太陽電池を用いて電力を発生させる方法であって、集光レンズおよび太陽電池素子を具備する前記太陽電池を用意する工程aと、前記太陽電池素子は、n型GaAs層、p型GaAs層、p型窓層、n側電極、およびp側電極を具備し、Z方向は前記p型GaAs層の法線方向であり、X方向は前記Z方向に直交する方向であり、前記n型GaAs層、前記p型GaAs層、および前記p型窓層はZ方向に沿って積層されており、前記p型GaAs層は、前記Z方向に沿って、前記n型GaAs層および前記p型窓層の間に挟まれており、前記p側電極は、前記p型GaAs層に電気的に接続されており、前記n側電極は、前記n型GaAs層に電気的に接続されており、前記n型GaAs層は、中央部、第1の周辺部、および第2の周辺部に分割されており、前記中央部は、前記X方向に沿って、前記第1の周辺部および前記第2の周辺部の間に挟まれており、前記第1の周辺部および前記第2の周辺部は層の形状を有しており、以下の不等式のセットIが充足され、d2<d1、d3<d1、1ナノメートル≦d2≦4ナノメートル、1ナノメートル≦d3≦4ナノメートル、100ナノメートル≦w2、および100ナノメートル≦w3Id1は前記Z方向に沿った前記中央部の厚みを表し、d2は前記Z方向に沿った前記第1の周辺部の厚みを表し、d3は前記Z方向に沿った前記第2の周辺部の厚みを表し、w2は前記X方向に沿った前記第1の周辺部の幅を表し、w3は前記X方向に沿った前記第2の周辺部の幅を表し、以下の不等式IIを充足するように前記集光レンズを介して前記p型窓層の表面に含まれる領域Sに光を照射して、前記n側電極および前記p側電極の間に電位差を生じさせる工程bとを包含し、w4≦w1IIw1は、前記X方向に沿った、前記中央部の幅を表し、w4は、前記Z方向を含む断面視において、前記領域Sの前記X方向に沿った幅を表し、前記Z方向から見たときに、前記中央部は前記領域Sに重なる、電力を発生させる方法。前記n型GaAs層の幅は、前記p型窓層の幅と等しい、請求項1に記載の方法。前記太陽電池素子は、前記n側電極および前記中央部の間に挟まれているn型バリア層をさらに備えている、請求項1に記載の方法。前記太陽電池素子は、前記n側電極および前記中央部の間に挟まれているn型コンタクト層をさらに備えている、請求項1に記載の方法。前記太陽電池素子は、前記p側電極および前記p型GaAs層の間に挟まれているp型コンタクト層をさらに備えている、請求項1に記載の方法。前記n型GaAs層、p型GaAs層、およびp型窓層の側面は、絶縁層によって被覆されている、請求項1に記載の方法。従来の太陽電池は、おおよそ20の変換効率を有する。本発明の目的は、より高い変換効率を有する太陽電池を提供することである。本発明は太陽電池を用いて電力を発生させる方法であって、以下の工程a、と工程bを具備する。工程aは、集光レンズおよび太陽電池素子を具備する太陽電池を用意する。ここで、太陽電池素子は、n型GaAs層、p型GaAs層、p型窓層、n側電極、およびp側電極を具備し、Z方向はp型GaAs層の法線方向であり、X方向はZ方向に直交する方向である。n型GaAs層、p型GaAs層、およびp型窓層はZ方向に沿って積層されており、p型GaAs層は、Z方向に沿って、n型GaAs層およびp型窓層の間に挟まれており、p側電極は、p型GaAs層に電気的に接続されており、n側電極は、n型GaAs層に電気的に接続されている。n型GaAs層は、中央部、第1の周辺部、および第2の周辺部に分割されており、中央部は、X方向に沿って、第1の周辺部および第2の周辺部の間に挟まれている。第1の周辺部および第2の周辺部は層の形状を有しており、以下の不等式のセットIが充足され、d2<d1、d3<d1、1ナノメートル≦d2≦4ナノメートル、1ナノメートル≦d3≦4ナノメートル、100ナノメートル≦w2、および100ナノメートル≦w3Id1はZ方向に沿った中央部の厚みを表し、d2はZ方向に沿った第1の周辺部の厚みを表し、d3はZ方向に沿った第2の周辺部の厚みを表し、w2はX方向に沿った第1の周辺部の幅を表し、w3はX方向に沿った第2の周辺部の幅を表す。工程bは、以下の不等式IIを充足するように集光レンズを介してp型窓層の表面に含まれる領域Sに光を照射して、n側電極およびp側電極の間に電位差を生じさせる。w4≦w1IIここで、w1は、X方向に沿った、中央部の幅を表し、w4は、Z方向を含む断面視において、領域SのX方向に沿った幅を表し、Z方向から見たときに、中央部104は領域Sに重なる。本発明の太陽電池は、より高い変換効率を有する。図面を参照しながら、以下、本発明の実施の形態を説明する。実施の形態1工程a工程aでは、太陽電池を用意する。図1Aは、実施の形態1による太陽電池の断面図を示す。図1Aに示されるように、太陽電池は、集光レンズ101および太陽電池素子102を具備する。図1Bに示されるように、太陽電池素子102は、n型GaAs層104、p型GaAs層103、p型窓層105、n側電極110、およびp側電極109を具備する。n型GaAs層104、p型GaAs層103、およびp型窓層105は積層されている。Z方向は積層方向である。Z方向に沿って、p型GaAs層103は、n型GaAs層104およびp型窓層105の間に挟まれている。p側電極109は、p型GaAs層103に電気的に接続されている。n側電極110は、n型GaAs層104に電気的に接続されている。Z方向に沿って、n型バリア層106およびn型コンタクト層108が、n型GaAs層104およびn側電極110の間に挟まれていることが好ましい。Z方向に沿って、n型バリア層106は、n型GaAs層104およびn型コンタクト層108の間に挟まれる。Z方向に沿って、n型コンタクト層108は、n型バリア層106およびn側電極110の間に挟まれる。Z方向に沿って、p型コンタクト層107がp型窓層105およびp側電極109の間に挟まれていることが好ましい。p側電極109、p型コンタクト層107、p型窓層105、p型GaAs層103、n型GaAs層104、n型バリア層106、n型コンタクト層108、およびn側電極110は、この順で電気的に直列に接続される。図1Bに示されるように、n型GaAs層104は、中央部104a、第1の周辺部104b、および第2の周辺部104cに分割されている。中央部104aは、X方向に沿って、第1の周辺部104bおよび第2の周辺部104cの間に挟まれる。X方向は、Z方向に直交する。図2に示されるように、中央部104aの厚みd1は、第1の周辺部104bの厚みd2および第2の周辺部104cの厚みd3よりも大きい。厚みd1が厚みd2および厚みd3と同じである場合、より高い変換効率が達成されない後述される比較例1、3を参照。実施の形態1では、厚みd2は1ナノメートル以上4ナノメートル以下である。厚みd2が1ナノメートル未満である場合、より高い変換効率が達成されない後述される比較例10を参照。厚みd2が4ナノメートルを超えると、より高い変換効率が達成されない後述される比較例7~9を参照。同様に、厚みd3も1ナノメートル以上4ナノメートル以下である。第1の周辺部104bは層の形状を有している。図6Aおよび図6Bに示されるように、第1の周辺部104bはテーパーの形状を有していてはならない。なぜなら、より高い変換効率が達成されないからである後述される比較例4~5を参照。同様に、第2の周辺部104bも、層の形状を有している。図2に示されるように、中央部104aは幅w1を有する。第1の周辺部104bは幅w2を有する。第2の周辺部104cは幅w3を有する。w2の値は、0.1マイクロメートル以上である。w2の値が0.1マイクロメートルより小さい場合、変換効率が低下する。同様な理由により、w3の値は、0.1マイクロメートル以上である。後述される実施例4~5および比較例10を参照せよ。従って、実施の形態1では、以下の不等式Iが充足されることが必要である。d2<d1、d3<d1、1ナノメートル≦d2≦4ナノメートル、1ナノメートル≦d3≦4ナノメートル、100ナノメートル≦w2、および100ナノメートル≦w3I上述の通り、値d1はZ方向に沿った中央部104aの厚みを表す。値d2はZ方向に沿った第1の周辺部104bの厚みを表す。値d3はZ方向に沿った第2の周辺部104cの厚みを表す。値w2はX方向に沿った第1の周辺部104bの幅を表す。値w3はX方向に沿った第2の周辺部104cの幅を表す。集光レンズ101の表側の面には、光が照射される。このことについては、後に記述する工程bにおいて詳細に説明する。太陽光が好ましい。集光レンズ101の裏面は、太陽電池素子102に接することが好ましい。集光レンズ101により、p型窓層105に光が集束する。集光レンズ101は、およそ2ミリメートル~10ミリメートルの直径、1ミリメートル~5ミリメートルの厚み、およそ1.1~2.0の屈折率を有することが好ましい。集光レンズ101の材料は特に限定されない。集光レンズ101の材料の例は、ガラスまたは樹脂である。p型窓層105は、GaAsと近い格子定数を持ち、かつGaAsよりも大きいバンドギャップを有するp型化合物半導体からなる。p型窓層105の材料の例は、p型InGaPまたはp型AlGaAsである。n型バリア層106は、GaAsと近い格子定数を持ち、かつGaAsよりも大きいバンドギャップを有するn型化合物半導体からなる。n型バリア層106の材料の例は、n型InGaPまたはn型AlGaAsである。p型コンタクト層107の材料は、p型窓層105との界面およびp側電極109との界面においてオーミック接合が形成される限り、限定されない。p型コンタクト層107の材料の例は、p型GaAsである。n型コンタクト層108の材料は、n型バリア層106との界面およびn側電極110との界面においてオーミック接合が形成される限り、限定されない。n型コンタクト層108の材料の例は、n型GaAsである。図1に示されるように、層103~108の側面は絶縁膜111によって被覆されることが好ましい。絶縁膜111の材料の例は、ノンドープのInGaP、二酸化シリコン、または窒化シリコンである。絶縁膜111が用いられる場合、図4に示されるように、絶縁膜111が金属膜118によって被覆され得る。金属膜118は、太陽電池素子102の放熱特性を向上させる。金属膜118がp側電極109に電気的に接続され、かつ一面図4では下面に金属膜118およびn側電極110が露出することが好ましい。太陽電池素子102を製造する方法以下、図3A~図3Gを参照しながら太陽電池素子102を製造する方法を説明する。まず、図3Aに示されるように、GaAs基板113の表面に、犠牲層114、p型コンタクト層107、p型窓層105、p型GaAs層103、n型GaAs層104、n型バリア層106、およびn型コンタクト層108を順次、分子線エピタキシー法または有機金属化学気相成長法以下、MOCVD法というのような一般的な半導体成長方法により成長させる。犠牲層114は、GaAsと近い格子定数を有する。犠牲層114は、かつGaAsに対して選択的にエッチングされるための層である。犠牲層114の材料の例は、AlAsまたはInGaPである。次に、図3Bに示されるように、n型コンタクト層108上に第一のマスク115を形成する。第一のマスク115を用いて、n型コンタクト層108、n型バリア層106、n型GaAs層104、p型GaAs層103、p型窓層105、およびp型コンタクト層107を、ドライエッチングによりエッチングする。第一のマスク115は、図2におけるw1w2w3と同じ幅を有する。ドライエッチングにおいては、BCl3およびSF6の混合ガスが用いられ得る。図3Cに示されるように、n型コンタクト層108上に第二のマスク116を形成する。第二のマスク116は、第一のマスク115よりも小さい幅を有する。第二のマスク116のこの幅は、図2に示すw1の幅と同一である。第二のマスク116を用いて、n型コンタクト層108およびn型バリア層106をエッチングする。さらにn型GaAs層104の周囲の上部をエッチングする。n型GaAs層104のエッチング深さは、図2に示されるd1~d3の厚みと同じである。図3Dに示されるように、第二のマスク116を除去する。n側電極110および絶縁膜111を形成する。n側電極110を形成する手法の例は、スパッタ法または電子ビーム蒸着法である。絶縁膜111を形成する手法の例は、化学気相成長法である。図3Eに示されるように、n側電極110に下地基板117を固定する。GaAs基板113および犠牲層114をエッチングにより除去する。下地基板117の例は、シリコン基板またはガラス基板である。必要に応じて、n側電極110および下地基板117の間にはワックスまたは粘着シートが挟まれ得る。図3Fに示されるように、p型コンタクト層107上にp側電極109を形成する。さらにp型コンタクト層107のp側電極109に接していない部分をエッチングにより除去する。p側電極109を形成する手法の例は、スパッタ法または電子ビーム蒸着法である。最後に、図3Gに示されるように、下地基板117を除去する。このようにして、太陽電池素子102が得られる。得られた太陽電池素子102は、図1Aに示されるように、集光レンズ101に取り付けられる。このようにして、太陽電池が得られる。工程b工程bにおいては、集光レンズ101を介してp型窓層105に光を照射して、n側電極110およびp側電極109の間に電位差を発生させる。図2に示されるように、p型窓層105の領域Sに光が照射される。本発明者らは、工程bでは、以下の不等式IIが充足されることが必要であることを見出している。w4≦w1II上述したように、w1の値は、X方向に沿った中央部104aの幅を表す。w4の値は、領域SのX方向に沿った幅を表す。Z方向に沿って見たときに、中央部104aは領域Sに重なる。不等式IIが充足されない場合、より高い変換効率が達成されない比較例4を参照。図2に示すように、n型GaAs層104が、p型窓層105と同一の幅を有する場合、幅w1は幅w4と等しいか、それよりも大きいことが好ましい。すなわち、等式w1w2w3=w4w5w6が充足される場合、幅w5は幅w2と等しいか、それよりも大きく、かつ幅w6は幅w3と等しいか、それよりも大きい。w5およびw6は、いずれも、光が照射されない部分に対応する。実施例以下の実施例により、本発明をより詳細に説明する。実施例1実施例1では、図2に示される太陽電池素子102を、図3A~図3Gに示される方法によって作成した。表1は、実施例1による太陽電池素子102における各層の組成および膜厚を示す。実施例1における、値d1~値d3および幅w1~幅w3は以下の通りである。d1:2.5マイクロメートルd2:4ナノメートルd3:4ナノメートルw1:90マイクロメートルw2:5マイクロメートルw3:5マイクロメートル実施例1における集光レンズ101は4ミリメートル四方であり、3mmの厚みを有していた。集光レンズ101は、80マイクロメートル四方の焦点スポットを有していた。実施例1による太陽電池は、以下のように作製された。まず、図3Aに示されるように、ノンドープのGaAs基板上113上に、表1に示す層104~114を、MOCVD法により成長させた。次に、図3Bに示されるように、n型コンタクト層108上に、フォトリソグラフィにより100μm四方を有する正方形のレジスト膜115を形成した。このレジスト膜115を第一のマスクとして用いて、BCl3およびSF6の混合ガスを用いたICPプラズマエッチングにより、n型コンタクト層108、n型バリア層106、n型GaAs層104、p型GaAs層103、p型窓層105、およびp型コンタクト層107を除去した。このようにして、100μm四方のパターンを形成した。エッチング後、剥離液を用いて第一のマスクを除去した。除去後、n型コンタクト層108上に一辺90μmの正方形のレジスト膜116を形成した。レジスト膜116の中心は、レジスト膜115の中心と一致した。このレジスト膜116を第二のマスクとして用いて、n型コンタクト層108およびn型バリア層106をエッチングした。さらに、図3Cに示されるように、わずかにn型GaAs層104の周囲部分が残るように、ほとんど全てのn型GaAs層104の周囲部分をエッチングした。n型コンタクト層108およびn型GaAs層104のエッチングには、リン酸および過酸化水素の混合液を用いた。n型バリア層106のエッチングには、塩酸を用いた。エッチング後、n型GaAs層104の残っている周辺部分の厚みを透過型電子顕微鏡により測定した。厚みは4nmであった。剥離液を用いて第二のマスクを除去した。除去後、図3Dに示されるように、電子ビーム蒸着装置を用いて、50ナノメートルの厚みを有するチタン膜および250ナノメートルの厚みを有する金膜をn型コンタクト層108上に積層し、n側電極110を形成した。次に、図3Dに示されるように、400ナノメートルの厚みを有するSiNからなる絶縁膜111を、プラズマ化学気相成長装置を用いて形成した。次に、n側電極110が形成された面に、ワックスをスピンコーターにより塗布した。ワックスが乾燥された後、図3Eに示されるように、n側電極110をガラス製の下地基板117に固定した。固定後、クエン酸および過酸化水素の混合液を用いて、GaAs基板113を除去した。続いて、バッファードフッ酸を用いて犠牲層114を除去して、p型コンタクト層107を露出させた。このようにして、図3Eに示される構造を得た。図3Fに示されるように、電子ビーム蒸着装置を用いて、50ナノメートルの厚みを有するチタン膜、150ナノメートルの厚みを有する白金膜、および250nmの厚みを有する金膜をp型コンタクト層107上に順次成膜し、p側電極109を形成した。p側電極109を形成後、イソプロパノールを用いてワックスを溶かし、下地基板117を除去した。このようにして、図3Gに示される太陽電池素子102を得た。集光レンズ101の焦点位置の中心が、太陽電池素子102の中心と一致するように、得られた太陽電池素子102を集光レンズ101に貼り付けた。このようにして、実施例1による太陽電池を得た。実施例1による太陽電池に、w4=90マイクロメートルおよびw5=w6=5マイクロメートルの条件下で太陽光を照射した。実施例1による太陽電池の電圧-電流特性を測定し、変換効率を算出した。変換効率は、以下の等式Iに従って算出した。変換効率=太陽電池からの最大出力値/太陽光のエネルギー等式I上記等式において記述された最大出力値は、非特許文献1の図1.8にパワー密度として示されるように、以下の等式IIで定義される出力値の最大値である。出力値=太陽電池から得られる電流密度太陽電池から得られるバイアス電力等式II詳しくは、非特許文献1に開示された11頁~13頁を参照せよ。表2は、後述される実施例2~9および比較例1~15のデータと共に、これらを示す。実施例2d2=2ナノメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。実施例3d2=1ナノメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。実施例4w1=99.8マイクロメートルおよびw2=w3=0.1マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。実施例5w1=99マイクロメートルおよびw2=w3=0.5マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。実施例6w4=86マイクロメートルおよびw5=w6=7マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。実施例7w1=80マイクロメートル、w2=w3=10マイクロメートル、w4=80マイクロメートル、およびw5=w6=10マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。実施例8w1=80マイクロメートル、w2=w3=10マイクロメートル、w4=76マイクロメートル、およびw5=w6=12マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例1d2=d3=2.5マイクロメートル、およびw4=100マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例2d2=d3=2.5マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例3w4=100マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例4ドライエッチングであるICPプラズマエッチングに代えて、p型GaAs層103をウェットエッチング技術により形成して、図6Aに示される太陽電池を得たこと以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例5p型GaAs層103およびn型GaAs層104をウェットエッチング技術により形成して、図6Bに示される太陽電池を得たこと以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例6d2=d3=0.1マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例7d2=d3=0.01マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例8d2=d3=0.005マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例9d2=d3=0マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例10w1=99.9マイクロメートルおよびw2=w3=0.05マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例11w4=98マイクロメートルおよびw5=w6=1マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例12w4=94マイクロメートルおよびw5=w6=3マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例13w1=80マイクロメートル、w2=w3=10マイクロメートル、w4=88マイクロメートルおよびw5=w6=6マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。比較例14w1=80マイクロメートル、w2=w3=10マイクロメートル、w4=84マイクロメートル、およびw5=w6=8マイクロメートルであること以外は、実施例1と同様の実験を行った。表2から明らかなように、以下の不等式のセット:d2<d1、d3<d1、1ナノメートル≦d2≦4ナノメートル、1ナノメートル≦d3≦4ナノメートル、100ナノメートル≦w2、100ナノメートル≦w3、およびw4≦w1が充足されるときに、24以上の高い変換効率が達成される。実施例1~8および比較例1~2は、以下の不等式のセット:d2<d1およびd3<d1が充足されることが必要であることを示す。実施例1~3および比較例6~9は、以下の不等式のセット:1ナノメートル≦d2≦4ナノメートルおよび1ナノメートル≦d3≦4ナノメートルが充足されることが必要であることを示す。実施例4~5および比較例10は、以下の不等式のセット:100ナノメートル≦w2および100ナノメートル≦w3が充足されることが必要であることを示す。実施例1、6~8および比較例11~14は、以下の不等式:w4≦w1が充足されることが必要であることを示す。