ガス供給口が設けられた共通する一の平面から突出して設けられた凸状の構造体を有し、該凸状の構造体はそれぞれ孤立して設けられている。ここでは、凸部241を四角錐台としている。なお、凸部241はこれに限定されず、適宜、三角錐台、五角錐台、六角錐台、またはその他の多角錐台としてもよい。ここで、凸部241の稜及び角には、丸みを帯びるように面取りが施され、角が丸い多角錐台とすることが好ましい。凸部241及び凹部243の稜及び角に丸みを帯びるように面取りを施すことにより、電界の集中を緩和することが可能である。このため、局所的なアーク放電を低減することが可能であり、パーティクルの発生を抑制することができる。または、図6Aに示すように、凸部241を円錐台としてもよく、図6Bに示すように、凹部243には中空部244のガス供給口が設けられていてもよい。なお、凸部241の稜に丸みを帯びるように面取りが施され、稜が丸い円錐台とすることが好ましい。凸部241を円錐台とし、凸部241及び凹部243の稜に丸みを帯びるように面取りを施すことにより、電界の集中を緩和することが可能である。このため、局所的なアーク放電を低減することが可能であり、パーティクルの発生を抑制することができる。または、図5及び図6に示す凸部241としては、角が丸い多角錐台または円錐台を示したが、多角錐台または円錐台の稜及び角に丸みを帯びないように面取りが施されていてもよい。例えば、凸部241をテーパ形状とし、凸部241が有する角を面取りすればよい。そして、凹部243が有する角を面取りしてもよい。凸部241及び凹部243の角を面取りすることで、当該領域における電界の集中を緩和することが可能であり、パーティクルの発生を抑制することができる。または、図5及び図6において、中空部244のガス供給口周辺の稜及び角が丸みを帯びるように面取りが施されていてもよい。さらには、図示しないが、中空部244のガス供給口周辺に丸みを帯びないように面取りが施されていてもよい。このようにしても、ガス供給口付近における電界の集中を緩和することが可能であり、パーティクルの発生を抑制することができる。なお、図4乃至図6を参照して説明したプラズマCVD装置は、本発明の一態様であるTFTの作製方法において、プラズマCVD法を適用するすべての工程に用いることができる。ただし、本発明の一態様であるTFTの作製方法において用いるプラズマCVD装置の構成は、図4乃至図6に示すものに限定されない。次に、処理室200内のガスを置換し、処理室200内で、第1の絶縁層104上に第1の半導体膜105を形成する図1A。第1の半導体膜105は、例えば、結晶性半導体により形成するとよい。結晶性半導体として、特に、微結晶半導体を用いることが好ましい。微結晶半導体膜は、結晶化工程熱結晶化工程またはレーザ結晶化工程などを行わなくても形成することができるからである。次に、処理室200内のガスを置換し、第1の半導体膜105をArプラズマに曝露し、第1の半導体膜106を形成する図1B。ここで、発生させるプラズマはArプラズマに限定されず、第1の半導体膜105との反応性が乏しいガスを高濃度に含む雰囲気中でプラズマ処理を行えばよい。ここで、半導体膜との反応性が乏しいガスとは、第1の半導体膜105にプラズマ処理を行っても第1の半導体膜105及び第1の半導体膜106の表面、または第1の半導体膜105及び第1の半導体膜106中に化合物を生成させず、且つ第1の半導体膜105及び第1の半導体膜106をエッチングしにくいガスをいう。このようなガスとして、例えば、He、Ar、Ne、Kr、Xeなどの希ガスが挙げられる。希ガスとして、好ましくは前記したArを用いるとよい。Arは空気中に多量に存在し、コスト面で有利だからである。なお、ここで、水素などの半導体膜をエッチングするガスは、極力少なくすることが好ましい。第1の半導体膜106の希ガス元素が含まれた部分がエッチングされてしまうことを防止するためである。更には、前記プラズマ処理をする際の処理室200内は、第1の半導体膜105を形成する際の条件圧力及び基板温度などと同じくし、処理室200内のガスの置換のみ行うことが好ましい。スループットを高めるためである。次に、第1の半導体膜106上に第2の半導体膜108と不純物半導体膜110を形成する図1C。第2の半導体膜108は、バッファ膜として機能する。第2の半導体膜108は、少なくとも第1の半導体膜106よりも移動度が低い半導体により形成すればよい。第1の半導体膜106上に第2の半導体膜108が設けられることで、オフ電流を低下させることができる。第2の半導体膜108は、非晶質構造を含み、微小結晶粒を有し、従来の非晶質半導体膜と比較して、CPMConstantPhotocurrentMethodやフォトルミネッセンス分光測定で測定されるUrbach端のエネルギーが小さく、欠陥吸収スペクトル量が少ないことが好ましい。すなわち、第2の半導体膜108は、従来の非晶質半導体膜と比較して、欠陥が少なく、価電子帯のバンド端における準位のテール裾の傾きが急峻である秩序性の高い半導体膜であることが好ましい。ここで、第2の半導体膜108における低温フォトルミネッセンス分光によるスペクトルのピーク領域は、1.31eV以上1.39eV以下である。なお、微結晶シリコン膜における低温フォトルミネッセンス分光によるスペクトルのピーク領域は、0.98eV以上1.02eV以下である。ただし、第2の半導体膜108は、微小結晶粒を含まない非晶質半導体により構成されていてもよい。第2の半導体膜108は、結晶核の生成を抑制する不純物を含んでいるとよく、結晶核の生成を抑制する不純物としては、窒素、NH基またはNH2基が挙げられる。第2の半導体膜108にNH基を含ませることでダングリングボンドを架橋することができる。または第2の半導体膜108にNH2基を含ませることでダングリングボンドを終端することができる。第2の半導体膜108にNH基またはNH2基を含ませることでオン電流を増大させることができる。なお、第2の半導体膜108にNH基またはNH2基を含ませるためには、形成に用いるガス中にNH3ガスを含ませればよい。不純物半導体膜110は、一導電型を付与する不純物元素が含まれる半導体により形成する。TFTがn型である場合には、一導電型を付与する不純物元素として、例えば、PまたはAsを添加したシリコンが挙げられる。TFTがp型である場合には、一導電型を付与する不純物元素として、例えば、Bが挙げられる。ただし、TFTはn型にすることが好ましい。そのため、ここでは、Pを添加したシリコンを用いる。なお、不純物半導体膜110は微結晶半導体などの結晶性半導体により形成することが好ましい。不純物半導体膜110を結晶性半導体により形成することで、オン電流が増大する。ドナーまたはアクセプタとなる不純物元素は、不純物半導体膜110の形成時の原料ガスに添加してもよいし、または、不純物を含まない半導体膜を形成した後に添加してもよい。なお、不純物半導体膜110は、少なくともソース領域及びドレイン領域を構成する。次に、不純物半導体膜110上にレジストマスク112を選択的に形成する図1C。レジストマスク112は、レジスト材料を塗布した後にフォトリソグラフィ法を用いることで、選択的に形成することができる。次に、レジストマスク112を用いて第1の半導体膜106、第2の半導体膜108及び不純物半導体膜110を島状にエッチングして第1の半導体層114、第2の半導体層116及び不純物半導体層118が積層されて設けられた半導体積層体120を形成する図2A。次に、半導体積層体120を覆って導電膜122を形成する図2B。導電膜122は、導電性材料膜により形成すればよい。次に、導電膜122上にレジストマスク124を選択的に形成する図2C。レジストマスク124は、レジスト材料を塗布した後にフォトリソグラフィ法を用いることで、選択的に形成することができる。次に、レジストマスク124を用いて第1の半導体層114、第2の半導体層116、不純物半導体層118及び導電膜122をエッチングして第1の半導体層126、第2の半導体層128、不純物半導体層130及び第2の導電層132を形成する図3A。なお、第1の半導体層114、第2の半導体層116及び不純物半導体層118をエッチングする工程と、導電膜122をエッチングする工程が異なる工程であってもよい。第2の導電層132は、少なくともソース電極及びドレイン電極として機能する。以上説明したように、本発明の一態様であるTFTを作製することができる図3A。図3Aに示すTFTは、基板100上に設けられた第1の導電層102により形成されたゲート電極と、第1の導電層102を覆って設けられた第1の絶縁層104により形成されたゲート絶縁層と、第1の絶縁層104上に設けられた第1の半導体層126と、第1の半導体層126上に設けられた第2の半導体層128と、第2の半導体層128上に設けられた不純物半導体層130と、少なくとも不純物半導体層130に接して設けられた第2の導電層132により形成されたソース電極及びドレイン電極と、を有し、第1の半導体層126には、第1の半導体層126との反応性が乏しいガスを含むことを特徴とする。ここで、第1の半導体層126との反応性が乏しいガスとは、第1の半導体層126にプラズマ処理を行っても第1の半導体層126の表面または第1の半導体層126中に化合物を生成させず、且つ第1の半導体層126をエッチングしにくいガスをいう。本発明の一態様である前記構成のTFTにおいて、反応性が乏しいガスとしては希ガスを用いるとよい。該希ガスとしては、前記したようにArガスを用いることが好ましい。更には、本発明の一態様である前記構成のTFTにおいて、第1の半導体層126中に含まれる希ガス元素の濃度は2.5×1018cm-3~4.5×1019cm-3であることが好ましい。TFTの閾値電圧を効果的に調整することができるからである。ただし、希ガス元素の濃度は前記範囲に限定されず、第1の半導体層126は更に希ガス元素を含んでいてもよい。次に、少なくとも第1の半導体層126、第2の半導体層128、不純物半導体層130を覆って、第2の導電層132上に、開口部136を有する第2の絶縁層134を形成する図3B。第2の絶縁層134は、絶縁膜を形成し、該絶縁膜にフォトリソグラフィ法により開口部136を形成することで形成すればよい。第2の絶縁層134は、TFTの保護絶縁層として機能する。第2の絶縁層134は、絶縁性材料により形成すればよい。絶縁性材料としては、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコンまたは窒化シリコンが挙げられる。なお、図示していないが、第2の絶縁層134上にスピンコーティング法などにより有機樹脂材料を用いて形成される絶縁層を有していてもよい。次に、第2の絶縁層134上に第3の導電層138を形成する図3C。第3の導電層138は、画素電極及びバックゲート電極のいずれか一方または双方として機能する。第3の導電層138は、透光性を有する導電性高分子導電性ポリマーともいう。を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形成した第3の導電層138は、シート抵抗が10000Ω/□以下であり、且つ波長550nmにおける透光率が70以上であることが好ましい。なお、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率が0.1Ωcm以下であることが好ましい。なお、導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、またはアニリン、ピロール及びチオフェンの2種以上の共重合体若しくはその誘導体などがあげられる。第3の導電層138は、例えば、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物などを用いて形成することができる。第3の導電層138は、前記材料により形成した膜をフォトリソグラフィ法により加工することで形成すればよい。以上説明したように、本発明の一態様である画素TFT画素トランジスタを作製することができる図3C。なお、本発明の一態様である画素TFTの作製方法はこれに限定されず、例えば半導体膜のエッチングに用いられるレジストマスクと半導体膜上に設けられる導電膜のエッチングに用いられるレジストマスクが、一の多階調マスクハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクにより形成されていてもよい。図3Cに示す画素TFTは、図3Aに示すTFTを覆って開口部136を有する第2の絶縁層134が設けられ、第2の絶縁層134上には開口部136を介して接続されるように第3の導電層138が設けられている。なお、第1の半導体層126の少なくともチャネル形成領域と重畳する領域に、第3の導電層138によりバックゲート電極138BGが設けられている。バックゲート電極138BGにより、第1の導電層102により第1の半導体層126の下部基板100側に形成されるチャネル形成領域のみならず、第1の半導体層126の上部バックゲート電極138BG側にもチャネル形成領域を形成することができ、電界効果移動度を向上させ、オン電流を大きくすることができる。なお、第1の導電層102により構成されるゲート電極と、第3の導電層138により構成されるバックゲート電極138BGは、等しい電位としてもよいし、バックゲート電極138BGに接続される配線を独立に設けて、第1の導電層102により構成されるゲート電極とは異なる電位としてもよい。ただし、本発明の一態様である画素TFTは、図3Cに示す形態に限定されず、第3の導電層138により形成されるバックゲート電極138BGが設けられていなくてもよい。図3Cに示す画素TFTは、表示装置のアレイ基板に適用することができる。液晶表示装置は、前記アクティブマトリクス基板がセル工程及びモジュール工程を経ることで作製される。以下に、セル工程及びモジュール工程の一例について説明する。セル工程では、前記工程により作製した、画素TFTを有するアクティブマトリクス基板と、これに対向する基板以下、対向基板というを貼り合わせて液晶を注入する。まず、対向基板の作製方法について、以下に簡単に説明する。まず、透光性基板上に遮光層を形成し、該遮光層上に赤、緑、青のいずれかのカラーフィルター層を形成し、該カラーフィルター層上に対向電極層を形成し、該対向電極層上にリブを形成する。遮光層は、遮光性を有する材料により選択的に形成する。遮光性を有する材料として、例えば、黒色樹脂カーボンブラックを含む有機樹脂、またはクロムを主成分とする材料クロム、酸化クロムまたは窒化クロムを用いることができる。遮光性を有する材料の膜を選択的に形成するには、フォトリソグラフィ法などを用いればよい。カラーフィルター層は、白色光が照射された際に、赤、緑、青のいずれかの光のみを通過させることができる材料により選択的に形成すればよく、塗り分けを行って選択的に形成すればよい。カラーフィルターの配列は、ストライプ配列、デルタ配列または正方配列とすればよい。対向基板上の対向電極層は、アクティブマトリクス基板が有する画素電極層と同様の材料及び方法により、対向基板上の全面に形成すればよい。対向電極層上のリブは、視野角を拡げるために形成され、有機樹脂材料により選択的に形成される。リブは、必要に応じて適宜形成すればよい。更には、カラーフィルター層を形成後、対向電極層の形成前にオーバーコート層を形成してもよい。オーバーコート層を形成することで対向電極層の被形成面の平坦性を向上させ、カラーフィルター層に含まれる材料の一部が液晶材料中に侵入することを防ぐことができる。オーバーコート層には、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂をベースとした熱硬化性材料が用いられる。なお、リブの形成前または形成後にスペーサとしてポストスペーサ柱状スペーサを形成してもよい。ビーズスペーサ球状スペーサを用いる場合には、ポストスペーサを形成しなくてもよい。次に、配向膜をアクティブマトリクス基板及び対向基板上に形成する。配向膜の形成は、例えば、ポリイミド樹脂などを有機溶剤に溶かし、これを印刷法またはスピンコーティング法などにより塗布し、有機溶媒を溜去した後基板を焼成することにより行う。配向膜には、液晶分子がある一定のプレチルト角を持って配向するようにラビング処理を施すとよい。ラビング処理は、例えば、ベルベットなどの毛足の長い布により配向膜を擦ることで行えばよい。次に、アクティブマトリクス基板と対向基板を、シール材料により貼り合わせる。ビーズスペーサを用いる場合には、ビーズスペーサを所望の領域に分散させて貼り合わせればよい。次に、貼り合わせられたアクティブマトリクス基板と対向基板の間に、液晶材料を注入する。液晶材料を注入した後、注入口を紫外線硬化樹脂などで封止する。または、液晶材料をアクティブマトリクス基板と対向基板のいずれかの上に滴下した後に、これらの基板を貼り合わせてもよい。次に、アクティブマトリクス基板と対向基板を貼り合わせた液晶セルの両面に偏光板を貼り付けてセル工程が完了する。次に、モジュール工程として、端子部の入力端子にフレキシブルプリント基板FPC:FlexiblePrintedCircuitを接続する。FPCはポリイミドなどの有機樹脂フィルム上に導電膜により配線が形成されており、異方性導電性ペーストACP:AnisotropicConductivePasteを介して入力端子と接続される。ACPは接着剤として機能するペーストと、金などがメッキされた数十~数百μm径の導電性表面を有する粒子と、により構成される。ペースト中に混入された粒子が入力端子上の導電層とFPCに形成された配線に接続された端子上の導電層の双方に接触することで、電気的な接続を実現する。なお、FPCの接続後にアクティブマトリクス基板と対向基板に偏光板を貼り付けてもよい。以上のように、液晶表示装置を作製することができる。なお、液晶材料としてブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は、液晶相の1つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は、狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために、5重量以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いる。ブルー相を示す液晶材料とカイラル剤を含む液晶組成物は、応答速度が10μs~100μsと短く、光学的に等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。または、本発明の一態様である表示装置は、EL表示装置であってもよい。本発明の一態様である表示装置がEL表示装置である場合には、第3の導電層138上にEL層を形成し、該EL層上に更なる画素電極層を形成すればよい。前記第3の導電層138は、陽極とすることができるため、陰極となる更なる画素電極層を形成する材料としては、陰極とすることができる仕事関数が小さい材料例えば、Ca、Al、MgAg、AlLiを用いればよい。EL層は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されて形成された積層膜により構成されていてもよく、少なくとも発光層を有する。発光層はホール輸送層を介して更なる画素電極層と接続されていることが好ましい。なお、本発明の一態様であるEL表示装置は、トップエミッションとしてもよいし、ボトムエミッションとしてもよいし、デュアルエミッションとしてもよい。ところで、前記TFT及び表示装置は、さまざまな電子機器遊技機も含むに適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用のモニタ、電子ペーパー、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。前記表示装置は、例えば電子ペーパーに適用することができる。電子ペーパーは、情報を表示するあらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。例えば、電子ペーパーを用いて、電子書籍電子ブック、ポスター、電車などの乗り物の車内広告、クレジットカードなどの各種カードにおける画像または情報の表示などに適用することができる。図7Aは、電子書籍の一例を示している。図7Aに示す電子書籍は、筐体150及び筐体151で構成されている。筐体150及び筐体151は、蝶番154により連結され、開閉させることができ、紙の書籍と同様に扱うことができる。筐体150には表示部152が組み込まれ、筐体151には表示部153が組み込まれている。表示部152及び表示部153は、一の画面を分割して表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすると、例えば、右側の表示部図7Aでは表示部152に文章を表示し、左側の表示部図7Aでは表示部153に画像を表示することができる。表示部152及び表示部153には、前記表示装置を適用することができる。図7Aでは、筐体150に、電源入力端子155、操作キー156及びスピーカ157などが備えられている。操作キー156は、例えば頁を送る機能を備えていてもよい。なお、筐体150及び筐体151の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備えていてもよいし、筐体150及び筐体151の裏面や側面に、外部接続用端子イヤホン端子、USB端子、及びUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子などまたは記録媒体挿入部などを備えていてもよい。なお、図7Aに示す電子書籍は、更には、無線で情報を送受信できる構成を備えていてもよい。図7Bは、デジタルフォトフレームの一例を示している。図7Bに示すデジタルフォトフレームは、筐体161に表示部162が組み込まれた構成である。表示部162には、前記表示装置を適用することができる。なお、図7Bに示すデジタルフォトフレームは、操作部、外部接続用端子USB端子、USBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など、記録媒体挿入部などを備える構成とするとよい。これらの構成は、表示部と同一面に備えられていてもよいが、側面や裏面に備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録媒体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像データを取り込み、取り込んだ画像データを表示部162に表示させることができる。なお、図7Bに示すデジタルフォトフレームは、無線で情報を送受信出来る構成としてもよい。図7Cは、テレビジョン装置の一例を示している。図7Cに示すテレビジョン装置は、筐体171に表示部172が組み込まれ、スタンド173により筐体171が支持されている。表示部172には、前記表示装置を適用することができる。図7Cに示すテレビジョン装置の操作は、筐体171が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機により行うことができる。リモコン操作機が備える操作キーによりチャンネルや音量の調整を行うことができ、表示部172に表示される映像を選択することができる。または、リモコン操作機自体に、当該リモコン操作機から出力する情報を表示する表示部が設けられていてもよい。なお、図7Cに示すテレビジョン装置は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することで、片方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことも可能である。図7Dは、携帯電話機の一例を示している。図7Dに示す携帯電話機は、筐体181に組み込まれた表示部182の他、操作ボタン183、操作ボタン187、外部接続ポート184、スピーカ185、及びマイク186などを備えている。表示部182には、前記表示装置を適用することができる。図7Dに示す携帯電話機は、表示部182がタッチパネルであってもよい。表示部182がタッチパネルである場合、電話の発信、或いはメールの作成などは、表示部182をタッチパネルとして使用することで行うことができる。表示部182の画面は、主として3つのモードがある。第1のモードは、画像の表示を主とする表示モードであり、第2のモードは、文字などの情報の入力を主とする入力モードである。第3のモードは表示モードと入力モードの2つのモードを併せた表示/入力モードである。例えば、電話の発信、或いはメールを作成する場合には、表示部182を、文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合には、表示部182の画面の大部分を使用してキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好ましい。図7Dに示す携帯電話機の内部に、ジャイロセンサ、加速度センサなどの傾きを検出するセンサを備えた検出装置が設けられることで、携帯電話機の向き縦または横に応じて、表示部182の表示情報を自動的に切り替える構成とすることもできる。画面モードの切り替えは、表示部182への接触、または筐体181の操作ボタン187の操作により行われる構成としてもよいし、表示部182に表示される画像の種類によって切り替わる構成としてもよい。入力モードにおいて、表示部182の光センサで検出される信号を検知し、表示部182のタッチ操作が一定期間行われていないときに、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替える構成としてもよい。表示部182は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部182を掌や指で触れ、掌紋及び指紋などをイメージセンサで撮像すると、本人認証を行うことができる。表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。以上説明したように、前記TFT及び表示装置は様々な電子機器に適用することができる。本実施例は、第1の半導体膜に対してプラズマ処理を行わなかった第1のTFTと、第1の半導体膜に対してH2プラズマ処理を行った第2のTFTと、第1の半導体膜に対してArプラズマ処理を行った第3のTFTと、第1の半導体膜に対してH2とArの混合ガスプラズマ処理を行った第4のTFTと、を作製し、これらの電気的特性を比較する。本実施例の第2乃至第4のTFTの作製方法は、図1乃至図3を参照して説明した通りであるが、第1の半導体膜に対して行うプラズマ処理に用いるプラズマ種のみが異なる。そして、本実施例の第1のTFTの作製方法は、第1の半導体膜に対してプラズマ処理を行わなかったことを除けば、図1乃至図3を参照して説明した通りである。まず、基板100上に下地絶縁膜ここでは図示しない。を形成し、下地絶縁膜上に第1の導電層102を形成した。基板100としては、ガラス基板コーニング製EAGLEXGを用いた。下地絶縁膜としては、プラズマCVD法により酸化窒化シリコン膜を200nmの厚さで形成した。第1の導電層102は、アルミニウム層をチタン層により挟持した構造とした。具体的には、まず、チタンターゲットをArイオンでスパッタリングして、厚さ50nmの第1のチタン膜を下地絶縁膜上に形成した。このとき、導入するArガスの流量は20sccmとし、処理室内の圧力は0.1Paとした。そして、第1のチタン膜の上にアルミニウムターゲットをArイオンでスパッタリングして、厚さ100nmのアルミニウム膜を形成した。このとき、導入するArガスの流量は50sccmとし、処理室内の圧力は0.4Paとした。そして、アルミニウム膜の上にチタンターゲットをArイオンでスパッタリングして、厚さ50nmの第2のチタン膜を形成した。このとき、導入するArガスの流量は20sccmとし、処理室内の圧力は0.1Paとした。次に、第2のチタン膜上にレジストを塗布し、第1のフォトマスクを用いて露光した後、現像してレジストマスクを形成した。次に、該レジストマスクを用いてエッチング処理を行って、第1の導電層102を形成した。ここでは、誘導結合型プラズマICP:InductivelyCoupledPlasma装置を用いて2段階のエッチングを行った。すなわち、ICPパワー600W、バイアスパワー250W、エッチングガスとして塩化ボロンガスを流量60sccmで導入し、塩素ガスを流量20sccmで導入して処理室内の圧力を1.2Paとし、第1のエッチングを行った後、ICPパワー500W、バイアスパワー50W、エッチングガスとしてフッ化炭素ガスを流量80sccmで導入して処理室内の圧力を2.0Paとし、第2のエッチングを行った。その後、該レジストマスクを除去した。次に、第1の導電層102を覆って、下地絶縁膜上に第1の絶縁層104を形成した図1A。第1の絶縁層104としては、プラズマCVD法により窒化シリコン膜を110nmの厚さで形成し、該窒化シリコン膜上にプラズマCVD法により酸化シリコン膜を110nmの厚さで形成した。ここで、窒化シリコン膜のプラズマCVD法による形成には、シランガスの流量を5sccm、アンモニアガスの流量を400sccm、Arガスの流量を50sccmとして処理室内に材料ガスを導入して安定させ、処理室内の圧力を30Pa、基板の温度を280°Cとし、RF電源周波数を27MHz、RF電源の電力を500Wとしてプラズマ放電を行った。そして、酸化シリコン膜のプラズマCVD法による形成には、珪酸エチルを前記窒化シリコン膜上に配し、酸素プラズマ処理を行って形成した。次に、第1の絶縁層104上に第1の半導体膜105として微結晶シリコン膜を形成した。微結晶シリコン膜の形成には、シランガスの流量を4sccm、H2ガスの流量を750sccm、Arガスの流量を750sccmとして材料ガスを導入して安定させ、処理室内の圧力を1237Pa、RF電源周波数を13.56MHz、RF電源の電力を125Wとしてプラズマ放電を行う、プラズマCVD法を用いた。なお、ここで、微結晶半導体膜の形成は、平行平板型のプラズマ処理装置を用いて行い、上部電極と下部電極の間隔を7mmとし、上部電極の温度を200°C、下部電極の温度を300°C、基板の温度を285°Cとした。なお、ここで、前記微結晶シリコン膜の形成と、以下に説明するプラズマ処理は、図4に示す装置を用いて行った。ここで、第2のTFTに設けられる第1の半導体膜105に対してはH2プラズマ処理を行った。該プラズマ処理は、第1の半導体膜105の形成と同じ処理室を用いて行った。該プラズマ処理では、H2ガスの流量を750sccmとして安定させ、処理室内の圧力を1237Pa、RF電源周波数を13.56MHz、RF電源の電力を125Wとし、上部電極の温度を200°C、下部電極の温度を300°C、基板の温度を285°Cとした。そして、第3のTFTに設けられる第1の半導体膜105に対してはArプラズマ処理を行った。該プラズマ処理は、第1の半導体膜105の形成と同じ処理室を用いて行った。該プラズマ処理では、Arガスの流量を750sccmとして安定させ、処理室内の圧力を1237Pa、RF電源周波数を13.56MHz、RF電源の電力を125Wとし、上部電極の温度を200°C、下部電極の温度を300°C、基板の温度を285°Cとした。そして、第4のTFTに設けられる第1の半導体膜105に対してはH2ガスとArガスの混合ガス中で発生させるプラズマによりプラズマ処理を行った。該プラズマ処理は、第1の半導体膜105の形成と同じ処理室を用いて行った。該プラズマ処理では、Arガスの流量を750sccm、H2ガスの流量を750sccmとして安定させ、処理室内の圧力を1237Pa、RF電源周波数を13.56MHz、RF電源の電力を125Wとし、上部電極の温度を200°C、下部電極の温度を300°C、基板の温度を285°Cとした。次に、第1の半導体膜106上に第2の半導体膜108を形成し、第2の半導体膜108上に不純物半導体膜110を形成した。第2の半導体膜108としては、プラズマCVD法により厚さ175nmのシリコン膜を形成した。不純物半導体膜110としては、プラズマCVD法により厚さ50nmのPを含むアモルファスシリコン膜を形成した。第2の半導体膜108であるシリコン膜の形成には、シランガスの流量を40sccm、1000ppmアンモニアガスH2ガス希釈のガス流量を100sccm、H2ガスの流量を650sccm、Arガスの流量を750sccmとして材料ガスを導入して安定させ、処理室内の圧力を1237Paとし、RF電源周波数を13.56MHz、RF電源の電力を200Wとしてプラズマ放電を行った。なお、ここでプラズマCVD法には平行平板を使用し、上部電極の温度を200°C、下部電極の温度を300°C、基板の温度を285°Cとした。不純物半導体膜110の形成には、シランガスの流量を90sccm、5ホスフィンガスシランガス希釈の流量を10sccm、H2ガスの流量を100sccmとして材料ガスを導入して安定させ、処理室内の圧力を60Pa、RF電源周波数を13.56MHz、RF電源の電力を30Wとし、基板の温度を250°Cとした。次に、不純物半導体膜110上にレジストを塗布した後、第2のフォトマスクを用いて露光し、現像してレジストマスク112を形成した。次に、レジストマスク112を用いて、第1の半導体膜106、第2の半導体膜108、及び不純物半導体膜110をエッチングして、第1の半導体層114、第2の半導体層116及び不純物半導体層118を有する半導体積層体120を形成した。半導体積層体120の形成には、ICP装置を用いて、ソースパワー1000W、バイアスパワー80W、エッチングガスとして塩素ガスを流量100sccmで導入し、処理室内の圧力を1.51Paとしてエッチングを行った。その後、レジストマスク112を除去した。次に、半導体積層体120を覆って第1の絶縁層104上に、導電膜122を形成した。ここでは、導電膜122は、アルミニウム層をチタン層により挟持した構造とし、第1の導電層102と同様に形成した。ただし、第1のチタン膜の厚さを50nmとし、アルミニウム膜の厚さを200nmとし、第2のチタン膜の厚さを50nmとした。次に、導電膜122上にレジストを塗布した後、第3のフォトマスクを用いて露光し、現像してレジストマスク124を形成した。レジストマスク124を用いて導電膜122をドライエッチングして、第2の導電層132を形成した。次に、不純物半導体層118をドライエッチングしてソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体層130を形成し、更には、第1の半導体層114及び第2の半導体層116をエッチングし、第1の半導体層126及び第2の半導体層128を形成した。ここでは、ドライエッチングは、ICP装置を用いて、ICPパワー450W、バイアスパワー100W、エッチングガスとして塩化ホウ素ガスを流量60sccm、塩素を20sccmで導入し、処理室内の圧力を1.9Paとして行った。なお、第1の半導体層114、第2の半導体層116及び不純物半導体層118のエッチングは、導電膜122と不純物半導体層118の界面から80nmの深さまでエッチングした。なお、図示していないが、ソース電極及びドレイン電極として機能する第2の導電層132の上面形状は、直線型であり、ソース電極とドレイン電極が平行に対向して設けられている。次に、第1の半導体層126及び第2の半導体層128の露出された部分に対してプラズマ処理を行った。該プラズマ処理は、フッ化炭素ガスを用いて行い、第1の半導体層126及び第2の半導体層128の露出された部分の表面に存在する残留物を除去した。該プラズマ処理は、ICP装置を用いて、ソースパワー1000W、バイアスパワー0Wとしてフッ化炭素ガスを流量100sccmで導入し、処理室内の圧力を0.67Paとして行った。その後、レジストマスク124を除去した図3A。次に、第2の絶縁層134となる絶縁膜として、厚さ300nmの窒化シリコン膜を形成した。窒化シリコン膜の形成は、シランガスの流量を5sccm、アンモニアガスの流量を400sccm、窒素ガスの流量を50sccmとして材料ガスを導入し、処理室内の圧力を30Paとし、RF電源周波数を27MHz、RF電源の電力を500Wとしてプラズマ放電を行った。次に、第2の絶縁層134となる絶縁膜上にレジストを塗布した後、第4のフォトマスクを用いて露光し、現像してレジストマスクを形成した。該レジストマスクを用いて第2の絶縁層134となる絶縁膜の一部をドライエッチングして、ソース電極及びドレイン電極として機能する第2の導電層132の一部を露出させた。なお、図示していないが、所望の箇所の第1の絶縁層104及び第2の絶縁層134の双方をドライエッチングによりエッチングして第1の導電層102の一部を露出させた。その後、該レジストマスクを除去した。以上のようにして作製した第1乃至第4のTFTの電気的特性を測定し、I-Vカーブを取得した。その結果を図8及び図9に示す。図8Aは、第1のTFTから取得したI-Vカーブを示し、図8Bは、第2のTFTから取得したI-Vカーブを示し、図9Aは、第3のTFTから取得したI-Vカーブを示し、図9Bは、第4のTFTから取得したI-Vカーブを示す。第1のTFTの閾値電圧は1.2±0.25Vである。第2のTFTの閾値電圧は1.39±0.21Vである。第3のTFTの閾値電圧は2.37±0.40Vである。第4のTFTの閾値電圧は1.36±0.21Vである。従って、第3のTFTの閾値電圧が最も高い。第1乃至第4のTFTの閾値電圧を比較すると、第1の半導体膜に対するプラズマ処理において、H2プラズマのみ、またはH2ガスとArガスの混合ガスプラズマを用いても、閾値電圧をプラス方向にシフトさせる効果は薄いが、第1の半導体膜に対するプラズマ処理にArプラズマを用いることで、閾値電圧を大きくプラス方向にシフトさせることができる。なお、第4のTFTでは、閾値電圧のプラス方向へのシフトが小さいが、これは、H2ガスとArガスの混合ガスプラズマを用いた場合には、第1の半導体膜中にArガスが取り込まれても、H2ガスによりエッチングされてしまい、第1の半導体膜中に最終的に残存するArが少ないためだと考えられる。なお、SIMS分析は破壊分析であるため、第1のTFTの第1の半導体膜106及び第2の半導体膜108、並びに第3のTFTの第1の半導体膜106及び第2の半導体膜108を複数作製し、その一部をSIMS法による測定分析用とした。図10及び図11は、I-Vカーブを取得した第1のTFTと第3のTFTと同様に形成した第1の半導体膜106と第2の半導体膜108に対してSIMS分析を行った結果を示す。図10は、第1のTFTの第1の半導体膜106と第2の半導体膜108についてのSIMS分析結果を示す。図11は、第3のTFTの第1の半導体膜106と第2の半導体膜108についてのSIMS分析結果を示す。図10に示すSIMS分析結果と図11に示すSIMS分析結果を比較すると、図11に示すSIMS分析結果では、第1の半導体膜106と第2の半導体膜108の界面近傍にArに起因するピークを有する。該ピークから、第3のTFTに設けられた第1の半導体膜106には、Arが2.5×1018cm-3~4.5×1019cm-3の範囲で含まれていることがわかる。なお、Arは前記濃度範囲よりも多く含まれていてもよい。以上、本実施例にて説明したように、第1の半導体膜106に対してArプラズマ処理を行うことでArを2.5×1018cm-3~4.5×1019cm-3の範囲で含ませることができる。TFTをこのように作製することで、閾値電圧がプラス方向に大きくシフトするため、TFTのスイッチング特性を良好なものとすることができる。