少なくとも一方の主面が電気絶縁体をもって構成され、かつ前記電気絶縁体上に外部導体が形成された、比較的高い熱伝導率を有する放熱用基板と、前記放熱用基板の前記一方の主面上に実装され、前記放熱用基板よりも低い熱伝導率を有し、かつ銀または銅を主成分とする配線導体が前記外部導体に電気的に接続された状態で内部に形成された、配線用基板と、前記放熱用基板の前記一方の主面上に実装され、かつ前記配線導体に前記外部導体を介して電気的に接続された下面電極が前記放熱用基板の前記一方の主面に対向する実装面上に形成された、動作時に発熱を生じる半導体素子とを備える、半導体装置。前記配線用基板は主面方向に直交する方向に貫通する貫通穴を有し、前記半導体素子は前記貫通穴内に収容されている、請求項1に記載の半導体装置。複数個の前記半導体素子を備え、前記配線用基板は複数個の前記貫通穴を有し、前記複数個の半導体素子の各々は前記複数個の貫通穴の各々内に収容されている、請求項2に記載の半導体装置。前記半導体素子は、前記実装面に対向する面に上面電極を有し、前記上面電極はワイヤを介して前記配線導体と電気的に接続されている、請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体装置。前記半導体素子は、耐熱温度が200°C以上である、請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体装置。前記半導体素子は、ベアタイプのものである、請求項1ないし5のいずれかに記載の半導体装置。前記放熱用基板は、窒化アルミニウム基板、アルミナ基板、窒化珪素基板、または金属板の少なくとも一方主面にセラミックまたは樹脂からなる絶縁層が形成された金属ベース基板のいずれかからなり、前記配線用基板は、低温焼結セラミック基板または樹脂基板からなる、請求項1ないし6のいずれかに記載の半導体装置。前記配線用基板の主面に実装された電子部品をさらに備える、請求項1ないし7のいずれかに記載の半導体装置。そこで、この発明の目的は、放熱性が高く、かつ、大電流化や小型化に対応できる半導体装置を提供しようとすることである。この発明に係る半導体装置は、上述した技術的課題を解決するため、少なくとも一方の主面が電気絶縁体をもって構成され、かつ電気絶縁体上に外部導体が形成された、比較的高い熱伝導率を有する放熱用基板と、この放熱用基板の上記一方の主面上に実装され、放熱用基板よりも低い熱伝導率を有し、かつ銀または銅を主成分とする配線導体が上記外部導体に電気的に接続された状態で内部に形成された、配線用基板と、放熱用基板の上記一方の主面上に実装され、かつ配線導体に外部導体を介して電気的に接続された下面電極が放熱用基板の上記一方の主面に対向する実装面上に形成された、動作時に発熱を生じる半導体素子とを備えることを特徴としている。上記のように、この発明は、簡単に言えば、基板としての機能を放熱用基板と配線用基板とに分担させることによって、放熱用基板と配線用基板とのそれぞれに適した材料を用いることを可能にし、前述した課題を解決しようとするものである。放熱用基板は、たとえば、窒化アルミニウム基板、アルミナ基板、窒化珪素基板、または金属板の少なくとも一方主面にセラミックまたは樹脂からなる絶縁層が形成された金属ベース基板のいずれかから構成される。他方、配線用基板は、たとえば、低温焼結セラミックLowTemperatureCofiredCeramicLTCC基板または樹脂基板から構成される。この発明において、放熱用基板上に、配線用基板と半導体素子とが別々に配置されていてもよいが、好ましくは、配線用基板は主面方向に直交する方向に貫通する貫通穴を有し、半導体素子は貫通穴内に収容される。この場合、複数個の半導体素子および複数個の貫通穴を有し、複数個の半導体素子の各々は複数個の貫通穴の各々内に収容されていることがより好ましい。また、半導体素子は、上記実装面に対向する面に上面電極を有し、上面電極はワイヤを介して配線導体と電気的に接続されていることが好ましい。半導体素子の耐熱温度が200°C以上であるとき、この発明がより有利に適用される。また、半導体素子がベアタイプのものであるとき、この発明がより有利に適用される。また、配線用基板の主面に電子部品が実装されているとき、この発明がより有利に適用される。この発明によれば、半導体素子は、比較的高い熱伝導率を有する放熱用基板上に実装されるので、高い放熱性を確保することができる。また、放熱用基板に設けられる外部導体は、電気絶縁体上に形成され、また、配線用基板に設けられた配線導体に電気的に接続されるので、半導体素子の下面電極からの信号または下面電極への信号は、上記外部導体を通して、引き出しまたは送り込むことができる。また、上記外部導体は配線用基板の配線導体に電気的に接続され、配線導体が銀または銅を主成分としているので、低抵抗配線を実現でき、大電流化に十分に対応することが可能となる。また、上記配線導体は、配線用基板の内部に形成されるので、表面に配置されなければならない配線導体を減じることができ、小型化に十分対応することができる。また、半導体素子からの熱は、放熱用基板から実質的に放熱されるので、配線用基板には伝わりにくく、しかも、配線用基板は放熱用基板よりも低い熱伝導率を有している。このようなことから、配線用基板の外表面では温度上昇があまり生じない。したがって、配線用基板の外表面上には、熱に弱い電子部品を問題なく搭載することができる。この発明において、配線用基板が主面方向に直交する方向に貫通する貫通穴を有し、半導体素子が貫通穴内に収容されていると、配線用基板における貫通穴の全周囲領域を半導体素子に対する配線のために用いることができ、効率的な配線を配線用基板において形成することができる。また、半導体素子の横のスペースを有効利用することができるため、半導体素子を小型化することができる。上述の場合であって、複数個の半導体素子および複数個の貫通穴を有し、複数個の半導体素子の各々が複数個の貫通穴の各々内に収容される場合には、複数個の半導体素子相互の配線を配線用基板において効率的に実現することができる。半導体素子が、実装面に対向する面に上面電極を有し、上面電極はワイヤを介して配線導体と電気的に接続されるようにされると、半導体装置の大型化を招くことなく、上面電極と配線導体との接続をも達成することができる。半導体素子がたとえばSiC半導体またはGaN半導体をもって構成されるFETである場合のように、半導体素子の耐熱温度が200°C以上である場合には、半導体素子に特に大電流を供給することができるが、このような場合においても、配線用基板は、比較的低い電気抵抗率を示す銀または銅を主成分とする配線導体を有しているので、大電流化に十分対応でき、また、配線導体を配線用基板の内部に配置できることから、小型化にも十分対応できる。また、配線用基板の主面に電子部品が実装されている場合、比較的熱伝導率の低い配線用基板によって半導体素子から生じる熱の伝導を抑えることができる。そのため、耐熱温度の低い電子部品を半導体素子の近くに配置することができる。図1ないし図4を参照して、この発明の第1の実施形態による半導体装置1について説明する。なお、図1は、図2ないし図4と比較して、拡大されて図示されている。また、図1が示す断面は、図2の線A-Aに沿う断面に相当している。図1に示すように、半導体装置1は、複数個の半導体素子2と、半導体素子2を実装するための基板3とを備えている。基板3は、放熱用基板4と配線用基板5とを複合一体化した構造を有している。配線用基板5には、その主面方向に直交する方向に貫通する複数個の貫通穴6が設けられ、これら複数個の貫通穴6の各々内には、複数個の半導体素子2の各々が収容されている。なお、図示の実施形態では、図4からわかるように、配線用基板5に4つの貫通穴6が設けられている。たとえば、半導体素子2の平面寸法が10mm×10mmであるとき、貫通穴6の平面寸法が11mm×11mmとされるというように、貫通穴6は半導体素子2より大きくされ、貫通穴6を規定する内周面と半導体素子2の外周面との間には、所定の隙間7が形成される。半導体素子2は、動作時に発熱を生じるもので、たとえば、ベアタイプの電界効果トランジスタFETである。放熱用基板4の上方主面8に対向する実装面9、すなわち下面には、ドレイン電極となる下面電極10が形成され、実装面9に対向する面、すなわち上面には、それぞれソース電極およびゲート電極となる2つの上面電極11および12が形成されている。放熱用基板4は、たとえば、窒化アルミニウム基板、アルミナ基板、または窒化珪素基板のようなHTCC基板から構成され、好ましくは、10W/mK以上の熱伝導率を有するようにされる。放熱用基板4は、上述のようにHTCC基板から構成されることから、その上方主面8および下方主面13が電気絶縁体をもって構成される。放熱用基板4の上方主面8上には、図1および図2に示されているように、4つの外部導体14が形成され、また、配線用基板5との接合のための4つの接合用パッド15が形成されている。4つの外部導体14は互いに電気的に絶縁された状態となっている。下方主面13上には、図1および図3に示すように、ほぼ全面にわたって、図示しないマザーボードまたはシャーシ上への接合のための接合用パッド16が形成されている。一例として、放熱用基板4の厚みは0.635mmとされ、外部導体14ならびに接合用パッド15および16の各厚みは0.3mmとされる。また、外部導体14ならびに接合用パッド15および16は、たとえば銅またはアルミニウムを主成分としている。半導体素子2は、放熱用基板4の上方主面8上に実装されている。より詳細には、4つの半導体素子2の各々について、その下面電極10が、たとえばはんだのような導電性接合材17を介して放熱用基板4の対応の外部導体14に電気的に接続されている。配線用基板5は、放熱用基板4の上方主面8上に実装される。配線用基板5は、たとえば、LTCC基板または樹脂基板から構成され、放熱用基板4よりも低い、たとえば5W/mK以下、好ましくは3W/mK以下の熱伝導率を有するようにされる。配線用基板5には、銀または銅を主成分とする配線導体18が形成される。配線用基板5は、好ましくは積層構造を有していて、配線導体18の多くの部分は配線用基板5の内部に配置される。また、配線導体18は、図1および図4に示すように、配線用基板5の下方主面19上であって貫通穴6の各々の近傍に引出し部20を形成しており、たとえばはんだのような導電性接合材21を介して、放熱用基板4にある外部導体14に電気的に接続される。まや、配線用基板5の下方主面19上には、前述した放熱用基板4上の4つの接合用パッド15と対をなす4つの接合用パッド22が形成されている。接合用パッド22は、たとえば銅または銀を主成分としている。図1に示すように、接合用パッド22は、たとえばはんだのような導電性接合材23を介して、接合用パッド15と接合され、それによって、配線用基板5が放熱用基板4と機械的に固定される。配線導体18は、配線用基板5の上方主面24上であって貫通穴6の各々の近傍に引出し部25および26を有している。半導体素子2のソース電極およびゲート電極のいずれか一方となる上面電極11は、ワイヤ27を介して配線導体18の引出し部25と電気的に接続され、いずれか他方となる上面電極12は、ワイヤ28を介して配線導体18の引出し部26と電気的に接続される。配線用基板5の上方主面24上には、複数個の電子部品29が実装される。図示しないが、これら電子部品29は配線導体18と電気的に接続される。電子部品29は、たとえば、コンデンサ、抵抗器、ICなどである。以上説明した半導体装置1を製造するため、たとえば、次のような工程が実施される。まず、放熱用基板4上に、半導体素子2が実装される。そのためには、放熱用基板4上の外部導体14上に、はんだペーストが付与され、次いで、放熱用基板4上の所定の位置に、半導体素子2が配置される。上記はんだペーストとしては、たとえばBi-0.15Cuはんだ等の高温はんだペーストが用いられる。そして、たとえば320°Cの温度でリフロー処理される。半導体素子2として耐熱温度が300°Cにまで達するSiC半導体やGaN半導体を用いる場合には、上記のように、半導体素子2の実装に高温はんだを用いることが好ましい。次に、放熱用基板4上に、配線用基板5が搭載されるとともに、配線用基板5の上方主面24上に電子部品29が実装される。そのためには、放熱用基板4上の外部導体14および接合用パッド15上ならびに配線用基板5の上方主面24上の所定の導電パッド上に、はんだペーストが付与される。次いで、配線用基板5および電子部品29がその上に配置される。上記はんだペーストとしては、たとえばM705はんだ等の低温はんだペーストが用いられる。そして、たとえば240°Cの温度でリフロー処理される。このように配線用基板5と電子部品29の実装に低温はんだを用いると、リフロー時に半導体素子2の実装に用いた高温はんだが再溶融して流れ出すことを防止することができる。また、配線用基板5と電子部品29とを低温はんだで同時にリフロー処理すると、別々にリフロー処理した場合に先に用いた低温はんだが再溶融して流れ出すことを防止することができる。さらに、低温はんだであれば、配線用基板5として樹脂基板を用いた場合にも基板の劣化を抑制できる。次に、半導体素子2と配線用基板5との間で、ワイヤボンディングが実施され、ワイヤ27および28による接続が達成される。以上のようにして、半導体装置1が製造される。上述した半導体装置1によれば、以下のような作用効果が奏される。まず、半導体素子2の温度上昇が抑えられる。半導体素子2は、熱抵抗の低い放熱用基板4上に実装されるので、動作時に生じる熱が放熱用基板4へと効率良く伝えられ、半導体素子2の温度上昇が抑えられ、この温度上昇に伴う特性低下が抑えられる。また、大電流化に対応でき、小型化も可能である。半導体素子2がたとえばSiC半導体またはGaN半導体をもって構成されるFETである場合、耐熱温度が200°C以上、さらには300°Cあるいは500°Cにも達することがある。このように耐熱温度が高いということは、半導体素子2に大電流を供給できることを意味する。この半導体装置1は配線用基板5を備え、配線用基板5は、LTCC基板または樹脂基板から構成され得るので、比較的低い電気抵抗率を示すものの融点が比較的低い銀または銅を主成分とする配線導体18を内部に配置することができる。よって、大電流化に対応でき、また、配線導体18を配線用基板5の内部に配置できることから、小型化が可能である。なお、配線導体18において、特に大電流を流す必要がある箇所では、たとえば100μm以上といった厚みの配線が形成される。また、半導体装置1によれば、半導体素子2のように、その下面である実装面9上に下面電極10が形成され、当該下面にも電気的な流れがあるものにも対応することができる。なぜなら、半導体素子2を実装する放熱用基板4は、少なくとも一方の主面が電気絶縁体をもって構成され、この電気絶縁体上に、複数個の半導体素子2の各々の下面電極10と接続される外部導体14が互いに電気的に絶縁された状態で形成されているからである。次に、図5を参照して、この発明の第2の実施形態による半導体装置31について説明する。図5において、図1に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。図5に示した半導体装置31は、基板3を構成する放熱用基板34および配線用基板5のうち、放熱用基板34の構成が第1の実施形態のものと異なっている。その他の構成は第1の実施形態の場合と同様である。放熱用基板34は、たとえば銀または銅のような熱伝導率の比較的高い金属からなる金属板35を備え、この金属板35の両主面にセラミック絶縁層36および37が形成された金属ベース基板から構成される。放熱用基板34は、好ましくは、50W/mK以上の熱伝導率を有するようにされる。放熱用基板34は、第1の実施形態における放熱用基板4に比べて、より高い熱伝導率を実現することが容易である。放熱用基板34の上方主面8を構成するセラミック絶縁層36上には、外部導体14および接合用パッド15が形成され、下方主面13を構成するセラミック絶縁層37上には、接合用パッド16が形成される。一例として、放熱用基板34は、厚み0.80mmの銅板からなる金属板35の両主面に、厚み100μmのLTCCからなるセラミック絶縁層36および37を形成し、さらに、セラミック絶縁層36および37上に、厚み0.3mmの銅からなる外部導体14および接合用パッド15ならびに接合用パッド16を形成した構造とされる。なお、放熱用基板34において、上述したセラミック絶縁層37および接合用パッド16が省略され、金属板35の下方主面が露出した構造が採用されてもよい。また、金属板35の主面に形成される絶縁層として、セラミック絶縁層に代えて樹脂絶縁層を用いてもよい。その場合に用いる樹脂としては、ポリイミドのように高耐熱性を備えるものが好ましく、また、樹脂中に高熱伝導率のフィラーを含有させることが好ましい。