"以下の又はの第一の重合体と、以下の又はの第二の重合体とにより形成された膜但しととの組み合わせを除くであって前記重合体中のカチオン性セグメント及びアニオン性セグメントの一部が架橋された膜を有してなる、ベシクル。第一の重合体:非荷電親水性セグメントとカチオン性セグメントとを有するブロック共重合体Iカチオン性セグメントを有するアミノ酸重合体I第二の重合体:非荷電親水性セグメントとアニオン性セグメントとを有するブロック共重合体IIアニオン性セグメントを有するアミノ酸重合体II架橋は、その部位にジスルフィド結合が含まれる構造を有するものである請求項1に記載のベシクル。前記膜は、外層、中間層及び内層からなる三層構造を有し、外層及び内層は非荷電親水性セグメントにより構成され、中間層はカチオン性セグメント及びアニオン性セグメントにより構成されるものである、請求項1に記載のベシクル。ブロック共重合体I及びIIのうち一方のブロック共重合体の非荷電親水性セグメントが前記外層を形成し、他方のブロック共重合体の非荷電親水性セグメントが前記内層を形成する、請求項3に記載のベシクル。非荷電親水性セグメントが、ポリエチレングリコール及び/又はポリ2-オキサゾリンである、請求項1に記載のベシクル。前記カチオン性セグメントが、下記式で示されるものである、請求項1に記載のベシクル。式中、R2は、水素原子、アセチル基、トリフルオロアセチル基、アクリロイル基またはメタクリロイル基を表し、R11及びR13は、それぞれ独立して3NH2又はCONHsX1を表し、ここで、sは0~20の整数であり、X1は、NH2、ピリジル基、モルホリル基、1-イミダゾリル基、ピペラジニル基、4-C16アルキル-ピペラジニル基、4-アミノC16アルキル-ピペラジニル基、ピロリジン-1-イル基、N-メチル-N-フェニルアミノ基、ピペリジニル基、グアニジノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、tNH2及びopNHR10からなる群から選択される少なくとも一つであり、ここで、R9は水素原子又はメチル基を表し、R10は、水素原子、アセチル基、トリフルオロアセチル基、ベンジルオキシカルボニル基、CNH2、又はtert-ブトキシカルボニル基を表し、oは1~15の整数であり、pは1~5の整数であり、tは0~15の整数であり、R12及びR14は、それぞれ独立してチオール基、チオール基を含有するC112アルキル基、SR30R30は、ベンジル基、4-メトキシベンジル基、4-メチルベンジル基、N-アセチルアミノメチル基、tert-ブチル基、トリチル基、2-ピリジンスルフェニル基又は3-ニトロ-2-ピリジンスルフェニル基を表す、又はCONHsX2を表し、ここで、sは0~20の整数であり、X2は、チオール基、チオール基を含有するC112アルキル基、SR30、及びチオール基、チオール基を含有するC112アルキル基又はSR30R30は前記と同様であるによって置換されたピリジル基、1-イミダゾリル基、ピペラジニル基、4-C16アルキル-ピペラジニル基、4-アミノC16アルキル-ピペラジニル基、ピロリジン-1-イル基、N-メチル-N-フェニルアミノ基及びピペリジニル基、並びにSStNH2、SSopNHR10、tNHCOuSH及びtNHCvSHからなる群から選択される少なくとも一つであり、ここで、R9、R10、o、p、tは前記と同様であり、uは0~15の整数であり、vは0~15の整数であり、m及びnは1又は2であり、a1及びa2はそれぞれ0~5000の整数であり、b1及びb2はそれぞれ0~5000の整数であり、かつa1a2b1b2は2~5000であり、/の表記は、各モノマー単位の配列順序が任意であることを表す。R11及びR13がそれぞれ独立してCONHSNH2であり、R12及びR14がそれぞれ独立してチオール基、CONHSSStNH2、CONHSSH、CONHSNHCOuSH又はCONHSNHCvSHで示されるものである、請求項1に記載のベシクル。式中、R2は、水素原子、アセチル基、トリフルオロアセチル基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表し、R3は、それぞれ独立してメチレン基又はエチレン基を表し、R31及びR32は、それぞれ独立してメチレン基又はエチレン基を表し、R33及びR34は、それぞれ独立して単結合又はメチレン基若しくはエチレン基を表し、R41及びR42は、それぞれ独立してベンジルオキシカルボニル基、チオール基、チオール基を含有するC112アルキル基、SR30R30は、ベンジル基、4-メトキシベンジル基、4-メチルベンジル基、N-アセチルアミノメチル基、tert-ブチル基、トリチル基、2-ピリジンスルフェニル基又は3-ニトロ-2-ピリジンスルフェニル基を表す、又はCONHsX3を表し、ここで、sは0~20の整数であり、X3は、チオール基、チオール基を含有するC112アルキル基又はSR30R30は前記と同様であるであり、c1及びc2はそれぞれ0~5000の整数であり、d1及びd2はそれぞれ0~5000の整数であり、かつc1c2d1d2は2~5000であり、/の表記は、各モノマー単位の配列順序が任意であることを表す。R2が水素原子を表し、R3がメチレン基を表し、R31、R32、R33及びR34がメチレン基を表し、R41及びR42がチオール基又はCONHSSH又はで示されるものである、請求項1に記載のベシクル。式中、R2は、水素原子、アセチル基、トリフルオロアセチル基、アクリロイル基またはメタクリロイル基を表し、R11及びR13は、それぞれ独立して3NH2又はCONHsX1を表し、ここで、sは0~20の整数であり、X1は、NH2、ピリジル基、モルホリル基、1-イミダゾリル基、ピペラジニル基、4-C16アルキル-ピペラジニル基、4-アミノC16アルキル-ピペラジニル基、ピロリジン-1-イル基、N-メチル-N-フェニルアミノ基、ピペリジニル基、グアニジノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、tNH2及びopNHR10からなる群から選択される少なくとも一つであり、ここで、R9は水素原子又はメチル基を表し、R10は、水素原子、アセチル基、トリフルオロアセチル基、ベンジルオキシカルボニル基、CNH2、又はtert-ブトキシカルボニル基を表し、oは1~15の整数であり、pは1~5の整数であり、tは0~15の整数であり、R12及びR14は、それぞれ独立してチオール基、チオール基を含有するC112アルキル基、SR30R30は、ベンジル基、4-メトキシベンジル基、4-メチルベンジル基、N-アセチルアミノメチル基、tert-ブチル基、トリチル基、2-ピリジンスルフェニル基又は3-ニトロ-2-ピリジンスルフェニル基を表す、又はCONHsX2を表し、ここで、sは0~20の整数であり、X2は、チオール基、チオール基を含有するC112アルキル基、SR30、及びチオール基、チオール基を含有するC112アルキル基又はSR30R30は前記と同様であるによって置換されたピリジル基、1-イミダゾリル基、ピペラジニル基、4-C16アルキル-ピペラジニル基、4-アミノC16アルキル-ピペラジニル基、ピロリジン-1-イル基、N-メチル-N-フェニルアミノ基及びピペリジニル基、並びにSStNH2、SSopNHR10、tNHCOuSH及びtNHCvSHからなる群から選択される少なくとも一つであり、ここで、R9、R10、o、p、tは前記と同様であり、uは0~15の整数であり、vは0~15の整数であり、m及びnは1又は2であり、R4は、水素原子又は置換されていてもよい直鎖若しくは分岐鎖のC112アルキル基を表し、R5は、gNHを表し、かつgは0~5であり、R6及びR7は、それぞれR4及びR5と同様であり、R8は、直鎖又は分岐鎖のC112アルキル基を表し、a1及びa2はそれぞれ0~5000の整数であり、b1及びb2はそれぞれ0~5000の整数であり、かつa1a2b1b2は2~5000であり、eは5~2500の整数であり、fは5~2500の整数であり、/の表記は、各モノマー単位の配列順序が任意であることを表す。R11及びR13がそれぞれ独立してCONHSNH2であり、R12及びR14がそれぞれ独立してチオール基、CONHSSStNH2、CONHSSH、CONHSNHCOuSH又はCONHSNHCvSHであり、R2が水素原子であり、R4がメチル基であり、a1及びa2が0~200の整数であり、b1及びb2が0~200の整数であり、かつa1a2b1b2が10~200であり、eが10~300の整数であり、fが10~300の整数である、請求項10に記載のベシクル。ブロック共重合体IIが、下記式又はで示されるものである、請求項1に記載のベシクル。式中、R2は、水素原子、アセチル基、トリフルオロアセチル基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表し、R3は、それぞれ独立してメチレン基又はエチレン基を表し、R31及びR32は、それぞれ独立してメチレン基又はエチレン基を表し、R33及びR34は、それぞれ独立して単結合又はメチレン基若しくはエチレン基を表し、R41及びR42は、それぞれ独立してベンジルオキシカルボニル基、チオール基、チオール基を含有するC112アルキル基、SR30R30は、ベンジル基、4-メトキシベンジル基、4-メチルベンジル基、N-アセチルアミノメチル基、tert-ブチル基、トリチル基、2-ピリジンスルフェニル基又は3-ニトロ-2-ピリジンスルフェニル基を表す、又はCONHsX3を表し、ここで、sは0~20の整数であり、X3は、チオール基、チオール基を含有するC112アルキル基又はSR30R30は前記と同様であるであり、R4は、水素原子又は置換されていてもよい直鎖若しくは分岐鎖のC112アルキル基を表し、R5は、gNHを表し、かつgは0~5の整数であり、R6及びR7はそれぞれR4及びR5と同様であり、R8は直鎖又は分岐鎖のC112アルキル基を表し、c1及びc2はそれぞれ0~5000の整数であり、d1及びd2はそれぞれ0~5000の整数であり、かつc1c2d1d2は2~5000であり、i及びjはそれぞれ5~2500の整数であり、/の表記は、各モノマー単位の配列順序が任意であることを表す。R2が水素原子を表し、R3がメチレン基を表し、R31、R32、R33及びR34がメチレン基を表し、R41及びR42がチオール基を表し、R4がメチル基を表し、R6がメチル基を表し、R8がCH2を表し、c1及びc2がそれぞれ0~200の整数であり、d1及びd2がそれぞれ0~200の整数であり、かつc1c2d1d2が10~200であり、iが10~300の整数であり、jが10~300の整数である、請求項12に記載のベシクル。ブロック共重合体Iが前記式で示されるものであり、ブロック共重合体IIが前記式で示されるものである、請求項1に記載のベシクル。物質を内包するものである、請求項1に記載のベシクル。本発明は、水溶性でありかつ荷電した重合体により形成されるベシクルを提供することを目的とする。本発明者は、上記課題を解決するため鋭意研究を行った結果、水溶性でありかつ荷電したブロック共重合体にチオール基及び/又はジスルフィド基を導入することにより、荷電性セグメント部分によるベシクルを簡便に作製し得るだけでなく、架橋によって安定化したベシクルを取得するとともに、ベシクル架橋後も架橋構造部を環境応答的に開裂する手法を見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、以下の又はの第一の重合体と、以下の又はの第二の重合体とにより形成された膜但しととの組み合わせを除くであって前記重合体中のカチオン性セグメント及びアニオン性セグメントの一部が架橋された膜を有してなる、ベシクルである。第一の重合体:非荷電親水性セグメントとカチオン性セグメントとを有するブロック共重合体Iカチオン性セグメントを有するアミノ酸重合体I第二の重合体:非荷電親水性セグメントとアニオン性セグメントとを有するブロック共重合体IIアニオン性セグメントを有するアミノ酸重合体II本発明において、架橋は、その部位にジスルフィド結合が含まれる構造を有するものである。また、本発明の別の態様において、前記膜は、外層、中間層及び内層からなる三層構造を有し、外層及び内層は非荷電親水性セグメントにより構成され、中間層はカチオン性セグメント及びアニオン性セグメントにより構成される。非荷電親水性セグメントとしては、ポリエチレングリコール及び/又はポリ2-オキサゾリンが挙げられる。さらに、前記カチオン性セグメントとしては、下記式で示されるものが挙げられる。式中、R2は、水素原子、アセチル基、トリフルオロアセチル基、アクリロイル基またはメタクリロイル基を表し、R11及びR13は、それぞれ独立して3NH2又はCONHsX1を表し、ここで、sは0~20の整数であり、X1は、NH2、ピリジル基、モルホリル基、1-イミダゾリル基、ピペラジニル基、4-C16アルキル-ピペラジニル基、4-アミノC16アルキル-ピペラジニル基、ピロリジン-1-イル基、N-メチル-N-フェニルアミノ基、ピペリジニル基、グアニジノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、tNH2及びopNHR10からなる群から選択される少なくとも一つであり、ここで、R9は水素原子又はメチル基を表し、R10は、水素原子、アセチル基、トリフルオロアセチル基、ベンジルオキシカルボニル基、CNH2、又はtert-ブトキシカルボニル基を表し、oは1~15の整数であり、pは1~5の整数であり、tは0~15の整数であり、R12及びR14は、それぞれ独立してチオール基SH基、チオール基を含有するC112アルキル基、SR30R30は、ベンジル基、4-メトキシベンジル基、4-メチルベンジル基、N-アセチルアミノメチル基、tert-ブチル基、トリチル基、2-ピリジンスルフェニル基又は3-ニトロ-2-ピリジンスルフェニル基を表す、又はCONHsX2を表し、ここで、sは0~20の整数であり、X2は、チオール基、チオール基を含有するC112アルキル基、SR30、及びチオール基、チオール基を含有するC112アルキル基又はSR30R30は前記と同様であるによって置換されたピリジル基、1-イミダゾリル基、ピペラジニル基、4-C16アルキル-ピペラジニル基、4-アミノC16アルキル-ピペラジニル基、ピロリジン-1-イル基、N-メチル-N-フェニルアミノ基及びピペリジニル基、並びにSStNH2、SSopNHR10、tNHCOuSH及びtNHCvSHからなる群から選択される少なくとも一つであり、ここで、R9、R10、o、p、tは前記と同様であり、uは0~15の整数であり、vは0~15の整数であり、m及びnは1又は2であり、a1及びa2はそれぞれ0~5000の整数であり、b1及びb2はそれぞれ0~5000の整数であり、かつa1a2b1b2は2~5000であり、/の表記は、各モノマー単位の配列順序が任意であることを表す。本明細書において、oは1~15の整数、好ましくは1~10の整数である。本明細書において、sは0~20の整数、好ましくは2~8の整数である。上記式において、好ましくは、R11及びR13がそれぞれ独立してCONHSNH2であり、R12及びR14がそれぞれ独立してチオール基、CONHSSStNH2、CONHSSH、CONHSNHCOuSH又はCONHSNHCvSHで示されるものが挙げられる。式中、R2は、水素原子、アセチル基、トリフルオロアセチル基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表し、R3は、それぞれ独立してメチレン基又はエチレン基を表し、R31及びR32は、それぞれ独立してメチレン基又はエチレン基を表し、R33及びR34は、それぞれ独立して単結合又はメチレン基若しくはエチレン基を表し、R41及びR42は、それぞれ独立してベンジルオキシカルボニル基、チオール基、チオール基を含有するC112アルキル基、SR30R30は、ベンジル基、4-メトキシベンジル基、4-メチルベンジル基、N-アセチルアミノメチル基、tert-ブチル基、トリチル基、2-ピリジンスルフェニル基又は3-ニトロ-2-ピリジンスルフェニル基を表す、又はCONHsX3を表し、ここで、sは0~20の整数であり、X3は、チオール基、チオール基を含有するC112アルキル基又はSR30R30は前記と同様であるであり、c1及びc2はそれぞれ0~5000の整数であり、d1及びd2はそれぞれ0~5000の整数であり、かつc1c2d1d2は2~5000であり、/の表記は、各モノマー単位の配列順序が任意であることを表す。上記式において、R2が水素原子であり、R3がメチレン基であり、R31、R32、R33及びR34がメチレン基であり、R41及びR42がチオール基又はCONHSSH又はで示されるものを例示することができる。式中、R2は、水素原子、アセチル基、トリフルオロアセチル基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表し、R11及びR13は、それぞれ独立して3NH2又はCONHsX1を表し、ここで、sは0~20の整数であり、X1は、NH2、ピリジル基、モルホリル基、1-イミダゾリル基、ピペラジニル基、4-C16アルキル-ピペラジニル基、4-アミノC16アルキル-ピペラジニル基、ピロリジン-1-イル基、N-メチル-N-フェニルアミノ基、ピペリジニル基、グアニジノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、tNH2及びopNHR10からなる群から選択される少なくとも一つであり、ここで、R9は水素原子又はメチル基を表し、R10は、水素原子、アセチル基、トリフルオロアセチル基、ベンジルオキシカルボニル基、CNH2、又はtert-ブトキシカルボニル基を表し、oは1~15の整数であり、pは1~5の整数であり、tは0~15の整数であり、R12及びR14は、それぞれ独立してチオール基、チオール基を含有するC112アルキル基、SR30R30は、ベンジル基、4-メトキシベンジル基、4-メチルベンジル基、N-アセチルアミノメチル基、tert-ブチル基、トリチル基、2-ピリジンスルフェニル基又は3-ニトロ-2-ピリジンスルフェニル基を表す、又はCONHsX2を表し、ここで、sは0~20の整数であり、X2は、チオール基、チオール基を含有するC112アルキル基、SR30、及びチオール基、チオール基を含有するC112アルキル基又はSR30R30は前記と同様であるによって置換されたピリジル基、1-イミダゾリル基、ピペラジニル基、4-C16アルキル-ピペラジニル基、4-アミノC16アルキル-ピペラジニル基、ピロリジン-1-イル基、N-メチル-N-フェニルアミノ基及びピペリジニル基、並びにSStNH2、SSopNHR10、tNHCOuSH及びtNHCvSHからなる群から選択される少なくとも一つであり、ここで、R9、R10、o、p、tは前記と同様であり、uは0~15の整数であり、vは0~15の整数であり、m及びnは1又は2であり、R4は、水素原子又は置換されていてもよい直鎖若しくは分岐鎖のC112アルキル基を表し、R5は、gNHを表し、かつgは0~5であり、R6及びR7は、それぞれR4及びR5と同様であり、R8は、直鎖又は分岐鎖のC112アルキル基を表し、a1及びa2はそれぞれ0~5000の整数であり、b1及びb2はそれぞれ0~5000の整数であり、かつa1a2b1b2は2~5000であり、eは5~2500の整数であり、fは5~2500の整数であり、/の表記は、各モノマー単位の配列順序が任意であることを表す。さらに、上記式又はにおいては、R11及びR13がそれぞれ独立してCONHSNH2であり、R12及びR14がそれぞれ独立してチオール基、CONHSSStNH2、CONHSSH、CONHSNHCOuSH又はCONHSNHCvSHであり、R2が水素原子であり、R4がメチル基であり、a1及びa2が0~200の整数であり、b1及びb2が0~200の整数であり、かつa1a2b1b2が10~200であり、eが10~300の整数であり、fが10~300の整数であるものが好ましい。本発明において、ブロック共重合体IIとしては、下記式又はで示されるものを例示することができる。式中、R2は、水素原子、アセチル基、トリフルオロアセチル基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表し、R3は、それぞれ独立してメチレン基又はエチレン基を表し、R31及びR32は、それぞれ独立してメチレン基又はエチレン基を表し、R33及びR34は、それぞれ独立して単結合又はメチレン基若しくはエチレン基を表し、R41及びR42は、それぞれ独立してベンジルオキシカルボニル基、チオール基、チオール基を含有するC112アルキル基、SR30R30は、ベンジル基、4-メトキシベンジル基、4-メチルベンジル基、N-アセチルアミノメチル基、tert-ブチル基、トリチル基、2-ピリジンスルフェニル基又は3-ニトロ-2-ピリジンスルフェニル基を表す、又はCONHsX3を表し、ここで、sは0~20の整数であり、X3は、チオール基、チオール基を含有するC112アルキル基又はSR30R30は前記と同様であるであり、R4は、水素原子又は置換されていてもよい直鎖若しくは分岐鎖のC112アルキル基を表し、R5は、gNHを表し、かつgは0~5の整数であり、R6及びR7はそれぞれR4及びR5と同様であり、R8は直鎖又は分岐鎖のC112アルキル基を表し、c1及びc2はそれぞれ0~5000の整数であり、d1及びd2はそれぞれ0~5000の整数であり、かつc1c2d1d2は2~5000であり、i及びjはそれぞれ5~2500の整数であり、/の表記は、各モノマー単位の配列順序が任意であることを表す。上記式又はにおいて、R2が水素原子を表し、R3がメチレン基を表し、R31、R32、R33及びR34がメチレン基を表し、R4がメチル基を表し、R6がメチル基を表し、R8がCH2を表し、c1及びc2がそれぞれ0~200の整数であり、d1及びd2がそれぞれ0~200の整数であり、かつc1c2d1d2が10~200であり、iが10~300の整数であり、jが10~300の整数であるものが好ましい。さらに、上記式又はにおいて、R2が水素原子を表し、R3がメチレン基を表し、R31、R32、R33及びR34がメチレン基を表し、R41及びR42がチオール基を表し、R4がメチル基を表し、R6がメチル基を表し、R8がCH2を表し、c1及びc2がそれぞれ0~200の整数であり、d1及びd2がそれぞれ0~200の整数であり、かつc1c2d1d2が10~200であり、iが10~300の整数であり、jが10~300の整数であるものがより好ましいさらに、本発明においては、ブロック共重合体Iが前記式で示されるものであり、ブロック共重合体IIが前記式で示されるものが挙げられる。本発明の一態様において、ベシクルは、化合物を内包するものである。本発明により、静電結合型ベシクルが提供される。本発明のベシクルは、荷電性セグメント部分にチオール基やジスルフィド基が導入されており、膜の内側及び外側が親水性であり、膜内の中空部に薬物等を封入することができるとともに、カチオン性セグメントとアニオン性セグメントとの結合を調整することができる。さらに、形成された静電結合性膜がチオール基間のジスルフィド形成に基づく自発的架橋形成や、ジスルフィド結合の還元性環境、酸化性環境、あるいはラジカルが発生しうるような環境への応答性に基づき、ベシクルの崩壊誘起や徐放性の制御が可能である。従って、本発明のベシクルは、ドラッグデリバリーシステムDDSに利用できる点で極めて有用である。以下、本発明を詳細に説明する。1.概要本発明者らは、正に荷電したセグメント及び負に荷電したセグメントを含む二つの重合体を用い、さらにこれらのセグメントを架橋することにより、構造安定性、環境応答性に優れた新規ベシクルを得られるとの知見を得た。また、本発明者らは、上記二つの重合体を水性溶液中で混合することにより、簡易に新規ベシクルを製造しうるとの知見を得た。本発明はこれら知見に基づいて完成されたものである。本発明のベシクルは、その製造において有機溶媒を用いる必要がなく、バイオマテリアルの分野やDDSにおいて有利に利用することができる。また、本発明のベシクルは、膜の内側に空間中央空隙を有しており、大量の化合物等の物質を封入することができ、従って、生体内物質及び薬物の輸送キャリアーや、中央空隙を酵素の反応場とするリアクター微粒子等として有利に利用することができる。さらに、本発明のベシクルは、生理食塩水や血清の存在下でその構造を安定に保持することができ、その膜には半透性等の多様な機能を付与することが可能である。さらに、本発明のベシクルは、荷電性セグメント同士がジスルフィド結合等により架橋されており、還元条件下に曝すことにより結合を解除することができる。従って、本発明のベシクルは構造安定性や環境応答性に優れたバイオマテリアル又は薬物送達システムとして有利に利用することができる。本明細書において、ベシクルとは、内部に空隙を有し、膜により閉鎖された基本構造体を意味する。本明細書において、特に断らない限り、基または基の一部としてのアルキルまたはアルコキシという語は、基が直鎖状、分枝鎖状、または環状のアルキルまたはアルコキシを意味する。また、例えばC112アルキル基という場合のC112とは、該アルキル基の炭素数が1~12個であることを意味する。本発明において、C112アルキル基は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、デシル基、ウンデシル基等が挙げられる。C16アルキル基は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基等が挙げられる。本明細書において、特に断らない限り、アリールとは、フェニル、ナフチル、アンスニルまたはピレニル等を意味する。本明細書において、ハロゲン原子とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子を意味する。本明細書において、アルキル基が置換されていてもよいとは、アルキル基上の1またはそれ以上の水素原子が1またはそれ以上の置換基同一または異なっていてもよいにより置換されていてもよいことを意味する。置換基の最大数はアルキル上の置換可能な水素原子の数に依存して決定できることは当業者に明らかである。アルキル基以外の基についても、置換されていてもよいは上記と同様に解釈される。ここで置換基は、ハロゲン原子、アリール基、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、シアノ基、ホルミル基、ジメチルアセタール化ホルミル基、ジエチルアセタール化ホルミル基、C16アルコキシカルボニル基、C27アシルアミド基、トリC16アルキルシロキシ基ここで、C16アルキルは同一であっても異なっていてもよい、シロキシ基及びシリルアミノ基からなる群から選択されるものである。2.ベシクル本発明のベシクルは、水溶性でありかつ荷電した重合体の相互作用により形成される膜を含むことを一つの特徴とする。本発明のベシクルは、以下の第一の重合体と第二の重合体とにより形成された膜但しととの組み合わせを除くを有する。この膜は、前記重合体中のカチオン性セグメント及びアニオン性セグメントの一部が架橋されたものである。第一の重合体:非荷電親水性セグメントとカチオン性セグメントとを有するブロック共重合体Iカチオン性セグメントを有するアミノ酸重合体I第二の重合体:非荷電親水性セグメントとアニオン性セグメントとを有するブロック共重合体IIアニオン性セグメントを有するアミノ酸重合体II但し、本発明の膜の外側及び内側は親水性であることが好ましく、上記及びのアミノ酸重合体同士の組み合わせは除く。図1は、一つの態様として、本発明のベシクルの構造及びその形成されるメカニズムを示した模式図である。図1においては、便宜上、第一及び第二の重合体は、いずれも非荷電親水性セグメントと荷電性セグメントとのブロック共重合体上記ととの組み合わせを例として説明する。図1Aにおいて、第一のブロック共重合体101は、非荷電親水性セグメント102と、正に荷電した荷電性セグメントカチオン性セグメント103とを有し、他方、第二のブロック共重合体201は、非荷電親水性セグメント202と、負に荷電した荷電性セグメントアニオン性セグメント203とを有する。そして、第一のブロック共重合体101と第二のブロック共重合体201とは、電荷の相互作用が生じ得る系に置かれると自己集合し、図1Bに示される通り、荷電性セグメント103及び203からなるイオンコンプレックスの中間層20と、非荷電親水性セグメント102及び202からなる二つの親水性層外層31及び内層32とが形成され、この構造体を膜とするベシクルを生じる。なお、図1Bは、図1Cの枠内を模式的に拡大して示した図である。そして、荷電性セグメントの側鎖にはチオール基等がついており、例えば酸化条件下でジスルフィド結合を形成することができる図1。酸化条件としては、空気酸化の他、酸化剤としてヨウ素、過酸化水素、過マンガン酸カリウム、硫酸銅、二酸化鉛、Fe3錯体、NO、N2O4、NO2等の窒素酸化物、ジメチルスルホキシド等を用いる一般的な方法が挙げられる。上述の通り、本発明のベシクルは、荷電性セグメント間の静電相互作用及びジスルフィド結合等の架橋を主な駆動力として形成されるものである。従って、イオン強度や生体内のpH変化や酸化還元反応によってベシクルの形成、解離や膜の物質透過性を制御することが可能であり、その結果、本発明のベシクルは優れた環境応答性を発揮することができる。また、図1Cに示す通り、ベシクルの膜は、外層31、中間層20、及び内層32からなる三層構造を有する。また、本発明のベシクルは、非荷電親水性セグメントから構成される内層を有することから、その中央空隙には水性媒体を含めることができる。本発明のベシクルの形態は、通常は球状である。また、本発明のベシクルの粒径は、中空構造を取る限り特に限定されないが、好ましくは10μm以下であり、より好ましくは50nm~1μmである。本発明のベシクルは、中間層においてポリイオンコンプレックスPICを形成した小胞体である。従って、本発明のベシクルをPICsomeと呼ぶこともある。3.セグメント以下、本発明のベシクルを構成するセグメントについて説明する。1荷電性セグメント第一の重合体に含まれる荷電性セグメントと、第二の重合体に含まれる荷電性セグメントとは、互いに反対の電荷に荷電することができ、本発明においては、第一の重合体に含まれる荷電性セグメントはカチオン性セグメントであり、第二の重合体に含まれる荷電性セグメントはアニオン性セグメントである。また、本発明において、カチオン性セグメントとしてポリアミンを用いる場合、ポリアミンに酸付加して陽性に荷電させることができる。付加する酸の種類は、ベシクルの用法等に従って適宜決定される。本発明の好ましい態様によれば、第一の重合体のカチオン性セグメントは、下記式で示されるものである。上記式において、R2は、水素原子、アセチル基、トリフルオロアセチル基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。また、R11及びR13は、それぞれ独立して3NH2又はCONHsX1を表し、ここで、sは0~20の整数であり、X1は、NH2、ピリジル基、モルホリル基、1-イミダゾリル基、ピペラジニル基、4-C16アルキル-ピペラジニル基、4-アミノC16アルキル-ピペラジニル基、ピロリジン-1-イル基、N-メチル-N-フェニルアミノ基、ピペリジニル基、グアニジノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、tNH2及びopNHR10からなる群から選択される少なくとも一つであり、ここで、R9は水素原子又はメチル基を表し、R10は、水素原子、アセチル基、トリフルオロアセチル基、ベンジルオキシカルボニル基、CNH2、又はtert-ブトキシカルボニル基を表し、oは1~15の整数であり、pは1~5の整数であり、tは0~15の整数である。R12及びR14は、それぞれ独立してチオール基、チオール基を含有するC112アルキル基、SR30R30は、ベンジル基、4-メトキシベンジル基、4-メチルベンジル基、N-アセチルアミノメチル基、tert-ブチル基、トリチル基、2-ピリジンスルフェニル基又は3-ニトロ-2-ピリジンスルフェニル基を表す、又はCONHsX2を表し、ここで、sは0~20の整数であり、X2は、チオール基、チオール基を含有するC112アルキル基、SR30、及びチオール基、チオール基を含有するC112アルキル基又はSR30R30は前記と同様であるによって置換されたピリジル基、1-イミダゾリル基、ピペラジニル基、4-C16アルキル-ピペラジニル基、4-アミノC16アルキル-ピペラジニル基、ピロリジン-1-イル基、N-メチル-N-フェニルアミノ基及びピペリジニル基、並びにSStNH2、SSopNHR10、tNHCOuSH及びtNHCvSHからなる群から選択される少なくとも一つであり、ここで、R9、R10、o、p、tは前記と同様であり、uは0~15の整数であり、vは0~15の整数であり、m及びnは1又は2である。チオール基を含有するC112アルキル基としては、例えばメルカプトメチル基、2-メルカプトエチル基、3-メルカプトプロピル基、3-メルカプトブチル基、4-メルカプトブチル基、6-メルカプトヘキシル基、3-メルカプトヘキシル基、8-メルカプトオクチル基、12-メルカプトドデシル基等が挙げられる。a1及びa2はそれぞれ0~5000の整数であり、b1及びb2はそれぞれ0~5000の整数であり、かつa1a2b1b2は2~5000である。また、/の表記は、各モノマー単位の配列順序が任意であることを表す。ここで、チオール基は保護基により保護されていてもよい。R30はチオール基の保護基であり、例えばベンジル基、4-メトキシベンジル基、4-メチルベンジル基、N-アセチルアミノメチル基、tert-ブチル基、トリチル基、2-ピリジンスルフェニル基又は3-ニトロ-2-ピリジンスルフェニル基等が挙げられる。上記式において、R11及びR13がCONHsX1を表す場合、X1は、荷電性セグメントの繰り返し単位ごとに、同一の官能基であってもよく、または異なる官能基であってもよい。さらに、本発明のより好ましい態様によれば、上記式において、R11及びR13がそれぞれ独立してCONHSNH2であり、R12及びR14がそれぞれ独立してチオール基、CONHSSStNH2、CONHSSH、CONHSNHCOuSH又はCONHSNHCvSHであり、R2が水素原子であり、a1及びa2がそれぞれ0~200の整数であり、b1及びb2が0~200の整数であり、かつa1a2b1b2が10~200である。ここで、カチオン性セグメントとアニオン性セグメントとの間でジスルフィド結合等を含む架橋構造を形成するためには、カチオン性セグメント及びアニオン性セグメントにチオール基又はチオール基がスルフェニル化された基等が含まれているか、あるいはカチオン性セグメントにジスルフィド結合が含まれていることが必要である。従って、上記の態様により架橋する場合は、式においてa2及びb2の少なくとも一方は0ではないことが好ましい。両セグメントを架橋するためにリンカーを使用することもできる。両セグメントを架橋するためのリンカー部分の種類は特に限定されるものではなく、リンカーの両端でジスルフィド結合が形成され、粒子が安定化されればよい。リンカーを導入するための架橋剤としてはアルキルジチオール、チオスルフィネート例えば、12dithianet4t5diolr1oxide及びアルキルジチオールより合成したスルフェニル化剤等が挙げられる。他方、上記の態様により架橋する場合は適切な縮合剤存在下において、カチオン性セグメントの側鎖の末端のアミノ基と、アニオン性セグメントの側鎖の末端のカルボキシル基との間にアミド結合が形成されて両セグメントを架橋することが可能である。架橋剤を使用する場合、架橋剤の種類は制限されず、ベシクルの用途や第一の重合体及び第二の重合体の種類、他の膜成分の種類等に応じて適宜選択することができるが、効率的に架橋を行うとともに、物質内包ベシクルの安定性を高める観点からは、第一の重合体及び第二の重合体の荷電性セグメントが有する荷電性基例えばアミノ基等のカチオン基やカルボキシル基等のアニオン基と反応し、被内包物質とは反応しない架橋剤が好ましい。架橋剤の具体例としては、アミノ基を架橋する架橋剤例えば、グルタルアルデヒド、スベリンイミド酸ジメチルニ塩酸塩dimethylsuberimidatedihydrochloride:DMS、3,3’-ジチオビスプロピオンイミド酸ジメチルdimethyl33dithiobispropionimidate:DTBP、アミノ基とカルボキシル基を縮合することで架橋する架橋剤例えば、1-エチル-3-3-ジメチルアミノプロピルカルボジイミド1ethyl3carbodiimide:EDC等、リン酸基を架橋する架橋剤例えばカルシウムイオン等の金属イオン等が挙げられるが、グルタルアルデヒド、EDC等が好ましく、EDCが特に好ましい。また、1種の架橋剤を単独で使用してもよいが、2種以上の架橋剤を任意の組み合わせ及び比率で使用してもよい。架橋剤を使用する場合、その量は架橋剤の性質又は架橋する基の性質等に依存して当業者であれば適宜設定することができる。例えば、アミノ基とカルボキシル基を縮合することで架橋する架橋剤の場合は、カルボキシル基またはアミノ基に対して0.05~20当量、好ましくは0.1~20当量、例えば、0.1、0.5、1.0、5.0、又は10当量用いることができる。また、チオスルフィネート等を用いて架橋する場合は、カルボキシル基側またはアミノ基側のチオール基に対し0.05~20当量、好ましくは0.1~10当量用いることができる。本発明において、第一の重合体がカチオン性セグメントを有するアミノ酸重合体Iを形成するときは、カチオン性セグメントは上記式で表すことができ、そのR2の反対側の片末端はNHk1CH3、NHk1CCH等が挙げられ、NH3CH3が好ましい。本発明の一つの態様において、上記アミノ酸重合体Iは、カチオン性セグメントからなるものである。また、本発明の好ましい態様によれば、第二の重合体のアニオン性セグメントは、下記式で示されるものである。上記式において、R2は、水素原子、アセチル基、トリフルオロアセチル基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表し、R3は、それぞれ独立してメチレン基又はエチレン基を表す。また、R31及びR32は、それぞれ独立してメチレン基又はエチレン基を表し、R33及びR34は、それぞれ独立して単結合又はメチレン基若しくはエチレン基を表す。R41及びR42は、それぞれ独立してベンジルオキシカルボニル基、チオール基、チオール基を含有するC112アルキル基、SR30R30は、ベンジル基、4-メトキシベンジル基、4-メチルベンジル基、N-アセチルアミノメチル基、tert-ブチル基、トリチル基、2-ピリジンスルフェニル基又は3-ニトロ-2-ピリジンスルフェニル基を表す、又はCONHsX3を表し、ここで、sは0~20の整数であり、X3は、チオール基、チオール基を含有するC112アルキル基又はSR30R30は前記と同様であるである。c1及びc2はそれぞれ0~5000の整数であり、d1及びd2はそれぞれ0~5000の整数であり、かつc1c2d1d2は2~5000であり、/の表記は、各モノマー単位の配列順序が任意であることを表す。上記式において、R3は、荷電性セグメントの繰り返し単位ごとに、同一の官能基であってもよく、又は異なる官能基であってもよい。さらに、本発明のより好ましい態様によれば、上記式において、R2が水素原子を表し、R3がメチレン基を表し、R31、R32、R33及びR34がメチレン基を表し、R41及びR42がチオール基又はCONHSSHであり、c1及びc2が0~200の整数であり、d1及びd2が0~200の整数であり、かつc1c2d1d2が10~200である。また、前述の通り、カチオン性セグメント及びアニオン性セグメントにチオール基又はチオール基がスルフェニル化された基等を導入すると、両セグメント間でジスルフィド結合を形成することができる。従って、カチオン性セグメントにチオール基又はチオール基がスルフェニル化された基等を導入する場合、アニオン性セグメントとの間でジスルフィド結合を形成するようにすることが好ましい。従って、このような場合は、アニオン性セグメントの側鎖にチオール基を導入するため、式において、c2及びd2の少なくとも一方は0ではないことが好ましく、c1及びd1の少なくとも一方並びにc2及びd2の少なくとも一方は0ではないことがより好ましい。また、前述の通り、カチオン性セグメントの側鎖にジスルフィド結合が含まれていれば、式においてc2及びd2の両者は0でもよい。そして、カチオン性セグメントの側鎖の末端のアミノ基と、アニオン性セグメントの側鎖の末端のカルボキシル基との間でアミド結合が形成されて両セグメントが架橋される。架橋剤の種類及び組合せは前記と同様である。本発明において、第二の重合体がアニオン性セグメントを有するアミノ酸重合体IIを形成するときは、アニオン性セグメントは上記式で表すことができ、そのR2の反対側の片末端はNHw1CH3、NHw1CCH等が挙げられ、NH3CH3が好ましい。本発明の一つの態様において、上記アミノ酸重合体IIは、アニオン性セグメントからなるものである。2非荷電親水性セグメント非荷電親水性セグメントは、非荷電かつ親水性の性質を有するポリマーセグメントである。ここで非荷電とは、セグメントが全体として中性であることをいう。例としてはセグメントが正負の電荷を有さない場合が挙げられる。また、セグメントが正負の荷電を分子内に有する場合であっても、局所的な実効電荷密度が高くなく、自己組織化によるベシクルの形成を妨げない程度にセグメント全体の荷電が中和されていれば、やはり非荷電に該当する。また、親水性とは水性媒体に対して溶解性を示すことをいう。ブロック共重合体に含まれる非荷電親水性セグメントとしては、例えば、ポリエチレングリコールをはじめとするポリアルキレングリコール、あるいは、ポリ2-メチル-2-オキサゾリン、ポリ2-エチル-2-オキサゾリン、ポリ2-ノルマルプロピル-2-オキサゾリン、ポリ2-イソプロピル-2-オキサゾリン等のポリ2-オキサゾリンが挙げられ、さらに、ポリサッカライド、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリルアミド、ポリメタクリルアミド、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、ポリ2-メタクロイルオキシエチルホスホリルコリン、等電点が7付近のペプチド、タンパク質、及びそれらの誘導体等が挙げられる。上記の非荷電親水性セグメントを含むことにより、ブロック共重合体は、水性溶液中で会合、沈殿することなく安定に存在し、効率的にベシクルを構築することができる。さらに、上記の非荷電親水性セグメントを含むブロック共重合体によって構築されることにより、ベシクルは水性溶液中で安定した構造を保持することができる。そして、本発明の好ましい態様によれば、第一及び第二の重合体の非荷電親水性セグメントは、ポリエチレングリコール及び/又はポリ2-イソプロピル-2-オキサゾリンであり、好ましくはポリエチレングリコールである。非荷電親水性セグメントとしてポリエチレングリコールを用いることは、ベシクルに生体適合性を付与する上で有利である。そして、非荷電親水性セグメントとしてポリエチレングリコールを用いる場合、ポリエチレングリコールの分子量は、好ましくは500~15000であり、より好ましくは1000~5000である。ブロック共重合体に上記の分子量を有する非荷電親水性セグメントを用いることは、ミセルを形成するよりも優先的にベシクルを形成させる上で有利である。4.ブロック共重合体1カチオン性セグメントを有するブロック共重合体I本発明の好ましい態様によれば、カチオン性セグメントを有するブロック共重合体Iは、下記式又はで表されるものである。式中、R2は、水素原子、アセチル基、トリフルオロアセチル基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表し、R11及びR13は、それぞれ独立して3NH2又はCONHsX1を表し、ここで、sは0~20の整数であり、X1は、NH2、ピリジル基、モルホリル基、1-イミダゾリル基、ピペラジニル基、4-C16アルキル-ピペラジニル基、4-アミノC16アルキル-ピペラジニル基、ピロリジン-1-イル基、N-メチル-N-フェニルアミノ基、ピペリジニル基、グアニジノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、tNH2及びopNHR10からなる群から選択される少なくとも一つであり、ここで、R9は水素原子又はメチル基を表し、R10は、水素原子、アセチル基、トリフルオロアセチル基、ベンジルオキシカルボニル基、CNH2、又はtert-ブトキシカルボニル基を表し、oは1~15の整数であり、pは1~5の整数であり、tは0~15の整数である。R12及びR14は、それぞれ独立してチオール基、チオール基を含有するC112アルキル基、SR30R30は、ベンジル基、4-メトキシベンジル基、4-メチルベンジル基、N-アセチルアミノメチル基、tert-ブチル基、トリチル基、2-ピリジンスルフェニル基又は3-ニトロ-2-ピリジンスルフェニル基を表す、又はCONHsX2を表し、ここで、sは0~20の整数であり、X2は、チオール基、チオール基を含有するC112アルキル基、SR30、及びチオール基、チオール基を含有するC112アルキル基又はSR30R30は前記と同様であるによって置換されたピリジル基、1-イミダゾリル基、ピペラジニル基、4-C16アルキル-ピペラジニル基、4-アミノC16アルキル-ピペラジニル基、ピロリジン-1-イル基、N-メチル-N-フェニルアミノ基及びピペリジニル基、並びにSStNH2、SSopNHR10、tNHCOuSH及びtNHCvSHからなる群から選択される少なくとも一つであり、ここで、R9、R10、o、p、tは前記と同様であり、uは0~15の整数であり、vは0~15の整数であり、m及びnは1又は2であり、R4は、水素原子又は置換されていてもよい直鎖若しくは分岐鎖のC112アルキル基を表し、R5は、gNHを表し、かつgは0~5であり、R6及びR7は、それぞれR4及びR5と同様であり、R8は、直鎖又は分岐鎖のC112アルキル基を表し、a1及びa2はそれぞれ0~5000の整数であり、b1及びb2はそれぞれ0~5000の整数であり、かつa1a2b1b2は2~5000であり、eは5~2500の整数であり、fは5~2500の整数であり、/の表記は、各モノマー単位の配列順序が任意であることを表す。上記式及びにおいて、R11及びR13がCONHsX1を表す場合、X1は、ブロック共重合体の繰り返し単位ごとに、同一の官能基であってもよく、または異なる官能基であってもよい。また、本発明のより好ましい態様によれば、上記式及びにおいて、R11及びR13がそれぞれ独立してCONHSNH2であり、R12及びR14がそれぞれ独立してチオール基、CONHSSStNH2、CONHSSH、CONHSNHCOuSH又はCONHSNHCvSHであり、R2が水素原子であり、R4がメチル基であり、a1及びa2が0~200の整数であり、b1及びb2が0~200の整数であり、かつa1a2b1b2が10~200であり、eが10~300の整数であり、fが10~300の整数である。2アニオン性セグメントを有するブロック共重合体IIまた、本発明の好ましい態様によれば、アニオン性セグメントを有するブロック共重合体IIは、下記式又はで表されるものである。式中、R2は、水素原子、アセチル基、トリフルオロアセチル基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表し、R3は、それぞれ独立してメチレン基又はエチレン基を表し、R31及びR32は、それぞれ独立してメチレン基又はエチレン基を表し、R33及びR34は、それぞれ独立して単結合又はメチレン基若しくはエチレン基を表し、R41及びR42は、それぞれ独立してベンジルオキシカルボニル基、チオール基、チオール基を含有するC112アルキル基、SR30R30は、ベンジル基、4-メトキシベンジル基、4-メチルベンジル基、N-アセチルアミノメチル基、tert-ブチル基、トリチル基、2-ピリジンスルフェニル基又は3-ニトロ-2-ピリジンスルフェニル基を表す、又はCONHsX3を表し、ここで、sは0~20の整数であり、X3は、チオール基、チオール基を含有するC112アルキル基又はSR30R30は前記と同様であるであり、R4は、水素原子又は置換されていてもよい直鎖若しくは分岐鎖のC112アルキル基を表し、R5は、gNHを表し、かつgは0~5の整数であり、R6及びR7はそれぞれR4及びR5と同様であり、R8は直鎖又は分岐鎖のC112アルキル基を表し、c1及びc2はそれぞれ0~5000の整数であり、d1及びd2はそれぞれ0~5000の整数であり、かつc1c2d1d2は2~5000であり、i及びjはそれぞれ5~2500の整数であり、/の表記は、各モノマー単位の配列順序が任意であることを表す。上記式及びにおいて、R3は、ブロック共重合体の繰り返し単位ごとに、同一の官能基であってもよく、または異なる官能基であってもよい。また、本発明の別のより好ましい態様によれば、上記式及びにおいて、R2が水素原子であり、R3がメチレン基であり、R31、R32、R33及びR34がメチレン基であり、R4がメチル基であり、R6がメチル基であり、R8がCH2であり、c1及びc2がそれぞれ0~200の整数であり、d1及びd2がそれぞれ0~200の整数であり、かつc1c2d1d2が10~200であり、iが10~300の整数であり、jが10~300の整数である。また、本発明の別のより好ましい態様によれば、上記式及びにおいて、R2が水素原子であり、R3がメチレン基であり、R31、R32、R33及びR34がメチレン基であり、R41及びR42がチオール基を表し、R4がメチル基であり、R6がメチル基であり、R8がCH2であり、c1及びc2がそれぞれ0~200の整数であり、d1及びd2がそれぞれ0~200の整数であり、かつc1c2d1d2が10~200であり、iが10~300の整数であり、jが10~300の整数である。5.ベシクルの製造本発明のベシクルは、その中央空隙に化合物等の物質を内包することができる。本発明によるベシクルはまた、その膜に化合物等の物質を挿入することができる。上記物質は、ベシクルの用途及びその性質に応じて適宜選択することができるが、例えば、薬物、タンパク質、蛍光色素、核酸、微粒子等が挙げられる。本発明のベシクルは、荷電性セグメント間の静電相互作用及び架橋を利用して形成されることから、第一の重合体Iと第二の重合体IIとを、水性溶液中で混合することにより、簡易に製造することができる。さらに、本発明の製造方法によれば、有機溶媒を用いなくともベシクルを製造することができることから、バイオマテリアルの分野やDDSにおいて有利に利用することができる。また、第一の荷電性セグメントと第二の荷電性セグメントとの比率カチオン性セグメントとアニオン性セグメントとの比率、及び、非荷電親水性セグメントと荷電性セグメントとの比率も任意であるが、第一の重合体と第二の重合体との自己組織化を促し、均質なベシクルを効率的に製造する観点からは、以下の基準で選択することが好ましい。まず、カチオン性セグメントとアニオン性セグメントとの比率については、下記式iに規定するC/A比が、通常03、好ましくは05以上、より好ましくは06以上、また、通常30未満、好ましくは20以下、より好ましくは17以下となるように調整することが望ましい。ここで、第一及び第二の重合体中におけるカチオン基及びアニオン基のモル数は、カチオン性セグメント及びアニオン性セグメントの構造に依存する値であるが、一般的な電位差酸塩基滴定により求めることが可能である。本発明の製造にあっては、まず、第一の重合体Iを含む第一の水性溶液と、第二の重合体IIを含む第二の水性溶液とを用意する。ここで、第一及び第二の水性溶液は、所望により濾過して精製してもよい。上記第一の水性溶液における第一の重合体Iの総電荷数と、第二の水性溶液における第二の重合体IIの総電荷数との比率は、好ましくは5:1~1:5、より好ましくは約1:1である。重合体がブロック共重合体の場合、ブロック共重合体における総電荷数は、ブロック共重合体中の荷電性セグメントを構成する繰り返し単位の数及びその繰り返し単位が有する電荷数等に応じて当業者により適宜決定される。上記の比率にて2つの重合体を用いることは、均質なベシクルを効率的に製造する上で有利である。また、第一の水性溶液における第一の重合体I、及び第二の水性溶液における第二の重合体IIの濃度は、上記の重合体間の総電荷数の比率及び重合体の水性溶液への溶解度、作製したいベシクルのサイズ、ベシクルの形成効率等を勘案して適宜決定される。また、親水性セグメントを有する重合体は水溶性であることから、第一及び第二の水性溶液における溶媒は、好ましくは水、バッファーであり、より好ましくは10mMTrisHClバッファー、リン酸バッファー、HEPESバッファー等が挙げられる。また、第一及び第二の水性溶液におけるpHは、ベシクルの形成を妨げない範囲で適宜調整してよく、好ましくはpH5~pH9であり、より好ましくはpH約7である。pHの調整は、水性溶液における溶媒としてバッファーを用いることにより簡易に行うことができる。第一及び第二の水性溶液のpHを調整して用いることは、ブロック共重合体の荷電状態を保持し、効率的にベシクルを形成するために有利である。さらに、上記第一及び第二の水性溶液の温度は、重合体の溶媒に対する溶解度に応じて適宜決定されるが、好ましくは4~80°Cであり、より好ましくは15~50°Cである。さらに、上記第一及び第二の水性溶液におけるイオン強度は、ベシクルの形成を妨げない範囲で適宜調整してよく、好ましくは0~300mMであり、より好ましくは0~150mMである。次に、本発明においては、第一の水性溶液と第二の水性溶液とを混合する。混合方法は特に限定されず、第一の水性溶液に第二の水性溶液を加えてもよく、第二の水性溶液に第一の水性溶液を加えてもよい。また、容器に第一の水性溶液と第二の水性溶液とを同時に加えて混合してもよい。このようにして得られる、第一の水性溶液と第二の水性溶液との混合液は適宜攪拌してもよい。第一の水性溶液と第二の水性溶液とを混合する際の温度は、ベシクルの形成を妨げない範囲であれば特に限定されないが、重合体の温度に応じた溶解度を勘案して設定されることが好ましい。このような混合する際の温度としては、例えば15~50°Cである。そして、本発明の製造方法にあっては、上記混合液を静置することにより、混合溶液中にてベシクルを生成させる。混合後、形成されたベシクルをすぐに所望の用途に供してもよいが、系を平衡化させるために、混合液を静置する時間を設けてもよい。混合液を静置する時間は、ベシクルの形成効率等の条件によって異なるが、好ましくは50時間以下、より好ましくは30時間以下である。但し、前述のように架橋剤を用いない場合、形成されたベシクルの径が経時的に増大する傾向があるので、静置時間を設けないことが好ましい場合もある。混合液を静置する時間は、ベシクルの形成効率によって異なるが、例えば、ベシクルの生成系は粒子成長を伴う場合があるため、静置時間は短くてよい。その場合の静置時間は2~30分である。また、系の十分な平衡化を意図する場合は、30分以上であり、好ましくは30~50時間である。短時間の静置例えば2~30分と長時間の静置例えば30~50時間により、得られるベシクルのサイズを変えることができる。架橋剤を用いる場合、上記の第一及び第二の水性溶液の混合溶液に、当該架橋剤を加えて混合すればよい。架橋剤はそのまま混合に用いてもよいが、架橋剤を含有する水性溶液を調製し、これを混合してもよい。架橋剤の水性溶液の調製における水性溶媒、pH、温度、イオン強度等の調製条件は、第一及び第二の水性溶液について上述した条件と同様である。本発明においては、上記第一及び第二の重合体の量と縮合剤又は架橋剤の量との関係を適宜調節することにより、荷電性セグメント間における架橋割合を変化させ、架橋剤の添加量による架橋割合の調節、架橋剤の化学構造の調整による架橋後の膜の構造の制御等を行うことができる。例えば、架橋を密に施すことにより、膜の透過性を下げることが期待でき、ベシクルの安定性を上げる、あるいは、応答時間を延ばすことが期待できる。あるいは、長いアルキル鎖やオリゴエチレンオキシド鎖を有する架橋剤を用いることで、膜の疎水性や親水性、柔軟性を制御することが期待できる。また、本発明のベシクルに化合物等の物質を内包させる場合、例えば、ベシクル形成の間に、第一及び第二の重合体を含む混合液中に物質を添加することにより、ベシクル中に物質を内包させることができる。また、第一及び第二の水性溶液のいずれか一方または両方に予め物質を添加し、これらの混合溶液を調製することにより、ベシクル中に物質を内包させてもよい。従って、本発明の製造方法は、好ましくはベシクルに内包するための化合物等の物質を添加する工程を含む。物質をベシクルに内包させる際には、さらに、透析、希釈、濃縮、撹拌等の操作を適宜に付加することができる。また、物質をベシクルの膜に挿入する場合にも上記と同様の手法を用いることができる。本発明のベシクルを製造するのに好ましい重合体の例を図4に示す。以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明する。但し、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。ベシクルの製造1<材料>1Ethyl3carbodiimidehydrochlorideDithiothreitolNmethyl2pyrrolidoneは和光純薬工業株式会社大阪より購入した。15diaminopentaneは東京化成工業株式会社東京より購入した。22’DithiobisdihydrochlorideはSigmaより購入した。Cy3monoreactivedyepack,PD10脱塩カラムはGEヘルスケアより購入した。Cystaminefreebaseは抽出後に減圧下蒸留を行い、使用に供した。NMPは減圧下蒸留することにより使用に供した。アニオン性ブロック共重合体PEGpolyMnofPEG2000DPofP75or85、蛍光ラベル化アニオン性ブロック共重合体PEGPCy3、polyDPofP82は文献記載の方法AnrakuYetalJAmChemSoc201013216311636により合成した。<ジスルフィド側鎖を有するカチオン性アミノ酸重合体の合成>凍結乾燥したhomoPBLAを25mLのNMPに溶解し、続けてDAP及び22’Dithiobisを溶液に加え、5°Cにて1時間激しく撹拌した。反応混合物は0~5°Cにおいて20wt酢酸で中和し、分画分子量3500の透析膜を用い、001M塩酸に対して3日間、続いて純水に対して3日間の透析を行った。得られた溶液をろ過し、凍結乾燥することで、ジスルフィド含有ポリカチオンhomoPを得た。なお、homoPは、見かけ上ランダム共重合体であるが、homoPBLAを原料としているため、本明細書ではこのように表記する。他の重合体例えばhomoPも同様に表記する場合がある。サイズ排除クロマトグラフィーから、単峰性のピークを確認し、適切な反応の進行を確認した図2。DAPとCystの最終生成物への導入比は、仕込み比を11~120で調節することで行い、1HNMRスペクトルから、それぞれCyst含有率の異なるポリカチオン側鎖残基数に対し、20~75が合成可能であることが明らかになった。以降、得られたポリマーをhomoPnと表記する。図2及び3にCyst20含有ポリマーhomoP48の分析結果を示す。図2は、homoPのサイズ排除クロマトグラフィーSECの結果を示す図である。カラムは、Superdex20010300GLcolumnを用い、溶離液10mMリン酸バッファー500mMNaClpH74流速05mLmin25°Cで分析を行った。クロマトグラフィーは、日本分光製のシステムを用いた。図3は、1HNMRの測定結果を示す図である。図3では、DAPが38ユニット、Cystが10ユニット導入されたことが確認でき、カチオン性側鎖48量体に対し、約20Cystが導入されたことが確認され、図2の結果と合わせてCyst20含有ポリマーhomoP48として同定された。測定には、JNMAL300を用い、重水中80°Cで測定を行った。なお、図3中、共重合体中のm及びnは重合数m38n10を示す。<ジスルフィド含有ベシクルPICsomeの調製>PEGP85とhomoP48の10mMリン酸バッファー溶液をそれぞれ別途作製した本実施例においてポリマー濃度は、全て1mgmL。それぞれの溶液を、溶液中に含まれる荷電側鎖の比が等しくなるよう、即ち、COOとNH3の数が等しくなるように混合し、2分間撹拌しPICsomeを得た図4参照。図4は、PICsomeの調製スキームの概念図である。ホモポリカチオンとPEGポリアニオンを混合することにより、PICsomeを得ることができる。なお、図4a中、共重合体中のm及びnは重合数m45n75あるいは85を示す。図4b中、共重合体中のm及びnは重合数m38n10を示す。PICsomeの同定は、後述の透過型電子顕微鏡TEM観察と動的光散乱DLS測定により行った。得られたPICsomeのポリイオンコンプレックスPIC膜を架橋するためにEDC溶液10mgmLをCOO側鎖に対して10当量になるように加えた。比較例として、ジスルフィドを含有しないPICsomeをhomoPの代わりにhomoPを用いることで作製した。<TEM観察によるPICsomeの構造確認>上記のプロセスにより製造されたPICsomeの構造確認を透過型電子顕微鏡TEMにより行った。製造したPICsomeを架橋後にウラニル染色し、TEMグリッド状で乾燥後観察に供した。観察には、日立製透過型電子顕微鏡H7000を用いた。その結果、ジスルフィド含有PICsomeはユニラメラ型のベシクルであることが示唆された。図5は、得られたPICsomeのTEM観察写真酢酸ウラニル染色後、撮影である。ベシクル由来の中空構造に特徴的な像中空部位が乾燥によりへこむのに対応した見え方を確認した。:Cyst20PICsomehomoP48PEGP85:Cyst45PICsomehomoP45PEGP85<DLS測定によるPICsomeの塩安定性の確認>ジスルフィド含有PICsomeの生理条件下での安定性について評価を行うため、先に調製したCyst45PICsomeについて、150mMNaCl添加の粒子に与える影響を動的光散乱解析装置DLSによる粒径直径測定により評価した。その結果、適切なEDC架橋側鎖COOに対して1当量以上のEDC添加を施すことで、塩安定性が賦与されることを確認した図6。図6は、150mMNaCl添加の有無に対応したDLS測定の結果を示す図である。Cyst45PICsomeについて、架橋なし、架橋後10当量のEDC添加について測定を行ったが、架橋後はNaClを添加しても粒径に変化は見られなかった。<ジスルフィド含有PICsome無架橋型の還元剤に対する応答性のDLSによる評価>架橋を施さないCyst45PICsomeの還元剤に対する応答性を、DTT溶液添加後にDLS測定を行うことで評価した。DTTによる還元は、20mMDTT溶液をPICsome溶液全量に対して25量添加することで行った。ジスルフィドを含有するCyst45PICsomeと、ジスルフィドを含有しないCyst0PICsomehomoP82PEGP85を用いて比較検討を行った結果を図7に示す。図7は、10mMリン酸バッファー0mMNaClpH7425°C中におけるDLSの測定結果を示す図であり、20mMDTT添加前後における粒径及び多分散指数PDIの経時変化を示す。ControlCyst0PICsome45cystCyst45PICsomeCyst0PICsomeでは、DTT添加前後において粒径及びPDIに経時変化は見られなかったのに対し、Cyst45PICsomeでは、DTT添加後しばらくして急激な粒径及びPDIの増大が見られた。以上より、ジスルフィド含有PICsomeの還元環境への応答性が確認された。<ジスルフィド含有PICsome架橋型の還元剤に対する応答性のDLSによる評価>架橋を施したCyst45PICsomeの還元剤に対する応答性を、DTT溶液添加後にDLS測定を行うことで評価した。架橋は、EDC添加当量を01~50で変えた4種を用意した図8。DTT添加は、20mMDTT溶液をPICsome溶液全量に対して25量添加することで行った。図8は、10mMリン酸バッファー0mMNaClpH7425°C中におけるDLSの測定結果を示す図であり、20mMDTT添加後における粒径及びPDIの経時変化を示すEDC01:EDC01当量,EDC05:EDC05当量,EDC10:EDC10当量,EDC50:EDC50当量。50当量のEDCを添加した条件を除き、粒径及びPDIともにDTT添加後に何らかの影響を受けた。EDC50当量添加の場合のみ、DTT添加の影響を受けずに一定の粒径、PDIを示した。これより、本発明のベシクルは架橋状態に応じて、応答性が変化させられる材料であることが示唆された。<架橋型PICsomeの還元剤に対する応答性のFCSによる評価>架橋を施したCyst58PICsomeの還元剤に対する応答性を、DTT溶液添加後に蛍光相関分光法FCS測定を行うことで評価した。PEGP75の末端をCy3で蛍光ラベル化したPEGP75Cy3を用いて、蛍光ラベル化PICsomeを製造した。蛍光ラベル化Cyst58PICsome及び蛍光ラベル化Cyst0PICsomeにEDC5当量をそれぞれ添加して架橋した。DTTによる還元は、5mMDTT溶液をPICsome溶液全量に対して25量添加することで行った。FCS測定は、励起波長543nmで3回行った。図9は10mMリン酸バッファー150mMNaClpH7425°C中におけるFCS測定の結果を示す図であり、5mMDTT添加、あるいは添加しない条件における並進拡散時間の経時変化を示す。58cystCyst58PICsomeDTT58cystCyst58PICsomeNormal:Cyst0PICsomeDTTCyst0PICsomeでは、DTT添加の有無に関わらず、並進拡散時間に経時変化は見られなかったのに対し、Cyst58PICsomeでは、DTT添加のみ徐々に並進拡散時間の増大が見られた。以上より、本発明のベシクルは還元環境への応答性を示すことが示唆された。ベシクルの製造2<材料>2amino3propanoicacidOHはSigmaより購入した。トリホスゲン、トリブチルホスフィン、3Nitro2pyridinesulfenylchloride、2iminothiolane、Diisopropylethylamine、脱水THF、脱水DMF、脱水NMP、脱水CH2Cl2は和光純薬工業株式会社大阪より購入した。αmethoxyωaminopolyは日油株式会社東京より購入した。nButylamineは蒸留し、使用に供した。15diaminopentaneは東京化成工業株式会社東京より購入した。<保護システインカルボン酸無水物の合成>HCysOH4gをTHFに溶解し、2当量のトリホスゲンと50°Cで2時間反応させ、得られた溶液をヘキサンで沈殿させた。得られた沈殿物をCH2Cl2に溶解させ、ヘキサンで再結晶にて精製した。LCMSと1HNMRから、4-メトキシベンジルシステインN-カルボン酸無水物CysNCAが合成されていることを確認した。<保護チオール含有ブロック共重合体の合成>凍結乾燥を行い、水分を除去したPEGNH2100mgにDMFCH2Cl21:4の混合溶媒5mLを加え、PEGNH2溶液を得た。また、DMFCH2Cl21:4の混合溶媒5mlにCysNCA10当量を加えて得られた溶液を、シリンジを用いてPEGNH2溶液の入ったナスフラスコへ撹拌しながら加えた。溶液の入ったナスフラスコを35°Cで撹拌しながら1日間反応させた。別のナスフラスコに、上記のCysNCAと同様の方法で、βbenzylLaspartateを原料として合成したBLANCA790mg90当量、DMFCH2Cl21:4の混合溶媒25mLを加えて溶液を得た。この溶液を、シリンジを用いて上述の反応溶液中へ撹拌しながら加えた。35°Cで撹拌しながら2日間反応させた。所定時間後、反応溶液に5倍量程度のエーテルを加えて沈殿物を得た。この沈殿物をろ過し、エーテルで数回洗浄した後、ろ物を減圧下で乾燥させ、ブロック共重合体PEGPCysPBLAを得た。PEGPCysPBLAについて、1HNMR測定を行い、Mob基に由来する7及び78ppm付近のピーク及びPEGエチレン鎖ピークとのプロトン比から、PCysの重合数が約9、PBLAの重合数が約80と見積もられた。またサイズ排除クロマトグラフィーから、単峰性のピークを確認し、適切な反応の進行を確認した。原料の混合比率を変更することで、PCysの重合数が5~30、PBLAの重合数が30~150のブロック共重合体を合成することが可能である。<チオール含有ブロック共重合体の合成>合成したPEGPCysPBLA100mgに、CH2Cl210mL、NpysCl30mgを加え、室温で5時間反応させ、システインの保護基である4-メトキシベンジル基から、3Nitro2pyridinesulfenyl基への置換反応を行った。続いて、反応溶液にトリブチルホスフィン200μlを加え、10分間室温で反応させた。得られた反応溶液に5倍量程度のエーテルを加えて沈殿物を得た。この沈殿物をろ過し、エーテルで数回洗浄した後、ろ物を減圧下で乾燥し、チオール含有ブロック共重合体PEGPCysPBLAを得た。得られた生成物は1HNMR測定を行い、Mob基及びNpys基に由来する7~9ppm付近のピークが消失し、チオール基の脱保護反応を確認した。<チオール含有アニオン性ブロック共重合体の合成>合成したPEGPCysPBLA100mgを少量のアセトニトリルに溶解させ、続いて1MNaOH水溶液を10ml加え、室温にて1時間撹拌した。得られた反応溶液を透析チューブに入れ、蒸留水を外液として透析を3日間行った。外液を数回交換し、内液を回収した後、凍結乾燥を行い、チオール含有アニオン性ブロック共重合体であるPEGPCysPAspを得た。PEGPCysPAspについて1HNMR測定を行い、35ppm付近のPEGエチレン鎖ピークと、26ppm付近のPAsp及びPCysのメチレンピークとのプロトン比からPAspとPCysの合計重合数を約85と算出した。この結果から、PBLAの脱保護反応が定量的に進行したことを確認した。<チオール含有重合体の合成>BuNH2のDMF溶液10mgmL365μLにDMFCH2Cl21:4の混合溶媒10mLを加えた。また、別途調製したDMFCH2Cl21:4の混合溶媒10mLとCysNCA134mg10当量を加えて得られた溶液を、シリンジを用いてBuNH2溶液の入ったナスフラスコへ撹拌しながら加えた。溶液の入ったナスフラスコを35°Cで撹拌しながら1日間反応させた。別のナスフラスコにBLANCA1122mg90当量、DMFCH2Cl21:4の混合溶媒20mLを加えて得た溶液を、シリンジを用いて上述の反応溶液中へ撹拌しながら加えた。35°Cで撹拌しながら2日間反応させた。所定時間後、反応溶液に5倍量程度のエーテルを加えて沈殿物を得た。この沈殿物をろ過し、エーテルで数回洗浄した後、ろ物を凍結乾燥させ、保護チオール含有重合体PCysPBLAを得た。PCysPBLAについて1HNMR測定を行い、Mob基に由来する7及び78ppm付近のピークが見られ、末端ブチル基に由来するピークとのプロトン比から、PCysの重合数が約10、PBLAの重合数が約95と見積もられた。またサイズ排除クロマトグラフィーから、単峰性のピークを確認し、適切な反応の進行を確認した。原料の混合比率を変更することで、PCysの重合数が5~30、PBLAの重合数が30~150のアミノ酸重合体を合成することが可能である。得られたPCysPBLA200mgに、CH2Cl210mL、NpysCl30mg3当量を加え、室温で5時間反応させ、システインの保護基であるMob基から、Npys基への置換反応を行った。続いて、反応溶液にトリブチルホスフィン200μLを加え、10分間室温で反応させた。得られた反応溶液に5倍量程度のエーテルを加えて沈殿物を得た。この沈殿物をろ過し、エーテルで数回洗浄した後、ろ物を減圧下で乾燥し、チオール含有重合体PCysPBLAを得た。得られた生成物は1HNMR測定を行い、Mob基及びNpys基に由来する7~9ppm付近のピークが消失し、チオール基の脱保護反応を確認した。<チオール含有カチオン性アミノ酸重合体の合成>回収したチオール含有重合体PCysPBLAをNMP25mLに溶解し、続けてDAPを溶液に加え、5°Cにて1時間激しく撹拌した。反応混合物は0~5°Cにおいて20wt酢酸で中和し、001M塩酸に対して3日間、続いて純水に対して3日間の透析を行った。内液を凍結乾燥により回収し、チオール含有カチオン性アミノ酸重合体であるPCysPを得た。PCysPについて1HNMR測定を行い、35ppm付近のPEGエチレン鎖ピークと、26ppm付近のPAsp及びPCysのメチレンピークとのプロトン比からPAspとPCysの合計重合数を約100と算出した。この結果から、PBLAの脱保護反応が定量的に進行したことを確認した。<チオール含有ベシクルPICsomeの調製と酸化>上記のように合成したアニオン性共重合体とカチオン性アミノ酸重合体をTCEPphosphine還元し、PD10脱塩カラムで精製後、凍結乾燥したものを用いて、チオール含有ベシクルの調製を行った。アニオン性共重合体PEGPCysPAspとカチオン性アミノ酸重合体PCysPの10mMリン酸バッファー溶液をそれぞれ別途作製した本実施例において、ポリマー濃度は全て1mgmL。それぞれの溶液を、溶液中に含まれる荷電側鎖の比が等しくなるよう、即ち、COOとNH3の数が等しくなるように混合し、2分間撹拌しPICsomeを得た。PICsomeの粒径をDLSで測定した。結果を図10に示す。得られたPICsomeの懸濁液は自発的に空気酸化が進行し、ジスルフィド結合が形成され、生理条件下で安定であることが確認できた。以下、実施例3~5に第一の重合体及び第二の重合体の合成例を示す。<チオール含有アニオン性ブロック共重合体の合成>凍結乾燥を行い、水分を除去したPEGNH2100mgにDMFCH2Cl21:4の混合溶媒5mLを加え、PEGNH2溶液を得た。また、DMFCH2Cl21:4の混合溶媒25mLにCysNCA13365mg10当量とBLANCA112149mg90当量を加えて得られた溶液を、シリンジを用いてPEGNH2溶液の入ったナスフラスコへ撹拌しながら加えた。溶液の入ったナスフラスコを35°Cで撹拌しながら2日間反応させた。所定時間後、反応溶液に5倍量程度のエーテルを加えて沈殿物を得た。この沈殿物をろ過し、エーテルで数回洗浄した後、ろ物を減圧下で乾燥させ、ブロック共重合体PEGPを得た。なお、ここで式中のrはアミノ酸の主鎖にシステインがランダムに配置されていることを示す。PEGPについて、1HNMR測定を行い、Mob基に由来する7及び78ppm付近のピーク及びPEGエチレン鎖ピークとのプロトン比から、PCysの重合数が約9、PBLAの重合数が約88と見積もられた。原料の混合比率を変更することで、PCysの重合数が5~30、PBLAの重合数が30~150のブロック共重合体を合成することが可能である。またサイズ排除クロマトグラフィーから、単峰性のピークを確認し、適切な反応の進行を確認した。合成したPEGP200mgに、CH2Cl210mL,NpysCl30mg3当量を加え、室温で5時間反応させ、システインの保護基であるMob基から、Npys基への置換反応を行った。続いて反応溶液にトリブチルホスフィン200μLを加え、10分間室温で反応させた。得られた反応溶液に5倍量程度のエーテルを加えて沈殿物を得た。この沈殿物をろ過し、エーテルで数回洗浄した後、ろ物を減圧下で乾燥し、チオール含有ブロック共重合体PEGPを得た。得られた生成物は1HNMR測定を行い、Mob基及びNpys基に由来する7~9ppm付近のピークが消失し、チオール基の脱保護反応を確認した。合成したPEGP100mgを少量のアセトニトリルに溶解させ、続いて1MNaOH水溶液10mL加え、室温にて1時間撹拌した。得られた反応溶液を透析チューブMWCO3500に入れ、蒸留水を外液として透析を3日間行った。外液を数回交換し、内液を回収した後、凍結乾燥を行い、チオール含有アニオン性ブロック共重合体であるPEGPを得た。PEGPについて1HNMR測定を行い、35ppm付近のPEGエチレン鎖ピークと、26ppm付近のPAsp及びPCysのメチレンピークとのプロトン比からPAspとPCysの合計重合数を約90と算出した。この結果から、PBLAの脱保護反応が定量的に進行したことを確認した。<チオール含有カチオン性アミノ酸重合体の合成>BuNH2のDMF溶液10mgmL366μLにDMFCH2Cl21:4の混合溶媒10mLを加えた。また、別途調製したDMFCH2Cl21:4の混合溶媒25mLにCysNCA134mg10当量とBLANCA1121mg90当量を加えて得られた溶液を、シリンジを用いてBuNH2溶液の入ったナスフラスコへ撹拌しながら加えた。溶液の入ったナスフラスコを35°Cで撹拌しながら2日間反応させた。所定時間後、反応溶液に5倍量程度のエーテルを加えて沈殿物を得た。この沈殿物をろ過し、エーテルで数回洗浄した後、ろ物を減圧下で乾燥させ、保護チオール含有重合体Pを得た。Pについて1HNMR測定を行い、Mob基に由来する7及び78ppm付近のピークが見られ、末端ブチル基に由来するピークとのプロトン比から、PCysの重合数が約10、PBLAの重合数が約95と見積もられた。原料の混合比率を変更することで、PCysの重合数が5~30、PBLAの重合数が30~150の重合体を合成することが可能である。またサイズ排除クロマトグラフィーから、単峰性のピークを確認し、適切な反応の進行を確認した。得られたP200mgに、CH2Cl210mL、NpysCl30mg3当量を加え、室温で5時間反応させ、システインの保護基であるMob基からNpys基への置換反応を行った。続いて、反応溶液にトリブチルホスフィン200μLを加え、10分間室温で反応させた。得られた反応溶液に5倍量程度のエーテルを加えて沈殿物を得た。この沈殿物をろ過し、エーテルで数回洗浄した後、ろ物を減圧下で乾燥し、チオール含有重合体Pを得た。得られた生成物は1HNMR測定を行い、Mob基及びNpys基に由来する7~9ppm付近のピークが消失し、チオール基の脱保護反応を確認した。回収した生成物をNMP25mLに溶解し、DAPの溶液に加え、5°Cにて1時間激しく撹拌した。反応混合物は0~5°Cにおいて20wt酢酸で中和し、001M塩酸に対して3日間、続いて純水に対して3日間の透析を行った。内液を凍結乾燥により回収し、チオール含有カチオン性アミノ酸重合体であるPrCysを得た。PrCysについて1HNMR測定を行い、末端ブチル基に由来するピークと、26ppm付近のP及びPCysのメチレンピークとのプロトン比からPとPCysの合計重合数を約100と算出した。この結果から、PBLAの脱保護反応が定量的に進行したことを確認した。<チオール含有アニオン性ブロック共重合体の合成>凍結乾燥を行い、水分を除去したPEGNH2100mgにDMFCH2Cl21:4の混合溶媒5mLを加え、PEGNH2溶液を得た。また、DMFCH2Cl21:4の混合溶媒5mLにCysNCA13365mg10当量を加えて得られた溶液を、シリンジを用いてPEGNH2溶液の入ったナスフラスコへ撹拌しながら加えた。溶液の入ったナスフラスコを35°Cで撹拌しながら1日間反応させた。別のナスフラスコにBLANCA99688mg80当量、DMFCH2Cl21:4の混合溶媒25mLを加えて溶液を得た。この溶液をシリンジを用いて上述の反応溶液中へ撹拌しながら加えた。35°Cで撹拌しながら2日間反応させた。その後、また別のナスフラスコにCysNCA13365mg10当量、DMFCH2Cl21:4の混合溶媒5mLを加えて溶液を得た。この溶液をシリンジを用いて上述の反応溶液中へ撹拌しながら加えた。35°Cで撹拌しながら1日間反応させた。所定時間後、反応溶液に5倍量程度のエーテルを加えて沈殿物を得た。この沈殿をろ過し、エーテルで数回洗浄した後、ろ物を減圧下で乾燥させ、ブロック共重合体PEGPCysPBLAPCysを得た。PEGPCysPBLAPCysについて、1HNMR測定を行い、Mob基に由来する7及び78ppm付近のピーク及びPEGエチレン鎖ピークとのプロトン比から、PCysの重合数が約18、PBLAの重合数が約75と見積もられた。原料の混合比率を変更することで、PCysの重合数が5~30、PBLAの重合数が30~150のブロック共重合体を合成することが可能である。またサイズ排除クロマトグラフィーから、単峰性のピークを確認し、適切な反応の進行を確認した。合成したPEGPCysPBLAPCys200mgに、CH2Cl210mL,NpysCl60mgを加え、室温で5時間反応させ、システイン保護基であるMob基から、Npys基への置換反応を行った。続いて、反応溶液にトリブチルホスフィン400μLを加え、10分間室温で反応させた。得られた反応溶液に5倍量程度のエーテルを加えて沈殿物を得た。この沈殿物をろ過し、エーテルで数回洗浄した後、ろ物を減圧下で乾燥し、チオール含有ブロック共重合体PEGPCysPBLAPCysを得た。得られた生成物は1HNMR測定を行い、Mob基及びNpys基に由来する7~9ppm付近のピークが消失し、チオール基の脱保護反応を確認した。合成したPEGPCysPBLAPCys100mgを少量のアセトニトリルに溶解させ、続いて1MNaOH水溶液10mL加え、室温にて1時間撹拌した。得られた反応溶液を透析チューブMWCO3500に入れ、蒸留水を外液として透析を3日間行った。外液を数回交換し、内液を回収した後、凍結乾燥を行い、チオール含有アニオン性ブロック共重合体であるPEGPCysPAspPCysを得た。PEGPCysPAspPCysについて1HNMR測定を行い、35ppm付近のPEGエチレン鎖ピークと、26ppm付近のPAsp及びPCysのメチレンピークとのプロトン比からPAspとPCysの合計重合数を約90と算出した。この結果から、PBLAの脱保護反応が定量的に進行したことを確認した。<チオール含有カチオン性アミノ酸重合体の合成>BuNH2のDMF溶液10mgmL365μLにDMFCH2Cl21:4の混合溶媒10mLを加えた。また、別途調製したDMFCH2Cl21:4の混合溶媒10mLとCysNCA134mg10当量を加えて得られた溶液を、シリンジを用いてBuNH2溶液の入ったナスフラスコへ撹拌しながら加えた。溶液の入ったナスフラスコを35°Cで撹拌しながら1日間反応させた。別のナスフラスコにBLANCA99688mg80当量、DMFCH2Cl21:4の混合溶媒20mLを加えて得た溶液を、シリンジを用いて上述の反応溶液中へ撹拌しながら加えた。35°Cで撹拌しながら2日間反応させた。その後、また別のナスフラスコにCysNCA13365mg10当量、DMFCH2Cl21:4の混合溶媒5mLを加えて溶液を得た。この溶液をシリンジを用いて上述の反応溶液中へ撹拌しながら加えた。35°Cで撹拌しながら1日間反応させた。所定時間後、反応溶液に5倍量程度のエーテルを加えて沈殿物を得た。この沈殿をろ過し、エーテルで数回洗浄した後、ろ物を減圧下で乾燥させ、重合体PCysPBLAPCysを得た。PCysPBLAPCysについて1HNMR測定を行い、Mob基に由来する7及び78ppm付近のピークが見られ、末端ブチル基に由来するピークとのプロトン比から、PCysの重合数が約16、PBLAの重合数が約80と見積もられた。原料の混合比率を変更することで、PCysの重合数が5~30、PBLAの重合数が30~150の重合体を合成することが可能である。またサイズ排除クロマトグラフィーから、単峰性のピークを確認し、適切な反応の進行を確認した。得られたPCysPBLAPCys200mgに、CH2Cl210mL,NpysCl60mgを加え、室温で5時間反応させ、システインの保護基であるMob基から、Npys基への置換反応を行った。続いて、反応溶液にトリブチルホスフィン400μLを加え、10分間室温で反応させた。得られた反応溶液に5倍量程度のエーテルを加えて沈殿物を得た。この沈殿をろ過し、エーテルで数回洗浄した後、ろ物を減圧下で乾燥し、チオール含有重合体PCysPBLAPCysを得た。得られた生成物は1HNMR測定を行い、Mob基及びNpys基に由来する7~9ppm付近のピークが消失し、チオール基の脱保護反応を確認した。回収したチオール含有重合体PCysPBLAPCysをNMP25mLに溶解し、DAPの溶液に加え、5°Cにて1時間激しく撹拌した。反応混合物は0~5°Cにおいて20wt酢酸で中和し、001M塩酸に対して3日間、続いて純水に対して3日間の透析を行った。内液を凍結乾燥により回収し、チオール含有カチオン性アミノ酸重合体PCysPPCysを得た。PCysPPCysについて1HNMR測定を行い、末端ブチル基に由来するピークと、26ppm付近のP及びPCysのメチレンピークとのプロトン比からPとPCysの合計重合数を約90と算出した。この結果から、PBLAの脱保護反応が定量的に進行したことを確認した。<側鎖末端にチオールを含有するカチオン性アミノ酸重合体の合成>合成したhomoPをNMP2mLに溶解し、続けて2iminothiolane582mg及びdiisopropylethylamine250μLを溶液に加え、室温にて約1時間撹拌した。続いて反応溶液にLiCl100mgを加え、約1時間撹拌した。反応混合物は001M塩酸で中和し、純水に対して3日間の透析を行った。得られた溶液を凍結乾燥することで、側鎖アミノ末端に1imino4mercaptobutylIM基を含有するカチオン性アミノ酸重合体Pを得た。サイズ排除クロマトグラフィーから、単峰性のピークを確認し、適切な反応の進行を確認した。また1HNMRより、原料のhomoPがほぼ100反応したと確認された。2iminothiolaneの加える量を変化させることで、IMの導入率を0~100でコントロールすることが可能である。ベシクルの製造3<材料>12dithiane45diolは東京化成工業株式会社東京より購入した。<環状ジスルフィドの合成>12dithianet4t5diolr1oxideは12dithiane45diolを原料として、文献記載の方法PramodKSetalJOrgChem19885326082612により合成した。<ジスルフィド架橋型ベシクルPICsomeの製造>PEGPCysPAspとPCysPの10mMリン酸バッファー0mMNaClpH74溶液1mgmLをそれぞれ別途作製した。それぞれの溶液を、溶液中に含まれる荷電側鎖の比が等しくなるよう、即ち、COOとNH3の数が等しくなるように混合し、2分間撹拌しPICsomeを得た。このPICsome溶液に12dithianet4t5diolr1oxideをPEGPCysPAsp側のチオール基に対し05~10当量になるように加え、両ポリマー間の架橋を行った。シトクロムc封入ベシクルの製造と評価<材料>22’azinobisはSigmaより購入した。hydrogenperoxideは和光純薬工業株式会社大阪より購入した。PD10脱塩カラムはGEヘルスケアより購入した。<ボルテックス法によるジスルフィド含有ベシクルPICsomeへの物質封入>実施例1で製造したジスルフィド含有ベシクル45cystPICsomeの懸濁液を、再びボルテックスで撹拌させながら、シトクロムcのリン酸バッファー溶液124mgmLを5vv添加することで、シトクロムcをPICsomeに封入させた。EDC溶液COO側鎖に対し10当量を加え、4°Cで一晩反応させた。過剰量のEDC及び未封入シトクロムcはPD10カラム及び透析MWCO300000により除去した。<ジスルフィド含有ベシクルに封入されたシトクロムcのペルオキシダーゼ活性評価>45cystPICsomeに封入されたシトクロムcのペルオキシダーゼ活性は、H2O2及びABTS溶液添加後の吸光度変化418nmにて評価した。ジスルフィドを含有する45cystPICsome及びジスルフィドを含有しないNormalPICsomehomoP82PEGP75の懸濁液に、1125mMH2O2溶液及び09mMABTS溶液を添加することで行った。結果を図11に示す。ジスルフィドの有無に関わらず、ベシクルに封入したシトクロムcの活性が確認された。このことからベシクルの薬物送達システム及びバイオリアクターとしての有用性を示すことができた。"