"ガラスで形成された加工対象物の内部にレーザ光を集光させて改質領域を形成し、該改質領域に沿ってエッチングすることにより、前記加工対象物に貫通孔を形成するレーザ加工方法であって、前記加工対象物の少なくとも一部をブラウニングにより変色させるブラウニング工程と、前記ブラウニング工程の後、前記加工対象物に前記レーザ光を集光させることにより、前記加工対象物の変色部分に前記改質領域を形成するレーザ光集光工程と、前記レーザ光集光工程の後、前記加工対象物にエッチング処理を施すことにより、前記改質領域に沿って前記エッチングを選択的に進展させて前記貫通孔を形成するエッチング処理工程と、を含むレーザ加工方法。前記レーザ光集光工程の後、前記加工対象物に熱処理を施すことにより、前記加工対象物の変色部分における少なくとも一部を復色する復色工程をさらに含む請求項1記載のレーザ加工方法。前記ブラウニング工程では、前記加工対象物において複数部分を変色させ、前記レーザ光集光工程では、前記加工対象物に前記レーザ光を照射しつつ、該レーザ光を複数の前記変色部分を跨ぐように一方向に相対移動させる請求項1又は2記載のレーザ加工方法。前記変色部分は、前記レーザ光集光工程で形成する前記改質領域の大きさに応じた濃淡を有している請求項1~3の何れか一項記載のレーザ加工方法。前記変色部分は、グラデーションを有している請求項4記載のレーザ加工方法。ここで、上述したようなレーザ加工方法では、ガラスのレーザ光に対する透過率が著しく高いことから、ガラスで形成された加工対象物にレーザ光を集光させて改質領域を形成しようとすると、例えばレーザ光の超短パルス化や短波長化が必要であり、よって、改質領域を形成するのが困難となる場合がある。そのため、上述したようなレーザ加工方法では、ガラスで形成された加工対象物においてレーザ光に対する加工性を高めることが望まれている。そこで、本発明は、ガラスで形成された加工対象物においてレーザ光に対する加工性を高めることができるレーザ加工方法を提供することを課題とする。本発明の一側面はレーザ加工方法に関する。このレーザ加工方法は、ガラスで形成された加工対象物の内部にレーザ光を集光させて改質領域を形成し、該改質領域に沿ってエッチングすることにより、加工対象物に貫通孔を形成するレーザ加工方法であって、加工対象物の少なくとも一部をブラウニングにより変色させるブラウニング工程と、ブラウニング工程の後、加工対象物にレーザ光を集光させることにより、加工対象物の変色部分に改質領域を形成するレーザ光集光工程と、レーザ光集光工程の後、加工対象物にエッチング処理を施すことにより、改質領域に沿ってエッチングを選択的に進展させて貫通孔を形成するエッチング処理工程と、を含む。このレーザ加工方法では、ブラウニングにより変色させた加工対象物の変色部分にてレーザ光の透過率を低下させ、該レーザ光の吸収を誘発することができる。そのため、この加工対象物の変色部分では、レーザ光の集光によって改質領域が容易に形成されることとなる。よって、ガラスで形成された加工対象物においてレーザ光に対する加工性を高めることが可能となる。また、レーザ光集光工程の後、加工対象物に熱処理を施すことにより、加工対象物の変色部分における少なくとも一部を復色する復色工程をさらに含むことができる。この場合、加工対象物の変色部分の色を、変色前の状態へと戻すことが可能となる。また、ブラウニング工程では、加工対象物において複数部分を変色させ、レーザ光集光工程では、加工対象物にレーザ光を照射しつつ、該レーザ光を複数の変色部分を跨ぐように一方向に相対移動させることができる。この場合、レーザ光を照射しつつ相対移動させた際、変色部分のそれぞれでは、透過性が低くなっているためにレーザ光が吸収され易く、よって、改質領域が容易に形成される。一方、非変色部分では、透過性が高いために改質領域が形成され難くなる。従って、レーザ光をONOFF照射することなく加工対象物に複数の改質領域を容易に形成することが可能となり、加工対象物に複数の改質領域を形成する上で、高精度で且つクリティカルなレーザ光の照射条件制御が不要となる。また、変色部分は、レーザ光集光工程で形成する改質領域の大きさに応じた濃淡を有することができる。この場合、変色部分はその濃淡に応じたレーザ光の透過率を有することから、レーザ光の集光で形成される改質領域の大きさを、加工対象物の変色部分の濃淡によって制御することができる。また、変色部分は、グラデーションを有することができる。この場合、変色部分は、グラデーションに応じて段階的に変化するレーザ光の透過率を有することになる。よって、グラデーションに応じて大きさが異なる複数の改質領域7を一括形成することができる。本発明のレーザ加工方法によれば、ガラスで形成された加工対象物においてレーザ光に対する加工性を高めることが可能となる。以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。本実施形態に係るレーザ加工方法では、加工対象物の内部にレーザ光を集光させて改質領域を形成する。そこで、まず、改質領域の形成について、図1~図6を参照して以下に説明する。図1に示すように、レーザ加工装置100は、レーザ光Lをパルス発振するレーザ光源101と、レーザ光Lの光軸光路の向きを90°変えるように配置されたダイクロイックミラー103と、レーザ光Lを集光するための集光用レンズ105と、を備えている。また、レーザ加工装置100は、集光用レンズ105で集光されたレーザ光Lが照射される加工対象物1を支持するための支持台107と、支持台107を移動させるためのステージ111と、レーザ光Lの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源101を制御するレーザ光源制御部102と、ステージ111の移動を制御するステージ制御部115と、を備えている。このレーザ加工装置100においては、レーザ光源101から出射されたレーザ光Lは、ダイクロイックミラー103によってその光軸の向きを90°変えられ、支持台107上に載置された板状の加工対象物1の内部に集光用レンズ105によって集光される。これと共に、ステージ111が移動させられ、加工対象物1がレーザ光Lに対して改質領域形成予定部5に沿って相対移動させられる。これにより、改質領域形成予定部5に沿った改質領域が加工対象物1に形成されることとなる。加工対象物1としては、半導体材料や圧電材料等が用いられ、図2に示すように、加工対象物1には、改質領域形成予定部5が設定されている。ここでの改質領域形成予定部5は、直線状に延びた仮想線である。加工対象物1の内部に改質領域を形成する場合、図3に示すように、加工対象物1の内部に集光点Pを合わせた状態で、レーザ光Lを改質領域形成予定部5に沿ってすなわち、図2の矢印A方向に相対的に移動させる。これにより、図4~図6に示すように、改質領域7が改質領域形成予定部5に沿って加工対象物1の内部に形成され、この改質領域7が、後述のエッチングによる除去領域8となる。なお、集光点Pとは、レーザ光Lが集光する箇所のことである。また、改質領域形成予定部5は、直線状に限らず曲線状であってもよいし、曲面状や平面状の3次元状であってもよいし、座標指定されたものであってもよい。また、改質領域7は、連続的に形成される場合もあるし、断続的に形成される場合もある。また、改質領域7は列状でも点状でもよく、要は、改質領域7は少なくとも加工対象物1の内部に形成されていればよい。また、改質領域7を起点に亀裂が形成される場合があり、亀裂及び改質領域7は、加工対象物1の外表面表面、裏面、若しくは外周面に露出していてもよい。ちなみに、ここでは、レーザ光Lが、加工対象物1を透過すると共に加工対象物1の内部の集光点近傍にて特に吸収され、これにより、加工対象物1に改質領域7が形成されるすなわち、内部吸収型レーザ加工。一般的に、表面3から溶融され除去されて穴や溝等の除去部が形成される表面吸収型レーザ加工場合、加工領域は表面3側から徐々に裏面側に進行する。ところで、本実施形態に係る改質領域7は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。改質領域7としては、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等があり、これらが混在した領域もある。さらに、改質領域7としては、加工対象物1の材料において密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域や、格子欠陥が形成された領域があるこれらをまとめて高密転移領域ともいう。また、溶融処理領域や屈折率変化領域、改質領域7の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域、格子欠陥が形成された領域は、更にそれら領域の内部や改質領域7と非改質領域との界面に亀裂割れ、マイクロクラックを内包している場合がある。内包される亀裂は改質領域7の全面に渡る場合や一部分のみや複数部分に形成される場合がある。加工対象物1としては、ガラスを含む、又はガラスからなるものが挙げられる詳しくは後述。ここで、本実施形態では、加工対象物1に改質領域7を形成した後、この加工対象物1にエッチング処理を施すことにより、改質領域7に含まれる又は改質領域7から延びる亀裂クラック、微小クラック、割れ等とも称される。以下、単に亀裂というに沿ってエッチングを選択的に進展させ、加工対象物1において改質領域7に沿った部分を除去する。例えば、本実施形態のエッチング処理では、毛細管現象等を利用して、加工対象物1の改質領域7に含まれる又は該改質領域7から延びる亀裂にエッチング剤を浸潤させ、亀裂面に沿ってエッチングを進展させる。これにより、加工対象物1では、亀裂に沿って選択的且つ高いエッチングレートでエッチングを進展させ除去する。これと共に、改質領域7自体のエッチングレートが高いという特徴を利用して、改質領域7に沿って選択的にエッチングを進展させ除去する。本実施形態のエッチング処理としては、例えばエッチング剤に加工対象物を浸漬する場合ディッピング方式:Dippingと、加工対象物を回転させつつエッチング剤を塗布する場合スピンエッチング方式:SpinEtchingとがある。また、ここでのエッチングは、等方性エッチングである。また、エッチング剤は、常温~100°C前後の温度で用いられ、必要とされるエッチングレート等に応じて適宜の温度に設定される。エッチング剤としては、フッ素系のエッチング剤が用いられており、例えば、アルカリエッチング剤であるKOH水酸化カリウム等のアルカリ溶液、HFフッ酸、HFとH2O水との混合液、又は、NH4F重フッ化アンモニウム飽和水溶液が挙げられる。このエッチング剤としては、液体状のものだけでなく、ゲル状ゼリー状,半固形状のものを用いることができる。等方性エッチングの場合には、比較的薄い加工対象物例えば、厚さ10μm~100μmに適用でき、結晶方位や改質領域に依存せずに、等方向にエッチングを進行させることができる。また、この場合、表面に亀裂が露出していると、エッチング液が当該亀裂を伝わって内部に浸潤され、改質領域において厚さ方向の全面が改質領域の起点とされることから、切断面が半円形に窪むようにエッチングされたチップを取り出すことが可能となる。[第1実施形態]次に、本発明の第1実施形態に係るレーザ加工方法ついて詳細に説明する。図7,8は本発明の第1実施形態に係るレーザ加工方法を示す各フロー図である。なお、以下の説明においては、加工対象物1の厚さ方向レーザ光Lの照射方向をZ方向とし、厚さ方向に直交する一方向をX方向として説明する。図7,8に示すように、本実施形態は、例えば半導体デバイスとプリント配線基板やフレキシブル基板とを互いに電気的に接続する部品インターポーザ等を製造する加工方法であり、加工対象物1に貫通孔24図11参照を形成し、貫通孔24に導体を埋め込むことによって貫通電極を形成する。図7aに示すように、加工対象物1は、ブラウニングにより変色可能なガラス基板であって、透明色可視光に対する透明性を有している。この加工対象物1としては、SiO2純度が高い石英ガラスコルツ以外のガラスが用いられている。つまり、加工対象物1は、ブラウニングで変色可能なものであり、SiO2以外の組成である不純物を所定量以上含むガラスで形成されている。この加工対象物1は表面3及び裏面21を有している。また、加工対象物1には、貫通孔24に対応する部分に沿って、改質領域形成予定部5が3次元的な座標指定によりプログラマブルに設定されている。この改質領域形成予定部5は、加工対象物1の厚さ方向に対し傾斜する方向に沿って延びるように設定されている。本実施形態のレーザ加工方法によって加工対象物1を加工する場合、図7bに示すように、まず、加工対象物1に対しX線2を表面3側から所定時間だけ面照射する。これにより、加工対象物1にあっては、ブラウニングにより透明色から濃い黄褐色へと変色される。その結果、レーザ光Lの透過率が低下した変色部分Hが、加工対象物1全域に形成される。なお、ブラウニングとは、ガラスに高速中性子が照射されることによって当該ガラスが変成して変色着色する現象を意味する。このブラウニングによる着色の際、本実施形態では、後段で形成する改質領域7の大きさに応じた濃淡を有するよう加工対象物1を変色させている。具体的には、レーザ光Lの透過性が所定値となる濃淡で変色部Hが変色されるように、X線における照射強度等の照射条件及び時間が設定されている。例えば、130kV,130μAの照射条件で所定時間だけX線2が照射され、変色部Hが波長1064nmのレーザ光Lに対して数10例えば20の透過率となっている。続いて、図7cに示すように、加工対象物1の表面3側を上方にして載置台に載置して保持し、加工対象物1の裏面21側にレーザ光Lの集光点以下、単に集光点というを合わせる。そして、この集光点をX方向に相対移動させながら、一定のレーザ条件でレーザ光Lを表面3側からONOFF照射するスキャン。これにより、変色部分Hの裏面21側において改質領域形成予定部5に沿った位置に、変色部分Hの濃淡に応じた大きさの改質領域7が形成される。ここでは、レーザ光Lの出力が0.6W/Pulseとされ、パルス幅が100nsとされている。また、レーザ光Lの波長が、例えば1064nmとされ、パルスピッチが0.25μmとされている。なお、パルスレーザ光をレーザ光Lとしてスポット照射することから、形成される改質領域7は改質スポットで構成されている。また、改質領域7には、該改質領域7から発生した亀裂が内包されて形成されている以下の改質領域について同じ。続いて、図8aに示すように、上述のスキャンを、加工対象物1において裏面21側から表面3側の順で集光点のZ方向位置を変えて繰り返し実施する。これにより、貫通孔24に対応する部分に沿って互いに繋がる改質領域7が、加工対象物1内に形成される。つまり、加工対象物1の改質領域7が、加工対象物1の内部の変色部分Hに形成される。続いて、図8bに示すように、加工対象物1に対してエッチング処理を施す。具体的には、加工対象物1の表面3及び裏面21側から改質領域7へとエッチング剤を浸潤させ、改質領域7及び該改質領域7に内包された亀裂に沿ってエッチングを選択的に進展させる。これにより、加工対象物1の内部が改質領域7に沿って選択的に除去され、貫通孔24が加工対象物1に形成される。続いて、図8cに示すように、加工対象物1に例えば約400°Cの熱処理を施し、変色部Hを復色させる。つまり、加工対象物1の透明性が復旧復活され、加工対象物1の色が変色前の元の透明色へ戻される。その後、ウェット酸化法等により加工対象物1を酸化し、電気的絶縁性を有する絶縁膜を貫通孔24の内面に生成し、貫通孔24内に導体を埋入する。そして、この導体と電気的に接続するように電極パッドを表面3及び裏面21上に形成し、これにより、貫通電極が構成される。以上、本実施形態では、ブラウニングにより加工対象物1を変色させることで、変色部分Hにてレーザ光Lの透過率を低下させているため、かかる変色部分Hでは、レーザ光Lの吸収が誘発され、レーザ光Lの集光によって改質領域7を容易に形成されることとなる。従って、本実施形態によれば、ガラスで形成された加工対象物1において、レーザ光Lに対する加工し易さとしての加工性を高めることが可能となり、レーザ光Lの超短パルス化や短波長化の必要性を低減することができる。その結果、加工対象物1の素材を変える毎に、レーザ光Lにおける波長等の照射条件を変えることが不要となる。よって、ガラスで形成された加工対象物1だけでなく、シリコン等の他の素材で形成された加工対象物に対しても、同一のレーザ光源を用いてレーザ加工を行うことが可能となり、ひいては、生産性を向上させることができる。また、本実施形態では、上述したように、熱処理によって変色部Hを復色させており、ブラウニングによる変色に起因した製品上の悪影響を抑制することが可能となる。また、本実施形態では、上述したように、形成する改質領域7の大きさに応じた濃淡を有するように加工対象物1を変色させている。すなわち、X線2の照射強度及び時間を制御することで変色部分Hの濃淡を調整し、加工対象物1におけるレーザ光Lの吸収率を制御している。よって、同一のレーザ光Lの照射条件の下において、レーザ光Lの吸収率の違いを利用して加工寸法改質領域7の大きさを好適に制御することが可能となる。その結果、変色部Hを濃くすることでレーザ光Lの集光により大きい改質領域7を形成でき、変色部Hを薄くすることでレーザ光Lの集光により小さい改質領域7を形成できる。なお、本実施形態では、次の作用効果も奏する。例えば、貫通孔24の形成に際し、改質領域7及び該改質領域7に内包された亀裂をエッチング処理によって加工後の加工対象物1から除去できるため、その強度及び品質を向上可能となる。また、加工時に切削粉塵が発生しないため、環境に配慮した加工方法を実現できる。さらに、例えば、本実施形態を用いて製造したインターポーザ等においては、配線ピッチを微細化、配線の設計容易化、及び配線の電気抵抗低減が可能となる。ちなみに、本実施形態では、上記のように加工対象物1にX線2を照射することから、加工対象物1を半導体チップ等として互いに切断するレーザ加工方法に本実施形態を適応するのは困難となる場合がある。この点、本実施形態は、加工対象物1に貫通孔24を形成するものであり、かかる問題の懸念は少ないといえる。[第2実施形態]次に、本発明の第2実施形態について説明する。図9,10は本発明の第2実施形態に係るレーザ加工方法を示す各フロー図である。なお、本実施形態の説明では、上記第1実施形態と異なる点について主に説明する。本実施形態のレーザ加工方法では、図9aに示すように、まず、加工対象物1の表面3に、所定パターンを有するマスク12を形成する。ここでは、マスク12は、X線2に対して非透過材料例えば、鉛等からなり、複数の開口部12aがX方向に沿って並設されている。続いて、図9bに示すように、加工対象物1に対しX線2を表面3側から所定時間だけ面照射する。これにより、加工対象物1は、マスク12の所定パターンに応じて選択的に変色される。具体的には、加工対象物1においてマスク12の開口部12aに対応する領域のみにX線2が入射され、複数の変色部分HがX方向に沿って並設される。続いて、図9cに示すように、マスク12を除去した後、図10aに示すように、加工対象物1の裏面21側に集光点を合わせ、一定のレーザ条件でレーザ光Lを表面3側から連続照射しながら、該レーザ光LをX方向に相対移動させるスキャン。つまり、レーザ光Lを照射しながら、該レーザ光Lを複数の変色部分Hを跨ぐようX方向に相対移動させる。これにより、変色部分Hのそれぞれでは、透過性が低くなっているために改質領域7が形成される一方、非変色部分では、レーザ光Lが集光されても、透過性が高いために改質領域が形成されないこととなる。続いて、上述のスキャンを、加工対象物1において裏面21側から表面3側の順で集光点のZ方向位置を変えて繰り返し実施する。これにより、図10bに示すように、変色部分Hおいて互いに繋がる改質領域7が加工対象物1内に形成される。そして、図10cに示すように、加工対象物1に対してエッチング処理を施し、加工対象物1の内部を改質領域7に沿って選択的に除去する。これにより、複数の変色部分Hが除去され、Z方向に延びる貫通孔24が複数形成される。以上、本実施形態においても、ガラスで形成された加工対象物1においてレーザ光Lに対する加工性を高めるという上記作用効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、マスク12を用いて加工対象物1のブラウニングの有無の領域を制御し、加工対象物1の複数部分を変色させている。換言すると、マスク12によって加工対象物1を部分的にブラウニングし、レーザ光Lの透過領域と非透過領域を同一の加工対象物1に作り込んでいる。そして、一定のレーザ光Lの照射条件の下、加工対象物1の複数の変色部分Hを跨ぐようにレーザ光Lを照しつつ相対移動させ、変色部分Hを選択的に改質している。従って、レーザ光LをONOFF照射することなく加工対象物1に複数の改質領域7を精度よく形成できる。よって、加工対象物1に複数の改質領域7を形成する上で、高精度で且つクリティカルなレーザ光Lの照射条件制御が不要となる。[第3実施形態]次に、本発明の第3実施形態について説明する。図11,12は本発明の第3実施形態に係るレーザ加工方法を示す各フロー図である。なお、本実施形態の説明では、上記第1実施形態と異なる点について主に説明する。本実施形態のレーザ加工方法では、図11aに示すように、まず、加工対象物1の表面3に、所定パターンを有するマスク12を形成する。ここでのマスク12は、加工対象物1の両端部をマスキングするものであり、その一端側から他端側に亘り広く開口する開口部12aが形成されている。続いて、加工対象物1に対しX線2をスポット照射回折を利用して強度分布を与えた照射する。ここでのX線2の強度分布は、中心側が高く外側に行くに従って曲線的に低くなるような2次曲線状の強度分布2aとなっている。これにより、図11bに示すように、加工対象物1においては、段階的な濃淡としてのグラデーションが付加されるよう変色され、中心側が濃く且つ外側に行くに従って徐々に薄くなる変色部分H1が形成される。続いて、図12aに示すように、集光点をX方向に相対移動させながら一定のレーザ光Lの照射条件でレーザ光LをONOFF照射するスキャンを、加工対象物1において裏面21側から表面3側の順で集光点のZ方向位置を変えて繰り返し実施する。これにより、変色部分H1において該変色部分H1の濃淡に応じた大きさの改質領域7が、貫通孔24に対応する部分に沿って互いに繋がるよう形成される。このとき、上記のように変色部分Hがグラデーションを有しており、グラデーションに応じてレーザ光Lの透過率が異なっているため、該グラデーションに応じて大きさが異なる複数の改質領域7が上記スキャンによって一括形成される。具体的には、一括形成される複数の改質領域7の大きさは、加工対象物1の中心側で大きく、外側に行くに従って小さくされる。続いて、図12bに示すように、加工対象物1に対してエッチング処理を施し、加工対象物1の内部を改質領域7に沿って選択的に除去する。これにより、改質領域7の大きさに対応して互いに径が異なる複数の貫通孔24が、一括形成される。ここでの貫通孔24の径は、改質領域7の大きさ、すなわち変色部分H1のグラデーションに対応しており、加工対象物1の中心側の貫通孔24が大径とされ、且つ外側に行くに従って小径のものとなっている。以上、本実施形態においても、ガラスで形成された加工対象物1においてレーザ光Lに対する加工性を高めるという上記作用効果を奏する。また、本実施形態では、上述したように、変色部分H1がグラデーションを有していることから、グラデーションに応じて大きさが異なる複数の改質領域7を、一定のレーザ光Lの照射条件の下で一括形成することができる。つまり、集光点を相対移動させながら一定のレーザ条件でレーザ光Lを加工対象物1に適宜ONOFF照射することで、変色部H1の濃い領域には大きい改質領域7し、薄い領域には小さい改質領域7を形成することができる。なお、本実施形態では、中心側が濃く且つ外側に行くに従って徐々に薄くなるようなグラデーションを変色部分H1が有しているが、変色部分のグラデーションは、限定されるものではない。例えば、図13に示すように、加工対象物1のX方向一端側から他端側に行くに従って徐々に薄くなる又は、濃くなるグラデーションを有していてもよい。この場合、まず、図13aに示すように、加工対象物1の表面3上に、X線吸収フィルタ13を配置する。X線吸収フィルタ13のX線吸収パターンにあっては、変色部分Hのグラデーションに対応するパターンとされ、ここでは、加工対象物1のX方向一端側から他端側に行くに従って徐々に大きくなる又は、小さくなるパターンとされている。続いて、加工対象物1に対しX線2をX線吸収フィルタ13を介して面照射する。これにより、加工対象物1に入射されるX線2の強度分布が、加工対象物1のX方向一端側から他端側に行くに従って徐々に小さく大きくなる強度部分2bとされる。その結果、図13bに示すように、変色部分H2が加工対象物1に形成される。従って、図13cに示すように、その後、集光点を相対移動させながら一定のレーザ条件でレーザ光Lを加工対象物1に適宜ONOFF照射することで、X方向一端側から他端側に行くに従って小さいサイズのものとなるように、複数の改質領域7が変色部分H2に形成される。或いは、例えば図14に示すように、加工対象部1における任意の複数位置に変色部分H3を形成し、これら複数の変色部分H3の間でグラデーションを有していてもよい。この場合、図14aに示すように、透過率の異なる複数のX線吸収フィルタが切替可能に設けられたX線吸収機構14を用い、強度分布が互いに異なるようX線2を任意の複数位置で照射する。このとき、加工対象物1のX方向一端側の位置でX線2を照射する場合、他端側の位置でX線2を照射するときに比べて入射されるX線の強度分布2cが大きくなるようにX線吸収機構14のX線吸収フィルタを切り替える。その結果、図14bに示すように、加工対象物1のX方向一端側から他端側に行くに従って薄いものとされた複数の変色部分H3が、加工対象物1に形成される。従って、図14cに示すように、その後、集光点を相対移動させながら一定のレーザ条件でレーザ光Lを適宜ONOFF照射するスキャンを実施すると、X方向一端側から他端側に行くに従って小さいサイズとなるように、複数の改質領域7それぞれが変色部分H3のそれぞれに形成される。以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明に係るレーザ加工方法は、上記実施形態に限られるものではなく、各請求項に記載した要旨を変更しない範囲で変形し、又は他のものに適用したものであってもよい。例えば、改質領域を形成する際のレーザ光入射面及びX線入射面は、加工対象物1の表面3に限定されるものではなく、加工対象物1の裏面21であってもよい。また、上記実施形態では、ブラウニングするためにX線2を照射したが、X線2とは別の放射線を照射してもよく、要は、加工対象物をブラウニングにより変色させればよい。また、上記実施形態では、変色部分Hの全てを復色させているが、変色部分の少なくとも一部を復色させてもよい。また、上記実施形態では、加工対象物1の表面3に沿って集光点を移動させるスキャンを、Z方向の集光点位置を変えて繰り返し実施することにより、複数の改質領域7を形成したが、スキャン方向やスキャン順序は限定されるものではない。例えば、貫通孔24に沿って集光点を移動させながらレーザ光Lを照射して改質領域7を形成し、これを貫通孔24の数だけ繰り返してもよい。また、上記実施形態でのレーザ光LのONOFF照射は、レーザ光Lの出射のONOFFを制御する他に、レーザ光Lの光路上に設けられたシャッタを開閉したり、加工対象物1の表面3をマスキングしたり等して実施してもよい。さらに、レーザ光Lの強度を、改質領域7が形成される閾値加工閾値以上の強度と加工閾値未満の強度との間で制御してもよい。"