"二酸化チタンIVと金属マグネシウムとカーボンとの混合物を、内圧上昇時に内部の気体を外部に放出できる機能を有する閉鎖系容器中において、大気雰囲気中650~800°Cで焼成する工程を含むことを特徴とする微粒子一酸化チタンIIの製造方法。前記微粒子一酸化チタンIIが、X線回折プロファイルにおいて一酸化チタンIIのピークを有し、100nm~1μmの1次粒子径を有することを特徴とする請求項1に記載の微粒子一酸化チタンIIの製造方法。前記金属マグネシウムが、1~500μmの粒径を有する粒状である請求項1または2に記載の微粒子一酸化チタンIIの製造方法。前記二酸化チタンIVと前記金属マグネシウムとの比率が、チタンTiとマグネシウムMgとのモル比でMg/Ti=1.1~10である請求項1~3のいずれかの項に記載の微粒子一酸化チタンIIの製造方法。本発明の課題は、上記のような事情に鑑み、低原子価酸化チタンの中でも、特にドーパントして好適な微粒子一酸化チタンIIのみを選択的に、安価かつ容易に工業的規模で製造する方法を提供することである。本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下の構成からなる解決手段を見出し、本発明を完成するに至った。1二酸化チタンIVと金属マグネシウムとカーボンとの混合物を、内圧上昇時に内部の気体を外部に放出できる機能を有する閉鎖系容器中において、大気雰囲気中650~800°Cで焼成する工程を含むことを特徴とする微粒子一酸化チタンIIの製造方法。2前記微粒子一酸化チタンIIが、X線回折プロファイルにおいて一酸化チタンIIのピークを有し、100nm~1μmの1次粒子径を有することを特徴とする1に記載の微粒子一酸化チタンIIの製造方法。3前記金属マグネシウムが、1~500μmの粒径を有する粒状である1または2に記載の微粒子一酸化チタンIIの製造方法。4前記二酸化チタンIVと前記金属マグネシウムとの比率が、チタンTiとマグネシウムMgとのモル比でMg/Ti=1.1~10である1~3のいずれかの項に記載の微粒子一酸化チタンIIの製造方法。本発明によれば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、PLD法またはEB蒸着法によって酸化亜鉛系透明導電性材料のドーパントとして好適な酸化チタンIIのみを、選択的に、安価かつ容易に工業的規模で製造量産し得るという効果を有し、極めて有用である。本発明に係る微粒子一酸化チタンIIの製造方法以下、単に本発明の製造方法記載する場合があるは、二酸化チタンIVと金属マグネシウムとカーボンとの混合物を、内圧上昇時に内部の気体を外部に放出できる機能を有する閉鎖系容器中において、大気雰囲気中650~800°Cで焼成する工程を含む。本発明の製造方法に用いられる二酸化チタンとしては、特に限定されず、アナターゼ型二酸化チタン、ルチル型二酸化チタン、アモルファス二酸化チタンなどが挙げられる。これらの中でも、反応性の高さから、特にアナターゼ型二酸化チタン、アモルファス二酸化チタンが好ましい。粒径の小さい微粒子一酸化チタンIIを得るためには、二酸化チタンも粒径の小さいものほど好ましい。例えば、1μm以下の一次粒子径を有する二酸化チタンが好ましく、10nm以上1μm以下の一次粒子径を有する二酸化チタンがより好ましい。また、取扱い性を考慮すると、100nm以上1μm以下の一次粒子径を有する二酸化チタンが最も好ましい。本発明の製造方法に用いられる金属マグネシウムは、粒径が小さすぎると、反応が急激に進行して操作上危険性が高くなる。したがって、篩のメッシュパスで1~500μmの粒径を有する金属マグネシウムが好ましく、150~300μmの粒径を有する金属マグネシウムが特に好ましい。ただし、金属マグネシウムは、全て上記粒径範囲になくても、その80質量以上、特に90質量以上が上記範囲内にあればよい。二酸化チタンIVに対する金属マグネシウムの量は、還元力に影響を与える。金属マグネシウムの量が少なすぎると、還元不足で目的とする微粒子一酸化チタンIIが得られにくくなる。一方、金属マグネシウムの量が多すぎると、未反応の金属マグネシウムが残存して経済的でなかったり、還元が進みすぎたりする。したがって、マグネシウムMgとチタンTiとのモル比は、好ましくはMg/Ti=1.1~10、より好ましくはMg/Ti=1.5~8である。すなわち、Mgの比率が上記より高くなるとMg/Ti>10、過還元により、一酸化チタンIIよりさらに酸化価数の小さいTi2Oなどが生成し、また未反応の金属マグネシウムが多くなって経済的でない。一方、Mgの比率が上記より低くなるとMg/Ti<1.1、還元力が不足して、目的とする微粒子一酸化チタンIIが得られなくなるおそれがある。二酸化チタンIVと金属マグネシウムとカーボンとの混合物は、650~800°Cで焼成される。この焼成の際、二酸化チタンIVが金属マグネシウムによって還元される還元反応が起こる。焼成還元反応は、好ましくは680~700°Cで行われる。650°Cは金属マグネシウムの溶融温度であり、上記還元反応時の温度がこれより低いと、二酸化チタンの還元反応が十分に進まない。また、上記還元反応時の温度を800°Cより高くしても、反応自体に問題はないが、高温にしたことによる効果の増加が得られず、安全性面での低下が生じるおそれがある。反応時間は、上記還元反応時の温度によるが、通常、30~90分程度、好ましくは30~60分程度である。上記還元反応を行う際の反応容器としては、容器内部の圧力が上昇したときに容器内部の気体を外部に放出して容器内部の圧力を下げる機能を有する閉鎖系容器を使用する。このように、内圧上昇時に容器内部の気体を外部に放出する機能を有する容器を用いるのは、金属マグネシウムの溶融が始まると、還元反応が急激に進行し、それに伴って温度が上昇して、容器内部の気体が膨張するためである。この気体の膨張によって、容器が破裂して危険なため、容器内部の圧力が上昇したときに容器内部の気体を外部に放出して容器内部の圧力を下げることにより、安全性が確保される。また、反応容器を閉鎖系容器としているのは、反応物が外部に飛び散らないようにするためであり、この閉鎖系とは完全に密閉化していてもよいし、また、完全に密閉化されていなくても、反応物が外部に飛び散らない程度に閉鎖されていればよいという意味である。また、この閉鎖系とは、必要時に閉鎖系になっていればよいという意味であって、当然、反応原料の充填や反応物の取出しにあたっては、その閉鎖系が解除できるものである。本発明の製造方法は、二酸化チタンIVおよび金属マグネシウム以外に、カーボンを用いているため、不活性雰囲気を作り出す大掛かりな装置は不要である。すなわち、大気雰囲気中で上記還元反応を行っても、カーボンによって不活性雰囲気を作り出すことができ、金属Mgが酸化されることなく、二酸化チタンIVを一酸化チタンIIに還元できる。カーボンとしては、木炭、コークス、カーボンダイヤモンド、グラファイト、ロンズデーライト、フラーレン、無定形炭素活性炭、カーボンブラック、黒鉛、カーボンナノチューブ、グラフェン、カーボンファイバーなどが挙げられ、特に限定されない。カーボンは、焼成中に酸素と反応して二酸化炭素を発生し、不活性雰囲気を作り出すことができれば、その量は限定されず、任意の量で使用される。本発明者らは、カーボンが、金属マグネシウムや還元生成物と酸素との接触を防ぎ、それらの酸化を防ぐことに有効であることを見出した。従来の方法は、不活性雰囲気で行うが、コスト的も高くなる。また、不活性雰囲気を形成するためには、真空置換を行い、完全に酸素を除去した後、不活性雰囲気にする必要があり、生産性にも劣る。本発明の製造方法は、酸素が存在する大気雰囲気において、二酸化チタンIVを一酸化チタンIIに選択的に還元するという極めて画期的な方法である。本発明の製造方法は、通常の大気炉を用いて、極めて安価に微粒子一酸化チタンIIを製造することができる。還元反応後、混合物は、反応容器から取り出され、カーボンを分離する。最終的に室温まで冷却した後、塩酸などの酸溶液で洗浄して、金属マグネシウムの酸化によって生じた酸化マグネシウムを除去する。この酸洗浄は、pHは0.5~4、特にpHは1.0~3.5、温度は90°C以下で行うのが好ましい。これは酸性が強すぎたり、温度が高すぎたりすると、チタンまでが溶出してしまうおそれがあるためである。酸洗浄後、アンモニア水などでpHを5~6に調整した後、濾過または遠心分離により固形分を分離し、その固形分を乾燥した後、粉砕して微粒子一酸化チタンIIを得ることができる。本発明の製造方法で得られた微粒子一酸化チタンIIは、X線回折装置による測定で得られたプロファイルX線回折プロファイルにおいて、主ピークとして一酸化チタンのピークを有している。一酸化チタンの標準サンプルのピークは、2θ=37.181°I=54.7、43.200°I=100.0、62.746°I=43.9、75.247°I=13.3および79.227°I=11.1に現われるが、本発明の微粒子一酸化チタンIIにおける一酸化チタンIIのピークも、上記一酸化チタンの標準サンプルのピーク位置またはその近傍に現われる。なお、本発明において、上記X線回折プロファイルを求めるためのX線回折分析は、理学電機工業株製のX線回折装置ULTIMAIV商品名により、CuKα線を用いて印加電圧45kV,印加電流40mAで、θ-2θ法で行ったものである。本発明の製造方法で得られた微粒子一酸化チタンIIは、上記のようにX線回折プロファイルにおいて一酸化チタンIIのピークを有することに加えて、好ましくは100nm~1μmの1次粒子径を有する。本発明の製造方法で得られた微粒子一酸化チタンIIは、太陽電池、液晶表示素子、その他各種受光素子における電極透明導電膜のドーパントとして有用である。以下、実施例および比較例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例1ルチル型二酸化チタン和光純薬工業株製、平均粒径:0.37μm10gを金型に入れ、1MPaで軽く加圧して円盤型の錠剤を得た。この円盤型の錠剤と活性炭太平化学産業株製、平均粒径:20~30μm100gと、金属マグネシウムキシダ化学株製、平均粒径:150~500μm28gとをアルミナ製容器に入れた。次いで、この容器を電気炉に入れ、大気雰囲気中、800°Cで2時間、加熱処理を行った。加熱処理後、室温まで自然放冷を行い錠剤を取り出して、錠剤と2mmφジルコニア製ボールとをエタノール溶媒に入れ、錠剤の粉砕を行った。粉砕後、希釈したpH2の塩酸にて洗浄を行い、未反応の金属マグネシウムおよび酸化マグネシウムを除去した。なお、アルミナ製容器は、加熱により容器内部の気体が膨張して圧力が上昇したときに、フタがその圧力によって持ち上がり、容器内部の気体を外部に放出し、容器内部の圧力が低下すると、フタの自重で容器本体を覆うものである。したがって、この容器は、内圧上昇時に容器内部の気体を外部に放出できる機能を有する閉鎖系容器に該当するものである。得られた粉砕物を精製し、X線回折装置理学電機工業株製、ULTIMAIVで測定すると、図1のX線回折に示すように、TiOIIであることが確認された。また、得られた微粒子一酸化チタンIIについて、粒度分布計にて粒度の測定を行った。具体的には、3質量のヘキサメタリン酸ナトリウム溶液中に得られた微粒子一酸化チタンIIを入れ、ホモジナイザで10分間分散した試料にレーザー光線を照射し、その回折散乱を、マイクロトラック粒度分布計日機装株製MT-3000IIで測定したところ、平均粒径は0.4μmであった。粒子径が小さな0.4μm一酸化チタンIIを、大気雰囲気にて、カーボン活性炭および金属マグネシウムを用いるという極めて安価かつ容易な方法で得ることができた。この粒子径を有する一酸化チタンIIは、酸化亜鉛のドーパントとして好適である。実施例2ルチル型二酸化チタンの代わりに、アモルファス型二酸化チタンIV和光純薬工業株製、平均粒径:50nmを用いたこと以外は、実施例1と同様の手順で加熱処理を行い、得られた錠剤の粉砕及び未反応の金属マグネシウムおよび酸化マグネシウムを除去した。実施例1と同様に、得られた粉砕物を精製し、X線回折装置で測定すると、TiOIIであることが確認された。また、実施例1と同様に、粒度の測定を行ったところ、平均粒径は100nmであった。粒子径が小さな100nm一酸化チタンIIを、大気雰囲気にて、カーボン活性炭および金属マグネシウムを用いるという極めて安価かつ容易な方法で得ることができた。この粒子径を有する一酸化チタンIIは、酸化亜鉛のドーパントとして好適である。比較例1活性炭を用いなかったこと以外は、実施例1と同様の手順で加熱処理を行い、得られた錠剤の粉砕を行った。活性炭を用いなかったため、金属マグネシウムは、大気中の酸素によって酸化されて酸化マグネシウムとなり、ルチル型二酸化チタンIVを還元することができず、ルチル型二酸化チタンIVは変化しなかった。"