一定ではない入射角の電磁放射をフィルタリングするための光学フィルタ60であって、二つの部分反射性の層68、70、72の間に配置された少なくとも一層の誘電体又は半導体の層64、66の積層体を含み、前記積層体が、所定の波長に設定された複数のファブリペロー共振器からなる組を形成していて、前記誘電体又は半導体の層64、66の平均屈折率が、前記ファブリペロー共振器の透過スペクトルに対する電磁放射の入射角の変化の効果を補償するように、前記積層体の積層方向Eに対して直交する平面内において一定ではない、光学フィルタ。入射角θの放射を受光するファブリペロー共振器の平均屈折率が、関係式n=n画素中心/cosθを実質的に満たし、nがファブリペロー共振器の平均屈折率であり、n画素中心が垂直入射下において放射を受光するファブリペロー共振器の平均屈折率である、請求項1に記載の光学フィルタ。前記ファブリペロー共振器が少なくとも二種の物質を備え、各ファブリペロー共振器内における前記二種の物質の屈折率及び割合が、所定の設定波長に該ファブリペロー共振器を設定するために該ファブリペロー共振器に対する放射の入射角の関数として選択されている、請求項1又は2に記載の光学フィルタ。各ファブリペロー共振器が二種の物質で構成されていて、一方の物質が、他方の物質中に形成された周期パターン82、84、86の形状とされていて、前記周期パターンのフィルファクタが該ファブリペロー共振器の平均屈折率を設定している、請求項3に記載の光学フィルタ。前記周期パターン82、84、86が、前記誘電体又は半導体の層の厚さ以下の厚さを有し、前記ファブリペロー共振器の前記周期パターンの厚さが、該ファブリペロー共振器に対する放射の入射角の関数として選択されている、請求項4に記載の光学フィルタ。各ファブリペロー共振器が二種の物質で構成されていて、一方の物質が、他方の物質中に形成された周期パターン82、84、86の形状とされていて、該ファブリペロー共振器が実質的に一様な屈折率を有するように、前記周期パターンの周期が、該ファブリペロー共振器が設定されている波長よりも小さくなるように、選択されている、請求項3から5のいずれか一項に記載の光学フィルタ。前記周期パターンの周期が、d=λres×cosθ/2以下であり、λresが、ファブリペロー共振器が設定されている波長であり、θがファブリペロー共振器に対する放射の入射角である、請求項6に記載の光学フィルタ。部分反射性の中心層68によって分離されていて且つ二つの部分反射性の端部層70、72の間に配置された二つの別個の誘電体又は半導体の層64、66の積層体を備えた請求項1から7のいずれか一項に記載の光学フィルタ。前記中心層68の厚さが前記端部層70、72の各々の厚さよりも大きい、請求項8に記載の光学フィルタ。部分反射性の層68、70、72が金属である、請求項1から9のいずれか一項に記載の光学フィルタ。赤色波長、緑色波長、青色波長にそれぞれ設定されていてベイヤーアレイで配置された三組のファブリペロー共振器を備えた請求項1から10のいずれか一項に記載の光学フィルタ。複数の前記ファブリペロー共振器が同一の厚さのものである、請求項1から11のいずれか一項に記載の光学フィルタ。複数の前記ファブリペロー共振器が異なる厚さのものであり、前記ファブリペロー共振器の屈折率及び厚さが、該ファブリペロー共振器の透過スペクトルに対する電磁放射の入射角の変化の効果を補償するように、選択されている、請求項1から12のいずれか一項に記載の光学フィルタ。二つの部分反射性の層68、70、72の間に配置された少なくとも一層の誘電体又は半導体の層64、66の積層体を含む光学フィルタの使用であって、前記積層体が、所定の波長に設定された複数のファブリペロー共振器からなる組を形成していて、前記ファブリペロー共振器の透過スペクトルに対する電磁放射の入射角の変化の効果を補償するように、前記積層体の積層方向に対して直交する平面内において一定ではない屈折率を有している光学フィルタの使用。実質的な球面画像を形成する光学系と、複数の感光性素子からなるアレイを備え、前記光学系の光軸に対して直交する平面において前記光学系の出力に配置された平面状の検出器回路と、複数のファブリペロー共振器からなるアレイを備えていて、前記検出器回路と前記光学系との間に配置されていて、且つ前記検出器回路に平行に延在している平面状のマトリクスのフィルタと、を備えた電磁放射検出器であって、各ファブリペロー共振器が各感光性素子の上方に配置されていて、前記フィルタが請求項1から14のいずれか一項に記載のものであり、前記ファブリペロー共振器の平均屈折率が、前記光学系によって形成され前記フィルタに入射する実質的な球面画像の一定ではない入射角に適合することができるように一定ではない、電磁放射検出器。従って、本発明の目的は、上述の問題を解決するために、一定の厚さのファブリペロー共振器であって、その透過応答が所定の電磁放射の入射角の変化に敏感ではないファブリペロー共振器を備えたフィルタを提案することである。このため、本発明の対象は、一定ではないvariable入射角の電磁放射をフィルタリングするための光学フィルタであって、二つの部分反射性の層の間に配置された少なくとも一層の誘電体又は半導体の層の積層体を含む光学フィルタである。そして、その積層体が、所定の波長に対して設定された複数のファブリペロー共振器の少なくとも一つの組を形成している。本発明によると、誘電体又は半導体の層の平均屈折率は、共振器の透過スペクトルに対する電磁放射の入射角の変化の効果を補償するように、積層体の積層方向に直交する平面内において一定ではない。言い換えると、屈折率だけによって、ファブリペロー共振器がフィルタ内のどの位置においても実質的に同じ透過プロファイルを有するように、そのファブリペロー共振器を設定することができる。特に、実質的な球面波面を有する放射用に適合された本発明の一実施形態によると、入射角θの放射を受光する共振器の平均屈折率は、関係式n=n画素中心/cosθを実質的に満たし、ここでnは共振器の平均屈折率であり、n画素中心は、垂直入射下において放射を受光するとした共振器の平均屈折率である。本発明の一実施形態によると、ファブリペロー共振器は、少なくとも二種の物質を備え、各共振器内の物質の屈折率及び割合は、所定の設定波長に対して共振器を設定するために、共振器に対する放射の入射角の関数として選択される。より具体的には、各共振器は、二種の物質で構成され、その一方の物質は、他方の物質中に形成された周期的パターンの形状とされ、そのパターンのフィルファクタが共振器の平均屈折率を設定する。特に、パターンは、誘電体又は半導体の層の厚さ以下の厚さを有し、共振器のパターンの厚さは、その共振器に対する放射の入射角の関数として選択される。有利には、各共振器は二種の物質で構成され、その一方の物質は、他方の物質中に形成された周期パターンの形状とされ、そのパターンの周期は、共振器が設定される波長共振器がその波長に対して共振器が実質的に一様な屈折率を有するようにされる未満であるように選択される。より具体的には、パターンの周期は、d=λres×cosθ/2以下であり、ここでλresは、共振器が設定されている波長であり、θは共振器に対する放射の入射角である。本発明の一実施形態によると、フィルタは、部分反射性の中心層によって分離され且つ二つの部分反射性の端部層の間に配置された二つの別個の誘電体又は半導体の層の積層体を備える。より具体的には、中心層の厚さは、各端部層の厚さよりも大きい。本発明の一実施形態によると、部分反射性の層は金属である。本発明の一実施形態によると、フィルタは、赤色波長、緑色波長及び青色波長のそれぞれに設定されていてベイヤーアレイで配置された三組の複数のファブリペロー共振器を備える。一実施形態によると、複数のファブリペロー共振器は同一の厚さのものである。従って、ファブリペロー共振器が同じ厚さを保つので、特に、小型フィルタを生成することができ、結果として小型フォトサイトも生成することができる。他の実施形態によると、複数のファブリペロー共振器が異なる厚さのものであり、共振器の屈折率及び厚さが、その共振器の透過スペクトルに対する電磁放射の入射角の変化の効果を補償するように選択される。本発明の更なる対象は、一定ではない入射角の電磁放射をフィルタリングするための光学フィルタであって、二つの部分反射性の層の間に配置された少なくとも一層の誘電体又は半導体の層の積層体を含む光学フィルタの使用であり、その積層体は、所定の波長に設定されていて、積層体の積層方向に直交する平面内において一定ではない屈折率を有するファブリペロー共振器の組を形成していて、ファブリペロー共振器の透過スペクトルに対する電磁放射の入射角の変化の効果を補償するようにされている。本発明の更なる対象は電磁放射検出器であり、その電磁放射検出器は、実質的な球面画像を形成する光学系と、感光性素子のアレイを備え、光学系の出力に配置され且つその光学系の光軸に直交する平面状の検出器回路と、ファブリペロー共振器のアレイを備え、検出器回路と光学系との間に配置され、検出器回路に平行な平面状のマトリクスのフィルタと、を備え、各ファブリペロー共振器が各感光性素子の上方に配置されている。本発明によると、そのフィルタは、いずれかの請求項に記載されたものであり、共振器の平均屈折率は、光学系によって形成されてフィルタ上に入射する実質的な球面画像の一定ではない入射角に適合するように、変化して、特に、光軸が通過するフィルタ上の点からの光線に沿って減少する。本発明は、同一の参照符号が同一又は同様の要素を指し示す添付図面を参照して単に例示目的で提供される以下の説明を読むことによって、より良く理解されるものである。図4は、ファブリペロー共振器のアレイ60の断面のダイヤグラム図であり、この例では、赤色フィルタ、緑色フィルタ及び青色フィルタの三つを形成している。アレイ60は、例えば図2のものと同様の検出器に配置される。アレイ60は、絶縁基板62を備え、その基板上に、中心金属層68によって分離され且つ二つの金属端部層70及び72の間に配置された二つの別個の誘電体又は半導体の層64、66の積層体が堆積される。多様な層は平面状であり、方向Eに沿って積層される。層64及び66の屈折率は、異なる複数のフィルタリングゾーンを画定するために、積層体の方向Eに垂直な平面内において変化している。より具体的には、層64及び66は、平均屈折率の異なるゾーン74、76、78に分けられる。層64及び66の各ゾーンは、二種の誘電体又は二種の半導体で構成されていて、周期パターン82、84、86層64及び66の厚さ方向に形成された矩形断面の平行な帯状体等を形成している。これらの物質の個々の割合が、ゾーンの平均屈折率を設定する。従って、各ゾーン74、76、78は、金属層68、70、72と組み合わさって、ファブリペロー共振器を形成し、そのファブリペロー共振器の共振波長は、共振器の厚さ、ゾーンの屈折率、及び共振器に対する放射の入射角の関数である。以下において、ゾーンの屈折率と、対応するファブリペロー共振器の屈折率とを区別しない。図3の例では隣り合って示されているが、ファブリペロー共振器によって形成される赤色フィルタ、緑色フィルタ及び青色フィルタを、使用目的に応じて、例えばベイヤーアレイ等の異なった分布とすることができる点は理解されたい。このようにして形成された各ファブリペロー共振器は、以下の関係式に従って、波長λresに対する電磁共振器を形成する:ここで、nは共振器の平均屈折率であり、hは、共振器の厚さ、つまり層64、66の厚さであり、θは共振器に対する放射の平均入射角であり、mは共振器の次数を定める正の整数であり、φ1及びφ2は、金属層68及び72に対する反射位相シフト、又は層68及び70に対するその等価物であり、fは第一の物質、例えば屈折率が最低の物質の割合であり、その数fはフィルファクタとも称されて、0と1との間である。nbは第一の物質の屈折率であり、nhは第二の物質の屈折率である。対象の赤色波長λres赤、青色波長λres青、緑色波長λres緑の各々に対して、対応するファブリペロー共振器の屈折率nは、アレイ60中の共振器の位置がどうであっても、以下の関係式を満たすように選択され:n×cosθ=n画素中心3ここで、n画素中心は、対象の波長に設定され且つ垂直入射θ=0の放射を受光する共振器の屈折率に等しい定数である。関係式3は、あらゆる種類のファブリペロー共振器に対して汎用なものであり、一層の誘電体又は半導体の層のみを含む共振器も含まれる。従って、共振器の屈折率は、以下の関係式に従って選択されるフィルファクタfを用いて、放射の入射角の関数として単純に設定される:有利には、ファブリペロー共振器の周期パターンの周期は、対象の波長よりも極めて短くて、共振器がその波長に対して一様な屈折率を有するようにする。より具体的には、第二の物質中の第一の物質の帯状体のネットワークの周期p1、同様に第一の物質中の第二の物質の帯状体のネットワークの周期p2は以下の関係式を満たす:このように、本発明者は、ファブリペロー共振器が、対象の波長に対して、一様な屈性率の共振器のように振る舞うことを発見した。関係式5で定められる限界を超えると、入射角が効果的に補償されたままの場合でも、ファブリペロー共振器の透過スペクトルは劣化して特に透過率が低下して、複数の透過ピークが出現する、もはや一様な屈折率の共振器スペクトルには対応しない。更に、複数のファブリペロー共振器が配置されるものではあるが、一つのファブリペロー共振器の屈折率が、その共振器に対する対象の波長について一様及び/又は一定であることが好ましい。好ましくは、層64及び66を構成する二物質はそれぞれ、例えば、Si、HfO2、SiN、ZnS又はTiO2等の高屈折率の物質と、SiO2、Al2O3、SiOC又はナノ細孔性若しくは低密度の物質ナノ細孔性SiO2やナノ細孔性SiOC等等の低屈折率の物質とである。好ましくは、低屈折率の物質は、最低屈折率f=1の共振器、つまり青色波長に対して設定されて且つ垂直入射の放射を受光する共振器を完全に構成するように選択される。同様に、高屈折率の物質は、最高屈折率f=0の共振器、つまり赤色波長に対して設定されて且つ最大入射の放射を受光する共振器を完全に構成するように選択される。これは、必要な有効屈折率に関して両端の共振器を考慮することによって、有効な端部の屈折率が、最低屈折率の物質及び最高屈折率の物質によって区切られる範囲内に含まれることを保証することができるということを意味する。金属68、70、72は、例えばAg、Al、Au又はCu製である。金属層は、赤外において低い透過率を有するので、可視フィールドにおいて有利である。更に、中心金属層68は、端部層70、72の各々の厚さよりも大きな厚さを有し、好ましくは、層70、72の各々の厚さの二倍の厚さを有して、単一のピークを備えた透過応答を与える。フィルファクタfが非常に小さい又は非常に大きい場合、第二の物質中の第一の物質の帯状体及び第一の物質中の第二の物質の帯状体の幅は非常に小さく、従来のリソグラフィ及びエッチング方法では、製造し難いものになり得る。周期ネットワークの製造を単純化するため、その構成パターンは、層64及び66の厚さ全体にわたってはエッチングされず、図5A及び5Bに見て取れるように、これらの層に部分的にエッチングされる。図5Aは、層64及び66の厚さ全体に設けられた帯状体を備えた上述のようなファブリペロー共振器を示し、その全表面は、共振器の表面の15を占める。図5Bは、層64及び66の厚さ方向に部分的に設けられた帯状体を備えた共振器を示し、ここでは層の厚さの半分に対してであるが、フィルファクタfは図5Aの共振器のものと同一である。図5Bでは、帯状体の全表面は共振器の表面の50を占める。見て取れるように、図5Bの帯状体はより幅広であるので、製造がより単純であるが、共振器の波長が変わらないままである。例えば、金属層68、70、72はAu製であり、それぞれ40nm、60nm、40nmの厚さを有し、層64及び66は80nmの厚さを有し、TiO2及びSiO2製であり、SiO2の割合は0実際には、SiO2の最小割合は最大入射を受光する赤色画素によって固定されて、有効屈折率は垂直入射に対してよりも高くなければならない15から85f=0.85であり、垂直入射における青色フィルタによって固定されるである。垂直入射においては、ファブリペロー共振器は、赤色波長に対して15の割合のSiO2f=0.15を有し、緑色波長に対して50f=0.5、青色波長に対して85f=0.85である。図6は、緑色波長に対するファブリペロー共振器の屈折率の選択における入射角を考慮した効果を示す:曲線Cは、50に等しいSiO2の割合を有する共振器の垂直入射の放射下における透過応答であり、曲線Bは、20°に等しい入射の放射下における同じ共振器の応答であり、曲線B補償は、35に等しいSiO2の割合を有する共振器の20°に等しい入射の放射に晒された際の透過応答である。見て取れるように、B補償の応答はCの応答と同一であり、垂直ではない入射角の効果的な補償を示している。実際には、本発明によるファブリペロー共振器のアレイを設計するには、なによりもまず、共振器のアレイに対応する平面に対する電磁放射の入射角を求めるようにその電磁放射が決定される。例えば、可視検出器の場合、光学系からの放射の形状は完璧に分かっている。例えば非特許文献1を参照されたい。ファブリペロー共振器が平行な帯状体の周期ネットワークによって構築されると説明してきた。このような共振器は最大の透過強度を有するが、入射放射の偏光に対して敏感なものである。代替例として、平行な帯状体の二つの周期ネットワークであって互いに直交している二つのネットワークによって、共振器を構築する。これによって、放射の偏光に対して共振器が敏感ではないようにすることができるが、共振器の透過応答の最大強度は低下する。同様に、複数のファブリペロー共振器が同一の厚さのものであると説明してきたが、ファブリペロー共振器に対して異なる複数の厚さを選択することも可能である。その厚さの値は、屈折率の値と組み合わさって、例えばその厚さ及び屈折率の選択に対する関係式1及び2に従って、放射の一定ではない入射角を補償するように選択される。同様に、可視イメージングの分野における使用について説明してきたが、本発明が他のスペクトル範囲に対しても適用されることは理解されたい。