"基板と、該基板上に設けられ、磁性材料を含有し、面内方向に規則的に配列されたパターンを有する記録部、及び該磁性材料、及び該記録部よりも飽和磁化の値を低下せしめる失活種を含有する非記録部を含む磁気記録層と、該磁気記録層上に設けられた保護層とを含み、該非記録部は、該保護層の成分をさらに含有する磁気記録媒体。前記磁気記録層中の保護層成分の組成比は厚さ方向に変化しており、基板側の保護層成分の組成比よりも保護層側の保護層の成分の組成比の方が高い請求項1に記載の磁気記録媒体。前記保護層の成分は、C、CN、及びCHからなる群から選択される請求項1に記載の磁気記録媒体。前記失活種はP、As、Sb、及びBiからなる群から選択される少なくとも1種の元素を含む請求項1に記載の磁気記録媒体。前記保護層は前記磁気記録層上に接触して設けられ、前記基板から前記記録部と前記保護層の界面までの距離h1よりも、基板から非記録部と保護層の界面までの距離h2の方が長い請求項1に記載の磁気記録媒体。前記基板と前記磁気記録層との間に配向制御中間層をさらに有し、前記非記録部は、該配向制御中間層の成分をさらに含有し、前記非記録部の配向制御中間層の成分の組成比は、前記記録部の配向制御中間層の成分の組成比よりも高い請求項1に記載の磁気記録媒体。前記配向制御中間層の成分は、ルテニウムである請求項6に記載の磁気記録媒体。基板、該基板上に形成された磁気記録層、及び該磁気記録層上に形成された保護層を含む磁気記録媒体の前記保護層表面に、規則的に配列されたパターンを持つ凸部を有するマスク層を形成する工程、該マスク層を介して磁性材料及び飽和磁化の値を該記録部の飽和磁化の値よりも低下せしめる失活種をイオンビーム照射することにより、磁気記録層中に、規則的に配列されたパターンを有する記録部と、前記失活種及び前記保護層の成分を含有し、該記録部の飽和磁化よりも低い飽和磁化を有する非記録部とを形成する工程を具備する磁気記録媒体の製造方法。前記失活種はP、As、Sb、及びBiからなる群から選択される少なくとも1種の元素を含む請求項8に記載の方法。前記失活種に加えて、前記保護層成分をイオンビーム照射する請求項8に記載の方法。前記保護層の成分は、C、CN、及びCHからなる群から選択される請求項8に記載の方法。実施形態によれば、良好な記録再生が可能な磁気記録媒体を提供することを目的とする。実施形態によれば、基板と、該基板上に設けられ、磁性材料を含有し、面内方向に規則的に配列されたパターンを有する記録部、及び該磁性材料及び該記録部よりも飽和磁化の値を低下せしめる失活種を含有する非記録部を含む磁気記録層と、該磁気記録層上に設けられた保護層とを含み、該非記録部は、該保護層の成分をさらに含有する磁気記録媒体が提供される。また、実施形態によれば、基板、該基板上に形成された磁気記録層、及び該磁気記録層上に形成された保護層を含む磁気記録媒体の前記保護層表面に、規則的に配列されたパターンを持つ凸部を有するマスク層を形成する工程、該マスク層を介して磁性材料及び飽和磁化の値を該記録部の飽和磁化の値よりも低下せしめる失活種をイオンビーム照射することにより、前記凸部間の凹部領域の磁気記録層を厚さ方向に非磁性化せしめ、磁気記録層中に、規則的に配列されたパターンを有する記録部と、前記失活種及び前記保護層の成分を含有し、該記録部の飽和磁化よりも低い飽和磁化を有する非記録部とを形成する工程を具備する磁気記録媒体の製造方法が提供される。実施形態にかかる磁気記録媒体は、基板と、基板上に設けられ、磁性材料を含有する磁気記録層と、保護層とを含む。磁気記録層は、面内方向に規則的に配列されたパターンを有する記録部と、記録部の飽和磁化よりも低い飽和磁化を有する非記録部を含む。非記録部は、磁性材料と、飽和磁化の値を該記録部の飽和磁化の値よりも低下せしめる失活種と、保護層の成分とを含有する。なお、ここでいう磁性材料とは、例えばCo,Fe,及びNi等の元素、Nd、Pm、Sm、Eu、Dy、Ho等の磁性をもつ希土類元素、及びそれらを含む合金のように、磁気を帯びる性質を持つ材料のことをいう。また、単独では磁性を持たなくても、Cr、Ptの規則相をもつ合金、人工格子も含まれる。また、実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁気記録媒体の保護層表面に、規則的に配列されたパターンを持つ凸部を有するマスク層を形成する工程、磁気記録層中に、規則的に配列されたパターンを有する記録部と、記録部の飽和磁化よりも低い飽和磁化を有する非記録部とを形成する工程を含む。非記録部は、規則的に配列されたパターンを持つ凸部を有するマスク層を介して磁性材料及び飽和磁化の値を記録部の飽和磁化の値よりも低下せしめる失活種をイオンビーム照射することにより、凸部間の凹部領域の磁気記録層を厚さ方向に失活させることにより形成する。得られた非記録部は、磁性材料に加えて、失活種及び保護層の成分を含有する。使用される磁気記録媒体は、基板、該基板上に形成された磁気記録層、及び該磁気記録層上に形成された保護層を含む。実施形態によれば、非記録部に、磁性を失活させる失活種のみならず保護層成分を混合させることによって、保護層との密着性を良好にすることができる。これにより、例え非記録部が体積膨張を生じ、非記録部上の保護層が薄くなった場合でも、保護層と非記録部の剥離が生じにくく、保護層としての効果を損なわないので、安定して良好な記録再生を行うことができる。以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。図1に、実施形態に係る磁気記録媒体の構造の一例を表す断面図を示す。この磁気記録媒体10は、基板1上に、下地層2密着層、軟磁性層、配向制御用の中間層などを含む、磁気記録層5、保護層6が積層された構成を有する。磁気記録層5は記録部3と非記録部4に分かれ、記録部3は垂直に配向した強磁性体、非記録部4は飽和磁化Msが記録部よりも小さい材料である。組成の安定性の観点から、非記録部4の主要な構成元素として、記録部3と同じものを含むことができる。記録部3と非記録部4の構成元素の組成が偏っている場合、記録部3の磁性元素の拡散の問題が生じることがある。非記録部には例えばP、As、Sb、及びBiからなる群から選択される少なくとも1種の失活種が含まれ、記録部に含まれる磁性元素の磁性を減少あるいは消失させる。失活種となる元素の組成比は、多ければ多いほど失活効果は高くなる傾向がある。しかしながら、記録部と非記録部の構成元素の組成が偏っている場合、記録部の磁性元素の拡散の問題が生じる。このため、相対的に、失活種となる元素の含有量は、磁性元素に対して1原子以上90原子以下にすることができる。さらには、5原子以上50原子以下にすることができる。非記録部には失活種の元素と同様に保護層と同組成の元素が含まれ得る。また、図示するように、この磁気記録媒体10では、保護層6は磁気記録層5上に接触して設けられ、基板2から記録部3と保護層6の界面までの距離h1よりも、基板2から非記録部4と保護層6の界面までの距離h2の方が長い。h1よりもh2が長いことで、保護膜との界面の面積が増加し、保護膜と媒体の密着性がより増す効果がある。図2に、実施形態に係る磁気記録媒体の記録部の深さ方向の元素濃度分布の一例を示す。図3に、実施形態に係る磁気記録媒体の非記録部の深さ方向の元素濃度分布の一例を示す。図中、201はCo含有量、202はPt含有量、203はPの含有量、204はCの含有量、205はRu含有量を、各々示す。図中、301はCo含有量、302はPt含有量、303はPの含有量、304はCの含有量、305はRu含有量を、各々示す。保護層はC、記録層はCoPt、失活種の元素はPである。濃度分布はXPSX-rayPhotoelectronSpectroscopyで測定した。測定結果の縦軸はatomになるよう処理されている。図2の記録部は表面からC保護層、CoPt層Co:Pt=8:2、Ru配向制御中間層が検出される。Ruより基板側は省略した。図3の非記録部は表面にC保護層があり、その下にPとCの含まれたCoPt層、Ru配向制御中間層が検出されている。磁気記録層中の保護層成分の組成比は厚さ方向に変化しており、基板側の保護層成分の組成比よりも保護層側の保護層の成分の組成比の方が高い。また、非記録部の配向制御中間層の成分の組成比は、記録部の配向制御中間層の成分の組成比よりも高い。XPSのデプスプロファイルは、Arイオンビームによりサンプル表面をエッチングすること、及びその後XPS測定を行うことを繰り返すことで測定される。そのため、表面元素のノッキングにより、材料の界面が鈍って測定され得る。図2においても、実際の最表面から深さ8nm程度までCが観測されているが、断面TEMなどで測定すると実際は5nm分の膜厚しか成膜されておらず、CoPtとの界面も急峻である。このような場合、たとえば、CとCoPtの界面であれば、XPSの強度のCとCoのクロスポイントを界面とみなすことができる。また、基板/CoPt/Co/C保護膜などの構成の場合、CoPtとCoの境界をクロスポイントで知ることができない。その場合、Ptの濃度の減少に応じて例えば、濃度の1/2の点などを任意に選択できる境界を決定する。図4に、実施形態に係るパターンド媒体の一例を表すビットパターンド媒体の周方向の平面図を示す。パターンド媒体の周方向に沿って、サーボ領域15と、データ領域11が交互に形成されている。サーボ領域15には、プリアンブル部12、アドレス部13、バースト部14が含まれる。データ領域11には隣接するドット同士が分断されたデータトラック領域が形成されている。図5に、実施形態にかかるパターンド媒体の一例であるディスクリートトラック媒体DTR媒体の周方向に沿う平面図を示す。データ領域11の代わりに、データ領域11’では隣接するトラック同士が分断されたディスクリートトラックになっていること以外は、図4と同様に構成を有する。実施形態に使用される保護層の材料は炭素を主成分とすることができる。たとえば、ダイヤモンドライクカーボンDLCや、Nが添加されたCNxx=0.05~0.33、Hが添加されたCHyy=0.2~0.7を使用することができる。NやHの添加物が多すぎる場合には、強度や表面性の悪化を招く傾向がある。保護層と同成分の材料を非記録部に分布させることで、非記録部と保護層との密着性を高める効果がある。保護層の成分は、非記録部の最表面から2nmの領域で1原子以上にすることができ、さらには5原子以上にすることができる。ここで、非記録部の最表面とは、XPSなどで媒体の最表面保護層から基板の方向に組成を測定した場合、記録層に含まれる元素が飽和濃度の50原子以上で検出される位置のことをいう。また、保護層成分は表面側よりも配向制御中間層側で濃度が薄いことがより好ましい。配向制御中間層側で濃度が高い場合には、保護層の成分が中間層の粒界を伝わって拡散してしまうため、記録部の磁気特性の劣化が早くなる傾向にある。保護層成分を非記録層に添加する方法については、イオン注入で失活種の元素と同時にあるいは前後の工程で保護層の元素を注入することができる。あるいは、あらかじめ記録層の上に保護層を残しておいてイオン注入時のミキシングによって保護層元素を非記録部へと混合させることができる。また、記録層に凹凸を作り埋め込む際に添加してもよいし、埋め込んだ後にイオン注入で注入させることもできる。イオン注入による磁性の失活を行った場合、非記録部に体積の膨張が見られることがある。その場合、非記録部と記録部での保護層の厚みに差が生じる場合がある。しかし、非記録部に保護層の成分が混合されているため、保護層の膜厚が薄くても保護層としての効果が悪化することはない。さらに、非記録部と記録部の高さが異なる場合、保護層と記録層の界面面積が増加するため、保護層の密着性がさらに増加する。ここでいう磁性の失活とは、記録部に対する非記録部中の失活種の元素の濃度を高め、その結果飽和磁化Msを減少させることである。磁性失活に好適な材料はP、As、Sb、Biである。その理由は、15属であるP、As、Sb、Biが、CoやNi、Feなどの磁性元素と共有結合性の強い半金属的な結合をすることによるスピン構造を変化させるためである。これらの材料を用いることで磁化を効率よく減少させることができる。失活種の元素の組成比は、多ければ多いほど失活効果は高いが、多すぎると先述の拡散の問題が生じる。失活種の元素の組成比は、磁性元素に対して1原子以上90原子以下にすることができる。さらには、失活種の元素の組成比は、磁性元素に対して3原子以上50原子以下にすることができる。磁性-非磁性のパターニングにはイオン注入法などのイオンビーム照射を用いることができる。記録部をマスクすることで、非記録部にのみ失活種の元素を効率的に注入することができる。イオンビーム照射を行う場合、失活種の元素は中間層から最表面の間の領域に多く分布することが望ましい。また、非記録部をイオンミリング等の方法によって完全に除去し、その後埋め込みを行なうことができる。さらには、埋め込みには元の記録部と同組成の材料に、失活種の元素と保護層材料を添加したものを使用することができる。イオン注入などによるパターニングを行う場合、体積の変化が発生することがある。たとえば記録層の膜厚が10nmであった場合、10の変化は1nmに相当する。そこから導き出される体積の変化率は、40以下であることが好ましく、より好ましくは20であり、10以下が最も好ましい。実施形態に使用される磁気記録層は、合金系の場合、CoまたはFe、Niを主成分とし、かつPtあるいはPdを含むことができる。磁気記録層は、必要に応じて、Crや酸化物を含むことができる。酸化物としては、特に酸化シリコン、酸化チタンが好適である。さらに、酸化物の他に、Ru、Mn、B、Ta、Cu、及びPdから選ばれる1種類以上の元素を含むことができる。上記元素を含むことにより、結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性を得ることができる。垂直磁気記録層としては、CoPt系合金、FePt系合金、CoCrPt系合金、FePtCr系合金、CoPtO、FePtO、CoPtCrO、FePtCrO、CoPtSi、FePtSi、ならびにPt、Pd、Ag、Cuからなる群より選択された少なくとも一種を主成分とする合金と、Co、Fe、Niとの多層構造などを使用することもできる。また、Kuの高いMnAl合金、SmCo合金、FeNbB合金、CrPt合金などを使用することもできる。垂直磁気記録層の厚さは、好ましくは3ないし30nm、より好ましくは5ないし15nmである。この範囲であると、より高記録密度に適した磁気記録再生装置を作製することができる。垂直磁気記録層の厚さが3nm未満であると、再生出力が低過ぎてノイズ成分の方が高くなる傾向がある。垂直磁気記録層の厚さが30nmを超えると、再生出力が高過ぎて波形を歪ませる傾向がある。軟磁性裏打ち層と磁気記録層との間に、非磁性体からなる配向制御中間層を設けることができる。配向制御中間層は、軟磁性裏打ち層と磁気記録層との交換結合相互作用を遮断し、磁気記録層の結晶性を制御する、という2つの作用を有する。配向制御中間層の材料としては、Ru、Pt、Pd、W、Ti、Ta、Cr、Si、Ni、Mgこれらを含む合金、またはこれらの酸化物もしくは窒化物を用いることができる。実施形態に使用される軟磁性裏打ち層SULは、垂直磁気記録層を磁化するための単磁極ヘッドからの記録磁界を水平方向に通して、磁気ヘッド側へ還流させるという磁気ヘッドの機能の一部を担っており、記録層に急峻で充分な垂直磁界を印加させ、記録再生効率を向上させる作用を有する。軟磁性裏打ち層には、Fe、NiまたはCoを含む材料を用いることができる。このような材料として、FeCo系合金たとえばFeCo、FeCoVなど、FeNi系合金たとえばFeNi、FeNiMo、FeNiCr、FeNiSiなど、FeAl系合金、FeSi系合金たとえばFeAl、FeAlSi、FeAlSiCr、FeAlSiTiRu、FeAlOなど、FeTa系合金たとえばFeTa、FeTaC、FeTaNなど、FeZr系合金たとえばFeZrNなどを挙げることができる。Feを60at以上含有するFeAlO、FeMgO、FeTaN、FeZrNなどの微結晶構造または微細な結晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を有する材料を用いることもできる。軟磁性裏打ち層の他の材料として、Coと、Zr、Hf、Nb、Ta、TiおよびYのうち少なくとも1種とを含有するCo合金を用いることもできる。Co合金には80at以上のCoが含まれることが好ましい。このようなCo合金は、スパッタ法により成膜した場合にアモルファス層が形成されやすい。アモルファス軟磁性材料は、結晶磁気異方性、結晶欠陥および粒界がないため、非常に優れた軟磁性を示すとともに、媒体の低ノイズ化を図ることができる。好適なアモルファス軟磁性材料としては、たとえばCoZr、CoZrNbおよびCoZrTa系合金などを挙げることができる。軟磁性裏打ち層の下に、軟磁性裏打ち層の結晶性の向上または基板との密着性の向上のために、さらに下地層を設けてもよい。こうした下地層の材料としては、Ti、Ta、W、Cr、Pt、これらを含む合金、またはこれらの酸化物もしくは窒化物を用いることができる。スパイクノイズ防止のために軟磁性裏打ち層を複数の層に分け、0.5~1.5nmのRuを挿入することで反強磁性結合させることが可能である。また、CoCrPt、SmCo、FePtなどの面内異方性を持つ硬磁性層またはIrMn、PtMnなどの反強磁性層と軟磁性裏打ち層とを交換結合させることができる。交換結合力を制御するために、Ru層の上下に磁性膜たとえばCoまたは非磁性膜たとえばPtを積層してもよい。実施形態に使用されるマスク層として、例えば、パターンド媒体用磁気記録媒体の磁気記録層の表層に、第1のハードマスク剥離層、第2のハードマスク、第3のハードマスクの順に成膜する。第1のハードマスクとして、Mo、Mg、Al、Sc、Ti、V、Mn、Y、Zr、Nb、La、Ce、Nd、Sm、Eu、Gd、Hf、Al、Zn、Sn、Pb、Ga、Inまたはこれらの合金を、膜厚1~10nmで成膜する。第2のハードマスクとして、75原子を超えてカーボンを含む材料を、膜厚4~50nmで成膜する。第3のハードマスクとして、Si、Ti、Ta、Mo、Wあるいはその酸化物、窒化物を膜厚1~10nmで成膜する。なお、第1のハードマスクと磁気記録層との間に保護層としてカーボン保護層を厚さ1~5nmで成膜する。実施形態に用いられるスタンパのインプリント工程では、まず、パターンド媒体用磁気記録媒体の磁気記録層の表面に、スピンコート法、ディップ法、インクジェット法等で均一にレジストを塗布する。レジストには一般的な感光性樹脂や熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を用いることが出来る。樹脂は酸素やフッ素を含むガスによるRIEでエッチングされるものを用いることができる。インプリント用スタンパは、例えば石英、樹脂、Si、及びNiなどの材料で作製されたものを用いることができる。石英や樹脂でできたスタンパを用いた際には、レジストとして紫外光で硬化する感光性樹脂フォトレジストを用いてインプリントを行うことができる。レジストが熱硬化性または熱可塑性樹脂であれば、インプリント時に熱または圧力を加えるため、スタンパはSi、Ni等で作成されたものを用いることができる。たとえば、記録トラックとサーボ情報のパターンが形成された樹脂スタンパを5tで60秒間プレスし、紫外光を10秒間照射することによって、レジストにそのパターンを転写することができる。プレスは、ダイセットの下板に、スタンパ、基板、スタンパを積層し、ダイセットの上板で挟むことができる。基板には予め、両面にレジストが塗付されている。スタンパ及び基板は、スタンパの凹凸面と基板のレジスト膜側を対向させる。インプリントによって作製されたパターンの凹凸高さは30~50nmであるため、その残渣は5~20nm程度となる。スタンパにフッ素系の剥離材を塗布すれば、スタンパとレジストの良好な剥離ができる。RIE反応性イオンエッチングでインプリント後のレジスト残渣除去を行うことができる。プラズマソースは、低圧で高密度プラズマが生成可能なICPInductivelyCoupledPlasmaが好適であるが、ECRElectronCyclotronResonanceプラズマや、一般的な並行平板型RIE装置を用いることができる。レジストに感光性樹脂を用いた場合には、O2ガスまたはCF4ガス、O2とCF4との混合ガスを用いることができる。また、それらのガスにH2を添加したものや、CF4の代わりにCHF3、Cl2、HBrを用いることもできる。レジストにSi系の材料たとえば、SOGSpinOnGlassを用いた場合には、CF4またはSF6等のフッ素ガスRIEを用いることができる。残渣除去はレジスト下の第3のハードマスクが露出した段階で終了とする。インプリントおよびレジスト残渣除去の後、パターンが形成されたレジストをマスクとして、第3のハードマスクをパターニングする。第3のハードマスクのパターニングにはRIEを用いても良いし、その他のイオンビームエッチング装置を用いてもよい。パターニングにはCF4やSF6などのハロゲン系ガスを用いる。プロセスガスにはレジスト保護のためにH2を微量に添加してもよいし、CF4の代わりにCHF3やCl2、HBrなどを用いてもよい。アシストとしてArをはじめとする希ガスを加えれば、レジストと選択比を稼ぐことができる。第3のハードマスクのパターニングは第2のハードマスクの表面が露出した段階で終了とする。第3のハードマスクのパターニングの後、第2のハードマスクをパターニングする。第2のハードマスクのパターニングにはRIEを用いても良いし、イオンビームエッチング法を用いても良い。エッチングに用いるガスとして例えばO2、O3、N2、H2あるいはそれらの混合ガスがあげられる。第2のハードマスクのパターニングは第1のハードマスクの表面が露出した段階で終了とする。第2のハードマスクのパターニングの後、必要に応じて第1のハードマスクをパターニングする。第1のハードマスクを残したままイオン注入により磁気記録層のパターニングをする場合、第1のハードマスクのパターニングは必要ない。第1のハードマスクのパターニングを行う場合、第3のハードマスクと同様、反応性ガスによるRIEを用いても良いし、希ガスによるイオンビームエッチング法を用いても良い。第2のハードマスクのパターニングは磁気記録層上の保護層の表面が露出した段階で終了とする。第1のハードマスクのパターニングの後、磁気記録層をパターニングする。ここで、磁気記録層のパターニングとは、磁性体を磁気的に分離させることを示す。磁気記録層のパターニングには、イオンビーム照射によって非記録部を失活させて分断する方法を用いる。失活工程とは、パターン化された磁気記録媒体において、凹部の強磁性記録層の磁性を凸部と比較して弱める工程を指す。磁性を弱めるとは、MsT飽和磁化と膜厚の積を下げることで、フェリ磁性化、常磁性化、反強磁性化することを含む。このような磁性の変化は、VSMやKerr磁気光学カー効果測定装置によりMs、Hn、Hs、Hcなどの値を測定することで観測することができる。磁性失活工程は、P、As、Sb、Biの元素を非記録部へイオンビーム照射により注入することにより行われる。イオンビームのソースは、PH3、AsH3、SbH3のガスを用いてもよいし、各種元素の単体あるいは化合物を加熱処理により気化しプラズマ化することができる。失活種と共に保護層元素をイオン注入により添加する場合には、CH4、CN、CO2ガス等のイオンソースを用いる。ミキシングにより保護層成分を添加する場合には、注入でミキシングが発生しやすくする必要がある。表面側に十分な量のイオンが照射されるように注入エネルギーを調節することができる。ただし、注入膜厚が15nm以下のレベルであれば、表面側に十分なイオンが照射されるため、エネルギーの調節が必要でない場合もあり得る。磁気記録層のパターニングの後、第1のハードマスクの剥離を行う。第1のハードマスクの剥離とは、第1のハードマスクの下の保護層表面を露出させることを示す。第1のハードマスクの上に残る第2のハードマスク、第3のハードマスク等は、第1のハードマスクと共に剥離される。第1のハードマスクの剥離は、水、弱酸、弱アルカリ等を剥離液として用いたウェットプロセスによって行うことができる。このような剥離方法によれば、磁気記録層へダメージを与えずにマスクの剥離を行うことができる。たとえば、第1のハードマスクにMoを使用して、0.1wtの過酸化水素水溶液に10分間浸漬することで、マスクの剥離を行うことができる。剥離後、剥離液が残らないように、磁気記録媒体を水あるいは溶媒にて洗浄することができる。カーボン保護層は、凹凸へのカバレッジをよくするためにCVD法で成膜することができる。あるいは、スパッタ法または真空蒸着法により保護層を成膜することができる。CVD法によれば、sp3結合炭素を多く含むDLC膜が形成される。カーボン保護層の膜厚保は、2ないし10nmとすることができる。膜厚は2nm未満であると被覆特性が悪くなり、10nmを超えると、記録再生ヘッドと媒体との磁気スペーシングが大きくなってSNRが低下する傾向がある。保護層上に潤滑剤を塗布することができる。潤滑剤としては、たとえばパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いることができる。図6は、実施形態にかかる磁気記録媒体を搭載した磁気記録装置を示す斜視図である。図6に示すように、実施形態に係る磁気記録装置150は、ロータリーアクチュエータを用いた形式の装置である。パターンド媒体1は、スピンドルモータ140に装着され、図示しない駆動装置制御部からの制御信号に応答する図示しないモータにより矢印Aの方向に回転する。磁気記録装置150は、複数のパターンド媒体1を備えたものでもよい。パターンド媒体1に対して情報の記録再生を行うヘッドスライダー130は、薄膜状のサスペンション154の先端に取り付けられている。ヘッドスライダー130の先端付近には磁気ヘッドが設けられている。パターンド媒体1が回転すると、サスペンション154による押付け圧力とヘッドスライダー130の媒体対向面ABSで発生する圧力とがつりあい、ヘッドスライダー130の媒体対向面は、パターンド媒体1の表面から所定の浮上量をもって保持される。サスペンション154は、図示しない駆動コイルを保持するボビン部などを有するアクチュエータアーム155の一端に接続されている。アクチュエータアーム155の他端には、リニアモータの一種であるボイスコイルモータ156が設けられている。ボイスコイルモータ156は、アクチュエータアーム155のボビン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、このコイルを挟み込むように対向して配置された永久磁石及び対向ヨークからなる磁気回路とから構成することができる。アクチュエータアーム155は、ピボット157の上下2箇所に設けられた図示しないボールベアリングによって保持され、ボイスコイルモータ156により回転摺動が自在にできるようになっている。その結果、磁気ヘッドをパターンド媒体1の任意の位置にアクセスできる。以下、実施例を示し、実施形態をより具体的に説明する。図7a~hに、実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法の一例を説明するための模式図を示す。図7aに示すように、ガラス基板21上に、厚さ40nmの軟磁性層CoZrNb図示せず、厚さ20nmの配向制御用中間層Ru図示せず及び厚さ10nmの磁気記録層22Co80Pt20、厚さ2nmのDLC保護層23、厚さ5nmの第1のハードマスクMo24、厚さ30nmの第2のハードマスクC25、厚さ3nmの第3のハードマスクSi26を成膜する。第3のハードマスク26上に、厚さ80nmになるようにレジスト27をスピンコートする。レジストには、たとえば、一般的なフォトレジストを用いる。一方、たとえば図4または図5に示すパターンに対応する所定の凹凸パターンが形成された図示しないスタンパを用意する。スタンパは、EB描画、Ni電鋳、射出成形を経て製造される。スタンパを、その凹凸面がレジスト27に対向するように配置する。図7bに示すように、レジスト27に対してスタンパをインプリントして、スタンパの凹凸パターンをレジスト27に転写する。その後、スタンパを取り外す。レジスト27に転写された凹凸パターンの凹部の底にはレジスト残渣が残っている。図7cに示すように、ドライエッチングにより、凹部のレジスト残渣を除去し、第3のハードマスク26の表面を露出させる。この工程は、たとえば誘導結合プラズマICPRIE装置により、プロセスガスとしてCF4を使用し、チャンバー圧を0.1Paとし、コイルRFパワーおよびプラテンRFパワーをそれぞれ100Wおよび50Wとし、エッチング時間を60秒として行われる。図7dに示すように、パターン化されたレジスト27をマスクとし、イオンビームエッチングを用いて第3のハードマスク26にパターンを転写し、凹部で第2のハードマスク25を露出させる。この工程は、たとえば誘導結合プラズマICPRIE装置により、プロセスガスとしてCF4H2を使用し、チャンバー圧を0.1Paとし、コイルRFパワーおよびプラテンRFパワーをそれぞれ100Wおよび30Wとし、エッチング時間を20秒として行われる。図7eに示すように、パターン化された第3のハードマスク26をマスクとして、Cから成る第2のハードマスク25をエッチングしてパターンを転写し、凹部で第1のハードマスク24の表面を露出させる。たとえば誘導結合プラズマICPRIE装置により、プロセスガスとしてO2を使用し、チャンバー圧を0.1Paとし、コイルRFパワーおよびプラテンRFパワーをそれぞれ100Wおよび50Wとし、エッチング時間を30秒として行われる。図7fに示すように、Moから成る第1のハードマスク24ごしに、非記録部の磁性を失活させる。たとえば、イオン注入によってPイオンを5、7.5、10keVの加速エネルギーにて順次照射し、処理時間60秒、Dose量~1016atoms/cm2にて行われる。この時、Moより基板側にあるDLC保護層とCoPtはミキシングを起こす。図7gに示すように、残存している第1のハードマスクMo24を、その上の層ごと除去する。この工程は、たとえば濃度0.1の過酸化水素水へ媒体を浸漬し、30分間保持することで、残存している第2のハードマスク25およびその上に堆積された膜を全て除去する。図7hに示すように、CVD化学気相堆積によりDLCを堆積することにより保護層23’を形成し、潤滑剤を塗布することで、基板21上に、記録部29と非記録部41を有する磁気記録層22、保護層23’、及び潤滑層が形成された実施形態にかかるパターンド媒体40が得られる。作製したパターンド媒体をドライブに搭載し、サーボ位置決め評価を行った。サーボ位置決め評価は、トラッキングさせた場合の位置ばらつきを測定するすることにより行われ、位置ばらつきの3σがトラックピッチの10以下であると良好、30以下であるとやや良好、トラッキング不可能な場合や50以上であると不良とする。サーボ位置決め評価の結果、得られた媒体では、3σ<トラックピッチの10での位置決めが可能であった。本実施例により作製した媒体は、サーボにトラッキング可能なパターンが形成されており、ビットパターンド媒体として問題なく動作することが確認できることがわかった。サーボ位置決め評価合格を確認した後、保護層の剥離が生じる割合を調べた。保護層の剥離の評価は、ドライブへ搭載し数日間駆動させた後、ヘッドや媒体を顕微鏡観察することで行われる。剥離が発生した場合、ヘッドに付着物が生じ、媒体側にも傷が生じる。評価はそのようなドライブの割合を調べることにより行われ、100台に1台未満であると○、100台に10台程度であると△、100台に20台以上であると×とする。さらに、高温高湿環境に1ヶ月間放置した後、パターン領域での保磁力Hcの変化をKerr効果測定装置を用いて調べた。変化が大きいほど環境耐性が弱いことを示している。下記表1に保護層-非記録部界面からの深さに対するC濃度と剥離のデータをまとめたものを示す。下記表1から明らかなように、実施形態にかかるパターンド媒体は剥離を起こさないことから、良好な記録再生が可能である。MoとC保護層をArミリングにより除去し、記録層であるCoPtを向き出しにした状態でPを注入すること以外は、実施例1と同等の方法で、パターンド媒体を作製した。結果として、非記録部には、保護層成分が含まれず、CoPtとPのみが分布していた。その後、図7g以降の工程に従いMoマスクをリフトオフし、CVDにてC保護層を形成した。以上のような方法で作製したパターンド媒体をドライブに搭載し、サーボ位置決め評価を行ったところ、24時間の稼働で複数のドライブでヘッドクラッシュが発生した。媒体を取り出して原因を調査してみると、非記録部での保護層の剥離が確認された。保護層と非記録部の密着性が悪くなっていたことが原因として考えられる。実施例1と同様にして、高温高湿環境に1ヶ月間放置した後、パターン領域での保磁力Hcの変化を調べた。得られた結果を下記表1に示す。図7fでのイオン注入のエネルギーを変化させ、膜中でのCの濃度を表1に示すように変化させること以外は、実施例1と同様の方法で、実施例2-1~実施例2-3のパターンド媒体を作製した。実施例1と同様にドライブへ搭載し、サーボ位置決め評価合格を確認した後、保護層の剥離が生じる割合を実施例1と同様にして調べた。さらに、高温高湿環境に1ヶ月間放置した後、パターン領域での保磁力Hcの変化を調べた。変化が大きいほど環境耐性が弱いことを示している。表1に保護層-非記録部界面からの深さに対するC濃度と剥離のデータをまとめたものを示す。以上のように、保護層の成分を非記録部の膜中に含む媒体においては、保護層の密着性が向上し、剥離が発生しないことが明らかになった。これにより、実施形態にかかるパターンド媒体は良好な記録再生が可能であることがわかる。実保護層として、CDLCの代わりに、CNx、またはCHyを用い、CNxについてはCH4とN2の混合ガスを、CHについてはCH4ガスを用い、それぞれ質量分離することでx、yの値を変化させること以外は実施例1と同様の方法で、実施例3-1ないし実施例3-6のパターンド媒体を作製した。作製した媒体をドライブへ搭載し、サーボ位置決め評価合格を確認した後、保護層の剥離が生じる割合を調べた。保護層材料の非記録部への添加にはイオン注入法を用いた。表2に保護層-非記録部界面からの深さに対するC濃度と剥離のデータをまとめたものを示す。これにより、実施形態にかかるパターンド媒体は保護層の剥離をほとんど起こすことが無く、良好な記録再生が可能であることがわかる。また、実施例2と同様に、保護層成分の濃度分布を変化させたところ、CNx、またはCHyを保護層とした場合についても実施例2とほぼ同等の結果が得られた。以上のように、保護層の成分CNxやCHyに変えても、実施例1と同じ効果が得られることが示された。図7fでのイオン注入のエネルギーを変化させ、膜中でのCの平均濃度に変化を持たせた以外は、実施例2と同様の方法で実施例4-1~実施例4-5のパターンド媒体を作製した。実施例1の媒体、比較例の媒体と共にドライブへ搭載し、サーボ位置決め評価合格を確認した後、保護層の剥離が生じる割合を調べた。さらに、高温高湿環境に1ヶ月間放置した後、パターン領域での保磁力Hcの変化を調べた。表3に保護層-非記録部界面からの深さに対するC濃度と剥離のデータをまとめたものを示す。以上のように、保護層の成分を非記録部の膜中に含む媒体においては、保護層の密着性が向上し、剥離が発生しないことが明らかになった。記録層に対する失活種の元素の添加の効果を調査した。記録層をCo80Pt20、失活種の元素をPイオンの代わりに、As、Sb、及びBiイオンとし、それぞれのCoに対する割合を下記表4に示すように変化させること以外は実施例1と同様にして、実施形態にかかるパターンド媒体を得た。得られたパターンド媒体について、VSMによりMsを測定したところ、Coに対する濃度が1原子以上の領域ではMsの減少が確認でき、3原子以上ではMsが半分以下になった。それに対し、比較例2として用意したBの注入では、他に比べMsの減少が発生する濃度が高く、濃度が30原子以上でMsが半分以下になった。この結果により、実施形態にかかるパターンド媒体では、失活種の低濃度での失活効果が得られることがわかった。これらの元素を使用して作製されたパターンド媒体は、記録部/非記録部で信号強度に十分な差が生じるため、パターンド媒体として十分な性能を持つことがわかった。また、記録層を種々の材料へと変更したものに対しても同様の実験を行い、下記表4のような結果を得た。CrPtのように磁気記録層が磁性元素を含まないものもあるので、その場合には、失活種の割合は全元素合計に対しての濃度とした。比較例3として、まったく失活種の元素を含まない保護層の成分のみは実施例と同等濃度で添加済み状態の媒体を用意した。これらの傾向は、P以外の失活種As、Sb、Biでも同様だった。以上のように、記録層の材料を変えても、本特許で提案する構成で磁性の失活が発生し、磁性パターニング可能であることが示された。失活種を変更して、記録層の体積がどれだけ変化するかを調査すること以外は、実施例1と同様の方法で磁気記録媒体を作製した。また、その後保護層を積層し、密着性を調べた。その結果を下記表5にまとめた。体積増加率は、断面TEMを測定し、記録領域と非記録領域の膜厚差を測るすることにより測定、5未満である時を二重丸、10以下である時を○と、各々評価した。以上のように、失活種を変えた場合、原子番号が大きいほど体積増加率が大きいことがわかった。しかし、体積増加率はどれも10以下で問題がないと言える。他の記録層を使用した際にも同様の傾向が見られた。これにより、実施形態にかかるパターンド媒体は保護層の剥離をほとんど起こすことが無く、良好な記録再生が可能であることがわかる。図8aないしiに、実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法の他の一例を説明するための模式図を示す。図8aないしiに記載の模式図は、図7fの工程の代わりに、図8fと図8gの工程を用いること以外は、図7aないしhに記載の模式図と同様である。この方法では、図8aないしeでは、図7aないしeと同様にしてパターン化された第3のハードマスク26をマスクとして、Cから成る第2のハードマスク25をエッチングしてパターンを転写し、凹部で第1のハードマスク24の表面を露出さる。たとえば誘導結合プラズマICPRIE装置により、プロセスガスとしてO2を使用し、チャンバー圧を0.1Paとし、コイルRFパワーおよびプラテンRFパワーをそれぞれ100Wおよび50Wとし、エッチング時間を30秒として行われる。次に、図8fに示すように、パターン化された第2のハードマスク25をマスクとし、イオンビームエッチングを用いて第1のハードマスク24にパターンを転写し、凹部でDLC保護層23を露出させる。この工程は、たとえば誘導結合プラズマICPRIE装置により、プロセスガスとしてCF4を使用し、チャンバー圧を0.1Paとし、コイルRFパワーおよびプラテンRFパワーをそれぞれ100Wおよび30Wとし、エッチング時間を10秒として行われる。図8gに示すように、DLC保護層52ごしに、非記録部の磁性を失活させる。たとえば、イオン注入によってPイオンとCイオンそれぞれを7keV、5keVの加速エネルギーにて順次照射し、処理時間60秒、Dose量~1016atoms/cm2にて行われる。図8hに示すように図7gと同様にして、残存している第1のハードマスクMo24を、その上の層ごと除去する。この工程は、たとえば濃度0.1の過酸化水素水へ媒体を浸漬し、30分間保持することで、残存している第2のハードマスク25およびその上に体積された膜を全て除去する。図8iに示すように、CVD化学気相堆積により保護層23上にさらにDLCを積層して保護層23’を形成し、図示しない潤滑剤を塗布することで基板21上に、記録部29と非記録部41を有する磁気記録層22、保護層23’、及び潤滑層が形成された実施形態にかかるパターンド媒体50が得られる。作製したパターンド媒体をドライブに搭載し、サーボ位置決め評価を行ったところ、3σがトラックピッチの10以下での位置決めが可能であった。本実施例により作製した媒体は、ビットパターンド媒体として問題なく動作することが確認できた。図9aないしjに、実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法のさらに他の一例を説明するための模式図を示す。図9aないしjに記載の模式図では、図9aないしeの工程は、図7aないしeの工程と同様であり、図7fないしhの工程の代わりに、図9fと図9jの工程が用いられる。この方法では、図9aないしeでは、図7aないしeと同様にしてパターン化された第3のハードマスク26をマスクとして、Cから成る第2のハードマスク25をエッチングしてパターンを転写し、凹部で第1のハードマスク24の表面を露出さる。たとえば誘導結合プラズマICPRIE装置により、プロセスガスとしてO2を使用し、チャンバー圧を0.1Paとし、コイルRFパワーおよびプラテンRFパワーをそれぞれ100Wおよび50Wとし、エッチング時間を30秒として行われる。次に、図9fに示すように、パターン化された第2のハードマスク25をマスクとし、イオンビームエッチングを用いて第1のハードマスク24にパターンを転写し、凹部でDLC保護層23を露出させる。この工程は、たとえば誘導結合プラズマICPRIE装置により、プロセスガスとしてCF4を使用し、チャンバー圧を0.1Paとし、コイルRFパワーおよびプラテンRFパワーをそれぞれ100Wおよび30Wとし、エッチング時間を10秒として行われる。図9gに示すように、パターン化された第1~2のハードマスクをマスクとし、イオンビームエッチングによりDLC保護層23および磁気記録層22の露出部分を全てエッチングする。この工程は、たとえばArイオンミリング装置により、プロセスガスとしてArを使用し、チャンバー圧を0.04Paとし、ビームの加速電圧を400eVとし、エッチング時間を30秒として行われる。図9hに示すように、溝部の埋め込みを行う。埋め込みに使用する材料は、環境安定性の観点からCo80Pt20を主成分とし、保護層安定化層として5のCH0.5と、磁性失活種として10のPを含んでいる。この工程は、たとえば対向型の成膜装置にて、Arガスを使用し、チャンバー圧を0.07Paとし、成膜時間を10秒間として行われる。図9iに示すように、残存している第1のハードマスクMo24を、その上の層ごと除去する。この工程は、たとえば濃度0.1の過酸化水素水へ媒体を浸漬し、30分間保持することで、残存している第2のハードマスク25およびその上に堆積された膜を全て除去する。図9jに示すように、CVD化学気相堆積によりDLCを堆積して保護層23’を形成し、潤滑剤を塗布することで、基板21上に、記録部29と非記録部41を有する磁気記録層22、保護層23’、及び潤滑層が形成された実施形態にかかるパターンド媒体60が得られる。作製したパターンド媒体をドライブに搭載し、サーボ位置決め評価を行ったところ、3σがトラックピッチの10以下での位置決めが可能であった。本実施例により作製した媒体は、ビットパターンド媒体として問題なく動作することが確認できた。非記録部に磁性失活種の元素を混合させるだけでなく、保護層と同組成の元素を添加することによって、保護層との密着性を高めることができる。また、保護層と同組成の元素が添加されているため、非記録部の保護層が薄くなった場合でも、保護層としての効果を損なうことがない。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。"