"半導体ショットキー障壁デバイスであって、広バンドギャップ半導体層と、前記広バンドギャップ半導体層上に存在し、該広バンドギャップ半導体層とのショットキー接合部を形成するショットキー障壁金属層と、前記ショットキー障壁金属層上に前記広バンドギャップ半導体層から離れて存在する電流拡散層と、前記電流拡散層と前記ショットキー障壁金属層の間の第1の拡散障壁層と、前記第1の拡散障壁層と前記ショットキー障壁金属層の間の第2の拡散障壁層と、を含むことを特徴とするデバイス。前記広バンドギャップ半導体層が窒化ガリウムを含み、前記ショットキー障壁金属層がニッケルを含み、前記電流拡散層が金を含み、前記第1の拡散障壁層が白金を含み、前記第2の拡散障壁層がタンタルを含む、ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。前記第1の拡散障壁層が、約300°Cを超える前記ショットキー接合部の温度における前記電流拡散層と前記第2の拡散障壁層の混合を抑制するように構成され、前記第2の拡散障壁層が、約300°Cを超える前記ショットキー接合部の温度における前記第1の拡散層と前記ショットキー障壁金属層の混合を抑制するように構成される、ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。前記ショットキー障壁金属層が、前記広バンドギャップ半導体層上に直接存在し、前記第2の拡散障壁層が、前記ショットキー障壁金属層上に直接存在し、前記第1の拡散障壁層が、前記第2の拡散障壁層上に直接存在し、前記電流拡散層が、前記第1の拡散障壁層上に直接存在する、ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。前記ショットキー障壁金属層と前記電流拡散層の間に、前記第1の拡散障壁層と前記第2の拡散障壁層が交互になった層を複数さらに含む、ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。前記第1の拡散障壁層と前記拡散障壁層の間に接着層をさらに含む、ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。前記広バンドギャップ半導体層が、窒化ガリウム及び/又は炭化ケイ素を含み、前記ショットキー障壁金属層が、ニッケル、白金及び/又はイリジウムを含み、前記電流拡散層が、金及び/又は銅を含み、前記第1の拡散障壁層が、白金、モリブデン、タングステン及び/又はクロムを含み、前記第2の拡散障壁層が、タンタル及び/又はタングステンを含んで前記第1の拡散障壁層とは異なる、ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。それぞれが前記ショットキー障壁金属層の対向する端部に隣接してHEMT又はMESFETを実現するように構成されたソース領域及びドレイン領域をさらに含む、ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。前記第1の拡散障壁層と前記第2の拡散障壁層の間の第3の拡散障壁層をさらに含む、ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。前記第3の拡散障壁層がチタンを含む、ことを特徴とする請求項9に記載のデバイス。半導体ショットキー障壁デバイスであって、窒化ガリウムを含む第1の層と、前記第1の層上に存在する、ニッケルを含む第2の層と、前記第2の層上に前記第1の層から離れて存在する、タンタルを含む第3の層と、前記第3の層上に前記第2の層から離れて存在する、白金を含む第4の層と、前記第4の層上に前記第3の層から離れて存在する、金を含む第5の層と、を含むことを特徴とするデバイス。前記第2の層が前記第1の層上に直接存在し、前記第3の層が前記第2の層上に直接存在し、前記第4の層が前記第3の層上に直接存在し、前記第5の層が前記第4の層上に直接存在する、ことを特徴とする請求項11に記載のデバイス。前記第2の層と前記第5の層の間に、前記第3の層と前記第4の層が交互になった層を複数さらに含む、ことを特徴とする請求項11に記載のデバイス。それぞれが前記第2の層の対向する端部に隣接してHEMT又はMESFETを実現するように構成されたソース領域及びドレイン領域をさらに含む、ことを特徴とする請求項11に記載のデバイス。前記第3の層と前記第4の層の間に、チタンを含む第6の層をさらに含む、ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。半導体ショットキー障壁デバイスであって、広バンドギャップ半導体層と、前記広バンドギャップ半導体層上に存在し、該広バンドギャップ半導体層とのショットキー接合部を形成するショットキー障壁金属層と、前記ショットキー障壁金属層上に前記広バンドギャップ半導体層から離れて存在する電流拡散層と、前記電流拡散層と前記ショットキー障壁金属層の間の、少なくとも2つの層を含む拡散障壁と、を含み、前記拡散障壁が、約300°Cを超える前記ショットキー接合部の温度における前記ショットキー接合部の漏れ電流の実質的な増加を防ぐように構成される、ことを特徴とするデバイス。前記広バンドギャップ半導体層が窒化ガリウムを含み、前記ショットキー障壁金属層がニッケルを含み、前記電流拡散層が金を含む、ことを特徴とする請求項16に記載のデバイス。前記拡散障壁が、前記電流拡散層と前記ショットキー障壁金属層の間に、前記少なくとも2つの層が交互になった層を複数含む、ことを特徴とする請求項16に記載のデバイス。前記広バンドギャップ半導体層が、窒化ガリウム及び/又は炭化ケイ素を含み、前記ショットキー障壁金属層が、ニッケル、白金及び/又はイリジウムを含み、前記電流拡散層が、金及び/又は銅を含む、ことを特徴とする請求項16に記載のデバイス。それぞれが前記ショットキー障壁金属層の対向する端部に隣接してHEMT又はMESFETを実現するように構成されたソース領域及びドレイン領域をさらに含む、ことを特徴とする請求項16に記載のデバイス。本明細書で説明する様々な実施形態による半導体ショットキー障壁デバイスは、広バンドギャップ半導体層と、この広バンドギャップ半導体層上に存在して広バンドギャップ半導体層とのショットキー接合部を形成するショットキー障壁金属層と、ショットキー障壁金属層上に広バンドギャップ半導体層から離れて存在する電流拡散層と、電流拡散層とショットキー障壁金属層の間の2又はそれ以上の拡散障壁層とを含む。いくつかの実施形態では、電流拡散層とショットキー障壁金属層の間に第1の拡散障壁層が設けられ、この第1の拡散障壁層とショットキー障壁金属層の間に第2の拡散障壁層が設けられる。いくつかの実施形態では、第1の拡散障壁層が、約300°Cを超えるショットキー接合部の温度における電流拡散層と第2の拡散障壁層の混合を抑制するように構成され、第2の拡散障壁層が、約300°Cを超えるショットキー接合部の温度における第1の拡散障壁層とショットキー障壁金属層の混合を抑制するように構成される。さらに、いくつかの実施形態では、ショットキー障壁金属層が、広バンドギャップ半導体層上に直接存在し、第2の拡散障壁層が、ショットキー障壁金属層上に直接存在し、第1の拡散障壁層が、第2の拡散障壁層上に直接存在する。材料に関しては、いくつかの実施形態において、広バンドギャップ半導体層が窒化ガリウムを含み、ショットキー障壁金属層がニッケルを含み、電流拡散層が金を含み、第1の拡散障壁層が白金を含み、第2の拡散障壁層がタンタルを含む。他の実施形態では、広バンドギャップ半導体層が、窒化ガリウム及び/又は炭化ケイ素を含み、ショットキー障壁金属層が、ニッケル、白金及び/又はイリジウムを含み、電流拡散層が、金及び/又は銅を含み、第1の拡散障壁層が、白金、モリブデン、タングステン及び/又はクロムを含み、第2の拡散障壁層が、タンタル及び/又はタングステンを含んで第1の拡散障壁層とは異なる。他の実施形態によれば、2つよりも多くの拡散障壁層を設けることができる。例えば、いくつかの実施形態では、ショットキー障壁金属層と電流拡散層の間に、第1の拡散障壁層と第2の拡散障壁層が交互になった層を複数設けることができる。他の実施形態では、第1の拡散障壁層と第2の拡散障壁層の間に接着層を設けることができる。接着層は、チタン、クロム及び/又は接着性が良好なその他の金属を含むことができる。さらに他の実施形態では、第1の拡散障壁層と第2の拡散障壁層の間に第3の拡散障壁層を設けることができる。この第3の拡散障壁層は、チタンを含むことができる。本明細書で説明する様々な実施形態による多層拡散障壁層は、様々な広バンドギャップ半導体ショットキー障壁デバイスで使用することができる。例えば、これらをショットキーダイオードとともに使用することができる。他の実施形態では、それぞれがショットキー障壁金属層の対向する端部に隣接してHEMT又はMESFETを実現するように構成されたソース領域及びドレイン領域を設けることができる。材料の観点から見れば、本明細書で説明する様々な実施形態による半導体ショットキー障壁デバイスは、窒化ガリウムを含む第1の層と、第1の層上の、ニッケルを含む第2の層と、第2の層上に第1の層から離れて存在する、タンタルを含む第3の層と、第3の層上に第2の層から離れて存在する、白金を含む第4の層と、第4の層上に第3の層から離れて存在する、金を含む第5の層とを含む。本明細書で説明するような他の材料の組み合わせを提供することもできる。本明細書で説明する様々な実施形態は、電流拡散層とショットキー障壁金属層の間に少なくとも1つの層を含み、約300°Cを超えるショットキー接合部の温度におけるショットキー接合部の漏れ電流の実質的な増加を防ぐように構成された拡散障壁を実現すると見なすこともできる。本明細書で説明するような様々な拡散障壁層を使用することができる。以下、様々な実施形態を示す添付図面を参照しながら、本発明をより完全に説明する。しかしながら、本発明は、多くの異なる形で具体化することができ、本明細書で説明する実施形態に限定されると解釈すべきではない。むしろ、これらの実施形態は、本開示を徹底的かつ完全なものとして当業者に本発明の範囲を十分に伝えるように提供するものである。図面では、明確にするために層及び領域のサイズ及び相対的サイズを誇張している場合がある。全体を通じ、同じ要素は同じ番号によって示している。本明細書で使用する用語は、特定の実施形態を説明するためのものにすぎず、本発明を限定する意図はない。本明細書では、単数形の1つの英文不定冠詞及びその英文定冠詞は、文脈において別途明確に示していない限り複数形の意味も含むことが意図される。さらに、備える、含むcomprise、comprising、include、includingという用語及びこれらの変形は、本明細書で使用する場合、規定される特徴、ステップ、動作、要素、及び/又は構成要素の存在を指定するが、1又はそれ以上のその他の特徴、ステップ、動作、要素、構成要素、及び/又はこれらの群の存在又は追加を排除するものではないと理解されたい。例えば、ある層について所与の材料を含んでいると示す場合、この層は、二元、三元、四元などの化合物、合金、ドープ層などを形成するための追加の材料を含むことができる。従って、例えば、窒化ガリウムを含む層は、窒化アルミニウムガリウム、窒化インジウムガリウム及び/又は窒化アルミニウムインジウムガリウムの層を含む。対照的に、~から成るconsistingofという用語及びその変形は、本明細書で使用する場合、規定される特徴、ステップ、動作、要素、及び/又は構成要素を指定し、追加の特徴、ステップ、動作、要素、及び/又は構成要素を排除する。最後に、上記で定義した用語は全て、例えばマグネシウムなどのP型ドーパント及び/又はシリコンなどのN型ドーパントを用いて、層がP型及び/又はN型にドープされていることを排除するものではない。層、領域又は基板などの要素が、別の要素上にon存在する及びその変形と言う場合、この要素は他の要素の上に直接存在する場合もあれば、又は介在要素が存在する場合もあると理解されたい。さらに、本明細書では、下にbeneath、上にあるoverlies、上部にtopside、裏側にbacksideなどの相対語を使用して、図に示すような基板又は基層に対する層又は領域同士の関係を説明することがある。これらの用語は、図に示す方向に加え、デバイスの異なる方向を含むことを意図したものであると理解されたい。最後に、直接directlyという用語は、介在要素が存在しないことを意味する。本明細書では、及び/又はand/orという用語は、関連する列挙項目の1又はそれ以上のありとあらゆる組み合わせを含み、/と短縮することができる。本明細書では、様々な要素、構成要素、領域、層及び/又は区域を説明するために第1の、第2のなどの用語を使用するが、これらの要素、部品、領域、層及び/又は区域をこれらの用語によって限定すべきではないと理解できるであろう。これらの用語は、1つの要素、構成要素、領域、層又は区域を、別の要素、部品、領域、層又は区域と区別するために使用するものにすぎない。従って、本発明の教示から逸脱することなく、後述する第1の要素、構成要素、領域、層又は区域を、第2の要素、構成要素、領域、層又は区域と呼ぶこともできる。本明細書では、本発明の理想的な実施形態の概略図である断面図及び/又はその他の図を参照しながら本発明の実施形態について説明する。従って、例えば、製造技術及び/又は公差の結果として生じる、図示の形状からのばらつきを予想すべきである。従って、本発明の実施形態は、本明細書に示す領域の特定の形状に限定されると解釈すべきではなく、例えば製造に起因する形状の偏差を含む。例えば、長方形として図示又は記載する領域が、一般的には、通常の製造公差に起因して丸みのある又は湾曲した特徴を有するようになる。従って、本明細書で特に定めがない限り、図示の領域は事実上概略的なものであり、これらの形状は、デバイスの領域の正確な形状を示すことを意図するものでも、本発明の範囲を限定することを意図するものでもない。本明細書で特に定めがない限り、本明細書で使用する技術用語及び科学用語を含む全ての用語は、本発明が属する技術の当業者が一般に理解している意味と同じ意味を有する。一般に使用される辞書で定義されるような用語については、関連技術及び本明細書との関連におけるこれらの意味に従う意味を有すると解釈すべきであり、本明細書で明確に定義しない限り、理想的な又は過度に形式的な意味で解釈されるものではない。本明細書では、半導体ショットキー障壁デバイスの様々な実施形態について説明する。本明細書で使用する半導体ショットキー障壁デバイスという用語は、ショットキーダイオード、HEMT、MESFET、及び/又はシリコン、炭化ケイ素、窒化ガリウム及び/又はその他の半導体材料を含むことができる1又はそれ以上の半導体層を含むその他の半導体ショットキーデバイスを含むことができる。半導体ショットキー障壁デバイスは、サファイア、シリコン、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、及び/又はその他の単複の超小型電子基板を含んでもよく、又は含まなくてもよい。図1、図2及び図3は、本明細書で説明する様々な実施形態による、多層拡散障壁を含む、ショットキーダイオード図1、HEMT図2及びMESFET図3を含む広バンドギャップショットキー障壁デバイスの簡略化した断面図である。図1には、本明細書で説明する様々な実施形態による半導体ショットキー障壁デバイスの全体像を示すこともできる。ここで図1を参照すると、半導体ショットキー障壁デバイス/ショットキーダイオード100が、例えば、炭化ケイ素及び/又は窒化ガリウムなどの、少なくとも約1.7eVのバンドギャップを有する単複の材料を含むことができる広バンドギャップ半導体層110を含む。この広バンドギャップ半導体層110は、独立構造を有することができ、基板の一部を含むこと、又はこの層自体が基板上に存在することができる。様々なバッファ層及び/又はその他の層を設けることもできる。広バンドギャップ半導体層110のためのオーム接点を実現することもできる。図2を参照すると、HEMT200が、異なるバンドギャップを有する2つの異なる広バンドギャップ半導体層212及び214間のヘテロ接合部210を含むことができる。図2では、2つの異なる材料212及び214が、それぞれGaN及びAlGaNを含むが、他の実施形態では、他の材料を使用することができる。ソース領域216及びドレイン領域218を設けることもできる。ソース接点222及びドレイン接点224をそれぞれ設けることもできる。基板230を設けることもできる。様々な他のバッファ層、スペーサ層、キャッピング層及び/又はその他の層を設けることもできる。図3には、炭化ケイ素基板などの基板330と、この基板330上の、窒化ガリウムを含むことができる1又は複数の広バンドギャップ半導体層320とを含むMESFET300を示している。ソース316、ドレイン318、ソース接点322及びドレイン接点324を設けることもできる。様々な他のバッファ層、キャッピング層、絶縁層及び/又はその他の層を設けることもできる。図1には、ショットキー障壁ダイオードの縦向きの実施形態を示しており、図2及び図3には、HEMT200及びMESFET300の横向きの実施形態をそれぞれ示していることも理解されよう。しかしながら、他の実施形態では、横向きのショットキー障壁ダイオードを提供すること、及び縦向きのHEMT及びMESFETを提供することもできる。再び図1、図2及び図3を参照して分かるように、デバイス100、200及び300の各々は、多層拡散障壁ショットキー接点150を含む。この多層拡散障壁ショットキー接点150により、ショットキーダイオード100内には陽極金属スタックを、HEMT200又はMESFET300内にはゲートを形成することができる。これらのショットキー障壁接点150の各々は、広バンドギャップ半導体層110、214及び/又は320上に、これらの半導体層とのショットキー接合部162を形成するショットキー障壁金属層160を含む。ショットキー障壁金属層160上には、広バンドギャップ半導体層110、214及び/又は320から離れて電流拡散層170が設けられる。電流拡散層170とショットキー障壁金属層160の間には、本明細書では多層拡散障壁180とも呼ぶ、少なくとも2つの層を含む拡散障壁層が設けられる。いくつかの実施形態では、多層拡散障壁層180が、約300°Cを超えるショットキー接合部162の温度におけるショットキー接合部162の漏れ電流の実質的な増加を防ぐように構成される。以下、多層拡散障壁180の様々な実施形態について説明する。しかしながら、最初に、本明細書で説明する様々な実施形態による多層拡散障壁の一般的説明を行う。詳細には、GaNベースのHEMTゲートで使用されるようなショットキー障壁接点は、通常、広バンドギャップ半導体に接するショットキー障壁、電流拡散層、及びこれらの間の、ショットキー障壁金属層内に電流拡散層が拡散するのを抑制又は防止するための拡散障壁層、という3つの金属層を含む。GaNベースのHEMTに最も広く使用されるショットキー障壁金属層はニッケルである。通常、電流拡散層は金であり、通常、拡散障壁層は白金である。金の電流拡散層は、ゲートの導電率を高めてゲート抵抗を低下させる役目を果たす。白金の拡散障壁層は、半導体表面に達した場合に拡散問題に起因してショットキー接点を劣化させることがある金の拡散に対する障壁として使用される。本明細書における様々な実施形態によれば、単一のニッケル拡散障壁層を含むショットキー接点は、逆バイアスにおいて劣化し、漏れを生じやすくなる可能性があることが分かっている。高温すなわち、約300°Cを超えるでの動作中には、例えば100倍などの桁違いに漏れが増すことも珍しいことではない。動作理論に縛られることを望むわけではないが、白金又は金などの他の金属がショットキー障壁金属層内に移動することが理論化されている。より具体的には、300°Cを超える温度で金属混合が起きる可能性がある。この結果、ニッケルショットキー障壁金属層が白金の拡散障壁層と混合し、これが水素を引き寄せ、その後半導体を汚染する。次に、金の電流拡散層が、この新しいニッケル白金アマルガムと混合し、次にこれが、約300°Cを超える温度で広バンドギャップ半導体層内に拡散する。白金は、金、チタン及びその他の半導体産業で広く使用される金属に対しては良好な障壁であるが、ニッケルの拡散に対しては障壁性が低い。さらに、モリブデン、パラジウム及びタングステンなどの他の障壁を金の拡散に対して使用することもできるが、これらは全て、ショットキー障壁層と電流拡散層の間の拡散に関連して危険を伴う場合がある。この望ましくない拡散を抑制又は防止するために、本明細書で説明する様々な実施形態は多層拡散障壁を提供し、これらの個々の拡散障壁を、互いに隣接する層間の拡散を抑制又は最小化するように調整することができる。多層拡散障壁は、2つ、3つ、4つなどの層を含むことができる。図4に、様々な実施形態による、多層拡散障壁180を含む広バンドギャップショットキー障壁デバイスを示す。ショットキー障壁金属層160が、ショットキーダイオードの広バンドギャップ半導体層110であっても、HEMTの広バンドギャップ半導体層214であっても、又はMESFETの広バンドギャップ半導体層320であってもよい広バンドギャップ半導体層410とのショットキー接合部162を提供する。ショットキー障壁金属層160上には、広バンドギャップ半導体層410から離れて電流拡散層170が設けられる。電流拡散層170とショットキー障壁金属層160の間には、第1の拡散障壁層182が設けられる。第1の拡散障壁層182とショットキー障壁金属層160の間には、第2の拡散障壁層184が設けられる。いくつかの実施形態では、各拡散障壁層182、184が、これらに隣接する層間の拡散を抑制又は最小化するように設計される。詳細には、第1の拡散障壁層182を、約300°Cを超えるショットキー接合部162の温度における電流拡散層170と第2の拡散障壁層184の混合を抑制するように構成することができる。また、第2の拡散障壁層184を、約300°Cを超えるショットキー接合部162の温度における第1の拡散障壁層182とショットキー障壁金属層160の混合を抑制するように構成することができる。いくつかの実施形態では、図4に示すように、広バンドギャップ半導体層410上にショットキー障壁金属層160が直接存在し、ショットキー障壁金属層160上に第2の拡散障壁層184が直接存在し、第2の拡散障壁層184上に第1の拡散障壁層182が直接存在し、第1の拡散障壁層182上に電流拡散層170が直接存在する。しかしながら、後述するように、他の実施形態では追加層を設けることもできる。例えば、第1の拡散障壁層182及び/又は第2の拡散障壁184を複製することもでき、第3の拡散障壁層を設けることもでき、及び/又は接着層を設けることもできる。図5に、図4の様々な実施形態による、ショットキー接点構造150の実施形態例を示す。図5を参照して分かるように、広バンドギャップ半導体層410’は、窒化アルミニウムガリウムAlGaNを含むことができる。ショットキー障壁金属層160’は、ニッケルNiを含むことができ、第1の拡散障壁層182’は、白金Ptを含むことができ、第2の拡散障壁層184’は、タンタルTaを含むことができ、電流拡散層170’は、金を含むことができる。従って、タンタル層184’は、Ni/Ptの混合に対する拡散障壁として機能し、白金層182’は、Au/Taの混合に対する拡散障壁として機能する。いくつかの実施形態では、ニッケル層160’の厚みを、約10Å~約1,000Åとすることができ、いくつかの実施形態では、約150Åとすることができる。タンタル層184’及び白金層182’の各々の厚みは、約100Å~約2,000Åとすることができ、いくつかの実施形態では、各々約200Åとすることができる。金層170’の厚みは、約3,000Å~約10,000Åとすることができ、いくつかの実施形態では、約6,000Åとすることができる。層160’、184’、182’及び170’は、蒸着法及び/又はその他の従来の堆積プロセスを用いて作製することができる。図6に、様々な層に使用できる材料を含む様々な他の実施形態を示す。詳細には、ショットキー障壁金属層160は、ニッケルNi、白金Pt及び/又はイリジウムIrを含むことができる。第2の拡散障壁184は、タンタルTa及び/又はタングステンWを含むことができる。第1の拡散障壁182は、白金Pt、タングステンW、モリブデンMo及び/又はクロムCrを含むことができ、第1の拡散障壁層182と第2の拡散障壁層184は互いに異なる。最後に、電流拡散層170は、金Au及び/又は銅Cuを含むことができる。図6の特定の実施形態は、Ni160、Ta184、W182及びCu170のスタック、又はNi160、Ta184、Mo182及びAu170のスタックを含むことができる。従って、2又はそれ以上の層を拡散障壁として使用することにより、隣接する金属に対する障壁要件を調整することによってデバイスの信頼性を高めることができる。上述したように、他の実施形態によれば2つよりも多くの拡散障壁層を設けることができる。例えば、図7に、ショットキー障壁金属層160と電流拡散層170の間の、複数の交互になった第1及び第2の拡散障壁層182、184を示す。このような交互層を設ける場合、複数の第1又は第2の拡散障壁層の全体的な厚みを約100Å~約2,000Åとすることができ、いくつかの実施形態では約200Åとすることができる。別の言い方をすれば、複数の拡散障壁層を複製する場合には、個々の拡散障壁層の厚みを抑制すればよい。第1及び第2の拡散障壁層を複製することにより、結晶粒界を分離させることによって接点スタック内の粒界欠陥を減少させることができる。図8に、第1の拡散障壁層182と第2の拡散障壁層184の間に第3の拡散障壁及び/又は接着層810を設けることができる他の実施形態を示す。この第3の拡散障壁層810は、金属チタン、或いは酸化チタン及び/又は窒化チタンの薄層、などのチタンを含むことができる。接着層は、チタン、クロム、及び/又は接着性が良好なその他の金属を含むことができる。他の様々な実施形態では、他の様々な場所に追加の拡散障壁層及び/又は接着層を設けることもできる。本明細書で説明する様々な実施形態は、高い接合部温度におけるショットキー障壁デバイスの漏れ電流の実質的な増加を防ぐことができる。例えば、単一の拡散障壁層の接点スタックが、ニッケルの150Åのショットキー障壁金属層と、白金の200Åの拡散障壁層と、金の6,000Åの電流拡散層とを含むことができる。多層拡散障壁は、図5に示す構成において、ニッケルのショットキー障壁金属層と白金の第1の拡散障壁層との間にチタンの200Åを追加し、他のデバイスパラメータを全てそのままにしておくことができる。約300°Cを超える接合部温度では、単一の拡散障壁層接点スタックの漏れ電流が100倍に増加する場合がある。しかしながら、多層拡散障壁接点スタックでは、300°Cを超える温度における漏れ電流の増加がほとんど又は全く起きないようにすることができる。従って、本明細書で説明した様々な実施形態により、約300°Cを超える接合部温度における漏れ電流の実質的な増加を防ぐことができる。従って、信頼性の高い高温デバイスを提供することができる。本明細書では、上記の説明及び添付図面に関連して多くの異なる実施形態を開示した。これらの実施形態の全ての組み合わせ及びその下位の組み合わせを逐一説明して図示することは、過度に反復的であり不明瞭となることが理解できるであろう。従って、図面を含む本明細書は、本明細書で説明した実施形態、及びこれらを作成して使用する方法及びプロセスの全ての組み合わせ及びその下位の組み合わせの完全な明細書を構成するものであると解釈すべきであり、あらゆるこのような組み合わせ及びその下位の組み合わせについて特許請求する根拠となるはずである。図面及び明細書に本発明の実施形態を開示し、また特定の用語を使用しているが、これらは一般的かつ記述的な意味でのみ使用したものであって限定を目的とするものではなく、本発明の範囲は以下の特許請求の範囲に示す。"