"光源と、ハウジングと、電気的端子とを備え、ガラスから成形された複数の構成要素を有している、オプトエレクトロニクス半導体素子において、少なくとも2つの構成要素は相互に合わせた境界面において接触し、かつ、そこにおいて相互に直接融着されていることを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体素子。前記構成要素は、ハウジング構成部材である、請求項1記載のオプトエレクトロニクス半導体素子。前記半導体素子は、発光ダイオード又は有機発光ダイオードである、請求項1記載のオプトエレクトロニクス半導体素子。請求項1記載のオプトエレクトロニクス半導体素子の製造方法であって、融着が超短パルスレーザーのパルスを用いて室温のもとで行われるようにしたことを特徴とする製造方法。前記レーザーのパルスは100fs~500psの間の長さであり、とりわけ500fs~100psの間の長さである、請求項4記載の方法。前記レーザーのパルスの繰り返しレートは10kHz~2MHzの間である、請求項4記載の方法。前記レーザーとしてフェムト秒レーザー又はピコ秒レーザーが用いられる、請求項4記載の方法。図1には、ガラス成形部にレーザー直接融着が用いられている発光ダイオード1の概略的な基本図が示されている。この発光ダイオードLEDはハウジング2を有しており、該ハウジング2内にはチップ3が設けられている。ここではこの発光ダイオードLEDのハウジング2がレーザー直接融着を用いて結合されている。ここでのガラス成形部は、ほぼ矩形状の底部5と類似の形態のカバー部6である。それらは側壁7を介して相互にコンタクトしている。超短パルスレーザー、例えばピコ秒レーザーのビーム9は集束調整によって、一方では、その焦点が側壁7とカバー部6の間の境界面に設定され、他方では、側壁7と底部5との間の境界面に設定されている。これらの境界面は超短パルスレーザーのビーム9を用いてそれぞれ高い信頼性のもとで融着される。種々異なる集束は、例えばビームスプリッタ4とレンズ8を用いて達成される。図2には、図1の発光ダイオードに類似した構成の有機発光ダイオード10が概略的に示されている。ここではカバー部11がガラス基板であり、このガラス基板に有機発光ダイオード層と電極とが被着されている詳細には図示せず。例えば底部12はバスタブ状に形成されている。別個の側壁は省かれている。超短パルスレーザー、例えばピコ秒レーザーのビーム9は、レンズ8を用いて、その焦点がカバー部11と底部12との間の境界面15に当たるように集束される。超短レーザーパルスを用いることによって、この境界面15は、高い信頼性のもとでガラス融着によって封止される。ビームスプリッタを用いることで、底部12とカバー部11との間の境界領域15の溶融領域が複数の箇所で同時に封止され得る。図3には、溶融されたガラス結合系20が示されている。ここでは第1の構成部21も第2の構成部22もガラスからなるプレートである。この2つの部分は、室温のもとで超短レーザーパルスによって相互に融着23されている。このようなレーザーを用いた直接的なガラス融着方法は特に軟質ガラスに適している。なぜならここでは僅かな緊張しかガラスに生じないからである。但し硬質ガラス又は石英ガラスも、相互に、又は、それらと同じように、又は、特別に、軟質ガラスとも結合可能である。発光ダイオードの代わりに有機発光ダイオードをオプトエレクトロニクス半導体素子として適用することも可能である。そこでは上記の考察が少なくともそのままの論説で通じる。有機発光ダイオードの高い密封性は大きな挑戦である。図4には典型的な有機発光ダイオードが平面図で示されている。その側面図は図5に示されている。有機発光ダイオードOLDE31は、その上に複数のピクセル33からなる有機発光ダイオードアレイが被着されている基板32からなっている。このアレイは公知のように、複数の電極34と、複数の有機エレクトロルミネセンス層これらは層内に被着されていると、複数の対向電極39とからなっている。それぞれ外部に導かれる導体路端子は前記複数の電極34と対向電極39から可視となる。これらの端子の密封は、場合によっては超短レーザーパルスによって行われる場合もある。ハウジングは例えば、可視で近赤外線に対して透過型のフラットガラスによってカバー35として実現され、その際にはこのカバーは下方に延在する側壁36も有する。類似の側壁37は底部32を示す。これらの側壁36,37は、相互に隣接する境界面を形成し、この境界面は超短パルスレーザーを用いて相互に融着される。この製造方法は例えば次のように実行されてもよい。すなわち基板及びカバーとしてそれぞれ1つのフラットガラス、例えばMerck社のソーダ石灰ガラスディスプレイを用いて実行してもよい。典型的な接合部は、5乃至50μmの厚みの境界領域を含んでおり、この境界領域は室温のもとで高速パルスを用いた超短レーザーによって製造され得る。その際のパルス長は、ピコ秒領域において数百キロヘルツまでの繰り返しレートのもとで変動し得る。"