"SOIウェーハに対し、SOI層表面を熱酸化し、形成された熱酸化膜を除去する犠牲酸化処理を施すことにより、前記SOIウェーハのSOI層を減厚調整する工程を有するSOIウェーハの製造方法において、前記犠牲酸化処理における熱酸化を、バッチ式熱処理炉を使用して、少なくとも昇温中、降温中の一方で行うことにより、前記SOI層の表面に略同心円形状の酸化膜厚分布を形成することを特徴とするSOIウェーハの製造方法。前記犠牲酸化処理における熱酸化を所定温度で行い、かつ、該所定温度への昇温中、前記所定温度からの降温中の少なくとも一方でも行うことを特徴とする請求項1に記載のSOIウェーハの製造方法。前記犠牲酸化処理における熱酸化として、パイロジェニック酸化処理又はウェット酸化処理を用いることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のSOIウェーハの製造方法。前記犠牲酸化処理を施すSOIウェーハを、シリコン単結晶からなるボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記イオン注入層でボンドウェーハを剥離することにより製造することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のSOIウェーハの製造方法。前記イオン注入は、回転体と該回転体に設けられ基板を配置する複数のウェーハ保持具とを備え、該ウェーハ保持具に配置され公転している複数の基板にイオン注入するバッチ式イオン注入機を使用して複数回に分割して行うものとし、各回のイオン注入後に、前記ウェーハ保持具に配置されたボンドウェーハを所定の回転角度だけ自転させ、自転させた配置位置で次のイオン注入を行うことを特徴とする請求項4に記載のSOIウェーハの製造方法。前記イオン注入を2回に分けて行うものとし、1回目のイオン注入後に、前記ボンドウェーハを90度又は180度自転させ、自転させた配置位置で2回目のイオン注入を行うことを特徴とする請求項5に記載のSOIウェーハの製造方法。前記イオン注入を4回に分けて行うものとし、2回目以降のイオン注入を、1回目のイオン注入に対して90、180及び270度のいずれかの回転角度だけ自転させた配置位置で行うことを特徴とする請求項5に記載のSOIウェーハの製造方法。前記絶縁膜を100nm以下のシリコン酸化膜とすることを特徴とする請求項4乃至請求項7のいずれか一項に記載のSOIウェーハの製造方法。前記ボンドウェーハの表面の結晶面と前記イオン注入方向との角度を垂直に設定して、前記各回のイオン注入を行うことを特徴とする請求項5乃至請求項8のいずれか一項に記載のSOIウェーハの製造方法。近年の携帯型端末の普及に伴い、半導体デバイスの低消費電力化、微細化、高機能化が必要となっており、デザインルールで22nm世代以降の有力な候補として、SOIウェーハを用いた完全空乏型のデバイス開発が行われている。この完全空乏型デバイスでは、SOIの膜厚が10nm程度と非常に薄くなることに加えて、SOIの膜厚分布がデバイスの閾値電圧に影響することから、SOIの面内膜厚分布として膜厚Rangeが1nm以下RangeMax-Min≦1nmの均一性が求められている。また、近年、通常はベースウェーハとの絶縁に用いるBOX層埋め込み酸化膜層にバイアスを掛けることで、デバイスの閾値電圧を制御することが提案されており、この場合にはBOX膜厚を薄くしたThinBOX型のSOIウェーハを製造する必要がある。イオン注入剥離法を用いた貼り合わせウエーハの製造方法において、イオン注入の深さ飛程分布はそのまま剥離後のSOI層の膜厚分布に反映されるが、イオン注入の深さ分布が生じる要因については、コーンアングルconeangle効果が知られている。ここで、バッチ式のイオン注入機は、図5に示されるように、回転体1と回転体1に設けられ基板3を配置する複数のウェーハ保持具2とを備えている。そして、基板3を保持する為に、ウェーハ保持具2は回転体1の回転面より若干内側に傾けてある。これにより回転体1が回転している際、遠心力により基板3をウェーハ保持具2に押し付ける力が働き、ウェーハ保持具2は基板3を保持するようになっている。ただし、このように回転体1の回転面と基板3の表面が平行でない場合、イオンビームを基板3に対して一定角度で注入しようとしても、基板中心部とビームスキャン方向の基板両端部では回転体の回転に応じて注入角度にごくわずかなズレが生じ、これによりイオン注入深さが基板中央部では深く、スキャン方向の基板両端部では浅くなる。これをコーンアングル効果と呼んでいる。この為、イオン注入剥離法におけるイオン注入においては、図6で示されるように、基板3とイオンビームの設定角度は、基板表面とイオンビームとの角度が垂直になる注入角0度α=0°に設定することで、スキャン方向の基板両端部で注入角度が同程度ずれる様にして、注入の深さの面内分布が比較的均一になるようにしている。ただし、バッチ式のイオン注入機を用いた場合、注入角を0度に設定した場合であっても、イオン注入の面内深さ分布のバラツキが発生する2つ目の要因が考えられる。2つ目の膜厚分布発生要因は、ThinBOX型のSOIウェーハ作製においてチャネリングが発生することである。100nm以下のBOX層シリコン酸化膜層膜厚を有するThinBOX型のSOIウェーハの作製においては、酸化膜による散乱の効果が弱くなり注入角度0度設定のイオン注入ではチャネリングが発生する。バッチ式イオン注入機の場合、基板中央部では結晶面とイオンビームの角度が垂直になる為、チャネリングの効果が大きくなりイオン注入深さは深くなる。一方、スキャン方向の基板両端ではコーンアングルにより注入角が生じる為、チャネリングの影響は相対的に弱くなりイオン注入深さが浅くなる。この様に、ThinBOX型のSOIウェーハの作製においては、特にコーンアングルの効果がチャネリングによって強調される。チャネリングを防止する為には、注入角を傾けて注入する方法が一般に知られているが、注入角を傾けるとコーンアングルの効果がスキャン方向の基板両端部間で異なる事により、面内の深さ分布が大きくなる。また、ウェーハ自体の結晶軸方位を傾けたウェーハオフアングル付きウェーハを用いてチャネリングを防止する方法が知られているが、注入角を傾ける方法と同様に、スキャン方向の両端部間で注入角度が異なる為に、面内の深さ分布は大きくなる。上記のコーンアングル効果によるSOI膜厚分布を抑制する方法として、分割注入し、各イオン注入でウェーハ向きを変えるウェーハ保持具に配置されたウェーハを所定角度だけ自転させる方法がある特願2011-120340。コーンアングル効果は、ウェーハ中央部とスキャン方向のウェーハ両端部の間で生じる深さ分布の為、2回対称の分布になる。この為、例えばイオン注入を2分割し、各イオン注入でウェーハを90度回転自転させれば、ウェーハ中央部では相対的に深く、ウェーハ外周部は全周で浅くなり、同心円の分布に近くなる。また、2回分割に限らず、4回分割でイオン注入し、各イオン注入の際のウェーハを90度ずつ回転自転させれば、2回注入よりも更に同心円の分布が整う。このようにして注入したイオン注入深さ分布は、ウェーハ中央部では相対的に深く、ウェーハ外周部は相対的に全周で浅くなる為、剥離後のSOIウェーハのSOI膜厚分布は、ウェーハ中央部で厚く、ウェーハ外周部で薄い同心円の凸状の膜厚分布になる。この膜厚分布を改善する方法として、犠牲酸化処理熱酸化酸化膜除去による熱酸化膜の取りしろが考えられた。しかし、従来は、熱酸化膜の面内分布を制御して凸形状を得ることができず、ウェーハ剥離時の膜厚分布を相殺する凸形状の酸化膜分布が形成される酸化炉又は処理バッチ内の特定のボートSlot位置を実験的に見つけ出し、選択的に使用して犠牲酸化処理する必要が有り、生産性に問題があった。本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであって、略同心円形状の膜厚分布を有する熱酸化膜を形成し、形成された熱酸化膜を除去する犠牲酸化処理を行うことによって、面内膜厚分布が改善されたSOIウェーハを生産性良く製造することができるSOIウェーハの製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明では、SOIウェーハに対し、SOI層表面を熱酸化し、形成された熱酸化膜を除去する犠牲酸化処理を施すことにより、前記SOIウェーハのSOI層を減厚調整する工程を有するSOIウェーハの製造方法において、前記犠牲酸化処理における熱酸化を、バッチ式熱処理炉を使用して、少なくとも昇温中、降温中の一方で行うことにより、前記SOI層の表面に略同心円形状の酸化膜厚分布を形成することを特徴とするSOIウェーハの製造方法を提供する。このような犠牲酸化処理による熱酸化によれば、略同心円形状の酸化膜厚分布を有する熱酸化膜を形成することができる。従って、例えば、イオン注入剥離起因のSOI層の面内膜厚分布を相殺することが可能となり、最終的に得られるSOI層の面内膜厚分布が飛躍的に向上されたSOIウェーハを量産レベルで製造することができる。またこの場合、前記犠牲酸化処理における熱酸化を所定温度で行い、かつ、該所定温度への昇温中、前記所定温度からの降温中の少なくとも一方でも行うことが好ましい。このように、前記降温中の熱酸化及び/又は前記昇温中の熱酸化を、従来の犠牲酸化で行う所定温度の酸化処理と組み合わせて行うことが好ましい。即ち、熱酸化を、1所定温度への昇温中所定温度所定温度からの降温中、2所定温度への昇温中所定温度、3所定温度所定温度からの降温中、のいずれかで行うことが好ましい。これにより、より厚い同心円状の熱酸化膜を形成することができる。またこの場合、前記犠牲酸化処理における熱酸化として、パイロジェニック酸化処理又はウェット酸化処理を用いることができる。このように、犠牲酸化処理は、パイロジェニック酸化処理又はウェット酸化処理によって熱酸化膜を形成し、形成された熱酸化膜を除去することで行うことができる。またこの場合、前記犠牲酸化処理を施すSOIウェーハを、シリコン単結晶からなるボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記イオン注入層でボンドウェーハを剥離することにより製造することが好ましい。イオン注入時のイオン注入深さは、そのまま剥離後のSOI層の膜厚分布に反映される。従って、上記コーンアングル効果やチャネリングの影響があるイオン注入剥離法によって製造されたSOIウェーハには、上記本発明における犠牲酸化処理が非常に有効である。この場合、不活性ガス雰囲気下約500°C以上の温度で熱処理を加えれば、イオン注入層でボンドウェーハを剥離させることができる。また、常温での貼り合わせ面に予めプラズマ処理を施すことによって、熱処理を加えずにあるいは剥離しない程度の熱処理を加えた後、外力を加えて剥離することもできる。またこの場合、前記イオン注入は、回転体と該回転体に設けられ基板を配置する複数のウェーハ保持具とを備え、該ウェーハ保持具に配置され公転している複数の基板にイオン注入するバッチ式イオン注入機を使用して複数回に分割して行うものとし、各回のイオン注入後に、前記ウェーハ保持具に配置されたボンドウェーハを所定の回転角度だけ自転させ、自転させた配置位置で次のイオン注入を行うことが好ましい。犠牲酸化処理を施すSOIウェーハをこのような方法によって製造した場合、各回のイオン注入毎に異なる向きでボンドウェーハをウェーハ保持具に仕込むことができ、重複した配置位置でのイオン注入を避けることによって、イオン注入深さ分布のバラツキを改善することができ、また、剥離後の面内膜厚分布が同心円形状の分布に近くなる。従って、その後に本発明における犠牲酸化処理を行い熱酸化膜の酸化膜厚分布を略同心円形状に制御して形成することで、SOI膜厚分布を改善することが容易になり、剥離直後よりも更に膜厚Rangeが改善されたSOIウェーハを得ることができる。またこの場合、前記イオン注入を2回に分けて行うものとし、1回目のイオン注入後に、前記ボンドウェーハを90度又は180度自転させ、自転させた配置位置で2回目のイオン注入を行うことが好ましい。このようにしてイオン注入を行うことによって、イオン注入深さ分布のバラツキを低減できるとともに、イオン注入深さ分布がボンドウェーハ中央部では相対的に深く、ボンドウェーハ外周部は全周で浅くなり、同心円形状の分布に近くなる。従って、その後の本発明における犠牲酸化処理による減膜調整によって、膜厚分布を容易に修正することができるために好ましい。またこの場合、前記イオン注入を4回に分けて行うものとし、2回目以降のイオン注入を、1回目のイオン注入に対して90、180及び270度のいずれかの回転角度だけ自転させた配置位置で行うことが好ましい。このように、イオン注入を4回に分けて行うことによって、2回に分けて行う場合よりも、一層バラツキを低減でき、イオン注入深さ分布が更に同心円形状の分布に近くなるため、その後の犠牲酸化処理による減膜調整によって、膜厚分布の修正は更に容易なものとなる。またこの場合、前記絶縁膜を100nm以下のシリコン酸化膜とすることが好ましい。このように、従来良好な膜厚均一性を得ることが困難であった100nm以下のシリコン酸化膜を有するThinBOX型のSOIウェーハを製造する場合であっても、本発明では面内膜厚Rangeが1nm以下の極めて良好な膜厚均一性を有する薄膜SOIウェーハを製造することができる。またこの場合、前記ボンドウェーハの表面の結晶面と前記イオン注入方向との角度を垂直に設定して、前記各回のイオン注入を行うことが好ましい。このように、ボンドウェーハの表面の結晶面とイオン注入方向との角度を垂直にする、即ち、結晶面に対するイオン注入角度を0度に設定することによって、剥離後のSOI層の膜厚分布のバラツキを更に抑制することができる。従って、その後の本発明における犠牲酸化処理による減膜調整によって、膜厚分布を更に容易に修正することができるために好ましい。以上説明したように、本発明のSOIウェーハの製造方法によれば、犠牲酸化処理の熱酸化において略同心円形状の膜厚分布を有する熱酸化膜を形成することができる。従って、最終的に膜厚均一性が飛躍的に向上したSOIウェーハを量産レベルで製造することができるため、このようなSOIウェーハを用いたデバイスの閾値電圧を安定化でき、デバイス歩留りが向上する。上記のように、イオン注入剥離等に起因するSOIウェーハのSOI層の略同心円形状の膜厚分布例えば、凸状を相殺することが可能な略同心円形状の膜厚分布を有する酸化膜を形成することができる犠牲酸化処理を行うことによって、面内膜厚分布が改善されたSOIウェーハを生産性良く製造することができるSOIウェーハの製造方法が求められていた。本発明者らは、略同心円形状の熱酸化膜を制御して作製する方法について鋭意検討及び研究を重ねた結果、バッチ式熱処理炉では、降温や昇温時に酸化処理を行うと略同心円形状の酸化膜厚分布が面内で形成されやすいことを見出した。即ち、本発明らは、SOIウェーハに対し、SOI層表面を熱酸化し、形成された熱酸化膜を除去する犠牲酸化処理を施すことにより、前記SOIウェーハのSOI層を減厚調整する工程を有するSOIウェーハの製造方法において、前記犠牲酸化処理における熱酸化を、バッチ式熱処理炉を使用して、少なくとも昇温中、降温中の一方で行うことにより、前記SOI層の表面に略同心円形状の酸化膜厚分布を形成することを特徴とするSOIウェーハの製造方法を提供する。以下、本発明について更に詳述する。図1に本発明のSOIウェーハの製造方法の一例を示した工程フロー図を示す。本発明における犠牲酸化処理を施すためのSOIウェーハを製造する方法は、特に限定されないが、イオン注入剥離法を用いることができる。図1は、イオン注入剥離法を用いた場合の本発明のSOIウェーハの製造方法の工程フロー図を示す。図1Aに記載のように、シリコン単結晶からなるボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してイオン注入層を形成するイオン注入工程。尚、本発明においては、水素分子イオンも水素イオンに含まれるものとする。また、イオン注入前のボンドウェーハの表面に予め絶縁膜を形成するのが好ましい。上記の様に、従来のThinBOX型の薄膜SOIウェーハの製造においては、コーンアングルの効果がチャネリングによって強調される。ThinBOX型の薄膜SOIウェーハを試作し、SOIの面内膜厚Rangeの工程内推移を調査した結果、剥離直後で既に、面内膜厚Rangeが1nmを超えていることがわかった。また、剥離直後の面内膜厚Rangeの発生原因を調査した結果、イオン注入時のイオン注入深さの面内分布が、剥離後の膜厚面内Rangeに強く影響していることが分かった。しかし、本発明においては、ボンドウェーハをコーンアングル効果が顕著に現れる直径300mm以上のシリコン単結晶ウェーハとし、絶縁膜を100nm以下、あるいは50nm以下のシリコン酸化膜としても、膜厚均一性に優れたThinBOX型の薄膜SOIウェーハを製造することができる。イオン注入は、図5に概略図を示すバッチ式イオン注入機を使用することができる。バッチ式イオン注入機10は、回転体1と該回転体1に設けられ基板3を配置する複数のウェーハ保持具2とを備え、該ウェーハ保持具2に配置され公転している複数の基板3にイオン注入するものである。本発明のSOIウェーハの製造方法では、図1Aに示すように、イオン注入工程におけるボンドウェーハ3へのイオン注入を複数回に分けて行うものとし、かつ、各回のイオン注入後に、ウェーハ保持具2に配置されたボンドウェーハ3を所定の回転角度だけ自転させ、自転させた配置位置で次のイオン注入を行うことが好ましい。尚、図1Aには、イオン注入をn回n≧2に分けて行う一例を示しており、1回目のイオン注入後に、ボンドウェーハ3を90°自転させるノッチ3’位置が90°移動させ、この自転させた配置位置で2回目のイオン注入を行う場合を示している。例えばイオン注入を2回に分けて行うものとし、各イオン注入間でウェーハを90度回転させれば、イオン注入深さはボンドウェーハ中央部では相対的に深く、ボンドウェーハ外周部は全周で浅くなり、均一な分布となって同心円の分布に近くなる。また、2回に分けて行う場合に限らず、4回に分けてイオン注入し、2回目以降のイオン注入を、1回目のイオン注入に対して90、180及び270度のいずれかの回転角度だけ自転させた配置位置で行うことにより、2回注入の場合よりも更に同心円の分布が整う。使用するボンドウェーハの結晶軸方位が加工精度の影響等でわずかにずれている場合、ウェーハ表面に対し注入角度を0度設定で注入しても、実際には結晶軸とイオンビームに角度が生じる。このため、スキャン方向の2回対称分布が崩れてしまうため、2回分割注入では、同心円の深さ分布が得られないことが有る。この場合、2回分割注入のウェーハ向きを180度に設定すれば、結晶軸のずれは相殺できるため同心円の分布を得ることができる。また、結晶軸を傾けてウェーハを製造した場合、結晶軸のずれオフアングルを相殺する角度をイオンビームの注入角に設定することで、更に結晶軸のずれの影響を抑制可能である。即ち、ボンドウェーハの表面の結晶面とイオン注入方向との角度を垂直にすること結晶面に対するイオン注入角度を0度に設定することによって、剥離工程後の薄膜の膜厚分布のバラツキを更に抑制することができるため、好ましい。次いで、図1Aに示すように、ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせる貼り合わせ工程。ベースウェーハとしては、シリコン単結晶ウェーハを用いることができるが、特に限定されない。通常は、常温の清浄な雰囲気下でボンドウェーハとベースウェーハの表面同士を接触させることにより、接着剤等を用いることなくウェーハ同士が接着する。次いで、図1Aに示すように、イオン注入層でボンドウェーハを剥離させることにより、前記ベースウェーハ上にSOI層を有するSOIウェーハを作製する剥離工程。例えば、不活性ガス雰囲気下約500°C以上の温度で熱処理を加えれば、イオン注入層でボンドウェーハを剥離させることができる。また、常温での貼り合わせ面に予めプラズマ処理を施すことによって、熱処理を加えずにあるいは剥離しない程度の熱処理を加えた後、外力を加えて剥離することもできる。このような剥離工程直後のSOI層は、300mmや450mmの大直径であり、絶縁膜が100nm以下のThinBOX型であっても、膜厚Rangeが1nm以下といった膜厚分布が改善されたものであり、特には、膜厚分布が同心円形状に近くなる。その後は図1Bのように、剥離後のSOIウェーハに対し、SOI層表面を熱酸化し、形成された熱酸化膜を除去する犠牲酸化処理を施すことにより、SOIウェーハのSOI層を減厚調整する。ここで、本発明は、前記犠牲酸化処理における熱酸化を、バッチ式熱処理炉を使用して、少なくとも昇温中、降温中の一方で行うことにより、前記SOI層の表面に略同心円形状の酸化膜厚分布を形成することを特徴とする。このように略同心円形状の酸化膜厚分布を有する熱酸化膜を形成することができれば、最終的に膜厚均一性が飛躍的に向上したSOIウェーハを量産レベルで製造することができる。バッチ式熱処理炉を使用して、例えば、降温中に熱酸化降温酸化を行うことによって、ウェーハ外周部の方がウェーハ中央部よりも放熱しやすく、相対的に低温になることになる。したがって、降温中に熱酸化した場合では、熱酸化膜の酸化膜厚分布は凸状の略同心円形状となる。降温酸化によって形成される凸状の大きさは、降温酸化する際の温度が高く、初期温度と酸化終了までの温度差が大きく、温度勾配が強く、バッチ内の上面のウェーハとの隙間の大きさSlot間隔が狭いほど、中心部と外周部での酸化膜厚差が大きく、これらのパラメーターを適切に選択することで所望の酸化膜厚内分布を持った凸状の略同心円形状の熱酸化膜が得られる。尚、略同心円形状の熱酸化膜厚分布を得るためのバッチ式熱処理としては、熱酸化中のウェーハをウェーハ表面に水平方向に回転させる機構を有する縦型熱処理炉を使用することが好ましい。上記のように、イオン注入剥離法において複数回のイオン注入を行った場合には、イオン注入深さはボンドウェーハ中央部では相対的に深く、ボンドウェーハ外周部は全周で浅くなり、均一な分布となって凸状の同心円の分布に近くなる。従って、このような剥離直後の膜厚分布が凸状のSOIウェーハを、上記降温酸化で熱酸化処理して、該形成された熱酸化膜を除去すれば、SOI膜厚分布を制御して改善することができる。図2に、イオン注入を2回に分割して行い、その後に降温酸化による犠牲酸化処理を行った場合のSOI層の面内膜厚分布の説明図を示す。本発明における犠牲酸化を、複数回イオン注入と組み合わせることによって、剥離後の凸状のSOI膜厚分布を相殺することが可能であるため、より容易に、面内膜厚分布が改善されたSOIウェーハを生産性良く製造することができる。尚、剥離後のSOIウェーハの表面粗さや表面ダメージ層を十分に低減するために、犠牲酸化処理と平坦化熱処理不活性ガス、水素ガス、或いはこれらの混合ガス雰囲気下での高温熱処理とを組み合わせて行う場合がある。平坦化熱処理では、SOI層がわずかにエッチングされるが、その際、ウェーハ中央部に比べてウェーハ外周部の方がエッチング量が大きくなるため、平坦化熱処理後のSOI膜厚分布は、凸状に0.5~2nm程度悪化する傾向がある。従って、本発明における犠牲酸化を適用すれば、平坦化熱処理時に悪化したSOI膜厚分布を改善することもできる。また、上記、降温酸化とは逆に昇温中に酸化処理昇温酸化を行えば、ヒーターに近い外周部では昇温中の温度が相対的に中央部よりも高くなり、形成される酸化膜厚は凹状の面内分布が得られる。この凹形状の大きさも、昇温酸化する際の温度、初期温度と酸化終了までの温度差、温度勾配、バッチ内の上面のウェーハとの隙間の大きさSlot間隔によって制御することができる。この為、例えば剥離後のSOIウェーハの表面粗さや表面ダメージ層を十分に低減するためのCMP等によってSOI層の面内膜厚分布が凹分布になった場合には、SOIウェーハの膜厚分布の改善に昇温酸化を適応させることができる。尚、犠牲酸化処理における熱酸化は、所定温度で行い、かつ、該所定温度への昇温中、前記所定温度からの降温中の少なくとも一方でも行うことが好ましい。即ち、降温又は昇温酸化は、従来の犠牲酸化等の酸化処理として行う所定温度例えば、800°C~1000°Cでの酸化の前後に行うこともできるし、単独の処理として降温酸化又は昇温酸化のみの処理を行うこともできる。所定温度で所定時間の熱酸化を入れることで、形成される酸化膜の厚さを厚くすることができ、必要とされる減厚しろに合わせて、温度、時間を調整することができる。尚、昇温/降温速度は、例えば、0.1~10°C/minとすることができる。また、所定温度での熱酸化と昇温酸化降温酸化との組み合わせについて、前述の説明においては、所定温度への昇温酸化所定温度での酸化、又は、所定温度での酸化所定温度からの降温酸化、を中心に記載しているが、これらに限定されるものではない。例えば、一旦、所定温度よりも高温に温度を上げた後に、所定温度への降温酸化所定温度での酸化を行うこともできるし、或いは、所定温度での酸化を行った後に、所定温度よりも高温に温度を上げながら昇温酸化すなわち、所定温度での酸化所定温度からの昇温酸化を行うこともできる。以下に本発明の実施例及び比較例を挙げて、本発明をより詳細に説明するが、これらは本発明を限定するものではない。実施例1実施例1では結晶方位<100>のシリコン単結晶からなる直径300mmのシリコンウェーハ表面の結晶面は100ジャストであり、角度ズレなしに埋め込み酸化膜を25nm作製後、水素イオン注入を行った。イオン注入はバッチ式イオン注入機を使用して2回に分割して行い、1回目の注入としてH,30keV,2.6e16cm-2,注入角度0度、ノッチオリエンテーション角度0度の注入を、2回目の注入としてH,30keV,2.6e16cm-2,注入角度0度,ノッチオリエンテーション角度90度で注入を行った。水素イオン注入後、ベースウェーハと貼り合せ、500°C30分の窒素雰囲気熱処理により、水素イオン注入層で剥離した。その後、図3に示すように、900°Cのパイロジェニック酸化処理後の降温時に850°Cまでパイロジェニックによる酸化処理を継続する降温酸化処理を行った熱酸化1。熱酸化後の酸化膜厚は250nmであった。鏡面研磨されたシリコン単結晶からなるPWモニターにより酸化膜厚分布を測定したところ降温酸化処理による面内の酸化膜厚RangeMax-Minは1.1nmで、中央部が厚く、外周で薄くなる同心円の分布であった。その後、Ar雰囲気での平坦化熱処理を行った後、従来の一定温度950°Cによる酸化を行った熱酸化2。酸化処理後の面内酸化膜厚Rangeは0.9nmであった。犠牲酸化膜除去後の10nmSOIの膜厚分布は、面内のSOI膜厚分布がRangeで0.7nmであり、良好な面内分布が得られた。実施例2実施例1と同様にイオン注入剥離を行った後、図3に示すように、従来の一定温度900°Cによる酸化を行った熱酸化1。熱酸化後の酸化膜厚は250nmであった。同心円分布は崩れており、面内酸化膜厚Rangeは0.4nmであった。その後、Ar雰囲気での平坦化熱処理を行った後、950°Cのパイロジェニック酸化処理後の降温時に900°Cまでパイロジェニックによる酸化処理を継続する降温酸化処理を行った熱酸化2。熱酸化後の酸化膜厚は440nmであった。PWモニターにより酸化膜厚分布を測定したところ降温酸化処理による面内酸化膜厚RangeMax-Minは1.4nmで、中央部が厚く、外周で薄くなる同心円の分布であった。犠牲酸化膜除去後の10nmSOIの膜厚分布は、面内のSOI膜厚分布がRangeで0.8nmであり、良好な面内分布が得られた。実施例3実施例1の熱酸化2を、実施例2の熱酸化2と同様の降温酸化とした以外は、実施例1と同一条件でSOI膜厚10nmの薄膜SOIウェーハを作製した。10nmSOIの膜厚分布は、Rangeで0.5nmであり、極めて良好な面内分布が得られた。比較例実施例1と同様にイオン注入剥離を行った後、図3に示すように、従来の一定温度900°Cによる酸化を行った熱酸化1。熱酸化後の酸化膜厚は250nmであった。同心円分布は崩れており、面内酸化膜厚Rangeは0.4nmであった。その後、Ar雰囲気での平坦化熱処理を行った後、従来の一定温度950°Cによる酸化を行った熱酸化2結果、面内酸化膜厚Rangeは0.9nmであった。犠牲酸化膜除去後の10nmSOIの膜厚分布は、比較例ではRangeが1.2nmであった。上記実施例1、2、比較例のイオン注入剥離条件、犠牲酸化処理条件、及び結果を表1に示す。また、図4に、実施例1、2における熱酸化後熱酸化1、熱酸化2のPWモニターの酸化膜厚分布を示す。尚、実施例1~3、比較例において、熱酸化は、ウェーハ回転機構を有する縦型熱処理炉を使用した。表1により、降温酸化を行った実施例1と実施例2では面内のSOI膜厚分布がRangeで目標とする1nmを下回り、実施例3では更に良好な面内分布が得られたのに対し、比較例では目標とする1nm以下のRangeが得られないことが判った。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。"