"活性光線又は放射線の照射により分解して遊離酸を発生する含窒素複素環カチオン構造を側鎖に備えた繰り返し単位Aを含んだ樹脂Pを含有したポジ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。前記繰り返し単位Aは下記一般式AZ1又はAZ2により表される請求項1に記載の組成物。式中、R11、R12及びR13は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。X11及びX12は、単結合又は2価の連結基を表す。R12とX11又はX12とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。は、含窒素複素環を表す。Y1は、置換基を表す。A-は、アニオンを表す。前記含窒素複素環カチオンはアジニウムカチオンである請求項1又は2に記載の組成物。前記樹脂Pは、酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を発生する繰り返し単位Bを更に含んでいる請求項1乃至3の何れか1項に記載の組成物。前記樹脂Pは、下記一般式Iにより表される繰り返し単位Cを更に含んでいる請求項1乃至4の何れか1項に記載の組成物。式中、R41、R42及びR43は、各々独立に、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。X4は、単結合、-COO-、又は-CONR64-を表し、R64は、水素原子又はアルキル基を表す。L4は、単結合又はアルキレン基を表す。Ar4は、n1価の芳香環基を表す。nは、1~4の整数を表す。請求項1乃至5の何れか1項に記載の組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性樹脂膜。請求項6に記載の膜を、電子線、X線又は軟X線により露光することと、前記露光された膜を現像することとを含んだパターン形成方法。本発明の目的は、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、及びアウトガスの低減を同時に達成可能とするポジ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いた感活性光線性又は感放射線性樹脂膜及びパターン形成方法を提供することにある。本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、以下に例示する発明を完成するに至った。1活性光線又は放射線の照射により分解して遊離酸を発生する含窒素複素環カチオン構造を側鎖に備えた繰り返し単位Aを含んだ樹脂Pを含有したポジ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。2前記繰り返し単位Aは下記一般式AZ1又はAZ2により表される1に記載の組成物。式中、R11、R12及びR13は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。X11及びX12は、単結合又は2価の連結基を表す。R12とX11又はX12とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。は、含窒素複素環を表す。Y1は、置換基を表す。A-は、アニオンを表す。3前記含窒素複素環カチオンはアジニウムカチオンである1又は2に記載の組成物。4前記樹脂Pは、酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を発生する繰り返し単位Bを更に含んでいる1~3の何れかに記載の組成物。5前記樹脂Pは、下記一般式Iにより表される繰り返し単位Cを更に含んでいる1~4の何れかに記載の組成物。式中、R41、R42及びR43は、各々独立に、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。X4は、単結合、-COO-、又は-CONR64-を表し、R64は、水素原子又はアルキル基を表す。L4は、単結合又はアルキレン基を表す。Ar4は、n1価の芳香環基を表す。nは、1~4の整数を表す。61~5の何れかに記載の組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性樹脂膜。76に記載の膜を、電子線、X線又は軟X線により露光することと、前記露光された膜を現像することとを含んだパターン形成方法。本発明によると、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、及びアウトガスの低減を同時に達成可能とするポジ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いた感活性光線性又は感放射線性樹脂膜及びパターン形成方法を提供することが可能となる。以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、ここでは、置換又は無置換を明示していない基及び原子団には、置換基を有していないものと置換基を有しているものとの双方が含まれることとする。例えば、置換又は無置換を明示していないアルキル基は、置換基を有していないアルキル基無置換アルキル基のみならず、置換基を有しているアルキル基置換アルキル基をも包含することとする。また、ここで活性光線又は放射線とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外EUV線などの軟X線、X線又は電子線EBを意味している。光とは、活性光線又は放射線を意味している。露光とは、水銀灯、遠紫外線、X線及びEUV光等による光照射のみならず、電子線及びイオンビーム等の粒子線による描画をも意味している。<樹脂P>本発明に係るポジ型感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、以下に説明する繰り返し単位Aを含んだ樹脂Pを含有している。繰り返し単位A繰り返し単位Aは、その側鎖に、活性光線又は放射線の照射により分解して遊離酸を発生する含窒素複素環カチオン構造を備えている。このような繰り返し単位Aを含んだ樹脂Pを用いると、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、及び良好なアウトガス性能を同時に満足することが可能となる。上記含窒素複素環は、芳香環であってもよく、非芳香環であってもよい。この複素環は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。また、この複素環は、置換基を更に有していてもよい。このような複素環としては、例えば、イミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、2H-ピロール環、3H-インドール環、1H-インダゾール、プリン環、イソキノリン環、4Hキノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、プテリジン環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、フェナジン環、ペリミジン環、トリアジン環、ベンズイソキノリン環、チアゾール環、チアジアジン環、アゼピン環、アゾシン環、イソチアゾール環、イソオキサゾール環、及びベンゾチアゾール環が挙げられる。中でも、ピリジン環又はキノリン環が特に好ましい。上記含窒素複素環が有し得る置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子-F、-Br、-Cl等、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、シアノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アミノ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、ウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、N-アルキル-N-アルコキシカルボニルアミノ基、N-アルキル-N-アリーロキシカルボニルアミノ基、N-アリール-N-アルコキシカルボニルアミノ基、N-アリール-N-アリーロキシカルボニルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、カルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホ基-SO3H及びその共役塩基基スルホナト基と称する、アルコキシスルホニル基、アリーロキシスルホニル基、スルフィナモイル基、ホスホノ基-PO3H2及びその共役塩基基ホスホナト基と称する、ホスホノオキシ基-OPO3H2及びその共役塩基基ホスホナトオキシ基と称する、ニトロ基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロ環基、並びに、シリル基が挙げられる。これらの基は、置換基を更に有していてもよい。上記含窒素複素環は、下記一般式AZ-A又はAZ-Bにより表されることが好ましい。即ち、含窒素複素環は、6員環又は5員環を含んでいることが好ましい。式中、Aは、各々独立に、炭素原子、窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子を表す。Yは、p≧2の場合には各々独立に、置換基を表す。Yのうち少なくとも2つは、互いに結合して、環を形成していてもよい。pは、0~5の整数を表す。Zは、q≧2の場合には各々独立に、置換基を表す。Zのうち少なくとも2つは、互いに結合して、環を形成していてもよい。qは、0~4の整数を表す。一般式AZ-A及びAZ-Bの各々において、Aのうち窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子の数は、好ましくは0~2であり、より好ましくは0又は1である。一般式AZ-A及びAZ-Bの各々において、Y及びZの具体例としては、例えば、先に含窒素複素環が有し得る置換基として説明したものが挙げられる。また、Y及びZの各々は、それらの少なくとも2つが互いに結合して、環を形成していてもよい。即ち、一般式AZ-A又はAZ-Bにより表されるカチオンは、縮環構造を有していてもよい。Y又はZが互いに結合して形成し得る環は、芳香環であってもよく、非芳香環であってもよい。また、この環は、ヘテロ原子を含んだ複素環であってもよい。Y又はZが互いに結合して形成し得る環は、5~7員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましく、6員環であることが特に好ましい。加えて、Y又はZが互いに結合して形成し得る環は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、先に含窒素複素環が有し得る置換基として説明したものが挙げられる。一般式AZ-Aにより表される複素環中のAの1つが窒素原子、酸素原子又は硫黄原子である場合、含窒素複素環は、下記一般式AZ-A1又はAZ-A2により表されることがより好ましい。一般式AZ-A1及びAZ-A2中、Aは、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を表す。Y及びpは、一般式AZ-Aにおける各々と同義である。一般式AZ-Bにより表される複素環中のAの1つが窒素原子、酸素原子又は硫黄原子である場合、含窒素複素環は、下記一般式AZ-B1により表されることがより好ましい。一般式AZ-B1中、Aは、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を表す。Z及びqは、一般式AZ-Bにおける各々と同義である。上記含窒素複素環カチオン構造は、アジニウムカチオンを含んでいることが好ましい。このような構成を採用すると、高感度、高い解像性、良好なパターン形状、及び良好なラインエッジラフネスを、更に高い水準で、同時に満足することができる。なお、ここでアジニウムとは、構造内に、1アジン環窒素原子を含んだ6員環を有するもの例えば、ピリジニウム、ジアジニウム、トリアジニウムなど、又は、2アジン環及びアジン環と縮合した1個以上の芳香族環を有するもの例えば、キノリニウム、イソキノリニウム、ベンゾアジニウム、ナフトアジニウムなどを表す。繰り返し単位Aは、下記一般式AZ1又はAZ2により表されることがより好ましい。このような構成を採用すると、高感度、高い解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、及び良好なアウトガス性能を、更に高い水準で、同時に満足することができる。樹脂Pが下記一般式AZ1により表される繰り返し単位Aを含んでいる場合、アウトガス性能が特に良好となる。他方、下記一般式AZ2により表される繰り返し単位Aは、対応する重合性化合物の合成が比較的容易である。そのため、繰り返し単位Aとして下記一般式AZ2により表される構成を採用すると、コスト面で有利である。式中、R11、R12及びR13は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。X11及びX12は、単結合又は2価の連結基を表す。R12とX11又はX12とは、互いに結合して、環を形成していてもよい。は、含窒素複素環を表す。Y1は、置換基を表す。A-は、アニオンを表す。R11、R12及びR13は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。アルキル基は、置換基を有していてもよい直鎖状又は分岐状アルキル基であり、好ましくは置換基を有していてもよいメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基、ドデシル基など炭素数20以下のアルキル基が挙げられ、より好ましくは炭素数8以下のアルキル基、特に好ましくは炭素数3以下のアルキル基が挙げられる。アルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、R11、R12又はR13により表されるアルキル基と同様のものが好ましい。シクロアルキル基としては、置換基を有していてもよい単環型又は多環型のシクロアルキル基が挙げられる。好ましくは置換基を有していてもよいシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基のような炭素数3~8個で単環型のシクロアルキル基が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が特に好ましい。上記各基における好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ニトロ基、シアノ基、アミド基、スルホンアミド基、R11~R13で挙げたアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等のアシル基、アセトキシ基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、カルボキシ基が挙げられる。特に、水酸基、ハロゲン原子が好ましい。R11、R12及びR13としては、水素原子、アルキル基、又はハロゲン原子がより好ましく、水素原子、メチル基、エチル基、トリフルオロメチル基-CF3、ヒドロキシメチル基-CH2-OH、クロロメチル基-CH2-Cl、又はフッ素原子-Fが特に好ましい。X11及びX12の各々は、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、芳香環基、-COO-、-CO-、-OCO-、-O-、-S-、-SO-、-SO2-、-CONH-、-NR-Rは水素原子若しくはアルキル基、又はこれらの2つ以上を組み合わせて形成される基が挙げられる。X11としては、単結合、アルキレン基、芳香環基、-COO-、-CO-又は-CONH-が好ましく、単結合、芳香環基又は-COO-がより好ましく、単結合又は-COO-が特に好ましい。X12としては、-COO-、-CO-、芳香環、又は-CONH-を含む基であることが好ましく、-COO-、-CO-、又は芳香環を含む基であることがより好ましく、-COO-を含む基であることが特に好ましい。なお、これら連結基は、フッ素原子などの置換基で更に置換されていてもよい。X11又はX12は、R12と結合して、環を形成していてもよい。X11又はX12とR12とにより形成される環は、5~7員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましく、5員環であることが特に好ましい。含窒素複素環としては、例えば、先に説明したものが挙げられる。なお、先の説明から明らかな通り、この複素環は、式中の窒素原子以外に、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子などのヘテロ原子を更に含んでいてもよい。また、上述した通り、この複素環は、置換基を更に有していてもよい。上記含窒素複素環は、R12と結合して、環を形成していてもよい。この場合、これらの各々は、例えば、アルキレン基を表す。この環は、5~7員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましく、5員環であることが特に好ましい。mは、上述した通り、0以上の整数である。mの上限値は、上記複素環を構成している原子のうち、置換基により置換されることが可能な原子の数に等しい。Y1により表される置換基は、有機基であってもよく、無機基であってもよい。この置換基は、有機基であることが好ましい。このような置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、置換カルボニル基、及び、置換スルホニル基が挙げられる。これら各基は、更なる置換基を有していてもよい。Y1により表されるアルキル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキル基の炭素数は、1~50であることが好ましく、1~30であることがより好ましく、1~20であることが更に好ましい。このようなアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、オクダデシル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、1-エチルペンチル基、及び、2-エチルヘキシル基が挙げられる。Y1により表されるアルキル基は、置換基を有していてもよい。即ち、Y1は、置換アルキル基であってもよい。この置換アルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、フェナシル基、1-ナフトイルメチル基、2-ナフトイルメチル基、4-メチルスルファニルフェナシル基、4-フェニルスルファニルフェナシル基、4-ジメチルアミノフェナシル基、4-シアノフェナシル基、4-メチルフェナシル基、2-メチルフェナシル基、3-フルオロフェナシル基、3-トリフルオロメチルフェナシル基、3-ニトロフェナシル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、2-クロロエチル基、メトキシメチル基、メトキシカルボニルメチル基、イソプロポキシメチル基、ブトキシメチル基、s-ブトキシブチル基、メトキシエトキシエチル基、アリルオキシメチル基、フェノキシメチル基、アセチルオキシメチル基、メチルチオメチル基、トリルチオメチル基、ピリジルメチル基、テトラメチルピペリジニルメチル基、N-アセチルテトラメチルピペリジニルメチル基、トリメチルシリルメチル基、メトキシエチル基、エチルアミノエチル基、ジエチルアミノプロピル基、モルホリノプロピル基、アセチルオキシメチル基、ベンゾイルオキシメチル基、N-シクロヘキシルカルバモイルオキシエチル基、N-フェニルカルバモイルオキシエチル基、アセチルアミノエチル基、N-メチルベンゾイルアミノプロピル基、2-オキソエチル基、2-オキソプロピル基、カルボキシプロピル基、メトキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルブチル基、クロロフェノキシカルボニルメチル基、カルバモイルメチル基、N-メチルカルバモイルエチル基、N,N-ジプロピルカルバモイルメチル基、N-メトキシフェニルカルバモイルエチル基、N-メチル-N-スルホフェニルカルバモイルメチル基、スルホブチル基、スルホナトブチル基、スルファモイルブチル基、N-エチルスルファモイルメチル基、N,N-ジプロピルスルファモイルプロピル基、N-トリルスルファモイルプロピル基、N-メチル-N-ホスホノフェニルスルファモイルオクチル基、ホスホノブチル基、ホスホナトヘキシル基、ジエチルホスホノブチル基、ジフェニルホスホノプロピル基、メチルホスホノブチル基、メチルホスホナトブチル基、トリルホスホノヘキシル基、トリルホスホナトヘキシル基、ホスホノオキシプロピル基、ホスホナトオキシブチル基、ベンジル基、フェネチル基、α-メチルベンジル基、1-メチル-1-フェニルエチル基、及び、p-メチルベンジル基が挙げられる。Y1により表されるアルキル基に導入可能な置換基としては、例えば、上記置換アルキル基の説明中に記載された置換基の他、以下に例示する非金属原子から構成される1価の置換基も挙げられる。上述した置換基を含む好ましい例としては、ハロゲン原子-F、-Br、-Cl、又は-I、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アミノ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、ウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、N-アルキル-N-アルコキシカルボニルアミノ基、N-アルキル-N-アリーロキシカルボニルアミノ基、N-アリール-N-アルコキシカルボニルアミノ基、N-アリール-N-アリーロキシカルボニルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、カルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホ基-SO3H及びその共役塩基基スルホナト基と称する、アルコキシスルホニル基、アリーロキシスルホニル基、スルフィナモイル基、ホスホノ基-PO3H2及びその共役塩基基ホスホナト基と称する、ホスホノオキシ基-OPO3H2及びその共役塩基基ホスホナトオキシ基と称する、シアノ基、ニトロ基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロ環基、並びに、シリル基が挙げられる。Y1により表されるアルキル基に導入可能な置換基が含み得るアリール基の具体例としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、及び、クメニル基が挙げられる。Y1により表されるシクロアルキル基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このシクロアルキル基の炭素数は、3~50であることが好ましく、4~30であることがより好ましく、5~20であることが更に好ましい。このようなシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、及び、ノルボニル基が挙げられる。Y1により表されるシクロアルキル基は、更なる置換基を有していてもよい。この更なる置換基としては、例えば、アルキル基に導入可能な置換基として先に説明したものと同様のものが挙げられる。Y1により表されるアリール基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。また、この基は、ヘテロアリール基であってもよい。Y1により表されるアリール基の炭素数は、6~50であることが好ましく、6~30であることがより好ましく、6~20であることが更に好ましい。このようなアリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、9-アンスリル基、9-フェナントリル基、1-ピレニル基、5-ナフタセニル基、1-インデニル基、2-アズレニル基、9-フルオレニル基、ターフェニル基、クオーターフェニル基、o-、m-、及びp-トリル基、キシリル基、o-、m-、及びp-クメニル基、メシチル基、ペンタレニル基、ビナフタレニル基、ターナフタレニル基、クオーターナフタレニル基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、インダセニル基、フルオランテニル基、アセナフチレニル基、アセアントリレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントリル基、ビアントラセニル基、ターアントラセニル基、クオーターアントラセニル基、アントラキノリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、プレイアデニル基、ピセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、トリナフチレニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、並びに、オバレニル基が挙げられる。Y1により表されるアリール基は、更なる置換基を有していてもよい。この更なる置換基としては、例えば、アルキル基に導入可能な置換基として先に説明したものと同様のものが挙げられる。Y1により表されるアルケニル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルケニル基の炭素数は、2~50であることが好ましく、2~30であることがより好ましく、3~20であることが更に好ましい。また、このアルケニル基は、更なる置換基を有していてもよい。このようなアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、及びスチリル基が挙げられる。また、アルケニル基が有し得る更なる置換基としては、例えば、アルキル基に導入可能な置換基として先に説明したものと同様のものが挙げられる。Y1により表されるアルキニル基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよい。このアルキニル基の炭素数は、2~50であることが好ましく、2~30であることがより好ましく、3~20であることが更に好ましい。また、このアルキニル基は、更なる置換基を有していてもよい。このようなアルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロピニル基、及びプロパルギル基が挙げられる。また、アルキニル基が有し得る更なる置換基としては、例えば、アルキル基に導入可能な置換基として先に説明したものと同様のものが挙げられる。Y1により表される置換カルボニル基は、一般式-CO-R013により表される基である。ここで、R013は、1価の非金属原子団からなる基である。この置換カルボニル基としては、例えば、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、及びカルバモイル基が挙げられる。これら各基におけるアルキル基及びアリール基としては、例えば、Y1により表される基として先に説明したのと同様のものが挙げられる。Y1により表される置換スルホニル基は、一般式-SO2-R011により表される基である。ここで、R011は、1価の非金属原子団からなる基である。この置換スルホニル基としては、例えば、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、及び、スルファモイル基が挙げられる。スルファモイル基は、置換基を有していてもよく、置換基を有していなくてもよい。また、上記各基におけるアルキル基及びアリール基としては、例えば、Y1により表される基として先に説明したのと同様のものが挙げられる。Z-は、アニオンを表す。Z-により表されるアニオンについては、後で詳しく説明する。以下に、式AZ1及びAZ2におけるカチオン構造の具体例を、対応する重合成化合物の構造として挙げる。続いて、一般式AZ1及びAZ2におけるAにより表されるアニオンについて説明する。A-は、典型的には、非求核性アニオンである。ここで、非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。このようなアニオンを用いると、組成物及び膜の経時安定性が向上する。A-は、好ましくは有機アニオンである。好ましい有機アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、イミド酸アニオン、及び、メチド酸アニオンが挙げられる。より具体的には、例えば、下記AN1~AN3に示す有機アニオンが挙げられる。式AN1~AN3中、Rc1~Rc3は、各々独立に、有機基を表す。この有機基としては、例えば、炭素数1~30のものが挙げられ、好ましくは、アルキル基、アリール基、又はこれらの複数が連結基を介して連結された基である。なお、この連結基としては、例えば、単結合、-O-、-CO2-、-S-、-SO3-及び-SO2NRd1-が挙げられる。ここで、Rd1は水素原子又はアルキル基を表し、結合しているアルキル基又はアリール基と環構造を形成してもよい。Rc1~Rc3の有機基は、1位がフッ素原子又はフルオロアルキル基で置換されたアルキル基、又は、フッ素原子若しくはフルオロアルキル基で置換されたフェニル基であってもよい。フッ素原子又はフルオロアルキル基を含有させることにより、光照射によって発生する酸の酸性度を上昇させることが可能となる。これにより、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の感度を向上させることができる。なお、Rc1~Rc3は、他のアルキル基及びアリール基等と結合して、環構造を形成していてもよい。また、好ましいAとして、下記一般式SA1又はSA2により表されるスルホン酸アニオンが挙げられる。式SA1中、Arは、アリール基を表し、-D-B基以外の置換基を更に有していてもよい。nは、1以上の整数を表す。nは、好ましくは1~4であり、より好ましくは2~3であり、最も好ましくは3である。Dは、単結合又は2価の連結基を表す。この2価の連結基は、例えば、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、スルホキシド基、スルホン基、スルホン酸エステル基又はエステル基である。Bは、炭化水素基を表す。式SA2中、Xfは、各々独立に、フッ素原子、又は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。R1及びR2は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、及び、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基からなる群より選択される基を表し、複数存在する場合のR1及びR2の各々は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。Lは、単結合又は2価の連結基を表し、複数存在する場合のLは、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。Eは、環状構造を有する基を表す。xは1~20の整数を表し、yは0~10の整数を表し、zは0~10の整数を表す。まず、式SA1により表されるスルホン酸アニオンについて、詳しく説明する。式SA1中、Arは、好ましくは、炭素数6~30の芳香族環である。具体的には、Arは、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、ペンタレン環、インデン環、アズレン環、ヘプタレン環、インデセン環、ペリレン環、ペンタセン環、アセタフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、ナフタセン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオレン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環又はフェナジン環である。中でも、ラフネス改良と高感度化との両立の観点から、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環が好ましく、ベンゼン環がより好ましい。Arが-D-B基以外の置換基を更に有している場合、この置換基としては、例えば、先にY1について説明したのと同様のものが挙げられるが、中でも、ラフネス改良の観点から、直鎖アルキル基及び分岐鎖アルキル基が好ましい。式SA1中、Dは、好ましくは、単結合であるか、又は、エーテル基若しくはエステル基である。より好ましくは、Dは、単結合である。式SA1中、Bは、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又は、アリール基であり、好ましくはアルキル基であり、さらに好ましくは、分岐鎖アルキル基もしくはシクロアルキル基である。このようなアルキル基としては、例えば、イソプロピル基、tert-ブチル基、tert-ペンチル基、ネオペンチル基、sec-ブチル基、イソブチル基、イソヘキシル基、3,3-ジメチルペンチル基、2-エチルヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基、カンフェニル基、デカヒドロナフチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、カンホロイル基、ジシクロヘキシル基及びピネニル基が挙げられる。次に、式SA2により表されるスルホン酸アニオンについて、詳しく説明する。式SA2中、Xfは、フッ素原子であるか、又は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基である。このアルキル基としては、炭素数が1~10のものが好ましく、炭素数が1~4のものがより好ましい。また、フッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。Xfは、好ましくは、フッ素原子又は炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。具体的には、Xfは、好ましくは、フッ素原子、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9又はCH2CH2C4F9である。中でも、フッ素原子又はCF3が好ましく、フッ素原子が最も好ましい。式SA2中、R1及びR2の各々は、水素原子、フッ素原子、アルキル基、及び、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基から選ばれる基である。フッ素原子で置換されていてもよいアルキル基としては、炭素数1~4のものが好ましい。また、フッ素原子で置換されたアルキル基としては、炭素数1~4のパーフルオロアルキル基が特に好ましい。具体的には、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9及びCH2CH2C4F9が挙げられ、中でもCF3が好ましい。式SA2中、xは1~8が好ましく、1~4がより好ましい。yは0~4が好ましく、0がより好ましい。zは0~8が好ましく、0~4がより好ましい。式SA2中、Lは、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、例えば、-COO-、-OCO-、-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO2-、アルキレン基、シクロアルキレン基及びアルケニレン基が挙げられる。中でも、-COO-、-OCO-、-CO-、-O-、-S-、-SO-又は-SO2-が好ましく、-COO-、-OCO-又は-SO2-がより好ましい。式SA2中、Eは、環状構造を有する基を表す。環状構造を有する基としては、例えば、環状脂肪族基、アリール基及び複素環状構造を有する基等が挙げられる。Eとしての環状脂肪族基は、単環構造を有していてもよく、多環構造を有していてもよい。単環構造を有した環状脂肪族基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基及びシクロオクチル基等の単環のシクロアルキル基が好ましい。多環構造を有した環状脂肪族基としては、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。特には、Eとして6員環以上のかさ高い構造を有する環状脂肪族基を採用した場合、PEB露光後加熱工程での膜中拡散性が抑制され、解像力及びEL露光ラチチュードを更に向上させることが可能となる。Eとしてのアリール基は、例えば、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、又はアントリル基である。Eとしての複素環状構造を有する基に含まれているヘテロ原子としては、窒素原子又は酸素原子が好ましい。複素環構造の具体例としては、ラクトン環、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環及びモルホリン環等が挙げられる。中でも、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環及びモルホリン環が好ましい。一般式AZ1又はAZ2により表される繰り返し単位Aを有する樹脂Pは、活性光線又は放射線の照射により分解して、一般式HAにより表される酸を発生する。本発明者らは、一般式AZ1及びAZ2におけるA-として、一般式HAにより表される酸の体積が130Å3以上であるものを用いると、スカム欠陥を更に抑制できることを見出している。一般式HAにより表される酸の体積は、好ましくは130Å3以上とし、より好ましくは200Å3以上とし、更に好ましくは240Å3以上とする。また、この体積は、好ましくは2000Å3以下とし、更に好ましくは1500Å3以下とする。この体積を過度に大きくすると、感度及び/又は塗布溶剤溶解性が低下する可能性がある。なお、酸の体積は、富士通株式会社製のWinMOPACを用いて、以下のようにして求めた。即ち、まず、各酸の化学構造を入力した。次に、この構造を初期構造として、MM3法を用いた分子力場計算により、各酸の最安定立体配座を決定した。その後、これら最安定立体配座についてPM3法を用いた分子軌道計算を行うことにより、各酸のaccessiblevolumeを計算した。下記表1に、A-により表されるアニオンの具体例I-1~I-54を挙げる。表1には、対応する発生酸の体積の計算値を併記している。繰り返し単位Aに対応する重合性化合物Mは、例えば、以下のようにして合成する。まず、含窒素複素環カチオン構造を備えた重合性化合物のスルホン酸塩、PF6塩、水酸化物、臭化物又は塩化物等と、アニオンA-を備えた化合物のリチウム、ナトリウム又はカリウム塩とを準備する。次に、これらを、塩交換法又はイオン交換樹脂を用いた方法により反応させる。このようにして、繰り返し単位Aに対応する重合性化合物を得る。なお、含窒素複素環カチオン構造を備えた重合性化合物は、例えば、JAMCHEMSOC20041261407114078、又は、JAMCHEMSOC20021241522515238に記載されている方法により合成することができる。以下に、繰り返し単位Aに対応する重合性化合物Mの具体例を、カチオン構造とアニオン構造との組み合わせとして、下記表2に示す。樹脂Pは、繰り返し単位Aを1種類だけ含んでいてもよく、繰り返し単位Aを2種類以上含んでいてもよい。樹脂P中の繰り返し単位Aの含有率は、全繰り返し単位に対して、0.5~80モルの範囲が好ましく、より好ましくは1~60モルの範囲であり、さらに好ましくは3~40モルの範囲である。繰り返し単位B樹脂Pは、繰り返し単位Aとは異なる、酸の作用により分解して、アルカリ可溶性基を発生する繰り返し単位B以下、酸分解性基を有する繰り返し単位と称することがあるを有していてもよい。アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルメチレン基、アルキルスルホニルアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルカルボニルメチレン基、ビスアルキルカルボニルイミド基、ビスアルキルスルホニルメチレン基、ビスアルキルスルホニルイミド基、トリスアルキルカルボニルメチレン基、トリスアルキルスルホニルメチレン基等が挙げられる。好ましいアルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、フッ素化アルコール基好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール、スルホン酸基が挙げられる。酸分解性基として好ましい基は、これらのアルカリ可溶性基の水素原子を酸で脱離する基で置換した基である。酸で脱離する基としては、例えば、-CR36R37R38、-CR36R37OR39、-CR01R02OR39等を挙げることができる。式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、1価の芳香環基、アルキレン基と1価の芳香環基とを組み合わせた基、又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、1価の芳香環基、アルキレン基と1価の芳香環基とを組み合わせた基、又はアルケニル基を表す。酸分解性基としては好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、第3級のアルキルエステル基等である。更に好ましくは、第3級アルキルエステル基である。繰り返し単位Bとしては、下記一般式Vで表される繰り返し単位がより好ましい。一般式Vにおいて、R51、R52、R53は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。R52はL5と結合して環好ましくは、5員もしくは6員環を形成していてもよく、その場合のR52はアルキレン基を表わす。L5は、単結合または2価の連結基を表し、R52と環を形成する場合には3価の連結基を表す。R54はアルキル基を表し、R55及びR56は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基または1価の芳香環基を表す。R55及びR56は互いに結合して環を形成してもよい。但し、R55とR56とが同時に水素原子であることはない。一般式Vについて、更に詳細に説明する。一般式VにおけるR51~R53のアルキル基としては、好ましくは置換基を有していても良いメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基、ドデシル基など炭素数20以下のアルキル基が挙げられ、より好ましくは炭素数8以下のアルキル基、特に好ましくは炭素数3以下のアルキル基が挙げられる。アルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、上記R51~R53におけるアルキル基と同様のものが好ましい。シクロアルキル基としては、単環型でも、多環型でもよい。好ましくは置換基を有していても良いシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基のような炭素数3~8個で単環型のシクロアルキル基が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が特に好ましい。上記各基における好ましい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基等を挙げることができ、置換基の炭素数は8以下が好ましい。またR52がアルキレン基でありL5と環を形成する場合、アルキレン基としては、好ましくはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1~8のアルキレン基が挙げられる。炭素数1~4のアルキレン基がより好ましく、炭素数1~2のアルキレン基が特に好ましい。式VにおけるR51及びR53としては、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子がより好ましく、水素原子、メチル基、エチル基、トリフルオロメチル基-CF3、ヒドロキシメチル基-CH2-OH、クロロメチル基-CH2-Cl、フッ素原子-Fが特に好ましい。R52としては、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、アルキレン基L5と環を形成がより好ましく、水素原子、メチル基、エチル基、トリフルオロメチル基-CF3、ヒドロキシメチル基-CH2-OH、クロロメチル基-CH2-Cl、フッ素原子-F、メチレン基L5と環を形成、エチレン基L5と環を形成が特に好ましい。L5で表される2価の連結基としては、アルキレン基、2価の芳香環基、-COO-L1-、-O-L1-、これらの2つ以上を組み合わせて形成される基等が挙げられる。ここで、L1はアルキレン基、シクロアルキレン基、2価の芳香環基、アルキレン基と2価の芳香環基を組み合わせた基を表す。L5は、単結合、-COO-L1-で表される基又は2価の芳香環基が好ましい。ArFエキシマレーザーで露光する場合には、193nm領域の吸収低減の観点から、単結合又は-COO-L1-であることが好ましい。L1は炭素数1~5のアルキレン基が好ましく、メチレン、プロピレン基がより好ましい。R54~R56のアルキル基としては炭素数1~20のものが好ましく、より好ましくは炭素数1~10のものであり、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが特に好ましい。R55及びR56で表されるシクロアルキル基としては、炭素数3~20のものが好ましく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の単環性のものであってもよいし、ノルボニル基、アダマンチル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、等の多環性のものであってもよい。また、R55及びR56が互いに結合して形成される環としては、炭素数3~20のものが好ましく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の単環性のものであってもよいし、ノルボニル基、アダマンチル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、等の多環性のものであってもよい。R55及びR56が互いに結合して環を形成する場合、R54は炭素数1~3のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましい。R55及びR56で表される1価の芳香環基としては、炭素数6~20のものが好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。R55及びR56のどちらか一方が水素原子の場合、他方は1価の芳香環基であることが好ましい。ArFエキシマレーザーで露光する場合には、193nm領域の吸収低減の観点から、R55及びR56は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基であることが好ましい。一般式Vで表される繰り返し単位に相当するモノマーの合成方法としては、一般的な重合性基含有エステルの合成法を適用することが可能であり、特に限定されることはない。以下に、一般式Vで表される繰り返し単位Bの具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。また、樹脂Pは、繰り返し単位Bとして、下記一般式VIで表される繰り返し単位を含んでいてもよく、特に電子線又はEUV光で露光する場合に好ましい。一般式VI中、R61、R62、R63は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。R62はAr6と結合して環好ましくは、5員もしくは6員環を形成していてもよく、その場合のR62はアルキレン基を表わす。X6は、単結合、-COO-、-CONR64-R64は、水素原子、アルキル基を表すを表す。L6は、単結合、アルキレン基を表す。Ar6は、2価の芳香環基を表す。Y2は、複数ある場合は各々独立に、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、Y2の少なくとも1つは、酸の作用により脱離する基を表す。nは、1~4の整数を表す。一般式VIについて更に詳細に説明する。一般式VIにおけるR61~R63のアルキル基としては、好ましくは置換基を有していてもよいメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基、ドデシル基など炭素数20以下のアルキル基が挙げられ、より好ましくは炭素数8以下のアルキル基が挙げられる。アルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、上記R61~R63におけるアルキル基と同様のものが好ましい。シクロアルキル基としては、単環型でも多環型でもよく、好ましくは置換基を有していても良いシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基のような炭素数3~8個の単環型のシクロアルキル基が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子がより好ましい。R62がアルキレン基を表す場合、アルキレン基としては、好ましくは置換基を有していてもよいメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1~8個のものが挙げられる。X6により表わされる-CONR64-R64は、水素原子、アルキル基を表すにおけるR64のアルキル基としては、R61~R63のアルキル基と同様のものが挙げられる。X6としては、単結合、-COO-、-CONH-が好ましく、単結合、-COO-がより好ましい。L6におけるアルキレン基としては、好ましくは置換基を有していてもよいメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1~8個のものが挙げられる。Ar6は、2価の芳香環基を表す。2価の芳香環基は、置換基を有していても良く、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基などの炭素数6~18のアリーレン基、あるいは、例えば、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール等のヘテロ環を含む2価の芳香環基を好ましい例として挙げることができる。上述したアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルキレン基及び2価の芳香環基が有し得る置換基としては、上述した一般式VにおけるR51~R53により表わされる各基が有し得る置換基と同様の具体例が挙げられる。nは1又は2であることが好ましく、1であることがより好ましい。n個のY2は、各々独立に、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、n個中の少なくとも1つは、酸の作用により脱離する基を表す。酸の作用により脱離する基Y2としては、例えば、-CR36R37R38、-C=O-O-CR36R37R38、-CR01R02OR39、-CR01R02-C=O-O-CR36R37R38、-CHR36Ar等を挙げることができる。式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、1価の芳香環基、アルキレン基と1価の芳香環基を組み合わせた基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。R01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、1価の芳香環基、アルキレン基と1価の芳香環基とを組み合わせた基、又はアルケニル基を表す。Arは、1価の芳香環基を表す。R36~R39、R01及びR02のアルキル基は、炭素数1~8のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、へキシル基、オクチル基等を挙げることができる。R36~R39、R01及びR02のシクロアルキル基は、単環型でも、多環型でもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α-ピネル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、アンドロスタニル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。R36~R39、R01、R02及びArの1価の芳香環基は、炭素数6~10の1価の芳香環基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基等のアリール基、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール等のヘテロ環を含む2価の芳香環基を挙げることができる。R36~R39、R01及びR02のアルキレン基と1価の芳香環基とを組み合わせた基としては、炭素数7~12のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。R36~R39、R01及びR02のアルケニル基は、炭素数2~8のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、シクロへキセニル基等を挙げることができる。R36とR37とが、互いに結合して形成する環は、単環型でも、多環型でもよい。単環型としては、炭素数3~8のシクロアルキル構造が好ましく、例えば、シクロプロパン構造、シクロブタン構造、シクロペンタン構造、シクロへキサン構造、シクロヘプタン構造、シクロオクタン構造等を挙げることができる。多環型としては、炭素数6~20のシクロアルキル構造が好ましく、例えば、アダマンタン構造、ノルボルナン構造、ジシクロペンタン構造、トリシクロデカン構造、テトラシクロドデカン構造等を挙げることができる。尚、シクロアルキル構造中の炭素原子の一部が酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。R36~R39、R01、R02、及びArとしての上記各基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基等を挙げることができ、置換基の炭素数は8以下が好ましい。酸の作用により脱離する基Y2としては、下記一般式VI-Aで表される構造がより好ましい。ここで、L1及びL2は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、1価の芳香環基、又はアルキレン基と1価の芳香環基とを組み合わせた基を表す。Mは、単結合又は2価の連結基を表す。Qは、アルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいシクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよい1価の芳香環基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基又はアルデヒド基を表す。Q、M、L1の少なくとも2つが結合して環好ましくは、5員もしくは6員環を形成してもよい。L1及びL2としてのアルキル基は、例えば炭素数1~8個のアルキル基であって、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、オクチル基を好ましく挙げることができる。L1及びL2としてのシクロアルキル基は、例えば炭素数3~15個のシクロアルキル基であって、具体的には、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等を好ましい例として挙げることができる。L1及びL2としての1価の芳香環基は、例えば炭素数6~15個のアリール基であって、具体的には、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アントリル基等を好ましい例として挙げることができる。L1及びL2としてのアルキレン基と1価の芳香環基を組み合わせた基は、例えば、炭素数6~20であって、ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基が挙げられる。Mとしての2価の連結基は、例えば、アルキレン基例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基など、シクロアルキレン基例えば、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基など、アルケニレン基例えば、エチレン基、プロペニレン基、ブテニレン基など、2価の芳香環基例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基など、-S-、-O-、-CO-、-SO2-、-NR0-、およびこれらの複数を組み合わせた2価の連結基である。R0は、水素原子またはアルキル基例えば炭素数1~8個のアルキル基であって、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、オクチル基などである。Qとしてのアルキル基は、上述のL1及びL2としての各基と同様である。Qとしてのヘテロ原子を含んでいてもよいシクロアルキル基及びヘテロ原子を含んでいてもよい1価の芳香環基に於ける、ヘテロ原子を含まない肪族炭化水素環基及びへテロ原子を含まない1価の芳香環基としては、上述のL1及びL2としてのシクロアルキル基、及び1価の芳香環基などが挙げられ、好ましくは、炭素数3~15である。ヘテロ原子を含むシクロアルキル基及びヘテロ原子を含む1価の芳香環基としては、例えば、チイラン、シクロチオラン、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール、ピロリドン等のヘテロ環構造を有する基が挙げられるが、一般にヘテロ環と呼ばれる構造炭素とヘテロ原子で形成される環、あるいはヘテロ原子にて形成される環であれば、これらに限定されない。Q、M、L1の少なくとも2つが結合して形成してもよい環としては、Q、M、L1の少なくとも2つが結合して、例えば、プロピレン基、ブチレン基を形成して、酸素原子を含有する5員または6員環を形成する場合が挙げられる。一般式VI-AにおけるL1、L2、M、Qで表される各基は、置換基を有していてもよく、例えば、前述のR36~R39、R01、R02、及びArが有してもよい置換基として説明したものが挙げられ、置換基の炭素数は8以下が好ましい。-M-Qで表される基として、炭素数1~30個で構成される基が好ましく、炭素数5~20個で構成される基がより好ましい。以下に繰り返し単位Bの好ましい具体例として、一般式VIで表される繰り返し単位の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。また、樹脂Pは、繰り返し単位Bとして、下記一般式BZで表される繰り返し単位を含んでいてもよく、特に電子線又はEUV光で露光する場合に好ましい。一般式BZ中、ARは、アリール基を表す。Rnは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。RnとARとは互いに結合して非芳香族環を形成してもよい。R1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。ARのアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、又は、フルオレン基等の炭素数6~20のものが好ましく、炭素数6~15のものがより好ましい。ARがナフチル基、アントリル基又はフルオレン基である場合、Rnが結合している炭素原子とARとの結合位置には、特に制限はない。例えば、ARがナフチル基である場合、この炭素原子は、ナフチル基のα位に結合していてもよく、β位に結合していてもよい。或いは、ARがアントリル基である場合、この炭素原子は、アントリル基の1位に結合していてもよく、2位に結合していてもよく、9位に結合していてもよい。ARとしてのアリール基は、それぞれ、1以上の置換基を有していてもよい。このような置換基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及びドデシル基等の炭素数が1~20の直鎖又は分岐鎖アルキル基、これらアルキル基部分を含んだアルコキシ基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等のシクロアルキル基、これらシクロアルキル基部分を含んだシクロアルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、アリール基、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、及びピロリドン残基等のヘテロ環残基が挙げられる。この置換基としては、炭素数1~5の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基、これらアルキル基部分を含んだアルコキシ基が好ましく、パラメチル基又はパラメトキシ基がより好ましい。ARとしてのアリール基が、複数の置換基を有する場合、複数の置換基のうちの少なくとも2つが互いに結合して環を形成しても良い。環は、5~8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。また、この環は、環員に酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含むヘテロ環であってもよい。更に、この環は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、Rnが有していてもよい更なる置換基について後述するものと同様のものが挙げられる。また、一般式BZにより表される繰り返し単位Bは、ラフネス性能の観点から、2個以上の芳香環を含有ことが好ましい。この繰り返し単位が有する芳香環の個数は、通常、5個以下であることが好ましく、3個以下であることがより好ましい。また、一般式BZにより表される繰り返し単位Bにおいて、ラフネス性能の観点から、ARは2個以上の芳香環を含有することがより好ましく、ARがナフチル基又はビフェニル基であることが更に好ましい。ARが有する芳香環の個数は、通常、5個以下であることが好ましく、3個以下であることがより好ましい。Rnは、上述したように、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。Rnのアルキル基は、直鎖アルキル基であってもよく、分岐鎖アルキル基であってもよい。このアルキル基としては、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基及びドデシル基等の炭素数が1~20のものが挙げられる。Rnのアルキル基は、炭素数1~5のものが好ましく、炭素数1~3のものがより好ましい。Rnのシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等の炭素数が3~15のものが挙げられる。Rnのアリール基としては、例えば、フェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基及びアントリル基等の炭素数が6~14のものが好ましい。Rnとしてのアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基の各々は、置換基を更に有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、及びピロリドン残基等のヘテロ環残基が挙げられる。中でも、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基及びスルホニルアミノ基が特に好ましい。R1は、上述したように、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルキルオキシカルボニル基を表す。R1のアルキル基及びシクロアルキル基としては、例えば、先にRnについて説明したのと同様のものが挙げられる。これらアルキル基及びシクロアルキル基の各々は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、先にRnについて説明したのと同様のものが挙げられる。R1が置換基を有するアルキル基又はシクロアルキル基である場合、特に好ましいR1としては、例えば、トリフルオロメチル基、アルキルオキシカルボニルメチル基、アルキルカルボニルオキシメチル基、ヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基が挙げられる。R1のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。中でも、フッ素原子が特に好ましい。R1のアルキルオキシカルボニル基に含まれるアルキル基部分としては、例えば、先にR1のアルキル基として挙げた構成を採用することができる。RnとARとが互いに結合して非芳香族環を形成することが好ましく、これにより、特に、ラフネス性能をより向上させることができる。RnとARとは互いに結合して形成しても良い非芳香族環としては、5~8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。非芳香族環は、脂肪族環であっても、環員として酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含むヘテロ環であってもよい。非芳香族環は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、Rnが有していてもよい更なる置換基について先に説明したのと同様のものが挙げられる。以下に、一般式BZにより表される繰り返し単位Bの具体例を示すが、これらに限定されるものではない。樹脂Pが繰り返し単位Bを含んでいる場合、本発明の樹脂P中における繰り返し単位Bの含有率は、樹脂P中の全繰り返し単位に対して、5~90モルの範囲が好ましく、10~80モルの範囲がより好ましく、20~70モルの範囲が特に好ましい。繰り返し単位C本発明の樹脂Pは、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位Cを更に含んでいてもよい。このアルカリ可溶性基としては、芳香環基を有するものが好ましい。繰り返し単位Cとしては、下記一般式Iで表される構造がより好ましい。繰り返し単位Aと一般式Iにより表される繰り返し単位Cとを組み合わせると、本発明に係る組成物の感度を更に向上させることができる。本発明者らは、その理由は、JOrgChem20057068096819に記載されている連鎖反応が起こりやすくなることにより、繰り返し単位Aからの酸の発生量が増大するためであると推測している。式中、R41、R42及びR43は、各々独立に、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を表す。X4は、単結合、-COO-、又は-CONR64-を表し、R64は、水素原子又はアルキル基を表す。L4は、単結合又はアルキレン基を表す。Ar4は、n1価の芳香環基を表す。nは、1~4の整数を表す。式IにおけるR41、R42、R43のアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、、アルコキシカルボニル基、及びこれらの基が有し得る置換基の具体例としては、一般式Vにおける各基と同様の具体例が挙げられる。Ar4としての芳香環基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基などの炭素数6~18のアリーレン基、あるいは、例えば、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール等のヘテロ環を含む芳香環基を好ましい例として挙げることができる。上記各基における好ましい置換基としては、一般式VにおけるR51~R53で挙げたアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、フェニル基等のアリール基が挙げられる。X4により表わされる-CONR64-R64は、水素原子、アルキル基を表すにおけるR64のアルキル基としては、R61~R63のアルキル基と同様のものが挙げられる。X4としては、単結合、-COO-、-CONH-が好ましく、単結合、-COO-がより好ましい。L4におけるアルキレン基としては、好ましくは置換基を有していてもよいメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等の炭素数1~8個のものが挙げられる。Ar4としては、置換基を有していても良い炭素数6~18のアリーレン基がより好ましく、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基が特に好ましい。以下に、一般式Iで表される繰り返し単位Cの具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。式中、aは0~2の整数を表す。一般式Iで表されるアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位Cの含有率は、樹脂P中の全繰り返し単位に対し、3~90molが好ましく、より好ましくは5~80mol、更に好ましくは7~70molである。繰り返し単位D樹脂は、さらに、アルカリ現像液の作用で分解しアルカリ現像液中への溶解速度が増大する基を有する繰り返し単位Dを有していてもよい。アルカリ現像液の作用で分解しアルカリ現像液中への溶解速度が増大する基としては、ラクトン構造、フェニルエステル構造などが挙げられ、下記一般式AIIで表される繰り返し単位がより好ましい。一般式AII中、Vは、アルカリ現像液の作用で分解しアルカリ現像液中への溶解速度が増大する基を表す。Abは、単結合、アルキレン基、単環または多環のシクロアルキル構造を有する2価の連結基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、又はこれらを組み合わせた2価の連結基を表す。Rb0は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。Rb0のアルキル基として、好ましくは炭素数1~4のアルキル基であり、アルキル基は置換基を有していてもよく、好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rb0として、さらに好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。Abは、好ましくは、単結合、-Ab1-CO2-で表される2価の連結基である。ここでAb1は、アルキレン基、シクロヘキシレン基であり、好ましくはメチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、ノルボルニレン基である。Vは、アルカリ現像液の作用で分解しアルカリ現像液中への溶解速度が増大する基を表すが、好ましくはエステル結合を有する基であり、中でもラクトン構造を有する基がより好ましい。ラクトン構造を有する基としては、好ましくは5~7員環ラクトン構造であり、5~7員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式LC1-1~LC1-17のいずれかで表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造としてはLC1-1、LC1-4、LC1-5、LC1-6、LC1-13、LC1-14である。ラクトン構造部分は、置換基Rb2を有していてもよく、好ましいRb2としては、炭素数1~8のアルキル基、炭素数4~7の1価のシクロアルキル基、炭素数1~8のアルコキシ基、炭素数1~8のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。n2は、0~4の整数を表す。n2が2以上の時、複数存在する置換基Rb2は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基Rb2同士が結合して環を形成してもよい。ラクトン基を有する繰り返し単位は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、1種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体混合して用いてもよい。1種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度eeが90以上のものが好ましく、より好ましくは95以上である。樹脂Pが繰り返し単位Dを含有する場合、樹脂P中の繰り返し単位Dの含有率は、全繰り返し単位に対して、0.5~80モルの範囲が好ましく、より好ましくは1~60モルの範囲であり、さらに好ましくは2~40モルの範囲である。繰り返し単位Dは2種類以上を組み合わせて用いてもよい。特定のラクトン構造を用いることでラインエッジラフネス、現像欠陥が良好になる。以下に、繰り返し単位Dの具体例を示す。式中、Rxは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。その他の繰り返し単位樹脂Pが有してよい、上述した繰り返し単位以外の繰り返し単位として、水酸基又はシアノ基を有する脂環炭化水素を有する繰り返し単位や、極性基を持たない脂環炭化水素を有する繰り返し単位があげられる。このような繰り返し単位は、酸分解性基を実質的に有さないことが好ましい。このうち、水酸基又はシアノ基を有する脂環炭化水素を有する繰り返し単位は、これらをさらに有することで、基板密着性及び現像液親和性を更に向上させることができる。上記脂環炭化水素としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。このような繰り返し単位としては、下記一般式AIIa~AIIdで表される繰り返し単位を挙げることができる。一般式AIIa~AIIdに於いて、R2c~R4cの内の少なくとも1つは水酸基又はシアノ基を表し、残りは水素原子である。好ましくは、R2c~R4cの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。更に好ましくは、R2c~R4cの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げる。また、極性基を持たない脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位としては、例えば、一般式VIIで表される繰り返し単位が挙げられる。一般式VII中、R5は脂環炭化水素を表し、Raは水素原子、アルキル基、ヒドロキシメチル基又はトリフルオロメチル基を表す。Raは、水素原子、メチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。R5としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基などの炭素数3から12のシクロアルキル基、シクロへキセニル基など炭素数3から12のシクロアルケニル基、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基などの環集合炭化水素基、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環ビシクロ[2.2.2]オクタン環、ビシクロ[3.2.1]オクタン環等、ホモブレダン、アダマンタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[4.3.1.12,5]ウンデカン環、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、パーヒドロ-1,4-メタノ-5,8-メタノナフタレン環、パーヒドロナフタレンデカリン、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの架橋環式炭化水素環が挙げられる。好ましい基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、ビシクロオクタニル基、トリシクロ[5、2、1、02,6]デカニル基、などが挙げられる。より好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基、アダマンチル基が挙げられる。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有していても良く、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護された水酸基、保護基で保護されたアミノ基などが挙げられる。極性基を持たない脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。極性基を持たない脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位の含有率は、樹脂P中の全繰り返し単位に対し、1~40モルが好ましく、より好ましくは1~20モルである。本発明の樹脂Pは、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有することができる。このような繰り返し構造単位としては、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン類、クロトン酸エステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を1個有する化合物等を挙げることができる。これにより、本発明の組成物に用いられる樹脂に要求される性能、特に、1塗布溶剤に対する溶解性、2製膜性ガラス転移点、3アルカリ現像性、4膜べり親疎水性、アルカリ可溶性基選択、5未露光部の基板への密着性、6ドライエッチング耐性等の微調整が可能となる。本発明の組成物に用いられる樹脂Pにおいて、各繰り返し構造単位の含有モル比は、レジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。本発明の樹脂Pの形態としては、ランダム型、ブロック型、クシ型、スター型のいずれの形態でもよい。樹脂Pは、例えば、各構造に対応する不飽和モノマーのラジカル、カチオン、又はアニオン重合により合成することができる。また各構造の前駆体に相当する不飽和モノマーを用いて重合した後に、高分子反応を行うことにより目的とする樹脂を得ることも可能である。例えば、一般的合成方法としては、不飽和モノマー及び重合開始剤を溶剤に溶解させ、加熱することにより重合を行う一括重合法、加熱溶剤に不飽和モノマーと重合開始剤の溶液を1~10時間かけて滴下して加える滴下重合法などが挙げられ、滴下重合法が好ましい。重合に使用される溶媒としては、例えば、後述の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を調製する際に使用することができる溶剤等を挙げることができ、より好ましくは本発明の組成物に用いられる溶剤と同一の溶剤を用いて重合することが好ましい。これにより保存時のパーティクルの発生が抑制できる。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。必要に応じて連鎖移動剤例えば、アルキルメルカプタンなどの存在下で重合を行ってもよい。反応の濃度は5~70質量であり、好ましくは10~50質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、更に好ましくは40~100°Cである。反応時間は、通常1~48時間であり、好ましくは1~24時間、更に好ましくは1~12時間である。反応終了後、室温まで放冷し、精製する。精製は、水洗や適切な溶媒を組み合わせることにより残留単量体やオリゴマー成分を除去する液々抽出法、特定の分子量以下のもののみを抽出除去する限外ろ過等の溶液状態での精製方法や、樹脂溶液を貧溶媒へ滴下することで樹脂を貧溶媒中に凝固させることにより残留単量体等を除去する再沈澱法やろ別した樹脂スラリーを貧溶媒で洗浄する等の固体状態での精製方法等の通常の方法を適用できる。例えば、上記樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒貧溶媒を、該反応溶液の10倍以下の体積量、好ましくは10~5倍の体積量で、接触させることにより樹脂を固体として析出させる。ポリマー溶液からの沈殿又は再沈殿操作の際に用いる溶媒沈殿又は再沈殿溶媒としては、該ポリマーの貧溶媒であればよく、ポリマーの種類に応じて、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、ニトロ化合物、エーテル、ケトン、エステル、カーボネート、アルコール、カルボン酸、水、これらの溶媒を含む混合溶媒等の中から適宜選択して使用できる。これらの中でも、沈殿又は再沈殿溶媒として、少なくともアルコール特に、メタノールなど又は水を含む溶媒が好ましい。沈殿又は再沈殿溶媒の使用量は、効率や収率等を考慮して適宜選択できるが、一般には、ポリマー溶液100質量部に対して、100~10000質量部、好ましくは200~2000質量部、更に好ましくは300~1000質量部である。沈殿又は再沈殿する際の温度としては、効率や操作性を考慮して適宜選択できるが、通常0~50°C程度、好ましくは室温付近例えば20~35°C程度である。沈殿又は再沈殿操作は、攪拌槽などの慣用の混合容器を用い、バッチ式、連続式等の公知の方法により行うことができる。沈殿又は再沈殿したポリマーは、通常、濾過、遠心分離等の慣用の固液分離に付し、乾燥して使用に供される。濾過は、耐溶剤性の濾材を用い、好ましくは加圧下で行われる。乾燥は、常圧又は減圧下好ましくは減圧下、30~100°C程度、好ましくは30~50°C程度の温度で行われる。なお、一度、樹脂を析出させて、分離した後に、再び溶媒に溶解させ、該樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒と接触させてもよい。即ち、上記ラジカル重合反応終了後、該ポリマーが難溶あるいは不溶の溶媒を接触させ、樹脂を析出させ工程a、樹脂を溶液から分離し工程b、改めて溶媒に溶解させ樹脂溶液Aを調製工程c、その後、該樹脂溶液Aに、該樹脂が難溶あるいは不溶の溶媒を、樹脂溶液Aの10倍未満の体積量好ましくは5倍以下の体積量で、接触させることにより樹脂固体を析出させ工程d、析出した樹脂を分離する工程eことを含む方法でもよい。重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤としては市販のラジカル開始剤アゾ系開始剤、パーオキサイドなどを用いて重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、ジメチル2,2‘-アゾビス2-メチルプロピオネートなどが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5~50質量であり、好ましくは10~30質量である。反応温度は、通常10°C~150°Cであり、好ましくは30°C~120°C、更に好ましくは60~100°Cである。本発明に係わる樹脂Pの分子量は、特に制限されないが、重量平均分子量が1000~100000の範囲であることが好ましく、1500~60000の範囲であることがより好ましく、2000~30000の範囲であることが特に好ましい。重量平均分子量を1000~100000の範囲とすることにより、耐熱性やドライエッチング耐性の劣化を防ぐことができ、且つ現像性が劣化したり、粘度が高くなって製膜性が劣化することを防ぐことができる。ここで、樹脂の重量平均分子量は、GPCキャリア:THFあるいはN-メチル-2-ピロリドンNMPによって測定したポリスチレン換算分子量を示す。また分散度Mw/Mnは、好ましくは1.00~5.00、より好ましくは1.03~3.50であり、更に好ましくは、1.05~2.50である。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、且つレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。本発明の樹脂Pは、1種類単独で、又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。樹脂Pの含有率は、本発明の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物中の全固形分を基準にして、30~100質量が好ましく、50~100質量がより好ましく、70~100質量が特に好ましい。以下に、樹脂Pの具体例を示す。本発明の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物には、必要に応じて更に、酸の作用により分解してアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する樹脂、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物低分子の光酸発生剤従来型、塩基性化合物、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物、界面活性剤、酸の作用により分解しカルボン酸よりも強い酸を生成する物質等を含有させることができる。<酸の作用により分解してアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する樹脂>本発明の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物は、樹脂P以外に、酸の作用により分解してアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する樹脂を含有していてもよい。酸の作用により分解してアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する樹脂以下、酸分解性樹脂ともいうは、樹脂の主鎖又は側鎖、或いは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基酸分解性基を有する樹脂である。この内、酸分解性基を側鎖に有する樹脂がより好ましい。酸分解性樹脂は、欧州特許254853号明細書、特開平2-25850号公報、同3-223860号公報、同4-251259号公報等に開示されているように、アルカリ可溶性樹脂に酸で分解し得る基の前駆体を反応させる、もしくは、酸で分解し得る基の結合したアルカリ可溶性樹脂モノマーを種々のモノマーと共重合して得ることができる。酸分解性基としては、例えば、-COOH基、-OH基などのアルカリ可溶性基を有する樹脂において、左記のアルカリ可溶性基の水素原子を酸の作用により脱離する基で置換した基が好ましい。酸分解性基として具体的には、前述した本発明の樹脂Pで説明した酸分解性基例えば、樹脂Pにおける繰り返し単位Bとして説明した酸分解性基と同様の基を好ましい例として挙げることができる。前記アルカリ可溶性基を有する樹脂としては、例えば、ポリo-ヒドロキシスチレン、ポリm-ヒドロキシスチレン、ポリp-ヒドロキシスチレン及びこれらの共重合体、水素化ポリヒドロキシスチレン、下記構造で表される置換基を有するポリヒドロキシスチレン類、およびフェノール性水酸基を有する樹脂、スチレン-ヒドロキシスチレン共重合体、α-メチルスチレン-ヒドロキシスチレン共重合体、水素化ノボラック樹脂等のヒドロキシスチレン構造単位を有するアルカリ可溶性樹脂、メタアクリル酸、ノルボルネンカルボン酸などのカルボキシル基を有する繰り返し単位を含有するアルカリ可溶性樹脂が挙げられる。本発明の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物において、樹脂Pを除く酸分解性樹脂の組成物中の配合率は、組成物の全固形分中0~70質量が好ましく、より好ましくは0~50質量、更により好ましくは0~30質量である。<活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物>本発明の感活性光線性または感放射線性樹脂組成物では、光酸発生構造を有する樹脂Pを含有しているが、樹脂P以外に、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物以下、酸発生剤又は光酸発生剤ともいうを含有してもよい。そのような酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。酸発生剤としては、例えば、アジニウム塩、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、o-ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。これらの具体例としては、例えば、米国特許出願公開第2008/0241737A1号明細書の0164~0248に説明されているものを挙げることができる。酸発生剤の組成物中の含量は、本発明の組成物の全固形分を基準として、0~20質量が好ましく、より好ましくは0~10質量、更に好ましくは0~7質量である。酸発生剤は、本発明において必須成分ではないが、添加の効果を得る上では、通常0.01質量以上で使用される。<塩基性化合物>本発明の感活性光線又は放射線性組成物は、塩基性化合物を含有することが好ましいく、塩基性化合物は、含窒素有機塩基性化合物であることが好ましい。使用可能な含窒素有機塩基性化合物は特に限定されないが、例えば具体例として、トリ-n-ブチルアミン、トリ-n-ペンチルアミン、トリ-n-オクチルアミン、トリ-n-デシルアミン、トリイソデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、ジデシルアミン、メチルオクタデシルアミン、ジメチルウンデシルアミン、N,N-ジメチルドデシルアミン、メチルジオクタデシルアミン、N,N-ジブチルアニリン、N,N-ジヘキシルアニリン、2,6-ジイソプロピルアニリン、2,4,6-トリt-ブチルアニリン、トリエタノールアミン、N,N-ジヒドロキシエチルアニリン、トリスメトキシエトキシエチルアミンや、米国特許第6040112号明細書のカラム3、60行目以降に例示の化合物などのアミン類が挙げられる。その他に好ましい塩基性化合物として、2-フェニルベンゾイミダゾール、2,4,5-トリフェニルイミダゾール、N-ヒドロキシエチルピペリジン、ビス1,2,2,6,6-ペンタメチル-4-ピペリジルセバケート、4-ジメチルアミノピリジンなど、アンチピリン、ヒドロキシアンチピリン、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン、1,8-ジアザビシクロ5.4.0-ウンデカ-7-エンなどの含窒素複素環構造を有する化合物や、2-[2-{2―2,2―ジメトキシ-フェノキシエトキシエチル}-ビス-2-メトキシエチル]-アミン、米国特許出願公開第2007/0224539A1号明細書の段落[0066]に例示されている化合物C1-1~C3-3などのフェノキシ基を有するアミン化合物や、テトラブチルアンモニウムヒドロキシドのようなアンモニウム塩が挙げられる。その他、酸の作用により塩基性が増大する化合物も、塩基性化合物の1種として用いることができる。この例として、例えば下記一般式Aで表される構造を有するものが挙げられ、このもの自身は塩基性が低いが、酸によりまず-CRbRbRb部位が分解し、次にエステル結合部位が脱炭酸することで、実質的な塩基性が発現すると考えられる。上式Aにおいて、Raは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示し、Rbは各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を示すが、3つのRbが同時に水素原子であることはない。nは0~2の整数を表し、mは1~3の整数を表し、nm=3である。n=2のとき、2つのRaは異なっていてもよい。また、2つのRbは結合して脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式炭化水素基若しくはその誘導体を形成していてもよい。以下に、酸の作用により塩基性が増大する化合物の特に好ましい具体的に示す。その他、本発明の組成物に使用可能なものとして、特開2002-363146号公報の実施例で合成されている化合物、特開2007-298569号公報の段落0108に記載の化合物などが挙げられる。塩基性化合物は、単独であるいは2種以上併用して用いられる。塩基性化合物の使用量は、組成物の固形分を基準として、通常、0.001~10質量、好ましくは0.01~5質量である。酸発生剤/塩基性化合物のモル比は、2.5~300であることが好ましい。即ち、感度、解像度の点からモル比が2.5以上が好ましく、露光後加熱処理までの経時でのパターンの太りによる解像度の低下抑制の点から300以下が好ましい。このモル比としてより好ましくは5.0~200、更に好ましくは7.0~150である。尚、上記モル比における酸発生剤とは、樹脂Pに含まれる繰り返し単位aと、前述した樹脂P以外の酸発生剤の合計の量である。<酸またはアルカリの作用により分解する基を有する低分子化合物>本発明の組成物は、酸またはアルカリの作用により分解する基を有する低分子化合物但し、上述した酸の作用により塩基性が増大する化合物を除くを含有することができる。酸またはアルカリの作用により分解する基としては特に限定されないが、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、3級エステル基、3級水酸基、ヘミアミナールエーテル基、ラクトン構造が好ましく、カルバメート基、ヘミアミナールエーテル基であることが特に好ましい。電子線またはEUV光で照射する場合には、フェノール化合物のフェノール性水酸基を酸分解基で置換した構造を含有するものが好ましい。フェノール化合物としてはフェノール骨格を1~9個含有するものが好ましく、さらに好ましくは2~6個含有するものである。以下に具体例を示す。上記の酸またはアルカリの作用により分解する基を有する低分子化合物は、市販のものを用いても、公知の方法で合成したものを用いてもよい。<界面活性剤>本発明の組成物は、更に界面活性剤を含有してもよい。含有する場合、界面活性剤としては、フッ素系又はシリコン系界面活性剤が好ましい。これらに該当する界面活性剤としては、大日本インキ化学工業株製のメガファックF177、メガファックR08、OMNOVA社製のPF656、PF6320、トロイケミカル株製のトロイゾルS-366、住友スリーエム株製のフロラードFC430、信越化学工業株製のポリシロキサンポリマーKP-341などが挙げられる。また、他の界面活性剤を使用することもでき、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類などが挙げられる。その他、公知の界面活性剤が適宜使用可能である。使用可能な界面活性剤としては、例えば、米国特許出願公開第2008/0248425A1号明細書の[0273]以降に記載の界面活性剤が挙げられる。界面活性剤の使用量は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分量溶剤を除く全量に対して、好ましくは0~2質量、更に好ましくは0.0001~2質量、特に好ましくは0.0005~1質量である。一方、界面活性剤の添加量を10ppm以下、或いは含有しないことも好ましい。<溶剤>組成物を調製する際に使用できる溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、β-プロピオラクトン、β-ブチロラクトン、γ-ブチロラクトン、α-メチル-γ-ブチロラクトン、β-メチル-γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、γ-カプロラクトン、γ-オクタノイックラクトン、α-ヒドロキシ-γ-ブチロラクトン2-ブタノン、3-メチルブタノン、ピナコロン、2-ペンタノン、3-ペンタノン、3-メチル-2-ペンタノン、4-メチル-2-ペンタノン、2-メチル-3-ペンタノン、4,4-ジメチル-2-ペンタノン、2,4-ジメチル-3-ペンタノン、2,2,4,4-テトラメチル-3-ペンタノン、2-ヘキサノン、3-ヘキサノン、5-メチル-3-ヘキサノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-メチル-3-ヘプタノン、5-メチル-3-ヘプタノン、2,6-ジメチル-4-ヘプタノン、2-オクタノン、3-オクタノン、2-ノナノン、3-ノナノン、5-ノナノン、2-デカノン、3-デカノン、4-デカノン、5-ヘキセン-2-オン、3-ペンテン-2-オン、シクロペンタノン、2-メチルシクロペンタノン、3-メチルシクロペンタノン、2,2-ジメチルシクロペンタノン、2,4,4-トリメチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、3-メチルシクロヘキサノン、4-メチルシクロヘキサノン、4-エチルシクロヘキサノン、2,2-ジメチルシクロヘキサノン、2,6-ジメチルシクロヘキサノン、2,2,6-トリメチルシクロヘキサノン、シクロヘプタノン、2-メチルシクロヘプタノン、3-メチルシクロヘプタノン、プロピレンカーボネート、ビニレンカーボネート、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネート、酢酸ブチル、酢酸-2-メトキシエチル、酢酸-2-エトキシエチル、酢酸-2-2-エトキシエトキシエチル、酢酸-3-メトキシ-3-メチルブチル、酢酸-1-メトキシ-2-プロピル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピルが好ましく挙げられる。好ましく使用できる溶剤としては、2-ヘプタノン、シクロペンタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、乳酸エチル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、3-エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸-2-エトキシエチル、酢酸-2-2-エトキシエトキシエチル、プロピレンカーボネートが挙げられる。特に好ましい溶剤としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルが挙げられる。これら溶媒は、2種以上を混合して用いてもよく、混合する場合、水酸基を有する溶剤と水酸基を有しない溶剤とを混合することが好ましい。水酸基を有する溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルが好ましく、水酸基を有しない溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートが好ましい。本発明の組成物中における溶媒の含有率は、所望の膜厚等に応じて適宜調整可能であるが、一般的には組成物の全固形分濃度が0.5~30質量、好ましくは1.0~20質量、より好ましくは1.5~10質量となるように調製される。<酸の作用により分解し、カルボン酸よりも強い酸を生成する物質>本発明の組成物は、酸の作用により分解し、カルボン酸よりも強い酸を生成する物質以下、酸増殖剤ともいうを含有してもよい。酸増殖剤から生成する酸は、その酸の強度が大きいものが好ましく、具体的にはその酸の解離定数pKaとして3以下が好ましく、より好ましくは2以下である。酸増殖剤から発生する酸としてはスルホン酸が好ましい。酸増殖剤は、具体的には下記一般式1~6で表される化合物が好ましい。一般式1~6に於いて、Rは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表し、R0は、酸の作用により脱離する基を表し、R1は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、又はアリーロキシ基を表し、R2は、アルキル基又はアラルキル基を表し、R3は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表し、R4、R5は、各々独立に、アルキル基を表し、R4とR5が互いに結合して環を形成してもよい。R6は、水素原子又はアルキル基を表し、R7は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表し、R8は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表し、R9は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表し、R9は、R7と結合して環を形成しても良い。R10は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、アリーロキシ基又はアルケニルオキシ基を表し、R11は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、アリーロキシ基又はアルケニル基を表し、R10とR11は、互いに結合して環を形成してもよい。R12は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基又は環状イミド基を表す。R0の酸の作用により脱離する基としては、例えば、t-ブチル基、t-アミル基等の3級アルキル基、イソボロニル基、1-エトキシエチル基、1-ブトキシエチル基、1-イソブトキシエチル基、1-シクロヘキシロキシエチル基等の1-アルコキシエチル基、1-メトキシメチル基、1-エトキシメチル基等のアルコキシメチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、トリアルキルシリル基、3-オキソシクロヘキシル基等を挙げることができる。一般式1~6で表される化合物の具体例としては、例えば、特開2008-209889号公報の[0215]以降に例示された化合物1-1~1-11、2-1~2-6、3-1~3-6、4-1~4-7、5-1~5-4、6-1~6-20が挙げられる。<その他の成分>本発明の組成物は、上記に説明した成分以外にも、カルボン酸オニウム塩、ProceedingofSPIE,2724,3551996等に記載の分子量3000以下の溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤などを適宜含有することができる。<パターン形成方法>本発明の組成物は、典型的には、上記の成分を溶剤に溶解し、フィルター濾過した後、支持体に塗布して用いる。フィルターとしては、ポアサイズ0.1μm以下、より好ましくは0.05μm以下、更に好ましくは0.03μm以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。膜の膜厚は、特に限定されないが、001~0.2μmが好ましく、002~0.1μmがより好ましい。基板上に塗布する方法としては、スピン塗布が好ましく、その回転数は1000~3000rpmが好ましい。組成物は、集積回路素子、フォトマスク、インプリント用モールドなどの製造に使用されるような基板例:シリコン/二酸化シリコン被覆上にスピナー等の適当な塗布方法により塗布される。その後乾燥し、感光性の膜を形成する。当該膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク加熱を行い、現像、リンスする。これにより良好なパターンを得ることができる。なお、電子ビームの照射では、マスクを介さない描画直描が一般的である。なお、本発明の組成物を適用して、インプリント用モールド構造体を作製する場合の詳細については、例えば、ナノインプリントの基礎と技術開発応用展開―ナノインプリントの基板技術と最新の技術展開―編集:平井義彦フロンティア出版2006年6月発行、特許第4109085号公報や、特開2008-162101号公報などを参照されたい。感光性膜を形成する前に、基板上に予め反射防止膜を塗設してもよく、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。活性光線又は放射線としては、例えば、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、X線、軟X線、又は電子線があげられ、EUV光又は電子線が特に適している。現像工程では、アルカリ現像液を用いる。現像工程におけるアルカリ現像液としては、通常、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドに代表される4級アンモニウム塩が用いられるが、これ以外にも無機アルカリ例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム等、1~3級アミン例えば、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-ブチルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等、アルコールアミン例えば、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等、環状アミン例えば、ピロール、ピヘリジン等等のアルカリ水溶液も使用可能である。更に、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加してもよい。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1~20質量である。アルカリ現像液のpHは、通常10.0~15.0である。リンス液としては、純水が好ましく、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。<繰り返し単位Aに対応した重合性化合物の合成>M-98の合成4-フェニルピリジンN-オキシド22.94質量部に2Methacryloyloxyethylptoluenesulphonate40.00質量部を加え80°Cで2時間攪拌した。室温まで放冷し、酢酸エチル100.00質量部を加え1時間攪拌し、濾過して得られた白色固体をメタノール3000質量部に溶解し、その溶液をイオン交換樹脂Amberlite;IRA410を用いることにより、化合物A48.21質量部を得た。1HNMRδ:958842785752609558518459297。これを常法に従い化合物Bと塩交換して、M-98を合成した。M-1の合成4-ビニルピリジンN-オキシド19.51質量部にp-トルエンスルホン酸メチル30.00質量部を加え60°Cで4時間攪拌した。室温まで放冷し、酢酸エチル100.00質量部を加えた。その溶液をイオン交換樹脂Amberlite;IRA410を用いることにより、化合物C48.21質量部を得た。1HNMRδ:943862663558518330。これを常法に従い化合物Dと塩交換して、M-1を合成した。以下、同様にして、他の繰り返し単位Aに対応した重合性化合物M-19、M-35、M-39、M-49、M-54、M-65、M-103、M-114、M-137、M-145、M-154、M-163、M-203、M-212、M-219を合成した。<樹脂Pの合成>樹脂P-1の合成メチルエチルケトン9.33質量部を窒素気流下、80°Cに加熱した。この液を攪拌しながら、上記合成例1にて得られたモノマーM-988.09質量部、下記構造のモノマーE5.56質量部、4-ヒドロキシスチレン6.35質量部、メチルエチルケトン37.33質量部、2,2’-アゾビスイソ酪酸ジメチルV-601、和光純薬工業株製1.42質量部の混合溶液を2時間かけて滴下した。滴下終了後、80°Cで更に4時間攪拌した。反応液を放冷後、多量のヘキサン/酢酸エチルで再沈殿真空乾燥を行うことで、本発明の樹脂P-1を11.5質量部得た。得られた樹脂のGPCキャリア:N-メチル-2-ピロリドンNMPから求めた重量平均分子量Mw:ポリスチレン換算は、Mw=9400、分散度は、Mw/Mn=1.62であった。樹脂P-2の合成メチルエチルケトン9.33質量部を窒素気流下、80°Cに加熱した。この液を攪拌しながら、上記合成例3にて得られたモノマーM-14.71質量部、下記構造のモノマーF7.70質量部、下記構造のモノマーG2.52質量部、4-ヒドロキシスチレン5.08質量部、メチルエチルケトン37.33質量部、2,2’-アゾビスイソ酪酸ジメチルV-601、和光純薬工業株製1.70質量部の混合溶液を2時間かけて滴下した。滴下終了後、80°Cで更に4時間攪拌した。反応液を放冷後、多量のヘキサン/酢酸エチルで再沈殿真空乾燥を行うことで、本発明の樹脂P-2を15.5質量部得た。得られた樹脂のGPCキャリア:N-メチル-2-ピロリドンNMPから求めた重量平均分子量Mw:ポリスチレン換算は、Mw=8900、分散度は、Mw/Mn=1.72であった。以下、同様にして、樹脂P-3~P-17を合成した。また、比較用に、樹脂P-18及びP-19を準備した。下記表3に、各々の組成比モル;各繰り返し単位と左から順に対応、重量平均分子量及び分散度を示す。<レジスト評価>下記表4に示す成分を溶剤に溶解させ、それぞれについて固形分濃度4質量の溶液を調製し、これを0.10μmのポアサイズを有するポリテトラフルオロエチレンフィルターで濾過して感活性光線性又は感放射性樹脂組成物を調製した。感活性光線性又は感放射性樹脂組成物を下記の方法で評価し、結果を下記表4に示した。なお、下表における各成分について、複数使用した場合の比は質量比である。また、各成分の濃度は、全固形分に対する質量濃度質量を表している。露光条件1:EB露光;実施例1~25並びに比較例1及び2調製した感放射線性樹脂組成物を、スピンコーターを用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布し、120°Cで90秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行い、膜厚100nmの感放射線性膜を形成させた。この感放射線性膜を、電子線照射装置株日立製作所製HL750、加速電圧50keVを用いて電子線照射を行った。照射後直ぐに130°Cで90秒間ホットプレート上で加熱した。更に濃度2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液を用いて23°Cで60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後、スピン乾燥してレジストパターンを得た。露光条件2:EUV露光;実施例26~30及び比較例3調製した感放射線性樹脂組成物を、スピンコーターを用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布し、120°Cで90秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行い、膜厚100nmの感放射線性膜を形成させた。この感放射線性膜を、EUV露光装置で照射し、照射後直ぐに130°Cで90秒間ホットプレート上で加熱した。更に濃度2.38質量のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液を用いて23°Cで60秒間現像し、30秒間純水にてリンスした後、スピン乾燥してレジストパターンを得た。感度評価得られたパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-9220を用いて観察した。100nmラインライン:スペース=11を解像する時の最小照射エネルギーを感度とした。解像力評価上記の感度を示す照射量における限界解像力ラインとスペースとが分離解像する最小幅を解像力とした。パターン形状評価上記の感度を示す照射量における100nmラインパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡日立製作所製S-4300を用いて観察し、矩形、Ttop、テーパーの3段階評価を行った。LER評価上記の感度を示す照射量における100nmラインパターンの長さ方向50μmにおける任意の30点について、走査型電子顕微鏡株日立製作所製S-9220を用いてエッジがあるべき基準線からの距離を測定し、標準偏差を求め、3σを算出した。アウトガス露光後の膜厚変動率評価上記の感度を示す照射量の2倍の照射量を照射し、露光後後加熱前の膜厚を測定し、以下の式から、未露光時の膜厚からの変動率を求めた。膜厚変動率=100×未露光時の膜厚-露光後の膜厚/未露光時の膜厚膜厚変動率が少ない方がアウトガスの低減が良好であることを示す。なお、表中に示した略号は、以下の通りである。光酸発生剤塩基性化合物TBAH:テトラブチルアンモニウムヒドロキシドTOA:トリn-オクチルアミンTPI:トリフェニルイミダゾール界面活性剤W-1:メガファックF177大日本インキ化学工業株製フッ素系W-2:メガファックR08大日本インキ化学工業株製フッ素及びシリコン系W-3:ポリシロキサンポリマーKP-341信越化学工業株製シリコン系W-4:PF6320OMNOVA社製フッ素系溶剤S1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA;1-メトキシ-2-アセトキシプロパンS2:プロピレングリコールモノメチルエーテルPGME;1-メトキシ-2-プロパノールS3:乳酸エチル。表4に記載の結果から、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、EB露光において、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、及び、良好なアウトガス性能を同時に満足することが明らかである。また、表5に記載の結果から、本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、EUV露光においても、高感度及び良好なパターン形状を同時に満足することが明らかである。"