活性領域を有し、第1六方晶系6mm結晶から構成される第1半導体層と、前記第1半導体層の主面上に形成された、前記第1六方晶系6mm結晶と異なるバンドギャップエネルギーを有する第2六方晶系6mm結晶から構成される第2半導体層とを備え、前記第1半導体層の主面は、前記第1六方晶系結晶のC軸と平行であり、前記第2半導体層の主面は、前記第2六方晶系結晶のC軸と平行であり、前記第2半導体層の上にストライプ状のゲート電極が形成されており、前記活性領域は、前記C軸と垂直方向に108dyn/cm2以下のストレスを受けており、前記ゲート電極の長手方向は、前記第2六方晶系結晶のC軸と垂直であることを特徴とするトランジスタ。前記トランジスタは、電界効果型トランジスタであり、前記活性領域は、チャネル領域であることを特徴とする請求項1に記載のトランジスタ。前記第1半導体層の主面は、前記第1六方晶系結晶のA面から0.1°から10°傾いていることを特徴とする請求項1に記載のトランジスタ。前記第1半導体層の主面は、前記第1六方晶系結晶のM面から0.1°から10°傾いていることを特徴とする請求項1に記載のトランジスタ。前記第1半導体層及び第2半導体層は、InAlGaN1-x-y-z0≦x、y、z≦1かつxyz≦1かつx、y、zは同時に0ではないから構成されることを特徴とする請求項1に記載のトランジスタ。前記トランジスタは、さらに、サファイア基板を備え、前記第1半導体層は、前記サファイア基板のR面上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のトランジスタ。前記トランジスタは、さらに、α-SiC基板を備え、前記第1半導体層は、前記α-SiC基板の11-20面上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のトランジスタ。前記トランジスタは、さらに、GaN基板を備え、前記第1半導体層は、前記GaN基板の11-20面上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のトランジスタ。しかしながら、従来のC面のAlGaN/GaNヘテロ接合は、その分極の効果により、高いシートキャリアを実現できるが、反面、半導体への不純物ドーピングを効果的におこなうことが困難になる。つまり、分極により発生するキャリアが圧倒的多数となってしまうため、微妙なキャリアプロファイルをドーピングによって与えることが難しくなる。よって、例えばC面のAlGaN/GaNヘテロ接合を用いたMODFETにおいては、窒化物半導体の材料特性により耐圧及び飽和閾値電流を高くすることができるが、ピンチオフ電圧の制御が難しいという問題が生じる。このとき、特許文献2においては、A面あるいはM面のヘテロ接合を用いたFETが開示されている。しかしながら、A面あるいはM面を主面とした窒化物半導体層を形成し、ゲート電極の長手方向をC軸と垂直に配置した場合、ゲート電極下方のチャネル領域がC軸と垂直方向にストレスを受け、図8に示されるように、1×1017cm3よりも大きな電荷アンドープのGaNの残留キャリア密度である1016cm3の後半よりも大きな電荷、つまりデバイス特性に影響を与える量の電荷が窒化物半導体層内に発生する。その結果、一様なキャリアプロファイルをドーピングによって与えることが難しくなる。そこで、本発明は、上記課題に鑑み、キャリア密度の精密な制御が可能な半導体装置を提供することを目的とするものである。本発明者らは、上記状況に鑑み、窒化物系半導体材料から構成される半導体装置において、本発明で議論される、C面ではなくC軸を含む面を主面とする半導体層を備える半導体装置でのピエゾ電荷の発生を精密な計算によりはじめて明らかにした。それにより本発明に至ったものである。上記目的を達成するために、本発明の半導体装置は、活性領域を有し、第1六方晶系6mm結晶から構成される第1半導体層と、前記第1半導体層の主面上に形成された、前記第1六方晶系6mm結晶と異なるバンドギャップエネルギーを有する第2六方晶系6mm結晶から構成される第2半導体層とを備え、前記第1半導体層の主面は、前記第1六方晶系結晶のC軸と平行であり、前記第2半導体層の主面は、前記第2六方晶系結晶のC軸と平行であり、前記活性領域の長手方向は、前記第2六方晶系結晶のC軸と平行であることを特徴とする。このような構成にすることにより、半導体層の主面は従来のようにC面ではなくC軸を含む面となり、C面特有の分極の問題がなくなり、半導体層の主面上に形成される材料には、極めて高密度のピエゾ電荷が発生することがなくなるので、キャリア密度の精密な制御が可能な半導体装置を実現することができる。すなわち、不純物ドーピングによって精密なキャリアプロファイルを与えることが可能となり、デバイスの特性を向上させることが可能な半導体装置を実現することができる。また、活性領域がC軸と垂直方向にストレスを受けなくなり、活性領域へのストレスを起因とした局所的なピエゾ電荷の発生を抑えることができる。その結果、キャリア密度の精密な制御が可能な半導体装置を実現することができる。また、活性領域でのピエゾ電荷密度を極めて低くすることができるので、キャリア密度の更に精密な制御が可能な半導体装置を実現することができる。また、前記半導体装置は、半導体レーザ素子であり、前記活性領域は、リッジ部であってもよい。このような構成にすることにより、電極より注入される正孔が半導体層の主面上に形成される材料及びリッジ部において余分なn型キャリアと再結合することがなくなるので、低閾値電圧及び低閾値電流の半導体レーザ素子を実現することができる。また、前記半導体装置は、電界効果型トランジスタであり、前記活性領域は、チャネル領域であってもよい。このような構成にすることにより、ノーマリーオフ型の電界効果型トランジスタを実現することができる。また、前記第1半導体層の主面は、前記第1半導体層の六方晶系結晶のA面から0.1°から10°傾いていてもよい。このような構成にすることで、半導体層の結晶性が向上し、弾性定数マトリクス及び圧電定数マトリクスがより材料本来の数値に近づくため、ピエゾ電荷発生をより完全に抑制することができる。すなわち、キャリア密度の更に精密な制御が可能な半導体装置を実現することができる。また、前記第1半導体層の主面は、前記第1半導体層の六方晶系結晶のM面から0.1°から10°傾いていてもよい。このような構成にすることで、半導体層の結晶性が向上し、弾性定数マトリクス及び圧電定数マトリクスがより材料本来の数値に近づくため、ピエゾ電荷発生をより完全に抑制することができる。すなわち、キャリア密度の更に精密な制御が可能な半導体装置を実現することができる。また、前記第1半導体層及び第2半導体層は、InAlGaN1-x-y-z0≦x、y、z≦1かつxyz≦1かつx、y、zは同時に0ではないから構成されてもよい。このような構成にすることで、結晶の圧電性を極めて顕著に出すことができるようになる。また、前記半導体装置は、さらに、サファイア基板を備え、前記第1半導体層は、前記サファイア基板のR面上に形成されていてもよい。このような構成にすることで、六方晶系6mm結晶から構成され、A面を主面とする半導体層を高品質に成長させることができる。また、前記半導体装置は、さらに、α-SiC基板を備え、前記第1半導体層は、前記α-SiC基板の11-20面上に形成されていてもよい。このような構成にすることで、六方晶系6mm結晶から構成され、A面を主面とする半導体層を高品質に成長させることができる。さらに、放熱特性を良好にすることができる。また、前記半導体装置は、さらに、GaN基板を備え、前記第1半導体層は、前記GaN基板の11-20面上に形成されていてもよい。このような構成にすることで、六方晶系6mm結晶から構成され、A面を主面とする半導体層を極めて高品質に成長させることができる。また、本発明は、活性領域を有し、第1六方晶系6mm結晶から構成される第1半導体層と、前記第1半導体層の主面上に形成された、前記第1六方晶系6mm結晶と異なるバンドギャップエネルギーを有する第2六方晶系6mm結晶から構成される第2半導体層とを備え、前記第1半導体層の主面は、前記第1六方晶系結晶のC軸と平行であり、前記第2半導体層の主面は、前記第2六方晶系結晶のC軸と平行であり、前記活性領域は、前記第2六方晶系結晶のC軸と垂直方向に108dyn/cm2以下のストレスを受けていることを特徴とする半導体装置とすることもできる。ここで、前記活性領域の長手方向は、前記第2六方晶系結晶のC軸と垂直であってもよい。このような構成にすることにより、半導体層の主面は従来のようにC面ではなくC軸を含む面となり、C面特有の分極の問題がなくなり、半導体層の主面上に形成される材料には、極めて高密度のピエゾ電荷が発生することがなくなるので、キャリア密度の精密な制御が可能な半導体装置を実現することができる。すなわち、不純物ドーピングによって精密なキャリアプロファイルを与えることが可能となり、デバイスの特性を向上させることが可能な半導体装置を実現することができる。また、活性領域がC軸と垂直方向にストレスを受けなくなり、活性領域へのストレスを起因とした局所的なピエゾ電荷の発生を抑えることができる。その結果、キャリア密度の精密な制御が可能な半導体装置を実現することができる。また、活性領域でのピエゾ電荷密度を極めて低くすることができるので、キャリア密度の更に精密な制御が可能な半導体装置を実現することができる。また、前記活性領域の長手方向は、前記第2六方晶系結晶のC軸と平行であってもよい。このような構成にすることにより、活性領域へのストレスを起因とした局所的なピエゾ電荷の発生を確実に抑えることができる。その結果、キャリア密度の更に精密な制御が可能な半導体装置を実現することができる。以上説明したように、本発明に係る半導体装置によれば、極めて高濃度なピエゾ電荷の影響を受けず、キャリア密度の精密な制御が可能な半導体装置を実現することができる。よって、不純物ドーピングによって精密なキャリアプロファイルを与えることが可能となり、デバイスの特性を向上させることが可能な半導体装置を実現することができる。また、本発明に係る半導体装置によれば、設計自由度の高い半導体装置を実現することができる。よって、本発明により、キャリア密度の精密な制御が可能なFET及び半導体レーザ素子を提供することが可能となり、高速のFETや低閾値電圧及び低閾値電流の半導体レーザ素子を実現することができ、実用的価値は極めて高い。以下、本発明の実施の形態における半導体装置について、図面を参照しながら説明する。第1の実施の形態図1aは第1の実施の形態のFETの斜視図であり、図1bは同FETの断面図図1aのA-A’線における断面図である。なお、図1aはウエハにおける1つのFETが形成された部分を模式的に示すものである。本実施の形態のFETは、単結晶基板105と、対称性6mmの六方晶系結晶のInAlGaN1-x-y-z0≦x、y、z≦1かつxyz≦1かつx、y、zは同時に0ではないから構成され、エピタキシャル成長法により単結晶基板105の主面上に形成された半導体層101と、半導体層101の主面上に形成されたソース電極102、ドレイン電極103及びゲート電極104とから構成される。単結晶基板105は、例えばR面を主面としたサファイア基板、11-20面を主面としたSiC基板あるいは11-20面を主面としたGaN基板等である。半導体層101は、ゲート電極104下方において活性領域としてのチャネル領域101aを有し、GaN層106及びAlGaN層107から構成される。このとき、AlGaN層107が形成されたGaN層106の主面及びゲート電極104等が形成されたAlGaN層107の主面は、例えばA面あるいはM面であり、それぞれC軸と平行である。つまり、C軸を面内に含む。これにより、AlGaN/GaNヘテロ接合において分極により発生するキャリアが少なくなるので、AlGaN/GaNヘテロ接合のシートキャリアを低くすることができる。すなわち、もともとGaN系材料はC軸方向に大きな自発分極を持っており、またC軸方向に伸び縮みすることによりピエゾ効果による大きな分極が発生するため、C面上の材料には多くのキャリアが蓄積されるが、GaN系材料がC軸を面内に含むような構成にすれば、それを避けることができるのである。なお、GaN層106及びAlGaN層107の面方位の設定は、例えば単結晶基板105の面方位を変化させることによりおこなわれる。ここで、ゲート電極104の長手方向と平行なチャネル領域101aの長手方向図1におけるB方向は、GaN層106及びAlGaN層107におけるC軸方向と平行であり、チャネル領域101aにはピエゾ電荷がほとんど発生しない。これは、半導体層101表面にゲート電極104を形成することにより、ゲート電極104の長手方向と垂直な向きのストレスが発生することに起因する。すなわち、半導体層101が対称性6mmの六方晶系結晶から構成され、チャネル領域101aに加えられるストレスの向き、つまり応力の向きがGaN層106及びAlGaN層107におけるC軸方向と垂直である場合には、ピエゾ電荷の発生が抑えられることに起因する。以下で、C軸方向に対するストレスの向きに依存してピエゾ電荷の発生量が異なることについて、その原理を詳述する。一般に、ピエゾ電荷の発生量は、結晶に加えられるストレスと、物質の弾性定数マトリクス及び圧電定数マトリクスとに基づいて導出される。よって、六方晶系結晶に生じるピエゾ電荷の発生量は、弾性定数マトリクスと圧電定数マトリクスとによって決定付けられることになる。六方晶系結晶の中で特に6mmという対称性を有する結晶の弾性定数マトリクス及び圧電定数マトリクスは、それぞれ以下の1、2のように表現される。弾性定数マトリクス圧電定数マトリクスなお、これらの定数は、図2に示されるような直交座標系に六方晶系結晶を配置した場合の定数である。次に、この定数をZ軸に対して回転させるという座標変換を、変換行列a及びMを用いて行うと、その対称性ゆえ1式及び2式はそれぞれ次の3式及び4式のようになる。C’=MCMT=C3e’=aeMT=e4ここで、つまり、Z軸回りの座標変換では、任意の回転角度に対して、弾性定数マトリクス及び圧電定数マトリクスは、回転前と同一となる。この計算結果は、XY面内に含まれる任意の軸に対して座標変換をおこなった弾性定数マトリクス及び圧電定数マトリクスは、同一になることを示している。このとき、Y軸回りに90°回転させた六方晶系結晶の弾性定数マトリクス及び圧電定数マトリクスがA面やM面のマトリクスとなる。以上述べたことにより、弾性定数マトリクス及び圧電定数マトリクスは、A面及びM面で等しいことがわかる。すなわち、C軸を面内に含む面であれば、弾性定数マトリクス及び圧電定数マトリクスは等しいことがわかる。次に、活性領域にストレスが加えられた場合に活性領域で発生するピエゾ電荷を、A面あるいはM面のマトリクスを用いて有限要素法により計算した。図3a、図4aはFETの拡大斜視図活性領域近辺の斜視図であり、図3bは図3aのA-A’線におけるピエゾ電荷密度の計算結果を示す図であり、図4bは図4aのA-A’線におけるピエゾ電荷密度の計算結果を示す図である。なお、図3は活性領域の長手方向が活性領域におけるC軸方向と平行な場合のピエゾ電荷密度の計算結果を示す図であり、図4は活性領域の長手方向が活性領域におけるC軸方向と垂直な場合のピエゾ電荷密度の計算結果を示す図である。図3に示されるように、ゲート電極131の形成により活性領域130に加えられるストレスの向きが活性領域130におけるC軸方向と直交する場合には、発生するピエゾ電荷は非常に小さく、ほとんどゼロに近いことがわかる。つまり、活性領域の長手方向と活性領域におけるC軸方向とが平行である場合には、ピエゾ電荷の影響が小さくなることがわかる。また、図4に示されるように、ゲート電極131の形成により活性領域130に加えられるストレスの向きが活性領域130におけるC軸方向と平行な場合には、ゲート電極側部の下方に位置する活性領域に、正負のピエゾ電荷が局在するように発生していることがわかる。つまり、活性領域の長手方向と活性領域におけるC軸方向とが直交する場合には、ピエゾ電荷が局所的に発生することがわかる。以上のように、本実施の形態のFETによれば、FETは対称性6mmの六方晶系結晶から構成されるAlGaN/GaNヘテロ接合を用い、AlGaN/GaNヘテロ接合を構成するGaN層106及びAlGaN層107はGaN層106及びAlGaN層107のC軸を面内に含む。よって、従来のAlGaN/GaNヘテロ接合を用いたFETのように高濃度のシートキャリアがヘテロ界面に蓄積されないので、キャリア密度の精密な制御が可能なFETを実現することができる。すなわち、ピンチオフ電圧の精密な制御が可能なノーマリーオフ型のFETを実現することができる。また、FETはAlGaN/GaNヘテロ接合を用いるので、その材料特性により飽和電流が高い超高耐圧のFETを実現することができる。また、本実施の形態のFETによれば、半導体層101は対称性6mmの六方晶系結晶から構成され、半導体層101内のチャネル領域101aの長手方向は、六方晶系結晶におけるC軸方向と平行である。よって、ゲート電極104を形成することによるチャネル領域でのピエゾ電荷の発生を抑えることができるので、キャリア密度の更に精密な制御が可能なFETを実現することができる。なお、AlGaN層107あるいはGaN層106は、その主面がA面あるいはM面より0.1から10°傾いた構造を有していてもよい。これにより、AlGaN層及びGaN層の形成に際しての結晶成長時に高品質な結晶が得られるため、ピエゾ電荷抑制の効果を更に高めることができる。また、半導体層101内のチャネル領域101aの長手方向は、GaN層106及びAlGaN層107におけるC軸方向と平行であるとした。しかし、チャネル領域101aに加えられるストレスの大きさが108dyn/cm2以下であれば、局所的なピエゾ電荷の発生を抑えることができるので、チャネル領域101aの長手方向は、GaN層106及びAlGaN層107におけるC軸方向と垂直であってもよい。第2の実施の形態図5aは第2の実施の形態のFETの斜視図であり、図5bは同FETの断面図図5aのA-A’線における断面図である。なお、図5aはウエハにおける1つのFETが形成された部分を模式的に示すものである。また、図1と同一の要素には同一の符号が付されており、それらに関する詳しい説明はここでは省略する。本実施の形態のFETは、長手方向が六方晶系結晶におけるC軸方向と垂直な活性領域を有するという点で第1の実施の形態のFETとは異なり、単結晶基板105と、対称性6mmの六方晶系結晶から構成され、エピタキシャル成長法により単結晶基板105の主面上に形成された半導体層121と、半導体層121の主面上に形成されたソース電極102、ドレイン電極103及びゲート電極104とから構成される。半導体層121は、ゲート電極104下方において活性領域としてのチャネル領域121aを有し、GaN層106及びAlGaN層107から構成される。このとき、AlGaN層107が形成されたGaN層106の主面及びゲート電極104等が形成されたAlGaN層107の主面は、それぞれGaN層106及びAlGaN層107のC軸を面内に含む。これにより、AlGaN/GaNヘテロ接合において分極により発生するキャリアが少なくなるので、AlGaN/GaNヘテロ接合のシートキャリアを低くすることができる。なお、GaN層106及びAlGaN層107の面方位の設定は、例えば単結晶基板105の面方位を変化させることによりおこなわれる。ここで、チャネル領域121aの長手方向図5におけるD方向はGaN層106及びAlGaN層107におけるC軸方向と垂直であり、チャネル領域121aに加えられるストレスの大きさが108dyn/cm2以上である場合、ゲート電極104の側部の下方に位置するチャネル領域121aには、それぞれ正負のピエゾ電荷が局在するように発生する。これは、ゲート電極104の長手方向と垂直な向きのストレスが発生することに起因する。すなわち、チャネル領域121aに加えられるストレスの向きがGaN層106及びAlGaN層107におけるC軸方向と平行である場合には、局所的にピエゾ電荷が発生することに起因する。従って、チャネル領域121aに加えられるストレスの大きさが108dyn/cm2以下になるように設定される。アンドープGaNの残留キャリア濃度は1016cm3オーダであるので、1017cm3以下の電荷密度はデバイス特性に影響を与えない。そうすると、この108dyn/cm2以下というストレスは、図8に示したように、ストレスの膜厚依存性が小さくなるストレス、つまり例えば2000nm以下という膜厚窒化物半導体層上にゲート電極を覆うように形成された絶縁膜の膜厚で1017cm3以下というデバイス特性に影響を与えない量のピエゾ電荷しか発生しないストレスとなる。このとき、局所的に発生したピエゾ電荷により発生する電界ピエゾ電界の方向は、ドレイン電極103からソース電極102に向かう方向と一致する。以上のように、本実施の形態のFETによれば、第1の実施の形態と同様の理由により、キャリア密度の精密な制御が可能なFETを実現することができる。すなわち、ピンチオフ電圧の精密な制御が可能なノーマリーオフ型のFETを実現することができる。また、飽和電流が高い超高耐圧のFETを実現することができる。また、本実施の形態のFETによれば、半導体層121は対称性6mmの六方晶系結晶から構成され、半導体層121内のチャネル領域121aの長手方向は、六方晶系結晶におけるC軸方向と垂直であり、チャネル領域121aに加えられるストレスの大きさは108dyn/cm2以下である。よって、ゲート電極近傍のチャネル領域において、局所的にピエゾ電荷が発生するのを抑えることができるので、キャリア密度の更に精密な制御が可能なFETを実現することができる。すなわち、ピンチオフ電圧の更に精密な制御が可能なノーマリーオフ型のFETを実現することができる。なお、AlGaN層107あるいはGaN層106は、その主面がA面あるいはM面より0.1から10°傾いた構造を有していてもよい。これにより、AlGaN層及びGaN層の形成に際しての結晶成長時に高品質な結晶が得られるため、ピエゾ電荷抑制の効果を更に高めることができる。第3の実施の形態図6は第3の実施の形態の半導体レーザ素子の構造を示す斜視図である。本実施の形態の半導体レーザ素子は、11-20面を主面としたn型GaN基板146と、対称性6mmの六方晶系結晶のInAlGaN1-x-y-z0≦x、y、z≦1かつxyz≦1かつx、y、zは同時に0ではないから構成され、エピタキシャル成長法によりn型GaN基板146の主面上に形成された半導体層141と、n型GaN基板146の裏面に形成され、例えばTi/Au等から構成されるn型電極147と、半導体層141の主面上に形成され、例えばNi/Pt/Au多層構造を有するp型電極148とから構成される。なお、半導体レーザ素子1個の基板面内サイズは、500μm×300μmリッジ方向が500μmである。半導体層141は、n型GaN基板146の主面上に、SiドープのAl007Ga093N膜厚1μmよりなるn型クラッド層142と、多重量子井戸構造よりなる活性層143と、MgドープのAl007Ga093N膜厚0.5μmよりなるp型クラッド層144と、MgドープのGaN膜厚50nmよりなるp型コンタクト層145とが順次形成されてなり、p型コンタクト層145及びp型クラッド層144の一部が除去されて活性領域としてのストライプ状のリッジ部149が形成されたリッジストライプ構造ストライプ幅1.5μmを有している。このとき、リッジ部149を形成するp型クラッド層144の厚さは200nmであり、リッジ部149の側面およびp型クラッド層144の表面には、図示しないが厚さ200nmのSiO2よりなる絶縁膜が形成されている。また、活性層143が形成されたn型クラッド層142の主面と、p型クラッド層144が形成された活性層143の主面と、p型コンタクト層145が形成されたp型クラッド層144の主面と、p型電極148が形成されたp型コンタクト層145の主面とは、面内に六方晶系結晶のC軸を含む。これにより、AlGaN/GaNヘテロ接合において分極により発生するキャリアを少なくすることができるので、AlGaN/GaNヘテロ接合のシートキャリアを低くすることができる。なお、n型クラッド層142、活性層143、p型クラッド層144及びp型コンタクト層145の面方位の設定は、例えばn型GaN基板146の面方位を変化させることによりおこなわれる。n型GaN基板146、n型クラッド層142、活性層143、p型クラッド層144及びp型コンタクト層145の組成等の具体的な構成については、以下の表1に示す。ここで、リッジ部149は、例えば500μmのリッジ長さと1.5μmのリッジ幅とを有し、リッジ部149のストライプ方向、つまりリッジ部149の長手方向図6におけるE方向は、p型クラッド層144及びp型コンタクト層145におけるC軸方向<0001>と平行であり、リッジ部149にはピエゾ電荷がほとんど発生しない。これは、半導体層141の主面上にp型電極148を形成することにより、リッジ部149の長手方向と垂直な向きのストレスが発生することに起因する。すなわち、半導体層141が対称性6mmの六方晶系結晶から構成され、リッジ部149に加えられるストレスの向きがp型クラッド層144及びp型コンタクト層145におけるC軸方向と垂直である場合には、ピエゾ電荷の発生が抑えられることに起因する。以下で、上記構造を有する半導体レーザ素子以下、サンプルAというの電気的な特性を述べる。レーザ素子の発振波長は405nmである。図7は、電流―電圧特性I-V特性を示す図である。なお、比較のため、n型GaN基板のC面0001面上に、長手方向がp型クラッド層及びp型コンタクト層におけるC軸方向と平行でないリッジ部を有する半導体層が形成された従来の半導体レーザ素子層構造、ストライプ幅はサンプルAと同じ。以下、サンプルBという。の電流―電圧特性も併せて示す。図7に示される結果より、サンプルAはサンプルBよりも閾値電圧及び閾値電流が小さいことがわかる。この閾値電圧及び閾値電流が小さい理由は、以下のように考えられる。すなわち、サンプルAについては、AlGaN/GaNヘテロ接合を構成する層の主面がC軸を面内に含むので、ヘテロ界面に極めて高密度のシートキャリアが蓄積されず、p型電極より注入される正孔がヘテロ界面において余分なn型キャリアと再結合することがなくなる。また同時に、サンプルAについては、リッジ部の長手方向がp型クラッド層及びp型コンタクト層におけるC軸方向と平行であるので、リッジ部にストレスによる余分なn型キャリアが発生しなくなり、p型電極より注入される正孔がリッジ部において余分なn型キャリアと再結合することがなくなる。一方、サンプルBについては、AlGaN/GaNヘテロ接合を構成する層の主面がC面であり、リッジ部の長手方向がp型クラッド層及びp型コンタクト層におけるC軸方向と平行でないので、ヘテロ界面に極めて高密度のシートキャリアが蓄積され、かつリッジ部にストレスによる余分なn型キャリアが発生し、p型電極より注入される正孔がヘテロ界面及びリッジ部において余分なn型キャリアと再結合することになる。よって、サンプルAはサンプルBと比較して、余分なn型キャリアと再結合することがなくなる分、閾値電圧及び閾値電流が小さくなるのである。以上のように、本実施の形態の半導体レーザ素子によれば、半導体レーザ素子は対称性6mmの六方晶系結晶から構成されるAlGaN/GaNヘテロ接合を用い、AlGaN/GaNヘテロ接合を構成する層の主面はC軸を面内に含む。よって、従来のAlGaN/GaNヘテロ接合を用いた半導体レーザ素子のように高濃度のシートキャリアがヘテロ界面に蓄積されないので、キャリア密度の精密な制御が可能な半導体レーザ素子を実現することができる。すなわち、低閾値電圧かつ低閾値電流の半導体レーザ素子を実現することができる。また、本実施の形態の半導体レーザ素子によれば、半導体層141は対称性6mmの六方晶系結晶から構成され、リッジ部149の長手方向は、六方晶系結晶のC軸と平行である。よって、リッジ部149でのストレスによるピエゾ電荷の発生を抑えることができるので、キャリア密度の更に精密な制御が可能な半導体レーザ素子を実現することができる。なお、n型クラッド層142、活性層143、p型クラッド層144及びp型コンタクト層145は、その主面がA面あるいはM面より0.1から10°傾いた構造を有していてもよい。これにより、半導体層形成に際しての結晶成長時に高品質な結晶が得られるため、ピエゾ電荷抑制の効果を更に高めることができる。また、半導体層141が形成される単結晶基板としてn型GaN基板146を例示したが、これに限られず、例えばR面を主面としたサファイア基板あるいは11-20面を主面としたSiC基板等であってもよい。以上、本発明に係る半導体装置について実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変形または修正が可能であることはいうまでもない。例えば、上記実施の形態では、半導体装置として電界効果型トランジスタを例示したが、これに限られない。すなわち、半導体装置は、ショットキーバリアダイオード、バイポーラ型トランジスタをはじめ、LEDやレーザに代表される光デバイスであってもよく、同様の効果が得られる。なお、半導体装置がバイポーラ型トランジスタである場合には、活性領域はベースとなる。