"基板上に設けられた、第1の電極と、前記第1の電極上に設けられた、発光性の有機化合物を含む層と、前記発光性の有機化合物を含む層上に設けられた、島状の絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた、島状の補助電極層と、前記発光性の有機化合物を含む層上及び前記補助電極層上に設けられた、可視光に対する透光性を有する第2の電極と、を有する発光装置。請求項1において、前記第2の電極が、凹凸を有する発光装置。請求項1において、可視光に対する透光性と、凹凸とを有する層を、前記第2の電極上に備える発光装置。請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記発光性の有機化合物を含む層は、前記第1の電極と接する、有機化合物と金属酸化物とを含む複合材料層を有する発光装置。請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記発光性の有機化合物を含む層は、前記第2の電極と接する、有機化合物と金属酸化物とを含む複合材料層を有する発光装置。請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記基板と前記第1の電極との間に、凹凸を有する発光装置。請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の発光装置を含む照明装置。基板上に、第1の電極を形成し、前記第1の電極上に、発光性の有機化合物を含む層を形成し、前記発光性の有機化合物を含む層上に、シャドーマスクを配置し、前記発光性の有機化合物を含む層上に、島状の絶縁層を形成し、前記絶縁層上に、島状の補助電極層を形成し、前記シャドーマスクを外し、前記発光性の有機化合物を含む層上及び前記補助電極層上に、可視光に対する透光性を有する第2の電極を形成する、発光装置の作製方法。請求項8において、前記第2の電極を形成した後、前記第2の電極に凹凸を形成する発光装置の作製方法。請求項8において、前記第2の電極を形成した後、前記第2の電極上に、可視光に対する透光性と、凹凸とを有する層を形成する発光装置の作製方法。請求項8乃至請求項10のいずれか一項において、前記発光性の有機化合物を含む層の一層として、前記第1の電極と接する、有機化合物と金属酸化物とを含む複合材料層を形成する発光装置の作製方法。請求項8乃至請求項11のいずれか一項において、前記発光性の有機化合物を含む層の一層として、前記第2の電極と接する、有機化合物と金属酸化物とを含む複合材料層を形成する発光装置の作製方法。特許文献1に開示された発光装置において、EL層で発光した光は、透明電極及び透明基板を通して外部の空気中に放出される。特許文献1の発光装置の透明電極として用いられたITOインジウム錫酸化物、IndiumTinOxideの屈折率は約2.0であり、透明基板として用いられたガラスの屈折率は、通常、約1.6であり、また、空気の屈折率は1である。よって、透明電極と透明基板との境界面、及び透明基板と空気との境界面では全反射が起こり、外部空気中に放出されない光が多く、光の取り出し効率は小さいという問題がある。特許文献1では、光の取り出し効率を高めるために、透明基板にドーム状突起部を形成した構造を報告している。この構造は、透明基板と空気との境界面での全反射を抑制することができる。しかし、このような構成を用いても、透明電極と透明基板との境界面で全反射した光を取り出すことはできないため、発光装置の光取り出し効率は不十分である。よって、さらなる光取り出し効率の向上が求められている。したがって、電力効率が高く、面内で均一に発光し、光取り出し効率の高い発光装置を提供することを課題の一とする。または、該発光装置の作製方法を提供することを課題の一とする。または、該発光装置を用いた照明装置を提供することを課題の一とする。上記課題を解決するために、トランジスタ等が形成された素子基板とは逆側から発光を取り出す構造トップエミッション構造を採用することに着眼した。すなわち、本発明の一態様は、基板上に設けられた第1の電極と、第1の電極上に設けられた、発光性の有機化合物を含む層と、発光性の有機化合物を含む層上に設けられた、島状の絶縁層と、絶縁層上に設けられた、島状の補助電極層と、発光性の有機化合物を含む層上及び補助電極層上に設けられた、可視光に対する透光性以下、単に透光性とも記すを有する第2の電極と、を有する発光装置である。本発明の一態様は、発光性の有機化合物を含む層EL層上に、島状の絶縁層及び絶縁層と重なる島状の補助電極層を有するため、電圧降下を抑制し、面内における輝度ムラを低減することができる。さらに、補助電極層とEL層の間に、絶縁層を有するため、補助電極層によって遮光される部分のEL層には電流が流れない。したがって、供給電力を効率良く、補助電極層及び絶縁層が形成されていない部分の発光に寄与させることができるため、電力効率の低下を抑制することができる。また、本発明の一態様は、トップエミッション構造を採用しているため、素子が形成された基板を介して光を取り出す必要がない。その結果、素子基板により発光が吸収される恐れがないため、透光性について特別な配慮がされていない安価な素子基板を用いることができる。また、素子基板として、プラスチックなどの、壊れにくい、またはフレキシブルな基板を用いることもできるため、実用化の範囲が広がる。さらに、透光性を有する電極の代表例であるITOの屈折率は約2.0、素子基板の代表例である通常のガラス基板の屈折率は約1.6であり、いずれも空気の屈折率1に比べて大きい。よって、該電極が形成された該基板側から光を取り出そうとすると、該電極と該基板との境界面、及び該基板と空気との境界面では全反射が起こり、発光を外部空気中に取り出す効率、いわゆる光の取り出し効率は低い。一方、トップエミッション構造においては、全反射が起こる箇所は、透光性を有する電極と空気の境界面のみである。よって、ボトムエミッション構造の発光装置よりも、本発明の一態様であるトップエミッション構造の発光装置の方が、光の取り出し効率を高くすることができる。さらに、本発明の一態様であるトップエミッション構造の発光装置は、光の取り出し効率を向上させるために様々な工夫を施すことがボトムエミッション構造に比べて容易である。上記本発明の一態様の発光装置において、透光性を有する第2の電極は、凹凸を有していても良い。また、可視光に対する透光性と、凹凸とを有する層を、第2の電極上に備えていても良い。第2の電極上に凹凸を形成することで、光の取り出し効率を高めることができる。上記構成の発光装置において、発光性の有機化合物を含む層は、有機化合物と金属酸化物を含む複合材料層を含むことが好ましい。該複合材料層を形成することで、電極から発光物質へのキャリア注入性を良好にし、発光素子の駆動電圧を低減することができる。特に、複合材料層を第1の電極に接して設けると、第1の電極に用いる物質には、仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。よって、第1の電極に用いることのできる反射率の高い材料の選択肢が広がり好ましい。また、複合材料層を第2の電極に接して設けると、第2の電極を形成する際に、EL層が受けるダメージを低減することができるため好ましい。また、上記本発明の一態様の発光装置において、基板と第1の電極との間に、凹凸を有していても良い。素子基板と反射電極との間に凹凸を有する層を形成することで、光の取り出し効率を高めることができる。また、上記発光装置を含む照明装置も本発明の一態様に含む。本発明の別の一態様は、基板上に、第1の電極を形成し、第1の電極上に、発光性の有機化合物を含む層を形成し、発光性の有機化合物を含む層上に、シャドーマスクを配置し、発光性の有機化合物を含む層上に、島状の絶縁層を形成し、絶縁層上に、島状の補助電極層を形成し、シャドーマスクを外し、発光性の有機化合物を含む層上及び補助電極層上に、可視光に対する透光性を有する第2の電極を形成する、発光装置の作製方法である。上記作製方法は、絶縁層と補助電極層とを同一のマスクを用いて位置合わせをし直すことなく連続してパターン成膜するため、簡便に発光装置を作製することができる。また、高精度な位置合わせ機構を用いる必要が無いため、安価な製造設備を用いて作製できる。上記作製方法において、第2の電極を形成した後、該第2の電極に凹凸を形成しても良い。また、第2の電極を形成した後、可視光に対する透光性と、凹凸とを有する層を形成しても良い。上記作製方法において、発光性の有機化合物を含む層のうちの一層として、第1の電極と接する、有機化合物と金属酸化物とを含む複合材料層を形成することが好ましい。また、第2の電極と接する、有機化合物と金属酸化物とを含む複合材料層を形成することが好ましい。本発明の一態様により、電力効率が高く、面内で均一に発光し、光取り出し効率の高い発光装置を提供することができる。また、該発光装置の作製方法を提供することができる。または、該発光装置を用いた照明装置を提供することができる。実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図1を用いて説明する。図1Bは、図1Aに示す発光装置10の、a-b間、b-d間、及びc-d間の断面図を示す。図1Bに示す発光装置は、基板100上に、第1の電極101を有し、第1の電極101上に発光層を含むEL層102を有する。さらに、EL層102上に、島状の絶縁層104と、絶縁層104と重なる島状の補助電極層106と、EL層102及び補助電極層106と接する、可視光に対する透光性を有する第2の電極108を有する。加えて、発光装置10は第1の電極101と同様の材料で形成した導電層111を有する。導電層111は、接続端子として機能する。発光装置10は、第2の電極108と接する補助電極層106を有するため、電圧降下を抑制し、面内における輝度ムラを低減することができる。さらに、補助電極層106とEL層102の間に、絶縁層104を有するため、補助電極層106によって遮光される部分のEL層102には電流が流れない。したがって、供給電力を効率良く、補助電極層106及び絶縁層104が形成されていない部分の発光に寄与させることができるため、電力効率の低下を抑制することができる。一般に、ボトムエミッション構造の発光装置は、透光性を有する電極と透光性を有する素子基板との境界面、及び該素子基板と空気との境界面の2箇所で全反射が起こる。しかし、トップエミッション構造である発光装置10において、全反射が起こる境界面は、透光性を有する電極と空気との境界面のみである。よって、ボトムエミッション構造の発光装置に比べて、発光装置10は、光の取り出し効率が高い。さらに、ボトムエミッション構造に比べ、全反射が起こる箇所が少ないため、トップエミッション構造である発光装置10は、光の取り出し効率を向上させるために様々な工夫を施すことが容易である。例えば、凹凸を有する第2の電極108を備えても良いし、第2の電極108上に、凹凸を有する層を積層しても良い。EL層102は、発光物質を含む発光層を有する。EL層102は、発光層の他に、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができる。図1A~Bに示す発光装置10の作製方法について、図3を用いて説明する。まず、基板100上に第1の電極101と、第1の電極101と同様の材料からなる導電層111を形成する。基板100の材料としては、発光素子の支持体として機能する材料を用いれば良く、例えば、ガラス、プラスチック、金属等を用いることができる。発光素子からの発光をトランジスタ等が形成された素子基板を通して外部へ取り出すボトムエミッション構造では、素子基板が可視光に対する透光性を有する必要がある。一方、本発明の一態様は、トップエミッション構造を採用している。よって、基板100から光を取り出す必要がないため、基板100の材料に関して制限が無く、安価な基板を用いることができる。例えば、基板100として、プラスチックなどのフレキシブルな基板を用いることもできる。反射電極である第1の電極101を形成する前に、基板100上に、凹凸又は凹凸を有する層を形成しても良い。凹凸を形成することで、反射電極の機能を高め、光の取り出し効率を向上することができる。凹凸は、材料、屈折率、可視光に対する透光性等に限定が無い。加熱処理を行っても良いし、凹凸の形成方法にも制限は無い。例えば、ナノインプリント法やフォトリソグラフィ工程を用いることができる。第1の電極101は、陽極として機能し、かつ、反射電極として機能する層である。例えば、アルミニウムを含む合金アルミニウム合金を用いることで、反射率に優れた電極を得ることができる。アルミニウム合金としては、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとネオジムの合金、アルミニウムとニッケルの合金などが挙げられる。また、アルミニウム合金膜と、金属又は金属酸化物を含む膜の積層膜を用いても良い。アルミニウム合金膜上に金属又は金属酸化物を含む膜を積層することで、アルミニウム合金の酸化を抑制し、第1の電極101からEL層102への正孔注入性を良好に保つことができる。金属または金属酸化物を含む膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上述の材料は、地殻における存在量が多く安価であるため、発光素子の作製コストを低減することができ、好ましい。特に、アルミニウムおよびチタンは、地殻における存在量がとても多く、さらに好ましい。第1の電極101は、反射率を高めるため、凹凸を有していても良い。特に、後述の正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いた層複合材料層を第1の電極101に接して設けると、第1の電極101に用いる物質は、仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。よって、第1の電極101に用いることのできる反射率の高い材料の選択肢が広がり好ましい。次に、第1の電極101上にEL層102を形成する図3A。本実施の形態において、EL層102は、陽極第1の電極101側から、正孔注入層701、正孔輸送層702、発光層703、電子輸送層704、電子注入層705を有する図2A。正孔注入層701は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることができる。また、フタロシアニン略称:H2Pc、銅IIフタロシアニン略称:CuPc等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。また、低分子の有機化合物である4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニルアミノトリフェニルアミン略称:TDATA、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン略称:MTDATA、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、4,4’-ビスN-{4-[N’-3-メチルフェニル-N’-フェニルアミノ]フェニル}-N-フェニルアミノビフェニル略称:DNTPD、1,3,5-トリス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ベンゼン略称:DPA3B、3-[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA1、3,6-ビス[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA2、3-[N-1-ナフチル-N-9-フェニルカルバゾール-3-イルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCN1等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。さらに、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等を用いることもできる。例えば、ポリN-ビニルカルバゾール略称:PVK、ポリ4-ビニルトリフェニルアミン略称:PVTPA、ポリ[N-4-{N’-[4-4-ジフェニルアミノフェニル]フェニル-N’-フェニルアミノ}フェニルメタクリルアミド]略称:PTPDMA、ポリ[N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ビスフェニルベンジジン]略称:Poly-TPDなどの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸PEDOT/PSS、ポリアニリン/ポリスチレンスルホン酸PAni/PSS等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。特に、正孔注入層701として、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることが好ましい。正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることにより、第1の電極101からの正孔注入性を良好にし、発光素子の駆動電圧を低減することができる。これらの複合材料は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質とを共蒸着することにより形成することができる。該複合材料を用いて正孔注入層701を形成することにより、第1の電極101からEL層102への正孔注入が容易となる。複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。複合材料に用いることのできる有機化合物としては、例えば、TDATA、MTDATA、DPAB、DNTPD、DPA3B、PCzPCA1、PCzPCA2、PCzPCN1、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPB又はα-NPD、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:TPD、4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLP等の芳香族アミン化合物や、4,4’-ジN-カルバゾリルビフェニル略称:CBP、1,3,5-トリス[4-N-カルバゾリルフェニル]ベンゼン略称:TCPB、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、9-フェニル-3-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:PCzPA、1,4-ビス[4-N-カルバゾリルフェニル]-2,3,5,6-テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘導体を用いることができる。また、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、2-tert-ブチル-9,10-ビス4-フェニルフェニルアントラセン略称:t-BuDBA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuAnth、9,10-ビス4-メチル-1-ナフチルアントラセン略称:DMNA、9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]-2-tert-ブチルアントラセン、9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。さらに、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン、9,9’-ビアントリル、10,10’-ジフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス2-フェニルフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス[2,3,4,5,6-ペンタフェニルフェニル]-9,9’-ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11-テトラtert-ブチルペリレン、ペンタセン、コロネン、4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル略称:DPVBi、9,10-ビス[4-2,2-ジフェニルビニルフェニル]アントラセン略称:DPVPA等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。また、電子受容体としては、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン略称:F4-TCNQ、クロラニル等の有機化合物や、遷移金属酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。なお、上述したPVK、PVTPA、PTPDMA、Poly-TPD等の高分子化合物と、上述した電子受容体を用いて複合材料を形成し、正孔注入層701に用いてもよい。正孔輸送層702は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、NPB、TPD、BPAFLP、4,4’-ビス[N-9,9-ジメチルフルオレン-2-イル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DFLDPBi、4,4’-ビス[N-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル-N―フェニルアミノ]ビフェニル略称:BSPB等の芳香族アミン化合物を用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。また、正孔輸送層702には、CBP、CzPA、PCzPAのようなカルバゾール誘導体や、t-BuDNA、DNA、DPAnthのようなアントラセン誘導体を用いても良い。また、正孔輸送層702には、PVK、PVTPA、PTPDMA、Poly-TPDなどの高分子化合物を用いることもできる。発光層703は、発光物質を含む層である。発光物質としては、例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。発光層703に用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、N,N’-ビス[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N,N’-ジフェニルスチルベン-4,4’-ジアミン略称:YGA2S、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:YGAPA、4-10-フェニル-9-アントリル-4’-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルトリフェニルアミン略称:PCBAPAなどが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCABPhA、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPABPhA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル]-N-[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N-フェニルアントラセン-2-アミン略称:2YGABPhA、N,N,9-トリフェニルアントラセン-9-アミン略称:DPhAPhAなどが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、5,12-ビス1,1’-ビフェニル-4-イル-6,11-ジフェニルテトラセン略称:BPTなどが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルテトラセン-5,11-ジアミン略称:p-mPhTD、7,14-ジフェニル-N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルアセナフト[1,2-a]フルオランテン-3,10-ジアミン略称:p-mPhAFDなどが挙げられる。また、発光層703に用いることができる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIテトラキス1-ピラゾリルボラート略称:FIr6、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIピコリナート略称:FIrpic、ビス{2-[3’,5’-ビストリフルオロメチルフェニル]ピリジナト-N,C2’}イリジウムIIIピコリナート略称:IrCF3ppy2pic、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:FIracacなどが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irppy3、ビス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irppy2acac、ビス1,2-ジフェニル-1H-ベンゾイミダゾラトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpbi2acac、ビスベンゾ[h]キノリナトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbzq2acac、トリスベンゾ[h]キノリナトイリジウムIII略称:Irbzq3などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス2,4-ジフェニル-1,3-オキサゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irdpo2acac、ビス[2-4’-パーフルオロフェニルフェニルピリジナト]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irp-PF-ph2acac、ビス2-フェニルベンゾチアゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbt2acac、アセチルアセトナトビス[2,3-ビス4-フルオロフェニル-5-メチルピラジナト]イリジウムIII略称:IrFdppr-Me2acac、アセチルアセトナトビス{2-4-メトキシフェニル-3,5-ジメチルピラジナト}イリジウムIII略称:Irdmmoppr2acacなどが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス2-フェニルキノリナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irpq3、ビス2-フェニルキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpq2acac、アセチルアセトナトビス3,5-ジメチル-2-フェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irmppr-Me2acac、アセチルアセトナトビス5-イソプロピル-3-メチル-2-フェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irmppr-iPr2acacなどが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス[2-2’-ベンゾ[4,5-α]チエニルピリジナト-N,C3’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbtp2acac、ビス1-フェニルイソキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpiq2acac、アセチルアセトナトビス[2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリナト]イリジウムIII略称:IrFdpq2acac、アセチルアセトナトビス2,3,5-トリフェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irtppr2acac、ジピバロイルメタナトビス2,3,5-トリフェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irtppr2dpm、2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリン白金II略称:PtOEP等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリスアセチルアセトナトモノフェナントロリンテルビウムIII略称:Tbacac3Phen、トリス1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオナトモノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuDBM3Phen、トリス[1-2-テノイル-3,3,3-トリフルオロアセトナト]モノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuTTA3Phen等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンから異なる多重度間の電子遷移による発光が生じるため、燐光性化合物として用いることができる。なお、発光層703としては、上述した発光物質ゲスト材料を他の物質ホスト材料に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては、各種のものを用いることができ、発光物質よりも最低空軌道準位LUMO準位が高く、最高被占有軌道準位HOMO準位が低い物質を用いることが好ましい。ホスト材料としては、具体的には、トリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウムII略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウムIII略称:BAlq、ビス8-キノリノラト亜鉛II略称:Znq、ビス[2-2-ベンゾオキサゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnPBO、ビス[2-2-ベンゾチアゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnBTZなどの金属錯体、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBD、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、2,2’,2’’-1,3,5-ベンゼントリイルトリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:TPBI、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCPなどの複素環化合物や、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、3,6-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DPCzPA、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、9,9’-ビアントリル略称:BANT、9,9’-スチルベン-3,3’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS、9,9’-スチルベン-4,4’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS2、3,3’,3’’-ベンゼン-1,3,5-トリイルトリピレン略称:TPB3、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、6,12-ジメトキシ-5,11-ジフェニルクリセンなどの縮合芳香族化合物、N,N-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:CzA1PA、4-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:DPhPA、N,9-ジフェニル-N-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPA、N,9-ジフェニル-N-{4-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]フェニル}-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPBA、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、NPBまたはα-NPD、TPD、DFLDPBi、BSPBなどの芳香族アミン化合物などを用いることができる。また、ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するためにルブレン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料へのエネルギー移動をより効率良く行うためにNPB、あるいはAlq等をさらに添加してもよい。ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光層703の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。また、発光層703として高分子化合物を用いることができる。具体的には、青色系の発光材料として、ポリ9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル略称:PFO、ポリ[9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル-co-2,5-ジメトキシベンゼン-1,4-ジイル]略称:PF-DMOP、ポリ{9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル-co-[N,N’-ジ-p-ブチルフェニル-1,4-ジアミノベンゼン]}略称:TAB-PFHなどが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、ポリp-フェニレンビニレン略称:PPV、ポリ[9,9-ジヘキシルフルオレン-2,7-ジイル-alt-co-ベンゾ[2,1,3]チアジアゾール-4,7-ジイル]略称:PFBT、ポリ[9,9-ジオクチル-2,7-ジビニレンフルオレニレン-alt-co-2-メトキシ-5-2-エチルヘキシロキシ-1,4-フェニレン]などが挙げられる。また、橙色~赤色系の発光材料として、ポリ[2-メトキシ-5-2’-エチルヘキソキシ-1,4-フェニレンビニレン]略称:MEH-PPV、ポリ3-ブチルチオフェン-2,5-ジイル略称:R4-PAT、ポリ{[9,9-ジヘキシル-2,7-ビス1-シアノビニレンフルオレニレン]-alt-co-[2,5-ビスN,N’-ジフェニルアミノ-1,4-フェニレン]}、ポリ{[2-メトキシ-5-2-エチルヘキシロキシ-1,4-ビス1-シアノビニレンフェニレン]-alt-co-[2,5-ビスN,N’-ジフェニルアミノ-1,4-フェニレン]}略称:CN-PPV-DPDなどが挙げられる。また、複数の発光層を設け、それぞれの発光層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、2つの発光層を有する発光素子において、第1の発光層の発光色と第2の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、3つ以上の発光層を有する発光素子の場合でも同様である。電子輸送層704は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質としては、例えば、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウム略称:BAlqなど、キノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また、この他ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾオキサゾラト]亜鉛略称:ZnBOX2、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾチアゾラト]亜鉛略称:ZnBTZ2などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBDや、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCPなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。電子注入層705は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層705には、リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層704を構成する物質を用いることもできる。なお、上述した正孔注入層701、正孔輸送層702、発光層703、電子輸送層704、電子注入層705は、それぞれ、蒸着法真空蒸着法を含む、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。EL層は、図2Bに示すように、第1の電極101と第2の電極108との間に複数積層されていても良い。この場合、積層された第1のEL層800と第2のEL層801との間には、電荷発生層803を設けることが好ましい。電荷発生層803は上述の複合材料で形成することができる。また、電荷発生層803は複合材料からなる層と他の材料からなる層との積層構造でもよい。この場合、他の材料からなる層としては、電子供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層や、透明導電膜からなる層などを用いることができる。このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方のEL層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。この構造は上述のEL層の構造と組み合わせて用いることができる。また、それぞれのEL層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、2つのEL層を有する発光素子において、第1のEL層の発光色と第2のEL層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。また、3つ以上のEL層を有する発光素子の場合でも同様である。EL層102は、図2Cに示すように、第1の電極101と第2の電極108との間に、正孔注入層701、正孔輸送層702、発光層703、電子輸送層704、電子注入バッファー層706、電子リレー層707、及び第2の電極108と接する複合材料層708を有していても良い。第2の電極108と接する複合材料層708を設けることで、特にスパッタリング法を用いて第2の電極108を形成する際に、EL層102が受けるダメージを低減することができるため、好ましい。複合材料層708は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。さらに、電子注入バッファー層706を設けることで、複合材料層708と電子輸送層704との間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層708で生じた電子を電子輸送層704に容易に注入することができる。電子注入バッファー層706には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物アルカリ金属化合物酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む、アルカリ土類金属化合物酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む、または希土類金属の化合物酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。また、電子注入バッファー層706が、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、0.001以上0.1以下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物アルカリ金属化合物酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む、アルカリ土類金属化合物酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む、または希土類金属の化合物酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含むの他、テトラチアナフタセン略称:TTN、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した電子輸送層704の材料と同様の材料を用いて形成することができる。さらに、電子注入バッファー層706と複合材料層708との間に、電子リレー層707を形成することが好ましい。電子リレー層707は、必ずしも設ける必要は無いが、電子輸送性の高い電子リレー層707を設けることで、電子注入バッファー層706へ電子を速やかに送ることが可能となる。複合材料層708と電子注入バッファー層706との間に電子リレー層707が挟まれた構造は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層706に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造である。したがって、駆動電圧の上昇を抑制することができる。電子リレー層707は、電子輸送性の高い物質を含み、該電子輸送性の高い物質のLUMO準位は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸送層704に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるように形成する。また、電子リレー層707がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー準位も複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸送層704に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるようにする。具体的なエネルギー準位の数値としては、電子リレー層707に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位は-5.0eV以上、好ましくは-5.0eV以上-3.0eV以下とするとよい。電子リレー層707に含まれる電子輸送性の高い物質としてはフタロシアニン系の材料又は金属-酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。電子リレー層707に含まれるフタロシアニン系材料としては、例えば、CuPc、SnPcPhthalocyaninetinIIcomplex、ZnPcPhthalocyaninezinccomplex、CoPcCobaltIIphthalocyanine,β-form、FePcPhthalocyanineIron及びPhO-VOPcVanadyl2,9,16,23-tetraphenoxy-29H,31H-phthalocyanineのいずれかを用いることが好ましい。電子リレー層707に含まれる金属-酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としては、金属-酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属-酸素の二重結合はアクセプター性電子を受容しやすい性質を有するため、電子の移動授受がより容易になる。また、金属-酸素の二重結合を有する金属錯体は安定であると考えられる。したがって、金属-酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることにより発光素子を低電圧でより安定に駆動することが可能になる。金属-酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としてはフタロシアニン系材料が好ましい。具体的には、VOPcVanadylphthalocyanine、SnOPcPhthalocyaninetinIVoxidecomplex及びTiOPcPhthalocyaninetitaniumoxidecomplexのいずれかは、分子構造的に金属-酸素の二重結合が他の分子に対して作用しやすく、アクセプター性が高いため好ましい。なお、上述したフタロシアニン系材料としては、フェノキシ基を有するものが好ましい。具体的にはPhO-VOPcのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が好ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため、発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため、成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。電子リレー層707はさらにドナー性物質を含んでいても良い。ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物アルカリ金属化合物酸化リチウムなどの酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウムなどの炭酸塩を含む、アルカリ土類金属化合物酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む、又は希土類金属の化合物酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含むの他、テトラチアナフタセン略称:TTN、ニッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用いることができる。電子リレー層707にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子の移動が容易となり、発光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。電子リレー層707にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質としては上記した材料の他、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位より高いLUMO準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位としては、-5.0eV以上、好ましくは-5.0eV以上-3.0eV以下の範囲にLUMO準位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、ペリレン誘導体や、含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定であるため、電子リレー層707を形成する為に用いる材料として、好ましい材料である。ペリレン誘導体の具体例としては、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物略称:PTCDA、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボキシリックビスベンゾイミダゾール略称:PTCBI、N,N’-ジオクチル-3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸ジイミド略称:PTCDI-C8H、N,N’-ジヘキシル-3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸ジイミド略称:HexPTC等が挙げられる。また、含窒素縮合芳香族化合物の具体例としては、ピラジノ[2,3-f][1,10]フェナントロリン-2,3-ジカルボニトリル略称:PPDN、2,3,6,7,10,11-ヘキサシアノ-1,4,5,8,9,12-ヘキサアザトリフェニレン略称:HATCN6、2,3-ジフェニルピリド[2,3-b]ピラジン略称:2PYPR、2,3-ビス4-フルオロフェニルピリド[2,3-b]ピラジン略称:F2PYPR等が挙げられる。その他にも、7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン略称:TCNQ、1,4,5,8,-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物略称:NTCDA、パーフルオロペンタセン、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン略称:F16CuPc、N,N’-ビス2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-ペンタデカフルオロオクチル-1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド略称:NTCDI-C8F、3’,4’-ジブチル-5,5’’-ビスジシアノメチレン-5,5’’-ジヒドロ-2,2’:5’,2’’-テルチオフェン略称:DCMT、メタノフラーレン例えば、[6,6]-フェニルC61酪酸メチルエステル等を用いることができる。なお、電子リレー層707にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質とドナー性物質との共蒸着などの方法によって電子リレー層707を形成すれば良い。正孔注入層701、正孔輸送層702、発光層703、及び電子輸送層704は前述の材料を用いてそれぞれ形成すれば良い。次に、EL層102上に、シャドーマスク115を配置し、島状の絶縁層104と絶縁層104と重なる島状の補助電極層106を連続成膜する図3B、C。図3B、Cに示す通り、絶縁層104及び補助電極層106は、順テーパ断面において、上底が下底より短い台形である形状である。また、絶縁層104において、EL層102に接する面の面積は、補助電極層106と接する面の面積に比べて大きい。絶縁層104としては、シャドーマスクを用いて成膜できる絶縁性を有する膜であれば特に限定されない。例えば、蒸着法を用いて、フッ化リチウム、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウムなどを成膜しても良い。つまり、電子注入層705と絶縁層104を同じ材料で形成することも可能である。または、スパッタリング法を用いて酸化アルミニウムなどを成膜しても良い。または、上述の正孔輸送層702に用いることのできる正孔輸送性の高い有機化合物や、電子輸送性が低い有機化合物を用いても良い。補助電極層106としては、シャドーマスクを用いて成膜できる導電膜であれば特に限定されない。後述の第2の電極よりも導電性が高い層であることが好ましい。特に、補助電極層106のシート抵抗は、第2の電極のシート抵抗に比べて2~3桁小さい値であることが望ましい。補助電極層106の材料としては、アルミニウム、銅、銀などを用いることができる。補助電極層106として、アルミニウム合金膜や、複数の金属の積層膜を用いることもできる。その他、チタン、タングステン、タンタル、モリブデンなどを含んでいても良い。次に、EL層102上からシャドーマスク115を外す。そして、EL層102上に、絶縁層104及び補助電極層106を覆い、可視光に対する透光性を有する第2の電極108を形成する図3D。第2の電極108は、陰極として機能し、かつ、可視光に対する透光性を有する電極として機能する。発光層で生じた光を外部へ取り出すため、可視光領域400nm以上800nm以下の波長範囲において透過率30以上の透光性を有することが好ましい。また、マイクロキャビティ微小共振器構造を適用する場合には、第2の電極108は、透過率30~80、反射率30~60であることが好ましい。第2の電極108としては、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物を用いることができる。具体的には、例えば、酸化インジウム-酸化スズITO:IndiumTinOxide、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、酸化インジウム-酸化亜鉛IZO:IndiumZincOxide、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムIWZO等の可視光に対する透光性を有する導電性金属酸化物膜を用いることができる。これらの導電性金属酸化物は、可視光領域の透過率に優れていること、および導電率を考慮すると、70~100nm程度の膜厚であることが好ましい。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル-ゲル法などを応用して、インクジェット法、スピンコート法などにより作製しても構わない。例えば、IZO膜は、酸化インジウムに対し1~20wtの酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、IWZO膜は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5~5wt、酸化亜鉛を0.1~1wt含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、この他にも、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、またはこれら金属材料の窒化物例えば、窒化チタン等が挙げられる。これらの金属膜を薄膜とすることにより、十分に可視光に対する透光性を有する電極とすることができる。膜厚は、透過率および反射率を考慮すると、5~20nmであることが好ましい。また、第2の電極108として、特に、仕事関数の小さい具体的には3.8eV以下であることが好ましい金属、合金等を用いることが好ましい。例えば、アルミニウム、銀、アルミニウム合金等を用いることができる。また、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウムやセシウム等のアルカリ金属、およびマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金例えば、マグネシウム-銀合金Mg-Ag、アルミニウム-リチウム合金Al-Liなど、ユウロピウム、イッテルビウム等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることができる。これらのアルカリ金属、アルカリ土類金属およびこれらを含む合金を薄膜とすることにより、十分に可視光に対する透光性を有する電極とすることができる。膜厚は、透過率および反射率を考慮すると、5~20nmであることが好ましい。また、アルカリ金属、アルカリ土類金属およびこれらを含む合金は導電性が高いため、膜厚が5~20nmであれば、電極として十分に機能する。アルカリ金属、アルカリ土類金属およびこれらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することができる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金の膜はスパッタリング法により形成することも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより成膜することも可能である。また、第2の電極108は、単層のものだけでなく、二層以上積層したものとしてもよい。例えば、上述したアルカリ金属、アルカリ土類金属およびこれらを含む合金の薄膜上に、ITO、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、IZO、IWZO等の導電性金属酸化物膜を積層した構造としてもよい。但し、EL層のうち、第2の電極108に接する層が、上述の有機化合物と電子供与体ドナーとを混合してなる複合材料層である場合は、仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。さらに、第2の電極108上に取り出し効率を向上させるための構造物や材料を設けても良い。例えば、第2の電極108上に、可視光に対する透光性を有し、凹凸を有する層を積層しても良い。又は、第2の電極108が凹凸を有していても良い。例えば、第2の電極108を形成した後に、屈折率が1.7以上の微粒子を含むターゲットを用いて、スパッタリング法で、可視光に対する透光性と、凹凸とを有する層を形成しても良い。屈折率が1.7以上の微粒子としては、例えば、ITO、酸化チタンTiO2を用いることができる。または、第2の電極108を形成した後に、円形、楕円形、三角形、正方形、長方形、多角形等の開口部がある高精細メタルマスクを、基板と接しないように配置し、可視光に対する透光性と、凹凸とを有する層を形成することができる。可視光に対する透光性と、凹凸とを有する層の材料としては、ITOやTiO2などを用いることができる。可視光に対する透光性と、凹凸とを有する層は、屈折率が1.7以上であることが好ましい。以上によって、本実施の形態の発光装置10を作製することができる。本実施の形態の発光装置は、第2の電極と接する補助電極層を有するため、電圧降下を抑制し、面内における輝度ムラを低減することができる。さらに、補助電極層とEL層の間に、絶縁層を有するため、補助電極層によって遮光される部分のEL層には電流が流れない。したがって、供給電力を効率良く、補助電極層及び絶縁層が形成されていない部分の発光に寄与させることができるため、電力効率の低下を抑制することができる。さらに、本発明の一態様の発光装置は、トップエミッション構造であるため、ボトムエミッション構造の発光装置に比べ、光の取り出し効率が高い。加えて、ボトムエミッション構造に比べ全反射が起こる箇所が少ないため、本発明の一態様のトップエミッション構造の発光装置は、光の取り出し効率を向上させるために様々な工夫を施すことが容易である。本実施の形態の発光装置の作製方法では、補助電極層及び絶縁層を同一のシャドーマスクを用いてパターン成膜をするため、高精度な位置合わせが不要であり、コストの高いフォトリソグラフィを用いることなく、簡便に発光装置や該発光装置を含む照明装置を作製することができる。なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。実施の形態2本実施の形態では、本発明の一態様により形成された発光装置を用いた照明装置について図4ABを用いて説明する。図4Aは照明装置卓上照明装置であり、照明部7501、傘7502、可変アーム7503、支柱7504、台7505、電源スイッチ7506を含む。なお、照明装置は、本発明の一態様により形成される発光装置を照明部7501に用いることにより作製される。なお、照明装置には、図4Aに示す卓上照明装置の他、天井固定型の照明装置天井固定型照明装置または壁掛け型の照明装置壁掛け型照明装置なども含まれる。なお、本発明の一態様を適用して形成される発光装置を照明装置卓上照明装置の照明部7501に用いることで、電力効率が高く、面内で均一に発光し、光取り出し効率の高い照明装置卓上照明装置を提供することができる。図4Bは、本発明の一態様を適用して形成される発光装置を、室内照明装置として用いた例である。本発明の一態様の発光装置は大面積化に有利であるため、天井固定型照明装置3001に示すように大面積の照明装置として用いることができる。その他、壁掛け型照明装置3002として用いることもできる。なお、本発明の一態様を適用して形成される発光装置を用いることで、電力効率が高く、面内で均一に発光し、光取り出し効率の高い照明装置を提供することができる。なお、図4Bに示すように、室内照明装置を備えた部屋で、図4Aで説明した卓上照明装置3000を併用してもよい。"