式I:式中、R1及びR4は、個別に、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、CRa、CORb、CNRcRd、及びOHのための保護基から選択され;R2は、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、CRa、CORb、CNRcRd、及びアミノのための保護基から選択され;R3は、CNまたはOHであり;R5及びR6は、その結合する炭素と共に以下の基:aC;bCHまたはCH式中、R7は、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換の複素環基、及びOHのための保護基から選択され;R8及びR9は、個別に、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換の複素環基、及びアミノのための保護基から選択される;c以下の基:式中、X1及びX2は、個別に、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキルから選択され;R10及びR11は、個別に、水素、CRa、CORb、CNRcRd、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、及び置換もしくは無置換のC2C12アルキニルから選択される;またはd以下の基:式中、Y1は、水素、ORb、OCRa、OCORb、OCNRcRd、SRe、SORa、SO2Ra、CRa、CORb、CNRcRd、NO2、NRcRd、NCRa、NORb、CNORb、NCORb、NCNRcRd、CN、ハロゲン、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換の複素環基から選択され;Y2及びY3は、個別に、水素及び置換もしくは無置換のC1C12アルキルから選択され;R12及びR13は、個別に、水素、CRa、CORb、CNRcRd、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、及び置換もしくは無置換のC2C12アルキニルから選択され;且つ各Raは、個別に、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、及び置換もしくは無置換の複素環基から選択され;各Rbは、個別に、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換の複素環基、及びOHのための保護基から選択され;各Rc及びRdは、個別に、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換の複素環基、及びアミノのための保護基から選択され;各Reは、個別に、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換の複素環基、及びSHのための保護基から選択されるを形成するの化合物またはその薬剤として許容される塩の合成方法であって、式IIのキノンの還元に次いで、得られるヒドロキノンを安定な求電子試薬を用いてアルキル化して、式IIa:式中、R1は、OHのための保護基であり;R2は、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、CRa、CORb、CNRcRd、及びアミノのための保護基から選択され;Raは、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、及び置換もしくは無置換の複素環基から選択され;Rbは、個別に、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換の複素環基、及びOHのための保護基から選択され;Rc及びRdは、個別に、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換の複素環基、及びアミノのための保護基から選択され;ProtNHは、アミノのための保護基であり;且つProtSHは、SHのための保護基であるの化合物を得る工程を含む方法。式IIaの化合物を酸化して式IIbの化合物を得る工程:式中、R1、R2、ProtSH、及びProtNHは、請求項1の式IIに規定される通りであるを含む、請求項1に記載の方法。架橋した環系を形成して式Iaの化合物を生成させる工程:式中、R1、R2、ProtSH、及びProtNHは、請求項1の式IIに規定される通りであるを更に含む、請求項1または2に記載の方法。ProtSHが、S9フルオレニルメチルFm基である、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の方法。式Iaの化合物を脱保護して式Ibの化合物を生成させる工程:式中、R1、R2、及びProtNHは、請求項1の式IIに規定される通りであるを更に含む、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の方法。R1はメトキシエトキシメチル基であり、ProtNHはtブトキシカルボニル基である、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の方法。式Ibのαアミノラクトンを酸化させ、アミノ基転移によって対応するαケトラクトンとする工程:式中、R2は請求項1の式Iに規定される通りであり、R3はシアノであるを更に含む、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の方法。式Ifのスピロテトラヒドロイソキノリン化合物を、式Idのαケトラクトンからピクテスペングラー反応によって立体特異的に生成させる工程:式中、R2、X1、及びX2は、請求項1の式Iに規定される通りであり、R3はシアノであるを更に含む、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の方法。式Ifの化合物において、R3のシアノ基をヒドロキシ基によって置換する工程:式中、R2、X1、及びX2は、請求項1の式Iに規定される通りであるを更に含む、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の方法。X1及びX2はHである、請求項8または9に記載の方法。式Ieのスピロテトラヒドロ1Hピリド34bインドール化合物を、式Idのαケトラクトンからピクテスペングラー反応によって立体特異的に生成させる工程:式中、R2、X1、X2、及びY3は、請求項1の式Iに規定される通りであり、R3はシアノであるを更に含む、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の方法。式Ieの化合物において、R3のシアノ基をヒドロキシ基によって置換する工程:式中、R2、X1、X2、及びY3は、請求項1の式Iに規定される通りであるを更に含む、請求項11に記載の方法。Y1が水素またはメトキシであり、Y2及びY3は水素である、請求項11または12に記載の方法。R2がメチルである、請求項1乃至13のいずれか一項に記載の方法。式Ifの化合物が、ET743:である、請求項9または10に記載の方法。式Ieの化合物が、化式:のものである、請求項12乃至14のいずれか一項に記載の方法。式II:式中、R1は、OHのための保護基であり;R2は、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、CRa、CORb、CNRcRd、及びアミノのための保護基から選ばれ、Raは、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、及び置換もしくは無置換の複素環基から選択され;Rbは、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換の複素環基、及びOHのための保護基から選択され;各Rc及びRdは、個別に、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換の複素環基、及びアミノのための保護基から選択され;ProtNHは、アミノのための保護基であり;且つProtSHは、SHのための保護基であるの化合物。R1がOHのためのエーテル保護基である、請求項17に記載の化合物。R2がメチルである、請求項17または18に記載の化合物。ProtNHが、その結合するアミノ基と共にカルバメートを形成し、ProtSHが、その結合するS原子と共にチオエーテルを形成する、請求項17乃至19のいずれか一項に記載の化合物。ProtNHが、tブチルオキシカルボニルであり、ProtSHが、S9フルオレニルメチルFmである、請求項20に記載の化合物。式IIa’:式中、R1は、請求項17または18に規定される通りであり;R2は、請求項17または19に規定される通りであり;且つProtNH及びProtSHは、請求項17、20、または21に規定される通りであるのメトキシキノンを脱メチル化する工程を含む、式IIの化合物の合成方法。式IIa’’の化合物のProt1OHO基を脱保護し、得られるヒドロキノンを酸化する工程:式中、R1はProt1OHの存在下で選択的に脱離するように選択され、逆もまた然りであるという条件の下で、R1及びProt1OHはOHのための保護基であり;R2は、請求項17または19に規定される通りであり;且つProtNH及びProtSHは、請求項17、20、または21に規定される通りであるを含む、式IIの化合物の合成方法。エクチナサイジン化合物及び関連化合物を得る代替的半合成経路が依然として求められている。こうした合成経路は、既知の抗腫瘍剤を得るより経済的な方法を提供すると共に、新規な活性化合物の調製を可能にする。本発明は、エクチナサイジン類の合成方法に関する。これはまた、こうした方法のための中間体、これらの製造方法、及びエクチナサイジン類の合成におけるこれらの使用に関する。第一の態様では、本発明は、式I:式中、R1及びR4は、個別に、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、CRa、CORb、CNRcRd、及びOHのための保護基から選択され;R2は、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、CRa、CORb、CNRcRd、及びアミノのための保護基から選択され;R3は、CNまたはOHであり;R5及びR6は、その結合する炭素と共に以下の基:aC;bCHまたはCH式中、R7は、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換の複素環基、及びOHのための保護基から選択され;R8及びR9は、個別に、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換の複素環基、及びアミノのための保護基から選択される;c下式の基:式中、X1及びX2は、個別に、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキルから選択され;R10は、水素、CRa、CORb、CNRcRd、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、及びOHのための保護基から選択される;R11は、水素、CRa、CORb、CNRcRd、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、及びアミノのための保護基から選択される;またはd以下の基:式中、Y1は、水素、ORb、OCRa、OCORb、OCNRcRd、SRe、SORa、SO2Ra、CRa、CORb、CNRcRd、NO2、NRcRd、NCRa、NORb、CNORb、NCORb、NCNRcRd、CN、ハロゲン、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換の複素環基から選択され;Y2及びY3は、個別に、水素及び置換もしくは無置換のC1C12アルキルから選択され;R12及びR13は、個別に、水素、CRa、CORb、CNRcRd、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、及び置換もしくは無置換のC2C12アルキニルから選択され;且つ各Raは、個別に、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、及び置換もしくは無置換の複素環基から選択され;各Rbは、個別に、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換の複素環基、及びOHのための保護基から選択され;各Rc及びRdは、個別に、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換の複素環基、及びアミノのための保護基から選択され;各Reは、個別に、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換の複素環基、及びSHのための保護基から選択されるを形成するのエクチナサイジンまたはその薬剤として許容される塩の合成方法に関し、この方法は、スキームI:式中、R1は、OHのための保護基であり;R2は、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、CRa、CORb、CNRcRd、及びアミノのための保護基から選択され;Raは、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、及び置換もしくは無置換の複素環基から選択され;Rbは、個別に、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換の複素環基、及びOHのための保護基から選択され;Rc及びRdは、個別に、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換の複素環基、及びアミノのための保護基から選択され;ProtNHは、アミノのための保護基であり;且つProtSHは、SHのための保護基であるに従って、式IIのキノンを還元し、次いで得られるヒドロキノンを安定な求電子試薬を用いてアルキル化して、式IIaのエクチナサイジンを得る工程を含む。別の態様では、本発明は式II:式中、R1は、OHのための保護基であり;R2は、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、CRa、CORb、CNRcRd、及びアミノのための保護基から選ばれ、Raは、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、及び置換もしくは無置換の複素環基から選択され;Rbは、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換の複素環基、及びOHのための保護基から選択され;各Rc及びRdは、個別に、水素、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換の複素環基、及びアミノのための保護基から選択され;ProtNHは、アミノのための保護基であり;且つProtSHは、SHのための保護基であるの中間体を提供する。特段の態様では、本発明は、式Iの化合物の製造における式IIの中間体の使用に関する。別の態様では、本発明は、スキームII:式中、R1、R2、ProtNH、及びProtSHは、式IIについて定義される通りであるに従い、式IIa’のメトキシベンゾキノンの脱メチル化を含む、式IIの化合物の合成方法に関する。別の態様では、本発明は、スキームIII:R1はProt1OHの存在下で選択的に脱離するように選択され、逆もまた然りであるという条件の下で、R1及びProt1OHはOHのための保護基であり;R2、ProtNH、及びProtSHは、式IIについて定義される通りであるに従い、式IIa’’の保護ヒドロキノンの脱保護及び酸化を含む、式IIの化合物の代替的合成方法に関する。本発明は、上記の一般式I及びIIの化合物の製造方法に関する。本明細書中にマーカッシュ方式で規定される化合物においては、官能基は以下の指標に従って選択することができる。アルキル基は、分枝状もしくは非分枝状であってよく、好ましくは1から約12の炭素原子を有する。アルキル基のより好ましい一群は、1から約6の炭素原子を有する。更に好ましいのは、1、2、3、または4の炭素原子を有するアルキル基である。メチル、エチル、nプロピル、イソプロピル、並びにnブチル、tertブチル、secブチル、及びイソブチルを含むブチルは、本発明の化合物において特に好ましいアルキル基である。本発明の化合物における好ましいアルケニル及びアルキニル基は、分枝状または非分枝状であってよく、一つもしくは複数の不飽和結合及び2から約12の炭素原子を有する。アルケニル及びアルキニル基のより好ましい一群は、2から約6の炭素原子を有する。更に好ましいのは、2、3、または4の炭素原子を有するアルケニル及びアルキニル基である。本発明の化合物において適当なアリール基には、単環及び多環の化合物が含まれ、別の及び/または縮合したアリール基を含む多環化合物が含まれる。典型的なアリール基は、1から3の別のまたは縮合した環及び6から約18の炭素環原子を含む。好ましくはアリール基は6から約14の炭素環原子を含む。特に好ましいアリール基には、置換もしくは無置換のフェニル、置換もしくは無置換のナフチル、置換もしくは無置換のビフェニル、置換もしくは無置換のフェナントリル、及び置換もしくは無置換のアントリルが含まれる。最も好ましいアリール基は、置換もしくは無置換のフェニルである。適当な複素環基には、1から3の別のまたは縮合した環及び5から約18の環原子を含む複素芳香族及び複素脂環族基が含まれる。好ましい複素芳香族及び複素脂環族基には、5から約10の環原子、より好ましくは5、6、または7の環原子が含まれる。本発明の化合物における適当な複素芳香族基には、N、O、またはS原子から選択される1、2、または3のヘテロ原子が含まれ、例えば、8クマリニルを含むクマリニル、8キノリルを含むキノリル、イソキノリル、ピリジル、ピラジニル、ピラゾリル、ピリミジニル、フリル、ピロリル、チエニル、チアゾリル、イソチアゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、イソキサゾリル、オキサゾリル、イミダゾリル、インドリル、イソインドリル、インダゾリル、インドリジニル、フタラジニル、プテリジニル、プリニル、オキサジアゾリル、チアジアゾリル、フラザニル、ピリダジニル、トリアジニル、シンノリニル、ベンズイミダゾリル、ベンゾフラニル、ベンゾフラザニル、ベンゾチオフェニル、ベンゾチアゾリル、ベンゾキサゾリル、キナゾリニル、キノキサリニル、ナフチリジニル、及びフロピリジルが含まれる。本発明の化合物における適当な複素脂環族基には、N、O、またはS原子から選択される1、2、または3のヘテロ原子が含まれ、例えば、ピロリジニル、テトラヒドロフラニル、ジヒドロフラニル、テトラヒドロチエニル、テトラヒドロチオピラニル、ピペリジル、モルホリニル、チオモルホリニル、チオキサニル、ピペラジニル、アゼチジニル、オキセタニル、チエタニル、ホモピペリジル、オキセパニル、チエパニル、オキサゼピニル、ジアゼピニル、チアゼピニル、1236テトラヒドロピリジル、2ピロリニル、3ピロリニル、インドリニル、2Hピラニル、4Hピラニル、ジオキサニル、13ジオキソラニル、ピラゾリニル、ジチアニル、ジチオラニル、ジヒドロピラニル、ジヒドロチエニル、ジヒドロフラニル、ピラゾリジニル、イミダゾリニル、イミダゾリジニル、3アザビシクロ310ヘキシル、3アザビシクロ410へプチル、3Hインドリル、及びキノリジニルが含まれる。上述の基は、一つもしくはそれ以上の可能な位置で一つもしくはそれ以上の適当な基、例えば、OR’、O、SR’、SOR’、SO2R’、NO2、NHR’、NR’R’、NR’、NHCOR’、N2、NHSO2R’、NR’CNR’R’、CN、ハロゲン、COR’、COOR’、OCOR’、OCONHR’、OCONR’R’、CONHR’、CONR’R’、保護OH、保護アミノ、保護SH、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換の複素環基によって置換されていてよく、ここで各R’基は、個別に、水素、OH、NO2、NH2、SH、CN、ハロゲン、COH、COアルキル、CO2H、置換もしくは無置換のC1C12アルキル、置換もしくは無置換のC2C12アルケニル、置換もしくは無置換のC2C12アルキニル、置換もしくは無置換のアリール、置換もしくは無置換の複素環基からなる群より選択される。こうした基自身がが置換されている場合は、置換基は前述のリストから選択してよい。本発明の化合物における適当なハロゲン置換基には、F、Cl、Br、及びIが含まれる。適当な求電子試薬は、12ジヒドロキシアリール化合物と反応して13ジオキソロ縮合アリール化合物をもたらす化合物である。適当な求電子試薬の例には、以下に限定されるものではないが、LG1CH2LG2及びLG1COLG2式中、LG1及びLG2は同一でも相違しても良い脱離基であるが含まれる。薬剤として許容される塩なる語は、患者に投与すると本明細書中に記載される化合物を直接的もしくは間接的に提供することができる、薬剤として許容されるあらゆる塩を意味する。しかしながら、薬剤として許容されない塩もまた、薬剤として許容される塩の調製に有用でありうることから本発明の範囲に含まれることが理解されるであろう。塩の調製は、当業者に既知の方法によって実行することができる。例えば、本明細書中に記載される化合物の薬剤として許容される塩は、塩基性もしくは酸性部分を含む親化合物から従来の化学的方法によって合成される。一般的に、こうした塩は、例えば、これらの化合物の遊離の酸もしくは塩基形態と適切な塩基もしくは酸の化学量論的量とを、水中または有機溶媒中またはこれらの混合物中で反応させることによって調製される。一般的に、エーテル、酢酸エチル、エタノール、2プロパノール、またはアセトニトリル等の非水性媒質が好ましい。酸付加塩の例には、無機酸付加塩、例えば、塩酸塩、臭化水素酸塩、ヨウ化水素酸塩、硫酸塩、硝酸塩、リン酸塩、及び有機酸付加塩、例えば、酢酸塩、トリフルオロ酢酸塩、マレイン酸塩、フマル酸塩、クエン酸塩、シュウ酸塩、コハク酸塩、酒石酸塩、リンゴ酸塩、マンデル酸塩、メタンスルホン酸塩、及びpトルエンスルホン酸塩が含まれる。アルカリ付加塩の例には、無機塩、例えば、ナトリウム、カリウム、カルシウム、アンモニウム塩、並びに有機アルカリ塩、例えば、エチレンジアミン、エタノールアミン、NNジアルキレンエタノールアミン、トリエタノールアミン、及び塩基性アミノ酸塩が含まれる。適当な保護基は、当業者には周知である。有機化学における保護基の一般的な総括は、WutsPGMandGreeneTWinProtectinggroupsinOrganicSynthesis4thEdWileyInterscienceによって、またKocienskiPJinProtectingGroups3rdEdGeorgThiemeVerlagによって与えられる。これらの参考文献には、OH、アミノ、及びSH基のための保護基についての節が設けられている。これら全ての参考文献は、その全体を参照のために本明細書中に援用することとする。本発明の範囲では、OH保護基は、適当な保護OH基の生成によるOH基の保護から生じるO結合した部分であると定義される。こうした保護OH基の例には、エーテル、シリルエーテル、エステル、スルホネート、スルフェネート、及びスルフィネート、カーボネート、及びカルバメートが含まれる。エーテルの場合には、OHのための保護基は、メチル、メトキシメチル、メチルチオメチル、メトキシメチル、ベンジルオキシメチル、pメトキシベンジルオキシメチル、オキシメチル、pニトロベンジルオキシメチル、oニトロベンジルオキシメチル、lエトキシメチル、メチル、グアイアコールメチル、pフェニルフェニルオキシメチル、tブトキシメチル、4ペンテニルオキシメチル、シロキシメチル、2メトキシエトキシメチル、2シアノエトキシメチル、ビスメチル、222トリクロロエトキシメチル、2エトキシメチル、メントキシメチル、Oビスメチル、テトラヒドロピラニル、フルオラステトラヒドロピラニル、3ブロモテトラヒドロピラニル、テトラヒドロチオピラニル、1メトキシシクロヘキシル、4メトキシテトラヒドロピラニル、4メトキシテトラヒドロチオピラニル、4メトキシテトラヒドロチオピラニルSSジオキシド、lフェニル4メトキシピペリジン4イル、14メトキシピペリジン4イル、l4メトキシピペリジン4イル、l4ジオキサン2イル、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロチオフラニル、233a45677aオクタヒドロ788トリメチル47メタノベンゾフラン2イル、1エトキシエチル、1エチル、2ヒドロキシエチル、2ブロモエチル、l2エトキシエチル、1メチル1メトキシエチル、1メチル1ベンジルオキシエチル、1メチルlベンジルオキシ2フルオロエチル、1メチル1フェノキシエチル、222トリクロロエチル、llジアニシル222トリクロロエチル、111333ヘキサフルオロ2フェニルイソプロピル、1エチル、2トリメチルシリルエチル、2エチル、2フェニルセレニルエチル、tブチル、シクロヘキシル、1メチルl’シクロプロピルメチル、アリル、プレニル、シンナミル、2フェナリル、プロパルギル、pクロロフェニル、pメトキシフェニル、pニトロフェニル、24ジニトロフェニル、2356テトラフルオロ4フェニル、ベンジル、pメトキシベンジル、34ジメトキシベンジル、26ジメトキシベンジル、oニトロベンジル、pニトロベンジル、ペンタジエニルニトロベンジル、ペンタジエニルニトロピペロニル、ハロベンジル、26ジクロロベンジル、24ジクロロベンジル、26ジフルオロベンジル、pシアノベンジル、フルオラスベンジル、4フルオラスアルコキシベンジル、トリメチルシリルキシリル、pフェニルベンジル、2フェニル2プロピル、pアシルアミノベンジル、pアジドベンジル、4アジド3クロロベンジル、2トリフルオロメチルベンジル、4トリフルオロメチルベンジル、pベンジル、pシルエタニルベンジル、4アセトキシベンジル、4エトキシメトキシベンジル、2ナフチルメチル、2ピコリル、4ピコリル、3メチル2ピコリルNオキシド、2キノリニルメチル、6メトキシ2メチル、αナフチルジフェニルメチル、pメトキシフェニルジフェニルメチル、ジフェニルメチル、トリメチル、4フェニルジフェニルメチル、44’4’’トリスメチル、44’4’’トリスメチル、44’4’’トリスメチル、44’ジメトキシ3’’Nトリチル、44’ジメトキシ3’’Nカルバモイルトリチル、ビス1’ピレニルメチル、444’’ジメトキシトリチル、9アントリル、9キサンテニル、9フェニルチオキサンチル、9アントリル、l3ベンゾジチオラン2イル、及び45ビスl3ジオキソラン2イル、ベンズイソチアゾリルSSジオキシドから選択可能である。シリルエーテルの場合には、OHのための保護基は、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリイソプロピルシリル、ジメチルイソプロピルシリル、ジエチルイソプロピルシリル、ジメチルヘキシルシリル、2ノルボルニルジメチルシリル、tブチルジメチルシリル、tブチルジフェニルシリル、トリベンジルシリル、トリpキシリルシリル、トリフェニルシリル、ジフェニルメチルシリル、ジtブチルメチルシリル、ビス1ピレニルメトキシシリル、トリスシリル、ジメチルシリル、ジイソプロピルシリル、tブチルメトキシフェニルシリル、tブトキシジフェニルシリル、1133テトライソプロピル32エトキシジシロキサンlイル、及びフルオラスシリルから選択可能である。エステルの場合には、OHのための保護基は、これに結合した非保護のOHの酸素原子と共に、ホルメート、ベンゾイルホルメート、アセテート、クロロアセテート、ジクロロアセテート、トリクロロアセテート、トリクロロアセトアミデート、トリフルオロアセテート、メトキシアセテート、トリフェニルメトキシアセテート、フェノキシアセテート、pクロロフェノキシアセテート、フェニルアセテート、ジフェニルアセテート、3フェニルプロピオネート、ビスフルオラス鎖型プロパノイル、4ペンタノエート、4オキソペンタノエート、44ペンタノエート、53ビスヒドロキシメチルフェノキシレブリネート、ピバロエート、1アダマントエート、クロトネート、4メトキシクロトネート、ベンゾエート、pフェニルベンゾエート、246トリメチルベンゾエート、4ブロモベンゾエート、25ジフルオロベンゾエート、pニトロベンゾエート、ピコリネート、ニコチネート、2ベンゾエート、4アジドブチレート、フェニルアセテート、2オキシメチルベンゾエート、2オキシメチルベンゾエート、2メチルアミノメチルベンゾエート、2チオメチルアミノメチルベンゾエート、2フェニルアセテート、2ベンゾエート63メトキシ2ニトロベンゾエート、63メトキシ4ニトロベンゾエート、4ベンジルオキシブチレート、4トリアルキルシリルオキシブチレート、4アセトキシ22ジメチルブチレート、22ジメチル4ペンテノエート、2ヨードベンゾエート、4ニトロ4メチルペンタノエート、oベンゾエート、2ホルミルベンゼンスルホネート、4ブチレート、2ベンゾエート、2ベンゾエート、2エチルベンゾエート、22エチルベンゾエート、22エチルベンゾエート、26ジクロロ4メチルフェノキシアセテート、26ジクロロ4フェノキシアセテート、24ビスフェノキシアセテート、クロロジフェニルアセテート、イソブチレート、モノスクシノエート、2メチル2ブテノエート、oベンゾエート、αナフトエート、ニトレート、アルキルNNN’N’テトラメチルホスホロジアミデート、及び2クロロベンゾエートから選択されるエステルを生成する。スルホネート、スルフェネート、及びスルフィネートの場合には、OHのための保護基は、これに結合した非保護のOHの酸素原子と共に、サルフェート、アリルスルホネート、メタンスルホネート、ベンジルスルホネート、トシレート、2エチルスルホネート、2トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4モノメトキシトリチルスルフェネート、アルキル24ジニトロフェニルスルフェネート、2255テトラメチルピロリジン3オン1スルフィネート、及びジメチルホスフィノチオイルから選択可能なスルホネート、スルフェネート、またはスルフィネートを生成する。カーボネートの場合には、OHのための保護基は、これに結合した非保護のOHの酸素原子と共に、メチルカーボネート、メトキシメチルカーボネート、9フルオレニルメチルカーボネート、エチルカーボネート、ブロモエチルカーボネート、2エチルカーボネート、222トリクロロエチルカーボネート、llジメチル222トリクロロエチルカーボネート、2エチルカーボネート、2ジメチルシリルエチルカーボネート、2エチルカーボネート、2エチルカーボネート、シス4スルフェニルオキシテトラヒドロフラン3イルオキシカーボネート、イソブチルカーボネート、tブチルカーボネート、ビニルカーボネート、アリルカーボネート、シンナミルカーボネート、プロパルギルカーボネート、pクロロフェニルカーボネート、pニトロフェニルカーボネート、4エトキシ1ナフチルカーボネート、6ブロモ7ヒドロキシクマリン4イルメチルカーボネート、ベンジルカーボネート、oニトロベンジルカーボネート、pニトロベンジルカーボネート、pメトキシベンジルカーボネート、34ジメトキシベンジルカーボネート、アントラキノン2イルメチルカーボネート、2ダンシルエチルカーボネート、2エチルカーボネート、2エチルカーボネート、2プロピルカーボネート、アルキル2プロピルカーボネート、2シアノ1フェニルエチルカーボネート、2アミノlフェニルエチルカーボネート、2NメチルNアミノlフェニルエチルカーボネート、フェナシルカーボネート、3’5’ジメトキシベンゾインカーボネート、メチルジチオカーボネート、及びSベンジルチオカーボネートから選択可能なカーボネートを生成する。更に、カルバメートの場合には、OHのための保護基は、これに結合した非保護のOHの酸素原子と共に、ジメチルチオカルバメート、Nフェニルカルバメート、NメチルNカルバメートから選択可能なカルバメートを生成する。本発明の範囲では、アミノ保護基は、適当な保護アミノ基の生成によるアミノ基の保護から生じるN結合した部分であると定義される。保護アミノ基の例には、カルバメート、ウレア、アミド、複素環系、Nアルキルアミン、Nアルケニルアミン、Nアルキニルアミン、Nアリールアミン、イミン、エナミン、N金属誘導体、NN誘導体、NP誘導体、NSi誘導体、及びNS誘導体が含まれる。カルバメートの場合には、アミノ基のための保護基は、これに結合したアミノ基と共に、メチルカルバメート、エチルカルバメート、9フルオレニルメチルカルバメート、26ジtブチル9フルオレニルメチルカルバメート、27ビスフルオレニルメチルカルバメート、9フルオレニルメチルカルバメート、9フルオレニルメチルカルバメート、17テトラベンゾacgiフルオレニルメチルカルバメート、2クロロ3インデニルメチルカルバメート、ベンズfインデン3イルメチルカルバメート、llジオキソベンゾbチオフェン2イルメチルカルバメート、2メチルスルホニル3フェニル1プロプ2エニルオキシカルバメート、27ジtブチル9メチルカルバメート、222トリクロロエチルカルバメート、2トリメチルシリルエチルカルバメート、エチルカルバメート、2フェニルエチルカルバメート、2クロロエチルカルバメート、llジメチル2ハロエチルカルバメート、11ジメチル22ジブロモエチルカルバメート、11ジメチル222トリクロロエチルカルバメート、2エチルカルバメート、2エチルカルバメート、22ビスエチルカルバメート、2ジチオ1フェニルエチルカルバメート、2エチルカルバメート、tブチルカルバメート、C8F19CH2CH2C2カルバメート、1アダマンチルカルバメート、2アダマンチルカルバメート、11メチルエチルカルバメート、1メチル1エチルアルバメート、11メチルエチルカルバメート、トリイソプロピリルオキシルカルバメート、ビニルカルバメート、アリルカルバメート、プレニルカルバメート、1イソプロピルアリルカルバメート、シンナミルカルバメート、4ニトロシンナミルカルバメート、3プロプ2エニルカルバメート、ヘキサジエニルオキシカルバメート、プロパルギルオキシカルバメート、ブト2イニルビスオキシカルバメート、8キノリルアルバメート、Nヒドロキシピペリジニルカルバメート、アルキルジチオカルバメート、ベンジルカルバメート、35ジtブチルベンジルカルバメート、pメトキシベンジルカルバメート、pニトロベンジルカルバメート、pブロモベンジルカルバメート、pクロロベンジルカルバメート、24ジクロロベンジルカルバメート、4メチルスルフィニルベンジルカルバメート、4トリフルオロメチルベンジルカルバメート、C8F17CH2CH2カルバメート、3Siカルバメート、2ナフチルメチルカルバメート、9アントリルメチルカルバメート、ジフェニルメチルカルバメート、4フェニルアセトキシベンジルカルバメート、4アジドベンジルカルバメート、4アジドメトキシベンジルカルバメート、mクロロpアシルオキシベンジルカルバメート、pベンジルカルバメート、5ベンズイソキサゾリルメチルカルバメート、26クロモニルメチルカルバメート、2メチルチオエチルカルバメート、2メチルスルホニルエチルカルバメート、2pトルエンスルホニルエチルカルバメート、2エトキシカルバメート、2エトキシカルバメート、2エトキシカルバメート、2メチルカルバメート、2ホスホニオエチルカルバメート、2フェニルスルホニオエチルカルバメート、1メチル1エチルカルバメート、11ジメチル2シアノエチルカルバメート、2ダンシルエチルカルバメート、2エチルカルバメート、4メチルチオフェニルカルバメート、24ジメチルチオフェニルカルバメート、mニトロフェニルカルバメート、35ジメトキシベンジルカルバメート、1メチル1エチルカルバメート、αメチルニトロピペロニルカルバメート、oニトロベンジルカルバメート、34ジメトキシ6ニトロベンジルカルバメート、フェニルメチルカルバメート、2ニトロフェニルエチルカルバメート、6ニトロベラトリルカルバメート、4メトキシフェナシルカルバメート、3’5’ジメトキシベンゾインカルバメート、9キサンテニルメチルカルバメート、NメチルNカルバメート、Nアミンカルバメート、tアミルカルバメート、1メチルシクロブチルカルバメート、1メチルシクロヘキシルカルバメート、1メチル1シクロプロピルメチルカルバメート、シクロブチルカルバメート、シクロペンチルカルバメート、シクロヘキシルカルバメート、イソブチルカルバメート、イソボルニルカルバメート、シクロプロピルメチルカルバメート、pデシルオキシベンジルカルバメート、ジイソプロピルメチルカルバメート、22ジメトキシカルボニルビニルカルバメート、oベンジルカルバメート、11ジメチル3プロピルカルバメート、ブチニルカルバメート、11ジメチルプロピニルカルバメート、2ヨードエチルカルバメート、1メチル1エチルカルバメート、1メチル1エチルカルバメート、pベンジルカルバメート、pベンジルカルバメート、246トリメチルベンジルカルバメート、イソニコチニルカルバメート、4ベンジルカルバメート、pシアノベンジルカルバメート、ジメチルカルバメート、2フラニルメチルカルバメート、フェニルカルバメート、246トリtブチルフェニルカルバメート、1メチル1フェニルエチルカルバメート、及びSベンジルチオカルバメートから選択可能なカルバメートを生成する。ウレアの場合には、アミノ基のための保護基は、フェノチアジニルカルボニル、N’pトルエンスルホニルアミノカルボニル、N’フェニルアミノチオカルボニル、4ヒドロキシフェニルアミノカルボニル、3ヒドロキシトリプタミノカルボニル、及びNフェニルアミノチオカルボニルから選択可能である。アミドの場合には、アミノ基のための保護基は、これに結合したアミノ基と共に、ホルムアミド、アセトアミド、クロロアセトアミド、トリクロロアセトアミド、トリフルオロアセトアミド、フェニルアセトアミド、3フェニルプロパンアミド、ペント4エナミド、ピコリナミド、3ピリジルカルボキサミド、Nベンゾイルフェニルアラニル、ベンズアミド、pフェニルベンズアミド、oニトロフェニルアセトアミド、22ジメチル2アセトアミド、oニトロフェノキシアセトアミド、3プロパンアミド、2メチル2プロパンアミド、3メチル3ニトロブタンアミド、oニトロシンナミド、oニトロベンズアミド、322ジメチルプロパンアミド、oベンゾイルオキシメチルベンズアミド、2ベンズアミド、2メチルベンズアミド、333ジメチルプロピオンアミド、oヒドロキシトランスシンナミド、2メチル2プロパンアミド、4クロロブタンアミド、アセトアセトアミド、3プロパンアミド、アセトアミド、及びNアセチルメチオニンアミドから選択可能なアミドを生成する。複素環系の場合には、アミノ基のための保護基は、これに結合したアミノ基と共に、45ジフェニル3オキサゾリン2オン、Nフタルイミド、Nジクロロフタルイミド、Nテトラクロロフタルイミド、N4ニトロフタルイミド、Nチオジグリコーロイル、Nジチアスクシンイミド、N23ジフェニルマレイミド、N23ジメチルマレイミド、N25ジメチルピロール、N25ビスピロール、N1144テトラメチルジシリルアザシクロペンタン付加物、Nll33テトラメチルl3ジシライソインドリン、ジフェニルシリルジエチレン、N5置換13ジメチル135トリアザシクロヘキサン2オン、N5置換13ベンジル135トリアザシクロヘキサン2オン、1置換35ジニトロ4ピリドン、及び135ジオキサジンから選択可能な複素環系を生成する。Nアルキル、Nアルケニル、Nアルキニル、またはNアリールアミンの場合には、アミノ基のための保護基は、Nメチル、Ntブチル、Nアリル、Nプレニル、Nシンナミル、Nフェニルアリル、Nプロパルギル、Nメトキシメチル、N2エトキシメチル、N3アセトキシプロピル、Nシアノメチル、N2アザノルボルネン、Nベンジル、N4メトキシベンジル、N24ジメトキシベンジル、N2ヒドロキシベンジル、Nフェロセニルメチル、N24ジニトロフェニル、oメトキシフェニル、pメトキシフェニル、N9フェニルフルオレニル、Nフルオレニル、N2ピコリルアミンN’オキシド、N7メトキシクマル4イルメチル、Nジフェニルメチル、Nビスメチル、N5ジベンゾスベリル、Nトリフェニルメチル、Nジフェニルメチル、及びNジフェニルメチルから選択可能である。イミンの場合には、アミノ基のための保護基は、Nllジメチルチオメチレン、Nベンジリデン、Npメトキシベンジリデン、Nジフェニルメチレン、N2ピリジルメシチルメチレン、N、N、N、NN’イソプロピリデン、Npニトロベンジリデン、Nサリチリデン、N5クロロサリチリデン、Nフェニルメチレン、Nシクロヘキシリデン、及びNtブチリデンから選択可能である。エナミンの場合には、アミノ基のための保護基は、N、N27ジクロロ9フルオレニルメチレン、N1エチル、Nトリオキソピリミジン5イリデンメチル、N444トリフルオロ3オキソ1ブテニル、及びNから選択可能である。N金属誘導体の場合には、アミノ基のための保護基は、Nボラン、Nジフェニルボリン酸、Nジエチルボリン酸、N9ボラビシクロノナン、Nジフルオロボリン酸、及び35ビスフェニルボロン酸から選択可能であり、更に、Nフェニルカルベニル、Nフェニルカルベニル、Nメチルカルベニル、Nメチルカルベニル、N銅キレート、N亜鉛キレート、及び18クラウン6誘導体から選択可能である。NN誘導体の場合には、アミノ基のための保護基は、Nニトロ、Nニトロソ、Nオキシド、アジド、トリアゼン、及びNトリメチルシリルメチルNベンジルヒドラジンから選択可能である。NP誘導体の場合には、アミノ基のための保護基は、これに結合したアミノ基と共に、ジフェニルホスフィンアミド、ジメチルチオホスフィンアミド、ジフェニルチオホスフィンアミド、ジアルキルホスホルアミデート、ジベンジルホスホルアミデート、ジフェニルホスホルアミデート、及びイミノトリフェニルホスホランから選択可能なNP誘導体を生成する。NSi誘導体の場合には、NH2のための保護基は、tブチルジフェニルシリル及びトリフェニルシリルから選択可能である。NS誘導体の場合には、アミノ基のための保護基は、これに結合したアミノ基と共に、NスルフェニルまたはNスルホニル誘導体から選択可能なNS誘導体を生成する。Nスルフェニル誘導体は、ベンゼンスルフェンアミド、2ニトロベンゼンスルフェンアミド、24ジニトロベンゼンスルフェンアミド、ペンタクロロベンゼンスルフェンアミド、2ニトロ4メトキシベンゼンスルフェンアミド、トリフェニルメチルスルフェンアミド、1トリフルオロllジフェニルエチルスルフェンアミド、及びN3ニトロ2ピリジンスルフェンアミドから選択可能である。Nスルホニル誘導体は、メタンスルホンアミド、トリフルオロメタンスルホンアミド、tブチルスルホンアミド、ベンジルスルホンアミド、2エタンスルホンアミド、pトルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホンアミド、oアニシルスルホンアミド、2ニトロベンゼンスルホンアミド、4ニトロベンゼンスルホンアミド、24ジニトロベンゼンスルホンアミド、2ナフタレンスルホンアミド、4ベンゼンスルホンアミド、26メトキシ4メチルスルホンアミド、9アントラセンスルホンアミド、ピリジン2スルホンアミド、ベンゾチアゾール2スルホンアミド、フェナシルスルホンアミド、236トリメチル4メトキシベンゼンスルホンアミド、246トリメトキシベンゼンスルホンアミド、26ジメチル4メトキシベンゼンスルホンアミド、ペンタメチルベンゼンスルホンアミド、2356テトラメチル4メトキシベンゼンスルホンアミド、4メトキシベンゼンスルホンアミド、246トリメチルベンゼンスルホンアミド、26ジメトキシ4メチルベンゼンスルホンアミド、3メトキシ4tブチルベンゼンスルホンアミド、及び22578ペンタメチルクロマン6スルホンアミドから選択可能である。本発明の範囲では、SH保護基は、適当な保護SH基の生成によるSH基の保護から生じるS結合した部分であると定義される。こうした保護SH基の例には、チオエーテル、ジスルフィド、シリルチオエーテル、チオエステル、チオカーボネート、及びチオカルバメートが含まれる。チオエーテルの場合には、SHのための保護基は、Sアルキル、Sベンジル、Spメトキシベンジル、Soヒドロキシベンジル、Spヒドロキシベンジル、Soアセトキシベンジル、Spアセトキシベンジル、Spニトロベンジル、Soニトロベンジル、S246トリメチルベンジル、S246トリメトキシベンジル、S4ピコリル、S2ピコリルNオキシド、S2キノリニルメチル、S9アントリルメチル、S9フルオレニルメチル、Sキサンテニル、Sフェロセニルメチル、Sジフェニルメチル、Sビスメチル、S5ジベンゾスベリル、Sトリフェニルメチル、4メトキシトリチル、Sジフェニル4ピリジルメチル、Sフェニル、S24ジニトロフェニル、S2キノリル、Stブチル、S1アダマンチル、Sメトキシメチルモノチオアセタール、Sイソブトキシメチルモノチオアセタール、Sベンジルオキシメチル、S1エトキシエチル、S2テトラヒドロピラニルモノチオアセタール、Sベンジルチオメチルジチオアセタール、Sフェニルチオメチルジチオアセタール、チアゾリジン誘導体、Sアセトアミドメチルアミノチオアセタール、Sトリメチルアセトアミドメチルアミノチオアセタール、Sベンズアミドメチルアミノチオアセタール、Sアリルオキシカルボニルアミノメチル、SN2356テトラフルオロ4フェニルNアリルオキシカルボニルアミノメチル、Sフタルイミドメチル、Sフェニルアセトアミドメチル、Sエチル、S2エチル、S2エチル、S2シアノエチル、S2エチル、S22ビスエチル、Sエチル、S2フェニルスルホニルエチル、S12メチルプロプ2イル、及びSpヒドロキシフェナシルが含まれる。ジスルフィドの場合には、SHのための保護基は、SSEt、SStBuSシステイン、SStブチル、及びSNpysから選択可能である。シリルチオエーテルの場合には、SHのための保護基は、シリルエーテルでのOHの保護のために以上に列挙した群のリストから選択可能な。チオエステルの場合には、SHのための保護基は、Sアセチル、Sベンゾイル、S2メトキシイソブチリル、Sトリフルオロアセチルから選択され、SHのための保護基は、これに結合したSH基と共に、SNpビフェニルイルイソプロポキシカルボニルNメチルγアミノチオブチレート、及びSNNメチルγアミノチオブチレートから選択可能なチオエステルを生成する。チオカーボネートの場合には、SHのための保護基は、S222トリクロロエトキシカルボニル、Stブトキシカルボニル、Sベンジルオキシカルボニル、Spメトキシベンジルオキシカルボニル、及びSフルオレニルメチルカルボニルから選択可能な。チオカルバメートの場合には、SHのための保護基は、これに結合したSH基と共に、S及びSから選択可能なチオカルバメートを生成する。これらの基への言及は、これらがOH、アミノ、及びSH基のための保護基の例示として言及されたものに過ぎず、前記官能性を有する他の基が当業者に既知であろうし、これらもまた本発明によって包含されると理解されることから、本発明の範囲の限定と見なされるべきでない。適切なカップリング剤は、当業者に周知である。カップリング剤の例は、NN’ジシクロヘキシルカルボジイミド、NN’エチルカルボジイミド及びその塩、l3プロピル3エチルカルボジイミドメチオジド、NN’ジイソプロピルカルボジイミド、ltertブチル3エチルカルボジイミド、NシクロヘキシルN’カルボジイミドメトpトルエンスルホネート、NN’ジtertブチルカルボジイミド、13ジpトリルカルボジイミド、11’カルボニルジイミダゾール、l1’カルボニルジ、シュウ酸ジイミダゾリド、2クロロl3ジメチルイミダゾリジニウムクロライド、2クロロl3ジメチルイミダゾリジニウムテトラフルオロボレート、2クロロl3ジメチルイミダゾリジニウムヘキサフルオロホスフェート、2フルオロl3ジメチルイミダゾリジニウムヘキサフルオロホスフェート、トリスホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリピロリジノホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、7アザベンゾトリアゾール1イルオキシトリピロリジノホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、ブロモトリスホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、クロロトリピロリジノホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、ブロモトリピロリジノホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、3l23ベンゾトリアジン4オン、ONNN’N’テトラメチルウロニウムヘキサフルオロホスフェート、ONNN’N’テトラメチルウロニウムテトラフルオロボレート、ONNN’N’テトラメチルウロニウムヘキサフルオロホスフェート、ONNN’Nビスウロニウムヘキサフルオロホスフェート、Oベンゾトリアゾール1イルNNN’N’ビスウロニウムヘキサフルオロホスフェート、ジピペリジノカルベニウムテトラフルオロボレート、ONNN’N’テトラメチルウロニウムヘキサフルオロホスフェート、ONNN’N’テトラメチルウロニウム、ONNN’N’テトラメチルウロニウムテトラフルオロボレート、OピリジルNNN’N’テトラメチルウロニウムテトラフルオロボレート、OシアノメチレンアミノNNN’N’テトラメチルウロニウムヘキサフルオロホスフェート、OシアノメチレンアミノNNN’N’テトラメチルウロニウムテトラフルオロボレート、NNN’N’テトラメチルOウロニウムヘキサフルオロホスフェート、NNN’N’テトラメチルOウロニウムテトラフルオロボレート、ジピロリジノカルベニウム、プロピルホスホン酸無水物、及びSNNN’N’テトラメチルチオウロニウムテトラフルオロボレートである。本説明及び定義において、本発明の化合物中に幾つかの基、Ra、Rb、Rc、Rd、またはReが存在する場合は、特記のない限り、これらは所与の定義の範囲内においてそれぞれ独立に相違してよく、すなわち、Raは、本発明の所与の化合物において、必ずしも同時に同一の基を表わさない。式Iの化合物は、スキームIV:式中、式II、IIa、IIb、Ia、及びIbの化合物中のR1、R2、ProtNH、及びProtSHは、式IIの中間体について以上に定義される通りであり;式Ic、Id、Ie、If、及びIgの化合物中のR2、R3、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、X1、X2、Y1、Y2、及びY3は、式Iのエクチナサイジン類について以上に定義される通りであり;LGは脱離基であり;式R7LG、R8LG、R9LG、R10LG、R11LG、R12LG、及びR13LGの化合物それぞれにおけるR7、R8、R9、R10、R11、R12、及びR13は、ハロゲンではないという条件のもとに、式Iのエクチナサイジン類について以上に定義される通りであるに示される一連のカギとなる反応に次いで式IIの中間体から合成により得られる。脱離基の例には、以下に限定されるものではないが、ヨウ化物、臭化物、塩化物、トシレート、メシレート、ノシレート、ベチレート、アルキルフルオロスルホネート、トリフレート、及びノナフレートが含まれる。一般的に、式IIの中間体の式Iのエクチナサイジン化合物への転化は、必要に応じて以下の鍵となる変換工程の一つもしくはそれ以上を含んでよい:a式IIの化合物中のキノン基を還元した後、得られるヒドロキノンを適当な求電子試薬でアルキル化して式IIaの化合物を得る工程、b式IIaの化合物を酸化して式IIbの化合物を得る工程、c架橋した環系を形成して式Iaの化合物を準備する工程、dフェノール及びアミノ基を脱保護して式Ibの化合物を得る工程、e式Ibの化合物を転換して式Icの化合物を得る工程、f式Ibのαアミノラクトンを酸化して、アミノ基転移により式Idの対応するケトラクトンとする工程、g式Idのαケトラクトンから、ピクテスペングラー反応によって、式Ieのスピロテトラヒドロ1Hピリド34bインドールまたは式Ifのスピロテトラヒドロイソキノリンを立体特異的形成する工程、h式Idのαケトラクトンを還元して、対応する式Igのαヒドロキシラクトンとする工程、iR3中のシアノをヒドロキシ基によって置換する工程。工程aは、典型的には、遷移金属触媒による水素化または還元試薬、例えばNa2S2O4を用いてキノリン系をヒドロキノンに還元し、次いで、適当な電子吸引試薬、例えば、CH2Br2、BrCH2Cl、または類似の二価の試薬を用いてトラップし、直接メチレンジオキシ環系を得るか、あるいは、二価の試薬、例えば、チオカルボニルジイミダゾールを用いて所望の環に転換させることが可能な置換メチレンジオキシ環を得ることによって達成される。工程bは、典型的には、適当な酸化剤、例えば、過酸化水素、有機過酸化物、過安息香酸、過ヨウ素酸塩、四酢酸鉛、酸化鉛、二酸化セレン、超原子価ヨウ素酸化剤、例えば、2ヨードキシ安息香酸、または有機セレン酸無水物、例えば、2Oを用いる反応によって達成される。より好ましい酸化剤は、有機セレン酸無水物及び超原子価ヨウ素酸化剤である。有機セレン酸無水物がよりいっそう好ましい。最も好ましい酸化剤は、2Oである。工程cは、典型的には、環Bの4位でエクセンドキノンメタイドを生成させて、メタイドをシステイン残基の硫黄原子と反応させ、生成するフェノキシドを、アセチル化試薬、例えば、無水酢酸、混合アセチル無水物、または塩化アセチルを用いて捕捉して式Iaの化合物を得ることによって達成される。適当なメタイドは、式IIbの化合物をinsitu生成させたスワーン試薬と反応させ、次いで塩基で処理することによって生成する。適当な環形成は、チオレートイオンを生成させる条件の下でSHのための保護基を脱離させ、次いでキノンメタイドへの硫黄の求核付加により10員のラクトンブリッジを生成させることで実施され、生じるフェノキシドが捕捉されて式Iaのアセテートをもたらす。工程dは、好ましくは、二つの別個の工程としてよりも単一の工程でのフェノール及びアミノ基の脱保護によって達成される。より好ましくは、ワンポット脱保護は、酸性条件下で実施される。工程eは、R8及び/またはR9が水素でない場合に実施され、典型的には、式R8LGまたはR9LGの化合物を用いる反応によって達成され、R8及びR9がどちらも水素でない場合には、次いで式R9LGまたはR8LGの化合物をそれぞれ用いる第二の反応が行われる。工程fは、典型的には、アミノ基を、対応するオキソ基に、適当なカルボニル試薬、例えば、ヒンダード12ベンゾキノンまたはピリジンもしくはピリジニウムカルボキサルデヒドとの反応によって酸化的変換することによって達成される。より好ましいカルボニル試薬は、ピリジン4カルボキサルデヒドのメチオジド及びピリジン4カルボキサルデヒドのメチルベンセンスルホネートである。工程gは、典型的には、下式:式中、Y1、Y2、Y3、X1、及びX2は、式Iのエクチナサイジン類について以上に定義される通りであるのβアリールエチルアミンを用いるピクテスペングラー反応によって達成される。工程hは、典型的には、適当な還元試薬を用いる反応によって達成される。適当な還元試薬の例は、アルコキシ水素化アルミニウム及び水素化ホウ素、例えば、ホウ化水素及びシアノホウ化水素である。より好ましい還元試薬は、ホウ化水素及びシアノホウ化水素である。最も好ましい還元試薬は、酢酸の存在下におけるNaCNBH3である。工程iは、典型的には、ニトリル配位した遷移金属塩を用いる反応によって実施される。より好ましい塩は、AgまたはCuの塩である。最も好ましい塩は、AgNO3及びCuClである。いくつかの式Iの化合物を得るには、さらなる変換を要することがあり、この目的のためには、参照により全体が本明細書に組み込まれているWO0187895、WO03014127、WO0366638、WO0308423およびWO0177115中に記述される手順に従うことができる。式Ieの化合物の合成の好ましい方法は、式Ieの化合物をもたらす方法である。式Iの化合物の合成の特に好ましい方法は、式Ic、Id、Ie、Ie、IfまたはIgの化合物をもたらす方法である。式Iの化合物の合成の特に好ましい方法は、エーテル保護OH基を用いるものである。より好ましいエーテル保護OH基は、メトキシエトキシメチルエーテルおよびメトキシメチルエーテルである。最も好ましいエーテル保護OH基は、メトキシエトキシメチルエーテルである。式Iの化合物の合成特に好ましい方法は、カルバメート保護アミノ基を用いるものである。より好ましいカルバメート保護アミノ基は、アリルカルバメート、222トリクロロエチルカルバメート、ベンジルカルバメート、9フルオレニルメチルカルバメートおよびtブチルカルバメートから選択される。最も好ましいカルバメート保護アミノ基はtブチルカルバメートである。特に好ましい方法は、チオエーテル保護SH基を用いるものである。より好ましいチオエーテル保護SH基は、置換または非置換S9フルオレニルメチルチオエーテルである。最も好ましいチオエーテル保護SH基は、S9フルオレニルメチルチオエーテルである。式Iの化合物の合成のより好ましい方法は、式の化合物をもたらすものである。さらに、本発明に関して本発明者らは、新規な式IIの中間体化合物を提供する。式IIの化合物において、特に好ましいR1は、それが結合するO原子と一緒にエーテルを形成するOHの保護基である。より好ましいR1は、メトキシエトキシメチルまたはメトキシメチルである。最も好ましいR1は、メトキシエトキシメチルである。特に好ましいR2は、置換もしくは非置換C1~C6アルキル、置換もしくは非置換C2~C6アルケニル、またはCORbである。特に好ましいR2は、非置換C1~C6アルキル、または非置換C2~C6アルケニルである。より好ましいR2は、メチルまたはアリルである。最も好ましいR2はメチルである。特に好ましいProtNHは、それが結合するN原子と一緒にカルバメートを形成するアミノの保護基である。より好ましいProtNHは、アリルオキシカルボニル、222トリクロロエチルオキシカルボニル、ベンジルオキシカルボニル、9フルオレニルメチルオキシカルボニルおよびtブチルオキシカルボニルから選択される。最も好ましいProtNHは、tブチルオキシカルボニルである。特に好ましいProtSHは、それが結合するS基と一緒にチオエーテルを形成するSHの保護基である。より好ましいProtSHは、置換または非置換S9フルオレニルメチルである。最も好ましいProtSHは、S9フルオレニルメチルである。式IIの中間体を合成するのに適した出発材料には、天然ビスアルカロイド関連化合物が含まれる。このような出発材料は、WO0069862中に詳説される種々の培養ブロスから入手できる種々のクラスのサフラマイシンおよびサフラシン抗生物質から、あるいは、参照により全面的に本明細書に全て組み込まれている、US5721362、US6815544、JP2003221395、WO2007045686、WO2007087220およびJOrgChem2008、73、9594~9600頁中に開示されるものなどの他の合成方法または生化学的方法によって、いずれも準備できる。一実施形態において、式IIの化合物は、スキームV中に示される反応のシーケンスに従ってシアノサフラシンBから得られる。したがって、この実施形態において、式IIの化合物の合成方法は、式IIaのメトキシキノンを脱メチル化する工程を含む。その上、この方法は、式IIbのフェノールを保護するステップによって、式IIaの化合物を調製する工程をさらに含むことができる。その上、この方法は、式IIcのヒドロキノンの酸化によって、式IIbの化合物を調製する工程をさらに含むことができる。その上、この方法は、式IIdの化合物の脱保護によって、式IIcの化合物を調製する工程をさらに含むことができる。その上、この方法は、式IIeの化合物中の第一級ヒドロキシル基を、保護されたシステイン誘導体とカップリングさせるステップによって、式IIdの化合物を調製する工程をさらに含むことができる。その上、この方法は、適切な酸化剤により式IIfの第一級アミンを第一級アルコールに変換するステップ、また、場合によって、式IIeの化合物中のR2がメチルではない場合、引き続いて第一級アルコールを、OHのシリル保護基により保護するステップ、NMe基を脱メチル化するステップ、得られた第二級アミンを、式R2LGの化合物と反応させるステップ、およびシリルで保護した第一級アルコールを脱保護するステップにより、式IIeの化合物を調製する工程をさらに含むことができる。その上、この方法は、式IIgの化合物のアミド分解によって、式IIfの化合物を調製する工程をさらに含むことができる。その上、この方法は、式IIhのキノンの還元、続いてヒドロキシル基の保護によって、式IIgの化合物を調製する工程をさらに含むことができる。その上、この方法は、シアノサフラシンBの、置換または非置換アリールイソシアネートとの反応によって、式IIhの化合物を調製する工程をさらに含むことができる。式IIの化合物をもたらす、式IIaのメトキシキノンの変換は、メトキシ基を脱保護する適切な試薬との反応によって典型的に行われる。このような反応のための好ましい試薬は、場合によって置換したキノリンまたはコリジンなどの塩基の存在下におけるLiIである。より好ましい塩基はコリジンである。最も好ましい塩基は、246コリジンである。式IIaの化合物をもたらす、式IIbのフェノールの保護は、フェノール基を保護するのに適した試薬との反応によって典型的に行われる。このような反応のための好ましい試薬は、アルコキシメチルクロリド、アルコキシメチルブロミドおよびアルコキシアルコキシメチルクロリドである。アルコキシアルコキシメチルクロリドが特に好ましい試薬である。最も好ましい試薬は、メトキシエトキシメチルクロリドである。式IIbの化合物をもたらす、式IIcのヒドロキノンの酸化は、適切な酸化剤との反応によって行われる。特に好ましい酸化剤は、酸素およびPd酸素である。最も好ましい酸化剤は、PdC酸素である。式IIcのヒドロキノンをもたらす、式IIdの化合物中のフェノール基の脱保護は、ProtOHの構造を考慮して、当業者に非常によく知られている条件下で行われる。特に好ましい条件は、アリル保護したフェノール基を脱保護するために用いられる条件である。最も好ましいのは、水素化トリアルキルスズなどの還元剤の存在下における、パラジウム触媒作用による脱保護である。式IIeの化合物からの、式IIdの化合物の調製は、アミノおよび硫黄保護システインアミノ酸との反応によって典型的に行われ、この場合、このアミノ酸は、カルボジイミド、ホスホニウム塩、ウロニウム塩、グアニジニウム塩、イミダゾリウム由来試薬またはトリアゾリウム由来試薬などのカップリング剤によって活性化される。特に好ましいカップリング剤は、カルボジイミドである。最も好ましいカップリング剤は、1エチル3カルボジイミドおよびその塩酸塩である。式IIeの第一級アルコールへの、式IIfの第一級アミンの変換は、無機亜硝酸塩、四酸化窒素またはニトロフェリシアニドなどの適切な酸化剤との反応によって典型的に行われる。より好ましい酸化剤は、無機亜硝酸塩である。亜硝酸ナトリウムがこの工程のために最も好ましい酸化剤である。式IIeの化合物を合成する間における、場合による脱メチル化は、通例、対応するNオキシドをもたらす適切な酸化剤との反応を含む。このような反応のため特に好ましい酸化剤は、過酸である。最も好ましい酸化剤は、mクロロ過安息香酸である。式IIfの第一級アミンをもたらす、式IIgの化合物の変換は、適切なアミド分解試薬との反応によって行われる。特に好ましいのは、アミド分解試薬としてのクロロトリメチルシランメタノールまたはヨードトリメチルシランの使用である。式IIhの化合物におけるキノン基の還元は、遷移金属触媒作用による水素化またはNa2S2O4などの還元試薬を使用して典型的に行われる。遷移金属触媒作用による水素化が特に好ましい。最も好ましい遷移金属触媒は、PdCである。式IIgの化合物をもたらす、中間体化合物のヒドロキシル基の保護は、フェノール基を保護するのに適した試薬との反応によって典型的に行われる。このような反応のための好ましい試薬は、ハロゲン化アリルおよびハロゲン化アリルオキシカルボニルである。このような反応のためのより好ましい試薬は、ハロゲン化アリルである。最も好ましい試薬は、臭化アリルである。シアノサフラシンBからの、式IIhの尿素の生成は、アリールイソシアネートとの反応によって典型的に行われる。最も好ましい試薬は、フェニルイソシアネートである。この方法において、エーテル保護OH基の使用が特に好ましい。エーテル保護基が、アルキルシリルエーテル、アリルエーテル、メトキシエトキシメチルエーテルおよびメトキシメチルエーテルから選択されることが、より好ましい。最も好ましいエーテル保護OH基は、アリルおよびメトキシエトキシメチルエーテルである。この方法において、特に好ましいAr基は、フェニルである。この方法において、カルバメート保護NH基の使用が特に好ましい。カルバメート保護アミノ基は、アリルカルバメート、222トリクロロエチルカルバメート、ベンジルカルバメート、9フルオレニルメチルカルバメートおよびtブチルカルバメートから選択されることがより好ましい。最も好ましいカルバメート保護アミノ基はtブチルカルバメートである。この方法において、チオエーテル保護SH基の使用が特に好ましい。チオエーテル保護SH基は、置換または非置換S9フルオレニルメチルチオエーテルであることがより好ましい。最も好ましいチオエーテル保護SH基は、S9フルオレニルメチルチオエーテルである。他の実施形態において、式IIの化合物は、スキームVI中に示される反応のシーケンスに従ってシアノサフラシンBから得ることもできる。したがって、この実施形態において、式IIの化合物の合成方法は、式IIaの化合物のProt1OHO基を脱保護し、また得られたヒドロキノンを酸化する工程を含む。その上、この方法は、式IIbの化合物中の第一級ヒドロキシル基を、保護されたシステイン誘導体とカップリングさせるステップによって、式IIaの化合物を調製する工程をさらに含むことができる。その上、この方法は、式IIcのフェノールを保護するステップ、また、場合によって、式IIbの化合物中のR2がメチルではない場合、引き続いて第一級アルコールを、OHのためのシリル保護基により保護するステップ、NMe基を脱メチル化するステップ、得られた第二級アミンを、式R2LGの化合物と反応させるステップ、およびシリルで保護した第一級アルコールを脱保護するステップによって、式IIbの化合物を調製する工程をさらに含むことができる。その上、この方法は、適切な酸化剤により式IIdの化合物中の第一級アミンを第一級アルコールに変換するステップによって、式IIcの化合物を調製する工程をさらに含むことができる。その上、この方法は、式IIeの化合物のアミド分解によって第一級アミンをもたらすステップによって、式IIdの化合物を調製する工程をさらに含むことができる。その上、この方法は、式IIfの化合物の、置換または非置換アリールイソシアネートまたはアリールイソチオシアネートとの反応によって、式IIeの化合物を調製する工程をさらに含むことができる。その上、この方法は、式IIgの化合物を部分的に脱保護して、式IIfの化合物をもたらす工程をさらに含むことができる。その上、この方法は、式IIhのヒドロキシキノンの還元、続いてヒドロキシル基の保護によって、式IIgの化合物を調製する工程をさらに含むことができる。その上、この方法は、式IIiのメトキシキノンを加水分解または脱メチル化して、式IIhの化合物をもたらす工程をさらに含むことができる。その上、この方法は、式IIjのフェノールを保護して、式IIiの化合物をもたらす工程をさらに含むことができる。その上、この方法は、シアノサフラシンBのアミノ基を保護するステップによって、式IIjの化合物を調製する工程をさらに含むことができる。式IIaの化合物の脱保護は、当業者に非常によく知られている標準的手順に従って行われる。脱保護した中間体の酸化は、適切な酸化剤との反応によって行われる。特に好ましい酸化剤は、酸素およびPd酸素である。最も好ましい酸化剤は、PdC酸素である。式IIbの化合物からの、式IIaの化合物の調製は、アミノおよび硫黄保護システインアミノ酸との反応によって典型的に行われ、この場合、アミノ酸は、カルボジイミド、ホスホニウム塩、ウロニウム塩、グアニジニウム塩、イミダゾリウム由来試薬またはトリアゾリウム由来試薬などのカップリング剤によって活性化される。特に好ましいカップリング剤は、カルボジイミドである。最も好ましいカップリング剤は、1エチル3カルボジイミドおよびその塩酸塩である。式IIbの化合物をもたらす、式IIcのフェノールの保護は、フェノール基を保護するのに適した試薬との反応によって典型的に行われる。このような反応のために好ましい試薬は、アルコキシメチルクロリド、アルコキシメチルブロミドおよびアルコキシアルコキシメチルクロリドである。アルコキシアルコキシメチルクロリドが特に好ましい試薬である。最も好ましい試薬は、メトキシエトキシメチルクロリドである。式IIbの化合物を合成する間における、場合による脱メチル化は、通例、対応するNオキシドをもたらす適切な酸化剤との反応を含む。このような反応のために特に好ましい酸化剤は、過酸である。最も好ましい酸化剤は、mクロロ過安息香酸である。式IIcの第一級アルコールをもたらす、式IIdの第一級アミンの変換は、無機亜硝酸塩、四酸化窒素またはニトロフェリシアニドなどの適切な酸化剤との反応によって典型的に行われる。より好ましい酸化剤は、無機亜硝酸塩である。亜硝酸ナトリウムがこの工程のために最も好ましい酸化剤である。式IIdの第一級アミンへの、式IIeの化合物の変換は、適切なアミド分解試薬との反応によって典型的に行われる。特に好ましいのは、アミド分解試薬としてのクロロトリメチルシランメタノールまたはヨードトリメチルシランの使用である。式IIfの化合物からの、式IIeの尿素またはチオ尿素の生成は、アリールイソシアネートとの、またはアリールイソチオシアネートとの反応によって典型的に行われる。このような反応のために特に好ましい試薬は、アリールイソチオシアネートである。最も好ましい試薬は、フェニルイソチオシアネートである。式IIfの化合物をもたらす、式IIgの化合物の部分的な脱保護は、酸性条件を使用してワンポット工程として行われることが好ましい。式IIhのヒドロキシキノンの還元は、遷移金属触媒作用による水素化またはNa2S2O4などの還元試薬を使用して典型的に行われる。遷移金属触媒作用による水素化が特に好ましい。最も好ましい遷移金属触媒は、PdCである。中間体ヒドロキノン中のヒドロキシル基が保護されて、式IIgの化合物をもたらす。ヒドロキシル基の保護は、フェノール基を保護するのに適した試薬との反応によって典型的に行われる。この工程のための特に好ましい保護基は、アリルおよびアリルオキシカルボニル基である。最も好ましい保護基は、アリルである。式IIhのヒドロキシキノンをもたらす、式IIiのメトキシキノンの変換は、メトキシ基を脱保護するのに適した試薬との反応によって、または水酸化物との反応によって典型的に行われる。このような反応のための好ましい試薬は、塩基の存在下における水酸化物またはLiIである。この反応は、水酸化アルカリにより行われることがより好ましい。最も好ましい水酸化アルカリは、LiOHである。式IIiの化合物をもたらす、式IIjのフェノールの保護は、フェノール基を保護するのに適した試薬との反応によって典型的に行われる。このような反応のための好ましい試薬は、アルコキシメチルクロリド、アルコキシメチルブロミドおよびアルコキシアルコキシメチルクロリドである。アルコキシアルコキシメチルクロリドが特に好ましい試薬である。最も好ましい試薬は、メトキシエトキシメチルクロリドである。式IIjの化合物をもたらす、シアノサフラシンBの保護は、アミノ基を保護するのに適した試薬との反応によって典型的に行われる。このような反応のための好ましい試薬は、ジカーボネートおよびアルコキシカルボニルクロリドである。ジカーボネートが、特に好ましい試薬である。最も好ましい試薬は、ジtertブチルジカーボネートである。この方法において、特に好ましいProtOH基は、それらが結合されるO原子と一緒にエーテル基を形成するものである。より好ましいProtOH基は、メトキシエトキシメチルおよびメトキシメチルである。最も好ましいProtOH基は、メトキシエトキシメチルである。特に好ましいProt1OH基は、それらが結合されるO原子と一緒にエーテルまたはカーボネート基を形成するものである。より好ましいProt1OH基は、アリルおよびアリルオキシカルボニルである。最も好ましいProt1OH基は、アリルである。この方法において、最も好ましいAr基は、フェニルである。この方法において、カルバメート保護NH基の使用が特に好ましい。カルバメート保護アミノ基は、アリルカルバメート、222トリクロロエチルカルバメート、ベンジルカルバメート、9フルオレニルメチルカルバメートおよびtブチルカルバメートから選択されることがより好ましい。最も好ましいカルバメート保護アミノ基はtブチルカルバメートである。この方法において、チオエーテル保護SH基の使用が特に好ましい。チオエーテル保護SH基は、置換または非置換S9フルオレニルメチルチオエーテルであることがより好ましい。最も好ましいチオエーテル保護SH基は、S9フルオレニルメチルチオエーテルである。式IIの化合物を合成するのに適した出発材料の例には式のサフラマイシンA、サフラマイシンH、サフラマイシンS、サフラマイシンY3、サフラマイシンYd1、サフラマイシンAd1、サフラマイシンYd2、サフラマイシンAH2、サフラマイシンAH2Ac、サフラマイシンAH1、およびサフラマイシンAH1Ac式のサフラシンBおよびシアノサフラシンBCharupantKら、BioorganicMedicinalChemistry、2009、17、4548~4558頁において開示されている式のジョルマイシン、シアノジョルマイシン、レニエラマイシンE、ジョルンナマイシンAおよびジョルンナマイシンCレニエラマイシンTならびにサフラマイシンRが含まれる。式IIの化合物を合成するのに最も好ましい出発材料は、式のシアノサフラシンBである。本発明はまた、式Iの化合物の製造における、また特にの製造における、式IIの中間体の使用にも関する。さらなる好ましい実施形態において、種々の基および置換基について上記において記述した好ましい点が組み合わされる。本発明は、上記の式における好ましい基および置換基のこのような組合せをも対象としている。中間体10の合成経路AスキームVIIは、中間体10の合成の実施例を提供する。中間体2aの合成CH2Cl2中のシアノサフラシンBおよびフェニルイソシアネートの混合物を、23°Cで4時間撹拌した。反応混合物を真空下で濃縮し、未精製物を、ヘキサンEtOAcで溶離されるSiO2上でのカラムフラッシュクロマトグラフィーによって精製して、純粋な2aをもたらした。中間体3aの合成無水DMF中の2aおよび炭素上のPdの懸濁液を真空下で脱気し、水素雰囲気下において23°Cで2時間撹拌した。反応混合物を、23°Cにおいて無水Cs2CO3上で045μmPTFEフィルターを通して濾過し、DMFで洗浄し、また臭化アリルを添加した。この反応混合物を23°Cで4時間撹拌し、Celiteを通して濾過した。濾過した溶液に、NaClの飽和水溶液を添加しこれをCH2Cl2で抽出した。集合した有機層を、Na2SO4上で乾燥し、濾過し、真空下で濃縮した。未精製物を、CH2Cl2EtOAcで溶離されるSiO2上でのカラムフラッシュクロマトグラフィーによって精製して、純粋な3aをもたらした。中間体4aの合成MeOH中の3aおよびTMSClの溶液を、70°Cで6時間撹拌した。反応混合物を23°Cまで冷却し、真空下で濃縮した。得られた未精製物を、EtOAcで希釈し、酸性pHまで1MHClで酸性にした。水層をEtOAcで洗浄し、塩基性pHまでK2CO3で塩基性にし、CH2Cl2で抽出した。集合した有機層を、Na2SO4上で乾燥し、濾過し、真空下で濃縮して、未精製4aをもたらし、これを、さらに精製することなく次の工程において使用した。中間体5aの合成CH2Cl2中の4aおよびH3PO4Na2HPO4水溶液の混合物に、23°CにおいてNaNO2の水溶液を少しずつ1時間にわたって添加した。反応混合物を23°Cで1晩撹拌し、H2Oで希釈し、CH2Cl2で抽出した。集合した有機層を、Na2SO4上で乾燥し、濾過し、真空下で濃縮した。未精製物を、CH2Cl2EtOAcで溶離されるSiO2上でのカラムフラッシュクロマトグラフィーによって精製して、純粋な5aをもたらした。中間体6aの合成CH2Cl2中の5aおよびBocLCysOHの溶液に、23°CにおいてDIPEA、EDCHClおよびDMAPを添加した。反応混合物を23°Cで15時間撹拌し、CH2Cl2で希釈し、NaHCO3の飽和水溶液で洗浄した。集合した有機層を、Na2SO4上で乾燥し、濾過し、真空下で濃縮した。未精製物を、ヘキサンEtOAcで溶離されるSiO2上でのカラムフラッシュクロマトグラフィーによって精製して、純粋な6aをもたらした。中間体7aの合成CH2Cl2中の6aおよびPdCl22の懸濁液に、23°CにおいてAcOHおよびBu3SnHを添加した。反応混合物を23°Cで1時間撹拌し、SiO2上のカラムフラッシュクロマトグラフ中に装填し、ヘキサンEtOAcで溶離して、純粋な7aをもたらした。中間体8aの合成MeOH中の7aおよび炭素上のPdの懸濁液を、23°Cにおいて空気雰囲気下で24時間撹拌した。反応混合物は、Celiteを通して濾過し、CH2Cl2で洗浄し、濃縮した。未精製物を、ヘキサンEtOAcで溶離されるSiO2上でのカラムフラッシュクロマトグラフィーによって精製して、純粋な8aをもたらした。中間体9aの合成CH3CN中の8aの溶液に、23°CにおいてDIPEA、MEMClおよび触媒DMAPを添加した。反応混合物を23°Cで5時間撹拌し、CH2Cl2で希釈し、1MHClおよびNaHCO3の飽和水溶液で洗浄した。集合した有機層を、Na2SO4上で乾燥し、濾過し、真空下で濃縮した。未精製物を、CH2Cl2EtOAcで溶離されるSiO2上でのカラムフラッシュクロマトグラフィーによって精製して、純粋な9aをもたらした。中間体10の合成246コリジン中の9aの溶液を脱気し、23°CにおいてLiIを添加した。反応混合物を23°Cで24時間撹拌し、CH2Cl2で希釈し、1MHClで洗浄した。集合した有機層を、Na2SO4上で乾燥し、濾過し、真空下で濃縮した。未精製物を、ヘキサンEtOAcで溶離されるSiO2上でのカラムフラッシュクロマトグラフィーによって精製して、純粋な10をもたらした。経路BスキームVIIIは、中間体10の合成の他の実施例を提供する。中間体5bの合成WO0069862において開示されるように化合物4bが得られた。無水DMF中の4bおよび炭素上の10パラジウムの懸濁液を、23°CにおいてH2雰囲気下で2時間撹拌した。反応混合物は、23°CにおいてCeliteを通して無水Cs2CO3を入れたフラスコ中に濾過し、DMFで洗浄し、臭化アリルを添加した。反応混合物は、23°Cで3時間撹拌し、Celiteを通して濾過し、CH2Cl2で洗浄した。集合した有機層を、NaClの飽和水溶液で洗浄し、無水Na2SO4上で乾燥し、濾過し、かつ回転蒸発によって真空中で乾固するまで濃縮した。得られた未精製物を、ヘキサンEtOAcで溶離されるSiO2上でのカラムフラッシュクロマトグラフィーによって精製して、純粋な5bをもたらした。中間体6bの合成CH2Cl2中の5bの溶液に、23°CにおいてTFAを添加した。反応混合物は、23°Cで15時間撹拌し、回転蒸発によって真空中で乾固するまで濃縮した。得られた未精製物を、CH2Cl2で溶解し、K2CO3の飽和水溶液の添加によって塩基性pHまで中和し、CH2Cl2で抽出した。集合した有機層を、無水Na2SO4上で乾燥し、濾過し、かつ回転蒸発によって真空中で乾固するまで濃縮して、未精製6bをもたらし、これを、さらに精製することなく次の工程において使用した。中間体7bの合成CH2Cl2中の6bおよびフェニルイソチオシアネートの溶液を、23°Cで2時間撹拌した。反応混合物を、ヘキサンEtOAcで溶離されるSiO2上でのカラムフラッシュクロマトグラフ中に装填して、純粋な7bをもたらした。中間体8bの合成MeOH中の7bの溶液に、23°Cにおいてクロロトリメチルシランを添加した。反応混合物は、23°Cで15時間撹拌し、回転蒸発によって真空中で乾固するまで濃縮した。得られた未精製物を、EtOAcで溶解し、酸性pHまで1MHClを添加し、EtOAcで抽出した。水層を、固体K2CO3で塩基性とし、CH2Cl2で抽出した。集合した有機層を、無水Na2SO4上で乾燥し、濾過し、かつ回転蒸発によって真空中で乾固するまで濃縮して、未精製8bをもたらし、これを、さらに精製することなく次の工程において使用した。中間体9bの合成CH2Cl2中の8bおよびH3PO4Na2HPO4溶液の混合物に、23°CにおいてNaNO2の水溶液を1時間にわたってゆっくり添加した。反応混合物は、23°Cで18時間撹拌し、H2Oで希釈し、またCH2Cl2で抽出した。集合した有機層を、無水Na2SO4上で乾燥し、濾過し、かつ回転蒸発によって真空中で乾固するまで濃縮した。未精製物を、ヘキサンEtOAcにより溶離されるSiO2上でのカラムフラッシュクロマトグラフィーによって精製して、純粋な9bをもたらした。中間体10bの合成THF中の9bの溶液に、0°Cにおいて1クロロメトキシ2メトキシエタンおよびNaHを添加した。反応混合物は、23°Cで1時間撹拌し、触媒量のNaHを添加し、23°Cでさらに1時間撹拌を維持した。次いで、反応混合物をNaClの飽和水溶液で希釈し、CH2Cl2で抽出した。集合した有機層を、無水Na2SO4上で乾燥し、濾過し、かつ回転蒸発によって真空中で乾固するまで濃縮した。未精製物を、ヘキサンEtOAcにより溶離されるSiO2上でのカラムフラッシュクロマトグラフィーによって精製して、純粋な10bをもたらした。中間体11bの合成CH2Cl2中の10bおよびBocLCysOHの溶液に、23°CにおいてDIPEA、NNエチルカルボジイミド塩酸塩およびDMAPを添加した。反応混合物は、23°Cで3時間撹拌し、CH2Cl2で希釈し、NaHCO3の飽和水溶液で洗浄した。集合した有機層を、無水Na2SO4上で乾燥し、濾過し、かつ回転蒸発によって真空中で乾固するまで濃縮した。未精製物を、ヘキサンEtOAcにより溶離されるSiO2上でのカラムフラッシュクロマトグラフィーによって精製して、純粋な11bをもたらした。中間体11bからの中間体10の合成CH2Cl2中の11bおよびPdCl22の懸濁液に、23°CにおいてAcOHおよびnBu3SnHを添加した。反応混合物は、23°Cで45分間撹拌し、ヘキサンEtOAcの種々の混合物で溶離されるSiO2上でのカラムフラッシュクロマトグラフ中に装填して、純粋な10をもたらした。ET743の合成上記のスキームIXは、中間体10からET743を合成する実施例を提供する。中間体11の合成無水CH3CN中の10および炭素上のPdの懸濁液を、水素雰囲気下において23°Cで25時間撹拌した。反応混合物を、23°CにおいてKF上で045μmPTFEフィルターを通して濾過し、CH3CNで洗浄し、またジヨードメタンを添加した。反応混合物を70°Cで20時間加熱し、CH2Cl2で希釈し、NaClの飽和水溶液で洗浄した。集合した有機層を、Na2SO4上で乾燥し、濾過し、かつ真空下で濃縮した。未精製物を、CH2Cl2EtOAcで溶離されるSiO2上でのカラムフラッシュクロマトグラフィーによって精製して、純粋な11をもたらし、これは、WO0187895においてこの化合物について報告されたものと同様な分光学的および分光測定特性を示した。化合物12、13、14、15、ET770およびET743は、WO0069862、WO0187895およびWO03008423において記述される手順に従って得ることができる。化合物17の合成上記のスキームXは、中間体10から化合物17を合成する実施例を提供する。化合物16および17は、WO03014127において先に記述されたものと同様の手順を用いて、中間体15から得ることができる。