"n形GaN及びn形AlGaNの少なくともいずれかを含む第1層と、p形AlGaNを含む第2層と、前記第1層と前記第2層との間に設けられた発光部であって、障壁層と井戸層とを含む発光部と、前記第1層と前記発光部との間に設けられ、AlGaInNを含む複数の第3層と、前記複数の第3層と交互に積層されGaInNを含む複数の第4層と、を含む第1積層構造体と、前記第1層と前記第1積層構造体との間に設けられ、GaNを含む複数の第5層と、前記複数の第5層と交互に積層されGaInNを含む複数の第6層と、を含む第2積層構造体と、を備えた半導体発光素子。前記障壁層の厚さよりも薄い前記第3層の厚さ、前記井戸層の厚さよりも薄い前記第4層の厚さ、前記障壁層の厚さよりも薄い前記第5層の厚さ、及び、前記井戸層の厚さよりも薄い前記第6層の厚さの少なくともいずれかを有する、請求項1記載の半導体発光素子。前記障壁層は複数設けられ、前記複数の障壁層は、Alx1Ga1-x1-y1Iny1N0<x1、0≦y1、x1y1<1を含む第1障壁層と、Alx2Ga1-x2-y2Iny2N0<x2、0≦y2、x2y2<1を含む第2障壁層と、を含み、前記井戸層は、前記第1障壁層と前記第2障壁層との間に設けられ、前記井戸層は、Alx0Ga1-x0-y0Iny0N0≦x0、0<y0、x0y0<1、y1<y0、y2<y0を含む、請求項1または2に記載の半導体発光素子。前記第1障壁層におけるSi濃度は、前記第1積層構造体におけるSi濃度よりも高く、前記第2積層構造体におけるSi濃度は、第1積層構造体におけるSi濃度よりも低く、前記第2障壁層におけるSi濃度は、前記第2積層構造体におけるSi濃度よりも低い、請求項3記載の半導体発光素子。前記複数の第4層の合計の厚さと、前記井戸層の厚さと、の合計は、25ナノメートル以上45ナノメートル以下である、請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体発光素子。前記第1層は、サファイア層のc面を主面とした基板上に、Alx3Ga1-x3N0.8≦x3≦1を含む単結晶バッファ層を介して成長されたGaN層の上に設けられている、請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体発光素子。前記第1層は、サファイアからなる基板上に形成されたGaN層の上に形成され、前記発光部は、前記第1層の上に形成され、前記第2層は、前記発光部の上に形成され、前記基板が除去された、請求項1~6のいずれか1つに記載の半導体発光素子。n形GaN及びn形AlGaNの少なくともいずれかを含む第1層と、p形AlGaNを含む第2層と、前記第1層と前記第2層との間に設けられた発光部であって、障壁層と井戸層とを含む発光部と、前記第1層と前記発光部との間に設けられ、AlGaInNを含む第3層と、前記複数の第3層と交互に積層されGaInNを含む複数の第4層と、を含む第1積層構造体と、前記第1層と前記第1積層構造体との間に設けられ、GaNを含む複数の第5層と、前記複数の第5層と交互に積層されGaInNを含む複数の第6層と、を含む第2積層構造体と、を備えたウェーハ。前記障壁層の厚さよりも薄い前記第3層の厚さ、前記井戸層の厚さよりも薄い前記第4層の厚さ、前記障壁層の厚さよりも薄い前記第5層の厚さ、及び、前記井戸層の厚さよりも薄い前記第6層の厚さの少なくともいずれかを有する、請求項8記載のウェーハ。前記障壁層は複数設けられ、前記複数の障壁層は、Alx1Ga1-x1-y1Iny1N0<x1、0≦y1、x1y1<1を含む第1障壁層と、Alx2Ga1-x2-y2Iny2N0<x2、0≦y2、x2y2<1を含む第2障壁層と、を含み、前記井戸層は、前記第1障壁層と前記第2障壁層との間に設けられ、前記井戸層は、Alx0Ga1-x0-y0Iny0N0≦x0、0<y0、x0y0<1、y1<y0、y2<y0を含む、請求項8または9に記載のウェーハ。前記第1障壁層におけるSi濃度は、前記第1積層構造体におけるSi濃度よりも高く、前記第2積層構造体におけるSi濃度は、第1積層構造体におけるSi濃度よりも低く、前記第2障壁層におけるSi濃度は、前記第2積層構造体におけるSi濃度よりも低い、請求項10記載のウェーハ。前記複数の第4層の合計の厚さと、前記井戸層の厚さと、の合計は、25ナノメートル以上45ナノメートル以下である、請求項8~11のいずれか1つに記載のウェーハ。サファイア層のc面を主面とした基板と、前記基板上に設けられたAlx3Ga1-x3N0.8≦x3≦1を含む単結晶バッファ層と、前記単結晶バッファ層の上に設けられたGaN層と、をさらに備え、前記第1層は、前記GaN層の上に設けられている、請求項8~12のいずれか1つに記載のウェーハ。サファイア層のc面を主面とした基板上に、Alx3Ga1-x3N0.8≦x3≦1を含む単結晶バッファ層を形成し、前記単結晶バッファ層の上にGaN層を形成し、前記GaN層の上に、n形GaN及びn形AlGaNの少なくともいずれかを含む第1層を含むn形半導体層を形成し、前記n形半導体層の上に、GaNを含む複数の第5層と、GaInNを含む複数の第6層と、を交互に積層して第2積層構造体を形成し、前記第2積層構造体の上に、AlGaInNを含む複数の第3層と、GaInNを含む複数の第4層と、を交互に積層して、第1積層構造体を形成し、前記第1積層構造体の上に、井戸層を含む発光部を形成し、前記発光部の上に、p形AlGaNを含む第2層を含むp形半導体層を形成し、前記p形半導体層の形成の後に、前記基板を除去する、半導体発光素子の製造方法。サファイアからなる基板上に、有機金属気相成長法によりAlN層を形成し、前記AlN層の上に、有機金属気相成長法によりGaN層を形成し、前記GaN層の上に、n形GaN及びn形AlGaNの少なくともいずれかを含む第1層を含むn形半導体層を有機金属気相成長法により形成し、前記n形半導体層の上に、GaNを含む複数の第5層と、GaInNを含む複数の第6層と、を交互に積層して第2積層構造体を有機金属気相成長法により形成し、前記第2積層構造体の上に、AlGaInNを含む複数の第3層と、GaInNを含む複数の第4層と、を交互に積層して、第1積層構造体を有機金属気相成長法により形成し、前記第1積層構造体の上に、井戸層を含む発光部を有機金属気相成長法により形成し、前記発光部の上に、p形AlGaNを含む第2層を含むp形半導体層を有機金属気相成長法により形成する、半導体発光素子の製造方法。サファイアからなる基板上に、有機金属気相成長法によりAlN層を形成し、前記AlN層の上に、有機金属気相成長法によりGaN層を形成し、前記GaN層の上に、n形GaN及びn形AlGaNの少なくともいずれかを含む第1層を含むn形半導体層を有機金属気相成長法により形成し、前記n形半導体層の上に、GaNを含む複数の第5層と、GaInNを含む複数の第6層と、を交互に積層して第2積層構造体を有機金属気相成長法により形成し、前記第2積層構造体の上に、AlGaInNを含む複数の第3層と、GaInNを含む複数の第4層と、を交互に積層して、第1積層構造体を有機金属気相成長法により形成し、前記第1積層構造体の上に、井戸層を含む発光部を有機金属気相成長法により形成し、前記発光部の上に、p形AlGaNを含む第2層を含むp形半導体層を有機金属気相成長法により形成する、ウェーハの製造方法。本発明は、高効率に近紫外光を発光する半導体発光素子、ウェーハ及びそれらの製造方法を提供する。本発明の実施形態によれば、第1層と、第2層と、発光部と、第1積層構造体と、第2積層構造体と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記第1層は、n形GaN及びn形AlGaNの少なくともいずれかを含む。前記第2層は、p形AlGaNを含む。前記発光部は、前記第1層と前記第2層との間に設けられる。前記発光部は、障壁層と井戸層とを含む。前記第1積層構造体は、前記第1層と前記発光部との間に設けられる。前記第1積層構造体は、AlGaInNを含む複数の第3層と、前記複数の第3層と交互に積層されGaInNを含む複数の第4層と、を含む。前記第2積層構造体は、前記第1層と前記第1積層構造体との間に設けられる。前記第2積層構造体は、GaNを含む複数の第5層と、前記複数の第5層と交互に積層されGaInNを含む複数の第6層と、を含む。本発明の別の実施形態によれば、第1層と、第2層と、発光部と、第1積層構造体と、第2積層構造体と、を含むウェーハが提供される。前記第1層は、n形GaN及びn形AlGaNの少なくともいずれかを含む。前記第2層は、p形AlGaNを含む。前記発光部は、前記第1層と前記第2層との間に設けられる。前記発光部は、障壁層と井戸層とを含む。前記第1積層構造体は、前記第1層と前記発光部との間に設けられる。前記第1積層構造体は、AlGaInNを含む複数の第3層と、前記複数の第3層と交互に積層されGaInNを含む複数の第4層と、を含む。前記第2積層構造体は、前記第1層と前記第1積層構造体との間に設けられる。前記第2積層構造体は、GaNを含む複数の第5層と、前記複数の第5層と交互に積層されGaInNを含む複数の第6層と、を含む。本発明の別の実施形態によれば、半導体発光素子の製造方法が提供される。前記製造方法は、サファイア層のc面を主面とした基板上に、Alx3Ga1-x3N0.8≦x3≦1を含む単結晶バッファ層を形成することを含む。前記製造方法は、前記単結晶バッファ層の上にGaN層を形成することをさらに含む。前記製造方法は、前記GaN層の上に、n形GaN及びn形AlGaNの少なくともいずれかを含む第1層を含むn形半導体層を形成することをさらに含む。前記製造方法は、前記n形半導体層の上に、GaNを含む複数の第5層と、GaInNを含む複数の第6層と、を交互に積層して第2積層構造体を形成することをさらに含む。前記製造方法は、前記第2積層構造体の上に、AlGaInNを含む複数の第3層と、GaInNを含む複数の第4層と、を交互に積層して、第1積層構造体を形成することをさらに含む。前記製造方法は、前記第1積層構造体の上に、井戸層を含む発光部を形成することをさらに含む。前記製造方法は、前記発光部の上に、p形AlGaNを含む第2層を含むp形半導体層を形成することをさらに含む。前記製造方法は、前記p形半導体層の形成の後に、前記基板を除去することをさらに含む。本発明の別の実施形態によれば、半導体発光素子の製造方法が提供される。前記製造方法は、サファイアからなる基板上に、有機金属気相成長法によりAlN層を形成することを含む。前記製造方法は、前記AlN層の上に、有機金属気相成長法によりGaN層を形成することをさらに含む。前記製造方法は、前記GaN層の上に、n形GaN及びn形AlGaNの少なくともいずれかを含む第1層を含むn形半導体層を有機金属気相成長法により形成することをさらに含む。前記製造方法は、前記n形半導体層の上に、GaNを含む複数の第5層と、GaInNを含む複数の第6層と、を交互に積層して第2積層構造体を有機金属気相成長法により形成することをさらに含む。前記製造方法は、前記第2積層構造体の上に、AlGaInNを含む複数の第3層と、GaInNを含む複数の第4層と、を交互に積層して、第1積層構造体を有機金属気相成長法により形成することをさらに含む。前記製造方法は、前記第1積層構造体の上に、井戸層を含む発光部を有機金属気相成長法により形成することをさらに含む。前記製造方法は、前記発光部の上に、p形AlGaNを含む第2層を含むp形半導体層を有機金属気相成長法により形成することをさらに含む。本発明の別の実施形態によれば、ウェーハの製造方法が提供される。前記製造方法は、サファイアからなる基板上に、有機金属気相成長法によりAlN層を形成することを含む。前記製造方法は、前記AlN層の上に、有機金属気相成長法によりGaN層を形成することをさらに含む。前記製造方法は、前記GaN層の上に、n形GaN及びn形AlGaNの少なくともいずれかを含む第1層を含むn形半導体層を有機金属気相成長法により形成することをさらに含む。前記製造方法は、前記n形半導体層の上に、GaNを含む複数の第5層と、GaInNを含む複数の第6層と、を交互に積層して第2積層構造体を有機金属気相成長法により形成することをさらに含む。前記製造方法は、前記第2積層構造体の上に、AlGaInNを含む複数の第3層と、GaInNを含む複数の第4層と、を交互に積層して、第1積層構造体を有機金属気相成長法により形成することをさらに含む。前記製造方法は、前記第1積層構造体の上に、井戸層を含む発光部を有機金属気相成長法により形成することをさらに含む。前記製造方法は、前記発光部の上に、p形AlGaNを含む第2層を含むp形半導体層を有機金属気相成長法により形成することをさらに含む。本発明によれば、高効率に近紫外光を発光する半導体発光素子、ウェーハ及びそれらの製造方法が提供される。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式的断面図である。図1に表したように、本実施形態に係る半導体発光素子10は、n形GaN及びn形AlGaNの少なくともいずれかを含む第1層131と、p形AlGaNを含む第2層151と、第1層131と第2層151との間に設けられた発光部140と、を有する。第1層131、発光部140及び第2層151は、Z軸方向に沿って積層されている。第1層131は、例えばSiを含み、第2層151は、例えば、Mgを含む。発光部140は、第1障壁層141と、第2障壁層142と、井戸層143と、からなる単一量子井戸SQW:SingleQuantumWell構造を有する。第1障壁層141は、第1層131と第2層151との間に設けられる。第2障壁層142は、第1障壁層141と第2層151との間に設けられる。井戸層143は、第1障壁層141と第2障壁層142との間に設けられる。なお、第1障壁層141、井戸層143及び第2障壁層142は、Z軸方向に沿って積層されている。第1障壁層141は、Alx1Ga1-x1-y1Iny1N0<x1、0≦y1、x1y1<1を含む。第2障壁層142は、Alx2Ga1-x2-y2Iny2N0<x2、0≦y2、x2y2<1を含む。なお、x2はx1と同じでも良く、異なっても良い。また、y2は、y1と同じでも良く、異なっても良い。特に、x2<x1であると特に望ましい。井戸層143は、Alx0Ga1-x0-y0Iny0N0≦x0、0<y0、x0y0<1、y1<y0、y2<y0を含む。すなわち、井戸層143は、Ga1-y0Iny0N0<y0≦1、y1<y0、y2<y0を含む。井戸層143は、4.5ナノメートルnm以上9nm以下の厚さZ軸方向に沿った長さを有する。井戸層143は、近紫外光を放出する。井戸層143の発光のピーク波長は、例えば、380nm以上400nm以下である。すなわち、発光部140の発光のピーク波長は、例えば、380nm以上400nm以下である。すなわち、本実施形態に係る半導体発光素子10は、近紫外光を発光する。上記の構成を有することで、本実施形態に係る半導体発光素子10は、高効率に近紫外光を発光することができる。本具体例においては、第1層131として、Siを含有するn形閉じ込め層が用いられる。また、第2層151として、Mgを含有するp形AlGaNからなるp形閉じ込め層が用いられる。例えば、図1に表したように、半導体発光素子10においては、例えば、表面がサファイアc面からなる基板110の上に、AlNからなる第1バッファ層121が設けられ、その上にノンドープのGaNからなる第2バッファ層122格子緩和層が設けられる。具体的には、第1バッファ層121は、基板110の上に形成された高炭素濃度の第1AlNバッファ層121aと、第1AlNバッファ層121aの上に形成された高純度の第2AlNバッファ層121bと、を含んでいる。第1AlNバッファ層121aにおける炭素濃度は、第2AlNバッファ層121bにおける炭素濃度よりも高い。そして、第2バッファ層122の上に、Siドープのn形GaNからなるn形コンタクト層130、Siドープのn形閉じ込め層第1層131、発光部140、Mgドープのp形AlGaNからなるp形閉じ込め層第2層151、及び、Mgドープのp形GaNからなるp形コンタクト層150、が積層される。さらに、p形コンタクト層150の上に、例えばNiからなるp側電極160が設けられ、n形コンタクト層130には、例えばAl/Auの積層膜からなるn側電極170が設けられている。第1障壁層141には、例えばSiドープのn形AlGaInNを用いることができる。第2障壁層142には、AlGaInNを用いることができる。第2障壁層142には、Siがドープされても良く、Siがドープされなくても良く、また、第2障壁層142の一部にSiがドープされても良い。本実施形態に係る半導体発光素子10においては、井戸層143のバンドギャップが、第1障壁層141及び第2障壁層142のバンドギャップよりも小さい。井戸層143で発光した光が、半導体発光素子10に含まれる他の半導体層で吸収されることが抑制され、外部に高効率で取り出されることができる。これにより、高効率で近紫外光を発光する半導体発光素子が実現できる。以下、上記の各種の層の構成についての具体例を示す。ただし、本実施形態はこれには限らず、各種の変形が可能である。第1バッファ層121の厚さは、例えば、約2マイクロメートルμmとすることができる。第1AlNバッファ層121aの厚さは、例えば3nm以上20nm以下であり、第2AlNバッファ層121bの厚さは、例えば約2μm程度である。また、第2バッファ層122格子緩和層の厚さは、例えば2μmとすることができる。n形コンタクト層130におけるSi濃度は、例えば5×1018cm-3以上、2×1019cm-3以下とすることができる。また、n形コンタクト層130の厚さは、例えば、約6μmとすることができる。n形閉じ込め層第1層131には、例えばSiドープのn形GaNが用いられる。n形閉じ込め層におけるSi濃度は、例えば約2×1018cm-3とすることができる。n形閉じ込め層の厚さは、例えば0.5μmとすることができる。p形閉じ込め層第2層151には、例えば、Mgドープのp形Al0.25Ga0.75Nが用いられる。p形閉じ込め層の厚さは、例えば約24nmとすることができる。そして、p形閉じ込め層の第2障壁層142の側におけるMg濃度は、例えば約3×1019cm-3とされ、第2障壁層142とは反対の側p側電極160の側におけるMg濃度は、例えば1×1019cm-3とされることができる。p形コンタクト層150のp形閉じ込め層の側におけるMg濃度は、例えば約1×1019cm-3とされ、n形閉じ込め層とは反対の側本具体例ではp側電極160の側におけるMg濃度は、例えば5×1019cm-3以上9×1019cm-3以下とすることができる。井戸層143には、例えばGaInNを用いることができる。井戸層143の厚さは、4.5nm以上9nm以下である。井戸層143には、例えばGa0.93In0.07Nを用いることができる。井戸層143の厚さは、例えば約6nmとすることができる。発光部140井戸層143から放出される光は近紫外光となる。第1障壁層141には、例えば、Siドープのn形Al0.065Ga0.93In0.005Nを用いることができる。第1障壁層141におけるSi濃度は、例えば1×1019cm-3以上2×1019cm-3以下とすることができる。第1障壁層141の厚さは、例えば約13.5nmとすることができる。第2障壁層142には、例えばAl0.065Ga0.93In0.005Nを用いることができる。第2障壁層142の厚さは、例えば約6nmとすることができる。本実施形態に係る半導体発光素子10によれば、高効率に近紫外光を発光する半導体発光素子が提供される。本願発明者は以下に説明する実験結果と考察とに基づき、高効率に近紫外光を発光できる半導体発光素子の構成を構築した。窒化物半導体を用いた多くの半導体発光素子においては、複数の障壁層と、複数の井戸層と、が交互に積層された構成を有する多重量子井戸MQW:MultipleQuantumWell構造が採用されている。例えば窒化物半導体を用いた青色発光の半導体発光素子においてもMQW構造が採用されている。青色発光の半導体発光素子においては、井戸層におけるIn組成比は、0.15以上0.25以下とされる。このように高いIn組成比を有する井戸層を厚く形成すると、結晶の品質が低下し易い。このため、青色発光の半導体発光素子においては、井戸層の厚さは、2nm以上3nm以下に設定されることが多い。しかし、井戸層の厚さが薄いと、キャリアの井戸層への閉じ込め効果が低くなる。このため、青色発光の半導体発光素子においては、複数の井戸層を積層したMQW構造が採用される。一方、このような青色半導体発光素子の構成を基にして、近紫外光の半導体発光素子の開発が行われている。すなわち、MQW構造を採用した近紫外光の半導体発光素子に関する検討が精力的に行われている。本願発明者は、MQW構造を有する近紫外光の半導体発光素子の高効率化のために種々の検討を行った。この中で、MQW構造における障壁層及び井戸層の組みの一部の厚さを薄くする実験を行った。すなわち、MQW構造における一部の井戸層の厚さを薄くし、実質的に発光しない部分を設け、その際の発光効率を調べた。具体的には、n形半導体層の上に、厚さが2.5nmのGaN層と、厚さが1nmのGaInN層と、を交互に積層した結晶歪み緩和層を形成し、その上にMQW構造を有する発光部140を形成した。さらに、その上にp形半導体層を形成して半導体発光素子を形成し、この半導体発光素子の発光特性を評価した。このときの発光部140のMQW構造における井戸層の数は、例えば8層である。そして、MQW構造における障壁層例えば厚さ5nm及び井戸層例えば厚さ3.5nmの組みうちの一部の厚さを減らした。すなわち、障壁層に相当する部分の厚さを2.5nmとし、井戸層に相当する部分の厚さを1nmとした。そして、障壁層及び井戸層の組みのうちで厚さが薄い部分の数を種々変えて発光効率を測定した。この実験の結果、障壁層及び井戸層の組みうちの一部の厚さを減らしたときの発光効率は、減らさないときと同程度となる場合があることが判明した。実験を実施する前は、MQW構造における障壁層及び井戸層の組みの数を減らすと、発光効率が低下すると予測していた。しかし、実際の実験結果においては、障壁層及び井戸層の組みの数が少ない場合においても発光効率が高かった。この原因を解析すると、以下の現象が発生しているが分かった。すなわち、障壁層及び井戸層の組みの数が多いと、キャリアの閉じ込め効果が高くなる場合があり、これによって発光効率が向上する場合がある。さらに、障壁層及び井戸層の組みの数が多いと、障壁層及び井戸層のうちの一部が、結晶の品質を向上するバッファ層として機能することで、効率が向上する場合もあることが分かった。一方、障壁層及び井戸層の組みの数が多いと、複数の井戸層における特性が不均一になり、この結果、発光効率が低下する場合があることが分かった。例えば、複数の井戸層が設けられる場合は、p形半導体層に近い側の井戸層と、n形半導体層に近い側の井戸層と、において、キャリアの注入効率が異なり、このため、複数の井戸層において発光効率が異なることが発生する。さらに、ある井戸層で発光した光が別の井戸層によって吸収され、その結果、効率が低下する場合があることが判明した。すなわち、本願発明者は、MQW構造における障壁層及び井戸層の組みの数を減らしても発光効率が高い結果が得られることに着目し、その原因を解析することで、複数の井戸層の特性が不均一となり、また、一部の井戸層で発光した光が別の井戸層で吸収される現象を見出した。そして、この現象が、MQW構造における効率向上を実質的に制限していることを見出した。一方、MQW構造における複数の井戸層の特性を均一にするための種々の方策についても検討したが、実用的には、複数の井戸層の特性の均一性を現状よりも格段に向上させることは困難である。本願発明者は、MWQ構造における効率向上の妨げになる原因を追及することで、井戸層を複数設けない構造の方が結果的に有利になる場合があると推定した。そして、実際に井戸層を1つ有する近紫外光の半導体発光素子を作製して特性を評価したところ、MQW構造の場合よりも高い発光効率が得られた。本実施形態の構成は、上記のような実験結果とその解析結果に基づいて新たに得られた、複数の井戸層における不均一性及び光吸収の現象に関する知見に基づいて構築されたものである。すなわち、本実施形態に係る半導体発光素子10においては、n形GaN及びn形AlGaNの少なくともいずれかを含む第1層131と、p形AlGaNを含む第2層151と、第1層131と第2層151との間に設けられ、単一井戸構造を有する発光部140と、が設けられる。これにより、複数の井戸層における不均一性、及び、ある井戸層で発光した光が別の井戸層によって吸収されることによって効率が低下することがない。これにより、高効率に近紫外光を発光する半導体発光素子が得られる。本実施形態においては、井戸層143は1つ設けられるため、複数の井戸層が設けられる場合のキャリアの注入効率の不均一が生じない。本実施形態においては、井戸層143のバンドギャップは、他の層例えば、第1障壁層141、第2障壁層142、GaNを含む層、及び、AlGaNを含む層のバンドギャップよりも小さい。すなわち、本実施形態においては、バンドギャップが小さい層が1つ井戸層143であり、それ以外の層のバンドギャップはそれよりも大きい。このため、井戸層143において発光した光が他の層において吸収されることが抑制される。これにより、発光光が効率良く外部に取り出される。一方、複数の井戸層143を有する多重量子井戸構造の場合は、例えば、複数の井戸層143におけるバンドギャップが他の層に比べて小さい場合においても、複数の井戸層143どうしにおいては、互いにバンドギャップの大きさは実質的に同じであり、このため、1つの井戸層143で発光した光が他の井戸層143において吸収されることがある。このため、効率が低下する。なお、既に説明したように、青色発光のピーク波長が例えば450nm以上480nm以下で発光する半導体発光素子においては、井戸層におけるIn組成比が高いことから、4.5nm以上の厚さの井戸層を形成すると、GaN層と井戸層との格子不整に基づく歪が大き過ぎ、結晶の品質が低下して発光強度が低下する。一方、井戸層の厚さが4.5nmよりも薄い場合には、キャリアの井戸層への閉じ込めが弱く、SQW構造では発光効率の高い井戸層を形成することができないため、結果的に、MQW構造が採用される。これに対して、本実施形態に係る半導体発光素子10においては、近紫外光を発光させるため、井戸層143の厚さを4.5nm以上9nm以下と、青色発光の場合よりも厚くする。これにより、SQW構造においても、井戸層143へのキャリアの閉じ込め効果が十分高い。そして、井戸層143が1つであるため、複数の井戸層におけるキャリアの不均一が発生しない。この1つの井戸層143においては、特性の最も良好な仕様を適用できるため、結果として井戸層143における発光効率を最も高めることができる。さらに、複数の井戸層において発生する井戸層での吸収の現象がないので、光の取り出し効率も向上できる。このように、本実施形態係る半導体発光素子10によれば、高効率に近紫外光を発光する半導体発光素子が実現できる。本実施形態において、井戸層143として、例えばGa0.93In0.07Nを用い、井戸層143の厚さは4.5nm以上9nm以下とされる。本願発明者の検討によれば、井戸層143の厚さが4.5nmよりも薄い場合には、発光強度が顕著に低く、9nmよりも大きいと、発光スペクトルのブロードニングと、発光強度の顕著な低下と、が起こる。井戸層143の厚さが4.5nm以上9nm以下とすることで、高い発光効率と、良好なスペクトル特性が得られる。井戸層143の厚さが4.5nmよりも小さい場合には、キャリアの井戸層143から障壁層例えば第1障壁層141及び第2障壁層142の少なくともいずれかへの広がりが大きくなり、効率の低下が生じていると考えられる。井戸層143の厚さが9nmを越えると、GaN層例えば、第2バッファ層122、n形コンタクト層130及びSiドープのn形閉じ込め層などと、井戸層143と、の格子不整が大きくなり、結晶に加わる歪が過大となり結晶の質が低下すると推定される。特に、井戸層143の厚さが5nm以上7nm以下の場合に、発光強度はほぼ一定で、スペクトルの変化も小さかった。井戸層143の厚さが5nm以上においては、発光強度がほぼ一定であるのでキャリアは概ね井戸層143内に存在していると推定される。井戸層143の厚さが7nm以下であればスペクトルのブロードニングがほとんど起きないので、結晶の形状及び組成などに揺らぎがある場合においても、ほぼ全領域例えば井戸層143の全域で歪による結晶性の低下は起きていないと推定される。本実施形態において上記のような構成が実現できるのは、井戸層143にGaInNを用いており、発光部140井戸層143から放出される光が近紫外光、すなわちピーク波長が、例えば380nm以上400nm以下の近紫外光であることによる。本実施形態に係る半導体発光素子及びウェーハにおいては、厚いGaN層を形成している。このため、GaNの吸収端波長よりも高エネルギーの光は、強い吸収を受ける。発光波長が380nm以上において、本実施形態に係る半導体発光素子及びウェーハ内でバンドギャップの小さな単一の量子井戸層を設けることにより、発光効率の高い半導体発光素子及びウェーハを実現する効果を享受することができる。また、発光波長が400nm以下とすると、井戸層143のGaInNにおけるIn組成比を高くする必要がなく、井戸層143を厚くすることができるので、単一の井戸層でも電流を効率よく注入できるようになる。このため、素子内で光吸収を受けることなく高効率であるとともに、かつ電流値が実用的な大きさになっても発光層井戸層143への電流の注入効率の低下が小さい、高効率で高光出力の半導体発光素子の実現が可能となる。本実施形態に係る半導体発光素子10の構造をさらに検討したところ、上記のように複数の井戸層におけるキャリアの不均一性と、再吸収の問題を解決できる効果の他に、結晶品質の観点での発光効率の向上の効果がさらにあることが分かった。すなわち、本実施形態においては、井戸層が1つであるため、その井戸層の結晶品質が最も高くなるように他の層を最適化することができる。本願発明者の実験によると、以下の知見が得られた。窒化物半導体例えばGaNを用いた半導体発光素子をサファイア基板上に設けた場合、サファイア基板とGaNとで格子不整合によりGaN結晶例えばGaNバッファ層中に結晶欠陥が発生する。このような欠陥の影響は、GaN層の上に高い歪を有する層を積層することで低減される。そして、高い歪みを有する層の上に、複数のGaInNからなる井戸層を有するMQW構造を形成した場合、井戸層の格子定数がGaN層と異なっているため歪みが発生することから、複数の井戸層によって結晶欠陥の影響が低減される。すなわち、井戸層を複数積層すると、井戸層を積層するにつれて結晶欠陥の影響が少ない良質な結晶の成長が可能になる。ところが、格子不整のある層の全体の厚さが厚くなると歪量が大きくなり過ぎて、再び結晶の品質が低下する。本願発明者の実験によると、以下の知見も得られた。GaAlInNを発光層に用いたウェーハ半導体発光素子では、発光波長によって結晶の質に対する鋭敏さが大きく異なる。すなわち、波長400nmよりも長波長側では結晶の品質が低下しても発光効率の変化は小さいが、400nm以下の短波長側では発光波長が短くなると発光効率が急激に低下する。より詳細には、400nm以下の短波長になると、各スペクトルの短波長側があたかもある種の包絡線を越えることができないかのように低下する。このため、発光波長が短波長になるにつれて発光効率が低下する。ところが、高品質な結晶では発光波長が400nm以下の短波長となっても発光効率の低下は限定的となる。この場合、波長ピーク波長が短波長となるとスペクトル全体が大きな変化なく短波長側にシフトする。このため、特に、高品質な結晶の成長を実現することで、波長が400nm以下の近紫外の波長域で特に高効率な発光を実現することができる。このような実験結果に基づいて、本願発明者は、結晶の品質が良好な井戸層は、1層だけしか形成することができないと推定した。そして、1つの井戸層における結晶の品質が最も向上するように、半導体発光素子に含まれる層のそれぞれを最適化することで、最も高い発光効率が得られると推定した。さらに、このような方法を用いることで、高品質な結晶を適用することが特に適している、波長が400nm以下の近紫外発光の半導体発光素子でも高効率な発光が可能になると推定した。すなわち、本実施形態においては、1つの井戸層143の結晶品質を最も高くなるように全体の条件を最適化できる。そして、1つの井戸層143において最適な条件でキャリアが注入されるように、半導体発光素子に含まれる半導体層のそれぞれの条件が最適化される。このように、均質で最も特性の優れた1つの井戸層を用いることで、複数の井戸層を用いる場合と比べ、より高効率に発光し、また高効率で光を取り出すことができる。すなわち、発光部140に1つの井戸層143が設けられることから、その1つの井戸層143における特性が最も良好となるように半導体発光素子を設計し、製造することができ、発光部140の特性を最高にできる。以上のように、本実施形態に係る半導体発光素子10によれば、高効率の近紫外発光の半導体発光素子を提供できる。以下、本実施形態に係る半導体発光素子10の製造方法の例について説明する。まず、有機金属気相成長法を用いて、表面がサファイアc面からなる基板110の上に、第1バッファ層121となるAlN膜を厚さ約2μmで形成する。具体的には、高炭素濃度の第1AlNバッファ層121aを厚さ24nmで、p形コンタクト層150となるMgドープp形GaN膜でも良く、この場合、Al組成の調整によってウェーハの反りを補償することができる。第2バッファ層122格子緩和層は、第1バッファ層121の上における3次元島状成長により欠陥低減と歪緩和の役割を果たす。成長表面の平坦化のためには、第2バッファ層122格子緩和層の平均の厚さは、0.6μm以上とすることが望ましい。再現性と反り低減の観点から、第2バッファ層122格子緩和層の厚さは、0.8μm以上2μm以下が望ましい。これらのバッファ層を採用することで、従来の低温成長のバッファ層と比較して転位密度は1/10以下とすることができる。これにより、異常成長のために通常では採用困難な、高い成長温度と高いV族原料/III族原料比での結晶成長が可能となる。そして、これにより、点欠陥の発生が抑制され、高Al組成のAlGaN層や障壁層第1障壁層141及び第2障壁層142に対して高濃度ドーピングが可能となる。既に説明したように、第1障壁層141は、例えば、Siがドープされた4元混晶AlGaInNAl組成が6以上10以下、In組成比が0.3以上1.0以下を含む。第2障壁層142は、例えば、4元混晶AlGaInNAl組成が6以上10以下、In組成比が0.3以上1.0以下を含み、Siのドープは任意である。井戸層143は、例えばIn005Ga095NIn組成比は4以上10以下の間で適宜変えることができるを含む。発光部140の発光波長は、380nm以上400nm以下である。GaNの吸収端が約365nmであるため、発光波長は、GaNの吸収が大きくない380nm以上に設定される。GaN層において吸収が抑制され、発光効率を増大させるには、発光波長が380nm以上400nm以下であることが望ましい。発光波長が400nm以下の場合は、井戸層143となるGaInN層のIn組成を下げて井戸層143の厚さを4.5nm以上とすることができる。発光波長が390nm以上400nm以下である場合は、井戸層143の厚さを5.5nm以上にすることができ、発光効率が増加すると共に、光出力の増加に伴う効率の低下や動作温度の上昇に伴う効率の低下が抑制され、さらに望ましい。発光波長が380nm以上400nm以下の紫外発光を高効率で生じさせるための深いポテンシャルを形成するために、第1障壁層141及び第2障壁層142におけるAl組成は6以上に設定される。第2障壁層142の厚さは3nm以上に設定される。第2障壁層142の厚さが3nmよりも薄いと、p形AlGaN層の影響を受けて井戸層143の発光波長が変わる問題が生じるためである。不純物拡散の影響も含めて、井戸層143の特性を制御するためには、第2障壁層142の厚さは4.5nm以上に設定される。特に、第2障壁層142の厚さが井戸層143の厚さよりも厚いと、AlGaN層と井戸層143との間の歪の影響を緩和する効果が大きい。なお、第2障壁層142が過度に厚いと素子抵抗が高くなる原因となる。また、第2障壁層142が過度に厚いと、井戸層143をオーバーフローしたキャリアが蓄積されて吸収の原因となる。この影響の低減には、第2障壁層142を第1障壁層141よりも薄くすることが望ましい。第2障壁層142の厚さを9nm以下とした半導体発光素子においては、発光波長から予想される動作電圧の一割以内の電圧上昇で素子動作させることができた。第1障壁層141の厚さは、例えば4.5nm以上30nm以下の範囲の値に設定することができる。第1障壁層141の厚さを4.5nm以上にすると、材料本来の物性が発揮されるようになり、正孔のオーバーフロー抑制効果が得られるようになる。また、第1障壁層141の厚さが30nm以下の場合において、良質な結晶成長が比較的容易に行える。また、第1障壁層141の厚さは井戸層143よりも厚いことが望ましい。第1障壁層141の厚さを井戸層143の厚さよりも厚く設定することで、井戸層143へのキャリア供給の制御が有効となる。特に、第1障壁層141の厚さは、井戸層143の厚さの2倍以上であることが望ましい。第1障壁層141の厚さを井戸層143の厚さの2倍以上に設定することで、第1障壁層141の両側にキャリア供給が可能となり、井戸層143へのキャリア供給の精度が向上する。なお、前述したように、第1障壁層141に高濃度にSiを添加することで、井戸層143に加わるピエゾ電界の影響を低減し、高効率の発光を得ることができる。第1障壁層141及び第2障壁層142におけるAl組成比が10を超えると、結晶品質が劣化する。また、第1障壁層141及び第2障壁層142に少量のInをドープすることは、結晶品質を改善する効果がある。第1障壁層141及び第2障壁層142におけるIn組成比が0.3以上でその効果はみられる。しかし、In組成比が1.0を超えると、結晶品質が劣化し、発光効率が減少する。ただし、その厚さが薄い場合には、In組成比を2まで高めることができる。例えば、本実施形態において、第1障壁層141の膜厚が15nm以上の場合はIn組成比は1程度が限界であったが、第1障壁層141を7nmに薄くすると、In組成比を2としても、結晶が劣化せず、強い発光が得られる。次に、第1障壁層141の成長技術について説明する。結晶品質の良い4元混晶AlGaInN層を成長することは難しく、さらにSiを高濃度にドープすると結晶は劣化しやすい。本願発明者は、LED素子構造の検討や成長条件を最適化することにより、結晶品質を落とすことなく、AlGaInNからなる障壁層141のIn組成比を高くすることに成功している。例えば、上記のように、本実施形態において、第1障壁層141の膜厚が15nmを越えるとIn組成比は1程度が限界となるが、第1障壁層141を7nmに薄くするとIn組成比を2としても、結晶が劣化せず、強い発光が得られる。In組成比が高くできるようになると、GaInNからなる井戸層143との界面の急峻性が良くなり、井戸層143の結晶性が向上し、その結果、AlGaInNからなる第1障壁層141にSiを高濃度ドープすることが可能になる。また、高Si濃度の第1障壁層141の膜厚を薄くすることによって、Siをさらに高濃度ドープすることが可能になる。第1障壁層141と第2障壁層142とを比べた場合、第1障壁層141のAl組成比が高くても良い。この場合、第1障壁層141のバンドギャップが大きくなり、正孔に対する閉じ込め効果が大きくなり、注入電流を増加した時に電流の漏れが減り、光出力を増大することができる。電子に対しては第2層151p形AlGaN層がバリアとなるため、第2障壁層141のAl組成比は第2層151に対して十分低く設定される。例えば、第1障壁層141のAl組成比を8以上とし、第2障壁層142のAl組成比を7とすることができる。この場合、第1障壁層141を高温で成長し、その温度よりも成長温度を下げて井戸層143と第2障壁層142を成長しても良い。このようにすると、Al組成比が高い第1障壁層141を高温で成長することで、第1障壁層141を高品質結晶により成長でき、井戸層143と、Al組成の低い第2障壁層142と、を低温で成長し、例えば高In組成比の井戸層143を良好な特性で成長させることができる。なお、第2障壁層142については、井戸層143の表面を保護する厚さで成長した後、温度を上げて成長してもよい。例えば、第1障壁層141を2層構造として、高Al組成比のAlGaN層と、低Al組成比のAlGaInN層と、を組み合わせても良い。このよう構造とすると、AlGaN層により正孔のオーバーフローを抑制することができ、AlGaInN層によって結晶表面の特性を改善し、特性が改善された結晶表面の上に井戸層143を形成することができる。この場合、AlGaN層と、AlGaInN層の一部と、を高温で成長し、AlGaInN層の残りを井戸層143と同じ温度で成長しても良い。このような方法をとれば、高品質なAlGaN結晶を高温で成長し、井戸層143は井戸層143に適した温度で成長することができる。このような温度変化は多大な時間を要し、プロセス効率を下げる。発光部が多重量子井戸構造の場合には各障壁層と井戸層に対してこのようなプロセスを行うと極めて時間がかかりプロセス効率が低下してしまう。ところが、本実施形態においては、発光部140は単一の量子井戸構造なので、このようなプロセスは1回だけしか必要とならず、このようなプロセスを実用的なプロセスシーケンスとして実施することができる。第2の実施の形態図2は、本発明の第2の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式的断面図である。図2に表したように、本実施形態に係る半導体発光素子20は、第1層131と、第2層151と、発光部140と、に加え、第1層131と発光部140との間に設けられた第1積層構造体210をさらに備える。第1積層構造体210は、AlGaInNを含む複数の第3層203と、複数の第3層203と交互に積層され、GaInNを含む複数の第4層204と、を有する。複数の第3層203及び複数の第4層204は、Z軸方向に沿って積層されている。複数の第3層203のそれぞれの厚さは、第1障壁層141及び第2障壁層142の厚さよりも薄い。複数の第4層204のそれぞれの厚さは、井戸層143の厚さよりも薄い。第3層203は、例えば低歪層である。第4層204は、例えば第3層203よりも歪みの程度が高い高歪層である。第3層203には、例えば、第1障壁層141と同じ組成を適用できる。すなわち、第1障壁層141がAl0.07Ga0.925In0.005Nを含む場合には、第3層203には、Al0.07Ga0.925In0.005Nを用いることができる。第3層203の厚さは、例えば2nmとされる。また、第3層203には、Siが、例えば約5×1018cm-3で添加される。第4層204には、例えば、井戸層143と同じ組成を適用できる。すなわち、井戸層143がGa0.93In0.07Nを含む場合には、第4層204には、Ga0.93In0.07Nを用いることができる。第4層204の厚さは、例えば1nmとすることができる。例えば、第3層203の数は30であり、第4層204の数は30である。すなわち、第3層203と第4層204の組みペアが、30ペア積層される。これ以外の構成は、半導体発光素子10と同様とすることができるので説明を省略する。例えば、第3層203に第1障壁層141と同じ組成を適用すると、第1障壁層141と同じ条件で第3層203の成長が可能であり、プロセスが簡便に行える。また、第1障壁層141の成長前に、第3層203の成長を介して第1障壁層141と同じ成長条件での準備を十分な時間行うことができ、第1障壁層141の制御性の向上が図れる。例えば、第4層204に井戸層143と同じ組成を適用すると、井戸層143と同じ条件で第4層204の成長が可能であり、プロセスが簡便に行える。また、井戸層143の成長前に、第4層204の成長を介して井戸層143と同じ成長条件での準備を十分な時間行うことができ、井戸層143の制御性の向上が図れる。一方、例えば、第4層204に、井戸層143よりもIn組成比が低くバンドギャップが大きいGaInNを用いれば、井戸層143からの発光の第4層204における吸収をより小さくすることができる。また、この場合には、吸収が小さいので、第4層204をより厚くことができ、また、第3層203及び第4層204のペア数を増やすことができる。なお、第3層203及び第4層204のペア数は、30に限らず適宜設定できる。そして、第3層203の数と第4層204の数とを同じにせず、第3層203の数を第4層204の数よりも1つ多くして、複数の第3層203及び複数の第4層204の積層を、第3層203で初めて第3層203で終わる構成にしても良い。また、第4層204の数を第3層203の数よりも1つ多くして、複数の第3層203及び複数の第4層204の積層を、第4層204で初めて第4層204で終わる構成にしても良い。半導体発光素子20に設けられる第1積層構造体210においては、第1積層構造体210の内部の結晶に歪みが加えられる。これにより、結晶の品質が改善される。このため、第1積層構造体210の上に設けられる半導体層例えば発光部140の特に井戸層143の結晶品質が向上する。これにより、半導体発光素子20においては、さらに高い発光効率を得ることができる。すなわち、例えば、井戸層143の結晶の品質が最良となるように、第1積層構造体210の構成が最適化される。本実施形態において、発光部140中の井戸層143は、GaN層との格子不整を有するため、第1積層構造体210の上に井戸層143を積層すると歪が蓄積される。このとき、第1積層構造体210中の第3層203と第4層204との繰り返しの積層数を適正に設定することで、第1積層構造体210における結晶の品質を改善すると共に、第1積層構造体210及び井戸層143における歪みの総和が限界を超えることによって井戸層143の結晶の特性が低下することを抑制することができる。複数の第4層204の合計の厚さと、井戸層143の厚さと、の合計は、例えば25nm以上45nm以下とされる。これにより、発光強度が高く、発光スペクトルの広がりが小さい特性を有する良好な結晶成長が可能となる。特に、複数の第4層204の合計の厚さと、井戸層143の厚さと、の合計が、30nm以上35nm以下の場合には、特に良好な結晶が得られる。これは、複数の第4層204の合計の厚さと、井戸層143の厚さと、の合計を25nm以上45nm以下に設定することによって、結晶中の組成の揺らぎを含めて、歪の総量が、結晶を劣化させない範囲内の上限付近に相当するためと推測される。本願発明者は、複数の第3層203と、複数の第4層204と、を有する第1積層構造体210を適用した場合において、結晶下部例えば第1積層構造体210からみて基板110の側の第2バッファ層122から第1積層構造体210に到達する結晶の転位の方向が、第1積層構造体210内において変化し、転位の方向が、第1積層構造体210の表面のc面に対して垂直に近づくことを見出した。すなわち、結晶の転位の方向が、結晶表面に垂直な方向すなわち積層方向であるZ軸方向に近づく。このことは、発光部140における結晶の転位を積層方向からみたときの長さが短くなることに相当する。すなわち、積層方向からみたときの発光部140内の欠陥領域の面積が小さくなることに相当する。このように、第1積層構造体210を採用することで、第1積層構造体210の上に形成される結晶の品質が向上すると考えられる。このことが、第1積層構造体210を採用した半導体発光素子20において、結晶の品質が向上し、発光効率が向上する原因であると推定される。本実施形態においては、サファイアからなる基板110の上に、高温で第1バッファ層121AlN層及び第2バッファ層122ノンドープのGaN層の上にn形コンタクト層130n形GaN層を形成することで、転位密度の小さい高品質のGaN結晶を得ている。これにより、n形閉じ込め層第1層131の結晶品質は良好であり、さらにその上に形成される発光部140の結晶品質は高い。すなわち、本実施形態の発光部140の結晶においては、転位のほとんどは独立しており、複数の転位が接して互いに絡み合ったものの発生は少ない。このため、転位の向きが結晶表面に垂直な方向に沿うことによる結晶特性の改善の効果が、直接的に発揮される。このように、第1積層構造体210と、上記のようなバッファ層の組み合わせと、を組み合わせて適用することで、第1積層構造体210を設けることによる結晶品質の改善効果がより顕著に発揮される。なお、本実施形態において、第4層204の厚さの下限は、第4層204が連続して層としての物性を示す以上の厚さで決まる。第4層204の厚さの上限は、第4層204における吸収端のエネルギーと、井戸層143における吸収端のエネルギーと、の間に差異が設けられる条件で決まる。すなわち、第4層204の厚さは、例えば4原子層以上で、第4層204における吸収端のエネルギーが井戸層143の吸収端よりも十分大きくなる厚さ以下に設定される。具体的には、第4層204の吸収端のエネルギーに相当する波長が、井戸層143の発光スペクトルの強度がピーク値の半分以下となる波長よりも短波長側に設定される。一方、第3層203においては、第1障壁層141と同程度のAl組成Al組成比が約10以下とされる。これにより、GaN層との間で電子に対する障壁による抵抗を小さくできると共に、良質な結晶成長を得ることが可能である。本実施形態において、第1障壁層141を2層構造として、高Al組成比のAlGaN層と、低Al組成比のAlGaInN層と、の組み合わせを適用することができる。このような構造により、AlGaN層による正孔のオーバーフローの抑制と、AlGaInN層による結晶表面の特性の改善及び特性が改善された結晶表面の上への井戸層143の形成が可能となる。例えば、第1障壁層141の一部として、成長温度を1000°Cに上げてAlGaN層Al組成比が20以上26以下及びAlGaInN層Al組成比が8を成長し、成長温度を下げて、第1障壁層141の残りの部分であるAlGaN層と、井戸層143と、を成長すると、正孔のオーバーフローが小さく、かつ、井戸層143の発光効率が高く、低電流から大電流まで光出力の高い半導体発光素子の実現が可能である。次に本実施形態に係る半導体素子及びウェーハの製造方法の特徴を説明する。高効率な半導体発光素子を実現するためには、発光する井戸層143と、その両側の第1障壁層141と第2障壁層142と、を略連続成長することが望ましい。これは、成長を中断することによって発生する界面の欠陥を減らすためである。なお、少なくとも第1障壁層141と井戸層143との間、及び、井戸層143と第2障壁層142との間にはヘテロ接合界面があるため、原料供給条件を整えるための成長中断を行う。この時間を除いて連続成長をおこなうことを、略連続成長とする。一般的に、GaInN層を発光層とする薄い多重量子井戸では、GaInN層のIn組成が高く低温での結晶成長が適している。一方、Alを含む障壁層は、Alと窒素の結合が強いことから高い成長温度が望ましい。このため、高In組成比のGaInNを含む井戸層と、Alを含む障壁層と、を同じ温度で連続して成長すると、井戸層と障壁層との両者共に適した成長条件を選択できず、良質な結晶を成長できないという問題がある。本実施形態に係る半導体発光素子及びウェーハにおいては、発光部140に、単一で厚い井戸層143を用いていることから、量子効果による発光エネルギーのシフトが小さく、井戸層143にIn組成比が低くバンドギャップの大きなGaInN層を用いることができる。このため、高い温度での成長が可能である。一方、障壁層第1障壁層141及び第2障壁層142にInを添加すると結晶成長中の結晶表面での原子の動きを促進することができ、Alを含有するAlGaInNを低い温度で成長することができる。Inは取り込まれ効率が低いため、わずかなInを添加するために大量のIn原料を結晶表面に供給することになる。このため、結晶表面での原子の動きが促進されて低温での結晶成長が可能となる。すなわち、本実施形態に係る光半導体発光素子及びウェーハでは、高温で成長可能な井戸層143と、低温で成長可能な障壁層第1障壁層141及び第2障壁層142と、を用いることにより、略一定の温度で意図的には温度を変えない、略連続的な成長が可能である。これにより、本実施形態に係る半導体発光素子及びウェーハにおいては、井戸層143に隣接する界面における結晶欠陥を少なくすることができる。すなわち、本実施形態に係る半導体発光素子及びウェーハを、発光する井戸層143と、その両側の第1障壁層141と第2障壁層142と、を略連続成長する方法により製造することで、特に低電流領域の発光効率の高い半導体発光素子及びウェーハを形成することができる。次に、本実施形態に係る半導体発光素子及びウェーハの別の特徴を説明する。すなわち、本実施形態に係る半導体発光素子及びウェーハの製造方法の別の特徴は、積層構造体特に第1積層構造体210を、発光部140井戸層143、第1障壁層141及び第2障壁層142と略同温で成長することが可能であることである。第1積層構造体210を設けることで結晶における転位の向きが変わり、第1積層構造体210の上に発光効率の高い井戸層143を形成できると期待される。しかし、第1積層構造体210と発光部140とで、成長温度が変わると欠陥の伝播方向が変わり、第1積層構造体210を設けても、発光部140の特性向上が図れなくなることが懸念される。このため、第1積層構造体210、第1障壁層141、井戸層143及び第2障壁層142を、略同一の温度で成長させることが望ましい。前述したように、本実施形態に係る半導体発光素子においては、井戸層143と、障壁層第1障壁層141及び第2障壁層142と、を略同温で成長することが可能である。一方、第1積層構造体210の例えば第3層203及び第4層204として、障壁層及び井戸層143にそれぞれ類似で、障壁層及び井戸層143と同じ成長温度で、良好な結晶成長できる材料の組を選択することで例えば同一でも良い、略同一の温度で、良好な特性の第1積層構造体210、第1障壁層141、井戸層143及び第2障壁層142の結晶を容易に成長することができる。多数の層を積層し複雑な構成を有する半導体発光素子及びウェーハにおいては、各層ごとに最適な成長条件が異なると、その選択に時間がかかり、実効的に全ての層の特性が良好な素子を作ることは困難である。しかし、本実施形態に係る半導体発光素子及びウェーハにおいては、積層構造体と、障壁層と、発光層と、を略同一の温度で成長することができ、容易に適正な成長条件で高品質な結晶成長が可能となる。すなわち、本実施形態に係る半導体発光素子及びウェーハを製造するにあたり、積層構造体と、障壁層と、発光層と、を略同一の温度で成長する方法により製造することで、容易に適正な成長条件で高品質な結晶を成長することが可能であり、発光効率の高い半導体発光素子及びウェーハの製造が可能になる。図3は、本発明の第2の実施形態に係る別の半導体発光素子の構成を例示する模式的断面図である。図3に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光素子21においては、第1障壁層141が3層構造を有している。これ以外は、半導体発光素子20と同様とすることができるので説明を省略する。すなわち、第1障壁層141は、第1層131と井戸層143との間本具体例では、第1積層構造体210と井戸層143との間に設けられた第1サブ層141aと、第1サブ層141aと井戸層143との間に設けられた第2サブ層141bと、第1サブ層141aと第1層131との間本具体例では第1サブ層141aと第1積層構造体210との間に設けられた第3サブ層141cと、を有している。第1サブ層141aには、高Al組成比のAlGaN層が用いられる。第2サブ層141bには、低Al組成比のAlGaInN層が用いられる、第2サブ層141bにおけるAl組成比は、第1サブ層141aよりも低い。第3サブ層141cには、低Al組成比のAlGaInN層が用いられる。第3サブ層141cにおけるAl組成比は、第1サブ層141aよりも低い。第1サブ層141aにおけるAl組成比は、例えば15とされる。第1サブ層141aの厚さは、例えば5nmとされる。第2サブ層141bにおけるAl組成比は、例えば7とされる。第2サブ層141bの厚さは、例えば5nmとされる。第3サブ層141cにおけるAl組成比は、例えば第1積層構造体210の第3層203におけるAl組成比と同じに設定される。第3サブ層141cの厚さは、例えば2nmとされる。さらに、第1サブ層141aにおけるAl組成比は、例えば10以上26以下に設定される。第1サブ層141aの厚さは、5nnm以上50nm以下に設定される。また、第1サブ層141aには、n形不純物としてSiを5×1017cm-3以上1×1019cm-3以下でされても良い。また、第2サブ層141bにおけるAl組成比は、例えば6以上10以下に設定される。第2サブ層141bにおけるIn組成比は、例えば0.3以上1以下に設定される。第2サブ層141bの厚さは、例えば3nm以上15nm以下に設定される。なお第2サブ層141bは、必要に応じて設けられ、第2サブ層141bは、場合によっては省略しても良い。このような構成を有する第1サブ層141aを設けることで、正孔のオーバーフローの抑制の効果が得られる。これにより、半導体発光素子において、大電流駆動時の光出力改善の効果がある。また、動作温度を上げたときの光出力低下が抑制される。また、第2サブ層141bを設けることで、結晶表面の特性の改善及び特性が改善された結晶表面の上への井戸層143の形成が可能となる。このため、特に非発光センターの形成が抑制され、半導体発光素子を駆動した際に、低電流領域での発光効率向上の効果が大きい。なお、第2サブ層141bにn形不純物を添加すると、非発光センターがスクリーニングされて、低電流領域での発光効率の改善が図れる。なお、第2サブ層141bを設けない場合は、井戸層143とバンドギャップの大きなAlGaN層第1サブ層141aとを互いに近接させることができ、井戸層143内のキャリア濃度を増加させることができる。このため、発光効率の増大が図れると共に、特に大出力でも発光効率の低下が限定的で、高温で大電流動作させた場合にも高い発光効率で動作する半導体発光素子を実現することができる。第3サブ層141cは、第4層204の表面を被覆して、高品質の第1サブ層141aを成長させるための保護層として機能する。第3サブ層141cは、必要に応じて設けられ、第3サブ層141cは、場合によっては省略しても良い。例えば、第3サブ層141cを第3層203と同じ850°Cで成長した後に、成長温度を1040°Cに上げて第1サブ層141aを成長し、成長温度を下げて第2サブ層141bと、井戸層143と、を成長すると、正孔のオーバーフローが小さく、かつ、井戸層143の発光効率が高く、低電流から大電流まで光出力の高い半導体発光素子の実現が可能である。第3の実施の形態図4は、本発明の第3の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式的断面図である。図4に表したように、本発明の第3の実施形態に係る半導体発光素子30は、第1層131と、第2層151と、発光部140と、に加え、第1層131と発光部140との間に設けられた第2積層構造体220をさらに備える。第2積層構造体220は、GaNを含む複数の第5層205と、複数の第5層205と交互に積層され、GaInNを含む複数の第6層206と、を有する。複数の第5層205及び複数の第6層206は、Z軸方向に沿って積層されている。複数の第5層205のそれぞれの厚さは、第1障壁層141及び第2障壁層142の厚さよりも薄い。複数の第6層206のそれぞれの厚さは、井戸層143の厚さよりも薄い。第5層205には、例えば、Siが、例えば約5×1018cm-3で添加されたGaNが用いられている。第5層205の厚さは、例えば2nmとされる。第6層206には、例えば、In組成比が7のGaInNが用いられている。すなわち、第6層206の組成は、井戸層143の組成と同じに設定されている。第6層206の厚さは、例えば1nmに設定されている。そして、第5層205と第6層206の組みペアが、30ペア積層される。これ以外の構成は、半導体発光素子10と同様とすることができるので説明を省略する。本願発明者は、上記のような構成を有する第2積層構造体220を設けることで、結晶表面の平坦性が向上することを見出した。これは、第5層205に用いられるGaNが2元系であることから、GaNの成長中に横方向の均一性が改善される効果が大きいためと考えられる。このように、平坦性を改善できる第2積層構造体220を用いることで、発光部140特に井戸層143の平坦性が向上し、その結果、結晶の特性が向上でき、これにより、発光効率が向上できる。また、平坦性を改善することで、井戸層143以外の半導体層の平坦性が改善でき、これによる効果によっても発光効率が向上できる。そして、半導体発光素子30においてもSQW構造が採用されているため、第1実施形態に関して説明した効果が享受できる。このように、本実施形態に係る半導体発光素子30によっても、高効率に近紫外光を発光する半導体発光素子が得られる。第4の実施形態図5は、本発明の第4の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式的断面図である。図5に表したように、本発明の第4の実施形態に係る半導体発光素子40は、第1層131と、第2層151と、発光部140と、に加え、第1層131と発光部140との間に設けられた第1積層構造体210及び第2積層構造体220をさらに備える。第1積層構造体210及び第2積層構造体220は、それぞれ第2及び第3の実施形態に関して説明したものを用いることができる。これにより、第1積層構造体210における結晶品質の向上と、第2積層構造体220における平坦性の向上と、の両方の効果を享受できる。複数の第1積層構造体210と、複数の第2積層構造体220と、を設けても良く、この場合に、複数の第1積層構造体210の間に第2積層構造体220を挿入しても良い。第2積層構造体220は、第1積層構造体210と発光部140との間に設けても良く、第1積層構造体210と第1層131との間に設けても良い。以下では、第2積層構造体220が、第1積層構造体210と第1層131との間に設けられる場合について説明する。すなわち、本実施形態に係る半導体発光素子40においては、第1層131n形閉じ込め層と第1積層構造体210との間に、第2積層構造体220が設けられる。半導体発光素子40においても、第1障壁層141にはAl0.07Ga0.925In0.005Nが適用されている。そして、第3層203には、Al0.07Ga0.925In0.005Nが用いられ、第3層203の厚さは、2nmとされている。また、第3層203には、Siが、例えば約5×1018cm-3で添加されている。一方、井戸層143にはGa0.93In0.07Nが用いられている。そして、第4層204には、Ga0.93In0.07Nが用いられている。第4層204の厚さは、1nmとされている。第3層203の数は30であり、第4層204の数は30である。なお、第3層203の両側に第4層204が設けられていて、例えば、第3層203の数が30で、第4層204の数が31でも良い。一方、第2積層構造体220の第5層205には、Siが例えば1.2×1018cm-3でドープされたGaNが用いられている。第5層205の厚さは、2.5nmに設定されている。第6層206には、Ga0.93In0.07Nが用いられている。第6層206の厚さは、1nmに設定されている。第5層205の数は30であり、第6層206の数は30である。なお、第5層205の両側に第6層206が設けられていて、第5層205の数が30で、第6層206の数が31でも良い。なお、第6層206に合わせて第2積層構造体220の成長を低温で行う場合、温度を下げて行う最初の成長層が第6層206であるため、第6層206の数を増やすと、より平坦な層で成長が開始でき、特に良質な結晶成長が可能となる。なお、上記においては、第1積層構造体210における第3層203及び第4層204のペア数と、第2積層構造体220における第5層205及び第6層206のペア数と、が同じ例であるが、これらのペア数は一致しても良く、一致しなくても良く、適宜設定される。このような構成を有する半導体発光素子40を実際に作製して特性を評価したところ、高効率に近紫外光を発光することが確認できた。このように、平坦性の向上効果が高い第2積層構造体220と、結晶性の向上効果が高い第1積層構造体210と、を組み合わせて適用することで、より発光効率が向上することが分かった。すなわち、平坦性の向上効果が高い第2積層構造体220によって歪みを導入することで、結晶表面の平坦性を維持しつつ、結晶中の転位の向きを結晶表面に対して垂直な方向積層方向に平行な方向に近づけることができる。さらに、第1積層構造体210を導入すると、転位は、結晶表面に対して垂直な方向に一段と近づく。これは、第1積層構造体210における第3層203AlGaN層と第4層204GaInN層との間の格子不整が、第2積層構造体220における第5層205GaN層と第6層206GaInN層との間の格子不整よりも大きいため、第1積層構造体210の方が、第2積層構造体220に比べて、転位を曲げる力が大きいと考えられことによるものと考えられる。すなわち、本実施形態においては、層間の格子不整が小さく転位を曲げる力は小さいが、表面平坦性が高い第2積層構造体220と、層間の格子不整が大きく転位を曲げる力が大きい第1積層構造体210と、を組み合わせることで、結晶表面の平坦性を低下させずに、より効果的に転位を結晶表面に垂直な向きに近づけることができる。これにより、より良質な結晶の成長が可能となる。本実施形態の積層構造を有するウェーハを用いて半導体発光素子を作製すると、より高効率な特性を得ることができる。本実施形態において、第3層203を第5層205よりも薄くすることができる。例えば、第3層203の厚さを2nmとし、第4層204の厚さを1nmとし、第5層205の厚さを2.5nmとし、第6層206の厚さを1nmとすることができる。第3層203を第5層205よりも薄くするのは、以下の理由による。発光層の光吸収に対する影響を小さくするためには、第1積層構造体210及び第2積層構造体220における吸収波長をできるだけ短波長にすることが望ましい。第3層203にはAlが含まれているため、第5層205GaN層よりもバンドギャップが大きい。このため、第1積層構造体210及び第2積層構造体220における準位のエネルギーを互いに同一にするために、第3層203を第5層205よりも薄くする。これにより、第1積層構造体210における平均In組成比を高くすることができ、薄い成長厚さでより効率的に結晶の特性を改善することができる。本実施形態において、第4層204を第5層205よりも厚くすることができる。また、第4層204のIn組成比を第5層205よりも高くすることができる。これは、以下の理由による。発光層の光吸収に対する影響を小さくするためには、第1積層構造体210及び第2積層構造体220における吸収波長をできるだけ短波長にすることが望ましい。第3層203にはAlが含まれているため、第5層205GaN層よりもバンドギャップが大きい。このため、第4層204及び第6層206に形成される準位のエネルギーを互いに同一にするために、第4層204の厚さを厚くする、及び、第4層204におけるIn組成比を高くする、の少なくともいずれかを適用する。これにより、第1積層構造体210における平均In組成比を第2積層構造体220よりも高くすることができ、より効率的に結晶の特性を改善することができる。なお、本実施形態において、第2積層構造体220について、第5層205と第6層206とを12ペア積層した場合には結晶表面に顕著な凹凸が認められたが、16ペア積層した場合には表面の平坦性が向上した。さらに、18ペア、20ペア及び27ペア積層したそれぞれの場合に、光出力の高い半導体発光素子が得られた。このため、第5層205及び第6層206のペア数としては、16以上27以下が望ましい。ただし、27ペア積層した場合には、結晶中の欠陥の増加も認められた。このため、第5層205及び第6層206のペア数としては、特に、16以上20以下が望ましい。本実施形態において、第1障壁層141におけるSi濃度は、極力高いことが望まれる。これは、Siの添加により第1障壁層141に十分な正電荷源を導入し、ピエゾ電界の効果により井戸層143にかかる電界の影響を抑制するためである。しかし、Si濃度が高いと結晶の質が低下する。このため、薄い第1障壁層141のみでSiの濃度を上げることで、結晶の特性劣化を抑制しつつ、ピエゾ電界の効果抑制が可能になる。結晶の特性の劣化を抑制するために、第1積層構造体210においては、第1障壁層141よりもSi濃度を下げることが望まれる。一方、第1積層構造体210AlGaInN層及びGaInN層におけるヘテロ構造のエネルギーバンドの不連続と、第2積層構造体220GaN層及びGaInN層におけるヘテロ構造のエネルギーバンドの不連続と、を比べると、第1積層構造体210におけるエネルギーバンドの不連続の方が大きい。このため、半導体発光素子の電気抵抗を下げるためには、第1積層構造体210に、第2積層構造体220よりも高い濃度でSiを添加することが望ましい。しかし、第1積層構造体210におけるSiの濃度が高過ぎると、結晶の特性が低下することがあるため、第2積層構造体220にも、GaN層とGaInN層とのヘテロ構造に対応する十分な濃度でSiが添加される。一方、第2障壁層142のSi濃度が高いと、キャリアのオーバーフローや内部吸収の原因となることから、第2障壁層142におけるSi濃度は低いことが望まれる。以上から、第1障壁層141におけるSi濃度は、第1積層構造体におけるSi濃度よりも高く設定される。そして、第2積層構造体220におけるSi濃度は、第1積層構造体210におけるSi濃度よりも低く設定される。そして、第2障壁層142におけるSi濃度は、第2積層構造体220におけるSi濃度よりも低く設定される。このようなSi濃度の分布を採用することで、結晶の特性が向上されると共にピエゾ電界の効果の影響が抑制され、発光効率が向上できる。さらに、電気抵抗が小さく、キャリアのオーバーフロー等の影響が少ないことから発光効率が向上できる。このように、本実施形態に係る半導体発光素子40によれば、高効率に近紫外光を発光する半導体発光素子が得られる。第5の実施の形態図6は、本発明の第5の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式的断面図である。図6に表したように、本発明の第5の実施形態に係る半導体発光素子50においては、導電性基板460の上に、第1層131、発光部140及び第2層151が設けられている。導電性基板460には、例えばGeが用いられる。具体的には、導電性基板460と第2層151との間に、p形コンタクト層150が設けられ、導電性基板460とp形コンタクト層150との間にp側電極160が設けられる。p側電極160は発光部140から放出される光に対して反射性を有する。本具体例では、導電性基板460とp側電極160との間に接着用金属層455が設けられ、導電性基板460と接着用金属層455との間に接合金属層465が設けられている。一方、第1層131の発光部140とは反対の側にn形コンタクト層130が設けられ、n形コンタクト層130の第1層131とは反対の側に低不純物濃度半導体層135が設けられている。低不純物濃度半導体層135における不純物濃度は、n形コンタクト層130における不純物濃度よりも低い。低不純物濃度半導体層135には、例えばノンドープのGaN層が用いられる。低不純物濃度半導体層135には、既に説明した第2バッファ層122格子緩和層を採用することができる。また、低不純物濃度半導体層135を2層構造としても良い。すなわち、第2バッファ層122とn形コンタクト層130との間に、n形低不純物濃度層図示しないを設け、第2バッファ層122とこのn形不純物濃度層と、を、低不純物濃度半導体層135としても良い。このような構成とすると、第2バッファ層122上に、n形不純物濃度が低く高品質な結晶成長が容易な上記のn形不純物濃度層を成長した後に、n形コンタクト層130を成長することができる。このようにすると、不純物濃度が高く結晶成長が難しいn形コンタクト層130を高品質な下地結晶上に成長することができ、高品質なn形コンタクト層130を成長することができる。低不純物濃度半導体層135には、開口部138が設けられる。開口部138はn形コンタクト層130の一部を露出させる。開口部138は、低不純物濃度半導体層135のn形コンタクト層130とは反対の側の主面135aからn形コンタクト層130に連通している。すなわち、開口部138の底部は、n形コンタクト層130に連通している。開口部138において露出しているn形コンタクト層130と、低不純物濃度半導体層135の一部と、を覆うようにn側電極170が設けられている。そして、低不純物濃度半導体層135のn側電極170で覆われていない部分の主面135aには、凹凸137pを有する粗面部137が設けられている。なお、図6においては省略されているが、既に説明した第1積層構造体210及び第2積層構造体220の少なくともいずれかが設けられても良い。以下では、第1積層構造体210及び第2積層構造体220が設けられる場合として説明する。半導体発光素子50は、例えば以下のような方法によって作製される。例えば、サファイアからなる基板110の上へ、第1バッファ層121、第2バッファ層122低不純物濃度半導体層135となる、n形コンタクト層130、第1層131n形閉じ込め層、第1積層構造体210、第2積層構造体220、発光部140、第2層151p形閉じ込め層、及び、p形コンタクト層150、の各結晶層を形成して結晶積層体180を形成する。そして、結晶積層体180へのp側電極160の形成、結晶積層体180と導電性基板460との接合、基板110及び第1バッファ層121の除去、並びに、露出した結晶層n形コンタクト層130へのn側電極170及び低不純物濃度半導体層135への粗面部137すなわち凹凸137pの形成、の各工程が実施される。まず、サファイアからなる基板110上における結晶層の具体例について説明する。例えば、有機金属気相成長法を用いて、表面がサファイアc面からなる基板110の上に、AlNを含む第1バッファ層121が例えば2μmで、第2バッファ層122となるノンドープGaN層が例えば2μmで形成される。なお、第1バッファ層121には、上記のようにAlNを用いることができるが、本実施形態はこれには限定されず、例えば、Alα2Ga1-α2Nでも良く、この場合、Al組成の調整によってウェーハの反りを補償することができる。そして、n形コンタクト層130となるSiドープn形GaN層が例えば6μmで、第1層131となるSiドープn形GaN層が例えば0.5μmの厚さで、順次形成される。この後、既に説明した第2積層構造体220と第1積層構造体210とが形成される。その後、第1障壁層141となるSiドープn形Al0.07Ga0.925In0.005N層Si濃度は例えば1.0×1019cm-3以上1.5×1019cm-3以下と、井戸層143となるGaInN層波長が380nm以上400nm以下と、第2障壁層142となるAl0.07Ga0.925In0.005N層Si濃度は例えば1×1018cm-3以下。例えばSiを添加しなくても良いと、が順次形成される。さらに、第2層151となるMgドープp形Al0.22Ga0.78N層が0.02μmで、p形コンタクト層150となるMgドープp形GaN層が0.28μmで、順次形成される。p形コンタクト層150のMg濃度は、1×1020cm-3以上1×1021cm-3未満と高めに設定することで、p側電極160とのオーミック性を向上させることができる。ただし、半導体発光ダイオードの場合は、半導体レーザダイオードとは異なり、コンタクト層と発光層との距離が近いため、Mg拡散による特性の劣化が懸念される。そこで、p側電極160とp形コンタクト層150との接触面積が広く、動作時の電流密度が低いことを利用して、電気特性を大きく損ねることなくp形コンタクト層150におけるMg濃度を1×1019cm-3以上1×1020cm-3未満程度に抑えることで、Mgの拡散を防ぐことができ、発光特性を改善させることができる。次に、結晶積層体180へのp側電極160の形成、結晶積層体180と導電性基板460との接合、並びに、基板110及び第1バッファ層121の除去、について説明する。まず、p側電極160を形成するために、真空蒸着装置を用いて、例えば、Agを200nmの厚さで、Ptを2nmの厚さで連続形成する。リフトオフ後に、酸素雰囲気中で400°C、1min分のシンター処理を行う。そして、p側電極160上に接着用金属層455として、例えば、Ni膜及びAu膜の積層膜を1000nmの厚さで形成する。そして、例えばGeからなる導電性基板460上に形成され接合金属層465例えば膜厚3μmのAuSn半田と、結晶積層体180に形成された接着用金属層455と、を対向させて設置し、AuSnの共晶点以上の温度、例えば300°Cに加熱することで、導電性基板460と結晶積層体180とを接合する。そして、サファイアからなる基板110の側から、例えばYVO4の固体レーザの三倍高調波355nmまたは四倍高調波266nmのレーザ光を照射する。レーザ光は、第2バッファ層122GaN層であり、例えば、上記のノンドープGaNバッファ層のGaNの禁制帯幅に基づく禁制帯幅波長よりも短い波長を有する。すなわち、レーザ光は、GaNの禁制帯幅よりも高いエネルギーを有する。このレーザ光は、第2バッファ層122ノンドープGaNバッファ層のうち、第1バッファ層121単結晶AlNバッファ層の側の領域において効率的に吸収される。これにより、第2バッファ層122GaNバッファ層のうちの第1バッファ層121単結晶AlNバッファ層の側のGaNは、発熱により分解する。ここで、第1バッファ層121は、上記のようにAlNを用いることができるが、本実施形態はこれには限定されず、例えば、Alα2Ga1-α2Nでも良く、この場合、Al組成の調整によってウェーハの反りを補償することができる。このようなレーザリフトオフ法を用いた場合、GaNの温度が急激に上昇する。このため、急激な熱膨張及び熱収縮が起こる。第1バッファ層121としてAlNを用いると熱伝導度が高いため熱の広がりが早く、局所的な熱膨張収縮の影響を緩和することができる。一方、第1バッファ層121としてAlGaNを用いた場合は、わずかにGaを添加するだけでも急激に熱伝導度が低下する。このため、レーザ光による温度変化の影響の広がりを抑制することができ、局所的に温度を急変させることに適している。このためレーザ光出力を下げることが可能で、レーザ光によるダメージがウェーハ全体に広がることを抑制することができる。そして、塩酸処理などによって、分解されたGaNを除去し、サファイアからなる基板110を結晶積層体180から剥離して分離する。次に、露出した結晶層n形コンタクト層130へのn側電極170、及び、低不純物濃度半導体層135への凹凸137pの形成について説明する。サファイアからなる基板110から剥離された第2バッファ層122ノンドープGaN層の一部を除去して開口部138を形成する。この開口部138によって、n形コンタクト層130n形GaN層、すなわち、上記のSiドープn形GaN層の一部が露出する。この際、n側電極170の段切れを防ぐために、開口部138の側面はテーパ形状に加工することが望ましい。例えば、レジストマスクで塩素ガスを用いたドライエッチングを用いることで、開口部138として、50°のテーパ形状を持つ窪みを形成することができる。開口部138から露出したn形コンタクト層130Siドープn形GaN層と、第2バッファ層122ノンドープGaN層の一部と、を覆うように、リフトオフ法などで、例えばTi/Pt/Auの積層膜を例えば500nmの厚さで形成し、パターニングして、n側電極170を形成する。その後、n側電極170が形成されていない第2バッファ層122ノンドープGaN層の表面を、例えばKOH溶液によるアルカリエッチングにより加工して、凹凸137pを形成する。KOH溶液による処理条件としては、例えばKOHの1mol/Lの溶液を80°Cに加熱して、20minエッチングする条件が採用される。これにより、凹凸137pが形成される。次いで、劈開またはダイヤモンドブレード等により、導電性基板460を切断し、個別の素子とし、本実施形態に係る半導体発光素子50が作製される。上記において、凹凸137pの大きさは、例えば、発光部140から放出される発光光の波長よりも大きく設定される。具体的には、凹凸137pの大きさは、例えば、発光部140から放出される発光光の低不純物濃度半導体層135における波長よりも大きく設定される。これにより、凹凸137pが設けられる粗面部137において、光の進路が変更され、光の取り出し効率が向上し、さらに高効率の半導体発光素子が得られる。このように、本実施形態に係る半導体発光素子50においては、第1層131は、サファイア層のc面を主面とした基板110上に、Alx3Ga1-x3N0.8≦x3≦1を含む単結晶バッファ層を介して成長されたGaN層の上に設けられている。この単結晶バッファ層には、例えば、第1バッファ層121が適用される。すなわち、この単結晶バッファ層には、例えば、高炭素濃度の第1AlNバッファ層121aと、第1AlNバッファ層121aの上に形成された高純度の第2AlNバッファ層121bと、が適用される。また、上記の単結晶バッファ層を介して成長されたGaN層としては例えば、第2バッファ層122、n形コンタクト層130及びSiドープのn形閉じ込め層などが適用される。このように、基板110上に上記の単結晶バッファ層を介してGaN層を成長させることで、結晶品質の高いGaN層が得られる。導電性基板460は、少なくとも導電性のある材料からなり、特に限定されるものではないが、例えば、Si及びGeなどの半導体基板、並びに、Cu及びCuWなどの金属板が用いられる。また、導電性基板460の全体で導電性を有する必要はなく、少なくとも一部が導電性を有していれば良く、例えば、樹脂の中に金属配線が設けられている板などを用いることができる。p側電極160は、少なくとも銀またはその合金を含む。銀以外の金属単層膜の可視光帯域に対する反射効率は、420nm以下の紫外域では波長が短くなるほど低下する傾向にあるが、銀は370nm以上410nm以下の紫外帯域の光に対しても高い反射効率特性を有する。そのため、紫外発光の半導体発光素子においてp側電極160が銀合金の場合は、p側電極160の半導体層の側の界面側の部分は、銀の成分比が大きい方が望ましい。p側電極160の厚さは、光に対する反射効率を確保するために、100nm以上であることが望ましい。p側電極160上には、半田がp側電極160へ拡散または反応するのを防ぐ目的で、銀と反応しない、または銀に積極的に拡散しない拡散防止層を設けても良い。なお、この拡散防止層は、p側電極160と電気的に接触する。この拡散防止層に用いられる材料としては、高融点金属である、例えば、バナジウムV、クロムCr、鉄Fe、コバルトCo、ニッケルNi、ニオブNb、モリブデンMo、ルテニウムRu、ロジウムRh、タンタルTa、タングステンW、レニウムRe、イリジウムIr及び白金Ptなどの単層膜または積層膜が挙げられる。さらに、拡散防止層には、多少拡散しても問題がないように仕事関数が高く、p形コンタクト層150p形GaN層とオーミック性が得られやすい金属として、鉄Fe、コバルトCo、ニッケルNi、ロジウムRh、タングステンW、レニウムRe、イリジウムIr及び白金Ptの少なくともいずれかを用いることがさらに望ましい。拡散防止層の厚さは、単層膜の場合は膜状態を保てる5nm以上、200nm以下の範囲であることが望ましい。積層膜の場合は、特に限定されるものではなく、拡散防止層の厚さは、例えば、10nm以上10000nm以下の間の値に設定することができる。本実施形態に係る半導体発光素子50においては、第1層131は、サファイアからなる基板110上に形成されたGaN層の上に形成され、発光部140は、第1層131の上に形成され、第2層151は、発光部140の上に形成されており、基板110が除去されている。このような構成を有する半導体発光素子50において、特に高い発光効率を実現できる。すなわち、基板110が除去される薄膜構造を有する半導体発光素子50においては、光が外部に取り出されるまでの平均の光路が長くなる。このため、素子半導体層の内部における吸収を下げることが、光の取り出し効率の向上に非常に効果的である。このため、発光部140を単一量子井戸構造とすることによって素子の内部半導体層の内部における光吸収を抑制する本実施形態の効果は、基板110が除去される構成において、特に顕著に発揮される。結晶積層体180と導電性基板460とを接着するとき、及び、レーザ光でGaN層を分解してサファイアからなる基板110を剥離するとき、において、結晶積層体180の結晶層に結晶欠陥やダメージが発生し易い。これは、導電性基板460、サファイア、及び、GaN層における相互の熱膨張係数差、局所的な加熱、及び、GaNの分解による生成物、などが原因であると考えられる。結晶層に結晶欠陥やダメージが発生すると、そこからp側電極160に含まれるAgが拡散し、結晶内部でのリークや結晶欠陥の加速度的な増加を招く。本実施形態によれば、井戸層143が単層であるため、基板110の側からの積層構造による歪により、結晶井戸層143の特性を大きく改善することができる。さらに単層であるため、MQW構造において発生し得る問題複数の井戸層において、成長基板側では結晶品質の改善が不十分で、成長基板とは反対側では歪が過大となり、結晶の特性が劣化する問題が発生しない。これにより、井戸層143の結晶を、最高の品質とすることができる。この効果は、本実施形態のように基板110を除去することで結晶に負荷がかかる場合に、特に効果的に発揮される。すなわち、結晶成長の際に用いられる基板110が除去された後にも、高品質の結晶を得ることができる。本実施形態のように、基板110を除去し、高反射率の金属を用いた電極p側電極160での反射を利用して光を取り出す構造では、基板110と成長結晶との界面、及び、基板110内での光損失がないので、結晶内での光損失の低減による発光効率改善の効果が大きい。すなわち、本実施形態においては、SQW構造を採用することで、発光効率の高い井戸層143から放出された光が、効率の低い別の井戸層で吸収されてしまうという問題が生じないため、極めて高い効率で光を外部に取り出すことができる。特に、本実施形態においては、第1積層構造体210及び第2積層構造体220を導入することで、結晶品質の向上の程度が大きいので、基板110を除去する際に発生し得る井戸層143の特性の劣化が効果的に抑制される。基板110が除去される構造を有する半導体発光素子においては、発光効率の低下が発生し易い。本願発明者は、この構成において発光効率が低下し易い原因を解析し、その結果、基板110を除去するプロセスにおいて、基板110の側から大きな歪が加わることで結晶中の転位が増加することが、発光効率の低下に大きく影響を与えていると推定した。すなわち、基板110を除去する際に、加熱によって基板110を除去すると、熱膨張に伴って横方向に成分をもった転位が結晶中に導入されていると考えられる。また、基板110を剥離する際に、剥離された部分とされていない部分とが発生し、これにより、斜めに力が働く状態で剥離が進行する。このため、基板110の除去に伴う転位も斜め方向の成分を持つと推定される。本実施形態に係る半導体発光素子50においては、基板110と発光部140との間に第1積層構造体210と第2積層構造体220とを導入している。これにより、基板110の除去に伴う転位の方向の変化横方向及び斜め方向への変化に対して影響を与えると考えられる。すなわち、本実施形態においては、転位は結晶表面に対して垂直に近づくため、転位の方向の変化を抑制する効果が発揮されていると推測される。これにより、基板110の除去において発生し得る発光効率の低下が抑制され、高効率に発光する半導体発光素子の実現が可能となる。本実施形態においては、第1積層構造体210及び第2積層構造体220の両者を用いているので、上記の効果が特に大きい。但し、その一方を用いた場合でも発光効率の向上効果が得られる。特に、第1積層構造体210を用いると、第3層203と第4層204との間の格子不整が大きく、転位の向きを変える効果が大きく、さらに、結晶が面内で不均一である場合でも転位の方向を変える効果が大きく、半導体発光素子の効率向上への寄与が大きい。以上のように、基板110が除去される構成が適用される半導体発光素子の場合に、本発明の実施形態に係る構成を適用することで、結晶の品質が高いことから基板110を除去する際の結晶の特性劣化が抑制され、特に高効率な発光を実現することが可能である。すなわち、基板110が除去される構成と、SQW構造の発光部140と、第1積層構造体210と、の組み合わせを採用すると、発光効率が特に効果的に向上できる。さらに、第2積層構造体220をさらに組み合わせることで、発光効率がさらに効果的に向上できる。第6の実施形態図7は、本発明の第6の実施形態に係るウェーハの構成を例示する模式的断面図である。図7に表したように、本実施形態に係るウェーハ560は、n形GaN及びn形AlGaNの少なくともいずれかを含む第1層131と、p形AlGaNを含む第2層151と、第1層131と第2層151との間に設けられ、Alx1Ga1-x1-y1Iny1N0<x1、0≦y1、x1y1<1を含む第1障壁層141と、第1障壁層141と第2層151との間に設けられ、Alx2Ga1-x2-y2Iny2N0<x2、0≦y2、x2y2<1を含む第2障壁層142と、第1障壁層141と第2障壁層142との間に設けられ、Alx0Ga1-x0-y0Iny0N0≦x0、0<y0、x0y0<1、y1<y0、y2<y0を含む井戸層143と、からなる単一量子井戸構造を有する発光部140と、を備える。井戸層143は、4.5nm以上9nm以下の厚さを有する。井戸層143は、近紫外光を放出する。井戸層143のピーク波長は、例えば380nm以上400nm以下である。このような構成を有するウェーハ560においては、既に説明した本発明の実施形態に係る半導体発光素子と同様の効果を発揮できる。ウェーハ560によって、高効率に近紫外光を発光するウェーハが提供できる。なお、図7に表したように、ウェーハ560は、既に説明した本発明の実施形態に係る半導体発光素子に関して説明した種々の層をさらに有することができる。なお、ウェーハ560においては、井戸層143の厚さは、特に5nm以上7nm以下に設定されることが望ましい。図8は、本発明の第6の実施形態に係る別のウェーハの構成を例示する模式的断面図である。図8に表したように、本実施形態に係るウェーハ570は、第1層131と発光部140との間に設けられ、AlGaInNを含み、それぞれの厚さが第1障壁層141及び第2障壁層142の厚さよりも薄い複数の第3層203と、複数の第3層203と交互に積層され、それぞれの厚さが井戸層143の厚さよりも薄いGaInNを含む複数の第4層204と、を含む第1積層構造体210をさらに備えている。さらに、ウェーハ570は、第1層131と発光部140との間に設けられ、GaNを含み、それぞれの厚さが第1障壁層141及び第2障壁層142の厚さよりも薄い複数の第5層205と、複数の第5層205と交互に積層され、それぞれの厚さが井戸層143の厚さよりも薄いGaInNを含む第6層206と、を含む第2積層構造体220をさらに備えている。本発明の実施形態の半導体発光素子に関して既に説明したように、第1積層構造体210及び第2積層構造体220の少なくともいずれかが設けられても良い。また、第2積層構造体220は、第1層131と第1積層構造体210との間に設けられることができる。なお、複数の第4層204の合計の厚さと、井戸層143の厚さと、の合計は、25nm以上45nm以下とすることができる。ウェーハ570における発光効率の向上の効果については、実施形態に係る半導体発光素子に関して説明した通りである。第7の実施形態本実施形態に係る半導体発光素子の製造方法は、例えば第5の実施形態に関して説明した半導体発光素子50の製造方法である。図9は、本発明の第7の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法を例示するフローチャート図である。図9に表したように、本実施形態に係る半導体発光素子の製造方法においては、サファイア層のc面を主面とした基板110上に、Alx3Ga1-x3N0.8≦x3≦1を含む単結晶バッファ層を形成するステップS101。例えば、高炭素濃度の第1AlNバッファ層121aと、第1AlNバッファ層121aの上に形成された高純度の第2AlNバッファ層121bと、を順次形成する。そして、単結晶バッファ層の上にGaN層を形成するステップS102。例えば、第2バッファ層122及びn形コンタクト層130などを形成する。そして、そのGaN層の上に、n形GaN及びn形AlGaNの少なくともいずれかを含む第1層131を含むn形半導体層を形成するステップS103。そして、n形半導体層の上に、Alx1Ga1-x1-y1Iny1N0<x1、0≦y1、x1y1<1を含む第1障壁層141を形成するステップS104。そして、第1障壁層141の上に、Alx0Ga1-x0-y0Iny0N0≦x0、0<y0、x0y0<1、y1<y0、y2<y0を含む井戸層143を形成するステップS105。井戸層143の厚さは、4.5nm以上9nm以下とされる。井戸層143は、近紫外光を放出する。井戸層143のピーク波長は、例えば380nm以上400nm以下である。そして、井戸層143の上に、Alx2Ga1-x2-y2Iny2N0<x2、0≦y2、x2y2<1を含む第2障壁層142を形成するステップS106。そして、第2障壁層142の上に、p形AlGaNを含む第2層151を含むp形半導体層を形成するステップS107。そして、p形半導体層の形成の後に、基板110を除去するステップS108。本実施形態に係る半導体発光素子の製造方法によれば、基板110の除去工程と、SQW構造の発光部140と、が組み合わされることで、発光効率が特に効果的に向上できる。さらに、第1積層構造体210及び第2積層構造体220の少なくともいずれかをさらに組み合わせることで、発光効率がさらに効果的に向上できる。第8の実施の形態図10は、本発明の第8の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法を例示するフローチャート図である。図10に表したように、本実施形態に係る半導体発光素子の製造方法においては、サファイアからなる基板110上に、有機金属気相成長法によりAlN層第1バッファ層121を形成するステップS201。例えば、高炭素濃度の第1AlNバッファ層121aと、第1AlNバッファ層121aの上に形成された高純度の第2AlNバッファ層121bと、を順次形成する。そして、このAlN層の上に、有機金属気相成長法によりGaN層を形成するステップS202。例えば、第2バッファ層122及びn形コンタクト層130などを形成する。そして、このGaN層の上に、n形GaN及びn形AlGaNの少なくともいずれかを含む第1層131を含むn形半導体層を有機金属気相成長法により形成するステップS203。そして、n形半導体層の上に、Alx1Ga1-x1-y1Iny1N0<x1、0≦y1、x1y1<1を含む第1障壁層141を有機金属気相成長法により形成するステップS204。そして、第1障壁層141の上にAlx0Ga1-x0-y0Iny0N0≦x0、0<y0、x0y0<1、y1<y0、y2<y0を含む井戸層143を有機金属気相成長法により形成するステップS205。井戸層143の厚さは、4.5nm以上9nm以下とされる。井戸層143は、近紫外光を放出する。井戸層143のピーク波長は、例えば380nm以上400nm以下である。そして、井戸層143の上に、Alx2Ga1-x2-y2Iny2N0<x2、0≦y2、x2y2<1を含む第2障壁層142を有機金属気相成長法により形成するステップS206。そして、第2障壁層142の上に、p形AlGaNを含む第2層151を含むp形半導体層を有機金属気相成長法により形成するステップS207。具体的には、上記のn形半導体層の上に第1障壁層141を直接形成し、第1障壁層141の上に井戸層143を直接形成し、井戸層143の上に第2障壁層142を直接形成し、第2障壁層142の上にp形半導体層を直接形成する。なお、既に説明したように、第1層131を含むn形半導体層は、第1層131の上に形成された第1積層構造体210及び第2積層構造体220の少なくともいずれかを含むことができる。このような製造方法によって、結晶の品質の高い半導体層が形成でき、この方法によってSQW構造を有する発光部140を形成することで、特に高効率に近紫外光を発光する半導体発光素子を生産性良く製造できる。なお、第1積層構造体210及び第2積層構造体220の少なくともいずれかを形成する工程をさらに実施しても良い。これにより、発光効率がさらに効果的に向上できる。また、上記の半導体発光素子の製造方法は、ウェーハの製造方法にも応用できる。すなわち、本発明の実施形態に係るウェーハの製造方法は、上記のステップS201~ステップS207を含むことができる。これにより、特に高効率に近紫外光を発光するウェーハを生産性良く製造できる。また、このウェーハの製造方法においても、第1積層構造体210及び第2積層構造体220の少なくともいずれかを形成する工程をさらに実施しても良い。これにより、発光効率がさらに効果的に向上できる。なお、本明細書において窒化物半導体とは、BxInyAlzGa1-x-y-zN0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1,xyz≦1なる化学式において組成比x、y及びzをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、N窒素以外のV族元素もさらに含むものや、導電型などを制御するために添加される各種のドーパントのいずれかをさらに含むものも、窒化物半導体に含まれるものとする。以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体発光素子に含まれる半導体層、発光部、井戸層、障壁層、積層構造体、電極、基板、バッファ層等の各要素の具体的な構成の、形状、サイズ、材質、配置関係などに関して当業者が各種の変更を加えたものであっても、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。その他、本発明の実施の形態として上述した半導体発光素子、ウェーハ、半導体発光素子の製造方法及びウェーハの製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体発光素子、ウェーハ、半導体発光素子の製造方法及びウェーハの製造方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。"