"支持基板と、前記支持基板の上に配置される第1裏面電極と、前記第1裏面電極の上に配置される光吸収部と、前記光吸収部の上に配置される高抵抗バッファと、前記高抵抗バッファから延びて、前記光吸収部の側面に配置されるバリア膜と、を含むことを特徴とする、太陽光発電装置。前記第1裏面電極の横に配置される第2裏面電極と、前記高抵抗バッファの上に配置されるウィンドウと、前記ウィンドウから延びて、前記第2裏面電極に接続される接続部と、を含み、前記バリア膜は、前記光吸収部及び前記接続部の間に介されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記バリア膜の抵抗は、前記接続部の抵抗より大きいことを特徴とする、請求項2に記載の太陽光発電装置。前記バリア膜の抵抗は、前記接続部の抵抗の約105乃至約107倍であることを特徴とする、請求項2に記載の太陽光発電装置。前記バリア膜から前記第2裏面電極の上面に沿って延びるダミー部を含むことを特徴とする、請求項2に記載の太陽光発電装置。前記高抵抗バッファ、前記バリア膜、及び前記ダミー部は、一体形成されることを特徴とする、請求項5に記載の太陽光発電装置。前記高抵抗バッファ、前記バリア膜、及び前記ダミー部はジンクオキサイドを含むことを特徴とする、請求項5に記載の太陽光発電装置。前記光吸収層及び前記高抵抗バッファの間に介されるバッファを含み、前記バリア膜は前記バッファの側面及び前記光吸収層の側面を覆うことを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。前記バリア膜の厚さは約20nm乃至約100nmであることを特徴とする、請求項1に記載の太陽光発電装置。支持基板と、前記支持基板の上に配置される裏面電極層と、前記裏面電極層の上に配置され、貫通溝が形成される光吸収層と、前記光吸収層の上及び前記貫通溝の内側面に配置される高抵抗バッファ層と、前記高抵抗バッファ層の上に配置されるウィンドウ層と、を含むことを特徴とする、太陽光発電装置。前記高抵抗バッファ層は、前記貫通溝の底面を露出するオープン領域を含むことを特徴とする、請求項10に記載の太陽光発電装置。前記オープン領域の幅は前記貫通溝の幅より小さいことを特徴とする、請求項11に記載の太陽光発電装置。前記オープン領域の全体は前記貫通溝に重畳することを特徴とする、請求項11に記載の太陽光発電装置。前記高抵抗バッファ層は、前記光吸収層の上に配置される高抵抗バッファと、前記貫通溝の内側面に配置されるバリア膜と、前記貫通溝の底面に配置されるダミー部と、を含むことを特徴とする、請求項10に記載の太陽光発電装置。前記ウィンドウ層から延びて、前記裏面電極層に接続され、前記貫通溝に配置される接続部を含み、前記バリア膜は前記接続部と直接接触されることを特徴とする、請求項14に記載の太陽光発電装置。支持基板の上に裏面電極層を形成するステップと、前記裏面電極層の上に光吸収層を形成するステップと、前記光吸収層に貫通溝を形成するステップと、前記光吸収層の上及び前記貫通溝の内側面に高抵抗バッファ層を形成するステップと、前記貫通溝に一部重畳され、前記裏面電極層を露出するオープン領域を前記高抵抗バッファ層に形成するステップと、を含むことを特徴とする、太陽光発電装置の製造方法。前記貫通溝を形成するステップにおいて、機械的な装置またはレーザーを使用して、前記裏面電極層の一部を露出するように前記光吸収層をパターニングすることを特徴とする、請求項16に記載の太陽光発電装置の製造方法。前記オープン領域を形成するステップにおいて、機械的な装置またはレーザーを使用して、前記裏面電極層の一部を露出するように前記高抵抗バッファ層をパターニングすることを特徴とする、請求項16に記載の太陽光発電装置の製造方法。前記オープン領域の幅は前記貫通溝の幅より小さいことを特徴とする、請求項16に記載の太陽光発電装置の製造方法。前記オープン領域の中心は前記貫通溝の中心から外れることを特徴とする、請求項16に記載の太陽光発電装置の製造方法。本発明は、漏洩電流を抑制し、向上した光電変換効率を有する太陽光発電装置及びその製造方法を提供することをその目的とする。本発明の一実施形態に従う太陽光発電装置は、支持基板、上記支持基板の上に配置される第1裏面電極、上記第1裏面電極の上に配置される光吸収部、上記光吸収部の上に配置される高抵抗バッファ、及び上記高抵抗バッファから延びて、上記光吸収部の側面に配置されるバリア膜を含む。本発明の一実施形態に従う太陽光発電装置は、支持基板、上記支持基板の上に配置される裏面電極層、上記裏面電極層の上に配置され、貫通溝が形成される光吸収層、上記光吸収層の上及び上記貫通溝の内側面に配置される高抵抗バッファ層、及び上記高抵抗バッファ層の上に配置されるウィンドウ層を含む。本発明の一実施形態に従う太陽光発電装置の製造方法は、支持基板の上に裏面電極層を形成するステップ、上記裏面電極層の上に光吸収層を形成するステップ、上記光吸収層に貫通溝を形成するステップ、上記光吸収層の上及び上記貫通溝の内側面に高抵抗バッファ層を形成するステップ、及び上記貫通溝に一部重畳され、上記裏面電極層を露出するオープン領域を上記高抵抗バッファ層に形成するステップを含む。本発明に従う太陽光発電装置はバリア膜を含む。バリア膜によって光吸収部の側面が絶縁できる。これによって、本発明に従う太陽光発電装置は、光吸収部の側面を通じて漏洩される電流を防止することができる。したがって、本発明に従う太陽光発電装置は、漏洩電流を防止し、向上した発電効率を有する。特に、バリア膜は不純物がドーピングされないジンクオキサイドで形成され、これによって、バリア膜は高い抵抗を有する。したがって、バリア膜は効率的に漏洩電流を防止することができる。また、上記バリア膜が形成されるために、追加的な層が別に形成される必要がない。即ち、上記バリア膜は高抵抗バッファが形成される時、共に形成される。したがって、本発明は、向上した電気的な特性を有する太陽光発電装置を容易に提供することができる。本発明を説明するに当たって、各基板、膜、電極、溝、または層などが、各基板、電極、膜、溝、または層などの上onに、または下underに形成されることと記載される場合において、上onと下underは、直接directlyまたは他の構成要素を介してindirectly形成されることを全て含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各構成要素のサイズは説明のために誇張することがあり、実際に適用されるサイズを意味するものではない。図1は、本発明の実施形態に従う太陽光発電装置を示す平面図である。図2は、図1のA-A’線に沿って切断した断面を示す断面図である。図1乃至図2を参照すると、太陽光発電装置は、支持基板100、裏面電極層200、光吸収層310、バッファ層320、高抵抗バッファ層330、バリア膜333、ウィンドウ層400、及び接続部500を含む。上記支持基板100はプレート形状を有し、上記裏面電極層200、上記光吸収層310、上記バッファ層320、上記高抵抗バッファ層330、上記ウィンドウ層400、及び上記接続部500を支持する。上記支持基板100は絶縁体でありうる。上記支持基板100は、ガラス基板、プラスチック基板、または金属基板でありうる。より詳しくは、上記支持基板100はソーダライムガラスsodalimeglass基板でありうる。上記支持基板100は透明でありうる。上記支持基板100は、リジッドまたはフレキシブルである。上記裏面電極層200は、上記支持基板100の上に配置される。上記裏面電極層200は導電層である。上記裏面電極層200に使われる物質の例としては、モリブデンなどの金属が挙げられる。また、上記裏面電極層200は2つ以上の層を含むことができる。この際、各々の層は同一な金属で形成されるか、互いに異なる金属で形成できる。上記裏面電極層200には第1貫通溝TH1が形成される。上記第1貫通溝TH1は、上記支持基板100の上面を露出するオープン領域である。上記第1貫通溝TH1は平面視して、一方向に延びる形状を有することができる。上記第1貫通溝TH1の幅は約80μm乃至200μmでありうる。上記第1貫通溝TH1によって上記裏面電極層200は多数個の裏面電極210、220に区分される。即ち、上記第1貫通溝TH1によって上記裏面電極210、220が定義される。図3では、上記裏面電極210、220のうち、第1裏面電極210及び第2裏面電極220が図示される。上記裏面電極210、220は、上記第1貫通溝TH1によって互いに離隔する。上記裏面電極210、220はストライプ形態に配置される。これとは異なり、上記裏面電極210、220はマトリックス形態に配置される。この際、上記第1貫通溝TH1は平面視して、格子形態に形成される。上記光吸収層310は上記裏面電極層200の上に配置される。また、上記光吸収層310に含まれた物質は、上記第1貫通溝TH1に詰められる。上記光吸収層310はIIIIVI族系化合物を含む。例えば、上記光吸収層310は、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系結晶構造、銅-インジウム-セレナイド系、または銅-ガリウム-セレナイド系結晶構造を有することができる。上記光吸収層310のエネルギーバンドギャップbandgapは、約1eV乃至1.8eVでありうる。上記バッファ層320は上記光吸収層310の上に配置される。上記バッファ層320は硫化カドミウムCdSを含み、上記バッファ層320のエネルギーバンドギャップは約2.2eV乃至2.4eVである。上記光吸収層310及び上記バッファ層320には第2貫通溝TH2が形成される。上記第2貫通溝TH2は、上記光吸収層310及び上記バッファ層320を貫通する。また、上記第2貫通溝TH2は、上記裏面電極層200の上面を露出するオープン領域である。上記第2貫通溝TH2は、上記第1貫通溝TH1に隣接して形成される。即ち、上記第2貫通溝TH2の一部は平面視して、上記第1貫通溝TH1の横に形成される。上記第2貫通溝TH2の幅は、約80μm乃至約200μmでありうる。また、上記光吸収層310は上記第2貫通溝TH2によって多数個の光吸収部311、312を定義する。即ち、上記光吸収層310は上記第2貫通溝TH2によって、上記光吸収部311、312に区分される。同様に、上記バッファ層320は上記第2貫通溝TH2によって、多数個のバッファら321、322に定義される。上記高抵抗バッファ層330は、上記バッファ層320の上に配置される。また、上記高抵抗バッファ層330は、上記第2貫通溝TH2の内側にも配置される。上記高抵抗バッファ層330は、不純物がドーピングされないジンクオキサイドi-ZnOを含む。上記高抵抗バッファ層330のエネルギーバンドギャップは、約3.1eV乃至3.3eVである。上記高抵抗バッファ層330は高い抵抗を有する。より詳しくは、上記高抵抗バッファ層330は、上記ウィンドウ層400及び上記接続部500より高い抵抗を有する。より詳しくは、上記高抵抗バッファ層330は、上記ウィンドウ層400及び上記接続部500より約105乃至約107倍の抵抗を有することができる。また、上記高抵抗バッファ層330の厚さは約20nm乃至約100nmでありうる。上記高抵抗バッファ層330は上記第2貫通溝TH2に重畳するオープン領域ORによって、多数個の高抵抗バッファ331、332、上記バリア膜333、及びダミー部334に区分される。上記オープン領域ORは上記高抵抗バッファ層330の一部を除去して、上記裏面電極層200の上面を露出させる。上記オープン領域ORは、上記第2貫通溝TH2から外れることがある。即ち、上記オープン領域ORの中心は上記第2貫通溝TH2の中心から外れることがある。また、上記オープン領域ORの幅は、上記第2貫通溝TH2の幅よりより小さいことがある。上記バリア膜333は、上記第1光吸収部311の上に配置される第1高抵抗バッファ331から延びて、上記第1光吸収部311の側面に配置される。上記バリア膜333は上記第1高抵抗バッファ331と一体形成され、上記第1光吸収部311と上記接続部500との間に介される。上記バリア膜333は、上記第1高抵抗バッファ331と同様に高い抵抗を有する。即ち、上記バリア膜333は上記接続部500より高い抵抗を有する。より詳しくは、上記バリア膜333は上記接続部500より約105乃至約107倍の抵抗を有する。例えば、上記バリア膜333の抵抗は約50MΩ乃至約200MΩでありうる。また、上記バリア膜333の厚さは、上記高抵抗バッファ層330と同様に約20nm乃至約100nmの厚さを有することができる。上記ダミー部334は上記バリア膜333から上記裏面電極層200の上面に沿って延びる。より詳しくは、上記ダミー部334は上記バリア膜333から延びて、第2裏面電極220の上面に接触する。上記ダミー部334は上記バリア膜333と一体形成される。上記ウィンドウ層400は上記高抵抗バッファ層330の上に配置される。上記ウィンドウ層400は透明で、かつ導電層である。上記ウィンドウ層400に使われる物質の例としては、アルミニウムがドーピングされたジンクオキサイドAldopedZnO;AZOなどが挙げられる。上記ウィンドウ層400には第3貫通溝TH3が形成される。上記第3貫通溝TH3は、上記裏面電極層200の上面を露出するオープン領域である。例えば、上記第3貫通溝TH3の幅は約80μm乃至約200μmでありうる。上記第3貫通溝TH3は、上記第2貫通溝TH2に隣接する位置に形成される。より詳しくは、上記第3貫通溝TH3は上記第2貫通溝TH2の横に配置される。即ち、平面視して、上記第3貫通溝TH3は上記第2貫通溝TH2の横に並んで配置される。上記第3貫通溝TH3によって、上記ウィンドウ層400は多数個のウィンドウ410、420に区分される。即ち、上記ウィンドウ410、420は上記第3貫通溝TH3によって定義される。上記ウィンドウ410、420は、上記裏面電極210、220と対応する形状を有する。即ち、上記ウィンドウ410、420は、ストライプ形態に配置される。これとは異なり、上記ウィンドウ410、420はマトリックス形態に配置される。また、上記第3貫通溝TH3によって、多数個のセルC1,C2が定義される。より詳しくは、上記第2貫通溝TH2及び上記第3貫通溝TH3によって、上記セルC1,C2が定義される。即ち、上記第2貫通溝TH2及び上記第3貫通溝TH3によって、実施形態に従う太陽光発電装置は上記セルC1,C2に区分される。即ち、実施形態に従う太陽光発電装置は、多数個のセルC1,C2を含む。例えば、実施形態に従う太陽光発電装置は、支持基板100の上に配置される第1セルC1及び第2セルC2を含む。上記第1セルC1は、上記第1裏面電極210、上記第1光吸収部311、上記第1バッファ321、上記第1高抵抗バッファ331、及び上記第1ウィンドウ410を含む。上記第1裏面電極210は上記支持基板100の上に配置され、上記第1光吸収部311、上記第1バッファ321、及び上記第1高抵抗バッファ331は、上記第1裏面電極210の上に順次に積層して配置される。上記第1ウィンドウ410は、上記第1高抵抗バッファ331の上に配置される。即ち、上記第1裏面電極210及び上記第1ウィンドウ410は、上記第1光吸収部311を挟んで互いに対向する。上記第2セルC2は、上記第1セルC1に隣接して上記支持基板100の上に配置される。上記第2セルC2は、上記第2裏面電極220、上記第2光吸収部312、上記第2バッファ322、上記第2高抵抗バッファ332、及び上記第2ウィンドウ420を含む。上記第2裏面電極220は、上記第1裏面電極210に離隔して上記支持基板100の上に配置される。上記第2光吸収部312は、上記第1光吸収部311に離隔して上記第2裏面電極220の上に配置される。上記第2ウィンドウ420は、上記第1ウィンドウ410に離隔して上記第2高抵抗バッファ332の上に配置される。上記第2光吸収部312及び上記第2ウィンドウ420は、上記第2裏面電極220の上面の一部が露出しながら、上記第2裏面電極220を覆う。上記接続部500は、上記第2貫通溝TH2の内側に配置される。上記接続部500は上記ウィンドウ層400から下方に延びて、上記裏面電極層200に直接接触する。例えば、上記接続部500は上記第1ウィンドウ410から下方に延びて、上記第2裏面電極220に直接接触される。したがって、上記接続部500は互いに隣接するセルC1,C2に各々含まれたウィンドウと裏面電極を連結する。即ち、上記接続部500は、上記第1ウィンドウ410及び上記第2裏面電極220を連結する。上記接続部500は、上記ウィンドウ410、420と一体形成される。即ち、上記接続部500に使われる物質は、上記ウィンドウ層400に使われる物質と同一である。前述したように、上記バリア膜333は高い抵抗を有する。これによって、上記バリア膜333は上記接続部500の側面を絶縁する。また、上記バリア膜333は、上記光吸収部311、312の側面を絶縁する。即ち、上記バリア膜333は、上記光吸収部上げる311、312及び上記接続部500の間に各々介され、上記光吸収部311、312の側面及び上記接続部500の間の漏洩電流を遮断することができる。例えば、上記バリア膜333は、上記接続部500から上記第1光吸収部311の側面を通過して、上記第1裏面電極210に電流が漏洩する現象を防止することができる。したがって、実施形態に従う太陽光発電装置は向上した電気的な特性を有することができる。また、上記漏洩電流を遮断するために、上記第1貫通溝TH1の幅が十分に増加する必要がない。即ち、上記第1貫通溝TH1の幅が減少しても、上記バリア膜333によって、上記漏洩電流が効率的に遮断できる。これによって、上記第1貫通溝TH1の幅は減少し、実施形態に従う太陽光発電装置は電力生産が不可能なデッドゾーンdeadzoneを減らすことができる。したがって、実施形態に従う太陽光発電装置は向上した発電効率を有する。図3乃至図7は、本発明の実施形態に従う太陽光発電装置の製造方法を示す断面図である。本製造方法に関する説明は、前述した太陽光発電装置に対する説明を参考にする。図3を参照すると、支持基板100の上に裏面電極層200が形成され、上記裏面電極層200はパターニングされて第1貫通溝TH1が形成される。これによって、上記基板の上に多数個の裏面電極210、220が形成される。上記裏面電極層200はレーザーによりパターニングされる。上記第1貫通溝TH1は上記支持基板100の上面を露出し、約80μm乃至約200μmの幅を有することができる。また、上記支持基板100及び上記裏面電極層200の間に拡散防止膜などの追加的な層が介されて、この際、上記第1貫通溝TH1は上記追加的な層の上面を露出するようになる。図4を参照すると、上記裏面電極層200の上に光吸収層310及びバッファ層320が順次に形成される。上記光吸収層310は、スパッタリング工程または蒸発法等により形成できる。例えば、上記光吸収層310を形成するために、銅、インジウム、ガリウム、セレニウムを同時または区分して蒸発させながら、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系の光吸収層310を形成する方法と金属プリカーソル膜を形成させた後、セレニゼーションSelenization工程により形成させる方法が幅広く使われている。金属プリカーソル膜を形成させた後、セレニゼーションすることを細分化すれば、銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程によって、上記裏面電極200の上に金属プリカーソル膜が形成される。以後、上記金属プリカーソル膜はセレニゼーションselenization工程によって、銅-インジウム-ガリウム-セレナイド系CuIn,GaSe2;CIGS系の光吸収層310が形成される。これとは異なり、上記銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及び上記セレニゼーション工程は、同時に進行できる。これとは異なり、銅ターゲット及びインジウムターゲットのみを使用したり、銅ターゲット及びガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及びセレニゼーション工程によりCIS系またはCIG系光吸収層310が形成される。以後、上記光吸収層310の上に硫化カドミウムがスパッタリング工程または溶液成長法chemicalbathdepositon;CBDなどにより蒸着され、上記バッファ層320が形成される。以後、上記光吸収層310及び上記バッファ層320の一部が除去されて第2貫通溝TH2が形成される。上記第2貫通溝TH2はチップなどの機械的な装置またはレーザー装置などにより形成される。例えば、約40μm乃至約180μmの幅を有するチップによって、上記光吸収層310及び上記バッファ層320はパターニングされる。また、上記第2貫通溝TH2は約200乃至600μmの波長を有するレーザーにより形成される。この際、上記第2貫通溝TH2の幅は約100μm乃至約200μmでありうる。また、上記第2貫通溝TH2は上記裏面電極層200の上面の一部を露出するように形成される。図5を参照すると、上記バッファ層320の上、及び上記第2貫通溝TH2の内側にジンクオキサイドがスパッタリング工程などにより蒸着され、上記高抵抗バッファ層330が形成される。図6を参照すると、上記高抵抗バッファ層330の一部がレーザーまたは機械的なスクライビングにより除去され、オープン領域ORが形成される。上記オープン領域ORは上記第2貫通溝TH2と一部重畳する。即ち、上記オープン領域ORは上記第2貫通溝TH2から横に外れるように形成される。より詳しくは、上記オープン領域ORの中心は上記第2貫通溝TH2の中心から外れることがある。これによって、光吸収部311、312の側面にバリア膜333が形成され、上記裏面電極層200の上にダミー部334が形成される。即ち、上記オープン領域ORが形成される工程において、上記バリア膜333のみが残されるようにスクライビングまたはレーザーパターニングの位置が正確に調節され難い。これによって、少しのマージンが残るように、上記高抵抗バッファ層330がパターニングされるため、上記ダミー部334が形成される。したがって、非常に精密なパターニング工程を通じて、上記バリア膜333のみが残されるようにスクライビングされる場合、上記ダミー部334は省略される。図7を参照すると、上記高抵抗バッファ層330の上にウィンドウ層400が形成される。この際、上記第2貫通溝TH2の内側に上記ウィンドウ層400をなす物質が詰められる。上記ウィンドウ層400を形成するために、上記高抵抗バッファ層330の上に透明な導電物質が積層される。上記透明な導電物質は、上記第2貫通溝TH2の全体に詰められる。上記透明な導電物質の例としては、アルミニウムドーピングされたジンクオキサイドなどが挙げられる。これによって、上記ウィンドウ層400から延びて、上記裏面電極層200に直接接続される接続部500が上記第2貫通溝TH2の内側に形成される。以後、上記ウィンドウ層400の一部が除去されて第3貫通溝TH3が形成される。即ち、上記ウィンドウ層400はパターニングされて、多数個のウィンドウ410、420、及び多数個のセルC1,C2が定義される。上記第3貫通溝TH3の幅は、約80μm乃至約200μmでありうる。このように、上記バリア膜333を形成して、高い効率を有する太陽光発電装置が提供される。以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。"