"フェノール性水酸基を1分子中に平均1個以上、及び、下記化学式Iで表される基を1分子中に平均1個以上有する、平均分子量400~2500のフェノール誘導体混合物A、並びに、波長248nm以下の活性エネルギー線を照射することで直接又は間接的に酸を発生する酸発生剤Bを含有する、ポジ型レジスト組成物。化学式I中、Ra~Rcは、各々独立に、水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を表し、Ra~Rcの2つが結合して3~8個の炭素原子又はヘテロ原子からなる環構造を形成してもよい。Rdは、直鎖又は分岐の炭素数1~6のアルキレン基、シクロアルキレン基、及びこれらの組み合わせよりなる群から選ばれる基である。前記フェノール誘導体混合物Aは、23°Cでの濃度2.38重量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液に対する現像速度が0.5nm/sec以上である、請求項1に記載のポジ型レジスト組成物。前記フェノール誘導体混合物Aは、フェノール性水酸基の水素が、上記化学式Iで表される基で置換された構造を有する、請求項1又は2に記載のポジ型レジスト組成物。有機塩基性化合物Cを更に含有する、請求項1乃至3のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。前記フェノール誘導体混合物Aが、下記化学式1で表されるフェノール誘導体混合物である、請求項1乃至4のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。[化学式1中、R1は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及び下記化学式2に示す基からなる群より選ばれる基であり、R1に含まれるアリール基は、水酸基及び/又は下記化学式Iで表される基を有しても良い。化学式2中、R4及びR5は、各々独立に、水素原子又は炭素数1~3のアルキル基であり、Qは、アリール基又はシクロアルキル基であり、mは1又は2を表す。R2は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基であり、複数あるR2のうち、1分子中平均1個以上は水素原子であり、1分子中平均1個以上は下記化学式Iで表される基である。R3は、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選ばれる基である。化学式I中、Ra~Rcは、各々独立に、水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を表し、Ra~Rcの2つが結合して3~8個の炭素原子又はヘテロ原子からなる環構造を形成してもよい。Rdは、直鎖又は分岐の炭素数1~6のアルキレン基、シクロアルキレン基、及びこれらの組み合わせよりなる群から選ばれる基である。n1は1~3の整数、n2は0~2の整数を表す。但し、n1n2≦4となる組み合わせをn1及びn2の数値範囲から選択するものとする。x1は3~12の整数を表す。また、化学式1に含まれる同一符号で表される基は、互いに同じでも異なっていてもよい。]前記フェノール誘導体混合物Aのガラス転移温度Tgが60°C以上である、請求項1乃至5のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。i請求項1乃至6のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物を基板上に塗布した後、加熱処理し、レジスト膜を形成する工程、及びii前記レジスト膜を電子線、イオンビーム、EUV、又はX線で露光し、加熱、現像する工程、を含むレリーフパターンの製造方法。請求項1乃至6のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物又はその硬化物により少なくとも一部分が形成されている、電子部品。本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、特許文献4に記載のレジスト組成物は、レジスト基材であるポリフェノール化合物の他に架橋性化合物を混合して用いるため、相溶性が悪く、局所的に相分離が生じ、ラインエッジラフネスが不十分になるのではないかとの知見を得た。そこで本発明者らは、高解像力で低ラインエッジラフネスのパターンを得るためには、より均一なレジスト膜を形成することが重要であると考えた。本発明は、このような状況下になされたものであり、パターン強度に優れ、パターン倒れが起こりにくく、かつ、高解像度で低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができるポジ型レジスト組成物、当該ポジ型レジスト組成物を用いたレリーフパターンの製造方法及び電子部品を提供することを目的とする。本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、1つの分子に複数の機能を有するように設計すれば、組成物中の成分数を減らすことが可能になり、各成分の相分離によるレジスト膜の不均一性を改善することができるより均一なレジスト膜を形成することができると考えた。このような考えの下、本発明者らは、レジスト基質となる特定のフェノール性化合物に特定の架橋性基を導入して、架橋性及びアルカリ現像性を有するレジスト基質を用いることにより、フェノール性化合物と架橋剤の2成分を混合して用いた場合に比べて高解像力で低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができるという知見を見出し、本発明を完成させるに至った。本発明に係るポジ型レジスト組成物は、フェノール性水酸基を1分子中に平均1個以上、及び、下記化学式Iで表される基を1分子中に平均1個以上有する、平均分子量400~2500のフェノール誘導体混合物A、並びに、波長248nm以下の活性エネルギー線を照射することで直接又は間接的に酸を発生する酸発生剤Bを含有することを特徴とする。化学式I中、Ra~Rcは、各々独立に、水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を表し、Ra~Rcの2つが結合して3~8個の炭素原子又はヘテロ原子からなる環構造を形成してもよい。Rdは、直鎖又は分岐の炭素数1~6のアルキレン基、シクロアルキレン基、及びこれらの組み合わせよりなる群から選ばれる基である。本発明に係るポジ型レジスト組成物においては、前記フェノール誘導体混合物Aは、23°Cでの濃度2.38重量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液に対する現像速度が0.5nm/sec以上であることが、現像性が良好で、高解像度で低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができる点から好ましい。本発明に係るポジ型レジスト組成物においては、前記フェノール誘導体混合物Aは、フェノール性水酸基の水素が、上記化学式Iで表される基で置換された構造を有することが、パターン強度に優れ、パターン倒れが起こりにくく、かつ、高解像度で低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができる点から好ましい。本発明に係るポジ型レジスト組成物においては、有機塩基性化合物Cを更に含有することが、レジストパタ-ン形状を良好とし、保管状態での経時安定性などを向上させる点から好ましい。本発明に係るポジ型レジスト組成物においては、前記フェノール誘導体混合物Aが、下記化学式1で表されるフェノール誘導体混合物であることが、パターン強度に優れ、パターン倒れが起こりにくく、かつ、高解像度で低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができる点から好ましい。[化学式1中、R1は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及び下記化学式2に示す基からなる群より選ばれる基であり、R1に含まれるアリール基は、水酸基及び/又は下記化学式Iで表される基を有しても良い。化学式2中、R4及びR5は、各々独立に、水素原子又は炭素数1~3のアルキル基であり、Qは、アリール基又はシクロアルキル基であり、mは1又は2を表す。R2は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基であり、複数あるR2のうち、1分子中平均1個以上は水素原子であり、1分子中平均1個以上は下記化学式Iで表される基である。R3は、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選ばれる基である。化学式I中、Ra~Rcは、各々独立に、水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を表し、Ra~Rcの2つが結合して3~8個の炭素原子又はヘテロ原子からなる環構造を形成してもよい。Rdは、直鎖又は分岐の炭素数1~6のアルキレン基、シクロアルキレン基、及びこれらの組み合わせよりなる群から選ばれる基である。n1は1~3の整数、n2は0~2の整数を表す。但し、n1n2≦4となる組み合わせをn1及びn2の数値範囲から選択するものとする。x1は3~12の整数を表す。また、化学式1に含まれる同一符号で表される基は、互いに同じでも異なっていてもよい。]本発明に係るポジ型レジスト組成物においては、前記フェノール誘導体混合物Aのガラス転移温度Tgが60°C以上であることが、高解像力で、低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができる点から好ましい。本発明に係るレリーフパターンの製造方法は、i本発明に係るポジ型レジスト組成物を基板上に塗布した後、加熱処理し、レジスト膜を形成する工程、及びii前記レジスト膜を電子線、イオンビーム、EUV、又はX線で露光し、現像する工程、を含むことを特徴とする。本発明によれば、高感度且つ高解像力で、低ラインエッジラフネスのパターンを形成することができる。本発明は、前記本発明に係るポジ型レジスト組成物又はその硬化物により少なくとも一部分が形成されている、電子部品も提供する。本発明によれば、パターン強度に優れ、パターン倒れが起こりにくく、かつ、高解像度で低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができるポジ型レジスト組成物、当該ポジ型レジスト組成物を用いたレリーフパターンの製造方法及び電子部品を提供することができる。以下において本発明を詳しく説明する。なお、本発明において活性エネルギー線とは、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、及びF2エキシマレーザー等の遠紫外線、電子線、イオンビーム、EUV、X線等を意味する。また、本発明における基原子団の表記において、置換及び非置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含する。例えば、アルキル基とは、置換基を有さないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有するアルキル基置換アルキル基をも包含する。アルキレン基の2価の結合は、異なる炭素原子からの場合例えば、-CH2CH2-の他、同一の炭素原子からの2価の結合も含む例えば、-CH2-。また、アルキル基、シクロアルキル基は、飽和炭化水素の他、二重結合、三重結合等を有する不飽和炭化水素を含む。シクロアルキル基は、単環式の他、2環性、3環性等の多環性炭化水素も含む。I.ポジ型レジスト組成物本発明に係るポジ型レジスト組成物は、フェノール性水酸基を1分子中に平均1個以上、及び、下記化学式Iで表される基を1分子中に平均1個以上有する、平均分子量400~2500のフェノール誘導体混合物A、並びに、波長248nm以下の活性エネルギー線を照射することで直接又は間接的に酸を発生する酸発生剤Bを含有することを特徴とする。化学式I中、Ra~Rcは、各々独立に、水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を表し、Ra~Rcの2つが結合して3~8個の炭素原子又はヘテロ原子からなる環構造を形成してもよい。Rdは、直鎖又は分岐の炭素数1~6のアルキレン基、シクロアルキレン基、及びこれらの組み合わせよりなる群から選ばれる基である。本発明に係るポジ型レジスト組成物によれば、パターン強度に優れ、パターン倒れが起こりにくく、かつ、高解像度で低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができる。上記特定のフェノール誘導体混合物Aと特定の酸発生剤Bを組み合わせて用いることにより、上記の効果を発揮する作用としては以下のように推定される。従来、化学増幅型ポジ型レジストは、通常、露光により酸を発生する酸発生剤と予めアルカリ可溶性基が保護基により保護された化合物を含有し、露光により発生した酸により、保護基の分解又は解離反応が進行し、露光部のアルカリ可溶性が高まることにより、パターン形成が可能となる。しかしながら、高分子材料を用いる場合には、微細加工における加工寸法及び加工精度には限界があり、更に、現像時に膨潤が生じやすいため、その膨潤により解像力の低下やラインエッジラフネスの悪化が起こる。一方、低分子材料の場合には、パターン強度が低く、パターンが脆く、壊れやすいという問題があった。この問題を解決する手法として、本発明者は、フェノール性水酸基を1分子中に2個以上有する分子量300~4000のポリフェノール化合物と、当該フェノール性水酸基と反応し酸の作用により分解可能な架橋結合を形成し得る反応性官能基を1分子中に2個以上有する特定の化合物と、特定の酸発生剤を含有するポジ型レジスト組成物を提案した特許文献4。この手法によれば、塗膜形成時の加熱により、前記ポリフェノール化合物が前記反応性官能基を有する特定の化合物を介して架橋結合するため、未露光部は、パターン強度に優れる。また、露光部は、発生した酸により架橋結合が分解又は解離するため、低分子材料に戻り、フェノール性水酸基が再生されて溶解し、高解像度のパターンを形成できる。しかしながら、特許文献4のレジスト組成物は、レジスト基質である前記ポリフェノール化合物の他に、前記反応性官能基を有する特定の化合物を混合して用いるため、各成分の相溶性の問題を生じ、局所的に相分離しているものと推定される。このような場合には、均一なレジスト膜を作製することはできないため、ラインエッジラフネスが悪化するものと推定される。それに対し、本発明においては、フェノール性水酸基を1分子中に平均1個以上、及び、上記化学式Iで表される基を1分子中に平均1個以上有する、平均分子量400~2500のフェノール誘導体混合物Aを用いるので、別途架橋性化合物を混合することなく、フェノール誘導体混合物Aのフェノール性水酸基と上記化学式Iで表される基とが例えば下記式で表わされるように分子間で反応し、フェノール誘導体混合物A同士が連結可能となり、相分離の問題が生じないものと推定される。これにより、より均一性が高く、パターン強度が高いレジスト膜を作製することができる。そして、露光部は、酸発生剤Bから発生した酸により、上記連結部分が解離するため、低分子成分に戻り、フェノール性水酸基が再生されて溶解するため、高解像度のパターンが得られるものと推定される。また、未露光部は、均一性が高いフェノール誘導体混合物Aの連結状態が保持されるため、パターン強度が高い、低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができるものと推定される。本発明に係るポジ型レジスト組成物は、フェノール誘導体混合物Aと酸発生剤Bを必須成分とするものであり、必要に応じて他の成分を含んでいてもよいものである。以下、当該ポジ型レジスト組成物の各成分について順に説明する。<フェノール誘導体混合物A>本発明において用いられるフェノール誘導体混合物Aは、フェノール性水酸基を1分子中に平均1個以上、及び、上記化学式Iで表される基を1分子中に平均1個以上有する、平均分子量400~2500の化合物である。当該フェノール誘導体混合物Aの平均分子量を上記範囲内とすることにより、高解像で低ラインエッジラフネスが図れる。なお、本発明において、フェノール性水酸基とは、ベンゼン等の芳香環に直接結合された水酸基を意味する。本発明のフェノール誘導体混合物Aは、フェノール性水酸基を1分子中に平均1個以上、及び、上記化学式Iで表される基を1分子中に平均1個以上有する。そのため本発明のフェノール誘導体混合物Aは、塗膜形成前加熱前の組成物の状態では、アルカリ可溶性を有し、塗膜形成後加熱後は、上記化学式Iで表される基がフェノール性水酸基と反応してアセタール構造を形成するためアルカリ可溶性を喪失し、光照射後は、酸発生部分のみ、酸の影響でアセタール構造が分解されて、低分子成分に戻ると共にフェノール性水酸基が再生されて、再度アルカリ可溶性を有するようになるものである。本発明において用いられるフェノール誘導体混合物Aは、フェノール性水酸基を1分子中に平均1個以上有すればよく、1分子中のフェノール性水酸基の数は特に限定されない。中でも、パターン強度に優れ、パターン倒れが起こりにくく、かつ、高解像度で低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができる点から、フェノール誘導体混合物Aは、フェノール性水酸基を1分子中に平均2個以上有することが好ましい。なお、フェノール誘導体混合物Aは、フェノール性水酸基を1分子中に平均1個以上有すればよいため、フェノール性水酸基を有しない分子が含まれていてもよい。しかしながら、パターン強度に優れ、パターン倒れが起こりにくく、アルカリ現像性に優れる点からは、各分子がフェノール性水酸基を1個以上有することが好ましく、2個以上有することがより好ましい。中でも、本発明において用いられるフェノール誘導体混合物Aは、フェノール性水酸基の平均導入個数を、下記を基準としたアルカリ可溶性を有するように、適宜選択されることが好ましい。フェノール誘導体混合物Aは、濃度2.38重量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液23°Cに対する現像速度が0.5nm/sec以上であるものを選択して用いることが好ましく、更に1.0nm/sec以上であるものを選択して用いることが好ましい。当該アルカリ可溶性樹脂のアルカリ現像速度を上記範囲内とすることにより、パターン形状の向上が図れる。例えば、濃度2.38重量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液23°Cに対する現像速度は、例えば、上記フェノール誘導体混合物Aを単独で用いて、例えば5重量の溶液とし、シリコンウエハ上に乾燥後の膜厚が300nmとなるように塗膜を形成後、濃度2.38重量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液23°Cに浸漬し、塗膜が完全に溶解するまでの時間を測定し、算出することができる。本発明において用いられるフェノール誘導体混合物Aは、下記化学式Iで表される基を1分子中に平均1個以上有すればよく、1分子中の下記化学式Iで表される基の数は特に限定されない。化学式I中、Ra~Rcは、各々独立に、水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を表し、Ra~Rcの2つが結合して3~8個の炭素原子又はヘテロ原子からなる環構造を形成してもよい。Rdは、直鎖又は分岐の炭素数1~6のアルキレン基、シクロアルキレン基、及びこれらの組み合わせよりなる群から選ばれる基である。上記化学式Iで表される基は、塗膜を形成する際の80~160°C程度の加熱により、フェノール性水酸基と反応して連結する基である。上記化学式Iで表される基自体は、酸により分解されるものではなく、一般的にポジ型感光性樹脂組成物において導入されている酸分解性基に該当しないものである。Ra~Rcにおけるアルキル基としては、特に限定されない。中でも、炭素数1~8の置換基を有していてもよいアルキル基が好ましく、例えば、置換基を有していてもよいメチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基等が挙げられる。Ra~Rcにおけるシクロアルキル基としては、特に限定されない。中でも、炭素数3~8の置換基を有してもよいシクロアルキル基がこのましく、例えば、置換基を有していても良いシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。またRa~Rcの任意の2つが結合して3~8個の炭素原子又はヘテロ原子からなる環構造任意の2つが結合して環を形成してもよい。このような環としては例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、ジヒドロフラニル基、ジヒドロピラニル基等が挙げられ、これらの環は更に置換基を有していてもよい。Rdにおけるアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基等が挙げられ、更に置換基を有していてもよい。Rdにおけるシクロアルキレン基としては単環、多環どちらでもよく、例えば、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基等を挙げることができ、更に置換基を有していてもよい。Ra~Rdが有していてもよい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1~8のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基が挙げられる。上記化学式Iで表される基としては、反応性が高く、入手が容易な点から、上記化学式Iで表される基としては、アルキルビニルエーテル基であることが好ましい。アルキルビニルエーテル基としては、例えば、メチルビニルエーテル基、エチルビニルエーテル基、イソプロピルビニルエーテル基、n-プロピルビニルエーテル基、n-ブチルビニルエーテル基、イソブチルビニルエーテル基、2-エチルヘキシルビニルエーテル基、シクロヘキシルビニルエーテル基等が挙げられる。パターン強度に優れ、パターン倒れが起こりにくく、かつ、高解像度で低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができる点から、フェノール誘導体混合物Aは、上記化学式Iで表される基を1分子中に平均1.2個以上、更に平均1.5個以上有することが好ましい。なお、フェノール誘導体混合物Aは、上記化学式Iで表される基を1分子中に平均1個以上有すればよいため、上記化学式Iで表される基を有しない分子が含まれていてもよい。しかしながら、パターン強度に優れ、パターン倒れが起こりにくく、アルカリ現像性に優れる点からは、各分子が上記化学式Iで表される基を1個以上有することが好ましい。また、フェノール誘導体混合物Aを構成する各分子中に、フェノール性水酸基と上記化学式Iで表される基を合計2個以上有することが好ましく、合計3個以上有することがより好ましい。フェノール性水酸基と上記化学式Iで表される基を合計3個以上有する場合には、フェノール誘導体混合物Aが3次元的に架橋されるため、パターン強度に優れ、パターン倒れが起こりにくい。フェノール誘導体混合物A全体におけるフェノール性水酸基の平均個数と上記化学式Iで表される基の平均個数の比は特に限定されない。反応性及びアルカリ現像性の点から、フェノール性水酸基の平均個数は、上記化学式Iで表される基の平均個数と比べて同じか多い方が好ましい。また、フェノール性水酸基の平均個数と上記化学式Iで表される基の平均個数の比が、50:50~90:10であることが好ましい。この範囲内であれば、フェノール性水酸基と上記化学式Iで表される基の連結反応が効率よく進行するとともに、未反応のフェノール性水酸基が残るため、アルカリ現像性に優れている。フェノール誘導体混合物Aにおいて、上記化学式Iで表される基は、どのように含まれていても良い。中でも、合成が容易である点から、フェノール誘導体混合物Aは、フェノール性水酸基の水素が、上記化学式Iで表される基で置換された構造を有することが好ましい。フェノール性水酸基の水素が上記化学式Iで表される基で置換された構造を有する場合には、エーテル基を介することにより、化学式Iで表される基の動きが良好になり、反応効率が良好になることも期待できる。本発明において用いられるフェノール誘導体混合物Aは、平均分子量が400~2500である化合物を選択して用いる。平均分子量が下限値未満だと、レジスト膜を形成する能力やパターンを形成する能力が劣ってしまう。一方、分子量が上限値を超えると、微細なパターン形成が困難になることに加え、現像時に膨潤が生じ易くなり、それに伴うパターン倒れの恐れがある。ここで分子量は、その分子を構成する原子の原子量の和をいい、平均分子量は、フェノール誘導体混合物Aを構成する各分子の分子量の平均値である。また、分子量分布を有するオリゴマーである場合には、GPCポリスチレン換算を用いた重量平均分子量をフェノール誘導体混合物Aの平均分子量とする。本発明において用いられるフェノール誘導体混合物Aの平均分子量としては、中でも、500~2500であることが好ましく、更に600~2000であることが、成膜性および解像性の点から好ましい。本発明において用いられるフェノール誘導体混合物Aは、ガラス転移温度Tgが60°C以上、更に90°C以上であることが好ましい。ガラス転移温度が60°C以上であると、塗膜を形成する際に、脱濡れ現象dewettingが起こり難くなり、均一な膜が得られやすくなる。なお、脱濡れ現象とは、塗り広げた塗膜がプリベーク時に溶解して、はじきが生じ、均一に膜が形成されない現象をいう。通常、レジスト組成物用の溶剤としては、低沸点の溶剤を用いるとレジスト膜が急激に乾燥して均一な膜が得られないことから、スピンコート法などで塗布する際に均一なレジスト膜を得るために、沸点が90~180°Cの溶剤が使用される。スピンコート法で形成されたレジスト膜は多くの残留溶媒を含んでいるため、この溶剤を除き安定なレジスト膜を形成するため、レジスト基板をホットプレートで90°C以上の温度で加熱するプリベーク。ところが、ガラス転移温度が60°C未満のフェノール誘導体混合物Aを用いると、プリベーク工程においてレジスト膜の脱濡れ現象が起こり、均一な膜が得られなくなる恐れがある。それに対し、ガラス転移温度が60°C以上のフェノール誘導体混合物を用いる場合には、高温でのプリベークが可能となり、均一な膜が得られるほか、環境耐性ポストコーティングディレイ:PCDに優れたレジスト膜が得られる。更に、電子線によるパターン形成時に生じるパターンの粗密依存を抑制することができる。また、レジストパターン形成後のドライエッチング工程において、エッチング耐性エッチング中の高温によるパターンの溶融を防止可能に優れたパターンが得られる。なお、ここでのガラス転移温度は、示差走査熱量計DSCにより測定したものである。また、本発明において用いられるフェノール誘導体混合物Aは、沸点が80~180°Cの有機溶剤に対して、23°Cで5重量以上の溶解性を有していることが好ましい。このような場合には、スピンコート時に急激なレジスト膜の乾燥を防ぐことが可能となり、均一なレジスト膜が得られるというメリットがある。沸点が80~180°Cの有機溶剤の代表例としては、シクロペンタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、2-ヘプタノン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、1-エトキシ-2-プロパノール等が挙げられる。上記フェノール誘導体混合物Aとしては、特に限定されず、適宜選択して用いることができる。例えば、下記化学式1及び化学式3で表される化合物が挙げられる。[化学式1中、R1は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及び下記化学式2に示す基からなる群より選ばれる基であり、R1に含まれるアリール基は、水酸基及び/又は下記化学式Iで表される基を有しても良い。化学式2中、R4及びR5は、各々独立に、水素原子又は炭素数1~3のアルキル基であり、Qは、アリール基又はシクロアルキル基であり、mは1又は2を表す。R2は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基であり、複数あるR2のうち、1分子中平均1個以上は水素原子であり、1分子中平均1個以上は下記化学式Iで表される基である。R3は、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選ばれる基である。化学式I中、Ra~Rcは、各々独立に、水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を表し、Ra~Rcの2つが結合して3~8個の炭素原子又はヘテロ原子からなる環構造を形成してもよい。Rdは、直鎖又は分岐の炭素数1~6のアルキレン基、シクロアルキレン基、及びこれらの組み合わせよりなる群から選ばれる基である。n1は1~3の整数、n2は0~2の整数を表す。但し、n1n2≦4となる組み合わせをn1及びn2の数値範囲から選択するものとする。x1は3~12の整数を表す。また、化学式1に含まれる同一符号で表される基は、互いに同じでも異なっていてもよい。]化学式3中、R6、R7、R8及びR9は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、或いは、これらの組み合わせからなる基を表す。R6、R7、R8及びR9に含まれるアリール基は、水酸基及び/又は上記化学式Iで表される基を有しても良い。複数のR6が結合して環を形成してもよい。複数のR7が結合して環を形成してもよい。複数のR8が結合して環を形成してもよい。複数のR9が結合して環を形成してもよい。また、複数あるR6、R7、R8及びR9は互いに同じであっても異なっていても良い。R10及びR11は、各々独立に、水素原子又は1価の有機基を表し、複数あるR10又はR11のうち、1分子中平均1個以上は水素原子であり、1分子中平均1個以上は上記化学式Iで表される基である。Wは単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、又は、ヘテロ原子を含んでいてもよい、アルキレン基、シクロアルキレン基、又はアリーレン基、或いは、これらの任意の組み合わせからなる基を表す。複数あるWは互いに同じであっても異なっていても良い。x2は正の整数を表す。y1は0以上の整数を表し、Wが単結合の場合、y1は0である。y2は0以上の整数を表し、y3は正の整数を表す。zは0以上の整数を表す。vは0以上の整数を表す。k1及びk4は正の整数を表す。k2、k3、及びk5は各々独立して0以上の整数を表す。但し、k1k2z=5、k3v=3、k4k5=5、k2k5≧2を満たす。上記化学式1で表される化合物において、R1のアルキル基としては、特に制限はないが、炭素数1~18のアルキル基が好ましい。当該アルキル基は、直鎖でも、分岐状でも良い。例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、i-プロピル基、i-ブチル基、t-ブチル基、i-ペンチル基、t-ペンチル基、ヘキサデシル基等が挙げられる。また、二重結合、三重結合等の不飽和結合を有していても良い。アルキル基が有する置換基としては、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲノアルキル基等が挙げられる。R1のシクロアルキル基としては、特に制限はなく、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等が挙げられる。また、二重結合、三重結合等の不飽和結合を有していてもよく、単環性、多環性のどちらでもよい。シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基が好ましい。シクロアルキル基が有する置換基としては、特に制限はないが、例えば、炭素数1~5のアルキル基、水酸基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、ハロゲン原子、ハロゲノアルキル基等が挙げられる。炭素数1~5のアルキル基としては、直鎖又は分岐状のいずれでもよい。直鎖アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基等が挙げられる。分岐状アルキル基としては、例えば、i-プロピル基、i-ブチル基、t-ブチル基、i-ペンチル基、t-ペンチル基等が挙げられる。また、アルコキシ基としては、特に制限はないが、炭素数1~8のアルコキシ基が好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基等が挙げられる。アルコキシアルキル基としては、特に制限はないが、炭素数1~8のアルコキシアルキル基が好ましく、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、メトキシプロピル基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。ハロゲノアルキル基としては、特に制限はないが、炭素数1~8のハロゲノアルキル基が好ましく、例えば、クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、ブロモメチル基、ジブロモメチル基、トリブロモメチル基、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、1-クロロエチル基、1-ブロモエチル基、1-フルオロエチル基、1,2-ジクロロエチル基、1,1,2,2-テトラクロロエチル基等が挙げられる。R1のアリール基としては、特に制限はないが、好ましくは炭素数6~14、更に好ましくは炭素数6~10であり、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等が挙げられる。また、アリール基が有する置換基としては、水酸基、上記化学式Iで表される基、上記化学式Iで表される基を有する基、シクロアルキル基、炭素数1~5のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、ハロゲン原子、ハロゲノアルキル基等が挙げられる。アリール基が有する置換基としてのシクロアルキル基は、上記のシクロアルキル基と同様のものが挙げられる。また、当該シクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、炭素数1~5のアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、水酸基、アルコキシ基等が挙げられる。炭素数1~5のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、i-プロピル基等が挙げられる。アルコキシ基としては、特に制限はないが、炭素数1~8のアルコキシ基が好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基等が挙げられる。アリール基が有する置換基としての炭素数1~5のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、ハロゲン原子、ハロゲノアルキル基、及びアルコキシメチル基は、上記で示したとおりである。上記化学式2中、R4及びR5は、各々独立に、水素原子又は炭素数1~3のアルキル基である。炭素数1~3のアルキル基としては、直鎖又は分岐状のいずれでもよいが、中でもメチル基、エチル基が、エッチング耐性の点から好ましい。mが2の場合、2つのR4及びR5はそれぞれ、同一であっても異なっていても良い。上記化学式2中、R4及びR5のいずれも水素原子である場合が好適に用いられる。上記化学式2中のQのアリール基としては、上記アリール基と同様のものが挙げられる。また、上記化学式2中のQのシクロアルキル基としては、上記シクロアルキル基と同様のものが挙げられる。Qのシクロアルキル基が有する置換基は、上記シクロアルキル基が有する置換基と同様のものが挙げられる。R2の1価の有機基としては、1分子中平均1個以上は上記化学式Iで表される基であれば、特に制限はない。化学式Iで表される基以外の置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基が挙げられる。R2のアルキル基としては、上記R1と同様のものが挙げられる。R2のアルキル基の有する置換基としては、上記R1のものと同様のものが挙げられる。また、R2のシクロアルキル基、及びシクロアルキル基の有する置換基としては、上記R1のものと同様のものとすることができる。更に、R2のアリール基、及びアリール基が有する置換基としては、上記R1のものと同様のものとすることができる。R3のハロゲン原子、アルキル基としては、上記R1と同様のものが挙げられる。R3としてのアルキル基が有する置換基は、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、水酸基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基等が挙げられる。R3のシクロアルキル基、及びシクロアルキル基の有する置換基としては、上記R1のものと同様のものとすることができる。R3のアリール基、及びアリール基が有する置換基としては、上記R1のものと同様のものとすることができる。また、R3のアルコキシ基としては、上記R1と同様のものが挙げられる。R3のアシル基としては、特に制限はないが、炭素数1~8のアシル基が好ましく、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、バレリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等が挙げられる。x1は3~12の整数、好ましくは4~12の整数、より好ましくは4~8の整数である。前記化学式1で表される化合物は、フェノール性水酸基を1分子中に平均1個以上、及び、上記化学式Iで表される基を1分子中に平均1個以上有すれば、各繰り返し単位の同一符号で示される置換基はそれぞれ、同じであっても異なっていても良い。各繰り返し単位におけるOR2及びR3の位置が同じであっても異なっていても良い。上記化学式1で表される化合物においては、高感度、且つ、高解像力で形状が良好なパターンを得る点から、中でも、x1が4で、n1が2であることが好ましく、更にx1が4で、n1が2の、8個のR2のうち水素原子が4~7個、前記化学式Iで表される基が1~4個のカリックスレゾルシンアレン誘導体であることが好ましい。一方、上記化学式3で表される化合物において、R6、R7、R8及びR9におけるアルキル基は、直鎖でも分岐状でもよく、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘキシル基、オクチル基等の炭素数1~10個のものが挙げられる。R6、R7、R8及びR9におけるシクロアルキル基としては、単環、多環どちらでもよい。例えば、炭素数5以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を有する基を挙げることができる。その炭素数は6~30個が好ましく、特に炭素数7~25個が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカニル基、シクロドデカニル基等を挙げることができる。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していてもよい。R6、R7、R8及びR9におけるアリール基としては、上記R1と同様であって良い。なお、上記化学式3で表される化合物において、R6はx2が2以上の整数の場合はx2価の基となる。上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基が有してよい置換基としては、水酸基、カルボキシル基、ハロゲン原子フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、アルコキシ基メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等、ヒドロキシメチル基、又はアルコキシメチル基等を挙げることができる。R10及びR11における1価の有機基とは、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アミド基、シアノ基、ビニルエーテル基等を挙げることができる。アルキル基は、炭素数1~10個のアルキル基又はシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等を挙げることができる。アリール基は、炭素数6~14のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等を挙げることができる。アラルキル基は、炭素数6~12個のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基、クミル基等を挙げることができる。アルコキシ基及びアルコキシカルボニル基に於けるアルコキシ基は、炭素数1~5のアルコキシ基が好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基等を挙げることができる。Wにおけるアルキレン基は、直鎖でも分岐状でもよく、炭素数1~10のものが好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基等が挙げられる。Wにおけるシクロアルキレン基は、単環、多環どちらでもよく、環を形成するアルキレン基としては、例えば炭素数3~8個のシクロアルキレン基例えば、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基を挙げることができる。Wにおけるアルキレン基及びシクロアルキレン基は、さらに置換基を有していてよく、置換基としては、アルキル基好ましくは炭素数1~10、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等、アルコキシ基好ましくは炭素数1~4、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。また、アルキレン鎖又はシクロアルキレン鎖は、アルキレン鎖中に-O-、-OC=O-、-OC=OO-、-NR-C=O-、-NR-C=OO-、-S-、-SO-、-SO2-を含んでいても良い。ここでRは水素原子又はアルキル基好ましくは炭素数1~10、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等である。Wにおける環状のアリーレン基としては、好ましくはフェニレン基、トリレン基、ナフチレン基等の炭素数6~15個のものが挙げられる。本発明においては、パターン強度に優れ、パターン倒れが起こりにくく、かつ、高解像度で低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができる点から、中でも、前記化学式1で表されるフェノール誘導体混合物Aであることが好ましい。本発明に用いられるフェノール誘導体混合物Aの製造方法は特に限定されないが、例えば、フェノール性化合物を前駆体として、当該フェノール性化合物が有するフェノール性水酸基の一部の水素と化学式Iで表される基を置換することによって得ることができる。フェノール性水酸基の一部の水素と化学式Iで表される基を置換する方法としては、フェノール性化合物とハロゲン化アルキルビニルエーテル化合物を縮合反応させることにより得られる。化学式I’中、Ra~Rdは、化学式Iと同じであり、Xはハロゲン原子である。化学式I’中のハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子が好ましい。以下にフェノール誘導体混合物Aの前駆体として用いられるフェノール性化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。フェノール誘導体混合物Aの前駆体となるフェノール性化合物は、例えば本州化学工業株式会社、旭有機材工業株式会社などから市販されており、これを用いることができる。また、各種フェノール性化合物と各種アルデヒド、ケトンの縮合により合成することもできる。フェノール誘導体混合物Aの前駆体として用いられるフェノール性化合物は、1種単独で用いても良いし、2種以上を混合して用いても良い。しかしながら、本発明に係るポジ型レジスト組成物において、フェノール誘導体混合物Aは、同一のフェノール性化合物から得られたフェノール誘導体の割合が70重量以上であることが、低ラインエッジラフネスを向上する点から好ましく、同一のフェノール性化合物から得られたフェノール誘導体の割合が80重量以上であることがより好ましく、90重量以上であることが更に好ましい。ここで、同一のフェノール性化合物から得られたフェノール誘導体には、前駆体となるフェノール性化合物、及び当該フェノール性化合物から得られた1種以上のフェノール誘導体が含まれる。同一のフェノール性化合物から得られたフェノール誘導体に含まれる各化合物は、通常、置換基を除いた化学構造母核が同じである。フェノール誘導体混合物Aとして、上記のように同一のフェノール性化合物から得られたフェノール誘導体の割合が高いほど、相溶性が高まり、また、現像の進行が均一となるため、ラインエッジラフネスが低減されると推定される。但し、フェノール誘導体混合物Aは、同一のフェノール性化合物から得られたフェノール誘導体の割合が上記の値未満であっても、フェノール性化合物の構造が類似しており、相溶性が良好な場合には好適に用いることができる。当該フェノール誘導体混合物Aの含有量は、レジスト組成物の全固形分に対して、70重量以上であり、75重量以上であることが好ましく、更に80重量以上であることが好ましい。また、少なくとも後述する酸発生剤Bを含有することから、上限は、レジスト組成物の全固形分に対して、98重量以下であることが好ましい。なお、本発明において、固形分とは、ポジ型レジスト組成物中に含まれる成分のうち有機溶剤以外のものを意味する。<波長248nm以下の活性エネルギー線を照射することで直接又は間接的に酸を発生する酸発生剤B>本発明において用いられる波長248nm以下の活性エネルギー線を照射することで直接又は間接的に酸を発生する酸発生剤Bは、従来の化学増幅型レジスト組成物において使用されている公知の酸発生剤から特に限定せずに用いることができる。上記酸発生剤Bとしては、下記化学式4~9で表される化合物からなる群から選択される少なくとも1種類であることが好ましい。化学式4中、R12は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~12の直鎖状アルキル基、炭素数3~12の分枝状アルキル基、炭素数3~12の環状アルキル基、炭素数1~12の直鎖状アルコキシ基、炭素数3~12の分枝状アルコキシ基、炭素数3~12の環状アルコキシ基、炭素数5~10の分岐アルコキシカルボニルアルコキシ基、水酸基、又はハロゲン原子であり、X-は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数6~12のアリール基、炭素数1~12のハロゲン置換アルキル基、若しくは炭素数6~12のハロゲン置換アリール基を有するスルホン酸イオン、又はハロゲン化物イオンである。nは0~5の整数である。上記化学式4で表される化合物としては、例えば、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメチルスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムシクロヘキサフルオロプロパン-1,3-ビススルホニルイミド、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ジフェニル-4-メチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウムp-トルエンスルホナート、ジフェニル-4-t-ブトキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル-4-t-ブトキシフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-フルオロフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル-3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-ヒドロキシフェニル-フェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-ヒドロキシフェニル-t-ペンチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス4-メトキシフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス4-フルオロフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム-p-トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニル-p-トルエンスルホネート、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウム-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウム-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウム-24-ジフルオロベンゼンスルホネート、ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロベンゼンスルホネート、ジフェニルナフチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウム-p-トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート、ジフェニル-4-ヒドロキシフェニルスルホニウム10-カンファースルホネート、4-t-ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、2,4-ジt-ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4-t-ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム-2,4,6-トリストリフルオロメチルベンゼンスルホネート、2,4-ジt-ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム-2,4,6-トリストリフルオロメチルベンゼンスルホネート等が挙げられる。化学式5中、X-、R13、及びnは、化学式4のX-、R12、及びnと同様である。上記化学式5で表される化合物としては、例えば、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムp-トルエンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム-2,4-ジフルオロベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウムヘキサフルオロベンゼンスルホネート、ビス4-t-ブチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムp-トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウム-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム-2,4-ジフルオロベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロベンゼンスルホネート、ビス4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムp-トルエンスルホネート、ビス4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス4-トリフルオロメチルフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート等が挙げられる。化学式6中、Aは炭素数1~12のアルキレン基、炭素数6~12のアリーレン基、又は炭素数1~12のアルキレンオキシ基-R’-O-、但し、R’は炭素数1~12のアルキレン基であり、R14は炭素数1~12のアルキル基、炭素数6~12のアリール基、炭素数1~12のハロゲン置換アルキル基、又は炭素数6~12のハロゲン置換アリール基である。上記化学式6で表される化合物としては、例えば、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシスクシンイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシフタルイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシビシクロ2.2.1へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-トリフルオロメチルスルホニルオキシナフチルイミド、N-10-カンファースルホニルオキシスクシンイミド、N-10-カンファースルホニルオキシフタルイミド、N-10-カンファースルホニルオキシジフェニルマレイミド、N-10-カンファースルホニルオキシビシクロ2.2.1へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-10-カンファースルホニルオキシナフチルイミド、N-n-オクタンスルホニルオキシビシクロ2.2.1へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-n-オクタンスルホニルオキシナフチルイミド、N-p-トルエンスルホニルオキシビシクロ2.2.1へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-p-トルエンスルホニルオキシナフチルイミド、N-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシビシクロ2.2.1へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-2-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシナフチルイミド、N-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシビシクロ2.2.1へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-4-トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシナフチルイミド、N-パーフルオロベンゼンスルホニルオキシビシクロ2.2.1へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロベンゼンスルホニルオキシナフチルイミド、N-1-ナフタレンスルホニルオキシビシクロ2.2.1へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-1-ナフタレンスルホニルオキシナフチルイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシビシクロ2.2.1へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシナフチルイミド、N-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシビシクロ2.2.1へプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-パーフルオロ-n-オクタンスルホニルオキシナフチルイミド等が挙げられる。化学式7中、R15は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、炭素数1~12の直鎖状アルキル基、炭素数3~12の分枝状アルキル基、炭素数3~12の環状アルキル基、炭素数6~12のアリール基、炭素数3~12のヘテロアリール基、又は炭素数7~12のアラルキル基である。前記各置換基は、炭素数1~12のアルキル基、水酸基、ハロゲン原子、炭素数1~12のハロアルキル基で置換されていてもよい。上記化学式7で表される化合物としては、例えば、ジフェニルジスルフォン、ジ4-メチルフェニルジスルフォン、ジナフチルジスルフォン、ジ4-t-ブチルフェニルジスルフォン、ジ4-ヒドロキシフェニルジスルフォン、ジ3-ヒドロキシナフチルジスルフォン、ジ4-フルオロフェニルジスルフォン、ジ2-フルオロフェニルジスルフォン、ジ4-トリフルオロメチルフェニルジスルフォン等が挙げられる。化学式8中、R16は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、炭素数1~12の直鎖状アルキル基、炭素数3~12の分枝状アルキル基、炭素数3~12の環状アルキル基、炭素数6~12のアリール基、炭素数3~12のヘテロアリール基、又は炭素数7~12のアラルキル基である。前記各置換基は、炭素数1~12のアルキル基、ハロゲン原子、炭素数1~12のアルコキシ基で置換されていてもよい。上記化学式8で表される化合物としては、例えば、α-メチルスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-フェニルアセトニトリル、α-トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-エチルスルホニルオキシイミノ-4-メトキシフェニルアセトニトリル、α-プロピルスルホニルオキシイミノ-4-メチルフェニルアセトニトリル、α-メチルスルホニルオキシイミノ-4-ブロモフェニルアセトニトリル等が挙げられる。化学式9中、R17は同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、1以上の塩素原子及び1以上の臭素原子を有するハロゲン化アルキル基である。ハロゲン化アルキル基の炭素数は1~5が好ましい。上記化学式9で表される化合物としては、例えば、モノクロロイソシアヌール酸、モノブロモイソシアヌール酸、ジクロロイソシアヌール酸、ジブロモイソシアヌール酸、トリクロロイソシアヌール酸、トリブロモイソシアヌール酸等が挙げられる。その他の酸発生剤Bとしては、例えば、ビスp-トルエンスルホニルジアゾメタン、ビス2,4-ジメチルフェニルスルホニルジアゾメタン、ビスt-ブチルスルホニルジアゾメタン、ビスn-ブチルスルホニルジアゾメタン、ビスイソブチルスルホニルジアゾメタン、ビスイソプロピルスルホニルジアゾメタン、ビスn-プロピルスルホニルジアゾメタン、ビスシクロヘキシルスルホニルジアゾメタン等のビススルホニルジアゾメタン類、2-4-メトキシフェニル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、2-4-メトキシナフチル-4,6-ビストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、トリス23-ジブロモプロピル-1,3,5-トリアジン、トリス23-ジブロモプロピルイソシアヌレート等のハロゲン含有トリアジン誘導体が挙げられる。これらの酸発生剤Bは1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。酸発生剤Bの含有量は、レジスト組成物の全固形分に対して、2~30重量であることが好ましく、更に4~20重量であることが好ましい。この範囲よりも少なくなると像形成できなくなる恐れがある。一方、この範囲より多くなると、均一な溶液とならず、保存安定性が低下する恐れがある。<有機塩基性化合物C>本発明のポジ型レジスト組成物は、前記酸発生剤Bを含むため、レジストパターン形状、保管状態での経時安定性などを向上させるために、更に有機塩基性化合物Cを用いることが好ましい。有機塩基性化合物Cは、公知の有機塩基性化合物の中から任意のものを選択して使用することができる。上記有機塩基性化合物Cとしては、含窒素有機化合物が挙げられ、例えば、窒素原子を有する含窒素化合物、アミド基含有化合物、ウレア化合物、及び含窒素複素環式化合物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの含窒素有機化合物に、エーテル結合、カルボニル結合、エステル結合、カーボネート結合、スルフィド結合、スルホン結合、等の極性基を鎖中に含む化合物や、エステル基、アセタール基、シアノ基、アルコキシ基、水酸基、等の極性基を置換基として含む化合物も好適に用いられる。含窒素有機化合物としては、例えば、n-ヘキシルアミン、n-ヘプチルアミン、n-オクチルアミン、n-ノニルアミン、n-デシルアミン、n-ドデシルアミン、シクロヘキシルアミン等のモノシクロアルキルアミン類;ジ-n-ブチルアミン、ジ-n-ペンチルアミン、ジ-n-ヘキシルアミン、ジ-n-ヘプチルアミン、ジ-n-オクチルアミン、ジ-n-ノニルアミン、ジ-n-デシルアミン、メチル-n-ドデシルアミン、ジ-n-ドデシルメチルアミン、シクロヘキシルメチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジシクロアルキルアミン類;トリエチルアミン、トリ-n-プロピルアミン、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-ヘキシルアミン、トリ-n-ヘプチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-ノニルアミン、トリ-n-デシルアミン、ジメチル-n-ドデシルアミン、ジ-n-ドデシルメチルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリシクロアルキルアミン類;モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルカノールアミン類;アニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、2-メチルアニリン、3-メチルアニリン、4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、1-ナフチルアミン等の芳香族アミン類;エチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラキス2-ヒドロキシプロピルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノジフェニルアミン、2,2-ビス4-アミノフェニルプロパン、2-3-アミノフェニル-2-4-アミノフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-3-ヒドロキシフェニルプロパン、2-4-アミノフェニル-2-4-ヒドロキシフェニルプロパン、1,4-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、1,3-ビス1-4-アミノフェニル-1-メチルエチルベンゼン、ポリエチレンイミン、2,2-フェニルイミノジエタノール、ポリアリルアミン、N-2-ジメチルアミノエチルアクリルアミドの重合体、トリス2-アセトキシエチルアミン、トリス2-ピバロイルオキシエチルアミン、トリス2-t-ブトキシカルボニルオキシエチルアミン、トリス[2-2-オキソプロポキシエチル]アミン、トリス[2-メトキシカルボニルメチルオキシエチル]アミン、トリス[2-t-ブトキシカルボニルメチルオキシエチル]アミン、トリス[2-2-メトキシエトキシエチル]アミン、N-[2-メチルスルホニルエチル]ジエタノールアミン、N-[2-メチルスルホニルエチル]ビス2-アセトキシエチルアミン、N-[2-メチルスルホニルエチル]ビス2-ホルミルオキシエチルアミン、N-[2-メチルスルホニルエチル]ビス2-メトキシエチルアミン、3,3’-[2-メチルスルホニルエチル]イミノジプロピオン酸ジメチル、N-テトラヒドロフルフリルビス[2-メチルスルホニルエチル]アミン、3-[ビス2-メトキシエチルアミノ]プロピオン酸t-ブチル、3-[ビス2-アセトキシエチルアミノ]プロピオン酸t-ブチル等が挙げられる。アミド基含有化合物としては、例えば、ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン等が挙げられる。ウレア化合物としては、例えば、尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリ-n-ブチルチオウレア等が挙げられる。含窒素複素環式化合物としては、例えば、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4-メチルイミダゾール、4-メチル-2-フェニルイミダゾール、2-フェニルベンズイミダゾール、4,5-ジフェニルイミダゾール、2,4,5-トリフェニルイミダゾール等のイミダゾール類;ピリジン、2-メチルピリジン、4-メチルピリジン、2-エチルピリジン、4-エチルピリジン、2-フェニルピリジン、4-フェニルピリジン、2-メチル-4-フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、8-オキシキノリン、アクリジン等のピリジン類;及び、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、4-メチルモルホリン、ピペラジン、14-ジメチルピペラジン、14-ジアザビシクロ2.2.2オクタン、1-[2-メトキシメトキシエチル]ピロリジン、1-[2-2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]ピロリジン、1-[2-2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]ピペリジン、4-[2-メトキシメトキシエチル]モルホリン、4-[2-2-メトキシエトキシメトキシ]エチル]モルホリン1-2’,3’-ジヒドロキシルプロピル-2-メチルイミダゾール、1,3-ジ2’-メチル-1’-イミダゾイルメチルベンゼン、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジルイミダゾール、酢酸2-1H-ベンズイミダゾール-1-イルエチル、酢酸2-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾール-1-イルエチル、3-2-フェニル-1H-ベンズイミダゾール-1-イルプロピオン酸メチル、1-[2-1,3-ジオキソラン-2-イルエチル]1H-ベンズイミダゾール、4-1H-ベンズイミダゾール-1-イルブチロニトリル、3-モルホリノプロピオン酸t-ブチル、3-ピペリジノプロピオン酸t-ブチル、3-ピペリジノプロピオン酸1-エチルシクロペンチル、3-ピペリジノプロピオン酸1-エチル2-ノルボルニル等が挙げられる。これらの有機塩基性化合物Cは、単独であるいは2種以上組み合わせて用いることができる。有機塩基性化合物Cの配合量は、前記フェノール誘導体混合物A100重量部に対し、好ましくは0.01~10重量部であり、より好ましくは0.1~5重量部である。0.01重量部未満ではその添加の効果が得られない恐れがある。一方、10重量部を超えると感度の低下や未露光部の現像性が悪化する傾向がある。<その他の成分>本発明のポジ型レジスト組成物には、本発明の効果が損なわれない範囲内で、レジスト膜の性能を改良するためのオリゴマー又はポリマー成分を添加しても良い。オリゴマー又はポリマー成分を添加することにより、レジスト膜中に網目構造を導入することにより、パターン強度の向上による解像性の改善、パターン形状ラインエッジラフネスの改善ができる場合がある。このようなオリゴマー又はポリマー成分の含有量は、レジスト組成物の全固形分に対して、5重量以下、より好ましくは3重量以下であることが好ましい。オリゴマー又はポリマー成分としては、i線、KrFやArF用のポジ型レジスト組成物に従来用いられてきたアルカリ現像可能な樹脂である、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン誘導体、アクリル酸やメタクリル酸から誘導されるアクリル系共重合体が挙げられる。これらのオリゴマー又はポリマー成分は反応性官能基を有していても良い。オリゴマー又はポリマー成分の重量平均分子量は、2000~30000であることが好ましく、更に2000~20000であることが好ましい。ここでの重量平均分子量は、GPCゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により測定されたポリスチレン換算値をいう。本発明のポジ型レジスト組成物には、本発明の効果を損なわない限り、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤などを適宜、添加含有させることができる。<ポジ型レジスト組成物の調製>本発明に係るポジ型レジスト組成物は、通常、有機溶剤に上記のフェノール誘導体混合物A、及び必要に応じてその他の添加剤を均一に混合することにより調製される。有機溶剤としては、レジストの溶剤として一般に用いられているものが使用できる。例えば、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2-メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N-メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶媒を単独あるいは混合して使用することができる。さらにイソプロピルアルコール、エチルアルコール、メチルアルコール、n-ブチルアルコール、s-ブチルアルコール、t-ブチルアルコール、イソブチルアルコール、2-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、2-メトキシエタノール、2-エトキシエタノール、1-エトキシ-2-プロパノール、1-メトキシ-2-プロパノールなどのアルコールや、トルエン、キシレンなどの芳香族溶媒が含有されていても構わない。本発明では、これらの有機溶剤の中でもジエチレングリコールジメチルエーテルやシクロヘキサノン、シクロペンタノン、1-エトキシ-2-プロパノール、乳酸エチルの他、安全溶剤であるプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びその混合溶剤が好ましく使用される。レジスト組成分中の溶剤量は特に限定されず、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定される。一般的には、溶剤は、レジスト組成物の固形分濃度が好ましくは0.5~20重量、より好ましくは0.5~15重量の範囲内となるように用いられる。本発明に係るポジ型レジスト組成物は、水分含有量を0.5重量以下、更に0.01~0.5重量、より更に0.15~0.30重量に調整することが好ましい。水分含有量は、例えば、使用される材料を適宜乾燥することや、調製雰囲気を乾燥させる例えば、湿度50以下ことによって調整することができる。また、本発明に係るポジ型レジスト組成物は、酸成分含有量を1×10-3ミリ当量/g以下、更に5×10-4ミリ当量/g以下に調整することが好ましい。酸成分含有量は、例えば、使用される材料の溶液や組成物溶液をイオン交換樹脂で処理したり、使用される材料の溶液を純水で洗浄することによって調整することができる。酸成分含有量は、非水系の電位差測定によって求めることができる。本発明に係るポジ型レジスト組成物は、調製されたのち、ろ過して使用されることが好ましい。本発明のポジ型レジスト組成物は、半導体集積回路のゲート層作成用、ガラス基板上に形成されるマスクパターン加工用などの微細化された電子部品を製造するためのマイクロリソグラフィプロセスに好適に使用することができる。本発明は、上記本発明に係るポジ型レジスト組成物又はその硬化物により少なくとも一部分が形成されている、電子部品をも提供する。本発明に係る電子部品は、レジスト組成物又はその硬化物が含まれる構成のいずれかに、上記本発明に係るポジ型レジスト組成物又はその硬化物を含めば、他の構成は、従来公知と同様のものとすることができる。本発明に係る電子部品としては、例えば、MEMSマイクロ電気機械装置部品、マイクロ機械部品、マイクロ流体工学部品、μ-TASマイクロ全分析装置部品、インクジェットプリンター部品、マイクロ反応器部品、電気伝導性層、金属バンプ接続部、LIGAリソグラフィー電鋳成形部品、マイクロ射出成形及びマイクロ圧印加工のための鋳型及び押型、精密印刷用スクリーン又はステンシル、MEMS及び半導体パッケージ用部品、及び紫外線UVリトグラフにより処理することができるプリント配線基板等が挙げられる。II.レリーフパターンの製造方法本発明に係るレリーフパターンの製造方法は、i本発明に係るポジ型レジスト組成物を基板上に塗布した後、加熱処理し、レジスト膜を形成する工程、及びii前記レジスト膜を電子線、イオンビーム、EUV、又はX線で露光し、現像する工程、を含むことを特徴とする。本発明に係るレリーフパターンの製造方法によれば、アルカリ現像が可能で、高解像力で形状が良好なパターンを形成することができる。以下、各工程についてそれぞれ説明する。i本発明に係るポジ型レジスト組成物を基板上に塗布した後、加熱処理し、レジスト膜を形成する工程本工程においては、まず、上記のポジ型レジスト組成物を基板上に塗布する。塗布方法は、基板表面に当該ポジ型レジスト組成物を均一に塗布することができる方法であれば特に限定されるものではなく、スプレー法、ロールコート法、スリットコート法、回転塗布等の各種方法を用いることができる。次に、当該基板上に塗布した当該ポジ型レジスト組成物にプリベークPABを行い、有機溶剤を除去して、レジスト膜を形成する。このとき、レジスト中のフェノール誘導体混合物A中のフェノール性水酸基と前記化学式Iで表される基が結合して、フェノール誘導体混合物Aは連結する。プリベークの温度は、当該組成物の成分、使用割合、有機溶剤の種類等により適宜決めればよく、通常、80~160°C、好ましくは90~150°Cである。また、プリベーク時間は、通常、30秒~15分程度である。ii前記レジスト膜を電子線、イオンビーム、EUV、又はX線で露光し、現像する工程本工程においては、まず、前記レジスト膜を、例えば、電子線描画装置、EUV露光装置等の露光装置を用いて、所定のパターン形状を有するマスクを介した露光、又は当該マスクを介さない電子線の直接照射による描画等により、選択的に露光を行う。露光光源は、特に限定されず、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、F2エキシマレーザー、EUVExtremeUltraviolet:極紫外線、電子線、X線、ヘリウムや水素等のイオンビーム等を用いて行うことができる。次いで、露光後に、露光後加熱PostExposureBake、PEBを行う。PEB処理の条件は、通常、50~160°Cの温度で、0.1~15分程度の時間である。次に、上記でPEB処理された基板を、アルカリ現像液を用いて現像処理し、露光光の照射部分を除去する。現像方法としては、スプレー法、スリット法、液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法等が挙げられる。また、本発明のポジ型レジスト組成物のアルカリ現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n‐プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ‐n‐ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジメチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。更に、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。これらのアルカリ現像液の中で、好ましくは第四級アンモニウム塩、更に好ましくは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリンの水溶液である。また、アルカリ現像液としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液を用いる場合、当該テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液の濃度は、0.1~25であることが好ましく、更に好ましくは0.2~5であり、特に好ましくは0.2~2.38である。2.38濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液は、一般に半導体産業において最も入手しやすい。また、当該テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液の濃度が0.1より薄い場合、空気中の二酸化炭素により現像液が中和されてしまい、感度が変動して安定的に製品を得る事が困難となる。現像処理した後、リンス処理を行い、基板上のアルカリ現像液及び当該アルカリ現像液によって溶解したレジスト組成物を洗い流し、乾燥させて、レジストパターンを得る。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。以下、本発明について実施例を示して具体的に説明する。これらの記載により本発明を制限するものではない。なお、製造例における、構造及び物性の確認は以下の装置を用いて行った。1H‐NMR:日本電子製、JEOLJNM-LA400WBガラス転移温度Tg:示差熱分析装置島津製作所製DSC-60を用い、パターン形成材料約4mgを10°C/分の速度で200°Cまで昇温し室温まで冷却した後、再度、10°C/分の速度で200°Cまで昇温したときのDTA曲線の変曲温度部の前後の滑らかな曲線の両接線の交点をもってガラス転移温度とした。200°Cまでにガラス転移温度に相当するDTA曲線の変曲点が観察されない場合に、Tgは200°C以上と判断した。<比較合成例1:フェノール性化合物の合成>窒素雰囲気下、300mL三口フラスコ中、レゾルシノール25.2g230mmolをエタノール:水=1:1の混合溶液100mLに溶解した。これを氷浴下で冷却しながらアセトアルデヒド12.2mL220mmolを加え、次いで、濃塩酸21mLをゆっくりと滴下し、75°Cで1時間反応させた。反応終了後、反応溶液を蒸留水300mL中に注ぎ込み、生じた沈殿をろ過した後、中性になるまで蒸留水で洗浄した。ろ別した固体の精製は、メタノール/水の混合溶媒で再結晶し、下記化学式10で表されるフェノール性化合物CRA-121.6g39.7mmol、収率73.0を得た。<合成例1:フェノール誘導体混合物Aの合成>水素化ナトリウム0.36g15mmolに対して、N-メチルピロリドンNMP14mL、比較合成例1で得られたフェノール性化合物CRA-11.4g2.5mmol、テトラブチルアンモニウムブロマイド0.08g0.25mmolを加えてしばらく攪拌した後、クロロエチルビニルエーテル1.5mL15mmolを加えて80°Cで16時間攪拌した。その後、150mLの2.38wtTMAH水溶液を加えてしばらく攪拌した後、ジエチルエーテルを加えて水相のみを取り出した。この水相に酢酸エチルを加え、更に5wtクエン酸水溶液を加えて中和した後、純水で3回洗浄を行い、硫酸マグネシウムを加えて乾燥、酢酸エチルを留去した。これにクロロホルムを加え、固体を溶解させた後にヘキサンを加えてしばらく攪拌し、溶媒を留去した。この操作を2回繰り返した後、減圧乾燥して、下記化学式11で表されるフェノール誘導体混合物A-11.08g1.47mmol、収率58.8を得た。上記化学式Iで表される基の導入量は、1H‐NMRスペクトルにより算出した。フェノール誘導体混合物A-1中、フェノール性水酸基は平均5.12個、上記化学式Iで表される基は平均2.88個であった。ガラス転移温度:200°C以上化学式11中、Rの36がエチルビニルエーテル基、64が水素原子であった。<合成例2:フェノール誘導体混合物Aの合成>合成例1における、各化合物の添加量を、水素化ナトリウム0.18g7.5mmol、NMP14.0mL、比較合成例1で得られたフェノール性化合物CRA-11.4g2.5mmol、テトラブチルアンモニウムブロマイド0.08g0.25mmol、クロロエチルビニルエーテル0.75mL7.5mmolに変更した以外は、合成例1と同様にして、下記化学式12で表される化合物A-20.93g1.43mmol、収率57.0を得た。上記化学式Iで表される基の導入量は、1H‐NMRスペクトルにより算出した。フェノール性誘導体混合物A-2中、フェノール性水酸基は平均6.48個、上記化学式Iで表される基は平均1.52個であった。ガラス転移温度:200°C以上化学式12中、Rの19がエチルビニルエーテル基、81が水素原子であった。<比較合成例2:保護基が導入されたフェノール性化合物の合成>比較合成例1で得られたフェノール性化合物CRA-12.7g5mmol、4-ジメチルアミノピリジン0.12g0.1mmol及びアセトン20mLからなる溶液に、6.2mL28mmolのビスtert‐ブトキシカルボニルオキシドを滴下した。反応液を60分間室温で攪拌し溶液を蒸発させた。展開溶媒としてヘキサン/酢酸エチル=1/1の混合溶媒を用いて、カラムクロマトグラフィーにより精製することでフェノール性水酸基がtert-ブトキシカルボニル基で置換されたフェノール化合物CA-1を95の収率で得た。1H及び13C-NMRスペクトルから、全フェノール性水酸基に対する保護率は68であった。化学式13中、Pの68がtert-ブトキシカルボニル基、32が水素原子であった。<比較合成例3:架橋性化合物の合成>1,1,1-トリス4-ヒドロキシフェニルエタン1.0g、3.26mmolのNMP溶液20mLにK2CO32.76g、20.0mmolと2-クロロエチルビニルエーテル1.25g、11.74mmolを加え、窒素雰囲気下、75°Cで15時間攪拌した。反応終了後、反応溶液を蒸留水中に投入し沈殿物を得た。また、それをアセトンに溶解させ、蒸留水に再沈殿を行い白色の個体を得た。得られた個体を80°Cで12時間真空乾燥することで下記化学式14に示す化合物D-11.62g、収率96を得た。[実施例:ポジ型レジスト組成物の調製]フェノール誘導体混合物A又はフェノール性化合物と、酸発生剤Bと、有機塩基性化合物Cと、架橋性化合物と、有機溶剤を表1に記載の配合量で均一溶液とし、各試料溶液を0.1μmのテフロン登録商標フィルターでろ過して、実施例1、2及び比較例1、2のポジ型レジスト組成物を調製した。なお、表1中の略号は以下のとおりである。B-1:トリフェニルスルホニウムトリフルオロメチルスルホネートB-2:ジフェニル-2,4,6-トリメチルフェニルスルホニウムp-トルエンスルホナートC-1:トリ-n-オクチルアミンE-1:シクロペンタノン[レジストパターンの作製及び評価方法]上記実施例1、2及び比較例1、2のポジ型レジスト組成物を用いて、以下に示す方法でレジストパターンを作成し、評価を行った。1レジストの塗布各レジスト組成物を、6インチシリコン基板上にスピンナーを用いて、均一に塗布し、120°Cで180秒間プリベーク処理PABを行い、膜厚300nmのレジスト膜を形成した。なお、比較例2については、プリベーク時に架橋反応を必要としないため、100°Cで60秒間、プリベーク処理PABを行った。2レジストパターンの作製1で得られたレジスト膜に対し、電子線描画装置加速電圧100kVを用いて描画を行った。描画終了後、100°Cで60秒間ベーク処理PEBを施した後、2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドTMAH水溶液23°Cで60秒間現像処理し、純水にて60秒間リンス処理を行い、ラインアンドスペースL/Sパターンを形成した。<レジストパターンの評価>上記実施例1、2及び比較例1、2のポジ型レジスト組成物を用いて得られたレジストパターンそれぞれに対し、以下の1及び2の評価を行った。その結果を表2に示す。1感度、解像力及びLER感度はライン幅300nmライン/スペース=1:1に形成される最少照射量を感度としてμC/cm2単位で測定した。数値が小さいほど感度が高いことを示す。また、その照射量における限界解像力ライン及びスペースが分離解像を解像力とした。解像性の確認は、測長SEMホロン社製により判断した。数値が小さいほど解像力が高いことを示す。LERは、300nmのL/Sパターンの長手方向のエッジ2.0μmの範囲について、ライン幅を500ポイント測定し、標準偏差を求め、3σを算出した。LERは、パターン側壁の凹凸の大きさを反映しているために数値が小さいほうが望ましく5nm以下のものを○、5nm以上のものを×とした。2パターン強度パターン強度は、ライン幅100nmライン/スペース=1:1の部分を側長SEMホロン社製にて3μm四方で観察し、その視野におけるパターンの倒壊数にて判断した。A:パターンの倒壊が無いB:パターンの倒壊が1~4本C:パターンの倒壊が5本以上[結果のまとめ]フェノール性化合物と架橋性化合物を含有する比較例1のポジ型レジスト組成物は、感度及び解像力に優れているが、フェノール性化合物と架橋性化合物を混合して用いているため、LERが不十分であった。低分子フェノール性化合物の一部に保護基としてtert-ブトキシカルボニル基を導入したレジスト基材を用いた比較例2のポジ型レジスト組成物は、基材の分子量が低いため、パターンの倒壊がみられ、パターン強度に問題があった。フェノール性水酸基を1分子中に平均1個以上、及び、上記化学式Iで表される基を1分子中に平均1個以上有する、平均分子量400~2500のフェノール誘導体混合物Aを含有する、実施例1及び実施例2のポジ型レジスト組成物は、パターン強度に優れ、パターン倒れが起こりにくく、かつ、高解像度で低ラインエッジラフネスのパターンを得ることができることがわかった。"