質量分析装置に使用するためのサンプリングインターフェイスであって、その後の分光分析のために質量分析計においてイオンをサンプリングできるように配列され、且つ、イオン源から所定量のイオンを受け取るための取入れ口と、前記イオンが通過できるガスを収容するための、前記取入れ口の下流の領域と、を備え、前記イオンが通過できる下流領域の少なくとも一部において、選択されたバイアス電位を有する場が与えられる、サンプリングインターフェイス。前記場のバイアス電位が、衝突散乱を減少させるように、前記イオンが前記下流領域を通過するときの前記ガスの粒子との衝突による前記イオンの運動エネルギーの変化との相関関係に従って選択される、請求項1に記載のサンプリングインターフェイス。前記場のバイアス電位が、前記イオンが前記下流領域を通過するときに前記ガスの粒子と衝突すると生じる衝突散乱を減少させるように選択される、請求項1に記載のサンプリングインターフェイス。前記場のバイアス電位が、衝突散乱を減少させるように前記下流領域における前記ガスの圧力との相関関係に従って選択される、請求項1に記載のサンプリングインターフェイス。当該インターフェイスが電圧源と電気的に接続されるように配列される、請求項1~4のいずれか1項に記載のサンプリングインターフェイス。前記場のバイアス電位が前記ガスの圧力の変動に応じて可変である、請求項1~5のいずれか1項に記載のサンプリングインターフェイス。前記場の電位が、前記電圧源に電気的に結合可能であるように配列された充電要素によって与えられる、請求項5又は6に記載のサンプリングインターフェイス。前記充電要素は、前記場が、通過するイオンが該場からエネルギーポテンシャルを取得するように前記イオンの所望の経路に対して配置されるように、前記領域内に配列される、請求項7に記載のサンプリングインターフェイス。前記充電要素が、その中に設置された開口部を含み、該開口部をイオンが通過できる、請求項7又は8に記載のサンプリングインターフェイス。前記充電要素が大地から電気絶縁されるように配列される、請求項7~9のいずれか1項に記載のサンプリングインターフェイス。前記充電要素に加えられる電圧が正の電位である、請求項7~10のいずれか1項に記載のサンプリングインターフェイス。前記ガスがヘリウム又は水素の少なくとも一方又はこれらの混合物を含む、請求項1~11のいずれか1項に記載のサンプリングインターフェイス。前記下流領域が、少なくとも部分的に、シールされるように配列されたチャンバーによって画定されて、囲まれたガスが圧力下の前記チャンバー内に滞留する、請求項1~12のいずれか1項に記載のサンプリングインターフェイス。前記取入れ口がサンプラーコーンを有するサンプラーであり、前記充電要素がスキマーコーンを有するスキマーである、請求項7~13のいずれか1項に記載のサンプリングインターフェイス。請求項13に従属するとき、前記チャンバーが前記サンプラーの下流面に隣接して配列される、請求項14に記載のサンプリングインターフェイス。前記充電要素が取入れ口を含み、ガスが前記取入れ口を通って前記チャンバー内に注入される、請求項7~15のいずれか1項に記載のサンプリングインターフェイス。前記所定量のイオンを受け取るための前記取入れ口が、実質的に、円錐の頂点に又は頂点の近くに設置された開口部を有する円錐形状を有する、請求項1~16のいずれか1項に記載のサンプリングインターフェイス。前記充電要素が、実質的に、円錐の頂点に又は頂点の近くに設置された開口部を有する円錐形状を有する、請求項7~17のいずれか1項に記載のサンプリングインターフェイス。前記取入れ口及び充電要素の開口部が実質的に互いに同心になるように配列される、請求項18項に記載のサンプリングインターフェイス。前記イオンが誘導結合プラズマICPによって生成されたプラズマから調達される、請求項1~19のいずれか1項に記載のサンプリングインターフェイス。当該インターフェイスが、下記の質量分析計測、すなわち低圧又は高圧プラズマイオン源を使用できるICP-MSなどの大気圧プラズマイオン源質量分析法、マイクロ波プラズマ質量分析法MP-MS又はグロー放電質量分析法GD-MS又は光学プラズマ質量分析法例えばレーザー励起プラズマ、ガスクロマトグラフ質量分析法GC-MS、液体クロマトグラフ質量分析法LC-MS、及びイオンクロマトグラフ質量分析法IC-MS、電子イオン化EI、リアルタイム直接分析DART、脱離エレクトロスプレーDESI、流動大気圧残光FAPA、低温プラズマLTP、誘電バリア放電DBD、ヘリウムプラズマイオン化源HPIS、球形圧力光イオン化DAPPI及び大気脱離イオン化ADIのうちの少なくとも1つに関連付けられるように配列される、請求項1~19のいずれか1項に記載のサンプリングインターフェイス。請求項1~20のいずれか1項に従って配列されたサンプリングインターフェイスを有する、質量分析計。請求項1~20のいずれか1項に記載のサンプリングインターフェイスを有する、誘導結合プラズマ質量分析計。プラズマ質量分析装置用のプラズマサンプリングインターフェイスであって、当該プラズマサンプリングインターフェイスが、その後の分光分析のためにプラズマからイオンをサンプリングし且つ質量分析計へ前記イオンを導入できるように配列され、前記イオンが、前記プラズマにおいてイオンに変換されたサンプルからサンプリングされ、当該プラズマサンプリングインターフェイスが、前記プラズマからイオンを受け取るために前記プラズマに隣接して配列されたサンプラーと、前記プラズマから受け取ったイオンが通過できるガスを収容するように配列された前記サンプラーの下流の領域と、を備え、前記領域の少なくとも一部は、前記イオンが通過できる、選択されたバイアス電位を有する場を提供するように配列される、プラズマサンプリングインターフェイス。スキマーが提供され且つ前記サンプラーの下流に配列され、前記サンプラー及びスキマーが、前記質量分析計への導入のために前記プラズマから前記イオンをサンプリングできるように配列される、請求項24に記載のプラズマサンプリングインターフェイス。前記場のバイアス電位が充電要素によって与えられ、該充電要素が前記電圧源と電気的に接続されるように配列される、請求項24又は25に記載のプラズマサンプリングインターフェイス。前記充電要素に加えられる前記バイアス電位が、衝突散乱を減少させるように、前記イオンが前記下流領域を通過するときの前記ガスの粒子との衝突による前記イオンの運動エネルギーの変化との相関関係に従って選択される、請求項26に記載のプラズマサンプリングインターフェイス。前記充電要素に加えられる前記バイアス電位が、イオンが前記下流領域を通過するときに前記ガスの粒子と衝突すると生じる衝突散乱を減少させるように選択される、請求項26に記載のプラズマサンプリングインターフェイス。前記充電要素に加えられる前記バイアス電位が、衝突散乱を減少させるように前記領域における前記ガスの圧力との相関関係に従って選択される、請求項26に記載のプラズマサンプリングインターフェイス。質量分析計において指向性イオンビームのイオンの所望の経路からの偏向を軽減するための方法であって、前記質量分析計が、前記指向性イオンビームを生成するためのイオン源と、検出手段と、前記指向性イオンビームが通過する、前記イオン源と前記検出手段との間の少なくとも1つの開口部付きインターフェイスと、中へガスを導入できるチャンバーとを有し、当該方法が、前記指向性イオンビームが前記開口部付きインターフェイスの下流の前記チャンバーの中へ進むとき、前記所望の経路の方向に前記指向性イオンビームのイオンを偏らせるべく電圧を加えるステップを含む、方法。質量分析計において指向性イオンビームのイオンの所望の経路を制御するための方法であって、前記質量分析計が、前記指向性イオンビームを生成するためのイオン源と、検出手段と、前記指向性イオンビームが通過する、前記イオン源と前記検出手段との間の少なくとも1つの開口部付きインターフェイスと、中へガスを導入できるチャンバーとを有し、当該方法が、前記指向性イオンビームが前記開口部付きインターフェイスの下流のチャンバーの中へ進むとき、前記所望の経路へ向かって前記指向性イオンビームのイオンを偏らせるように前記開口部付きインターフェイスの前記領域において電場を生成するステップを含む、方法。質量分析計においてイオンをサンプリングする際に使用するためのサンプリングインターフェイスであって、前記質量分析計が、所望の経路に沿って指向性イオンビームを生成するためのイオン源と、検出手段と、中へガスを導入できるチャンバーとを有し、前記インターフェイスは、開口部付きであり、且つ、前記指向性イオンビームが該開口部付きインターフェイスの下流の前記チャンバーの中へ進むとき、前記所望の経路へ向かって前記指向性イオンビームのイオンを偏らせるように電圧源に電気的に結合可能である、サンプリングインターフェイス。所望の経路に沿って指向性イオンビームを生成するためのイオン源と、検出手段と、前記指向性イオンビームが通過する、前記イオン源と前記検出手段との間の少なくとも1つの開口部付きインターフェイスと、中へガスを導入できる前記開口部付きインターフェイスの下流のチャンバーとを有する質量分析計であって、前記開口部付きインターフェイスが、前記指向性イオンビームが前記開口部付きインターフェイスの下流の前記チャンバーの中へ進むとき、前記所望の経路へ向かって前記指向性イオンビームのイオンを偏らせるように電圧源に電気的に結合可能である、質量分析計。任意の1つ以上の添付図面を参照して実質的に以上に説明されたような、質量分析装置用のサンプリングインターフェイス。任意の1つ以上の添付図面を参照して実質的に以上に説明されたような質量分析計。任意の1つ以上の添付図面を参照して実質的に以上に説明されたようなプラズマ質量分析装置用のプラズマサンプリングインターフェイス。簡潔化のために、本発明に従って配列されたサンプリングインターフェイスのいくつかの実施形態について、誘導結合質量分析ICP-MS装置に関して説明する。ただし、このようなサンプリングインターフェイス配列体は、選択的なイオン粒子のフラグメンテーション、減衰、反応、衝突散乱、操作、質量スペクトル調整のための再配分に使用される任意の形式の衝突雰囲気collisionatmosphere多重極衝突又は反応セルを含むがこれに限定されない配列体を有するものを含めて、質量分析計測に容易に応用できることが分かるだろう。従って、ICP-MSなどの大気圧プラズマイオン源低圧又は高圧プラズマイオン源を使用できる質量分析法、マイクロ波プラズマ質量分析法MP-MS又はグロー放電質量分析法GD-MS又は光学プラズマ質量分析法例えばレーザー励起プラズマ、ガスクロマトグラフ質量分析法GC-MS、液体クロマトグラフ質量分析法LC-MS及びイオンクロマトグラフ質量分析法IC-MSなどの質量分析装置は、本発明の原理から利益を受けることができる。当業者は、前記のリストが網羅的なものではなく、質量分析法の他の開発中の分野が本発明の原理から利益を受ける可能性があることが分かるだろう。簡単な説明として、ICP-MS装置の場合、イオンの生成及び試験サンプルから質量分析計へのイオンの移転を可能にするために、しばしばCampargue式形態のプラズマサンプリングインターフェイスが使用される。この形態のインターフェイスは、概して、電気的に接地された2つの構成要素、すなわち概してサンプラー又はサンプラーコーンと呼ばれる第一構成要素プラズマによって生成されたイオンを受け取るための取入れ口として役立つためにプラズマに隣接して配置されると、一般にスキマー又はスキマーコーンとして知られる第二構成要素質量分析計への途中でイオンが通過するようにサンプラーの下流に配置されるとから成る。スキマーは、概してイオンが通過する開口部を含む。サンプラー及びスキマー配列体の目的は、質量分析計による操作のために必要とされる真空環境の中へそれぞれの開口部を介してイオンが進めるようにすることである。真空は、概して、多段ポンプ配列体によって生成され且つ維持され、多段ポンプ配列体では、第一段は、プラズマと関連するガスのほとんどを除去しようとする。イオンが質量分析計に到達する前に雰囲気をさらに純化するために1つ以上の真空段階を使用できる。ほとんどのシステムにおいて、イオン光学又は抽出レンズ配列体が、提供され、且つ、UV光子と、高エネルギー中性子と、プラズマから機器の中へ運ばれるその他の固体粒子とからイオンを分離するためにスキマーのすぐ下流に配置される。図1は、ICP-MS装置に使用するための2つの開口部付きICP-MSCampargueインターフェイス配列体を用いて構成された、本発明に従って配列されたサンプリングインターフェイス2の1つの実施形態を示す。プラズマ場14を生成するためにICPトーチ10が設置される。作動時に、試験サンプル18はプラズマ場14の中へ導入され、そこで、サンプル18は質量分析計検出器6による分析のために気化され且つイオンに変換される。イオンを生成する方法は予定される質量分析計測のタイプ次第であるが、本明細書では、イオンはプラズマから発することが分かるだろう。試験サンプル18を生成する様々な方法が当該技術分野において知られており、本明細書においてはこれ以上論じない。試験サンプル18からのイオンは、サンプリングインターフェイス2によってプラズマ場14からサンプリングされる。図1の実施形態の場合、サンプリングインターフェイス2は、プラズマ場14からイオンを受け入れるためにプラズマトーチ10に隣接して配列された取入れ口ICP-MSの場合、サンプラー22、又は時には当該技術分野においてサンプラーコーンと呼ばれるを含む。当初は大気圧のプラズマ14は、第一真空チャンバー32典型的圧力は133Pa~1333Pa1~10トール程度内でプラズマ膨張ジェット33として膨張する。サンプラー22の下流の第二チャンバー35内に設置された領域以後、衝突領域30と呼ぶは、イオンが通過するガス以後、衝突ガス34と呼ぶを収容する。衝突領域30の少なくとも一部は、イオンが通過する、選択されたバイアス電位を有する場を与えるように配列される。この配列体は、イオンが場を通過するときにイオンのエネルギー成分が増大できるようにする。図1の実施形態の場合、場のバイアス電位は、電圧源38に電気的に接続されて配列されるスキマー26IPC-MS配列体の場合などの充電要素によって与えられる。スキマー26又は、当該技術分野においてスキマーコーンと呼ばれることもあるは、概してサンプラー22の下流に配置される。サンプラー22とスキマー26とは、質量分析検出器6への導入のためにプラズマ場14からイオンをサンプリングできるように互いに対して配列される。サンプラー22及びスキマー26のそれぞれの開口部23、27の間の距離は5~30mmとすることができる。スキマー26は、サンプリングインターフェイス2から分離されて、絶縁体46を使用する絶縁組立体28によって浮くfloatことができるように配列される。スキマー26によって加えられる電位は、イオンが衝突領域30の中へ進むときに衝突散乱の効果によって生じたイオンの運動エネルギー損失との相関関係に従って選択される。衝突ガス34は、通過するプラズマ領域において多原子イオンなどのイオンビームから望ましくない粒子を取り除くための適性に基づいて選択される。このような配列体を用いることにより、ガス粒子と衝突することによるイオンの運動エネルギー損失は、バイアス電位をスキマー26に加えて、イオンのエネルギー成分の増大に役立てることによって、相殺されうる。1つの実施形態において、衝突領域30において与えられるガスの圧力が高いほど、ガス粒子との衝突の際の衝突散乱を最小限に抑えるのに充分なエネルギーをイオンに与えるためにスキマー26に加えるべきバイアス電位は高くなる。この配列体は、従来のICP-MSサンプラーインターフェイス配列体と比べて10~100倍程度、質量分析計の信号感度を改良することが判明している。従って、本発明の配列体を使用すると、入ってくる利用可能なイオンの散乱比率を減少させながら、適切な衝突ガスを衝突領域30へ導入し、この領域においてより高い圧力でそれによって望ましくない粒子の除去率を増大する衝突ガスを維持できる。残存イオンは、抽出レンズ42によって抽出され、分析のために質量分析計検出器6へ送られる。典型的なICP-MS形態の質量分析計において使用されるスキマー26は、概して、金属から構成され、金属製真空チャンバーと電気的に結合されるように配列される。これによって、スキマー26は常に実質的ゼロ0電位で接地される。ただし、本発明によれば、スキマー26にバイアス電位を加えることによって、プラズマから抽出されたイオンに付加的なエネルギーポテンシャルを与える。例えば、衝突領域30内における運動エネルギー損失が25電子ボルトeV程度であることが判明した場合、この損失は、スキマー26に約25ボルトVの電位を加えることによって相殺されうる。四重極質量分析器がスキマー26の下流に組み込まれる場合、衝突散乱の減少以外の利益も得られる。この場合、イオン運動エネルギーが減少したイオンの移動を助けるために、四重極質量分析器をオフセットこの場合には-25Vの電位によってする必要はない。代わりに、質量分析器のポテンシャルを実質的に正常ゼロ電位に維持して、装置の作動を単純化できる。従って、四重極質量分析器を通過するイオンの移送を助けるために、通常であれば必要な四重極ボルテージバイアスquadrupolevoltagebiasを調節する必要がない。従来のICP-MS形態の場合、CRI雰囲気において衝突ガス又は反応ガスが使用されるとき、作動時に衝突散乱による感度の10~100倍程度の減少が観測される。しかし、本発明に従って配列されたスキマーにバイアス電位を加えると、イオンビームのエネルギー損失を低減し、その結果10~50倍程度の信号感度の改良が得られる可能性があると考えられる。任意の規模の電位をスキマー26に加えることができることが分かるだろう。従来のICP-MS装置における衝突セルの使用は、衝突セルが存在しない配列体と比べて10~100倍、イオンビームの信号感度が増大することが判明している。衝突セルを組み込む質量分析計測装置の場合、衝突セルは典型的にはイオンの運動エネルギー損失が実質的に-200eV/イオンまでである比較的高い圧力環境において作動するので、スキマーにバイアス電位を加えることが有利であることが判明している。この種の衝突セルは、概して、衝突セルと一緒に配列される四重極質量分析器又は同様のものを含む。従って、このような衝突セル配列体を通過するイオンは、衝突セルの背後に設置された負の荷電イオン抽出レンズを用いて抽出される必要があり、大きい負のバイアス電位を四重極質量分析器に加える必要がある。しかし、本発明に従えば、同様のバイアス電位衝突セルが消費する電位に比例するがスキマーに加えられて、イオンビームにおけるイオンの初期エネルギー状態を例えば、200eV/イオン程度へ向上させる場合、イオンの運動エネルギー損失を相殺し又は妥当な程度に制御できる。これは、10~100倍程度、信号感度を改良することが判明している。上記のことを考慮して、予備結果に拘束されることなく、衝突領域30又は衝突セルの中の衝突ガス34の圧力とスキマー26に加えられるバイアス電位との間に相関関係が存在することが分かるだろう。これに関して、衝突領域30における圧力が低いほど衝突散乱が少ないことを示すスキマー26に加える必要があるバイアス電位が低いことが分かる。さらに、衝突領域30における圧力が高いほど衝突散乱の増大を示す、より高いバイアス電位をスキマー26に加える必要があるだろう。例えば、下流領域におけるガスの圧力の増大は、これに釣り合うイオン衝突の発生数の増大を引き起こす可能性がある。従って、1つの実施形態において、スキマー26に加えられるバイアス電位の増大は、下流領域におけるガス圧力の増大と釣り合うように選択できる。ただし、下流領域におけるガス圧の増大の結果として対応するイオン衝突の数の増大は、イオンの衝突散乱の同等の増大に変換できない。なぜなら、衝突散乱は、概して、衝突以前のイオンエネルギー及び/又はイオンの速度の関数であるからである。従って、スキマー26に加えられるバイアス電位は、概して、イオン衝突によるイオンの衝突散乱の関数であり、分析計検出器6へ到達するイオンが最大可能数になるバイアス電位の規模を測定するように実験により選択されうる下でさらに論じる。スキマー26又は以下で論じられ且つ図6の実施形態に示されるような複数のスキマーに加えられるバイアス電位の規模は、概して、第二チャンバー35において記録された衝突圧力又は配列体に衝突セルが含まれる場合衝突セルにおける衝突圧力及びその結果としての信号感度又は質量分析計が受け取ったイオンビームの強さを参照することによって、実験的に測定される。スキマー26に加えられるバイアス電位の最適レベルを測定する1つの方法は、まず、スキマー26に加えられたバイアス電位が不在のときに、イオンビーム経路から衝突ガスを除去し、装置の信号感度を観察することである。これは、参照の始点となる。次に、所望の衝突ガス34を衝突領域30へ導入することによって、スキマー26に加えられるバイアス電位を徐々に増大しながら信号感度をモニターできる。スキマー26へ加えられるバイアス電位の増大に伴い、信号感度は改良を示すことができる。ただし、バイアス電位をさらに増大すると、信号感度が減少する分岐点に達することが判明している。すなわちイオンにエネルギーを与えすぎると、衝突活動の増大を生じる。従って、分岐点に対応するバイアス電位は、スキマー26に加えられる最適バイアス電位を反映する可能性が大きい。さらに、ある範囲又は帯域の電圧レベル内で選択されたバイアス電位は、使用される固有のサンプリングインターフェイス配列体次第で最適となる可能性がある。最適電圧レベル又は電圧レベルの帯域は、サンプルイオンによって異なり、従って特定の元素タイプに特徴的である可能性がある。サンプルイオンの性質次第で、衝突領域30内のガスの圧力とスキマー26に加えられるバイアス電位との間の関係は、線形又は非線形であり、さらに、例えばイオン及び衝突ガスの特性など他の要因及びイオンエネルギー、衝突及び振動特性などの関連化学特性に左右される。これらの要因は網羅的ではなく、他の要因が衝突領域30におけるガスの圧力と加えられたバイアス電位との間の関係の質をさらに複雑にする可能性があることが分かるだろう。バイアス電位の最適レベルを測定する他の手段も使用できる。圧力センサ衝突イオンによる圧力を認識するのに充分な感度を有する適切な形式の圧力変換器などを衝突領域30全体の様々な場所に配置し、データを処理し必要なときは加えられるバイアス電位を自動的に調節するように適切にプログラムされた処理ユニット図示せずへ圧力データを伝送するように配列できる。また、処理ユニットは、装置の信号感度に関するデータを受信するように配列されうる。従って、このようなデータ入力が与えられると、最適バイアス電位を測定するプロセスを容易に自動化できる。衝突活動を監視及び/又は推定するために、同様の圧力センサ及びデータ処理配列体を衝突セルにおいて設置できることが分かるだろう。本発明に従ったプラズマサンプリングインターフェイス配列体は、下に詳細に論考する図2~6の各々に示す実施形態において例示される様々なICP-MS形態に使用できる。図2は、本発明に従って配列されたサンプリングインターフェイス40を示す。図示する配列体の場合、サンプリングインターフェイス40は、図1に示すのと同様の2つの開口部付きICP-MSCampargue式インターフェイス配列体を持つように構成される。図2から明らかなように、サンプリングインターフェイス40は、図1に示すサンプリングインターフェイス2の実施形態と同様の構成要素の配列を有する。イオンは、スキマー26に設置された開口部27を通過するとき、第二真空チャンバー35によって形成された衝突領域30へ進入する。真空チャンバー内には衝突ガス34が保持される。ガス粒子との衝突による散乱の影響を受けないイオンは、第一ポンピング区画110内に収容されたイオン光学チャンバー65の中へ進む。イオン光学チャンバー65は、ICPから計器へ運ばれてきて衝突ガス34の粒子との衝突を偶発的に避けたあらゆるUV光子、エネルギー中性子又は固体粒子をイオンから分離することを助ける。図示する実施形態において、イオン光学チャンバー65は、シケインchicane式の態様でイオンビームを屈曲させるように作用する軸外しoffaxis形態として配列される。使用されるこのようなレンズ配列体は、オメガレンズAgilent7700ICP-MS又はシケインレンズThermoICP-MSイオン光学配列体を備えることができる。この種のイオン光学配列体は、非荷電粒子が、荷電イオンの後を追わず、例えば、イオン光学チャンバー65の内表面に衝突することによってイオンビームから除去されるようにする。イオン光学チャンバー65から、イオンビームは、ゲート弁70を通過して第二ポンピング区画115内に収容された衝突セル85典型的には、当該技術分野において、衝突セル、イオンフラグメンテーションセル又はイオン操作セルとも呼ばれる内のさらなる衝突雰囲気へ向けられる。衝突セルは、典型的には、アンモニア、メタン、酸素、窒素、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン、ヘリウム又は水素など、望ましくない残留妨害粒子を除去する付加的手段としてイオンと反応する1つ以上の加圧ガスを保持する。ガスは、取入れ口80によって衝突セル85へ導入される。衝突セル85は、上述のガスの1つ、又は2つ以上のガスの組み合わせを保持するように配列されうる。上述のガスは決して網羅的なものではなく、他のガス又はその組み合わせが衝突セルにおいて使用するのに適する可能性があることが分かるだろう。衝突セル85から、イオンビームは、第三ポンピング120に保持された差動ポンピング開口部90を通過して、質量分析器配列体この場合には四重極質量分析器配列体92へ向かう。四重極質量分析器配列体92は、第一の組のロッド四重極フリンジングロッド95と、四重極フリンジングロッド95の下流に配置された第二の組のロッド四重極メインロッド100とを備える。この場合、四重極フリンジングロッド95及びメインロッド100の組は、各々相互に平行に配列され、イオンビームの走行方向に平行に配列されたそれぞれの軸を持つ四4本のロッドを備える。四重極質量分析器配列体92の役割は、質量電荷比m/zに基づいてイオンビームの中のイオンをフィルタリングすることである。図示する四重極質量分析器配列体92の場合、サンプルイオンは、ロッドに加えられる振動する電場におけるイオンの軌道の安定性に基づいて分離される。残存イオン荷電イオンは、その後、分析のために質量分析計検出ユニット105へ向けて方向付けられる。図3は、本発明に従って配列されたサンプリングインターフェイス43の実施形態を示す。図3から明らかなように、サンプリングインターフェイス43は、図2の実施形態40の変形であり、イオン光学チャンバー65が衝突セル85この場合には、第一ポンピングチャンバー110内にあるの下流の第二ポンピングチャンバー115内に在るように配列される。図4は、同様に本発明に従って配列されたサンプリングインターフェイス72の実施形態を示す。同様に、図示する構成要素の多くは、図1~3の実施形態と共通するが、スキマー26の開口部27において又はその近くでプラズマ場33の中へ衝突ガスヘリウム又は水素などを注入するように配列された取入れ口44を有する修正スキマー26が設置される。この種の衝突ガスは、インターフェイス内の任意の適切な望ましい場所でチャンバー雰囲気内に注入されうることが分かるだろう。図3に示すプラズマサンプリングインターフェイス43の実施形態と比べた場合のさらなる相違は、スキマー26からのイオンビームの行程方向に対して軸外れの関係に配置される四重極質量分析器92へ向けてイオンビームの方向を変えるように配列されたイオンミラーレンズ125が組み込まれることである。イオンビームがスキマー26から下流へ進むので、イオンミラー125は、イオンビーム中の荷電粒子を、随伴する非荷電粒子とは異なる経路へ方向付けるように構成された1組の電極を有して配置される。イオンミラー125の中の電極は、イオンビームを充分な角度例えば90度図4に図示するように方向転換反射できるように配列されうる。従って、スキマーから現れたとき元々イオンビームに随伴していた光子又はエネルギー中性子は、引き続き元来の方向へ進んで、イオンビームから除去される。このような性質の配列体は、イオンビームの行程方向に対して一定程度の制御を行使できるように電極を構成できる点で有利である。例えば、イオンミラー125の対向する電極に電圧差を加えることによってイオンビームを左右にすなわち図面の平面の中又は外へ進路を操縦できる。この点に関して米国特許第6762407号明細書参照により本明細書に組み込まれるをさらに参照する。イオンミラー125の使用が質量分析装置の信号感度を増大することが立証されてきた。図5は、本発明に従って配列されたサンプリングインターフェイス74の実施形態である。図5から明らかなように、配列体は、実質的に図4に示すものと同様であるが、サンプリングインターフェイス74は、抽出レンズ42とイオンミラー125との中間に配列された衝突セル85を含むことが分かるだろう。さらなる相違は、イオンミラー125と四重極質量分析器92への入り口との間に配置される第二衝突セル78の設置である。第二衝突セル78は、イオンミラー125によってイオンビームと一緒に偶発的に方向転換された残存妨害粒子があればこれをフィルタリングするさらなる手段を提供する。第二衝突セル78は、取入れ口79を介して衝突ガスを受け入れるように配列される。第二衝突セル78はイオンビームをさらに純化するために設置されるが、第二衝突セルが設置される唯一の衝突セルである配列体を実現できることが分かるだろう。すなわち、衝突セル85を第二衝突セル78のために省略できる。当業者は、さらに、衝突セル85及び78内に保持されるガスが、同じタイプのガス若しくは異なるガスであり、又は1つ以上の適切なガスの組合せを含むことが分かるだろう。図6は、本発明に従って配列されたサンプリングインターフェイス76の実施形態を示す。この実施形態において、第二スキマー140が含まれ且つスキマー26と抽出レンズ42との中間に配置される。バイアス電位を第二スキマー140に適切に加えられるように、さらなる電圧源150が設置される。第二スキマー140を含めることは、望ましくない粒子を除去することによってイオンビームを純化できるさらなる段階を与える。プラズマがさらなる衝突領域30への途中を通過するとき、第二スキマー140のすぐ下流にさらなるプラズマ膨張領域145が形成されることが分かるだろう。さらに、第二スキマー140は、サンプルイオンがスキマー26から進むときにサンプルイオンにエネルギーを再付与すべく第二スキマーにバイアス電位が加えられるように、浮くように配列される。付加的スキマーを用意して、適切な直列形態で配列して、必要に応じてイオンビームをさらに純化できることが分かるだろう。さらに、図4及び5に示すスキマー26配列体を参照すると、両方のスキマー26及び140は、それぞれの開口部の周囲から通過するイオンビームの中へ適切なガスを注入できるように修正できることが分かるだろう。本明細書及びクレームにおいて使用される場合、備えるcomprisingと言うこと言葉は、本発明を限定して、変形又は追加を排除するものではない。本発明の修正及び改良は、当業者には自明であろう。このような修正及び改良は、本発明の範囲内にあることが意図されている。