"以下のA、B及びDを含有するレジスト組成物。A式aで表される構造単位を有する樹脂。[式a中、R1は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。R2は、置換基を有していてもよい炭素数1~6の脂肪族炭化水素基、単結合又は式a-1で表される基を表す。式a-1中、sは0又は1を表す。A10及びA11は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~5の脂肪族炭化水素基を表す。A12は、置換基を有していてもよい炭素数1~5の脂肪族炭化水素基又は単結合を表す。X10及びX11は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。R3は、式bで表されるスルホラン環基を表す。式b中、nは0~7の整数を表す。Rは、ヒドロキシ基、アルコキシ基又は炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、nが2以上の場合、複数のRは同一でも異なっていてもよく、隣接する炭素原子に各々結合する2つのRが結合して、前記炭素原子とともに環を形成してもよい。は、単結合又は二重結合を表す。は、R2との結合手である。]B式B1で表される酸発生剤[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]D溶剤前記Aは、前記式aのR2が、単結合、-CH2-CO-O-又は-CH2-CH2-O-CO-は、R3との結合手である。の樹脂である請求項1記載のレジスト組成物。前記Aは、前記式aのR3が、式b-1~式b-5からなる群より選ばれるスルホラン環基の樹脂である請求項1又は2記載のレジスト組成物。[式b-1~式b-5中、は、R2との結合手を表す。]前記Aが、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解しえる樹脂である請求項1~3のいずれか記載のレジスト組成物。前記Aは、式a1-1又は式a1-2で表される構造単位を有する樹脂である請求項4記載のレジスト組成物。[式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2は、それぞれ独立に、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1は1~7の整数を表し、は-CO-との結合手を表す。を表われる基である。Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。n1は0~10の整数を表す。n2は0~3の整数を表す。]さらに、塩基性化合物を含有する請求項1~5のいずれか記載のレジスト組成物。1請求項1~6のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。式am’で表される化合物。[式am’中、R1は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。R2xは、置換基を有していてもよい炭素数1~6の脂肪族炭化水素基又は式a-1で表される基を表す。式a-1中、sは0又は1を表す。A10及びA11は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~5の脂肪族炭化水素基を表す。A12は、置換基を有していてもよい炭素数1~5の脂肪族炭化水素基又は単結合を表す。X10及びX11は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。R3は、式bで表されるスルホラン環基を表す。式b中、nは0~7の整数を表す。Rは、ヒドロキシ基、アルコキシ基又は炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、nが2以上の場合、複数のRは同一でも異なっていてもよく、隣接する炭素原子に各々結合する2つのRが結合して、前記炭素原子とともに環を形成してもよい。は、単結合又は二重結合を表す。は、R2との結合手である。]請求項8記載の化合物に由来する構造単位を有する樹脂。リソグラフィー技術を用いたレジストパターン製造では、設計寸法がますます微細化していくことに伴い、より広いフォーカスマージンでレジストパターンが製造できることが求められるようになってきた。より広いフォーカスマージンでレジストパターンを製造する点では、前記特許文献1に記載された塩を酸発生剤として含有するレジスト組成物は改善の余地があった。前記の事情に鑑み、本発明者らは鋭意検討した結果、本発明に至った。すなわち、本発明は、以下の発明を含む。1以下のA、B及びDを含有するレジスト組成物。A式aで表される構造単位を有する樹脂[式a中、R1は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。R2は、置換基を有していてもよい炭素数1~6の脂肪族炭化水素基、単結合又は式a-1で表される基を表す。式a-1中、sは0又は1を表す。A10及びA11は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~5の脂肪族炭化水素基を表す。A12は、置換基を有していてもよい炭素数1~5の脂肪族炭化水素基又は単結合を表す。X10及びX11は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。R3は、式bで表されるスルホラン環基を表す。式b中、nは0~7の整数を表す。Rは、ヒドロキシ基、アルコキシ基又は炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、nが2以上の場合、複数のRは同一でも異なっていてもよく、隣接する炭素原子に各々結合する2つのRが結合して、前記炭素原子とともに環を形成してもよい。は、単結合又は二重結合を表す。は、R2との結合手である。]B式B1で表される酸発生剤[式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、2価の炭素数1~17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。]D溶剤2前記Aは、前記式aのR2が、単結合、-CH2-CO-O-又は-CH2-CH2-O-CO-は、R3との結合手である。の樹脂である1記載のレジスト組成物。3前記Aは、前記式aのR3が、式b-1~式b-5からなる群より選ばれるスルホラン環基の樹脂である1又は2記載のレジスト組成物。[式b-1~式b-5中、は、R2との結合手を表す。]4前記Aが、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解しえる樹脂である前記1~3のいずれか記載のレジスト組成物。5前記Aは、式a1-1又は式a1-2で表される構造単位を有する樹脂である請求項4記載のレジスト組成物。[式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2は、それぞれ独立に、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1は1~7の整数を表し、は-CO-との結合手を表す。を表われる基である。Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表す。n1は0~10の整数を表す。n2は0~3の整数を表す。]6さらに、塩基性化合物を含有する前記1~5のいずれか記載のレジスト組成物。71前記1~6のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、2塗布後の組成物から溶剤を除去して組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。8式am’で表される化合物。[式am’中、R1は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。R2xは、置換基を有していてもよい炭素数1~6の脂肪族炭化水素基又は式a-1で表される基を表す。式a-1中、sは0又は1を表す。A10及びA11は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~5の脂肪族炭化水素基を表す。A12は、置換基を有していてもよい炭素数1~5の脂肪族炭化水素基又は単結合を表す。X10及びX11は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。R3は、式bで表されるスルホラン環基を表す。式b中、nは0~7の整数を表す。Rは、ヒドロキシ基、アルコキシ基又は炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、nが2以上の場合、複数のRは同一でも異なっていてもよく、隣接する炭素原子に各々結合する2つのRが結合して、前記炭素原子とともに環を形成してもよい。は、単結合又は二重結合を表す。は、R2との結合手である。]9前記8記載の化合物に由来する構造単位を有する樹脂。本発明のレジスト組成物によれば、優れたフォーカスマージンDOFで、レジストパターンを製造することができる。本明細書では、特に断りのない限り、炭素数を適宜選択しながら、以下の置換基の例示が、同様の置換基を有するいずれの化学構造式においても適用される。炭化水素基とは、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を包含する。脂肪族炭化水素基は、鎖式直鎖状及び分岐状及び環式の双方を含み、特に定義しない限り、鎖式及び環式の脂肪族炭化水素基が組み合わせられたものをも包含する。また、これら脂肪族炭化水素基は、その一部に炭素炭素二重結合を含んでいてもよいが、飽和の基脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を包含する。鎖式の脂肪族炭化水素基のうち1価のものとしては、典型的にはアルキル基が挙げられる。アルキル基としては、メチル基C1、エチル基C2、プロピル基C3、ブチル基C4、ペンチル基C5、ヘキシル基C6、ヘプチル基C7、オクチル基C8、デシル基C10、ドデシル基C12、ヘキサデシル基C14、ペンタデシル基C15、ヘキシルデシル基C16、ヘプタデシル基C17及びオクタデシル基C18などが挙げられる。鎖式の脂肪族炭化水素基のうち2価のものとしては、アルキル基から水素原子を1個取り去ったアルカンジイル基が挙げられる。アルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基、ヘプタデカン-1,17-ジイル基、メチリデン基、エチリデン基、プロピリデン基、2-プロピリデン基、1-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,3-プロピレン基、2-メチル-1,2-プロピレン基、1-メチル-1,4-ブチレン基及び2-メチル-1,4-ブチレン基などが挙げられる。環式の脂肪族炭化水素基以下、場合により脂環式炭化水素基というは、典型的には、シクロアルキル基を意味し、以下に示す単環式及び多環式のいずれをも包含する。脂環式炭化水素基のうち1価のものとして、単環式の脂肪族炭化水素基は、以下の式KA-1~KA-7で表されるシクロアルカンの水素原子を1個取り去った基である。多環式の脂肪族炭化水素基は、以下の式KA-8~KA-19で表されるシクロアルカンの水素原子を1個取り去った基である。脂環式炭化水素基のうち2価のものとしては、式KA-1~式KA-19の脂環式炭化水素から水素原子を2個取り去った基が挙げられる。脂肪族炭化水素基は置換基を有していてもよい。このような置換基としては、特に限定されない限り、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基が挙げられる。ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。アルコキシ基としては、メトキシ基C1、エトキシ基C2、プロポキシ基C3、ブトキシ基C4、ペンチルオキシ基C5、ヘキシルオキシ基C6、ヘプチルオキシ基C7、オクチルオキシ基C8、デシルオキシ基C10及びドデシルオキシ基C12などが挙げられる。アルキルチオ基としては、アルコキシ基の酸素原子が硫黄原子に置き換わったものが挙げられ、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基及びドデシルチオ基などが挙げられる。アシル基としては、アセチル基C2、プロピオニル基C3、ブチリル基C4、バレイル基C5、ヘキシルカルボニル基C6、ヘプチルカルボニル基C7、オクチルカルボニル基C8、デシルカルボニル基C10及びドデシルカルボニル基C12などのアルキル基とカルボニル基とが結合したもの並びにベンゾイル基C7などのアリール基とカルボニル基とが結合したものが包含される。アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基などが挙げられる。アラルキル基としては、ベンジル基C7、フェネチル基C8、フェニルプロピル基C9、ナフチルメチル基C11及びナフチルエチル基C12などが挙げられる。アリールオキシ基としては、フェニルオキシ基C6、ナフチルオキシ基C10、アントニルオキシ基C14、ビフェニルオキシ基C12、フェナントリルオキシ基C14及びフルオレニルオキシ基C13などのアリール基と酸素原子とが結合したものが挙げられる。1価の芳香族炭化水素基としては、典型的には、アリール基が挙げられる。アリール基としては、フェニル基C6、ナフチル基C10、アントニル基C14、ビフェニル基C12、フェナントリル基C14及びフルオレニル基C13などが挙げられる。芳香族炭化水素基は置換基を有していてもよい。このような置換基は、特に限定されない限り、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルキル基及びアリールオキシ基が挙げられる。また、メタアクリル系モノマーとは、CH2=CH-CO-又はCH2=CCH3-CO-の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様にメタアクリレート及びメタアクリル酸とは、それぞれアクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種及びアクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種を意味する。以下、本発明のレジスト組成物以下、場合により本レジスト組成物というの構成成分である、A前記式aで表される構造単位を有する樹脂以下、場合により樹脂Aという、B前記式B1で表される酸発生剤以下、場合により酸発生剤Bという、必要に応じて含有される塩基性化合物以下、場合により塩基性化合物Cという及びD溶剤以下、場合により溶剤Dというの各々について説明する。<樹脂A>樹脂Aは、式aで表される構造単位以下、場合により構造単位aというを有する。[式a中、R1は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。R2は、置換基を有していてもよい炭素数1~6の脂肪族炭化水素基、単結合又は式a-1で表される基を表す。式a-1中、sは0又は1を表す。A10及びA11は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数1~5の脂肪族炭化水素基を表す。A12は、置換基を有していてもよい炭素数1~5の脂肪族炭化水素基又は単結合を表す。X10及びX11は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。R3は、式bで表されるスルホラン環基を表す。式b中、nは0~7の整数を表す。Rは、ヒドロキシ基、アルコキシ基又は炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、nが2以上の場合、複数のRは同一でも異なっていてもよく、隣接する炭素原子に各々結合する2つのRが結合して、前記炭素原子とともに環を形成してもよい。は、単結合又は二重結合を表す。は、R2との結合手である。]なお、前記式a-1で表される基を場合により、基a-1という。構造単位aにおいては、R1は、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基であるものが好ましく、水素原子又はメチル基であるものがより好ましい。R2では、脂肪族炭化水素基に置換される置換基として、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルコキシ基などが好ましい。基a-1としては、X10及びX11のように、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基といった酸素原子を含む部分構造を含む。基a-1としては、などが挙げられる。なかでも、構造単位aのR2としては、単結合、-CH2-CO-O-又は-CH2-CH2-O-CO-ここでのは、R3との結合手であるが好ましい。R3におけるスルホラン環基は、式bで表されるスルトン環基である。繰り返しになるが、式bを以下に示す。[式b中、nは0~7の整数を表す。Rは、ヒドロキシ基、アルコキシ基又は炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、nが2以上の場合、複数のRは同一でも異なっていてもよい。また、隣接する炭素原子に各々結合する2つのRが結合して、前記炭素原子とともに環を形成してもよい。、つまり破線と直線との組み合わせは、単結合又は二重結合を表す。は、R2との結合手である。]式bで表されるスルホラン環基では、で表される3つの炭素-炭素結合のうち、少なくとも1つが二重結合であることが好ましく、1つの炭素-炭素結合が二重結合であることがより好ましい。隣接する炭素原子に各々結合する2つのRが結合して、これらの炭素原子とともに形成する環としては、脂肪族環及び芳香環が挙げられ、脂肪族環が好ましい。このような環としては、なかでも、シクロヘキサン環、ノルボルナン環及びオキサノルボルナン環などが適している。R3としては、式b-1~式b-5の中から選ばれるスルホラン環であることがさらに好ましい。[式c-1~式c-5中、は、R2との結合手を表す。]構造単位aとしては、以下のものが挙げられる。式a-1~式a-19のいずれかで表される構造単位aにおいて、以下に示す部分構造Mを、部分構造A1に置き換えたものも構造単位aの具体例として挙げることができる。構造単位aは、以下の式amで表される化合物以下、場合により化合物amというから誘導される。[式am中、R1~R3は前記と同義である。]化合物amにおいて、R2が-CH2-CH2-O-CO-である化合物amは、例えば、式a1-aで表される化合物と式a1-bで表される化合物とを、溶剤中で反応させることにより製造することができる。ここで用いる溶剤としては、アセトニトリルが好ましい。化合物a1-aとしては、ヒドロキシエチルメタクリレートなどが挙げられる。このヒドロキシエチルメタクリレートは市場から容易に入手できる。化合物a1-bは、式a1-cで表される化合物と式a1-dで表される化合物とを、溶剤中で反応させることにより得ることができる。ここで用いる溶剤としては、アセトニトリルが好ましい。化合物a1-cのうち、例えば、市場から容易に入手できるものを例示すると、以下の化合物などが挙げられる。化合物amにおいて、R2が単結合である化合物amは、例えば、式a2-aで表される化合物と式a2-bで表される化合物とを、塩基性触媒の存在下、溶剤中で反応させることにより得ることができる。塩基性触媒としては、トリエチルアミンなどが用いられる。溶剤としては、テトラヒドロフランなどが挙げられる。式a2-aで表される化合物としては、メタアクリル酸クロリドなどが挙げられる。また、式a2-bで表される化合物のうち、市場から容易に入手できるものを例示すると、以下の化合物などが挙げられる。上述した製造方法に準じて、以下に示すように、種々の化合物amを製造することができる。以上、例示した化合物amの中でも、式am’で表される化合物以下、場合により化合物am’というは、構造単位aを誘導し得るものは、有用且つ新規な化合物であり、本発明はかかる化合物am’も提供する。式am’中、R2xは置換基を有していてもよい炭素数1~6の脂肪族炭化水素基又は基a-1であり、その他の符号は前記と同義である。化合物am’は、前記の化合物amの具体例の中では、式am-6~式am-16、式am-21~式am-32で表されるものが該当する。樹脂Aの全構造単位100モルに対する構造単位aの含有割合は、2~40モルの範囲であると好ましく、3~35モルの範囲がより好ましく、5~30モルの範囲がさらに好ましい。本レジスト組成物に含有される樹脂Aとしては、後述する酸発生剤Bとの相乗効果によりレジストパターンを製造できるという特性を備えたものが好ましい。このような特性を備えた樹脂とは、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶の樹脂に転化するものが挙げられる。ここで酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となるとは、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。従って、樹脂Aは、構造単位aを有するとともに、アルカリ水溶液に可溶な樹脂に転化する特性を発現し得る構造単位以下、場合により構造単位a1というを有することが好ましい。ここで、アルカリ水溶液に可溶な樹脂に転化する特性を有する樹脂とは、当該樹脂の分子内にある親水性基の一部又は全部が、酸との接触により脱離し得る保護基により保護されており、酸との接触により保護基が脱離する樹脂を意味する。また、このような保護基により保護されている親水性基を酸不安定基という。本発明のレジスト組成物に含有する樹脂Aは、1種以上の構造単位a及び1種以上の構造単位a1を有する樹脂であることが好ましいが、樹脂Aは、構造単位a1を有さず、構造単位aを有する樹脂と、構造単位a1を有する樹脂との混合物であってもよい。後者の場合、樹脂Aは、構造単位aのみからなる1種以上の樹脂であってもよいし、1種以上の構造単位aと1種以上の他の構造単位を有する1種以上の構造単位とからなる樹脂であってもよいし、これら1種以上の樹脂の混合物であってもよい。このような樹脂Aを含有する本レジスト組成物は、当該樹脂Aと後述する酸発生剤B1との作用により、優れたフォーカスマージンDOFでレジストパターンを製造することができる。また、優れたラインエッジラフネスを有するレジストパターンを製造することができる。<酸不安定基>まず、当該酸不安定基の代表例を示す。親水性基としては、ヒドロキシ基又はカルボキシ基が挙げられ、カルボキシ基がより好ましい。上述のとおり、酸不安定基を有する樹脂Aは、構造単位a以外の酸不安定基を有する構造単位a1以下、場合により構造単位a1を誘導するモノマーを場合によりモノマーa1というを有するものであると好ましい。親水性基がカルボキシ基である場合の酸不安定基は、カルボキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、カルボキシ基の酸素原子と結合する有機残基の原子が3級炭素原子である基が挙げられる。このような酸不安定基のうち、好ましい酸不安定基は、例えば、以下の式1で表されるもの以下、場合により酸不安定基1というである。式1中、Ra1~Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1~8の脂肪族炭化水素基を表すか、Ra1及びRa2が結合して、それらが結合する炭素原子とともに炭素数3~20の環を形成し、Ra1及びRa2が結合して形成される環及び該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。-CRa1Ra2Ra3で表される基において、Ra1及びRa2が互いに結合して形成する環としては、例えば、以下のものが挙げられる。このような環の炭素数は、好ましくは3~12である。このような酸不安定基1としては、例えば、1,1-ジアルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1~Ra3が全てアルキル基である基、このアルキル基のうち、1つはtert-ブチル基であることが好ましい。、2-アルキル-2-アダマンチルオキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2が互いに結合し、これらが結合する炭素原子とともにアダマンタン環を形成し、Ra3がアルキル基である基及び1-1-アダマンチル-1-アルキルアルコキシカルボニル基式1中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基などが挙げられる。親水性基がヒドロキシ基である場合の酸不安定基は、このヒドロキシ基の水素原子が、有機残基に置き換わり、アセタール構造を含む基となったものが挙げられる。このような酸不安定基としては、好ましくは、例えば、以下の式2で表されるもの以下、場合により酸不安定基2というである。式2中、Rb1及びRb2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、Rb3は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、あるいはRb2及びRb3は互いに結合して、それらが各々結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数3~20の環を形成し、前記環又は炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Rb2及びRb3は互いに結合して形成される環は、Ra1及びRa2が互いに結合して形成される環と同様のものが挙げられる。式2では、Rb1及びRb2のうち、少なくとも1つは水素原子であるものが好ましい。このような酸不安定基2としては、例えば、以下の基が挙げられる。構造単位a1を誘導し得る、酸不安定基を有するモノマーa1は、好ましくは、酸不安定基と炭素-炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸不安定基を有するメタアクリル系モノマーである。モノマーa1は、好ましくは、酸不安定基1及び/又は酸不安定基2と、炭素-炭素二重結合とをともに分子内に有するモノマーであり、より好ましくは酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーである。酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーの中でも、酸不安定基1が、炭素数5~20の環式の脂肪族炭化水素を部分構造とするものが好ましい。このような立体的に嵩高い脂環基を有するモノマーa1を重合して得られる樹脂Aは、この樹脂Aを含有するレジスト組成物を用いてレジストパターンを製造したとき、より良好な解像度でレジストパターンを製造することができる。環式の脂肪族炭化水素を部分構造とする酸不安定基1を有するメタアクリル系モノマーから誘導される構造単位a1の中でも、式a1-1で表される構造単位以下、場合により構造単位a1-1というを与えるモノマー又は式a1-2で表される構造単位以下、場合により構造単位a1-2というを与えるモノマーが好ましい。樹脂A製造の際には、これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。式a1-1及び式a1-2中、La1及びLa2は、それぞれ独立に、酸素原子又は-O-CH2k1-CO-O-k1は1~7の整数を表すで表される基を表す。ここで、はカルボニル基-CO-との結合手である。Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1~10の脂肪族炭化水素基を表す。m1は0~14の整数を表し、n1は0~10の整数を表し、n2は0~3の整数を表す。式a1-1及び式a1-2においては、La1及びLa2は、好ましくは、酸素原子又はk1が1~4の整数である-O-CH2k1-CO-O-で表される基であり、より好ましくは酸素原子又は-O-CH2-CO-O-であり、さらに好ましくは酸素原子である。Ra4及びRa5は、それぞれ、好ましくはメチル基である。Ra6及びRa7は、それぞれ、好ましくは炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~10の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~8の脂環式炭化水素基であり、さらに好ましくは炭素数1~6のアルキル基又は炭素数3~6の脂環式炭化水素基である。m1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。n2は、好ましくは0~2の整数、より好ましくは0又は1である。式a1-1で表される構造単位としては、以下のものが挙げられる。式a1-1-1~式a1-1-38のいずれかで表される構造単位a1-1の具体例において、上述した部分構造Mを部分構造A1に置き換えたものも構造単位a1-1の具体例として挙げることができる。以上の構造単位a1-1の具体例の中では、式a1-1-1、式a1-1-2及び式a1-1-3のいずれかで表される構造単位a1-1並びにこれらの構造単位a1-1の部分構造Mが部分構造A1に置き換えられたものが好ましく、式a1-1-1、式a1-1-2及び式a1-1-3のいずれかで表される構造単位a1-1がより好ましく、式a1-1-1及び式a1-1-2のいずれかで表される構造単位a1-1がさらに好ましい。なお、これら好ましい構造単位a1-1を有する樹脂Aは、樹脂Aを製造する際に、2-メチル-2-アダマンチルメタアクリレート、2-エチル-2-アダマンチルメタアクリレート又は2-イソプロピル-2-アダマンチルメタアクリレートなどを製造用原料モノマーa1として用いればよい。式a1-2で表される構造単位としては、以下のものが挙げられる。式a1-2-1~式a1-2-12のいずれかで表される構造単位a1-2の具体例において、上述したように、部分構造Mを部分構造A1に置き換えたものも構造単位a1-2の具体例として挙げることができる。なかでも、式a1-2-1、式a1-2-2、式a1-2-4及び式a1-2-5のいずれかで表される構造単位a1-2あるいはこれらの構造単位a1-2の部分構造Mが部分構造A1に置き換えられたものがより好ましく、式a1-2-4及び式a1-2-4のいずれかで表される構造単位あるいはこれらの構造単位a1-2の部分構造Mが部分構造A1に置き換えられたものがさらに好ましい。このような構造単位a1-2を有する樹脂Aを製造するためには、2-メチル-2-シクロヘキシルメタアクリレートなどをモノマーa1として用いればよい。構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を有する樹脂Aを製造する場合、得られる樹脂Aの全構造単位100モルに対して、これら構造単位の合計が10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2の含有割合の合計をこのような範囲にするためには、樹脂Aを製造する際に、全モノマーの使用量に対する、構造単位a1-1及び/又は構造単位a1-2を誘導するモノマーa1の使用量を調整すればよい。樹脂Aには、構造単位a1-1及び構造単位a1-2以外の、酸不安定基を有する構造単位a1他の構造単位a1を有していてもよい。このような他の構造単位a1としては、例えば、以下の式a1-3で表されるノルボルネン環を有するモノマー以下、場合によりモノマーa1-3というから誘導されるものが挙げられる。式a1-3中、Ra9は、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3のアルキル基、カルボキシル基、シアノ基又は基-COORa13ここで、Ra13は、炭素数1~20の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよいを表す。Ra10~Ra12は、それぞれ独立に、炭素数1~20の脂肪族炭化水素基を表すか、或いは、Ra10及びRa11が結合して、これらが結合している炭素原子とともに、炭素数3~20の環を形成し、脂肪族炭化水素基及び環を構成する水素原子は、ヒドロキシ基などで置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び環を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。ヒドロキシ基を有するアルキル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが挙げられる。式a1-3においては、Ra13は、好ましくは、炭素数1~8のアルキル基又は炭素数3~20の脂環式炭化水素基である。Ra10及びRa11が互いに結合して形成される環は、脂肪族環が好ましく、具体的には、シクロへキサン環及びアダマンタン環などが挙げられる。モノマーa1-3としては、例えば、5-ノルボルネン-2-カルボン酸-tert-ブチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-シクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチルシクロヘキシル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-メチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-エチル-2-アダマンチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-メチルシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-4-ヒドロキシシクロヘキシル-1-メチルエチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-メチル-1-4-オキソシクロヘキシルエチル及び5-ノルボルネン-2-カルボン酸1-1-アダマンチル-1-メチルエチルなどが挙げられる。モノマーa1-3を用いて樹脂Aを製造した場合、この樹脂Aにはモノマーa1-3に由来する、立体的に嵩高い構造単位a1が含まれることになる。このように立体的に嵩高い構造単位a1を有する樹脂Aを含有する本レジスト組成物により、レジストパターンを製造すれば、より良好な解像度でレジストパターンを得ることができる。さらにモノマーa1-3を用いることにより、樹脂Aの主鎖に剛直なノルボルナン環を導入できるため、該樹脂Aを含有する本レジスト組成物は、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという傾向がある。樹脂Aが、モノマーa1-3に由来する構造単位を有する場合、良好な解像度でレジストパターンを製造でき、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンが得られ易いという観点から、樹脂Aの全構造単位100モルに対するモノマーa1-3に由来する構造単位の含有割合は、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。さらに、酸不安定基2を有するモノマーとして、例えば、以下の式a1-4で表されるモノマー以下、場合によりモノマーa1-4というを用いてもよい。式a1-4中、Ra32は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。Ra33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。laは0~4の整数を表す。laが2以上である場合、複数のRa33は同一でも異なっていてもよい。Ra34及びRa35は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表す。Xa2は、単結合又は置換基を有していていもよい炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又は-NRd-で示される基に置き換わっていてもよい。ここで、Rdは、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。Ya3は、置換基を有していてもよい炭素数1~18の炭化水素基である。ハロゲン原子を有するアルキル基としては、例えば、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec-ブチル基、ペルフルオロtert-ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルクロロメチル基、ペルブロモメチル基及びペルヨードメチル基などのハロアルキル基が挙げられる。式a1-4においては、アルキル基としては、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。アルコキシ基としては、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。Xa2の脂肪族炭化水素基としては、好ましくは、鎖式脂肪族炭化水素基であり、より好ましくは飽和の脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくはアルカンジイル基である。Ya3の炭化水素基としては、好ましくは、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基である。モノマーa1-4としては、以下のモノマーが挙げられる。ここに示すモノマーa1-4において、以下に示す部分構造Vを部分構造Pに置き換えたものもモノマーa1-4の具体例として挙げることができる。樹脂Aが、モノマーa1-4に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。酸不安定基2を有するモノマーa1においても、メタアクリル系モノマーが好ましく、このようなメタアクリル系モノマーとしては、例えば、式a1-5で表されるモノマー以下、場合によりモノマーa1-5というが挙げられる。式a1-5中、R31は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基又は水素原子、ハロゲン原子を表す。L1~L3は、オキシ基、チオキシ基又は-O-CH2k1-CO-O-で表される基を表す。ここで、k1は1~7の整数を表し、はカルボニル基-CO-との結合手である。Z1は、単結合又は炭素数1~6のアルカンジイル基であり、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。s1及びs2は、それぞれ独立して、0~4の整数を表す。式a1-5においては、R31は、好ましくは、水素原子、メチル基及びトリフルオロメチル基であり、より好ましくは水素原子及びメチル基である。L1は、酸素原子が好ましい。L2及びL3は、一方が酸素原子、他方が硫黄原子であることが好ましい。s1は、1が好ましい。s2は、0~2が好ましい。Z1は、単結合又は-CH2-CO-O-が好ましい。モノマーa1-5としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。ここに示すモノマーa1-5において、上述した部分構造Pを部分構造Vに置き換えたものもモノマーa1-5の具体例として挙げることができる。樹脂Aが、モノマーa1-5に由来する構造単位a1を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルの範囲が好ましく、15~90モルの範囲がより好ましく、20~85モルの範囲がさらに好ましい。さらに、酸不安定基1と炭素-炭素二重結合とを分子内に有する他の構造単位を誘導するモノマーを、樹脂A製造に用いてもよい。このようなモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。樹脂Aがその他の酸不安定モノマーに由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、10~95モルであり、好ましくは15~90モルであり、より好ましくは20~85モルである。樹脂Aの全構造単位100モルに対する、酸不安定基を有する構造単位の含有割合は、好ましくは10~80モルの範囲であり、より好ましくは20~60モルの範囲である。樹脂Aが、アダマンタン環を有する構造単位a1、特に構造単位a1-1を含む場合、構造単位a1の総量100モルに対して、構造単位a1-1の割合を15モル以上とすることが好ましい。この範囲とすることにより、樹脂Aを含有する本レジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより良好になる傾向がある。<酸安定構造単位>樹脂Aは、構造単位a及び構造単位a1に加えて、酸不安定基を有さない構造単位以下、場合により酸安定構造単位というを有していることが好ましい。樹脂Aが酸安定構造単位を有する場合、構造単位a1の含有割合と酸安定性構造単位の含有割合との比は、構造単位a1/酸安定構造単位で表して、好ましくは10~80モル/90~20モルであり、より好ましくは20~60モル/80~40モルである。なお、構造単位a1の含有割合を基準にして、酸安定性構造単位の含有割合を定めるときは、構造単位aを酸安定構造単位に含めて含有割合を算出する。酸安定構造単位は、ヒドロキシ基又はラクトン環を有する構造単位が好ましい。ヒドロキシ基を有する酸安定構造単位以下、場合により酸安定構造単位a2という及び/又はラクトン環を有する酸安定構造単位以下、場合により酸安定構造単位a3というを有する樹脂Aは、樹脂Aを含有する本レジスト組成物を基板に塗布したとき、基板上に形成される塗布膜又は塗布膜から得られる組成物層が基板との間に優れた密着性を発現し易くなる。また、この本レジスト組成物は良好な解像度で、レジストパターンを製造することができる。<酸安定構造単位a2>酸安定構造単位a2を樹脂Aに導入する場合、樹脂Aを含有する本レジスト組成物からレジストパターンを製造する際の露光源の種類によって、各々、酸安定構造単位a2を1種又は2種以上選択することができる。例えば、本レジスト組成物を、KrFエキシマレーザ波長:248nm、電子線あるいはEUV光などの高エネルギー線を露光源とする露光に用いる場合には、酸安定構造単位a2として、フェノール性水酸基を有する酸安定構造単位a2-0を樹脂Aに導入することが好ましい。短波長のArFエキシマレーザ波長:193nmを露光源とする露光を用いる場合は、酸安定構造単位a2として、後述の式a2-1で表される酸安定構造単位を樹脂Aに導入することが好ましい。なお、以下の説明において、酸安定構造単位a2を誘導するモノマーを酸安定モノマーa2といい、酸安定構造単位a3を誘導するモノマーを酸安定モノマーa3という。また、ここでいう酸安定モノマーa2及び酸安定モノマーa3に加え、後述する酸安定モノマーa4などの酸安定構造単位を誘導するモノマーを酸安定モノマーと総称する。<酸安定構造単位a2-0>酸安定構造単位a2としては、以下の式a2-0で表されるもの以下、場合により酸安定構造単位a2-0というを挙げることができる。式a2-0中、Ra30は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1~6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。Ra31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~4のアシル基、炭素数2~4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。maは0~4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31は同一でも異なっていてもよい。式a2-0においては、Ra30は、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基及びエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。Ra31は、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基が特に好ましい。maは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0が特に好ましい。酸安定構造単位a2-0を与えるモノマー以下、場合により酸安定モノマーa2-0というとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。ここに例示する具体例において、ベンゼン環に結合しているメチル基やエチル基を、Ra31として例示したその他の置換基に置き換えたものも、酸安定モノマーa2-0の具体例である。このような酸安定モノマーa2-0を用いて、樹脂Aを製造する場合は、この酸安定モノマーa2-0にあるフェノール性水酸基が適当な保護基で保護されているモノマーを用いることもできる。ここでいう保護基としては、例えば、アセチル基などが好ましい。アセチル基で保護されたフェノール性水酸基は、酸との接触により該アセチル基が脱保護されるため、アセチル基で保護された酸安定構造単位a2-0の前駆構造単位からは、脱保護することにより、酸安定構造単位a2-0が得られる。ただし、樹脂Aは上述のとおり、酸不安定基を持つ構造単位a1を有しているので、フェノール性水酸基が適当な保護基で保護されてなる前駆構造単位を脱保護する際には、構造単位a1の酸不安定基を著しく損なわないようにして、脱保護を実施する必要がある。酸安定モノマーa2-0としては、4-ヒドロキシスチレン又は4-ヒドロキシ-α-メチルスチレンが特に好ましい。これらを用いて、樹脂Aを製造する際には、これらにあるフェノール性水酸基が適当な保護基で保護したものを用いることもできる。樹脂Aが、酸安定構造単位a2-0を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~95モルの範囲から選ばれ、10~80モルの範囲がより好ましく、15~80モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定構造単位a2-1>酸安定構造単位a2-1は、以下の式a2-1で表されるものである。式a2-1中、La3は、酸素原子又は-O-CH2k2-CO-O-k2は1~7の整数を表す。を表し、はカルボニル基-CO-との結合手を表す。Ra14は、水素原子又はメチル基を表す。Ra15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。o1は、0~10の整数を表す。式a2-1においては、La3は、好ましくは、酸素原子又は、k2が1~4の整数である-O-CH2k2-CO-O-で表される基であり、より好ましくは、酸素原子又は、-O-CH2-CO-O-であり、さらに好ましくは酸素原子である。Ra14は、好ましくはメチル基である。Ra15は、好ましくは水素原子である。Ra16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。o1は、好ましくは0~3の整数、より好ましくは0又は1である。酸安定構造単位a2-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。式a2-1-1~式a2-1-17のいずれかで表される酸安定構造単位a2-1の具体例において、部分構造Mを部分構造A1に置き換えたものも酸安定構造単位a2-1の具体例として挙げることができる。酸安定構造単位a2-1の中でも、式a2-1-1、式a2-1-2、式a2-1-13及び式a2-1-15のいずれかで表される酸安定構造単位a2-1並びにこれらの酸安定構造単位a2-1の部分構造Mが部分構造A1に置き換わったものが好ましく、式a2-1-1、式a2-1-2、式a2-1-13及び式a2-1-15のいずれかで表される酸安定構造単位a2-1がさらに好ましい。これらの酸安定構造単位a2-1を有する樹脂Aは、3-ヒドロキシ-1-アダマンチルメタアクリレート、3,5-ジヒドロキシ-1-アダマンチルメタアクリレート又はメタアクリル酸1-3,5-ジヒドロキシ-1-アダマンチルオキシカルボニルメチルなどを、樹脂A製造用のモノマーとして用いればよい。樹脂Aが、酸安定構造単位a2-1を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、3~45モルの範囲が好ましく、5~40モルの範囲がより好ましく、5~35モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定構造単位a3>酸安定構造単位a3が有するラクトン環は、例えば、β-プロピオラクトン環、γ-ブチロラクトン環及びδ-バレロラクトン環のような単環式でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、γ-ブチロラクトン環及びγ-ブチロラクトン環と他の環との縮合環が好ましい。酸安定構造単位a3は好ましくは、以下の式a3-1、式a3-2又は式a3-3で表されるものが挙げられる。樹脂Aは、これらのうち1種のみを有していてもよく、2種以上を有していてもよい。なお、以下の説明においては、式a3-1で示されるものを酸安定構造単位a3-1といい、式a3-2で示されるものを酸安定構造単位a3-2といい、式a3-3で示されるものを酸安定構造単位a3-3という。[式a3-1~式a3-3中、La4~La6は、それぞれ独立して、酸素原子又は-O-CH2k3-CO-O-k3は1~7の整数を表す。を表す。はカルボニル基との結合手を表す。Ra18~Ra20は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表す。Ra21は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、p1が2以上の場合、複数のRa21は同一でも異なっていてもよい。Ra22及びRa23は、それぞれ独立して、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1~4の脂肪族炭化水素基を表し、q1が2以上の場合、複数のRa22は、同一でも異なっていてもよく、r1が2以上の場合、複数のRa23は、同一でも異なっていてもよい。p1は、0~5の整数を表す。q1は、0~3の整数を表す。r1は、0~3の整数を表す。]式a3-1~式a3-3において、La4~La6は、それぞれ独立に、酸素原子又はk3が1~4の整数である-O-CH2k3-CO-O-で表される基が好ましく、酸素原子又は、-O-CH2-CO-O-がより好ましく、さらに好ましくは酸素原子である。Ra18~Ra21は、好ましくはメチル基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。p1、q1及びr1は、好ましくは0~2の整数であり、より好ましくは0又は1である。酸安定構造単位a3-1としては、例えば、以下のものが挙げられる。酸安定構造単位a3-2としては、例えば以下のものが挙げられる。酸安定構造単位a3-3は例えば、以下のものが挙げられる。式a3-1-1~式a3-1-11のいずれかで表される酸安定構造単位a3-1、式a3-2-1~式a3-2-11のいずれかで表される酸安定構造単位a3-2及び式a3-3-1~式a3-3-6のいずれかで表される酸安定構造単位a3-3において、上述したように、部分構造Mを部分構造A1に置き換えたものも、各々酸安定構造単位a3-1、酸安定構造単位a3-2及び酸安定構造単位a3-3の具体例として挙げることができる。また、この例示において、ラクトン環が有する置換基Ra21~Ra23としてメチル基を有するものも例示したが、このメチル基を上述のような基に置き換えたものも、酸安定構造単位a3の具体例として挙げられる。酸安定構造単位a3の中でも、α-メタアクリロイロキシ-γ-ブチロラクトン、β-メタアクリロイロキシ-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイロキシ-β,β-ジメチル-γ-ブチロラクトン、α-メタアクリロイロキシ-α-メチル-γ-ブチロラクトン、β-メタアクリロイロキシ-α-メチル-γ-ブチロラクトン、メタアクリル酸5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イル、メタアクリル酸テトラヒドロ-2-オキソ-3-フリル及びメタアクリル酸2-5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.2.1.037]ノナン-2-イルオキシ-2-オキソエチルなどから誘導される酸安定構造単位a3が好ましい。樹脂Aが、酸安定構造単位a3-1、酸安定構造単位a3-2及び酸安定構造単位a3-3からなる群より選ばれる酸安定構造単位a3を有する場合、その合計含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、5~70モルの範囲から選ばれ、10~65モルの範囲が好ましく、10~60モルの範囲がさらに好ましい。<酸安定モノマーa4>樹脂A製造には、その他の酸安定モノマーa4を用いてもよい。酸安定モノマーa4としては、以下の式a4-1で表される無水マレイン酸、式a4-2で表される無水イタコン酸、及び、式a4-3で表されるノルボルネン環を有する酸安定モノマー以下、場合により酸安定モノマーa4-3というなどを挙げることができる。式a4-3中、Ra25及びRa26は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数1~3のアルキル基、シアノ基、カルボキシ基又は基-COORa27ここで、Ra27は、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。但し-COORa27が酸不安定基となるものは除く即ちRa27は、3級炭素原子が-O-と結合するものを含まないを表すか、或いはRa25及びRa26は互いに結合して-CO-O-CO-を形成する。ヒドロキシ基を有していてもよいアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び2-ヒドロキシエチル基などが好ましい。脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1~8のアルキル基及び炭素数4~18の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは炭素数1~6のアルキル基及び炭素数4~12の脂環式炭化水素基であり、メチル基、エチル基、プロピル基、2-オキソ-オキソラン-3-イル基及び2-オキソ-オキソラン-4-イル基などがさらに好ましい。酸安定モノマーa4-3としては、例えば、2-ノルボルネン、2-ヒドロキシ-5-ノルボルネン、5-ノルボルネン-2-カルボン酸、5-ノルボルネン-2-カルボン酸メチル、5-ノルボルネン-2-カルボン酸2-ヒドロキシ-1-エチル、5-ノルボルネン-2-メタノール、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物などが挙げられる。樹脂Aが、式a4-1で表される無水マレイン酸に由来する構造単位、式a4-2で表される無水イタコン酸に由来する構造単位及び酸安定モノマーa4-3に由来する構造単位からなる群より選ばれる構造単位を有する場合、その合計含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、2~40モルの範囲から選ばれ、3~30モルの範囲が好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。また、樹脂A製造には、例えば、以下に示すようなフッ素原子を有するモノマー以下、場合により酸安定モノマーa4-4というを用いてもよい。このような酸安定モノマーa4-4の中でも、単環式又は多環式の脂環式炭化水素を有するメタアクリル酸5-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸6-3,3,3-トリフルオロ-2-ヒドロキシ-2-[トリフルオロメチル]プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-イル、メタアクリル酸4,4-ビストリフルオロメチル-3-オキサトリシクロ[4.2.1.02,5]ノニルが好ましい。樹脂Aが、酸安定モノマーa4-4に由来する構造単位を有する場合、その合計含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、1~20モルの範囲から選ばれ、2~15モルの範囲が好ましく、3~10モルの範囲がさらに好ましい。樹脂Aの製造には、以下の式3で表される基を有する酸安定モノマーa4-5を用いることもできる。[式3中、R10は、炭素数1~6のフッ化アルキル基を表す。]フッ化アルキル基としては、ジフルオロメチル基、パーフルオロメチル基、1,1-ジフルオロエチル基、2,2-ジフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、パーフルオロエチル基、1,1,2,2-テトラフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロピル基、パーフルオロエチルメチル基、1-トリフルオロメチル-1,2,2,2-テトラフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、1,1,2,2-テトラフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロブチル基、パーフルオロブチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,2-トリフルオロエチル基、2-パーフルオロプロピルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4-オクタフルオロペンチル基、パーフルオロペンチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロペンチル基、1,1-ビストリフルオロメチル-2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、パーフルオロペンチル基、2-パーフルオロブチルエチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-デカフルオロヘキシル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-ドデカフルオロヘキシル基、パーフルオロペンチルメチル基及びパーフルオロヘキシル基が挙げられる。式3においては、フッ化アルキル基は、その炭素数が1~4であるものが好ましく、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基及びペルフルオロプロピル基がより好ましく、ペルフルオロメチル基が特に好ましい。酸安定モノマーa4-5としては、例えば、以下で表されるものが挙げられる。ここに示した酸安定モノマーa4-5の具体例において、上述した部分構造Pを、部分構造Vに置き換えたものも、酸安定モノマーa4-5の具体例として挙げることができる。樹脂Aが、酸安定モノマーa4-5に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、1~30モルの範囲から選ばれ、3~25モルの範囲が好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。樹脂Aの製造には、以下の式4で表される基を有する酸安定モノマーa4を用いることもできる。[式4中、R11は置換基を有してもよい炭素数6~12の芳香族炭化水素基を表す。R12は、置換基を有してもよい炭素数1~12の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、ヘテロ原子を含んでいてもよい。A3は、単結合、-CH2m10-SO2-O-又は-CH2m10-CO-O-を表し、ここに示すアルキレン鎖-CH2m10-を構成するメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよく、当該アルキレン鎖に含まれる水素原子は、フッ素原子に置き換わっていてもよい。m10は、1~12の整数を表す。]R11における芳香族炭化水素基の置換基としては、炭素数1~4のアルキル基、ハロゲン原子、フェニル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、フェニルオキシ基及びtert-ブチルフェニル基などが挙げられる。R11としては、以下のものが挙げられる。は炭素原子との結合手である。R12における炭化水素が含んでいてもよいヘテロ原子としては、ハロゲン原子、硫黄原子、酸素原子及び窒素原子などが挙げられる。また、連結基として、スルホニル基、カルボニル基を含む形態でもよい。このようなヘテロ原子を含むR12としては、以下の基が挙げられる。A3としては、下記に示す基が挙げられる。式4で表される基を含む酸安定モノマーa4としては、例えば、式a4-6で表される酸安定モノマーが挙げられる。[式a4-6中、R13は、水素原子又はメチル基を表す。R11、R12及びA3は、前記と同義である。]酸安定モノマーa4-6としては、例えば、以下のものが挙げられる。ここに示した酸安定モノマーa4-6の具体例において、上述したように、部分構造Vを部分構造Pに置き換えたものもモノマーa4-6の具体例として挙げることができる。樹脂Aが、酸安定モノマーa4-6に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂Aの全構造単位100モルに対して、1~30モルの範囲から選ばれ、3~25モルの範囲が好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。さらに、酸安定モノマーa4として、例えば、以下の式a4-7で表されるモノマーを用いてもよい。[式a4-7中、環W2は、炭素数3~36の環式脂肪族炭化水素を表す。A4は、単結合又は炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよいが、A4のうち、酸素原子に結合している原子は炭素原子である。R14は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のハロアルキル基を表す。R15及びR16は、それぞれ独立に、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数1~6のハロアルキル基を表す。]式a4-7においては、環W2は、炭素数は5~18の環式脂肪族炭化水素が好ましく、6~12の範囲がより好ましい。具体的には、上述した式KA-1~式KA-19で示した脂環式炭化水素が挙げられる。すなわち、式a4-7において、で示される部分構造は、式KA-1~式KA-19の脂環式炭化水素を構成する水素原子の1個がA4との結合手に、脂環式炭化水素の環原子である炭素原子の1つに結合している2つの水素原子が、-O-CO-R15又は-O-CO-R16との結合手に置き換わったものを挙げることができる。W2としては、シクロヘキサン環、アダマンタン環及びノルボルネン環が特に好ましい。A4の脂肪族炭化水素基における置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、アシル基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基が好ましい。A4としては、例えば、アルカンジイル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた脂肪族炭化水素基であることが適している。このような脂肪族炭化水素基としては、以下の式Xx-A、式Xx-B及び式Xx-Cで表される基などが挙げられる。式中、XX1及びXX2は、それぞれ独立に、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~6のアルカンジイル基を表し、XX1及びXX2がともに単結合であることはなく、式Xx-A、式Xx-B及び式Xx-Cで表される基の総炭素数は17以下である。A4における脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基が酸素原子又はカルボニル基に置き換わった基としては、例えば、式aの基a-1で例示したものが挙げられる。なかでも、A4は、単結合又は-CH2s1-CO-O-は-O-との結合手を表し、s1は1~6の整数を表す。で表される基が好ましく、単結合又は-CH2-CO-O-は-O-との結合手を表すで表される基がより好ましい。R14は、水素原子又はメチル基が好ましい。R14~R16におけるハロゲン原子としては、フッ素原子が特に好ましい。R14及びR16のハロアルキル基のうち、好ましくはペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基及びペルフルオロブチル基などが挙げられ、より好ましくは、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基及びペルフルオロプロピル基である。酸安定モノマーa4-7としては、例えば、以下に示すものが挙げられる。R14~R16及びA4は、上記と同義である。これらの中でも、で示されるモノマーがより好ましい。酸安定モノマーa4-7としては、以下のものが挙げられる。ここに示した酸安定モノマーa4-7の具体例において、上述したように、部分構造Pを部分構造Vに置き換えたものも、酸安定モノマーa4-7の具体例として挙げられる。酸安定モノマーa4-7は、式a4-7-aで表される化合物と、式a4-7-bで表される化合物とを反応させることにより製造することができる。式a4-7-aで表される化合物は例えば、特開2002-226436号公報に記載されている1-メタクリロイルオキシ-4-オキソアダマンタンなどが挙げられる。式a4-7-bで表される化合物としては、例えば、ペンタフルオロプロピオン酸無水物、ヘプタフルオロ酪酸無水物及びトリフルオロ酢酸無水物などが挙げられる。この反応は、用いる式a4-7-bで表される化合物の沸点温度付近で加温することにより、実施することが好ましい。[式a4-7-a及び式a4-7-b中W2、A4、R14、R15及びR16は、前記と同義である。]樹脂Aが、酸安定モノマーa4-7に由来する構造単位を有する場合、その含有割合は、樹脂AAの全構造単位100モルに対して、1~30モルの範囲から選ばれ、3~25モルの範囲が好ましく、5~20モルの範囲がさらに好ましい。<樹脂の製造>樹脂Aは、化合物am[化合物am’]と、モノマーa1と、必要に応じて、酸安定モノマーとを重合することによって製造することができる。より好ましくは、化合物a’と、モノマーa1と、酸安定モノマーa2及び/又は酸安定モノマーa3とを共重合することにより製造することができる。樹脂Aを製造する場合、モノマーa1として、アダマンチル基を有するモノマーa1[構造単位a1-1を誘導するモノマーa1]及びシクロへキシル基を有するモノマーa1[構造単位a1-2を誘導するモノマーa1]のうち、少なくとも1種を用いることが好ましく、構造単位a1-1を誘導するモノマーa1を用いることがさらに好ましい。酸安定モノマーとしては、酸安定構造単位a2-1を誘導するモノマー[酸安定モノマーa2]及び酸安定構造単位a3を誘導するモノマー[酸安定モノマーa3]を用いることが好ましい。酸安定モノマーa3としては、酸安定構造単位a3-1及び酸安定構造単位a3-2の少なくとも1種を誘導する酸安定モノマーを用いることが好ましい。樹脂Aは、このようなモノマーを公知の重合法例えばラジカル重合法に供することにより製造することができる。樹脂Aの重量平均分子量は、2,500以上50,000以下であることが好ましく、3,000以上30,000以下がさらに好ましい。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものであり、該分析の詳細な分析条件は、本願の実施例で詳述する。<酸発生剤B1>酸発生剤B1は、前記式B1で表されるスルホン酸塩である。繰り返しになるが、式B1を以下に示す。式B1中、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1~6のペルフルオロアルキル基を表す。Lb1は、置換基を有していてもよい炭素数1~17の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Yは、置換基を有していてもよい炭素数1~18の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又はスルホニル基に置き換わっていてもよい。Zは、有機カチオンを表す。ペルフルオロアルキル基としては、フッ化アルキル基のうちのペルフルオロアルキル基が挙げられる。式B1においては、Q1及びQ2は、それぞれ独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子が好ましく、Q1及びQ2がともにフッ素原子がさらに好ましい。Lb1における脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わったものとしては、例えば、以下の式b1-1~式b1-6のいずれかで示される基が挙げられる。なお、式b1-1~式b1-6は、その左右を式B1に合わせて記載しており、左側の結合手は、CQ1Q2と結合し、右側の結合手はYと結合している。以下の式b1-1~式b1-6の具体例も同様である。は結合手を表し、一方はYと、他方はCQ1Q2の炭素原子と結合している。式b1-1~式b1-6中、Lb2は、単結合又は炭素数1~15の脂肪族炭化水素基を表す。Lb3は、単結合又は炭素数1~12の脂肪族炭化水素基を表す。Lb4は、炭素数1~13の脂肪族炭化水素基を表し、Lb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。Lb5は、炭素数1~15の脂肪族炭化水素基を表す。Lb6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1~15の脂肪族炭化水素基を表し、Lb6及びLb7の合計炭素数の上限は16である。Lb8は、炭素数1~14の脂肪族炭化水素基を表す。Lb9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1~11の脂肪族炭化水素基を表し、Lb9及びLb10の合計炭素数の上限は12である。式b1-1で表される2価の基は、例えば、以下のものが挙げられる。式b1-2で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-3で表される2価の基は例えば、以下のものが挙げられる。式b1-4で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-5で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。式b1-6で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。Lb1は、好ましくは式b1-1~式b1-4のいずれかで表される基であり、さらに好ましくは式b1-1~式b1-3のいずれかで表される基である。これらの中でも、Lb1として、式b1-1で表される2価の基、Lb2が単結合又はメチレン基である式b1-1で表される2価の基がより好ましい。Lb1における脂肪族炭化水素基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基及びグリシジルオキシ基などが挙げられる。Yはアルキル基及び脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数1~6のアルキル基及び炭素数3~12の脂環式炭化水素基がさらに好ましく、炭素数3~12の脂環式炭化水素基が特に好ましい。Yにおける脂肪族炭化水素基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子但し、フッ素原子を除く、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数7~21のアラルキル基、炭素数2~4のアシル基、グリシジルオキシ基又は-CH2j2-O-CO-Rb1で表される基式中、Rb1は、炭素数1~16の炭化水素基を表す。j2は、0~4の整数を表すなどが挙げられる。ここで、芳香族炭化水素基及びアラルキル基には、例えば、アルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基をさらに有していてもよい。Yの脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基が酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わった基としては、例えば、環状エーテル基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基の1つ又は2つが酸素原子に置き換わった基、環状ケトン基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基の1つ又は2つがカルボニル基に置き換わった基、スルトン環基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びスルホニル基に置き換わった基及びラクトン環基脂環式炭化水素基を構成するメチレン基のうち隣り合う2つのメチレン基が、それぞれ、酸素原子及びカルボニル基に置き換わった基などが挙げられる。Yの脂環式炭化水素基の好ましい基は、以下に示す式Y1~式Y5のいずれかで表される脂環式炭化水素基であり、これらのうち、式Y1、式Y2、式Y3及び式Y5のいずれかで表される脂環式炭化水素基がさらに好ましく、式Y1及び式のいずれかで表される脂環式炭化水素基が特に好ましい。置換基を有する脂環式炭化水素基の具体例は例えば、以下のものである。なかでも、Yとしては、ヒドロキシアダマンチル基が特に好ましい。酸発生剤B1を構成するスルホン酸アニオンとしては、例えば、式b1-1-1~式b1-1-9で表されるものが挙げられる。この式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンにおいて、Lb1は式b1-1で表される基が好ましい。また、Rb2及びRb3は、それぞれ独立に、Yの脂肪族炭化水素基に任意に有することもある置換基として定義したものであり、炭素数1~4の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチル基が特に好ましい。式b1-1-1~式b1-1-9のいずれかで表されるスルホン酸アニオンの具体例は例えば、特開2010-204646号公報に記載されているスルホン酸アニオンを挙げることができる。スルホン酸アニオンとして、Lb1が、式b1-1で表される基が好ましく、Yが、式Y1又は式で表される脂環式炭化水素基であるものが好ましい。Yが無置換の脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-1~式b1-s-9のいずれかで表されるものが挙げられる。Yがヒドロキシ基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-10~式b1-s-18のいずれかで表されるものが挙げられる。Yが環状ケトン基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-19~式b1-s-29のいずれかで表されるものが挙げられる。Yが芳香族基を有する脂環式炭化水素基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-30~式b1-s-35のいずれかで表されるものが挙げられる。Yが、前記ラクトン環基又は前記スルホン酸環基であるスルホン酸アニオンとしては、以下の式b1-s-36~式b1-s-41のいずれかで表されるものが挙げられる。また、Yはアルキル基であってもよい。このようなスルホン酸アニオンとしては例えば、以下の式b1-s-42で表されるものが挙げられる。酸発生剤B1中の有機カチオンZは例えば、オニウムカチオン、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン及びホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、スルホニウムカチオン及びヨードニウムカチオンが好ましく、さらに好ましくは、以下の式b2-1~式b2-4のいずれかで表される有機カチオンである。式b2-1~式b2-4において、Rb4~Rb6は、それぞれ独立に、炭素数1~30の炭化水素基を表し、この炭化水素基のうちでは、炭素数1~30のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基及び炭素数6~18の芳香族炭化水素基が好ましい。Rb4とRb5が一緒になってヘテロ原子を有してもよい環を形成してもよい。前記アルキル基は、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を有していてもよく、前記脂環式炭化水素基は、ハロゲン原子、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよく、前記芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の飽和環状炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を有していてもよい。Rb7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。m2及びn2は、それぞれ独立に0~5の整数を表す。Rb9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1~18のアルキル基又は炭素数3~18の脂環式炭化水素基を表す。Rb11は、水素原子、炭素数1~18のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表す。Rb9~Rb11は、それぞれ独立に、脂肪族炭化水素基であり、この脂肪族炭化水素基がアルキル基である場合、その炭素数は1~12であると好ましく、この脂肪族炭化水素基が脂環式炭化水素基である場合、その炭素数は3~18であると好ましく、4~12であるとさらに好ましい。Rb12は、炭素数1~18の炭化水素基を表す。この炭化水素基のうち、芳香族炭化水素基は、炭素数1~12のアルキル基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基又は炭素数1~12のアルキルカルボニルオキシ基を有していてもよい。Rb9とRb10及び/又はRb11とRb12は、それぞれ独立に、互いに結合して3員環~12員環好ましくは3員環~7員環を形成していてもよく、これらの3員環~12員環好ましくは3員環~7員環は脂環式炭化水素又は該脂環式炭化水素を構成するメチレン基が、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わった環である。Rb13~Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表す。Lb11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に、0~5の整数を表す。q2及びr2は、それぞれ独立に、0~4の整数を表す。u2は0又は1を表す。o2が2以上であるとき、複数のRb13は同一でも異なっていてもよく、p2が2以上であるとき、複数のRb14は同一でも異なっていてもよく、s2が2以上であるとき、複数のRb15は同一でも異なっていてもよく、t2が2以上であるとき、複数のRb18は同一でも異なっていてもよい。アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基、sec-ブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2-エチルヘキシルカルボニルオキシ基などが挙げられる。Rb9とRb10との組み合わせが結合して形成する環としては、例えば、チオラン-1-イウム環テトラヒドロチオフェニウム環、チアン-1-イウム環及び1,4-オキサチアン-4-イウム環などが挙げられる。Rb11とRb12との組み合わせが結合して形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環などが挙げられる。式b2-1~式b2-4で表される有機カチオンの具体例は、特開2010-204646号公報に記載されたものを挙げることができる。中でも、カチオンb2-1が好ましく、以下の式b2-1-1で表される有機カチオン以下、カチオンb2-1-1というがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=0である。又はトリトリルスルホニウムカチオン式b2-1-1中、v2=w2=x2=1であり、R19、R20及びR21がいずれもメチル基である。がさらに好ましい。式b2-1-1中、Rb19~Rb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基又は炭素数1~12のアルコキシ基を表し、該脂肪族炭化水素基は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルコキシ基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基、炭素数2~4のアシル基又はグリシジルオキシ基を有していてもよい。Rb19~Rb21から選ばれる2つが一緒になってヘテロ原子を有してもよい環を形成してもよい。v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0~5の整数好ましくは0又は1を表す。v2が2以上のとき、複数のRb19~Rb21はそれぞれ独立であり、w2が2以上のとき、複数のRb20は同一でも異なっていてもよく、x2が2以上のとき、複数のRb21は同一でも異なっていてもよい。式b2-1-1においては、脂肪族炭化水素基の炭素数は1~12であることが好ましく、炭素数1~12のアルキル基及び炭素数4~18の脂環式炭化水素基がより好ましい。Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子より好ましくはフッ素原子、ヒドロキシ基、炭素数1~12のアルキル基、又は炭素数1~12のアルコキシ基である。カチオンb2-1-1としては、以下の化合物が挙げられる。カチオンb2-2としては、以下のものが挙げられる。カチオンb2-3としては、以下のものが挙げられる。酸発生剤B1は、スルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。スルホン酸アニオンと有機カチオンとは、例えば、表1に示すように、任意に組み合わせることができる。表1では、式b1-s-1で表されるスルホン酸アニオンなどを、その式番号に応じて、b1-s-1などと表し、式b2-c-1で表される有機カチオンなどを、その式番号に応じて、b2-c-1などと表す。さらに好ましい酸発生剤B1は、式B1-1~式B1-20で表される塩が挙げられ、より好ましくは、トリフェニルスルホニウムカチオンを含む式B1-1、式B1-2、式B1-3、式B1-6、式B1-11、式B1-12、式B1-13及び式B1-14のいずれかで表される酸発生剤B1が挙げられる。<塩基性化合物C>塩基性化合物Cは、酸を捕捉するという特性を有する化合物、特に、既に説明した酸発生剤Bから発生する酸を捕捉するという特性を有する化合物を意味する。塩基性化合物Cは、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及び塩基性のアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンのいずれでもよい。脂肪族アミンとしては、1級アミン、2級アミン及び3級アミンが挙げられる。塩基性化合物Cとして、好ましくは、式C1で表される化合物~式C8で表される化合物が挙げられ、より好ましくは式C1-1で表される化合物が挙げられる。[式C1中、Rc1~Rc3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数5~10の脂環式炭化水素基又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1~6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。][式C1-1中、Rc2及びRc3は、上記と同義である。Rc4は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数5~10の脂環式炭化水素又は炭素数6~10の芳香族炭化水素基を表す。m3は0~3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4は、同一でも異なっていてもよい。][式C2、式C3及び式C4中、Rc5、Rc6、Rc7及びRc8は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc9は、炭素数1~6のアルキル基、炭素数3~6の脂環式炭化水素基又は炭素数2~6のアルカノイル基を表す。n43は0~8の整数を表し、n43が2以上のとき、複数のRc9は、同一でも異なっていてもよい。]アルカノイル基としては、アセチル基、2-メチルアセチル基、2,2-ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2-ジメチルプロピオニル基等が挙げられる。[式C5及び式C6中、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。Rc14、Rc15及びRc17は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。o3及びp3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、o3が2以上であるとき、複数のRc14は同一でも異なっていてもよく、p3が2以上であるとき、複数のRc15は同一でも異なっていてもよい。Lc1は、炭素数1~6のアルカンジイル基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。][式C7及び式C8中、Rc18、Rc19及びRc20は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。q3、r3及びs3は、それぞれ独立に0~3の整数を表し、q3が2以上であるとき、複数のRc18は同一でも異なっていてもよく、r3が2以上であるとき、複数のRc19は同一でも異なっていてもよく、s3が2以上であるとき、複数のRc20は同一でも異なっていてもよい。Lc2は、単結合又は炭素数1~6のアルカンジイル基、-CO-、-C=NH-、-S-又はこれらを組合せた2価の基を表す。]式C1で表される化合物としては、1-ナフチルアミン、2-ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2-,3-又は4-メチルアニリン、4-ニトロアニリン、N-メチルアニリン、N,N-ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス2-2-メトキシエトキシエチルアミン、トリイソプロパノールアミンエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノ-1,2-ジフェニルエタン、4,4’-ジアミノ-3,3’-ジメチルジフェニルメタン及び4,4’-ジアミノ-3,3’-ジエチルジフェニルメタンなどが挙げられ、これらの中でも、ジイソプロピルアニリンが好ましく、2,6-ジイソプロピルアニリン特に好ましい。式C2で表される化合物としては、ピペラジンなどが挙げられる。式C3で表される化合物としては、モルホリンなどが挙げられる。式C4で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11-52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物などが挙げられる。式C5で表される化合物としては、2,2’-メチレンビスアニリンなどが挙げられる。式C6で表される化合物としては、イミダゾール、4-メチルイミダゾールなどが挙げられる。式C7で表される化合物としては、ピリジン、4-メチルピリジンなどが挙げられる。式C8で表される化合物としては、1,2-ジ2-ピリジルエタン、1,2-ジ4-ピリジルエタン、1,2-ジ2-ピリジルエテン、1,2-ジ4-ピリジルエテン、1,3-ジ4-ピリジルプロパン、1,2-ジ4-ピリジルオキシエタン、ジ2-ピリジルケトン、4,4’-ジピリジルスルフィド、4,4’-ジピリジルジスルフィド、2,2’-ジピリジルアミン、2,2’-ジピコリルアミン及びビピリジンなどが挙げられる。アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3-トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ-n-ブチルアンモニウムサリチラート及びコリンなどが挙げられる。これらの中でもジイソプロピルアニリンが好ましく、2,6-ジイソプロピルアニリンが特に好ましい。<溶剤D>本レジスト組成物に含有される溶剤Dは、用いる樹脂の種類及びその量、酸発生剤Bの種類及びその量などに応じ、さらに後述するレジストパターンの製造において、基板上に本レジスト組成物を塗布する際の塗布性が良好となるという点から適宜、最適なものを選ぶことができる。溶剤Dとしては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルなどのエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2-ヘプタノン及びシクロヘキサノンなどのケトン類;γ-ブチロラクトンなどの環状エステル類を挙げることができる。溶剤Dは、1種のみを使用してもよく、2種以上を併用してもよい。<その他の成分>本レジスト組成物は、必要に応じて、樹脂A、酸発生剤B、溶剤D及び必要に応じて用いられる塩基性化合物C以外の構成成分を含有していてもよい。この構成成分を成分Fという。かかる成分Fとしては、本技術分野で広く用いられている添加剤であり、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料などである。<本レジスト組成物の調製>本レジスト組成物は、樹脂A、酸発生剤B及び溶剤Dを混合するか又は樹脂A、酸発生剤B、塩基性化合物C及び溶剤Dを混合することにより調製することができる。必要に応じて成分Fを混合することもある。混合順序は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10~40°Cの範囲から、用いる樹脂Aなどの種類や樹脂Aなどの溶剤Dに対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5~24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合などを用いることができる。溶剤Dの含有割合は、上述のとおり、樹脂Aの種類などに応じて適宜調節できるが、本レジスト組成物総質量に対して90質量以上であることが好ましい。溶剤Dの含有割合が90質量である本レジスト組成物では、本レジスト組成物総質量に対する固形分の含有割合は10質量に該当する。ここで、固形分とは、本レジスト組成物から溶剤を取り除いたものをいう。固形分の含有割合は、液体クロマトグラフィー及びガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定できる。このような含有割合で溶剤Dを含むレジスト組成物は、例えば後述するレジストパターンの製造方法において、厚み30~300nm程度の組成物層を形成可能な薄膜レジストとして適している。この観点からは、レジスト組成物総質量に対する溶剤Dの含有割合は、より好ましくは92質量以上であり、さらに好ましくは94質量以上である。溶剤Dの含有割合の上限は例えば、99.9質量以下であり、好ましくは99質量以下である。この溶剤Dの含有割合は、本レジスト組成物を調製する際の溶剤Dの使用量により制御可能であり、本レジスト組成物を調製した後には、レジスト組成物を、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段に供して求めることもできる。樹脂Aの本レジスト組成物に対する含有割合は、本レジスト組成物の固形分の総質量に対する樹脂Aの合計量から、好ましい範囲が選択される。例えば、固形分の総質量に対する樹脂の含有割合は、80質量以上であることが好ましい。酸発生剤Bの含有質量は、本レジスト組成物に含まれる樹脂Aの総質量に対して、好ましい範囲が選択される。例えば、樹脂A100質量部に対して、酸発生剤Bが好ましくは1質量部以上であり、より好ましくは3質量部以上である。また、樹脂A100質量部に対して、酸発生剤Bが好ましくは40質量部以下であり、より好ましくは35質量部以下である。本レジスト組成物に塩基性化合物Cを用いる場合、例えば、固形分の総質量に対する塩基性化合物Cの含有割合は、0.01~1質量程度であることが好ましい。これら樹脂A及び酸発生剤B並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物Cの各々の好適な含有割合は、本レジスト組成物を調製する際の各々の使用量により制御可能である。本レジスト組成物を調製した後には、本レジスト組成物を、例えばガスクロマトグラフィー、液体クロマトグラフィー等の公知の分析手段に供して求めることもできる。成分Fを本レジスト組成物に用いる場合には、成分Fの種類に応じて、適切な含有量を調節することもできる。樹脂A、酸発生剤B及び溶剤D並びに必要に応じて用いられる塩基性化合物C又は成分Fの各々を好ましい含有量で混合した後、孔径0.2μm程度のフィルターを用いてろ過等することにより、本レジスト組成物を調製することができる。<レジストパターンの製造方法>続いて、本レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法について説明する。本発明のレジストパターンの製造方法は、1本レジスト組成物を基板上に塗布する工程、2基板上に塗布された本レジスト組成物から溶剤を除去することにより、該基板上に組成物層を形成する工程、3組成物層を露光する工程、4露光後の組成物層を加熱する工程、5加熱後の組成物層を現像する工程を含む。工程1におけるレジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーターなど、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。このようにして基板上にレジスト組成物からなる塗布膜が形成される。塗布装置の条件塗布条件を種々調節することで、塗布膜の膜厚は調整可能であり、適切な予備実験等を行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。レジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のものを選ぶことができる。なお、レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜を形成したりしてもよい。この反射防止膜の形成には、例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いることができる。工程2においては、塗布膜から溶剤Dを除去する。このような溶剤除去は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いた加熱手段又は減圧装置を用いた減圧手段或いはこれらの手段を組み合わせて行われる。加熱手段や減圧手段の条件は、レジスト組成物に含まれる溶剤Dの種類等に応じて調整されるが、例えばホットプレートを用いる加熱手段ホットプレート加熱では、ホットプレートの表面温度を50~200°C程度の範囲にしておけばよい。また、減圧手段では、適当な減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、該減圧機の内部圧力を1~1.0×105Pa程度にすればよい。このようにして、基板上に組成物層が形成される。工程3は組成物層を露光する工程であり、好ましくは、露光機を用いて該組成物層を露光することができる。この際には、微細加工を実施しようとする所望のパターンに応じたマスクを介して露光が行われる。露光機の露光光源としては、KrFエキシマレーザ波長248nm、ArFエキシマレーザ波長193nm、F2レーザ波長157nmのような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源YAG又は半導体レーザ等からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。露光機は液浸露光機であってもよい。上述のとおり、マスクを介して露光することにより、組成物層には露光された部分露光部及び露光されていない部分未露光部が生じる。露光部の組成物層では該組成物層に含まれる酸発生剤Bが露光エネルギーを受けて酸を発生し、さらに発生した酸との作用により、樹脂Aにある酸不安定基が脱保護反応を生じ、結果として露光部の組成物層にある樹脂Aはアルカリ水溶液に可溶なものとなる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けていないため、樹脂Aはアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままとなる。このように、露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違する。工程4においては、露光部で生じうる脱保護基反応及び/又はその進行を促進するために、加熱処理を行う。加熱処理は工程2で示したホットプレートを用いる加熱手段などが採用される。なお、工程4におけるホットプレート加熱では、ホットプレートの表面温度は50~200°C程度が好ましく、70~150°C程度がさらに好ましい。工程5は、加熱後の組成物層を現像する工程であり、好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置により現像する。ここでいう現像とは、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させることにより、露光部の組成物層を該アルカリ水溶液に溶解させ、未露光部の組成物層を基板上に残す。これにより、基板上にレジストパターンが製造される。ここで用いられるアルカリ水溶液は、アルカリ現像液と称されて、本技術分野で用いられるものを用いることができる。アルカリ水溶液としては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液、2-ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド通称コリンの水溶液などが挙げられる。得られたレジストパターンは、好ましくは超純水等でリンス処理を行い、さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去する。以上のような工程1~工程5を含むレジストパターン製造方法によれば、本レジスト組成物は、優れたフォーカスマージンDOFでレジストパターンを製造することができる。また、本レジスト組成物に含有される樹脂A、酸発生剤B及び塩基性化合物Cそれぞれの含有割合等を調整することにより、工程1~工程5を含むレジストパターン製造方法では、優れたラインエッジラフネスLERのレジストパターンが得られるという効果もある。<用途>本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、EB用のレジスト組成物又はEUV露光機用のレジスト組成物、さらに液浸露光用のレジスト組成物として好適である。以下に、実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す及び部は、特記しないかぎり質量基準である。樹脂Aの組成比樹脂A製造に用いた各モノマーに由来する構造単位の、樹脂Aに対する共重合比は、重合終了後の反応液における未反応モノマー量を、液体クロマトグラフィーを用いて測定し、得られた結果から重合に用いられたモノマー量を求めることにより算出した。また、樹脂Aの重量平均分子量は、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーの分析条件は下記のとおりである。カラム:TSKgelMultiporeHXLMx3guardcolumn東ソー社製溶離液:テトラヒドロフラン流量:10mL/min検出器:RI検出器カラム温度:40°C注入量:100μl分子量標準:標準ポリスチレン東ソー社製化合物の構造は、質量分析LCはAgilent製1100型、MASSはAgilent製LC/MSD型を用い、分子ピークを測定することで確認した。合成例1式M-Dで表される化合物の合成;化合物am’製造に係る実施例式I1-1で表される化合物7.00部及びアセトニトリル35.00部を、反応器中に仕込み、23°Cで30分間攪拌し、40°C程度に昇温した。得られた溶液に、式I1-2で表される化合物7.02部を添加し、1-クロロブタン140部および触媒としてチタニウムイソプロポキシド0.6部を、70°C程度まで昇温し、さらに、2時間攪拌した。得られた反応液を冷却、ろ過し、ろ液を回収することにより、式I1-3で表される化合物を含む溶液を得た。式I1-3で表される化合物を含む溶液に、式I1-4で表される化合物5.06部を添加し、23°Cで24時間攪拌した。得られた反応混合物を濃縮した。得られた濃縮物をカラム分取固定床:メルク製シリカゲル60-200メッシュ、展開溶媒:n-ヘプタン/酢酸エチル=5/1することにより、式M-Dで表される化合物5.98部を得た。MS質量分析:274.1分子イオンピーク樹脂の合成樹脂の合成に使用した化合物を下記に示す。以下、ここに示す樹脂合成用の化合物を、その式符号に応じてモノマーa1-1-2などという。合成例2樹脂A1の合成モノマーa1-1-2、モノマーa2-1-1、モノマーa3-1-1及びモノマーM-Dを用い、そのモル比モノマーa1-1-2:モノマーa2-1-1:モノマーa3-1-1:モノマーM-Dが40:20:30:10となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを73°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を、再びジオキサンに溶解して溶解液を得、この溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量9.5×103の樹脂A1共重合体を収率85で得た。この樹脂A1は、以下の構造単位を有するものである。合成例3樹脂A2の合成モノマーM-A、モノマーM-B及びモノマーM-Cを用い、そのモル比モノマーM-A:モノマーM-B:モノマーM-Cが39.4:30.3:30.3となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のMIK4-メチル-2-ペンタノンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、1mol及び3mol添加し、これらを80°Cで約8時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を、再びメタノールに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量9.2×103の樹脂A2共重合体を収率70で得た。この樹脂A2は、以下の構造単位を有するものである。合成例4樹脂A3の合成モノマーとして、モノマーa1-1-2、モノマーa2-1-1、モノマーa3-1-1及びモノマーM-Eを用い、そのモル比モノマーa1-1-2:モノマーa2-1-1:モノマーa3-1-1:モノマーM-Eが30:20:40:10となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、0.8mol及び2.4mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量1.1×104の樹脂A3共重合体を収率66で得た。この樹脂A3は、以下の構造単位を有するものである。合成例5樹脂X1の合成モノマーとして、モノマーHを用い、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス2,4-ジメチルバレロニトリルを全モノマー量に対して各々、0.7mol及び2.1mol添加し、これらを75°Cで約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量1.8×104の樹脂X1共重合体を収率77で得た。この樹脂X1は、以下の構造単位を有する。実施例及び比較例<レジスト組成物の調製>表2に示す成分を、以下に示す溶剤に混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。<樹脂>A1及びA2:上述した樹脂の合成例で得られた樹脂A1及び樹脂A2<酸発生剤><塩基性化合物:クエンチャー>C1:2,6-ジイソプロピルアニリン<溶剤>プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート268.0部プロピレングリコールモノメチルエーテル20.0部2-ヘプタノン20.0部γ-ブチロラクトン3.0部<レジスト組成物の液浸露光評価>12インチのシリコン製ウェハ上に、有機反射防止膜用組成物[ARC-29;日産化学株製]を塗布して、205°C、50秒の条件でベークすることによって、厚さ78nmの有機反射防止膜を形成した。次いで、有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が110nmとなるようにスピンコートした。得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表2のPB欄に記載された温度で50秒間プリベークPBした。得られたウェハに、液浸露光用ArFエキシマステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=130、35Y軸偏光]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。露光後、ホットプレート上にて、表2のPEB欄に記載された温度で50秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行い、さらに2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。各レジスト膜において、45nmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量となる露光量を実効感度とした。<フォーカスマージンDOF評価>フォーカスマージンDOF:実効感度において、フォーカスを振った場合、線幅が45nm±5の幅にある範囲42.75~47.25nmを線幅指標とした。DOFの結果を表3に示す。本レジスト組成物実施例1及び2は、優れたフォーカスマージンDOFでレジストパターンを製造することができるものであった。一方、比較例1のレジスト組成物では、レジストパターン製造時のフォーカススマージンDOFが不良であった。<レジスト組成物の液浸露光評価>12インチのシリコン製ウェハ上に、有機反射防止膜用組成物[ARC-29;日産化学株製]を塗布して、205°C、60秒の条件でベークすることによって、厚さ78nmの有機反射防止膜を形成した。次いで、有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が85nmとなるようにスピンコートした。得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表2のPB欄に記載された温度で60秒間プリベークPBした。得られたウェハに、液浸露光用ArFエキシマステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=135、3/4AnnularX-Y偏光]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。露光後、ホットプレート上にて、表2のPEB欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベークPEBを行い、さらに2.38質量テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。各レジスト膜において、50nmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量となる露光量を実効感度とした。<ラインエッジラフネス評価LER>リソグラフィプロセス後のレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパターンの側壁の凹凸の振れ幅を求めた。その結果を表4に示す。"