発光層と、前記発光層の片側の面に接したn型層と、前記発光層の前記n型層が接する面と反対側の面に接したp型層と、前記n型層と電気的に接触したn型電極と、前記p型層と電気的に接触したp型電極とを有する発光ダイオードであって、前記p型電極がAgを主成分とし、前記発光層の発光波長が320±5nmであり、前記p型電極側から発光を取り出す深紫外発光ダイオード。前記p型電極の膜厚が08nm以上16nm以下である請求項1に記載の深紫外発光ダイオード。前記発光層が窒化物半導体層である請求項1または2に記載の深紫外発光ダイオード。前記窒化物半導体層が、In、Al、Gaを含有する請求項3に記載の深紫外発光ダイオード。前記発光層が酸化物半導体層である請求項1または2に記載の深紫外発光ダイオード。前記酸化物半導体層がMg、Znを含有する請求項5に記載の深紫外発光ダイオード。前記発光層が量子井戸構造を有する請求項1乃至6に記載の深紫外発光ダイオード。しかしながら、前記従来の構成では、FlipChip実装工程により実装信頼性が低下する、さらには、工程が増えることにより、コスト高となる課題を有していた。本発明は、前記従来の課題を解決するものであって、FlipChip実装が不要となり、かつ、TopEmitting構造の深紫外ダイオードを提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明の深紫外発光ダイオードは、発光層と、前記発光層の片側の面に接したn型層と、前記発光層の前記n型層が接する面と反対側の面に接したp型層と、前記n型層と電気的に接触したn型電極と、前記p型層と電気的に接触したp型電極を有する発光ダイオードであって、前記p型電極がAgを主成分し、前記発光層の発光波長が320±5nmであり、前記p型電極側から発光を取り出す構成とする。本発明によれば、FlipChip実装が不要となり、かつTopEmitting構造の深紫外ダイオードを提供できる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。実施の形態1図1は、本発明の実施の形態1における深紫外LEDの構成を示すための概略断面図である。図1において、図3と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。発光層材料としては、特許文献1と同様のInAlGaNを使用する。その場合、In、Al、Gaの組成比と成膜温度に代表される成膜条件を調整して、発光波長を320±5nmに調整する。また、InAlGaN以外にも、AlGaN、MgZnOなどが利用できる。AlGaNを用いた場合は、Al、Ga組成比の成膜条件を調整して、発光波長を320±5nmに調整する。また、MgZnOを用いた場合は、Mg、Zn組成比の成膜条件を調整して、発光波長を320±5nmに調整する。発光層材料としては、キャリア閉じ込め効果により効率が顕著に改善する多層量子井戸構造のものを用いることがさらに好ましい。図1において、7はAg電極であり、膜厚は6nmである。ここで石英上にAg電極7のみを成膜し、直線透過率の波長依存性を測定した。測定結果を図2に示す。当図において、波長320nm近傍で特異的に透過率が上昇し、90を超えていることが分かる。通常のITOの近紫外可視領域における透過率はやはり90程度であることから、320nm近傍の深紫外LEDにおいては、Ag電極は透明電極と同等の透過率を有する。したがって、図1に示すTopEmitting型により、発光波長が320nmのLEDを構成することができる。なお、Ag電極7の膜厚は、横方向の抵抗と透過率を考慮し、適宜調整する必要があるが、図2の測定結果とAgの抵抗率163×106Ωcmを考慮すると、シート抵抗200Ω/□と透過率80を確保するには、08nm以上16nm以下が好適である。また従来例のように、p型層5とp型電極7の間に、p型キャップ層6を設けてもよい。また、p型電極7をAg電極単層とすることも可能であるが、オーム性接触を重視し、極薄く例えば1nmNi層を介在させ、NiAg積層構造とすることもできる。また、Agを主成分とするAg合金とすることも可能である。ただし、この場合、副成分の金属により透過率のピークが320nmからずれることが容易に類推されるため、発光波長を適宜調整する必要がある。本実施の形態の深紫外LEDでは、発光波長が320±5nmで、透明電極がAgを主成分とする電極を用いた。Agは、波長320nmの光に対して特異的に高い透過率を有するので、本構成により、波長320±5nmで発光する深紫外LEDをTopEmitting型とすることができる。また、本実施形態の深紫外LEDは、FlipChip実装が不要となる。FlipChip実装が不要となることで、製造コストが低減され、近紫外可視LEDと同様のプロセスでパッケージングができ好ましい。なお、本実施の形態において、AlGaN系材料によりn型層3、発光層4、p型層5を構成する場合に関して記述したが、MgZnO系材料によりそれらを構成することも可能である。