誘導加熱コイルにより原料結晶を回転させながら部分的に加熱溶融して溶融帯を形成し、該溶融帯を前記原料結晶の一端部から他端部へ移動させて、半導体単結晶を回転させながら成長させて製造するFZ法による半導体単結晶の製造方法であって、前記半導体単結晶を成長中に、半導体単結晶の回転方向を交互に変更するとともに原料結晶の回転数を変更して半導体単結晶を成長させるとき、前記回転方向を交互に変更する半導体単結晶の回転量が大きい回転方向に、前記原料結晶の回転方向を固定することを特徴とする半導体単結晶の製造方法。前記半導体単結晶の回転方向の変更に同期して、前記原料結晶の回転数を変更することを特徴とする請求項1に記載の半導体単結晶の製造方法。前記原料結晶と前記半導体単結晶の回転方向が逆方向のとき、原料結晶の回転数を、前記原料結晶と前記半導体単結晶の回転方向が同じときの原料結晶の回転数よりも大きくすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体単結晶の製造方法。前記原料結晶の回転数を、前記半導体単結晶の回転数以下にすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体単結晶の製造方法。前記製造する半導体単結晶の直径を150mm以上とすることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の半導体単結晶の製造方法。少なくとも、原料結晶を部分的に加熱溶融して溶融帯を形成するための誘導加熱コイルと、該誘導加熱コイルで原料結晶を加熱溶融して半導体単結晶を成長させるときに原料結晶と半導体単結晶を各々回転させるための回転機構を具備するFZ法による半導体単結晶の製造装置であって、前記回転機構は、前記原料結晶と前記半導体単結晶の回転方向と回転数を自動的に変更制御する回転制御手段を備えており、該回転制御手段は、前記半導体単結晶を成長中に、半導体単結晶の回転方向を交互に変更するとともに原料結晶の回転数を変更することができるものであり、前記回転方向を交互に変更する半導体単結晶の回転量が大きい回転方向に、前記原料結晶の回転方向を固定するようにプログラムされているものであることを特徴とする半導体単結晶の製造装置。前記回転制御手段は、前記半導体単結晶の回転方向の変更と前記原料結晶の回転数の変更の同期化が可能なものであることを特徴とする請求項6に記載の半導体単結晶の製造装置。しかしながら、近年は求められるFZシリコン単結晶の直径が拡大してきており、直径150mm以上のFZシリコン単結晶から製造されたウエーハでは、前記の単結晶の回転方向を交互に変更させながらFZ単結晶を製造する方法を用いた場合、面内の抵抗率バラツキを低減するにあたってある程度は有効ではあるが、例えば直径125mm以下のFZシリコン単結晶から製造されたウエーハに比べると、ウエーハ面内での抵抗率バラツキは大きくなりがちである。特に直径200mm以上のFZシリコン単結晶製造の場合には、特許文献2のようなFZ単結晶の製造条件の範囲内に収めたとしても、面内の抵抗率分布が十分均一になっているとは言えず、特に結晶面内の中心部の抵抗率を制御することは困難である。また、更なる面内の抵抗率分布の均一化を単結晶の回転条件の変更により求めようとすれば、大直径の単結晶の製造の場合には、単結晶の回転の反転時の反動などによる結晶形状の悪化がより頻繁に生じ、単結晶の成長が阻害される。そして、これによって生産性の低下といったFZ単結晶の製造上の問題が顕在化する。このように、面内の抵抗率分布の均一性と結晶成長の安定性との両立を実現するのは簡単なことではない。そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、特に150mm以上の大直径の半導体単結晶でも、結晶形状の悪化が抑えられ、径方向の面内抵抗率分布を制御することができ、特には面内での抵抗率のバラツキを低減することが可能なFZ法による半導体単結晶の製造方法、およびこのような製造方法を実施可能な半導体単結晶の製造装置を提供することにある。上記目的を達成するために、本発明は、誘導加熱コイルにより原料結晶を回転させながら部分的に加熱溶融して溶融帯を形成し、該溶融帯を前記原料結晶の一端部から他端部へ移動させて、半導体単結晶を回転させながら成長させて製造するFZ法による半導体単結晶の製造方法であって、前記半導体単結晶を成長中に、半導体単結晶の回転方向を交互に変更するとともに原料結晶の回転方向および/または回転数を変更して、前記半導体単結晶を成長させることを特徴とする半導体単結晶の製造方法を提供する。FZ法により半導体単結晶を成長中に、半導体単結晶の回転方向を交互に変更することによって面内の抵抗率分布の制御特には均一化を図ろうとしても、この半導体単結晶の回転制御だけでは十分には面内全体の抵抗率分布を制御することができず、特には面内の中心部付近において抵抗率が低下しやすい。しかしながら、本発明の半導体単結晶の製造方法では、上記の半導体単結晶の回転制御に加えて、単結晶成長中に原料結晶について回転方向および/または回転数の変更を行う。このような原料結晶の回転制御により、溶融帯における溶融メルト内の中心部付近のメルト対流に影響を与えることができ、それにより面内中心部付近における抵抗率分布の制御が可能となる。この結果、上記半導体単結晶の回転制御と原料結晶の回転制御による相乗効果によって、結晶面内全体における抵抗率分布の制御が可能となる。特には面内の抵抗率バラツキを抑えた半導体単結晶、さらには半導体単結晶ウエーハを得ることができる。また、半導体単結晶と原料結晶の両方の回転制御により面内抵抗率分布の制御を図るので、特に半導体単結晶の回転条件が結晶成長にあたって比較的容易な回転条件からはずれるのを防ぐことができる。従来のように、半導体単結晶の回転条件の制御のみにより面内抵抗率分布の制御を図る場合、半導体単結晶の回転条件を大きく変化させる必要があり、結晶形状の悪化を招いてしまうが、本発明であれば、単結晶の成長が阻害されるのを抑えることができ、容易に安定して結晶を成長させることができる。このとき、前記半導体単結晶の回転方向の変更に同期して、前記原料結晶の回転方向および/または回転数を変更するのが好ましい。このようにすれば、半導体結晶と原料結晶の各々を個別に互いに無関係に回転させるよりも面内抵抗率分布の制御をより効果的に実現することが出来る。また、前記原料結晶の回転方向を変更して半導体単結晶を成長させるとき、前記回転方向を交互に変更する半導体単結晶の回転方向とは逆方向に、前記原料結晶の回転方向を変更することができる。このようにすれば、溶融帯における溶融メルト内の中心部付近のメルト対流の発生をさらに促進することができ、中心部付近の抵抗率の低下を抑制しやすく、面内抵抗率分布への影響をより高めることができる。また、前記原料結晶の回転数を変更して半導体単結晶を成長させるとき、前記回転方向を交互に変更する半導体単結晶の回転量が大きい回転方向に、前記原料結晶の回転方向を固定することができる。そしてこのとき、前記原料結晶と前記半導体単結晶の回転方向が逆方向のとき、原料結晶の回転数を、前記原料結晶と前記半導体単結晶の回転方向が同じときの原料結晶の回転数よりも大きくするのが好ましい。このように、原料結晶の回転方向を固定することもでき、そのような場合であっても、原料結晶の回転数を上記のように制御することで、原料結晶と半導体結晶の相対的な回転数の差を大きくすることができ、中心部付近のメルト対流、ひいては面内抵抗率分布への影響をより高めることができる。また、前記原料結晶の回転数を、前記半導体単結晶の回転数以下にするのが好ましい。原料結晶の回転数が大きいほどメルト対流に及ぼす影響は大きくなるが、このように半導体単結晶の回転数以下にとどめることによって、溶融メルトが局所的に不均一な状態になる等、結晶育成上の問題が顕在化してくるのを抑制し、結晶成長の容易性が低減するのを防ぐことができる。また、前記製造する半導体単結晶の直径を150mm以上とすることができる。結晶直径が大きくなるほど面内の抵抗率分布の制御や結晶成長の安定性を図ることは厳しくなるが、本発明ではこのように直径が150mm以上の半導体単結晶を製造する場合においても有効であり、結晶の直径が小さい場合に比べて、得られる効果をより大きなものとすることができる。また、本発明は、少なくとも、原料結晶を部分的に加熱溶融して溶融帯を形成するための誘導加熱コイルと、該誘導加熱コイルで原料結晶を加熱溶融して半導体単結晶を成長させるときに原料結晶と半導体単結晶を各々回転させるための回転機構を具備するFZ法による半導体単結晶の製造装置であって、前記回転機構は、前記原料結晶と前記半導体単結晶の回転方向と回転数を自動的に変更制御する回転制御手段を備えており、該回転制御手段は、前記半導体単結晶を成長中に、半導体単結晶の回転方向を交互に変更するとともに原料結晶の回転方向および/または回転数を変更することができるものであることを特徴とする半導体単結晶の製造装置を提供する。このようなものであれば、半導体単結晶を成長中に、半導体単結晶の回転方向を交互に変更するとともに原料結晶の回転方向および/または回転数を変更することができるものであるので、上記半導体単結晶の回転制御によって面内の抵抗率分布をある程度まで制御できるとともに、上記原料結晶の回転制御によって溶融帯における溶融メルト内の中心部付近のメルト対流に影響を与え、それによって面内中心部付近における抵抗率分布の制御が可能である。そして、これらの半導体単結晶および原料結晶の回転制御による相乗効果によって、結晶面内全体における抵抗率分布が制御された半導体単結晶を得ることができ、特には面内の抵抗率バラツキが抑制された半導体単結晶を製造することができる。また、半導体単結晶と原料結晶の両方の回転制御により面内抵抗率分布の制御を図ることができるので、特に半導体単結晶の回転条件が結晶成長にあたって比較的容易な回転条件からはずれるのを防ぐことができ、結晶形状の悪化を防ぎ、容易に安定して結晶成長が可能なものである。このとき、前記回転制御手段は、前記半導体単結晶の回転方向の変更と前記原料結晶の回転方向および/または回転数の変更の同期化が可能なものであるのが好ましい。このようなものであれば、半導体単結晶の回転方向の変更と原料結晶の回転方向および/または回転数の変更を同期化することができ、半導体結晶と原料結晶の各々を個別に互いに無関係に回転させるよりも面内抵抗率分布の制御をより効果的に実現することが出来る。以上のように、本発明の半導体単結晶の製造方法および半導体単結晶の製造装置であれば、たとえ大直径結晶でも結晶成長が比較的容易な製造条件からかけ離れること無しに、半導体単結晶、さらには該結晶から得られるウエーハの面内抵抗率分布をより所望の状態に、特には均一に近づけることができる。そして、ウエーハ面内での抵抗率の変動が低減されることで、ウエーハから素子を製造する際の歩留まり及び生産性が向上するため、結果として半導体単結晶の供給の安定性の向上も可能となる。以下では、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。従来では、FZ法により半導体単結晶を製造した場合、大直径になるほど、結晶面内の抵抗率分布が十分に均一になっているとは言えず、特には中心部の抵抗率が低減するという問題があった。そこで本発明者らは、たとえ大直径の半導体単結晶の製造の際であっても、従来に比して生産性を低下させること無く、かつ、半導体単結晶の中心部近傍エリアの抵抗率も制御し、面内全体の抵抗率分布を制御することができ、特にはその面内抵抗率分布をより均一化することができるFZ法による半導体単結晶の製造装置および製造方法を開発すべく鋭意検討を重ねた。以下に、本発明者らが行った検討について説明する。ここで、まず、従来の一般的なFZ法による半導体単結晶の製造装置およびその製造方法について説明する。ここではシリコン単結晶を製造する場合を例に挙げて説明する。図11にFZ法による半導体単結晶を製造するための装置FZ単結晶製造装置の一例の概略を示す。FZ単結晶製造装置101は、チャンバー102を有しており、該チャンバー102内には、回転可能な上軸103および下軸104が設けられている。該上軸103には原料結晶105として所定の直径のシリコン棒が取り付けられ、また前記下軸104には種結晶106が取り付けられる。またチャンバー102内には、原料結晶105を溶融するための誘導加熱コイル107や、ガスドーピングの際に、原料結晶105が溶融された溶融帯108にドーパントガスを噴出するためのドープノズル109が配置されている。このようなFZ単結晶製造装置101を用いてFZ単結晶を製造するには、上軸103に取り付けた原料結晶105の先端を誘導加熱コイル107で溶融した後、下軸104に取り付けた種結晶106に融着させ、絞り110により無転位化し、上軸103および下軸104を回転させながらここではそれぞれ一定方向に一定回転数で回転させる下降させ、溶融帯108を原料結晶105に対して相対的に移動させながらシリコン単結晶111を成長させる。この時、絞り後、所望の直径までシリコン単結晶111の直径を徐々に拡大させてコーン部112を形成し、所望直径まで達した後は所望直径を保ったまま結晶成長を行い、直胴部113を形成する。成長中に、ドープノズル109からドーパントガスを溶融帯108に噴射してドーパントを供給し、所望の抵抗率を持つシリコン単結晶棒とする。溶融帯108を原料結晶105の上端まで移動させてシリコン単結晶111の製造を終える。本発明者らは、このようにして製造する半導体単結晶シリコン単結晶の結晶面内の抵抗率分布に影響を与える要素について検討したところ、溶融帯における溶融メルトに着目し、以下のように、溶融メルトと結晶面内の抵抗率分布の関係について詳しく調査した。図12は、シリコン単結晶の中心部を通り、結晶成長軸方向と平行な断面で切り取ったFZ単結晶製造時のメルト対流を示した模式図である。溶融メルト内の固液界面近傍における結晶径方向の溶融メルトの流れを図中に矢印で示した。原料結晶が誘導加熱コイルによって溶融され原料結晶側の溶融帯、ネックの下方で溶融メルトシリコン単結晶側の溶融帯が冷えてシリコン単結晶が形成されている。図12aに示すように、低速結晶回転、すなわちシリコン単結晶の回転数が小さい場合には、溶融メルト内の固液界面近傍における結晶径方向のメルト対流は、結晶外周部から中心部に向かう方向で流れるが、結晶中心部付近では対流速度が極めて小さくなる。また、高速結晶回転、すなわちシリコン単結晶の回転数が大きい場合には、図12bに示すように、固液界面近傍において、結晶中心部付近で結晶中心部から結晶外周部に向かう方向の流れが生じるが、結晶回転数が小さい場合と比較すると、固液界面近傍の対流速度は全体的に小さくなる。BurtonらのBPS理論J.Chem.Phys.211958、1987によれば、製造する半導体単結晶の回転数を増すと有効偏析係数が小さくなり、溶融メルトから結晶へのドーパント不純物の導入が少なくなるため、結晶抵抗率は上昇する。これは結晶回転数の増加によりメルト対流が発生することにより、固液界面近傍の高ドーパント濃度のメルトが攪拌されて境界拡散層厚さが減少して有効偏析係数が小さくなるということであるから、溶融メルト内の固液界面近傍において、面内でメルト対流速度に差異があれば、結晶面内の抵抗率に分布が生ずることになる。また、メルト対流の速度が大きい部分ではメルトがよく攪拌され、メルト対流速度が小さい部分ではメルトの攪拌も小さいことから、メルト対流速度が小さい部分に高ドーパント濃度のメルトが滞留することになり、溶融メルト内のドーパント濃度に分布が生ずる。このことも結晶面内の抵抗率に分布が生ずる原因となりうる。前記の通り、シリコン単結晶の回転数が小さい場合、溶融メルト内の固液界面近傍においては、結晶径方向で結晶外周部から結晶中心部に向かうメルト対流が生じ、その対流速度は結晶外周部側が大きく結晶中心部に向かうにつれて小さくなることから、面内での有効偏析係数の変化が生じ、面内抵抗率は結晶外周部が高く結晶中心部に向かって低くなるような分布となる。これに加えて、低速結晶回転であり結晶周方向のメルト攪拌も比較的小さいため、より中心部付近に高濃度ドーパントが滞留しやすくなり、中心部の抵抗率が下がる傾向はさらに助長される。このように、シリコン単結晶の回転数が小さい場合の面内抵抗率分布はバラツキが大きいものとなる。一方、シリコン単結晶の回転数が大きい場合、溶融メルト内の固液界面近傍における結晶径方向のメルト対流速度は全体的に低下し、径方向速度差が小さくなるため径方向抵抗率の変動は小さくなり、また、結晶中心部付近で結晶中心部から結晶外周部の方向のメルト対流も僅かではあるが生じるため、中心部付近の抵抗率低下が緩和され、結晶回転数が小さい場合と比較すると面内抵抗率分布のバラツキは小さくなる。しかし、高速結晶回転であるから結晶周方向のメルト攪拌は大きくなり、結晶中心部と結晶外周部での周速度の差が拡大するため、結晶中心部は面内で相対的に高ドーパント濃度のメルトが滞留しやすい状態となり、依然として面内中心部付近の抵抗率は低くなる。ここで、図11や図12の例のように、シリコン単結晶111を製造中、原料結晶105は誘導加熱コイル107により溶融され、原料結晶105の直径よりも小さくなった部分でこの部分をネックと呼ぶ溶融メルトと接続しているネックより上側が原料結晶側の溶融帯、ネックより下側がシリコン単結晶側の溶融帯。さらに下方でこの溶融メルトは凝固し、シリコン単結晶111となる。この時、例えば、原料結晶の回転の中心とシリコン単結晶の回転の中心、及び誘導加熱コイルの中心が同軸上にあるようなFZ単結晶製造方法であれば、原料結晶は溶融メルトを介して結晶中心部付近の直上にあり、原料結晶の回転の操作により、メルト対流に影響を及ぼすことが可能であると本発明者らは考えた。溶融メルトと接続している原料結晶のネック部における直径はシリコン単結晶の直径よりも小さいため、原料結晶の回転を操作しても溶融メルト全域に対して影響を及ぼすには至らないが、シリコン単結晶の中心部付近についてはメルト対流の変化を引き起こすことが可能である。そこで、原料結晶の回転を操作することによって結晶面内の中心部付近の抵抗率分布を変化させることができる。一方で、シリコン単結晶の回転軸を原料結晶の回転軸及び誘導加熱コイルの中心から偏芯させるようなFZ単結晶の製造方法においても、ネック部の直径は数十mmであるから、単結晶の偏芯量が実用レベルである数mmから20mm程度までであれば、単結晶の中心部に与える影響は単結晶の偏芯無しの場合とほとんど同じと見なすことができる。さらには、単結晶の偏芯量が20mmを超える場合でも、原料結晶の回転の操作によるメルト対流の変化は、単結晶中心部付近まで影響を及ぼすことができるため、やはり面内における抵抗率分布の変化を引き起こすことが可能である。以上のことから、本発明者らは、シリコン単結晶の中心部近傍の抵抗率分布に効果的に影響を与える方法として、原料結晶の回転を利用し、溶融帯における溶融メルト中の対流を変化させることに着目した。そして、本発明者らは、FZ法でシリコン単結晶を製造する場合の溶融メルト内の対流について、FEMAG-FZ等のソフトウェアによるシミュレーション解析を行い、結晶溶融メルト内の対流状態を調査した。ここで、FEMAG-FZは、FEMAGsoft社及びLouvain大学内CESAMEリサーチセンターベルギーの開発による総合伝熱解析ソフトである。図13に、メルト対流のシミュレーションの解析の結果の例を示す。図13はシリコン単結晶の中心部を含み結晶成長軸と平行な断面で、結晶中心部から結晶外周部までの半分の範囲を表している。溶融メルト内の各位置における結晶径方向の対流速度を速度ベクトルで表示している。さらに、本発明者らは上記のようなソフトウェアを用いて計算を行い、どのような回転制御によって、効果的にメルト対流に影響を与えることができるかどうかについて調査を行ったところ、面内中心部付近の固液界面近傍のメルト対流は、特には、原料結晶の回転数をシリコン単結晶の回転方向と逆方向に大きくすると大きくなるという結果が得られた。ここで、例えば、シリコン単結晶を製造中にシリコン単結晶を単に一定方向に一定回転数で回転させる場合、前記のように原料結晶をシリコン単結晶の回転方向とは逆方向に回転させることで、結晶固液界面近傍の面内中心部付近にメルト対流を生じさせ、結晶面内の抵抗率分布のバラツキを多少は減少させることが出来る。しかしながら、シリコン単結晶を一定方向に一定回転数で回転させる場合は、そのシリコン単結晶の製造条件により製造されるシリコン単結晶の面内の抵抗率分布の変動自体がそもそも大きい。したがって、たとえ原料結晶の回転を調整したとしても、原料結晶の回転の調整を行わない場合の元の面内の抵抗率分布に比べて変動をある程度低減することはできるものの、それだけでは不十分であるため、面内全体で見れば、依然として抵抗率分布の変動は大きいままである。原料結晶の回転は、あくまでもFZ単結晶製造条件の一つであり、前記の通り結晶面内全体にわたって抵抗率分布に影響を及ぼすまでには至らないが、他のFZ単結晶製造条件と組み合わせることにより、面内抵抗率分布の改善のための相乗効果をもたらすことが出来る。本発明者らはこのような考えに基づいて、面内全体の抵抗率分布を制御し、特に均一化を図るにあたっては、まず、シリコン単結晶の回転方向を交互に変更しながら単結晶を成長させる方法を用いて単結晶製造を行うことにより、基本となる面内抵抗率分布の変動を小さくすることが有効であることを見出した。さらに、原料結晶の回転方向および/または回転数を変更することで、結晶面内の中心部付近のメルト対流に影響を及ぼし、特には抵抗率が低減するのを抑制できることを見出した。そして、シリコン単結晶製造中に、これらのシリコン単結晶および原料結晶の回転制御を併せて行うことによって、それらの相乗効果により、シリコン単結晶の面内全体の抵抗率分布を制御でき、そしてその均一化が可能になると想到し、本発明を完成させた。以下では、まず、本発明の半導体単結晶の製造装置について説明する。なお、シリコン単結晶を製造する場合を例に説明するが、これに限定されず、半導体単結晶を製造することができるものであれば良い。図1に、本発明のFZ法による半導体単結晶の製造装置の一例の概略を示す。このFZ単結晶製造装置1は、チャンバー2を有しており、該チャンバー2内には、回転可能な上軸3および下軸4が設けられている。該上軸3には原料結晶5として所定の直径のシリコン棒が取り付けられ、また前記下軸4には種結晶6が取り付けられる。またチャンバー2内には、原料結晶5を溶融するための誘導加熱コイル7や、ガスドーピングの際に、原料結晶5が溶融された溶融帯8にドーパントガスを噴出するためのドープノズル9が配置されている。本発明の製造装置1は、原料結晶5、種結晶6また、成長するシリコン単結晶11を回転させるための回転機構14を有しており、上記上軸3や下軸4の他、これらの回転を制御する回転制御手段15が備えられている。この回転制御手段15は特に限定されないが、例えばコンピュータが挙げられ、プログラムを予め組み込んでおくことにより、上軸3および下軸4の回転を自動制御することができる。実際にシリコン単結晶11を成長させる際に、少なくとも、上軸3原料結晶5の回転方向や回転数の変更、および下軸4シリコン単結晶11の回転方向の交互の変更が自動的に予定通りに行われるようにプログラムされている。このようなものであれば、低コストでかつ簡単に回転制御を行うことができる。原料結晶5やシリコン単結晶11のより具体的な回転の変更条件は特に限定されず、例えば、所望のように溶融メルトの対流を制御でき、目標とする結晶面内の抵抗率分布が得られるように、その都度、適切な回転制御が行われるようにプログラムされていれば良い。特には、シリコン単結晶11の回転方向の変更と原料結晶5の回転方向や回転数の変更が同期化されたプログラムであるのが好ましい。シリコン単結晶11と原料結晶5の各々を個別に互いに無関係に回転させるよりも面内抵抗率分布の制御をより効果的に実現することが出来るためである。なお、この回転機構14以外は特に限定されず、例えば従来と同様の部品を用いることができる。このような本発明の製造装置1であれば、シリコン単結晶11を成長中に、シリコン単結晶11の回転方向を交互に変更できるだけでなく、原料結晶5についても回転方向や回転数を所望のように変更制御することができる。したがって、この本発明の製造装置1を用いれば、特には、シリコン単結晶11の回転方向の交互の変更から溶融帯における全体的な溶融メルト対流の制御を行い、結晶面内の抵抗率分布の均一化を図ることができるし、同時に、原料結晶5の回転制御から結晶中心部付近の溶融メルトの対流を制御し、結晶中心部付近の抵抗率の制御を行うことができる。そしてその結果、極めて効果的に結晶面内全体における抵抗率の変動を抑え、均一化することができる。次に、上記のような本発明の製造装置1を用いて、本発明の半導体単結晶の製造方法について説明する。ここでは、図1に示すようにシリコン単結晶11を製造する場合について説明するが、これに限定されず、所望の半導体単結晶とすることができる。また、単結晶の直径についても特に限定されないが、本発明の製造方法は、150mm以上、さらには200mm以上の直径が比較的大きな単結晶に対して特に有効である。従来法では、このような直径が大きなものほど結晶面内の抵抗率分布の制御が難しいからである。まず、上軸3に取り付けた原料結晶5の先端を誘導加熱コイル7で溶融した後、下軸4に取り付けた種結晶6に融着させ、絞り10により無転位化し、上軸3および下軸4を回転させながら下降させ、溶融帯8を原料結晶5に対して相対的に移動させながらシリコン単結晶11を成長させる。この時、絞り後、所望の直径までシリコン単結晶11の直径を徐々に拡大させてコーン部12を形成し、所望直径まで達した後は所望直径を保ったまま結晶成長を行い、直胴部13を形成する。このシリコン単結晶11を成長中、ドープノズル9からドーパントガスを溶融帯8に噴射してドーパントを供給する。さらには、回転制御手段15を用いて、シリコン単結晶11下軸4の回転方向を交互に変更し、かつ、原料結晶5上軸3の回転方向や回転数を変更制御することによって、溶融帯における溶融メルト対流を制御し、所望の結晶面内の抵抗率分布を有するシリコン単結晶棒とする。回転制御手段15によって、原料結晶5やシリコン単結晶11の回転パターンを自動制御すれば、効率良く所望のシリコン単結晶11を得ることができる。例えば、シミュレーションや予備試験等を行うことによって、所望のシリコン単結晶11を得られるようなプログラムをコンピュータ等により組み込んでおき、それによって自動制御すれば良い。ここで、本発明におけるシリコン単結晶11を成長中の原料結晶5やシリコン単結晶11の回転パターンの例を示す。なお、当然、以下に示すパターンに限定されるものではなく、シリコン単結晶11の回転方向を交互に変更する回転数も変更可とともに、原料結晶の回転方向や回転数を変更しながらシリコン単結晶11を成長させる方法であれば良い。また、比較のため、従来法における回転パターンの例についても説明する。図2から図4に本発明における製造方法の場合の回転パターンを示す。また、図5に従来における製造方法の場合の回転パターンを示す。まず、従来法に該当する図5では、シリコン単結晶は回転方向を交互に変更する回転を行っている。また、回転数は、回転方向の変更前後で同じになっている。一方、原料結晶は、一定の回転方向に一定回転数である。この場合、原料結晶の回転数が大きいほど、シリコン単結晶が原料結晶と同じ回転方向に回転する場合と反転して原料結晶と逆方向に回転する場合とでは、メルト対流の変化が大きい。特にシリコン単結晶と原料結晶が同一回転方向に回転している時は、結晶面内の中心部付近のメルト対流の発生が抑えられ、その後、シリコン単結晶が回転方向を反転してシリコン単結晶と原料結晶の回転方向が逆方向となった時も、結晶面内の中心部付近のメルト対流は反転前の影響を受けて本来生じるはずのレベルよりも弱まることになり、十分な効果が得られないことになる。これに対し、後述する本発明における回転パターンでは、このシリコン単結晶の回転方向の違いにより生じるメルト対流のギャップを抑え、効果的に面内の中心部付近のメルト対流を発生させるために、原料結晶を交互に回転させながらシリコン単結晶の製造を行う。或いは原料結晶の回転方向を変えるまでには至らなくとも、回転数を変化させることにより加速、減速を繰り返しつつ原料結晶を回転させながら、シリコン単結晶の製造を行う。このような本発明の製造方法を行うことにより、シリコン単結晶を交互に回転させながらシリコン単結晶の成長を行う場合でも、結晶中心部付近の固液界面近傍においてメルト対流を発生させ、かつシリコン単結晶の交互回転の回転方向による状態の差異を低減し、結晶面内の中心部付近のメルト対流を安定して保つことが出来る。本発明の製造方法に該当する図2の例では、シリコン単結晶11は回転方向を交互に変更する回転を行っている。また、回転数は、回転方向の変更前後で同じになっている。原料結晶5も回転方向を交互に変更させており、回転数は回転方向の前後で同じである。なお、図2に示すように、一定時間毎に繰り返す同一の回転パターンを1周期、一回の回転の変更回転方向や回転数の変更から次の変更までの間を1セットと呼ぶことにする。また、図2では、ある方向に回転開始し、その後反転して逆方向に回転し、回転終了するまでが1周期であるが、この区切り方に限定されず、先に定義したとおり一定時間毎に繰り返す同一の回転パターンであれば良い。この時、原料結晶5の回転の変化を、シリコン単結晶11の回転方向の変更と同期させるように回転方向や回転数を変更させるのが好ましい。さらに、原料結晶5の回転方向を、シリコン単結晶11の回転方向とは逆方向に変更するのがより好ましい。図2では、シリコン単結晶11の回転方向の変更に同期して、それとは逆方向に、同様のタイミングで原料結晶5の回転方向を変更している。原料結晶5とシリコン単結晶11をそれぞれ単独で回転させるよりも、図2のようにシリコン単結晶11と同期させて原料結晶5を回転させることで、結晶面内の中心部付近において、メルト対流の発生効果が増し、より効果的に抵抗率の低下を抑制することができるためである。次に、図2とは異なる他の回転パターンの例を図3に示す。図3では、シリコン単結晶11は回転方向を交互に変更する回転を行っている。また、回転数は、回転方向の変更前後で同じになっている。原料結晶5は、回転方向は不変で固定しているが、回転数を周期的に変更させるものである。ここで、図3からわかるように、シリコン単結晶11に関して、回転方向の変更前後で回転数は同じものの、1セットあたりの時間が異なっているためが長く、-が短い、シリコン単結晶11の1セットあたりの回転量が回転方向により異なっている。このような場合、原料結晶5の回転方向は回転量の大きい方向に同一とするのが好ましい。これに加えて、原料結晶5の回転方向がシリコン単結晶11の回転方向の逆方向となる場合に、原料結晶5とシリコン単結晶11の回転方向が同一の方向となる場合の原料結晶5の回転数よりも大きくするのが好ましい。このようにすることで、原料結晶5の回転方向をわざわざ変更せずとも、原料結晶5とシリコン単結晶11の相対的な回転数の差を大きくすることができ、中心部付近のメルト対流の発生を促し、ひいては抵抗率の低下を防止して面内抵抗率分布を均一にすることができる。また、図3のような回転パターンにおいても、シリコン単結晶11と同期させて原料結晶5の回転の変更を行うのが好ましい。さらに他に、図4のような回転パターンも挙げられる。図2、図3では、シリコン単結晶11の回転方向の変更に対し、同様のタイミングで原料結晶5の回転方向や回転数を変更し、シリコン単結晶11の回転方向の変更に原料結晶5の回転方向や回転数を同期化させている。一方、図4では、同様のタイミングで変更するのではなく、1セット、1周期あたりの時間は同じに保ちつつ時間差を設けてそれぞれ回転の変更を行うことにより、シリコン単結晶11の回転方向の変更に加えて原料結晶5の回転方向や回転数を変更させている。また、原料結晶5から結晶の固液界面までの軸方向距離は数十mmあり、シリコン単結晶11の回転と原料結晶5の回転を完全に同期させると固液界面近傍まで上軸回転が及ぼす影響が減少してしまう。そこで、シリコン単結晶11の回転の変更と原料結晶5の回転の変更に時間差をわざと設けること、即ち図4のような回転パターンとすることにより、メルト対流への影響が現れやすくすることができる。また、図2から図4のように、特に原料結晶5の回転パターンをシリコン単結晶11の回転パターンに合わせて同期化させたり周期性を持たせたりするのではなく、シリコン単結晶11の回転パターンと全く関係なしに、原料結晶5の回転方向や回転数を変更することもできる。以上述べてきたような本発明におけるシリコン単結晶11および原料結晶5の回転パターンにおいて、特に原料結晶5の回転方法によって、シリコン単結晶11の面内中心部付近の抵抗率を調整することができ、さらに、シリコン単結晶11を交互に回転させることで面内の基本的な抵抗率分布の制御を図る。そして、これらの両方の回転の制御によって、結晶面内全体の抵抗率分布を制御し、特には抵抗率の変動を抑制して均一化を達成することができる。また、シリコン単結晶11のみならず、原料結晶5の回転方向や回転数を変更させて結晶面内の抵抗率分布の制御を図るので、シリコン単結晶11のみの回転制御により制御を図る場合よりも負荷なく実施することができ、結晶成長を安定して容易に行うことが可能になる。ところで、原料結晶5とシリコン単結晶11との相対的な回転数の差が大きいほど、メルト対流が発生する効果が大きく、面内の中心部付近の抵抗率を高くすることができるが、本発明における原料結晶5の回転方法はどのようなシリコン単結晶11の製造条件においても適用することが可能であるため、元々のシリコン単結晶11の製造条件すなわち、シリコン単結晶11の成長中に原料結晶5の回転方向の変更や回転数の変更を行わないから取得できる結晶面内の抵抗率分布、及びシリコン単結晶11に求められる品質または顧客仕様を鑑みて、原料結晶5の回転方向および回転数を適宜調整すればよい。また、実用的には、特に図2に示す回転パターンの例のように、原料結晶5の回転は周期的に回転方向の変更を行い、1セットの回転は一定回転数で定常回転させることが好ましい。この場合、原料結晶5の1セットあたりの一方向の回転量は1回転以下であることが好ましく、さらには原料結晶5の回転量が大きい方向を回転量正方向、原料結晶5の回転量が小さい方向を回転量逆方向とした時これ以降、回転量正方向と回転量逆方向は前記の通り定義したものとするの回転量の比正逆回転比=回転量逆方向における回転量/回転量正方向における回転量は0.8以下とすることが好ましい。一方、品質面だけでなく結晶製造における生産性についても考慮するのが当然好ましい。すなわち本発明の半導体単結晶の製造方法では、原料結晶5の回転条件以外には従来の製造方法の結晶製造条件からの変更点はないため、結晶成長に関する結晶製造を阻害する要素には変化はない。しかしながら、原料結晶5の回転条件の変更によっても結晶製造を困難にする要素が顕在化する可能性を考慮すると、原料結晶5の回転数を過剰に大きくしないことが好ましい。一例として、原料結晶5の回転が速くなり過ぎると、原料溶融が局所的に不均一な状態に陥りやすく、原料溶融面が成長軸方向に凹凸状になり、原料の一部が未溶解の突起として形成されやすいこの突起をハナと呼ぶ。ハナの形成が著しい場合には誘導加熱コイルへの接触放電を引き起こす可能性があり好ましくない。このような状態を効率良く避けるためには、原料結晶5の回転数を、少なくともシリコン単結晶11の回転数よりも小さい範囲で抑えるのが好ましく、さらなる結晶製造の安定性を求める場合には、原料結晶5の回転数は5rpm以下とするのがより好ましい。以上のようにして、シリコン単結晶11の成長中に、シリコン単結晶11の回転方向を交互に変更し、かつ原料結晶の回転方向や回転数を変更し、溶融帯8を原料結晶5の上端まで移動させてシリコン単結晶11の製造を終える。以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例1図1の本発明におけるFZ単結晶製造装置1を用い、本発明における半導体単結晶の製造方法により、径方向面内における抵抗率分布が均一なシリコン単結晶ウエーハの製造を図った。結晶回転数15rpmで回転方向を交互に変えながら、結晶直径が150mmのFZシリコン単結晶の製造を行った。この際に、本発明における原料結晶の回転方法を適用し、原料結晶をシリコン単結晶の回転とは無関係に回転数2rpmで交互に回転方向を変更して回転させた。この時の原料結晶における回転パターンは、1セットあたり、回転量正方向に0.5回転、回転量逆方向に0.4回転させるものとした。このようにして製造したシリコン単結晶から25枚のウエーハを採取し、それぞれの面内の直径方向の抵抗率を測定した。図6にこの時の製造結晶を代表するウエーハ面内の抵抗率分布を示す。図6及び後述する図7から図10のウエーハ面内の抵抗率分布を示すグラフにおいては、面内の平均抵抗率に対する各点の抵抗率偏差で分布を表示した。また、RRG=ウエーハ面内の抵抗率最大値-ウエーハ面内の抵抗率最小値/ウエーハ面内の抵抗率最小値×100と定義する。このRRGの値が大きいほど、径方向の面内における抵抗率の変動が大きい。実施例1におけるRRG値は11.7であった。また、面内での最大抵抗率値部分の平均値からの偏差は5.9、最小抵抗率値部分の平均値からの偏差は-5.2となった。面内中心部の抵抗率が落ち込まずに上昇したため、面内抵抗率分布形状はW字のような形となった。ウエーハ間のバラツキを考慮すると、製品として±12の抵抗率公差に対応できる面内抵抗率分布であった。実施例2原料結晶の回転条件を変更した以外は、実施例1と全て同一条件で、本発明の製造方法により単結晶の製造を行った。この際に適用した原料結晶の回転条件は、原料結晶をシリコン単結晶の回転と同期させるように、同じタイミングで回転数1rpmで交互に回転方向を変更して回転させた。この時の原料結晶の回転パターンは、シリコン単結晶の回転方向と常に逆方向に原料結晶を回転させるもので、1セットあたり、回転量は回転量正方向に0.2回転、回転量逆方向に0.018回転とした。すなわち、図2に示すようなシリコン単結晶および原料結晶の回転パターンである。この時の製造結晶から、実施例1と同様の方法で面内の直径方向の抵抗率の測定を行った。図7にこの時の製造結晶を代表するウエーハ面内抵抗率分布を示す。実施例2におけるRRG値は10.1であった。面内での最大抵抗率値部分の平均値からの偏差は5.0、最小抵抗率値部分の平均値からの偏差は-4.6となった。面内中心部の抵抗率が上昇し、落ち込みが解消されるような面内抵抗率分布形状となった。ウエーハ間のバラツキを考慮すると、製品として±10の抵抗率公差に対応できる面内抵抗率分布であった。実施例3原料結晶の回転条件を変更した以外は、実施例1と全て同一条件で、本発明の製造方法により単結晶の製造を行った。この際に適用した原料結晶の回転条件は、原料結晶を一方向に回転させながら、原料結晶の回転数をシリコン単結晶の回転方向の変更と同期させるように、同じタイミングで変化させた。この時の原料結晶の回転パターンは、原料結晶とシリコン単結晶の回転方向が同じときに、回転数が0.5rpmで回転量が0.2回転、原料結晶とシリコン単結晶の回転方向が逆方向のときに、回転数が5rpmで回転量が0.018回転とした。すなわち、図3に示すようなシリコン単結晶および原料結晶の回転パターンである。この時の製造結晶から、実施例1と同様の方法で面内の直径方向の抵抗率の測定を行った。図8にこの時の製造結晶を代表する面内抵抗率分布を示す。実施例3におけるRRG値は12.1であった。面内での最大抵抗率値部分の平均値からの偏差は5.4、最小抵抗率値部分の平均値からの偏差は-6.0となった。やや狭い範囲で面内中心部の抵抗率が上昇し、面内の抵抗率分布形状はW字のような形となった。ウエーハ間のバラツキを考慮すると、製品として±12の抵抗率公差に対応できる面内抵抗率分布であった。実施例4原料結晶の回転条件を変更した以外は、実施例1と全て同一条件で、本発明の製造方法により単結晶の製造を行った。この際に適用した原料結晶の回転条件は、原料結晶をシリコン単結晶の回転と同期させた周期性は保ちつつ、シリコン単結晶の回転方向の変更から1.5秒後に原料結晶の回転方向を変更させるように、回転数1rpmで交互に回転方向を変更して回転させた。この時の原料結晶の回転パターンは、時間差を設けてシリコン単結晶の回転方向と逆方向に原料結晶を回転させるもので、回転量は回転量正方向に0.2回転、回転量逆方向に0.018回転とした。すなわち、図4に示すようなシリコン単結晶および原料結晶の回転パターンである。この時の製造結晶から、実施例1と同様の方法で面内の直径方向の抵抗率の測定を行った。図9にこの時の製造結晶を代表する面内抵抗率分布を示す。実施例4におけるRRG値は9.7であった。面内での最大抵抗率値部分の平均値からの偏差は5.0、最小抵抗率値部分の平均値からの偏差は-4.3となった。面内中心部の抵抗率が上昇し、落ち込みが解消されるような面内抵抗率分布形状となった。ウエーハ間のバラツキを考慮すると、製品として±10の抵抗率公差に対応できる面内抵抗率分布であった。比較例1図11に示すような従来のFZ単結晶製造装置101を用い、従来法により、径方向面内における抵抗率分布が均一なシリコン単結晶ウエーハの製造を図った。結晶回転数15rpmで回転方向を交互に変えながら、結晶直径が150mmのFZシリコン単結晶の製造を行った。この際に、原料結晶は一定方向に0.5rpmで回転させた。この時の製造結晶から、実施例1と同様の方法で面内の直径方向の抵抗率の測定を行った。図10にこの時の製造結晶を代表するウエーハ面内抵抗率分布を示す。比較例1におけるRRG値は15.5であった。面内での最大抵抗率値部分の平均値からの偏差は6.4、最小抵抗率値部分の平均値からの偏差は-7.9となった。面内外周部から中心部に向かうにつれて抵抗率が落ち込み、面内抵抗率分布形状はV字のような形となった。ウエーハ間のバラツキを考慮すると、製品として±15の抵抗率公差に対応できる面内抵抗率分布であった。以上のように、実施例1~4のように本発明の半導体単結晶の製造装置および製造方法を使用することによって、特に面内中心部の抵抗率分布を制御することができ、比較例1のような従来における装置および製造方法を使用した場合に生じてしまう面内中心部付近の抵抗率の落ち込みを解消することができ、面内の抵抗率のバラツキを狭い範囲に収め、従来に比べて均一なものとすることができる。結晶成長も容易であるし、しかも安定している。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。