i蒸気圧が0.1IcPaより高い成分を液体に添加することと、ii感光性基板を放射に露光することであって、前記放射が、前記感光性基板に到達する前に、前記成分を含有した前記水性液体を通過する、こととを含み、前記成分の添加が前記液体中のイオン濃度を高める、デバイス製造方法。前記成分の蒸気圧が水より高い、請求項1に記載の方法。前記成分が前記液体のpHを小さくする、請求項1または2に記載の方法。前記成分が前記液体のpHを大きくする、請求項1または2に記載の方法。前記成分の蒸気圧が少なくとも1fcPaである、前記請求項のいずれか一項に記載の方法。前記液体が、前記液体の総重量に対して、少なくとも90重量の水を含有している、前記請求項のいずれか一項に記載の方法。前記液体が、前記液体の総重量に対して、少なくとも99.9重量の水を含有している、前記請求項のいずれか一項に記載の方法。前記成分が20°Cおよび大気圧においてガスである、前記請求項のいずれか一項に記載の方法。前記成分を含有した前記液体のpHの範囲が4.5~6.0である、前記請求項のいずれか一項に記載の方法。前記成分が二酸化炭素またはアンモニアである、前記請求項のいずれか一項に記載の方法。前記成分を含有した前記液体が、蒸気圧が2.0kPa未満の成分を本質的に有していない、前記請求項のいずれか一項に記載の方法。前記基板が、レジスト層がコーティングされた半導体ウェーハである、前記請求項のいずれか一項に記載の方法。前記放射が、175nm~375nmの範囲の波長を有するUV放射である、前記請求項のいずれか一項に記載の方法。前記放射を前記成分を含有した前記液体を通過させる前に、前記放射をレンズアレイを通過させること、をさらに含む、前記請求項のいずれか一項に記載の方法。前記放射を前記成分を含有した前記液体を通過させる前に、前記放射をパターニングすること、をさらに含む、前記請求項のいずれか一項に記載の方法。前記パターニングが、マスクまたは個々にプログラム可能なエレメントのアレイを使用して実行される、請求項15に記載の方法。前記感光性基板が前記露光ステップの間基板テーブル上に置かれており、前記基板テーブルがセンサを備え、前記センサが窒化チタンおよび/または金属を備えた、前記請求項のいずれか一項に記載の方法。蒸気圧が少なくとも0.1kPaである少なくとも2つの成分を前記液体に添加すること、を含む、前記請求項のいずれか一項に記載の方法。前記請求項のいずれか一項に記載の方法を使用して製造されたデバイス。前記デバイスが集積回路である、請求項19に記載のデバイス。i蒸気圧が少なくとも0.1kPaである酸または塩基を液体に添加することと、ii感光性基板を放射に露光することであって、前記放射が、前記感光性基板に到達する前に、前記成分を含有した前記液体を通過する、こととを含むデバイス製造方法。前記液体に酸を添加することを含む、請求項21に記載の方法。前記液体に塩基を添加することを含む、請求項21に記載の方法。i放射のビームをパターニングすることと、iiパターン付き放射ビームを液体を通過させることであって、前記液体が、蒸気圧が0.1kPaより高い成分によって形成されるイオンを含有し、前記水性液体の導電率が少なくとも0.25μS/cm25°Cで測定された値である、ことと、iii感光性基板を前記パターン付き放射ビームに露光することとを含むデバイス製造方法。i液浸リソグラフィ露光装置と、ii導電率の範囲が1.3~100μS/cm25°Cで測定された値である液浸液とを備えた液浸リソグラフィシステム。前記導電率が少なくとも5μS/cmである、請求項25に記載のシステム。前記導電率が最大50μS/cmである、請求項25または26に記載のシステム。前記導電率の範囲が2~10μS/cmである、請求項25に記載のシステム。前記液浸液が、水性液体に塩、塩基または酸を添加することによって形成される、請求項25から28のいずれか一項に記載のシステム。前記液浸液が二酸化炭素を含有した、請求項25から29のいずれか一項に記載のシステム。前記液浸液のpHが6.0未満である、請求項25から30のいずれか一項に記載のシステム。前記液浸リソグラフィ露光装置が、クロムおよび/または窒化チタンを備えたセンサを有する基板テーブルを備えた、請求項25から31のいずれか一項に記載のシステム。前記導電率が、少なくとも部分的には、蒸気圧が5kPaより高い成分によってもたらされる、請求項25から32のいずれか一項に記載のシステム。リソグラフィ装置であって、基板テーブルであるリソグラフィ装置の第1パートに機能接続され、かつ、前記リソグラフィ装置の第2パートに機能接続された電圧発生器を有し、前記電圧発生器が前記第1パートと前記第2パートの間に電圧差を確立することができる、リソグラフィ装置。前記装置が液浸リソグラフィ装置であり、前記第2パートが液浸フードである、請求項34に記載の装置。0004したがって、本発明の目的には、しみの問題をさらに抑制する1つまたは複数の添加剤を含有した液浸液を提供することが含まれている。0005また、本発明の目的には、液浸液の流れによって生じる流動電位の影響を回避または最小化することが含まれている以下でより詳細に説明する。0006本発明によれば、液浸液、露光装置および露光方法が提供される。0007一実施形態では、本発明により、蒸気圧が0.1kPaより高く、たとえば水より高いイオン形成成分を液体たとえば水性液体に添加することを含む方法によって形成された液浸液が提供される。0008一実施形態では、本発明により、少なくとも部分的には、蒸気圧が0.1kPaより高い成分、たとえば水より高い成分によってもたらされる7より小さいpHを有する液浸液が提供される。0009一実施形態では、本発明により、少なくとも部分的には、蒸気圧が0.1kPaより高い成分、たとえば水より高い成分によってもたらされる7より大きいpHを有する液浸液が提供される。00010一実施形態では、本発明により、25°Cで少なくとも0.1μS/cm、たとえば少なくとも1.3μS/cmの導電率を有する液浸液が提供される。一実施形態では、本発明により、25°Cで0.1~100μS/cmの範囲、たとえば25°Cで1.3~100μS/cmの範囲の導電率を有する液浸液が提供される。一実施形態では、導電率は、少なくとも部分的には、蒸気圧が0.1kPaより高い成分、たとえば水より高い成分によるものである。00011また、本発明によれば、液浸液を使用した方法、たとえば液浸リソグラフィ方法が提供される。一実施形態では、本発明により、感光性基板を放射に露光することであって、前記放射が、前記基板に到達する前に液浸液を通過すること、を含むデバイス製造プロセスが提供される。00012さらに、本発明によれば、液浸リソグラフィ装置と、複数の液浸液のうちの1つまたは複数とを備えた液浸リソグラフィシステムが提供される。00013一実施形態では、本発明により、i蒸気圧が0.1IcPaより高い成分、たとえば水より高い成分を液体に添加することと、ii感光性基板を放射に露光することであって、前記放射が、前記感光性基板に到達する前に、前記成分を含有した前記水性液体を通過する、こととを含み、前記成分の添加が前記液体中のイオン濃度を高める、プロセスが提供される。00014一実施形態では、本発明により、i蒸気圧が少なくとも0.1kPa、たとえば少なくとも5kPaである酸を液体に添加することと、ii感光性基板を放射に露光することであって、前記放射が、前記感光性基板に到達する前に、前記成分を含有した前記液体を通過する、こととを含む、プロセスが提供される。00015一実施形態では、本発明により、i放射のビームをパターニングすることと、iiパターン付き放射ビームを液体たとえば水性液体を通過させることプであって、前記液体が、蒸気圧が0.1kPaより高い成分によって形成されるイオンを含有し、前記液体の導電率が少なくとも0.25μS/cmである、ことと、iii感光性基板をパターン付き放射ビームに露光させることとを含む、プロセスが提供される。00016一実施形態では、本発明により、i液浸リソグラフィ露光装置と、ii液浸液、たとえば25°Cで0.1~100μS/cmの範囲たとえば25°Cで1.3~100μS/cmの範囲の導電率を有する液浸液、または二酸化炭素が豊富な液浸液とを備えた液浸リソグラフィシステムが提供される。00017一実施形態では、本発明により、リソグラフィ装置であって、リソグラフィ装置の第1パート、たとえば基板テーブルと、リソグラフィ装置の第2パート、たとえば液浸リソグラフィ装置の液浸フードとの間に電圧差を印加することができる電圧発生器を有するリソグラフィ装置が提供される。一実施形態では、本発明により、リソグラフィ装置の第1パート、たとえば基板テーブルと、リソグラフィ装置の第2パート、たとえば液浸リソグラフィ装置の液浸フードとの間に電圧差を印加すること、を含むプロセスが提供される。00018以下、本明細書において、本発明の他の目的、利点および特徴について示すが、それらについては、当業者には、一部には以下の詳細な説明を考察することによって明らかになり、あるいは本発明を実践することによって学習することが可能である。00021前置きとして、本出願は、様々な場合にて成分の蒸気圧に言及しているが、その点に関して、成分の蒸気圧は、20°Cにおけるその純粋な形態の成分したがって混合物中の成分または溶液中の成分ではないの蒸気圧に言及している。00022一実施形態では、本発明により、液浸液が提供される。また、本発明により、液浸液を使用した方法、たとえば液浸リソグラフィ方法が提供される。液浸液00023一実施形態では、液浸液は、1つまたは複数の成分を液体、たとえば水性液体、たとえばその液体の総重量の少なくとも50重量の水、たとえば少なくとも75重量の水、少なくとも90重量の水、少なくとも95重量の水、少なくとも99重量の水、少なくとも99.5重量の水、少なくとも99.9重量の水または少なくとも99.99重量の水を含有した液体に添加するステップを含む方法によって準備される。一実施形態では、1つまたは複数の成分を添加する前の液体の導電率は、0.1μS/cm未満である25°Cで測定された値。一実施形態では、液体は、1つまたは複数の成分を添加する前にガス抜きされる。一実施形態では、液体は、1つまたは複数の成分を添加する前に精製される。一実施形態では、液体は、超純粋な、ガス抜きされた水である。00024一実施形態では、液体に添加される成分は、比較的高い蒸気圧を有している。蒸気圧を高くすることにより、たとえば基板から液浸液を除去するたとえば蒸発させる際の基板上のしみの回避が促進される。一実施形態では、液体に添加される成分は、その成分が添加される液体の蒸気圧より高い蒸気圧を有している。一実施形態では、液体に添加される成分は、少なくとも0.1kPaの蒸気圧を有しており、たとえば少なくとも0.25kPa、少なくとも0.5kPa、少なくとも0.75kPa、少なくとも1kPa、少なくとも1.3kPa、少なくとも1.5kPa、少なくとも1.8kPa、少なくとも2.1kPa、または水の蒸気圧より高いすなわち2.34kPaより高い蒸気圧を有している。一実施形態では、液体に添加される成分は、少なくとも3.5kPaの蒸気圧を有しており、たとえば少なくとも5kPa、少なくとも10kPa、少なくとも20kPa、少なくとも30kPaまたは少なくとも50kPaの蒸気圧を有している。一実施形態では、添加される成分は、ギ酸または酢酸である。一実施形態では、液体に添加される成分は、20°Cおよび1大気圧におけるその純粋な形態ではガスである。一実施形態では、液体に添加される成分は二酸化炭素である。一実施形態では、液浸液は、その液浸液の総重量の5重量未満で、蒸気圧が2.0kPa未満たとえば1.5kPa未満、1kPa未満、0.5kPa未満、0.25IcPa未満、0.1kPa未満または0kPaの成分を含有しており、たとえば3重量未満、1重量未満、0.5重量未満、0.25重量未満、0.1重量未満、0.05重量未満、0.025重量未満、0.01重量未満または0.005重量未満の成分を含有している。一実施形態では、比較的高い蒸気圧を有する成分を含有した液浸液には、液浸液の主要構成成分たとえば主要構成成分として水を有する液浸液中の水は考慮されておらず、本質的に、2.0kPa未満の蒸気圧、たとえば1.5kPa未満、1kPa未満、0.5kPa未満、0.25kPa未満、0.1kPa未満または0kPaの蒸気圧を有する成分は存在していない。00025一実施形態では、液体に添加される成分によってたとえばイオンの形成が促進され、それによりその液体の導電率が大きくなる。液浸液の導電率を大きくすることにより、流動電位の問題の抑制または回避を促進することができる。流動電位については、たとえば論文StreamingPotentialCellsforTheStudyofErosionCorrosionCausedByLiquidFlowVargaDunneJPhysDApplPhys18p21l220の中で考察されている。流動電位は、場合によっては、たとえば、液浸液の流れと接触するたとえばコーティング、センサおよび/またはアライメントマーカのたとえば腐食または浸食を介して詳細には、たとえばコーティング、センサおよび/またはマーカの実質的に導電性の成分の腐食または浸食を介してそれらの寿命を短くしている。一実施形態では、成分を含有した液体の導電率は、25°Cで少なくとも0.1μS/cmであり、たとえば少なくとも0.25μS/cm、少なくとも0.5μS/cm、少なくとも0.75μS/cm、少なくとも1μS/cm、少なくとも1.3μS/cm、少なくとも1.5μS/cm、少なくとも1.75μS/cm、少なくとも2μS/cm、少なくとも3μS/cm、少なくとも5μS/cm、少なくとも10μS/cm、少なくとも25μS/cmまたは少なくとも50μS/cmである。上で言及した導電率および以下で言及する導電率は、25°Cで測定された導電率であるが、液浸液が使用される温度は異なっていてもよい。しかしながら、参照されている値は、25°Cで測定された導電率を維持している。00026導電率を大きくすることによって流動電位の影響の抑制または除去を促進することができるが、場合によっては液浸液に添加しなければならない1つまたは複数の成分の量が増加することになり、そのためにしみまたは気泡の問題が生じることがある。一実施形態では、成分を含有した液体の導電率は、25°Cで50mS/cm未満であり、たとえば25mS/cm未満、10mS/cm未満、5mS/cm未満、1mS/cm未満、500μS/cm未満、250μS/cm未満、150μS/cm未満、75μS/cm未満、50μS/cm未満、25μS/cm未満、15μS/cm未満、10μS/cm未満、7μS/cm未満、4μS/cm未満または2μS/cm未満である。一実施形態では、液体の導電率は、25°Cで0.1~100μS/cmの範囲であり、たとえば0.25~25μS/cm、0.4~10μS/cmまたは0.6~6μS/cmの範囲である。一実施形態では、液体に塩または酸を添加することによって、液体、たとえば水性液体、たとえば超純水の導電率が大きくなっている。一実施形態では、液体は、酢酸、ギ酸、CO2CO2は、水中に/水と共にイオンHおよびHCO3-を形成することができるまたはNH3NH3は、水中に/水と共にイオンNH4およびOH3-を形成することができるで強化することができる。00027また、流動電位は、水流の速度を遅くし、かつ/または水流の乱れを小さくすることによって抑制または回避することができる。さらに、必ずしも流動電位自体を回避する必要はなく、流動電位に影響される領域たとえば基板テーブル、たとえば基板テーブル上のセンサまたはセンサプレートと他の領域との間に電圧差を提供することにより、流動電位に起因する望ましくない影響を制限し、あるいは打ち消すことができる。一実施形態では、本発明により、リソグラフィ装置の第1パート、たとえば基板テーブルと、リソグラフィ装置の第2パート、たとえば液浸リソグラフィ装置の液浸フードとの間に電圧差を印加することができる電圧発生器を有するリソグラフィ装置が提供される。一実施形態では、本発明により、リソグラフィ装置の第1パート、たとえば基板テーブルと、リソグラフィ装置の第2パート、たとえば液浸リソグラフィ装置の液浸フードとの間に電圧差を印加するステップを含む方法が提供される。一実施形態では、電圧差は少なくとも0.1Vであり、たとえば少なくとも0.25V、少なくとも0.5V、少なくとも1V、少なくとも2V、少なくとも3V、少なくとも4Vまたは少なくとも5Vである。一実施形態では、電圧差は50V未満である。00028一実施形態では、液体に添加される成分は、酸性成分、たとえば酢酸、ギ酸または二酸化炭素である。液浸液の酸性度によって、たとえばレジスト中に存在している可能性のある光酸発生剤の液浸液中への拡散または溶解の遅延/減少が促進され、それにより、場合によっては液浸液と接触するレジストの有効性の維持を促進することができる。一実施形態では、成分を含有した液体のpHは7未満であり、たとえば6.5未満、6.0未満、5.5未満、5.0未満、4.5未満または4.0未満である。一実施形態では、pHは少なくとも2.0であり、たとえば少なくとも2.5、少なくとも3.0、少なくとも3.5、少なくとも3.75、少なくとも4.0、少なくとも4.5、少なくとも5.0または少なくとも5.5である。一実施形態では、液体に添加される成分は塩基であり、たとえばアンモニアNH3である。レジストは、液浸液中にリークする可能性のある酸性成分ではなく、アルカリ成分塩基を必ず含有しているため、液浸液のアルカリ度によって、場合によっては液浸液と接触し得るレジストの有効性の維持を促進することができる。一実施形態では、成分を含有した液体は、7を超えるpHを有しており、たとえば7.5を超えるpH、8を超えるpH、8.5を超えるpH、9を超えるpH、9.5を超えるpHまたは10を超えるpHを有している。一実施形態では、pHは14未満である。00029液体に1つまたは複数の成分を添加する方法は様々であり、たとえば添加される成分のタイプたとえば気体、固体または液体として利用することができるかどうかによってある程度決まる。一実施形態では、成分は、膜を介した拡散によって添加される。たとえば、膜の一方の側に液体を流し、膜のもう一方の側に成分を流すことができる。膜は、液体に対しては透過性ではないが、成分に対しては透過性であるため、成分を液体中に拡散させることができる。一実施形態では、このようにして添加される成分はガスであり、たとえばCO2である。一実施形態では、成分は、1つまたは複数の不活性ガス、たとえばN2と共に添加される。したがって、一実施形態では、膜の一方の側に液体たとえば水性液体、たとえば超純水が流れ、膜のもう一方の側にCO2/N2混合物が流れ、それによりCO2およびN2を液体中に拡散させることができる。適切な膜装置の商用実施例には、たとえばMEMBRANAのLIQUI-CEL膜接触器がある。一実施形態では、液体中に成分を流すことによってたとえば滴下させることによって液体に成分が添加されるあるいは比較的濃度の高い成分/液体溶液を液体中に流すことによって液体に成分が添加され、たとえば成分がアンモニアであり、液体が水である場合、比較的濃度の高い水性アンモニア溶液を水中に流すことによってアンモニアを添加することができる。1つまたは複数の成分の添加は、装置とは遠隔で実施することも液浸液は事前準備することができる、装置とリンクした個別のユニットで実施することも可能でありたとえば装置のための浄水ユニットを1つまたは複数の成分を添加するように適合させることができる、あるいは添加を装置に統合することも可能である。方法00030本発明によれば、上で言及した液浸液を使用した方法が提供され、たとえば基板が放射に露光され、放射が、基板に到達する前に液浸液を通過する方法が提供される。00031一実施形態では、基板を放射に露光するステップであって、前記放射が、上の段落で説明したように液浸液を通過するステップを含む方法が提供される。一実施形態では、この方法には、放射のビームをパターニングするたとえばレチクルまたは個々にプログラムすることができる複数のエレメントのアレイを使用してステップと、パターン付きビームを投影システムたとえば複数のレンズのアレイを介して通過させるステップと、パターン付きビームを液浸液を介して通過させるステップと、パターン付きビームを使用して基板の一部を露光するステップとが含まれている。一実施形態では、基板は半導体基板であり、たとえば半導体ウェーハである。一実施形態では、Si、SiGe、SiGeC、SiC、Ge、GaAs、InPおよびInASからなるグループから半導体基板材料が選択される。一実施形態では、半導体基板は、III/V族半導体化合物である。一実施形態では、半導体基板はシリコン基板である。一実施形態では、基板はガラス基板である。一実施形態では、基板はセラミック基板である。一実施形態では、基板は有機基板であり、たとえばプラスチック基板である。一実施形態では、基板は、たとえばレジストの層が基板にコーティングされた感光性基板である。00032一実施形態では、i放射のビームをパターニングするステップと、iiパターン付き放射ビームを水性液体を介して通過させるステップであって、前記水性液体が、蒸気圧が0.1kPaより高い成分によって形成されるイオンを含有するステップと、iii感光性基板をパターン付き放射ビームに露光するステップとを含むデバイス製造方法が提供される。00033また、一実施形態では、i放射のビームをパターニングするステップと、iiパターン付き放射ビームを酸または塩基を含有した液体を介して通過させるステップであって、前記酸または塩基が前記液体の蒸気圧より高い蒸気圧を有するステップと、ii感光性基板を放射に露光するステップであって、前記放射が、前記感光性基板に到達する前に、前記成分を含有する前記水性液体を通過するステップとを含む方法が提供される。00034一実施形態では、上記方法は、液浸リソグラフィ方法などのリソグラフィ方法である。図1は、液浸リソグラフィ方法を実行するための装置の一実施例を示したものである。図1に示す装置は、00035放射ビームPBたとえばUV放射またはDUV放射を条件付けるように構成された照明システムイルミネータILと、00036パターニングデバイスMAを支持するように構築された、特定のパラメータに従って該パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続されたサポート構造たとえばマスクテーブルMTとを備えている。サポート構造は、パターニングデバイスを支持している。つまり、サポート構造は、パターニングデバイスの重量を支えている。サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計および他の条件、たとえばパターニングデバイスが真空環境中で保持されているか否か等に応じた方法でパターニングデバイスを保持している。サポート構造には、パターニングデバイスを保持するための機械式クランプ技法、真空クランプ技法、静電クランプ技法または他のクランプ技法を使用することができる。サポート構造は、たとえば必要に応じて固定または移動させることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスをたとえば投影システムに対して所望の位置に確実に配置することができる。本明細書に使用されているパターニングデバイスという用語は、放射ビームの断面にパターンを付与し、それにより基板のターゲット部分にパターンを生成するべく使用することができる任意のデバイスを意味するものとして広義に解釈されたい。放射ビームに付与されるパターンは、たとえばそのパターンに位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャが含まれている場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに厳密に対応しないことがあることに留意されたい。放射ビームに付与されるパターンは、通常、ターゲット部分に生成されるデバイス、たとえば集積回路などのデバイス中の特定の機能層に対応している。パターニングデバイスは、透過型であってもあるいは反射型であってもよい。パターニングデバイスの実施例には、マスクおよび個々にプログラムすることができる複数のエレメントのアレイたとえばプログラマブルミラーアレイまたはプログラマブルLCDパネルがある。マスクについてはリソグラフィにおいては良く知られており、バイナリ、Alternating位相シフトおよびAttenuated位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプが知られている。プログラマブルミラーアレイの実施例には、マトリックスに配列された、入射する放射ビームが異なる方向に反射するよう個々に傾斜させることができる微小ミラーが使用されている。この傾斜したミラーによって、ミラーマトリックスで反射する放射ビームにパターンが付与される。00037また、図1に示す装置は、基板たとえばレジストコートウェーハWを保持するように構築された、特定のパラメータに従って該基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブルたとえばウェーハテーブルWTを備えている。一実施形態では、ウェーハテーブルは、1つまたは複数のセンサ図示せずを備えており、たとえばイメージセンサたとえば透過イメージセンサ、線量センサおよび/または収差センサを備えている。一実施形態では、複数のセンサのうちの1つまたは複数は、1つまたは複数の金属、たとえばクロムを備えている。一実施形態では、複数のセンサのうちの1つまたは複数は、たとえば窒化チタンでコーティングされている。00038図1に示す装置は、さらに、パターニングデバイスMAによって放射ビームPBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分Cたとえば1つまたは複数のダイが含まれているに投影するように構成された投影システムたとえば屈折型投影レンズシステムPLを備えている。00039照明システムは、放射を導き、整形し、あるいは制御するための、屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネント、静電光学コンポーネントまたは他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せなどの様々なタイプの光学コンポーネントを備えることができる。本明細書に使用されている投影システムという用語は、たとえば使用する露光放射に適した、もしくは液浸液の使用または真空の使用などの他の要因に適した、屈折光学システム、反射光学システム、カタディオプトリック光学システム、磁気光学システム、電磁光学システムおよび静電光学システム、またはそれらの任意の組合せを始めとする任意のタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。一実施形態では、投影システムは、複数のレンズのアレイを備えている。一実施形態では、装置は、複数の投影システムのアレイを備えており、たとえば処理能力を高くしている。00040図に示すように、この装置は、透過型たとえば透過型マスクを使用したタイプの装置である。別法としては、この装置は、反射型たとえば上で参照したタイプのプログラマブルミラーアレイを使用した、あるいは反射型マスクを使用したタイプの装置であってもよい。00041リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルおよび/または複数のマスクテーブルを有するタイプの装置であってもよい。このようなマルチステージマシンの場合、追加テーブルを並列に使用することができ、あるいは1つまたは複数の他のテーブルを露光のために使用している間、1つまたは複数のテーブルに対して予備ステップを実行することができる。00042図1を参照すると、イルミネータILは、放射源SOから放射ビームを受け取っている。放射源がたとえばエキシマレーザである場合、放射源およびリソグラフィ装置は、個別の構成要素にすることができる。このような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、たとえば適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを備えたビームデリバリシステムBDを使用して放射源SOからイルミネータILへ引き渡される。それ以外のたとえば放射源が水銀灯などの場合、放射源はリソグラフィ装置の一構成要素にすることができる。放射源SOおよびイルミネータILは、必要に応じてビームデリバリシステムBDと共に、放射システムと呼ぶことができる。一実施形態では、放射源SOによって提供される放射は、少なくとも50nmの波長を有しており、たとえば少なくとも100nm、少なくとも150nm、少なくとも175nm、少なくとも200nm、少なくとも225nm、少なくとも275nm、少なくとも325nm、少なくとも350nmまたは少なくとも360nmの波長を有している。一実施形態では、放射源SOによって提供される放射は、最大450nmの波長を有しており、たとえば最大425nm、最大375ntn、最大360nm、最大325nm、最大275nm、最大250nm、最大225nm、最大200nmまたは最大175nmの波長を有している。一実施形態では、放射は、365nm、355nm、248nmまたは193nmの波長を有している。00043イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタADを備えることができる。通常、イルミネータの瞳面内における強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲一般に、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれているは調整が可能である。また、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOなどの他の様々なコンポーネントを備えることができる。イルミネータを使用して放射ビームを条件付け、所望する一様な強度分布をその断面に持たせることができる。00044サポート構造MTによって保持されているパターニングデバイスMAに放射ビームPBが入射し、パターニングデバイスによってパターン化される。パターニングデバイスを透過した放射ビームPBは、放射ビームを基板Wのターゲット部分Cに集束させる投影システムPLを通過する。以下でさらに説明する液浸フードIHは、投影システムPLの最終エレメントと基板Wとの間の空間に液浸液を供給している。一実施形態では、基板テーブルWTおよび液浸フードIHは、基板テーブルWTと液浸フードIHの間たとえば基板テーブルWTのセンサプレートと液浸フードIHとの間に電圧差を提供することができる電圧発生器Vたとえばバッテリに接続されている。00045基板テーブルWTは、第2のポジショナPWおよび位置センサIFたとえば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサを使用して正確に移動させることができ、それによりたとえば異なるターゲット部分Cを放射ビームPBの光路内に配置することができる。同様に、第1のポジショナPMおよびもう1つの位置センサ図1には明確に示されていないを使用して、たとえばマスクライブラリから機械的に検索した後、またはスキャン中に、パターニングデバイスMAを放射ビームPBの光路に対して正確に配置することができる。通常、サポート構造MTの移動は、第1のポジショナPMの一部を形成しているロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めを使用して実現することができる。同様に、基板テーブルWTの移動は、第2のポジショナPWの一部を形成しているロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合スキャナではなく、サポート構造MTは、ショートストロークアクチュエータのみに接続することができ、あるいは固定することも可能である。パターニングデバイスMAおよび基板Wは、アライメントマークM1、M2および基板アライメントマークP1、P2を使用して整列させることができる。図には専用ターゲット部分を占有している基板アライメントマークが示されているが、基板アライメントマークは、ターゲット部分とターゲット部分の間の空間に配置することも可能であるこのような基板アライメントマークは、スクライブレーンアライメントマークとして知られている。00046同様に、複数のダイがパターニングデバイスMAによって提供される場合、ダイとダイの間にアライメントマークを配置することができる。00047図に示す装置は、以下に示すモードのうちの少なくとも1つのモードで使用することができる。000481.ステップモード:サポート構造MTおよび基板テーブルWTが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Cに1回で投影されるすなわち単一静止露光。次に、基板テーブルWTがX方向および/またはY方向にシフトされ、異なるターゲット部分Cが露光される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光で画像化されるターゲット部分Cのサイズが制限される。000492.スキャンモード:放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影されている間、サポート構造MTおよび基板テーブルWTが同期スキャンされるすなわち単一動的露光。サポート構造MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPLの倍率縮小率および画像反転特性によって決まる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の幅非スキャン方向の幅が制限され、また、スキャン運動の長さによってターゲット部分の高さスキャン方向の高さが決まる。000503.その他のモード:プログラマブルパターニングデバイスを保持するべくサポート構造MTが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影されている間、基板テーブルWTが移動またはスキャンされる。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、スキャン中、基板テーブルWTが移動する毎に、あるいは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用しているマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。00051上で説明した使用モードの組合せおよび/またはその変形形態、あるいは全く異なる使用モードを使用することも可能である。00052図2は、液浸フードIHの一実施形態を示したものである。液浸フード10は、液浸液11が拘束されて、基板の表面と投影システムの最終エレメントの間の空間が充填されるよう、投影システムのイメージフィールドの周りの基板に非接触シールを形成している。リザーバは、投影システムPLの最終エレメントの下方に配置され、かつ、投影システムPLの最終エレメントを取り囲んでいるシール部材12によって形成されている。液浸液11は、投影システムの下方の、シール部材12内の空間にもたらされている。シール部材12は、投影システムの最終エレメントの少し上まで展開しており、液体のバッファが提供されるよう、最終エレメントの上まで液体レベルが上昇している。一実施形態では、シール部材12は、上端部の形状が投影システムの形状または投影システムの最終エレメントの形状と緊密に一致した、たとえば円形であってもよい内部周囲を有している。内部周囲の底部は、イメージフィールドの形状と緊密に一致しており、たとえば、必ずしもそうである必要はないが長方形の形をしている。00053液浸液11は、シール部材12の底部と基板Wの表面との間のガスシール16によって液浸フード10内に拘束されている。ガスシールは、ガス、たとえば空気または合成空気によって形成されているが、一実施形態では、シール部材12と基板との間のギャップに入口15を介して加圧下で提供され、かつ、第1の出口14を介して抽出されるN2または不活性ガスによって形成されている。ガス入口15の超過圧力、第1の出口14の真空レベルおよびギャップの幾何構造は、液体を拘束する高速のガスの流れが内側に存在するようになされている。製品00054本発明による方法およびシステムを使用して生成することができるデバイスのいくつかの実施例には、たとえば、超微小電気機械システムMEMS、薄膜ヘッド、集積受動コンポーネント、イメージセンサ、たとえばパワーIC、アナログICおよびディスクリートICを始めとする集積回路IC、および液晶ディスプレイがある。00055以上、本発明の特定の実施形態について説明したが、当業者にはそれらに対する多くの改変が容易に可能であり、あるいは多くの改変を提案することが可能であることは理解されよう。したがって、本発明は、特許請求の範囲の精神および範囲によってのみ制限されるものとする。