"チップ基板と、前記チップ基板上に配置された第1端子電極および第2端子電極と、前記チップ基板の上面外縁を囲むように配置された反射ケースと、前記第1端子電極上にAuSn共晶層を介して配置された半導体発光素子と、前記半導体発光素子と第2端子電極を接続するボンディングワイヤと、前記反射ケースで囲まれた内部に配置され、発光蛍光体を透光性樹脂中に混合分散した蛍光体層とを備えることを特徴とする半導体発光装置。前記発光蛍光体は、複数種類であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。前記蛍光体層は、前記反射ケースで囲まれた内部に配置され、前記第1端子電極および前記第2端子電極と、前記AuSn共晶層10と、前記半導体発光素子と、前記ボンディングワイヤとを封止することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。前記半導体発光素子は、窒化物系半導体により形成されたことを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体発光装置。前記半導体発光素子の接合と半田実装部間の熱抵抗は、55°C/W以下であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体発光装置。前記半導体発光素子の接合と周囲雰囲気間の熱抵抗は、90°C/W以下であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体発光装置。チップ基板上に第1端子電極および第2端子電極を形成する工程と、前記チップ基板の上面外縁を囲むように反射ケースを形成する工程と、前記第1端子電極上にAuSn共晶層を介して半導体発光素子を接合する工程と、前記半導体発光素子と第2端子電極との間をボンディングワイヤを用いてボンディング接続する工程と、前記反射ケースで囲まれた内部に、発光蛍光体を透光性樹脂中に混合分散した蛍光体層を充填する工程とを有することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。前記第1端子電極上にAuSn共晶層を介して半導体発光素子を接合する工程は、時刻t0から時刻t1の第1の期間内に温度を第1温度まで上昇する工程と、時刻t1から時刻t2の第2の期間内に温度を前記第1温度以上第2温度以下に保持する工程と、時刻t2から時刻t3の第3期間内に温度を前記第2温度から室温に降下する工程とを有することを特徴とする請求項7に記載の半導体発光装置の製造方法。前記第1温度は280°C以上であることを特徴とする請求項8に記載の半導体発光装置の製造方法。前記第2温度は320°C以下であることを特徴とする請求項8または9に記載の半導体発光装置の製造方法。前記第1の期間、前記第2の期間および前記第3の期間は、60秒であることを特徴とする請求項8~10のいずれか1項に記載の半導体発光装置の製造方法。前記第1端子電極上にAuSn共晶層を介して半導体発光素子を接合する工程は、窒素雰囲気中で実施されることを特徴とする請求項8~11のいずれか1項に記載の半導体発光装置の製造方法。前記第1端子電極上にAuSn共晶層を介して半導体発光素子を接合する工程は、大気圧で実施されることを特徴とする請求項12に記載の半導体発光装置の製造方法。本発明の目的は、製造時の信頼性を向上し、かつ放熱特性を向上した半導体発光装置およびその製造方法を提供することにある。本発明の一態様によれば、チップ基板と、前記チップ基板上に配置された第1端子電極および第2端子電極と、前記チップ基板の上面外縁を囲むように配置された反射ケースと、前記第1端子電極上にAuSn共晶層を介して配置された半導体発光素子と、前記半導体発光素子と第2端子電極を接続するボンディングワイヤと、前記反射ケースで囲まれた内部に配置され、発光蛍光体を透光性樹脂中に混合分散した蛍光体層とを備える半導体発光装置が提供される。本発明の他の態様によればチップ基板上に第1端子電極および第2端子電極を形成する工程と、前記チップ基板の上面外縁を囲むように反射ケースを形成する工程と、前記第1端子電極上にAuSn共晶層を介して半導体発光素子を接合する工程と、前記半導体発光素子と第2端子電極との間をボンディングワイヤを用いてボンディング接続する工程と、前記反射ケースで囲まれた内部に、発光蛍光体を透光性樹脂中に混合分散した蛍光体層を充填する工程とを有する半導体発光装置の製造方法が提供される。本発明によれば、製造時の信頼性を向上し、かつ放熱特性を向上した半導体発光装置およびその製造方法を提供することができる。次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。又、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施の形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の実施の形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。第1の実施の形態実施の形態に係る半導体発光装置20の模式的断面構造は、図1に示すように表され、実施の形態に係る半導体発光装置20において、端子電極2a上にAuSn共晶層10を介して半導体発光素子30を搭載した部分を示す拡大された模式的断面構造は、図2に示すように表される。実施の形態に係る半導体発光装置20は、図1および図2に示すように、チップ基板1と、チップ基板1上に配置された第1端子電極2aおよび第2端子電極2kと、チップ基板1の上面外縁を囲むように配置された反射ケース5と、第1端子電極2a上にAuSn共晶層10を介して配置された半導体発光素子30と、半導体発光素子30と第2端子電極2kを接続するボンディングワイヤ4と、反射ケース5で囲まれた内部に配置され、発光蛍光体を透光性樹脂中に混合分散した蛍光体層6とを備える。実施の形態に係る半導体発光装置20において、蛍光体層6は、反射ケース5で囲まれた内部に配置され、第1端子電極2aおよび第2端子電極2kと、AuSn共晶層10と、半導体発光素子30と、ボンディングワイヤ4とを封止している。比較例比較例に係る半導体発光装置は、図1および図2におけるAuSn共晶層10の代わりに樹脂ペーストを用いて半導体発光装置20と第1端子電極2a間のダイボンディングを実施している。比較例に係る半導体発光装置において、最大順方向電流Imaxと周囲温度Taとの関係を示す安全動作領域の特性例は、図3に示すように表される。また、熱抵抗Rθjaと動作時間Tpとの関係を示す特性例は、図4に示すように表され、接合温度Tjと動作時間Tpとの関係を示す特性例は、図5に示すように表される。熱抵抗Rθjcは、半導体発光素子30のpn接合と半田実装部間の熱抵抗で定義され、熱抵抗Rθjaは、半導体発光素子30のpn接合と周囲雰囲気間の熱抵抗で定義される。比較例に係る半導体発光装置においては、樹脂ペーストを使用しているため放熱性に乏しく、熱抵抗Rθjcの値は、約150°C/W以下であり、熱抵抗Rθjaの値は、約250°C/Wである。実施の形態に係る半導体発光装置20において、熱抵抗Rθjaと動作時間Tpとの関係を示す特性例は、図6に示すように表され、接合温度Tjと動作時間Tpとの関係を示す特性例は、図7に示すように表される。実施の形態に係る半導体発光装置20においては、AuSn共晶層10を用いて半導体発光装置20と第1端子電極2a間のダイボンディングを実施しているため放熱性が良好であり、熱抵抗Rθjcの値は、約55°C/W以下であり、熱抵抗Rθjaの値は、約90°C/Wである。また、実施の形態に係る半導体発光装置曲線Bと比較例に係る半導体発光装置曲線Aにおいて、最大順方向電流Imaxと周囲温度Taとの関係を示す安全動作領域の比較例は、図8に示すように表される。図8において、比較例に係る半導体発光装置の曲線Aは、図3の素子面積の2倍の素子に対応している。実施の形態に係る半導体発光装置20においては、AuSn共晶層10を用いて半導体発光装置20と第1端子電極2a間のダイボンディングを実施しているため放熱性が良好であり、安全動作領域も相対的に広く設定可能である。実施の形態に係る半導体発光装置20の半導体発光素子30の基板寸法は、例えば、約30mm×10mm程度である。また、実施の形態に係る半導体発光装置20は、通常のPLCCPlasticleadedchipcarrierパッケージであるPLCC2、PLCC4などのLED用パッケージに実装可能である。例えば、PLCC2パッケージの寸法は、横3.5mm×幅2.8mm×高さ1.9mm程度である。また、実施の形態に係る半導体発光装置20において、透光性樹脂は、例えば、シリコーン系樹脂若しくはエポキシ系樹脂で形成可能である。また、実施の形態に係る半導体発光装置20において、発光蛍光体は、第1発光蛍光体61および第2発光蛍光体62を含む複数種類存在していても良い。実施の形態に係る半導体発光装置20において、半導体発光素子30は、窒化物系半導体により形成された青色LEDで形成されていても良い。この場合、第1発光蛍光体61および第2発光蛍光体62は、共に黄色蛍光体で形成されていても良い。或いは、演色性を確保するために、第1発光蛍光体61は赤色蛍光体、第2発光蛍光体62は、緑色蛍光体で形成されていても良い。ここで、青色LEDを励起光源とする黄色蛍光体としては、例えば、Ce添加YAGY3Al5O12Ce蛍光体、Eu添加α-サイアロンCaSiAlON:Eu、シリケート蛍光体SrBaCaMg2SiO4:Euなどを用いることができる。すなわち、青色発光LEDの青色光の一部を黄色蛍光体により黄色の発光に変換し、青黄の発光により白色発光を得ることができる。また、青色LEDを励起光源とする緑色蛍光体としては、例えば、Eu添加β-サイアロンSi6zAlzOzN8z:Eu蛍光体、Ce添加CSSOCa3Sc2Si3O12:Ce蛍光体などを用いることができる。また、青色LEDを励起光源とする赤色蛍光体としては、例えば、Eu添加CaAlSiN3CaAlSiN3:Eu蛍光体などを用いることができる。また、半導体発光素子3は、窒化物系半導体により形成された紫外光LEDで形成されていても良い。この場合、第1発光蛍光体61および第2発光蛍光体62は、共に黄色蛍光体で形成されていても良い。或いは、演色性を確保するために、第1発光蛍光体61は青色蛍光体、第2発光蛍光体62は、黄色蛍光体で形成されていても良い。紫外光LEDを励起光源とする青色蛍光体としては、紫外光を受けて青色に発光するものであれば良く、例えば、ハロゲン酸塩蛍光体、アルミン酸塩蛍光体、ケイ酸塩蛍光体などが挙げられる。また、付活剤としては、例えば、セリウム、ユウロピウム、マンガン、ガドリニウム、サマリウム、テルビウム、スズ、クロム、アンチモン等の元素を挙げることができる。この中でもユウロピウムが好ましい。付活剤の添加量は、蛍光体に対して0.1~10molの範囲が好ましい。紫外光LEDを励起光源とする黄色蛍光体としては、青色発光を吸収して黄色に発光する蛍光体および紫外線を吸収して黄色に発光する蛍光体のいずれであっても良い。ここで、演色性を確保するために、第1発光蛍光体61を青色蛍光体、第2発光蛍光体62を黄色蛍光体で形成する場合には、発光効率を一層高めるためには、紫外線を吸収して黄色に発光する蛍光体が望ましい。青色発光を吸収して黄色に発光する蛍光体としては、例えば、有機蛍光体では、アリルスルホアミドメラミンホルムアルデヒド共縮合染色物やペリレン系蛍光体等を挙げることができ、無機蛍光体では、アルミン酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩等を挙げることができる。このなかでも長時間使用可能な点から、ペリレン系蛍光体、YAG系蛍光体が特に好ましい。また、付活剤としては、例えば、セリウム、ユウロピウム、マンガン、ガドリニウム、サマリウム、テルビウム、スズ、クロム、アンチモン等の元素を挙げることができる。この中でもセリウムが好ましい。付活剤の添加量は、蛍光体に対して0.1~10molの範囲が好ましい。蛍光体と付活剤との組み合わせとしては、YAGとセリウムとの組み合わせが好ましい。また、紫外線を吸収して黄色に発光する蛍光体としては、例えば、La,CeP,SiO4や、Zn,MgOなどの蛍光体を挙げることができる。また、付活剤としては、例えば、テルビウム、亜鉛などを挙げることができる。蛍光体層6中の第1発光蛍光体61第2発光蛍光体62の含有量は、半導体発光素子3や蛍光体の種類などから適宜決定すればよいが、一般にその含有量は、各蛍光体とも蛍光体層6に対して1~25wtの範囲が望ましい。エポキシ系の透光性樹脂の典型的な熱硬化温度は、例えば、約180°C程度である。また、発光蛍光体の直径は、例えば、約0.4μm程度である。実施の形態によれば、放熱特性を向上した半導体発光装置を提供することができる。製造方法実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法において、端子電極上にAuSn共晶接合を形成する製造工程における加熱温度と時間との関係は、模式的に図9に示すように表される。また、実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法の一工程を示す模式的断面構造は、図10~図12に示すように表される。実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法は、図9~図13に示すように、チップ基板1上に第1端子電極2aおよび第2端子電極2kを形成する工程と、チップ基板1の上面外縁を囲むように反射ケース5を形成する工程と、第1端子電極2a上にAuSn共晶層10を介して半導体発光素子30を接合する工程と、半導体発光素子30の表面と第2端子電極2kとの間をボンディングワイヤ4を用いてボンディング接続する工程と、反射ケース5で囲まれた内部に、蛍光体層6を充填する工程とを有する。ここで、蛍光体層6は、第1発光蛍光体61第2発光蛍光体62を透光性樹脂中に混合分散して形成されていても良い。加熱工程第1端子電極2a上にAuSn共晶層10を介して半導体発光素子30を接合する工程は、図9の曲線Aに示すように、時刻t0から時刻t1の第1の期間内に温度を室温T3から第1温度T1まで上昇する工程と、時刻t1から時刻t2の第2の期間内に温度を第1温度T1以上第2温度T2以下に保持する工程と、時刻t2から時刻t3の第3期間内に温度を前記第2温度T2から室温T3に降下する工程とを有する。或いは、図9の曲線Bに示すように、時刻tpから時刻t0のプレキュア期間内に温度を室温T3からプレキュア温度Tpまで上昇する工程と、時刻t0から時刻t1の第1の期間内に温度をプレキュア温度Tpから第1温度T1まで上昇する工程と、時刻t1から時刻t2の第2の期間内に温度を第1温度T1以上第2温度T2以下に保持する工程と、時刻t2から時刻t3の第3期間内に温度を前記第2温度T2から室温T3に降下する工程とを有していても良い。ここで、時刻tpから時刻t0のプレキュア期間は、例えば、約60秒であり、プレキュア温度Tpは、例えば、約200°Cである。このように、加熱工程では、室温T3から昇温するものと、事前に一部昇温プレキュアするものとのいずれも実施可能である。尚、図9において、時刻t1から時刻t2の第2の期間、および時刻t2から時刻t3の第3期間では、曲線Bと曲線Aは、重なっているため、実線のみ表示されている。ここで、第1温度T1は280°C以上であり、第2温度T2は320°C以下である。第1温度T1は、第1端子電極2a上にAuSn共晶層10を介して半導体発光素子30を接合するのに必要な温度である。第1端子電極2aは、例えば、Ag/Cuで形成されており、このAg/Cuと半導体発光素子30のサファイヤ基板との間にAuSn半田によって、AuSn共晶層10を形成して接合を形成する。尚、反射ケース5は、樹脂で形成されるため、この樹脂層の耐熱性を考慮して、第2温度T2は320°C以下であることが望ましい。時刻t1から時刻t2の第2の期間内に温度を第1温度T1以上第2温度T2以下に保持する工程によって、半導体発光素子30と第1端子電極2a間に良好なAuSn共晶層10を形成するために、第1温度T1は280°C以上であり、第2温度T2は290°C以下であっても良い。また、第1の期間、第2の期間および第3の期間は、60秒程度で、半導体発光素子30と第1端子電極2a間に良好なAuSn共晶層10を形成することができることが実験的に確認されている。また、第1の期間、第2の期間および第3の期間は、60秒程度であることが、樹脂層で形成されるため反射ケース5の耐熱性を確保する上で望ましい。また、第1端子電極2a上にAuSn共晶層10を形成して半導体発光素子30を接合する工程は、窒素雰囲気中で実施されていても良い。この工程は、大気圧下で、実施可能である。以下図面を参照しながら、実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法を詳述する。aまず、図10に示すように、チップ基板1上に第1端子電極2aおよび第2端子電極2kを形成後、チップ基板1の上面外縁を囲むように反射ケース5を形成する。b次に、図11に示すように、第1端子電極2a上にAuSn共晶層10を介して半導体発光素子30を接合するダイボンディング工程。b-1このダイボンディング工程では、まず、図10の状態で、約100°C、5分程度オーブン中で加熱して、プレキュア工程を実施する。b-2次に、フラックスと共にAuSn半田層上に半導体発光素子30を配置し、約300°Cで上記の加熱工程を実施して、半導体発光素子30と第1端子電極2a間に良好なAuSn共晶層10を形成する。b-3上記の加熱工程後、フラックスを洗浄した後、乾燥させる。c次に、図12に示すように、例えば、プラズマ洗浄工程を実施した後、半導体発光素子30の表面と第2端子電極2kとの間をボンディングワイヤ4を用いて接続する。d次に、蛍光体層6の注入前のベーキング工程を実施後、反射ケース5で囲まれた内部に、蛍光体層6を充填する。ここで、蛍光体層6は、第1発光蛍光体61第2発光蛍光体62を透光性樹脂中に混合分散して形成されていても良い。e次に、透光性樹脂を熱硬化するためのキュア工程を実施して、図1に示された半導体発光装置20が完成する。実施の形態によれば、加熱工程において、加熱時間および加熱温度を工夫することによって、半導体発光素子30と第1端子電極2a間に良好なAuSn共晶層10を形成することができる。このため、製造時の信頼性を向上することができる。本発明によれば、製造時の信頼性を向上し、かつ放熱特性を向上した半導体発光装置およびその製造方法を提供することができる。その他の実施の形態上記のように、実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。また、半導体発光素子30のLEDの構成として、例えば、1パッケージ中に青色LED緑色LED赤色LEDを収容して白色LEDを構成することもできる。このようなマルチチップの例として、赤外LED青色LEDのマルチチップで、青色光励起によって黄色光を発光する蛍光体を組み合わせることもできる。黄色蛍光体は、赤外光による影響を受けないため、小型1パッケージで構成可能であり、占有スペースを小さくすることができ、小さなスペースに実装可能である。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。"