"有機エレクトロルミネッセンス装置に用いられる下記式Iの化合物。式中、XとYは、それぞれ独立して、下記式A、B、C、D又はEで表されるアルキル基で置換された、アリール基で置換された、又は置換されていないカルバゾール、インドロカルバゾール、トリフェニルシリル基及びジフェニルホスフィン酸化物からなる群より選ばれる。式中、R1、R2、R3は、それぞれ独立して、水素、1~15個の炭素原子を有するアルキル基、6~15個の炭素原子を有するアリール基、式D又は式Eで表されるアルキル基で置換された、アリール基で置換された、又は置換されていないトリフェニルシリル基及びジフェニルホスフィン酸化物からなる群より選ばれる。mとnは、独立して0又は1を示し、mn≧1。Ar1とAr2は、それぞれ独立して、アルキル基で置換された、アリール基で置換された、又は置換されていないフェニル基、トリル基、ナフチル基、フルオレニル基、アントラニル基及びフェナントリル基からなる群より選ばれる。前記化合物は下記式II~XIIIで表される化合物の一つである請求項1に記載の化合物。式中、R1、R2、R3は、それぞれ独立して、水素、1~10個の炭素原子を有する置換された又は置換されていないアルキル基、環を形成する5~10個の炭素原子を有する置換された又は置換されていないシクロアルキル基、7~15個の炭素原子を有する置換された又は置換されていないアリールアルキル基、6~15個の炭素原子を有する置換された又は置換されていない芳香族炭化水素基、式D又は式Eで表されるアルキル基で置換された、アリール基で置換された、又は置換されていないトリフェニルシリル基及びジフェニルホスフィン酸化物からなる群より選ばれる。mとnは、独立して0又は1を示し、mn≧1。Ar1とAr2は、それぞれ独立して、アルキル基で置換された、アリール基で置換された、又は置換されていないフェニル基、トリル基、ナフチル基、フルオレニル基、アントラニル基及びフェナントリル基からなる群より選ばれる。リン光ドーパントと下記式Iで表される化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス装置に用いられる発光層。式中、XとYは、それぞれ独立して、下記式A、B、C、D又はEで表されるアルキル基で置換された、アリール基で置換された、又は置換されていないカルバゾール、インドロカルバゾール、トリフェニルシリル基及びジフェニルホスフィン酸化物からなる群より選ばれる。式中、R1、R2、R3は、それぞれ独立して、水素、1~15個の炭素原子を有するアルキル基、6~15個の炭素原子を有するアリール基、式D又は式Eで表されるアルキル基で置換された、アリール基で置換された、又は置換されていないトリフェニルシリル基及びジフェニルホスフィン酸化物からなる群より選ばれる。mとnは、独立して0又は1を示し、mn≧1。Ar1とAr2は、それぞれ独立して、アルキル基で置換された、アリール基で置換された、又は置換されていないフェニル基、トリル基、ナフチル基、フルオレニル基、アントラニル基及びフェナントリル基からなる群より選ばれる。前記化合物は下記式II~XIIIで表される化合物の一つである請求項3に記載の発光層。式中、R1、R2、R3は、それぞれ独立して、水素、1~10個の炭素原子を有する置換された又は置換されていないアルキル基、環を形成する5~10個の炭素原子を有する置換された又は置換されていないシクロアルキル基、7~15個の炭素原子を有する置換された又は置換されていないアリールアルキル基、6~15個の炭素原子を有する置換された又は置換されていない芳香族炭化水素基、式D又は式Eで表されるアルキル基で置換された、アリール基で置換された、又は置換されていないトリフェニルシリル基及びジフェニルホスフィン酸化物からなる群より選ばれる。mとnは、独立して0又は1を示し、mn≧1。Ar1とAr2は、それぞれ独立して、アルキル基で置換された、アリール基で置換された、又は置換されていないフェニル基、トリル基、ナフチル基、フルオレニル基、アントラニル基及びフェナントリル基からなる群より選ばれる。前記リン光ドーパントは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金及び金からなる群より選ばれる少なくとも一種の金属を含有する有機金属錯体である請求項3に記載の発光層。前記リン光ドーパントは、Irppy3、Irbt2acac、FIrpic及びPtOEt3のいずれか一種である請求項3に記載の発光層。前記リン光ドーパントを3重量~10重量含有する請求項3に記載の発光層。下記式II~XIIIから選ばれる化合物を有する発光層及びリン光ドーパントを含有する有機エレクトロルミネッセンス装置。式中、R1、R2、R3は、それぞれ独立して、水素、1~10個の炭素原子を有する置換された又は置換されていないアルキル基、環を形成する5~10個の炭素原子を有する置換された又は置換されていないシクロアルキル基、7~15個の炭素原子を有する置換された又は置換されていないアリールアルキル基、6~15個の炭素原子を有する置換された又は置換されていない芳香族炭化水素基、式D又は式Eで表されるアルキル基で置換された、アリール基で置換された、又は置換されていないトリフェニルシリル基及びジフェニルホスフィン酸化物からなる群より選ばれる。mとnは、独立して0又は1を示し、mn≧1。Ar1とAr2は、それぞれ独立して、アルキル基で置換された、アリール基で置換された、又は置換されていないフェニル基、トリル基、ナフチル基、フルオレニル基、アントラニル基及びフェナントリル基からなる群より選ばれる。前記リン光ドーパントは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金及び金からなる群より選ばれる少なくとも一種の金属を含有する有機金属錯体である請求項8に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。前記リン光ドーパントは、Irppy3、Irbt2acac、FIrpicとPtOEt3のいずれか一種である請求項8に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。前記リン光ドーパントを3重量~10重量含有する請求項8に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。電子輸送層と、正孔阻止層と、電子阻止層とを有する有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記電子輸送層、前記正孔阻止層、前記電子阻止層のいずれか一つは、下記式II~XIIIからなる群より選ばれる化合物を有する有機エレクトロルミネッセンス装置。式中、R1、R2、R3は、それぞれ独立して、水素、1~10個の炭素原子を有する置換された又は置換されていないアルキル基、環を形成する5~10個の炭素原子を有する置換された又は置換されていないシクロアルキル基、7~15個の炭素原子を有する置換された又は置換されていないアリールアルキル基、6~15個の炭素原子を有する置換された又は置換されていない芳香族炭化水素基、式D又は式Eで表されるアルキル基で置換された、アリール基で置換された、又は置換されていないトリフェニルシリル基及びジフェニルホスフィン酸化物からなる群より選ばれる。mとnは、独立して0又は1を示し、mn≧1。Ar1とAr2は、それぞれ独立して、アルキル基で置換された、アリール基で置換された、又は置換されていないフェニル基、トリル基、ナフチル基、フルオレニル基、アントラニル基及びフェナントリル基からなる群より選ばれる。有機エレクトロルミネッセンス装置を形成する方法であって、基板を用意する工程と、前記基板上に正孔注入層を形成する工程と、前記正孔注入層上に正孔輸送層を形成する工程と、前記正孔輸送層上に発光層を形成する工程とを含み、前記発光層は、リン光ドーパントと下記式II~XIIIから選ばれる化合物を有する方法。式中、R1、R2、R3は、それぞれ独立して、水素、1~10個の炭素原子を有する置換された又は置換されていないアルキル基、環を形成する5~10個の炭素原子を有する置換された又は置換されていないシクロアルキル基、7~15個の炭素原子を有する置換された又は置換されていないアリールアルキル基、6~15個の炭素原子を有する置換された又は置換されていない芳香族炭化水素基、式D又は式Eで表されるアルキル基で置換された、アリール基で置換された、又は置換されていないトリフェニルシリル基及びジフェニルホスフィン酸化物からなる群より選ばれる。mとnは、独立して0又は1を示し、mn≧1。Ar1とAr2は、それぞれ独立して、アルキル基で置換された、アリール基で置換された、又は置換されていないフェニル基、トリル基、ナフチル基、フルオレニル基、アントラニル基及びフェナントリル基からなる群より選ばれる。前記リン光ドーパントは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金及び金からなる群より選ばれる少なくとも一種の金属を含有する有機金属錯体である請求項13に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を形成する方法。前記リン光ドーパントは、Irppy3、Irbt2acac、FIrpic及びPtOEt3のいずれか一種である請求項14に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を形成する方法。前記リン光ドーパントを3重量~10重量含有する請求項13に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を形成する方法。しかし、電荷輸送特性がそれぞれ異なる複数の分子骨格を同じ一つの分子に導入した場合、その分子化合物は電荷の均衡上大幅な変化をきたし、それにより高い駆動電圧を引き起こし、寿命と効率が低下する。そこで、高い発光効率、低い駆動電圧、高い耐熱性と寿命の長い特性を有する有機エレクトロルミネッセンス装置を製造する場合に使用される有機エレクトロルミネッセンス装置の材料の開発が急がれている。本発明の目的は、有機エレクトロルミネッセンス装置に使用される材料として、下記式Iの化合物を提供するものである。上式中、XとYは、それぞれ独立して、下記式A、B、C、D又はEで表されるアルキル基で置換された、アリール基で置換された、又は置換されていないカルバゾール、インドロカルバゾール、トリフェニルシリル基及びジフェニルホスフィン酸化物からなる群より選ばれる。式中、R1、R2、R3は、それぞれ独立して、水素、1~15個の炭素原子を有するアルキル基、6~15個の炭素原子を有するアリール基、式D又は式Eで表されるアルキル基で置換された、アリール基で置換された、又は置換されていないトリフェニルシリル基及びジフェニルホスフィン酸化物からなる群より選ばれる。mとnは、それぞれ独立して0又は1を示し、mn≧1。Ar1とAr2は、それぞれ独立して、アルキル基で置換された、アリール基で置換された、又は置換されていないフェニル基、トリル基、ナフチル基、フルオレニル基、アントラニル基及びフェナントリル基からなる群より選ばれる。式Iの化合物としては、下記式II~式XIIIで表される化合物がより好ましい。式中、R1、R2、R3は、それぞれ独立して、水素、1~10個の炭素原子を有する置換された又は置換されていないアルキル基、環を形成する5~10個の炭素原子を有する置換された又は置換されていないシクロアルキル基、7~15個の炭素原子を有する置換された又は置換されていないアリールアルキル基、6~15個の炭素原子を有する置換された又は置換されていない芳香族炭化水素基、式D又は式Eで表されるアルキル基で置換された、アリール基で置換された、又は置換されていないトリフェニルシリル基及びジフェニルホスフィン酸化物からなる群より選ばれる。mとnは、それぞれ独立して0又は1を示し、mn≧1。Ar1とAr2は、それぞれ独立して、アルキル基で置換された、アリール基で置換された、又は置換されていないフェニル基、トリル基、ナフチル基、フルオレニル基、アントラニル基及びフェナントリル基からなる群より選ばれる。本発明の他の目的は、有機エレクトロルミネッセンス装置に使用される、リン光ドーパント及び前記式II~式XIIIから選ばれる化合物を含む発光層を提供することである。当該式中、R1、R2、R3は、それぞれ独立して、水素、1~10個の炭素原子を有する置換された又は置換されていないアルキル基、環を形成する5~10個の炭素原子を有する置換された又は置換されていないシクロアルキル基、7~15個の炭素原子を有する置換された又は置換されていないアリールアルキル基、6~15個の炭素原子を有する置換された又は置換されていない芳香族炭化水素基、式D又は式Eで表されるアルキル基で置換された、アリール基で置換された、又は置換されていないトリフェニルシリル基及びジフェニルホスフィン酸化物からなる群より選ばれる。mとnは、それぞれ独立して0又は1を示し、mn≧1。Ar1とAr2は、それぞれ独立して、アルキル基で置換された、アリール基で置換された、又は置換されていないフェニル基、トリル基、ナフチル基、フルオレニル基、アントラニル基及びフェナントリル基からなる群より選ばれる。又、前記リン光ドーパントは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金及び金からなる群より選ばれる少なくとも一種の金属を含有する有機金属錯体である。前記リン光ドーパントは、より好ましくは、Irppy3、Irbt2acac、FIrpic及びPtOEt3のいずれか一つである。本発明において、前記リン光ドーパントが発光層に占める量は3重量~10重量の範囲内である。本発明のまた他の目的は、前記式II~式XIIIから選ばれる化合物を有する発光層及びリン光ドーパントを含む有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することにある。本発明のまた他の目的は、電子輸送層、正孔阻止層及び電子阻止層を含み、且つ該電子輸送層、正孔阻止層及び電子阻止層のいずれか一つは、前記式II~式XIIIからなる群より選ばれる化合物を有する有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することにある。本発明の更に他の目的は、有機エレクトロルミネッセンス装置を形成する方法を提供することにある。その方法としては、基板を用意する工程と、前記基板上に正孔注入層を形成する工程と、前記正孔注入層上に正孔輸送層を形成する工程と、前記正孔輸送層上に発光層を形成する工程とを含み、前記発光層は、リン光ドーパントと前記式II~式XIIIから選ばれる化合物を有する。以下、具体的な実施例により本発明の詳細な内容を明らかにする。本発明の技術分野について通常知識を有する者は、本発明の明細書に開示される内容により、本発明の特徴と効果を理解することができる。前記式Iは、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置に使用される化合物を示し、より好ましくは、式Iの化合物は、前記式II~式XIIIで表される化合物の一つである。前記式I~式XIIIにおいて、R1、R2、R3は、それぞれ独立して、水素、1~10個の炭素原子を有する置換された又は置換されていないアルキル基、環を形成する5~10個の炭素原子を有する置換された又は置換されていないシクロアルキル基、7~15個の炭素原子を有する置換された又は置換されていないアリールアルキル基、6~15個の炭素原子を有する置換された又は置換されていない芳香族炭化水素基、前記式D又は式Eで表されるアルキル基で置換された、アリール基で置換された、又は置換されていないトリフェニルシリル基又はジフェニルホスフィン酸化物からなる群より選ばれるものを表す。又、前記式I~式XIIIで表される化合物の全体において、Ar1とAr2は、それぞれ独立して、アルキル基で置換された、アリール基で置換された、又は置換されていない芳香族炭化水素基を表し、より好ましくは、フェニル基、トリル基、ナフチル基、フルオレニル基、アントラニル基及びフェナントリル基である。以下に、前記一般式I~式XIIIで表される化合物のより好ましい実施例を列挙するが、これらに限定されるものではない。一般式IIは、一般式Iに対応するものであり、その中、XとYは、それぞれ独立して、式Aで表されるカルバゾール基を表し、且つ本発明の前記式Iの基本分子骨格内のカルバゾールユニットのC-3及びC-6において結合する。下記表1において、前記式IIとして、化合物1-1~1-52を挙げる。その中、m=1、n=0、mn=2である。一般式IIIは、一般式Iに対応するものであり、その中、XとYは、それぞれ独立して、式Aで表されるカルバゾール基を表し、且つ前記式Iの基本分子骨格内のカルバゾールユニットのC-3において結合する。下記表2において、前記式IIIとして、化合物2-1~2-10を挙げる。その中、m=1、n=0、mn=1である。一般式IVは、一般式Iに対応するものであり、その中、XとYは、それぞれ独立して、式Cで表されるインドロカルバゾール基を表し、且つ前記式Iの基本分子骨格内のカルバゾールユニットのC-3及びC-6において結合する。下記表3において、前記式IVとして、化合物3-1~3-7を挙げる。その中、m=1、n=1、mn=2である。一般式Vは、一般式Iに対応するものであり、その中、XとYは、それぞれ独立して、式Cで表されるインドロカルバゾール基を表し、且つ前記式Iの基本分子骨格内のカルバゾールユニットのC-3において結合する。下記表3において、前記式Vとして、化合物3-8~3-15を挙げる。その中、m=1、n=0、mn=1である。一般式VIは、一般式Iに対応するものであり、その中、XとYは、それぞれ独立して、式Aで表されるカルバゾール基を表し、且つ前記式Iの基本分子骨格内のカルバゾールユニットのC-2及びC-7において結合する。下記表4において、前記式VIとして、化合物4-1~4-5を挙げる。その中、m=1、n=1、mn=2である。一般式VIIは、一般式Iに対応するものであり、その中、XとYは、それぞれ独立して、式Cで表されるインドロカルバゾール基を表し、且つ前記式Iの基本分子骨格内のカルバゾールユニットのC-2及びC-7において結合する。下記表4において、前記式VIIとして、化合物4-6~4-9を挙げる。その中、m=1、n=1、mn=2である。一般式VIIIは、一般式Iに対応するものであり、その中、XとYは、それぞれ独立して、式Bで表されるカルバゾール基を表し、且つ前記式Iの基本分子骨格内のカルバゾールユニットのC-3及びC-6において結合する。下記表5において、前記式VIIIとして、化合物5-1~5-10を挙げる。その中、m=1、n=1、mn=2である。一般式IXは、一般式Iに対応するものであり、その中、XとYは、それぞれ独立して、式Bで表されるカルバゾール基を表し、且つ前記式Iの基本分子骨格内のカルバゾールユニットのC-3において結合する。下記表6において、前記式IXとして、化合物6-1~6-5を挙げる。その中、m=1、n=0、mn=1である。一般式Xは、一般式Iに対応するものであり、その中、XとYは、それぞれ独立して、式Dで表されるトリフェニルシリル基を表し、且つ前記式Iの基本分子骨格内のカルバゾールユニットのC-3及びC-6において結合する。下記表7において、前記式Xとして、化合物7-1~7-5を挙げる。その中、m=1、n=1、mn=2である。一般式XIは、一般式Iに対応するものであり、その中、XとYは、それぞれ独立して、式Dで表されるトリフェニルシリル基を表し、且つ前記式Iの基本分子骨格内のカルバゾールユニットのC-3において結合する。下記表8において、前記式XIとして、化合物7-6~7-10を挙げる。その中、m=1、n=0、mn=1である。一般式XIIは、一般式Iに対応するものであり、その中、XとYは、それぞれ独立して、式Eで表されるジフェニルホスフィン基を表し、且つ前記式Iの基本分子骨格内のカルバゾールユニットのC-3及びC-6において結合する。下記表9において、前記式XIIとして、化合物8-1~8-7を挙げる。その中、m=1、n=1、mn=2である。一般式XIIIは、一般式Iに対応するものであり、その中、XとYは、それぞれ独立して、式Eで表されるジフェニルホスフィン酸化物を表し、且つ前記式Iの基本分子骨格内のカルバゾールユニットのC―3において結合する。下記表10において、前記式XIIIとして、化合物8-8~8-12を挙げる。その中、m=1、n=0、mn=1である。下記の製造工程図1に示す一連の反応により、一般式I~XIIIで表される化合物を製造する。製造工程図1に示す一連の反応により、一般式IIで表される、例えば化合物1-1~1-52の製造を行うことができるが、これらに限定されるものではない。製造工程図1:化合物1-1~1-52の合成製造工程図2に示す一連の反応により、一般式IIIで表される、例えば化合物2-1~2-10の製造を行うことができるが、これらに限定されるものではない。製造工程図2:化合物2-1~2-10の合成製造工程図3に示す一連の反応により、一般式IVで表される、例えば化合物3-1~3-7の製造を行うことができるが、これらに限定されるものではない。製造工程図3:化合物3-1~3-7の合成製造工程図4に示す一連の反応により、一般式Vで表される、例えば化合物3-8~3-13の製造を行うことができるが、これらに限定されるものではない。製造工程図4:化合物3-8~3-13の合成製造工程図5に示す一連の反応により、一般式VIで表される、例えば化合物4-1~4-5の製造を行うことができるが、これらに限定されるものではない。製造工程図5:化合物4-1~4-5の合成製造工程図6に示す一連の反応により、一般式VIIで表される、例えば化合物4-6~4-9の製造を行うことができるが、これらに限定されるものではない。製造工程図6:化合物4-6~4-9の合成製造工程図7に示す一連の反応により、一般式VIIIで表される、例えば化合物5-1~5-10の製造を行うことができるが、これらに限定されるものではない。製造工程図7:化合物5-1~5-10の合成製造工程図8に示す一連の反応により、一般式IXで表される、例えば化合物6-1~6-6の製造を行うことができるが、これらに限定されるものではない。製造工程図8:化合物6-1~6―6の合成製造工程図9に示す一連の反応により、一般式Xで表される、例えば化合物7-1~7―5の製造を行うことができるが、これらに限定されるものではない。製造工程図9:化合物7-1~7-5の合成製造工程図10に示す一連の反応により、一般式XIで表される、例えば化合物7-6~7-10の製造を行うことができるが、これらに限定されるものではない。製造工程図10:化合物7-6~7-10の合成製造工程図11に示す一連の反応により、一般式XIIで表される、例えば化合物8-1~8-7の製造を行うことができるが、これらに限定されるものではない。製造工程図11:化合物8-1~8-7の合成製造工程図12に示す一連の反応により、一般式XIIIで表される、例えば化合物8-8~8-12の製造を行うことができるが、これらに限定されるものではない。製造工程図12:化合物8-8~8-12の合成下記表11において、前記式I~式XIIIで表される化合物の製造において使用した2-クロロ-46-ジアリールトリアジンUの実施例を示すが、これらに限定されるものではない。上記実施例にかかわる化合物U-1~U-9は、J.Org.Chem,1969,No.34,p.4125及びChem.Ztg.1912,No.36,p.738に記載の周知の方法により、簡単に製造することができる。下記表12において、前記式I~式XIIIで表される化合物の製造において使用したN-置換-インドロ[2,3-a]カルバゾールICの具体的実施例を示すが、これらに限定されるものではない。周知のハートウィッグーブッフバルトHartwig-Buchwaldアミノ化反応により、ナトリウムtert-ブトキシドsodiumtert-butoxide及びトリ-tert-ブチルホスフィンtri-tert-butylphosphineの存在下、ビスジベンジリデンアセトンパラジウムbisdibenzylideneacetonepalladiumを用いて化合物IC-1~IC-5を製造することができる。周知の製造工程において、アルキル化法により、例えば、水酸化カリウムの塩基の存在下、対応するアルキルハライドを用いて、化合物IC-6~IC-8を製造することができる。本発明の前記式I~式XIIIで表される化合物の合成において、使用される上記製造工程図におけるカルバゾール中間体の各種置換誘導体は、周知の方法により製造することができる。本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、少なくとも一つの発光層を有し、当該発光層は、基板上に互いに積層された陽極と陰極との間に設置され、且つ、リン光ドーパントと、ホスト材料として使用される前記式I~式XIIIで表される任意の前記化合物と、を含有する。より好ましくは、陽極と発光層との間に、正孔注入/輸送層が設置され、陰極と発光層との間に、電子注入/輸送層が設置される。又、より好ましくは、発光層と電子注入/輸送層との間に、正孔阻止層が設置され、或いは正孔注入/輸送層と発光層との間に、電子阻止層が設置される。さらに、電子注入/輸送層、又は正孔阻止層及び/又は電子阻止層中に、前記式I~式XIIIで表される任意の化合物を使用することができる。発光層中に使用されるリン光ドーパントは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金及び金からなる群より選ばれる少なくとも一種の金属を含有する有機金属錯体であることが好ましい。これら有機金属錯体は、すでに前記特許文献及びその他の文献に記載されており、この中より適切な錯体を選び、本発明に使用することができる。より好ましいリン光ドーパントとしては、分子構造の中心に、イリジウムなどの貴金属を有する錯体が挙げられ、一般的にはIrppy3、Irbt2acac、FIrpic、PtOEt3といった錯体を含むが、これらに限定されるものではない。前記発光層中におけるリン光ドーパントの含量は、3重量~10重量程度がより好ましい。次に、図面を参照しながら本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の構造について説明するが、これらに限定されるものではない。図1は、本発明の実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の模式図である。この有機エレクトロルミネッセンス装置100は、基板110、陽極120、正孔注入層130、正孔輸送層140、発光層150、電子輸送層160、電子注入層170及び陰極180を含み、順次堆積して積層することにより製造される。図2は、本発明の他の実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の模式図である。この有機エレクトロルミネッセンス装置200は、基板210、陽極220、正孔注入層230、正孔輸送層240、励起子阻止層excitonblockinglayer,245、発光層250、電子輸送層260、電子注入層270及び陰極280より構成される。図3は、本発明の他の実施例に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の模式図である。この有機エレクトロルミネッセンス装置300は、基板310、陽極320、正孔注入層330、正孔輸送層340、発光層350、励起子阻止層355、電子輸送層360、電子注入層370及び陰極380より構成される。構造が図1~図3で表される有機エレクトロルミネッセンス装置と相反する有機エレクトロルミネッセンス装置を製造することが可能である。この相反する構造において、必要に応じて一層又は多層を追加又は除去することができる。正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層において使用される材料は、後述の引用文献中に記載された材料から選ぶことができる。例えば、電子輸送層を形成するための電子輸送材料は、発光層を形成すための材料とは異なり、且つ正孔輸送特性を有することで、電子輸送層中の正孔移動度を向上させ、更に、発光層と電子輸送層との間のイオン化ポテンシャルの差異により引き起こされる累積作用を防止することができる。この外、本明細書おいて全文が参考文献とされる米国特許第5844363号公報において、たわみ性と透明性を有する基板と陽極の組み合わせが開示されている。又、同様に全文が参考文献とされる米国特許第20030230980号公報において、pドープ正孔輸送層の例として、50:1のモル比でF4-TCNQがドープされたm-MTDATAが開示されている。又、全文が参考文献とされる米国特許第20030230980号公報において、nドープ電子輸送層の例として、1:1のモル比でリチウムがドープされたBPhenが開示されている。更に、全文が参考文献とされる米国特許第5703436号公報及び第5707745号公報においても、陰極の例として、特定の化合物を含有する陰極、即ち、透明で、導電性を有し、スパッタリング堆積によるITOの金属例えば、マグネシウム、銀フィルムにて覆う陰極が開示されている。又、全文が参考文献とされる米国特許第6097147号公報及び第20030230980号公報においても、阻止層に係る原理とその用法が述べられている。又、全文が参考文献とされる米国特許第20040174116号公報においても注入層の例が提供されている。又、全文が参考文献とされる米国特許第20040174116号公報中において保護層に係る説明がなされている。詳細な記述がなされていない構造と材料をも使用することが可能であり、例えば、本明細書において全文が参考文献とされる米国特許第5247190号公報において、重合体材料により構成されたOLEDsPLEDsが掲示されている。更に、単層の有機層によるOLEDsを用いることも出来る。全文が参考文献とされる米国特許第5707745号公報においてはOLEDsを積層することができるとの記述がある。特に詳細な説明をなさないかぎり、各実施例における任意の層は、任意の方法により堆積することができる。有機層について、好ましい方法としては、例えば、本明細書において全文が参考文献とされる米国特許第6013982号公報及び第6087196号公報に記載の蒸着法evaporation、インクジェット法ink-jetや、同様に全文が参考文献とされる米国特許第6337102号公報に記載の有機気相成長法OVPD、或いは、全文が参考文献とされる米国特許第10/233,470号に記載の有機蒸気ジェットプリントorganicvaporjetprinting,OVJPによる堆積法などが挙げられる。その他適用できる堆積法としては、例えば、スピンコート法とその他溶剤を主体とする方法が含まれる。好ましい方法として、溶剤を主体とする方法は、窒素又は不活性ガス中で行われる。その他の層については、好ましい方法として、蒸着法が挙げられる。好ましいパターニング法としては、フォトマスクやコールドウェルドによる堆積法が、例えば全文が参考文献とされる米国特許第6294398号公報及び第6468819号公報に記述されており、又、堆積法に関わるパターニング法としては、例えばインクジェット法とOVJD法が挙げられる。当然ながら、その他の方法も使用できる。堆積材料を改質し、特定の堆積法に適用できるようにすることも可能である。本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、単一の装置、アレイ状に構成された装置、又は、陽極と陰極とをX-Yマトリクス状に配置した装置として応用することができる。発光層にリン光ドーパントを組み合わせて使用する場合、他の従来の装置に比べ、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、その発光効率と駆動安定性とを大幅に向上させることができ、フルカラー又はマルチカラーとして使用する場合、特に本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は優れた特性を発揮する。以下、実施例を参照して本発明を更に詳しく説明する。しかし、本発明は、これら実施例に限定されるものではない。又、本発明の実質的な内容を超えない限り、本発明は、各種方法により実施できるよう簡略化することも可能である。36-ジヨードカルバゾールと9-アセチル-36-ジヨードカルバゾールの合成36-ジヨードカルバゾールとその誘導体の9-アセチル-36-ジヨードカルバゾールを、JChemSoc1926,p546中に記載の方法により合成した。3-ブロモカルバゾールと9-アセチル-3-ブロモカルバゾールの合成カルバゾール16gを、NN’-ジメチルホルムアミド80ccに溶かし、これにN-ブロモスクシンイミド18gを加え、室温下で一昼夜攪拌し反応を行った。次に、反応混合物を水中に注入し、白色固体の沈殿物を濾過し、メタノールで洗浄し、真空下で加熱乾燥して、3-ブロモカルバゾール20gを得た。次に、酸無水物3容量部と微量の硫酸の存在下還流させることにより、そのアセチル化誘導体に転化させた。その後、生成した白色off-white固体をn-ヘキサンを用いて洗浄し、真空下で加熱乾燥することにより9-アセチル-3-ブロモカルバゾール23gを得た。27-ジブロモカルバゾールと9-アセチル-27-ジブロモカルバゾールの合成MacromolRapidcommun2007No28p334に記載の製造方法により、44’-ジブロモカルバゾールを用いて27-ジブロモカルバゾールを合成した。次に、酸無水物3容量部と微量の硫酸の存在下還流させることにより、そのアセチル化誘導体に転化させた。その後、生成した白色固体をn-ヘキサンを用いて洗浄し、真空下で加熱乾燥することにより9-アセチル-27-ジブロモカルバゾールを得た。合成例1化合物1-1の合成NN’-ジメチルホルムアミド20ml中で、9-アセチル-36-ジヨードカルバゾール20gとカルバゾール11gの混合物を攪拌した後、酸化銅08gを添加し、170°Cに加熱し、24時間反応を続けた。水で冷却し反応を止め、生成した固形物を濾過し、メタノールで洗浄した後、真空下で加熱乾燥した。次に固形物3gを取出し、脱保護反応に用いた。脱保護反応は、還流温度下において、水酸化カリウム06g、テトラヒドロフラン3ml、メタノール6ml及び水6mlを用いて行った。次に、酢酸エチルエステルを用いて反応混合物を抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した後、真空下で乾燥するまで蒸散を続けた。次に、トルエンとヘキサン1:2の混合液を溶離液として、シリカゲルカラムクロマトグラフィを行い、36-カルバゾリルカルバゾール15gを得た。上記で得た36-ジ9-カルバゾリルカルバゾール15gを窒素下で、無水NN’-ジメチルホルムアミド30mlに溶解し、水素化ナトリウム015gを加え、室温下で1時間攪拌した。次に、無水NN’-ジメチルホルムアミドに溶かした2-クロロ-46-ジフェニル-135-トリアジンU-1,10gの溶液10mlをこの反応混合物に添加し、3時間攪拌反応を続けた。反応混合物を水にあけ、生成物を沈殿させた。これにより得た固形物をメタノールで洗浄した後、真空下で加熱乾燥して、24-ジフェニル-6-36-ジ9-カルバゾリルカルバゾール-9’-イル-135-トリアジン16g,化合物1-1,収量73を得た。化合物1-1は、融点:382°C、ガラス転移温度:193°Cを示した。図4に化合物1-1の1H-NMRを示す。1H-NMRCDCl3,δ:946d,2H;882d,4H;828s,2H;817d,4H;782dd,2H;766m,6H;749d,4H;743t,4H;728t,4H。合成例2化合物3-1の合成9-アセチル-36-ジヨードカルバゾール20gとN-フェニルインドロ[23-a]カルバゾールIC-1,30gの混合物を、NN’-ジメチルホルムアミド20ml中に加え攪拌した。これに酸化銅08gを加え、170°Cまで加熱して、24時間保持した。水で冷却し反応を止め、生成した固形物を濾過し、メタノールで洗浄した後、真空下で加熱乾燥した。次に、この固形物45gを取出し、脱保護反応に用いた。脱保護反応は、還流温度下において、水酸化カリウム08g、テトラヒドロフラン4ml、メタノール8ml及び水8mlを用いて行った。次に、酢酸エチルエステルを用いて反応混合物を抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した後、真空下で乾燥するまで蒸散を続けた。次に、トルエンとヘキサン1:2の混合液を溶離液として、シリカゲルカラムクロマトグラフィを行い、36-ジN-フェニルインドロ[23-a]-1-カルバゾリルカルバゾールの黄色固形物28gを得た。上記で得た36-ジN-フェニルインドロ[23-a]-1-カルバゾリルカルバゾール28gを窒素下で、無水NN’-ジメチルホルムアミド50ml中に溶解し、水素化ナトリウム020gを加え、室温下で1時間攪拌した。次に、無水NN’-ジメチルホルムアミドに溶かした2-クロロ-46-ジフェニル-135-トリアジンU-1,13gの溶液15mlをこの反応混合物に添加し、3時間攪拌反応を続けた。反応混合物を水にあけ、生成物を沈殿させた。これにより得た固形物を、先にメタノールで、次にn-ヘキサンを用いて洗浄し、真空下で加熱乾燥して24-ジフェニル-6-36-ジN-フェニルインドロ[23-a]カルバゾリル-カルバゾール-9’-イル-135-トリアジン31g,化合物3-1,収量:86を得た。化合物3-1は、融点:354°C、ガラス転移温度:232°Cを示した。図5に化合物3-1の1H-NMRを示す。1H-NMRCDCl3,δ:916d,2H;889d,2H;878dd,4H;870d,6H;835s,2H;810d,2H;791d,2H;760m,24H;745m,2H。合成例3化合物3-8の合成上記で得た9-アセチル-3-ブロモカルバゾール20gとN-フェニルインドロ[23-a]カルバゾール24g,IC-1との混合物を、NN’-ジメチルホルムアミド20ml中に加え攪拌した。これに酸化銅08gを加え、170°Cまで加熱して24時間保持した。水で冷却して反応を止め、生成した固形物を濾過し、メタノールで洗浄した後、真空下で加熱乾燥した。次に、この固形物45gを取出し、脱保護反応に用いた。脱保護反応は、還流温度下において、水酸化カリウム08g、テトラヒドロフラン4ml、メタノール8ml及び水8mlを用いて行った。次に、酢酸エチルエステルを用いて反応混合物を抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した後、真空下で乾燥するまで蒸散を続けた。次に、トルエンとヘキサン1:2の混合液を溶離液として、シリカゲルカラムクロマトグラフィを行い、3-N-フェニルインドロ[23-a]カルバゾリルカルバゾールの浅黄色固形物29gを得た。上記で得た3-N-フェニルインドロ[23-a]カルバゾリルカルバゾール29gを窒素下で、無水NN’-ジメチルホルムアミド50mlに溶解し、水素化ナトリウム040gを加え、室温下で1時間攪拌した。次に、無水NN’-ジメチルホルムアミドに溶かした2-クロロ-46-ジフェニル-135-トリアジン23g,U-1の溶液10mlをこの反応混合物に添加し、3時間攪拌反応を続けた。反応混合物を水にあけ、生成物を沈殿させた。これにより得た固形物を、先にメタノールで、次にn-ヘキサンを用いて洗浄し、真空下で加熱乾燥して24-ジフェニル-6-3-N-フェニルインドロ[23-a]カルバゾリルカルバゾール-9’-イル-135-トリアジン37g,化合物3-8,収量:88を得た。化合物3-8は、融点:236°Cを示した。図6に、化合物3-8の1H-NMRを示す。1H-NMRCDCl3,δ:916m,3H;903d,1H;877m,8H;818d,1H;811d,2H;802d,1H;765m,12H;747t,4H。合成例4化合物2-1の合成前記9-アセチル-3-ブロモカルバゾール40gとカルバゾール28gとの混合物を、NN’-ジメチルホルムアミド30ml中に加え攪拌した。これに酸化銅08gを加え、170°Cまで加熱して24時間保持した。水で冷却し反応を止め、生成した固形物を濾過し、メタノールで洗浄した後、真空下で加熱乾燥した。次に、この固形物50gを取出し、脱保護反応に用いた。脱保護反応は、還流温度下において、水酸化カリウム12g、テトラヒドロフラン6ml、メタノール12ml及び水12mlを用いて行った。次に、酢酸エチルエステルを用いて反応混合物を抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した後、真空下で乾燥するまで蒸散を続けた。次に、トルエンとヘキサン1:2を溶離液として、シリカゲルカラムクロマトグラフィを行い、3-9-カルバゾリルカルバゾールの白色粉末38gを得た。上記で得た3-9-カルバゾリルカルバゾール38gを窒素下で、無水NN’-ジメチルホルムアミド60ml中に溶解し、水素化ナトリウム07gを加え、室温下で1時間攪拌した。次に、無水NN’-ジメチルホルムアミドに溶かした2-クロロ-46-ジフェニル-135-トリアジンU-1,36gの溶液25mlをこの反応混合物に添加し、3時間攪拌反応を続けた。反応混合物を水にあけ、生成物を沈殿させた。これにより得た固形物を、先にメタノールで、次にn-ヘキサンを用いて洗浄し、真空下で加熱乾燥して24-ジフェニル-6-3-N-カルバゾリルカルバゾール-9’-イル-135-トリアジン54g,化合物2-1,収量:84を得た。化合物2-1は、融点:316°C、ガラス転移温度:130°Cを示した。図7に化合物2-1の1H-NMRを示す。1H-NMRCDCl3,δ:937d,1H;922d,1H;877dd,4H;825s,1H;820d,2H;806d,1H;777dd,1H;762m,7H;743m,5H;731t,2H。合成例5化合物3-14の合成合成例3と同様の方法を基に、N-フェニルインドロ[23-a]カルバゾールIC-1の代わりに、N-フェニルインドロ[23-a]カルバゾールIC-6を用いて化合物3-14を合成した。化合物3-14は、融点:320°Cを示した。図8に、化合物3-14の1H-NMRを示す。1H-NMRCDCl3,δ:943d,1H;925d,1H;878d,4H;822m,3H;814m,2H;804d,1H;768m,8H;755d,1H;738m,4H;728m,1H;363m,2H;085m,3H。合成例6化合物4-1の合成9-アセチル-27-ジインドロカルバゾール40gとカルバゾール22gとの混合物を、NN’-ジメチルホルムアミド20ml中に加え攪拌した。これに酸化銅16gを加え、170°Cまでに加熱して24時間保持した。水で冷却し反応を止め、生成した固形物を濾過し、メタノールで洗浄した後、真空下で加熱乾燥した。次に、この固形物6gを取出し、脱保護反応に用いた。脱保護反応は、還流温度下において、水酸化カリウム12g、テトラヒドロフラン6ml、メタノール12ml及び水12mlを用いて行った。酢酸エチルエステルを用いて反応混合物を抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した後、真空下で乾燥するまで蒸散を続けた。次に、トルエンとヘキサン1:2を溶離液として、シリカゲルカラムクロマトグラフィを行い、27-カルバゾリルカルバゾール30gを得た。上記で得た27-ジ9-カルバゾリルカルバゾール30gを窒素下で、無水NN’-ジメチルホルムアミド50mlに溶解し、水素化ナトリウム030gを加え、室温下で1時間攪拌した。次に、無水NN’-ジメチルホルムアミドに溶かした2-クロロ-46-ジフェニル-135-トリアジンU-1,20gの溶液20mlをこの反応混合物に添加し、3時間攪拌反応を続けた。この反応混合物を水にあけ、生成物を沈殿させた。これにより得た固形物をメタノールで洗浄し、真空下で加熱乾燥して、24-ジフェニル-6-27-ジ9-カルバゾリルカルバゾール-9’-イル-135-トリアジン35g,化合物4-1,収量:81を得た。化合物4-1は、融点:402°C、ガラス転移温度:177°Cを示した。図9は、化合物4-1の1H-NMRを示す。1H-NMRCDCl3,δ:947s,2H;873d,2H;840d,4H;835d,4H;790d,2H;769d,4H;753m,6H;739t,4H;718t,4H。実施例1有機エレクトロルミネッセンス装置の製造基板は、使用する前、基板が蒸着システムに搭載される前に、溶剤を用いて油脂汚れを取り除き、かつ、UVオゾン中で洗浄しておく。次に、基板を真空蒸着チャンバーに送り、基板上に、その他のすべての層体を堆積させる。真空度106Torr附近で、加熱した蒸着ボートで蒸着法により、図2で表される下記の層体を下記の順で堆積させる。a正孔注入層、EHI609供給源:台湾、▲いく▼▲雷▼光電科技株ErayOptoelectronicsTechnologyCoLtd;b正孔輸送層、厚さ:7nm、NN’-ジ-1-ナフチル-NN’-ジフェニル-44’-ジアミノビフェニルNPBを含む;c励起子阻止層、厚さ:5nm、44’4’-トリスカルバゾリル-9-イル-トリフェニルアミンTCTAを含む;d発光層、厚さ:30nm、7容量のIrppy3がドープされた化合物1-1を含む。e電子輸送層、厚さ:40nm、トリス-8-ヒドロキシキノリンアルミニウム、Alq3を含む;f電子注入層、厚さ:1nm、LiF;g陰極:厚さ:約150nm、アルミニウムを含む。有機エレクトロルミネッセンス装置の構造は、下記の標記で表される:ITO/EHI60970nm/NPB7nm/TCTA5nm/化合物1-1:7Irppy330nm/Alq330nm/LiF1nm/Al150nm。これらの層体が堆積された後、前記装置は、蒸着チャンバーよりパッケージング用の乾燥ボックス中に送られ、次にUV固化性エポキシ樹脂と水分吸着剤を含むガラスキャップとによってパッケージングされる。この有機エレクトロルミネッセンス装置は、3mm2の発光面積を有する。上記で得た有機エレクトロルミネッセンス装置を外部電源につなぎ、直流電圧を印加し、表13で表される発光特性を測定した。図10に、本装置のエレクトロルミネッセンススペクトルを示す。室温下で固定電源KEITHLEY2400電源メーター、米国、KeithleyInstruments株オハイオ州クリーブランド製造と光度計フォトリサーチスペクトルスキャンPR650、フォトリサーチ株カリフォルニア州チャッツワース製造を用いて、本発明により製造したすべての装置に系るEL特性を評価した。室温下及び10000cd/m2の初期発光率下において、固定電流を前記装置に通して、これら装置の操作寿命又は安定度を測定した。又、国際照明委員会CommissionInternationaledel‘Eclairage;CIEの色度表により色彩を記述した。実施例2-4実施例2~4では、実施例1により提供した装置の構造に基づき、それぞれ化合物4-1、3-14、2-1を使用して、エレクトロルミネッセンス装置を製造した。比較例有機エレクトロルミネッセンス装置の製造比較例においては、発光層中の化合物1-1の代わりにCBPを使用した以外はすべて実施例1と同様の層体構造の有機リン光エレクトロルミネッセンス装置を製造した。この有機リン光エレクトロルミネッセンス装置の構造は、下記の標記で表わされる:ITO/DNTPD75nm/NPB7nm/TCTA5nm/CBP:7Irppy330nm/Alq330nm/LiF1nm/Al150nm。表13に、これらの実施例と比較例に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の発射光のピークにおける波長、最大発光効率及び駆動電圧を示す。図11は、発光効率と相対電流密度との関係を示したものである。本発明は、以上の実施例、実施方法によって限定されるものでない。"