研磨層を備えた化学機械研磨パッドであって、前記研磨層の研磨に供される表面を、X線光電子分光法XPSによって元素分析することにより算出されるケイ素原子濃度またはフッ素原子濃度が0.5atom以上10atom以下であることを特徴とする、化学機械研磨パッド。シリコン酸化膜が50nmエッチングされる条件で、前記研磨層の研磨に供される表面にアルゴンイオンエッチングを行った被エッチング面を作製し、前記被エッチング面を、X線光電子分光法XPSによって元素分析することにより算出されるケイ素原子濃度およびフッ素原子濃度が0atom以上0.1atom以下であることを特徴とする、請求項1に記載の化学機械研磨パッド。前記研磨層の研磨に供される表面に複数の凹部を設けた化学機械研磨パッドであって、前記凹部の内面を、X線光電子分光法XPSによって元素分析することにより算出されるケイ素原子濃度またはフッ素原子濃度が0.5atom以上10atom以下であることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の化学機械研磨パッド。請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の化学機械研磨パッドを用いて化学機械研磨する、化学機械研磨方法。金型を用いてポリウレタンを含有する組成物を成型する工程を含む化学機械研磨パッドの製造方法において、前記金型は、ケイ素およびフッ素から選択される少なくとも1種の元素を含有する材料で被覆されていることを特徴とする、化学機械研磨パッドの製造方法。前記金型の表面は、凹部パターンを備えることを特徴とする、請求項5に記載の化学機械研磨パッドの製造方法。しかしながら、このような化学機械研磨パッドは、長期に亘り保管した場合、研磨性能の低下を引き起こすことがあった。例えば、ポリウレタンフォーム等の発泡樹脂からなる化学機械研磨パッドは、研磨層の被表面積が大きいため、使用に供するまでの保管期間が長くなるほど保管雰囲気中の水分や有機成分を吸着する傾向が見られる。これにより、研磨層の表層部のみならず深層部まで変質させてしまうことがあり、良好な研磨特性を維持することは難しかった。一方、非発泡マトリックス中に水溶性粒子を分散させた化学機械研磨パッドでは、その水溶性粒子が潮解性を有しているため、保管雰囲気中の水分量を厳密にコントロールする必要があった。例えば、保管中に水溶性粒子が水分を吸着して変質すると、良好な研磨特性を維持することが難しい場合があった。そこで、本発明に係る幾つかの態様は、上記課題を解決することで、保存安定性に優れた化学機械研磨パッドおよびその製造方法、ならびに該化学機械研磨パッドを用いた化学機械研磨方法を提供するものである。本発明は上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することができる。[適用例1]本発明に係る化学機械研磨パッドの一態様は、研磨層を備えた化学機械研磨パッドであって、前記研磨層の研磨に供される表面を、X線光電子分光法XPSによって元素分析することにより算出されるケイ素原子濃度またはフッ素原子濃度が0.5atom以上10atom以下であることを特徴とする。[適用例2]適用例1の化学機械研磨パッドにおいて、シリコン酸化膜が50nmエッチングされる条件で、前記研磨層の研磨に供される表面にアルゴンイオンエッチングを行った被エッチング面を作製し、前記被エッチング面をX線光電子分光法XPSによって元素分析することにより算出されるケイ素原子濃度およびフッ素原子濃度が0atom以上0.1atom以下であることができる。[適用例3]適用例1または適用例2の化学機械研磨パッドにおいて、前記研磨層の研磨に供される表面に複数の凹部を設けた化学機械研磨パッドであって、前記凹部の内面を、X線光電子分光法XPSによって元素分析することにより算出されるケイ素原子濃度またはフッ素原子濃度が0.5atom以上10atom以下であることができる。[適用例4]本発明に係る化学機械研磨方法の一態様は、適用例1ないし適用例3のいずれか一例に記載の化学機械研磨パッドを用いて化学機械研磨することを特徴とする。[適用例5]本発明に係る化学機械研磨パッドの製造方法の一態様は、金型を用いてポリウレタンを含有する組成物を成型する工程を含み、前記金型は、ケイ素およびフッ素から選択される少なくとも1種の元素を含有する材料で被覆されていることを特徴とする。[適用例6]適用例5の化学機械研磨パッドの製造方法において、前記金型の表面は、凹部パターンを備えることができる。本発明に係る化学機械研磨パッドは、研磨層に所定のケイ素原子濃度またはフッ素原子濃度の表層部を備えていることにより保存安定性に優れ、長期間に亘り保管した場合であっても良好な研磨性能を発揮することができる。また、本発明に係る化学機械研磨方法は、前述した化学機械研磨パッドを用いるため、長期間亘り保管した場合であっても常に一定の研磨性能を発揮することができる。以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は、下記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において実施される各種の変型例も含む。1.化学機械研磨パッド本実施の形態に係る化学機械研磨パッドの構成としては、少なくとも一方の面に研磨層を備えていれば特に限定されない。前記研磨層は、表層部および深層部を有している。以下、本実施の形態に係る化学機械研磨パッドの一例について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施の形態に係る化学機械研磨パッドの一例を模式的に示した断面図である。図1に示すように、化学機械研磨パッド100は、研磨層10と、研磨層10の研磨装置用定盤14と接触する面側に形成された支持層12と、を含む。1.1.研磨層研磨層10は、表層部10aおよび深層部10bから構成されている。表層部10aは、研磨層10の研磨に供される表面近傍に位置する。深層部10bは、研磨層10aよりも内部に位置する。研磨層10の平面形状は、特に限定されないが、例えば円形状であることができる。研磨層10の平面形状が円形状である場合、その大きさは、好ましくは直径150mm~1200mm、より好ましくは直径500mm~1000mmである。研磨層10の厚さは、好ましくは0.5mm~5.0mm、より好ましくは1.0mm~4.0mm、特に好ましくは1.5mm~3.5mmである。本明細書において表層部とは、X線光電子分光法以下、XPSともいうによる元素分析において、研磨層の研磨に供される表面にX線を照射して発生する光電子を前記研磨層の研磨に供される表面に対して90°の光電子取出し角度で測定する場合の分析対象となる領域、すなわち前記研磨層の研磨に供される表面から数nm以内の領域のことをいう。本明細書において深層部とは、前記研磨層の表層部以外の領域のことをいう。例えば、シリコン酸化膜を50nmエッチングする条件で前記研磨層の研磨に供される表面にアルゴンイオンエッチングを行うことにより前記研磨層の表層部を確実に除去することができるので、得られた被エッチング面は深層部であるということができる。本実施の形態に係る化学機械研磨パッドは、X線光電子分光法XPSによる元素分析において、研磨層の研磨に供される表面にX線を照射して発生する光電子を前記研磨層の研磨に供される表面に対して90°の光電子取出し角度で測定することにより算出される、ケイ素原子濃度またはフッ素原子濃度が、0.5atom以上10atom以下である。すなわち、図1に示す化学機械研磨パッド100であれば、表層部10aにおけるケイ素原子濃度またはフッ素原子濃度が、0.5atom以上10atom以下であるということができる。表層部10aにおけるケイ素原子濃度は、1atom以上9atom以下であることが好ましく、1.5atom以上7atom以下であることがより好ましい。また、表層部10aにおけるフッ素原子濃度は、1atom以上9atom以下であることが好ましく、1.5atom以上7atom以下であることがより好ましい。表層部10aにおけるケイ素原子濃度またはフッ素原子濃度が前記範囲であると、表層部10aにおける疎水性と親水性のバランスが良好となり、長期に亘る保管においても深層部10bを効果的に保護することができると考えられる。表層部10aにおけるケイ素原子濃度とフッ素原子濃度との合計は、0.6atom以上10atom以下であることが好ましく、1atom以上9atom以下であることがより好ましい。表層部10aにおけるケイ素原子濃度とフッ素原子濃度との合計が前記範囲であると、表層部10aが適度な疎水性を示し、化学機械研磨パッド100を保管する雰囲気からの水分吸着を抑制できると考えられる。その結果、長期に亘る保管においても深層部10bを効果的に保護することができる。本明細書において、ケイ素原子濃度およびフッ素原子濃度とは、XPSにより測定される炭素原子の原子番号以上の原子番号を持つ全ての原子数定量値の合計を100atomとしたときのケイ素またはフッ素の原子数の比率をそれぞれ表したものである。研磨層10の表層部10aに存在するケイ素原子濃度およびフッ素原子濃度は、XPSを用いることによって測定されるが、XPSの原理は概ね以下の通りである。XPSは、X線の照射により試料から放出される光電子のエネルギーを測定する分光法である。光電子は、大気中ではすぐに分子と衝突して散乱されてしまうため、装置を真空にしておく必要がある。また、固体試料の奥深くで放出された光電子は、試料内で散乱されて表面から脱出することができない。したがって、XPSは、試料表面からのみの光電子を測定することになるので、表面分析法として有効である。観測される光電子の運動エネルギーEは、hν-EKから、さらに電子を試料表面の外に移すためのエネルギーφを引いた値、すなわち、E=hν-EK-φ...1と表すことができる。但し、h:プランク定数、ν:振動数、EK:電子の結合エネルギーである。上記式1から、Eの値は励起源のX線のエネルギーにより異なることが分かる。電子エネルギーの測定法は、特に限定されないが、代表的なものとして電子を静電場中に導き一定軌道を描くもののみを検出する静電場型がある。XPSにより、電子の結合エネルギーEKを測定することができる。かかる結合エネルギーは、基本的に元素固有の値であるから元素の種類を特定することができる。また、光電子スペクトルの強度から各元素を定量することもできる。ところで、入射されたX線は試料の表面から内部へと進入するが、励起された光電子の平均自由工程が0.1nm~数nmと小さいため、試料の表面近傍からのみ光電子を放出することになる。これにより、試料の表面近傍の分析が可能となる。しかしながら、試料の表面近傍に形成された層が数層に亘り存在するような場合において、該層の微量な組成を観測しようとしても正確に検出できないことがある。XPSでは、表面から数十Åを平均化した組成の相対量を観測しているからである。このように表面から数層の組成を観測する場合には、光電子の脱出深さの角度依存性を利用することができる。すなわち、光電子は等方的に試料の表面から放出されるが、光電子取出し角度によって光電子の固体表面からの脱出深さが異なる。この現象を利用すると、光電子取出し角度を試料表面に対して90°とすることで脱出深さが最大となり、試料の表面におけるより深い部分の情報を得ることができる。なお、光電子取出し角度とは、試料表面と検出器とがなす角度のことをいう。XPSに用いる装置としては、試料の表面に存在する元素の定性、定量、および化学状態を分析できるものであれば特に限定されないが、例えばアルバックファイ社製の型式Quantum2000等が挙げられる。図2は、図1における領域Iの拡大図であり、研磨層10の詳細な形状を模式的に示した断面図である。図2に示すように、研磨層10の研磨に供される表面以下、研磨面という20には、複数の凹部16を形成してもよい。凹部16は、化学機械研磨の際に供給されるスラリーを保持し、これを研磨面に均一に分配すると共に、研磨屑や使用済みのスラリー等の廃棄物を一時的に滞留させ、外部へ排出するための経路となる機能を有する。凹部16の断面形状は、特に限定されないが、例えば図2に示すような長方形等の多角形形状、もしくはU字形状、V字形状等とすることができる。凹部16の深さaは、好ましくは0.1mm以上、より好ましくは0.1mm~2.5mm、特に好ましくは0.2mm~2.0mmとすることができる。凹部16の幅bは、好ましくは0.1mm以上、より好ましくは0.1mm~5.0mm、特に好ましくは0.2mm~3.0mmとすることができる。研磨面20において、隣接する凹部16の間隔cは、好ましくは0.05mm以上、より好ましくは0.05mm~100mm、特に好ましくは0.1mm~10mmとすることができる。また、凹部の幅と隣り合う凹部の間の距離との和であるピッチdは、好ましくは0.15mm以上、より好ましくは0.15mm~105mm、特に好ましくは0.6mm~13mmとすることができる。凹部16は、上記範囲内の一定の間隔を設けて形成されたものであることができる。上記範囲の形状を有する凹部16を形成することで、被研磨面のスクラッチ低減効果に優れ、寿命の長い化学機械研磨パッドを容易に製造することができる。前記各好ましい範囲は、各々の組合せとすることができる。すなわち、例えば、深さaが0.1mm以上、幅bが0.1mm以上、間隔cが0.05mm以上であることが好ましく、深さaが0.1mm~2.5mm、幅bが0.1mm~5.0mm、間隔cが0.05mm~100mmであることがより好ましく、深さaが0.2mm~2.0mm、幅bが0.2mm~3.0mm、間隔cが0.1mm~10mmであることが特に好ましい。図3は、本実施の形態に係る化学機械研磨パッド100の平面図である。図3に示すように、凹部16は、研磨面20の中心から外縁方向へ向かって徐々に直径の拡大する複数の同心円状に形成することができる。図4は、第1の変形例に係る化学機械研磨パッド200の平面図であり、図3に対応する図である。第1の変形例に係る化学機械研磨パッド200は、環状に設けられた複数の凹部16の他に、研磨面20の中心から外縁方向に向かって放射状に伸びる複数の凹部17および凹部18をさらに含む点で化学機械研磨パッド100とは異なる。ここで、中心部とは、研磨層の重心を中心とした半径50mmの円で囲まれた領域をいう。凹部17および凹部18は、この中心部のうち任意の位置から外縁方向に伸びていればよく、その形状は、例えば直線状もしくは円弧状またはこれらを組み合わせた形状であってもよい。凹部17および凹部18の断面形状は、上述した凹部16と同様であることができる。第1の変形例に係る化学機械研磨パッド200のその他の構成については、図1および図2を用いて説明した研磨層10の構成と同様であるので説明を省略する。図5は、第2の変形例に係る化学機械研磨パッド300の平面図であり、図3に対応する図である。第2の変形例に係る化学機械研磨パッド300は、環状に設けられた複数の凹部16の他に、研磨面20の中心から外縁方向に向かって放射状に伸びる複数の凹部19をさらに含む点で上述した化学機械研磨パッド100とは異なる。凹部19の断面形状は、上述した凹部16と同様であることができる。第2の変形例に係る化学機械研磨パッド300のその他の構成については、図1および図2を用いて説明した研磨層10の構成と同様であるので説明を省略する。研磨層10の研磨面20に複数の凹部16を形成した場合、凹部16の内面においても、ケイ素原子濃度またはフッ素原子濃度が0.5atom以上10atom以下である表層部10aを備えることが好ましい。なお、本明細書において、凹部の内面とは、側面および底面のような凹部における内部の面のことをいう。凹部16の内面に前述したような表層部10aを備える場合、研磨工程において研磨面20が磨耗したとしても、該内面に存在する表層部10aは磨耗により消失することはない。したがって、かかる凹部16に存在する表層部10aは、研磨工程においてスラリーが凹部16の内面から深層部10bへ浸透することを妨げることができる。その結果、深層部10bが水分を吸収して膨潤することによる凹部16の変形を効果的に抑制することができ、長期間に亘る研磨工程においても研磨特性を低下させることがなく好ましい。また、研磨層10の深層部10bにおけるケイ素原子濃度およびフッ素原子濃度は、研磨工程における被研磨物の汚染を抑制する観点から、0atom以上0.1atom以下であることが好ましい。なお、深層部10bは、上記観点からケイ素およびフッ素を含有しないことがより好ましい。研磨層10の深層部10bにおけるケイ素原子濃度およびフッ素原子濃度は、例えば以下のようにして算出することができる。まず、シリコン酸化膜が50nmエッチングされる条件で研磨層10の研磨に供される表面にアルゴンイオンエッチングを行うと、研磨層10の表層部10aが完全に除去される。このようにして得られた被エッチング面は、研磨層10の深層部10bである。次いで、XPSを用いて被エッチング面にX線を照射して、発生した光電子を前記被エッチング面に対して90°の光電子取出し角度で測定することにより、研磨層10の深層部10bにおけるケイ素原子濃度およびフッ素原子濃度を算出することができる。深層部10bは、本願発明の目的を達成することができる限りどのような素材から構成されていてもよい。深層部10bの機能の1つとしては、化学機械研磨時にスラリーを保持することが挙げられる。したがって、深層部10bには、化学機械研磨時において空孔が形成されていることが好ましい。このため、深層部10bは、水溶性粒子が分散された非水溶性マトリックスからなる素材、または空孔が分散された非水溶性マトリックスからなる素材、例えば発泡体等であることが好ましい。1.2.支持層支持層12は、化学機械研磨パッド100において、研磨装置用定盤14に研磨層10を支持するために用いられる。支持層12は、接着層であってもよいし、接着層を両面に有するクッション層であってもよい。接着層は、例えば粘着シートからなることができる。粘着シートの厚さは、50μm~250μmであることが好ましい。50μm以上の厚さを有することで、研磨層10の研磨面20側からの圧力を十分に緩和することができ、250μm以下の厚さを有することで、凹凸の影響を研磨性能に与えない程度に均一な厚みを有する化学機械研磨パッド100が得られる。粘着シートの材質としては、研磨層10を研磨装置用定盤14に固定することができれば特に限定されないが、研磨層10より弾性率の低いアクリル系またはゴム系の材質であることが好ましい。粘着シートの接着強度は、化学機械研磨パッドを研磨装置用定盤14に固定することができれば特に限定されないが、JISZ0237の規格で粘着シートの接着強度を測定した場合、その接着強度が好ましくは3N/25mm以上、より好ましくは4N/25mm以上、特に好ましくは10N/25mm以上である。クッション層は、研磨層10よりも硬度が低い材質からなれば、その材質は特に限定されず、多孔質体発泡体または非多孔質体であってもよい。クッション層としては、例えば、発泡ポリウレタン等を成形した層が挙げられる。クッション層の厚さは、好ましくは0.1mm~5.0mm、より好ましくは0.5mm~2.0mmである。2.化学機械研磨パッドの製造方法本実施の形態に係る化学機械研磨パッドは、例えば研磨層の研磨に供される表面を後述するような特定の材料でコーティングすることにより製造することができる。以下、化学機械研磨パッドの製造方法の一例について説明する。まず、ポリウレタンフォーム等の発泡樹脂ブロックを作製した後、それをスライスする。次いで、切削等の手段によりその発泡樹脂ブロックの表面に凹部を作製した後、さらにその表面にケイ素およびフッ素から選択される少なくとも1種の元素を含有する材料を塗布する。かかる製造方法によれば、研磨層の研磨に供される表面に前記材料が塗布されることで、前述の化学機械研磨パッドを製造することができる。また、本実施の形態に係る化学機械研磨パッドは、ポリウレタンを少なくとも含有する組成物を用意する工程と、金型を用いて前記組成物を成型する工程と、を含む方法によっても製造することができる。ここで、前記金型は、ケイ素およびフッ素から選択される少なくとも1種の元素を含有する材料で被覆されていることが好ましい。かかる製造方法によれば、金型を用いることで、前述の化学機械研磨パッドを効率的に製造することができる。以下、金型を用いた化学機械研磨パッドの製造方法の一例について説明する。まず、研磨層を成型するための金型を用意する。金型の材質は、特に限定されないが、例えば、アルミニウム、炭素鋼、工具鋼、セラミック等が挙げられる。使用する金型の表面形状は、平坦でも構わないが、1.化学機械研磨パッドの項で説明したような公知の凹部形状を成型するための凹部パターンを備えていることが好ましい。金型に凹部パターンを備えることで、成型された研磨層に前記凹部パターンを効率良く転写することができる。前記凹部パターンの形状は、特に限定されず、例えば平面視において螺旋状、環状、格子状等であることができる。前記凹部パターンの平面形状が環状である場合には、該環の直径は1mm~1100mmであることが好ましく、1mm~1000mmであることがより好ましく、2mm~850mmであることが特に好ましい。また、前記凹部パターンの平面形状が螺旋状、環状または格子状である場合には、凹部の幅は0.1mm~5.0mmであることが好ましく、0.2mm~3.0mmであることがより好ましい。凹部の深さは、凹部パターンの形状に拘わらず、0.1mm~2.5mmであることが好ましく、0.2mm~2.0mmであることがより好ましく、0.2mm~1.5mmであることが特に好ましい。これらの凹部パターンは、一本線または一個のみで形成されていてもよいし、二本以上の線または二個以上で形成されていてもよい。また、金型表面の算術表面粗さRaは、金型からの研磨層の剥離性を向上させる観点から、20μm以下であることが好ましく、15μm以下であることがより好ましい。金型表面の算術表面粗さは、例えば光学式表面粗さ測定装置や接触式表面粗さ測定装置等を使用して測定することができる。前記光学式表面粗さ測定装置としては、例えば三次元表面構造解析顕微鏡、走査型レーザー顕微鏡、電子線表面形態解析装置等が挙げられる。前記接触式表面粗さ測定装置としては、例えば触針式表面粗さ計等が挙げられる。次いで、ポリウレタンを少なくとも含有する組成物を用意する。ポリウレタンとしては、特に限定されないが、熱可塑性ポリウレタンを用いることが好ましい。かかる組成物には、必要に応じて水溶性粒子、架橋剤、架橋助剤、有機フィラー、無機フィラー等の添加剤を添加してもよい。次いで、前記金型に前記組成物を充填し、圧縮成型、押出成型等の手段により研磨層を成型する。前記組成物に架橋剤が添加されている場合には、好ましくは160°C~220°C、より好ましくは170°C~210°Cの温度に前記金型をあらかじめ加熱しておき、架橋させて成型すればよい。一方、前記組成物に架橋剤が添加されていない場合には、可塑化した組成物をプレス機または射出成形機で成型し冷却固化させる方法、またはTダイを備えたエクストルーダーを用いて可塑化シート化する方法を用いて成型すればよい。最後に、得られた研磨層のうち少なくとも研磨に供される表面に、ケイ素およびフッ素から選択される少なくとも1種の元素を含有する材料を塗布する。ケイ素およびフッ素から選択される少なくとも1種の元素を含有する材料としては、例えば、シリコン、シリコーン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ケイ酸、炭化ケイ素、ケイ酸塩、ケイ素樹脂、有機シラン、シロキシド、シリルヒドリド、シレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、フッ素樹脂、金属フッ化物、非金属フッ化物から選択される少なくとも1種を含有する組成物が挙げられる。なお、金型を用いる場合には、あらかじめ金型表面に、ケイ素およびフッ素から選択される少なくとも1種の元素を含有する材料を塗布しておき、研磨層の成型と同時に表層部と深層部を作製する方法が効率的であり好ましい。また、使用する金型には、ケイ素およびフッ素から選択される少なくとも1種の元素を含有する材料を塗布する以外の表面処理を任意で行うことができる。任意の表面処理としては、例えば、電気メッキ、溶融メッキ、拡散メッキ、蒸着メッキ、無電解メッキ、溶射、化成処理、火炎焼き入れ、高周波焼き入れ、侵炭、窒化、電子ビーム焼き入れ、レーザー焼き入れ、ショットピーニングが挙げられる。3.化学機械研磨パッドを用いた化学機械研磨方法本実施の形態に係る化学機械研磨方法は、前述の化学機械研磨パッドを用いて化学機械研磨することを特徴とする。前述の化学機械研磨パッドは、研磨層に所定のケイ素原子濃度またはフッ素原子濃度を有する表層部を備えているため、特に深層部の保存安定性に優れ、長期間に亘り保管した場合であっても良好な研磨性能を発揮することができる。本実施の形態に係る化学機械研磨方法は、このような化学機械研磨パッドを用いるため、長期間亘り保管した場合であっても常に一定の研磨性能を発揮することができる。本実施の形態に係る化学機械研磨方法においては、市販の化学機械研磨装置を用いることができる。市販の化学機械研磨装置としては、例えば、型式EPO-112、型式EPO-222以上、株式会社荏原製作所製;型式LGP-510、型式LGP-552以上、ラップマスターSFT社製;型式Mirraアプライドマテリアル社製等が挙げられる。また、スラリーとしては、研磨対象銅膜、絶縁膜、低誘電率絶縁膜等に応じて適宜最適なものを選択することができる。4.実施例4.1.実施例1熱可塑性ポリウレタンBASF社製、商品名エラストラン1174D40質量部、熱可塑性ポリウレタンBASF社製、商品名エラストランNY97A40質量部、水溶性粒子としてβ-サイクロデキストリン塩水港精糖株式会社製、商品名デキシーパールβ-10020質量部を、180°Cに加熱されたルーダーにて混練して熱可塑性ポリウレタン組成物を得た。次いで、幅0.5mm、高さ1.4mm、ピッチ1.5mmの同心円状のリブを有し、表面が約1μmのシリコン系樹脂コーティングが施された材質S55Cの金型を準備した。この金型に得られた組成物を充填し、180°Cで圧縮成型を行うことにより、幅0.5mm、深さ1.4mm、ピッチ1.5mmの凹部を有する、直径845mm、厚さ3.1mmの円盤形状の化学機械研磨パッドを得た。得られた化学機械研磨パッドの表面には、欠けは認められず、成型性は良好であった。前記化学機械研磨パッドの研磨層の研磨に供される表面上の任意の3点において、X線光電子分光装置アルバックファイ社製、型式Quantum2000を用いて測定することにより算出されたケイ素原子濃度およびフッ素原子濃度の平均値を表1に示す。また、X線光電子分光装置内において、前記化学機械研磨パッドの研磨層の研磨に供される表面に対して、加速電圧が5kVの条件で5分間アルゴンイオンエッチングを行った。被エッチング面の任意3点において、X線光電子分光装置を用いて測定することにより算出されたケイ素原子濃度およびフッ素原子濃度の平均値を表1に示す。上記の製造方法により化学機械研磨パッドを2枚作製した。1枚は、成型後大気中で1日放置した後、研磨試験に供した。もう1枚は、成型後ポリエチレンフィルムで包装し、この状態で大気中に500日間放置した後、研磨試験に供した。研磨試験は、これらの化学機械研磨パッドを化学機械研磨装置アプライドマテリアル製、AppliedReflexionLKに装着し、以下の条件で行った。<初期ドレッシング>定盤回転数:120rpm脱イオン水供給量:100mL/分研磨時間:600秒<研磨速度評価>12インチPETEOS膜付きウエハを被研磨体として以下の条件にて化学機械研磨を行った。なお、PETEOS膜とは、テトラエチルシリケートTEOSを原料とし、促進条件としてプラズマを利用した化学気相成長法で成膜した酸化ケイ素膜である。定盤回転数:120rpm研磨ヘッド回転数:36rpm研磨ヘッド押し付け圧:240hPaスラリー供給量:300mL/分研磨時間:60秒スラリー:CMS1101JSR株式会社製前記被研磨体である12インチPETEOS膜付きウエハにつき、直径方向に両端からそれぞれ5mmの範囲を除いて均等にとった33点について化学機械研磨前後のPETEOS膜の厚さを測定した。この測定結果から、下記式2および3により研磨速度を算出した。研磨量nm=研磨前の膜厚nm-研磨後の膜厚nm...2研磨速度nm/分=33点の研磨量の平均値nm/研磨時間分...3研磨速度の評価結果を表1に併せて示す。なお、研磨速度が200nm/分以上である場合には研磨特性が良好であると判断し○と表記した。研磨速度が200nm/分未満である場合には研磨特性が不良であると判断し×と表記した。4.2.実施例2実施例1で用いた金型と同形状、表面無処理の金型を準備し、シリコン化合物を含有するスプレー式の離型剤シルウントザイラッハ社製、商品名パーマリース10をその表面に15g塗布した。この金型を用いること以外は、実施例1と同様にして化学機械研磨パッドを作製した。得られた化学機械研磨パッドのケイ素原子濃度およびフッ素原子濃度、研磨速度の評価結果を表1に示す。4.3.実施例3リブを有していない表面が平坦な金型を準備した。この金型に実施例1で得られた熱可塑性ポリウレタン組成物を充填し、180°Cで圧縮成型し、化学機械研磨パッドの母体を得た。得られた母体をサンダー処理した後、切削加工により凹部を形成することで、幅0.5mm、深さ1.4mm、ピッチ1.5mmの凹部を有する、直径845mm、厚さ3.1mmの円盤形状の化学機械研磨パッドを得た。さらに、得られた化学機械研磨パッドの研磨層の研磨に供される表面に、シリコン化合物を含有するスプレーシルウントザイラッハ社製、商品名パーマリース10を2g噴霧した。このようにして、目的とする化学機械研磨パッドを作製した。得られた化学機械研磨パッドのケイ素原子濃度およびフッ素原子濃度、研磨速度の評価結果を表1に示す。4.4.実施例4シリコン化合物を含有するスプレーシルウントザイラッハ社製、商品名パーマリース10を3g噴霧したこと以外は、実施例3と同様にして化学機械研磨パッドを得た。得られた化学機械研磨パッドのケイ素原子濃度およびフッ素原子濃度、研磨速度の評価結果を表1に示す。4.5.実施例5表面が約5μmのフッ素系樹脂コーティングが施された材質S55Cの金型を使用したこと以外は、実施例1と同様にして化学機械研磨パッドを作製した。得られた化学機械研磨パッドのケイ素原子濃度およびフッ素原子濃度、研磨速度の評価結果を表1に示す。4.6.実施例6フッ素系化合物を含有するスプレー株式会社ネオス製、商品名フリリース20を2g噴霧したこと以外は、実施例3と同様にして化学機械研磨パッドを得た。得られた化学機械研磨パッドのケイ素原子濃度およびフッ素原子濃度、研磨速度の評価結果を表1に示す。4.7.実施例7シリコン化合物およびフッ素化合物を含有するスプレー株式会社ネオス製、商品名フリリース11Fを2g噴霧したこと以外は、実施例3と同様にして化学機械研磨パッドを得た。得られた化学機械研磨パッドのケイ素原子濃度およびフッ素原子濃度、研磨速度の評価結果を表1に示す。4.8.比較例1実施例1で用いた金型と同形状、表面無処理の金型を準備し、シリコン化合物を含有するスプレー式の離型剤シルウントザイラッハ社製、商品名パーマリース90をその表面に5g塗布したこと以外は、実施例1と同様にして化学機械研磨パッドを作製した。得られた化学機械研磨パッドのケイ素原子濃度およびフッ素原子濃度、研磨速度の評価結果を表2に示す。4.9.比較例2シリコン化合物を含有するスプレーシルウントザイラッハ社製、商品名パーマリース10を10g噴霧したこと以外は、実施例3と同様にして化学機械研磨パッドを得た。得られた化学機械研磨パッドのケイ素原子濃度およびフッ素原子濃度、研磨速度の評価結果を表2に示す。4.10.比較例3実施例1で用いた金型と同形状、表面無処理の金型を準備し、フッ素化合物を含有するスプレー式の離型剤株式会社ネオス製、商品名フリリース20をその表面に5g塗布したこと以外は、実施例1と同様にして化学機械研磨パッドを作製した。得られた化学機械研磨パッドのケイ素原子濃度およびフッ素原子濃度、研磨速度の評価結果を表2に示す。4.11.比較例4フッ素系化合物を含有するスプレー株式会社ネオス製、商品名フリリース20を10g噴霧したこと以外は、実施例3と同様にして化学機械研磨パッドを得た。得られた化学機械研磨パッドのケイ素原子濃度およびフッ素原子濃度、研磨速度の評価結果を表2に示す。4.12.比較例5実施例1で用いた金型と同形状、表面無処理の金型を準備し、シリコン化合物およびフッ素化合物を含有するスプレー式離型剤株式会社ネオス製、商品名フリリース11Fをその表面に5g塗布した。この金型を用いること以外は、実施例1と同様にして化学機械研磨パッドを作製した。得られた化学機械研磨パッドのケイ素原子濃度およびフッ素原子濃度、研磨速度の評価結果を表2に示す。4.13.比較例6シリコン化合物を含有するスプレー商品名パーマリース10を噴霧しなかったこと以外は、実施例3と同様にして化学機械研磨パッドを得た。得られた化学機械研磨パッドのケイ素原子濃度およびフッ素原子濃度、研磨速度の評価結果を表2に示す。4.14.評価結果実施例1~実施例7で作製された化学機械研磨パッドによれば、表層部におけるケイ素原子濃度またはフッ素原子濃度が0.5atom以上10atom以下であることにより、500日保存した後の化学機械研磨パッドを用いた研磨特性は良好であった。一方、比較例1、比較例3、比較例5および比較例6で作製された化学機械研磨パッドによれば、表層部におけるケイ素原子濃度またはフッ素原子濃度が0.5atom未満であることにより、500日保存した後の化学機械研磨パッドを用いた研磨特性は不良であった。比較例2および比較例4で作製された化学機械研磨パッドによれば、表層部におけるケイ素原子濃度またはフッ素原子濃度が10atom以上であることにより、1日および500日保存した後の化学機械研磨パッドを用いた研磨特性はいずれも不良であった。以上の結果から、表層部におけるケイ素原子濃度またはフッ素原子濃度が0.5atom以上10atom以下である化学機械研磨パッドは、保存安定性を向上できることが判った。本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。