表面に凹凸のある基板にパターンの形成材料およびバインダ成分を含むパターン形成用ペーストをスクリーン印刷法で印刷してパターンを形成するパターン形成方法であって、前記パターン形成用ペーストのバインダ成分と同じバインダ成分を含む下地層用ペーストを、前記凹凸を被覆するように前記基板の表面にスクリーン印刷法で印刷して下地層を形成する下地層形成工程と、前記下地層上に前記パターン形成用ペーストをスクリーン印刷法で印刷して前記ペーストのパターンを形成するペーストパターン形成工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。前記バインダ成分は、樹脂および溶剤であること、を特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。前記下地層を前記ペーストのパターンの印刷領域を広げたパターンで前記基板の表面において部分的に形成すること、を特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。前記下地層を前記ペーストのパターンのネガパターン状に形成すること、を特徴とする請求項3に記載のパターン形成方法。前記ペーストパターン形成工程の後に、前記ペーストのパターンを焼成するとともに前記下地層を焼失させて前記基板の表面と接触したパターンを形成する焼成工程を有すること、を特徴とする請求項1~4のいずれか1つに記載のパターン形成方法。第1導電型の半導体基板の一面側の表面に凹凸形状を形成する凹凸形状形成工程と、前記凹凸形状を形成した前記半導体基板の一面側に、第2導電型の不純物元素が拡散された不純物拡散層を形成する不純物拡散層形成工程と、請求項5に記載のパターン形成方法により前記半導体基板の表面に電極パターンを形成する電極形成工程と、を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。しかしながら、このような従来技術においては、厚膜パターンを形成する面が略平坦であることを前提として、焼成工程で消失する下地層を厚膜パターン印刷前に形成していた。このため、厚膜パターン印刷前において、下地層は、膜厚0.001μm~5μmの範囲で薄く形成されていた。この結果、例えば10μm~15μmの高低差のある凹凸が存在するワーク基板表面に下地層を形成する場合は、下地層の表面にはワーク基板由来の表面凹凸が残る。そして、厚膜ペーストを印刷する際に、下地層の表面の凹凸の存在により印刷マスクとワーク基板表面の隙間が生じ、この隙間に厚膜ペーストが回り込み、厚膜パターンの滲みが発生する、という問題があった。また、従来技術においては、スクリーン印刷法を用いるため、スキージと呼ばれるウレタン性ゴムでスクリーンマスクの表面を加圧印圧してワーク基板に押し当て、スクリーンマスクを変形させながらスキージを移動させる。このようにスクリーンマスク裏の乳剤面をワーク基板に接触させながらスクリーンマスク開口からペーストを押し込むことで、ワーク基板上に所望のパターンが印刷される。しかし、ワーク基板の厚さが薄い場合、例えば1mmより薄い場合には、ワーク基板が脆いため印圧スキージ圧を高められず、スクリーンマスク裏の乳剤面とワーク基板との密着が得られない。この結果、ワーク基板上に印刷された厚膜パターンに滲みが発生し易い、という問題があった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、表面に凹凸を有する薄い基板上にパターン滲みの少ない安定した状態でパターンを形成するパターン形成方法およびこれを用いた太陽電池の製造方法を得ることを目的としている。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかるパターン形成方法は、表面に凹凸のある基板にパターンの形成材料およびバインダ成分を含むパターン形成用ペーストをスクリーン印刷法で印刷してパターンを形成するパターン形成方法であって、前記パターン形成用ペーストのバインダ成分と同じバインダ成分を含む下地層用ペーストを、前記凹凸を被覆するように前記基板の表面にスクリーン印刷法で印刷して下地層を形成する下地層形成工程と、前記下地層上に前記パターン形成用ペーストをスクリーン印刷法で印刷して前記ペーストのパターンを形成するペーストパターン形成工程と、を含むことを特徴とする。本発明によれば、表面に凹凸を有する薄い基板上にパターン滲みの少ない安定した状態でパターンを形成することができる、という効果を奏する。以下に、本発明にかかるパターン形成方法および太陽電池の製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。また、平面図であっても、図面を見易くするためにハッチングを付す場合がある。実施の形態1.図1は、本発明の実施の形態1にかかるパターン形成方法における各工程を模式的に示す断面図である。以下、図1を参照して、実施の形態1にかかるパターン形成方法を説明する。まず、表面に凹凸のある基板1を準備し、凹凸のある面を上にして該基板1を配置する図1a。つぎに、基板1における凹凸のある表面に、下地層の材料となる下地層用ペースト状材料以下、下地層用ペーストと呼ぶをスクリーン印刷法により印刷し、印刷した下地層用ペーストを乾燥して下地層乾燥膜2を形成する図1b。基板1における凹凸のある表面に下地層2を形成することにより、該下地層2が基板1の表面の凹凸を緩和することで基板1の表面状態を略平坦にする。ここで、下地層用ペーストは、次工程で印刷する導体パターンの材料となる導体ペースト状材料以下、導体ペーストと呼ぶが含有するバインダ成分と同じバインダ成分を含むペースト状材料である。また、下地層2の厚みは、基板1の表面の凹凸をある程度緩和する厚みとすることが好ましい。なお、例えば基板1の表面の凹凸が10μm~15μmの高低差を有する場合は、下地層2の厚みが従来のように膜厚0.001μm~5μm程度では基板1の表面の凹凸を緩和できない。つぎに、下地層2の上に導体パターンの材料となる導体ペーストをスクリーン印刷法により印刷し、印刷した導体ペーストを乾燥して導体ペーストパターン3を形成する図1c。基板1が薄い場合は基板1が脆いため、下地層用ペーストおよび導体ペーストの印刷時の印刷圧力を0.20MPAよりも高い圧力とすると基板1の損壊が生じる。このため、例えば0.16~0.18MPAの低い印圧スキージ圧で印刷する。つぎに、下地層2が焼失する条件で基板1の焼成を行って下地層2を焼失させ、導体ペーストパターン3を焼成することにより、焼成された導体パターン4が基板1に接触して密着固定され、導体パターン付き基板5が完成する図1d。以上のような実施の形態1にかかるパターン形成方法においては、導体ペーストが含有する成分と同じバインダ成分を含む下地層用ペーストを用いたスクリーン印刷法により、凹凸のある基板1の表面を覆うようにして基板1の表面に下地層2を形成する。このように、基板1の表面の凹凸を緩和する所定の厚さの下地層2を予め基板1の表面に形成するので、導体ペーストを印刷した際の基板1の表面の凹凸に起因した導体ペーストパターン3の滲みを抑えて、形成幅の広がりの無い安定した形状の導体パターン4を形成することができる、という従来にない顕著な効果を奏する。すなわち、印刷マスクと印刷面の隙間に導体ペーストが回り込んで導体ペーストパターン3の滲みが発生することを抑えて、形成幅の広がりの無い安定した形状の導体パターン4を形成することができる。この効果は、厚膜の導体パターン4を形成する場合に特に有効であり、滲みの少ない厚膜の導体パターン4が得られる。また、下地層用ペーストは、導体ペーストが含有する成分と同じバインダ成分を含むため、導体ペーストの印刷時における下地層2と導体ペーストとの馴染みが良くなり、低スキージ圧で導体ペーストパターン3を印刷できる。このため、例えば、厚さが1mm未満である薄い基板1であっても、基板1を損傷させることなく、導体パターン4を形成することができる。次に、実施の形態1にかかるパターン形成方法について検証した結果について説明する。基板の表面に下地層の材料となる下地層用ペーストを印刷マスク325メッシュ、総厚80μmを使ってスクリーン印刷法により形成した。ここでは、下地層の状態を比較するために、表面が略平坦な基板を用いた。下地層用ペーストは、スクリーン印刷可能な粘度に調整するために、樹脂量を10wtに固定して、溶媒を変えて3種類作製した。下地層用ペーストの溶媒には、テキサノール、ブチルカルビトールアセテートButylCarbitolAcetate:BCA、ターピネオールの3種を使用した。このような3種類の下地層用ペーストをスクリーン印刷法により基板の表面に印刷した後、90°C、15分保持の条件で乾燥して下地層を形成した。下地層の印刷乾燥後の断面形状を図2、図3、図4に示す。図2は、樹脂を溶剤BCAに溶解させた下地層用ペーストを用いたスクリーン印刷法により略平坦な基板上に形成した下地層乾燥膜の断面図である。図3は、樹脂を溶剤テキサノールに溶解させた下地層用ペーストを用いたスクリーン印刷法により略平坦な基板上に形成した下地層乾燥膜の断面図である。図4は、樹脂を溶剤ターピネオールに溶解させた下地層用ペーストを用いたスクリーン印刷法により略平坦な基板上に形成した下地層乾燥膜の断面図である。図2~図4において横軸の測定位置xmmは、下地層の面内の一方向測定方向における位置を示す。また、図2~図4において縦軸の高さzmmは、下地層の高さを示す。図2~図4より、乾燥後の下地層の膜厚は、0.01mm~0.02mmであった。また、図2~図4に示すように、用いた下地層用ペーストに因り、下地層の表面粗さに違いが認められた。すなわち、溶剤としてBCAを用いて作製した下地層図2参照、溶剤としてテキサノールを用いて作製した下地層図3参照、溶剤としてターピネオールを用いて作製した下地層図4参照の順番で下地層の表面粗さが大きくなっていることが分かる。つぎに、上記の3種類の下地層をそれぞれ複数の基板に形成した。そして、これらの下地層の上に、銀Agを含む導体Agペーストをスクリーン印刷法により印刷し、乾燥することで導体ペーストパターンのサンプルを形成した。ここで、導体Agペーストは、含有する樹脂および溶剤がそれぞれの下地層を形成した下地層用ペーストの樹脂および溶剤と同一材料であるペーストAと、含有する樹脂および溶剤がそれぞれの下地層を形成した下地層用ペーストの樹脂および溶剤と異なるペーストBと、の2種類を用意した。導体Agペーストのスクリーン印刷に用いるスクリーンマスクには、長さが150mmであり線幅を0.05mmから0.1mmに変化させた直線状パターンが幅方向に2mm~3mm間隔で周期的に並ぶ開口パターンを有するマスクを使用した。これらの導体ペーストパターンのサンプルに対して乾燥後の導体ペーストパターン幅を測定した結果のうち代表的なものを図5、図6、図7に示す。図5は、略平坦な基板上にスクリーン印刷法で形成した導体ペーストパターンの印刷乾燥後の形成寸法幅をマスク寸法開口幅寸法に対して示した特性図である。すなわち、図5は、下地層無しのサンプルについて示している。図6は、略平坦な基板上に導体パターンと同一の樹脂、溶剤をバインダ成分として使って形成した下地層上にスクリーン印刷法で形成した導体ペーストパターンの印刷乾燥後の形成寸法幅をマスク寸法開口幅寸法に対して示した特性図である。すなわち、図6では、溶剤としてターピネオールを用いて作製した表面粗さが大きい下地層上に、下地層と同一の樹脂、溶剤ターピネオールを用いたペーストAにより作製したサンプルについて示している。図7は、略平坦な基板上に導体パターンと異なる樹脂、溶剤をバインダ成分として使って形成した下地層上にスクリーン印刷法で形成した導体ペーストパターンの印刷乾燥後の形成寸法幅をマスク寸法開口幅寸法に対して示した特性図である。すなわち、図7では、溶剤としてテキサノールを用いて作製した表面粗さが小さい下地層上に、下地層と異なる樹脂、溶剤BCAを用いたペーストBにより作製したサンプルについて示している。図5と、図6および図7とを比較することにより、導体ペーストパターンの形成条件の違いにより乾燥後の導体ペーストパターン幅に違いが認められた。すなわち、下地層の表面粗さの違い、および導体ペーストの種類に因って、乾燥後の導体ペーストパターン幅に違いが認められた。下地層の表面粗さが大きく、下地層と同一の樹脂、溶剤を用いているペーストAにより作製したサンプルの場合は図6参照、導体パターンの滲みが抑制され、マスクのパターン開口幅に対する乾燥後の導体ペーストパターン幅の広がりが抑えられた図6参照。一方、下地層の表面粗さが小さく、下地層と異なる樹脂、溶剤を用いているペーストBにより作製したサンプルの場合は、導体ペーストでは、導体ペーストパターンの滲みは改善されなかった図7参照。次に、実施の形態1にかかるパターン形成方法により、表面に凹凸のある基板の表面に厚膜の導体ペーストパターン厚膜ペーストパターンを形成して効果を検証した。パターンの滲み抑制に好適な組み合わせを使って、基板の表面凹凸が0.005mm~0.020mm程度、基板厚さ0.5mm未満の基板に対して厚膜ペーストパターンを形成した。下地層用ペーストは、導体ペーストに含まれる樹脂を溶剤ターピネオールに溶解させて作製した。下地層用の印刷マスクは、上記と同じ印刷マスク325メッシュ、総厚80μmを用いた。導体ペースト用の印刷マスクは、200~300メッシュ、総厚80μmのものを用いた。また、導体ペースト用の印刷マスクは、マスク寸法開口幅寸法が0.05mm、0.07mm、0.10mmの3種類のものを用いた。そして、乾燥後の膜厚値を変えた下地層を複数作製し、導体ペーストパターンの滲みの抑制効果が認められる下地層の膜厚を調べた。下地層の膜厚は、下地層用ペーストに含まれる樹脂成分の重量5wt~10wtを固定して、印刷乾燥を繰り返すことにより調整した。図8~図16に、基板の表面上に、または膜厚を変えて形成した下地層上にスクリーン印刷法で形成した導体ペーストパターンの印刷乾燥後の平均断面形状を示す。図8は、比較対象であり、0.5mmよりも薄い凹凸のある基板上に、マスク寸法開口幅寸法が0.05mmのマスクを用いて直接形成された厚膜パターンの平均断面形状を示す特性図である。図9は、0.5mmよりも薄い凹凸のある基板上に薄い下地層を形成し、その上にマスク寸法開口幅寸法が0.05mmのマスクを用いて形成された厚膜パターンの平均断面形状を示す特性図である。図10は、0.5mmよりも薄い凹凸のある基板上に標準の厚さで下地層を形成し、その上にマスク寸法開口幅寸法が0.05mmのマスクを用いて形成された厚膜パターンの平均断面形状を示す特性図である。図11は、比較対象であり、0.5mmよりも薄い凹凸のある基板上に、マスク寸法開口幅寸法が0.07mmのマスクを用いて直接形成された厚膜パターンの平均断面形状を示す特性図である。図12は、0.5mmよりも薄い凹凸のある基板上に薄い下地層を形成し、その上にマスク寸法開口幅寸法が0.07mmのマスクを用いて形成された厚膜パターンの平均断面形状を示す特性図である。図13は、0.5mmよりも薄い凹凸のある基板上に標準の厚さで下地層を形成し、その上にマスク寸法開口幅寸法が0.07mmのマスクを用いて形成された厚膜パターンの平均断面形状を示す特性図である。図14は、比較対象であり、0.5mmよりも薄い凹凸のある基板上に、マスク寸法開口幅寸法が0.10mmのマスクを用いて直接形成された厚膜パターンの平均断面形状を示す特性図である。図15は、0.5mmよりも薄い凹凸のある基板上に薄い下地層を形成し、その上にマスク寸法開口幅寸法が0.10mmのマスクを用いて形成された厚膜パターンの平均断面形状を示す特性図である。図16は、0.5mmよりも薄い凹凸のある基板上に標準厚さの下地層を形成し、その上にマスク寸法開口幅寸法が0.10mmのマスクを用いて形成された厚膜パターンの平均断面形状を示す特性図である。ここで、薄い下地層の厚さは、基板の凹凸に対して薄い厚さである。標準厚さの下地層の厚さは、基板の凹凸に対して好適な厚さである。また、図8~図14においては、横軸に厚膜パターンの幅方向における測定位置xmm、縦軸に厚膜パターンの高さzmmを示している。導体ペーストパターンの断面形状の測定は、形成された導体ペーストパターン表面を非接触式のレーザー変位計により厚膜パターンの幅方向に走査する走査処理を、厚膜パターンの長さ方向に一定ピッチ0.025mmで20回繰り返すことにより行った。図8~図14において、下地層を形成していない場合の測定結果図8、図11、図14から、用いた基板の表面凹凸形成面凹凸の形状が確認できる。また、図8~図10を比較することにより、マスク寸法開口幅寸法が0.05mmのマスクを用いた場合において、下地層の膜厚を厚くすることによって、厚膜パターン形成表面の形成面凹凸が緩和されていることが分かる。また、図11~図13を比較することにより、マスク寸法開口幅寸法が0.07mmのマスクを用いた場合において、下地層の膜厚を厚くすることによって、厚膜パターン形成表面の形成面凹凸が緩和されていることが分かる。また、図14~図16を比較することにより、マスク寸法開口幅寸法が0.10mmのマスクを用いた場合において、下地層の膜厚を厚くすることによって、厚膜パターン形成表面の形成面凹凸が緩和されていることが分かる。上記のサンプルについて、下地層厚さmmと厚膜パターン形成表面の表面凹凸形成面凹凸mmとの範囲を表1に示す。厚膜パターン形成表面の表面凹凸形成面凹凸は、厚膜パターンを形成した面の高さの最大、最小の差で定義し、厚膜パターンの形成面における20箇所で測定位置を変えて測定して結果を得た。また、これらのサンプルの他に、上記のサンプルと同様にして、0.5mmよりも薄い凹凸のある基板上に厚い下地層を形成し、その上にマスク寸法開口幅寸法が0.05mm、0.07mm、0.10mmのマスクを用いて厚膜パターンを形成した。その測定結果も表1に合わせて示す。表1に示した通り、用いた基板の表面凹凸形成面凹凸は0.005mm~0.021mmであった。また、図8~図14および表1より、下地層の厚さの違いにより厚膜パターンのパターン幅の拡がりが抑えられ、パターン滲みが少なくなっていることが分かる。すなわち、0.5mmよりも薄い凹凸のある基板上に、0.006mm~0.010mmの範囲の厚みの下地層を形成し、その上に厚膜パターンを形成することにより、厚膜パターンのパターン幅の拡がりを抑える効果が得られることが分かる。また、この水準の基板表面凹凸がある場合は、0.002mm~0.005mm程度の薄い下地層ではパターン滲みの抑制において有効でないことが確認された。つぎに、下地層上に幅の広い厚膜の導体ペーストパターン厚膜ペーストパターンを形成し、印刷乾燥後の線幅を測定した結果を図17に示す。図17は、0.5mmよりも薄い凹凸のある基板上に厚さを変えて下地層を形成し、その上にマスク寸法開口幅寸法を0.05~0.10mm迄変えてスクリーン印刷法で形成した厚膜の導体ペーストパターンの印刷乾燥後のパターン幅を示す特性図である。図中、下地無しは基板上に直接導体ペーストパターンを形成した場合、下地1は基板の凹凸に対して下地層の厚さが薄い場合、下地2は基板の凹凸に対して下地層の厚さが標準好適な場合、下地3は基板の凹凸に対して下地層の厚さが標準よりも厚い場合を示している。下地1は表1の下地層厚0.002~0.005mm、下地2は表1の下地層厚0.006~0.010mm、下地3は表1の下地層厚0.007~0.016mmに相当する。厚膜ペーストパターンの形成条件は、マスク寸法開口幅寸法以外は図8~図16の場合と同様である。印刷乾燥後の厚膜パターン線幅は、一定長さ約0.2mmの測定ウィンドウの中に収まる導体ペーストパターンの両端を検出し、その平均点x座標でパターンのエッヂ左側右側を測定し、その2点の平均点間の距離で定義した。この測定動作を導体ペーストパターンの長さ方向に20回繰り返してデータを収集した。図17から、下地無しおよび下地1の場合は、下地2および下地3の場合と比較して印刷乾燥後の導体ペーストパターンのパターン幅が広く、パターン滲みの抑制効果が得られていないことが分かる。すなわち、上記のように形成された導体ペーストパターンの線幅測定結果においても、下地層の存在および下地層の厚みによって、パターン滲みの抑制効果の違いがあることが認められた。この導体ペーストパターンに対して、焼成温度800~900°Cで焼成を行うことにより導体パターンを得た。下地層は500°C超で焼失する材料であるため、焼成後は凹凸のある基板表面に導体パターンが密着固定された形で導体パターン付基板が形成できた。上述した実施の形態1にかかるパターン形成方法は、特にテクスチャーと呼ばれる凹凸構造を有する基板上に電極パターンを形成する太陽電池のグリッド電極の形成に好適である。実施の形態1にかかるパターン形成方法を用いることにより、電極パターン幅の拡がりを少なくして細幅で厚膜電極パターンを形成できるので、太陽光からの入射光を遮る電極部が少ない面積で形成され、発電効率の低下を抑えることができる。なお、実施の形態1にかかるパターン形成方法の適用はこれに限定されず、表面に凹凸を有する基板上にパターンを形成する場合に広く適用可能である。図18-1および図18-2は、上述した実施の形態1にかかるパターン形成方法を用いて電極パターンを作製した太陽電池を示す図であり、図18-1は太陽電池の断面図、図18-2は太陽電池の上面図である。図18-1および図18-2に示す太陽電池は、基板表層に第2導電型の不純物元素を拡散した不純物拡散層であるN層21aを有する第1導電型の半導体基板であるP型の半導体基板21と、半導体基板21の受光面側の面表面に形成された反射防止膜22と、半導体基板21の受光面側の面表面に形成された受光面側電極23と、半導体基板21の受光面と反対側の面裏面に形成された裏面電極24と、を備える。なお、N型の半導体基板にP層を備える構成としてもよい。また、受光面側電極23としては、グリッド電極23aおよびバス電極23bを含み、図18-1においてはグリッド電極23aの長手方向に垂直な断面における断面図を示している。そして、半導体基板21には、基板表面にテクスチャー構造を形成した基板を使用して、太陽電池を構成している。つぎに、図18-1および図18-2に示す太陽電池を製造するための工程を説明する。なお、ここで説明する工程は、一般的な多結晶シリコン基板を用いた太陽電池の製造工程と同様であるため、特に図示しない。まず、半導体基板21として例えば数百μm厚のp型多結晶シリコン基板を用意し、基板洗浄を行う。そして、p型多結晶シリコン基板をフッ酸などの酸または加熱したアルカリ溶液中に浸漬して表面をエッチングすることにより、シリコン基板の切り出し時に発生してp型多結晶シリコン基板の表面近くに存在するダメージ領域を取り除く。その後、純水で洗浄する。ダメージ除去に続いて、例えば水酸化ナトリウムとイソプロピルアルコールIPAとの混合溶液にp型多結晶シリコン基板を浸漬して該p型多結晶シリコン基板の異方性エッチングを行ない、p型多結晶シリコン基板の受光面側の表面に例えば10μm程度の深さで微小凹凸を形成してテクスチャー構造を形成する。このようなテクスチャー構造をp型多結晶シリコン基板の受光面側に設けることで、太陽電池の表面側で光の多重反射を生じさせ、太陽電池に入射する光を効率的に半導体基板21の内部に吸収させることができ、実効的に反射率を低減して変換効率を向上させることができる。つぎに、テクスチャー構造を形成したp型多結晶シリコン基板を熱酸化炉へ投入し、オキシ塩化リンPOCl3蒸気の存在下で加熱してp型多結晶シリコン基板の表面にリンガラスを形成することでp型多結晶シリコン基板中にリンを拡散させ、p型多結晶シリコン基板の表層にN層21aを形成する。これにより、基板表層にN層21aを有する半導体基板21が得られる。次に、フッ酸溶液中で半導体基板21のリンガラス層を除去した後、反射防止膜22としてプラズマCVD法によりSiN膜をN層21a上に受光面側電極23の形成領域を除いて形成する。反射防止膜の膜厚および屈折率は、光反射を最も抑制する値に設定する。なお、屈折率の異なる2層以上の膜を積層してもよい。また、反射防止膜22は、スパッタリング法など、異なる成膜方法により形成しても良い。次に、半導体基板21の受光面に銀の混入したペーストを櫛形にスクリーン印刷にて印刷し、半導体基板21の裏面にアルミニウムの混入したペーストを全面にスクリーン印刷にて印刷した後、焼成処理を実施して受光面側電極23と裏面電極24とを形成する。ここで、受光面側電極23の形成に、上述した実施の形態1にかかるパターン形成方法を用いる。これにより、滲みの少ない厚膜の受光面側電極23が得られる。以上のようにして、図18-1および図18-2に示す太陽電池が作製される。実施の形態2.下地層を表面に凹凸のある基板上に設ける場合、所望の導体パターンから幅長さを大きくしたパターンで下地層を形成してもよい。図19は、本発明の実施の形態2にかかるパターン形成方法における各工程を模式的に示す断面図である。実施の形態2にかかるパターン形成方法は、実施の形態1にかかるパターン形成方法において下地層の形成パターンを導体パターンから大きくしたパターンで形成することが異なる。以下、図19を参照して、実施の形態2にかかるパターン形成方法を説明する。まず、表面に凹凸のある基板1を準備し、凹凸のある面を上にして該基板1を配置する図19a。つぎに、基板1における凹凸のある表面に、下地層の材料となる下地層用ペーストをスクリーン印刷法により、導体パターンから幅長さを大きくしたパターン、すなわち導体パターンの形成領域を広げたパターンで印刷し、印刷した下地層用ペーストを乾燥して下地層2aを形成する図19b。下地層2aは、例えば導体パターンの線幅に対して片側につき0.05mm~0.1mm大きくし、導体パターンの長さに対して片側につき0.05mm~0.1mm大きくしたパターンで、導体パターンの形成位置に対応する領域に形成する。ここで、下地層用ペーストは、次工程で印刷する導体パターンの材料となる導体ペーストが含有するバインダ成分と同じバインダ成分を含むペースト状材料である。つぎに、下地層2aの上に導体パターンの材料となる導体ペーストをスクリーン印刷法により印刷し、印刷した導体ペーストを乾燥して導体ペーストパターン3を形成する図19c。つぎに、下地層2aが焼失する条件で基板1の焼成を行って下地層2aを焼失させ、導体ペーストパターン3を焼成することにより、焼成された導体パターン4が基板1に接触して密着固定され、導体パターン付き基板5が完成する図19d。以上のような実施の形態2にかかるパターン形成方法は、下地層を基板全面に形成する場合と比較して、下地層用ペーストの使用量の削減と相俟って下地層の厚膜化が達成され、基板表面の凹凸の緩和に効果があり、形成幅の広がりの無い安定した形状の導体パターンを形成することができる。実施の形態3.下地層を表面に凹凸のある基板上に設ける場合、導体パターンが形成されない領域に下地層を形成してもよい。図20は、本発明の実施の形態3にかかるパターン形成方法における各工程を模式的に示す断面図である。実施の形態3にかかるパターン形成方法は、実施の形態2にかかるパターン形成方法において下地層の形成パターンを導体パターンのネガパターン状に形成することが異なる。すなわち、下地層を、導体パターンの幅方向において導体パターンのエッヂ部が形成される領域近辺に形成し、導体パターンの幅方向における中央領域には形成しない。以下、図20を参照して、実施の形態3にかかるパターン形成方法を説明する。まず、表面に凹凸のある基板1を準備し、凹凸のある面を上にして該基板1を配置する図20a。つぎに、基板1における凹凸のある表面に、下地層の材料となる下地層用ペーストをスクリーン印刷法により、導体パターンのネガパターン状となるパターンで印刷し、印刷した下地層用ペーストを乾燥して下地層2bを形成する図20b。下地層2bは、例えば導体パターンの幅方向において導体パターンのエッヂ部が形成される領域近辺に形成し、導体パターンの幅方向における中央領域には形成しない。ここで、下地層用ペーストは、次工程で印刷する導体パターンの材料となる導体ペーストが含有するバインダ成分と同じバインダ成分を含むペースト状材料である。つぎに、下地層2b上およびその間の領域に導体パターンの材料となる導体ペーストをスクリーン印刷法により印刷し、印刷した導体ペーストを乾燥して導体ペーストパターン3を形成する図20c。図21は、基板1の表面に下地層2bおよび導体ペーストパターン3が形成された状態を模式的に示す要部平面図である。つぎに、下地層2bが焼失する条件で基板1の焼成を行って下地層2bを焼失させ、導体ペーストパターン3を焼成することにより、焼成された導体パターン4が基板1に接触して密着固定され、導体パターン付き基板5が完成する図20d。以上のような実施の形態3にかかるパターン形成方法では、導体ペーストパターン3は印刷時に凹凸のある基板1の表面に直接接触するが、滲みの原因になるパターンエッヂは下地層2bの表面に接触する。このため、導体パターン4の拡がりは下地層2bの表面の粗さで制約される効果があり、形成幅の広がりの無い安定した形状の導体パターン4を形成することができる。