基板が配置されると共に内部が所定の真空状態にされる処理室と、処理室の外部に備えられ前記基板の表面にエネルギーを与えるエネルギー源と、前記処理室の一部を構成し前記エネルギー源からのエネルギーを前記処理室の内部に透過させる窓部材と、前記処理室の内部に設けられ前記処理室の内部及び基板を加熱することで基板を所定の温度分布に保つ熱源と、前記窓部材に対向して前記処理室の内部に設けられ前記熱源からの熱を遮断する遮断部材とを備えたことを特徴とする真空処理装置。請求項1に記載の真空処理装置において、前記エネルギー源は紫外線照射手段であり、前記窓部材は紫外線を透過する石英製の石英窓であり、前記遮断部材は前記石英窓の対向部に設けられることで少なくとも前記石英窓に対する前記熱源からの熱を遮断することを特徴とする真空処理装置。請求項2に記載の真空処理装置において、前記処理室は円筒状の処理室であり、前記処理室の上部に前記石英窓が天井部材として固定され、前記石英窓の上側に前記紫外線照射手段が設けられ、前記基板を支持する基板支持部材が前記処理室の内部に設けられ、前記基板支持部材の下方に前記熱源が設けられ、前記遮断部材は円盤状に形成されて前記基板支持部材の上部に設けられていることを特徴とする真空処理装置。請求項3に記載の真空処理装置において、前記熱源はランプ加熱手段であり、前記基板支持部材の下部に設けられることを特徴とする真空処理装置。請求項4に記載の真空処理装置において、前記遮断部材には、中央部に円形の開口が形成され、主に前記石英窓の周縁部に対する熱が遮断されることを特徴とする真空処理装置。請求項4に記載の真空処理装置において、前記遮断部材には、複数の小穴が形成され、前記処理室の内部の温度が維持されて熱が遮断されることを特徴とする真空処理装置。請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の真空処理装置において、前記基板には低誘電率膜組成物が形成され、前記エネルギー源からのエネルギーが照射されると共に前記熱源による加熱により前記低誘電率膜組成物が低誘電率膜として硬化処理されることを特徴とする真空処理装置。低誘電率組成物が塗布された基板が加熱されると共に、前記低誘電率組成物に処理室の外部から透過する紫外線が照射されることで基板に低誘電率膜を形成する基板処理方法において、前記基板の処理を行う時を除き、前記紫外線の照射源及び前記処理室の前記紫外線が透過する部位に対し、前記処理室の内部を加熱する際の熱を遮断することを特徴とする基板処理方法。基板に低誘電率組成物を塗布する塗布装置と、前記塗布装置で低誘電率組成物が塗布された前記基板が搬入される請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の真空処理装置とを備えたことを特徴とする低誘電率膜作製装置。本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、基板を加熱すると共にエネルギー源からのエネルギーを与える処理に際し、処理室の窓部材やエネルギー源への熱の影響をなくして必要な予備加熱を行うことができる真空処理装置を提供することを目的とする。また、本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、低誘電率膜を硬化キュアさせる処理に際し、紫外線透過部位や紫外線照射手段への熱の影響をなくして必要な予備加熱を行うことができる基板処理方法を提供することを目的とする。本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、低誘電率膜を硬化キュアさせる処理に際し、処理室やエネルギー源への熱の影響をなくして必要な予備加熱を行うことができる真空処理装置を備えた低誘電率膜作製装置を提供することを目的とする。上記目的を達成するための請求項1に係る本発明の真空処理装置は、基板が配置されると共に内部が所定の真空状態にされる処理室と、処理室の外部に備えられ前記基板の表面にエネルギーを与えるエネルギー源と、前記処理室の一部を構成し前記エネルギー源からのエネルギーを前記処理室の内部に透過させる窓部材と、前記処理室の内部に設けられ前記処理室の内部及び基板を加熱することで基板を所定の温度分布に保つ熱源と、前記窓部材に対向して前記処理室の内部に設けられ前記熱源からの熱を遮断する遮断部材とを備えたことを特徴とする。このため、基板が存在しない状態で熱源により加熱を行う際に、窓部材や窓部材を通してのエネルギー源への熱の影響を遮断部材で遮断することができ、基板を加熱すると共にエネルギー源からのエネルギーを与える際に、処理室の窓部材やエネルギー源への熱の影響をなくして必要な予備加熱を行うことが可能になる。そして、請求項2に係る本発明の真空処理装置は、請求項1に記載の真空処理装置において、前記エネルギー源は紫外線照射手段であり、前記窓部材は紫外線を透過する石英製の石英窓であり、前記遮断部材は前記石英窓の対向部に設けられることで少なくとも前記石英窓に対する前記熱源からの熱を遮断することを特徴とする。このため、石英窓に対する熱を遮断部材で遮断することで、石英窓の固定部の処理室との熱膨張差による変形に伴うクラックの発生を防止することができる。また、請求項3に係る本発明の真空処理装置は、請求項2に記載の真空処理装置において、前記処理室は円筒状の処理室であり、前記処理室の上部に前記石英窓が天井部材として固定され、前記石英窓の上側に前記紫外線照射手段が設けられ、前記基板を支持する基板支持部材が前記処理室の内部に設けられ、前記基板支持部材の下方に前記熱源が設けられ、前記遮断部材は円盤状に形成されて前記基板支持部材の上部に設けられていることを特徴とする。このため、石英窓や石英窓を通しての紫外線照射手段への熱源からの熱の影響を遮断部材で遮断することができ、基板を加熱すると共に紫外線を照射する処理に際し、処理室の石英窓や紫外線照射手段への熱の影響をなくして必要な予備加熱を行うことが可能になる。石英窓としては、例えば、角型状や円盤状のものが適用される。また、請求項4に係る本発明の真空処理装置は、請求項3に記載の真空処理装置において、前記熱源はランプ加熱手段であり、前記基板支持部材の下部に設けられることを特徴とする。このため、ランプ加熱手段を用いて処理室の内部の温度を昇温させることで基板を加熱するので、加熱手段を基板に接触させることなく基板を加熱することができる。また、請求項5に係る本発明の真空処理装置は、請求項4に記載の真空処理装置において、前記遮断部材には、中央部に円形の開口が形成され、主に前記石英窓の周縁部に対する熱が遮断されることを特徴とする。このため、中央部に円形の開口が形成された遮断部材を用いることで、金属製の処理室における石英窓の周縁の固定部に対する熱の影響を低減することができ、熱膨張率の差による変形により石英窓の周縁にクラックが発生することを防止して、処理室の石英窓や紫外線照射手段への熱の影響をなくすことができる。また、請求項6に係る本発明の真空処理装置は、請求項4に記載の真空処理装置において、前記遮断部材には、複数の小穴が形成され、前記処理室の内部の温度が維持されて熱が遮断されることを特徴とする。このため、複数の小穴が形成された遮断部材を用いることで、処理室内の温度を制御して、処理室の石英窓や紫外線照射手段への熱の影響をなくすことができる。また、請求項7に係る本発明の真空処理装置は、請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の真空処理装置において、前記基板には低誘電率膜組成物が形成され、前記エネルギー源からのエネルギーが照射されると共に前記熱源による加熱により前記低誘電率膜組成物が低誘電率膜として硬化処理されることを特徴とする。このため、低誘電率膜組成物を低誘電率膜として硬化処理する際に処理室の窓部材やエネルギー源への熱の影響をなくして必要な予備加熱を行うことが可能になる。上記目的を達成するための請求項8に係る本発明の真空処理方法は、低誘電率組成物が塗布された基板が加熱されると共に、前記低誘電率組成物に処理室の外部から透過する紫外線が照射されることで基板に低誘電率膜を形成する基板処理方法において、前記基板の処理を行う時を除き、前記紫外線の照射源及び前記処理室の前記紫外線が透過する部位に対し、前記処理室の内部を加熱する際の熱を遮断することを特徴とする。このため、低誘電率組成物を硬化キュアさせて低誘電率膜を形成する処理に際し、紫外線透過部位や紫外線照射手段への熱の影響をなくして必要な予備加熱を行うことができる。上記目的を達成するための請求項9に係る本発明の低誘電率膜作製装置は、基板に低誘電率組成物を塗布する塗布装置と、前記塗布装置で低誘電率組成物が塗布された前記基板が搬入される請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の真空処理装置とを備えたことを特徴とする。このため、低誘電率膜を硬化キュアさせる処理に際し、処理室やエネルギー源への熱の影響をなくして必要な予備加熱を行うことができる真空処理装置を備えた低誘電率膜作製装置とすることができる。本発明の真空処理装置は、基板を加熱すると共にエネルギー源からのエネルギーを与える処理に際し、処理室の窓部材やエネルギー源への熱の影響をなくして必要な予備加熱を行うことが可能になる。本発明の基板処理方法は、低誘電率膜を硬化キュアさせる処理に際し、紫外線透過部位や紫外線照射手段への熱の影響をなくして必要な予備加熱を行うことが可能になる。本発明の低誘電率膜作製装置は、低誘電率膜を硬化キュアさせる処理に際し、処理室やエネルギー源への熱の影響をなくして必要な予備加熱を行うことが可能になる。図1に基づいて低誘電率膜作製装置を説明する。図1には本発明の真空処理装置を備えた低誘電率膜作製装置の全体の処理のフローを概念的に示してある。図に示すように、低誘電率材料Lowk材料の塗布液1がスピンコータ2により基板3に塗布される。塗布液1が均一にされた基板3は低温例えば、70°Cから150°Cで焼成される。低誘電率材料が焼成された基板3は枚葉式の真空処理装置4に搬送され、基板3が所定の温度例えば、350°Cに加熱された状態で紫外線UV5が照射されて硬化キュアされる。これにより、十分な機械的強度を有する低誘電率膜が基板3に作製される。図2、図3に基づいて低誘電率膜を基板3に作製する真空処理装置4を具体的に説明する。図2には本発明の第1実施例に係る真空処理装置の全体の側面側からの断面状態、図3には円盤状の遮断盤の外観状態を示してある。図に示すように、真空処理装置4は、上面が開口した円筒状の金属製のチャンバ11を備え、チャンバ11の上部には開口部12が形成されている。チャンバ11の開口部12には円盤状の石英窓13が配され、石英窓13の周縁がOリング14を介してチャンバ11の上部の開口部12の縁に固定されている。チャンバ11及び石英窓13により処理室15が形成され、処理室15の内部は図示しない真空排気系により所定の真空状態に排気される。チャンバ11の壁面には搬送口10が設けられ、搬送口10を介して基板3の搬入搬出が行われる。処理室15には基板3が載置されて支持される基板支持部材である基板支持台16が備えられ、基板支持台16は昇降自在に備えられている。基板支持台16の上面には保持部材17が設けられ、保持部材17により基板3が所定の位置に規制されて保持される。基板支持台16の下部には熱源となるランプ加熱手段としてランプヒータ18が設けられ、ランプヒータ18により処理室15の内部と基板3が加熱され、基板3が所定の温度分布に保たれる。基板支持台16の下方における処理室15にはリフレクタ19が設けられ、基板3の搬送口10からの搬入搬出の経路を避けた状態で、基板支持台16がランプヒータ18と共に下方からリフレクタ19に覆われている。また、石英窓13の上方には紫外線UV照射装置21が設けられ、低誘電率材料が焼成された基板3に対し、紫外線UV照射装置21から石英窓13を通して紫外線UV5図1参照が照射される。基板支持台16の上方におけるチャンバ11の内壁の同一高さの複数個所には支持材22が固定され、支持材22には遮断部材としての円盤状の遮断盤23が載置されている。遮断盤23は処理室15を予備加熱する際に搬送口10を介して処理室15の内部に搬入され、ランプヒータ18により処理室15が昇温された際に、石英窓13及び紫外線UV照射装置21への熱の伝達が遮断盤23で遮断される。遮断盤23は、耐熱温度が高く、熱膨張性が低く、比重が低く、安価な材料が適用され、例えば、アルミナ、SiC、SiN等のセラミックスやTi等の金属が適用される。上述した真空処理装置4では、ランプヒータ18により低誘電率材料が焼成された基板3が所定の温度例えば、350°Cに加熱され、紫外線UV照射装置21から石英窓13を通して紫外線UV5図1参照が基板3に照射される。紫外線UV5図1参照が照射されることにより、低誘電率材料が硬化キュアされ、十分な機械的強度を有する低誘電率膜が基板3に作製される。紫外線UV5図1参照が基板3に照射される処理に先立ち、ランプヒータ18により処理室15が昇温されて冶具や処理室内が所定の温度に予備加熱される。この時、遮断盤23が支持材22に載置され、石英窓13及び紫外線UV照射装置21への熱の伝達が遮断盤23で遮断される。これにより、処理室15を加熱するための熱の影響を石英窓13及び紫外線UV照射装置21が受けることがなくなり、遮断盤23の下側の雰囲気の温度を必要な状態に均一に保つことができる。予備加熱を実施する際に、石英窓13及び紫外線UV照射装置21は熱の影響を受けることがないので、過熱状態になる虞がなく、金属製のチャンバ11における石英窓13の周縁の固定部に対する熱の影響を低減することができ、熱膨張率の差による変形により石英窓13の周縁にクラックが発生することが防止される。また、紫外線UV照射装置21が熱に曝されることがなくなり、熱損傷が生じることがなくなる。このため、処理室15の予備加熱を十分に実施することが可能になり、低誘電率材料の硬化キュア処理を効率よく行うことができる。また、紫外線UV照射装置21が熱に曝されることがないので、紫外線UV照射装置21側での熱の対策を簡素化することができる。熱源としてランプヒータ18を用いているので、熱源が基板3に接触することがなく、コンタミ等が発生する虞がない。従って、低誘電率組成物を硬化キュアさせて低誘電率膜を形成する処理に際し、石英窓13や、紫外線UV照射装置21への熱の影響をなくして必要な予備加熱を行うことが可能になる。図4、図5に基づいて真空処理装置の第2実施例を説明する。図4には本発明の第2実施例に係る真空処理装置の全体の側面側からの断面状態、図5には開口が形成された遮断盤の外観状態を示してある。尚、第2実施例の真空処理装置は、第1実施例の真空処理装置に対して遮断盤の形状が異なるので、同一部材には同一符号を付して重複する説明は省略してある。基板支持台16の上方におけるチャンバ11の内壁の同一高さの複数個所には支持材22が固定され、支持材22には遮断部材としての遮断盤26が載置されている。遮断盤26は、円盤状で中央部に円形の開口27が形成されている。遮断盤26は、処理室15を予備加熱する際に搬送口10を介して処理室15の内部に搬入され、ランプヒータ18により処理室15が昇温された際に、石英窓13の周縁部チャンバ11に対する固定部の熱の伝達が遮断盤26で遮断される。予備加熱を実施する際に、石英窓13の周縁部位は熱の影響を受けることがないので、過熱状態になる虞がなく、金属製のチャンバ11における石英窓13の周縁の固定部に対する熱の影響を大幅に低減することができ、熱膨張率の差による変形により石英窓13の周縁にクラックが発生することが確実に防止される。また、遮断盤26には開口27が形成されているので、処理室15の全体の雰囲気を均一に昇温させることができる。このため、石英窓13の周縁のクラック発生を防止すると同時に処理室15の内部の全体に亘り加熱を均一に行うことができる。紫外線UV照射装置として熱の対策が施されたものが使用されている場合、石英窓13のクラック発生の防止に特化して軽量の遮断盤26を設けることができ、石英窓13の周縁のクラック発生を確実に防止した状態で予備加熱を実施することができる。上述した第1実施例、第2実施例では、遮断盤23、遮断盤26を支持材22に載置した例を挙げて説明したが、基板3の保持部材17に保持させることも可能である。また、リフレクタ19の上縁に載置することも可能である。尚、遮断盤の形状は、図6に示すように、円盤状で外周部位の厚さが中心部位の厚さに対して厚くなった遮断盤31を適用することができる。外周部の厚さを厚くした遮断盤31を備えることで、金属製のチャンバ11図2、図4参照における石英窓13図2、図4参照の周縁の固定部に対する熱の影響を確実に低減することができ、遮断盤31の下側を均一に昇温させて予備加熱を実施することができる。また、遮断盤の形状は、図7に示すように、円盤状で複数の小穴32が形成された遮断盤33を適用することができる。小穴32が形成された遮断盤33を備えることで、処理室15の全体の雰囲気の昇温制御を行うことができる。図8に基づいて真空処理装置の第3実施例を説明する。図8には本発明の第3実施例に係る真空処理装置の全体の側面側からの断面状態を示してある。尚、第3実施例の真空処理装置は、第1実施例、第2実施例の真空処理装置に対して基板支持台16の構成が異なるので、同一部材には同一符号を付して重複する説明は省略してある。図に示すように、チャンバ11の内部には基板支持台16が備えられ、基板支持台16は昇降自在に備えられている。基板支持台16の上面には熱源としてのホットプレート41が設けられている。ホットプレート41には基板3が直接載置され、基板3の背面が所定の温度に加熱される。そして、ランプヒータ18図2、図4参照は備えられていない。第3実施例の真空処理装置は、ホットプレート41を備えた真空処理装置であっても、石英窓13及び紫外線UV照射装置21が熱の影響を受けることがない。上述した真空処理装置は、エネルギー源として紫外線UV照射装置を例に挙げて説明したが、電子ビーム装置等他のエネルギー源を適用することも可能である。また、上述した真空処理装置は、スピンコータ2により表面に低誘電率材料が塗布された基板3を処理する装置を例に挙げて説明したが、CVD装置等の成膜装置により低誘電率材料が形成された基板の処理に適用することも可能である。更に、上述した真空処理装置は、低誘電率膜を作製する処理に限らず、基板の表面の硬化処理等に適用することができる。