"蒸着により被処理体を成膜処理する蒸着装置であって、被処理体を成膜処理する処理室と、成膜材料を蒸発させる蒸気発生室と、前記処理室の内部を減圧させる排気機構とを設け、前記処理室に露出して配置された成膜材料の蒸気を噴出させる蒸気噴出口と、前記蒸気発生室に、成膜材料を蒸発させる蒸気発生部と、成膜材料の蒸気の供給を制御する制御弁とを配置し、前記蒸気発生部で発生させた成膜材料の蒸気を、前記処理室と前記蒸気発生室の外部に出さずに、前記蒸気噴出口に供給させる流路を有する蒸着ヘッドを設け、前記蒸着ヘッドには、前記処理室内に対して封止されたヒータ収納部が前記流路を囲むように形成され、前記ヒータ収納部に、アルゴンガス、窒素ガスの少なくともいずれかが存在していることを特徴とする蒸着装置。蒸着により被処理体を成膜処理する蒸着装置であって、被処理体を成膜処理する処理室と、前記処理室に隣接させて配置され、成膜材料を蒸発させる蒸気発生室と、前記処理室の内部を減圧させる排気機構とを設け、前記処理室に露出して配置された成膜材料の蒸気を噴出させる蒸気噴出口と、前記蒸気発生室に、成膜材料を蒸発させる蒸気発生部と、成膜材料の蒸気の供給を制御する制御弁とを配置し、前記蒸気発生部で発生させた成膜材料の蒸気を、前記処理室と前記蒸気発生室の外部に出さずに、前記蒸気噴出口に供給させる流路を有する蒸着ヘッドを設け、前記蒸着ヘッドには、前記蒸気発生室および前記処理室内に対して封止されたヒータ収納部が前記流路を囲むように形成され、前記ヒータ収納部に、アルゴンガス、窒素ガスの少なくともいずれかが存在していることを特徴とする蒸着装置。前記ヒータ収納部が密閉され、前記アルゴンガス、前記窒素ガスの少なくともいずれかが数十トル程度の圧力となるように封入されていることを特徴とする請求項1または2に記載の蒸着装置。1つの蒸着ヘッドに対し、複数の蒸気発生部を備えることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の蒸着装置。前記ヒータへの電力供給線が前記蒸気発生室の内部を通って前記処理室の外側へ延びていることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の蒸着装置。しかしながら、蒸着ヘッド内で成膜材料の蒸気を加熱するヒータが、上記のように減圧空間内に設置されていることにより、ヒータと成膜材料の流路との間に少しでも隙間があると、真空断熱状態となり、ヒータの熱が十分に成膜材料に伝わらない。そのため、成膜材料を均一に加熱することが困難であり、温度のばらつきが生じていた。本発明の目的は、ヒータの熱を効率的に成膜材料に伝えて成膜材料の蒸気を均熱化することができる蒸着装置を提供することにある。上記問題を解決するため、本発明は、蒸着により被処理体を成膜処理する蒸着装置であって、被処理体を成膜処理する処理室と、成膜材料を蒸発させる蒸気発生室と、前記処理室の内部を減圧させる排気機構とを設け、前記処理室に露出して配置された成膜材料の蒸気を噴出させる蒸気噴出口と、前記蒸気発生室に、成膜材料を蒸発させる蒸気発生部と、成膜材料の蒸気の供給を制御する制御弁とを配置し、前記蒸気発生部で発生させた成膜材料の蒸気を、前記処理室と前記蒸気発生室の外部に出さずに、前記蒸気噴出口に供給させる流路を有する蒸着ヘッドを設け、前記蒸着ヘッドには、前記処理室内に対して封止されたヒータ収納部が前記流路を囲むように形成され、前記ヒータ収納部に、アルゴンガス、窒素ガスの少なくともいずれかが存在していることを特徴とする蒸着装置を提供する。これにより、ヒータと加熱面との間に隙間が生じても、アルゴンガス、窒素ガスのいずれかを介して熱が伝達される。また、本発明は、蒸着により被処理体を成膜処理する蒸着装置であって、被処理体を成膜処理する処理室と、前記処理室に隣接させて配置され、成膜材料を蒸発させる蒸気発生室と、前記処理室の内部を減圧させる排気機構とを設け、前記処理室に露出して配置された成膜材料の蒸気を噴出させる蒸気噴出口と、前記蒸気発生室に、成膜材料を蒸発させる蒸気発生部と、成膜材料の蒸気の供給を制御する制御弁とを配置し、前記蒸気発生部で発生させた成膜材料の蒸気を、前記処理室と前記蒸気発生室の外部に出さずに、前記蒸気噴出口に供給させる流路を有する蒸着ヘッドを設け、前記蒸着ヘッドには、前記蒸気発生室および前記処理室内に対して封止されたヒータ収納部が前記流路を囲むように形成され、前記ヒータ収納部に、アルゴンガス、窒素ガスの少なくともいずれかが存在していることを特徴とする蒸着装置を提供する。前記ヒータ収納部が密閉され、前記アルゴンガス、前記窒素ガスの少なくともいずれかが数十トル程度の圧力となるように封入されていてもよい。1つの蒸着ヘッドに対し、複数の蒸気発生部を備えていてもよい。前記ヒータへの電力供給線が前記蒸気発生室の内部を通って前記処理室の外側へ延びていてもよい。本発明によれば、ヒータの熱を成膜材料に効率よく伝達し、処理室に噴出される成膜材料の蒸発量と蒸気の温度を均一に保つことができる。以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。図1は、本発明の実施の形態において製造される有機EL素子Aの説明図である。有機EL素子Aのもっとも基本となる構造は、陽極1と陰極2との間に発光層3を挟んだサンドイッチ構造である。陽極1は、被処理体としてのガラス基板G上に形成されている。陽極1には、発光層3の光を透過させることが可能な、例えばITOIndiumTinOxideからなる透明電極が用いられる。発光層3である有機層は一層から多層のものまであるが、図1では、第1層a1~第6層a6を積層した6層構成である。第1層a1はホール輸送層、第2層a2は非発光層電子ブロック層、第3層a3は青発光層、第4層a4は赤発光層、第5層a5は緑発光層、第6層a6は電子輸送層である。かかる有機EL素子Aは、後述するように、ガラス基板G表面の陽極1の上に、発光層3第1層a1~第6層a6を順次成膜し、仕事関数調整層図示せずを介在させた後、Ag、Mg/Ag合金などの陰極2を形成し、最後に、全体を窒化膜図示せずなどで封止して、製造される。図2は、有機EL素子Aを製造するための成膜システム10の説明図である。この成膜システム10は、基板Gの搬送方向図2において右向きに沿って、ローダ11、トランスファーチャンバ12、発光層3の蒸着装置13、トランスファーチャンバ14、仕事関数調整層の成膜装置15、トランスファーチャンバ16、エッチング装置17、トランスファーチャンバ18、スパッタリング装置19、トランスファーチャンバ20、CVD装置21、トランスファーチャンバ22、アンローダ23を直列に順に並べた構成である。ローダ11は、基板Gを成膜システム10内に搬入するための装置である。トランスファーチャンバ12、14、16、18、20、22は、各処理装置間で基板Gを受け渡しするための装置である。アンローダ23は、基板Gを成膜システム10外に搬出するための装置である。ここで、本発明の実施の形態にかかる蒸着装置13について、更に詳細に説明する。図3は、蒸着装置13の構成を概略的に示した断面図、図4は、蒸着装置13が備える蒸着ユニット5556,57,58,59,60の斜視図、図5は、蒸着ユニット5556,57,58,59,60の回路図である。蒸着装置13は、内部において基板Gを成膜処理するための処理室30と、成膜材料を蒸発させる蒸気発生室31とを上下に隣接させて配置した構成である。これら処理室30と蒸気発生室31は、アルミニウム、ステンレススチール等で構成された容器本体32の内部に形成されており、処理室30と蒸気発生室31の間は、断熱材で構成された隔壁33によって仕切られている。処理室30の底面には、排気孔35が開口しており、排気孔35には、容器本体32の外部に配置された排気機構である真空ポンプ36が、排気管37を介して接続されている。この真空ポンプ36の稼動により、処理室30の内部は所定の圧力に減圧される。同様に、蒸気発生室31の底面39には、排気孔40が開口しており、排気孔40には、容器本体32の外部に配置された排気機構である真空ポンプ41が、排気管42を介して接続されている。この真空ポンプ41の稼動により、蒸気発生室31の内部は所定の圧力に減圧される。処理室30の上方には、ガイド部材45と、このガイド部材45に沿って適宜の駆動源図示せずによって移動する支持部材46が設けられている。支持部材46には、静電チャックなどの基板保持部47が取り付けられており、成膜対象である基板Gは基板保持部47の下面に水平に保持される。処理室30の側面には、搬入口50と搬出口51が形成されている。この蒸着装置13では、搬入口50から搬入された基板Gが、基板保持部47で保持されて、処理室30内において図3中の右向きに搬送され、搬出口51から搬出される。処理室30と蒸気発生室31の間を仕切っている隔壁33には、成膜材料の蒸気を供給する6個の蒸着ユニット55,56,57,58,59,60が、基板Gの搬送方向に沿って配置されている。これら蒸着ユニット55~60は、ホール輸送層を蒸着させる第1の蒸着ユニット55、非発光層を蒸着させる第2の蒸着ユニット56、青発光層を蒸着させる第3の蒸着ユニット57、赤発光層を蒸着させる第4の蒸着ユニット58、緑発光層を蒸着させる第5の蒸着ユニット59、電子輸送層を蒸着させる第6の蒸着ユニット60からなり、基板保持部47によって保持されながら搬送されていく基板Gの下面に対して成膜材料の蒸気を順に成膜させるようになっている。また、各蒸着ユニット55~60の間には、蒸気仕切り壁61が配置されており、各蒸着ユニット55~60から供給される成膜材料の蒸気が互いに混合せずに、基板Gの下面に順に成膜されるようになっている。各蒸着ユニット55~60はいずれも同様の構成を有しているので、代表して第1の蒸着ユニット55について説明する。図4に示すように、蒸着ユニット55は、蒸着ヘッド65の下方に配管ケース輸送路66を取り付け、この配管ケース66の両側面に、3つの蒸気発生部70,71,72と3つの制御弁75,76,77を取り付けた構成である。蒸着ヘッド65の上面には、有機EL素子Aの発光層3の成膜材料の蒸気を噴出させる蒸気噴出口80が形成されている。蒸気噴出口80は、基板Gの搬送方向に直交する方向に沿ってスリット形状に配置されており、基板Gの幅と同じか僅かに長い長さを有している。このスリット形状の蒸気噴出口80から成膜材料の蒸気を噴出させながら、上述の基板保持部47によって基板Gを搬送することにより、基板Gの下面全体に成膜させるようになっている。蒸着ヘッド65は、蒸気噴出口80が形成された上面を処理室30内に露出させた姿勢で、処理室30と蒸気発生室31とを仕切る隔壁33に支持されている。蒸着ヘッド65の下面は、蒸気発生室31内に露出しており、この蒸着ヘッド65の下面に取り付けられた配管ケース輸送路66と、配管ケース66に取り付けられた蒸気発生部70,71,72および制御弁75、76,77がいずれも蒸気発生室31に配置されている。また、連通路101が、配管ケース66の下部から底面39を貫通して処理室30の外側へ連通している。図5に示すように、3つの蒸気発生部70,71,72と3つの制御弁75,76,77は互いに対応した関係であり、制御弁75は、蒸気発生部70で発生させた成膜材料の蒸気の供給を制御し、制御弁76は、蒸気発生部71で発生させた成膜材料の蒸気の供給を制御し、制御弁77は、蒸気発生部72で発生させた成膜材料の蒸気の供給を制御するようになっている。配管ケース66の内部には、各蒸気発生部70~72と各制御弁75~77を接続する枝配管81,82,83と、各蒸気発生部70~72から各制御弁75~77を経て供給された成膜材料の蒸気を、合流させて蒸着ヘッド65に供給する合流配管85が設けられている。各蒸気発生部70~72は、いずれも同様の構成を有しており、内部に有機EL素子Aの発光層3の成膜材料蒸着材料が配置され、側面に複数のヒータが取り付けられて、成膜材料を蒸発させる。蒸着ヘッド65には、図6に示すように、成膜材料の蒸気の流路の近傍を囲んでヒータ100が取り付けられている。蒸気の流路の全側面に沿ってヒータ100を設けることにより、蒸着ヘッド65内を通過する蒸気の温度のばらつきを低減させ、均一に加熱することができる。図7は、ヒータ収納部102内におけるヒータ100の配置例と、破線円内を拡大して示した図である。図7に示すように、ヒータ100は、ヒータ収納部102に取り付けられる。ヒータ100は、成膜材料の蒸気の流路103に面したヒータ収納部102の内側面に押さえつけられている。押さえつける手段としては、例えば図8に示すような皿ばね110が用いられ、適宜間隔で配置される。さらに、皿ばね110の押圧力が均等にヒータ100の面全体に伝達されるように、皿ばね110とヒータ100との間に、図7の拡大図に示すように、押さえ板111を配置させることが好ましい。このようにしてヒータ100が流路103側に向けて押さえつけられることにより、蒸着ヘッド65内を通過する成膜材料の蒸気に効率的且つ均一に熱が伝わるので、温度管理が容易になり、蒸気の温度を安定させて安定した蒸着プロセスが実現できる。さらに、図4に示すように、ヒータ100へ電力を供給するための電力供給線104が収納された連通路101が、処理室30の外側へ連通している。この連通路101を介して、ヒータ収納部102に大気が入り込み、ヒータ100が大気中に配置されることになる。これにより、ヒータ100とヒータ収納部102の側面との間に隙間の開いた個所が生じても、空気を介してヒータ100の熱を流路103側へ伝達し、均一に熱を伝えることができる。また、図6に示すように、ヒータ収納部102に例えば熱電対121などの温度測定手段を設けることにより、ヒータ100の温度を測定するとともに、温度データをフィードバックして、適切な温度制御を行うことができる。熱電対121の接続線122、およびヒータ100に電力を供給する電力供給線104は、連通路101を通って処理室30の外側へ延ばす。また、図9は、異なる形態の連通路101aを設けた蒸着ユニット55を示す。連通路101aは、図示するように、蒸着ヘッド65下部の両側面から延びて蒸気発生室31の底面39を貫通し、蒸着ヘッド65内部と蒸気発生室31の外部とを連通する。連通路101aは、例えば蛇腹状等とすることにより柔軟に変形できるものとし、材質はステンレス等が用いられる。上述の図4の連通路101と同様、ヒータ100への電力供給線104等は、図9の連通路101a内を通って処理室30の外側へ延びる。なお、図10に示すように、蒸着ヘッド65内のヒータ収納部102を密閉空間とし、その内部に、アルゴンガスや窒素ガス等を例えば数十トル程度の圧力になるように封入してもよい。この場合にも、これらのガスを介して、ヒータ100の熱を伝達することができる。なお、ヒータ100への電力供給線104は、例えば蒸気発生室31の内部を通って処理室30の外側へ延びている。その他、図2に示す仕事関数調整層の成膜装置15は、蒸着によって基板Gの表面に対して仕事関数調整層を成膜するように構成されている。エッチング装置17は、成膜された各層などをエッチングするように構成されている。スパッタリング装置19は、Agなどの電極材料をスパッタリングして、陰極2を形成させるように構成されている。CVD装置21は、窒化膜などからなる封止膜を、CVD等によって成膜し有機EL素子Aの封止を行うものである。以上のように構成された成膜システム10において、ローダ11を介して搬入された基板Gが、トランスファーチャンバ12によって、先ず、蒸着装置13に搬入される。この場合、基板Gの表面には、例えばITOからなる陽極1が所定のパターンで予め形成されている。そして、蒸着装置13では、表面成膜面を下に向けた姿勢にして基板保持部47で基板Gが保持される。なお、このように基板Gが蒸着装置13に搬入される前に、蒸着装置13の処理室30と蒸気発生室31の内部は、真空ポンプ36、41の稼動により、いずれも予め所定の圧力に減圧されている。そして、減圧された蒸気発生室31内において、各蒸気発生部70~72で蒸発させられた成膜材料の蒸気が、制御弁75~77の開閉操作によって、任意の組み合わせで合流配管85にて合流され、蒸着ヘッド65に供給される。蒸着ヘッド65に供給された成膜材料の蒸気が、ヒータ100で均一な温度に制御された状態で、処理室30内において、蒸着ヘッド65上面の蒸気噴出口80から噴出される。一方、減圧された処理室30内においては、基板保持部47で保持された基板Gが、図3中の右向きに搬送されていく。そして、移動中に、蒸着ヘッド65上面の蒸気噴出口80から成膜材料の蒸気が供給されて、基板Gの表面に発光層3が成膜積層されていく。均熱化された蒸気が供給されることにより、高品質な成膜処理が行える。蒸着装置13において発光層3を成膜させた基板Gは、トランスファーチャンバ14によって、次に、成膜装置15に搬入される。こうして、成膜装置15では、基板Gの表面に仕事関数調整層が成膜される。次に、トランスファーチャンバ16によって、基板Gはエッチング装置17に搬入され、各成膜の形状等が調整される。次に、トランスファーチャンバ18によって、基板Gはスパッタリング装置19に搬入され、陰極2が形成される。次に、トランスファーチャンバ20によって、基板GはCVD装置21に搬入され、有機EL素子Aの封止が行われる。こうして製造された有機EL素子Aが、トランスファーチャンバ22、アンローダ23を介して、成膜システム10外に搬出される。以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。例えば、処理の対象となる基板Gは、ガラス基板、シリコン基板、角形、丸形等の基板など、各種基板に適用できる。また、基板以外の被処理体にも適用できる。図2では、基板Gの搬送方向に沿って、ローダ11、トランスファーチャンバ12、発光層3の蒸着装置13、トランスファーチャンバ14、仕事関数調整層の成膜装置15、トランスファーチャンバ16、エッチング装置17、トランスファーチャンバ18、スパッタリング装置19、トランスファーチャンバ20、CVD装置21、トランスファーチャンバ22、アンローダ23を直列に順に並べた構成の成膜システム10を示したが、これに限ることはなく、各処理装置の台数配置は任意に変更可能である。なお、各蒸着ユニット55~60の蒸着ヘッド65から噴出される材料は同じでも異なっていても良い。また、蒸着ユニットの連数は6つに限らず、任意である。また、蒸着ユニットに設けられる蒸気発生部や制御弁の数も任意である。図11に示すように、68mm×260mmの筐体に、45mm×211.5mmのマイカヒータを収納し、加熱面側蒸気の流路側であるA面の、A-1,A-2,A-3各点の温度と、ヒータ自体の中央部の温度H-1点、およびヒータ端部の裏面側B面の温度B-1点の温度測定を行った。ヒータはマイカヒータとし、ヒータの厚さは1.5mmとした。ヒータ収納部の厚さは、ヒータの厚さに対して0.1mmのクリアランスを有する1.6mmとした。ヒータの取付方法は、本発明例として、図12Aに示すように、押さえ板111を介してヒータ100の裏面を皿ばね110で加熱側A面側へ押さえつけた。押さえ板111の厚さは、0.2mmと0.3mmの2種類について実験を行った。押さえ板111が0.2mmで、皿ばね110を、図11のS1,S3,S5の3個所に配置したものをNo.3、皿ばね110をS1~S5の5個所に配置したものをNo.4とした。押さえ板111が0.3mmで、No.4と同様に皿ばね110を5個所配置したものをNo.5とした。なお、皿ばね110の位置ずれを防ぐために、皿ばね110の配置位置には、筐体に、0.2mm深さの切り欠きを形成した。使用した皿ばね110の形状は図8に示すものである。比較例としては、図12Bに示すように、ヒータ100の両端に0.2mm厚さのスペーサ121を配置して0.2mmの隙間を設けたものをNo.1とした。さらに、従来方法として、図12Cに示すように、ヒータの厚さよりも0.1mm厚い収納部にヒータ100を収納したもの、即ち0.1mmの隙間を有するものをNo.2とした。筐体の平面部分を水平方向に向けた平置き、および平面部分を鉛直方向に向けた縦置きの両方について、A-1点の温度が450°Cになるまでヒータ加熱を行い、各点の温度を測定した。測定結果を表1に示す。表1より、平置き、縦置きともに、皿ばね110を用いてヒータ100を加熱側に押さえつけることにより、加熱側A面の表面温度のばらつき温度差ΔTが小さくなった。押さえ板111は、0.2mmよりも0.3mmの方が、よりばらつきが少なくなった。A-1点が450°Cになるときのヒータ自体の温度H-1点の温度は、隙間寸法が大きいNo.1が最も高くなった。押さえ板111が0.3mmの場合にも、H-1点の温度が若干高くなる傾向が見られたが、温度のばらつきを低減する効果があり、成膜材料の蒸気の温度を安定させるためには有効である。"