"誘電体ブロック内に設けられた長尺チャンバと、前記長尺チャンバ内にガスを供給するガス導入口と、前記誘電体ブロックに接合され、かつ、前記長尺チャンバに平行に設けられた誘電体製の少なくとも2本の円筒管と、前記円筒管内に設けられた少なくとも2本の導体棒と、前記導体棒に接続された高周波電源とを備え、前記長尺チャンバが長尺の開口部を備え、前記少なくとも2本の導体棒が長尺チャンバを跨いで配置され、前記少なくとも2本の導体棒が電気的に接続され、前記開口部と対向して配置され、かつ基材を保持する基材載置台を備え、前記チャンバの長手方向と前記開口部の長手方向とは平行に配置され、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備えたこと、を特徴とするプラズマ処理装置。前記誘電体ブロックが、少なくとも一方が凸部をもつ誘電体製の2枚の薄板を、前記凸部を接合面として接合されたものであることを特徴とする、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記円筒管内が冷媒流路となっていることを特徴とする、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記導体棒が設けられた円筒管とは別に、冷媒流路となる誘電体製の円筒管が前記誘電体ブロックに接合されていることを特徴とする、請求項1記載のプラズマ処理装置。前記冷媒流路が、前記長尺チャンバの長手方向の両側に設けられた2つの冷媒マニホールドと連通することを特徴とする、請求項4記載のプラズマ処理装置。誘電体ブロック内に設けられた長尺チャンバと、前記長尺チャンバ内にガスを供給するガス導入口と、前記誘電体ブロックに接合され、かつ、前記長尺チャンバに平行に設けられた少なくとも2本の導体管と、前記導体管に接続された高周波電源とを備え、前記長尺チャンバが長尺の開口部を備え、前記少なくとも2本の導体管が長尺チャンバを跨いで配置され、前記少なくとも2本の導体管が電気的に接続され、前記開口部と対向して配置され、かつ基材を保持する基材載置台を備え、前記チャンバの長手方向と前記開口部の長手方向とは平行に配置され、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。前記誘電体ブロックが、少なくとも一方が凸部をもつ誘電体製の2枚の薄板を、前記凸部を接合面として接合されたものであることを特徴とする、請求項6記載のプラズマ処理装置。前記導体管内が冷媒流路となっていることを特徴とする、請求項6記載のプラズマ処理装置。前記導体管とは別に、冷媒流路となる誘電体製の円筒管が前記誘電体ブロックに接合されていることを特徴とする、請求項6記載のプラズマ処理装置。前記冷媒流路が、前記長尺チャンバの長手方向の両側に設けられた2つの冷媒マニホールドと連通することを特徴とする、請求項9記載のプラズマ処理装置。誘電体ブロックで囲まれた長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、前記長尺チャンバに形成されたスリット状の開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記長尺チャンバ内に高周波電磁界を発生させるプラズマ処理方法において、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに前記チャンバと前記基材とを相対的に移動しながら前記基材の表面を処理するプラズマ処理方法であって、前記コイルは、前記誘電体ブロックに接合された誘電体製の少なくとも2本の円筒管内に設けられた少なくとも2本の導体棒からなり、かつ、少なくとも2本の導体棒が長尺チャンバを跨いで配置されていること、を特徴とするプラズマ処理方法。誘電体ブロックで囲まれた長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、前記長尺チャンバに形成されたスリット状の開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記長尺チャンバ内に高周波電磁界を発生させるプラズマ処理方法において、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに前記チャンバと前記基材とを相対的に移動しながら前記基材の表面を処理するプラズマ処理方法であって、前記コイルは、前記誘電体ブロックに接合された少なくとも2本の導体管からなり、かつ、少なくとも2本の導体管が長尺チャンバを跨いで配置されていること、を特徴とするプラズマ処理方法。しかしながら、半導体の結晶化など、ごく短時間だけ基材の表面近傍を高温処理する用途に対して、従来の熱プラズマを大面積に発生させる技術は有効ではなかった。従来例に示した特許文献2に記載の、熱プラズマを大面積に発生させる技術においては、広幅化はされるものの、広幅化された領域における温度分布は100°C以上となっており、均一な熱処理の実現は不可能である。また、従来例に示した特許文献3、4に記載の、熱プラズマを大面積に発生させる技術においては、本質的には熱プラズマを揺動させるものであるから、実質的に熱処理されている時間は、回転させずに走査した場合と比べて短くなるので、大面積を処理する時間が特段短くなるものではない。また、均一処理のためには回転速度を走査速度に比べて十分に大きくする必要があり、ノズルの構成が複雑化することは避けられない。また、従来例に示した特許文献5に記載の技術は溶接技術であり、大面積を均一に処理するための構成ではない。仮にこれを大面積処理用途に適用しようとしても、この構成においては点状のアークが帯状電極に沿って振動するので、時間平均すると均一にプラズマが発生するものの、瞬間的には不均一なプラズマが生じている。したがって、大面積の均一処理には適用できない。また、従来例に示した特許文献6に記載の技術は、非特許文献1や特許文献1に開示されているDCアーク放電を用いたものと異なり、誘導結合型の高周波プラズマトーチであることが特徴である。無電極放電であることから、熱プラズマの安定性に優れ時間変化が小さい、電極材料の基材への混入コンタミネーションが少ないという利点がある。さて、誘導結合型プラズマトーチにおいては、高温プラズマから絶縁体材料を保護するために、絶縁体材料を二重管構成としてその間に冷媒を流す方法が一般的に採用されている。しかしながら、従来例に示した特許文献6に記載の技術においては、絶縁体材料が扁平な直方体状をなしていることから、これを単純に二重管構成としただけでは、十分な流量の冷媒を流すことができない。なぜなら、絶縁体材料は一般に金属に比べて機械的強度に劣るため、絶縁体材料を長尺方向に余りに長くすると、二重管の内圧を高くできなくなるからである。このため、大面積を均一に処理するのに限界がある。また、仮に絶縁体材料の冷却の問題がないと仮定しても、従来例に示した特許文献6に記載の技術においては、絶縁体材料の内部空間に形成した高温プラズマは、その最下部から噴出するごく一部のみが基材に直接作用する構成であるため、電力効率が悪いという問題点がある。また、絶縁体材料の内部空間においては、中心付近のプラズマ密度が高くなるので、長尺方向にプラズマが不均一となり、基材を均一に処理することができないという問題点がある。なお、点状の熱プラズマであっても、その直径が大きければ大面積処理の際の走査回数を減らせるため、用途によっては短時間で処理できる。しかし、熱プラズマの直径が大きいと、走査時に熱プラズマが基材上を通過する時間が実質的に長くなるため、ごく短時間だけ基材の表面近傍のみを高温処理することはできず、基材のかなり深い領域までが高温になり、例えばガラス基板の割れや膜剥がれなどの不具合を生じることがある。また、従来例に示した特許文献9に記載の技術では、先に述べた誘導結合型の高周波プラズマトーチと比較して、熱プラズマの安定性に劣り時間変化が大きい、電極材料の基材への混入コンタミネーションが多いという欠点がある。本発明はこのような課題に鑑みなされたもので、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的としている。本願の第1発明のプラズマ処理装置は、誘電体ブロック内に設けられた長尺チャンバと、前記長尺チャンバ内にガスを供給するガス導入口と、前記誘電体ブロックに接合され、かつ、前記長尺チャンバに平行に設けられた誘電体製の少なくとも2本の円筒管と、前記円筒管内に設けられた少なくとも2本の導体棒と、前記導体棒に接続された高周波電源とを備え、前記長尺チャンバが長尺の開口部を備え、前記少なくとも2本の導体棒が長尺チャンバを跨いで配置され、前記少なくとも2本の導体棒が電気的に接続され、前記開口部と対向して配置され、かつ基材を保持する基材載置台を備え、前記チャンバの長手方向と前記開口部の長手方向とは平行に配置され、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備えたことを特徴とする。このような構成により、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができる。本願の第1発明のプラズマ処理装置において、好適には、前記誘電体ブロックが、少なくとも一方が凸部をもつ誘電体製の2枚の薄板を、前記凸部を接合面として接合されたものであることが望ましい。このような構成により、簡単な構成でプラズマ処理装置を実現できる。また、好適には、前記円筒管内が冷媒流路となっていることが望ましい。このような構成により、プラズマ処理装置の効果的な冷却が実現できる。また、好適には、前記導体棒が設けられた円筒管とは別に、冷媒流路となる誘電体製の円筒管が前記誘電体ブロックに接合されていることが望ましい。このような構成により、プラズマ処理装置のさらに効果的な冷却が実現できる。また、この場合、前記冷媒流路が、前記長尺チャンバの長手方向の両側に設けられた2つの冷媒マニホールドと連通することが望ましい。このような構成により、プラズマ処理装置のさらに効果的な冷却が実現できる。本願の第2発明のプラズマ処理装置は、誘電体ブロック内に設けられた長尺チャンバと、前記長尺チャンバ内にガスを供給するガス導入口と、前記誘電体ブロックに接合され、かつ、前記長尺チャンバに平行に設けられた少なくとも2本の導体管と、前記導体管に接続された高周波電源とを備え、前記長尺チャンバが長尺の開口部を備え、前記少なくとも2本の導体管が長尺チャンバを跨いで配置され、前記少なくとも2本の導体管が電気的に接続され、前記開口部と対向して配置され、かつ基材を保持する基材載置台を備え、前記チャンバの長手方向と前記開口部の長手方向とは平行に配置され、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構を備えたことを特徴とする。このような構成により、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができる。本願の第2発明のプラズマ処理装置において、好適には、前記誘電体ブロックが、少なくとも一方が凸部をもつ誘電体製の2枚の薄板を、前記凸部を接合面として接合されたものであることが望ましい。このような構成により、簡単な構成でプラズマ処理装置を実現できる。また、好適には、前記導体管内が冷媒流路となっていることが望ましい。このような構成により、プラズマ処理装置の効果的な冷却が実現できる。また、好適には、前記導体管とは別に、冷媒流路となる誘電体製の円筒管が前記誘電体ブロックに接合されていることが望ましい。このような構成により、プラズマ処理装置のさらに効果的な冷却が実現できる。また、この場合、前記冷媒流路が、前記長尺チャンバの長手方向の両側に設けられた2つの冷媒マニホールドと連通することが望ましい。このような構成により、プラズマ処理装置のさらに効果的な冷却が実現できる。本願の第3発明のプラズマ処理方法は、誘電体ブロックで囲まれた長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、前記長尺チャンバに形成されたスリット状の開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記長尺チャンバ内に高周波電磁界を発生させるプラズマ処理方法において、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに前記チャンバと前記基材とを相対的に移動しながら前記基材の表面を処理するプラズマ処理方法であって、前記コイルは、前記誘電体ブロックに接合された誘電体製の少なくとも2本の円筒管内に設けられた少なくとも2本の導体棒からなり、かつ、少なくとも2本の導体棒が長尺チャンバを跨いで配置されていることを特徴とする。このような構成により、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができる。本願の第4発明のプラズマ処理方法は、誘電体ブロックで囲まれた長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、前記長尺チャンバに形成されたスリット状の開口部から基材に向けてガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記長尺チャンバ内に高周波電磁界を発生させるプラズマ処理方法において、前記開口部の長手方向に対して垂直な向きに前記チャンバと前記基材とを相対的に移動しながら前記基材の表面を処理するプラズマ処理方法であって、前記コイルは、前記誘電体ブロックに接合された少なくとも2本の導体管からなり、かつ、少なくとも2本の導体管が長尺チャンバを跨いで配置されていることを特徴とする。このような構成により、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができる。本発明によれば、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができる。以下、本発明の実施の形態におけるプラズマ処理装置について図面を用いて説明する。実施の形態1以下、本発明の実施の形態1について、図1及び図2を参照して説明する。図1aは、本発明の実施の形態1におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図である。図1b及びcは、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に平行で、かつ、基材に垂直な面で切った断面図である。図1bは図1aの破線A~A‘で切った断面図、図1cは図1aの破線B~B‘で切った断面図である。また、図1aは図1bの破線で切った断面図である。また、図2は、図1に示した誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図であり、各部品一部の斜視図を並べたものである。図1及び図2において、基材載置台1上に基材2が載置されている。誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、コイルをなす導体棒としての銅棒3が、誘電体製の長尺チャンバを構成する石英ブロック4の近傍に配置されている。石英ブロック4の周囲に設けられた真鍮ブロック5及び真鍮蓋6で囲まれた部分に、石英ブロック4が収納されている。真鍮ブロック5及び真鍮蓋6は接地されるので、高周波の漏洩ノイズが効果的に防止できるとともに、好ましくない異常放電などを効果的に防止できる。長尺チャンバのチャンバ内部空間7は、石英ブロック4に設けられたスリットである。つまり、長尺チャンバが誘電体で囲まれている構成である。長尺チャンバのチャンバ内部空間7に発生したプラズマは、長尺チャンバにおけるスリット状の開口部としてのプラズマ噴出口8より基材2に向けて噴出する。また、長尺チャンバの長手方向とプラズマ噴出口8の長手方向とは平行に配置されている。真鍮蓋6の上方に、プラズマガスマニホールド9が設けられる。プラズマガスマニホールド9に供給されたガスは、石英ブロック4に設けられた穴からなるプラズマガス供給配管10を介して、石英ブロック4に設けられたガス導入口としてのプラズマガス供給穴11より長尺チャンバのチャンバ内部空間7に導入される。プラズマガス供給配管10は長手方向に複数設けられているので、長手方向に均一なガス流れを簡単に形成できる。銅棒3は4本設けられており、これらは端部で電気的に接続され、全体としてコイルを構成するよう構成されている。各々の銅棒3は、石英ブロック4に接合され、かつ、長尺チャンバに平行に設けられた誘電体製の4本の石英管12内に配置される。また、基材載置台1に近い部分に、シールドガスノズル13が配置され、その内部にはシールドガスマニホールド14が設けられる。このように、2系統のガス導入が準備されており、プラズマ生成に適したプラズマガスとは別にシールドガスを供給して、大気中の酸素、二酸化炭素など、処理に不要、あるいは悪影響を及ぼすガスのプラズマ照射面への混入を低減することが可能となる。銅棒3が内部に挿入された石英管12とは別に、冷媒流路となる石英管15が誘電体ブロックに接合されており、また、真鍮ブロック5にもこれを貫通する冷却水配管が設けられている。銅棒3が内部に挿入された石英管12と、石英管15は互いに平行に配置された水路冷媒流路であり、真鍮ブロック16の外側に設けられた樹脂ケース17と真鍮ブロック16との間の空間がなす冷媒マニホールドとしての冷却水マニホールド18に連通している。樹脂ケース17には、図示しない冷媒導入口冷媒排出口としての冷却水出入口が各1箇所ずつ設けられ、誘導結合型プラズマトーチユニットTへの水冷配管の引き回しが非常に簡潔なものとなっており、小型のトーチを構成しうる。すなわち、長尺チャンバの長手方向の両側に2つの冷却水マニホールド18を備え、各部材に2つの冷却水マニホールド18を連通する冷媒流路を備えた構成である。石英管12及び石英管15と石英ブロック4との接合は、溶接法によるものの他、各種接着剤を用いて行うことが可能である。冷却効率を確保するため、接着剤を用いる場合はできるだけ薄く、均一に塗布することが好ましい。石英管12及び石英管15を石英ブロック4に接合する構成の利点は、既成の板材、管材を活用できるため、安価短納期で製作可能であること、また、肉厚の石英板に貫通穴をあける場合に比べて、長尺チャンバと冷媒流路の距離を小さくできるため、冷却効率が良いこと、である。銅棒3は冷却水マニホールド18内でカプラ19により電気的に接続され、4本の銅棒3全体として螺旋形で巻き数2のソレノイドコイルを形成する。銅棒3のうち2本は、真鍮ブロック16を貫通し、樹脂ケース17に設けられた高周波導入端子穴または接地端子穴を介して銅板20に接続され、銅板20を通じて図示しない高周波整合回路に接続される。このように、本実施の形態においては、石英ブロック4に、断面が円形の冷却水配管が密に接合されているので、従来例に示した特許文献6に記載の技術において二重管構成として水冷した場合に比べて、はるかに大量の冷媒を流すことができる。なお、プラズマガスマニホールド9へのガス導入は、その上流にマスフローコントローラなどの流量制御装置を備えたプラズマガス供給配管21を介して実現される。長方形のスリット状のプラズマ噴出口8が設けられ、基材載置台1或いは、基材載置台1上の基材2は、プラズマ噴出口8と対向して配置されている。この状態で、長尺チャンバ内にガスを供給しつつ、プラズマ噴出口8から基材2に向けてガスを噴出させながら、図示していない高周波電源よりコイルをなす銅棒3に高周波電力を供給することにより、長尺チャンバのチャンバ内部空間7にプラズマを発生させ、プラズマ噴出口8からプラズマを基材2に照射することにより、基材2上の薄膜22をプラズマ処理することができる。そしてプラズマ噴出口8の長手方向に対して垂直な向きに、長尺チャンバと基材載置台1とを相対的に移動させることで、基材2を処理する。つまり、図1aの左右方向へ、図1bcの紙面に垂直な方向へ、誘導結合型プラズマトーチユニットTまたは基材載置台1を動かす。複数の銅棒3は平行に配置され、4本の銅棒3全体として螺旋形で巻き数2のソレノイドコイルを形成する。すなわち、複数の導体棒のうち、長尺チャンバを挟んで対向する導体棒に逆位相の高周波電流が流れるよう構成されている。この場合、誘導結合型プラズマトーチユニットTの長尺方向に垂直な面で切った断面において、長尺チャンバを挟んで対向する導体棒の中心を結ぶ線分の中点付近の誘導電磁界が強くなり、効率的なプラズマ発生を実現しうる。このような作用を得るには、銅棒3は少なくとも2本必要であり、長尺チャンバを跨いで配置されることが必要である。したがって、銅棒3を格納する石英管12も少なくとも2本必要である。長尺チャンバ内に供給するガスとして種々のものが使用可能だが、プラズマの安定性、着火性、プラズマに暴露される部材の寿命などを考えると、不活性ガス主体であることが望ましい。なかでも、Arガスが典型的に用いられる。Arのみでプラズマを生成させた場合、プラズマは相当高温となる10,000K以上。なお、本構成においては、プラズマ噴出口8の長手方向の長さが、基材2の幅以上となっているので、一度の走査誘導結合型プラズマトーチユニットTと基材載置台1とを相対的に移動することで基材2の表面近傍の薄膜22の全体を処理することができる。このようなプラズマ処理装置において、長尺チャンバ内にガス噴出口よりArまたはArH2ガスを供給しつつ、プラズマ噴出口8から基材2に向けてガスを噴出させながら、図示していない高周波電源より13.56MHzの高周波電力を、コイルをなす銅棒3に供給することにより、長尺チャンバのチャンバ内部空間7に高周波電磁界を発生させてプラズマを発生させ、プラズマ噴出口8からプラズマを基材2に照射するとともに走査することで、半導体膜の結晶化などの熱処理を行うことができる。このように、プラズマ噴出口8の長手方向と、基材載置台1とが平行に配置されたまま、プラズマ噴出口8の長手方向とは垂直な向きに、長尺チャンバと基材載置台1とを相対的に移動するので、生成すべきプラズマの長さと、基材2の処理長さがほぼ等しくなるように構成することが可能となる。また、長尺チャンバをその中心軸に垂直な面で切った断面の幅図1aにおける、チャンバ内部空間7の幅は、プラズマ噴出口8の幅図1aにおける隙間の幅と同じか、少し大きく程度でよい。つまり、生成すべきプラズマの体積を、従来と比較して極めて小さくすることができる。その結果、電力効率が飛躍的に高まる。また、長尺チャンバのチャンバ内部空間7においては、長尺方向に比較的均一なプラズマが生成できるので、特許文献6に開示されている従来例などと比べて、基材を均一に処理することができる。実施の形態2以下、本発明の実施の形態2について、図3を参照して説明する。図3は本発明の実施の形態2におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。本発明の実施の形態2においては、実施の形態1とは、石英ブロック4及び真鍮蓋6の形状が異なるだけであるから、それ以外の説明は省略する。なお、図3では、真鍮ブロック5を用いない構成を示しており、高周波ノイズは、図示しない更に外側の接地導体によるカバーによって、漏洩が防止される。図1においては、プラズマガスマニホールド9に供給されたガスは、石英ブロック4に設けられた穴からなるプラズマガス供給配管10を介して、石英ブロック4に設けられたガス導入口としてのプラズマガス供給穴11より長尺チャンバ内部のチャンバ内部空間7に導入されていたが、図3においては、プラズマガスマニホールド9に供給されたガスは、真鍮蓋6に設けられた穴からなるプラズマガス供給配管10を介して、その出口となるガス導入口としてのプラズマガス供給穴11より長尺チャンバのチャンバ内部空間7に導入されている。石英ブロック4の上面は、長尺のスリット状の開口となっている構成である。このような構成では、石英ブロック4に複雑な穴加工を施す必要がないため、より容易にプラズマ処理装置を構成することができる。実施の形態3以下、本発明の実施の形態3について、図4を参照して説明する。図4は本発明の実施の形態3におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。図4において、実施の形態1において銅棒3を格納した石英管12内の代わりに、導体管としての中空の銅管23を直接、石英ブロック4に接合する構成としている。銅管23内には、冷媒としての冷却水が流れる構造である。このような構成では、石英管の種類が一種となり、より簡単な構造のプラズマ処理装置を構成することができる。実施の形態4以下、本発明の実施の形態4について、図5を参照して説明する。図5は本発明の実施の形態4におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。図5において、銅棒3は冷却水マニホールド18内でカプラ19により電気的に接続され、6本の銅棒3全体として螺旋形で巻き数3のソレノイドコイルを形成する。実施の形態5以下、本発明の実施の形態5について、図6及び図7を参照して説明する。図6は本発明の実施の形態5におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、図6aは誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。また、図6bは、図6aの破線で切った断面図であり、図1bに相当する。図6aは、図6bの破線C-C‘で切った断面を示しているが、プラズマガス供給配管21の配置をわかりやすくするため、プラズマガス供給配管21の中心軸を通る断面図6bの破線D-D’で切った断面を、一部取り入れて描画している。また、図7は、図6に示した誘導結合型プラズマトーチユニットの組立構成図であり、各部品一部の斜視図を並べたものである。図6及び図7において、石英ブロック4は、第1石英板24及び第2石英板25を接合することにより構成されている。第1石英板24にはプラズマガス供給配管21が接合されている。また、第2石英板25には、接合後に長尺チャンバのチャンバ内部空間7、プラズマ噴出口8、プラズマガスマニホールド9、プラズマガス供給配管10となる凹部が形成されている。逆にいえば、これらの凹部以外が凸部を構成しており、石英ブロック4が、この凸部を接合面として接合されたものとして構成される。このような構成では、石英ブロック4に深い穴加工を施す必要がなく、浅い凹部を加工するだけであるから、より容易にプラズマ処理装置を構成することができる。また、カプラ19は銅製の中空管曲げられた銅管からなり、直線状の銅管23と接合される。つまり、6本の銅管23と5個のカプラ19が接合されて、全体として螺旋形で巻き数3のソレノイドコイルを形成する。また、その内部の中空部は冷媒流路となり、冷却水を流すことによってコイルと石英ブロック4の効果的な冷却が実現される。本実施の形態では、直線状の銅管23と曲げられた銅管からなるカプラ19を接合する構成を例示したが、1本の銅管を曲げ加工することにより、ソレノイドコイルを構成してもよい。実施の形態6以下、本発明の実施の形態6について、図8を参照して説明する。図8は本発明の実施の形態6におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。図8において、石英ブロック4の上部から導体板26が挿入され、その一部が長尺チャンバのチャンバ内部空間7に露出している。導体板26には、プラズマガスマニホールド9、プラズマガス供給配管10を構成する凹部が形成されている。このように、導体製の部材を長尺チャンバのチャンバ内部空間7に露出させることにより、コイルとこの導体製の部材との間の容量結合が強まり、より低い高周波電力での放電点火が可能となる。また、プラズマガス供給配管10が接地された導体に囲まれる構成となっているので、プラズマガス供給配管10内部で発生しうる望ましくない放電を効果的に抑制できる。実施の形態7以下、本発明の実施の形態7について、図9を参照して説明する。図9は本発明の実施の形態7におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。図9において、石英ブロック4の上部から導体板26が挿入され、その一部が長尺チャンバのチャンバ内部空間7に露出している。導体板26には、プラズマガスマニホールド9、プラズマガス供給配管10を構成する凹部が形成されている。実施の形態6においては、石英ブロック4に設けられた細い隙間に導体板26を挿入していたのに対して、本実施の形態においては、石英ブロック4の厚さ方向に片側が開かれた開口部を塞ぐように導体板26が配置されている。このような構成では、構成部材の温度上昇時に発生しうる、導体板26と石英ブロック4との熱膨張係数の違いに起因する応力の発生を抑制することが可能である。実施の形態8以下、本発明の実施の形態8について、図10を参照して説明する。図10は本発明の実施の形態8におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。図10において、石英ブロック4の側面に設けられた穴に導体板26が挿入され、その一部が長尺チャンバのチャンバ内部空間7に露出している。プラズマガスマニホールド9、プラズマガス供給配管10を構成する凹部は、石英ブロック4を構成する2枚の石英板の片方に形成されている。実施の形態9以下、本発明の実施の形態9について、図11を参照して説明する。図11は本発明の実施の形態9におけるプラズマ処理装置の構成を示すもので、誘導結合型プラズマトーチユニットの長尺方向に垂直な面で切った断面図であり、図1aに相当する。実施の形態1~8においては、石英ブロック4に石英管12、銅管23、石英管15を接合する部分に溝状の凹部を準備しておき、その凹部に各部材を嵌め込む構造としていたが、図11においては、石英ブロック4には溝状の凹部を準備せず、平面部に各部材を接合する構造としている。このような構成では、冷媒流路と長尺チャンバのチャンバ内部空間7との距離が大きくなるため、石英ブロック4の冷却効率は若干低下するものの、石英ブロック4に対する加工の手間が減じるという利点がある。以上述べたプラズマ処理装置及び方法は、本発明の適用範囲のうちの典型例を例示したに過ぎない。例えば、誘導結合型プラズマトーチユニットTを、固定された基材載置台1に対して走査してもよいが、固定された誘導結合型プラズマトーチユニットTに対して、基材載置台1を走査してもよい。本発明の種々の構成によって、基材2の表面近傍を高温処理することが可能となるが、従来例で詳しく述べたTFT用半導体膜の結晶化や太陽電池用半導体膜の改質に適用可能であることは勿論、プラズマディスプレイパネルの保護層の清浄化や脱ガス低減、シリカ微粒子の集合体からなる誘電体層の表面平坦化や脱ガス低減、種々の電子デバイスのリフロー、固体不純物源を用いたプラズマドーピングなど、さまざまな表面処理に適用できる。また、太陽電池の製造方法としては、シリコンインゴットを粉砕して得られる粉末を基材上に塗布し、これにプラズマを照射して溶融させ多結晶シリコン膜を得る方法にも適用可能である。また、プラズマの着火を容易にするために、着火源を用いることも可能である。着火源としては、ガス給湯器などに用いられる点火用スパーク装置などを利用できる。また、説明においては簡単のため熱プラズマという言葉を用いているが、熱プラズマと低温プラズマの区分けは厳密には難しく、また、例えば、田中康規熱プラズマにおける非平衡性プラズマ核融合学会誌、Vol.82、No.82006pp.479-483において解説されているように、熱的平衡性のみでプラズマの種類を区分することも困難である。本発明は、基材を熱処理することを一つの目的としており、熱プラズマ、熱平衡プラズマ、高温プラズマなどの用語にとらわれず、高温のプラズマを照射する技術に関するものに適用可能である。また、基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理する場合について詳しく例示したが、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理する場合においても、本発明は適用できる。プラズマガスに反応ガスを混ぜることにより、反応ガスによるプラズマを基材へ照射し、エッチングやCVDが実現できる。あるいは、プラズマガスとしては希ガスまたは希ガスに少量のH2ガスを加えたガスを用いつつ、シールドガスとして反応ガスを含むガスを供給することによって、プラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射し、エッチング、CVD、ドーピングなどのプラズマ処理を実現することもできる。プラズマガスとしてアルゴンを主成分とするガスを用いると、実施例で詳しく例示したように、熱プラズマが発生する。一方、プラズマガスとしてヘリウムを主成分とするガスを用いると、比較的低温のプラズマを発生させることができる。このような方法で、基材をあまり加熱することなく、エッチングや成膜などの処理が可能となる。エッチングに用いる反応ガスとしては、ハロゲン含有ガス、例えば、CxFyx、yは自然数、SF6などがあり、シリコンやシリコン化合物などをエッチングすることができる。反応ガスとしてO2を用いれば、有機物の除去、レジストアッシングなどが可能となる。CVDに用いる反応ガスとしては、モノシラン、ジシランなどがあり、シリコンやシリコン化合物の成膜が可能となる。あるいは、TEOSTetraethoxysilaneに代表されるシリコンを含有した有機ガスとO2の混合ガスを用いれば、シリコン酸化膜を成膜することができる。その他、撥水性親水性を改質する表面処理など、種々の低温プラズマ処理が可能である。従来技術例えば、特許文献7に記載のものと比較すると、誘導結合型であるため、単位体積あたり高いパワー密度を投入してもアーク放電に移行しにくいため、より高密度なプラズマが発生可能であり、その結果、速い反応速度が得られ、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することが可能となる。"