配向した六方構造を有するグラファイト基板を準備する工程と、前記グラファイト基板上に少なくとも1層のIII族窒化物層を成長させる工程と、を含むIII族窒化物層の成長方法。前記III族窒化物層を成長させる工程は、前記グラファイト基板上にIII族窒化物低温層を成長させるサブ工程と、前記III族窒化物低温層上に前記III族窒化物低温層以外の前記III族窒化物層を成長させるサブ工程とを含み、前記III族窒化物低温層の成長温度は、前記III族窒化物低温層以外の前記III族窒化物層の成長温度に比べて低い請求項1に記載のIII族窒化物層の成長方法。前記III族窒化物層を成長させる工程において、前記III族窒化物層を厚さ100μm以上に成長させる請求項1または請求項2に記載のIII族窒化物層の成長方法。少なくともc軸方向に配向する複数の結晶で構成されるIII族窒化物基板。厚さが100μm以上である請求項4に記載のIII族窒化物基板。しかし、上記の特許文献1の方法では、グラファイト基板上にIII族窒化物層を形成する前にHfN層およびZrN層の少なくとも一方の層を形成する必要がある。また、上記の非特許文献1の方法では、グラファイト基板の表面をプラズマ処理して改質した後、AlN層を成長させてからGaN層を成長させる必要がある。また、上記の特許文献1の成長方法はスパッタ法、PLD法などであり、上記の非特許文献1の成長方法はMOCVD法であり、いずれも薄膜の形成には適した方法であるが、III族窒化物自立基板を得るために厚いIII族窒化物層を成長させるには多くの時間を要する。このため、上記特許文献1および非特許文献1の方法では、III族窒化物基板を製造するコストが高くなる問題がある。また、上記のように特許文献1および非特許文献1で得られるウエハには、基板とIII族窒化物層との間にHfN層またはAlN層のような極めて高抵抗の層が形成されているため、縦型の半導体デバイスを製造することが困難である。そこで、本発明は、半導体デバイスに好適に用いられるIII族窒化物基板を低価格で効率よく製造することを可能とするIII族窒化物層の成長方法およびIII族窒化物基板を提供することを目的とする。本発明は、配向した六方構造を有するグラファイト基板を準備する工程と、グラファイト基板上に少なくとも1層のIII族窒化物層を成長させる工程と、を含むIII族窒化物層の成長方法である。また、本発明にかかるIII族窒化物層の成長方法において、III族窒化物層を成長させる工程は、グラファイト基板上にIII族窒化物低温層を成長させるサブ工程と、III族窒化物低温層上にIII族窒化物低温層以外のIII族窒化物層を成長させるサブ工程とを含み、III族窒化物低温層の成長温度は、III族窒化物低温層以外のIII族窒化物層の成長温度に比べて低くすることができる。また、III族窒化物層を成長させる工程において、III族窒化物層を厚さ100μm以上に成長させることができる。また、本発明は、少なくともc軸方向に配向する複数の結晶で構成されるIII族窒化物基板である。本発明にかかるIII族窒化物基板は、厚さを100μm以上とすることができる。本発明によれば、半導体デバイスに好適に用いられるIII族窒化物基板を低価格で効率よく製造することを可能とするIII族窒化物層の成長方法およびIII族窒化物基板を提供できる。[実施形態1]図1を参照して、本発明の一実施形態であるIII族窒化物層の成長方法は、配向した六方構造を有するグラファイト基板を準備する工程と、グラファイト基板上に少なくとも1層のIII族窒化物層を成長させる工程と、を含むIII族窒化物層の成長方法である。かかる方法により、半導体デバイスに好適に用いられるIII族窒化物基板を低価格で効率よく製造することを可能とするIII族窒化物層が得られる。グラファイト基板の準備工程図1Aを参照して、本実施形態のIII族窒化物層の成長方法は、配向した六方構造を有するグラファイト基板を準備する工程を含む。図2を参照して、本工程で準備されるグラファイト基板は、六方晶系の結晶であり、配向した六方構造を有する。すなわち、複数の炭素原子がsp2混成軌道を形成して正六角形格子状に配置されて形成される平面以下、炭素原子の六方格子状平面10gというが互いに平行に距離Dの間隔で配列して、それらの炭素原子の六方格子状平面10gの面方位がc軸方向に配向している。上記距離Dは、約3.354~3.356×108cm程度である。ここで、グラファイト基板が配向した六方構造を有するとは、具体的には、グラファイト基板を構成するすべての炭素原子が実質的に配向した六方構造を有すること、すなわち、グラファイト基板を構成するすべての炭素原子の六方格子状平面10gの面方位が実質的にc軸に配向していることをいう。なお、グラファイト基板の結晶構造は、図2に示すようなαグラファイトであっても、βグラファイト図示せずであってもよい。なお、グラファイト基板における六方構造を形成する炭素原子の六方格子状平面10gの配向性は、X線回折により評価される。上記のグラファイト基板は、その主面が上記の炭素原子の六方格子状平面により形成されており、その上に少なくともc軸方向に配向する複数の結晶で構成されるIII族窒化物層を成長させることができる。なお、グラファイト基板の配向の方向およびその程度は、X線回折により測定ならびに評価することができる。III族窒化物層の成長工程図1Bを参照して、本実施形態のIII族窒化物層の成長方法は、上記のグラファイト基板10上に少なくとも1層のIII族窒化物層20を成長させる工程と、を含む。本工程においては、グラファイト基板上に成長されるIII族窒化物層20は、上記のグラファイト基板10が、配向した六方構造を有しているため、すなわち、複数の炭素原子がsp2混成軌道を形成して正六角形格子状に配置されて形成される平面以下、炭素原子の六方格子状平面というが互いに平行に距離Dの間隔で配列して、それらの炭素原子の六方格子状平面の面方位がc軸方向に配向しているため、少なくともc軸方向に配向する複数の結晶で構成される。また、III族窒化物は、六方晶系の結晶構造を有する。すなわち、本工程で得られるIII族窒化物層20は、それを構成する複数の六方晶系の結晶が少なくともc軸方向に配向した多結晶層である。ここで、III族窒化物層20が少なくともc軸方向に配向する複数の結晶で構成されるとは、III族窒化物層20を構成する複数の結晶のすべてが実質的にc軸方向に配向していることをいう。なお、III族窒化物を構成する複数の結晶の配向性は、X線回折により評価される。また、グラファイト基板10上に少なくとも1層のIII族窒化物層20を成長させる本工程は、グラファイト基板10上にIII族窒化物低温層21を成長させるサブ工程と、III族窒化物低温層21上にIII族窒化物低温層21以外のIII族窒化物層22を成長させるサブ工程とを含み、III族窒化物低温層21の成長温度は、III族窒化物低温層21以外のIII族窒化物層22の成長温度に比べて低いことが好ましい。かかるサブ工程を含むことにより、結晶性の高いIII族窒化物層22が得られる。ここで、III族窒化物低温層21の成長温度は、III族窒化物低温層21以外のIII族窒化物層22の成長温度よりも低い限り特に制限はないが、結晶の粒径を小さくすることにより、基板との密着性を向上させる観点から、350°C以上750°C以下が好ましい。また、III族窒化物低温層21以外のIII族窒化物層22の成長温度は、III族窒化物低温層21の成長温度よりも高い限り特に制限はないが、結晶性を高めて結晶品質を向上させる観点から、800°C以上1200°C以下が好ましい。本工程において、III族窒化物層20を成長させる方法は、特に制限はなく、HVPEハイドライド気相成長法、MBE分子線成長法、MOCVD法、昇華法などの気相法、フラックス法、高窒素圧溶液法などの液相法などが好適に用いられるが、厚いIII族窒化物層20を効率よく成長させる観点から、HVPE法が好ましい。また、上記のIII族窒化物層20は、自立のIII族窒化物基板III族窒化物自立基板を製造する観点から、厚さ100μm以上に成長させることが好ましい。なお、本実施形態のIII族窒化物層の成長方法においては、上記のグラファイト基板を準備する工程の後、上記のIII族窒化物層の成長工程の前に、グラファイト基板の表面に吸着した水分や不純物などを蒸発させてグラファイト基板の表面状態を向上させる観点から、グラファイト基板を熱処理する工程を行なうことが好ましい。熱処理条件は、特に制限はないが、酸化物などを還元して蒸発させやすくする観点から、処理雰囲気が水素雰囲気中、アンモニア雰囲気中などが好ましく、処理温度が80°C以上500°C以下で、処理時間が0.1時間以上5時間以下が好ましい。また、図1Cを参照して、本実施形態のIII族窒化物層の成長方法においては、グラファイト基板10上に少なくとも1層のIII族窒化物層20を成長させる工程は、一般的に800°C以上1200°C以下程度の高温で行なわれるため、その後の冷却の際に、グラファイト基板10とIII族窒化物層20との間の熱膨張係数の違いにより、グラファイト基板10からIII族窒化物層20が容易に分離するIII族窒化物層の分離工程。このようにして、III族窒化物層20で構成されるIII族窒化物ウエハが得られる。また、III族窒化物層20がグラファイト基板10から分離しない場合であっても、研磨、エッチングなどの方法により、グラファイト基板10を除去して、III族窒化物層20で構成されるIII族窒化物ウエハが得られる。さらに、上記で得られたIII族窒化物ウエハを加工することにより、III族窒化物基板が得られる。III族窒化物ウエハを加工する方法には、特に制限はなく、切削、研削、研磨、エッチングなどの方法が好適に挙げられる。また、これらの方法を適宜組み合わせることもできる。[実施形態2]本発明の別の実施形態であるIII族窒化物基板は、少なくともc軸方向に配向する複数の結晶で構成される。すなわち、本実施形態のIII族窒化物基板は、それを構成する複数の結晶が少なくともc軸方向に配向した多結晶基板である。ここで、III族窒化物基板が少なくともc軸方向に配向する複数の結晶で構成されるとは、III族窒化物層20を構成する複数の結晶のすべてが実質的にc軸方向に配向していることをいう。本実施形態のIII族窒化物基板は、それを構成する複数の結晶が少なくともc軸方向に配向しているため、その上に1層以上のIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させることができる。また、III族窒化物基板は、その割れを抑制する観点から、それを構成する複数の結晶がa軸方向には配向していないことが好ましい。かかる複数の結晶がc軸方向のみならずa軸方向にも配向していると、かかるIII族窒化物基板は、単結晶に近くなるため、製造コストが高くなるとともに割れ易くなる。また、III族窒化物基板は、自立基板とできる観点から、厚さが100μm以上であることが好ましい。なお、本実施形態のIII族窒化物基板は、実施形態1のIII族窒化物層の成長方法により得られたIII族窒化物層を加工することにより、製造される。かかる製造方法は、実施形態1において言及したとおりであり、ここでは説明を繰り返さない。実施例11.グラファイト基板の準備図1Aを参照して、グラファイト基板10として、直径50mmで厚さ25μmのグラファイトシートパナソニック社製PGSREYGS121803を準備した。2.III族窒化物層の成長図1Aを参照して、上記で準備したグラファイトシートグラファイト基板10をHVPE装置内に配置し、水素ガス90モル、アンモニアガス10モル、酸素ガス100ppm以下の全圧が0.1MPa大気圧の混合ガス雰囲気中1050°Cで30分間熱処理を行なった。次いで、上記熱処理したグラファイトシートグラファイト基板10を200°Cまで冷却した。次いで、図1Bを参照して、上記グラファイトシートグラファイト基板10上に、HVPE法により、III族窒化物低温層21として厚さ20nmGaN低温層を成長させた。このGaN低温層III族窒化物低温層21の成長条件は、ガリウム塩化物ガス0.1モル、アンモニアガス10モル、水素ガス89.9モルの全圧が0.1MPa大気圧の混合ガス雰囲気中500°Cで20分間とした。次いで、上記GaN低温層III族窒化物低温層21上に、同じくHVPE法により、III族窒化物低温層21以外のIII族窒化物層22としてGaN層を成長させた。このGaN層III族窒化物層22の成長条件は、ガリウム塩化物ガス1モル、アンモニアガス10モル、水素ガス89モルの全圧が0.1MPa大気圧の混合ガス雰囲気中1050°Cで10時間とした。次いで、図1Cを参照して、冷却後、取り出されたGaN低温層III族窒化物低温層21およびGaN層III族窒化物層22の全GaN層III族窒化物層20は、全体の厚さが0.8mmであり、グラファイトシートグラファイト基板から分離していた。こうして得られたGaN低温層およびGaN層III族窒化物層20の表面を研磨して、GaN基板III族窒化物基板を得た。得られたGaN基板III族窒化物基板は、X線回折装置スペクトリス社製パナリティカルX’PertMRDを用いて、2θ角をGaN基板の0006面回折に対応する126.072°に固定し、ロッキングカーブを15°≦ω≦105°の範囲で測定すると、図3に示すように、ωが62°付近に半値幅が5°のブロードな回折ピークが得られたことから、基板を構成する複数の結晶がc軸方向に配向された多結晶基板であることがわかった。また、このGaN基板III族窒化物基板は、10-11面回折のポールフィギュア測定において、ほとんど回折ピークが得られなかったことから、a軸方向に配向していないことがわかった。このように、グラファイト基板として六方構造を形成するすべての炭素原子の六方格子状平面が実質的に配向したグラファイトシートを用いることにより、c軸方向に配向した複数の結晶で構成されるGaN基板III族窒化物基板が得られた。比較例1グラファイト基板として厚さ400μmの圧延グラファイトシート日本カーボン社製ニカフィルムFL-300を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、全GaN層III族窒化物層20を成長させた。得られた全GaN層は、全体の厚さが0.8mmであり、圧延グラファイトシートと密着していた。かかる全GaN層III族窒化物層20から研削加工により圧延グラファイトシートを除去して加工したGaN基板III族窒化物基板は、実施例1と同様にして、ロッキングカーブを15°≦ω≦105°の範囲で測定すると、図4に示すように、様々なω角において回折ピークが得られたことから、基板を構成する複数の結晶がc軸方向に配向していない多結晶基板であることがわかった。また、このGaN基板III族窒化物基板は、実施例1と同様のポールフィギュア測定において、ほとんど回折ピークが得られなかったことから、a軸方向に配向していないことがわかった。本比較例1において得られたGaN基板III族窒化物基板を構成する複数の結晶がc軸方向に配向していなかったのは、グラファイト基板として用いた圧延グラファイトシートの六方構造を形成する炭素原子の六方格子状平面の一部が配向していなかったためと考えられる。比較例2単結晶GaN基板III族窒化物基板を、実施例1と同様にして、ロッキングカーブを15°≦ω≦105°の範囲で測定すると、図5に示すように、ω角が62°付近に半値幅が0.02°のシャープな回折ピークが得られた外は全く回折ピークは得られなかった。また、この単結晶GaN基板III族窒化物基板は、実施例1と同様のポールフィギュア測定において、半値幅が0.1°のシャープな回折ピークが得られた。今回開示された実施形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明でなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内のすべての変更が含まれることが意図される。