"一面20a,27aに、第1接続部23及び該第1接続部23と電気的に分離された第2接続部24を有する電子部品搭載部材20,27と、第1主面と該第1主面と反対の第2主面との両方に電極を有し、前記第1主面が対向するように前記電子部品搭載部材20の一面20a上に配置されるとともに、はんだ60により前記第1主面の電極が前記第1接続部23と接続された電子部品30と、前記電子部品30の第2主面に対向配置された対向部41と、該対向部41から延び、前記対向部41に対して屈曲された脚部42とを有し、はんだ61により前記対向部41が前記電子部品30における第2主面の電極と接続され、はんだ62により前記脚部42が前記第2接続部24と接続された金属板40と、前記電子部品搭載部材20,27の少なくとも一部、前記電子部品30、及び前記金属板40を一体的に封止するモールド樹脂50と、を備えた半導体装置であって、前記金属板40の対向部41の厚さが、前記脚部42の厚さよりも厚いことを特徴とする半導体装置。複数の前記電子部品31,32を備え、各電子部品31,32における第2主面の電極が、同一の前記対向部41に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。複数の前記電子部品31,32は、互いに厚さが異なり、前記垂直方向において、前記金属板40の対向部41は、該対向部41と前記電子部品31,32との厚さの和が等しくなるように、前記電子部品30の第2主面に対向する対向面41aに段差を有して部分的に厚さが異なることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。前記金属板40の対向部41は、前記電子部品30の第2主面に対向する対向面41aと反対の裏面41bに溝部44を有し、該溝部44は、前記対向面41aと前記裏面41bとを連結する側面41cに端部が開口していることを特徴とする請求項1~3いずれか1項に記載の半導体装置。前記金属板40の対向部41は、前記電子部品30の第2主面に対向する対向面41aと、該対向面41aと反対の裏面41bとを連結する側面41cに、凹凸部45を有することを特徴とする請求項1~4いずれか1項に記載の半導体装置。前記電子部品搭載部材20は、絶縁基材21に配線が形成された基板であり、前記第1接続部23は、前記基板20の一面20aに形成されたランドであり、前記第2接続部24は、前記基板20の一面20aにおいて前記第1接続部23と離れて形成されたランドであることを特徴とする請求項1~5いずれか1項に記載の半導体装置。前記基板20の一面20aであって、前記金属板40の配置領域と異なる領域に配置された電子部品33を備え、該電子部品33の基板20と反対の面33bには前記モールド樹脂50が接触し、前記垂直方向において、前記金属板40の対向部41における基板20と反対の面41bと前記電子部品33における基板20と反対の面33bが同じ位置とされていることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。前記電子部品搭載部材27は、リードフレームであり、前記第1接続部23は、前記リードフレーム27のダイパッド28における電子部品30との接続部分であり、前記第2接続部24は、前記リードフレーム27において前記電子部品30が配置されたダイパッド28と電気的に分離された部分29であって、前記金属板40の脚部42との接続部分であることを特徴とする請求項1~5いずれか1項に記載の半導体装置。前記リードフレーム27に配置され、前記リードフレーム27と反対の面33bに前記モールド樹脂50が接触する電子部品33を備え、前記垂直方向において、前記金属板40の対向部41におけるリードフレーム27と反対の面41bと、前記電子部品33におけるリードフレーム27と反対の面33bが同じ位置とされていることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。ところで、特許文献1,2に示される従来の半導体装置では、金属板の厚さが均一となっている。すなわち、金属板において、電子部品と対向し、電子部品が接続された対向部と、該対向部から延出され、リードに接続された脚部との厚さが等しくなっている。このため、金属板対向部による放熱機能が十分であるとは言えない。また、対向部の厚さが脚部の厚さと同じであるため、対向部からはんだに付与される荷重が小さい。このため、はんだ塗布量のばらつきを上記荷重によって低減する効果が小さく、電子部品の厚さ方向において、モールド樹脂の被覆部の厚さのばらつきは、比較的大きくなる。例えば被覆部の厚さが所望の厚さより厚いと、金属板及び被覆部を介した放熱性が低下し、被覆部の厚さが薄いと、電気絶縁性が低下する。本発明は上記問題点に鑑み、電子部品の生じた熱を金属板及びモールド樹脂を介して効率よく放熱でき、且つ、電気絶縁性を確保することのできる半導体装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、請求項1に記載の半導体装置は、一面20a,27aに、第1接続部23及び該第1接続部23と電気的に分離された第2接続部24を有する電子部品搭載部材20,27と、第1主面と、該第1主面と反対の第2主面との両方に電極を有し、第1主面が一面20aと対向するように配置されるとともに、はんだ60により第1主面の電極が第1接続部23と接続された電子部品30と、電子部品30の第2主面に対向配置された対向部41と、該対向部41から延び、対向部41に対して屈曲された脚部42とを有し、はんだ61により対向部41が第2主面の電極と接続され、はんだ62により脚部42が第2接続部24と接続された金属板40と、電子部品搭載部材20,27の少なくとも一部、電子部品30、及び金属板40を一体的に封止するモールド樹脂50と、を備え、金属板40の対向部41の厚さが、脚部42の厚さよりも厚いことを特徴とする。このように、本発明では、金属板40の厚さが均一ではなく、対向部41の厚さを脚部42の厚さよりも厚くしている。このため、厚さが均一な金属板40を用いる従来の構成に較べて、対向部41の蓄熱機能が高く、ひいては、対向部41及び該対向部41を覆うモールド樹脂50の被覆部を介した外部への放熱性が高い。また、脚部42よりも対向部41の厚さが厚いため、従来の構成に較べて、対向部41からはんだ60,61に付与される荷重が大きい。このため、はんだ塗布量のばらつきを上記荷重によって低減する効果が大きく、垂直方向において、モールド樹脂50の被覆部の厚さのばらつきを、従来よりも低減することができる。すなわち、モールド樹脂50の被覆部の厚さを所望の値とすることができる。以上により、本発明によれば、電子部品30の生じた熱を金属板40及びモールド樹脂50を介して効率よく放熱でき、且つ、電気絶縁性を確保することができる。さらには、脚部42が対向部41よりも薄いため、対向部41に対し、脚部42を屈曲した所定形状とすることができる。請求項2に記載のように、複数の電子部品31,32を備え、各電子部品31,32の第2主面の電極が、同一の対向部41に接続された構成とすると良い。上記したように、対向部41は、脚部42よりも厚いため、複数の電子部品31,32の熱を、まとめて効率よく放熱することができる。請求項3に記載のように、複数の電子部品31,32の厚さが異なる場合、垂直方向において、金属板40の対向部41は、該対向部41と電子部品31,32との厚さの和が等しくなるように、電子部品30の第2主面に対向する対向面41aに段差を有して部分的に厚さが異なることが好ましい。これによれば、複数の電子部品31,32の厚さが異なりながらも、モールド樹脂50のうち、金属板40の対向部41を覆う被覆部の厚さを、対向部41全域でほぼ均一とする、すなわち、対向部41の傾きを抑制することができる。したがって、複数の電子部品31,32の生じた熱を金属板40及びモールド樹脂50を介して効率よく放熱でき、且つ、電気絶縁性を確保することができる。請求項4に記載のように、金属板40の対向部41は、電子部品30の第2主面に対向する対向面41aと反対の裏面41bに溝部44を有し、該溝部44は、対向面41aと裏面41bとを連結する側面41cに端部が開口していると良い。これによれば、モールド樹脂50を成形する際に、溝部44に沿う方向の樹脂の流動性を向上することができる。このため、放熱性を向上すべく、型の内面と金属板40の対向部41との対向領域が狭くとも、対向領域に樹脂を行き渡らせることができる。また、溝部44により、金属板40の対向部41とモールド樹脂50との接触面積が増す。これにより、対向部41からモールド樹脂50が剥離しにくくなり、長期にわたって放熱性を向上することができる。請求項5に記載のように、金属板40の対向部41は、電子部品30の第2主面に対向する対向面41aと、該対向面41aと反対の裏面41bとを連結する側面41cに、凹凸部45を有しても良い。これによれば、凹凸部45により、金属板40の対向部41の側面41cからモールド樹脂50が剥離しにくくなる。このため、側面41cの剥離を始点として対向部41の裏面41b側に剥離が進展し、これにより放熱性が低下するのを抑制することができる。請求項6に記載のように、電子部品搭載部材20は、絶縁基材21に配線が形成された基板であり、第1接続部23は、基板20の一面20aに形成されたランドであり、第2接続部24は、基板20の一面20aにおいて第1接続部23と離れて形成されたランドである構成を採用することができる。なお、請求項7に記載のように、基板20の一面20aであって、金属板40の配置領域と異なる領域に配置された電子部品33を備え、該電子部品33の基板20と反対の面33bにはモールド樹脂50が接触し、垂直方向において、金属板40の対向部41における基板20と反対の面41bと電子部品33における基板20と反対の面33bが同じ位置とされた構成とすると良い。これによれば、対向部41と電子部品33の基板20と反対の面41b,33bが垂直方向において異なる位置とされる構成に較べて、型の内面と上記面41b,33bとの間で、対向部41側から電子部品33、又は、電子部品33側から対向部41側に樹脂が流動しやすくなる。すなわち、モールド樹脂50の成形性を向上することができる。これにより、金属板40の対向部41と型の内面との対向領域に樹脂を行き渡らせ、電気絶縁性を確保することができる。また、請求項8に記載のように、電子部品搭載部材27は、リードフレームであり、第1接続部23は、リードフレーム27のダイパッド28における電子部品30との接続部分であり、第2接続部24は、電子部品30が配置されたダイパッド28と電気的に分離された部分29であって、金属板40の脚部42との接続部分である構成を採用することもできる。なお、請求項9に記載の発明の作用効果は、請求項7に記載の発明の作用効果と同じであるので、その記載を省略する。以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。なお、各図面において、共通乃至関連する要素には同一の符号を付与するものとする。また、縦型素子電子部品の厚さ方向、換言すれば縦型素子の第1主面及び第2主面に垂直な方向、を単に厚さ方向と示し、該厚さ方向に垂直な方向を単に垂直方向と示す。また、特に断りのない限り、厚さとは、厚さ方向に沿う長さを示すものとする。第1実施形態図1及び図2に示す半導体装置10は、基板20と、基板20の一面20a上に配置された縦型素子30と、縦型素子30上、すなわち縦型素子30に対して基板20と反対側に配置され、縦型素子30の他方の電極が電気的に接続された金属板40と、モールド樹脂50を備える。基板20は、樹脂やセラミックなどの絶縁材料を用いて形成された絶縁基材21に、配線部を設けてなるものであり、特許請求の範囲に記載の電子部品搭載部材に相当する。そして、その一面20aに、配線部の一部としてランド22を有しており、ランド22のうち、ランド23が特許請求の範囲に記載の第1接続部、ランド24が第2接続部に相当する。また、ランド22として、縦型素子30以外の電子部品33が接続されるランド25も有している。本実施形態では、ランド22が銅箔をパターニングしてなる。また、ランド23のうち、ランド23aが後述するIGBT31のゲート電極用のランド、ランド23bがエミッタ電極用のランドとなっており、ランド23cが後述するFWD32のアノード電極用のランドとなっている。さらに、基板20は、エポキシ樹脂系材料からなる絶縁基材21に、配線部を構成する導体パターンが多層に配置されてなる多層基板となっている。なお、配線部のうち、ランド22以外の部分、導体パターン及び層間接続部については図示を省略している。一方、基板20の一面20aと反対の裏面20bには、外部接続用のパッド26が形成されている。このパッド26は、例えば上記した図示しない配線部を介して縦型素子30の電極などと電気的に接続されている。縦型素子30は、厚さ方向の両端をなす第1主面及び第2主面にそれぞれ電極を有する素子であり、特許請求の範囲に記載の両面に電極を有する電子部品に相当する。なお、基板20との対向面が第1主面、金属板40との対向面が第2主面となっている。このような縦型素子30としては、IGBTやMOSFETなどの発熱量の大きいパワー系半導体素子、ダイオード、ICなどを採用することができる。この縦型素子30は、はんだ60を介して、基板20の一面20aに形成された対応するランド23と電気的且つ機械的に接続されている。本実施形態では、基板20に対し、4つの縦型素子30が配置されている。そして各縦型素子30の第1主面の電極が、Sn-Ag-Cu系のはんだ60により、対応するランド2323a~23cと電気的且つ機械的に接続されている。4つの縦型素子30のうち、2つはIGBT31、残りの2つは転流ダイオード32以下、FWD32と示すである。そして、1つのIGBT31に対して1つのFWD32が逆並列に接続されており、2つの金属板4040a,40bに、それぞれ1組のIGBT31及びFWD32が接続されている。なお、本実施形態では、共通の金属板40に接続されるIGBT31とFWD32の厚さがほぼ等しい厚さとなっている。また、2つのIGBT31は互いに直列に接続されており、これら4つの縦型素子30により、インバータが構成されている。そして、2つのIGBT31の接続点中点が、基板20のパッド26を介してモータなどの負荷に接続されるようになっている。なお、図1では、縦型素子3031,32を破線で示しており、金属板40a側の縦型素子31,32がインバータのハイサイド高電位側アームを構成し、金属板40b側の縦型素子31,32がローサイド側アームを構成している。IGBT31は、第1主面にゲート電極及びエミッタ電極を有し、第2主面にコレクタ電極を有する。一方、FWD32は、第1主面にアノード電極を有し、第2主面にカソード電極を有する。そして、共通の金属板40に接続されたIGBT31及びFWD32において、IGBT31のエミッタ電極とFWD32のアノード電極は、はんだ60、ランド23b,23c、及び基板20の図示しない配線部を介して電気的に接続されている。また、IGBT31のコレクタ電極とFWD32のカソード電極は、はんだ61及び金属板40を介して、電気的に接続されている。なお、各はんだ60は、互いにその厚さがほぼ等しくなっており、各はんだ61は、互いにその厚さがほぼ等しくなっている。また、本実施形態では、図1に示すように、縦型素子3031,32以外の電子部品33も、基板20の一面20aに配置されている。なお、このような電子部品33としては、コンデンサ、コイル、抵抗などを採用することができる。本実施形態では、チップコンデンサなどの、縦型素子3031,32よりも背の高い厚い電子部品33を採用している。この電子部品33は、縦型素子30同様、Sn-Ag-Cu系のはんだ63により、基板20の一面20aに形成された対応するランド25と電気的且つ機械的に接続されている。金属板40は、縦型素子30に対して電流経路としての機能を果たすとともに、縦型素子30の生じた熱を蓄熱して放熱する機能を果たすものである。金属板40の構成材料は、モールド樹脂50よりも熱伝導性の高い金属材料であれば特に限定されるものではない。例えば、銅や銅合金、アルミニウムなどを採用することができる。本実施形態では、熱伝導性が高い、加工しやすい、安価であるとの観点で、銅からなる金属板40を採用している。この金属板40は、縦型素子30の第2主面に対向配置され、縦型素子30の第2主面に形成された電極とはんだ61により電気的に接続された対向部41と、対向部41から延びてその先端がはんだ62によりランド24に接続され、対向部41に対して屈曲された脚部42と、を有する。また、対向部41の厚さは、脚部42の厚さよりも厚くなっている。また、金属板40は、基板20に実装された状態で、厚さ方向において、対向部41における基板20との対向面41a以下、下面41aと示すと反対の裏面41b以下、上面41bと示すの位置が、上記した背の高い電子部品33における基板20との対向面33a以下、下面33aと示すと反対の裏面33b以下、上面33bと示すの位置とほぼ同じ位置となっている。また、対向部41の上面41bは、基板20の一面20aと略平行となっている。本実施形態の対向部41は、所定の厚さを有し、垂直方向に沿う平面形状が矩形の平板状をなしている。そして、対向部41における基板20との対向面41aに対し、IGBT31及びFWD32の第2主面に形成された各電極が、Sn-Cu-Ni系のはんだ61により電気的、機械的、且つ熱的に接続されている。一方、脚部42は、対向部41の矩形の四隅近傍にそれぞれ設けられており、各脚部42の先端が、縦型素子30同様、Sn-Ag-Cu系のはんだ62を介して、対応するランド24に電気的且つ機械的に接続されている。モールド樹脂50は、基板20の少なくとも一部、縦型素子30、及び金属板40を一体的に封止するものである。このため、縦型素子3031,32に接続されたはんだ60、縦型素子30と金属板40の対向部41とを接続するはんだ61、金属板40の脚部42に接続されたはんだ62も、このモールド樹脂50により封止される。また、縦型素子3031,32に対応するランド2323a~23c、金属板40の脚部42に対応するランド24も、モールド樹脂50により封止される。モールド樹脂50の構成材料としては、エポキシ樹脂などの周知の樹脂材料を採用することができる。本実施形態では、エポキシ樹脂を用いたトランスファ成形により、モールド樹脂50が形成されている。また、基板20のうち、縦型素子30の配置された一面20a全域が、モールド樹脂50によって被覆されている。このため、縦型素子30以外の電子部品33もモールド樹脂50により封止されている。また、基板20の一面20aからのモールド樹脂50の高さが、金属板40の対向部41における上面41bを被覆する部分51以下、被覆部51と示すと、背の高い電子部品33の上面33bを被覆する部分52以下、被覆部52と示すとでほぼ同じ高さとなっている。また、金属板40の対向部41を覆う被覆部51の厚さは、所定厚さを有するとともに、電子部品33を覆う被覆部52の厚さとほぼ同じ厚さとなっている。換言すれば、厚さ方向において、金属板40の対向部41の上面41bと、電子部品33の上面33bがほぼ同じ位置となっている。なお、縦型素子3031,32の生じた熱は、それぞれはんだ61を介して金属板40の対向部41に伝達され、金属板40の対向部41からモールド樹脂50の被覆部51を介して半導体装置10の外部に放熱される。このため、被覆部51の厚さが薄いほど、放熱性を向上することができる。一方、縦型素子30には大電流が流れるため、被覆部51は必要であるが、この被覆部51の厚さが厚いほど、電気絶縁性を向上することができる。この点を考慮し、本実施形態では、被覆部51の厚さが、放熱性を向上しつつ電気絶縁性を確保できる所定の厚さとなっている。次に、上記した半導体装置10の製造方法の一例について、図3~図5を用いて説明する。先ず、第2主面が金属板40の対向部41の下面41aと対向するように、縦型素子3031,32を下面41a上に載置する。このとき、対向部41の下面41aと縦型素子30の第2主面の電極との間に、例えばペースト状のはんだ61を介在させておく。そして、この状態で、リフローにより、縦型素子3031,32の第2主面の電極を、はんだ61を介して金属板40の対向部41に接合する。これにより、図3に示すように、縦型素子3031,32と金属板40とが一体化されてなるユニット70が形成される。なお、リフローに代えて、ダイボンディングにより、縦型素子3031,32の第2主面の電極を、金属板40の対向部41に電気的且つ機械的に接続しても良い。また、図4に示すように、基板20を別途準備し、基板20のランド22のうち、第1接続部としてのランド2323a~23c上に、例えばペースト状のはんだ60aを塗布する。同じく、第2接続部としてのランド24上に、例えばペースト状のはんだ62aを塗布し、ランド25上にも例えばペースト状のはんだ63aを塗布する。本実施形態では、各はんだ60a,62a,63aが同じ材料からなるため、一括で塗布する。そして、縦型素子30の第1主面に形成された電極、及び、金属板40の脚部42の先端が、基板20の対応するランド2223,24上のはんだ60a,62aに接するように、基板20の一面20aにユニット70を載置する。そして、リフローにより、縦型素子3031,32の第1主面の電極と対応するランド2223a~23cとをはんだ60を介して接合する。また、このリフローにより、金属板40の脚部42と対応するランド24とをはんだ62を介して接合する。この工程により、図5に示すように、基板20にユニット70が一体化された状態となる。この工程では、基板20の一面20a上に、ユニット70とともに、電子部品33も載置する。そして、リフローにより、電子部品33の電極と対応するランド25とをはんだ63を介して接合する。したがって、基板20にユニット70と電子部品33が一体化された状態となる。次いで、ユニット70などが一体化された基板20を、図示しない金型のキャビティに配置し、キャビティ内に樹脂を注入してモールド樹脂50を成形する。本実施形態では、エポキシ樹脂を用いたトランスファ成形により、モールド樹脂50を形成する。以上により、図1及び図2に示す半導体装置10を得ることができる。次に、上記した半導体装置10の特徴部分の効果について説明する。本実施形態では、金属板40の厚さを、縦型素子3031,32と対向する対向部41と、第2接続部としてのランド24と接続される脚部42とで同一、すなわち金属板40全体で均一とするのではなく、対向部41の厚さを脚部42の厚さよりも厚くしている。このため、厚さが均一な金属板40を用いる従来の構成に較べて、対向部41の蓄熱機能が高く、ひいては、対向部41及びモールド樹脂50の被覆部51を介した外部への放熱性が高い。また、脚部42よりも対向部41の厚さが厚いため、対向部41の厚さが脚部42の厚さと等しい従来の構成に較べて、対向部41からはんだ60,61に付与される荷重が大きい。このため、ランド2323a~23cへのはんだ6060aの塗布量がばらついても、このばらつきを上記荷重によって従来よりも効果的に低減することができる。これにより、垂直方向において、基板20の一面20aに対する金属板40の対向部41の上面41bの位置のばらつき、換言すればモールド樹脂50の被覆部51の厚さのばらつきを、従来よりも低減することができる。すなわち、モールド樹脂50の被覆部51の厚さを所望の値とすることができる。以上により、本実施形態によれば、縦型素子3031,32の生じた熱を金属板40の対向部41及びモールド樹脂50の被覆部51を介して効率よく放熱でき、且つ、電気絶縁性を確保することができる。さらには、脚部42が対向部41よりも薄いため、脚部42の先端を対応するランド24に接合すべく、対向部41に対し、脚部42を屈曲した所定形状とすることができる。また、本実施形態では、同一の金属板4040a又は40bの対向部41に、複数の縦型素子3031,32が接続されているが、上記したように、対向部41は、脚部42よりも厚いため、金属板40の厚さが均一の従来構成に較べて、複数の縦型素子3031,32の熱を、まとめて効率よく放熱することができる。また、本実施形態では、電子部品搭載部材として基板20を採用しており、基板20の一面20aに形成されたランド22の一部が第1接続部としてのランド2323a~23c、ランド22の他の一部が第2接続部としてのランド24となっている。さらには、ランド22の他の一部が、電子部品33が接続されるランド25となっている。このように、基板20を採用すると、モールド樹脂50に封止される電子部品が複数本実施形態では、4つの縦型素子30と、3つの電子部品33であっても、配線が容易である。また、本実施形態では、縦型素子30とは別に、背の高い電子部品33が基板20に実装されており、この電子部品3もモールド樹脂50により封止されている。そして、厚さ方向において、金属板40における対向部41の上面41bと、背の高い電子部品33の上面33bとが、同じ位置となっている。このような構成を採用すると、上面41b,33b同士が垂直方向において異なる位置とされる構成に較べて、型の内面と上面41b,33bとの間で、対向部41側から電子部品33、又は、電子部品33側から対向部41側に樹脂が流動しやすくなる。すなわち、モールド樹脂50の成形性を向上することができる。これにより、金属板40の対向部41と型の内面との対向領域に樹脂を行き渡らせ、電気絶縁性を確保することができる。なお、図2に示す破線は、金属板40における対向部41の上面41bと、背の高い電子部品33の上面33bとが、厚さ方向において同じ位置であることを示す破線である。また、本実施形態では、金属板40の脚部42を基板20のランド24に接続させており、半導体装置10は、外部接続用のパッド26を、モールド樹脂50に被覆されない基板20の裏面20bに設けている。このように、外部接続用のリードを有さないため、垂直方向において、半導体装置10の体格を小型化することもできる。第2実施形態本実施形態において、上記実施形態に示した半導体装置10と共通する部分についての説明は割愛する。第1実施形態では、同一の金属板4040a又は40bに接続される複数の縦型素子31,32の厚さがほぼ同じである例を示した。これに対し、本実施形態では、図6に示すように、複数の縦型素子31,32の厚さが互いに異なっている。図6では、IGBT31よりもFWD32のほうが厚くなっている。そして、垂直方向において、金属板40の対向部41は、対向部41とIGBT31との厚さの和、対向部41とFWD32との厚さの和が等しくなるように、対向部41の下面41aに段差を有して部分的に厚さが異なっている。具体的には、金属板40の対向部41の下面41aに、厚さの厚いFWD32に対応して凹部43が形成され、これにより下面41aに段差を有している。FWD32は、対向部41の下面41aのうち、凹部43の底面部分に、はんだ61を介して接続されている。なお、本実施形態においても、各はんだ60の厚さは互いにほぼ等しく、各はんだ61の厚さは互いにほぼ等しくなっている。これによれば、複数の縦型素子31,32の厚さが異なりながらも、モールド樹脂50の被覆部51の厚さを、IGBT31の上方部分とFWD32の上方部分とでほぼ等しくする、すなわち対向部41全域でほぼ均一とすることができる。これにより、対向部41の傾きを抑制することができる。したがって、各縦型素子31,32の生じた熱を、それぞれ金属板40の対向部41及びモールド樹脂50の被覆部51を介して効率よく放熱でき、且つ、電気絶縁性を確保することができる。第3実施形態本実施形態において、上記実施形態に示した半導体装置10と共通する部分についての説明は割愛する。上記実施形態では、金属板40の対向部41における上面41aが平坦である例を示した。これに対し、本実施形態では、図7に示すように、金属板40の対向部41が、上面41bに溝部44を有している。この溝部44は、対向部41の下面41aと上面41bとを連結する側面41cに端部が開口している。具体的には、垂直方向に沿う平面が矩形状の対向部41において、相対する側面41cを跨ぐように、溝部44が形成されている。これによれば、モールド樹脂50を成形する際に、金属板40の対向部41の上面41aと型の内面との対向領域において、溝部44に沿う方向の樹脂の流動性を向上することができる。このため、放熱性を向上すべく、金属板40の対向部41の上面41aと型の内面との対向領域が狭くとも、対向領域に樹脂を行き渡らせることができる。すなわち、電気絶縁性を確保することができる。また、溝部44により、金属板40の対向部41とモールド樹脂50との接触面積が増すため、対向部41からモールド樹脂50が剥離しにくくなり、長期にわたって放熱性を向上することができる。なお、溝部44の形状としては、垂直方向の一方向に沿う直線状に限定されるものではない。例えば格子状としても良い。第4実施形態本実施形態において、上記実施形態に示した半導体装置10と共通する部分についての説明は割愛する。第3実施形態では、金属板40の対向部41が、上面41aに溝部44を有する例を示した。これに対し、本実施形態では、図8に示すように、金属板40の対向部41が、その側面41cに凹凸部45を有している。これによれば、凹凸部45により、金属板40の対向部41とモールド樹脂50との接触面積が増すため、金属板40の対向部41の側面41cからモールド樹脂50が剥離しにくくなる。このため、側面41cの剥離を始点として対向部41の上面41b側に剥離が進展し、これにより放熱性が低下するのを抑制することができる。なお、凹凸部45を、第3実施形態と同じ溝形状とすると、側面41cを被覆するモールド樹脂50の流動性を向上することができる。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。上記実施形態では、1つの金属板40に対し、2つの縦型素子3031,32が配置される例を示した。しかしながら、縦型素子30の個数は上記例に限定されるものではない。例えば図9に示すように、1つの金属板40に1つの縦型素子30例えばIGBTが配置される構成としても良い。また、それ以外の例として、1つの金属板40に対し、3つ以上の縦型素子30が配置されても良い。上記実施形態では、電子部品搭載部材として基板20の例を示した。しかしながら、図10に示すように、電子部品搭載部材として、リードフレーム27を採用しても良い。図10では、縦型素子30としてIGBTを採用しており、リードフレーム27におけるダイパッド28のうち、ダイパッド28aに縦型素子30IGBTのゲート電極がはんだ60により接続され、ダイパッド28bに縦型素子30IGBTのエミッタ電極がはんだ60により接続されている。すなわち、各ダイパッド2828a,28bのうち、リードフレーム27の一面27aであってはんだ60の接続部分が、特許請求の範囲に記載の第1接続部となっている。なお、ダイパッド28a,28bは電気的に分離されている。また、リードフレーム27は、外部接続用の端子として、モールド樹脂50から一部が延出されたリード29を有しており、リード29の一端側に金属板40の脚部42がはんだ62により接続されている。このリード29は、第1接続部をなすダイパッド28とは電気的に分離されている。また、リード29のうち、リードフレーム27の一面27aであってモールド樹脂50に被覆された部分の一部が、特許請求の範囲に記載の第2接続部となっている。図10に示す半導体装置10では、ダイパッド2828a,28bがモールド樹脂50により封止されており、厚さ方向において、縦型素子30の生じた熱を第1主面側に放熱しがたい構成となっている。しかしながら、縦型素子30の生じた熱を、はんだ61を介して金属板40の対向部41に伝達させ、対向部41からモールド樹脂50の被覆部51を介して外部に放熱させることができる。このようなリードフレーム27を採用する構成についても、基板20にリードフレーム27を置き換えて、上記実施形態に示した各構成を採用することができる。なお、図10では、リード29に金属板40の脚部42が接続される例を示しているが、例えば上記ダイパッド38と電気的に分離され、電子部品33が実装されたダイパッドを有する場合、このダイパッドにはんだ62を介して脚部42を接続させることもできる。"