"可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されて構成されている素体と、前記素体に設けられている線状の信号線と、前記素体において前記信号線よりも積層方向の一方側に設けられ、かつ、該信号線と前記絶縁体層を介して対向している第1のグランド導体と、前記信号線と容量結合するように前記信号線に沿って並んでいる複数のビアホール導体であって、前記第1のグランド導体から積層方向の他方側に向かって突出し、かつ、該第1のグランド導体のみに電気的に接続されている複数の第1のビアホール導体と、を備えていること、を特徴とする高周波信号線路。前記信号線よりも積層方向の他方側には実質的にグランド導体が設けられていないこと、を特徴とする請求項1に記載の高周波信号線路。前記素体において前記信号線よりも積層方向の他方側に設けられ、かつ、該信号線と重なるスリットが設けられているグランド導体であって、前記第1のビアホール導体と電気的に接続されていない第2のグランド導体を、更に備えていること、を特徴とする請求項1に記載の高周波信号線路。前記複数の第1のビアホール導体は、前記信号線の特性インピーダンスが周期的に変動する構造をなしていること、を特徴とする請求項2又は請求項3のいずれかに記載の高周波信号線路。隣り合う前記第1のビアホール導体の間隔が周期的に変動することによって、前記信号線の特性インピーダンスが周期的に変動していること、を特徴とする請求項4に記載の高周波信号線路。前記信号線の特性インピーダンスが相対的に高い位置では、隣り合う前記第1のビアホール導体の間隔が相対的に大きく、前記信号線の特性インピーダンスが相対的に低い位置では、隣り合う前記第1のビアホール導体の間隔が相対的に小さいこと、を特徴とする請求項5に記載の高周波信号線路。前記複数の第1のビアホール導体と前記信号線との距離が周期的に変動することによって、前記信号線の特性インピーダンスが周期的に変動していること、を特徴とする請求項4に記載の高周波信号線路。前記信号線の特性インピーダンスが相対的に高い位置では、前記第1のビアホール導体と該信号線との距離が相対的に大きく、前記信号線の特性インピーダンスが相対的に低い位置では、前記第1のビアホール導体と該信号線との距離が相対的に小さいこと、を特徴とする請求項7に記載の高周波信号線路。前記複数の第1のビアホール導体の径の太さが周期的に変動することによって、前記信号線の特性インピーダンスが周期的に変動していること、を特徴とする請求項4に記載の高周波信号線路。前記信号線の特性インピーダンスが相対的に高い位置では、前記第1のビアホール導体の径の太さが相対的に細く、前記信号線の特性インピーダンスが相対的に低い位置では、前記第1のビアホール導体の径の太さが相対的に太いこと、を特徴とする請求項9に記載の高周波信号線路。前記複数の第1のビアホール導体の長さが周期的に変動することによって、前記信号線の特性インピーダンスが周期的に変動していること、を特徴とする請求項4に記載の高周波信号線路。前記信号線の特性インピーダンスが相対的に高い位置では、前記第1のビアホール導体の長さが相対的に短く、前記信号線の特性インピーダンスが相対的に低い位置では、前記第1のビアホール導体の長さが相対的に長いこと、を特徴とする請求項11に記載の高周波信号線路。前記素体において前記信号線よりも積層方向の他方側に設けられ、かつ、該信号線と重なる複数の開口が設けられている第2のグランド導体を、更に備えており、前記複数の第1のビアホール導体は、前記開口内に設けられていること、を特徴とする請求項1に記載の高周波信号線路。前記複数の第1のビアホール導体は、前記信号線の特性インピーダンスが前記開口を1周期として変動する構造をなしていること、を特徴とする請求項13に記載の高周波信号線路。前記各開口の両端における前記信号線の特性インピーダンスは、該各開口の中央における該信号線の特性インピーダンスよりも低くなっていること、を特徴とする請求項14に記載の高周波信号線路。前記信号線と容量結合するように前記信号線に沿って並んでいる複数のビアホール導体であって、前記第1のグランド導体から積層方向の他方側に向かって突出し、かつ、該第1のグランド導体のみに電気的に接続されている複数の第2のビアホール導体を、更に備えており、前記第1のビアホール導体及び前記第2のビアホール導体は、積層方向から平面視したときに、前記信号線を挟んでいること、を特徴とする請求項1ないし請求項15のいずれかに記載の高周波信号線路。そこで、本発明の目的は、薄型化を図ることができ、かつ、不要輻射の発生を抑制できる高周波信号線路を提供することである。本発明の一形態に係る高周波信号線路は、可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されて構成されている素体と、前記素体に設けられている線状の信号線と、前記素体において前記信号線よりも積層方向の一方側に設けられ、かつ、該信号線と前記絶縁体層を介して対向している第1のグランド導体と、前記信号線と容量結合するように前記信号線に沿って並んでいる複数のビアホール導体であって、前記第1のグランド導体から積層方向の他方側に向かって突出し、かつ、該第1のグランド導体のみに電気的に接続されている複数の第1のビアホール導体と、を備えていること、を特徴とする。本発明によれば、薄型化を図ることができ、かつ、不要輻射の発生を抑制できる。以下に、本発明の実施形態に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。第1の実施形態高周波信号線路の構成以下に、本発明の第1の実施形態に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る高周波信号線路10の外観斜視図である。図2は、第1の実施形態に係る高周波信号線路10の誘電体素体12の分解図である。図3は、第1の実施形態に係る高周波信号線路10の断面構造図である。図4は、第1の実施形態に係る高周波信号線路10の断面構造図である。図1ないし図4において、高周波信号線路10の積層方向をz軸方向と定義する。また、高周波信号線路10の長手方向をx軸方向と定義し、x軸方向及びz軸方向に直交する方向をy軸方向と定義する。高周波信号線路10は、例えば、携帯電話等の電子機器内において、2つの高周波回路を接続するために用いられる。高周波信号線路10は、図1ないし図3に示すように、誘電体素体12、外部端子1616a,16b、信号線20、グランド導体22、ビアホール導体b1,b2,B1~B4及びコネクタ100a,100bを備えている。誘電体素体12は、z軸方向から平面視したときに、x軸方向に延在しており、線路部12a、接続部12b,12cを含んでいる。誘電体素体12は、図2に示す保護層14及び誘電体シート絶縁体層1818a~18cがz軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。以下では、誘電体素体12のz軸方向の正方向側の主面を表面第1の主面と称し、誘電体素体12のz軸方向の負方向側の主面を裏面第2の主面と称す。線路部12aは、x軸方向に延在している。接続部12b,12cはそれぞれ、線路部12aのx軸方向の負方向側の端部及びx軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部12b,12cのy軸方向の幅は、線路部12aのy軸方向の幅よりも広い。誘電体シート18は、z軸方向から平面視したときに、x軸方向に延在しており、誘電体素体12と同じ形状をなしている。誘電体シート18は、ポリイミドや液晶ポリマー等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。以下では、誘電体シート18のz軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート18のz軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。また、誘電体シート18aは、線路部18a-a及び接続部18a-b,18a-cにより構成されている。誘電体シート18bは、線路部18b-a及び接続部18b-b,18b-cにより構成されている。誘電体シート18cは、線路部18c-a及び接続部18c-b,18c-cにより構成されている。線路部18a-a,18b-a,18c-aは、線路部12aを構成している。接続部18a-b,18b-b,18c-bは、接続部12bを構成している。接続部18a-c,18b-c,18c-cは、接続部12cを構成している。外部端子16aは、図1及び図2に示すように、接続部18a-bの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子16bは、図1及び図2に示すように、接続部18a-cの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子16a,16bは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子16a,16bの表面には、金めっきが施されている。信号線20は、図2に示すように、誘電体素体12内に設けられている線状導体であり、誘電体シート18bの表面をx軸方向に延在している。信号線20の両端はそれぞれ、z軸方向から平面視したときに、外部端子16a,16bと重なっている。信号線20の線幅は、例えば100~500μmである。本実施形態では、信号線20の線幅は240μmである。信号線20は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。グランド導体22第1のグランド導体は、図2に示すように、誘電体素体12内において信号線20よりもz軸方向の正方向側に設けられ、より詳細には、誘電体素体12の表面に最も近い誘電体シート18aの表面に設けられている。グランド導体22は、誘電体シート18aの表面においてx軸方向に延在しており、図3に示すように、誘電体シート18aを介して信号線20と対向している。グランド導体22には、実質的に開口が設けられていない。すなわち、グランド導体22は、線路部12aにおける信号線20に沿ってx軸方向に連続的に延在する電極、所謂ベタ状の電極である。ただし、グランド導体22は線路部12aを完全に覆っている必要はなく、例えば、誘電体シート18の熱可塑性樹脂が熱圧着される際に発生するガスを逃がすためにグランド導体22の所定の位置に微小な穴などが設けられるものであってもよい。グランド導体22は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、グランド導体22は、線路部22a、端子部22b,22cにより構成されている。線路部22aは、線路部18a-aの表面に設けられ、x軸方向に延在している。端子部22bは、線路部18a-bの表面に設けられ、外部端子16aの周囲を囲む矩形状の環をなしている。端子部22bは、線路部22aのx軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部22cは、線路部18a-cの表面に設けられ、外部端子16bの周囲を囲む環状の矩形状をなしている。端子部22cは、線路部22aのx軸方向の正方向側の端部に接続されている。ビアホール導体b1は、誘電体シート18aの接続部18a-bをz軸方向に貫通しており、外部端子16aと信号線20のx軸方向の負方向側の端部とを接続している。ビアホール導体b2は、誘電体シート18aの接続部18a-cをz軸方向に貫通しており、外部端子16bと信号線20のx軸方向の正方向側の端部とを接続している。これにより、信号線20は、外部端子16a,16b間に接続されている。ビアホール導体b1,b2は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ビアホール導体B1,B2は、誘電体シート18a,18bの線路部18a-a,18b-aをz軸方向に貫通しており、互いに接続されることにより1本のビアホール導体を構成している。そして、ビアホール導体B1,B2は、信号線20のy軸方向の正方向側において信号線20に沿ってx軸方向に一列に並んでいる。更に、ビアホール導体B1のz軸方向の正方向側の端部は、グランド導体22に接続されている。これにより、ビアホール導体B1,B2は、グランド導体22からz軸方向の負方向側に向かって突出している。ビアホール導体B2のz軸方向の負方向側の端部は、図4に示すように、信号線20よりもz軸方向の負方向側に位置している。また、信号線20よりもz軸方向の負方向側の誘電体シート18cにはグランド導体が実質的に設けられていない。そのため、ビアホール導体B1,B2は、グランド導体22にのみ接続されており、他のグランド導体には接続されていない。ビアホール導体B1,B2は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ビアホール導体B3,B4は、誘電体シート18a,18bの線路部18a-a,18b-aをz軸方向に貫通しており、互いに接続されることにより1本のビアホール導体を構成している。そして、ビアホール導体B3,B4は、信号線20のy軸方向の負方向側において信号線20に沿ってx軸方向に一列に並んでいる。更に、ビアホール導体B3のz軸方向の正方向側の端部は、グランド導体22に接続されている。これにより、ビアホール導体B3,B4は、グランド導体22からz軸方向の負方向側に向かって突出している。ビアホール導体B4のz軸方向の負方向側の端部は、図4に示すように、信号線20よりもz軸方向の負方向側に位置している。また、信号線20よりもz軸方向の負方向側の誘電体シート18cにはグランド導体が設けられていない。そのため、ビアホール導体B3,B4は、グランド導体22にのみ接続されており、他のグランド導体には接続されていない。ビアホール導体B3,B4は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。以上のように、ビアホール導体B1,B2とビアホール導体B3,B4は、z軸方向から平面視したときに、信号線20を挟んでいる。ところで、ビアホール導体B1~B4は、以下に図面を参照しながら説明するように、信号線20の特性インピーダンスが周期的に変動する構造をなしている。図5は、高周波信号線路10の等価回路図である。図6は、高周波信号線路10の特性インピーダンスを示したグラフである。横軸はx軸を示し、縦軸は特性インピーダンスを示す。本実施形態に係る高周波信号線路10では、x軸方向に隣り合うビアホール導体B1~B4の間隔が周期的に変動することによって、信号線20の特性インピーダンスが周期的に変動している。より詳細には、図2に示すように、位置X1において、x軸方向に隣り合うビアホール導体B1~B4の間隔が最大に相対的に大きくなっており、位置X2において、x軸方向に隣り合うビアホール導体B1~B4の間隔が最小に相対的に小さくなっている。そして、位置X1と位置X2とは、x軸方向に交互に等間隔に並んでいる。また、位置X1と位置X2との中間には、位置X3が存在している。位置X3では、x軸方向に隣り合うビアホール導体B1~B4の間隔が中間の大きさになっている。ビアホール導体B1~B4が以上のような構成を有することにより、x軸方向に隣り合うビアホール導体B1~B4の間隔は、正弦波状に周期的に変動する。ここで、ビアホール導体B1~B4は、信号線20と容量結合しており、かつ、グランド導体22に接続されている。したがって、高周波信号線路10の等価回路図は、図5に示すようになる。より具体的には、位置X1~X3における信号線20のインダクタ成分L1が直列に接続されており、位置X1~X3における信号線20とビアホール導体B1~B4との間のキャパシタ成分C1~C3の一端が各インダクタ成分L1に対して接続されている。キャパシタ成分C1~C3の他端は、グランドに接続されている。また、x軸方向に隣り合うビアホール導体B1~B4の間隔が相対的に大きい位置X1では、ビアホール導体B1~B4と信号線20との間に形成されるキャパシタ成分C1の大きさが相対的に小さくなる。x軸方向に隣り合うビアホール導体B1~B4の間隔が相対的に小さい位置X2では、ビアホール導体B1~B4と信号線20との間に形成されるキャパシタ成分C2の大きさが相対的に大きくなる。x軸方向に隣り合うビアホール導体B1~B4の間隔が中間の大きさである位置X3では、ビアホール導体B1~B4と信号線20との間に形成されるキャパシタ成分C3の大きさが中間値となる。よって、C1<C3<C2の関係が成立する。キャパシタ成分C1~C3が以上のような関係を有することにより、図6に示すように、位置X1における信号線20の特性インピーダンスZ1は最大と相対的に高くなり、位置X2における信号線20の特性インピーダンスZ2は最小と相対的に低くなり、位置X3における信号線20の特性インピーダンスZ3は中間値となる。そして、信号線20の特性インピーダンスは、正弦波状に周期的に変動する。なお、高周波信号線路10の設計時には、特性インピーダンスZ1は、例えば、70Ωに設計され、特性インピーダンスZ2は、例えば、30Ωに設計され、特性インピーダンスZ3は、例えば、50Ωに設計される。そして、信号線20の全体の特性インピーダンスが50Ωに設計される。保護層14は、図2に示すように、誘電体シート18aの表面の略全面を覆っている。これにより、保護層14は、グランド導体22を覆っている。保護層14は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。また、保護層14は、図2に示すように、線路部14a及び接続部14b,14cにより構成されている。線路部14aは、線路部18a-aの表面の全面を覆うことにより、線路部22aを覆っている。接続部14bは、線路部14aのx軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部18a-bの表面を覆っている。ただし、接続部14bには、開口Ha~Hdが設けられている。開口Haは、接続部14bの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子16aは、開口Haを介して外部に露出している。また、開口Hbは、開口Haのy軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Hcは、開口Haのx軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Hdは、開口Haのy軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部22bは、開口Hb~Hdを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。接続部14cは、線路部14aのx軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部18a-cの表面を覆っている。ただし、接続部14cには、開口He~Hhが設けられている。開口Heは、接続部14cの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子16bは、開口Heを介して外部に露出している。また、開口Hfは、開口Heのy軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Hgは、開口Heのx軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Hhは、開口Heのy軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部22cは、開口Hf~Hhを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。コネクタ100a,100bはそれぞれ、接続部12b,12cの表面上に実装される。コネクタ100a,100bの構成は同じであるので、以下にコネクタ100bの構成を例に挙げて説明する。図7は、高周波信号線路10のコネクタ100bの外観斜視図及び断面構造図である。コネクタ100bは、図1及び図7に示すように、コネクタ本体102、外部端子104,106及び中心導体108及び外部導体110により構成されている。コネクタ本体102は、矩形状の板に円筒が連結された形状をなしており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。外部端子104は、コネクタ本体102の板のz軸方向の負方向側の面において、外部端子16bと対向する位置に設けられている。外部端子106は、コネクタ本体102の板のz軸方向の負方向側の面において、開口Hf~Hhを介して露出している端子部22cに対応する位置に設けられている。中心導体108は、コネクタ本体102の円筒の中心に設けられており、外部端子104と接続されている。中心導体108は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体110は、コネクタ本体102の円筒の内周面に設けられており、外部端子106と接続されている。外部導体110は、接地電位に保たれるグランド端子である。以上のように構成されたコネクタ100bは、外部端子104が外部端子16bと接続され、外部端子106が端子部22cと接続されるように、接続部12cの表面上に実装される。これにより、信号線20は、中心導体108に電気的に接続されている。また、グランド導体22は、外部導体110に電気的に接続されている。高周波信号線路10は、以下に説明するように用いられる。図8は、高周波信号線路10が用いられた電子機器200をy軸方向及びz軸方向から平面視した図である。電子機器200は、高周波信号線路10、回路基板202a,202b、レセプタクル204a,204b、バッテリーパック金属体206及び筐体210を備えている。回路基板202aには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板202bには、例えば、給電回路が設けられている。バッテリーパック206は、例えば、リチウムイオン2次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板202a、バッテリーパック206及び回路基板202bは、x軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。レセプタクル204a,204bはそれぞれ、回路基板202a,202bのz軸方向の負方向側の主面上に設けられている。レセプタクル204a,204bにはそれぞれ、コネクタ100a,100bが接続される。これにより、コネクタ100a,100bの中心導体108には、回路基板202a,202b間を伝送される例えば2GHzの周波数を有する高周波信号がレセプタクル204a,204bを介して印加される。また、コネクタ100a,100bの外部導体110には、回路基板202a,202b及びレセプタクル204a,204bを介して、グランド電位に保たれる。これにより、高周波信号線路10は、回路基板202a,202b間を接続している。ここで、誘電体素体12の表面より正確には、保護層14は、バッテリーパック206に対して接触している。そして、誘電体素体12の表面とバッテリーパック206とは、接着剤等により固定されている。誘電体素体12の表面は、信号線20に関してグランド導体22側に位置する主面である。よって、信号線20とバッテリーパック206との間には、ベタ状のx軸方向に連続的に延在するグランド導体22が位置している。高周波信号線路の製造方法以下に、高周波信号線路10の製造方法について図2を参照しながら説明する。以下では、一つの高周波信号線路10が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号線路10が作製される。まず、表面の全面に銅箔が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート18を準備する。誘電体シート18の銅箔の表面は、例えば、防錆のための亜鉛鍍金が施されることにより、平滑化されている。銅箔の厚みは、10μm~20μmである。次に、フォトリソグラフィ工程により、図2に示す外部端子16及びグランド導体22を誘電体シート18aの表面に形成する。具体的には、誘電体シート18aの銅箔上に、図2に示す外部端子1616a,16b及びグランド導体22と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジストを除去する。これにより、図2に示すような、外部端子16及びグランド導体22が誘電体シート18aの表面に形成される。次に、フォトリソグラフィ工程により、図2に示す信号線20を誘電体シート18bの表面に形成する。なお、ここでのフォトリソグラフィ工程は、外部端子16及びグランド導体22を形成する際のフォトリソグラフィ工程と同様であるので、説明を省略する。次に、誘電体シート18a,18bのビアホール導体b1,b2,B1~B4が形成される位置に対して、裏面側からレーザービームを照射して、貫通孔を形成する。その後、誘電体シート18a,18bに形成した貫通孔に対して、導電性ペーストを充填する。次に、誘電体シート18a~18cをz軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねる。そして、誘電体シート18a~18cに対してz軸方向の正方向側及び負方向側から熱及び圧力を加えることにより、誘電体シート18a~18cを軟化させて圧着一体化するとともに、貫通孔に充填された導電性ペーストを固化して、図2に示すビアホール導体b1,b2,B1~B4を形成する。なお、各誘電体シート18は、熱圧着に代えてエポキシ系樹脂等の接着剤を用いて一体化されてもよい。また、ビアホール導体b1,b2,B1~B4は、誘電体シート18を一体化した後に、貫通孔を形成し、貫通孔に導電性ペーストを充填するかめっき膜を形成することによって形成されてもよい。最後に、樹脂レジストペーストを塗布することにより、誘電体シート18a上に保護層14を形成する。これにより、図1に示す高周波信号線路10が得られる。効果以上のように構成された高周波信号線路10によれば、高周波信号線路10の薄型化を図ることができる。より詳細には、高周波信号線路10では、信号線20のz軸方向の正方向側のグランド導体22のみが設けられ、信号線20のz軸方向の負方向側にはグランド導体、特に信号線20と重なるグランド導体が設けられていない。よって、信号線20が、該信号線20のz軸方向の負方向側に設けられているグランド導体に容量結合しない。すなわち、高周波信号線路10では、特許文献1に記載のフレキシブルプリント基板600のように、信号線20のz軸方向の負方向側に設けられているグランド導体と信号線20との距離を大きくするために、誘電体素体12における信号線20のz軸方向の負方向側の部分の厚みを大きくする必要がない。その結果、高周波信号線路10の薄型化が図られる。そして、高周波信号線路10の薄型化が図られることにより、高周波信号線路10を湾曲させて用いることが容易となる。また、高周波信号線路10によれば、不要輻射の発生を抑制できる。より詳細には、高周波信号線路10では、ビアホール導体B1~B4は、図4に示すように、信号線20に沿って並んでおり、かつ、グランド導体22からz軸方向の負方向側に向かって突出している。これにより、信号線20から発生する電気力線Eは、図4に示すように、ビアホール導体B1~B4へと向かうようになる。その結果、高周波信号線路10から不要輻射が発生することが抑制される。なお、不要輻射をより効果的に抑制するためには、ビアホール導体B2,B4のz軸方向の負方向側の端部は、信号線20よりもz軸方向の負方向側に位置していることが好ましい。すなわち、ビアホール導体B1,B3を設けていれば、ビアホール導体B2,B4は必ずしも設けられている必要はないが、ビアホール導体B2,B4を設けることによって、不要輻射をより効果的に抑制することができる。また、高周波信号線路10によれば、以下の理由によっても、不要輻射の発生を抑制できる。より詳細には、高周波信号線路において、信号線が一定の特性インピーダンスを有している場合には、特性インピーダンスが高くなる信号線路の両端が節となって比較的に長い波長を有する定常波が発生する。比較的に長い波長の定常波は、比較的に低い周波数を有している。このような比較的に低い周波数が、高周波信号線路において伝送される高周波信号の周波数よりも低いと、高周波信号が高周波信号線路を伝送された際に、比較的に低い周波数の不要輻射が高周波信号線路から発生する。そこで、高周波信号線路10では、信号線20の特性インピーダンスは、周期的に変動している。これにより、信号線20に発生する定常波の節は、特性インピーダンスが高くなる位置X1となる。すなわち、信号線20に発生し得る定常波の波長は、特性インピーダンスの変動の1周期すなわち、隣り合う位置X1間の距離となり短くなる。その結果、信号線20に発生し得る定常波の周波数は、比較的に高くなる。よって、信号線20の特性インピーダンスの変動の周期を十分に短くすることにより、信号線20に発生する定常波の周波数を、高周波信号線路10において伝送される高周波信号の周波数よりも高くすることが可能である。これにより、高周波信号線路10に高周波信号が伝送されたとしても、高周波信号線路10から不要輻射が発生することが抑制されるようになる。なお、高周波信号線路10から不要輻射が発生することをより効果的に抑制するために、信号線20の特性インピーダンスの変動の周期は、高周波信号線路10を伝送される高周波信号の半波長よりも短いことが好ましい。このように、不要輻射の発生を抑制するためには、ビアホール導体は、信号線の特性インピーダンスが周期的に変動するような構造をなしていることが好ましいが、必ずしもこのような構造でなくても構わない。すなわち、ビアホール導体B1~B4は等間隔に配置されていてもよい。この場合でも、不要輻射の発生を抑制することができる。また、高周波信号線路10によれば、グランド導体22は、信号線20とバッテリーパック206との間に位置している。これにより、信号線20とバッテリーパック206とが容量結合することによって、信号線20の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。第1の変形例以下に、第1の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図9は、第1の変形例に係る高周波信号線路10aの誘電体素体12の分解図である。高周波信号線路10と高周波信号線路10aとの相違点は、ビアホール導体B1~B4の配置が異なっている点である。より詳細には、高周波信号線路10では、図2に示すように、隣り合うビアホール導体B1~B4の間隔が周期的に変動することによって、信号線20の特性インピーダンスが周期的に変動していた。一方、高周波信号線路10aでは、図9に示すように、ビアホール導体B1~B4と信号線20との距離が周期的に変動することによって、信号線20の特性インピーダンスが周期的に変動している。より詳細には、図9に示すように、位置X1において、ビアホール導体B1~B4と信号線20との距離が最大に相対的に大きくなっており、位置X2において、ビアホール導体B1~B4と信号線20との距離が最小に相対的に小さくなっている。そして、位置X1と位置X2とは、x軸方向に交互に等間隔に並んでいる。また、位置X1と位置X2との中間には、位置X3が存在している。位置X3では、ビアホール導体B1~B4と信号線20との距離が位置X1と位置X2のそれぞれの距離の中間の大きさになっている。ビアホール導体B1~B4が以上のような構成を有することにより、ビアホール導体B1~B4と信号線20との間隔は、正弦波状に周期的に変動する。ここで、ビアホール導体B1~B4は、信号線20と容量結合しており、かつ、グランド導体22に接続されている。したがって、高周波信号線路10aの等価回路図は、図5に示すようになる。より具体的には、位置X1~X3における信号線20のインダクタ成分L1が直列に接続されており、位置X1~X3における信号線20とビアホール導体B1~B4との間のキャパシタ成分C1~C3の一端が各インダクタ成分L1に対して接続されている。キャパシタ成分C1~C3の他端は、グランドに接続されている。また、ビアホール導体B1~B4と信号線20との距離が相対的に大きい位置X1では、ビアホール導体B1~B4と信号線20との間に形成されるキャパシタ成分C1の大きさが相対的に小さくなる。ビアホール導体B1~B4と信号線20との距離が相対的に小さい位置X2では、ビアホール導体B1~B4と信号線20との間に形成されるキャパシタ成分C2の大きさが相対的に大きくなる。ビアホール導体B1~B4と信号線20との距離が中間の大きさである位置X3では、ビアホール導体B1~B4と信号線20との間に形成されるキャパシタ成分C3の大きさが中間値となる。よって、C1<C3<C2の関係が成立する。キャパシタ成分C1~C3が以上のような関係を有することにより、図6に示すように、位置X1における信号線20の特性インピーダンスZ1は最大と相対的に高くなり、位置X2における信号線20の特性インピーダンスZ2は最小と相対的に低くなり、位置X3における信号線20の特性インピーダンスZ3は中間値となる。そして、信号線20の特性インピーダンスは、正弦波状に周期的に変動する。以上のように構成された高周波信号線路10aによれば、高周波信号線路10と同様に、高周波信号線路10aの薄型化を図ることができる。また、高周波信号線路10aによれば、高周波信号線路10と同様に、不要輻射の発生を抑制できる。また、高周波信号線路10aによれば、高周波信号線路10と同様に、信号線20の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。第2の変形例以下に、第2の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図10は、第2の変形例に係る高周波信号線路10bの誘電体素体12の分解図である。高周波信号線路10と高周波信号線路10bとの相違点は、ビアホール導体B1~B4の構造が異なっている点である。より詳細には、高周波信号線路10では、図2に示すように、隣り合うビアホール導体B1~B4の間隔が周期的に変動することによって、信号線20の特性インピーダンスが周期的に変動していた。一方、高周波信号線路10bでは、図10に示すように、ビアホール導体B1~B4の径の太さが周期的に変動することによって、信号線20の特性インピーダンスが周期的に変動している。より詳細には、ビアホール導体B1,B2及びビアホール導体B3,B4はそれぞれ、x軸方向に一列に並んでいる。そして、位置X1において、ビアホール導体B1~B4の径の太さが最小に相対的に細くなっており、位置X2において、ビアホール導体B1~B4の太さが最大に相対的に太くなっている。そして、位置X1と位置X2とは、x軸方向に交互に等間隔に並んでいる。また、位置X1と位置X2との中間には、位置X3が存在している。位置X3では、ビアホール導体B1~B4の太さが最大と最小の間の中間の太さになっている。ビアホール導体B1~B4が以上のような構成を有することにより、ビアホール導体B1~B4の太さは、正弦波状に周期的に変動する。ここで、ビアホール導体B1~B4は、信号線20と容量結合しており、かつ、グランド導体22に接続されている。したがって、高周波信号線路10の等価回路図は、図5に示すようになる。より具体的には、位置X1~X3における信号線20のインダクタ成分L1が直列に接続されており、位置X1~X3における信号線20とビアホール導体B1~B4との間のキャパシタ成分C1~C3の一端が各インダクタ成分L1に対して接続されている。キャパシタ成分C1~C3の他端は、グランドに接続されている。また、ビアホール導体B1~B4の太さが相対的に細い位置X1では、ビアホール導体B1~B4と信号線20との間に形成されるキャパシタ成分C1の大きさが相対的に小さくなる。ビアホール導体B1~B4の太さが相対的に太い位置X2では、ビアホール導体B1~B4と信号線20との間に形成されるキャパシタ成分C2の大きさが相対的に大きくなる。ビアホール導体B1~B4の太さが中間の大きさである位置X3では、ビアホール導体B1~B4と信号線20との間に形成されるキャパシタ成分C3の大きさが中間値となる。よって、C1<C3<C2の関係が成立する。キャパシタ成分C1~C3が以上のような関係を有することにより、図6に示すように、位置X1における信号線20の特性インピーダンスZ1は最大と相対的に高くなり、位置X2における信号線20の特性インピーダンスZ2は最小と相対的に低くなり、位置X3における信号線20の特性インピーダンスZ3はその中間値となる。そして、信号線20の特性インピーダンスは、正弦波状に周期的に変動する。以上のように構成された高周波信号線路10bによれば、高周波信号線路10と同様に、高周波信号線路10bを湾曲させて用いることが容易となる。また、高周波信号線路10bによれば、高周波信号線路10と同様に、不要輻射の発生を抑制できる。また、高周波信号線路10bによれば、高周波信号線路10と同様に、信号線20の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。第3の変形例以下に、第3の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図11は、第3の変形例に係る高周波信号線路10cの誘電体素体12の分解図である。高周波信号線路10と高周波信号線路10cとの相違点は、ビアホール導体B1~B4の構造及び接続導体40,42の有無である。より詳細には、高周波信号線路10cでは、ビアホール導体B1~B4は、x軸方向に等間隔に並んでいる。また、高周波信号線路10cは、接続導体40,42を更に備えている。接続導体40,42は、誘電体シート18bの表面上に設けられ、かつ、x軸方向に延在する長方形状の導体である。接続導体40は、位置X2にあるビアホール導体B2及び該ビアホール導体B2にx軸方向に隣り合うビアホール導体B2を接続している。接続導体42は、位置X2にあるビアホール導体B4及び該ビアホール導体B4にx軸方向に隣り合うビアホール導体B4を接続している。ここで、高周波信号線路10では、図2に示すように、隣り合うビアホール導体B1~B4の間隔が周期的に変動することによって、信号線20の特性インピーダンスが周期的に変動していた。一方、高周波信号線路10cでは、図11に示すように、接続導体40,42が一部のビアホール導体B1~B4を接続することによって、信号線20の特性インピーダンスが周期的に変動している。より詳細には、ビアホール導体B1~B4及び接続導体40,42は、信号線20と容量結合しており、かつ、グランド導体22に接続されている。したがって、高周波信号線路10の等価回路図は、図5に示すようになる。より具体的には、位置X1~X3における信号線20のインダクタ成分L1が直列に接続されており、位置X1~X3における信号線20とビアホール導体B1~B4との間のキャパシタ成分C1~C3の一端が各インダクタ成分L1に対して接続されている。キャパシタ成分C1~C3の他端は、グランドに接続されている。ここで、位置X1,X3において、接続導体40,42が設けられていない。一方、位置X2において、接続導体40,42が設けられている。これにより、位置X2では、接続導体40,42と信号線20とが容量結合するようになる。その結果、位置X2におけるキャパシタ成分C2は、位置X1,X3におけるキャパシタ成分C1,C3よりも大きくなる。また、位置X3は、位置X2よりも接続導体40,42に近いので、位置X3におけるキャパシタ成分C3は、位置X1におけるキャパシタ成分C1よりも大きくなる。よって、C1<C3<C2の関係が成立する。キャパシタ成分C1~C3が以上のような関係を有することにより、図6に示すように、位置X1における信号線20の特性インピーダンスZ1は最大と相対的に高くなり、位置X2における信号線20の特性インピーダンスZ2は最小と相対的に低くなり、位置X3における信号線20の特性インピーダンスZ3はその中間値となる。そして、信号線20の特性インピーダンスは、正弦波状に周期的に変動する。以上のように構成された高周波信号線路10cによれば、高周波信号線路10と同様に、高周波信号線路10cの薄型化を図ることができる。また、高周波信号線路10cによれば、高周波信号線路10と同様に、不要輻射の発生を抑制できる。また、高周波信号線路10cによれば、高周波信号線路10と同様に、信号線20の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。第4の変形例以下に、第4の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図12は、第4の変形例に係る高周波信号線路10dの誘電体素体12の分解図である。高周波信号線路10と高周波信号線路10dとの相違点は、ビアホール導体B1~B6の構造が異なっている点である。より詳細には、高周波信号線路10dでは、ビアホール導体B5,B6及び誘電体シート18dが追加されている。誘電体シート18dは、誘電体シート18cのz軸方向の負方向側に設けられている。また、ビアホール導体B5,B6は、誘電体シート18cをz軸方向に貫通している。ここで、高周波信号線路10では、図2に示すように、隣り合うビアホール導体B1~B4の間隔が周期的に変動することによって、信号線20の特性インピーダンスが周期的に変動していた。一方、高周波信号線路10dでは、図12に示すように、ビアホール導体B1,B2,B5からなるビアホール導体の長さ及びビアホール導体B3,B4,B6からなるビアホール導体の長さが周期的に変動することによって、信号線20の特性インピーダンスが周期的に変動している。より詳細には、ビアホール導体B1,B2,B5及びビアホール導体B3,B4,B6はそれぞれ、x軸方向に一列に並んでいる。そして、位置X1において、ビアホール導体B1,B2,B5からなるビアホール導体の長さ及びビアホール導体B3,B4,B6からなるビアホール導体の長さが最小に相対的に短くなっている。すなわち、位置X1において、ビアホール導体B1,B3のみが設けられ、ビアホール導体B2,B4~B6が設けられていない。更に、位置X1の近傍においても、ビアホール導体B1,B3のみが設けられ、ビアホール導体B2,B4~B6が設けられていない。また、位置X2において、ビアホール導体B1,B2,B5からなるビアホール導体の長さ及びビアホール導体B3,B4,B6からなるビアホール導体の長さが最大に相対的に長くなっている。すなわち、位置X2において、ビアホール導体B1~B6が設けられている。更に、位置X2の近傍においても、ビアホール導体B1~B6のみが設けられている。また、位置X1と位置X2との中間には、位置X3が存在している。位置X3では、ビアホール導体B1,B2,B5からなるビアホール導体の長さ及びビアホール導体B3,B4,B6からなるビアホール導体の長さが中間の長さになっている。すなわち、位置X3において、ビアホール導体B1~B4が設けられており、ビアホール導体B5,B6が設けられていない。ビアホール導体B1~B6が以上のような構成を有することにより、ビアホール導体B1,B2,B5からなるビアホール導体の長さ及びビアホール導体B3,B4,B6からなるビアホール導体の長さは、正弦波状に周期的に変動する。ここで、ビアホール導体B1~B6は、信号線20と容量結合しており、かつ、グランド導体22に接続されている。したがって、高周波信号線路10の等価回路図は、図5に示すようになる。より具体的には、位置X1~X3における信号線20のインダクタ成分L1が直列に接続されており、位置X1~X3における信号線20とビアホール導体B1~B6との間のキャパシタ成分C1~C3の一端が各インダクタ成分L1に対して接続されている。キャパシタ成分C1~C3の他端は、グランドに接続されている。また、ビアホール導体B1,B2,B5からなるビアホール導体の長さ及びビアホール導体B3,B4,B6からなるビアホール導体の長さが相対的に短い位置X1では、ビアホール導体B1~B6と信号線20との間に形成されるキャパシタ成分C1の大きさが相対的に小さくなる。ビアホール導体B1,B2,B5からなるビアホール導体の長さ及びビアホール導体B3,B4,B6からなるビアホール導体長さが相対的に長い位置X2では、ビアホール導体B1~B6と信号線20との間に形成されるキャパシタ成分C2の大きさが相対的に大きくなる。ビアホール導体B1,B2,B5からなるビアホール導体の長さ及びビアホール導体B3,B4,B6からなるビアホール導体の長さが中間の長さである位置X3では、ビアホール導体B1~B6と信号線20との間に形成されるキャパシタ成分C3の大きさが中間値となる。よって、C1<C3<C2の関係が成立する。キャパシタ成分C1~C3が以上のような関係を有することにより、図6に示すように、位置X1における信号線20の特性インピーダンスZ1は最大と相対的に高くなり、位置X2における信号線20の特性インピーダンスZ2は最小と相対的に低くなり、位置X3における信号線20の特性インピーダンスZ3はその中間値となる。そして、信号線20の特性インピーダンスは、正弦波状に周期的に変動する。以上のように構成された高周波信号線路10dによれば、高周波信号線路10と同様に、高周波信号線路10dの薄型化を図ることができる。また、高周波信号線路10dによれば、高周波信号線路10と同様に、不要輻射の発生を抑制できる。また、高周波信号線路10dによれば、高周波信号線路10と同様に、信号線20の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。第5の変形例以下に、第5の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図13は、第5の変形例に係る高周波信号線路10eの誘電体素体12の分解図である。高周波信号線路10と高周波信号線路10eとの相違点は、グランド導体24の有無及びビアホール導体B11~B14の有無である。より詳細には、高周波信号線路10eは、グランド導体24及びビアホール導体B11~B14を更に備えている。グランド導体24は、誘電体素体12において信号線20よりもz軸方向の負方向側に設けられており、誘電体シート18cの表面上に設けられている。グランド導体24は、グランド導体22と同じ外形をなしている。ただし、グランド導体24には、図13に示すように、x軸方向に延在し、かつ、信号線20と重なるスリット32が設けられている。また、スリット32は、ビアホール導体B1~B4とも重なっている。ビアホール導体B11,B12はそれぞれ、誘電体シート18a,18bの線路部18a-a,18b-aをz軸方向に貫通しており、線路部18a-a,18b-aにおいて信号線20のy軸方向の正方向側に複数ずつ設けられている。そして、ビアホール導体B11,B12は、互いに接続されることにより1本のビアホール導体を構成しており、グランド導体22とグランド導体24とを接続している。ビアホール導体B11,B12は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ビアホール導体B13,B14はそれぞれ、誘電体シート18a,18bの線路部18a-a,18b-aをz軸方向に貫通しており、線路部18a-a,18b-aにおいて信号線20のy軸方向の負方向側に複数ずつ設けられている。そして、ビアホール導体B13,B14は、互いに接続されることにより1本のビアホール導体を構成しており、グランド導体22とグランド導体24とを接続している。ビアホール導体B13,B14は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。以上のように構成された高周波信号線路10eによれば、高周波信号線路10eの薄型化を図ることができる。より詳細には、高周波信号線路10eでは、グランド導体24には、信号線20と重なっているスリット32が設けられている。よって、信号線20とグランド導体24との間に形成される静電容量は小さい。すなわち、信号線20とグランド導体24との間の静電容量を小さくするために、誘電体素体12の厚みを大きくする必要がない。その結果、高周波信号線路10eの薄型化が図られる。そして、高周波信号線路10eの薄型化が図られることにより、高周波信号線路10eを湾曲させて用いることが可能となる。また、高周波信号線路10eによれば、高周波信号線路10と同様に、不要輻射の発生を抑制できる。特に、平面状のグランド導体であるグランド導体24を設けることにより不要輻射の発生の抑制効果は大きくなる。また、高周波信号線路10eによれば、高周波信号線路10と同様に、信号線20の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。第2の実施形態以下に、第2の実施形態に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図14は、第2の実施形態に係る高周波信号線路10fの誘電体素体12の分解図である。高周波信号線路10eと高周波信号線路10fとの相違点は、グランド導体24の形状、及び、ビアホール導体B21~B24の有無である。より詳細には、グランド導体24は、複数の開口30と複数のブリッジ部60とが交互に信号線20に沿って設けられることにより、はしご状をなしている。開口30は、図14に示すように、z軸方向から平面視したときに、信号線20と重なっており、長方形状をなしている。ここで、開口30のx軸方向の長さは、例えば、1mm~5mmである。本実施形態では、開口30のx軸方向の長さは、3mmである。また、ブリッジ部60のx軸方向の長さは、例えば、25μm~200μmである。本実施形態では、ブリッジ部60のx軸方向の長さは、100μmである。ビアホール導体B21,B22は、誘電体シート18a,18bの線路部18a-a,18b-aをz軸方向に貫通しており、互いに接続されることにより1本のビアホール導体を構成している。そして、ビアホール導体B21,B22は、z軸方向から平面視したときに、開口30内に設けられており、かつ、信号線20のy軸方向の正方向側において信号線20に沿ってx軸方向に一列に並んでいる。更に、ビアホール導体B21のz軸方向の正方向側の端部は、グランド導体22に接続されている。これにより、ビアホール導体B21,B22は、グランド導体22からz軸方向の負方向側に向かって突出している。ビアホール導体B22のz軸方向の負方向側の端部は、信号線20よりもz軸方向の負方向側に位置している。ビアホール導体B21,B22は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ビアホール導体B23,B24は、誘電体シート18a,18bの線路部18a-a,18b-aをz軸方向に貫通しており、互いに接続されることにより1本のビアホール導体を構成している。そして、ビアホール導体B23,B24は、z軸方向から平面視したときに、開口30内に設けられており、かつ、信号線20のy軸方向の負方向側において信号線20に沿ってx軸方向に一列に並んでいる。更に、ビアホール導体B23のz軸方向の正方向側の端部は、グランド導体22に接続されている。これにより、ビアホール導体B23,B24は、グランド導体22からz軸方向の負方向側に向かって突出している。ビアホール導体B22のz軸方向の負方向側の端部は、信号線20よりもz軸方向の負方向側に位置している。ビアホール導体B23,B24は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ところで、ビアホール導体B21~B24は、以下に図面を参照しながら説明するように、信号線20の特性インピーダンスが周期的に変動する構造をなしている。図15は、第2の実施形態に係る高周波信号線路10fの拡大図である。図16は、高周波信号線路10fの等価回路図である。本実施形態に係る高周波信号線路10fでは、ビアホール導体B21~B24は、信号線20の特性インピーダンスが開口30を1周期として変動する構造をなしている。すなわち、x軸方向に隣り合うビアホール導体B21~B24の間隔が、開口30を1周期として変動することによって、信号線20の特性インピーダンスが、開口30を1周期として変動している。より詳細には、図15に示すように、開口30のx軸方向の中央に位置する位置X11において、x軸方向に隣り合うビアホール導体B21~B24の間隔が最大に相対的に大きくなっており、開口30のx軸方向の両端に位置する位置X12において、x軸方向に隣り合うビアホール導体B21~B24の間隔が最小に相対的に小さくなっている。また、位置X11と位置X12との中間には、位置X13が存在している。位置X13では、x軸方向に隣り合うビアホール導体B21~B24の間隔が中間の大きさになっている。ビアホール導体B21~B24が以上のような構成を有することにより、開口30内におけるx軸方向に隣り合うビアホール導体B21~B24の間隔は、x軸方向の負方向側から正方向側に行くにしたがって、増加した後に減少するように正弦波状に変動する。以上のように構成された高周波信号線路10fでは、信号線20の特性インピーダンスは、開口30において、x軸方向の負方向側から正方向側に行くにしたがって、最小値Z12、中間値Z13、最大値Z11の順に増加した後に、最大値Z11、中間値Z13、最小値Z12の順に減少するように変動する。すなわち、各開口30のx軸方向の両端における信号線20の特性インピーダンスは、各開口30のx軸方向の中央における信号線20の特性インピーダンスより低くなっている。更に、信号線20の特性インピーダンスは、ブリッジ部60位置X14において、最小値Z12よりも小さな最小値Z14をとる。以下に、図面を参照しながら説明する。図16は、第2の実施形態に係る高周波信号線路10fの等価回路図である。より詳細には、x軸方向の負方向側から正方向側に行くにしたがって、x軸方向に隣り合うビアホール導体B21~B24の間隔は、増加した後に減少するように変動している。そのため、位置X11においてビアホール導体B21~B24と信号線20との間に形成されるキャパシタ成分C11が最小となる。これにより、位置X11における特性インピーダンスは、インダクタ成分L11が主となり、相対的に高くなる。一方、位置X12においてビアホール導体B21~B24と信号線20との間に形成されるキャパシタ成分C12が最大となる。これにより、位置X12における特性インピーダンスは、キャパシタ成分C12が主となり、相対的に低くなる。また、位置X13においてビアホール導体B21~B24と信号線20との間に形成されるキャパシタ成分C13が中間値となる。これにより、位置X13における特性インピーダンスは、インダクタ成分L13及びキャパシタ成分C13の両方により形成され、中間値を取るようになる。また、ブリッジ部60が設けられている位置X14では、ブリッジ部60と信号線20との間に大きな静電容量が形成される。よって、位置X14における特性インピーダンスは、キャパシタ成分C14が主となり、位置X12よりも低い最小値となる。これにより、高周波信号線路10は、図16に示す回路構成を有する。より詳細には、位置X11では、信号線20とビアホール導体B21~B24との間に小さな静電容量しか発生しないので、主に、信号線20のインダクタ成分L11によって特性インピーダンスZ11が発生する。また、位置X12では、信号線20とビアホール導体B21~B24との間に大きなキャパシタ成分C12が発生しているので、主に、キャパシタ成分C12によって特性インピーダンスZ12が発生する。また、位置X13では、信号線20とビアホール導体B21~B24との間にキャパシタ成分C12よりも小さなキャパシタ成分C13が発生しているので、信号線20のインダクタ成分L13及びキャパシタ成分C13によって特性インピーダンスZ13が発生している。更に、位置X14では、信号線20とブリッジ部60との間にキャパシタ成分C12よりも大きなキャパシタ成分C14が発生しているので、主に、キャパシタ成分C14によって特性インピーダンスZ14が発生する。ここで、特性インピーダンスZ11は、例えば、70Ωである。特性インピーダンスZ12は、例えば、45Ωである。特性インピーダンスZ13は、例えば、55Ωである。特性インピーダンスZ14は、例えば、30Ωである。以上のように構成された高周波信号線路10fによれば、高周波信号が信号線路20において反射されることが抑制される。より詳細には、高周波信号線路10fにおいて、ビアホール導体B21~B24が設けられていない場合には、開口30とブリッジ部60との境界において特性インピーダンスが大きく変動する。そのため、開口30とブリッジ部60との境界において、高周波信号の反射が発生するおそれがある。一方、高周波信号線路10fでは、x軸方向に隣り合うビアホール導体B21~B24の間隔は、x軸方向の負方向側から正方向側に行くにしたがって、開口30内において増加した後に減少するように正弦波状に変動している。これにより、信号線20の特性インピーダンスは、開口30において、x軸方向の負方向側から正方向側に行くにしたがって、最小値Z12、中間値Z13、最大値Z11の順に増加した後に、最大値Z11、中間値Z13、最小値Z12の順に減少するようになだらかに変動する。また、ブリッジ部60位置X14における信号線20の特性インピーダンスは、最小値Z14である。よって、信号線の特性インピーダンスは、隣り合う2つのブリッジ部60間において、増加した後に減少するように変化する。その結果、高周波信号線路10fでは、信号線20の特性インピーダンスが大きく変動することがない。以上より、高周波信号線路10fによれば、高周波信号が信号線路20において反射されることが抑制される。以上のように構成された高周波信号線路10fによれば、グランド導体24におけるグランド電位の安定化にともなう高周波伝送ロスの低減、さらにはシールド特性を向上させることができる。より詳細には、高周波信号線路10fでは、位置X12における隣り合うビアホール導体B21~B24の間隔は、領域X11における隣り合うビアホール導体B21~B24の間隔よりも広い。これにより、高周波信号線路10fでは、位置X11における信号線20の磁界エネルギーは、位置X12における信号線20の磁界エネルギーよりも高くなる。また、位置X13における信号線20の磁界エネルギーは、位置X11における信号線20の磁界エネルギーよりも低くなる。よって、開口30における信号線20の特性インピーダンスが、Z12、Z13、Z11、Z13、Z12の順に繰り返し変動するようになる。よって、信号線20において、x軸方向に隣り合う部分における磁界エネルギーの変動が緩やかになる。その結果、位置X11~X13の間において磁界エネルギーが小さくなり、グランド導体のグランド電位の変動が抑制され、不要輻射の発生および高周波信号の伝送損失が抑制される。その他の実施形態本発明に係る高周波信号線路は、前記実施形態に係る高周波信号線路10,10a~10fに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。高周波信号線路10,10a~10fに示した構成を組み合わせてもよい。"