電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光を導波するための光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体及び接地導体からなる電極とからなる光変調器と、前記光変調器の前記電極に接続され、当該電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、前記光変調器と前記電気的終端とを内部に配置する筐体と、を有する光変調器モジュールにおいて、前記電気的終端は、前記高周波電気信号が入力される電気的終端用中心導体と、前記電気的終端用中心導体と所定間隔を有した位置で前記電気的終端用中心導体を伝搬する前記高周波電気信号の伝搬方向に並んで形成された電気的終端用接地導体と、前記電気的終端用中心導体と前記電気的終端用接地導体とを接続し、接続された前記電気的終端用中心導体から入力される前記高周波電気信号を吸収してジュール熱に変換する抵抗膜とを備え、前記抵抗膜は前記電気的終端用中心導体から前記電気的終端用接地導体に向かって複数で構成され、当該複数の抵抗膜のうちの前記電気的終端用中心導体の近傍に位置する第1抵抗膜は、前記高周波電気信号が入力されることにより発生する前記ジュール熱によって破壊されない吸収効率でなるとともに、前記第1抵抗膜と前記電気的終端用接地導体との間に位置する別の抵抗膜は、前記第1抵抗膜の吸収効率よりも大きい吸収効率でなることを特徴とする光変調器モジュール。前記別の抵抗膜の厚みが、前記第1抵抗膜の厚みよりも厚いことを特徴とする請求項1に記載の光変調器モジュール。前記別の抵抗膜の材料が、前記第1抵抗膜の吸収係数よりも大きい吸収係数を持つ材料でなることを特徴とする請求項1または2に記載の光変調器モジュール。前記第1抵抗膜が、前記電気的終端用中心導体に接して配置されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光変調器モジュール。前記抵抗膜が、前記電気的終端用中心導体の、前記高周波電気信号の伝搬方向と交わる向きにおける両側に形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光変調器モジュール。以上のように、従来技術では抵抗膜に伝搬した高周波電気信号がジュール熱に変換される場合に、抵抗膜が熱破壊されてしまうという問題があった。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、熱破壊に強い抵抗膜を具備する光変調器モジュールを提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の請求項1に記載の光変調器モジュールは、電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光を導波するための光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体及び接地導体からなる電極とからなる光変調器と、前記光変調器の前記電極に接続され、当該電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、前記光変調器と前記電気的終端とを内部に配置する筐体と、を有する光変調器モジュールにおいて、前記電気的終端は、前記高周波電気信号が入力される電気的終端用中心導体と、前記電気的終端用中心導体と所定間隔を有した位置で前記電気的終端用中心導体を伝搬する前記高周波電気信号の伝搬方向に並んで形成された電気的終端用接地導体と、前記電気的終端用中心導体と前記電気的終端用接地導体とを接続し、接続された前記電気的終端用中心導体から入力される前記高周波電気信号を吸収してジュール熱に変換する抵抗膜とを備え、前記抵抗膜は前記電気的終端用中心導体から前記電気的終端用接地導体に向かって複数で構成され、当該複数の抵抗膜のうちの前記電気的終端用中心導体の近傍に位置する第1抵抗膜は、前記高周波電気信号が入力されることにより発生する前記ジュール熱によって破壊されない吸収効率でなるとともに、前記第1抵抗膜と前記電気的終端用接地導体との間に位置する別の抵抗膜は、前記第1抵抗膜の吸収効率よりも大きい吸収効率でなることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項2に記載の光変調器モジュールは、請求項1に記載の光変調器モジュールにおいて、前記別の抵抗膜の厚みが、前記第1抵抗膜の厚みよりも厚いことを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項3に記載の光変調器モジュールは、請求項1または2に記載の光変調器モジュールにおいて、前記別の抵抗膜の材料が、前記第1抵抗膜の吸収係数よりも大きい吸収係数を持つ材料でなることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項4に記載の光変調器モジュールは、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光変調器モジュールにおいて、前記第1抵抗膜が、前記電気的終端用中心導体に接して配置されていることを特徴としている。上記課題を解決するために、本発明の請求項5に記載の光変調器モジュールは、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光変調器モジュールにおいて、前記抵抗膜が、前記電気的終端用中心導体の、前記高周波電気信号の伝搬方向と交わる向きにおける両側に形成されていることを特徴としている。本発明によれば、高周波電気信号の伝搬する初期の領域では、抵抗膜の吸収効率を小さくしているので、抵抗膜の単位面積当たりに発生するジュール熱を抵抗膜の破壊限界より小さくすることができ、高周波電気信号の伝搬する後段の領域では、初期の領域よりも吸収効率を大きく構成していることにより効率的に終端することができ、高信頼な光変調器モジュールを実現することができる。以下、本発明の実施形態について説明するが、図7~図12に示した従来の実施形態と同一番号は同一機能部に対応しているため、ここでは同一番号を持つ機能部の説明を省略する。[第1の実施形態]図1に、本発明における第1の実施形態のLN光変調器モジュールにおける電気的終端の抵抗部について、その模式的な上面図を示す。本発明における第1の実施形態において特徴的な構成は、一定幅W、長さLで構成された抵抗膜であって、高周波電気信号26aの伝搬距離zが延びるとともに換言すれば、高周波電気信号26aが電気的終端用中心導体22から電気的終端用接地導体23へ向かうとともに、抵抗膜の吸収効率が小さな第1抵抗膜27aから大きな第2抵抗膜27bへと変わって配置している点である。なお、抵抗膜27c、27dはそれぞれ27a、27bと同一であり、電気的終端用中心導体22を中心に左右対称で構成されている。抵抗膜27a、27bについての議論は抵抗膜27c、27dについても同様と言うことができるので、説明を簡単にするために、ここでは図1における左半分抵抗膜27a、27bについてのみで議論する。高周波電気信号26aの伝搬距離zと抵抗膜27aと27bの吸収効率の関係を図2に示す。図2には図10に示した従来技術における抵抗膜24aの吸収効率も破線で示している。また高周波電気信号26aの伝搬距離zと抵抗膜27a及び27bの単位面積当たりに発生するジュール熱を図3に示す。図3には図10に示した従来技術における抵抗膜24aの単位面積当たりに発生するジュール熱も破線で示している。図2に示すように本実施形態では高周波電気信号26aの伝搬距離zが小さい領域に対応する第1抵抗膜27aの吸収効率を、破線で示した従来技術よりも小さく構成している。これにより、図3に示すように、高周波電気信号26aの伝搬距離zが小さい領域に対応する第1抵抗膜27aにおいて発生する単位面積あたりのジュール熱を、図3中に示した抵抗膜の破壊限界よりも小さくなるようにしている。そして、高周波電気信号26aの伝搬距離zが大きい領域に対応する第2抵抗膜27bの吸収効率を第1抵抗膜27aの吸収効率よりも高く設定している。したがって、この領域においては第1抵抗膜27aにおいて発生する単位面積あたりのジュール熱は従来技術よりも大きくなるが、抵抗膜の破壊限界よりも小さいので問題とならない。このように、高周波電気信号26aについて要求される抵抗膜による吸収量は従来技術と同じ程度に設定しつつ、高周波電気信号26aの伝搬距離zが小さい領域でも大きい領域でも抵抗膜において発生する単位面積あたりのジュール熱を従来技術よりも小さくしている。なお、第1及び第2抵抗膜27a、27bの吸収効率を変えるには、第1及び第2抵抗膜27a、27bの材料としての吸収係数が各抵抗膜について同じであれば、第1抵抗膜27aの厚みを薄くし、第2抵抗膜27bの厚みを厚くすれば良い。具体的な作成手順を述べれば、まず中心導体22と接地導体23との間に所定厚さの抵抗膜その1を取り付け、当該抵抗膜その1の接地導体23側のみに所定厚さの抵抗膜その2を取り付けることで、接地導体23側のみ分厚い構成とすることができる。また、第1及び第2抵抗膜27a、27bの厚みが同じであれば、第1抵抗膜27aの材料として、第2抵抗膜27bの材料の持つ吸収係数よりも小さい吸収係数を持つ材料を選択すれば良い。一般に抵抗値としては35~50Ω程度が望まれるが、第1及び第2抵抗膜27a、27b合計としての抵抗値は厚みの変化や材料の変化を考慮して所望の値に設定すれば良い。さらに、抵抗膜の厚みの大小による吸収効率の大小と材料選択による吸収係数の大小とを組み合わせた配置としても良い。また、本実施形態においては2種類とした第1及び第2抵抗膜27a、27bを、3種類あるいはそれ以上で構成しても良い。また、高周波電気信号の伝搬距離zが延びるに従って高周波電気信号の吸収効率を変えて構成するという本発明の思想に沿う限りは、図1の全体の構成を電気的終端用中心導体22に対して左右非対称に構成しても良いことは言うまでもない。そして以上のことは本発明の全ての実施形態について言うことができる。[第2の実施形態]図4に、本発明における第2の実施形態のLN光変調器モジュールにおける電気的終端の抵抗部について、その模式的な上面図を示す。本発明における第2の実施形態において特徴的な構成は、不図示の高周波電気信号を吸収する抵抗膜を第1~4抵抗膜28a、28b、28c、28d右半分では28e、28f、28g、28hであって、それぞれ28a、28b、28c、28dと同じの4種類とし、第1の実施形態の2種類よりも多く構成している点である。なおここでは4種類としたが、これは一例であり、もっと多い構成としても良いことはいうまでもない。本実施形態における不図示の高周波電気信号の吸収効率を図5に示す。このように、本実施形態では抵抗膜の吸収効率を多段に変化させているので、不図示の高周波電気信号の伝搬距離zが小さい領域に対応する抵抗膜28aの吸収効率をより小さくすることができるので、発生するジュール熱をより小さくすることができる。図6に、この第2の実施形態の変形例を示す。この態様では、第1~4抵抗膜28a’~28d’の幅W1が電気的終端用接地導体23に向かうにしたがって徐々に狭くなって構成されている。このように構成することで、ジュール熱量の大きいzが小さい領域において面積が広いことによって単位面積あたりに生じるジュール熱量を下げることができ、より効果的にジュール熱の発生を抑えることができる。[各種実施形態]以上においては、進行波電極としてはCPW電極を例にとり説明したが、非対称コプレーナストリップACPSや対称コプレーナストリップCPSなどの各種進行波電極、あるいは集中定数型の電極でも良いことは言うまでもない。そしてDQPSK型の光変調器などマッハツェンダ型光導波路をネスト状に組み合わせた構造や、シングル電極、あるいはDual電極などについても本発明は勿論有効である。また、光導波路としてはマッハツェンダ型光導波路の他に、方向性結合器や直線など、その他の光導波路でも良いことは言うまでもない。抵抗膜は電気的終端の中心導体の両側にある、いわゆるCPW型の終端抵抗を用いて説明してきたが、第1と第2の実施形態で示したような電気的終端用中心導体をセンターとした左右の抵抗膜が完全にミラー対称の構成でなくてもよい。また、抵抗膜が電気的終端の中心導体の片側のみにある非対称コプレーナストリップACPS型、マイクロストリップ型でも良い。抵抗膜の単位面積当たりに発生するジュール熱が抵抗膜の破壊限界より小さくなるように、抵抗膜の吸収効率が伝搬方向に向かって階段的にもしくは徐々に大きくなるように構成されていれば、本発明の思想に属することになる。具体的に述べれば、上記した実施形態においては吸収効率が最も低い抵抗膜;第1抵抗膜が電気的終端用中心導体に接する構成として説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではない。第1抵抗膜が実質的に電気的終端用中心導体に接しているとみなせる、電気的終端用中心導体の近傍に配置されている場合例えば、電気的終端用中心導体に接してz方向に極短い長さの吸収効率の高い抵抗膜を配置した構成であっても、本発明の作用効果を奏する限り、本発明の思想に属することになる。さらに、以上の実施形態はx-カット、y-カットもしくはz-カットの面方位、即ち、基板表面カット面に対して垂直な方向に結晶のx軸、y軸もしくはz軸を持つ基板にも適用可能であるし、以上に述べた各実施形態での面方位を主たる面方位とし、これらに他の面方位が副たる面方位として混在しても良い。また、基板が半導体の場合についても本発明を適用できる。