支持層とデバイス層との間に絶縁層が介挿された構造を有し、前記支持層と前記絶縁層とに連通する開口部と、前記開口部に対応した前記デバイス層の領域に前記支持層とは反対側に変位可能に形成されかつ前記支持層側にミラー面を有する複数のマイクロミラー部とを有する本体部と、前記マイクロミラー部を変位させるための電圧を印加する電極が形成された基板と、を備え、前記本体部のデバイス層の表面と前記基板の表面とが接合されており、前記本体部の支持層側の前記開口部から前記マイクロミラー部へ光が入力されることを特徴とするMEMS素子。前記電極は、前記マイクロミラー部の長手方向に沿って複数形成されていることを特徴とする請求項1に記載のMEMS素子。前記電極は、CMOSで構成されることを特徴とする請求項2に記載のMEMS素子。前記長手方向に沿って複数形成された電極に、前記マイクロミラー部が所望の変位形状となるように電極を印加することを特徴とする請求項2または3に記載のMEMS素子。前記本体部と前記基板とがスペーサ部を介して接合されていることを特徴とする請求項1~4のいずれか一つに記載のMEMS素子。前記スペーサ部は、接着剤、スペーサ部材を含む接着剤、および半田のいずれか一つで構成されることを特徴とする請求項5に記載のMEMS素子。前記本体部はSOIウェハから形成されたものであることを特徴とする請求項1~6のいずれか一つに記載のMEMS素子。請求項1~7のいずれか一つに記載のMEMS素子を回折素子として備えることを特徴とする光スイッチ装置。複数の前記MEMS素子を備え、前記各MEMS素子を異なる波長に対する回折素子として用いることを特徴とする請求項8に記載の光スイッチ装置。請求項1~7のいずれか一つに記載のMEMS素子を光強度変調器として備えることを特徴とするディスプレイ装置。支持層とデバイス層との間に絶縁層が介挿された構造を有する元材料に、前記支持層と前記絶縁層とに連通する開口部を形成する開口部形成工程と、前記デバイス層の領域に前記支持層側とは反対側に変位可能であり、かつ前記支持層側にミラー面を有する複数のマイクロミラー部を形成するマイクロミラー部形成工程と、を含む本体部形成工程と、前記マイクロミラー部を変位させるための電圧を印加する電極が形成された基板の表面と、前記本体部のデバイス層の表面とを接合する接合工程と、を含むことを特徴とするMEMS素子の製造方法。前記接合工程において、前記基板の表面と前記本体部のデバイス層の表面とをスペーサ部を介して接合することを特徴とする請求項11に記載のMEMS素子の製造方法。前記スペーサ部は、接着剤、スペーサ部材を含む接着剤、および半田のいずれか一つで構成されることを特徴とする請求項12に記載のMEMS素子の製造方法。しかしながら、特許文献3に記載のMEMS素子は、マイクロミラー部には透明電極およびガラス基板を介して光が入力されるため、マイクロミラー部に到達する光の強度が減少し、これによって反射率が減少するという問題があった。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、反射率の減少が防止されたMEMS素子およびこれを用いた光スイッチ装置およびディスプレイ装置、ならびにMEMS素子の製造方法を提供することを目的とする。上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るMEMS素子は、支持層とデバイス層との間に絶縁層が介挿された構造を有し、前記支持層と前記絶縁層とに連通する開口部と、前記開口部に対応した前記デバイス層の領域に前記支持層とは反対側に変位可能に形成されかつ前記支持層側にミラー面を有する複数のマイクロミラー部とを有する本体部と、前記マイクロミラー部を変位させるための電圧を印加する電極が形成された基板と、を備え、前記本体部のデバイス層の表面と前記基板の表面とが接合されており、前記本体部の支持層側の前記開口部から前記マイクロミラー部へ光が入力されることを特徴とする。また、本発明に係る光スイッチ装置は、上記発明のMEMS素子を回折素子として備えることを特徴とする。また、本発明に係るディスプレイ装置は、上記発明のMEMS素子を光強度変調器として備えることを特徴とする。また、本発明に係るMEMS素子の製造方法は、支持層とデバイス層との間に絶縁層が介挿された構造を有する元材料に、前記支持層と前記絶縁層とに連通する開口部を形成する開口部形成工程と、前記デバイス層の領域に前記支持層側とは反対側に変位可能であり、かつ前記支持層側にミラー面を有する複数のマイクロミラー部を形成するマイクロミラー部形成工程と、を含む本体部形成工程と、前記マイクロミラー部を変位させるための電圧を印加する電極が形成された基板の表面と、前記本体部のデバイス層の表面とを接合する接合工程と、を含むことを特徴とする。本発明によれば、反射率の減少が防止されるという効果を奏する。以下に、図面を参照して本発明に係るMEMS素子、光スイッチ装置およびディスプレイ装置、ならびにMEMS素子の製造方法の実施の形態を詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。また、各図面において、同一または対応する要素には適宜同一の符号を付している。さらに、図面は模式的なものであり、各層の厚みと幅との関係、各層の比率などは、現実のものとは異なる場合があることに留意する必要がある。図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。実施の形態1図1は、実施の形態1に係るMEMS素子の模式的な平面図である。図2は、図1に示すMEMS素子のA-A線断面図である。図3は、図1に示すMEMS素子のB-B線断面図である。図1~図3に示すように、このMEMS素子100は、本体部10と、基板20とを備えている。本体部10は、たとえばSOIウェハから形成されたものであり、Siからなる支持層10aとSiからなるデバイス層10bとの間にSiO2からなる絶縁層としてのBoxBuriedoxide層10cが介挿された構造を有する。支持層10aの厚さはたとえば200μmであり、Box層10cの厚さはたとえば1μmであり、デバイス層10bの厚さはたとえば5μmであるが、特に限定はされない。本体部10は、支持層10aとBox層10cとに連通する開口部11と、開口部11に対応したデバイス層10bの領域に形成された、支持層10a側にミラー面12aを有する5本のマイクロミラー部12とを有する。なお、5本のマイクロミラー部12は、それぞれリボン状であり、互いに略並列に配列されている。また、各マイクロミラー部12のミラー面12aは、ほぼ同一平面上に位置する。マイクロミラー部12の厚さはたとえば2μmであり、デバイス層10bよりも薄く形成されている。また、マイクロミラー部12の長さはたとえば100μmである。図1に示すようにマイクロミラー部12とデバイス層10bの本体との接続部12bはA-A線方向での幅が細くなっている。基板20は、たとえばSiやガラス等からなり、その表面21に5本の電極22が形成されている。5本の電極22は5本のマイクロミラー部12に対応する位置にマイクロミラー部12の長手方向に沿うように形成されている。また、本体部10のデバイス層10bの表面と基板20の表面21とが接合されている。この接合はたとえば接着剤や半田などの接合材によって実現されている。このMEMS素子100の動作について説明する。図4は、MEMS素子100の動作の一例を説明する図である。まず、図4aに示すように、OFF状態として、デバイス層10bと電極22との間に印加する電圧信号をゼロにする。OFF状態では各マイクロミラー部12のミラー面12aはほぼ同一平面上に位置するので、支持層10a側の開口部11からマイクロミラー部12の配列へ光L1を略垂直に入射すると、マイクロミラー部12はミラー面12aによって光L1を反射光L2のように略入射方向へ正反射する。つぎに、ON状態として、デバイス層10bと電極22との間に電圧信号を印加して、マイクロミラー部12と電極22との間に静電引力を働かせる。このとき、図4bに示すように、5本のマイクロミラー部12の1つおきに静電引力を働かせ、支持層10aとは反対側である電極22側に変位させる。このようにマイクロミラー部12は支持層10aとは反対側に変位可能に形成されている。また、マイクロミラー部12とデバイス層10bの本体との接続部12b図1参照は幅が細くなっているので、より低い電圧の印加で変位しやすくなっている。図4bのようにON状態として5本のマイクロミラー部12を互い違いに高さが異なる状態とすると、マイクロミラー部12は回折格子として機能する。その結果、支持層10a側の開口部11からマイクロミラー部12の配列へ光L1を略垂直に入射すると、マイクロミラー部12はミラー面12aによって光L1を、1次回折光L3および-1次回折光L4のように所定の回折角度で回折する。このように、光L1が入射される方向へ出射される光の強度は、OFF状態の場合は強くなり、ON状態の場合は弱くなる。したがって、デバイス層10bと電極22との間に電圧信号として変調信号を印加した場合、このMEMS素子100は光強度変調器として機能する。したがって、MEMS素子100は、たとえばAOMAcoustoOpticModulator素子に置き換えて使用することができる。また、1次回折光L3および-1次回折光L4の回折角度は波長によって異なるので、このMEMS素子100は回折素子として異なる波長を空間的に分離することができる。したがって、MEMS素子100は、たとえば従来の光強度変調器等において、AOMAcoustoOpticModulator素子に置き換えて使用することができる。なお、このように回折を利用すれば、光を任意の方向にビームステアリングさせることが可能である。さらに、このMEMS素子100は変調信号に対して数十ナノ秒での高速応答が可能であるので、高速の光スイッチングを実現できる。図5は、MEMS素子100の動作の別の一例を説明する図である。図5の場合は、図4bの場合とは異なり、ON状態として5本のマイクロミラー部12の高さが紙面左から右に向かうにつれて段階的に低くなる状態としている。この状態で、開口部11からマイクロミラー部12の配列へ光L1を略垂直に入射すると、マイクロミラー部12はミラー面12aによって光L1を、1次回折光L5のように所定の回折角度で回折する。図5に示す場合には1次回折光L5しか発生しないので波長分離素子としてより好ましい。このMEMS素子100では、本体部10のデバイス層10bの表面と基板20の表面21とを接合し、支持層10a側の開口部11からマイクロミラー部12へ光L1を入射するようにしている。その結果、光L1を透明電極などの光強度を減少させる部材を透過させることなく、直接マイクロミラー部12へ到達させることができる。したがって、マイクロミラー部12に到達する光の強度の減少が防止される。その結果、MEMS素子100は、反射率の減少が防止される。また、デバイス層10bは通常支持層10aよりもきわめて薄いので、このMEMS素子100の構成では電極22とマイクロミラー部12との距離をより近づけることができる。その結果、MEMS素子100をON状態にするための電圧を低くすることができるので、MEMS素子100はより低消費電力の素子となる。なお、たとえば、支持層の厚さは一般的に200μm以上であるが、デバイス層の厚さが数μm程度のSOIウェハは容易に入手できる。ここで、MEMS素子100の製造方法について説明する。図6は、MEMS素子100の製造方法の一例を説明する図である。はじめに、図6aに示すように、本体部10の元材料として支持層10aとデバイス層10bとの間にBox層10cが介挿された構造を有する単結晶SOIウェハ30を準備する。支持層10aの厚さはたとえば200μmであり、Box層10cの厚さはたとえば1μmであり、デバイス層10bの厚さはたとえば5μmであるが、特に限定はされない。つぎに、フォトリソグラフィとエッチングとによって、デバイス層10bのマイクロミラー部12を形成すべき部分10baをマイクロミラー部12の厚さ、たとえば2μmまで薄くする。なお、このときデバイス層10bをエッチングしたエッチング深さによって、マイクロミラー部12と基板20の電極22との距離が調整される。つぎに、図6bに示すように、フォトリソグラフィとエッチングとによって、薄くした部分10baに厚さt1が2μmのマイクロミラー部12の構造を形成する。なお、デバイス層10bのエッチング、および後述する支持層10aのエッチングは、たとえばドライエッチングにより行う。この場合、サイドエッチングを防止するために、反応性ガスとしてSF6ガスやCF系ガスを用いた誘起結合プラズマによる反応性イオンエッチングInductivelyCoupledPlasmaReactiveIonEtching、ICP-RIEを用いることが好ましい。つぎに、図6cに示すように、フォトリソグラフィとエッチングとによって、支持層10aに開口部11を形成する。この開口部11は、マイクロミラー部12に対応する位置に形成する。つぎに、図6dに示すように、開口部11が支持層10aとBox層10bとで連通するようにBox層10bのエッチングを行う。このエッチングはたとえばフッ酸液等を用いたウェットエッチングにより行う。その後、各マイクロミラー部12の支持層10a側にたとえば金メッキを施し、ミラー面12aを形成する。なお、マイクロミラー部12はSi単結晶をエッチングすることで形成したものなので、平滑性が高い。そのためその表面にミラー面12aも平滑性が高くなり、反射率が高くなる。これによって、本体部10が形成される。なお、マイクロミラー部12を形成する工程と開口部11を形成する工程とは順番を入れ換えて行ってもよい。つぎに、図6eに示すように、たとえばSiからなる基板20を準備し、その表面21にたとえばCr/Au構造の金属膜23をスパッタ法により形成する。その後、図6fに示すように金属膜23をパターニングしてエッチングし、電極22を形成する。つぎに、図6gに示すように、基板20の表面21と、本体部10のデバイス層10bの表面とを接合する。その後、素子ごとに分離して、MEMS素子100が完成する。実施の形態2つぎに、本発明の実施の形態2について説明する。図7は、実施の形態2に係るMEMS素子の模式的な断面図である。図7に示すように、このMEMS素子200は、本体部10Aと、基板20とがスペーサ部40を介して接合されたものである。なお、このMEMS素子200の平面図は、図1に示すMEMS素子100と同様である。本体部10Aは、たとえばSOIウェハから形成されたものであり、Siからなる支持層10AaとSiからなるデバイス層10Abとの間にSiO2からなる絶縁層としてのBox層10Acが介挿された構造を有する。支持層10Aaの厚さはたとえば200μmであり、Box層10Acの厚さはたとえば1μmであり、デバイス層10bの厚さはたとえば2μmであるが、特に限定はされない。本体部10Aは、支持層10AaとBox層10Acとに連通する開口部11Aと、開口部11Aに対応したデバイス層10Abの領域に形成された、支持層10Aa側にミラー面12Aaを有する5本のマイクロミラー部12Aとを有する。なお、5本のマイクロミラー部12Aは、MEMS素子100のマイクロミラー部12と同様に、それぞれリボン状であり、互いに略並列に、かつ各マイクロミラー部12Aのミラー面12Aaがほぼ同一平面上に位置するように配列されている。マイクロミラー部12の厚さはデバイス層10Abと同一であり、たとえば2μmである。マイクロミラー部12Aとデバイス層10Abの本体との接続部は幅が細くなっている。スペーサ部40は、接着剤41中にスペーサ部材42を含めたものである。スペーサ部材42としては、例えば公知の真球状のプラスチックやガラス、セラミックス等からなる微粒子を用いることできる。このMEMS素子200は、本体部10と基板20とがスペーサ部40を介して接合されているため、スペーサ部40の厚さの調整によって、マイクロミラー部12と電極22との距離を任意にかつ精度よく設定できる。また、MEMS素子200の動作、および反射率の減少が防止され、かつより低消費電力の素子となる作用については、MEMS素子100と同様である。ここで、MEMS素子200の製造方法について説明する。図8は、MEMS素子100の製造方法の一例を説明する図である。はじめに、図8aに示すように、本体部10Aの元材料として支持層10Aaとデバイス層10Abとの間にBox層10Acが介挿された構造を有する単結晶SOIウェハ30Aを準備する。つぎに、図6b、c、dと同様の工程を行い、図8bに示すような、ミラー面12Aaを形成したマイクロミラー部12Aと開口部11Aとを形成する。なお、図6aのようなデバイス層10bをマイクロミラー部12の厚さまで薄くする工程は削減することができる。このように、単結晶SOIウェハ30Aのデバイス層10bをそのままマイクロミラー部12として用いるため、マイクロミラー部12の表面を平滑にでき、かつマイクロミラー部12に静電引力がより均一に掛かるようにすることができる。つぎに、図6e、fと同様の工程によって電極22を形成した基板20の表面21と、本体部10Aのデバイス層10Abの表面とを、接着剤41中にスペーサ部材42を含めたスペーサ部40を介して接合する。その後、素子ごとに分離して、MEMS素子200が完成する。実施の形態3つぎに、本発明の実施の形態3について説明する。図9、10は、実施の形態3に係るMEMS素子の模式的な断面図である。図9、図10は、それぞれ実施の形態1に係るMEMS素子100におけるA-A線断面、B-B線断面に対応している。なお、このMEMS素子200の平面図は、図1に示すMEMS素子100と同様である。図9、図10に示すように、このMEMS素子300は、本体部10と、基板20Aとを備えている。基板20Aは、たとえばSiやガラス等からなり、その表面21Aに25個の電極22Aが形成されている。25個の電極22Aは、5本のマイクロミラー部12に対応する位置に、各マイクロミラー部12の長手方向に沿って5個の電極22Aが配列するように形成されている。この電極22AはたとえばCMOSComplementaryMetalOxideSemiconductorで構成されている。図11は、MEMS素子300の動作の一例を説明する図である。このMEMS素子300では、各マイクロミラー部12の長手方向に沿って5個の電極22Aが配列するように形成されている。この電極22Aにそれぞれ異なる電圧を印加することによって、マイクロミラー部12に掛かる静電引力を長手方向で変えることができる。たとえば、5個の電極22Aをそれぞれ電極22Aa、22Ab、22Ac、22Ad、22Aeとする。マイクロミラー部12の長手方向の両端に位置する電極22Aa、22Aeに印加する電圧を最も高くし、中央の電極22Acに印加する電圧を最も低くする。これによって、電極22Aa、22Ab、22Ac、22Ad、22Aeに印加する電圧を均一にした場合よりも、マイクロミラー部12を変位させた場合の平坦な部分の長さDをより長くすることができる。その結果、マイクロミラー部12のうちのミラーとして使用できる部分をより長くすることができる。また、その他、電極22Aa、22Ab、22Ac、22Ad、22Aeに印加する電圧の設定によって、マイクロミラー部12が変位したときの形状を所望の変位形状とすることができる。また、MEMS素子300の動作、および反射率の減少が防止され、かつより低消費電力の素子となる作用については、MEMS素子100と同様である。特に、MEMS素子300においても、マイクロミラー部12と電極22Aとの距離が近いので、電極22Aを構成するCMOSの仕様動作電圧範囲内たとえば5ボルトでマイクロミラー部12を十分に変位させることができる。実施の形態4つぎに、本発明の実施の形態4に係る光スイッチ装置について説明する。本実施の形態4に係る光スイッチ装置は、入力した波長多重信号から所定の波長の光信号を選択し、その光信号の波長ごとに経路を切り換えて出力する波長選択光スイッチ装置である。図12は、実施の形態4に係る光スイッチ装置の構成を示すブロック図である。図12に示すように、この光スイッチ装置1000は、紙面奥行き方向に配列し、各々が異なる経路の光ファイバ伝送路に接続した4本の入出力光ファイバ51~54と、入出力光ファイバ51~54に対して順次配置された、アナモルフィックプリズムペア55と、回折格子56と、集光レンズ57と、アレイ状に配置された3つのMEMS素子100A、100B、100Cとを備えている。MEMS素子100A、100B、100Cは実施の形態1に係るMEMS素子100と同様の構成を有し、回折素子として機能するものである。さらに、この光スイッチ装置1000は、3つのMEMS素子100A、100B、100Cを制御するためのモニタ素子59と制御回路60とを備えている。なお、実際には回折格子56において光路は曲げられるので、アナモルフィックプリズムペア55からMEMS素子100A、100B、100Cまでの各素子は回折格子56の前後で角度を持って配置されるが、図12においては、簡略化のために直列に配置して示している。つぎに、光スイッチ装置1000の動作について説明する。図13は、光スイッチ装置1000の動作を説明する説明図である。なお、図13は、光スイッチ装置1000を図10の方向とは垂直の方向から見た図である。はじめに、入出力光ファイバ51は、或る光ファイバ伝送路を伝送して入力した波長多重光信号OS1をアナモルフィックプリズムペア55に出力する。アナモルフィックプリズムペア55は、波長多重光信号OS1のビーム径を、回折格子56の格子の配列方向に広げて、波長多重光信号OS1が多くの格子に当たるように、波長選択の分解能を高めるようにしている。回折格子56は、入射した波長多重光信号OS1に含まれる所定の波長の光信号OS1aを所定の角度に出力する。集光レンズ57は、光信号OS1aをMEMS素子100Aに集光する。MEMS素子100Aは集光した光信号OS1aを所定の方向に回折させる。このときの回折光は、光信号OS2として、集光レンズ57、回折格子56、アナモルフィックプリズムペア55を順次経由して、入出力光ファイバ52へと入力し、入出力光ファイバ52に接続した光ファイバ伝送路へと出力する。また、回折格子56は、波長多重信号光信号OS1に含まれる他の所定の波長の光信号OS1b、OS1cをそれぞれ他の所定の角度に出力する。各光信号OS1b、OS1cは、それぞれMEMS素子100B、100Cで回折され、光信号OS3または光信号OS4として、集光レンズ57、回折格子56、アナモルフィックプリズムペア55を順次経由して、入出力光ファイバ53または入出力光ファイバ54へと入力し、入出力光ファイバ53または入出力光ファイバ54に接続した光ファイバ伝送路へと出力する。ここで、MEMS素子100A、100B、100Cは、モニタ素子59が光信号OS2~OS4の一部を分岐した光の波長および強度をモニタし、このモニタの結果をもとにMEMS素子100A、100B、100Cを独立に駆動させることによって、それぞれの光信号OS2~OS4の回折角度が最適になるように制御される。光信号OS2~OS4の分岐は、たとえば入出力光ファイバ51~54の一部に分岐カプラを設けたり、光スイッチ装置1000内の適当な位置に分岐用のミラーを設けたりすることによって行うことができる。なお、モニタ素子59は、たとえばAWGArrayedWaveguideGrating素子と複数のフォトダイオードとから構成される。この光スイッチ装置1000は、実施の形態1と同様に反射率の低減が防止され、かつ低消費電力であるMEMS素子100A、100B、100Cを用いているので、挿入損失が低減され、かつ低消費電力の光スイッチ装置となる。なお、この光スイッチ装置1000は、3つのMEMS素子100A、100B、100Cを備えているが、その数は特に限定されず、1以上であればよい。なお、MEMS素子を1つだけ備える場合は、回折格子56を備えなくてもよく、入力した単一波長の光信号の経路を切り換えて出力する光スイッチ装置として使用することができる。実施の形態5つぎに、本発明の実施の形態5に係るディスプレイ装置について説明する。図14は、実施の形態5に係るディスプレイ装置の模式的な構成図である。図14に示すように、このディスプレイ装置2000は、光源部71と、光強度変調器72と、制御器73と、空間フィルタ74と、投影レンズ75と、スキャナ76とを備えている。光源部71は、半導体レーザまたは固体レーザ等を用いて構成された赤色光源71a、緑色光源71b、および青色光源71cを備えている。赤色光源71a、緑色光源71b、および青色光源71cは、それぞれ波長がたとえば625nm~675nmの赤色のレーザ光La、波長500nm~550nmの緑色のレーザ光Lb、および波長420nm~470nmの青色のレーザ光Lcを出力する。光強度変調器72は、実施の形態1に係るMEMS素子100と同様の構成を有し、アレイ状に配置された3つのMEMS素子100a、100b、100bを備えている。制御器73は、光強度変調器72のMEMS素子100a、100b、100bのそれぞれに、ON状態またはOFF状態とするための制御信号Sa、Sb、Scを出力する。空間フィルタ74は、迷光を除去するために設けられている。投影レンズ75は映像をスクリーン77に投影するためのものである。スキャナ76は、ガルバノスキャナあるいはポリゴンスキャナ等によって構成される。このディスプレイ装置2000では、赤色光源71a、緑色光源71b、および青色光源71cは、それぞれレーザ光La、Lb、LcをMEMS素子100a、100b、100bに向かって出力する。MEMS素子100a、100b、100bは、制御信号Sa、Sb、Scに基づきON、OFF動作を行い、ON動作時に1次回折光La1、Lb1、Lc1を発生させる。1次回折光La1、Lb1、Lc1は、空間フィルタ74を通過して投影レンズ75によってスクリーン77に投影される。このとき、スキャナ76が1次回折光La1、Lb1、Lc1をスクリーン77にスキャンすることによって、ディスプレイ装置2000は所望の映像をスクリーン77に投影することができる。このディスプレイ装置2000は、実施の形態1と同様に反射率の低減が防止され、かつ低消費電力であるMEMS素子100a、100b、100cを用いているので、輝度の高い映像を投影することができる。なお、上記実施の形態2において、スペーサ部40は、たとえばスペーサ部材を含まない接着剤や半田などの接合材でもよい。また、半田の場合は、金-錫系等の半田バンプを用いてもよい。また、上記実施の形態において、マイクロミラー部の数やマイクロミラー部の長手方向に沿って配列される電極の数は5本または5個に限らず、2以上の複数であればよい。また、本体部を形成する元材料についても、SOIウェハに限らず、導電性の支持層と導電性のデバイス層との間に絶縁層が介挿された構造を有する基板を用いてもよい。また、上記実施の形態により本発明が限定されるものではない。上記各実施形態の各構成要素を適宜組み合わせて構成したものも本発明に含まれる。たとえば、実施の形態2、3に係るMEMS装置を実施の形態4に係る光スイッチ装置または実施の形態5に係るディスプレイ装置に用いてもよい。その他、上記実施の形態に基づいて当業者等によりなされる他の実施の形態、実施例及び運用技術等は全て本発明に含まれる。