"下部電極と、前記下部電極と対向する上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に形成された有機の光電変換材料を含む光電変換層とを有し、前記下部電極と前記上部電極との間にバイアス電圧を印加して光電流を取り出す光電変換素子であって、前記上部電極を光入射側の電極であり、前記上部電極が透明であり、前記下部電極が光の反射機能を有する金属電極であり、前記下部電極が電子取り出し用の電極であり、前記上部電極が正孔取り出し用の電極であり、前記光電変換層と前記上部電極との間に、前記光電変換層の表面の凹凸を緩和する有機の正孔輸送性材料からなる平滑層を備え、前記光電変換層の厚みが50nm~100nmであり、前記平滑層の厚みが150nm~200nmである光電変換素子。請求項1記載の光電変換素子であって、前記有機の光電変換材料が、キナクリドン骨格、フタロシアニン骨格、及びアントラキノン骨格の材料のいずれかを含む光電変換素子。請求項1又は2記載の光電変換素子であって、前記正孔輸送性材料がトリフェニルアミン構造を有する材料である光電変換素子。請求項3記載の光電変換素子であって、前記正孔輸送性材料がスターバーストアミン構造を有する材料である光電変換素子。請求項1~4のいずれか記載の光電変換素子であって、入射光に対する前記光電変換素子全体の光吸収率が、前記光電変換層の吸収ピーク波長において80以上である光電変換素子。請求項1~5のいずれか記載の光電変換素子であって、入射光に対する前記光電変換素子の作用スペクトルの半値幅が130nm以下である光電変換素子。半導体基板上方の同一平面上にアレイ状に多数配置された請求項1~6のいずれか1項記載の光電変換素子と、前記多数の光電変換素子の各々で発生した信号電荷に応じた信号を読み出す信号読出し部とを備える固体撮像素子。請求項7記載の固体撮像素子であって、前記信号読出し部が、前記半導体基板に形成されたCMOS回路またはCCDからなる固体撮像素子。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、光電変換層を厚くすることなく光吸収率を向上させることができると共に、作用スペクトルをシャープ化することが可能な光電変換素子とそれを備える固体撮像素子を提供することを目的とする。本発明の光電変換素子は、下部電極と、前記下部電極と対向する上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に形成された有機の光電変換材料を含む光電変換層とを有し、前記下部電極と前記上部電極との間にバイアス電圧を印加して光電流を取り出す光電変換素子であって、前記上部電極を光入射側の電極であり、前記上部電極が透明であり、前記下部電極が光の反射機能を有する金属電極であり、前記下部電極が電子取り出し用の電極であり、前記上部電極が正孔取り出し用の電極であり、前記光電変換層と前記上部電極との間に、前記光電変換層の表面の凹凸を緩和する有機の正孔輸送性材料からなる平滑層を備え、前記光電変換層の厚みが50nm~100nmであり、前記平滑層の厚みが150nm~200nmであるものである。本発明の光電変換素子は、前記有機の光電変換材料が、キナクリドン骨格、フタロシアニン骨格、及びアントラキノン骨格の材料のいずれかを含むものである。本発明の光電変換素子は、前記正孔輸送性材料がトリフェニルアミン構造を有する材料であるものを含む。本発明の光電変換素子は、前記正孔輸送性材料がスターバーストアミン構造を有する材料であるものを含む。本発明の光電変換素子は、入射光に対する前記光電変換素子全体の光吸収率が、前記光電変換層の吸収ピーク波長において80以上であるものを含む。本発明の光電変換素子は、入射光に対する前記光電変換素子の作用スペクトルの半値幅が130nm以下であるものを含む。本発明の固体撮像素子は、半導体基板上方の同一平面上にアレイ状に多数配置された前記光電変換素子と、前記多数の光電変換素子の各々で発生した信号電荷に応じた信号を読み出す信号読出し部とを備えるものである。本発明の固体撮像素子は、前記信号読出し部が、前記半導体基板に形成されたCMOS回路またはCCDからなるものである。本発明によれば、光電変換層を厚くすることなく光吸収率を向上させることができると共に、作用スペクトルをシャープ化することが可能な光電変換素子とそれを備える固体撮像素子を提供することができる。以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。第一実施形態図1は、本発明の第一実施形態を説明するための光電変換素子の概略構成を示す断面模式図である。図1に示す光電変換素子100は、基板1上に形成された下部電極2と、下部電極2に対向する上部電極4と、下部電極2と上部電極4との間の中間層とを備え、中間層には、光電変換層3が少なくとも含まれる。図1の例では、上部電極4側から光が入射され、この光に応じた電荷が光電変換層3で発生する。そして、下部電極2と上部電極4とに、例えば0.1V以上~30V以下のバイアス電圧を印加することで、光電変換層3で発生した電荷が下部電極2及び上部電極4に移動し、下部電極2及び上部電極4のいずれかに移動した電荷に応じた信号を外部に取り出すことができる構成となっている。下部電極2は、光電変換層3で発生した電荷電子又は正孔を捕集するための電極である。下部電極2には、光を反射する反射機能を有する金属電極が用いられる。このような金属電極としては、Ag,Al,Ca,In,Mg,Mn,Ta,Ti,V,W,Au,Co,Fe,Mo,Pd,Pt等、あるいはこれらの混合物等が挙げられる。下部電極2の材料は、光電変換層3で吸収される光の波長に応じて適宜選択すれば良い。例えば、光電変換層3が約420nm~約660nmの範囲の可視光を吸収する場合には、下部電極2を、可視光を反射する機能を有する金属電極にし、光電変換層3が赤外域の光を吸収する場合には、下部電極2を、赤外域の光を反射する機能を有する金属電極にすれば良い。尚、下部電極2は、その上に光電変換層3を形成するため、この表面が凸凹だと、光電変換層3がこの凸凹を反映した形状となり、素子の性能劣化に繋がってしまう。このため、下部電極2の表面の平均面粗さRaは3nm以下であることが好ましい。上部電極4は、光電変換層3で発生した電荷電子又は正孔を捕集するための電極である。光電変換層3に光を入射させる必要があるため、上部電極4は透明であることが好ましい。本明細書において、透明とは、可視光又は赤外光を80以上透過することを言う。透明な電極材料としては、透明導電性酸化物が適当であり、プロセス適性や平滑性の観点からITOSnがドープされた酸化インジウム等が候補として挙げられる。又、上部電極4として、金属を蒸着した金属薄膜を用いることで、光を透過する機能を持たせても良い。上部電極4の厚みは、材料と必要な光透過率によって異なるが、5nm~200nmの範囲が好ましい。光電変換層3は、特定の波長の光を吸収して、吸収した光に応じた電荷を発生する光電変換材料で構成される。光電変換層3は単層構造でも多層構造でも良い。光電変換層3を構成する光電変換材料としては、無機材料と有機材料を用いることができるが、分光特性や感度に優れる点から、有機材料を用いることが特に好ましい。光電変換性能の高さから、結晶性の高い有機材料がさらに好ましい。光電変換層3を構成する有機材料としては、キナクリドン骨格、フタロシアニン骨格、及びアントラキノン骨格の材料等が挙げられる。光電変換層3として以下の化学式1で示されるキナクリドンを用いた場合には、光電変換層3にて緑色の波長域の光を吸収してこれに応じた電荷を発生することが可能となる。光電変換層3として以下の化学式2で示される亜鉛フタロシアニンを用いた場合には、光電変換層3にて赤色の波長域の光を吸収してこれに応じた電荷を発生することが可能となる。光電変換層3として以下の化学式3で示されるアントラキノンAを用いた場合には、光電変換層3にて青色の波長域の光を吸収してこれに応じた電荷を発生することが可能となる。尚、中間層には、光電変換層3の他に、下部電極2及び上部電極4へバイアス電圧印加時に、下部電極2や上部電極4から光電変換層3へ電荷が注入されるのを抑制するための電荷ブロッキング層等を含んでいても良い。単純に考えた場合、光電変換素子100に光が入射すると、上部電極4を透過した光の特定の波長域の光が光電変換層3で吸収され、光電変換層3を透過した光は、下部電極2で反射され光電変換層3に再入射し、光電変換層3で先ほど吸収しきれなかった光がさらに吸収されることとなる。そして、下部電極2と上部電極4にバイアス電圧を印加すると、光電変換層3で発生した電荷が下部電極2及び上部電極4によって捕集され、光電流が外部に取り出される。このように、下部電極での光反射の効果により、光吸収率を増加させることができる。光反射の効果は、単純な光の往復による吸収率増加以外にも挙げることができる。入射光と反射光の光電場が干渉することによって、光吸収率は中間層の厚さや入射光の波長等に応じて複雑に変化する。この干渉効果を利用することでさらに光吸収率を増加させることができる。このように、下部電極2で光を反射させることで、光電変換層3の光吸収率がアップするため、光電変換層3の厚みを厚くしなくても、光吸収率を稼ぐことが可能となる。後述するシミュレーションの比較で分かるように、膜厚および材料を適切に設計することにより、光電変換層を100nm以下としても可視域における吸収ピーク波長において80以上の光を吸収させることができる。さらに、干渉効果により、光吸収率は中間層の厚さや入射光の波長等に応じて変化するため、光電変換層3における光吸収スペクトルの半値幅も変化する。これを利用し、適切な光学定数を持つ材料とその厚みを設計することで、光電変換層3における吸収スペクトルをシャープ化することができ、光電変換素子の作用スペクトルをシャープ化することが可能となる。後述する実施例1,2に記載のように半値幅を130nm以下とすることができる。光電変換層3を薄くした場合には、次のような課題が発生する。上部電極4に用いられる透明導電性酸化物は一般にスパッタ法により形成されるため、光電変換層3上に上部電極4を形成する際、上部電極4の形成時に、既に形成されている光電変換層3の表面の凹凸にスパッタ粒子が潜り込み、素子をショートさせやすい。光電変換層3が薄い場合は、この問題が顕著となる。特に、光電変換層として、凹凸の多い顔料系材料等によって形成した多結晶層を用いた場合には、この現象が更に顕著となる。ここで、多結晶層とは同一材料で結晶方位の異なる微結晶が集合した層であり、単結晶材料やアモルファス材料に比べて、その表面に比較的凹凸が多く存在する。また、光電変換層3の薄型化とは直接関係ないが、上部電極4はスパッタ法により形成されるため、スパッタ時のプラズマによって光電変換層3に損傷を与え、素子特性を劣化させやすい。さらに、光電変換層3の表面の凹凸にスパッタ粒子が潜り込むことで、上部電極4表面にも凹凸が形成される。上部電極4表面に凹凸があると、光電変換層3へのバイアス印加時に、光電変換層3内に均一な電界をかけることができず、局所的に高電界となる領域が生じ、リーク電流増大の原因ともなる。そこで、このような課題を解決するための構成を図2に示した。図2は、本発明の第一実施形態を説明するための光電変換素子の変形例の概略構成を示す断面模式図である。図2において図1と同様の構成には同一符号を付してある。図2に示す光電変換素子200は、図1に示す光電変換素子100の光電変換層3と上部電極4との間に、光電変換層3の表面の凹凸を緩和する平滑層5を追加した構成である。平滑層表面の平均面粗さRaが1nm以下であることが好ましい。なお、平滑層を導入したことによる効果については、特願2006-45955において詳細に説明されている。平滑層5は、その表面に凹凸が少なく且つ光電変換層3をショートさせない材料であれば良く、有機材料や無機材料を用いることができる。特に、アモルファス材料は、その表面に凹凸があまりないため、好ましく用いられる。平滑層5は、光電変換層3に光を入射させる必要があるため、透明であることが好ましい。平滑層5の厚みは、10~300nmの範囲が好ましい。特に、凹凸を効果的に緩和するためには30nm以上が好ましく、また、厚すぎると光電変換層3に印加すべきバイアス電圧が大きくなってしまうため、200nm以下であることが好ましい。又、ショートを効果的に防ぐために、平滑層5の表面の平均面粗さRaは1nm以下であることが好ましい。図2に示す光電変換素子200において、上部電極4を正孔取り出し用の電極とした場合、つまり、光電変換層3で発生した正孔を上部電極4に、電子を下部電極2に移動させるようにバイアス電圧を印加した場合、平滑層5を構成する材料は、正孔輸送性材料であることが好ましい。平滑層5に適している正孔輸送性材料としては、トリフェニルアミン構造を有するトリフェニルアミン系の有機材料が挙げられる。さらにトリフェニルアミン系の有機材料としては、トリフェニルアミン構造が星状に繋がっているスターバーストアミン構造を有するスターバーストアミン系の有機材料が挙げられる。ここで、スターバーストアミン構造とは、以下の化学式4に示したTDATAの構造を言う。トリフェニルアミン系の有機材料としては、以下の化学式5に示した材料アミンAとする等を用いることができ、さらにスターバーストアミン系の有機材料としては、以下の化学式6に示したm-MTDATA4,4’,4’’-tris3-methylphenylphenylaminotriphenylamine等を用いることができる。又、光電変換素子200において、上部電極4を電子取り出し用の電極とした場合、つまり、光電変換層3で発生した電子を上部電極4に、正孔を下部電極2に移動させるようにバイアス電圧を印加した場合、平滑層5を構成する材料は、電子輸送性材料であることが好ましい。平滑層5に適している電子輸送性材料としては、以下の化学式7に示すAlq3tris8-hydroxyquinolinatoaluminumIIIもしくはその誘導体等を用いることができる。この平滑層5が存在することにより、上部電極4をスパッタ法によって形成する場合でも、光電変換層3表面の凹凸にスパッタ粒子が潜り込むことを防ぐことができる。又、平滑層5によって光電変換層3がプラズマに曝されるのを防ぐことができる。又、平滑層5上に上部電極4が形成されるため、上部電極4を平坦に形成することができ、光電変換層3内に均一な電界を印加することができるようになる。このように、平滑層5を設けたことで、電極成膜時における光電変換素子200の性能劣化を防ぐことが可能となる。尚、光電変換層3の表面における凹凸は、光電変換層3が多結晶層で構成されている場合において顕著に見られる。このため、このような構成において平滑層5を設けることが特に効果的である。又、平滑層5は、それ自身、光電変換材料で構成しても良い。多結晶層を構成する有機材料としては、上述したキナクリドンが挙げられる。図1、図2に示すような光電変換層を2つの電極で挟んだ構造の光電変換素子では、特に、ITO等の透明性の高い透明電極を電子取り出し用の電極とした場合、バイアス印加時の暗電流がかなり大きなものとなる。暗電流が大きくなる原因の一つとして、バイアス印加時に電子取り出し用の電極から光電変換層へと流入する電流が考えられる。ITO透明電極等の透明性の高い電極を電子取り出し用の電極とした場合は、その電極の仕事関数が比較的大きいことにより、正孔が電子取り出し用の電極から光電変換層へと注入される際の障壁が低くなり、光電変換層への正孔注入が起こりやすくなるのではないかと考えられた。実際、ITO等の透明性の高い金属酸化物系透明電極の仕事関数を調べてみると、例えばITO電極の仕事関数は4.8eV程度であり、Alアルミニウム電極の仕事関数が約4.3eVであるのと比べてかなり高く、また、ITO以外の他の金属酸化物系の透明電極も、最も小さいAZOAlがドープされた酸化亜鉛の4.5eV程度を除くと、約4.6~5.4とその仕事関数は比較的大きいものであることが知られている例えば、J.Vac.Sci.Technol.A174,Jul/Aug1999p.1765-1772のFig.12参照。このように、電子取り出し用の電極の仕事関数が大きいと、バイアス印加時に、正孔が電子取り出し用の電極から光電変換層へ移動する際の障壁が低くなり、電子取り出し用の電極から光電変換層への正孔注入が起こりやすく、その結果として暗電流が大きくなると考えられる。そこで、図1,2に示す光電変換素子100,200において、電子取り出し用の電極の仕事関数を4.5eV以下とすることが好ましい。例えば、上部電極4を電子取り出し用の電極としたときの、上部電極4の仕事関数を4.5eV以下にする方法を以下に列挙する。なお、電極の仕事関数の調整については、特願2005-251745号において詳細に説明されている。A上部電極4と光電変換層3との間に、上部電極2の仕事関数を調節する仕事関数調節層を設ける。例えば、上部電極4としてITOを使用し、仕事関数調節層として仕事関数4.5eV以下のInまたはAgまたはMgを含む金属薄膜を使用する。B上部電極4として、仕事関数4.5eV以下の導電性透明金属酸化物薄膜を使用する。例えば、導電性透明金属酸化物薄膜として、仕事関数4.5eVのAZO薄膜を使用する。C上部電極4として、金属酸化物にドープして仕事関数を4.5eV以下とした透明電極を使用する。例えば、導電性金属酸化物としてのITOにCsをドープして仕事関数を4.5eV以下とした電極を使用する。D上部電極4として、導電性透明金属酸化物薄膜を表面処理して仕事関数を4.5eV以下とした電極を使用する。例えば、上部電極4としてITOを用い、このITOをアルカリ性溶液に浸して表面処理し、仕事関数を4.5eV以下とした電極を使用する。または、ITOをArイオンまたはNeイオンでスパッタして表面処理し、仕事関数を4.5eV以下とした電極を使用する。尚、下部電極2を電子取り出し用の電極とした場合には、下部電極2の仕事関数を4.5eV以下とすれば良い。下部電極2は、もともと仕事関数が小さい金属電極を用いているため、材料の選択によって仕事関数を簡単に4.5eV以下にすることができる。光入射側の電極である上部電極4を電子取り出し用の電極とした場合は、正孔取り出し用の電極である下部電極2の仕事関数を4.5eV以上とするのがよく、さらに上部電極4の仕事関数を4.5eV以下とすることで、暗電流を抑制できると共に、バイアス電圧を低く抑えられることを見出した。下部電極2の材料となる金属は以下の表2に示すように、仕事関数が4.5eV以下のものがほとんどであり、4.5eV以上の金属としてはAu,Co,Fe,Mo,Pd,Pt等、あるいはこれらの混合物等が挙げられる。このため、これらを下部電極2に用いることで、下部電極2の仕事関数を4.5eV以上にすることもできるが、これらは光反射機能が大きくないため、光干渉効果が弱くなってしまう。又、材料自体も高価であり、製造コストが高くなってしまう。そこで、光干渉効果の維持と低コスト化を実現しながら、下部電極2の仕事関数を4.5eV以上にしたい場合には、図3,4に示すような構成とすれば良い。図3は、本発明の第一実施形態を説明するための光電変換素子の変形例の概略構成を示す断面模式図である。図3において図1と同様の構成には同一符号を付してある。図4は、本発明の第一実施形態を説明するための光電変換素子の変形例の概略構成を示す断面模式図である。図4において図2と同様の構成には同一符号を付してある。図3に示す光電変換素子300は、図1に示す光電変換素子100の下部電極2と光電変換層3との間に、下部電極2の仕事関数を調整するための仕事関数調整層6を追加した構成である。図4に示す光電変換素子400は、図2に示す光電変換素子200の下部電極2と光電変換層3との間に、下部電極2の仕事関数を調整するための仕事関数調整層6を追加した構成である。尚、光電変換素子300と光電変換素子400は、それぞれ上部電極4を電子取り出し用の電極として用いる。仕事関数調整層6は、下部電極2の仕事関数を4.5eV以上に調整するためのものであり、仕事関数が4.5eV以上の透明電極が用いられる。このような透明電極材料としては、透明導電性酸化物が適当であり、プロセス適性や平滑性の観点からITOSnがドープされた酸化インジウム等が候補として挙げられる。このように、仕事関数調整層6を設けることで、下部電極2の材料選択の制限を緩めることができ、光干渉効果を維持して低コスト化を実現しながら、暗電流を抑制し、低バイアスで駆動させることが可能となる。以下に、ITOからなる透明電極の仕事関数調整に関する文献例を挙げる。また、以下に、仕事関数が4.5以下の金属をその特性とともに列挙する。以下、上述した光電変換層3を含む中間層の具体例について説明する。中間層中間層は、光電変換層、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子阻止部位、正孔阻止部位、結晶化防止部位等の積み重ねもしくは混合から形成される。あるいは、光電変換層単独でもよい。光電変換層は有機p型化合物または有機n型化合物を含有することが好ましい。有機p型半導体化合物は、ドナー性有機半導体化合物であり、主に正孔輸送性有機化合物に代表され、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは2つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。したがって、ドナー性有機化合物は、電子供与性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。例えば、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物、ピラゾリン化合物、スチリルアミン化合物、ヒドラゾン化合物、トリフェニルメタン化合物、カルバゾール化合物、ポリシラン化合物、チオフェン化合物、フタロシアニン化合物、シアニン化合物、メロシアニン化合物、オキソノール化合物、ポリアミン化合物、インドール化合物、ピロール化合物、ピラゾール化合物、ポリアリーレン化合物、縮合芳香族炭素環化合物ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体等を用いることができる。なお、これに限らず、上記したように、n型アクセプター性化合物として用いた有機化合物よりもイオン化ポテンシャルの小さい有機化合物であればドナー性有機半導体として用いてよい。有機n型半導体化合物は、アクセプター性有機半導体化合物であり、主に電子輸送性有機化合物に代表され、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは2つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプター性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。例えば、縮合芳香族炭素環化合物ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体、窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含有する5ないし7員のヘテロ環化合物例えばピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、イソキノリン、プテリジン、アクリジン、フェナジン、フェナントロリン、テトラゾール、ピラゾール、イミダゾール、チアゾール、オキサゾール、インダゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、カルバゾール、プリン、トリアゾロピリダジン、トリアゾロピリミジン、テトラザインデン、オキサジアゾール、イミダゾピリジン、ピラリジン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、ジベンズアゼピン、トリベンズアゼピン等、ポリアリーレン化合物、フルオレン化合物、シクロペンタジエン化合物、シリル化合物、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体などが挙げられる。なお、これに限らず、上記したように、ドナー性有機化合物として用いた有機化合物よりも電子親和力の大きな有機化合物であればアクセプター性有機半導体として用いてよい。p型有機色素、またはn型有機色素としては、いかなるものを用いても良いが、好ましくは、シアニン色素、スチリル色素、ヘミシアニン色素、メロシアニン色素ゼロメチンメロシアニンシンプルメロシアニンを含む、3核メロシアニン色素、4核メロシアニン色素、ロダシアニン色素、コンプレックスシアニン色素、コンプレックスメロシアニン色素、アロポーラ色素、オキソノール色素、ヘミオキソノール色素、スクアリウム色素、クロコニウム色素、アザメチン色素、クマリン色素、アリーリデン色素、アントラキノン色素、トリフェニルメタン色素、アゾ色素、アゾメチン色素、スピロ化合物、メタロセン色素、フルオレノン色素、フルギド色素、ペリレン色素、フェナジン色素、フェノチアジン色素、キノン色素、インジゴ色素、ジフェニルメタン色素、ポリエン色素、アクリジン色素、アクリジノン色素、ジフェニルアミン色素、キナクリドン色素、キノフタロン色素、フェノキサジン色素、フタロペリレン色素、ポルフィリン色素、クロロフィル色素、フタロシアニン色素、金属錯体色素、縮合芳香族炭素環系色素ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体が挙げられる。次に金属錯体化合物について説明する。金属錯体化合物は金属に配位する少なくとも1つの窒素原子または酸素原子または硫黄原子を有する配位子をもつ金属錯体であり、金属錯体中の金属イオンは特に限定されないが、好ましくはベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、インジウムイオン、または錫イオンであり、より好ましくはベリリウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、または亜鉛イオンであり、更に好ましくはアルミニウムイオン、または亜鉛イオンである。前記金属錯体中に含まれる配位子としては種々の公知の配位子が有るが、例えば、H.Yersin著PhotochemistryandPhotophysicsofCoordinationCompoundsSpringer-Verlag、1987年、山本明夫著有機金属化学-基礎と応用-裳華房、1982年等に記載の配位子が挙げられる。前記配位子として、好ましくは含窒素ヘテロ環配位子好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数2~20、特に好ましくは炭素数3~15であり、単座配位子であっても2座以上の配位子であっても良い。好ましくは2座配位子である。例えばピリジン配位子、ビピリジル配位子、キノリノール配位子、ヒドロキシフェニルアゾール配位子ヒドロキシフェニルベンズイミダゾール、ヒドロキシフェニルベンズオキサゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾール配位子などが挙げられる、アルコキシ配位子好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~10であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、2-エチルヘキシロキシなどが挙げられる。、アリールオキシ配位子好ましくは炭素数6~30、より好ましくは炭素数6~20、特に好ましくは炭素数6~12であり、例えばフェニルオキシ、1-ナフチルオキシ、2-ナフチルオキシ、2,4,6-トリメチルフェニルオキシ、4-ビフェニルオキシなどが挙げられる。、ヘテロアリールオキシ配位子好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。、アルキルチオ配位子好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。、アリールチオ配位子好ましくは炭素数6~30、より好ましくは炭素数6~20、特に好ましくは炭素数6~12であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。、ヘテロ環置換チオ配位子好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数1~20、特に好ましくは炭素数1~12であり、例えばピリジルチオ、2-ベンズイミゾリルチオ、2-ベンズオキサゾリルチオ、2-ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。、またはシロキシ配位子好ましくは炭素数1~30、より好ましくは炭素数3~25、特に好ましくは炭素数6~20であり、例えば、トリフェニルシロキシ基、トリエトキシシロキシ基、トリイソプロピルシロキシ基などが挙げられるであり、より好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ基、またはシロキシ配位子であり、更に好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、またはシロキシ配位子が挙げられる。光電変換層は、下部電極と上部電極の間にp型半導体層とn型半導体層とを有し、該p型半導体とn型半導体の少なくともいずれかが有機半導体であり、かつ、それらの半導体層の間に、該p型半導体およびn型半導体を含むバルクヘテロ接合構造層を中間層として有する場合が好ましい。バルクへテロ接合構造を含有させることにより、有機層のキャリア拡散長が短いという欠点を補い、光電変換効率を向上させることができる。なお、バルクへテロ接合構造については、特願2004-080639号において詳細に説明されている。光電変換層は、下部電極と上部電極の間にp型半導体の層とn型半導体の層で形成されるpn接合層の繰り返し構造タンデム構造の数を2以上有する構造を含有する場合も好ましく、さらに好ましくは、前記繰り返し構造の間に、導電材料の薄層を挿入する場合である。pn接合層の繰り返し構造タンデム構造の数はいかなる数でもよいが、光電変換効率を高くするために好ましくは2~50であり、さらに好ましくは2~30であり、特に好ましくは2または10である。導電材料としては銀または金が好ましく、銀が最も好ましい。なお、タンデム構造については、特願2004-079930号において詳細に説明されている。下部電極と上部電極の間にp型半導体の層、n型半導体の層、好ましくは混合分散バルクヘテロ接合構造層を持つ光電変換層において、p型半導体およびn型半導体のうちの少なくとも1方に配向制御された有機化合物を含む場合も好ましく、さらに好ましくは、p型半導体およびn型半導体の両方に配向制御された可能な有機化合物を含む場合である。光電変換部位に用いられる有機化合物としては、π共役電子を持つものが好ましく用いられるが、このπ電子平面が、基板電極基板に対して垂直ではなく、平行に近い角度で配向しているほど好ましい。基板に対する角度として好ましくは0°以上80°以下であり、さらに好ましくは0°以上60°以下であり、さらに好ましくは0°以上40°以下であり、さらに好ましくは0°以上20°以下であり、特に好ましくは0°以上10°以下であり、最も好ましくは0°すなわち基板に対して平行である。上記のように、配向の制御された有機化合物の層は、有機層全体に対して一部でも含めば良いが、好ましくは、有機層全体に対する配向の制御された部分の割合が10以上の場合であり、さらに好ましくは30以上、さらに好ましくは50以上、さらに好ましくは70以上、特に好ましくは90以上、最も好ましくは100である。このような状態は、光電変換層において、有機層の有機化合物の配向を制御することにより有機層のキャリア拡散長が短いという欠点を補い、光電変換効率を向上させるものである。有機化合物の配向が制御されている場合において、さらに好ましくはヘテロ接合面例えばpn接合面が基板に対して平行ではない場合である。ヘテロ接合面が、基板電極基板に対して平行ではなく、垂直に近い角度で配向しているほど好ましい。基板に対する角度として好ましくは10°以上90°以下であり、さらに好ましくは30°以上90°以下であり、さらに好ましくは50°以上90°以下であり、さらに好ましくは70°以上90°以下であり、特に好ましくは80°以上90°以下であり、最も好ましくは90°すなわち基板に対して垂直である。上記のような、ヘテロ接合面の制御された有機化合物の層は、有機層全体に対して一部でも含めば良い。好ましくは、有機層全体に対する配向の制御された部分の割合が10以上の場合であり、さらに好ましくは30以上、さらに好ましくは50以上、さらに好ましくは70以上、特に好ましくは90以上、最も好ましくは100である。このような場合、有機層におけるヘテロ接合面の面積が増大し、界面で生成する電子、正孔、電子正孔ペア等のキャリア量が増大し、光電変換効率の向上が可能となる。以上の、有機化合物のヘテロ接合面とπ電子平面の両方の配向が制御された光電変換膜光電変換膜において、特に光電変換効率の向上が可能である。これらの状態については、特願2004-079931号において詳細に説明されている。光吸収の点では有機色素層の膜厚は大きいほど好ましいが、電荷分離に寄与しない割合を考慮すると、有機色素層の膜厚として好ましくは、30nm以上300nm以下、さらに好ましくは50nm以上250nm以下、特に好ましくは80nm以上200nm以下である。有機層の形成法これらの有機化合物を含む層は、乾式成膜法あるいは湿式成膜法により成膜される。乾式成膜法の具体的な例としては、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法,分子線エピタキシ法等の物理気相堆積法あるいはプラズマ重合等の化学気相堆積法が挙げられる。湿式成膜法としては、塗布法、回転塗布法、浸漬法、LB法等が用いられる。p型半導体化合物、または、n型半導体化合物のうちの少なくとも一つとして高分子化合物を用いる場合は、作成の容易な湿式成膜法により成膜することが好ましい。蒸着等の乾式成膜法を用いた場合、高分子を用いることは分解のおそれがあるため難しく、代わりとしてそのオリゴマを好ましく用いることができる。一方、低分子を用いる場合は、乾式成膜法が好ましく用いられ、特に真空蒸着法が好ましく用いられる。真空蒸着法は抵抗加熱蒸着法、電子線加熱蒸着法等の化合物の加熱の方法、るつぼ、ボ-ト等の蒸着源の形状、真空度、蒸着温度、基盤温度、蒸着速度等が基本的なパラメータである。均一な蒸着を可能とするために基板を回転させて蒸着することは好ましい。真空度は高い方が好ましく10-2Pa以下、好ましくは10-4Pa以下、特に好ましくは10-6Pa以下で真空蒸着が行われる。蒸着時のすべての工程は上記の真空中で行われることが好ましく、基本的には化合物が直接、外気の酸素、水分と接触しないようにする。真空蒸着の上述した条件は有機膜の結晶性、非晶質性、密度、緻密度等に影響するので厳密に制御する必要がある。水晶振動子、干渉計等の膜厚モニタを用いて蒸着速度をPIもしくはPID制御することは好ましく用いられる。2種以上の化合物を同時に蒸着する場合には共蒸着法、フラッシュ蒸着法等を好ましく用いることができる。電極透明電極はプラズマフリーで作製することが好ましい。プラズマフリーで透明電極を作成することで、プラズマが基板に与える影響を少なくすることができ、光電変換特性を良好にすることができる。ここで、プラズマフリーとは、透明電極の成膜中にプラズマが発生しないか、またはプラズマ発生源から基体までの距離が2cm以上、好ましくは10cm以上、更に好ましくは20cm以上であり、基体に到達するプラズマが減ずるような状態を意味する。透明電極の成膜中にプラズマが発生しない装置としては、例えば、電子線加熱蒸着装置EB蒸着装置やパルスレーザ蒸着装置がある。EB蒸着装置またはパルスレーザ蒸着装置については、沢田豊監修透明導電膜の新展開シーエムシー、1999年、沢田豊監修透明導電膜の新展開IIシーエムシー、2002年、日本学術振興会著透明導電膜の技術オーム社、1999年、およびそれらに付記されている参考文献等に記載されているような装置を用いることができる。以下では、EB蒸着装置を用いて透明電極膜の成膜を行う方法をEB蒸着法と言い、パルスレーザ蒸着装置を用いて透明電極膜の成膜を行う方法をパルスレーザ蒸着法と言う。プラズマ発生源から基体への距離が2cm以上であって基体へのプラズマの到達が減ずるような状態を実現できる装置以下、プラズマフリーである成膜装置というについては、例えば、対向ターゲット式スパッタ装置やアークプラズマ蒸着法などが考えられ、それらについては沢田豊監修透明導電膜の新展開シーエムシー、1999年、沢田豊監修透明導電膜の新展開IIシーエムシー、2002年、日本学術振興会著透明導電膜の技術オーム社、1999年、およびそれらに付記されている参考文献等に記載されているような装置を用いることができる。次に、下部電極2に光反射機能を持たせたことによる効果を、シミュレーション結果によって説明する。このシミュレーションでは、光電変換層3の材料を顔料系の有機材料であるキナクリドン以下QAと略記とした。光干渉計算に基づいた光吸収率のシミュレーション計算は、以下の文献1または2の方法に従って行った。ここで、このシミュレーションに用いる材料であるQA、m-MTDATA、Alq3については、J.A.Woollam社のV-VASE回転検光子型エリプソメトリー測定器により、ΨスペクトルおよびΔスペクトルの測定を行い、光学定数屈折率nおよび消光係数kを決定した。これら各種材料を、光電変換素子を作成する際と同様の条件で石英基板上に蒸着し、350nm~1100nmの波長域の光に対し、入射角50、60、70°で反射光を測定し、入射角0°で透過光を測定した。このシミュレーションに用いる他の材料であるITO、Al、Ag、Auについては文献値を内挿して算出した。文献1:L.A.A.Petterssonetal.,JournalofAppliedPhysics,86,4871999文献2:P.Peumansetal.,JournalofAppliedPhysics,93,36932003比較用シミュレーション図1に示す構成の光電変換素子100において、下部電極2と上部電極4をそれぞれITOとし、下部電極2の厚みを100nmとし、上部電極4の厚みを10nmとし、光電変換層3の厚みを20nm、50nm、100nm、150nmと変化させたときの光電変換素子100全体での光吸収率と、光電変換層3での光吸収率とを計算した。この結果を図5に示す。図5aは、光電変換素子全体での光吸収率と入射光の波長との関係素子全体の吸収スペクトルを示す図であり、図5bは、光電変換層での光吸収率と入射光の波長との関係光電変換層のみの吸収スペクトルを示す図である。図5aはQA以外の材料で吸収される光についても加算されており、その分bより大きな値をとる。尚、光照射は上部電極4上方から行ったものとして計算した。比較用シミュレーションの素子では、QAで最も吸収される波長Gの波長域である吸収ピーク波長での光吸収率を80以上にするために、QAの厚みが150nmも必要であることが分かる。シミュレーション1比較用シミュレーションの素子において、下部電極2をAlに変更して光吸収率を計算した。この結果を図6に示す。図6aは、光電変換素子全体での光吸収率と入射光の波長との関係を示す図であり、図6bは、光電変換層での光吸収率と入射光の波長との関係を示す図である。シミュレーション2シミュレーション1の素子において、光電変換層3の厚みを50nmに固定し、光電変換層3と上部電極4との間に平滑層としてm-MTDATAを追加し、この平滑層の厚みを0nm、100nm、125nm、150nm、175nmと変化させて光吸収率を計算した。この結果を図7に示す。図7aは、光電変換素子全体での光吸収率と入射光の波長との関係を示す図であり、図7bは、光電変換層での光吸収率と入射光の波長との関係を示す図である。シミュレーション3比較用シミュレーションの素子において、下部電極2をAgに変更して光吸収率を計算した。この結果を図8に示す。図8aは、光電変換素子全体での光吸収率と入射光の波長との関係を示す図であり、図8bは、光電変換層での光吸収率と入射光の波長との関係を示す図である。シミュレーション4シミュレーション3の素子において、光電変換層3の厚みを50nmに固定し、光電変換層3と上部電極4との間に平滑層としてm-MTDATAを追加し、この平滑層の厚みを0nm、100nm、125nm、150nm、175nmと変化させて光吸収率を計算した。この結果を図9に示す。図9aは、光電変換素子全体での光吸収率と入射光の波長との関係を示す図であり、図9bは、光電変換層での光吸収率と入射光の波長との関係を示す図である。シミュレーション5比較用シミュレーションの素子において、下部電極2をAuに変更して光吸収率を計算した。この結果を図10に示す。図10aは、光電変換素子全体での光吸収率と入射光の波長との関係を示す図であり、図10bは、光電変換層での光吸収率と入射光の波長との関係を示す図である。シミュレーション6シミュレーション5の素子において、光電変換層3の厚みを50nmに固定し、光電変換層3と上部電極4との間に平滑層としてAlq3を追加し、この平滑層の厚みを0nm、20nm、50nm、70nmと変化させて光吸収率を計算した。この結果を図11に示す。図11aは、光電変換素子全体での光吸収率と入射光の波長との関係を示す図であり、図11bは、光電変換層での光吸収率と入射光の波長との関係を示す図である。図5からも分かるとおり、下部電極2を透明にした場合、QAの吸収ピーク波長での光吸収率を80程度とするためには、QAの厚みが150nm程度必要となる。しかし、QAの厚みを150nm以上と厚くすると、QAのキャリア輸送性が小さい特に電子輸送性が小さいために、光吸収で生じた電子を電極まで十分に移動させることができず、素子としての外部量子効率を損なう結果となる。一方、図6~図11に示すように、シミュレーション1~6の素子によれば、QAの厚みを薄くしても、比較用シミュレーションの素子よりも光吸収率を上げることができる。図6~図9の結果を見ると、QAの厚みが50nmでも、QAでG光を90程度吸収できることが分かる。この薄い層厚であれば、QA層の電子輸送性の低さをある程度カバーすることができる。同様に、図10、図11の結果を見ると、QAの厚みが50nmでも、QAでG光を70程度吸収できることが分かる。又、光吸収率の大きさおよびスペクトル波形等を考慮し、さらにショート防止の観点から、ある程度の平滑層の厚みが必要であることも考慮すると、図7及び図9の結果から、m-MTDATAの厚みは150nm程度がG光の吸収率が高く適当であると判断できる。この場合QAにおけるG光の光吸収率は約90であった。第二実施形態本実施形態では、第一実施形態で説明した光電変換素子100~400を用いた固体撮像素子について説明する。図12は、第一実施形態で説明した光電変換素子を用いた固体撮像素子の1画素分の断面模式図である。この固体撮像素子500は、図12に示す1画素が同一平面上でアレイ状に多数配置されたものであり、この1画素から得られる信号によって画像データの1つの画素データを生成することができる。図12に示す固体撮像素子500の1画素は、シリコン等の半導体基板上方に、図1~図4のいずれかに記載の光電変換素子を1つ設け、その光電変換素子で発生した電荷を半導体基板に形成された信号読み出し部で読み出す構成となっている。図12では、図示を簡略化するため、半導体基板上方に設けた光電変換素子として、下部電極と、光電変換層と、上部電極のみを図示している。固体撮像素子500の1画素は、p型シリコン基板10と、p型シリコン基板10上方に、下部電極15、下部電極15上に形成された光電変換層16、及び光電変換層16上に形成された上部電極17を含む光電変換素子が、下部電極15をp型シリコン基板10側に向けて形成されている。下部電極15は、図1~図4の下部電極2に相当し、光電変換層16は、図1~図4の光電変換層3に相当し、上部電極17は、図1~図4の上部電極4に相当する。下部電極15は、画素毎に分割されている。上部電極17は画素毎に分割されていても良いし、全画素で共通化されていても良い。p型シリコン基板10内にはn型の高濃度不純物領域n領域11が形成されている。p型シリコン基板10には、n領域11に蓄積された電荷に応じた信号を読み出すCCDやCMOS回路等からなる信号読み出し部図示せずが形成されている。n領域11上には、n領域11と下部電極15とを電気的に接続する金属等からなる接続部14が形成されている。シリコン基板10と下部電極15との間には絶縁層13が形成され、この絶縁層13内に、接続部14と、信号読出し部に光が入射するのを防ぐための遮光膜12が形成されている。絶縁層13が不透明であれば、遮光膜12はなくても良い。上部電極17上には透明な絶縁層18が形成されている。固体撮像素子500を構成する多数の画素には、R光を検出するためのR画素と、G光を検出するためのG画素と、B光を検出するためのB画素との3種類の画素が含まれる。R画素に含まれる光電変換層16は、R光を吸収してこれに応じた電荷を発生する材料で構成される。G画素に含まれる光電変換層16は、G光を吸収してこれに応じた電荷を発生する材料で構成される。B画素に含まれる光電変換層16は、B光を吸収してこれに応じた電荷を発生する材料で構成される。そして、この3種類の画素は所定の配列パターンで配列されている。この配列パターンは、例えば図13aに示すようなベイヤー状の配列や、図13bに示すようなストライプ状の配列を採用することができる。図13に示す四角は画素を表し、その四角内の記号はその画素で検出する色を表している。尚、ここでは、固体撮像素子500が3種類の画素から構成されるものとしたが、画素の種類は2種類以上であれば良い。又、画素の種類も、上述した原色系の光を検出するものに限らず、補色系の光を検出する画素としても良い。図12に示すような固体撮像素子500の各画素の光電変換層16として有機材料を用いる場合、その製造方法を工夫する必要がある。有機材料は、熱や水分等に弱く、光電変換層16を、単板式の固体撮像素子のカラーフィルターと同様にフォトリソグラフィー法で形成してしまうと、光電変換層16の性能が劣化してしまうためである。そこで、光電変換層16を構成する材料を、既に形成した下部電極15上の所定の位置に、メタルマスク等のマスクを介して蒸着して光電変換層16を形成することが有効となる。例えば、下部電極15を形成後、まず、R光を吸収する光電変換材料を、R光を吸収する光電変換層16を形成すべき位置に開口が形成されたメタルマスクrを介して蒸着する。次に、G光を吸収する光電変換材料を、G光を吸収する光電変換層16を形成すべき位置に開口が形成されたメタルマスクgを介して蒸着する。最後に、B光を吸収する光電変換材料を、B光を吸収する光電変換層16を形成すべき位置に開口が形成されたメタルマスクbを介して蒸着して、R光,G光,B光をそれぞれ吸収する光電変換層16を同一平面上に形成すれば良い。このようにすることで、フォトリソグラフィー法を用いることなく光電変換層16を形成することができる。このように、マスクを介して光電変換層16を形成する場合、図13bに示すような配列パターンであれば、メタルマスクr,g,bをそれぞれ同じマスクとして、このマスクを横方向に一次元的にずらし、異なる材料を蒸着していくだけで、多数の光電変換層16を形成できるため、図13aに示すような配列パターンに比べて、製造が容易となる。なお、R光、G光、B光を吸収するそれぞれの光電変換層にとって、最適な平滑層の厚みが同等である場合、平滑層はマスクを用いることなく一度に成膜することができる。この場合は製造が容易となり、また、各光電変換層の間の凹凸を緩和できるため、画素のショートあるいはリーク電流の増大といった問題を低減することができる。次に、下部電極2に光反射機能を持たせたことで、どのような効果が得られるかを、実際に光電変換素子を作成して実験を行った結果に基づいて説明する。比較例1基板上に、ITOを100nm成膜し、その上にIn2nmを蒸着して仕事関数4.5eV以下の下部電極を形成した。その上にキナクリドンQAを100nm成膜して光電変換層を形成し、その上にm-MTDATAを100nm成膜して平滑層を形成し、その上にITOを10nm成膜して上部電極を形成して光電変換素子を作製した。この光電変換素子に、上部電極から波長550nm、強度50μW/cm2の光を照射したときの入射光の波長と外部量子効率との関係である作用スペクトルを図14に示す。図14に示すように、上部電極と下部電極へバイアス電圧を2V印加した時に、QAの吸収ピーク波長において約6の外部量子効率が得られていることが分かる。実施例1基板上に、Alを100nm成膜して下部電極を形成し、その上にキナクリドンQAを50nm成膜して光電変換層を形成し、その上にm-MTDATAを150nm成膜して平滑層を形成し、その上にITOを10nm成膜して上部電極を形成して光電変換素子を作製した。m-MTDATA成膜後のm-MTDATAの表面の平均面粗さRaは約0.8nmである。この光電変換素子に、上部電極から波長550nm、強度50μW/cm2の光を照射したときの入射光の波長と外部量子効率との関係である作用スペクトルを図15に示す。又、この光電変換素子の中間層に加わる平均電界強度と光電流及び暗電流との関係を図16に示す。比較例1の素子と中間層の厚さが同じであるため、同じバイアス電圧で外部量子効率を比較することとする。実施例1の素子では、QAの厚さが50nmと薄いにもかかわらず、2V印加時の外部量子効率は約10と高いことが分かる。バイアス電圧を上げていくと外部量子効率はさらに大きくなり、例えば16V印加した場合は、暗電流は3nA/cm2、外部量子効率は42である。また、比較例1の素子の作用スペクトルの半値幅は約150nmであるが、実施例1の素子の作用スペクトルの半値幅は約120nmであり、光干渉の効果で半値幅が小さくなっていることが分かる。図17に、実施例1の素子の光吸収率を実際に測定した結果を示す。積分球を備えた分光光度計により、反射光を集光して測定を行った。Alのプラズモン吸収に由来する長波域の値がずれているものの、それ以外の領域は図7aに示す計算結果と概ね一致していることが分かる長波域のずれは、Alの光学定数の文献値が正確でないことによると思われる。このことからも、下部電極に反射機能を持たせたことにより、この素子の吸収ピーク波長での光吸収率が90以上に達していることが確認できる。したがって、光電変換層が薄いにもかかわらず外部量子効率が向上したことは、下部電極に反射機能を持たせたことによって光吸収率が大きくなった効果によると考えることができる。それに加え、光電変換層が薄い場合、光吸収で生じたキャリア特に電子の捕集効率が増すという効果も含まれている。実施例2実施例1におけるm-MTDATAの膜厚を175nmとして成膜し、他は実施例1と全く同様の光電変換素子を作製した。m-MTDATA成膜後のm-MTDATAの表面の平均面粗さRaは約0.8nmである。この光電変換素子に、上部電極から波長550nm、強度50μW/cm2の光を照射したときの入射光の波長と外部量子効率との関係である作用スペクトルを図18に示す。実施例2の素子は、実施例1の素子に比べ、同バイアスでの外部量子効率のピーク値が若干小さくなったが、これは膜厚がわずかに厚くなったためであると考えられる。注目すべきは、作用スペクトルの半値幅がひじょうに小さくなり、シャープ化したことである。半値幅は約90nm程度まで小さくなっている。上記の結果は、図7bに示したシミュレーション2の計算結果からも、予想することができる。m-MTDATA膜厚を150nmとした場合に比べ、175nmとした場合は、光電変換膜における吸収がごくわずか小さくなるものの、半値幅がひじょうに小さくなることが分かる。このように、光干渉の効果を利用することで、半値幅を変化させることができる。m-MTDATAの膜厚を適切に設計することで、作用スペクトルの半値幅を小さくすることができることを示している。半値幅を制御する技術は、分光感度特性が重要となる撮像素子にとって、特に重要であると考えられる。以下、上記実施形態で説明した電子取り出し用の電極の仕事関数を4.5eV以下にすることによる、暗電流抑制効果について実施例で証明する。比較例2厚み250nmのITO電極理研計器株製の大気中光電子分光装置AC-2で求めた仕事関数4.8eV;可視域光透過率約90が積層されたガラス基板市販品の上に、厚み100nmのキナクリドン、および厚み100nmのAl電極仕事関数4.3eV;可視域光透過率0を順次真空蒸着により積層した構造で、ITO電極側から光を入射し、ITO電極側で電子を捕集する場合を例として挙げる。素子面積2mm×2mmとして実際に素子作製および測定を行った結果、電圧1V印加時で暗電流が9.3μA/cm2と大きな値となった。この場合、電子取り出し用の電極であるITOの仕事関数が大きいため、バイアス電圧印加時には、ITO電極からキナクリドンへの正孔注入が起こりやすく、暗電流が大きくなると考えられる。実施例3仕事関数が4.3eVと小さいInを2nm真空蒸着によりITO電極上に積層し、キナクリドンとITO電極との間にInを介在させた他は比較例2と同様の素子を作製した2nmのInの可視域光透過率は約98。その結果、電圧1V印加時の暗電流が1.8nA/cm2と4桁程度大きく抑制された。このことは、電子取り出し用の電極であるITO電極の仕事関数を小さくすることで電子取り出し用の電極からの正孔注入が大きく抑制されたことを示している。同じく1Vバイアス印加条件で、ITO電極側から550nmの光を照射強度50μW/cm2で入射したところ、外部量子効率入射フォトン数に対する測定電荷数で12であった。また、バイアス2V印加時においては、暗電流は約100nA/cm2、外部量子効率は19であった。実施例4実施例3の素子において、Al電極をITO電極仕事関数4.8eV;可視域光透過率98へ置き換えて正孔取り出し用の電極の仕事関数を調整し、他は実施例3と同様の素子を作製した。ここで、Al電極の代わりに形成したITO透明電極はRFマグネトロンスパッタにより、40Wで有機膜上に厚み10nm成膜した。このITOのスパッタ成膜時、プラズマによる有機膜上へのダメージでいくつかの素子はショートしてしまったが、ショートせずに成膜できた素子に関して測定を行った。2Vバイアス印加条件で実施例3と同じ条件で光を入射したところ、暗電流40nA/cm2、外部量子効率42であった。実施例3と比較しても、暗電流のさらなる低下バイアス2V印加時:100nA/cm2⇒40nA/cm2が確認された。また、実施例3と同様の条件で光を照射した結果、外部量子効率の向上バイアス2V印加時:19⇒42も確認された。中間層内部に、ある一定の電界強度を印加するためのバイアス電圧は、中間層を挟む電極の組み合わせによって異なる。例えば、電子取り出し用の電極の仕事関数を4.3eVにし、正孔取り出し用の電極の仕事関数を4.8eVにした実施例4の素子は、電子取り出し用の電極の仕事関数を4.8eVにし、正孔取り出し用の電極の仕事関数を4.3eVとした比較例2の素子や、電子取り出し用の電極の仕事関数を4.3eVにし、正孔取り出し用の電極の仕事関数を4.3eVとした実施例3の素子と比較して、低いバイアスで同程度の電界強度を中間層内に印加することができる。これにより低バイアス化が期待できる。実際、実施例4の素子は、バイアス1.5Vで19の外部量子効率が得られ、実施例3の素子に比べて低いバイアスで同じ程度の外部量子効率となる。このように、光入射側の電極を電子取り出し用の電極とした場合、電子取り出し用の電極の仕事関数を4.5eV以下とし、正孔取り出し用の電極の仕事関数を4.5eV以上とすることで、暗電流と共に、バイアス電圧も抑制できることが分かった。"