"キャリア2と、誘電体接着層3によって前記キャリア2に装着されたユーティリティ層5と、を有し、放射変換材料を含有する、複合基板1。前記ユーティリティ層は、窒化物化合物半導体材料を含有する、請求項1に奇異債の複合基板。前記ユーティリティ層は、最大で1μmの厚さを有する、請求項1又は2に記載の複合基板。前記誘電体接着層は、酸化物、窒化物又は酸窒化物を含有する、請求項1から3のいずれかに記載の複合基板。前記誘電体接着層の屈折率は、前記ユーティリティ層から前記キャリアに向かって低くなる、請求項1から4のいずれかに記載の複合基板。前記誘電体接着層は少なくとも1つの側においてパターニング25を有する境界表面に隣接する、請求項1から5のいずれかに記載の複合基板。放射を生成するための活性領域70を有する半導体ボディ7が前記ユーティリティ層上に配置され、動作中に生成された放射は前記放射変換材料によって少なくとも部分的に変換される、請求項1から6のいずれかに記載の複合基板を有する半導体チップ。前記キャリアは、前記半導体ボディから離れた側にミラー層96を有する、請求項7に記載の半導体チップ。前記半導体ボディから離れた側の前記キャリアの主面は放射出射面を形成する、請求項7に記載の半導体チップ。キャリア2とユーティリティ層5とを有する複合基板1の製造方法であって、放射変換材料を含有する前記キャリア2を用意するステップと、誘電体接着層3によって前記キャリア2に前記ユーティリティ層5を装着するステップと、を有する方法。前記ユーティリティ層は直接接着によって前記キャリアに装着される、請求項10に記載の方法。前記ユーティリティ層は、補助キャリア4上に設けられ、前記キャリアへの装着後、前記ユーティリティ層は、残っている前記補助キャリアから取り外される、請求項10又は11に記載の方法。前記ユーティリティ層の装着前、分離核51が形成され、前記分離核に沿って前記ユーティリティ層が前記キャリアへの装着後に取り外される、請求項12記載の方法。複数の半導体チップ10の製造方法であって、a請求項1から6のいずれかに記載の複合基板を用意するステップと、b前記複合基板上に、放射を生成するための活性領域を有する半導体層積層体を形成するステップと、c前記半導体層積層体を有する前記複合基板を複数の半導体チップに単体化するステップと、を有する方法。前記キャリアの厚さは前記ステップbの後に減らされる、請求項14に記載の方法。本発明の目的は、効率的で技術的に簡易な放射変換手法を提供することである。さらに、オプトエレクトロニクス半導体チップをベースとする白色光源において放射変換を効率的且つ安価に実現することができる製造方法を提供することを意図する。この目的は、独立項記載の複合基板及び複合基板の製造方法によって実現される。一実施の形態によれば、複合基板は、キャリアとユーティリティ層とを有し、ユーティリティ層は誘電体接着層によりキャリアに装着される。キャリアは放射変換材料を含有する。このような複合基板は、特にオプトエレクトロニクス半導体チップ製造用のエピタキシー基板としての使用に特に適している。キャリアから離れた側のユーティリティ層の表面は好ましくは成膜面として設けられる。キャリアは、自立型selfsupportingでさらに好ましくはキャリア上に成膜される材料をエピタキシー法で使用される例えば700°Cから1100°Cの温度でさえ機械的に安定化させる厚さを有することが好ましい。キャリア内に放射される第1波長範囲の放射であって第1波長範囲と異なる第2波長範囲に変換される第1波長範囲の放射の割合は特に、励起効率、キャリア厚さ及び/又は放射変換材料濃度によって調整可能である。好適な構成では、キャリアはセラミック及び/又はガラスを含有する。セラミックを含有するキャリアは、その大部分が放射変換材料によって形成されることが好ましい。ここで、その大部分がとは、キャリアが少なくとも50の、放射変換材料の体積割合を有することを意味する。キャリアは少なくとも75の、放射変換材料の体積割合を有することが好ましく、少なくとも90の体積割合を有することがさらに好ましい。ただし、同一の変換率を維持しつつキャリア厚さを増大させるために、キャリアにおいて放射変換材料がより低い体積割合を占めていても良い。セラミックは、一体に接着された粒子からなるもの、及び/又はセラミックを形成するためのさらなる粒子を有するものであることが好ましい。好適な放射変換材料は特に、焼結によって接着されてセラミックを形成することができる材料である。例えばガーネット、特に希土類金属活性rareearthmetalactivatedガーネット、一例としては例えばCeで活性化されたY3Al,Ga5O12、を使用することができる。ガラス含有キャリアの場合、ガラスは、放射変換材料が埋設される母材の形態を採ることが好ましい。ユーティリティ層はキャリアよりも薄いことが好都合である。ユーティリティ層が薄いほど、より安価に複合基板を製造することができる。ユーティリティ層は、最大で1μmの厚さ、好ましくは10nmと500nmとの間両端値を含むの厚さ、特に好ましくは10nmと200nmとの間両端値を含むの厚さを有することが好ましい。好適な構成では、ユーティリティ層は、窒化化合物半導体材料の成膜に適している。本書において窒化化合物半導体をベースとするとは、活性エピタキシャル層積層体又はその少なくとも一層がIII/V窒化化合物半導体、好ましくはAlnGamIn1-n-m0≦n≦1、0≦m≦1、且つnm≦1を有することを意味する。この材料は必ずしも数学的に正確に上記化学式記載の化合物を示すものである必要はない。この材料は、AlnGamIn1-n-m材料の特徴的物理特性を実質的に変更させない1つ以上のドーパント及び追加構成物質を有しても良い。簡単にするために上記化学式は結晶格子Al,Ga,In,Nの基本的構成物質のみ含めているが、これらの物質が部分的に少量のさらなる物質で置き換えられても良い。ユーティリティ層は、窒化化合物半導体材料をベースとするものであることが好ましい。このようなユーティリティ層は特に、高品質の窒化化合物半導体材料の成膜に適している。好適な構成では、誘電体接着層のみがユーティリティ層とキャリアとの間に配置される。言い換えれば、放射変換材料は誘電体接着層によってユーティリティ層から離間される。さらに好適な構成では、誘電体接着層は、酸化物、例えば酸化ケイ素、窒化物、例えば窒化ケイ素、又は酸窒化物、例えば酸窒化ケイ素を含有する。製造中、このような接着層はユーティリティ層とキャリアとを特に簡易に且つ安定的に接着させる点で優れている。酸窒化物の場合、屈折率は材料組成によって調整可能である。好適な構成では、誘電体接着層の屈折率はユーティリティ層からキャリアに向かって低減する。この低減は連続的に進むものであってもステージ毎に進むものであっても良い。誘電体接着層の材料の変更は、誘電体接着層用の高屈折率材料が低屈折率材料よりも高い吸収係数を呈する場合に特に好都合である。好適な構成では、接着層は、パターン化された境界表面に対して少なくとも1つの側で隣接する。特に、ユーティリティ層に対向する側のキャリアの表面及び/又はキャリアに対向する側のユーティリティ層の表面はパターニングを有しても良い。パターニングは例えば粗面化の形態のような不規則なものであっても良いし、例えば周期的に繰り返すパターンの形態のような規則的なものであっても良い。さらに、パターニングが光学要素を形成しても良い。上述の複合基板は特に、オプトエレクトロニクス半導体チップの、特に発光ダイオードチップ、例えばLEDの製造に適している。好適な構成では、放射を生成するための活性領域を有する半導体層積層体を有する半導体ボディは、ユーティリティ層上に配置され、活性領域において生成された第1波長範囲の放射は、動作中、放射変換材料によって少なくとも部分的に、第1波長範囲と異なる第2波長範囲に変換される。よって、このような半導体チップの場合、複合基板は、製造中、エピタキシー基板としての役割を果たし、半導体チップが動作しているときに半導体チップ内に一体化された放射変換要素の機能を果たすことができる。言い換えれば、製造中、半導体チップは半導体チップアセンブリから単体化される前でさえ放射変換材料を有する。よって、後で半導体チップに与えられたり半導体チップポッティング材料内に導入されたりする追加の放射変換材料を不要とすることができる。さらに、半導体チップは、活性領域への放射変換材料の光学結合が特に良好であるという点で優れている。これは、放射変換材料と半導体チップの半導体材料との間に配置されるものが複合基板の誘電体接着層だけだからである。キャリアはさらに、半導体チップ全体が高度な機械的安定性によって優れたものとなるように、半導体ボディを機械的に安定化させることができる。また、半導体チップは、キャリア及び/又は誘電体接着層の比較的高い熱伝導性により放熱特性が良好である点で優れている。キャリア厚さは、完成品の半導体チップでは10μmと200μmとの間両端値を含むとなることが好ましく、20μmと100μmとの間両端値を含む、例えば50μmとなることが特に好ましい。構成の変形例では、キャリアは、半導体ボディから離れた側にミラー層を有する。このような半導体チップは好ましくは、ミラー層側上に実装することが意図される。活性領域によってキャリアに向けて放出された放射は、ミラー層で反射されて、キャリアを通る少なくとも1つのさらなる経路の後に、ミラー層から離れた側の半導体チップ放射出射面において特に、出射される。代替的な構成では、半導体層積層体から離れた側のキャリアの主面は、放射出射面をなす。このような半導体チップは、フリップチップ配置での実装に特に適している。キャリアとユーティリティ層とを有する複合基板の製造方法では、一実施の形態では、放射変換材料を含有するキャリアが設けられる。ユーティリティ層は誘電体接着層によってキャリアに装着される。ユーティリティ層は直接接着によって装着されることが好ましい。接着剤層を用いる粘着性接着とは対照的に、装着のための粘着層が不要である。接着は例えば、入熱及び加圧によって直接的に実現することができる。好適な構成では、ユーティリティ層は補助キャリア上に設けられる。キャリアへの装着後、ユーティリティ層は他方の補助キャリアから取り外される。好ましくは、補助キャリアはユーティリティ層の材料のエピタキシャル成膜に役立つ。補助キャリアの取り外し後、補助キャリアはさらなる製造ステップに再利用可能である。好適な構成では、分離核separationnucleiが形成され、これに沿ってユーティリティ層はキャリアへの装着後に取り外される。これは例えば、イオン注入によって実現され、分離核の位置ひいては取り外し後のユーティリティ層の厚さが導入イオンのエネルギを通じて調整可能である。取り外しは、キャリアと補助キャリアとからなるアセンブリの加熱中に進行することが好ましい。複数の半導体チップの製造方法では、一実施の形態によれば、複合基板が設けられる。放射を生成するために設けられた活性領域を有する半導体層積層体は複合基板上に、好ましくはエピタキシャルに、例えばMBE又はMOCVDを用いて成膜される。半導体層積層体を有する複合基板は、複数の半導体チップに単体化される。単体化は、例えばコヒーレント放射によって機械的又は化学的に進行する。製造中、複合基板は半導体層積層体を機械的に安定化させる。完成品の半導体チップでは、複合基板はコンポーネント内に完全に又は少なくとも部分的に残って、放射変換要素の機能を果たしても良い。好適な構成では、キャリア厚さは半導体層積層体の成膜後に減らされる。よって、半導体層積層体のエピタキシャル成膜中の機械的安定性のために、キャリアは、完成品の半導体チップにおいてよりも大きな厚さを有しても良い。半導体チップは、厚さ減少中でさえ電気的に接触されて、この厚さ減少により半導体チップにより放出される放射の色軌跡が特に半導体チップ毎に個別に調整可能であることが好ましい。複合基板又は複数の半導体チップを製造するための方法は、さらに上記の複合基板又は半導体チップの製造に特に適している。したがって、複合基板又は半導体チップに関連して記載される特徴は、この製造方法における特徴に言及するものであり、その逆も同様である。同一の、同様の又は同一動作をする要素には、図中、同一の参照番号が付与されている。図示した要素の形状や要素間の大きさの比率は正しい縮尺どおりではないものとみなされたい。深く理解できるようにする目的で、個々の要素が、誇張した大きさで示されていることがある。複合基板の第1の例示的な実施の形態を、図1Aにおいて断面図で概略的に示す。複合基板1は、キャリア2とユーティリティ層5とを有する。キャリア2とユーティリティ層5との間には誘電体接着層3が配置される。キャリア2から離れた側のユーティリティ層5の表面はエピタキシャル成膜のための成膜面の形態を採る。キャリア2は、例えば発光性又は蛍光性の材料である放射変換材料を有する。キャリア2はセラミックの形態を採り、発光性材料粒子の形態を採る放射変換材料は、例えば焼結によってセラミックに混入されてキャリアを形成する。セラミックを製造するために、さらなる粒子及び/又は添加物が、放射変換材料に加えて混合されても良い。添加物は、製造中にキャリアから完全に除去されても良いし、キャリア内に少なくとも部分的に残っても良い。セラミックベースのキャリアは、その大部分が放射変換材料によって形成されることが好ましい。キャリアは少なくとも75の放射変換材料の体積割合を有することが好ましく、少なくとも90であることが特に好ましい。放射変換材料を有するセラミック及びそのようなセラミックの製造方法は国際公開第2010/045915号に記載されており、その点に関して同文献の開示内容は参照によって本出願に明示的に組み込まれている。適当な放射変換材料は特にガーネットであり、例えば希土類金属例えばCeでドープされたY3Al,Ga5O12である。代替として又は追加として、キャリアは、希土類金属活性アルカリ土類金属硫化物、希土類金属活性チオガリウム酸塩、希土類金属活性アルミン酸塩、希土類金属活性オルトケイ酸塩、希土類金属活性クロロケイ酸塩、希土類金属活性アルカリ土類窒化ケイ素、希土類金属活性酸窒化物、希土類金属活性アルミニウム酸窒化物及び希土類金属活性窒化ケイ素のうち、少なくとも1つを含有しても良い。代替として又は追加として、キャリアは、放射変換材料が埋設される母材例えばガラスを有しても良い。この場合、放射変換材料及びガラスは、放射変換材料が溶融ガラスへの導入時に劣化されたり破壊されたりしないように互いに適合されることが好都合である。放射変換材料の体積割合はこの場合、5と30との間両端値を含むとなることが好ましい。誘電体接着層3は、酸化物、例えば酸化ケイ素、窒化物、例えば窒化ケイ素、又は酸窒化物、例えば酸窒化ケイ素を含有することが好ましい。酸窒化ケイ素の場合、屈折率は、窒素含有量をおよそ1.45と2.5との間で変化させることにより調整可能であり、屈折率は、窒素含有量が大きいほど高い。誘電体接着層3の組成は、垂直方向、すなわち複合基板1が延在する主たる平面に対して垂直な方向において変化しても良い。好ましくは、誘電体接着層3は、キャリア2に対向する側よりもユーティリティ層5に対向する側のほうが高い屈折率を呈する。屈折率は、キャリアに向かって連続的に低下しても良いし段階的に低下しても良い。酸窒化ケイ素の場合、屈折率だけでなく、吸収係数も窒素含有量の増大に伴って高くなる。したがって、キャリア2に向かって減少する窒素含有量を有する誘電体接着層は、純酸化ケイ素層に比べて、半導体材料に対して屈折率をより良好に適合させることができる点で優れており、純窒化ケイ素に比べて、同一厚さでの吸収がより低度となる点で優れている。ユーティリティ層5は、III/V化合物半導体材料の成膜に適するように構成されることが好ましい。ユーティリティ層5は、窒化物化合物半導体材料をベースとするものであることが好ましい。ただし、これに対して、ユーティリティ層5が他の材料、特に他の半導体材料例えば、ケイ素、炭化ケイ素、ガリウムリン又はガリウムヒ素をさらに含有しても良いし、このような材料からなるものであっても良い。複合基板についての図1Bに示す第2の例示的な実施の形態は、図1Aに関連して説明した第1の例示的な実施の形態に実質的に対応する。複合基板1はパターニング25を有する。パターニング25は例えば、キャリア2と誘電体接着層3との間の境界表面に形成される。代替として又は追加として、ユーティリティ層5と誘電体層3との間の境界表面がパターン化されても良い。パターニング25は例えば、粗面化によって不規則に形成されても良い。特に周期的に繰り返すパターンのように規則的なものが使用されても良い。パターニング25は特に、複合基板1内に放射された放射及び/又は放射変換材料によって変換された放射の導波路効果を低減させる目的で設けられる。代替として又は追加として、パターニング25は、例えばレンズ又は回折格子といった光学要素の機能を果たしても良い。さらに、パターニング及び/又は光学要素は、キャリア2においてユーティリティ層5から離れた側に、大体として又は追加として形成されても良い。図2A~図2Eは、断面図で概略的に示す中間ステップによる複合基板製造の第1の実施の形態を示す。図2Aに示すように、半導体材料50は補助キャリア4上に設けられる。補助キャリア4は特に、例えばMBE又はMOCVDによる半導体材料50のエピタキシャル成膜において役立つ。分離核51は、イオン例えば水素イオンを注入図2Bにおいて矢印で示すすることにより半導体材料50内に形成される。分離核51は補助キャリア4から離れた側の半導体材料50の表面に対して平行な平面に延在する。イオンのエネルギは半導体材料内へのイオンの侵入深さ、ひいては後に移送される半導体材料の厚さを決定する。その厚さは、最大で1μmとなることが好ましく、10nmと500nmとの間両端値を含むとなることが好ましく、10nmと200nmとの間両端値を含むとなることが特に好ましい。第1誘電体サブレイヤ31は半導体材料50上に成膜される。このサブレイヤは、完成品の複合基板において誘電体接着層3の一部分を構成する。キャリア2は、第2誘電体サブレイヤ32で被覆される。ステップ2Dで示すように、キャリア2及び補助キャリア4は、第1誘電体サブレイヤ31及び第2誘電体サブレイヤ32が互いに直接的に隣接するように、互いに対して配置される。誘電体サブレイヤ31、32は、直接接着によって、例えば700°Cと1200°Cとの間の温度において一緒に加圧することによって、接合され、一体として誘電体接着層3を形成する。接着剤層のような粘着層又ははんだ層はこの接着の形成には不要である。直接接着接合が形成されると、補助キャリア4は分離核51に沿って半導体材料50の一部と共に取り外される。これは熱で誘導されることが好ましい。キャリア2上に残った半導体材料50は複合基板1のユーティリティ層5を形成する図2E。取り外された補助キャリア4はさらなる複合基板の製造に再利用することができる。この例示的な実施の形態とは異なるが、ユーティリティ層5用の半導体材料50を補助キャリア4から直接生じさせることも実施可能である。この場合、補助キャリア4上でのエピタキシャル成膜は必要ではない。半導体チップの第1の例示的な実施の形態を図3Aにおいて概略的な断面図で示す。一例として、半導体チップ10は、図1Aに関連して説明したように構成された複合基板1を有する。半導体層積層体を有する半導体ボディ7は複合基板1上に配置される。半導体ボディ7を形成する半導体層積層体は、活性領域70を有し、活性領域70は、第1半導体層71と第2半導体層72との間に配置される。第1半導体層71及び第2半導体層72は、導電型に関して互いに異なることが好都合である。例えば、第1半導体層71はn型導電性であり、第2半導体層72はp型導電性であり、その逆でも良い。第1半導体層71及び第2半導体層72は第1接触部81及び第2接触部82にそれぞれ導電接続される。接触部81、82は半導体チップ10の外部電気接触のためのものである。半導体チップ10が動作しているとき、電荷担体は別々の側から接触部を介して活性領域70内に注入され、そこで再合成して第1波長範囲の放射を放出することができる。第1波長範囲の放射は、複合基板1において、特にキャリア2において、第1波長範囲と異なる第2波長範囲の放射に変換される。例えば、活性領域70は青色スペクトル範囲の放射を生成するものであって良く、キャリア2内の放射変換材料はその放射を、人間の目には白色に見える混合光が半導体チップ10から現れるように、黄色スペクトル範囲の放射に変換するものであって良い。このように放射は半導体チップ自体において進行する。放射変換材料がエンクロージャに埋設されたコンポーネント又は放射変換材料が粘着層によって半導体チップに装着されたコンポーネントとは対照的に、放射は、放射変換前に、例えばシリコーンのような比較的低い屈折率を有する材料を通過することがない。半導体チップ10の半導体材料からキャリア2の放射変換材料を分離する誘電体接着層3の屈折率がシリコーンに比べて高いため、放射変換材料は半導体材料に対して光学的に特に効率的に結合される。さらに、熱抵抗は誘電体接着層3によって、粘着層を用いて変換要素が装着される半導体チップに比べて低減される。酸化ケイ素からなる厚さ250nmの誘電体接着層3の熱伝導は例えば、厚さ1μmのシリコーン層のそれの約10倍である。このような半導体チップを有する放射放出コンポーネント100の例示的な一実施の形態を図3Bにおいて概略的に断面図で示す。半導体チップ10は、接続キャリア9に装着される。第1接触部81及び第2接触部82はそれぞれ第1ランド91及び第2ランド92によって接続キャリア9と導電接続される。接続キャリア9は、例えば回路基板、特に印刷回路基板PCB、中間キャリアサブマウント、例えばセラミックキャリア、又は特に表面実装可能なコンポーネント用のハウジング体で良い。特に、第1ランド91及び第2ランド92はリードフレームによって形成されても良い。半導体チップ10は、封止材encapsulation95に埋設される。封止材95は半導体チップ10によって放出される放射に対して透明又は少なくとも半透明であることが好都合である。特に、封止材95は放射変換材料を含有しなくて良い。これは、放射変換材料が既に複合基板1のキャリア2に含有されているからである。シリコーン、エポキシド、又はシリコーン及びエポキシドのハイブリッド材料は、封止材95に特に適している。代替として、さらなる放射変換材料及び/又は拡散材料が、キャリア2内の放射変換材料に加えて封止材95内に含有されても良い。さらなる放射変換材料は特に、放射放出コンポーネント100によって放出される放射の色軌跡を調整するために与えられて良い。半導体チップ10は、接続キャリア9上にフリップチップ配置で実装される。すなわち、複合基板1は、半導体ボディ7において接続キャリア9から離れた側に配置される。よって、半導体チップ10が動作しているとき、キャリア2は、最上部で、つまり接続キャリア9から離れた位置で、半導体チップ10の放射出射面を形成する。成長基板が除去される薄膜半導体チップとは対照的に、複合基板1は半導体チップ10に完全に又は少なくとも部分的に残る。よって、キャリア2は半導体ボディ7を機械的に安定化させることができ、破損のおそれを低下させることができる。キャリア2の厚さは、10μmと200μmとの間両端値を含むとなることが好ましく、20μmと100μmとの間両端値を含む、例えば50μmとなることが特に好ましい。半導体層積層体のエピタキシャル成膜中、キャリア2はそれよりも厚くても良い。これにより、エピタキシャル成膜に用いられる比較的高い温度でキャリア2が撓むおそれを低減させることができる。肉厚キャリアの厚さは成膜後、前述の厚さまで減らされる。その厚さにより、完成品の半導体チップによって放出される放射の色軌跡を調整することができる。コンポーネント100の製造時、半導体チップ10は、封止材95の形成前に放出放射の色軌跡を決定するために電気的に接触されていても良い。色軌跡を調整するために、特にキャリア2において変換される放射の割合を低減させるために、キャリア厚さは、例えば研削、ラップ加工若しくは研磨を用いて機械的に、或いは化学的に、例えば湿式化学的又は乾式化学的に、或いは例えばレーザ照射のようなコヒーレント放射による材料アブレーションによって、減らすことができる。よって、半導体チップによって放出される放射の色軌跡を、特に個々の半導体チップ毎に個別でも調整することができる。必要に応じて、半導体チップに、色軌跡を調整する被覆材を設けても良い。この被覆材も放射変換材料を含有していても良い。図4Aに示す半導体チップ10の第2の例示的な実施の形態は、図3Aに関連して説明した第1の例示的な実施の形態に実質的に対応する。複合基板1において半導体ボディ7から離れた側には、活性領域70において生成された放射を反射するためのミラー層96が形成される。好ましくは金属であるミラー層96は、活性領域70において生成された放射及び/又はキャリア2において放射変換材料によって変換された放射に対して高い反射性を呈することが好都合である。可視スペクトル範囲では、アルミニウム又は銀が公的な例である。さらに、第1の例示的な実施の形態とは異なり、放射透過性接触層821が第2半導体層72上に形成され、この放射透過性接触層821を介して、第2接触部82に注入された電荷担体を、一様に且つ大領域にわたって第2半導体層72内に与えることができる。放射透過性接触層821は、透明導電酸化物TCO、例えばインジウムスズ酸化物ITO又は酸化亜鉛ZnOを含有することが好ましい。代替として又は追加として、放射透過性接触層821は、半導体チップ10において生成された放射を透過する程度に薄い金属層を備えていても良い。図4Bに示すように、このような半導体チップは特に、ミラー層96が接続キャリア9に対向する実装に適している。接触部81、82は、例えばワイヤボンド接続を通じてリード97を接続することにより、ランド91、92に導電接続されていても良い。半導体チップ製造方法の例示的な一実施の形態は、図5A~図5Cにおいて中間ステップにより概略的に示される。図5Aに示すように、放射変換材料を含有するキャリア2と誘電体接着層3とユーティリティ層5とを有する複合基板1が与えられる。簡単な説明のため、図中、製造の結果として2つの半導体チップとなる複合基板1が示される。一例として、図4Aに関連して説明したように構成された半導体チップの場合の方法について説明する。第1半導体層71、活性領域70及び第2半導体層72からなる半導体層積層体は、例えばMBE又はMOCVDを用いて複合基板1のユーティリティ層5上にエピタキシャルに成膜される図5B。接着剤層のような粘着層又ははんだ層に対して、誘電体接着層3は、エピタキシーに典型的な温度、例えば700°Cと1100°Cとの間の温度に耐え、これによりキャリア2は成膜中、半導体層積層体を機械的に安定化させることができる。第1接触部81を形成するために、第1半導体層71は部分的に露出される。これは特に化学的に、例えば湿式化学的に又は乾式化学的に実行しても良い。接触部81、82、放射透過性接触層821及びミラー層の成膜は、蒸着又はスパッタリングによって進行することが好ましい。これに続いて、例えばレーザ照射による、機械的に例えば切り出しによる、又は化学的に例えば湿式化学エッチング若しくは乾式化学エッチングによる、半導体チップへの単体化が行われる。上述の方法では、半導体層は、既に放射変換材料を含有している複合基板上にエピタキシャルに成膜される。したがって、半導体チップを単体化するとき、既に放射変換材料を含有している半導体チップが得られる。本発明について例示的な実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項或いは例示的な実施の形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。本願は独国特許出願第102010056447.8号及び102011012298.2号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。"