トランジスタのチャネル形成領域に酸化物半導体膜が用いられ、前記酸化物半導体膜は、昇温脱離分析において、水分子の脱離が0.5個/nm3以下である半導体装置。トランジスタのチャネル形成領域に酸化物半導体膜が用いられ、前記酸化物半導体膜は、昇温脱離分析において、水分子の脱離が0.1個/nm3以下である半導体装置。前記酸化物半導体膜は、In、Ga、Znの少なくとも一を含む請求項1または2に記載の半導体装置。トランジスタのチャネル形成領域となる酸化物半導体膜を、200°Cを超える温度のスパッタリング法で形成することにより、昇温脱離分析において、前記酸化物半導体膜から脱離する水分子の数を0.5個/nm3以下とする半導体装置の作製方法。トランジスタのチャネル形成領域となる酸化物半導体膜を、300°Cを超える温度のスパッタリング法で形成することにより、昇温脱離分析において、前記酸化物半導体膜から脱離する水分子の数を0.1個/nm3以下とする半導体装置の作製方法。前記酸化物半導体膜は、In、Ga、Znの少なくとも一を含む請求項4または5に記載の半導体装置の作製方法。前記酸化物半導体膜の形成雰囲気は、希ガス雰囲気、酸素雰囲気、または希ガスと酸素の混合雰囲気である、請求項4乃至請求項6のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。前記トランジスタは、ガラス基板上に形成される、請求項4乃至7のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。しかしながら、酸化物半導体は、デバイス作製工程において電子供与体ドナーを生成する水素や水の混入などが生じると、その電気伝導度が変化する恐れがある。このような現象は、酸化物半導体を用いたトランジスタなどの半導体装置にとって、電気的特性の変動要因となる。上述の問題に鑑み、安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。本発明の一態様は、酸化物半導体膜を用いるトランジスタの電気的特性変動を抑止するため、変動要因となる水、水素、水酸基又は水素化物水素化合物ともいうなどの不純物が酸化物半導体膜に混入することを防止するものである。本発明の一態様は、トランジスタのチャネル形成領域に酸化物半導体膜が用いられ、酸化物半導体膜は、昇温脱離分析において、水分子の脱離が0.5個/nm3以下である半導体装置である。また、本発明の一態様は、トランジスタのチャネル形成領域に酸化物半導体膜が用いられ、酸化物半導体膜は、昇温脱離分析において、水分子の脱離が0.1個/nm3以下である半導体装置である。また、本発明の一態様は、トランジスタのチャネル形成領域となる酸化物半導体膜を、200°Cを超える温度のスパッタリング法で形成することにより、昇温脱離分析において、酸化物半導体膜から脱離する水分子の数を0.5個/nm3以下とする半導体装置の作製方法である。なお、上記温度の上限は500°C以下であることが望ましい。また、本発明の一態様は、トランジスタのチャネル形成領域となる酸化物半導体膜を、300°Cを超える温度のスパッタリング法で形成することにより、昇温脱離分析において、酸化物半導体膜から脱離する水分子の数を0.1個/nm3以下とする半導体装置の作製方法である。なお、上記温度の上限は500°C以下であることが望ましい。上記において、酸化物半導体膜は、In、Ga、Znの少なくとも一を含むことが好ましい。上記において、酸化物半導体膜の形成雰囲気は、希ガス雰囲気、酸素雰囲気、または希ガスと酸素の混合雰囲気であることが望ましい。また、上記において、トランジスタは、ガラス基板上に形成されることが好ましい。また、減圧状態に保持された成膜室内に基板を保持し、基板温度が200°Cを超えて500°C以下、好ましくは300°Cを超えて500°C以下、より好ましくは350°C以上450°C以下となるように加熱しながら酸化物半導体膜を成膜する。基板を加熱しながら酸化物半導体膜を成膜することにより、酸化物半導体を用いたトランジスタにとって電気的特性の変動要因となる水素、水、水酸基または水素化物などの水素原子を含む物質が、酸化物半導体膜に混入することを防止できる。本明細書において、i型真性の酸化物半導体とは、酸化物半導体にとってのn型不純物である水素を酸化物半導体から除去し、酸化物半導体の主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化した酸化物半導体をいう。高純度化された酸化物半導体膜を有するトランジスタは、しきい値電圧やオン電流などの電気的特性に温度依存性がほとんど見られない。また、光劣化によるトランジスタ特性の変動も少ない。本発明の一態様により、安定した電気特性を有するトランジスタを提供することができる。または、本発明の一態様により、電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタを有する半導体装置を提供することができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、第1、第2として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順または積層順を示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名称を示すものではない。実施の形態1本実施の形態では、半導体装置および半導体装置の作製方法の一形態を、図1乃至図4を用いて説明する。半導体装置の構成例図1には、開示する発明の一態様に係る半導体装置の例として、トランジスタ110の平面図および断面図を示す。ここで、図1Aは平面図であり、図1Bおよび図1Cはそれぞれ、図1AにおけるA-B断面およびC-D断面に係る断面図である。なお、図1Aでは、煩雑になることを避けるため、トランジスタ110の構成要素の一部例えばゲート絶縁膜212などを省略している。図1に示すトランジスタ110は、基板200上の、絶縁膜202、酸化物半導体膜206a、ソース電極208a、ドレイン電極208b、ゲート絶縁膜212、ゲート電極214を含む。図1に示すトランジスタにおいて、酸化物半導体膜206aは、絶縁膜202上に接して設けられている。酸化物半導体膜206aは、水素、水、水酸基または水素化物水素化合物ともいうなどの不純物が除去されたものである。酸化物半導体膜206aは、例えば、昇温脱離分析TDS:ThermalDesorptionSpectroscopyにより水分子の脱離が0.5個/nm3以下、好ましくは0.1個/nm3以下となる膜である。酸化物半導体中で、電子供与体となり得る不純物を極めて少ないレベルにまで低減することにより、酸化物半導体を高純度化またはi型真性化することができる。このように、高純度化またはi型化された酸化物半導体膜206aをトランジスタ110のチャネル形成領域に用いることにより、トランジスタ110の電気的特性の変動を抑制することができるため、トランジスタの信頼性を向上させることができる。また、高純度化またはi型化された酸化物半導体中では、キャリアが極めて少なくゼロに近い、キャリア密度は非常に小さい値1×1014/cm3以下、好ましくは1×1012/cm3以下をとる。これにより、トランジスタがオフ状態のときのリーク電流オフ電流を極めて低減することができる。図2A乃至図2Dに、トランジスタ110とは異なる構成のトランジスタの断面構造を示す。開示する発明の一態様に係るトランジスタとして、図2Aでは、トップゲート型のトランジスタ、図2B乃至図2Dでは、ボトムゲート型のトランジスタを示している。図2Aに示すトランジスタ120は、基板200上に、絶縁膜202、酸化物半導体膜206a、ソース電極208a、ドレイン電極208b、ゲート絶縁膜212、ゲート電極214を含む点で、トランジスタ110と共通している。トランジスタ120とトランジスタ110との相違は、酸化物半導体膜206aと、ソース電極208aやドレイン電極208bが接続する位置である。すなわち、トランジスタ120では、酸化物半導体膜206aの下部において、酸化物半導体膜206aと、ソース電極208aやドレイン電極208bとが接している構造となる。図2Bに示すトランジスタ310は、ボトムゲート型のトランジスタであり、基板400上に、ゲート電極401、ゲート電極401を覆うようにゲート絶縁膜402、酸化物半導体膜403a、ソース電極405a、ドレイン電極405b、および絶縁膜407を含む。図2Cに示すトランジスタ320は、トランジスタ310の構成に対して、絶縁膜407上であって酸化物半導体膜403aのチャネル形成領域に重畳する領域に導電膜410を設けた構成である。その他の構成要素については、図2Bと同様である。なお、導電膜410は、バックゲート電極として機能してもよい。導電膜410は、ゲート電極401と導電膜410とで酸化物半導体膜403aのチャネル形成領域を挟むように配置される。導電膜410の電位を変化させることで、トランジスタのしきい値電圧を変化させることができる。図2Dに示すトランジスタ330は、基板400上に、ゲート電極401、ゲート絶縁膜402、酸化物半導体膜403a、ソース電極405a、ドレイン電極405b、および絶縁膜407を含む点で、図2Bに示すトランジスタ310と共通している。図2Bに示すトランジスタ310と、図2Dに示すトランジスタ330との相違は、酸化物半導体膜403aと、ソース電極405aやドレイン電極405bが接続する位置である。すなわち、トランジスタ330では、酸化物半導体膜403aの下部において、酸化物半導体膜403aと、ソース電極405aやドレイン電極405bとが接している構造となる。また、絶縁膜407上に絶縁膜409を設ける構成とすることもできる。トランジスタの作製工程の例以下、図3および図4を用いて、トランジスタの作製工程の例について説明する。トランジスタ110の作製工程図3A乃至図3Eを用いて、図1に示すトランジスタ110の作製工程の一例について説明する。まず、基板200上に絶縁膜202を形成する図3A参照。基板200の材質等に大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などを、基板200として用いることができる。また、シリコンや炭化シリコンなどの単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物半導体基板、SOI基板などを適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板200として用いてもよい。また、基板200として、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板上にトランジスタを設ける場合、可撓性基板上に直接的にトランジスタを作り込んでもよいし、また、これらの基板に剥離層が設けられたものを用いてもよい。この基板にトランジスタを形成した後、剥離層にてトランジスタを剥離して、他の基板、例えば、可撓性基板に転置してもよい。絶縁膜202は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、アルミニウム酸化物、アルミニウム窒化物、ガリウム酸化物、これらの混合材料、などを用いて、単層構造または積層構造で形成することができる。また、絶縁膜202は、例えば、プラズマCVD法やスパッタリング法などの成膜方法を用いて作製することができる。絶縁膜202は、水素、水、水酸基または水素化物などの不純物水素原子を含む物質とも記すを混入させない方法を用いて成膜することが好ましい。絶縁膜202に水素原子を含む物質が含まれると、その水素原子を含む物質の酸化物半導体膜206への侵入、又は水素原子を含む物質による酸化物半導体膜206中の酸素の引き抜き、が生じるおそれがある。これにより、酸化物半導体膜206のバックチャネルが低抵抗化n型化してしまい、寄生チャネルが形成されるおそれがある。よって、絶縁膜202はできるだけ水素原子を含む物質を含まない膜になるように作製することが好ましい。例えば、スパッタリング法によって成膜するのが好ましく、成膜する際に用いるスパッタガスとしては、水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。次に、絶縁膜202上に酸化物半導体膜206を形成する図3B参照。酸化物半導体膜206に用いる材料としては、少なくともIn、Ga、Sn、Zn、Al、Mg、Hf及びランタノイドから選ばれた一種以上の元素を含有する材料を用いることができる。例えば、四元系金属酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn-O系の材料や、三元系金属酸化物であるIn-Ga-Zn-O系の材料、In-Sn-Zn-O系の材料、In-Al-Zn-O系の材料、Sn-Ga-Zn-O系の材料、Al-Ga-Zn-O系の材料、Sn-Al-Zn-O系の材料、In-Hf-Zn-O系の材料、In-La-Zn-O系の材料、In-Ce-Zn-O系の材料、In-Pr-Zn-O系の材料、In-Nd-Zn-O系の材料、In-Sm-Zn-O系の材料、In-Eu-Zn-O系の材料、In-Gd-Zn-O系の材料、In-Tb-Zn-O系の材料、In-Dy-Zn-O系の材料、In-Ho-Zn-O系の材料、In-Er-Zn-O系の材料、In-Tm-Zn-O系の材料、In-Yb-Zn-O系の材料、In-Lu-Zn-O系の材料や、二元系金属酸化物であるIn-Zn-O系の材料、Sn-Zn-O系の材料、Al-Zn-O系の材料、Zn-Mg-O系の材料、Sn-Mg-O系の材料、In-Mg-O系の材料、In-Ga-O系の材料や、一元系金属酸化物In-O系の材料、Sn-O系の材料、Zn-O系の材料などを用いることができる。また、上記の材料にSiO2を含ませてもよい。ここで、例えば、In-Ga-Zn-O系の材料とは、インジウムIn、ガリウムGa、亜鉛Znを有する酸化物膜、という意味であり、その組成比は特に問わない。また、InとGaとZn以外の元素を含んでいてもよい。また、酸化物半導体膜206は、化学式InMO3ZnOmm>0で表記される材料を用いた薄膜とすることができる。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えば、Mとして、Ga、GaおよびAl、GaおよびMn、またはGaおよびCoなどを用いることができる。また、酸化物半導体膜206の厚さは、3nm以上30nm以下とするのが望ましい。酸化物半導体膜206を厚くしすぎると例えば、膜厚を50nm以上、トランジスタがノーマリーオンとなってしまうおそれがあるためである。酸化物半導体膜206は、水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物が混入しにくい方法で作製するのが望ましい。例えば、スパッタリング法などを用いて作製することができる。本実施の形態では、酸化物半導体膜206を、In-Ga-Zn-O系の酸化物ターゲットを用いたスパッタリング法により形成する。酸化物半導体としてIn-Ga-Zn-O系の材料を用いる場合、ターゲットとしては、例えば、組成比として、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol数比]のターゲットを用いることができる。なお、ターゲットの材料および組成を上述に限定する必要はない。例えば、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比]の組成比のターゲットを用いることもできる。また、酸化物半導体としてIn-Zn-O系の材料を用いる場合、ターゲットとしては、組成比として、原子数比で、In:Zn=50:1~1:2モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=25:1~1:4、好ましくはIn:Zn=20:1~1:1モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=10:1~1:2、さらに好ましくはIn:Zn=15:1~1.5:1モル数比に換算するとIn2O3:ZnO=15:2~3:4とする。例えば、In-Zn-O系酸化物半導体の形成に用いるターゲットは、原子数比がIn:Zn:O=X:Y:Zのとき、Z>1.5XYとする。ターゲットの充填率は、90以上100以下、好ましくは95以上99.9以下とする。充填率の高いターゲットを用いることにより、成膜した酸化物半導体膜206は緻密な膜とすることができるためである。成膜の雰囲気は、希ガス代表的にはアルゴン雰囲気下、酸素雰囲気下、または、希ガスと酸素の混合雰囲気下などとすればよい。また、酸化物半導体膜への水素、水、水酸基、水素化物などの混入を防ぐために、水素、水、水酸基、水素化物などの不純物が十分に除去された高純度ガスを用いた雰囲気とすることが望ましい。例えば、酸化物半導体膜206は、次のように形成することができる。まず、減圧状態に保持された成膜室内に基板200を保持し、基板温度が、200°Cを超えて500°C以下、好ましくは300°Cを超えて500°C以下、より好ましくは350°C以上450°C以下となるように加熱する。次に、成膜室内の残留水分を除去しつつ、水素、水、水酸基、水素化物などの不純物が十分に除去された高純度ガスを導入し、上記ターゲットを用いて基板200上に酸化物半導体膜206を成膜する。成膜室内の残留水分を除去するためには、排気手段として、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプなどの吸着型の真空ポンプを用いることが望ましい。また、排気手段は、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素、水、水酸基または水素化物などの不純物より好ましくは炭素原子を含む化合物もなどが除去されているため、当該成膜室で成膜した酸化物半導体膜206に含まれる水素、水、水酸基または水素化物などの不純物の濃度を低減することができる。成膜中の基板温度が低温例えば、100°C以下の場合、酸化物半導体膜206に水素原子を含む物質が混入するおそれがあるため、基板200を上述の温度で加熱することが好ましい。基板200を上述の温度で加熱して、酸化物半導体膜206の成膜を行うことにより、基板温度は高温となるため、水素結合は熱により切断され、酸化物半導体膜206に取り込まれにくい。したがって、基板200が上述の温度で加熱された状態で、酸化物半導体膜206の成膜を行うことにより、酸化物半導体膜206に含まれる水素、水、水酸基または水素化物などの不純物の濃度を十分に低減することができる。また、スパッタリングによる損傷を軽減することができる。酸化物半導体膜206に含まれる水の含有量の測定法としては、昇温脱離分析法TDS:ThermalDesorptionSpectroscopyが挙げられる。例えば、室温から400°C程度に温度を上げていくことにより、200°Cから300°C程度にかけて酸化物半導体膜に含まれる水、水素、水酸基などの脱離を観測することができる。本実施の形態で得られた酸化物半導体膜206は、昇温脱離分析により水分子の脱離が0.5個/nm3以下、好ましくは0.1個/nm3以下となる膜にすることができる。成膜条件の一例として、基板とターゲットの間との距離を60mm、圧力を0.4Pa、直流DC電源を0.5kW、基板温度を400°C、成膜雰囲気を酸素酸素流量比率100雰囲気とする。なお、パルス直流電源を用いると、成膜時に発生する粉状物質パーティクル、ごみともいうが軽減でき、膜厚分布も均一となるため好ましい。なお、酸化物半導体膜206をスパッタリング法により形成する前に、アルゴンガスを導入してプラズマを発生させる逆スパッタを行い、絶縁膜202の表面に付着している粉状物質パーティクル、ごみともいうを除去することが好ましい。逆スパッタとは、基板側に電圧を印加し、基板近傍にプラズマを形成して、基板の表面を改質する方法である。なお、アルゴンに代えて、窒素、ヘリウム、酸素などのガスを用いてもよい。次に、酸化物半導体膜206を加工して島状の酸化物半導体膜206aを形成する図3C参照。酸化物半導体膜206の加工は、所望の形状のマスクを酸化物半導体膜206上に形成した後、当該酸化物半導体膜206をエッチングすることによって行うことができる。上述のマスクは、フォトリソグラフィなどの方法を用いて形成することができる。または、インクジェット法などの方法を用いてマスクを形成しても良い。なお、酸化物半導体膜206のエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよい。もちろん、これらを組み合わせて用いてもよい。その後、酸化物半導体膜206aに対して、熱処理第1の熱処理を行ってもよい。熱処理を行うことによって、酸化物半導体膜206a中に含まれる水素原子を含む物質をさらに除去し、酸化物半導体膜206aの構造を整え、エネルギーギャップ中の欠陥準位を低減することができる。熱処理の温度は、不活性ガス雰囲気下、250°C以上700°C以下、好ましくは450°C以上600°C以下、または基板の歪み点未満とする。不活性ガス雰囲気としては、窒素、または希ガスヘリウム、ネオン、アルゴン等を主成分とする雰囲気であって、水、水素などが含まれない雰囲気を適用するのが望ましい。例えば、熱処理装置に導入する窒素や、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、6N99.9999以上、好ましくは7N99.99999以上すなわち、不純物濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下とする。熱処理は、例えば、抵抗発熱体などを用いた電気炉に被処理物を導入し、窒素雰囲気下、450°C、1時間の条件で行うことができる。この間、酸化物半導体膜206aは大気に触れさせず、水や水素の混入が生じないようにする。ところで、上述の熱処理には水素や水などを除去する効果があるから、当該熱処理を、脱水化処理や、脱水素化処理などと呼ぶこともできる。当該熱処理は、例えば、酸化物半導体膜を島状に加工した後、ゲート絶縁膜の形成後などのタイミングにおいて行うことも可能である。また、このような脱水化処理、脱水素化処理は、一回に限らず複数回行っても良い。次に、絶縁膜202および酸化物半導体膜206a上に、ソース電極およびドレイン電極これと同じ層で形成される配線を含むを形成するための導電膜を形成し、当該導電膜を加工して、ソース電極208aおよびドレイン電極208bを形成する図3D参照。なお、ここで形成されるソース電極208aの端部とドレイン電極208bの端部との間隔によって、トランジスタのチャネル長Lが決定されることになる。ソース電極208aおよびドレイン電極208bに用いる導電膜としては、例えば、Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元素を成分とする金属窒化物膜窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜等を用いることができる。また、Al、Cuなどの金属膜の下側または上側の一方または双方にTi、Mo、Wなどの高融点金属膜またはそれらの金属窒化物膜窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜を積層させた構成を用いても良い。また、ソース電極208aおよびドレイン電極208bに用いる導電膜は、導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウムIn2O3、酸化スズSnO2、酸化亜鉛ZnO、酸化インジウム酸化スズ合金In2O3―SnO2、ITOと略記する、酸化インジウム酸化亜鉛合金In2O3―ZnOまたはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。導電膜の加工は、レジストマスクを用いたエッチングによって行うことができる。当該エッチングに用いるレジストマスク形成時の露光には、紫外線やKrFレーザ光やArFレーザ光などを用いるとよい。なお、チャネル長L=25nm未満の露光を行う場合には、例えば、数nm~数10nmと極めて波長が短い超紫外線ExtremeUltravioletを用いて、レジストマスク形成時の露光を行うとよい。超紫外線による露光は、解像度が高く焦点深度も大きい。したがって、後に形成されるトランジスタのチャネル長Lを微細化することが可能であり、回路の動作速度を高めることができる。また、いわゆる多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いてエッチング工程を行ってもよい。多階調マスクを用いて形成されたレジストマスクは、複数の膜厚を有する形状となり、アッシングによってさらに形状を変形させることができるため、異なるパターンに加工する複数のエッチング工程に用いることが可能である。このため、一枚の多階調マスクによって、少なくとも二種類以上の異なるパターンに対応するレジストマスクを形成することができる。つまり、工程の簡略化が可能となる。なお、導電膜のエッチングの際に、酸化物半導体膜206aの一部がエッチングされ、溝部凹部を有する酸化物半導体膜206aとなることもある。その後、N2O、N2、またはArなどのガスを用いたプラズマ処理を行い、露出している酸化物半導体膜206aの表面に付着した水などを除去してもよい。次に、ソース電極208aおよびドレイン電極208bを覆い、かつ、酸化物半導体膜206aの一部と接するように、ゲート絶縁膜212を形成する。その後、ゲート電極これと同じ層で形成される配線を含むを形成するための導電膜を形成し、当該導電膜を加工して、ゲート電極214を形成する図3E参照。ゲート絶縁膜212については、シリコン酸化物、シリコン窒化物、アルミニウム酸化物、アルミニウム窒化物、ガリウム酸化物、これらの混合材料、などを用いて、単層構造または積層構造で形成することができる。また、ゲート絶縁膜212として、ガリウム酸化物例えば、酸化ガリウムに酸化シリコンを0~20atom添加したものを用いることもできる。さらに、トランジスタのゲート絶縁膜として機能することを考慮して、酸化ハフニウムなどの比誘電率が高い材料を採用しても良い。ここで、ゲート絶縁膜212を形成した後、脱水化処理、脱水素化処理を行っても良い。なお、酸化物半導体膜206、酸化物半導体膜206a、またはゲート絶縁膜212の形成後のいずれかにおいて、酸素ドープ処理を行ってもよい。酸素ドープとは、酸素少なくとも、酸素ラジカル、酸素原子、酸素イオン、のいずれかを含むをバルクに添加することを言う。なお、当該バルクの用語は、酸素を、薄膜表面のみでなく薄膜内部に添加することを明確にする趣旨で用いている。また、酸素ドープには、プラズマ化した酸素をバルクに添加する酸素プラズマドープが含まれる。酸素ドープ処理を行うことによって、酸化物半導体膜の酸素欠損に起因するしきい値電圧Vthのばらつきを低減すると共に、しきい値電圧のシフト量ΔVthを低減することができる。酸素ドープ処理は、ICPInductivelyCoupledPlasma:誘導結合型プラズマ方式を用いて励起された酸素プラズマを用いて行うことが好ましい。ゲート電極214は、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料またはこれらを主成分とする合金材料を用いて形成することができる。なお、ゲート電極214は、単層構造としても良いし、積層構造としても良い。以上の工程で、トランジスタ110を形成することができる図3E参照。トランジスタ120の作製工程次に、図2Aに示すトランジスタ120の作製工程の一例について説明する。まず、基板200上に絶縁膜202を形成する。基板200及び絶縁膜202の詳細については、トランジスタ110の作製工程に関する記載を参酌できる。次に、絶縁膜202上に、ソース電極およびドレイン電極これと同じ層で形成される配線を含むを形成するための導電膜を形成し、当該導電膜を加工して、ソース電極208aおよびドレイン電極208bを形成する。ソース電極208aおよびドレイン電極208bの詳細については、トランジスタ110の作製工程に関する記載を参酌できる。次に、絶縁膜202上に、ソース電極208aおよびドレイン電極208bと接続する酸化物半導体膜を形成し、当該酸化物半導体膜を加工して島状の酸化物半導体膜206aを形成する。酸化物半導体膜206a詳細については、トランジスタ110の作製工程に関する記載を参酌できる。次に、ソース電極208aおよびドレイン電極208bを覆い、かつ、酸化物半導体膜206aの一部と接するようにゲート絶縁膜212を形成し、その後、ゲート電極214を形成する。ゲート絶縁膜212およびゲート電極214の詳細については、トランジスタ110の作製工程に関する記載を参酌できる。なお、トランジスタ120の作製工程において、酸化物半導体膜を形成した後のいずれかの工程で、酸化物半導体膜の脱水化処理、脱水素化処理を行うことが好ましい。以上の工程で、トランジスタ120を形成することができる図2A参照。トランジスタ310およびトランジスタ320の作製工程次に、図4A乃至図4Dを用いて、図2Bに示すトランジスタ310および図2Cに示すトランジスタ320の作製工程の一例について説明する。まず、基板400上にゲート電極これと同じ層で形成される配線を含むを形成するための導電膜を形成し、当該導電膜を加工して、ゲート電極401を形成する。その後、ゲート電極401を覆うようにゲート絶縁膜402を形成する図4A参照。基板400およびゲート電極401の詳細については、それぞれ、基板200およびゲート電極214に関する記載を参酌できる。ゲート絶縁膜402の詳細については、ゲート絶縁膜212に関する記載を参酌できる。次に、ゲート絶縁膜402上に酸化物半導体膜403を形成する図4B参照。酸化物半導体膜403の詳細については、酸化物半導体膜206の記載を参酌できる。次に、酸化物半導体膜403を加工して島状の酸化物半導体膜403aを形成する図4C参照。酸化物半導体膜403の加工方法の詳細については、酸化物半導体膜206の加工方法に関する記載を参酌できる。次に、ゲート絶縁膜402および酸化物半導体膜403a上に、ソース電極およびドレイン電極これと同じ層で形成される配線を含むを形成するための導電膜を形成し、当該導電膜を加工して、ソース電極405aおよびドレイン電極405bを形成する。その後、酸化物半導体膜403a、ソース電極405aおよびドレイン電極405bを覆うように絶縁膜407を形成する図4D参照。ソース電極405aおよびドレイン電極405bの詳細については、ソース電極208aおよびドレイン電極208bの記載を参酌できる。また、絶縁膜407の詳細については、絶縁膜202の記載を参酌できる。以上の工程でトランジスタ310が形成される図4D参照。さらに、図4Dにおいて、絶縁膜407上に導電膜410を形成することにより、図2Cに示すトランジスタ320を形成することができる。導電膜410の詳細については、ゲート電極401に関する記載を参酌できる。なお、導電膜410は、バックゲート電極として機能する。バックゲート電極の電位を変化させることで、トランジスタのしきい値電圧を変化させることができる。なお、トランジスタ310及びトランジスタ320の作製工程において、酸化物半導体膜を形成した後のいずれかの工程で、酸化物半導体膜の脱水化処理、脱水素化処理を行うことが好ましい。トランジスタ330の作製工程次に、図2Dに示すトランジスタ330の作製工程について説明する。まず、基板400上にゲート電極これと同じ層で形成される配線を含むを形成するための導電膜を形成し、当該導電膜を加工して、ゲート電極401を形成する。その後、ゲート電極401を覆うようにゲート絶縁膜402を形成する。基板400およびゲート電極401、ゲート絶縁膜402の詳細については、それぞれ、基板200およびゲート電極214、ゲート絶縁膜212に関する記載を参酌できる。次に、ゲート絶縁膜402上にソース電極およびドレイン電極これと同じ層で形成される配線を含むを形成するための導電膜を形成し、当該導電膜を加工して、ソース電極405aおよびドレイン電極405bを形成する。ソース電極405aおよびドレイン電極405bの詳細については、ソース電極208aおよびドレイン電極208bの記載を参酌できる。次に、ゲート絶縁膜402、ソース電極405aおよびドレイン電極405b上に、酸化物半導体膜を形成し、当該酸化物半導体膜を加工して島状の酸化物半導体膜403aを形成する。酸化物半導体膜403aの詳細については、酸化物半導体膜206aに関する記載を参酌できる。次に、酸化物半導体膜403a、ソース電極405aおよびドレイン電極405bを覆うように絶縁膜407を形成した後、絶縁膜407上に絶縁膜409を形成する。絶縁膜407及び絶縁膜409の詳細については、絶縁膜202の記載を参酌できる。例えば、絶縁膜407をガリウム酸化物膜で形成し、絶縁膜409をシリコン酸化物膜で形成することができる。以上の工程でトランジスタ330が形成される図2D参照。なお、トランジスタ330の作製工程において、酸化物半導体膜を形成した後のいずれかの工程で、酸化物半導体膜の脱水化処理、脱水素化処理を行うことが好ましい。以上のように、本実施の形態に係るトランジスタは、酸化物半導体膜を成膜する際に、基板温度が、200°Cを超えて500°C以下、好ましくは300°Cを超えて500°C以下、より好ましくは350°C以上450°C以下となるように加熱している。このような温度で酸化物半導体膜の成膜を行うことにより、水素、水、水酸基または水素化物など不純物が酸化物半導体膜に混入することを防止することができる。酸化物半導体中で、電子供与体となり得る不純物を極めて少ないレベルにまで低減することにより、酸化物半導体を高純度化またはi型真性化することができる。高純度化またはi型化された酸化物半導体膜をトランジスタのチャネル形成領域に用いることにより、トランジスタの電気的特性の変動を抑制することができるため、トランジスタの信頼性を向上させることができる。また、高純度化またはi型化された酸化物半導体中では、キャリアが極めて少なくゼロに近い、キャリア密度は非常に小さい値1×1014/cm3以下、好ましくは1×1012/cm3以下をとる。これにより、トランジスタがオフ状態のときのリーク電流オフ電流を極めて低減することができる。以上のように、安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することができる。よって、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。実施の形態2実施の形態1で例示したトランジスタを用いて表示機能を有する半導体装置表示装置ともいうを作製することができる。また、トランジスタを含む駆動回路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。図5Aにおいて、第1の基板4001上に設けられた画素部4002を囲むようにして、シール材4005が設けられ、第2の基板4006によって封止されている。図5Aにおいては、第1の基板4001上のシール材4005によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された走査線駆動回路4004、信号線駆動回路4003が実装されている。また別途形成された信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004または画素部4002に与えられる各種信号および電位は、FPCFlexibleprintedcircuit4018a、4018bから供給されている。図5Bおよび図5Cにおいて、第1の基板4001上に設けられた画素部4002と、走査線駆動回路4004とを囲むようにして、シール材4005が設けられている。また画素部4002と、走査線駆動回路4004の上に第2の基板4006が設けられている。よって画素部4002と、走査線駆動回路4004とは、第1の基板4001とシール材4005と第2の基板4006とによって、表示素子と共に封止されている。図5Bおよび図5Cにおいては、第1の基板4001上のシール材4005によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路4003が実装されている。図5Bおよび図5Cにおいては、別途形成された信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004または画素部4002に与えられる各種信号および電位は、FPC4018から供給されている。また図5Bおよび図5Cにおいては、信号線駆動回路4003を別途形成し、第1の基板4001に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部のみを別途形成して実装しても良い。なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、COGChipOnGlass方法、ワイヤボンディング方法、或いはTABTapeAutomatedBonding方法などを用いることができる。図5Aは、COG方法により信号線駆動回路4003、走査線駆動回路4004を実装する例であり、図5Bは、COG方法により信号線駆動回路4003を実装する例であり、図5Cは、TAB方法により信号線駆動回路4003を実装する例である。また、表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラを含むIC等を実装した状態にあるモジュールとを含む。なお、本明細書中における表示装置とは、画像表示デバイス、表示デバイス、もしくは光源照明装置含むを指す。また、コネクター、例えばFPCもしくはTABテープもしくはTCPが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または表示素子にCOG方式によりIC集積回路が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。また第1の基板上に設けられた画素部および走査線駆動回路は、トランジスタを複数有しており、実施の形態1で示したトランジスタを適用することができる。表示装置に設けられる表示素子としては液晶素子液晶表示素子ともいう、発光素子発光表示素子ともいう、を用いることができる。発光素子は、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ELElectroLuminescence、有機EL等が含まれる。また、電子インクなど、電気的作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。半導体装置の一形態について、図6乃至図8を用いて説明する。図6乃至図8は、図5BのM-Nにおける断面図に相当する。図6乃至図8で示すように、半導体装置は接続端子電極4015および端子電極4016を有しており、接続端子電極4015および端子電極4016はFPC4018が有する端子と異方性導電膜4019を介して、電気的に接続されている。接続端子電極4015は、第1の電極層4030と同じ導電膜から形成され、端子電極4016は、トランジスタ4010、トランジスタ4011のソース電極およびドレイン電極と同じ導電膜で形成されている。また第1の基板4001上に設けられた画素部4002と、走査線駆動回路4004は、トランジスタを複数有しており、図6乃至図8では、画素部4002に含まれるトランジスタ4010と、走査線駆動回路4004に含まれるトランジスタ4011とを例示している。本実施の形態では、トランジスタ4010、トランジスタ4011として、実施の形態1で示したトランジスタを適用することができる。トランジスタ4010、トランジスタ4011は、電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。よって、図6乃至図8で示す本実施の形態の半導体装置として信頼性の高い半導体装置を提供することができる。画素部4002に設けられたトランジスタ4010は表示素子と電気的に接続し、表示パネルを構成する。表示素子は表示を行うことがでれば特に限定されず、様々な表示素子を用いることができる。図6に表示素子として液晶素子を用いた液晶表示装置の例を示す。図6において、表示素子である液晶素子4013は、第1の電極層4030、第2の電極層4031、および液晶層4008を含む。なお、液晶層4008を挟持するように配向膜として機能する絶縁膜4032、4033が設けられている。第2の電極層4031は第2の基板4006側に設けられ、第1の電極層4030と第2の電極層4031とは液晶層4008を介して積層する構成となっている。なお、図5Bに示す表示装置において、表示素子として液晶素子を用いた場合のM-Nにおける断面が、図6に相当する。また、4035は絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサであり、液晶層4008の膜厚セルギャップを制御するために設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。表示素子として、液晶素子を用いる場合、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。また、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善するために5重量以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が1msec以下と短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。よって液晶表示装置の生産性を向上させることが可能となる。また、液晶材料の固有抵抗率は、1×109Ωcm以上であり、好ましくは1×1011Ωcm以上であり、さらに好ましくは1×1012Ωcm以上である。なお、本明細書における固有抵抗率の値は、20°Cで測定した値とする。液晶表示装置に設けられる保持容量の大きさは、画素部に配置されるトランジスタのリーク電流等を考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定される。高純度の酸化物半導体膜を有するトランジスタを用いることにより、各画素における液晶容量に対して1/3以下、好ましくは1/5以下の容量の大きさを有する保持容量を設ければ充分である。本実施の形態で用いる高純度化された酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、オフ状態における電流値オフ電流値を低くすることができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力を抑制する効果を奏する。また、本実施の形態で用いる高純度化された酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。よって、液晶表示装置の画素部に上記トランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。また、上記トランジスタは、同一基板上に駆動回路部または画素部に作り分けて作製することができるため、液晶表示装置の部品点数を削減することができる。液晶表示装置には、TNTwistedNematicモード、IPSIn-Plane-Switchingモード、FFSFringeFieldSwitchingモード、ASMAxiallySymmetricalignedMicro-cellモード、OCBOpticalCompensatedBirefringenceモード、FLCFerroelectricLiquidCrystalモード、AFLCAntiFerroelectricLiquidCrystalモードなどを用いることができる。また、ノーマリーブラック型の液晶表示装置、例えば垂直配向VAモードを採用した透過型の液晶表示装置としてもよい。ここで、垂直配向モードとは、液晶表示パネルの液晶分子の配列を制御する方式の一種であり、電圧が印加されていないときにパネル面に対して液晶分子が垂直方向を向く方式である。垂直配向モードとしては、いくつか挙げられるが、例えば、MVAMulti-DomainVerticalAlignmentモード、PVAPatternedVerticalAlignmentモード、ASVモードなどを用いることができる。また、画素ピクセルをいくつかの領域サブピクセルに分け、それぞれ別の方向に分子を倒すよう工夫されているマルチドメイン化あるいはマルチドメイン設計といわれる方法を用いることができる。また、表示装置において、ブラックマトリクス遮光層、偏光部材、位相差部材、反射防止部材などの光学部材光学基板などは適宜設ける。例えば、偏光基板および位相差基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用いてもよい。また、バックライトとして複数の発光ダイオードLEDを用いて、時間分割表示方式フィールドシーケンシャル駆動方式を行うことも可能である。フィールドシーケンシャル駆動方式を適用することで、カラーフィルタを用いることなく、カラー表示を行うことができる。また、画素部における表示方式は、プログレッシブ方式やインターレース方式等を用いることができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、RGBRは赤、Gは緑、Bは青を表すの三色に限定されない。例えば、RGBWWは白を表す、又はRGBに、イエロー、シアン、マゼンタ等を一色以上追加したものがある。なお、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。ただし、本発明はカラー表示の表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の表示装置に適用することもできる。また、表示装置に含まれる表示素子として、エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子を適用することができる。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機EL素子、後者は無機EL素子と呼ばれている。有機EL素子は、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャリア電子および正孔が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このような発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。無機EL素子は、その素子構成により、分散型無機EL素子と薄膜型無機EL素子とに分類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー-アクセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いて説明する。発光素子は発光を取り出すために少なくとも一対の電極の一方が透明であればよい。そして、基板上にトランジスタおよび発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側および基板とは反対側の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、どの射出構造の発光素子も適用することができる。図7に表示素子として発光素子を用いた発光装置の例を示す。表示素子である発光素子4513は、画素部4002に設けられたトランジスタ4010と電気的に接続している。なお発光素子4513の構成は、第1の電極層4030、電界発光層4511、第2の電極層4031の積層構造であるが、示した構成に限定されない。発光素子4513から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子4513の構成は適宜変えることができる。なお、図5Bに示す表示装置において、表示素子として発光素子を用いた場合のM-Nにおける断面が、図7に相当する。隔壁4510は、有機絶縁材料、又は無機絶縁材料を用いて形成する。特に感光性の樹脂材料を用い、第1の電極層4030上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。電界発光層4511は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。発光素子4513に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第2の電極層4031および隔壁4510上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、DLC膜等を形成することができる。また、第1の基板4001、第2の基板4006、およびシール材4005によって封止された空間には充填材4514が設けられ密封されている。このように外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等やカバー材でパッケージング封入することが好ましい。充填材4514としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、PVCポリビニルクロライド、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVBポリビニルブチラルまたはEVAエチレンビニルアセテートを用いることができる。例えば充填材として窒素を用いればよい。また、必要であれば、発光素子の射出面に偏光板、又は円偏光板楕円偏光板を含む、位相差板λ/4板、λ/2板、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。また、表示装置として、電子インクを駆動させる電子ペーパーを提供することも可能である。電子ペーパーは、電気泳動表示装置電気泳動ディスプレイとも呼ばれており、紙と同じ読みやすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能という利点を有している。電気泳動表示装置は、様々な形態が考えられ得るが、プラスの電荷を有する第1の粒子と、マイナスの電荷を有する第2の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒または溶質に複数分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイクロカプセル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示するものである。なお、第1の粒子または第2の粒子は染料を含み、電界がない場合において移動しないものである。また、第1の粒子の色と第2の粒子の色は異なるもの無色を含むとする。このように、電気泳動表示装置は、誘電定数の高い物質が高い電界領域に移動する、いわゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。上記マイクロカプセルを溶媒中に分散させたものが電子インクと呼ばれるものであり、この電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。なお、マイクロカプセル中の第1の粒子および第2の粒子は、導電体材料、絶縁体材料、半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレクトロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料を用いればよい。また、電子ペーパーとして、ツイストボール表示方式を用いる表示装置も適用することができる。ツイストボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極層である第1の電極層および第2の電極層の間に配置し、第1の電極層および第2の電極層に電位差を生じさせて球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法である。図8に、半導体装置の一形態としてアクティブマトリクス型の電子ペーパーを示す。図8の電子ペーパーは、ツイストボール表示方式を用いた表示装置の例である。トランジスタ4010と接続する第1の電極層4030と、第2の基板4006に設けられた第2の電極層4031との間には黒色領域4615aおよび白色領域4615bを有し、周りに液体で満たされているキャビティ4612を含む球形粒子4613が設けられており、球形粒子4613の周囲は樹脂等の充填材4614で充填されている。第2の電極層4031が共通電極対向電極に相当する。第2の電極層4031は、共通電位線と電気的に接続される。なお、図6乃至図8において、第1の基板4001、第2の基板4006としては、ガラス基板の他、可撓性を有する基板も用いることができ、例えば透光性を有するプラスチック基板などを用いることができる。プラスチックとしては、FRPFiberglass-ReinforcedPlastics板、PVFポリビニルフルオライドフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをPVFフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。絶縁層4021は、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いて形成することができる。なお、アクリル樹脂、ポリイミド、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂等の、耐熱性を有する有機絶縁材料を用いると、平坦化絶縁膜として好適である。また上記有機絶縁材料の他に、低誘電率材料low-k材料、シロキサン系樹脂、PSGリンガラス、BPSGリンボロンガラス等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層を形成してもよい。絶縁層4021の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタリング法、スピンコート法、ディッピング法、スプレー塗布、液滴吐出法インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等、ロールコーティング、カーテンコーティング、ナイフコーティング等を用いることができる。表示装置は光源又は表示素子からの光を透過させて表示を行う。よって光が透過する画素部に設けられる基板、絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に対して透光性とする。表示素子に電圧を印加する第1の電極層および第2の電極層画素電極層、共通電極層、対向電極層などともいうにおいては、取り出す光の方向、電極層が設けられる場所、および電極層のパターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。第1の電極層4030、第2の電極層4031は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物以下、ITOと示す。、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。また、第1の電極層4030、第2の電極層4031はタングステンW、モリブデンMo、ジルコニウムZr、ハフニウムHf、バナジウムV、ニオブNb、タンタルTa、クロムCr、コバルトCo、ニッケルNi、チタンTi、白金Pt、アルミニウムAl、銅Cu、銀Ag等の金属、又はその合金、若しくはその窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる。また、第1の電極層4030、第2の電極層4031として、導電性高分子導電性ポリマーともいうを含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。例えば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、若しくはアニリン、ピロールおよびチオフェンの2種以上からなる共重合体またはその誘導体などがあげられる。また、トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、駆動回路保護用の保護回路を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。以上のように実施の形態1で例示したトランジスタを適用することで、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。なお、実施の形態1で例示したトランジスタは上述の表示機能を有する半導体装置のみでなく、電源回路に搭載されるパワーデバイス、LSI等の半導体集積回路、対象物の情報を読み取るイメージセンサ機能を有する半導体装置など様々な機能を有する半導体装置に適用することが可能である。以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。実施の形態3本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器遊技機も含むに適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機携帯電話、携帯電話装置ともいう、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。上記実施の形態で説明した半導体装置を具備する電子機器の例について説明する。図9Aは、ノート型のパーソナルコンピュータであり、本体3001、筐体3002、表示部3003、キーボード3004などによって構成されている。実施の形態1または2で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高いノート型のパーソナルコンピュータとすることができる。図9Bは、携帯情報端末PDAであり、本体3021には表示部3023と、外部インターフェイス3025と、操作ボタン3024等が設けられている。また操作用の付属品としてスタイラス3022がある。実施の形態1または2で示した半導体装置を適用することにより、より信頼性の高い携帯情報端末PDAとすることができる。図9Cは、電子書籍の一例を示している。例えば、電子書籍2700は、筐体2701および筐体2703の2つの筐体で構成されている。筐体2701および筐体2703は、軸部2711により一体とされており、該軸部2711を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。筐体2701には表示部2705が組み込まれ、筐体2703には表示部2707が組み込まれている。表示部2705および表示部2707は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部図9Cでは表示部2705に文章を表示し、左側の表示部図9Cでは表示部2707に画像を表示することができる。実施の形態1または2で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高い電子書籍2700とすることができる。また、図9Cでは、筐体2701に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体2701において、電源2721、操作キー2723、スピーカー2725などを備えている。操作キー2723により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子イヤホン端子、USB端子など、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍2700は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。また、電子書籍2700は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。図9Dは、携帯電話であり、筐体2800および筐体2801の二つの筐体で構成されている。筐体2801には、表示パネル2802、スピーカー2803、マイクロフォン2804、ポインティングデバイス2806、カメラ用レンズ2807、外部接続端子2808などを備えている。また、筐体2800には、携帯電話の充電を行う太陽電池セル2810、外部メモリスロット2811などを備えている。また、アンテナは筐体2801内部に内蔵されている。実施の形態1または2で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高い携帯電話とすることができる。また、表示パネル2802はタッチパネルを備えており、図9Dには映像表示されている複数の操作キー2805を点線で示している。なお、太陽電池セル2810で出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。表示パネル2802は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネル2802と同一面上にカメラ用レンズ2807を備えているため、テレビ電話が可能である。スピーカー2803およびマイクロフォン2804は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体2800と筐体2801は、スライドし、図9Dのように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。外部接続端子2808はACアダプタおよびUSBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、充電およびパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット2811に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存および移動に対応できる。また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。図9Eは、デジタルビデオカメラであり、本体3051、表示部A3057、接眼部3053、操作スイッチ3054、表示部B3055、バッテリー3056などによって構成されている。実施の形態1または2で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高いデジタルビデオカメラとすることができる。図9Fは、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置9600は、筐体9601に表示部9603が組み込まれている。表示部9603により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド9605により筐体9601を支持した構成を示している。実施の形態1または2で示した半導体装置を適用することにより、信頼性の高いテレビジョン装置9600とすることができる。テレビジョン装置9600の操作は、筐体9601が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。なお、テレビジョン装置9600は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向送信者から受信者または双方向送信者と受信者間、あるいは受信者間同士などの情報通信を行うことも可能である。以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。本実施例では、昇温脱離分析により、酸化物半導体に含まれる水素原子を含む物質の脱離に関して調査した結果について説明する。昇温脱離分析とは、高真空中で試料を赤外線加熱しながら放出されるガス分子を質量分析することにより、温度毎に試料からの脱離成分の質量スペクトルを得るものである。測定装置のバックグラウンド真空度は1.33×10-7Pa10-9Torrであるため、極微量成分についての分析が可能である。本実施例ではESCO社のEMD-WA1000Sを使用した。本実施例では、ガラス基板上に酸化物半導体膜In-Ga-Zn-O系非単結晶膜を50nm成膜した。酸化物半導体膜の成膜条件は、基板温度を室温、200°C、400°Cの3条件とした。また、成膜雰囲気をアルゴンと酸素の混合雰囲気酸素流量比率33とした。図10及び図11は、酸化物半導体膜を室温で成膜した場合の結果であり、図10Aは質量数1の物質Hの強度、図10Bは質量数2の物質H2の強度、図11Aは質量数17の物質OHの強度、図11Bは質量数18の物質H2Oの強度を示している。図12及び図13は、酸化物半導体膜を200°Cで成膜した場合の結果であり、図12Aは質量数1の物質Hの強度、図12Bは質量数2の物質H2の強度、図13Aは質量数17の物質OHの強度、図13Bは質量数18の物質H2Oの強度を示している。図14及び図15は、酸化物半導体膜を400°Cで成膜した場合の結果であり、図14Aは質量数1の物質Hの強度、図14Bは質量数2の物質H2の強度、図15Aは質量数17の物質OHの強度、図15Bは質量数18の物質H2Oの強度を示している。質量数1の物質Hの場合、図10Aに示す室温で成膜した酸化物半導体膜は、250°C付近でピークが検出された。また、図12Aに示す200°Cで成膜した酸化物半導体膜は、室温で成膜した酸化物半導体膜と比較してピークが低くなった。これらに対して、図14Aに示す400°Cで成膜した酸化物半導体膜は、ピークはほとんど検出されなかった。質量数2の物質H2の場合、図10Bに示す室温で成膜した酸化物半導体膜、図12Bに示す200°Cで成膜した酸化物半導体膜、及び図14Bに示す400°Cで成膜した酸化物半導体膜のいずれにおいても、ピークはほとんど検出されなかった。質量数17の物質OHの場合、図11Aに示す室温で成膜した酸化物半導体膜および図13Aに示す200°Cで成膜した酸化物半導体膜は、300°C付近でピークが検出されたが、図15Aに示す400°Cで成膜した酸化物半導体膜は、ピークはほとんど検出されなかった。質量数18の物質H2Oの場合、図11Bに示す室温で成膜した酸化物半導体膜および図13Bに示す200°Cで成膜した酸化物半導体膜は、300°C付近でピークが検出されたが、図15Bに示す400°Cで成膜した酸化物半導体膜は、ピークはほとんど検出されなかった。次に、図11B、図13B、及び図15Bに示す昇温脱離分析結果から、水分子の個数を求めた結果について説明する。水分子の個数は、図11B、図13B、及び図15Bに示すTDSスペクトルにおける、ピーク強度の積分値から算出することができる。つまり、TDSスペクトルのピーク強度の積分値と、標準試料から得られている基準値を用いることによって、水分子の脱離量を計算することができる。例えば、標準試料のTDSスペクトルと、酸化物半導体膜のTDSスペクトルから、酸化物半導体膜の水分子の脱離量はNH2Oは、下記に示す数式1から求めることができる。NH2O=NH2/SH2×SH2Oα数式1NH2は、標準試料から脱離した水素分子H2を密度に換算した値である。SH2は、標準試料の水素分子H2のTDSスペクトルの積分値である。すなわち、NH2/SH2を標準試料の基準値とする。SH2Oは、酸化物半導体膜の水分子H2OのTDSスペクトルの積分値である。αは、TDSスペクトル強度に影響する係数である。前記式1の詳細に関しては、特開平06-275697号公報を参照されたい。本実施例では、図11B、図13B、及び図15Bに示すTDSスペクトルにおいて、温度150°C以上400°C以下の範囲において積分値を算出し、標準試料と比較することで、水分子の個数を算出した。なお、標準試料として、1×1016atoms/cm3の水素原子を含むシリコンウェハを用いた。以上を総合して、室温、200°C、400°Cで成膜した場合の酸化物半導体膜の水分子H2Oの個数を求めると、それぞれ1.06個/nm3、0.31個/nm3、0.05個/nm3検出下限値以下であることが分かった。なお、質量数1の物質H、質量数17の物質OHが示す測定値は、水分子に由来した物質が強く影響していると考えられる。よって、上記水分子の個数の算出にあたっては、水分子が検出器において解離してできる質量数1の物質H、質量数17の物質OHなどの数を考慮した。以上の結果より、In-Ga-Zn-O系非単結晶膜を成膜した温度が高いほど、In-Ga-Zn-O系非単結晶膜中から脱離する水、OH、Hなどの不純物が低減されていることがわかった。400°Cで成膜した酸化物半導体膜では、成膜時においてその主成分以外の不純物が極力含まれず、高純度化されていることがわかった。このような高純度化された酸化物半導体膜をトランジスタに用いることにより、電気的特性の安定したトランジスタを得ることができる。