X線電子ビーム発生器であって、基台及び側壁を有する容器を含み、該側壁が該基台を囲い、該基台及び該側壁が凹溝を定義する陰極と、少なくとも1つの金属ユニットを含み、各該少なくとも1つの金属ユニットは、化学気相成長法により炭素膜層に成長され、各該少なくとも1つの金属ユニットが該凹溝の底部に安置され、且つ該少なくとも1つの金属ユニットが該X線電子ビーム発生器の外部金属ユニットと電気接続する電子ビーム放射体と、集光素子と、陽極ターゲットanodetargetと、順に、該陰極、該集光素子及び該陽極ターゲットを安置し、各該少なくとも1つの炭素膜層が該陽極ターゲットに面するガラス容器であって、該ガラス容器がバルブ及びウィンドウを有し、該バルブは該ガラス容器を真空に吸引することに用いられ、該ウィンドウはX線を射出することに用いられる、ガラス容器と、を含むことを特徴とするX線電子ビーム発生器。前記X線電子ビーム発生器は、更に該陰極及び該集光素子を覆うことに用いられる集光蓋を含むことを特徴とする請求項1に記載のX線電子ビーム発生器。前記集光蓋の材質がステンレスであることを特徴とする請求項2に記載のX線電子ビーム発生器。前記集光素子が電磁レンズelectromagneticlensであることを特徴とする請求項1に記載のX線電子ビーム発生器。前記基台が円柱状基台であることを特徴とする請求項1に記載のX線電子ビーム発生器。前記少なくとも1つの金属ユニットの材質がニッケル、タングステン、コバルトのうちの何れか1つであることを特徴とする請求項1に記載のX線電子ビーム発生器。前記少なくとも1つの金属ユニットが螺旋状を呈することを特徴とする請求項1に記載のX線電子ビーム発生器。前記少なくとも1つの金属ユニットが複数の金属ストリップを含み、且つ各該金属ストリップの直径が01mm~3mmの間に介することを特徴とする請求項1に記載のX線電子ビーム発生器。前記少なくとも1つの金属ユニットが金属板であり、該金属板が長方形を呈し、該金属板の幅が2cmであり、且つ該金属板の長さが3cmであることを特徴とする請求項1に記載のX線電子ビーム発生器。前記少なくとも1つの金属ユニットが銀ペースト及び錫ペーストのうちの1つにより該凹溝の該底部に固定されることを特徴とする請求項1に記載のX線電子ビーム発生器。前記少なくとも1つの炭素膜層の電子顕微鏡におけるイメージが多重壁の形式であることを特徴とする請求項1に記載のX線電子ビーム発生器。前記少なくとも1つの炭素膜層が内層及び放射層を含むことを特徴とする請求項1に記載のX線電子ビーム発生器。前記少なくとも1つの内層の厚さが10nm~60nmの間に介し、且つ各該少なくとも1つの放射層の厚さが1nm~50nmの間に介することを特徴とする請求項12に記載のX線電子ビーム発生器。前記凹溝の深さが5mm~10mmの間に介し、且つ該凹溝の幅が2mm~6mmの間に介することを特徴とする請求項1に記載のX線電子ビーム発生器。前記少なくとも1つの金属ユニットの電流密度が1mAcm2より大きくない時、該X線電子ビーム発生器の開始電圧が03Vumより大きくないことを特徴とする請求項1に記載のX線電子ビーム発生器。前記陰極が複数の冷電子を発射することに用いられることを特徴とする請求項1に記載のX線電子ビーム発生器。前記少なくとも1つの炭素膜層が化学気相成長過程において、該少なくとも1つの金属ユニットに直接成長することを特徴とする請求項1に記載のX線電子ビーム発生器。前記少なくとも1つの炭素膜層及び該陽極ターゲット間の距離が07cm~3cmの間に介する時、該X線電子ビーム発生器の動作電圧が12KeVであることを特徴とする請求項1に記載のX線電子ビーム発生器。前記炭素膜層及び該陽極ターゲット間の距離が07cm~6cmの間に介する時、該X線電子ビーム発生器の動作電圧が12~13KeVの間に介する請求項1に記載のX線電子ビーム発生器。基台及び側壁を有し、該側壁が該基台を囲い、該基台及び該側壁が凹溝を定義する容器と、少なくとも1つの金属ユニットを含み、各該少なくとも1つの金属ユニットが化学気相成長法により炭素膜層に成長され、各該少なくとも1つの金属ユニットが凹溝の底部に安置され、且つ該少なくとも1つの金属ユニットが該X線電子ビーム発生器の外部金属ユニットと電気接続を呈する電子ビーム発射体と、を含むことを特徴とするX線電子ビーム発生器の陰極。前記基台が円柱状基台であることを特徴とする請求項20に記載の陰極。各前記少なくとも1つの金属ユニットの材質がニッケル、タングステン及びコバルトのうちの何れか1つであることを特徴とする請求項20に記載の陰極。前記少なくとも1つの金属ユニットが螺旋状を呈することを特徴とする請求項20に記載の陰極。前記少なくとも1つの金属ユニットが複数の金属ストリップを含み、且つ各該金属ストリップの直径が01mm~3mmの間に介することを特徴とする請求項20に記載の陰極。前記少なくとも1つの金属ユニットが金属板であり、該金属板が長方形を呈し、該金属板の幅が2cmであり、且つ該金属板の長さが3cmであることを特徴とする請求項20に記載の陰極。前記少なくとも1つの金属ユニットが銀ペースト及び錫ペーストのうちの1つにより該凹溝の該底部に固定されることを特徴とする請求項20に記載の陰極。前記少なくとも1つの炭素膜層の電子顕微鏡におけるイメージが多重壁の形式であることを特徴とする請求項20に記載の陰極。前記少なくとも1つの炭素膜層が内層及び放射層を含むことを特徴とする請求項20に記載の陰極。前記少なくとも1つの内層の厚さが10nm~60nmの間に介し、且つ各該少なくとも1つの放射層の厚さが1nm~50nmの間に介することを特徴とする請求項28に記載の陰極。前記凹溝の深さが5mm~10mmの間に介し、且つ該凹溝の幅が2mm~6mmの間に介することを特徴とする請求項20に記載の陰極。前記陰極が複数の冷電子を発射することに用いられることを特徴とする請求項20に記載の陰極。前記少なくとも1つの炭素膜層が化学気相成長過程において、該少なくとも1つの金属ユニットに直接成長することを特徴とする請求項20に記載の陰極。前記X線ビーム発生器が陽極を含み、各該少なくとも1つの炭素膜層及び該陽極ターゲット間の距離が07cm~3cmの間に介する時、該X線電子ビーム発生器の動作電圧が12KeVであることを特徴とする請求項20に記載の陰極。各前記炭素膜層及び該陽極ターゲット間の距離が07cm~6cmの間に介する時、該X線電子ビーム発生器の動作電圧が12KeV~13KeVの間に介することを特徴とする請求項20に記載の陰極。前記容器の上端面及び該側壁の内側箇所に切り口を形成する請求項20に記載の陰極。X線電子ビーム発生器であって、基台及び側壁を有する容器を含み、該側壁が該基台を囲い、該基台及び該側壁が凹溝を定義し、該容器の上端面及び該側壁の内側箇所に切り口を形成する陰極と、少なくとも1つの金属ユニットを含み、各該少なくとも1つの金属ユニットは、化学気相成長法により炭素膜層に成長され、各該少なくとも1つの金属ユニットが該凹溝の底部に安置され、且つ該少なくとも1つの金属ユニットが該X線電子ビーム発生器の外部金属ユニットと電気接続する電子ビーム放射体と、陽極ターゲットと、順に、該陰極、該陽極ターゲットを安置し、各該少なくとも1つの炭素膜層が該陽極ターゲットに面するガラス容器であって、該ガラス容器がバルブ及びウィンドウを有し、該バルブは該ガラス容器を真空に吸引することに用いられ、該ウィンドウはX線を射出することに用いられる、ガラス容器と、を含むことを特徴とするX線電子ビーム発生器。更に該陰極を覆うことに用いる集光蓋を含むことを特徴とする請求項36に記載のX線電子ビーム発生器。前記集光蓋の材質がステンレスであることを特徴とする請求項36に記載のX線電子ビーム発生器。前記基台が円柱状基台であることを特徴とする請求項36に記載のX線電子ビーム発生器。前記少なくとも1つの金属ユニットの材質がニッケル、タングステン、コバルトのうちの何れか1つであることを特徴とする請求項36に記載のX線電子ビーム発生器。前記少なくとも1つの金属ユニットが螺旋状を呈することを特徴とする請求項36に記載のX線電子ビーム発生器。前記少なくとも1つの金属ユニットが複数の金属ストリップを含み、且つ各該金属ストリップの直径が01mm~3mmの間に介することを特徴とする請求項36に記載のX線電子ビーム発生器。前記少なくとも1つの金属ユニットが金属板であり、該金属板が長方形を呈し、該金属板の幅が2cmであり、且つ該金属板の長さが3cmであることを特徴とする請求項36に記載のX線電子ビーム発生器。前記少なくとも1つの金属ユニットが銀ペースト及び錫ペーストのうちの1つにより該凹溝の該底部に固定されることを特徴とする請求項36に記載のX線電子ビーム発生器。前記少なくとも1つの炭素膜層の電子顕微鏡におけるイメージが多重壁の形式であることを特徴とする請求項36に記載のX線電子ビーム発生器。前記少なくとも1つの炭素膜層が内層及び放射層を含むことを特徴とする請求項36に記載のX線電子ビーム発生器。前記少なくとも1つの内層の厚さが10nm~60nmの間に介し、且つ各該少なくとも1つの放射層の厚さが1nm~50nmの間に介することを特徴とする請求項46に記載のX線電子ビーム発生器。前記凹溝の深さが5mm~10mmの間に介し、且つ該凹溝の幅が2mm~6mmの間に介することを特徴とする請求項36に記載のX線電子ビーム発生器。前記少なくとも1つの金属ユニットの電流密度が1mAcm2より大きくない時、該X線電子ビーム発生器の開始電圧が03Vumより大きくないことを特徴とする請求項36に記載のX線電子ビーム発生器。前記陰極が複数の冷電子を発射することに用いられることを特徴とする請求項36に記載のX線電子ビーム発生器。前記少なくとも1つの炭素膜層が化学気相成長過程において、該少なくとも1つの金属ユニットに直接成長することを特徴とする請求項36に記載のX線電子ビーム発生器。前記少なくとも1つの炭素膜層及び該陽極ターゲット間の距離が07cm~3cmの間に介する時、該X線電子ビーム発生器の動作電圧が12KeVであることを特徴とする請求項36に記載のX線電子ビーム発生器。前記炭素膜層及び該陽極ターゲット間の距離が07cm~6cmの間に介する時、該X線電子ビーム発生器の動作電圧が12KeV~13KeVの間に介することを特徴とする請求項36に記載のX線電子ビーム発生器。上記のように、開始電圧が比較的低いX線電子ビーム発生器及びその陰極が期待されている。カーボンナノチューブは、より良好な性能及び効率を達成することができるが、Zhou氏等が提供する技術は、非常に複雑である。従って、依然として、X線電子ビーム発生器及びその陰極を製造することに用いる、より簡単な方法が必要とされている。本発明の目的は、X線電子ビーム発生器を提供することであり、該X線電子ビーム発生器は、陰極と、集光素子と、陽極ターゲットと、ガラス容器と、を含む。該ガラス容器は、順に、該陰極、該集光素子及び該陽極ターゲットを安置する。該陰極は、容器及び電子ビーム放射体を含む。該容器は、基台及び側壁を有し、該側壁は、基台を囲い、そのうち、該基台及び該側壁は、凹溝を定義する。該電子ビーム放射体は、少なくとも1つ金属ユニットを含む。該少なくとも1つの金属ユニットは、化学気相成長法により炭素膜層に成長され、且つ該凹溝の底部に安置される。該少なくとも1つの金属ユニットは、該X線電子ビーム発生器の外部金属ユニットと電気接続を呈する。各該少なくとも1つの炭素膜層は、該陽極ターゲットに面する。該ガラス容器は、バルブとウィンドウを有し、該バルブは該ガラス容器を真空に吸引することに用いられ、該ウィンドウはX線を射出することに用いられる。本発明のもう1つの目的は、線電子ビーム発生器に用いる陰極を提供することであり、該陰極は、容器と、電子ビーム放射体と、を含む。該容器は、基台及び側壁を有し、該側壁は、該基台を囲い、そのうち、該基台及び該側壁は、凹溝を定義する。該電子ビーム放射体は、少なくとも1つの金属ユニットを含む。各該少なくとも1つの金属ユニットは、化学気相成長法により炭素膜層に成長される。各該少なくとも1つの金属ユニットは、該凹溝の底部に安置される。該少なくとも1つの金属ユニットは、該X線電子ビーム発生器の外部金属ユニットと電気接続する。本発明の更にもう1つの目的は、X線電子ビーム発生器を提供することであり、該X線電子ビーム発生器は、陰極と、陽極ターゲットと、ガラス容器と、を含む。該陰極は、容器及び電子ビーム放射体を含む。該容器は、基台及び側壁を有し、該側壁は、該基台を囲い、そのうち、該基台及び該側壁は、凹溝を定義する。該容器の上端面及び該側壁の内側箇所に切り口を形成する。該電子ビーム放射体は、少なくとも1つの金属ユニットを含む。各該少なくとも1つの金属ユニットは、化学気相成長法により炭素膜層に成長される。各該少なくとも1つの金属ユニットは、該凹溝の底部に安置される。該少なくとも1つの金属ユニットは、該X線電子ビーム発生器の外部金属ユニットと電気接続する。該ガラス容器は、順に該陰極及び該陽極ターゲットを安置する。各該少なくとも1つの炭素膜層は、該陽極ターゲットに面する。該ガラス容器は、バルブ及びウィンドウを有し、該バルブは該ガラス容器を真空に吸引することに用いられ、該ウィンドウはX線を射出することに用いられる。各該金属ユニットを化学気相成長法により炭素膜層に成長させることにより、本発明のX線電子ビーム発生器及びその陰極の開始電圧及び動作電圧は、従来技術より優れている。特に、炭素膜層が直接、該等金属ユニット上に成長され、多重壁の形式になる時、本発明のX線電子ビーム発生器及びその陰極は、良好な性能を有することができる。図面及び後述の実施方式を参照後、当業者は、本発明のその他の目的、及び本発明の技術手段及び実施形態を理解することができる。本発明は、X線電子ビーム発生器及びその陰極を提供する。特に、本発明のX線電子ビーム発生器及びその陰極は、その電子ビーム放射体の金属ユニットを化学気相成長法により炭素膜層に成長させる。特に、該炭素膜層は、直接、該金属ユニット上に成長し、且つ該炭素膜層のイメージは、多重壁の形式を呈する。以下の説明及び実施例は、本項の技術中の一般の技術者が本発明を製造及び利用できるようにすることに用いるものである。しかしながら、該実施例は、本発明を該実施例が記載する如何なる特定の環境、応用又は特殊な方式を必要として初めて実施できるよう制限することに用いるものではない。従って、該実施例に関する説明は、本発明を理解することだけを目的とし、本発明を制限することに用いるのではない。本発明の第1実施例は、X線電子ビーム発生器1であり、その立体図は、図1A中に示される。X線電子ビーム発生器1は、陰極11と、集光素子13と、陽極ターゲット15と、ガラス容器17と、外部金属ユニット19と、を含む。ガラス容器17は、順に陰極11、集光素子13及び陽極ターゲット15を安置する。本実施例において、集光素子13は、電磁レンズ又は類似の素子であることができる。ガラス容器17は、バルブ及びウィンドウを有し、そのうち、該バルブは、該ガラス容器を真空に吸引し、該ウィンドウは、X線を射出することに用いられる。ガラス容器17の真空負圧は、107トル及び108トルの間に介する。図1Bは、陰極11の断面図である。陰極11は、容器111及び電子ビーム放射体を含む。容器111は、金属で形成され、基台115及び側壁113を有する。特に、基台115は、容器111の底部に形成され、同時に側壁113は、基台115を囲い、容器111の壁として用いる。基台115は、円柱状基台であることができ、又は、その他の形状であることもできる。基台115及び側壁113は、凹溝110を定義する。特に、凹溝110の深さdが5mm~10mmの間に介し、且つ凹溝110の幅wが2mm~6mmの間に介する時、凹溝110は、X線電子ビーム発生器1に有利である。電子ビーム放射体は、複数の金属ユニット117を含む。各該金属ユニット117は、化学気相成長法により炭素膜層に成長される。また、各該金属ユニット117は、凹溝110の底部に安置され、各該金属ユニット117が該陽極ターゲットに面するようにする。ここで、各該金属ユニット117は、金属ストリップであることができ、そのうち、各該金属ストリップの直径が01mm~3mmの間に介することができ、且つ各該金属ストリップの長さが20mmであることができる。注意すべき点として、本発明は、金属ユニット117の数量及び各該金属ユニット117の形状を制限しない。例えば、他の実施例の電子ビーム放射体は、単一の金属ユニットを含み、且つ該金属ユニットは、金属板であることができる。この種の状況において、該金属板は、長方系であることができ、該金属板の幅が2cmであり、且つ該金属板の長さが3cmである。更に、例えば、もう1つの実施例の電子ビーム放射体は、単一の金属ユニットを含み、且つ該金属ユニットが螺旋状である。また、各該金属ユニット117は、銀ペーストsilverpaste及び錫ペーストsolderpasteのうちの何れか1つにより凹溝110の底部に固定することができる。各該金属ユニット117の材質は、ニッケル、タングステン、コバルトのうち何れか1つである。金属ユニット117は、X線電子ビーム発生器1の外部金属ユニット19に電気接続し、電力を印加する時、陰極11が陰極の作用を発揮できるようにする。特に、金属ユニット117及び容器111の二者が金属で形成されることにより、金属ユニット117は、金属線10を陰極11の容器111及び外部金属ユニット19の陰極11に接続させることによって外部金属ユニット19に電気接続する図1A参照。上記のように、各該金属ユニット117は、化学相成長法により炭素膜層に成長される。図1Cは、炭素膜層の電子顕微鏡下のイメージを示し、且つそれからわかるように、該炭素膜層のイメージは、多重壁の形式である。また、各該金属ユニット117の炭素膜層は、化学気相成長工程で金属ユニット117上に成長する。各該炭素膜層は、内層及び放射層を含む。各該内層の厚さは、10nm~60nmの間に介し、各該放射層の厚さは、1nm~50nmの間に介する。図1Cにおいて、薄い灰色部分117aは、該放射層の実施例のイメージであり、濃い灰色部分117bは、該内層の実施例のイメージである。図1Dは、X線電子ビーム発生器1の開始電圧及び電流密度を例示する図である。X線電子ビーム発生器1の開始電圧が01Vum~03Vumの間に介する時、各該金属ユニット117の電流密度が1mAcm2である。従来技術のX線電子ビーム発生器が少なくとも2Vumの開始電圧を必要とするので、本発明のX線電子ビーム発生器の開始電圧は、従来技術よりも優れている。X線電子ビーム発生器1に印加する電圧が該開始電圧より高い時、電子ビーム放射体は、X線を発生することができる。該X線が集光素子13を経て集光後、陽極ターゲット15により反射される。図1Eは、X線電子ビーム発生器1の動作電圧1mAである時及び異なる陰極陽極の距離の関係のシミュレーション結果を例示する。各該炭素膜層與陽極ターゲット15間の距離が07cm~3cmの間に介する時、X線電子ビーム発生器1の動作電圧が12KeVである。各該炭素膜層及び陽極ターゲット15の間の距離が07cm~6cmの間に介する時、X線電子ビーム発生器1の動作電圧が12KeV~13KeVの間に介する。明らかに、各該炭素膜層及び陽極ターゲット15の間の距離が07cm~6cmの間に介する時、X線電子ビーム発生器1の動作電圧が非常に安定し、比較的低くなっている。各該金属ユニットが化学気相成長法により炭素膜層に成長される場合、X線電子ビーム発生器1の開始電圧及び動作電圧が従来技術より優れている。特に、該炭素膜層が直接、金属ユニット117上に成長し、且つ多重壁の形式である時、X線電子ビーム発生器1は、より優れた性能を具えることができる。本発明の第2実施例は、陰極21であり、その断面図は、図2中に示される。第2実施例の陰極21は、第1実施例の陰極11に取って代わることができ、集光素子13、陽極ターゲット15、ガラス容器17及び外部金属ユニット19と合わせて使用される。陰極21は、容器211及び電子ビーム放射体を含む。陰極21の該電子ビーム放射体は、第1実施例中の陰極11の電子ビーム放射体に類似する。また、陰極21の電子ビーム放射体は、陰極11の電子ビーム放射体のように、一般に多くの変型を具える。第1実施例は、これに対し既に詳しく記載しているので、ここでは、再度記載しない。以下に、陰極21及び陰極11の差異点を説明する。容器211は、基台215及び側壁213を有し、側壁213は、基台215を囲う。基台215及び側壁213は、凹溝110を定義する。強調すべき点として、基台215及び側壁213は、金属で形成される。従って、金属ユニット117がX線電子ビーム発生器1の外部金属ユニット19に電気接続し、陰極21は、複数の金属線118を含み、そのうち、各該金属線118は、一端において、金属ユニット117のうちの1つに接続し、他端において、外部金属ユニット19に接続する。第2実施例の陰極21がX線電子ビーム発生器1の陰極11に取って代わる時、取って代わった後のX線電子ビーム発生器は、X線電子ビーム発生器1に類似した性能及び利点を有する。本発明の第3実施例は、X線電子ビーム発生器3であり、その立体図は、図3A中に示される。X線電子ビーム発生器3は、陰極31と、陽極ターゲット15と、ガラス容器17と、を含む。X線電子ビーム発生器1及びX線電子ビーム発生器3の区別は、X線電子ビーム発生器3がX線を集光することに用いる集光素子を含まない点にある。X線の集光は、陰極31により達成される。図3Bは、陰極31の断面図である。陰極31は、容器311及び電子ビーム放射体を含む。陰極31の電子ビーム放射体は、第1実施例の陰極11の電子ビーム放射体に類似する。また、陰極31の電子ビーム放射体は、陰極11の電子ビーム放射体のように、一般に多くの変型を有する。第1実施例は、これに対し既に詳細に記載しているので、ここでは再度記載しない。以下に、容器111及び容器311の差異点を説明する。容器311は、基台115及び側壁313を含み、側壁313は、基台115を囲い、そのうち、基台115及び側壁313は、凹溝110を定義する。容器311は、上端面310を有し、且つ側壁311は、内側312を有する。切り口314は、容器311の上端面310及び側壁313の内側312箇所に形成される。切り口314を形成することによって、切り口314によりX線を集光することができる。X線電子ビーム発生器1は、X線電子ビーム発生器3中のX線集光素子と異なるが、それは、X線電子ビーム発生器1に類似する性能及び利点を有する。本発明の第4実施例は、X線電子ビーム発生器4であり、その立体図は、図4中に示される。X線電子ビーム発生器4は、陰極11と、集光素子13と、陽極ターゲット15と、ガラス容器17と、外部金属ユニット19と、を含み、全ての該構成部材は、何れも第1実施例に記載するものと相似する機能を実行するので、ここでは再度記載しない。X線電子ビーム発生器4は、更に、集光蓋41を含む。集光蓋41の形状は、密封蓋に類似し、陰極11及び集光素子13を覆う。特に、集光蓋41は、ステンレスで形成されることができる。本発明の第5実施例は、X線電子ビーム発生器5であり、その立体図は、図5中に示される。X線電子ビーム発生器5は、陰極31と、陽極ターゲット15と、ガラス容器17と、を含み、全ての該構成部材は、何れも第3実施例中に記載するものと類似する機能を有するので、ここでは再度記載しない。X線電子ビーム発生器5は、集光蓋51を更に含む。集光蓋51は、密封蓋の形状であることができる。X線電子ビーム発生器5は、X線を集光することに用いる集光素子を含まない点にありそれは、陰極31の切り口314により達成される、従って、該集光蓋が陰極31を覆う。同様に、集光蓋51は、ステンレスで形成されることができる。上記のように、本発明のX線電子ビーム発生器及びその陰極の開始電圧及び動作電圧は、現有技術より優れている。該より優れた性能は、電子ビーム放射体の各該金属ユニットが化学気相成長法により炭素膜層に成長されることによるものである。特に、該炭素膜層が該金属ユニット上に直接成長し、且つ多重壁の形式である時、本発明のX線電子ビーム発生器及びその陰極は、より優れた性能を有することができる。上記の実施例は、本発明の実施形態を例示すること、及び本発明の技術特徴を理解することに用いるものであり、本発明の保護範疇を制限することに用いるのではない。