A上部に半田層が形成された接続部を一面に備えたベース基板を準備する段階と、B前記半田層の上部に、電流印加配線の備えられた導電性発熱体を配置する段階と、C前記電流印加配線に電流を印加して前記半田層を加熱することにより、半導体チップを前記接続部と接合する段階と、D前記導電性発熱体の前記電流印加配線を除去する段階とを含んでなることを特徴とする半導体パッケージ基板の製造方法。前記C段階の前に、前記導電性発熱体をカバーする補助半田層を積層する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記C段階で、前記ベース基板の他面を冷却する過程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記ベース基板の他面の温度を常温に維持しながら冷却することを特徴とする請求項3に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記A段階で、前記ベース基板は前記接続部の周辺に複数のリード部をさらに含み、前記C段階で、前記半導体チップは上部に複数のボンディングパッドをさらに含み、前記C段階の後、E複数の前記ボンディングパッドと複数の前記リード部をそれぞれ対応するように金属ワイヤーで接合する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記A段階で、前記ベース基板には複数の接続部を備え、前記B段階で、複数の前記接続部にそれぞれ対応するように、電流印加配線で接続された複数の導電性発熱体を配置し、前記C段階で、複数の半導体チップを前記複数の前記接続部と接合することを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記接続部は前記半田層に電気的に接続される少なくとも一つの接続パッドを含み、前記半導体チップは前記半田層に電気的に接続される少なくとも1つの接続端子を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記導電性発熱体がカーボンシートであることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記導電性発熱体の大きさが前記半田層の大きさに対応することを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。前記導電性発熱体がメッシュ構造であることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ基板の製造方法。そこで、本発明は、かかる問題点を解決するために創案されたもので、その目的は、半田層に電流印加配線の備えられた導電性発熱体を位置させ、前記電流印加配線に電流を流して半田層のみを局所的に加熱して半導体チップをベース基板の接続部に実装することにより、熱応力を減少させ、且つ半導体チップとベース基板間の接合信頼性を向上させることができる半導体パッケージ基板の製造方法を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明によれば、A上部に半田層が形成された接続部を一面に備えたベース基板を準備する段階と、B前記半田層の上部に、電流印加配線の備えられた導電性発熱体を配置する段階と、C前記電流印加配線に電流を印加して前記半田層を加熱することにより、半導体チップを前記接続部と接合する段階と、D前記導電性発熱体の前記電流印加配線を除去する段階とを含んでなる半導体パッケージ基板の製造方法を提供する。ここで、本発明は、前記C段階の前に、前記導電性発熱体をカバーする補助半田層を積層する段階をさらに含むことを特徴とする。また、本発明は、前記C段階で、前記ベース基板の他面を冷却する過程をさらに含むことを特徴とする。また、本発明は、前記ベース基板の他面の温度を常温に維持しながら冷却することを特徴とする。また、本発明は、前記A段階で、前記ベース基板は前記接続部の周辺に複数のリード部をさらに含み、前記C段階で、前記半導体チップは上部に複数のボンディングパッドをさらに含み、前記C段階の後、E複数の前記ボンディングパッドと複数の前記リード部をそれぞれ対応するように金属ワイヤーで接合する段階をさらに含むことを特徴とする。また、本発明は、前記A段階で、前記ベース基板には複数の接続部を備え、前記B段階で、複数の前記接続部にそれぞれ対応するように、電流印加配線で接続された複数の導電性発熱体を配置し、前記C段階で、複数の半導体チップを前記複数の前記接続部と接合することを特徴とする。また、本発明は、前記接続部が前記半田層に電気的に接続される少なくとも一つの接続パッドを含み、前記半導体チップが前記半田層に電気的に接続される少なくとも1つの接続端子を含むことを特徴とする。また、本発明は、前記導電性発熱体がカーボンシートであることを特徴とする。また、本発明は、前記導電性発熱体の大きさが前記半田層の大きさに対応することを特徴とする。また、本発明は、前記導電性発熱体がメッシュ構造であることを特徴とする。本発明に係る半導体パッケージ基板の製造方法は、ベース基板の接続部の上部に形成された半田層に電流印加配線の備えられた導電性発熱体を位置させ、前記電流印加配線に電流を流して加熱することにより、半導体チップを接続部に接合する。これにより、ベース基板の半田層のみを局所的に加熱するので、熱応力の減少および基板の変形を防止して半導体チップとベース基板間の接合信頼性を向上させることができる。また、本発明によれば、ベース基板の他面を冷却することにより、半導体チップとベース基板の接続部のみを除いては、熱が伝達されないようにして接合信頼性を向上させる。また、本発明によれば、ベース基板の接続部は半田層に電気的に接続される少なくとも一つの接続パッドを含み、半導体チップは半田層に電気的に接続される少なくとも一つの接続端子を含むため、ベース基板の接続部と半導体チップとを接合することにより半導体チップとベース基板内の回路層とを電気的に接続することができる。また、本発明によれば、導電性発熱体は、カーボンシートで構成されるが、カーボンシートは、熱伝導性に優れるため、短時間で半田層を溶融温度以上に加熱することができ、半導体チップとベース基板の接続部とを接合するときに、半田層の内部に含浸されて半田層の機械的物性を向上させることができる。本発明の目的、特定の利点および新規の特徴は、添付図面に連関する以下の詳細な説明と好適な実施例からさらに明白になるであろう。これに先立ち、本明細書および請求の範囲に使用された用語または単語は、通常的で辞典的な意味で解釈されてはならず、発明者が自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則に基づき、本発明の技術的思想に符合する意味と概念で解釈されなければならない。本発明において、各図面の構成要素に参照番号を付加するにおいて、同一の構成要素については、他の図面上に表示されても、出来る限り同一の番号を付することに留意すべきであろう。なお、本発明を説明するにおいて、関連した公知の技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を無駄に乱すおそれがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。図6~図12は、本発明の好適な実施例に係る半導体パッケージ基板の製造工程を順次示す図である。まず、図6に示すように、上部に半田層120が形成された接続部110を一面に備えたベース基板100を準備する。具体的に、前記ベース100を準備する段階は、接続部110を含み且つ内部に回路層130が形成されたベース基板100を準備する段階と、前記ベース基板100に半田レジスト140を形成する段階と、前記半田レジスト140に開口部を形成して接続部110の接続パッド115を露出させる段階と、半田層120を形成する段階とを含むことができる。ベース基板100は、絶縁層に接続部110を含む少なくとも一つの回路が形成された回路基板であって、好ましくはプリント基板である。プリント基板PrintedCircuitBoard、PCBは、フェノール樹脂絶縁板またはエポキシ樹脂絶縁板などの絶縁材に形成された内層回路を介して実装された部品を電気的に相互接続し、電源などを供給すると同時に部品を機械的に固定させる役割を果たす。このようなプリント基板には、絶縁材の一面にのみ回路層130を形成した単面PCB、両面に回路層130を形成した両面PCB、および多層に配線したMLB多層プリント基板などがある。図6では、1つの絶縁層と2つの回路層130から構成される多層プリント基板を示したが、本発明は、これに限定されず、2つ以上の回路層130を持つ多層プリント基板が適用可能である。接続部110は、後続工程によって上部に半田層120が形成され、前記半田層120を介して半導体チップ200または外部部品をベース基板100に実装する。この際、接続部110は、少なくとも一つの接続パッド115を含むことができる。接続パッド115は、半田層120を介してベース基板100に実装される半導体チップ200と回路層130とを電気的に接続させる。接続パッド115は、銅、金、銀、ニッケルなどの伝導性金属で構成される。伝導性金属としては、一般に、銅が使用される。半田レジスト140は、最外層回路を保護する機能を行い、接続部110の接続パッド115を露出させるために開口部が設けられる。半田レジスト140は、絶縁物質であって、半田レジストインク、半田レジストフィルムまたはカプセル化剤などで構成できるが、特にこれに限定されるのではない。半田レジスト140の開口部を介して露出された接続部110の接続パッド115にさらに表面処理層150を形成することもできる。表面処理層150は、電解金メッキElectroGoldPlating、無電解金メッキImmersionGoldPlating、無電解銀メッキImmersionSilverPlating、ENIGElectrolessNickelandImmersionGold、無電解ニッケルメッキ/置換金メッキ、DIGDirectImmersionPlating、HASLHotAirSolderLevellingなどによって形成できる。半田層120は、半導体チップ200などの外部部品とベース基板100の接続部110とを接合する機能を行い、スキージーSqueegeeなどのスクリーンプリント装置を用いて、露出された接続部110の上部に半田ペーストをプリントすることにより形成する。半田層120は、錫/鉛Sn/Pb、錫/銀/銅Sn/Ag/Cu、錫/銀Sn/Ag、錫/銅Sn/Cu、錫/ビスマスSn/Bi、錫/亜鉛/ビスマスSn/Zn/Bi、錫/銀/ビスマスSn/Ag/Biなどの組み合わせで構成できる。図7に示すように、半田層120の上部に、電流印加配線310の備えられた導電性発熱体300を配置する。導電性発熱体300の両端には、電流印加配線310が備えられ、電流印加配線310に電流を印加して半田層120を加熱する。このような導電性発熱体300は、電流が流れうる導体であって、銀、銅、ニクロムなどの金属であってもよい。半田層120が溶融点温度以上に加熱される場合、半導体チップ200とベース基板100の接続部110とが半田層120を介して接合されると同時に、前記導電性発熱体300が半田層120の内部に含浸される。ここで、図8に示すように、導電性発熱体300をカバーする補助半田層160をさらに積層してもよい。補助半田層160を積層して導電性発熱体300を半田層120の内部に含浸させることにより、導電性発熱体300が含浸された状態で加熱を行い、半田層120を溶融点以上の温度にさらに速く加熱することができる。補助半田層160は、スキージーなどの方法で積層する。この際、導電性発熱体300は、好ましくはカーボンシートである。カーボンシートは、炭素ナノチューブCNTやグラフェンGrapheneなどの炭素ナノ物質と膨張黒鉛との混合物で構成される。カーボンシートは、電気伝導度および熱伝導率に優れるため、短時間で半田層120を効果的に加熱することを可能にすることにより、工程時間を短縮させる。また、カーボンシートの場合、強度と弾性に優れるため、半田層120内にカーボンシートが含浸されることにより、半田層120の機械的物性を向上させる。カーボンシートは、熱膨張係数が小さいので、半田層120に含浸されて半田層120の熱膨張係数を低減させてベース基板100、半田層120および半導体チップ間の熱膨張係数の差を減少させる。導電性発熱体300の大きさは、半田層120の大きさに対応することが好ましい。半田層120の大きさより導電性発熱体300の大きさが小さい場合、半田層120を溶融点以上に加熱するために多くの電力が消耗されるうえ、加熱時間が長くなるという欠点がある。これに対し、半田層120の大きさより導電性発熱体300の大きさが大きい場合、半田層120のみを局所的に加熱することが難しいという問題点がある。また、図9に示すように、導電性発熱体300は、メッシュ構造であることが好ましく、メッシュ構造で形成された場合、半田層120の全面に均一に熱を伝達して半田層を効果的に加熱することができる。また、半田層120の内部に導電性発熱体300が単位面積当たり均一に含浸されることにより、半田層120の機械的物性を向上させる効果を高めることができる。図10に示すように、導電性発熱体300の電流印加配線310に電流を印加して半田層120を加熱することにより、半導体チップ200をベース基板100の接続部110と接合する。導電性発熱体300に電流が流れるときに抵抗により熱が発生するが、これを用いて半田層120を溶融温度以上に加熱する。電流印加配線310に流れる電流量を調節して精密に加熱温度を制御することができるという利点がある。導電性発熱体300の電流印加配線310に電流を流して半田層120のみを局所的に加熱することにより、基板の変形を防止し、且つ熱膨張係数の差による熱応力を減少させることができる。ベース基板100に接合される半導体チップ200は、少なくとも一つの接続端子を含み、ベース基板100の接続部110は、少なくとも一つの接続パッド115を含むので、半導体チップ200とベース基板100の接続部110とが半田層120を介して接合されることにより、ベース基板100の回路層130と半導体チップ200とが電気的に接続され得る。この際、図11に示すように、半田層120を加熱して半導体チップ200を接合するとき、ベース基板100の他面を冷却する過程をさらに含んでもよい。一面に半導体チップ200が接合されるベース基板100の他面を冷却装置400によって冷却することにより、導電性発熱体300により発生する熱が半田層120以外のベース基板100の他の領域に及ばないようにして、熱によるベース基板100の変形をさらに徹底的に防止することができる。ベース基板100の他面を常温に維持しながら冷却することが好ましい。これは、ベース基板100および他の実装部品の温度による影響が常温で最も少ないためである。次に、図12に示すように、前記導電性発熱体300の電流印加配線310を除去する。本発明に係る製造方法は、前述した方式の半導体チップ200の接合に限定されず、ワイヤー220を用いた半導体チップ200の接合にも適用できる。ワイヤー220を用いた半導体チップ200の接合の場合、図13に示すように、ベース基板100は、接続部110の周辺部に複数のリード部170をさらに含む。前記リード部170は、ベース基板100の回路層130に電気的に接続される。半田層120の上部に電流印加配線310の備えられた導電性発熱体300を位置させ、電流を印加して半田層120を加熱することにより、半導体チップ200を接続部110に接合する。ワイヤー220を用いた半導体チップ200の接合の場合、半導体チップ200の上部に複数のボンディングパッド210を備えて、半導体チップ200上部の複数のボンディングパッド210とベース基板100の複数のリード部170とをそれぞれ対応するようにワイヤー220で接合する工程をさらに含む。ワイヤー220としては、一般に、金AuまたはアルミニウムAlを使用する。この際、リード部170に接続されたワイヤー220を介してのみ半導体チップ200とベース基板100の回路層130とが電気的に接続されるのではなく、接続部110に形成された接続パッド115を介しても半導体チップ200とベース基板100の回路層130とが電気的に接続できる。その次、導電性発熱体300に接続された電流印加配線310を除去する。前記電流印加配線310を除去する工程は、ベース基板100とリード部170とをワイヤー220で接合する前に行ってもよい。また、図14および図15に示すように、複数の半導体チップ200をベース基板100に一度に接合することができる。図14に示すように、ベース基板100には、複数の接続部110を備え、複数の前記接続部110にそれぞれ対応するように、電流印加配線310で接続された複数の導電性発熱体300を半田層120の上部に配置する。導電性発熱体300の電流印加配線310の両端に電流を印加して複数の半導体チップ200をベース基板100の接続部110に接合し、図15に示すように、複数の導電性発熱体300に接続された電流印加配線310を除去する。前述したように既存のリフロー工程と同様に、本発明によっても複数の半導体チップ200をベース基板100の接続部110に一度に接合することができる。以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは、本発明を具体的に説明するためのものに過ぎず、本発明による半導体パッケージ基板の製造方法は、これに限定されず、当該分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想の範疇内で多様な変形および改良を加え得るのは明白であろう。それらの単純な変形ないし変更は、いずれも本発明の範疇内に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は、特許請求の範囲によって明確に定められるであろう。