"式MnXy式中、Mが遷移金属であり、且つXがカルコゲンである。で表される結晶質半導体物質の、少なくとも1つの最初のコロイド状ナノ結晶における、沿面成長によるコロイド状ナノシートの製造方法であって、合成溶媒として使用され、少なくとも1つの最初のナノ結晶を含む、非配位性またはわずかに配位している第1の有機溶液の調製のステップと、前駆物質MおよびXを含み、酢酸塩をさらに含む、第2の有機溶液の調製のステップと、ナノシートの成長のため、所定の温度にて所定量の前記第1の溶液中に所定量の前記第2の溶液を所定の時間にわたってゆっくりと導入するステップ、を含む、コロイド状ナノシートの製造方法。前記少なくとも1つの最初のコロイド状ナノ結晶は、CdO、CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、HgS、HgSe、HgTe、CuInS2、CuInSe2、AgInS2、AgInSe2、CuS、Cu2S、Ag2S、Ag2Se、Ag2Te、FeS、FeS2、InP、Cd3P2、Zn3P2、FeO、Fe2O3、Fe3O4、Al2O3、TiO2およびそれらの合金から作製される、請求項1に記載の製造方法。前記少なくとも1つの最初のコロイド状ナノ結晶は、少なくとも1つのコロイド状ナノシートである、請求項1または2に記載の製造方法。前記成長した結晶物質MnXyは、CdO、CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、HgS、HgSe、HgTe、CuInS2、CuInSe2、AgInS2、AgInSe2、CuS、Cu2S、Ag2S、Ag2Se、Ag2Te、FeS、FeS2、InP、Cd3P2、Zn3P2、FeO、Fe2O3、Fe3O4、Al2O3、TiO2およびそれらの合金の中から選択される化合物である、請求項1~3の何れか1項に記載の製造方法。前記半導体結晶物質MnXyは、遷移金属と共に添加される、請求項1~4の何れか1項に記載の製造方法。前記酢酸塩の一部は、前記第1の有機溶液中に導入される、請求項1~5の何れか1項に記載の製造方法。前記第1の有機溶液は、前もって行われたコロイド状ナノ結晶の合成に由来する粗反応混合物から作製される、請求項1~6の何れか1項に記載の製造方法。前記前駆物質Mは、Mのカルボン酸塩であり、具体的にはMの酢酸塩、Mのステアリン酸塩、Mのミリスチン酸塩またはMの安息香酸塩である、請求項1~7の何れか1項に記載の製造方法。前記前駆物質Mは、Mのホスホン酸塩である、請求項1~7の何れか1項に記載の製造方法。前記前駆物質Mは、Mのジチオカルバミド酸塩またはMのキサントゲン塩である、請求項1~7の何れか1項に記載の製造方法。前記前駆物質Xは、0.01Mから化学量論的比率までの濃度でホスフィン中に溶解したXを含む、請求項1~10の何れか1項に記載の製造方法。前記前駆物質Xは、0.01M~0.2Mの範囲の濃度でアルセンalcene中に溶解したXである、請求項1~11の何れか1項に記載の製造方法。前記前駆物質Xは、非配位性またはわずかに配位している溶媒中に分散したXの微粉100メッシュである、請求項1~11の何れか1項に記載の製造方法。前記第2の溶液にリガンドが添加されており、前記リガンドは、カルボン酸、アミン、チオール、ホスフィンまたはホスフィンオキシドであり得る、請求項1~13の何れか1項に記載の製造方法。前記温度Tは、20°C~350°Cの間である、請求項1~14の何れか1項に記載の製造方法。前記第2の溶液は、1時間よりも長い時間にわたって導入される、請求項1~15の何れか1項に記載の製造方法。前記酢酸塩は、細かく粉砕され、前記第2の溶液中に分散される、請求項1~16の何れか1項に記載の製造方法。前記酢酸塩は、適切な溶媒に分散される、請求項1~16の何れか1項に記載の製造方法。前記酢酸塩を溶解するために使用される前記溶媒は、水、エタノール、イソプロパノール、ジメチルスルホキシドの中から選択される、請求項1~18の何れか1項に記載の製造方法。前記第1の溶液は、1-オクタデセン、トリオクチルアミン、トルエンまたは安息香酸ベンジルの中から選択される、請求項1~19の何れか1項に記載の製造方法。前記ナノシートは、CdSeから作製されており、また前記塩酸塩は、カドミウム酢酸塩である、請求項1~20の何れか1項に記載の製造方法により得られたコロイド状ナノシート。前記ナノシートは、10nm超の沿面の大きさを有する、請求項1~21の何れか1項に記載の製造方法により得られたコロイド状ナノシート。前記ナノシートは、0.3nm~100nmの厚さを有する、請求項1~21の何れか1項に記載の製造方法により得られたコロイド状ナノシート。前記ナノシートは、均一性の組成物を有する、請求項1~21の何れか1項に記載の製造方法により得られたコロイド状ナノシート。前記ナノシートは、均一性の組成物を有し、前記最初のナノ結晶は、前記MnXy成長物質と比較して異なる組成物を有する、請求項1~21の何れか1項に記載の製造方法により得られたコロイド状ナノシート。前記ナノシートは、大きな特定の範囲の触媒作用の物質として使用される、請求項1~21の何れか1項に記載のコロイド状ナノシート。請求項21~25の何れか1項に記載の結晶性物質のいくつかを含む、発光ダイオード、トランジスタまたはレーザー構成要素用の活性要素。請求項21~25の何れか1項に記載の結晶性物質のいくつかを含む、太陽電池、具体的には吸収装置、および/または光生成電荷の集電器用の活性要素。低温にて基板上に半導体の超薄膜を形成するための、請求項1~20の何れか1項に記載の製造方法により得られた前記ナノ結晶物質の使用。本発明の実施形態の中のいくつかは、後半に記述され、いくつかの半導体ナノ結晶の二次元の成長方法を示すものである。これらの工程は、この厚さを一定に保ち、かつ原子の単層内に制御するように保ったまま、マイクロメートル以上の沿面の大きさに達するものである。前駆物質の性質、反応温度および/または反応混合物のナノ結晶の存在などのいくつかの合成パラメータを制御することにより得られるナノシートの厚さを制御することも可能である。本発明による成長工程は、合成後の精製がなく、寄生性の等方性のナノクリスタルではない、純粋なナノシートを得ることができる。この新規の結晶成長工程は、現在すべてのコロイド状半導体ナノ結晶の有機合成に使用され、高温にて前駆物質を急速に注入することによるパラダイム核生成/成長に対処する。実際に、本発明の1つの実施形態において、この前駆物質は、合成の間、ゆっくりとフラスコ中に導入される。この核生成速度はフラスコの温度および注入速度により制御され、このシステムは、全て注入された前駆物質がナノシート成長に消費されるまで、平衡状態の成長状態にて撹拌され、この最初の核生成は、導入された前駆物質がいずれかの時間にて消費されるために十分な反応媒体中の種を得るという結果となる。このナノシートこの沿面寸法の最終的な大きさは、導入された前駆物質により結果的に制御される。さらに、この提唱された成長工程は、酢酸塩を処置することができる層状構造の複合体が、ナノシートの形成に対する成長を引き起こすソフトテンプレートの方法により、ナノシートの合成を記述に対処するものである。本発明の1つの実施形態において、細かく粉砕され、かつよく分散された酢酸塩を含む前駆物質の溶液は、酢酸塩がない状態にて暖かい有機溶媒であり得る反応混合物内にゆっくりと添加される。温度および前駆物質の性質を制御することにより、このシートの厚さを制御することが可能であり、この濃度は、注入の速度により制御され、この沿面の大きさは、導入される前駆物質の量により制御される。このシートの幾何学的形状は、特に、使用される酢酸塩の性質により決定される。以下では、一般的な式MXによるナノ結晶物質二元化合物を示すものであり、このMは、遷移金属であり、Xは、カルコゲンである。記述された工程により合成することができるシートは、CdO、CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTeおよびそれらの合金である。同様に、Fe、Cu、Mn、Mg、Coなどを添加した以前と同一に維持された物質を成長させることも可能である。この合成は、ナノ結晶性の種と同様に、非配位性またはわずかに配位している有機溶媒を含むフラスコ中の酢酸塩と同じく、MおよびXの前駆物質のゆっくりとした導入からなる。二次元的な成長を得るために、酢酸塩が使用される。いずれかの種類の酢酸塩であり得、異なる酢酸塩の使用が、ナノシートの異なる幾何学的形状をもたらす。CdSeの場合、酢酸カドミウムの使用が、正方形のシートをもたらすことを示す。本発明の1つの実施形態において、この酢酸塩は、モーターにて細かく粉砕され、導入のための溶液中に分散される。この場合、この合成は制御され、等方性のナノ結晶または酢酸塩の熱的分解により導入される酸化物などの望ましくない化合物が出現するという結果とはならない。その後、マイクロメートルより優れて大きな沿面次元を備えたナノシートを得ることが可能であり、このことは、酢酸塩が反応媒体中に直接存在する場合には、不可能である。実際に、この場合では、このことは、この合成に徐々に損害を与え、大きく純粋なナノシートを得るという結果とはならない。一般的に、使用される前駆物質Mは、脂肪酸から作成されるMカルボン酸塩2である。この前駆物質Mは、同様に、M酢酸塩複合体としてもあり得る。さらに正確には、この前駆物質Mは、Mオレイン酸塩、Mステアリン酸塩、またはMミリスチン酸塩とすることができる。この前駆物質Xは、Xまたは均一性の分散した粉末Xを含む液体であり得る。さらに正確には、この前駆物質Xは、0.1Mから化学量論の濃度にてホスフィントリオクチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリゲニルホスフィンなど中に溶解することができ、また0.01Mから0.2Mの濃度の1-オクタデセンなどのアルケン中に溶解することができる。この前駆物質Xは、H2XまたはNa2Xなどの二価の還元の度合であることができる。この溶媒は、非配位性またはわずかに配位しているいずれかの種類の有機溶媒とすることができる。より正確には、この溶媒は、1-オクタデセン、トリオクチルアミン、トルエンまたは安息香酸ベンジルとすることができる。この前駆物質の導入の間のフラスコの温度は、20°Cから250°Cの範囲内とすることができる。このことは、合成を望むナノシートの前駆物質および厚さに依存する。特に、この温度は、150°Cから200°Cの範囲内とすることができる。この合成は、好ましくは、不活性雰囲気アルゴンまたは窒素下において作用し、望ましくない酸化物の形成を避けるものであるが、空気中にて作用することも可能である。実施例本発明は、以下の実施例の論述により記述されるが、この記述は制限するものではない。実施例1.462nmにて蛍光を発するナノシートの合成100mlの3つ首フラスコ中にて、10mlの1-オクタデセンを、前もって乳鉢内にて粉砕した40mgのCd酢酸塩2,2H2Oに導入した。この混合物を磁性的に撹拌し、かつ真空下で30分間脱気する。この反応媒体は、不活性雰囲気アルゴン下を通り、180°Cにて加熱する。同時に、前もって乳鉢内にて粉砕した40mgのCd酢酸塩2,2H2O、240mgのCdミリスチン酸塩2、および4mlのトリオクチルアミンの混合物をCdミリスチン酸塩2が完全に溶解するまで、撹拌しながら加熱される。0.1MのODE中の4mlのセレン溶液をその後添加する。この混合物は、冷却によりゲル化する。このゲルは、この反応媒体に280°Cにて2時間にわたり注入され、核生成および200nmより大きい沿面次元を備えるナノシートの成長を得る結果となる。実施例2.510nmにて蛍光を発するナノシートの成長100mlの3つ首フラスコ中にて、10mlの1-オクタデセンを前もって乳鉢内にて粉砕したCd酢酸塩2,2H2Oを導入し、参照12に記述される方法を通して10nmolのCdSeナノ結晶を合成する。この混合物を磁性的に撹拌し、かつ真空下にて30分間脱気する。この反応媒体は、不活性雰囲気アルゴン下により行われ、180°Cにて加熱される。同時に、40mgの前もって乳鉢内にて粉砕したCd酢酸塩2,2H2Oの混合物、240mgのCdミリスチン酸塩2、および4mlのトリオクチルアミンを、Cdミリスチン酸塩2が完全に溶解するまで撹拌下で加熱する。0.1MのODE中の4mlのセレン溶液がその後添加される。この混合物は、冷却によりゲル化する。このゲルは、反応媒体中にて200°Cにて4時間にわたり注入され、核生成および100nmより大きい沿面次元を備えたナノシートの成長を得る結果となる。本発明の他の実施形態において:100mlの3つ首フラスコ中にて、10mlの1-オクタデセンを、参照12に記述される方法を通して合成される10nmolのCdSeのナノ結晶に導入する。この混合物を磁性的に撹拌し、30分間真空下にて脱気する。この反応媒体は、不活性雰囲気アルゴン下にて行われ、240°Cにて加熱される。同時に、1mlのエタノール中の前もって乳鉢内にて粉砕した96mgのCd酢酸塩2,2H2Oの混合物、46μlのオレイン酸、1mlのブタノール、および0.1MのODE中の4mlのセレン溶液を調製する。この溶液を、反応媒体中にて、240°C、10分注入し、核生成および100nmより大きい沿面次元を備えたナノシートの成長を得る結果となる。実施例3.393nmの蛍光を発するナノシートの合成10mlのトルエンを、100mlの3つ首フラスコ中に導入する。このフラスコを100°Cにて加熱し、5mlのトルエン、133mgのCd酢酸塩2,2H20、30mgの安息香酸および100μlの化学量論的TOPSeを含むシリンジが調製される。その後、このシリンジを、熱したトルエンのフラスコ中に5ml/時間の速度にて、1時間にわたり注入する。この反応媒体はゆっくりと濁るようになり、このことは、393nmにて蛍光を発する大きなナノシートの形成を示唆するものである。これらは、遠心分離およびトルエンにおける再懸濁を介してこの反応媒体から分離される。以下の実施例に表されるナノ結晶を製作するこの新規の方針は、得られたナノシートの沿面次元の厚さおよび調整を制御することを可能にする。光起電力的、電子的および光学的な多様化における領域においてこれらの物質の新規な用途に対する方法が開かれるものである。この沿面次元は、導入された前駆物質の量を介して制御され、この厚さは、温度、前駆物質および反応媒体のナノ結晶の最初の存在物といった合成パラメータにより制御される。この露出した前駆物質に続くナノシートの合成は、球面状のナノ結晶の形成および酢酸塩の分解反応を最小化する。特に、この前駆物質および酢酸塩のわずかな粉末をゆっくりとした注入することにより、球面状のナノ結晶の形成などの望ましくない反応を回避し、したがって、純粋なナノシートを得ることを可能にする。実施例4:ナノシートCdSe/CdSの成長100mlの3つ首フラスコにおいて、参照12に記述される方法により合成される10nmolのCdSeナノ結晶に10mlの1‐オクタデセンを導入する。この混合物を磁性的に撹拌し、かつ30分間脱気する。この反応雰囲気をアルゴンに切り替え、この溶液を240°Cに温める。その間、1mlのエタノール中に溶解した96mgのCd酢酸塩22H20、46μlのオレイン酸、1mlのブタノール、および0.1MのODE中の4mlの硫黄から構成される混合物を調整する。この溶液を、この反応混合物中に240°Cにて30分にわたって注入し、50nmより大きな沿面の大きさを備えたCdSe/CdSの核/クラウンナノシートの成長を引き起こす。この核/クラウンシートの構造は、図4上に図式化され、この図中のA1はCdSeであり、A2はCdSである。"