"プラズマイオンアシスト蒸着を用いて、基体の表面にMo/Siの薄膜を堆積する方法であって:真空チャンバを提供し、該チャンバ内に:コーティングが堆積される基体を提供し;Moコーティング材料源およびSiコーティング材料源を提供し、次いで、電子ビームを使用して該Mo材料および該Si材料を気化して、各々が前記材料源から前記基体へと逆マスクを通過するコーティング材料蒸気フラックスを提供し;プラズマ源からプラズマイオンを提供し;選択された回転数fで前記基体を回転させ;次いで、前記Moコーティング材料層および前記Siコーティング材料層を基体に堆積させてMo/Siコーティング周期を形成し、少なくとも前記材料の堆積工程中およびそれ以降に、前記各コーティング層および前記周期にプラズマイオンを曝射して各層を緻密化および平滑化し;前記堆積ステップを複数回繰り返して、前記基体上に複数の周期を有するMo/Siコーティングを形成する;各工程を有してなり、前記プラズマ源の汚染を防止するために、前記各MoおよびSiコーティング材料源の間にサイドシールドが提供され、前記MoおよびSi層を堆積する前に、前記プラズマ源からのプラズマにより、前記基体の表面が緻密化および平滑化されることを特徴とする方法。前記コーティングが、40~100のMo/Si周期からなることを特徴とする請求項1記載の方法。周期におけるMo層およびSi層は所定の厚さまで堆積され、各堆積層の厚さは、スペクトルシフトを防止するために±0.01nm未満に制御されることを特徴とする請求項1記載の方法。前記回転数fが10~30rpmの範囲にあることを特徴とする請求項1記載の方法。MoおよびSi各層の堆積速度が0.02nm/secから0.04nm/secの範囲にあることを特徴とする請求項1記載の方法。前記MoおよびSi層を形成する前に、0~10分未満の間、前記プラズマ源からの前記プラズマにより、前記基体の表面が緻密化および平滑化されることを特徴とする請求項1記載の方法。前記MoおよびSi層を形成する前に、1~5分間、前記プラズマ源からの前記プラズマにより、前記基体の表面が緻密化および平滑化されることを特徴とする請求項1記載の方法。10~15nmの範囲で作動するのに適したEUVリソグラフィミラーにおいて:EUVリソグラフィに適した選択された、プラズマ緻密化および平滑化表面を有する基体と、前記基体の緻密化および平滑化表面上のコーティングであって、40~100のコーティング周期からなり、該コーティング周期は2nmから5nmの範囲の所定厚さを有するMo層、および2nmから5nmの範囲の所定厚さを有するSi層からなり、堆積厚さは前記所定厚さの±0.1nmであり、前記Mo層が各周期の第1の層であり、前記Si層が各周期の第2の層であるコーティングと、を備えたことを特徴とするミラー。前記基体が、溶融石英ガラス、シリカチタニアガラス、ZerodurおよびZerodurK20からなる群から選択されることを特徴とする請求項8記載のミラー。しかしながら、PIADは、酸化物コーニング材料等の誘電性のコーティングにのみ適していると考えられている;Mo/Si多層EUVコーティング用のPIADを制限する、技術的な障害がある。本発明は、例えば、10~15nmの範囲の波長で作動するレーザを使用するリソグラフィ等の、DUVリソグラフィに使用される、高反射表面を形成するための、基体にMo/Si多層フィルムを堆積するPIADプラズマアシストイオン蒸着の使用に関する。Mo/Siフィルムの堆積のためにPIAD技術を使用することの特別な利点は、逆マスクを使用できること、MoおよびSiの堆積速度を正確に制御できること、並びにPIAD法により、堆積されたMo層およびSi層のプラズマ平滑化および緻密化が、その場において可能となることにある。本発明は、さらにプラズマイオンアシスト蒸着を使用して、基体の表面にMo/Siの薄膜を堆積する方法に関し、この方法は、真空チャンバを提供し、該チャンバ内に;コーティングが堆積される基体を提供し;Moコーティング材料源およびSiコーティング材料源を提供し、次いで、電子ビームを使用して該Mo材料および該Si材料を気化して、各々が前記材料源から前記基体へと逆マスクを通過するコーティング材料蒸気フラックスを提供し;プラズマ源からプラズマイオンを供給し;選択された回転数fで前記基体を回転させ;次いで、前記Moコーティング材料層および前記Siコーティング材料層を前記基体に堆積させてMo/Siコーティング周期を形成し、少なくとも前記材料の堆積工程中およびそれ以降に、前記各コーティング層および前記周期にプラズマイオンを曝射し;前記堆積ステップを複数回繰り返して、前記基体上に複数の周期を有するMo/Siコーティングを形成する各工程を有するものである。一態様において、堆積およびプラズマ曝射ステップは、40~100周期のMo/Siコーティングを形成するために複数回繰り返される。本発明の方法は、他の用途のために、他の材料の堆積に使用できる。例えば、本発明の方法は、EUV照射の光源として金属プラズマを生成するための、10.6μのCO2レーザの高反射ミラーのように、高品質のAuコーティングを堆積するために使用できる。本明細書に記載されたコーティングに使用できる基体の材料の例としては、例えばULE登録商標、コーニング社、コーニングニューヨーク、およびZERODUR登録商標およびZerodurK20登録商標、SchottNorthAmerica、エルムスフォード、ニューヨーク等の溶融石英ガラス、シリカチタニアガラスを含む。本発明は、例えば、10~15nmの範囲の波長で作動するレーザを使用するリソグラフィ等の、DUVリソグラフィに使用される、高反射表面を形成するための、基体にMo/Si多層フィルムを堆積するPIADプラズマアシストイオン蒸着の使用に関する。Mo/Siフィルムの堆積のためにPIAD技術を使用することの特別な利点は、逆マスクを使用できること、MoおよびSiの堆積速度を正確に制御できること、並びにPIAD法により、堆積されたMo層およびSi層のプラズマ平滑化および緻密化が、その場において可能となることにある。Mo層およびSi層は連続して堆積される。Mo層およびSi層を有する多周期コーティングのために、所望とする数の周期が堆積されるまで工程が繰り返される。ここで、d_Moおよびd_Siにおいて、dは、本明細書に記載されたように、堆積された層が緻密化されたことを意味する。したがって、d_Mo=2.8nmおよびd_Si=4.2nmは、プラズマイオン曝射により緻密化された、それぞれ2.8nmおよび4.2nmの厚さを有する緻密化されたMoおよびSiを意味する。A.サイドシールドの使用本実施形態の方法は、金属汚染物質からプラズマ源を保護するために設置される、サイドシールドを使用している。逆マスキング技術の利点は、米国特許第7,465,681号明細書および米国特許公開第2008/0141358号明細書に記載された、酸化物フィルムにおいて十分に認識されている。これらの文献に記載された酸化物フィルムは、HfO2/SiO2、Al2O3/F-SiO2、および酸化物-フッ化物ハイブリッドコーティングの多層を含む。しかしながら、PIAD工程がMo/Si多層を堆積するために使用される際に問題が生じる。堆積プロセスが進行するに連れて、堆積された金属は、先進的プラズマ源APSを汚染し、アーク放電を引き起こし、APSコンポーネントを損傷する。プラズマ源の金属汚染を防止するための解決方法は、電子ビーム蒸発源およびAPSの間に、サイドシールドを設置することである。図4は、サイドシールドのセットが取付けられたPIAD堆積装置10の概略図である。図4には、SiおよびMoのそれぞれによるプラズマ源の汚染を防止するためのサイドシールド12a,12b、逆マスク14aSi用,14bMo用、電子銃e銃16a,16bそれぞれSiおよびMo用、先進的プラズマ源18、Si源20、Mo源22、EUV光学素子キャリア24、および光学素子基体26が示されている。サイドシールド12a,12bは、金属蒸気汚染からAPS18を保護するが、サイドシールドは、光学素子26がMoおよびSi層によりコーティングされる真空チャンバの上部で発生するプラズマイオンアシスト工程に影響を与えない。図4においては、e銃16aはSi蒸気フラックスを生成するためにオンとされ、e銃16bはオフとされているMo蒸気は生成されていない。図4に示すように、リソグラフィにおいて一般に使用される通常のマスクに代えて、上述したように逆マスクが使用される。通常のマスクは、その形状を変更することにより堆積されたフィルムの均一性を向上させることを可能にする、堆積源の上方にある材料の1つである。逆マスクは、中心に開口部を有するマスクである。すなわち、e銃16aから電子ビームを用いてのコーティング材料への曝射により生成される蒸気フラックス28図4に示すは、回転する光学素子基体26上の図4で示す規制領域αに堆積されるフラックスを規制する、逆マスク14aを通過する。基体の回転により回転機構は不図示、基体の全体が時間をかけてコーティング材料によりコーティングされることが確実なものとなる。α領域は、フラックス堆積領域により定義されるため、実際には静止した特性を有することから、基体が回転すると、堆積された材料はこの領域に残り、最終的にβ領域に入る。コーティングがβ領域にある場合、プラズマイオンビームは、コーティングに衝撃を与え、コーティングを緻密化しかつ平滑化する。堆積は領域αにおいてのみ生じ、プラズマ曝射は領域αおよびβにおいて生じる。コーティングの堆積前に、基体の全表面が緻密化されかつ平滑化されることを確実なものとするために、コーティングの堆積開始前に、基体の回転中に、通常は0~10分未満の範囲、好ましくは1~5分の範囲にある選択された時間、プラズマビームが使用されうる。工程が進むに連れて、コーティングの各層は衝撃を受けて緻密化される。回転数ffは10~30rpmおよび堆積速度0.02nm/secから0.04nm/secの範囲にあるのために、緻密化および平滑化は、事実上、原子層ベースによる原子層にある。本実施形態において使用された回転数および堆積速度は、f=22rpm、堆積速度0.02nm/secである。通常のマスクが使用される場合、コーティング材料フラックスは、基体表面の全体または実質的に全体が同時にコーティングされるように広がる。コーティングが堆積されるときに、プラズマビームはコーティングに衝撃を与え、これにより、コーティングは緻密化するかもしれないが平滑化はされない。B.MoおよびSiの堆積速度は正確に制御できるDUV光学素子用のMoおよびSi層の形成工程において、各材料の適切な平均堆積速度は、図4に示す逆マスキング技術によって達成され、図4において、領域αおよびβは、それぞれマスクの遮断されていない領域および遮断された領域に対応する。逆マスキング技術の詳細は概ね上述したが、酸化物および酸化物-フッ化物ハイブリッドコーティングに使用された米国特許第7,465,681号明細書および米国特許公開第2008/0141358号明細書にさらに記載されている。本願において、その技術は、個々の層厚さの制御精度がナノメートルの1/100.1nmとなる必要があるEUVMo/Si多層コーティングにまで拡張される。逆マスクにおいて開口部を減少させることにより、電子ビームパワーおよびPIAD被覆器のパターンセッティングとともに、適切な金属堆積速度が達成される。通常、マスクの開口部は使用される材料と関連がある。例えば、20nmを超える厚さを有する金属酸化物および金属フッ化物コーティングのために、約50mm×100mmの範囲にて開口部を有する逆マスクが使用されている。Mo等のコーティング材料を3nmの厚さとするために、約50mm×100mmの開口部を有する逆マスクが使用される。しかしながら、Siによるコーティングには、逆マスクは同様の開口部のサイズを有するか、または例えば40mm×88mmのより小さい開口部を有する。DUV用途に対する基体のコーティングにおいて、堆積される各層の厚さを正確に制御することが重要である。DUV用途のためのスペクトルシフトを防止するために、層の厚さは目標とする層厚さの±0.1nmまたはそれ未満に制御されるべきである。図8a,8bは、開口部の寸法が異なる逆マスクを使用した基体に配置される、Mo/Siコーティング40を示すTEM透過型電子顕微鏡写真である。各形状40において、暗いラインはMo層であり、より明るいラインはSi層である。下部の明るい領域42は基体であり、上部の明るい領域番号は付与しないは背景である。図8aにおいて、約40mm×88mmの開口部を有する逆マスクを使用してMo/Siフィルムが堆積され、堆積されたMo層は厚さ2.8nm、堆積されたSi層は厚さ4.2nmであった。図8bにおいて、約50mm×100mmの開口部を有するマスクを使用してMo/Siフィルムが堆積され、堆積されたMo層は厚さ3.0nm、堆積されたSi層は厚さ4.4nmであった。2つのTEM写真の比較から分かるように、より大きい開口部を有するマスクを使用することにより、堆積される各層および層の厚さに、より大きな変動が見られることとなった。さらに、図9に示すように、各層の厚さが0.2nmのみ変動する場合、図8aに示すコーティングの13.5nmから、図8bに示すコーティングの約14.3nmまで中心波長がシフトする。図3において、堆積されたSi層厚さは4.2nmで一定であり、堆積されたMo層厚さが2.8nmから2.5nmに減少した場合、中心波長は13.5nmから13.0nmまで-0.5nmシフトした。これらの結果は、堆積されたコーティングが、例えば13.5nmであるコンポーネント用のスペックの範囲に入ることを確実なものとするために、制御が必要なことを明確に示している。上述したように、金属の堆積は基体上の領域αにおいてのみ生じるが、その場におけるプラズマ平滑化およびさらなる緻密化は、領域βにおいて生じる。このコーティング工程は、a.u.eV05の単位でのコーティング中の領域αおよび領域βにおける運動量移行の合計値Pα、Pβである、堆積された原子P当たりのプラズマ運動量移行により示すことができる。Vbはバイアス電圧、Jiおよびmiはそれぞれプラズマイオンフラックス単位ion/cm2secおよび質量単位a.u.である。Rは堆積速度単位nm/secである。eは電荷量、kは単位変換ファクタ、nsはMoおよびSi表面の電子密度単位atom/cm2である。αおよびβは、回転数fで回転されるプレートの中心に対する蒸気フラックスの、マスクにおける遮断されたおよび遮断されていない領域のラジアンである。マスク形状および高さ、APSパラメータ、並びにプレート回転数の調整により、プラズマアシストMo/Si蒸着およびその場所におけるプラズマ平滑化のための運動量移行量を別々に制御することが可能になる。C.プラズマ平滑化およびフィルム充填密度の増進βおよびαの比率を調整することにより、Mo/Si層厚さが正確に制御されるのみならず、式1に示すように、さらにその場におけるプラズマ平滑化およびさらなる緻密化効果も増進される。後者はEUVコーティングの散乱損失を減少させるために必要である。図5は、改良されたPIAD法を用いて堆積された厚さ5.6nmのMoフィルム50,▲および比較用のMoバルク52,●についての波長に対する反射率nのグラフである。図6は、改良されたPIAD法により堆積された厚さ5.6nmのMoフィルム50,▲および比較用のMoバルク52,●についての、波長の関数としての波長に対する消滅係数のグラフである。結果は、Moフィルムのフィルム充填密度が、Moバルク材料のフィルム充填密度より7が高いことを示唆している。同様の緻密化は、Siフィルムに対しても実現される。図7は、改良されたPIADにより堆積された60周期のMo/Si多層のAFM画像である。Mo/Siの60周期は120の総層数に対応する。AFMによって決定された表面粗さは、5μm×5μmの走査領域上でわずか0.18nmである。上述したA-Cの3つのステップを組み合わせ、本開示は、EUVMo/Si多層コーティングのためにPIAD工程の使用を可能にした新規な方法を記載する。マグネトロンスパッタリング、Mo/Si反射フィルムの堆積に現在使用されている方法に代えてのPIADの使用により、マグネトロンスパッタリングシステムが使用されるのであれば必要とされる設備投資において、数百万ドルの削減が可能となり、EUVコーティング工程において多大な時間を削減することも可能となる。総合的に、PIADの使用により、さらに低い投資原価にて、単位時間当たりのより多くのパーツが可能となる。図5は、本明細書に記載の改良されたPIAD法を用いて堆積された厚さ5.6nmのMoフィルムおよび比較用のMoバルクについての波長に対する反射率の変化を示すグラフである。図6は、本明細書に記載の改良されたPIAD法を用いて堆積された厚さ5.6nmのMoフィルムおよび比較用のMoバルクについての波長に対する消滅係数の変化を示すグラフである。本発明は、他のリソグラフィの分野において、さらなる利点を有する。基体への反射材料の堆積を正確に制御する性能によるEUV光学素子に加えて、X線光学素子にも利点を有するであろうと考えられている。高品質の金属コーティングが必要とされるDUV,UV,VISおよびIR光学素子にも利点を有するであろう。とくに、本発明は、EUV照射の光源としての金属プラズマを生成するための、10.6μのCO2レーザの高反射ミラーとして高品質のAuコーティングを堆積するために重要であろう。本発明を限定された数の実施例に関して説明したが、当業者であれば、本開示の利点を用いて、ここに開示された発明の範囲から外れない他の実施形態を考案できることが理解できるであろう。したがって、本発明の範囲は、添付のクレームによってのみ限定されるべきである。"