"ヒートシンクの一方面側にサブマウントを介してレーザダイオードを接合してなる半導体レーザ装置であって、前記ヒートシンクの一方面と前記サブマウントの他方面とは、前記ヒートシンクと前記サブマウントとの間に位置する第1のハンダ接合部によって互いに接合され、前記第1のハンダ接合部の端部には、前記第1のハンダ接合部よりも隆起し、前記ヒートシンクの一方面と前記サブマウントの側面とを接合する第2のハンダ接合部が設けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。前記サブマウントの側面には、前記ハンダ接合部を構成するハンダに対して濡れ性を有する金属被膜が形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装置。前記第2のハンダ接合部は、前記サブマウントの全ての側面と前記ヒートシンクの一方面とを接合していることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体レーザ装置。前記サブマウントの側面には、前記レーザダイオードの光出射面と略同一方向を向く一側面が含まれており、前記第2のハンダ接合部は、前記サブマウントの側面のうち、前記一側面を除く側面と前記ヒートシンクの一方面とを接合していることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体レーザ装置。前記ヒートシンクの側面には、前記サブマウントの一側面と略面一な一側面が含まれており、前記第1のハンダ接合部の端部のうち、前記レーザダイオードの光出射面側の一端部には、前記ヒートシンクの一側面に張り出した第3のハンダ接合部が設けられていることを特徴とする請求項4記載の半導体レーザ装置。前記レーザダイオードの光出射面は、前記サブマウントの側面よりも突出していることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項記載の半導体レーザ装置。上記半導体レーザ装置では、ヒートシンク及びサブマウントを介してレーザダイオードに電流を発生させ、レーザ光を出射させることができる。しかしながら、ヒートシンクとサブマウントとの接合部の電気抵抗により、大きな電力が消費され、電気-光変換効率を十分に高めることができない場合がある。そこで、本発明は、電気-光変換効率を十分に高めることができる半導体レーザ装置を提供することを目的とする。上記課題解決のため、本発明に係る半導体レーザ装置は、ヒートシンクの一方面側にサブマウントを介してレーザダイオードを接合してなる半導体レーザ装置であって、ヒートシンクの一方面とサブマウントの他方面とは、ヒートシンクとサブマウントとの間に位置する第1のハンダ接合部によって互いに接合され、第1のハンダ接合部の端部には、第1のハンダ接合部よりも隆起し、ヒートシンクの一方面とサブマウントの側面とを接合する第2のハンダ接合部が設けられていることを特徴とする。この半導体レーザ装置では、ヒートシンクの一方面とサブマウントの他方面とを互いに接合する第1のハンダ接合部の端部に、ヒートシンクの一方面とサブマウントの側面とを接合する第2のハンダ接合部が設けられている。これにより、ヒートシンクとサブマウントとの間の接合面積が大きくなるため、ヒートシンクとサブマウントとの間の電気抵抗が低減され、ヒートシンク及びサブマウントを介してレーザダイオードに電流を発生させる際の消費電力が抑制される。従って、電気-光変換効率を十分に高めることができる。ここで、サブマウントの側面には、ハンダ接合部を構成するハンダに対して濡れ性を有する金属被膜が形成されていることが好ましい。この場合、ハンダに対して濡れ性を有する金属被膜によって、サブマウントの側面のハンダに対する濡れ性を確保し、第2のハンダ接合部を確実に設けることができる。また、金属被膜により、サブマウントが保護され、サブマウントの腐食に伴う電気抵抗の増大が抑制される。従って、電気-光変換効率を更に高めることができる。また、第2のハンダ接合部は、サブマウントの全ての側面とヒートシンクの一方面とを接合していることが好ましい。この場合、ヒートシンクとサブマウントとの間の接合面積が更に大きくなるため、ヒートシンクとサブマウントとの間の電気抵抗が更に低減される。従って、電気-光変換効率を更に高めることができる。また、サブマウントの側面には、レーザダイオードの光出射面と略同一方向を向く一側面が含まれており、第2のハンダ接合部は、サブマウントの側面のうち、一側面を除く側面とヒートシンクの一方面とを接合していることが好ましい。この場合、サブマウントの側面のうち、一側面を除く側面とヒートシンクの一方面とを第2のハンダ接合部によって接合しつつ、サブマウントの一側面側レーザダイオードの光出射面側におけるハンダ接合部の隆起を抑制することができる。従って、レーザ光がハンダ接合部に遮られることを確実に防止しつつ、電気-光変換効率を十分に高めることができる。また、ヒートシンクの側面には、サブマウントの一側面と略面一な一側面が含まれており、第1のハンダ接合部の端部のうち、レーザダイオードの光出射面側の一端部には、ヒートシンクの一側面に張り出した第3のハンダ接合部が設けられていることが好ましい。この場合、第3のハンダ接合部が、レーザダイオードから遠ざかる方向に向かって張り出すため、サブマウントの一側面側におけるハンダ接合部のレーザダイオード側への隆起を抑制することができる。従って、レーザ光がハンダ接合部に遮られることをより確実に防止しつつ、電気-光変換効率を十分に高めることができる。また、レーザダイオードの光出射面は、サブマウントの側面よりも突出していることが好ましい。この場合、レーザダイオードの光出射面がサブマウントの側面よりも突出しているため、レーザダイオードの光出射面側において、ハンダ接合部がレーザダイオードとサブマウントとの境界を越えて隆起することが防止される。従って、レーザ光がハンダ接合部に遮られることをより確実に防止しつつ、電気-光変換効率を十分に高めることができる。本発明にかかる半導体レーザ装置によれば、電気-光変換効率を十分に高めることができる。以下、図面を参照しながら、本発明に係る半導体レーザ装置の好適な実施形態について詳細に説明する。図1は、本発明に係る半導体レーザ装置の一実施形態を示す分解斜視図である。図1に示されるように、半導体レーザ装置1は、ヒートシンク2と、レーザダイオード3とを備えている。ヒートシンク2は、主に銅からなり、長方形の平面形状をなす板状体である。ヒートシンク2の長さは、例えば10~30mm、幅は、例えば10~12mm、厚さは、例えば1~3mmである。ヒートシンク2には、水の導入口2a及び排出口2bが形成されており、ヒートシンク2の内部には、導入口2aから入った水が排出口2bに向かって流れる流路不図示が形成されている。この流路に水を流すことで、ヒートシンク2を水冷することができる。レーザダイオード3は、長方形の平面形状をなす板状体である。レーザダイオード3の長さは、例えば10~12mm、幅は、例えば1~5mm、厚さは、例えば0.1~0.15mmである。図2に示されるように、レーザダイオード3の長手方向に沿う側面3bには、長手方向に沿って複数の発光領域3cが形成されており、レーザダイオード3の一方面3aと他方面3dとの間に電流を発生させると、各発光領域3cからレーザ光が出射されるようになっている。すなわち、側面3bは光出射面Mとなっている。図1に示されるように、レーザダイオード3は、第1のサブマウント4を介してヒートシンク2の一方面2c側に接合されており、レーザダイオード3の一方面3a側には、第2のサブマウント5が接合されている。このため、レーザダイオード3の一方面3aと他方面3dとの間には、ヒートシンク2及びサブマウント4,5を介して電流を発生させることができる。各サブマウント4,5は、レーザダイオード3の材料と線膨張係数が近い材料からなる板状体である。各サブマウント4,5の主材料は、例えば銅タングステンである。各サブマウント4,5によって、発熱に伴うレーザダイオード3の変形が抑制される。各サブマウント4,5の平面形状は、レーザダイオード3の平面形状と等しく、各サブマウント4,5の側面4e,4f,4g,4h及び5e,5f,5g,5hは、それぞれレーザダイオード3の側面3b,3p,3r,3sと面一になっている。各サブマウント4,5の厚さは、例えば0.1~0.3mmである。レーザダイオード3及びサブマウント4,5は、ヒートシンク2の長手方向での一端側に配置されており、レーザダイオード3の上記側面3bは、ヒートシンク2の一端側の側面2dと同一方向を向いている。ヒートシンク2の他方面2e側には、主にモリブデンからなる板状の補強体6が接合されている。補強体6によって、発熱に伴うヒートシンク2の変形が抑制され、ヒートシンク2の変形に伴うレーザダイオード3の変形が抑制される。レーザダイオード3の一方面3aと他方面3dとの間には、ヒートシンク2、サブマウント4,5、及び補強体6を介して電流を発生させることができる。補強体6の平面形状は、レーザダイオード3の平面形状と等しく、補強体6の側面6e,6f,6g,6hは、それぞれレーザダイオード3の側面3b,3p,3r,3sと面一になっている。平面視において、レーザダイオード3、サブマウント4,5、及び補強体6の長辺は、ヒートシンク2の短辺よりも短く、レーザダイオード3、サブマウント4,5、及び補強体6の各短辺は、ヒートシンク2の各長辺よりも内側に位置している。また、レーザダイオード3、サブマウント4,5、及び補強体6の各長辺は、ヒートシンク2の各短辺よりも内側に位置している図3参照。即ち、レーザダイオード3の側面3b,3p,3r,3s、サブマウント4,5の側面4e,4f,4g,4h,5e,5f,5g,5h、及び補強体6の側面6e,6f,6g,6hは、ヒートシンク2の側面2d,2h,2j,2kよりも内側に位置している。図4は、図3中のIV-IV線に沿う断面図である。図4に示されるように、ヒートシンク2、サブマウント4,5、補強体6のそれぞれの外表面全域には、例えば、厚さ1~5μmのニッケルの被膜2f,4a,5a,6aがそれぞれ形成され、その外側に厚さ0.1~2μmの金の被膜2g,4b,5b,6bがそれぞれ形成されている。これらの被膜2f,2g,4a,4b,5a,5b,6a,6bは、例えばめっきにより形成されている。このように、ヒートシンク2、サブマウント4,5、及び補強体6のそれぞれの外表面全域に、後述のハンダ接合部を構成するハンダに対して濡れ性を有する被膜2g,4b,5b,6bが形成されている。特に、本実施携帯における被膜2g,4b,5b,6bの材料は、ヒートシンク2、サブマウント4,5、及び補強体6の主材料と比べ、後述のハンダに対して濡れ性が高く、且つ耐食性に優れている。レーザダイオード3の一方面3a側には、例えば、厚さ50~200Åの金の被膜3eが形成され、その外側に厚さ1000~2000Åの金ゲルマニウムの被膜3fが形成され、更にその外側に厚さ1000~5000Åの金の被膜3gが形成されている。また、レーザダイオード3の他方面3d側には、例えば、厚さ100~1000Åのチタンの被膜3hが形成され、その外側に厚さ100~2000Åの白金の被膜3jが形成され、更にその外側に厚さ1000~3000Åの金の被膜3kが形成されている。これらの被膜3e,3f,3g,3h,3j,3kは、例えばメタライズ処理により形成されている。レーザダイオード3の一方面3aと、第2のサブマウント5の他方面5cとは、レーザダイオード3と第2のサブマウント5との間に位置するハンダ接合部7によって互いに接合されている。レーザダイオード3の他方面3dと、第1のサブマウント4の一方面4cとは、レーザダイオード3と第1のサブマウント4との間に位置するハンダ接合部8によって互いに接合されている。ハンダ接合部7,8の材料は、例えば金錫であり、ハンダ接合部7,8の厚さは、例えば2~10μmである。ヒートシンク2の一方面2cと、第1のサブマウント4の他方面4dとは、ヒートシンク2と第1のサブマウント4との間に位置するハンダ接合部9第1のハンダ接合部によって互いに接合されている。ハンダ接合部9の材料は、例えば金錫であり、ハンダ接合部9の厚さは、例えば2~10μmである。ハンダ接合部9の端部には、ハンダ接合部9よりも隆起し、ヒートシンク2の一方面2cと、第1のサブマウント4の全側面4e,4f,4g,4hとを接合するハンダ接合部10第2のハンダ接合部が設けられている。ハンダ接合部10の材料は、ハンダ接合部9の材料と等しく、ハンダ接合部10の隆起高さは、例えば5~50μmである。ハンダ接合部9は、例えば、金錫ハンダシートをヒートシンク2と第1のサブマウント4との間に挟み、不活性雰囲気中で金錫シートが融点以上の温度となるように加熱し、ヒートシンク2と第1のサブマウント4とで金錫ハンダシートを圧縮するように加圧することで形成される。この際に、ヒートシンク2と第1のサブマウント4との間からはみ出した金錫ハンダによって、フィレット状のハンダ接合部10が形成される。ヒートシンク2の他方面2eと、補強体6の一方面6cとは、ヒートシンク2と補強体6との間に位置するハンダ接合部11によって互いに接合されている。ハンダ接合部11の材料は、例えば金錫であり、ハンダ接合部11の厚さは、例えば2~10μmである。ハンダ接合部11の各端部には、ハンダ接合部11よりも隆起し、ヒートシンク2の他方面2eと、補強体6の全側面6e,6f,6g,6hとを接合するハンダ接合部12が設けられている。ハンダ接合部12の材料は、ハンダ接合部11の材料と等しく、ハンダ接合部12の隆起高さは、例えば5~50μmである。ハンダ接合部11,12は、例えば、金錫ハンダシートをヒートシンク2と補強体6との間に挟み、不活性雰囲気中で金錫シートが融点以上の温度となるように加熱し、ヒートシンク2と補強体6とで金錫ハンダシートを圧縮するように加圧することで形成される。この際に、ヒートシンク2と補強体6との間からはみ出した金錫ハンダによって、フィレット状のハンダ接合部12が形成される。以上説明したように、本実施形態に係る半導体レーザ装置1では、ヒートシンク2の一方面2cと第1のサブマウント4の他方面4dとを互いに接合するハンダ接合部9の端部に、ヒートシンク2の一方面2cと第1のサブマウント4の側面4e,4f,4g,4hとを接合するハンダ接合部10が設けられている。このため、ヒートシンク2の一方面2cに対向する第1のサブマウント4の他方面4dに加え、第1のサブマウント4の側面4e,4f,4g,4hが、ヒートシンク2の一方面2cへの接合面となる。このように、ヒートシンク2と第1のサブマウント4との間の接合面積が大きくなるため、ヒートシンク2と第1のサブマウント4との間の電気抵抗が低減され、ヒートシンク2及び第1のサブマウント4を介してレーザダイオード3に電流を発生させる際の消費電力が抑制される。従って、電気-光変換効率を十分に高めることができる。第1のサブマウント4の側面4e,4f,4g,4hには、ハンダ接合部9,10を構成するハンダに対して濡れ性を有する被膜4bが形成されている。このため、ハンダに対して濡れ性を有する被膜4bによって、第1のサブマウント4の側面4e,4f,4g,4hのハンダに対する濡れ性を確保し、ハンダ接合部10を確実に設けることができる。また、側面4e,4f,4g,4hに形成された被膜4bにより、第1のサブマウント4が保護され、第1のサブマウント4の腐食に伴う電気抵抗の増大が抑制される。従って、電気-光変換効率を更に高めることができる。また、側面4e,4f,4g,4hに形成された被膜4bは、第1のサブマウント4の主材料に比べ、ハンダに対する濡れ性が高い。このため、被膜4a,4bを形成しない場合と比べて側面4e,4f,4g,4hにハンダが広がり易くなっており、被膜4a,4bを形成しない場合と比べてヒートシンク2と第1のサブマウント4との間の接合面積を大きくすることができる。また、側面4e,4f,4g,4hに形成された被膜4bは、第1のサブマウント4の主材料に比べ耐食性に優れているため、第1のサブマウント4がより確実に保護され、第1のサブマウント4の腐食に伴う電気抵抗の増大が更に抑制される。更に、被膜4bは、側面4e,4f,4g,4hを含む第1のサブマウント4の外表面の全域に形成されているため、第1のサブマウント4がより確実に保護され、第1のサブマウント4の腐食に伴う電気抵抗の増大が更に抑制される。また、ハンダ接合部10は、第1のサブマウント4の全ての側面4e,4f,4g,4hとヒートシンク2の一方面2cとを接合している。これにより、ヒートシンク2と第1のサブマウント4との間の接合面積が更に大きくなるため、ヒートシンク2と第1のサブマウント4との間の電気抵抗が更に低減される。従って、電気-光変換効率を更に高めることができる。また、ヒートシンク2の他方面2eと補強体6の一方面6cとを互いに接合するハンダ接合部11の端部には、ヒートシンク2の他方面2eと補強体6の側面6e,6f,6g,6hとを接合するハンダ接合部12が設けられている。これにより、ヒートシンク2と補強体6との間の接合面積が大きくなるため、ヒートシンク2と補強体6との間の電気抵抗が低減され、ヒートシンク2、第1のサブマウント4、及び補強体6を介してレーザダイオード3に電流を発生させる際の消費電力が更に抑制される。従って、電気-光変換効率を更に高めることができる。本実施形態の一実施例として、以下の条件で半導体レーザ装置1を制作し、出力200Wで連続的にレーザ光を出射させたときの電気-光変換効率を測定した。ヒートシンク2:長さ30mm×幅12mm×厚さ1.1mmレーザダイオード3:長さ10mm×幅3mm×厚さ140μmサブマウント4,5:長さ10mm×幅3mm×厚さ150μm補強体6:長さ10mm×幅3mm×厚さ150μmハンダ接合部7,8,9,11:金80wt、錫20wt、厚さ5μmハンダ接合部10,12:金80wt、錫20wt、隆起高さ20μmその結果、ハンダ接合部10を設けない場合と比べ、電気-光変換効率が3高まっていることが確認された。以上、本発明に係る半導体レーザ装置の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は上述した実施形態に限られるものではなく、その要旨を変更しない範囲で様々な変形が可能である。例えば、図5及び図6に示されるように、ハンダ接合部10は、第1のサブマウント4の側面4e,4f,4g,4hのうち、レーザダイオード3の光出射面Mと同一方向を向く側面4eを除く側面4f,4g,4hと、ヒートシンク2の一方面2cとを接合していてもよい。この場合、側面4f,4g,4hとヒートシンク2の一方面2cとをハンダ接合部10によって接合しつつ、側面4e側レーザダイオード3の光出射面M側におけるハンダ接合部の隆起を抑制することができる。従って、レーザ光がハンダ接合部に遮られることを確実に防止しつつ、電気-光変換効率を十分に高めることができる。なお、ヒートシンク2の側面2dと第1のサブマウント4の側面4eとが面一であると、側面4e側では、ハンダ接合部がヒートシンク2の一方面2cに支持されない。このため、側面4e側ではハンダ接合部が隆起しにくくなり、側面4eを除く側面4f,4g,4hがハンダ接合部10によって接合されたものを容易に製造することができる。また、図7に示されるように、ヒートシンク2の側面2dと第1のサブマウント4の側面4eとが面一であり、ハンダ接合部9の端部のうちレーザダイオード3の光出射面M側の一端部に、ヒートシンク2の側面2dに張り出したハンダ接合部13第3のハンダ接合部が設けられていてもよい。このようなハンダ接合部13は、例えば、上述のように金錫ハンダシートに加熱加圧してハンダ接合部9を形成する際に、ヒートシンク2と第1のサブマウント4との間からはみ出した金錫ハンダが、ヒートシンク2の側面2dに沿って広がることで形成される。この場合、ハンダ接合部13が、ヒートシンク2の側面2dに沿ってレーザダイオード3から遠ざかる方向に向かって張り出すため、第1のサブマウント4の側面4e側におけるハンダ接合部のレーザダイオード3側への隆起を抑制することができる。従って、レーザ光がハンダ接合部に遮られることをより確実に防止しつつ、電気-光変換効率を十分に高めることができる。また、図8に示されるように、レーザダイオード3の光出射面Mは、第1のサブマウント4の側面4eよりも突出していることが好ましい。この場合、光出射面Mが側面4eよりも突出しているため、光出射面M側において、ハンダ接合部がレーザダイオード3と第1のサブマウント4との境界を越えて隆起することが防止される。従って、レーザ光がハンダ接合部に遮られることをより確実に防止しつつ、電気-光変換効率を十分に高めることができる。更に、レーザダイオード3の光出射面M以外の側面3p,3r,3sが、第1のサブマウント4の側面4f,4g,4hよりも突出していてもよい。この場合、ハンダ接合部が、レーザダイオード3と第1のサブマウント4との境界を越えて隆起することがより確実に防止される。"