"第1基板の内面と、第2基板の内面とを接合材を介して陽極接合し、パッケージを製造するための陽極接合装置であって、前記第1基板の外面側に配置され、陽極接合時に前記第1基板を押圧する第1ヒータと、前記第2基板の外面側に配置され、陽極接合時に前記第2基板を押圧する第2ヒータと、前記第1基板の外面と前記第1ヒータとの間に配置され、熱伝導性を有し、可撓可能な第1中間部材と、前記第2基板の外面と前記第2ヒータとの間に配置され、導電性および熱伝導性を有し、可撓可能な第2中間部材と、を備え、前記第1中間部材は、中央部が周縁部よりも前記第2基板に向かって膨出して形成されていると共に、前記第2中間部材は、中央部が周縁部よりも前記第1基板に向かって膨出して形成されており、各ヒータがそれぞれ対応する基板を押圧するのに伴い、各中間部材が平坦に変形することを特徴とする陽極接合装置。前記第1中間部材および前記第2中間部材は、多孔質のカーボンからなることを特徴とする請求項1に記載の陽極接合装置。前記接合材は、シリコンであることを特徴とする請求項1または2に記載の陽極接合装置。前記第2ヒータの中央には、前記第2ヒータの内面と外面とを連通する貫通孔が形成されており、前記貫通孔に、前記ピン部材を陽極接合時に前記第2中間部材を外面側から内面側に向かって押圧するように挿通したことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の陽極接合装置。請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の陽極接合装置を用いてパッケージを製造するパッケージ製造方法であって、前記第1ヒータに前記第1中間部材を介して前記第1基板をセットし、前記第2ヒータに前記第2中間部材を介して前記第2基板をセットして、前記第1基板および前記第2基板を予備加熱するセット予備加熱工程と、前記第1中間部材を前記第2基板に向かって押圧し、前記第2中間部材を前記第1基板に向かって押圧して、前記第1中間部材および前記第2中間部材を平坦に変形させ、前記第1基板と前記第2基板とを接合する陽極接合工程と、を有することを特徴とするパッケージ製造方法。請求項5に記載のパッケージ製造方法により製造した前記パッケージの内部に、圧電振動片が封入されていることを特徴とする圧電振動子。請求項6に記載の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。請求項6に記載の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。請求項6に記載の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。ところで、第1基板および第2基板の内面は陽極接合面となるため、研磨加工されている。このため、第1基板および第2基板の内面と外面とでは、表面が滑らかな内面よりも、表面の粗い外面がより広い表面積を有する。したがって、陽極接合する際に、各基板を接合温度まで加熱すると、第1基板および第2基板の内面を凹にして各基板が大きく反ってしまう。そして、内面を凹にして各基板が反った状態で、各基板の内面を合わせて陽極接合を行うと、各基板の周縁部が先に密着し、周縁部から中央部に向かって陽極接合が進行する。これにより、各基板から発生したアウトガスは、パッケージ外に排出されずにパッケージ内に封入され、パッケージ内の良好な真空度の確保ができないおそれがある。そこで本発明は、パッケージ内の良好な真空度の確保ができる陽極接合装置、この陽極接合装置を用いたパッケージ製造方法、このパッケージ製造方法により製造された圧電振動子、この圧電振動子を有する発振器、電子機器、および電波時計の提供を課題とする。上記の課題を解決するため、本発明の陽極接合装置は、第1基板の内面と、第2基板の内面とを接合材を介して陽極接合し、パッケージを製造するための陽極接合装置であって、前記第1基板の外面側に配置され、陽極接合時に前記第1基板を押圧する第1ヒータと、前記第2基板の外面側に配置され、陽極接合時に前記第2基板を押圧する第2ヒータと、前記第1基板の外面と前記第1ヒータとの間に配置され、熱伝導性を有し、可撓可能な第1中間部材と、前記第2基板の外面と前記第2ヒータとの間に配置され、導電性および熱伝導性を有し、可撓可能な第2中間部材と、を備え、前記第1中間部材は、中央部が周縁部よりも前記第2基板に向かって膨出して形成されていると共に、前記第2中間部材は、中央部が周縁部よりも前記第1基板に向かって膨出して形成されており、各ヒータがそれぞれ対応する基板を押圧するのに伴い、各中間部材が平坦に変形することを特徴としている。本発明によれば、第1中間部材は中央部が周縁部よりも第2基板に向かって膨出し、第2中間部材は中央部が周縁部よりも第1基板に向かって膨出しているので、陽極接合開始直後、第1基板と第2基板との中央部に接合荷重を作用させて、中央部を先に陽極接合できる。また、陽極接合時に前記第1中間部材および前記第2中間部材が平坦に変形するので、第1基板および第2基板の中央部を陽極接合した後、第1基板および第2基板の周縁部に向かって、同心円状に順次陽極接合できる。これにより、第1基板および第2基板に、内面を凹にして反ろうとする力が発生しても、アウトガスを封入することなく効果的に排出しながら陽極接合できる。したがって、パッケージ内の良好な真空度の確保ができる。また、前記第1中間部材および前記第2中間部材は、多孔質のカーボンからなることを特徴としている。本発明によれば、第1中間部材および第2中間部材は、良好な導電性および熱伝導性を確保できるので、確実に陽極接合できる。また、第1中間部材および第2中間部材を多孔質とすることで、陽極接合時に、第1中間部材および第2中間部材が確実に平坦に変形できる。したがって、第1基板および第2基板の内面全体に接合荷重を作用させて確実に陽極接合できる。また、前記接合材は、シリコンであることを特徴としている。本発明によれば、接合材をシリコンとすることで、耐腐食性に優れたパッケージを形成できる。また、陽極接合時に効果的にアウトガスの排出ができるので、陽極接合時にガスを発生するシリコンを接合材としたときに好適である。また、前記第2ヒータの中央には、前記第2ヒータの内面と外面とを連通する貫通孔が形成されており、前記貫通孔に、前記ピン部材を陽極接合時に前記第2中間部材を外面側から内面側に向かって押圧するように挿通したことを特徴としている。本発明によれば、ピン部材で第2中間部材を外面側から内面側に向かって押圧することで、第1基板および第2基板の中央部に大きな接合荷重を作用させて陽極接合できる。したがって、第1基板および第2基板の中央部を陽極接合した後、第1基板および第2基板の周縁部に向かって、確実に順次陽極接合できる。これにより、第1基板および第2基板に、内面を凹にして反ろうとする力が発生しても、アウトガスを封入することなく効果的に排出しながら確実に陽極接合できる。したがって、パッケージ内のより良好な真空度の確保ができる。また、本発明のパッケージ製造方法は、上述の陽極接合装置を用いてパッケージを製造するパッケージ製造方法であって、前記第1ヒータに前記第1中間部材を介して前記第1基板をセットし、前記第2ヒータに前記第2中間部材を介して前記第2基板をセットして、前記第1基板および前記第2基板を予備加熱するセット予備加熱工程と、前記第1中間部材を前記第2基板に向かって押圧し、前記第2中間部材を前記第1基板に向かって押圧して、前記第1中間部材および前記第2中間部材を平坦に変形させ、前記第1基板と前記第2基板とを接合する陽極接合工程と、を有することを特徴としている。本発明によれば、第1基板および第2基板をセットして予備加熱するセット予備加熱工程を有しているので、第1基板および第2基板から予めアウトガスを排出することができる。また、陽極接合工程では、中央部が周縁部よりも第2基板に向かって膨出した第1中間部材と、中央部が周縁部よりも第1基板に向かって膨出した第2中間部材とを用いているので、陽極接合開始直後、第1基板と第2基板との中央部に接合荷重を作用させ、中央部を先に陽極接合できる。さらに、陽極接合工程では、第1中間部材および第2中間部材が平坦に変形するので、第1基板および第2基板の中央部を陽極接合した後、第1基板および第2基板の周縁部に向かって、同心円状に順次陽極接合できる。これにより、第1基板および第2基板に、内面を凹にして反ろうとする力が発生しても、アウトガスを封入することなく効果的に排出しながら陽極接合できる。したがって、パッケージ内の良好な真空度の確保ができる。また、本発明の圧電振動子は、上述のパッケージ製造方法により製造した前記パッケージの内部に、圧電振動片が封入されていることを特徴とする。本発明によれば、良好な真空度を確保できるパッケージ製造方法により製造されたパッケージの内部に圧電振動片が封入されているので、等価抵抗値が低く電気的特性に優れた圧電振動子を提供できる。また、本発明の発振器は、上述した圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする。また、本発明の電子機器は、上述した圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする。また、本発明の電波時計は、上述した圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする。本発明の発振器、電子機器および電波時計によれば、等価抵抗値が低く電気的特性に優れた圧電振動子を備えているので、高性能な発振器、電子機器および電波時計を提供できる。本発明によれば、第1中間部材は中央部が周縁部よりも第2基板に向かって膨出し、第2中間部材は中央部が周縁部よりも第1基板に向かって膨出しているので、陽極接合開始直後、第1基板と第2基板との中央部に接合荷重を作用させて、中央部を先に陽極接合できる。また、陽極接合時に前記第1中間部材および前記第2中間部材が平坦に変形するので、第1基板および第2基板の中央部を陽極接合した後、第1基板および第2基板の周縁部に向かって、同心円状に順次陽極接合できる。これにより、第1基板および第2基板に、内面を凹にして反ろうとする力が発生しても、アウトガスを封入することなく効果的に排出しながら陽極接合できる。したがって、パッケージ内の良好な真空度の確保ができる。以下、本発明の実施形態に係る圧電振動子を、図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、第1基板をリッド基板またはリッド基板用ウエハとし、第2基板をベース基板またはベース基板用ウエハとして説明する。また、ベース基板またはベース基板用ウエハのリッド基板またはリッド基板用ウエハとの接合面を上面Uとし、ベース基板またはベース基板用ウエハの外側面を下面Lとして説明する。図1は、圧電振動子1の外観斜視図である。図2は、圧電振動子1の内部構成図であって、リッド基板3を取り外した状態の平面図である。図3は、図2のA-A線における断面図である。図4は、図1に示す圧電振動子1の分解斜視図である。なお、図4においては、図面を見易くするために後述する励振電極13,14、引き出し電極19,20、マウント電極16,17および重り金属膜21の図示を省略している。図1に示すように、本実施形態の圧電振動子1は、ベース基板2およびリッド基板3が接合膜35を介して陽極接合されたパッケージ9と、パッケージ9のキャビティ3aに収納された圧電振動片4と、を備えた表面実装型の圧電振動子1である。圧電振動片図2に示すように、圧電振動片4は、水晶やタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。圧電振動片4は、平行に配置された一対の振動腕部10,11と、前記一対の振動腕部10,11の基端側を一体的に固定する基部12と、一対の振動腕部10,11の両主面上に形成された溝部18とを備えている。この溝部18は、振動腕部10,11の長手方向に沿って振動腕部10,11の基端側から略中間付近まで形成されている。励振電極13,14および引き出し電極19,20は、後述するマウント電極16,17の下地層と同じ材料のクロムにより単層膜が形成されている。これにより、マウント電極16,17の下地層を成膜するのと同時に、励振電極13,14および引き出し電極19,20を成膜できる。励振電極13,14は、一対の振動腕部10,11を互いに接近又は離間する方向に所定の共振周波数で振動させる電極である。第1の励振電極13および第2の励振電極14は、一対の振動腕部10,11の外表面に、それぞれ電気的に切り離された状態でパターニングされて形成されている。マウント電極16,17は、クロムと金との積層膜であり、水晶と密着性の良いクロム膜を下地層として成膜した後に、表面に金の薄膜を仕上げ層として成膜することにより形成される。一対の振動腕部10,11の先端には、自身の振動状態を所定の周波数の範囲内で振動するように調整周波数調整を行うための重り金属膜21が被膜されている。この重り金属膜21は、周波数を粗く調整する際に使用される粗調膜21aと、微小に調整する際に使用される微調膜21bとに分かれている。これら粗調膜21aおよび微調膜21bを利用して周波数調整を行うことで、一対の振動腕部10,11の周波数をデバイスの公称周波数の範囲内に収めることができる。パッケージ図3に示すように、ベース基板2およびリッド基板3は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる陽極接合可能な基板であり、略板状に形成されている。リッド基板3におけるベース基板2との接合面側には、圧電振動片4を収容するキャビティ3aが形成されている。リッド基板3におけるベース基板2との接合面側の全体に、陽極接合用の接合膜35接合材が形成されている。接合膜35は、キャビティ3aの内面全体に加えて、キャビティ3aの周囲の額縁領域に形成されている。本実施形態の接合膜35は、シリコンにより形成されているが、アルミニウムやクロム等で接合膜35を形成することも可能である。後述するように、この接合膜35とベース基板2とが陽極接合され、キャビティ3aが真空封止されている。圧電振動子1は、ベース基板2を厚さ方向に貫通し、キャビティ3aの内側と圧電振動子1の外側とを導通する貫通電極32,33を備えている。そして、貫通電極32,33は、ベース基板2を貫通する貫通孔30,31内に配置され、圧電振動片4と外部とを電気的に接続する金属ピン7と、貫通孔30,31と金属ピン7との間に充填される筒体6と、により形成されている。なお、以下には貫通電極32を例にして説明するが、貫通電極33についても同様である。また、貫通電極33、引き回し電極37および外部電極39の電気的接続についても、貫通電極32、引き回し電極36および外部電極39と同様となっている。貫通孔30は、ベース基板2の上面U側から下面L側にかけて、内形が次第に大きくなるように形成されており、貫通孔30の中心軸Oを含む断面形状がテーパ状となるように形成されている。金属ピン7は、銀やニッケル合金、アルミニウム等の金属材料により形成された導電性の棒状部材であり、鍛造やプレス加工により成型される。金属ピン7は、線膨張係数がベース基板2のガラス材料と近い金属、例えば、鉄を58重量パーセント、ニッケルを42重量パーセント含有する合金42アロイで形成することが望ましい。筒体6は、ペースト状のガラスフリットが焼成されたものである。筒体6の中心には、金属ピン7が筒体6を貫通するように配されており、筒体6は、金属ピン7および貫通孔30に対して強固に固着している。図4に示すように、ベース基板2の上面U側には、一対の引き回し電極36,37がパターニングされている。また、これら一対の引き回し電極36,37上にそれぞれ金等からなるバンプBが形成されており、前記バンプBを利用して圧電振動片4の一対のマウント電極が実装されている。これにより、圧電振動片4の一方のマウント電極16図2参照が、一方の引き回し電極36を介して一方の貫通電極32に導通し、他方のマウント電極17図2参照が、他方の引き回し電極37を介して他方の貫通電極33に導通するようになっている。ベース基板2の下面Lには、一対の外部電極38,39が形成されている。一対の外部電極38,39は、ベース基板2の長手方向の両端部に形成され、一対の貫通電極32,33に対してそれぞれ電気的に接続されている。このように構成された圧電振動子1を作動させる場合には、ベース基板2に形成された外部電極38,39に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片4の第1の励振電極13および第2の励振電極14に電圧を印加できるので、一対の振動腕部10,11を接近離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部10,11の振動を利用して、時刻源や制御信号のタイミング源、リファレンス信号源等として利用できる。圧電振動子の製造方法図5は、本実施形態の圧電振動子1の製造方法のフローチャートである。図6は、ウエハ体60の分解斜視図である。なお、図6に示す点線は、後に行う切断工程で切断する切断線Mを図示している。次に、圧電振動子1の製造方法を、図5のフローチャートおよび図面を参照しながら説明する。図5に示すように、本実施形態に係る圧電振動子1の製造方法は、主に、圧電振動片作製工程S10と、リッド基板用ウエハ作製工程S20と、ベース基板用ウエハ作製工程S30と、組立工程マウント工程S50以降とを有している。各工程のうち、圧電振動片作製工程S10、リッド基板用ウエハ作製工程S20およびベース基板用ウエハ作製工程S30は、並行して実施できる。圧電振動片作製工程S10圧電振動片作製工程S10では、圧電振動片4を作製している。具体的には、まず水晶のランバート原石を所定の角度でスライスし、ポリッシュなどの鏡面研磨加工を行って、所定の厚みのウエハとする。続いて、フォトリソグラフィ技術によって圧電振動片4の外形形状にパターニングするとともに、金属膜の成膜およびパターニングを行って、励振電極13,14、引き出し電極19,20、マウント電極16,17および重り金属膜21を形成する。その後、圧電振動片4の共振周波数の粗調を行う。以上で、圧電振動片作製工程S10が終了する。リッド基板用ウエハ作製工程S20リッド基板用ウエハ作製工程S20では、図6に示すように、後にリッド基板3となるリッド基板用ウエハ50請求項の第1基板に相当を作製する。まず、ソーダ石灰ガラスからなる円板状のリッド基板用ウエハ50を、所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチングなどにより最表面の加工変質層を除去するS21。次いで、キャビティ形成工程S22では、リッド基板用ウエハ50におけるベース基板用ウエハ40との接合面に、キャビティ3aを複数形成する。キャビティ3aの形成は、加熱プレス成型やエッチング加工などによって行う。次に、接合面研磨工程S23では、ベース基板用ウエハ40との接合面を研磨する。次に、接合膜形成工程S24では、ベース基板用ウエハ40請求項の第2基板に相当との接合面に、シリコンからなる接合膜35図3参照を形成する。接合膜35は、ベース基板用ウエハ40との接合面に加えて、キャビティ3aの内面全体に形成してもよい。接合膜35の形成は、スパッタリングやCVD等の成膜方法によって行うことができる。なお、接合膜形成工程S24の前に接合面研磨工程S23を行っているので、接合膜35の表面の平面度が確保され、ベース基板用ウエハ40との安定した接合を実現できる。ベース基板用ウエハ作製工程S30ベース基板用ウエハ作製工程S30では、後にベース基板2となるベース基板用ウエハ40を作製する。まず、ソーダ石灰ガラスからなる円板状のベース基板用ウエハ40を、所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチングなどにより最表面の加工変質層を除去するS31。貫通電極形成工程S32次いで、ベース基板用ウエハ40に、一対の貫通電極32を形成する貫通電極形成工程S32を行う。なお、以下には貫通電極32の形成工程を説明するが、貫通電極33の形成工程についても同様である。まず、ベース基板用ウエハ40の下面Lから上面Uにかけてプレス加工等で貫通孔30を成型する。次に、貫通孔30内に金属ピン7を挿入してガラスフリットを充填する。ガラスフリットは、主に粉末状のガラス粒子と、有機溶剤と、バインダ固着剤とにより構成されている。続いて、ガラスフリットを焼成して、ガラスの筒体6、貫通孔30および金属ピン7いずれも図3参照を一体化させる。例えば、ベース基板用ウエハ40を焼成炉に搬送した後、ガラスフリットを焼成している。このとき、ガラスフリット内部の有機溶剤やバインダ等が蒸発して、一酸化炭素COや二酸化炭素CO2、水蒸気H2O等のアウトガスが発生し、ガラスフリットの外部に放出される。最後に、ベース基板用ウエハ40の上面Uおよび下面Lを研磨して、金属ピン7を上面Uおよび下面Lに露出させつつ平坦面とすることにより、貫通孔30内に貫通電極32を形成する。貫通電極32により、ベース基板用ウエハ40の上面U側と下面L側との導電性が確保されると同時に、ベース基板用ウエハ40の貫通孔30を封止できる。引き回し電極形成工程S33次に、貫通電極にそれぞれ電気的に接続された引き回し電極36,37をベース基板用ウエハ40の上面Uに複数形成する引き回し電極形成工程S33を行う。さらに、引き回し電極36,37上に、それぞれ金等からなるバンプB図4参照を形成する。なお、図6では、図面の見易さのためバンプBの図示を省略している。この時点でベース基板用ウエハ作製工程S30が終了する。マウント工程S50次に、ベース基板用ウエハ40の引き回し電極36,37上に、バンプBを介して圧電振動片4を接合するマウント工程S50を行う。具体的には、圧電振動片4の基部12をバンプB上に載置し、バンプBを所定温度に加熱しながら、圧電振動片4をバンプBに押し付けつつ超音波振動を印加する。これにより、図3に示すように、圧電振動片4の振動腕部10,11がベース基板用ウエハ40の上面Uから浮いた状態で、基部12がバンプBに機械的に固着される。セット予備加熱工程S60続いて、陽極接合工程S70に先立ち、リッド基板用ウエハ50およびベース基板用ウエハ40を陽極接合装置にセットして予備加熱するセット予備加熱工程S60を行う。以下では、まず陽極接合装置の構成を説明した後に、セット予備加熱工程S60について説明する。陽極接合装置図7は、陽極接合装置65の説明図である。図7に示すように、陽極接合装置65は、真空チャンバ67a内に設けられており、リッド基板用ウエハ50の上面50a外面側に配置される第1ヒータ71と、ベース基板用ウエハ40の下面L外面側に配置される第2ヒータ72と、リッド基板用ウエハ50の上面50aと第1ヒータ71との間に配置される第1中間部材75と、ベース基板用ウエハ40の下面Lと第2ヒータ72との間に配置さる第2中間部材76と、を備えている。なお、図面をわかりやすくするために、第1中間部材75および第2中間部材76の厚さを誇張して表現している。真空チャンバ67aには真空ポンプPが接続されており、この真空ポンプPにより真空チャンバ67a内の圧力が調節可能になっている。陽極接合工程S70では、真空ポンプPにより真空引きを行いながら減圧雰囲気で陽極接合を行っている。そして、ベース基板用ウエハ40およびリッド基板用ウエハ50から放出されるアウトガスを真空チャンバ67aの外に排出している。第1ヒータ71および第2ヒータ72は、例えば市販のホットプレート等が使用される。第1ヒータ71および第2ヒータ72は、加熱するリッド基板用ウエハ50およびベース基板用ウエハ40と略同一か大きな外形を有しており、リッド基板用ウエハ50の上面50aおよびベース基板用ウエハ40の下面Lの全面を加熱できるようになっている。また、第2ヒータ72の略中央には、第2ヒータ72の上面72a内面と下面72b外面とを連通する貫通孔73が形成されている。貫通孔73には、陽極接合時に陰極電極となる後述するピン部材79が挿通される。リッド基板用ウエハ50の上面50aと第1ヒータ71との間に配置される第1中間部材75およびベース基板用ウエハ40の下面Lと第2ヒータ72との間に配置さる第2中間部材76は、それぞれ厚さが3.0~5.0mm程度の板部材である。第1中間部材75は、第1ヒータ71からの熱をリッド基板用ウエハ50に伝達している。このため、第1中間部材75は、高い熱伝導性を有する多孔質のカーボンにより形成される。また、第2中間部材76は、第2ヒータ72からの熱をベース基板用ウエハ40に伝達しているとともに、ピン部材79が接続されてアースを確保している。このため、第2中間部材76は、高い導電性および熱伝導性を有する多孔質のカーボンにより形成されている。図8は、陽極接合装置65のうち、第1中間部材75および第2中間部材76の断面図である。なお、図面を分かり易くするために、ベース基板用ウエハ40、リッド基板用ウエハ50、第1中間部材75および第2中間部材76以外の部材の図示を省略している。図8に示すように、第1中間部材75の中央部75cは、周縁部75dよりもリッド基板用ウエハ50側に膨出して形成されている。また、第2中間部材76の中央部76cは、周縁部76dよりもベース基板用ウエハ40側に膨出して形成されている。したがって、陽極接合装置65にリッド基板用ウエハ50をセットしたとき、リッド基板用ウエハ50の上面50aにおける中央付近と、第1中間部材75の下面75bにおける中央部75cとが当接した状態となる。また、陽極接合装置65にベース基板用ウエハ40をセットしたとき、ベース基板用ウエハ40の下面Lにおける中央付近と、第2中間部材76の上面76aにおける中央部76cとが当接した状態となる。第2中間部材76の下面76bにおける中央部76cには、第2ヒータ72の中央に形成された貫通孔73に挿通されたピン部材79の先端が当接する。ピン部材79は、略円柱状の部材であり、導電性に優れた銅等により形成される。ピン部材79の長さは、第2ヒータ72の厚さよりも十分長く形成されている。ピン部材79は、不図示の加圧装置により、第2中間部材76を介して、リッド基板用ウエハ50に向かってベース基板用ウエハ40を加圧できるようになっている。また、ピン部材79は、陽極接合時に電圧を印加する電源77の陰極と接続される。すなわち、ピン部材79は、ベース基板用ウエハ40を加圧する加圧ピンの機能を有するとともに、電源77の陰極電極としての機能を有している。ピン部材79の先端を第2中間部材76に当接させることで、電源77のアースを確保している。セット予備加熱工程S60では、リッド基板用ウエハ50およびベース基板用ウエハ40を陽極接合装置65に装着してセットする。そして、第1ヒータ71および第2ヒータ72の予備加熱を行い、アウトガスを予め放出している。図7に示すように、第1ヒータ71の下面71bには、リッド基板用ウエハ50が第1中間部材75を介して、不図示のクランプ治具により装着される。また、第2ヒータ72の上面72aには、ベース基板用ウエハ40が第2中間部材76を介して、不図示のクランプ治具により装着される。次に、リッド基板用ウエハ50およびベース基板用ウエハ40を離間した状態で、真空ポンプPにより真空チャンバ67a内を真空引きしながら、第1ヒータ71および第2ヒータ72の予備加熱をしている。予備加熱は、例えば、第1ヒータ71および第2ヒータ72を例えば350°C~450°Cになるように加熱して、リッド基板用ウエハ50およびベース基板用ウエハ40の内部に残存している有機溶剤やバインダ、水分等を蒸発させ、一酸化炭素COや二酸化炭素CO2、水蒸気H2O等のアウトガスを予め放出させている。そして、所定時間例えばアウトガスが放出しきると想定される時間経過した後、セット予備加熱工程S60を終了する。陽極接合工程S70図9は、陽極接合工程S70の説明図である。次に、リッド基板用ウエハ50およびベース基板用ウエハ40を陽極接合する陽極接合工程S70を行う。具体的には、以下の手順で陽極接合を行う。真空チャンバ67a内を真空引きしながら、リッド基板用ウエハ50をベース基板用ウエハ40側図9における下側に移動させ、リッド基板用ウエハ50の接合膜35と、ベース基板用ウエハ40の上面Uとを当接させる。続いて、不図示の加圧装置で第1ヒータ71の上面71aを押圧して、ベース基板用ウエハ40にリッド基板用ウエハ50を押付けるとともに、ピン部材79で第2中間部材76の下面76bにおける中央部76cを押圧して、リッド基板用ウエハ50にベース基板用ウエハ40を押付ける。続いて、加圧装置およびピン部材79で押圧しながら、第1ヒータ71でリッド基板用ウエハ50を加熱し、第2ヒータ72でベース基板用ウエハ40を加熱する。第1ヒータ71および第2ヒータ72は、例えば、陽極接合工程S70の接合温度である200°C~300°Cまで加熱される。ここで、リッド基板用ウエハ50の下面50bおよびベース基板用ウエハ40の上面Uは陽極接合面となるため、研磨加工されているS23、S31等参照。このため、リッド基板用ウエハ50の下面50bと上面50aとでは、表面が滑らかな下面50bよりも、表面の粗い上面50aのほうがより広い表面積を有する。したがって、第1ヒータ71でリッド基板用ウエハ50を加熱すると、加熱による上面50aと下面50bとの膨張量の差から、リッド基板用ウエハ50の下面50bを凹にして反ろうとする力が働く。また、ベース基板用ウエハ40についても同様に、ベース基板用ウエハ50の上面Uと下面Lとでは、表面が滑らかな上面Uよりも、表面の粗い下面Lのほうがより広い表面積を有する。したがって、第2ヒータ72でベース基板用ウエハ40を加熱すると、加熱による上面Uと下面Lとの膨張量の差から、ベース基板用ウエハ40の上面Uを凹にして反ろうとする力が働く。しかし、第1中間部材75の中央部75cは、周縁部75dよりもリッド基板用ウエハ50側に膨出している。また、第2中間部材76の中央部76cは、周縁部76dよりもベース基板用ウエハ40側に膨出している。そして、ピン部材79により第2中間部材76の下面76bにおける中央部76cを押圧して、リッド基板用ウエハ50にベース基板用ウエハ40を押付けている。このとき、加圧装置による押圧により、第1中間部材75および第2中間部材76が平坦に変形しようとする。さらに、ピン部材79による押圧と、平坦に変形した第1中間部材75および第2中間部材76の反力とにより、リッド基板用ウエハ50の中央部およびベース基板用ウエハ40の中央部には、ベース基板用ウエハ40およびリッド基板用ウエハ50の反りを妨げる接合荷重が作用する。具体的には、リッド基板用ウエハ50の中央部をベース基板用ウエハ40に向かって押圧し、ベース基板用ウエハ40の中央部をリッド基板用ウエハ50に向かって押圧する接合荷重が作用する。これにより、陽極接合工程S70における加熱時に、ベース基板用ウエハ40およびリッド基板用ウエハ50に反りが発生するのを防止している。続いて、加圧装置およびピン部材79で押圧しつつ、第1ヒータ71および第2ヒータ72で加熱しながら、リッド基板用ウエハ50の接合膜35を電源77の陽極電極に、ピン部材79を電源77の陰極電極に接続し、各電極間に例えば500V程度の電圧を印加する。なお、このとき、セット予備加熱工程S60で放出しきらなかったアウトガス、およびシリコンの接合膜からのアウトガスが発生する。ここで、前述のとおりリッド基板用ウエハ50の中央部およびベース基板用ウエハ40の中央部には接合荷重が作用しており、リッド基板用ウエハ50の周縁部およびベース基板用ウエハ40の周縁部よりも大きな接合荷重が作用している。このため、リッド基板用ウエハ50の中央部およびベース基板用ウエハ40の中央部が先に陽極接合される。さらに、加圧装置およびピン部材79で押圧すると、第1中間部材75および第2中間部材76が同心円状に広がるように平坦に変形するとともに、リッド基板用ウエハ50の下面50bおよびベース基板用ウエハ40の上面Uに、同心円状に広がるように接合荷重が作用する。このように、リッド基板用ウエハ50の下面50bおよびベース基板用ウエハ40の上面Uの中心部から周縁部に向かって、同心円状に順次陽極接合できる。これにより、リッド基板用ウエハ50の下面50bおよびベース基板用ウエハ40の上面Uを凹にして反ろうとする力が発生しても、アウトガスを封入することなく効果的に排出しながら陽極接合できる。したがって、圧電振動子1内の良好な真空度の確保ができる。外部電極形成工程S80次に、ベース基板用ウエハ40の下面Lに導電性材料をパターニングして、一対の貫通電極32,33にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極38,39図3参照を複数形成する外部電極形成工程S80を行う。この工程により、圧電振動片4は、貫通電極32,33を介して外部電極38,39と導通する。微調工程S90次に、ウエハ体60の状態で、キャビティ3a内に封止された個々の圧電振動子の周波数を微調整して所定の範囲内に収める微調工程S90を行う。具体的には、図3に示す外部電極38,39から所定電圧を継続的に印加して、圧電振動片4を振動させつつ周波数を計測する。この状態で、ベース基板用ウエハ40の外部からレーザ光を照射し、重り金属膜21の微調膜21b図2参照を蒸発させる。これにより、一対の振動腕部10,11の先端側の重量が低下するため、圧電振動片4の周波数が上昇する。これにより、圧電振動子の周波数を微調整して、公称周波数の範囲内に収めることができる。切断工程S100周波数の微調が終了後、接合されたウエハ体60を図6に示す切断線Mに沿って切断する切断工程S100を行う。具体的には、まずウエハ体60のベース基板用ウエハ40の表面にUVテープを貼り付ける。次に、リッド基板用ウエハ50側から切断線Mに沿ってレーザを照射するスクライブ。次に、UVテープの表面から切断線Mに沿って切断刃を押し当て、ウエハ体60を割断するブレーキング。その後、UVを照射してUVテープを剥離する。これにより、ウエハ体60を複数の圧電振動子1に分離できる。なお、これ以外のダイシング等の方法によりウエハ体60を切断してもよい。なお、切断工程S100を行って個々の圧電振動子にした後に、微調工程S90を行う工程順序でも構わない。但し、上述したように、微調工程S90を先に行うことで、ウエハ体60の状態で微調を行うことができるため、複数の圧電振動子をより効率良く微調できる。よって、スループットの向上化を図ることができるため好ましい。電気特性検査S110その後、内部の電気特性検査S110を行う。即ち、圧電振動片4の共振周波数や共振抵抗値、ドライブレベル特性共振周波数および共振抵抗値の励振電力依存性等を測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等を併せてチェックする。そして、最後に圧電振動子の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。これをもって圧電振動子の製造が終了する。効果本実施形態によれば、第1中間部材75は中央部75cが周縁部75dよりもベース基板用ウエハ40に向かって膨出し、第2中間部材76は中央部76cが周縁部76dよりもリッド基板用ウエハ50に向かって膨出しているので、陽極接合開始直後、ベース基板用ウエハ40とリッド基板用ウエハ50との中央部に接合荷重を作用させて、中央部を先に陽極接合できる。また、陽極接合時に第1中間部材75および第2中間部材76が平坦に変形するので、ベース基板用ウエハ40およびリッド基板用ウエハ50の中央部を陽極接合した後、ベース基板用ウエハ40およびリッド基板用ウエハ50の周縁部に向かって、同心円状に順次陽極接合できる。これにより、ベース基板用ウエハ40およびリッド基板用ウエハ50に、内面を凹にして反ろうとする力が発生しても、アウトガスを封入することなく効果的に排出しながら陽極接合できる。したがって、パッケージ9内の良好な真空度の確保ができる。また、本実施形態によれば、第1中間部材75および第2中間部材76は、カーボンからなるため良好な導電性および熱伝導性を確保できるので、確実に陽極接合できる。また、第1中間部材75および第2中間部材76を多孔質とすることで、陽極接合時に、第1中間部材75および第2中間部材76が確実に平坦に変形できる。したがって、ベース基板用ウエハ40およびリッド基板用ウエハ50の内面全体に接合荷重を作用させて確実に陽極接合できる。また、本実施形態によれば、接合膜35をシリコンとすることで、耐腐食性に優れたパッケージ9を形成できる。また、陽極接合時に効果的にアウトガスの排出ができるので、本発明は、陽極接合時にガスを発生するシリコンを接合膜35としたときに好適である。また、本実施形態によれば、ピン部材79で第2中間部材76を下面76b側外面側から上面76a側内面側に向かって押圧することで、第1基板および第2基板の中央部に大きな接合荷重を作用させて陽極接合できる。したがって、ベース基板用ウエハ40およびリッド基板用ウエハ50の中央部を陽極接合した後、ベース基板用ウエハ40およびリッド基板用ウエハ50の周縁部に向かって、確実に順次陽極接合できる。これにより、ベース基板用ウエハ40およびリッド基板用ウエハ50に、内面を凹にして反ろうとする力が発生しても、アウトガスを封入することなく効果的に排出しながら確実に陽極接合できる。したがって、パッケージ9内のより良好な真空度の確保ができる。また、本実施形態によれば、良好な真空度を確保できるパッケージ製造方法により製造されたパッケージ9の内部に圧電振動片4が封入されているので、等価抵抗値が低く電気的特性に優れた圧電振動子1を提供できる。発振器次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図10を参照しながら説明する。本実施形態の発振器110は、図10に示すように、圧電振動子1を、集積回路111に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器110は、コンデンサ等の電子素子部品112が実装された基板113を備えている。基板113には、発振器用の前記集積回路111が実装されており、この集積回路111の近傍に、圧電振動子1の圧電振動片が実装されている。これら電子素子部品112、集積回路111および圧電振動子1は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。このように構成された発振器110において、圧電振動子1に電圧を印加すると、圧電振動子1内の圧電振動片が振動する。この振動は、圧電振動片が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路111に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路111によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子1が発振子として機能する。また、集積回路111の構成を、例えば、RTCリアルタイムクロックモジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加できる。本実施形態の発振器110によれば、等価抵抗値が低く電気的特性に優れた圧電振動子1を備えているので、高性能な発振器110を提供できる。電子機器次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図11を参照して説明する。なお電子機器として、前述した圧電振動子1を有する携帯情報機器120を例にして説明する。始めに本実施形態の携帯情報機器120は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカおよびマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化および軽量化されている。次に、本実施形態の携帯情報機器120の構成について説明する。この携帯情報機器120は、図11に示すように、圧電振動子1と、電力を供給するための電源部121とを備えている。電源部121は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部121には、各種制御を行う制御部122と、時刻等のカウントを行う計時部123と、外部との通信を行う通信部124と、各種情報を表示する表示部125と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部126とが並列に接続されている。そして、電源部121によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。制御部122は、各機能部を制御して音声データの送信や受信、現在時刻の計測、表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部122は、予めプログラムが書き込まれたROMと、該ROMに書き込まれたプログラムを読み出して実行するCPUと、該CPUのワークエリアとして使用されるRAM等とを備えている。計時部123は、発振回路やレジスタ回路、カウンタ回路、インターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子1とを備えている。圧電振動子1に電圧を印加すると圧電振動片が振動し、該振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部122と信号の送受信が行われ、表示部125に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。通信部124は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部127、音声処理部128、切替部129、増幅部130、音声入出力部131、電話番号入力部132、着信音発生部133および呼制御メモリ部134を備えている。無線部127は、音声データ等の各種データを、アンテナ135を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部128は、無線部127又は増幅部130から入力された音声信号を符号化および複号化する。増幅部130は、音声処理部128又は音声入出力部131から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部131は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。また、着信音発生部133は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部129は、着信時に限って、音声処理部128に接続されている増幅部130を着信音発生部133に切り替えることによって、着信音発生部133において生成された着信音が増幅部130を介して音声入出力部131に出力される。なお、呼制御メモリ部134は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部132は、例えば、0から9の番号キーおよびその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。電圧検出部126は、電源部121によって制御部122等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部122に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部124を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、3V程度となる。電圧検出部126から電圧降下の通知を受けた制御部122は、無線部127、音声処理部128、切替部129および着信音発生部133の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部127の動作停止は、必須となる。更に、表示部125に、通信部124が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。すなわち、電圧検出部126と制御部122とによって、通信部124の動作を禁止し、その旨を表示部125に表示できる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部125の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×バツ印を付けるようにしても良い。なお、通信部124の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断できる電源遮断部136を備えることで、通信部124の機能をより確実に停止できる。本実施形態の携帯情報機器120によれば、等価抵抗値が低く電気的特性に優れた圧電振動子1を備えているので、高性能な携帯情報機器120を提供できる。電波時計次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図12を参照して説明する。本実施形態の電波時計140は、図12に示すように、フィルタ部141に電気的に接続された圧電振動子1を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。日本国内には、福島県40kHzと佐賀県60kHzとに、標準の電波を送信する送信所送信局があり、それぞれ標準電波を送信している。40kHz若しくは60kHzのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、前述した2つの送信所で日本国内を全て網羅している。以下、電波時計140の機能的構成について詳細に説明する。アンテナ142は、40kHz若しくは60kHzの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、40kHz若しくは60kHzの搬送波にAM変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ143によって増幅され、複数の圧電振動子1を有するフィルタ部141によって濾波、同調される。本実施形態における圧電振動子1は、前記搬送周波数と同一の40kHzおよび60kHzの共振周波数を有する水晶振動子部148、149をそれぞれ備えている。更に、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路144により検波復調される。続いて、波形整形回路145を介してタイムコードが取り出され、CPU146でカウントされる。CPU146では、現在の年や積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、RTC148に反映され、正確な時刻情報が表示される。搬送波は、40kHz若しくは60kHzであるから、水晶振動子部148、149は、前述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。なお、前述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは77.5KHzの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計140を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子1を必要とする。本実施形態の電波時計140によれば、等価抵抗値が低く電気的特性に優れた圧電振動子1を備えているので、高性能な電波時計140を提供できる。なお、この発明は上述した実施の形態に限られるものではない。本実施形態では、本発明に係る陽極接合装置65およびパッケージ9の製造方法を使用しつつ、パッケージ9の内部に音叉型の圧電振動片4を封入して圧電振動子1を製造した。しかし、例えば、パッケージ9の内部にATカット型の圧電振動片厚み滑り振動片を封入して圧電振動子を製造してもよい。また、パッケージ9の内部に圧電振動片以外の電子部品を封入して、圧電振動子以外の電子デバイスを製造してもよい。本実施形態の陽極接合工程S70では、ピン部材79は、電源77の陰極と接続されており、ピン部材79の先端を第2中間部材76に当接させることで、電源77のアースを確保していた。しかし、例えば、第2ヒータ72に電源77の陰極を直接接続して、電源77のアースを確保してもよい。本実施形態では、第1中間部材75および第2中間部材76の素材として、多孔性のカーボンを選択した。しかし、第1中間部材75および第2中間部材76の素材は多孔性のカーボンに限られることはなく、導電性および熱伝導性を有する素材であればよい。本実施形態では、第1中間部材75および第2中間部材76の接合材の素材として、シリコンを選択した。しかし、接合材の素材はシリコンに限られることはなく、例えばアルミニウムやクロム等の金属であってもよい。ただし、耐腐食性の観点から、接合材にシリコンを用いるのが望ましく、また、陽極接合時にガスを発生するシリコンを接合材としたとき本発明は好適である。"