ヒートシンクと、前記ヒートシンクに対してスパッタリングを行うことにより形成される第1のスパッタ層を含む金属層と、前記金属層に積層されるとともに、半導体素子に接続される配線が形成された基板と、を備え、前記金属層と前記基板が、大気雰囲気で焼成されることによって接合されることを特徴とする、半導体パッケージ用基板。請求項1に記載の半導体パッケージ用基板であって、前記金属層の厚さが、前記ヒートシンク及び前記基板の厚さよりも薄くなるように、前記金属層が形成されていることを特徴とする、半導体パッケージ用基板。請求項1または2に記載の半導体パッケージ用基板であって、前記基板はLTCC基板であって、前記ヒートシンクは、炭化珪素、窒化アルミニウムまたはベリリアから構成されることを特徴とする、半導体パッケージ用基板。請求項1から3のいずれか1つに記載の半導体パッケージ用基板であって、前記金属層は、前記第1のスパッタ層に積層されるとともに前記基板に接する中間層を含むことを特徴とする、半導体パッケージ用基板。請求項1から3のいずれか1つに記載の半導体パッケージ用基板であって、前記金属層は、前記第1のスパッタ層に対してスパッタリングを行うことにより形成される第2のスパッタ層と、前記第2のスパッタ層に積層されるとともに前記基板に接する中間層を含むことを特徴とする、半導体パッケージ用基板。ヒートシンクと、前記ヒートシンクに対してスパッタリングを行うことにより形成される第1のスパッタ層を含む金属層と、前記金属層に積層される無機接着剤層と、前記無機接着剤層に積層されるとともに、半導体素子に接続される配線が形成された基板と、を備え、前記基板は予め単独で焼成され、前記ヒートシンクと、前記金属層と、前記無機接着剤層と、焼成後の前記基板が順に積層され、前記積層された積層体が圧着され、前記圧着された積層体が大気雰囲気で焼成されることにより、前記金属層と前記無機接着剤層及び前記無機接着剤層と前記基板が接合されることを特徴とする、半導体パッケージ用基板。ヒートシンクに対してスパッタリングを行うことにより形成される第1のスパッタ層を含む金属層を、前記ヒートシンク上に形成し、前記金属層に、半導体素子に接続される配線が形成された基板を積層し、前記ヒートシンク、前記金属層及び前記基板が積層された積層体を大気雰囲気で焼成することにより、前記金属層と前記基板を接合することを特徴とする、半導体パッケージ用基板の製造方法。請求項7に記載の半導体パッケージ用基板の製造方法であって、前記金属層の厚さが、前記ヒートシンク及び前記基板の厚さよりも薄くなるように、前記金属層を形成することを特徴とする、半導体パッケージ用基板の製造方法。請求項7または8に記載の半導体パッケージ用基板の製造方法であって、前記基板はLTCC基板であって、前記ヒートシンクは、炭化珪素、窒化アルミニウムまたはベリリアから構成されることを特徴とする、半導体パッケージ用基板の製造方法。請求項7から9のいずれか1つに記載の半導体パッケージ用基板の製造方法であって、前記金属層は、前記第1のスパッタ層に積層されるとともに前記基板に接する中間層を含むことを特徴とする、半導体パッケージ用基板の製造方法。請求項7から9のいずれか1つに記載の半導体パッケージ用基板の製造方法であって、前記金属層は、前記第1のスパッタ層に対してスパッタリングを行うことにより形成される第2のスパッタ層と、前記第2のスパッタ層に積層されるとともに前記基板に接する中間層を含むことを特徴とする、半導体パッケージ用基板の製造方法。半導体素子に接続される配線が形成された基板を、予め単独で焼成し、ヒートシンクに対してスパッタリングを行うことにより形成される第1のスパッタ層を含む金属層を、前記ヒートシンク上に形成し、前記金属層に無機接着剤層を積層し、前記無機接着剤層に、焼成後の前記基板を積層し、前記ヒートシンク、前記金属層、前記無機接着剤層及び焼成後の前記基板が積層された積層体を圧着し、前記圧着された積層体を大気雰囲気で焼成することにより、前記金属層と前記無機接着剤層及び前記無機接着剤層と前記基板を接合することを特徴とする、半導体パッケージ用基板の製造方法。ところで、基板の放熱を促進するという性質上、ヒートシンクの材料は、熱伝導率の高い材料であることが好ましい。このような高熱伝導性の材料として、高純度の例えば、純度が99以上のアルミナ、窒化アルミニウムや炭化珪素等の絶縁性セラミック材料が挙げられる。これらのセラミック材料は、ガラス成分を含まない、または殆ど含まない。したがって、無機系接着剤を用いても、上述のようなガラス成分同士の混ざり合いが十分に起こらない。また、混合ペーストを用いた場合であっても、これらのセラミック材料は金属材料を含まないか、含んでいてもセラミック材料の融点や分解温度が高いため金属同士の溶解が起こり難く、合金が殆ど生成されない。このように、高熱伝導性の材料をヒートシンクとして使おうとすると、従来の接合手法では接合が困難になるという課題があった。本発明の一つの態様は、半導体パッケージ用基板に関するものである。当該基板は、ヒートシンクと、前記ヒートシンクに対してスパッタリングを行うことにより形成される第1のスパッタ層を含む金属層と、前記金属層に積層されるとともに、半導体素子に接続される配線が形成された基板と、を備える。さらに、前記金属層と前記基板が、大気雰囲気で焼成されることによって接合される。また、上記発明において、前記金属層の厚さが、前記ヒートシンク及び前記基板の厚さよりも薄くなるように、前記金属層が形成されていることが好適である。また、上記発明において、前記基板はLTCC基板であって、前記ヒートシンクは、炭化珪素、窒化アルミニウムまたはベリリアから構成されることが好適である。また、上記発明において、前記金属層は、前記第1のスパッタ層に積層されるとともに前記基板に接する中間層を含むことが好適である。また、上記発明において、前記金属層は、前記第1のスパッタ層に対してスパッタリングを行うことにより形成される第2のスパッタ層と、前記第2のスパッタ層に積層されるとともに前記基板に接する中間層を含むことが好適である。また、本発明の一つの態様は、半導体パッケージ用基板に関するものである。当該基板は、ヒートシンクと、前記ヒートシンクに対してスパッタリングを行うことにより形成される第1のスパッタ層を含む金属層と、前記金属層に積層される無機接着剤層と、前記無機接着剤層に積層されるとともに、半導体素子に接続される配線が形成された基板と、を含む積層体を備える。さらに、前記基板は予め単独で焼成され、前記ヒートシンクと、前記金属層と、前記無機接着剤層と、焼成後の前記基板が順に積層される。さらに、前記順に積層された積層体が圧着され、前記圧着された積層体が大気雰囲気で焼成されることにより、前記金属層と前記無機接着剤層及び前記無機接着剤層と前記基板が接合される。また、本発明の一つの態様は、半導体パッケージ用基板の製造方法に関するものである。当該方法では、ヒートシンクに対してスパッタリングを行うことにより形成される第1のスパッタ層を含む金属層を、前記ヒートシンク上に形成し、前記金属層に、半導体素子に接続される配線が形成された基板を積層し、前記ヒートシンク、前記金属層及び前記基板が積層された積層体を大気雰囲気で焼成することにより、前記金属層と前記基板を接合する。また、上記発明において、前記金属層の厚さが、前記ヒートシンク及び前記基板の厚さよりも薄くなるように、前記金属層を形成することが好適である。また、上記発明において、前記基板はLTCC基板であって、前記ヒートシンクは、炭化珪素、窒化アルミニウムまたはベリリアから構成されることが好適である。また、上記発明において、前記金属層は、前記第1のスパッタ層に積層されるとともに前記基板に接する中間層を含むことが好適である。また、上記発明において、前記金属層は、前記第1のスパッタ層に対してスパッタリングを行うことにより形成される第2のスパッタ層と、前記第2のスパッタ層に積層されるとともに前記基板に接する中間層を含むことが好適である。また、本発明の一つの態様は、半導体パッケージ用基板の製造方法に関するものである。当該方法では、半導体素子に接続される配線が形成された基板を、予め単独で焼成する。さらに、ヒートシンクに対してスパッタリングを行うことにより形成される第1のスパッタ層を含む金属層を、前記ヒートシンク上に形成し、前記金属層に無機接着剤層を積層し、前記無機接着剤層に、焼成後の前記基板を積層し、前記ヒートシンク、前記金属層、前記無機接着剤層及び焼成後の前記基板が積層された積層体を圧着する。さらに、前記圧着された積層体を大気雰囲気で焼成することにより、前記金属層と前記無機接着剤層及び前記無機接着剤層と前記基板を接合する。本発明によれば、従来、基板との接合が困難であった材料の接合が可能となる。本実施の形態に係る半導体パッケージ用基板を、図1に例示する。半導体パッケージ用基板10は、ヒートシンク12と、金属層50と、配線基板16とを含んで構成されている。配線基板16は、半導体素子18図2参照を搭載するための基板である。半導体素子18から発生する熱を速やかに逃がすために、配線基板16は放熱性の高い材料から構成されていることが好適である。また、熱による変形を防ぐために、配線基板16は耐熱性の高い材料から形成されていることが好適である。例えば、配線基板16はセラミック基板から構成されていることが好適である。加えて、セラミック基板の中でも、導体抵抗の低い銀Agや銅Cu等の金属材料を配線として用いることが可能な、LTCCLowtemperatureCofiredCeramics、低温同時焼成セラミックスを配線基板16として使用することが更に好適である。配線基板16は、半導体素子18に接続される配線20が形成されている。例えば図1及び図2においては、配線基板16から露出した表層配線22と、配線基板16内に設けられた内層配線24が形成されている。このような多層の配線構造を形成するために、配線パターンが印刷されたシートを積層することで配線基板16を構成してもよい。例えば図2では、3層のシート26A、26B、26Cから配線基板16を構成している。また、配線基板16は、半導体素子18を外部の衝撃から守るパッケージとしての機能を果たすために、所定の厚さを備えていることが好適である。例えば、配線基板16を構成するシート一層当たり12.5μm以上200μm以下の厚さを備えていることが好適である。さらに、図2に記載されているように、配線基板16の上層のシート26C及び中間層のシート26Bに、半導体素子18を配置可能なキャビティ28を形成してもよい。キャビティ28内に半導体素子18を配置した後、樹脂等を充填することで、半導体素子18を封止することが可能となる。また、半導体素子18が配置される配置面30に、半導体素子18の熱を外部に逃がすためのサーマルビア32を形成してもよい。図2においては配線基板16の下層のシート26Aを厚さ方向Z軸方向に貫通するようにサーマルビア32を形成している。また、図3に示すように、下層のシート26Aを省略して、半導体素子18を金属層50上に直接配置するようにしてもよい。下層のシートを省略する分、半導体素子18の熱を速やかに外部に逃がすことができる。図2に戻り、ヒートシンク12は、半導体素子18で発生した熱を外部に放熱するための部材である。その目的から、ヒートシンク12は配線基板16より熱伝導性の高い材料であることが好適である。加えて、配線基板16とヒートシンク12の熱膨張率が異なっていると、両者の接合体が、温度上昇時に変形する反れるおそれがある。したがって、配線基板16とヒートシンク12の熱膨張率がほぼ等しいことがさらに好適である。つまり、ヒートシンク12は、配線基板16より熱伝導性が高く、かつ、熱膨張率は配線基板16とほぼ等しい材料から構成されていることが好適である。例えば、配線基板16がLTCCである場合には、99アルミナ、99ベリリアBeO、窒化アルミニウムAlN、炭化珪素SiC等の、ガラス成分を含まない、いわゆる絶縁性セラミック材料からヒートシンク12を構成することが好適である。なお、ここで、ガラス成分を含まないとは、殆ど含まない微量には含んでいる場合も該当するものとする。具体的には、ガラス成分の含有率が1以下のセラミックスを指すものとする。LTCCの熱伝導率は2.5Wm1K1以上3.5Wm1K1以下であるのに対して、99アルミナ、99ベリリア、窒化アルミニウム、炭化珪素の熱伝導率は、それぞれ、31Wm1K1、240Wm1K1、100Wm1K1以上260Wm1K1以下、270Wm1K1程度である。いずれもLTCCと比較して高い熱伝導性を有している。また、LTCCの熱膨張係数は25°C付近で4.5106K1以上12.0106K1以下であるのに対して、99アルミナ、99ベリリア、窒化アルミニウム、炭化珪素の熱膨張係数は、それぞれ、25°C付近で6.8106K1、6.8106K1、4.5106K1、3.7106K1程度である。いずれもLTCCとほぼ等しい熱膨張率を有している。また、ヒートシンク12は、半導体パッケージ用基板10の底板としての役割を有していてもよく、例えば、半導体パッケージ用基板10をケーシング等に固定するためのねじ穴34図1参照を有していてもよい。このとき、外部からの衝撃に抗して半導体パッケージ用基板10をケーシングに確実に固定するために、ヒートシンク12は所定の剛性を備えていることが好適である。例えば、ヒートシンク12は50μm以上200μm以下の厚さを備えていることが好適である。金属層50は、配線基板16とヒートシンク12とを接合する部材である。金属層50は、ヒートシンク12に対してスパッタリングを行うことによって形成される。また、金属層50は、配線基板16との酸化結合酸素を介した共有結合が可能な材料であればよく、例えば、焼成時に配線基板16との界面を形成し得る材料が含まれていればよい。例えば、金属層50は、銀Ag、銅Cu、パラジウムPd、白金Ptまたはこれらのうち少なくとも2種類を用いた合金を使用してもよい。なお、金属層50とヒートシンク12や配線基板16との熱膨張率が異なる場合、温度上昇時に界面に引っ張り応力が発生する場合がある。この場合において、金属層50は展性や延性を有しているため、この引っ張り応力に追従して変形することができる。したがって、引っ張り応力による各層の剥離を防ぐことができる。また、ヒートシンク12と配線基板16との熱膨張率をほぼ等しくしても、これらの部材と金属層50との熱膨張率が異なる場合、これらの半導体パッケージ用基板10が温度上昇に伴って変形する反れるおそれがある。そこで、金属層50の熱応力を抑制するために、金属層50をヒートシンク12及び配線基板16と比較して薄く形成することが好適である。例えば、ヒートシンク12と配線基板16のうち薄い方の厚さの半分以下となるように、金属層50の厚さを定めることが好適である。例えば、焼成後の厚さが500Å以上1000Å以下となるように金属層50を構成することが好適である。次に、本実施の形態に係る半導体パッケージ用基板10の製造方法について説明する。まず、グリーンシートに対してパターンを形成する。グリーンシートは、配線基板16の原料が有機バインダに練りこまれたシート状の部材である。焼成することによって有機バインダが分解され飛ばされ、配線基板16が形成される。例えば、配線基板16をLTCCから構成するときには、ガラス及びセラミック材料が有機バインダに練り込まれたグリーンシートを使用する。このグリーンシートに対して、キャビティとなる位置を開口したり、配線パターンを印刷する処理を行う。さらにパターンが形成されたグリーンシートを積層する。例えば、図2の配線基板16を製作する場合、グリーンシートを3層積層する。次に、金属層50の材料をターゲットとしてヒートシンク12に対してスパッタリングを行う。このスパッタリングによりヒートシンク12に金属層50が埋め込まれる。金属層50が埋め込まれることでいわゆるアンカー効果が得られることになり、ヒートシンク12と金属層50とが接合される。さらに、ヒートシンク12、金属層50、グリーンシートを順に積層した積層体を圧着した状態で炉内に配置する。例えば、積層体をセッター底板に置いた状態でグリーンシート上にウェイトを載せる。さらに、積層体を大気雰囲気酸化雰囲気にて焼成する。なお、隣接する各層の酸化結合を促進するため、大気よりも酸素分圧を増加させた状態で焼成を行ってもよい。焼成は、グリーンシート内の有機材料が熱分解して十分に消失し得る温度及び時間をかけて行う。例えば、ピーク温度850°Cの状態を10分間維持するとともに、全体の焼成時間を60分とする。この大気雰囲気における焼成において、金属層50と配線基板16とが接合される。発明者の仮説によれば、金属層50と配線基板16とが酸化結合により結合され、その結果各層が接合されるものと考えられる。すわなち、隣接する各層の界面において、酸素を介した共有結合が行われる。例えば、金属層50の材料を銀とし、配線基板16の材料をLTCCとすると、金属層50と配線基板16との間に、Ag-O-Siとの結合が生じる。このような酸化結合が界面上に形成され、隣り合う層が接合される。なお、上述の実施形態においては、金属層50を単一の金属から構成したが、この形態に限らない。例えば、図4に示すように、金属層50をスパッタ層50-2と中間層50-4から構成してもよい。スパッタ層50-2は、スパッタリングによりヒートシンク12上に打ち込まれる層である。スパッタ層50-2は、例えばパラジウムから構成される。さらに、中間層50-4は、スパッタ層50-2及び配線基板16と接合するための金属層である。例えば、中間層50-4はスパッタ層50-2と合金を生成し得る材料であって、かつ、配線基板16と酸化結合が可能な材料であればよい。具体的には、銀や白金であってよい。スパッタ層50-2及び中間層50-4を用いた半導体パッケージ基板は、以下の様に製造される。まず、図2の実施形態と同様に、パターンを形成したグリーンシートを積層する。次に、スパッタ層50-2の材料をターゲットとしてヒートシンク12に対してスパッタリングを行う。さらに、スパッタ層50-2上に金属ペーストを塗布する。金属ペーストは、中間層50-4の原料となる金属材料を有機バインダに練り込んだペーストである。ここで、塗布された金属ペーストを所定の温度例えば70°C以上で乾燥させてもよい。さらに金属ペースト上に積層されたグリーンシートを配置する。次に、図2の実施形態と同様に、ヒートシンク12、スパッタ層50-2、中間層50-4、グリーンシートの積層体を圧着した状態で炉内に配置し、大気雰囲気にて焼成する。この大気雰囲気における焼成において、スパッタ層50-2と中間層50-4、及び、中間層50-4と配線基板16とが接合される。発明者の仮説によれば、スパッタ層50-2と中間層50-4との界面では、焼成時に両者の固溶体が形成され、これにより両者が接合される。また、中間層50-4と配線基板16とが酸化結合により結合され、その結果両者が接合される。また、上述の実施形態ではスパッタ層50-2を1層としていたが、複数層にしてもよい。例えば、ヒートシンク12に打ち込まれるスパッタ層の材料として、チタンTiやクロムCrなどの、固溶体を形成し難い材料を用いる場合に、固溶体を形成し易い材料をさらにスパッタリングする。図5においては、スパッタ層50-2を、第1のスパッタ層50-6と第2のスパッタ層50-8の2層から構成している。例えば第1のスパッタ層50-6はチタンTiやクロムCrまたはその合金から構成してもよい。また、第2のスパッタ層50-8はパラジウムや銀及びこれらの合金から構成してもよい。図5における半導体パッケージ基板の製造過程では、第1のスパッタ層50-6上に第2のスパッタ層50-8を打ち込む。さらに、第2のスパッタ層50-8上に中間層50-4の原料を含む金属ペーストを塗布する。残りの工程は図4の半導体パッケージ基板の製造工程と同様であってよい。なお、グリーンシートの焼成後に配線基板16に多少の反りが生じる場合がある。配線基板16が金属層50に対して反れると金属層50と配線基板16とが剥離するおそれがある。そこで、図6に示すように、金属層50と配線基板16との間に、無機接着剤層52を充填してもよい。無機接着剤層52は、焼成後の配線基板16との接合が可能な材料であればよく、例えば、配線基板16がガラス成分を含む場合には、ガラス粉末を含有する無機接着剤を用いてもよい。ガラス粉末として、例えば、ホウ珪酸鉛ガラスを用いてもよい。以下では、無機接着剤を用いた半導体パッケージ基板の製造方法について、最も構成の簡素な図2の例をもとにして説明する。但し、図4、5の半導体パッケージ基板についても同様の製造方法を適用することができる。まず、グリーンシートを予め単独で焼成して配線基板16を得る。次に、金属層50の材料をターゲットとしてヒートシンク12に対してスパッタリングを行う。さらに、ヒートシンク12、金属層50、無機接着剤層52、配線基板16の順に積層する。次に、この積層体の各層を温水等方圧プレス等で圧着する。このとき、無機接着剤の流動性により、無機接着剤層52が配線基板16の反りに追従した形状に変形する。次に、圧着後の積層体を圧着させて大気雰囲気で焼成する。例えば上記と同様に、ピーク温度850°Cの状態を10分間維持するとともに、全体の焼成時間を60分とする。このとき、配線基板16中のガラス成分と無機接着剤中のガラス成分とが溶け合って混ざり合う。また、無機接着剤中の珪素と金属層50中の金属が酸化結合により結合する。すなわち、金属層の材料をAgとすると、Ag-O-Siとの共有結合が行われる。その結果、隣接する各層が接合される。ヒートシンク12として炭化珪素基板を使用し、配線基板16として2層のLTCC基板を使用した。また、第1のスパッタ層50-6としてチタンを使用し、第2のスパッタ層50-8としてパラジウムを使用した。さらに、中間層50-4として銀を使用し、無機接着剤層52としてホウ珪酸鉛ガラスを使用した。まず、配線パターンが形成されたLTCCのグリーンシートを2層重ねて焼成した。次に、ヒートシンク12上にチタンをスパッタリングし、第1のスパッタ層50-6を形成した。さらに、第1のスパッタ層50-6上にパラジウムをスパッタリングし、第2のスパッタ層50-8を形成した。次に、銀を有機バインダに練りこんだ銀ペーストを第2のスパッタ層50-8上に塗布した。銀ペーストは銀の含有量が85wtであるものを使用した。銀ペーストの塗布に際して、ワイヤー径23μmの200メッシュスクリーンを用いた。銀ペーストの塗布膜厚は約35μmであった。塗布された銀ペーストを80°Cの乾燥条件で乾燥させた。乾燥後の膜厚は28μmであった。次に、ホウ珪酸鉛ガラスの粉末を有機バインダに練りこんだ無機接着剤を、焼成後の配線基板16の底面表層配線22に対向する面に塗布した。さらに、ヒートシンク12炭化珪素基板、第1のスパッタ層チタン層50-6、第2のスパッタ層パラジウム層50-8、中間層銀ペースト50-4、無機接着剤層ホウ珪酸ガラス剤52、配線基板LTCC基板16の順に積層し、この積層体をビニルパックで真空パックした。さらにパックされた積層体を温水等方圧プレス装置の温水チャンバーに入れた。さらに、90°Cの温度条件で予熱後、20MPa以上35MPa以下の圧力を加えた。90°Cで予熱されることにより無機接着剤に流動性が生じ、配線基板の反りに追従して無機接着剤が充填された。次に、温水チャンバーからパックされた積層体を取り出すとともに、ビニルパックから積層体を取り出した。この積層体をピーク温度850°C、トータルの焼成時間約60分との条件で大気焼成を行った。その結果、積層体はいずれの層も確実に接合されており、剥離等は見られなかった。