"有機光電薄膜素子の製造方法であって、基板と第1電極とを提供する工程と、ポリエチレングリコール分子を含有する半導体層を前記基板上に形成させる工程と、導電高分子層を前記第1電極上に形成させる工程と、前記導電高分子層に前記半導体層を貼り付けるように、前記基板と前記半導体層を前記導電高分子層上に置く工程と、前記基板を取り除く工程と、前記有機光電薄膜素子が形成されるように、第2電極を前記半導体層上に形成させる工程と、を備え、前記半導体層と前記導電高分子層との間の第2粘着力は、前記基板を取り除く前記工程の時に、前記半導体層が前記導電高分子層に貼り付いた状態に維持できるように、前記半導体層と前記基板との間の第1粘着力より強くすることを特徴とする、有機光電薄膜素子の製造方法。前記基板と前記半導体層を前記導電高分子層に置く前記工程において、前記ポリエチレングリコール分子は、前記半導体層と前記基板の接触面に分布されることを特徴とする、請求項1に記載の有機光電薄膜素子の製造方法。前記半導体層は、p型半導体材料と、n型半導体材料と、前記ポリエチレングリコール分子との組合せであり、前記p型半導体層の材料は、ポリ3-ヘキシルチオフェンP3HTを含有し、前記n型半導体層の材料は、フェニル-C61-酪酸メチルエステルPCBMを含有し、且つP3HTとPCBMとの重量比は1:1であることを特徴とする、請求項1に記載の有機光電薄膜素子の製造方法。前記ポリエチレングリコール分子とP3HTとの重量比は1:50~1:5の範囲であることを特徴とする、請求項3に記載の有機光電薄膜素子の製造方法。前記半導体層を前記基板上に形成させる前記工程の後に、前記半導体層に少なくとも2時間溶媒アニーリングを実施することを特徴とする、請求項1に記載の有機光電薄膜素子の製造方法。前記導電高分子層に前記半導体層を貼り付ける前記工程の後に、前記半導体層と前記導電高分子層に対して均等に圧力を加えることにより、前記半導体層と前記導電高分子層の接触面とを密着させるように貼り付けることを特徴とする、請求項1に記載の有機光電薄膜素子の製造方法。前記半導体層を前記基板上に形成させる前記工程は、ロールツーロール方式により、前記半導体層を前記基板上に形成させることを特徴とする、請求項1に記載の有機光電薄膜素子の製造方法。前記有機光電薄膜素子は、太陽電池、可撓式太陽電池とモジュール、発光ダイオード、薄膜トランジスタのいずれか1種であることを特徴とする、請求項1に記載の有機光電薄膜素子の製造方法。本発明は、まさに従来技術の上記に述べた問題に鑑み提出されており、その目的は、半導体層にポリエチレングリコール[polyethyleneglycol、以下、PEGと略記する]を含有することによって、半導体層を導電高分子層に容易に転写することが可能な有機光電薄膜素子の製造方法を提供することであり、従来の溶液プロセスにおいて、溶媒が相互に溶け合ってしまう問題、及びマイクロコンタクトプリンティング法によりPDMSスタンプの使用が必要となる問題が解消される。上述の目的を達成するために、本発明による有機光電薄膜素子の製造方法は、以下の工程からなる。即ち、基板と第1電極とを提供する工程と、ポリエチレングリコール分子を含有する半導体層を前記基板上に形成させる工程と、導電高分子層を前記第1電極上に形成させる工程と、前記導電高分子層に前記半導体層を貼り付けるように、前記基板と前記半導体層を前記導電高分子層上に置く工程と、前記基板を取り除く工程と、前記有機光電薄膜素子が形成されるように、第2電極を前記半導体層上に形成させる工程とを備える。また、前記半導体層と前記導電高分子層との間の第2粘着力は、前記基板を取り除く前記工程の時に、前記半導体層が前記導電高分子層に貼りついた状態に維持できるように、前記半導体層と前記基板との間の第1粘着力より強くする。以上説明したように、本発明の有機光電薄膜素子の製造方法によれば、次のような一つ或いは複数の長所が得られる。1製造工程を簡略化でき、PDMSスタンプを製作する手間を省いた上、同じ転写效果を得ることができる。2ロールツーロール方式により、可撓式基板に素早く容易に溶液を塗布することができるため、製造工程にかかる時間を短縮でき、安定的大量生産を実現できる。図2A乃至図2Fは、本発明による太陽電池2の製造方法の工程の一実施例を説明する概略断面図である。図2Aに示すように、本発明の太陽電池2の製造では、まず、基板21を提供する。該基板21としては、ガラス基板、高分子プラスチック基板、電子回路基板からなる群より選ばれるいずれかの基板であることが好ましい。また、該電子回路基板はシリコン基板であってもよい。そして、高分子プラスチック基板の材料としては、ポリエチレンテレフタラートpolyethyleneteraphthalate,PET、ポリカーボネートpolycarbonateから選択される。本実施例においては、基板21としてシリコン基板を例示する。次に、p型半導体材料とn型半導体材料を一つの溶液に調製して、そしてこの溶液内に異なる分子量のポリエチレングリコールpolyethyleneglycol、PEGを添加する。続いて、基板21を洗浄した後、回転塗布spin-coating或いは堆積法によって、この溶液を基板21上に形成させて、半導体層22が形成される。なお、該p型半導体材料としては、ポリチオフェンpolythiophene、ポリフルオレンpolyfluorene、ポリフェニレンビニレンpolyphenylenevinylene、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、共役オリゴマー、小分子からなる群より少なくとも1種が選択される。該ポリチオフェン誘導体の一例としては、ポリ3-ヘキシルチオフェン[poly3-hexylthiophene、以下、P3HTと略記する]が挙げられる。該ポリフルオレン誘導体の一例としては、ポリジオクチルフルオレンpolydioctylfluoreneが挙げられる。該ポリフェニレンビニレン誘導体の一例としては、ポリ[2-メトキシ-5-2-エチル-ヘキシルオキシ-1,4-ポリフェニレンビニレン]poly[2-methoxy-5-2-ethyl-hexyloxy-1,4-phenylenevinylene]が挙げられる。共役オリゴマーの一例としては、セキシチオフェンsexithiopheneが挙げられる。該小分子の例としては、ペンタセンpentacene、テトラセンtetracene、ヘキサベンゾコロネンhexabenzcoronene、フタロシアニンphthalocyanine、ポルフィリン化合物porphyrines、ペンタセン誘導体、テトラセン誘導体、ヘキサベンゾコロネン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン化合物誘導体からなる群より選択される。また、該n型半導体材料としては、C60、C60誘導体、C70、C70誘導体、カーボンナノチューブCarbonnanotubes、カーボンナノチューブ誘導体、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボキシル-ビス-ベンズイミダゾール3,4,9,10-perylenetetracarboxylic-bis-benzimidazole、PTCBIと略する]、N,N’-ジメチル-3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸ジイミドN,N’-dimethyl-3,4,9,10-Perylenetetracarboxylicaciddiimide、Me-PTCDIと略する、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボキシル-ビス-ベンズイミダゾール誘導体、N,N’-ジメチル-3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸ジイミド誘導体、高分子、半導体ナノ粒子からなる群より少なくとも1種が選択される。該C60誘導体の一例としては、フェニル-C61-酪酸-メチルエステル[phenyl-C61-butyricacidmethylester、以下、PCBMと略記する]が挙げられる。該高分子の例としては、ポリ2,5,2’,5’-テトラヘキシルオキシ-7,8’-ジシアノ-ジ-p-フェニレンビニレン[poly2,5,2’,5’-tetrahexyloxy-7,8’-dicyano-di-p-phenylenevinylene、CN-PPVと略する]、ポリ9,9’-ジオクチルフルオレン-co-ベンゾチアジアゾール[poly9,9’-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole、F8BTと略す]からなる群より少なくとも1種が選択される。該カーボンナノチューブの例としては、多壁カーボンナノチューブ、単壁カーボンナノチューブから選択される。また、該カーボンナノチューブの断面直径は100nmより小さい。該半導体ナノ粒子の例としては、二酸化チタン、セレン化カドミウム、硫化カドミウムからなる群より少なくとも1種が選択される。本実施例において、p型半導体の材料としては、上記した例のいずれでもよいが、P3HTであることがより好ましい。n型半導体の材料としては、上記した例のいずれでもよいが、PCBMであることがより好ましい。P3HTとPCBMの重量比を1:1とし、重量百分比2の溶液を調製すると同時に、該異なる分子量を持ったPEGの添加量は、P3HTの重量と所定の比率となるように設定されている。例えば、PEGとP3HTの重量比は1:50~1:5の範囲であってもよいが、より好ましいのは1:20である。次に、半導体層22に対して、少なくとも2時間溶媒アニーリングsolventannealingを行い、そして、転写する前に、半導体層22に対し、温度を110°Cに設定し、処理時間を15分にして、熱アニーリングthermalannealing処理を行う。図2Bに示すように、パターン化されたpattern第1電極23を提供する。第1電極23としては、透光性導体、半透光性導体から選択される。該透光性導体としては、酸化インジウムスズIndiumTinOxide、ITO、酸化インジウム亜鉛から選ばれる。該半透光性導体が金属薄層であり、該金属薄層は、銀、アルミニウム、チタン、ニッケル、銅、金、クロムからなる群より少なくとも1種が選択される。第1電極23を洗浄した後、導電高分子層24を第1電極23上に回転塗布し、そして温度を120°Cに設定し、処理時間を60分にして、導電高分子層24と第1電極23とをベーキング処理する。また、該導電高分子層24の該導電高分子の例としては、3,4-ポリエチレンジオキシチオフェン-ポリスチレンスルホネート3,4-polyethylenedioxythiophene-polystyrenesulfonate、PEDOT:PSSと略す、ポリアニリンpolyaniline、ポリピロールpolypyrrole、ポリアセチレンpolyacetyleneからなる群より少なくとも1種が選択される。さらに、該導電高分子層24の添加物として、界面活性剤を添加してもよい。該界面活性剤の一例としては、ポリオキシエチレントリデシルエーテルpoly[oxyethylenetridecylether]が挙げられる。本実施例において、導電高分子層24としては、上記した例のいずれでもよいが、PEDOT:PSSであることがより好ましい。続いて、図2Cに示すように、転写工程を行う。転写する前に、まずは、温度を110°Cに設定し、加熱時間5分にして、導電高分子層24を加熱する。それから、図2Dに示すように、導電高分子層24に半導体層22を貼り付けるように、基板21と半導体層22を導電高分子層24上に置く。そして、貼付後、両者の接触面を確実に密着させるように、均一に圧力を加圧する。なお、異なる分子量のPEGを含有する半導体層22と基板21との間には、第1粘着力が存在し、異なる分子量のPEGを含有する半導体層22と導電高分子層24との間には、第2粘着力が存在している。PEGを基板21に近い箇所に堆積している即ち、基板21との接触面に分布するため、半導体層22と基板21との間の第1粘着力は、半導体層22と導電高分子層24との間の第2粘着力より弱い即ち、第2粘着力は第1粘着力より強い。この場合、上述した半導体層22と基板21との間の第1粘着力が第2粘着力より弱い原因としては、半導体層22と基板21との分子間の結合力が弱いことと考えられる。次に、基板21を取り除く工程を行う。この場合、第1粘着力は、第2粘着力より弱いので、図2Eに示すように、基板21を剥した後、半導体層22は導電高分子層24に貼り付いた状態に維持されており、転写工程が終了する。図2Fに示すように、半導体層22の転写工程が終了したら、熱蒸着thermalevaporation法により、第2電極25を半導体層22に蒸着させ、太陽電池2を完成させる。なお、第2電極25は、単層構造、二層構造から選択される。該単層構造の材料の一例としては、マグネシウム合金が挙げられる。該二層構造の材料としては、フッ化リチウム/アルミニウム、及びカルシウム/アルミニウムからなる群より選択される。図3は、PEGを添加した半導体層22を用いて転写法と塗布法で製造した太陽電池、及びPEGを添加していない半導体層を用いて塗布法で製造した太陽電池に、ソーラーシミュレーターAM1.5Gフィルタからの100mW/cm2の強度の光を照射し、電圧-電流密度を測定した結果を示す特性曲線図である。図3から分かるように、転写法Transferによって製造された太陽電池は、回転塗布法spinによって製造された太陽電池と相似特性を有しており、本発明の製造方法によれば、転写法で太陽電池の製造を完成できることは明らかである。また、表1には、PEGを添加した半導体層を用いて転写法PEG6005Transfer及び塗布法PEG6005Spinで製造した太陽電池、及びPEGを添加していない半導体層を用いて塗布法P3HT及びPCBMSpinで製造した太陽電池の各素子パラメータが表示される。まず、太陽電池の各素子パラメータの定義を説明する。太陽電池の負荷インピーダンスが無限大の状態、つまり外部電流が遮断されている電流値がゼロである時の電圧を開放電圧VOCといい、電圧がゼロの時に得られる電流密度を短絡電流密度JSCという。また、太陽電池の電流密度-電圧特性曲線上の任意の点の出力パワーPは、該任意の点が対応する電圧V×電流密度Jの積P=V×Jで表される。最大出力パワーを出す点Vm、Jmは最大出力パワーPm、Pm=Vm×Jmを表す。また、最大出力パワーと開放電圧×短絡電流密度の積の比を形状因子FillingFactor、以下、FFと略記するFF=Vm×Jm/VOC×JSCという。より優れた素子特性をもつ太陽電池を得るためには、高い開放電圧及び短絡電流密度が要求されることだけでなく、形状因子の数値もなるべく1に近い方がよい。なぜなら、形状因子とは、太陽電池が作り出すことのできる最大出力パワーと開放電圧×短絡電流密度の積の接近程度を表しているからである。ここで、太陽電池の光電変換効率ηとは、次のように定義された数式に基づいて算出できる。即ち、出力エネルギーと入力光エネルギーPinの比η=VOC×JSC×FF/Pinに基づいて光電変換効率ηを算出することができる。従って、形状因子の数値が1に近づけば近づくほど光電変換効率がより高くなることが明白である。表1から分かるように、PEGを添加していない本来の半導体層の太陽電池の開放電圧は0.47Vであり、光電変換効率は2.02である。PEGを添加した後、回転塗布法によって製造した太陽電池の開放電圧では0.51Vにまで向上し、光電変換効率では2.25程度にまで向上する。また、PEGを添加した後、転写法を用いて製造した太陽電池の開放電圧では0.53Vにまで向上し、光電変換効率は2.16程度にまで向上する。表1から分かるように、PEGを添加した半導体層の太陽電池は、回転塗布法或いは転写法のいずれをも使用することができ、そしてPEGを添加していない半導体層の太陽電池に比較すると、より優れた機能と効果を有する。図4は、ローラーを利用したロールツーロール方式による本発明の太陽電池の製造工程の一実施例を示す説明図である。本実施例において、図2Aにおける溶液を基板に塗布する方式をロールツーロール方式roll-to-rollに代えることができる。図4に示すように、ロールツーロール方式を応用するには、少なくとも一つのローラーroller32と、可撓式基板31と、p型半導体材料、n型半導体材料及びPEGを調製した溶液33とを予め準備する。ローラー32の表面は、シリカと相似な表面特性を有する材料からなり、所望の形状のパターンpatternを有する。ローラー32の表面は、回転する時に溶液33と接触して、その溶液33を可撓性基板31に塗布する。ロールツーロール方式は、有機材料とローラー表面の接触力がより弱いという特性を利用して、可撓式基板31上に溶液を素早く容易に塗布することができ、製造工程にかかる時間を短縮でき、安定的大量生産を実現できる。本発明の有機光電薄膜素子の製造方法では、太陽電池の製造のみに制限されるものでない。即ち、発光ダイオード、薄膜トランジスタ、及び可撓式太陽電池とモジュールの製造にも応用することが可能である。本発明の有機光電薄膜素子の製造方法によれば、製作工程を簡略化でき、PDMSスタンプを製作する手間を省いた上、同じ転写效果を得ることができ、多くの効果が奏せられる。以上は、本発明の好ましい実施形態であり、本発明の権利範囲に制限が加わるものではない。よって、本発明の権利範囲及び明細書の内容による効果等の変化や変更は、なお、本発明の範囲に含まれるものとする。"