"リソグラフィ装置であって、基板を保持し、スキャン方向に前記基板をスキャンするように構成された基板テーブルと、前記基板テーブルによって前記基板がスキャンされている間に前記基板上に画像を投影するように構成された投影システムと、前記投影システムと前記基板との間の空間に液体を閉じ込めるように構成された液体閉じ込めシステムとを備え、前記投影システムが、光軸を有し、前記光軸及び前記スキャン方向に対して垂直方向の最大寸法を有するイメージフィールド内に、前記画像を投影するように構成され、前記最大寸法は前記空間の前記垂直方向の最大寸法よりも小さく、前記液体閉じ込めシステムが、前記空間と境界を接する液体閉じ込め部材を有し、前記液体閉じ込め部材が、前記基板に向けて液体を誘導するように配置された細長い連続的な液体供給開口を画定し、前記細長い液体供給開口が、前記垂直方向に前記イメージフィールドの最大寸法よりも大きくかつ前記空間の最大寸法よりも小さい寸法を有するリソグラフィ装置。前記液体閉じ込めシステムが、複数の別の液体供給開口をさらに画定し、前記別の液体供給開口が、少なくとも1つの線上に配置され、前記細長い液体供給開口の最大寸法と比較して小さい最大寸法を有する、請求項1に記載のリソグラフィ装置。前記液体閉じ込め部材が、前記空間をはさんで前記細長い液体供給開口の反対側に第2の細長い液体供給開口をさらに画定する、請求項1又は2に記載の液体装置。前記細長い液体供給開口が、V字形である、請求項1、2又は3に記載のリソグラフィ装置。前記細長い液体供給開口が、湾曲している、請求項1、2又は3に記載のリソグラフィ装置。前記液体閉じ込めシステムが、液体を前記空間に供給するように構成された液体供給源と、約1L/分以上、約1.25L/分以上、約1.5L/分以上又は約2L/分以上の流量とをさらに備える、請求項1から5のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。前記細長い液体供給開口が、約100μm以下、約70μm以下、約50μm以下、約30μm以下、又は約20μm以下の幅を有する、請求項1から6のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。前記液体閉じ込め部材が、細長い液体供給開口を画定する対向面を有する、請求項1から7のいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。前記対向面が、前記装置の動作中、前記基板から約200μm以下、約180μm以下、又は約150μm以下の距離に配置される、請求項8に記載のリソグラフィ装置。液体閉じ込めシステムによって基板の表面上に閉じ込められた液体を通して前記基板がスキャン方向にスキャンされている間に前記基板上に画像を投影する液浸リソグラフィ装置であって、前記液体閉じ込めシステムが、前記液体内のガスの泡を前記画像から脇にそらすように前記液体の内部に比較的高いせん断力及び圧力勾配の領域を作成するように配置された細長い液体供給開口を有する液浸リソグラフィ装置。前記液体閉じ込めシステムが、使用時に前記基板に対向する面を有する液体閉じ込め部材と、前記面が前記基板から所定の距離だけ離れるように前記液体閉じ込め部材を位置決めするように構成された位置決めシステムとを備え、前記前記液体供給開口が、前記面に形成され、前記所定の距離が約120μm~約180μmの範囲内であるリソグラフィ装置。リソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法であって、基板の表面に接触する空間に液体を閉じ込めるステップと、前記基板をスキャン方向に移動させながら液体を通して前記基板上に画像を投影するステップと、前記画像のスキャン方向の先にある液体の内部に前記液体の塊の内部のガスの泡を前記画像からそらす効果がある比較的高圧の細長い領域を形成するステップと、を含む方法。前記高圧領域は、約30μm以上、約20μm以上、約15μm以上、又は約12μm以上のサイズを有する泡を誘導する効果がある、請求項12に記載の方法。前記基板が、約90°以上、約100°以上、又は約110°以上の液体への接触角を有するか、又は前記基板が、約20°以下、約15°以下、又は約10°以下の液体への接触角のヒステリシスを有する、請求項12又は13に記載の方法。前記形成ステップが、約20μm~約30μmの範囲内の幅を有する細長い開口を通して液体を供給するステップを含み、及び/又は前記形成ステップが、約1.25L/m~2.0L/mの範囲内の流量で液体を供給するステップを含む、請求項12から14のいずれか1項に記載の方法。0012結像中に投影ビーム内へ泡が侵入することを防止するリソグラフィ装置を提供することが望ましい。0013本発明の一態様では、リソグラフィ装置であって、基板を保持し、スキャン方向に基板をスキャンするように構成された基板テーブルと、基板テーブルによって基板がスキャンされている間に基板上に画像を投影するように構成された投影システムと、投影システムと基板との間の空間に液体を閉じ込めるように構成された液体閉じ込めシステムとを備え、投影システムが、光軸を有し、光軸及びスキャン方向に垂直の方向に該方向の空間の最大寸法よりも小さい最大寸法を有するイメージフィールド内に画像を投影するように構成され、液体閉じ込めシステムが、空間と境界を接する液体閉じ込め部材を有し、液体閉じ込め部材が、基板の方へ液体を誘導するように配置された細長い連続的な液体供給開口を画定し、細長い液体供給開口が、上記方向にイメージフィールドの最大寸法よりも大きく空間の最大寸法よりも小さい寸法を有するリソグラフィ装置が提供される。0014本発明の一態様では、液体閉じ込めシステムによって基板の表面に閉じ込められた液体の塊を通して基板がスキャン方向にスキャンされている間に基板上に画像を投影する液浸リソグラフィ装置であって、液体閉じ込めシステムが液体内部のガスの泡を画像から遠ざけるように液体の塊内に比較的高圧の領域を形成するように配置された細長い液体供給開口を有する液浸リソグラフィ装置が提供される。0015本発明の一態様では、リソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法であって、基板の表面に接触する空間に液体の塊を閉じ込めるステップと、基板をスキャン方向に移動させながら液体の塊を通して基板上に画像を投影するステップと、画像のスキャン方向の先にある液体の塊の内部に液体の塊の内部のガスの泡を画像からそらす効果がある比較的高圧の細長い領域を形成するステップとを含む方法が提供される。0016本発明の一態様では、液体閉じ込めシステムによって基板の表面に閉じ込められた液体の塊を通して基板がスキャン方向にスキャンされている間に基板上に画像を投影する液浸リソグラフィ装置であって、液体閉じ込めシステムがスキャン方向に整列した少なくとも1つの角を有し、基板に対向する面に細長い液体供給開口を画定する液体閉じ込め部材を有し、細長い液体供給開口が角に配置された液浸リソグラフィ装置が提供される。0017本発明の一態様では、液体閉じ込めシステムによって基板の表面に閉じ込められた液体の塊を通して基板がスキャン方向にスキャンされている間に基板上のイメージフィールド上に画像を投影する液浸リソグラフィ装置であって、液体閉じ込めシステムが基板に対向する面を有する液体閉じ込め部材を有し、細長い液体供給開口が表面に画定され、スキャン方向のイメージフィールドの前に配置された液浸リソグラフィ装置が提供される。0018本発明の一態様では、投影システムと対向面との間の空間に液体を閉じ込めるように構成された液体閉じ込めシステムであって、該対向面が基板及び/又は空間と境界を接する液体閉じ込め部材を含む基板を支持するように構成されたテーブルであり、投影システムが、光軸を有し、光軸及びスキャン方向に垂直の方向に該方向の空間の最大寸法よりも小さい最大寸法を有するイメージフィールド内に画像を投影するように構成され、液体閉じ込め部材が対向面の方へ液体を誘導するように配置された連続的な細長い液体供給開口を画定し、細長い液体供給開口が上記方向にイメージフィールドの最大寸法よりも大きく上記空間の最大寸法よりも小さい寸法を有する液体閉じ込めシステムが提供される。0019本発明の一態様では、液浸リソグラフィ装置のための液体閉じ込めシステムであって、液体閉じ込めシステムが基板がスキャン方向にスキャンされている間に液浸液を基板の表面に閉じ込めるように構成され、液体内部のガスの泡を液体を通して基板上に投影された画像から遠ざけるように液体内部に比較的高いせん断力及び圧力勾配の領域を作成するように配置された細長い液体供給開口を有する液体閉じ込めシステムが提供される。0020本発明の一態様では、液浸リソグラフィ装置のための液体閉じ込めシステムであって、基板の表面に液浸液を閉じ込めるように構成され、基板に対向する面に形成された複数の液体供給開口を備える液体閉じ込め部材を有し、複数の液体供給開口が少なくとも2つの異なる長さの開口を含む液体閉じ込めシステムが提供される。0021本発明の一態様では、液浸リソグラフィ装置のための液体閉じ込めシステムであって、基板の表面に液浸液を閉じ込めるように構成され、基板がスキャンされるスキャン方向に整列した少なくとも1つの角を有する液体閉じ込め部材を有し、基板に形成された角に配置された細長い液体供給開口を備える液体閉じ込めシステムが提供される。0022本発明の一態様では、液浸リソグラフィ装置のための液体閉じ込めシステムであって、基板の表面に液浸液を閉じ込めるように構成され、基板に対向する対向面を含む液体閉じ込め部材を有し、細長い液体供給開口が表面に形成され基板の表面に投影されるイメージフィールドの前に、基板がスキャンされるスキャン方向に配置された液体閉じ込めシステムが提供される。0035図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、0036-放射ビームB例えばUV放射又はDUV放射を調節するように構成された照明システムイルミネータILと、0037-パターニングデバイス例えばマスクMAを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造例えばマスクテーブルMTと、0038-基板例えばレジストコートウェーハWを保持するように構築され、特定のパラメータに従って基板Wを正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTと、0039-パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば1つ又は複数のダイを含むに投影するように構成された投影システム例えば屈折投影レンズシステムPSとを含む。0040照明システムILは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。0041支持構造MTはパターニングデバイスMAを保持する。支持構造MTは、パターニングデバイスMAの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスMAが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスMAを保持する。この支持構造MTは、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造MTは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造MTは、パターニングデバイスMAが例えば投影システムPSなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書においてレチクル又はマスクという用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語であるパターニングデバイスと同義と見なすことができる。0042本明細書において使用するパターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。0043パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。0044本明細書において使用する投影システムという用語は、任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。投影システムのタイプは、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含んでよい。投影システムの選択又は組み合わせは適宜、使用される露光放射、又は液浸液の使用又は真空の使用などの他の要素に合わせる。本明細書において投影レンズという用語を使用した場合、これはさらに一般的な投影システムという用語と同義と見なすことができる。0045本明細書で示すように、本装置は透過タイプである例えば透過マスクを使用する。あるいは、装置は反射タイプでもよい例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する。0046リソグラフィ装置は、基板テーブルのような2つデュアルステージ又はそれ以上のテーブル及び/又は2つ以上のパターニングデバイステーブルを有するタイプでよい。このようなマルチステージ機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、又は1つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に1つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。0047図1を参照すると、イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受ける。放射源SOとリソグラフィ装置とは、例えば放射源SOがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源SOはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び/又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムBDの助けにより、放射源SOからイルミネータILへと渡される。他の事例では、例えば放射源SOが水銀ランプの場合は、放射源SOがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源SO及びイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDとともに放射システムと呼ぶことができる。0048イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタADを備えていてもよい。通常、イルミネータILの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び/又は内側半径範囲一般にそれぞれ、σouter及びσinnerと呼ばれるを調節することができる。また、イルミネータILは、インテグレータIN及びコンデンサCOなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータILを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源SOと同様、イルミネータILは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータILは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータILをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータILは着脱式であり、別に提供されてもよい例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって。0049放射ビームBは、支持構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されたパターニングデバイス例えば、マスクMAに入射し、パターニングデバイスMAによってパターニングされる。パターニングデバイスMAを横断した放射ビームBは、投影システムPSを通過する。投影システムPSは、ビームBを基板Wのターゲット部分C上に合焦させる。第2のポジショナPWと位置センサIF例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサの助けを借りて、基板テーブルWTは、例えば、様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第1のポジショナPMと別の位置センサ図1には明示されていないを用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームBの経路に対してパターニングデバイスMAを正確に位置決めできる。一般に、支持構造MTの移動は、第1のポジショナPMの部分を形成するロングストロークモジュール粗動位置決め及びショートストロークモジュール微動位置決めの助けにより実現できる。同様に、基板テーブルWTの移動は、第2のポジショナPWの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合スキャナとは対照的に、支持構造MTをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスMA及び基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分Cの間の空間に位置してもよいスクライブレーンアライメントマークとして周知である。同様に、パターニングデバイスMA上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。0050図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも1つにて使用可能である。00511.ステップモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームBに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影されるすなわち単一静的露光。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。00522.スキャンモードにおいては、支持構造MT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームBに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影されるすなわち単一動的露光。支持構造MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大縮小及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Cの非スキャン方向における幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Cのスキャン方向における高さが決まる。00533.別のモードでは、支持構造MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームBに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。0054上述した使用モードの組合せ及び/又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。0055投影システムPSの最終要素と基板との間に液体を提供する構成がいわゆる局所液浸システムIHである。このシステムでは、液体が基板の局所領域にのみ提供される流体ハンドリング構造が使用される。液体によって充填された空間は、基板の上面よりも平面視で小さく、液体で充填された領域は、基板Wがその領域の下で移動している間、投影システムPSに対して実質的に静止したままである。図2~図5には、4つの異なるタイプの流体ハンドリング構造が示されている。0056図2及び図3に示すように、液体は、少なくとも1つの入口によって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給される。液体は、投影システムの下を通過した後に少なくとも1つの出口によって除去される。すなわち、基板が要素の下で-X方向にスキャンされるにつれて、液体は要素のX側に供給され、-X側で取り上げられる。図2は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示す。図2では、液体は、最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給されるが、必ずしもそうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口のさまざまな向き及び数が可能であり、一例が図3に示され、ここでは、両側に出口を有する4組の入口が最終要素の周囲に規則的パターンで提供される。0057局所液体供給システムによる液浸リソグラフィのさらなる解決法が図4に示されている。液体は、投影システムPSの両側の2つの溝状の入口によって供給され、入口INから半径方向外向きに配置された複数の離散的な出口によって除去される。入口は、投影される投影ビームが通る孔が中心にある板に配置することができる。液体は、投影システムPSの一方の側の1つの溝状の入口によって供給され、投影システムPSの他方の側の複数の離散的な出口によって除去され、投影システムPSと基板Wの間に液体の薄膜のフローを引き起こす。入口と出口開口のどの組合せを使用するかの選択は、基板Wの移動方向によって決定することができる入口と複数の出口の他の組合せは動作しない。0058提案されている別の構成は、液体供給システムに液体閉じ込め部材を提供する構成である。液体閉じ込め部材は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。そのような構成を図5に示す。0059図5は、流体ハンドリング構造12を備えた局所液体供給システムを概略的に示す。流体ハンドリング構造12は、投影システムPSの最終要素と望ましくは実質的に平坦な表面である対向面、例えば、基板テーブルWT及び/又は基板Wとの間の空間11の境界の少なくとも一部に沿って延在する。以下の記述で基板Wの表面という場合、特に断りのない限り、追加的又は代替的に基板テーブルWTの表面も指すことに留意されたい。流体ハンドリング構造12は、投影システムPSに対してXY平面で実質的に静止しているが、Z方向光軸方向には相対的に多少動くことができる。ある実施形態では、流体ハンドリング構造12と基板Wの表面の間に封止が形成され、封止は流体シールのような非接触シール、液体シールのような非接触シール、望ましくはガスシールであってもよい。そのようなシステムが、米国特許出願公開US2004-0207824号に開示されている。その開示は、参照により全体を本明細書に組み込むものとする。0060流体ハンドリング構造12は、投影システムPSの最終要素と基板Wとの間の液浸空間11内に少なくとも部分的に液体を封じ込める。液体が基板Wの表面と投影システムPSの最終要素との間の空間11内に閉じ込められるように、基板Wへの非接触シール16を投影システムPSのイメージフィールドの周囲の流体ハンドリング構造12の下面40内に形成することができる。望ましくは、下面40は対向面に実質的に平行である。液浸空間11は、投影システムPSの最終要素の下方に位置し、それを取り囲む流体ハンドリング構造12によって少なくとも部分的に形成される。液体は、投影システムPSの下方の空間11、さらに液体入口13によって流体ハンドリング構造12内に流し込まれる。液体は、液体出口13によって除去することができる。流体ハンドリング構造12は、投影システムPSの最終要素より上に少し延在することがある。液体のバッファが提供されるように、液面は、最終要素より上に上昇する。ある実施形態では、流体ハンドリング構造12は、上端で投影システムPS又はその最終要素の形状にぴったりと一致する例えば円形の内周を有する。底部で、下面40の縁部20によって画定された内周は、イメージフィールドの形状、例えば矩形の形状にぴったりと一致するが、これはそうでなくてもよい。下面40は、外縁部45又はリムを有する。0061ガスシール16は、気体、例えば、空気又は合成空気によって形成されるが、ある実施形態では、N2又は他の不活性ガスによって形成される。ガスシール16内の気体は、加圧下で入口15を介して流体閉じ込め構造12と基板Wとの間のギャップに提供される。気体は、出口14を介して抽出される。液体を閉じ込める内側への高速のガス流が存在するように、気体入口15上への過剰圧力、出口14上の真空レベル、及びギャップの幾何形状が配置される。流体ハンドリング構造12と基板Wとの間の液体にかかる気体の力が、液体を液浸空間11内に封じ込める。入口/出口は、空間11を囲む環状溝であってもよい。環状溝は、連続的であっても不連続的であってもよい。ガスのフローは、液体を空間11内に封じ込めるのに有効である。そのようなシステムが、米国特許出願公開US2004-0207824号に開示されている。0062液体抽出器としての役割も果たす封止構成の代わりに別の構成を使用することができる。ある構成は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする、2006年2月23日の米国特許公開第2006/0038968号に記載するガスシールをオプションとして備えた単相抽出器である。単相抽出器は、ガスではなく液体が多孔質の板から抽出されるように、その上部に、例えば、多孔質の板の泡立ち点の下に液体がわずかな負圧で供給され、その下に流体ハンドリング構造と対向面との間にメニスカスが存在する流体ハンドリング構造12の表面に多孔質の板を有していてもよい。1~100μm、望ましくは5~50μmの範囲の最大寸法を備えた開口を多孔質の板に形成してもよい。多孔質の板は親油性の材料から構成されるか又はコーティングされていてもよい。0063図6は、例えば、本発明のある実施形態によるメニスカス固定デバイスなどの図5の封止構成14、15、16に置き換えられる別の構成を示す。図6のメニスカス固定デバイスは複数の離散的な抽出開口50を備える。各々の開口50は円形として描かれているが、これはそうでなくてもよい。実際、1つ又は複数の開口50の形状は、正方形、円形、直線的形状、矩形、楕円形、三角形、スリットなどの細長い形状から選択した1つ又は複数の形状であってもよい。各開口50は、平面視で、おそらくは0.5mm以上、好ましくは1mm以上の最大寸法を備えた直径などの大きい最大断面寸法を有する。したがって、開口50は汚染の大きい影響を受けにくい。0064図6のメニスカス固定デバイスの開口50は各々、別々の加圧源に接続されていてもよい。代替的に又は追加的に、複数の開口50の各々はそれ自体が加圧下に保持された共通のチャンバ51環状であってもよいに接続されていてもよい。こうして各々又は複数の開口50での均一な加圧が達成される。開口50は真空源に接続することができ、及び/又は液体供給システムを取り囲む大気の圧力を上げて必要な負圧を生成することができる。0065各開口50は、例えば2相流の液体とガスの混合物を抽出するように設計されている。液体は、空間11から抽出され、ガスは、液体への開口50の反対側の大気から抽出される。これによって矢印100で示すガス流が生成される。このガス流は、図6に示す実質的に所定位置の開口50、例えば、隣接する開口50の間にメニスカス90を固定する効果がある。ガス流は、ガス流によって誘発された液体上の空気流の圧力勾配及び/又は抵抗せん断力による運動量閉塞によって液体を閉じ込められた状態に維持するのを助ける。0066図6から分かるように、開口50は平面視で多角形の形状を形成するように配置されている。図6の例は、これは、主軸110、120が投影システムPSの下の基板Wの主移動方向に整列した菱形の形状である。これによって、開口50が円形に配置された場合と比較して最大スキャン速度が確実に速くなる。これは、2つの開口50の間のメニスカスにかかる力が余弦θの係数だけ低減するからであるここで、θは基板Wが移動している方向に対して2つの開口50を結ぶ線がなす角度である。開口50の形状の一次軸110を基板の主移動方向普通はスキャン方向に整列させ、第2の軸120を基板の他方の主移動方向普通はステップ方向に整列させることでスループットを最適化できる。θが90°ではない任意の構成が有利であることを理解されたい。主移動方向との主軸の正確な整列は重要ではない。また、形状が円形の場合、移動方向に垂直に整列した2つの開口50が常に存在し、これら2つの出口の間のメニスカスが基板Wの移動によって最大の利用可能な力を受けることも理解されたい。以上から、各辺が基板の主移動方向に対して約45°に整列した正方形の形状を使用しても大きい利益が得られることが分かる。しかし、本発明は開口50の平面視の任意の形状、例えば円形に適用可能である。0067開口の半径方向外側にガス流が動作時に供給されるガスナイフ開口があってもよい。このような構成は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする、2009年5月25出願のUSSN61/181,158号に記載されている。0068開口50と流体ハンドリング構造12の詳細は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする、US2008/0212046号に記載されている。0069下面40には流体ハンドリング構造12から流体例えば液浸液などの液体を供給する又は排出する別の供給開口70が形成されている。供給開口70は空間11へ液体を注入すると考えてもよい。供給開口70は投影システムPSの光軸に対して抽出開口50の半径方向内側にある。流体ハンドリングシステム12の供給開口70から流出する液体は基板Wへ誘導される。このタイプの供給開口70は液浸液内に泡が生成される確率を下げるために提供される。ガスは、基板Wの縁部と基板テーブルWTとの間のギャップ内に捕捉される。基板の移動方向に対する流体ハンドリング構造12の下面の前進部分で、流体ハンドリング構造は液体が空間11から開口50へ流出しないように基板Wの対向面に対して十分に速く移動してもよい。縁部20と開口50との間の流体ハンドリング構造12の下面部分はディウェッティングされることがあり、開口50のメニスカス固定の効果に影響することがある。供給開口70を通して、望ましくは開口50付近に液体を供給することで液浸液内の泡の混入と開口50の1つ又は複数のディウェッティングのリスクが低減する。0070供給開口70の幾何学構造は、液体を封じ込める際の流体ハンドリング構造12の有効性に影響する。0071特に、供給開口70が平面視で開口50の形状のように角がある形状を有することが望ましい。ある実施形態では、供給開口70と開口50の角がある形状は望ましくは実質的に同様である。ある実施形態では、各々の形状の各々の角の頂点に供給開口70又は開口50がある。望ましくは供給開口70は開口50から10mm以内、望ましくは5mm以内にある。開口50が作る形状のすべての部分は望ましくは供給開口70が作る形状から10mm以内にある。0072抽出開口50及び供給開口70に関するさらなる詳細は、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする、2009年5月6日出願のUSSN12/436,626号に記載されている。0073図7及び図8に詳細を示すように、主軸110上にある液体ハンドリング構造12の角のいくつかの離散的な、例えば、円形の供給開口70が基本的に連続的なV字形のスリット71に置き換えられている。供給開口70及びスリット71は環状でもよいチャンバ72に接続され、そこを通して液体が供給される。V字形のスリット71は、主軸110に対して垂直の方向に、イメージフィールド130図6に示すの幅L3より大きい寸法又は幅L1を有する。イメージフィールド130の幅L3は装置によって結像できるダイの最大幅と同等である。幅L1は、スキャン方向に垂直な軸上のスリットの突起と同等である。スリット71の幅L1は、液体ハンドリング構造12によって閉じ込められた液浸液の塊の幅より小さい。ある実施形態では、幅L1は流体ハンドリング構造12の中央の開口の幅L2より小さい。0074動作時に液体開口スリット71から供給される液体は、基板Wとの間に比較的高圧の連続的な領域73を形成する。この高圧領域73によって形成される圧力勾配とせん断力のフローはスキャン露光中に液体ハンドリング構造12の先頭の角に近いメニスカスで生成される泡を偏向させる役割を果たす。このような泡はいくつかの異なる形で生成される。例えば、基板上の液滴が前進するメニスカスと衝突する場合、又は閉じ込められた液浸液の塊が、例えば、基板の縁部と基板テーブルとの間のギャップ又は溝などの段差上を通過する時に、2相流出の乱流によって泡が形成されることがある。液浸液内に発生した泡は基板に対して静止状態を保つ傾向があり、基板のスキャン運動によって投影ビーム内に掃引することができる。このような泡をイメージフィールド130から偏向させることで、泡の印刷による欠陥のリスクが回避されずとも低減される。スリット71から放出される液体によって形成される高圧領域はイメージフィールド130の泡シールドを形成すると考えられる。0075ある実施形態では、幅L1はイメージフィールド130の幅L3の3倍以上である。この構成では、高圧領域も現在のターゲット部分を結像しながら次のターゲット部分を掃引する。これは露光前のターゲット部分をクリアするのを助ける。高圧領域は3つのダイの幅以上であるため、この利点は基板が移動するどのような方向にも、例えば、現在の移動がスキャンの場合、ステッピングされる方向に達成することができる。0076液体放出スリット71によって形成される高圧領域によって偏向する泡のサイズは、液体の流量、流体ハンドリング構造12のウェーハWより上の高さ、及びスリット71の幅を含む装置のさまざまなパラメータによって変化する。流体ハンドリング構造の下側の表面に付着した泡を偏向させる場合、スリット71の下側の表面の接触角のヒステリシス及びスリット71の下の表面の接触角SACAを含む別のパラメータが関係する。0077本発明のある実施形態では、スリット71及び供給開口70を通過する液体の供給量は、約1L/分以上、約1.25L/分以上、約1.5L/分以上、又は約2L/分以上である。本発明のある実施形態では、スリット71及び供給開口70を通過する液体の供給量と開口50を通過する液体の流出は、例えば、液体ハンドリング構造12の中央の開口内部に液体ハンドリング構造によって閉じ込められた液体の主たる塊からの液体の純流出があるように選択される。液体は液体入口13によって液浸空間内に供給される。こうして、異なる温度の液体が混合しないことが保証される。0078ある実施形態では、スリット71は約100μm以下、約70μm以下、約50μm以下、約30μm以下又は約20μm以下の幅を有する。ある実施形態では、スリット71は約10μm以上の幅を有する。離散的な液体供給開口70及び連続的なスリット71は共に液体ハンドリング構造12の周囲に完全なループを形成する。ある実施形態では、スリットの幅と供給開口70のサイズと間隔は単位長あたりの全開口面積がループの周囲で一定になるように選択される。言い換えれば、スリット71の幅wは各供給開口71の面積×供給開口の構成の単位長あたりの供給開口70の数に等しい。0079ある実施形態では、動作中のスリット71を形成する対向面と基板又は基板テーブルとの間の距離フライトハイトとして知られるは、約200μm以下、約180μm以下又は約150μm以下、又は130μm以下である。ある実施形態では、フライトハイトは約100μm以上である。0080スリット71の下側の表面は約60°以上又は約70°以上、約80°以上、約90°以上、約100°以上又は約110°以上の接触角を有していてもよい。スリットの下側の表面は液体に対する約20°以下、約15°以下、約10°以下、又は約5°以下の接触角のヒステリシスを有していてもよい。接触角のヒステリシス前進接触角と後退接触角の差はできるだけ小さいことが望ましい。ヒステリシスが小さいほど、泡偏向デバイスによって泡を基板から除去するのが容易になる。ヒステリシスが小さいと泡を動かす力が小さくてすむ。0081スリット71によって形成される高圧領域は約30μm以上、約20μm以上、約15μm以上、約10μm以上、又は約5μm以上のサイズを有する泡を偏向させるのに有効である。本発明のある実施形態では、小さい泡は投影ビームに達する前にきわめて低いレベルの溶解ガスを有する液浸液に溶解するので高圧領域を通過することができる。やがて溶解する泡のサイズは高圧領域とイメージフィールドとの距離と、基板と、液浸液の移動速度とに依存する。ある実施形態では、直径5μm未満の泡は投影ビームに達する前に溶解する。0082泡偏向デバイスが流体ハンドリング構造の下側の表面に付着した所与の直径の泡を偏向させる能力は、下記の毛管数から決定される。本発明者らは、ΔCaがゼロより大きい場合に泡が偏向することを突き止めた。但し、である。0083Cacriticalは、Dimitrakopoulos及びHigdon著の低レイノルズ数せん断力フローにおける固体装置からの3次元流体液滴の変位OnthedisplacementofthreedimensionalfluiddropletsfromsolidsurfacesinlowReynoldsnumbershearflows、JournalofFluidMechanicsvol.377、pp.189-222、1998年に定義されている。毛管数Caの定義は、あらゆる不均一のせん断と圧力勾配を考慮に入れる総せん断速度に基づく。総せん断速度は、数値流体力学CPDを用いて、スリット幅、流量、フライトハイト、スキャン速度、接触角のヒステリシスなどの関連するパラメータを考慮して特定の用途について計算される。0084毛管数Caは以下のように定義される。上式で、aは同等の泡半径すなわち、問題の泡と同じ容積を有する球状の泡の半径、γは表面張力、及びGtotはである。上式で、Rは泡Tのベースの半径壁面せん断応力、及びGradp壁面の圧力勾配はCFOモードで計算され、vはスキャン速度である。毛管数Caは以下のように定義される。上式で、aは同等の泡半径すなわち、問題の泡と同じ容積を有する球状の泡の半径、及びγは表面張力である。0085例えば、90°の前進接触角と20°のヒステリシスの表面上の泡のCacriticalの通常の容積は0.11である。このような例と0.75m/sのスキャン速度に基づき、本発明者らは本発明のある実施形態の好適なパラメータ値が、フライトハイト100~130μmスリット幅20~30μm流量1.5~2L/分であると決定した。0086本発明者らは望ましい値がフライトハイト120μmスリット幅20μm流量2L/分であると決定した。0087ある実施形態の泡偏向デバイスは、流体ハンドリング構造の下側の表面に付着した泡を必ずしも分離せず、単にイメージフィールドの通路の外側に変位させるだけであることに留意されたい。泡が分離されるか又は元々浮いていた場合、表面に付着した泡よりもはるかに偏向が容易である。0088図9は、本発明の別の実施形態による液体ハンドリング構造12の一部の断面図を示す。本発明のこの実施形態は以下の点を除いて上述の実施形態と同じであるため、簡潔を期して共通の特徴の説明は省略する。図9に示すように、距離h1は、液体ハンドリング構造12の下面とスリット71の内側の基板Wとの間の距離である。距離h2は、液体ハンドリング構造12の下面とスリット71の外側の基板Wとの間の距離である。距離h1は距離h2より大きい。液体ハンドリング構造12の下面のスリット71に段差がある。このような段差によって、コアンダ効果は、スリット71から外に出る液体が段差の周囲を、すなわち、投影システムPSの光軸から遠ざかって外側に流れる傾向があるということを意味する。スリット71からの液体のフローの外側への方向によって泡偏向効果が改善されるため、この方向は望ましい。0089図10は、本発明の別の実施形態による液体ハンドリング構造の断面図である。この実施形態の特徴と機能は、以下の点を除いて簡潔を期して第1の実施形態と同じである。図10に示すように、この実施形態では液体ハンドリング構造12の下面を通るスリット71の通過は基板Wの面に対して鋭角をなすため、スリット71から外に出る液体は下方かつ外側に流れる。図9の実施形態と同様に、液体の別の外向きの流れが泡偏向効果を改善することができる。0090例えば、円形の液体閉じ込め構造などの平面視で任意の形状の流体ハンドリング構造内に細長いスリット71を提供することができる。円形又は曲線の液体閉じ込め構造では、細長いスリットは曲線でも又は直線でもよい。0091ある実施形態では、細長いスリット71は、四辺形の液体ハンドリング構造12の4つの角のすべてに提供される。細長いスリット71は、図11に示すように、例えば、ステップ及びスキャン中の基板に対する運動中に液体ハンドリング構造12を誘導する各々の角に配置されてもよい。別の実施形態では、図12に示すように、細長いスリット71はスキャン中にのみ誘導する角上にしか提供されない。スリット71は、例えば、投影システムの光軸に対して正の曲率半径を備えた直線又は曲線の形状を有していてもよく、1つ又は複数の角又は屈曲部を含んでいてもよい。スリット71が例えば基板のステップ及び/又はスキャン方向に整列した角を有する場合、これらの角は正の曲率半径で丸みを帯びているか、又は湾曲していてもよい。細長いスリット71は泡偏向デバイスと見なすことができる。0092ある実施形態では、2つの隣接するスリットが平行である2つ以上のスリットを液体ハンドリング構造の1つの角に提供して泡を偏向させる2つ以上の高圧領域を形成してもよい。こうして、第1の高圧領域を通過する泡はすべて第2の又は連続的な高圧領域に遭遇し、それによって偏向される。各々の連続的な高圧領域は一定量だけ泡を偏向させるが、イメージフィールドを回避するほどではない。しかし、組合せの偏向は、泡がイメージフィールドに侵入することを防止するのに十分である。ある実施形態では、2つの隣接するスリットは正確に平行でなくてもよく、例えば5度、望ましくは3度、望ましくは1度の平行度であってもよい。0093図13及び図14は、本発明のある実施形態による別の液体ハンドリング構造を示す。図13は、液体ハンドリング構造312の下方から見た図である。図14は、使用中の図13の液体ハンドリング構造312の線II-IIで切った断面図である。液体ハンドリング構造312は、一般に矩形であり、投影ビームBが通過してイメージフィールド130を照射する中央のアパーチャ312aを有する。液体ハンドリング構造312は、中央のアパーチャ312を取り囲むいくつかの同心ゾーンに分割される。第1のゾーン313は、使用時に投影システムPSの底部とウェーハWとの間に位置するフロープレートと呼ばれる薄い板の形態をしている。基板Wに対向するゾーン313の面は、中央の開口312aの両側にV字形のスリット370を形成している。使用時に、液体が液体ハンドリング構造312内の導管図示せずを通して供給され、V字形のスリット370から放出されて上記の実施形態と同様に泡を偏向させる働きをする高圧領域を液浸液11内に形成する。0094フロープレート313の外側に基板Wと液体ハンドリング構造312の下面との間の距離がこの領域中に増加するような形状の遷移領域314がある。遷移領域314の外側に主液体抽出領域315がある。この領域では、液体ハンドリング構造312の下面は、フロープレート領域313の下面よりも基板Wから離間している。液体抽出領域315の下面は、例えば、単相のフロー内の液体及び/又はガスを抽出するために加圧源に接続された液体ハンドリング構造312内の導管図示せずに接続された例えば多孔質の板の形態の複数の開口を備える。0095最も外側に、その下面がフロープレート313の下面と同様の距離だけ基板Wから離間した封止領域316がある。封止領域316は液浸流体の損失を制限する役に立ち、液体及び/又はガスを抽出する液体ハンドリング構造312内の導管図示せずにより接続された例えば多孔質の板の形態の複数の開口を含んでいてもよい。基板の運動の速度と方向とに応じて、液浸液11のメニスカスは主抽出ゾーン315又は封止領域316内に配置されてもよい。この実施形態では、上記の実施形態で使用される泡の偏向に影響するさまざまなパラメータの同様の値を採用することができる。0096空間11内への泡の発生をさらに緩和するため、本発明のある実施形態は空間11に隣接する領域へ例えば、容積へ、又は区域に向けてガスを供給するように構成されたガス供給デバイスをさらに備える。このようなガス供給デバイスは、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする、2010年12月7日出願のUSSN12/961,586号に開示されている。上記のような局所区域流体ハンドリングシステムは空間11内への泡の混入の問題をかかえることがある。流体ハンドリングシステム12と流体ハンドリングシステム12の下側の表面の間に延在するメニスカス図5に示すメニスカス320と液滴、例えば空間11から逃れた液滴とが表面上で衝突すると、ガスの泡が空間11内に混入することがある。空間11内への泡の混入は、ガスの泡が結像エラーを引き起こすことがあるので有害である。液滴は普通、以下の3つの状況の1つで表面上に残される。a液体ハンドリングデバイスと基板Wとの間に相対運動がある場合に液体ハンドリングデバイスが基板Wの縁部の上に配置される時、b液体ハンドリングデバイスと対向面との間に相対運動がある場合に液体閉じ込め構造の対向する対向面の高さの段差上に液体ハンドリングデバイスが配置される時、及び/又はcメニスカスが例えば対向面のクリティカルスキャン速度を超えることによって不安定になった時などに液体ハンドリングデバイスと対向面との間の相対速度が上がりすぎるため。泡は液体閉じ込め構造12と投影システムPSとの間に延在する図5に示すメニスカス400に含まれることもある。ここでは、投影システムPSと液体ハンドリングデバイス12との間からガスを同伴する液体ハンドリングシステム12の半径方向内側の対向面上の液体入口図5の入口13から供給される液体によってガスの泡が形成されることがある。0097極小のガスの泡が空間11のイメージフィールド130図6に示すに達する前に液浸液内に溶解できることが観察されている。本発明のある実施形態は溶解速度が捕捉されたガスのタイプと液浸液の特性とに依存するという事実を利用する。0098二酸化炭素CO2の泡は通常、空気の泡より溶解速度が高い。溶解度が窒素の55倍、拡散率が窒素の0.86倍のCO2の泡は、通常、同じサイズの窒素の泡が溶解するのにかかる時間の37倍短い時間で溶解する。0099超純水を沸騰させて脱ガス処理する実験を行った。次いで水は冷却され、-950ミリバールの真空が印加された。周囲空気とCO2の泡が水中の基板の縁部上に配置された。泡のサイズは0.5~1mmの範囲内であった。30秒後に、CO2の泡のサイズは0.1mm~0.3mmに低減し、CO2の泡は1分後にわずかに0.1mmになった。この期間中、空気の泡のサイズは顕著な変化を示さなかった。00100泡径の経時変化の分析式は次の通りである。上式で、Rは気体定数、Tは温度、Diffは拡散率、Solは溶解度、tは時間、Dbubは泡径、Shはシャーウッド数kd/Diff、但しkは物質移動係数、dは特性寸法、Phydは液圧、及びσは表面張力である。00101この式は直径が1mm未満のCO2の泡が1分又は2分の時間尺度内で溶解することを示す。これとは対照的に、窒素の泡は1時間の時間尺度内で溶解する。これは上記の実験に符合する。00102別の解析モデルでは、溶解時間τは、泡径、拡散率、溶解度、気体定数及び温度に関連する。00103第2の式は、直径が1mmのCO2の泡が第1の解析モデルの予測による110秒に対して約70秒で溶解することを示す。00104したがって、実験結果は上記の2つの解析モデルとほぼ一致する。溶解度が高く及び/又は物質移動係数が大きいと、より高速の溶解が達成される。第一次近似での所与のフロー条件と幾何学構造のセットに関して、シャーウッド数は関連するガス又は液体から独立している。これは、物質移動係数と拡散率とがほぼ比例することを示す。したがって、第1の式の最上行と第2の式の最下行の拡散率とが相殺されるとはいうものの、物質移動係数が拡散率に比例することから、拡散率が高いと溶解速度が高くなる。したがって、好適なガスは溶解度が高く、及び/又は拡散率が高い。好適なガスは、空気よりも大きい液浸液内の拡散率と溶解度の積を有していてもよい。00105解析モデルによって得られた結果を用いて特定のガスの泡がいかに速く液体に溶解するかについて決定することができる。メニスカス320に含まれる泡は対向面に対して静止していてもよいし、基板上にあってもよい。泡は、イメージフィールド130へ向かって空間を通過してもよい。結像欠陥が発生しないように、混入した泡はイメージフィールド130に到達して投影ビームBに露光される前に溶解するのが望ましい。所与の流体ハンドリングシステムで、メニスカス320の予想位置とイメージフィールド130との間の距離は周知である。泡の移動距離は、泡が液体に混入した位置から泡が露光区域内に達する位置まで基板Wが投影システムPSの下を移動する移動距離と同等であってもよい。したがって、高速のスキャン速度の場合、泡がメニスカス320からイメージフィールド130に達するのにかかる時間はより低速のスキャン速度の場合よりも少ないことから、泡は低速のスキャン速度の場合よりも高速で溶解する必要がある。00106ガスの泡が液浸液内への高い拡散率、溶解度又は拡散率と溶解度の積を有するガスである場合、上記の2つの解析モデルに従って泡は液浸液内にはるかに高速に溶解する。したがって、本発明のある実施形態を使用することで結像欠陥の数を低減しより高いスループット例えば、液体ハンドリングシステム12に対する基板Wの高速移動と欠陥率の低減が可能になる。00107したがって、本発明のある実施形態は空間11に隣接する領域へ例えば、容積へ、又は区域に向けてガスを供給するように構成されたガス供給デバイスを提供する。特に、ガスは、対向面と液体ハンドリングデバイス12との間に延在するメニスカス320及び/又は液体ハンドリングデバイス12と投影システムPSとの間に延在するメニスカス400に隣接する領域に存在するように提供される。00108好適なガスは、例えば、液浸液例えば水内の溶解度1気圧の全圧下での液浸液の単位質量あたりのガスの質量ガスと液浸液の分圧の総和が20°C、1気圧の全圧下で1×10-3より大きいガスである。空間に隣接する領域を充填するために重量ではなくある容積のガスが必要であるため、ガスの重量ではなくガスの容積がより重要である。したがって、溶解度は、液体1kgあたりのガスのモル量すなわち、mol/kgでより明確に表すことができる。その場合、溶解度は5×10-3mol/kgより大きく、望ましくは10×10-3mol/kgより大きく、15×10-3mol/kg、20×10-3mol/kg又は25×10-3mol/kgより大きくなければならない。00109好適なガスは、例えば、拡散率が20°、1気圧の全圧下で3×10-5cm2s-1より大きいガスである。これは2.3×10-5cm2s-1の空気に匹敵する。望ましくは拡散率は8×10-5、1×10-4、又は5×10-4cm2s-1より大きい。大半のガスは1~2×10-5cm2s-1の範囲の拡散率を有する。酸素と窒素は共に2.3×10-5cm2s-1の拡散率を有し、二酸化炭素は1.6×10-5cm2s-1である。ヘリウムは3.8×10-5cm2s-1の拡散率及び1.6×10-6kg/kg又は4×10-4mol/kgの溶解度を有する。水素は5.8×10-5cm2s-1の拡散率及び1.6×10-6kg/kg又は8×10-4mol/kgの溶解度を有する。0011020°C、1気圧の全圧下で溶解度が1×10-3kg/kg又は3×10-3mol/kgより大きく及び/又は20°C、1気圧で液浸液への拡散率が3×10-5cm2s-1より大きいガスが特に望ましい。ある実施形態では、ガスは空気より大きい拡散率と溶解度の積を有するガスである。例えば、拡散率と溶解度の積は1×10-9cm2s-1より大きくなければならず溶解度に質量比を用いる場合、又は2×10-8molcm2s-1kg-1溶解度にmol/kgを用いる場合より大きくなければならない。望ましくは拡散率と溶解度の積は5×10-9、1×10-8又は3×8-8cm2s-1より大きいか溶解度に質量比を用いる場合、又は4×10-8、10×10-8、20×10-8、40×10-8又は50×10-8cm2s-1molkg-1より大きい溶解度にmol/kgを用いる場合。ガスの一例は二酸化炭素である。00111ある実施形態では、20°C、1気圧の全圧下で空気よりも大きい溶解度と拡散率の積を有するガスが使用される。溶解度は、kg/kg又はmol/kg単位で測定することができる。上記の特性を備えたガスは空気よりも速く液浸液に溶解し、メニスカス320、400に含まれる泡が露光時間に露光区域に残留しているリスクを回避しながらスキャン速度を高速にすることができる。00112ガスの一例は容易に利用可能で、他の目的でも液浸システムで使用することができるために望ましい二酸化炭素である。二酸化炭素は20°C、1気圧の全圧下で1.69×10-3kg/kg又は37×10-3mol/kgの水への溶解度を有する。その他の好適なガスは、塩素7.0×10-3kg/kg又は98×10-3mol/kg、硫化水素3.85×10-3kg/kg又は113×10-3mol/kg、塩化水素0.721kg/kg又は19753×10-3mol/kg、アンモニア0.531kg/kg又は31235×10-3mol/kg又は二酸化硫黄0.113kg/kg又は1765×10-3mol/kgであってもよい。これらのガスの一部は1つ又は複数の欠点を有する。例えば、これらのガスの一部は液浸リソグラフィ装置内のコンポーネントに反応し、及び/又は有毒で二酸化炭素より取り扱いが困難でより望ましくない場合がある。液浸液に溶解しやすい任意の非反応性ガスが好適である。00113本発明のある実施形態で使用されるこれらのガスは、20°C、1気圧の全圧下で水への溶解度がそれぞれ4.34×10-5kg/kg又は1.36×10-3mol/kgと、1.90×10-5kg/kg又は0.68×10-3mol/kgである酸素及び窒素と対照的である。したがって、上記二種類のガスが支配的な部分を形成する酸素又は窒素又は空気のいずれも空間11のイメージフィールド130に達する前に溶解しにくい。00114ガス供給デバイスは他のガスを除いて20°C、1気圧の全圧下で液浸液への溶解度が1×10-3kg/kg又は5×10-3mol/kgより大きいガスを供給する。したがって、ガス供給デバイスを出るいかなるガスも液浸液への溶解度が1×10-3kg/kg又は5×10-3mol/kgより大きい。したがって、このようなガス供給デバイスは、空気二酸化炭素を含むを供給するガス供給デバイスと区別できる。これは、空気が1×10-3kg/kg又は5×10-3mol/kgより小さい溶解度を有する酸素と窒素とを含むからである。00115本明細書に記載する本発明のある実施形態は液浸液のメニスカス320、400の周囲にCO2雰囲気を形成することができ、液浸液へのガスのいかなる混入によっても液浸液に溶解するガスの混入が形成される。空間に液浸液を供給する前に液浸液内にCO2を溶解させる例えば、液浸液の抵抗率を変えるためにことでCO2をガスではなく溶質として提供することができる。CO2は液浸液内に含まれて供給されるため、CO2の溶質を供給することは本発明のある実施形態と同じ効果があるとは言えない。メニスカスの領域内にガス雰囲気の代わりに液浸液内の溶質としてCO2を提供することで、CO2は空間内の液体にすでに溶解している。CO2は混入した泡のガスの形では存在しないため、液浸液内のCO2の存在によって混入した泡のサイズが容易に低減することはない。このような構成は、本発明のある実施形態の効果と逆であると考えることができる。00116ある実施形態では、液浸液は空間11に供給される前に脱ガス処理される。ある実施形態では、脱ガス処理後及び空間11に供給される前に液浸液内に最小限のガスが溶解し、望ましくは全くガスが溶解していない。特に、脱ガス処理中の液浸液と空間11に供給されるガスの間に液浸液内にガスを故意に溶解させるコンポーネントは存在しない。例えば、液浸液に接触する1つ又は複数のコンポーネントの腐食防止の助けとして液浸液の酸性度又は導電性を変更するために液浸液を空間11に供給する前に液浸液に二酸化炭素を溶解させることがかつて提案されている。しかし、腐食防止のための二酸化炭素の十分な追加は、本発明のある実施形態の混入した泡への効果が認められないほどの二酸化炭素濃度未満で抑えなければならない。本発明のある実施形態では、液浸液に高濃度の二酸化炭素が溶解していることは望ましくない。これは、故意に特定の濃度を超えたガスを液浸液に溶解させると液浸液へのそのガスの溶解度が低減するからである。したがって、溶液内のガスの存在少なくとも特定のしきい値より上のによって、混入した泡のガスが結像欠陥の可能性を回避するとは言わずとも、低減できるほどに迅速に溶解する可能性を低減することがある。00117ある実施形態では、ガス雰囲気が液体メニスカス320、400で形成される。この過程で、液浸リソグラフィ装置の露光区域がガスで覆われることがある。露光区域は、投影システムPSの端部を取り囲む全区域である。ある実施形態では、装置の内部全体にガスが供給される。ある実施形態では、メニスカス320、400へ局所的にガスが供給される。例えば、ガスをメニスカス320、400に提供する別の開口を液体ハンドリングシステム12内に提供してもよい。ある実施形態では、ガスは下記のようにガスナイフによって供給することができる。ある実施形態では、ガスは例えばパージ用ガスとしてバリア部材の領域に供給することができる。00118通常、ガス供給デバイスは、ガス源と、導管を介してガス源に接続された開口とを備える。ある実施形態では、溶解度が高いガスのガス雰囲気が液体ハンドリングデバイス12全体を取り囲むようにガスが流体ハンドリングシステムに提供される。液体閉じ込め構造12は、例えばパージ用ガスとして流体ハンドリングシステムの領域に供給される雲状のガスに包まれてガス雰囲気内に存在する。ガスは、液体閉じ込め構造12とは別の例えば、隣接するガス開口を通して提供することができる。開口は、ガス開口とガス源との間に延在する導管の端部にあってもよい。ガス開口は、液体閉じ込め構造12の周縁部付近の1つ又は複数の開口であってもよい。開口は、液体閉じ込め構造12を取り囲んでいてもよい。00119ある実施形態では、溶解度が高いガスのための開口を流体ハンドリングシステム12内に形成してもよい。例えば、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする、2010年12月7日出願のUSSN12/961,586号に記載するガス供給システムを参照されたい。例えば、ガス開口は、液体閉じ込め構造12の表面に形成された一体化開口であってもよい。ガス開口を出る液浸液中の溶解度が高いガスはそれによって図5に示すメニスカス320に隣接することができる。開口を出るガスは、液滴がメニスカス320と衝突した際にガスの泡の形で空間11内の液浸液に含まれる。ガスは液浸液内に容易に吸収されるため、ガスは空間11内の光路に達する前に液浸液内に吸収されることが望ましい。上記のガス開口200は、任意のタイプの流体ハンドリングシステム12内の例えば抽出器に隣接する位置に適用することができる。さらに、図5を参照すると、液体閉じ込め構造12と投影システムPSとの間に延在するメニスカス400付近にガスを提供するように別のガス開口を配置することができる。この別の開口は、メニスカス400の予想位置の半径方向外側に配置されていることが望ましい。00120例えば、図5に示すガスナイフなどの既存のガス供給特徴をガス供給デバイスに使用して溶解度が高いガスを本明細書に記載する液浸液内に供給することができる。図5の開口15から供給されるガスは、20°C、1気圧の全圧下で1×10-3kg/kg又は5×10-3mol/kgより大きい液浸液内の溶解度を有するガスから構成されていてもよい。その場合、開口15をガス源に接続してもよい。したがって、流体ハンドリングシステム12の既存の設計を利用できる。流体ハンドリングシステム12の既存の設計を利用する際、システム12のサイズを、最小化はできなくとも少なくとも維持することができる。00121ガスは、周囲ガス例えば、空気が液体/ガス分離ラインの環境例えば、メニスカス320、400のから大半が放逐されるように供給される。ガスは、メニスカス320、400に供給してもよく、又はその半径方向外側に供給してもよい。ある実施形態では、ガスは、周囲環境ガスからメニスカスを遮断するパージングガスとして供給される。ある実施形態では、ガスは貯留部又は液浸空間内に液体を閉じ込めるために供給される。液体ハンドリングシステムと対向面例えば、基板テーブル及び/又は基板との間にガスを供給してその間に封止を形成してもよい。供給されたガスは、液浸液のメニスカスと周囲雰囲気、例えば空気との間にバリアを形成することができる。00122メニスカス320、400が曝される雰囲気は主として供給ガスである。したがって、泡が形成されない場合、ガスはメニスカス320、400の場所で液浸液内に溶解する。時間が経つにつれて供給ガスの濃度は増加する。したがって、メニスカスの液体は供給ガスによる影響を最も受ける。供給ガスの増加した濃度は、液浸液の光学特性、例えばこのような屈折率に影響することがある。しかし、メニスカスで空間11からの液体を連続して抽出することでメニスカスの半径方向内側の液体がガスの増加した濃度に大きい影響を受けることを防止する助けになる。00123しかし、例えば、液滴との衝突でメニスカスに形成されるいかなる泡も少なくとも主として供給ガスからなるガスの泡を含む傾向がある。泡は供給ガスを含むため、例えば、出口14又は開口50の抽出領域をより先まで液浸液内に容易に溶解する。泡は望ましくは空間11を通ってイメージフィールド130、すなわち、投影ビームの経路に達する前に溶解するため、泡のガスの大半はイメージフィールド130に達する前に液浸液内に溶解する。泡の経路内の大半の液体がメニスカス付近で抽出されるため、供給ガスが溶解する液体は空間内の液浸液の光学特性に大きい影響を与える前に抽出される傾向がある。00124ガス状の二酸化炭素を使用することで、液滴に衝突するメニスカス320に関連する問題を解消できなくとも低減することができる。通常、300マイクロメートルの液滴は、直径30マイクロメートルすなわち、10分の1のサイズの泡を形成する。このような二酸化炭素の泡は、普通、露光区域に達する前に液浸液内に溶解する。このようなサイズの液滴によって1つ又は複数の別の問題が引き起こされることがあることに留意されたい。したがって、液滴によって引き起こされる問題はあまり重要でない。液浸システムは、空間から漏出した液浸液との相互作用により耐性がある。00125ガス供給システムが上記の泡偏向システムと組み合わせてすなわち、基板に向けて液体を誘導するように配置された連続的な細長い液体供給開口を備えた液体閉じ込め部材として適用される場合、クリティカルな泡を偏向させるのに必要な細長い液体供給開口を通過する液体供給の量を低減することができることに留意されたい。言い換えれば、閉じ込められた液体のメニスカス付近の区域の液浸液内に溶解度が高いガスを提供するガス提供システムを使用する場合、クリティカルな泡を偏向させるために細長い液体供給開口を介して供給する必要がある液体は低減する。00126ある実施形態では、リソグラフィ装置であって、基板を保持し、スキャン方向に基板をスキャンするように構成された基板テーブルと、基板テーブルによって基板がスキャンされている間に基板上に画像を投影するように構成された投影システムと、投影システムと基板との間の空間に液体を閉じ込めるように構成された液体閉じ込めシステムとを備え、投影システムが、光軸を有し、光軸及びスキャン方向に垂直の方向に該方向の空間の最大寸法よりも小さい最大寸法を有するイメージフィールド内に画像を投影するように構成され、液体閉じ込めシステムが、空間と境界を接する液体閉じ込め部材を有し、液体閉じ込め部材が、基板の方へ液体を誘導するように配置された細長い連続的な液体供給開口を画定し、細長い液体供給開口が、方向にイメージフィールドの最大寸法よりも大きく空間の最大寸法よりも小さい寸法を有するリソグラフィ装置が提供される。液体閉じ込めシステムは、少なくとも1つの線上に配置され細長い液体供給開口の最大寸法と比較して小さい最大寸法を有する複数の別の供給開口をさらに画定することができる。液体閉じ込め部材は、細長い液体供給開口の空間をはさんで反対側に第2の細長い液体供給開口をさらに画定することができる。ある実施形態では、細長い液体供給開口はV字形であるか又は湾曲している。液体閉じ込めシステムは、液体を空間に供給するように配置された液体供給源と、約1L/分以上、約1.25L/分以上、約1.5L/分以上又は約2L/分以上の流量をさらに含んでいてもよい。ある実施形態では、細長い液体供給開口は、約100μm以下、約70μm以下、約50μm以下、約30μm以下、又は約20μm以下の幅を有していてもよい。ある実施形態では、液体閉じ込め部材は細長い液体供給開口を画定する対向面を有する。このような実施形態では、対向面は、装置の動作中、基板から約200μm以下、約180μm以下、又は約150μm以下の距離に配置される。ある実施形態では、装置は、20°C、空間に隣接する領域への1気圧の全圧下で液浸液内の溶解度が5×10-3mol/kgより大きいガスを供給するように構成されたガス供給デバイスをさらに備える。このような実施形態では、ガス供給デバイスは、20°C、1気圧の全圧下で、液浸液内の溶解度が5×10-3mol/kgより大きいガス源を備えていてもよい。本発明は、液体閉じ込めシステムによって基板の表面上に閉じ込められた液体の塊を通して基板がスキャン方向にスキャンされている間に基板上に画像を投影する液浸リソグラフィ装置であって、液体閉じ込めシステムが液体内のガスの泡を画像から脇にそらすように、液体の塊の内部に比較的高いせん断力及び圧力勾配の領域を作成するように配置された細長い液体供給開口を有する液浸リソグラフィ装置の形態をとってもよい。このような装置では、細長い液体供給開口は、20μm~30μmの範囲の幅を有していてもよい。液体閉じ込めシステムは、使用時に基板に対向する面を有する液体閉じ込め部材と、該面が基板から所定の距離だけ離れるように液体閉じ込め部材を位置決めするように構成された位置決めシステムとを有し、液体供給開口が上記面に形成され、所定の距離が約120μm~約180μmの範囲内である液体閉じ込め部材を含んでいてもよい。液体閉じ込めシステムは、約1.25L/m~約2.0L/mの流量で液体供給開口から流出する液体を供給するように構成された液体供給源をさらに備えていてもよい。ある実施形態では、装置は、投影システムの最終要素と基板及び/又はテーブルとの間の局所空間に液浸液を閉じ込めるように構成された流体ハンドリングシステムと、20°C、空間に隣接する領域への1気圧の全圧下で液浸液内の溶解度が5×10-3mol/kgより大きいガスを供給するように構成されたガス供給デバイスと、をさらに備えていてもよい。このような実施形態では、ガス供給デバイスは、20°C、1気圧の全圧下で、液浸液内の溶解度が5×10-3mol/kgより大きいガス源を備えていてもよい。本発明は、リソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法であって、基板の表面に接触する空間に液体の塊を閉じ込めるステップと、基板をスキャン方向に移動させながら液体の塊を通して基板上に画像を投影するステップと、画像のスキャン方向の先にある液体の塊の内部に液体の塊の内部のガスの泡を画像からそらす効果がある比較的高圧の細長い領域を形成するステップと、を含む方法の形態をとってもよい。このような方法のある実施形態では、高圧領域は、約30μm以上、約20μm以上、約15μm以上、又は約12μm以上のサイズを有する泡を誘導する効果がある。このような方法では、基板は、約90°以上、約100°以上、又は約110°以上の液体への接触角を有していてもよい。基板は、約20°以下、約15°以下、又は約10°以下の液体への接触角のヒステリシスを有していてもよい。ある実施形態では、形成ステップは、液体閉じ込め構造の表面の細長い開口を通して液体を供給するステップを含み、表面と基板との間の距離は約120μm~約180μmの範囲内である。ある実施形態では、形成ステップは、約20μm~約30μmの範囲内の幅を有する細長い開口を通して液体を供給するステップを含む。ある実施形態では、形成ステップは、約1.25L/m~2.0L/mの範囲内の流量で液体を供給するステップを含む。ある実施形態では、該方法は、空間に隣接する領域に20°C、1気圧の全圧下で5×10-3mol/kgより大きい液浸液内の溶解度を有するガスを提供するステップをさらに含む。ある実施形態では、上記方法は、空間に隣接する領域に20°C、1気圧の全圧下で空気よりも大きい液浸液内の拡散率と溶解度の積を有するガスを提供するステップをさらに含む。ある実施形態では、液体閉じ込めシステムによって基板の表面に閉じ込められた液体の塊を通して基板がスキャン方向にスキャンされている間に基板上に画像を投影する液浸リソグラフィ装置であって、液体閉じ込めシステムが、基板に対向する面に少なくとも2つの異なる長さの開口を含む複数の液体供給開口を画定する液体閉じ込め部材を有する液浸リソグラフィ装置が提供される。ある実施形態では、液体閉じ込めシステムによって基板の表面に閉じ込められた液体の塊を通して基板がスキャン方向にスキャンされている間に基板上に画像を投影する液浸リソグラフィ装置であって、液体閉じ込めシステムが、スキャン方向に整列した少なくとも1つの角を有し、基板に対向する面に細長い液体供給開口を画定する液体閉じ込め部材を有し、細長い液体供給開口が角に配置される液浸リソグラフィ装置が提供される。ある実施形態では、液体閉じ込めシステムによって基板の表面に閉じ込められた液体の塊を通して基板がスキャン方向にスキャンされている間に基板上に画像を投影する液浸リソグラフィ装置であって、液体閉じ込めシステムが、基板に対向する面を有する液体閉じ込め部材を有し、細長い液体供給開口が表面に画定され、スキャン方向のイメージフィールドの前に配置された液浸リソグラフィ装置が提供される。ある実施形態では、投影システムと対向面との間の空間に液体を閉じ込めるように構成された液体閉じ込めシステムであって、該対向面が、基板及び/又は空間と境界を接する液体閉じ込め部材を含む基板を支持するように構成されたテーブルであり、投影システムが、光軸を有し、光軸及びスキャン方向に垂直の方向に、該方向の空間の最大寸法よりも小さい最大寸法を有するイメージフィールド内に画像を投影するように配置され、液体閉じ込め部材が対向面の方へ液体を誘導するように配置された連続的な細長い液体供給開口を画定し、細長い液体供給開口が、上記方向にイメージフィールドの最大寸法よりも大きく上記空間の最大寸法よりも小さい寸法を有する液体閉じ込めシステムが提供される。ある実施形態では、液浸リソグラフィ装置のための液体閉じ込めシステムであって、液浸リソグラフィ装置のための液体閉じ込めシステムであって、液体閉じ込めシステムが、基板がスキャン方向にスキャンされている間に液浸液を基板の表面に閉じ込めるように構成され、液体内部のガスの泡を液体を通して基板上に投影された画像から遠ざけるように、液体内部に比較的高いせん断力及び圧力勾配の領域を作成するように配置された細長い液体供給開口を有する液体閉じ込めシステムが提供される。ある実施形態では、液浸リソグラフィ装置のための液体閉じ込めシステムであって、基板の表面に液浸液を閉じ込めるように構成され、基板に対向する面に形成された複数の液体供給開口を含む液体閉じ込め部材を有し、複数の液体供給開口が少なくとも2つの異なる長さの開口を含む液体閉じ込めシステムが提供される。ある実施形態では、液浸リソグラフィ装置のための液体閉じ込めシステムであって、基板の表面に液浸液を閉じ込めるように構成され、基板がスキャンされるスキャン方向に整列した少なくとも1つの角を有する液体閉じ込め部材を有し、基板に形成された角に配置される細長い液体供給開口を含む液体閉じ込めシステムが提供される。ある実施形態では、液浸リソグラフィ装置のための液体閉じ込めシステムであって、基板の表面に液浸液を閉じ込めるように構成され、基板に対向する対向面を含む液体閉じ込め部材を有し、細長い液体供給開口が、表面に形成され、基板の表面に投影されるイメージフィールドの前に、基板がスキャンされるスキャン方向に配置された液体閉じ込めシステムが提供される。上記の各実施形態の液体閉じ込めシステムは、投影システムの最終要素と基板及び/又はテーブルとの間の局所空間に液浸液を閉じ込めるように構成された流体ハンドリングシステムと、20°C、空間に隣接する領域への1気圧の全圧下で、液浸液内の溶解度が5×10-3mol/kgより大きいガスを供給するように構成されたガス供給デバイスとをさらに備えていてもよい。このような実施形態では、ガス供給デバイスは、20°C、1気圧の全圧下で、液浸液内の溶解度が5×10-3mol/kgより大きいガス源を備えていてもよい。00127本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書でウェーハ又はダイという用語を使用している場合、それぞれ、基板又はターゲット部分という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール、メトロロジーツール及び/又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。00128本明細書で使用する放射及びビームという用語は、紫外線UV放射例えば、365nm、248nm、193nm、157nm若しくは126nm、又はこれら辺りの波長を有するを含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。00129レンズという用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組み合わせを指す。00130以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の1つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスクの形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、2つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。2つ以上のコンピュータプログラムを、1つ又は複数の異なるメモリ及び/又はデータ記憶媒体に記憶することができる。上述したコントローラは、信号を受信、処理及び送信するのに適切な任意の構成を有することができる。例えば、各コントローラは、上述した方法の機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行するために、1つ又は複数のプロセッサを含んでよい。コントローラは、このようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び/又はこのような媒体を受信するハードウェアを含んでよい。00131本発明の1つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、基板及び/又は基板テーブル上に閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び/又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び/又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。00132本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び/又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組み合わせでよい。これは、1つ又は複数の構造、1つ又は複数の液体入口、1つ又は複数の気体入口、1つ又は複数の気体出口、及び/又は液体を空間に提供する1つ又は複数の液体出口の組み合わせを備えてよい。ある実施形態では、空間の表面が基板及び/又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び/又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、空間が基板及び/又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する1つ又は複数の要素をさらに含むことができる。00133さらに、本発明を特定の実施形態及び例に関して開示してきたが、本発明は、具体的に開示された実施形態を超えて本発明の他の代替実施形態及び/又は使用に適用することができ、本発明の自明の変形形態及び等価物が可能であることは当業者には明らかであろう。さらに、本発明のいくつかの変形形態を図示し、詳述してきたが、本開示に基づく本発明の範囲内である他の変形形態は当業者には明らかであろう。例えば、実施形態の具体的な特徴と態様のさまざまな組合せ又は下位の組合せが可能であり、本発明の範囲内であると考えられる。従って、開示された実施形態のさまざまな特徴及び態様を互いに組み合わせ、又は代用して開示された本発明のさまざまな形態を形成することができることを理解されたい。従って、本明細書に開示された本発明の範囲は、上記の開示された具体的な実施形態に限定されず、添付の特許請求の範囲を正しく解釈することによってのみ決定されなければならない。00134上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、下記に示す特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。"