"表面に粗化処理が施されたリードフレームのアウターパッド側に耐熱性粘着テープを貼り合わせた金属製のリードフレームのダイパッド上に半導体チップをボンディングする搭載工程と、前記リードフレームの端子部先端と前記半導体チップ上の電極パッドとをボンディングワイヤで電気的に接続する結線工程と、封止樹脂により半導体チップ側を片面封止する封止工程を少なくとも含む半導体装置の製造方法であって、前記耐熱性粘着テープは、300°C以下の温度領域でガラス転移温度が認められない支持基材を使用していることを特徴とする半導体装置の製造方法。前記請求項1記載の耐熱性粘着テープで、200°Cでの粘着剤の貯蔵弾性率が5×104Pa以上であるテープを用いた半導体装置の製造方法。前記請求項1-2記載の耐熱性粘着テープで、リードフレームへの180ピールの粘着力が0.05~6.0N/19mm幅であるテープを用いた半導体装置の製造方法。前記請求項1-3いずれか記載の半導体装置の製造方法で用いられる耐熱性粘着テープ。しかしながら粗化処理を行った場合、リードフレームの粘着テープ貼り付け面においても、表面積が増大するため、リードフレームと粘着テープが重剥離化し、粘着テープ剥離時にリードフレームの変形や糊残りといった支障が生じやすくなる。そこで本発明の目的は、パッケージの信頼性を高めるため粗化処理したリードフレームを用いてQFNの製造工程において、耐熱性粘着テープにより封止工程での樹脂漏れを好適に防止しながら、しかも貼着したテープが一連の工程で支障をきたしにくい耐熱性粘着テープを提供することにある。本発明者らは、上記目的を達成すべく、耐熱性粘着テープの物性、材料、厚み等について鋭意研究したところ、特定の温度領域でガラス転移温度が認められない支持基材を用いることにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、本発明の半導体装置の製造方法は、アウターパッド側に耐熱性粘着テープを貼り合わせた金属製の粗化処理されたリードフレームのダイパッド上に半導体チップをボンディングする搭載工程と、前記リードフレームの端子部先端と前記半導体チップ上の電極パッドとをボンディングワイヤで電気的に接続する結線工程と、封止樹脂により半導体チップ側を片面封止する封止工程を少なくとも含む半導体装置の製造方法であって、前記耐熱性粘着テープは、300°C以下の温度領域でガラス転移温度が認められない支持基材を使用していることを特徴とする。なお、粗化処理の方法としては、電解粗化処理、黒色酸化粗化処理、あるいは交流粗化処理等が考えられるが、その方法については特に制限されるものではない。本発明によれば、表面が粗化処理されたリードフレームのアウターパッド側に耐熱性粘着テープを貼り合わせ、リードフレームを用いて半導体装置を製造する際に、該耐熱性粘着テープの支持基材のガラス転移温度を特定の範囲とすることによって、半導体装置の製造後に耐熱性粘着テープを剥離する際に、重剥離を起こすことがないために、剥離後のリードフレームや封止樹脂に糊残りがなく、剥離に要する力を弱くすることが可能であるから、リードフレームの変形を防止することができる。前記耐熱性粘着テープの支持フィルムは300°C以下の温度領域でガラス転移温度が認められない支持基材であれば特に限定はされないが、耐熱性、基材強度、線膨張係数から鑑みるとポリイミドが好ましい。また、前記耐熱性粘着テープの支持基材の厚さは5μm以上100μm以下、好ましくは10μm以上75μm以下であることが望ましい。支持基材の厚さが5μm以上であればテープの取り扱いが容易であり、支持基材の厚さが100μm以下であるとテープ剥離時に難を生じることがない。更に、前記耐熱性粘着テープに使用する支持基材における20°C~300°Cの線膨張係数は3.0×10-5以下であることが望ましい。線膨張係数が3.0×10-5以下であると、リードフレームの母材となる銅の線膨張係数との差異が小さくなり、リードフレームに反りを発生することがない。なお、ここでいうTgが認められないとは熱機械分析装置において、荷重19.6mN、昇温温度10°Cminの条件で分析した場合の値を指す。更に、前記耐熱性粘着テープに使用する支持フィルムの180°C、3時間加熱後の熱収縮率は0.40以下であることが好ましい。0.40以下であるとフィルムの熱収縮によりリードフレームの反りを発生してしまうことがない。ここでいう加熱収縮率は5cm角のフィルムの180°C3時間加熱した際の寸法変化をミツトヨ製投影機において測定した際の値を示す。前記耐熱性粘着テープの粘着剤層に用いる樹脂層の組成は耐熱性があり、200°Cでの貯蔵弾性率が5×104Pa以上であれば特に限定されない。シリコーン系、アクリル系、ゴム系等いずれの系でも良いが、耐熱性の観点から好ましくはシリコーン系、アクリル系、更に好ましくはシリコーン系粘着剤が良い。200°Cでの樹脂層の貯蔵弾性率が5×104Pa以上であると樹脂層の流動性が高まることがないため、粗化処理により凹凸化したリードフレームとの密着性が高くならない。これによりテープの剥離工程において重剥離化し、糊残りやパッケージの変形を引き起こすことを防止できる。また、リードフレームの端子部先端と前記半導体チップ上の電極パッドとをボンディングワイヤで電気的に接続する結線工程の前に、耐熱性粘着テープがリードフレームへ貼付されることがあるが、その際に粘着剤層が柔らかいと十分なワイヤーボンディング性が得られないため、その点からも弾性率は5×104Pa以上である必要がある。なお、本文中に記載している貯蔵弾性率は以下の方法により求めた。樹脂層を1.5mm~2mmの厚みで作製した後、これを直径7.9mmのポンチで打ち抜き、測定用の試料を得た。RheometricScientific社製の粘弾性スペクトロメーターARESを用いて、チャック圧100g重、周波数1Hzに設定して測定を行い200°Cにおける貯蔵弾性率を求めた。[ステンレススチール製8mmパラレルプレートティエーインスツルメンツ社製、型式708.0157を使用]。また、前記粘着剤層には適宜架橋剤、重点剤、粘着付与剤、剥離付与剤等を加えることも可能である。前記耐熱性粘着テープの粘着剤層は2μm以上50μm以下、好ましくは3μm以上40μm以下、更に好ましくは4μm以上30μm以下であることが望ましい。粘着剤厚が2μm以上であればリードフレームとの十分な粘着力が得られ、50μm以下であれば十分なワイヤーボンディング性が得られる。前記耐熱性粘着テープの粘着剤が5重量減少する温度は250°C以上であることが望ましい。250°C以下の温度で5以上の重量減少を生じない粘着剤であれば、ダイアタッチ、ワイヤーボンディング等半導体製造工程時の熱工程により粘着剤が劣化することがなく、テープ剥離後に糊残りを生じる可能性は低くなる。前記耐熱性粘着テープの粘着剤層を200°C、1時間の条件下で加熱した際の発生ガスは1.0μgg以下であることが望ましい。1.0μgg以下であると、発生ガス成分のリードフレーム表面への2次堆積が顕著ではなく、ワイヤーボンディング性は良好で、樹脂封止後のパッケージの耐湿信頼性を向上させる。なお、この発生ガス量は粘着剤層を10mg採取し、ガスクロマトグラフィー用のバイアル内に封入し、加熱発生ガスをトラップして、ガスクロマトグラフィーにて測定してなる発生ガス量である。前記耐熱性粘着テープの支持基材の厚さと粘着剤層の厚さの比は3以下であることが好ましい。が3以下であると、基材の厚さに対して粘着剤層の厚さが小さくなり剥離時に糊残りを生じる可能性は小さくなる。前記耐熱性粘着テープは、アウターパッド側に耐熱性粘着テープを貼り合わせた金属製のリードフレームのダイパッド上に半導体チップをボンディングする搭載工程と、前記リードフレームの端子部先端と前記半導体チップ上の電極パッドとをボンディングワイヤで電気的に接続する結線工程のいずれかの工程の前もしくは後にリードフレームへ貼付されるため、リードフレームへの粘着性が必要となる。例えば、リードフレームへの180°ピール粘着力は0.05-6.0N19mm幅、好ましくは0.10-5.0N19mm幅、更に好ましくは0.15-4.0N/19mm幅である。リードフレームへの粘着力が0.05N/19mm幅以上の場合には、前記耐熱性粘着テープがリードフレームへの十分な粘着力を有しているために、工程中のテープ剥離を生じることがない。またリードフレームへの粘着力が6.0N/19mm幅以下の場合には、テープの貼付を失敗した際のテープ剥離でリードフレームのダイパッド部等が変形せず歩留まりは低下しない。耐熱性粘着テープは、封止工程後の任意の段階ではがされることになるが、あまりに強粘着力をもった粘着テープであっては引き剥がしが困難となるだけでなく、場合によっては引き剥がしのための応力によって、モールドした樹脂の剥離や破損を招く恐れもある。したがって、封止樹脂のはみ出しを抑える粘着力以上に強粘着であることはむしろ好ましくない。例えば前記耐熱性粘着テープのリードフレームへの200°C雰囲気1時間加熱後180°ピール粘着力は0.1-6.0N19mm幅、好ましくは0.2-5.0N19mm幅、更に好ましくは0.3-4.0N/19mm幅である。200°C雰囲気下1時間加熱後のリードフレームへの粘着力が0.1N/19mm幅以上の場合は前記耐熱性粘着テープがリードフレームへの十分な粘着力を有しているため樹脂封止時の樹脂モレを生じることがない。リードフレームへの粘着力が6.0N/19mm幅以下の場合は樹脂封止後のテープ剥離の際に粘着剤層とリードフレームの粘着力が高すぎることがなく、リードフレーム上には糊残りを生じない。前記耐熱性粘着テープの封止樹脂への180°ピール粘着力は10.0N19mm幅以下、好ましくは8.0N19mm幅以下、更に好ましくは6.0N/19mm幅以下である。封止樹脂への粘着力が10.0N以下/19mm幅の場合は樹脂封止後のテープ剥離の際に粘着剤層と封止樹脂の粘着力が高すぎないので封止樹脂上に糊残りを生じることがない。次に本発明の耐熱性粘着テープを用いた半導体装置の製造方法に関して図面を基に説明する。図1は、本発明の半導体装置の製造方法の一例の工程図である。本発明の半導体装置の製造方法は、図1a~eに示すように、半導体チップ15の搭載工程と、ボンディングワイヤ16による結線工程と、封止樹脂17による封止工程と、封止された構造物21を切断する切断工程と、これらいずれかの段階でプラズマを照射する工程とを少なくとも含むものである。搭載工程は、図1a~bに示すように、アウターパッド側図の下側に耐熱性粘着テープ20を貼り合わせた金属製のリードフレーム10のダイパッド11c上に半導体チップ15をボンディングする工程である。リードフレーム10は、例えば銅などの金属を素材としてQFNの端子パターンが刻まれたものであり、その表面は粗化処理されることによって表面に微細な凹凸が形成されている。その粗化処理手段としては、硫酸過酸化水素系エッチング剤等のエッチング剤に浸漬する等による化学的処理や、ブラスト処理等の物理的処理を採用できるが、後の工程における清浄化を考慮すると、粉末を発生しない化学的処理がより好ましい。化学的処理を採用した場合の微細な凹凸の粗さは、処理時間、エッチング剤の温度や濃度等を調整することにより任意の範囲に調整することが可能である。さらに、電気接点部分には、銀,ニッケル,パラジウム,金などの素材で被覆めっきされている場合もある。リードフレーム10の厚みは、100~300μmが一般的である。なお、部分的にエッチングなどで薄く加工されている部分はこのかぎりではない。リードフレーム10は、後の切断工程にて切り分けやすいよう、個々のQFNの配置パターンが整然と並べられているものが好ましい。例えば図2に示すように、リードフレーム10上に縦横のマトリックス状に配列された形状などは、マトリックスQFNあるいはMAP-QFNなどと呼ばれ、もっとも好ましいリードフレーム形状のひとつである。とくに近年では、生産性の観点から1枚のリードフレーム中に配列されるパッケージ数を多くするため、これらの個々のパッケージが細密化されるばかりでなく、一つの封止部分で多数のパッケージを封止できるようこれらの配列数も大きく拡大してきている。図2a~bに示すように、リードフレーム10のパッケージパターン領域11には、隣接した複数の開口11aに端子部11bを複数配列した、QFNの基板デザインが整然と配列されている。一般的なQFNの場合、各々の基板デザイン図2aの格子で区分された領域は、開口11aの周囲に配列された、アウターリード面を下側に有する端子部11bと、開口11aの中央に配置されるダイパッド11cと、ダイパッド11cを開口11aの4角に支持させるダイバー11dとで構成される。耐熱性粘着テープ20は、少なくともパッケージパターン領域11より外側に貼着され、樹脂封止される樹脂封止領域の外側の全周を含む領域に貼着するのが好ましい。リードフレーム10は、通常、樹脂封止時の位置決めを行うための、ガイドピン用孔13を端辺近傍に有しており、それを塞がない領域に貼着するのが好ましい。また、樹脂封止領域はリードフレーム10の長手方向に複数配置されるため、それらの複数領域を渡るように連続して耐熱性粘着テープ20を貼着するのが好ましい。上記のようなリードフレーム10上に、半導体チップ15、すなわち半導体集積回路部分であるシリコンウエハチップが搭載される。リードフレーム10上にはこの半導体チップ15を固定するためダイパッド11cと呼ばれる固定エリアが設けられており、このダイパッド11cヘのボンディング固定の方法は導電性ペースト19を使用したり、接着テープ、接着剤など各種の方法が用いられる。導電性ペーストや熱硬化性の接着剤等を用いてダイボンドする場合、一般的に150~200°C程度の温度で30分~90分程度加熱キュアする。結線工程は、図1cに示すように、リードフレーム10の端子部11bインナーリードの先端と半導体チップ15上の電極パッド15aとをボンディングワイヤ16で電気的に接続する工程である。ボンディングワイヤ16としては、例えば金線あるいはアルミ線などが用いられる。一般的には120~250°Cに加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着エネルギーの併用により結線される。その際、リードフレーム10に貼着した耐熱性粘着テープ20面を真空吸引することで、ヒートブロックに確実に固定することができる。封止工程は、図1dに示すように、封止樹脂17により半導体チップ側を片面封止する工程である。封止工程は、リードフレーム10に搭載された半導体チップ15やボンディングワイヤ16を保護するために行われ、とくにエポキシ系の樹脂をはじめとした封止樹脂17を用いて金型中で成型されるのが代表的である。その際、図3に示すように、複数のキャビティを有する上金型18aと下金型18bからなる金型18を用いて、複数の封止樹脂17にて同時に封止工程が行われるのが一般的である。具体的には、例えば樹脂封止時の加熱温度は170~180°Cであり、この温度で数分間キュアされた後、更に、ポストモールドキュアが数時間行われる。なお、耐熱性粘着テープ20はポストモールドキュアの前に剥離するのが好ましい。切断工程は、図1eに示すように、封止された構造物21を個別の半導体装置21aに切断する工程である。一般的にはダイサーなどの回転切断刃を用いて封止樹脂17の切断部17aをカットする切断工程が挙げられる。また、本発明においては、いずれかの工程の段階でプラズマ処理が施される。これは、リードフレームあるいは搭載されたチップ表面のクリーニングのために実施される目的から、通常はダイアタッチキュアが施された後もしくはワイヤボンディングを実施する前の段階、あるいは封止樹脂により片面封止が施される前の段階で実施される場合がほとんどである。特に高度なパッケージを製作する際には、複数回にわたって繰り返し実施される場合もある。なお、これらのプラズマ処理とはプラズマ放電処理をリードフレーム表面に施す工程であれば特に限定されるものではないが、一般的には放電方法によりダイレクトプラズマモードあるいはリエッチングモードなど各種の方法がある。また、処理槽で実施される場合は槽内を減圧状態として特定のガスを流入した雰囲気下に調整されることが一般的であり、その際に流入される代表的なガス成分としてはArアルゴン、O2酸素などが単独で、あるいはこれらを含む混合ガス雰囲気下で施される。リードフレームなどへのダメージを考慮すると、一般的にアルゴンを主成分としたガスを流入した低圧状態の槽内環境においてリエッチングモードでのプラズマ処理を数分程度施すことが好ましい。以下、本発明の構成と効果を具体的に示す実施例等について説明する。なお、本実施例および比較例に使用されるリードフレームは、黒色酸化処理により粗化処理を施して使用した。黒色酸化処理には、硫酸過酸化水素系エッチング剤を用いて、常温で1分間浸漬して処理を行った。実施例125μm厚のポリイミドフィルム東レデュポン製カプトン100H、線熱膨張係数2.7×105/K、300°C以下でのTgは認められない。を基材として、200°Cにおける貯蔵弾性率が4.0×105Paのシリコーン系粘着剤を用いて厚さ約6μmの粘着剤層を設けた耐熱性粘着テープを作成した。なお、このテープのリードフレームへの180°ピールの粘着力は1.0N/19mm幅、200°C、1時間加熱後の180°ピールでの粘着力は2.7N/19mm幅程度であった。また、本粘着テープの樹脂封止後の封止樹脂への180°ピールの粘着力は3.0N/19mmであった。なお、粘着剤の5重量減少温度は330°Cであり、200°C1時間加熱後の発生ガス量は0.03mggであった。さらに180°C3時間加熱後の支持フィルムの加熱収縮率は0.35であった。実施例2実施例1使用の粘着剤を15μm支持基材上に塗布した以外は実施例1と同様の方法で粘着テープを得た。なお、このテープのリードフレームへの180°ピールの粘着力は1.8N/19mm幅、200°C、1時間加熱後の180°ピールでの粘着力は4.2N/19mm幅程度であった。また、本粘着テープの樹脂封止後の封止樹脂への180°ピールの粘着力は4.5N/19mmであった。なお、粘着剤の5重量減少温度は330°Cであり、200°C1時間加熱後の発生ガス量は0.08mggであった。さらに180°C3時間加熱後の支持フィルムの加熱収縮率は0.35であった。実施例325μm厚のポリイミドフィルム東レデュポン製カプトン100H、線熱膨張係数2.7×105/Kを基材として、200°Cにおける貯蔵弾性率が1.0×106Paのアクリル系粘着剤を用いて厚さ約6μmの粘着剤層を設けた耐熱性粘着テープを作成した。なお、このテープのリードフレームへの180°ピールの粘着力は0.5N/19mm幅、200°C、1時間加熱後の180°ピールでの粘着力は1.5N/19mm幅程度であった。また、本粘着テープの樹脂封止後の封止樹脂への180°ピールの粘着力は4.0N/19mmであった。なお、粘着剤の5重量減少温度は270°Cであり、200°C1時間加熱後の発生ガス量は0.5mggであった。さらに180°C3時間加熱後の支持フィルムの加熱収縮率は0.35であった。比較例125μm厚のポリエチレンナフタレート帝人デュポン製テオネックスQ81、線熱膨張係数14×105/K、Tg113°Cを支持フィルムに用いた以外は実施例1と同様の方法にて粘着テープを得た。なお、このテープのリードフレームへの180°ピールの粘着力は0.9N/19mm幅、200°C、1時間加熱後の180°ピールでの粘着力は2.5N/19mm幅程度であった。また、本粘着テープの樹脂封止後の封止樹脂への180°ピールの粘着力は2.8N/19mmであった。なお、粘着剤の5重量減少温度は270°Cであり、200°C1時間加熱後の発生ガス量は0.03mggであった。さらに180°C3時間加熱後の支持フィルムの加熱収縮率は06であった。比較例2200°Cにおける貯蔵弾性率が8.0×103Paであるシリコーン粘着剤を使用する以外は実施例1と同様の方法で粘着テープを得た。なお、このテープのリードフレームへの180°ピールの粘着力は1.2N/19mm幅、200°C、1時間加熱後の180°ピールでの粘着力は3.4N/19mm幅程度であった。また、本粘着テープの樹脂封止後の封止樹脂への180°ピールの粘着力は4.1N/19mmであった。なお、粘着剤の5重量減少温度は320°Cであり、200°C1時間加熱後の発生ガス量は0.12mggであった。さらに180°C3時間加熱後の支持フィルムの加熱収縮率は0.35であった。比較例3リードフレームへの粘着力が7.0N19mmであるシリコーン粘着剤を使用する以外は実施例1と同様の方法で粘着テープを得た。この粘着剤の200°Cの貯蔵弾性率は6.0×104Paであり、このテープのリードフレームへの200°C、1時間加熱後の180°ピールでの粘着力は10.5N/19mm幅程度であった。また、本粘着テープの樹脂封止後の封止樹脂への180°ピールの粘着力は12.3N/19mmであった。なお、粘着剤の5重量減少温度は310°Cであり、200°C1時間加熱後の発生ガス量は0.21mggであった。さらに180°C3時間加熱後の支持フィルムの加熱収縮率は0.35であった。作製した上記サンプルに対して、ワイヤーボンディング性、樹脂封止時のマスキング性、およびテープの剥離性に関して検証を行った。<ワイヤーボンディング性評価>耐熱性粘着テープを、端子部に銀めっきが施された一辺16PinタイプのQFNが4個×4個に配列された銅製のリードフレームのアウターパッド側に貼り合わせた。このリードフレームのダイパッド部分に半導体チップをエポキシフェノール系の銀ぺーストを用いて接着し、180°Cにて1時間ほどキュアすることで固定した。つぎに、リードフレームは耐熱性粘着テープ側から真空吸引する形で200°Cに加熱したヒートブロックに固定し、さらにリードフレームの周辺部分をウインドクランパーにて押さえて固定した。これらを、115KHzワイヤボンダー新川製:UTC300B1を用いてφ25μmの金線田中貴金属製GMG-25にて下記の条件でワイヤーボンディングを行った。ファーストボンディング加圧:100gファーストボンディング印加時間:10msecセカンドボンディング加圧:150gセカンドボンディング印加時間:15msec上記、手法にて結線作製したワイヤーのプル強度をプルテスターを用いて測定した。測定値が4gf以上且つ、破壊モードが界面破壊で無い場合を合格として、成功率を求めた。<マスキング性評価>耐熱性粘着テープを、端子部に銀めっきが施された一辺16PinタイプのQFNが4個×4個に配列された銅製のリードフレームのアウターパッド側に貼り合わせた。上記粘着テープ付きリードフレームを前記ワイヤーボンド条件にてワイヤーボンドを行い、さらにエポキシ系封止樹脂日東電工製HC-300により、これらをモールドマシンTOWA製Model-Y-seriseを用いて、175°Cで、プレヒート40秒、インジェクション時間11.5秒、キュア時間120秒にてモールドした後、耐熱性テープを剥離し、樹脂モレを確認した。本試験を30枚のリードフレームにて行い樹脂モレ発生の割合を確認した。<糊残り性評価>前記マスキング性評価用サンプルのテープ剥離面の封止樹脂面およびリードフレーム面を目視にて確認した。<リワーク性>耐熱性粘着テープを、端子部に銀めっきが施された一辺16PinタイプのQFNが4個×4個に配列された銅製のリードフレームのアウターパッド側に貼り合わせ、180°ピールにて剥離。テープ剥離後のリードフレームの形状を確認した。実施例1-3のサンプルはいずれの特性も満足するものであったが、比較例1ではワイヤーボンディング中に支持フィルムの収縮を生じたため、十分なワイヤーボンディング性、マスキング性を得られなかった。比較例2では200°Cでの貯蔵弾性率が低いため、比較例3では粘着力が高いため、封止樹脂のマスキング性に問題は確認されなかったが、樹脂封止後にテープを剥離したところリードフレームおよび封止樹脂上に糊残りが確認された。以上の結果より、多数のパッケージを同時に封止するMAPタイプに対し、耐熱性粘着テープにより封止工程での樹脂漏れを好適に防止しながら、しかも貼着したテープが一連の工程で支障をきたしにくい耐熱性粘着テープを用いた半導体の製造方法を提供することができた。"