少なくとも1種の添加金属を含有するSi‐C合金溶液に炭化珪素成長用種結晶基板を接触させ、炭化珪素成長用種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる方法であって、反応の経過につれてSiと添加金属のモル比が初期に設定した値より減少すると合金溶液中にシリコン供給原料を投入する、炭化珪素単結晶の製造方法。シリコン供給原料としては、シリコン、シリコンと炭素の混合物、及び炭化珪素から選択される少なくとも1種以上のものを用いる、請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。シリコン供給原料の投入量は、反応の経過につれて炭化珪素単結晶の成長厚さに基づいた合金溶液中のシリコンのモル減少量を算出して決定する、請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。シリコン供給原料の投入は、るつぼ内のシリコン元素の量を基準として0.02~15重量の量で多数回行われる、請求項1乃至3の何れか一項に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。シリコン供給原料の投入は、るつぼ内の雰囲気ガスと同一の雰囲気ガスの存在下で行われる、請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。シリコン供給原料の投入は、るつぼ内の圧力より高い圧力下で行われる、請求項4に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。成長炉内の、少なくとも1種の添加金属を含有するSi‐C合金溶液を収容するるつぼ、及び炭化珪素成長用種結晶基板が備えられる種結晶固定軸を含む溶液成長法を用いる炭化珪素単結晶の製造装置であって、シリコン供給原料をるつぼ内に投入するためのシリコン供給部を含む、炭化珪素単結晶の製造装置。シリコン供給部は、種結晶固定軸の少なくとも一部分を貫通して形成される管状の供給管を含む、請求項7に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。シリコン供給部は、種結晶固定軸と別に形成される管状の供給管を含む、請求項7に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。シリコン供給部は、雰囲気ガスを供給するためのガス投入管を含む、請求項7に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。本発明は、溶液成長法を用いて炭化珪素単結晶を製造するにあたり、結晶成長速度を高めながらもその成長速度が維持されるだけでなく、不意に成長が止まる問題を防止することができる炭化珪素の製造方法を提供することを目的とする。本発明の他の目的は、結晶成長中にシリコン供給原料を効率的かつ周期的に投入することができる炭化珪素の製造装置を提供することにある。本発明の一実施例によると、少なくとも1種の添加金属を含有するSi‐C合金溶液に炭化珪素成長用種結晶基板を接触させ、炭化珪素成長用種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる方法であって、反応の経過につれてSiと添加金属のモル比が初期に設定した値より減少すると合金溶液中にシリコン供給原料を投入する炭化珪素単結晶の製造方法が提供される。本発明の一実施例による炭化珪素単結晶の製造方法において、シリコン供給原料としては、シリコン単独、シリコンと炭素の混合物、及び炭化珪素から選択される少なくとも1種以上のものを用いることができる。本発明の一実施例による炭化珪素単結晶の製造方法において、シリコン供給原料の投入量は、反応の経過につれて炭化珪素単結晶の成長厚さに基づいた合金溶液中のシリコンのモル減少量を算出して決定することができる。本発明の一実施例による炭化珪素単結晶の製造方法において、シリコン供給原料の投入は、るつぼ内のシリコン元素の量を基準として0.02~15重量の量で多数回行われることが、追加的に投入されるシリコン供給原料の融解及び成長された炭化珪素単結晶の均質性の点で好ましい。本発明の一実施例による炭化珪素単結晶の製造方法において、シリコン供給原料の投入は、るつぼ内の雰囲気ガスと同一の雰囲気ガスの存在下で行われることができる。本発明の一実施例による炭化珪素単結晶の製造方法において、シリコン供給原料の投入は、るつぼ内の圧力より高い圧力下で行われることができる。本発明の他の一実施例によると、成長炉内の、少なくとも1種の添加金属を含有するSi‐C合金溶液を収容するるつぼ、及び炭化珪素成長用種結晶基板が備えられる種結晶固定軸を含む溶液成長法を用いる炭化珪素単結晶の製造装置であって、シリコン供給原料をるつぼ内に投入するためのシリコン供給部を含む炭化珪素単結晶の製造装置が提供される。本発明の一実施例による炭化珪素単結晶の製造装置は、回転が併行されるるつぼの場合を考慮して、シリコン供給部は、種結晶固定軸の少なくとも一部分を貫通して形成される管状の供給管を含むことができる。本発明の一実施例による炭化珪素単結晶の製造装置において、設置の便宜性を考慮して、シリコン供給部は、種結晶固定軸と別に形成される管状の供給管を含むことができる。本発明の一実施例によると、シリコン供給部は、雰囲気ガスを供給するためのガス投入管を含むことができる。本発明の一実施例による炭化珪素単結晶の製造方法は、合金溶液中にシリコン以外に他の金属をさらに含むことで、成長速度が遅くなったり不意に成長が止まったりする問題を解決し、単結晶の成長速度を向上させることができる。また、本発明の一実施例による炭化珪素単結晶の製造装置は、別の投入口を介してシリコン供給原料を投入することで、種子晶の単結晶成長を妨害することなく、反応るつぼ内の雰囲気を阻害せずに反応の経過につれてシリコンを容易に別途投入することができる。本発明をより詳細に説明すると次のとおりである。本発明は、溶液成長法を用いる炭化珪素単結晶の製造において、少なくとも1種の添加金属を含有するSi‐C合金溶液に炭化珪素成長用種結晶基板を接触させ、炭化珪素成長用種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる方法であって、反応の経過につれてSiと添加金属のモル比が初期に設定した値より減少すると合金溶液中にシリコン供給原料を投入する炭化珪素単結晶の製造方法に関する。上記及び以下の記載においてシリコン供給原料は、合金溶液の反応を阻害せずにシリコンを供給することができる原料を全て含むものとして理解されるべきであり、その一例としては、シリコン単独、シリコンと炭素の混合物または炭化珪素などが挙げられるが、これに限定されるものではない。通常、炭化珪素単結晶の溶液成長法とは、シリコンを含む溶液中に炭素を溶解させた溶液以下、Si‐C溶液というに炭化珪素種結晶を接触させて炭化珪素単結晶を成長させる方法である。Si‐C溶液に接触させた炭化珪素種結晶は種結晶固定軸の端部に接着されて種結晶固定軸により引っ張られてSi‐C溶液から炭化珪素種結晶上に炭化珪素単結晶が成長する。このような炭化珪素単結晶の溶液成長法におけるSi‐C溶液は、溶液への炭素溶解度が低く、溶液中の炭化珪素濃度が低いため、結晶の成長速度が遅いという問題があった。このような問題点を解決するために、Si‐C溶液に少なくとも1種の添加金属をさらに添加する方法などが研究されてきた。このような合金溶液でSiと添加金属の比率は成長速度などに大きい影響を与える。このような点から、最適の組成比及び好ましい添加金属の種類などに関する研究が行われつつある。ここで、添加金属は、単結晶の成長速度を考慮して選択されえる様々な遷移金属の単独または混合物を全て含むものであり、これに制限されるものではないが、一例としてTi、Cr、Al、Fe、Co、DyまたはLaなどが挙げられる。合金溶液中のシリコンは炭化珪素単結晶の成長に関与する金属元素であり、その他の金属元素は添加金属の役割をする。換言すれば、シリコン以外の他の金属は、融点を低める役割を遂行するために添加されるものであって、炭化珪素単結晶の成長に係る反応には直接的に関与しない。したがって、反応の経過につれて合金溶液中のシリコンの濃度が減少し、実質的に初期に意図したSi/添加金属の比率の均衡が崩れることになる。そのため、不意に単結晶の成長速度が大きく減少されたり、極端な場合には成長が止まる恐れがある。したがって、本発明の一実施例では、反応の経過につれてSiと添加金属のモル比が初期に設定した値より減少すると、合金溶液中にシリコン供給原料を投入する。ここでシリコン供給原料を投入するということは、合金溶液の全体溶液を再投入または追加投入することとは違う意味で、主な反応が起こっている合金溶液中に、反応の経過につれてシリコン供給原料のみを必要に応じてまたは周期的に投入するという意味で解釈されるべきである。反応の経過につれてシリコン供給原料を投入する際に、その投入量は様々な方法で導出されることができる。その方法は特に制限されないが、例えば、反応の経過につれて、炭化珪素単結晶の成長厚さに基づいて合金溶液中のSiモル減少量を算出し、算出されたSiモル減少量に基づいてシリコンの投入量を一定範囲内で決定する方法が挙げられる。ところが、るつぼ内の合金溶液は実質的に融解されて固形分を含んでいない状態であるため、シリコン供給原料粉末をさらに投入すると、反応温度が低くなったり、合金溶液とシリコン供給原料粉末とが均質に混合されなかったりするため、成長される単結晶の物性に問題が生じる恐れがある。このような点を考慮して、シリコン供給原料の投入は、るつぼ内のシリコン元素の量を基準として0.02~15重量の範囲の量で多数回行われることが、追加的に投入されるSiの融解及び成長された炭化珪素単結晶の均質性の点で好ましい。また、シリコン供給原料を投入する際に、反応が行われている合金溶液内への外部環境的影響を最小化することが必要である。したがって、るつぼ内の雰囲気ガスと同一の雰囲気ガスの存在下でシリコン供給原料を投入することが好ましい。るつぼ内の雰囲気ガスは非酸化性雰囲気ガスであることが好ましい。好ましい非酸化性雰囲気ガスの一例としては、He、Ne、Arなどのガスのうち1種または2種以上を用いることができる。このような不活性ガスに窒素、さらにはメタンなどの炭素含有ガスを混合して用いてもよい。このようなるつぼ内の雰囲気を阻害しないように、シリコン供給原料を合金溶液中に添加する際にるつぼ内の雰囲気ガスと同一の雰囲気ガスの存在下で投入することが好ましい。また、炭化珪素単結晶の製造方法において、シリコン供給原料の投入は、るつぼ内の圧力より高い圧力を維持した状態で行うことが反応溶液の蒸発を防止する点で好ましい。るつぼ内の圧力より高い圧力を維持した状態で投入する方法は、まず真空を印加し、これにるつぼ内の雰囲気ガスと同一のガスを投入して高圧の環境を作った後、シリコン供給原料をるつぼ内に投入する方法を考慮することができる。るつぼ内の圧力は0.1MPa~1MPaの範囲が好ましく、通常は大気圧で十分である。溶液成長法を用いる炭化珪素単結晶の成長方法の一実施例によると、高純度黒鉛るつぼにシリコンと各種添加金属元素を投入し、不活性ガス雰囲気下で設定温度まで加熱して、原料を融解させる。設定温度での加熱を続けて、るつぼから融液中の炭素を溶解させて炭化珪素溶液を形成する。この溶液中の炭素濃度が飽和に達するまで設定温度での加熱を続けた後、溶液中に種結晶を浸積する。種結晶を浸積してしばらくした後、溶液を徐々に冷却し、種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる。このようにSiC成長中にシリコン供給原料を投入することは、るつぼ内の温度が最小1300°C以上に昇温された後に行われることが好ましく、より好ましくは1650°C以上の温度、すなわち、溶液で結晶成長が開始された後の時点で行われることができる。上述したように反応の経過につれてシリコン供給原料を投入してSi/添加金属の設定比率を一定範囲内に維持させるにあたり、シリコン供給原料を投入するための装置としては特に限定されないが、好ましい一例として、本発明の一実施例によると、少なくとも1種の添加金属を含有するSi‐C合金溶液を収容するるつぼ、及び炭化珪素成長用種結晶基板が備えられる種結晶固定軸を含む溶液成長法を用いる炭化珪素単結晶の製造装置であって、るつぼ内にシリコン供給原料を投入するためのシリコン供給部を含む炭化珪素単結晶の製造装置が提供される。溶液法を用いる炭化珪素単結晶の製造において、通常、合金溶液溶媒が収容されるるつぼ、例えば、黒鉛るつぼ、溶媒、高周波コイルなどの外部加熱装置、断熱材、昇降可能な基板支持用の種結晶固定軸、及び種結晶固定軸の端部に設けられる基板を含む炭化珪素単結晶の製造装置が用いられる。その一例は、図1のように、シリコンまたは添加金属などを含む合金溶液1が入っているるつぼ2と、基板3が設けられている種結晶固定軸4と、発熱体5と、成長炉6と、必要時にるつぼを回転させる下部板7と、で構成される。るつぼ2は、黒鉛Graphite材質のものを用いて、るつぼそのものが炭素提供源としても活用されることができる。また、発熱体5としては、抵抗式発熱体または誘導加熱式発熱体を用いることができる。成長炉6の内部はアルゴンまたはヘリウムなどの非活性ガスで満たされており、真空度は通常100~1500torrであることができる。このような雰囲気を維持するために、添付図面では図示していないが、成長炉6には真空ポンプ及び雰囲気制御用ガスシリンダが弁を介して連結されることができる。また、るつぼ内部の温度分布を制御するために、基板と連結された種結晶固定軸4は、上下に動くだけでなく、所定速度で回転できるようになっている。また、るつぼを支持している下部板7も、必要時に所定rpmで回転できるようになっている。しかし、図1に図示した単結晶成長装置では、単結晶の成長中にシリコン供給原料を投入することが困難である。したがって、本発明の一実施例では、シリコン供給原料が投入できるように、別のシリコン投入部を含む炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。以下、図面を参照して本発明の一実施形態を具体的に説明する。図2は本発明の一実施例において、シリコン供給原料が投入できるようにシリコン供給部を含む炭化珪素単結晶の製造装置の第1実施形態を示す。第1実施形態として例示された炭化珪素単結晶の製造装置は、回転可能なるつぼの場合を考慮したものであって、この場合、シリコン供給部は、種結晶固定軸の少なくとも一部を貫通して形成される管状の供給管を含む形態であることができる。具体的には、シリコン供給部を構成する要素は、特に限定されるものではないが、一例として、投入用シリコン供給原料貯蔵ホッパー55と、シリコン供給原料がシリコン供給原料貯蔵ホッパー55から成長炉内に投入されるように調節するためのシリコン供給原料投入弁52と、シリコン供給原料貯蔵ホッパー55にシリコン供給原料を投入するためのシリコン供給原料投入口56と、ホッパー内の雰囲気を調節するためのガス連結路54及びガス投入弁53と、を備えることができる。また、ホッパー内の圧力を測定するための圧力計57が付着されていることができる。また、種結晶固定軸14の内部は、ホッパーから流出されたシリコン供給原料がるつぼの内部に流入されるようにシリコン供給原料供給管51が貫通されている。このような装置を用いているつぼ内にシリコン供給原料を投入する方法の具体的な一例を説明すると、シリコン供給原料貯蔵ホッパーに一定量のシリコン供給原料をシリコン供給原料投入口56を介して入れた後、投入口を閉じて密閉する。この際、成長炉内へのシリコン供給原料投入弁52は閉じている。シリコン供給原料貯蔵ホッパーへのシリコン供給原料の投入を完了すると、ガス連結路54を介して外部の真空ポンプ不図示を用いて真空させる。その後、さらにガス連結路54を介して成長炉内の雰囲気と同一のガスを投入して、成長炉内の圧力より高い圧力を維持させる。その後、ガス投入弁53を閉じ、シリコン供給原料投入弁52を開いて、ホッパー内のシリコン供給原料がるつぼ12内に投入されるようにする。もしるつぼを回転する必要がなくて、るつぼの下部板図2で17が不要な場合であれば、第1実施形態のように種結晶固定軸の内部にシリコン供給原料供給管を貫通しなくても良い。したがって、この場合には本発明の第2実施形態を示す図3のように、別のシリコン供給部は、設置の便宜性を考慮して、種結晶固定軸と別に形成される管状の供給管を含むことができる。第2実施形態による装置は、前記第1実施形態による装置とシリコン供給部の形成位置のみ異なって、その他の構成要素及び駆動方法などは同様であるためその具体的な説明は省略する。