円柱形状のインゴットの外周に、当該インゴットの厚さ方向に非対称な形状の複数の溝を形成することにより、当該複数の溝の間に、当該インゴットの厚さ方向に非対称な形状の凸部を形成する工程と、前記複数の溝の各々の底部に対応する位置で前記インゴットを切断することにより、前記凸部を側面に有するウェハを切り出す工程と、を備えることを特徴とするウェハの製造方法。前記インゴットから切り出された直後の前記ウェハの側面における前記凸部の頂上部の位置は、当該ウェハの厚さの中心からずれている請求項1記載のウェハの製造方法。前記ウェハの第1主面を研削することにより当該ウェハを薄板化する工程をさらに備え、薄板化された前記ウェハの側面に前記凸部の頂上部が残存する請求項1または請求項2記載のウェハの製造方法。前記凸部の頂上部は、前記薄膜化されたウェハの厚さの中心付近に位置している請求項3記載のウェハの製造方法。前記薄膜化されたウェハの厚さは、前記インゴットから切り出された直後の当該ウェハの厚さの半分以下である請求項3または請求項4記載のウェハの製造方法。前記ウェハを切り出す前の前記インゴットの外周をブラスト加工することにより、前記凸部をRRound形状にする工程をさらに備える請求項1から請求項5のいずれか一項記載のウェハの製造方法。前記ウェハを切り出す工程は、前記溝の底部の幅と同等の直径を有するワイヤーを用いてインゴットを切断することにより行われる請求項1から請求項6のいずれか一項記載のウェハの製造方法。前記ウェハを切り出す工程は、前記ワイヤーを用いた放電加工によって行われる請求項7記載のウェハの製造方法。前記ウェハの前記ワイヤーによる切断面を研磨する仕上げ処理工程をさらに備える請求項7または請求項8記載のウェハの製造方法。前記インゴットは、炭化珪素により形成されたものである請求項1から請求項9のいずれか一項記載のウェハの製造方法。請求項3から請求項5のいずれか一項記載のウェハの製造方法を用いて半導体ウェハを形成する工程と、前記半導体ウェハの第2主面に半導体素子を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。半導体デバイスの製造プロセスにおいて、例えば半導体デバイスの低抵抗化を目的として、インゴットから切り出されたウェハの片面を研磨研削してウェハを薄板化することがある。従来技術で製造されたウェハの側面の凸部は、その頂上部がウェハの厚さ方向の中心に位置する。つまりウェハを側面から見た形状は、側面の頂上部を軸に上下対象である。従って、ウェハの片面を研磨して元の厚さの1/2以下に薄板化すると、ウェハの研磨面側のエッジが鋭角ナイフエッジになり、ウェハのエッジ欠けや割れが生じやすくなる。近年、高耐電圧、低損失および高耐熱を実現できる次世代のスイッチング素子として、炭化珪素SiCを用いた半導体素子が有望視されている。SiCは従来より用いられているシリコンSiよりも硬くてもろいという特性があり、上記の問題はより顕著に現れやすい。半導体デバイスの製造プロセスで薄板化加工の前に、ウェハの研磨面側のエッジをさらに面取り加工すればその問題を回避できる。しかし、その追加の面取り加工の際に、ウェハのエッジ欠けや割れが生じたり、ウェハに形成したデバイスが損傷したり、面取り加工によって生じる削粉などの異物でデバイス形成面が汚染されたりすることにより、歩留まりが低下することが懸念される。本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、インゴットから切り出した後にウェハの面取り加工を必要とせず、薄板化したウェハのエッジ欠けや割れを防止できるウェハの製造方法を供給することを目的とする。本発明に係るウェハの製造方法は、円柱形状のインゴットの外周に、当該インゴットの厚さ方向に非対称な形状の複数の溝を形成することにより、当該複数の溝の間に、当該インゴットの厚さ方向に非対称な形状の凸部を形成する工程と、前記複数の溝の各々の底部に対応する位置で前記インゴットを切断することにより、前記凸部を側面に有するウェハを切り出す工程と、を備えるものである。本発明によれば、インゴットから切り出した時点でウェハのエッジが面取りされた状態となる。つまり、ウェハのエッジの面取り加工は、ウェハをインゴットから切り出す前に行われるため、切り出した後のウェハに対する面取り処理を行う必要がない。よって、面取り処理による、ウェハのエッジ欠けや割れを回避できる。また凸部が非対称な形状であることにより、ウェハの側面の形状も厚さ方向に非対称となる。よって凸部の頂上部から遠い方の主面を研削して薄板化することにより、ウェハの厚みを薄板化前の半分以下にしても、研削面のエッジは鋭角にならない。よって、薄板化したウェハのエッジ欠けや割れの発生を抑えることができる。<実施の形態1>本発明の実施の形態1係るウェハ面取りウェハの製造方法を、図1~図7の工程図に基づいて説明する。まず、SiC等のインゴット1を、円筒研削盤等を用いて円柱状に加工する図1。図1は円柱状のインゴット1の側面図を示しており、A-A線はインゴット1の円柱の中心線を示している。次に、インゴット1を円柱の中心線を軸にして回転させながら、先端の断面がV字形状である第1の回転砥石21をインゴット1の側面外周面に押し当て、インゴット1の側面にV字状溝3を複数形成する図2。それにより、インゴット1の側面には凹凸が形成される。複数のV字状溝3凹部は、インゴット1の厚さ方向円柱の中心軸方向に連続的に並べて形成し、隣り合うV字状溝3の斜面32の間に平坦面第1の回転砥石21によって削られない面が残らないようにする。従って、隣接するV字状溝3の間の頂上部33凸部は、尖った形状となる。本実施の形態では、インゴット1の側面に対して、インゴット1の厚さ方向に所定のピッチPで周期的な加工が施されるものとする。以下、このピッチPを加工ピッチと称す。図2に示すように、隣り合うV字状溝3の最深部31間の距離は加工ピッチPに等しい。また、インゴット1からは、加工ピッチPに相当する厚さごとに、1枚ずつのウェハが切り出される。よって、加工ピッチPは、インゴット1から切り出されるウェハの枚数を決定する要素でもある。続いて、V字状溝3が形成されたインゴット1を、中心線を軸にして回転させながら、先端の断面がフラット形状である第2の回転砥石22をインゴット1の側面に押し当て、V字状溝3内の一部に平坦部4を形成する図3。平坦部4の形成領域第2の回転砥石22を押し当てる領域は、V字状溝3の最深部31を含み、且つ、その中心位置が隣り合う頂上部33の間の中心位置からずれるようにする。従って、平坦部4はV字状溝3の底部に形成され、且つ、各頂上部33からその右側の平坦部4までの距離L1は、当該頂上部33からその左側の平坦部4までの距離L2よりも長くなるL1>L2。つまり、インゴット1の側面には、V字状溝3と平坦部4とが組み合わさって成る左右インゴット1の厚さ方向に非対称な溝凹部が形成される。この段階では、上記したように、隣接するV字状溝3の間の頂上部33は尖った形状となっており、欠けや破損が発生しやすい。そこで、さらにインゴット1を回転させながら、そのV字状溝3および平坦部4が形成された側面に、SiCやダイヤモンド等の研磨剤粒子5を高圧で噴射するブラスト加工を行い、頂上部33を面取りしてR形状にする図4。このときV字状溝3の最深部31および平坦部4の底面もブラスト加工により面取りされてR形状になる。なお、図4の点線は、ブラスト加工前の平坦部4の右側端部の位置を示している。続いて、加工ピッチPと同じピッチで張られた複数のワイヤー6を備えるワイヤーソーもしくはワイヤー放電加工機等を用いて、インゴット1を各平坦部4凹部の底部の位置に沿って切断スライス加工する図5。本実施の形態では、各ワイヤー6の直径Sは、各平坦部4の幅第2の回転砥石22の幅と等しくしている。ワイヤー6によるインゴット1のスライス加工が完了すると、図6に示すようなエッジが面取りされた板材10が複数切り出される。各板材10の厚みTは、加工ピッチPからワイヤー6の直径Sを差し引いた値となるT=P-S。よって、板材10の厚みTを所望の値にしたい場合は、予め加工ピッチPを、切り出す板材10の厚みTとワイヤー6の直径Sとの和に設定すればよい。本実施の形態では、ワイヤー6によるインゴット1の切断位置を平坦部4の位置に合わせているので、図6に示すように、板材10において、側面に残存する頂上部33から右側の第1主面11までの厚さは上記の距離L1と等しくなり、その頂上部33から左側の第2主面12までの厚さは距離L2と等しくなる。L1>L2の関係が成り立つので、板材10側面の頂上部33は、板材10の厚みの中心よりも左側第2主面12側に片寄った位置となる。その後、ワイヤー6による加工面である板材10の第1主面11および第2主面12のそれぞれに対して、研磨研削による仕上げ処理を施すことにより、エッジが面取りされたウェハ10a面取りウェハが得られる図7。この仕上げ処理よって板材10の第1主面11および第2主面12がそれぞれ厚さKだけ除去されるとすると、面取りウェハ10aの厚みTaは、T-2×Kとなる。よって、面取りウェハ10aの厚みTaを所望の値にしたい場合は、予め板材10の厚みTを、所望の面取りウェハ10aの厚みTaに、仕上げ処理で第1主面11および第2主面12を除去する厚さの和ここではKの2倍を加えた値に設定すればよいT=Ta2×K。図8は、以上の工程を経て得られる面取りウェハ10aの側面図である。半導体デバイスの製造プロセスにおいて、面取りウェハ10aの片面を研磨研削して当該面取りウェハ10aの薄板化加工を行う場合、面取りウェハ10a側面の頂上部33から遠い側の第1主面11を研磨面にし、頂上部33から近い側の第2主面12を半導体デバイスの形成面にする。すなわち、半導体デバイスの製造プロセスにおいては、図9の如く、面取りウェハ10aの第2主面12上に半導体素子7を形成し、その後、面取りウェハ10aの第1主面11を研磨して薄板化する。その結果、第2主面12上に半導体素子7が形成された薄板ウェハ10bが得られる。図8に示したように、薄板化前の面取りウェハ10aにおいて、その側面の頂上部33は、当該面取りウェハ10aの厚さの中心から第2主面12側にずれて位置していた。そのため、第1主面11を研磨して得られる薄板ウェハ10bの厚さTbを、薄板化前の面取りウェハ10aの厚さTaの半分以下に薄くした場合であっても、薄板ウェハ10bの側面に頂上部33が残存していれば、図9のように、第1主面11研磨面側のエッジ13は鈍角となり、薄板ウェハ10bのエッジ欠けや割れを防止できる。ここで、面取りウェハ10a図8における側面の頂上部33の位置は、薄板化後の薄板ウェハ10b図9において、当該頂上部33が厚さ方向の中心になるように設定されることが好ましい。つまり、図9に示すように、薄板ウェハ10bでは、頂上部33から第1主面11までの距離と、当該頂上部33から第2主面12までの距離が、共に薄板ウェハ10bの厚さTbの半分Tb/2となることが好ましい。そのためには、第1主面11を研磨する薄板化工程において、頂上部33から第1主面11までの距離が、当該頂上部33から第2主面12までの距離と等しくなったときに、その研磨を終了させることが必要となる。逆に言えば、薄板ウェハ10bの厚さTbを所望の値にするためには、予め、平坦部4の形成工程図3において、距離L2の設定値を、薄板ウェハ10bの厚さTbの半分Tb/2に、面取りウェハ10a表面の仕上工程図7で第2主面12の表面を除去する厚さKを加えた値としておくとよいL2=Tb/2K。面取りウェハ10aまたは薄板ウェハ10bの面取りされたエッジの部分は、インゴット1の側面に形成したV字状溝3の斜面32に相当する。つまり、面取りウェハ10aのエッジの面取り加工は、板材10をインゴット1から切り出す前、すなわちインゴット1の側面にV字状溝3を形成する工程で行われることになる。よって、インゴット1から切り出した後の個々のウェハに対する面取り加工は不要であり、その面取り加工によるウェハのエッジ欠けや割れ、ウェハに形成したデバイスの損傷、削粉などの異物によるデバイス形成面の汚染などを回避でき、歩留まりの向上に寄与できる。特に、SiCなどの硬くてもろい特性を有する素材のウェハの製造に有効である。また本実施の形態では、インゴット1の側面に形成する平坦部4の幅を、インゴット1のスライス加工に用いるワイヤー6の直径Sと同等にした。これにより、平坦部4に沿ってワイヤー6で切断する際の、インゴット1の側面の溝とワイヤー6との間の遊びが少なくなり、切断面のうねりやゆがみが抑えられ、板材10の厚さを高精度に制御できるという効果が得られる。<実施の形態2>実施の形態1では、インゴット1にV字状溝3を形成する工程と、平坦部4を形成する工程とを、それぞれ異なる形状の回転砥石第1の回転砥石21と第2の回転砥石22を用いて個別に実行したが、図10に示すように、V字状溝3と平坦部4とを同時に形成できる形状の回転砥石を用いれば、両工程を同時に実行できる。図10に示す回転砥石23は、第1の回転砥石21の形状と第2の回転砥石22の形状とを組み合わせて成る形状である。具体的には、回転砥石23の断面は、略V字型であり、その先端部においてV字型の頂点からずれた位置にフラットな部分を有している。そのフラットな部分の幅は、板材10の切り出しに用いるワイヤー6の直径Sと同等であることが好ましい。本実施の形態によれば、実施の形態1と同様の効果に加え、面取りウェハ10aの製造工程数の削減という効果が得られる。また、実施の形態1では、第2の回転砥石22をV字状溝3の斜面32に押し当てるため、第2の回転砥石22の振れや逃げが発生する恐れがあるが、本実施の形態ではそのような問題は生じないので、実施の形態1よりも高い加工精度を得ることができる。なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。