"半導体素子と、放熱器と、前記半導体素子と前記放熱器との間に設けられた導電性のベースプレートと、前記半導体素子と前記ベースプレートの間に設けられた第1の絶縁プレートを有するものであって、前記ベースプレートと前記放熱器の間に第2の絶縁プレートを設け、前記放熱器は、所定の電位に維持されることを特徴とする半導体ユニット。請求項1において、前記半導体素子に接続する導体を有し、前記第1の絶縁プレートにおける絶縁耐力をVB1、誘電率をε1、厚みをd1とし、前記第2の絶縁プレートにおける誘電率をε2、厚みをd2とし、前記半導体素子と前記導体の組と前記ベースプレートの対向面積をS1、前記ベースプレートと前記放熱器の対向面積をS2とするとき、前記絶縁プレートの厚みd2がd2>ε2×S2×VE-VB1×d1/ε1×S1となるように設定されていることを特徴とする半導体ユニット。請求項1において、前記半導体素子と、前記第1の絶縁プレートは、パワーモジュールとして構成され、前記第2の絶縁プレートに非貫通穴が設けられており、前記パワーモジュールは前記非貫通穴に非貫通ネジを用いて取り付けられていることを特徴とする半導体ユニット。請求項1において、前記第2の絶縁プレートは、窒化アルミニウムAlN,炭化ケイ素SiC,窒化炭素Si2N3などの絶縁体であることを特徴とする半導体ユニット。請求項1において、半導体素子に接続される端子を有し、前記ベースプレートと前記端子とを電気的に接続したことを特徴とする半導体ユニット。半導体素子と、放熱器と、前記半導体素子との間に設けられた導電性のベースプレートと、前記半導体素子と前記ベースプレートとの間に設けられた第1の絶縁プレートを有するものであって、前記ベースプレートと前記放熱器との間に第2の絶縁プレートを設け、前記放熱器は、所定の電位に維持されており、前記半導体素子は、入力された電力を電力変換することを特徴とする電力変換装置。請求項4において、前記半導体素子と、前記ベースプレートと、前記第1の絶縁プレートと、前記ベースプレートと前記第2の絶縁プレートと、前記放熱器は、インバータセルとして構成されていることを特徴とする電力変換装置。請求項7において、前記インバータセルを複数有し、前記インバータセルの半導体素子を1つまたは複数直列接続した回路を有することを特徴とする電力変換装置。請求項7において、前記インバータセルを複数有し、前記複数の前記インバータセルの第1の絶縁プレートが互いに異なる厚みをもつことを特徴とした電力変換装置。請求項7において、前記インバータセルを複数有し、前記インバータセルの前記第2の絶縁プレートが同一の厚みであることを特徴とした電力変換装置。請求項7において、前記インバータセルを複数有し、前記複数の前記インバータセルが放熱器を共有することを特徴とする電力変換装置。請求項7において、前記インバータセルを複数有し、前記インバータセルの各々は冷却ファンを備えており、前記フィンで引き起こされる冷却風の上流側に相対的に厚い前記第2の絶縁プレートを持つ前記インバータセルを配置し、前記冷却風の下流側に相対的に薄い前記第2の絶縁プレートを持つ前記インバータセルを配置したことを特徴とした電力変換装置。請求項7において、前記インバータセルを複数有し、冷却液ポンプを備えており、前記冷却液で引き起こされる冷却液の流れの上流側に相対的に厚い前記絶縁プレートを持つ前記インバータセルを配置し、前記冷却液の下流側に相対的に薄い前記絶縁プレートを持つ前記インバータセルを配置したことを特徴とした電力変換装置。請求項6において、前記半導体素子は、三相ダイオード整流器と単相インバータとして設けられていることを特徴とする電力変換装置。請求項6において、前記半導体素子は、フルブリッジ回路として構成されていることを特徴とする電力変換装置。請求項6において、前記半導体素子は、双方向チョッパ回路として構成されていることを特徴とする電力変換装置。一般に、電力変換装置の安全確保の為には放熱器を所定の電圧に維持接地することが望ましい。しかし、放熱器を接地する際に問題が発生する。すなわち、放熱器を例えば接地した場合、半導体素子と放熱器の間の電位差を、モジュール内の例えばセラミック基板等の絶縁体が負担する。高圧ダイレクトインバータのインバータ側中性点スター結線された点が接地されている場合、高圧ダイレクトインバータを構成する個々のインバータセルは、中性点から該インバータセルまでの間に直列接続されている他のインバータセル内の単相インバータの交流端電圧に依存して、それぞれ異なる対地電位を持つ。このため、特に、高圧ダイレクトインバータのように出力電圧が非常に高い場合、モジュール内のセラミック基板の絶縁耐力が不足し、絶縁破壊に至るおそれがある。また、この場合に、モジュール内のセラミック基板の厚みを増すことによって絶縁耐力を高めることもできるが、この場合、各半導体素子から発生する熱とベースプレートの間の熱抵抗が増加し、半導体素子の温度上昇や半導体素子間の温度バラツキを招くという問題がある。本発明の目的は、半導体素子の温度上昇等を抑制しつつ、絶縁耐力の向上が可能な半導体ユニット及び電力変換装置を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明は、半導体素子と、放熱器と、前記半導体素子との間に設けられた導電性のベースプレートと、前記半導体素子と前記ベースプレートの間に設けられた第1の絶縁プレートを有するものであって、前記ベースプレートと前記放熱器との間に第2の絶縁プレートを設け、前記放熱器は、所定の電位に維持されるように構成した。本発明によれば、第2の絶縁プレートが、半導体素子と放熱器の間の電位差を負担し、また、半導体チップで発生した熱が第1の絶縁プレートを介してベースプレートに伝わり、ベースプレート内を熱が拡散するので、絶縁破壊を招くことなく、また、半導体チップの温度上昇を抑制できる。以下、図面を用いて発明を実施するための形態実施例を説明する。本発明の第1の実施例について説明する。以下、図1~図3を用いて実施例1の構成を説明する。本実施例では、パワーモジュール101のベースプレート106と放熱器110の間に絶縁プレート107を設けたことに特徴がある。実施例1では、高圧ダイレクトインバータの各インバータセルのパワーモジュールと放熱器の間に絶縁プレートを挟むことにより放熱器を接地可能とし、安全性確保を可能できるという効果が得られる。図1は構成を示した図である。本発明の特徴を述べるに先立ち、パワーモジュールの構造について説明する。パワーモジュール101はパッケージ102,半導体チップ103,導体104,セラミック基板105,ベースプレート106で構成されている。IGBTやダイオードなどの半導体チップ103が導体104の上に取り付けられている。導体104の下にセラミック基板105が設けられており、セラミック基板105の下にベースプレート106が設けられている。パワーモジュール101の上面には例えばP端子,N端子,OUT端子が設けられており、それぞれ導体104と電気的に接続している。セラミック基板105は絶縁体であり、ベースプレート106を半導体チップ103から電気的に絶縁する機能を有する。ただし、ベースプレート106と半導体チップ103の電位差がセラミック基板105の絶縁耐力を超えると、絶縁破壊が起こり、パワーモジュール101は破損する。以下、本実施例の特徴的な部分について説明する。さらに本実施例は、ベースプレート106を絶縁プレート107に非貫通ネジ108を用いてマウントし、絶縁プレート107を放熱器110に貫通ネジ109でマウントしたことを特徴とする。なお、非貫通ネジ108が樹脂やセラミックなどの絶縁体である場合、十分な沿面距離を確保できれば、非貫通ネジ108を放熱器110まで貫通させることもできる。また、本実施例では、放熱器110を接地している。放熱器を接地することにより、人体が放熱器110に触れても感電する可能性が低い。したがって、安全性を向上できるという効果が得られる。以下、図2を用いて、パワーモジュール101内部のセラミック基板105と絶縁プレート107の分圧と、絶縁プレートの厚みの設計法について説明する。半導体チップ103と導体104の組とベースプレート106とは、セラミック基板105を挟んでキャパシタを構成する。図2はこのキャパシタの静電容量をC1で表わしている。ベースプレート106と放熱器110とは、絶縁プレート107を挟んでキャパシタを構成する。図2はこのキャパシタの静電容量をC2で表わしている。放熱器110を基準とした半導体チップ103と導体104の組の電位をVEと表記するとき、キャパシタC1に印加される電圧VC1は、数1で求められる。数1VC1=VE×C2/C1C2前述のように、VC2がセラミック基板105の絶縁耐力VB1を超えると、パワーモジュール101が破損する。したがって、C2を具体的には絶縁プレート107の厚み適切に設計することで、印加され得る最大のVEに対して、VC1<VB1の条件を満たさなければならない。以下で、d2の設計方法について説明する。セラミック基板105の誘電率をε1、同厚みをd1、絶縁プレート107の誘電率をε2、同厚みをd2、半導体チップ103と導体104の組とベースプレート106の対向面積をS1、ベースプレート106と放熱器110の対向面積をS2と表記するとき、C1,C2はそれぞれ数2,数3で表わされる。数2C1=ε1×S1/d1数3C2=ε2×S2/d2絶縁プレート107の厚みd2を、数4を満たすように設計すれば、セラミック基板105に印加される電圧VC1を絶縁耐力VB1未満に制限できる。数4d2>ε2×S2×VE-VB1×d1/ε1×S1本実施例における絶縁プレート107は数4を満たすことを特徴とする。なお、数4は数2と数3を数1に代入し、d2について解くことで得られる。ここで、絶縁プレート107を設ける場合と、絶縁プレート107を設ける代わりに、セラミック基板105の厚みd1を変化させる場合を比較し、絶縁プレート107を設ける場合の優位性について説明する。絶縁プレート107を設ける場合、半導体チップ103から発生した熱はセラミック基板105を通り、ベースプレート106に伝達される。金属製のベースプレート上を熱が拡散するため、半導体チップ103の熱が放熱器110に伝達される際の熱抵抗が低下する。また、半導体チップ103が複数ある場合、複数の半導体チップ103間での温度バラツキを低減できる。一方、絶縁プレート107を設けず、パワーモジュール101内のセラミック基板105の厚みd1を増すことで絶縁耐力VB1の向上を図った場合を考える。半導体チップ103から発生した熱が、厚みd1の増したセラミック基板105を通らなければ拡散しないため、半導体チップ103から放熱器110に至る熱抵抗が大きくなる。また、半導体チップ103が複数ある場合、半導体チップ103間で、放熱器までの熱抵抗がバラツキ、温度バラツキが発生しやすくなる。以上より、絶縁プレート107を設ける本発明は、セラミック基板105の厚みd1を増す方式に比較して優位である。以下、図3を用いて、高圧ダイレクトインバータの一般的な回路構成について説明し、その後、図4を用いて、各インバータセルの対地電位が大きく変動し、従来技術では放熱器を接地できないことを述べる。最後に、本発明に基づいてパワーモジュール101と放熱器110の間に絶縁プレート107を設けた場合には放熱器を接地できることを明らかにする。まず、図3を用いて高圧ダイレクトインバータの一般的な回路構成を示す。高圧ダイレクトインバータ302は、多巻線変圧器303と、3つのアーム304とで構成されている。各アーム304は1つまたは複数の図3では3つインバータセル305で構成されており、さらに、各インバータセル305は直流コンデンサ308を共有した三相ダイオード整流器306と単相インバータ307で構成されている。ダイオード三相ダイオード整流器309はダイオード309で構成されており、単相インバータ307はIGBTと逆並列ダイオードの組310で構成されている。1つまたは複数のダイオード309の組のそれぞれが、図1で示したパワーモジュールとして構成されており、絶縁プレート107を介して放熱器110を取り付けられている。また、1つまたは複数のIGBTIGBTと逆並列ダイオードの組310の組のそれぞれが、図1で示したパワーモジュールとして構成されており、絶縁プレート107を介して放熱器110を取り付けられている。なお、1つのインバータセル305を構成する全てのダイオード309とIGBTIGBTと逆並列ダイオードの組310が1つのパワーモジュール101を構成しており、絶縁プレート107を介して放熱器110を取り付けられている構成も可能である。多巻線変圧器303の1次巻線が交流電源301に接続されている。一方、多巻線変圧器303の複数ある2次巻線は、各インバータセル305内の三相ダイオード整流器306に給電している。1つのアーム304に属する全てのインバータセル305内の単相インバータ307の交流端は直列接続されている。1つのアーム304に属する全ての単相インバータ307の交流端の直列体をアーム304の交流端と称する。3つのアーム304の交流端をM点でスター結線し、M点と反対側にモータ312を接続する。本実施例では説明を容易にするため、接地抵抗311を介してM点を接地するものとする。以下、図4を用いて高圧ダイレクトインバータ302の一般的な動作と出力電圧について説明する。各インバータセル305内の単相インバータ307は、PWMPulseWidthModulationによって、その交流端に基本波成分を含むパルス列を発生させる。図3のように1つのアーム304が3つのインバータセル305を有する場合を例とし、各インバータセル305内の単相インバータ307の交流端電圧をそれぞれV1,V2,V3と表記すれば、V1,V2,V3およびアーム304の交流端の電圧V=V1V2V3は、図4に示すような波形となる。ここで、図4中に示したVDCは、直流コンデンサ308の両端電圧である。なお、高圧ダイレクトインバータの通常運転時には、全てのインバータセル305に属する直流コンデンサ308は三相ダイオード整流器306を介して充電されるため、その両端電圧VDCは大略等しい。VDCは、インバータセル305に使用されているIGBTとダイオードの耐圧以下でなければならない。したがって、図4中のV1,V2,V3に含まれる基本波成分はIGBTの耐圧以下である。しかし、高圧ダイレクトインバータ302では、1つのアーム304に属するインバータセル305の数を増加することで、各インバータセルの交流端電圧の振幅を増加できる。すなわち、IGBTとダイオードの耐圧以上の基本波電圧を出力できる。図4中のVはV1V2V3であり、V1,V2,V3それぞれに含まれる基本波成分の3倍の基本波成分を含んでいる。高圧ダイレクトインバータは、アーム304に含まれる各インバータセル305をPWM制御することにより、アーム304の交流端電圧V、すなわちモータ312に印加される電圧Vの周波数や振幅を制御するインバータである。以上が高圧ダイレクトインバータ302の一般的な動作と出力電圧の説明である。以下、各インバータセル305の電位、特にモータ312に最も近いインバータセル305の電位について説明する。例として、モータ312に最も近いインバータセル305の直流コンデンサ308のN端子の対地電位VEについて述べる。また、VEを該インバータセル305の代表電位とする。図4の最下段にはVEの波形を示している。なお、VEはV2とV3の和と、モータ312に最も近いインバータセル305のIGBTのスイッチングで決定する。図4に示したV1Eの波形の通り、VEの振幅は直流コンデンサの電圧VDCよりも高い。図1では1つのアーム304には3つのインバータセル305が属している。しかし、1つのアームに属するインバータセル305の個数は自由であり、インバータセル305の数が多い場合には、インバータセル305の対地電位V1Eが非常に高くなる場合がある。以下、インバータセル305の対地電位の場合の課題,効果を含めて述べる。インバータセル305を構成するパワーモジュール101を直接に放熱器110に取り付け、さらに放熱器110を接地した場合、インバータセル305の対地電位すなわち半導体チップ103の対地電位は、パワーモジュール101内のセラミック基板105のみに印加される。1つのアーム304内のインバータセル305の個数が多く、インバータセル305の対地電位がセラミック基板105の絶縁耐力を超えた場合、セラミック基板105が絶縁破壊し、パワーモジュール101の破損、さらには高圧ダイレクトインバータ302の故障に至る。したがって、高圧ダイレクトインバータ302では、放熱器110を接地できず、放熱器110に人体が触れないような構造設計が必要であり、設計自由度が低下する。一方、パワーモジュール101と放熱器110の間に絶縁プレート107を挟んだ場合、インバータセル305の対地電位はセラミック基板105と絶縁プレート107の間で分圧される。インバータセル305の対地電位の最大値がVEであるとき、数4に基づいて絶縁プレートの厚みd2を設計すれば、セラミック基板105に印加される電圧は絶縁耐力VB1を超えない。したがって、セラミック基板が絶縁破壊することを防止できる。したがって、放熱器110を接地可能となり、安全性を確保できるという効果が得られる。以下、図5を用いて高圧ダイレクトインバータ302の放熱器を強制空冷する場合の風回路について説明する。まず、図5の構成について以下で説明する。なお、図5は、図3が強制風冷である場合を想定し、冷却風の流れに着目して描き直した図である。1つのアーム304に3つのインバータセル305a,305b,305cが属しており、インバータセル305a,305bはそれぞれ異なる厚みを持つ絶縁プレート107a,107bを有している。また、インバータセル305cは絶縁プレート107を有していない。これらの理由については後述する。高圧ダイレクトインバータ302には冷却ファン501が設けられており、各放熱器には冷却風が通るようになっている。冷却風はインバータセル305aの放熱器110、冷却風はインバータセル305aの放熱器110、冷却風はインバータセル305cの放熱器110の順に通る。以下、インバータセル305a,305b,305cの電位と絶縁プレート107の厚みについて説明する。図3に示した高圧ダイレクトインバータ302では、個々のインバータセル305a,305b,305cの対地電位の最大値は異なる。具体的にはM点に近いインバータセル305aの対地電位最大値は低く、モータ312に近いインバータセル305cの対地電位最大値は高い。したがって、対地電位最大値に依存して、数4から個々のインバータセル305a,305b,305cの絶縁プレート107に異なる厚みを持たせることができる。さらに、対地電位最大値が十分低い場合数4のd2が負になるような場合においては、絶縁プレート107を省略できる。インバータセル305cはこのような例を示している。M点に近く、絶縁プレート107を省略したインバータセル305cにおいて、該インバータセル305内の半導体チップ103から放熱器110までの熱抵抗が小さい。モータに近く、厚い絶縁プレート107を持つインバータセル305aにおいて、該インバータセル305内の半導体チップ103から放熱器110までの熱抵抗が大きい。本発明では、高圧ダイレクトインバータ302を強制風冷で冷却する場合、図5に示すように、厚い絶縁プレート107を持つインバータセル305aを風回路の上流に配置し、薄い絶縁プレート107を持つ、あるいは絶縁プレート107を省略したインバータセル305cを風回路の下流に配置する。図5の風回路を流れる空気は、各インバータセル305の放熱器110を通過する間に熱を吸収する。したがって、上流側の空気に比較して下流側の空気の方が高温になる。上流側に半導体チップ103から放熱器110への熱抵抗が高いインバータセル305を配置し、下流側に半導体チップ103から放熱器110への熱抵抗が低いインバータセル305を配置することにより、各インバータセル間で半導体チップの温度上昇をバランスさせることが可能である。以上の説明では強制風冷の場合について述べたが、高圧ダイレクトインバータ302が冷却液ポンプを備えている液体冷却の場合においても、冷却液の上流側に厚い絶縁プレート107を持つインバータセル305aを配置し、下流側に薄い絶縁プレート107を持つ、あるいは絶縁プレート107を省略したインバータセル305cを配置することで同様の効果を得られる。なお、インバータセル305a,305b,305cに属する絶縁プレート107に同じ厚みを持たせることもできる。この場合、インバータセル305a,305b,305cが共通の構造となるため、製造,梱包,輸送が容易である。また、図5において、インバータセル305a,305b,305cの放熱器110を個別の放熱器として描いているが、インバータセル305a,305b,305cに属するパワーモジュールを共通の放熱器に取り付けることもできる。本実施例のインバータセル305は三相ダイオード整流器306と単相インバータ307で構成されているが、インバータセル305がフルブリッジ回路,双方向チョッパ回路,交流電圧を出力可能なその他の電力変換回路であっても本発明を適用可能であり、本実施例で説明した効果が得られる。以下、絶縁プレート107の材料について説明する。絶縁プレート107は、窒化アルミニウムAlN,炭化ケイ素SiC,窒化炭素Si2N3などの絶縁体である。本実施例では電力変換装置の代表として高圧ダイレクトインバータ302を説明したが、他の形式の電力変換装置でも適用可能なことはもちろんであり、例えば、異電位にある複数の単位変換器の直列体から構成される電力変換装置であれば、高圧ダイレクトインバータ302に限らず用いることができるものである。本発明の第2の実施例について説明する。図6に示すように、実施例1と異なり、本実施例では、ベースプレート106を、パワーモジュール101のいずれかの端子と同電位になるように、導体601を用いて電気的に接続する。なお、実施例1と同様であり、説明は省略する。実施例2では、半導体チップ103と導体銅配線104の組の対地電位のすべてを絶縁プレート107が負担する。この場合、パワーモジュール101内のセラミック基板105の厚みは、半導体チップ103の耐圧以上の絶縁耐力を有していればよいため、セラミック基板105を薄くできるという効果が得られる。"