"ポリシリコン、酸化ケイ素および窒化ケイ素を含む基体を提供し;アリール環に結合したアルキル基を有する疎水性部分と4~100個の炭素原子を有する非イオン性非環式親水性部分とを有するアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物、水、研磨剤、並びに式I式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6およびR7のそれぞれは、式-CH2n-を有する架橋基であり、nは1~10から選択される整数であるの物質を当初成分として含む化学機械研磨組成物を提供し;化学機械研磨パッドに研磨面を提供し;基体に対して研磨面を動かし;化学機械研磨組成物を研磨面上に分配し;基体の少なくとも一部分を摩耗させて、基体を研磨し;ポリシリコンの少なくとも幾分かが基体から除去され;並びに、酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくとも幾分かが基体から除去される;ことを含む、基体を化学機械研磨する方法。化学機械研磨組成物が5以上:1の酸化ケイ素:ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項1に記載の方法。化学機械研磨組成物が、200mm研磨装置において、93回転/分のプラテン速度、87回転/分のキャリア速度、200ml/分の化学機械研磨組成物流速、3psiの名目ダウンフォースで、500Å/分以上の酸化ケイ素除去速度を示し;ポリウレタン含浸不織サブパッドおよびポリマー中空コア微小球体を含むポリウレタン研磨層を化学機械研磨パッドが含む、請求項2に記載の方法。ポリシリコンが非晶質ポリシリコンであり、並びに化学機械研磨組成物が5以上:1の酸化ケイ素:非晶質ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項3に記載の方法。ポリシリコンが結晶質ポリシリコンであり、並びに化学機械研磨組成物が10以上:1の酸化ケイ素:結晶質ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項3に記載の方法。化学機械研磨組成物が5以上:1の窒化ケイ素:ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項1に記載の方法。化学機械研磨組成物が、200mm研磨装置において、93回転/分のプラテン速度、87回転/分のキャリア速度、200ml/分の化学機械研磨組成物流速、3psiの名目ダウンフォースで、500Å/分以上の窒化ケイ素除去速度を示し;ポリウレタン含浸不織サブパッドおよびポリマー中空コア微小球体を含むポリウレタン研磨層を化学機械研磨パッドが含む、請求項6に記載の方法。ポリシリコンが非晶質ポリシリコンであり、並びに化学機械研磨組成物が5以上:1の窒化ケイ素:非晶質ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項7に記載の方法。ポリシリコンが結晶質ポリシリコンであり、並びに化学機械研磨組成物が10以上:1の窒化ケイ素:結晶質ポリシリコン除去速度選択性を示す、請求項7に記載の方法。アルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物が式:式中、Rは分岐C6-10アルキル基であり;xは2~8であり;並びにMはH、Na、K、LiおよびNH4からなる群から選択されるを有し、並びに式Iの物質がジエチレントリアミンペンタキスメチルホスホン酸である、請求項1に記載の方法。にもかかわらず、半導体システムの製造における使用のためのデバイス設計の動的な分野をサポートするために、設計ニーズの変更に適合する研磨特性の望まれるバランスを提供するように配合される化学機械研磨組成物についての継続した必要性が存在している。例えば、ポリシリコンよりも窒化ケイ素および酸化ケイ素の除去に有利に働くように、ならびに窒化ケイ素に対して酸化ケイ素の除去に有利に働くように適合した除去速度および除去速度選択性を示す化学機械研磨組成物についての必要性が存在している。本発明は、ポリシリコン、酸化ケイ素および窒化ケイ素を含む基体を提供し;アリール環に結合したアルキル基を有する疎水性部分と4~100個の炭素原子を有する非イオン性非環式親水性部分とを有するアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物、水、研磨剤、並びに式I式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6およびR7のそれぞれは、式-CH2n-を有する架橋基であり、nは1~10から選択される整数であるの物質を当初成分として含む好ましくは、これらから本質的になる化学機械研磨組成物を提供し;化学機械研磨パッドに研磨面を提供し;基体に対して研磨面を動かし;化学機械研磨組成物を研磨面上に分配し;基体の少なくとも一部分を摩耗させて、基体を研磨し;ポリシリコンの少なくとも幾分かが基体から除去され;並びに、酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくとも幾分かが基体から除去される;ことを含む、基体を化学機械研磨する方法を提供する。本発明は、ポリシリコン、酸化ケイ素および窒化ケイ素を含む基体を提供し;アリール環に結合したアルキル基を有する疎水性部分と4~100個の炭素原子を有する非イオン性非環式親水性部分とを有するアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物、水、研磨剤、並びに式I式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6およびR7のそれぞれは、式-CH2n-を有する架橋基であり、nは1~10から選択される整数であるの物質を当初成分として含む好ましくは、これらから本質的になる化学機械研磨組成物を提供し;化学機械研磨パッドに研磨面を提供し;基体に対して研磨面を動かし;化学機械研磨組成物を研磨面上に分配し;基体の少なくとも一部分を摩耗させて、基体を研磨し;ポリシリコンの少なくとも幾分かが基体から除去され;酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくとも幾分かが基体から除去され;並びに、化学機械研磨組成物が2~5の研磨pHを示す;ことを含む、基体を化学機械研磨する方法も提供する。本発明は、ポリシリコン、酸化ケイ素および窒化ケイ素を含む基体を提供し;下記式式中、Rは分岐C6-10アルキル基であり;xは2~8であり;並びにMはH、Na、K、LiおよびNH4からなる群から選択されるを有するアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物、水、研磨剤、並びにジエチレントリアミンペンタキスメチルホスホン酸を当初成分として含む好ましくは、これらから本質的になる化学機械研磨組成物を提供し;化学機械研磨パッドに研磨面を提供し;基体に対して研磨面を動かし;化学機械研磨組成物を研磨面上に分配し;基体の少なくとも一部分を摩耗させて、基体を研磨し;ポリシリコンの少なくとも幾分かが基体から除去され;酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくとも幾分かが基体から除去され;並びに、化学機械研磨組成物が無機酸で調節されて2~5の研磨pHを示す;ことを含む、基体を化学機械研磨する方法も提供する。本発明の化学機械研磨方法は、酸化ケイ素および窒化ケイ素と共にポリシリコンを含む基体を研磨するのに有用である。本発明の方法において使用される化学機械研磨組成物は、ポリシリコン除去速度抑制量のアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物を式Iの物質と共に含む。式Iに従った物質の組み込みは、化学機械研磨組成物による、ポリシリコン除去速度に対する最小限の影響をしか示さずに、酸化ケイ素と窒化ケイ素との間の除去速度選択性の調節を容易にする。具体的には、アルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物と併用した式Iに従った物質の組み込みは、ポリシリコンの除去速度に対する最小限の影響で、窒化ケイ素除去速度に対して酸化ケイ素除去速度を増大させる。本明細書および特許請求の範囲において使用される、式Iの物質と併用したアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物の化学機械研磨組成物への添加によりもたらされるÅ/分で測定される除去速度について除去速度抑制に関する用語実質的に低いとは、ポリシリコンの除去速度が50以上低いことを意味する。すなわち、ポリシリコン除去速度が実質的に低い場合には、下記の式が満足される:A0-A/A0×100≧50式中、Aは、式Iの物質と併用したアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物を含む本発明の方法において使用される化学機械研磨組成物についてのポリシリコン除去速度Å/分単位であり;A0は、この式Iの物質およびアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物が化学機械研磨組成物に存在しないことを除いて同じ条件下で得られたポリシリコン除去速度Å/分単位である。本明細書および特許請求の範囲において使用される、化学機械研磨組成物への式Iの物質の添加によりもたらされるポリシリコンの除去速度Å/分で測定された除去速度の変化に関する用語最小限の影響とは、ポリシリコンの除去速度が20以内しか変化しないことを意味する。すなわち、化学機械研磨組成物への式Iの物質の添加がポリシリコン除去速度に対して最小限の影響しか有しない場合には、下記の式が満足される:B0-Bの絶対値/B0×100≦20式中、Bは、式Iの物質と併用したアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物を含む本発明の方法において使用される化学機械研磨組成物についてのポリシリコン除去速度Å/分単位であり;B0は、式Iの物質が化学機械研磨組成物に存在しないことを除いて同じ条件下で得られたポリシリコン除去速度である。本発明の化学機械研磨方法において使用される化学機械研磨組成物において使用されるアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物は、一般式R-SO3Hまたは塩としてR-SO3-式中、Rは疎水性部分および非イオン性非環式親水性部分を含むで表されうる。スルホン酸部分すなわち、-SO3Hおよびスルホナート部分-SO3-は本明細書においては交換可能に使用される。アルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物における疎水性部分はアリール環に結合したアルキル基を含む。特に、疎水性部分は、アリール環、好ましくはベンゼン環に結合し、4~24個の炭素原子を有するアルキル基を含む。好ましくは、疎水性部分は、ベンゼン環に結合し、4~15個の炭素原子を有するアルキル基を含む。より好ましくは疎水性部分は、ベンゼン環に結合し、6~10個の炭素原子を有するアルキル基を含む。アリール環に結合したアルキル基は直鎖もしくは分岐鎖であることができる。アリール環に結合したアルキル基は飽和または不飽和であってよい。最も好ましくは、アリール環に結合したアルキル基は、6~10個の炭素原子を有する分岐鎖飽和アルキル基である。アルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物における非イオン性非環式親水性部分は4~100個の炭素原子を含む。好ましくは、非イオン性非環式親水性部分は6~50個の炭素原子を含む。さらにより好ましくは、非イオン性非環式親水性部分は6~20個の炭素原子を含む。非イオン性非環式親水性部分は直鎖もしくは分岐鎖であることができる。非イオン性非環式親水性部分は飽和または不飽和であって良い。好ましくは、非イオン性非環式親水性部分は飽和もしくは不飽和の直鎖ポリアルキレンオキシドである。最も好ましくは、非イオン性非環式親水性部分は直鎖のポリエチレンオキシドである。アルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物は場合によっては本発明の方法に使用される化学機械研磨組成物に、アンモニウム、カリウム、第四級アンモニウム、ナトリウムもしくはリチウム塩として添加される。好ましくは、アルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物はナトリウム塩として、本発明の方法に使用される化学機械研磨組成物に添加される。好ましくは、アルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物は式:式中、Rは分岐C6-10アルキル基であり;xは2~8であり;並びに、MはH、Na、K、LiおよびNH4からなる群から選択されるより好ましくは、HおよびNaから選択され、最も好ましくはMはNaであるを有する。本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物に使用されるアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物の量は、酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくとも1種の除去速度に対して、ポリシリコン除去速度を調整するように選択される。使用される化学機械研磨組成物は、好ましくは、当初成分として0.0001~1重量のアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物を含む。より好ましくは、使用される化学機械研磨組成物は当初成分として0.01~1重量、さらにより好ましくは0.01~0.1重量、最も好ましくは0.01~0.05重量のアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物を含む。本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物は当初成分として式I:式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6およびR7のそれぞれは、式-CH2n-を有する架橋基であり、nは1~10から選択される整数であるの物質を含む。好ましくは、nはR1、R2、R3、R4、R5、R6およびR7のそれぞれについて1~4から独立に選択される整数である。より好ましくは、nはR1、R2、R3、R4、R5、R6およびR7のそれぞれについて2~4から独立に選択される整数である。最も好ましくは式Iの物質は、ジエチレントリアミンペンタキスメチルホスホン酸であり、これは下記式:を有する。場合によっては、式Iの物質における窒素の1以上は第四級形態で提供されることができ、第四級形態においては窒素は正電荷を有する。本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物は当初成分として0.001~1重量の式Iの物質を含む。ある好ましい用途においては、化学機械研磨組成物は当初成分として0.001~0.2重量、より好ましくは0.008~0.03重量、最も好ましくは0.009~0.015重量の式Iの物質を含む。本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物に含まれる水は、付随的な不純物を制限するために好ましくは脱イオンおよび蒸留の少なくとも一方がなされる。本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物は0.1~40重量の研磨剤、好ましくは5~25重量の研磨剤を含む。使用される研磨剤は好ましくは100nm以下;より好ましくは10~100nm;最も好ましくは25~60nmの平均粒子サイズを有する。本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物における使用に好適な研磨剤には、例えば、無機酸化物、無機水酸化物、無機水酸化酸化物、金属ホウ化物、金属炭化物、金属窒化物、ポリマー粒子および前記の少なくとも1種を含む混合物が挙げられる。好適な無機酸化物には、例えば、シリカSiO2、アルミナAl2O3、ジルコニアZrO2、セリアCeO2、酸化マンガンMnO2、酸化チタンTiO2もしくは前記酸化物の少なくとも1種を含む組み合わせ物が挙げられる。所望の場合には、これら無機酸化物の修飾された形態、例えば、有機ポリマーコーティングした無機酸化物粒子、および無機コーティングした粒子も利用されうる。好適な金属炭化物、ホウ化物および窒化物には、例えば、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコンカルボニトリドSiCN、炭化ホウ素、炭化タングステン、炭化ジルコニウム、ホウ化アルミニウム、炭化タンタル、炭化チタン、または前記金属炭化物、ホウ化物および窒化物の少なくとも1種を含む組み合わせ物が挙げられる。本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物における使用に好ましい研磨剤はコロイダルシリカである。好ましくは、使用されるコロイダルシリカはヒュームドシリカ、沈降シリカおよび凝集シリカの少なくとも1種を含む。好ましくは、使用されるコロイダルシリカは100nm以下、より好ましくは10~100nm、最も好ましくは25~60nmの平均粒子サイズを有し、化学機械研磨組成物の0.1~40重量、好ましくは1~30重量、最も好ましくは15~25重量の割合を占める。本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物は、場合によっては、分散剤、界面活性剤、緩衝剤、消泡剤および殺生物剤から選択される追加の添加剤をさらに含む。本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物は5以下、好ましくは2~4、より好ましくは2~3のpHを有する。使用される化学機械研磨組成物は無機および有機pH調節剤を含むことができる。場合によっては、pH調節剤は無機酸例えば、硝酸、硫酸、塩酸およびリン酸から選択される。本発明の化学機械研磨方法で研磨される基体は、ポリシリコン、酸化ケイ素および窒化ケイ素を含む。基体におけるポリシリコンは当該技術分野において知られているあらゆる好適なポリシリコン材料であることができる。ポリシリコンはあらゆる好適な相であることができ、非晶質、結晶質またはこれらの組み合わせであることができる。基体における酸化ケイ素は、存在する場合には、当該技術分野において知られているあらゆる好適な酸化ケイ素材料;例えば、ボロホスホシリケートガラスBPSG、プラズマエッチplasma-etchedテトラエチルオルトシリケートPETEOS、熱酸化物、未ドープシリケートガラス、高密度プラズマHDPオキシドであることができる。基体における窒化ケイ素は、存在する場合には、当該技術分野において知られているあらゆる好適な窒化ケイ素材料;例えば、Si3N4であることができる。本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨パッドは当該技術分野において知られているあらゆる好適な研磨パッドであることができる。化学機械研磨パッドは、場合によっては、織物研磨パッドおよび不織研磨パッドから選択されうる。化学機械研磨パッドは、様々な密度、硬さ、厚み、圧縮性、および弾性率のあらゆる好適なポリマーから製造されうる。化学機械研磨パッドは、望まれる場合には、溝を付けられ、穴あけされうる。本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物に含まれる、式Iの物質と併用されたアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物は、好ましくは、それが酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくとも1種の除去速度分あたりのオングストローム、すなわちÅ/分で測定してを抑制するよりも大きな比率差でポリシリコンの除去速度を抑制する。膜Xの除去速度の相対的改変ΔXをΔX=X0-X/X0として定義する場合に、X0およびXは、式Iの物質と併用したアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物の添加なしのX0およびこれを添加したX研磨組成物を使用して、Å/分単位で測定した膜Xの除去速度を表す。本発明の方法に使用される化学機械研磨組成物における式Iの物質と併用したアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物の混入は好ましくは、下記式の少なくとも1つを満足させる:実施例において説明される研磨条件下で測定して、iΔポリシリコン>Δ酸化ケイ素、およびiiΔポリシリコン>ΔSi3N4。例えば、実施例で説明される条件下で、式Iの物質およびアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物を含まない組成物で研磨することが、対照の除去速度、ポリシリコンについてX0=500Å/分、および二酸化ケイ素および窒化ケイ素について500Å/分を提供する場合には、研磨組成物に式Iの物質と併用したアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物を添加することは、ポリシリコンの除去速度をX=300Å/分に低下させ、そして二酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくとも1種の除去速度が>300Å/分のはずである。好ましくは、本発明の化学機械研磨方法においては、式Iの物質と併用したアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物を含む化学機械研磨組成物によって示されるポリシリコンの研磨除去速度は、式Iの物質およびアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物が存在しないことを除いて同じ条件下で得られたポリシリコンの除去速度よりも実質的に低い。好ましくは、本発明の方法に使用される化学機械研磨組成物への、式Iの物質と併用したアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物の添加を通じて得られたポリシリコン除去速度抑制は、実施例において説明される研磨条件下で測定して、50以上、より好ましくは60以上、最も好ましくは80以上すなわち、除去速度抑制=A0-A/A0×100である。典型的には、本発明の方法に使用される化学機械研磨組成物への、式Iの物質と併用したアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物の添加を通じて得られたポリシリコン除去速度抑制は、200以下である。好ましくは、本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物は、実施例において説明される研磨条件下で測定して、ポリシリコンについて、50以上、より好ましくは60以上、最も好ましくは80以上すなわち、除去速度抑制=A0-A/A0×100であるの除去速度抑制を示し;酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくとも1種について、実施例において説明される研磨条件下で測定して、30以下、より好ましくは20以下、最も好ましくは10以下すなわち、除去速度変化=C0-Cの絶対値/C0×100[式中、Cは、式Iの物質と併用したアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物を含む本発明の方法に使用される化学機械研磨組成物についての、Å/分単位での、酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素除去速度であり;C0は、式Iの物質およびアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物が化学機械研磨組成物に存在しないことを除いて同じ条件下で得られた酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素除去速度である]の除去速度変化を示す。好ましくは、本発明の化学機械研磨方法においては、式Iの物質と併用したアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物を含む化学機械研磨組成物によって示される、窒化ケイ素の除去速度に対する酸化ケイ素の除去速度は、式Iの物質の非存在を除いて同じ条件下で得られた窒化ケイ素の除去速度に対する酸化ケイ素の除去速度よりも実質的に高い。好ましくは、本発明の方法に使用される化学機械研磨組成物への式Iの物質の添加により得られる窒化ケイ素に対する酸化ケイ素除去速度増大は、実施例において説明される研磨条件下で測定して、50以上、より好ましくは75以上、最も好ましくは100以上であるすなわち、除去速度増大r0-r/r0×100[式中r0は、式Iの物質と併用したアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物を含む本発明の化学機械研磨組成物を使用した酸化ケイ素の除去速度/窒化ケイ素の除去速度であり;rは、式Iの物質が化学機械研磨組成物に存在しないこと以外は同じ条件下で得られた酸化ケイ素の除去速度/窒化ケイ素の除去速度]。好ましくは、本発明の化学機械研磨方法は、実施例において説明される研磨条件下で測定して、500Å/分以上、好ましくは800Å/分以上、より好ましくは1,000Å/分以上、最も好ましくは1,200Å/分以上の窒化ケイ素除去速度で;実施例において説明される研磨条件下で測定して、5以上:1、好ましくは6以上:1、より好ましくは7以上:1の窒化ケイ素対非晶質ポリシリコン除去速度選択性すなわち、窒化ケイ素の除去速度:非晶質ポリシリコンの除去速度で;並びに、実施例において説明される研磨条件下で測定して、25以上:1、好ましくは40以上:1、より好ましくは50以上:1の窒化ケイ素対結晶質ポリシリコン除去速度選択性すなわち、窒化ケイ素の除去速度:結晶質ポリシリコンの除去速度で基体を研磨するために使用されうる。好ましくは、本発明の化学機械研磨方法は、実施例において説明される研磨条件下で測定して、500Å/分以上、好ましくは1,000Å/分以上、より好ましくは1,200Å/分以上の酸化ケイ素除去速度で;実施例において説明される研磨条件下で測定して、5以上:1、好ましくは8以上:1、より好ましくは10以上:1の酸化ケイ素対非晶質ポリシリコン選択性すなわち、酸化ケイ素の除去速度:非晶質ポリシリコンの除去速度で;並びに、実施例において説明される研磨条件下で測定して、25以上:1、好ましくは50以上:1、より好ましくは60以上:1の酸化ケイ素対結晶質ポリシリコン除去速度選択性すなわち、酸化ケイ素の除去速度:結晶質ポリシリコンの除去速度で基体を研磨するために使用されうる。好ましくは、本発明の化学機械研磨方法は、実施例において説明される研磨条件下で測定して、500Å/分以上、好ましくは800Å/分以上、より好ましくは1,000Å/分以上、最も好ましくは1,200Å/分以上の窒化ケイ素除去速度で;5以上:1、好ましくは6以上:1、より好ましくは7以上:1の窒化ケイ素対非晶質ポリシリコン除去速度選択性すなわち、窒化ケイ素の除去速度:非晶質ポリシリコンの除去速度で;25以上:1、好ましくは40以上:1、より好ましくは50以上:1の窒化ケイ素対結晶質ポリシリコン除去速度選択性すなわち、窒化ケイ素の除去速度:結晶質ポリシリコンの除去速度で;並びに、500Å/分以上、好ましくは1,000Å/分以上、より好ましくは1,200Å/分以上の酸化ケイ素除去速度で;5以上:1、好ましくは8以上:1、より好ましくは10以上:1の酸化ケイ素対非晶質ポリシリコン選択性すなわち、酸化ケイ素の除去速度:非晶質ポリシリコンの除去速度で;並びに、25以上:1、好ましくは50以上:1、より好ましくは60以上:1の酸化ケイ素対結晶質ポリシリコン除去速度選択性すなわち、酸化ケイ素の除去速度:結晶質ポリシリコンの除去速度で、基体を研磨するために使用されうる。好ましくは、本発明の化学機械研磨方法は、ポリシリコンに対して酸化ケイ素および窒化ケイ素の双方の選択的研磨すなわち、除去を同時に提供するすなわち、実施例において説明される研磨条件下で測定して、酸化ケイ素および窒化ケイ素の双方について、ポリシリコンの除去速度よりも高い除去速度を示す。本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物に含まれるアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物および式Iの物質の量は、窒化ケイ素および酸化ケイ素の少なくとも1種の除去速度に対してポリシリコン除去速度を調節するように、並びに窒化ケイ素に対して酸化ケイ素の除去速度を調節するようにも選択されうる。本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物は低い名目研磨パッド圧力、例えば、3~35kPaでの操作を可能にする。この低い名目研磨パッド圧力は、スクラッチングおよび他の望まれない研磨欠陥を低減することにより研磨性能を向上させ、さらに脆性材料に対する損傷を最小限にする。ここで、本発明のいくつかの実施形態が下記の実施例において詳細に説明される。実施例1化学機械研磨組成物試験された化学機械研磨組成物CMPCは表1に記載される。化学機械研磨組成物Aは比較配合物であり、これは請求項に特定される発明の範囲内にはない。Γ:実施例において使用されたアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物は下記式のものであった:式中、xは2であり;MはNaである具体的には、ザダウケミカルカンパニーから入手可能なトライトンTriton登録商標X200Я:使用された式Iの物質はジエチレントリアミンペンタキスメチルホスホン酸であった。£:実施例において使用された研磨剤は、AZエレクトロニックマテリアルズElectronicMaterialsによって製造され、ザダウケミカルカンパニーから入手可能なクレボソールKlebosol登録商標PL1598B25コロイダルシリカであった。:組成物pHは必要に応じてHNO3またはKOHを使用して調節された。実施例2研磨試験200mmブランケットウェハ、具体的にはATEOS誘電体ウェハ;BSi3N4誘電体ウェハ;C非晶質ポリシリコン誘電体ウェハ;Dおよび結晶質ポリシリコン誘電体ウェハを使用して、表1に記載された化学機械研磨組成物A、1および2が試験された。ポリウレタン含浸不織サブパッドおよびポリマー中空コア微小球体を含むポリウレタン研磨層を含む研磨パッドすなわち、ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズCMPインコーポレイテッドから市販されているIC1010商標研磨パッドを使用して、実施例における全てのブランケットウェハを研磨するために、アプライドマテリアルズミラMirra登録商標CMP研磨プラットフォームが使用された。全ての実施例において使用された研磨条件は、93rpmのプラテン速度;87rpmのキャリア速度;200ml/分の研磨媒体流速;および20.7kPaのダウンフォースであった。それぞれの研磨実験についての除去速度は表2に提供される。この除去速度は研磨前膜厚および研磨後膜厚から計算されたことに留意されたい。具体的には、除去速度はKLA-Tencorから入手可能なSpectraFX200光学薄膜計測システムを用いて決定された。実施例2研磨試験200mmブランケットウェハ、具体的にはATEOS誘電体ウェハ;BSi3N4誘電体ウェハ;およびC非晶質ポリシリコン誘電体ウェハを使用して、表1に記載された化学機械研磨組成物3が試験された。ポリウレタン含浸不織サブパッドおよびポリマー中空コア微小球体を含むポリウレタン研磨層を含む研磨パッドすなわち、ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズCMPインコーポレイテッドから市販されているIC1010商標研磨パッドを使用して、実施例における全てのブランケットウェハを研磨するために、ストラスバーグエヌスパイアStrasbaughnSpire商標CMPシステムモデル6ECロータリー型研磨プラットフォームが使用された。全ての実施例において使用された研磨条件は、93rpmのプラテン速度;87rpmのキャリア速度;200ml/分の研磨媒体流速;および20.7kPaのダウンフォースであった。それぞれの研磨実験についての除去速度は表3に提供される。この除去速度は研磨前膜厚および研磨後膜厚から計算されたことに留意されたい。具体的には、除去速度はKLA-Tencorから入手可能なSpectraFX200光学薄膜計測システムを用いて決定された。"