"第1の色のカラーフィルタを有する第1画素と、第2の色のカラーフィルタを有する第2画素と、第3の色のカラーフィルタを有する第3画素を有し、前記各画素は前記カラーフィルタと対向する画素電極を有し、前記各画素電極は複数のスリットを有する表示装置であって、前記第1画素の画素電極の外形面積は、前記第2画素の画素電極の外形面積よりも小さいことを特徴とする表示装置。前記第1画素の金属層の面積は、前記第2画素の金属層の面積より大きいことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。前記画素電極に平面的に重畳する共通電極を有し、該共通電極は前記画素電極のスリット部にも平面的に形成されており、前記第1画素の画素電極のスリットの総面積は、前記第2画素の画素電極のスリットの総面積よりも小さいことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の表示装置。前記第1画素の画素電極のスリットの位置と、前記第2画素の画素電極のスリットの位置が異なることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の表示装置。前記第1画素の画素電極のスリットの数は、前記第2画素の画素電極のスリットの数より少ないことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の表示装置。前記第1画素の画素電極のスリットの幅は、前記第2画素の画素電極のスリットの幅より狭いことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の表示装置。前記第1画素の画素電極のスリットの間隔は、前記第2画素の画素電極のスリットの間隔より広いことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の表示装置。前記第1画素の画素電極のスリットの角度と、前記第2画素の画素電極のスリットの角度が異なることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の表示装置。従来の液晶表示装置では、一般に、前記R画素,G画素,B画素は、光が透過する領域の面積が同一であり、画素毎に階調制御をすることでさまざまな色調を表現している。このとき最高輝度の白色は、R画素の最高輝度状態、G画素の最高輝度状態、B画素の最高輝度状態の合成として得られる。この白色の度合いたとえば、赤っぽい、青っぽいなどは色温度という指標にて表現され、R画素,G画素,B画素での輝度のバランスで定まることになる。そしてこの色温度は画像の見た目に直結するため、製品の使用用途や顧客要求に応じて高精度にスペックとして示される所定の値とすることが求められている。この結果、色温度の値のみが異なり他の特性はほぼ同等である多くの製品を作り分ける必要がある。この際、色温度の仕様と製品の大きさが1:1で対応するような場合は後の判別が容易である。しかし逆に、同一サイズで複数の色温度の仕様が存在する場合がある。この場合、たとえば製造管理コンピュータのトラブル等により製造工程中で色温度の異なる仕様のパネルが混在してしまった場合に、混在したパネルの特定が困難になる場合がある。本発明の目的の1つは、高精度に色温度を調整した表示装置を提供することにある。また、本発明の他の目的は、色温度の仕様を容易に特定可能な表示装置を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。本願において開示される発明の概略を説明すれば、以下の通りである。1第1の色に対応する画素と、第2の色に対応する画素と、第3の色に対応する画素とを有する表示装置において、前記3つの画素のいずれかは、他の画素と形状が異なる金属パターンが配置された特定画素となっている表示装置である。2前記1において、前記金属パターンは、他の金属パターンと平面的に離間している表示装置である。3前記1において、前記特定画素の画素電極は、他の画素の画素電極より小さい表示装置である。4前記3において、前記特定画素で、前記金属パターンが画素電極を小さくするために他の画素と比べ画素電極の形状が異なっている領域に配置されている表示装置である。5前記1から3のいずれかにおいて、前記画素電極と平面的に重畳する共通電極を有し、画素電極は開口部を有し、該開口部は画素電極が小さい画素で他の画素より小さい表示装置である。6前記4において、前記画素電極と平面的に重畳する共通電極を有し、前記金属パターン部に隣接する他の画素の共通電極と電気的に接続するブリッジ配線を有する表示装置である。7第1の色のカラーフィルタを有する第1画素と、第2の色のカラーフィルタを有する第2画素と、第3の色のカラーフィルタを有する第3画素を有し、前記各画素は前記カラーフィルタと対向する画素電極を有し、前記各画素電極は複数のスリットを有する表示装置であって、前記第1画素の画素電極の外形面積は、前記第2画素の画素電極の外形面積よりも小さい表示装置である。8前記7において、前記第1画素の金属層の面積は、前記第2画素の金属層の面積より大きい表示装置である。9前記7または8において、前記画素電極に平面的に重畳する共通電極を有し、該共通電極は前記画素電極のスリット部にも平面的に形成されており、前記第1画素の画素電極のスリットの総面積は、前記第2画素の画素電極のスリットの総面積よりも小さい表示装置である。10前記7から9のいずれかにおいて、前記第1画素の画素電極のスリットの位置と、前記第2画素の画素電極のスリットの位置が異なる表示装置である。11前記7から9のいずれかにおいて、前記第1画素の画素電極のスリットの数は、前記第2画素の画素電極のスリットの数より少ない表示装置である。12前記7から9のいずれかにおいて、前記第1画素の画素電極のスリットの幅は、前記第2画素の画素電極のスリットの幅より狭い表示装置である。13前記7から9のいずれかにおいて、前記第1画素の画素電極のスリットの間隔は、前記第2画素の画素電極のスリットの間隔より広い表示装置である。14前記7から9のいずれかにおいて、前記第1画素の画素電極のスリットの角度と、前記第2画素の画素電極のスリットの角度が異なる表示装置である。本発明の表示装置は、手段1のような構成にすることにより、色の異なる画素間の光出射量のバランスを制御する。このとき、前記金属パターンは、ホトプロセスにより正確な形状制御ができるので、色温度の正確な制御が実現する。また、特徴的な金属パターンが画素に残るので、どの色に対応する画素にその金属パターンがあるかにより、色温度の仕様を容易に区別することができる。またこのとき、手段2のようにパターンが平面的に離間していると、さらに仕様の区別が容易である。特に、パターン認識による自動判定が容易になる。また、手段4のように、画素電極を小さくした領域に関連して金属パターンを配置することにより、該金属パターンをさらに別の目的に兼用することが可能になり、面積の有効利用が実現する。その一例が手段6の場合であり、これにより、画質の向上が実現する。また、手段5のような構成にした場合、画素電極と共通電極の間に容量が形成される。この容量は画素間で極力同じ値に近づけることが望ましい。これは、TFTの書込み特性の画素間でのバラツキ発生を防ぐためである。画素電極が小さい画素では、他の画素より容量が小さくなる。そこで、画素電極に開口部を設け、その開口部の面積を画素電極が小さい画素で他の画素より小さくする。これにより、画素間での画素電極の面積の差を低減でき、容量の差を低減できるようになる。また、手段7は、手段1から手段4のような構成を有する表示装置の一具体例であり、手段1と同等の効果が得られる。また、手段9は、手段5のような構成を有する表示装置の一具体例であり、手段5と同等の効果が得られる。またこのとき、手段9は、たとえば、手段10から手段14の1つまたは複数を組み合わせることにより実現することもできる。以下、本発明について、図面を参照して詳細に説明する。なお、図面間において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。[実施例1]表示装置の一例として、以下液晶表示装置を例に説明する。図1は液晶表示パネルの概略構成を示す模式平面図、図2は図1のA-A’線断面図である。液晶表示装置は、たとえば、図1および図2に示すように、第1の基板1と第2の基板2が環状のシール材3で接着されており、前記各基板1,2およびシール材3で囲まれた空間に液晶材料4が封入された液晶表示パネルを備える。また、図示は省略するが、前記液晶表示装置は、前記液晶表示パネルの他に、たとえば、光源バックライトユニットや、液晶表示パネルの表示制御を行うタイミングコントローラーなどの回路が設けられた回路基板、液晶表示パネルの駆動用のドライバICが実装されたTCPあるいはCOFなどの半導体パッケージなどを備える。以下、説明用に、第1の基板1は、たとえば、TFT素子や画素電極がアレイ状に配置されたTFT基板、第2の基板2はカラーフィルタ基板とする。図3はTFT基板1の一構成例を示す模式平面図である。TFT基板1では、ゲート配線102およびドレイン配線107に囲まれた領域が画素領域となる。画素電極110には、TFT素子を介してドレイン配線からの信号が供給される。一方、図3には赤色に対応するR,緑色に対応するG,青色に対応するBとして、CF基板2を重ねた場合にTFT基板1中のどの画素がどの色に対応するかを示している。そして図3では、金属パターン500が、一例としてRの画素に配置されている。この場合、Rの画素から出射される光の量が低下するため、R,G,Bのバランスとして表示される白色は、青みがかるように調整されたものとなる。そしてこの金属パターン500は、TFT基板の製造工程で形成されるものであるため、ホトプロセスにより高精度の形状制御が可能である。さらに金属材料であることにより、透明材料や有機膜に比べエッチング時の仕上がり寸法のばらつきが低減できるため、一層高精度に形状制御が実現する。これにより、色温度の高精度の制御が実現する。また、光の出射量を少なくする色の画素に、直接金属パターン500が形成されているため、色温度の仕様をどのように意図したパネルであるかが直接的に判別することが可能となる。なお、カラーフィルタ基板2と一体化される前の状態であっても、どの画素がどの色に対応するかは設計段階で一意的に定まっているため、やはり直接的に判別できる。この場合、周辺部の画素を見ると判別がより容易である。図4はGの画素にも金属パターン501を設けた例で、この形状はRの画素の金属パターン500とは異なったものとなっている。これにより、さらに色温度の微調整が実現する。なお、図4では金属パターン501の画素内での相対位置は金属パターン500とは異なっている。これは、パターン認識による仕様判定を容易にするためであり、水平方向、上下方向のいずれか、あるいは双方がずれたように構成することが有効である。図5はTFT基板1の他の構成例である。図5のTFT基板1側でのB-B’断面図を図6に、C-C’断面図を図7に示す。図5乃至図7に示したTFT基板1では、ガラス基板などの透明基板101上にゲート配線102および共通電極103、ならびに共通信号配線104aなどが設けられている。また、前記ゲート配線102や共通電極103などの上層には、第1絶縁膜105を介して、アモルファスシリコン膜106、ドレイン配線107、ソース電極108が設けられている。前記TFT素子は、ゲート配線102,第1絶縁膜105,アモルファスシリコン膜106,ドレイン配線107,およびソース電極108によって構成される。また、前記ドレイン配線107やソース電極108などの上層には、第2絶縁膜109を介して、画素電極110が設けられている。画素電極110は、たとえば、図6に示すように、ソース電極108とスルーホールで接続されている。また、画素電極110は、たとえば、図5に示すように、前記ドレイン配線107の延在方向の中心を境にして、上側は第1の方向に延びるスリット110sが設けられ、下側は第2の方向に延びるスリット110sが設けられている。むろんスリット110sの延びる方向は一方向でも構わない。また、前記第2絶縁膜109および画素電極110上には配向膜111が設けられている。図8は、図5のD-D’断面図である。TFT基板1およびカラーフィルタ基板2の裏面、すなわち液晶層4と反対側の面にはそれぞれ、偏光板6,7が設けられている。カラーフィルタ基板2は、たとえば、図6乃至図8に示すように、ガラス基板などの透明基板201上の、前記TFT基板1の画素電極110と対向する位置にカラーフィルタ202が設けられている。このとき、異なる色のカラーフィルタの組み合わせの一例として、前記各カラーフィルタ202は赤,緑,青にそれぞれ対応し、202R,202G,202Bとして形成されている。前記各カラーフィルタ202R,202G,202Bは、図8に示したように、ブラックマトリックス203により分割されるように構成してもよい。前記カラーフィルタ202およびブラックマトリックス203上には保護膜204および配向膜205が設けられている。また、カラーフィルタ基板2の裏面、すなわち透明基板201の、カラーフィルタ202が設けられた面の裏側には、たとえば、透明電極206および偏光板7が設けられている。このとき、カラーフィルタ基板2に設けられた偏光板7は、TFT基板1に設けられた偏光板6と対になっている。RGBの三原色を用いてカラー表示をする表示装置では、R画素,G画素,B画素の組を1つの表示画素とし、前記各画素の階調を制御することで、さまざまな色を再現する。図5に示したようなTFT基板1では、光が出射されない領域となる金属パターン104bを特定の色の画素R画素に配置することで、色温度の制御が実現する。そしてこの金属パターン104bの領域は光が出射されない領域であるため、そのままでは無効領域となってしまう。そこで、この金属パターン104bを画素の端部に配置し、かつ画素電極110の形状を該領域で金属パターン104bに沿って縮小した。これにより、該領域に後述するブリッジ配線112を配置することにより、開口率への影響無しに輝度ムラの低減が実現する。また、図5において紙面左右方向に並んでいる前記R画素,G画素,B画素の共通電極103は、図5および図7に示したように、前記共通信号配線104aに接続することで共通化されている。またこのとき、図5および図7に示すように、前記R画素の共通電極103のみが、前記画素電極110と同じ層に設けられたブリッジ配線112を介して、図5において紙面上下方向に並んでいる他のR画素の共通電極103と電気的に接続されている。このとき、前記各R画素には、前記ブリッジ配線112とスルーホールで接続され、かつ、前記共通電極103と接続される金属パターン電極パッド104bが設けられている。このように、前記紙面上下方向に並んでいるR画素の共通電極103同士を前記ブリッジ配線112で接続することで、前記紙面左右方向に並んでいる画素の共通電極103に供給される電位だけでなく、紙面上下方向に並んでいる画素の共通電極103に供給される電位も安定化させることができる。図9は図5のTFT基板1を用いた表示装置の一例であり、カラーフィルタ基板2側からの平面図である。202RがRのカラーフィルタが形成された領域、202GがGのカラーフィルタが形成された領域、202BがBのカラーフィルタが形成された領域である。203は遮光膜ブラックマトリックスであり、各画素に対応して開口部を有し、遮光層の端部とカラーフィルタの端部が重畳している。そして、R画素の光が透過する領域が113、G画素の光が透過する領域が114、B画素の光が透過する領域が115となっている。このような表示装置では、図9に示すように、R画素の光が透過する領域113の面積が、G画素の光が透過する領域114の面積およびB画素の光が透過する領域115の面積よりも小さく構成されている。また、TFT基板1の各画素は、たとえば、図5および図8に示すように、共通電極103上に画素電極110が積層されている。平面的には画素電極110と共通電極103が重畳する形状となっている。これにより、共通電極103,第1絶縁膜105および第2絶縁膜109,画素電極110により容量素子が形成されている。図5に示した例では、Rの画素の画素電極110の外縁で囲まれる面積は、Bの画素及びGの画素のそれより小さくなっている。このように前記R画素と、前記G画素およびB画素の画素電極110の大きさが異なると、前記R画素の容量値と、前記G画素およびB画素の容量値に差が生じ、TFTにより各画素電極110に書き込まれる電圧に差が生じてしまう。この電圧差の発生の仕方が画素毎に異なると、共通電極の電圧最適値が画素毎で異なってしまうため、残像やスメアが発生しやすくなってしまう。そこで、前記各画素の画素電極110にスリットや開口部を設け、画素電極110の面積の差をR画素、G画素、B画素で出来るだけ近づけることが望ましいことになる。何故なら、それによる前記R画素の容量値と、前記G画素およびB画素の容量値の差が小さくなるからである。これは、一例として、図5に示すように、R画素金属パターンが配置された特定の画素のスリット110s部あるいは開口部の面積を、他の画素のものより小さくすることで実現できる。画素電極110と共通電極103の重畳面積は、概略として、画素面積の外延部内の面積から、スリット110s部あるいは開口部の値を引くことで定まるためである。また、図5では、画素の中央部での画素電極のスリット110sの長さが、R画素金属パターン104bが配置された特定の画素と他の画素で異なるようにしている。この中央部は向きの異なるスリットが混在する領域である。この領域で、スリット110sの長さを調整することにより、無効領域の低減が実現し、画素を有効利用することができる。図10乃至図14は、画素電極のスリットの設け方の他の思想を説明するための模式図である。なお、G画素とB画素のスリットは同一パターンでよいので、図10乃至図14ではB画素の図示を略している。図10は各画素電極のスリットの位置が同じ場合の平面図の例である。図11は各画素電極のスリットの数が異なる場合の平面図の例である。図12は各画素電極のスリットの角度が異なる場合の平面図の例である。図13は各画素電極のスリットのいくつかを開放させた場合の平面図の例である。図14は図13の部分拡大平面図である。図5に開示される構成では、AR画素の開口率を、他のG画素およびB画素の開口率よりも小さくする。BR画素の画素電極110のスリット110sの総面積を、G画素およびB画素の画素電極110のスリット110sの総面積よりも小さくする。という特徴を有している。つまり、本実施例1の表示装置では、AおよびBの2つの条件が満たされていれば、スリット110sの形状は図5に示した例以外に種々の構成が適用可能である。たとえば、図10に示すように、前記各画素電極110のスリット110sの位置は同じで、G画素の画素電極110の上端および下端のスリット110sの長さが、R画素の画素電極110の上端および下端のスリット110sよりも長くなっているような関係であってもよい。また、たとえば、図11に示すように、前記G画素の画素電極110のスリット110sの位置をずらすことにより、G画素の画素電極110のスリット110sの数が、R画素の画素電極110のスリット110sの数よりも多くなってもよい。図11に示した例では、前記R画素の画素電極110のスリット110sは19本、前記G画素の画素電極110のスリット110sは20本となっている。また、その他にも、たとえば、図12に示すように、前記G画素の画素電極110のスリット110sの角度θGが、前記R画素の画素電極110のスリット110sの角度θRよりも大きくなるようにしてもよい。このようにすれば、たとえば、前記各画素の画素電極の中央付近の、第1の方向のスリットと第2の方向のスリットが向かい合う領域で、前記G画素の画素電極のほうが無効領域が少なくなり、前記G画素の開口率を前記R画素の開口率よりも大きくできる。また、図示は省略するが、たとえば、前記G画素の画素電極110のスリット110sの間隔を前記R画素の画素電極110のスリット110sの間隔よりも狭くしてもよい。また、前記G画素の画素電極110のスリット110sの幅を前記R画素の画素電極110のスリット110sの幅より広くしてもよい。また、前記各画素の画素電極110の中央付近の、前記第1の方向のスリットと第2の方向のスリットが向かい合う領域にあるスリット110sは、たとえば、図13および図14に示すように、一端が前記画素電極110の端部に達して開放していてもよい。このようにスリット110sが開放していれば、その分、無効領域が減るので、各画素の開口率が高くなる。またこのとき、前記第1の方向のスリットと第2の方向のスリットが向かい合う領域にあるスリット110sを開放しておけば、たとえば、図14に示すように、画素電極110の上半分、または下半分に不良が生じた場合に、図14において破線で囲まれた1カ所の領域を切断するだけで、画素電極110を上下に分断することができる。これにより欠陥修正が容易になる。なお、この欠陥修正が容易になる効果は、画素電極110に第1の方向のスリットがある第1の領域と、第2の方向のスリットが向かい合う第2の領域と、第1領域と第2領域の間に形成された第1の方向のスリットと第2の方向のスリットが向かい合う第3の領域を有し、第3領域ではスリットの一端が開放される構成となっていれば奏することが出来るものである。[実施例2]図15および図16は、それぞれ図5および図9に対応する別の構成例を示す模式平面図である。前記実施例1では、たとえば、図5に示したように、R画素の共通電極103のみを他のR画素の共通電極103とブリッジ配線112で接続することで、前記G画素およびB画素の開口率を前記R画素の開口率よりも大きくした。しかし、これに限らず、前記各画素の幅を変えることでも、前記G画素およびB画素の開口率を前記R画素の開口率よりも大きくすることができる。そこで、本実施例2では、前記R画素の幅を、前記G画素およびB画素の幅より狭くすることで、前記G画素およびB画素の開口率を前記R画素の開口率よりも大きくする場合の構成例について説明する。本実施例2の液晶表示装置のTFT基板1では、図15に示すように、R画素の両側のドレイン配線107の間隔DPRが、前記G画素の両側およびB画素の両側のドレイン配線107の間隔DPG,DPBよりも狭くなっている。この場合、各画素の共通電極103は、ともに、前記ブリッジ配線112で上下方向の画素の共通電極103と接続しても良い。図15に対応し、カラーフィルタ側から見た平面図面である図16では、R画素の光が透過する領域の面積113が、前記G画素およびB画素の光が透過する領域114,115よりも小さくなる。つまり、本実施例2の液晶表示装置では、前記R画素の開口率が、前記G画素およびB画素の開口率よりも小さくなる。したがって、実施例1と同様に色温度の制御が実現する。また、本実施例2の液晶表示装置では、たとえば、前記各画素の画素電極110にスリット110sを設けることで視野角を改善している。そのため、前記各画素電極にスリット110sを設けるときには、たとえば、図15に示すように、前記R画素と、前記G画素およびB画素で、スリットの位置を変えることが好ましい。このようにすることで、前記R画素の無効領域、前記G画素およびB画素の無効領域を少なくできる。なお、図15では、各画素のスリットは、上半分と下半分で向きが異なっているが、これに限らず、一方向であってもよい。図17および図18は、本実施例2の液晶表示装置における画素電極のスリットの設け方の変形例を説明するための模式図であり、図17はスリットの間隙を変えた場合の平面図、図18はスリットの太さを変えた場合の平面図である。本実施例2でも、実施例1と同様にR画素の画素電極110のスリット110sの総面積が、前記G画素およびB画素の画素電極110のスリット110sの総面積よりも小さくなるようにすることで、各画素の共通電極103と画素電極110の間の容量値の差を低減している。そのため、本実施例2の液晶表示パネルにおいても、開口率の小さい画素のスリットの面積が、開口率の大きい画素のスリットの面積より小さく構成されている。この条件が満たされていれば、前記R画素の画素電極110のスリット110sと前記G画素およびB画素の画素電極110のスリット110sは、どのような関係であってもよい。そのため、たとえば、前記各画素電極110のスリット110sの位置は同じで、G画素の画素電極110の上端および下端のスリット110sの長さが、R画素の画素電極110の上端および下端のスリット110sよりも長くなっているような関係であってもよい。また、たとえば、前記実施例1で説明したように、前記G画素の画素電極110のスリット110sの位置をずらすことにより、G画素の画素電極110のスリット110sの数が、R画素の画素電極110のスリット110sの数よりも多くなってもよい。また、その他にも、たとえば、前記実施例1で説明したように、前記G画素の画素電極110のスリット110sの角度θGが、前記R画素の画素電極110のスリット110sの角度θRよりも大きくなるようにしてもよい。このようにすれば、たとえば、前記各画素の画素電極110の中央付近の、第1の方向のスリットと第2の方向のスリットが向かい合う領域で、前記G画素の画素電極110のほうが無効領域が少なくなり、前記G画素の開口率を前記R画素の開口率よりも大きくできる。また、たとえば、図17に示すように、前記G画素の画素電極110のスリット110sの間隙SGGを、前記R画素の画素電極110のスリット110sの間隙SGRよりも狭くしてもよい。また、図18に示すように、前記G画素の画素電極110のスリット110sの太さ幅SWGを、前記R画素の画素電極110のスリット110sの太さ幅SWRより太くしてもよい。また、前記各画素の画素電極110の中央付近の、前記第1の方向のスリットと第2の方向のスリットが向かい合う領域にあるスリットは、たとえば、図13および図14に示したように、一端が前記画素電極110の端部に達して開放していてもよい。このように、前記スリットが開放していれば、その分、無効領域が減るので、各画素の開口率が高くなる。またこのとき、前記第1の方向のスリットと第2の方向のスリットが向かい合う領域にあるスリットを開放しておけば、たとえば、前記画素電極110の上半分または下半分に不良が生じた場合に、図14に示したように1カ所を切断するだけで、前記画素電極を分断することができる。なお、本実施例2では、前記R画素,G画素,B画素のすべての画素の共通電極を前記ブリッジ配線112により上下の画素の共通電極103と接続する場合を例に挙げたが、これに限らず、たとえば、前記R画素,G画素,B画素のいずれかの画素の共通電極103についてのみ、上下の画素の共通電極と接続するようにしてもよい。また、容易に理解できるため図示は省略するが、前記R画素,G画素,B画素の開口率がそれぞれ異なっていてもよい。以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。"