"基板101、前記基板101上に配されたポリマー誘電体103、有機半導体材料112および受動層114を含む少なくとも1つのアクティブデバイス104、および、少なくとも1つのアクティブデバイスに隣接する導電性ポリマーを含む半導体デバイス100。前記ポリマー誘電体103は、ポリイミド、フッ化ポリイミド、水素ポリシルセスキオキサンなどのポリシルセスキオキサン、メチルポリシルセスキオキサン、ブチルポリシルセスキオキサン、およびフェニルポリシルセスキオキサンなど、ベンゾシクロブテン、フッ化ベンゾシクロブテン、ポリフェニレン、ポリシラザン、ポリフェニルキノキサリン、2,2-ビストリフルオロメチル-4,5-ジフルオロ-1,3-ジオキソールコポリマー、パーフルオロアルコキシレジン、フッ化エチレンプロピレン、フルオロメタクリル酸、ポリアリレンエーテル、フッ化ポリアリレンエーテル、フッ化パリレン、ポリp-キシルキシレン、フッ化ポリp-キシルキシレン、パリレンF、パリレンN、パリレンC、パリレンD、アモルファスポリテトラフルオロエチレン、ポリキノリン、ポリフェニルキノザリン、および高分子フォトレジストのうち少なくとも1つを含む、請求項1に記載の半導体デバイス100。前記ポリマー誘電体103は、約135°C以上約400°C以下のガラス転移温度あるいは融点を有し、前記ポリマー誘電体103の誘電率は約2.4以下である、請求項1または2に記載の半導体デバイス100。前記アクティブデバイス104は、2つの電極106、108間に有機半導体材料112および受動層114を含み、前記有機半導体材料112は共役ポリマーを含む、請求項1~3のいずれかに記載の半導体デバイス100。コンピュータ及びメモリデバイスをより高速で、より小さく、より低価格なものにするためには、切手サイズのシリコン上にこれまで以上のトランジスタとその他の電子構造を詰め込み、集積化を図ることが必要である。切手サイズのシリコンには数千万のトランジスタを含めることができ、各トランジスタは、数百ナノメータほどに小さくなっている。しかし、シリコンベースのデバイスは、その基本的な物理サイズの限界へと近づきつつある。概して、無機ソリッドステートデバイスは、複雑な構造をしているため、原価高とデータの記録密度の損失を招いている。無機半導体材料をベースとした揮発性半導体メモリ回路には、記録された情報を保持するために、熱と多量の電力消費とを伴う電流が常に供給されていなければならない。不揮発性半導体デバイスでは、データ転送速度が減少し、比較的多くの電力が消費され、またかなり複雑なものとなっている。更に、無機ソリッドステートのデバイスサイズが縮小し、集積度が増大することにともない、アライメントの許容範囲に対する感度が増し、製造が著しくより困難になる。極小サイズで機能を形成することは、動作回路の製造に極小サイズが用いられるということを示すものではない。極小サイズよりももっと小さい、例えば、極小サイズの4分の1のアライメントの許容範囲を有することが求められている。無機ソリッドステートデバイスの大きさを変更する場合に、注入物の拡散長の問題が生じる。サイズが縮小されることにともない、シリコンの注入物の拡散長により工程設計に困難性が生じる。これに関連して、注入物の流動性を低減し、また高温における時間を減らすために多くの調整がなされる。しかし、このような調整が、際限なく継続されるかについては明らかではない。半導体の接合部に対して逆バイアス方向に電圧を印加すると、接合部周辺に空乏領域が生成される。空乏領域幅は、半導体のドーピングレベルに依存する。空乏領域が広がり、他の空乏領域と接触すると、パンチスルー又は制御されていない電流が発生するおそれがある。ドーピングレベルがより高くなると、パンチスルーの発生を防ぐために必要な分離を最小化する傾向がある。しかし、単位距離あたりの電圧の大きな変化は、電界の規模が大きいということを示すことから、距離単位あたりの電圧変化が大きければ、更なる困難性が生じる。このような、電位勾配の大きい場を移動する電子は、最小の伝導帯エネルギーよりも実質的に高いエネルギーレベルにまで加速される。このような電子は、ホットエレクトロンとして知られており、また絶縁体を通過するのに十分なエネルギーを有するので、半導体デバイスの品質を不可逆的に低下させることにつながっている。デバイスのスケーリング及び集積化が、モノリシック半導体基板の絶縁をより困難にしている。特に、デバイス各々横方向において絶縁することは、状況によって困難な場合がある。他の難点は、漏れ電流のスケーリングである。更に他の難点は、基板内の担体の拡散がもたらすものである。つまり、自由な担体が数十ミクロンを超えて拡散し、格納された電荷を中和してしまうことがある。小型で軽量の電子機器に対する継続的要求から、先端材料および設計に対する必要性が生じている。これは、電子市場における最新の傾向、例えば、無線通信およびポータブルコンピュータへの高まる需要が、小型/軽量デバイスフィーチャおよび高速動作速度にますます重点をおくようになっているからである。信頼できる電子回路動作を保証するために、隣接する導体間を適切に電気的絶縁する必要がある。適切な電気的絶縁により、高周波で悪化するおそれがある高電圧アークおよび漏れ電流が軽減される。チップ上のデバイス密度が増加するにつれ、適切な電気的絶縁を実現するうえでの困難性も増す。ウェハの寸法が大きくなり、および/または、トランジスタデバイスの寸法が縮小すると、層間絶縁膜に関する懸念がより重きくなる。無機酸化物および窒化物のような最新の層間絶縁膜材料には有利な面もあるが、同様に難点もある。回路を設計する際に、望ましくない拡散、クロストーク、十分な絶縁電気および温度とも、熱膨張率、短チャネル効果、漏れ、極限寸法制御、ドレインがもたらす障壁低下などの特定の物理的特性を説明することがさらに重要である。層間絶縁膜材料の欠点を軽減することが望まれる。本発明のいくつかの形態の基本的な理解を提供するために、本発明の概略を以下に記す。この要約は、本発明のキーとなる/重要な要素の識別、あるいは本発明の技術的範囲の詳細な説明を意図としたものではない。この要約の唯一の目的は、後述する更に詳細な説明の前置きとして、簡潔化した形で本発明のいくつかの概念を表すことにある。本発明は、プラスチック基板、ポリマー誘電体、導電性ポリマーおよび有機半導体のうちの2つ以上の熱膨張率が実質的に一致し、その結果、温度変化による望ましくない影響を軽減するメモリチップと半導体チップとを提供する。さらに、本発明は、2つ以上のプラスチック基板、ポリマー誘電体、導電性ポリマーおよび有機半導体により、比較的軽量で柔軟性のあるメモリチップと半導体チップとを提供する。本発明に従い用いられるポリマー誘電体は、低誘電率、低散逸率、低吸収率、熱的安定性、機械的安定性、高降伏電圧、および、高ガラス転移温度のうちの1つ以上を備えている。本発明の1つの形態は、ポリマー誘電体を含む半導体デバイス、有機半導体材料および受動層を含む少なくとも1つのアクティブデバイスに関する。本発明の別の形態は、導電性ポリマーをさらに含む半導体デバイスに関する。前述の、および関連する目的を達成するために、本発明は以下で十分に説明し、かつ、請求の範囲で具体的に指摘した特徴を含む。以下の説明および添付の図面は、本発明の特定の例示的形態および実装品を詳細に説明する。しかし、これらは、本発明の原理が適用される様々な方法のうちの一部を示すのみである。本発明のその他の目的、優位性、及び新たな特徴は、添付の図面と併せて検討されるときに本発明の以下の詳細な説明から明らかにされるであろう。概して、ポリマー誘電体は、シリカおよび窒化シリコンなどの半導体基板として一般に使用される無機材料よりも軽量であり、また、熱膨張率が高い。概して、熱膨張率は、1単位あたりの温度の上昇に対応しての長さの増加分として定義される。本発明では、有機半導体あるいはポリマーメモリデバイスに関連してポリマー誘電体が使用される。本発明では任意に、導電性ポリマーとともにポリマー誘電体も使用される。これに関連して、本発明は、軽量で構造に屈曲性があるセミフレキシブルのメモリチップおよび半導体チップを提供し、ポリマー誘電体、導電性ポリマー、および有機半導体のうちの2つ以上の熱膨張率は実質的に一致する。本発明に従い作られた集積回路チップは、ポリマー誘電体を含む。ポリマー誘電体は比較的軽量であり、特に有機半導体あるいはポリマーメモリセルから作られたアクティブデバイスを含む基板上に形成された材料の多くに実質的に一致する熱膨張率を有する。誘電体をポリマー誘電体により製造しているので、温度変化が有機半導体あるいはポリマーメモリデバイスを含む集積回路チップの性能、信頼性、および/または、機械的安定性に悪影響を与えることはない。ポリマー誘電体は、低誘電率材料などの絶縁材である。LowK材料、即ち低誘電率材料は、半導体基板内の様々な層間、デバイス間、構造間および領域間に電気的絶縁を与える。本発明での目的においては、低誘電率材料の誘電率は約3以下である。別の実施形態では、低誘電率材料の誘電率は約2.4以下である。また別の実施形態では、低誘電率材料の誘電率は約1.8以下である。さらにまた別の実施形態では、低誘電率材料の誘電率は約1.5以下である。ポリマー誘電体は、セルフパターナブルフォトレジストの必要性がない、あるいはノンセルフパターナブルフォトレジストを使用する必要がある、あるいは、パターニングされるマスクが必要であるのいずれであってもよい。場合によっては、セルフパターナブルのポリマー誘電体を使用することにより、集積回路デバイスを製造する際にフォトリソグラフィステップの必要性なくすことができる。ポリマー誘電体の一般的な例としては、低誘電率ポリマーおよび低誘電率フッ素重合体が挙げられる。ポリマー誘電体の例としては、ポリイミド、フッ化ポリイミド、ポリシルセスキオキサン、例えば、水素ポリシルセスキオキサン、メチルポリシルセスキオキサン、ブチルポリシルセスキオキサン、およびフェニルポリシルセスキオキサンなど、ベンゾシクロブテン、フッ化ベンゾシクロブテン、ポリフェニレン、ポリシラザン、ポリフェニルキノキサリン、2,2-ビストリフルオロメチル-4,5-ジフルオロ-1,3-ジオキソールコポリマー、パーフルオロアルコキシレジン、フッ化エチレンプロピレン、フルオロメタクリル酸、ポリアリレンエーテル、フッ化ポリアリレンエーテル、フッ化パリレン、ポリp-キシルキシレン、フッ化ポリp-キシルキシレン、パリレンF、パリレンN、パリレンC、パリレンD、アモルファスポリテトラフルオロエチレン、ポリキノリン、ポリフェニルキノザリン、高分子フォトレジスト材料および同種のものが挙げられる。特に商業的に入手可能なポリマー誘電体としては、ペルフルオロビフェニルperfluorobiphenylおよび芳香族ビスフェノールから誘導されたと考えられているAlliedAignal社のFLARETM、AppliedMaterial社のBlackDiamondTM、AsahiChemical社のCYTOPフッ素重合体およびALCAPS、Dowchemical社のSiLKおよびCYCLOTENEBCB、DuPont社のKAPTONポリイミドおよびIMIDEXポリイミド、Shipley社のZIRKON、DuPont社のTEFLONポリテトラフルオロエチレン、DowCorning社のXLKおよび3MS、HitachiChemical社のHSGRZ25、HoneywellElectronicMaterials社のHOSPTMおよびNANOGLASSTM、JSRMicroelectronics社のLKD、Novellus社のCORALTMおよびAF4、Clariant社のSPINFILTMポリシラザンおよびPIMELTMポリイミド、Schumacher社のVELOXTMPAE2の商品名のものが含まれる。一般に、ポリマー誘電体は、スピンオンあるいはCVD蒸着技術のいずれかを用いて形成される。CVDにおいては、レジストを蒸着する間において有機溶剤は用いられない。CVDには、連続的PECVDに加えて、パルスプラズマエンハンスト化学蒸着法および熱分解CVDが含まれる。例えば、プラズマ重合は、フッ素樹脂誘電体を蒸着する一般的な方法である。PECVDは、グロー放電地域内にフィルムを蒸着するために先駆ガスを励起するよう、連続的高周波電源radiofrequencypowerを使用する。本発明の集積回路装置はさらに、無機誘電体を含んでいてもよいし、含んでいなくてもよい。そのような無機誘電体としては、シリカ、窒化シリコン、酸窒化シリコン、その他の金属酸化物および同種のものが挙げられる。1つの具体的な実施形態では、ポリマー誘電体を含む有機半導体デバイスはシリカを含まない。ポリマー誘電体は透明、半透明、あるいは、不透明であり得る。ポリマー誘電体は、アクティブ半導体デバイスの処理と製造とを促進するのに十分な融点あるいはガラス転移温度を有する有機半導体デバイス形成のなど。一実施形態では、ポリマー誘電体の融点および/またはガラス転移温度は約125°C以上で約425°C以下である。別の実施形態では、ポリマー誘電体の融点および/またはガラス転移温度は約135°C以上約400°C以下である。また別の実施形態では、ポリマー誘電体の融点および/またはガラス転移温度は約140°C以上約300°C以下である。場合によっては、酸素および/または水蒸気の望ましくない浸透による影響を受け易いポリマー誘電体もある。このような場合、任意の水蒸気および/または酸素のバリア層をポリマー誘電体の表面に蒸着してよい。この任意のバリア層は、水蒸気および/または酸素の少なくとも一部がポリマー誘電体に浸透するのを妨げるように機能する。ポリマー誘電体を通じての酸素および水蒸気の拡散を低減するおよび/またはなくすために、バリア層としては、酸化シリコン、窒化シリコン、アルミニウム酸化物などの非導電性金属酸化物、アルミニウム/パリレンなどの金属/ポリマーが交互に形成された層、シリカ/シクロテンなどの無機誘電体メディア/ポリマーを交互に形成したものが挙げられる。金属/ポリマーが交互に形成された層が用いられる場合、考えられるあらゆる短絡を防ぐために、最上層あるいは最終層は絶縁材で作られるのが望ましい。有機半導体デバイスおよびポリマーメモリデバイスのアクティブデバイスとしては、不揮発性有機メモリセル、有機半導体トランジスタ、ポリマー半導体トランジスタ、不揮発性のポリマーメモリセル、プログラマブル有機メモリセルおよびこれらに類するものが挙げられる。概して、これらのアクティブデバイスは、2つの電極間に有機半導体を備えており、あるいは、3つの電極に囲まれた有機半導体を備えている。本文中に記載された集積回路チップは、中央処理装置などの論理デバイス;DRAMデバイスやSRAMデバイス及びこれらに類する不揮発性メモリ;入力/出力デバイスI/Oチップ;EEPROM、EPROM、PROMおよびこれらに類する不揮発性メモリデバイスに用いることができる。1つ以上の電極は制御可能な導電媒体を挟む2つの電極間に配置され得るので、有機メモリセルは少なくとも2つの電極を含む。電極は、導電性金属、導電性金属合金、導電性金属酸化物、導電性ポリマーフィルム、半導体材料、および同種のものといった導電性材料から作られる。電極の材料としては、具体的には、アルミニウム、クロム、銅、ゲルマニウム、金、マグネシウム、マンガン、インジウム、鉄、ニッケル、パラジウム、プラチナ、銀、チタン、亜鉛、およびそれらの合金、インジウム-スズ酸化物ITO:IndiumTinOxide、ポリシリコン、ドープしたアモルファスシリコン、金属シリサイド、およびこれらに類するもの、のうちの少なくとも1つが挙げられる。合金電極としては具体的に、Hastelloy、ポリジフェニルアセチレンpolydiphenylacetylene、ポリジフェニルアセチレンpolydiphenylacetylene、ポリdiphenylacetylene、ポリビストリフロロメチルアセチレンacetylenes、ポリビスt-ブチルジフェニルアセチレンpolybis、ポリトリメチルシリルジフェニルアセチレンdiphenylacetylene、ポリジフェニルアセチレンdiphenylacetylene、ポリジアセチレン、ポリフェニルアセチレン、ポリポリジンアセチレン、ポリメトキシフェニルアセチレン、ポリメチルフェニルアセチレン、ポリphenylacetylene、ポリニトロ-フェニルアセチレン、ポリトリフロロメチルフェニルアセチレンphenylacetylene、ポリトリメチルシリルフェニルアセチレンpheylacetylene、ポリジピロリルメタン、ポリインドキノン、ポリジヒドロキシインドール、ポリトリヒドロキシインドール、フラン-ポリジヒドロキシインドール、ポリインドキノン-2-カルボキシル、ポリインドキノン、ポリベンゾビスチアゾル、ポリp-フェニレンスルフィド、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリシラン、ポリスチレン、ポリフラン、ポリインドール、ポリアズレン、ポリフェニレン、ポリピリジン、ポリビピリジン、ポリフタロシアニン、ポリセクシチオフェン、ポリシリコノキソヘミポルフィラジン、ポリゲルマニウムオキソヘミポルフィラジン、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリメタロセン錯体鉄、バナジウム、クロム、コバルト、ニッケル、およびこれらに類するもの、ポリピリジン金属錯体ルテニウム、オスミウム、およびこれに類するもの、およびこれらに類するものが挙げられる。一実施形態では、有機半導体層には塩を用いたドープは行われない。別の実施形態では、有機半導体層には塩を用いたドープが行われる。塩とは、陰イオンと陽イオンとを有するイオン化合物である。有機半導体層をドープするために用いられる塩の一般的な例としては、アルカリ土類金属ハロゲン、硫酸塩、過硫酸塩、硝酸塩、リン酸塩など、アルカリ金属ハロゲン、硫酸塩、過硫酸塩、硝酸塩、リン酸塩など、遷移金属ハロゲン、硫酸塩、過硫酸塩、硝酸塩、リン酸塩など、アンモニウムハロゲン、硫酸塩、過硫酸塩、硝酸塩、リン酸塩など、第4アルキルアンモニウムハロゲン、硫酸塩、過硫酸塩、硝酸塩、リン酸塩など、が挙げられる。一実施形態では、有機半導体層の厚さは約0.001μm以上約5μm以下である。別の実施形態では、有機半導体層の厚さは約0.01μm以上約2.5μm以下である。さらに別の実施形態では、有機半導体層の厚さは約0.05μm以上約1μm以下である。有機半導体層は、スピンオン技術ポリマー/ポリマー先駆物質および溶剤の混合物を蒸着し、その後、基板/電極からその溶剤を除去する技術、ガス反応蒸着、ガス気相蒸着などを任意に含む化学蒸着法CVD:ChemicalVaporDeposition、により形成され得る。CVDには、低圧化学蒸着法LPCVD:LowPressureCVD、プラズマエンハンスト化学蒸着法PECVD:PlasmaEnhancedCVD、および高密度化学蒸着法HDCVD:HighDensityCVDが含まれる。有機半導体材料は、形成あるいは蒸着中に、電極間に自己整合セルフアセンブルする。有機ポリマーの1つ以上の端部を有機ポリマーの端部を電極/受動層と結合する官能基にすることは、通常は必要ではない。有機半導体材料と受動層との間に共有結合が形成され得る。別の実施形態では、有機半導体層と受動層との間に優れた電荷担体/電子を提供するために、密接に接続していることが求められる。有機半導体層および受動層は、その2つの層の間で電荷担体電子交換が生じることから、電気的に結合される。受動層には、制御可能な導電媒体の制御可能な導電特性となる、少なくとも1つの導電促進化合物が含まれる。注入により形成される導電促進化合物は、電荷正孔および/または電子の提供と受け入れを行うことができ、および/または、銅イオンのソースとして機能することができる。その結果、受動層は、電極と有機ポリマー層/受動層のインターフェース間で正孔、電子、および/またはイオンの移動を行い、有機ポリマー層への電荷/担体の注入を容易にし、および/または、有機ポリマー層の電荷担体イオン、正孔、および/または電子の濃度を高めることができる。場合によっては、受動層は逆極性の電荷を記録することができ、その結果、全体として有機メモリデバイスの電荷バランスをとることができる。導電促進化合物対して相対的に安定した酸化状態が2つあることにより、容易に電荷/電荷担体を記録できる。受動層のフェルミ準位は、有機半導体層の価電子帯に接近している。その結果、有機半導体層に注入された電荷担体は、荷電された有機半導体層が実質的に変化しない場合、受動層において電荷と再結合し得る。エネルギー帯の位置を決めるには、電荷注入の容易さと電荷データ保持時間の長さとの間で妥協することが必要である。印加される外部電場は、電場の方向に応じて受動層と有機層との間のエネルギー障壁を低減することができる。したがって、プログラミング動作あるいは書き込み動作において、順方向の電場の電荷注入を向上させ、また、消去動作において逆電場の電荷再結合を改善することができる。受動層は、有機半導体層を形成する場合、特に、有機半導体層が共役有機ポリマーを含む場合に、触媒として機能する場合がある。これに関連して、共役有機ポリマーのポリマー骨格がまず受動層に隣接して形成され、受動層表面から離れる方向で、および、実質的に受動層表面に垂直に成長またはアセンブルされ得る。その結果、有機ポリマーのポリマー骨格は、電極が移動する方向に、あるいは、受動層から離れた方向に自己整合し得る。受動層を形成し得る導電促進化合物の例としては、硫化銅Cu2S、CuS、銅リッチ硫化銅Cu3S,CuS;Cu3S、Cu2S、酸化銅CuO、Cu2O、セレン化銅Cu2Se、CuSe、テルル銅領域308が形成されている。STI領域308は、ポリマー誘電体あるいはシリカなどの無機誘電体から形成され得る。STI領域の下には、チャネルストップインプラントCSI:ChannelStopImplant領域310が形成される。n型にドープされた領域306上には第1ポリマー誘電体構造312が配置される。第1ポリマー誘電体構造312内には、タングステンプラグ314が存在する。このタングステンプラグ314は、利用可能ないずれの製造技術のうち、ダマシンあるいはデュアルダマシンプロセスを用いて形成され得る。タングステンプラグ314の下にはp領域313が存在する。第2ポリマー誘電体構造あるいはストップ層誘電体SLD:StopLayerDielectricは、第1ポリマー誘電体構造312上に配置される。このSLD322は、第1ポリマー誘電体構造312と同じ、あるいは別の材料を含み得るが、別の材料を含むことが好ましい。SLD322の上には、第3ポリマー誘電体構造324が配置される。この第3ポリマー誘電体構造324は、第1ポリマー誘電体構造312および/またはSLD322と同じ材料あるいは別の材料を含み得るが、SLD322とは異なる材料を、第1ポリマー誘電体構造312とは同じ材料を含むことが好ましい。第3ポリマー誘電体構造324内には、導電性ポリマー接続構造316、導電性ポリマービット線318、および、銅パッド320が形成される。別の形態では、導電性ポリマー接続構造316および導電性ポリマービット線318の一方あるいは双方は、金属導電材料から形成され得る。第4ポリマー誘電体構造あるいはポリマー層間誘電体ILD:InterlayerDielectricは、第3ポリマー誘電体構造324上に配置される。ILD326は第1ポリマー誘電体構造312、第3ポリマー誘電体構造324、および/またはSLD322と同じあるいは別の材料を含み得る。ILD326内には、ポリマーメモリセル327の一部が形成される。具体的には、銅パッド320上にポリマー有機半導体材料328が形成され、ポリマー有機半導体材料328上に上部電極330が形成される。ILD326には付加的な層が形成され得るが、簡素化のためにそのような層は示していない。多機能半導体デバイス300において、第1ポリマー誘電体構造312、SLD322、第3ポリマー誘電体構造324、導電性ポリマー接続構造316、導電性ポリマービット線318、および、ILD326は、軽量で相対的に一致する熱膨張率を提供し、これによりデバイス300の信頼性と利便性が向上する。ポリマー誘電体を備えた有機半導体デバイスは、メモリを必要とするどのようなデバイスにおいても有益である。例えば、有機半導体デバイスは、コンピューター、器具、産業設備、ハンドヘルドデバイス、通信機器、医療用具、研究開発設備、運搬用車両、レーダー/衛星装置、および同種のものに有益である。有機メモリデバイスおよびポリマー誘電体の小型化と軽量化により、ハンドヘルドデバイス、具体的にはハンドヘルド電子デバイスは、携帯性が向上している。ハンドヘルドデバイスの例としては、携帯電話およびその他の双方向通信デバイス、パーソナルデータアシスタント、ポケットベル、ノート型パソコン、リモコン、レコーダビデオまたはオーディオ、ラジオ、小型テレビ、ウェブビューア、カメラ、および同種のものが挙げられる。本発明を特定の好適な実施形態あるいは複数の実施形態に関連して示し、説明しているが、本明細書と添付の図面を読み、理解すれば等価の変更及び修正が可能なことは当業者にとって明らかである。上述のコンポーネントアセンブリ、デバイス、回路などによって実施される様々な機能、このようなコンポーネントを説明するために用いられる用語手段に関係するものはどれも含むは、本明細書に例示された本発明の実施形態の機能を実施する、開示された構造と構造的に等価ではないが、特に言及されていない限りは、説明されているコンポーネントの具体的な機能つまり、機能的に等価のを実施するどのコンポーネントにも対応することを意図とする。更に、本発明の特定的な特徴がいくつかの実施形態のうちの1つに関して説明されているが、このような特徴は、いずれの所定の又は特定のアプリケーションに所望である又は便利な、その他の実施形態の1つ以上の特徴と組み合わせることもできる。"