基板上のインプリント材を型により成形して該基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記基板上のショット領域に対して設けられたマークを検出するオフアクシス検出系を含み、該マークの位置を計測する計測部と、前記インプリント処理を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記計測部による前記マークの位置の計測と、該計測の結果に基づく前記型と前記基板との間の相対位置の調整とが、前記基板上の複数のショット領域それぞれに関して行われるように、前記インプリント処理を制御する、ことを特徴とするインプリント装置。前記ショット領域に前記インプリント材を供給する供給部を有し、前記制御部は、前記複数のショット領域のうち第1ショット領域に前記インプリント処理が行われてから、前記第1ショット領域に続いて前記インプリント処理が行われる第2ショット領域に前記供給部による前記インプリント材の供給が行われるまでの間に、前記オフアクシス検出系による前記マークの検出が行われるように、前記インプリント処理を制御する、ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。前記ショット領域に前記インプリント材を供給する供給部と、前記基板を保持して移動するステージと、を有し、前記制御部は、前記オフアクシス検出系によりショット領域に形成されたマークの検出が行われてから、当該ショット領域に対する前記供給部による前記インプリント材の供給を介して、前記インプリント処理が行われるインプリント処理位置に当該ショット領域が位置するまでの間、前記ステージが移動を継続するように、前記インプリント処理を制御する、ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。前記制御部は、前記インプリント処理が行われるショット領域が前記オフアクシス検出系による前記マークの検出が行われる検出位置から前記供給部による前記インプリント材の供給が行われる供給位置に達するまでの間は前記ステージが加速され、当該ショット領域が前記供給位置を通過するまでの間は前記ステージが等速となり、当該ショット領域が前記供給位置を通過した後、前記インプリント処理位置に達するまでの間は前記ステージが減速されるように、前記インプリント処理を制御する、ことを特徴とする請求項3に記載のインプリント装置。前記型を保持する型保持部と、前記基板を保持して移動するステージと、前記ショット領域に前記インプリント材を供給する供給部と、を有し、前記オフアクシス検出系により前記ショット領域に対するマークの検出が行われる前記ステージの位置としての第1位置、前記供給部により前記ショット領域に対する前記インプリント材の供給が行われる前記ステージの位置としての第2位置、及び、前記ショット領域に対する前記インプリント処理が行われる前記ステージの位置としての第3位置が、前記第1位置、前記第2位置、前記第3位置の順に直線上に位置するように、前記型保持部、前記供給部、及び、前記オフアクシス検出系が配置されている、ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。前記複数のショット領域のレイアウト、前記ショット領域に対する前記マークの配置、前記供給部による前記インプリント材の供給速度、及び、前記ステージの加速度に基づいて、前記オフアクシス検出系を位置決めする駆動部を有する、ことを特徴とする請求項5に記載のインプリント装置。前記供給部により前記ショット領域に対する前記インプリント材の供給が行われる前記ステージの速度まで前記ステージの加速を開始させる前記ステージの位置において前記ショット領域に対する前記マークの検出ができるように、前記駆動部は前記オフアクシス検出系を位置決めする、ことを特徴とする請求項6に記載のインプリント装置。請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載のインプリント装置を用いて基板上にパターンを形成するステップと、前記ステップで前記パターンを形成された前記基板を加工するステップと、を有する、ことを特徴とする物品の製造方法。しかしながら、特許文献1の技術では、モールドに形成されたマークに樹脂が充填されていないため、かかるマークに対応する基板の領域マーク領域が剥き出しになってしまう即ち、樹脂の薄膜が形成されなくなってしまう。従って、パターン転写後のプロセス例えば、エッチングなどにおいて、基板に対して均一な処理を施すことが難しくなり、基板の上の実素子パターン領域とマーク領域とでエッチング状態に差が生じてしまう。また、遮光効果を有する材料でマークを形成した場合には、インプリント動作やモールドの洗浄の際に遮光効果を有する材料が剥離してしまうことが懸念される。一方、グローバルアライメント方式をインプリント装置に適用した場合には、以下の課題を招いてしまう。グローバルアライメント方式では、基板の上の樹脂にモールドを接触させる際にはショット領域に形成されたマークを検出せず、上述のようにして決定された位置に基づいてアライメントが行われる。但し、インプリント装置では、インプリント処理中に加わる力に起因して基板に位置ずれ及び変形が生じることがある。従って、インプリント装置にグローバルアライメント方式を適用してアライメントを行ったとしても、基板とモールドとを正しくアライメントすることができないことがある。本発明は、インプリント装置における型と基板とのアライメントの点で有利な技術を提供することを例示的目的とする。上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板上のインプリント材を型により成形して該基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記基板上のショット領域に対して設けられたマークを検出するオフアクシス検出系を含み、該マークの位置を計測する計測部と、前記インプリント処理を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記計測部による前記マークの位置の計測と、該計測の結果に基づく前記型と前記基板との間の相対位置の調整とが、前記基板上の複数のショット領域それぞれに関して行われるように、前記インプリント処理を制御する、ことを特徴とする。本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。本発明によれば、例えば、インプリント装置における型と基板とのアライメントの点で有利な技術を提供することができる。以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。図1は、本発明の一側面としてのインプリント装置100の構成を示す概略図である。インプリント装置100は、基板上のインプリント材を型により成形して基板上にパターンを形成するインプリント処理を行う。インプリント処理は、具体的には、基板の上の複数のショット領域のそれぞれに供給されるインプリント材と型とを接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材から型を剥離することで型のパターンを転写する処理である。図1を参照するに、基板ウエハ1は、チャック2を介して、基板ステージ3に保持される。基板ステージ3は、微動ステージ4及びXYステージ5で構成され、基板1を保持して移動する。微動ステージ4は、基板1のZ軸回りの回転を補正する機能、基板1のZ軸方向の位置を補正する機能及び基板1の傾きを補正する機能を有する。微動ステージ4は、基板1をX軸方向及びY軸方向の所定の位置に位置決めするためのXYステージ5に配置される。XYステージ5は、ベース定盤6に載置される。支柱7は、ベース定盤6の上に屹立し、天板8を支持する。また、インプリント装置100は、微動ステージ4のX軸方向及びY軸方向の位置を計測する位置センサ例えば、レーザ干渉計や平面エンコーダを有する。モールド9は、図2に示すように、基板1に転写すべきパターン凹凸パターンPTを表面に有し、モールドチャック10に固定される型である。モールドチャック10は、モールドステージ11に載置される。モールドステージ11は、モールド9モールドチャック10のZ軸回りの回転を補正する機能及びモールド9の傾きを補正する機能を有する。モールドチャック10及びモールドステージ11は、モールド9を保持する型保持部として機能する。モールドチャック10及びモールドステージ11のそれぞれは、光源不図示からコリメータレンズ12を介して照射される紫外光を通過させる開口不図示を有する。モールドチャック10又はモールドステージ11には、モールド9の押し付け力押印圧を検出するためのロードセルが配置される。また、モールドステージ11には、基板ステージ3に保持された基板1の高さ平坦度を計測するためのギャップセンサ13が配置される。モールド昇降用アクチュエータ14は、エアシリンダ又はリニアモータで構成され、モールドステージ11をZ軸方向に駆動して、モールドチャック10に保持されたモールド9を基板1に押し付けたり、基板1から引き離したりする。モールドアライメント用のTTMスルーザモールドアライメント検出系15は、モールドステージ11に配置される。TTMアライメント検出系15は、モールド9に形成されたアライメントマークM1及びM2、微動ステージ4に配置された基準マークRM、基板1に形成されたアライメントマークM3などを検出するための光学系及び撮像系を有する。TTMアライメント検出系15は、基板ステージ3に保持された基板1とモールド9とのX軸方向及びY軸方向の位置ずれを検出する。供給部16は、インプリント材としての樹脂本実施形態では、光硬化型の樹脂を滴下するノズルを含むディスペンサヘッドで構成され、基板1の上のショット領域のそれぞれに樹脂を供給塗布する機能を有する。供給部16は、例えば、ピエゾジェット方式やマイクロソレノイド方式などを採用し、基板1の上に微小な容積1pLピコリットル程度の樹脂を供給する。供給部16から樹脂を供給しながら基板ステージ3を移動スキャン移動やステップ移動させることで、基板1の上に樹脂を塗布することが可能となる。オフアクシス検出系17は、天板8に支持され、モールド9を介さずに、微動ステージ4に配置された基準マークRMや基板1に形成されたアライメントマークM3などを検出するための光学系及び撮像系を有する。オフアクシス検出系17は、基板1に形成されたアライメントマークM3のXY平面における位置を検出する。換言すれば、オフアクシス検出系17は、アライメントマークM3の位置を計測する計測部の一部を構成する。TTMアライメント検出系15によってモールド9と基板ステージ3との位置関係を求め、オフアクシス検出系17によって基板ステージ3と基板1との位置関係を求めることでモールド9と基板1との相対的な位置合わせを行うことができる。駆動部18は、オフアクシス検出系17を駆動する。駆動部18は、基板1の上の複数のショット領域のレイアウト、ショット領域に対するアライメントマークM3の位置、供給部16による樹脂の供給速度塗布速度及び基板ステージ3の加速度に基づいて、オフアクシス検出系17を位置決めする。換言すれば、インプリント装置100において、オフアクシス検出系17は、駆動部18によって、その位置を変更することができるように構成される。制御部19は、CPUやメモリなどを含み、インプリント装置100の全体動作を制御する。制御部19は、複数のショット領域のそれぞれで、オフアクシス検出系17によるマークM3の検出を行い、かかる検出結果に基づいて基板1とモールド9との相対的な位置関係を調整してインプリント処理が行われるように、インプリント処理を制御する。図3を参照して、インプリント装置100の動作について説明する。本実施形態では、モールド9を変更することなく、複数の基板1のそれぞれに、あるレイヤのパターンを転写する場合を例に説明する。S302では、モールド搬送機構不図示を介して、インプリント装置100にモールド9を搬入し、かかるモールド9をモールドステージ11モールドチャック10に保持させる。S304では、モールドステージ11に保持されたモールド9のアライメントを行う。具体的には、モールド9に形成されたアライメントマークM1及びM2と微動ステージ4に配置された基準マークRMとを同時にTTMアライメント検出系15で検出し、アライメントマークM1及びM2と基準マークRMとの間の位置ずれを検出する。そして、TTMアライメント検出系15の検出結果に基づいて、主に、モールド9のZ軸回りの回転をモールドステージ11で調整する。S306では、微動ステージ4に配置された基準マークRMをオフアクシス検出系17で検出し、オフアクシス検出系17の光軸とモールド9の中心との間の距離であるベースラインを計測する。S308では、基板搬送機構不図示を介して、インプリント装置100に基板1を搬入し、かかる基板1を基板ステージ3チャック2に保持させる。S310では、基板ステージ3に保持された基板1の高さ平坦度をギャップセンサ13で計測する。ギャップセンサ13の計測結果は、基板1の上の樹脂とモールド9とを接触させる際に即ち、モールド9を押し付ける際に、基板1の上のショット領域の表面をインプリント装置100の基準面不図示に合わせるために必要となる。S312では、基板ステージ3に保持された基板1のプリアライメントを行う。具体的には、基板1に予め転写された複数のプリアライメントマーク不図示をプリアライメント検出系で検出する。なお、かかるプリアライメント系には、オフアクシス検出系17を兼用することができる。そして、プリアライメント検出系の検出結果からモールド9に対する複数のプリアライメントマークのX軸方向及びY軸方向の位置ずれを求め、かかる位置ずれに基づいて、基板1のZ軸回りの回転を基板ステージ3微動ステージ4で調整する。S314では、基板1の上の複数のショット領域のそれぞれに対して、モールド9のパターンを転写する。なお、モールド9のパターンを転写する処理S314、即ち、インプリント処理については後で詳細に説明する。S316では、基板搬送機構を介して、インプリント装置100から、全てのショット領域にモールド9のパターンが転写された基板1を搬出する。S318では、モールド9のパターンを転写すべき基板1があるかどうかを判定する。モールド9のパターンを転写すべき基板1がない場合には、S320に移行する。また、モールド9のパターンを転写すべき基板1がある場合には、S306に移行して、ベースラインを計測する。但し、ベースラインの計測は、基板の交換ごとに行う必要は必ずしもなく、予め定めておいた条件を満たさない場合は、S308に移行してもよい。S320では、モールド搬送機構を介して、インプリント装置100から、モールド9を搬出し、動作を終了する。図4を参照して、モールド9のパターンを転写するインプリント処理S314を詳細に説明する。S402では、供給部16が樹脂を基板1に供給塗布する際に必要となる基板ステージ3の移動を開始する位置樹脂供給移動開始位置に基板1の上の対象ショット領域が位置するように、基板ステージ3を移動させる。ここで、基板1の上の対象ショット領域とは、これからモールド9のパターンを転写するショット領域である。なお、直線状に配置されたノズルを含むディスペンサヘッドで供給部16が構成されている場合、基板1の上の対象ショット領域に樹脂を塗布するためには、樹脂を供給しながら対象ショット領域の寸法に応じて基板ステージ3を移動させる必要がある。但し、基板1の上のショット領域をカバーするようにマトリクス状に配置されたノズルを含むディスペンサヘッドで供給部16が構成されている場合、基板ステージ3を移動させることなく、基板1の上の対象ショット領域に樹脂を塗布することができる。S404では、基板ステージ3に保持された基板1のアライメントを行う。本実施形態では、樹脂供給移動開始位置に基板1の上の対象ショット領域を位置させた際に、対象ショット領域がオフアクシス検出系17の検出視野内に位置するように、供給部16及びオフアクシス検出系17が配置されている。このような配置は、駆動部18でオフアクシス検出系17を駆動することで実現することができる。従って、S402における基板ステージ3の移動によって、基板ステージ3は、オフアクシス検出系17の検出視野内に位置することになり、基板1に形成されたアライメントマークM3をオフアクシス検出系17で検出する。そして、オフアクシス検出系17の検出結果からモールド9に対するアライメントマークM3のX軸方向及びY軸方向の位置ずれを求め、かかる位置ずれに基づいて、基板1のZ軸回りの回転を基板ステージ3微動ステージ4で調整する。これにより、モールド9と基板1との相対的な位置関係が調整される。S406では、供給部16によって基板1の上の対象ショット領域に樹脂を供給塗布する。具体的には、供給部16から樹脂を供給しながら基板ステージ3を樹脂供給移動開始位置から移動スキャン移動させることで対象ショット領域に樹脂を塗布する。S408では、モールド9のパターンPTと対向する位置即ち、対象ショット領域の上の樹脂とモールド9とを接触させる位置、以下、インプリント処理位置と称するに基板1の上の対象ショット領域が位置するように、基板ステージ3を移動させる。この際、基板ステージ3の移動目標位置即ち、対象ショット領域をインプリント処理位置に位置させるために必要な基板ステージ3の移動量は、S404におけるオフアクシス検出系17の検出結果に基づいて決定されている。また、S408では、ギャップセンサ13の計測結果に基づいて、基板1の上の対象ショット領域の表面がインプリント装置100の基準面に合うように、基板ステージ3微動ステージ4で基板1のZ軸方向の位置及びX-Y平面に対する傾きを調整する。S410では、基板1の上の対象ショット領域にモールド9を押し付ける即ち、対象ショット領域の上の樹脂とモールド9とを接触させるために、モールド昇降用アクチュエータ14によってモールド9を所定位置まで下降させる。S412では、モールドチャック10に配置されたロードセルの検出結果に基づいて、基板1の上の対象ショット領域に対するモールド9の押し付け力が所定の範囲内であるかどうかを判定する。モールド9の押し付け力が所定の範囲内でない場合には、S414に移行する。また、モールド9の押し付け力が所定の範囲内である場合には、S416に移行する。なお、本実施形態では、ロードセルでモールド9の押し付け力を検出調整しているが、モールド9と基板1とのギャップ距離を検出調整してもよい。S414では、例えば、モールド昇降用アクチュエータ14によってモールド9のZ軸方向の位置を変更する、或いは、基板ステージ3微動ステージ4によって基板1のZ軸方向の位置を変更することで、モールド9の押し付け力を調整する。このように、モールド9の押し付け力が所定の範囲内になるまで、S412及びS414が繰り返される。S416では、基板1の上の対象ショット領域の上の樹脂を硬化させるために、対象ショット領域上の樹脂とモールド9とを接触させた状態において、対象ショット領域の上の樹脂に対して光源から紫外光を照射する。S418では、基板1の上の対象ショット領域の上の硬化した樹脂からモールド9を引き離す剥離するために、モールド昇降用アクチュエータ14によってモールド9を上昇させる。これにより、基板1の上の対象ショット領域にモールド9のパターンが転写される。S420では、基板1の上の全てのショット領域にモールド9のパターンを転写したかどうかを判定する。全てのショット領域にモールド9のパターンを転写していない場合には、S402に移行し、樹脂供給移動開始位置に次の対象ショット領域が位置するように、基板ステージ3を移動させる。また、全てのショット領域にモールド9のパターンを転写している場合には、S422に移行し、全てのショット領域にモールド9のパターンが転写された基板1を搬出するための搬出位置に基板ステージ3を移動させる。このように、本実施形態では、複数のショット領域のそれぞれで、オフアクシス検出系17によるアライメントマークM3の検出を行い、かかる検出結果に基づいて基板1とモールド9との相対的な位置関係を調整しながらインプリント処理が行われる。従って、インプリント処理中に加わる力に起因して基板1に位置ずれ及び変形が生じた場合にも、ショット領域ごとに、アライメントマークM3の位置位置ずれ及び変形を含む位置を高精度に検出することができる。換言すれば、インプリント装置100では、ショット領域ごとに、基板1とモールド9とを正しくアライメントすることができる。また、複数のショット領域のうち第1ショット領域にパターンが転写されてから第1ショット領域に続いてパターンが転写される第2ショット領域に樹脂の供給が行われるまでの間に即ち、樹脂が供給される前に、アライメントマークM3の検出が行われる。従って、基板1に形成されたアライメントマークM3を十分なコントラストで検出することができるため、モールド9と基板1とのアライメントを高精度に行うことができる。なお、スループットの観点から、S404からS408の間では、基板ステージ3は移動を継続するとよい。換言すれば、対象ショット領域のアライメントマークAM3の検出が行われてから、対象ショット領域に樹脂の供給が行われ、対象ショット領域がインプリント処理位置に位置するまでの間において、基板ステージ3が停止せずに連続して移動するとよい。S404からS408の間において、基板ステージ3を停止させずに連続して移動させるためには、例えば、図5a乃至図5cに示すように、モールド9、供給部16及びオフアクシス検出系17を配置する。図5a乃至図5cでは、以下の条件1乃至3を満たすように、モールド9、供給部16及びオフアクシス検出系17が配置されている。条件1:対象ショット領域がオフアクシス検出系17によるアライメントマークAM3の検出が行われる検出位置第2位置DPから供給部16による樹脂の供給が行われる供給位置SPに達するまでの間は基板ステージ3が加速される。条件2:対象ショット領域が供給位置第1位置SPを通過するまでの間は基板ステージ3が等速となる。条件3:対象ショット領域が供給位置SPを通過してからインプリント処理位置第3位置PPに達するまでの間は基板ステージ3が減速される。図5aは、モールド9を上昇させた直後S418の状態におけるモールド9、供給部16及びオフアクシス検出系17の位置関係を示し、モールド9の直下の基板1の上のショット領域には、モールド9のパターンPTが転写されている。図5aに示す状態から、モールド9のパターンPTを転写すべき次の対象ショット領域TSを樹脂供給移動開始位置に位置させるために基板ステージ3を移動させる。図5bは、対象ショット領域TSが樹脂供給移動開始位置に位置した状態S404、S406におけるモールド9、供給部16及びオフアクシス検出系17の位置関係を示している。上述したように、対象ショット領域TSに樹脂を供給塗布する際には、基板ステージ3を移動させる必要がある。この際、供給部16からの樹脂の供給速度供給量を一定にして、基板ステージ3を等速で移動させるとよい。従って、対象ショット領域TSを供給位置SPに位置させるのではなく、図5bに示すように、樹脂供給移動開始位置に位置させる。また、図5bでは、対象ショット領域TSが樹脂供給移動開始位置に位置する状態において、対象ショット領域TSに形成されたアライメントマークAMをオフアクシス検出系17で検出することができる。換言すれば、樹脂供給開始位置と検出位置DPとが一致するように、供給部16及びオフアクシス検出系17が配置されている。図5bに示す状態において、対象ショット領域TSに形成されたアライメントマークAMをオフアクシス検出系17で検出した後、対象ショット領域TSが供給位置SPに達するまでの間は基板ステージ3を加速させる。図5cは、対象ショット領域TSが供給位置SPに達した状態S406におけるモールド9、供給部16及びオフアクシス検出系17の位置関係を示している。対象ショット領域TSが供給位置SPに達すると、基板ステージ3は等速で移動させながら供給部16から樹脂を供給する。また、対象ショット領域TSに樹脂が塗布され、対象ショット領域TSが供給位置SPを通過してからインプリント処理位置PPに達するまでの間は基板ステージ3を減速させる。なお、当該減速の前に等速期間や加速期間を含んでもよい。このように、対象ショット領域TSが検出位置DPに位置してから供給位置SPを通過してインプリント処理位置PPに達するまでの間において、基板ステージ3を停止させることなく連続して移動させることで、スループットの低下を防止することができる。なお、オフアクシス検出系17が固定されている場合には、基板ステージ3の加速度を調整することで、樹脂供給開始位置と検出位置DPとを一致させることができる。また、基板ステージ3を等速で移動させるために必要となる基板ステージ3を加速させる区間時間は、基板ステージ3の移動速度や対象ショット領域TSの寸法などによって変化する。従って、本実施形態ように、駆動部18などを設けるなどして、オフアクシス検出系17の位置を変更することができるようにするとよい。その際、図5a乃至図5cに示したように、基板ステージ3の駆動時間が最も短くなるように、オフアクシス検出系17を配置するとよい。また、図5a乃至図5cにおいて、供給位置SPは、供給部16を構成するディスペンサに含まれるノズルの中心を意味する。また、検出位置DPは、オフアクシス検出系17の検出視野の中心を意味する。また、インプリント処理位置PPは、モールド9の中心を意味する。本実施形態では、供給部16を構成するディスペンサに含まれるノズルの中心、オフアクシス検出系17の検出視野の中心及びモールド9の中心が同一直線上に位置するように、モールド9、供給部16及びオフアクシス検出系17が配置されている。但し、モールド9、供給部16及びオフアクシス検出系17の配置はこれに限定されるものではなく、これらは同一直線上に位置しなくてもよい。また、本実施形態では、検出位置DP、供給位置SP、インプリント処理位置PPの順に直線上に位置するように、モールドチャック10、供給部16及びオフアクシス検出系17が配置されている。但し、供給位置SP、検出位置DP、インプリント処理位置PPの順に直線上に位置するように、モールドチャック10、供給部16及びオフアクシス検出系17が配置されていてもよい。<物品の製造方法の実施形態>物品としてのデバイス半導体集積回路素子、液晶表示素子等の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等にパターンを形成する工程を含む。更に、かかる製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含む。なお、パターンドメディア記録媒体や光学素子などの他の物品を製造する場合には、かかる製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを形成された基板を加工する他の処理を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能品質生産性生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、インプリント処理中に加わる力によるモールドの位置ずれや変形がアライメントオーバレイに影響を与える場合には、モールドの位置ずれや変形を計測し、その結果をアライメント処理に反映させてもよい。かかる計測は、モールドのマークを検出する検出部をモールドステージに設けたり、モールドのマークと基準マークRMとの相対位置をTTMアライメント検出系15により検出したりすれば可能である。