乾燥もしくは半乾燥ナノ粒子を基材上に移動させる方法であって、以下の工程弾性スタンプを含むローラーを準備すること、乾燥状態もしくは半乾燥状態にあり、ドナー基材の表面と接触しているナノ粒子を、ドナー基材から弾性スタンプ上に移動させること、及び弾性スタンプをレシーバー基材上に転がすことにより、乾燥もしくは半乾燥ナノ粒子を弾性スタンプからレシーバー基材上へ付着させること、を含む方法。ドナー基材からナノ粒子を移動させる工程が、弾性スタンプをドナー基材上に転がし、それによりナノ粒子を接触させることの工程を含む、請求項1記載の方法。ナノ粒子が乾燥状態にある、請求項1記載の方法。レシーバー基材が非平面基材である、請求項1記載の方法。弾性スタンプが第1のパターンを含むレリーフ構造を有し、それによりナノ粒子が第1のパターン中の表面上に付着する、請求項1記載の方法。フォトリソグラフィーフリー微小接触プリント法である、請求項1記載の方法。ナノ粒子が約1000nm未満の平均粒子直径D50を有する、請求項1記載の方法。ドナー基材がレリーフ構造を有する、請求項1記載の方法。ローラーがレリーフ構造を有する、請求項1記載の方法。ナノ粒子が約100nm未満の平均粒子直径D50を有する、請求項1記載の方法。レシーバー基材がレリーフ構造を有する、請求項1記載の方法。ナノ粒子が約15nm未満の平均粒子直径D50を有する、請求項1記載の方法。ナノ粒子がシリカナノ粒子である、請求項1記載の方法。ナノ粒子が、貴金属、金属、磁性材料、鉱物、導電性材料、半導電性材料、誘電材料及びこれらのあらゆる組み合わせからなる群より選ばれるコロイド溶液である、請求項1記載の方法。ナノ粒子が、貴金属、金属、磁性材料、鉱物、導電性材料、半導電性材料、誘電材料及びこれらのあらゆる組み合わせからなる群より選ばれる、請求項1記載の方法。ナノ粒子が、銀、金、カドミウム、パラジウム、金属錯体、金属合金、金属酸化物、インジウム-スズ酸化物、ケイ素、ゲルマニウム、ガリウム砒素、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、及びこれらのあらゆる組み合わせからなる群より選ばれる、請求項1記載の方法。乾燥もしくは半乾燥形態のナノ粒子が溶液中に分散されていない、請求項1記載の方法。弾性スタンプが、エポキシポリマー、ポリイソプレンポリマー、ポリウレタンポリマー、ポリイミドポリマー、ポリブタジエンポリマー、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、ポリスチレンポリマー、アクリレートポリマー、シリコーンポリマー、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項1記載の方法。弾性スタンプがポリジメチルシロキサンを含む、請求項1記載の方法。乾燥もしくは半乾燥ナノ粒子を基材上に移動させる工程が10秒未満で行われる、請求項1記載の方法。乾燥もしくは半乾燥ナノ粒子を基材上に移動させる工程が1秒未満で行われる、請求項1記載の方法。レシーバー基材に乾燥もしくは半乾燥ナノ粒子を移動させるため、第1のレリーフ構造を有する弾性スタンプを回転させること、乾燥状態もしくは半乾燥状態にあり、ドナー基材の表面と接触しているナノ粒子を、ドナー基材から弾性スタンプ上に移動させること、及び弾性スタンプをレシーバー基材上に所定の方向に回転させることにより、乾燥もしくは半乾燥ナノ粒子を弾性スタンプから第2のレリーフ構造を有するレシーバー基材上へ付着させること、を含む、請求項1記載の方法。第1のレリーフ構造がナノ粒子の第1のパターンを形成することができ、第2のレリーフ構造がナノ粒子の第2のパターンを形成することができ、しかしながら所定の方向への回転が、第1のパターンもしくは第2のパターンとは異なる第3のパターンでレシーバー基材上にナノ粒子を移動させる、請求項22記載の方法。第1のパターン及び第2のパターンが実質的に同じである、請求項22記載の方法。ドナー基材から弾性スタンプにナノ粒子を移動させる工程が、弾性スタンプをドナー基材上に回転させ、それによりナノ粒子を接触させる工程を含む、請求項22記載の方法。レシーバー基材を少なくとも2種のナノ粒子でパターン化するため、ローラーが第1のレリーフ構造を有する第1の弾性スタンプを含み、第1のレリーフ構造がナノ粒子の第1のパターンを形成することができ、乾燥状態もしくは半乾燥状態にあり、第1のドナー基材の表面と接触している第1の種のナノ粒子を、第1のドナー基材から第1の弾性スタンプ上に移動させること、弾性スタンプをレシーバー基材上に第1の所定の方向に回転させることにより、第1の種のナノ粒子を第1の弾性スタンプからレシーバー基材上へ付着させること、ナノ粒子の第2のパターンを形成することができる第2のレリーフ構造を有する第2の弾性スタンプを含むローラーを準備すること、乾燥状態もしくは半乾燥状態にあり、第2のドナー基材の表面と接触している第2の種のナノ粒子を、第2のドナー基材から第2の弾性スタンプ上に移動させること、及び第2の弾性スタンプをレシーバー基材上に第2の所定の方向に回転させることにより、第2の種のナノ粒子を第2の弾性スタンプからレシーバー基材上へ付着させること、を含む、請求項1記載の方法。第1のレリーフ構造を有する第1の弾性スタンプ及び第2のレリーフ構造を有する第2の弾性スタンプがナノ粒子の実質的に同じパターンを形成することができる、請求項26記載の方法。ナノ粒子の第1のパターン及びナノ粒子の第2のパターンが実質的に同じである、請求項26記載の方法。第1の所定の方向及び第2の所定の方向が実質的に同じである、請求項26記載の方法。基材をパターン化する方法であって、基材表面上にナノ粒子のフィルムを形成すること、ここで前記ナノ粒子は乾燥状態又は半乾燥状態にある、第1のパターンを形成することのできるレリーフ構造を有する弾性スタンプを含むローラーを準備すること、基材表面上に弾性スタンプを回転させることにより、基材表面からナノ粒子の一部を移動させること、ここで基材表面上に残っているナノ粒子は第1のパターンのネガを形成するを含む方法。前記ナノ粒子のフィルムを形成する工程が、液体成分もしくは溶媒成分と少なくとも1種のナノ粒子を少なくとも含むコロイド溶液を基材表面と接触させること、及び溶媒成分もしくは液体成分を蒸発させて、基材表面にナノ粒子のフィルムを残すことを含む、請求項30記載の方法。コロイド溶液を基材表面と接触させる工程が、蒸着、注入、キャスティング、ジェッティング、コーティング、浸漬、噴霧、スピンコーティング、浸漬コーティング及びスロットコーティングからなる群より選ばれる塗布法を用いる、請求項30記載の方法。基材上に乾燥もしくは半乾燥ナノ粒子を移動させるシステムであって、弾性スタンプを含むローラー、ナノ粒子、ドナー基材の表面と接触している、乾燥状態もしくは半乾燥状態のナノ粒子を、ドナー基材から弾性スタンプに移動させるためのドナー基材、及びリザーバー基材上に弾性スタンプを回転させている間、弾性スタンプからリザーバー基材へ乾燥もしくは半乾燥ナノ粒子を受け入れるためのリザーバー基材を含むシステム。ドナー基材がレリーフ構造を有する、請求項33記載のシステム。ローラーがレリーフ構造を有する、請求項33記載のシステム。リザーバー基材がレリーフ構造を有する、請求項33記載のシステム。ナノ粒子が最大100nmの平均粒子直径D50を有する、請求項33記載のシステム。しかしながら、チオールによるミクロプリントはわずか50ミクロン以下のオーダーの解像度を有する数種の金属のみに限られているという欠点がある。他の欠点は、プリントされる材料がスタンプの表面を効果的に湿らせず、基材上の不完全なパターンを形成することである。機能性材料を基材上に直接移動させる方法及びシステムを提供することが望ましい。機能性材料は、半導電性、導電性、及び/又は誘電体もしくは他の絶縁性材料であってよい。本発明の方法は、ある態様においては、写真平版を用いないミクロ接触プリント法である。本発明を詳細に説明するが、一態様において、本発明は、乾燥もしくは半乾燥ナノ粒子を基材上に移動させる方法であって、以下の工程、弾性スタンプを含むローラーを準備すること、乾燥状態もしくは半乾燥状態にあり、ドナー基材の表面と接触しているナノ粒子を、ドナー基材から弾性スタンプ上に移動させること、及び弾性スタンプをレシーバースタンプ上に転がすことにより、乾燥もしくは半乾燥ナノ粒子を弾性スタンプからレシーバー基材上へ付着させること、を含む方法である。一態様において、ドナー基材からナノ粒子を移動させる工程は、ドナー基材上に弾性スタンプを回転させる工程を含む。この回転させる工程は、ドナー基材と接触しているナノ粒子をローラーの表面に効果的に移動させる。一態様において、ナノ粒子は乾燥状態にある。一態様において、基材は非平面基材である。一態様において、弾性スタンプは第1のパターンを含むレリーフ構造を有し、それによりナノ粒子が第1のパターン中の表面上に付着する。一態様において、乾燥もしくは半乾燥ナノ粒子を基材上に移動させる方法が要する時間は、10秒未満、あるいは5秒未満、又は1秒未満である。他の態様において、本発明は、乾燥もしくは半乾燥ナノ粒子をレシーバー基材上に移動させる方法であって、以下の工程第1のレリーフ構造を有する弾性スタンプを含むローラーを準備すること、乾燥状態もしくは半乾燥状態にあり、ドナー基材の表面と接触しているナノ粒子を、ドナー基材から弾性スタンプ上に移動させること、及び弾性スタンプをレシーバースタンプ上に所定の方向に転がすことにより、乾燥もしくは半乾燥ナノ粒子を弾性スタンプから、第2のレリーフ構造を有するレシーバー基材上へ付着させること、を含む方法である。一態様において、第1のレリーフ構造はナノ粒子の第1のパターンを形成することができる。第2のレリーフ構造はナノ粒子の第2のパターンを形成することができる。しかしながら所定の方向へのローラー回転は、第3のパターンでレシーバー基材上にナノ粒子を移動させる。一態様におけるこのパターンは第1のパターンとも第2のパターンとも異なる。第1のパターン及び第2のパターンは実質的に同じであってもよい。ある態様において、ドナー基材からナノ粒子を移動させる工程は、弾性スタンプをドナー基材上に回転させる工程を含む。この回転させる工程は、ドナー基材と接触しているナノ粒子をローラーの表面に効果的に移動させる。一態様において、ナノ粒子は乾燥状態にある。一態様において、基材は非平面基材である。一態様において、乾燥もしくは半乾燥ナノ粒子を基材上に移動させる方法が要する時間は、10秒未満、若しくは5秒未満、又は1秒未満である。さらに他の態様において、本発明は少なくとも2種のナノ粒子により基材をパターン化する方法であって、以下の工程、ナノ粒子の第1のパターンを形成することができる第1のレリーフ構造を有する弾性スタンプを含むローラーを準備すること、第1のドナー基材の表面と接触している、乾燥もしくは半乾燥状態のナノ粒子の第1の種を、第1のドナー基材から第1の弾性スタンプに移動させること、第1の所定方向にレシーバー基材上に弾性スタンプを回転させることにより、ナノ粒子の第1の種を第1の弾性スタンプからレシーバー基材上に付着させること、ナノ粒子の第1のパターンを形成することができる第2のレリーフ構造を有する第2の弾性スタンプを含むローラーを準備すること、第2のドナー基材の表面に接触している、乾燥もしくは半乾燥状態のナノ粒子の第2の種を第2のドナー基材から第2の弾性スタンプに移動させること、及び第2の所定方法にレシーバー基材上に第2の弾性スタンプを回転させることにより、ナノ粒子の第2の種を第2の弾性スタンプからレシーバー基材上に付着させることを含む。一態様において、第1の弾性スタンプは第1のレリーフ構造を有する。第2の弾性スタンプは第2のレリーフ構造を有する。この両者のレリーフ構造はナノ粒子の実質的に同じ又は異なるパターンを形成することができる。一態様において、ナノ粒子の第1のパターン及びナノ粒子の第2のパターンは実質的に同じである。しかしながら、このパターンは所望により異なっていてもよい。他の態様において、第1の所定の方向及び第2の所定の方向は実質的に同じである。しかしながら、この方向は所望により異なっていてもよい。一態様において、ナノ粒子は乾燥状態にある。一態様において、基材は非平面基材である。一態様において、乾燥もしくは半乾燥ナノ粒子を基材上に移動させる方法は、10秒未満、もしくは5秒未満、又は1秒未満要する。本発明は、有利には、写真平版法の問題を回避する。例えば、本発明において、ローラー上の弾性被覆は有利にはPDMSスタンプである。機械的不安定、特にしわの発生は、露出した軟質基材例えばPDMSの上部にコートされた薄いガードフィルムが圧縮力を受ける、2層システムのバックリングにより生ずる。上層の圧縮応力は、酸素プラズマもしくはUVO処理を用いて機械応力を加えることにより又は溶媒の温度を低下させることにより応力のない状態よりも収縮する拡張することにより生ずる。ローラーを用いることは平坦な表面を他の平坦な表面に接触させる点において有利である。本発明において、円筒形ローラーをベースとするミクロ接触プリントがパターンを転写/プリントするために用いられる。従来のミクロ接触プリントにおいて、PDMSスタンプは液体材料例えばアルカンチオールによりインク付けされる。しかしながら、本発明において、PDMSローラースタンプは粒子によって覆われる。これは、すでに粒子の層で覆われている基材上にスタンプを転がすことにより行われる。この粒子の層は、水もしくは溶媒分散液からのあらゆるタイプのコーティングにより形成される。固定化された粒子は固体物体であると考えられ、スタンプを基材上に単に転がすことにより他の基材に容易に移動されるインクではない。本発明において、PDMSスタンプレリーフ構造は写真平版によっては形成されず、インクは固体である。パターンはトランスファー/プリントの1つの工程により容易に形成される。本発明の方法は、あらゆる所望の基材上に機能的パターンを直接形成する。本発明において、適用されたパターンのミクロもしくはナノ形状は、PDMSスタンプの形成に用いる方法及びパラメータに応じて、例えば酸素プラズマ及びUVO処理への曝露時間を変える、異なるレリーフ構造を与え、次いで所望のナノ及びミクロパターンを得ることにより変えることができる。本発明は、基材上に乾燥もしくは半乾燥ナノ粒子を移動させるシステムであって、弾性スタンプを含むローラー、ナノ粒子、ドナー基材の表面と接触している、乾燥状態もしくは半乾燥状態のナノ粒子を、ドナー基材から弾性スタンプに移動させるためのドナー基材、及びリザーバー基材上に弾性スタンプを回転させている間、弾性スタンプからリザーバー基材へ乾燥もしくは半乾燥ナノ粒子を受け入れるためのリザーバー基材を含むシステムも含む。本発明は、ソフト写真平版法を用いる。ここでソフト写真平版とは、パターン、特に地形的なパターン及び可撓性もしくは弾性形態を有するスタンプを基材の表面と接触させて配置するパターン化方法を意味する。弾性スタンプにおける地理的パターンは、スタンプの表面の地理的パターンから基材の表面へのある種の材料の成形により表面に移される。本発明は、基材上に1以上の粒子の層を形成するためのシステム及び方法を提供する。特に、本発明は、基材上に粒子の1以上のパターンを形成するためのシステム及び方法を提供する。典型的には、この粒子は、電気、光学、生化学、感覚、及び診断用途及びデバイスに用いる材料であり、半導体、ポリマーもしくはプラスチック基材上にパターン化されている。本発明は基材上に乾燥もしくは半乾燥粒子を移動させる方法である。一態様において、この粒子はナノ粒子である。用語粒子は1以上の粒子を意味し、同様に用語ナノ粒子は1以上のナノ粒子を意味する。以下に説明するように、一態様において、ナノ粒子は約1000nm未満、典型的には約950nm未満、さらには900nm未満の平均粒子直径D50を有する。他のD50値も含まれる。主にナノ粒子について言及するが、このナノ粒子をミクロ粒子のような他のサイズの粒子に代えてもよい。このミクロ粒子は、典型的には最大100ミクロン、さらには最大25ミクロンのD50を有する。ナノ粒子典型的には、本発明のナノ粒子は乾燥形態これはナノ粒子が有する水分もしくは溶媒が、ナノ粒子の重量の3未満、典型的には2未満、さらには1未満であることを意味するで用いられる。一態様において、乾燥ナノ粒子は、水分もしくは溶媒含量が、ナノ粒子の重量の09未満であることを意味する。他の態様において、乾燥ナノ粒子は、水分もしくは溶媒含量が、ナノ粒子の重量の08未満、典型的には07未満であることを意味する。他の態様において、乾燥ナノ粒子は、水分もしくは溶媒含量が、ナノ粒子の重量の05未満、典型的には03未満、さらには02未満であることを意味する。さらに他の態様において、乾燥ナノ粒子は、水分もしくは溶媒含量が、ナノ粒子の重量の01未満、典型的には005未満であることを意味する。このナノ粒子は、半乾燥状態これはナノ粒子が有する水分もしくは溶媒が、ナノ粒子の重量の15未満、典型的には13未満、さらには10未満であることを意味するで用いられる。一態様において、半乾燥ナノ粒子は、水分もしくは溶媒含量が、ナノ粒子の重量の9未満であることを意味する。他の態様において、半乾燥ナノ粒子は、水分もしくは溶媒含量が、ナノ粒子の重量の8未満、典型的には7未満であることを意味する。他の態様において、半乾燥ナノ粒子は、水分もしくは溶媒含量が、ナノ粒子の重量の05未満、典型的には03未満、さらには02未満であることを意味する。さらに他の態様において、乾燥ナノ粒子は、水分もしくは溶媒含量が、ナノ粒子の重量の01未満、典型的には005未満であることを意味する。典型的には、この乾燥もしくは半乾燥形態のナノ粒子は溶液中に分散されない。このナノ粒子は、貴金属、金属、磁性、無機、導電性材料、半導電性材料、誘電材料及びこれらのあらゆる組み合わせより選ばれる。ナノ粒子は、貴金属、金属、磁性、無機、導電性材料、半導電性材料、誘電材料及びこれらのあらゆる組み合わせからなる群より選ばれるコロイド溶液として適用される。一態様において、ナノ粒子は銀、金、銅、カドミウム、パラジウム、金属錯体、金属合金、シリカ、金属酸化物、インジウム-スズ酸化物、酸化鉄、酸化ケイ素、ケイ素、ゲルマニウム、ガリウム砒素、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、希土類金属酸化物、酸化セリウム、及びこれらのあらゆる組み合わせを含む。他の態様において、本発明において用いられるナノ粒子はケイ素ナノ粒子を含む。他の態様において、このナノ粒子は、好適な貴金属、金属、磁性、無機、導電性材料、半導電性材料、誘電材料またはこれらのあらゆる組み合わせより選ばれる。ドナー基材上にコートする際に、ナノ粒子はコロイド溶液の形態で溶液もしくは溶媒中に分散される。次いでナノ粒子は蒸発もしくは他の手段により溶媒もしくは水を除去して乾燥される。しかしながら、本発明において用いるように、弾性スタンプに移す場合、そのような粒子は乾燥もしくは実質的に乾燥形態にある。従って、ナノ粒子はドナー基材上にコートされる場合例えば、スピンコート、注入、液体キャスティング、射出、浸漬、噴霧、コロイド溶液にあり、このコロイド溶液は貴金属、金属、磁性、無機、導電性材料、半導電性材料、誘電材料、銀、金、銅、カドニウム、パラジウム、金属錯体、金属合金、シリカ、金属酸化物、インジウム-スズ酸化物、ケイ素、ゲルマニウム、ガリウム砒素、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、これらのあらゆる組み合わせを含むものである。本発明の粒子もしくはナノ粒子として用いることのできる材料の他の例は、限定するものではないが、生物分子、半導電性分子、薬理学的に活性な化合物、生物学的に活性な化合物、触媒活性を有する化合物、これらの他の粒子との組み合わせ、及びパターン化電気、感覚もしくは光学用途もしくはデバイスに適したものを含む。生物学的に活性な材料は、限定するものではないが、デオキシリボ核酸DNA、蛋白質、ポリオリゴペプチド、及びポリオリゴサッカライドを含む。一態様において、ナノ粒子は約1000nm未満、典型的には約950nm未満、さらには900nm未満の平均粒子直径D50を有する。第二の態様において、ナノ粒子は約800nm未満、典型的には750nm未満、さらには700nm未満のD50を有する。他の態様において、ナノ粒子は約600nm未満、典型的には約550nm未満のD50を有する。他の態様において、本発明のナノ粒子は約500nm未満、典型的には約450nm未満のD50を有する。他の態様において、ナノ粒子は約400nm未満、典型的には約300nm未満、さらには250nm未満のD50を有する。他の態様において、ナノ粒子は約200nm未満のD50を有する。さらに他の態様において、ナノ粒子は約100nm未満のD50を有する。さらに他の態様において、ナノ粒子は約90nm未満のD50を有する。さらに他の態様において、ナノ粒子は約75nm未満のD50を有する。さらに他の態様において、ナノ粒子は約65nm未満のD50を有する。さらに他の態様において、ナノ粒子は約50nm未満のD50を有する。さらに他の態様において、ナノ粒子は約25nm未満のD50を有する。さらに他の態様において、ナノ粒子は約15nm未満のD50を有する。さらに他の態様において、ナノ粒子は約5nm未満のD50を有する。機能性材料は典型的には、水、溶媒もしくはキャリア剤のような液体中に分散、溶解もしくは懸濁されない。溶媒は通常、粒子によりコートすることを望む基材を粒子が湿らせることを助けると考えられる。溶媒は通常1種のもしくは溶媒の混合物であり、分散剤として作用し、他の物質すなわち機能性材料を溶解して均一な混合物を形成することのできる物質である。キャリア剤は同様に、材料を溶液に分散もしくは懸濁することのできるものである。溶媒は通常、公知の溶媒、例えばエタノール、イソプロパノール、テトラヒドロフラン、クロロホルム、アセトニトリル、トルエン及びヘキサン、又はミクロ接触プリント法において当業者に公知の他の溶媒を含む。通常、従来技術において、粒子は液体、溶媒もしくはキャリア中に、組成物の総重量を基準として約001~約50存在する。得られる組成物は、スタンプのレリーフ構造の隆起した表面に適用することにより、スタンプに適用される。懸濁した粒子を含む液体、溶媒、及び/又はキャリアの組成物は従来、蒸着、注入、噴射、浸漬、噴霧、並びにスピンコーティング、ディップコーティング、及びスロットコーティングのようなコーティング等の方法によってスタンプに適用される。しかしながら、本発明の方法及びシステムにおいて、弾性スタンプからレシーバー基材へのナノ粒子の移動を促進させるためにそのような液体、キャリアもしくは溶媒が必要ないことが見出された。これは効率及びコスト効率の観点から望ましい。図1は、Hidberらの、MicrocontactPrintingofPalladiumColloidsMicronScalePatteringbyElectrolessDepositionofCopperLangmuir199612pp13751380からの、コロイドの従来のミクロ接触プリント方法の略図である。PDMSスタンプ10にパラジウムコロイドの溶液12を付着させ、スタンプ10を、機能性オルガノシラン14接着促進剤によりシラン化されている基材上に乗せる。触媒をスタンプのレリーフ領域から基材16の表面に移す。予備処理した基材上へのスタンピングはコロイドを移し、パターンを形成する。スタンプ10を取り除いた後、基材16をCuめっき溶液に浸す。こうしてCu18が付着する。付着したパラジウムコロイドにより触媒化された銅の選択的無電界めっきが得られる。図2Aは、ナノ粒子の層簡潔にするためナノ粒子は2つのみ示すを有するドナー基材22上で、ローラー20が方向Rに回転し、T方向に横移動する、本発明の方法の態様の第1の工程の略図を示している。図2Aはローラーが円筒形であることを示している。このローラー20は、表面層を支持する他の材料の円筒にナノ粒子を受け入れる材料の表面層を設けたもの又はナノ粒子を受け入れる材料によって形成した均一なローラーであってよい。図2Aは、中実ローラーを示している。しかしながら、図示していないが、このローラーはナノ粒子を受け入れる材料の表面を有する中空であってよい。図2Bは、ナノ粒子25をドナー基材22から、レシーバー基材24の方向に回転しているローラー20に移した、本発明の態様の第2の工程の略図を示している。図2Cは、レシーバー基材上を回転するローラー20がレシーバー基材上にナノ粒子を移した、本発明の態様の第3の工程の略図である。図2D及び2Eは、突起23を有するローラーの斜視図及び側面図を示す。ローラー21上の突起23は、様々な規則的な形状もしくは不規則な形状でローラー21の表面上に形成されているパターンの理想的な表示である。例えば、ローラー上のしわのよったPDMS図示せずのコーティングはローラー表面にしわのよった形状を形成する。図3は、本発明の回転工程の態様の略図を示す。しわのよった基材121で円筒形のローラー120を包み、ナノ粒子124で覆われた平坦なドナー基材128上を方向T1に回転させる右から左へ。これにより、ドナー基材128の表面になにもない領域125が形成される。図4は、回転工程の他の態様の略図を示す。左側において、ローラー120はドナー基材128上を、右から左第1の方向T1に回転し、ナノ粒子が除去された平行な何もない領域を残す。右側において、ローラー121はドナー基材128上を、右から左へ第1の方向T1に、そして前から後ろへ第2の方向T2に回転し、何もない領域の格子を残す。図5は、レシーバー基材130上でローラー121を回転させる略図を示す。レシーバー基材130の左側において、ローラー120は右から左へ第1の方向T1に回転し、粒子124のライン133を付着させる。レシーバー基材130の右側において、ローラー121は右から左へ第1の方向T1に、そして前から後ろへ第2の方向T2に回転し、覆われていない基材表面の空のスポットを残して粒子124の格子132を形成する。一態様において、本発明の方法は、スタンプ、典型的には弾性スタンプを含むローラーを準備する工程を含む。このローラーは、金属、プラスチック、ゴム等を含むあらゆる好適な材料製であってよい。このローラーは典型的には円筒形であるが、円形、半円形、楕円形のような、レシーバー基材にパターンを形成するために用いることができる平滑もしくは半平滑連続表面を有するあらゆる形状であってよい。本発明の方法は、スタンプ、典型的には弾性スタンプを用いる。本発明において用いる弾性スタンプは、地理的パターンを含む表面を有する可撓性、半可撓性もしくは半硬質材料を含む。スタンプ材料スタンプとして用いるに典型的な材料は、外部力に応答して弾性変形及び圧縮をうけるものである。特定の理論付けようとするものではないが、弾性スタンプの可撓性は、スタンプのパターン化表面と基材の表面の間の共形接触を確実にする。ある態様において、本発明において用いる弾性スタンプは約1MPa~約5000MPaのヤング率を有する。ある態様において、本発明において用いる弾性スタンプは、約4000MPa、約2000MPa、約1500MPa、約1200MPa、約1000MPa、約800MPa、約600MPa、約400MPa、約200MPa、約100MPa、約80MPa、約60MPa、約40MPa、又は約20MPaの最大ヤング率を有する。ある態様において、本発明において用いる弾性スタンプは、約1MPa、約2MPa、約3MPa、約5MPa、約7MPa、約10MPa、約15MPa、又は約20MPaの最小ヤング率を有する。より典型的には、本発明において用いる弾性スタンプは約01MPa~約500MPaのヤング率を有する。ある態様において、本発明において用いる弾性スタンプは、約400MPa、約200MPa、約150MPa、約120MPa、約100MPa、約80MPa、約60MPa、約40MPa、約20MPa、約10MPa、約8MPa、約6MPa、約4MPa、又は約2MPaの最大ヤング率を有する。ある態様において、本発明において用いる弾性スタンプは、約01MPa、約02MPa、約03MPa、約05MPa、約07MPa、約1MPa、約15MPa、又は約20MPaの最小ヤング率を有する。ある態様において、弾性スタンプのヤング率は、パターン化工程を最適にするために弾性スタンプの長さもしくは幅に沿って変化してもよい。例えば、所望のパターンの側面寸法が減少すると、スタンプのヤング率は増加し、スタンプの側面寸法は変形することなくパターン化された基材に移される。弾性材料に有用な他のパラメータは、ショアAデュロメーター値である。典型的な弾性材料は、約30~80、典型的には約45~55、例えば50のショアAデュロメーター値を有する。弾性スタンプ用の材料は、典型的にはエポキシポリマー、ポリイソプレンポリマー、ポリウレタンポリマー、ポリイミドポリマー、ポリブタジエンポリマー、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリスチレンポリマー、及びアクリレートポリマー、シリコーンポリマー、及びこれらの組み合わせより選ばれる。スタンプは、ポリマーマトリックス中に分散した充填剤を有する複合材料より加工してもよい。充填剤はスタンプ材料の機械、光学、熱、もしくは磁気特性を調整するために用いてもよい。典型的な充填剤は、シリカ粒子、チタニア粒子、及び他の金属酸化物粒子、並びにカーボンブラック、もしくはカーボン粉末を含む。本発明の弾性スタンプと共に用いるもしくは一部として用いるに適した材料は、限定するものではないが、エポキシポリマー、ポリウレタンポリマー、ポリイミドポリマー、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリスチレンポリマー、及びアクリレートポリマー、シリコーンポリマー、ポリジメチルシロキサン、ポリシルセスキオキサン、ポリイソプレンポリマー、ポリブタジエンポリマー、スチレン-ブタジエンコポリマー、ポリクロロプレン、天然ゴム、ブチルゴム、ハロゲン化ブチルゴム、ニトリルゴム、エチレン-プロピレンゴム、ポリアクリルゴム、シリコーンゴム、フルオロシリコーンゴム、テトラフルオロエチレン/プロピレンゴム、フルオロエラストマー、ペルフルオロエラストマー、テフロン、クロロスルホン化ポリエチレン、エチレンビニルアセテート、ポリカーボネートポリマー、ポリオレフィンポリマー、セルロース材料、例えばトリアセチルセルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート及びこれらの組み合わせを含む。好ましくは、弾性材料はPDMSポリジメチルシロキサンである。PDMSはシリコーンゴムの市販入手可能なタイプである。PDMSは、シリコーンと称される、ポリマーオルガノシリコンもしくはシリコンベース有機ポリマー化合物の群に属する。一態様において、弾性スタンプとしてもしくは一部として適した材料は、エポキシポリマー、ポリイソプレンポリマー、ポリウレタンポリマー、ポリイミドポリマー、ポリブタジエンポリマー、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリスチレンポリマー、及びアクリレートポリマー、シリコーンポリマー又はこれらの組み合わせを含む。他の態様において、男性スタンプはポリジメチルシロキサンを含む。スタンプは照射化学線への暴露、加熱、これらの組み合わせ、又は当該分野において公知の他の方法により硬化される。一態様において、スタンプは第2の材料の層の上に弾性材料の層を含む。第2の材料は、用途に応じて弾性材料であっても非弾性材料であってもよい。スタンプは、一態様において、レリーフ構造を生ずるように材料を刻むことにより形成される。他の態様において、スタンプは同様に材料を除去することにより形成される。スタンプパターン本発明に用いるスタンプ、特に弾性スタンプは、少なくとも1つのくぼみ、すんわちレリーフパターンを有する表面を含み、このくぼみはスタンプの表面にパターンを規定する。パターンとは、あらゆるレシーバー基材上に形成することのできる1以上の特徴を意味する。地形的なパターンを有するスタンプは、様々な方法で製造することができる。一態様において、エラストマー、例えばPDSMを機械的に延伸し、次いでO2プラズマ処理もしくはUVO紫外線オゾン処理によりスタンプが製造される。他の態様において、硬質もしくは半硬質材料、複合材料等の表面に地理的パターンを含むマスターからスタンプが製造される。パターンは、スタンプの表面の形状の表面、典型的にはレシーバー基材の表面に形成されたポジ及び/又はネガ像以後、ポジ及びネガとよぶを含む。パターンは、レシーバー基材上の形成することができるが、必ずしもレシーバー基材上の像の形成に用いられない1以上の形状を意味する。ある態様において、レシーバー基材上に形成されたパターンは単層を含む。ある太陽において、可撓性レシーバー基材上に形成されたパターンは薄フィルムを含む。スタンプ上のナノ粒子の層は連続であっても不連続であってもよい。組成物の層の厚さは特に限定されない。一態様において、組成物層の厚さは典型的には、スタンプのレリーフの高さ隆起した表面とくぼみの表面の差より小さい。分離した粒子の場合、粒子は連続相とは異なり、互いに接触したもしくは分離した並んでいる粒子である。ある態様において、パターンは少なくとも1つの側面寸法を有する物理的寸法によって規定される。この側面寸法とは、レシーバー基材の面に位置するパターンの寸法を意味する。1以上のパターンの側面寸法はパターンが占める基材の領域を規定する。パターンの典型的な側面寸法は、限定するものではないが、長さ、幅、半径、直径、及びこれらの組み合わせを含む。ある態様において、本発明のシステム及び方法によりレシーバー基材上に形成されたパターンは、約10ミクロン以下の少なくとも1つの側面寸法を有する。一態様において、本発明のシステム及び方法によりレシーバー基材上に形成されたパターンは、約5ミクロン以下の少なくとも1つの側面寸法を有する。一態様において、本発明のシステム及び方法によりレシーバー基材上に形成されたパターンは、約1000nm以下の少なくとも1つの側面寸法を有する。一態様において、本発明のシステム及び方法によりレシーバー基材上に形成されたパターンは、約750nm以下、より典型的には約500nm以下の少なくとも1つの側面寸法を有する。一態様において、本発明のシステム及び方法によりレシーバー基材上に形成されたパターンは、約100nm以下の少なくとも1つの側面寸法を有する。一態様において、本発明のシステム及び方法によりレシーバー基材上に形成されたパターンは、約75nm以下の少なくとも1つの側面寸法を有する。一態様において、本発明のシステム及び方法によりレシーバー基材上に形成されたパターンは、約50nm以下の少なくとも1つの側面寸法を有する。一態様において、本発明のシステム及び方法によりレシーバー基材上に形成されたパターンは、約15nm以下の少なくとも1つの側面寸法を有する。本発明のシステム及び方法によりレシーバー基材上に形成されたパターンは、限定するものではないが、構造パターン、エッチングされたパターン、導電性パターン、半導電性パターン、誘電性もしくは絶縁性パターン及びマスキングパターンを含む。基材本発明によれば、スタンプにより所望のパターンが付与される基材が提供される。本発明の基材は、室温において固体相を形成することのできるあらゆる好適な導電性、非導電性、もしくは半導電性材料であってよい。この基材は、例えば、ポリマー、ガラスもしくはセラミック基材上の金属フィルム、ポリマー基材上の導電性フィルム上の金属フィルム、ポリマー基材上の半導電性フィルム上の金属フィルム、又はナノ粒子の層、例えばナノ粒子の単層を形成かつ囲むことのできる外層を有する多層基材を含む。本発明は、典型的にはローラーの1回の通過から単層を形成することができる。しかしながら、本発明は、典型的には1以上のローラーを複数回通過させることにより多層を形成することができる。一態様において、レシーバー基材は、限定するものではないが、プラスチック、ポリマーフィルム、金属、シリコン、ガラス、布帛、紙、及びこれらの組み合わせを含むあらゆる好適な材料であり、硬質、可撓性、不透明、透明等であってよい。一態様において、レシーバー基材は非平坦基材、すなわち実質的に平坦出ない基材である。非平坦基材の例は、限定するものではないが、半導電性ナノ粒子のパターンを設けることを望む球体のような曲面物体を含む。好適な基材は、例えばポリマー、ガラスもしくはセラミック基材上の金属フィルム、ポリマー基材上の導電性フィルム上の金属フィルム、ポリマー基材上の半導電性フィルム上の金属フィルムを含む。好適な基材の他の例は、例えばガラス、インジウム-スズ酸化物被覆ガラス、インジウム-スズ酸化物被覆ポリマーフィルム、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、シリコン、及び金属ホイルを含む。基材は1以上の電荷注入層、電荷輸送層、及び半導電性層を含む。方法本発明の方法は、ドナー基材から弾性スタンプへ、乾燥もしくは半乾燥状態のナノ粒子を移動させることを含む。一態様において、ナノ粒子は、ローラー上の弾性スタンプにナノ粒子を移す前に、ドナー基材の表面上に薄層を形成する。ある態様において、ナノ粒子はコロイド溶液として、すなわち懸濁もしくは分散されたナノ粒子を含む液体、溶媒、及び/又はキャリアの組成物として、ドナー基材に塗布される。これは、蒸着、注入、キャスティング、噴射、浸漬、噴霧、及びコーティング例えばスピンコーティング、ディップコーティング、及びスロットコーティングのような方法を用いてドナー基材に塗布される。次いでこの液体、溶媒、及び/又はキャリアは、空乾、加熱等により組成物から蒸発され、又は強制的に除去され、ドナー基材の表面上にナノ粒子を残す。一態様において、ナノ粒子は厚さが100nm未満である単層を形成し、他の態様においては、厚さが80nm未満、50nm未満、25nm未満、又は15nm未満の単層を形成する。他の態様において、多層が形成される。ドナー基材から弾性スタンプへのナノ粒子の移動は、ドナー基材表面上で弾性スタンプがナノ粒子と接触するように、ドナー基材上でローラー及び弾性スタンプを回転させて力を加えることにより達成される。ドナー基材は、限定するものではないが、ポリマー、金属、シリコン、ガラス、布帛、紙、及びこれらの組み合わせを含むあらゆる好適な材料であってよい。一態様において、ドナー基材は実質的に平坦なシリコン基材である。粒子は粘着により、PDMSへもしくはPDMSから移される。この粘着は、PDMS表面をO2プラズマに暴露し、PDMSを親水性にし、シリカナノ粒子への粘着性を高めることにより高められる。理論付けようとするものではないが、本発明における粒子の粘着の一形態は吸着である。次の工程における弾性スタンプは、例えば弾性スタンプをレシーバー基材上に回転させることにより力を加えることによって、弾性スタンプからレシーバー基材上へ乾燥もしくは半乾燥ナノ粒子を付着させることを含む。上記のように、一態様において、レシーバー基材は、限定するものではないが、プラスチック、ポリマーフィルム、金属、シリコン、ガラス、布帛、紙、及びこれらの組み合わせを含むあらゆる好適な材料であり、硬質、可撓性、不透明、透明等である。一態様において、レシーバー基材は非平坦基材、すなわち実質的に平坦でない基材である。非平坦基材の例は、限定するものではないが、半導電性ナノ粒子のパターンを設けることを望む球体のような曲面物体を含む。他の態様において、レシーバー基材は、本発明の方法により機能性材料のパターンを基材上に形成する前に、他の材料の1以上の層及び/又は1以上のパターンを含んでもよい。例えば、レシーバー基材は第2のレリーフ構造を含む。第2のレリーフ構造は弾性スタンプパターンと同じパターンを有していてもよく、又は異なるパターンを有していてもよい。従って、そのような態様において、男性スタンプをある所定の方向、例えばレシーバー基材のパターンに垂直なパターンで回転させることにより、まったく異なるパターンをレシーバー基材上に形成することができる。すなわち、得られるパターンは弾性スタンプに相当する第1のパターンと同じではない。前記所定の方向は、レシーバー基材パターンに回転される弾性スタンプパターンの望む方向であってよい。一態様において、男性スタンプの回転の所定の方向は、レシーバー基材パターンに対して180度未満、120度未満、100度未満、90度未満、75度未満、45度未満、25度未満、又は10度未満である。ある態様において、レシーバー基材の表面は、プライマー層を含んでもよい、接着促進性を有する表面を含んでもよい。この表面はまた、基材への接着層もしくはナノ粒子材料の接着を促進するよう処理してもよい。所望により、基材は弾性スタンプから基材への機能性材料の移動を促進する接着層を含んでもよい。上記のように、好適な基材は、例えばポリマー、ガラスもしくはセラミック基材上の金属フィルム、ポリマー基材上の導電性フィルム上の金属フィルム、ポリマー基材上の半導電性フィルム上の金属フィルムを含む。好適な基材の他の例は、例えば、ガラス、インジウム-スズ酸化物被覆ガラス、インジウム-スズ酸化物被覆ポリマーフィルム、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、シリコン、及び金属ホイルを含む。基材は電荷注入層、電荷輸送層、及び半導電性層を含む。本発明の方法は、1つのレシーバー基材上に多くの異なる種類のナノ粒子を配置するために繰り返してもよい。例えば、ローラーはレシーバー基材上に誘電体ナノ粒子のパターンを付着させ、次いでレシーバー基材上に半導電性もしくは導電性ナノ粒子のパターンを付着させる。この方法は1以上のドナー基材及び弾性スタンプを有する1以上のローラーを含む。弾性スタンプは同じもしくは異なる構造を有する。ある態様において、本発明は、基材表面にナノ粒子の薄フィルムを形成することによる、基材ある場合には、ドナー基材と同じであるにパターン形成する方法である。ナノ粒子の層は所望の厚さであってよく、又は高さ1もしくは数ナノメートルの分子の層であってもよい。ナノ粒子は、蒸着、注入、キャスティング、噴射、浸漬、噴霧、及びコーティング例えばスピンコーティング、ディップコーティング、及びスロットコーティングのような方法を用いることにより、基材にコロイド溶液として塗布される。次いで、このコロイド溶液フィルムは乾燥され、基材上に乾燥もしくは半乾燥ナノ粒子のコーティングを残す。一態様において、ナノ粒子は基材に均一にコートされ、他の態様では、ナノ粒子は、基材上に1以上の連続領域の層を形成することにより基材をコートする。ナノ粒子が乾燥もしくは半乾燥形態で表面をコートすると、基材これはときにはドナー基材となるは、レリーフ構造を有する弾性スタンプを有するローラーを回転させることによりパターン化される。弾性スタンプを回転させることにより、レリーフ構造のネガが基材上に形成される。ときには、ローラーを用いて除去されたナノ粒子が所望のレシーバー基材に移される。すなわち、基材上に残っているナノ粒子はレリーフ構造パターンのネガもしくは反対のパターンを形成する。このパターンは、ミクロ電気デバイス、光学、センサー及び生物化学センサー等に用いられる基材上の誘電性、半導電性もしくは導電性ナノ粒子のパターンとして機能する。上記のように、本発明はナノ粒子のパターン転写においてミクロ接触プリントを用いている。本発明は経済的でありかつ実行可能である。ある態様において、本発明はコロイドのパターン転写、及びナノ粒子を取り込む/転写する方法をベースとしている。一態様において、本発明の方法は、弾性スタンプを配置した一時的もしくは永久的円筒形ローラーをベースとしている。シリカナノ粒子がドナー基材から除去され、弾性スタンプを有するローラーによって取り上げられ、その後他のレシーバー基材へ移される。ある態様において、ドナー基材及び/又は弾性スタンプは数回用いることができる。ナノ粒子はいくつかのレシーバー基材上にスタンプされる。ドナー基材からローラーへ及びローラーからレシーバー基材への完全なパターン転写の重要な因子は、ローラー及び/または基材に加えられる圧力の均一性である。ローラー表面における圧力分布は、スタンプ/基材接触を可能にする加えられる力が接触面の領域で局部にかたよらないように、実質的に均一である。他の重要な因子は、ローラー及び/又は基材に加えられる力である。力が強すぎると、望ましくないレベルのローラー及び/又は基材の変形及び低解像度パターン転写を促進し、力が弱すぎると、完全なパターン転写が妨げられる。基材とローラーの接触時間は、ナノ粒子、基材、ローラー表面、レリーフ構造および所望の解像度に応じて異なる。この方法は、細かいライン又は小スケールのパターンのプリントにおける従来の課題すなわち、表面改質、もしくは制御された接着の必要性等を解決する。この方法は他の方法よりも速く、コストが低く、簡潔でかつ使用容易である。一態様において、基材上に乾燥もしくは半乾燥ナノ粒子を移す方法が要する時間は、10秒未満、もしくは9秒未満、又は5秒未満である。一態様において、基材上に乾燥もしくは半乾燥ナノ粒子を移す方法が要する時間は、5秒未満、より典型的には4秒未満である。一態様において、基材上に乾燥もしくは半乾燥ナノ粒子を移す方法が要する時間は、1秒未満、より典型的には05秒未満である。一態様において、基材上に乾燥もしくは半乾燥ナノ粒子を移す方法が要する時間は、025秒未満、より典型的には01秒未満である。この方法は異なる技術すなわち接着剤を必要としないミクロ電子工学においても適用することができる。この方法は、クリーンルームを必要とせず、実験室条件において室温で行うことができる。本発明の方法において用いられるナノ粒子は、弾性スタンプのレリーフ構造に接着し、ローリングによってレシーバー基材に移され、ナノ粒子の1Dラインパターンを与える。異なる方向に回転させることにより、ナノ粒子の2D格子パターンが形成される。パターンを与えるローラーの典型的時間は、ローラーが移動する方向例えば図2Aにおけるローラーが移動する方向Tの長さ1cmあたり01秒もしくはそれ以下である。ローラーの典型的回転速度は35cm/秒以上、例えば30100cm/秒もしくは3580cm/秒である。例えば、以下に記載のように、基材は4cm×15cmであり、ローラーは約35cm秒で回転し、約01scmの被覆率を与える。粒子はPDMSへ及びPDMSへ接着により移される。この接着はPDMS表面をO2プラズマに暴露し、PDMSを親水性にし、シリカナノ粒子への接着を容易にすることによりtかめられる。少なくともある態様においては、この接着は吸着による。しかしながら、所望により、レシーバー基材は付着した粒子を保持する接着性を有する。本発明の方法は、ポストスタンプ工程をさらに含む。例えば、基材に、当業者が容易に理解できるエッチングもしくは直交エッチングのようなポスト加工をさらに行う。しかしながら、本発明の方法の利点は、エッチングを行うことなく有用なパターンを得ることができることである。エッチングは、例えばシリコン基材上の過剰な金属粒子を除去するのに有効である。しかしながら、本発明の利点は、所望の銅パターンを直接付着させることができることである。このようにパターンが直接形成されるため、エッチングは必要ない。しかしながら、ローラーにより形成されたSAMの層が存在し、その下に導電性の例えば銅の金属フィルムが存在する場合にエッチングは有効である。この場合、SAMはその下の金属層を保護し、保護されていない部分は溶解し、又はエッチング液によりエッチングされ、異なるパターンを形成する。金属エッチング液の例は、以下のものを含む。金エッチング液1.1MのKOH中のFe63/Fe63/S2O3201M/001M/01Mの水溶液。2.CN/O2溶液3.GaAs基材に用いる:10:1:1v:v:vの5w/vチオウレア、15H2O2及び6NのHCl35°C銀エッチング液1.Fe63/Fe63/S2O3201M/001M/01M水溶液。アルミニウムエッチング液1.TRASENEアルミニウムエッチング液タイプA市販入手可能2.リン酸/酢酸/硝酸/水16:1:1:2銅エッチング液1.FeCl3を5:1のH2SO4:H2O2Piranha溶液で10分間処理し、次いで少なくとも3分間O2プラズマ処理HARRICKPLASMAPDC32Gすることにより製造された。洗浄した基材をディップコーティングした。このため、イソプロパノールNissanChemicalの30wtIPASTZL中のシリカナノ粒子直径70100nmのコロイド溶液30wtを用いた。例示しないが、PDMSドナー基材は、PDMSSYLGARD184、DowCorningと硬化剤を10:1の重量比で混合し、次いで65°Cで4時間硬化させることにより製造することができる。あらたに製造したサンプルの水前進接触角は115°であった。長方形のPDMSストリップ40mm×15mmを切り取り、少なくとも15分間、O2プラズマ処理を行いHARRICKPLASMA、PDC32G、表面を親水性にした。ステップ1B-ローラー表面基材の製造図6のしわの寄ったPDMS見本品PDMSSYLGARD184、DowCorningと硬化剤を10:1の重量比で混合し、次いで65°Cで4時間硬化させた。長方形のPDMSストリップ40mm×15mmを延伸装置を用いて一方向に延伸させた0から25。延伸されたサンプルをUVOクリーナーモデル144AX、JelightCompanyInc、紫外線及びオゾンを用いるに暴露し、酸化物の薄い層を生成させた。応力を開放すると、加えた応力、酸化時間及び強度に応じた波長のしわが形成した。曝露時間は20分から1時間の間で変えた。例示しないが、PDMSのしわは、延伸したサンプルをO2プラズマ処理HARRICKPLASMA、PDC32Gを行うことによって製造した。この方法により、118以下の波長のしわが形成された。ステップ2-ドナー基材へのコロイド粒子の選択的付着イソプロパノールNissanChemicalAmericaCorporationより入手可能な30wtIPASTZLイソプロパノール中のシリカナノ粒子直径70100nmのコロイド溶液30wtを用いた。ナノ粒子を平坦なPDMSフィルム及び/又はシリコンウェハー上にディップコーティングし、ナノ粒子ドナー基材を得た。ディップコーティングのために、シリカナノ粒子はエタノール中で1wtに希釈した。10mmmin~30mmminの様々な速度で溶液からゆっくりとかつ垂直に引き出すことにより、ディップコーターNimaTechを用いて粒子を付着させた。PDMSフィルムの疎水性の回復を最小にするため、ナノ粒子をディップコートした後、すぐにO2プラズマに暴露した。ステップ3-ドナー基材からローラーのPDMS層へのシリカナノ粒子の転写プリントPDMSの隆起上にのみナノ粒子を集めるため、親水性UVO処理したしわの寄ったPDMSフィルムを、接着剤の薄い層で被った円筒形リントローラー3M上に包んだ。このローラー組立体全体を、ナノ粒子でディップコートしたシリコンウェハードナー基材上で回転させ01cms、ナノ粒子を拾い上げた。再びシリンダーを第2のレシーバー基材の上で回転させ、しわの寄ったテンプレートと一致する1次元ラインパターンとしてナノ粒子を転写/放出した。上記回転及びプリント工程を繰り返すことにより2次元ナノ粒子パターンを形成した。ステップ4-基材特性決定サンプルを走査電子顕微鏡SEMにより特性決定した。5KVの電圧において高真空モードでFEIStrataDB325フォーカスイオンビームFIBPENNRegionalNanotechnologyFacilityPhiladelphiaによって像をとった。図6は、ドナー基材上を回転させた後の、シリカナノ粒子202で覆われたローラーのしわの寄ったPDMS層の上部のSEM像を示す。このPDMS層はローラーからはがされ、SEM写真の撮影を可能にした。このテストは、シリカナノ粒子約100nmもしくは他のサイズがドナー基材から除去され、ローラにより拾い上げられ、その後ローラーのしわの寄ったPDMS表面に移されることを示した。パターンサイズは10μm以下である。例2例1と同じ方法及び材料を用い、シリカナノ粒子をローラー上に固定されたしわのよったPDMS表面に移した。次いで、平坦なPDMSレシーバー基材上で1つの所定方向にローラーを回転させた。PDMSSYLGARD184、DowCorningと硬化剤を10:1の重量比で混合し、次いで65°Cで4時間硬化させることによりPDMSレシーバー基材を製造した。あらたに製造したサンプルの水前進接触角は115°であった。長方形のPDMSストリップ40mm×15mmを切り取り、少なくとも5分間、O2プラズマ処理を行いHARRICKPLASMA、PDC32G、表面を親水性にした。図7は、平坦なPDMSレシーバー基材上で1つの所定方向に、シリカナノ粒子204で覆われたしわのよったPDMSフィルムを回転させることにより得られた、製品上に形成されたシリカパターンのSEM像を示している。この例より、ナノ粒子サイズ10μm以下の1次元パターンがけ異性されることがわかった。例3例2と同じ方法及び材料を用い、シリカナノ粒子をローラー上に固定されたしわのよったPDMS表面に移した。次いで、平坦なPDMSレシーバー基材上で第1の方向にローラーを回転させた。次いで同じレシーバー基材上で、第1の方向に垂直な第2の方向にローラーを回転させた。図8は、2つの垂直方向、すなわち第1の平行なシリカナノ粒子206の列と第2の平行なシリカナノ粒子207の列、にシリカナノ粒子で被ったしわの寄った平坦なPDMSレシーバー基材上に形成されたシリカパターンのSEM像を示している。この例より、本発明によりシリカナノ粒子の2次元パターンが形成できることがわかった。ドナー基材は平坦なシリコンウェハーであり、レシーバー基材はPDMSであった。例4例2と同じ方法及び材料を用い、シリカナノ粒子をローラー上に固定されたしわのよったPDMS表面に移した。次いで、レシーバー基材のしわの方向に垂直な方向に、しわの寄ったPDMSレシーバー基材上にローラーを回転させた。しわの寄ったPDMSレシーバー基材は、上記ステップ1Bに記載のようにして製造した。図9は、ローリング後、しわの寄ったレシーバー基材上に形成されたシリカパターンを有する得られる生成物のSEM像を示している。図9は、307で示すレs-バー基材のしわを示している。スクラッチのように見える図9上のラインは、基材中の亀裂である。ここに記載の目的及び利点を達成するために、本発明を変更してもよい。本発明を特定の態様により説明したが、これは本発明を限定するものではない。本発明は当業者に周知のように変形可能である。