"第1基板と、上記第1基板に対向して配置された第2基板と、上記第1基板及び第2基板の間に設けられた液晶層と、上記第1基板及び第2基板の間に設けられて上記液晶層を囲んで封止するシール部材とを備えた液晶表示装置であって、上記第1基板及び第2基板は、表示領域としての画素領域と、該画素領域の外側周囲の領域であって上記シール部材の形成領域を含む非表示領域としての額縁領域とをそれぞれ有し、上記第1基板及び第2基板の上記液晶層側には、流動性を有する配向膜材料が硬化することによって形成された配向膜が、上記画素領域から上記額縁領域側へ広がるように形成され、上記第1基板は、支持基板と、該支持基板上に形成された配線層と、該配線層を覆うように上記支持基板上に形成され、上記支持基板と反対側の表面の一部が上記配向膜によって直接に覆われた絶縁膜とを有し、上記絶縁膜の表面には、当該絶縁膜を貫通せずに窪んで設けられた凹陥部が形成され、上記凹陥部は、上記支持基板の表面の法線方向から見て少なくとも一部が上記配線層と重なるように配置され、上記凹陥部の縁部は、上記額縁領域に配置されると共に、当該縁部の接平面が当該凹陥部の内側へ向かうに連れて上記支持基板側へ傾斜するように形成され、上記配向膜の端縁部は、上記凹陥部の縁部によって支持されると共に、当該配向膜の端縁部を支持している凹陥部の底は、上記配向膜から露出していることを特徴とする液晶表示装置。請求項1に記載された液晶表示装置において、上記凹陥部は、上記シール部材の形成領域に沿って延びるように形成されていることを特徴とする液晶表示装置。請求項1又は2に記載された液晶表示装置において、上記凹陥部は、上記画素領域と上記シール部材の形成領域との間に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。請求項1乃至3の何れか1つに記載された液晶表示装置において、上記配向膜は、上記凹陥部の縁部近傍において上記液晶層側に盛り上がっていることを特徴とする液晶表示装置。請求項1乃至4の何れか1つに記載された液晶表示装置において、上記絶縁膜は、光硬化性樹脂によって構成されていることを特徴とする液晶表示装置。互いに対向する第1基板及び第2基板が、表示領域としての画素領域と、該画素領域の外側周囲の領域であってシール部材の形成領域を含む非表示領域としての額縁領域とをそれぞれ有する液晶表示装置を製造する方法であって、第1基板を形成する工程と、第2基板を形成する工程と、上記第1基板と第2基板とを液晶層及びシール部材を介して互いに貼り合わせる工程とを有し、上記第1基板を形成する工程には、支持基板上に配線層を形成する工程と、上記支持基板上に上記配線層を覆うように絶縁膜を形成する工程と、上記配線層を覆うように上記絶縁膜の表面に直接に配向膜を形成する工程とが含まれ、上記絶縁膜を形成する工程では、上記絶縁膜の表面に対し、当該絶縁膜を貫通せずに窪んで設けられた凹陥部を、上記支持基板の表面の法線方向から見て少なくとも一部が上記配線層と重なるように形成し、且つ、上記凹陥部の縁部を、上記額縁領域に配置すると共に、当該縁部の接平面が当該凹陥部の内側へ向かうに連れて上記支持基板側へ傾斜するように形成し、上記配向膜を形成する工程では、流動性を有する配向膜材料を上記画素領域から上記額縁領域へ広がるように形成し、当該配向膜材料の端縁部を上記凹陥部の縁部によって支持すると共に、当該配向膜材料の端縁部を支持している凹陥部の底を上記配向膜材料から露出させることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。請求項6に記載された液晶表示装置の製造方法において、上記絶縁膜を形成する工程では、上記凹陥部を上記シール部材の形成領域に沿って延びるように形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。請求項6又は7に記載された液晶表示装置の製造方法において、上記絶縁膜を形成する工程では、上記凹陥部を上記画素領域と上記シール部材の形成領域との間に配置することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。請求項6乃至8の何れか1つに記載された液晶表示装置の製造方法において、上記配向膜を形成する工程では、上記配向膜を上記凹陥部の縁部近傍において上記液晶層側に盛り上がらせることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。請求項6乃至9の何れか1つに記載された液晶表示装置の製造方法において、上記絶縁膜を形成する工程では、上記絶縁膜を光硬化性樹脂によって構成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。しかし、上記特許文献1及び2のように、配向膜材料を溜めるために複数の凹溝を形成する構成では、配向膜材料を溜める容積を確保するために、複数の凹溝の形成領域を比較的幅広に設ける必要がある。その結果、画素領域からシール部材形成領域までの距離が長くなるため、額縁状の非表示領域の幅を狭くすることが困難である。また、上記特許文献3に記載された発明については、配線が形成されている領域では、凹凸構造を形成すると配線を切断することになってしまうので、当該凹凸構造を形成することができない。すなわち、凹凸構造を形成する領域が制限され、その凹凸構造が形成されない領域では、配向膜材料がシール部材形成領域へ向かって濡れ広がるため、液晶表示装置の信頼性を著しく低下させる虞がある。本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、配線のレイアウトに拘わらず、液晶表示装置の非表示領域を可及的に狭くしながらも、配向膜材料の広がりを抑制することにある。上記の目的を達成するために、本発明に係る液晶表示装置は、第1基板と、上記第1基板に対向して配置された第2基板と、上記第1基板及び第2基板の間に設けられた液晶層と、上記第1基板及び第2基板の間に設けられて上記液晶層を囲んで封止するシール部材とを備えた液晶表示装置を対象としている。そして、上記第1基板及び第2基板は、表示領域としての画素領域と、該画素領域の外側周囲の領域であって上記シール部材の形成領域を含む非表示領域としての額縁領域とをそれぞれ有し、上記第1基板及び第2基板の上記液晶層側には、流動性を有する配向膜材料が硬化することによって形成された配向膜が、上記画素領域から上記額縁領域側へ広がるように形成され、上記第1基板は、支持基板と、該支持基板上に形成された配線層と、該配線層を覆うように上記支持基板上に形成され、上記支持基板と反対側の表面の一部が上記配向膜によって直接に覆われた絶縁膜とを有し、上記絶縁膜の表面には、当該絶縁膜を貫通せずに窪んで設けられた凹陥部が形成され、上記凹陥部は、上記支持基板の表面の法線方向から見て少なくとも一部が上記配線層と重なるように配置され、上記凹陥部の縁部は、上記額縁領域に配置されると共に、当該縁部の接平面が当該凹陥部の内側へ向かうに連れて上記支持基板側へ傾斜するように形成され、上記配向膜の端縁部は、上記凹陥部の縁部によって支持されると共に、当該配向膜の端縁部を支持している凹陥部の底は、上記配向膜から露出している。-作用-次に、本発明の作用について説明する。上記液晶表示装置を製造する場合、硬化する前の配向膜材料は、画素領域から額縁領域側へ広がるように形成される。そして、配向膜の端縁部は、額縁領域に形成される。一方、第1基板の支持基板上には、絶縁膜が配線層を覆うように形成され、当該絶縁膜の表面に凹陥部が窪んで形成されている。この凹陥部の縁部は額縁領域に配置されている。そして、配向膜材料の濡れ広がりは、上記凹陥部の縁部によって堰き止められる。その結果、配向膜の端縁部は、凹陥部の縁部によって支持されることとなる。凹陥部の縁部は、その接平面が凹陥部の内側へ向かうに連れて支持基板側へ傾斜するように形成されているため、配向膜材料をその粘性によって支持することができる。したがって、第1基板において支持構造部の側部と複数の端子との間に配向膜材料を溜めるための溝構造等が不要になるため、液晶表示装置の非表示領域を例えば1~2mm程度に大幅に狭くしながらも、配向膜材料の広がりを抑制することが可能になる。しかも、凹陥部を配線層に重ねて配置した状態で、凹陥部と配線層との間に絶縁層が介在されているので、絶縁層によって配線層を保護しつつ、その配線層のレイアウトに拘わらずに凹陥部を連続して延びるように形成できる。よって、配向膜材料の広がりをより適切に防止することが可能になる。ところで、従来のように、基板上に形成した溝内に配向膜材料を溜める構成では、溝構造の容積のうちどの程度まで配向膜材料が溜まっているのかが不明であるため、液晶を基板上に滴下して液晶表示装置を製造する場合に、溝構造における空き容量を含めた滴下すべき液晶材料の体積を適切に規定することが難しい。液晶材料の体積が必要量よりも少なければ、液晶層に気泡が生じる虞がある。これに対し、本発明では、凹陥部の内部に配向膜材料を溜めずに、その凹陥部の縁部で配向膜材料を堰き止めるようにしたので、滴下すべき液晶材料の体積を略一定に維持することができる。したがって、適切な体積の液晶材料を支持基板上に供給して、液晶層における気泡の発生を防止することが可能になる。本発明によれば、配向膜の樹脂材料を溜めるための溝構造が不要になるため、液晶表示装置の非表示領域を大幅に狭くしながらも、配向膜材料の広がりを抑制することができる。しかも、凹陥部を配線層に重ねて配置した状態で、凹陥部と配線層との間に絶縁層が介在されているので、配線層を絶縁層によって保護しつつ、その配線層のレイアウトに拘わらずに凹陥部を連続して延びるように形成できる。よって、配向膜材料の広がりをより適切に防止することができる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。《発明の実施形態1》図1~図10は、本発明の実施形態1を示している。図1は、本実施形態1における液晶表示装置1の概略構成を示す平面図である。図2は、図1のTFT基板11においてIIで示す領域を拡大して示す平面図である。図3は、図1のTFT基板11においてIIIで示す領域を拡大して示す平面図である。図4は、図3におけるIV-IV線断面図である。図5は、TFT基板11における凹陥部48の縁部51近傍を拡大して示す断面図である。図6は、TFT基板11の一部を拡大して示す平面図である。尚、図6では、後述する配向膜23及び凹陥部48の図示を省略している。図10は、液晶表示装置1の概略構造を示す断面図である。液晶表示装置1は、図1及び図10に示すように、第1基板としてのTFT基板11と、TFT基板11に対向して配置された第2基板である対向基板12と、TFT基板11及び対向基板12の間に設けられた液晶層13とを有する。また、液晶表示装置1は、TFT基板11及び対向基板12の間に設けられて液晶層13を囲んで封止するシール部材14を有している。シール部材14は、図1に示すように、略矩形枠状に形成され、例えば、アクリル又はエポキシ系樹脂等の紫外線熱併用硬化型樹脂によって構成されている。シール部材14には、例えば複数の導電性粒子不図示が分散して混入されている。シール部材14の線幅は、例えば0.5mm~2.5mm程度である。TFT基板11及び対向基板12は、表示領域としての画素領域31と、画素領域31の外側周囲の領域である非表示領域としての額縁領域32とをそれぞれ有している。額縁領域32には、画素領域31と所定の間隔をおいて設けられたシール部材形成領域34シール部材14の形成領域が含まれる。また、TFT基板11及び対向基板12の液晶層13側には、流動性を有する配向膜材料24が硬化することによって形成された配向膜23が、画素領域31からシール部材14の形成領域側へ広がるように形成されている。配向膜23は、ポリイミド等の樹脂材料からなり、液晶層13の液晶分子の初期配向を規制するためのものである。配向膜材料24は、ポリイミド等に溶剤が添加されることにより、その粘性が低下されたものである。配向膜材料24には、例えば、JSR株式会社製の粘度が6.5mPasである垂直配向膜材料を適用することが可能である。TFT基板11の額縁領域32は、図6に示すように、シール部材形成領域34の画素領域31と反対側の領域であって画素領域31へ信号を供給するための複数の端子28が形成された端子領域33を有している。端子領域33は、図4に示すように、TFT基板11の側部領域に形成されている。TFT基板11におけるシール部材形成領域34には、図6に示すように、ITOIndiumTinOxide等の透明導電膜からなる電極部としてのパッド20が、絶縁膜としての平坦化膜43の表面に複数形成されている。パッド20は、100nm程度の厚みに形成され、シール部材14に沿って所定の間隔で配置されている。このパッド20は、シール部材14の導電性粒子を介して対向基板12の共通電極図示省略に電気的に接続するためのものである。TFT基板11の画素領域31には、複数の画素5がマトリクス状に配置されている。各画素5には、ITO等の透明導電膜からなる画素電極15がそれぞれ形成されている。画素電極15の厚みは例えば100nm程度である。また、各画素5には、画素電極15に接続されたスイッチング素子としてのTFTThinFilmTransistor:不図示が形成されている。尚、TFTを構成する半導体層不図示は、厚みが150nmであるi-Si膜真性シリコン膜と、厚みが40nmであるnSi膜とがこの順に積層された構成を有している。また、上記半導体層にはチャネル保護膜として200nm程度の厚みのSiNx膜が積層されている。さらに、TFT基板11には、図2及び図3に示すように、上記TFTに接続されたゲート配線18及びソース配線16等が形成されている。ゲート配線18は、30nm程度の厚みのTi膜と、300nm程度の厚みのAl膜と、100nm程度の厚みのTi膜とがこの順に積層された構成を有する。一方、ソース配線16は、30nm程度の厚みのTi膜と、300nm程度の厚みのAl膜とがこの順に積層された構成を有している。上記ゲート配線18及びソース配線16の線幅は10μm程度である。また、隣り合うゲート配線18同士の間隔は、図2に示すように、200μm程度になっている。一方、隣り合うソース配線16同士の間隔は、図3に示すように、70μm程度になっている。また、TFT基板11は、図4に示すように、支持基板であるガラス基板21を有し、このガラス基板21の液晶層13側表面には、上記ゲート配線18と、ゲート配線18を覆うゲート絶縁膜41とが形成されている。また、図1に示すように、ガラス基板21の額縁領域32には、上記ゲート配線18と同じ材料からなる複数の引き出し配線17が形成されている。引き出し配線17の線幅は10μm程度である。この引き出し配線17の端部に端子28が設けられている。そして、ソース配線16は、コンタクト部不図示を介して引き出し配線17に接続されている。ゲート絶縁膜41は、例えばSiNx等によって構成され、400nm程度の厚みに形成されている。ゲート絶縁膜41の表面には、保護膜としてのパッシベーション膜42が形成されている。パッシベーション膜42は、例えばSiN等の無機膜によって構成され、250nm程度の厚みに形成されている。ソース配線16の表面には、パッシベーション膜42及びこれを覆う絶縁膜である平坦化膜43が形成されている。つまり、平坦化膜43は、ガラス基板21上にソース配線16等の配線層を覆うように形成されている。平坦化膜43は、例えば光硬化性アクリル樹脂等の光硬化性樹脂感光性樹脂によって構成され、2~2.5μm程度の厚みに形成されている。画素領域31における平坦化膜43の表面には、上記複数の画素電極15が形成されている。一方、シール部材形成領域34における上記平坦化膜43の表面には、上記シール部材14が形成されている。また、平坦化膜43におけるガラス基板21と反対側の表面の一部は、配向膜23によって直接に覆われている。そして、平坦化膜43の表面には、この平坦化膜43を貫通せずに窪んで設けられた凹陥部48が形成されている。ここで、凹陥部48は、ガラス基板21の表面の法線方向から見て少なくとも一部がソース配線16又はゲート配線18等の配線層と重なるように配置されている。本実施形態の凹陥部48は、図2及び図3に示すように、シール部材形成領域34に沿って延びるように形成されている。凹陥部48は、シール部材形成領域に沿って溝状に延びることにより、全体として枠状に形成されている。凹陥部48の溝幅は例えば20μm程度であり、凹陥部48の溝深さは例えば1μm程度である。凹陥部48は、後述するようにフォトリソグラフィによって形成することができる。凹陥部48の縁部51は、額縁領域32に配置され、特に、画素領域31とシール部材形成領域34との間に配置されている。さらに、この凹陥部48の縁部51は、図5に示すように、当該縁部51の接平面53が当該凹陥部48の内側へ向かうに連れてガラス基板21側へ傾斜するように形成されている。そして、配向膜23の端縁部25は、凹陥部48の縁部51によって支持されると共に、当該配向膜23の端縁部25を支持している凹陥部48の底は、配向膜23から露出している。ここで、上記凹陥部48の縁部51における接平面53のガラス基板21表面に対する最大の角度をθ1maxとする。また、配向膜23配向膜材料24の端縁部25を支持している位置における上記凹陥部48の接平面53のガラス基板21表面に対する角度をθ1とする。また、上記配向膜23の端縁部25表面における接平面54の上記接平面53に対する角度をθ2とする。そして、凹陥部48の縁部51は、その接平面53のガラス基板21表面に対する最大角度θ1maxが、5°以上に規定されている。一方、上記最大の角度θ1maxは88°未満に規定することが好ましい。ここで、図11は、縁部51における最大角度θ1max及び凹陥部48の窪み深さと、配向膜材料24の広がり制御性との関係を示すグラフである。図11において○印は縁部51が配向膜材料24を適切に支持したことを示し、×印は縁部51によって配向膜材料24を適切に支持しなかったことを示している。また、実験で用いた配向膜材料の粘度は、6.5mPasである。また、図12~図14は、それぞれθ1maxが約15°、約50°、約5°であるときの凹陥部48近傍を拡大して示す断面図である。図12~図14において、符号Aは、凹陥部48の接平面53の角度θ1が最大角度θ1maxとなる位置を示している。また、符号Bは、凹陥部48の縁部51によって堰き止められた配向膜23配向膜材料24の端縁部25の位置を示している。実験により、図12に示すように、位置Aにおける最大角度θ1maxが約15°である場合には、位置Bにおいて角度θ1が約5°であり且つ角度θ2が約2°であることが分かった。また、図13に示すように、位置Aにおける最大角度θ1maxが約50°である場合には、位置Bにおいて角度θ1が約5°であり且つ角度θ2が約2°であることが分かった。また、図14に示すように、位置Aにおける最大角度θ1maxが約5°である場合には、位置Aと位置Bとが一致し、その位置Bにおける角度θ1が約5°であり且つ角度θ2が約2°であることが分かった。そして、図11の実験結果に示すように、凹陥部48の窪み深さは配向膜材料24の広がり制御と相関が無く、縁部51の最大角度θ1maxのみが配向膜材料24の広がり制御に影響することが分かった。そして、最大角度θ1maxが5°未満である場合には、配向膜材料24が上記縁部51によって支持されずに広がってしまう。一方、最大角度θ1maxが88°以上である場合には、θ1maxθ2が90°以上となって配向膜を堰き止められない。よって、最大角度θ1maxが5°以上88°未満である場合に、配向膜材料24を縁部51において良好に支持できることが分かった。このように、縁部51の接平面53の最大角度θ1maxを適切に規定したので、画素領域31側から流れてきた配向膜材料24を、当該縁部51において角度θ2だけ堰き止めることができる。その結果、配向膜23及び配向膜材料24は、上記凹陥部48の縁部51近傍において液晶層13側に盛り上がることとなる。図4に示すように、上記配向膜23及び配向膜材料24の盛り上がっている領域は、200μm程度の幅である。また、配向膜材料24の盛り上がっている領域の厚みaは、およそ10μm以下程度であり、硬化後の配向膜23の盛り上がっている領域の厚みaは、およそ0.7μm程度である。一方、画素領域31側の平坦な配向膜材料24の厚bみは、およそ3μm程度である一方、画素領域31側における硬化後の平坦な配向膜23の厚みbは、およそ0.1μm程度である。一方、対向基板12は、支持基板であるガラス基板不図示を有している。このガラス基板の液晶層13側には、カラーフィルタ不図示を構成する複数の着色層不図示及び遮光膜であるブラックマトリクス不図示が形成されている。そして、カラーフィルタの表面には、ITO等の透明導電膜からなる共通電極不図示が形成されている。共通電極の表面は、TFT基板11と同様に配向膜不図示によって覆われている。-製造方法-次に、上記液晶表示装置1の製造方法について説明する。液晶表示装置1の製造方法は、TFT基板11を形成する工程と、対向基板12を形成する工程と、TFT基板11と対向基板12とを液晶層13及びシール部材14を介して互いに貼り合わせる工程とを有する。すなわち、液晶表示装置1は、TFT基板11又は対向基板12に枠状のシール部材14を形成し、当該シール部材14の内側に液晶を滴下した後に、上記TFT基板11及び対向基板12を互いに貼り合わせることによって製造する。TFT基板11を形成する工程には、透明な支持基板であるガラス基板21上に配線層16,18を形成する工程と、ガラス基板21上に配線層16,18を覆うように平坦化膜43を形成する工程と、配線層16,18を覆うように平坦化膜43の表面に直接に配向膜23を形成する工程とが含まれる。配線層16,18を形成する工程では、ガラス基板21の表面に、ゲート配線18、ゲート絶縁膜41、シリコン膜不図示、ソース配線16、パッシベーション膜42、平坦化膜43、ITO膜等を形成する。ゲート配線18等の金属膜はスパッタ法により形成し、TFTを構成する半導体層、絶縁膜及びチャネル保護膜はCVD法によって形成した後に、それぞれフォトリソグラフィ及びウェットエッチング又はドライエッチングによって所定形状に形成する。平坦化膜43を形成する工程では、平坦化膜43の表面に対し、当該平坦化膜43を貫通せずに窪んで設けられた凹陥部48を、ガラス基板21の表面の法線方向から見て少なくとも一部が配線層16,18と重なるように形成し、且つ、凹陥部48の縁部51を、額縁領域32に配置すると共に、当該縁部51の接平面が当該凹陥部48の内側へ向かうに連れてガラス基板21側へ傾斜するように形成する。また、凹陥部48はシール部材14の形成領域に沿って延びるように形成する。さらに、この凹陥部48を画素領域31とシール部材14の形成領域との間に配置する。平坦化膜43は、光硬化性アクリル樹脂等の感光性有機材料や、非感光性絶縁膜を用いて形成することができる。感光性有機材料を用いる場合には、例えばスピンコート法によりスリットコート法やインクジェット法によっても可能である。、有機材料をガラス基板21上に表面が平坦となるように形成する。続いて、上記平坦化膜43の凹陥部48をハーフトーン露光によって形成する。ここで、図7は、凹陥部48を形成するためのハーフトーンマスク60を模式的に示す平面図である。図8は、ハーフトーン露光後に現像された平坦化膜43を示す断面図である。図9は、ポストベーク後の平坦化膜43を示す断面図である。このハーフトーン露光で用いるハーフトーンマスク60には、図7に示すように、複数のスリット61が所定間隔で形成されている。各スリット61の幅は3μm程度であり、3μm程度のピッチで配置されている。したがって、スリット61が形成されている領域は、全体として15μm程度の幅となっている。上記ハーフトーンマスク60によって、平坦化膜43におけるシール部材形成領域34に沿った領域を露光した後に現像すると、図8に示すように、凹状の屈曲面からなる溝部62が形成される。その後、上記溝部62が形成された平坦化膜43をポストベークして加熱することにより、当該平坦化膜43の屈曲面がなだらかな曲面となる。その結果、上記溝部62が加熱によって熱だれし、曲面状の縁部51を有する凹陥部48が形成されることとなる。非感光性絶縁膜を用いて平坦化膜43を形成する場合には、例えばCVD法によりスパッタ法や塗布型材料の塗布によっても可能である。、絶縁材料層をガラス基板21上に均一な膜厚で形成した後、その絶縁材料層の表面に感光性レジストを全面に塗布する。次に、フォトリソグラフィ法によって所定のレジストパターンを形成する。その後、絶縁材料層のエッチングウェットエッチング又はドライエッチングを行い、上記レジストパターンを除去することによって、上記凹陥部48を形成する。次に、上記配向膜23を形成する工程では、流動性を有する配向膜材料24を上記画素領域から上記額縁領域へ広がるように形成し、当該配向膜材料24の端縁部25を上記凹陥部48の縁部によって支持すると共に、当該配向膜材料24の端縁部25を支持している凹陥部48の底を配向膜材料24から露出させる。まず、上記平坦化膜43の表面にITO層を形成し、これをフォトリソグラフィ及びエッチングによってパターニングすることにより、複数の画素電極15を形成する。その後、上記画素電極15等を覆うように、ポリイミド等の流動性を有する配向膜材料24をインクジェット法により供給する。配向膜材料24は、画素領域31から額縁領域32へ流動し、凹陥部48の縁部51に達したときに、その配向膜材料24の端縁部25が上記縁部51によって支持される。その結果、図4に示すように、配向膜材料24は、凹陥部48の縁部51近傍において、液晶層13側に盛り上がって堰き止められる。その後、配向膜材料24を焼成することによって、配向膜23を形成する。こうして、TFT基板11を製造する。-実施形態1の効果-したがって、この実施形態1によると、TFT基板11に配向膜23配向膜材料24を支持するための凹陥部48を設けると共に、接平面53が凹陥部48の内側へ向かうに連れてガラス基板21へ傾斜するような縁部51を当該凹陥部48に形成したので、その縁部51によって配向膜23配向膜材料24を支持すると共に、当該配向膜23配向膜材料24の端縁部25を、その配向膜材料24の粘性が比較的低くても支持することが可能になる。よって、余分な配向膜材料24を凹陥部48の縁部51における液晶層13側に溜めることができることから、凹陥部48の縁部51よりもシール部材形成領域34側に、配向膜材料24を溜めるための溝構造等が不要になるため、液晶表示装置1の額縁領域32を大幅に狭くしながらも、配向膜材料24の広がりを適切に抑制して当該配向膜材料24とシール部材14との重なりを防止することができる。さらに、上記縁部51における接平面53のガラス基板21に対する最大の角度θ1maxを5°以上88°未満に規定したので、縁部51においてより確実に配向膜材料24を支持することができる。しかも、凹陥部48をソース配線16等の配線層に重ねて配置した状態で、凹陥部48と配線層との間に平坦化膜43が介在されているので、平坦化膜43によって配線層をエッチャント等から保護しつつ、その配線層のレイアウトに拘わらずに凹陥部48を連続して延びるように形成できる。よって、凹陥部48をシール部材形成領域34に沿って画素領域31を囲むリング状に形成することができるため、配向膜材料24の広がりをより適切に防止できることとなる。ところで、従来のように、基板上に形成した溝内に配向膜材料を溜める構成では、溝構造の容積のうちどの程度まで配向膜材料が溜まっているのかが不明であるため、液晶を基板上に滴下して液晶表示装置を製造する場合に、溝構造における空き容量を含めた滴下すべき液晶材料の体積を適切に規定することが難しい。液晶材料の体積が必要量よりも少なければ、液晶層に気泡が生じる虞がある。これに対し、本実施形態では、図4に示すように、凹陥部48の内部に配向膜材料24を溜めずに、その凹陥部48の縁部51で配向膜材料24を堰き止めるようにしたので、滴下すべき液晶材料の体積を略一定に維持することができる。したがって、適切な体積の液晶材料をガラス基板21上に供給して、液晶層13における気泡の発生を防止することができる。さらにまた、平坦化膜43を光硬化性アクリル樹脂によって構成したので、ハーフトーン露光により凹陥部48及びその縁部51を制御性良く容易に適切な形状に形成することができる。《その他の実施形態》上記実施形態1では、凹陥部48をシール部材形成領域34に沿って画素領域31を途切れなく囲むリング状に形成したが、本発明はこれに限らず、凹陥部48は少なくとも一箇所において途切れた形状であってもよい。例えば、TFT基板11における配線パターン等に応じて、配向膜23が広がっても問題がない領域では、凹陥部48を途切れた形状に形成することが可能である。ここで、図15及び図16は、その他の実施形態におけるTFT基板の一部を拡大して示す平面図である。上記実施形態1では、1本の凹陥部48をシール部材形成領域34に沿って設けた例について説明したが、本発明はこれに限らず、図15に示すように、複数本の凹陥部48をそれぞれシール部材形成領域34に沿って設けるようにしてもよい。このようにすれば、たとえ配向膜材料24が画素領域31側に配置されている凹陥部48を越えて外側図11で左側へ広がったとしても、その外側に配置されている他方の凹陥部48の縁部51によって、当該配向膜材料24の広がりを防止することができる。また、上記実施形態1では凹陥部48が直線状に延びる例について説明したが、本発明はこれに限らず、図16に示すように、シール部材形成領域34に沿って蛇行して延びるような形状としてもよい。このようにしても、配向膜材料24の広がりを好適に防止できる。また、図17及び図18は、その他の実施形態におけるTFT基板の角部を拡大して示す平面図である。凹陥部48は、シール部材形成領域34の角領域において、図17に示すように略直角に屈曲した形状としてもよく、図18に示すように円弧状としてもよい。"