上面に回路素子が実装された回路基板をモールド金型のキャビティに収納する工程と、前記キャビティに封止樹脂を注入することにより前記回路基板を前記封止樹脂で被覆する工程と、を有し、前記被覆する工程では、前記回路基板の下方から前記キャビティに前記封止樹脂を注入することを特徴とする回路装置の製造方法。前記被覆する工程では、前記回路基板の下面と前記モールド金型の内壁との距離が所定の長さとされた状態で、前記封止樹脂が前記キャビティに注入されることを特徴とする請求項1に記載の回路装置の製造方法。前記封止樹脂が注入されるゲートを、前記回路基板の中心部の下方に配置することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の回路装置の製造方法。前記キャビティの側方に設けたエアベントから、前記キャビティの内部の空気を外部に放出させることを特徴とする請求項1から請求項3の何れかに記載の回路装置の製造方法。前記金型には複数の前記キャビティが設けられ、前記複数のキャビティの各々で、前記回路基板の下方に対応する領域に前記封止樹脂が注入されるゲートを設けることを特徴とする請求項1から請求項4の何れかに記載の回路装置の製造方法。しかしながら、図4Bを参照して、支持部材110を排除して通常のトランスファーモールドを行う場合、封止樹脂がキャビティ114に注入されるゲートは、回路基板101の側方に設けられる。従って、回路基板101の側方からキャビティ114に注入された封止樹脂は、回路基板101の上方に優先的に流動してしまい、回路基板101の下方の空間をボイド無く樹脂封止することが困難な問題があった。本発明は上記した問題点を鑑みて成されたものであり、本発明の目的は、回路基板の下方の空間をボイド無く樹脂封止することを可能とする回路装置の製造方法を提供することにある。本発明の回路装置の製造方法は、上面に回路素子が実装された回路基板をモールド金型のキャビティに収納する工程と、前記キャビティに封止樹脂を注入することにより前記回路基板を前記封止樹脂で被覆する工程と、を有し、前記被覆する工程では、前記回路基板の下方から前記キャビティに前記封止樹脂を注入することを特徴とする。本発明によれば、回路基板の下方からキャビティに封止樹脂を注入するので、回路基板の下面とモールド金型との間隙が薄い場合であっても、この間隙に確実に封止樹脂を充填させてボイドの発生を抑制することができる。図1を参照して、本形態が適用される混成集積回路装置10の構成を説明する。図1Aは混成集積回路装置10の斜視図であり、図1Bは図1AのB-B’線に於ける断面図であり、CはC-C’線に於ける断面図である。混成集積回路装置10は、回路基板14の上面に、導電パターン22と回路素子から成る混成集積回路が組み込まれ、この回路と電気的に接続されたリード24が外部に導出している。更に、回路基板14の上面に構築された混成集積回路、回路基板14の上面、側面および下面は、熱硬化性樹脂から成る封止樹脂16により一体的に被覆されている。回路基板14は、アルミニウムや銅等の金属から成る基板であり、具体的な大きさは、例えば縦×横×厚さ=61mm×42mm×1mm程度である。ここで、回路基板14の材料として金属以外が採用されても良く、例えば、セラミックや樹脂材料が回路基板14の材料として採用されても良い。絶縁層26は、フィラーが高充填されたエポキシ樹脂から成り、回路基板14の表面全域を覆うように形成されている。導電パターン22は厚みが50μm程度の銅等の金属膜から成り、所定の電気回路が実現されるように絶縁層26の表面に形成される。また、リード24が導出する辺に、導電パターン22からなるパッドが形成される。半導体素子28およびチップ素子30回路素子は、半田等の接合材を介して、導電パターン22の所定の箇所に固着されている。半導体素子28としては、トランジスタ、LSIチップ、ダイオード等が採用される。ここでは、半導体素子28と導電パターン22とは、金属細線34を経由して接続される。チップ素子30としては、チップ抵抗やチップコンデンサ等が採用され、両端の電極は半田等の接合材を介して導電パターン22に固着されている。また、半導体素子28が、多量の熱を放出するパワー系の素子である場合は、厚さが数ミリ程度の金属片から成るヒートシンクを介して回路基板14の上面に固着される。リード24は、回路基板14の周辺部に設けられたパッドに固着され、入力信号や出力信号が通過する外部接続端子として機能している。図1Bを参照すると、回路基板14の対向する2つの辺に沿って多数個のリード24が設けられているが、1つの側辺または4つの側辺に沿ってリード24が配置されても良い。封止樹脂16は、熱硬化性樹脂を用いるトランスファーモールドにより形成される。図1Bでは、封止樹脂16により、導電パターン22、半導体素子28、チップ素子30、金属細線34が封止されている。更に、回路基板14の上面、側面および下面が封止樹脂16により被覆されている。更に、図1Aを参照して、紙面上にて左右方向に対向する封止樹脂16の側面中間部に固定部19が設けられている。固定部19は、平面視で封止樹脂16の側面を略半円状に内側に窪ませた部位であり、この部分にビス等の固定手段が配置されることで、封止樹脂16の下面がヒートシンク等の放熱体に当接される。図1Bを参照して、回路基板14の下面を被覆する封止樹脂16の厚みL1は、例えば0.1mm以上0.3mm以下である。回路基板14の下面を被覆する封止樹脂16をこの様に薄くすることにより、封止樹脂16の熱抵抗が低減され、半導体素子28から発生した熱が、回路基板14および封止樹脂16を経由して良好に外部に放出される。課題欄にて説明したように、通常のトランスファーモールドにより回路基板14の下面を被覆することは容易では無いが、本願発明では、後述するようにトランスファーモールドの工程において回路基板14の下方から封止樹脂を注入することにより、回路基板14の下面を薄く且つボイドが無い状態で被覆している。図2および図3を参照して、次に、上記した構成の混成集積回路装置の製造方法を説明する。図2はトランスファーモールドを行う工程を示す断面図であり、図3はトランスファーモールドで用いられる金型を示す平面図である。本工程では、先ず、トランスファーモールドに用いられる上金型52および下金型54から成る金型50を用意する。金型50は、上金型52と下金型54から成り、両者を当接させることでキャビティ56が形成される。上金型52にはイジェクトピン62が配置されており、キャビティ56に樹脂が注入される際にはイジェクトピン62の下面は上金型52の内壁と同一平面上に配置されている。そして、キャビティ56の内部で硬化した後に、イジェクトピン62を下方に移動させることで、封止樹脂が離型される。一方、下金型54には、キャビティ56の下方に対応する部分に、ゲート58およびポッド61が配置されている。ゲート58の位置としては回路基板14の中心の下方が好適であり、これによりキャビティ56の全体に満遍なく封止樹脂16を行き渡らせることができる。また、ここでは1つのみのゲート58が設けられているが、回路基板14の下方に複数のゲート58が設けられても良い。ポッド61はゲート58の下方に配置され、その内部には固化された熱硬化性樹脂から成るタブレット59が配置され、このタブレット59はプランジャー63により上方に押圧される構成となっている。また、本工程においては、金型50はタブレット59が溶融される温度以上に過熱されている。具体的な封止方法は、先ず、半導体素子等の回路素子が配置された回路基板14を下金型54に配置し、下金型54に上金型52を当接させることで形成されるキャビティ56の内部に回路基板14を収納する。また、回路基板14の両側辺に固定されたリード24が上金型52および下金型54で挟持されることにより、キャビティ56の内部に於ける回路基板14の位置が固定される。ここで、本工程においては、回路基板14の下方に設けたゲート58から液状の封止樹脂16を注入するので、何ら対策を施さなければ、この注入圧により回路基板14が上方に移動してしまう恐れがある。本形態では、上金型52および下金型54で、リード24を狭持することにより、回路基板14のキャビティ56の内部に於ける位置を固定している。従って、ゲート58から封止樹脂16が注入されることにより、回路基板14を上方に持ち上げるような圧力が作用したとしても、回路基板14の過度の移動は抑制されている。また、回路基板14の移動を確実に防止するために、上金型52の内壁から回路基板14の上面に当接する当接ピンを設けても良い。次に、ポッド61に投入されたタブレット59を加熱することより、液状または半固形の封止樹脂16とする。その後、プランジャー63を上昇させることにより、ゲート58を経由して封止樹脂16をキャビティ56に注入する。ゲート58から注入された封止樹脂16は、先ず、紙面上左右方向に分岐した後に回路基板14の周辺部に向かって流動し、回路基板14と下金型54内壁との間の間隙に充填される。次に、封止樹脂16の側方の領域に封止樹脂16が充填され、その後、回路基板14の上方に領域に封止樹脂16が充填され回路素子も被覆される。金型50の左右両端部にエアベントが設けられており、封止樹脂16の注入に伴い、キャビティ56の内部の空気はエアベントを介して外部に放出される。キャビティ56に充分に封止樹脂16が充填された後は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成る封止樹脂16を充分に加熱硬化させた後に、上金型52と下金型54とを離型する。更に、イジェクトピン62を下方に降下させることにより、封止樹脂16の上面を下方に押圧し、封止樹脂16を上金型52の内壁から分離させる。本工程では、回路基板14の下方の領域で下金型54にゲート58を設け、このゲート58からキャビティ56に封止樹脂16を注入している。従って、回路基板14と下金型54との間隙が非常に狭い場合であっても、ゲート58から注入された封止樹脂16は、最初にこの間隙に注入されるので、回路基板14の下方の領域に封止樹脂16が良好に充填されボイドの発生が抑制されている。図3Aを参照して、上記工程で用いる金型50の構成を更に説明する。金型50には複数のキャビティ56が設けられ、ここでは、一例として、2列×4行で8個のキャビティ56が金型50に設けられており、各キャビティ56に回路基板14が収納されており、各回路基板14の下方にゲート58が設けられている。図3Bを参照して、本工程では、各キャビティ56の下方に、封止樹脂を供給するポッド61およびゲート58が設けられている。このようにすることで、各キャビティ56に所定量の封止樹脂を充分に供給することが可能となる。上記工程が終了した後は、リード24を所定の形状や長さに成形する工程、内蔵される混成集積回路装置の特性を検査する工程を経て、図1に示す混成集積回路装置10が製造される。