電子ビームをTFTアレイ基板上に照射して、表面電位の走査画像を形成し、前記走査画像からTFTアレイの線欠陥を検出する線欠陥検出方法であって、TFTアレイ基板に電子ビームを照射することにより得られるTFTアレイ基板の表面電位の走査画像を形成する工程と、前記走査画像からTFTアレイが接続された一方向の各画素の画素値を積算する投影処理工程と、前記投影処理されたデータについて、差分処理を行いデータを取得する差分処理工程と、前記差分処理されたデータについて、第1の閾値を設定し、前記第1の閾値を超えた部分の特性値を算出する特性算出工程と、前記特性値について、第2の閾値を設定し、前記第2の閾値に基づき線欠陥を検出する線欠陥検出工程を含むことを特徴とする線欠陥検出方法。前記特性算出工程は、前記第1の閾値を越えた部分の和を算出することを特徴とする請求項1記載の線欠陥検出方法。前記特性算出工程は、前記第1の閾値を越えた部分の全半値幅を算出することを特徴とする請求項1記載の線欠陥検出方法。前記線欠陥検出方法は、前記TFTアレイ基板のゲート方向の線欠陥を検出することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の線欠陥検出方法。前記線欠陥検出方法は、ゲートまたはソースに応じて、前記第1の閾値及び/または第2の閾値を異ならせることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の線欠陥検出方法。電子ビームをTFTアレイ基板上に照射して、表面電位の走査画像を形成し、前記走査画像からTFTアレイの線欠陥を検出する線欠陥検出装置であって、TFTアレイ基板に電子ビームを照射することにより得られるTFTアレイ基板の表面電位の走査画像を形成する画像形成部と、前記走査画像からTFTアレイが接続された一方向の各画素の画素値を積算する投影処理部と、前記投影処理されたデータについて、差分処理を行いデータを取得する差分処理部と、前記差分処理されたデータについて、第1の閾値を設定し、前記第1の閾値を超えた部分の特性値を算出する特性算出部と、前記特性値について、第2の閾値を設定し、前記第2の閾値に基づき線欠陥を検出する検出部を備えることを特徴とする線欠陥検出装置。しかしながら、上記特許文献に示された方法で実際にTFTアレイ基板のゲート方向の欠陥を検出する場合、ゲート方向の線欠陥を検出するために感度の高い信号を用いて測定を行うと、点欠陥の強度が大きく出てしまったり、信号の影響により発生したノイズも検出されてしまい、単純に積算値あるいは平均強度を求めて、閾値と比較するという方法では、それが点欠陥か、線欠陥か、あるいはその他のノイズであるかを明確に区別することができない。このような理由により、これまではゲート方向の線欠陥を検出する有効な方法は実用化されていなかった。本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、TFTアレイ基板の欠陥検出において、ゲート方向の線欠陥でも明確に検出することができる線欠陥検出方法及び線欠陥検出装置を提供することにある。本発明に係る線欠陥検出方法は、電子ビームをTFTアレイ基板上に照射して、表面電位の走査画像を形成し、前記走査画像からTFTアレイの線欠陥を検出する線欠陥検出方法であって、TFTアレイ基板に電子ビームを照射することにより得られるTFTアレイ基板の表面電位の走査画像を形成する工程と、前記走査画像からTFTアレイが接続された一方向の各画素の画素値を積算する投影処理工程と、前記投影処理されたデータについて、差分処理を行いデータを取得する差分処理工程と、前記差分処理されたデータについて、第1の閾値を設定し、前記第1の閾値を超えた部分の特性値を算出する特性算出工程と、前記特性値について、第2の閾値を設定し、前記第2の閾値に基づき線欠陥を検出する線欠陥検出工程を含むことを特徴とする。また、本発明に係る線欠陥検出方法は、前記特性算出工程は、前記第1の閾値を越えた部分の和を算出することを特徴とする。また、本発明に係る線欠陥検出方法は、前記特性算出工程は、前記第1の閾値を越えた部分の全半値幅を算出することを特徴とする。また、本発明に係る線欠陥検出方法は、前記線欠陥検出方法は、前記TFTアレイ基板のゲート方向の線欠陥を検出することを特徴とする。また、本発明に係る線欠陥検出方法は、ゲートまたはソースに応じて、前記第1の閾値及び/または第2の閾値を異ならせることを特徴とする。本発明に係る線欠陥検出装置は、電子ビームをTFTアレイ基板上に照射して、表面電位の走査画像を形成し、前記走査画像からTFTアレイの線欠陥を検出する線欠陥検出装置であって、TFTアレイ基板に電子ビームを照射することにより得られるTFTアレイ基板の表面電位の走査画像を形成する画像形成部と、前記走査画像からTFTアレイが接続された一方向の各画素の画素値を積算する投影処理部と、前記投影処理されたデータについて、差分処理を行いデータを取得する差分処理部と、前記差分処理されたデータについて、第1の閾値を設定し、前記第1の閾値を超えた部分の特性値を算出する特性算出部と、前記特性値について、第2の閾値を設定し、前記第2の閾値に基づき線欠陥を検出する検出部を備えることを特徴とする。本発明によれば、TFTアレイ基板の欠陥検出において、ゲート方向の線欠陥でもノイズ等の影響を受けることなく、明確に検出することが可能となる。以下、本発明の実施の形態について図を参照しながら以下に説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。<実施形態1>図1は、実施形態1の線欠陥検出の処理の流れを示したフローチャートである。なお、図中のSは、フローチャートにおける各ステップを表す。まず、TFTアレイに検査信号を印加し、この検査信号で得られるTFTアレイの表面電位分布を検出することで走査画像を取得する。本実施形態では、ゲート方向の線欠陥を検出するために感度の高い検査信号を用いる。TFTアレイ基板に検査信号を印加するとTFTアレイにはこの印加した検査信号に基づいて二次元的パターンの表面電位分布が形成される。このTFTアレイに電子ビームを照射しステップS101、二次電子を検出するステップS102。次に、検出された二次電子により得られるデータに基づいて走査画像を形成するステップS103。図2は、走査画像の形成からパターン処理までの一連の処理結果を示している。図2aは、上記の処理により得られた走査画像である。ゲート方向における線欠陥を検出するための信号を用いているので、ここでは、この走査画像を線欠陥強調パターンと呼ぶ。線欠陥強調パターンにおいては、線欠陥201は薄く、また、点欠陥202もしくはその他のノイズは線欠陥より濃く現れる。これは、線欠陥の場合はショートである場合が多く、完全に断線しているわけではないためである。また、線欠陥201は帯状に、また点欠陥202もしくはその他のノイズは、点状に現れる。これは、点欠陥202は単独で発生することが多いことに対し、線欠陥201は複数本まとまって発生することが多いためである。また、ゲート方向の両側にTFTが配置されたマルチドメインの構成である場合は、点欠陥は半絵素で発生するのに対し、線欠陥では1絵素で発生するためである。次に、線欠陥強調パターンに対して投影処理を行うステップS104。具体的には、走査画像に対して、垂直にスキャンを行い、各投影ラインの平均強度を求める。図2bは、投影処理を行った投影波形である。次に、上記投影波形に対して差分処理を行うステップS105。一般的には、隣接する絵素の平均値等と比較するが、本発明の場合は、線欠陥のように複数の絵素にまたがる場合があるので、複数絵素離れた絵素との比較を行い、差分が所定の数値よりも大きくなる領域を対象物として抽出する。図2cは、差分処理を用いて波形の抜き出しを行ったものである。ここで、差分処理を行った波形において、線欠陥201に対応する部分Xと、点欠陥202、もしくはその他のノイズに対応する部分Yを比較すると、それぞれのピークはほぼ同じである。これは、線欠陥201の欠陥強度は弱いが、対応する部分Xの画素数は多い幅が広いのに対し、点欠陥202、もしくはその他のノイズの欠陥強度は強いが、対応する部分Yの画素数は少ない幅が狭いことに起因しており、線欠陥強調パターンにおいては、点欠陥202、もしくはその他のノイズが大量に発生し、欠陥強度の弱い線欠陥201の画素数の積算値と欠陥強度の強い点欠陥201もしくはその他のノイズの画素数の積算値のピークが同じ、あるいは場合によっては、線欠陥201以外の部分でもピークが高く出てしまうことがあるためである。このため、閾値を仮に第0の閾値として図2cに設定しても、第0の閾値を超えるか否かによって、線欠陥201を検出することは困難である。図3は、差分処理したデータに基づき、線欠陥201を検出する処理を示したものである。まず、差分処理後の波形に対し第1の閾値を設定するステップS106。第1の閾値は、差分処理後の波形のピークよりも必ず小さくなるように設定する。図3aは、第1の閾値を設定した状態を示している。具体的な閾値は、過去の欠陥検査データに基づき、設定すればよい。次に、差分処理後の波形に対し、第1の閾値を越えた部分301、302、303の和をそれぞれ算出するステップS107。図3bは、ステップS107の算出結果をグラフ化したものである。次にこの算出結果のグラフに対し、第2の閾値を設定するステップS108。第2の閾値は、その欠陥が、線欠陥であるか、それ以外かを区別する閾値であり、過去の欠陥検査データに基づき、適宜設定すればよい。図3cは第2の閾値を設定した状態を示している。この閾値と比較して、欠陥が線欠陥か否かを判定するステップS109。図3cによれば、第2の閾値を超えたもの302が線欠陥ステップS110、第2の閾値以下のもの301、303が点欠陥もしくはノイズと判定されるステップS111。<実施形態2>次に、実施形態2について説明する。上記と同様にしてソース方向の線欠陥検出を行った。ソース方向の場合は、上述したように欠陥強度が強いため、TFTアレイ基板2に通常の検査信号を印加する点が実施形態2とは異なる。この検査信号で得られるTFTアレイの表面電位分布を検出することで走査画像を取得し、得られた走査画像に対して、投影処理、差分処理を行い、欠陥検出の波形を得る。ここで、上記波形に対し第1の閾値を設定し、第1の閾値を越えた部分についてそれぞれの和を算出する。次にこの算出結果に対して第2の閾値を設定し、第2の閾値を超えたものを線欠陥と判定する。それぞれの具体的な閾値は、過去の欠陥検査データに基づき、設定すればよい。ソース方向、ゲート方向においては、欠陥強度や欠陥波形が異なるため、それぞれに適した閾値を設定することでソース方向、ゲート方向の線欠陥を適切に検出することが可能となる。図4は、本発明の線欠陥検出装置1の一構成例を説明するための図である。線欠陥検出装置1は、検査対象であるTFTアレイ基板2に検査信号を印加する検査信号形成部3、TFTアレイ基板に電子ビームを照射する照射装置4、TFT基板の二次電子を検出する二次電子検出部5と、走査画像を形成する画像形成部6と、走査画像から画素値を積算する投影処理部7と、投影処理されたデータについて、差分処理を行う差分処理部8と、差分処理されたデータについて特性を算出する特性算出部9と、線欠陥を検出する検出部10とを備える。TFT基板2は、アレイ状に配置されたピクセル電極と、TFT基板の駆動回路と、電源ラインを含む配線とを備えるTFT基板である。検査信号形成部3は、欠陥検査項目に応じた所定パターンの検査信号を印加する。照射装置4は、例えば荷電粒子ビームとして電子線を用いる場合には、TFT基板2上に電子線を照射する電子線源を配置する。二次電子検出部5は、照射された電子線によってTFT基板2から放出される二次電子を検出する。画像形成部6は、検出された二次電子の電位状態に基づき走査画像を形成する。投影処理部7は、走査画像からTFTアレイが接続された一方向の各画素の画素値を積算する。差分処理部8は、投影処理されたデータについて投影波形の背景画像をあらかじめ基準画像とし、現在の波形画像との間で画素ごとの引き算を行い、その差分が所定の数値よりも大きくなる領域を対象物として抽出する。特性算出部9は、差分処理されたデータについて、第1の閾値を設定し、前記第1の閾値を超えた部分の特性を算出する。検出部10は、算出された特性データについて第2の閾値を設定し、前記第2の閾値に基づいて線欠陥を検出する。なお、本実施の形態では、差分処理後の波形に対し、第1の閾値を越えた部分の和を算出したが、第1の閾値を越えた部分の特性を決定する方法はこれに限らず、例えば、第1の閾値を越えた部分の山形の面積、あるいは全半値幅を算出する方法などを用いても構わない。以上説明したように、本発明の線欠陥抽出方法を用いることで、TFTアレイ基板の線欠陥の抽出を正確かつ容易に行うことができる。