第1電極と第2電極と前記第1電極と前記第2電極との間に配置された半導体層とを有して放射線又は光を電荷に変換する変換素子を複数有し、前記電荷に基づく電気信号を出力する撮像動作を行う検出器と、前記撮像動作において前記変換素子が放射線又は光を電荷に変換するための第1電圧を前記変換素子に供給する電源部と、前記検出器及び前記電源部を制御する制御部と、を有する撮像装置であって、前記制御部は、複数回行われる前記撮像動作のうちの第1撮像動作と該第1撮像動作の後に行われる第2撮像動作との間の期間内に、前記変換素子に前記第1電圧とは異なる第2電圧が与えられる第1撮像間動作と、前記第1撮像間動作の後の前記期間内に前記変換素子に前記第1電圧及び前記第2電圧とは異なる第3電圧が与えられる第2撮像間動作と、を行うように、前記検出器及び前記電源部を制御し、前記第3電圧と前記第1電圧との差分の絶対値が、前記第2電圧と前記第1電圧との差分の絶対値よりも小さいことを特徴とする撮像装置。前記変換素子は、フォトダイオードを含み、前記第1電圧は、逆方向電圧であることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。前記第2電圧は、前記第1電圧よりも大きい逆方向電圧であり、前記第3電圧は、前記第1電圧よりも小さい逆方向電圧、又は、前記第1電圧よりも大きく且つ前記第2電圧よりも小さい逆方向電圧であることを特徴とする請求項2に記載の撮像装置。前記第2電圧は、前記第1電圧よりも小さい逆方向電圧であり、前記第3電圧は、前記第1電圧よりも小さい逆方向電圧、又は、前記第1電圧よりも大きい逆方向電圧であることを特徴とする請求項2に記載の撮像装置。前記第2電圧は、順方向電圧であり、前記第3電圧は、前記第1電圧よりも小さい逆方向電圧、又は、前記第1電圧よりも大きい逆方向電圧であることを特徴とする請求項2に記載の撮像装置。前記検出器は、前記変換素子と前記第1電極に接続されたスイッチ素子とを含む画素が行列状に複数配置された検出部と、前記電気信号を前記検出部から出力するために前記スイッチ素子を導通状態とする駆動回路と、前記電気信号を伝送する信号配線と、前記信号配線を介して前記電気信号を読み出す読出回路と、を含み、前記電源部は、前記第2電極に接続された第1電源と、前記読出回路を介して前記信号配線に接続された第2電源と、を含み、前記第2電源は、前記信号配線に基準電位を供給し、前記第1電源は、前記撮像動作において第1電位を前記第2電極に供給し、前記第1撮像間動作において前記第1電位と異なる第2電位を前記第2電極に供給し、前記第2撮像間動作において前記第1電位及び前記第2電位とは異なる第3電位を供給することを特徴とする請求項2から5のいずれか1項に記載の撮像装置。前記変換素子は、前記第1電極と、前記第2電極と、前記半導体層と、前記第1電極と前記半導体層との間に配置された絶縁層と、前記半導体層と前記第2電極との間に配置された不純物半導体層と、を有するMIS型変換素子であり、前記電源部は、前記変換素子に前記第1電圧が与えられて前記半導体層で発生した電荷のうち前記半導体層と前記絶縁層との間に蓄積された電子正孔対の一方を前記第2電極に向けて移動させて消滅させるリフレッシュ動作を前記検出器が行うために、前記第1電極と第2電極との間に前記第2電圧又は前記第3電圧を与えることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。前記検出器は、前記変換素子と前記第1電極に接続されたスイッチ素子とを含む画素が行列状に複数配置された検出部と、前記電気信号を前記検出部から出力するために前記スイッチ素子を導通状態とする駆動回路と、前記電気信号を伝送する信号配線と、前記信号配線を介して前記電気信号を読み出す読出回路と、を含み、前記電源部は、前記第2電極に接続された第1電源と、前記読出回路を介して前記信号配線に接続された第2電源と、を含み、前記第2電源は、前記信号配線に基準電位を供給し、前記第1電源は、前記撮像動作において第1電位を前記第2電極に供給し、前記第1撮像間動作において前記第1電位と異なる第2電位を前記第2電極に供給し、前記第2撮像間動作において前記第1電位及び前記第2電位とは異なる第3電位を供給することを特徴とする請求項7に記載の撮像装置。前記不純物半導体層は、n型の不純物半導体層であり、前記第1電位をVs、前記第2電位をVr2、前記第3電位をVr1、前記第2電源が前記信号配線に供給する電位をVrefとすると、Vs-Vref>0Vr1-Vref>0Vr2-Vref≦0Vs>Vr1>Vref>Vr2を満たすことを特徴とする請求項8に記載の撮像装置。前記不純物半導体層は、n型の不純物半導体層であり、前記第1電位をVs、前記第2電位をVr2、前記第3電位をVr1、前記第2電源が前記信号配線に供給する電位をVrefとすると、Vs-Vref>0Vr1-Vref>0Vr2-Vref>0Vs>Vr1>Vr2>Vref0.8×|Vs-Vref|≦|Vr2-Vs|<|Vs-Vref||Vr1-Vs|<0.5×|Vs-Vref|を満たすことを特徴とする請求項8に記載の撮像装置。請求項1から10のいずれか1項に記載の撮像装置と、前記制御部に制御信号を送信する制御コンピュータと、を含む撮像システム。第1電極と第2電極と前記第1電極と前記第2電極との間に配置された半導体層とを有して放射線又は光を電荷に変換する変換素子を複数有する検出器と、を有する撮像装置の制御方法であって、前記変換素子が放射線又は光を電荷に変換するための第1電圧が与えられた前記変換素子が放射線又は光を変換した電荷に基づく電気信号を前記検出器が出力する第1撮像動作を行う工程と、前記第1撮像動作の後に前記変換素子に前記第1電圧とは異なる第2電圧が与えられる第1撮像間動作を行う工程と、前記第1撮像間動作の後に前記変換素子に前記第1電圧及び前記第2電圧とは異なる第3電圧が与えられる第2撮像間動作を行う工程と、前記第2撮像間動作の後に前記第1電圧が与えられた前記変換素子が放射線又は光を変換した電荷に基づく電気信号を前記検出器が出力する第2撮像動作を行う工程と、を含み、前記第3電圧と前記第1電圧との差分の絶対値が、前記第2電圧と前記第1電圧との差分の絶対値よりも小さいことを特徴とする撮像装置の制御方法。以上に述べた従来のリセット動作では、残像を抑制することは可能であるが、リセット動作において変換素子に流入する電流によりノイズが増大し、S/N比を低下させるおそれがあった。特許文献2には、残像抑制の効果とリセット動作後に変換素子に流入する電流を抑えるようにリセット動作の時間やリセット動作時の電圧を最適化された値とすることが示唆されている。しかしながら、リセット動作の時間やリセット動作時の電圧を最適化するだけでは、残像の抑制と十分なS/N比の確保との両立が困難となる場合があった。本発明は、このような従来の構成が有していた問題を解決しようとするものであり、短い撮像動作間隔でありながら残像が抑制され、且つ、良好なS/N比の画像を取得可能な撮像装置を提供することを目的とする。本発明の撮像装置は、第1電極と第2電極と前記第1電極と前記第2電極との間に配置された半導体層とを有して放射線又は光を電荷に変換する変換素子を複数有し、前記電荷に基づく電気信号を出力する撮像動作を行う検出器と、前記撮像動作において前記変換素子が放射線又は光を電荷に変換するための第1電圧を前記変換素子に供給する電源部と、前記検出器及び前記電源部を制御する制御部と、を有する撮像装置であって、前記制御部は、複数回行われる前記撮像動作のうちの第1撮像動作と該第1撮像動作の後に行われる第2撮像動作との間の期間内に前記変換素子に前記第1電圧とは異なる第2電圧が与えられる第1撮像間動作と、前記第1撮像間動作の後の前記期間内に前記変換素子に前記第1電圧及び前記第2電圧とは異なる第3電圧が与えられる第2撮像間動作と、を行うように、前記検出器及び前記電源部を制御し、前記第3電圧と前記第1電圧との差分の絶対値が、前記第2電圧と前記第1電圧との差分の絶対値よりも小さいことを特徴とする。本発明の撮像システムは、上記撮像装置と、前記制御部に制御信号を送信する制御コンピュータと、を含む。本発明の撮像装置の制御方法は、第1電極と第2電極と前記第1電極と前記第2電極との間に配置された半導体層とを有して放射線又は光を電荷に変換する変換素子を複数有する検出器と、を有する撮像装置の制御方法であって、前記変換素子が放射線又は光を電荷に変換するための第1電圧が与えられた前記変換素子が放射線又は光を変換した電荷に基づく電気信号を前記検出器が出力する第1撮像動作を行う工程と、前記第1撮像動作の後に前記変換素子に前記第1電圧とは異なる第2電圧が与えられる第1撮像間動作を行う工程と、前記第1撮像間動作の後に前記変換素子に前記第1電圧及び前記第2電圧とは異なる第3電圧が与えられる第2撮像間動作を行う工程と、前記第2撮像間動作の後に前記第1電圧が与えられた前記変換素子が放射線又は光を変換した電荷に基づく電気信号を前記検出器が出力する第2撮像動作を行う工程と、を含み、前記第3電圧と前記第1電圧との差分の絶対値が、前記第2電圧と前記第1電圧との差分の絶対値よりも小さいことを特徴とする。本発明により、短い撮像動作間隔でありながら残像が抑制され、且つ、良好なS/N比の画像を取得可能な撮像装置を提供できる。以下に、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、本発明において放射線は、放射線崩壊によって放出される粒子光子を含むの作るビームであるα線、β線、γ線などの他に、同程度以上のエネルギーを有するビーム、例えばX線や粒子線、宇宙線なども、含まれるものとする。第1の実施形態まず、本発明の概念を説明するために、図2Aを用いて本発明の第1の実施形態に係る変換素子が有する残像量の特性を、図2Bを用いてノイズ量の特性を、説明する。変換素子は、対向する2つの電極の間に半導体層を有し、2つの電極の間に電圧が与えられることによって、放射線又は光を電荷に変換することが可能となる。ここで、変換素子の2つの電極の間に与えられる電圧が、変換素子に与えられる電圧である。放射線又は光が照射される期間を含む撮像動作時には、変換素子に与えられる電圧として、半導体層を空乏化するための電圧以下、第1電圧と称するが2つの電極の間に与えられる。それにより、変換素子は放射線又は光を電荷に変換することができる。複数の変換素子を備える検出部から出力される電気信号、及び、検出部を含む検出器から出力される画像データの質を決定する指標として、ノイズ量と残像量が挙げられる。ノイズとは、信号の中に本来の情報とは別に混じっている不規則なゆらぎ成分であり、変換素子のノイズの原因としては暗電流が主に挙げられる。暗電流の原因としては、変換素子に与えられる電圧が変動した際に変換素子に電流が流れ、その電流による電荷の移動が欠陥準位に影響を与えることが挙げられる。また、残像とは、複数回行われる撮像動作のうちの先の撮像動作においてなされた放射線又は光の照射に基づく電気信号が、後の撮像動作で出力される電気信号及び画像データに影響をおよぼすものである。残像の原因としては、欠陥準位に捕獲された電荷や、変換素子から出力しきれず変換素子に残留した電荷が、主に挙げられる。背景技術で説明されたように、第1電圧とは異なる電圧以下、第2電圧と称するを、複数の撮像動作の間に変換素子に与えることにより、残像を抑制することが可能である。図2Aに示すように、複数の撮像動作の間に変換素子に与えられる第2電圧と第1電圧との差分以下、電圧変動量と称するを大きくすればするほど、残像の量である残像量は低減される。ここで、図2Aは、横軸が電圧変動量の絶対値であり、縦軸が残像量である。これは、変換素子に与えられる電圧の変動に伴って変換素子に流入する電流により、変換素子に電荷が注入される。それにより、欠陥準位に予め電荷を捕獲させ、放射線や光によって変換された電荷が新たに捕獲されることを防ぐことができるためと考えられる。また、変換素子内に残留した電荷が、変換素子に流入する電流によって変換素子に注入される電荷によって再結合等されることにより、除去されるためと考えられる。つまり、電位変動量が大きくなればなるほど、変換素子に注入される電荷の量電荷量が多くなり、残像量は小さくなる。一方、図2Bに示すように、電圧変動量を大きくすればするほど、ノイズの量であるノイズ量が増加する。ここで、図2Bは、横軸が電圧変動量の絶対値であり、縦軸がノイズ量である。これは、変換素子に与えられる電圧の変動に伴って変換素子に流入する電流が多くなればなるほど、それにより発生する暗電流量が増大するためと考えられる。つまり、電位変動量が大きくなればなるほど、変換素子に注入される電荷量が多くなり、ノイズ量が大きくなる。このように、残像量を低減させるために電圧変動量を大きくすればするほど、変換素子に注入される電荷量が増大し、ノイズ量が増大してしまい、撮像装置のS/N比を低下させてしまう。この際に、ノイズ量の低減のためノイズが落ち着くまで待ってから次の撮像を行うと、次の撮像までの時間が長くなってしまい、撮像装置の使い勝手が低下してしまう。一方、電圧変動量を小さくすればするほど、変換素子に注入される電荷量が減少し、残像量が増大してしまい、残像の抑制が不十分となってしまう。そこで本願発明者は、誠意検討の結果、以下に説明することを見出した。図1に示すように、第1撮像動作と、第1撮像動作の後に行われる第2撮像動作と、を含む複数回の撮像動作にあっては、第1撮像動作と第2撮像動作との間に検出器が撮像間動作を行うように検出器を制御する。この撮像間動作では、まず第1撮像動作と第2撮像動作との間の期間内に、第1撮像間動作を検出器が行うように検出器を制御する。第1撮像間動作では、変換素子に各撮像動作時に与えられる第1電圧とは異なる第2電圧が変換素子に与えられ、検出器が変換素子を初期化するための初期化動作を少なくとも行うように検出器を制御する。ここで、初期化動作とは、変換素子に所望の電圧を与えるための動作であり、図3に示すような変換素子とスイッチ素子とを含む画素の構成にあっては、後述する画像出力動作や暗画像出力動作とは別に、スイッチ素子を導通状態にする動作である。この第2電圧と第1電圧との差分の絶対値を第1電圧変動量とする。ここで、第1電圧変動量は、後述する第2電圧変動量より大きく設定されている。このように、第1撮像間動作では、大きい電圧変動量が変換素子に与えられることにより、残像を好適に低減できる。しかしながら、第1撮像間動作では、大きい電圧変動が変換素子に与えられることにより、変換素子に注入される電荷量が多くなり、ノイズが増大してしまう。次に、第1撮像間動作と第2撮像動作の間の期間内に、第2撮像間動作を検出器が行うように検出器を制御する。第2撮像間動作では、変換素子に第1電圧及び第2電圧とは異なる第3電圧が与えられ、検出器が初期化動作を行うように検出器を制御する。この第3電圧と第1電圧との差分の絶対値を第2電圧変動量とする。ここで、第2電圧変動量は第1電圧変動量よりも小さく設定されている。この第2撮像間動作により、変換素子に注入される電荷量が少なくなり、第1撮像間動作によって増大したノイズが低減される。このように、第1撮像間動作と、第1撮像間動作の後に行われる第2撮像間動作と、を第1撮像動作と第2撮像動作との間に行うことにより、先の撮像動作で発生した残像を低減しつつノイズの増大を抑制することが可能となることを、本願発明者は見出した。各動作については後で詳細に説明する。次に、図3を用いて第1の実施形態の放射線撮像システムについて説明する。図1に示す本発明の放射線撮像システムは、撮像装置100、制御コンピュータ108、放射線制御装置109、放射線発生装置110、表示装置113、制御卓114を含む。撮像装置100は、放射線又は光を電気信号に変換する画素を複数有する検出部101と、検出部101を駆動する駆動回路102と、駆動された検出部101からの電気信号を画像データとして出力する読出回路103と、を有する平面検出器104を含む。撮像装置100は更に、平面検出器検出器104からの画像データを処理して出力する信号処理部105と、各構成要素に夫々制御信号を供給して検出器104の動作を制御する制御部106と、各構成要素に夫々バイアスを供給する電源部107を含む。信号処理部105は、後述する制御コンピュータ108から制御信号を受けて制御部106に提供する。制御部106は、制御コンピュータ108からの制御信号を受けて、駆動回路102、読出回路103、信号処理部105、及び、電源部107のうちの少なくとも一つを制御する。電源部107は、不図示の外部電源や内蔵バッテリーから電圧を受けて検出部101、駆動回路102、読出回路103で必要な電圧を供給するレギュレータ等の電源回路を内包する。本実施形態の電源部107は、検出部101の変換素子に少なくとも第1電圧、第2電圧、及び第3電圧を切り替えて供給できる可変電源となっている。制御コンピュータ108は、放射線発生装置110と撮像装置100との同期や、撮像装置100の状態を決定する制御信号の送信、撮像装置100からの画像データに対する補正保存表示のための画像処理を行う。また、制御コンピュータ108は、制御卓114からの情報に基づき放射線の照射条件を決定する制御信号を放射線制御装置109に送信する。放射線制御装置109は、制御コンピュータ108からの制御信号を受けて、放射線発生装置110に内包される放射線源111から放射線を照射する動作や、照射野絞り機構112の動作の制御を行う。照射野絞り機構112は、検出器104の検出部101に放射線又は放射線に応じた光が照射される領域である所定の照射野を変更することが可能な機能を有している。制御卓114は、制御コンピュータ108の各種制御のためのパラメータとして被検体の情報や撮像条件の入力を行い制御コンピュータ108に伝送する。表示装置113は、制御コンピュータ108で画像処理された画像データを表示する。次に、図4を用いて本発明の第1の実施形態に係る撮像装置を説明する。なお、図3を用いて説明した構成と同じものは同じ番号を付与してあり、詳細な説明は割愛する。検出部101は、行列状に複数配置された画素を有する。画素は、放射線又は光を電荷に変換する変換素子201と、その電荷に応じた電気信号を出力するスイッチ素子202と、を有する。変換素子としては、光を電荷に変換する光電変換素子とその放射線入射側に放射線を光電変換素子が感知可能な波長帯域の光に変換する波長変換体とを備えた間接型の変換素子や、放射線を直接電荷に変換する直接型の変換素子が好適に用いられる。本実施形態では、光電変換素子の一種であるフォトダイオードとして、ガラス基板等の絶縁性基板上に配置されアモルファスシリコンを主材料とするPIN型フォトダイオードを用いる。スイッチ素子202としては、制御端子と2つの主端子を有するトランジスタが好適に用いられ、本実施形態では薄膜トランジスタTFTが用いられる。変換素子201の1方の電極第1電極はスイッチ素子202の2つの主端子の1方に電気的に接続され、他方の電極第2電極は共通のバイアス配線Bsを介して第1電源107aと電気的に接続される。行方向の複数のスイッチ素子、例えばT11~T1nは、それらの制御端子が1行目の駆動配線G1に共通に電気的に接続されており、駆動回路102からスイッチ素子の導通状態を制御する駆動信号が駆動配線を介して行単位で与えられる。列方向の複数のスイッチ素子、例えばT11~Tm1は、他方の主端子が1列目の信号配線Sig1に電気的に接続されており、スイッチ素子が導通状態である間に、変換素子の電荷に応じた電気信号を、信号配線を介して読出回路103に出力する。列方向に複数配列された信号配線Sig1~Signは、複数の画素から出力された電気信号を並列に読出回路103に伝送する。読出回路103は、検出部101から並列に出力された電気信号を増幅する増幅回路207を信号配線毎に対応して設けられている。また、各増幅回路207は、出力された電気信号を増幅する積分増幅器203と、積分増幅器203からの電気信号を増幅する可変増幅器204と、増幅された電気信号をサンプルしホールドするサンプルホールド回路205と、バッファアンプ206とを含む。積分増幅器203は、読み出された電気信号を増幅して出力する演算増幅器と、積分容量と、リセットスイッチと、を有する。積分増幅器203は、積分容量の値を変えることで増幅率を変更することが可能である。演算増幅器の反転入力端子には出力された電気信号が入力され、正転入力端子には第2電源107bから基準電位Vrefが入力され、出力端子から増幅された電気信号が出力される。また、積分容量が演算増幅器の反転入力端子と出力端子の間に配置される。サンプルホールド回路205は、各増幅回路に対応して設けられ、サンプリングスイッチとサンプリング容量とによって構成される。また読出回路103は、各増幅回路207から並列に読み出された電気信号を順次出力して直列信号の画像信号として出力するマルチプレクサ208と、画像信号をインピーダンス変換して出力するバッファ増幅器209と、を有する。バッファ増幅器209から出力されたアナログ電気信号である画像信号Voutは、A/D変換器210によってデジタルの画像データに変換されて信号処理部105へ出力され、信号処理部105で処理された画像データが制御コンピュータ108へ出力される。駆動回路102は、制御部106から入力された制御信号D-CLK、OE、DIOに応じて、スイッチ素子を導通状態にする導通電圧Vcomと非道通状態とする非導通電圧Vssを有する駆動信号を、各駆動配線に出力する。これにより、駆動回路102はスイッチ素子の導通状態及び非導通状態を制御し、検出部101を駆動する。電源部107は、第1電源107a、増幅回路の第2電源107bを含む。第1電源107aは、バイアス配線Bsを介して各変換素子の第2電極に共通に電位Vsを供給するもので、本発明の第1電源に相当する。第2電源107bは、各演算増幅器の正転入力端子に基準電位Vrefを供給するもので、本発明の第2電源に相当する。基準電位Vrefはスイッチ素子が導通状態であると信号配線Sig1~Signとスイッチ素子202を介して変換素子201の第1電極に供給される。なお、本実施形態では、第1電源107aが、検出部101の画素に少なくとも第1電位Vs1、第2電位Vs2、及び第3電位Vs3を切り替えて供給できる可変電源となっている。ただし、本発明はそれに限定されるものではなく、第2電源107bが画素に少なくとも第1基準電位Vref1、第2基準電位Vref2、及び第3基準電位Vref3を切り替えて供給できる可変電源であってもよい。制御部106は、信号処理部105を介して装置外部の制御コンピュータ108等からの制御信号を受けて、駆動回路102、電源部107、読出回路103に各種の制御信号を与えて検出器104の動作を制御する。制御部106は、駆動回路102に制御信号D-CLKと制御信号OE、制御信号DIOを与えることによって、駆動回路102の動作を制御する。ここで、制御信号D-CLKは駆動回路として用いられるシフトレジスタのシフトクロックであり、制御信号DIOはシフトレジスタが転送するパルス、OEはシフトレジスタの出力端を制御するものである。また、制御部106は、読出回路103に制御信号RC、制御信号SH、及び制御信号CLKを与えることによって、読出回路103の各構成要素の動作を制御する。ここで、制御信号RCは積分増幅器のリセットスイッチの動作を、制御信号SHはサンプルホールド回路205の動作を、制御信号CLKはマルチプレクサ208の動作を制御するものである。次に、図1、図5A、及び図5Bを用いて、本発明の撮像装置の動作を説明する。ここで、図5Aは図1のA-A’箇所を詳細に示したもの、図5Bは図1のB-B’箇所を詳細に示したものである。図1に示すように、時刻t1において変換素子201に第1電位Vs1が与えられると、撮像装置100は撮像準備期間に撮像準備動作を行う。ここで、撮像準備動作とは、第1電位Vs1の印加開始に起因する検出器104のノイズを安定化させるために、初期化動作Kを少なくとも1回行う動作であり、本実施形態では初期化動作K1を複数回繰り返し行っている。なお、検出器104の特性変動が安定している場合には、この撮像準備動作は行わなくてもよい。ここで、初期化動作とは、後述する画像出力動作や暗画像出力動作とは別に、検出部内の変換素子に所望の電圧を与えて初期化するために、検出部内の複数のスイッチ素子を行単位で順次に又は複数の行を一度に導通状態にする動作である。本実施形態の初期化動作K1では、蓄積動作前の初期の電圧、つまり第1電圧|Vs1-Vref|を変換素子に与えてなされる。なお、図1では、撮像準備動作として初期化動作K1及び蓄積動作W1の一組を複数回繰り返し行う動作を行っている。なお、本発明において、蓄積動作は、変換素子内に電荷が蓄積される動作であり、本実施形態では複数の画素のスイッチ素子が全て非導通状態であることによって行われる。なお、本実施形態ではVs1=-8V、Vref=3Vで、変換素子201には逆方向電圧が与えられているものとする。次に、時刻t1から所定時間経過した後の時刻t2において、撮像装置100は、第1撮像動作を開始する。時刻t2から時刻t4の間の撮像期間のうち時刻t2から時刻t3の間では、撮像装置100は、初期化動作K1と、蓄積動作W1と、画像出力動作X1と、を行う。撮像動作において、蓄積動作W1は変換素子が電荷を生成するために放射線の照射に応じた期間で行われる動作であり、画像出力動作Xは蓄積動作Wで生成された電荷に応じた電気信号に基づいて画像データを出力する動作である。ここで本実施形態において各撮像動作の蓄積動作は、撮像準備動作の蓄積動作と同じ時間の長さで行っているが、本発明はそれに限定されるものではない。撮像準備動作の短縮化のためには撮像準備動作の蓄積動作の時間の長さが、撮像動作の蓄積動作の時間の長さより短い方が好ましい。また、本実施形態において撮像動作の初期化動作は、撮像準備動作の初期化動作と同じ電圧で同じ時間の長さで行っているが、本発明はそれに限定されるものではない。撮像準備動作の短縮化のためには撮像準備動作の初期化動作の時間の長さが、撮像動作の初期化動作の時間の長さより短い方が好ましい。次に、時刻t3から時刻t4の間では、画像出力動作X1の前の蓄積動作W1と同じ時間の長さで行われる蓄積動作W1と、その蓄積動作W1で生成された電荷に基づいて暗画像データを出力する暗画像出力動作F1と、を行う。これは、放射線の照射が行われない暗状態で変換素子が電荷を生成するために行われるものである。暗画像出力動作F1では、画像出力動作X1と同様の動作が撮像装置100で行われる。そして、時刻t4で第1撮像動作が終了すると、撮像装置100は、次の撮像動作が開始される時刻t6まで撮像間動作を行う。この撮像間動作には、時刻t4から時刻t5の間に行われる第1撮像間動作と、時刻t5から時刻t6の間に行われる第2撮像間動作と、を含む。時刻t4から時刻t5の間に行われる第1撮像間動作では、変換素子201に第2電圧|Vs2-Vref|が与えられ、少なくとも初期化動作K2が行われる。なお、本実施形態では、第1撮像間動作では、初期化動作K2と蓄積動作W2とが行われている。ここで、第2電圧と第1電圧との差分である第1電圧変動量|Vs2-Vs1|は、後述する第3電圧と第1電圧との差分である第2電圧変動量|Vs3-Vs1|より大きい。このように、第1撮像間動作では、大きい電圧変動量が変換素子に与えられることにより、残像を好適に低減できる。しかしながら、第1撮像間動作では、大きい電圧変動が変換素子に与えられることにより、ノイズが増大してしまう。そこで、時刻t5から時刻t6の間に、第2撮像間動作が行われる。第2撮像間動作では、変換素子201に第1電圧変動量|Vs2-Vs1|より小さい第2電圧変動量|Vs3-Vs1|で、が与えられ、少なくとも初期化動作K3が行われる。なお、本実施形態では、第2撮像間動作では、初期化動作K3と蓄積動作W3とが行われている。ここで、初期化動作K2及びK3は、先に説明した初期化動作K1と変換素子に与えられる電圧が異なるだけで、他は初期化動作K1と同様の動作を行う。また、蓄積動作W2及びW3も、先に説明した蓄積動作W1と変換素子に与えられる電圧が異なるだけで、他は蓄積動作W1と同様の動作を行う。このように、第2撮像間動作では、第1撮像間動作よりも小さい電圧変動量が変換素子に与えられることにより、第1撮像間動作で増大したノイズを低減できる。このように、第1撮像間動作と、第1撮像間動作の後に行われる第2撮像間動作と、を第1撮像動作と第2撮像動作との間に行うことにより、第1撮像動作で発生した残像を低減しつつノイズの増大を抑制することが可能となる。なお、本実施形態ではVs2=-13V、Vs3=-6Vで、|Vs2-Vs1|=5V、|Vs3-Vs1|=2Vとしている。次に、図5Aを用いて、各撮像動作を詳細に説明する。なお、先に説明した動作については割愛する。図5Aに示すように、初期化動作K1では、まず制御部106からリセットスイッチに制御信号RCが与えられて積分増幅器203の積分容量及び信号配線がリセットされる。次に、変換素子201に第1電位Vs1が与えられた状態で、駆動回路102から駆動配線G1に導通電圧Vcomが与えられ、1行目の画素のスイッチ素子T11~T13が導通状態とされる。このスイッチ素子の導通状態により、変換素子に与えられる電圧が|Vs1-Vref|となり、変換素子が初期化される。その際に変換素子の電荷がスイッチ素子により電気信号として出力されるが、本実施形態では制御信号SH及び制御信号CLKが出力されずサンプルホールド回路以降の回路を動作させていないため、読出回路103からその電気信号に応じたデータは出力されない。その後に再び積分容量及び信号配線がリセットされることにより、出力された電気信号は処理される。ただし、そのデータを補正などに使用したい場合には、制御信号SH及び制御信号CLKが出力されてサンプルホールド回路以降の回路を後述する画像出力動作や暗画像出力動作と同様に動作させてもよい。このようなスイッチ素子の導通状態の制御とリセットがm行目まで繰り返し行われることにより、検出器104の初期化動作K1がなされる。ここで、初期化動作K1においては、少なくともスイッチ素子の導通状態の間もリセットスイッチを導通状態に保ちリセットし続けていてもよい。また、初期化動作K1におけるスイッチ素子の導通時間は、後述する画像出力動作X1におけるスイッチ素子の導通時間より短くてもよい。また、初期化動作K1では複数行のスイッチ素子を同時に導通させてもよい。これらの場合には、初期化動作K1全体にかかる時間を短くすることが可能となり、より早く検出器の特性の変動を安定化させることが可能となる。次に、蓄積動作W1では、変換素子201に電圧|Vs1-Vref|が与えられた状態で、スイッチ素子202には非導通電圧Vssが与えられており、全ての画素のスイッチ素子は非導通状態とされる。この状態で変換素子に放射線が照射されることにより、放射線に応じた電荷が変換素子に蓄積される。次に、画像出力動作X1では、まず制御部106から制御信号RCが出力されて積分容量及び信号配線がリセットされる。そして、駆動回路102から駆動配線G1に導通電圧Vcomが与えられ、1行目のスイッチ素子T11~T1nが導通状態とされる。これにより1行目の変換素子S11~S1nで発生された電荷に基づく電気信号が各信号配線に出力される。各信号配線を介して並列に出力された電気信号は、それぞれ各増幅回路207の積分増幅器203及び可変増幅器204で増幅される。増幅された電気信号はそれぞれ、制御信号SHによりサンプルホールド回路が動作され、各増幅回路207内のサンプルホールド回路205に並列に保持される。保持された後、制御部106から制御信号RCが出力されて積分増幅器203の積分容量及び信号配線がリセットされる。リセットされた後、1行目と同様に2行目の駆動配線G2に導通電圧Vcomが与えられ、2行目のスイッチ素子T21~T2nが導通状態とされる。2行目のスイッチ素子T21~T2nが導通状態とされている期間内に、マルチプレクサ208がサンプルホールド回路205に保持された電気信号を順次出力する。これにより並列に読み出された1行目の画素からの電気信号は直列の画像信号に変換して出力され、A/D変換器210が1行分の画像データに変換して出力する。以上の動作を1行目からm行目に対して行単位で行うことにより、1フレーム分の画像データが撮像装置から出力される。その後、図5Aに示すように、初期化動作K1が再び行われた後、放射線が変換素子に照射されない状態で蓄積動作W1が行われ、放射線に応じない電荷が変換素子に蓄積される。その後、暗画像出力動作F1では、放射線の照射が行われない暗状態で画像出力動作X1と同様の動作が撮像装置100で行われ、放射線に応じない暗画像データが得られる。次に、図5Bを用いて、各撮像間動作を詳細に説明する。図5Bに示すように、初期化動作K2では、まず制御部106からリセットスイッチに制御信号RCが与えられて積分増幅器203の積分容量及び信号配線がリセットされる。次に、変換素子201に電圧Vs2が与えられた状態で、駆動回路102から駆動配線G1に導通電圧Vcomが与えられ、1行目の画素のスイッチ素子T11~T13が導通状態とされる。このスイッチ素子の導通状態により、変換素子に与えられる電圧が|Vs2-Vref|となり、変換素子の残像が低減される。その際に変換素子の電荷がスイッチ素子により電気信号として出力されるが、本実施形態では制御信号SH及び制御信号CLKが出力されずサンプルホールド回路以降の回路を動作させていないため、読出回路103からその電気信号に応じたデータは出力されない。その後に再び積分容量及び信号配線がリセットされることにより、出力された電気信号は処理される。ただし、そのデータを補正などに使用したい場合には、制御信号SH及び制御信号CLKが出力されてサンプルホールド回路以降の回路を画像出力動作X1や暗画像出力動作F1と同様に動作させてもよい。このようなスイッチ素子の導通状態の制御とリセットがm行目まで繰り返し行われることにより、検出器104の初期化動作K2がなされる。ここで、初期化動作K2においては、少なくともスイッチ素子の導通状態の間もリセットスイッチを導通状態に保ちリセットし続けていてもよい。また、初期化動作K2におけるスイッチ素子の導通時間は、画像出力動作におけるスイッチ素子の導通時間より短くてもよい。また、初期化動作K2では複数行のスイッチ素子を同時に導通させてもよい。これらの場合には、初期化動作K2全体にかかる時間を短くすることが可能となり、より早く検出器の残像を安定化させることが可能となる。なお、本実施形態の初期化動作K2は、画像出力動作X1と同じ時間間隔で行われている。蓄積動作W2では、変換素子201に電圧|Vs2-Vref|が与えられた状態で、スイッチ素子202には非導通電圧Vssが与えられており、全ての画素のスイッチ素子は非導通状態とされる。次に、図5Bに示すように、初期化動作K3では、まず制御部106からリセットスイッチに制御信号RCが与えられて積分増幅器203の積分容量及び信号配線がリセットされる。次に、変換素子201に電圧Vs3が与えられた状態で、駆動回路102から駆動配線G1に導通電圧Vcomが与えられ、1行目の画素のスイッチ素子T11~T13が導通状態とされる。このスイッチ素子の導通状態により、変換素子に与えられる電圧が|Vs3-Vref|となり、変換素子のノイズが低減される。その際に変換素子の電荷がスイッチ素子により電気信号として出力されるが、本実施形態では制御信号SH及び制御信号CLKが出力されずサンプルホールド回路以降の回路を動作させていないため、読出回路103からその電気信号に応じたデータは出力されない。その後に再び積分容量及び信号配線がリセットされることにより、出力された電気信号は処理される。ただし、そのデータを補正などに使用したい場合には、制御信号SH及び制御信号CLKが出力されてサンプルホールド回路以降の回路を画像出力動作X1や暗画像出力動作F1と同様に動作させてもよい。このようなスイッチ素子の導通状態の制御とリセットがm行目まで繰り返し行われることにより、検出器104の初期化動作K3がなされる。ここで、初期化動作K3においては、少なくともスイッチ素子の導通状態の間もリセットスイッチを導通状態に保ちリセットし続けていてもよい。また、初期化動作K3におけるスイッチ素子の導通時間は、画像出力動作X1におけるスイッチ素子の導通時間より短くてもよい。また、初期化動作K3では複数行のスイッチ素子を同時に導通させてもよい。これらの場合には、初期化動作K3全体にかかる時間を短くすることが可能となり、より早く検出器のノイズを安定化させることが可能となる。なお、本実施形態の初期化動作K3は、画像出力動作X1と同じ時間間隔で行われている。蓄積動作W3では、変換素子201に電圧|Vs3-Vref|が与えられた状態で、スイッチ素子202には非導通電圧Vssが与えられており、全ての画素のスイッチ素子は非導通状態とされる。なお、本実施形態では、Vs2=-13V、Vs3=-6Vとして、いずれの場合でも変換素子には逆方向電圧が与えられるものとなっていたが、本発明はそれに限定されるものではない。例えば、Vs2=-3V、Vs3=-6Vで、|Vs2-Vs1|=5V、|Vs3-Vs1|=2Vであってもよい。つまり、第1撮像間動作においては撮像動作時よりも小さな逆方向電圧が、第2撮像間動作においては撮像動作時よりも小さく且つ第1撮像間動作時よりも大きな逆方向電圧が、それぞれ与えられていてもよい。また、例えば、Vs2=4V、Vs3=-6Vで、|Vs2-Vs1|=12V、|Vs3-Vs1|=2Vであってもよい。この場合、Vs2=4Vの際には変換素子には順方向電圧が与えられている。つまり、第1撮像間動作においては順方向電圧が、第2撮像間動作においては撮像動作時よりも小さい逆方向電圧が、それぞれ与えられていてもよい。また、例えば、Vs2=-13V、Vs3=-9Vで、|Vs2-Vs1|=5V、|Vs3-Vs1|=1Vであってもよい。つまり、第1撮像間動作においては撮像動作時よりも大きな逆方向電圧が、第2撮像間動作においては撮像動作時よりも大きく且つ第1撮像間動作時よりも小さな逆方向電圧が、それぞれ与えられていてもよい。また、例えば、Vs2=-3V、Vs3=-9Vで、|Vs2-Vs1|=5V、|Vs3-Vs1|=1Vであってもよい。つまり、第1撮像間動作においては撮像動作時よりも小さな逆方向電圧が、第2撮像間動作においては撮像動作時よりも大きい逆方向電圧が、それぞれ与えられていてもよい。また、各撮像間動作において、各蓄積動作を設けずに各初期化動作のみを行ってもよい。そのような場合に、変換素子に与えられる電圧は徐々に変動するようにしてもよい。つまり、本発明では、第1撮像動作と第2撮像動作の間において、第1撮像動作と第2撮像間動作の間に第1撮像間動作が、第1撮像間動作と第2撮像動作との間に第2撮像間動作が、少なくとも行われていればよい。第2の実施形態次に、図6A、Bを用いて本発明の第2の実施形態に係る撮像装置を説明する。なお、図3に示す第1の実施形態の構成と同じものは同じ番号を付与してあり、詳細な説明は割愛する。また、図6Bは1画素の概略的等価回路を示すものである。第1の実施形態の検出部101では、変換素子201にPIN型フォトダイオードを用いていたが、本実施形態の検出部101’では、変換素子501にMIS型変換素子としてMIS型光電変換素子を用いている。また、第1の実施形態では、変換素子201の他方の電極は共通のバイアス配線Bsを介して第1電源107aと電気的に接続されている。一方、本実施形態では、変換素子501の他方の電極は共通のバイアス配線Bsを介して第1電源107a’と電気的に接続されている。この第1電源107a’は、変換素子601の他方の電極に、変換素子が電荷を生成するための第1電位Vsとは別に変換素子601をリフレッシュするための第2電位Vr1、第3電位Vr2を多値で供給することが可能な構成となっている。また、図6Bに示すように、変換素子501は、第1電極502と第2電極506の間に半導体層504が、第1電極502と半導体層504との間に絶縁層503が、それぞれ設けられている。また、半導体層504と第2電極506との間に不純物半導体層505が設けられている。第2電極506は、バイアス配線Bsを介して第1電源107a’と電気的に接続される。変換素子501は、変換素子201と同様に、第2電極506に第1電源107a’から第1電位Vsが供給され、第1電極502にスイッチ素子202を介して基準電位Vrefが供給されて、蓄積動作がなされる。また、第2電極506に第1電源107a’を介してリフレッシュ用の電位VrVr1又はVr2が供給され、変換素子501はその電圧|Vr-Vref|によりリフレッシュがなされる。なお、このリフレッシュは、MIS型変換素子の半導体層504で発生し、不純物半導体層505を通過できずに半導体層504と絶縁層503との間に蓄積された電子正孔対の一方を、第2電極506に向けて移動させて消滅させることである。なお、リフレッシュに関しては、後で詳細に説明する。次に、本実施形態における本発明の概念を説明するために、図7Aを用いて本発明の第2の実施形態に係る変換素子が有する残像量の特性を、図7Bを用いてノイズ量の特性を、説明する。第1の実施形態で説明したものと同様にMIS型変換素子においても、第1電圧|Vs-Vref|とは異なる第2電圧|Vr-Vref|を、複数の撮像動作の間に変換素子に与えることにより、残像を抑制することが可能である。図7Aに示すように、複数の撮像動作の間に変換素子に与えられる電圧変動量を大きくすればするほど、残像量は低減される。ここで、図7Aは、横軸が電圧変動量の絶対値であり、縦軸が残像量である。一方、図7Bに示すように、電圧変動量を大きくすればするほど、ノイズ量が増加する。ここで、図7Bは、電圧変動量の絶対値であり、縦軸がノイズ量である。このように、残像量を低減させるために電圧変動量を大きくすればするほどノイズ量が増大してしまい、撮像装置のS/N比を低下させてしまう。この際に、ノイズ量の低減のためノイズが落ち着くまで待ってから次の撮像を行うと、次の撮像までの時間が長くなってしまい、撮像装置の使い勝手が低下してしまう。一方、電圧変動量を小さくすればするほど残像量が増大してしまい、残像の抑制が不十分となってしまう。そこで本願発明者は、誠意検討の結果、以下に説明することを見出した。図8に示すように、第1撮像動作と、第1撮像動作の後に行われる第2撮像動作と、を含む複数の撮像動作の間に、検出器が撮像間動作を行うように検出器を制御する。この撮像間動作では、まず第1撮像動作と第2撮像動作との間に、第1撮像間動作を検出器が行うように検出器を制御する。第1撮像間動作では、変換素子に第1電圧|Vs-Vref|とは異なる第2電圧|Vr2-Vref|が与えられ、検出器が変換素子を初期化するための初期化動作リフレッシュ動作を行うように検出器を制御する。この第2電圧と第1電圧との差分の絶対値|Vr2-Vs|である第1電圧変動量|Vr2-Vs|は、後述する第2電圧変動量|Vr1-Vs|より大きく設定されている。このように、第1撮像間動作では、大きい電圧変動量が変換素子に与えられることにより、残像を好適に低減できる。しかしながら、第1撮像間動作では、大きい電圧変動が変換素子に与えられることにより、ノイズが増大してしまう。次に、第1撮像間動作と第3撮像動作の間に、第2撮像間動作を検出器が行うように検出器を制御する。第2撮像間動作では、変換素子に第1電圧及び第2電圧とは異なる第3電圧|Vr1-Vref|が与えられ、検出器が初期化動作を行うように検出器を制御する。この第3電圧と第1電圧との差分の絶対値|Vr1-Vs|である第2電圧変動量|Vr1-Vs|は第1電圧変動量|Vr2-Vs|よりも小さく設定されている。このように、第2撮像間動作では、第1撮像間動作よりも小さい電圧変動量が変換素子に与えられることにより、第1撮像間動作で増大したノイズを低減できる。このように、第1撮像間動作と、第1撮像間動作の後に行われる第2撮像間動作と、を複数回行われる撮像動作の間に行うことにより、先の撮像動作で発生した残像を低減しつつノイズの増大を抑制することが可能となることを、本願発明者は見出した。次に、図8、図9A、及び図9Bを用いて、本発明の撮像装置の動作を説明する。ここで、図9Aは図8のC-C’箇所を詳細に示したもの、図9Bは図8のD-D’箇所を詳細に示したものである。なお、図1、図5A、及び図5Bに示す第1の実施形態と同じものは同じ記号及び番号を付与してあり、詳細な説明は割愛する。第2の実施形態における撮像装置の動作は、以下の点で第1の実施形態における撮像装置の動作と相違する。まず1点目として、蓄積動作前の初期の電圧である第1電圧|Vs-Vref|を変換素子に与えて、初期化動作K1がなされる。次に2点目として、各初期化動作K1の前に、初期化動作として第1リフレッシュ動作R1が行われる。この第1リフレッシュ動作R1では、まず第1電源107a’から変換素子501の第2電極506に、第1電位Vsとは異なるリフレッシュ用の第2電位Vr1が供給される。そして、駆動回路102により行単位で順次にスイッチ素子202が導通状態とされることにより、変換素子にリフレッシュ用の第2電圧|Vr1-Vref|が与えられる。これにより、半導体層504と絶縁層503との間に蓄積された電子-正孔対の一方を、第2電極506に向けて移動させて消滅させることができる。その後、第1電源107a’から変換素子501の第2電極506に、第1バイアス電位Vsが供給される。そして、駆動回路102により行単位で順次にスイッチ素子202が導通状態とされることにより、変換素子に初期の電圧|Vs-Vref|が与えられる。そして3点目として、第1撮像間動作では初期化動作として第2リフレッシュ動作R2が、第2撮像間動作では初期化動作として第3リフレッシュ動作R3が、それぞれ行われる。第2リフレッシュ動作R2及び第3リフレッシュ動作R3に関しては、以下に説明する。図9Bに示すように、第2リフレッシュ動作R2では、まず第1電源107a’から変換素子501の第2電極506に、第1バイアス電位Vs及び第1リフレッシュ電位Vr1とは異なる第2リフレッシュ電位Vr2が供給される。そして、駆動回路102により行単位で順次にスイッチ素子202が導通状態とされることにより、変換素子に第2リフレッシュ電圧|Vr2-Vref|が与えられる。この第2リフレッシュ電圧が、本発明の第2電圧に相当する。この第2電圧と第1電圧との差分|Vr2-Vs|である第1電圧変動量|Vr2-Vs|は、後述する第2電圧変動量|Vr1-Vs|より大きく設定されている。その後、第1電源107a’から変換素子501の第2電極506に、第1電位Vsが供給される。そして、駆動回路102により行単位で順次にスイッチ素子202が導通状態とされることにより、変換素子に初期の電圧|Vs-Vref|が与えられる。このように、第2リフレッシュ動作R2では、大きい電圧変動量が変換素子に与えられることにより、残像を好適に低減できる。しかしながら、第2リフレッシュ動作R2では、大きい電圧変動が変換素子に与えられることにより、ノイズが増大してしまう。次に、第3リフレッシュ動作R3では、まず第1電源107a’から変換素子501の第2電極506に、第1電位Vs及び第2電位Vr2とは異なる第3電位Vr1が供給される。ここでは、第3電位は、撮像準備動作や撮像動作におけるリフレッシュ用の電位と同じ値であるVr1としている。そして、駆動回路102により行単位で順次にスイッチ素子202が導通状態とされることにより、変換素子に第3リフレッシュ電圧|Vr1-Vref|が与えられる。この第3リフレッシュ電圧が、本発明の第3電圧に相当する。この第3電圧と第1電圧との差分|Vr1-Vs|である第2電圧変動量|Vr1-Vs|は第1電圧変動量|Vr2-Vs|よりも小さく設定されている。その後、第1電源107a’から変換素子501の第2電極506に、第1電位Vsが供給される。そして、駆動回路102により行単位で順次にスイッチ素子202が導通状態とされることにより、変換素子に初期の電圧|Vs-Vref|が与えられる。このように、第3リフレッシュ動作R3では、第2リフレッシュ動作R2よりも小さい電圧変動量が変換素子に与えられることにより、第2リフレッシュ動作R2で増大したノイズを低減できる。ここで、不純物半導体層505がn型の不純物半導体からなる場合、第1電圧は、Vs-Vref>0、つまり正極性の電圧となる。このような場合、第2電圧は、Vr2-Vref≦0、つまり0以下の電圧となることが望ましい。この場合、第1電圧変動量は、第1電圧の1倍以上となる。これにより、第2リフレッシュ動作R2におけるMIS型変換素子に与えられる電圧と、撮像動作におけるMIS型変換素子に与えられる電圧と、の極性が反転することとなる。そのため、半導体層504と絶縁層503との間に蓄積された正孔をすべて第2電極506に向かって移動させることが可能となり、残像が大きく低減される。一方、第3電圧は、Vr1-Vref>0、つまり正極性の電圧となっている。この場合、第2電圧変動量は、第1電圧の1倍未満となり、好ましくは0.5倍未満となる。これにより、第3リフレッシュ動作R3におけるMIS型変換素子に与えられる電圧と、撮像動作におけるMIS型変換素子に与えられる電圧と、の極性が反転しないこととなる。そのため、半導体層504と絶縁層503との間に蓄積された正孔が第2電極506に向かって移動する量を少なくすることが可能となり、ノイズが大きく低減される。このような場合、各電位の大小関係は、Vs>Vr1>Vref>Vr2となる。若しくは、第2電圧が、Vr2-Vref>0、つまり正極性の電圧であったとしても、第1電圧変動量が第1電圧の0.8倍以上で1倍未満であることが好ましい。このような場合、第2電圧変動量は第1電圧の0.5倍未満となることが好ましく、各電位の大小関係は、Vs>Vr1>Vr2>Vrefとなる。以上のことは、不純物半導体層505がp型の不純物半導体からなる場合には、符号及び大小関係が全て逆となることは言うまでもない。なお、本実施形態では、第3電位は撮像準備動作や撮像動作におけるリフレッシュ用の電位と同じ値であるVr1として説明したが、本発明はそれに限定されるものではない。第3電位は、撮像準備動作や撮像動作におけるリフレッシュ用の電位と第2リフレッシュ電位の間の電位であって、第2電圧変動量が上記の関係を満たす電位であればよい。不純物半導体層505がn型の不純物半導体からなる場合には、第3電圧は、Vr3-Vref>0であり、各電位の大小関係はVs>Vr1>Vr3>Vr2となる。このことは、不純物半導体層505がp型の不純物半導体からなる場合には、符号及び大小関係が全て逆となることは言うまでもない。また、本実施形態では、第2電位を一つの電位Vr2として説明したが、本発明はそれに限定されるものではない。図10A及び図10Bに示すように、第1撮像間動作に変換素子501の第2電極506に与える電位として、Vr2に加えて、Vr2とVr1の間の電位Vr2’を別途供給して、第2リフレッシュ動作R2’を行ってもよい。この場合、第2リフレッシュ動作R2’では、まず第1電源107a’から変換素子501の第2電極506に、第2電圧Vr2が供給される。そして、駆動回路102により行単位で順次にスイッチ素子202が導通状態とされることにより、変換素子にリフレッシュ電圧|Vr2-Vref|が与えられる。次に、第1電源107a’から変換素子501の第2電極506に、電位Vr2’が供給される。そして、駆動回路102により行単位で順次にスイッチ素子202が導通状態とされることにより、変換素子にリフレッシュ用の第2’電圧|Vr2’-Vref|が与えられる。この電圧|Vr2-Vref|及び|Vr2’-Vref|が、本発明の第2電圧に相当する。その後、第1電源107a’から変換素子501の第2電極506に、第1バイアス電位Vsが供給される。そして、駆動回路102により行単位で順次にスイッチ素子202が導通状態とされることにより、変換素子に初期の電圧|Vs-Vref|が与えられる。また、各撮像間動作において、各蓄積動作を設けずに各初期化動作のみを行ってもよい。そのような場合に、変換素子に与えられる電圧は徐々に変動するようにしてもよい。なお、本発明の各実施形態は、例えば制御部106に含まれるコンピュータや制御コンピュータ108がプログラムを実行することによって実現することもできる。また、プログラムをコンピュータに供給するための手段、例えばかかるプログラムを記録したCD-ROM等のコンピュータ読み取り可能な記録媒体又はかかるプログラムを伝送するインターネット等の伝送媒体も本発明の実施形態として適用することができる。また、上記のプログラムも本発明の実施形態として適用することができる。上記のプログラム、記録媒体、伝送媒体及びプログラムプロダクトは、本発明の範疇に含まれる。また、第1又は第2の実施形態から容易に想像可能な組み合わせによる発明も本発明の範疇に含まれる。本発明は上記実施の形態に制限されるものではなく、本発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、本発明の範囲を公にするために以下の請求項を添付する。