"各々カーボンナノチューブにより構成された、同一平面に沿って離間して並ぶ複数の面状の電子線放出部を有するカソード電極と、当該電子線放出部と離間して対向するよう配置された、当該電子線放出部の各々に対応する位置に電子線通過用開口を有する電子引き出し電極とを備えており、前記電子線放出部から放出される電子を前記電子引き出し電極における電子線通過用開口に向かって指向させる電子線レギュレータ部が、各々の電子線放出部の周囲を囲むよう、形成されていることを特徴とする電子線源装置。前記電子線放出部は、所定のパターンに従って開口が形成された板状のカソード基板の表面にカーボンナノチューブにより構成された電子線放出層が形成されてなるカソード電極における、当該電子線放出層が形成された前記開口を区画する隔壁部分によって形成されており、当該カソード電極が、前記電子線放出部の各々に対応する位置に凹所が形成されたベースフレームの当該凹所内に前記電子線放出部が収容された状態で、配置されており、前記カソード電極における開口に挿入される前記ベースフレームの凹所を区画する隔壁の一部によって前記電子線レギュレータ部が構成されていることを特徴とする請求項1に記載の電子線源装置。前記カソード電極における電子線放出部は、板状のカソード基板における前記電子引き出し電極と対向する一面上にカーボンナノチューブにより構成された電子線放出層が所定のパターンに従って形成されて構成されており、前記電子線放出部における電子線が放出される電子線放出面の面方向外方に向かう電子線を遮蔽するシールド部材が、当該シールド部材における前記電子線放出部の各々に対応する位置に形成された開口内に前記電子線放出部の各々が位置されるよう、当該開口を区画する隔壁部分が前記カソード基板の前記一面上における電子線放出層非形成領域に位置された状態で、前記カソード基板の周囲を囲むよう設けられており、当該シールド部材の隔壁部分の一部によって前記電子線レギュレータ部が構成されていることを特徴とする請求項1に記載の電子線源装置。前記電子線レギュレータ部は、前記電子線放出部における電子線放出面のレベルより前記電子引き出し電極側に突出していることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の電子線源装置。請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の電子線源装置と、この電子線源装置から放射された電子線によって励起される半導体発光素子とを備えてなることを特徴とする電子線励起型光源装置。しかしながら、上記の電子線励起型光源装置においては、当該電子線励起型光源装置の作製工程における、マスキング層を電界放出層の電子が放出される表面電子線放出面上に位置合わせして配置する工程において、電界放出層の電子線放出面が擦過されて損傷してしまうことがある。このように、電界放出層の電子放出面を形成するカーボンナノチューブの表面が損傷すると、電子線放射が不均一となって電子線の放射分布にバラツキが発生し、電子線を効率的に半導体発光素子に放射することが困難となるため、半導体発光素子の発光効率が低下して出力の高い光が放射することができない、という問題がある。本発明は、以上のような問題を解決するためになされたものであって、その目的は、電子線を均一に安定して放射することのできる電子線源装置を提供することにある。また、本発明の他の目的は、高い発光効率の得られる電子線励起型光源装置を提供することにある。本発明の電子線源装置は、各々カーボンナノチューブにより構成された、同一平面に沿って離間して並ぶ複数の面状の電子線放出部を有するカソード電極と、当該電子線放出部と離間して対向するよう配置された、当該電子線放出部の各々に対応する位置に電子線通過用開口を有する電子引き出し電極とを備えており、前記電子線放出部から放出される電子を前記電子引き出し電極における電子線通過用開口に向かって指向させる電子線レギュレータ部が、各々の電子線放出部の周囲を囲むよう、形成されていることを特徴とする。本発明の電子線源装置においては、前記電子線放出部は、所定のパターンに従って開口が形成された板状のカソード基板の表面にカーボンナノチューブにより構成された電子線放出層が形成されてなるカソード電極における、当該電子線放出層が形成された前記開口を区画する隔壁部分によって形成されており、当該カソード電極が、前記電子線放出部の各々に対応する位置に凹所が形成されたベースフレームの当該凹所内に前記電子線放出部が収容された状態で、配置されており、前記カソード電極における開口に挿入される前記ベースフレームの凹所を区画する隔壁の一部によって前記電子線レギュレータ部が構成されたものとすることができる。また、本発明の電子線源装置においては、前記カソード電極における電子線放出部は、板状のカソード基板における前記電子引き出し電極と対向する一面上にカーボンナノチューブにより構成された電子線放出層が所定のパターンに従って形成されて構成されており、前記電子線放出部における電子線が放出される電子線放出面の面方向外方に向かう電子線を遮蔽するシールド部材が、当該シールド部材における前記電子線放出部の各々に対応する位置に形成された開口内に前記電子線放出部の各々が位置されるよう、当該開口を区画する隔壁部分が前記カソード基板の前記一面上における電子線放出層非形成領域に位置された状態で、前記カソード基板の周囲を囲むよう設けられており、当該シールド部材の隔壁部分の一部によって前記電子線レギュレータ部が構成されたものとすることができる。さらにまた、本発明の電子線源装置においては、前記電子線レギュレータ部は、前記電子線放出部における電子線放出面のレベルより前記電子引き出し電極側に突出した構成とされていることが好ましい。本発明の電子線励起型光源装置は、上記の電子線源装置と、この電子線源装置から放射された電子線によって励起される半導体発光素子とを備えてなることを特徴とする。本発明の電子線源装置によれば、基本的には、電子線レギュレータ部の作用によって、電子引き出し電極への電子衝突が抑制されるので、当該電子引き出し電極が変形することを抑制することができ、しかも、電子線レギュレータ部がカーボンナノチューブにより構成された電子線放出部における電子線放出面と接触しない状態で形成されているので、当該電子線源装置の作製工程において、電子線放出部が損傷されることを回避することができる。従って、電子線を均一な放射分布で安定して放射することができる。そして、このような電子線源装置を具えた電子線励起型光源によれば、半導体発光素子に高い効率で電子線を入射することができるので、半導体発光素子に所期の発光効率を得ることができて出力の高い光を放射することができる。電子線源装置<第1の実施の形態>図1は、本発明の第1の実施の形態に係る電子線源装置の一例における構成の概略を示す側面断面図、図2は、図1に示す電子線源装置の一部を示す拡大断面図である。この第1の実施の形態に係る電子線源装置30は、同一平面に沿って離間して並ぶ複数の面状の電子線放出部32を有するカソード電極31を備えている。カソード電極31は、形成すべき電子線放出部32のパターンに従って開口31cが形成されたカソード基板31bの全周面開口31cの内周面を含むに電子線放出層31aが形成されて構成されており、電子線放出層31aが表面に形成された開口31cを区画する隔壁部分によって電子線放出部32が形成されている図3A参照。。電子線放出層31aは、多数のカーボンナノチューブがカソード基板31bの表面に支持されることによって形成されている。このカソード電極31は、例えばアルミナなどのセラミックスよりなる板状のベース35の一面上に設けられたベースフレーム36によって支持されている。具体的には、ベースフレーム36には、カソード電極31における電子線放出部32に対応する位置に、各々均一な深さの凹溝36aよりなる複数の凹所が形成されており、カソード電極31は、各々の開口31cにベースフレーム36における凹溝36aを区画する隔壁部分36bが挿入されて各々の電子線放出部32がベースフレーム36における対応する凹溝36a内に収容された状態で、配置されている。そして、ベースフレーム36における隔壁部分36bは、カソード電極31における電子線放出部32の電子線が放射される電子線放出面32aのレベルより電子線の放射方向に突出した状態とされており、この隔壁部分36bの一部によって、電子線放出面32aから放射される電子線を後述する電子引き出し電極46の電子線通過用開口46aに向かって指向させる電子線レギュレータ部37が形成されている。ここに、ベースフレーム36における上面のレベルと電子線放出部32における電子線放出面32aのレベルとの差は、例えば10~500μmであることが好ましい。これにより、電子線放出面32aから放射される電子線を確実に電子引き出し電極46の電子線通過用開口46aに向かって指向させることができる。この電子線源装置30においては、電子線放出部32における電子線放出面32aの面方向外方へ向かう電子線を遮蔽するシールド部材40がカソード電極31の側方の位置においてベースフレーム36の一面上に固定されて設けられている。このシールド部材40は、カソード電極31の両側を囲む胴部41と、この胴部41の先端に連続するカソード電極31における電子線放出面32aの周縁に沿って当該電子線放出面32aの面方向内方に延びるよう形成されたフランジ部42aとにより構成されており、このフランジ部42aの内面とベースフレーム36の一面とによってカソード電極31が保持固定されている。カソード電極31の上方には、カソード電極31における各々の電子線放出部32に対向する位置に電子線通過用開口46aが形成された、電子線放出部32から電子線を放出するための電子引き出し電極グリッド電極46が電子線放出部32と離間して対向するよう配置されている。この電子引き出し電極46は、ベース35の一面上における、ベースフレーム36の外方位置に固定された板状のベースフレーム39によって支持固定された電子引き出し電極保持部材47とキャップ部材48における弧状に湾曲する先端部の内面とによって保持固定されている。ここに、電子引き出し電極46とカソード電極31の各々の電子線放出部32における電子線放出面32aとの間の離間距離ギャップは例えば100~1000μmである。以上において、カソード電極31におけるカソード基板31b、シールド部材40、ベースフレーム36,39、電子引き出し電極46、電子引き出し電極保持部材47およびキャップ部材48を構成する材料としては、例えば、鉄もしくはニッケルの少なくとも一つを含む合金などを用いることができる。上記の電子線源装置30は、次のようにして作製することができる。先ず、形成すべき電子線放出部32のパターンに従って開口31cが形成されたカソード基板31bを用意し、図3Aに示すように、カーボンナノチューブよりなる電子線放出層31aをカソード基板31bの全周面に形成することにより、複数の面状の電子線放出部32を有するカソード電極31を作製する。ここに、カーボンナノチューブよりなる電子線放出層31aをカソード基板31bに形成する方法としては、特に限定されず公知の方法を用いることができ、例えば表面に金属触媒層が形成されたカソード基板31bを加熱し、COやアセチレン等のカーボンソースガスを供給することにより、カソード基板31bの表面に形成された金属触媒層上にカーボンを堆積してカーボンナノチューブを形成する熱CVD法、アーク放電法等によって形成されたカーボンナノチューブの粉体および有機バインダーが液状媒体中に含有されてなるペーストを調製し、このペーストをスクリーン印刷によってカソード基板の表面に塗布して乾燥するスクリーン印刷法などを好適に用いることができる。次いで、図3Bに示すように、カソード電極31における各々の電子線放出部32に対応する位置に凹溝36aを形成したカソード電極支持用のベースフレーム36、および、電子引き出し電極保持部材支持用のベースフレーム39を、予め、板状のベース35の一面上における所定の位置に例えばガラスフリットで固着しておき、カソード電極31を、各開口31c内にベースフレーム36における凹溝36aを区画する隔壁部分36bを挿入させて各々の電子線放出部32をベースフレーム36における対応する凹溝36a内に収容させた状態で、ベースフレーム36の一面上に配置する。これにより、ベースフレーム36における隔壁部分36bによって電子線レギュレータ部37が形成される。ここに、ベースフレーム36における凹溝36aの形成方法としては、例えばエッチングなどを用いることができる。そして、図3Cに示すように、フランジ部42aを有するシールド部材40をカソード電極31の側方の位置においてベースフレーム36の一面上に例えばレーザ溶接により固定することにより、カソード電極31をシールド部材40のフランジ部42aの内面とベースフレーム36の一面とによって保持固定すると共に、電子引き出し電極保持部材47をベースフレーム39の一面上に例えばレーザ溶接により固定する。そして、図3Dに示すように、カソード電極31における各々の電子線放出部32に対応する位置に電子線通過用開口46aを形成した電子引き出し電極46を、キャップ部材48の先端部の内面に例えばレーザ溶接により固定しておき、図3Eに示すように、電子引き出し電極46における電子線通過用開口46aをカソード電極31における電子線放出部32に対して位置合わせした状態で、電子引き出し電極保持部材47に例えばレーザ溶接により固定し、以って、電子線源装置30を作製することができる。上記の電子線源装置30においては、カソード電極31と電子引き出し電極46との間に電圧が印加されると、当該カソード電極31における各々の電子線放出部32から電子が放出され、この電子は、ベースフレーム36の隔壁部分36bによって構成される電子線レギュレータ部37の作用によって電子引き出し電極46の電子線通過用開口46aに向かって指向され、電子引き出し電極46の電子線通過用開口46aを介して放射される。而して、上記の電子線源装置30によれば、基本的には、ベースフレーム36における凹溝36aを区画する隔壁部分36bによって構成された電子線レギュレータ部37の作用によって、電子引き出し電極46への電子衝突が抑制されるので、当該電子引き出し電極46が変形することを抑制することができ、しかも、電子線レギュレータ部37がカーボンナノチューブにより構成された電子線放出部32における電子線放出面32aと接触しない状態で配置されているので、当該電子線源装置30の作製工程において、当該電子線放出面32aが損傷されることを回避することができる。従って、電子線を均一な放射分布で安定して放射することができる。<第2の実施の形態>図4は、本発明の第2の実施の形態に係る電子線源装置の一例における構成の概略を示す側面断面図、図5は、図4に示す電子線源装置の一部を示す拡大断面図である。この第2の実施の形態に係る電子線源装置30は、同一平面に沿って離間して並ぶ複数の面状の電子線放出部を有するカソード電極31を備えている。カソード電極31は、カソード基板31bの一面図4および図5において上面に、電子線放出層31aが所定のパターンに従って選択的に形成されると共に、カソード基板31bにおける両側面および他面図4および図5において下面の全面に、電子線放出層31aが形成されて構成されており、カソード基板31bの一面における電子線放出層31aが形成された部分によって電子線放出部32が形成されている図6A参照。。電子線放出層31aは、多数のカーボンナノチューブがカソード基板31bの表面に支持されることによって形成されている。このカソード電極31は、例えばアルミナなどのセラミックスよりなる板状のベース35上に設けられた板状のベースフレーム36によって支持されている。この電子線源装置30においては、電子線放出部32における電子線放出面32aの面方向外方へ向かう電子線を遮蔽するシールド部材40がカソード電極31の周囲を囲むようベースフレーム36の一面上に固定されて設けられている。このシールド部材40は、カソード電極31の両側を囲む胴部41と、この胴部41の先端に連続するカソード電極31の面方向に沿って延びる板状の端壁部42bとにより構成されており、端壁部42bには、カソード電極31における各々の電子線放出部32に対向する位置に開口43が形成されている。このシールド部材40は、開口43を区画する隔壁部分44がカソード基板31bの一面上における電子線放出層非形成領域に位置されてカソード電極31における各々の電子線放出部32がシールド部材40の対応する開口43内に位置された状態で、設けられ、これにより、カソード電極31がシールド部材40の端壁部42bの内面とベースフレーム36の一面とによって保持固定されている。そして、シールド部材40の端壁部42bの外面のレベルは、カソード電極31における電子線放出部32における電子線放出面32aのレベルより電子引き出し電極46側に位置された状態とされており、シールド部材40における開口43を区画する隔壁部分44の一部によって、電子線放出面32aから放出される電子を電子引き出し電極46の電子線通過用開口46aに向かって指向させる電子線レギュレータ部37が構成されている。ここに、シールド部材40における端壁部42bの外面のレベルと電子線放出部32における電子線放出面32aのレベルとの差は、例えば10~500μmであることが好ましい。これにより、電子線放出面32aから放射される電子を確実に電子引き出し電極46の電子線通過用開口46aに向かって指向させることができる。カソード電極31の上方には、カソード電極31における電子線放出部32に対向する位置に電子線通過用開口46aが形成された、電子線放出部32から電子線を放出するための電子引き出し電極46が当該電子線放出部32と離間して対向するよう配置されている。この電子引き出し電極46は、ベース35の一面上におけるベースフレーム36の外方位置に固定されたベースフレーム39によって支持固定された電子引き出し電極保持部材47とキャップ部材48における弧状に湾曲する先端部の内面とによって保持固定されている。ここに、電子引き出し電極46とカソード電極31の電子線放出部32における電子線放出面32aとの間の離間距離ギャップは例えば100~1000μmである。以上において、カソード電極31におけるカソード基板31b、シールド部材40、ベースフレーム36,39、電子引き出し電極46、電子引き出し電極保持部材47およびキャップ部材48を構成する材料としては、例えば、鉄もしくはニッケルの少なくとも一つを含む合金などを用いることができる。上記の電子線源装置30は、次のようにして作製することができる。先ず、図6Aに示すように、板状のカソード基板31bの一面上に、カーボンナノチューブよりなる電子線放出層31aを所定のパターンに従って選択的に形成すると共に、カソード基板31bの両側面および他面の全面に、カーボンナノチューブよりなる電子線放出層31aを形成することにより、複数の面状の電子線放出部32を有するカソード電極31を作製する。ここに、カーボンナノチューブよりなる電子線放出層31aをカソード基板31bの一面上に選択的に形成する方法としては、カソード基板31bの一面上における、形成すべき電子線放出層31a間の位置に、予め、例えばスパッタリングによりTiなどよりなる薄膜図示せずを選択的に形成しておき、当該薄膜が形成されていない領域に、上記において例示した方法を用いて形成することができる。次いで、図6Bに示すように、カソード電極支持用のベースフレーム36および電子引き出し電極保持部材支持用のベースフレーム39を、予め、板状のベース35の一面上における所定の位置に例えばガラスフリットで固着しておき、カソード電極31をベースフレーム36の一面上に配置する。そして、図6Cに示すように、端壁部42bにおける各々の電子線放出部32に対応する位置に開口43を形成したシールド部材40を、当該開口43を区画する隔壁部分44をカソード基板31bの一面における薄膜上に位置させると共にカソード電極31における電子線放出部32をシールド部材40における対応する開口43内に位置させた状態で、配置し、シールド部材40の胴部41をカソード電極31の側方の位置においてベースフレーム36の一面に例えばレーザ溶接により固定することによりカソード電極31をシールド部材40における端壁部42bの内面とベースフレーム36とによって保持固定する。これにより、隔壁部分44によって電子線レギュレータ部37が形成される。また、電子引き出し電極保持部材47をベースフレーム39に例えばレーザ溶接により固定する。そして、図6Dに示すように、カソード電極31における各々の電子線放出部32に対応する位置に電子線通過用開口46aを形成した電子引き出し電極46をキャップ部材48における先端部の内面に例えばレーザ溶接により固定しておき、図6Eに示すように、電子引き出し電極46における各々の電子線通過用開口46aをカソード電極31における各々の電子線放出部32に対して位置合わせした状態で、電子引き出し電極保持部材47に例えばレーザ溶接により固定し、以って、電子線源装置30を作製することができる。上記の電子線源装置30においては、カソード電極31と電子引き出し電極46との間に電圧が印加されると、当該カソード電極31における電子線放出部32から電子が放出され、この電子は、シールド部材40における開口43を区画する隔壁部分44の作用によって電子引き出し電極46の電子線通過用開口46aに向かって指向され、電子引き出し電極46の電子線通過用開口46aを介して放射される。而して、上記の電子線源装置30によれば、基本的には、シールド部材40の端壁部42bにおける開口43を区画する隔壁部分44によって構成された電子線レギュレータ部37の作用によって、電子引き出し電極46への電子衝突が抑制されるので、当該電子引き出し電極46が変形することを抑制することができ、しかも、電子線レギュレータ部37がカーボンナノチューブにより構成された電子線放出部32における電子線放出面32aと接触しない状態で配置されているので、当該電子線源装置30の作製工程において、当該電子線放出面32aが損傷されることを回避することができる。従って、電子線を均一な放射分布で安定して放射することができる。以上のように、本発明の電子線源装置は、電子線を均一な放射分布で安定して放射することができるものであるので、例えば、電子線を半導体発光素子に放射することにより当該半導体発光素子を発光させる電子線励起型光源装置における電子線源として極めて有用である。以下、本発明の電子線源装置を電子線源として用いた電子線励起型光源装置について説明する。電子線励起型光源装置図7は、本発明の電子線励起型光源装置の一例における構成の概略を示す説明図であり、Aは、側面断面図、Bは、光透過窓を取り外した状態を示す平面図である。なお、図7Bにおいては、便宜上、電子線源装置にハッチングが付してあり、A-A線における端面が図1または図4に示す断面構造を有する。この電子線励起型光源装置は、内部が負圧の状態で密閉された外形が直方体状の真空容器10を有し、この真空容器10は、上方が開口すると共に底壁中央位置に開口を有する容器基体11と、この容器基体11の上方開口に配置されて当該容器基体11に気密に封着された光透過窓15と、容器基体11の底壁における開口に配置されて当該容器基体11に気密に封着された高熱伝導部材16とによって構成されている。真空容器10内には、半導体発光素子20が、その表面図7Aにおいて上面20aが光透過窓15と離間して対向するよう配置され、この半導体発光素子20の周辺領域、具体的には、半導体発光素子20の表面上の領域および裏面上の領域以外の当該半導体発光素子20に近接した領域には、例えば上記の第1の実施の形態に係る電子線源装置30が、当該半導体発光素子20を取り囲むよう配置されている。具体的には、この例においては、電子線源装置30は円環状の帯状体として構成されており、電子線放出部32における電子線が放射される電子線放出面32aが半導体発光素子20における光が出射される表面20aと同方向を向いた姿勢すなわち真空容器10の光透過窓15を向いた姿勢で、半導体発光素子20を取り囲むよう配置され、この状態で、支持部材49を介して真空容器10における容器基体11の底壁に固定されている。半導体発光素子20および電子線源装置30は、真空容器10の内部から外部に引き出された導電線図7Aにおいて二点鎖線で示す。を介して、真空容器10の外部に設けられた、加速電圧を印加するための電子加速手段55に、半導体発光素子20が正極、電子線源装置30が負極となるよう電気的に接続されている。また、半導体発光素子20は、その裏面20bが真空容器10における容器基体11の底壁に固定された高熱伝導部材16の上面に固定されて配置されている。そして、半導体発光素子20に対して電子線源装置30より外方の位置には、電子線源装置30から放射された電子線の軌道を半導体発光素子20における光が放射される表面20aに向かって指向させる電界制御用電極50が配置されている。具体的には、電界制御用電極50は、電子線源装置30の外径より大きい内径を有する胴部51と、この胴部51に連続して形成された、先端図7Aにおいて上端に向かって小径となるテーパ部52とよりなる円筒体により構成されている。この電界制御用電極50は、電子線源装置30の外周を取り囲むよう配置されており、当該電界制御用電極50の基端が、真空容器10における容器基体11の底壁に固定されている。電子線源装置30および電界制御用電極50は、真空容器10の内部から外部に引き出された導電線図7Aにおいて二点鎖線で示す。を介して、真空容器10の外部に設けられた電界制御用電源57に、電子線源装置30が正極、電界制御用電極50が負極となるよう電気的に接続されている。真空容器10における容器基体11を構成する材料としては、石英ガラス等のガラス、アルミナ等のセラミックスなどの絶縁材料を用いることができる。また、真空容器10における光透過窓15を構成する材料としては、半導体発光素子20からの光を透過し得るものが用いられ、例えば石英ガラス、サファイアなどを用いることができる。また、真空容器10の内部の圧力は、例えば104~106Paである。真空容器10の寸法の一例を挙げると、容器基体11の外形の寸法が40mm×40mm×20mm、容器基体11の肉厚が2mm、容器基体11の開口が36mm×36mmで、光透過窓15の寸法が40mm×40mm×2mmである。高熱伝導部材16を構成する材料としては、銅などの熱伝導性の高い金属やダイヤモンドなどを用いることができる。半導体発光素子20は、図8に示すように、例えばサファイアよりなる基板21と、この基板21の一面上に形成された例えばAlNよりなるバッファ層22と、このバッファ層22の一面上に形成された、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造を有する活性層25とにより構成されている。この例における半導体発光素子20は、活性層25が真空容器10における光透過窓15に対向した状態で、基板21が高熱伝導部材16にロウ付け等で接合されている。基板21の厚みは、例えば10~1000μmであり、バッファ層22の厚みは、例えば100~1000nmである。また、半導体発光素子20における活性層25と電子線源装置30との離間距離は、例えば5~15mmである。また、半導体発光素子20における光が出射される表面20aと光透過窓15の内面との距離は、例えば3~25mmである。活性層25は、それぞれInxAlyGa1xyN0≦x<1,0<y≦1,xy≦1からなる単一量子井戸構造または多重量子井戸構造であり、単一または複数の量子井戸層26と単一または複数の障壁層27とが、バッファ層22上にこの順で交互に積層されて構成されている。量子井戸層26の各々の厚みは、例えば0.5~50nmである。また、障壁層27はその禁制帯幅が量子井戸層26のそれよりも大きくなるように組成を選択され、一例としては、AlNを用いればよく、各々の厚みは量子井戸層26の井戸幅より大きく設定され、具体的には、例えば1~100nmである。活性層25を構成する量子井戸層26の周期は、量子井戸層26、障壁層27および活性層25全体の厚みや、用いられる電子線の加速電圧などを考慮して適宜設定されるが、通常、1~100である。上記の半導体発光素子20は、例えばMOCVD法有機金属気相成長法によって形成することができる。具体的には、水素および窒素からなるキャリアガスと、トリメチルアルミニウムおよびアンモニアからなる原料ガスとを用い、サファイアよりなる基板21の0001面上に気相成長させることにより、所要の厚みを有するAlNからなるバッファ層22を形成した後、水素ガスおよび窒素ガスからなるキャリアガスと、トリメチルアルミニウム、トリメチルガリウム、トリメチルインジウムおよびアンモニアからなる原料ガスとを用い、バッファ層22上に気相成長させることにより、所要の厚みを有するInxAlyGa1xyN0≦x<1,0<y≦1,xy≦1からなる単一量子井戸構造または多重量子井戸構造を有する活性層25を形成し、以て、半導体発光素子20を形成することができる。上記のバッファ層22、量子井戸層26および障壁層27の各形成工程において、処理温度、処理圧力および各層の成長速度などの条件は、形成すべきバッファ層22、量子井戸層26および障壁層27の組成や厚み等に応じて適宜に設定することができる。また、InAlGaNよりなる量子井戸層26を形成する場合には、原料ガスとして、上記のものに加えてトリメチルインジウムを用い、処理温度をAlGaNよりなる量子井戸層26を形成する場合よりも低く設定すればよい。また、半導体多層膜の形成方法は、MOCVD法に限定されるものではなく、例えばMBE法分子線エピタキシー法なども用いることができる。電界制御用電極50を構成する材料としては、鉄、ニッケル、コバルト、クロム、アルミニウム、銀、銅、チタン、ジルコニウムのいずれかを含む金属材料などを用いることができる。電界制御用電極50の寸法の一例を示すと、胴部51の内径が34mm、軸方向の長さが12mm、テーパ部52の先端における内径が28mm、軸方向の長さが3mm、胴部51に対するテーパ部52の傾きは例えば45°、電界制御用電極50を構成する円筒体の肉厚が0.3mmである。上記の電子線励起型光源装置においては、電子線源装置30におけるカソード電極31と電子引き出し電極46との間に、真空容器10の外部に設けられた電子線放出用電源56によって電圧が印加されると、当該カソード電極31における電子線放出部32から電子が放出され、この電子は、ベースフレーム36の隔壁部分36bにより構成された電子線レギュレータ部37の作用によって電子引き出し電極46の電子線通過用開口46aに向かって指向され、電子引き出し電極46の電子線通過用開口46aを通過した電子は、半導体発光素子20とカソード電極31との間に印加された加速電圧によって、半導体発光素子20に向かって加速されて電子線が形成される。この電子線の軌道は、加速電圧および電界制御用電源57によって電子線源装置30と電界制御用電極50との間に印加される電圧によって、半導体発光素子20における光が放射される表面20aに向かって指向され、その結果、当該電子線は、半導体発光素子20の表面20aすなわち活性層25の表面に入射される。そして、半導体発光素子20においては、電子線が入射されることによって活性層25の電子が励起され、これにより、当該半導体発光素子20における電子線が入射された表面20aから紫外線などの光が放射され、真空容器10における光透過窓15を介して当該真空容器10の外部に出射される。以上において、電子線放出用電源56によってカソード電極31と電子引き出し電極46との間に印加される電圧は、例えば1~5kVである。また、電子加速手段55によって印加される電子線の加速電圧は、6~12kVであることが好ましい。加速電圧が過小である場合には、高い光の出力を得ることが困難となる。一方、加速電圧が過大である場合には、半導体発光素子20からX線が発生しやすくなり、また、電子線のエネルギーにより、半導体発光素子20がダメージを受けやすくなるため、好ましくない。また、電界制御用電源57によってカソード電極31と電界制御用電極50との間に印加される電圧は、例えば-2~2kVである。上記の電子線励起型光源装置によれば、上述したように、電子線源装置30が電子線を均一な放射分布で安定して放射することができるものであるので、半導体発光素子20に高い効率で電子線を入射することができ、半導体発光素子20に所期の発光効率を得ることができて出力の高い光を放射することができる。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の変更を加えることができる。本発明の電子線源装置は、電子線を半導体発光素子に放射することにより当該半導体発光素子を発光させる電子線励起型光源装置における電子線源としてだけでなく、例えば、電子源から放出された電子を蛍光体に衝突させて発光させる電界放出を利用したランプや電子線管、X線管などの電子管における電子線源としても好適に用いることができる。また、電子線源装置は、面状の電子線放出部を有するものであれば、その具体的な形状は特に限定されない。さらにまた、板状のカソード基板の一面において形成すべき電子線放出部のパターンに対応する位置に凹所を形成し、当該凹所の底壁にカーボンナノチューブよりなる電子線放出層を形成し、カソード基板における当該凹所を区画する隔壁部分によって電子線レギュレータ部が構成されていてもよい。また、本発明の電子線励起型光源装置においては、電子線源装置の配置位置は、半導体発光素子の周辺であって、当該半導体発光素子の光が出射される表面に電子線を入射することができる位置であれば、特に限定されない。また、電界制御用電極においては、テーパ部を形成することは必須のことではなく、例えば軸方向において外径および内径の各々が一様な円筒状のものであってもよい。また、電界制御用電極は、半導体発光素子に対して電子線源装置より内方の位置に配置されていてもよく、この場合には、電子線源装置に対して正となる電圧が印加される。但し、半導体発光素子に対して電子線を高い効率で入射することができる点で、電界制御用電極は、半導体発光素子に対して電子線源装置より外方の位置に配置されていることが好ましい。"