半導体チップと、前記半導体チップを搭載するインターポーザと、前記インターポーザ上にあって、前記半導体チップを覆う封止樹脂を備える半導体パッケージにおいて、前記半導体チップの、前記インターポーザに対向する面に形成された電極は、第1の金属を含む第1の領域と、第2の金属を含む第2の領域とからなり、前記インターポーザと前記電極とは、前記第1の金属を含む導電性のダイボンド材で電気的に接続されていることを特徴とする半導体パッケージ。前記第1の金属は銀であり、前記第2の金属はアルミニウムであることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。前記第1の金属は銀であり、前記第2の金属は焼成アルミであることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。前記第1の金属を含む導電性のダイボンド材は銀ペーストであることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体パッケージ。前記第1の領域は、前記第2の領域よりも小さいことを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体パッケージ。前記第1の領域の一部と、前記第2の領域の一部とは、重なっていることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体パッケージ。前記第1の領域は、前記半導体チップの中央部に分布し、前記第2の領域は、前記半導体チップの周辺部に分布していることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の半導体パッケージ。前記第1の領域は、前記半導体チップに点在し、前記第2の領域は、前記半導体チップの周辺部に分布していることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の半導体パッケージ。前記ダイボンド材の80以上が、前記第1の領域に存在することを特徴とする請求項1~8のいずれか1項に記載の半導体パッケージ。前記半導体チップと前記インターポーザとの間には、前記ダイボンド材が存在する領域と、前記封止樹脂が存在する領域とが形成されていることを特徴とする請求項1~9のいずれか1項に記載の半導体パッケージ。前記半導体チップは、太陽電池セルであることを特徴とする請求項1~10のいずれか1項に記載の半導体パッケージ。しかしながら、図13の半導体パッケージ101は、Agペースト105と半導体チップ104の裏面との接着性、及びAgペースト105とインターポーザ接続端子103との接着性が低い。このため、半導体パッケージ101に対する、機械的ストレス外部応力、内部応力や物理応力熱ストレスによって、Agペースト105と半導体チップ104の裏面との接着界面、またはAgペースト105とインターポーザ接続端子103との接着界面が、部分剥離したり完全剥離したりすることがある。また、図13の半導体パッケージ101は、インターポーザ102、Agペースト105、半導体チップ104及び封止樹脂106という物性値が異なる複数の異種材料による層構造を有している。このため、バイメタルと同様の現象により半導体パッケージ101に反りが発生する。なお、バイメタルとは、熱膨張率が異なる2枚の金属板を貼り合わせたものであり、温度の変化によって曲がり方が変化するという性質を有している。従って、半導体パッケージでは、接着界面の剥離による、電気的特性の劣化及び長期信頼性の低下を防ぐことと、半導体チップの反りを防止することとが課題となる。本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、電気的特性及び長期信頼性を従来の半導体パッケージよりも向上すると共に、半導体チップの反りを防止することが可能となる、半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法を提供することにある。また、図26に示されるような従来の太陽電池モジュールは、小型の携帯用機器に使用される。このため、高温多湿などの環境条件に加え、落下や加重などの外的負荷が作用する環境下にて使用されることが想定される。従って、上述したような環境下においても耐え得る構造が求められている。また、図26において裏面電極136に使用される焼成アルミは、比較的ポーラスporous:多孔性である。よって、焼成アルミで形成されている裏面電極136と銀ペーストであるダイボンド材137との界面における接着強度をより強固なものとし、上述したような環境下においても耐え得る構造とした上で、長期信頼性をさらに向上させることが求められている。本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、従来の半導体パッケージよりも長期信頼性が向上した半導体パッケージを提供することにある。本発明の半導体パッケージは、上記課題を解決するために、半導体チップと、前記半導体チップを搭載するインターポーザと、前記インターポーザ上にあって、前記半導体チップを覆う封止樹脂を備える半導体パッケージにおいて、前記半導体チップの、前記インターポーザに対向する面に形成された電極は、第1の金属を含む第1の領域と、第2の金属を含む第2の領域とからなり、前記インターポーザと前記電極とは、前記第1の金属を含む導電性のダイボンド材で電気的に接続されていることを特徴とする。上記発明によれば、導電性のダイボンド材が第1の金属を含んでいる。第1の金属と第1の金属を含む導電性のダイボンド材との接着強度は、第2の金属と第1の金属を含む導電性のダイボンド材との接着強度よりも高い。よって、上記電極と導電性のダイボンド材との界面における接着強度を、従来の電極と導電性のダイボンド材との界面における接着強度よりも強固なものとすることが出来るとともに、接触抵抗を下げることができる。従って、従来の半導体パッケージよりも長期信頼性が向上した半導体パッケージを提供することが可能となる。更に、第2の金属は比較的ポーラスであり、前記第1の金属を含む導電性のダイボンド材は有機バインダーを含むため、半導体パッケージにかかる応力を低減する効果も期待できる。上記半導体パッケージでは、前記第1の金属は銀であり、前記第2の金属はアルミニウムであってもよい。また、上記半導体パッケージでは、前記第1の金属は銀であり、前記第2の金属は焼成アルミであってもよい。さらに、上記半導体パッケージでは、前記第1の金属を含む導電性のダイボンド材は銀ペーストであってもよい。銀と銀ペーストとの接着強度は、アルミニウムと銀ペーストとの接着強度よりも高く、焼成アルミと銀ペーストとの接着強度よりも高い。よって、上記電極と導電性のダイボンド材との界面における接着強度を、従来の電極と導電性のダイボンド材との界面における接着強度よりも強固なものとすることが出来るとともに、接触抵抗を下げることができる。従って、従来の半導体パッケージよりも長期信頼性が向上した半導体パッケージを提供することが可能となる。上記半導体パッケージでは、前記第1の領域は、前記第2の領域よりも小さくてよい。また、上記半導体パッケージでは、前記第1の領域の一部と、前記第2の領域の一部とは、重なってもよい。さらに、上記半導体パッケージでは、前記第1の領域は、前記半導体チップの中央部に分布し、前記第2の領域は、前記半導体チップの周辺部に分布してもよい。さらに、上記半導体パッケージでは、前記第1の領域は、前記半導体チップに点在し、前記第2の領域は、前記半導体チップの周辺部に分布してもよい。さらに、上記半導体パッケージでは、前記ダイボンド材の80以上が、前記第1の領域に存在してもよい。さらに、上記半導体パッケージでは、前記半導体チップと前記インターポーザとの間には、前記ダイボンド材が存在する領域と、前記封止樹脂が存在する領域とが形成されてもよい。さらに、上記半導体パッケージでは、前記半導体チップは、太陽電池セルであってもよい。本発明の半導体パッケージは、以上のように、半導体チップの、インターポーザに対向する面に形成された電極は、第1の金属を含む第1の領域と、第2の金属を含む第2の領域とからなり、前記インターポーザと前記電極とは、前記第1の金属を含む導電性のダイボンド材で電気的に接続されているものである。それゆえ、従来の半導体パッケージよりも長期信頼性が向上した半導体パッケージを提供するという効果を奏する。更に、第2の金属は比較的ポーラスであり、前記第1の金属を含む導電性のダイボンド材は有機バインダーを含むため、半導体パッケージにかかる応力を低減する効果も期待できる。本発明の一実施形態について図1~図12に基づいて説明すると以下の通りである。図1aは、本発明の実施形態に係る半導体パッケージ1の断面図であり、図1bは、本発明の実施形態に係る半導体パッケージ1の平面図である。半導体パッケージ1は、インターポーザ2上に形成され、金メッキ処理を施されたインターポーザ接続端子3と、半導体チップ4の裏面4’とが、導電性のAgペースト5銀ペースト、導電性のダイボンド材により電気的接続をなされている。電気的接続後の半導体チップ4に対しては、封止樹脂6により樹脂封止が行われるが、封止樹脂6とインターポーザ2との接着力を確保するために、インターポーザ2上にはソルダーレジスト半田レジスト7が形成されている。図1bの平面図に示されるように、半導体パッケージ1は、半導体チップ4の外形よりもサイズが小さいインターポーザ接続端子3を有している。なお、説明の便宜上、図1bでは、封止樹脂6及びソルダーレジスト7の図示は省略されている。図1bのインターポーザ接続端子3は、短辺がX方向と平行であり、長辺がY方向と平行である長方形である。しかし、後述する図2~図7に示されるように、インターポーザ接続端子3の、位置、形状及び個数は、図1bにおいて示される位置、形状及び個数に限定されない。図1bでは一例として、Agペースト5は、その塗布領域がインターポーザ接続端子3とほぼ同一サイズとなっている。後述するAgペースト5の塗布領域9の輪郭は、図1aに示す、インターポーザ接続端子3とソルダーレジスト7との間に形成される溝8に基づいて定められる。さて、封止樹脂6は、Agペースト5よりも対被着体との接着力が高いことが分かっている。図1を用いて具体例を示すと、半導体チップ4と封止樹脂6との接着力は、半導体チップ4とAgペースト5との接着力よりも大きい。また、封止樹脂6とインターポーザ2との接着力は、Agペースト5とインターポーザ2との接着力よりも大きい。さらに、封止樹脂6とソルダーレジスト7との接着力は、Agペースト5とソルダーレジスト7との接着力よりも大きい。上述するような接着力に関する特性を利用して、半導体パッケージ1では、インターポーザ接続端子3の面積及びAgペースト5の塗布領域接着領域9を最小とした。Agペースト5の塗布領域9では、Agペースト5と半導体チップ4の裏面4’とが接着されていると共に、Agペースト5とインターポーザ接続端子3とが接着されている。一方、上述したように、インターポーザ接続端子3は、半導体チップ4の外形よりもサイズが小さい。このため、図1aに示すように、半導体チップ4とソルダーレジスト7との間にAgペースト5が塗布されない領域10が形成される。領域10は図1bでは斜線部で示される。半導体パッケージ1では、この領域10にも封止樹脂6が充填されている構造とし、接着力向上に寄与することとした。ソルダーレジスト7は、溝8を形成するだけでなく、封止樹脂6とインターポーザ2との接着力を確保するという効果も奏する。半導体パッケージ1では、領域10にも封止樹脂6が充填されている構造により、接着力の低い塗布領域9を最小とし、かつ塗布領域9の周囲を接着領域の高い領域10で包み込んでいる。これにより、半導体チップ4とインターポーザ2との接着力、即ち半導体チップ4とソルダーレジスト7との接着力を従来の半導体パッケージよりも高く出来るので、接着界面の剥離が生じない。従って、電気的特性及び長期信頼性を向上することが可能となる。また、領域10への封止樹脂6の充填により、半導体チップ4とインターポーザ2との間に封止樹脂6が挟まれる形となる。これにより、半導体チップ4の反りを防止することが可能となる。半導体パッケージ1の製造方法では、半導体チップ4と、半導体チップ4を搭載するインターポーザ2と、インターポーザ2上にあって半導体チップ4を覆う封止樹脂6を備える半導体パッケージ1の製造方法において、インターポーザ2の、半導体チップ4を搭載する領域の、塗布領域9に、導電性のダイボンド材を供給する工程と、前記ダイボンド材が供給された上に、半導体チップ4を搭載する工程と、前記ダイボンド材を硬化し、インターポーザ2と半導体チップ4とを接続する工程と、インターポーザ2上に、トランスファーモールド法あるいはポッティング法あるいは印刷法により、封止樹脂6を供給すると共に、半導体チップ4を搭載する領域の、前記ダイボンド材を供給しない領域10にも封止樹脂6を供給する工程とを含む。以下では図2~図7を用いて、半導体パッケージ1のインターポーザ2上における、インターポーザ接続端子3及びAgペースト5の塗布領域9の例を説明する。図2~図7では、図1bと同様に、領域10はでは斜線部で示され、封止樹脂6及びソルダーレジスト7の図示は省略されている。図2は、本発明の実施形態に係る半導体パッケージ1の他の平面図である。図2のインターポーザ接続端子3は、図1bのインターポーザ接続端子3と同様に、短辺がX方向と平行であり、長辺がY方向と平行である長方形である。図2と図1bとの相違点はAgペースト5の塗布領域9の形状であり、図2のAgペースト5の塗布領域9は、略Iの字の形状をしており、図2のインターポーザ接続端子3は、塗布領域9の内側に収まっている。図3は、本発明の実施形態に係る半導体パッケージ1のさらに別の平面図である。図3のAgペースト5の塗布領域9は、図2のAgペースト5の塗布領域9と同様に、略Iの字の形状をしている。図3と図2との相違点はインターポーザ接続端子3の形状であり、図3のインターポーザ接続端子3は、長方形の接続端子の両短辺にそれぞれ1つの円形の接続端子を接続した形状をしている。図3のインターポーザ接続端子3も、図2のインターポーザ接続端子3と同様に、塗布領域9の内側に収まっている。図4は、本発明の実施形態に係る半導体パッケージ1のさらに別の平面図である。図4のインターポーザ接続端子3は、図3のインターポーザ接続端子3と同様に、長方形の接続端子の両短辺にそれぞれ1つの円形の接続端子を接続した形状をしている。図4と図3との相違点はAgペースト5の塗布領域9の形状であり、長辺がY方向と平行である長方形の塗布領域9が、1つの半導体チップ4に対して3つ並べられている。また、図4のインターポーザ接続端子3について、符号3’で示す部分は、Agペースト5の塗布領域9からはみ出しており、領域10と同様に、封止樹脂6で充填される。このように、半導体チップ4とインターポーザ接続端子3との間には、Agペースト5の塗布領域9と封止樹脂6で充填される領域との両方を有していてもよい。図5は、本発明の実施形態に係る半導体パッケージ1のさらに別の平面図である。図5の半導体パッケージ1は、1つの半導体チップ4に対して、長辺がY方向と平行である長方形のインターポーザ接続端子3を1つ有し、円形のインターポーザ接続端子3を4つ有している。半導体チップ4の中央に長方形のインターポーザ接続端子3が配置され、半導体チップ4の四隅に4つの円形のインターポーザ接続端子3を配置することにより、インターポーザ接続端子3がIの字状に配置されている。図6は、本発明の実施形態に係る半導体パッケージ1のさらに別の平面図である。図5の半導体パッケージ1は、1つの半導体チップ4に対して、円形のインターポーザ接続端子3を9つ有している。半導体チップ4の中央に円形のインターポーザ接続端子3が1つ配置され、その上下左右に計4つの円形のインターポーザ接続端子3が配置される。さらに半導体チップ4の四隅に円形のインターポーザ接続端子3が1つずつ配置される。9つの円形のインターポーザ接続端子3は、それぞれが円形のAgペースト5の塗布領域9を有している。図7は、本発明の実施形態に係る半導体パッケージ1のさらに別の平面図である。図7の半導体チップ4は、図6の半導体チップ4と同様に、円形のインターポーザ接続端子3を9つ有している。図7と図6との相違点はAgペースト5の塗布領域9の形状であり、長辺がY方向と平行である長方形の塗布領域9が、1つの半導体チップ4に対して3つ並べられている。1つの長方形の塗布領域9に対して、3つの円形のインターポーザ接続端子3が接続されている。以上の図2~図7に示されるように、インターポーザ接続端子3の、位置、形状及び個数、並びにAgペースト5の塗布領域9の、位置、形状及び個数を適宜定めることにより、半導体チップ4とインターポーザ2との接着力、即ち半導体チップ4とソルダーレジスト7との接着力を従来の半導体パッケージよりも高く出来る。よって、接着界面の剥離が生じず、電気的特性及び長期信頼性を向上することが可能となる。また、図1bと同様に、領域10への封止樹脂6の充填により、半導体チップ4とソルダーレジスト7とで封止樹脂6が挟まれる形となる。これにより、半導体チップ4の反りを防止することが可能となる。図8aは、本発明の実施形態に係る半導体パッケージ1の一例である太陽電池モジュール11の表面を示す平面図である。図8bは、太陽電池モジュール11の側面図である。図8cは、太陽電池モジュール11の裏面を示す平面図である。太陽電池モジュール11は、太陽電池セル12を10個有している。太陽電池セル12は、X方向に5個、Y方向に2個並んで配置されている。太陽電池セル12とモジュール基板13との間には、図1の半導体パッケージと同様に、インターポーザ接続端子3及びソルダーレジスト7が形成されている。また、太陽電池セル12とモジュール基板13との間には、図1の半導体パッケージと同様に、Agペースト5の塗布領域接着領域9及びAgペースト5が塗布されない領域10が形成されている。なお、図8cに示されるように、太陽電池モジュール11の裏面には、太陽電池モジュール11を図示しない実装基板に実装する際に、上記実装基板上の電極と電気的に接続される実装電極14が形成されている。図9aは、本発明の実施形態に係る太陽電池セル12の斜視図である。図9bは、太陽電池セル12のB-B線断面図である。図9cは、本発明の実施形態に係る太陽電池モジュール11を備える回路の等価回路図である。図9aの斜視図及び図9bのB-B線断面図に示されるように、太陽電池セル12は、焼結材15、接続部16、シリコンからなるp-層17、アルミニウム18、n層19及びp層20を備えている。アルミニウムを用いた焼結材15と接続部16とは、櫛形の構造をしており、接続部16にワイヤボンディングを行うことにより太陽電池セル12と他のデバイスとを接続することが可能となる。他のデバイスには太陽電池セル12も含まれる。図9cの等価回路図では、太陽電池モジュール11は、電流源Iと、漏れ電流等価抵抗R1と、ダイオードの記号で示される10個直列の太陽電池セル12とを備えている。10個直列の太陽電池セル12の入力と、電流源Iの出力と、漏れ電流等価抵抗R1の一端とは、太陽電池モジュール11外部の負荷Lの一端に接続されている。負荷Lは例えば電池である。負荷Lの他端は、直列抵抗R2の一端に接続されている。直列抵抗R2の他端は、10個直列の太陽電池セル12の出力と、電流源Iの入力と、漏れ電流等価抵抗R1の他端とに接続されている。図10は、本発明の実施形態に係る太陽電池モジュール11の使用例を示す図であり、太陽電池モジュール11を備える携帯電話21の図である。図10aは、開いた状態の携帯電話21の側面図であり、図10bは、携帯電話21の上面図であり、図10cは、閉じた状態の携帯電話21の側面図であり、図10dは、携帯電話21の下面図である。図10aに示すように、携帯電話21は、図示しないボタンを有する操作面22と、画面23と、支点24と、カメラ25と、バッテリー蓋26と、2つの太陽電池モジュール11とを備えている。携帯電話21は、支点24を中心として、開いたり閉じたりすることが可能である。操作面22の裏側には、太陽電池モジュール11及びバッテリー蓋26が配置されている。バッテリー蓋26の内側に収納されている図示しないバッテリーを、太陽電池モジュール11を用いて充電してもよい。画面23の裏側には、太陽電池モジュール11及びカメラ25が配置されている。図10において、太陽電池モジュール11は、上面及び下面に設けられているが、これに限定されず、上面または下面のいずれか一方にのみ設けられていてもよい。図11aは、接続部16を有する本発明の実施形態に係る半導体パッケージ1のA-A線断面図であり、図11bは、接続部16を有する本発明の実施形態に係る半導体パッケージ1の平面図である。半導体パッケージ1では、半導体チップ4の表面、即ち半導体チップ4の、インターポーザ3に対向する面と反対側の面に、半導体チップ4とインターポーザ3とを電気的に接続するための接続部16を備え、インターポーザ3と接続部16とはワイヤボンディングにより接続されており、半導体チップ4における接続部16が形成された部分の下部に、前記ダイボンド材が形成されてもよい。また、半導体パッケージ1の製造方法では、半導体チップ4の表面、即ち半導体チップ4の、インターポーザ3に対向する面と反対側の面に、半導体チップ4とインターポーザ3とを電気的に接続するための接続部16を備え、インターポーザ3と接続部16とはワイヤボンディングにより接続されており、半導体チップ4における接続部16が形成された部分の下部付近で、前記ダイボンド材が半導体チップ4の短辺方向に広がって形成されてもよい。半導体チップとインターポーザとをワイヤボンディング法により、電気的に接続する場合がある。この時、半導体チップの突出部分、半導体チップとインターポーザの間で、ダイボンド材が形成されていない部分、即ち間隙になっている部分の上部に接続部があり、この接続部に対してワイヤボンディングを行う場合、半導体チップがワイヤボンディング時の荷重で振動してしまう。このため、安定したワイヤボンディングを行うことが困難となる。この現象は上部の半導体チップを薄層化するにつれ顕著になり、半導体チップが薄くなり過ぎるとワイヤボンディング時に半導体チップの破壊を招くおそれがある。この問題を解決するために、半導体チップにおける接続部が形成された部分の下部に、ダイボンド材を形成する。これにより半導体チップの突出部分を支持することができる。従って、ワイヤボンディング時の荷重による振動を抑制することができ、半導体チップの接続部とインターポーザとを安定にワイヤボンディングすることが可能となる。ここで、図12は、半導体チップ4搭載前のインターポーザ2とインターポーザ接続端子3、ソルダーレジスト7を示す平面図である。図12において、チップ搭載領域27の中央部に記載したIの字形状の部材がインターポーザ接続端子3であり、インターポーザ接続端子3の外側にはソルダーレジスト7が形成されている。また、図12において、符号28で示す部材は、インターポーザ3上に形成された直列接続用引き出し線である。また、符号29で示す部材は、インターポーザ3に形成されたワイヤボンディング用パッドである。さらに、符号30で示す部材は、インターポーザ3裏面の、実装電極14及びテストパッドにつながる陰極用ビアである。さらに、符号31で示す部材は、インターポーザ3裏面の、実装電極14及びテストパッドにつながる陽極用ビアである。半導体パッケージ1及び半導体パッケージ1の製造方法では、封止樹脂6は、光を透過するものであってもよい。また、半導体パッケージ1及び半導体パッケージ1の製造方法では、封止樹脂6は、エポキシ系の樹脂またはアクリル系の樹脂であってもよい。さらに、半導体パッケージ1及び半導体パッケージ1の製造方法では、半導体チップ4は、太陽電池セル12であってもよい。さらに、半導体パッケージ1及び半導体パッケージ1の製造方法では、前記ダイボンド材は、Agペースト5であってもよい。さらに、半導体パッケージ1及び半導体パッケージ1の製造方法では、太陽電池セル12の厚みは、0.25ミリメートル以下であってもよい。さらに、半導体パッケージ1及び半導体パッケージ1の製造方法では、前記太陽電池セル上の封止樹脂6の厚みT2を太陽電池セル12の厚みT1で除して求められる比T2/T1は、1以上2以下であってもよい。さらに、半導体パッケージ1及び半導体パッケージ1の製造方法では、塗布領域9の面積を領域10の面積で除して求められる面積比は、1/4以上3/2以下でであってもよい。本発明の一実施形態について図14~図25に基づいて説明すると以下の通りである。図14は、本発明の実施形態に係る半導体パッケージ32の断面図である。半導体パッケージ32は、半導体チップ35を搭載するインターポーザ33上に形成された基板配線部34と、半導体チップ35の裏面インターポーザ33に対向する面に形成された裏面電極36電極とが、導電性のダイボンド材導電性接着剤37により接着される。これにより、半導体チップ35とインターポーザ33との電気的接続がなされている。図14において半導体パッケージ32が太陽電池モジュールである場合は、半導体チップ35が太陽電池セルである。また、基板配線部34は例えば銅で形成されており、ダイボンド材37は例えば導電性の銀ペーストである。そして、裏面電極部36aは例えば銀第1の金属で形成されており、裏面電極部36bは例えばアルミニウム第2の金属で形成されている。図26の従来の半導体パッケージ132が太陽電池セルである場合は、裏面電極136には、比較的ポーラスporous:多孔性である焼成アルミしか用いられていなかった。これに対して、本発明の実施形態に係る半導体パッケージ32では、焼成アルミよりも緻密な膜が形成できる銀で形成されている裏面電極部36aと、焼成アルミで形成されている裏面電極部36bとが設けられている。銀と銀ペーストとの接着強度は、アルミニウムと銀ペーストとの接着強度よりも高く、焼成アルミと銀ペーストとの接着強度よりも高い。このため、焼成アルミ及び銀で構成されている裏面電極36と銀ペーストであるダイボンド材37との界面における接着強度を、焼成アルミのみで構成されている従来の裏面電極136と銀ペーストであるダイボンド材137との界面における接着強度よりも強固なものとすることが出来るとともに、接触抵抗を下げることができる。従って、従来の半導体パッケージ132よりも長期信頼性が向上した半導体パッケージ32を提供することが可能となる。なお、図14の半導体パッケージ32では、半導体チップ35の周囲に封止樹脂39が充填されているため、裏面電極部36aとダイボンド材37との界面における接着強度をより強固にすることができる。半導体パッケージ32では、封止樹脂39により、半導体チップ35の反りを防止し、上記界面にかかる応力の低減がなされているが、これとともに、銀で形成されている裏面電極部36aを備えている。よって、ダイボンド材37により接着される上記界面の接着強度を従来よりも向上することが可能となるので、半導体パッケージとしての長期信頼性を、従来の半導体パッケージよりもさらに向上させることが可能となる。更に、例えばアルミニウムである裏面電極部36bは比較的ポーラスであり、例えば銀を含む導電性のダイボンド材37は有機バインダーを含むため、半導体パッケージ32にかかる応力を低減する効果も期待できる。以下では図15~図25を用いて、半導体パッケージ32の半導体チップ35における、裏面電極36の例を説明する。図15aは、本発明の実施形態に係る半導体チップ35を裏から見た平面図である。図15bは、図15aの半導体チップ35のA-A’線断面図であり、図15cは、図15aの半導体チップ35のB-B’線断面図である。図15aに示すように、裏面電極36では、裏面電極部36aと後述するオーバーラップ部36cとが略Iの字を形成しており、その周囲に後述するクリアランス38が形成されている。さらにクリアランス38の周囲に裏面電極部36bが形成されている。図15a及び図15bに示すように、裏面電極36は、裏面電極部36aと裏面電極部36bとが重ね合わされたオーバーラップ部36cを有していてもよい。オーバーラップ部36cが存在しない場合には、光起電力が裏面電極36bより導電性ダイボンド材を経由し、インターポーザ33へと電気的に接続される。この場合でも、裏面電極部36aは導電性のダイボンド材37との接着強度向上に寄与している。一方、オーバーラップ部36cが存在する場合には、光起電力が裏面電極部36bより裏面電極部36aを経由し、導電性ダイボンド材からインターポーザへと電気的に至る経路も加わる。また、図15a及び図15cに示すように、裏面電極36において、裏面電極部36aと裏面電極部36bとの間にクリアランス38を有していても良い。クリアランス38は、導電性の銀ペーストであるダイボンド材37で充填されてもよく、クリアランス38の一部が空隙となってもよい。図16は、本発明の実施形態に係る他の半導体チップ35を裏から見た平面図である。図16の半導体チップ35は、円形の裏面電極部36aを2つ有している。円形の裏面電極部36aの周囲は、輪状のクリアランス38が形成されており、輪状のクリアランス38の外側に裏面電極部36bが形成されている。図17は、本発明の実施形態に係るさらに別の半導体チップ35を裏から見た平面図である。図17の半導体チップ35は、円形の裏面電極部36aを2つ有している。円形のクリアランス38の周囲は、輪状のオーバーラップ部36cが形成されており、輪状のオーバーラップ部36cの外側に裏面電極部36bが形成されている。図18は、本発明の実施形態に係るさらに別の半導体チップ35を裏から見た平面図である。図18の半導体チップ35において、裏面電極部36aは、長方形の電極部の両短辺にそれぞれ1つの円形の電極部を接続した形状をしている。このような形状の裏面電極部36aの周囲にクリアランス38が形成されており、クリアランス38の外側に裏面電極部36bが形成されている。図19は、本発明の実施形態に係るさらに別の半導体チップ35を裏から見た平面図である。図18の半導体チップ35において、裏面電極部36aは、長方形の裏面電極部の両短辺にそれぞれ1つの円形の裏面電極部を接続した形状をしている。このような形状の裏面電極部36aの周囲にオーバーラップ部36cが形成されており、オーバーラップ部36cの外側に裏面電極部36bが形成されている。図20は、本発明の実施形態に係るさらに別の半導体チップ35を裏から見た平面図である。図20の半導体チップ35において、裏面電極部36aは長方形である。一例では、裏面電極部36aは、短辺が裏面電極36の短辺と平行であり、長辺が裏面電極36の長辺と平行である長方形である。このような形状の裏面電極部36aの周囲にクリアランス38が形成されており、クリアランス38の外側に裏面電極部36bが形成されている。なお、裏面電極部36aは、図20に示す状態から90度回転させても良い。即ち、裏面電極部36aは、短辺が裏面電極36の長辺と平行であり、長辺が裏面電極36の短辺と平行である長方形であってもよい。図21は、本発明の実施形態に係るさらに別の半導体チップ35を裏から見た平面図である。図21の半導体チップ35において、裏面電極部36aは長方形である。一例では、裏面電極部36aは、短辺が裏面電極36の短辺と平行であり、長辺が裏面電極36の長辺と平行である長方形である。このような形状の裏面電極部36aの周囲にオーバーラップ部36cが形成されており、オーバーラップ部36cの外側に裏面電極部36bが形成されている。なお、裏面電極部36aは、図21に示す状態から90度回転させても良い。即ち、裏面電極部36aは、短辺が裏面電極36の長辺と平行であり、長辺が裏面電極36の短辺と平行である長方形であってもよい。図22は、本発明の実施形態に係るさらに別の半導体チップ35を裏から見た平面図である。図22の半導体チップ35において、裏面電極部36aは、を縦方向に3つ連結した形状をしている。図22における縦方向とは、裏面電極36の長辺が延伸する方向を示す。裏面電極部36aの周囲には、クリアランス38が設けられる領域38aと、裏面電極部36bが設けられる領域38bとが形成される。但し、裏面電極部36aの周囲に領域38aのみを形成してもよく、裏面電極部36aの周囲に領域38bのみを形成してもよい。即ち、裏面電極部36aの周囲にクリアランス38のみが形成されてもよく、裏面電極部36aの周囲に裏面電極部36bのみが形成されてもよい。図23は、本発明の実施形態に係るさらに別の半導体チップ35を裏から見た平面図である。図23の半導体チップ35において、オーバーラップ部36cは、を縦方向に3つ連結した形状をしている。図23における縦方向とは、裏面電極36の長辺が延伸する方向を示す。図23の半導体チップ35では、オーバーラップ部36c内に裏面電極部36aを有している点である。図23の半導体チップ35において、裏面電極部36aは、短辺が裏面電極36の短辺と平行であり、長辺が裏面電極36の長辺と平行である長方形である。図24は、本発明の実施形態に係るさらに別の半導体チップ35を裏から見た平面図である。図24の半導体チップ35において、裏面電極36は、長辺が裏面電極36の長辺と平行である長方形の裏面電極部36aを1つ有し、円形の裏面電極部36aを4つ有している。裏面電極36の中央に長方形の裏面電極部36aが配置され、半導体チップ35の四隅に4つの円形の裏面電極部36aを配置することにより、裏面電極部36aが略Iの字状に配置されている。そして、各裏面電極部36aの周囲にクリアランス38が形成されており、クリアランス38の外側に裏面電極部36bが形成されている。図25は、本発明の実施形態に係るさらに別の半導体チップ35を裏から見た平面図である。裏面電極36は、長辺が裏面電極36の長辺と平行である長方形の裏面電極部36aを1つ有し、円形の裏面電極部36aを4つ有している。裏面電極36の中央に長方形の裏面電極部36aが配置され、半導体チップ35の四隅に4つの円形の裏面電極部36aを配置することにより、裏面電極部36aが略Iの字状に配置されている。そして、各裏面電極部36aの周囲にオーバーラップ部36cが形成されており、オーバーラップ部36cの外側に裏面電極部36bが形成されている。なお、半導体パッケージ32では、裏面電極部36aは、裏面電極部36bよりも小さくてよい。また、半導体パッケージ32では、裏面電極部36aの一部と、裏面電極部36bの一部とは、重なってもよい。さらに、半導体パッケージ32では、裏面電極部36aは、半導体チップ35の中央部に分布し、裏面電極部36bは、半導体チップ35の周辺部に分布してもよい。さらに、半導体パッケージ32では、裏面電極部36aは、半導体チップ35に点在し、裏面電極部36bは、半導体チップ35の周辺部に分布してもよい。さらに、半導体パッケージ32では、ダイボンド材37の80以上が、裏面電極部36aに存在してもよい。さらに、半導体パッケージ32では、半導体チップ35とインターポーザ33との間には、ダイボンド材37が存在する領域と、封止樹脂39が存在する領域とが形成されてもよい。さらに、半導体パッケージ32では、半導体チップ35は、太陽電池セルであってもよい。そして、図15a及び図15bと同様に、図17、図19、図21、図23及び図25の半導体チップ35の裏面電極36が、オーバーラップ部36cを有していてもよい。本発明の半導体パッケージは、上記課題を解決するために、半導体チップと、前記半導体チップを搭載するインターポーザと、前記インターポーザ上にあって前記半導体チップを覆う封止樹脂を備える半導体パッケージにおいて、前記半導体チップと前記インターポーザとは、導電性のダイボンド材で接続されており、前記半導体チップと前記インターポーザとの間には、前記ダイボンド材が存在する第1の領域と、前記封止樹脂が存在する第2の領域とが形成されていることを特徴とする。また、本発明の半導体パッケージの製造方法は、上記課題を解決するために、半導体チップと、前記半導体チップを搭載するインターポーザと、前記インターポーザ上にあって前記半導体チップを覆う封止樹脂を備える半導体パッケージの製造方法において、前記インターポーザの、前記半導体チップを搭載する領域の、第1の領域に、導電性のダイボンド材を供給する工程と、前記ダイボンド材が供給された上に、前記半導体チップを搭載する工程と、前記ダイボンド材を硬化し、前記インターポーザと前記半導体チップとを接続する工程と、前記インターポーザ上に、トランスファーモールド法あるいはポッティング法あるいは印刷法により、前記封止樹脂を供給すると共に、前記半導体チップを搭載する領域の、前記ダイボンド材を供給しない第2の領域にも前記封止樹脂を供給する工程とを含むことを特徴とする。上記発明によれば、前記第2の領域にも前記封止樹脂が充填されている構造により、接着力の低い前記第1の領域を最小とし、かつ前記第1の領域の周囲を接着領域の高い前記第2の領域で包み込んでいる。これにより、前記半導体チップと前記インターポーザとの接着力を従来の半導体パッケージよりも高く出来るので、接着界面の剥離が生じない。従って、電気的特性及び長期信頼性を従来の半導体パッケージよりも向上することが可能となる。また、前記第2の領域への前記封止樹脂の充填により、前記半導体チップと前記インターポーザ2との間に前記封止樹脂が挟まれる形となる。これにより、前記半導体チップの反りを防止することが可能となる。前記半導体パッケージでは、前記半導体チップの、前記インターポーザに対向する面と反対側の面に、前記半導体チップと前記インターポーザとを電気的に接続するための接続部を備え、前記インターポーザと前記接続部とはワイヤボンディングにより接続されており、前記半導体チップにおける前記接続部が形成された部分の下部に、前記ダイボンド材が形成されてもよい。また、前記半導体パッケージの製造方法では、前記半導体チップの、前記インターポーザに対向する面と反対側の面に、前記半導体チップと前記インターポーザとを電気的に接続するための接続部を備え、前記インターポーザと前記接続部とはワイヤボンディングにより接続されており、前記半導体チップにおける前記接続部が形成された部分の下部付近で、前記ダイボンド材が前記半導体チップの短辺方向に広がって形成されてもよい。半導体チップとインターポーザとをワイヤボンディング法により、電気的に接続する場合がある。この時、半導体チップの突出部分、半導体チップとインターポーザの間で、ダイボンド材が形成されていない部分、即ち間隙になっている部分の上部に接続部があり、この接続部に対してワイヤボンディングを行う場合、半導体チップがワイヤボンディング時の荷重で振動してしまう。このため、安定したワイヤボンディングを行うことが困難となる。この現象は上部の半導体チップを薄層化するにつれ顕著になり、半導体チップが薄くなり過ぎるとワイヤボンディング時に半導体チップの破壊を招くおそれがある。この問題を解決するために、半導体チップにおける接続部が形成された部分の下部に、ダイボンド材を形成する。これにより半導体チップの突出部分を支持することができる。従って、ワイヤボンディング時の荷重による振動を抑制することができ、半導体チップの接続部とインターポーザとを安定にワイヤボンディングすることが可能となる。前記半導体パッケージ及び前記半導体パッケージの製造方法では、前記封止樹脂は、光を透過するものであってもよい。また、前記半導体パッケージ及び前記半導体パッケージの製造方法では、前記封止樹脂は、エポキシ系の樹脂またはアクリル系の樹脂であってもよい。さらに、前記いずれかの半導体パッケージ及び前記いずれかの半導体パッケージの製造方法では、前記半導体チップは、太陽電池セルであってもよい。さらに、前記いずれかの半導体パッケージ及び前記いずれかの半導体パッケージの製造方法では、前記ダイボンド材は、銀ペーストであってもよい。さらに、前記半導体パッケージ及び前記半導体パッケージの製造方法では、前記太陽電池セルの厚みは、0.25ミリメートル以下であってもよい。さらに、前記半導体パッケージ及び前記半導体パッケージの製造方法では、前記太陽電池セル上の前記封止樹脂の厚みを前記太陽電池セルの厚みで除して求められる比は、1以上2以下であってもよい。さらに、前記いずれかの半導体パッケージ及び前記いずれかの半導体パッケージの製造方法では、前記第1の領域の面積を前記第2の領域の面積で除して求められる面積比は、1/4以上3/2以下であってもよい。本発明の半導体パッケージは、以上のように、半導体チップとインターポーザとは、導電性のダイボンド材で接続されており、前記半導体チップと前記インターポーザとの間には、前記ダイボンド材が存在する第1の領域と、封止樹脂が存在する第2の領域とが形成されているものである。また、本発明の半導体パッケージの製造方法は、以上のように、インターポーザの、半導体チップを搭載する領域の、第1の領域に、導電性のダイボンド材を供給する工程と、前記ダイボンド材が供給された上に、前記半導体チップを搭載する工程と、前記ダイボンド材を硬化し、前記インターポーザと前記半導体チップとを接続する工程と、前記インターポーザ上に、トランスファーモールド法あるいはポッティング法あるいは印刷法により、前記封止樹脂を供給すると共に、前記半導体チップを搭載する領域の、前記ダイボンド材を供給しない第2の領域にも前記封止樹脂を供給する工程とを含む方法である。それゆえ、電気的特性及び長期信頼性を従来の半導体パッケージよりも向上すると共に、半導体チップの反りを防止することが可能となる、半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法を提供するという効果を奏する。