基材層と、この基材層の少なくとも一方の面に積層された表面層と、を備え、上記表面層は上記基材層より大きい熱膨張率を有する積層基板であって、上記表面層を複数に分割する溝を上記表面層に設けたことを特徴とする積層基板。上記表面層の分割溝から上記基材層が露出していることを特徴とする請求項1に記載の積層基板。上記基材層の他方の面に第2の表面層を設けたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の積層基板。上記表面層が有機絶縁材料によって形成されてなることを特徴とする請求項1~請求項3のいずれか1項に記載の積層基板。上記基材層が無機絶縁材料によって形成されてなることを特徴とする請求項1~請求項4のいずれか1項に記載の積層基板。被検査体と電気的に接触するプローブと電気的に導通自在に接続された少なくとも一つの回路基板を備えたプローブカードにおいて、上記回路基板は、基材層と、この基材層の少なくとも上記被検査体側の面に積層された表面層と、を備え、上記表面層は上記基材層より大きい熱膨張率を有し、且つ、上記表面層を複数に分割する溝を上記表面層に設けたことを特徴とするプローブカード。被検査体と電気的に接触するコンタクタを備え、上記コンタクタは、複数のプローブと、これらのプローブが取り付けられた第2の回路基板とを有するプローブカードにおいて、上記第2の回路基板は、基材層と、この基材層の少なくとも上記被検査体側の面に積層された表面層と、を備え、上記表面層は上記基材層より大きい熱膨張率を有し、且つ、上記表面層を複数に分割する溝を上記表面層に設けたことを特徴とするプローブカード。上記表面層の分割溝から上記基材層が露出していることを特徴とする請求項6または請求項7に記載のプローブカード。上記基材層の他方の面に第2の表面層を設けたことを特徴とする請求項6~請求項8のいずれか1項に記載のプローブカード。上記表面層が有機絶縁材料によって形成されてなることを特徴とする請求項6~請求項9のいずれか1項に記載のプローブカード。上記基材層が無機絶縁材料によって形成されてなることを特徴とする請求項6~請求項10のいずれか1項に記載のプローブカード。しかしながら、特許文献1に記載の半導体装置検査用治具に用いられた多層プリント板は、熱変形を抑制することができる反面、導体回路1を支持する電気絶縁層の平面方向の熱膨張係数が、導体回路2を支持する電気絶縁層の平面方向の熱膨張係数より小さくなるように、電気絶縁層を形成する材料ガラス繊維布等の無機絶縁材料を多数の中から選択しなくてはならず、従って電気絶縁層の層構成が特殊仕様となるため、製造コストが高くなるという課題があった。本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、熱による基板の湾曲変形を格段に抑制することができると共に特殊な材料を使用することなく低コストで製造することができる積層基板及びプローブカードを提供することを目的としている。本発明の請求項1に記載の積層基板は、基材層と、この基材層の少なくとも一方の面に積層された表面層と、を備え、上記表面層は上記基材層より大きい熱膨張率を有する積層基板であって、上記表面層を複数に分割する溝を上記表面層に設けたことを特徴とするものである。また、本発明の請求項2に記載の積層基板は、請求項1に記載の発明において、上記表面層の分割溝から上記基材層が露出していることを特徴とするものである。また、本発明の請求項3に記載の積層基板は、請求項1または請求項2に記載の発明において、上記基材層の他方の面に第2の表面層を設けたことを特徴とするものである。また、本発明の請求項4に記載の積層基板は、請求項1~請求項3のいずれか1項に記載の発明において、上記表面層が有機絶縁材料によって形成されてなることを特徴とするものである。また、本発明の請求項5に記載の積層基板は、請求項1~請求項4のいずれか1項に記載の発明において、上記基材層が無機絶縁材料によって形成されてなることを特徴とするものである。また、本発明の請求項6に記載のプローブカードは、被検査体と電気的に接触するプローブと電気的に導通自在に接続された少なくとも一つの回路基板を備えたプローブカードにおいて、上記回路基板は、基材層と、この基材層の少なくとも上記被検査体側の面に積層された表面層と、を備え、上記表面層は上記基材層より大きい熱膨張率を有し、且つ、上記表面層を複数に分割する溝を上記表面層に設けたことを特徴とするものである。また、本発明の請求項7に記載のプローブカードは、被検査体と電気的に接触するコンタクタを備え、上記コンタクタは、複数のプローブと、これらのプローブが取り付けられた第2の回路基板とを有するプローブカードにおいて、上記第2の回路基板は、基材層と、この基材層の少なくとも上記被検査体側の面に積層された表面層と、を備え、上記表面層は上記基材層より大きい熱膨張率を有し、且つ、上記表面層を複数に分割する溝を上記表面層に設けたことを特徴とするものである。また、本発明の請求項8に記載のプローブカードは、請求項6または請求項7に記載の発明において、上記表面層の分割溝から上記基材層が露出していることを特徴とするものである。また、本発明の請求項9に記載のプローブカードは、請求項6~請求項8のいずれか1項に記載の発明において、上記基材層の他方の面に第2の表面層を設けたことを特徴とするものである。また、本発明の請求項10に記載のプローブカードは、請求項6~請求項9のいずれか1項に記載の発明において、上記表面層が有機絶縁材料によって形成されてなることを特徴とするものである。また、本発明の請求項11に記載のプローブカードは、請求項6~請求項10のいずれか1項に記載の発明において、上記基材層が無機絶縁材料によって形成されてなることを特徴とするものである。本発明によれば、熱による基板の湾曲変形を格段に抑制することができると共に特殊な材料を使用することなく低コストで製造することができる積層基板及びプローブカードを提供することができる。以下、図1~図7に示す各実施形態に基づいて本発明を説明する。尚、図1は本発明のプローブカードの一実施形態の使用態様示す断面図、図2は図1に示すコンタクタの要部を示す断面図、図3は図1に示す回路基板の一部を示す断面図、図4は図2に示すコンタクタとメインチャックとの関係を模式的に示す断面図、図5はa~cはそれぞれ回路基板の熱膨張の測定部位を説明するための断面図、図6は図3に示す回路基板の温度と熱膨張率との関係を示すグラフ、図7は本発明の積層基板の他の実施形態の要部を示す断面図である。本実施形態のプローカード10は、例えば図1に示すように、被検査体例えば、ウエハWと電気的に接触するコンタクタ11と、このコンタクタ11と電気的に導通自在に接続された回路基板12と、この回路基板12を補強する補強部材13と、を備え、カードホルダ20を介してプローブ装置のプローブ室図示せずに装着され、メインチャック30上のウエハWと対向するように配置されている。コンタクタ11と回路基板12との間には接続中継媒体インターポーザ14が介在し、インターポーザ14を介してコンタクタ11と回路基板12とが電気的に接続されている。コンタクタ11は、インターポーザ14が介在した状態で固定具15及び締結部材16によって回路基板12に対して固定されている。而して、上記コンタクタ11は、図2で部分的に拡大して示すように、例えば第2の回路基板11Aと、この第2の回路基板11Aの下面にウエハWの複数の電極パッド図示せずに対応して配置された複数のプローブ11Bとを備えている。第2の回路基板11Aは、例えば、セラミック等の無機絶縁材料からなる基材層11Cと、基材層11Cの下面及び上面にそれぞれ積層されたポリイミド樹脂等の有機絶縁材料からなる表面層11D、11Eと、上下の表面層11D、11Eにプローブ11Bにそれぞれ対応させて形成された端子電極11F、11Gと、上下の端子電極11F、11Gを接続する配線11Hとを有し、複数のチップを同時に検査できるように構成されている。コンタクタ11の基材層11Cが例えばセラミックによって形成されている場合には、例えばマイクロマシン技術等の微細加工技術を用いることによってコンタクタを形成することができる。また、基材層11C及び表面層11D、11Eは、いずれも単層で形成されたものであっても、複数層で形成されたものであっても良い。配線11Hは、基材層11C及び表面層11D、11Eに形成されたビアホール導体や導体パターンによって構成されている。また、基材層11Cは無機絶縁材料によって形成されていると共に表面層11D、11Eは有機絶縁材料によって形成され、表面層11D、11Eは基材層11Cより熱膨張係数が大きいため、表面層11D、11Eはそれぞれ基材層11Cより大きく膨張すると共に下側の表面層11Dが上側の表面層11Eより大きく膨張するため、前述したように第2の回路基板11Aが下方に膨出して下方に湾曲して変形する。そこで、本実施形態では、下側の表面層11Dに複数の溝11Iを設け、これらの溝11Iによって表面層11Dを複数の領域に分割している。これらの溝11Hは、例えば表面層11Dをスクリーン印刷することによって表面層11Dと同時に形成することができる。このように下側の表面層11Dに複数の溝11Iを設けることによって表面層11Dを複数の領域に分割し、独立した複数の熱膨張領域として細かく分散させて下側の表面層11Dの熱膨張を上側の表面層11Eの熱膨張より抑制し、回路基板11A、延いてはコンタクタ11の熱変形を抑制することができ、プローブ11BとウエハWの電極パッドとを確実に接触させると共に端子電極11Gとインターポーザ14とを確実に接触させて検査の信頼性を高めることができる。これらの溝11Iは、回路パターンを損なわない範囲で、下側の表面層11Dに対して縦横いずれか一方向に複数設けても良く、また、縦横の二方向に複数設けても良い。本実施形態では溝11Iは一方向にのみ設けられている。また、ポゴリングと接触する回路基板12についても第2の回路基板11Aと同様の熱対策が講じられている。即ち、回路基板12は、例えば図3に示すように、セラミック、ガラス繊維等の無機絶縁材料によって形成された基材層12Aと、基材層12Aの上下両面に積層されたポリイミド樹脂等の有機絶縁材料からなる表面層12B、12Cと、上下の表面層12B、12C上にそれぞれ形成された端子電極12D、12Eとを備え、下側の表面層12Bには第2の回路基板11Aの場合と同様に複数の溝12Fがスクリーン印刷法等によって形成されている。回路基板12の下側の複数の端子電極12Dはインターポーザ14の接触端子図示せずと電気的に接触し、上側の複数の端子電極12Eはポゴリングを構成する複数のポゴピンと電気的に接触することにより、コンタクタ11とポゴリング図示せずとを電気的に接続する役割を有している。下側の表面層12Bは、プローブ室側に面しているため、検査時には上側の表面層12Cよりも温度が高くなるが、下側の表面層12Bには複数の溝12Fが設けられているため、これらの溝12Bによって回路基板12の熱変形による湾曲を抑制し、回路基板12の上下の端子電極12D、12Eとインターポーザ14及びポゴピンそれぞれとを確実に接触させることができ、延いては検査の信頼性を高めることができる。次に、プローブカード10の動作について説明する。図4に示すようにメインチャック30上にウエハWを載置し、メインチャック30の加熱源31によりウエハWを例えば150°C程度まで加熱してウエハWの高温検査を実施する。検査時にはメインチャック30がX、Y方向に移動してウエハWのインデックス送りをすると共にZ方向での昇降を繰り返してコンタクタ11とウエハWとの接触、離間を繰り返す。従って、プローブカード10もウエハWと同様に150°Cに近い温度まで昇温する。この際、第2の回路基板11Aの下面は上面よりも高い温度まで昇温し、下側の表面層11Dと上側の表面層11Eとの間で大きな温度差を生じる。しかも、基材層11Cはセラミックによって形成され、表面層11D、11Eはポリイミド樹脂によって形成されているため、表面層11D、11Eはそれぞれ基材層11Cより大きく膨張すると共に下側の表面層11Dが上側の表面層11Eより大きく膨張し、第2の回路基板11Aが下方に膨出して下方に湾曲しようとする。しかし、下側の表面層11Dは上述のように溝11Iを介して複数に分割されているため、表面層11Dは分割領域毎に独立して熱膨張し、図4に矢印で示すように隣り合う領域の熱膨張によって互いの膨張による変形を相殺する力が作用して表面層11D全体の熱膨張を抑制することができ、延いては下側の表面層11Dの熱膨張が上側の表面層11Eの熱膨張に近づき、第2の回路基板11Aの熱変形を格段に抑制することができる。この結果、コンタクタ11のプローブ11Bとメインチャック30上のウエハWとが確実に接触すると共に端子電極11Gとインターポーザ14とが確実に接触するため、検査の信頼性を高めることができる。また、ポゴリングと電気的に接触する回路基板12もコンタクタ11の第2の回路基板11Aと同様にプローブ装置内に面した下側の表面層12Bに溝12Fが設けられているため、下側の表面層12Bが上側の表面層12Cよりも高温になっても溝12Fによって分割された領域が独立して膨張し、隣り合う領域間で熱膨張を相殺するため、下側の表面層12Bの熱膨張を格段に抑制し、延いては回路基板12の熱変形による湾曲を抑制し、上下の端子電極12D、12Eがそれぞれインターポーザ14及びポゴリングと位置ズレすることなく初期の接触状態を維持し、検査の信頼性を高めることができる。さて、回路基板12の熱膨張による変形を観るために、回路基板12と同一のものを矩形状の回路基板を作製し、測定用基板として準備した。この測定用基板を室温から150°Cまで加熱し、50°C、75°C、100°C、125°C及び150°Cにおける測定用基板の伸びを複数箇所で測定し、これらの測定結果に基づいて各測定箇所での熱膨張率をそれぞれ求めた。測定用基板は、下側の表面層12Bには3mm幅の溝12Fを互いに平行にさせて一方向に設け、上側の表面層12Cには溝のないものを使用した。溝12Fのある表面層12Bでは、図5のaに示すように3本の溝12Fを跨ぐ、35.103~35.118mmの範囲で5箇所をサンプリングし、それぞれの箇所での伸びに基づいた熱膨張率を設定温度毎に求め、各設定温度に対する5箇所の熱膨張率の平均値を図6のグラフに◆印で示した。また、図5のaの方向に直交する方向、即ち図5のbに示すように溝12Fに沿った96.925~98.411mmの範囲で10箇所をサンプリングし、それぞれの箇所での伸びに基づいた熱膨張率を設定温度毎に求め、各設定温度に対する10箇所の熱膨張率の平均値を図6のグラフに▲印で示した。更に、溝のない表面層12Cについては図5のcに示すように96.003~98.021mmの範囲で10箇所をサンプリングし、それぞれの箇所での伸びに基づいた熱膨張率を設定温度毎に求め、各設定温度に対する10箇所の熱膨張率の平均値を図6のグラフに■印で示した。尚、図5のa~cでは片面にのみ表面層12Bまたは表面層12Cを設けたものについて図示してあるが、実際には基材層12Aの両面に表面層12B、12Cのあるものを使用した。図6に示す結果によれば、溝12Fを設けた表面層12Bは、溝12Fを跨ぐ方向及びこれに直交する方向のいずれの方向においても75~150°Cの高温下で4.4~5.0ppmの熱膨張率を示した。これに対して、溝のない表面層12Cは、75~150°Cの高温下で6.6~6.7ppmの熱膨張率を示した、溝12Fを設けた表面層12Bより大きい熱膨張率を示しことが判った。従って、表面層12Bに溝12Fを設けることによって表面層12Bの熱膨張を抑制することができ、延いては測定用基板の熱変形を抑制でき、溝12Fが基板の熱変形を抑制する上で有効であることが判った。以上説明したように本実施形態によれば、ウエハWと電気的に接触するプローブ11Bと電気的に導通自在に接続された回路基板12を備えたプローブカードにおいて、回路基板12は、基材層12Aと、この基材層12Aの上下両面に積層された表面層12B、12Cと、を備え、表面層12B、12Cは基材層12Aより大きい熱膨張率を有し、且つ、ウエハW側の表面層12Bを複数に分割する溝12Fを表面層12Bに設けたため、ウエハW側の表面層12Bの熱膨張をポゴリング側の表面層12Cの熱膨張よりも抑制することができ、延いては回路基板12の熱変形を抑制して回路基板12とインターポーザ14及びポゴリングとの位置ズレを確実に防止することができ、延いてはウエハWの検査の信頼性を高めることができる。しかも、下側の表面層12Bに複数の溝12Fを設けるだけで良いため、基材層12A及び表面層12Bに特殊な材料を使用することなく低コストで回路基板12を製造することができる。また、本実施形態によれば、コンタクタ11を構成する第2の回路基板11AについてもウエハW側の表面層11Dに複数の溝11Iを設けて回路基板12と同様に構成したため、ウエハW側の表面層11Dの熱膨張をインターポーザ14側の表面層11Eの熱膨張よりも抑制することができ、延いては第2の回路基板11Aの熱変形を抑制してコンタクタ11とウエハW及びインターポーザ14との位置ズレを確実に防止することができ、延いてはウエハWの検査の信頼性を高めることができる。また、本実施形態によれば、回路基板12の基材層12Aをガラス繊維等の無機絶縁材料によって構成すると共に表面層12B、12Cをポリイミド樹脂等の有機絶縁材料によって構成したため、ビルドアップ法等によって内部配線や電極12D、12Eを高精度に形成することができる。また、基材層12Aをセラミックによって構成する耐熱性等を付与することができる。また、コンタクタ11を構成する第2の回路基板11Aについても回路基板12と同様の作用効果を期することができる。更に、第2回路基板11Aをセラミックによって形成することによってプローブ11Bの微細化に対応することができる。また、図7は片面にのみ表面層を有する積層基板を示している。即ち、積層基板50は、基材層51と、基材層51の上面に積層された表面層52と、表面層52上に形成された電極53とを有し、表面層52が基材層51より大きい熱膨張係数を有している。そして、表面層52には複数図7では一つの溝のみを図示してあるの溝54が形成されている。また、基材層51及び表面層52は、いずれも単層であっても、複数層であっても良い。この場合においても、表面層52に複数の溝54を設けたため、表面層52の熱膨張を抑制することができ、延いては積層基板50の熱変形を抑制することができる。尚、上記各実施形態では積層基板をプローブカードに適用したものついて説明したが、本発明は上記各実施形態に何等制限されるものではなく、本発明の積層基板は、高温環境に曝される積層基板に広く適用することができる。