"陰極と、有機化合物を含む層と、陽極とを有する発光素子を複数有する発光装置であり、絶縁表面を有する基板上に、SiOxを含む耐熱性平坦化膜と、前記耐熱性平坦化膜上にSiOxを含む陽極と、前記陽極の端部を覆うSiOxを含む隔壁と、前記陽極上に有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上に陰極とを有することを特徴とする発光装置。本発明の課題は、発光効率光の取り出し効率が高く高輝度、且つ、低消費電力であり、且つ、安定性の高い発光装置を提供することである。本発明では、安定性の高い発光装置とするため、少なくとも層間絶縁膜平坦化膜を含む、陽極、および該陽極の端部を覆う隔壁に化学的および物理的に安定な酸化珪素を含ませる、或いは酸化珪素を主成分とする材料で構成することを特徴の一つとしている。具体的には、層間絶縁膜、および隔壁として、塗布法により得られる高耐熱性平坦化膜を用いることが好ましい。層間絶縁膜、および隔壁の材料としては、シリコンSiと酸素Oとの結合で骨格構造が構成され、置換基に水素、フッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも1種を有する材料を用いた塗布膜を用いる。焼成した後の膜は、アルキル基を含むSiOx膜と呼べる。このアルキル基を含むSiOx膜は、アクリル樹脂よりも高い光透過性を有しており、300°C以上の加熱処理にも耐えうるものである。本発明において、塗布法による層間絶縁膜、および隔壁の形成方法は、まず、純水での洗浄を行った後、濡れ性を向上させるためにシンナープリウェット処理を行い、シリコンSiと酸素Oとの結合を有する低分子成分前駆体を溶媒に溶解させたワニスと呼ばれる液状原料を基板上にスピンコート法などにより塗布する。その後、ワニスを基板とともに加熱して溶媒の揮発蒸発と、低分子成分の架橋反応とを進行させることによって、薄膜を得ることができる。そして、塗布膜が形成された基板端面周辺部の塗布膜を除去する。また、隔壁を形成する場合には、所望の形状にするパターニングを行えばよい。また、膜厚は、スピン回転数、回転時間、ワニスの濃度および粘度によって制御する。層間絶縁膜と隔壁とで同じ材料を用いることによって、製造コストを削減することができる。また、塗布成膜装置やエッチング装置などの装置の共通化によるコストダウンが図れる。通常、有機化合物を含む層を発光層とするEL素子は、陽極としてITOインジウムチンオキサイドを用いられる。しかし、ITOの屈折率は、約2前後と高い。そこで、本発明では、陽極として、酸化珪素を含む酸化インジウムスズ以下、ITSOという。を用いる。ITSOは、ベークを行ってもITOのように結晶化せず、アモルファス状態のままである。従って、ITSOは、ITOよりも平坦性が高く、有機化合物を含む層が薄くとも陰極とのショートが生じにくく、発光素子の陽極として適している。また、屈折率が約1.46前後である酸化珪素を含ませることによって陽極となるITSOの屈折率を変化させている。加えて、図6に示すように、ITSOを陽極に用いた発光パネルは、ITOを陽極に用いた発光パネルよりも効率輝度/電流が約1.5倍ほどよい。図6において、TFTを用いたアクティブマトリクス型発光パネルでの比較であり、効率を算出する際に用いた電流は、パネルに入力したトータル電流値を用いている。さらに、図12に示すように、ITSOを陽極に用い、塗布法により得られる高耐熱性平坦化膜を層間絶縁膜に用いた発光パネル図12中、試料Bに相当は、パネルの発熱が抑えられており、発光装置の信頼性が向上する。即ち、本発明の構成により、発光パネルの効率輝度/電流向上に加え、発光パネルの発熱が抑制でき、発光装置の信頼性において相乗効果が得られる。本発明による電界発光素子は、発光層での発光が基板の外に透過する際に通過する積層において、光透過率の高い材料で構成し、さらに屈折率の異なる層間での反射を抑えることにより発光効率を向上させる。特に、TFTを用いたアクティブマトリクス型発光装置の場合、層間絶縁膜として複数の材料層を積層させたものを用いるため、発光を通過させる層間絶縁膜の屈折率または膜厚を設定することは有効である。本発明は、スネルの法則に従い、調整可能な範囲で、各層の屈折率や膜厚を決定し、層の界面における光反射を抑制する。スネルの法則とは、屈折率niの膜から角度θiで入射し屈折率niの膜へ角度θjで透過するときnisinθi=njsinθj、全反射条件スネルの法則でθj=90°となるときのθjの値臨界角を超えると光線は全て法線に対称な経路で反射されるというものである。また、発光素子からの発光は様々な方向に反射や拡散して色々な部分材料層に吸収されてしまう。本発明は、発光が基板の外に透過する際に通過しない部分、例えば隔壁においても、光透過率の高い材料で構成して、その部分での光の吸収を抑えることにより発光効率を向上させる。本明細書で開示する発明の構成は、陰極と、有機化合物を含む層と、陽極とを有する発光素子を複数有する発光装置であって、絶縁表面を有する基板上に、SiOxを含む高耐熱性平坦化膜と、前記高耐熱性平坦化膜上にSiOxを含む陽極と、前記陽極の端部を覆うSiOxを含む隔壁と、前記陽極上に有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上に陰極とを有することを特徴とする発光装置である。また、上記構成において、前記高耐熱性平坦化膜と前記隔壁は、同じ材料からなっており、アルキル基を含むSiOx膜であることを特徴としている。また、上記構成において、前記陽極は、SiOxを含むインジウム錫酸化物であることを特徴としている。また、上記構成において、前記SiOxを含む高耐熱性平坦化膜を層間絶縁膜とするTFTは、前記陽極と電気的に接続している。また、他の発明の構成は、陰極と、有機化合物を含む層と、陽極とを有する発光素子を複数有する発光装置であって、発光領域において、発光素子の発光は、SiOxを含む陽極と、SiOxを含む高耐熱性平坦化膜と、絶縁表面を有する基板とを通過することを特徴とする発光装置である。また、上記各構成において、前記発光素子は、赤色、緑色、青色、あるいは白色を発光することを特徴としている。また、上記構造を実現するための発明の構成は、絶縁表面を有する基板上に薄膜トランジスタおよび発光素子を有する発光装置の作製方法であって、絶縁表面を有する第1の基板上にソース領域、ドレイン領域、およびその間のチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタにより反映する凸凹形状の上に高耐熱性平坦化膜を形成する工程と、前記高耐熱性平坦化膜を選択的に除去して、側面がテーパー形状を有し、且つ、前記ソース領域または前記ドレイン領域上方に位置する開口部と、テーパー形状を有する周縁部とを形成する工程と、前記ゲート絶縁膜を選択的に除去して前記ソース領域または前記ドレイン領域に達するコンタクトホールを形成する工程と、前記ソース領域または前記ドレイン領域に達する電極を形成する工程と、前記電極と接するSiOxを含む陽極を形成する工程と、前記陽極の端部を覆う隔壁を形成する工程と、前記陽極上に有機化合物を含む層を形成する工程と、前記有機化合物を含む層上に陰極を形成する工程と、前記発光素子の外周を囲むシール材で第2の基板を前記第1の基板に貼り合せて前記発光素子を封止する工程と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法である。上記構成において、前記高耐熱性平坦化膜または前記隔壁は、塗布法により形成されるアルキル基を含むSiOx膜であることを特徴としている。また、上記各構成において、前記陽極は、SiOxを含むインジウム錫酸化物からなるターゲットを用いたスパッタ法で形成することを特徴としている。また、上記各構成において、前記発光装置は、アクティブマトリクス型、或いはパッシブマトリクス型のどちらにも適用することができる。また、発光装置における各層に層間絶縁膜、下地絶縁膜、ゲート絶縁膜、第1の電極、第2の電極、および透明保護層に珪素を含ませ、各層の密着性を向上させてもよく、他の発明の構成は、陰極と、有機化合物を含む層と、陽極とを有する発光素子を複数有する発光装置であり、絶縁表面を有する基板上に、珪素を含む耐熱性平坦化膜と、前記耐熱性平坦化膜上に珪素を含む陽極と、前記陽極の端部を覆う隔壁と、前記陽極上に有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上に陰極と、前記陰極上に珪素を含む保護層とを有することを特徴とする発光装置である。また、上記構成において、前記珪素を含む高耐熱性平坦化膜を層間絶縁膜とするTFTは、前記陽極と電気的に接続していることを特徴の一つとしている。また、発光装置における各層に層間絶縁膜、下地絶縁膜、ゲート絶縁膜、第1の電極、第2の電極、および透明保護層に珪素または酸化珪素を含ませ、密着性または信頼性を向上させてもよく、他の発明の構成は、陰極と、有機化合物を含む層と、陽極とを有する発光素子を複数有する発光装置であり、絶縁表面を有する基板上に、珪素または酸化珪素を含む耐熱性平坦化膜と、前記耐熱性平坦化膜上に珪素または酸化珪素を含む陽極と、前記陽極の端部を覆う隔壁と、前記陽極上に有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上に珪素または酸化珪素を含む陰極と、前記陰極上に珪素または酸化珪素を含む保護層とを有することを特徴とする発光装置である。また、上記構成において、前記珪素または酸化珪素を含む高耐熱性平坦化膜を層間絶縁膜とするTFTは、前記陽極と電気的に接続していることを特徴の一つとしている。なお、発光素子EL素子は、電場を加えることで発生するルミネッセンスElectroLuminescenceが得られる有機化合物を含む層以下、EL層と記すと、陽極と、陰極とを有する。有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光蛍光と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光リン光とがあるが、本発明により作製される発光装置は、どちらの発光を用いた場合にも適用可能である。EL層を有する発光素子EL素子は一対の電極間にEL層が挟まれた構造となっているが、EL層は通常、積層構造となっている。代表的には、正孔輸送層/発光層/電子輸送層という積層構造が挙げられる。この構造は非常に発光効率が高く、現在、研究開発が進められている発光装置は殆どこの構造を採用している。また、他にも陽極上に正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層、または正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層の順に積層する構造も良い。発光層に対して蛍光性色素等をドーピングしても良い。また、これらの層は、全て低分子系の材料を用いて形成しても良いし、全て高分子系の材料を用いて形成しても良い。また、無機材料を含む層を用いてもよい。なお、本明細書において、陰極と陽極との間に設けられる全ての層を総称してEL層という。したがって、上記正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層は、全てEL層に含まれる。また、本発明の発光装置において、画面表示の駆動方法は特に限定されず、例えば、点順次駆動方法や線順次駆動方法や面順次駆動方法などを用いればよい。代表的には、線順次駆動方法とし、時分割階調駆動方法や面積階調駆動方法を適宜用いればよい。また、発光装置のソース線に入力する映像信号は、アナログ信号であってもよいし、デジタル信号であってもよく、適宜、映像信号に合わせて駆動回路などを設計すればよい。さらに、ビデオ信号がデジタルの発光装置において、画素に入力されるビデオ信号が定電圧CVのものと、定電流CCのものとがある。ビデオ信号が定電圧のものCVには、発光素子に印加される電圧が一定のものCVCVと、発光素子に印加される電流が一定のものCVCCとがある。また、ビデオ信号が定電流のものCCには、発光素子に印加される電圧が一定のものCCCVと、発光素子に印加される電流が一定のものCCCCとがある。本明細書において、光の取り出し効率とは、素子の発光に対して素子の透明性基板正面から大気中に放出される発光の割合である。また、TFT構造に関係なく本発明を適用することが可能であり、例えば、トップゲート型TFT、ボトムゲート型逆スタガ型TFT、または順スタガ型TFTに適用することが可能である。また、TFTの活性層としては、非晶質半導体膜、結晶構造を含む半導体膜、非晶質構造を含む化合物半導体膜などを適宜用いることができる。さらにTFTの活性層として、非晶質と結晶構造単結晶、多結晶を含むの中間的な構造を有し、自由エネルギー的に安定な第3の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な領域を含んでいるセミアモルファス半導体膜微結晶半導体膜、マイクロクリスタル半導体膜とも呼ばれるも用いることができる。セミアモルファス半導体膜は、少なくとも膜中の一部の領域には、0.5~20nmの結晶粒を含んでおり、ラマンスペクトルが520cm1よりも低波数側にシフトしている。また、セミアモルファス半導体膜は、X線回折ではSi結晶格子に由来するとされる111、220の回折ピークが観測される。また、セミアモルファス半導体膜は、未結合手ダングリングボンドの中和剤として水素またはハロゲンを少なくとも1原子またはそれ以上含ませている。セミアモルファス半導体膜の作製方法としては、珪化物気体をグロー放電分解プラズマCVDして形成する。珪化物気体としては、SiH4、その他にもSi2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4などを用いることが可。この珪化物気体をH2、又は、H2とHe、Ar、Kr、Neから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈しても良い。希釈率は2~1000倍の範囲。圧力は概略0.1Pa~133Paの範囲、電源周波数は1MHz~120MHz、好ましくは13MHz~60MHz。基板加熱温度は300°C以下でよく、好ましくは100~250°C。膜中の不純物元素として、酸素、窒素、炭素などの大気成分の不純物は1×1020cm1以下とすることが望ましく、特に、酸素濃度は5×1019cm3以下、好ましくは1×1019cm3以下とする。なお、セミアモルファス半導体膜を活性層としたTFTの電界効果移動度μは、1~10cm2Vsecである。本発明の発光素子では、発光効率を高めて消費電力を低くし、輝度の半減寿命を長くすることができる。加えて、パネルの発熱を抑え、素子の安定性および発光装置の信頼性を向上させることができる。本発明の実施形態について、以下に説明する。まず、基板10上に下地絶縁膜11を形成する。基板10側を表示面として発光を取り出す場合、基板10としては、光透過性を有するガラス基板や石英基板を用いればよい。また、処理温度に耐えうる耐熱性を有する光透過性のプラスチック基板を用いてもよい。また、基板10側とは逆の面を表示面として発光を取り出す場合、前述の基板の他にシリコン基板、金属基板またはステンレス基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。ここでは基板10としてガラス基板を用いる。なお、ガラス基板の屈折率は1.55前後である。下地絶縁膜11としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜から成る下地膜を形成する。ここでは下地膜として2層構造を用いた例を示すが、前記絶縁膜の単層膜または2層以上積層させた構造を用いても良い。なお、特に下地絶縁膜を形成しなくてもよい。次いで、下地絶縁膜上に半導体層を形成する。半導体層は、非晶質構造を有する半導体膜を公知の手段スパッタ法、LPCVD法、またはプラズマCVD法等により成膜した後、公知の結晶化処理レーザー結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化法等を行って得られた結晶質半導体膜を第1のフォトマスクを用いて所望の形状にパターニングして形成する。この半導体層の厚さは25~80nm好ましくは30~70nmの厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウムSiGe合金などで形成すると良い。また、非晶質構造を有する半導体膜の結晶化処理として連続発振のレーザーを用いてもよく、非晶質半導体膜の結晶化に際し、大粒径に結晶を得るためには、連続発振が可能な固体レーザを用い、基本波の第2高調波~第4高調波を適用するのが好ましい。代表的には、NdYVO4レーザー基本波1064nmの第2高調波532nmや第3高調波355nmを適用すればよい。連続発振のレーザーを用いる場合には、出力10Wの連続発振のYVO4レーザから射出されたレーザ光を非線形光学素子により高調波に変換する。また、共振器の中にYVO4結晶と非線形光学素子を入れて、高調波を射出する方法もある。そして、好ましくは光学系により照射面にて矩形状または楕円形状のレーザ光に成形して、被処理体に照射する。このときのエネルギー密度は0.01~100MW/cm2程度好ましくは0.1~10MW/cm2が必要である。そして、10~2000cm/s程度の速度でレーザ光に対して相対的に半導体膜を移動させて照射すればよい。次いで、レジストマスクを除去した後、半導体層を覆う絶縁膜12を形成する。絶縁膜12はプラズマCVD法またはスパッタ法を用い、厚さを1~200nmとする。好ましくは10nm~50nmと薄くしてシリコンを含む絶縁膜の単層または積層構造で形成した後にマイクロ波によるプラズマを用いた表面窒化処理を行う。このように膜厚の薄い絶縁膜をプラズマCVD法を用いる場合、成膜レートを遅くして薄い膜厚を制御性よく得る必要がある。例えば、RFパワーを100W、10kHz、圧力0.3Torr、N2Oガス流量400sccm、SiH4ガス流量1sccm、とすれば酸化珪素膜の成膜速度を6nm/minとすることができる。また、マイクロ波によるプラズマを用いた窒化処理は、マイクロ波源2.45GHz、および反応ガスである窒素ガスを用いて行う。なお、絶縁膜12表面から離れるにつれて窒素濃度は減少する。これにより酸化珪素膜表面を高濃度に窒化できるだけでなく、酸化珪素膜と活性層の界面の窒素を低減し、デバイス特性の劣化を防ぐ。なお、窒化処理された表面を有する絶縁膜12はTFTのゲート絶縁膜となる。次いで、絶縁膜12上に膜厚100~600nmの導電膜を形成する。ここでは、スパッタ法を用い、TaN膜とW膜との積層からなる導電膜を形成する。なお、ここでは導電膜をTaN膜とW膜との積層としたが、特に限定されず、Ta、W、Ti、Mo、Al、Cuから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料の単層、またはこれらの積層で形成してもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いてもよい。次いで、第2のフォトマスクを用いてレジストマスクを形成し、ドライエッチング法またはウェットエッチング法を用いてエッチングを行う。このエッチング工程によって、導電膜をエッチングして、導電層14a、14b、15a、15bを得る。なお、導電層14a、14bはTFTのゲート電極となり、導電層15a、15bは端子電極となる。次いで、レジストマスクを除去した後、第3のフォトマスクを用いてレジストマスクを新たに形成し、ここでは図示しないnチャネル型TFTを形成するため、半導体にn型を付与する不純物元素代表的にはリン、またはAsを低濃度にドープするための第1のドーピング工程を行う。レジストマスクは、pチャネル型TFTとなる領域と、導電層の近傍とを覆う。この第1のドーピング工程によって絶縁膜を介してスルードープを行い、低濃度不純物領域を形成する。一つの発光素子は、複数のTFTを用いて駆動させるが、pチャネル型TFTのみで駆動させる場合には、上記ドーピング工程は特に必要ない。次いで、レジストマスクを除去した後、第4のフォトマスクを用いてレジストマスクを新たに形成し、半導体にp型を付与する不純物元素代表的にはボロンを高濃度にドープするための第2のドーピング工程を行う。この第2のドーピング工程によって絶縁膜12を介してスルードープを行い、p型の高濃度不純物領域17、18を形成する。次いで、第5のフォトマスクを用いてレジストマスクを新たに形成し、ここでは図示しないnチャネル型TFTを形成するため、半導体にn型を付与する不純物元素代表的にはリン、またはAsを高濃度にドープするための第3のドーピング工程を行う。第3のドーピング工程におけるイオンドープ法の条件はドーズ量を1×1013~5×1015cm2とし、加速電圧を60~100keVとして行う。レジストマスクは、pチャネル型TFTとなる領域と、導電層の近傍とを覆う。この第3のドーピング工程によって絶縁膜12を介してスルードープを行い、n型の高濃度不純物領域を形成する。この後、レジストマスクを除去し、水素を含む絶縁膜13を成膜した後、半導体層に添加された不純物元素の活性化および水素化を行う。水素を含む絶縁膜13は、PCVD法により得られる窒化酸化珪素膜SiNO膜を用いる。加えて、結晶化を助長する金属元素、代表的にはニッケルを用いて半導体膜を結晶化させている場合、活性化と同時にチャネル形成領域19におけるニッケルの低減を行うゲッタリングをも行うことができる。なお、水素を含む絶縁膜13は、層間絶縁膜の1層目であり、酸化珪素を含んでいる。次いで、層間絶縁膜の2層目となる高耐熱性平坦化膜16を形成する。高耐熱性平坦化膜16としては、塗布法によって得られるシリコンSiと酸素Oとの結合で骨格構造が構成される絶縁膜を用いる。従って、層間絶縁膜の2層目にも酸化珪素が含まれている。ここで、高耐熱性平坦化膜16の形成手順を図5を用いて詳細に説明する。まず、被処理基板の純水洗浄を行う。メガソニック洗浄を行ってもよい。次いで140°Cのデハイドロベークを110秒行った後、水冷プレートによって120秒クーリングして基板温度の一定化を行う。次いで、図5Aに示すスピン式の塗布装置に搬送して基板をセットする。図5Aはスピン式の塗布装置の断面模式図を示している。図5Aにおいて、1001はノズル、1002は基板、1003は塗布カップ、1004は塗布材料液を示している。ノズル1001からは塗布材料液が滴下される機構となっており、塗布カップ1003内に基板1002が水平に収納され、塗布カップごと全体が回転する機構となっている。また、塗布カップ1003内の雰囲気は圧力制御することができる機構となっている。次いで、濡れ性を向上させるためにシンナーー芳香族炭化水素トルエンなど、アルコール類、酢酸エステル類などを配合した揮発性の混合溶剤などの有機溶剤によるプリウェット塗布を行う。シンナーを70ml滴下しながら基板をスピン回転数100rpmさせてシンナーを遠心力で万遍なく広げた後、高速度でスピン回転数450rpmさせてシンナーを振り切る。次いで、シロキサン系ポリマーを溶媒プロピレングリコールモノメチルエーテル分子式:CH3OCH2CHOHCH3に溶解させた液状原料に用いた塗布材料液をノズル1001から滴下しながら徐々にスピン回転数0rpm→1000rpmさせて塗布材料液を遠心力で万遍なく広げる。シロキサンの構造により、例えば、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化シルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマーなどに分類することができる。シロキサン系ポリマーの一例としては、東レ製塗布絶縁膜材料であるPSB-K1、PSB-K31や触媒化成製塗布絶縁膜材料であるZRS5PHが挙げられる。次いで、約30秒保持した後、再び徐々にスピン回転数0rpm→1400rpmさせて塗布膜をレべリングする。次いで、排気して塗布カップ1003内を減圧にし、減圧乾燥を1分以内で行う。次いで、図5Aに示すスピン式の塗布装置に備えられたエッジリムーバーによって、エッジ除去処理を行う。図5Bには、基板1002の周辺に沿って平行移動する駆動手段を備えたエッジリムーバー1006が示されている。エッジリムーバー1006には、図5Cに示したようなシンナー吐出ノズル1007が基板の一辺を挟むように併設されており、シンナーによって塗布膜1008の外周部を溶かし、液体およびガスを図中矢印方向に排出して基板端面周辺部の塗布膜を除去する。次いで、110°Cのベークを170秒行ってプリベークを行う。次いで、スピン式の塗布装置から基板を搬出して冷却した後、さらに270°C、1時間の焼成を行う。こうして膜厚0.8μmの高耐熱性平坦化膜16を形成する。得られた高耐熱性平坦化膜16の平滑性をAFM原子間力顕微鏡測定したところ、10μm×10μmの範囲においてP-V値PeaktoValley、高さの最大値と最小値の差分は約5nm程度、Ra表面平均粗さの値が0.3nm程度であった。また、高耐熱性平坦化膜16の焼成温度を変化させることによって透過率を変化させることができる。焼成温度条件270°C、410°Cを振って膜厚0.8μmの高耐熱性平坦化膜アルキル基を含むSiOx膜における透過率を図7に示し、屈折率を図8に示す。270°Cに比べて焼成温度を410°Cとした場合、透過率が向上している。また、焼成温度を410°Cとすると屈折率が低下している。また、インクジェット法により高耐熱性平坦化膜16を形成してもよい。インクジェット法を用いた場合には材料液を節約することができる。次いで、3層目の層間絶縁膜21を形成する。3層目の層間絶縁膜を形成する前に脱水のため250°C、1時間の加熱を行う。3層目の層間絶縁膜21としては、PCVD法により得られる窒化酸化珪素膜SiNO膜:膜厚100nmを用いる。この層間絶縁膜21は、後の工程で第1の電極23R、23Gをパターニングする際、2層目の層間絶縁膜である高耐熱性平坦化膜16を保護するためのエッチングストッパー膜として設けるものである。なお、3層目の層間絶縁膜21も酸化珪素を含んでいる。また、図12Aにパネル温度と輝度の関係を示す。また、図12BにCVCC駆動させた発光パネルのパネル温度とカソード電流の関係を示す。図12A、図12B中において、比較例は、陽極をITOとし、層間絶縁膜としてアクリル樹脂とスパッタ法による窒化珪素膜との積層を用いたアクティブマトリクス型発光パネルであり、試料Aは、陽極をITSOとし、層間絶縁膜としてアクリル樹脂とスパッタ法による窒化珪素膜との積層を用いたアクティブマトリクス型発光パネルであり、試料Bは、陽極をITSOとし、層間絶縁膜としてシロキサン系ポリマーPSB-K31を用いた塗布膜とPCVD法によるSiNO膜との積層を用いたアクティブマトリクス型発光パネルである。図12Aからは、試料Bが最も輝度上昇によるパネル温度の上昇が抑えられていることが読み取れる。また、図12Bからは、カソード電流上昇によるパネル温度の上昇が抑えられていることが読み取れる。これらの結果から、本発明の構成の一例である試料Bは、パネルで発生するジュール熱が抑えられているといえる。パネルの発熱が抑えられることは発光装置の信頼性を向上させることにつながる。次いで、第6のマスクを用いて層間絶縁膜21にコンタクトホールを形成すると同時に周縁部の層間絶縁膜21を除去する。エッチング用ガスにCHF3とArを用いて層間絶縁膜21のエッチング処理を行う。次いで、第6のマスクをそのままマスクとしてエッチングを行い、高耐熱性平坦化膜16にコンタクトホールを形成すると同時に周縁部の高耐熱性平坦化膜を除去する。ここでは、絶縁膜13と選択比が取れる条件でエッチングウェットエッチングまたはドライエッチングを行う。用いるエッチング用ガスに限定はないが、ここではCF4、O2、He、Arとを用いることが適している。CF4の流量を380sccm、O2の流量を290sccm、Heの流量を500sccm、Arの流量を500sccm、RFパワーを3000W、圧力を25Paとし、ドライエッチングを行う。なお、絶縁膜13上に残渣を残すことなくエッチングするためには、10~20程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。1回のエッチングでテーパー形状としてもよいし、複数のエッチングによってテーパー形状にしてもよい。ここでは、さらにCF4、O2、Heを用いて、CF4の流量を550sccm、O2の流量を450sccm、Heの流量を350sccm、RFパワーを3000W、圧力を25Paとする2回目のドライエッチングを行ってテーパー形状とする。高耐熱性平坦化膜の端部におけるテーパー角θは、30°を越え75°未満とすることが望ましい。また、高耐熱性平坦化膜の端部に不活性元素のドーピング処理を行い、高耐熱性平坦化膜のテーパー部に高密度化した部分を形成してもよい。ドーピング処理はイオンドープ法、もしくはイオン注入法で行えば良い。不活性元素として、典型的にはアルゴンArを用いる。比較的原子半径の大きい不活性元素を添加することによって歪みを与え、表面側壁を含むを改質、または高密度化して水分や酸素の侵入を防止する。また、高密度化した部分に含まれる不活性元素は、1×1019~5×1021/cm3、代表的には2×1019~2×1021/cm3の濃度範囲とする。なお、端部をテーパー形状としているため、高耐熱性平坦化膜の側面にドーピングしやすくなっている。次いで、第6のマスクをそのままマスクとしてエッチングを行い、露呈している絶縁膜12、13を選択的に除去する。エッチング用ガスにCHF3とArを用いて絶縁膜12、13のエッチング処理を行う。なお、半導体層上に残渣を残すことなくエッチングするためには、10~20程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。次いで、第6のマスクを除去し、導電膜TiN/Al/TiNを形成した後、第7のマスクを用いてエッチングBCl3とCl2との混合ガスでのドライエッチングを行い、配線22を形成する。なお、TiNは、高耐熱性平坦化膜との密着性が良好な材料の一つである。加えて、TFTのソース領域またはドレイン領域とコンタクトを取るためにTiNのN含有量は44より少なくすることが好ましい。次いで、第8のマスクを用いて第1の電極23R、23G、即ち、有機発光素子の陽極或いは陰極を形成する。第1の電極23R、23Gの材料としては、Ti、TiN、TiSiXNY、Ni、W、WSiX、WNX、WSiXNY、NbN、Cr、Pt、Zn、Sn、In、またはMoから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を主成分とする膜またはそれらの積層膜を総膜厚100nm~800nmの範囲で用いればよい。なお、基板10側を表示面として発光を取り出す場合には、第1の電極の材料として、ITSOITOに酸化珪素が2~10重量含まれたターゲットを用いてスパッタリング法で酸化珪素を含む酸化インジウムスズを用いる。ITSOの他、酸化珪素を含み酸化インジウムに2~20の酸化亜鉛ZnOを混合した透光性酸化物導電膜などの透明導電膜を用いても良い。また、酸化珪素を含むATOアンチモンチンオキサイドの透明導電膜を用いても良い。次いで、第9のマスクを用いて第1の電極23R、23Gの端部を覆う絶縁物29バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれるを形成する。絶縁物29としては、塗布法により得られるSOG膜例えば、アルキル基を含むSiOx膜を膜厚0.8μm~1μmの範囲で用いる。エッチングには、ドライエッチングとウェットエッチングのどちらかを用いることができるが、ここではCHF3とO2とHeの混合ガスを用いたドライエッチングにより絶縁物29を形成する。このドライエッチングにおいて、アルキル基を含むSiOx膜のエッチングレートは500~600nm/min、一方、ITSO膜のエッチングレートは10nm/min以下であり十分選択比が取れる。また、配線22は、アルキル基を含むSiOx膜からなる絶縁物29に覆われるため、密着性のよいTiN膜が最表面となっている。次いで、有機化合物を含む層24H、24R、24E、24Gを、蒸着法または塗布法を用いて形成する。なお、信頼性を向上させるため、有機化合物を含む層24の形成前に真空加熱を行って脱気を行うことが好ましい。例えば、有機化合物材料の蒸着を行う前に、基板に含まれるガスを除去するために減圧雰囲気や不活性雰囲気で200°C~300°Cの加熱処理を行うことが望ましい。ここでは、層間絶縁膜と隔壁とを高耐熱性を有するSiOx膜で形成しているため、高い加熱処理を加えても問題ない。また、スピンコートを用いた塗布法により有機化合物を含む層を形成する場合、塗布した後、真空加熱で焼成することが好ましい。例えば、正孔注入層24Hとして作用するポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸水溶液PEDOT/PSSを全面に塗布、焼成する。また、正孔注入層は蒸着法によって形成してもよい。次いで、有機化合物を含む層24R、24G、24Eの形成に蒸着法を用い、真空度が5×103Torr0.665Pa以下、好ましくは104~106Torrまで真空排気された成膜室で蒸着を行う。蒸着の際、予め、抵抗加熱により有機化合物は気化されており、蒸着時にシャッターが開くことにより基板の方向へ飛散する。気化された有機化合物は、上方に飛散し、メタルマスクに設けられた開口部を通って基板に蒸着される。フルカラー化するために、発光色R、G、Bごとにマスクのアライメントを行う。例えば、発光層24RとしてDCMが添加されたAlq3を40[nm]成膜する。また、発光層24GとしてDMQDが添加されたAlq3を40[nm]成膜する。また、ここでは図示していないが青色の青色の発光層としてCBP4,4-ビスN-カルバゾリル-ビフェニルが添加されたPPD4,4-ビスN-9-フェナントリル-N-フェニルアミノビフェニルを30nm、ブロッキング層としてSAlqビス2-メチル-8-キノリノラトトリフェニルシラノラトアルミニウムを10[nm]成膜する。次いで、電子輸送層24EとしてAlq3を40[nm]成膜する。次いで、第2の電極25、即ち、有機発光素子の陰極或いは陽極を形成する。第2の電極25の材料としては、MgAg、MgIn、AlLi、CaF2、CaNなどの合金、または周期表の1族もしくは2族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により形成した膜を用いればよい。第2の電極25に透光性を持たせる場合には、1nm~10nmのアルミニウム膜、もしくはLiを微量に含むアルミニウム膜を用い、その上に透明導電膜を形成すればよい。また、第2の電極25を形成する前に陰極バッファ層としてCaF2、MgF2、またはBaF2からなる透光性を有する層膜厚1nm~5nmを形成してもよい。また、第2の電極25を保護する保護層を形成してもよい。例えば、珪素からなる円盤状のターゲットを用い、成膜室雰囲気を窒素雰囲気または窒素とアルゴンを含む雰囲気とすることによって窒化珪素膜からなる保護膜を形成することができる。また、窒化酸化珪素膜を保護膜として形成してもよい。また、炭素を主成分とする薄膜DLC膜、CN膜、アモルファスカーボン膜を保護膜として形成してもよく、別途、CVD法を用いた成膜室を設けてもよい。ダイヤモンドライクカーボン膜DLC膜とも呼ばれるは、プラズマCVD法代表的には、RFプラズマCVD法、マイクロ波CVD法、電子サイクロトロン共鳴ECRCVD法、熱フィラメントCVD法など、燃焼炎法、スパッタ法、イオンビーム蒸着法、レーザー蒸着法などで形成することができる。成膜に用いる反応ガスは、水素ガスと、炭化水素系のガス例えばCH4、C2H2、C6H6などとを用い、グロー放電によりイオン化し、負の自己バイアスがかかったカソードにイオンを加速衝突させて成膜する。また、CN膜は反応ガスとしてC2H4ガスとN2ガスとを用いて形成すればよい。なお、DLC膜やCN膜は、可視光に対して透明もしくは半透明な絶縁膜である。可視光に対して透明とは可視光の透過率が80~100であることを指し、可視光に対して半透明とは可視光の透過率が50~80であることを指す。なお、この保護膜は、必要がなければ特に設けなくともよい。次いで、封止基板33をシール材28で貼り合わせて発光素子を封止する。シール材28が高耐熱性平坦化膜16の端部テーパー部を覆うように貼りあわせる。なお、シール材28で囲まれた領域には透明な充填材27を充填する。充填材27としては、透光性を有している材料であれば特に限定されず、代表的には紫外線硬化または熱硬化のエポキシ樹脂を用いればよい。ここでは屈折率1.50、粘度500cps、ショアD硬度90、テンシル強度3000psi、Tg点150°C、体積抵抗1×1015Ωcm、耐電圧450V/milである高耐熱のUVエポキシ樹脂エレクトロライト社製:2500Clearを用いる。また、充填材27を一対の基板間に充填することによって、全体の透過率を向上させることができる。最後にFPC32を異方性導電膜31により公知の方法で端子電極15a、15bと貼りつける。端子電極15a、15bは、ゲート配線と同時に形成される。図1Aまた、上面図を図1Bに示す。図1Bに示すように、高耐熱性平坦化膜の端部34がシール材28で覆われている。なお、図1B中の鎖線A-Bで切断した断面図が図1Aに相当する。こうして作製されたアクティブマトリクス型発光装置は、TFTの層間絶縁膜として高耐熱性平坦化膜16、代表的にはシリコンSiと酸素Oとの結合で骨格構造が構成される材料とし、隔壁も同じ材料を用い、さらに第1の電極にも酸化珪素を含ませている。アクティブマトリクス型発光装置の構成材料を比較的安定である酸化珪素を含む材料として、発光装置の信頼性を向上させている。第1の電極を透明材料、第2の電極を金属材料とすれば、基板10を通過させて光を取り出す構造、即ちボトムエミッション型となる。また、第1の電極を金属材料、第2の電極を透明材料とすれば、封止基板33を通過させて光を取り出す構造、即ちトップエミッション型となる。また、第1の電極および第2の電極を透明材料とすれば、基板10と封止基板33の両方を通過させて光を取り出す構造とすることができる。本発明は、適宜、いずれか一の構造とすればよい。また、基板10を通過させて光を取り出す際、発光層から放出される発光が通過する層、即ち、第1の電極、1層目の層間絶縁膜13、2層目の層間絶縁膜16、3層目の層間絶縁膜21、ゲート絶縁膜12、下地絶縁膜11には全て酸化珪素約1.46前後が含まれているため、それぞれの屈折率の差が小さくなって光の取り出し効率が向上する。即ち、屈折率の異なる材料層間での迷光を抑えることができる。図2に発光装置の電流-輝度特性を示す。図2に示すように試料1、試料2の発光輝度は、比較例と比べて最大で1.5倍向上している。試料1、試料2は、2層目の層間絶縁膜としてシロキサン系ポリマーを用いた塗布法により得られる高耐熱性平坦化膜、第1の電極としてITSOを用いている。ただし、試料1、試料2の隔壁はアクリルを用いている。なお、比較例は第1の電極としてITO、2層目の層間絶縁膜に塗布法により得られるアクリルを用い、さらに隔壁にもアクリルを用いたものである。また、試料1、試料2、比較例のそれぞれについて図3に室温エージング試験の結果を示す。図3に示すように本発明は、長期信頼性においても有効である。また、図12に示したように本発明は、輝度上昇やカソード電流増加に伴うパネル温度の上昇を抑えることができる。以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。本実施例では、ボトムエミッション型の発光装置の例を図4Cを用いて説明する。まず、透光性基板ガラス基板:屈折率1.55前後上に発光素子と接続するTFTを作製する。ボトムエミッション型であるので、層間絶縁膜やゲート絶縁膜や下地絶縁膜には、透光性の高い材料を用いる。ここでは、第1および第3の層間絶縁膜として、PCVD法によるSiNO膜を用いている。また、第2の層間絶縁膜として塗布法によるSiOx膜を用いる。次いで、TFTと電気的に接続する第1の電極323を形成する。第1の電極323として、SiOxを含む透明導電膜であるITSO膜厚100nmを用いる。ITSO膜は、インジウム錫酸化物に1~10の酸化珪素SiO2を混合したターゲットを用い、Arガス流量を120sccm、O2ガス流量を5sccm、圧力を0.25Pa、電力3.2kWとしてスパッタ法により成膜する。そして、ITSO膜の成膜後、200°C、1時間の加熱処理を行う。次いで、第1の電極323の周縁端部を覆う隔壁329を形成する。隔壁329としては、無機材料酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど、感光性または非感光性の有機材料ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン、或いは塗布法により得られるSOG膜例えば、アルキル基を含むSiOx膜、またはこれらの積層などを用いることができる。本実施例ではウェットエッチングにより隔壁329をパターニングして隔壁の上端部のみに曲率半径を有する曲面を持たせている。例えば、隔壁329としてポジ型の感光性アクリルを用い、隔壁の上端部のみに曲率半径を有する曲面を持たせることが好ましい。また、隔壁として、感光用の光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。次いで、有機化合物を含む層324を蒸着法または塗布法を用いて形成する。本実施例では緑色発光の発光素子を形成する。蒸着法により、CuPc20nm、NPD40nmを積層し、さらに共蒸着によりDMQdをドープしたAlq337.5nm、Alq337.5nm、CaF21nmを順次積層する。次いで、第2の電極325としてMgAg、MgIn、AlLi、CaF2、CaNなどの合金、または周期表の1族もしくは2族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により形成した膜を積層すればよい。本実施例では、Alを200nmの膜厚で蒸着する。また、必要があれば保護膜を積層してもよい。次いで、封止基板333とシール材図示しないによって貼りあわせる。なお、封止基板と第2の電極との間の空間327には、不活性気体または透明樹脂からなる充填材を充填する。以上の工程でボトムエミッション型発光装置が完成する。本実施例では、調整可能な範囲で、各層層間絶縁膜、下地絶縁膜、ゲート絶縁膜、および第1の電極の屈折率や膜厚を決定し、層の界面における光反射を抑制して光の取り出し効率を向上させている。本実施例では、トップエミッション型の発光装置の例を図4Aを用いて説明する。まず、絶縁表面を有する基板上に発光素子と接続するTFTを作製する。トップエミッション型であるので、層間絶縁膜やゲート絶縁膜や下地絶縁膜には、必ずしも透光性がある材料とする必要はない。本実施例では安定性の高い材料膜として、第1および第3の層間絶縁膜にPCVD法によるSiNO膜を用いている。また、安定性の高い材料膜として第2の層間絶縁膜には、塗布法によるSiOx膜を用いる。さらに第4の層間絶縁膜211を設ける。第4の層間絶縁膜211も塗布法によるSiOx膜を用いる。次いで、第4の層間絶縁膜211を選択的にエッチングしてTFTの電極に達するコンタクトホールを形成した後、反射性を有する金属膜Al-Si膜膜厚30nmと、仕事関数の大きい材料膜TiN膜膜厚10nmと、透明導電膜ITSO膜膜厚10nm~100nmとを連続して成膜する。次いでパターニングを行ってTFTと電気的に接続する反射電極212と第1の電極213を形成する。次いで、第1の電極213の端部を覆う隔壁219を形成する。隔壁219としては、無機材料酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど、感光性または非感光性の有機材料ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン、或いは塗布法により得られるSOG膜例えば、アルキル基を含むSiOx膜、またはこれらの積層などを用いることができる。次いで、有機化合物を含む層214を蒸着法または塗布法を用いて形成する。次いで、トップエミッション型発光装置とするため、第2の電極215として1nm~10nmのアルミニウム膜、もしくはLiを微量に含むアルミニウム膜を用いる。また、必要があればITSOまたはITOからなる透明導電膜を積層してもよい。次いで、蒸着法またはスパッタ法またはPCVD法により透明保護層216を形成する。透明保護層216は、窒化珪素膜SiN膜、または窒化酸化珪素膜SiNO膜を用いる。透明保護層216は、第2の電極215を保護する。次いで、封止基板203をシール材で貼り合わせて発光素子を封止する。なお、シール材で囲まれた領域には透明な充填材217を充填する。充填材217としては、透光性を有している材料であれば特に限定されず、代表的には紫外線硬化または熱硬化のエポキシ樹脂を用いればよい。また、充填材217を一対の基板間に充填することによって、全体の透過率を向上させることができる。以上の工程でトップエミッション型発光装置が完成する。本実施例では、各層層間絶縁膜、下地絶縁膜、ゲート絶縁膜、および第1の電極にSiOxを含ませ、信頼性を向上させている。本実施例では実施例2とは異なるトップエミッション型の発光装置の例を図4Bを用いて説明する。まず、絶縁表面を有する基板上に発光素子と接続するTFTを作製する。トップエミッション型であるので、層間絶縁膜やゲート絶縁膜や下地絶縁膜には、必ずしも透光性がある材料とする必要はない。本実施例では安定性の高い材料膜として、第1および第3の層間絶縁膜にPCVD法によるSiNO膜を用いている。また、安定性の高い材料膜として第2の層間絶縁膜には、塗布法によるSiOx膜を用いる。層間絶縁膜およびゲート絶縁膜を選択的にエッチングしてTFTの活性層に達するコンタクトホールを形成する。そして、導電膜TiN/Al-Si/TiNを形成した後、マスクを用いてエッチングBCl3とCl2との混合ガスでのドライエッチングを行い、TFTのソース電極およびドレイン電極を形成する。次いで、TFTのドレイン電極またはソース電極と電気的に接続する第1の電極223を形成する。第1の電極223としては、仕事関数の大きい材料、例えばTiN、TiSiXNY、Ni、W、WSiX、WNX、WSiXNY、NbN、Cr、Pt、Zn、Sn、In、またはMoから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を主成分とする膜またはそれらの積層膜を総膜厚100nm~800nmの範囲で用いればよい。次いで、第1の電極223の周縁端部を覆う隔壁229を形成する。隔壁229としては、塗布法により得られるSOG膜例えば、アルキル基を含むSiOx膜を用いる。隔壁229は、ドライエッチングによって所望の形状とする。次いで、有機化合物を含む層224を蒸着法または塗布法を用いて形成する。次いで、トップエミッション型発光装置とするため、第2の電極225として1nm~10nmのアルミニウム膜、もしくはLiを微量に含むアルミニウム膜を用いる。また、必要があれば透明導電膜例えば、ITSO膜を積層してもよい。次いで、蒸着法またはスパッタ法により透明保護層226を形成する。透明保護層226は、第2の電極225を保護する。次いで、封止基板233をシール材で貼り合わせて発光素子を封止する。なお、シール材で囲まれた領域には透明な充填材227を充填する。充填材227としては、透光性を有している材料であれば特に限定されず、代表的には紫外線硬化または熱硬化のエポキシ樹脂を用いればよい。また、充填材227を一対の基板間に充填することによって、全体の透過率を向上させることができる。以上の工程でトップエミッション型発光装置が完成する。本実施例では、各層層間絶縁膜、下地絶縁膜、ゲート絶縁膜、および隔壁にSiOxを含ませ、信頼性を向上させている。本実施例では両方の基板から光を取り出すことのできる発光装置の例を図4Dに示す。まず、透光性基板ガラス基板:屈折率1.55前後上に発光素子と接続するTFTを作製する。透光性は発光を通過させて表示するので、層間絶縁膜やゲート絶縁膜や下地絶縁膜には、透光性の高い材料を用いる。ここでは、第1および第3の層間絶縁膜として、PCVD法によるSiNO膜を用いている。また、第2の層間絶縁膜として塗布法によるSiOx膜を用いる。次いで、TFTと電気的に接続する第1の電極423を形成する。第1の電極423として、SiOxを含む透明導電膜であるITSO膜厚100nmを用いる。次いで、第1の電極423の周縁端部を覆う隔壁429を形成する。隔壁429としては、無機材料酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど、感光性または非感光性の有機材料ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン、或いは塗布法により得られるSOG膜例えば、アルキル基を含むSiOx膜、またはこれらの積層などを用いることができる。本実施例ではウェットエッチングにより隔壁429をパターニングして隔壁の上端部のみに曲率半径を有する曲面を持たせている。次いで、有機化合物を含む層424を蒸着法または塗布法を用いて形成する。次いで、封止基板側にも発光を取り出すため、第2の電極425として1nm~10nmのアルミニウム膜、もしくはLiを微量に含むアルミニウム膜を用いる。また、必要があれば透明導電膜を積層してもよい。次いで、蒸着法またはスパッタ法により透明保護層426を形成する。透明保護層426は、第2の電極425を保護する。次いで、封止基板433をシール材で貼り合わせて発光素子を封止する。封止基板433も透光性基板ガラス基板:屈折率1.55前後とする。なお、シール材で囲まれた領域には透明な充填材427を充填する。充填材427としては、透光性を有している材料であれば特に限定されず、代表的には紫外線硬化または熱硬化のエポキシ樹脂を用いればよい。また、充填材427を一対の基板間に充填することによって、全体の透過率を向上させることができる。図4Dに示すような両面発光する発光装置において、発光パネルを挟んで光の偏光方向が直交するように2枚の偏光板を配置すれば、一方の面から見た場合に、背景が透けて見えて表示を認識しにくくなることを防ぐことができる。本実施例では、層間絶縁膜の外表面から水分が侵入することを防ぐため、層間絶縁膜の周縁部に対して選択的に不活性元素を添加する例を示す。基板610上に下地絶縁膜を形成した後、各半導体層を形成する。次いで、半導体層を覆うゲート絶縁膜を形成した後、各ゲート電極、端子電極を形成する。次いで、nチャネル型TFT636を形成するため、半導体にn型を付与する不純物元素代表的にはリン、またはAsをドープし、pチャネル型TFT637を形成するため、半導体にp型を付与する不純物元素代表的にはボロンをドープしてソース領域およびドレイン領域、必要であればLDD領域を適宜形成する。次いで、PCVD法により得られる水素を含む窒化酸化珪素膜SiNO膜を形成した後、半導体層に添加された不純物元素の活性化および水素化を行う。次いで、層間絶縁膜となる高耐熱性平坦化膜616を形成する。高耐熱性平坦化膜616としては、塗布法によって得られるシリコンSiと酸素Oとの結合で骨格構造が構成される絶縁膜を用いる。次いで、PCVD法によりSiNO膜を形成する。なお、ここまでの工程は、上述した最良の形態に記載した工程とほぼ同一である。次いで、マスクを用いてSiNO膜および高耐熱性平坦化膜にコンタクトホールを形成すると同時に周縁部の高耐熱性平坦化膜を除去する。1回のエッチングでテーパー形状としてもよいし、複数のエッチングによってテーパー形状にしてもよい。次いで、周縁部以外をマスクで覆って不活性元素のドーピング処理を選択的に行い、高耐熱性平坦化膜616の表面に高密度化した部分620を形成する。ドーピング処理はイオンドープ法、もしくはイオン注入法で行えば良い。不活性元素として、典型的にはアルゴンArを用いる。比較的原子半径の大きい不活性元素を添加することによって歪みを与え、表面側壁を含むを改質、または高密度化して水分や酸素の侵入を防止する。また、高密度化した部分20に含まれる不活性元素は、1×1019~5×1021/cm3、代表的には2×1019~2×1021/cm3の濃度範囲とする。なお、高耐熱性平坦化膜616の表面側面を含むにドーピングされるようにテーパー形状としている。テーパー角θは、30°を越え75°未満とすることが望ましい。不活性元素を添加し、高耐熱性平坦化膜の表面改質を行うことによって、後に液体を用いた工程ウェット工程とも呼ぶを行った場合に高耐熱性平坦化膜中に溶液成分が侵入したり、反応してしまうことを防ぐ。加えて、後に加熱処理工程を行った場合に高耐熱性平坦化膜中から水分やガスが放出されることを防ぐ。さらに、経時変化により高耐熱性平坦化膜中から水分やガスが放出されることを防ぎ、発光装置の信頼性を向上させる。次いで、高耐熱性平坦化膜616をマスクとしてエッチングを行い、露呈している水素を含むSiNO膜またはゲート絶縁膜を選択的に除去する。次いで、導電膜を形成した後、マスクを用いてエッチングを行い、ドレイン配線やソース配線を形成する。次いで、透明導電膜からなる第1の電極623、即ち、有機発光素子の陽極或いは陰極を形成する。第1の電極623として、SiOxを含む透明導電膜であるITSOを用いる。次いで、塗布法により得られるSOG膜例えば、アルキル基を含むSiOx膜をパターニングして、第1の電極623の端部を覆う絶縁物629バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれるを形成する。次いで、有機化合物を含む層624を、蒸着法または塗布法を用いて形成する。次いで、透明導電膜からなる第2の電極625、即ち、有機発光素子の陰極或いは陽極を形成する。第2の電極625として、SiOxを含む透明導電膜であるITSOを用いる。次いで、蒸着法またはスパッタ法またはPCVD法により透明保護層626を形成する。透明保護層626は、窒化珪素膜SiN膜、または窒化酸化珪素膜SiNO膜を用いる。透明保護層626は、第2の電極625を保護する。次いで、封止基板633をシール材628で貼り合わせて発光素子を封止する。即ち、発光表示装置は、表示領域の外周をシール材で囲み、一対の基板で封止される。TFTの層間絶縁膜は、基板全面に設けられているため、シール材のパターンが層間絶縁膜の外周縁よりも内側に描画された場合、シール材のパターンの外側に位置する層間絶縁膜の一部から水分や不純物が浸入する恐れがある。従って、TFTの層間絶縁膜として用いる高耐熱性平坦化膜の外周は、シール材のパターンの内側、好ましくは、シール材パターンと重なるようにして高耐熱性平坦化膜の端部をシール材が覆うようにする。なお、シール材628で囲まれた領域には透明な充填材627を充填する。最後にFPC632を異方性導電膜631により公知の方法で端子電極と貼りつける。端子電極は、透明導電膜を用いることが好ましく、ゲート配線と同時に形成された端子電極上に形成する。図9以上の工程によって、画素部と駆動回路と端子部とを同一基板上に形成する。こうして作製されたアクティブマトリクス型発光装置は、高耐熱性平坦化膜616、代表的にはシリコンSiと酸素Oとの結合で骨格構造が構成されるTFTの層間絶縁膜後に発光素子の下地膜となる膜において、端部または開口部をテーパー形状とし、さらに、比較的原子半径の大きい不活性元素を添加することによって歪みを与え、表面側壁を含むを改質、または高密度化して水分や酸素の侵入を防止する構造として、発光装置の信頼性を向上させている。また、高耐熱性平坦化膜616の周縁部におけるテーパー部に不純物元素をドーピングする代わりに、テーパー部のみを金属膜や窒化珪素膜で覆ってもよい。本実施例では、各層層間絶縁膜、下地絶縁膜、ゲート絶縁膜、第1の電極、および第2の電極にSiOxを含ませ、信頼性を向上させている。さらに、本実施例では、各層層間絶縁膜、下地絶縁膜、ゲート絶縁膜、第1の電極、第2の電極、および透明保護層に珪素を含ませ、各層の密着性を向上させている。互いに接する2つの層に共通な元素ここでは珪素を含ませることにより、層同士の密着性が向上する。本実施例では、逆スタガ型TFTの一例を図10に示す。TFTと端子電極以外の部分は、最良の形態で示した図1Aと同一であるのでここでは詳細な説明は省略する。図10Aに示すTFTはチャネルストップ型である。基板710上に下地絶縁膜711が形成されている。ゲート電極719と端子電極715が同時に形成され、ゲート絶縁膜712上に非晶質半導体膜からなる半導体層714a、n層718、金属層717が積層形成されており、半導体層714aのチャネル形成領域となる部分上方にチャネルストッパー714bが形成されている。また、ソース電極またはドレイン電極721、722が形成されている。また、耐熱性平坦化膜716上に第1の電極723が形成されている。また、第1の電極723の端部を覆う絶縁物729が形成されている。また、第1の電極723上に有機化合物を含む層724が形成されている。また、有機化合物を含む層724上に第2の電極725が形成されている。また、第2の電極725上に保護膜726が形成されている。封止基板733をシール材728で貼り合わせて発光素子を封止する。なお、シール材で囲まれた領域には透明な充填材727を充填する。また、FPC732を異方性導電膜731により公知の方法で端子電極715と貼りつける。また、図10Bに示すTFTはチャネルエッチ型である。基板810上に下地絶縁膜811が形成されている。ゲート電極819と端子電極815が同時に形成され、ゲート絶縁膜812上に非晶質半導体膜からなる半導体層814、n層818、金属層817が積層形成されており、半導体層814のチャネル形成領域となる部分は薄くエッチングされている。また、ソース電極またはドレイン電極821、822が形成されている。また、耐熱性平坦化膜816上に第1の電極823が形成されている。また、第1の電極823の端部を覆う絶縁物829が形成されている。また、第1の電極823上に有機化合物を含む層824が形成されている。また、有機化合物を含む層824上に第2の電極825が形成されている。また、第2の電極825上に保護膜826が形成されている。封止基板833をシール材828で貼り合わせて発光素子を封止する。なお、シール材で囲まれた領域には透明な充填材827を充填する。また、FPC832を異方性導電膜831により公知の方法で端子電極815と貼りつける。また、非晶質半導体膜に代えて、非晶質と結晶構造単結晶、多結晶を含むの中間的な構造を有し、自由エネルギー的に安定な第3の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な領域を含んでいるセミアモルファス半導体膜微結晶半導体膜、マイクロクリスタル半導体膜とも呼ばれるも用いることができる。セミアモルファス半導体膜の作製方法としては、珪化物気体をグロー放電分解プラズマCVDして形成する。珪化物気体としては、SiH4、その他にもSi2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4などを用いることが可。この珪化物気体をH2、又は、H2とHe、Ar、Kr、Neから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈しても良い。希釈率は2~1000倍の範囲。圧力は概略0.1Pa~133Paの範囲、電源周波数は1MHz~120MHz、好ましくは13MHz~60MHz。基板加熱温度は300°C以下でよく、好ましくは100~250°C。膜中の不純物元素として、酸素、窒素、炭素などの大気成分の不純物は1×1020cm1以下とすることが望ましく、特に、酸素濃度は5×1019cm3以下、好ましくは1×1019cm3以下とする。なお、セミアモルファス半導体膜を活性層としたTFTの電界効果移動度μは、1~10cm2Vsecである。本実施例では、表示部を備えた電子機器の例について図11に説明する。本発明を実施して発光装置を備えた電子機器を完成させることができる。本発明により、パネルの発熱を抑えられたことによって発光装置の長寿命化、即ち電子機器の信頼性を向上することができる。電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置カーオーディオ、オーディオコンポ等、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等、記録媒体を備えた画像再生装置具体的にはDigitalVersatileDiscDVD等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置などが挙げられる。図11Aはノート型パーソナルコンピュータの斜視図であり、図11Bは折りたたんだ状態を示す斜視図である。ノート型パーソナルコンピュータは本体2201、筐体2202、表示部2203a、2203b、キーボード2204、外部接続ポート2205、ポインティングマウス2206等を含む。表示部2203a、2203bに本発明を実施することによってパネルの発熱を抑え、発光効率光の取り出し効率が高く高輝度、且つ、低消費電力であり、且つ、安定性の高い表示部を備えたノート型パーソナルコンピュータを完成させることができる。図11Cはテレビであり、筐体2001、支持台2002、表示部2003、ビデオ入力端子2005等を含む。なお、パソコン用、TV放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用のテレビが含まれる。表示部2003に本発明を実施することによってパネルの発熱を抑え、発光効率光の取り出し効率が高く高輝度、且つ、低消費電力であり、且つ、安定性の高い表示部を備えたテレビを完成させることができる。図11Dは携帯型ゲーム機器であり、本体2501、表示部2505、操作スイッチ2504等を含む。表示部2505に本発明を実施することによってパネルの発熱を抑え、発光効率光の取り出し効率が高く高輝度、且つ、低消費電力であり、且つ、安定性の高い表示部を備えた携帯型ゲーム機器を完成させることができる。また、図11Eは携帯電話の斜視図であり、図11Fは折りたたんだ状態を示す斜視図である。携帯電話は、本体2701、筐体2702、表示部2703a、2703b、音声入力部2704、音声出力部2705、操作キー2706、外部接続ポート2707、アンテナ2708等を含む。図11Eおよび図11Fに示した携帯電話は、主に画像をフルカラー表示する高画質な表示部2703aと、エリアカラーで主に文字や記号を表示する表示部2703bとを備えている。表示部2703a、2703bに本発明を実施することによってパネルの発熱を抑え、発光効率光の取り出し効率が高く高輝度、且つ、低消費電力であり、且つ、安定性の高い表示部を備えた携帯電話を完成させることができる。図11Gは広告板等の装飾表示板であり、表示部2801、筐体2802、LEDライトなどの照明部2803を含む。表示部2801に本発明を実施することによってパネルの発熱を抑え、発光効率光の取り出し効率が高く高輝度、且つ、低消費電力であり、且つ、安定性の高い表示部を備えた装飾表示板を完成させることができる。以上の様に、本発明を実施して得た発光装置は、あらゆる電子機器の表示部として用いても良い。なお、本実施例の電子機器には、最良の形態、実施例1乃至6のいずれの構成を用いて作製された発光装置を用いても良い。"