原子比における組成式がNi100-X-NbX、20≦X≦70で表され残部不可避的不純物でなることを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板密着膜。膜厚が50nm以下、表面粗さRaが0.3nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の磁気記録媒体用ガラス基板密着膜。上述した特許文献1に開示されるガラス基板密着膜は、ガラス基板との密着性が高い非磁性のアモルファス密着膜であり、有効な手段であるが、高価な金属であるTaを使用しているという問題があった。本発明の目的は、従来の高価な元素を使用したNi-Ta合金でなるガラス基板密着膜よりも安価な合金を使用しても、同等な膜特性を得ることができる磁気記録媒体用のガラス基板密着膜を提供することである。本発明者らは、垂直磁気記録媒体に用いられるガラス基板密着膜について、従来のNi-Ta合金に替わる合金について種々検討した。そして、Ni-Nb合金を選択し、NiとNbの組成比について種々の検討を行った結果、ガラス基板との密着性が高く且つ耐食性に優れた非磁性のアモルファス構造を有するガラス基板密着膜に好適な組成範囲を見出し本発明に到達した。すなわち本発明は、原子比における組成式がNi100-X-NbX、20≦X≦70で表され残部不可避的不純物でなる磁気記録媒体用ガラス基板密着膜である。本発明の磁気記録媒体用ガラス基板密着膜は、その膜厚が50nm以下、表面粗さRaが0.3nm以下であることが好ましい。本発明は、ガラス基板との密着性が高く且つ耐食性に優れた非磁性のアモルファス構造を有するガラス基板密着膜を安価に提供でき、垂直磁気記録媒体を製造する上で有効な技術となる。上述したように、本発明の重要な特徴は、ガラス基板との密着性が高く且つ耐食性に優れた非磁性のアモルファス構造を有するガラス基板密着膜を実現するための最適な組成範囲を見出した点にある。まず、本発明のガラス基板密着膜を構成するNi-Nb合金に関して説明する。本発明の磁気記録媒体用ガラス基板密着膜を構成するNi-Nb合金は、主成分としてのNiにNbを20~70原子含有する。本発明でNiを主成分としたのは、Niが、ガラス基板との密着性が高く、耐食性にも優れる元素であるためである。また、Nbを添加元素として選択したのは、主成分のNiに対し、深い共晶型の状態図を示すことから、アモルファス形成能を有する元素であるためである。また、Nbは、電位-pH図においてpHの広範囲に亘って緻密な不動態被膜を形成することが示されていることから、ガラス基板密着膜の耐食性を向上させる効果もある。そして、NbはTaよりも埋蔵量が多く、価格が安価で入手が容易である。Nbの添加量が20原子未満または70原子を超えると、アモルファスを形成する効果が小さくなり、結晶粒界に起因した凹凸が形成されるため、ガラス基板密着膜の平坦性を確保するためには、Nbを20~70原子の範囲にすることが重要である。また、ガラス基板密着膜のアモルファス性を向上させて、表面粗さを低減するために、40~60原子にすることがより好ましい。また、本発明のガラス基板密着膜は、その膜厚を50nm以下とすることが好ましい。それは、ガラス基板密着膜の膜厚が50nmを超えると、膜応力が大きくなり膜が剥れやすくなる上、ガラス基板密着膜を形成するのに時間がかかり、生産性が低下するためである。また、ガラス基板に含まれるアルカリ金属等の汚染元素の拡散を防止するために膜厚は、5nm以上であることが好ましい。また、本発明のガラス基板密着膜は、その表面粗さをJISB06012001年に準ずる算術平均粗さRaで0.3nm以下にすることが好ましい。それは、ガラス基板密着膜の上層に形成される軟磁性膜の膜厚が数十nm~数百nmと厚いため、ガラス基板密着膜の表面粗さがRaで0.3nmを超えると、軟磁性膜の表面平坦性が低下し、垂直磁気記録膜の形成およびヘッドの浮上性に悪影響を及ぼすためである。また、本発明のガラス基板密着膜の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法および化学気相成長法を用いることができる。中でも、Ni-Nb合金のガラス基板密着膜と同一組成のターゲット材を用意して、スパッタリングして薄膜を形成するスパッタリング法が、高速で安定した膜が形成できるため、好ましい。また、ガラス基板密着膜を形成するNi-Nb合金スパッタリングターゲット材の製造方法としては、溶解鋳造法や粉末焼結法が適用可能である。溶解鋳造法では、鋳造インゴット、もしくは、鋳造インゴットに塑性加工や加圧加工を加えたバルク体とすることで製造可能となる。粉末焼結法では、ガスアトマイズ法でNi-Nb合金の最終組成の合金粉末を製造し原料粉末とすることや、合金粉末や純金属粉末をNi-Nb合金の最終組成となるように混合した混合粉末を原料粉末とすることが可能である。原料粉末の焼結方法としては、熱間静水圧プレス、ホットプレス、放電プラズマ焼結、押し出しプレス焼結等の加圧焼結を用いることが可能である。また、本発明は、Nbを選択することにより、ガラス基板密着膜を形成するためのスパッタリングターゲットを粉末焼結法で製造する場合には、次の利点がある。一つ目に、Nbの密度は、8.57×103kg/m3であり、Taの密度16.69×103kg/m3に比べて、Niの密度8.908×103kg/m3に近いため、原料粉末を混合において、均一な混合ができ、均一なミクロ組織を有するスパッタリングターゲットが得られる。二つ目に、Nbの融点は2468°Cであり、Taの融点2980°Cに比べて低いため、焼結を進行させやすく、空孔の少ないスパッタリングターゲットが得られる。三つ目に、ミクロ組織に形成されるNiNb合金相は、NiTa合金相に比べて硬さが低いため、割れ難いスパッタリングターゲットが得られる。以下の実施例で本発明を更に詳しく説明する。本発明例1ガラス基板密着膜用のNi-Nb合金スパッタリングターゲットを作製するために、それぞれ純度99.9以上の平均粒径10μmのNi粉末と平均粒径90μmのNb粉末を準備し、原子比でNi62.5-Nb37.5合金組成となるように秤量し、V型混合機により混合して混合粉末を作製した。次に、得られた混合粉末を軟鋼カプセルに充填し、脱気封止した後、温度950°C、圧力150MPa、保持時間1時間の条件で熱間静水圧プレスによって焼結し、焼結体を作製した。得られた焼結体に機械加工を施し、直径180mm×厚さ6mmのNi-Nb合金スパッタリングターゲットを作製した。上記で作製したNi-NbターゲットとCカーボンターゲットをDCマグネトロンスパッタ装置キャノンアネルバ株式会社製型式番号:3010のチャンバ1、チャンバ2内にそれぞれ配置し、各チャンバ内を真空到達温度2×10-5Pa以下となるまで排気を行った後、寸法50mm×25mmのガラス基板上に膜厚40nmのNi-Nb合金ガラス基板密着膜をスパッタリング成膜し、相構造評価、表面粗さ評価、ガラス密着性評価用の試料をそれぞれ作製した。また、寸法50mm×25mmのガラス基板上に膜厚40nmのガラス基板密着膜、保護膜として膜厚5nmのCカーボンを順に成膜し、耐食性評価用に試料を作製した。なお、ガラス基板密着膜のスパッタリング条件は、Arガス圧0.67Pa、投入電力1500Wで、Cカーボンのスパッタリング条件は、Arガス圧0.60Pa、投入電力1500Wで行った。本発明例2ガラス基板密着膜用のNi-Nb合金スパッタリングターゲットを作製するために、それぞれ純度99.9以上の平均粒径10μmのNi粉末と平均粒径90μmのNb粉末を準備し、原子比でNi59.5-Nb40.5合金組成となるように、秤量し、V型混合機により混合して混合粉末を作製した。次に、得られた混合粉末を軟鋼カプセルに充填し、脱気封止した後、温度950°C、圧力150MPa、保持時間1時間の条件で熱間静水圧プレスによって焼結し、焼結体を作製した。得られた焼結体に機械加工を施し、直径180mm×厚さ6mmのNi-Nb合金スパッタリングターゲットを作製した。上記で作製したターゲットを用いて、本発明例1と同様の条件でガラス基板密着膜をスパッタリング成膜し、相構造評価、表面粗さ評価、ガラス密着性評価、および耐食性評価用の試料をそれぞれ作製した。本発明例3ガラス基板密着膜用のNi-Nb合金スパッタリングターゲットを作製するため、それぞれ純度99.9以上の平均粒径10μmのNi粉末と平均粒径90μmのNb粉末を準備し、原子比でNi50.0-Nb50.0合金組成となるように、秤量し、V型混合機により混合して混合粉末を作製した。次に、得られた混合粉末を軟鋼カプセルに充填し、脱気封止した後、温度950°C、圧力150MPa、保持時間1時間の条件で熱間静水圧プレスによって焼結し、焼結体を作製した。得られた焼結体に機械加工を施し、直径180mm×厚さ6mmのNi-Nb合金スパッタリングターゲットを作製した。上記で作製したターゲットを用いて、本発明例1と同様の条件でガラス基板密着膜をスパッタリング成膜し、相構造評価、表面粗さ評価、ガラス密着性評価、および耐食性評価用の試料をそれぞれ作製した。従来例1ガラス基板密着膜用のNi-Nb合金スパッタリングターゲットを作製するため、それぞれ純度99.9以上の平均粒径25μmのNi粉末と平均粒径20μmのTa粉末を準備し、原子比でNi62.5-Ta37.5合金組成となるように、秤量し、V型混合機により混合して混合粉末を作製した。次に、得られた混合粉末を軟鋼カプセルに充填し、脱気封止した後、温度1250°C、圧力150MPa、保持時間2時間の条件で熱間静水圧プレスによって焼結し、焼結体を作製した。得られた焼結体に機械加工を施し、直径180mm×厚さ6mmのNi-Ta合金スパッタリングターゲットを作製した。上記で作製したターゲットを用いて、本発明例1と同様の条件でガラス基板密着膜をスパッタリング成膜し、相構造評価、表面粗さ評価、ガラス密着性評価、および耐食性評価用の試料をそれぞれ作製した。相対密度得られたスパッタリングターゲットの相対密度を表1に示す。尚、相対密度とは、アルキメデス法により測定されたNi-Nb合金およびNi-Ta合金ターゲットのかさ密度をその理論密度で割った値を百分率で表した。相構造の評価上記でガラス基板寸法50mm×25mm上に形成した本発明例1、本発明例2、本発明例3、従来例1の各試料について、株式会社リガク製のX線回折装置型式番号:RINT2500Vを使用し、線源にCoを用いてX線回折測定を行った。その結果、全ての試料において、得られたX線回折パターンはブロードなピークであり、ガラス基板密着膜がアモルファス構造であることを確認した。表面粗さの評価上記でガラス基板寸法50mm×25mm上に形成した本発明例1、本発明例2、本発明例3、従来例1の各試料について、株式会社キーエンス製の原子間力顕微鏡型式番号:VN-8000を使用し、300nm×300nmの範囲の表面粗さを測定した。そして、得られた画像データから、JISB06012001年に準じて算術平均粗さRaを求めた。測定した結果を表1に示す。ガラス密着性の評価上記でガラス基板寸法50mm×25mm上に形成した本発明例1、本発明例2、本発明例3、従来例1の各の試料について、JISK5400に準じてガラス密着性の評価を行った。試験方法としては、ガラス基板密着膜に2mm間隔で碁盤目状に切り目を入れてマス目を作製した後、ガラス基板密着膜の表面にテープを貼り、引き剥がしたときのマス目に残るガラス基板密着膜の面積率で評価した。測定した面積率を表1に示す。耐食性の評価上記でガラス基板寸法50mm×25mm上に形成した本発明例1、本発明例2、本発明例3、従来例1の各試料について、純水で10に希釈した硝酸溶液50mL中に24時間浸漬させた後、硝酸10溶液中に溶出したNi量をICPにより分析した。測定したNi溶出量を表1に示す。表1に示すように、本発明例1、本発明例2、本発明例3のNi-Nb合金でなる磁気記録媒体用ガラス基板密着膜は、表面粗さRaが0.30nm以下で、ガラス基板との密着性が高く、耐食性に優れており、従来例1のNi-Ta合金である磁気記録媒体用ガラス基板密着膜と同等の膜特性を有していることが確認できた。