"所定波長の励起光を出力する複数の半導体レーザから射出される励起光を合波して増幅し、増幅されたレーザ光を出力する光学部と、前記複数の半導体レーザの出力を制御する制御部と、前記光学部から発生する熱を冷却する冷却ファンを具備した冷却部と、を収容した光学ユニット用筐体と、前記光学部に対して電源供給する光学部用電源と、前記冷却部の冷却ファンに対して電源供給する冷却部用電源と、前記制御部に対して電源供給する制御部用電源と、を収容しており、前記光学ユニット用筐体に対して電気的に接続可能な電源ユニット用筐体と、を有することを特徴とするレーザ加工装置。前記電源ユニット用筐体には、前記光学ユニット用筐体に設置された制御部から送信される駆動停止信号により、前記各電源の駆動をOFFする電源制御部が設置されていることを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工装置。前記電源制御部は、電源ユニット用筐体内の温度が所定の設定温度を超えたとき、各電源の駆動をOFFする機能を有することを特徴とする請求項2に記載のレーザ加工装置。前記光学ユニット用筐体には、放熱性を有し両端が開口したダクトが設置されており、前記ダクトの両端の開口部分に、ダクト内に空気を流すように前記冷却ファンが設置されると共に、ダクトの表面に前記複数の半導体レーザと制御部が設置されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。上記したように、従来のレーザ加工装置は、1つの筐体内に、光学部、冷却部、制御部及び各部を駆動する電源を収容しているため、メンテナンス性が悪いという問題がある。すなわち、レーザ加工装置は、主に半導体レーザが設けられている光学部の部分が故障等し易いことから、部品交換や光軸調整などのメンテナンスを行う際に、電源が邪魔となって作業性が悪くなってしまう。また、いずれかの電源が故障等した場合、メンテナンス時において光学部のセッティングに影響を与えることがあり、光学部の再調整など手間がかかり迅速な復旧作業に支障をきたす可能性もある。また、1つの筐体内に光学部に加え、複数の電源が設置されているため、光学部が電源から発生する熱の影響を受け易くなって、冷却部による冷却能力では十分でなく、レーザ加工装置として耐久性及び信頼性に劣る、という問題がある。本発明は、上記した問題に着目してなされたものであり、メンテナンス性に優れ、耐久性及び信頼性の向上したレーザ加工装置を提供することを目的とする。上記した目的を達成するために、本発明に係るレーザ加工装置は、所定波長の励起光を出力する複数の半導体レーザから射出される励起光を合波して増幅し、増幅されたレーザ光を出力する光学部と、前記複数の半導体レーザの出力を制御する制御部と、前記光学部から発生する熱を冷却する冷却ファンを具備した冷却部と、を収容した光学ユニット用筐体と、前記光学部に対して電源供給する光学部用電源と、前記冷却部の冷却ファンに対して電源供給する冷却部用電源と、前記制御部に対して電源供給する制御部用電源と、を収容しており、前記光学ユニット用筐体に対して電気的に接続可能な電源ユニット用筐体と、を有することを特徴とする。上記した構成のレーザ加工装置では、光学部、冷却部、制御部を収容する光学ユニット用筐体と、各種電源を収容した電源ユニット用筐体を別体構造とし、両者を電気的に接続する構成としたため、例えば、電源部分で故障等が生じても、電源ユニット用筐体のみが点検修理対象となる。すなわち、光学ユニット用筐体は、点検修理対象とならないことから、光学部のセッティング等を動かす必要がなく、再調整等も不要となり、メンテナンス性の向上が図れる。また、光学ユニット用筐体に設置される光学部は、電源が近接して配設されていないことから、電源で発生する熱の影響を受けることがなく、光学部に対する冷却能力が低下することがない。このため、信頼性、及び耐久性の向上が図れると共に、光学部に対する冷却能力が向上することで、半導体レーザの設置個数を増やしたり、半導体レーザに供給する電力を増やして、より高出力化することが可能となる。本発明によれば、メンテナンス性に優れ、耐久性及び信頼性の向上したレーザ加工装置が得られる。以下、本発明に係るレーザ加工装置の一実施形態について、添付図面を参照しながら具体的に説明する。最初に図1を参照して、レーザ加工装置の全体的な概略構成について説明する。本実施形態に係るレーザ加工装置1は、レーザ光を出力する光学部2Aと、レーザ光の出力を制御する制御部2Bと、光学部2Aから発生する熱を冷却する冷却ファンを具備した冷却部2Cと、を収容した光学ユニット用筐体2を備えている。また、レーザ加工装置1は、光学ユニット用筐体2に対して電気的に接続可能な電源ユニット用筐体5を備えており、この電源ユニット用筐体5には、前記光学部2Aに対して電源供給する光学部用電源5Aと、前記制御部2Bに対して電源供給する制御部用電源5Bと、前記冷却部2Cの冷却ファンに対して電源供給する冷却部用電源5Cが収容されている。電源ユニット用筐体5に収容される各電源5A~5Cは、外部電源からコンセント7を介して供給される交流電源を直流電源に変換する変換機能を備えており、光学部2A、制御部2B、及び冷却部2Cのそれぞれに所定の直流電流が供給されるように、光学ユニット用筐体2には、光学部2A、制御部2B、及び冷却部2Cのそれぞれに対応する接続端子コネクタが外部に露出するように設けられている。前記光学部2Aに対応する接続端子には、電源ケーブル6Aを介して光学部用電源5Aが接続される。光学部用電源5Aは、光学部2Aを構成する半導体レーザを駆動するために、比較的高電圧のもの例えば40Vが用いられる。前記制御部2Bに対応するコネクタには、電源ケーブル6Bを介して制御部用電源5Bが接続される。制御部用電源5Bは、制御部において各種制御信号の生成、及び送受信が成されるように、低電圧のもの例えば5Vが用いられる。また、前記冷却部2Cに対応する接続端子には、電源ケーブル6Cを介して冷却部用電源5Cが接続される。冷却部用電源5Cは、冷却部を構成する冷却用ファン駆動モータを駆動するように、前記光学部電源よりも低電圧のもの例えば12Vが用いられる。なお、前記光学部用電源5Aは、光学部2Aから発振されるレーザの出力パワーが調整可能となるように、可変電圧源として構成されていても良い。前記光学部2Aは、所定波長の励起光を出力する複数の半導体レーザから射出される励起光を合波して増幅し、増幅されたレーザ光を出力する機能を備えており、光学部から出力されたレーザ光は、光学ユニット用筐体に接続される光ファイバ8を介して、光出力ヘッド10に伝播させ、被加工物に対してレーザ光を照射できるように構成されている。前記制御部2Bは、後述する光学部2Aに設置される複数の半導体レーザの駆動を制御すると共に、各半導体レーザから出力されるレーザ光の出力パワーを検出する機能を備えている。このため、制御部2Bは、半導体レーザの駆動制御以外にも、半導体レーザの出力パワーが異常なとき、異常信号駆動停止信号を生成し、半導体レーザの駆動を停止制御することが可能となっている。また、制御部2Bは、光学ユニット用筐体の温度が図示されていない温度センサで設定された上限温度を超えたとき、異常信号駆動停止信号を生成して半導体レーザの駆動を停止制御する機能を備えていても良く、更には、検出されたレーザ光の出力パワーが変動したとき、その出力が安定するように、半導体レーザに供給される駆動電流を制御するフィードバック機能を備えていても良い。また、本実施形態の電源ユニット用筐体5には、各電源をON/OFFするメインスイッチの他に、各電源の駆動をシャットダウンOFFする電源制御部5Dが設置されている。この電源制御部5Dは、前記制御部2Bから異常信号を受信した際、各電源の駆動回路に対して停止信号を送信し、各電源の駆動を停止する機能を有する。さらに、電源制御部5Dは、図示されていない温度センサが、各電源の温度、或いは電源ユニット用筐体5内の温度が予め定めた上限温度を超えたことを検出した際、各電源の駆動を停止する機能を備えていても良い。なお、上記した電源制御部5Dは、必ずしも設ける必要はなく、電源ユニット用筐体5は、ON/OFF操作されるメインスイッチのみによって各電源の駆動がON/OFFされる構成であっても良い。また、電源制御部5Dによって各電源の駆動をOFFにする構成とした場合、電源ユニット用筐体5側で設定される上限温度については、前記光学ユニット用筐体側の上限温度よりも高く設定されている。また、上記した各電源5A~5Cはそれぞれが図示しない各電源の冷却用のフィンを具備していても良く、各電源のON/OFFに連動してON/OFFするように構成しても良い。さらに、各電源の冷却用のファンは、ONかOFFかをはじめ、その動作状態が制御部2Bによって監視されるようにしても良い。このようにすることで、光学ユニット用筐体2側から各電源の冷却用のファンの故障の有無や、交換時期の確認などを容易に行うことができる。次に、図2の概略図を参照して、光学ユニット用筐体に設置される光学部2Aの一例について説明する。本実施形態の光学部2Aは、ファイバ型レーザ発振装置20として構成されており、複数個の半導体レーザ21a,21b,21c...と、各半導体レーザに接続され、半導体レーザが出力する励起光を導波するマルチモード光ファイバ22a,22b,22c...と、各マルチモード光ファイバが導波する励起光をダブルクラッド光ファイバ25に結合する光合波器24と、ダブルクラッド光ファイバ25に接続され、光増幅媒体となる増幅用ダブルクラッド光ファイバ27とを備えている。前記各半導体レーザ21a,21b,21c...には、光学部用電源5Aによって電源供給される半導体レーザ駆動回路28から、制御部2Bによって制御された駆動電流が供給され、各半導体レーザ21a,21b,21c...は、所定の出力パワーでレーザ光を発振する。前記増幅用ダブルクラッド光ファイバ27は、希土類元素であるイッテルビウムYbのイオンを添加したコア部と、コア部の外周側に形成され、屈折率がそれよりも低い内側クラッド層と、屈折率が内側クラッド層よりも低い外側クラッド層の2層構造を備えている。また、増幅用ダブルクラッド光ファイバ27の両側には、所定波長を中心として高反射率の入力側FBGファイバブラッググレーティング30と、所定波長を中心として低反射率の出力側FBG31が設けられており、これらは光共振器を構成している。そして、前記ダブルクラッド光ファイバ25を伝播する励起光は、入力側FBG30を通過して増幅用ダブルクラッド光ファイバ27の内側クラッド層に入射され、コア部を横切りながらコア部に添加されたYbイオンを光励起する。この結果、励起光とは異なる波長の光が放出されるようになり、この内、コア部を伝播するものが前記光共振器で光増幅されてレーザ発振が起こり、出力側FBG31に接続した標準のシングルモード光ファイバ35からレーザ光が出力される。そして、シングルモード光ファイバ35から出力されたレーザ光は、光カプラ37を介して図示されていないフォトダイオード等によって出力パワーが検知されて制御部2Bに入力されると共に、光出力端子38を介して上述した光ファイバ8に結合される。上記した光学部2Aを構成するファイバ型レーザ発振装置20からの発熱は、図1に示したように、冷却部2Cを構成する冷却ファンによって冷却される。この場合、光学部2Aは、上述したように、電源ユニット用筐体5とは別体の光学ユニット用筐体2に設置されるが、その際、より放熱効果が高められるように、図3に示すような構成で光学ユニット用筐体2に設置されている。以下、図3を参照して、本実施形態の光学ユニット用筐体2、及びそこに収容される光学部2Aファイバ型レーザ発振装置20の設置態様について説明する。光学ユニット用筐体2は、底板51と、底板51の両側に一体形成される左右側壁52a,52bとを備えたベース50を有しており、ベース50に前記光学部2Aを設置したヒートシンク60を収容して、カバー部材53を取着することで構成される。前記ヒートシンク60は、熱伝導率が高く放熱性の良い素材、例えばアルミニウムや銅などの金属材料で形成されており、フィン65を具備している。前記ヒートシンク60の両端には、フィン65に空気を流すように、冷却ファン62,63が設置されている冷却ファンの一方は吸引側、他方は排出側となり、フィン65に沿って空気が流れるように設置されている。また、これらの冷却ファン62,63が設けられたフレーム62a,63aは、ヒートシンク60の開口部分にネジ等によって装着され、ヒートシンク60を光学ユニット用筐体2に設置した際、筐体外部に露出するようなっている。前記ヒートシンク60の表面には、前記複数の半導体レーザ21a,21b,21c...、及びこれらを制御する制御部2Bが設置される。本実施形態における複数の半導体レーザは、ヒートシンク60の平面側に2つのアレイとして設置されており、各アレイは、6つの半導体レーザ群半導体レーザ21a~21f,半導体レーザ21g~21lによって構成されている。また、前記制御部2Bは、それぞれのアレイを制御するように、ヒートシンク60上に設置されている。複数の半導体レーザ、及び制御部が表面に装着されるヒートシンク60は、上記のように熱伝導率が高く放熱性の良い素材で形成されており、かつ、そのフィン65は、冷却ファン62,63によって空気が流れることから、光学部で発生する熱を効果的に冷却することが可能となる。この場合、ヒートシンク60の内面から前記フィン65を多数突出形成することにより、より冷却効果を高めることが可能となる。以上のように構成されるレーザ加工装置によれば、光学ユニット用筐体2と、電源ユニット用筐体5が別体で構成されているため、例えば、電源部分で故障等が生じても、電源部だけを交換するだけで良く、光学ユニット用筐体側に影響を及ぼすことはない。これにより、光学部2Aの各光学部品のセッティング等を動かす必要がなく、再調整等も不要となり、メンテナンス性の向上が図れると共に、迅速な復旧作業が可能となる。また、光学ユニット用筐体2に設置される光学部2Aは、電源5A~5Cが近接して配設されていないことから、電源で発生する熱の影響を受けることがなく、光学部に対する冷却能力が低下することがない。このため、より高温の周囲温度でも動作することが可能となり、信頼性、及び耐久性の向上が図れると共に、光学部2Aに対する冷却能力が向上することで、半導体レーザの設置個数を増やしたり、半導体レーザに供給する電力を増やして、より高出力化することが可能となる。さらに、電源ユニット用筐体に収容されている電源5A~5Cは、光学部2A側からの熱の影響を受けないため、電源ユニットとしての耐久性の向上も図れる。また、上記した実施形態では、電源ユニット側にも電源制御部5Dを設置しているため、光学部側からの情報に基づいて電源をOFF制御することが可能となり、安全性の向上が図れるようになる。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態に限定されることはなく、種々変形することが可能である。例えば、図2に示す概略図において、半導体レーザは、光ファイバ35側においても光合波器を介して入力される構成であっても良いし、光ファイバ35の下流側に同様な構成の光増幅部を設置しても良い。また、上記した実施形態では、光学部2Aを構成するレーザ発振装置として、ファイバ型レーザ発振装置を例示したが、レーザ発振装置については、特定の構成に限定されることはない。さらに、光学ユニット用筐体2内における冷却部の構造ダクト構造についても、適宜変形することが可能である。"