"半導体素子を収容するための半導体用パッケージであって、前記半導体素子が搭載される搭載面を有するパット部と、前記搭載面の法線方向から見て前記パット部と隙間を空けて並んで配置されるとともに前記半導体素子と電気的に接続される接続面を有する電極部と、前記搭載面と前記接続面とを露出させた状態で、前記パット部と前記電極部とを固定する充填樹脂と、を含み、前記パット部には、前記電極部に向けて突出するパット部側突出部が形成されており、前記パット部の前記パット部側突出部が形成された側の部分と前記電極部との間の前記隙間が、前記充填樹脂で充填されている半導体用パッケージ。前記電極部には、前記パット部に向けて突出する電極部側突出部が形成されている請求項1に記載の半導体用パッケージ。前記搭載面の法線方向から見て、前記パット部側突出部と前記電極部側突出部とが、前記パット部側突出部の突出方向と直交する方向において互いに前記隙間を空けて隣接して配置されている請求項2に記載の半導体用パッケージ。前記パット部には、複数の前記パット部側突出部が形成されており、前記搭載面の法線方向から見て隣り合う2つの前記パット部側突出部の間には前記電極部側突出部が配置されている請求項2または3に記載の半導体用パッケージ。前記パット部には、前記電極部に向けて突出する方向の長さが互いに等しい2つの前記パット部側突出部が形成されており、前記2つのパット部側突出部のうち、一方の前記パット部側突出部は前記パット部が前記電極部と対向する部分の一端部に形成されており、他方の前記パット部側突出部は前記パット部が前記電極部と対向する部分の他端部に形成されている請求項4に記載の半導体用パッケージ。前記複数のパット部側突出部の前記電極部に向けて突出する方向の長さは、前記電極部側突出部の前記パット部に向けて突出する方向の長さよりも長い請求項4または5に記載の半導体用パッケージ。前記パット部には、前記電極部に向けて突出する方向の長さが互いに異なる2つの前記パット部側突出部が形成されており、前記2つのパット部側突出部のうち、一方の前記パット部側突出部は前記パット部が前記電極部と対向する部分の一端部に形成されており、他方の前記パット部側突出部は前記パット部が前記電極部と対向する部分の他端部に形成されている請求項4に記載の半導体用パッケージ。前記パット部側突出部、前記電極部側突出部の少なくとも一方の先端部の少なくとも一部は、前記搭載面の法線方向から見て曲線形状である請求項2ないし7のいずれか一項に記載の半導体用パッケージ。前記搭載面の周囲には、前記搭載面に搭載される前記半導体素子から射出される光を前記搭載面の上方に向けて反射する反射面が設けられている請求項1ないし8のいずれか一項に記載の半導体用パッケージ。前記搭載面と前記接続面とは互いに異なる高さに配置されており、前記パッド部の前記パット部側突出部が形成された側の部分は前記接続面の高さまで張り出している請求項9に記載の半導体用パッケージ。前記パット部の前記搭載面とは反対側の面が前記充填樹脂から露出している請求項1ないし10のいずれか一項に記載の半導体用パッケージ。前記充填樹脂が、ナイロン、液晶ポリマー、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂からなる群から選ばれた少なくとも1種以上である請求項1ないし11のいずれか一項に記載の半導体用パッケージ。請求項1ないし12のいずれか一項に記載の半導体用パッケージと、前記搭載面に搭載された半導体素子と、前記半導体素子を封止する封止樹脂と、を含む半導体発光装置。ところで、半導体用パッケージに半導体素子を搭載する際、あるいは半導体用パッケージを半導体基板に実装する際、若しくは半導体用パッケージのリードフレームをカットする際には、半導体用パッケージの一部に応力が加わる。例えば、半導体用パッケージに半導体素子を搭載する際には、半導体用パッケージに対して半導体素子を搭載する方向から押圧力が作用し、半導体用パッケージを保持する支点となる半導体用パッケージの両端部基台とリードフレームとの接続部に応力が集中する。その結果、基台とリードフレームとの接続部にクラックが発生するという問題が生ずる。特許文献1に記載の半導体用パッケージでは、基台とリードフレームとの間に充填樹脂が介在しており、リードフレームの基台と対向する部分が平面視直線状になっている。そのため、半導体用パッケージの両端部に応力が集中すると、リードフレームの基台と対向する部分に沿って応力が伝達する。これにより、当該リードフレームの基台と対向する部分と充填樹脂との界面に沿ってクラックが発生することがある。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、半導体用パッケージにクラックが発生することを抑制することが可能な半導体用パッケージ及び半導体発光装置を提供することを目的とする。上記の目的を達成するために、本発明の半導体用パッケージは、半導体素子を収容するための半導体用パッケージであって、前記半導体素子が搭載される搭載面を有するパット部と、前記搭載面の法線方向から見て前記パット部と隙間を空けて並んで配置されるとともに前記半導体素子と電気的に接続される接続面を有する電極部と、前記搭載面と前記接続面とを露出させた状態で、前記パット部と前記電極部とを固定する充填樹脂と、を含み、前記パット部には、前記電極部に向けて突出するパット部側突出部が形成されており、前記パット部の前記パット部側突出部が形成された側の部分と前記電極部との間の前記隙間が、前記充填樹脂で充填されていることを特徴とする。本発明においては、前記電極部には、前記パット部に向けて突出する電極部側突出部が形成されていることを特徴とする。本発明においては、前記搭載面の法線方向から見て、前記パット部側突出部と前記電極部側突出部とが、前記パット部側突出部の突出方向と直交する方向において互いに前記隙間を空けて隣接して配置されていることを特徴とする。本発明においては、前記パット部には、複数の前記パット部側突出部が形成されており、前記搭載面の法線方向から見て隣り合う2つの前記パット部側突出部の間には前記電極部側突出部が配置されていることを特徴とする。本発明においては、前記パット部には、前記電極部に向けて突出する方向の長さが互いに等しい2つの前記パット部側突出部が形成されており、前記2つのパット部側突出部のうち、一方の前記パット部側突出部は前記パット部が前記電極部と対向する部分の一端部に形成されており、他方の前記パット部側突出部は前記パット部が前記電極部と対向する部分の他端部に形成されていることを特徴とする。本発明においては、前記複数のパット部側突出部の前記電極部に向けて突出する方向の長さは、前記電極部側突出部の前記パット部に向けて突出する方向の長さよりも長いことを特徴とする。本発明においては、前記パット部には、前記電極部に向けて突出する方向の長さが互いに異なる2つの前記パット部側突出部が形成されており、前記2つのパット部側突出部のうち、一方の前記パット部側突出部は前記パット部が前記電極部と対向する部分の一端部に形成されており、他方の前記パット部側突出部は前記パット部が前記電極部と対向する部分の他端部に形成されていることを特徴とする。本発明においては、前記パット部側突出部、前記電極部側突出部の少なくとも一方の先端部の少なくとも一部は、前記搭載面の法線方向から見て曲線形状であることを特徴とする。本発明においては、前記搭載面の周囲には、前記搭載面に搭載される前記半導体素子から射出される光を前記搭載面の上方に向けて反射する反射面が設けられていることを特徴とする。本発明においては、前記搭載面と前記接続面とは互いに異なる高さに配置されており、前記パッド部の前記パット部側突出部が形成された側の部分は前記接続面の高さまで張り出していることを特徴とする。本発明においては、前記パット部の前記搭載面とは反対側の面が前記充填樹脂から露出していることを特徴とする。本発明においては、前記充填樹脂が、ナイロン、液晶ポリマー、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂からなる群から選ばれた少なくとも1種以上であることを特徴とする。本発明の半導体発光装置は、前記半導体用パッケージと、前記搭載面に搭載された半導体素子と、前記半導体素子を封止する封止樹脂と、を含むことを特徴とする。本発明によれば、半導体用パッケージにクラックが発生することを抑制することが可能な半導体用パッケージ及び半導体発光装置を提供することができる。以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせてある。また、以下の説明及び図面中、同一又は相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。第1実施形態図1は、本発明の第1実施形態の半導体発光装置1を示す模式図である。図1aは半導体発光装置1の斜視図であり、図1bは半導体発光装置1の平面図であり、図1cは半導体発光装置1の底面図である。なお、以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向すなわち鉛直方向をZ軸方向とする。図では、水平面内において直方体形状の半導体発光装置1の短手方向をX方向、半導体発光装置1の長手方向をY方向、半導体素子20の搭載面11aの法線方向をZ方向、として図示している図1a~図1cに示すように、半導体発光装置1は、半導体用パッケージ10と、半導体素子20と、封止樹脂30と、を備えて構成されている。半導体発光装置1は、直方体形状であり、上方に光を射出するように構成されている。例えば、半導体発光装置1は、液晶表示装置のバックライト光源、照明分野等のライトユニットに適用される。なお、半導体発光装置1の形状は、直方体形状に限らず、コーナー部にRをつけたり、平面視楕円形状にしたりする等、種々の形状を採用することができる。半導体用パッケージ10は、半導体素子20を収容するためのものである。半導体用パッケージ10は、パット部11と、電極部12と、充填樹脂13と、を備えて構成されている。例えば、半導体素子20としては、LED等の発光素子、照度センサー、CMOSやCCD等のイメージセンサー素子等の種々の半導体素子が用いられる。パット部11は、半導体素子20を搭載する搭載面11aを有する。パット部11は、半導体素子20が搭載される基台となるものである。搭載面11aには、半導体素子20に接続されたワイヤー22の一端が接続される。例えば、パット部11は、鉄Fe、スズSn、クロムCr、亜鉛Zn、ニッケルNi、アルミニウムAl、銀Ag、金Au、銅Cu等の金属、またはこれらの金属のうち少なくとも1つを含む合金からなる。図2は、本発明の第1実施形態の半導体用パッケージ10を示す模式図である。図2aは半導体用パッケージ10の平面図であり、図2bは図2aのA-A線に沿った断面図であり、図2cは図2aのB-B線に沿った断面図である。図2aに示すように、電極部12は、搭載面11aの法線方向Z方向から見て、パット部11と隙間40を空けて並んで配置されている。電極部12は、半導体用パッケージ10の長手方向においてパット部11の一方側Y方向側に1つ配置されている。電極部12は、半導体素子20と電気的に接続する接続面12aを有する。接続面12aには、半導体素子20に接続されたワイヤー21の一端が接続される図1a参照。充填樹脂13は、搭載面11aと接続面12aとを上方に露出させた状態で、パット部11と電極部12とを固定する。充填樹脂13は、パット部11と電極部12とが導通しないようパット部11と電極部12とを所定間隔だけ離間させた状態で絶縁して固定するものである。充填樹脂13は直方体形状であり、搭載面11aと接続面12aとを露出する部分にY方向に長手を有する長穴が開いている。例えば、充填樹脂13は、射出機により、パット部11の半導体素子20の搭載面11aや電極部12の接続面12aを除いた部分を樹脂が覆うように設置された型枠内に樹脂材料を射出する。これにより、充填樹脂13は、パット部11及び電極部12の一部を埋設するように形成される。充填樹脂13の形成材料としては、耐熱性に優れた樹脂材料を用いる。例えば、充填樹脂13の形成材料としては、ナイロン脂肪族骨格を含むポリアミド、液晶ポリマー、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂からなる群から選ばれた少なくとも1種以上の樹脂材料を用いる。なお、充填樹脂13の形状は、直方体形状に限らず、コーナー部にRをつけたり、平面視楕円形状にしたりする等、種々の形状を採用することができる。パット部11には、電極部12に向けて突出するパット部側突出部111が形成されている。一方、電極部12には、パット部11に向けて突出する電極部側突出部121が形成されている。本実施形態において、パット部11には、2つのパット部側突出部111が形成されている。搭載面11aの法線方向Z方向から見て、隣り合う2つのパット部側突出部111の間には1つの電極部側突出部121が配置されている。半導体発光装置1の短手方向X方向から見て、2つのパット部側突出部111の先端部と電極部側突出部121の先端部とが互いに重なるように配置されている。電極部12の電極部側突出部121が形成された側とは反対側には、電極部12本体からY方向に延び出た2つの脚部122が形成されている。これら脚部122の一部は、充填樹脂13の一部を貫通して外部に露出している。例えば、脚部122は、半導体発光装置1を図示しない半導体基板に搭載する際の接続端子として機能する。図2b、図2cに示すように、パット部11の搭載面11aと電極部12の接続面12aとは互いに異なる高さに配置されている。本実施形態において、搭載面11aは接続面12aよりも低い位置に配置されている。パット部11のパット部側突出部111が形成された側の部分は、接続面12aの高さまで張り出している。パット部11は、搭載面11aの周囲を囲む側壁部11bと、側壁部11bの外縁部に形成された水平縁部11cと、を有する。側壁部11bは、搭載面11aの全周縁に環状に形成されている。例えば、側壁部11bの表面には、金、銀、アルミニウム、ニッケル等の金属材料によるメッキ処理が施されている。これにより、側壁部11bの表面は、半導体素子20から射出される光を搭載面11aの上方に向けて反射する反射面として機能する。水平縁部11cは接続面12aと同じ高さに配置されている。パット部11の形状は、搭載面11aと側壁部11bとにより凹状をなしている。このように、パット部11は半導体素子20を搭載する部分が凹状に形成されている。例えば、パット部11を凹状にする方法としては、パット部11の搭載面11aとなる部分に絞り加工を施す方法が挙げられる。パット部11の搭載面11aと反対側の面11d以下、パット部11の裏面11dというは、充填樹脂13から露出している。パット部11の裏面11dは、充填樹脂13の裏面13aと面一に表出されている。図3は、本実施形態の半導体用パッケージ10におけるパット部11のパット部側突出部111が形成された側の部分の拡大図である。図3において、符号CLは、半導体用パッケージ10のY方向に沿う中心線である。符号Lは、パット部側突出部111の電極部12に向けて突出する方向の長さパット部側突出部111がパット部11から電極部12に向けて突出するY方向に平行な長さである。なお、図3においては、便宜上、パット部11及び電極部12のみを図示し半導体用パッケージ10の他の構成要素の図示を省略している。図3に示すように、パット部11には、電極部12に向けて突出する方向の長さLが互いに等しい2つのパット部側突出部111が形成されている。2つのパット部側突出部111のうち、一方のパット部側突出部111図中上側のパット部側突出部111は、パット部11が電極部12と対向する部分の一端部-X方向側の端部に形成されている。他方のパット部側突出部111図中下側のパット部側突出部111は、パット部11が電極部12と対向する部分の他端部X方向側の端部に形成されている。電極部12には、パット部11に向けて突出する1つの電極部側突出部121が形成されている。電極部側突出部121は、電極部12がパット部11と対向する部分の中央部に形成されている。電極部側突出部121は、先端部が2つのパット部側突出部111の間に配置されている。本実施形態においては、搭載面11aの法線方向から見て、パット部側突出部111と電極部側突出部121とが、パット部側突出部111の突出方向と直交する方向X方向において互いに隙間40を空けて隣接して形成されている。言い換えると、X方向から見て、2つのパット部側突出部111の先端部と電極部側突出部121の先端部とが互いに重なるように配置されている。本実施形態においては、パット部11と電極部12との接続部が中心線CLに対して線対称になっている。図4は、比較例の半導体用パッケージにおけるパット部1011と電極部1012との接続部の拡大図である。なお、図4においては、便宜上、パット部1011及び電極部1012のみを図示し半導体用パッケージの他の構成要素の図示を省略している。図4に示すように、比較例においては、パット部1011と電極部1012との間の隙間1040が図示しない充填樹脂で充填されている。パット部1011の電極部1012と対向する側の部分1011a、電極部1012のパット部1011と対向する側の部分1012aはそれぞれ平面視直線状になっている。ところで、半導体用パッケージに半導体素子を搭載する際には、半導体用パッケージに対して半導体素子を搭載する方向から押圧力が作用し、半導体用パッケージを保持する支点となる半導体用パッケージの両端部パット部1011と電極部1012との接続部に応力が集中する。その結果、パット部1011と電極部1012との接続部にクラックが発生するという問題が生ずる。例えば、比較例の半導体用パッケージでは、パット部1011と電極部1012との間の隙間1040に充填樹脂が介在しており、パット部1011の電極部1012と対向する側の部分1011a、電極部1012のパット部1011と対向する側の部分1012aはそれぞれ平面視直線状になっている。そのため、半導体用パッケージの両端部に応力が集中すると、パット部1011の電極部1012と対向する側の部分1011a、電極部1012のパット部1011と対向する側の部分1012aに沿って応力が伝達する。これにより、当該パット部1011の電極部1012と対向する側の部分1011aと充填樹脂との界面、電極部1012のパット部1011と対向する側の部分1012aと充填樹脂との界面、に沿ってクラックが発生することがある。クラックは、パット部1011と充填樹脂との界面及び電極部1012と充填樹脂との界面に沿って形成されやすい。クラックは、充填樹脂の短手方向一端側-X方向側から短手方向他端側X方向側に向けて直線的に形成されるため、比較例の半導体用パッケージのようにパット部1011と充填樹脂との界面及び電極部1012と充填樹脂との界面がいずれも直線状に形成されていると、クラックが充填樹脂の短手方向に沿って容易に形成されてしまう。これに対し、本実施形態の半導体用パッケージ10のように、パット部11と充填樹脂13との界面及び電極部12と充填樹脂13との界面が充填樹脂13の短手方向X方向に対して蛇行して形成されていると、クラックが充填樹脂13の短手方向に沿って形成されにくくなる。また、本実施形態の半導体用パッケージ10では、パット部側突出部111と電極部側突出部121とが充填樹脂13の短手方向に沿って互いに隙間40を空けて隣接して形成されている。このため、充填樹脂13の一部にクラックが発生し、クラックが充填樹脂13の短手方向に成長しようとしても、その成長方向に配置された剛性の高いパット部11や電極部12によってクラックの成長が抑制され、充填樹脂13の短手方向全体にクラックが形成されることが抑制される。このように、本実施形態の半導体用パッケージ10によれば、半導体素子20の搭載時などに半導体用パッケージ10に応力が加わっても半導体パッケージ10にクラックが形成されにくい。そのため、歩留まりの高い半導体用パッケージ10が提供される。また、本実施形態の半導体用パッケージ10によれば、次のような効果も得られる。本実施形態の半導体用パッケージ10においては、互いに同じ長さLを有する2つのパット部側突出部111が、パット部11が電極部12と対向する部分の両端部に形成されている。このため、パット部11と電極部12との接続部の強度バランスを高めることができる。また、搭載面11aの周囲を囲む側壁部11bの表面には、金属材料によるメッキ処理が施されている。このため、半導体素子20から斜めに射出される光を搭載面11aの上方に向けて反射させることができる。仮に、搭載面が接続面と同じ高さに配置される構成であると、半導体素子20から斜めに射出される光は充填樹脂13によって搭載面11aの上方に向けて反射されるが、長期間使用した場合、充填樹脂13が劣化により変色し、光の取り出し効率が悪くなる可能性がある。これに対し、本実施形態においては、搭載面11aが接続面12aよりも低い位置に配置されているため、半導体素子20から斜めに射出された光は、金属材料によるメッキ処理が施された側壁部11bによって搭載面11aの上方に向けて反射されるが、側壁部11bはメッキ処理が施されているため、長時間使用した場合の変色を抑制することができる。よって、半導体素子20から射出される光を効率良く取り出すことができる。パット部11の裏面11dが充填樹脂13から露出しているため、半導体素子20の駆動中に発生する熱がパット部11を介して外部に放熱される。このため、半導体素子20に発生する熱が充填樹脂13内にこもることを抑制することができる。よって、半導体素子20に生じる熱を外部に効率良く放熱することができる。また、充填樹脂13として、ナイロン、液晶ポリマー、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂からなる群から選ばれた少なくとも1種以上の樹脂材料を用いるため、耐熱性に優れた半導体用パッケージ10を提供することができる。また、本実施形態の半導体発光装置1によれば、前記半導体用パッケージ10を備えるため、半導体用パッケージ10にクラックが発生することを抑制することが可能な半導体発光装置1を提供することができる。第2実施形態図5は、図1aに対応した、本発明の第2実施形態の半導体発光装置2を示す斜視図である。本実施形態の半導体発光装置2は、半導体用パッケージ10に替えて半導体用パッケージ10Aを備えている点が上述の第1実施形態に係る半導体発光装置1と異なっている。その他の点は上述の構成と同様であるので、図1aと同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。図5に示すように、半導体発光装置2は、半導体用パッケージ10Aと、半導体素子20と、封止樹脂30と、を備えて構成されている。半導体用パッケージ10Aは、パット部11Aと、電極部12Aと、充填樹脂13Aと、を備えて構成されている。図6は、図2aに対応した、本実施形態の半導体用パッケージ10Aを示す平面図である。なお、図6において、符号CPは、平面視における半導体用パッケージ10Aの中心点である。図6に示すように、電極部12Aは、搭載面11Aaの法線方向Z方向から見て、パット部11Aと隙間40を空けて並んで配置されている。電極部12Aは、半導体用パッケージ10Aの長手方向においてパット部11Aの両側Y方向側、-Y方向側に1つずつ配置されており、計2つ配置されている。電極部12は、半導体素子20と電気的に接続する接続面12Aaを有する。図5に戻り、Y方向側に配置された電極部12Aの接続面12Aaには、半導体素子20に接続されたワイヤー21の一端が接続される。一方、-Y方向側に配置された電極部12Aの接続面12Aaには、半導体素子20に接続されたワイヤー22の一端が接続される。充填樹脂13Aは、搭載面11Aaと接続面12Aaとを上方に露出させた状態で、パット部11Aと電極部12Aとを固定する。パット部11Aには、電極部12に向けて突出する2つのパット部側突出部111A,112Aが形成されている。一方、電極部12Aには、パット部11Aに向けて突出する1つの電極部側突出部121Aが形成されている。搭載面11Aaの法線方向Z方向から見て、パット部側突出部111Aとパット部側突出部112Aとの間には電極部側突出部121Aが配置されている。半導体発光装置1の短手方向X方向から見て、パット部側突出部111Aの先端部と電極部側突出部121とが互いに重なるように、パット部側突出部112Aの先端部と電極部側突出部121Aの先端部とが互いに重なるように配置されている。電極部12Aの電極部側突出部121Aが形成された側とは反対側には、電極部12A本体からY方向に延び出た脚部122Aが形成されている。パット部側突出部112Aの先端部と脚部122Aの一部は、充填樹脂13の一部を貫通して外部に露出している。例えば、パット部側突出部112A及び脚部122Aは、半導体発光装置2を半導体基板に搭載する際の接続端子として機能する。本実施形態においては、パット部11Aと電極部12Aとの接続部が中心点CPに対して点対称になっている。図7は、図3に対応した、パット部11Aのパット部側突出部111A,112Aが形成された側の部分の拡大図である。図7において、符号CLは、半導体用パッケージ10AのY方向に沿う中心線である。符号L1は、パット部側突出部111Aの電極部12Aに向けて突出する方向の長さパット部側突出部111Aがパット部11Aから電極部12Aに向けて突出するY方向に平行な長さであり、符号L2は、パット部側突出部112Aの電極部12Aに向けて突出する方向の長さパット部側突出部112Aがパット部11Aから電極部12Aに向けて突出するY方向に平行な長さである。なお、図7においては、便宜上、パット部11A及び電極部12Aのみを図示し半導体用パッケージ10Aの他の構成要素の図示を省略している。図7に示すように、パット部11Aには、電極部12Aに向けて突出する方向の長さが互いに異なる2つのパット部側突出部111A,112Aが形成されている。ここでは、2つのパット部側突出部のうち、相対的に電極部12Aに向けて突出する方向の長さが短い方を第1パット部側突出部111Aとし、相対的に電極部12Aに向けて突出する方向の長さが長い方を第2パット部側突出部112Aとする。図6に戻り、半導体用パッケージ10AのY方向側の接続部において、第1パット部側突出部111Aは、パット部11Aが電極部12Aと対向する部分の一端部-X方向側の端部に形成されている。第2パット部側突出部112Aは、パット部11Aが電極部12Aと対向する部分の他端部X方向側の端部に形成されている。一方、半導体用パッケージ10Aの-Y方向側の接続部において、第1パット部側突出部111Aは、パット部11Aが電極部12Aと対向する部分の一端部X方向側の端部に形成されている。第2パット部側突出部112Aは、パット部11Aが電極部12Aと対向する部分の他端部-X方向側の端部に形成されている。電極部12Aには、パット部11Aに向けて突出する1つの電極部側突出部121Aが形成されている。電極部側突出部121Aは、先端部が第1パット部側突出部111Aと第2パット部側突出部112Aとの間に配置されている。本実施形態においては、X方向から見て、第1パット部側突出部111Aの先端部と電極部側突出部121Aの先端部とが互いに重なるように、かつ、第2パット部側突出部112Aの先端部と電極部側突出部121Aの先端部とが互いに重なるように、配置されている。なお、本実施形態においては、パット部11Aと電極部12Aとの接続部が中心線CLに対して線対称になっていない。本実施形態の半導体用パッケージ10Aによれば、パット部11Aと電極部12Aとの接続部が図7に示す中心線CLに対して線対称となっておらず-X方向側とX方向側とで非対称になっている。このため、パット部11Aと電極部12Aとの接続部が中心線に対して-X方向側とX方向側とで対称になっている構成に比べて、充填樹脂13を射出形成する際に形成されるウエルドラインの位置が中心線CLからずれやすくなる。ウエルドラインの位置が中心線CLに沿って形成されると、半導体パッケージ10Aの充填樹脂13の厚みが薄いため、強度が劣る。しかしながら、本実施形態においては、ウエルドラインが形成される部分をパット部11Aと電極部12Aとの接続部の非対称性に基づいて調整すれば、当該接続部全体として接合強度を大きくすることができる。例えば、本実施形態においてはウエルドラインが形成される部分を中心線CLからずらすことにより、半導体パッケージ10Aの充填樹脂13の厚みが厚くなるため、強度を大きくすることができる。また、ウエルドラインが形成される部分を前記接続部において隙間40が形成されていない部分第2パット部側突出部112Aに平面視重なるように配置すれば、ウエルドラインが形成される部分を前記接続部において隙間40が形成された部分第1パット部側突出部111Aと電極部12Aとの接続部分に平面視重なるように配置する構成に比べて、前記接続部全体として接合強度を大きくすることができる。さらに、第2パット部側突出部112Aが充填樹脂13の一部を突き抜けており、途中に隙間40が形成される構成となっていない。つまり、半導体用パッケージ10Aの短手方向X方向から見て、隙間40の部分がない構成となっている。このため、半導体用パッケージ10Aの両端部に応力が集中した場合に、当該応力が隙間40の部分に沿って伝達することを抑制することができる。よって、半導体用パッケージ10Aにクラックが発生することを抑制することが可能な半導体用パッケージ10Aを提供することができる。第3実施形態図8は、図1aに対応した、本発明の第3実施形態の半導体発光装置3を示す斜視図である。本実施形態の半導体発光装置3は、半導体用パッケージ10に替えて半導体用パッケージ10Bを備えている点が上述の第1実施形態に係る半導体発光装置1と異なっている。その他の点は上述の構成と同様であるので、図1aと同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。図8に示すように、半導体発光装置3は、半導体用パッケージ10Bと、半導体素子20と、封止樹脂30と、を備えて構成されている。半導体用パッケージ10Bは、パット部11Bと、電極部12Bと、充填樹脂13Bと、を備えて構成されている。図9は、図2aに対応した、本実施形態の半導体用パッケージ10Bを示す平面図である。図9に示すように、電極部12Bは、搭載面11Baの法線方向Z方向から見て、パット部11Bと隙間40を空けて並んで配置されている。電極部12Bは、半導体用パッケージ10Bの長手方向においてパット部11Bの両側Y方向側、-Y方向側に1つずつ配置されており、計2つ配置されている。電極部12Bは、半導体素子20と電気的に接続する接続面12Baを有する。図8に戻り、Y方向側に配置された電極部12Bの接続面12Baには、半導体素子20に接続されたワイヤー21の一端が接続される。一方、-Y方向側に配置された電極部12Bの接続面12Baには、半導体素子20に接続されたワイヤー22の一端が接続される。充填樹脂13Bは、搭載面11Baと接続面12Baとを上方に露出させた状態で、パット部11Bと電極部12Bとを固定する。パット部11Bには、電極部12Bに向けて突出する2つのパット部側突出部111Bが形成されている。一方、電極部12Bには、パット部11Bに向けて突出する1つの電極部側突出部121Bが形成されている。搭載面11Baの法線方向Z方向から見て、2つのパット部側突出部111Bの間には電極部側突出部121B電極部12Bが配置されている。電極部12Bの電極部側突出部121Bが形成された側とは反対側には、電極部12B本体からY方向に延び出た脚部122Bが形成されている。パット部側突出部111Bの先端部と脚部122Bとは、充填樹脂13の一部を貫通して外部に露出している。例えば、脚部122Bは、半導体発光装置3を半導体基板に搭載する際の接続端子として機能する。図10は、図3に対応した、半導体用パッケージ10Bにおけるパット部11Bのパット部側突出部111Bが形成された側の部分の拡大図である。図10において、符号CLは、半導体用パッケージ10BのY方向に沿う中心線である。符号L3は、パット部側突出部111Bの電極部12Bに向けて突出する方向の長さパット部側突出部111Bがパット部11Bから電極部12Bに向けて突出するY方向に平行な長さであり、符号L4は、電極部側突出部121Bのパット部11Bに向けて突出する方向の長さ電極部側突出部121Bが電極部12Bからパット部11Bに向けて突出するY方向に平行な長さである。なお、図10においては、便宜上、パット部11B及び電極部12Bのみを図示し半導体用パッケージ10Bの他の構成要素の図示を省略している。図10に示すように、パット部11Bには、電極部12Bに向けて突出する方向の長さが互いに等しい2つのパット部側突出部111Bが形成されている。2つのパット部側突出部111Bのうち、一方のパット部側突出部111B図中上側のパット部側突出部111Bは、パット部11Bが電極部12Bと対向する部分の一端部-X方向側の端部に形成されている。他方のパット部側突出部111B図中下側のパット部側突出部111Bは、パット部11Bが電極部12Bと対向する部分の他端部X方向側の端部に形成されている。電極部12Bには、パット部11Bに向けて突出する1つの電極部側突出部121Bが形成されている。電極部側突出部121Bは、電極部12Bがパット部11Bと対向する部分の中央部に形成されている。電極部側突出部121Bは、全体が2つのパット部側突出部111Bの間に配置されている。本実施形態においては、2つのパット部側突出部の電極部12Bに向けて突出する方向の長さL3は、電極部側突出部121Bのパット部11Bに向けて突出する方向の長さL4よりも長くなっているL3>L4。本実施形態においては、パット部11Bと電極部12Bとの接続部が中心線CLに対して線対称になっている。本実施形態の半導体用パッケージ10Bによれば、2つのパット部側突出部111Bが充填樹脂13Bの一部を突き抜けており、途中に隙間40が形成される構成となっていない。つまり、半導体用パッケージ10Bの短手方向-X方向及びX方向の双方向から見て、隙間40の部分がない構成となっている。このため、半導体用パッケージ10Bの両端部に応力が集中した場合に、当該応力が隙間40の部分に沿って伝達することをより確実に抑制することができる。第4実施形態図11は、図1aに対応した、本発明の第4実施形態の半導体発光装置4を示す斜視図である。本実施形態の半導体発光装置4は、半導体用パッケージ10に替えて半導体用パッケージ10Cを備えている点が上述の第1実施形態に係る半導体発光装置1と異なっている。その他の点は上述の構成と同様であるので、図1aと同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。図11に示すように、半導体発光装置4は、半導体用パッケージ10Cと、半導体素子20と、封止樹脂30と、を備えて構成されている。半導体用パッケージ10Cは、パット部11Cと、電極部12と、充填樹脂13Cと、を備えて構成されている。図12は、図2に対応した、本実施形態の半導体用パッケージ10Cを示す模式図である。図12aは、図2aに対応した、本実施形態の半導体用パッケージ10Cを示す平面図である。図12bは図12aのC-C線に沿った断面図であり、図12cは図12aのD-D線に沿った断面図である。図12a~図12cに示すように、パット部11Cの搭載面11Caの周囲には、反射面11CRが形成されている。反射面11CRは、半導体素子20から射出される光を搭載面11Caの上方に向けて反射する。例えば、反射面11CRは、パット部11Cの側壁部11Cbにおいて斜め上方に突出した部分の内壁面である。なお、当該内壁面に金、銀、アルミニウム、ニッケル等の金属材料によるメッキ処理を施してもよい。本実施形態の半導体用パッケージ10Cによれば、搭載面11Caの周囲に反射面11CRが形成されているため、半導体素子20から斜め方向に射出される光を搭載面11Caの上方に向けて反射させることができる。よって、半導体素子20から射出される光を効率良く取り出すことができる。半導体用パッケージの第1変形例図13aは、図2aに対応した、本発明の半導体用パッケージの第1変形例を示す平面図である。なお、図13aにおいて、符号CL1は、半導体用パッケージ10DのY方向に沿う中心線である。符号CL2は、半導体用パッケージ10DのX方向に沿う中心線である。図13aに示すように、本変形例の半導体用パッケージ10Dは、パット部11Dと、電極部12と、充填樹脂13Dと、を備えて構成されている。上述の第1実施形態に係る半導体用パッケージ10においては、電極部12が半導体用パッケージ10の長手方向においてパット部11の一方側Y方向側に1つのみ配置されていた。これに対し、本変形例に係る半導体用パッケージ10Dにおいては、電極部12が半導体用パッケージ10Dの長手方向においてパット部11Dの両側Y方向側、-Y方向側に1つずつ配置されており、計2つ配置されている。また、パット部11Dと電極部12との接続部が中心線CL1に対して線対称になっていることに加え、パット部11Dと電極部12との接続部が中心線CL2に対しても線対称になっている。本変形例の半導体用パッケージ10Dにおいても、半導体用パッケージ10Dにクラックが発生することを抑制することができる。半導体用パッケージの第2変形例図13bは、図6に対応した、本発明の半導体用パッケージの第2変形例を示す平面図である。なお、図13bにおいて、符号CPは、平面視における半導体用パッケージ10Eの中心点である。符号CL2は、半導体用パッケージ10EのX方向に沿う中心線である。図13bに示すように、本変形例の半導体用パッケージ10Eは、パット部11Eと、電極部12A,12Eと、充填樹脂13Eと、を備えて構成されている。上述の第2実施形態に係る半導体用パッケージ10Aにおいては、パット部11Aと電極部12Aとの接続部が中心点CPに対して点対称になっていた。これに対し、本変形例に係る半導体用パッケージ10Eにおいては、パット部11Eと電極部12A,12Eとの接続部が中心点CPに対して点対称になっていない。しかしながら、パット部11Eと電極部12A,12Eとの接続部が中心線CL2に対して線対称になっている。本変形例の半導体用パッケージ10Eにおいても、半導体用パッケージ10Eにクラックが発生することを抑制することができる。半導体用パッケージの第3変形例図13cは、図6に対応した、本発明の半導体用パッケージの第3変形例を示す平面図である。図13cに示すように、本変形例に係る半導体用パッケージ10Fは、パット部11Fと、電極部12,12Aと、充填樹脂13Fと、を備えて構成されている。半導体用パッケージ10Fは、第1実施形態に係る電極部12及び第2実施形態に係る電極部12Aの2つの電極部を備えている。本変形例の半導体用パッケージ10Fにおいても、半導体用パッケージ10Fにクラックが発生することを抑制することができる。半導体用パッケージの第4変形例図14aは、図6に対応した、本発明の半導体用パッケージの第4変形例を示す平面図である。図14aに示すように、本変形例に係る半導体用パッケージ10Gは、パット部11Gと、電極部12Aと、充填樹脂13Gと、を備えて構成されている。半導体用パッケージ10Gは、第2実施形態に係る半導体用パッケージに反射面を適用したものである。本変形例において、パット部11Gの搭載面11Gaの周囲には、反射面11GRが形成されている。反射面11GRは、半導体素子20から射出される光を搭載面11Gaの上方に向けて反射する。本変形例の半導体用パッケージ10Gにおいても、半導体素子20から射出される光を効率良く取り出すことができる。半導体用パッケージの第5変形例図14bは、図9に対応した、本発明の半導体用パッケージの第5変形例を示す平面図である。図14bに示すように、本変形例に係る半導体用パッケージ10Hは、パット部11Hと、電極部12Bと、充填樹脂13Hと、を備えて構成されている。半導体用パッケージ10Hは、第3実施形態に係る半導体用パッケージに反射面を適用したものである。本変形例において、パット部11Hの搭載面11Haの周囲には、反射面11HRが形成されている。反射面11HRは、半導体素子20から射出される光を搭載面11Haの上方に向けて反射する。本変形例の半導体用パッケージ10Hにおいても、半導体素子20から射出される光を効率良く取り出すことができる。パット部側突出部と電極部側突出部との接続部の第1変形例図15aは、本発明の半導体用パッケージにおけるパット部側突出部と電極部側突出部との接続部の第1変形例を示す平面図である。図15aは、図3に対応した、本変形例のパット部のパット部側突出部が形成された側の部分の拡大図である。なお、図15aにおいて、符号CLは、半導体用パッケージのY方向に沿う中心線である。図15aに示すように、パット部11Jには、電極部12に向けて突出する2つのパット部側突出部111Jが形成されている。電極部12Jには、パット部11に向けて突出する1つの電極部側突出部121Jが形成されている。電極部側突出部121Jは、電極部12Jがパット部11Jと対向する部分の中央部に形成されている。本変形例においては、パット部11Jと電極部12Jとの接続部が中心線CLに対して線対称になっている。上述の第1実施形態に係る電極部12においては、電極部側突出部121の先端部が平面視において直角の角部を有していた。これに対し、本変形例に係る電極部12Jにおいては、電極部側突出部121Jの先端部が平面視において曲線形状である。本変形例の構成においても、半導体用パッケージにクラックが発生することを抑制することができる。さらに、本変形例の構成によれば、半導体用パッケージの両端部に応力が集中した場合に、当該応力が電極部側突出部121Jの曲線形状の先端部に沿って伝達されるため、当該先端部の一部に応力が集中することを抑制することができる。よって、電極部側突出部121Jの先端部の一部にクラックが発生することを抑制することができる。パット部側突出部と電極部側突出部との接続部の第2変形例図15bは、本発明の半導体用パッケージにおけるパット部側突出部と電極部側突出部との接続部の第2変形例を示す平面図である。図15bは、図3に対応した、本変形例のパット部のパット部側突出部が形成された側の部分の拡大図である。なお、図15bにおいて、符号CLは、半導体用パッケージのY方向に沿う中心線である。図15bに示すように、パット部11Kには、電極部12Kに向けて突出する2つのパット部側突出部111Kが形成されている。電極部12Kのパット部11Kと対向する側の部分は平面視直線状になっている。本変形例においては、パット部11Kと電極部12Kとの接続部が中心線CLに対して線対称になっている。本変形例の構成においても、半導体用パッケージにクラックが発生することを抑制することができる。パット部側突出部と電極部側突出部との接続部の第3変形例図15cは、本発明の半導体用パッケージにおけるパット部側突出部と電極部側突出部との接続部の第3変形例を示す平面図である。図15cは、図3に対応した、本変形例のパット部のパット部側突出部が形成された側の部分の拡大図である。なお、図15cにおいて、符号CLは、半導体用パッケージのY方向に沿う中心線である。図15cに示すように、パット部11Lには、電極部12Lに向けて突出する2つのパット部側突出部111Lが形成されている。電極部12Lには、パット部11Lに向けて突出する2つの電極部側突出部121Lが形成されている。2つのパット部側突出部111Lと2つの電極部側突出部121Lとは、互いに対向している。本変形例においては、パット部11Lと電極部12Lとの接続部が中心線CLに対して線対称になっている。本変形例の構成においても、半導体用パッケージにクラックが発生することを抑制することができる。パット部側突出部と電極部側突出部との接続部の第4変形例図16aは、本発明の半導体用パッケージにおけるパット部側突出部と電極部側突出部との接続部の第4変形例を示す平面図である。図16aは、図3に対応した、本変形例のパット部のパット部側突出部が形成された側の部分の拡大図である。なお、図16aにおいて、符号CLは、半導体用パッケージのY方向に沿う中心線である。図16aに示すように、パット部11Mには、電極部12Mに向けて突出する1つのパット部側突出部111Mが形成されている。パット部側突出部111Mは、パット部11Mが電極部12Mと対向する部分の中央部に形成されている。電極部12Mのパット部11Mと対向する側の部分は平面視直線状になっている。本変形例においては、パット部11Mと電極部12Mとの接続部が中心線CLに対して線対称になっている。本変形例の構成においても、半導体用パッケージにクラックが発生することを抑制することができる。パット部側突出部と電極部側突出部との接続部の第5変形例図16bは、本発明のパット部側突出部と電極部側突出部との接続部の第5変形例を示す平面図である。図16bは、図3に対応した、本変形例のパット部のパット部側突出部が形成された側の部分の拡大図である。図16bに示すように、パット部11Nには、電極部12Nに向けて突出する1つのパット部側突出部111Nが形成されている。パット部側突出部111Nは、パット部11Nが電極部12Nと対向する部分の-X方向側の端部に形成されている。電極部12Nには、パット部11Nに向けて突出する1つの電極部側突出部121Nが形成されている。電極部側突出部121Nは、電極部12Nがパット部11Nと対向する部分のX方向側の端部に形成されている。本変形例においては、パット部側突出部111Nと電極部側突出部121Nとが充填樹脂の短手方向X方向に沿って互いに隙間40を空けて隣接して形成されている。本変形例の構成においても、半導体用パッケージにクラックが発生することを抑制することができる。パット部側突出部と電極部側突出部との接続部の第6変形例図16cは、本発明のパット部側突出部と電極部側突出部との接続部の第6変形例を示す平面図である。図16cは、図3に対応した、本変形例のパット部のパット部側突出部が形成された側の部分の拡大図である。図16cに示すように、パット部11Pの電極部12Pと対向する側の部分は、電極部12Pに向けて凸をなす曲線形状となっている。電極部12Pのパット部11Pと対向する側の部分は、パット部11Pに向けて凹をなす曲線形状となっている。本変形例においては、パット部11Pの電極部12Pと対向する側の部分と電極部12Pのパット部11Pと対向する側の部分とが充填樹脂の短手方向X方向に沿って互いに隙間40を空けて隣接して形成されている。本変形例の構成においても、半導体用パッケージにクラックが発生することを抑制することができる。以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。"