ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、基板上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、p型の導電性を有する前記III-V族窒化物半導体層からなる第2の窒化物半導体層と、前記第2の窒化物半導体層の一部を除去し、露出する前記第1の窒化物半導体層上にオーミック接合する第1のアノード電極と、該第1のアノード電極に接続し、前記第2の窒化物半導体層にオーミック接合する第2のアノード電極と、前記第1の窒化物半導体層にオーミック接合するカソード電極とを備え、前記第1及び前記第2のアノード電極に印加する電圧が0Vのとき、前記第2のアノード電極直下の前記第1の窒化物半導体層からなるチャネルにキャリアが存在せず、前記第2のアノード電極直下を除く前記第1の窒化物半導体層にキャリアが存在していることを特徴とする窒化物半導体装置。請求項1記載の窒化物半導体装置において、前記基板と前記第1の窒化物半導体層との間に、前記第1の窒化物半導体層のエネルギーギャップより小さいエネルギーギャップを持つ、前記III-V族窒化物半導体層からなる第3の窒化物半導体層を備え、前記第1及び前記第2のアノード電極に印加する電圧が0Vのとき、前記第2のアノード電極直下の前記第1の窒化物半導体層と前記第3の窒化物半導体層との界面にキャリアが存在せず、前記第2のアノード電極直下を除く前記第1の窒化物半導体層と前記第3の窒化物半導体層との界面にキャリアが存在していることを特徴とする窒化物半導体装置。しかしながら、従来のショットキーバリアダイオードは、正常なダイオード動作が得られるAlGaN層24の厚さ及びAl組成、拡散領域25を形成する際のCF4プラズマ処理条件や、AlGaN層34のエッチング深さの許容範囲が極めて狭いという問題があった。つまり、少しでもこれらの条件が変動すると、第2のアノード電極28、38直下の2次元電子ガスが消失できずに残り、逆方向にリーク電流が流れ、ダイオードとして機能しなくなってしまうという問題があった。また、プラズマ処理によって拡散領域25を形成する方法は、信頼性が確立されておらず、実用的な構造とはいい難いという問題があった。さらにまた、窒化物半導体を用いたショットキーバリアダイオードの順方向電圧は、温度依存性が正であるため、大電流が流れると、温度が上昇し、シリコンで作成した従来のショットキーバリアダイオードよりも、順方向サージ電流耐量が低くなるという問題があった。本発明は、上記従来技術の問題点を解消するためになされたものであり、簡単な構造で、極めて低い順方向立ち上がり電圧と、高い逆方向耐圧特性を有する窒化物半導体装置を提供するものである。上記目的を達成するため、本願請求項1に係る発明は、ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、基板上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、p型の導電性を有する前記III-V族窒化物半導体層からなる第2の窒化物半導体層と、前記第2の窒化物半導体層の一部を除去し、露出する前記第1の窒化物半導体層上にオーミック接合する第1のアノード電極と、該第1のアノード電極に接続し、前記第2の窒化物半導体層にオーミック接合する第2のアノード電極と、前記第1の窒化物半導体層にオーミック接合するカソード電極とを備え、前記第1及び前記第2のアノード電極に印加する電圧が0Vのとき、前記第2のアノード電極直下の前記第1の窒化物半導体層からなるチャネルにキャリアが存在せず、前記第2のアノード電極直下を除く前記第1の窒化物半導体層にキャリアが存在していることを特徴とする。本願請求項2に係る発明は、請求項1記載の窒化物半導体装置において、前記基板と前記第1の窒化物半導体層との間に、前記第1の窒化物半導体層のエネルギーギャップより小さいエネルギーギャップを持つ、前記III-V族窒化物半導体層からなる第3の窒化物半導体層を備え、前記第1及び前記第2のアノード電極に印加する電圧が0Vのとき、前記第2のアノード電極直下の前記第1の窒化物半導体層と前記第3の窒化物半導体層との界面にキャリアが存在せず、前記第2のアノード電極直下を除く前記第1の窒化物半導体層と前記第3の窒化物半導体層との界面にキャリアが存在していることを特徴とする。本発明の窒化物半導体装置は、低い順方向バイアスの条件では、オーミック接合している第1のアノード電極に電流が流れるため、極めて低いオン電圧特性となるとともに、順方向バイアスが高くなると、オーミック接合している第2のアノード電極にも電流が流れ、大きな電流を流すことができる。また、逆方向バイアスの条件では、第2のアノード電極とp型の窒化物半導体層に逆方向バイアスが印加される結果、pn接合の逆方向バイアスと同様の効果によりキャリアが消失し、リーク電流が少なくなるとともに、第2のアノード電極が主に機能することになり、高い耐圧特性が得られることになる。第3のIII-V族窒化物半導体層を備えた、いわゆるHEMT構造の窒化物半導体層を用いて本発明の整流ダイオードを形成して2次元電子ガスをキャリアとする場合には、オン電圧がほぼ0Vで、順方向電流が大きい良好な順方向電圧特性が得られた。さらに、順方向電流が4V以上になると、p型の導電性を有する第2の窒化物半導体層からホールが注入されることで、伝導度変調が起こり、さらにオン抵抗が低減した。この効果により、順方向サージ電流耐量が、従来よりも20程度大きい整流ダイオードを形成することができた。このように順方向サージ電流耐量が大きくなったため、整流ダイオードをPFC回路の昇圧ダイオードに用いた場合、従来の整流ダイオードでは、電源の投入時に入力コンデンサに向けて大きな突入電流が流れるために、素子を破壊から保護するためバイパスダイオードが必要であったが、本発明の整流ダイオードを用いた場合には、バイパスダイオードが必要なくなるという効果もある。本発明の窒化物半導体装置は、基板上に、III-V族窒化物半導体からなる第1及び第2の窒化物半導体層が積層形成されており、第1の窒化物半導体層に接合する第1のアノード電極と第2の窒化物半導体層に接続する第2のアノード電極を構成する電極金属を適宜選択することによって、それぞれオーミック接合を形成する。またカソード電極は、第1の窒化物半導体層に接合する構造となっている。第2のアノード電極は、カソード電極と第1のアノード電極の間に配置されている。そして第1及び第2のアノード電極に印加する電圧が0Vのとき、第2のアノード電極直下の第1の窒化物半導体層からなるチャネルにキャリアが存在せず、第2のアノード電極直下を除く第1の窒化物半導体層にはキャリアが存在する構成となっている。このような構造の窒化物半導体装置では、第1及び第2のアノード電極とカソード電極との間に順方向バイアスを印加する場合、順方向バイアスが小さい段階では、第2のアノード電極直下の第1の窒化物半導体層から電流経路にキャリアが生成し、第1の窒化物半導体層とオーミック接合を形成する第1のアノード電極が主に機能して、低いオン電圧で電流が流れることになる。さらに順方向バイアスが大きくなると、第2のアノード電極にも電流が流れ、第2の窒化物半導体層からホールが注入されることで、伝導度変調が起こり低いオン抵抗となり大電流が流れることになる。また第1及び第2のアノード電極とカソード電極との間に逆方向バイアスを印加する場合、第2のアノード電極直下の第1の窒化物半導体層と第2の窒化物半導体層からなる電流経路にキャリアが存在しないことから、逆方向のリーク電流が低減される。さらに大きな逆方向バイアスを印加すると、カソード電極側に空乏層が広がり、高い耐圧特性が得られることになる。以下、本発明の窒化物半導体装置について、スイッチング素子や整流素子として用いることができる整流ダイオードを例にとり、詳細に説明する。図1、図2は本発明の第1の実施例のHEMT構造を利用した整流ダイオード10の説明図であり、図1はその断面図を、図2はその製造工程をそれぞれ示している。図2に示すように、導電性の炭化珪素SiCからなる基板11上に、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法等により、厚さ200nm程度の窒化アルミニウムAlNからなるバッファ層12、厚さ3.0μmのノンドープ窒化ガリウムGaNからなるチャネル層13第3の窒化物半導体層に相当、厚さ25nmのノンドープの窒化アルミニウムガリウムAlGaNからなる電子供給層14第1の窒化物半導体層に相当、マグネシウムMgをドーピングした厚さ10nmの窒化アルミニウムガリウムAlGaNからなるキャップ層15第2の窒化物半導体層に相当が順次積層した構造の半導体基板を用意する図2a。次に、第1のアノード電極及びカソード電極の形成予定領域が開口するようにフォトレジストをパターン形成し、塩素系ガスを用いたRIE等のドライエッチング法により、露出するキャップ層15の一部をエッチングし、底面に電子供給層14を露出する凹部を形成する。その後、チタンTi/アルミニウムAlの積層体等からなる第1のアノード電極16及びカソード電極17を、電子供給層14上にパターン形成し、フォトレジストを除去した後、600°C、30秒の急速加熱を行うことで、オーミック接合を形成する図2b。このような半導体基板では、窒化ガリウムからなるチャネル層13と窒化アルミニウムガリウムからなる電子供給層14とのヘテロ接合面に、図中に破線で模式的に示すように2次元電子ガスキャリアが発生する。また、p型のキャップ層15の影響で、キャップ層15直下のヘテロ接合面には2次元電子ガスキャリアが発生しない構造となっている。次に、第2のアノード電極の形成予定領域が開口するように別のフォトレジストをパターン形成し、先に形成した第1のアノード電極16に電気的に接合するようにニッケルNi/金Auの積層体等からなる第2のアノード電極18を、キャップ層15上にパターン形成し、フォトレジストを除去した後、500°C、30秒間の急速加熱を行うことで、オーミック接合を形成する図2c。その後、第1及び第2のアノード電極16、18とカソード電極17との間に露出するキャップ層15を、これらの電極をエッチングマスクとして使用して、塩素系ガスを用いたRIE等のドライエッチング法によりエッチング除去し、電子供給層14を露出させる。キャップ層15を除去することにより、電子供給層14とチャネル層13とのヘテロ接合面に2次元電子ガスキャリアが発生し、本発明の整流ダイオードを形成することができる図2d。このような構造の整流ダイオードでは、電子供給層14及びキャップ層15にそれぞれオーミック接合する第1のアノード電極16及び第2のアノード電極18とカソード電極17との間に、順方向バイアスを印加すると、ほぼ0Vのオン電圧で、順方向電流が急激に増大する特性となる。これは、順方向電圧が0Vのときには、第2のアノード電極18直下にキャリアとなる2次元電子ガスが存在しないが、順方向電圧を印加することで、2次元電子ガスが生成し、電流が流れるためである。つまり、印加電圧が小さい段階では、電子供給層14とオーミック接合する第1のアノード電極16が主に機能することによって、電子供給層14と第1のアノード電極16のオン抵抗に近い順方向電圧0Vとなるが、印加電圧が大きくなると、チャネル層13と電子供給層14とのヘテロ接合面の2次元電子ガスがキャリアとなり、順方向電流増大に寄与することになる。さらに順方向バイアスが4.0V程度に達すると、第2のアノード電極18直下のキャップ層15からホールが注入されることで、伝導度変調が起こり、さらにオン抵抗が低減し、大電流を流すことができるようになる。一方、逆方向バイアスを印加すると、約800Vという大きな耐圧特性が確認された。これは、逆方向バイアスが、-10V程度以下の段階では、キャップ層15と電子供給層14が高い絶縁性を有し、キャリアとなる2次元電子ガスが第2のアノード電極18の直下に存在しないことから、逆方向のリーク電流が低減されており、さらに大きな逆方向バイアスを印加すると、カソード電極17側に2次元電子ガスが存在しない空乏領域が広がるためと考えられる。次に図1に示す構造の整流ダイオードを、別の製造方法により形成する第2の実施例について説明する。第1の実施例同様、導電性の炭化珪素からなる基板11上に、MOCVD法等により、厚さ200nm程度のAlNからなるバッファ層12、厚さ3.0μmのノンドープGaNからなるチャネル層13、厚さ10nmのノンドープのAlGaNからなる電子供給層14が順次積層した構造の半導体基板を用意する。次に電子供給層14上の第2のアノード電極形成予定領域に、キャップ層15を選択成長させるためにSiO2からなるマスク材を形成する。その後、マグネシウムMgをドーピングした厚さ10nmの窒化アルミニウムガリウムAlGaNからなるキャップ層15を積層形成する。その後、マスク材を除去する。以下、第1の実施例で説明した工程に従い、第1のアノード電極16及びカソード電極17、第2のアノード電極18を形成し、本発明の整流ダイオードを形成することができる。このようにエッチングによらず、キャップ層15を選択成長させる場合であっても、上述の第1の実施例同様、低いオン電圧特性とオン抵抗を有することでサージ順電流を増大させ、さらに高い逆方向耐圧の整流ダイオードを形成することができる。以上本発明の実施例について説明したが、本発明はこれらに限定されるものでないことはいうまでもない。例えば、HEMT構造の窒化物半導体装置の代わりに、不純物が添加された窒化物半導体層を能動層チャネル層とした、いわゆるFET構造の窒化物半導体装置とすることもできる。この場合、第1のアノード電極16及びカソード電極17が能動層にオーミック接合を形成し、第2のアノード電極は、p型のキャップ層15にオーミック接合を形成する構造とする。このような構造としても、第2のアノード電極直下は空乏化し、キャリアが存在しない状態となる。また、窒化物半導体層は、GaN/AlGaN系に限定されるものではなく、ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層で形成することができる。同様にキャップ層もAlGaNに限定されるものではなく、ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層にMgをドーピングすることで形成することができる。第1のアノード電極及びカソード電極を構成する金属材料は、接合を形成するIII-V族窒化物半導体層の種類に応じて適宜選択すればよい。たとえば上記実施例で説明した窒化物半導体層の場合には、第1のアノード電極及びカソード電極を構成する金属材料はTiAlの積層構造に限定されず、モリブデンMo、タンタルTa、タングステンWや銀Ag等、アニール後にオーミック接触を形成する金属であればよい。また、第2のアノード電極を構成する金属材料は、NiAuの積層構造に限定されず、例えば白金Pt、パラジウムPd等、p型の窒化物半導体材料にオーミック接触する金属を選択すればよい。また基板11は、炭化珪素基板の代りに、サファイア基板やシリコン基板を用いてもよい。なお、サファイア基板を用いる場合、バッファ層12は低温成長の窒化ガリウムを用いる方が望ましい。