"大気圧近傍の処理空間においてフッ素系反応成分及び第1の酸化性反応成分を含有する処理ガスを用いてシリコン含有物をエッチングするエッチング方法において、第2の酸化性反応成分を含有する処理流体を、前記シリコン含有物を含む被処理物に接触させる前処理工程と、前記前処理工程の後、前記被処理物を、前記処理空間内を横切るように前記処理空間に対して相対的に移動させながら、前記処理空間に前記処理ガスを供給し又は前記処理空間内で前記処理ガスの前記各反応成分を生成するエッチング処理工程と、を含むことを特徴とするエッチング方法。前記エッチング処理工程において、前記被処理物が前記処理空間内を横切る回数を調節することによって、前記シリコン含有物のエッチング量を制御することを特徴とする請求項1に記載のエッチング方法。前記エッチング処理工程において、フッ素含有成分及び水素含有添加成分を含むフッ素系原料ガスを大気圧近傍下にてプラズマ化することによって前記フッ素系反応成分を生成することを特徴とする請求項1又は2に記載のエッチング方法。大気圧近傍の処理空間においてフッ素系反応成分及び第1の酸化性反応成分を含有する処理ガスを用いてシリコン含有物をエッチングするエッチング装置において、第2の酸化性反応成分を含有する処理流体を吹き出す前処理ノズルを有し、前記シリコン含有物を含む被処理物に前記処理流体を接触させる前処理部と、前記処理空間を画成する画成部と、前記処理流体との接触後の前記被処理物を、前記処理空間内を横切るように前記画成部に対して相対的に移動させる移動機構とを有し、前記処理空間に前記処理ガスを供給し又は前記処理空間内で前記処理ガスの前記各反応成分を生成するエッチング処理部と、を備えたことを特徴とするエッチング装置。HF等のフッ素系反応成分及びオゾン等の酸化性反応成分を含む処理ガスを用いたエッチング処理において、被処理物が処理空間を最初に横切る時最初の横断時、1スキャン目は、それ以降に被処理物が処理空間を横切る時2回目以降の横断時、2スキャン目以降と比べてエッチングレートが低い。最初の横断時は、第1段階の酸化反応式1が起きた後でなければ第2段階のエッチング反応式2が始まらない。したがって、フッ素系反応成分が無駄になる。しかも、被処理物の表面にフッ素系反応成分に起因するフッ酸水等の凝縮層が形成され、この凝縮層が酸化反応を邪魔するため、ますますエッチング反応が起きにくくなる。2回目以降の横断時は、前回までの処理によって被処理物の表面が既に酸化されているため、第2段階のエッチング反応式2を直ちに開始させることができる。このため、被処理物が処理空間を横切る回数横断回数、スキャン回数と累積のエッチング量とが正比例する関係になく、比例性が劣り、エッチング量の制御が容易でない。本発明は、上記事情に基づいてなされたものであり、シリコン含有物のエッチング反応が最初の横断時から十分に起きるようにして、フッ素系反応成分が無駄になるのを防止し、かつエッチング量を容易に制御できるようにすることを目的とする。本発明に係るエッチング方法は、上記課題を達成するために、大気圧近傍の処理空間においてフッ素系反応成分及び第1の酸化性反応成分を含有する処理ガスを用いてシリコン含有物をエッチングするエッチング方法において、第2の酸化性反応成分を含有する処理流体を、前記シリコン含有物を含む被処理物に接触させる前処理工程と、前記前処理工程の後、前記被処理物を、前記処理空間内を横切る通過するように前記処理空間に対して相対的に移動させながら、前記処理空間に前記処理ガスを供給し又は前記処理空間内で前記処理ガスの前記各反応成分を生成するエッチング処理工程と、を含むことを特徴とする。前処理工程においては、処理流体中の第2の酸化性反応成分がシリコン含有物と酸化反応を起こす式1参照。続いて、エッチング処理工程において被処理物が最初に処理空間内を横切る際は最初の横断時通過時、1スキャン目、既に上記前処理工程によってシリコン含有物の酸化反応が進んでいる。したがって、処理ガス中のフッ素系反応成分によるエッチング反応式2参照を直ちに開始することができる。よって、最初の横断時においてもエッチングレートを十分に高くでき、フッ素系反応成分が無駄になるのを回避できる。更に、最初の横断時において処理ガス中の第1の酸化性反応成分が被処理物に接触することで、シリコン含有物の酸化をさらに進めることができる。2回目以降の横断時は、前回までの横断によってシリコン含有物の表面が既に酸化されているため、処理ガス中のフッ素系反応成分によるエッチング反応を直ぐに起こさせることができる。かつ処理ガス中の第1の酸化性反応成分によってシリコン含有物の酸化をさらに進めることができる。したがって、最初の横断時のエッチングレートと2回目以降の横断時のエッチングレートとを略同じ大きさにすることができる。よって、横断回数と累積のエッチング量との比例性を高めることができる。故に、横断回数を設定することによって、シリコン含有物の最終のエッチング量が所望値になるように容易に制御することができる。前記エッチング処理工程において、前記被処理物が前記処理空間内を横切る回数横断回数を調節することによって、前記シリコン含有物のエッチング量を制御することが好ましい。横断回数が設定回数になったとき、エッチング処理工程を停止する。これにより、シリコン含有物を確実に所望の厚さだけエッチングすることができる。シリコン含有膜の残りの厚さが所定に達したとき、エッチングを停止したり、シリコン含有膜の全体がちょうど除去されたとき、エッチングを停止したりすることができる。本発明によれば、エッチングを停止するタイミングを容易に判断することができる。前記シリコン含有物は、酸化反応式1参照を伴いながらフッ素系反応成分とエッチング反応式2参照を起こすものであることが好ましく、例えばアモルファスシリコン、単結晶シリコン、多結晶シリコン等のシリコン単体や、窒化シリコン、炭化シリコンが挙げられる。前記処理ガス中のフッ素系反応成分としては、HF、COF2等が挙げられる。前記処理ガス中の第1酸化性反応成分としては、O3、Oラジカル、NOx等が挙げられる。前記処理流体中の第2酸化性反応成分としては、O3、Oラジカル、NOx等が挙げられる。前記処理流体は、ガスに限られず、オゾン水、硝酸、過酸化水素等の液体であってもよい。前記エッチング処理工程において、フッ素含有成分及び水素含有添加成分を含むフッ素系原料ガスを大気圧近傍下にてプラズマ化することによって前記フッ素系反応成分を生成することが好ましい。これによって、フッ素系反応成分としてHF等を生成できる。エッチング処理工程においては、被処理物の表面に前記フッ素系反応成分に起因するフッ酸水等の凝縮層が形成される。この凝縮層を介してエッチング反応が行なわれる。一方、前処理工程においては、上記の凝縮層が形成されていないため、凝縮層が酸化反応を邪魔することがなく、酸化反応を確実に起こさせることができる。前記フッ素含有成分として、PFCパーフルオロカーボンやHFCハイドロフルオロカーボン等のフッ素含有化合物が挙げられる。PFCとして、CF4、C2F4、C2F6、C3F8等が挙げられる。HFCとして、CHF3、CH2F2、CH3F等が挙げられる。更に、フッ素系成分として、SF6、NF3、XeF2等のPFC及びHFC以外のフッ素含有化合物を用いてもよく、F2を用いてもよい。前記フッ素含有成分は希釈成分にて希釈するのが好ましい。希釈成分として、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等の希ガスや窒素等の不活性ガスが挙げられる。希釈成分は、フッ素含有成分を希釈する機能の他、フッ素含有ガスを搬送するキャリアガスとしての機能、安定したプラズマ放電を生成する放電ガスとしての機能を有している。前記水素含有添加成分は、水水蒸気、H2Oであることが好ましい。水は、気化器にて気化することで前記フッ素系原料ガスに添加できる。水素含有添加成分は、水の他、OH基含有化合物や過酸化水素であってもよく、これらの混合物でもよい。OH基含有化合物として、アルコールが挙げられる。この明細書において大気圧近傍とは、1.013×104~50.663×104Paの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、1.333×104~10.664×104Paが好ましく、9.331×104~10.397×104Paがより好ましい。本発明に係るエッチング装置は、大気圧近傍の処理空間においてフッ素系反応成分及び第1の酸化性反応成分を含有する処理ガスを用いてシリコン含有物をエッチングするエッチング装置において、第2の酸化性反応成分を含有する処理流体を吹き出す前処理ノズルを有し、前記シリコン含有物を含む被処理物に前記処理流体を接触させる前処理部と、前記処理空間を画成する画成部と、前記処理流体との接触後の前記被処理物を、前記処理空間内を横切るように前記画成部に対して相対的に移動させる移動機構とを有し、前記処理空間に前記処理ガスを供給し又は前記処理空間内で前記処理ガスの前記各反応成分を生成するエッチング処理部と、を備えたことを特徴とする。前記エッチング装置にてシリコン含有物をエッチングする際は、被処理物を先ず前処理部に配置して前処理ノズルと対向させる。そして、前処理ノズルから処理流体を吹き出して被処理物に接触させる。この処理流体中の第2の酸化性反応成分によって、シリコン含有物を酸化させることができる式1参照。次に、被処理物をエッチング処理部に配置し、移動機構によって画成部に対して往復などの移動をさせる。被処理物は、処理空間を1回通過するごとに、処理空間内の処理ガスと接触する。被処理物が最初に処理空間内を横切る際最初の横断時、既に上記前処理部での前処理によってシリコン含有物の酸化反応が進んでいる。したがって、処理ガス中のフッ素系反応成分によるエッチング反応式2参照を直ちに開始することができる。よって、最初の横断時においてもエッチングレートを十分に高くでき、フッ素系反応成分が無駄になるのを回避できる。更に、最初の横断時において処理ガス中の第1の酸化性反応成分が被処理物に接触することで、シリコン含有物の酸化をさらに進めることができる。2回目以降の横断時は、前回までの横断によってシリコン含有物の表面が既に酸化されているため、処理ガス中のフッ素系反応成分によるエッチング反応を直ぐに起こさせることができる。かつ処理ガス中の第1の酸化性反応成分によってシリコン含有物の酸化をさらに進めることができる。したがって、最初の横断時のエッチングレートと2回目以降の横断時のエッチングレートとを略同じ大きさにすることができる。よって、横断回数と累積のエッチング量との比例性を高めることがきる。故に、横断回数を設定することによって、シリコン含有物の最終のエッチング量が所望値になるように容易に制御することができる。前記エッチング装置が、前記画成部を複数備えていてもよい。前記複数の画成部が、被処理物の相対移動方向に並んでいてもよい。ひいては、複数の処理空間が、前記相対移動方向に並んでいてもよい。被処理物を移動機構によって前記相対移動方向に相対移動させることで、被処理物が前記複数の処理空間内を順次横切る。被処理物が上記複数の処理空間の1つを横切る動作が、1回の横断1スキャンに対応する。前記画成部が、前記処理ガスを吹き出す処理ノズルを有していてもよい。本発明によれば、エッチング処理部又はエッチング処理工程におけるシリコン含有物のエッチング反応を最初の横断時から十分に起こさせることができる。したがって、最初の横断時のフッ素系反応成分が無駄になるのを防止できる。かつ、横断回数と累積のエッチング量との比例性を高めることができ、エッチング量を容易に制御できる。以下、本発明の実施形態を図面にしたがって説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係るエッチング装置1を示したものである。被処理物9は、例えば液晶表示パネルのガラス基板にて構成され、薄い平板状になっている。被処理物9の表面図1において上面にはエッチング対象のシリコン含有物9aが被膜されている。シリコン含有物は、例えばアモルファスシリコンにて構成されている。シリコン含有物9aは、アモルファスシリコンの他、単結晶シリコンや多結晶シリコンであってもよい。更に、シリコン含有物9aは、酸化反応式1を経てエッチング式2されるものであれば、シリコン単体に限られず、窒化シリコン、炭化シリコン等であってもよい。エッチング装置1は、処理チャンバ10と、コロコンベア20移動機構と、前処理部40と、エッチング処理部30を備えている。処理チャンバ10内の圧力は大気圧近傍になっている。処理チャンバ10の入側図1において右の壁に搬入口11が設けられている。処理チャンバ10の出側図1において左の壁に搬出口12が設けられている。処理チャンバ10内の中央部にエッチング処理部30が組み込まれている。処理チャンバ10内の入側図1において右の部分に前処理部40が組み込まれている。コロコンベア20は、処理チャンバ10の内部に送り方向x方向、図1の左右方向に沿って配置され、更に処理チャンバ10の入側及び出側の外方にも設置されている。周知の通り、コロコンベア20は、シャフト21と、コロ22を有している。複数のシャフト21が、図1において左右に間隔を置いて並べられている。各シャフト21にコロ22が設けられている。コロ22上に被処理物9が載置される。シャフト21及びコロ22が一体に回転することによって、被処理物9がx方向に搬送される。被処理物9は、搬入口11から処理チャンバ10内に搬入され、処理チャンバ10内で所定の処理を施された後、搬出口12から搬出される。コンベア20は、被処理物9を支持する支持部としての機能と、被処理物9を移動させる移動機構としての機能を兼ねている。コロコンベア20のうち少なくとも処理チャンバ10内のシャフト21及びコロ22は、正逆両方向に回転可能になっている。正方向は、被処理物9を入側から出側に搬送する向き図1において左向きであり、逆方向は、被処理物9を出側から入側に搬送する向き図1において右向きである。エッチング処理部30は、フッ素系原料供給部31と、第1の酸化性反応成分生成部32と、主処理ノズル33を有している。フッ素系原料供給部31は、フッ素系原料ガスを蓄えている。フッ素系原料ガスは、フッ素含有成分と、希釈成分を含む。フッ素含有成分は、例えばCF4である。希釈成分は、例えばArである。フッ素含有成分として、CF4に代えて、C2F4、C2F6、C3F8等の他のPFCパーフルオロカーボンを用いてもよく、CHF3、CH2F2、CH3F等のHFCハイドロフルオロカーボンを用いてもよく、SF6、NF3、XeF2、F2等を用いてもよい。希釈成分として、Arに代えて、He、Ne、Kr等の他の希ガスを用いてもよく、N2等の他の不活性ガスを用いてもよい。希釈成分は、フッ素含有成分を希釈する役割の他、キャリアガスとしての役割及びプラズマ生成用のガスとしての役割を担っている。フッ素系原料供給部31には添加部34が付加されている。フッ素系原料供給部31のフッ素系原料ガスに添加部34の水素含有添加成分が添加される。上記水素含有添加成分は、水蒸気H2Oである。添加部34は、水の気化器にて構成されている。気化器34内に水が液状態で蓄えられている。フッ素系原料ガスCF4Arが、気化器34内の液中に導入されてバブリングされる。或いは、気化器34内の液面より上側部分に上記フッ素系原料ガスを導入し、上記上側部分の飽和蒸気を上記フッ素系原料ガスにて押し出してもよい。これによって、フッ素系原料ガスに水蒸気が添加される。気化器34を温度調節することによって、水の蒸気圧ひいては添加量を調節できる。或いは、フッ素系原料ガスCF4Arの一部を気化器34内に導入し、残部は気化器34を迂回させ、上記一部と残部の流量比を調節することによって、水の添加量を調節してもよい。水添加後のフッ素系原料ガスは、主処理ノズル33へ送られる。第1酸化性反応成分生成部32は、オゾナイザーにて構成されている。オゾナイザー32は、酸素O2を原料にして、オゾン含有ガスO2O3を生成する。このオゾン含有ガスO2O3中のオゾンO3が、特許請求の範囲の第1の酸化性反応成分に対応する。オゾナイザー32のオゾン含有ガスO2O3は、主処理ノズル33へ送られる。主処理ノズル33は、処理チャンバ10の中央部に設置され、図1の紙面と直交する巾方向y方向に延びている。主処理ノズル33の内部には、プラズマ生成部35フッ素系反応成分生成部が設けられている。プラズマ生成部35は、少なくとも一対の電極36を含む。一対の電極36の両方又は片方の対向面には固体誘電体層が設けられている。一対の電極36のうち一方の電極36に電源図示省略が接続され、他方の電極36が電気的に接地されている。電源からの電力供給によって、一対の電極36どうしの間に例えばパルス状の高周波電界が印加される。これによって、電極36間に大気圧近傍下でグロー放電が生成される。電極36間の空間36aにフッ素系原料供給部31が接続されている。上記水添加後のフッ素系原料ガスCF4ArH2Oが、電極間空間36aに導入される。これにより、電極間空間36a内において、フッ素系原料ガスがプラズマ化励起、分解、ラジカル化、イオン化を含むされ、HF、COF2等のフッ素系反応成分が生成される。プラズマ生成部35は、主処理ノズル33の内部に代えて、フッ素系原料供給部31と主処理ノズル33との間の経路上に設けてもよい。プラズマ化後のフッ素系ガスと、オゾナイザー32からのオゾン含有ガスとが、主処理ノズル33内で混合されて処理ガスが生成される。処理ガスは、フッ素系反応成分HF、COF2等と、第1の酸化性反応成分O3とを含有する。図示は省略するが、主処理ノズル33の内部には第1整流部が設けられている。第1整流部は、y方向図1の紙面直交方向に延びるチャンバや、y方向に延びるスリットや、y方向に配列された多数の小孔等を含む。上記処理ガスが第1整流部を通過することによってy方向に均一化される。主処理ノズル33の下側部分は、処理チャンバ10の内部に挿入されている。主処理ノズル33は、処理チャンバ10内のコロコンベア20の中央部分と上下に対向している。主処理ノズル33とその直下のコンベア20との間に、処理空間39が画成されている。主処理ノズル33は、コロコンベア20と協働して処理空間39を画成する画成部を構成している。主処理ノズル33の下端部に複数の吹き出し部37が設けられている。複数の吹き出し部37は、x方向に間隔を置いて並べられている。図において、吹き出し部37の数は、3つであるが、1つ又は2つでもよく、4つ以上でもよい。各吹き出し部37は、処理空間39に臨んでいる。各吹き出し部37は、y方向図1の紙面直交方向に延びるスリット状の吹出し口37aを含む。吹出し口37aは、y方向に配列された多数の小孔にて構成されていてもよい。上記整流部を通過後の処理ガスが、各吹き出し部37に分配され、各吹き出し口37aから下方へ吹き出される。この吹出し流はy方向に均一な流れになる。処理空間39は、主処理ノズル33の下面に沿う空間のうち、処理ガスが有効な反応性を保って拡散可能な領域である。次に、前処理部40について説明する。前処理部40は、処理流体供給部41と、前処理ノズル42を有している。処理流体供給部41は、例えばオゾナイザーにて構成されている。オゾナイザー41は、酸素O2を原料にして、オゾン含有ガスO2O3を生成する。このオゾン含有ガスO2O3が、特許請求の範囲の処理流体に対応する。当該処理流体O2O3中のオゾンO3が、特許請求の範囲の第2の酸化性反応成分を構成する。オゾナイザー41が前処理ノズル42に接続されている。オゾナイザー41から上記処理流体O2O3が前処理ノズル42に導入される。前処理部40の処理流体供給部41とエッチング処理部30の酸化性反応成分供給部32とが、互いに共用されていてもよい。例えば、単一のオゾナイザーが、エッチング処理部30のオゾナイザー32と前処理部40のオゾナイザー41の両方を兼ね、この単一のオゾナイザーからのオゾン含有ガス供給路が、2つの分岐路に分岐して、これら分岐路が主処理ノズル33と前処理ノズル42にそれぞれ接続されていてもよい。前処理ノズル42は、処理チャンバ10内の入側図1において右側の上部に設置されている。前処理ノズル42は、エッチング装置1のy方向図1の紙面直交方向に延びている。図示は省略するが、オゾナイザー41の内部には第2整流部が設けられている。第2整流部は、y方向に延びるチャンバや、y方向に延びるスリットや、y方向に配列された多数の小孔等を含む。オゾナイザー41からのオゾン含有ガスO2O3が、第2整流部を通過することによってy方向に均一化される。前処理ノズル42の下側部分は、処理チャンバ10の内部に挿入され、処理チャンバ10内のコロコンベア20の搬入口11寄りの部分と上下に対向している。前処理ノズル42とその直下のコロコンベア20との間に前処理空間49が画成されている。前処理ノズル42の下端部に吹き出し部43が設けられている。吹き出し部43が、前処理空間49に臨んでいる。吹き出し部43は、y方向図1の紙面直交方向に延びるスリット状の吹出し口43aを含む。吹出し口43aは、y方向に配列された多数の小孔にて構成されていてもよい。上記整流部を通過後のオゾン含有ガスが、吹き出し部43へ送られ、吹き出し口43aから下方へ吹き出される。この吹出し流はy方向に均一な流れになる。前処理空間49は、前処理ノズル42の下面に沿う空間のうち、オゾン含有ガス処理流体が有効な反応性を保って拡散可能な領域である。上記のように構成されたエッチング装置1の動作を説明する。[搬入工程]被処理物9をコロコンベア20によって搬入口11から処理チャンバ10内に搬入する。これにより、被処理物9を先ず前処理空間49に導入して前処理ノズル42と対向させる。被処理物9は、前処理空間49内を横切る。[前処理工程]上記の搬入工程と併行して、オゾン含有ガス処理流体をオゾナイザー41から前処理ノズル42に導入し、吹き出し口43aから吹き出す。このオゾン含有ガスが、前処理空間49内を通過中の被処理物9に接触する。このオゾン含有ガス中のオゾンO2が被処理物9の表層のシリコン含有物9aと反応し、シリコン含有物9aの表面部分を酸化させる式1。この段階では、被処理物9の表面にフッ素系反応成分に起因するフッ酸水等の凝縮層が形成されていないため、シリコン含有物9aの酸化反応を確実に起こさせることができる。[移送工程]コロコンベア20は、被処理物9を継続して一定速度で搬送する。これによって、被処理物9が、前処理空間49内を通過し、処理空間39へ移送される。被処理物9の全体が前処理空間49内から出たとき、オゾナイザー41からのオゾン含有ガスの供給を停止する。[エッチング処理工程]そして、被処理物9をエッチング処理工程に供す。すなわち、フッ素系原料供給部31及び添加部34からのフッ素系原料ガスCF4ArH2Oを主処理ノズル33に導入して、プラズマ生成部35にてプラズマ化し、HF等のフッ素系反応成分を生成する。このプラズマ化後のガスにオゾナイザー32からのオゾン含有ガスO2O3を混合して、処理ガスを得る。この処理ガスを各吹き出し口37aから吹き出して処理空間39内に供給する。上記処理ガス供給と併行して、処理チャンバ10内のコロコンベア20移動機構が正転、逆転を繰り返す。これによって、被処理物9が、処理チャンバ10内において往復移動スキャンされる。被処理物9が往側図1において左向き又は復側図1において右向きに1回、片道移動1スキャンするごとに、被処理物9の全体が処理空間39を1回横切る。被処理物9は、処理空間39を横切る際、主処理ノズル33からの処理ガスと接触する。被処理物9が最初に処理空間39を往方向に横切るとき最初の横断時、1スキャン目には、既に上記前処理工程によって表層のシリコン含有物9aの酸化反応式1が進んでいる。そのため、処理ガスが被処理物9に接触することで、処理ガス中のHF等のフッ素系反応成分によるエッチング反応式2を直ちに開始することができる。したがって、最初の横断時においてもエッチングレートを十分に高くでき、フッ素系反応成分が無駄になるのを回避できる。更に、最初の横断時において処理ガス中のオゾンが被処理物9に接触することで、シリコン含有物9aの酸化式1をさらに進めることができる。2回目以降の横断時は、前回までの横断によってシリコン含有物9aの表面が既に酸化されているため、処理ガスが被処理物9に接触することで、処理ガス中のHF等によるエッチング反応式2を直ぐに起こさせることができ、エッチングレートを十分に高くできる。更に、処理ガス中のオゾンによってシリコン含有物9aの酸化式1をさらに進めることができる。したがって、最初の横断時のエッチングレートと2回目以降の横断時のエッチングレートとを略同じ大きさにすることができる。そのため、横断回数と累積のエッチング量との比例性を高めることができ、これらをほぼ正比例の関係にすることができる。故に、横断回数を設定することによって、シリコン含有物9aの最終のエッチング量が所望値になるように容易に制御することができる。処理済みのガスは、図示しない排気手段にて吸引されて排気される。[エッチング停止工程]横断回数が設定回数になったとき、エッチング処理工程を停止する。これにより、被処理物9のシリコン含有物9aを確実に所望の厚さだけエッチングすることができる。シリコン含有膜9aの残りの厚さが所定に達したとき、エッチングを停止したり、シリコン含有膜9aの全体がちょうど除去されたとき、エッチングを停止したりすることができる。エッチングを停止するタイミングを容易に判断することができる。[搬出工程]エッチング処理の停止後、被処理物9をコロコンベア20によって搬出口12から搬出する。次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において既述の構成と重複する部分に関しては図面に同一符号を付して説明を省略する。図2は、本発明の第2実施形態を示したものである。この実施形態では、前処理部40の前処理ノズル42がエッチング処理部30の主処理ノズル33に接している。したがって、前処理工程からエッチング処理工程に移行する時間が第1実施形態より短くなる。前処理工程における処理流体の酸化性反応成分及びエッチング処理工程における処理ガスの酸化性反応成分は、O3に限られず、NOxなどの他の酸化性ガスであってもよい。更に前処理工程における処理流体は、ガスに限られず、オゾン水や過酸化水素水などの酸化性液体であってもよい。図3は、本発明の第3実施形態を示したものである。この実施形態では、処理流体供給部として、オゾナイザー41に代えて、オゾン水供給部45が用いられている。供給部45内に処理流体として液体のオゾン水が蓄えられている。また、第3実施形態では、処理チャンバ10とは別途に前処理チャンバ50が設けられている。前処理チャンバ50は、処理チャンバ10より入側図3において右に配置されている。コロコンベア20の処理チャンバ10より入側の部分が、前処理チャンバ50内に配置されている。前処理チャンバ50の送り方向xの上流側図3において右の壁に搬入口51が設けられている。前処理チャンバ50の送り方向xの下流側図3において左の壁に搬出口52が設けられている。搬出口52は、処理チャンバ10の搬入口11と対向している。前処理チャンバ50の上側部にスプレー式の前処理ノズル47が設けられている。オゾン水供給部45がスプレー式前処理ノズル47に接続されている。スプレー式前処理ノズル47の下側部分は、前処理チャンバ50の内部に挿入され、前処理チャンバ50内のコロコンベア20と上下に対向している。スプレー式前処理ノズル47とコロコンベア20との間に前処理空間49が画成されている。スプレー式前処理ノズル47の先端下端の噴霧口が前処理空間49に臨んでいる。スプレー式前処理ノズル47を図3の紙面と直交する巾方向yに複数並べてもよい。第3実施形態によれば、被処理物9が先ず搬入口51から前処理チャンバ50内に搬入され、前処理チャンバ50内の前処理空間49を横切る前処理工程。併行して、オゾン水供給部45からのオゾン水がスプレー式前処理ノズル47に導入され、前処理空間49に噴霧される。このオゾン水が被処理物9に接触し、シリコン含有物9aの酸化反応式1が起きる。その後、被処理物9は、搬出口52から搬出されて、搬入口11から処理チャンバ10内に搬入される移送工程。移送工程の間に、エアナイフなどによる被処理物9の乾燥工程図示省略が行われる。そして、処理チャンバ10内において、被処理物9のエッチング処理工程が第1実施形態と同様にして行なわれる。図4は、本発明の第4実施形態を示したものである。この実施形態では、エッチング処理部60が、所謂ダイレクト式のプラズマ処理装置にて構成されている。エッチング処理部60は、第1、第2の電極61,62を有している。第1電極61に電源図示省略が接続されている。第2電極62は電気的に接地されている。少なくとも一方の電極61,62の対向面に固体誘電体層図示省略が設けられている。電極61,62間に電界が印加されることによって大気圧近傍下で放電が生成される。電極61,62間の空間が放電空間63になる。エッチング処理部60には、オゾナイザー32に代えて酸素供給部64が設けられている。フッ素系原料供給部31及び添加部34からのフッ素系原料ガスCF4ArH2Oに酸素供給部64からの酸素O2が混合される。混合後のガスが、放電空間63に導入されてプラズマ化される。これによって、放電空間63内において、HF等のフッ素系反応成分や、オゾン、Oラジカル等の酸化性反応成分が生成される。第2電極62は、ステージを兼ねており、その上面に被処理物9が設置される。第2電極兼ステージ62に移動機構65が接続されている。詳細な図示は省略するが、移動機構65は、例えば直動モータ、スライドガイド等を含み、第2電極兼ステージ62を送り方向xに沿って往復移動させる。被処理物9は、先ず前処理部40の前処理ノズル42と対向される。この被処理物9に前処理ノズル42からオゾンを吹き付ける。これによって、シリコン含有物9aの表面部分を前もって酸化させておくことができる前処理工程。前処理工程後の被処理物9をエッチング処理部60のステージ62上へ移す移送工程。移し替えは、人手で行なってもよく、ロボットアクチュエータ等の移送機構を用いて行なってもよい。或いは、上記ステージ62が、前処理工程において被処理物9を支持する支持部48を兼ねていてもよい。すなわち、まず、ステージ62上に被処理物9を載置する。そして、前処理工程ではステージ62を前処理ノズル42と対向させ、ひいては被処理物9を前処理ノズル42と対向させる。その後、ステージ62ひいては被処理物9をエッチング処理部60へ移してもよい。エッチング処理部60においては、移動機構65によって、被処理物9を、第1電極61の下方を横切るように往復移動させるエッチング処理工程。被処理物9が第1電極61と対向して放電空間63内に位置するとき、放電空間63内で生成された処理ガス中の各反応成分HF、COF2、オゾン、Oラジカル等が被処理物9と接触し、シリコン含有物9aがエッチングされる。放電空間63が、エッチング処理を行なう処理空間となる。第1電極61が、第2電極兼ステージ62と協働して処理空間63を画成する画成部を構成する。本発明は、上記実施形態に限定されず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の改変態様を採用できる。例えば、被処理物9を静止させ、かつエッチング処理部30,60の主処理ノズル33又は第1電極61、及び前処理部40の前処理ノズル42,47を移動させることによって、前処理工程からエッチング処理工程への切り替えや、エッチング処理工程における往復移動を行なってもよい。移動機構が、被処理物9に代えて主処理ノズル33又は第1電極61を移動させてもよい。エッチング装置1が、複数の主処理ノズル33,33...を備え、これら複数の主処理ノズル33,33...がx方向に1列に並べられていてもよく、ひいては複数の処理空間39がx方向に1列に並べられていてもよい。この場合、被処理物9を主処理ノズル33,33...に対してx方向に片道移動させることで、被処理物9が複数の処理空間39,39...を順次横切る。被処理物9が処理空間33,33...の1つを横切る動作が、1回の横断に対応する。シリコン含有物9aの最終エッチング量が所望値になるように、主処理ノズルの個数を設定することが好ましい。もちろん、被処理物9を主処理ノズル33,33...に対してx方向に往復移動させてもよい。複数の主処理ノズル33の各々にプラズマ生成部35が格納されていてもよく、1つのプラズマ生成部35にて生成したプラズマガスを上記複数の主処理ノズル33に分配することにしてもよい。前処理工程では、被処理物9を処理空間39に配置し、かつ酸化性反応成分供給部32からの酸化性反応成分含有ガス処理流体だけをノズル33から吹き出して被処理物9に接触させてもよい。この場合、処理空間39が前処理部の前処理空間を兼ね、供給部32が前処理部の処理流体供給部41を兼ね、ノズル33が前処理ノズルを兼ねる。その後のエッチング工程では、上記ノズル33からフッ素系反応成分や酸化性反応成分を含む処理ガスを吹出し、被処理部9に接触させることが好ましい。複数の実施形態を互いに組み合わせてもよい。例えば、第4実施形態図4の前処理ノズルとして第3実施形態のオゾン水スプレーノズル47を適用してもよい。実施例を説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。図1に示すエッチング装置1と実質的に同じ構成の装置を用いた。処理対象9は、アモルファスシリコン膜9aが被膜されたガラス基板であり、その大きさは10cm×10cmであった。この基板9に前処理工程を施したうえで、エッチング処理工程に供した。なお、実施例1の装置では、被処理物9の支持部及び移動機構としてコンベア20に代えて移動ステージを用いた。[前処理工程]前処理用の処理流体としてオゾン含有ガスO2O3を処理流体供給部41から前処理ノズル42に導入し、吹き出し口43aから吹き出して基板9に接触させた。オゾン含有ガスの流量は1SLM、オゾン濃度は8~10volであった。吹き出し口43aの巾図1の紙面直交方向yの寸法は、10cmであった。オゾン含有ガスの吹き付けと併行して基板9を送り方向xに搬送した。基板9の搬送速度は、4m/minであった。基板9を前処理空間49に通した回数は、1回であった。[エッチング処理工程]上記前処理工程に引き続いてエッチング処理工程を行なった。フッ素系原料供給部31からのフッ素系原料ガスは、CF4とArの混合ガスからなり、この混合ガスに添加部34において水H2Oを添加した。各ガス成分の流量は以下の通りであった。CF4:0.1SLMAr:1SLM水添加後のフッ素系原料ガスの露点は18°C程度であった。このフッ素系原料ガスをプラズマ生成部35に供給し、大気圧下においてプラズマ化した。プラズマ放電条件は以下の通りであった。電極間空間36aの厚さ:1mm電極36の巾図1の紙面直交方向yの寸法:10cm印加電圧:Vpp=13kVパルス周波数:40kHzプラズマ化後のフッ素系ガスと第1酸化性反応成分生成部32からのオゾン含有ガスO2O3とを混合して処理ガスを得、この処理ガスを各吹き出し口37aから吹き出した。第1酸化性反応成分生成部32からのオゾン含有ガスの流量は1SLM、オゾン濃度は8~10volであった。吹き出し口37aの巾図1の紙面直交方向yの寸法は、10cmであった。処理ガスの吹き付けと併行して基板9を送り方向xに往復移動させた。基板9の移動速度は、4m/minであった。そして、エッチング処理工程における基板9を処理空間39に通した回数横断回数に応じたエッチング量を測定した。図5の実線に示すように、横断回数とエッチング量はほぼ正比例の関係になった。最初の横断時でも2回目以降の横断時と略同じ大きさのエッチングレートが得られることが確認された。[比較例1]比較例として、上記実施例1における前処理工程を省き、エッチング処理工程のみを行なった。エッチング処理工程の処理条件は上記実施例とまったく同じとした。そして、エッチング処理工程における基板9を処理空間39に通した回数横断回数に応じたエッチング量を測定した。図5の破線に示すように、比較例1では、最初の横断時のエッチングレートが2回目以降の横断時のエッチングレートと比べて低下した。そのため、横断回数とエッチング量が正比例の関係にならず、比例性が実施例1より低くなった。以上の結果から、横断回数に基づいてエッチング量を制御するうえで、予め前処理工程を行なうことが有効であることが示された。"