"原料成分が単結晶化する所定の単結晶化温度で該原料成分を含む原料粉体を噴射して単結晶を含む種基板上に該原料成分を含む膜を形成すると共に、前記形成した原料成分を含む膜を前記単結晶化温度のまま結晶化させる成膜結晶化工程、を含む結晶製造方法。前記成膜結晶化工程では、前記単結晶化温度が900°C以上である、請求項1に記載の結晶製造方法。前記成膜結晶化工程では、前記原料粉体に含まれる原料成分及び前記種基板が窒化物である、請求項1又は2に記載の結晶製造方法。前記成膜結晶化工程では、前記原料粉体に含まれる原料成分及び前記種基板が酸化物である、請求項1又は2に記載の結晶製造方法。前記成膜結晶化工程では、前記原料粉体を噴射して形成する膜の厚さが5μm以下である、請求項1~4のいずれか1項に記載の結晶製造方法。前記成膜結晶化工程では、前記原料粉体を長辺及び短辺を有するスリットから噴射すると共に該長辺に対して垂直方向に該スリットと該種基板とを相対的に走査し該種基板上に前記膜を形成したのち、該長辺方向に該スリットと該種基板とを相対的に走査し、その後、前記種基板上に形成された膜に隣接した領域に対して該長辺に対して垂直方向に該スリットと該種基板とを相対的に走査し前回形成された膜に隣接して今回の膜を形成する処理を繰り返すことにより、前記種基板上に前記膜を形成する、請求項1~5のいずれか1項に記載の結晶製造方法。前記成膜結晶化工程では、大気圧より低い気圧の雰囲気中で前記原料粉体を前記種基板上に噴射するエアロゾルデポジション法により前記膜を形成すると共に、前記膜を結晶化させる、請求項1~6のいずれか1項に記載の結晶製造方法。前記成膜結晶化工程では、大気圧又は大気圧以上の気圧の雰囲気中で前記原料粉体を前記種基板上に噴射するパウダージェットデポジション法により前記膜を形成すると共に、前記膜を結晶化させる、請求項1~6のいずれか1項に記載の結晶製造方法。次に、本発明を実施するための形態を図面を用いて説明する。図1は、本発明の結晶製造方法に用いる結晶製造装置20の構成の概略を示す構成図である。結晶製造装置20は、大気圧より低い気圧の雰囲気下で原料粉体を種基板上に噴射するエアロゾルデポジション法AD法に用いられる装置として構成されている。この結晶製造装置20は、原料成分を含む原料粉体のエアロゾルを生成するエアロゾル生成部22と、原料粉体を種基板21に噴射して原料成分を含む膜を形成すると共にこの膜を結晶化させる結晶生成部30とを備えている。エアロゾル生成部22は、原料粉体を収容し図示しないガスボンベからの搬送ガスの供給を受けてエアロゾルを生成するエアロゾル生成室23と、生成したエアロゾルを結晶生成部30へ供給する原料供給管24とを備えている。原料供給管24の結晶生成部30側には、エアロゾルを予備加熱する予備加熱ヒーター26が配設されており、予備加熱したエアロゾルが結晶生成部30へ供給されるようになっている。結晶生成部30は、種基板21にエアロゾルを噴射する真空チャンバー31と、真空チャンバー31内に設けられた部屋状の断熱材32と、断熱材32の内部に配設され種基板21を固定する基板ホルダ34と、基板ホルダ34をX軸-Y軸方向に移動するX-Yステージ33と、を備えている。また、結晶生成部30は、断熱材32の内部に配設され種基板21を加熱する加熱部35と、先端にスリット37が形成されエアロゾルを種基板21へ噴射する噴射ノズル36と、真空チャンバー31を減圧する真空ポンプ38と、を備えている。この結晶製造装置20では、真空チャンバー31内において、原料粉体が単結晶化する温度、例えば900°C以上の加熱処理を行えるように、石英ガラスやセラミックスなどの部材を用いて各々が構成されている。この結晶製造装置20を利用する結晶製造方法について以下説明する。[成膜結晶化工程]この工程では、原料成分が単結晶化する所定の単結晶化温度で、この原料成分を含む原料粉体を噴射して単結晶からなる種基板上に原料成分を含む膜を形成する成膜処理を行うと共に、原料を含む膜を所定の単結晶化温度のまま結晶化させる結晶化処理を行う。成膜処理において、原料成分を含む原料粉体としては、単結晶を作製するものであれば特に限定されないが、例えば、酸化物や窒化物、炭化物を含む粉体などが挙げられる。このうち、酸化物としてはZnOなどが挙げられる。また、窒化物としては、例えば、GaN、AlN、InN、これらの混晶AlGaInNなどが挙げられ、このうちGaNが好ましい。また、炭化物としては、例えば、SiCなどが挙げられる。原料粉体は、AD法においては、凝集のない1次粒子粒子内に粒界を含まない粒子が好ましく、粒径は、例えば、0.05μm以上10μm以下が好ましく、0.2μm以上2μm以下がより好ましい。この粒径は、レーザ回折/散乱式粒度分布測定装置を用いて分散媒有機溶剤や水などに分散させて測定したメディアン径D50をいうものとする。なお、原料粉体は予めボールミル、遊星ボールミル、ジェットミル等によるミル処理を行ってもよい。これにより粒子の表面性状や結晶性が変化し、AD法における成膜速度を向上することが可能となる。また、原料粉体に対し、熱処理を行ってもよい。これによりAD法により成膜された膜の緻密度を向上することが可能となる。成膜処理において、種基板は、原料成分と同じ成分からなるものとしてもよく、例えば、酸化物や窒化物、炭化物などが挙げられる。この種基板は、単結晶を含むものであればよく、例えば、単結晶基板でもよいし、表面に単結晶膜が形成された支持基板でもよい。このうち、単結晶基板であることがより好ましい。成膜処理の温度は、例えば、原料成分からなる成膜体が単結晶化する所定の単結晶化温度で行うものとする。例えば、単結晶化温度は、原料成分の種別例えばGaNや結晶構造、さらには結晶粒径や緻密度などの成膜体の微構造に応じて単結晶化が進行する温度に経験的に求めるものとする。この単結晶化温度は、例えば、900°C以上としてもよいし、1000°C以上としてもよいし、1200°C以上としてもよい。この単結晶化温度は、原料粉体の融点もしくは分解温度よりも低い範囲とすることが好ましい。成膜処理において、搬送ガス及び圧力調整ガスは、不活性ガスであることがより好ましく、例えば原料粉体が窒化物であるときには、N2ガスが好ましい。噴射条件としては、室温にて噴射したときに膜が形成され、その膜組織として、結晶子径が100nm以下で、緻密度が95以上となるように、搬送ガスおよび圧力調整ガス、真空チャンバーの圧力を調整することが好ましい。こうすることで、単結晶化温度が低くできる。結晶子径はTEM観察から、緻密度は断面SEM観察による画像解析から測定できる。噴射ノズルは、長辺及び短辺を有するスリットが形成されていることが好ましい。このスリットは、長辺が1mm以上10mm以下の範囲で形成してもよく、短辺が0.1mm以上1mm以下の範囲で形成してもよい。原料粉体を噴射して形成する膜の厚さは、5μm以下であることが好ましく、3μm以下であることがより好ましい。この膜の厚さは、0.1μm以上であることが好ましい。この膜の厚さを5μm以下とすると、緻密性がより向上する。この成膜処理において、原料粉体を長辺及び短辺を有するスリットから噴射する際には、このスリットを走査するものとしてもよい。スリットの走査は、特に限定されないが、成膜処理を同じ領域に対して数回行う、即ち重ね塗りとなるよう行うものとしてもよい。図2は、スリット37の走査方法の説明図である。図2に示すように、成膜する際は、原料粉体を長辺及び短辺を有するスリットから噴射すると共にこの長辺に対して垂直方向にスリットと種基板とを相対的に走査して種基板上に膜を形成する第1成膜領域21a。ここで、図1の結晶製造装置20では、X-Yステージ33により種基板21を移動させるものとするが、噴射ノズル36側を移動させるものとしてもよい。次に、長辺方向にスリットと種基板とを相対的に走査し、その後、種基板上に形成された膜に隣接した領域に対して長辺に対して垂直方向にスリットと種基板とを相対的に走査し前回形成された膜に隣接して今回の膜を形成する第2成膜領域21b。そして、これらの操作処理を繰り返し行うものとしてもよい。このような走査を複数回行うことにより、比較的大きな面積の単結晶を得ることができ、また、各回の成膜のインターバルが全面について同程度となり、均質な単結晶が得られる。さらには、生成する単結晶の厚さを制御することができる。ここでは、矩形を描くようにスリットを走査させるものとしたが、8の字を描くようにスリットを走査させてもよいし、ジグザグにスリットを走査させてもよいし、スリットを往復させてもよい。スリットの走査は、後述する結晶化処理によって、膜が結晶化する時間に応じた走査速度で行うことが好ましい。この走査速度は、原料の種別、単結晶化温度に応じて経験的に求めることができ、例えば、0.1mm/s以上10mm/s以下の範囲とすることが好ましい。なお、原料粉体を重ねて噴射する際には、先に噴射して形成された膜が結晶化済みとなった上に重ねて次の噴射を行ってもよいし、先に噴射して形成された膜が結晶化していない上に重ねて次の噴射を行ってもよい。この成膜処理において、例えば、単結晶化していない部分の厚さが2μm以下であれば、単結晶化していない部分が残っていてもよい。結晶化処理では、上述した成膜処理の温度単結晶化温度のまま処理を行う。この結晶化処理では、成膜処理において基板上に形成された原料粒子からなる膜を、単結晶化温度中に置くことにより結晶化させる処理である。この単結晶化温度は、成膜処理で説明したものと同じであり、例えば、900°C以上としてもよいし、1000°C以上としてもよいし、1200°C以上としてもよい。この単結晶化温度は、原料粉体の融点よりも低い範囲とすることが好ましい。図3は、結晶化処理の説明図である。図3に示すように、成膜処理において、噴射された原料粒子が基板種基板に衝突して基板上で衝撃固化し成膜体39が生成する。この成膜処理を行っている雰囲気が単結晶化温度であることから、衝撃固化した原料粒子が順次、固相結晶成長し単結晶化する。あるいは配向性及び緻密性の高い結晶成長が起きる。このようにして、3次元的に配向した結晶を得ることができるのである。なお、得られる結晶体は、単結晶であることが好ましいが、単結晶ではない部分を含んでいてもよいし、多結晶であって且つ3次元的に配向したものであってもよい。以上説明した実施形態の結晶製造方法によれば、配向性及び緻密性がより良好な結晶を作製することができる。また、空隙が極めて少なく且つ厚い結晶体単結晶を得ることができる。この理由は、例えば、本発明の結晶製造方法では、単結晶化する熱処理条件化で成膜を行うことから、成膜された緻密な膜組織が順次、単結晶化しながら厚さを増すため、空隙が発生しにくく、配向性及び緻密性がより良好な結晶を作製することができるものと推察される。また、単結晶化温度で原料粒子を噴射すればよいため、融点が非常に高い原料粉体例えば窒化物、又は分解しやすい原料粉体例えば炭化物を用いて容易に結晶成長させることができる。なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。例えば、上述した実施形態では、大気圧より低い気圧中で原料粉体を種基板上に噴射するエアロゾルデポジション法に用いられる結晶製造装置20を利用するものとしたが、特にこれに限定されず、図4に示すように、大気圧の気圧中又は大気圧以上の気圧の雰囲気中で原料粉体を種基板上に噴射するパウダージェットデポジション法に用いられる結晶製造装置50を利用するものとしてもよい。図4は、本発明の結晶製造方法に用いる結晶製造装置50の構成の概略を示す構成図である。結晶製造装置50は、原料粉体及び搬送ガスを含む原料流体を生成するジェットパウダー生成部52と、原料粉体を種基板51に噴射して原料成分を含む膜を形成すると共にこの膜を結晶化させる結晶生成部60とを備えている。ジェットパウダー生成部52は、原料粉体を収容し図示しないガスボンベからの搬送ガスの供給を受ける圧力タンク53と、生成したエアロゾルを結晶生成部60へ供給する原料供給管54とを備えている。原料供給管54の結晶生成部60側には、原料流体を予備加熱する予備加熱ヒーター56が配設されており、予備加熱した原料流体が結晶生成部60へ供給されるようになっている。結晶生成部60は、常圧下で種基板51に原料流体を噴射するチャンバー61と、チャンバー61内に設けられた部屋状の断熱材62と、断熱材62の内部に配設され種基板51を固定する基板ホルダ64と、基板ホルダ64をX軸-Y軸方向に移動するX-Yステージ63と、を備えている。また、結晶生成部60は、断熱材62の内部に配設され種基板51を加熱する加熱部65と、先端にスリット67が形成され原料流体を種基板51へ噴射する噴射ノズル66と、を備えている。この結晶製造装置50では、チャンバー61内において、原料粉体が単結晶化する温度、例えば900°C以上の加熱処理を行えるように、石英ガラスやセラミックスなどの部材により各々が構成されている。そして、この結晶製造装置50を用い、原料成分が単結晶化する所定の単結晶化温度で、この原料成分を含む原料粉体を噴射して単結晶からなる種基板上に原料成分を含む膜を形成する成膜処理を行うと共に、原料を含む膜を所定の単結晶化温度のまま結晶化させる結晶化処理を行う成膜結晶化工程を実行する。このとき、噴射条件として、室温にて噴射したときに膜が形成され、その膜組織として、結晶子径が100nm以下で、緻密度が95以上となるように、搬送ガス、チャンバーの圧力を調整するものとしてもよい。その他の条件は、上述したAD法の条件に準じて行うことができる。こうしても、配向性及び緻密性がより良好な結晶を作製することができる。上述した実施形態では、結晶製造装置20において、断熱材32の内部に配設された加熱部35により種基板21を含む成膜室断熱材32の内側全体を加熱するものとしたが、特にこれに限定されない。成膜室断熱材32の内側の温度制御は成膜室内部の加熱部35ヒーターに加え、基板部分のみを別の加熱源により加熱してもよい。例えば、図5に示すように、加熱部35に加えて、真空チャンバー31の外部から種基板21を加熱する加熱装置70を用いるものとしてもよい。図5は、結晶製造装置20Bの構成の概略を示す構成図である。この結晶製造装置20Bは、結晶製造装置20図1参照に加えてレーザーを照射する加熱装置70が配設されている。ここでは、結晶製造装置20Bにおいて、結晶製造装置20と同様の構成については同じ符号を付してその説明を省略する。結晶製造装置20Bは、加熱装置70と基板ホルダ34との間において、真空チャンバー31に透過窓71が配設され、断熱材32に透過窓72が配設されており、加熱装置70からのレーザーを基板ホルダ34上に照射可能となっている。加熱装置70は、基板ホルダ34上へのレーザーの照射範囲を調整可能な光学系73と、加熱用のレーザーを発生させるレーザー発生装置74とを備えている。この結晶製造装置20Bでは、レーザー発生装置74で発生したレーザーを、光学系73及び透過窓71,72を介して基板ホルダ34上の種基板21へ照射することにより種基板21の全体または一部を加熱可能に構成されている。基板部分の加熱源は特に限定されるものではなく、例えばCO2レーザー、YAGレーザー、エキシマレーザー、半導体レーザーといった各種レーザーに加え、赤外線ランプなどを適用可能である。赤外線ランプはチャンバー内の種基板付近に設置し、基板部分を加熱してもよいし、チャンバー外に設置し、赤外線導入ロッドを用いて赤外光を導入してもよい。上記加熱源によれば、加熱部35の出力を抑えられ、単結晶作製時のエネルギー使用量を低減することができる。また、直接的に種基板21を加熱可能であり、結晶生成部30に求められる耐熱性が低減するため、結晶製造装置20を構成する部材の選択性及び耐久性をより向上することができる。なお、基板部分のみを加熱する加熱源のみにより種基板21を加熱すると、種基板21とエアロゾルのガス流との温度差により基板表面からガス流が押し返されるという現象を含む熱泳動効果の影響により、成膜が困難となることがある。このため、成膜室全体を加熱する加熱部35と基板部分のみを加熱する加熱源加熱装置70とを併用し、成膜室と種基板21の温度差を所定範囲内にすることが好ましい。成膜室と種基板21の温度差は700°C以下とすることが好ましい。上述した実施形態では、噴射ノズルにはスリットが設けられているものとしたが、原料粉体を噴射することができれば、特にこれに限定されず、円形や楕円形、多角形の孔としてもよい。上述した実施形態では、結晶製造装置20,20Bや結晶製造装置50を用いるものとしたが、特にこれに限定されず、成膜結晶化工程を実行可能であれば、結晶製造装置20,20Bや結晶製造装置50以外の装置を用いるものとしてもよい。以下には、結晶製造方法を具体的に製造した例を実施例として説明する。[実施例1]原料粉体としてGaN粉体高純度化学研究所製、平均一次粒径0.2μm、種基板としてGaN単結晶基板13mm×18mm角、面を用いた。また、図1に示す、チャンバー内温度が1200°Cに対応するAD法の結晶製造装置を用いてGaN単結晶を製造した。製造条件として、まず噴射条件は、搬送ガス及び圧力調整ガスをN2とした。長辺5mm×短辺0.3mmのスリットが形成されたセラミックス製のノズルを用いた。また、ノズルのスキャン条件は、0.5mm/sのスキャン速度で、図2に示すように、スリットの長辺に対して垂直且つ進む方向に10mm移動、スリットの長辺方向に5mm移動、スリットの長辺に対して垂直且つ戻る方向に10mm移動、スリットの長辺方向且つ初期位置方向に5mm移動、とのサイクルを200サイクルとした。室温での1サイクルの成膜において、搬送ガスの設定圧力を0.06MPa、流量を6L/min、圧力調整ガスの流量を0L/min、チャンバー内圧力を100Pa以下に調整した。このとき、膜組織として結晶子径100nm以下、緻密度95以上となった。この噴射条件において、結晶成長条件として、単結晶が成長する温度である成膜室の温度を1050°Cとした。得られた単結晶は、厚さ0.5mmであった。[実施例2]原料粉体としてZnO粉体高純度化学研究所製、平均一次粒径0.5μm、種基板としてZnO単結晶基板10mm×10mm角、002面を用いた。結晶製造には実施例1と同様の装置を用い、AD法による成膜条件は、搬送ガス及び圧力調整ガスをHeとし、噴射ノズルのサイズを長辺10mm×短辺0.4mmとした以外は実施例1と同様である。このとき、膜組織として結晶子径100nm以下、緻密度98以上となった。この噴射条件において、結晶成長条件として、単結晶が成長する温度である成膜室の温度を1250°Cとした。得られた単結晶厚さは0.8mmであった。実施例3原料粉体種基板は実施例2と同様とし、実施例1又は2で使用した結晶製造装置20にレーザー加熱装置70を付加した結晶製造装置20Bを用いた図5参照。本装置により、成膜室の温度を800°Cとすると共に、CO2レーザーにより単結晶基板部分を1250°Cに加熱した。このときのレーザー出力は80W、ビーム径は10mmとした。ノズルサイズ、その他の成膜条件は実施例2と同様として単結晶を作製した。このとき得られた単結晶厚さは0.8mmであった。[比較例1]実施例1において、成膜室の温度を室温とし、スキャン数を20サイクルとし、種基板上に原料成分を含む膜を形成した。その後、1200°CN2雰囲気で1h熱処理を行い、形成した膜の結晶化を行った。このとき、900~1200°Cまでを50°C/hで昇温した。このように、成膜工程と結晶化工程とを別々の工程として得られたものを比較例1の結晶とした。得られた単結晶の厚さは、0.04mmであった。なお、スキャン数を増やしても厚さはほとんど変わらなかった。[電子顕微鏡SEM撮影]作製した実施例1~3及び比較例1の評価として、断面のSEM撮影を行った。SEM撮影は、走査型電子顕微鏡日本電子製JSM-6390を用いた。試料は、膜面に沿って研磨し、倍率1000倍で観察した。このとき、実施例1では空隙が確認できなかったのに対し、比較例1では空隙が20個以上観察された。また、実施例2,3の単結晶について、実施例1と同様の方法で断面のSEM観察を行ったところ、実施例2,3についても空隙は確認されなかった。また、膜面に対するXRD測定装置ブルカーAXS社製、D8ADVANCEによりXRDプロファイルを測定したところ、実施例1では、面による回折ピークのみが観測され、さらに膜表面に現れるモフォロジーである正六角形の面内の向きが揃っていることから、単結晶化が確認された。また、実施例2,3の膜面に対するXRDプロファイルを測定したところ、002面による回折ピークのみが観測され、さらに膜表面に現れるモフォロジーである正六角形の面内の向きが揃っていることから、実施例2,3についても単結晶化が確認された。一方、比較例1では002以外の回折ピークも観測され、単結晶化の度合いが低いことが確認された。本出願は、2010年11月2日に出願された日本国特許出願第2010-245948号、2011年3月10日に出願された日本国特許出願第2011-052458号、及び2011年8月26日に出願された日本国特許出願第2011-184848号を優先権主張の基礎としており、引用によりその内容の全てが本明細書に含まれる。"