a下地層上方に、Zn、必要に応じてMg、O、N、及びTeを供給して、NとTeが共ドープされたMgxZn1-xO0≦x≦0.6単結晶膜を形成する工程と、b前記MgxZn1-xO0≦x≦0.6単結晶膜上に、Zn及びMgの少なくとも一方、Te、及びNを供給して、NがドープされたMgyZn1-yTe0≦y≦1単結晶膜を形成する工程とを有するZnO系半導体層の製造方法。前記工程aは、前記MgxZn1-xO0≦x≦0.6単結晶膜を、II族リッチ条件で形成する請求項1に記載のZnO系半導体層の製造方法。前記工程bで形成される前記MgyZn1-yTe0≦y≦1単結晶膜の厚さが、0.12nm~0.72nmの範囲である請求項1または2に記載のZnO系半導体層の製造方法。前記工程aで形成される前記MgxZn1-xO0≦x≦0.6単結晶膜の厚さが、2.5nm~10nmの範囲である請求項1~3のいずれか1項に記載のZnO系半導体層の製造方法。前記工程a及び前記工程bは、成長温度600°C未満で、前記MgxZn1-xO0≦x≦0.6単結晶膜及び前記MgyZn1-yTe0≦y≦1単結晶膜を成長させる請求項1~4のいずれか1項に記載のZnO系半導体層の製造方法。前記工程aで形成される前記MgxZn1-xO0≦x≦0.6単結晶膜のN濃度及びTe濃度が、それぞれ、1020cm-3以上1021cm-3以下の範囲である請求項1~5のいずれか1項に記載のZnO系半導体層の製造方法。前記工程aで形成される前記MgxZn1-xO0≦x≦0.6単結晶膜は、RHEED像が2×3ストリークパターンを示し、前記工程bで形成される前記MgyZn1-yTe0≦y≦1単結晶膜は、RHEED像が1×1ストリークパターンを示す請求項1~6のいずれか1項に記載のZnO系半導体層の製造方法。前記工程aと前記工程bとを交互に繰り返して、NとTeが共ドープされたMgxZn1-xO0≦x≦0.6単結晶膜と、NがドープされたMgyZn1-yTe0≦y≦1単結晶膜とを交互に積層する請求項1~7のいずれか1項に記載のZnO系半導体層の製造方法。前記工程a及び前記工程bは、MBEにより、前記MgxZn1-xO0≦x≦0.6単結晶膜及び前記MgyZn1-yTe0≦y≦1単結晶膜を成長する請求項1~8のいずれか1項に記載のZnO系半導体層の製造方法。基板上方に、n型ZnO系半導体層を形成する工程と、前記n型ZnO系半導体層上方に、p型ZnO系半導体層を形成する工程とを有し、前記p型ZnO系半導体層を形成する工程は、a前記n型ZnO系半導体層上方に、Zn、必要に応じてMg、O、N、及びTeを供給して、NとTeが共ドープされたMgxZn1-xO0≦x≦0.6単結晶膜を形成する工程と、b前記MgxZn1-xO0≦x≦0.6単結晶膜上に、Zn及びMgの少なくとも一方、Te、及びNを供給して、NがドープされたMgyZn1-yTe0≦y≦1単結晶膜を形成する工程とを有するZnO系半導体発光素子の製造方法。基板と、前記基板上方に形成されたn型ZnO系半導体層と、前記n型ZnO系半導体層上方に形成され、NとTeが共ドープされたMgxZn1-xO0≦x≦0.6単結晶膜とNがドープされたMgyZn1-yTe0≦y≦1単結晶膜との積層構造を含むp型ZnO系半導体層とを有するZnO系半導体発光素子。本発明の一目的は、p型ZnO系半導体層を形成するための新規な技術を提供することである。本発明の一観点によれば、a下地層上方に、Zn、必要に応じてMg、O、N、及びTeを供給して、NとTeが共ドープされたMgxZn1-xO0≦x≦0.6単結晶膜を形成する工程とb前記MgxZn1-xO0≦x≦0.6単結晶膜上に、Zn及びMgの少なくとも一方、Te、及びNを供給して、NがドープされたMgyZn1-yTe0≦y≦1単結晶膜を形成する工程とを有するZnO系半導体層の製造方法が提供される。NとTeが共ドープされたMgxZn1-xO0≦x≦0.6単結晶膜上に、NがドープされたMgyZn1-yTe0≦y≦1単結晶膜を形成することにより、p型ZnO系半導体層を得ることができる。まず、ZnO系半導体層等の成長に用いられる結晶製造装置について説明する。結晶製造方法として、以下に説明する比較例、実施例等では、分子線エピタキシMBEを用いる。ここで、ZnO系半導体はZnとOとを含む。図1は、MBE装置の例を示す概略断面図である。真空チャンバ101が、Znソースガン102、Mgソースガン103、Teソースガン104、Oソースガン105、及び、Nソースガン106を備える。Znソースガン102、Mgソースガン103、Teソースガン104は、それぞれ、Zn固体ソース例えば純度7N、Mg固体ソース例えば純度6N、及びTe固体ソース例えば純度6Nの収容されたパイロリティックボロンナイトライドPBN製るつぼを加熱することにより、Znビーム、Mgビーム、Teビームを出射する。Oソースガン105、Nソースガン106は、それぞれ、例えば13.56MHzのラジオ周波RFを用いた無電極放電管を含み、O2ガス例えば純度6N、N2ガス例えば純度6Nをプラズマ化して、Oラジカルビーム、Nラジカルビームを出射する。放電管材料として、PBNもしくは高純度石英が使用される。なお、ZnO系半導体にドープされるn型不純物として、例えばGa等が用いられる。必要に応じて、Gaソースガン等を追加することができる。真空チャンバ101内に、ヒータを含むステージ107が配置され、ステージ107が、基板108を保持する。基板108上に、所望のビームを供給することにより、所望の結晶層を成長させることができる。ソースガン102~106は、それぞれセルシャッタ109を備え、セルシャッタ109の開閉状態を切り替えることにより、各ソースガンから基板108にビームが照射される状態と照射されない状態とが切り替えられる。基板108のソースガン側手前に、基板シャッタ110が備えられている。基板シャッタ110の開閉状態を切り替えることにより、基板108にビームが照射される状態と照射されない状態とが切り替えられる。本MBE装置は、また、反射高速電子回折RHEED用のガン111、及びRHEED像を映すスクリーン112を備える。RHEED像から、成長した結晶層の結晶性を評価できる。単結晶が2次元的に成長し表面が平坦である場合は、RHEED像がストリークパターンを示し、単結晶が3次元的に成長し表面が平坦でない場合は、RHEED像がスポットパターンを示す。ZnOにMgを添加することにより、バンドギャップを広げることができる。ただし、ZnOはウルツ鉱構造六方晶で、MgOは岩塩構造立方晶であるため、Mg組成が高すぎると相分離を起こしてしまう。MgZnOのMg組成をxと明示したMgxZn1-xOにおいて、Mg組成xは、ウルツ鉱構造を保つため0.6以下とするのが好ましい。ここで、Mg組成x=0も含めることにより、MgxZn1-xOという表記に、Mgの添加されていないZnOも含める。MgxZn1-xO0≦x≦0.6結晶成長におけるVI/IIフラックス比について説明する。Znビームのフラックス強度をJZnと表し、Mgビームのフラックス強度をJMgと表し、Oラジカルビームのフラックス強度をJOと表す。金属材料であるZnあるいはMgのビームは、原子、または複数個の原子を含むクラスターのZnあるいはMgを含み、原子及びクラスターのいずれも結晶成長に有効である。ガス材料であるOのビームは、原子ラジカルや中性分子を含むが、ここでは、結晶成長に有効な原子ラジカルのフラックス強度を考える。結晶へのZnの付着しやすさを示す付着係数をkZnとし、Mgの付着しやすさを示す付着係数をkMgとし、Oの付着しやすさを示す付着係数をkOとする。Znの付着係数kZnとフラックス強度JZnとの積kZnJZn、Mgの付着係数kMgとフラックス強度JMgとの積kMgJMg、及び、Oの付着係数kOとフラックス強度JOとの積kOJOは、それぞれ、基板の単位面積に単位時間当たりに付着するZn原子、Mg原子、及びO原子の個数に対応する。kZnJZnとkMgJMgの和に対するkOJOの比であるkOJO/kZnJZnkMgJMgを、VI/IIフラックス比と定義する。VI/IIフラックス比が1より小さい場合をII族リッチ条件Mgを含まない場合は単にZnリッチ条件と呼び、VI/IIフラックス比が1に等しい場合をストイキオメトリ条件と呼び、VI/IIフラックス比が1より大きい場合をVI族リッチ条件あるいはOリッチ条件と呼ぶ。なお、c面Zn面での結晶成長においては、基板表面温度850°C以下であれば、付着係数kZn、kMg、及びkOを1と見なすことができ、VI/IIフラックス比をJO/JZnJMgと表せる。VI/IIフラックス比は、具体的には例えば以下のような手順で算出することができる。ZnOの成長を例として説明する。Znフラックスは、水晶振動子を用いた膜厚モニタによる、室温でのZnの蒸着速度FZnnm/sとして測定される。Znフラックスの単位は、FZnnm/sからJZnatoms/cm2sに換算される。一方、Oラジカルフラックスは、以下のように求められる。Oラジカルビーム照射条件一定例えば、O2流量2sccm/RFパワー300Wの下で、Znフラックスを変化させてZnOを成長し、ZnOの成長速度のZnフラックス依存性を実験的に求める。その結果を、ZnO成長速度GZnOの近似式:GZnO=[kZnJZn-1kOJO-1]-1を用いてフィッティングすることにより、その条件でのOラジカルフラックスJOが算出される。このようにして得られたZnフラックスJZn及びOラジカルフラックスJOから、VI/IIフラックス比を算出することができる。次に、第1実験について説明する。第1実験では、以下に説明するように、アンドープ、Nドープ、Teドープ、及び、NとTeの共ドープNTe共ドープのZnO単膜を形成し、NとTeのサーファクタント効果について確認した。Zn面ZnO0001基板上に、成長温度300°C、Znフラックス0.1nm/s、O2流量2sccm/RFパワー300Wの条件で、Znビーム及びOラジカルビームを照射して、ZnOバッファー層を厚さ30nm成長した。900°Cでアニールを行い、バッファー層の結晶性及び表面平坦性の改善を行なった。その後、基板温度を500°Cまで下げて、バッファー層上に、アンドープZnO膜、NドープZnOZnO:N膜、TeドープZnOZnO:Te膜、あるいはNTe共ドープZnOZnO:[NTe]膜を成長した。成長温度は500°Cとし、Znフラックス0.12nm/s、O2流量2sccm/RFパワー300Wの条件で、Znビーム及びOラジカルビームを照射した。これらの条件は、どのZnO膜サンプルについても共通とした。Nドープのサンプルは、N2流量1sccm/RFパワー100WとしてNラジカルビームを照射した。Teドープのサンプルは、Teフラックス0.003nm/s~0.01nm/sとしてTeビームを照射した。NTe共ドープのサンプルは、N2流量1sccm/RFパワー100W、Teフラックス0.003nm/s~0.01nm/sとして、Nラジカルビーム及びTeビームを照射した。図2は、第1実験によるZnO膜サンプルそれぞれのRHEEDパターンである。各サンプルについて、[11-20]方向と[1-100]方向のRHEEDパターンを示す。上段に、Nがドープされたサンプル、つまり、Nドープのサンプル及びNTe共ドープのサンプルを示す。下段に、Nがドープされていないサンプル、つまり、アンドープのサンプル及びTeドープのサンプルを示す。上段、下段とも、左側から、Teフラックスが0nm/sTeアンドープ、0.003nm/s、0.006nm/s、及び0.01nm/sのサンプルを示す。N及びTeアンドープのZnO膜は、スポットパターンを示し3次元成長している。NアンドープでTeドープのZnO:Te膜では、Teフラックス依存性が観測される。Teフラックス0.003nm/sまではスポットパターンを示し3次元成長するのに対し、Teフラックス0.006nm/s以上ではストリークパターンを示し2次元成長することがわかる。つまり、Te照射によるサーファクタント効果が確認される。NドープでTeアンドープのZnO:N膜は、ストリークにスポットが載ったRHEEDパターンを示し、N及びTeアンドープ膜に比べて、若干表面マイグレーションが促進され、平坦性が改善されている。N照射によっても、サーファクタント効果が得られることがわかる。N及びTeがドープされたZnO:[NTe]膜は、微量のTeフラックス0.003nm/sでもストリークパターンを示し2次元成長している。NとTeとの共ドープにより、サーファクタント効果が促進されていることがわかる。次に、第1比較例、第2比較例、及び本発明による第1実施例について説明する。図3A~図3Cは、それぞれ、第1比較例、第2比較例、及び第1実施例によるサンプルの構造を示す概略断面図である。図4A~図4Cは、それぞれ、第1比較例、第2比較例、及び第1実施例によるp型ZnO系半導体層の成長方法を示すタイミングチャートであり、Znソースガン、Oソースガン、Nソースガン、及びTeソースガンのセルシャッタの開閉状態を示す。まず、図3Aを参照して、第1比較例について説明する。Zn面ZnO0001基板1上に、成長温度300°C、Znフラックス0.1nm/s、O2流量2sccm/RFパワー300Wで、Znビーム及びOラジカルビームを照射して、ZnOバッファー層2を厚さ30nm成長した。900°Cでアニールを行い、結晶性及び表面平坦性の改善を行なった。ZnOバッファー層2上に、成長温度900°C、Znフラックスビーム0.3nm/s、O2流量2sccm/RFパワー300Wで、Znビーム及びOラジカルビームを照射して、n型ZnO層3を厚さ100nm成長した。その後、基板温度を500°Cまで下げて、第1比較例のp型ZnO層系半導体層4Aを形成した。図4Aも参照して説明を進める。第1比較例のp型ZnO層系半導体層4Aとして、アンドープZnO成長工程と、ZnTe:N成長工程とを交互に20回繰り返すことにより、アンドープZnO/ZnTe:N交互成長層を厚さ100nm成長した。最上層は、アンドープZnO層とした。アンドープZnO成長工程では、Znフラックス0.10nm/s、O2流量2.0sccm/RFパワー300Wとして、Znビーム及びOラジカルビームを同時照射した。ZnTe:N成長工程では、Znフラックス0.10nm/s、Teフラックス0.05nm/s、N2流量1.0sccm/RFパワー100Wとして、Znビーム、Teビーム、及びNラジカルビームを同時照射した。第1比較例のアンドープZnO成長工程において、ZnフラックスFZn=0.1nm/sは、JZn=6.6×1014atoms/cm2sであり、O2流量2.0sccm/RFパワー300WにおけるOラジカルフラックスは、JO=8.9×1014atoms/cm2sとなる。VI/IIフラックス比O/Znフラックス比は、1.35となり、Oリッチ条件である。第1比較例による交互成長におけるアンドープZnO成長工程は、Oリッチ条件で行うことが好ましい。Znリッチ条件で成長を行うと、Nソースガンのセルシャッタが閉じられていても、窒素プラズマ中の原子状Nラジカルが基板に到達して、ZnO層に取り込まれやすいためである。次に、図3Bを参照して、第2比較例について説明する。ZnO基板1上にZnOバッファー層2を形成し、ZnOバッファー層2のアニールを行い、ZnOバッファー層2上にn型ZnO層3を形成する工程までは、第1比較例と同様である。その後、基板温度を900°Cから500°Cまで下げて、第2比較例のp型ZnO層系半導体層4Bを形成した。図4Bも参照して説明を進める。第2比較例のp型ZnO層系半導体層4Bとして、Znフラックス0.15nm/s、O2流量2.0sccm/RFパワー300W、N2流量1.0sccm/RFパワー100W、Teフラックス0.0006nm/sで、Znビーム、Oラジカルビーム、Nラジカルビーム、及びTeビームを同時照射し、ZnO:[NTe]層を厚さ100nm成長した。次に、図3Cを参照して、第1実施例について説明する。ZnO基板1上にZnOバッファー層2を形成し、ZnOバッファー層2のアニールを行い、ZnOバッファー層2上にn型ZnO層3を形成する工程までは、第1比較例と同様である。その後、基板温度を900°Cから500°Cまで下げて、第1実施例のp型ZnO層系半導体層4を形成した。図4Cも参照して説明を進める。第1実施例のp型ZnO層系半導体層4として、ZnO:[NTe]成長工程と、ZnTe:N成長工程とを交互に20回繰り返すことにより、ZnO:[NTe]/ZnTe:N交互成長層を厚さ約100nm成長した。1層当たりの層厚は、ZnO:[NTe]層が5nm、ZnTe:N層が0.36nmである。最上層は、ZnO:[NTe]層とした。ZnO:[NTe]成長工程では、Znフラックス0.15nm/s、O2流量2.0sccm/RFパワー300W、N2流量1.0sccm/RFパワー100W、Teフラックス0.0006nm/sとして、Znビーム、Oラジカルビーム、Nラジカルビーム、及びTeビームを同時照射した。ZnTe:N成長工程では、Znフラックス0.15nm/s、Teフラックス0.0006nm/s、N2流量1.0sccm/RFパワー100Wとして、Znビーム、Teビーム、及びNラジカルビームを同時照射した。第1実施例の交互成長のZnO:[NTe]成長工程において、ZnフラックスFZn=0.15nm/sは、JZn=9.9×1014atoms/cm2sであり、O2流量2.0sccm/RFパワー300WにおけるOラジカルフラックスは、JO=8.9×1014atoms/cm2sとなる。VI/IIフラックス比O/Znフラックス比は、0.9となり、Znリッチ条件である。その後、第1比較例、第2比較例、及び第1実施例のサンプルそれぞれに電極を形成してデバイスを作製した。ZnO基板の裏面にn側電極を形成し、p型ZnO系半導体層上にp側電極を形成し、p側電極上にボンディング電極を形成した。n側電極は、厚さ10nmのTi層上に厚さ500nmのAl層を積層して形成した。p側電極は、300μm□で厚さ0.5nmのNi層上に厚さ10nmのAu層を積層して形成し、ボンディング電極は、100μmφで厚さ500nmのAu層で形成した。図5A~図5Cは、それぞれ、第1比較例による交互成長層における最表面のアンドープZnO層、第2比較例によるZnO:[NTe]層、及び、第1実施例による交互成長層における最表面のZnO:[NTe]層のRHEEDパターンである。第1比較例のアンドープZnO層は、スポットパターンを示し3次元成長していることがわかる。これは第1実験で示したように、アンドープZnOが3次元成長するためと考えられる。一方、第2比較例及び第1実施例のZnO:[NTe]層は、ストリークパターンを示し2次元成長していることがわかる。これは、NとTeの共ドープNとTeの共照射によるサーファクタント効果によるものと考えられる。図6は、第1実施例による交互成長層におけるZnO:[NTe]層と、ZnTe:N層のRHEEDパターンである。ZnO:[NTe]層は、2×3のストリークパターンを示し、ZnTe:N層は、1×1のストリークパターンを示し、交互に成長した20回、このようなパターン変化が繰り返し観察された。ZnTe:N層では、ZnO:[NTe]層よりも、約5.7内側にストリークパターンが現れている。図7A及び図7Bは、それぞれ、第1比較例及び第1実施例によるサンプルの、2θ/ωスキャンによるX線回折パターンである。第1比較例では、アンドープZnO層とZnTe:N層とを交互に成長したにもかかわらず、サテライトピークが観測されない。これは、3次元成長に起因して、ZnO/ZnTe界面が凸凹となり、積層構造が形成されていないためと考えられる。一方、第1実施例では、明瞭なサテライトピークが観測され、積層構造が形成されていることがわかった。図8A~図8Cは、それぞれ、第1比較例、第2比較例、及び第1実施例によるサンプルのN濃度及びTe濃度の2次イオン質量分析SIMSデプスプロファイルである。第1比較例では、周期構造が見られないが、第1実施例では、N濃度及びTe濃度ともに明瞭な周期構造が見られる。このことからも、第1実施例では均一な積層構造が形成されていることがわかる。また、第2比較例では、N濃度及びTe濃度は深さ方向で均一である。第1実施例の周期構造において、N濃度の山とTe濃度の山とが揃い、N濃度の谷とTe濃度の谷とが揃っている。N濃度及びTe濃度の山の部分は、ZnTe:N層に対応し、N濃度及びTe濃度の谷の部分は、ZnO:[NTe]層に対応する。なお、SIMS分析においては、1ポイントで少なくとも2nm程度の深さ方向の情報が含まれている。第1実施例のサンプルでは、1層当たりの層厚は、ZnO:[NTe]層が5nm、ZnTe:N層が0.36nmである。ZnTe:N層は、SIMSの分解能に比べて薄いので、N濃度及びTe濃度の山の部分の濃度は、ZnTe:N層とZnO:[NTe]層の両方の情報が混ざった値となる。これに起因して、山の部分のTe濃度は、ZnTe:N層のみにおけるTe濃度よりも低く測定され、N濃度よりも低い値となっているZnTe:N層が、SIMSの分解能以上に充分に厚ければ、Te濃度がN濃度よりも高くなるはずである。一方、ZnO:[NTe]層は、SIMSの分解能以上に充分に厚いので、N濃度及びTe濃度の谷の部分では、ZnO:[NTe]層からのみの濃度情報が得られている。ZnO:[NTe]層におけるサーファクタント効果を高めかつ結晶性低下を抑制するために、N濃度及びTe濃度は、それぞれ、1020cm-3以上1021cm-3以下の範囲であることが好ましい。1021cm-3を超える濃度では、混晶となり、価数の違う元素が混晶レベルまで入ると、結晶性が低下すると考えられる。図9A~図9Cは、それぞれ、第1比較例、第2比較例、及び第1実施例のデバイスのI-V特性である。各サンプルについて、下方にリニアスケールで表したI-V特性、上方にログスケールで表したI-V特性を示す。併せて発光状態も示す。第1比較例は、ダイオード特性の閾値電圧が見られず、オーミック~ショットキー特性を示した。また、全く発光も得られず、アンドープZnO/ZnTe:N交互成長層がn型となっていることが示唆される。第2比較例は、ダイオード特性を示したが、閾値電圧が10V以上と高く、また発光は点発光であった。12Vあたりに見られる電流値の変化は、トンネル電流によるものと考えられ、ZnO:[NTe]層の抵抗が高い、すなわちキャリア濃度が低いことが示唆される。第1実施例は、閾値電圧が7V程度に下がっており、また発光も全面から得られた。7V付近の電流値の傾き変化は、pn接合による拡散電流によるものと考えられ、ZnO:[NTe]層の抵抗が下がったキャリア濃度が上がったことが示唆される。このように、第1実施例によるZnO:[NTe]/ZnTe:N交互成長層は、第1比較例によるアンドープZnO/ZnTe:N交互成長層や、第2比較例によるZnO:[NTe]単層に比べて、p型ZnO系半導体層として優れた特性を持つことがわかった。次に、第1実施例の変形例によるZnO:[NTe]/ZnTe:N交互成長層の成長方法について説明する。図4Dは、本変形例によるZnO:[NTe]/ZnTe:N交互成長層の成長方法を示すタイミングチャートであり、Znソースガン、Oソースガン、Nソースガン、Teソースガンのセルシャッタの開閉状態、及び、基板シャッタの開閉状態を示す。本変形例では、Znソースガン、Nソースガン及びTeソースガンのセルシャッタは開状態のまま保たれる。Oソースガンのセルシャッタが、ZnO:[NTe]成長工程で開状態にされ、ZnTe:N成長工程で閉状態にされる。基板シャッタが、ZnO:[NTe]成長工程とZnTe:N成長工程のそれぞれで開状態にされ、両成長工程間で閉状態にされる。このようにして、ZnO:[NTe]/ZnTe:N交互成長のビーム照射を制御することもできる。次に、第2実施例について説明する。Zn面ZnO0001基板上に、成長温度300°C、Znフラックス0.1nm/s、O2流量2sccm/RFパワー300Wで、Znビーム及びOラジカルビームを照射して、ZnOバッファー層を厚さ30nm成長した。900°Cでアニールを行い、結晶性及び表面平坦性の改善を行なった。その後、基板温度を500°Cまで下げ、ZnO:[NTe]/ZnTe:N交互成長層を形成した。ZnO:[NTe]/ZnTe:N交互成長において、ZnO:[NTe]層厚を一定として、ZnTe:N成長時間を変化させた第1種のサンプルと、ZnO:[NTe]層厚を変化させて、ZnTe:N成長時間を一定とした第2種のサンプルとを形成した。第1種のサンプル形成では、1回当たりのZnO:[NTe]成長工程Znフラックス0.15nm/s、O2流量2.0sccm/RFパワー300W、N2流量1.0sccm/RFパワー100W、Teフラックス0.0006nm/sの層厚を5nm一定とした。そして、1回当たりのZnTe:N成長工程Znフラックス0.15nm/s、Teフラックス0.0006nm/s、N2流量1.0sccm/RFパワー100Wの成長時間を、5秒、20秒、1分、2分、5分と変えた。ZnO:[NTe]成長工程とZnTe:N成長工程とを交互に20回繰り返し、厚さ100nm~140nm程度のZnO:[NTe]/ZnTe:N交互成長層を成長した。第2種のサンプル形成では、1回当たりのZnO:[NTe]成長工程Znフラックス0.15nm/s、O2流量2.0sccm/RFパワー300W、N2流量1.0sccm/RFパワー100W、Teフラックス0.0006nm/sの層厚を1nm、2.5nm、5nm、10nmと変えた。そして、1回当たりのZnTe:N成長工程Znフラックス0.15nm/s、Teフラックス0.0006nm/s、N2流量1.0sccm/RFパワー100Wの成長時間を1分一定とした。ZnO:[NTe]成長工程とZnTe:N成長工程とを交互に10回~100回繰り返し、厚さ約100nmのZnO:[NTe]/ZnTe:N交互成長層を成長した。図10A及び図10Bは、それぞれ、第2実施例による第1種のサンプル及び第2種のサンプルの2θ/ωスキャンによるX線回折パターンである。図10Aは、第1種のサンプルについて、上方から、ZnTe:N成長時間5秒、20秒、1分、2分、5分のX線回折パターンを示す。成長時間20秒以上でサテライトピークが観測され、積層構造が形成されていることがわかる。ここで、成長時間1分のサンプルのサテライトピークから見積もられるZnTe:N層の厚みは、0.36nmと1分子層であることがわかった。ただし、5分成長させたものは、サテライトピークが二重になっており、積層構造界面がきれいでなくなり揺らいでいるものと考えられる。これは、ZnTe:N層が薄い間は、コヒーレントにエピタキシャル成長が起こるが、厚みが増すに従い、本来のZnTeの原子間隔となるように格子緩和が起こるためと考えられる。図10Bは、第2種のサンプルについて、上方から、ZnO:[NTe]層厚1nm、2.5nm、5nm、10nmのX線回折パターンを示す。ZnO:[NTe]層厚が変化するとともにサテライトピークの間隔が変化し、ZnO膜厚に対応した変化が観測された。図10Bに示した測定結果では、ZnO:[NTe]層厚2.5nm、5nm、及び10nmでサテライトピークが観察されており、積層構造が形成されていることがわかる。なお、ZnO:[NTe]層厚1nmでも、積層構造は形成されているものと思われるが、サテライトピークが測定範囲外に位置しているものと思われる。図11A~図11Cは、第1種のサンプルについて、それぞれ、ZnTe:N層の1層の厚さ0.36nm成長時間1分、0.72nm成長時間2分、及び1.8nm成長時間5分で交互成長したサンプルのRHEEDパターンである。サテライトピークがきれいに見えていた層厚0.36nm成長時間1分及び0.72nm成長時間2分のサンプルは、ストリークパターンを示し2次元成長しており、各界面はきれいに形成されているものと考えられる。一方層厚1.8nm成長時間5分のサンプルは、スポットパターンを示し3次元成長しており、それぞれの界面に凹凸が形成されていると考えられる。このように、X線回折の結果と対応するRHEEDパターンが得られた。以上の結果より、ZnO:[NTe]/ZnTe:N交互成長層において、ZnTe:N層の1層当たりの厚さは、0.12nm1/3分子層~0.72nm2分子層の範囲であることが好ましいといえる。また、ZnO:[NTe]層の1層当たりの厚さは、2.5nm~10nmの範囲であることが好ましいといえる。次に第3実施例について説明する。ZnO基板1上にZnOバッファー層2を形成し、ZnOバッファー層2のアニールを行い、ZnOバッファー層2上にn型ZnO層3を形成する工程までは、第1実施例と同様である。その後、基板温度を500°Cまで下げ、ZnO:[NTe]/ZnTe:N交互成長層であるp型ZnO層系半導体層4を形成した。ZnO:[NTe]成長工程とZnTe:N成長工程とを交互に20回繰り返すことにより、厚さ100nmのp型ZnO層系半導体層4を形成した。第3実施例では、ZnO:[NTe]/ZnTe:N交互成長において、ZnO:[NTe]成長工程をZnリッチII族リッチ条件としたサンプルと、OリッチVI族リッチ条件としたサンプルとを形成した。成長条件は以下のようなものである。Znリッチ条件:ZnO:[NTe]層Znフラックス0.15nm/s、O2流量2sccm/RFパワー300W、N2流量1sccm/RFパワー100W、Teフラックス0.003nm/sZnTe:N層Znフラックス0.15nm/s、Teフラックス0.003nm/s、N2流量1sccm/RFパワー100WOリッチ条件:ZnO:[NTe]層Znフラックス0.08nm/s、O2流量2sccm/RFパワー300W、N2流量1sccm/RFパワー120W、Teフラックス0.01nm/sZnTe:N層Znフラックス0.08nm/s、Teフラックス0.01nm/s、N2流量1sccm/RFパワー120WZnリッチ条件のプロセスにおけるZnフラックスFZn=0.15nm/sは、JZn=9.9×1014atoms/cm2sであり、Oリッチ条件のプロセスにおけるZnビームフラックスは0.08nm/sは、JZn=5.3×1014atoms/cm2sである。Oラジカルフラックスは、Znリッチ条件及びOリッチ条件のプロセスとも等しく、O2流量2sccm/RFパワー300Wにおいて、JO=8.9×1014atoms/cm2sとなる。Znリッチ条件のプロセスでのVI/IIフラックス比O/Znフラックス比は、0.9Znリッチ条件となり、Oリッチ条件のプロセスでのVI/IIフラックス比O/Znフラックス比は、1.7Oリッチ条件となる。その後、Znリッチ条件及びOリッチ条件のサンプルに、それぞれ、第1実施例と同様に電極を形成した。図12A及び図12Bは、それぞれ、Oリッチ条件及びZnリッチ条件のサンプルのI-V特性である。Oリッチ条件で成長したサンプルは、リーク電流が大きく、pn接合による拡散電流が明確には観測されない。一方、Znリッチ条件で成長したサンプルは、6V~7V付近にpn接合による拡散電流による傾きの変化が明瞭に観測された。このことから、交互成長時におけるZnO:[NTe]層の成長条件としては、Znリッチ条件が好ましいことがわかった。なお、交互成長層全体の平均濃度として、Oリッチ条件のサンプルのN濃度は1.3×1020cm-3、Te濃度は5.5×1019cm-3であり、Znリッチ条件のサンプルのN濃度は3.6×1020cm-3、Te濃度は1.2×1020cm-3であった。次に、第2実験について説明する。第2実験では、ZnTe:N膜の成長速度の成長温度依存性について調べた。Zn面ZnO0001基板上に、Znフラックス0.1nm/s、Teフラックス0.08nm/s、N2流量1sccm/RFパワー120Wとして、Znビーム、Teビーム、及びNラジカルビームを照射し、ZnTe:N膜を成長した。成長温度を300°C~600°Cの範囲で変化させた。図13は、ZnTe:N膜の成長速度の成長温度依存性を示すグラフである。成長温度とともに成長速度が減少し、600°Cを超えるとエピタキシャル成長膜が得られなかった。このことからZnO:[NTe]/ZnTe:N交互成長におけるZnTe:N層の成長温度は、600°C未満とすることが好ましいといえる。プロセス全体の成長時間の短縮、及び、ZnTe:N層成長時におけるZnの酸化防止の観点からは、ZnTe層の成長速度はある程度速い方がよく、成長温度は550°C以下がより好ましい。ZnTeの成長速度が遅いと、チャンバ中の酸素とZnとが反応し、ZnTe:NではなくZnOTe:Nのような混晶となりやすい。なお、ZnO:[NTe]層の成長温度は800°C程度以下であればよいが、ZnO:[NTe]層成長工程とZnTe:N層成長工程とは、温度変更の手間がかからないという観点から、同じ温度で実施することが好ましい。この観点からは、ZnO:[NTe]層及びZnTe:N層の成長温度を、600°C未満とすることが好ましいといえる。なお、上記実施例では、p型ZnO系半導体層として、ZnO:[NTe]/ZnTe:N交互成長層を形成した。交互成長層において、ZnO:[NTe]層の替わりに、結晶構造を変えない範囲でMgを添加したMgZnO:[NTe]層を用いることもできると考えられる。Mgが添加される場合と添加されない場合をまとめて表すと、MgxZn1-xO:[NTe]0≦x≦0.6層を用いることができる。なお、Mgの添加されたMgZnO:[NTe]層についても、第1実施例での検討を踏まえ、N濃度及びTe濃度は、それぞれ、1020cm-3以上1021cm-3以下の範囲であることが好ましいであろう。また、第2実施例での検討を踏まえ、1層当たりの厚さは2.5nm~10nmの範囲とすることが好ましいであろう。また、第3実施例での検討を踏まえ、MgZnO:[NTe]層成長は、VI/IIフラックス比をII族リッチとすることが好ましいであろう。交互成長層において、また、ZnTe:N層の替わりに、MgZnTe:N層、あるいは、MgTe:N層を用いることもできると考えられる。なお、Mgを含む場合と含まない場合をまとめて、MgyZn1-yTe:N0≦y≦1層と表すことができる。六方晶ウルツ鉱構造のZnOの格子定数はa=0.324982nm、c=0.520661nmで、立方晶閃亜鉛鉱構造のZnTeの格子定数はa=0.6089nmである。ZnO0001上ZnTe膜のエピタキシャル成長方位関係は、ZnTe111//ZnO0001、ZnTe[1-10]//ZnO[11-20]となる。ここでZnTe111//ZnO0001における横方向の原子間隔はZnTeが0.403557nmであるのに対し、ZnOは0.324982nmとなり、格子ミスマッチは32.5となる。一方MgTeとZnTeの格子ミスマッチは約4であり、ZnOとの格子ミスマッチ量に比べて小さく、MgTeやMgZnTeを用いてもコヒーレント長には変化がなく、成長厚みに対して同様の成長が得られるものと考えられる。またMgZnTeにおいては、MgはZnより沸点が高くMg:1091°C、Zn:907°C、すなわち付着係数が高く、ZnよりMgの方が結晶中に取り込まれやすいと考えられる。従って、成長温度としてはZnTeの場合に比べ高くできる可能性があるものの、Nの取り込み効率などを考えると、成長温度はZnTeと同様に600°C未満が望ましいと考えられる。次に、第4実施例として、交互成長層にMgを用いる場合の成長方法について説明する。図14A~図14Dは、第4実施例によるMgxZn1-xO:[NTe]0<x≦0.6/MgyZn1-yTe:N0≦y≦1交互成長層の成長方法を示すタイミングチャートであり、Mgソースガン、Znソースガン、Oソースガン、Nソースガン、及びTeソースガンのセルシャッタの開閉状態を示す。図14Dは、さらに、基板シャッタの開閉状態を示す。図14Aを参照して、第1の成長方法について説明する。第1の成長方法では、Mgビーム、Znビーム、Oラジカルビーム、Nラジカルビーム、及びTeビームが同時照射されるMgZnO:[NTe]成長工程と、Znビーム、Teビーム、及びNラジカルビームが同時照射されるZnTe:N成長工程とが交互に繰り返される。図14Bを参照して、第2の成長方法について説明する。第2の成長方法では、Mgビーム、Znビーム、Oラジカルビーム、Nラジカルビーム、及びTeビームが同時照射されるMgZnO:[NTe]成長工程と、Mgビーム、Znビーム、Teビーム、及びNラジカルビームが同時照射されるMgZnTe:N成長工程とが交互に繰り返される。図14Cを参照して、第3の成長方法について説明する。第3の成長方法では、Mgビーム、Znビーム、Oラジカルビーム、Nラジカルビーム、及びTeビームが同時照射されるMgZnO:[NTe]成長工程と、Mgビーム、Teビーム、及びNラジカルビームが同時照射されるMgTe:N成長工程とが交互に繰り返される。以上の第1~第3の成長方法では、各ソースガンのセルシャッタの開閉状態切り替えにより、交互成長工程が切り替えられる。図14Dを参照して、第4の成長方法について説明する。第4の成長方法では、第1の成長方法と同様に、Mgビーム、Znビーム、Oラジカルビーム、Nラジカルビーム、及びTeビームが同時照射されるMgZnO:[NTe]成長工程と、Znビーム、Teビーム、及びNラジカルビームが同時照射されるZnTe:N成長工程とが交互に繰り返される。ただし、第4の成長方法では、第1実施例の変形例と同様に、Znソースガン、Nソースガン及びTeソースガンのセルシャッタは開状態のまま保たれる。そして、Oソースガンのセルシャッタ、及びMgソースガンのセルシャッタが、MgZnO:[NTe]成長工程で開状態にされ、ZnTe:N成長工程で閉状態にされる。基板シャッタが、MgZnO:[NTe]成長工程とZnTe:N成長工程のそれぞれで開状態にされ、両成長工程間で閉状態にされる。次に、上記実施例によるp型ZnO系半導体層を応用した第1応用例及び第2応用例による発光素子について説明する。図15Aは、第1応用例による発光素子の構造を示す概略断面図である。n型導電性を持つZn面ZnO0001基板11上に、成長温度300°C、Znフラックス0.1nm/s、O2流量2sccm/RFパワー300Wとして、Znビーム及びOラジカルビームを照射し、厚さ30nmのZnOバッファー層12を成長させる。900°Cでアニールを行い、結晶性及び表面平坦性の改善を行なう。ZnOバッファー層12上に、成長温度900°C、Znフラックス0.3nm/s、O2流量1sccm/RFパワー250Wとして、Znビーム及びOラジカルビームを照射し、厚さ150nmのn型ZnO層13を成長させる。n型ZnO層13上に、成長温度900°C、Znフラックス0.1nm/s、Mgフラックス0.03nm/s、O2流量2sccm/RFパワー300Wとして、Znビーム、Mgビーム、及びOラジカルビームを照射し、厚さ30nmのn型MgZnO層14を成長させる。n型MgZnO層14上に、成長温度900°C、Znフラックス0.1nm/s、O2流量2sccm/RFパワー300Wとして、Znビーム及びOラジカルビームを照射し、厚さ10nmのZnO活性層15を成長させる。なお、図15Bに示す変形例のように、活性層15は単層構造に限らず、例えば、MgZnO障壁層15bとZnO井戸層15wとを交互に積層した量子井戸構造とすることもできる。その後、基板温度を例えば500°Cまで下げて、MgZnO:[NTe]層成長工程とZnTe:N層成長工程とを交互に例えば20回繰り返すことにより、活性層15上に、例えば厚さ100nmのp型ZnO系半導体層16を成長させる。MgZnO:[NTe]層成長工程は、例えば、Znフラックス0.15nm/s、Mgフラックス0.04nm/s、O2流量2.0sccm/RFパワー300W、N2流量1.0sccm/RFパワー100W、Teフラックス0.0006nm/sとして、Znビーム、Mgビーム、Oラジカルビーム、Nラジカルビーム、及びTeビームを照射する。ZnTe:N層成長工程は、例えば、Znフラックス0.15nm/s、Teフラックス0.0006nm/s、N2流量1.0sccm/RFパワー100Wとして、Znビーム、Teビーム、及びNラジカルビームを照射する。その後、ZnO基板11の裏面にn側電極17nを形成し、p型ZnO系半導体層16上にp側電極17pを形成し、p側電極17p上にボンディング電極18を形成する。n側電極17nは、厚さ10nmのTi層上に厚さ500nmのAl層を積層して形成する。p側電極17pは、300μm□で厚さ0.5nmのNi層上に厚さ10nmのAu層を積層して形成し、ボンディング電極18は、100μmφで厚さ500nmのAu層で形成する。このようにして、第1応用例による発光素子が作製される。図16は、第2応用例による発光素子の構造を示す概略断面図である。絶縁性基板であるc面サファイア基板21上に、極性制御層としてMgOバッファー層22を成長させる。MgOバッファー層22は、成長温度650°C、Mgフラックス0.05nm/s、O2流量2sccm/RFパワー300WでMgビーム及びOラジカルビームを照射し、厚さ約10nm成長させる。MgOバッファー層22上に、成長温度300°C、Znフラックス0.1nm/s、O2流量2sccm/RFパワー300Wとして、Znビーム及びOラジカルビームを照射し、厚さ約30nmの低温ZnOバッファー層23を成長させる。結晶性及び表面平坦性改善のため、900°Cで30分のアニールを施す。MgOバッファー層22の極性制御作用により、ZnOバッファー層23は、Zn極性面c面で成長させることができる。ZnOバッファー層23上に、成長温度900°C、Znフラックス0.05nm/s、O2流量2sccm/RFパワー300Wとして、Znビーム及びOラジカルビームを照射するとともに、Gaビームを照射して、Gaがドープされた厚さ約1.5μmのn型ZnO層24を成長させる。n型ZnO層24上に、成長温度900°C、Znフラックス0.1nm/s、Mgフラックス0.03nm/s、O2流量2sccm/RFパワー300Wとして、Znビーム、Mgビーム、及びOラジカルビームを照射し、厚さ30nmのn型MgZnO層25を成長させる。n型MgZnO層25上に、成長温度900°C、Znフラックス0.1nm/s、O2流量2sccm/RFパワー300Wとして、Znビーム及びOラジカルビームを照射し、厚さ10nmのZnO活性層26を成長させる。なお、第1応用例と同様に、量子井戸構造の活性層26とすることもできる。その後、基板温度を例えば500°Cまで下げて、MgZnO:[NTe]層成長工程とZnTe:N層成長工程とを交互に例えば20回繰り返すことにより、例えば厚さ100nmのp型ZnO系半導体層27を成長させる。MgZnO:[NTe]層の成長条件及びZnTe:N層の成長条件は、例えば第1応用例のそれと同様である。第2応用例の基板は絶縁性のため、第1応用例のようには、基板上下に電極を形成できない。そこで上面側より両電極を取るため、n側電極形成領域を、p型ZnO系半導体層27の上面から、n型ZnO層24が露出する深さまでエッチングし、露出したn型ZnO層24上にn側電極28nを形成する。p型ZnO系半導体層27上にp側電極28pを形成し、p側電極28p上にボンディング電極29を形成する。n側電極28nは、厚さ10nmのTi層上に厚さ500nmのAl層を積層して形成する。p側電極28pは、厚さ0.5nmのNi層上に厚さ10nmのAu層を積層して形成し、ボンディング電極29は、厚さ500nmのAu層で形成する。このようにして、第2応用例による発光素子が作製される。なお、実施例の方法で得られるZnO系半導体層は、例えば、短波長紫外~青の発光ダイオードLEDやレーザダイオードLDに利用でき、また、これらの応用製品各種インジケータ、LEDディスプレイ等、CV/DVD用光源に利用できる。また、白色LEDやその応用製品照明器具、各種インジケータ、ディスプレイ、各種表示器のバックライト等に利用できる。また、紫外センサに利用できる。以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。