"半導体加工システムにおいて使用するために、アルミニウム、銅、およびマグネシウムを含む物体の表面上に酸化物層を作り出す方法であって、該方法は、約0重量と約0.1重量との間のバルク銅濃度と、約1.5重量よりも大きいバルクマグネシウム濃度とを有するバルク材料を含む該物体を提供する工程と、アルミナおよびマグネシウムの酸化物を含む該酸化物層を形成するために、プラズマ電解酸化プロセスを用いて該物体の該表面を酸化させる工程とを含む、方法。前記方法は、前記バルク銅濃度よりも小さい第二の銅濃度を有する第二材料の層を前記物体の前記表面上に堆積させる工程をさらに含み、そしてプラズマ電解酸化プロセスを用いて該物体の該表面を酸化させる前記工程は、該第二材料の層の厚さの少なくとも一部分を酸化させる工程を含む、請求項1に記載の方法。前記酸化物層の形成前に、前記第二材料の層のマグネシウム濃度を増加させる工程をさらに含む、請求項2に記載の方法。前記第二材料の層の前記マグネシウム濃度は、マグネシウムの削摩による移動を通して増加する、請求項3に記載の方法。プラズマ電解酸化プロセスを用いて前記物体の前記表面を酸化させる前記工程は、前記第二材料の層の少なくとも一部分を酸化させる工程を含む、請求項2に記載の方法。プラズマ電解酸化プロセスを用いて前記物体の前記表面を酸化させる前記工程は、前記第二材料の層の厚さを通り、それを超えて該物体の下部のバルク材料を酸化させる工程を含む、請求項2に記載の方法。前記第二材料の層を堆積させる前に、前記物体の前記表面を洗浄する工程をさらに含む、請求項2に記載の方法。前記プラズマ電解酸化プロセスを用いて前記物体の前記表面を酸化した後、材料を該物体の該表面から第一の深さまで除去する工程をさらに含み、ここで、酸化された層の最大銅濃度は、該材料が該物体の該表面から該第一の深さまで除去された後、約5000ppmまたは約5000ppm未満であり、該第一の深さにおけるマグネシウム濃度は、少なくとも約4000ppmである、請求項1に記載の方法。前記物体の酸化された表面から銅を抽出する工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。半導体加工システムにおいて使用するために、アルミニウム、マグネシウム、および銅を含む物体の表面上に保護層を作り出す方法であって、該方法は、バルク銅濃度を有するバルク材料と、プラズマ電解酸化プロセスを用いて生成される酸化物層とを含む該物体を提供する工程であって、該酸化物層は、約5000ppmまたは約5000ppm未満である最大銅濃度を有する該酸化物層における深さの関数として変動する銅濃度と、約4000ppm超である最小マグネシウム濃度を有する該酸化物層における深さの関数として変動するマグネシウム濃度とを有する、工程と、該酸化物層においてハロゲン化マグネシウムを形成するために、該酸化物層の表面をハロゲンを含む励起ガスまたはハロゲンを含むプラズマに曝し、それにより、該保護層を作り出す工程とを含む、方法。前記バルク銅濃度は、約0.1重量よりも大きい、請求項10に記載の方法。前記バルクマグネシウム濃度は、約1重量未満である、請求項11に記載の方法。アルミニウム、銅、およびマグネシウムを含む物体の表面上に酸化物層を作り出す方法であって、該方法は、重量でのバルク銅濃度を有するバルク材料を含む該物体を提供する工程と、該バルク銅濃度よりも小さい第二の銅濃度を有する第二材料の層を該物体の表面上に堆積させる工程と、プラズマ電解酸化プロセスを用いて堆積された層の少なくとも外側の厚さを酸化させる工程とを含む、方法。前記第二材料の層のマグネシウム濃度を増加させる工程をさらに含む、請求項13に記載の方法。前記第二材料は、前記バルクマグネシウム濃度よりも大きいマグネシウム濃度を含む、請求項13に記載の方法。プラズマ電解酸化プロセスを用いて前記第二材料の層の少なくとも外側の厚さを酸化させる工程は、少なくとも前記堆積された層の厚さ全体を通して酸化させる工程を含む、請求項13に記載の方法。アルミニウム、銅、およびマグネシウムを含む物体の表面上に酸化物層を作り出す方法であって、該方法は、重量でのバルク銅濃度と、重量でのバルクマグネシウム濃度とを有するバルク材料を含む該物体を提供する工程と、該物体を該バルク銅濃度よりも小さい第二の銅濃度を有する第二材料の層と接触させる工程と、該バルク材料から該第二材料の層に銅を拡散させるために該物体を加熱する工程と、該物体から該第二材料の層を除去する工程と、プラズマ電解酸化プロセスを用いて該物体の該表面を酸化させる工程とを含む、方法。前記物体を第二材料の層と接触させる工程は、該物体の前記表面上に該第二材料の層を堆積させる工程を含む、請求項17に記載の方法。前記物体を第二材料の層と接触させる工程は、該第二材料の層または該物体を該材料の第二層が該物体の前記表面に接触するまで移動させる工程を含む、請求項17に記載の方法。前記物体から前記第二材料の層を除去する工程は、該第二材料の層または該物体を少なくとも該材料の第二層が該物体の前記表面から分離されるまで移動させる工程を含む、請求項19に記載の方法。半導体加工システムにおいて使用するための、アルミニウム、銅、およびマグネシウムを含む物体の表面を処理するための方法であって、該方法は、銅アルミニウム、およびマグネシウムを含むバルク領域と、プラズマ電解酸化プロセスによって生成される酸化物層とを含む該物体を提供する工程であって、該酸化物層は、該酸化物層における深さの関数として変動するマグネシウム濃度と、それぞれが第一の深さにおいて約5000ppmよりも大きい最大銅濃度を有する該酸化物層における深さの関数として変動する銅濃度とを有する工程と、該酸化物層の一部分を、該第一の深さを超えて、第二の深さまで除去する工程とを含み、ここで、該第二の深さにおける該銅濃度は、約5000ppmまたは約5000ppm未満であり、該第二の深さにおける該マグネシウム濃度は、約4000ppmよりも大きい、方法。前記酸化物層の一部分は、化学的機械的プロセスを用いて除去される、請求項21に記載の方法。前記酸化物層の一部分は、機械的プロセスを用いて除去される、請求項21に記載の方法。前記酸化物層の一部分は、化学的エッチングを用いて除去される、請求項21に記載の方法。前記酸化物層の一部分は、電気化学的機械的プロセスを用いて除去される、請求項21に記載の方法。半導体加工システムにおいて使用するための、アルミニウム、銅、およびマグネシウムを含む物体の表面を処理するための方法であって、該方法は、銅およびアルミニウムを含むバルク領域と、プラズマ電解酸化プロセスによって生成される酸化物層とを含む該物体を提供する工程と、該酸化物層における最大銅濃度が約4000ppmまたは約4000ppm未満であるまで該酸化物層から銅を抽出する工程とを含み、該酸化物層は、該酸化物層における深さの関数として変動する銅濃度を有する、方法。前記銅は、化学的プロセスを用いて抽出される、請求項26に記載の方法。前記化学的プロセスは、電気化学的プロセスである、請求項26に記載の方法。削摩による移動プロセスによって、前記酸化物層におけるマグネシウム濃度を増加させる工程をさらに含む、請求項26に記載の方法。前記酸化物層をドーピングすることによって該酸化物層におけるマグネシウム濃度を増加させる工程をさらに含む、請求項26に記載の方法。物体の表面を処理するための方法であって、該方法は、アルミニウムを含み、バルク銅濃度を有するバルク領域と、プラズマ電解酸化プロセスによって生成される酸化物層とを含む該物体を提供する工程と、少なくとも保護層の最大銅濃度が約5000ppmまたは約5000ppm未満であるまで銅を拡散させるために該物体にエネルギーを付与する工程とを含み、該酸化物層は、該酸化物層における深さの関数として変動するマグネシウム濃度と該バルク銅濃度よりも大きい最大銅濃度を有する該酸化物層における深さの関数として変動する銅濃度とを有する、方法。銅を拡散させるために前記物体にエネルギーを付与する工程は、前記酸化物層にわたって電位勾配を付与する工程と、該銅の拡散を高めるために該物体を加熱する工程とを含む、請求項31に記載の方法。前記酸化物層にわたる前記電位勾配は、約300Vと約1000Vとの間である、請求項32に記載の方法。前記酸化物層にわたる前記電位勾配は、該酸化物層の破壊電圧の約30と約80との間である、請求項32に記載の方法。前記銅の拡散を高めるために前記物体を加熱する工程は、約50°Cと約350°Cとの間の温度まで該物体を加熱する工程を含む、請求項32に記載の方法。前記酸化物層にわたって電位勾配を付与する工程は、電気的接続のために、該酸化物層の表面に隣接する電解質を該物体の表面に提供する工程をさらに含む、請求項32に記載の方法。前記電解質は導電性のポリマーである、請求項36に記載の方法。銅を拡散させるために前記物体にエネルギーを付与する工程は、生産時間の尺度において該銅の拡散を可能にする最低温度と生産時間の尺度においてマグネシウムの拡散を可能にする温度よりも低い最大温度との間の温度範囲における温度まで、該物体の少なくとも一部分を加熱する工程と、該温度範囲における該物体の一部分を、少なくとも前記保護層における最大銅濃度が約5000ppmまたは約5000ppm未満であるまで維持する工程とを含む、請求項31に記載の方法。前記温度範囲は、約150°Cと約350°Cとの間である、請求項38に記載の方法。反応性ガス源を用いて使用するためのプラズマチャンバーであって、該プラズマチャンバーは、ガスを受け取るための入り口と、該ガスを含むのに適した少なくとも1つのプラズマチャンバー壁と、プラズマと該ガスとの相互作用によって発生する反応性ガスを排出するための出口とを含み、該プラズマチャンバー壁は、バルク銅濃度を有するバルク材料とプラズマ電解酸化プロセスを用いて生成される酸化物層とを含み、該酸化物層は、約5000ppmまたは約5000ppm未満である最大銅濃度を有する該酸化物層における深さの関数として変動する銅濃度と、約4000ppm超である最小マグネシウム濃度を有する該酸化物層における深さの関数として変動するマグネシウム濃度とを有する、プラズマチャンバー。反応性ガス源を用いて使用するための半導体プロセスチャンバーであって、該プロセスチャンバーは、励起ガスまたはプラズマを受け取るための入り口と、該ガスを含むのに適した少なくとも1つのプロセスチャンバー壁とを含み、該プロセスチャンバー壁は、バルク銅濃度を有するバルク材料とプラズマ電解酸化プロセスを用いて生成される酸化物層とを含み、該酸化物層は、約5000ppmまたは約5000ppm未満である最大銅濃度を有する該酸化物層における深さの関数として変動する銅濃度と、約4000ppm超である最小マグネシウム濃度を有する該酸化物層における深さの関数として変動するマグネシウム濃度とを含む、半導体プロセスチャンバー。概して、1つの局面において、本発明のいくつかの例示的な実施形態は、プラズマ電解酸化PEOプロセスを用いて、物体例えば、チャンバー壁上に酸化物コーティングを製造する方法に関し、ここで上記コーティングは、後の加工において、ハロゲン化マグネシウムに変換され得る十分なマグネシウムを供給するために、低減された表面銅濃度、および維持されたまたは高いマグネシウム濃度を有する。酸化物コーティングまたは半導体加工装置において使用するための物体における低減されたまたは低い銅濃度と、増加したまたは高いマグネシウム濃度との組み合わせは、増加した耐腐食性/耐侵食性だけではなく、銅汚染が低減されるに従って増加した収量も提供する。別の局面において、本発明の実施形態は、低減された/低い銅濃度と増加した/高いマグネシウム濃度との組み合わせを有した酸化物層を有する物体を含むプラズマまたは半導体プロセスチャンバーに関する。別の局面において、本開示は、半導体加工システムにおいて使用するために、アルミニウム、銅、およびマグネシウムを含む物体の表面上に酸化物層を作り出す方法を提供する。この局面の実施形態において、上記方法は、上記物体を提供する工程を含み、ここで上記物体は、約0重量と約0.1重量との間のバルク銅濃度および約1.5重量よりも大きいバルクマグネシウム濃度を有するバルク材料を含む。上記方法はまた、アルミナおよびマグネシウムの酸化物を含む上記酸化物層を形成するために、プラズマ電解酸化プロセスを用いて上記物体の表面を酸化させる工程を含む。低減された銅濃度および比較的高いマグネシウム濃度を有したバルク材料を有する物体を提供することによって、プラズマ電解酸化プロセス中に汚染物質として上記酸化物層に組み込まれるより少ない銅が使用可能であり、上記酸化物層に組み込まれるさらなるマグネシウムが使用可能であり、上記マグネシウムは、さらなる加工において、ハロゲン化マグネシウムに変換され得る。いくつかの実施形態において、上記方法は、上記バルク銅濃度よりも小さい第二の銅濃度を有する第二材料の層を上記物体の表面上に堆積させる工程をさらに含む。プラズマ電解酸化プロセスを用いて上記物体の表面を酸化させる工程は、上記第二材料の層の厚さの少なくとも一部分を酸化させる工程を含む。上記表面を酸化させる工程は、上記第二材料の層の厚さを通して酸化させる工程、または上記第二材料の層の厚さを通り、それを超えて物体の下部のバルク材料を酸化させる工程を含み得る。いくつかの実施形態において、上記物体の表面は、上記第二材料の層を堆積させる前に洗浄され得る。いくつかの実施形態において、上記第二材料の層のマグネシウム濃度は、上記酸化物層の形成前に増加する。上記マグネシウム濃度は、マグネシウムの削摩による移動ablativetransferまたは別の適切な方法を通して増加し得る。いくつかの実施形態において、銅は、上記酸化物層の形成後に上記酸化物層の表面から除去されるか、または抽出される。上記方法は、プラズマ電解酸化プロセスを用いて上記物体の表面を酸化した後、材料を上記物体の表面から第一の深さまで除去する工程をさらに含み得る。酸化された層の最大銅濃度は、上記材料が上記物体の表面から上記第一の深さまで除去された後、約5000ppmまたは約5000ppm未満である。上記第一の深さにおけるマグネシウム濃度は、上記材料が上記物体の表面から上記第一の深さまで除去された後に少なくとも約4000ppmである。この局面の別の実施形態において、アルミニウム、銅、およびマグネシウムを含む物体の表面上に酸化物層を作り出すための方法が、提供され、この方法は、重量でのバルク銅濃度を有するバルク材料を含む上記物体を提供する工程、および上記バルク銅濃度よりも小さい第二の銅濃度を有する第二材料の層を上記物体の表面上に堆積させる工程を含む。上記方法は、プラズマ電解酸化プロセスを用いて堆積された層の少なくとも外側の厚さを酸化させる工程をさらに含む。いくつかの実施形態において、上記第二材料におけるマグネシウム濃度は、バルクマグネシウムよりも大きいものであり得る。上記方法は、第二材料の層におけるマグネシウム濃度を増加させる工程をさらに含み得る。この局面のさらに別の実施形態において、アルミニウム、銅、およびマグネシウムを含む物体の表面上に酸化物層を作り出すための方法は、提供され、重量でのバルク銅濃度および重量でのバルクマグネシウム濃度を有するバルク材料を含む上記物体を提供する工程、ならびに上記物体を上記バルク銅濃度よりも小さい第二の銅濃度を有する第二材料の層と接触させる工程を含む。上記方法はまた、上記バルク材料から上記第二材料の層に銅を拡散させるために上記物体を加熱する工程、上記物体から上記第二材料の層を除去する工程、およびプラズマ電解酸化プロセスを用いて上記物体の表面を酸化させる工程を含む。いくつかの実施形態において、上記物体を第二材料の層と接触させる工程は、上記第二材料の層を上記物体の表面上に堆積させる工程を含む。他の実施形態において、上記物体を第二材料の層と接触させる工程は、ある量の第二材料を、そのある量の第二材料が上記物体の表面に接触するまで物理的に移動させる工程を含む。別の局面において、半導体加工システムにおいて使用するための、アルミニウム、銅、およびマグネシウムを含む物体の表面を処理するための方法が提供される。この局面の実施形態において、方法は、バルク領域および酸化物層を有する物体を提供する工程、ならびに上記酸化物層の一部分を除去する工程を含む。上記バルク領域は、銅、アルミニウム、およびマグネシウムを含む。上記酸化物層は、プラズマ電解酸化プロセスによって生成され、マグネシウム濃度および銅濃度を有し、上記マグネシウム濃度および上記銅濃度は、それぞれが第一の深さにおいて約5000ppmよりも大きい最大銅濃度を有する上記酸化物層における深さの関数として変動する。上記酸化物層の一部分は、上記第一の深さを超えて、上記銅濃度が約5000ppmまたは約5000ppm未満であり、上記マグネシウム濃度が約4000ppmよりも大きい第二の深さまで除去される。いくつかの実施形態において、上記第二の深さにおける銅濃度は、約5000ppmまたは約5000ppm未満である。いくつかの実施形態において、上記酸化物層の一部分は、化学的機械的プロセス、機械的プロセス、化学的エッチング、電気化学的機械的プロセス、または前述の任意の組み合わせを用いて除去される。この局面の別の実施形態において、上記方法は、バルク領域および酸化物層を有する物体を提供する工程、および上記酸化物層から銅を抽出する工程を含む。上記バルク領域は、銅およびアルミニウムを含む。上記酸化物層は、プラズマ電解酸化プロセスによって生成され、上記酸化物層の深さの関数として変動する銅濃度を有する。上記銅は、上記酸化物層における最大銅濃度が約5000ppmまたは約5000ppm未満であるまで上記酸化物層から抽出される。いくつかの実施形態において、上記銅は、上記酸化物層における最大銅濃度が約4000ppmまたは約4000ppm未満であるまで上記酸化物層から抽出される。いくつかの実施形態において、上記銅は、化学的プロセスまたは電気化学的プロセスを用いて抽出される。いくつかの実施形態において、上記酸化物層におけるマグネシウム濃度は、削摩による移動プロセスを用いて、または上記酸化物層をドーピングすることによって増加する。この局面の別の実施形態において、上記方法は、バルク領域および酸化物層を有する物体を提供する工程、ならびに銅を拡散させるために上記物体にエネルギーを付与する工程を含む。上記バルク領域は、アルミニウムを含み、バルク銅濃度を有する。上記酸化物層は、プラズマ電解酸化プロセスによって生成される。上記酸化物層は、上記酸化物層における深さの関数として変動するマグネシウム濃度、および上記バルク銅濃度よりも大きい最大銅濃度を有する上記酸化物層における深さの関数として変動する銅濃度を有する。エネルギーは、少なくとも上記酸化物層の最大銅濃度が約5000ppmまたは約5000ppm未満であるまで銅を拡散させるために上記物体に付与される。いくつかの実施形態において、エネルギーは、少なくとも上記酸化物層の最大銅濃度が約4000ppmまたは約4000ppm未満であるまで銅を拡散させるために上記物体に付与される。いくつかの実施形態において、銅を拡散させるためにエネルギーを上記物体に付与する工程は、上記酸化物層にわたって電位勾配を付与する工程;および銅の拡散を高めるために上記物体を加熱する工程を含む。いくつかの実施形態において、上記酸化物層にわたって付与される電圧は、約300Vと約1000Vとの間である。いくつかの実施形態において、上記酸化物層を横切る電圧は、上記酸化物層の破壊電圧の約30と約80との間である。いくつかの実施形態において、銅の拡散を高めるために上記物体を加熱する工程は、約50°Cと約350°Cとの間の温度まで上記物体を加熱する工程を含む。上記酸化物層にわたって電位勾配を付与する工程は、上記物体の表面に対する電気的接続のために、上記酸化物層の表面に隣接する電解質を提供する工程をさらに含み得る。上記電解質は、導電性のポリマーであり得る。いくつかの実施形態において、銅を拡散させるためにエネルギーを上記物体に付与する工程は、生産時間の尺度において銅の拡散を可能にする最低温度と生産時間の尺度においてマグネシウムの拡散を可能にする温度よりも低い最大温度との間の温度範囲における温度まで、上記物体の少なくとも一部分を加熱する工程を含む。エネルギーを付与する工程は、温度範囲における上記物体の一部分を、少なくとも上記酸化物層における最大銅濃度が約5000ppmまたは約5000ppm未満であるまで維持する工程をさらに含み得る。いくつかの実施形態において、上記温度範囲は、約150°Cと約350°Cとの間である。別の局面において、半導体加工システムにおいて使用するために、アルミニウム、マグネシウム、および銅を含む物体の表面上に保護層を作り出す方法が提供される。上記方法は、バルク銅濃度を有するバルク材料、およびプラズマ電解酸化プロセスを用いて生成される酸化物層を含む上記物体を提供する工程、ならびに上記酸化物層の表面をハロゲンを含む励起ガスまたはハロゲンを含むプラズマに曝す工程を含む。上記酸化物層は、約5000ppmまたは約5000ppm未満である最大銅濃度を有する、深さの関数として変動する銅濃度、および約4000ppm超である最小マグネシウム濃度を有する、深さの関数として変動するマグネシウム濃度を有する。上記酸化物層の表面がハロゲンを含む励起ガスまたはハロゲンを含むプラズマに曝される場合、ハロゲン化マグネシウムは、上記酸化物層において形成され、それにより、保護層を作り出す。いくつかの実施形態において、上記酸化物層における最大銅濃度は、約4000ppmまたは約4000ppm未満である。いくつかの実施形態において、バルク銅濃度は、約0.1重量超であり、そして/または上記バルクマグネシウム濃度は、約1重量未満である。別の局面において、反応性ガス源を用いて使用するためのプラズマチャンバーが提供される。上記プラズマチャンバーは、ガスを受け取るための入り口、ガスを含むのに適した少なくとも1つのプラズマチャンバー壁、およびプラズマとガスとの相互作用によって発生する反応性ガスを排出するための出口を含む。上記プラズマチャンバー壁は、バルク銅濃度を有するバルク材料およびプラズマ電解酸化プロセスを用いて生成される酸化物層を含む。上記酸化物層は、約5000ppmまたは約5000ppm未満である最大銅濃度を有する上記酸化物層における深さの関数として変動する銅濃度、および約4000ppm超である最小マグネシウム濃度を有する上記酸化物層における深さの関数として変動するマグネシウム濃度を有する。いくつかの実施形態において、上記最大銅濃度は、約4000ppmまたは約4000ppm未満である。さらに別の局面において、反応性ガス源を用いて使用するための半導体プロセスチャンバーが提供される。上記半導体プロセスチャンバーは、励起ガスまたはプラズマを受け取るための入り口、およびガスを含むのに適した少なくとも1つのプロセスチャンバー壁を含む。上記プロセスチャンバー壁は、バルク銅濃度を有するバルク材料およびプラズマ電解酸化プロセスを用いて生成される酸化物層を含む。上記酸化物層は、約5000ppmまたは約5000ppm未満である最大銅濃度を有する上記酸化物層における深さの関数として変動する銅濃度、および約4000ppm超である最小マグネシウム濃度を有する上記酸化物層における深さの関数として変動するマグネシウム濃度を含む。いくつかの実施形態において、上記最大銅濃度は、約4000ppmまたは約4000ppm未満である。プラズマ電解酸化PEOプロセスを用いて金属表面上に作り出される保護層は、従来の陽極酸化を用いて生成される保護層よりも腐食/侵食に対して抵抗性がある。例えば、プラズマ電解酸化によって生成されるコーティングの腐食/侵食速度は、一般に、III型硬質陽極処理によって生成される同様のコーティングの腐食/侵食速度の2分の1~5分の1である。結果として、プラズマチャンバーのためにアルミニウム材料を利用するプラズマ発生器において、PEOは、耐腐食性/耐侵食性を増加させるために、チャンバー表面に付与され得る。PEOプロセスを用いて酸化物コーティングを形成するための方法は、2009年7月8日に出願された発明の名称MethodsandApparatusforProtectingPlasmaChamberSurfaceの米国特許出願第12/499,453号以下、‘453出願に記載され、その内容全体は、本明細書中で参考として援用される。出願人は、一般的に使用されるアルミニウム合金例えば、アルミニウム6061の物体上にPEOプロセスによって形成された酸化物層が、増加した耐腐食性/耐侵食性を有するが、上記酸化物層を形成するプロセスは、上記物体のバルクにおける銅濃度よりも高い銅濃度を上記酸化物層の表面においてもたらし得ることを理解した。出願人は、PEOプロセスを用いて生成される酸化物コーティングにおける銅濃度が、コーティングの表面において、またはコーティングの表面近くで最も高いこと、および一般に深さが増加するごとに低下することを観測した。上記酸化物層におけるピーク銅濃度は、上記層が覆うバルク材料における銅濃度よりも高いことがあり得る。上に説明されるように、低濃度の銅は、ケイ素における銅の高い拡散速度に起因して、半導体加工における欠陥を引き起こし得る。半導体加工システムにおける物体の表面例えば、チャンバー壁において濃縮される銅は、上記物体からサンプル例えば、ウェーハ、または他の半導体加工装置に銅が移動するリスクに起因して特に問題があり得る。従って、その改善された耐腐食性/耐侵食性にも関わらず、PEOプロセスを用いて生成される物体上の酸化物コーティングの表面における増加した銅濃度は、銅汚染の増大したリスクに起因して、上記物体をいくつかの半導体加工環境において使用することに適さなくさせ得る。従って、例示的な実施形態は、低減された銅濃度を有する保護用PEO酸化物コーティングを製造する方法に関する。多くの一般的なアルミニウム合金は、低濃度の銅、およびケイ素、鉄、クロム、マグネシウム、マンガン、亜鉛、チタンなどのような他の元素を含む。銅のような汚染物質の濃度を低減させるいくつかの方法はまた、上記アルミニウム合金における他の元素の濃度を低減し得る。上記‘453出願は、プラズマ電解酸化プロセスを用いて生成され、相当な量のハロゲン化マグネシウムを含む保護用酸化物層PEO層が、より少ないハロゲン化マグネシウムを有するPEO層よりも腐食/侵食に対する増加した抵抗性を有することを説明する。上記‘453出願は、約1重量と約6重量との間のマグネシウム濃度を有するアルミニウム合金物体上にPEO層を形成し、次に上記PEO層をプラズマまたはハロゲン化物を有する励起ガスに曝すことによって、上記物体上にハロゲン化マグネシウムを有する保護用PEO層を形成する工程を記載する。出願人は、アルミニウム合金の物体上でPEOプロセスを行う工程は、バルクアルミニウム合金のマグネシウム濃度に対して増加したマグネシウム濃度を有するPEO層をもたらし得ることを観測した。しかし、上記PEOプロセスはまた、表面において、または表面の近くで、上記バルクアルミニウム合金の銅濃度に対して増加した銅濃度を有する酸化物層をもたらし得、このことは、望ましくない。従って、例示的な実施形態は、PEOプロセスを用いて物体上に酸化物コーティングを製造する方法に関し、ここで、上記コーティングは、上記物体のバルクにおける銅の濃度と同等またはより低いピーク銅濃度、および上記物体のバルクにおけるマグネシウム濃度に対して維持されたまたは増加したマグネシウム濃度を有する。本明細書中に記載される実施形態は、半導体加工において使用される物体の表面上に保護層を作り出すために有用である。例えば、半導体加工システムにおけるプラズマ源の内壁を覆う保護層は、内壁の表面侵食例えば、上記保護層の下の材料の融解、蒸発、昇華、腐食、スパッターを低減し得る。表面侵食を低減する工程は、最終的に、粒子発生および半導体加工システムにおいて行われるプロセスの汚染を低減する。別の例として、上記保護層はまた、上記プラズマ源の内壁における反応性ガスの表面反応または再結合に起因して、別の方法で生じ得る反応性ガスの損失を低減し得る。上記保護層はまた、プラズマ源において働き得るプラズマ化学のタイプを広げる。上記保護層は、プラズマチャンバーが、水素、酸素、または窒素ベースの化学例えば、H2O、H2、O2、N2、ハロゲンベースの化学例えば、NF3、CF4、C2F6、C3F8、SF6、Cl2、ClF3、Brにおいて、ならびにハロゲン、水素、酸素、または窒素ベースの化学とAr-燃焼工程との混合および/または迅速なサイクリングにおいて働くこと例えば、より少ない汚染物質を生成することがより可能であるようにする。従って、上記保護層は、プラズマ源の働きをより高い力のレベルまで広げ、上記層の存在を通して上記物体の絶縁破壊電圧を改善し、最終的に製品コストおよび所有のコストを低下させる。概して、本明細書中に記載される実施形態は、低減されたピーク銅濃度を有し、維持されたまたは増加したマグネシウム濃度を有する酸化物層を有する物体を提供し、上記ピーク銅濃度の低減は、銅汚染のリスクを低減し、上記マグネシウム濃度の維持または増加は、上記酸化物層の耐腐食性/耐侵食性を増加させるために、上記酸化物層においてハロゲン化マグネシウムを形成するためのマグネシウムを提供する。いくつかの実施形態において、上記物体の酸化物層の銅濃度は、低減され、上記酸化物層のマグネシウム濃度は、物体がPEOプロセスを経る前の上記物体のバルク材料の銅濃度およびマグネシウム濃度の選択を通して上昇するか、または維持される。いくつかの実施形態において、低減された銅濃度および上昇したまたは維持されたマグネシウム濃度を有する第二材料の層は、上記物体上に堆積され、次に上記第二材料の層の少なくとも一部分は、PEOプロセスを用いて酸化される。いくつかの実施形態は、物体のバルク材料の銅濃度を低減するために、上記物体の表面がPEOプロセスを用いて酸化される前に、少なくとも物体の表面の近くで、高められた温度において拡散を用いる。いくつかの実施形態において、PEOプロセスを用いた上記酸化物層の形成後に、酸化物層のピーク銅濃度は低減され、上記酸化物層のマグネシウム濃度は、維持されるか、または増加させられる。例えば、銅は、多様な方法例えば、溶液における銅の溶解を用いて上記酸化物層から抽出され得る。別の例として、上記酸化物層におけるピーク銅濃度は、上記物体の温度を上記酸化物層における銅を拡散させて、より一様な分布を生じ得るために十分に高い温度まで上昇させることによって低減される。さらに別の実施形態において、上記酸化物層におけるピーク銅濃度は、上記物体の少なくとも一部分の温度を上昇させること、および電気移動を用いて表面から銅を追い出すために上記酸化物層にわたって電圧を印加することによって低減され得る。いくつかの実施形態において、ピーク銅濃度は、最大銅濃度を含む上記酸化物層の外側部分を除去することによって低減される。いくつかの実施形態において、複数の異なる方法および技術は、プラズマ電解酸化プロセスを用いて形成される酸化物層において、銅濃度を低減し、マグネシウム濃度を増加させるか、または維持するために組み合わせられる。いくつかの実施形態において、低減された銅濃度および維持されたまたは増加したマグネシウム濃度を有する上記酸化物層は、ハロゲン化マグネシウムを形成するために、ハロゲン化物を含むガス、またはハロゲン化物を含むプラズマに曝され、それにより、上記物体において増加した耐腐食性/耐侵食性を有する保護層を作り出す。上記物体は、プラズマチャンバーのチャンバー壁、または半導体プロセスチャンバーであり得、曝露は、上記チャンバーを用いて半導体製作プロセスを実施中に生じ得る。図1Aは、第一の例示的な実施形態に従って、アルミニウム、銅、およびマグネシウムを含む物体例えば、半導体加工システムにおいて使用するための物体の表面上に、低減された銅濃度を有する酸化物層を作り出すための方法100を例示するフローチャートである。最初に、約0重量と約0.1重量との間のバルク銅濃度、および約1.5重量よりも大きいバルクマグネシウム濃度を有するバルク材料を含む物体が提供される工程102。本明細書を通して、パーセントとして列挙される濃度は、重量での濃度パーセントを指す。同様に、ppmで列挙される濃度は、重量での百万分率における濃度を指す。上記物体の表面は、プラズマ電解酸化PEOプロセスを用いて酸化され工程106、これは、酸化物層であって、この酸化物層の中に配置される酸化マグネシウムを含む酸化物層を上記物体の表面上に生成する。上記PEOプロセスは、上記物体の下部のバルク材料を保護する密な酸化物層を作り出す。上記酸化物層におけるマグネシウムの酸化物は、上記物体のさらなる加工中に、ハロゲン化マグネシウムに変換され得るか、またはハロゲン化マグネシウムに少なくとも部分的に変換され得る。例えば、図1Bは、例示的な実施形態に従って、ハロゲン化マグネシウムを形成する工程を含む、物体の表面上に保護層を作り出す方法を例示するフローチャートである。バルク銅濃度を有するバルク材料と、PEOプロセスを用いて生成される酸化物層とを有する物体例えば、プラズマチャンバーにおいて使用されるための材料が提供される工程112。上記酸化物層は、いくつかの実施形態において、約5000ppm未満である上記酸化物層における最大銅濃度を有する、深さの関数として変動する銅濃度を有する。他の実施形態において、上記酸化物層における最大銅濃度は、約4000ppm未満である。上記酸化物層はまた、約4000ppm超である上記酸化物層における最小マグネシウム濃度を有する、深さの関数として変動するマグネシウム濃度を有する。上記酸化物層における上記マグネシウムのうちの少なくともいくつかは、酸化マグネシウムの形態である。いくつかの実施形態において、上記方法は、ハロゲン化物を含むガスハロゲン化物含有ガスを励起する工程、またはハロゲン化物を含むプラズマハロゲン化物含有プラズマを作り出す工程を含み得る工程114。工程116において、上記酸化物層における上記マグネシウムのうちの少なくともいくつかは、上記酸化物層を励起ハロゲン化物含有ガスに、またはハロゲン化物含有プラズマに曝すことによって、ハロゲン化マグネシウムに変化され、それにより、保護層を作り出す。その酸化された層すなわち、上記保護層において形成される上記ハロゲン化マグネシウムは、上記物体の耐腐食性/耐侵食性を増加させる。工程102において提供される上記物体の組成の重要性を説明する前に、プラズマ電解酸化を用いるプロセス工程106が説明される。プラズマ電解酸化PEOと省略され、また、マイクロアーク酸化と称されるは、金属の表面上に酸化物層を作り出すための電気化学的プロセスを表す用語である。PEOプロセスにおいて、酸化物層は、低濃度アルカリ性電解液に金属基材例えば、アルミニウム合金を浸し、パルスAC電流を電解液に通すことによって作り出される。プラズマ放電は、パルスAC電流に応答して基材表面上に形成される。上記放電は、金属表面を密な硬質酸化物例えば、上記基材がアルミニウムである場合に、主にアルミナまたは酸化アルミニウムに変換する。元素の共蒸着プロセスは、同時に生じる。下により詳細に記載されるように、上記プロセスは、上記基材から酸化された層へ他の合金元素を組み込む例えば、上記アルミニウム合金基材から上記酸化された層へ銅CuおよびマグネシウムMgを引き込むこと。上記PEOで酸化された層のCuおよびMgの濃度は、数個の因子例えば、形成酸化物におけるCuおよびMgの拡散速度、上記基材におけるCuおよびMgの濃度、上記酸化物中に包含するための使用可能なCuおよびMgの動態、および上記酸化物中の電界強度などに依存する。上記基材からの元素は、上記酸化物層に組み込まれるので、上記酸化物層の化学組成は、下部の基材の化学組成によって影響され得る。実質的に厚く均一な酸化物コーティングは、代表的に、上記PEOプロセス中に生じる電気化学的反応および物理的反応に応答して、上記基材の表面上に形成される。プラズマ電解酸化プロセスを用いて形成される上記酸化物層または酸化物コーティングは、本明細書中でPEO層またはPEOコーティングと称され得る。プラズマチャンバーまたは半導体プロセスチャンバーにおいて表面を保護するために使用されるPEO層の厚さは、代表的に、厚さが約1ミクロンと約100ミクロンとの間であるが、上記層の厚さは、実施形態がこの点に関して限定されないので、この範囲外にあり得る。概して、PEOプロセスを用いて形成される酸化物層は、主に三層からなる;外層、部分的に結晶化された層、および転移層。上記外層は、上記酸化物層の厚さの合計の約30~約40を占める。上記部分的に結晶化された層は、上記外層と上記転移層との間に位置する。上記転移層は、上記金属基材上に直接位置する薄い層である。種々の電解液は、PEOプロセスにおいて密な酸化物層を形成するために使用され得る。いくつかのPEOプロセスは、市販されている。上記プロセスをサービスとして提供する1つの供給業者は、KeroniteInternationalLtd.GrantaPark,GreatAbington,Cambridge,CB216GP,UKである。従来の陽極処理プロセスを用いて金属の表面上に形成される酸化物層と比較して、PEOは、より硬い、より多孔性でなく、より耐腐食性/耐侵食性がある層を作り出す。低電位代表的に、数十ボルトを用いて実施される従来の陽極処理と比較して、PEOは、高電位代表的に、数百ボルトの印加を含む。プラズマ電解酸化において印加される上記高電位は、上記物体の表面においてプラズマを生成する電気的放電をもたらす。上記プラズマは、上記酸化物層の構造を改変し、高める。PEOの間に、上記酸化物は、上記物体のもともとの金属表面から外に向かって成長し、上記物体における金属を酸化物に変換することによってもともとの金属表面の内方に成長する。結果として、上記金属内の元素は、従来の陽極処理プロセスを通してよりも容易に、PEOで加工された酸化物に組み込まれる。PEO層を形成後、方法110は、工程114においてハロゲンを含むガスを励起する工程またはハロゲンを含むプラズマを生成する工程を含み得るすなわち、任意選択の工程。その励起されたガスは、プラズマを形成し得るか、またはプラズマによって生成され得る。ハロゲンまたはハロゲン元素は、周期表のVII族およびVIIA族からの非金属元素例えば、フッ素である。実施形態において有用である例示的なハロゲン含有ガスとしては、例えば、NF3、F2、CF4、C2F6、C3F8、SF6、Cl2、ClF3、ならびにBr2およびBrClが挙げられる。上記ハロゲン含有ガスは、反応性ガス発生器例えば、図8Aの反応性ガス発生器を用いて励起され得る。工程114に対する代替として、ハロゲン含有ガスまたはハロゲン含有プラズマが提供され得る。工程116において、上記物体の酸化された表面は、上記ハロゲン含有プラズマおよび/または上記励起ハロゲン含有ガスに曝される。上記物体の上記酸化物層がハロゲン含有プラズマまたは励起ハロゲン含有ガスに曝される場合、上記酸化物層における合金元素は、上記ハロゲン含有プラズマまたは励起ハロゲン含有ガスと反応する。例示実施形態において、上記励起ガスは、フッ素を含み、上記物体は、マグネシウムおよび銅を有するアルミニウム合金を含む。上に記載されるように、上記PEOプロセス中に、上記物体のバルクにおける上記アルミニウム合金からのマグネシウムは、マグネシウムの酸化物を形成する上記酸化物層へ引き込まれる。マグネシウムの酸化物を含む上記酸化物層がフッ素を含む励起ガスまたはフッ素を含むプラズマに曝される場合に、酸化マグネシウムは、上記酸化物層においてフッ素と反応してフッ化マグネシウムMgF2を形成する。励起フッ素含有ガスまたはフッ素含有プラズマへの曝露の間に、酸化アルミニウムは、ガスまたはプラズマによって除去され、それは、酸化アルミニウムの濃度に対してフッ化マグネシウムまたは酸化マグネシウムの濃度を増加させる。上記フッ化マグネシウムは、上記物体の隣接する材料層と拡散接合を形成し、上記物体の表面上のアルミニウムおよび酸化アルミニウムを被包し、フッ素含有ガスに対する曝露から保護する。上記フッ化マグネシウムは、さらなるフッ素の上記酸化物層への透過を阻害し、上記酸化物層およびベースのアルミニウム合金のための保護を提供する。いくつかの実施形態において、上記保護層は、ハロゲンベースのプロセスを実行するプラズマ反応器の内表面の一部である物体の表面上に作り出される。例えば、ハロゲンを含むプラズマもしくは励起ガスを発生させる工程工程114、および/または上記物体の酸化された表面を上記ハロゲン含有プラズマまたは励起ガスに曝す工程工程116は、ハロゲンベースのプロセスを実行中に生じ得る。ハロゲンベースのプロセスを実行中にこれらの工程を行うことは、上記酸化物コーティングにおける上記ハロゲン化マグネシウムの形成を可能にし得、次に、半導体加工システムにおける上記物体の使用を、上記システムを変更する必要も再構成する必要もなく可能にし得る。チャンバー例えば、プラズマチャンバーまたは半導体加工チャンバーの壁の表面を形成する保護層の少なくとも一部分は、使用中に腐食性条件に曝される場合に、徐々に除去すなわち、侵食され得る。このことは、異なる深さのもともとの保護層が、上記チャンバー壁の表面を形成し、上記保護層が徐々に除去されるにつれて経時的に、上記チャンバーの内側に曝されることを意味する。従って、特定の時点における銅汚染のリスクは、その時点における上記保護層の表面において曝される銅濃度に依存する。上記保護層は、均一な速度で上記チャンバー壁の全ての曝された領域において除去されることも喪失することもないが、上記チャンバー壁の上記部分は、同じ速度の、上記保護層の喪失または除去をおそらく経験する。特定の深さに対応する、上記保護層における銅の濃度が最大を有する場合に、銅汚染の最も高いリスクは、その特定の深さの上記保護層が上記チャンバー壁の表面として曝される場合に生じる。従って、銅汚染の許容可能に低いリスクを、チャンバー壁における保護コーティングの作業寿命にわたって維持することは、上記保護層の上記作業寿命の間に曝され得る少なくとも上記保護層の上記部分において最大銅濃度を低減することを含む。図2Aにおけるグラフ200は、KeroniteInternationalLtd.によるプラズマ電解酸化プロセスを用いて形成される酸化物コーティングを有する、アルミニウム6061合金Al6061から作製されるサンプルサンプルAにおける深さの関数として銅およびマグネシウムの濃度を示す。堆積チャンバーの壁のために一般的に使用される合金であるAl6061は、約0.15と約0.40との間の銅、および約0.8と約1.2との間のマグネシウムを含む。上記PEOプロセスは、FischerTechnology,Inc.Windsor,CTによって製造されるDualScope登録商標MP20厚さ測定ユニットを用いて測定される場合に、約54μmの厚さの酸化物層をもたらした。上記酸化物層は、マグネシウムおよび銅の酸化物を含む。グラフ200において、百万分率ppmにおける銅202の濃度円形およびマグネシウム204の濃度正方形は、レーザーアブレーション誘導結合プラズマ質量分析法LA-ICP-MSを用いて測定される場合の、上記酸化物層コーティングにおける深さおよびサンプルAのバルク基材における深さの関数として示される。上記グラフのコーティング部分212において、上記濃度は、上記酸化物層材料の重量での百万分率で示されるすなわち、上記サンプルの上記酸化物層に対応する濃度測定値。上記グラフの基材部分214において、上記濃度は、上記バルク材料の重量での百万分率で示されるすなわち、上記サンプルのバルクアルミニウム合金に対応する濃度測定値。サンプルAのバルク基材の銅の濃度は、約2500ppm約0.25である。対照的に、上記酸化物層の表面において生じる、上記酸化物層における最大銅濃度203は、約7000ppm約0.7であり、これは上記バルクにおける銅の濃度の2倍超である。上記酸化物層の表面において生じる銅のこの最大濃度は、多くの半導体加工の応用に関して、許容できないレベルまで銅汚染のリスクを増大させる。サンプルAはまた、上記酸化物層の表面においてマグネシウムの増加した濃度を有する。21,000ppm約2.1の上記酸化物層における最大マグネシウム濃度205は、約12,000ppm約1.25である上記バルク材料における上記マグネシウム濃度の約1.7倍である。上記最大マグネシウム濃度は、上記酸化物層の表面に位置する上記最大銅濃度と違って、線206によって示されるように上記酸化物層の表面から約8ミクロンの深さに位置する。サンプルAの酸化物層における上記マグネシウム濃度は、励起ハロゲン含有ガスまたはハロゲン含有プラズマに曝される場合に保護層のハロゲン化マグネシウムの形成を可能にするが、上記酸化物層の表面における高濃度の銅は、銅汚染のリスクを増大させる。物体において低減された銅濃度を有する酸化物層を作り出す1つの方法は、酸化前に上記物体における銅濃度を低減することによって銅の供給源を低減する工程を含む。例えば、図2BはサンプルBについての深さの関数としての銅濃度222およびマグネシウム濃度224のグラフ220を示し、上記サンプルBは、図1Aに描かれる方法100に従って作製される保護コーティングを含む。サンプルBは、5086アルミニウム合金から形成された。5086アルミニウム合金は、約0と約0.1との間の銅濃度および約3.5と4.5との間のマグネシウム濃度を有する。図2Bに示されるように、サンプルBは、約700ppmまたは約0.07のバルク銅濃度、および約45000ppmまたは約4.5のバルクマグネシウム濃度を有した。従って、サンプルBは、方法100の工程102に規定されるような、約0と約0.1との範囲に入るバルクCu濃度および約1.5よりも大きいバルクマグネシウム濃度を有した。サンプルBは、次に、サンプルAを加工するために使用されたものと実質的に同様の条件を用いて加工された。サンプルBは、DualScope登録商標MP20厚さ測定ユニットを用いて測定される場合に、約53nmの厚さの酸化物層を形成するために、KeroniteInternationalLtd.によるプラズマ電解酸化プロセスを用いて加工された工程106。サンプルBについての最大銅濃度223は、約1000ppm約0.1であり、それは上記酸化物層の表面において生じ、サンプルAについての上記酸化物層の表面における銅の最大濃度の7分の1であった。従って、サンプルBからの銅汚染のリスクは、サンプルAからの銅汚染のリスクよりもはるかに小さい。サンプルBにおける上記酸化物層のマグネシウム濃度225は、線226によって示されるように、約4ミクロンの深さにおいて約42500ppm約4.25の最大値を有し、深さが増加するにつれて、上記酸化物層と上記バルク材料との間の界面において約22000ppm約2.2に到達するまで低下した。サンプルBの酸化物層は、励起ハロゲン化物含有ガスまたはハロゲン化物含有プラズマに曝される場合に、保護用ハロゲン化マグネシウムを形成するための十分に高いマグネシウム濃度の範囲を有した。いくつかの状況において、十分に低い銅濃度および十分に高いマグネシウム濃度を有する酸化物層を生成するアルミニウムの組成は、上記物体のための上記バルク材料として使用することが望ましくないようにさせる特性または特質例えば、高コスト、特定の機械的特性などを有する。いくつかの実施形態において、バルク銅濃度よりも低い銅濃度を有する材料は、酸化前に低銅濃度の材料の層を形成するために上記物体上に堆積され、バルク銅濃度よりも著しく低い最大銅濃度を有するPEO酸化物層を生成する。例えば、図3は、物体上に保護層を形成するための別の方法300を描く。最初に、アルミニウムバルク材料およびバルク銅濃度を含む物体が提供される工程310。第二材料は、上記表面上に堆積され、ここで上記第二材料は、上記バルク銅濃度よりも低い第二の銅濃度を有する工程314。上記第二材料は、多様な手法において、および多様な公知の方法を用いて堆積され得る。例えば、上記第二材料は、熱蒸着法によって堆積され得る。他の方法の例としては、化学蒸着法、プラズマ蒸着法、プラズマスプレー、および削摩による移動が挙げられるが、これらに限定されない。上記第二材料は、実施形態がこの点に関して限定されないので、上記酸化物層の最終的な厚さよりも著しく厚い層、上記酸化物層の最終的な厚さとほぼ同じ厚さの層、または上記酸化物層の最終的な厚さよりも薄い層において堆積され得る。いくつかの実施形態において、上記物体の表面は、材料の第二層の堆積前に、洗浄され得るか、または他の方法で作製され得る工程314。上記材料の第二層の少なくとも一部分は、プラズマ電解酸化プロセスを用いて酸化される工程316。いくつかの実施形態において、上記材料の第二層の一部分のみが酸化される。他の実施形態において、上記材料の第二層の厚さ全体が酸化される。さらに他の実施形態において、上記材料の第二層の厚さ全体が酸化され、その酸化は、下部のバルク材料の中へ広がる。上記第二材料の層における低減された銅濃度は、工程316におけるPEO中に上記酸化物層に組み込まれるために使用可能な銅の量を制限する。従って、上記方法は、低減された銅濃度を有する酸化物層を生成する。いくつかの実施形態において、上記第二材料は、バルクにおけるマグネシウム濃度よりも高いマグネシウム濃度を含み、工程316におけるPEO中に上記酸化物に組み込まれるために使用可能なマグネシウムの量を増加させる。他の実施形態において、上記第二層におけるマグネシウムの濃度は、マグネシウムを含む第三材料を堆積させることによって、または上記第二層の少なくとも一部分を酸化させる前に上記第二層すなわち、低減された銅濃度を有する層をマグネシウムでドーピングすることによって上昇する。上記酸化物層において存在する酸化マグネシウムは、上記酸化物層が後に励起ハロゲン化物含有ガスまたはハロゲン化物含有プラズマに曝される場合に、ハロゲン化マグネシウムの形成を可能にする。必要に応じて、方法300は、ハロゲン化マグネシウムを有する保護層を形成するために上記物体を励起ハロゲン化物含有ガスまたはハロゲン化物含有プラズマに曝す工程をさらに含み得る工程318。第二材料が上記物体上に堆積されるいくつかの実施形態において、バルク銅濃度は、比較的高い例えば、約0.1よりも大きいものであり得、そして/またはバルクマグネシウム濃度は、比較的低い例えば、約1.5未満ものであり得る。従って、上記第二材料を酸化させるためにPEOプロセスを用いることの結果は、比較的高い銅濃度および比較的低いマグネシウム濃度を有するバルク材料上に比較的低い銅濃度および比較的低いマグネシウム濃度を有する酸化物層を提供する。他の実施形態において、上記バルク銅濃度は、比較的低い例えば、約0.1未満ものであるが、依然として、上記第二材料の銅濃度よりも高いものである。同様に、上記バルクマグネシウム濃度は、比較的高い例えば、約1.5よりも大きいものであり得るが、依然として、上記第二材料の上記マグネシウム濃度よりも低いものであり得る。例えば、方法300の局面は、方法100に組み込まれ得る。手短に図1に戻ると、方法100は、PEOプロセスを用いて酸化物層を形成する前に、上記バルク銅濃度に対して、低減された銅濃度を有する第二材料の層を上記物体の表面上に堆積させる工程を必要に応じて含み得る工程104。他の実施形態において、銅濃度は、上記物体の表面が酸化される前に、上記物体の少なくとも表面部分において低減される。例えば、方法350において、バルク銅濃度およびバルクマグネシウム濃度を有する物体が提供される図3Bの工程360。上記物体は、上記バルク銅濃度よりも低い銅濃度を有する第二材料の層と接触させられ工程365、それは上記第二材料の層と上記物体のバルク材料との間の濃度勾配を作り出す。いくつかの実施形態において、上記第二材料の層は、上記物体の表面上に堆積されるかまたは形成され、それにより、上記物体を、堆積されるかまたは形成される第二材料の層と接触させる。他の実施形態において、上記第二材料の層は予め形成され、上記物体の表面と接触させられる。上記物体と上記第二材料の層が接触している間に、上記物体は、上記物体のバルク材料から上記第二材料の層へ銅を拡散させるために加熱される工程370。このことは、少なくとも上記第二層の近くの領域すなわち、上記バルク材料の表面において、上記バルク材料における銅の濃度を低減する。いくつかの実施形態において、上記バルク材料から上記第二材料の層へのマグネシウムの拡散は、生産時間の尺度においてマグネシウムの拡散を引き起こすには低過ぎる温度で加熱することによって、および/または生産時間の尺度においてマグネシウムの拡散を引き起こすには短すぎる時間の間加熱することによって避けられる。上記材料の第二層の少なくとも一部分は、次に、上記物体の表面から除去される工程375。いくつかの実施形態において、上記材料の第二層の厚さ全体は除去され得る。このことは、上記物体の表面近くで低下した銅濃度を有する上記バルク材料を有した上記物体を残す。上記物体の表面は、プラズマ電解酸化プロセスを用いて酸化され工程380、アルミナおよび酸化マグネシウムを含む酸化物層を形成する。いくつかの実施形態において、上記物体の上記酸化物層は、後に、上記酸化物層上にハロゲン化マグネシウムを形成するために、励起ハロゲン含有ガスまたはハロゲン含有プラズマに曝され得る工程385。いくつかの実施形態において、上記第二材料の層は、上記第二材料の層のいくらかまたは全てを、上記物体の上記バルク材料から分離することによって例えば、上記バルクに対して上記第二材料の層のいくらかまたは全てを物理的に除去することによって、上記バルクから離して上記第二材料の層のいくらかまたは全てを切断することによって、など除去され得る。他の実施形態において、上記第二材料の層のいくらかまたは全ては、化学的におよび/または機械的に例えば、研摩、エッチング、溶解などによって除去され得る。他の実施形態は、PEOプロセスを用いて上記層が形成された後で、上記酸化物層における銅濃度を低減する。例えば、図4は、物体の表面を処理するための方法400を例示する。最初に、バルク領域および酸化物層を含む物体が提供される工程410。上記バルク領域は、アルミニウム、バルク銅濃度、およびバルクマグネシウム濃度を含む。上記酸化物層は、プラズマ電解酸化プロセスによって生成され、5000ppmよりも大きい最大銅濃度を有する。上記酸化物層はまた、マグネシウム濃度を有する。銅は、上記酸化物層における最大銅濃度が約5000ppmまたは約5000ppm未満であるまで上記酸化物層から抽出される工程412。いくつかの実施形態において、銅は、上記酸化物層における最大銅濃度が約4000ppmまたは約4000ppm未満であるまで上記酸化物層から抽出される。いくつかの実施形態において、上記銅は、銅を溶液中に溶解させる化学的プロセスまたは電気化学的プロセスを用いて抽出され得る。上記酸化物層から銅を抽出し得る化学物質の例としては、FeCl3、硝酸、およびリン酸が挙げられるが、これらに限定されない。電気化学的プロセスにおいて、電界は、拡散および溶解プロセスを加速するために使用される。その溶解した銅は、上記銅を上記溶液から除去するために、別の表面上に堆積され得る。いくつかの実施形態において、最大銅濃度は、上記酸化物層において、拡散または電位勾配電気移動と呼ばれるによって付勢される拡散を用いて低減される。例えば、図5Aは、酸化物層において最大銅濃度を低減する物体の表面を処理するための方法500を例示する。アルミニウムを含むバルク領域およびバルク銅濃度を有し、PEOプロセスを用いて生成される酸化物層を有する物体が提供される工程510。上記酸化物層は、上記バルク銅濃度よりも大きい最大銅濃度を有する、深さの関数として変動する銅濃度を有する。上記酸化物層はまた、深さの関数として変動するマグネシウム濃度を有する。エネルギーは、少なくとも上記酸化物層の最大銅濃度が約5000ppmまたは約5000ppm未満であるまで銅を拡散させるために、上記物体に付与される工程520。いくつかの実施形態において、エネルギーは、少なくとも上記酸化物層の最大銅濃度が約4000ppmまたは約4000ppm未満であるまで銅を拡散させるために、上記物体に付与される。エネルギーは、工程520において、多様な異なる方法および技術を用いて上記物体に付与され得る。例えば、銅を拡散させるために、上記物体にエネルギーを付与する工程は、図5Bに示されるように、上記酸化物層にわたって電位勾配を付与する工程工程522および/または拡散を高めるために上記物体の少なくとも一部分を加熱する工程工程524を含み得る。上記物体の少なくとも一部分を加熱する工程は、上記酸化物層における銅の拡散の速度を増す高める。電位勾配を付与する工程は、上記拡散を付勢し、上記酸化物層における銅の電気移動をもたらす。いくつかの実施形態において、上記電気移動は、上記酸化物層において最大銅濃度の大きさおよび/または最大銅濃度が位置する深さを変更し得る。いくつかの実施形態において、上記電気移動は、銅を上記酸化物層から上記バルク領域中へと追い出すために使用され得る。いくつかの実施形態において、上記電位勾配は、アルミニウムの物体の陽極処理のために使用されるシステムにおいて確立され得る。電界を逆転する工程すなわち、上記物体のバルクをカソードにする工程は、上記酸化物層におけるCuイオンを上記物体のバルクに向かって引きつける。上記酸化物層にわたって電位を付与する工程は、電気的接続のために、上記酸化物層の表面に隣接する電解質を上記物体の表面に提供する工程をさらに含み得る。異なるタイプの電解質が使用され得る。いくつかの実施形態において、上記電解質は、上記酸化物層の表面に接触する導電性のポリマーである。上記導電性のポリマーは、上記酸化物層の表面に付与され得る。逆転プロセスのために使用される上記電解質は、上記酸化物層の表面における逆転した電界に起因する還元反応を、最小にするか、または避けるために選択され得る。いくつかの実施形態において、上記酸化物層にわたる上記電位勾配例えば、電圧は、約300Vと約1000Vとの間である。必要とされる上記電圧は、上記酸化物層の電気的特徴に少なくとも部分的に依存し得、上記電位は、上記酸化物層の破壊電圧に関して記載され得、ここで、上記酸化物層の破壊電圧は、上記酸化物層が作用しなくなる電圧であるすなわち、電圧はもはや上記層にわたって持続され得ない。いくつかの実施形態において、上記酸化物層にわたる上記電圧は、上記酸化物層の破壊電圧の約30と約80との間である。上記物体が加熱される場合、上記酸化物層およびバルクにおける銅の拡散の速度は、増加する。付与される電位勾配により、上記酸化物層から上記バルクへ銅が拡散する速度は、上記酸化物層の温度および上記酸化物層にわたって付与される電位勾配の大きさの両方に依存する。概して、上記温度は一定のままであるが上記電位勾配が増加する場合、上記酸化物層から上記バルクへの銅拡散の速度は増加する。概して、上記電位勾配は一定のままであるが温度が増加する場合、上記酸化物層から上記バルクへの銅の拡散の速度は増加する。上記電位勾配および上記温度の両方が増加する場合、上記酸化物層から上記バルクへの銅拡散の速度はなおいっそう増加する。いくつかの実施形態について、上記電位が付与される間に、約50°Cと約350°Cとの間の温度まで上記物体は加熱される。所望される温度は、上記酸化物層の電気的特徴および付与される電位勾配の大きさに伴って変動し得る。別の例として、銅を拡散させるために上記物体にエネルギーを付与する工程は、物体の少なくとも一部分を所望される温度範囲における温度まで加熱する工程工程526および上記物体の少なくとも一部分を少なくとも上記酸化物層の最大銅濃度が約5000ppmまたは約5000ppm未満であるまで所望される温度範囲に維持する工程工程528を含み得る。いくつかの実施形態において、上記物体の少なくとも一部分は、少なくとも上記酸化物層の銅濃度が約4000ppmまたは約4000ppm未満であるまで所望される温度範囲に維持される。上記所望される温度範囲は、生産時間の尺度において銅の拡散を可能にする最低温度と生産時間の尺度においてマグネシウムの著しい拡散を可能にしない最大温度との間にある。従って、上記所望される温度範囲にある温度は、上記酸化物層における銅拡散が生じる温度であるが、上記酸化物層におけるマグネシウム拡散は、生産時間の尺度において実質的に生じない。1つの実施形態において、上記所望される温度範囲は、約150°Cと350°Cとの間であり得る。いくつかの実施形態において、上記酸化物層における最大銅濃度は、上記酸化物層の一部分を除去することによって低下する。上記最大銅濃度は、通常、上記酸化物層の表面において、または上記酸化物層の表面近くで生じるので、上記酸化物層の外側部分を除去する工程は、上記層における最大銅濃度を著しく低下させ得る。あいにく、最高マグネシウム濃度は、通常、上記酸化物層において最大銅濃度よりもわずかに深いところで生じる。上記酸化物層のより大きな部分を除去する工程は、上記最大銅濃度をさらに低減し得るが、より大きな部分を除去する工程は、上記酸化物層の厚さが低減されること、および上記酸化物層における最大マグネシウム濃度が低減され得ることの両方に起因して、上記酸化物層の腐耐腐食性/耐侵食性をさらに低減する。図6は、半導体加工システムにおいて使用するための、アルミニウム、銅、およびマグネシウムを含む物体の表面を処理するための方法600を描く。工程610において、バルク銅濃度およびバルクマグネシウム濃度を有するバルク領域、ならびにプラズマ電解酸化によって生成される酸化物層を含む物体が提供される。上記酸化物層は、深さの関数として変動するマグネシウム濃度、および上記酸化物層の第一の深さにおいて約5000ppmよりも大きい最大銅濃度を有する、深さの関数として変動する銅濃度を有する。上記第一の深さを超えて第二の深さへ延びる上記酸化物層の一部分は、上記酸化物層から除去され工程612、ここで上記第二の深さにおける上記銅濃度は、約5000ppmまたは約5000ppm未満であり、上記第二の深さにおける上記マグネシウム濃度は、約4000ppmよりも大きい。いくつかの実施形態において、上記第二の深さにおける上記銅濃度は、約4000ppmまたは約4000ppm未満である。上記酸化物層の外側部分は、多様な異なる技術のうちのいずれかを用いて除去され得る。いくつかの実施形態において、上記酸化物層の上記部分は、機械的プロセスを用いて除去される。いくつかの実施形態において、上記酸化物層の上記部分は、化学的機械的プロセスを用いて除去される。いくつかの実施形態において、上記酸化物層の上記部分は、電気化学的機械的プロセスを用いて除去される。いくつかの実施形態において、上記酸化物層の上記部分は、化学的エッチングを用いて除去される。上記酸化物層における、深さの関数としての銅の濃度、および深さの関数としてのマグネシウムの濃度は、上記酸化物層の厚さの合計に基づいて変動し得る。例えば、図7Aは、Al6061合金の材料上にPEOプロセスを用いて生成される約45ミクロンの厚さの酸化物層を含むサンプルCについて、深さの関数としての銅濃度702およびマグネシウム濃度704のグラフ700を示す。示されるように、上記銅濃度は、上記酸化物層の表面において最大703であり、上記マグネシウム濃度は、線706によって示されるように、約4ミクロンの深さにおいて最大705である。図7Bは、サンプルCを生成するために使用されたのとほぼ同じプロセスを用いてサンプルCと同じ合金の物体上に生成された約35ミクロンの厚さの酸化物層を含むサンプルDについて、深さの関数としての銅濃度722およびマグネシウム濃度724のグラフ720を示す。より薄い35ミクロンの厚さの酸化物層を有するサンプルDについて、最大銅濃度723は、サンプルCについての最大銅濃度のように上記酸化物層の表面において生じるが、最大マグネシウム濃度725は、サンプルCについての最大マグネシウム濃度と違って、線726によって示されるように約3ミクロンの深さにおいて生じ、より浅い深さにおいて生じた。手短に図2Aに戻ると、酸化物層が54ミクロンの厚さであるサンプルAについての上記グラフ200は、上記酸化物層の表面における最大銅濃度、および約8ミクロンの深さにおける最大マグネシウム濃度を示し、この最大マグネシウム濃度は、線726によって示されるように、サンプルCのより薄い酸化物に対する最大マグネシウム濃度の深さよりも深い。依然としてマグネシウムに富んだ低減された銅濃度の酸化物層を提供するために、酸化物層がもともと約45ミクロンの厚さであるサンプルCについての1つの例において、点線dashedanddottedline707によって示されるように、1ミクロンの酸化物材料を除去する工程は、ピーク銅濃度を5000ppmより下まで低減する。サンプルCについての別の例において、約5ミクロンの酸化物は、点線708によって示されるように除去され、上記酸化物層における上記ピーク銅濃度を3000ppmより下まで低減する。酸化物層がもともと約35ミクロンの厚さであるサンプルDについてのさらなる例において、約2ミクロン~約10ミクロンの上記酸化物層は、点線727によって示されるように除去される。酸化物層がもともと約54ミクロンの厚さであるサンプルAについてのさらにさらなる例において、約1ミクロン~約6ミクロンの上記酸化物層は、点線によって示されるように除去される。上に記載される実施形態は、物体の表面上に酸化物層を作製する方法、および物体を処理する方法にほぼ関していた。さらなる実施形態は、本発明の他の局面に従って、保護コーティングを有するプラズマチャンバー壁を有するプラズマチャンバー、および保護コーティングを有するチャンバー壁を有する半導体プロセスチャンバーを含む。例えば、図8Aは、例示的なプラズマチャンバーを含む、ガスを励起させるための反応性ガス発生器システム800の部分的な概略的描出である。上記反応性ガス発生器システム800は、ガス線816を介して上記プラズマチャンバー808の入り口840へ接続されるプラズマガス源812を含む。バルブ820は、上記プラズマガス源812から上記ガス線816を通って上記プラズマチャンバー808の入り口840へのプラズマガス例えば、O2、N2、Ar、NF3、F2、H2、およびHeの流れを制御する。プラズマ発生器884は、上記プラズマチャンバー808内のプラズマ832の領域を発生させる。上記プラズマ832は、プラズマ励起ガス834を含み、その一部分は、上記チャンバー808から流れ出る。上記プラズマ励起ガス834は、上記プラズマガスを加熱し活性化させる上記プラズマ832の結果として生成される。上記プラズマ発生器884は、示されるように、部分的に上記プラズマチャンバー808の周りに位置し得る。上記反応性ガス発生器システム800はまた、上記プラズマチャンバー808において上記プラズマ832励起ガス834を含むを発生させるために、接続部828を介して上記プラズマ発生器884に電力を提供する電源824を含む。上記プラズマチャンバー808は、例えば、金属材料例えば、アルミニウムまたは耐火金属、誘電材料例えば、クォーツまたはサファイア、またはコーティングされた金属例えば、陽極処理アルミニウムから形成され得るか、または作られ得る。1つの実施形態において、上記プラズマチャンバーは、バルク銅濃度およびバルクマグネシウム濃度を有するバルク材料例えば、アルミニウム合金、ならびにプラズマ電解酸化プロセスを用いて生成される酸化物層を含むプラズマチャンバー壁を有する。上記酸化物層は、約5000ppmまたは約5000ppm未満である最大銅濃度を有する、深さの関数として変動する銅濃度、および約4000ppm超である最小マグネシウム濃度を有する、深さの関数として変動するマグネシウム濃度を有する。いくつかの実施形態において、上記最大銅濃度は、約4000ppmまたは約4000ppm未満である。いくつかの実施形態において、上記酸化物層におけるマグネシウムは、ハロゲン化物含有プラズマまたは励起ハロゲン化物含有ガスを発生させるために、上記プラズマチャンバーの使用中にハロゲン化マグネシウムに変換される。上記プラズマチャンバー808は、通路868を介して半導体プロセスチャンバー856のインプット部876に接続される出口872を有する。励起ガス834は、通路868を通って上記プロセスチャンバー856の上記インプット部876へ流れる。上記プロセスチャンバー856に配置されるサンプル保持器860は、上記励起ガス834によって加工される材料を支持する。上記励起ガス834は、上記プロセスチャンバー856における上記サンプル保持器860上に位置する半導体ウェーハの加工を容易にし得る。さらに別の実施形態において、上記半導体プロセスチャンバー856は、基材および上記基材上に酸化物層を含む。上記基材は、バルク銅濃度を有するバルク材料例えば、アルミニウム合金を含む。上記酸化物層は、プラズマ電解酸化プロセスを用いて生成され、約5000ppmまたは約5000ppm未満である最大銅濃度を有する、深さの関数として変動する銅濃度、および約4000ppm超である最小マグネシウム濃度を有する、深さの関数として変動するマグネシウム濃度を有する。いくつかの実施形態において、上記最大銅濃度は、約4000ppmまたは約4000ppm未満である。いくつかの実施形態において、上記酸化物層における上記マグネシウムは、上記プロセスチャンバーをハロゲン化物含有プラズマまたは励起ハロゲン化物含有ガスに曝す工程を含む加工のために使用する間に、ハロゲン化マグネシウムに変換される。上に言及されるように、上記プロセスチャンバーは、励起ガスまたはプラズマを受け取るためのインプット部または入り口を有する。プラズマ源884は、例えば、DCプラズマ発生器、周波数RFプラズマ発生器、またはマイクロ波プラズマ発生器であり得る。上記プラズマ源884は、リモートプラズマ源であり得る。例として、上記プラズマ源884は、Wilmington,MAのMKSInstruments,Inc.によって製造されるASTRON登録商標リモートプラズマ源であり得る。1つの実施形態において、上記プラズマ源884は、環状プラズマ源であり、上記チャンバー808は、マグネシウムを含むアルミニウム合金から作製されるチャンバーである。他の実施形態において、代替のタイプのプラズマ源およびチャンバー材料が使用され得る。上記電源824は、例えば、RF電源またはマイクロ波電源であり得る。いくつかの実施形態において、上記プラズマチャンバー808は、上記プラズマチャンバー808において上記プラズマ832を点火する初期イオン化事象を提供する自由電荷を発生させるための手段を含む。上記初期イオン化事象は、上記プラズマチャンバー808に付与される短い高電圧パルスであり得る。上記パルスは、約500ボルト~約10,000ボルトの電圧を有し得、約0.1マイクロセカンド~約100ミリセカンドの長さであり得る。希ガス例えば、アルゴンは、上記プラズマ832を点火するために必要とされる電圧を低減するために、上記プラズマチャンバー808に差し込まれ得る。紫外線放射はまた、上記プラズマチャンバー808において上記プラズマ832を点火する上記初期イオン化事象を提供する自由電荷を、上記プラズマチャンバー808において発生させるために使用され得る。上記反応性ガス発生器システム800は、本明細書中で例えば、図1Bの工程114に関して前に記載されるように使用するための、ハロゲンを含むガスを励起するために使用され得る。アルミニウム、マグネシウム、および銅を含む物体は、上記物体の少なくとも1つの表面を酸化させるためにプラズマ電解酸化プロセス例えば、図1Bの工程116を用いて加工され、酸化された層を形成し得る。さらに、銅濃度を低減するための上に記載された方法、技術、またはプロセスのうちの1つ以上は、上記酸化された層の形成または加工において用いられる。1つの実施形態において、その酸化された物体は、上記プラズマチャンバー808において取り付けられ、上記プラズマ832に曝された。1つの実施形態において、Wilmington,MAのMKSInstruments,Inc.によって製造されるASTRON登録商標exリモートプラズマ源は、上記プラズマ源884として使用された。上記酸化された物体は、表面上にフッ化マグネシウムを生成するために上記プラズマ源によって発生したNF3プラズマに曝された。上記NF3の流量は、3slmであり、チャンバーの圧力は、2.9トルであった。上記プラズマに提供された上記電力は、約6.5kWであった。別の実施形態において、上記反応性ガス発生器システム800は、本明細書中で例えば、図1Bの工程114に関して前に記載されるように使用するための、ハロゲンを含むガスを励起するために使用される。いくつかの実施形態において、上記プラズマチャンバー808は、プラズマ電解酸化プロセスを用いて加工された物体である例えば、図1Aの工程102。この実施形態において、上記プラズマチャンバー808は、マグネシウムおよび銅を含むアルミニウム合金から構築される。プラズマ電解酸化プロセスは、上記プラズマチャンバー808の内表面上に酸化物層を作り出すために使用される。上記酸化物層の形成、またはその後の加工の間に銅濃度を低減するための種々の開示された方法、技術、またはプロセスのうちの1つが用いられる。いくつかの実施形態において、上記プラズマチャンバーの表面が酸化された後、上記プラズマチャンバー808は次に、ハロゲン化マグネシウムを有する保護コーティングを生成するためのさらなる加工のために上記反応性ガス発生器システム800において取り付けられる。例えば、上記プラズマチャンバーは、次いで、図1Bに描かれる方法110の物体であり得る。上記プラズマガス源812は、上記プラズマガスとしてNF3を上記プラズマチャンバー808に提供する。プラズマ832は、NF3を用いて発生する。上記プラズマ832は、上記チャンバー808において上記励起プラズマガス834を発生させる。上記プラズマチャンバー808の酸化された内表面は、従って、上記フッ素含有プラズマ832および励起ガス834フッ素を含むに曝される。上記プラズマチャンバー808の上記酸化された表面は、図2Bに関して上に記載されたのと同様に、上記プラズマ832および励起ガス834に曝される。上記プラズマチャンバー808の壁における酸化物層における酸化マグネシウムは、上記酸化物層においてフッ素と反応してフッ化マグネシウムMgF2を形成する。上記反応性ガス発生器システム800は、プラズマ832を作り出すためにハロゲンを含むガスを励起することによって使用され得る。ガス通路868および/またはプロセスチャンバー856の内表面は、プラズマ電解酸化プロセスを用いて加工された物体である例えば、図2Bの工程116。この実施形態において、上記ガス通路868および/またはプロセスチャンバー856は、マグネシウムおよび銅を含むアルミニウム合金から構築される。プラズマ電解酸化プロセスは、通路868またはプロセスチャンバー856の内表面上に酸化物層を作り出すために使用される。上記酸化物層の形成、またはその後の加工の間に銅濃度を低減するための種々の方法、技術、またはプロセスのうちの1つが用いられる。上記プラズマチャンバー808は、上記反応性ガス発生器システム800において取り付けられる。上記プラズマガス源812は、NF3上記プラズマガスとしてを上記プラズマチャンバー808に提供する。プラズマ832は、NF3を用いて発生する。上記プラズマ832は、後に通路868およびプロセスチャンバー856を通って流れる上記励起プラズマガス834を発生させる。上記通路868およびプロセスチャンバー856の酸化された内表面は、従って、上記励起ガス834フッ素を含むに曝される。上記通路868およびプロセスチャンバー856の壁における酸化物層における酸化マグネシウムは、フッ素と反応してフッ化マグネシウムMgF2を形成する。図8Bは、in-situプラズマシステム875の部分的な概略的描出である。プラズマガス825例えば、ハロゲンを含むガスは、インプット部866を介して上記プロセスチャンバーでもある上記プラズマチャンバー850に提供される。図8Bの実施形態において、上記プラズマチャンバーはまた、プロセスチャンバーである。他の実施形態は、上記プロセスチャンバーから遠く離れたプラズマ反応器を含み得る。1つの実施形態において、上記プロセスチャンバー850は、マグネシウムおよび銅を含むアルミニウム合金から構築される。プラズマ電解酸化プロセスは、プロセスチャンバー850の内表面上に上記酸化物層を作り出すために使用される。上記酸化物層の形成、またはその後の加工の間に銅濃度を低減するための種々の方法、技術、またはプロセスのうちの1つが用いられる。上記酸化物層は、約5000ppmまたは約5000ppm未満である最大銅濃度を有する、深さの関数として変動する銅濃度、および約4000ppm超である最小マグネシウム濃度を有する、深さの関数として変動するマグネシウム濃度を有する。いくつかの実施形態において、上記最大銅濃度は、約4000ppmまたは約4000ppm未満である。いくつかの実施形態において、上記プロセスチャンバー850自体が、上記物体であり得る。プラズマ880は、上記チャンバー850の内部でプラズマ反応器894によって発生する。上記プロセスチャンバー850の表面は、低いまたは低減されたピーク銅濃度、および高いまたは維持されたマグネシウム濃度を有するPEO層を有する。プラズマ880は、上記チャンバー850の内部でプラズマ反応器894によって発生する。上記チャンバー850の酸化された表面は、上に記載されるようにハロゲン含有プラズマ880および励起ガス890に曝され、ハロゲン化マグネシウムを含む保護コーティングを形成する。いくつかの実施形態において、上記プロセスチャンバーは、上記物体であるサンプルの加工のために使用される。上記プロセスチャンバー850において配置されるサンプル保持器862は、上記プラズマ880および励起ガス890によって加工される材料を支持する。1つの実施形態において、PEO酸化物表面を有する上記物体は、サンプル保持器862上に置かれ、上記プラズマ880および/または励起ガス890に曝される。図8Bに描かれる実施形態において、プラズマ880は、上記チャンバー850内部でプラズマ反応器894によって発生する。上記物体は、マグネシウムおよび銅を含むアルミニウム合金から構築される。プラズマ電解酸化プロセスは、上記物体上に上記酸化物層を作り出すために使用される。上記酸化物層の形成、またはその後の加工の間に銅濃度を低減するための種々の方法、技術、またはプロセスのうちの1つが用いられる。上記酸化物層は、約5000ppmまたは約5000ppm未満である最大銅濃度を有する、深さの関数として変動する銅濃度、および約4000ppm超である最小マグネシウム濃度を有する、深さの関数として変動するマグネシウム濃度を有する。上記プラズマおよび/または励起ガスに曝すことにより、上記物体の表面上の上記酸化物層における酸化マグネシウムをプラズマおよび/またはガスにおけるフッ素と反応させて、フッ化マグネシウムを形成する。本明細書中に記載されたもののバリエーション、改変、および他の実行は、特許請求されるような本発明の趣旨および範囲から外れることなく、当業者に見出される。従って、本発明は、前述の例示的な記載によってではなく、代わりに以下の特許請求の範囲の趣旨および範囲によって画定されるべきである。"