表面19aに所定のパターニングを施したマスク材23を形成したSi基板19もしくはSOI基板を反応チャンバ10内に設置し、当該反応チャンバ10内で放電を起こさせて当該反応チャンバ10内に導入した導入ガスをプラズマ化して前記基板に照射することにより前記基板を前記マスク材23のパターンに従ってエッチングするエッチングステップと、前記導入ガスを切り換えて前記反応チャンバ10内で放電を起こさせることによりプラズマ化し、前記エッチングステップによって前記基板に形成したトレンチ24の壁面に保護膜25を堆積させる保護膜堆積ステップと、が含まれており、前記基板に前記マスク材23を残した状態で前記エッチングステップと前記保護膜堆積ステップとを繰り返すことにより前記トレンチ24を掘り下げていく半導体装置の製造方法であって、前記エッチングステップの開始前と終了後に、プラズマ生成用の放電を止めて、前記導入ガスを前記各ステップに応じたガスに完全に置換して前記反応チャンバ10内の圧力を所定の値に設定し、かつ、当該放電が止まっている間にプロセスパラメータの設定値を前記各ステップに応じた値に設定する切替ステップが含まれており、前記切替ステップの後の前記エッチングステップでは、前記保護膜25のエッチングプロセスの進行を反映する特徴的な発光ピーク波長の強度変化を発光分光器15によってモニタし、モニタした波形から、前記トレンチ24の底面に堆積した保護膜25が除去されたタイミング、および、前記トレンチ24の側壁面に堆積した保護膜25が除去されたタイミングを把握することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記エッチングステップでは導入ガスとしてF原子を含むガスを用いると共に、前記F原子もしくはSiFx分子の発光ピーク波長の強度変化をモニタすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記保護膜堆積ステップでは導入ガスとしてC原子を含むガスを用い、前記エッチングステップでは前記C原子もしくはC2分子の発光ピーク波長の強度変化をモニタすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記保護膜堆積ステップでは導入ガスとしてO原子を含むガスを導入ガスとして用い、前記エッチングステップでは前記O原子もしくはSiOx分子の発光ピーク波長の強度変化をモニタすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記エッチングステップの開始前と終了後において前記プラズマ生成用の放電を止める時間を、前記導入ガスの置換もしくは前記プロセスパラメータの設定に要する時間よりも長く設定することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。前記発光ピーク波長の強度変化をモニタすることにより、前記保護膜25が除去されたタイミングを把握することについては、前記保護膜堆積ステップと前記エッチングステップとの繰り返しを複数回行う中の1回のエッチングステップにおいて行うことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。表面19aに所定のパターニングを施したマスク材23を形成したSi基板19もしくはSOI基板を反応チャンバ10内に設置し、当該反応チャンバ10内で放電を起こさせて当該反応チャンバ10内に導入した導入ガスをプラズマ化して前記基板に照射することにより前記基板を前記マスク材23のパターンに従ってエッチングするエッチングステップと、前記導入ガスを切り換えて前記反応チャンバ10内で放電を起こさせることによりプラズマ化し、前記エッチングステップによって前記基板に形成したトレンチ24の壁面に保護膜25を堆積させる保護膜堆積ステップと、が含まれており、前記基板に前記マスク材23を残した状態で前記エッチングステップと前記保護膜堆積ステップとを繰り返すことにより前記トレンチ24を掘り下げていく際に、前記エッチングステップにおける前記保護膜25のエッチングの進行状況を発光分光器15を用いてモニタリングする半導体エッチングプロセスにおける計測方法であって、前記エッチングステップの開始前と終了後に、プラズマ生成用の放電を止めて、前記導入ガスを前記各ステップに応じたガスに完全に置換して前記反応チャンバ10内の圧力を所定の値に設定し、かつ、当該放電が止まっている間にプロセスパラメータの設定値を前記各ステップに応じた値に設定する切替ステップが含まれており、前記プラズマ生成用の放電を再開して前記エッチングステップを開始し、再度放電を停止して当該エッチングステップが終了するまでに、前記保護膜25のエッチングプロセスの進行を反映する特徴的な発光ピーク波長の強度変化を前記発光分光器15によってモニタし、モニタした波形から、前記トレンチ24の底面に堆積した保護膜25が除去されたタイミング、および、前記トレンチ24の側壁面に堆積した保護膜25が除去されたタイミングを把握することを特徴とする計測方法。前記エッチングステップでは、当該エッチングステップで用いる導入ガスとしてF原子を含むガスを用い、前記F原子もしくはSiFx分子の発光ピーク波長の強度変化をモニタすることを特徴とする請求項7に記載の計測方法。前記保護膜堆積ステップでは、当該保護膜堆積ステップで用いる導入ガスとしてC原子を含むガスを用い、前記C原子もしくはC2分子の発光ピーク波長の強度変化をモニタすることを特徴とする請求項7に記載の計測方法。前記保護膜堆積ステップでは、当該保護膜堆積ステップで用いる導入ガスとしてO原子を含むガスを導入ガスとして用い、前記O原子もしくはSiOx分子の発光ピーク波長の強度変化をモニタすることを特徴とする請求項7に記載の計測方法。前記エッチングステップの開始前と終了後において前記プラズマ生成用の放電を止める時間を、前記導入ガスの置換もしくは前記プロセスパラメータの設定に要する時間よりも長く設定することを特徴とする請求項7ないし10のいずれか1つに記載の計測方法。前記発光ピーク波長の強度変化をモニタすることにより、前記保護膜25が除去されたタイミングを把握することについては、前記保護膜堆積ステップと前記エッチングステップとの繰り返しを複数回行う中の1回のエッチングステップにおいて行うことを特徴とする請求項7ないし11のいずれか1つに記載の計測方法。しかし、上記の特許文献1、2では、発光強度の測定結果にノイズの影響が及ばないようにするため、ステップの切り替え後、一定時間経過後に発光強度を計測している。このため、特許文献1、2に記載の方法では、トレンチの底面や側壁面の保護膜が除去された正確なタイミングを把握することができない。本発明は上記点に鑑み、トレンチの底面および側壁面の保護膜が除去されたそれぞれのタイミングを正確に把握することを目的とする。上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、表面19aに所定のパターニングを施したマスク材23を形成したSi基板19もしくはSOI基板を反応チャンバ10内に設置し、当該反応チャンバ10内で放電を起こさせて当該反応チャンバ10内に導入した導入ガスをプラズマ化して基板に照射することにより基板をマスク材23のパターンに従ってエッチングするエッチングステップと、導入ガスを切り換えて反応チャンバ10内で放電を起こさせることによりプラズマ化し、エッチングステップによって基板に形成したトレンチ24の壁面に保護膜25を堆積させる保護膜堆積ステップと、が含まれている。そして、基板にマスク材23を残した状態でエッチングステップと保護膜堆積ステップとを繰り返すことによりトレンチ24を掘り下げていく半導体装置の製造方法であって、以下の点を特徴としている。すなわち、エッチングステップの開始前と終了後に、プラズマ生成用の放電を止めて、導入ガスを各ステップに応じたガスに完全に置換して反応チャンバ10内の圧力を所定の値に設定し、かつ、当該放電が止まっている間にプロセスパラメータの設定値を各ステップに応じた値に設定する切替ステップが含まれている。また、切替ステップの後のエッチングステップでは、保護膜25のエッチングプロセスの進行を反映する特徴的な発光ピーク波長の強度変化を発光分光器15によってモニタし、モニタした波形から、トレンチ24の底面に堆積した保護膜25が除去されたタイミング、および、トレンチ24の側壁面に堆積した保護膜25が除去されたタイミングを把握することを特徴とする。これによると、保護膜堆積ステップからエッチングステップに移行する際に切替ステップを実行して反応チャンバ10内の導入ガスをエッチングステップに応じたガスに完全に置換しているので、エッチングステップ時には反応チャンバ10内が安定状態になっている。このため、エッチングステップの発光強度の測定結果にノイズの影響が及ばない。したがって、モニタした波形からトレンチ24の底面に堆積した保護膜25が除去されたタイミング、および、トレンチ24の側壁面に堆積した保護膜25が除去されたタイミングをそれぞれ正確に把握することができる。請求項2に記載の発明のように、エッチングステップでは導入ガスとしてF原子を含むガスを用いると共に、F原子もしくはSiFx分子の発光ピーク波長の強度変化をモニタすることができる。請求項3に記載の発明のように、保護膜堆積ステップでは導入ガスとしてC原子を含むガスを用い、エッチングステップではC原子もしくはC2分子の発光ピーク波長の強度変化をモニタすることができる。請求項4に記載の発明のように、保護膜堆積ステップでは導入ガスとしてO原子を含むガスを導入ガスとして用い、エッチングステップではO原子もしくはSiOx分子の発光ピーク波長の強度変化をモニタすることもできる。請求項5に記載の発明では、エッチングステップの開始前と終了後においてプラズマ生成用の放電を止める時間を、導入ガスの置換もしくはプロセスパラメータの設定に要する時間よりも長く設定することを特徴とする。これにより、エッチングステップに移行する前に、確実に、反応チャンバ10内に安定状態を作り出すことができる。請求項6に記載の発明では、発光ピーク波長の強度変化をモニタすることにより、保護膜25が除去されたタイミングを把握することについては、保護膜堆積ステップとエッチングステップとの繰り返しを複数回行う中の1回のエッチングステップにおいて行うことを特徴とする。これにより、放電を停止する時間が繰り返されることによってプロセス時間が延びることを最小限に抑えることができる。上記では、半導体装置の製造方法について述べたが、請求項7~12に記載の発明のように、エッチングステップにおける保護膜25のエッチングの進行状況を発光分光器15を用いてモニタリングする半導体エッチングプロセスにおける計測方法としても採用することができる。なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。第1実施形態以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。本実施形態では、半導体基板にトレンチを形成した半導体装置の製造方法と、その製法において半導体エッチングプロセスの進行状況を把握するための発光強度の計測方法について説明する。まず、本実施形態で用いるエッチング装置の構成について説明する。図1は、本実施形態に係るエッチング装置の模式図である。この図に示されるように、エッチング装置は、反応チャンバ10、プラズマ生成用の電源11、バイアス用の電源12、エッチングガス用のマスフローコントローラ13、保護膜堆積用のマスフローコントローラ14、および発光分光器15を備えた構成となっている。真空室を構成する反応チャンバ10には、ガス導入口16と排気ポート17とが備えられている。ガス導入口16には、エッチングガス用のマスフローコントローラ13と保護膜堆積用のマスフローコントローラ14とが接続されている。マスフローコントローラ13、14は各種ガスの反応チャンバ10内への流量を制御する。また、反応チャンバ10にはRFコイル18が内蔵されており、RFコイル18にプラズマ生成用の電源11から電力供給されることで反応チャンバ10内にRF電界が発生するようになっている。なお、電源11には図示しないマッチング装置が接続されている。そして、各ステップに応じて、プラズマ自体のインピーダンスに合わせてバリアブルコンデンサの容量値のRFマッチング位置マッチングポイントが変更される。そして、エッチング対象のSi基板19は、反応チャンバ10内に配置された設置台20の上に配置される。Si基板19はSiウェハであり、Si基板19の表面19a側にトレンチが形成される。この設置台20にはバイアス用の電源12が電気的に接続されているので、Si基板19には所定のバイアスが印加される。なお、設置台20にはSi基板19を裏面側から冷却するための冷却用Heガスが導入される機構になっている。さらに、反応チャンバ10には、Si基板19の上方に観測窓21が設けられている。この観測窓21に光ファイバ22が接続されており、この光ファイバ22は発光分光器15に接続されている。発光分光器15は、エッチングプロセスの進行状況を反映する特徴的な発光ピーク波長の強度変化をモニタする。以上が、エッチング装置の構成である。次に、Si基板19に対するトレンチ形成方法の概要について説明する。トレンチ形成方法を簡単に説明すると、まず、表面19aにマスク材を形成したSi基板19を反応チャンバ10内に設置する。続いて、反応チャンバ10内で放電を起こさせて反応チャンバ10内に導入した導入ガスをプラズマ化してSi基板19に照射することによりSi基板19をマスク材のパターンに従ってエッチングするエッチングステップ。この後、導入ガスを切り換えて反応チャンバ10内で再び放電を起こさせることにより導入ガスをプラズマ化し、エッチングステップによってSi基板19に形成したトレンチの壁面に保護膜を堆積させる保護膜堆積ステップ。そして、Si基板19にマスク材を残した状態でエッチングステップと保護膜堆積ステップとを繰り返すことによりトレンチを掘り下げていく。そして、上記のようにトレンチを形成するに際し、本実施形態では、1エッチングステップの直前の保護膜形成ステップが終了した時点で一旦プラズマ生成用放電をOFFとすること2その後、エッチングステップでの導入ガスの置換、プロセスパラメータの遷移等を完全に終了させた後、放電を再開してエッチングステップを開始することを特徴としている。図2は、時間軸に対して、a流量ガス、bプラズマ生成RF値、c圧力制御バルブ開度、d発光強度をそれぞれ示したプロセス設定の時間的推移である。なお、図2bのプラズマ生成RF値はプラズマ生成用の電源11の入力パワーである。T=T1の時点で保護膜堆積ステップが終了すると、図2aに示されるように保護膜堆積ステップにおいて反応チャンバ10に導入されたガスの供給を停止し、反応チャンバ10に導入するガスをエッチングステップ用の導入ガスに入れ替える。また、図2bに示されるように、時点T1でプラズマ生成RF値を0として放電をOFFとする。さらに、図2cに示されるように圧力制御バルブの開度をエッチングステップ用に調整する。その他のプロセスパラメータの設定値についてもエッチングステップ用に変更する。そして、反応チャンバ10内では放電に起因した反応は起こらないので、図2dに示されるように、発光分光器15で観測される発光強度は0となる。この後、T=T2の時点からプラズマ生成用の電源11がONとなり、反応チャンバ10内で再び放電を起こさせてエッチングステップを開始する。なお、エッチングステップ終了後も上記と同様に導入ガスやプロセスパラメータを変更する。ここで、放電をOFFとする時点T1から時点T2までの期間を切替ステップとする。すなわち、切替ステップでは、プラズマ生成用の放電を止めて、導入ガスを各ステップに応じたガスに完全に置換して反応チャンバ10内の圧力を所定の値に設定し、かつ、当該放電が止まっている間にプロセスパラメータの設定値を前記各ステップに応じた値に設定する。切替ステップは、エッチングステップの開始前と終了後、すなわち保護膜堆積ステップとエッチングステップとの間、エッチングステップと保護膜堆積ステップとの間にそれぞれ設けられている。このように、エッチングステップが開始した後の反応チャンバ10内は過渡状態ではなく、定常状態としたあとで放電を開始してエッチングステップをスタートさせる。過渡状態とは前のステップで用いた導入ガスが反応チャンバ10に残された状態であり、定常状態とは現在のステップで用いる導入ガスのみが反応チャンバ10に存在する状態である。これにより、上述したノイズの影響を一切受けずに正確に保護膜除去のタイミングを検出できることを実験的に確認した。図3は、F原子のピークの計測例である。上記の手法を用いずに、単に保護膜形成ステップ→エッチングステップ→と、過渡状態を含んだ方法で発光強度を計測すると、図3aに示されるようにノイズ等の影響を受けてF原子の階段状の波形がつぶれてしまったり、計測の再現性が低下する。また、エッチングが進行してトレンチが深くなると計測波形が全体的に歪んで正確なタイミング検出ができなくなる。一方、上記の手法を用いることで、図3bに示されるように、波形のつぶれや歪みがなくなり計測の再現性も得られることがわかった。また、エッチングが進行してトレンチが深くなったときに計測波形の全体的な歪みが生じず、深いトレンチに対しても保護膜除去の正確なタイミングを検出できる。なお、保護膜除去のタイミングは、図3bのように発光強度が検出しきい値を下回ることを検出することで把握できる。続いて、具体的なトレンチ形成について、図4および図5を参照して説明する。上述のように、通常のSi深堀エッチングでは、エッチング対象となるSi基板19を反応チャンバ10内に設置した後、保護膜堆積ステップとエッチングステップとを数秒程度、具体的には2秒~10秒程度で交互に実施する。まず、Si基板19の表面19aに然るべきパターニングの施されたSiO2のマスク材23が形成されたものを用意し、反応チャンバ10の設置台20に設置する。そして、図4aに示されるように、まずはエッチングステップを実行してSi基板19にトレンチ24を形成する。次に、保護膜堆積ステップを行う。保護膜堆積ステップでは図5aに示されるようにC4F8ガスのみ、あるいはC4F8ガスと若干の添加ガスArやO2等の混合ガスを反応チャンバ10内に導入する。流量は数100sccm、具体的には100sccm~500sccm程度であり、プロセス中の反応チャンバ10内の圧力は1Pa、具体的には1Pa~10Pa程度である。そして、プラズマ生成用の電源11を一定パワーで入力することで、反応チャンバ10内に導入した導入ガスをプラズマ化する。プラズマ生成用の電源11は例えば周波数が13.56MHzのものを用い、入力パワーとしては数100W~数kW程度である。これにより、CFxx=0~4が生成されてSi基板19の表面19aで重合反応を起こさせてフロロカーボン系のポリマー膜を形成する。このポリマー膜が図4bに示される保護膜25である。この保護膜堆積ステップを所定の時間実施した後、図5bに示されるように、時点T1でプラズマ生成用の電源11を一旦OFFとし、切替ステップに移行する。ここで、通常、Si深堀エッチング装置ではプラズマ生成用の電源11とバイアス印加用の電源12の2系統のRF電源を用いるが、プラズマ生成用の電源11をOFFしたときはバイアス印加用の電源12もOFFとする。次に、エッチングステップを実施するために導入ガスを切り替えてSF6ガス、あるいはSF6ガスと若干の添加ガスArやO2等の混合ガスを反応チャンバ10内に導入する。流量は数100sccm、具体的には100sccm~500sccm程度であり、プロセス中の反応チャンバ10内の圧力は1Pa、具体的には1Pa~10Pa程度である。反応チャンバ10内の導入ガスが完全に入れ替わるのに1秒~数秒程度要する。この後、反応チャンバ10内の圧力は然るべき設定値で安定する。また、切替ステップにおいて、図5cに示されるように、チャンバ圧力を調節するバルブ開度やプラズマ生成用の電源11のマッチングポイントもエッチングステップの実施時の設定値に向かって遷移する。なお、エッチングステップでのプロセスパラメータの設定値は必ずしも保護膜堆積ステップでの設定値と同一ではない。この後、図5の時点T2からエッチングステップを開始する。すなわち、プラズマ生成用の電源11を再びONして反応チャンバ10内で放電を起こさせて導入ガスをプラズマ化する。また、バイアス印加用の電源12もONとする。このバイアス印加用の電源12は例えば周波数13.56MHzもしくは数100kHz程度のものを用い、数10W~数100W程度の入力とする。時点T2後のエッチングステップにおいて、反応チャンバ10内で生じるプラズマからの発光は、観測窓21から採取されて光ファイバ22を介して発光分光器15に導入される。ここで、図5dのように各波長成分に分光された上で強度計測される。エッチングステップが開始され、直前の保護膜堆積ステップで形成されたトレンチ24の底面上の保護膜25ポリマー膜が除去されてSiのエッチング反応がスタートすると、SF6プラズマ中のF原子濃度が低下する。このため、F原子に起因する発光ピーク例えばλ=685.6nmの強度は低下する。一方、エッチング反応での反応生成物SiF4がプラズマ中で再度解離して生じたSiFx分子による発光ピーク例えばλ=777.0nmの強度は増加する。そして、保護膜堆積ステップからエッチングステップに移行する際に、保護膜堆積ステップで用いる導入ガスとエッチングステップで用いる導入ガスを完全に入れ替えている。このため、これらのピーク強度の低下、あるいは増加は過渡状態に起因するノイズ成分を含まないために非常に明瞭に観測することができる。これらのピーク強度の変化から図4cに示されるようにトレンチ24の底面上の保護膜25が完全に除去される時点T=t1を検出することができ、これをトリガー信号として図5bに示されるように例えばバイアス印加用の電源12の設定値を低下させるフィードバック制御を行うことができる。なお、図5dに示されるように、F原子とSiFx分子の各ピーク強度が変化する時点t1が同じであるので、これら2つのピーク強度から時点t1を検出することにより、トレンチ24の底面の保護膜25が完全に除去されたタイミングを正確に把握することができる。また、C2分子に起因する発光ピーク例えばλ=516.5nmは、保護膜25が分解されて除去される際に、プラズマ中での再解離、結合等により発生すると考えられる。したがって、トレンチ24の底面上、さらに側壁面上での保護膜25がエッチング作用によって次第になくなり最終的に側壁面上での保護膜25が完全に無くなるまで緩やかにピーク強度は低下し、やがて一定となる。もしくはF原子のピークの発光強度が2度目の低下を見せる。なぜなら、導入ガスはSF6に完全に置換された後であるので、C2分子は保護膜25の分解からしか発生しないためである。これらのタイミングを側壁保護膜除去タイミングとして把握することができる。トレンチ24の側壁面の保護膜25が除去されると、図4dに示されるようにトレンチ24が深くなる。トレンチ24の側壁面の保護膜25が除去された時点をT=t2としてこれをトリガー信号として例えばエッチングステップを終了することができる。以上のようにして、発光分光器15によってモニタした波形からトレンチ24の底面に堆積した保護膜25が除去されたタイミングT=t1、および、トレンチ24の側壁面に堆積した保護膜25が除去されたタイミングT=t2をそれぞれ正確に把握することができる。そして、切替ステップにおいて、再度保護膜堆積ステップに戻るように導入ガス、各プロセスパラメータの設定値を変更するフィードバック制御を行うことができる。こうしたフィードバック制御により、エッチングレートの向上やマスク選択比の向上、あるいは上述のRIE-lagの抑制等が可能になる。このように、エッチングステップから保護膜堆積ステップに移行する際も放電を止める切替ステップの期間が存在するので、過渡状態でのノイズによってC2分子のピークが一定値となるタイミングがノイズに埋もれてしまうのを防ぐことができる。ここで、エッチングステップの前後で放電がOFFとなる時間は、導入ガスの置換もしくはバルブ開度やRFマッチングポイントの遷移に必要な時間よりも長く設定する。具体的には1秒~2秒程度である。これにより、各ステップに移行する前に確実に安定状態を作り出すことができる。第2実施形態本実施形態では、第1実施形態と異なる部分について説明する。上述のように、保護膜堆積ステップとエッチングステップとを繰り返してトレンチ24を掘り進むエッチング技術において、上記第1実施形態では保護膜25としてポリマー膜を形成していたが、本実施形態では保護膜25としてO2プラズマ照射によるSiO2膜を形成する。本実施形態においても、図1に示されたエッチング製造装置を用いる。この場合にもSiO2膜が形成される保護膜堆積ステップが終了した時点で一旦、プラズマ生成用の電源11による放電を止めて次のエッチングステップでのSF6を主としたガスに切り換えて完全に置換する。そしてチャンバ圧力が安定し、かつこの間にエッチングステップでの各種プロセスパラメータ設定値の変更を終えた後で再度プラズマ生成用の電源11をONする。これにより、トレンチ24の底面上のSiO2膜が除去されてSiのエッチングがスタートすると、第1実施形態と同様にF原子の発光強度が低下し、SiFx分子の発光強度が増加するタイミングを検出することができる。この検出タイミングを、トレンチ24の底面のSiO2膜が除去されたタイミングとして正確に把握することができる。その後、トレンチ24の側壁面上のSiO2膜が除去される間、SiOx分子の発光強度のピークまたはO原子に起因する発光強度のピークが徐々に低下していくことが観測される。この様子は第1実施形態で示されたC2分子の発光強度のピークと同様である。これらの発光強度のピークが低下して一定値となった時点を基準として設定し、これに達したときにトレンチ24の側壁面上のSiO2膜が除去されたタイミングを検出することができる。この検出タイミングを、トレンチ24の側壁面のSiO2膜が除去されたタイミングとして正確に把握することができる。他の実施形態上記各実施形態で示されたトレンチ形成の方法は一例であり、上記で示した方法に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、必ずしも毎サイクルで放電を止めて発光強度をモニタリングする必要はなく、フィードバック制御の精度上許容される範囲内で、複数のエッチングステップの実施に対して1回という形で省略しても良い。これは、切替ステップすなわち放電のOFFの時間が繰り返されることによってプロセス時間が延びることを最小限に抑えるためである。また、上記各実施形態では保護膜25を一層だけ形成する方法が示されているが、第1の保護膜としてポリマー膜を形成し、この上に第2の保護膜としてO2プラズマ照射によるSiO2膜を形成する方法が知られている。この方法では第2の保護膜であるSiO2膜を形成した後、通常の第1の保護膜であるポリマー膜による保護膜堆積ステップとエッチングステップとの繰り返しに戻る。したがって、SiO2膜の形成後、保護膜堆積ステップを先に実施する場合と、エッチングステップを先に実施する場合の2通りが考えられる。しかし、どちらの場合においてもエッチングステップの開始前に一旦プラズマ生成用の電源11をOFFにしてガスの完全置換等を行う切替ステップがあるので、再度プラズマ生成用の電源11をONにしつつ発光分光計測を行ったとしてもノイズの影響はない。さらに、上記各実施形態では、トレンチ24を形成する基板としてSi基板を用いていたが、2枚のSi基板で絶縁層を挟み込んだSOI基板にトレンチ24を形成しても良い。