光学的に遷移する熱吸収構造を備えた熱検出器素子であって、上記熱検出器素子は、温度とともに値が変化する、上記熱吸収構造の少なくとも1つの特性を測定することによって、その上に入射する放射線を感知するように構成され、上記熱吸収構造は、少なくとも1つの光学的に遷移する材料を備えた1つもしくはそれ以上の構成要素が提供されたことを特徴とする熱検出器素子。基板をさらに備え、上記熱吸収構造は、その上に入射する放射線を吸収するように構成されたマイクロボロメータ画素薄膜構造を備え、上記マイクロボロメータ画素薄膜構造は、上記基板の上方の所定の間隔において配置され、上記基板と上記マイクロボロメータ画素薄膜構造との間にキャビティを形成することを特徴とする請求項1記載の熱検出器素子。上記マイクロボロメータ画素薄膜構造は、導電性熱電活性層と、上記導電性熱電活性層から分離した放射線吸収層とを備え、上記熱検出器素子の上記基板は、上記導電性熱電活性層の少なくとも一部にわたって電流パスを形成するように電気的に結合された読み出し集積回路ROICをさらに備え、上記放射線吸収層は、光学的に遷移する材料を備えたことを特徴とする請求項2記載の熱検出器素子。上記導電性熱電活性層は、上記光学的に遷移する放射線吸収層と上記基板との間の位置において配置されたことを特徴とする請求項3記載の熱検出器素子。上記光学的に遷移する材料は、ドーピングされないサーモクロミック材料かもしくはドーピングされたサーモクロミック材料かのいずれかを備え、上記サーモクロミック材料は、ゲルマニウム-アンチモン-テルル、酸化バナジウム、ニオブ酸化、タンタル酸化、Ti2O3、Fe3O4、Mo9O26の少なくとも1つかまたはそれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項1記載の熱検出器素子。上記光学的に遷移する材料は、サーモクロミック酸化バナジウムもしくはドーピングされたサーモクロミック酸化バナジウムを含むことを特徴とする請求項1記載の熱検出器素子。上記光学的に遷移する材料は、第2の温度が第1の温度よりも高ければ、上記第1の温度における上記熱吸収構造が吸収する入射放射線の量が、上記第2の温度における上記熱吸収構造が吸収する入射放射線の量よりも多くなるように、温度上昇にともなって入射放射線の反射性が増加することを特徴とする請求項1記載の熱検出器素子。上記光学的に遷移する材料は、上記第1の温度における上記熱吸収構造が吸収する全体の入射放射線の部分が、上記第1の温度よりも高い上記第2の温度における上記熱吸収構造が吸収する全体の入射放射線の部分よりも多くなるように、温度上昇にともなって入射放射線の反射性が増加することを特徴とする請求項7記載の熱検出器素子。基板と、上記熱吸収構造と上記基板との間の上記基板の表面上に配置された反射層とをさらに備え、上記熱吸収構造は、その上に入射する放射線を吸収するように構成されたマイクロボロメータ画素薄膜構造を備え、上記マイクロボロメータ画素薄膜構造は、上記基板の上方の所定の間隔において配置されて上記基板と上記マイクロボロメータ画素薄膜構造との間にキャビティを形成し、上記熱検出器素子は、上記キャビティから離れて面した、上記マイクロボロメータ画素薄膜構造の第1の側面上に入射放射線を受信するように構成され、上記光学的に遷移する材料は、上記第1の温度における上記マイクロボロメータ画素薄膜構造を通って上記基板の上記反射層に対して透過される全体の受信された入射放射線の部分が、上記第1の温度よりも高い上記第2の温度における上記マイクロボロメータ画素薄膜構造を通って上記基板の上記反射層に対して透過される全体の受信された入射放射線の部分よりも多いことを特徴とする請求項7記載の熱検出器素子。上記熱検出器素子は、基板をさらに備えた非冷却赤外線検出器素子であって、上記熱吸収構造は、その上に入射する放射線を吸収するように構成されたマイクロボロメータ画素薄膜構造を備え、上記マイクロボロメータ画素薄膜構造は、上記基板の上方の所定の間隔において配置されて上記基板と上記マイクロボロメータ画素薄膜構造との間にキャビティを形成することを特徴とする請求項1記載の熱検出器素子。アレイとして配列された複数の個々の熱検出器素子を備えた焦点面アレイアセンブリであって、上記複数の個々の熱検出器素子の少なくとも一部は、光学的に遷移する熱吸収構造を備え、温度にともなって値が変化する、上記熱吸収構造の少なくとも1つの特性を測定することによって、その上に入射する放射線を感知するように構成され、上記熱吸収構造は、少なくとも1つの光学的に遷移する材料を備えた1つもしくはそれ以上の構成要素が提供されたことを特徴とする焦点面アレイアセンブリ。上記個々の熱検出器素子の一部のそれぞれは、基板をさらに備え、上記個々の熱検出器素子の一部のそれぞれの上記熱吸収構造は、その上に入射する放射線を吸収するように構成されたマイクロボロメータ画素薄膜構造を備え、上記マイクロボロメータ画素薄膜構造は、上記基板の上方の所定の間隔において配置されて上記基板と上記マイクロボロメータ画素薄膜構造との間にキャビティを形成したことを特徴とする請求項11記載の焦点面アレイアセンブリ。上記個々の熱検出器素子の一部のそれぞれの上記マイクロボロメータ画素薄膜構造は、導電性熱電活性層と、上記導電性熱電活性層から分離された放射線吸収層とを備え、上記個々の熱検出器素子の一部のそれぞれの上記基板はさらに、上記導電性熱電活性層の少なくとも一部にわたって電流パスを形成するように電気的に結合された読み出し集積回路ROICを備え、上記個々の熱検出器素子の一部のそれぞれの上記放射線吸収層は、光学的に遷移する材料を備えたことを特徴とする請求項12記載の焦点面アレイアセンブリ。上記個々の熱検出器素子の一部のそれぞれの上記導電性熱電活性層は、上記放射線吸収層と上記基板との間の位置において配置されたことを特徴とする請求項13記載の焦点面アレイアセンブリ。上記光学的に遷移する材料は、ドーピングされないサーモクロミック材料かもしくはドーピングされたサーモクロミック材料かのいずれかを備え、上記サーモクロミック材料は、ゲルマニウム-アンチモン-テルル、酸化バナジウム、ニオブ酸化、タンタル酸化、Ti2O3、Fe3O4、Mo9O26の少なくとも1つかまたはそれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項11記載の焦点面アレイアセンブリ。上記光学的に遷移する材料は、サーモクロミック酸化バナジウムもしくはドーピングされたサーモクロミック酸化バナジウムを含むことを特徴とする請求項11記載の焦点面アレイアセンブリ。上記光学的に遷移する材料は、第2の温度が第1の温度よりも高ければ、上記第1の温度における上記個々の熱検出器素子の一部のそれぞれの上記熱吸収構造が吸収する入射放射線の量が、上記第2の温度における上記熱吸収構造が吸収する入射放射線の量よりも多くなるように、温度上昇にともなって入射放射線の反射性が増加することを特徴とする請求項11記載の焦点面アレイアセンブリ。上記光学的に遷移する材料は、上記第1の温度における上記個々の熱検出器素子の一部のそれぞれの上記熱吸収構造が吸収する全体の入射放射線の部分が、上記第1の温度よりも高い上記第2の温度における上記熱吸収構造が吸収する全体の入射放射線の部分よりも多くなるように、温度上昇にともなって入射放射線の反射性が増加することを特徴とする請求項17記載の焦点面アレイアセンブリ。上記個々の熱検出器素子の一部のそれぞれはさらに、上記熱吸収構造と上記基板との間の上記基板の表面上に配置された反射層を備え、上記個々の熱検出器素子の一部のそれぞれの上記熱吸収構造は、その上に入射する放射線を吸収するように構成されたマイクロボロメータ画素薄膜構造を備え、上記マイクロボロメータ画素薄膜構造は、上記基板の上方の所定の間隔において配置されて上記基板と上記マイクロボロメータ画素薄膜構造との間にキャビティを形成し、上記熱検出器素子は、上記キャビティから離れて面した、上記マイクロボロメータ画素薄膜構造の第1の側面上に入射放射線を受信するように構成され、上記光学的に遷移する材料は、上記第1の温度における上記マイクロボロメータ画素薄膜構造を通って上記基板の上記反射層に対して透過される全体の受信された入射放射線の部分が、上記第1の温度よりも高い上記第2の温度における上記マイクロボロメータ画素薄膜構造を通って上記基板の上記反射層に対して透過される全体の受信された入射放射線の部分よりも多いことを特徴とする請求項17記載の焦点面アレイアセンブリ。上記個々の熱検出器素子の一部のそれぞれは、基板をさらに備えた非冷却赤外線検出器素子であって、上記個々の熱検出器素子の一部のそれぞれの上記熱吸収構造は、その上に入射する放射線を吸収するように構成されたマイクロボロメータ画素薄膜構造を備え、上記マイクロボロメータ画素薄膜構造は、上記基板の上方の所定の間隔において配置されて上記基板と上記マイクロボロメータ画素薄膜構造との間にキャビティを形成することを特徴とする請求項11記載の焦点面アレイアセンブリ。デバイスウエハーと、リッドウエハーとを備えたウエハーレベルにパッケージングされた焦点面アレイアセンブリであって、上記デバイスウエハーは、請求項10記載の焦点面アレイアセンブリを備え、上記リッドウエハーは、上記リッドウエハーによって、上記入射放射線が、上記リッドウエハーを通って、上記焦点面アレイアセンブリに到着することができるように、少なくとも部分的に入射放射線に対して透過性があって、上記デバイスウエハーに対してアセンブリングされたことを特徴とするウエハーレベルにパッケージングされた焦点面アレイアセンブリ。上記リッドウエハーは、上記デバイスウエハーに対して封止してアセンブリングされ、上記リッドウエハーと上記デバイスウエハーとの間を真空状態として上記ウエハーレベルにパッケージングされた焦点面アレイアセンブリを形成することを特徴とする請求項21記載のウエハーレベルにパッケージングされた焦点面アレイアセンブリ。アレイとして配列された複数の個々の熱検出器素子を形成するステップを含む焦点面アレイアセンブリを製造する方法であって、上記複数の個々の検出器素子のそれぞれは、光学的に遷移する熱吸収構造を備え、温度とともに値が変化する、上記熱吸収構造の少なくとも1つの特性を測定することによって、その上に入射する放射線を感知するように構成され、上記熱吸収構造は、少なくとも1つの光学的に遷移する材料を備えた1つもしくはそれ以上の構成要素が提供されたことを特徴とする方法。基板を提供するステップをさらに備え、上記個々の熱検出器素子の一部のそれぞれの上記熱吸収構造は、その上に入射する放射線を吸収するように構成されたマイクロボロメータ画素薄膜構造を備え、上記マイクロボロメータ画素薄膜構造は、上記基板の上方の所定の間隔において配置されて上記基板と上記マイクロボロメータ画素薄膜構造との間にキャビティを形成することを特徴とする請求項23記載の方法。上記複数の個々の熱検出器素子を形成するステップには、上記個々の熱検出器素子のそれぞれの上記マイクロボロメータ画素薄膜構造のために、導電性熱電活性層と上記活性層から分離した放射線吸収層とを形成するステップを含み、上記放射線吸収層は、光学的に遷移する材料を含み、上記ステップには、上記基板に読み出し集積回路ROICを提供するステップと、上記ROICを電気的に結合して上記導電性熱電対活性層の少なくとも一部にわたって電流パスを形成するステップとを含むことを特徴とする請求項24記載の方法。上記放射線吸収層と上記基板との間の位置において、上記個々の熱検出器素子の一部のそれぞれの上記導電性熱電活性層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項25記載の方法。上記光学的に遷移する材料は、ドーピングされないサーモクロミック材料かもしくはドーピングされたサーモクロミック材料かのいずれかを備え、上記サーモクロミック材料は、ゲルマニウム-アンチモン-テルル、酸化バナジウム、ニオブ酸化、タンタル酸化、Ti2O3、Fe3O4、Mo9O26の少なくとも1つかまたはそれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項23記載の方法。上記光学的に遷移する材料は、サーモクロミック酸化バナジウムもしくはドーピングされたサーモクロミック酸化バナジウムを含むことを特徴とする請求項23記載の方法。上記光学的に遷移する材料は、第2の温度が第1の温度よりも高ければ、上記第1の温度における上記個々の熱検出器素子の一部のそれぞれの上記熱吸収構造が吸収する入射放射線の量が、上記第2の温度における上記熱吸収構造が吸収する入射放射線の量よりも多くなるように、温度上昇にともなって入射放射線の反射性が増加することを特徴とする請求項23記載の方法。上記光学的に遷移する材料は、上記第1の温度における上記個々の熱検出器素子の一部のそれぞれの上記熱吸収構造が吸収する全体の入射放射線の部分が、上記第1の温度よりも高い上記第2の温度における上記熱吸収構造が吸収する全体の入射放射線の部分よりも多くなるように、温度上昇にともなって入射放射線の反射性が増加することを特徴とする請求項29記載の方法。上記個々の熱検出器素子の一部のそれぞれの上記熱吸収構造は、その上に入射する放射線を吸収するように構成されたマイクロボロメータ画素薄膜構造を備え、上記マイクロボロメータ画素薄膜構造は、上記基板の上方の所定の間隔において配置され上記基板と上記マイクロボロメータ画素薄膜構造との間にキャビティを形成し、上記方法はさらに、基板を提供するステップと、上記キャビティから離れて面した、上記マイクロボロメータ画素薄膜構造の第1の側面上に入射放射線を受信するように構成された上記個々の熱検出器素子の一部のそれぞれを形成するステップと、上記光学的に遷移する材料は、上記第1の温度における上記マイクロボロメータ画素薄膜構造を通って上記基板の上記反射層に対して透過される全体の受信された入射放射線の部分が、上記第1の温度よりも高い上記第2の温度における上記マイクロボロメータ画素薄膜構造を通って上記基板の上記反射層に対して透過される全体の受信された入射放射線の部分よりも多くなるように、上記マイクロボロメータ画素薄膜構造と上記基板との間の上記個々の熱検出器素子の一部のそれぞれの上記基板の表面上に反射層を形成するステップとを含むことを特徴とする請求項29記載の方法。上記方法はさらに、基板を提供するステップと、上記個々の熱検出器素子の一部のそれぞれを非冷却赤外線検出器として形成するステップとを含み、上記個々の熱検出器素子の一部のそれぞれの上記熱吸収構造は、その上に入射する放射線を吸収するように構成されたマイクロボロメータ画素薄膜構造を備え、上記マイクロボロメータ画素薄膜構造は、上記基板の上方の所定の間隔において配置されて上記基板と上記マイクロボロメータ画素薄膜構造との間にキャビティを形成することを特徴とする請求項23記載の方法。上記方法はさらに、デバイスウエハーを提供し、上記デバイスウエハー上にアレイとして配列された複数の個々の熱検出器素子を形成するステップと、少なくとも部分的に入射放射線に対して透過性があるリッドウエハーを提供するステップと、上記リッドウエハーによって、上記入射放射線が、上記リッドウエハーを通って上記焦点面アレイアセンブリに到着することができるように、上記デバイスウエハーに対して上記リッドウエハーをアセンブリングするステップとを含むことを特徴とする請求項23記載の方法。上記リッドウエハーと上記デバイスウエハーとの間を真空によって上記リッドウエハーを上記デバイスウエハーに対して封止してアセンブリングしてウエハーレベルにパッケージングされた焦点面アレイアセンブリを形成することを特徴とする請求項33記載の方法。マイクロボロメータの応答時間及び感度に影響を及ぼす主要な要因は、熱質量と熱分離である。マイクロボロメータ応答時間とは、検出器素子が十分な赤外線を吸収して例えば検出器素子の抵抗などの電気特性を変更させて赤外線の吸収に起因する熱を分散させるのに必要とする時間である。マイクロボロメータ感度は、マイクロボロメータ検出器素子の電気特性において十分な変化を生じさせるのに必要とされる赤外線の放射量によって決定される。マイクロボロメータ応答時間は、熱質量と熱分離との両方に反比例する。従って、熱質量の増加とともに応答時間は遅くなる。この理由は、マイクロボロメータ検出器素子の電気特性において計測できる変化を得るためには付加的な熱質量を十分に加熱するのにより多くの時間が必要とされるからである。従って、一般に、短い熱時定数を得る一方で、同時に放射線の吸収を最大とするためには、低質量のマイクロボロメータ画素を形成することが望ましい。図1に図示されるように、マイクロボロメータ画素の質量を減少させるために、十分な放射線吸収特性を維持しながら熱時定数を短くするために、正方形もしくは長方形のグリッドパターンで、材料が、マイクロボロメータ画素薄膜構造112の薄膜材料から除去される。図1では、懸支されたマイクロボロメータ検出器画素構造112は、電気コンタクト102と電気コンタクト104との間の電流フローのパスに対して平行及び直交両方に対して方向付けされた導体素子部106を含む。例示されたように、マイクロボロメータ画素質量を減少させるために、角穴111の形態における開口部は、電気コンタクト106間で除去された材料によって定義される。その穴は典型的には、処理対象の放射線の波長と比較すると小さく寸法決めされる。この構造を用いて製造されたマイクロボロメータ画素は、時々、回折共振キャビティDRCと呼ばれる。過去においては、検出器材料の最適化は、特定の帯域内での吸収を制限もしくは増強させるために利用された。偏光子とスペクトルフィルターとは別々に製造され、次に放射線クロストークの問題を生じさせる方法で、非冷却赤外線検出器素子の焦点面アレイの上方の比較的大きい距離すなわち、画素サイズよりも大きい距離において搭載される。モノリシックで製造されたスペクトルフィルター及び偏光子フィルターは、例えば水銀カドミウムテルル化物HgCdTe及びインジウムアンチモン化物InSbの赤外線光子検出器セルなどの非熱的な光子赤外線検出器セルに提供されている。マイクロレンズアレイの個々のマイクロレンズが焦点面アレイの上面の上方及びそれにわたって、約10ミクロンもしくはそれ以上の距離における焦点面アレイの個々の検出器素子に対して位置決めされるとともに、熱的及び非熱的な赤外線検出器の焦点面アレイの上面の上方及びそれにわたって、約10ミクロンもしくはそれ以上の距離において、前に別々に製造されたマイクロレンズアレイを物理的に位置決めして搭載しようとする試みが行われた。そのような前に別々に製造されたマイクロレンズアレイは、それらに対する後のアセンブリ組み立てのために、赤外線検出器焦点面アレイ自身から別々に離れて製造される。以前に利用された検出器フィルタリングろ波技術の他の例は、減光フィルター、遠隔の検出器によって動作するシャッターもしくはフィルター、特定帯域の透過を制限しもしくは増強するためのレンズ材料最適化、及び検出器パッケージングの中に組み込まれたスペクトルフィルタリング構造を含む。他のケースでは、窓ガラスは、より高レベルの赤外線エネルギーに応答して赤外線をブロックするために、上昇された温度によって暗くされたサーモクロミックの酸化バナジウム膜によってコーティングされている。強誘電体材料及び溶接アークによって発生した光もしくは放射線を検出する一体型検出装置を含む透明なビューウィンドウを有する特定の溶接フードがまた製造されている。これらの溶接フードは、そのフードを着ている溶接作業員の目を保護する方法において、電界をビューイングウィンドウの強誘電体材料に印加させてビューイングウィンドウを暗くさせることによって、検出された溶接アークの存在に対応するように設計される。太陽の電磁波耐性を検出器素子に備えようとする過去の試みには、その温度使用の範囲を広げるために検出器素子の材料を変更すること、光学的な速度を減少させること、及び放射線をブロックするためにシャッターを機械的に閉じることが含まれている。太陽の電磁波耐性をカメラに対して提供しようとするもっと昔の試みには、システムの複雑性及びコストを増加させる機械的なデバイスの組み込みが含まれており、それによって、カメラがシーンを見ることの妨げとなるかもしれない。熱検出器素子の熱吸収構造が、例えば検出器素子の熱吸収能力が検出器素子の温度にともなって変化するように構成された光学的に遷移する材料を含んでもよい装置及び方法がここで開示される。そのような熱検出器素子の例には、温度にともなって変化する値を有した少なくとも1つの特性を測定することによって、その上に入射する放射線を感知するために、熱吸収構造を利用する任意の放射線検出器素子を含む。例には、これらには限定されないが、例えば電気抵抗、静電容量、電圧、電流、起電力などの1つもしくはそれ以上の特性における変化を測定することによって放射線を感知する熱検出器素子を含む。そのような熱検出器素子の特定の例には、これらには限定されないが、例えば熱電対検出器、強誘電体検出器、マイクロボロメータ検出器などを含む。熱検出器素子の熱吸収構造には、例えば温度上昇にともなって光透過性から光反射性へと変化するかもしくは光反射性から光透過性へと変化するなどの、温度にともなって変化する光学特性を有した1つもしくはそれ以上の光学的に遷移する材料から構成されたフィルター層を含んでもよい。そのような光学的に遷移する材料の例には、これらには限定されないが、例えば半透明の材料の光透過が温度感知力を有するように、サーモクロミックである半透明材料などの、温度によって選択的に放射線を透過するように動作するサーモクロミック材料もしくは位相ずれ/相転移する材料を含む。例えば、一実施態様では、光学的に遷移する材料は、例えば透明なもしくは少なくとも部分的に透明な半導体状態から反射性のもしくは少なくとも部分的に反射性の金属状態へなどの、温度上昇にともなう半導体相から金属相への相転移を経験してもよい。光学的に遷移する材料の特定の例には、これらには限定されないが、ゲルマニウム-アンチモン-テルルGSTもしくはGeXSbYTeZ、酸化バナジウムVO、VO2、例えばV2O3などのVnO2n-1、タングステンがドーピングされた酸化バナジウム例えばW:VO2などのW:VOx、及び化学量論的変異体、ニオブ酸化、タンタル酸化、Ti2O3三酸化二チタン、Fe3O4四酸化三鉄、Mo9O26酸化モリブデンのサーモクロミックもしくは相転移する組成を含む。さらに、ここの他の箇所で説明されたように、そのような材料の組成は、例えば、例えばタングステン、アルミニウム及び/もしくはマンガンなどの他の材料をドーピングするなどによって、変更されて、温度関数として材料の例えば、相転移などの光学遷移の特性を調整してもよい。例えば、1つの例示的な実施態様では、例えば赤外線、ミリメータ波を検出するなどのための熱検出器素子のマイクロボロメータ画素薄膜構造は、例えば半透明材料の光透過が温度感知力を有するように、例えば薄膜それ自身のサーモクロミック層として提供されるなどの、サーモクロミックである半透明材料などの光学的に遷移する材料を含んでもよい。そのような光学的に遷移するマイクロボロメータ画素薄膜構造は、例えば、非冷却赤外線検出器もしくはマイクロボロメータ薄膜構造を含む任意の他のタイプの放射線検出器の焦点面アレイなどの個々の検出器素子に対して利用されてもよい。そのような実施態様では、各検出器素子のマイクロボロメータ画素薄膜構造は、その温度が上昇するにつれて放射線の吸収効率性がより悪くなって、それ故にその最大温度を減少させるように構成されてもよい。そのような光学的に遷移するマイクロボロメータ画素薄膜構造構成は、検出器素子が、例えば直接の太陽光などの所望されない放射線の波長帯を含むシーンを見ることができる一方で、同時に一時的なもしくは永久的な損傷から検出器素子を保護できるように実装されてもよい。マイクロボロメータ画素薄膜構造は、キャビティの吸収効率に影響を及ぼす2つの要因である、薄膜から反射鏡までの距離と薄膜の半透明の導電性材料のシート抵抗とによって調整されたキャビティを形成するために、ROIC表面上に金属反射板を有したシリコンROICウエハーにわたって放射線を吸収するように配置されてもよい。光学的に遷移するマイクロボロメータ画素薄膜構造もしくは他のタイプの熱検出器素子構成要素の一部として利用されてもよい光学的に遷移する材料の例には、これらには限定されないが、温度によって放射線を選択的に透過及び/もしくは吸収するように動作する、例えば、ゲルマニウム-アンチモン-テルルGSTもしくはGeXSbYTeZ、酸化バナジウムVO、VO2、例えばV2O3などのVnO2n-1、タングステンがドーピングされた酸化バナジウム例えばW:VO2などのW:VOx、及び化学量論的変異体、ニオブ酸化、タンタル酸化、Ti2O3三酸化二チタン、Fe3O4四酸化三鉄、Mo9O26酸化モリブデンのサーモクロミックもしくは相転移する組成などのサーモクロミックもしくは位相ずれ/相転移する材料を含む。ここの他の箇所で説明されたように、そのような材料の組成は、例えば、例えばタングステン、アルミニウム及び/もしくはマンガンなどの他の材料をドーピングするなどによって、変更されて、温度関数として材料の例えば、相転移などの光学遷移の特性を調整してもよい。もう1つの例示的な実施態様では、光学的に遷移するフィルター素子が赤外線検出器素子の対応するマイクロボロメータ画素薄膜構造にわたって懸支されてもよい非冷却赤外線検出器及び焦点面アレイが提供されてもよい。すなわち、1対1の関係で、焦点面アレイFPAの複数の検出器素子のそれぞれに対応した、別々の懸支された光学的に遷移するフィルター素子が提供されてもよいすなわち、各光学素子がそれぞれの検出器素子の放射線検出器回路の上方及びそれにわたって懸支され他の隣接した検出器素子の放射線検出器回路の上方及びそれにわたって懸支されないように、及び各光学素子はフィルタリングだけを行うかもしくは放射線の焦点を合わせてそれぞれの放射線検出器素子の下に配置する放射線検出器回路に方向付けされFPAの他の放射線検出器素子にはまったく方向付けされないように、FPAの各それぞれの検出器素子に対して提供された別々の光学素子。。光学的に遷移するフィルター素子は、電気的に及び/もしくは熱的に絶縁する相互接続部によって、既存の金属相互接続部に対して構造的に付着されてもよい。この方法においては、光学的に遷移するフィルター素子の設置によって熱質量に対して実質的に影響を及ぼさないし、もしくはマイクロボロメータ画素構造の熱時定数も劣化せず、またマイクロボロメータ画素構造の元の赤外線を吸収するフィルファクタを保存するために、マイクロボロメータ画素構造相互接続部によって元々消費された領域を超えた付加的なデバイスのリアルエステート回路スペース領域をまったく必要としない。画素レベルの光学的に遷移するフィルター素子は、重大な光学クロストークの影響が加わることなしに、検出器の熱時定数の劣化すなわち、増加すること。がないアクティブ方法で、及び/もしくは検出器画素と独立した熱応答チューニングを可能とする方法で、放射線のリアルタイムのフィルタリングを達成するために利用されてもよい。そのようなアクティブ画素レベルのフィルタリングは、すなわち、1対1の関係においてすなわち、下に配置する検出器素子それぞれに対して提供された1つの光学素子。、対応する赤外線検出器素子の、マイクロボロメータ画素薄膜構造にわたって懸支された、熱的かつ電気的に分離された光学的に遷移するフィルター素子を含む多層構造を提供することによって実装されてもよい。そのような実施態様が、例えばスペクトル赤外線の検出及び/または選択的放射線電磁波耐性などの1つもしくはそれ以上の特徴を可能とするために、光学的に遷移する画素レベルのフィルター素子を提供するように有利に実装されてもよい。ここで開示された光学的に遷移するフィルター素子は、選択された光学的に遷移する1つもしくは複数の材料の特性によって制御されてもよく、すなわち、光学的に遷移する材料は、材料の遷移温度よりも低い温度で放射線を透過する一方で、それは材料の遷移温度よりも高い温度で1つもしくはそれ以上の特定の放射線の波長帯域で反射する。熱応答は、放射線の熱流束と、例えば、光学的に遷移するフィルターもしくは光学的に遷移するフィルターと受動フィルターとの組み合わせなどを含むフィルター素子の熱分離との結果物であるので、従ってそれは熱分離構造/形態によって制御される。この点において、光学的に遷移するフィルター素子は、光学的に遷移するフィルター素子が下に配置するマイクロボロメータ画素構造の熱時定数に影響を及ぼさないような方法で、1つもしくはそれ以上の低い熱伝導率または熱的に絶縁する1つもしくは複数の支持相互接続部及び熱分離構造/形態によって懸支されてもよい。さらに、熱分離構造/形態は、下に配置するマイクロボロメータ画素構造の、放射線流束に対する応答とは独立した方法で、放射線の流束に対する、光学的に遷移するフィルター素子の熱応答のチューニングが可能となるように実装されてもよい。光学的に遷移するフィルター素子を含む検出器素子に対するアプリケーションの例には、これらには限定されないが、直接の太陽の放射線もしくは他の所望されない放射線の波長帯から、例えば、赤外線マイクロボロメータ画素薄膜、電荷結合素子CCD検出器画素、ミリメータ波検出器画素、CMOS検出器画素などの、部分的にもしくは全体的に遮蔽する下に配置する放射線検出器回路を含む。そのような照射は、例えば、検出器素子を含む検出器デバイスが不注意に太陽に向けられたときに発生するかもしれず、結果として検出器素子に対して永久的な損傷をもたらすかもしくは延長された時間の間に検出器素子に残存するかもしれない潜像の形成をもたらすかもしれない。もう1つの例示的な実施態様では、1つもしくはそれ以上の個々の検出器素子は、同一の焦点面アレイの他の検出器素子とは異なるレベルの放射線から、下に配置する放射線検出器回路を部分的にもしくは全体的に遮蔽する光学的に遷移するフィルター素子が提供されてもよい。例えば、第1の光学的に遷移するフィルター素子は、例えば、約5ミクロン以下の波長を有するエネルギーなどの第1のレベルの赤外線エネルギーから、第1の検出器素子の下に配置する放射線検出器回路を遮蔽するために提供されてもよい一方で、第2の光学的に遷移するフィルター素子は、例えば、約7ミクロン以下の波長を有するエネルギーなどの第2のレベルの赤外線エネルギーから、隣接した第2の検出器素子の下に配置する放射線検出器回路を遮蔽するために提供されてもよい。そのような損傷を回避するために、例えば、焦点面アレイなどの個々の検出器素子は、1つの例示的な実施態様では、例えば、間接的に反射された太陽光、人工的な部屋の照明などの所望された放射線の波長帯に対して実質的に透過できる状態のままであるが、例えば、直接の太陽光、電気アーク放射などの所望されない放射線の波長帯に対して実質的に非透過性もしくは不透明となる光学的に遷移する材料から構成された光学的に遷移するフィルター素子が提供されてもよい。そのような実施態様では、光学的に遷移するフィルターは、光学的に遷移する材料が例えば、相転移などのその光学遷移温度より低い温度のままであって対応する実質的には透過性の状態のままであるように、通常の動作温度で所望された放射線の波長帯に対して照射されるときにそれが十分に熱を分散する方法のみならず、所望されない帯域幅の放射線に対する照射が、相転移する材料の温度が、例えば、相転移などのその光学遷移温度よりも上昇し、所望されない放射線に対して少なくとも部分的に非透過性もしくは不透明となることを回避するのに十分である、急激には分散されない十分な熱を発生するような方法でもまた構成されてもよい。この方法において、光学的に遷移するフィルターは、所望された放射線を、下に配置する検出器回路に対して透過するように動作するが、所望されない放射線から、下に配置する検出器回路を自動的に遮蔽する。本開示された光学的に遷移するフィルター素子は、1つの例示的な実施態様では、例えば偏光計の赤外線検出器などの他の特徴を可能とするために、例えば、スペクトルフィルター、偏光フィルター、マイクロレンズなどの、ここの他の箇所で開示された受動光学素子と選択的に組み合わされてもよい。本開示された光学的に遷移する画素レベルのフィルタリングが利用されてもよいアプリケーションの特定の例には、これらには限定されないが、赤外線検出器に対して太陽電磁波耐性を提供すること、温度依存性のスペクトル放射線選択性を提供すること、例えば、天文光源の研究、星間様態の研究などの科学的なアプリケーションを含む。1つの例示的な実施態様では、それぞれが異なる波長をフィルタリングする、光学的に遷移する光学素子、受動光学素子、もしくは受動光学素子と光学的に遷移する光学素子との組み合わせの他の層と選択的に組み合わされた光学的に遷移するフィルター素子層を含む多層構造が提供されてもよい。単独で提供されようとも他の懸支された光学素子が提供されようとも、FPAの隣接した画素間のクロストークを減少させるために、下に配置するマイクロボロメータ画素構造もしく他のタイプの検出器回路に対して熱的に分離され、接近して例えば、一実施態様では約10ミクロンより小さい、もう1つの実施態様では約10ミクロンより小さい及び約1ミクロン以上、もう1つの実施態様では約1ミクロンから約10ミクロン、もう1つの実施態様では約5ミクロン以下、もう1つの実施態様では約1ミクロンから約5ミクロン、もう1つの実施態様では約2ミクロン、もう1つの実施態様では約2ミクロン以下、並びにもう1つの実施態様では1ミクロンから約2ミクロン。、位置決めされた、多層の光学的に遷移する構造もしくは、ここで開示された、他のタイプの懸支された光学素子が提供されてもよい。もう1つの例示的な実施態様では、光学的に遷移するフィルター素子は、下に配置する検出器画素とともにモノリシックで製造されてもよく、または別々に製造されて、次に検出器素子に対して付着されるかもしくは他の方法でアセンブリングされてもよい。しかしながら、1つの例示的な実施態様では、画素レベルの光学的に遷移するフィルター素子は、その場でモノリシックで製造されてもよい。すなわち、光学的に遷移するフィルター素子の層または他の構造上の素子は、赤外線検出器素子の他の構成要素とは別々に製造されて、次に赤外線検出器素子に対してアセンブリングされるというよりもむしろ、対応する赤外線検出器素子のマイクロボロメータ画素薄膜構造にわたって所定の場所に製造される。1つの例示的な実施態様では、モノリシック構造の光学的に遷移するフィルター素子は、現代のフォトリソグラフィ技術を用いて製造されてもよく、その結果、ボロメータ画素にわたって光学的に遷移するフィルター素子の正確なレジストレーション及びアライメントが得られる。もう1つの実施態様では、懸支された光学的に遷移するフィルター素子は、FPAの隣接した画素間のクロストークを最小化もしくは実質的に除去するために、例えば、マイクロボロメータ画素構造などの、下に配置する検出器回路に対して、例えば、一実施態様では約2ミクロン、もう1つの実施態様では約2ミクロン以下などのように、十分に接近して配置されてもよい。しかしながら、例えば所定のアプリケーションに対する光学的な合焦点の要件に適合してもよいように、懸支された光学的に遷移するフィルター素子はマイクロボロメータ画素薄膜構造に対して任意の他のより大きい距離において配置されてもよいし、もしくはより小さい距離において配置されてもよい。本開示された放射線検出器及び焦点面アレイが利用されてもよい赤外線アプリケーションの中には、これらには限定されないが、例えば、例えば木、植物などの自然物もしくは隠ぺい材料、例えば、高速道路上の氷、飛行機の翼上の氷などの偏光面上の非偏光層の識別、例えば、天文光源の研究、星間様態の研究などの科学的なアプリケーションの雑然とした背景において、例えば、自動車、よろいなどの人間が作り出した物体の識別などの分光偏光計の赤外線画像化アプリケーションが含まれる。1つの態様において、光学的に遷移する熱吸収構造を含む熱検出器素子がここで開示され、上記熱検出器素子は、温度とともに値が変化する、熱吸収構造の少なくとも1つの特性を測定することによって、その上に入射する放射線を感知するように構成され、熱吸収構造には、少なくとも1つの光学的に遷移する材料を含む1つもしくはそれ以上の構成要素が提供される。もう1つの態様において、アレイとして配列された複数の個々の熱検出器素子を含む焦点面アレイアセンブリがここで開示され、上記複数の個々の熱検出器素子の少なくとも一部は、光学的に遷移する熱吸収構造を含み、温度とともに値が変化する、熱吸収構造の少なくとも1つの特性を測定することによって、その上に入射する放射線を感知するように構成され、上記熱吸収構造には、少なくとも1つの光学的に遷移する材料を含む1つもしくはそれ以上の構成要素が提供される。焦点面アレイアセンブリを含むデバイスウエハーと、リッドウエハーとを含む、ウエハーレベルにパッケージングされた焦点面アレイアセンブリがまた開示され、上記リッドウエハーは、リッドウエハーによって、入射放射線が、リッドウエハーを通って焦点面アレイアセンブリに到着することができるように、少なくとも部分的に入射放射線に対して透過性があって、デバイスウエハーに対してアセンブリングされる。もう1つの態様において、アレイとして配列された複数の個々の熱検出器素子を形成するステップを含む焦点面アレイアセンブリを製造する方法がここで開示され、複数の個々の検出器素子はそれぞれ、光学的に遷移する熱吸収構造を含み、温度とともに値が変化する、熱吸収構造の少なくとも1つの特性を測定することによって、その上に入射する放射線を感知するように構成され、上記熱吸収構造には、少なくとも1つの光学的に遷移する材料を含む1つもしくはそれ以上の構成要素が提供される。図2は、その感知された熱エネルギーの2次元画像を表示する熱エネルギーを感知して電気信号を出力するように構成された1つの例示的な実施形態に係る非冷却IR検出器210の斜視図である。この実施形態では、IR検出器210は、基板216上に配置された焦点面アレイFPA212を含む。その基板216は読み出し集積回路ROICを含み、FPA212は冷却されなくてもよい。ROICは、焦点面アレイ212における各IR検出器素子300の懸支されたマイクロボロメータ検出器画素素子からの熱的に生じた電気信号を統合するように構成されてもよい。各懸支されたマイクロボロメータ検出器画素素子は、後述するように、懸支されたモノリシック構造のフィルターを含んでもよい。図2においてさらに図示するように、例えばアクティブヒートシンクなどの選択的な熱素子217が、例えば予め定義されてもよい温度範囲内で集積回路基板216の動作温度を維持するように使用されてもよい制御ヒートシンクの形態としての役目を果たすために、焦点面アレイ212から対向する、基板216の側に対して提供されてもよい。しかしながら、熱素子217は存在する必要がなく、温度安定化の形態が必要とされない、ということが理解されるであろう。1つの例示的な実施形態では、焦点面アレイ212は、2次元アレイで配列された複数のIR検出器素子300が含まれてもよく、各検出器素子300はIR検出器210によって検出された各画像におけるそれぞれの画素に対応する。1つの例示的な構成では、焦点面アレイは特定のアプリケーションに対して必要に応じてもしくは要望に応じて、例えば80×60のアレイよりも大きいかもしくは等しいアレイサイズからメガピクセルサイズのアレイサイズまでの範囲などの任意の他のサイズのものであってもよいが、焦点面アレイ212は320×240のアレイで配列された76800個のIR検出器素子300を含んでもよい。明確とするために、しかしながら、図2は、約140個の検出器素子だけを概略的に図示する。焦点面アレイ212における検出器素子300の全体の数はより多くても少なくてもよい、ということが認識されるであろう。図2は、2次元アレイにおいて配列された検出器素子300を図示する。2次元アレイ構成の例は、これらには限定されないが、長方形の、八角形の、六角形の、円形などの形状を有するアレイを含む。検出器素子は、代替的には、例えば、直線もしくは曲線の単一画素などのように1次元アレイで配列されてもよく、特定のパターンに従わない任意の場所において提供されてもよい。一実施形態では、焦点面アレイ212は、単一の真空パッケージ内に形成されて設置されて熱画像化のための真空パッケージングされた画素アレイ構造を形成してもよい。この実施形態では、IR検出器素子210は、ターゲットシーン領域の特定部分における熱エネルギーを検出する個別のデバイスである。非真空パッケージングされた、デバイスウエハーとリッドウエハーパッケージとの連結コンビネーションがまた可能であってそれらに対しては非IRのFPA及び透過性のリッドであるが、例えば、IR検出器素子210はデバイスウエハー上に形成され、次に少なくとも部分的に赤外線に対する透過性を有したすなわち、少なくともいくつかの赤外線透過特性を有したリッドウエハーを真空中で封止されてアセンブリングされ、ここで、リッドウエハーとデバイスウエハーとの間は封止的に真空状態とされる。ここで開示された種々の開示された実施形態が実施されてもよい、例えば、検出器、焦点面アレイ、マイクロボロメータ薄膜、及びそれらのパッケージングのための材料並びに/または構成を含む技術の例が特許文献1、特許文献2、特許文献3、ハンソンによって本願と同日に同時出願された、発明の名称がマイクロボロメータ検出器に対する画素構造の特許文献4において開示され、上述の特許文献のそれぞれがその全体において参照によりここで組み込まれる。IR検出器素子300に加えて、焦点面アレイ212の構成は、代替的にもしくは追加的に、IR検出器素子300と同様の方法で2次元アレイで配列された、後述された複数のIR検出器素子1200、1900、2400及び/もしくは2500を含んでもよい、ということが理解されるであろう。図3は、下方向に拡張され、マイクロボロメータ画素構造312の例えば、チタニウム、タングステン、チタニウムタングステンTiW、アルミニウム、もしくは任意の他の適切な熱導電性材料などの熱導電性相互接続部308の最上部に対して実質的に位置決めされて支持された2つの光学素子支持相互接続部320によって、マイクロボロメータ画素薄膜構造312の上方約1ミクロンから約3ミクロンの距離において懸支されたモノリシック構造の偏光子フィルター322の形態における光学素子を含む非冷却赤外線検出器素子300の1つの例示的な実施形態を例示する。中空でない相互接続部もしくはより厚いもしくはより薄い壁の厚さを有した相互接続部が代替的に利用されてもよいが、1つの例示的な実施形態では、導電性相互接続部308は、約1750オングストロームの厚さの側壁を有した、例えば、円筒型、正方形、円錐型などの中空管状構造で構成されてもよい。導電性相互接続部308は、アルミニウムもしくは他の適切な熱導電性材料から形成されてもよい導電性入力パッド314によって、支持半導体基板216の読み出し集積回路に順々に結合されてもよい。一実施形態では、導電性相互接続部308は、マイクロボロメータ画素薄膜構造312と基板216の回路との間に電気接続部を供給するように構成される。図3に図示されるように、マイクロボロメータ画素薄膜構造312は、例えば、チタニウムTi、チタニウムアルミニウムTiAl、チタニウムナイトライドTiNi、ニッケルなどの赤外線吸収する薄い金属の熱電活性層、及び例えば、シリコンナイトライド、酸化シリコン、酸窒化シリコンなどの支持材料とともに、例えば、多結晶シリコンa-Si、多結晶シリコンゲルマニウムa-SiGe、酸化バナジウムVOxなどの熱的に吸収する抵抗薄膜材料の、例えば、約1000オングストロームから約4000オングストロームの厚さなどの薄い吸収層を含む。さらにマイクロボロメータ画素薄膜構造312の構成要素の1つの例示的な実施形態に対する詳細が、本願の図19から図22で図示される。他の実施形態では、例えば、シリコン半導体基板216の上方またはシリコン半導体基板上に配置された反射板層の上方などというように、基板の上方約2ミクロンよりも高い位置に懸支されるかもしくは当該基板の上方の約2ミクロンよりも低い位置に懸支されてもよいが、1つの例示的な実施形態では、マイクロボロメータ画素薄膜構造312は、導電性入力パッド314を介して、金属相互接続部308によって半導体基板216のROICに電気的に接続された比較的長い熱分離脚316によって、シリコン半導体基板216から約2ミクロンだけ上方で懸支されてもよい。導電性相互接続部308は、種々のレベルの赤外線がマイクロボロメータ画素薄膜構造312によって吸収されるように、マイクロボロメータ画素薄膜構造312の熱電活性層にわたって電流を通過させて半導体基板216のROICが熱電活性層の電気特性の変化を測定できるように電気的に結合される。IRを反射するための、例えば、例えばアルミニウムなどの反射性金属もしくは他の適切な反射性非金属材料などの反射板318は、支持基板216及びROICの表面上に図示されたように選択的に配置されて共振キャビティ構造を形成して懸支されたマイクロボロメータ画素構造312の薄膜における赤外線吸収率を高めてもよい。他の実施形態では、正方形以外の画素形状及び/または12μm×12μmよりも小さいかもしくは100μm×100μmよりも大きい画素サイズが利用されてもよいが、1つの例示的な実施形態では、画素幾何学的形状は正方形状であってもよく、画素領域は約12μm×12μmから約100μm×100μmまでの範囲であってもよい。図示されるように、マイクロボロメータ画素薄膜構造312は、電気コンタクト302と電気コンタクト304との間の電流フローのパスに対して平行と直交との両方に方向付けられた導電性素子部306によって定義された開口部310を形成するために、材料が正方形もしくは長方形グリッドパターンで懸支されたマイクロボロメータ画素薄膜構造312の薄膜材料から除去されることよる回折共振キャビティDRC構成で実装された。開口部310は、対象となる放射線の波長と比較すると小さくなるように寸法決めされてもよい。他の実施形態では、開口部が、正方形もしくは長方形以外のパターン形状を用いて、マイクロボロメータ画素薄膜構造において定義されてもよい、ということが理解されるであろう。本開示されたモノリシック構造の光学素子がマイクロボロメータ薄膜構造に対して懸支された構成で実装されたIR検出器及び焦点面アレイの技術の例が、特許文献1、特許文献2、特許文献3、ハンソンによって本願と同日に同時出願された、発明の名称がマイクロボロメータ検出器に対する画素構造の特許文献4において開示され、上述の特許文献のそれぞれがその全体において参照によりここで組み込まれる。さらに、図3を参照すると、モノリシック構造の偏光子フィルター322は、パターニングに適した剛性及び厚さからなる任意の材料のものであってもよい。1つの例示的な実施形態では、偏光子フィルター322は、約2500オングストロームの厚さのアルミニウム金属であってもよい。偏光子フィルター322を形成するために利用されてもよい他の材料は、これらには限定されないが、例えば窒化シリコン、二酸化シリコンなどを含む。図示されたように、モノリシック構造の偏光子フィルターが細長い空間326によって分離された細長い格子素子ワイヤ324を含む直線状の回折格子にパターニングされてもよい。そのような回折格子もしくは他の偏光子フィルター設計の寸法は、偏光子フィルター322によって与えられるべき所望されたフィルタリング特性に従って変更されてもよい、ということが理解されるであろう。例えば、1つの例示的な実施形態では、回折格子324は、隣接するスリットの中心から中心までの間隔が1ミクロンだけ離された0.5ミクロン幅のワイヤであってもよい。もう1つの例示的な実施形態では、格子素子324は、隣接するスリットの中心から中心までの間隔が2.5ミクロンだけ離された1ミクロン幅のワイヤであってもよい。他の格子素子幅及び隣接するスリットの中心から中心までの間隔が可能である。この点において、格子素子幅及び隣接するスリットの中心から中心までの間隔は、例えばフィルタリングされるべき1つもしくは複数のスペクトル、必要とされる偏光子効率などの要因に基づいて選択されてもよい。モノリシック構造の偏光子フィルター322は、対応するマイクロボロメータ画素薄膜構造312にわたって所定の場所に位置決めされたモノリシックで製造する偏光フィルター322に適した任意の技術を用いて形成されてもよい。この点において、マイクロボロメータ画素薄膜構造312のアレイは、薄膜構造312の層が形成された後に、例えば、約1ミクロンから3ミクロンまでのもしくは任意の他の適切な厚さのポリイミドの第2の層もしくは他の適切な第2の犠牲層によってコーティングされてもよい。次に、対応するモノリシック構造の偏光子フィルター322に対する層は第2の犠牲層の上方に形成されてもよく、相互接続部320は、第2の犠牲層におけるビアを介して形成されてモノリシック構造の偏光子フィルター322を支持してもよい。その後、第2の犠牲層は、例えば酸素プラズマ等方性エッチングなどによってアンダーカットすることによって、偏光子フィルター322の真下から除去されてもよい。酸素プラズマ等方性エッチングが、例えば、モノリシック構造の偏光子フィルター322の懸支された部分の真下をエッチングするアンダーカットするために利用されてもよい。電気的に及び/もしくは熱的に絶縁する相互接続部320は、第1のレベルのマイクロボロメータ画素薄膜構造312を支持する導電性相互接続部308に直接的に接続するので、偏光子フィルター構造322によって、マイクロボロメータ画素薄膜構造312に対する熱質量は増加されない。相互接続部320もしくはモノリシック構造の偏光子フィルター322のいずれかまたは相互接続部320とモノリシック構造の偏光子フィルター322との両方は、マイクロボロメータ画素薄膜構造312をバイパスする電流パスが形成されないように電気的に絶縁してもよい、ということが理解されるであろう。モノリシック構造の偏光子フィルター322に対する光学素子支持相互接続部320は、偏光子322を支持して熱特性及び電気特性の要件を満たすように適した、任意の材料及び厚さのものであってもよい。例えば、偏光子フィルター構造322を介して導電性相互接続部308間の電気ショートの発生を防止するために、導電性光学素子支持相互接続部320は、偏光子フィルター322が非導電性である場合かもしくは分離した電気的に絶縁する材料が存在する場合に利用されてもよいことが理解されるであろうが、1つの例示的な実施形態では、例えば、アルミニウムなどの導電性の偏光子フィルター322は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、もしくは他の適切な電気的に絶縁する材料などの電気的に絶縁する光学素子支持相互接続部320によって支持されてもよい。光学素子支持相互接続部320は、例えば、ポリイミド層などの第2の犠牲層と一致する高さに対して選択可能なように製造されて、例えば、約2ミクロンなどの所望された間隔を得てもよく、例えばプラグ相互接続部などのように提供されてもよい。1つの例示的な実施形態では、偏光子フィルター322及び光学素子支持相互接続部320は、絶縁相互接続部を形成するために使用された、例えば窒化シリコンなどの絶縁材料が、例えば、2500オングストロームの厚さのアルミニウム金属格子などのモノリシック構造の偏光子フィルター322の上面全体の一部もしくは実質的にすべてにわたって選択的に残るようにすなわち、薄く被覆されるように製造されてもよい。しかしながら、そのような絶縁材料がモノリシック構造の偏光子フィルター322を薄く被覆することは必要ではない。もう1つの実施形態では、各光学素子支持相互接続部320は、フィルター材料の下方向に突き出た延在部から形成されてもよい。1つの例示的な実施形態では、各光学素子支持相互接続部320は、中空でない相互接続部またはより厚い壁の厚さもしくはより薄い壁の厚さを有した相互接続部が代替的に利用されてもよいが、約1750オングストロームの壁の厚さを有した、例えば、円筒型、正方形などの中空管状構造で構成されてもよい。1つの例示的な実施形態では、焦点面アレイ212の隣接した非冷却赤外線検出器素子300は、例えば隣接した赤外線検出器素子画素300がシーン赤外線の異なる偏光成分を吸収できるように、異なって構成されたモノリシック構造の偏光子フィルター322が提供されてもよい。例えば、図4には、4つの隣接したマイクロボロメータ画素薄膜構造312a-312dの2×2のサブアレイ400が例示され、偏光子フィルター構造322を下部に配置しないものが図示されている。サブアレイ400は、例えば30ミクロン画素の320×240の多結晶シリコンのマイクロボロメータFPA212などの、より大きいFPA212の一部を形成してもよい。他の実施形態では、そのような開口部が存在してもよいが、この実施形態では、開口部310は画素薄膜構造312a-312dで形成されない。図5は、2×2のサブアレイ400の対応するマイクロボロメータ画素薄膜構造312a-312dの上に配置する場所における偏光子フィルター構造322a-322dを含む2×2のサブアレイ500を例示する。図5で図示されるように、図5の偏光子フィルター構造は、水平のモノリシック構造の回折構造322a、45度のモノリシック構造の回折構造322b、-45度のモノリシック構造の回折構造322c、及び垂直のモノリシック構造の回折構造322dを含む。図5の例示された実施形態では、4つのストロークベクトルに対応する4つの偏光は、2×2のサブアレイ500において含まれる。しかしながら、図5の実施形態は例示だけであって、2つもしくはそれ以上の異なって構成されたモノリシック構造の偏光フィルター322の任意の他の組み合わせが同一のFPA212において、規則的パターンもしくは不規則的パターンで、またはランダム配列で利用されてもよい、ということが理解されるであろう。図6は、より大きい偏光画像化焦点面アレイ550を形成するために反復された、図5の2×2のサブアレイ500のパターンを例示する。代替の実施形態では、焦点面アレイ212の1つもしくはそれ以上のマイクロボロメータ画素薄膜構造312は、偏光子フィルター構造322を上に配置することなしに覆われない状態とされてもよい。例えば、図7には、45度の偏光子フィルター構造322bがマイクロボロメータ画素薄膜構造312bがフィルタリングされずにランダムに偏光されたシーン放射線を吸収できるように省略されたことを除き、図5のサブアレイ500と類似した2×2のサブアレイ600が例示される。図7は例示だけであって、任意の1つもしくはそれ以上の偏光子フィルター構造312が省略され、及び/または任意の1つもしくはそれ以上のマイクロボロメータ画素薄膜構造312が、規則的パターンもしくは不規則的パターンで、またはランダム配列で被覆されない状態であってもよい、ということが理解されるであろう。図8及び図9は、マイクロボロメータ画素薄膜構造312から約2ミクロンだけ上方に製造されたモノリシック構造の格子構造の形態での偏光子フィルター322を有した、1つの例示的な実施形態の非冷却赤外線検出器素子300に対する偏光感度を例示する。この実施形態では、格子構造322は、隣接するスリットの中心から中心までの間隔が1.25ミクロンだけ離された0.5ミクロン幅のワイヤである格子素子324を有する。特に、図8には、波長に対してプロットされた吸収率が例示され、大部分は偏光子フィルター322が原因であるかもしれない、パラレルモードで約2の吸収率を示す。図9には、波長に対する偏光子透過率が例示され、95よりも大きい垂直透過率と0.4よりも小さい平行透過率が示されている。これが約237よりも大きい>95/0.4判別比を生じる。格子における吸収率はパラレルモードで約1.5である。図10及び図11は、マイクロボロメータ画素薄膜構造312の上方2ミクロンにおいて製造されたモノリシック構造の格子構造の形態における偏光子フィルター322を有した、1つの例示的な実施形態の非冷却赤外線検出器素子300に対する偏光感度を例示する。この実施形態では、格子構造322は、中心から中心までの間隔を2.5ミクロン離して設けられた1ミクロンの幅のワイヤである格子素子324を有する。特に、図10は、波長に対してプロットされた吸収率が例示され、大部分は偏光子フィルター322が原因であるかもしれない、パラレルモードにおいて約2の吸収率を示す。図11は、波長に対する偏光子透過率が例示され、95よりも大きい直交透過率と約2.5の平行透過率を示す。これが約38>95/2.4よりも大きい判別比を生じる。格子における吸収率はパラレルモードで約1.5である。図12は、マイクロボロメータ画素薄膜構造312、関連するシリコン半導体基板216、及び図3に関して説明された同一のタイプの選択的な反射板318の上方及びそれにわたって、例えば約1ミクロンから3ミクロンの距離などにおいて、2つの光学素子支持相互接続部320によって懸支されたモノリシック構造のスペクトルフィルター1222の形態での光学素子を含む赤外線検出器素子1200の1つの例示的な実施形態を例示する。この点において、マイクロボロメータ画素薄膜構造312は、導電性入力パッド314を介して金属相互接続部308によって半導体基板216のROICに電気的に接続された比較的長い熱分離脚316によって、シリコン半導体基板216上方でそれ自身が懸支されている。図3の実施形態と同様に、他の実施形態では、マイクロボロメータ画素薄膜構造312は、シリコン半導体基板216上方約2ミクロンよりも大きい距離でもしくは約2ミクロンよりも小さい距離で懸支されてもよい。複数の赤外線検出器素子1200は、図2に関して例示され説明された焦点面アレイ212を形成するために、赤外線検出器素子300に類似した方法で利用されてもよい、ということが理解されるであろう。図12の一実施形態では、モノリシック構造のスペクトルフィルター1222は、例えばマイクロボロメータ画素薄膜構造312によって吸収された放射線を、特定のスペクトル帯域通過の範囲内に制限するスペクトル帯域通過を形成するような、スペクトルフィルタリング機能を供給する厚さ及び屈折率によって特徴付けられた光学薄膜層の積層として構成されてもよい。スペクトルフィルタータイプの他の例は、これらには限定されないが、例えば、レーザ放射線をろ波するための高域通過フィルター、低域通過フィルター、ノッチフィルターを含む。例えば、スペクトルフィルター1222は、1つの例示的な実施形態においては、膜層1620、1622及び1624並びに以下の表1の対応する厚さを用いて、LWIRを通過させるように構成されてもよく、もう1つの例示的な実施形態においては、膜層1620、1622及び1624並びに以下の表2の対応する厚さを用いて、MWIRを通過させるように構成されてもよい。そのような第1の実施形態では、フィルター1222の全体の厚さは約0.17ミクロンであってもよく、そのフィルター1222の全体の厚さによって、マイクロボロメータ画素薄膜構造312による吸収のために通過された放射線を、図18に示されたそれらが吸収した長波波長から超長波波長までの波長に制限されてもよい。そのような第2の実施形態では、フィルター1222の全体の厚さは約0.13ミクロンであってもよく、そのフィルター1222の全体の厚さによって、マイクロボロメータ画素薄膜構造312による吸収のために通過された放射線を、図18に示されたそれらが吸収した中波波長に制限されてもよい。他の実施形態では、スペクトルフィルター1222は、他の波長の吸収を制限するように他の厚さ及び屈折率を用いて構成されてもよい、ということが理解されるであろう。代替には、スペクトルフィルター1222は、スペクトル帯域消去における放射線が実質的に下に配置する薄膜構造312によって吸収されることを回避する帯域消去機能を提供するように構成されてもよい。任意のケースでは、光学素子支持相互接続部320は、図3に関して上述されたように、例えば、電気的に絶縁するSiNなどの同様の材料から同様の寸法で構成されてもよく、一実施形態では、フィルター積層の下方向に突き出ている延在部から形成されてもよい。光学素子支持相互接続部320は、画素熱質量に対する増加もしくは画素時定数に対する変化を最小とするように、図示されたように、例えば、TiWなどの導電性相互接続部308上に配置されてもよい。さらにもう1つの実施形態では、モノリシック構造のスペクトルフィルター1222は、下に配置するマイクロボロメータ画素薄膜構造312を、実質的に完全に入射する放射線から遮蔽する、上に配置する光学ブロック構造と置き換えてもよい。このことは、アクティブ画像化画素としての役目を果たす非ブラインド赤外線検出器素子300と組み合わせると参照画素としての役目を果たしてもよいブラインド画素として1つもしくはそれ以上の非冷却赤外線検出器素子300を構成するように実行されてもよい。この点においては、そのようなブラインド参照画素は、入射する放射線に照射されたアクティブ画像化画素の応答を測定するためのベースラインとして使用されてもよい暗信号応答を有する。例えば薄い金属反射層、反射する誘電体積層、及び吸収する金属、吸収する積層などのそのような上に配置する光学ブロックの実施形態の構造は、下に配置するマイクロボロメータ画素薄膜構造312が応答するように設計されたスペクトル帯域において、すべての入射する放射線を実質的にブロックするのに適した材料並びに/または構成のものであってもよい。そのような実施形態では、光学ブロック構造を有した非冷却赤外線検出器素子300は、FPA212のマイクロボロメータ画素薄膜構造312にわたってランダムにもしくは体系的に分布されてもよい。代替の実施形態では、焦点面アレイ212の1つもしくはそれ以上のマイクロボロメータ画素薄膜構造312は、スペクトルフィルター構造1222で覆われてもよい一方で、同一の焦点面アレイ212の1つもしくはそれ以上の他のマイクロボロメータ画素薄膜構造312は、上に配置するスペクトルフィルター構造1222を有さないで覆われない状態とされてもよい。例えば、図13は、交互のマイクロボロメータ画素薄膜構造312だけにモノリシック集積スペクトルフィルター1222が提供された、2×2のサブアレイ1300を例示する。図13において、図4に図示されたような2×2のサブアレイ1300の4つの隣接したマイクロボロメータ画素薄膜構造312a-312dは、モノリシック集積スペクトルフィルター構造1222a及び1222dによって入れ替えることによって上に配置されて、フィルタリングされないシーン放射線を受信するためにマイクロボロメータ画素薄膜構造312b及び312cは覆われない状態のままである。図13は例示だけであって、任意の1つもしくはそれ以上のスペクトルフィルター構造1222が提供されてもよく、及び/または任意の1つもしくはそれ以上のマイクロボロメータ画素薄膜構造312が規則的パターンもしくは不規則的パターンで、またはランダム配列で被覆されない状態のままであってもよい、ということが理解されるであろう。図14は、マイクロボロメータ画素薄膜構造312に対して1つおきにモノリシック集積スペクトルフィルター構造1222が提供された、より大きい画素レベルのスペクトル的にろ波された画像化焦点面アレイ1400を形成するために反復された図13の2×2のサブアレイ1300のパターンを例示する。図15は、2×2のサブアレイ1500が、それぞれの代替の異なるタイプのモノリシック集積スペクトルフィルター構造1222によって上に配置された、図4の4つの隣接したマイクロボロメータ画素薄膜構造312a-312dを含むもう1つの実施形態を例示する。この点において、第1のタイプのスペクトルフィルター構造1222a及び1222dは、第2のタイプのスペクトルフィルター構造1222b及び1222cに隣接して位置決めされる。例えば、1つの例示的な実施形態では、第1のタイプのスペクトルフィルター構造は中波IRであってもよく、第2のタイプのスペクトルフィルター構造は長波IRもしくは当該長波IRのサブバンドであってもよい。しかしながら、任意の他の2つもしくはそれ以上の異なるタイプのフィルター構造は、規則的パターンもしくは不規則的パターンで、またはランダム配列で、焦点面アレイ212のマイクロボロメータ画素薄膜構造1222にわたってそのように位置決めされてもよい。図16は、図12に関して説明されて例示されたようなモノリシックスペクトルフィルター1222を組み込んだ非冷却赤外線検出器素子1200の1つの例示的な実施形態に対して、材料層シーケンス1600の垂直断面図を例示する。一実施形態では、図16の複数の層は、基板216及びROIC1602の最上部に対する堆積によって形成されてもよい。図16に図示されたように、層シーケンス1600は、その上に配置された選択的な反射アルミニウム層318とともに、基板216のROIC1602を含む。第1のキャビティ1606は、マイクロボロメータ画素薄膜構造312から基板216及び反射層318を分離させ、当該マイクロボロメータ画素薄膜構造312それ自身には、窒化シリコン層1608及び1612並びにそれらの間の多結晶シリコンの熱電活性層1610が含まれる。マイクロボロメータ画素薄膜構造312を完成させるために、チタニウム吸収層1614が窒化シリコン層1612の上に堆積され、チタニウム吸収層1614自身の上に窒化シリコン層1616が堆積される。画素薄膜構造312に対して図16において例示された特定の複数の層は例示だけであって、数、タイプ及び/もしくは厚さを変えて所望された赤外線検出器特性を得てもよい。第2のキャビティ1618は、スペクトルフィルター1222からマイクロボロメータ画素薄膜構造312を分離させ、当該スペクトルフィルター1222それ自身には、窒化シリコン層1620及び1624並びにそれらの間の多結晶ゲルマニウム層1622が含まれる。スペクトルフィルター1222の複数の層は、複合のスペクトルフィルター構造のスペクトル応答を定義し、数、タイプ及び/もしくは厚さを変えて所望されるスペクトル応答を得てもよい。対応するマイクロボロメータ画素薄膜構造312にわたって所定の場所においてスペクトルフィルター1222をモノリシックで製造するのに適した任意の技術が利用されてもよい。例えば、偏光子フィルターの実施形態に対して上述されたように、マイクロボロメータ画素薄膜構造312のアレイは、薄膜構造312の複数の層が形成された後に、例えば、約1ミクロンから3ミクロン、もしくは任意の他の適切な厚さなどの第2の層のポリイミドもしくは他の適切な第2の犠牲層でコーティングされてもよい。次に、対応するモノリシック構造のスペクトルフィルター1222に対する複数の層が、第2の犠牲層の上方に形成されてもよく、相互接続部320は第2の犠牲層におけるビアを介して形成されてスペクトルフィルター構造1222を支持してもよい。その後、スペクトルフィルター1222の層は第2の犠牲層を通って下に配置する薄膜構造312まで下方向にエッチングされてもよい。例えば、モノリシック構造のスペクトルフィルター1222の懸支された部分の真下をエッチングするアンダーカットするために、酸素プラズマ等方性エッチングが利用されてもよい。相互接続部320は、第1のレベルのマイクロボロメータ画素薄膜構造312を支持する導電性相互接続部308に対して直接的に接続するので、スペクトルフィルター構造1222によって、マイクロボロメータ画素薄膜構造312に対する熱質量は増加されない。図16に図示されたのと同様の材料層シーケンスが、例えばマイクロボロメータ画素薄膜構造312の上方及びそれにわたって懸支されたモノリシック構造の偏光子フィルター322を含む、図3の非冷却赤外線検出器素子300などのために、必要に応じてここで開示された他の光学素子実施形態のマイクロボロメータ画素薄膜構造に対して利用されてもよい。そのようなケースでは、スペクトルフィルター1222の層1620、1622及び1624が、例えば図3に関して説明されて例示されたモノリシック構造の偏光子フィルター322のアルミニウム金属もしくは他の適切な偏光子構造層と置き換えるなど、実装されるべき光学素子のタイプに適した材料/層と置き換えられてもよい。表1は、図16の材料層シーケンス1600を用いた長波赤外線LWIR検出器実施形態のうちの1つの可能性がある実施形態に対する例示的な寸法を例示する。図17は、表1のLWIR層構造に係る多結晶シリコンの2つのレベルの検出器実施形態に対する、波長に対する検出器の吸収率に関して、8ミクロンから12ミクロンの長波赤外線スペクトル帯域における広帯域長波赤外線LWIRから超長波赤外線VLWIRのスペクトル応答を例示する。表2は、図16の材料層シーケンス1600を用いた、中波赤外線MWIR検出器実施形態の1つの可能性がある実施形態に対する例示的な寸法を例示する。図18Aは、表2のMWIR層構造に係る多結晶シリコンの2つのレベルの検出器実施形態に対する、波長に対する検出器の吸収率に関して、3ミクロンから5ミクロンの中波赤外線スペクトル帯域におけるMWIRスペクトル応答を例示する。表1及び表2の層構造の実施形態は例示だけであって、他の材料、層構成及び層の厚さが所定のアプリケーションに対して適切なようにもしくは所望されるように利用されてもよい、ということが理解されるであろう。図19から図22は、マイクロレンズ構造1902の形態における光学素子が、特定の他の実施形態に対して上述された方法と同様の方法で、下方向に拡張され、DRCマイクロボロメータ画素構造312の、例えば、TiW、アルミニウムなどの導電性相互接続部308の最上部に対して実質的に位置決めされて固定された、例えば、SiNなどの2つの絶縁する光学素子支持相互接続部320によって、マイクロボロメータ画素薄膜構造312の上方及びそれにわたって、約3ミクロンもしくは他の適切な距離において支持され懸支される。上述された実施形態と同様に、導電性相互接続部308は、アルミニウムもしくは他の適切な導電性材料から形成されてもよい導電性入力パッド314によって、支持半導体基板216の読み出し集積回路に順々に結合される。この例示的な実施形態では、図示されたように、マイクロボロメータ画素薄膜構造312は、当該マイクロボロメータ画素薄膜構造312において定義された4つの開口部310が提供される。複数の赤外線検出器素子1900は、図2に関して例示されて説明されたような焦点面アレイ212を形成するために、赤外線検出器素子300と同様の方法で利用されてもよい、ということがまた理解されるであろう。図19から図22の実施形態では、開口部1960は、例えば、アルミニウムなどの選択的な金属反射板318において図示されたように定義される。金属反射板318の開口部1960は、図示されたように、インジウムガリウムヒ素InGaAsダイオード検出器1980によって順々に垂直に位置決めされた、マイクロボロメータ画素薄膜構造312の開口部310によって垂直に位置決めされる。他の例示的なタイプの検出器1980は、これらには限定されないが、シリコンSiダイオード、ゲルマニウムGeダイオード、及びシリコンゲルマニウムSiGeダイオード検出器を含む。この実施形態では、マイクロレンズ構造1902は、それぞれが反射板金属318における対応する開口部310及びDRC画素構造の他の構成要素を通ってROIC1602の埋め込まれた金属層1970の下のSiO2基板216内に埋め込まれた、対応するInGaAs、Si、GeもしくはSiGeの検出器1980に対して可視スペクトルと近赤外線スペクトルと短波長赤外線スペクトルとの組み合わせVNSの放射線すなわち、実質的には可視から短波長IRまでのすべての放射線の焦点を合わせる4つのマイクロレンズ1904のアレイを含む。マイクロレンズ1904は、設計によって、回折性を有するレンズ、屈折性を有するレンズまたは屈折性と回折性との組み合わせの特性を有するレンズであってもよい。VNS放射線以外の他のタイプの放射線を検出するように構成された検出器が、例えば、マイクロボロメータ画素薄膜構造312がLWIRを検出するように構成された場合には短波赤外線もしくは中波赤外線などの、他の実施形態において代替的に利用されてもよい。図示されたように、各マイクロレンズ構造1902は、この例示的な実施形態では、反射板金属318及び検出器1980における、対応する開口部310の下に配置する光学領域よりも大きい光学領域を有したコンセントレータレンズとして構成される。さらに、図19から図22を参照すると、マイクロレンズ1904の画素レベルのアレイは、任意の適切な方法を用いて、DRCマイクロボロメータ画素薄膜構造312にわたってモノリシックで製造されて当該DRCマイクロボロメータ画素薄膜構造312に対して位置決めされてもよい。例えば、偏光フィルター及びスペクトルフィルターの実施形態に対して上述された方法と同様の方法で、例えば、約3ミクロンもしくは任意の他の適切な厚さなどの第2のポリイミド犠牲層がDRC画素アレイにわたって堆積されてもよい。この実施形態では、相互接続部320は、第2のポリイミド層におけるビアを介して形成されてマイクロレンズアレイブリッジ構造1902を支持してもよい。相互接続部320は第1のレベルのマイクロボロメータ画素薄膜構造312を支持する導電性相互接続部308に対して直接的に接続するので、マイクロレンズアレイブリッジ構造1902によって、マイクロボロメータ画素薄膜構造312に対する熱質量は増加されない。1つの例示的な実施形態では、図19から図22の構成は、例えば、ダイオードイメージャーをベースとしたVNSセンシング画素にわたって製造されたLWIRMWIRの多結晶シリコンa-SiDRC画素を組み込んだマルチスペクトル画素設計において、LWIRマイクロボロメータ感度とVNSInGaAsダイオード感度との両方の同時の最大化を可能とするように実装されてもよい。そのような構成は、LWIRDRC画素構造を通ってVNS放射線を最小損失で、DRC画素のLWIR共振キャビティ吸収率特性を腐敗させることなしに透過させることによって、両方のスペクトル帯域において同時に感度を最大化することに対して使用されてもよい。一実施形態では、ROIC1602は、例えば、赤外線及びVNSなどの2つのスペクトル帯域からの信号を統合するために、分離した画素内積分増幅器を利用してもよい。図19から図22の実施形態の1つの例示的な実施形態では、金属キャビティ反射板層318の上方に、例えば、約2ミクロンの距離もしくは他の適切な距離において、懸支されたSiN/a-Si/SiN薄膜ブリッジ構造1996において埋め込まれた、例えば、約200オングストロームもしくは他の適切な厚さのTiAl構造などの、赤外線吸収する格子構造1998を含むマイクロボロメータ画素薄膜構造312を利用した、低熱質量のa-SiLWIRDRC画素設計が実装されてもよい。1つの例示的な実施形態では、マイクロボロメータ画素薄膜構造312の薄膜1996は、開口部310なしでも実質的にVNSトランスペアレントVNS透過性である約1100オングストロームの厚さのSiN/a-Si/SiNであってもよい。しかしながら、透過率は、開口部310に薄膜をまた提供することによってさらに改善されてもよい。例えば、1つの例示的な実施形態において、約2.5ミクロン×約2.5ミクロンまでの薄膜開口部310が提供されてもよい。しかしながら、例えば約3ミクロン×約3ミクロンよりも大きい薄膜開口部310などのように、より大きいサイズの薄膜開口部310がまた可能である。1つの例示的な実施形態では、マイクロボロメータ画素薄膜構造312の吸収構造は、隣接するスリットの中心から中心までの間隔が約5ミクロンだけ離された、約1ミクロンもしくはその他適切な幅の格子素子を含んでもよく、例えば、約90よりも大きいLWIR吸収率を示してもよい。そのような例示的な構成では、金属格子素子1998がない、約4ミクロン×4ミクロンのVNSトランスペアレントVNS透過性領域1992は、VNS放射線が、約2.5ミクロン×約2.5ミクロンの開口部310と組み合わせて、マイクロボロメータ画素薄膜構造312を通って効率的に透過することを可能とする。VNSトランスペアレントVNS透過性領域1992を通ってVNS放射線の焦点を合わせるためのアレイのマイクロレンズ1904の使用は、DRCマイクロボロメータ画素薄膜構造312を通り抜ける透過率を有利に最大とするために利用されてもよい。一実施形態では、キャビティ反射板金属318は、DRC画素設計における高い吸収率を保証するために、約99.9のLWIR反射率を示す高い反射率の低損失のアルミニウム金属層であってもよい。そのような実施形態では、高い反射率は、VNS放射線を透過させるために必要とされる開口部1960のサイズを最小化することによって、キャビティ反射板318に対して実質的に維持されてもよい。このことは、画素レベルのマイクロレンズ1904のアレイを利用して比較的小さい開口部1960それぞれの中にVNS放射線の焦点を合わせることと組み合わせて、キャビティ反射板金属層318において、例えば、約2ミクロン×約2ミクロンなどの比較的小さい開口部1960を提供してVNS放射線を埋め込まれたVNS検出器ダイオード1980に透過させることによって有利に達成されるかもしれないより詳細な図21を参照すると、個々の開口部1960の中にVNS放射線の焦点を合わせるように構成されたZnSeの平凸マイクロレンズ1904のアレイが提供されてもよく、それによって、図示されたように、焦点が合わされた放射線が例えば、約1.5の屈折率nを有したSiO2基板などの基板216を通って、埋め込まれたVNS検出器ダイオード1980に透過される。表3は、例示的な17ミクロン平方及び20ミクロン平方のボロメータ画素サイズで構成された場合の、図19から図22の検出器素子1900の構成要素に対して利用されてもよいモデル化された光学特性の1つの例示的な実施形態をリストアップする。表3は、モデル化された例示的なデータだけを含み、検出器素子1900の特性はリストアップされたデータと異なってもよい、ということが理解されるであろう。図23は、例えば、InGaAsなどのVNSダイオード検出器1980が反射板金属318における開口部1960の直下の基板216の最上部において、例えば、接着もしくはその他の方法で付着されるなどの方法で提供されることを除き、図21の実施形態と同様に構成された二重帯域検出器素子1900の代替の例示的な実施形態を例示する。この例示的な実施形態では、図示されたように、個々の開口部1960において位置決めされたVNS検出器ダイオード1980上にVNS放射線の焦点が合わされるように構成されたZnSeの平凸マイクロレンズ1904のアレイが提供されてもよい。図19から図23の実施形態の集積されたLWIR/VNS画素設計は、一実施形態においては、高いLWIR吸収率を維持しながら約80よりも大きいLWIRボロメータを通り抜けるVNS放射線透過を得るように有利に最適化されてもよい。画素レベルのマイクロレンズ1904の包含は、VNS放射線検出器1980上に、DRC画素を通ってVNS放射線の焦点を合わせるための付加的な機構を提供するために利用されてもよい。マイクロレンズ1904の構成は屈折性の光学素子として描かれてもよいが、例えば、グレイスケールリソグラフィーによって製造された広帯域回折もしくは回折/屈折性光学設計などの任意の他の適切な焦束光学設計が利用されてもよい。焦点面アレイは、任意の適切なもしくは所望された数の検出器素子、及び/または任意の適切なもしくは所望されたサイズの検出器素子を用いて製造されてもよい。焦点面アレイ構成の実施例は、これらには限定されないが、例えば320×240、640×480、1024×768などの画素アレイサイズで構成された17ミクロン平方の検出器素子画素を含む。1つの例示的な実施形態では、17ミクロン平方の検出器素子画素は、約3.1/Kの熱抵抗係数TCRを有した低ノイズのa-Si材料を用いて、約40mKのf/1ノイズ等価温度差NETD8-12μmと約10ミリ秒の熱時定数とを有した640×480の画素アレイで構成されてもよい。1つの例示的な実施形態では、マイクロレンズ1904はVNS反射防止コーティングを利用する。図19から図23の二重帯域検出器素子構成は例示だけであることが理解されるであろう。この点において、マイクロレンズもしくはマイクロレンズアレイ光学素子は、3つのもしくはそれ以上の異なる放射線帯域において放射線を検出することができる単一帯域の非冷却赤外線検出器もしくはマルチ帯域の検出器のマイクロボロメータ画素薄膜構造の薄膜材料の上方及びそれにわたって懸支されてもよい例えば、マイクロレンズもしくはマイクロレンズアレイ光学素子は、最上のマイクロボロメータ画素薄膜構造から最下のマイクロボロメータ画素薄膜構造の下に配置される基板に放射線を透過させるために、そこに位置決めされた開口部を有した、2つもしくはそれ以上に積層されたマイクロボロメータ画素薄膜構造を有したマルチ帯域検出器の最上のマイクロボロメータ画素薄膜構造の薄膜材料の上方及びそれにわたって懸支されてもよい。。図24は、マイクロボロメータ画素薄膜構造312と、関連するシリコン半導体基板216と、図3に関して説明されたのと同一のタイプの選択的な反射板318との上方及びそれにわたって、例えば、約1ミクロンから2ミクロンもしくは他の適切な距離において、2つの光学的に透過するフィルター素子支持相互接続部2402によって懸支された、例えば、サーモクロミックもしくは相転移などの光学的に遷移するフィルター素子2410を含む非冷却赤外線検出器素子2400の1つの例示的な実施形態を例示する。この点において、マイクロボロメータ画素薄膜構造312は、導電性入力パッド314を介して、金属相互接続部308によって、半導体基板216のROICに対して電気的に接続された比較的長い熱分離脚316によって、シリコン半導体基板216の上方に、例えば、約2ミクロンの距離において、それ自身が懸支されてもよい。図3の実施形態と同様に、マイクロボロメータ画素薄膜構造312は、他の実施形態においては、シリコン半導体基板216の上方に、約2ミクロンよりも大きい距離において懸支されてもよいし、もしくは約2ミクロンよりも小さい距離において懸支されてもよい。開示された画素レベルの光学的に遷移するフィルター素子は、これらには限定されないが、赤外線マイクロボロメータ画素薄膜、CCD検出器画素、ミリメータ波検出器画素、CMOS検出器画素などを含む種々のタイプの検出器素子の上方に懸支されるかもしくは他の方法で動作可能なように配置されてもよい、ということが理解されるであろう。さらに、上述されたように、分離した光学的に遷移するフィルター素子は、ここの他の実施形態に対して上述されたような方法で、対応する下に配置する検出器画素とともにモノリシックで製造されてもよいし、もしくは別々に製造されて次に対応する個々の検出器素子にわたって付着もしくはその他の方法でアセンブリングされてもよい。図24の例示的な実施形態では、光学的に遷移するフィルター素子2410は、例えば、所定の選択された温度において所望された波長をろ波するように選択されるなどの、所定のアプリケーションのフィルタリングの必要要件に適した1つもしくはそれ以上の光学的に遷移する金属から構成されてもよい。そのような材料の例には、これらには限定されないが、例えばゲルマニウム-アンチモン-テルルGSTもしくはGeXSbYTeZ、酸化バナジウムVO、VO2、例えばV2O3などのVnO2n-1、タングステンがドーピングされた酸化バナジウム例えばW:VO2などのW:VOx、及び化学量論的変異体、ニオブ酸化、タンタル酸化、Ti2O3三酸化二チタン、Fe3O4四酸化三鉄、Mo9O26酸化モリブデンなどのサーモクロミックもしくは相転移する組成を含む。そのような光学的に遷移する材料は、例えば、二酸化バナジウムVO2が約68度より下の温度では、赤外線に対しては依然として光透過性半導体のままであって、約68度以上の温度では赤外線に対しては光学的に不透明な遮光性の金属材料となるなど、材料の温度によって選択的に放射線を透過させるように動作する。1つの特定の例示的な実施形態では、化学式VnO2n-1を有した酸化バナジウムが、赤外線を選択的にろ波するための光学的に遷移する材料として利用されてもよく、ここで、nは1から5までの値を持つ。任意のケースでは、所定のアプリケーションのニーズを満たす、例えば、非赤外線波長などを含むそれらの特定の放射線の波長を選択的にろ波するために、光学的に遷移する、1つもしくは複数の組成の光学的に遷移する材料が選択されてもよい、ということが理解されるであろう。さらに、ここの他の箇所で説明したように、光学的に遷移する材料の組成は、例えば、例えばタングステン、アルミニウム及び/もしくはマンガンなどの他の材料をドーピングするなどによって、変更されて、異なるアプリケーションに対する温度関数として材料の例えば、相転移などの光学遷移特性を調整してもよい。他の量及び/もしくは他のタイプのドーパントが利用されてもよいが、例えば、1つの例示的な実施形態では、遷移温度を下げるために、例えば、VO2二酸バナジウムなどのサーモクロミック酸化バナジウムが、約1から約1.9のタングステンによってドーピングされてもよい。従って、より低温度では対象となる放射線の波長を実質的に吸収せず、より高温度では任意の所望されない放射線波長をろ波しながら寄生効果を最小化する光学的に遷移するフィルターを構成するために、光学的に遷移する材料は、その光学的遷移特性に基づいて選択されてもよく、及び/またはその光学的遷移特性はドーピングによって調整されてもよい。表4は、スペクトルフィルター層に関して上述された、図16の材料層シーケンス1600を用いて、光学的に遷移するフィルター型検出器の実施形態2400の1つの可能な実施形態の例示的な寸法を例示し、種々の他の構成が異なるアプリケーションを満たすように必要に応じて特定化されてもよいことが理解される。この点において、他の実施形態では、光学的に遷移するフィルター素子2410は、異なる材料、及びより厚いもしくはより薄い厚さを用いて構成されてもよい、ということが理解されるであろう。同様に、熱分離脚2404は、光学的に遷移するフィルター素子2410の熱分離に対してサポートして貢献するのに適した、任意の寸法及び/もしくは幾何学的形状を用いて構成されてもよい、ということが理解されるであろう。図18Bは、表4の光学的に遷移するフィルター型の層構造に係る、多結晶シリコンの2つのレベルの検出器の実施形態に対する、波長に対する検出器吸収率に関するスペクトル応答を例示する。表4の層構造の実施形態は例だけであって、他の材料の層構造及び層の厚さが所定のアプリケーションに適したようにもしくは所定のアプリケーションに対して所望されたように利用されてもよい、ということが理解されるであろう。例えば、太陽の放射線は、約8ミクロンから約14ミクロンの長波IRよりも、約3ミクロンから約5ミクロンの中波IRによってほとんどが構成されている。従って、赤外線検出器は、中波IRを吸収するが、長波IRに対して実質的に透過性がある、例えば、タングステンがドーピングされた酸化バナジウムW:VOX、及び化学量論的変異体などの光学的に遷移する材料を用いて構成されてもよい。従って、フィルター素子の選択された光学的に遷移する材料は、十分に加熱することなしに、透過性の状態のまま、その光学的遷移温度よりも下の温度で、所望された放射線波長帯長波IRを、下に配置する検出器素子へと通過させる。しかしながら、所望されない波長帯中波の太陽放射線に対して照射すると、フィルター素子の選択された光学的に遷移する材料は、所望されない放射線を吸収し、それが不透明遮光性となって中波IRから下に配置する検出器素子を実質的に遮蔽するポイントである、その遷移温度よりも高い温度まで加熱される。光学的に遷移する材料の選択以外に、光学的に遷移するフィルター素子のフィルタリング特性を調整するかもしくはその他の方法で制御するために変更される他の設計要因は、これらには限定されないが、1光学的に遷移するフィルターが応答する放射線波長を定義するための光学的に遷移するフィルター素子の厚さ、2所定のスペクトルにおける放射線に対するマイクロボロメータの照射を制御するための、周囲環境から光学的に遷移するフィルター素子の熱分離と、検出器素子の下に配置する構成要素、並びに3下に配置するマイクロボロメータによって吸収された入射する所望されない放射線の割合パーセンテージを制御するための、下に配置するマイクロボロメータ画素薄膜構造312または他の1つもしくは複数の画素検出器素子構成要素のサイズ表面積に対する光学的に遷移するフィルター素子サイズ表面積を含む。この点において、光学的に遷移するフィルター素子の厚さ及び熱分離は、光学的に遷移するフィルター素子の性能を調整するように選択され、その結果、それは、受け入れられない量の所望されない放射線が下に配置する検出器素子構成要素へと通過する機会がある前に所望されない放射線に対して非透過性となる。図24の実施形態では、光学的に遷移するフィルター素子支持相互接続部2402は、例えば、窒化シリコンSiNもしくは他の電気的かつ熱的に絶縁する材料などの電気的と熱的との両方で絶縁する材料から構成され、図3に関する光学素子支持相互接続部320に対して上述された寸法と同様の寸法で構成されてもよい。図示されたように、光学的に遷移するフィルター素子支持相互接続部2402は、画素熱質量に対するいくらかの増加もしくは画素時定数に対する変化を最小とするために、図示されたように、例えば、TiWなどの導電性相互接続部308上に配置されてもよい。中空でない相互接続部またはより厚い壁の厚さもしくはより薄い壁の厚さを有した相互接続部が代わりに利用されてもよいが、ここで説明された他の相互接続部構造と同じように、光学支持相互接続部2402は、例えば、円筒型、正方形などの中空管状構造として構成されてもよい。光学的に遷移するフィルター素子支持相互接続部2402を熱的に断熱するように構成することは、赤外線検出器素子2400の他の下に配置する構成要素から、光学的に遷移するフィルター素子2410を熱的に分離する助けとなり、それ故に、光学的に遷移するフィルター素子2410が、入射する放射線から吸収された熱を保持することを可能とし、その結果、そのような放射線に照射すると、光学的に遷移するフィルター素子2410の温度が例えば、相転移などのその光学的遷移温度より下の温度から、例えば、相転移などのその光学的遷移温度よりも上の温度まで上昇される。1つの例示的な実施形態では、光学的に遷移するフィルター素子支持相互接続部2402は、例えば、光学的に遷移するフィルター素子2410の下方向に突き出ている延在部のように、例えば、酸化バナジウム及び化学量論的変異体もしくは他の適切な光学的に遷移する材料などの光学的に遷移するフィルター素子2410と同一の材料から選択的に構成されてもよい。その熱分離をさらに増大させるために、光学的に遷移するフィルター素子2410は、図示されたように、光学的に遷移するフィルター素子支持相互接続部2402から拡張して光学的に遷移するフィルター素子2410の本体を支持するために、フィルター素子2410の光学的に遷移する材料において定義された選択的な熱分離脚2404を用いて構成されてもよい。図25は、図24に関して説明された方法と同様の方法で、マイクロボロメータ画素薄膜構造312と、関連するシリコン半導体基板216と、選択的な反射板318との上方及びそれにわたって、2つの電気的かつ熱的に絶縁する光学的に遷移するフィルター素子支持相互接続部2402によって、例えば、約1ミクロンから2ミクロンもしくは他の適切な距離において、形成されて懸支された、例えば、サーモクロミックもしくは相転移するなどの光学的に遷移する偏光子フィルター素子2510を含む非冷却赤外線検出器素子2500の1つの例示的な実施形態を例示する。偏光子フィルター素子2510は、例えば、図24の実施形態に関して説明された厚さ及び1つもしくは複数のタイプなどの任意のパターン形成が可能な光学的に遷移する材料のものであってもよい。図示されたように、モノリシック構造の偏光子フィルターは、細長い空間2526によって分離された細長い格子素子ワイヤ2424を含む、例えば、周期隣接するスリットの中心から中心までの間隔及び方向付けを変更することができる直線状の回折格子へと、図3の実施形態に関して説明された方法と同様の方法でパターニングされてもよい。図3の実施形態と同様に、そのような回折格子もしくは他の偏光子フィルター設計の寸法は、偏光子フィルター素子2510によって与えられた所望されたフィルタリング特性に従って変更されてもよく、格子素子幅及び周期隣接するスリットの中心から中心までの間隔は、例えばろ波されるべき1つもしくは複数のスペクトル、必要とされる偏光子効率などの要因に基づいて、所望されたフィルター効果を達成するように選択されて変更されてもよい。図4に関して説明された方法と同様の方法で、焦点面アレイの隣接した非冷却赤外線検出器素子2500は、例えば、隣接した赤外線検出器素子画素2400がシーン赤外線の異なる偏光成分を吸収できるように、異なって構成された光学的に遷移する偏光フィルター素子2510が提供されてもよい。例えば、図26は、4つの隣接した光学的に遷移する偏光フィルター素子2510a-2510dの2×2のサブアレイ2600の1つの例示的な実施形態の上面図を例示する。サブアレイ2600は、例えば、30ミクロンの画素320×240の多結晶シリコンマイクロボロメータFPA212などの、より大きいFPA212の一部を形成してもよい。図26では、2×2のサブアレイ2600は、図4の2×2のサブアレイ400の対応するマイクロボロメータ画素薄膜構造312a-312dを下に配置する場所における偏光子フィルター構造2510a-2510dを含む。図26に図示されたように、偏光子フィルター構造は、水平のモノリシック構造の格子構造2510c、45度のモノリシック構造の格子構造2510a、-45度のモノリシック構造の格子構造2510d、及び垂直のモノリシック構造の格子構造2510bを含む。図26の例示された実施形態では、4つのストロークベクトルに対応する4つの偏光は、2×2のサブアレイ2600において含まれる。しかしながら、図26の実施形態は例示だけであって、2つもしくはそれ以上の異なって構成されたモノリシック構造の偏光フィルター素子2510の任意の他の組み合わせが、同一のFPA212において、規則的パターンもしくは不規則的パターンで、または例えば、図6に関して上述されて例示されたようなより大きいパターンにおけるなどのランダム配列において利用されてもよい、ということが理解されるであろう。図7の実施形態に関して上述されたように、焦点面アレイ212の1つもしくはそれ以上のマイクロボロメータ画素薄膜構造312が偏光子フィルター構造2510を上に配置することなしに覆われない状態とされてもよい。1つのタイプの光学素子は、例えばマイクロボロメータ画素薄膜構造312などの下に配置する検出器素子の上方に、1つもしくはそれ以上の他のタイプの光学素子と結合されるかもしくは積層されてもよい、ということが理解されるであろう。例えば、光学的に遷移するフィルター素子は、例えば偏光フィルター素子322及び/もしくはスペクトルフィルター素子1222などの他のタイプの光学素子を用いて積層されるかもしくは結合されてもよい。この点において、図27は、それぞれが下方向に拡張されて、それぞれのマイクロボロメータ画素構造312a-312dのそれぞれの熱導電性相互接続部308の最上部に実質的に位置決めされて当該最上部によって支持された2つの光学素子支持相互接続部320によって、それぞれのマイクロボロメータ画素薄膜構造312a-312dの上方及びそれにわたって、約1ミクロンから約2ミクロンの距離においてそれ自身が順々に懸支されたそれぞれの偏光子フィルター322a-322dの上方及びそれにわたって、例えば、約1ミクロンから2ミクロンもしくは他の適切な距離などにおいて、2つの電気的かつ熱的に絶縁する光学的に遷移するフィルター素子支持相互接続部2402によって懸支された、例えば、サーモクロミックもしくは相転移するなどのそれぞれの光学的に遷移するフィルター素子2410a-2410dをそれぞれが含む4つの隣接したIR検出器素子の2×2のサブアレイ2700の斜視図を例示する。図27に図示されたように、光学的に遷移するフィルター素子支持相互接続部2402は下方向に拡張され、それぞれの光学素子支持相互接続部320の最上部に対して実質的に位置決めされて当該最上部によって支持される。図28は、それぞれが下方向に拡張され、それぞれのマイクロボロメータ画素構造312a-312dのそれぞれの熱導電性相互接続部308の最上部に実質的に位置決めされて当該最上部によって支持された2つの光学的に遷移するフィルター素子支持相互接続部2402によって、それぞれのマイクロボロメータ画素薄膜構造312a-312dの上方及びそれにわたって、約1ミクロンから約2ミクロンの距離においてそれ自身が順々に懸支された、例えば、サーモクロミックもしくは相転移するなどのそれぞれの光学的に遷移するフィルター素子2410a-2410dの上方及びそれにわたって、例えば、約1ミクロンから2ミクロンもしくは他の適切な距離などにおいて、2つの光学的に遷移するフィルター素子支持相互接続部2402によって懸支された、それぞれの偏光子フィルター322a-322dをそれぞれが含む4つの隣接したIR検出器素子の2×2のサブアレイ2800のもう1つの例示的な実施形態の斜視図を例示する。図27に図示されたように、光学的に遷移するフィルター素子支持相互接続部2402は下方向に拡張され、それぞれの光学素子支持相互接続部320の最上部に対して実質的に位置決めされて当該最上部によって支持される。留意すべきことは、この実施形態では、熱分離を各光学的に遷移するフィルター素子2410a-2410dに対して提供するために、電気的かつ熱的に絶縁する光学的に遷移するフィルター素子支持相互接続部2402は、偏光子フィルター322a-322dと光学的に遷移するフィルター素子2410a-2410dとの両方を支持するように構成されてもよい、ということである。図27及び図28の実施形態の特定の構成は例示だけであって、材料、構造上の構成、寸法、光学素子のタイプなどの任意の他の適切な組み合わせが利用されてもよい、ということが理解されるであろう。例えば、1より大きい数の光学素子もしくは例えば、分離したスペクトルフィルター素子などの他のタイプの分離した画素レベルの光学素子が、光学的に遷移するフィルター素子2410とマイクロボロメータ画素薄膜構造312もしくは他のタイプの放射線検出器回路との間の放射線パスにおいて懸支されてもよい。同様に、1より大きい数の画素レベルの光学素子もしくは例えば、分離したスペクトルフィルター素子などの他のタイプの分離した光学素子が、マイクロボロメータ画素薄膜構造312もしくは他のタイプの放射線検出器回路の上方及びそれにわたって順々に懸支された光学的に遷移するフィルター素子2410の上方及びそれにわたって懸支されてもよい。光学的に遷移するフィルター素子がまた、フェイガンIIIによって本願と同時出願された、発明の名称が検出器デバイスのための画素レベルの光学的に遷移するフィルター素子の特許文献5において開示され、これがその全体において参照によりここで組み込まれる。図29は、開示された装置及び方法のもう1つの例示的な実施形態に係る非冷却赤外線検出器素子2900の斜視図を例示する。この実施形態では、非冷却赤外線検出器素子2900は、温度によって放射線を選択的に透過するように動作する、例えば、ゲルマニウム-アンチモン-テルルGSTもしくはGeXSbYTeZ、酸化バナジウムVO、VO2、例えばV2O3などのVnO2n-1、タングステンがドーピングされた酸化バナジウム例えばW:VO2などのW:VOx、及び化学量論的変異体、ニオブ酸化、タンタル酸化、Ti2O3三酸化二チタン、Fe3O4四酸化三鉄、Mo9O26酸化モリブデンのサーモクロミックもしくは相転移する組成などの1つもしくはそれ以上の光学的に遷移する材料を含む赤外線吸収する材料とともに、例えば多結晶シリコンa-Si、多結晶シリコンゲルマニウムa-SiGe、もしくは酸化バナジウムVOxなどの抵抗材料の、例えば、約1000オングストロームから約4000オングストロームの厚さなどの薄い、熱的に感知力を有した薄膜材料を含む光学的に遷移するマイクロボロメータ画素薄膜構造2912を含む。ここの他の箇所で説明されたように、そのような材料の組成は、例えば、例えばタングステン、アルミニウム及び/もしくはマンガンなどの他の材料を用いてドーピングするなどによって、変更されて、温度関数として材料の光学的に遷移する特性を調整してもよい。他の実施形態では、マイクロボロメータ画素薄膜構造2912がシリコン半導体基板216の上方約2ミクロンよりも高い位置で懸支されるかもしくは当該シリコン半導体基板216の上方約2ミクロンよりも低い位置で懸支されてもよいが、1つの例示的な実施形態では、赤外線検出器素子2900のマイクロボロメータ画素薄膜構造2912は、導電性入力パッド314を介して、金属相互接続部308によって、半導体基板216内でROICに電気的に接続された比較的長い熱分離脚316によって、シリコン半導体基板216の上方約2ミクロンで懸支されてもよい。複数の赤外線検出器素子2900は、例えば図2に関して例示されて説明された焦点面アレイ212などを形成するために、赤外線検出器素子300と同様の方法で利用されてもよい、ということが理解されるであろう。さらに、図29を参照すると、IRを反射するための、例えば、アルミニウムなどの金属反射板318は、共振キャビティ構造を形成して懸支されたマイクロボロメータ画素薄膜構造2912の薄膜における赤外線吸収率を増大させるために、支持基板216及びROICの表面上に図示されたように選択的に配置されてもよい。正方形以外の画素形状及び/または12μm×12μmよりも小さいかもしくは100μm×100μmよりも大きい画素サイズが他の実施形態において利用されてもよいが、1つの例示的な実施形態では、画素幾何学的形状は正方形状であってもよく、画素領域は約12μm×12μmから約100μm×100μmまでの範囲であってもよい。材料が、懸支されたマイクロボロメータ画素薄膜構造2912の薄膜材料から除去されなかったのだけれど、例えば、図3に例示されたようなDRC構成を有したマイクロボロメータ画素構造は、例えば、サーモクロミックもしくは相転移するなどの光学的に遷移する熱的に吸収する材料が同様に提供されてもよい、ということが理解されるであろう。図30は、例えば図29に関して説明されて例示されたような1つもしくはそれ以上の光学的に遷移する材料を含む光学的に遷移するマイクロボロメータ画素薄膜構造2912を有した非冷却赤外線検出器素子2900の1つの例示的な実施形態に対する、材料層シーケンス3000の垂直断面図を例示する。一実施形態では、図30の層は、そこにおける基板216及びROIC1602の最上に堆積することによって形成されてもよい。図30に図示されたように、層シーケンス2900は、その上に配置された選択的な反射性アルミニウム層318を有した基板216のROIC1602を含む。キャビティは、それ自身が窒化シリコン層1608と窒化シリコン層1612とそれらの間の熱電活性多結晶シリコン層1610とを含む、光学的に遷移するマイクロボロメータ画素薄膜構造2912から、基板216と反射層318とを分離する。図示されたように、光学的に遷移する材料吸収層3014は、窒化シリコン1612の上に配置され、それ自身は窒化シリコン層1616の下に配置されてマイクロボロメータ画素薄膜構造2912を完成する。光学的に遷移する材料層3014は、例えば、温度によって放射線を選択的に透過するように動作する、例えば、GeXSbYTeZ、酸化バナジウムVnOn-1、ニオブ酸化、タンタル酸化、Ti2O3三酸化二チタン、Fe3O4四酸化三鉄、Mo9O26酸化モリブデンなどの、少なくとも1つのサーモクロミック組成であってもよい。吸収層3014におけるスリット2920もしくは他のタイプの切れ目が、吸収層にわたって導電性を妨害するために図示されたように提供されてもよい。マイクロボロメータ画素薄膜構造2912の対向する端部に結合された導電性相互接続部308間の吸収層3014を介する導電性を妨害するために位置決めされたスリット2920が図29において隠れ線で図示されている。吸収層3014を介する導電性を回避するために、吸収層3014における任意の他のタイプの切れ目不連続部が提供されてもよい。画素薄膜構造2912に対して図30で例示された特定の層は例示だけであって、数、タイプ及び/もしくは厚さにおいて、変更させて所望された赤外線検出器及び/もしくは光学的に遷移する特性を得てもよい、ということが理解されるであろう。さらに、図30で図示されたのと同様のマイクロボロメータ画素薄膜構造層シーケンス2912は、例えば、マイクロボロメータ画素薄膜構造の上方及びそれにわたって懸支されたモノリシック構造の偏光子フィルター322と、マイクロボロメータ画素薄膜構造312の上方及びそれにわたって懸支されたモノリシック構造のスペクトルフィルター1222を含む、図12の検出器素子1200と、マイクロボロメータ画素薄膜構造の上方及びそれにわたって懸支されたマイクロレンズ構造1902を含む、図20の検出器素子1900とを含む、図3の検出器素子300におけるなどのように、必要に応じて、ここで開示された他の実施形態の他の検出器素子構成と組み合わせて利用されてもよい、ということがまた理解されるであろう。図31は、酸化バナジウムの種々のドーピングされた組成に対して、特に、0.005のアルミニウムのドーピングに対して、0.005のマンガンのドーピングに対して、及び0.02のマンガンのドーピングに対して、500アンプにおける、温度に対するシート抵抗Rshを例示する。図32は、チタニウムアルミニウムに対するのみならず、図31に関して説明された酸化バナジウムの同一の種々のドーピングされた組成に対する、パラレルのRsh赤外線光吸収効率の温度依存性を例示する。図32のプロットから参照されるように、チタニウムアルミニウムの吸収効率は、50度より下の温度から150度より上の温度まで実質的には一定の温度上昇のままである。しかしながら、種々の光学的に遷移する酸化バナジウム組成の吸収効率は、約68度以上の温度上昇の変化量によって減少する。従って、吸収された放射線の関数として、マイクロボロメータ画素薄膜構造2912の放射線吸収ひいては温度の挙動が、マイクロボロメータ画素薄膜構造の吸収層に対して、温度関係に対する、所望された放射線吸収を有した光学的に遷移する材料の選択によって制御されてもよい、ということが理解されるかもしれない。図33の簡単化された例示は、例えば図32に例示された吸収効率特性を有した光学的に遷移する例えば、VO2などのVOXの吸収層材料3014に対して約68度より低い温度におけるなどの、マイクロボロメータ画素薄膜構造2912における光学的に遷移する材料の光学的遷移温度よりも実質的に低い比較的適度な温度において、どのように実質的にすべての入射する放射線がマイクロボロメータ画素薄膜構造2912によって放射線3302として吸収されるのかもしくはどのようにマイクロボロメータ画素薄膜構造2912を通って透過されてマイクロボロメータ画素薄膜構造2912に対して元の方向に放射線3304として反射されるのかを図式的に例示する。図34の簡単化された例示は、光キャビティ1606が温度上昇につれてデチューンされるように、及び画素温度が下に配置する多結晶シリコン熱電活性層1610に対して温度安全性の増加されたマージンを提供するために必然的に自己限定的となるように、どのように放射線吸収がマイクロボロメータ画素薄膜構造2912の、例えば、サーモクロミックもしくは相転移するなどの光学的に遷移する温度よりも実質的に高い比較的より高い温度で抑えられるのかを図式的に例示する。この点において、入射する放射線の一部だけが、マイクロボロメータ画素薄膜構造2912によって放射線3302として吸収される一方で、入射する放射線の残りは、例えば図32に例示された吸収効率特性を有した光学的に遷移する例えば、VO2などの酸化バナジウム吸収層材料3014に対して、約68度以上の温度におけるなど、比較的より高い温度において、マイクロボロメータ画素薄膜構造2912の光学的に遷移する吸収層材料によって放射線3306として反射される。さらに、図34に図示されるように、マイクロボロメータ画素薄膜構造2912の光学的に遷移する吸収層材料を通って透過される放射線はより少なくなって、そのようなより高い温度において、マイクロボロメータ画素薄膜構造2912に対して元の方向に放射線3304として反射される。図29及び図30の例示的な実施形態では、熱質量の増加がほとんどないかもしくは実質的にはまったく熱質量の増加なしに、光学的に遷移する特性をマイクロボロメータ画素薄膜構造に対して有利に提供するために、光学的に遷移する材料を吸収層3014の中に組み込んでもよい。しかしながら、光学的に遷移するマイクロボロメータ画素薄膜構造の他の実施形態が吸収層以外のマイクロボロメータ画素薄膜構造の一部もしくは複数の部分において光学的に遷移する材料を組み込むことによって実施されてもよい、ということが理解されるであろう。例えば、中空でないもしくは断続的な光学的に遷移する材料層は、例えばチタニウムもしくはチタンアルミニウム吸収層1614を有したマイクロボロメータ画素薄膜構造の最上の窒化シリコン層1616の全体を覆って形成されるなどのように、マイクロボロメータ画素薄膜構造の最上に形成されてもよい。さらに、マイクロボロメータ画素薄膜構造の平面領域の一部もしくは複数の部分だけに光学的に遷移する材料が提供されることが可能であって、すなわち、その結果、入射する放射線の一部だけが増加する温度によってマイクロボロメータ画素薄膜構造によってブロックされるかもしくは反射される。例えば、断続的な光学的に遷移する材料層が、チタニウムもしくはチタンアルミニウム吸収層1614を有したマイクロボロメータ画素薄膜構造の最上の窒化シリコン層1616の全体を覆う、例えば、円形ドット、正方形ドットなどの局所化された光学的に遷移する材料セグメントのパターンを形成することによって提供されてもよい。この方法においては、温度にかかわらず、いくらかの放射線がいつも光学的に遷移する材料によって上に配置されたマイクロボロメータ画素薄膜構造の一部もしくは複数の部分を通過する一方で、放射線は、光学的に遷移する材料によって上に配置されたマイクロボロメータ画素薄膜構造のそれらの部分を通過することから選択的にブロックされる。図29から図30及び図33から図34は、光学的に遷移するマイクロボロメータ画素薄膜構造として構成された光学的に遷移する放射線検出器の実施形態を例示する。しかしながら、光学的に遷移する放射線検出器素子は、温度に伴って変化する値を有した少なくとも1つの特性を測定することによって、その上に入射する放射線を感知するために、光学的に遷移する熱吸収構造を利用し、熱吸収構造に光学的に遷移する1つもしくはそれ以上の構成要素が提供された、任意の他のタイプの熱検出器素子を含んでもよい、ということが理解されるであろう。実施例は、これには限定されないが、電気抵抗、静電容量、電圧、電流、起電力などの1つもしくはそれ以上の特性の変化を測定することによって放射線を感知する熱検出器素子を含む。そのような熱検出器素子の特定の実施例は、これらには限定されないが、例えば熱電対検出器、強誘電体検出器、マイクロボロメータ検出器などを含む。従って、光学的に遷移する材料構造は、所定の個々の放射線検出器素子に関連する光学的に遷移する材料構造だけが、例えば、同一の焦点面アレイなどの、もう1つの放射線検出器素子に方向付けられた放射線に影響を及ぼすことなしに、その所定の個々の放射線検出器素子に方向付けられた放射線に影響を及ぼすような方法で、例えば、個々の放射線検出器素子の上方及びそれにわたって懸支された光学的に遷移するフィルター素子として、例えばマイクロボロメータ画素薄膜構造などの放射線検出器素子の一体部分としてなど、個々の放射線検出器素子と画素レベルにおいて関連付けられてもよいことが、この開示の利益とともに理解されるであろう。さらに、ここで例示されたように、マイクロボロメータ画素薄膜構造及び光学的に遷移するフィルター素子を含む光学素子は、必ずしもこれは必要ではないが、いくつかの実施形態では、実質的に平面であるようにさらに特徴付けられてもよい。また、開示された光学素子は、回折共振キャビティDRC構成を有したマイクロボロメータ画素薄膜構造とともに、開示された光学素子の特定の実施形態が例示されたが、開示された光学素子がDRCがないマイクロボロメータ画素薄膜構造構成を用いて実装されることがまた可能である、ということが理解されるであろう。本発明が種々の変形例及び代替の形態に対して適用可能であってもよい一方で、特定の実施形態は、例の目的で図示されてここで説明された。しかしながら、本発明は、開示された特定の形態に制限されることは意図されていない、ということが理解されるべきである。むしろ、本発明は、添付された特許請求の範囲によって定義された本発明の精神及び範囲内に含まれた、すべての変形例、均等物、及び代替物を包含すべきである。さらに、開示された装置及び方法の異なる態様が、種々の組み合わせにおいて及び/もしくは独立して利用されてもよい。従って、本発明は、ここで図示されたそれらの組み合わせだけに制限されないが、むしろ他の組み合わせを含んでもよい。