支持体上面20を備えている支持体2と、前記支持体上面20に取り付けられており、且つ、該支持体上面20側とは反対側に放射主面30を備えている、少なくとも一つのオプトエレクトロニクス半導体チップ3と、前記半導体チップ3を電気的に接触接続させるための少なくとも一つのボンディングワイヤ4と、前記支持体上面20から離れる方向及び前記放射主面30に対して垂直な方向において前記ボンディングワイヤ4よりも張り出している、前記放射主面30上に設けられている少なくとも一つのカバーボディ5と、水平方向において前記半導体チップ3を包囲しており、且つ、前記支持体上面20から少なくとも前記放射主面30にまで達している、少なくとも一つの反射性の注型材料6とを有しており、前記ボンディングワイヤ4は、完全に前記反射性の注型材料6によって覆われているか、又は、完全に前記カバーボディ5及び前記反射性の注型材料6によって覆われていることを特徴とする、オプトエレクトロニクス半導体モジュール1。前記ボンディングワイヤ4は完全に前記反射性の注型材料6内に埋設されている、請求項1に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。前記反射性の注型材料6は、前記支持体上面20から、前記カバーボディ5の前記支持体上面20側とは反対側のボディ上面50にまで達している、請求項1又は2に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。前記カバーボディ5のボディ上面50には固着防止層8が設けられており、該固着防止層8は前記反射性の注型材料6の材料に対して湿潤性ではない、請求項1乃至3のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。前記支持体上面20側とは反対側の注型材料上面60は、最大で30μmの許容差でもって、前記カバーボディ5のボディ上面50と面一に延在しており、且つ、該ボディ上面50に平行に延在している、請求項1乃至4のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。前記支持体上面20は俯瞰的に見て、完全に前記カバーボディ5及び前記反射性の注型材料6によって覆われている、請求項1乃至5のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。前記ボンディングワイヤ4は、前記半導体チップ2における前記放射主面30上の電気的な端子領域7に取り付けられており、該電気的な端子領域7は前記カバーボディ5によって覆われておらず、且つ、部分的又は完全に前記反射性の注型材料6によって覆われている、請求項1乃至6のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。前記ボンディングワイヤ4は前記端子領域7において、最大で20°の許容差でもって、前記放射主面30に平行に延在している、請求項1乃至7のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。前記カバーボディ5は小型プレートとして形成されており、且つ、前記放射主面30に限定されており、前記カバーボディ5の厚さAは50μm以上且つ250μm以下である、請求項1乃至8のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。前記反射性の注型材料6は透過性のマトリクス材料と、該マトリクス材料内に埋め込まれている反射性の粒子とを有しており、前記マトリクス材料は室温において最大でショアA50の硬度を有している、請求項1乃至9のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。前記反射性の粒子を形成している粒子材料は金属酸化物であり、前記反射性の注型材料6における前記粒子の重量割合は10以上且つ40以下である、請求項10に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。前記反射性の注型材料6は、前記半導体チップ3、前記ボンディングワイヤ4並びに前記カバーボディ5の周囲を形状結合により、且つ水平方向において完全に包囲している、請求項1乃至11のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。空所90を備えているケーシング9を有しており、前記半導体チップ3と、前記カバーボディ5と、前記支持体上面20における前記反射性の注型材料6とは前記空所90内に配置されており、前記反射性の注型材料6は前記半導体チップ3から前記空所90の水平方向の境界面95にまで延在している、請求項1乃至12のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。前記反射性の注型材料6は、前記空所90の前記水平方向の境界面95を湿潤させるように形成されており、前記水平方向の境界面95における注型材料6の厚さTは、前記半導体チップ3における注型材料6の厚さよりも少なくとも50μm且つ最大で400μm大きい、請求項13に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール1。