複数の走査線と複数のデータ線との各交差に対応して設けられた複数の画素回路と、前記複数の走査線に供給された各信号とはそれぞれ論理反転の関係にある信号が供給される複数の反転走査線と、を有し、一の前記画素回路は、前記走査線または前記反転走査線のいずれか一方に供給された信号にしたがって導通状態または非導通状態に制御される第1トランジスターと、一端が前記第1トランジスターに電気的に接続され、当該第1トランジスターが導通状態に制御されたときに前記データ線の電位を保持する第1容量と、前記第1容量の一端と、前記走査線または前記反転走査線のいずれか他方と、の間に電気的に介挿された第2容量と、前記第1容量による保持電位に応じて制御される電気光学素子と、を有することを特徴とする電気光学装置。前記第1トランジスターは、Nチャネル型またはPチャネル型のいずれかであり、ゲート電極が前記走査線または前記反転走査線の一方に電気的に接続され、ドレイン電極が前記データ線に電気的に接続され、ソース電極が前記容量素子の一端に電気的に接続されたことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。前記第1容量の一端と、前記走査線または前記反転走査線のいずれか一方と、の間に電気的に介挿された第3容量を有することを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。前記第2容量の容量値は、前記第1トランジスターにおけるゲートソース間の寄生容量値と前記第3容量の容量値との和に応じて定められていることを特徴とする請求項3に記載の電気光学装置。前記第2容量の容量値は、前記第1トランジスターにおけるゲートソース間の寄生容量値に応じて定められていることを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。前記第1容量による保持電位に応じた電流を前記電気光学素子に流す第2トランジスターを有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の電気光学装置。請求項1乃至6のいずれかに記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。ところで近年では、表示サイズの小型化とともに高精細化が進行して、画素回路のサイズが狭小化し、十分な容量の保持容量を確保することが困難になりつつある。上記トランスミッションゲートでは、フィールドスルーを相殺することはできるが、反面、オフリークが大きい。このため、トランスミッションゲートのオンによって保持容量がデータ線の電位に応じた電圧を保持しても、オフリークによって当該保持電圧が著しく減少して、表示品質に悪影響を及ぼしてしまう、という問題が指摘された。本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的の一つは、保持容量で保持される電圧がフィールドスルー及びオフリークの少なくとも一方に起因して変動するのを抑えることにある。上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置にあっては、複数の走査線と複数のデータ線との各交差に対応して設けられた複数の画素回路と、前記複数の走査線に供給された各信号とはそれぞれ論理反転の関係にある信号が供給される複数の反転走査線と、を有し、一の前記画素回路は、前記走査線または前記反転走査線のいずれか一方に供給された信号にしたがって導通状態または非導通状態に制御される第1トランジスターと、一端が前記第1トランジスターに電気的に接続され、当該第1トランジスターが導通状態に制御されたときに前記データ線の電位を保持する第1容量と、前記第1容量の一端と、前記走査線または前記反転走査線のいずれか他方と、の間に電気的に接続された第2容量と、前記第1容量による保持電位に応じて制御される電気光学素子と、を有することを特徴とする。本発明によれば、例えば走査線または反転走査線に供給された信号レベルが一方から他方に変化して、第1トランジスターが導通状態から非導通状態になったとき、信号レベルの他方から一方への逆方向の変化が第2容量を介して伝播するので、フィールドスルーは相殺される。なお、第1トランジスターを非相補型とした場合は、オフリークの影響も小さくなる。このため、フィールドスルーやオフリークに起因する保持容量の電圧変動を抑えることが可能になる。本発明の好ましい態様では、前記第1トランジスターは、Nチャネル型またはPチャネル型のいずれかであり、ゲート電極が前記走査線または前記反転走査線の一方に電気的に接続され、ドレイン電極が前記データ線に電気的に接続され、ソース電極が前記容量素子の一端に電気的に接続されている。本発明の好ましい態様では、前記第1容量の一端と、前記走査線または前記反転走査線のいずれか一方との間に電気的に介挿された第3容量を有する。この態様によれば、前記第2容量の容量値を、前記第1トランジスターにおけるゲートソース間の寄生容量の値と前記第3容量の容量値との和に応じて定めれば良く、望ましくは同程度に調整すれば良いので、微小な容量を第2容量に持たせなくて済む。一方、第3容量を持たない構成とするのであれば、前記第2容量の容量値を、前記第1トランジスターにおけるゲートソース間の寄生容量の値に応じて定めれば良く、好ましくは同程度に調整すれば良い。この構成では第3容量を持たなくて良いので、画素回路の縮小化が容易となる。また、本発明の好ましい態様としては、前記第1容量による保持電位に応じた電流を前記電気光学素子に流す第2トランジスターを有する。第2トランジスターを有する場合、電気光学素子としては、有機EL素子が好適である。また、電気光学素子としては、他にも保持電圧に応じた透過率または反射率となる液晶素子でも良い。液晶素子は電圧駆動型であるので、電流を流すための第2トランジスターが不要になる。なお、本発明に係る電気光学装置は、各種の電子機器に適用可能である。典型的には、表示装置であり、電子機器としてはパーソナルコンピューターや携帯電話機が挙げられる。特に本願発明は、保持容量が十分に確保できないときでも、フィールドスルーやオフリークに起因する電圧変動を抑えることができるので、例えばヘッドマウントディスプレイ用やプロジェクターのように縮小画像を形成する表示装置に好適である。もっとも、本発明に係る電気光学装置の用途は、表示装置に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成するための露光装置光ヘッドにも適用可能である。<第1実施形態>図1は、本発明の第1実施形態に係る電気光学装置1の構成を示すブロック図である。この電気光学装置1は、複数の画素回路110によって画像を表示するものである。この図に示されるように、電気光学装置1は、素子部100、走査線駆動回路210およびデータ線駆動回路220を含んだ構成となっている。このうち、素子部100には、m行の走査線112aが図において行X方向に沿って設けられる一方、n列のデータ線114が、列Y方向に沿って、かつ、各走査線112aと互いに電気的に絶縁を保つように設けられている。画素回路110は、m行の走査線112aとn列のデータ線114との各交差に対応して、それぞれ配列している。したがって、本実施形態では、画素回路110が縦m行×横n列でマトリクス状に配列することになる。なお、m、nは、いずれも自然数である。また、m行の走査線112aの各々に対してそれぞれ対をなすように反転走査線112bがそれぞれX方向に沿って、データ線114と互いに電気的に絶縁を保つように設けられている。各画素回路110には、給電線116、118がそれぞれ共通接続されている。給電線116は、素子電源の高位側の電位Velを給電し、給電線118は、素子電源の低位側の電位Vctを給電する。電位Vel、Vctは、図示省略した電源回路によって生成される。なお、走査線112a、反転走査線112bおよび画素回路110の行を便宜的に区別するために、図1において上から順に1行、2行、3行、...、m-1、m行と呼ぶ場合がある。同様にデータ線114および画素回路110の列を便宜的に区別するために、図1において左から順に1列、2列、3列、...、n-1、n列と呼ぶ場合がある。電気光学装置1では、マトリクス状に画素回路110が配列する領域の周辺に走査線駆動回路210、データ線駆動回路220、インバーター113が配置している。走査線駆動回路210およびデータ線駆動回路220は、図示省略したコントローラーによって動作が制御される。また、データ線駆動回路220には、各画素回路110の階調輝度を指定する階調データが上記コントローラーから供給される。走査線駆動回路210は、各フレームにわたって1~m行目を順次排他的に選択するものである。詳細には、走査線駆動回路210は、1、2、3、...、m-1、m行目の走査線112aにそれぞれ走査信号Gwr、Gwr、Gwr、...、Gwr、Gwrを供給するものであり、各走査信号を順次排他的にHレベルとする。なお、本説明において、フレームとは、1カットコマ分の画像を電気光学装置1に表示させるのに要する期間をいい、垂直走査周波数が60Hzであれば、その1周期分の16.67ミリ秒の期間をいう。インバーター113は、各行の走査線112aにそれぞれ設けられる。ある行のインバーター113は、対応する行の走査線112aに供給された走査信号を論理反転して、反転走査信号として反転走査線112bに供給する。すなわち、走査信号がハイレベルの電位のときには反転走査信号はそれよりも電位が低いローレベルの電位になり、走査信号がローレベルのときには、反転走査信号はそれよりも電位が高いハイレベルの電位となる。便宜的に、1、2、3、...、m-1、m行目の反転走査線112bにそれぞれ供給される反転走査信号を、/Gwr、/Gwr、/Gwr、...、/Gwr、/Gwrと表記している。データ線駆動回路220は、走査線駆動回路210によって選択された行に位置する画素回路110に対し、当該画素回路110に指定された階調データに応じた電位のデータ信号を、データ線114を介して供給するものである。便宜的に、1、2、3、...、n-1、n列目のデータ線114にそれぞれ供給されるデータ信号を、Vd、Vd、Vd、...、Vd、Vdと表記している。次に、図2を参照して、画素回路110の等価回路について説明する。なお、図2には、i行目及び当該i行目に対し下側で隣り合うi1行目の走査線112aと、j列目及び当該j列目に対し右側で隣り合うj1列目のデータ線114との交差に対応する2×2の計4画素分の構成が示されている。ここで、i、i1は、画素回路110が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、1以上m以下の整数である。同様に、j、j1は、画素回路110が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、1以上n以下の整数である。図2に示されるように、各画素回路110は、Nチャネル型のトランジスター130a、140と、容量素子131と、保持容量135と、発光素子150とを有する。各画素回路110については互いに同一構成なので、i行j列に位置するもので代表して説明する。i行j列の画素回路110において、トランジスター第1トランジスター130aのゲート電極はi行目の走査線112aに接続される一方、そのドレイン電極はj列目のデータ線114に接続され、そのソース電極は容量素子131の一端と、保持容量135の一端と、トランジスター140のゲート電極とにそれぞれ接続されている。便宜的に、i行j列の画素回路110において、トランジスター130aのソース電極、トランジスター140のゲート電極、容量素子131の一端および保持容量の一端の接続点をノードNと呼ぶことにする。容量素子第1容量素子131の他端はi行目の反転走査線112bに接続されている。このため、容量素子131は、ノードNijと反転走査線112bとの間に電気的に介挿された構成となっている。また、保持容量135の他端はトランジスター140のソース電極および発光素子150の陽極にそれぞれ接続されている。トランジスター第2トランジスター140のドレイン電極は給電線116に接続されている。一方、発光素子150の陰極は給電線118に接続されている。発光素子150は、互いに対向する陽極と陰極とで有機EL材料からなる発光層を挟持したOLEDであり、陽極と陰極との間を流れる電流に応じた輝度にて発光する。図2において、Gwr、Gwrは、それぞれi、i1行目の走査線112aに供給される走査信号を示し、/Gwr、/Gwrは、それぞれi、i1行目の反転走査線112bに供給される反転走査信号を示している。Vd、Vdは、それぞれj、j1列目のデータ線114に供給されるデータ信号を示している。また、容量素子131の容量をC1と表記し、トランジスター130aのゲートドレイン間の寄生容量をCgと表記している。素子部100におけるトランジスター130a、140は、典型的には、TFTThinFilmTransistor:薄膜トランジスターであり、ガラス等の基板表面に共通のシリコンプロセスによって形成される。このため、走査線112a反転走査線112b、データ線114などの各種配線についても、シリコンプロセスを用いて形成される。例えば走査線112aおよび反転走査線112bは、TFTのゲート電極となる導電層をパターニングして形成される。また例えば容量素子131は、異なる導電層をパターニングした電極同士で絶縁膜を挟持して形成される。この電極のうち、一方については、トランジスター140のゲート電極を用いても良い。容量素子131の容量C1は、トランジスター130aにおける寄生容量Cgと同程度となるように形成されている。なお、素子部100のみならず、走査線駆動回路210や、データ線駆動回路220、インバーター113についても、共通のシリコンプロセスによって形成しても良い。このようなプロセスによって各種回路が形成されたとき、ある電極から別の電極へは、コンタクトホールを介して接続されたり、配線経路の途中に抵抗その他の素子を介して接続されたりする場合がある。この場合、物理的にみれば直接的な接続ではないが、電気的にみれば接続状態であるといえる。また、SOISiliconOnInsulatorの技術を適用し、サファイヤや、石英、ガラスなどの絶縁性基板にシリコン単結晶膜を形成して、ここに各種素子を作り込んだ構成としても良いし、シリコン基板に各種の素子を形成しても良い。シリコン基板を用いると、スイッチング素子として、高速な電界効果型トランジスターを用いることができるので、TFTよりも高速動作が容易になる。次に、電気光学装置1の表示動作について図3を参照して説明する。図3は、走査信号およびデータ信号の波形の一例を示す図である。この図に示されるように、走査信号Gwr、Gwr、Gwr、...、Gwr、Gwrは、走査線駆動回路210によって1フレームにわたって水平走査期間H毎に順次排他的にHレベルとなる。これらの走査信号は、インバーター113によってそれぞれ論理反転されて反転走査信号となる。このため、同図に示されるように、反転走査信号/Gwr、/Gwr、/Gwr、...、/Gwr、/Gwrは、水平走査期間H毎に順次排他的にLレベルとなる。ここで、i行目の走査線112aが選択されて走査信号GwrがHレベルになったとき、j列目のデータ線114には、i行j列の画素回路110の階調データに応じた電位のデータ信号Vdがデータ線駆動回路220によって供給される。走査信号GwrがHレベルになると、i行j列の画素回路110においてトランジスター130aがオンするので、ノードNがデータ線114に電気的に接続された状態になる。このため、ノードNの電位は、図3において上矢印で示されるように、データ信号Vdの電位になる。このとき、トランジスター140は、ノードNの電位に応じた電流を発光素子150に流すとともに、保持容量135が、このときのトランジスター140におけるゲートソース間の電圧を保持する。i行目の走査線112aの選択が終了して走査信号GwrがLレベルになったとき、トランジスター130aがオフする。このとき、ノードNでは、走査信号GwrがHレベルからLレベルになったときの変化が寄生容量Cgを介して伝播することによってフィールドスルーが発生し、それまで保持していたデータ信号Vdの電位を低下する方向に作用させる。しかしながら、ノードNでは、反転走査信号/GwrがLレベルからHレベルになったときの逆方向の変化が容量素子131を介して伝播するので、トランジスター130aによるフィールドスルーが相殺される。このため、ノードNの電位は、走査信号GwrがHレベルからLレベルに変化しても、結果的に、ほとんど変動しない。トランジスター130aがオンからオフに切り替わっても、当該オンしていたときのトランジスター140のゲートソース間の電圧が保持容量135によって保持されている。このため、トランジスター130aがオフしても、トランジスター140は、保持容量135による保持電圧に応じた電流を、次回i行目の走査線112aが再び選択されるまで、発光素子150に流し続ける。このため、i行j列の画素回路110における発光素子150は、i行目が選択されたときのデータ信号Vdjの電位に応じた輝度で、すなわちi行j列の階調データに応じた輝度で、1フレームに相当する期間にわたって発光することになる。実際には、ノードNの電位は、同図に示されるように、トランジスター130aのオフリークによって時間経過とともに減少することになるが、オフリークの影響は、本実施形態では無視できる。なお、i行目においては、j列以外の画素回路110でも、対応するデータ線114に供給されたデータ信号の電位に応じた輝度で発光する。ここではi行目の走査線112aに対応する画素回路110で説明しているが、走査線112aは、1、2、3、...、m-1、m行目という順番で選択される結果、画素回路110の各々は、それぞれ階調データに応じた輝度で発光することになる。このような動作は、各フレームで繰り返される。また、図3においては、走査信号反転走査信号の電位スケールよりも、データ信号、ノードNの電位スケールを便宜的に拡大している図10、図12においても同様である。ここで、本実施形態の優位性について、2つの比較例を挙げて説明する。図9は、比較例その1に係る画素回路の等価回路を示す図であり、図10は、同比較例の表示動作を示す図である。図9に示されるように、比較例その1では、容量素子131を有しない構成である。このため、図10に示されるように、ノードNでは、走査信号GwrのLレベルへの変化が寄生容量Cgを介して伝播するので、フィールドスルーが発生する。したがって、比較例その1では、発光素子150が選択時におけるデータ信号Vdの電位に応じた輝度で発光することができないのである。図11は、比較例その2に係る画素回路の等価回路を示す図であり、図12は、同比較例の表示動作を示す図である。図11に示されるように、比較例その2では、容量素子131を有しないが、スイッチング素子として、Nチャネル型のトランジスター130aとPチャネル型のトランジスター130bとを相補的に組合わせたトランスミッションゲートが用いられた構成である。図12に示されるように、この比較例その2では、走査信号GwrがHレベルからLレベルになって、反転走査信号/GwrがLレベルからHレベルになったときに、トランジスター130aによるプッシュダウンとトランジスター130bによるプッシュアップとが互いに相殺し合う。このため、ノードNの電位は、トランジスター130a、130bがオフした瞬間についてみたとき、ほとんど変動しない。しかしながら、Pチャネル型のトランジスター130bにおけるオフリークは、一般に、Nチャネル型のトランジスター130aにおけるオフリークよりも大きく、しかも、2つのトランジスター130a、130bを並列接続した状態にある。このため、比較例その2では、トランスミッションゲートがオフしている期間において、ノードNの電位は、本実施形態と比較して著しく低下してしまう。したがって、比較例その2では、発光素子150が選択時におけるデータ信号Vdの電位に応じた輝度で安定して発光し続けることができないのである。比較例その1および比較例その2に対して、本実施形態によれば、トランジスター130aがオフした瞬間においてフィールドスルーを相殺することができるとともに、オフリークも小さいことから、発光素子150が選択時におけるデータ信号Vdの電位に応じた輝度で安定して発光し続けることが可能となるのである。<第2実施形態>次に、本発明の第2実施形態について説明する。図4は、第2実施形態に係る電気光学装置の画素回路における等価回路を示す図である。図4に示した画素回路では、図2に示した第1実施形態と比較して、容量素子第2容量素子132が、ノードNと走査線112aとの間に電気的に介挿された構成となっている。第2実施形態において、容量素子132の容量をC2と表記したとき、容量素子131の容量C1は、容量素子132の容量C2とトランジスター130aの寄生容量Cgとの和となるように調整される。容量Cgは、トランジスター130aの寄生容量であるから、実際には微小である。このため、第1実施形態のように、微小の容量Cgと同程度となるような容量素子131を精度良く形成するのは困難となる場合も考えられる。第2実施形態では、容量Cgが微小であっても、容量C1については、容量C2よりも若干大きくなるように形成すれば、容量C1が、容量C2と寄生容量Cgとの和とほぼ等しくすることができる。換言すれば、Cg<<C1、C2となるような場合でも、C1≒C2C2<C1となるように容量素子131、132を形成すれば、C1=C2Cgとすることができる。例えば、Cgに対して、容量素子131、132を大きな容量で形成する場合でも、C1=10Cg、C2=9Cgとすれば、C1=C2Cgとすることができる。この第2実施形態によれば、寄生容量ど同程度の微小容量を単独で形成することができない場合であっても、フィールドスルーを相殺することが容易になる。ただし、第2実施形態においては、容量素子131のみならず容量素子132も形成する必要があるので、第1実施形態と比較して、画素回路110の規模の縮小化という面でやや不利になる。換言すれば、第1実施形態では、画素回路110の規模の縮小化という面で、第2実施形態と比較してやや有利である、といえる。<応用例変形例>本発明は、上述した実施形態に限られず、次のような応用変形が可能である。例えば、第1実施形態や第2実施形態では、スイッチング素子としてNチャネル型のトランジスター130aを用いたが、図5に示されるように、Pチャネル型のトランジスター130bを用いても良い。このとき、Pチャネル型のトランジスター130bのゲート電極は、反転走査線112bに接続されるので、容量素子131は、ノードNと走査線112aとの間に電気的に介挿された構成となる。なお、スイッチング素子として、Pチャネル型のトランジスター130bを用いると、Nチャネル型のトランジスター130aと比較してオフリークが大きくなるが、並列接続のトランスミッションゲートと比較すれば、オフリークは小さい。また、特に図示しないが、スイッチング素子としてPチャネル型のトランジスター130bを用いた構成において、容量素子132を、ノードNと反転走査線112bとの間に電気的に介挿して、第2実施形態のように、容量C1を容量C2と寄生容量Cgとの和とほぼ等しくなるようにしても良い。電気光学素子としては、発光素子に限られず、電極同士で液晶層を挟持した液晶素子でも良い。液晶素子を用いる場合、画素回路110では、ノードNに接続された画素電極とコモン電極とで液晶層を挟持した構成となる。このため、トランジスター140や素子電源の給電線116、118が不要となる。また、液晶素子は、ノードNの電位に応じた透過率または反射率となる。なお、この構成では、液晶素子それ自体が保持容量となるか、または、この液晶素子と別途付加した補助容量との並列接続が保持容量となる。<電子機器>次に、本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器のいくつかについて説明する。図6は、上述した実施形態に係る電気光学装置1を表示装置として採用したパーソナルコンピューターの外観を示す図である。パーソナルコンピューター2000は、表示装置としての電気光学装置1と本体部2010とを備える。本体部2010には、電源スイッチ2001およびキーボード2002が設けられている。電気光学装置1において、発光素子150にOLEDを使用した場合、視野角が広く見易い画面表示が可能になる。図7は、実施形態に係る電気光学装置1を表示装置として採用した携帯電話機の外観を示す図である。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001や方向キー3002などのほか、受話口3003、送話口3004とともに上述した電気光学装置1を備える。方向キー3002を操作することによって、電気光学装置1に表示される画面がスクロールされる。図8は、実施形態に係る電気光学装置1を表示装置として採用した携帯情報端末PDA:PersonalDigitalAssistantsの外観を示す図である。携帯情報端末4000は、複数の操作ボタン4001や方向キー4002などのほか、上述した電気光学装置1を備える。携帯情報端末4000では、所定の操作によって住所録やスケジュール帳などの各種の情報が電気光学装置1に表示されるとともに、表示された情報が方向キー4002の操作に応じてスクロールされる。なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図6から図8までに示した例のほか、デジタルスチルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。