処理容器内に基板を配置し、成膜原料として固体原料であるCo2CO8を用い、これをCo2CO8の分解開始温度未満の温度で気化させて気体原料とし、これを前記基板に至るまでCo4CO12が生成されないようにして前記基板に供給し、前記基板上で熱分解によりCo膜を成膜することを特徴とする成膜方法。基板の温度を、Co2CO8の分解開始温度以上でCo4CO12が生成する温度未満にすることを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。基板の温度を45°C以上100°C未満とすることを特徴とする請求項2に記載の成膜方法。Co2CO8を気化させた後、基板に至るまでの気体原料の経路の温度をCo2CO8の気化温度以上でCo2CO8の分解開始温度未満とすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の成膜方法。Co2CO8を気化させた後、基板に至るまでの気体原料の経路の温度を常温以上45°C未満とすることを特徴とする請求項4に記載の成膜方法。前記処理容器内の圧力、気体原料の温度、基板の温度、気体原料の流量を、基板上でCo4CO12が生成されないように設定することを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。処理容器圧力をPPa、基板の伝熱面積をAm2、基板温度をTwK、ガス温度をTaK、気体原料の流量をfsccmとした場合に、以下の式を満たすことを特徴とする請求項6に記載の成膜方法。{P2×ATw-Ta}/f<122.1Co2CO8を気化させるとともにH2ガスと反応させて気体原料としてHCoCO4を生成させ、これを基板上に供給することを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。基板の温度を45~300°Cとすることを特徴とする請求項8に記載の成膜方法。前記Co膜を成膜後、その上に電解メッキによりCuを堆積させることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の成膜方法。コンピュータ上で動作し、成膜装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項1から請求項10のいずれかの成膜方法が行われるように、コンピュータに前記成膜装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。しかしながら、原料としてCo2CO8を用いた場合には、Co2CO8の輸送中に重合反応を生じてCo4CO12が生成され、Co2CO8とCo4CO12の混合状態で供給されることがある。このように混合状態で原料が供給され、基板上でこれらが分解してCo膜が形成されると、Co膜の段差被覆性が十分ではなく、また、再現性高く成膜することが困難となることが判明した。本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、成膜原料としてCo2CO8を用いてCo膜を成膜する場合に、段差被覆性が良好でかつ再現性高くCo膜を成膜することができる成膜方法を提供することを課題とする。また、そのような成膜方法を実行するためのプログラムを記憶した記憶媒体を提供することを課題とする。上記課題を解決するために、本発明は、処理容器内に基板を配置し、成膜原料として固体原料であるCo2CO8を用い、これをCo2CO8の分解開始温度未満の温度で気化させ、前記基板に至るまでCo4CO12が生成されないようにして前記基板上で熱分解によりCo膜を成膜することを特徴とする成膜方法を提供する。本発明において、基板の温度を、Co2CO8の分解開始温度以上でCo4CO12が生成する温度未満にすることが好ましい。具体的には、基板の温度を45°C以上100°C未満とすることが好ましい。また、Co2CO8を気化させた後、基板に至るまでの気体原料の経路の温度をCo2CO8の気化温度以上でCo2CO8の分解開始温度未満とすることが好ましい。具体的にはCo2CO8を気化させた後、基板に至るまでの気体原料の経路の温度を常温以上45°C未満とすることが好ましい。さらに、本発明において、前記処理容器内の圧力、気体原料の温度、基板の温度、気体原料の流量を、基板上でCo4CO12が生成されないように設定することが好ましい。具体的には、処理容器圧力をPPa、基板の伝熱面積をAm2、基板温度をTwK、ガス温度をTaK、気体原料の流量をfsccmとした場合に、以下の式を満たすことが好ましい。{P2×ATw-Ta}/f<122.1さらに、本発明において、Co2CO8を気化させるとともにH2ガスと反応させて気体原料としてHCoCO4を生成させ、これを基板上に供給するようにしてもよい。この場合に、基板の温度を45~300°Cとすることが好ましい。本発明に係るCo膜の成膜方法は、Co膜を成膜後に、その上に電解メッキによりCuを堆積させる用途に適用することができる。また、本発明は、コンピュータ上で動作し、成膜装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、上記成膜方法が行われるように、コンピュータに前記成膜装置を制御させることを特徴とする記憶媒体を提供する。本発明によれば、成膜原料としてCo2CO8を用い、Co2CO8の分解開始温度未満の温度で気化させて気体原料とし、これを前記基板に至るまでCo4CO12が生成されないようにして基板に供給するので、Co2CO8とCo4CO12の混合状態で基板に供給される場合のような段差被覆性が不十分な状態や再現性が低い状態となることなく、段差被覆性が良好でかつ再現性高くCo膜を成膜することができる。以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。<本発明の成膜方法を実施するための成膜装置の構成例>図1は、本発明の成膜方法を実施するための成膜装置の一例を示す略断面である。この成膜装置100は、気密に構成された略円筒状のチャンバー1を有しており、その中には被処理基板である半導体ウエハWを水平に支持するためのサセプタ2が、後述する排気室の底部からその中央下部に達する円筒状の支持部材3により支持された状態で配置されている。このサセプタ2はAlN等のセラミックスからなっている。また、サセプタ2にはヒーター5が埋め込まれており、このヒーター5にはヒーター電源6が接続されている。一方、サセプタ2の上面近傍には熱電対7が設けられている。熱電対7の信号は後述する温度コントローラ60に伝送されるようになっている。そして、温度コントローラ60は熱電対7の信号に応じてヒーター電源6に指令を送信し、ヒーター5の加熱を制御してウエハWを所定の温度に制御するようになっている。なお、サセプタ2には3本のウエハ昇降ピン図示せずがサセプタ2の表面に対して突没可能に設けられており、ウエハWを搬送する際に、サセプタ2の表面から突出した状態にされる。チャンバー1の天壁1aには、円形の孔1bが形成されており、そこからチャンバー1内へ突出するようにシャワーヘッド10が嵌め込まれている。シャワーヘッド10は、後述するガス供給機構30から供給された成膜用のガスをチャンバー1内に吐出するためのものであり、その天板11には成膜原料ガスが導入されるガス導入口12が設けられている。シャワーヘッド10の内部にはガス拡散空間13が形成されており、シャワーヘッド10の底板14には多数のガス吐出孔15が設けられている。そして、ガス導入口12からガス拡散空間13に導入されたガスがガス吐出孔15からチャンバー1内に吐出されるようになっている。チャンバー1の底壁には、下方に向けて突出する排気室21が設けられている。排気室21の側面には排気管22が接続されており、この排気管22には真空ポンプや圧力制御バルブ等を有する排気装置23が接続されている。そしてこの排気装置23を作動させることによりチャンバー1内を所定の真空度まで減圧することが可能となっている。チャンバー1の側壁には、ウエハ搬送室図示せずとの間でウエハWの搬入出を行うための搬入出口24と、この搬入出口24を開閉するゲートバルブGとが設けられている。また、チャンバー1の壁部には、ヒーター26が設けられており、成膜処理の際にチャンバー1の内壁を加熱することが可能となっている。ヒーター26にはヒーター電源27から給電されるようになっている。ガス供給機構30は、成膜原料である固体状のコバルトカルボニルであるCo2CO8を貯留する成膜原料容器31を有している。成膜原料容器31の周囲にはヒーター32が設けられ、これにより成膜原料であるCo2CO8を加熱して気化するようになっている。ヒーター32にはヒーター電源48から給電されるようになっている。成膜原料容器31には、上方からガス導入配管33が挿入されている。ガス導入配管33にはバルブ34が介装されている。ガス導入配管33はH2ガス配管65とCOガス配管35とキャリアガス配管36とに分岐されており、H2ガス配管65にはH2ガス供給源66が、COガス配管35にはCOガス供給源37が、キャリアガス配管36にはキャリアガス供給源38が接続されている。H2ガス配管65には流量制御器としてのマスフローコントローラ67およびその前後のバルブ68が介装されており、COガス配管35には流量制御器としてのマスフローコントローラ39およびその前後のバルブ40が介装されており、キャリアガス配管36には流量制御器としてのマスフローコントローラ41およびその前後のバルブ42が介装されている。キャリアガスとしてはArガスまたはN2ガスを好適に用いることができる。H2ガスは、Co2CO8と反応してHCoCO4を生成し、Co2CO8の重合反応を抑制する機能を有する。また、COガスは、気化したCo2CO8が分解してCOを生成することを抑制する機能を有する。キャリアガスは成膜原料容器31内で気化して生成されたコバルトカルボニルガスをチャンバー1に搬送するために導入される。H2ガスおよびCOガスは必須ではない。H2ガスおよびCOガスの両方またはいずれか一方を用いる場合に、これらにキャリアガスの機能を持たせてもよく、その場合には別途のキャリアガスは不要である。成膜原料容器31には、上方から成膜原料ガス供給配管43が挿入されており、成膜原料ガス供給配管43の他端はガス導入口12に接続されている。そして、ヒーター32により加熱されて気化されたコバルトカルボニルガスがキャリアガスにより成膜原料ガス供給配管43内を搬送されてガス導入口12を経てシャワーヘッド10へ供給される。成膜原料ガス供給配管43の周囲には、ヒーター44が設けられている。ヒーター44にはヒーター電源49から給電される。また、成膜原料ガス供給配管43には、流量調整バルブ45と、そのすぐ下流側の開閉バルブ46と、ガス導入口12の直近の開閉バルブ47とが設けられている。成膜原料ガス供給配管43のバルブ47の上流には、希釈ガス供給配管61が接続されている。希釈ガス配管61の他端には、希釈ガスとして例えばArガスまたはN2ガス等を供給する希釈ガス供給源62が接続されている。希釈ガス配管61には流量制御器としてのマスフローコントローラ63およびその前後のバルブ64が介装されている。なお、希釈ガスはパージガスや安定化ガスとしても機能する。上記チャンバー1の壁部には熱電対51が取り付けられ、上記成膜原料容器31内には熱電対52が取り付けられ、上記成膜原料ガス供給配管43には熱電対53が取り付けられており、これら熱電対51、52、53は温度コントローラ60に接続されている。上述した熱電対7も含めて、これら熱電対が検出した温度検出信号は温度コントローラ60に送られる。温度コントローラ60には上述のヒーター電源6、27、48、49が接続されている。そして、温度コントローラ60は、上述した熱電対7、51、52、53の検出信号に応じてヒーター電源6、27、48、49に制御信号を送り、ヒーター5、26、32、44によりサセプタ2の温度、チャンバー1の壁部の温度、成膜原料容器31内の温度、成膜原料ガス供給配管43内の温度を制御するようになっている。成膜装置100は制御部70を有し、この制御部70により各構成部、例えば温度コントローラ60、排気装置23、マスフローコントローラ、流量調整バルブ、バルブ等の制御等を行うようになっている。温度コントローラ60に関しては、温度コントローラ60により制御すべき部分の温度設定等を行う。この制御部70は、マイクロプロセッサコンピュータを備えたプロセスコントローラ71と、ユーザーインターフェース72と、記憶部73とを有している。プロセスコントローラ71には成膜装置100の各構成部が電気的に接続されて制御される構成となっている。ユーザーインターフェース72は、プロセスコントローラ71に接続されており、オペレータが成膜装置100の各構成部を管理するためにコマンドの入力操作などを行うキーボードや、成膜装置100の各構成部の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなっている。記憶部73もプロセスコントローラ71に接続されており、この記憶部73には、成膜装置100で実行される各種処理をプロセスコントローラ71の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて成膜装置100の各構成部に所定の処理を実行させるための制御プログラムすなわち処理レシピや、各種データベース等が格納されている。処理レシピは記憶部73の中の記憶媒体図示せずに記憶されている。記憶媒体は、ハードディスク等の固定的に設けられているものであってもよいし、CD-ROM、DVD、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース72からの指示等にて所定の処理レシピを記憶部73から呼び出してプロセスコントローラ71に実行させることで、プロセスコントローラ71の制御下で、成膜装置100での所望の処理が行われる。<本発明の第1の実施形態に係る成膜方法>次に、以上のように構成された成膜装置を用いて行われる本発明の第1の実施形態に係る成膜方法について説明する。本実施形態では、例えば、電解メッキによるCu配線のシードとして用いるCo膜を成膜する。Cu配線のシードとしてCo膜を用いる場合には、ウエハWとして、例えば図2、3に示すような構造のものを用いる。図2は、シリコン基板101に、下層の配線層103に達するホール102が形成され、全面に絶縁膜104が形成された構造であり、図3は、絶縁膜104の上にバリア膜105が形成された構造である。下層の配線層103としては、Al膜、W膜、Cu膜等を挙げることができる。絶縁膜104としては、SiO2膜、SiOxCy系絶縁膜x、yは正の数、有機物系絶縁膜を用いることができる。バリア膜105としては、TiN/Tiの2層膜上層がTiN膜、Ti膜、TiN膜、Ta膜等を用いることができる。本実施形態においては、Co膜の成膜にあたって、成膜原料容器31内に、成膜原料として固体状のCo2CO8を装入した状態とし、さらに、チャンバー1内のサセプタ2の温度、およびチャンバー1の壁部の温度を成膜の際の温度に制御する。次いで、ゲートバルブGを開け、図示しない搬送装置により上記図2または図3の構造のウエハWをチャンバー1内に導入し、サセプタ2上に載置する。次いで、チャンバー1内を排気装置23により排気してチャンバー1内の圧力を133~1333Pa1~10Torrとし、ヒーター5によりサセプタ2を加熱してサセプタ2半導体ウエハWの温度の温度を好ましくは45~300°Cに制御する。そして、バルブ46を閉じバルブ47、64を開けて希釈ガス供給源62からチャンバー1内に希釈ガスを供給して安定化を行う。一方、ヒーター32により、成膜原料容器31をコバルトカルボニルCo2CO8の分解開始温度未満の所定温度に厳密に温度制御しつつ加熱しておき、所定時間希釈ガスによる安定化を行った後、希釈ガスの供給を停止し、または所定流量で希釈ガスを供給したまま、COガスおよび/またはキャリアガスを成膜原料容器31に供給するとともに、バルブ46を開けて成膜原料容器31内で気化したCo2CO8ガスをキャリアガスにより成膜原料ガス供給配管43へ供給する。成膜原料ガス供給配管43においてもヒーター44によりCo2CO8ガスの分解開始温度未満の温度に加熱して、Co2CO8ガスが分解しないようにする。そして、Co2CO8ガスは成膜原料ガス供給配管43内を搬送され、シャワーヘッド10を介してチャンバー1内に供給される。チャンバー1の壁部の温度もヒーター26によりCo2CO8ガスの分解開始温度未満の温度とされる。チャンバー1内に供給されたCo2CO8ガスは、ウエハWの表面に至り、そこで熱分解してCo膜が形成される。この場合に、ウエハWは、サセプタ2内のヒーター5によりCo2CO8ガスの分解開始温度以上でCo4CO12が生成しない温度に制御されており、Co2CO8ガスはCo4CO12を生成させずに熱分解してCo膜となる。このようにしてCo膜を成膜した後、パージ工程を行う。パージ工程では、成膜原料容器31へのキャリアガスの供給を停止してCo2CO8ガスの供給を停止した後、排気装置23の真空ポンプを引き切り状態とし、希釈ガス供給源62から希釈ガスをパージガスとしてチャンバー1内に流してチャンバー1内をパージする。この場合に、できる限り迅速にチャンバー1内をパージする観点から、キャリアガスの供給は断続的に行うことが好ましい。パージ工程が終了後、ゲートバルブGを開け、図示しない搬送装置により、搬入出口24を介してウエハWを搬出する。これにより、1枚のウエハWの一連の工程が終了する。従来は、上述したように成膜原料としてCo2CO8を用いる場合に、Co2CO8が分解しない温度に制御して、Co2CO8ガスの状態でチャンバー1内に供給するようにしていたが、Co2CO8の一部が重合してCo4CO12となり、Co2CO8とCo4CO12の混合状態で供給される。このように混合状態で供給されるとウエハW上で分解してCo膜を形成する際に、Co膜の段差被覆性が十分ではなく、また、再現性高く成膜することが困難となることが判明した。そこで、本実施形態では、上述したように、成膜原料容器31からウエハWに至る前までに、Co2CO8が気化する温度以上で分解開始温度未満の所定温度に厳密に温度制御しておきCo2CO8の分解を防止するとともに、ウエハWの温度をCo2CO8ガスの分解開始温度以上でCo4CO12が生成し難い温度に制御して、重合によるCo4CO12の生成を防止し、ほぼCo2CO8ガスのみがウエハWに供給されて熱分解されるようにした。これにより、段差被覆性が低下したり、再現性が低下することが防止され、段差被覆性が良好でかつ再現性高くCo膜を成膜することができる。なお、シャワーヘッド10にもヒーターを設けて、Co2CO8が気化する温度以上で分解開始温度未満の所定温度に制御することが好ましい。なお、シャワーヘッド10を設けずにガス導入口12から直接チャンバー1内にCo2CO8ガスを導入するようにしてもよい。Co2CO8ガスのような化合物の分解温度については、通常、DTA示差熱分析で把握され、DTAで求めたCo2CO8ガスの分解開始温度は51°Cであり、この温度は、文献THEMERCK10thedition3067に記載された分解開始である52°Cと極めて近い。しかし、減圧TGによる重量変化から、より厳密に分解温度を把握したところ、図4に示すように、分解開始温度は45°Cであった。この結果から判断すると、Co2CO8ガスの分解を抑制する観点から、成膜原料容器31からウエハWに至る前までの原料ガスの温度を45°C未満に制御することが好ましい。下限は事実上常温25°Cとなるので、常温以上45°C未満に制御することが好ましい。一方、Co2CO8は重合反応によりCo4CO12を生成するが、その際に2COが脱離することが知られている。また、図5に示すCo2CO8のTG-DTAの結果より、100°Cまでに2COが脱離し、その後、120°Cまで重量減少がほとんど測定されないことから、2COの脱離によりCo4CO12が生成し、100~120°Cの間で安定な物質として存在すると考えられる。したがって、本実施形態では、ウエハWの温度を、Co2CO8の分解が可能な45°C以上で、かつCo4CO12が安定に存在し難い、つまりCo4CO12が生成し難い温度である100°C未満の温度とする。これにより、Co2CO8とCo4CO12の混合状態で基板に供給される場合のような段差被覆性が不十分な状態や再現性が低い状態をとなることなく、段差被覆性が良好でかつ再現性高くCo膜を成膜することができる。この場合に、成膜原料容器31内でCo2CO8ガスをより分解し難くするためには、分解開始温度未満の温度に制御することに加えて、成膜原料容器31内にCOガスを導入することが好ましい。これにより、成膜原料容器31内のCO濃度が高くなり、Co2CO8の分解反応を抑制することができる。以上のようにして図2、3に示す構造のウエハWにシード膜としてCo膜106を形成した後、ホール102内に電解メッキでCu膜を形成し、CMPにより平坦化することによりCu配線107とすることにより、図6、7の構造を得る。なお、本実施形態のCo膜は、CVD-Cu膜の下地膜として用いることもできる。さらには、Cu拡散バリア膜や、コンタクト層として用いることもできる。Co膜をコンタクト層として用いる場合には、シリコン基板表面またはポリシリコン膜の表面に以上のようにしてCo膜を成膜した後、不活性ガス雰囲気または還元ガス雰囲気でシリサイド化のための熱処理を行う。この際の熱処理の温度は、450~800°Cが好ましい。<本発明の第2の実施形態に係る成膜方法>次に、上記成膜装置を用いて行われる本発明の第2の実施形態に係る成膜方法について説明する。第1の実施形態では、ウエハWの温度をCo2CO8の分解開始温度以上でCo4CO12が生成する温度未満にしたが、本実施形態では、成膜の際にウエハWから得られるエネルギーよりもCo4CO12の形成エネルギーのほうが大きくなるように、チャンバー1内の圧力、気体原料の温度、ウエハWの温度、気体原料の流量を制御するようにした。すなわち、第1の実施形態では、ウエハWの温度のみをCo4CO12を生成させないためのパラメータとしたが、本実施形態ではCo4CO12の形成エネルギーに着目して制御可能なパラメータを増加させた。以下、具体的に説明する。時間tまでに基板から得られるエネルギーは、ニュートンの冷却則により、以下の1式により与えられる。ここで、Q:熱移動量WA:伝熱面積ウエハの面積m2h:熱伝達率W/m2KTw:ウエハ表面の温度KTa:ガス温度Kである。ウエハとチャンバー上部とのギャップをHm、流量fsccm、チャンバー圧力PPaとすると、時間tは以下の2式により導き出せる。t={AH/f×1.667×10-8}×273/Ta×P/1013252ここで、圧力一定であると仮定し、温度が低い方が分解に対して厳しい条件となることから時間tのガスの温度を最も低い常温25°Cで一定として計算する。また、コバルトカルボニルの分解反応で生じるガスはほとんどCOであるため、熱伝達率hとしては流れている空気の値を用いる。空気の熱伝達率は、10~250kcal/m2h°Cであるから、最も大きい値を用いて換算すると、0.069444kcal/m2sec°Cとなる。以上より、以下の3式が成り立つ。Qt>0.0026943P×AH×0.069444×ATw-Ta/f298=37.66×{P×A2HTw-Ta/f}3一方、Co2CO8が重合してCo4CO12を生成する反応は、以下の4式で表される。2Co2CO8=Co4CO124CO4この際の反応エネルギーをΔHkcal/molとすると、Qtは以下の5式で表すことができる。Qt=ΔH×1秒間当たりのCo2CO8の量mol×時間tsec51秒間当たりのCo2CO8の量molをVとすると、Vは以下の6式で表される。V=f×Ta/273×101325/Pa×Pv/P×1/1000×22.4×1/606ここでPvはCo2CO8の蒸気圧であり、この値として45°Cの値である467Pa3.5Torrを用い、反応エネルギーΔHとしてBorandDietler1980の29.49±0.50kcal/molを用い、tとして上記2式を用いると、以下の7式が導かれる。Qt=4.6×103×AH/P7上記3式と7式をまとめると8式のようになり、さらには9式が導かれる。4.6×103×AH/P>37.66×{P×A2HTw-Ta/f}8{P2×ATw-Ta}/f<122.19すなわち、この9式を満たすように、チャンバー圧力P、ガス温度Ta、ウエハ温度Tw、ガス流量fを設定することにより、Co4CO12を生成させないようにすることができる。例えば、基板として300mmウエハを使用し、ガス温度25°C、ガス流量500sccm、ウエハ温度200°Cのとき、これらを上記9式に代入すると、P<70.1となる、すなわち、この条件のときは、チャンバー圧力が70.1Pa0.53Torrよりも小さければ、Co4CO12を生成させずにCo膜を成膜することが可能となる。同様に、他のパラメータガス温度、ガス流量等についても求めることができる。このように、Co4CO12を生成させずにCo膜を成膜することが可能となることから、Co2CO8とCo4CO12の混合状態で基板に供給される場合のような段差被覆性が不十分な状態や再現性が低い状態をとなることなく、段差被覆性が良好でかつ再現性高くCo膜を成膜することができる。<本発明の第3の実施形態に係る成膜方法>次に、上記成膜装置を用いて行われる本発明の第3の実施形態に係る成膜方法について説明する。本実施形態においては、成膜原料容器31内にH2ガスを導入しつつ成膜を行う。この場合に、H2ガスのみであってもよく、H2ガスとキャリアガスを供給するようにしてもよく、H2ガスとCOガスを供給するようにしてもよく、H2ガスとCOガスとキャリアガスを供給するようにしてもよい。H2ガスのみの場合、およびH2ガスとCOガスを用いる場合は、これらがキャリアガスとしての機能も有することとなる。このように、成膜原料容器31内にH2ガスを導入することにより、気化されたCo2CO8が輸送中にH2ガスと反応してHCoCO4となる。このとき、供給配管43は上述したようにCo2CO8の分解開始温度である45°Cよりも低い温度に制御されているので、Co2CO8が分解されることなく、気相反応によりHCoCO4が生成される。HCoCO4は重合反応を起こさないため、Co4CO12を生成させずにウエハWまで供給することができる。このため、Co2CO8とCo4CO12の混合状態で基板に供給される場合のような段差被覆性が不十分な状態や再現性が低い状態をとなることなく、段差被覆性が良好でかつ再現性高くCo膜を成膜することができる。なお、H2ガスの供給先は、輸送中のCo2CO8に供給できれば成膜原料容器31に限るものではない。本実施形態における基板温度は、原料ガスを分解させる観点から45°C以上が好ましい。また、HCoCO4はCo4CO12を生成しないため、第1の実施形態のように、成膜温度を低くする必要はなく、Coの凝集が生じ難い300°C以下が好ましい。<本発明の他の適用>なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、成膜装置は図1に示したものに限定されず、種々のものを適用可能である。また、成膜原料であるCo2CO8の供給手法は上記実施形態の手法に限定する必要はなく、種々の方法を適用することができる。また、被処理基板として半導体ウエハを用いた場合を説明したが、これに限らず、フラットパネルディスプレイFPD基板等の他の基板であってもよい。