窒化物半導体とは異なる材料から構成される異種基板と、前記異種基板の主面上に形成され、窒化物半導体から構成されるスパッタ膜と、前記スパッタ膜上に形成され、窒化物半導体から構成される発光素子部とを備え、前記異種基板は、前記主面部分に形成される凹部を含み、前記凹部は、傾斜面を有するとともに、断面的に見て、略V字状に形成されており、前記傾斜面は、前記凹部の底側の傾斜角度が前記主面側の傾斜角度以下であることを特徴とする、窒化物半導体発光素子。前記スパッタ膜はAlNから構成されていることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。前記凹部はその開口幅が深さより大きいことを特徴とする、請求項1または2に記載の窒化物半導体発光素子。前記傾斜面において、前記凹部の底側の領域と前記主面の法線とのなす角度をθ1とし、前記主面側の領域と前記主面の法線とのなす角度をθ2としたときに、θ1とθ2とがθ2≦θ1の関係を満たし、かつ、θ1が45度より大きく90度より小さいことを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。前記角度θ1は60度より大きく80度より小さいことを特徴とする、請求項4に記載の窒化物半導体発光素子。前記角度θ1は65度より大きく75度より小さいことを特徴とする、請求項4に記載の窒化物半導体発光素子。前記角度θ1は、前記角度θ2より大きいことを特徴とする、請求項4~6のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。前記凹部の傾斜面は、断面的に見て、下に凸の放物線状に形成されていることを特徴とする、請求項1~7のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。前記異種基板の主面上には、AlNからなるスパッタ膜が形成されており、前記発光素子部は、前記スパッタ膜上に接して形成されるAlxInyGazNxyz=1からなる窒化物半導体層を含み、前記窒化物半導体層は、そのAl組成比xが0.85以上1.00以下であり、かつ、x>z>yの関係を満たすことを特徴とする、請求項1~8のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。前記異種基板の主面上には、AlNからなるスパッタ膜が形成されており、前記発光素子部は、前記スパッタ膜上に接して形成されるAlxGa1xNからなる窒化物半導体層を含み、前記窒化物半導体層のAl組成比xが0.85以上1.00以下であることを特徴とする、請求項1~8のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。前記窒化物半導体層はAlNからなることを特徴とする、請求項10に記載の窒化物半導体発光素子。前記異種基板が、サファイア基板、Si基板、SiC基板、スピネル基板、グラファイト基板のいずれかからなることを特徴とする、請求項1~11のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。前記異種基板が、サファイア基板であることを特徴とする、請求項1~11のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。前記異種基板が、Si基板であることを特徴とする、請求項1~11のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。前記発光素子部は、量子井戸構造を有する活性層を含み、前記活性層は、Alを含み窒化物半導体からなる井戸層を有し、前記井戸層のAl組成比が0.30以上0.75以下であることを特徴とする、請求項1~14のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。窒化物半導体とは異なる材料から構成される異種基板を準備する工程と、前記異種基板の主面部分に凹部を形成する工程と、前記異種基板の主面上に、窒化物半導体からなる発光素子部を形成する工程とを備え、前記凹部を形成する工程は、ポイントスクライバを用いたスクライブ工程を含むことを特徴とする、窒化物半導体発光素子の製造方法。前記凹部を形成する工程は、前記スクライブ工程に先立って前記異種基板の主面上に保護膜を形成する工程と、前記スクライブ工程の後に前記保護膜を除去する工程とを含むことを特徴とする、請求項16に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。前記保護膜を形成する工程は、スパッタ法を用いてAlNから前記保護膜を形成する工程を有することを特徴とする、請求項17に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。本願発明者らは、深紫外領域で発光する高効率発光素子の実現に向けて、異種基板の主面上に結晶成長法ではない手法たとえばスパッタ法などを用いてAlNバッファ層スパッタ膜を成膜し、このスパッタ膜に隣接する接するように結晶成長法によりバッファ層を形成する手法を用いて結晶品質の向上の検討を進めていた。そして、スパッタ法により形成されたAlN層上に、MOCVDMetalOrganicChemicalVaporDeposition法を用いてAl組成比の高いAlxInyGazNxyz=1、Al組成比xがたとえば0.85以上1.00以下を直接成長させた場合に、クラックが多発するという課題があることを見出した。また、Al組成比を増加させていくとクラックも増加する傾向にあり、特にAlN膜を、結晶成長法を用いて成長させたときにクラック発生が非常に顕著であった。なお、スパッタ法により形成されたAlNバッファ層スパッタ膜上にGaN層下地層を成長させる場合、このような現象は見られない特許文献1参照。一般的に、バッファ層上に半導体層を形成する場合、その半導体層の組成がバッファ層の組成と近い程、格子不整合差等が小さくなるためクラックが発生し難くなる。しかしながら、スパッタ法により形成されたAlNバッファ層スパッタ膜上に、結晶成長法により窒化物半導体層を形成する場合は、通常とは逆の結果が生じる。スパッタ膜とは製法が異なるものの、スパッタ膜上に形成される窒化物半導体層をスパッタ膜と同一材料に近づけるほど、換言すると、Al組成比を増やしてAlNに近づけるほどクラックが多発するという現象は非常に特異な現象である。これは、AlNスパッタ膜上に高いAl組成比を有する窒化物半導体層を結晶成長した場合に生じる特有の課題である。ここで、クラックの発生を抑制するために、上記非特許文献1のようにAlN層に凹部を形成する手法を用いることも考えられる。この場合には、基板上に形成されるAlNバッファ層にボイドが形成されるため、このボイドによりクラックの発生が抑制されることが期待される。しかしながら、この場合にはAlNバッファ層中に比較的大きなボイドが形成されるため、AlNバッファ層の表面に凹凸ができ易くなる。すなわち、AlNバッファ層の表面を平坦化するのが困難になるという不都合がある。AlNバッファ層の厚みを大きくすることによって、層表面を平坦化することは可能であるものの、この場合には、原料効率が低下するという不都合が生じる。加えて、スループットも低下する。さらに、AlNバッファ層の厚みが大き過ぎるとクラックが発生するおそれもある。したがって、非特許文献1に開示の手法を用いた場合でも、バッファ層の品質を効果的に改善することは困難となる。この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の1つの目的は、クラックの発生が抑制された高品質のバッファ層を異種基板上に形成することが可能な窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供することである。この発明のもう1つの目的は、発光効率を向上させることが可能な窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供することである。上記目的を達成するために、本願発明者らが鋭意検討した結果、異種基板の主面部分に凹部を形成するとともに、その凹部の形状断面形状を変えることによって、クラックの発生を抑制しながら、スパッタ膜上に成長される窒化物半導体層バッファ層の層表面を容易に平坦化できることを見出した。すなわち、この発明の第1の局面による窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体とは異なる材料から構成される異種基板と、異種基板の主面上に形成され、窒化物半導体から構成されるスパッタ膜と、スパッタ膜上に形成され、窒化物半導体から構成される発光素子部とを備えている。また、異種基板の主面部分には凹部が形成されている。この凹部は、傾斜面を有するとともに、断面的に見て、略V字状に形成されている。また、凹部の傾斜面は、凹部の底側の傾斜角度が主面側の傾斜角度以下とされている。この第1の局面による窒化物半導体発光素子では、上記のように、異種基板に形成される凹部の形状を、断面的に見て、略V字状V字に近い形状にするとともに、その傾斜面を、凹部の底側の傾斜角度が主面側の傾斜角度以下となるようにしている。このため、異種基板の主面上にスパッタ膜を形成し、このスパッタ膜上に窒化物半導体層バッファ層を成長させた場合でも、バッファ層の表面を平坦化することができる。すなわち、凹部を上記のように形成することによって、バッファ層を成長させた際に、凹部が比較的埋まり易くなるため、バッファ層の厚みを大きくすることなく層表面を平坦化することができる。なお、凹部は、作製誤差により生じる場合を除き、その底部分に平坦部分をほとんど含まない形状とされているのが好ましい。また、異種基板の凹部を上記のような形状断面形状とすることによって、バッファ層に微小な空孔ボイドを形成することができるので、スパッタ膜上にAl組成比の高い窒化物半導体層をバッファ層として成長させた場合でも、この微小な空孔によってバッファ層にクラックが発生するのを抑制することができる。なお、異種基板の凹部を上記形状とした場合、凹部が埋め込まれ易くなるため層表面を平坦化し易くなる一方、凹部が埋め込まれ易くなることによって、空孔が非常に小さくなる、もしくは、完全に消滅した状態となる場合がある。一般的に、クラックの抑制効果は空孔ボイドによる応力緩和によってもたらされているものと考えられる。このため、上記のように、空孔が非常に小さくなる、もしくは、完全に消滅した状態となる場合は、クラックの抑制効果が低下してクラックが多発するものと考えられる。しかしながら、本願発明者らが種々検討した結果、スパッタ膜上にバッファ層として窒化物半導体層を成長させる場合には、空孔が非常に小さい場合や空孔が形成されない場合でもクラックの発生が抑制されることが分かった。このように、第1の局面では、上記形状を有する凹部を異種基板に形成することによって、スパッタ膜上にAl組成比の高い窒化物半導体層を成長させることで発生するクラックを抑制することができる。加えて、窒化物半導体層バッファ層の層表面を平坦化することができる。これにより、Al組成比の高い高品質の窒化物半導体層をバッファ層として異種基板上に形成することができる。また、スパッタ膜上にバッファ層としての窒化物半導体層を結晶成長させた場合には、バッファ層の結晶品質が良好となる。バッファ層は、層厚が大きくなると結晶品質が向上するものの、上記のように、スパッタ膜上にバッファ層を成長させることによって、同程度の品質のバッファ層を小さい厚みで形成することができる。そして、バッファ層の厚みを小さくした場合でも、上記のように、層表面に凹凸が生じるのを抑制して表面を平坦化することができる。また、バッファ層の厚みを小さくすることによって、バッファ層の厚みが大きくなり過ぎることに起因するクラックの発生を抑制することもできる。さらに、バッファ層の厚みを小さくすることによって、原料効率を向上させることができるとともに、スループットを向上させることができる。したがって、上記のように構成することによって、窒化物半導体発光素子の発光効率を向上させることができる。なお、バッファ層の厚みを大きくすれば、結晶品質をより良好にすることができる。上記第1の局面による窒化物半導体発光素子において、スパッタ膜はAlNから構成されているのが好ましい。このように構成すれば、Al組成比の高い窒化物半導体からなるバッファ層の品質を容易に向上させることができる。上記第1の局面による窒化物半導体発光素子において、上記凹部はその開口幅が深さより大きくなるように形成されているのが好ましい。すなわち、上記凹部は深さが浅く形成されているのが好ましい。このように構成すれば、容易に、凹部を埋め込まれ易くすることができるので、容易に、バッファ層表面を平坦化することができる。また、上記傾斜面において、凹部の底側の領域と主面の法線とのなす角度をθ1とし、主面側の領域と主面の法線とのなす角度をθ2としたときに、θ1とθ2とがθ2≦θ1の関係を満たし、かつ、θ1が45度より大きく90度より小さくなるように構成されているのが好ましい。このように構成すれば、異種基板上に、たとえば、AlNスパッタ膜を形成し、その上にAl組成比が高い窒化物半導体からなるバッファ層たとえば、AlN層を成長させた際に発生するクラックを容易に抑制することができる。また、凹部の形状が略矩形状の場合には、凹部が埋まりにくいが、上記角度を有する凹部を形成することによって、凹部を埋まりやすくすることができる。このため、より平坦な表面を有するバッファ層を形成し易くすることができる。この場合において、上記角度θ1は60度より大きく80度より小さい角度とされているのが好ましい。また、上記角度θ1は65度より大きく75度より小さい角度とされていればより好ましい。また、この場合において、角度θ1は、角度θ2より大きい角度であるのが好ましい。このように構成すれば、より容易に、クラックの発生が抑制された高品質のバッファ層を異種基板上に形成することができる。上記第1の局面による窒化物半導体発光素子において、凹部の傾斜面は、断面的に見て、下に凸の放物線状に形成されているのが好ましい。また、凹部の傾斜面は、下に凸の放物線に似た形状たとえば、多角形状などであってもよいし、直線に近い形状であってもよい。上記第1の局面による窒化物半導体発光素子において、異種基板の主面上には、AlNからなるスパッタ膜が形成されており、発光素子部は、スパッタ膜上に接して形成されるAlxInyGazNxyz=1からなる窒化物半導体層を含み、窒化物半導体層は、そのAl組成比xが0.85以上1.00以下であり、かつ、Al組成比x>Ga組成比z>In組成比yの関係を満たしているのが好ましい。また、上記第1の局面による窒化物半導体発光素子において、異種基板の主面上には、AlNからなるスパッタ膜が形成されており、発光素子部はスパッタ膜上に接して形成される、AlxGa1xNからなる窒化物半導体層を含み、窒化物半導体層のAl組成比xが0.85以上1.00以下とされていてもよい。上記窒化物半導体層は、Al組成比が0.85以上1.00以下のAlGaNから構成されているのが好ましく、Al組成比が0.90以上1.00以下のAlGaNから構成されていればより好ましい。また、上記窒化物半導体層は、AlNから構成されていればさらに好ましい。また、異種基板としては、たとえば、サファイア基板、Si基板、SiC基板、スピネル基板、グラファイト基板などを用いることができる。基板材料が、窒化物半導体との熱膨張係数や格子定数の差が大きいほど、上記形状を有する凹部を形成することにより得られる効果が顕著となる。そのため、異種基板として、サファイア基板やSi基板を用いるのが好ましい。なお、上記第1の局面による窒化物半導体発光素子は、高いAl組成比を有する窒化物半導体から構成される深紫外発光素子への適応が好適である。そのため、上記第1の局面による窒化物半導体発光素子においては、発光素子部は、量子井戸構造を有する活性層を含み、活性層は、Alを含み窒化物半導体からなる井戸層を有し、井戸層のAl組成比が0.30以上0.75以下に構成されているのが好ましい。また、井戸層のAl組成比が0.40以上0.65以下であればより好ましい。この発明の第2の局面による窒化物半導体発光素子の製造方法は、窒化物半導体とは異なる材料から構成される異種基板を準備する工程と、異種基板の主面部分に凹部を形成する工程と、異種基板の主面上に、窒化物半導体からなる発光素子部を形成する工程とを備えている。そして、凹部を形成する工程は、ポイントスクライバを用いたスクライブ工程を含む。この第2の局面による窒化物半導体発光素子の製造方法では、上記のように、ポイントスクライバを用いたスクライブ工程により、上記第1の局面による形状の凹部を容易に形成することができる。すなわち、ポイントスクライバを用いて異種基板の主面をスクライブすることにより、上記形状を有する凹部を容易に形成することができる。ポイントスクライバとしては、たとえば、ダイヤモンドなどの硬度の高い材料を用いたものが好ましい。また、基板をスクライブする前に、異種基板の主面上に保護膜を形成しておくのが好ましい。保護膜としては、レジストやSiO2などの誘電体膜を用いることができる。スクライブ工程後は保護膜を除去する。このように、スクライブ前に保護膜を形成しておくことで、基板をスクライブすることで発生する残渣デブリの悪影響を除去することができる。また、上記保護膜として、スパッタ法により形成されたスパッタ膜を用いることもできる。この場合、スパッタ膜はAlNスパッタ膜とするのが好ましい。以上のように、本発明によれば、クラックの発生が抑制された高品質のバッファ層を異種基板上に形成することが可能な窒化物半導体発光素子およびその製造方法を容易に得ることができる。また、本発明によれば、発光効率を向上させることが可能な窒化物半導体発光素子およびその製造方法を容易に得ることができる。本発明の具体的な実施形態を説明する前に、本願発明者らが種々検討を行うことによって得た知見について説明する。本願発明者らは、窒化物半導体とは異なる材料からなる異種基板を用いた場合に、その異種基板上に形成されるバッファ層の品質を向上させるために種々検討を行った。その際、異種基板上にスパッタ膜を形成し、このスパッタ膜上に窒化物半導体層を成長させる方法を試みた。具体的には、まず、異種基板の主面上面上にマグネトロンスパッタリング法などを用いてAlNからなるスパッタ膜を形成した。AlNスパッタ膜の厚みは50nm程度である。このAlNスパッタ膜上に、MOCVD法を用いてAl組成比の高いAlxInyGazNxyz=1からなる窒化物半導体層Al組成比xはたとえば0.70以上1.00以下を1μm程度の厚みで直接成長させた。成長させた窒化物半導体層を観察したところ、その厚みが1μm程度と小さいにもかかわらず、窒化物半導体層にクラックが多発するという現象が認められた。また、クラックの発生はAl組成比が高い程増加する傾向にあり、特にAlN層を成長させたときにクラックの発生が非常に顕著であった。なお、スパッタ膜上にAl組成比の高い窒化物半導体層を成長させた場合、上記のようにクラックが多発するものの、クラックが発生していない領域では高い結晶品質が得られた。このように、スパッタ膜上にAl組成比の高い窒化物半導体層をバッファ層として成長させた場合、窒化物半導体層の結晶品質は向上するもののクラックが多発するという問題があることを本願発明者らは見出した。そこで、本願発明者らが鋭意検討したところ、異種基板の主面部分に凹部を形成し、この凹部の断面形状を矩形状とは異なる形状とすることで、クラックの発生が抑制された高品質のバッファ層が得られることを見出した。以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。第1実施形態図1および図2は、本発明の第1実施形態による窒化物半導体素子に用いる異種基板の断面図である。図3は、本発明の第1実施形態による異種基板の平面図である。図4は、本発明の第1実施形態による異種基板上にバッファ層を形成した状態を示した断面図である。まず、図1~図4を参照して、本発明の第1実施形態による窒化物半導体素子に用いられる異種基板について説明する。第1実施形態による異種基板10は、たとえばサファイア基板から構成されており、図1および図2に示すように、その主面10a部分上面部分に凹部15が形成されている。この凹部15は、断面的に見て、矩形状とは異なる略V字状V字に近い形状に形成されている。また、図1に示すように、上記凹部15は傾斜面16と底部17とを有しており、その傾斜面16は底部17側底側の傾斜角度が主面10a側の傾斜角度以下とされている。この場合、凹部15の傾斜面16において、凹部15の底側の領域16a底に近い斜面と主面10aの法線P基板表面に垂直方向とのなす角度をθ1とし、主面10a側の領域16b平坦部主面10aに近い斜面と法線Pとのなす角度をθ2としたときに、角度θ1と角度θ2とがθ2≦θ1の関係を満たし、かつ、角度θ1が45°より大きく90°より小さい構成とされているのが好ましい。また、上記角度θ1は60度より大きく80度より小さい角度とされていればより好ましく、65度より大きく75度より小さい角度とされていればさらに好ましい。なお、異種基板10の凹部15は、作製誤差により生じる場合を除き、その底部17に平坦部分をほとんど含まない形状とされているのが好ましい。また、凹部15の傾斜面16は、その傾斜角度が比較的小さい角度θ1、角度θ2が大きい角度とされているのが好ましい。また、角度θ1と角度θ2との差を小さくすることにより、傾斜面16が直線に近い形状となるように凹部15が形成されていてもよい。さらに、角度θ1を角度θ2より大きくすることにより、傾斜面16が下に凸の放物線に似た形状となるように凹部15が形成されていてもよい。傾斜面16の形状は、上記のように、直線状であってもよいが、角度θ1>角度θ2とすることにより下に凸の放物線上とされているのが好ましい。また、凹部15の深さHは0.1μm以上1.0μm以下であるのが好ましい。凹部15の深さHは0.7μm以下であればより好ましく、0.2μm以上0.5μm以下であればさらに好ましい。凹部15の幅W開口幅は、深さHと角度θ1、θ2によりW~2Htanθ1の関係がある。その関係を満たすなかで、凹部15の幅Wは0.2μm以上10.0μm以下が好ましい。凹部15の幅Wは7.0μm以下であればより好ましく、5.0μm以下であればさらに好ましい。また、上記凹部15は、その幅Wが深さHより大きくなるように形成されているのが好ましい。すなわち、上記凹部15は深さHが浅く、幅Wが広い形状に形成されているのが好ましい。上記凹部15は、図3に示すように、所定方向に延びる溝状とすることができる。溝状の凹部15は、ストライプ状に形成されるとよい。すなわち、異種基板10の主面10a部分に、互いに平行に延びる複数の凹部15が形成された構成とされているとよい。この場合、凹部15の間隔R図2参照は、たとえば100μm~500μm程度とすることができる。この範囲では、平坦性が良好な膜が得られるので好ましい。また、間隔Rが小さいほど、後述するクラック防止効果が顕著になるため、100μm以下であればより好ましい。さらに好ましい値は、20μm以下である。間隔Rを20μm以下にすることで、品質向上の効果がより顕著になる。さらに好ましくは10μm以下である。また、凹部15の間隔Rは、凹部15の幅Wより大きい構成にするとよい。なお、凹部15の間隔Rは、一定でもよいが、素子たとえば発光素子の設計によって好ましい場合は、間隔Rを不均一に形成することも可能である。このように、第1実施形態では、異種基板10の主面10a部分に凹部15が形成されているとともに、その凹部15が深さの浅い略V字状の断面形状とされている。このため、略矩形状に形成される場合とは異なり、凹部15はその体積が小さく、かつ、凹部15内において原料原子Al原子が動き易くなっている。そのため、上記凹部15は、窒化物半導体によって比較的埋め込まれ易い形状であるといえる。また、第1実施形態では、図4に示すように、異種基板10の主面10a上上面上にスパッタ膜20が形成される。このスパッタ膜20は、たとえばAlNから構成されており、約20nm~約100nmたとえば、約50nmの厚みを有している。そして、このスパッタ膜20上に、Al組成比の高いAlxInyGazNxyz=1からなる窒化物半導体層Al組成比xがたとえば0.70以上1.00以下がバッファ層30として形成される。スパッタ膜20上に直接成長される上記バッファ層30は、そのAl組成比xが0.85以上1.00以下であって、かつ、Al組成比x>Ga組成比z>In組成比yとなるように構成されているのが好ましい。なお、上記バッファ層30は、Al組成比xが0.85以上1.00以下のAlxGa1xNから構成されているとより好ましい。バッファ層中にInを含まないことにより、バッファ層表面の平坦性がより改善される。また、上記バッファ層30は、Al組成比xが0.90以上1.00以下のAlxGa1xNから構成されているとさらに好ましい。この場合、バッファ層30がAlNから構成されているとよりいっそう好ましい。バッファ層30の厚みとしては、0.5μm以上が好ましい。バッファ層30は、厚みが大きいと結晶品質が向上する。そのため、バッファ層30の厚みは0.8μm以上とされているとより好ましく、1.8μm以上とされているとさらに好ましい。なお、後述するように、バッファ層30の厚みは、品質向上効果と原料消費等を考えた費用対効果の観点から、10μm以下が好ましい。図32は、従来の窒化物半導体素子の構成を概略的に示した断面図である。次に、図32をも参照して、第1実施形態の構成を従来構成と比較しつつより詳細に説明する。図32に示すように、従来の窒化物半導体素子たとえば、非特許文献1参照は、サファイア基板1000上にAlN層1020が成長されたテンプレート基板1010を基板として用いている。テンプレート基板1010AlN層1020の主面部分には、断面的に見て、矩形状の凹部1015が形成されている。そして、凹部1015が形成されたテンプレート基板1010上に、MOCVD法などを用いて、AlNからなるバッファ層1030が形成されている。また、テンプレート基板1010の主面部分に矩形状の凹部1015が形成されているため、テンプレート基板1010上に形成されるバッファ層1030には比較的大きな空孔ボイド1040が形成されている。バッファ層1030にボイド1040が形成されるとクラック抑制効果が得られるものの、大きなボイド1040が形成されると、それを内在させた層にするためにはバッファ層1030の厚みを大きくする必要がある。また、バッファ層1030のAl組成比が高いほど、層中にボイド1040を埋め込みにくくなる。たとえばバッファ層1030がAlNから構成されている場合、バッファ層1030を10μm以上積層する必要がある。このため、原料効率が低下しコスト面で課題がある。また、比較的大きなボイド1040が形成される場合、バッファ層1030の厚みを大きくした場合でも、層表面の平坦性を確保することが困難になる。そのため、平坦性にも課題がある。これに対し、第1実施形態では、図1~図4に示したように、異種基板10の凹部15を上記形状断面形状とすることにより、凹部15内が窒化物半導体で埋め込まれ易くなっている。そのため、バッファ層30中に形成されるボイドを小さくすることが可能となる。したがって、ボイドを内在させた層とする場合でも、バッファ層30の厚みを大きくする必要がない。また、上記凹部15内が窒化物半導体で埋め込まれ易く、形成されるボイドも微小であるため、バッファ層30の厚みを小さくした場合でも、層表面の平坦性が良好となる。また、第1実施形態では、上記形状を有する凹部15を形成することによって、バッファ層30に微小な空孔が形成されるので、スパッタ膜20上にAl組成比の高い窒化物半導体層をバッファ層30として成長させた場合でも、この微小な空孔によってバッファ層30にクラックが発生するのを抑制することができる。さらに、第1実施形態では、成長方向の成長速度を遅くして面内の成長を促進することで、ボイドを非常に小さくする、もしくは、ボイドを完全に消失させることも可能である。そして、このように構成することにより、バッファ層30の層表面の平坦性を容易に良好とすることが可能となる。ここで、クラックの抑制効果は空孔ボイドによる応力緩和によってもたらされているものと考えられる。このため、上記のように、ボイドが非常に小さくなる、もしくは、完全に消滅した状態となる場合には、クラックの抑制効果が低下してクラックが多発することが容易に考えられる。そのため、クラックを抑制するために凹部15を設ける場合、従来構造のように凹部内が埋め込まれないような形状たとえば矩形状とするのが通常である。しかしながら、本願発明者らが鋭意検討した結果、上記形状を有する凹部15を設けることによって、バッファ層30中に微小なボイドが形成される場合はもとより、ボイドが完全に消滅した状態でもクラックの発生が抑制されることが分かった。これは非常に特異な現象である。詳細は明らかではないが、異種基板10上にスパッタ膜20を形成し、その上に高いAl組成比を有する窒化物半導体を成長した場合に、平坦表面を有する基板上に比べ、上記形状を有する凹部15を設けることによって、応力の緩和が起こり、結果としてクラックの抑制が可能になっているものと推測される。このように、第1実施形態では、異種基板10の主面10a部分に形成される凹部15を上記形状とすることによって、異種基板10上にAlNスパッタ膜20を形成し、その上に高いAl組成比を有する窒化物半導体層バッファ層30を成長させた場合でも、クラックの発生が抑制された高品質のバッファ層30を形成することが可能となる。図5~図11は、本発明の第1実施形態による窒化物半導体素子の製造方法を説明するための図である。次に、図1および図5~図11を参照して、本発明の第1実施形態による窒化物半導体素子に用いられる異種基板に上記形状を有する凹部を形成する方法について説明する。図1に示した形状の凹部15は、たとえば、ダイヤモンドなど硬度の高い材料をスクライブ針ポイントスクライバとして用いたスクライブスクライブ工程により形成される。具体的には、図5に示すように、異種基板10としてたとえばサファイア基板を準備し、図6に示すようなスクライバ400たとえばダイヤモンドスクライバを用いて異種基板10の主面10aを所定方向にスクライブする。これにより、図1に示すような、断面的に見て、略V字状の凹部15が形成される。なお、スクライバ400図6参照の先端形状やスクライブ時にスクライバ400図6参照に加える荷重圧力などを調整することで、凹部15の形状たとえば傾斜面16の傾斜角度等を適切な形状とすることが可能である。また、スクライバ400については特に制限されるものではないが、たとえば、図7に示すように、先端部分のカットポイント数が3ポイントのポイントスクライバや、図8に示すように、先端部分のカットポイント数が4ポイントのポイントスクライバを用いることができる。これ以外に、たとえば、8ポイントのポイントスクライバを用いることもできる。また、ポイントスクライバに加える荷重圧力は、たとえば0.1N~0.4N程度とすることができる。上記スクライブは異種基板10の主面10aに直接行うことも可能である。ただし、この場合、基板をスクライブすることによって基板表面に残渣デブリが発生する場合がある。このような場合には、スクライブ工程の前に、異種基板10の表面に保護膜を形成しておくのが好ましい。具体的には、図9に示すように、異種基板10の主面10a上に保護膜500を形成する。保護膜500はレジスト膜やSiO2などの誘電体膜などを用いることができる。次に、図10に示すように、形成された保護膜500の上から異種基板10をスクライブする。このとき、保護膜500を貫通して異種基板10の主面10a部分に凹部15が形成されるように、ポイントスクライバに加える荷重圧力を調節する。その後、図11に示すように、保護膜500を除去する。これにより、スクライブによる残渣の発生が抑制される。また、上記保護膜500は、スパッタ法により形成されたスパッタ膜を用いるとより好ましい。スパッタ膜を保護膜500とすることで、スクライブによって懸念される加工面の凹凸凹部15と平坦部分主面10aの境界となるエッジ部分破線Mで囲んだ部分にできる加工による屑やアレなどの悪影響を抑制することが可能となる。保護膜500を構成するスパッタ膜は、AlNスパッタ膜が好ましい。このように、保護膜500にスパッタ膜特にAlNスパッタ膜を用いることによって有利な効果が得られる。この効果が得られる理由については明らかになっていないが、保護膜500と基板10との密着性や膜自体の応力、基板10と保護膜500の応力が影響しているものと考えられる。保護膜500としてスパッタ膜を形成した場合も、上記と同様、スクライブ工程の後に保護膜を除去する工程を行う。スクライブ工程後のAlNスパッタ膜の除去には、たとえば、水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH水溶液や水酸化カリウムKOH水溶液などを用いることができる。また、上記形状を有する凹部15の形成は、スクライブ工程以外に、たとえば、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて凹部15を形成することも可能である。図12および図13は、第1実施形態による窒化物半導体素子の他の製造方法を説明するための断面図である。次に、図12および図13を参照して、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、上記形状を有する凹部15を形成する方法について説明する。まず、図12に示すように、異種基板10の主面10a上にフォトレジストなどによって保護膜510を形成する。次に、凹部に対応する部分に、断面的に見て、略V字状の溝511をパターニングする。そして、ウエットエッチングやドライエッチングなどのエッチング技術を用いてエッチングを行うことにより、図13に示すように、異種基板10の主面10a部分を選択的に除去する。その後、保護膜510を除去する。これにより、異種基板10の主面10a部分に上記した形状を有する凹部15が形成される。第1実施形態では、上記のように、異種基板10に形成される凹部15の形状を、断面的に見て、略V字状V字に近い形状にするとともに、その傾斜面16を、凹部15の底側の傾斜角度が主面10a側の傾斜角度以下となるようにしている。このため、異種基板10の主面10a上にスパッタ膜20を形成し、このスパッタ膜20上に窒化物半導体層バッファ層30を成長させた場合でも、バッファ層30の表面を平坦化することができる。すなわち、凹部15を上記のように形成することによって、バッファ層30を成長させた際に、凹部15が埋まり易くなるため、バッファ層30の厚みを大きくすることなくバッファ層30の表面を平坦化することができる。また、異種基板10の凹部15を上記のような形状とすることによって、バッファ層30に微小な空孔ボイドを形成することができるので、スパッタ膜20上にAl組成比の高い窒化物半導体層をバッファ層30として成長させた場合でも、この微小な空孔によってバッファ層30にクラックが発生するのを抑制することができる。なお、異種基板10の凹部15を上記形状とすることによって、空孔を非常に小さくする、もしくは、完全に消滅させることもできる。これにより、平坦な膜を容易に形成することが可能となる。上述したように、このように構成した場合でもクラックの発生を抑制することができる。このように、第1実施形態では、上記形状を有する凹部15を異種基板10に形成することによって、スパッタ膜20上にAl組成比の高い窒化物半導体層を成長させることで発生するクラックを抑制することができる。加えて、窒化物半導体層バッファ層30の層表面を平坦化することができる。これにより、Al組成比の高い高品質の窒化物半導体層をバッファ層30として異種基板10上に形成することができる。また、スパッタ膜20上にバッファ層としての窒化物半導体層を結晶成長させた場合には、バッファ層30の結晶品質が良好となる。バッファ層30は、層厚が大きくなると結晶品質が向上するものの、上記のように、スパッタ膜20上にバッファ層30を成長させることによって、同程度の品質のバッファ層を小さい厚みで形成することができる。そして、バッファ層30の厚みを小さくした場合でも、上記のように、層表面に凹凸が生じるのを抑制して表面を平坦化することができる。また、バッファ層30の厚みを小さくすることによって、バッファ層30の厚みが大きくなり過ぎることに起因するクラックの発生を抑制することもできる。さらに、バッファ層30の厚みを小さくすることによって、原料効率を向上させることができるとともに、スループットを向上させることができる。上記のように、バッファ層30の厚みを大きくすることにより、バッファ層30の結晶品質をより良好にすることができる。また、バッファ層30の厚みを0.8μm以上とすることにより、クラック防止効果を顕著に得ることができる。さらに、バッファ層30の厚みを1.8μm以上とすることにより、クラック防止効果をより顕著に得ることができる。なお、バッファ層30の厚みを大きくすれば結晶品質が向上するものの、厚みを大きくし過ぎると原料効率、スループット、クラック等の問題が生じる。そのため、品質向上効果と原料消費等を考えた費用対効果の観点から、バッファ層30の厚みは10μm以下とするのが好ましい。なお、スパッタ膜20は上記のようにAlNから構成されているのが好ましい。このように構成すれば、Al組成比の高い窒化物半導体からなるバッファ層の品質を容易に向上させることができる。また、第1実施形態では、上記凹部15をその幅Wが深さHより大きくなるように形成することによって、容易に、凹部15を埋め込まれ易くすることができるので、容易に、バッファ層表面を平坦化することができる。また、図1に示した角度θ1を45度より大きく90度より小さくなるように構成することによって、異種基板10上に、たとえば、AlNスパッタ膜20を形成し、その上にAl組成比が高い窒化物半導体からなるバッファ層30たとえば、AlN層を成長させた際に発生するクラックを容易に抑制することができる。また、凹部15の形状が略矩形状の場合には、凹部15が埋まりにくくなるが、上記角度を有する凹部15を形成することによって、凹部15を埋まりやすくすることができる。このため、より平坦な表面を有するバッファ層30を形成し易くすることができる。また、上記角度θ1を60度より大きく80度より小さい角度とすることによって、異種基板10上にAl組成比が高いAlxInyGazNAl組成比0.70以上1.00以下、たとえばAlNなどからなるバッファ層30を形成する場合、Al原子のマイグレーション長は短いため、従来の矩形に近い形状の凹部を形成すると凹部内が埋まりにくいが、上記の角度を有する凹部15を形成すると、凹部15がより埋まり易くなる。このため、より平坦なバッファ層30を形成することが可能となる。また、形成されたバッファ層30の組成均一性を向上させることができる。さらに、上記角度θ1を65度より大きく75度より小さい角度とすることによって、クラック防止効果に加えて異種基板10上に形成されたにAl組成比xが高いバッファ層30の結晶品質を良好とすることができる。この品質向上効果としては、上記のような角度を有する凹部15を形成すると、平坦面主面10aの成長モードと凹部15の傾斜面16の成長モードが存在することになる。これらの成長モードが効果的に融合することで、結晶欠陥を消失させることができているものと考えられる。また、第1実施形態において、上記角度θ1を角度θ2より大きい角度とすれば、より容易に、クラックの発生が抑制された高品質のバッファ層30を異種基板10上に形成することができる。また、第1実施形態では、上記形状を有する凹部15を設けることによって、この凹部15は、原子のマイグレーションが小さい材料において、効果的にクラックを防止することができる。基板に到達した吸着原子のうちAl原子が原子のマイグレーションが小さく、次に、Ga原子、In原子の順番で、原子半径が大きくなるに従い、原子のマイグレーションが大きくなる傾向にあると考えられる。このことからも分かるように、Al組成比の高いバッファ層を成長させる場合、凹部15を形成した異種基板10に対し、たとえばGaN層を成長する場合とはまったく異なるものとして扱う必要がある。すなわち、AlxInyGazNのAl組成比は0.85以上1.00以下と高く構成されるとよく、かつAl組成比x>Ga組成比z>In組成比yにより構成されるとよい。なお、第1実施形態において、上記バッファ層30は、Al組成比xが0.85以上1.00以下のAlxGa1xNから構成されているのが好ましい。このように構成されていれば、バッファ層30にInが含まれないことにより、より平坦性が改善する。また、Al組成比が高いほど、クラック防止の効果が顕著にあらわれるため、バッファ層30のAl組成比は高いほど好ましい。そのため、バッファ層30は、Al組成比が0.90以上1.00以下のAlxGa1xNから構成されていればより好ましく、AlNから構成されていればさらに好ましい。また、異種基板10としては、サファイア基板以外に、たとえば、Si基板、SiC基板、スピネル基板、グラファイト基板などを用いることができる。基板材料が、窒化物半導体との熱膨張係数や格子定数の差が大きいほど、上記形状を有する凹部15を形成することにより得られる効果が顕著となる。そのため、異種基板としては、サファイア基板やSi基板を用いるのが好ましい。c面サファイア基板上にAlN膜をマグネトロンスパッタ法により50nm程度の厚みで成膜したサンプルAと、何も成膜していないc面サファイア基板からなるサンプルBとを準備した。次に、サンプルAおよびサンプルBを用いて、同一条件でMOCVD法によりAlN膜を1.0μm程度0.9μmの厚みで成膜した。そして、AlN膜を成膜したサンプルAおよびサンプルBについて、顕微鏡による透過像観察を行った。図14は、サンプルAの透過観察像を示した図であり、図15は、サンプルAの透過観察像に見られたクラックを示した図図14のクラックをトレースした図である。図16は、サンプルBの透過観察像を示した図である。図14および図15に示すように、AlNスパッタ膜上にAlN膜を成長させたサンプルAでは、クラックが多発した。これに対し、AlNスパッタ膜を成膜していないサンプルBでは、図16に示すように、クラックの発生は見られなかった。このように、異種基板上にスパッタ膜を成膜した後、このスパッタ膜上にAl組成比の高い窒化物半導体層を成長させた場合に、クラックが多発することを確認した。次に、c面サファイア基板に上記第1実施形態で示した形状を有する凹部が形成されたサンプルC実施例を準備した。凹部の形成は以下のようにして行った。まず、サファイア基板上に保護膜としてSiO2膜をスパッタ法により200nm程度の厚みで形成した。次に、保護膜の上からスクライブにより溝加工凹部加工を施した。そして、スクライブ工程後に保護膜としてのSiO2膜をバッファードフッ酸により除去した。なお、凹部の形成には、ダイヤモンド材質のスクライブ針並木精密宝石株式会社製ダイヤモンドスクライバ3PAを用いた。このスクライバをスクライブ装置に取り付け、荷重圧力0.2N程度でスクライブすることにより、ストライプ状に複数の溝凹部を形成した。このときの凹部の間隔溝間隔は約20μmである。凹部の深さは0.35μm程度、凹部の幅は2.850μmであった。また、傾斜面の角度θ1は約75度、角度θ2も約75度であった。形成した凹部の断面顕微鏡写真を図17に示す。次に、凹部を形成したサファイア基板にAlN膜をマグネトロンスパッタ法により50nm程度の厚みで成膜した。そして、この基板をサンプルCとして供した。続いて、サンプルCに、上記サンプルAおよびBと同様の条件でMOCVD法によりAlN膜を成長させたところ、クラックが抑制されたAlN膜が得られた。サンプルBおよびサンプルCを用いて、結晶成長させたAlN膜を、XRCスペクトル半値幅で評価したところ、0002面のXRCスペクトル半値幅は、サンプルCでは183秒、サンプルBでは742秒であった。すなわち、サンプルCの方が、サンプルBに比べて、結晶成長させたAlN膜の結晶品質が良好であることが確認された。これより、c面サファイア基板に凹部を形成し、かつ、AlNスパッタ膜を有することで、クラックフリーでかつ、高品質な膜を得ることができた。なお、10-12面のXRCスペクトル半値幅はサンプルCでは、1017秒、サンプルBでは1280秒であった。サンプルCでは、AlN膜成長膜を0.9μmの厚みで形成したが、AlN膜の厚みを2.0μmにしたサンプルD実施例を作成したところ、このサンプルDにおいてもクラックの発生が認められなかった。なお、サンプルBと同様のサファイア基板凹部、スパッタ膜の形成なしに、同条件でAlN膜を2.0μmの厚みで成長させたところクラックの発生が認められた。これより、上記形状を有する凹部が形成された基板にスパッタ膜を成膜したサンプルでは、その上に形成されるAlN成長膜の厚みを大きくした場合でも、クラックの発生が抑制されることが確認された。また、0002面のXRCスペクトル半値幅はサンプルDでは224秒、10-12面のXRCスペクトル半値幅はサンプルDでは715秒となった。10-12面のXRCスペクトル半値幅の値は、刃状転位の数が多いと大きくなる。厚みを大きくすることで、刃状転位が低減されるため、10-12面のXRCスペクトル半値幅が低減したものと考えられる。厚膜化の阻害要因はクラックの発生であるが、サファイア基板上に上記第1実施形態で示した凹部溝を形成し、AlNスパッタ膜を形成した上に、MOCVD法によりAlN膜を成長させることで、クラックの発生を抑制することができる。このため、さらなる高品質化も期待される。第2実施形態図18は、本発明の第2実施形態による窒化物半導体発光素子を示した断面図である。図19は、本発明の第2実施形態による窒化物半導体発光素子の活性層の構成を模式的に示した断面図である。次に、図1、図18および図19を参照して、本発明の第2実施形態による窒化物半導体発光素子200について説明する。なお、各図において、対応する構成要素には同一の符号を付すことにより、重複する説明は適宜省略する。第2実施形態による窒化物半導体発光素子200は、深紫外領域で発光する発光ダイオード素子深紫外発光素子からなる。また、第2実施形態による窒化物半導体発光素子200は、上記第1実施形態で示した異種基板10を用いて形成されている。深紫外領域で発光する発光素子は、高いAl組成比を有する窒化物半導体層を含んで構成されるため、上記第1実施形態による異種基板は深紫外発光素子での適応が好適である。異種基板10は、たとえばサファイア基板などから構成されており、図18に示すように、その主面10a部分には、上記第1実施形態と同様の凹部15図1参照が形成されている。異種基板10の主面10a上には、AlN膜21が形成されている。このAlN膜21は、スパッタ法を用いて形成されたスパッタ膜からなる。AlN膜21上には、このAlN膜21と接するように、Al組成比が高い窒化物半導体層AlxInyGazN:xyz=1からなるバッファ層30が形成されている。バッファ層30のAl組成比xは、たとえば0.85以上1.00以下たとえばAlNなどとされている。なお、バッファ層30は、本発明の窒化物半導体層の一例である。バッファ層30上には、活性層50を含む素子構造100が形成されている。この素子構造100は、複数の半導体層が積層されることによって構成されており、n側窒化物半導体層110およびp側窒化物半導体層120を含んでいる。n側窒化物半導体層110およびp側窒化物半導体層120は、上記活性層50を挟むように形成されている。なお、AlN膜21上に形成される、バッファ層30および素子構造100とによって、発光素子部が構成されている。ただし、発光素子部はバッファ層30を含まない構成であってもよい。すなわち、バッファ層30上に発光素子部が形成された構成であってもよい。第2実施形態の具体的な構造は、上記したように、凹部15が設けられた異種基板10たとえばサファイア基板上に、スパッタ法などによりAlN膜21が形成されている。AlN膜21上には、結晶成長法によってバッファ層30が形成されている。バッファ層30上には、約1.8μm~約3.5μmの厚みを有するn型AlInGaN層40110が形成されている。n型AlInGaN層40上には、上記活性層50が形成されている。活性層50上には、約15nmの厚みを有するp型AlInGaNからなるキャリアブロック層60が形成されている。キャリアブロック層60上には、約10nmの厚みを有するp型AlInGaN層70が形成されている。p型AlInGaN層70上には、約50nmの厚みを有するp型AlInGaNからなるp型コンタクト層80が形成されている。なお、p型コンタクト層80は、AlGaNまたはGaNから構成されていてもよい。上記活性層50は、図19に示すように、障壁層51と量子井戸層52とが交互に積層された量子井戸構造を有している。活性層50を構成する量子井戸層52は、Alx1Iny1Ga1x1y1N0<x1≦1、0≦y1≦1の組成式で表される半導体層から構成されている。また、障壁層51は、Alx2Iny2Ga1x2y2N0<x2≦1、0≦y2≦1の組成式で表される半導体層から構成されており、そのAl組成比x2は、量子井戸層52のAl組成比x1よりも大きい。上記量子井戸層52のAl組成比x1は、0.15≦x1≦0.90の範囲にあるのが好ましく、0.30≦x1≦0.75の範囲にあればより好ましい。0.40≦x1≦0.65の範囲にあればさらに好ましい。また、In組成比y1は、0.00≦y1≦0.12の範囲にあるのが好ましい。障壁層51のAl組成比x2は、0.20≦x2≦1.00の範囲にあるのが好ましい。また、障壁層51のAl組成比x2は、0.30≦x2≦1.00の範囲にあればより好ましい。0.50≦x2≦1.00の範囲にあればさらに好ましい。In組成比y2は、0.00≦y2≦0.08の範囲にあるのが好ましい。また、量子井戸層52は、Inを含むAlInGaNから構成されていてもよいし、Inを含まないAlGaNから構成されていてもよい。同様に、障壁層51も、Inを含むAlInGaNから構成されていてもよいし、Inを含まないAlGaNから構成されていてもよい。障壁層51がInを含む場合、そのIn組成比y2は、量子井戸層52のIn組成比y1より小さくなるように構成されているのが好ましい。なお、n型AlInGaN層40のAl組成比およびIn組成比は、障壁層51と同じに設定されていてもよい。n型AlInGaN層40と障壁層51との組成比は異なっていてもよいが、上記のように同じに設定されていると、界面での格子不整合差がなくなるため好ましい。また、組成が異なる場合は、n型AlInGaN層40のバンドギャップが障壁層51のバンドギャップよりも大きくなるように構成されているとよい。このように構成されていると、キャリアを活性層50に効果的に閉じ込めることが可能となる。また、p型AlInGaN層70のAl組成比およびIn組成比は、n型AlInGaN層40と同様、障壁層51と同じに設定されていてもよい。p型AlInGaN層70と障壁層51との組成比は異なっていてもよい。また、第2実施形態では、図18に示すように、窒化物半導体発光素子200が、いわゆる横型構造の発光ダイオード素子に構成されている。このため、異種基板10たとえばサファイア基板上に形成された素子構造100の一部が、ドライエッチングなどによって、p型コンタクト層80からn型AlInGaN層40の途中の深さまで掘り込まれている。そして、掘り込まれた部分の底面n型AlInGaN層40に、n側電極140が形成されている。このn側電極140は、たとえば、Al電極、または、基板側からAg層、Cu層が順次積層された多層構造のAg/Cu電極からなる。一方、p型コンタクト層80上には、p側電極130が形成されている。このp側電極130は、たとえば、p型コンタクト層80側からNi層図示せずおよびAu層図示せずが順に積層された多層構造のNi/Au電極からなる。これにより、第2実施形態では、異種基板10窒化物半導体層20の上面側成長主面10a側に、p側電極130とn側電極140とが形成された状態となっている。上記のように構成された窒化物半導体発光素子200は、たとえば、図20に示すように、キャンタイプのパッケージ300aに搭載されて、半導体光学装置300に構成される。次に、図18および図19を参照して、本発明の第2実施形態による窒化物半導体発光素子200の製造方法について説明する。まず、サファイア基板などの異種基板10を準備する。次に、この異種基板10の主面10a部分に、上記第1実施形態と同様の方法を用いて同様の形状を有する凹部15を形成する。次に、図18に示したように、異種基板10の主面10a上に、結晶成長法以外の手法を用いて、AlN膜21を形成する。このAlN膜21は、スパッタ法を用いたスパッタ膜とするのが好ましい。AlN膜21の厚みは、たとえば約20nm~約100nmたとえば、約50nmとすることができる。続いて、AlN膜21上に、たとえばMOCVD法を用いて、複数の窒化物半導体層を積層する。具体的には、まず、AlN膜21上に、Al組成比が高い窒化物半導体層AlxInyGazN:xyz=1からなるバッファ層30を形成する。このバッファ層30のAl組成比xは、たとえば0.85以上1.00以下たとえばAlNなどとするのが好ましい。また、バッファ層30の組成は、Al組成比x>Ga組成比z>In組成比yとするのが好ましい。さらに、バッファ層30の厚みは、たとえば、0.5μm以上10μm以下とするのが好ましい。なお、バッファ層30は厚みが大きいほど結晶品質が向上するため、バッファ層30の厚みは大きい方が好ましい。次に、バッファ層30上に、約1.8μm~約3.5μmの厚みを有するn型AlInGaN層40、活性層50、約15nmの厚みを有するp型AlInGaNからなるキャリアブロック層60、約10nmの厚みを有するp型AlInGaN層70、約50nmの厚みを有するp型AlInGaNからなるp型コンタクト層80を順次成長させる。なお、p型コンタクト層80は、AlGaNまたはGaNから構成してもよい。また、活性層50は、図19に示したように、障壁層51と量子井戸層52とを交互に積層することにより、量子井戸構造に構成する。そして、図18に示しように、フォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術などを用いて、素子構造100の一部を、p型コンタクト層80からn型AlInGaN層40の途中の深さまで選択的に除去する。これにより、n型AlInGaN層40の一部が露出される。その後、真空蒸着法などを用いて、露出されたn型AlInGaN層40の表面上に、n側電極140を形成するとともに、p型コンタクト層80上にp側電極130を形成する。最後に、基板をダイシングすることにより、個々の発光素子に個片化する。このようにして、第2実施形態による窒化物半導体発光素子200が形成される。第2実施形態では、上記のように、第1実施形態で示した異種基板10凹部15が設けられた基板を用いて発光素子を形成することにより、クラックが抑制された高品質のバッファ層30上に素子構造100発光素子部を形成することができる。これにより、発光効率の高い深紫外発光素子を得ることができる。また、第2実施形態では、層表面が平坦化された高品質のバッファ層30をその厚みを大きくすることなく形成することができるので、原料効率およびスループットを向上させることもできる。実施例2では、異種基板としてサファイア基板を用い、このサファイア基板にスクライブ法によって溝状の凹部を形成した。その際、サファイア基板の加工前に、保護膜として、AlN膜をマグネトロンスパッタ法により70nm程度の厚みで成膜した。その後、加重圧力0.4N程度でスクライブを行うことで、上記第1実施形態と同様の断面形状を有する凹部を形成した。凹部は、実施例1と同様、ストライプ状に複数形成した。このときの凹部の間隔溝間隔は約20μmである。凹部の深さは0.50μm程度であり、凹部の幅は2.360μmであった。また、傾斜面の角度θ1は約70度、角度θ2も約70度であった。凹部溝の形成後、水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH水溶液により保護膜としてのAlN膜を除去した。次に、凹部溝を形成したサファイア基板に、再度、AlN膜をマグネトロンスパッタ法により40nm程度成膜した。そして、凹部とAlNスパッタ膜とを有するサファイア基板上に、MOCVD法により、AlNバッファ層バッファ層を成長させた。続いて、AlNバッファ層バッファ層上に、MOCVD法により、約2.0μmの厚みを有するn型Al065Ga035N層n型AlInGaN層、活性層、約15nmの厚みを有するp型Al080Ga020Nからなるキャリアブロック層、約10nmの厚みを有するp型Al065Ga035N層p型AlGaN層、約50nmの厚みを有するp型Al010Ga090Nからなるp型コンタクト層を順次成長させた。また、活性層は、障壁層と量子井戸層とを交互に積層することによって量子井戸構造に構成した。量子井戸層の層数は5層とした。なお、実施例2では、量子井戸層をAl045Ga055Nとし、障壁層をAl065Ga035Nとした。上記実施例2の構成において、凹部溝とAlNスパッタ膜を有するサファイア基板上に、層厚1.5μmのAlNバッファ層を成長させたサンプルE実施例と、層厚3.5μmのAlNバッファ層を成長させたサンプルF実施例とを作製した。AlNバッファ層より上の構造は、サンプルEおよびサンプルFで同じとした。また、比較例として、凹部溝が設けられていないサファイア基板上に、AlNバッファ層を1.5μmの厚みで形成したサンプルGと、AlNバッファ層を3.5μmの厚みで形成したサンプルHとを準備した。なお、サンプルGおよびサンプルHでは、AlNスパッタ膜を形成せずに、サファイア基板上に、直接、AlNバッファ層を形成した。さらに、上記の方法で形成した凹部溝を有するサファイア基板にAlNバッファ層を3.5μmの厚みで形成したサンプルIも準備した。なお、サンプルIは、スパッタ膜を有しない。すなわち、サンプルIでは、サファイア基板上に、直接、AlNバッファ層を形成した。サンプルE~Iは、n型Al065Ga035N層より上の構造は同じである。サンプルE~Iを用いて、顕微鏡観察を行ったところ、サンプルE、Fは、共にクラックが観測されなかった。また、平坦性も良好であった。凹部を有さないサファイア基板上にスパッタ膜を介さずにAlNバッファ層を形成したサンプルGおよびHにおいては、AlNバッファ層の厚みが比較的小さいサンプルGでは、クラックが観察されなかったものの、AlNバッファ層の厚みが大きいサンプルHではクラックが多発した。また、凹部溝を形成したサンプルIでは、クラックが観察されなかった。これより、上記した形状を有する凹部を基板に設けることによるクラック抑制効果が確認された。続いて、クラックの発生が認められなかったサンプルサンプルE、F、G、Iを用いて、光出力の比較を行った。その結果、20mA電流注入動作時の光出力は、凹部溝およびAlNスパッタ膜を有さないサンプルGでは0.8mWであったの対し、凹部溝およびAlNスパッタ膜を有するサンプルEでは1.3mWと約1.6倍に増加した。また、AlNバッファ層の厚みを大きくしたサンプルFでは、その光出力が1.3mWから1.9mWであった。比較用サンプルGでは0.8mWであったので、サンプルEにおいても、比較用サンプルGと比べて増加する結果が得られた。なお、凹部溝を有し、AlNバッファ層の厚みを大きくしたサンプルIでは、その光出力は1.2mWとサンプルEと同程度であった。光出力0.8mWのサンプルGと比較すると、サンプルIでも光出力が増加する結果となった。これより、AlNバッファ層の厚みを大きくすることにより、光出力が増加することが確認された。また、サンプルEとサンプルIとで光出力が同程度であることから、AlNスパッタ膜を有することで、同程度の光出力を得る場合にAlNバッファ層の厚みを小さくできることが確認された。以上より、上記した断面形状を有する凹部を異種基板に設けることで、クラックの発生が抑制され、かつ、スパッタ膜を形成することで、同程度の品質のバッファ層を小さい厚みで形成できることが確認された。第3実施形態図21は、本発明の第3実施形態による異種基板の断面図である。図22は、本発明の第3実施形態による異種基板の一部を示した平面図である。図23は、本発明の第3実施形態による異種基板の斜視図である。図24および図25は、本発明の第3実施形態の異種基板の平面図である。次に、図12、図13および図21~図25を参照して、本発明の第3実施形態による異種基板について説明する。なお、各図において、対応する構成要素には同一の符号を付すことにより、重複する説明は適宜省略する。この第3実施形態による異種基板10では、図21~図23に示すように、凹部1515aが穴状に形成されている。すなわち、この第3実施形態では、上記凹部15が穴状に形成されている点で、上記凹部が所定方向に延びる溝状に形成されて第1および第2実施形態とは異なる。穴状の凹部15は、略逆円錐状のくぼみからなる。そのため、穴状の凹部15は、平面的に見て、円形状に形成されている。また、その断面形状は、図21に示すように、上記した第1実施形態と同様の形状略V字状V字に近い形状とされている。なお、第3実施形態においても、異種基板10の凹部15は、作製誤差により生じる場合を除き、その底部17に平坦部分をほとんど含まない形状とされているのが好ましい。また、図23~図25に示すように、異種基板10の主面10a部分には、複数の穴状の凹部15が周期的に設けられているのが好ましい。この場合、隣り合う凹部15の間隔が一定の周期構造とされているのが好ましい。なお、凹部15の配列は、図24および図25に示したような格子状とすることができる。ただし、凹部15の配列は、図24および図25に示した配列以外の配列であってもよい。凹部15の深さH図21参照は、上記第1実施形態と同様、0.1μm以上1.0μm以下であるのが好ましい。凹部15の深さHは0.7μm以下であればより好ましく、0.2μm以上0.5μm以下であればさらに好ましい。凹部15の直径DW図21参照は、深さHと角度θ1、θ2によりD~2Htanθ1の関係がある。その関係を満たすなかで、凹部15の直径Dは0.2μm以上10.0μm以下が好ましい。凹部15の直径Dは7.0μm以下であればより好ましく、5.0μm以下であればさらに好ましい。また、上記凹部15は、その直径Dが深さHより大きくなるように形成されているのが好ましい。すなわち、上記凹部15は深さHが浅く、直径Dが広い形状に形成されているのが好ましい。また、図24および図25に示すように、凹部15の間隔RR1、R2は、たとえば10μm~50μm程度にすることができる。この範囲では、平坦性が良好な膜が得られるので好ましい。また、間隔Rが小さいほど、クラック防止効果が顕著になるため、より好ましくは、20μm以下がよい。さらに好ましい値は、10μm以下である。間隔Rを10μm以下にすることで、品質向上の効果がより顕著になる。さらに、間隔Rを30μm以下にすると、散乱による光取り出し効率向上の効果があらわれるため好ましい。なお、このような穴状の凹部15は、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて形成することができる。具体的には、図12および図13に示したように、異種基板10上にフォトレジストなどの保護膜510を形成し、この保護膜510をマスクとしてドライエッチングなどを施す。その後、保護膜510を除去することで、上記した穴状の凹部15を周期的に形成することが可能となる。第3実施形態のその他の構成は、上記第1および第2実施形態と同様である。また、異種基板10の主面10a部分に、凹部15を穴状に形成した場合でも、上記第1実施形態と同様の作用および効果を得ることができる。実施例3では、図12および図13に示したように、サファイア基板からなる異種基板10の主面10a部分に、ドライエッチング法を用いて周期的な穴凹部15を形成した。具体的には、図12に示したように、異種基板10の主面10a上に保護膜510としてフォトレジストを形成した。このフォトレジストには、ダウケミカルカンパニー社製S1830を用いた。次に、図13に示したように、保護膜510をマスクとしてドライエッチングを行った後、保護膜510を除去した。このようにして、図21に示したような断面形状を有する凹部15を形成した。このときの、凹部穴の直径は1.850μmであり、凹部穴の深さは0.40μm程度であった。また、傾斜面の角度θ1は約68度、角度θ2は約67度であった。凹部穴の間隔は10μmとした。比較用サンプルとして、第1実施形態実施例1と同様の溝状の凹部を形成した基板サファイア基板を準備した。溝状の凹部の幅は1.850μm、深さは0.40μm程度である。溝凹部の間隔は10μmとした。実施例3によるサンプルと比較用サンプルとを用いて、その主面上に実施例2と同様のAlNスパッタ膜を製膜した。そして、実施例2と同様のAlNバッファ層およびその上の構造をMOCVD法により成長させた。その後、エッチングによって素子構造の一部を除去した後、電極を形成することで発光ダイオード素子を作製した。なお、AlNバッファ層の厚みはいずれも約4.8μmとした。これらのサンプルを顕微鏡観察したところ、いずれのサンプルにおいても、クラックは観察されなかった。また、層表面の平坦性もいずれも良好であった。次に、これらのサンプルを用いて、20mA電流注入動作時の光出力を比較した。その結果、比較用サンプル溝状の凹部を形成したサンプルでは、光出力は、1.8mWであった。これに対し、周期的な穴状の凹部を形成したサンプル実施例3では、光出力は2.2mWであり、比較用サンプルに比べて光出力が増加した。これは、穴状の凹部の周期構造により、光と取り出し効率が向上したためであると考えられる。なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。たとえば、上記第1~第3実施形態では、異種基板上にAlNからなるスパッタ膜AlNスパッタ膜を形成した例を示したが、本発明はこれに限らず、上記スパッタ膜はAlNスパッタ膜以外であってもよい。AlN以外のスパッタ膜としては、たとえば、AlON、GaN、GaON、GaO、AlGaN、SiC、ZnOなどのスパッタ膜などが挙げられる。また、上記第1~第3実施形態では、異種基板上に、スパッタ法を用いてスパッタ膜を形成し、そのスパッタ膜上に結晶成長法によりバッファ層を形成した例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、異種基板上にスパッタ法以外の方法を用いて膜たとえばAlN膜を形成し、その膜上にバッファ層を形成するようにしてもよい。すなわち、その上に結晶成長させた窒化物半導体層の配向性が保たれる膜であれば、その膜の形成方法はスパッタ法以外の方法であってもよい。スパッタ法以外の方法としては、たとえば、分子ビーム成長MBE法、電子ビーム蒸着法、プラズマCVD法などが挙げられる。スパッタ法以外の方法を用いる場合は、スパッタ法により形成される膜たとえばAlN膜と同等の膜質と効果が得られる方法であればよい。また、スパッタ膜を形成することなく、異種基板上に直接、バッファ層を結晶成長させてもよい。また、上記第1~第3実施形態では、凹部の断面形状を略V字状とした例を示したが、本発明はこれに限らず、凹部の断面形状は略V字状以外であってもよい。この場合、凹部の断面形状は、凹部内が埋め込まれやすい形状であるのが好ましい。たとえば、図26に示すように、凹部15の断面形状は、略V字状よりややU字状に近い形状であってもよい。また、図27に示すように、凹部15の断面形状は、その傾斜面が傾斜角度の異なる複数の面から構成された多角形状となる形状であってもよい。さらに、図28に示すように、凹部15の断面形状は、略弧状であってもよい。なお、凹部15の断面形状は、これら以外の形状であってもよい。また、上記第1~第3実施形態では、結晶成長法としてMOCVD法を用いた例を示したが、本発明はこれに限らず、結晶成長法は、MOCVD法以外のたとえばMBE法やCBE法などであってもよい。また、上記第1~第3実施形態では、スパッタ膜上に、Al組成比の高い窒化物半導体からなるバッファ層を形成した例を示したが、本発明はこれに限らず、バッファ層のAl組成比は比較的低い範囲を含めて適宜設定することができる。たとえば、バッファ層のAl組成比は、0.7より低い値であってもよい。ただし、バッファ層を、高いAl組成比を有する窒化物半導体から構成することにより、有利な効果が得られるため、バッファ層のAl組成比は0.7以上であるのが好ましい。また、上記実施形態において、基板のオフ角度主面のオフ角度は特に限定されない。平坦性が向上するなどの特別なオフ角度があれば、その角度にすることも可能である。上記第1および第2実施形態において、溝状の凹部は、溝凹部を形成する際に、故意ではなく、作製誤差として現れる揺らぎをも含めた形状を意味する。また、上記第1および第2実施形態において、溝凹部の形状はストライプ状に限定されるものではない。たとえば、図29および図30に示すように、凹部15を格子状に形成してもよい。また、図31に示すように、凹部15は波状などであってもよい。さらに、これらを組み合わせた形状であってもよい。また、上記第2実施形態では、窒化物半導体発光素子の一例である発光ダイオード素子に本発明を適用した例を示したが、本発明はこれに限らず、発光ダイオード素子以外の窒化物半導体発光素子に本発明を適用することもできる。たとえば、窒化物半導体発光素子の一例である窒化物半導体レーザ素子に本発明を適用することもできる。また、電子デバイスなどの半導体素子にも本発明を適用することができる。また、上記実施形態において、基板上に形成される素子構造窒化物半導体各層については、その厚みや組成等は、所望の特性に合うものに適宜組み合わせたり、変更したりすることが可能である。たとえば、半導体層を追加または削除したり、半導体層の順序を一部入れ替えたりしてもよい。また、電極材料等についても、一例にすぎず、上記の例に限定されない。また、上記第2実施形態では、発光ダイオード素子の一例として、紫外波長領域深紫外波長領域で発光する発光ダイオード素子について説明したが、本発明はこれに限らず、紫外深紫外以外の波長領域で発光する発光素子とすることもできる。また、上記第2実施形態では、キャンタイプのパッケージに窒化物半導体発光素子を搭載した例を示したが、本発明はこれに限らず、上記実施形態で示したパッケージ以外のパッケージに窒化物半導体発光素子を搭載することもできる。また、上記第2実施形態では、窒化物半導体発光素子を横型構造に構成した例を示したが、本発明はこれに限らず、窒化物半導体発光素子を縦型構造に構成することも可能である。たとえば、導電性を有する基板を用いた場合は、窒化物半導体発光素子を縦型構造とすることができる。もちろん、横型構造とすることもできる。また、導電性を有しない基板を用いた場合は、上記実施形態で示したように、窒化物半導体発光素子を横型構造に構成することができる。また、上記第3実施形態では、凹部を、平面的に見て、円形状に形成した例を示したが、本発明はこれに限らず、凹部の平面形状は円形状以外の形状であってもよい。たとえば、三角形状、四角形状、または、五角以上の多角形状であってもよい。なお、第3実施形態では、穴状の凹部を、逆円錐状のくぼみ状に形成した例を示したが、逆三角錐状や逆四角錐状、または、五角以上の逆多角錐状としてもよい。また、上記第3実施形態では、穴状の凹部を、エッチングにより形成した例を示したが、本発明はこれに限らず、エッチング以外の手法を用いて形成することもできる。たとえば、ポイントスクライバのような針状の部材を基板表面に押しつけることにより、穴状の凹部を形成することができる。また、たとえば、穴状の凹部に対応した凸部が複数設けられた金型を用い、インプリントのような手法をもちいることも可能である。この場合、一度に複数の凹部を容易に形成することができる。なお、上記で開示された技術構成を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。