"アルカリ性水溶液に可溶であり、且つフッ素原子を含有する樹脂Aと、101.3kPaにおける沸点が150°C以上であり、且つ静的表面張力が23.0mN/m以下である溶剤B1を含有する溶剤成分Bと、を含み、フォトレジスト膜上に上層膜を被覆形成するために用いられる上層膜形成用組成物。前記溶剤B1の101.3kPaにおける沸点が150~180°Cであり、且つ前記溶剤B1の静的表面張力が21.0~23.0mN/mである請求項1に記載の上層膜形成用組成物。前記溶剤B1の含有割合が、前記溶剤成分B100質量に対して、1~15質量である請求項1又は2に記載の上層膜形成用組成物。前記溶剤成分Bが、下記一般式B2で表される溶剤B2を更に含有する請求項1~3のいずれか一項に記載の上層膜形成用組成物。上記一般式B2中、R1は、炭素数1~10の直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素基、又はハロゲン化炭化水素基を示す。前記溶剤成分Bが、下記一般式B3で表される溶剤B3を更に含有する請求項1~4のいずれか一項に記載の上層膜形成用組成物。上記一般式B3中、R2及びR3は、それぞれ独立に、炭素数1~8の炭化水素基、又はハロゲン化炭化水素基を示す。前記溶剤B1が、下記一般式B1-1で表される溶剤である請求項1~5のいずれか一項に記載の上層膜形成用組成物。上記一般式B1-1中、nは、1~4の整数を示し、R4及びR5は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~4のアルキル基、又はアシル基を示し、R6は、水素原子又はメチル基を示す。前記溶剤B1が、ジプロピレングリコールジメチルエーテル又はエチレングリコールモノイソブチルエーテルである請求項1~6のいずれか一項に記載の上層膜形成用組成物。前記樹脂Aが、下記一般式a1で表される基を有する繰り返し単位、下記一般式a2で表される基を有する繰り返し単位、下記一般式a3で表される基を有する繰り返し単位、カルボキシル基を有する繰り返し単位、及びスルホ基を有する繰り返し単位からなる群より選択される少なくとも1種の繰り返し単位を含有し、且つゲルパーミエーションクロマトグラフィ法により測定されるポリスチレン換算の質量平均分子量が2,000~100,000である請求項1~7のいずれか一項に記載の上層膜形成用組成物。上記一般式a1中、2つのR7は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~4のアルキル基、又は炭素数1~4のフッ化アルキル基を示す。但し、少なくとも一方のR7は、炭素数1~4のフッ化アルキル基である。上記一般式a2中、R8は、炭素数1~20のフッ化アルキル基を示し、上記一般式a3中、R9は、フッ化炭化水素基又は極性基を有する有機基を示す。酸及び感放射線性酸発生剤の少なくとも一方を更に含む請求項1~8のいずれか一項に記載の上層膜形成用組成物。基板上にフォトレジスト組成物を塗布してフォトレジスト膜を形成する工程1と、請求項1~9のいずれか一項に記載の上層膜形成用組成物を前記フォトレジスト膜上に塗布して前記フォトレジスト膜上に上層膜を形成する工程2と、前記上層膜上に液浸溶媒を配し、所定のパターンを有するマスクを通過させた放射線を、前記液浸溶媒を透過させて前記上層膜及び前記フォトレジスト膜に照射することによって、前記上層膜及び前記フォトレジスト膜を露光する工程3と、露光された前記上層膜及び前記フォトレジスト膜を現像液で現像してレジストパターンを形成する工程4と、を備えるレジストパターン形成方法。以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下の実施の形態に対し適宜変更、改良等が加えられたものも本発明の範囲に入ることが理解されるべきである。1.上層膜形成用組成物:本発明の上層膜形成用組成物は、樹脂Aと、溶剤成分Bと、を含み、フォトレジスト膜上に上層膜を被覆形成するために用いられる組成物である。また、所望により、酸及び感放射線性酸発生剤を更に含んでいても良い。以下、その詳細について説明する。1-1.樹脂A:樹脂Aは、液浸露光時に水等の液浸溶媒に対して安定な被膜を形成することができると共に、後述するレジストパターン形成方法の現像工程工程4で用いられる現像液アルカリ性水溶液に可溶な樹脂である。本明細書中、液浸溶媒に対して安定な被膜とは、基板上に形成した膜厚10~100nmの被膜が、下記工程を施した後、初期膜厚±3以内の膜厚を維持することができる被膜のことをいう。以下、下記工程を、液浸溶媒が水である場合について説明する。半導体製造装置商品名CLEANTRACKACT8、東京エレクトロン社製を使用して、リンスノズルから超純水を60秒間吐出させた後、4000rpmで15秒間スピンドライさせる。なお、被膜の膜厚は、膜厚測定装置商品名ラムダエースVM90、大日本スクリーン社製を使用して測定した。本明細書中、現像液に可溶な樹脂とは、現像液を用いて現像することにより、フォトレジスト膜上に形成されていた上層膜に含まれる樹脂が現像液に溶解し、除去され、その残渣がないような樹脂のことをいう。樹脂Aは、繰り返し単位a1、繰り返し単位a2、繰り返し単位a3、繰り返し単位a4、及び繰り返し単位a5からなる群より選択される少なくとも1種の繰り返し単位を含有すると共に、GPCにより測定されるポリスチレン換算の質量平均分子量Mwが2,000~100,000であることが好ましい。また、樹脂Aは、繰り返し単位a1及び繰り返し単位a2の少なくとも一方を含有していることが更に好ましい。1-1-1.繰り返し単位a1:繰り返し単位a1は、下記一般式a1で表されるように、α位にフッ化アルキル基を少なくとも1つ持つアルコール性水酸基を有する繰り返し単位である。このアルコール性水酸基は、その水素原子がフッ化アルキル基の電子吸引性によって解離し易いため、水溶液中で弱酸性を呈する。このことにより、樹脂Aは、液浸溶媒に対しては不溶性であるが、現像液に対してはより溶解し易くなる。上記一般式a1中、2つのR7は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数1~4のアルキル基、又は炭素数1~4のフッ化アルキル基を示す。但し、少なくとも一方のR7は、炭素数1~4のフッ化アルキル基である。前記一般式a1中、R7で示される炭素数1~4のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基等を挙げることができる。前記一般式a1中、R7で示される炭素数1~4のフッ化アルキル基の具体例としては、ジフルオロメチル基、パーフルオロメチル基、2,2-ジフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、パーフルオロエチル基、2,2,3,3-テトラフルオロプロピル基、パーフルオロエチルメチル基、パーフルオロプロピル基、2,2,3,3,4,4-ヘキサフルオロブチル基、パーフルオロブチル基等を挙げることができる。これら炭素数1~4のアルキル基及び炭素数1~4のフッ化アルキル基の中でも、樹脂Aの現像液への溶解性が向上するとの観点から、パーフルオロメチル基が好ましい。繰り返し単位a1の好適例としては、下記一般式a1-1で表される繰り返し単位を挙げることができる。上記一般式a1-1中、R10は、水素原子、又はメチル基を示し、R11は、2価の有機基を示す。前記一般式a1-1中、R11で示される2価の有機基としては、2価の炭化水素基が好ましい。2価の炭化水素基の具体例としては、メチレン基、エチレン基、1,3-プロピレン基、1,2-プロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、トリデカメチレン基、テトラデカメチレン基、ペンタデカメチレン基、ヘキサデカメチレン基、ヘプタデカメチレン基、オクタデカメチレン基、ノナデカメチレン基、イコサレン基、1-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,2-プロピレン基、1-メチル-1,4-ブチレン基、2-メチル-1,4-ブチレン基、エチリデン基、1-プロピリデン基、2-プロピリデン基等の鎖状炭化水素基;1,3-シクロブチレン基等のシクロブチレン基、1,3-シクロペンチレン基等のシクロペンチレン基、1,4-シクロヘキシレン基等のシクロヘキシレン基、1,5-シクロオクチレン基等のシクロオクチレン基等の炭素数3~10のシクロアルキレン基;1,4-ノルボルニレン基、2,5-ノルボルニレン基等のノルボルニレン基、1,5-アダマンチレン基又は2,6-アダマンチレン基等のアダマンチレン基等の2~4環の炭素数4~30の架橋環式炭化水素基等を挙げることができる。なお、R11がシクロアルキレン基、架橋環式炭化水素基等の脂環式炭化水素基である場合、この脂環式炭化水素基とビストリフルオロメチルヒドロキシメチル基との間に、スペーサーとしてメチレン基又は炭素数2~4のアルキレン基を挿入することが好ましい。また、前記一般式a1-1中、R11で示される2価の有機基としては、2,5-ノルボルニレン基や2,6-ノルボルニレン基を含む炭化水素基、1,2-プロピレン基が特に好ましい。樹脂Aは、繰り返し単位a1として、上述の繰り返し単位を一種単独で、又は二種以上を組み合わせて含有していても良い。1-1-2.繰り返し単位a2:繰り返し単位a2は、下記一般式a2で表される基を有する繰り返し単位である。上記一般式a2中、R8は、炭素数1~20のフッ化アルキル基を示す。前記一般式a2中、R8で示される炭素数1~20のフッ化アルキル基の具体例としては、ジフルオロメチル基、パーフルオロメチル基、2,2-ジフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、パーフルオロエチル基、2,2,3,3-テトラフルオロプロピル基、パーフルオロエチルメチル基、パーフルオロプロピル基、2,2,3,3,4,4-ヘキサフルオロブチル基、パーフルオロブチル基、1,1-ジメチル-2,2,3,3-テトラフルオロプロピル基、1,1-ジメチル-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、2-パーフルオロプロピルエチル基、2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチル基、パーフルオロペンチル基、1,1-ジメチル-2,2,3,3,4,4-ヘキサフルオロブチル基、1,1-ジメチル-2,2,3,3,4,4,4-ヘプタフルオロブチル基、2-パーフルオロブチルエチル基、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-デカフルオロヘキシル基、パーフルオロペンチルメチル基、パーフルオロヘキシル基、1,1-ジメチル-2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロペンチル基、1,1-ジメチル-2,2,3,3,4,4,5,5,5-ノナフルオロペンチル基、2-パーフルオロペンチルエチル基、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7-ドデカフルオロヘプチル基、パーフルオロヘキシルメチル基、パーフルオロヘプチル基、2-パーフルオロヘキシルエチル基、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8-テトラデカフルオロオクチル基、パーフルオロヘプチルメチル基、パーフルオロオクチル基、2-パーフルオロヘプチルエチル基、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9-ヘキサデカフルオロノニル基、パーフルオロオクチルメチル基、パーフルオロノニル基、2-パーフルオロオクチルエチル基、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10-オクタデカフルオロデシル基、パーフルオロノニルメチル基、パーフルオロデシル基、2,2,3,3,4,4,4-ヘプタフルオロブチル基等の炭素数が1~20のフルオロアルキル基等を挙げることができる。これらの中でも、パーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロオクチル基が特に好ましい。繰り返し単位a2の好適例としては、下記一般式a2-1で表される繰り返し単位を挙げることができる。上記一般式a2-1中、R8は、炭素数1~20のフッ化アルキル基を示し、R10は、水素原子、又はメチル基を示し、R12は、2価の有機基を示す。なお、上記一般式a2-1中、R8は前記一般式a2中のR8と同義であり、R10及びR12は前記一般式a1-1中のR10及びR11と、それぞれ同義である。なお、R12が脂環式炭化水素基である場合、この脂環式炭化水素基とアミノ基-NH-との間に、スペーサーとしてメチレン基又は炭素数2~4のアルキレン基を挿入することが好ましい。また、前記一般式a2-1中、R12で示される2価の有機基としては、2,5-ノルボルニレン基や1,5-アダマンチレン基を含む炭化水素基、エチレン基、1,3-プロピレン基が特に好ましい。樹脂Aは、繰り返し単位a2として、上述の繰り返し単位を一種単独で、又は二種以上を組み合わせて含有していても良い。1-1-3.繰り返し単位a3:繰り返し単位a3は、下記一般式a3で表される基を有する繰り返し単位である。上記一般式a3中、R9は、フッ化炭化水素基又は極性基を有する有機基を示す。前記一般式a3中、R9で示されるフッ化炭化水素基としては、炭素数1~20の1価のフッ化炭化水素基を挙げることができる。前記一般式a3中、R9で示される極性基を有する有機基としては、ヒドロキシル基、アミノ基、シアノ基等の極性基を有する炭素数1~20の1価のフッ素化されていてもよい炭化水素基但し、前記一般式a1で表される基を除く。を挙げることができる。前記一般式a3中、R9で示される基の具体例としては、ヒドロキシメチル基、1-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキシエチル基、1-ヒドロキシプロピル基、2-ヒドロキシプロピル基、3-ヒドロキシプロピル基、2-ヒドロキシブチル基、2,3-ジヒドロキシプロピル基、1,2,3-トリヒドロキシプロピル基、ポリプロピレングリコール基、2-ヒドロキシシクロヘキシル基、4-ヒドロキシシクロヘキシル基、3-ヒドロキシ-1-アダマンチル基、3,5-ジヒドロキシ-1-アダマンチル基、アミノメチル基、1-アミノエチル基、2-アミノエチル基、1-アミノプロピル基、2-アミノプロピル基、3-アミノプロピル基、ジフルオロメチル基、パーフルオロメチル基、2,2-ジフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、パーフルオロエチル基、1-パーフルオロメチルエチル基、2-パーフルオロメチルエチル基、2,2,3,3-テトラフルオロプロピル基、パーフルオロエチルメチル基、ジパーフルオロメチルメチル基、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロピル基、パーフルオロプロピル基、1-メチル-2,2,3,3-テトラフルオロプロピル基、1-パーフルオロエチルエチル基、2-パーフルオロエチルエチル基、2,2,3,3,4,4-ヘキサフルオロブチル基、パーフルオロプロピルメチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロヘプチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロノニル基、パーフルオロデシル基等を挙げることができる。繰り返し単位a3の好適例としては、下記一般式a3-1で表される繰り返し単位を挙げることができる。上記一般式a3-1中、R9は、フッ化炭化水素基又は極性基を有する有機基を示し、R10は、水素原子、又はメチル基を示す。なお、上記一般式a3-1中、R9は前記一般式a3中のR9と同義であり、R10は前記一般式a1-1中のR10と、同義である。また、繰り返し単位a3は、アクリロニトリル、メタクリロニトリル等のシアノ基含有重合性単量体や、アクリルアミド、メタクリルアミド等のアミド基含有重合性単量体に由来する繰り返し単位であっても良い。樹脂Aは、繰り返し単位a3として、上述の繰り返し単位を一種単独で、又は二種以上を組み合わせて含有していても良い。1-1-4.繰り返し単位a4:繰り返し単位a4を与える重合性単量体としては、カルボキシル基を有する重合性単量体を挙げることができる。カルボキシル基を有する重合性単量体の具体例としては、メタアクリル酸、クロトン酸、ケイ皮酸、アトロパ酸、3-アセチルオキシメタアクリル酸、3-ベンゾイルオキシメタアクリル酸、α-メトキシアクリル酸、3-シクロヘキシルメタアクリル酸等の不飽和モノカルボン酸類;フマル酸、マレイン酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸等の不飽和ポリカルボン酸類;不飽和ポリカルボン酸のモノメチルエステル、モノエチルエステル、モノn-プロピルエステル、モノn-ブチルエステル等のモノアルキルエステル類;2-メタアクリルアミド-2-メチルプロパンカルボン酸、2-α-カルボキシアクリルアミド-2-メチルプロパンカルボン酸、2-α-カルボキシメチルアクリルアミド-2-メチルプロパンカルボン酸、2-α-メトキシカルボニルアクリルアミド-2-メチルプロパンカルボン酸、2-α-アセチルオキシアクリルアミド-2-メチルプロパンカルボン酸、2-α-フェニルアクリルアミド-2-メチルプロパンカルボン酸、2-α-ベンジルアクリルアミド-2-メチルプロパンカルボン酸、2-α-メトキシアクリルアミド-2-メチルプロパンカルボン酸、2-α-シクロヘキシルアクリルアミド-2-メチルプロパンカルボン酸、2-α-シアノアクリルアミド-2-メチルプロパンカルボン酸等を挙げることができる。また、繰り返し単位a4を与える、カルボキシル基を有する重合性単量体は、下記一般式a4-M1で表される重合性単量体であることが好ましい。上記一般式a4-M1中、R10は、水素原子、又はメチル基を示し、Aは、単結合、カルボニル基、カルボニルオキシ基、又はオキシカルボニル基を示し、Bは、単結合、又は炭素数1~20の2価の有機基を示す。なお、上記一般式a4-M1中、R10は前記一般式a1-1中のR10と同義である。前記一般式a4-M1中、Bで示される炭素数1~20の2価の有機基としては、前記一般式a1-1中のR11で示される2価の有機基として挙げた基や、フェニレン基、トリレン基等のアリレン基を挙げることができる。繰り返し単位a4は、メタアクリル酸、クロトン酸、ヘキサヒドロフタル酸2-メタクリロイルオキシエチルに由来する繰り返し単位であることが好ましい。樹脂Aは、繰り返し単位a4として、上述の繰り返し単位を一種単独で、又は二種以上を組み合わせて含有していても良い。1-1-5.繰り返し単位a5:繰り返し単位a5を与える重合性単量体としては、下記一般式a5-M1で表される、スルホ基を有する重合性単量体を挙げることができる。上記一般式a5-M1中、R10は、水素原子、又はメチル基を示し、Aは、単結合、カルボニル基、カルボニルオキシ基、又はオキシカルボニル基を示し、Bは、単結合、又は炭素数1~20の2価の有機基を示す。なお、上記一般式a5-M1中、R10は前記一般式a1-1中のR10と同義であり、A及びBは前記一般式a4-M1中のA及びBと、同義である。前記一般式a5-M1で表される重合性単量体の好適例としては、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸、2-メタアクリルアミド-2-メチル-1-プロパンスルホン酸、4-ビニル-1-ベンゼンスルホン酸を挙げることができる。これらの中でも、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸が特に好ましい。樹脂Aは、繰り返し単位a5として、上述の繰り返し単位を一種単独で、又は二種以上を組み合わせて含有していても良い。1-1-6.その他の繰り返し単位:樹脂Aは、上述の繰り返し単位a1~a5以外にも、分子量、ガラス転移点、溶剤成分Bへの溶解性等を制御する目的で、例えば、酸解離性基を有する繰り返し単位等のその他の繰り返し単位以下、繰り返し単位a6とも記載する。を含有していても良い。繰り返し単位a6を与える重合性単量体の具体例としては、メチルメタアクリレート、エチルメタアクリレート、n-ブチルメタアクリレート、sec-ブチルメタアクリレート、tert-ブチルメタアクリレート、イソプロピルメタアクリレート、n-ヘキシルメタアクリレート、シクロヘキシルメタアクリレート、2-メチルシクロヘキシルメタアクリレート、ジシクロペンタニルオキシエチルメタアクリレート、イソボロニルメタアクリレート、ジシクロペンタニルメタアクリレート、メトキシジプロピレングリコールメタアクリレート、ブトキシジプロピレングリコールメタアクリレート、メトキシジエチレングリコールメタアクリレート、メトキシプロピレングリコールメタアクリレート、2-メチル-2-アダマンチルメタアクリレート、2-エチル-2-アダマンチルメタアクリレート、2-プロピル-2-アダマンチルメタアクリレート、2-ブチル-2-アダマンチルメタアクリレート、1-メチル-1-シクロヘキシルメタアクリレート、1-エチル-1-シクロヘキシルメタアクリレート、1-プロピル-1-シクロヘキシルメタアクリレート、1-ブチル-1-シクロヘキシルメタアクリレート、1-メチル-1-シクロペンチルメタアクリレート、1-エチル-1-シクロペンチルメタアクリレート、1-プロピル-1-シクロペンチルメタアクリレート、1-ブチル-1-シクロペンチルメタアクリレート、1-アダマンチル-1-メチルエチルメタアクリレート、1-ビシクロ[2.2.1]ヘプチル-1-メチルエチルメタアクリレート等のメタアクリル酸アルキルエステル;マレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジエチル等の不飽和ジカルボン酸ジエステル;フェニルメタアクリレート、ベンジルメタアクリレート等のメタアクリル酸アリールエステル;スチレン、α-メチルスチレン、m-メチルスチレン、p-メチルスチレン、ビニルトルエン、p-メトキシスチレン等の芳香族ビニル類;酢酸ビニル等の脂肪酸ビニル類;塩化ビニル、塩化ビニリデン等の塩素原子含有重合性単量体;1,3-ブタジエン、イソプレン、1,4-ジメチルブタジエン等の共役ジオレフィン類を挙げることができる。これらの中でも、メタアクリル酸アルキルエステルが好ましい。なお、これらの重合性単量体は、一種単独で、又は二種以上を組み合わせて用いることができる。1-1-7.各繰り返し単位の含有割合:樹脂A中、繰り返し単位a1又は繰り返し単位a2の含有割合は、全繰り返し単位の合計100molに対して、10mol以上であることが好ましく、20mol以上であることが更に好ましく、30mol以上であることが特に好ましい。繰り返し単位a1の含有割合が上述の範囲内であると、樹脂Aは、アルカリ性水溶液である現像液へ溶解しやすくなり、レジストパターン上に上層膜の残渣が発生することを抑制することができる。なお、樹脂Aは、繰り返し単位a1及び繰り返し単位a2の両方を含有していてもよい。樹脂A中、繰り返し単位a3、a4、又はa5の含有割合は、全繰り返し単位の合計100molに対して、それぞれ独立に、0~50molであることが好ましく、0~40molであることが更に好ましく、0~20molであることが特に好ましい。繰り返し単位a3、a4、又はa5の含有割合が上述の範囲内であると、樹脂Aは上層膜としての撥水性と現像液への溶解性とのバランスを保つことができる。樹脂A中、繰り返し単位a6の含有割合は、全繰り返し単位の合計100molに対して、0~50molであることが好ましく、0~40molであることが更に好ましい。本発明の上層膜形成用組成物は、樹脂Aとして、一種類の樹脂Aを単独で含んでいても良く、又は二種以上の樹脂Aを含んでいても良い。1-1-8.樹脂Aの合成:樹脂Aを合成する方法としては、特に制限なく従来公知の重合方法を適用することができる。重合方法としては、例えば、重合溶媒中で、ラジカル重合開始剤を用いてラジカル重合する方法等を挙げることができる。重合溶媒としては、例えば、アルコール類、環状エーテル類、多価アルコールのアルキルエーテル類、多価アルコールのアルキルエーテルアセテート類、芳香族炭化水素類、ケトン類、エステル類を挙げることができる。これらの中でも、環状エーテル類、多価アルコールのアルキルエーテル類、多価アルコールのアルキルエーテルアセテート類、ケトン類、エステル類等が好ましい。ラジカル重合開始剤の具体例としては、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、2,2’-アゾビス-2-メチルプロピオン酸メチル、2,2’-アゾビス-2,4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス-4-メトキシ-2-ジメチルバレロニトリル等のアゾ化合物;ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、tert-ブチルペルオキシピバレート、1,1’-ビス-tert-ブチルペルオキシシクロヘキサン等の有機過酸化物;過酸化水素等を挙げることができる。また、過酸化物をラジカル重合開始剤として用いる場合、還元剤を組み合わせてレドックス型のラジカル重合開始剤として用いても良い。重合条件としては、重合方法、ラジカル重合開始剤や重合溶媒の種類等によって適宜選定すればよいが、通常、30~180°Cで30分~8時間程度であり、60~150°Cで1~6時間反応させることが好ましい。上述の反応により得られた樹脂は、再沈殿法により精製することが好ましい。即ち、重合反応終了後、重合溶液を再沈溶媒に投入することにより、目的の樹脂を粉体として精製する。再沈溶媒としては、前記重合溶媒として例示した溶媒を一種単独で、又は二種以上を組み合わせて用いることができる。1-1-9.樹脂Aの物性:樹脂AのGPCによるポリスチレン換算のMwは、特に限定されないが、2,000~100,000であることが好ましく、2,500~50,000であることが更に好ましく、3,000~20,000であることが特に好ましい。樹脂AのMwが上述の範囲内であることにより、上層膜は耐水性、及び機械的特性を確保し、樹脂Aは溶剤成分Bに対する溶解性を確保することができる。樹脂AのGPCによるポリスチレン換算の数平均分子量以下、Mnとも記載する。に対するMwの比Mw/Mnは、通常、1.0~5.0であり、1.0~3.0であることが好ましい。1-1-10.その他の樹脂:本発明の上層膜形成用組成物は、樹脂Aに加えて、その他の樹脂を更に含んでいても良い。その他の樹脂としては、高撥水樹脂αや親水性樹脂βを挙げることができる。本発明の上層膜形成用組成物は、樹脂Aに加えて高撥水樹脂αを含むことにより、上層膜の後退接触角をより高くすることができる。後退接触角が高い上層膜は、露光装置を高速で移動させながら液浸露光を行う場合であっても、上層膜上に液浸溶媒の液滴が残り難い等という利点がある。また、樹脂Aに加えて高撥水樹脂αを含むことにより、上層膜の現像液に対する溶解速度をより高くすることができる。このような上層膜は現像欠陥を生じ難いという利点がある。高撥水樹脂αとしては、例えば、前記一般式a3中のR9がフッ化炭化水素基である繰り返し単位以下、繰り返し単位a3-aとも記載する。を含有する樹脂を挙げることができる。また、高撥水樹脂αは、繰り返し単位a1又はa2、及び前記一般式a3中のR9が極性基を有する有機基である繰り返し単位以下、繰り返し単位a3-bとも記載する。、繰り返し単位a4、又は繰り返し単位a5を含有していても良い。高撥水樹脂α中、繰り返し単位a3-aの含有割合は、全繰り返し単位の合計100molに対して、30~80molであり、40~70molであることが好ましい。繰り返し単位a3-aの含有割合が上述の範囲内であることにより、後退接触角が高い上層膜を得ることができる。高撥水樹脂α中、繰り返し単位a1又はa2の含有割合は、全繰り返し単位の合計100molに対して、20~70molであってもよく、繰り返し単位a3-b、a4、又はa5の含有割合は、全繰り返し単位の合計100molに対して、それぞれ独立に、0~10molであり、0~5molであることが好ましい。高撥水樹脂αとしては、一種類の高撥水樹脂αを単独で含んでいても良く、又は二種以上の高撥水樹脂αを含んでいても良い。親水性樹脂βとしては、全繰り返し単位の合計100molに対して、繰り返し単位a4を10~95mol、繰り返し単位a5を1~10mol、繰り返し単位a1又はa2を0~50mol含有する樹脂を挙げることができる。なお、樹脂βは、繰り返し単位a3-aを0~30mol、好ましくは0~10mol含有していても良く、繰り返し単位a1を0~95mol含有していても良い。親水性樹脂βとしては、一種類の親水性樹脂βを単独で含んでいても良く、又は二種以上の親水性樹脂βを含んでいても良い。1-2.溶剤成分B:溶剤成分Bは、樹脂Aを溶解すると共に、101.3kPaにおける沸点が150°C以上であり、且つ静的表面張力が23.0mN/m以下である溶剤B1を含有する成分である。また、溶剤成分Bは、後述する溶剤B2及び溶剤B3の少なくとも一方を更に含有していることが好ましい。本発明の上層膜形成用組成物中、溶剤成分Bの含有割合は、形成する上層膜の膜厚に応じて適宜調整することができるが、樹脂A100質量部に対して、通常、1,000~10,000質量部である。1-2-1.溶剤B1:溶剤B1は、101.3kPaにおける沸点が150°C以上であり、且つ静的表面張力が23.0mN/m以下である溶剤である。上層膜形成用組成物が溶剤B1を含有することで、半導体製造プロセスにおいて、1枚の基板のフォトレジスト膜上に塗布し終えてから、次の基板のフォトレジスト膜上に塗布するまでの間に、上層膜形成用組成物がノズル内で乾燥し難くなる。溶剤B1の101.3kPaにおける沸点は150°C以上であり、150~180°Cであることが好ましく、155~180°Cであることが更に好ましく、160~180°Cであることが特に好ましい。溶剤B1の沸点が上述の範囲内にあることで、塗布欠陥がなく均一な上層膜を形成することが可能であり、また、ノズル内での上層膜形成用組成物の乾燥を抑制することができる。溶剤B1の静的表面張力は、23.0mN/m以下であり、21.0~23.0mN/mであることが好ましく、21.0~22.5mN/mであることが更に好ましく、21.0~22.0mN/mであることが特に好ましい。溶剤B1の静的表面張力を上述の範囲内とすることで、樹脂Aとの相容性が良好になり、塗布欠陥の発生を抑制することができる。なお、静的表面張力は、Wilhelmy法によって23°Cで測定した値である。また、溶剤B1は、上述の樹脂Aを良好に溶解することができると共に、粘度が低いため、レジスト膜上に塗布する上層膜形成用組成物の塗布量を抑制することができる。溶剤B1としては、下記一般式B1-1で表される溶剤であることが好ましい。上記一般式B1-1中、nは、1~4の整数を示し、R4及びR5は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~4のアルキル基、又はアシル基を示し、R6は、水素原子又はメチル基を示す。前記一般式B1-1中、R4又はR5で表される炭素数1~4のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、s-ブチル基、i-ブチル基、t-ブチル基を挙げることができる。これらの中でも、溶剤B1の沸点及び静的表面張力が好ましい範囲となるため、メチル基、エチル基、i-ブチル基等が好ましい。前記一般式B1-1中、R4又はR5で表されるアシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基等を挙げることができる。これらの中でも、溶剤B1の沸点及び静的表面張力が好ましい範囲となるため、アセチル基等が好ましい。溶剤B1としては、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノイソブチルエーテルが特に好ましい。なお、溶剤B1としては、これらの溶剤を一種単独で、又は二種以上を組み合わせて用いることができる。溶剤成分B中、溶剤B1の含有割合は、溶剤成分B100質量に対して、1~15質量であることが好ましく、3~12質量であることが更に好ましく、5~10質量であることが特に好ましい。溶剤B1の含有割合が上述の範囲内にあることで、半導体製造プロセスにおいて、1枚の基板のフォトレジスト膜上に塗布し終えてから、次の基板のフォトレジスト膜上に塗布するまでの間に、ノズル内で乾燥してしまうことを効果的に抑制することができる。1-2-2.溶剤B2:溶剤B2は、下記一般式B2で表される1価のアルコールである。上記一般式B2中、R1は、炭素数1~10の直鎖状、分岐状若しくは環状の炭化水素基、又はハロゲン化炭化水素基を示す。溶剤B2の具体例としては、メタノール、エタノール、1-プロパノール、イソプロピルアルコール、2-メチル-1-プロパノール、n-ブチルアルコール、2-ブタノール、tert-ブチルアルコール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、n-ヘキシルアルコール、シクロヘキサノール、2-メチル-2-ブタノール、3-メチル-2-ブタノール、2-メチル-1-ブタノール、3-メチル-1-ブタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-メチル-2-ペンタノール、2-メチル-3-ペンタノール、3-メチル-1-ペンタノール、3-メチル-2-ペンタノール、3-メチル-3-ペンタノール、4-メチル-1-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、2-エチル-1-ブタノール、2,2-ジメチル-3-ペンタノール、2,3-ジメチル-3-ペンタノール、2,4-ジメチル-3-ペンタノール、4,4-ジメチル-2-ペンタノール、3-エチル-3-ペンタノール、1-ヘプタノール、2-ヘプタノール、3-ヘプタノール、2-メチル-2-ヘキサノール、2-メチル-3-ヘキサノール、4-メチル-2-ヘキサノール、5-メチル-1-ヘキサノール、5-メチル-2-ヘキサノール、2-エチル-1-ヘキサノール、4-メチル-3-ヘプタノール、6-メチル-2-ヘプタノール、1-オクタノール、2-オクタノール、3-オクタノール、2-プロピル-1-ペンタノール、2,4,4-トリメチル-1-ペンタノール、2,6-ジメチル-4-ヘプタノール、3-エチル-2,2-ジメチル-ペンタノール、1-ノナノール、2-ノナノール、3,5,5-トリメチル-1-ヘキサノール、1-デカノール、2-デカノール、4-デカノール、3,7-ジメチル-1-オクタノール、3,7-ジメチル-3-オクタノール等を挙げることができる。これら1価のアルコールの中でも、炭素数4~8の1価のアルコールが好ましく、2-メチル-1-プロパノール、1-ブタノール、2-ブタノール、1-ペンタノール、4-メチル-2-ヘキサノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、3-メチル-2-ペンタノール、4-メチル-2-ペンタノール、2-エチル-1-ブタノール、2,4-ジメチル-3-ペンタノールが更に好ましい。なお、溶剤B2としては、これらのアルコールを一種単独で、又は二種以上を組み合わせて用いることができる。溶剤成分B中、溶剤B2の含有割合は、溶剤成分B100質量に対して、10~75質量であることが好ましく、10~60質量であることが更に好ましく、10~40質量であることが特に好ましい。溶剤B2の含有割合が上述の範囲内にあることで、溶剤B1を上層膜形成用組成物に含有させることによる効果を阻害することなく、樹脂Aの上層膜形成用組成物への溶解性を更に向上させることができる。1-2-3.溶剤B3:溶剤B3は、下記一般式B3で表されるエーテルである。上記一般式B3中、R2及びR3は、それぞれ独立に、炭素数1~8の炭化水素基、又はハロゲン化炭化水素基を示す。溶剤B3の具体例としては、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ブチルメチルエーテル、ブチルエチルエーテル、ブチルプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、tert-ブチルメチルエーテル、tert-ブチルエチルエーテル、tert-ブチルプロピルエーテル、ジ-tert-ブチルエーテル、ジペンチルエーテル、ジイソアミルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジオクチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロヘキシルメチルエーテル、シクロドデシルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、シクロヘキシルエチルエーテル、シクロペンチルプロピルエーテル、シクロペンチル-2-プロピルエーテル、シクロヘキシルプロピルエーテル、シクロヘキシル-2-プロピルエーテル、シクロペンチルブチルエーテル、シクロペンチル-tert-ブチルエーテル、シクロヘキシルブチルエーテル、シクロヘキシル-tert-ブチルエーテル、ブロモメチルメチルエーテル、ヨードメチルメチルエーテル、α,α-ジクロロメチルメチルエーテル、クロロメチルエチルエーテル、2-クロロエチルメチルエーテル、2-ブロモエチルメチルエーテル、2,2-ジクロロエチルメチルエーテル、2-クロロエチルエチルエーテル、2-ブロモエチルエチルエーテル、±-1,2-ジクロロエチルエチルエーテル、ジ-2-ブロモエチルエーテル、ビス2,2,2-トリフルオロエチルエーテル、クロロメチルオクチルエーテル、ブロモメチルオクチルエーテル、ジ-2-クロロエチルエーテル、エチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、アリルエチルエーテル、アリルプロピルエーテル、アリルブチルエーテル、ジアリルエーテル、2-メトキシプロペン、エチル-1-プロペニルエーテル、1-メトキシ-1,3-ブタジエン、cis-1-ブロモ-2-エトキシエチレン、2-クロロエチルビニルエーテル、アリル-1,1,2,2-テトラフルオロエチルエーテル等を挙げることができる。これらエーテルの中でも、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ブチルメチルエーテル、ブチルエチルエーテル、ブチルプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、tert-ブチルメチルエーテル、tert-ブチルエチルエーテル、tert-ブチルプロピルエーテル、ジ-tert-ブチルエーテル、ジペンチルエーテル、ジイソアミルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロヘキシルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、シクロヘキシルエチルエーテル、シクロペンチルプロピルエーテル、シクロペンチル-2-プロピルエーテル、シクロヘキシルプロピルエーテル、シクロヘキシル-2-プロピルエーテル、シクロペンチルブチルエーテル、シクロペンチル-tert-ブチルエーテル、シクロヘキシルブチルエーテル、シクロヘキシル-tert-ブチルエーテルが好ましい。なお、溶剤B3としては、これらのエーテルを一種単独で、又は二種以上を組み合わせて用いることができる。溶剤成分B中、溶剤B3の含有割合は、溶剤成分B100質量に対して、20~80質量であることが好ましく、40~80質量であることが更に好ましく、50~80質量であることが特に好ましい。溶剤B3の含有割合が上述の範囲内にあることで、溶剤B1を上層膜形成用組成物に含有させることによる効果を阻害することなく、上層膜形成用組成物をレジスト膜上に塗布する際の塗布量を更に低減することができる。1-2-4.溶剤B4:溶剤成分Bは、上述の溶剤B1~B3以外にも、その他の溶剤以下、溶剤B4とも記載する。を含有していても良い。溶剤B4の具体例としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、4-ヒドロキシ-4-メチル-2-ペンタノン、ジアセトンアルコール等のケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2-ヒドロキシ-3-メチルブタン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-エトキシプロピオン酸メチル等のエステル類を挙げることができる。これらの中でも、環状エーテル類、ケトン類、エステル類、水が好ましい。なお、溶剤B4としては、これらの溶剤を一種単独で、又は二種以上を組み合わせて用いることができる。溶剤成分B中、溶剤B4の含有割合は、溶剤成分B100質量に対して、75質量以下であることが好ましい。溶剤B4の含有割合が75質量以下であることで、塗布量を抑制することができる。なお、例えば、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン等のフォトレジスト膜を侵食する性質を有する溶剤B4の場合、その含有割合は、溶剤成分B100質量に対して、30質量以下であることが好ましく、20質量以下であることが更に好ましい。30質量超であると、フォトレジスト膜を浸食し、上層膜との間にインターミキシングを起こす等の不具合を発生し、フォトレジストの解像性能を著しく劣化させる場合がある。1-3.酸感放射線性酸発生剤酸成分C:本発明の上層膜形成用組成物は、酸及び感放射線性酸発生剤の少なくとも一方酸成分Cを含むことにより、フォトレジストのリソグラフィ性能を向上させることができる。本発明の上層膜形成用組成物中、酸成分Cの含有割合は、樹脂A100質量部に対して、10質量部以下であることが好ましく、0.001~5質量部であることが更に好ましく、0.005~3質量部であることが特に好ましい。酸成分Cの含有割合が10質量部超であると、液浸露光の際、酸成分Cが液浸溶媒へ溶出してしまい、露光装置のレンズを汚染してしまう場合がある。1-3-1.酸:酸としては、例えば、カルボン酸類、スルホン酸類を挙げることができる。このような酸の具体例としては、国際公開第2007/049637号パンフレットの段落[0045]及び[0046]に記載されたものを挙げることができる。なお、これらの酸成分は、一種単独で、又は二種以上を組み合わせて用いることができる。1-3-2.感放射線性酸発生剤:感放射線性酸発生剤は、露光により酸を発生する化合物であり、例えば、スルホンイミド化合物、ジスルホニルメタン化合物、オニウム塩化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、ジアゾメタン化合物等を挙げることができる。このような化合物の具体例としては、国際公開第2007/049637号パンフレットの段落[0037]~[0044]に記載されたものを挙げることができる。なお、これらの感放射線性酸発生剤は一種単独で、又は二種以上を組み合わせて用いることができる。1-4.添加剤:本発明の上層膜形成用組成物は樹脂A、溶剤成分B、酸成分C以外にも、界面活性剤や酸拡散制御剤等の添加剤を含んでいても良い。1-4-1.界面活性剤:本発明の上層膜形成用組成物は界面活性剤を含むことで、上層膜形成用組成物の塗布性、消泡性、レベリング性等を向上させることができる。界面活性剤としては、例えば、BM-1000、BM-1100以上、BMケミー社製、メガファックF142D、同F172、同F173、同F183以上、大日本インキ化学工業社製、フロラードFC-135、同FC-170C、同FC-430、同FC-431以上、住友スリーエム社製、サーフロンS-112、同S-113、同S-131、同S-141、同S-145以上、旭硝子社製、SH-28PA、同-190、同-193、SZ-6032、SF-8428以上、東レダウコーニングシリコーン社製、FTX-218G、同-230G、同-240G、同-209F、同-213F以上、ネオス社製等の商品名で市販されているフッ素系界面活性剤を使用することができる。なお、これらの界面活性剤は、一種単独で、又は二種以上を組み合わせて用いることができる。本発明の上層膜形成用組成物中、界面活性剤の含有割合は、樹脂A100質量部に対して、5質量部以下であることが好ましい。1-4-2.酸拡散制御剤:本発明の上層膜形成用組成物は酸拡散制御剤を含むことで、フォトレジストのリソグラフィ性能等を向上させることができる。酸拡散制御剤の具体例としては。国際公開第2007/049637号パンフレットの段落[0048]~[0053]に記載されたものを挙げることができる。なお、酸拡散制御剤は、一種単独で、又は二種以上を組み合わせて用いることができる。本発明の上層膜形成用組成物中、酸拡散制御剤の含有割合は、樹脂A100質量部に対して、10質量部以下であることが好ましく、0.001~5質量部であることが更に好ましく、0.005~3質量部であることが特に好ましい。酸拡散制御剤の含有割合が10質量部超であると、酸拡散制御剤が液浸溶媒に溶出して露光装置のレンズを汚染してしまう場合がある。2.レジストパターン形成方法:本発明のレジストパターン形成方法は、工程1~4を備える方法である。以下、その詳細について説明する。2-1.工程1:工程1は、基板上にフォトレジスト組成物を塗布してフォトレジスト膜を形成する工程である。基板としては、例えば、シリコンウェハ、アルミニウムで被覆したウェハ等を用いることができる。また、フォトレジストの潜在能力を最大限に引き出すため、例えば特公平6-12452号公報等に開示されているように、使用される基板上に有機系或いは無機系の反射防止膜を形成しておくことができる。フォトレジスト組成物としては、特に限定なく従来公知のフォトレジスト組成物を用いることができる。なお、フォトレジスト組成物は、フォトレジスト膜を形成するための樹脂や感放射線性酸発生剤等を適当な溶媒中に、例えば、固形分濃度が0.1~20質量となるように溶解した後、孔径30nm程度のフィルターでろ過することで調製することができる。なお、フォトレジスト組成物としては、市販のフォトレジスト溶液をそのまま使用することもできる。本発明のフォトレジストパターン形成方法においては、特にポジ型のフォトレジスト組成物を用いることが好ましい。化学増幅型ポジ型フォトレジストは、露光により感放射線性酸発生剤から発生した酸の作用によって、重合体中の酸解離性基が解離して、例えば、カルボキシル基を生じる。その結果、フォトレジスト膜の露光部のアルカリ性水溶液である現像液に対する溶解性が高くなり、現像液によって溶解、除去され、ポジ型のレジストパターンが得られる。フォトレジスト膜は、上述のフォトレジスト組成物を、例えば、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布方法により基板上に塗布し、プレベーク以下、PBとも記載する。して溶媒を揮発させることにより形成することができる。なお、PBは工程簡略化のため省略することもできる。また、フォトレジスト膜の厚さは特に限定されず、必要に応じて適宜調整することができるが、通常、0.01~2μmである。2-2.工程2:工程2は、前述の上層膜形成用組成物をフォトレジスト膜上に塗布してフォトレジスト膜上に上層膜を形成する工程である。上層膜は、前述の上層膜形成用組成物を、例えば、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布方法によりフォトレジスト膜上に塗布し、焼成して乾燥させることにより形成することができる。なお、焼成は工程簡略化のため省略することもできる。また、上層膜の厚さは、λ/4nλは放射線の波長であり、nは上層膜の屈折率である。の奇数倍であることが好ましい。2-3.工程3:工程3は、上層膜上に液浸溶媒を配し、所定のパターンを有するマスクを通過させた放射線を、液浸溶媒を透過させて上層膜及びフォトレジスト膜に照射することによって、上層膜及びフォトレジスト膜を露光する工程である。液浸溶媒の具体例としては、純水、pH調整水、高屈折率液体等を挙げることができる。これらの液浸溶媒の中でも、純水が特に好ましい。放射線は、フォトレジスト膜と上層膜の組み合わせに応じて、適宜選択することができるが、例えば、可視光線;g線、i線等の紫外線;ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー等の遠紫外線;シンクロトロン放射線等のX線;電子線等の荷電粒子線等を挙げることができる。これらの放射線の中でも、ArFエキシマレーザー波長193nm、KrFエキシマレーザー波長248nmが特に好ましい。また、フォトレジスト膜の解像度、パターン形状、現像性等を向上させるために、露光後に焼成以下、PEBとも記載する。を行なうことが好ましい。PEBの温度は、使用されるフォトレジスト等によって適宜調節されるが、通常、30~200°C程度であり、50~150°Cであることが好ましい。2-4.工程4:工程4は、露光された上層膜及びフォトレジスト膜を現像液で現像してレジストパターンを形成する工程である。この工程で、上層膜及びフォトレジスト膜の露光部分は、現像液に溶解し、除去される。また、通常、現像後に水洗し、乾燥させる。現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5,4,0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ-[4,3,0]-5-ノナン等を溶解したアルカリ性水溶液を挙げることができる。また、これらの現像液には、例えば、メタノール、エタノール等のアルコール類等の水溶性有機溶媒、界面活性剤等を適量添加することもできる。以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、各種物性値の測定方法、及び諸特性の評価方法を以下に示す。[樹脂溶液の固形分濃度質量]樹脂溶液0.3gをアルミ皿に計量し、ホットプレート上、140°Cで1時間加熱した。樹脂溶液の加熱前の質量と加熱後の残渣の質量より固形分濃度質量を算出した。この固形分濃度は、上層膜形成用組成物の調製及び収率計算に利用した。[質量平均分子量Mw及び数平均分子量Mn]GPCカラムG2000HXL2本、G3000HXL1本、G4000HXL1本、以上東ソー社製を使用して、流量:1.0ml/分、溶出溶媒:テトラヒドロフラン、カラム温度:40°Cの分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィGPCにより測定した。[13C-NMR分析]核磁気共鳴装置商品名JNM-ECX400、日本電子社製を使用して測定した。[後退接触角°]まず、8インチのシリコンウェハに、半導体製造装置商品名CLEANTRACKACT12、東京エレクトロン社製を使用して、各実施例の上層膜形成用組成物を1500rpmで60秒間スピンコートし、90°Cで60秒間PBを行って膜厚30nmの塗膜を形成した。この塗膜を形成したシリコンウェハを接触角計商品名DSA-10、KRUS社製のウェハステージ上にセットした。セットしたウェハの塗膜上に水滴を形成することができる位置初期位置にDSA-10の針の先端を調整した。次に、針から水を排出させて塗膜上に25μlの水滴を形成し、その後、針をこの水滴から引き上げた。次いで、再び針を下げて針の先端を水滴内へ侵入させ、初期位置に配置した。続いて、10μl/分の速度で針から水を90秒間吸引すると共に、塗膜と水面との間の接触角を毎秒1回測定した。測定した接触角のうち、測定値が安定した時点から20秒間分の接触角について平均値を算出し、この平均値を後退接触角°とした。なお、後退接触角の測定は、室温及び水温を23°Cとして行った。[ノズル乾き]まず、12インチのシリコンウェハに、半導体製造装置商品名CLEANTRACKACT12、東京エレクトロン社製を使用して、100°C、60秒の処理条件でHMDSヘキサメチルジシラザン処理を行った。このシリコンウェハ上に、CLEANTRACKACT12を使用ソルベントバスシンナーとしてシクロヘキサノンを使用して、各実施例の上層膜形成用組成物を1500rpmで30秒間スピンコートし、90°Cで60秒間PBを行って膜厚30nmの塗膜を形成した。この塗膜について、ウェハ欠陥検査装置商品名KLA2351、KLAテンコール社製を使用して、塗布欠陥を測定し、塗布欠陥検出数が100個以下となっていることを確認した。塗布欠陥検出数が100個以下であることが確認された各実施例の上層膜形成用組成物をCLEANTRACKACT12にインストールした。30分間放置した後、ダミーディスペンス予備吐出を行わずに、各実施例の上層膜形成用組成物をHMDS処理した12インチのシリコンウェハ上に1500rpmで60秒間スピンコートし、90°Cで60秒間PBを行って膜厚30nmの塗膜を形成した。この塗膜について、KLA2351を使用して、塗布欠陥を測定した。塗布欠陥検出数が100個以下である場合を○良好と評価し、塗布欠陥検出数が100個超である場合を×不良と評価した。[塗布欠陥]まず、12インチのシリコンウェハに、半導体製造装置商品名CLEANTRACKACT12、東京エレクトロン社製を使用して、100°C、60秒の処理条件でHMDSヘキサメチルジシラザン処理を行った。このシリコンウェハ上に、CLEANTRACKACT12を使用ソルベントバスシンナーとしてシクロヘキサノンを使用して、各実施例の上層膜形成用組成物を1500rpmで30秒間スピンコートし、90°Cで60秒間PBを行って膜厚30nmの上層膜を形成した基板を得た。その後、この基板を割り、走査型電子顕微鏡商品名S-4800、日立ハイテクノロジーズ社製を使用して、割った基板断面の上層膜部分を観測した。ピンホール欠陥やはじきを塗布欠陥としてカウントし、塗布欠陥数が1個以下の場合を○良好と評価し、塗布欠陥数が2個以上の場合を×不良と評価した。合成例1樹脂A-1の調製:まず、メタクリル酸1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロピルエステル17.43gと2,2-アゾビス2-メチルイソプロピオン酸メチル4.25gとをメチルエチルケトン25gに予め溶解させた単量体溶液1、及びメタクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ペンチルエステル27.74gとをメチルエチルケトン25gに予め溶解させた単量体溶液2をそれぞれ準備した。一方、温度計及び滴下漏斗を備えた500mlの三口フラスコにメチルエチルケトン100gを投入し、30分間窒素パージした。窒素パージ後、フラスコ内をマグネティックスターラーで撹拌しながら80°Cになるように加熱した。滴下漏斗を使用し、予め準備しておいた単量体溶液1を20分かけて滴下し、更に20分間熟成させた。続いて、単量体溶液2を20分かけて滴下した。更に1時間反応させた後、30°C以下に冷却して共重合体溶液を得た。得られた共重合体溶液を150gに濃縮した後、分液漏斗に移した。この分液漏斗にメタノール50g及びn-ヘキサン400gを投入し、分離精製を行った。分離後、下層液を回収し、この下層液を4-メチル-2-ペンタノールで置換して樹脂A-1を含む樹脂溶液を得た。この樹脂溶液の固形分濃度は、20質量であった。樹脂A-1に含まれる繰り返し単位を下記式A-1に示す。樹脂A-1のMwは5,730であり、Mw/Mnは1.23であり、収率は26であった。また、樹脂A-1に含有されるメタクリル酸1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロピルエステルに由来する繰り返し単位、及びメタクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ペンチルエステルに由来する繰り返し単位の含有割合は、それぞれ61.1mol、及び38.9molであった。合成例2樹脂A-2の調製:まず、メタクリル酸1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ペンチルエステル46.95g85molと、重合開始剤として2,2’-アゾビス-2-メチルプロピオン酸メチル6.91gとを、イソプロピルアルコール以下、IPAとも記載する。100gに溶解させた単量体溶液を準備した。一方、温度計及び滴下漏斗を備えた500mlの三口フラスコにIPA50gを投入し、30分間窒素パージした。窒素パージ後、フラスコ内をマグネティックスターラーで撹拌しながら80°Cになるように加熱した。滴下漏斗を使用し、予め準備しておいた単量体溶液を2時間かけて滴下した。滴下終了後、更に1時間反応させた後、ビニルスルホン酸3.05g15molを溶解させたIPA溶液10gを30分かけて滴下し、更に1時間反応を行った。その後、30°C以下に冷却して共重合体溶液を得た。得られた共重合体溶液を150gに濃縮した後、分液漏斗に移した。この分液漏斗にメタノール50g及びn-ヘキサン600gを投入し、分離精製を行った。分離後、下層液を回収し、この下層液をIPAで希釈して100gとし、分液漏斗に移した。この分液漏斗に、メタノール50gとn-ヘキサン600gを投入し、分離精製を行った。分離後、下層液を回収し、この下層液を4-メチル-2-ペンタノールで置換して全量を250gとし、分液漏斗に移した。この分液漏斗に、水250gを投入し、分離精製を行った。分離後上層液を回収し、この上層液を、4-メチル-2-ペンタノールで置換して樹脂A-2を含む樹脂溶液を得た。この樹脂溶液の固形分濃度は、25質量であった。樹脂A-2に含まれる繰り返し単位を下記式A-2に示す。樹脂A-2のMwは9,760であり、Mw/Mnは1.51であり、収率は65であった。また、樹脂A-1に含有されるメタクリル酸1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-プロピルエステルに由来する繰り返し単位、及びビニルスルホン酸に由来する繰り返し単位の含有割合は、それぞれ95.0mol、及び5.0molであった。合成例3フォトレジスト組成物の調製:下記一般式M-1で表される単量体M-1を53.93g50mol、下記一般式M-2で表される単量体M-2を35.38g40mol、下記一般式M-3で表される単量体M-3を10.69g10molを2-ブタノン200gに溶解し、更にジメチル2,2’-アゾビス2-メチルプロピオネート5.58gを投入した単量体溶液を準備した。一方、温度計及び滴下漏斗を備えた500mlの三口フラスコに100gの2-ブタノンを投入し、30分窒素パージした。窒素パージ後、フラスコ内をマグネティックスターラーで撹拌しながら80°Cになるように加熱した。滴下漏斗を用い、予め準備しておいた単量体溶液を3時間かけて滴下した。滴下開始時を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液を水冷により30°C以下に冷却した。冷却後、2,000gのメタノールに投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別した白色粉末を、400gのメタノールでスラリー上で2度洗浄した。その後、再度ろ別し、50°Cにて17時間乾燥し、白色粉末の共重合体を得た。収量は74gであり、収率は74であった。得られた共重合体は、Mwが6,900であり、Mw/Mnが1.70であり、13C-NMR分析の結果、単量体M-1に由来する繰り返し単位、単量体M-2に由来する繰り返し単位、及び単量体M-3に由来する繰り返し単位の含有割合が、それぞれ53.0:37.2:9.8molの共重合体であった。この共重合体を100質量部、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート1.5質量部、1-4-n-ブトキシナフタレン-1-イルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート6質量部、R--tert-ブトキシカルボニル-2-ピペリジンメタノール0.65質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート2,400質量部、及びγ-ブチロラクトン30質量部を混合して、その全固形分濃度を0.2~20質量に調製し、孔径30nmのフィルターでろ過することによりフォトレジスト組成物を調製した。実施例1樹脂Aとして、合成例1で調製した樹脂A-17質量部、及び合成例2で調製した樹脂A-293質量部、並びに溶剤B1として、溶剤B1-1ジプロピレングリコールジメチルエーテル10質量部、溶剤B2として4-メチル-2-ペンタノール以下、MIBCとも記載する。10質量部、及び溶剤B3としてジイソアミルエーテル以下、DIAEとも記載する。90質量部を混合することで上層膜形成用組成物実施例1を調製した。調製した上層膜形成用組成物実施例1を用いて各種評価を行ったところ、ノズル乾きの評価は○良好であり、塗布欠陥の評価は○良好であった。なお、上層膜形成用組成物を2時間以上乾燥させた場合のノズル乾きの評価も○良好であった。これらの結果を表1に示す。実施例2,3、比較例1~9下記表1に示した条件としたこと以外は、実施例1と同様にして、各上層膜形成用組成物について各種評価を行った。結果を併せて表1に示す。表1中に示す溶剤B1-1~B1-9は以下に示す溶剤である。また、各溶剤の101.3kPaにおける沸点°C及び静的表面張力mN/mを併せて記載する。溶剤B1-1:ジプロピレングリコールジメチルエーテル171°C、21.1mN/m溶剤B1-2:エチレングリコールモノイソブチルエーテル161°C、22.5mN/m溶剤B1-3:ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート217°C、26.2mN/m溶剤B1-4:エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート188°C、24.0mN/m溶剤B1-5:ジエチレングリコールジエチルエーテル189°C、23.3mN/m溶剤B1-6:ジプロピレングリコールモノメチルエーテル187°C、25.1mN/m溶剤B1-7:トリプロピレングリコールモノメチルエーテル242°C、25.7mN/m溶剤B1-8:ジプロピレングリコールモノn-ブチルエーテル231°C、23.7mN/m溶剤B1-9:エチレングリコールモノイソプロピルエーテル142°C、22.9mN/m表1から、明らかなように、アルカリ性水溶液に可溶であり、且つフッ素原子を含有する樹脂Aと、101.3kPaにおける沸点が150°C以上であり、且つ静的表面張力が23.0mN/m以下である溶剤B1とを含有する上層膜形成用組成物は、ノズル乾きを抑制し、且つ塗布欠陥も抑制することができる。"