"複数の誘電体層が積層された積層体と、該積層体の前記誘電体層間に設けられた内部電極と、該内部電極に接続されるように前記積層体の端面に設けられ、第1主面に延在する延在部を有した外部電極と、前記延在部および前記第1主面の間に設けられた基体、及び該基体に含有されており、前記外部電極に接合されている金属粒子を含む下地層と、を有するコンデンサ。前記外部電極は、めっき膜であることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサ。前記基体は、セラミック焼結体であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のコンデンサ。前記下地層において、分散した前記金属粒子同士の間隔が10μm以下であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のコンデンサ。前記下地層における前記基体の含有比率は、70~95重量であり、前記金属粒子の含有比率は、5~30重量であることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のコンデンサ。前記下地層における前記金属粒子の含有比率は前記第1主面側より、前記延在部側の方が高いことを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載のコンデンサ。前記金属粒子の平均粒径は、0.5~5μmであることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載のコンデンサ。前記下地層の前記延在部側の表面に対する、前記金属粒子の露出面積の比率は、5~45であることを特徴とする請求項1~7のいずれかに記載のコンデンサ。前記金属粒子の露出面は、前記基体の表面と面一であることを特徴とする請求項1~8のいずれかに記載のコンデンサ。前記金属粒子が互いに結合することによって複数の結合体が形成されており、該複数の結合体が前記基体中に分散していることを特徴とする請求項1~9のいずれかに記載のコンデンサ。上記のようなコンデンサの作製にあたっては、外部電極の形成前に誘電体層を積層してなる積層体および下地電極層を高温で焼結させる。ここで、積層体は主にセラミック成分から成っているのに対し、下地電極層は主に金属成分から成っており、両者は焼結収縮率が大きく異なることから、積層体に反りが生じやすいという問題点があった。本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、反りの発生を低減することが可能なコンデンサを提供することにある。本発明のコンデンサは、複数の誘電体層が積層された積層体と、該積層体の前記誘電体層間に設けられた内部電極と、該内部電極に接続されるように前記積層体の端面に設けられ、第1主面に延在する延在部を有した外部電極と、前記延在部および前記第1主面の間に設けられた基体、及び該基体に含有されており、前記外部電極に接合されている金属粒子を含む下地層と、を有することを特徴とするものである。上記の構成によれば、焼結時に積層体に反りが生じにくいコンデンサを提供することができる。以下に、本発明のコンデンサの実施の形態の一例について図面を参照しつつ詳細に説明する。図1に示すコンデンサ1は、積層体2と、内部電極3と、外部電極4と、下地層5とを具備している。積層体2は、複数の誘電体層6が積層されて成る。この積層体2は、1層当たり例えば1~5μmの厚みに形成された矩形状の複数の誘電体層6を、例えば20~2000層積層して成る直方体状の誘電体ブロックである。また、積層体2の寸法は、積層体2の長辺の長さを、例えば04~32mmとし、積層体2の短辺の長さを、例えば02~16mmとする。誘電体層6の材料としては、例えば、チタン酸バリウム,チタン酸カルシウムあるいはチタン酸ストロンチウム等の比較的誘電率が高いセラミックスを主成分とする誘電体材料を用いる。内部電極3は、積層体2の誘電体層6間に20~2000層形成されている。この内部電極3は、図2に示すように、端部が積層体2の端面に達しており、この端面で外部電極4に接続されている。なお、図2において図示した一部の内部電極3は図2の右側の外部電極4と接続されているが、この内部電極3の1層上または下に配置された他の内部電極3は、図2の左側の外部電極4と接続されている。また、各誘電体層6間の内部電極3は、積層体2の端部にそれぞれ形成された両外部電極4に交互に1つずつ接続されている。内部電極3の寸法は、図2における積層体2の長手方向に例えば039~31mmであり、積層体2の短辺方向に例えば019~15mmであり、厚みは例えば05~2μmである。この内部電極3の材料としては、例えばニッケル,銅,銀またはパラジウム等の金属を主成分とする導体材料が用いられる。外部電極4は、図1、図2に示すように、内部電極3に接続されるように積層体2の端面に設けられ、第1主面2Aに延在する延在部4Aを有している。外部電極4における端面の部分の寸法は、例えば、積層体2の積層方向に02~20mmであり、積層体2の短手方向に02~16mmである。また、外部電極4における延在部4Aの寸法は、例えば、積層体2の長手方向に01~085mmであり、積層体2の短手方向に02~16mmである。また、外部電極4は、後述するように無電解めっき法、または電解めっき法によって形成されるめっき膜である。下地層5は、図2に示すように、延在部4Aおよび第1主面2Aの間に設けられている。また、下地層5は、図3aに示すように、基体5aと、金属粒子5bとを含む。基体5aは、延在部4Aおよび第1主面2Aの間に設けられている。金属粒子5bは、基体5aに含有されており、外部電極4に接合されている。この下地層5は、図3bに示すように、例えば、焼結によってセラミック粒子が結合して成るセラミック焼結体基体5a中に、金属粒子5bが分散しているものである。このような構成によれば、下地層5の主成分はセラミック成分となるので、下地層5のセラミック成分および、第1主面2Aのセラミック成分は、焼結収縮率が略等しくなる。よって、焼結時に積層体2に反りが生じにくいコンデンサ1を提供することができる。また、図3aによれば、金属粒子5bと延在部4Aとは異なるハッチングで描かれているため、互いに別部材のように見えるが、延在部4Aはめっき法によって金属粒子5bを起点として形成されるので、金属粒子5bは実質的に延在部4Aの一部となり、一体化されているような構成となっている。従って、図3aについて別の見方をすれば、延在部4Aの一部が下地層5に打ち込まれているような構成となるので、アンカー効果によって延在部4Aは下地層5から剥離しにくくなる。下地層5は、図2に示すように、第1主面2A上であって、両端面側にそれぞれ部分的に設けられている。下地層5が、このような位置に部分的に設けられているのは、下地層5が外部電極4を設ける位置に予め形成されるものだからである。また、下地層5は、第1主面2A上に設けられているのであって、積層体2の端面には設けられていない。このような構成によって、セラミックを主な成分とする下地層5が、端面における内部電極3の露出部を覆ってしまうことを防ぐことができる。よって、内部電極3と外部電極4との電気的な導通性を確保することができる。下地層5の基体5aがセラミック焼結体である場合、このセラミック焼結体を構成するセラミック成分は、チタン酸バリウム,チタン酸カルシウムあるいはチタン酸ストロンチウム等が使用される。このセラミック成分は、前述した誘電体層6を構成するセラミック成分と同一の種類であることが好ましい。このような場合には、下地層5と積層体2とが、より強力に接着することとなるからである。また、下地層5のセラミック焼結体基体5aと、積層体2とを、同一のセラミック成分とすることにより、両者の焼結収縮率をより均一化でき、また、両者の焼結の際の挙動もほぼ同じとなるので、積層体2の反りをより低減することができるので好ましい。金属粒子5bは、銅,銀,ニッケル,パラジウムまたはこれらの合金等が使用される。また、この金属粒子5bは、前述した外部電極4の金属成分と同一の種類であることが好ましい。このような場合には、後述するように無電解めっき法によって外部電極4を形成する場合に、外部電極5と積層体2とが、より強力に接着することとなるからである。下地層5におけるセラミック焼結体基体5aの含有比率は、70~95重量であり、下地層5における金属粒子5bの含有比率は、5~30重量であることが好ましい。ここで、含有比率とは、下地層5に対するセラミック焼結体基体5aおよび金属粒子5bの重量比のことを示している。金属粒子5bの含有比率が5重量以上であることより、下地層5に適度に金属粒子5bが存在していることとなる。よって、下地層5に無電解めっき法または電解めっき法を施す際に、外部電極4の延在部4Aを下地層5上に均一に形成することができる。また、セラミック焼結体基体5aの含有比率が70重量以上であることより、下地層5はセラミック成分が主成分となるので、下地層5の焼結収縮率がセラミック成分の焼結収縮率と略等しくなる。よって、焼結時に積層体に反りが生じることを抑制できる。特に、下地層5において、分散した金属粒子5b同士の間隔が10μm以下であることが好ましい。この場合には、めっきによって形成された部分が途切れることなく、延在部4Aを形成することができる。また、分散した金属粒子5b同士の間隔が5μm以下である場合には、さらに好ましい。この場合には、延在部4Aを均一に形成することができ、膜厚にムラが少ない外部電極を形成することができる。また、分散した金属粒子5bの平均粒径は、例えば、05~5μmである。この分散した金属粒子5bの形状は、例えば、球形状,楕円形状または針形状等のいずれであってもよい。なお、楕円形状または針形状等の球形状以外の形状であっても、球形状と仮定した場合の平均粒径を求め、その値が、例えば、05~5μmであるとする。この場合の平均粒径の求め方は、後述する。また、下地層5における金属粒子5bの含有比率は第1主面2A側より、延在部4A側の方が高いことが好ましい。この構成により、下地層5の第1主面2A側は、セラミック焼結体基体5aの含有比率が高くなるので、下地層5が第1主面2Aと接着しやすくなる。また、下地層5の延在部4A側は、金属粒子5bの含有比率が高いので、めっき法を施した際に、延在部4Aを形成するのが容易となる。また、下地層5の延在部4A側の表面に対する、金属粒子5bの露出面積の比率は、5~45であることが好ましい。金属粒子5bの露出面積の比率が、5以上である場合には、下地層5の表面に適度に金属部分が存在していることとなるので、下地層5に無電解めっき法または電解めっき法を施す際に、外部電極4の延在部4Aを下地層5上に均一に形成することができる。また、45以下である場合には、焼結工程の際に、金属粒子5b同士が近接し過ぎて凝集することを抑制し、金属粒子5bが適度に分散された状態とすることができる。金属粒子の露出面積の比率を求めるためには、まず、金属粒子の露出面積を求める。そのためには、まず、外部電極4が設けられておらず下地層5が露出した状態のコンデンサを、バレル研摩して乾燥させる。次に、下地層5における延在部4A側の表面を電子顕微鏡で観察して、01~02mm平方の区画のSEM写真をとる。次に、そのSEM写真の電子ファイルに2値化処理ソフトによって画像処理を施した後、画像中の金属粒子の露出面積の合計を算出する。しかる後に、算出した露出面積を、SEM写真を撮った区画の面積で割ることによって、金属粒子の露出面積の比率を求めることができる。また、金属粒子の平均粒径を求めるためには、まず金属粒子の露出面積の合計を、SEM写真の区画中の金属粒子の個数で割って、金属粒子1つ当たりの露出面積を算出する。この値を円周率で割り、05乗すれば、見かけの平均粒径を求めることができる。そして、見かけの平均粒径を1155倍すれば、真の平均粒径を求めることができる。なお、金属粒子5bの形状が、楕円形状または針形状等の球形状以外の場合であっても、ここで説明した方法によって、球形状であると仮定して、見かけの平均粒径及び真の平均粒径を求める。また、金属粒子の含有比率を求めるためには、まず金属粒子の平均粒径に基づいて、金属粒子1つ当たりの体積を求める。また、SEM写真の区画中に存在する金属粒子の個数を15乗し、当該区画中の下地層5における金属粒子の真の個数を求める。こうして求めた金属粒子の個数に、金属粒子1つ当たりの体積を掛けることにより、金属粒子の体積合計が求まる。そして、この値を、SEM写真の区画における下地層5の体積で割ることによって、体積比率を求める。この値に、金属粒子5bおよび基体5aセラミックスの比重比を掛けることによって、重量比率を求めることができる。また、金属粒子同士の間隔は、SEM写真中の区画の1辺の長さを、この区画に存在する金属粒子の個数を0.5乗した値で割ることによって求めればよい。以上のような構成のコンデンサ1は、以下に示すようなセラミックグリーンシート積層法によって作製される。具体的には、誘電体層6となる複数のグリーンシートを用意する。この工程において、セラミックグリーンシートは、セラミック原料粉末に適当な樹脂成分及び有機溶剤等を添加し混合することによって泥漿状のセラミックスラリーを作製し、これをドクターブレード法等によって成形することによって得られる。次に、グリーンシート上に、内部電極3となる導電性ペーストを塗布する。この工程において、導電性ペーストは、スクリーン印刷法等によって塗布する。次に、積層体2の第1主面2Aにあたる部分に、金属粒子5b、およびセラミック焼結体基体5aとなるセラミック成分を含んでおり、かつ、焼結により下地層5となる混合材料ペーストを塗布する。次に、コンデンサ1本体の生の状態のものを得るため、複数のセラミックグリーンシートを積層しかつプレスした後に単体にカットする。次に、生の状態のコンデンサ1本体を焼成して積層体2を得る。この工程においては、例えば800~1050°Cで焼成することによって積層体2を得る。この工程によって、グリーンシートは誘電体層6となり、導電性ペーストは内部電極3となり、混合材料ペーストは下地層5となる。次に、図4a、bに示すように、無電界めっき法または電界めっき法によって外部電極4および延在部4Aを形成する。この工程においては、積層体2の端面から露出している内部電極3、下地層5上に銅を析出させて、これらの析出した銅同士を連結させることによって外部電極4および延在部4Aを形成する。こうして得られた外部電極4および延在部4Aの膜厚は5~50μm程度である。なお、析出した銅同士が連結するためには、端面から露出する内部電極3同士の間隔が10μm程度以下であることが好ましい。なお、下地層5および内部電極3間の間隔も同様であることが好ましい。また、このような例に限らず、積層体の端面を覆うように予め金属被膜を形成しておいてもよい。この金属被膜は、積層体2の端面に露出している内部電極3と電気的に接続している。この金属被膜に対してめっき法を施すことによって、より容易に、かつ、より均一な厚みで外部電極4を形成することができる。このようにして得られる外部電極4および延在部4Aの材料は、銅以外に銀,ニッケル,パラジウムまたはこれらの合金等の金属材料であってもよい。次に、得られた外部電極4および延在部4Aの表面に、必要に応じてニッケルNiめっき層,金Auめっき層,スズSnめっき層あるいは半田めっき層等のめっき層2bを形成して、コンデンサ1を得る。なお、本発明は上述した実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更,改良等が可能である。例えば、積層体2に面取りを施し、丸み部を形成してもよい。この工程によって、得られた積層体2の丸み部に、マイクロクラックの除去および欠けが発生することを防止することができる。さらにバレル研磨は、下地層5における延在部4A側の表面に露出する金属粒子の表面酸化膜を削り取り金属表面を露出させて、めっき付着性を向上させる効果がある。また、例えば、図1および図2に示す例においては、積層体2の一方の主面第1主面2Aのみに、延在部4Aおよび下地層5を設けたが、図5bに示すように、積層体2の他方の主面第2主面2Bにも、これらを同様に設けてもよい。また、下地層5の基体5aは、セラミック焼結体以外に、樹脂成形体であってもよい。樹脂成形体は、例えば、エポキシ樹脂等である。基体5aが樹脂成形体である下地層5を設けるためには、焼結が終わった積層体2に、金属粒子を含む樹脂ペーストを塗布して加熱によって硬化させればよい。このように、基体5aが樹脂成形体である下地層5を用いたとしても、樹脂成形体の焼結収縮率が積層体2に近似している場合には、セラミック焼結体の場合と同様の効果を得ることができる。また、図6に示すように、金属粒子5bの露出面は、基体5aの表面と面一であることが好ましい。この場合には、無電解めっき法または電解めっき法で、凹凸のない下地層5表面に延在部4Aを形成することができるため、延在部4Aを均一な厚みにして形成することができる。なお、金属粒子5bの露出面を、基体5aの表面と面一とするためには、めっきを施す工程の前に、下地層5の表面を研磨すればよい。また、図6に示すように、下地層5に含まれる金属粒子5bは、延在部4A側のみに存在することが好ましい。この場合には、金属粒子5bが延在部4A側から少なくとも露出していることから、無電解めっき法または電解めっき法で延在部4Aを形成することを可能としつつ、下地層5における延在部4A側以外の部分を、基体5aであるセラミック焼結体のみとすることができる。よって、積層体2に接する側の方が、セラミック焼結体のみとなるので、積層体側の焼結収縮率にさらに近づかせることができ、焼結時の積層体2の反りを更に抑制することができる。また、図7aに示す例のように、金属粒子5bが延在部4Aと下地層5との境界に存在する場合、以下の条件を満たす金属粒子5bを下地層5の一部とし、満たさない金属粒子5bは下地層5の一部としないものとする。この条件とは、図7において延在部4A側の表面にあって金属粒子5bと基体5aとが接触している点をX、Yとした場合に、このX、Yを結ぶ仮想の線分Lと直交する方向に、025μm以上の長さを有する事である。この条件は、図7bに示す例のように、金属粒子5bが球形状以外の場合であっても、同様に適用する。また、この条件は、図7cに示す例のように、延在部4Aと下地層5との境界が、湾曲している場合であっても、同様に適用する。また、図8に示すように、金属粒子5bが互いに結合することによって複数の結合体が形成されており、これら複数の結合体が基体5a中に分散していることが好ましい。このような場合には、下地層5に打ち込まれている延在部4Aの一部が大きくなるので、アンカー効果が向上し、延在部4Aは下地層5から、さらに剥離しにくくなる。また、図8に示す例のように、結合体が延在部4Aと下地層5との境界に存在する場合にも、上述した条件を満たす場合には、結合体を下地層5の一部とみなすこととする。"