"基板と、前記基板の表面上に形成された複数の濡れ性パッドと、前記基板の前記表面上に堆積され、外面を有するはんだレジスト層と、を含むアセンブリを取得するステップであって、少なくとも前記はんだレジスト層は、前記濡れ性パッドに隣接した容積を定める陥凹領域を有するように形成される、取得するステップと、前記濡れ性パッドに隣接した前記容積内に溶融はんだを直接射出して、前記濡れ性パッドに隣接した前記容積をはんだで充填するステップと、前記はんだが固化するのを可能にして、前記はんだが前記濡れ性パッドに付着された複数のはんだ構造体を形成するようにするステップと、前記固化後に前記基板及び前記はんだを再加熱して前記はんだをリフローさせ、前記はんだレジスト層の前記外面より上方に延びるほぼ球形のボールにするステップと、を含み、前記濡れ性パッドに隣接した前記容積は、前記射出するステップにおいて十分なはんだを受け取るような構成及び寸法にされ、前記再加熱するステップの結果として、前記ほぼ球状のボールは前記はんだレジスト層の前記外面より上方に延びる、方法。前記再加熱するステップの結果として、前記はんだボールは、5ミクロン乃至45ミクロンだけ、前記はんだレジスト層の前記外面より上方に延びる、請求項1に記載の方法。前記溶融はんだを直接射出するステップは、射出成形はんだ充填ヘッドを用いて実施され、前記充填ヘッドは、前記はんだレジストのトポグラフィカルフィーチャに適応するように、前記充填ヘッドと前記はんだレジスト層との間に挿置された順応性材料を含む、請求項1に記載の方法。前記アセンブリを取得するステップにおいて、前記基板は有機基板を含む、請求項1に記載の方法。前記溶融はんだを直接射出するステップは、射出成形はんだ充填ヘッドを用いて実施され、前記射出するステップの間、i前記ヘッドとii前記基板との間に相対的移動をもたらすステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。前記アセンブリを取得するステップにおいて、前記基板は、はんだマスク規定型基板を含む、請求項1に記載の方法。前記アセンブリを取得するステップにおいて、前記濡れ性パッドに隣接した前記容積は、少なくとも部分的に円錐台状であり、前記パッドに隣接したより小さい直径と、前記パッドと反対側のより大きい直径とを有する、請求項6に記載の方法。前記アセンブリを取得するステップにおいて、前記濡れ性パッドに隣接した前記容積は、階段状円筒構成を有し、前記パッドに隣接したより小さい直径の円筒と、前記パッドと反対側のより大きい直径の円筒とを有する、請求項6に記載の方法。前記アセンブリを取得するステップにおいて、前記濡れ性パッドに隣接した前記容積は、前記パッドに隣接した中央円筒部分と、前記中央円筒部分と流体連通している少なくとも1つの周辺リザーバ部分とを有する、請求項6に記載の方法。前記アセンブリを取得するステップにおいて、前記濡れ性パッドに隣接した前記容積は、前記中央円筒部分と流体連通している少なくとも4つの前記周辺リザーバ部分を有する、請求項9に記載の方法。前記アセンブリを取得するステップにおいて、前記基板は、非はんだマスク規定型基板を含む、請求項1に記載の方法。前記アセンブリを取得するステップにおいて、前記基板は、陥凹領域を有するようにも形成され、前記基板の前記陥凹領域は、前記はんだレジスト層の前記陥凹領域と共に前記容積を協働して定める、請求項11に記載の方法。前記アセンブリを取得するステップにおいて、前記基板の前記陥凹領域は、前記パッドの周りに少なくとも部分的に延びるトレンチを含む、請求項12に記載の方法。前記アセンブリを取得するステップにおいて、前記トレンチは前記パッドの周りに完全に延びる、請求項13に記載の方法。基板と、前記基板の表面上に形成された複数の濡れ性パッドと、前記基板の前記表面上に堆積され、外面を有するはんだレジスト層と、を含むアセンブリを取得するステップであって、少なくとも前記はんだレジスト層は、前記濡れ性パッドに隣接した容積を定める陥凹領域を有するように形成される、取得するステップと、前記濡れ性パッドに隣接した前記容積内に溶融はんだを直接射出して、前記濡れ性パッドに隣接した前記容積をはんだで充填するステップであって、前記射出するステップは、窒素環境又はフォーミングガス環境のうちの1つにおいて実施される、前記直接射出するステップと、前記はんだが固化するのを可能にして、前記はんだが前記濡れ性パッドに付着された複数の少なくとも部分的に球形のはんだ構造体を形成するようにするステップであって、前記固化は前記窒素環境又は前記フォーミングガス環境のうちの1つにおいて実施される、前記固化するのを可能にするステップと、を含み、前記濡れ性パッドに隣接した前記容積は、前記射出するステップにおいて十分なはんだを受け取るような構成及び寸法にされ、前記固化ステップの結果として、前記ほぼ球状のボールは前記はんだレジスト層の前記外面より上方に延びる、方法。前記固化ステップの結果として、前記はんだボールは、5ミクロン乃至45ミクロンだけ、前記はんだレジスト層の外面より上方に延びる、請求項15に記載の方法。前記溶融はんだを直接射出するステップは、射出成形充填ヘッドを用いて実施され、前記充填ヘッドは、前記はんだレジストのトポグラフィカルフィーチャに適応するように、前記充填ヘッドと前記はんだレジスト層との間に挿置された順応性材料を含む、請求項15に記載の方法。前記アセンブリを取得するステップにおいて、前記基板は有機基板を含む、請求項15に記載の方法。前記溶融はんだを直接射出するステップは、射出成形はんだ充填ヘッドを用いて実施され、前記射出するステップの間、i前記ヘッドとii前記基板との間に相対的移動をもたらすステップをさらに含む、請求項15に記載の方法。はんだボール2008は高価であり、フラックスの塗布及びはんだボールの分配は、いささか複雑になり得る。さらに、このタイプの技術は、異なるサイズのパッド上に均一な高さのはんだバンプを形成するための付加的なステップを必要とする。本発明の原理は、基板上にはんだバンプを形成するための、マスクを用いない直接IMS射出成形はんだ用の技術を提供する。例示的な方法は、基板と、基板の表面上に形成された複数の濡れ性パッドと、基板の表面上に堆積され、外面を有するはんだレジスト層とを含むアセンブリを取得するステップを含む。少なくともはんだレジスト層は、濡れ性パッドに隣接した容積を定める陥凹領域を有するように形成される。本方法はまた、濡れ性パッドに隣接した容積内に溶融はんだを直接射出して、濡れ性パッドに隣接した容積をはんだで充填するステップと、はんだが固化するのを可能にして、はんだが濡れ性パッドに付着された複数のはんだ構造体を形成するようにするステップと、固化後、基板及びはんだを再加熱してはんだをリフローさせ、はんだレジスト層の外面より上方に延びるほぼ球形のボールにするステップとを含む。濡れ性パッドに隣接した容積は、射出するステップにおいて十分なはんだを受け取るような構成及び寸法にされ、再加熱ステップの結果として、ほぼ球状のボールは、はんだレジスト層の外面より上方に延びる。別の態様において、別の例示的な方法は、基板と、基板の表面上に形成された複数の濡れ性パッドと、基板の表面上に堆積され、外面を有するはんだレジスト層とを含むアセンブリを取得するステップを含む。少なくともはんだレジスト層は、濡れ性パッドに隣接した容積を定める陥凹領域を有するように形成される。付加的なステップは、濡れ性パッドに隣接した容積内に溶融はんだを直接射出して、濡れ性パッドに隣接した容積をはんだで充填するようにするステップであって、窒素環境及びフォーミングガス環境のうちの1つにおいて実施される、直接射出するステップと、はんだを固化させて、はんだが濡れ性パッドに付着された複数の少なくとも部分的に球形のはんだ構造体を形成するようにするステップであって、窒素環境及びフォーミングガス環境のうちの1つにおいて実施される、固化させるステップとを含む。濡れ性パッドに隣接した容積は、射出するステップにおいて十分なはんだを受け取るような構成及び寸法にされ、固化ステップの結果として、ほぼ球状のボールは、はんだレジスト層の外面より上方に延びる。本発明のこれら及び他の目的、特徴及び利点は、添付図面と共に読まれるべき、その例示的な実施形態の以下の詳細な説明から明らかになるであろう混乱を避けるために、図6-図9におけるマスク102に関するものを除いて、区画ライニングは、全体的に、図面から省略されていることに留意されたい。最初に、Gruber他による2008年11月12日出願のInjectionMoldedSolderMethodforFormingSolderBumpsonSubstratesと題する米国特許出願第12/269,240号’240出願の完全な開示が、全ての目的のためにその全体を引用により本明細書に明白に組み入れる。図6-図11は、’240出願の特定の技術を示す。ここで図6及び図7に注目すべきである。ここに見られるように、マスク102は、所望のパターンで配置された複数の貫通孔104を含む。マスク102が、基板106に隣接するように配置される。基板は、例えば、複数の濡れ性パッド108例えば、銅、金、ニッケル等が凹部内に配置された有機基板とすることができる。マスクは、例えば、ポリイミド膜、又ははんだとは反応しない薄い材料例えば、モリブデン、ステンレス鋼、アルミニウム等のような非濡れ性金属とすることができる。図6に示されるように、マスク102は、孔104がパッド108と位置合わせされるように基板106に位置合わせされる。孔104は、均一な直径のものではなく、図7に見られるように、基板106に隣接したより大きな直径を有する円錐台状のものであることが好ましいことに留意されたい。図7のアセンブリは、はんだを受け取る準備ができている。有機基板の限定されない例として、例えば、FR-4flameretardanttype、難燃タイプ4及びBT樹脂ビスマレイミドトリアジン樹脂などのエポキシ中のガラス繊維で作製されたラミネート材料が挙げられる。さらに、’240出願の技術は、有機基板に限定されるものではなく、’240出願の態様は、シリコンウェハ上にはんだバンプを作成するためにも用いられ得るので、要素106は、シリコンウェハも表すことに留意すべきである。従って、図中に示される濡れ性パッド108は濡れ性パッドを表し、シリコン基板の場合、ボール制限メタラジballlimitingmetallurgyも含む。充填ヘッド112が、はんだ114を孔104及び濡れ性材料のパッド108を有する陥凹領域内に分配してはんだ構造体110を形成する、はんだ充填プロセスを図8に示す。図8に最も良く見られるように、陥凹領域は、濡れ性材料のパッドの上面が、約5-15ミクロンの距離Xだけ、基板106の上面より低く陥凹されるようにすることができる。これにより、はんだ材料の肩部がもたらされる。以下に説明される目的のために、充填ヘッド112には、順応性材料compliantmaterialが与えられる。図9及び図10に見られるように、はんだの固化後、ピールローラ3004を用いてピールローラ3004は、基板106からマスク102を剥離するのを助けるために提供することができる、マスク102本明細書ではデカル又はデカル層とも呼ばれるが、リール118の上に剥離除去される。孔104は、基板106に向かって広い辺を有する円錐台状であるので、これらは再入可能ではなく、デカル102は、構造体110又は基板106上に過度の機械的応力を加えることなく、比較的容易に剥離する。随意的に、図11に見られるように、はんだ構造体110が実質的に半球状のはんだバンプ120になるように、リフロープロセスが行われる。順応性材料116に関して、例えば、基板106は、はんだレジストSRを有するベース基板から形成できることに留意されたい。濡れ性パッド例えば、銅が108で示される。はんだレジストの上面は完全に平坦ではなく、トポグラフィカルフィーチャtopographicalfeatureを含む。これらは、デカルマスク102で完全に密封するのを防止し、従って、IMSプロセス中にはんだの漏れを伴う小さな隙間をもたらす。例えば、ガラス又は金属とすることができる充填ヘッド112は、順応性材料116で与えられ、これがiヘッド112とii基板106上のデカル102との間で圧縮力を広げ均一に又はほぼ均一に分散させ、マスク102と基板106との間の良好な接触をもたらし、その結果、望ましくない漏れを引き起こす隙間が減少される又は排除される。マスク102は、順応性材料116によって分散された圧縮力の影響下で、基板106のトポグラフィ形状をたどるのに十分に可撓性である。順応性材料116は、例えば、マスク102に隣接した薄い低摩擦層を有するバルク圧縮可能層を含むことができる。バルク圧縮可能層のための順応性材料の限定されない例は、シリコーンゴム及びシリコーン独立気泡スポンジclosedcellspongeである。低摩擦層のための材料のための限定されない例として、Teflon登録商標米国デラウェア州Wilmington所在のE.I.DuPontDeNemoursAndCompanyの登録商標及びRulon登録商標TFEFluorocarbon米国オハイオ州Aurora所在のSaint-GobainPerformancePlasticsCorporationの登録商標が挙げられる。低摩擦層は、例えば、単に摩耗に耐えるのに十分な厚さにすることができる。低摩擦層とバルク圧縮性層を加えた合計厚さは、例えば、約1/32インチから約1/4インチまでとすることができ、好ましい厚さは、約1/16インチである約0.79mmから約6.36mmまでであり、好ましい厚さは約1.59mmである。接触圧は、約10乃至約60ポンド毎平方インチPSIとすることができ、好ましい値は約15PSIである約68.9乃至約414キロパスカルであり、好ましい値は約103キロパスカルである。従って、図6-図11は、マスクプロセスを用いる溶融はんだの射出を示す。マスクを用いて基板のパッド上に、はんだバンプを形成し、SR表面より上の十分なはんだ容積を保証する。可撓性マスクを用いた溶融はんだの直接射出は、基板上への80ミクロンピッチのはんだバンプ形成を実証した。有利なことに、このような技術は、80ミクロン未満のピッチを有する非常に微細なピッチのラミネート上に大容積のはんだバンプを形成するための、可撓性フィルムマスクを用いた簡単な溶融はんだ射出を提供する。こうした方法の実施形態は、マスクを使用することがあり、このマスクは、業界標準パネルサイズの基板が用いられるとき、フィルムマスクとラミネートとの間との位置合わせステップを必要とする。本発明の1つ又は複数の実施形態は、マスクを用いない基板上への直接IMSを用いて、有機基板上にはんだバンプを形成するための方法を提供する。はんだレジストSR内の開口部の操作によって、はんだバンプの容積の変動を可能にすることができる。従って、マスク内の孔と基板上のパッドとの間の位置合わせに関する問題がない。マスクの位置合わせは時間のかかるプロセスステップであるので、このステップの排除により、プロセスコストが低くなり、プロセスがより信頼できるようになる。別の態様において、濡れ性金属パッドよりも幅の広いSR開口部が製造される。この開口部は、標準的なSRパッド開口部よりも大容積の射出はんだ材料を受け入れることができる。後のリフロープロセス中、はんだは、非濡れ性の純SR領域から濡れ性金属領域に移動する。従って、SR表面より高い高さを有する、より大容積のはんだバンプを得ることができる。場合によっては、IMSプロセス中の窒素環境が、射出溶融はんだの固化中にはんだを球状にするballupように働く。従って、窒素環境の存在は、他の場合には一般的に用いられる後のリフロープロセスを無くす可能性がある。このことは、プロセスステップの数、従ってコストを低減させる。特定の従来技術のプロセスのはんだペーストは、SR開口部をもたらし、はんだペーストは約50容積パーセントのはんだ粉末及び約50容積パーセントのフラックスを含むため、このSR開口部は、はんだにより約50の容積しか充填されない。このはんだペーストのリフロー後、約50容積パーセントのはんだペーストだけが残り、はんだパッドの上のSR開口部内にはんだバンプを作製する。はんだ容積を増加させるために、これまでは、充填プロセスマスクが要件であった。このマスクはSR開口部に容積を付加し、リフロー後にSR表面の上に残っているはんだを隆起させるのに、このマスクを十分に厚くする必要がある。誤解を避けるために、’240出願において、はんだレジストSRを有するベース基板は基板と呼ばれるが、本出願の残りの部分では、ベース基板を、略して単に基板と呼ぶことに留意されたい。図12A-図12Cは、本発明の一態様による、マスクを用いない、高レベルにおける、例示的な直接基板IMSプロセスを概略的に示す。有機基板4002がパッド4006及びSR4004を備えることに留意されたい。はんだバンプを形成するための例示的な方法において、直接IMSにより、SR表面の上に十分なはんだ容積が提供される。このことは、SR開口部4019の適切な設計により達成される。広く開いたSRは、より大容積の溶融はんだをパッド上に射出することを可能にする。後のはんだリフロープロセスは、4021に示されるような、良好なフリップチップ用アセンブリの歩留まりを保証するように十分にSR表面より上方に突出する球状はんだバンプ4016を作製する。図12A-図12Cに示すプロセスは簡単なものであり、マスク又は位置合わせステップを必要としない。パネルサイズを含むそれ以下の任意のサイズの基板4002を用いることができる。図12Aに見られるように、SRの上面は、パッド4006の頂部より上の高さhだけ突出し得る。パッド4006に隣接した、底部における広く開いたSRの直径はw2と表され、頂部における広く開いたSRの直径はw1と表される。垂線との角度はαと表される。hの値は、限定ではなく一例として、5ミクロンから25ミクロンまでの間とすることができる。この値は、基板の用途及び/又はピッチによって決まる。w2の値は、基板のピッチによって決まる。例えば、200ミクロンピッチの基板は、約100ミクロンの直径w2を有し、150ミクロンピッチの基板は、約80ミクロンの直径w2を有する。w1の値は、はんだリフロー後のSRより高いはんだバンプの高さを決定し得る。ピッチがpとして定められる場合図12Aにおけるように、1つ又は複数の実施形態において、実行可能な範囲はw1<w2<pである。IMSプロセスが、図12Bに示される。限定されない例において、順応性材料116を有する上述のヘッド112を、はんだ114を分配するために用いることができる。図12Cにおいて、フラックスを用いて又はギ酸環境において、はんだリフローを行い、はんだボール4016をもたらす。図13A-図13Cは、図12A-図12Cに類似しているが、異なるサイズのパッドが使用され、異なるサイズ及び/又は形状のはんだボール4016がもたらされる場合を示す。図14は、比較のために、図1Aに類似したベースラインを示す。例えば、特許文献2を参照されたい。図15A-図18Cは、本発明の態様による、SMDsoldermaskdefined、はんだマスク規定型基板の場合の、マスクを用いずにパッド上に大容積のIMSはんだバンプを形成するためのSR開口部の種々の例示的な設計を示す。図15A-図15Cは、概ね図12A-図12Cに類似しているが、上面図が図の右側に示されている。SRの開口部5019は、上面図において円形である。さらに、開口部5019は、側面図において、短い直線領域5021を有するじょうご形状である。図15A-図15Cにおいては、上述のように、w1の値は、はんだリフロー後にSRより高いはんだバンプの高さを決定することができる。これは一般に、隣り合ったSR開口部の間に重なりがない場合に許容可能である。図16A-図16Cは、開口部5023が、パッド4006付近の小さい直径の領域5025と、大きい直径の領域5027とを有する階段状である実施形態を除いて、図15A-図15Cに類似している。領域5025、5027を有する、SRの開口部5023は、上面図において円形である。この開口部は、上述のものと類似した原理を用いてサイズ変更することができ、これは一般に、隣り合ったSR開口部の間に重なりがない場合に許容可能である。図17A-図17Cは、開口部5029がオフセットしたリザーバ5031を有する実施形態を除いて、図15A-図15Cに類似している。SRの開口部5029の主部分5033は、上面図において円形である。リザーバ領域5031は、主部分5033と流体連通している。この開口部は、上述のものと類似した原理を用いてサイズ変更することができ、これは一般に、隣り合ったSR開口部の間に重なりがない場合に許容可能である。図18A-図18Cは、開口部5035が複数のオフセットしたリザーバ5037を有する実施形態を除いて、図15A-図15Cに類似している。SRの開口部5035の主部分5039、並びにリザーバ5037は、上面図において円形である。リザーバ領域5037は、主部分5039と流体連通している。この開口部は、上述のものと類似した原理を用いてサイズ変更することができ、これは一般に、隣り合ったSR開口部の間で重なりがない場合に許容可能である。図19は、比較のための図1Aに幾分類似したベースラインの態様を示すが、ここでは、パッド6006は、SR6051内の大きい開口部6049の内部にあるので、基板6002の表面の部分が、パッド6006に隣接して見える。例えば、NSMDnonsoldermaskdefined、非はんだマスク規定型基板の一例である特許文献3を参照されたい。非はんだマスク規定型は、基板の銅パッドがはんだレジストで覆われないことを意味する。SMDはんだマスク規定型は、銅パッドがはんだレジストで覆われることを意味する。図20A-図21Cは、本発明の態様による、NSMD非はんだマスク規定型基板の場合の、マスクを用いずにパッド上に大容積のIMSはんだバンプを形成するための深いSR開口部の種々の例示的な設計を示す。図20A-図20Cにおいて、開口部6053は、図19における開口部6049の場合と同様に、パッド6006よりも大きいが、周囲トレンチ6055が、基板自体の内部に形成される。はんだは、銅パッドとの粘着性濡れ性を有するが、はんだレジストとの粘着性は有さない。図20C及び図21Cにおいて、はんだが銅パッドの側壁を覆うことに留意されたい。図20Bにおけるように、トレンチは、はんだ114で充填され、表面張力のために、リフロー後、図20Cに示される、はんだボール4016を有する構造体が得られる。トレンチ6055及びパッド6006は、上面図において円形である。図21A-図21Cは、トレンチ6057がパッド6006の全周囲の周りには延びないことを除いて、図20A-図20Cに類似している。単に例として、パッド6006の周囲の半分にわたって延びるトレンチ6057が示される。図20A-図20Cは、受け取ったまま、IMS、及びリフローの3つのステップを示し、図21A-図21Cは、異なるSR設計の例を示すことに留意されたい。NSMD型基板に関する限り、NMSDの場合において、SRは、SMD型におけるように銅パッドを覆っていない。図21Aにおいて、上面図においては、基板6002の上部及び基板6002内のトレンチ6057の底部が、パッドを囲むように見える。図21Bにおいて、トレンチ6057を含む開口部6049全体が、はんだ114で充填される。表面張力のため、リフロー後、図21Cに示される構造体が、はんだボール4016を有した状態で得られる。リフロー後、はんだは、銅パッド上で濡れ性であるだけで、SR上では濡れ性でない。図21Cにおいて、上面図においては、基板6002の上部及び基板6002内のトレンチ6057の底部が再び見える。上述したものに類似の技術を用いて、図19-図21及び図22の実施形態についてのはんだ受け取り容積solderreceivingvolumeのサイズも変更できること、及び、隣り合ったSR開口部の間の重なりは回避されるべきであることに留意されたい。同様に、リフロー後、深さは、SRより高いはんだバンプの高さを定めることができる。本明細書での実施形態のいずれについても、本明細書での教示が与えられれば、当業者は、幾何学的計算を行って、終了時にはんだボール又は小塊がはんだレジストの表面より上方に突出するように、はんだ受け取り容積のサイズを変更できるであろう。例えば、はんだボール又は小塊のおおよその形状は、どの表面が濡れ性であり、どの表面が濡れ性でないかの知識と共に、表面張力下で球形状となる傾向に基づいて理解されることになり、はんだ受け取り容積は、窒素環境又はフォーミングガス環境におけるリフロー時又は固化時に、内部のはんだの容積が所望のように突出するボール又小塊の形状を形成するように、十分な容積を有するような構成及び寸法にされる。従って、本明細書での教示が与えられれば、当業者は、SRの開口部の容積とSRより高いはんだの高さとの間の関係を容易に計算することができる。図22A-図22Cは、これらが、固化前に溶融はんだが球を形成する球状にする窒素環境7069中でプロセスが実施される場合を示す点を除いて、図12A-図12Cに類似している。基板7002、SR7004、及びパッド7006付近のSR7004内のほぼ直線の壁で囲まれた円筒形開口部に留意されたい。上述のように、例えば、はんだ114を供給する、可撓性部分116を有するはんだヘッド112を実装することができる。窒素の代りに、フォーミングガス環境を用いることができる。フォーミングガスは、一般に90のN2及び10のH2の、窒素N2と水素H2の混合物である。窒素環境は、図22Cの7071におけるように、はんだが固化前にほぼ球形になることを可能にする。このことは、付加的なはんだリフロープロセスなしに、はんだレジスト表面より高い固化したはんだバンプをもたらす。幅広いSR開口部が、基板のはんだバンプの高さを増大させるのに役立ち得る。図23-図27は、図22A-図22Cに示されるような技術の例示的な成功裏の実験的検証を示す。受け取ったままのOSP仕上げ基板8081は、SR表面より低いパッド8006を示す。OSPは、有機はんだ保護剤OrganicSolderabilityPreservativeであり、銅パッドの頂部上に塗布される。OSPは、はんだバンプが銅パッド上に形成される前に、銅パッドの耐酸化性及び耐腐食性を与える。IMSバンプ型基板8083は、SR表面より高いはんだバンプ8071を示す。実験目的のために、150ミクロンピッチが用いられた。図26及び図27は同じ図であるが、図26は50倍の拡大図であり、図27は100倍の拡大図であることに留意されたい。本発明の1つ又は複数の実施形態は、湿式エッチングプロセス中、角度の付いたSR開口部が自然に、しかしながら意図せずに行われ得る技術とは対照的に、意図的に広く開いたはんだレジスト開口部を形成することに留意すべきである。一態様において、基板上に大容積のはんだバンプを形成する方法は、マスクを用いずに射出成形はんだプロセスを実行することと、陥凹領域内に複数の濡れ性金属パッドを有する基板を準備することとを含む。この基板は、パッドの上に、金属パッドよりも幅の広いはんだレジスト開口部を有する。場合によっては、陥凹領域内の複数の濡れ性金属パッドと、容積を定める広く開いたはんだレジストとを有する基板が取得される。溶融はんだが、濡れ性パッド及び広く開いたはんだレジストを有する容積内に直接射出され、濡れ性パッド及び広く開いたはんだレジストを含む容積がはんだで充填される。はんだが固化することが可能になり、それにより、はんだは、濡れ性パッドに付着されるが、広く開いたはんだレジストには付着されない複数のはんだ構造体を形成する。固化したはんだは、フラックスを用いて又はギ酸環境中でリフローされ、濡れ性パッド上で球状にされる。別の態様において、ラミネートのはんだレジストよりもずっと高い高さを有するはんだバンプを形成するための、窒素又はフォーミングガス環境中でマスクを用いずにはんだを射出成形する方法が提供される。場合によっては、容積を定める陥凹領域内に複数の濡れ性パッドを有する基板が取得される。窒素環境中で、溶融はんだが、濡れ性パッドを有した状態で容積内に直接射出され、濡れ性パッドを有する容積がはんだで充填される。窒素環境中ではんだが固化することが可能になり、それにより、はんだは、濡れ性パッドに付着された、丸い頂部の構造体を形成する。固化したはんだの高さは、はんだレジストよりも高い。1つ又は複数の例において、マスクを用いずに基板上にはんだバンプを形成する方法が提供される。基板は、陥凹領域内の濡れ性パッドと、容積を定める広く開いたはんだレジストとを有する。溶融はんだが容積内に直接射出され、はんだで充填される。はんだは、固化することが可能にされ、濡れ性パッドに付着されるが、広く開いたはんだレジストには付着されない。次のリフロープロセスが、濡れ性パッド上に大容積のはんだバンプを形成する。さらに、窒素環境中の溶融はんだ射出プロセス及びはんだの固化は、付加的なリフロープロセスなしに、はんだレジストより高い高さを有する球状にされたはんだバンプを形成する。本発明の1つ又は複数の実施形態は、ありとあらゆる種類のはんだを用いることができるが、以下にさらに説明される理由のために、97Pb3Snのような非常に高い融点のはんだは望ましくない。共晶SnPb37Pb63Snはんだ及び鉛フリーPbfreeはんだ純Sn、SnAgCu、SnAg、SnCu、SnBi、SnIn等が、適切なはんだの限定されない例である。97Pb3Snの融点は320°Cであるので、これを用いる場合、溶融はんだ射出の時間が短くても、有機基板が分解される可能性がある。285°C未満の融点を有する任意のタイプのはんだが特に有利であると考えられる。はんだが射出されるとき、はんだの温度はその融点よりも高い。陥凹したパッドを有する任意のタイプの基板を用いることができる。窒素環境中の酸素濃度は、10,000ppm未満であることが好ましい。図22B及び図22Cに示される基本的な機能を得ることができる限り、窒素は完全に純粋である必要はなく、フォーミングガスは他の部分で述べた正確な組成を有する必要はない。これまでの考察が与えられると、大まかに言えば、本発明の一態様による例示的な方法が、基板4002、6002と、基板の表面上に形成された複数の濡れ性パッド4006、6006と、基板の表面上に堆積され、外面図中の最上面を有するはんだレジスト層4004、6051とを含むアセンブリを取得するステップ例えば、図12A、図15A、図16A、図17A、図18A、図20A、図21Aを参照されたいを含むことが理解されるであろう。少なくともはんだレジスト層は、濡れ性パッドに隣接した容積を定める陥凹領域4019、5019、5023、5029、5035、6049を有するように形成される。この方法はまた、濡れ性パッドに隣接した容積内に溶融はんだを直接射出し、濡れ性パッドに隣接した容積がはんだで充填されるようにし、はんだが固化するのを可能にするステップ例えば、図12B、図15B、図16B、図17B、図18B、図20B、図19、図21Bを参照されたいも含む。はんだは、濡れ性パッドに付着された複数のはんだ構造体はんだが固化した図12B、図15B、図16B、図17B、図18B、図20B、図21Bにおけるはんだが充填された容積を形成する。図12C、図15C、図16C、図17C、図18C、図20C、図21Cを参照すると、さらなるステップが、固化後に基板及びはんだを再加熱して、はんだをリフローし、はんだレジスト層の外面より上方に延びるほぼ球形のボール4016にするステップを含む。ほぼ球形とは、パッドに隣接した可能な平坦化領域を伴った、表面張力の作用下での球形又は球状を意味し、はんだはその表面張力のために球状であり、濡れ性パッド銅パッドに接触する一方の側は平坦な形状であり、自由な他の側は球形状である。濡れ性パッドに隣接した容積は、射出ステップにおいて十分なはんだを受け取るような構成及び寸法にされるので、再加熱ステップの結果として、ほぼ球形のボールは、はんだレジスト層の外面より上方に延びる。例えば、4021に見られるように、場合によっては、はんだボールは、約15ミクロン~約45ミクロンだけ、はんだレジスト層の外面より上方に延びる。この範囲は、150ミクロンピッチの基板におけるステンシル印刷はんだバンプに適切なものである。基板のピッチが低減する場合、必要とされるSRより高いはんだの高さは低くなり得る。従って、別の態様において、はんだボールは、約5ミクロン~約45ミクロンだけ、はんだレジスト層の外面より上方に延びる。場合によっては、溶融はんだを直接射出するステップは、射出成形はんだ充填ヘッド112を用いて実施され、この充填ヘッドは、はんだレジストのトポグラフィックフィーチャtopographicalfeatureに適応するように、該充填ヘッドとはんだレジスト層との間に挿置された順応性材料116を含む。少なくとも幾つかの場合において、基板は有機基板を含む。1つ又は複数の実施形態において、溶融はんだを直接射出するステップは、射出成形はんだ充填ヘッド112を用いて実施され、付加的なステップは、射出中、iヘッドとii基板との間に相対的移動をもたらすステップを含む。場合によっては、アセンブリを取得するステップにおいて、基板は、はんだマスク規定型基板である。図12A-図13C及び図15A-図15Cに示されるように、場合によっては、アセンブリを取得するステップにおいて、濡れ性パッド4006に隣接する容積4019、5019は、少なくとも部分的に、パッドに隣接したより小さい直径と、パッドと反対側のより大きい直径とを有する、円錐台形状である例えば、円錐台形状であるか、又は一部が円錐台形状であり、一部分が円筒形状である。図16A-図16Cに示すように、場合によっては、アセンブリを取得するステップにおいて、濡れ性パッドに隣接した容積5023は階段状円筒構成を有し、パッドに隣接したより小さい直径の円筒5025と、パッドの反対側のより大きい直径の円筒5027とを有する。図17A-図18Cに示すように、場合によっては、アセンブリを取得するステップにおいて、濡れ性パッドに隣接した容積5029、5035は、パッドに隣接した中央円筒部分5033、5039と、中央円筒部分と流体連通している少なくとも1つの周辺リザーバ部分5031、5037とを有する。図18A-図18Cに示すように、場合によっては、アセンブリを取得するステップにおいて、濡れ性パッドに隣接した容積は、中央円筒部分5039と流体連通している少なくとも4つの周辺リザーバ部分5037を有する。場合によっては、アセンブリを取得するステップにおいて、基板は、非はんだマスク規定型基板である。図20A-図21Cにおけるような幾つかの場合においては、アセンブリを取得するステップにおいて、基板6002は、陥凹領域6055、6057を有するようにも形成され、基板の陥凹領域は、はんだレジスト層6051の陥凹領域と共に、協働して容積6049を定める。図20A-図21Cの例に示すように、場合によっては、アセンブリを取得するステップにおいて、基板の陥凹領域6055、6057は、パッドの周りに少なくとも部分的に図21A-図21Cにおいては部分的に、図20A-図20Cにおいては完全に延びるトレンチを含む。さらに、これまでの考察が与えられると、大まかに言えば、本発明の別の態様による別の例示的な方法が、基板7002と、基板の表面上に形成された複数の濡れ性パッド7006と、基板の表面上に堆積され、外面を有するはんだレジスト層7004とを含むアセンブリを取得するステップ図22Aを参照されたいを含むことが理解されるであろう。少なくともはんだレジスト層は、濡れ性パッドに隣接した容積を定める陥凹領域個々に番号付けされていない、パッド7006の上のボイドを有するように形成される。付加的なステップ図22Bを参照されたいは、濡れ性パッドに隣接した容積内に溶融はんだ114を直接射出して、濡れ性パッドに隣接した容積がはんだで充填されるようにするステップを含む。射出は、7069のように、窒素環境及びフォーミングガス環境のうちの1つにおいて実施される。付加的なステップは、はんだが固化するのを可能にするステップを含み、これにより、はんだは、濡れ性パッドに付着された少なくとも部分的に球状の複数のはんだ構造体を形成する。図22Cに示すように、固化は、上述の窒素環境又はフォーミングガス環境において実施される。練れ性パッドに隣接した容積は、射出ステップにおいて十分なはんだを受け取るような構成及び寸法にされるので、固化ステップの結果として、ほぼ球状のはんだ構造体7071は、はんだレジスト層の外面より上方に延びる。場合によっては、固化ステップの結果として、はんだボール7071は、約15ミクロン~約45ミクロンだけ、はんだレジスト層の外面より上方に延びる。この範囲は、150ミクロンピッチの基板におけるステンシル印刷はんだバンプに適切なものである。基板のピッチが低減する場合、必要とされるSRより高いはんだの高さは低くなり得る。従って、別の態様において、はんだボールは、約5ミクロン~約45ミクロンだけ、はんだレジスト層の外面より上方に延びる。溶融はんだ114を直接射出するステップは、射出成形はんだ充填ヘッド112を用いて実施することができる。この充填ヘッドは、はんだレジスト7004のトポグラフィックフィーチャに適応するように、該充填ヘッドとはんだレジスト層との間に挿置された順応性材料116を含む。少なくとも幾つかの場合において、基板は有機基板である。1つ又は複数の実施形態において、溶融はんだを直接射出するステップは、射出成形はんだ充填ヘッド112を用いて実施され、付加的なステップは、射出中、iヘッドとii基板との間に相対的移動をもたらすステップを含む。上述した方法は、集積回路チップの製造及びパッケージングに用いることができ、特に、本明細書で述べた技術を用いて、集積回路チップへの取り付けのためにはんだボールのアレイを作製することができる。チップ設計は、例えば、グラフィカルコンピュータプログラミング言語で作成し、コンピュータ記憶媒体ディスク、テープ、物理的ハードドライブ、又はストレージアクセスネットワークにおけるような仮想ハードドライブなど内に格納することができる。設計者がチップ、又はチップを製造するためのフォトリソグラフィックマスクを製造しない場合、該設計者は、物理的手段によって例えば、設計を格納する記憶媒体のコピーを提供することによって、又は電子的に例えば、インターネットによって、結果物としての設計をそうしたエンティティに直接又は間接的に伝送することができる。次に、格納された設計は、例えば、フォトリソグラフィックマスクの製造のための、グラフィック設計システムIIGDSIIのような適切な形式に変換することができ、これは典型的には、ウェハ上に形成される当該チップ設計の複数のコピーを含む。フォトリソグラフィックマスクは、エッチングされる又は他の方法で処理されるウェハ及び/又はその上の層の領域を定めるために使用することができる。結果として得られる集積回路チップは、生ウェハの形態ですなわち、多数のパッケージされていないチップを有する単一のウェハとして、ベアダイとして、又はパッケージされた形態で、製造業者により流通させることができる。後者の場合、チップは、単一のチップパッケージマザーボード又は他のより高いレベルのキャリアに取り付けられたリード線を有するプラスチック製キャリアのような、又は、マルチチップパッケージ片面若しくは両面の相互接続部、又は埋め込まれた相互接続部を有するセラミック製キャリアのような内にマウントされる。いずれにせよ、その後、チップは、aマザーボードのような中間製品、又はb最終製品のいずれかの部品として、他のチップ、別個の回路素子、及び/又は他の信号処理デバイスと統合される。最終製品は、玩具及び他の低価格用途から、ディスプレイ、キーボード又は他の入力デバイスと中央処理装置とを備えた高度なコンピュータ製品にわたる、集積回路チップを含むあらゆる製品とすることができる。本明細書で述べられる技術は、チップをチップ若しくは3D用途のためのチップスタック上に、チップをウェハ上に、チップをパッケージ上に、又はパッケージをパッケージ上に相互接続するのに用いることができる。上述した本発明の例示的な実施形態は、多数の異なる方法で実施できることが認識され、理解されるべきである。本明細書で提供される本発明の教示が与えられれば、当業者は、本発明の他の実施を企図することができるであろう。本発明の例証的な実施形態が、添付図面を参照してここに説明されたが、本発明はそれらの正確な実施形態に限定されるものではなく、当業者であれば、本発明の範囲及び趣旨から逸脱することなく、種々の他の変更及び修正をなし得ることを理解すべきである。"