連続光であって互いに周波数が異なる複数のレーザ光のそれぞれを発振する複数の発振手段と、前記発振手段のそれぞれから発振された前記レーザ光のそれぞれを所定の位置において合波して合波光を生成する合波手段と、前記所定の位置において前記合波光の出力のピークが所定の時間間隔で繰り返し現れるように前記レーザ光のそれぞれの位相を制御する位相制御手段と、を備えることを特徴とするレーザ装置。前記発振手段のそれぞれは、略一定の周波数差で周波数が互いに異なる前記レーザ光のそれぞれを発振することを特徴とする請求項1記載のレーザ装置。前記発振手段は、半導体レーザであることを特徴とする請求項1又は2記載のレーザ装置。前記発振手段のそれぞれには、前記レーザ光のそれぞれを伝播する光ファイバが接続されており、前記位相制御手段は、前記光ファイバのそれぞれの温度を制御することにより、前記レーザ光のそれぞれの位相を制御することを特徴とする請求項1~3のいずれか一項記載のレーザ装置。ところで、パルスレーザ光は、単位時間当たりのエネルギー、すなわち平均パワーが同等である連続光に比べてピーク光強度が大きい。このため、パルスレーザ光を増幅する場合には、増幅器の損傷を防止する目的から、そのパルス幅を増大させてピーク光強度を低下させたり、或いは、増幅率を制限したりする必要がある。このため、パルスレーザ光を増幅するレーザ装置にあっては、短パルス且つ高出力のパルスレーザ光を生成することが困難である。本発明は、そのような事情に鑑みてなされたものであり、短パルス且つ高出力のパルスレーザ光を容易に生成することが可能なレーザ装置を提供することを課題とする。上記課題を解決するために、本発明のレーザ装置は、連続光であって互いに周波数が異なる複数のレーザ光のそれぞれを発振する複数の発振手段と、発振手段のそれぞれから発振されたレーザ光のそれぞれを所定の位置において合波して合波光を生成する合波手段と、所定の位置において合波光の出力のピークが所定の時間間隔で繰り返し現れるようにレーザ光のそれぞれの位相を制御する位相制御手段と、を備えることを特徴とする。このレーザ装置では、互いに周波数が異なる複数のレーザ光を所定の位置において合波して合波光を生成する際に、その所定の位置において合波光の出力のピークが所定の時間間隔で繰り返し現れるように、レーザ光のそれぞれの位相を制御する。これにより、所定の位置においてパルスレーザ光が生成される。このように、このレーザ装置においては、複数のレーザ光のそれぞれを合波してパルスレーザ光を生成する。このため、発振手段の数すなわち互いに異なる周波数のレーザ光の数を増やすことにより、短パルス且つ高出力のパルスレーザ光を容易に生成することができる。また、発振手段のそれぞれは、略一定の周波数差で周波数が互いに異なる前記レーザ光のそれぞれを発振することが好ましい。この場合、発振手段から発振されるレーザ光間の周波数差が略一定であるので、合波光の出力のピークが所定の時間間隔で繰り返し現れるようにレーザ光のそれぞれの位相を制御することが容易となる。したがって、短パルス且つ高出力のパルスレーザ光をより一層容易に生成することができる。また、発振手段は、半導体レーザであることが好ましい。この場合、レーザ装置の小型軽量化及び低消費電力化を図ることができる。また、レーザ装置の機械的な安定性を向上することができる。さらには、レーザ装置の製造コストを低減することができる。さらに、発振手段のそれぞれには、レーザ光のそれぞれが伝播する光ファイバが接続されており、位相制御手段は、光ファイバのそれぞれの温度を制御することにより、レーザ光のそれぞれの位相を制御することが好ましい。この場合、光ファイバの温度を制御することで、レーザ光のそれぞれの位相を容易に制御することができる。本発明によれば、短パルス且つ高出力のパルスレーザ光を容易に生成することが可能なレーザ装置を提供することができる。以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において、同一又は相当部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。本実施形態に係るレーザ装置は、光周波数コムを実現するモード同期レーザから発振されるレーザ光と等価なパルスレーザ光を生成するものである。そこで、光周波数コム及びモード同期発振について説明する。例えばファブリペロー共振器内においては、複数の縦モードのレーザ光が存在する。各縦モードのレーザ光の周波数は、共振器長をLとしたとき、図1に示されるように、△ν=c/2Lの間隔で周波数軸上に配列されているcは光速。このように各レーザ光の周波数が等間隔で配列された状態を光周波数コムという。このような共振器を備えるレーザ光源において、各レーザ光に対して位相変調を行なわなければ、レーザ光同士の位相の関係がランダムであるため、それらの合波光であるレーザ光源の出力光の出力時間波形もランダムとなる。一方で、そのようなレーザ光源において、過飽和吸収素子や光変調器を用いて、各レーザ光同士の位相がそろうように各レーザ光の位相変調を行うことにより、出力光の出力時間波形が、繰り返し周期TT=1/△νのパルス状となり、モード同期発振が得られる。図2に示されるように、本実施形態に係るレーザ装置1は、連続光であって上述した光周波数コムのように一定の周波数差で周波数が互いに異なる複数のレーザ光L1のそれぞれを発振する複数ここでは3つのレーザ光源発振手段10を備えている。レーザ光源10のそれぞれは、例えば、発振波長が互いに0.1nmだけ異なる分布帰還型半導体レーザDFB半導体レーザとすることができる。なお、本実施形態において、連続光とは、その出力が時間に対して略一定であるようなレーザ光であり、パルスレーザ光とは、その出力のピークが所定の時間間隔で繰り返し現れるようなレーザ光である。レーザ装置1は、レーザ光源10のそれぞれに接続され、レーザ光源10から発振されたレーザ光L1のそれぞれが伝播する光ファイバ11と、光ファイバ11から出射されたレーザ光L1の光路上に配置されたレンズ合波手段12と、レンズ12を通過したレーザ光L1のそれぞれが入射する回折格子合波手段13とをさらに備えている。レンズ12は、その焦点距離だけ光ファイバ11の出射端から離れた位置に配置されている。回折格子13は、レンズ12の焦点距離だけレンズ12から離れた位置に配置されている。したがって、光ファイバ11から出射されたレーザ光L1のそれぞれは、レンズ12を通過することにより平行ビームとなり、回折格子13の集光位置P1に集光される。回折格子13は、その集光位置P1においてレーザ光L1を合波して合波光L2を生成する。ここで、レーザ装置1は、位相制御装置位相制御手段20をさらに備えている。位相制御装置20は、回折格子13の集光位置P1において、合波光L2の出力のピークが所定の時間間隔で繰り返し現れるように同じパルス時間波形が所定の時間間隔で繰り返し現れるようにレーザ光L1のそれぞれの位相を制御する。この位相の制御について具体的に説明する。図3に示されるように、位相制御装置20は、位相差検出部21と信号制御部22と位相制御部23とを有している。位相差検出部21は、光ヘテロダイン干渉法を利用して、レーザ光源10から出射されたレーザ光L1のうちの、周波数軸上において互いに隣り合う周波数をそれぞれ有するレーザ光以下、単に隣り合うレーザ光というL1同士の位相差を検出し、検出結果を示す情報を信号制御部22に送信する。より具体的には、位相差検出部21では、レーザ光L1のうちの互いに隣り合うレーザ光L11及びレーザ光L12のそれぞれを光カプラ21aで分岐した後に、分岐されたレーザ光同士を光カプラ21bで結合する。続いて、光カプラ21bで結合されたレーザ光Lc2を、例えばホトダイオード等の光検出器21cにより電気信号V2に変換する。レーザ光L11は、角周波数ω1及び位相φ1を用いて、と表され、レーザ光L12は、角周波数ω2及び位相φ2を用いて、と表される。ここで、レーザ光L11とレーザ光L12との角周波数差△ωをω1-ω2とし、位相差△θ12をφ1-φ2とすると、上記のE2tは、と表すことができる。よって、光検出器21cで生成される電気信号V2tは、といったように、角周波数差△ωと位相差△θ12とを有するビート信号となる。そして、位相計21dによって電気信号V2tと角周波数△ωを有するクロック信号Sとの排他的論理和をとることにより、レーザ光L11とレーザ光L12との位相差△θ12を求めることができる。同様に、レーザ光L1Nは、と表されるから、隣り合うレーザ光L1N-1とレーザ光L1Nとから生成される電気信号VNtは、となる。ここで、NはN番目のレーザ光L1Nを表す。したがって、電気信号VNtとクロック信号Sとの排他的論理和をとることにより、レーザ光L1N-1とレーザ光L1Nとの位相差△θN-1Nを求めることができる。このようにレーザ光L1の全てに対して上記の処理を行うことにより、全ての隣り合うレーザ光L1同士の位相差を求めることができる。信号制御部22は、上記のようにして求められた隣り合うレーザ光L1同士の位相差を示す情報に基づいて、レーザ光L1のそれぞれの位相が同一になるような各レーザ光L1の位相の制御量を求め、求めた制御量を示す情報を位相制御部23のそれぞれに送信する。位相制御部23のそれぞれは、信号制御部22から送信された制御量を示す情報に基づいて、レーザ光L1のそれぞれの位相を制御する。位相制御部23は、光ファイバ11のそれぞれに設けられている。位相制御部23は、例えば、図4aに示されるように、ヒータHが内蔵されたボビンBBを有している。この場合には、そのボビンBBに光ファイバ11のそれぞれが巻きつけられる。或いは、位相制御部23は、例えば、図4bに示されるように、ヒータHが設置された板部材PLを有している。この場合には、その板部材PLとヒータHとの間に光ファイバ11のそれぞれが配置される。各位相制御部23は、信号制御部22から送信された制御量を示す情報に基づいて、各ヒータHの発熱量を制御し、各光ファイバ11の温度を調節して、各光ファイバ11を伝播するレーザ光L1の光路長を調節する。実際に、例えば光ファイバ11が石英ファイバである場合には、その光路長の温度係数は28.8μm/mKであるのでOptLaserTechnol372932参照、所定のレーザ光L1の中心波長を1.064μmとすると温度係数は27λ/mKとなる。したがって、光ファイバ11の温度を調節する部分の長さと、温度の調節量とを適当に選択することによって、λ/100程度の光路長の調節が可能となる。このように位相制御装置20がレーザ光L1の位相を制御することによって、回折格子13で生成される合波光L2が、図5に示されるように、モード同期発振された光周波数コムのレーザ光と等価なパルスレーザ光となる。なお、回折格子13で生成された合波光L2は、レンズ14により所定の位置に集光される。以上のように構成されたレーザ装置1においては、まず、レーザ光源10のそれぞれから連続光であるレーザ光L1が発振される。レーザ光源10から発振されたレーザ光L1のそれぞれは、光ファイバ11のそれぞれを伝播する。光ファイバ11のそれぞれを伝播するレーザ光L1のそれぞれは、位相制御装置20によって合波位置P1において互いに位相が同一とされる。位相が同一とされたレーザ光L1のそれぞれは、光ファイバ11から出射された後に、レンズ12を通過することにより回折格子13上に集光される。そして、回折格子13上に集光されたレーザ光L1のそれぞれは、回折格子13により互いに合波されて、パルスレーザ光である合波光L2としてレンズ14を通過した後にレーザ装置1から出力される。このとき、合波光L2が平行ビームとなるように、レンズ12の焦点距離、回折格子13の溝密度、及び回折格子13への入射角度を調整することができる。以上説明したように、本実施形態に係るレーザ装置1では、レーザ光L1のそれぞれを合波して合波光L2を生成する際に、回折格子13の集光位置P1において合波光L2の出力のピークが所定の時間間隔で繰り返し現れるように、レーザ光L1のそれぞれの位相を制御する。これにより、集光位置P1においてパルスレーザ光が生成される。このように、このレーザ装置1においては、複数のレーザ光L1を合波してパルスレーザ光を生成する。このため、レーザ光源10の数すなわち互いに異なる周波数のレーザ光L1の数を増やすことにより、短パルス且つ高出力のパルスレーザ光を容易に生成することができる。また、レーザ装置1では、連続光であるレーザ光L1のそれぞれを合波してレーザパルス列に変換する。したがって、パルスレーザ光を増幅する際の非線形光学効果例えば、自己位相変調やビームブレークアップ等や狭帯域化パルス幅の増大が生じない。よって、レーザ装置1によれば、パルスレーザ光を増幅するレーザ装置に比べて、高ビーム品質であると共に高繰返し且つ短パルスであるパルスレーザ光を生成することができる。また、レーザ装置1では、レーザ光源10から発振されるレーザ光L1間の周波数差が一定であるので、合波光L2の出力のピークが所定の時間間隔で繰り返し現れるようにレーザ光L1のそれぞれの位相を制御することが容易である。したがって、短パルス且つ高出力のパルスレーザ光をより一層容易に生成することができる。また、レーザ装置1では、レーザ光源10のそれぞれが半導体レーザであるので、レーザ装置の小型軽量化及び低消費電力化を図ることができる。また、レーザ装置の機械的な安定性を向上することができる。さらには、レーザ装置の製造コストを低減することができる。さらに、レーザ装置1では、位相制御装置20は、光ファイバ11のそれぞれの温度を制御することにより、レーザ光L1のそれぞれの位相を制御するので、レーザ光L1のそれぞれの位相を容易に制御することができる。なお、レーザ装置1は、レーザ光L1のそれぞれを回折格子16により合波して合波光L2を生成する構成としたが、合波光L2を伝送する必要がない場合には、例えば図6に示されるように、回折格子13を用いずに、レンズ12の焦点位置P2においてレーザ光L1を合波して合波光L2を生成する構成としてもよい。また、レーザ装置1において、レーザ光源10は、DFB半導体レーザが1次元的に配列されたDFB半導体レーザアレイであってもよいし、ファイバーブラッグ回折格子を用いたファイバーレーザアレイであってもよい。とくに、レーザ光源10をDFB半導体レーザアレイとした場合には、このDFB半導体レーザアレイを積層し、レーザ光L1の発振源を2次元的に配列することにより、レーザ光L1の数を容易に増大させることができるので、レーザ装置1の小型化が図られる。また、レーザ装置1は、レーザ光源10のそれぞれから発振されたレーザ光L1のそれぞれを増幅する増幅器を備えてもよい。すなわち、レーザ装置1においては、光ファイバ11のそれぞれを、レーザ光L1のそれぞれを伝播しつつ増幅する光ファイバ増幅器に置き換えてもよい。その場合には、位相制御装置20は、光ファイバ増幅器における光ファイバのそれぞれの温度を制御することによって、レーザ光L1のそれぞれの位相を制御することとなる。