半導体ウェハを処理するための処理チャンバと、前記処理チャンバ内で水平方向に設けられ、前記半導体ウェハが載置されるサセプタと、前記処理チャンバ内で前記サセプタを支持するためのサセプタ支持部材であって、サセプタを回転させるため垂直方向に設けられた回転シャフトと、回転シャフトの上端部から放射状に設けられ、前記サセプタの裏面を支持するための複数の透明な支持アームを備えたサセプタ支持部材と、前記支持アームの下方に設けられ、前記サセプタに載置された半導体ウェハを加熱するための加熱用光源と、前記支持アームに設けられ、前記加熱用光源から光の少なくとも一部を前記サセプタの裏面に向かって透過させると共に、前記加熱用光源から光の少なくとも一部を拡散させる透過拡散手段を備えた半導体製造装置。前記支持アームは石英で形成されており、前記透過拡散手段は前記支持アームの少なくとも一部を覆う不透明石英ガラス部材である請求項1記載の半導体製造装置。前記透過拡散手段は板状の不透明石英ガラス部材である請求項2記載の半導体製造装置。前記不透明石英ガラスは、赤外線領域で10以下の透過率を有する請求項2又は3記載の半導体製造装置。エピタキシャル成長装置である請求項1~4のいずれか1項記載の半導体製造装置。半導体ウェハが載置されるサセプタを水平方向に支持するためのサセプタ支持部材であって、サセプタを回転させるため垂直方向に設けられる回転シャフトと、回転シャフトの上端部から放射状に設けられ、前記サセプタの裏面を支持するための複数の透明な支持アームと、前記支持アームに設けられ、前記支持アームの下方に設けられる加熱用光源から光の少なくとも一部を前記サセプタの裏面に向かって透過させると共に、前記加熱用光源から光の少なくとも一部を拡散させる透過拡散手段を備えたサセプタ支持部材。しかしながら、上述した半導体成長装置80においては、加熱用光源84、86からの熱がサセプタ88上に載置されたシリコンウェハWに均一に伝わらず、これによって、シリコンウェハWに形成されるエピタキシャル層の膜厚が不均一になってしまうことがある。例えば、下部加熱用光源86、ウェハ支持部材90等の種類及びアライメント条件や、反応温度、処理ガス等の反応条件によっては、サセプタ88の裏面の支持アーム94に対向する部分に下部加熱用光源86からの光がより多く集光し、サセプタ88の裏面が均一に照射されない場合がある。エピタキシャル層は、シリコンウェハWの温度が高い部位により厚く堆積するため、シリコンウェハWの加熱が不均一になると、シリコンウェハW上に形成されるエピタキシャル層の膜厚が不均一になってしまう。このエピタキシャル層の膜厚の不均一性は、エピタキシャル層の膜厚が数μmであるフラッシュメモリー製造用のエピタキシャルウェハでは問題とならない場合もある。しかしながら、パワートランジスタ製造用のエピタキシャルウェハを製造する場合、エピタキシャル層を50μm以上に厚く形成する必要があり、エピタキシャル層の膜厚の不均一性は半導体デバイスの品質上大きな問題となることがある。本発明は上述した問題点を解決するためになされたものであり、シリコンウェハ全面を均一に加熱処理することが可能な半導体製造装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するため、本発明の半導体製造装置は、半導体ウェハを処理するための処理チャンバと、前記処理チャンバ内で水平方向に設けられ、前記半導体ウェハが載置されるサセプタと、前記処理チャンバ内で前記サセプタを支持するためのサセプタ支持部材であって、サセプタを回転させるため垂直方向に設けられた回転シャフトと、回転シャフトの上端部から放射状に設けられ、前記サセプタの裏面を支持するための複数の透明な支持アームを備えたサセプタ支持部材と、前記支持アームの下方に設けられ、前記サセプタに載置された半導体ウェハを加熱するための加熱用光源と、前記支持アームに設けられ、前記加熱用光源から光の少なくとも一部を前記サセプタの裏面に向かって透過させると共に、前記加熱用光源から光の少なくとも一部を拡散させる透過拡散手段を備える。本発明の半導体製造装置によれば、加熱用光源からの光の少なくとも一部はサセプタ支持部材の支持アーム部に設けられた透過拡散手段を透過し、拡散されてサセプタの裏面に到達する。これによって、加熱用光源からの光はサセプタ裏面の特定部位に集中することなく、サセプタに均一に照射される。従って、サセプタ上に載置されるシリコンウェハを均一に加熱処理することが可能になる。以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。図1及び図2は、本発明に係る半導体製造装置の一例である、シリコンウェハWを1枚ずつ処理する牧葉式のエピタキシャル成長装置10を示す。このエピタキシャル成長装置10は石英ガラス等の耐熱性材料で形成された処理チャンバ20を備えている。この処理チャンバ20の側壁には、処理チャンバ20内に処理ガス等を供給するための給気口22と、処理チャンバ20内のガスを排出するための排気口24とが対向して形成されている。処理チャンバ20の上方及び下方には、処理チャンバ20内に配置されるシリコンウェハを上方及び下方から加熱するための上部加熱用光源30及び下部加熱用光源32が複数設けられている。このような上部加熱用光源30と下部加熱用光源32としては、ハロゲンランプ等を用いることができる。処理チャンバ20内には、シリコンウェハを載置するためのサセプタ40が水平方向に設けられている。このサセプタ40は炭化シリコンで被覆されたグラファイト等の耐熱性材料で形成された円盤状の部材である。サセプタ40のシリコンウェハWの載置面は給気口22及び排気口24と同一高さとなるように配置されている。サセプタ40のシリコンウェハWの載置面には、図3に示されるように、シリコンウェハWを収容するための収容凹部42が形成されている。シリコンウェハWは、その端部が収容凹部42に設けられた段差部44に支持されることにより、収容凹部42の底面と所定の空間を配して載置される。サセプタ40は、処理チャンバの下部に設けられたサセプタ支持部材50により支持されている。このサセプタ支持部材50は、処理チャンバ20の中央部位に垂直方向に設けられた円柱状の回転シャフト52と、回転シャフト52の上端部から等間隔で放射状に設けられた複数本実施形態では、3個の支持アーム54と、支持アーム54の外側端部から垂直方向上側に延びるチップ部56とを備えている。この例では、サセプタ40はその裏面でチップ部56を介して3点で支持される。回転シャフト52はモータ等の駆動装置図示せず連結されており、周方向矢印方向に回転可能である。支持アーム54は回転シャフト52の上端部から上方向に傾斜して設けられている。この回転シャフト52及び支持アーム54は透明性の高い石英で形成されている。これによって、下部加熱光源32からの光は、支持アーム54を透過して、サセプタ40の裏面に到達することができる。この回転シャフト52と支持アーム54は溶接により連結してもよく、一体成形してもよい。チップ部56は、SiCでコーティングされたカーボングラファイト等で形成することができる。支持アーム54の上面には、板状の不透明石英カバー58が設けられており、これによって透過拡散部が形成される。この不透明石英カバー58は、石英ガラス中に多数の微細な気泡を内包させた不透明石英ガラスOpaqueSilicaGlassで形成することができる。この不透明石英カバー58は、入射された赤外線領域の光をある程度減衰させるとともに、透過する光を拡散させることができる。本発明に係るエピタキシャル成長装置においては、不透明石英カバー58に内包される気泡の平均径は600μm以下、好ましくは100μm以下である。また、不透明石英カバー58の赤外線領域での光の透過率は10以下、好ましくは5以下である。この不透明石英カバー58は支持アーム54上面にネジで固定することにより設けることができる。また、不透明石英カバー58を回転シャフト54に溶接して一体的に形成することも可能である。次に、上述したエピタキシャル成長装置10を用いたエピタキシャルウェハの製造方法について説明する。エピタキシャル成長装置10の処理チャンバ20内に残留するガスを排出口24から排出し、処理チャンバ20内の圧力をエピタキシャル成長に適した圧力に調整する。次に、上部加熱用光源30及び下部加熱用光源32の起動する。上部加熱用光源30からの光は処理チャンバ20を介してサセプタ40上のシリコンウェハWに照射され、シリコンウェハWが加熱される。下部加熱用光源32からの光はサセプタ40の裏面に到達し、サセプタ40を加熱し、シリコンウェハWは収容凹部42の空間を介して加熱される。これと同時に、サセプタ40を回転させながら、処理チャンバ20の給気口22よりモノシランSiH4、トリクロロシランSiHCl3ガス等の処理ガスを処理チャンバ20に供給する。これによって、反応ガスが所定温度に加熱されたウェハWの表面に沿って層流状態で流れ、ウェハW上にシリコン単結晶がエピタキシャル成長して薄膜が形成される。このとき、本発明に係るエピタキシャル成長装置10によれば、下部加熱用光源32からの光の一部は支持アーム部に設けられた透過拡散部により減衰、拡散されて、サセプタ40の裏面に均一に到達する。これによって、下部加熱用光源32からの熱がサセプタ40の裏面の特定部位に集中することが防止され、シリコンウェハWを均一に加熱処理することが可能になり、シリコンウェハ上に形成されるエピタキシャル層の膜厚を均一化することが可能になる。以下、実施例により、本発明をより具体的に説明する。図4A及び図4Bは、不透明石英カバーを有しないサセプタ支持部材と、図3に示されるサセプタを用いたエピタキシャル成長装置によりシリコンウェハ上に形成されたエピタキシャル層の膜厚分布を示す。エピタキシャル成長装置としては、アプライドマテリアルズ社製のEpiCenturaを用いた。エピタキシャル成長の反応温度は約1000°C、処理チャンバ内の圧力は大気圧であり、反応時間は15分以上であった。処理ガスとしてはトリクロロシランを用いた。図4A中、破線はサセプタ下方の回転シャフトの位置を示す。また、図4Bの縦軸は成長されたエピタキシャル層の厚さを示し、横軸はウェハ中心からの距離を示す。図4B中、破線で囲まれた部分は支持アームに対向するシリコンウェハ上の部位で測定された膜厚を示す。図4A及び図4Bから、エピタキシャルウェハ層の膜厚にばらつきがあり、特に、支持アームに対向する位置でエピタキシャル層の膜厚が大きくなっていることが判る。図5A及び図5Bは本発明に係る不透明石英カバーを有するサセプタ支持部材と図3に示されるサセプタを用いて形成されたエピタキシャル層の膜厚分布を示す。この実施例では、厚さ1mmの不透明石英カバー透過率2を用いて3個の支持アームの上面の49程度を覆った。エピタキシャル成長の他の条件は図4A及び図4Bに示されるものと同一である。図5A及び図5Bから、シリコンウェハの全領域に渡って、エピタキシャル層の膜厚の均一性が向上している。特に、支持アームに対向するシリコンウェハの部分におけるエピタキシャル層の膜厚均一性が改善された。尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、適宜変更して実施することが可能である。例えば、上述した実施形態においては、エピタキシャル成長装置を例とし説明した。しかしながら、本発明はエピタキシャル成長装置に限定されず、透明部材で形成されたサセプタ支持部材と、サセプタ支持部材の下方に加熱用光源を有する他の半導体製造装置例えば、アニール装置、CVD装置、ドライエッチング装置にも適用することができる。また、上述した実施形態においては、透過拡散部は支持アームの上面に設けられていたが、透過拡散部を支持アームの下面に設けることも可能である。