アクセス装置と通信可能であり、前記アクセス装置からの指示によりデータの書き込み及び読み出しを行う不揮発性記憶装置であって、データの書き込み及び読み出しが論理アドレスに対応する物理アドレスに基づいて行われ、多値書き込み可能な不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリの書き込み動作及び読み出し動作を制御するメモリコントローラとを備え、前記不揮発性メモリは、消去単位である複数のブロックを含み、前記複数のブロックの各々は、書き込み単位である複数のページを含み、前記メモリコントローラは、前記ブロックに格納されるデータの論理アドレスと物理アドレスとの対応情報を格納する論理/物理変換テーブルと、前記アクセス装置から受信した論理アドレスに基づいて前記論理/物理変換テーブルから物理アドレスを特定し、前記不揮発性メモリの前記ブロックに対するデータの書き込み及び読み出しを制御する制御部と、書き込み中の電源遮断に対してデータを保護する第1の書き込みモードと、前記第1の書き込みモードより高速にデータを書き込む第2の書き込みモードとのうち一方の書き込みモードを格納するための書き込みモードテーブルと、前記アクセス装置から受信した前記第1の書き込みモード又は前記第2の書き込みモードを前記書き込みモードテーブルに設定する設定部とを備え、前記制御部は、前記書き込みモードテーブルに設定された書き込みモードに基づいてデータの書き込みを行うことを特徴とする不揮発性記憶装置。前記制御部は、前記書き込みモードテーブルに前記第1の書き込みモードが設定されている場合、前記論理/物理変換テーブルから特定された物理アドレスへ2値モード書き込みを行った後、前記アクセス装置から指定された論理アドレスが対応する複数の書き込み済みのブロックのデータを、書き込みがされていない空きブロックに多値書き込みで複写し、前記書き込みモードテーブルに前記第2の書き込みモードが設定されている場合、前記論理/物理変換テーブルから特定された物理アドレスへ多値モード書き込みを行うことを特徴とする請求項1記載の不揮発性記憶装置。前記不揮発性メモリの前記ブロックは、前記アクセス装置が指定する論理アドレスに対応して前記ブロック内の全てのページにデータが書き込まれている書き込み完結ブロックと、前記アクセス装置が指定する論理アドレスに対応したデータが書き込まれる書き込み用ブロックと、データが消去された状態の空きブロックとを含み、前記制御部は、前記書き込みモードテーブルに前記第1の書き込みモードが設定されている場合、前記書き込み用ブロックへは常に前記2値モード書き込みでデータを書き込み、前記書き込み用ブロックの全てのページにデータが書き込まれたときに、論理アドレスが共通する前記書き込み完結ブロックのデータ及び前記書き込み用ブロックのデータを多値モード書き込みで前記空きブロックへ複写する集約処理を行うことを特徴とする請求項2記載の不揮発性記憶装置。前記制御部は、前記アクセス装置から新規書き込みモードを受信し、前記新規書き込みモードが前記書き込みモードテーブルに格納されている書き込みモードと異なる場合、前記書き込み完結ブロックのデータ及び前記書き込み用ブロックのデータを多値モード書き込みで前記空きブロックへ複写する集約処理を行うことを特徴とする請求項3記載の不揮発性記憶装置。前記論理/物理変換テーブルは、ブロック内の全てのページに書き込みが行われていないブロックである書き込み途中ブロックの物理アドレスと論理アドレスとの対応情報に付加して、前記書き込み途中ブロックに書き込み済のデータが2値モード書き込み又は多値モード書き込みのいずれの方式により書き込まれたかを示す情報を既存データ書き込み方式として記録する書き込み途中ブロック管理テーブルを含み、前記制御部は、前記アクセス装置から書き込みコマンドを受信したときに、前記書き込み途中ブロック管理テーブルにより決定される前記書き込み途中ブロックの既存データ書き込み方式が、前記書き込みモードテーブルの書き込みモードにより決定される書き込み方式と異なる場合、前記書き込み完結ブロックのデータ及び前記書き込み用ブロックのデータを多値モード書き込みで前記空きブロックへ複写する集約処理を行うことを特徴とする請求項3記載の不揮発性記憶装置。前記不揮発性メモリの前記ブロックは、前記アクセス装置が指定する論理アドレスに対応して前記ブロック内の全てのページにデータが書き込まれている書き込み完結ブロックと、前記アクセス装置が指定する論理アドレスに対応したデータが書き込まれる書き込み用ブロックと、データが消去された状態の空きブロックとを含み、前記制御部は、前記書き込みモードテーブルに前記第1の書き込みモードが設定されている場合、前記書き込み用ブロックにデータを書き込む前に当該データを他のブロックにバックアップし、バックアップ後に前記書き込み用ブロックにデータを書き込むことを特徴とする請求項1記載の不揮発性記憶装置。前記不揮発性メモリは、書き込みモードを変更できるモード変更可能領域と、書き込みモードを変更できないモード変更不可領域とを含み、前記制御部は、前記モード変更可能領域に対してのみ、前記書き込みモードテーブルに格納されている書き込みモードに応じてデータを書き込むことを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の不揮発性記憶装置。不揮発性記憶装置と通信可能であり、前記不揮発性記憶装置へのデータの書き込み及び前記不揮発性記憶装置からのデータの読み出しを行うアクセス装置であって、書き込み中の電源遮断に対してデータを保護する第1の書き込みモードと、前記第1の書き込みモードより高速にデータを書き込む第2の書き込みモードとのうち一方を不揮発性記憶装置へ指示することを特徴とするアクセス装置。請求項1~7のいずれか1項に記載の不揮発性記憶装置と、請求項8に記載のアクセス装置とを備えることを特徴とする不揮発性記憶システム。しかしながら、常に電源遮断時の対策を考慮したデータ書き込みを行うと、電源遮断時の対策を考慮したデータ書き込みにかかる処理時間は、電源遮断時の対策を考慮しないデータ書き込みにかかる処理時間に比べて、膨大となる。また、多値フラッシュメモリを用いた不揮発性記憶装置に、例えば、地図や辞書のようなコンテンツデータを予め生産工場内で書き込んで記録した後に製品として出荷するときには、電源遮断時の対策を考慮せずにデータを書き込むことにより、書き込み時間を短縮したい場合がある。本発明は、不揮発性記憶装置にデータの書き込みを行う場合に、電源遮断時の書き込みモードとは別に、高速なデータ書き込みを実現するための書き込みモードを持ち、コンテンツデータの書き込み時間を短縮することができる不揮発性記憶装置、アクセス装置及び不揮発性記憶システムを提供することを目的とする。本発明に係る不揮発性記憶装置は、アクセス装置と通信可能であり、前記アクセス装置からの指示によりデータの書き込み及び読み出しを行う不揮発性記憶装置であって、データの書き込み及び読み出しが論理アドレスに対応する物理アドレスに基づいて行われ、多値書き込み可能な不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリの書き込み動作及び読み出し動作を制御するメモリコントローラとを備え、前記不揮発性メモリは、消去単位である複数のブロックを含み、前記複数のブロックの各々は、書き込み単位である複数のページを含み、前記メモリコントローラは、前記ブロックに格納されるデータの論理アドレスと物理アドレスとの対応情報を格納する論理/物理変換テーブルと、前記アクセス装置から受信した論理アドレスに基づいて前記論理/物理変換テーブルから物理アドレスを特定し、前記不揮発性メモリの前記ブロックに対するデータの書き込み及び読み出しを制御する制御部と、書き込み中の電源遮断に対してデータを保護する第1の書き込みモードと、前記第1の書き込みモードより高速にデータを書き込む第2の書き込みモードとのうち一方の書き込みモードを格納するための書き込みモードテーブルと、前記アクセス装置から受信した前記第1の書き込みモード又は前記第2の書き込みモードを前記書き込みモードテーブルに設定する設定部とを備え、前記制御部は、前記書き込みモードテーブルに設定された書き込みモードに基づいてデータの書き込みを行う。この不揮発性記憶装置においては、書き込み中の電源遮断に対してデータを保護する第1の書き込みモードと、第1の書き込みモードより高速にデータを書き込む第2の書き込みモードとのうち一方の書き込みモードを格納するための書き込みモードテーブルに、アクセス装置から受信した第1の書き込みモード又は第2の書き込みモードを設定し、書き込みモードテーブルに設定された書き込みモードに基づいてデータの書き込みを行っているので、不揮発性記憶装置にデータの書き込みを行う場合に、電源遮断時の第1の書き込みモードとは別に、高速なデータ書き込みを実現するための第2の書き込みモードを用いて、コンテンツデータの書き込み時間を短縮することができる。前記制御部は、前記書き込みモードテーブルに前記第1の書き込みモードが設定されている場合、前記論理/物理変換テーブルから特定された物理アドレスへ2値モード書き込みを行った後、前記アクセス装置から指定された論理アドレスが対応する複数の書き込み済みのブロックのデータを、書き込みがされていない空きブロックに多値書き込みで複写し、前記書き込みモードテーブルに前記第2の書き込みモードが設定されている場合、前記論理/物理変換テーブルから特定された物理アドレスへ多値モード書き込みを行うことが好ましい。この場合、第1の書き込みモードが設定されているときに、2値モード書き込みを行った後、書き込みがされていない空きブロックに複数の書き込み済みのブロックのデータを多値書き込みで複写しているので、電源遮断によるデータの破壊を防止することができるとともに、第2の書き込みモードが設定されているときには、多値モード書き込みを行っているので、工場生産時などの異常な電源遮断の恐れが無い場合に、コンテンツデータの書き込み時間を短縮することができる。前記不揮発性メモリの前記ブロックは、前記アクセス装置が指定する論理アドレスに対応して前記ブロック内の全てのページにデータが書き込まれている書き込み完結ブロックと、前記アクセス装置が指定する論理アドレスに対応したデータが書き込まれる書き込み用ブロックと、データが消去された状態の空きブロックとを含み、前記制御部は、前記書き込みモードテーブルに前記第1の書き込みモードが設定されている場合、前記書き込み用ブロックへは常に前記2値モード書き込みでデータを書き込み、前記書き込み用ブロックの全てのページにデータが書き込まれたときに、論理アドレスが共通する前記書き込み完結ブロックのデータ及び前記書き込み用ブロックのデータを多値モード書き込みで前記空きブロックへ複写する集約処理を行うことが好ましい。この場合、第1の書き込みモードが設定されているときに、書き込み用ブロックに常に2値モード書き込みでデータを書き込み、書き込み用ブロックの全てのページにデータが書き込まれた後に、論理アドレスが共通する書き込み完結ブロックのデータ及び書き込み用ブロックのデータを多値モード書き込みで空きブロックへ複写しているので、多値モード書き込みによる集約処理中に電源遮断が発生した場合でも、電源再投入時に、集約処理により作成中の書き込み完結ブロックに書き込まれたデータを放棄し、集約処理前の書き込み完結ブロックのデータ及び書き込み用ブロックのデータを用いて再度集約処理を行うことができ、電源遮断によるデータの破壊を確実に防止することができる。前記制御部は、前記アクセス装置から新規書き込みモードを受信し、前記新規書き込みモードが前記書き込みモードテーブルに格納されている書き込みモードと異なる場合、前記書き込み完結ブロックのデータ及び前記書き込み用ブロックのデータを多値モード書き込みで前記空きブロックへ複写する集約処理を行うことが好ましい。この場合、新規書き込みモードを受信し、新規書き込みモードが書き込みモードテーブルに格納されている書き込みモードと異なるときに、書き込み完結ブロックのデータ及び書き込み用ブロックのデータを多値モード書き込みで空きブロックへ複写しているので、書き込み途中ブロックが2値モード書き込みで書き込まれている場合も、多値モード書き込みで書き込まれている場合も、上記の集約処理を実施することとなり、書き込みモードの変更中に電源が遮断された場合でも、電源再投入時に、集約処理により作成中の書き込み完結ブロックに書き込まれたデータを放棄することにより、書き込みモードの変更中の電源遮断によるデータの破壊を防止することができる。前記論理/物理変換テーブルは、ブロック内の全てのページに書き込みが行われていないブロックである書き込み途中ブロックの物理アドレスと論理アドレスとの対応情報に付加して、前記書き込み途中ブロックに書き込み済のデータが2値モード書き込み又は多値モード書き込みのいずれの方式により書き込まれたかを示す情報を既存データ書き込み方式として記録する書き込み途中ブロック管理テーブルを含み、前記制御部は、前記アクセス装置から書き込みコマンドを受信したときに、前記書き込み途中ブロック管理テーブルにより決定される前記書き込み途中ブロックの既存データ書き込み方式が、前記書き込みモードテーブルの書き込みモードにより決定される書き込み方式と異なる場合、前記書き込み完結ブロックのデータ及び前記書き込み用ブロックのデータを多値モード書き込みで前記空きブロックへ複写する集約処理を行うようにしてもよい。この場合、アクセス装置から書き込みコマンドを受信したときに、書き込み途中ブロック管理テーブルにより決定される書き込み途中ブロックの既存データ書き込み方式が、書き込みモードテーブルの書き込みモードにより決定される書き込み方式と異なる場合、書き込み完結ブロックのデータ及び書き込み用ブロックのデータを多値モード書き込みで空きブロックへ複写する集約処理を行っているので、書き込みモードを複数回変更する場合に、書き込みモードの変更に伴う複写回数を減少させることができ、書き込みモードの変更時間を短縮することができる。前記不揮発性メモリの前記ブロックは、前記アクセス装置が指定する論理アドレスに対応して前記ブロック内の全てのページにデータが書き込まれている書き込み完結ブロックと、前記アクセス装置が指定する論理アドレスに対応したデータが書き込まれる書き込み用ブロックと、データが消去された状態の空きブロックとを含み、前記制御部は、前記書き込みモードテーブルに前記第1の書き込みモードが設定されている場合、前記書き込み用ブロックにデータを書き込む前に当該データを他のブロックにバックアップし、バックアップ後に前記書き込み用ブロックにデータを書き込むことが好ましい。この場合、書き込みモードテーブルに第1の書き込みモードが設定されているときに、書き込み用ブロックにデータを書き込む前に当該データを他のブロックにバックアップし、バックアップ後に書き込み用ブロックにデータを書き込んでいるので、電源遮断により書き込み途中ブロックのデータが破壊された場合でも、バックアップされたデータを読み出すことにより、データの破壊を防止することができる。前記不揮発性メモリは、書き込みモードを変更できるモード変更可能領域と、書き込みモードを変更できないモード変更不可領域とを含み、前記制御部は、前記モード変更可能領域に対してのみ、書き込みモードテーブルに格納されている書き込みモードに応じてデータを書き込むことが好ましい。この場合、モード変更可能領域に対してのみ、書き込みモードテーブルに格納されている書き込みモードに応じてデータを書き込んでいるので、モード変更可能領域に対しては、上記の効果を奏することができるとともに、モード変更不可領域の書き込みモードを予め第1の書き込みモードに設定し、ファイルシステムデータ等の重要なデータをモード変更不可領域に書き込むことにより、電源遮断による重要なデータの破壊を確実に防止することができる。本発明に係るアクセス装置は、不揮発性記憶装置と通信可能であり、前記不揮発性記憶装置へのデータの書き込み及び前記不揮発性記憶装置からのデータの読み出しを行うアクセス装置であって、書き込み中の電源遮断に対してデータを保護する第1の書き込みモードと、前記第1の書き込みモードより高速にデータを書き込む第2の書き込みモードとのうち一方を不揮発性記憶装置へ指示する。このアクセス装置においては、書き込み中の電源遮断に対してデータを保護する第1の書き込みモードと、第1の書き込みモードより高速にデータを書き込む第2の書き込みモードとのうち一方を不揮発性記憶装置へ指示しているので、不揮発性記憶装置では、指示された書き込みモードに基づいてデータの書き込みを行うことができ、電源遮断時の第1の書き込みモードとは別に、高速なデータ書き込みを実現するための第2の書き込みモードを用いて、コンテンツデータの書き込み時間を短縮することができる。本発明に係る他の不揮発性記憶システムは、上記いずれかの不揮発性記憶装置と、上記アクセス装置とを備える。本発明によれば、不揮発性記憶装置にデータの書き込みを行う場合に、電源遮断時の第1の書き込みモードとは別に、高速なデータ書き込みを実現するための第2の書き込みモードを用いて、コンテンツデータの書き込み時間を短縮することができる。以下に、本発明の一実施の形態の不揮発性メモリシステムについて、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施の形態の不揮発性メモリシステムの構成を示すブロック図である。図1に示す不揮発性メモリシステムは、不揮発性記憶システムの一例であり、アクセス装置100と、不揮発性メモリ装置102とを有する。不揮発性メモリ装置102は、アクセス装置100と通信可能であり、アクセス装置100からの指示によりデータの書き込み及び読み出しを行う。不揮発性メモリ装置102は、例えば、半導体メモリカードであり、不揮発性記憶装置の一例である。アクセス装置100は、不揮発性メモリ装置102に対してデータの書き込み及び読み出しを行うホスト機器であり、例えば、デジタルカメラ、携帯電話、ビデオレコーダ、コンピュータ等が該当する。アクセス装置100は、アクセス装置100の各種制御を行う制御部図示省略、及び不揮発性メモリ装置102との間でコマンドやデータを送信する指令部101等を備える。指令部101は、制御部による制御の下、不揮発性メモリ装置102へ各種指令を送信し、例えば、データの書き込みを指示する書き込みコマンドや書き込みモードの変更を指示する書き込みモード変更コマンドを不揮発性メモリ装置102へ送信する。不揮発性メモリ装置102は、メモリコントローラ103と、不揮発性メモリ104とを有する。メモリコントローラ103は、アクセス装置100からのコマンドを受信して不揮発性メモリ104に対するデータの書き込み及び読み出しを制御する半導体回路である。不揮発性メモリ104は、電源無しにデータの保持が可能なフラッシュメモリである。メモリコントローラ103は、ホストインターフェース105と、論理/物理変換テーブル106と、空きブロック管理テーブル107と、書き込みモードテーブル108と、書き込みモード変更制御部109と、読み出し/書き込み制御部110を有する。ホストインターフェース105は、アクセス装置100との間でコマンドやデータをやりとりする。論理/物理変換テーブル106は、アクセス装置100が指定する論理アドレスを不揮発性メモリ104内の物理アドレスに変換するテーブルであり、不揮発性メモリ104の物理ブロックに格納されるデータの論理アドレスと物理アドレスとの対応情報を格納する。空きブロック管理テーブル107は、不揮発性メモリ104内の物理ブロックの使用状況を管理するテーブルである。書き込みモードテーブル108は、書き込み方式を決定するための情報を管理するテーブルであり、書き込み中の電源遮断に対してデータを保護する第1の書き込みモードの一例である耐電源断モードと、第1の書き込みモードより高速にデータを書き込む第2の書き込みモードの一例である高速モードとのうち一方の書き込みモードを格納する。書き込みモード変更制御部109は、アクセス装置100の指令部101から取得した書き込みモード変更コマンドによる書き込みモードの変更を制御し、アクセス装置100から受信した耐電源断モード又は高速モードを書き込みモードテーブル108に設定する。読み出し/書き込み制御部110は、不揮発性メモリ104に対するデータの書き込み及び読み出しを制御し、書き込みモードテーブル108に設定された書き込みモードに基づいてデータの書き込みを行う。なお、上記各ブロックは、図示を省略した配線により相互に接続され、種々のデータ及び信号等を相互に通信可能に構成されている。不揮発性メモリ104は、データの書き込み及び読み出しが論理アドレスに対応する物理アドレスに基づいて行われ、多値書き込み可能な不揮発性半導体メモリであり、消去単位である複数のブロックを含み、複数のブロックの各々は、書き込み単位である複数のページを含む。例えば、不揮発性メモリ104は、データの消去単位となる物理ブロックを複数有する多値NAND型フラッシュメモリである。具体的には、不揮発性メモリ104は、M個M>3、Mは整数の閾値電圧領域を持つ複数のメモリセルを有し、複数のメモリセルからデータの書き込み単位である物理ページが構成され、複数の物理ページからデータの消去単位である物理ブロックが構成される。不揮発性メモリ104では、M個の閾値電圧領域のうち2つの閾値電圧領域を用いてデータを書き込む2値モード書き込みと、M個の閾値電圧領域を用いてデータを書き込む多値モード書き込みのいずれかによってデータを書き込むことができる。また、不揮発性メモリ104は、管理データ格納領域111と、データ格納領域112とを有する。管理データ格納領域111は、アクセス装置100からアクセスできない領域であり、アドレス管理情報などが格納される。データ格納領域112は、アクセス装置100から論理アドレスを指定して書き込み及び読み出しが可能な領域であり、コンテンツデータやファイルシステムデータが格納される。図2は、不揮発性メモリ104の内部構造の一例を説明するための模式図である。不揮発性メモリ104は、例えば、PB0からPB1023までの1024個の物理ブロックで構成されている。物理ブロックは、不揮発性メモリ104の消去単位であり、例えば、一物理ブロックあたりの容量は512KBキロバイトである。図3は、1つの物理ブロックの内部構造の一例を説明するための模式図である。物理ブロックPBは、例えば、PP0からPP127までの128個の物理ページから構成されている。物理ページは、不揮発性メモリ104における書き込みの最小単位である。書き込みを行う際は、番号の小さい物理ページから順番に書き込む。一物理ページあたりの容量は、例えば、データ格納用の4KBと、管理情報格納用の128Bとを加算した値である。図4は、論理/物理変換テーブル106の構成の一例を示す図である。論理/物理変換とは、アクセス装置100が指定した論理アドレスから得られる論理ブロックLBの論理アドレスを、不揮発性メモリ104の物理ブロックPBの物理アドレスに変換する処理である。論理/物理変換テーブル106は、論理ブロックの論理アドレスを、変換する物理ブロックの物理アドレスに対応づけて記憶するテーブルである。読み出し/書き込み制御部110は、アクセス装置100から受信した書き込み先ページを指定する論理アドレスに対して、書き込み先ページを指定する論理アドレスを含む物理アドレスを論理/物理変換テーブル106から特定し、不揮発性メモリ104の書き込み動作及び読み出し動作を制御する。論理/物理変換テーブル106は、書き込み完結ブロック管理テーブル401と、書き込み途中ブロック管理テーブル402とで構成される。書き込み完結ブロック管理テーブル401は、物理ブロック内の全ての物理ページに書き込みが行われている物理ブロックである書き込み完結ブロックの物理アドレスを、論理ブロックの論理アドレスに対応づけて管理しているテーブルである。物理ブロックが割り当てられていない論理ブロックの論理アドレスに対しては、物理アドレスとして、未割り当てを示す値を設定する。書き込み途中ブロック管理テーブル402は、物理ブロック内の全ての物理ページに書き込みが行われていない物理ブロックである書き込み途中ブロックの物理アドレスを、論理ブロックの論理アドレスに対応づけて管理しているテーブルである。図4に示す例では、論理ブロックLB1論理アドレスLB1を有する論理ブロックは、2つの物理ブロックPB358、PB38物理アドレスPB358を有する物理ブロック及び物理アドレスPB38を有する物理ブロックに対応している。物理ブロックPB358は、書き込み完結ブロックとなっているが、物理ブロックPB38は、書き込み途中ブロックとなっていることを示している。これは、物理ブロックPB358のデータと同じ論理ブロックのデータが、物理ブロックPB38とに書き込まれていることを表している。このように、1つの論理ブロックには、1つの書き込み完結ブロックと、1つの書き込み途中ブロックとの、2つの物理ブロックを対応させることができる。書き込み途中ブロック管理テーブル402に物理アドレスが登録されている物理ブロックは、新しくデータを書き込むための書き込み用ブロックとして用いられ、例えば、最大3つの物理ブロックの物理アドレスが登録可能である。登録されている物理ブロックの物理アドレスの数が最大値未満の場合、使用しない領域の論理ブロックの論理アドレスとして、空きを示す値を設定し、物理アドレスとして、未割り当てを示す値を設定する。読み出し/書き込み制御部110は、新しくデータを書き込む際、既に書き込み途中ブロックとして、3組の論理ブロックの論理アドレスと物理ブロックの物理アドレスとが登録されている場合は、何れか一つの組に対して後述する多値モード集約を行い、書き込み完結ブロックとする。その後、読み出し/書き込み制御部110は、書き込み完結ブロック管理テーブル401に論理ブロックの論理アドレスと書き込み完結ブロックの物理アドレスとの組を登録し、書き込み途中ブロック管理テーブル402からは該組を削除する。そして、読み出し/書き込み制御部110は、削除により空いた領域に、新しく論理ブロックの論理アドレスと物理ブロックの物理アドレスとを登録する。図5は、空きブロック管理テーブル107の構成の一例を示す図である。空きブロック管理テーブル107は、各物理ブロックについて、書き込み完結ブロック又は書き込み途中ブロックとして使用されている使用中ブロックであるか、もしくは使用されていない空きブロックであるかを示すテーブルである。図中の物理ブロックの欄には、物理ブロックの物理アドレスPB0~PB1023が格納され、状態の欄に、使用中、又は、空きが格納され、使用中とは、書き込み完結ブロック又は書き込み途中ブロックとして使用されていることを示しており、空きとは、使用されていない空きブロックであることを示している。読み出し/書き込み制御部110は、書き込みを行う際は、空きブロック管理テーブル107を参照し、空きとなっている物理ブロックの物理アドレスを取得して、該物理ブロックへ書き込みを行う。図6は、書き込みモードテーブル108の構成の一例を示す図である。書き込みモードテーブル108には、書き込み方式を決めるための情報である書き込みモードが格納される。書き込みモードは、高速モードと、耐電源断モードとの二種類がある。高速は、データを短時間で書き込める多値モード書き込みを使用する高速モードを示し、耐電源断は、書き込み中の電源遮断に対してデータを保護する耐電源断モードを示し、耐電源断モードは、書き込み中の電源遮断時により破壊されるデータ量が少なくなる2値モード書き込みと、多値モード集約とを使用する。書き込みモードは、電源投入時に耐電源断モードに設定される。以後は、アクセス装置100の指令部101からの指示により変更できる。図7は、多値NAND型フラッシュメモリにおいて、第1セルページと第2セルページとに属する物理ページの一例を示す図である。不揮発性メモリ104として用いられる多値NAND型フラッシュメモリは、例えば、1つのメモリセルに2ビットの値を記録する。該2ビットは、2つの物理ページに割り当てられるため、2つの物理ページは、メモリセルを共有する。図7には、メモリセルを共有している物理ページの組が示されている。例えば、物理ページPP0と物理ページPP4とは、メモリセルを共有している。このため、物理ページPP0の先頭ビットと、物理ページPP4の先頭ビットとは、同じメモリセルに格納される。このように、メモリセルを共有する2つの物理ページのうち、番号が小さい方の物理ページが第1セルページであり、番号が大きい方の物理ページが第2セルページである。なお、図中のnは、不等式0≦n≦29を満たす整数である。次に、2種類の書き込み方式、すなわち、高速モードと、耐電源断モードとで処理されるデータ書き込み方法について説明する。まずは、耐電源断モードによるデータの書き込みについて説明する。[電源遮断により破壊されるデータ]書き込み中に不揮発性メモリ装置102の電源が遮断されると、書き込み中の物理ページとメモリセルを共有する物理ページのデータが破壊される。例えば、図7に示す例では、物理ページPP5への書き込み中に電源が遮断されると、メモリセルを共有する物理ページPP1のデータが破壊される。[2値モード書き込み]書き込み中に電源が遮断された場合にデータが破壊されることを防止するため、読み出し/書き込み制御部110は、2値モード書き込みを実施する。2値モード書き込みは、第1セルページに属する物理ページにのみ書き込みを行う方式であり、第2セルページに属する物理ページへの書き込みは行わない。このため、電源遮断により破壊される物理ページはない。しかしながら、2値モード書き込みでは、物理ブロック容量の半分のみの書き込みとなるので、第1セルページに属する物理ページへの書き込みを行った時点では、書き込み完結ブロックとすることができない。このため、耐電源断モードでは、読み出し/書き込み制御部110は、第1セルページに属する物理ページへの2値モード書き込みを実施した後、後述する多値モード集約を実施して書き込み完結ブロックを作成する。[多値モード集約]多値モード集約は、書き込み完結ブロックと、書き込み途中ブロックとからデータを読み出し、空きブロック内の全物理ページにコピーして書き込み完結ブロックを作成する処理である。読み出し/書き込み制御部110は、上記の多値モード集約を実施する。ここで、多値モード集約中に電源遮断が発生した場合は、電源再投入時に作成中の書き込み完結ブロックに書き込まれたデータを放棄して電源遮断によるデータ破壊を防止する。このように、2値モード書き込みと多値モード集約とを併用することにより、電源遮断によるデータ破壊を防止する書き込みが可能になる。なお、書き込み完結ブロックが存在しない論理ブロックの多値モード集約を実施する場合は、書き込み完結ブロックのデータをコピーする代わりに初期値全ビット1を書き込む。次に、高速モードによるデータの書き込みについて説明する。[多値モード書き込み]2値モード書き込みと、多値モード集約とは、電源遮断によるデータ破壊を防止できるため有用であるが、1ページ分のデータを書くために、複数回物理ページへの書き込みを行う必要がある。工場生産時など、電源遮断の恐れが無い場合は、1回の物理ページへの書き込みで1ページ分のデータを書き込める多値モード書き込みが有用である。このため、高速モードでは、読み出し/書き込み制御部110は、上記の多値モード書き込みを実施する。多値モード書き込みを実施する場合は、読み出し/書き込み制御部110は、物理ブロック内の全ての物理ページへ書き込みを行う。全ての物理ページに書き込みを実施した時点で、書き込み途中ブロックは、書き込み完結ブロックとなる。[データ書き込み処理の手順]図8は、アクセス装置100の指令部101が不揮発性メモリ装置102へ書き込みコマンド、書き込み論理アドレス、及び書き込みデータを送信した時の、不揮発性メモリ装置102の書き込み動作の一例を説明するためのフローチャートである。最初に、メモリコントローラ103のホストインターフェース105は、アクセス装置100の指令部101から書き込みコマンドを受信するとともに、アクセス装置100の指令部101が指定した書き込み論理アドレス及び書き込みデータを取得し、書き込み論理アドレス等を読み出し/書き込み制御部110へ通知するS801。次に、読み出し/書き込み制御部110は、書き込み論理アドレスを論理ブロック単位の論理アドレスに変換して書き込みを開始する論理ブロックの論理アドレスを取得し、その後、以下のようにして、論理/物理変換テーブル106等を参照して書き込みを実施する書き込み用物理ブロックを決定するS802。すなわち、読み出し/書き込み制御部110は、書き込みを開始する論理ブロックの論理アドレスが論理/物理変換テーブル106の書き込み途中ブロック管理テーブル402に登録されている場合は、該論理ブロックに対応する物理ブロックを書き込み用物理ブロックとして決定する。一方、書き込みを開始する論理ブロックの論理アドレスが書き込み途中ブロック管理テーブル402に登録されていない場合は、読み出し/書き込み制御部110は、空きブロック管理テーブル107を利用して空きブロックの物理アドレスを取得し、該空きブロックを消去する。続いて、読み出し/書き込み制御部110は、取得した物理ブロックの物理アドレスを書き込み途中ブロック管理テーブル402に登録し、該物理ブロックを書き込み用物理ブロックとして決定する。次に、読み出し/書き込み制御部110は、書き込みモードテーブル108を参照して、書き込みモードが高速モードに設定されているか否かを判定するS803。高速モードに設定されている場合YESの場合は、読み出し/書き込み制御部110は、多値モード書き込みによりデータを書き込み用物理ブロックに書き込むS804。書き込みモードが高速モードではなく、耐電源断モードに設定されている場合NOの場合は、読み出し/書き込み制御部110は、2値モード書き込みによりデータを書き込み用ブロックに書き込むS805。次に、読み出し/書き込み制御部110は、アクセス装置100から送信されたデータを全て書き込み終えたかどうか判定するS806。全て書き込み終えた場合YESの場合は、データの書き込みを終了する。全て書き込み終えていない場合NOの場合は、読み出し/書き込み制御部110は、書き込み用物理ブロックの全ての書き込み対象ページに書き込みが完了したか確認するS807。書き込み用物理ブロックの全ての書き込み対象ページに書き込みが完了していない場合NOの場合は、処理S803へ戻り、読み出し/書き込み制御部110は、未書き込みのデータの書き込みを行う。書き込み用物理ブロックの全ての書き込み対象ページに書き込みが完了した場合YESの場合は、読み出し/書き込み制御部110は、書き込みモードが耐電源断モードに設定されているか否かを判定するS808。書き込みモードが耐電源断モードに設定されている場合YESの場合は、読み出し/書き込み制御部110は、多値モード集約を実施するS809。具体的には、読み出し/書き込み制御部110は、書き込み用ブロックの全てのページにデータが書き込まれたときに、論理アドレスが共通する書き込み完結ブロックのデータ及び書き込み用ブロックのデータを多値モード書き込みで空きブロックへ複写する集約処理を行う。一方、書き込みモードが耐電源断モードではなく、高速モードに設定されている場合NOの場合は、次に説明する処理S810を実施する。その後、読み出し/書き込み制御部110は、作成された書き込み完結ブロックの物理アドレスを、論理/物理変換テーブル106の書き込み完結ブロック管理テーブル401に登録し、書き込み途中ブロック管理テーブル402から削除する。このとき、読み出し/書き込み制御部110は、書き込み完結ブロック管理テーブル401に登録されていた物理ブロックの物理アドレスに対する、空きブロック管理テーブル113上の状態を空きに変更し、新しく登録された物理ブロックの物理アドレスに対する、空きブロック管理テーブル107上の状態を使用中に変更する。そして、読み出し/書き込み制御部110は、変更した論理/物理変換テーブル106と空きブロック管理テーブル113とを不揮発性メモリ104の管理データ格納領域111へ書き込みS810、書き込み用物理ブロック決定処理S802へと戻る。以上の処理により、本実施の形態では、書き込みモードが高速モードに設定されている場合は、多値モード書き込みによりアクセス装置100が送信したデータを不揮発性メモリ104に高速に書き込むことができ、書き込みモードが耐電源断モードに設定されている場合は、2値モード書き込みと、多値モード集約とによりアクセス装置100が送信したデータを不揮発性メモリ104へ書き込むことができ、電源遮断によるデータ破壊を防止することができる。[書き込みモード変更手順]図9は、アクセス装置100の指令部101が不揮発性メモリ装置102へ書き込みモード変更コマンドと、新規書き込みモードとを送信した時の、不揮発性メモリ装置102の書き込みモード変更処理の一例を説明するためのフローチャートである。指令部101が不揮発性メモリ装置102へ書き込みモード変更コマンドと、当該コマンドにより変更すべき書き込みモードを表す新規書き込みモードとを送信すると、最初に、メモリコントローラ103のホストインターフェース105は、アクセス装置100の指令部101が指定した新規書き込みモードを取得し、書き込みモード変更制御部109へ通知する。S901。書き込みモード変更制御部109は、書き込みモードテーブル108から現在の書き込みモードを取得し、新規書き込みモードと比較して一致しているかどうか判定するS902。両者が一致した場合NOの場合は、モード変更の必要がないため、書き込みモード変更処理を終了する。不一致の場合YESの場合は、書き込みモードが変換されたことを示しているので、処理を進め、書き込みモード変更制御部109は、論理/物理変換テーブル106の書き込み途中ブロック管理テーブル402を参照し、書き込み途中ブロックが存在するかどうか確認するS903。書き込み途中ブロックが存在しない場合NOの場合は、書き込みモード変更制御部109は、書き込みモードテーブル108の書き込みモードを新規書き込みモードに更新しS904、書き込みモード変更処理を終了する。書き込み途中ブロックが存在する場合YESの場合は、書き込みモード変更制御部109は、判定結果を読み出し/書き込み制御部110に通知し、読み出し/書き込み制御部110は、登録されている書き込み途中ブロックの1つに対して多値モード集約を実施するS905。このとき、書き込み途中ブロックが2値モード書き込みで書き込まれている場合も、多値モード書き込みで書き込まれている場合も、読み出し/書き込み制御部110は、多値モード集約を実施する。従って、書き込みモード変更処理中に電源断が発生した場合は、電源再投入時に作成中の書き込み完結ブロックに書き込まれたデータを放棄することにより、書き込みモード変更処理中の電源遮断によるデータ破壊を防止できる。その後、読み出し/書き込み制御部110は、処理S810と同様の管理データ格納領域処理を実施しS906、処理S903へ戻る。以上の処理により、アクセス装置100が送信した新規書き込みモードを書き込みモードテーブル108に設定することができる。上記のように、本実施の形態によれば、不揮発性メモリ装置102は、書き込みモードテーブル108を備え、アクセス装置100から書き込みモードを変更することが可能になり、書き込みの状況に応じて、高速モードと耐電源断モードとに書き込み方法を切り替えることが可能になる。このように書き込み方法を切り替えることにより、例えば、工場生産時など電源遮断の恐れが無い場合は、高速モードで高速な書き込みが可能になり、データの書き込み時間を短縮できる。なお、本実施の形態について、上記のように説明したが、本発明は、本実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。例えば、以下のような場合も、本発明に含まれる。1本実施の形態の不揮発性メモリ104として、2ビットデータの記録が可能なメモリセルを用いたNAND型フラッシュメモリを使用したが、2ビットデータに限らず、より多ビット例えば、3ビッド、4ビットのデータ記録が可能なメモリセルを用いた不揮発性メモリであっても、上記と同様の効果を得ることができる。2本実施の形態では、2値モード書き込み及び多値モード書き込みのいずれを行うかを書き込みモードテーブル108に格納されている書き込みモード高速モード又は耐電源断モードにより判定しているが、データ格納領域112の全領域に対して該判定結果を適用する必要はなく、コンテンツデータの書き込み対象とならない領域については、書き込みモードテーブル108に格納されている書き込みモードに依らず、書き込みモードの選択を行ってもよい。例えば、データ格納領域112を、書き込みモードを変更できるモード変更可能領域と、書き込みモードを変更できないモード変更不可領域とに区分し、モード変更可能領域に対してのみ、書き込みモードテーブル108に格納されている書き込みモードに応じてデータを書き込むようにしてもよい。また、モード変更不可領域については、予め設定した書き込みモードでのみ書き込みを行い、外部から書き込みモードを変更できないようにすることが好ましい。例えば、モード変更不可領域の書き込みモードを予め耐電源断モードに設定し、ファイルシステムデータ等の重要なデータをモード変更不可領域に書き込むことにより、電源遮断による重要なデータの破壊を確実に防止することができる。3本実施の形態では、耐電源断モードのデータ書き込みは、2値モード書き込みと多値モード集約との2段階で書き込む例を示したが、電源遮断によりデータを破壊することを防止可能なデータ書き込み方式であれば、他の方式で書き込みを行ってもよい。例えば、書き込み途中ブロックの物理ページにデータを書き込む際、他の物理ブロックの物理ページに同じデータを書き込むことにより、データを2重化して保存する書き込み方式を採用してもよい。このとき、電源遮断により書き込み途中ブロックのデータが破壊された場合は、2重化された他方の物理ページからデータを読み出すことにより、電源遮断によるデータ破壊を防止することが可能である。また、書き込み途中ブロックの物理ページにデータを書き込む際、電源遮断により破壊されるデータを前もって読み出して他の物理ブロックの物理ページにバックアップし、バックアップ後に、書き込み途中ブロックの物理ページにデータを書き込む書き込み方式を採用してもよい。このとき、電源遮断により書き込み途中ブロックのデータが破壊された場合は、バックアップされたデータを読み出すことによりデータ破壊を防止することが可能である。上記のような書き込み方式を使用した場合であっても、上記と同様の効果を得ることができる。4本実施の形態では、アクセス装置100が不揮発性メモリ装置102へ書き込みモード変更コマンドを送信した時に、書き込み途中ブロックに対して多値モード集約を実施しているが、書き込みモード変更コマンドを送信した時ではなく、後続する書き込みコマンドを送信したときに、多値モード集約を実施しても良い。例えば、書き込み途中ブロック管理テーブル402に、物理アドレスと論理アドレスとの対応情報に付加して、さらに、書き込み途中ブロックに書き込み済のデータが2値モード書き込み又は多値モード書き込みのいずれの方式により書き込まれたかを示す情報を既存データ書き込み方式として記録しておく。このとき、読み出し/書き込み制御部110は、書き込みコマンド受信時に、書き込み途中ブロック管理テーブル402及び書き込みモードテーブル108を参照し、書き込み途中ブロック管理テーブル402により決定される該書き込み途中ブロックの既存データ書き込み方式と、書き込みモードテーブル108の書き込みモードにより決定される書き込み方式とが異なる場合は、書き込み完結ブロックのデータ及び書き込み途中ブロックのデータを多値モード書き込みで空きブロックへ複写する多値モード集約を行ってもよい。上記のように、書き込みコマンドを送信したときに多値モード集約を行う方式は、書き込みモードを複数回変更するケースにおいて、書き込みモード変更に伴う物理ページのコピー回数を減らして書き込みモード変更時間を短縮できるため有効である。