透明基板と、前記透明基板に形成され、吸光パターンが形成された遮光膜と、前記遮光膜に形成され、被転写体の一面と接触するシリコン層と、前記シリコン層から前記遮光膜の内部に至るまで彫込み形成された溝部と、で構成されるフォトマスクと、前記被転写体の他面を支持する支持体と、を含むことを特徴とする露光装置。前記被転写体の表面には、エッチングレジストが塗布されることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。前記溝部は、前記シリコン層と前記被転写体とが接触する前記シリコン層の一領域の縁内側に沿って連続的に形成されることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。前記溝部は、内側にシリコンが形成されることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。前記透明基板は、石英ガラス基板またはソーダライムガラスで形成されることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。前記遮光膜は、クロムで形成されることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するために導き出されたものであり、本発明の目的は、フォトマスクに溝部を形成することにより、露光装置内のフォトマスクと被転写体との圧着過程で発生した気泡が前記溝部に吸収され、真空吸着不良を改善する露光装置を提供することにある。本発明の好ましい実施例による露光装置は、透明基板と、前記透明基板に形成され、吸光パターンが形成された遮光膜と、前記遮光膜に形成され、被転写体の一面と接触するシリコン層と、前記シリコン層から前記遮光膜の内部に至るまで彫込み形成された溝部と、で構成されるフォトマスクと、前記被転写体の他面を支持する支持体と、を含むことを特徴とする。また、前記被転写体の表面には、エッチングレジストが塗布されることを特徴とする。また、前記溝部は、前記シリコン層と前記被転写体とが接触する前記シリコン層の一領域の縁内側に沿って連続的に形成されることを特徴とする。また、前記溝部は、内側にシリコンが形成されることを特徴とする。また、前記透明基板は、石英ガラス基板またはソーダライムガラスで形成されることを特徴とする。また、前記遮光膜は、クロムで形成されることを特徴とする。本発明の特徴及び利点は、添付図面に基づいた以下の詳細な説明によってさらに明らかになるであろう。本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び特許請求の範囲に用いられた用語や単語は、通常的かつ辞書的な意味に解釈されてはならず、発明者が自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されるべきである。本発明による露光装置は、フォトマスクと被転写体との真空吸着度を向上させ、均一な線幅及び微細な回路パターンを具現することができる長所がある。また、真空吸着過程で発生する気泡などによる段差を除去することにより、フォトマスクの割れ不良を改善することができる長所がある。本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は、添付図面に係る以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、本発明を説明するにあたり、係わる公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不明瞭にする可能性があると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。以下、添付の図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。図3は、本発明の好ましい実施例による露光装置の断面図を示す。図3に図示したように、本実施例による露光装置は、フォトマスク100と支持体120とを含むことを特徴とする。前記フォトマスク100は、透明基板111と、透明基板111に形成された遮光膜112と、遮光膜112に形成されたシリコン層114と、シリコン層114及び遮光膜112の一部に至るまで彫込み形成された溝部150と、を含む。以下、図4を参照して、フォトマスク100の構成要素について記述する。前記透明基板111の材質は、露光装置の光照射部不図示で用いる露光波長に対して透明性を有するものであれば、特に制限されない。本発明では、石英ガラス基板、その他の各種ガラス基板例えば、ソーダライムガラスSodalimeglass、アルミノシリケートガラスAluminosilicateglassなどを用いることができるが、このうちでも、石英ガラス基板は、ArFエキシマレーザーまたはそれよりも短波長の領域で透明性が高いため、特に好ましい。前記遮光膜112は、クロムCrまたはクロムを主成分とする化合物、シリコンSi、タングステンW、アルミニウムAlからなるか、または、窒素N、酸素O、炭素C及びフッ素Fからなる群から選ばれる一つ以上の元素を含むことが好ましい。前記透明基板111に遮光膜112を形成する方法としては、スパッタリングまたは蒸着工法が挙げられるが、これに限定されるものではない。一方、遮光膜112には、吸光パターンが形成されているため、光照射部から照射される光を選択的に通過させる。吸光パターンは、フォトマスク100の表面に入射される光を反射せずに吸収するパターンを意味する。吸光パターンは、厚さが薄いほど微細な回路パターンの形成に有利であるが、薄すぎると製造工程が制御しにくくなるという欠点がある。前記シリコン層114は、弾性を有する部材であり、遮光膜112に形成され、露光装置の駆動過程で被転写体130と接触するようになる。即ち、フォトマスク100と被転写体130とが真空吸着する過程で、支持体120が移動するようになり、支持体120は、被転写体130に圧縮を加えるようになる。ここで、シリコン層114が緩衝作用して、支持体120が加える圧縮力から被転写体130の変形及び割れを防止する役割をする。さらには、シリコン層114は、弾性を有するため、被転写体130に微細な凹凸が存在することにより、被転写体130との接触時に段差が生じても、これを弾力的に吸収する役割をする。図5は、本発明によるフォトマスク100の底面を示した図面であり、本発明では、シリコン層114のうち被転写体130が接触する面を吸着面114’と定義する。即ち、シリコン層114の吸着面114’に被転写体130が接触するのである。前記被転写体130は、エッチングレジスト135などの感光性材料を塗布した基板であり、フォトマスク100の遮光膜112に形成された吸光パターンが前記基板上に塗布されたエッチングレジスト135に転写される。即ち、本発明による露光装置の上部に光照射部が備えられ、光照射部から発散される光は遮光膜112に形成された吸光パターンを通過して、基板上に形成されたエッチングレジスト135を選択的に露光させる。前記溝部150は、シリコン層114の吸着面114’の縁に沿って連続的に形成される。図4に図示したように、溝部150は、フォトマスク100の表面に屈曲して彫込み形成されており、溝部150の深さは、シリコン層114を貫通して遮光膜112の内部の一定深さに至る。露光装置内で支持体120とフォトマスク100が上下に移動しながら、まず、フォトマスク100を構成する遮光膜112の外周面と支持体120の外周に形成されたパッキン140図3参照が接触する。ここで、前記パッキン140は、一般的にシリコン材質を用い、パッキン140の内部に空気を充填して伸縮可能にすることにより、過圧縮によるフォトマスク100の割れ現象を防止する。その後、パッキン140によってフォトマスク100と支持体120との間の空間は、密封された状態となって、フォトマスク100と被転写体130との間の間隔が細くなり、フォトマスク100の吸着面114’に被転写体130が接触するようになる。本発明の溝部150は、前記吸着面114’の内側縁に沿って彫込み形成されており、フォトマスク100と被転写体130との吸着時に発生する気泡を囲むことにより、紫外線露光工程の前、両構成の完全密着を可能にする。前記溝部150は、吸着面114’の四辺に対して所定間隔で離隔されて連続的に形成され、前記仮想吸着面114’の内側に形成された多数の単位回路パターンを囲んでいる。また、その形状は、フォトマスク100の表面に3mm以上10mm以下の深さを有するように彫込み形成され、シリコン層114及び遮光膜112の一部に至り、屈曲した形状を有する。一方、前記溝部150の内側面には、シリコン160が形成されており、支持体120と被転写体130との吸着過程で両構成の間に残留する気泡が、溝部150の外に漏れることが防止する。即ち、空泡の残留によって発生する露光装置の内部の真空不良を防止する役割をする。ここで、溝部150の内側のシリコン160は、溝部150の内側表面に沿って屈曲した形状を有する。前記支持体120は、前記被転写体130を支持する構成であり、上下に移動しながら被転写体130とフォトマスク100とを密着させる。また、支持体120上の被転写体130を支持する部分の周りには、パッキン140が取り付けられている。このパッキン140は、一般的にシリコンなどの材質で形成され、空気などの漏洩を防止し、フォトマスク100と被転写体130との間の空間を密封する役割をする。以上、本発明を好ましい実施例に基づいて詳細に説明したが、これは、本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明による露光装置は、これに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者により、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。このような本発明の単純な変形乃至変更は、いずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は、添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。