エッチング対象層上に第1の開口を有する第1の感光膜パターンを形成するステップと、前記第1の感光膜パターン上に複数の第2の開口を有する第2の感光膜パターンを形成するステップと、前記第1の感光膜パターンと前記第2の感光膜パターンとをエッチングバリアとして、前記エッチング対象層をエッチングして複数のパターンを形成するステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記第1の感光膜パターンを形成した後、前記第1の感光膜パターンを覆う遮光膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記遮光膜が、フリージング処理によって形成されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記遮光膜を形成するステップ以前に、前記フリージング処理が容易なように、前記第1の開口を除いた、残りの前記第1の感光膜パターンを分割して形成することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。前記第1の開口が前記第2の開口より大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記複数の第2の開口は、第1の開口とのオーバーラップ領域を有するホールアレイを形成するために配列された複数のホールを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記複数のパターンが、前記第1の開口に該当するエッチング対象層領域のみに形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記第1の感光膜パターンと第2の感光膜パターンとが、ポジティブ型感光膜を備えることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記第1の感光膜パターンがネガティブ型感光膜パターンを備え、前記第2の感光膜パターンがポジティブ型感光膜パターンを備えることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。第1の領域と第2の領域とが画定された基板上にエッチング対象層を形成するステップと、該エッチング対象層上に前記第1の領域を選択的に露光して第1の開口を有する第1の感光膜パターンを形成するステップと、該第1の感光膜パターンの表面に遮光膜を形成するステップと、該遮光膜が形成された第1の感光膜パターン上に、前記第1の領域と第2の領域とを同時に露光して複数の第2の開口を有する第2の感光膜パターンを形成するステップと、前記第1の感光膜パターンと第2の感光膜パターンとをエッチングバリアとして、前記エッチング対象層をエッチングして複数のパターンを形成するステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記第1の感光膜パターンを形成するステップが、前記第1の開口及び第1の領域に対応する透光部が画定されたマスクを用いて露光及び現像するステップを含むことを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。前記第2の感光膜パターンを形成するステップが、前記複数の第2の開口に対応する複数の透光部が画定されたマスクを用いて露光及び現像するステップを含むことを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。前記複数の第2の開口が、前記第1の開口とのオーバーラップ領域を有するホールを形成するために配列された複数のホールを含むことを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。前記第1の領域が、複数のセルが配列をなすセルアレイを備え、前記第2の領域が、センスアンプ及びサブワードラインドライバを備えることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。前記複数のパターンが、前記第1の領域の前記エッチング対象層のみに形成されることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。前記遮光膜が、フリージング工程によって形成されることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。前記遮光膜を形成するステップ以前に、前記フリージング処理が容易なように、前記第1の開口を除いた、残りの前記第1の感光膜パターンを分割して形成することを特徴とする請求項16に記載の半導体装置の製造方法。前記第1の感光膜パターンと第2の感光膜パターンとが、ポジティブ型感光膜を備えることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。第1の領域と第2の領域とが画定された基板上にエッチング対象層を形成するステップと、該エッチング対象層上に前記第1の領域に対応する第1の開口を有するネガティブ型感光膜パターンを形成するステップと、該ネガティブ型感光膜パターン上に前記第1の領域と第2の領域とを同時に露光して、前記ネガティブ型感光膜パターン上に複数の第2の開口を有するポジティブ型感光膜パターンを形成するステップと、前記第1の領域のエッチング対象層に形成されるパターンに該当する第2の開口を形成するステップと、前記ネガティブ型感光膜パターンとポジティブ型感光膜パターンとをエッチングバリアとして、前記エッチング対象層をエッチングして複数のパターンを形成するステップと、を含み、前記第2の開口が、前記第1の領域のエッチング対象層に形成される複数のパターンに該当することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記第1の感光膜パターンを形成するステップが、前記第1の開口及び第1の領域に対応する遮光部が画定されたマスクを用いて露光及び現像するステップを含むことを特徴とする請求項19に記載の半導体装置の製造方法。前記第2の感光膜パターンを形成するステップが、前記第2の開口に対応する複数の透光部が画定されたマスクを用いて露光及び現像するステップを含むことを特徴とする請求項19に記載の半導体装置の製造方法。本発明は、上記のような従来技術の問題を解決するために提案されたものであって、その目的は、セルアレイ内部とセルアレイ端部とでパターンを均一に形成できる半導体装置の製造方法を提供することにある。そこで、上記の目的を達成するための本発明に係る半導体メモリ装置の製造方法が、エッチング対象層上に第1の開口を有する第1の感光膜パターンを形成するステップと、該第1の感光膜パターンを覆う遮光膜を形成するステップと、前記第1の感光膜パターン上に複数の第2の開口を有する第2の感光膜パターンを形成するステップと、前記第1の感光膜パターンと前記第2の感光膜パターンとをエッチングバリアとして、前記エッチング対象層をエッチングして複数のパターンを形成するステップとを含むことを特徴とする。前記遮光膜が、フリージング処理によって形成されることを特徴とする。前記第1の感光膜パターンと第2の感光膜パターンとが、ポジティブ型感光膜を備えることを特徴とする。前記複数のパターンが、前記第1の開口に該当するエッチング対象層領域のみに形成されることを特徴とする。また、上記の目的を達成するための本発明に係る半導体装置の製造方法が、第1の領域と第2の領域が画定された基板上にエッチング対象層を形成するステップと、該エッチング対象層上に前記第1の領域を選択的に露光して第1の開口を有する第1の感光膜パターンを形成するステップと、該第1の感光膜パターンの表面に遮光膜を形成するステップと、該遮光膜が形成された第1の感光膜パターン上に前記第1の領域と第2の領域とを同時に露光して複数の第2の開口を有する第2の感光膜パターンを形成するステップと、前記第1の感光膜パターンと第2の感光膜パターンとをエッチングバリアとして、前記エッチング対象層をエッチングして複数のパターンを形成するステップとを含むことを特徴とする。前記第1の感光膜パターンを形成するステップが、前記第1の開口及び第1の領域に対応する透光部が画定されたマスクを用いて露光及び現像するステップを含むことを特徴とし、前記第2の感光膜パターンを形成するステップが、前記第2の開口に対応する複数の透光部が画定されたマスクを用いて露光及び現像するステップを含むことを特徴とする。さらに、上記の目的を達成するための本発明に係る半導体装置の製造方法が、第1の領域と第2の領域とが画定された基板上にエッチング対象層を形成するステップと、該エッチング対象層上に前記第1の領域に対応する第1の開口を有するネガティブ型感光膜パターンを形成するステップと、該ネガティブ型感光膜パターン上に前記第1の領域と第2の領域を同時に露光して前記ネガティブ型感光膜パターン上に複数の第2の開口を有するポジティブ型感光膜パターンを形成するステップと、前記ネガティブ型感光膜パターンとポジティブ型感光膜パターンとをエッチングバリアとして、前記エッチング対象層をエッチングして複数のパターンを形成するステップとを含み、前記第2の開口が、前記第1の領域のエッチング対象層に形成される複数のパターンに該当することを特徴とする。前記第1の感光膜パターンを形成するステップが、前記第1の開口及び第1の領域に対応する遮光部が画定されたマスクを用いて露光及び現像するステップを含むことを特徴とし、前記第2の感光膜パターンを形成するステップが、前記第2の開口に対応する複数の透光部が画定されたマスクを用いて露光及び現像するステップを含むことを特徴とする。本発明は、遮光膜またはネガティブ型感光膜を用いてセルアレイ以外の領域を保護した状態でセルアレイとセルアレイ以外の領域とを同時に露光することにより、パターンの均一性を確保することができるという効果がある。これにより、セルアレイの端部でパターンの不良を防止して歩留まりを向上させることができるという効果がある。また、本発明は、頻繁なマスク修正maskrevisionによる費用を低減できるという効果がある。以下、本発明の属する技術分野における通常の知識を有した者が本発明の技術的思想を容易に実施できる程度に詳細に説明するために、本発明の最も好ましい実施形態を添付図面を参照して説明する。本発明は、セルアレイのみならず、センスアンプ及びサブワードラインドライバが形成される領域まで一度に露光する、すなわち、露光工程の均一性を維持する概念を利用する。本発明は、セルアレイを除いた、すなわち、センスアンプとサブワードラインドライバとが形成される領域の全体に感光膜を残す1次露光工程を行った後、本来のホールパターンを2次露光工程によって形成するものである。このとき、1次感光膜は、2次露光工程時に露光に露出しても現像されないようにし、2次露光工程時には、セルアレイのみ露光するものではなく、セルアレイと残りの領域まで一度に均一に露光する。すなわち、セルアレイと残りの領域は、2次露光工程時に、全体的に均一に露光される。従来、セルアレイの端部でパターン不良が発生する理由が、パターンの不連続性、すなわち、セルアレイ端部の近くで環境が変わることにより、露光工程均一度uniformityが劣ったことにあるが、本発明は、パターンの不連続性を外れ、全体的に露光して問題を解決する。本発明の実施形態に係るセルアレイの基本構成は、図1に示された構成を適用する。以下、セルアレイを第1の領域201、301、401と略称し、センスアンプSAとサブワードラインドライバSWDとが形成される領域を第2の領域202、302、402と略称する。また、セルアレイは、M×N個のセルが配列される。これにより、セルアレイに少なくともM×N個のパターンが形成され得る。パターンは、コンタクトホールなどのホールパターンを備える。よく知られているように、DRAMの設計時、1つのバンクbank列には複数個のセルアレイが配置され、1つのセルアレイには複数個のセルが配置される。そして、全ての製造工程は、全てのバンクで一括的に行われる。説明の便宜のため、1つのセルアレイのみを図示して説明する。図3A~図3Fは、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示した平面図であり、図4A~図4Fは、図3A~図3FのA-A ́線に沿った工程断面図である。図3A及び図4Aに示すように、基板11上にエッチング対象層12を形成する。基板11は、第1の領域201と第2の領域202とが区分されている。第1の領域201は、複数のセルが配列をなすセルアレイ領域を備え、第2の領域202は、センスアンプ及びサブワードラインドライバが形成される領域を備える。エッチング対象層12は、半導体膜、絶縁膜、及び導電膜などを備える。後続して形成されるパターンがコンタクトホールである場合、エッチング対象層12は、酸化膜などの絶縁膜を備えることができる。第1の領域201は、M×N個のセルが配列され得る。次に、1次フォトリソグラフィ工程を行う。1次フォトリソグラフィ工程は、第1の感光膜を塗布するステップと、第1のマスクを用いて第1の感光膜を露光するステップと、露光した第1の感光膜を現像するステップとを含む。まず、エッチング対象層12上に第1の感光膜13を形成する。第1の感光膜13は、ポジティブ型感光膜positivetypephotoresistを備える。ポジティブ型感光膜は、露光工程の光に露出した部分が現像によって除去される感光膜である。次に、第1の領域201を選択的に露光するように設計された第1のマスクM1を用意する。第1のマスクM1は、第1の領域201を開口させる複数個の第1の透光部P1が画定されている。第1の透光部P1は、四角形状などの多様な形態を含む。よく知られているように、マスクは、クロム領域と非クロム領域例えば、石英を備え、クロム領域は、光を遮断する非透光領域であり、非クロム領域は、光が透過される透光領域である。マスクは、フォトマスクまたはレチクルとも称する。第1のマスクM1の第1の透光部P1は、非クロム領域204とクロム領域203とによってその大きさが画定される。第1の透光部P1は、後続の露光工程時、光が透過される領域である。第1の透光部P1は、第1の領域201と同じ配列を有する。このような第1のマスクM1を用いて第1の感光膜13を露光する1次露光工程を行う。図3B及び図4Bに示すように、1次露光工程が行われた第1の感光膜13を現像する。これにより、1次露光工程時、光に露出した部分が除去されて複数の第1の開口firstopening、P11を有する第1の感光膜パターン13Aが形成される。第1の開口P11によって第1の領域201が開口する。第1の開口P11は、第1の透光部P1に対応する形態であって、複数個が形成される。第1の開口P11は、後述する第2の開口P21よりさらに大きい開口である。図3C及び図4Cに示すように、後続の2次露光時、第1の感光膜パターン13Aが露光されないようにする、すなわち、2次露光が遮断されるようにする遮光膜14を形成する。一例として、遮光膜14を形成するためにフリージングfreezingを実施することができる。フリージングfreezingとは、感光膜が露光によって光に露出しても現像されないようにする方法である。フリージングの方法としては、フリージング剤freezingagentを感光膜の表面にコーティングした後、ベーキングbakingする方法などを利用することができる。フリージングを利用する場合、フリージングが容易なように、第1の感光膜パターン13Aは、複数個のパターンを分割して形成することができる。例えば、第1の開口P11を除いた、残りの部分を微細幅のパターンに分割し、この分割された部分を含む全ての表面にフリージングを実施する。このように行えば、第1の開口P11を除いた、残りの表面がフリージングされる。遮光膜14が形成された第1の感光膜パターン13Aは、依然として第1の領域201を開口させる複数の第1の開口P11を有する。遮光膜14によって線幅が変化することはあるが、その線幅の変化は無視しても関係ない。次に、2次フォトリソグラフィ工程を行う。2次フォトリソグラフィ工程は、第2の感光膜を塗布するステップと、第2のレチクルを用いて第2の感光膜を露光するステップと、露光した第2の感光膜を現像するステップとを含む。図3D及び図4Dに示すように、遮光膜14が形成された第1の感光膜パターン13A上に第2の感光膜15を塗布する。第2の感光膜15は、ポジティブ型感光膜を備える。ポジティブ型感光膜は、露光工程の光に露出した部分が現像によって除去される感光膜である。次いで、第1の領域201と第2の領域202とを同時に露光するように設計された第2のマスクM2を用意する。第2のマスクM2は、第1の領域201と第2の領域202とにおいて全て露光されるように設計される。また、第2のマスクM2は、第1の領域201の内部と第1の領域201の端部とを同時に露光するように設計される。第2のマスクM2は、そこに複数の第2の透光部P2を画定する。第2の透光部P2は、第1の透光部P1より小さく、第2の透光部P2は、複数のホールが配列されたホールアレイholearrayを構成する。第2の透光部P2は、ラインアンドスペースlineandspaceを含むこともできる。第2のマスクM2の第2の透光部P2は、非クロム領域206とクロム領域205とによってその大きさが画定される。第2の透光部P2は、後続の露光工程時、光が透過される領域である。以下、第2のマスクM2は、ホールアレイが画定されたものと仮定する。このような第2のマスクM2を用いて第2の感光膜15を露光する2次露光工程を行う。2次露光工程時、第1の感光膜パターン13Aは、遮光膜14によって光に露出しない。図3E及び図4Eに示すように、2次露光工程が行われた第2の感光膜15を現像する。これにより、2次露光工程時、光に露出した部分が除去されて複数の第2の開口secondopening、P21を有する第2の感光膜パターン15Aが形成される。第2の感光膜パターン15Aに形成される第2の開口P21は、第2のマスクM2の第2の透光部P2が転写されたものである。第2の開口P21のうちの一部は、第1の領域201のエッチング対象層12の表面を露出させる。第1の領域201を除いた、残りの第2の領域202では、第2の開口P21によって遮光膜14が露出する。したがって、第2の開口P21は、複数のホールが配列されたホールアレイを構成する。第2の開口P21は、全て均一な大きさを有し、また、第1の領域201と、第1の領域201の端部とでも均一な大きさを有する。下部に位置した第1の感光膜パターン13Aは、遮光膜14によって保護されるため、第2の感光膜パターン15Aを形成するための露光及び現像過程で露光及び現像されない。これにより、第1の感光膜パターン13Aには、第2の開口P21が形成されず、第2の領域202では、後続のエッチング処理が行われない。すなわち、第2の開口P21を形成するための露光工程が第1の領域201と第2の領域202とで全て行われたとしても、遮光膜14によって保護される第1の感光膜パターン13Aには第2の開口P21が形成されないため、第2の領域202ではエッチングが行われない。つまり、第2の開口P21は、第1の領域201のエッチング対象層12のみ露出させ、第2の領域202のエッチング対象層12は露出させない。上述したように、第2の感光膜パターン15Aを形成するために、第1の領域201と第2の領域202とで同時に露光するように設計された第2のマスクM2を用い、これにより、第1の領域201のみ露光するものではなく、第1の領域201及び第2の領域202を同時に露光する。つまり、第2の開口P21を形成するための光が全体的に照射されてパターンの均一性が確保される。このようなパターンの均一性は、第1の領域201の内部及び第1の領域202の端部でも確保される。図3F及び図4Fに示すように、第2の感光膜パターン15A及び第1の感光膜パターン13Aをエッチングバリアとして、エッチング対象層12をエッチングして複数のパターン16を形成する。パターン16は、ホールを備える。パターン16は、プラグコンタクトホール、ビットラインコンタクトホール、ストレージノードコンタクトホール、またはストレージノードパターンのうち、いずれか1つを備える。パターン16は、第1の領域201のみに形成される。パターン16形成後、エッチング対象層は図面符号12Aとなる。第2の開口が形成されていない第1の感光膜パターン13Aが第2の領域202を覆っているため、第2の感光膜パターン15Aと第1の感光膜パターン13Aとを用いたエッチング処理時、第2の領域202のエッチング対象層12ではエッチングが行われない。したがって、パターン16は、第1の領域201のみに形成され、第2の領域202では形成されない。さらに、遮光膜14及び第1の感光膜パターン13Aを用いることにより、第1の領域201の内部と第1の領域201の端部とでパターン16が均一な大きさを有して形成される。第1の領域201の端部でパターン16の歪みが発生しない。図4Gは、第1の実施形態に係るパターンが形成された最終結果物を示した断面図であって、第2の感光膜パターン15A、遮光膜14、及び第1の感光膜パターン13Aを除去する。これにより、基板11上のエッチング対象層12Aに複数のパターン16が形成される。図5A~図5Fは、本発明の第1の実施形態を利用した半導体装置のストレージノードパターン形成方法を示した図である。図5Aに示すように、半導体基板21上に層間絶縁膜22を形成する。層間絶縁膜22は、酸化膜を備える。半導体基板21は、第1の領域301と第2の領域302とが区分されている。第1の領域301は、複数のセルが形成されるセルアレイブロックであり、第2の領域302は、センスアンプ及びサブワードラインドライバが形成される領域である。図示していないが、第1の領域301には、ソース及びドレインを備えるトランジスタが形成され、かつ、ビットラインが形成されている。続いて、ストレージノードコンタクトマスク及びエッチングによって層間絶縁膜22をエッチングし、ストレージノードコンタクトホール図示せずを形成する。その後、ストレージノードコンタクトホールに埋め込まれて半導体基板21と接続されるストレージノードコンタクトプラグ23を形成する。ストレージノードコンタクトプラグ23は、ポリシリコン膜などの導電膜を備える。ストレージノードコンタクトプラグ23は、第1の領域301のみに形成され、図示されていないビットライン間を貫通する形態でありうる。次いで、ストレージノードコンタクトプラグ23を含む全面にエッチング停止膜24を形成する。エッチング停止膜24は窒化膜を備える。続いて、エッチング停止膜24上に絶縁膜25を形成する。絶縁膜25は、酸化膜を備える。絶縁膜25は、キャパシタの高さを考慮して、その厚さが決定される。例えば、25000Å程度の厚さを有する。次いで、絶縁膜25上にハードマスク膜26を形成した後、ハードマスク膜26上に第1の感光膜パターン27を形成する。第1の感光膜パターン27は、第1の開口P11を有するが、第1の開口P11は第1の領域301を開口させ、第2の領域302は覆う形態である。第1の感光膜27パターンの下にはハードマスク膜26が形成されうることもあり、フォトリソグラフィ工程を容易に行うために、反射防止膜がさらに形成されうることもある。第1の感光膜パターン27を形成するために、図3A及び図4Aに示された第1のマスクM1を適用した1次フォトリソグラフィ工程を適用することができる。このとき、第1の感光膜パターン27は、ポジティブ感光膜を備える。また、後述する図6A及び図7Aに示された第1のマスクM10を適用した1次フォトリソグラフィ工程を適用することもできる。このとき、第1の感光膜パターン27はネガティブ感光膜を備える。図5Bに示すように、第1の感光膜パターン27の表面に遮光膜28を形成する。一例として、遮光膜28を形成するために、フリージングを実施することができる。フリージングとは、感光膜が露光によって光に露出しても現像されないようにする方法である。フリージングの方法としては、フリージング剤を感光膜の表面にコーティングした後、ベーキングする方法などを利用することができる。フリージングを利用する場合、フリージングが容易なように第1の感光膜パターン27は、複数個のパターンを分割して形成することができる。例えば、第1の開口P11を除いた、残りの部分を微細幅のパターンに分割し、この分割された部分を含む全ての表面にフリージングを実施する。このように行えば、第1の開口P11を除いた、残りの表面がフリージングされる。図5Cに示すように、遮光膜28が形成された第1の感光膜パターン27上に複数の第2の開口P21を有する第2の感光膜パターン29を形成する。第2の感光膜パターン29を形成するために、図3C及び図4Cに示された第2のマスクM2を用いた2次フォトリソグラフィ工程を適用することができる。一方、第1の感光膜パターン27がネガティブ感光膜である場合には、遮光膜28を形成せずに、後述する図6C及び図7Cに示された第1のマスクM20を適用した2次フォトリソグラフィ工程を適用することもできる。図5Dに示すように、第2の感光膜パターン29と第1の感光膜パターン27とをエッチングバリアとして、ハードマスク膜26をエッチングしてハードマスク膜パターン26Aを形成する。ハードマスク膜パターン26Aは、第2の開口P21が転写される。図5Eに示すように、第1の感光膜パターン27、遮光膜28、及び第2の感光膜パターン29はストリップstripされる。次いで、ハードマスク膜パターン26Aをエッチングバリアとして、絶縁膜25とエッチング停止膜24とを順次エッチングしてストレージノードパターン30を形成する。ストレージノードパターン30は、ホールパターンであり、通常、ストレージノードパターン30は、3次元構造のシリンダー型またはコンケイブ型の下部電極を形成するためのパターンである。ストレージノードパターン30は、第1の領域301のみに形成される。ストレージノードパターン30は、エッチング停止膜24Aと絶縁膜パターン25Aとの積層構造物内に形成されたホールアレイとなる。第1の領域301の内部に形成されるストレージノードパターン30と第1の領域301の端部で形成されるストレージノードパターン30との大きさが均一である。図5Fに示すように、ストレージノードパターン30の内部にシリンダー形態のストレージノード30Aを形成する。図6A~図6Eは、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示した平面図であり、図7A~図7Eは、図6A~図6EのA-A ́線に沿った工程断面図である。図6A及び図7Aに示すように、基板31上にエッチング対象層32を形成する。基板31は、第1の領域401と第2の領域402とが区分されている。第1の領域401は、複数のセルが配列をなすセルアレイ領域を備え、第2の領域402は、センスアンプ及びサブワードラインドライバが形成される領域を備える。エッチング対象層32は、半導体膜、絶縁膜、及び導電膜などを備える。後続して形成されるパターンがコンタクトホールである場合、エッチング対象層32は、酸化膜などの絶縁膜を備えることができる。第1の領域401は、M×N個のセルが配列され得る。次に、1次フォトリソグラフィ工程を行う。1次フォトリソグラフィ工程は、第1の感光膜を塗布するステップと、第1のマスクを用いて第1の感光膜を露光するステップと、露光した第1の感光膜を現像するステップとを含む。まず、エッチング対象層32上に第1の感光膜33を形成する。第1の感光膜33は、ネガティブ型感光膜negativetypephotoresistを備える。ネガティブ型感光膜は、露光工程の光に露出した部分が現像されず、光に露出していない部分が現像によって除去される感光膜である。次に、第1の領域401を選択的に露光するように設計された第1のマスクM10を用意する。第1のマスクM10は、第1の領域401に対応する複数個の遮光部P10が画定されている。遮光部P10は、四角形状などの多様な形態を含む。よく知られているように、マスクは、クロム領域と非クロム領域とを備え、クロム領域は、光を遮断する非透光領域であり、非クロム領域は、光が透過される透光領域である。マスクは、フォトマスクまたはレチクルとも称する。遮光部P10は、クロム領域である非透光領域であり、遮光部P10を除いた残りは、非クロム領域である透光領域である。遮光部P10は、後続の露光工程時、光が透過されない領域である。遮光部P10は、第1の領域401と同じ配列を有する。このような第1のマスクM10を用いて第1の感光膜33を露光する1次露光工程を行う。図6B及び図7Bに示すように、1次露光工程が行われた第1の感光膜33を現像する。これにより、1次露光工程時、光に露出していない部分が除去されて複数の第1の開口firstopening、P100を有する第1の感光膜パターン33Aが形成される。第1の開口P100によって第1の領域401が開口する。第1の開口P100は、第1の実施形態の第1の開口P11と同じ配列を有する形態であって、複数個が形成される。第1の開口P100は、後述する第2の開口P200よりさらに大きい開口である。後続して2次フォトリソグラフィ工程を行う。2次フォトリソグラフィ工程は、第2の感光膜を塗布するステップと、第2のレチクルを用いて第2の感光膜を露光するステップと、露光した第2の感光膜を現像するステップとを含む。図6C及び図7Cに示すように、第1の感光膜パターン33A上に第2の感光膜34を塗布する。第2の感光膜34は、ポジティブ型感光膜を備える。ポジティブ型感光膜は、露光工程の光に露出した部分が現像によって除去される感光膜である。このように、第2の実施形態は、1次フォトリソグラフィ工程ではネガティブ型感光膜を用い、2次フォトリソグラフィ工程ではポジティブ型感光膜を用いる。次いで、第1の領域401と第2の領域402とを同時に露光するように設計された第2のマスクM20を用意する。第2のマスクM20は、第1の領域401と第2の領域402とで全て露光されるように設計される。また、第2のマスクM20は、第1の領域401の内部と第1の領域401の端部とを同時に露光するように設計される。第2のマスクM20は、複数の透光部P20が画定される。透光部P20は、複数のホールが配列されるホールアレイを構成する。透光部P20は、ラインアンドスペースを含むこともできる。第2のマスクM20の透光部P20は、非クロム領域図面符号省略とクロム領域図面符号省略とによって、その大きさが画定される。透光部P20は、後続の露光工程時、光が透過される領域である。以下、第2のマスクM20は、ホールアレイが画定されたものと仮定する。このような第2のマスクM20を用いて第2の感光膜34を露光する2次露光工程を行う。2次露光工程時、第1の感光膜パターン33Aは、ネガティブ型感光膜であるため、2次露光工程時、光に露出しても現像されない。図6D及び図7Dに示すように、2次露光工程が行われた第2の感光膜34を現像する。これにより、2次露光工程時、光に露出した部分が除去されて複数の第2の開口secondopening、P200を有する第2の感光膜パターン34Aが形成される。第2の感光膜パターン34Aに形成される第2の開口P200は、第2のマスクM20の透光部P20が転写されたものである。第2の開口P200のうちの一部は、第1の領域401のエッチング対象層32の表面を露出させる。第1の領域401を除いた、残りの第2の領域402では、第2の開口P200によって第1の感光膜パターン33が露出する。したがって、第2の開口P200は、ホール形態holetypeである。第2の開口P200は、全て均一な大きさを有し、また、第1の領域401と、第1の領域401の端部とでも均一な大きさを有する。下部に位置した第1の感光膜パターン33Aは、ネガティブ型感光膜であるため、第2の感光膜パターン34Aを形成するための露光及び現像過程で露光及び現像されない。これにより、第1の感光膜パターン33Aには第2の開口P200が形成されず、第2の領域402では、後続のエッチング処理が行われない。すなわち、第2の開口P200を形成するための露光工程が第1の領域401と第2の領域402とで全て行われたとしても、ネガティブ型感光膜を用いた第1の感光膜パターン33Aには第2の開口P200が形成されないため、第2の領域402ではエッチングが行われない。上述したように、第2の感光膜パターン34Aを形成するために、第1の領域401と第2の領域402とで同時に露光するように設計された第2のマスクM20を用い、これにより、第1の領域401のみ露光するものではなく、第1の領域401及び第2の領域402を同時に露光する。つまり、第2の開口P200を形成するための光が全体的に照射されてパターンの均一性が確保される。このようなパターンの均一性は、第1の領域401の内部及び第1の領域402の端部でも確保される。図6E及び図7Eに示すように、第2の感光膜パターン34A及び第1の感光膜パターン33Aをエッチングバリアとして、エッチング対象層32をエッチングして複数のパターン35を形成する。パターン35は、ホールを備える。パターン35は、プラグコンタクトホール、ビットラインコンタクトホール、ストレージノードコンタクトホール、またはストレージノードパターンのうち、いずれか1つを備える。パターン35は、第1の領域401のみに形成される。パターン35形成後、エッチング対象層は図面符号32Aとなる。第2の開口が形成されていない第1の感光膜パターン33Aが第2の領域402を覆っているため、第2の感光膜パターン34Aと第1の感光膜パターン33Aとを用いたエッチング処理時、第2の領域402のエッチング対象層32ではエッチングが行われない。したがって、パターン35は、第1の領域401のみに形成され、第2の領域402では形成されない。さらに、ネガティブ型感光膜を用いた第1の感光膜パターン33Aを用いることにより、第1の領域401の内部と第1の領域401の端部とでパターン35が均一な大きさを有して形成される。第1の領域401の端部でパターン35の歪みが発生しない。図7Fは、第2の実施形態に係るパターンが形成された最終結果物を示した断面図であって、第2の感光膜パターン34A及び第1の感光膜パターン33Aを除去する。これにより、基板31上のエッチング対象層32Aに複数のパターン35が形成される。上述した本発明は、DRAMはもちろん、フラッシュメモリにおいて、セルアレイ内のセルパターンを形成する方法に適用可能である。また、DRAMまたはフラッシュメモリにおいて、ワードライン、ビットラインなどのライン型パターンを形成する方法にも適用が可能である。本発明の技術思想は上記の好ましい実施形態によって具体的に記録されたが、上記した実施形態は、その説明のためのものであり、その制限のためのものでないことに注意すべきである。また、本発明の技術分野の通常の専門家であれば、本発明の技術思想の範囲内で様々な実施形態が可能であることが理解できるであろう。