"導体の通電情報を計測する通電情報計測装置において、磁性材料からなり、前記導体を周方向に沿って囲む筒状に形成され、軸方向に沿って内周面側と外周面側とを連通させる切り欠き部を有する磁性体コアと、前記切り欠き部を通して前記導体に対向するように回路基板に実装され、前記導体に流れる電流によって発生する磁界の強度を電気信号に変換する磁電変換素子と、磁性材料からなり、前記回路基板を介して前記切り欠き部に対向するように設けられる磁性体シールドとを備え、前記磁性体シールドは、一面が前記回路基板に対向する板部と、当該板部の一面に形成される複数のリブとを有し、前記複数のリブのうち一対のリブ間に前記磁電変化素子が位置するように形成されることを特徴とする通電情報計測装置。前記磁電変換素子は、磁性薄膜で構成されることを特徴とする請求項1記載の通電情報計測装置。前記磁電変換素子の近傍に配置される永久磁石を備えることを特徴とする請求項1または2記載の通電情報計測装置。前記磁性体コアは、前記切り欠き部を介して互いに対向する面のうち少なくとも一方の面が段形状に形成されることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の通電情報計測装置。前記磁性体コアは、周方向において3つ以上に分割可能に構成されることを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の通電情報計測装置。前記通電情報は、前記導体に流れる電流であり、前記磁電変換素子が生成する前記電気信号に基づいて、前記導体に流れる電流を計測することを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の通電情報計測装置。前記通電情報は、前記導体を介して供給される電力であり、前記磁電変換素子が生成する前記電気信号と前記導体の電圧とから、前記導体を介して供給される電力を計測することを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の通電情報計測装置。しかし、従来の磁性体シールド103では、外部磁界を遮断するシールド性能が不十分であり、計測結果の誤差をより低減させるために、シールド性能の向上が望まれていた。本発明は、上記事由に鑑みてなされたものであり、その目的は、外部磁界を遮断するシールド性能を向上させた通電情報計測装置を提供することにある。本発明の通電情報計測装置は、導体の通電情報を計測する通電情報計測装置において、磁性材料からなり、前記導体を周方向に沿って囲む筒状に形成され、軸方向に沿って内周面側と外周面側とを連通させる切り欠き部を有する磁性体コアと、前記切り欠き部を通して前記導体に対向するように回路基板に実装され、前記導体に流れる電流によって発生する磁界の強度を電気信号に変換する磁電変換素子と、磁性材料からなり、前記回路基板を介して前記切り欠き部に対向するように設けられる磁性体シールドとを備え、前記磁性体シールドは、一面が前記回路基板に対向する板部と、当該板部の一面に形成される複数のリブとを有し、前記複数のリブのうち一対のリブ間に前記磁電変化素子が位置するように形成されることを特徴とする。この通電情報計測装置において、前記磁電変換素子は、磁性薄膜で構成されることが好ましい。この通電情報計測装置において、前記磁電変換素子の近傍に配置される永久磁石を備えることが好ましい。この通電情報計測装置において、前記磁性体コアは、前記切り欠き部を介して互いに対向する面のうち少なくとも一方の面が段形状に形成されることが好ましい。この通電情報計測装置において、前記磁性体コアは、周方向において3つ以上に分割可能に構成されることが好ましい。この通電情報計測装置において、前記通電情報は、前記導体に流れる電流であり、前記磁電変換素子が生成する前記電気信号に基づいて、前記導体に流れる電流を計測することが好ましい。この通電情報計測装置において、前記通電情報は、前記導体を介して供給される電力であり、前記磁電変換素子が生成する前記電気信号と前記導体の電圧とから、前記導体を介して供給される電力を計測することが好ましい。以上説明したように、本発明では、外部磁界を遮断するシールド性能を向上させることができるという効果がある。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。実施形態1本実施形態の通電情報計測装置の概略図を図1に示す。本実施形態の通電情報計測装置は、磁性体コア1と磁電変換素子2と磁性体シールド3とを備えており、電線5導体に流れる電流を計測するものである。なお、図1における上下左右方向を、上下左右方向と規定し、以下説明する。磁性体コア1は、内部に電線5が挿通される筒状の磁性材料で構成されており、断面が略コ字状に形成されている。具体的には、磁性体コア1は、電線5を周方向に沿って囲む矩形筒状に形成されており、下面の中央部に、軸方向に沿って内周面側と外周面側とを連通させる切り欠き部11が形成されている。磁電変換素子2は、切り欠き部11を介して電線5と対向するように回路基板4に実装されている。回路基板4は、左右方向の幅が磁性体コア1の左右方向の幅と略同一に形成されており、磁性体コア1の下面に対向するように設けられている。磁電変換素子2は、バイアスされた磁界の強度に応じた電気信号を出力する素子である。本実施形態の磁電変換素子2は、バイアスされた磁界の強度に応じて抵抗値を変化させる磁性薄膜で構成されており、パターン化されて回路基板4上に形成されている。そして、磁電変換素子2に電流を供給し、バイアスされた磁界の強度を電圧信号に変換して出力するものである。また、回路基板4には、磁電変換素子2の電圧信号から、電線5に流れる電流の電流値を算出して外部に出力する信号処理部図示なしが設けられている。このように、本実施形態では、磁電変換素子2は回路基板4上にパターン化された磁性薄膜で構成されているので、磁電変換素子2を小型化することができる。なお、磁電変換素子2は、磁性薄膜に限定するものではなく、ホール素子などで構成されていてもよい。また、本実施形態の磁電変換素子2は、回路基板4の上面に実装され、切り欠き部11を介して電線5と対向しているが、切り欠き部11内に設けられるように構成してもよい。次に、電線5に電流が流れた場合について説明する。電線5に電流が流れることによって、電線5の周囲に磁界が発生する。この磁界は磁性体コア1によって収束され、切り欠き部11には、電線5に流れる電流量に比例した磁界が発生する。この切り欠き部11に発生した磁界によって、磁電変換素子2に磁界以降、計測磁界と称すがバイアスされる。磁電変換素子2は計測磁界の強度に応じた電圧信号を出力する。すなわち、磁電変換素子2は、電線5に流れる電流の電流量に比例した電圧信号を出力する。そして、信号処理部が、磁電変換素子2が出力する電圧信号から電線5に流れる電流の電流値を算出し、外部に出力する。また、磁電変換素子2に外部磁界がバイアスされるのを防止するために、磁性体シールド3を備えている。磁性体シールド3は、磁性材料で構成されており、回路基板4を介して磁性体コア1の下面に対向するように設けられている。磁性体シールド3は、上面が回路基板4の下面に対向する板部31と、板部31の上面において左右方向に並設され、上端が回路基板4の下面に当接する一対のリブ32とで構成されている。板部31の左右方向の幅は、磁性体コア1および回路基板4の左右方向の幅と略同一に形成されている。また、リブ32-32間の間隔は、切り欠き部11のギャップ長L1と略同一となるように形成されている。したがって、磁電変化素子2は、リブ32同士を連続させる板部31の中央部31aと回路基板4を介して対向することとなる。このように、本実施形態の磁性体シールド3は、板部31がリブ32同士を連続させる中央部31aから左右方向に側部31bが延設されている。したがって、本実施形態の磁性体シールド3は、左右方向の幅が従来の磁性体シールド103より長く、回路基板4および磁性体コア1の下面全体を覆うように設けられている。そのため、磁性体シールド3は、従来の磁性体シールド103に比べて、磁電変換素子2だけでなく回路基板4および磁性体コア1に対する、特に下方向からの外部磁界のシールド性能が向上している。これにより、磁電変換素子2は、外部磁界による計測磁界の変動が低減される。また、磁性体コア1は、外部磁界による切り欠き部11に発生する磁界の変動が低減される。また、回路基板4は、外部磁界による回路基板4上の信号の変動やノイズ等が低減される。すなわち、本実施形態の通電情報計測装置は、上述した磁性体シールド3を備えることによって、外部磁界を遮断するシールド性能が高く、計測結果の誤差をより低減させることができる。なお、磁性体コア1と回路基板4とで左右方向の幅が異なる場合、磁性体シールド3の左右方向の幅を、磁性体コア1と回路基板4とのうち左右方向の幅が広い一方と略同一に形成することで、上記効果を得ることができる。また、磁性体シールド3は、図2に示すように、板形状の磁性材料を折り曲げ加工することで、板部31とリブ32とを形成してもよい。このように形成することで、リブ32を溶接等で板部31に突設する必要がなく、磁性体シールド3の製造が容易となり、コストを削減することができる。なお、本実施形態では、板部31の上面に一対のリブ32が突設されているが、さらに複数のリブ32が形成されていてもよく、リブ32の数が増加することで、外部磁界のシールド性能を向上させることができる。また、磁性体シールド3が磁性体コア1および磁電変換素子2に近接している場合、磁電変換素子2にバイアスされる計測磁界が損なわれるおそれがある。そこで、本実施形態では、磁性体コア1の切り欠き部11のギャップ長をL1とした場合、磁性体コア1の下面とリブ32の上端との距離L2が、L2=L1/4となるように磁性体シールド3を設けている。また、本実施形態では、磁電変換素子2の上端と磁性体コア1の下面とが上下方向において同一の位置であり、磁電変換素子2の上端とリブ32の上端との距離もL1/4となる。さらに、磁電変化素子2は、回路基板4を介して、磁性体シールド3のリブ32の上端とは対向せず、板部31の中央部31aと対向するように、磁性体シールド3が設けられている。磁性体シールド3を上記位置に設けることで、計測磁界が損なわれることなく、外部磁界も効果的に遮断することができ、計測結果の誤差を低減することができる。さらに、リブ32の上端のみが回路基板4に当接し、磁電変換素子2が回路基板4を介して板部31の中央部31aと対向するように磁性体シールド3を設けている。これにより、回路基板4と磁性体シールド3とが干渉する面積が狭くなり、回路基板4を小型化することができる。実施形態2本実施形態の通電情報計測装置の概略構成図を図3に示す。図3は、通電情報計測装置の上方からの断面図である。なお、実施形態1と同様の構成には、同一符号を付して説明は省略する。図3に示すように、本実施形態の通電情報計測装置は、磁電変換素子2の近傍に永久磁石6を備えることに特徴を有する。磁電変換素子2を磁性薄膜で構成した場合、磁電変換素子2の計測磁界に対する出力特性は、図4aに示すグラフとなる。磁電変換素子2の出力特性は、近似的に二次関数で表され、計測磁界がゼロのときに出力が最も高く、計測磁界が強くなるにしたがって出力が低減する。図4aに示すように、磁電変換素子2の出力特性は、線形性が低く、磁電変換素子2の出力から電線5に流れる電流値を算出する信号処理が複雑となる問題があった。そこで、本実施形態の通電情報計測装置は、磁電変換素子2に磁界をバイアスする一対の永久磁石6を備えている。図3に示すように、一対の永久磁石6は、磁性体コア1の軸方向図3における上下方向に並設され、磁電変換素子2を介して対向している。そして、永久磁石6は、磁性体コア1が磁電変換素子2にバイアスする磁界計測磁界の方向に対して直交方向図3における上下方向の磁界を磁電変換素子2にバイアスしている。これにより、図4bに示すように、磁電変換素子2の出力特性は、近似的に三次関数で表されるように変化し、計測磁界がゼロ付近の領域では線形性が高くなる。したがって、計測磁界がゼロ付近の領域内で変動するよう設定することで信号処理が容易となる。そこで、本実施形態の磁性体コア1は、図5に示すように、切り欠き部11を介して対向する面を段形状に形成することで、計測磁界がゼロ付近の領域内となるように調節している。磁性体コア1は、切り欠き部11を介して対向する面のそれぞれに凹部12が形成されている。凹部12は、軸方向に沿って、磁性体コア1の下面と連続するように形成されている。したがって、切り欠き部11を介して対向する面は、磁性体コア1の内周面に連続する第1の面13と、外周面に連続する第2の面14とで構成され、第2の面14間の間隔L3は、第1の面13間の間隔L1よりも長くなる。このため、第2の面14間に発生する磁界は、第1の面13間に発生する磁界よりも弱くなるので、磁電変換素子2にバイアスされる磁界も弱くなる。このように、凹部12を形成することで、磁電変換素子2にバイアスされる磁界の強度を調節することができるので、計測磁界がゼロ付近の領域内を変動するように設定することが可能となる。すなわち、永久磁石6を磁電変換素子2の近傍に配置することで、磁電変換素子2の出力特性が変化して、計測磁界がゼロ付近の領域では線形性が高くなる。さらに、磁性体コア1に凹部12を形成することで、計測磁界がゼロ付近の領域内を変動するように設定することができる。これにより、磁電変換素子2の出力特性において線形性の高い領域を用いることができるので、磁電変換素子2の出力から電線5に流れる電流値を算出する信号処理が容易となり、計測精度を向上させることができる。また、永久磁石6を備えることで、磁電変換素子2の出力特性は、図4bに示すように計測磁界がゼロのときに出力もゼロとなり、計測磁界の方向正負に応じて出力の極性も反転するので、電線5に流れる電流の方向も判定することができる。なお、本実施形態では、凹部12は、切り欠き部11を介して対向する面のそれぞれに形成されているが、少なくともどちらか一方の面に凹部12を形成した場合でも上記効果を得ることができる。なお、本実施形態では、磁電変換素子2を介して対向するように一対の永久磁石6が設けられているが、いずれか一方の永久磁石6のみを設けた場合でも、上記効果を得ることができる。また、永久磁石6は、磁電変換素子2に対して軸方向に配置されているが、この位置に限定するものではない。また、磁性体コア1は、図6に示すように、周方向に分割された構成でもよい。磁性体コア1は、主に上部を構成する上片15と、主に左部を構成する左片16と、主に右部を構成する右片17との3つに分割されている。上片15と左片16、上片15と右片17とは着脱自在に構成されている。そのため、既設の電線5に対して磁性体コア1を取り付ける際に、電線5の周囲を囲うように上片15,左片16,右片17を組み立てることで、既設の電線5に対して磁性体コア1を容易に取り付けることができ、施工性を向上させることができる。なお、本実施形態では、磁性体コア1は、上片15,左片16,右片17の3つに分割されているが、さらに複数に分割可能に構成されてもよい。実施形態3本実施形態の通電情報計測装置は、磁性薄膜で構成された磁電変換素子2に、電線5の電圧を印加することで、磁電変換素子2の出力から電線5を介して供給される電力を計測するものである。なお、磁性体コア1,磁電変換素子2,磁性体シールド3の構成は、実施形態1または2と同一であり、説明は省略する。本実施形態では、強磁性体内において、電流と磁化のなす角度によりその磁性体の電気抵抗値が変わる現象であるプレーナホール効果を利用し、バイアス磁界なしで線形特性を得ることができる点に着目し、電力に比例する信号成分を取り出す。図7,8にこの測定原理を示す。図7は、本実施形態の通電情報計測装置の測定原理を示す概要説明図、図8は、等価回路である。交流電源Einの出力端間に、抵抗Raおよび磁電変換素子2からなる直列回路と、負荷7とが並列接続されており、電線5を介して負荷7に流れる電流をI1、磁電変換素子2に流れる電流をI2とする。図8に示すように、磁電変換素子2は、抵抗R1,R4の直列回路と抵抗R2,R3の直列回路とが並列接続された抵抗ブリッジとみなすことができ、抵抗R1の抵抗値がバイアスされる磁界の強度に応じて変化する。そして、磁電変換素子2は、抵抗R1,R4の接続点と抵抗R2,R3の接続点とで出力端を構成しており、出力端間の電圧を出力電圧Vmrとする。ここで、計測磁界がゼロのときに出力電圧Vmrがゼロ、すなわち平衡状態R1=R2=R3=R4となるように設定した場合、出力電圧Vmrは抵抗R1の変化率に比例する。抵抗R1の変化率は電流I1に比例し、磁電変換素子2に印加される電圧Vbは交流電源Einの電源電圧すなわち電流I2に比例しており、出力電圧Vmrは、電流I1と電流I2の積に比例する。すなわち、出力電圧Vmrは、電力に比例する信号成分を有しており、この信号成分を抽出することで、電線5を介して負荷7に供給される電力を計測することができる。また、磁性体コア1,磁性体シールド3の構成は、実施形態1または2と同一であるので、外部磁界のシールド性能が高く、計測結果の誤差を低減することができる。"