"補正アルゴリズムによる近接効果補正により、ウェーハ及びマスクの電子ビーム照射を制御する方法において、幾何学的な手法により、コントラスト制御のための追加のコントラストフレームKRと残りの図形Rを全ての図形Fに対して生成することと、コントラストフレームKRと残りの図形Rの図形から、負のサイズ変更演算によって、より小さい図形KRsizeSとRsizeSを生成することと、次に、照射量の割り当てによって、それらの図形KR,Rの縁でレジスト閾値を達成するとの条件の下で、これらの図形KRsizeSとRsizeSを近接補正アルゴリズムに導入することと、を特徴とする方法。前記の幾何学的な手法が、2×サイズ変更パラメータSコントラストスタンプの幅Kの大きさによる負のサイズ変更演算によって、図形Fから、残りの図形Rを生成する工程と、図形Fからの残りの図形Rの幾何学的な減算によって、コントラストフレームKRを生成する工程と、次に、サイズ変更パラメータSの大きさによる負のサイズ変更演算によって、これらの得られた図形RとKRをKRsizeSとRsizeSに縮小する工程と、から構成されることを特徴とする請求項1に記載の方法。コントラストフレームKRの全体の幅が、コントラストスタンプの幅K2×サイズ変更パラメータSであり、ここで、コントラストフレームKRの幅<CDminであり、コントラストフレームKRの幅の2倍<αの2.5倍であり、全ての図形に対して、その幅<αの2.5倍であり、これらの図形に最適な、照射量の補正を幾何学的に導き出す手法が自動的に得られる、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。残りの図形R全体に対して、レジスト閾値を上回ることを保証するような照射量だけを割り当てるとの条件の下で、残りの図形Rを近接補正アルゴリズムに導入することを特徴とする請求項1に記載の方法。大きな図形内の小さな隙間大きな図形内の切り取られた反転図形を確実に検知するために、当初のパターンと色調値を逆転した反転パターンを同時に補正アルゴリズムに引き渡すとともに、それらのパターンを基本図形に分解する時及びそれらの基本図形に補正した照射量を割り当てる時に、両方の色調値を考慮することを特徴とする請求項1から4までのいずれか一つに記載の方法。以上のことから、本発明の課題は、一つのパターンの全ての図形のコントラストとCDを最適に制御できる改善された補正方法を提供することである。別の課題は、そのような補正方法を所定の周知の補正アルゴリズムとPPFの規定形態に関係無い形で構成することである。本課題は、本発明による請求項1の特徴により解決される。この新しい方法は、以下の考えと知見に基づいている。近接効果のモデルから、非常に特殊なパターンに対して、近接効果の補正を数学的な展開機構無しに算出できるとの結果が得られている。そのパターンは、一つの面の二つの次元に無限に延びる、等間隔の線と隙間から成る見本である。照射量を計算した場合、直線の図形に関する比較的正しい照射量が、線の幅にも具体的なPPFにも関係無く、常に1.0と等しいことが分かった。ここで、その結果として得られる照射量分布非特許文献1と2を計算するために即ち、照射量分布をシミュレーションするために、任意のPPFを使用した場合これは、数学的な展開機構が無くとも可能である、αパラメータの約0.65倍で初めてレジストのコントラストが最終的に消え去ることが分かった図1参照。即ち、密な線のパターンを仮定すると、如何なる場合でも、それより小さい構造を投影することができない。しかし、実際には、αパラメータの約1.3倍の場合に既に投影限界に達していると、実験が示している非特許文献1。しかし、その結果が両方に関係無く正しいと見做されているために補正も校正も間違っている可能性が有るので、PPFの別の補正アルゴリズム又は校正によって、その範囲での投影の改善を実現しようとする全ての試みも、必ず失敗すると判断しなければならない。この問題の原因は、全ての周知の方法が、投影後の図形のCDの制御によって、正しいCD、即ち、投影前のCDを実現することCD制御を追求していることに有る。前記のαの約0.65倍~αの1.3倍の範囲において、CD制御は不十分であり、コントラスト制御によって補完しなければならない。パターンのコントラスト投影パターンのデータでは、図形と隙間の間のコントラストは常に1.0に等しいを実現できなかった場合でも、実現可能なコントラストの最大化を実行して、当該の範囲での投影を実現しなければならない。そのため、幾何学的に導き出す照射量補正方法を導入する。その場合、コントラストの制御は、サイズ変更パラメータSによって決まる図2参照。この場合、サイズ変更演算によって、xとy方向における図形の大きさをそれぞれ大きさS例えば、10nmだけ縮小する。次に、補正のためにPPFを使用する照射プロセスが照射時に正確に当初の図形の線幅を生成するように、図形に割り当てる照射量を補正する。図2の曲線は、実際に線幅が常に等しいが、サイズ変更パラメータが大きくなると、レジスト閾値の位置でのコントラスト、特に、コントラストの勾配が同様に大きくなることを示している。この方法は、同じ線幅の図形から成るテストパターンでは明らかに良好に機能するが、一般的なパターンのコントラスト制御に対しては未だ不十分である。一般的なパターンには、所定の大きさの図形だけでなく、多くの図形が混ざったものも含まれている。今では、全てのPFFに関して、図形の幅に応じて、コントラストに一つの転換点が存在することを発見した。それは、PPFのαパラメータの約2.5倍の所に有る図3参照。そのような物理的な実態の知見から、この新しい方法の工程が導き出される。この場合、コントラストスタンプの幅のパラメータKを更に導入していることが重要である。この請求項1に記載の新しい方法は、電子ビームの照射時のコントラストとCDを同時に制御することによって、一つのパターンの全ての図形の高い投影精度を可能としている。本方法の幾つかの工程に関する更に別の有利な変化形態は、従属請求項2~4に記載されている。従属請求項5には、大きな図形内の小さな隙間を見分けることが可能な本方法の変化形態が提示されている。そのため、補正アルゴリズムの実行時の小さな隙間の見過ごしが防止される。以下において、一つの例により本方法を説明する。図4の線状の隙間を切り取った四角形の形状の図形Fは、一つのパターンの任意の複雑な図形に対する見本としての役割を果たしている。第一の演算では、Fから、残りの図形Rを生成する。それは、2×SKの大きさによる負のサイズ変更演算によって実行される。コントラストフレームKRは、図形Fからの残りの図形Rの幾何学的な減算KR=F\Rによって生成される。ここで得られた図形のコントラストフレームKRと残りの図形Rは、それぞれSの大きさによる負のサイズ変更演算によって、KRsizeSとRsizeSに縮小される。そして、KRsizeSとRsizeSは、図形KRの縁でレジスト閾値を正確に達成するとともに、図形Rの領域でレジスト閾値を上回ることを保証するように、それぞれ照射量を割り当てるとの条件の下で、一緒に近接効果補正アルゴリズムに引き渡される。"