被処理部材の近傍に酸素と不飽和炭化水素とを含む混合ガスを供給し、前記混合ガスに深紫外光および/または真空紫外光を照射することにより、前記被処理部材の表面の炭素コンタミネーションを分解除去することを特徴とするクリーニング方法。前記不飽和炭化水素は、エチレンであることを特徴とする請求項1記載のクリーニング方法。前記混合ガスは、前記酸素と前記不飽和炭化水素のモル比が、酸素:不飽和炭化水素=1:1×10-3~1の範囲であることを特徴とする請求項1記載のクリーニング方法。被処理部材の表面の炭素コンタミネーションを分解除去するクリーニング装置であって、前記被処理部材を収容する処理室と、前記処理室の内部に深紫外光および/または真空紫外光を照射する光照射装置と、前記処理室の内部に酸素と不飽和炭化水素とを含む混合ガスを供給するガス供給源とを備えていることを特徴とするクリーニング装置。前記不飽和炭化水素は、エチレンであることを特徴とする請求項4記載のクリーニング装置。前記混合ガスは、前記酸素と前記不飽和炭化水素のモル比が、酸素:不飽和炭化水素=1:1×10-3~1の範囲であることを特徴とする請求項4記載のクリーニング装置。前記光照射装置は、前記深紫外光を発する水銀ランプ、前記深紫外光を発するKrClエキシマランプ、前記真空紫外光を発するXe2エキシマランプのうち、いずれか1種以上を備えていることを特徴とする請求項4記載のクリーニング装置。前記被処理部材を所定の温度に加熱する加熱装置をさらに備えていることを特徴とする請求項4記載のクリーニング装置。本発明者の検討によれば、上記した従来の炭素系コンタミネーション除去方法は、いずれもEUV露光装置の光学系やマスクなどにダメージを与えることなく、効率的にコンタミネーションを除去することが困難である。例えば特許文献1に記載された水素ラジカル法では、プラズマ発生法またはホットフィラメント法によって水素ラジカルを発生させるが、プラズマ発生法は、ランプに比べて設備が大掛かりになるという問題がある。一方、ホットフィラメント法の場合は、発生する熱によってマスクがダメージを受けるという問題があり、その対策として熱を回避する装置構成を採用すると設備が重くなり、かつ炭素系コンタミネーションの除去効率が低下するという問題が生じる。また、酸素の存在下で深紫外光や真空紫外光を照射する方法の場合は、設備が比較的簡便であるものの、コンタミネーションの除去効率が低いという問題がある。本発明の目的は、EUV露光装置のチャンバ内に設置されたマスクや光学系に付着した炭素コンタミネーションを、当該マスクや光学系にダメージを与えることなく、効率的に分解除去することのできるクリーニング技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうち、代表的なものの一態様を簡単に説明すれば、次のとおりである。この一態様であるクリーニング方法は、被処理部材の近傍に酸素と不飽和炭化水素とを含む混合ガスを供給し、前記混合ガスに深紫外光および/または真空紫外光を照射することにより、前記被処理部材の表面の炭素コンタミネーションを分解除去するものである。本願において開示される発明のうち、代表的なものの一実施の形態によって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。被処理部材の表面に付着した炭素コンタミネーションを、当該被処理部材にダメージを与えることなく、効率的に分解除去することが可能となる。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、実施の形態では、特に必要なときを除き、同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。さらに、実施の形態を説明する図面においては、構成を分かり易くするために、断面図であってもハッチングを省略する場合がある。図1は、本発明の一実施の形態であるクリーニング装置40を示す概略図である。このクリーニング装置40は、EUV露光装置のチャンバに収納された照明光学系、投影光学系といった光学部品やマスクなどの表面に付着した炭素コンタミネーションを除去するために使用される。図1に示すように、クリーニング装置40は、被処理部材である多層膜ミラー41を載置するステージ42が設けられた処理室43を備えている。ステージ42の上に載置された多層膜ミラー41の表面には、例えば30nm程度の膜厚を有する炭素コンタミネーション44が付着している。この炭素コンタミネーション44は、EUV露光装置のチャンバに収納されたウエハの表面のレジスト組成物が分解して発生した炭素化合物に由来する異物である。上記処理室43の上面には、水銀ランプ45を備えた光照射装置46が設置されている。そして、この水銀ランプ45から発する波長254nmの深紫外光が処理室43のウインドウ47を通じて処理室43の内部に照射されるようになっている。また、上記処理室43の外部には、酸素供給源51と不飽和炭化水素供給源52とが設置されている。そして、酸素供給源51からは配管53aを通じて酸素ガスが、また、不飽和炭化水素供給源52からは、配管53bを通じて不飽和炭化水素ガスの一種であるエチレンガスが、それぞれ処理室43の内部に供給されるようになっている。さらに、上記処理室43の一端には、処理室43の内部を減圧したり、処理室43の内部で発生した分解ガスを外部に排出したりするための排気装置54が接続されている。図2に示すように、上記多層膜ミラー41は、例えば基板72と、この基板72の上面に積層された多層膜73およびキャッピング層74などで構成されている。上記多層膜ミラー41の表面をクリーニングするには、まず、多層膜ミラー41をEUV露光装置図示せずから取り外し、図1に示すクリーニング装置40の処理室43に収容されたステージ42の上に載置する。次に、排気装置54を使って処理室43の内部を減圧した後、酸素供給源51に接続された配管53aのバルブ55a、および不飽和炭化水素供給源52に接続された配管53bのバルブ55bをそれぞれ開放することによって、処理室43の内部に酸素ガスと、不飽和炭化水素ガスの一種であるエチレンガスとを導入する。続いて、光照射装置46の水銀ランプ45を点灯し、処理室43の内部に導入された酸素ガスおよびエチレンガスに波長254nmの深紫外光を照射する。これにより、酸素およびエチレンから生じたイオンやラジカルによって、多層膜ミラー41の表面の炭素コンタミネーション44が徐々に分解する。多層膜ミラー41の表面をクリーニングする時間は、あらかじめEUV露光装置の稼働時間と炭素コンタミネーション44の膜厚との関係を調べておき、EUV露光装置の稼働時間に応じてクリーニング時間を設定すればよい。これにより、過剰なクリーニングによる多層膜ミラー41の表面のダメージを回避することができる。クリーニング装置40の処理室43に導入する不飽和炭化水素としては、上記エチレンの他、炭素同士の二重結合を有するものアルケンまたは炭素同士の三重結合を有するものアルキンのうち分子量の小さいもの、具体的にはプロペン、ブテン、アセチレンなどを使用することができる。また、これらの不飽和炭化水素を2種以上混合して使用することもできる。本発明者の実験によれば、これらの低分子アルケンおよび低分子アルキンのうち、エチレン単体を用いたときに最も効率よく炭素コンタミネーション44を分解除去することができた。また、酸素と不飽和炭化水素の組成比モル比を種々変化させて炭素コンタミネーション44の分解除去レートを調べたところ、酸素が1に対して不飽和炭化水素が1×10-3~1の範囲であるとき、分解除去レートが最大であった。また、分解除去レートは多少低くなるが、酸素ガスに代えて空気を使用した場合でも炭素コンタミネーション44を分解除去することができた。また、炭素コンタミネーション44の除去効率をさらに高めるため、例えば図3に示すように、多層膜ミラー41を載置するステージ42の内部にヒータ48を設置し、多層膜ミラー41およびその表面の炭素コンタミネーション44を適度に加熱してもよい。このようにした場合は、処理室43に酸素のみを導入し、室温で炭素コンタミネーション44を分解除去した場合と比べて2倍以上の分解除去レートが得られた。また、多層膜ミラー41の耐熱限界以下の温度でクリーニングを行うことにより、多層膜ミラー41へのダメージも皆無であった。また、多層膜ミラー41だけでなく、マスクに対しても同様の処理を行った結果、マスクにダメージを与えることなく、マスク表面の炭素コンタミネーションを効率よく分解除去することができた。図4に示すように、EUV露光で使用するマスク21は、基板61と、この基板61の上面に積層された多層膜62、キャッピング層63、バッファー層64、EUV光を吸収する吸収体65などで構成されている。また、基板61の裏面にはEUV光を反射するメタル層66が形成されている。酸素と不飽和炭化水素に照射する深紫外光の光源は、上記水銀ランプ45に限定されるものではなく、例えば波長222nmの深紫外光を発するKrClエキシマランプなどを使用することもできる。また、深紫外光に限定されず、真空紫外光を照射することもできる。この場合の光源としては、例えば波長172nmの真空紫外光を発するXe2エキシマランプなどを使用することができる。さらに、これらのランプのうち、2種以上のものを同時に使用することもできる。以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。