一対の開口部を有するフレームと、前記一対の開口部内のそれぞれに設けられた、前記開口部外に光を照射する複数の半導体発光素子と、前記フレームに設けられた、前記一対の開口部を覆う光透過性基板と、前記光透過性基板に設けられ、前記フレーム外であって且つ断面視して前記一対の開口部によって挟まれる領域に配置された、前記半導体発光素子からの光を前記フレーム外にて反射する反射体と、を備えたことを特徴とする照明装置。請求項1に記載の照明装置であって、前記一対の開口部内に設けられた複数の半導体発光素子は、前記一対の開口部内のそれぞれにおいて直線状に配置されており、前記反射体は、前記直線状に配置されている前記複数の半導体発光素子に沿って設けられていることを特徴とする照明装置。請求項1または請求項2に記載の照明装置であって、前記反射体の側面には、凹部が設けられていることを特徴とする照明装置。請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の照明装置であって、前記反射体は、光を反射する反射材を含有した樹脂体であることを特徴とする照明装置。本発明は、広範囲を照らすことが可能な照明装置を提供することを目的とする。本発明の一実施形態に係る照明装置は、一対の開口部を有するフレームと、前記一対の開口部内のそれぞれに設けられた、前記開口部外に光を照射する複数の半導体発光素子と、前記フレームに設けられた、前記一対の開口部を覆う光透過性基板と、前記光透過性基板に設けられ、前記フレーム外であって且つ断面視して前記一対の開口部によって挟まれる領域に配置された、前記半導体発光素子からの光を前記フレーム外にて反射する反射体と、を備えている。本発明によれば、広範囲を照らすことが可能な照明装置を提供することができる。以下に添付図面を参照して、本発明にかかる照明装置の実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものとする。図1は、照明装置を平面視した平面図であって、一対の直線状にそれぞれ半導体発光装置の光源複数の半導体発光素子が並んでいる。図2は、図1の照明装置の一部を拡大した平面図である。図3は、図2のX-X’に沿って切断した照明装置の断面図である。図4は、図2のX-X’に沿って切断したフレームの断面図であって、図3から半導体発光装置、光透過性基板および反射体を取り除いた状態を示している。図5は、半導体発光装置の断面図である。図6は、半導体発光装置を構成する半導体発光素子の断面斜視図である。図7は、図6のY-Y’に沿って切断した半導体発光素子の断面図である。<照明装置の構成>照明装置1は、天井または壁等の室内に直接取り付けるか、あるいは、屋外にて使用するものである。そして、照明装置1から発せられる光は、室内または屋外を照らすことができる。照明装置1は、一対の開口部Hを有するフレーム2と、一対の開口部H内にそれぞれ設けられ、開口部H外に光を照射する複数の半導体発光素子33と、フレーム2に設けられ、一対の開口部Hを覆う光透過性基板4と、光透過性基板4に設けられ、フレーム外であって且つ断面視して一対の開口部Hによって挟まれる領域に配置され、半導体発光素子33からの光をフレーム2外にて反射する反射体5を備えている。フレーム2は、複数の半導体発光素子33を有する半導体発光装置3を保持する機能と、半導体発光装置3が有する複数の半導体発光素子33の発する熱を外部に放散させる機能とを有している。フレーム2は、例えば、アルミニウム、銅またはステンレス等の金属、プラスチックまたは樹脂等から構成される。フレーム2は、平面視において直方体形状であって、一対の開口部Hを有している。そして、一対の開口部Hのそれぞれに、複数の半導体発光装置3を実装することができる。フレーム2は、半導体発光装置3の発する熱を効率よく外部に放散する。また、フレーム2は、半導体発光装置3の傾斜角度が変化するのを低減することによって、外部に取り出される光の指向性を良好に維持することができる。フレーム2の熱伝導率は、例えば、10W/mK以上500W/mK以下に設定されている。フレーム2は、開口部Hに、半導体発光装置3を螺子またはボルト等の固定部材6を介して固定する螺子孔21と、半導体発光装置3と当接して支持する当接部22と、半導体発光装置3を構成するリフレクターの端部が嵌合する嵌合部23と、半導体発光装置3を構成する駆動部を嵌め込まれる空洞部24と、光透過性基板4の端部を保持する保持部25とが設けられている。螺子孔21は、フレーム2の開口部Hの内壁面に設けられている。螺子孔21は、半導体発光装置3を固定する固定部材を通過させることができる程度の大きさの孔であって、固定部材で締めて半導体発光装置3を固定することができる。当接部22は、フレーム2の開口部Hに設けられ、半導体発光装置3を構成する基板31の端部が当接して、半導体発光装置3を位置決めすることができる。嵌合部23は、フレーム2の開口部Hの内壁面に設けられている。嵌合部23は、開口部Hにて半導体発光装置3を構成するリフレクター32の端部を嵌め込むものである。半導体発光装置3は、リフレクター32の端部を嵌合部23に嵌め込むことで、リフレクター32の傾斜角度を位置決めすることができる。空洞部24は、半導体発光装置3の半導体発光素子33を駆動する駆動部34を配置することができる大きさの空洞であって、熱が発生する駆動部34を配置することができる。保持部25は、フレーム2の内壁面の縁に沿って設けられており、光透過性基板4の端部を嵌め込むことができる大きさに形成されている。フレーム2には、一対の支持体26が設けられている。支持体26は、フレーム2の開口縁に接続されており、開口縁からフレーム2の底面の高さ位置まで傾斜するように形成されている。そして、支持体26の内壁面とフレーム2の側面との間には隙間Dが設けられている。隙間Dは、通気孔としての機能を奏する。隙間Dは、半導体発光装置3の半導体発光素子33が発する熱を外部に向かって放散する。半導体発光素子33が発光する際には、駆動部34から半導体発光素子33に入力される電気エネルギーの一部は光に変換されずに熱に変換されて半導体発光素子33の温度が上昇する。半導体発光素子33の温度が上昇することによって、フレーム2内の温度は上昇する。そこで、フレーム2の側面と支持体26との間に隙間Dを設けて、フレーム2内の温度が熱平衡によってフレーム2外の温度に近づくように調整することができ、フレーム2内の温度が上昇するのを抑制することができる。なお、支持体26の端部には、螺子またはボルト等にて固定する貫通孔26aが設けられており、貫通孔26aに螺子またはボルト等を通して、支持体26が外部と接続される。支持体26の外表面には、複数の段差が設けられている。支持体26の外表面に設けられた複数の段差によって、支持体26の外表面の面積を大きくすることができ、半導体発光装置3の熱を外部に放散させやすくすることができる。<半導体発光装置の構成>半導体発光装置3は、基板31と、基板31に実装される複数の半導体発光素子33と、半導体発光素子33の発する光を反射して外部に取り出すリフレクター32と、半導体発光素子33を駆動する駆動部34と、リフレクター32の出射口側に設けられる光透過性部材35とを備えている。基板31は、直方体形状であって、その長手方向寸法がフレーム2の開口部Hと略同じ長さを有した長尺の板体である。基板31は、例えば、樹脂からなるプリント配線基板等の樹脂基板、あるいはガラス基板、あるいはアルミ基板等の金属板が用いられる。なお、基板31には、固定部材6を通すための螺子孔が設けられている。本実施形態において、基板31には、複数の半導体発光素子33が等間隔に実装されている。また、基板31には、駆動部34が実装されている。半導体発光素子33と駆動部34は、基板31に対して、それぞれ異なる基板31の主面に設けられている。そして、基板31に設けられるビア導体を介して駆動部34と半導体発光素子33とが電気的に接続される。なお、複数の半導体発光素子33が配列される間隔は、等間隔に限定されるものではない。駆動部34は、半導体発光装置3の半導体発光素子33と電気的に接続されている。駆動部34は、外部電源と電気的に接続されており、外部電源から電気が供給される。なお、駆動部34の設けられる箇所は、半導体発光装置3の半導体発光素子33と電気的に接続されるのであれば、基板31に対して半導体発光素子33と同じ面に設けられる構造であってもよい。リフレクター32は、半導体発光素子33の側面を取り囲むように設けられている。リフレクター32は、半導体発光素子33から出射された光を反射させるものであり、例えば、アルミ二ウム、銅またはステンレス等の熱伝導性の優れた熱の良導体から構成されている。また、リフレクター32は、金型によって成型されたポリカーボネート樹脂から成るリフレクター32の内壁面に、アルミニウムを蒸着することによって構成されてもよい。リフレクター32は、各半導体発光素子33を取り囲む態様で配置されている。なお、リフレクター32の熱伝導率は、例えば、10W/mK以上500W/mK以下に設定されている。リフレクター32は、半導体発光素子33からリフレクター32の出射口に向かうにつれて広がって形成されている。リフレクター32は、いわゆるパラボラ形状の円筒体である。リフレクター32で囲まれる領域が、リフレクター32の出射口に向かうにつれて大きくなることで、リフレクター32によって半導体発光素子33の発する光を遮りにくくすることができ、半導体発光素子33の発する光の照射面を広くすることができる。リフレクター32は、リフレクター32の出射口の縁から、基板31に向かって折れ曲がって形成されている。そして、リフレクター32の端部は、基板31に向かって折れ曲がった先にあり、その端部をフレーム2の嵌合部23に嵌め込むことができる。リフレクター32で囲まれる領域には、光透過性部材35を設けることができる。本実施形態において、光透過性部材35は、半導体発光素子33から発せられる光が透過する樹脂材料を有する。光透過性部材35は、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂またはシリコーン樹脂等を用いることができる。また、光透過性部材35の代わりに、ガラスを用いることもできる。光透過性部材35によって、リフレクター32と半導体発光素子33との接着強度を向上させることができる。なお、リフレクター32で囲まれる領域に、光透過性部材35を設けない構造であってもよい。<半導体発光素子の構成>半導体発光素子33は、実装基板331と、実装基板331上に設けられる光半導体素子332と、光半導体素子332を取り囲む枠体333と、枠体333で囲まれる領域に設けられる封止樹脂334と、枠体333によって支持され、接着樹脂335を介して枠体333に接続される波長変換部336を備えている。半導体発光素子33は、例えば、発光ダイオードであって、光半導体素子332内のpn接合中の電子と正孔が再結合することによって、光半導体素子332から外部に向かって光として放出される。なお、光半導体素子332は、指向性が優れている。実装基板331には、基板31上に設けられる。基板31と実装基板331とは、半田または導電性接着剤を介して電気的に導通されるように接合される。実装基板331は、例えば、アルミナ、ムライトまたはガラスセラミック等のセラミック材料、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から構成することができる。また、実装基板331は、金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂を用いることができる。実装基板331の表面が拡散面である場合、光半導体素子332から発せられる光が、実装基板331の表面にて照射されて拡散反射する。そして、光半導体素子332が発する光を拡散反射によって多方向に放射し、光半導体素子332から発せられる光が特定箇所に集中するのを抑制することができる。ここで、実装基板331には、配線導体が設けられており、配線導体を介して基板31と電気的に接続されている。配線導体は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガンまたは銅等の導電材料からなる。配線導体は、例えば、タングステン等の粉末に有機溶剤を添加して得た金属ペーストを、実装基板331に所定パターンで印刷することにより得られる。光半導体素子332は、実装基板331上であって実装領域Rに実装される。具体的には、光半導体素子332は、実装基板331上に形成される配線導体上に、例えば、半田または導電性接着剤等の接着材料、あるいはボンディングワイヤ等を介して電気的に接続される。光半導体素子332は、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、シリコンカーバイド、シリコンまたは二ホウ化ジルコニウム等の基体に有機金属気相成長法または分子線エピタキシャル成長法等の化学気相成長法を用いて、半導体層を成長させることによって作製される。なお、光半導体素子332の厚みは、例えば30μm以上1000μm以下である。光半導体素子332は、第1半導体層と、第1半導体層上に形成される発光層と、発光層上に形成される第2半導体層と、から構成されている。第1半導体層、発光層および第2半導体層は、例えば、III族窒化物半導体、ガリウム燐またはガリウムヒ素等のIII-V族半導体、あるいは、窒化ガリウム、窒化アルミニウムまたは窒化インジウム等のIII族窒化物半導体などを用いることができる。なお、第1半導体層の厚みは、例えば、1μm以上5μm以下である。発光層の厚みは、例えば、25nm以上150nm以下である。第2半導体層の厚みは、例えば、50nm以上600nm以下である。また、このように構成された光半導体素子332では、例えば、370nm以上420nm以下の波長範囲の励起光を発することができる。実装基板331上には、光半導体素子332を取り囲むように枠状の枠体333が設けられている。枠体333は、実装基板331上に例えば半田または接着剤を介して接続される。枠体333は、セラミック材料であって、例えば酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等の多孔質材料からなる。枠体333は、多孔質材料からなり、枠体333の表面は微細な孔が多数形成される。枠体333は、光半導体素子332と間を空けて、光半導体素子332の周りを取り囲むように形成されている。また、枠体333は、傾斜する内壁面が下端から上端に従い外方に向かって広がるように形成されている。そして、枠体333の内壁面が、光半導体素子332から発せられる励起光の反射面として機能する。また、枠体333の内壁面が拡散面である場合には、光半導体素子332から発せられる光が、枠体333の内壁面にて拡散反射する。そして、光半導体素子332から発せられる光が特定箇所に集中するのを抑制することができる。また、枠体333の傾斜する内壁面は、例えば、タングステン、モリブデン、銅または銀等から成る金属層と、金属層を被覆するニッケルまたは金等から成る鍍金金属層を形成してもよい。この鍍金金属層は、光半導体素子332の発する光を反射させる機能を有する。なお、枠体333の内壁面の傾斜角度は、実装基板331の上面に対して例えば55度以上70度以下の角度に設定されている。枠体333で囲まれる領域には、封止樹脂334が充填されている。封止樹脂334は、光半導体素子332を封止するとともに、光半導体素子332から発せられる光が透過する機能を備えている。封止樹脂334は、枠体333の内方に光半導体素子332を収容した状態で、枠体333で囲まれる領域であるなお、封止樹脂334は、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂が用いられる。波長変換部336は、枠体333に支持されるとともに、光半導体素子332と間を空けて対向するように設けられる。つまり、波長変換部336は、光半導体素子332を封止する封止樹脂334と空隙を介して枠体333に設けられる。波長変換部336は、接着樹脂335を介して枠体336に接合されている。接着樹脂335は、波長変換部336の下面の端部から波長変換部336の側面、さらに波長変換部336の上面の端部にかけて被着している。接着樹脂335は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコーン樹脂またはビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を使用することができる。また、接着樹脂335は、例えば、ポリエーテルケトン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂またはポリフェニレンエーテル樹脂等の熱可塑性樹脂を使用することができる。接着樹脂335の材料は、枠体333の熱膨張率と波長変換部336の熱膨張率との間の大きさの熱膨張率の材料を選択される。接着樹脂335の材料として、このような材料を選択することで、枠体333と波長変換部336とが熱膨張するときに、両者の熱膨張率の差に起因して、両者が剥離しようとするのを抑制することができ、両者を良好に繋ぎ止めることができる。接着樹脂335が、波長変換部336の下面の端部にまで被着することで、接着樹脂335が被着する面積を大きくし、枠体333と波長変換部336とを強固に接続することができる。その結果、枠体333と波長変換部336の接続強度を向上させることができ、波長変換部336の撓みが抑制される。そして、光半導体素子332と波長変換部336との間の光学距離が変動するのを効果的に抑制することができる。波長変換部336は、半導体発光素子33から発せられる励起光が内部に入射して、内部に含有される蛍光体が励起されて、光を発するものである。ここで、波長変換部336には、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等から成り、その樹脂中に、例えば430nm以上490nm以下の波長の蛍光を発する青色蛍光体、例えば500nm以上560nm以下の蛍光を発する緑色蛍光体、例えば540nm以上600nm以下の蛍光を発する黄色蛍光体、例えば590nm以上700nm以下の蛍光を発する赤色蛍光体が含有されている。なお、蛍光体は、波長変換部336中に均一に分散するように含有されている。なお、波長変換部336の厚みは、例えば0.5mm以上3mm以下に設定されている。また、波長変換部336の端部の厚みは一定に設定されている。波長変換部336の厚みは、例えば0.5mm以上3mm以下に設定されている。ここで、厚みが一定とは、厚みの誤差が0.1mm以下のものを含む。波長変換部336の厚みを一定にすることにより、波長変換部336にて励起される光の量を一様になるように調整することができ、波長変換部336における輝度むらを抑制することができる。光透過性基板4は、フレーム2の開口縁に設けられる。フレーム2の開口部Hに半導体発光装置3を実装した状態で、光透過性基板4をフレーム2に設けることで、フレーム2内に半導体発光装置3を外部から保護することができる。光透過性基板4は、半導体発光装置3から発せられる光が透過する材料からなり、例えば樹脂またはガラス等の光透光性の材料から構成される板体である。光透過性基板4は、フレーム2の保持部25にて保持される。光透過性基板4は保持部25にて挟持して保持されることで、光透過性基板4が落下するのを防止することができる。反射体5は、光透過性基板4の外表面に設けられる。反射体5は、半導体発光装置3からの光を反射する機能を有している。反射体5は、フレーム2の外であって且つ断面視において一対の開口部Hによって挟まれる領域に配置される。また、反射体5は、図2に示すように、平面視してフレーム2の一端から他端にまで連続して設けられている。一対の開口部H内に設けられた複数の半導体発光素子33は、一対の開口部H内のそれぞれにおいて所定の直線状に配置されており、反射体5は、前記所定の直線状に配置されている複数の半導体発光素子33に沿って設けられている。反射体5をこのように設けることで、反射体5にて反射する光の照射面を大きく2つに分けて、それぞれの照射面の照度を向上させることができ、広範囲を照らすことが可能な照明装置を提供することができる。反射体5は、図3に示すように、上下方向の幅が、例えば5mm以上20mm以下に設定されている。また、反射体5は、図3に示すように、左右方向の幅が、例えば5mm以上70mm以下に設定されている。反射体5は、例えば、アルミナ、チタニア、ジルコニアまたはイットリア等からなる無機粒子からなる反射材を含有する樹脂、あるいは金属材料からなる。反射体5は、反射材を含有した樹脂を用いた場合であれば、樹脂と反射材との屈折率差に起因して光の反射が生じるため、受けた光を拡散することができる。反射体5を樹脂とすることで、角度によっては半導体発光装置3の光源すなわち、半導体発光素子33を、直接反射体5を介して視認することができ、照らされる領域を大きくすることができる。ここで、無機粒子は、屈折率が1.4以上2.0以下のものが好ましい。なお、反射体5に反射材を含有させずに、反射体5の表面をブラスト加工することによって、反射体5の表面の光反射性を向上させてもよい。発光ダイオードは、特に、配向分布においてサイドローブの光の強度が小さく配向分布の中央部に集中するため、指向性が優れている。そのため、発光ダイオードを用いた照明を店舗内に使用した場合は、店舗内では照明が光っていることを認識することができるが、店舗外から店舗内を見たときは、発光ダイオードの光は店舗内から店舗外に漏れにくくなるため、店舗内が暗く見えてしまう。本実施形態によれば、フレーム2の外の光透過性基板に反射体5を設け、フレーム2内からの半導体発光素子33の光を反射体5にて反射させて、フレーム2の外にて半導体発光素子33の光の進行方向を変化させるとともに、フレーム2の外部に取り出された光を拡散させることができる。その結果、照明装置1は、店舗外から店舗内を見たときも、店舗を明るくすることができ、広範囲を照らすことができる。なお、照明装置1は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。<変形例>以下、本発明の実施形態の変形例について説明する。なお、本発明の実施形態の変形例に係る照明装置1のうち、本発明の実施形態に係る照明装置1と同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。図8から図11は、一変形例に係る照明装置1を示す図であって、図8から図11は図3に相当する。上述した実施形態に係る照明装置1は、一対の半導体発光装置3の傾斜角度をそれぞれ、左右対称になるように設けたが、これに限られない。例えば、図8または図9に示すように、一対の半導体発光装置3のうち、一方の半導体発光装置3の傾斜角度と他方の半導体発光装置3の傾斜角度とを異ならせて設けてもよい。一対の半導体発光装置3の傾斜角度を左右非対称にすることで、反射体5にて反射する光の量を反射体5の両側面にて異ならせることができ、反射体5にて反射した光の照らす領域に相当する照射面を所望する態様にすることができる。その結果、本変形例に係る照明装置を店舗内に用いた場合は、店舗内を照らす光と店舗外を照らす光とを調整することができ、店舗内での光と店舗外から店舗内を見たときの光との両方を向上させることもできる。また、上述した実施形態に係る照明装置1は、反射体5の傾斜角度は、光透過性基板4の下面に対して垂直となるように設定したが、これに限られない。例えば、図10に示すように、反射体5aの傾斜角度を、光透過性基板4の下面に対して垂直とならないように傾斜させてもよい。なお、反射体5aの傾斜角度θは、光透過性基板4の下面と直交する平面に対して、例えば10度以上60度以下に設定されている。反射体5aの傾斜角度を光透過性基板4の下面に対して傾斜させることで、反射体5aにて反射する光の量を反射体5aの両側面にて異ならせることができ、反射体5aにて反射した光の照らす領域に相当する照射面を所望する態様にすることができる。さらに、上述した実施形態に係る照明装置1は、反射体5の両側面を平坦に形成したが、これに限られない。例えば、図11に示すように、反射体5bの側面に凹部5Pを設けてもよい。反射体5bの側面に凹部5Pを設けることで、反射体5bにて反射する光の量を反射体5bの両側面にて異ならせることができ、反射体5bにて反射した光の照らす領域に相当する照射面を所望する態様にすることができる。<照明装置の製造方法>図1に示す照明装置の製造方法を説明する。まず、図6に示す半導体発光素子33を準備する。実装基板331および枠体333が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウムの原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得る。実装基板331は、混合物がシート状のセラミックグリーンシートに成形され、枠体333は、型枠内に混合物が充填されて乾燥され、焼結前の実装基板331および枠体333が取り出される。また、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、取り出した実装基板331となるセラミックグリーンシートに所定パターンで印刷し、複数のセラミックグリーンシートを積層するとともに焼成され、所定の形状に切断される。また、枠体333は、所望の温度で焼結されることにより形成される。次に、実装基板331上の配線パターンに光半導体素子332を、半田を介して電気的に接続した後、光半導体素子332を取囲むように枠体333を基板上にアクリル樹脂等の接着剤を介して接着する。そして、枠体333で囲まれた領域に、例えばシリコーン樹脂を充填して、シリコーン樹脂を硬化させることで、封止樹脂334を形成する。次に、波長変換部336を準備する。波長変換部336は、未硬化の樹脂に蛍光体を混合して、例えば、ドクターブレード法、ダイコーター法、押し出し法、スピンコート法またはディップ法等のシート成形技術を用いて、作製することができる。例えば、波長変換部336は、未硬化の波長変換部336を型枠に充填し、硬化して取り出すことによって、得ることができる。そして、準備した波長変換部336を枠体333上に、例えば樹脂からなる接着樹脂335を介して接着することで、半導体発光素子33を作製することができる。次に、フレーム2を準備する。フレーム2は、例えば、押出成形法によって一体に成形されている。しかしながら必ずしも一体成形で形成する必要はなく、各部材を別個に製造して、これらをネジ等の締結手段で締結してもよく、また、各部材を接着剤で接着して一体化させてもよい。さらに、基板31を準備する。基板31は、例えばプリント配線基板を用いることができる。そして、基板31に半導体発光素子33を、半田を介して電気的に実装するとともに、リフレクター32を取り付ける。また、基板31の他主面に駆動部34を実装し、このようにして、半導体発光装置3を作製することができる。次に、半導体発光装置3をフレーム2内に収容し、固定部材6を介して基板31をフレーム2に固定する。そして、フレーム2に光透過性基板4を取り付けて、光透過性基板4に反射体5を設けることで、照明装置1を作製することができる。