"反応チャンバ内に基材の少なくとも1つの表面を提供するステップと、前記反応チャンバ内に以下の式I、IIおよびIIIを有する前駆物質であって、式I、IIおよびIII中のR、R1およびR2が各々独立してアルキル基、アリール、アシル基またはそれらの組合せである前駆物質の群から選択される少なくとも1つを含むケイ素前駆物質を導入して誘電体膜を形成する形成ステップとを含む、基材の少なくとも1つの表面上に誘電体膜を形成するための方法。酸素源、窒素源またはそれらの組合せから選択される少なくとも1つの供給源が前記反応チャンバ内に導入される、請求項1に記載の方法。前記形成ステップが、循環化学気相成長、プラズマ化学気相成長または原子層成長から選択される少なくとも1つである、請求項1に記載の方法。前記ケイ素前駆物質がジ-tert-ブトキシシランを含む、請求項1に記載の方法。前記ケイ素前駆物質がジ-tert-ペントキシシランを含む、請求項1に記載の方法。前記酸素源が酸素を含む、請求項2に記載の方法。前記酸素源がオゾンを含む、請求項2に記載の方法。a.基材をALD反応器内に設置するステップと、b.該ALD反応器内に以下の式I、IIおよびIIIを有する前駆物質であって、式I、IIおよびIII中のR、R1およびR2が各々独立してアルキル基、アリール、アシル基またはそれらの組合せである前駆物質の群から選択される少なくとも1つを含むケイ素前駆物質を導入するステップと、c.前記ALD反応器を気体でパージするステップと、d.酸素源を前記ALD反応器内に導入するステップと、e.前記ALD反応器を気体でパージするステップと、f.所望の厚みの誘電体膜が得られるまでステップb~dを反復するステップとを含み、前記誘電体膜がXPSにより測定した場合に約30原子量以下の窒素を含む、原子層成長プロセスを介してケイ素および酸素を含む誘電体膜を形成する方法。窒素源が前記反応チャンバ内に導入される、請求項1に記載の方法。熱CVDプロセスを使用し、前記誘電体膜がXPSにより測定した場合に約30原子量以下の窒素を含む、請求項1に記載の方法。酸素源、窒素源またはそれらの組合せから選択される少なくとも1つの供給源が前記反応チャンバ内に導入される、請求項10に記載の方法。SiaObNcCdHeBfの組成を有し、式中、aが10~50原子、bが10~70原子、cが0~30原子、dが0~30原子、eが0~50原子、そしてfが0~30原子である、請求項1に記載の方法から生成された膜。tert-ブトキシシラン、イソプロポキシシラン、エトキシシラン、n-ブトキシシラン、イソブトキシシラン、メトキシラン、フェノキシシラン、ジ-tert-ブトキシシラン、ジイソ-プロポキシシラン、ジエトキシシラン、ジ-n-ブトキシシラン、ジイソブトキシシラン、ジメトキシシラン、ジフェノキシシラン、トリ-tert-ブトキシシラン、トリイソ-プロポキシシラン、トリエトキシシラン、トリ-n-ブトキシシラン、トリイソ-ブトキシシラン、トリメトキシシランまたはトリフェノキシシランを収納する高純度低デッドスペースバルブを有する入口および出口を備えた電解研磨されたステンレス鋼容器。光学デバイス、磁気情報記憶装置、支持用材料または基材上のコーティング、微小電気機械システムMEMS、ナノ電気機械システム、薄膜トランジスタTFTおよび液晶ディスプレイLCDからなる群から選択される、請求項1に記載の方法を用いて製造されたデバイス。本明細書中で記述されているのは、例えば、不均一性=最大-最小/2平均という標準的等式を用いて測定された場合に5以下の不均一性を示す均一性の高い誘電体膜を形成する方法である。本明細書中で記述されている方法を用いて製造される誘電体膜は、一般に主としてケイ素と酸素を含む。一部の実施形態において、この誘電体膜は、窒素、炭素、塩素およびハロゲン、そして水素などのその他のいかなる元素も実質的に含まない。本明細書で使用される実質的に含まないという用語は、XPSで測定した場合に2原子量以下の窒素しか含まない膜を意味する。その他の実施形態において、誘電体膜は、約2原子~約30原子の範囲内の量で窒素および/または炭素などのその他の元素を含み、プロセス条件またはプロセス内で用いられる添加剤に応じて、その他の元素を含んでいてよい。一部の実施形態において、本明細書中で記述されている方法は、プラズマを援用する必要なくかつ/または、低温例えば600°C以下で行なわれる。一変形実施形態において、本明細書中で記述されている方法は、低温例えば450°C以下の熱プロセスを用いて実施される。本明細書中で記述されている膜は誘電体膜であり、これは、これらの膜が典型的に、7以下または6以下または5以下の誘電定数を示すことを意味する。一部の実施形態では、生産された材料は同様に、ホウ素、アルミニウムおよび/または材料の好ましい特徴に寄与しうる他の元素などの元素も含んでいてよい。これらは、別個の添加剤の元素としてまたは主前駆物質の置換基としてプロセスに導入されてよい。誘電体膜またはコーティングを形成するために使用される方法は、堆積プロセスである。本明細書中で開示されている方法に適した堆積プロセスの例としては、循環CVDCCVD、MOCVD金属有機CVD、熱化学気相成長、プラズマ化学気相成長PECVD、高密度PECVD、光CVD、プラズマ-光CVDPPECVD、低温化学気相成長、化学物質気相成長、高温フィラメント化学気相成長、液体ポリマー前駆物質のCVD、超臨界流体からの堆積および低エネルギーCVDLECVDが含まれるが、これに限定されない。一部の実施形態において、金属含有膜は、プラズマALDPEALDまたはプラズマ循環CVDPECCVDプロセスを介して堆積される。本明細書中で使用される化学気相成長プロセスという用語は、基材が1つ以上の揮発性前駆物質に曝露され、この前駆物質が基材表面上で反応しかつ/または分解して所望の堆積を生成するあらゆるプロセスを意味する。本明細書で使用される原子層成長プロセスという用語は、さまざまな組成の基材上に一様な膜または材料を堆積させる、自己限定的な例えば各反応サイクル内で堆積される膜材料の量は恒常である逐次的界面化学を意味する。本明細書中で使用される前駆物質、試薬および供給源は、気体として記述される場合があるが、前駆物質は、直接的蒸発、バブリングまたは昇華を介して反応器内に不活性ガスを伴ってまたは伴わずに輸送される液体または固体のいずれかであり得るものと理解される。一部の場合においては、蒸発した前駆物質はプラズマ発生器内を通過できる。一実施形態において、誘電体膜は、ALDプロセスを用いて堆積される。別の実施形態において、誘電体膜は、CCVDプロセスを用いて堆積される。さらなる実施形態において、誘電体膜は、熱CVDプロセスを用いて堆積される。別の実施形態において、前駆物質は、最小限の反応しか発生させずに基材上に凝縮され、その後続いて後処理が行なわれて材料を固体にし、堆積が進行中の物品に対する接着を補助してよい。化学的前駆物質から膜を形成させるためのプロセス条件の使用方法は数多く存在するが、堆積した材料の最終的特性は化学的前駆物質またはこれらの前駆物質と組合せて使用される添加物の性質によってのみ定義できるということが認識される。一部の実施形態において、本明細書中で開示された方法は、反応器への導入の前および/またはその間に前駆物質を分離するALDまたはCCVD方法を使用することによって、前駆物質の前反応を回避している。これに関連して、誘電体膜を堆積させるために、ALDまたはCCVDプロセスなどの堆積技術が使用される。一実施形態において、膜は、ケイ素含有前駆物質、酸素源またはその他の前駆物質または試薬のうちの1つ以上のものに基材表面を交互に曝露することによってALDプロセスを介して堆積される。膜の成長は、表面反応、各前駆物質または試薬のパルス長、そして堆積温度の自己限定的制御によって進行する。ただし、基材の表面がひとたび飽和した時点で、膜の成長は停止する。一部の実施形態において、前駆物質は、未希釈neatで、または追加の反応物質または添加剤無しで導入されて、凝縮し、フィーチャを充填し、あるいは表面を平担化し、その後反応物質ステップが行なわれて前駆物質を反応させるかまたは固体を形成させる。一部の実施形態において、このプロセスは、酸化プロセス、触媒またはその他のエネルギー形態化学、熱、放射、プラズマ、光子または任意のその他のイオン化または非イオン化放射エネルギーを用いて、前駆物質および任意選択の添加物を修飾して固体材料を形成させる。実質的に窒素を含まずケイ素および酸素を含む誘電体膜を形成するためには、ケイ素含有前駆物質が窒素を含まないことが望ましい。同様に、一部の実施形態においては、膜を比較的低温例えば400°C以下で堆積させるのに充分な程度の反応性を前駆物質が有することも望ましい。前駆物質に望まれる反応性にも関わらず、前駆物質は、経時的に有意ないかなる程度であれ劣化または変化を示さない例えば一年に1未満の変化ほどの充分な安定性も同様に有していなければならない。さらに、これらのまたはその他の実施形態においては、プラズマの無い状態で堆積方法が実施されることが望ましい。理論に束縛されることなく、酸化に向かう置換されたシランの反応性は、ケイ素原子に結合されている水素原子の数に正比例するものと考えられている。本明細書中で開示されている方法では、以下の式I、IIおよびIIIを有する前駆物質であって、式I、IIおよびIII中のR、R1およびR2が各々独立してアルキル基、アリール、アシル基またはそれらの組合せである前駆物質の群から選択される少なくとも1つを含むケイ素前駆物質から選択されるケイ素含有前駆物質、任意選択で追加のケイ素含有前駆物質、任意選択で酸素源または試薬、そして任意選択で還元剤を用いて誘電体膜が形成される。堆積のための前駆物質材料の選択は、結果として得られる所望の誘電体材料または膜により左右される。例えば、前駆物質材料は、その化学元素含有量、その化学元素の化学量論比、および/またはCVDの下で形成される結果としての誘電体膜またはコーティングを理由として選択されてよい。前駆物質材料は、例えばコスト、安定性、非毒性、取扱い特性、室温で液相を維持する能力、揮発度、分子量またはそれらの組合せなどのさまざまなその他の特性を理由として選択されてもよい。本明細書で開示されている方法の1つの実施形態においては、以下の式I、IIおよびIIIを有する前駆物質であって、式I、IIおよびIII中のR、R1およびR2が各々独立してアルキル基、アリール、アシル基またはそれらの組合せである前駆物質の群から選択される少なくとも1つを含むケイ素前駆物質を用いて誘電体膜が形成される。式I~IIIにおいて、そして明細書全体を通して、アルキルという用語は、1~20個または1~12個または1~6個の炭素原子を有する直鎖、分岐または環状官能基を表している。例示的アルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、sec-ブチル、tert-ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル、テトラデシル、オクタデシル、イソペンチルおよびtert-ペンチルが含まれるが、これらに限定されない。式I~IIIにおいておよび本明細書全体を通して、アリールという用語は、6~12個の炭素原子を有する環状官能基を表わしている。例示的アリール基としては、フェニル、ベンジル、トリルおよびo-キシリルが含まれるが、これらに限定されない。一部の実施形態においては、アルキル基、アリール基および/またはアクリル基のうちの1つ以上が置換されていてもされていなくてもよく、あるいは1個以上の原子または原子群が水素原子の代わりに置換されていてもよい。例示的置換基としては、酸素、硫黄、ハロゲン原子例えばF、Cl、IまたはBr、窒素、ホウ素およびリンが含まれるが、これらに限定されない。一部の実施形態において、式I~IIIを有するケイ素含有前駆物質は、酸素原子を含む1つ以上の置換基を有していてよい。これらの実施形態では、堆積プロセス中の酸素源の必要性を回避しうる。その他の実施形態において、式I~IIIを有するケイ素含有前駆物質は、酸素原子を含む1つ以上の置換基を有し、かつ酸素源も使用している。一部の実施形態では、アルキル基、アリール基および/またはアシル基の1つ以上が飽和または不飽和であってよい。1つ以上のアルキル基またはアリール基が不飽和である実施形態において、それは1つ以上の2重または3重結合を含む。式Iを有するケイ素含有前駆物質の実施例としては、tert-ブトキシシラン、イソプロポキシシラン、エトキシシラン、n-ブトキシシラン、イソブトキシシラン、メトキシランまたはフェノキシシランが含まれる。式IIを有するケイ素含有前駆物質の例としては、ジ-tert-ブトキシシラン、ジイソ-プロポキシシラン、ジエトキシシラン、ジ-n-ブトキシシラン、ジイソブトキシシラン、ジメトキシシランまたはジフェノキシシランが含まれる。式IIIを有するケイ素含有前駆物質の例としてはトリ-tert-ブトキシシラン、トリイソ-プロポキシシラン、トリエトキシシラン、トリ-n-ブトキシシラン、トリイソ-ブトキシシラン、トリメトキシシランまたはトリフェノキシシランが含まれる。本明細書中で記述されている方法の一実施形態において、ケイ素含有前駆物質は以下の前駆物質のうちの少なくとも1つを含む:1つの特定の実施形態において、ケイ素含有前駆物質はジ-tert-ブトキシルシランを含む。一部の実施形態において、本明細書中で記述されている方法は、以上で説明した上記式I~IIIを有するケイ素含有前駆物質以外の1つ以上の追加のケイ素含有前駆物質をさらに含んでいる。追加のケイ素含有前駆物質の例としては、有機ケイ素化合物、例えばシロキサン類例えばヘキサメチルジシロキサンHMDSOおよびジメチルシロキサンDMSO;有機シラン類例えばメチルシラン;ジメチルシラン;ビニルトリメチルシラン;トリメチルシラン;テトラメチルシラン;エチルシラン;ジシリルメタン;2,4-ジシラペンタン;1,2-ジシラノエタン;2,5-ジシラヘキサン;2,2-ジシリルプロパン;1,3,5-トリシラシクロヘキサンおよびこれらの化合物のフッ素化誘導体;フェニル含有有機ケイ素化合物例えばジメチルフェニルシランおよびジフェニルメチルシラン;酸素含有有機ケイ素化合物、例えばジメチルジメトキシシラン;1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン;1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン;1,3,5,7-テトラシラ-4-オキソ-ヘプタン;2,4,6,8-テトラシラ-3,7-ジオキソ-ノナン;2,2-ジメチル-2,4,6,8-テトラシラ-3,7-ジオキソ-ノナン;オクタメチルシクロテトラシロキサン;[1,3,5,7,9]-ペンタメチルシクロペンタシロキサン;1,3,5,7-タトラシラ-2,6-ジオキソ-シクロオクタン;ヘキサメチルシクロトリシロキサン;1,3-ジメチルジシロキサン;1,3,5,7,9-ペンタメチルシクロペンタシロキサン;ヘキサメトキシジシロキサンおよびこれらの化合物のフッ素化誘導体;および窒素含有有機ケイ素化合物例えばヘキサメチルジシラザン;ジビニルテトラメチルジシラザン;ヘキサメチルシクロトリシラザン;ジメチルビスN-メチルアセタミドシラン;ジメチルビス-N-エチルアセタミドシラン;ビスtert-ブチルアミノシランBTBAS、ビスtert-ブチルアミノメチルシランBTBMS、ビスN-メチルアセタミドメチルビビルシラン;ビスN-ブチルアセタミドメチルビビルシラン;トリスN-フェニルアセタミドメチルシラン;トリスN-エチルアセタミドビニルシラン;テトラキスN-メチルアセタミドシラン;ビスジエチルアミノキシジフェニルシラン;トリスジエチルアミノキシメチルシラン;およびビストリメチルシリルカルボジイミドが含まれるが、これらに限定されない。一部の実施形態において、ケイ素含有前駆物質は、少なくとも1つのN-Hフラグメントおよび少なくとも1つのSi-Hフラグメントを有する含窒素有機ケイ素前駆物質を含む。N-HフラグメントおよびSi-Hフラグメントの両方を含む適切な前駆物質には、例えばビスtert-ブチルアミノシランBTBAS、トリスtert-ブチルアミノシラン、ビスイソ-プロピルアミノシラン、トリスイソ-プロピルアミノシランおよびそれらの混合物が含まれる。一実施形態においては、前駆物質は、式R5NHnSiR6mH4を有し、式中R5およびR6は同じかまたは異なるものであり、アルキル、ビニルアルキル、フェニル、環状アルキル、フロオロアルキルおよびシリルアルキルからなる群から独立して選択され、nは1~3の範囲内の数であり、mは0~2の範囲内の数であり、nmの合計は3以下の数である。別の実施形態では、ケイ素含有前駆物質はR72N-NHxSiR8yH4を有すヒドラジノシランを含み、式中R7およびR8は同じかまたは異なるものであり、アルキル、ビニル、アリル、フェニル、環状アルキル、フロオロアルキル、シリルアルキル類からなる群から独立して選択され、xは1~2の範囲内の数であり、yは0~2の範囲内の数であり、xyの合計は3以下の数である。適切なヒドラジノシラン前駆物質の実施例としてはビス1,1-ジメチルヒドラジノ-シラン、トリス1,1-ジメチルヒドラジノシラン、ビス1,1-ジメチルヒドラジノ-エチルシラン、ビス1,1-ジメチルヒドラジノイソプロピルシラン、ビス1,1-ジメチルヒドラジノビニルシランおよびそれらの混合物が含まれるが、これらに限定されない。一部の実施形態において、前駆物質または添加剤はさらにハロゲン化シラン類、ボラン類、ボラジン類、ホウ素塩類およびその修飾された態様が含まれる。堆積方法に応じて一部の実施形態においては、既定のモル体積つまり約0.1~約1000ミクロモルで反応器内に1つ以上のケイ素含有前駆物質を導入してよい。この実施形態またはその他の実施形態において、ケイ素含有前駆物質を既定の時限つまり約0.001~約500秒にわたりケイ素含有前駆物質を反応器内に導入してよい。先に言及した通り、本明細書中で記述されている方法を用いて堆積された誘電体膜の一部は、酸素源、酸素を含む試薬または前駆物質を用いて酸素の存在下で形成されてよい。酸素源は、少なくとも1つの酸素源の形で反応器内に導入されてよくかつ/または、堆積プロセスの中で使用されるその他の前駆物質内に偶発的に存在していてもよい。適切な酸素源ガスは、例えば水H2O例えば脱イオン水、精製水および/または蒸留水、酸素O2、酸素プラズマ、オゾンO3、NO、NO2、一酸化炭素CO、二酸化炭素CO2およびそれらの組合せを含んでいてよい。一部の実施形態においては、酸素源は、約1~約2000標準立方センチメートルsccmの範囲の流速で反応器内に導入される酸素源ガスを含み、この範囲は、反応プロセス、所望の材料、基材サイズ、堆積速度等々により左右される。酸素源は、前駆物質の前に、前駆物質と同時に、反復的循環式で前駆物質と逐次的に、または全ての前駆物質が導入された後で導入され得る。1つの特定の実施形態において、酸素源は水を含む。膜がALDまたは循環CVDプロセスにより堆積される実施形態において、前駆物質パルスは0.01秒超のパルス持続時間を有することができ酸素源は0.01秒超のパルス持続時間を有することができ、一方水は0.01秒超のパルス持続時間を有することができる。さらに別の実施形態において、パルス間のパージ持続時間は、0.01秒という低いものであり得、または間にパージ無く連続的にパルス送りされてよい。本明細書中で開示されている堆積方法には、1つ以上のパージガスが関与していてよい。未消費の反応物質および/または反応副産物をパージするために用いられるパージガスは、一部の実施形態において、前駆物質と反応しない不活性ガスである。例示的不活性ガスとしては、Ar、N2、He、Xe、ネオン、H2およびその混合物が含まれるが、これらに限定されない。一部の実施形態においては、Arなどのパージガスが、約0.1~1000秒の間約10~約2000sccmの範囲内の流速で反応器内に供給され、こうして未反応の材料および反応器内に残っている場合があるあらゆる副産物をパージする。一部の実施形態例えば誘電定数に窒素および/または炭素および/またはその他の種の元素がさらに含まれている実施形態において、反応器の中に窒素源などの追加の気体を導入してよい。添加剤の例としては、例えばNO、NO2、アンモニア、アンモニアプラズマ、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、炭化水素類、ヘテロ原子炭化水素類、ボラン類、ホウ素塩類、ボラジン類およびそれらの組合せが含まれてよい。本明細書中で記述されている方法の一部の実施形態において、反応器または堆積チャンバの温度は、周囲温度例えば25°Cから約700°Cまでの範囲内であってよい。ALDまたはCVD堆積のための例示的反応器温度は、25、50、75、100、125、150、175、200、225、250、275、300、325、350、375、400、425、450、475、500、525、550、575、600、625、650、675または700°Cのいずれか1つ以上を端点として有する範囲を含む。特定の反応器温度の例としては、25°C~375°Cまたは75°C~700°Cまたは325°C~675°Cが含まれるが、これらに限定されない。この実施形態またはその他の実施形態において、圧力は、約0.1Torr~約100Torr、または約0.1Torr~約5Torrの範囲内であってよい。1つの特定の実施形態において、誘電体膜は、100mTorr~600mTorrの範囲内の圧力で熱CVDプロセスを用いて堆積される。別の特定の実施形態において、誘電体膜は、1Torr未満の温度範囲でALDプロセスを用いて堆積される。本明細書中で記述されている方法の一部の実施形態において、反応器または堆積チャンバの基材の温度は、周囲温度例えば25°Cから約700°Cまでの範囲内であってよい。ALDまたはCVD堆積のための例示的基材温度は、25、50、75、100、125、150、175、200、225、250、275、300、325、350、375、400、425、450、475、500、525、550、575、600、625、650、675または700°Cのいずれか1つ以上を端点として有する範囲を含む。特定の基材温度の例としては、25°C~375°Cまたは75°C~700°Cまたは325°C~675°Cが含まれるが、これらに限定されない。一部の実施形態において、基材温度は、堆積中の反応器温度と同じ温度であるかまたはこれと同じ温度範囲内にあってよい。その他の実施形態において、基材温度は、堆積中の反応器温度と異なっている。前駆物質、酸素源、および/またはその他の前駆物質、供給源ガスおよび/または試薬を供給するそれぞれのステップは、結果として得られる誘電体膜の化学量論組成を変更するようにそれらの供給時間を変更することによって実施されてよい。前駆物質、酸素源、還元剤、その他の前駆物質またはそれらの組合せの少なくとも1つに対してエネルギーが適用されて反応を誘発し、誘電体膜またはコーティングを基材上に形成させる。このようなエネルギーは、熱、プラズマ、パルスプラズマ、ヘリコンプラズマ、高密度プラズマ、誘導結合プラズマ、X線、電子ビーム、光子および遠隔プラズマ方法により提供され得るが、これらに限定されない。一部の実施形態においては、二次的無線周波数源を用いて、基材表面におけるプラズマ特性を修正することができる。堆積にプラズマが関与する実施形態においては、プラズマ発生プロセスは、プラズマが直接反応器内で発生する直接プラズマ発生プロセス、または反応器の外側でプラズマが発生し反応器内に供給される遠隔プラズマ発生プロセスを含んでいてよい。ケイ素含有前駆物質および/またはその他の前駆物質は、さまざまな形でCVDまたはALD反応器などの反応チャンバに送出されてよい。一実施形態においては、液体送出システムが利用されてよい。一変形実施形態においては、液体送出およびフラッシュ蒸発プロセスの組合せ型ユニット、例えばShoreviewMNのMSPCorporationにより製造されるターボ蒸発器を利用して、揮発度の低い材料を容積的に送出できるようにし、前駆物質の熱分解のない再現性ある輸送および堆積を導いてもよい。液体送出調合物においては、本明細書中で記述されている前駆物質は、未希釈の液体形態で送出されてよく、あるいは前駆物質を含む溶媒調合物または組成物の形で利用されてもよい。こうして、一部の実施形態では、前駆物質調合物は、基材上に膜を形成するために所与の最終用途での応用において所望され有利であるような適切な性質を有する1つまたは複数の溶媒成分を含んでいてよい。本明細書中で記述されている方法の一実施形態においては、CCVD、ALDまたはPEALDなどの循環堆積プロセスを利用してよく、ここでは、式I~IIIを有する少なくとも1つのケイ素含有前駆物質およびその組合せ、そして任意選択でオゾン、酸素プラズマまたは水プラズマなどの酸素源が利用される。前駆物質キャニスタと反応チャンバを結ぶガスラインは、プロセス要件に応じて1つ以上の温度まで加熱され、コンテナの式I~IIIを有するケイ素含有前駆物質が、直接的液体注入のため1つ以上の温度に保たれた蒸発器内に注入される。アルゴンおよび/またはその他の気体流をキャリヤガスとして用いて、前駆物質のパルス送り中、反応チャンバに少なくとも1つのケイ素含有前駆物質の蒸気を送出する一助にしてもよい。一部の実施形態においては、反応チャンバプロセスの圧力は、約1Torr以下である。典型的なALDまたはCCVDプロセスでは、酸化ケイ素基材などの基材は、錯体が基材の表面上に化学的に吸着できるようにするため最初にケイ素含有前駆物質に曝露される反応チャンバ内の加熱器段の上で加熱される。アルゴンなどのパージガスが、未吸収の余剰の錯体をプロセスチャンバからパージする。充分なパージングの後、反応チャンバ内に酸素源を導入して吸収された表面と反応させ、その後もう一度気体パージしてチャンバから反応副産物を除去してよい。プロセスサイクルを反復して、所望の膜厚みを達成することができる。この実施形態またはその他の実施形態において、本明細書中で記述されている方法の各ステップは、さまざまな順序で実施してよく、逐次的または同時に例えば別のステップの少なくとも一部分の間およびこれらの何らかの組合せで実施してよいものと理解される。前駆物質および酸素源ガスを供給するそれぞれのステップは、結果として得られる誘電体膜の化学量論組成を変更するようにそれらの供給時間の長さを変動させることによって実施してよい。本明細書中で開示されている方法の別の実施形態において、誘電体膜は、a.以下の式I、IIおよびIIIを有する前駆物質であって、式I、IIおよびIII中のR、R1およびR2が各々独立してアルキル基、アリール、アシル基またはそれらの組合せである前駆物質の群から選択される少なくとも1つを含むケイ素前駆物質および任意選択で酸素源、窒素源またはそれらの組合せを導入して少なくとも1つのケイ素前駆物質を基材上に化学吸着させるステップと、b.未反応の少なくとも1つのケイ素含有前駆物質をパージガスを用いてパージするステップと、c.任意選択で酸素源を加熱した基材上に導入し、吸着した少なくとも1つのケイ素含有前駆物質と反応させるステップと、d.任意選択で未反応の酸素源をパージするステップとを含むALD堆積方法を用いて形成される。上述の複数のステップは、本明細書中で記述されている方法のための1つのサイクルを定義しており、このサイクルは、誘電体膜の所望の厚みが得られるまで反復できる。この実施形態またはその他の実施形態において、本明細書中で記述されている方法の各ステップは、さまざまな順序で実施してよく、逐次的または同時に例えば別のステップの少なくとも一部分の間およびこれらの何らかの組合せで実施してよいものと理解される。1つまたは複数の前駆物質および任意選択で酸素源を供給するそれぞれのステップは、結果として得られる誘電体膜の化学量論組成を変更するようにそれらの供給時間の長さを変動させることによって実施してよい。多成分誘電体膜については、その他の前駆物質、例えばケイ素含有前駆物質、窒素含有前駆物質、還元剤またはその他の試薬を、ステップaにおいて反応器チャンバ内に交互に導入することができる。この実施形態においては、反応器温度は、周囲温度から600°Cまでの範囲にあってよい。この実施形態またはその他の実施形態におい、反応器の圧力は1Torr以下に維持されてよい。本明細書中で記述されている方法のさらなる実施形態においては、誘電体膜は、熱CVDプロセスを用いて堆積される。この実施形態において、この方法は、周囲温度から約700°Cまたは400~700°Cの温度に加熱された反応器内に1つ以上の基材を設置するステップと、以下の式I、IIおよびIIIを有する前駆物質であって、式I、IIおよびIII中のR、R1およびR2が各々独立してアルキル基、アリール、アシル基またはそれらの組合せである前駆物質の群から選択される少なくとも1つを含むケイ素前駆物質および任意選択で酸素源、窒素源またはそれらの組合せから選択される供給源を前記反応器内に導入して誘電体膜を前記1つ以上の基材上に堆積させるステップとを含み、前記反応器は導入ステップの間100mTorr~600mTorrの圧力に維持される。一部の実施形態において、CVD反応器の圧力は、約0.01T~約1Tの範囲内にあり得る。例えばO2などの反応ガスの流速は、5sccm~200sccmの範囲であり得る。1つ以上のケイ素含有前駆物質蒸気の流速は、5sccm~200sccmの範囲内にあり得る。堆積温度は、反応器壁温度と同じである。それは、周囲温度~約700°Cまたは約400°C~約700°Cの範囲内にあり得る。堆積時間は、所望の厚みをもつ膜を生成するようにプロセスについて予め設定されている。堆積速度は、堆積温度、O2の流速、キャリヤガスHeの流速、ケイ素含有前駆物質の液体質量流、蒸発器の温度および/または反応器の圧力を含めたただしこれらに限定されない1つ以上の加工パラメータによって左右されてよい。蒸発器の温度は20°C~150°Cの範囲内であり得る。材料の堆積速度は、毎分0.1nm~1000nmの範囲内であり得る。この速度は、例えば堆積温度、蒸発器温度、LFCの流量、反応性添加剤の流速および/またはCVD反応器における圧力などの非限定的なパラメータのいずれか1つを変動させることによって制御可能である。さらに別の実施形態において、この方法は、循環CVDプロセスを用いて実施可能である。この実施形態では、循環CVDプロセスのために同じALD反応器を使用することができる。以上で記述したALD方法と比べた、均一で窒素を含まない膜を堆積させるための循環CVDプロセスが有する差異の1つは、ケイ素前駆物質および酸素前駆物質の用量がALDに用いられる用量よりも大きいものであり得、したがって堆積速度がALDよりもはるかに高いものであり得る、という点にある。堆積温度は、およそ周囲温度から約700°Cまでまたは400°C~約700°Cまでの範囲であってよい。一部の実施形態においては、結果として得られた誘電体膜またはコーティングを、プラズマ処理、化学処理、紫外線曝露、電子ビーム曝露および/またはその他の処理に曝露して、膜の1つ以上の特性に影響を及ぼすことができる。本明細書中で記述されている誘電体膜は、7以下の誘電定数を有する。好ましくは、膜は、約6以下、または約5以下、または約4以下の誘電定数を有する。以上で言及した通り、本明細書中で記述されている方法を使用して基材の少なくとも一部分の上に誘電体膜を堆積してもよい。適切な基材の例としては、ケイ素、SiO2、Si3N4、有機シリカガラスOSG、フッ素化シリカガラスFSG、炭化ケイ素、水素化炭化ケイ素、窒化ケイ素、水素化窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、水素化炭窒化ケイ素、ホウ窒化物、反射防止コーティング、フォトレジスト、有機ポリマー、多孔質有機および無機材料、銅およびアルミニウムなどの金属、および拡散障壁層例えばTiN、TiCN、TaN、TaCN、Ta、WまたはWNただしこれらに限定されないが含まれるが、これらに限定されない。膜は、さまざまな後続する加工ステップ例えば化学機械平担化CMPおよび異方性エッチングプロセスと相容性をもつ。基材は均一であってもパターン化されていてもよく、平滑であってもフィーチャを有していてもよく、平面的であってもなくてもよい。堆積された誘電体膜には、コンピュータチップ、光学素子、磁気情報記憶装置、支持用材料または基材上のコーティング、微小電気機械システムMEMS、ナノ電気機械システム、薄膜トランジスタTFT、および液晶ディスプレイLCDを含めたただしこれらに限定されない利用分野がある。以下の実施例は、本明細書中で記述されている誘電体膜を調製するための方法を例示するものであり、いかなる形であれそれを限定するように意図されたものではない。以下の実施例においては、別段の記述のないかぎり、特性は、抵抗率が中程度8~12Ωcmの単晶シリコンウェハー基材上に堆積された試料膜から得たものである。当該研究において、CVD堆積は、低圧化学気相成長LPCVD水平炉またはATVPEO612炉を用いて実施された。前駆物質は、前駆物質材料のための蒸気圧力に基づいて調整されたライン温度および蒸気引抜きを用いて炉に送出された。この研究のために使用した原子層成長のツールは、加熱した前駆物質の送出のための環境的オーブンが取付けられたRD設計の水平管形炉である。システムは、室温から700°Cまで堆積を実施することができる。全てのプラズマベースの堆積は、TEOSプロセスキットを用い、AdvancedEnergy2000無線周波数RF発生器の付いた200mmのDXZチャンバ内でAppliedMaterialsPrecision5000システム上で実施された。以下の実施例において、誘電体膜の厚みおよび光学的特性、例えば屈折率は、例えばFilmTek2000SEエリプソメータ上など、標準的反射率測定法または偏光解析法測定システムを用いて、および周知のデータフィッティング技術を用いて実施された。膜の化学組成の特徴づけは、マルチチャンネルプレート検出器MCDおよびAl単色X線源が装備されたPhysicalElectronics5000VersaProbeXPSSpectrometerを用いて達成される。XPSデータはAlKαX線励起25mAおよび15kVを用いて収集される。低解像度探索スペクトルは、117eVの通過エネルギー、50ミリセカンドのドウエル時間そして1.0eV/ステップで収集される。高解像度領域スペクトルは、23.5eVの通過エネルギー、50msecのドウエル時間、0.1eV/ステップで収集される。分析領域は、45°の取り出し角で100μmである。定量的元素分析は、高解像度領域スペクトルからのピーク面積を測定し、伝達関数修正された原子感度因子を適用することによって、決定された。データ収集にはPHISummitソフトウェアが使用され、データ分析にはCasaXPSソフトウェアが使用される。エッチング速度は、203nmのSiO2/Siに対して較正され、およそ120Å/分である。エッチング試験は、緩衝酸化物エッチングBOEを形成するため、水中の40NH4F6部分と水中49HF水溶液1部分の体積比を有する6:1の緩衝酸化物エッチング溶液中で実施される。例示的誘電体膜を30秒間HF溶液中に入れ、その後脱イオンDI水中で洗い流し、乾燥させてから、エッチング中の材料損失を再度測定する。膜が完全にエッチングされるまで、プロセスを反復する。その後、エッチング時間対エッチング済み厚みの勾配からエッチング速度を計算する。膜を、比較用酸化ケイ素膜と共に、エッチング前後の膜表面を横断する3つの異なる点におけるそれらの厚みについて測定する。DTGSKBR検出器およびKBrビームスプリッタが備わったThermoNicoletNexus470システムまたはそれに類するシステムを用いて、ウェハー上でフーリエ変換赤外分光法FTIRデータを収集した。類似した媒体抵抗率のウェハー上で背景スペクトルを収集して、スペクトルからCO2と水を削除した。典型的に、4cm1の解像度での32回の走査を収集することにより、4000~400cm1の範囲内でデータを得た。全ての膜を一般に基準線補正し、500nmの膜厚みに強度を正規化し、対象のピーク面積および高さを決定した。各試料膜の誘電定数は、ASTM規格D150-98にしたがって決定された。例えばMDC802B150MercuryProbeを用いて測定したC-V曲線から、誘電定数kを計算する。これは、試料を保持し測定すべき膜上に電気接点を形成するプローブステージ、Keithley236ソースメータおよびC-V測定用のHP4284ALCR計で構成されている。比較的低い電気抵抗率0.02ohm-cm未満のシート抵抗を有するSiウェハーが、C-V測定用の膜を堆積するために使用される。膜に対する電気接点を形成させるために、前記接点モードが使用される。液体金属水銀がタンクからウェハーの表面まで薄い管を通して押し出され、2つの導電性ある接点を形成する。接点面積は、水銀を押出した管の直径に基づいて計算される。このとき、誘電定数は、k=キャパシタンス×接点面積/膜厚という公式から計算される。実施例1:ジ-tert-ブトキシシランDTBOSを用いた化学気相成長による酸化ケイ素膜の堆積前駆物質DTBOSおよび酸素源としての酸素を用いて、例示的酸化ケイ素膜を堆積した。各膜についての堆積条件は表1に提供されている。各膜の特性は、表2に提供されている。炭素および窒素などの元素を含まない高均一性、高純度膜である実施例1に由来する例示的膜の1つの典型的XPSが、図1に示され、異なる元素の組成も表3に列挙されている。表1および表3の両方からわかるように、炭素または窒素のいずれも膜中に検出されていない。実施例2:膜の厚み均一性本明細書中で記述されている方法および組成を用いて形成された窒素を含まない二酸化ケイ素膜は、エリプソメータを用いてその厚みが測定されている。現在利用可能な方法を用いて堆積された窒素二酸化ケイ素膜の低い均一性とは対照的に、本発明で記述している方法を用いて堆積された膜は、基材またはウェーハ内部で膜均一性の大幅な改善を示す。前記発明を用いた膜と既存の方法を用いた膜の間の膜厚均一性の比較が、図2に提供されており、図中、X軸はウェハー基材における測定位置を表わし、y軸は膜の平均厚みからの各点における厚みの偏差を表わす。図2から、本明細書中で記述されている方法を用いて堆積された膜が、その他の膜に比べてウェハー基材全体にわたってはるかに均一性が高いことがわかる。薄膜の厚み均一性に関して一般に使用される公式、すなわち均一性=最大厚み-最小厚み/2平均100本明細書中で記述されている方法を用いて形成された膜の厚み均一性は、表4で提供されている。表4の結果は、本明細書中で記述されている方法からの膜均一性が、既存の方法前駆物質を用いて形成された膜よりも10倍超優れていることを示している。実施例3:Kおよび誘電定数本明細書中で記述されている方法を用いて形成された酸化ケイ素膜の誘電定数は、図3に示されたC-Vプロットから導出される。膜の公知の厚みおよび使用された水銀プローブの接触面積について、膜の誘電定数は4.47であることが分かる。実施例4:異なるプロセス条件の下でのジ-tert-ブトキシシラン前駆物質およびテトラエチルオキシシランを用いたプラズマCVDにより堆積された膜の比較以下の実施例においては、別段の記述のないかぎり、抵抗率が中程度8~12Ωcmの単結晶シリコンウェハー基材上に堆積された試料膜から特性を得た。堆積温度は200、300および400°Cであった。表5は、前駆物質つまりジ-tert-ブトキシシランDTBOSおよび比較用前駆物質テトラエチルオキシシランTEOSを比較するのに使用された3つの異なる加工条件のまとめを提供している。3つの異なる加工条件には、BL-1、BL-2およびBL-3と標識されている。表6は、BL1条件についてのTEOSとDTBOSのK値、堆積速度およびウェットエッチング速度の比較を提供する。DTBOSの堆積速度は、同じ前駆物質体積流量についてTEOSよりも高い。このことは、DTBOSがPECVD堆積に関してTEOSよりも効率が良い場合があることを示している。さらに、DTBOS堆積膜のWERは、TEOS堆積膜のものと等しいかまたはそれ以上である。このことは、DTBOS前駆物質を用いて堆積されたSiO2膜の密度が、同等かまたは優れていることを暗示している。表7は、BL2加工条件を用いたTEOS堆積膜およびDTBOS堆積膜のK値、堆積速度およびウェットエッチング速度の比較を提供する。DTBOSの堆積速度は、同じ前駆物質体積流量についてTEOSよりも高い。このことは、PECVD堆積に関してDTBOS前駆物質の効率の方が高いことを証明している。しかしながら、WERは、TEOR膜のものと等しいかまたはそれ以上である。このことは、DTBOSから形成されたSiO2膜の密度が同等かまたは優れていることを暗示している。表8は、BL3加工条件についてのTEOSとDTBOSのK値、堆積速度およびウェットエッチング速度の比較を提供する。DTBOSの堆積速度は、同じ前駆物質体積流量についてTEOSと同等である。しかしながら、WERは、TEOS膜の場合よりも明らかに優れている。このことは、DTBOSから形成されたSiO2膜の密度が低いことを暗示している。同様に、DTBSについてのK値はより低いものであり、水分吸収が少ないことを暗示している。図4は、表3で記述されている基準線条件および堆積温度の全て例えばBL-1、BL-2、およびBL-3、ならびに200°、300°および400°Cを用いて堆積された膜のWERの比較を示す。DTBOS膜は、同じKについてWERが低く、酸化物膜の密度がより高く、品質もより高いものであることを暗示している。したがって、DTBOSは、PECVDの堆積について比較的低い温度でTEOSよりも優れた品質の膜を生産することができる。下記の表9は、以上の表5の中で定義されたプロセス条件BL1、BL2およびBL3の下で異なる温度でのTEOSとDTBOSの絶縁破壊電圧Vbdの比較を提供している。一般に、絶縁破壊電圧は8~12MV/cmであり、2つの前駆物質の間で同程度である。図5、6および7は、200°Cおよび300°Cの堆積でのTEOS堆積膜対DTBOS堆積膜についての漏洩電流と電場の関係を表わすプロットを示している。図5は、BL1条件についての200°Cおよび300°Cの堆積でのTEOS対DTBOSについての漏洩電流と電場の関係を示すプロットを提供している。DTBOSは、BL1の場合、TEOSに比べて200°Cで高いKおよびWERを有することから、膜の漏洩に対する影響も見られる。しかしながら、これは、DTBOSがTEOSよりも低い漏洩性能を示す唯一の条件である。300°Cのデータおよび図6および7に見られるように、DTBOSのSiO2の漏洩は一般に、TEOSのSiO2漏洩よりも優れている。図6は、BL2条件についての200°Cおよび300°Cの堆積でのTEOS対DTBOSについての漏洩電流と電場の関係を示すプロットを提供している。DTBOSは、より高いD/Rを有するにせよ、DTBOSSiO2膜の漏洩はTEOSのものよりも低く、優れた電気的品質が実証され、WERデータが裏づけられている。図7は、BL3条件についての200°Cおよび300°Cの堆積でのTEOS対DTBOSについての漏洩電流と電場の関係を示すプロットを提供している。BL3全体で、漏洩は、TEOSよりもDTBOSにおいて低い。図8には、ビスtert-ブチルアミノシランaka.BTBASと比べたDTBOSのダイナミック二次イオン質量分析データD-SIMSが提供されている。BTBASについてのXPSデータから、CVDプロセスが典型的に約10原子のC水素を除くを提供することが公知である。これは、DTBOS膜中の炭素レベルが検出不能である表3に匹敵する。D-SIMSデータは、およそ2ケタ低い炭素含有量を示し、BTBASXPSデータに対する比較から推論されるこれらの膜中の実際の炭素レベルが0.1原子未満であり得ることを示唆している。DTBOSからのALD堆積データは、表10中に提供されている。これらの膜についての適切な屈折率によって、酸化ケイ素の堆積が実証されている。本発明は同様に、tert-ブトキシシラン、イソプロポキシシラン、エトキシシラン、n-ブトキシシラン、イソブトキシシラン、メトキシラン、フェノキシシラン、ジ-tert-ブトキシシラン、ジイソ-プロポキシシラン、ジエトキシシラン、ジ-n-ブトキシシラン、ジイソブトキシシラン、ジメトキシシラン、ジフェノキシシラン、トリ-tert-ブトキシシラン、トリイソ-プロポキシシラン、トリエトキシシラン、トリ-n-ブトキシシラン、トリイソ-ブトキシシラン、トリメトキシシランまたはトリフェノキシシランを収納する、高純度低デッドスペースバルブを有する入口および出口を備えた電解研磨されたステンレス鋼容器を含む、以上で記述した通りの、反応物質を伴うパッケージも含んでいる。本発明の反応物質および方法は、光学デバイス、磁気情報記憶装置、支持用材料または基材上のコーティング、微小電気機械システムMEMS、ナノ電気機械システム、薄膜トランジスタTFT、および液晶ディスプレイLCDを製造するために使用可能である。"