一導電型の半導体基板の受光面側に逆導電型の第1半導体層を有する太陽電池であって、前記半導体基板は略矩形であり、3辺において前記第1半導体層は前記半導体基板の受光面から側面を経て裏面の縁の一部領域まで延在し、残る1辺の側面には前記第1半導体層が形成されず、前記一部領域の前記第1半導体層の上に前記第1半導体層と接続された第1電極と、前記一部領域を除く前記裏面の領域に形成された前記一導電型の第2半導体層と、前記第2半導体層の上に前記第2半導体層と接続された第2電極と、を有し、前記半導体基板の側面に金属電極がないことを特徴とする太陽電池。請求項1に記載の太陽電池であって、前記裏面において前記第2半導体層は前記第1半導体層が形成されない前記1辺の際にまで形成されていることを特徴とする太陽電池。請求項1または2に記載の太陽電池であって、前記半導体基板の厚みは150μm以下であることを特徴とする太陽電池。請求項1から3のいずれか1項に記載の太陽電池であって、前記第1半導体層は前記逆導電型の不純物濃度が異なる複数の領域を有し、前記半導体基板の側面における前記第1半導体層の前記不純物濃度が前記受光面の主な部分を占める前記第1半導体層の前記不純物の濃度よりも高いことを特徴とする太陽電池。一導電型の半導体基板の受光面側に逆導電型の第1半導体層を有する太陽電池の製造方法であって、略矩形の一導電型の半導体基板の全辺において受光面から側面を経て裏面の縁の一部領域まで延在する逆導電型の第1半導体層を形成する第1工程と、前記一部領域に前記第1半導体層と接続する第1電極を形成する第2工程と、前記一部領域を除く前記裏面の領域に前記一導電型の第2半導体層を形成する第3工程と、前記第2半導体層の上に前記第2半導体層と接続する第2電極を形成する第4工程と、前記第1工程から前記4工程まで経た後に、前記半導体基板を切断して2つの太陽電池に分割する第5工程を有し、前記第5工程において、切断後の太陽電池は略矩形とされ、該略矩形の3辺の側面には前記第1半導体層が残存し、切断面が前記第1半導体層の形成されていない1辺の側面となり、前記半導体基板の側面に金属電極を形成する工程を含まないことを特徴とする太陽電池の製造方法。請求項1から4のいずれか1項に記載の太陽電池が並設された太陽電池モジュールであって、第1の太陽電池の前記第1半導体層が形成されない前記1辺の側面と第2の太陽電池の前記第1半導体層が形成された側面とが間隔をあけて相対するように太陽電池が並設され、前記第2の太陽電池の前記第1半導体層が延在する3辺で前記第2の太陽電池の前記第1電極に接続された導電部材が、前記第1の太陽電池の前記第1半導体層が形成されない側面の裏面側を経て前記第1の太陽電池の前記第2電極と接続されていることを特徴とする太陽電池モジュール。請求項6に記載の太陽電池モジュールであって、前記導電部材は金属箔からなり、前記第1の太陽電池の前記1辺の長さの半分以上の幅で前記導電部材が前記第1の太陽電池の第1電極と前記第2の太陽電池の第2電極とに接続されていることを特徴とする太陽電池モジュール。請求項6に記載の太陽電池モジュールであって、前記導電部材は複数の箇所で折り曲げた細長の金属箔からなることを特徴とする太陽電池モジュール。請求項6から8のいずれか1項に記載の太陽電池モジュールであって、前記導電部材は銅箔の両面にはんだ被覆したものであることを特徴とする太陽電池モジュール。しかしながら、特許文献1の基板の端面を銀ペースト中に浸漬して付着させるという方法では、付着量がばらつき、しかも焼成時等に銀ペーストが剥がれてしまうという問題があった。また、銀ペーストの塗布、焼成に時間がかかり生産性が悪かった。そこで本発明は、これらの課題を解決することを目的とし、基板の側面に銀ペーストを用いることなく隣接する太陽電池どうしの裏面のみによる電気的接続が良好となる太陽電池とその製造方法および太陽電池モジュールを実現することを目的とする。本発明の太陽電池は、一導電型の半導体基板の受光面側に逆導電型の第1半導体層を有する太陽電池であって、前記半導体基板は略矩形であり、3辺において前記第1半導体層は前記半導体基板の受光面から側面を経て裏面の縁の一部領域まで延在し、残る1辺の側面には前記第1半導体層が形成されず、前記一部領域の前記第1半導体層の上に前記第1半導体層と接続された第1電極と、前記一部領域を除く前記裏面の領域に形成された前記一導電型の第2半導体層と、前記第2半導体層の上に前記第2半導体層と接続された第2電極と、を有し、前記半導体基板の側面に金属電極がないことを特徴とする。また本発明の太陽電池の製造方法は、一導電型の半導体基板の受光面側に逆導電型の第1半導体層を有する太陽電池の製造方法であって、略矩形の一導電型の半導体基板の全辺において受光面から側面を経て裏面の縁の一部領域まで延在する逆導電型の第1半導体層を形成する第1工程と、前記一部領域に前記第1半導体層と接続する第1電極を形成する第2工程と、前記一部領域を除く前記裏面の領域に前記一導電型の第2半導体層を形成する第3工程と、前記第2半導体層の上に前記第2半導体層と接続する第2電極を形成する第4工程と、前記第1工程から前記4工程まで経た後に、前記半導体基板を切断して2つの太陽電池に分割する第5工程を有し、前記第5工程において、切断後の太陽電池は略矩形とされ、該略矩形の3辺の側面には前記第1半導体層が残存し、切断面が前記第1半導体層の形成されていない1辺の側面となり、前記半導体基板の側面に金属電極を形成する工程を含まないことを特徴とする。また、本発明の太陽電池モジュールは、上記の本発明の太陽電池が並設された太陽電池モジュールであって、第1の太陽電池の前記第1半導体層が形成されない前記1辺の側面と第2の太陽電池の前記第1半導体層が形成された側面とが間隔をあけて相対するように太陽電池が並設され、前記第2の太陽電池の前記第1半導体層が延在する3辺で前記第2の太陽電池の前記第1電極に接続された導電部材が、前記第1の太陽電池の前記第1半導体層が形成されない側面の裏面側を経て前記第1の太陽電池の前記第2電極と接続されていることを特徴とする。本発明の太陽電池は、半導体基板の側面に金属電極が形成されていないため、側面の金属電極の剥がれなどの問題が生じることがない。また、半導体基板は略矩形であり、3辺において第1半導体層は半導体基板の受光面から側面を経て裏面の縁の一部領域まで延在し、一部領域に形成されて第1半導体層と接続する第1電極を有し、かつ残る1辺の側面には第1半導体層が形成されないので、金属電極の剥がれ等の問題が生じることがなく、側面に金属電極が形成されていなくても、隣接する太陽電池どうしの裏面のみによる電気的接続が良好となる。また本発明の太陽電池の製造方法は、前記第1工程から前記4工程まで経た後に、前記半導体基板を切断して2つの太陽電池に分割する第5工程を有し、前記第5工程において、切断後の太陽電池は略矩形とされ、該略矩形の3辺の側面には前記第1半導体層が残存し、切断面が切断後の太陽電池の前記第1半導体層が形成されていない1辺の側面となり、前記半導体基板の側面に金属電極を形成する工程を含まないため、側面の金属電極の剥がれ等の問題が生じることがなく、かつ隣接する太陽電池どうしの裏面のみによる電気的接続が良好となる太陽電池の製造が容易となる。また、本発明の太陽電池モジュールは、本発明の太陽電池が並設された太陽電池モジュールであって、第1の太陽電池の前記第1半導体層が形成されない前記1辺の側面と第2の太陽電池の前記第1半導体層が形成された側面とが間隔をあけて相対するように太陽電池が並設され、前記第2の太陽電池の前記第1半導体層が延在する3辺で前記第2の太陽電池の前記第1電極に接続された導電部材が、前記第1の太陽電池の前記第1半導体層が形成されない側面の裏面側を経て前記第1の太陽電池の前記第2電極と接続されているため、側面の金属電極の剥がれの問題が生じることがなく、かつ隣接する太陽電池どうしの裏面のみによる電気的接続が良好となり、かつ、長期耐久性が向上した太陽電池モジュールが得られる。以下に、本発明にかかる太陽電池および太陽電池モジュール、それらの製造方法の実施の形態を図面を用いて説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。さらに、実施の形態において同じ構成要素は同じ符号を付し、ある実施の形態において説明した構成要素については、別の実施の形態においてその詳細な説明を略すものとする。実施の形態1.図1は本実施の形態1の太陽電池の構成を説明する断面図である。図2は本実施の形態1の太陽電池を受光面側から見た平面図、図2は本実施の形態1の太陽電池を裏面側から見た平面図である。図1の断面図は図2または図3の点線AB間の断面に相当する。図1の断面図において上側が主に光が入射する受光面側であり、下側が裏面側である。本実施の形態1の太陽電池は、一導電型の半導体基板1の受光面側に半導体基板1と逆導電型の第1半導体層2を有する太陽電池である。典型的にはp型またはn型のSi単結晶またはSi多結晶基板の受光面に基板とは逆導電型となるn型またはp型の第1半導体層であり、pn接合を有するため光が照射すると光起電力を生じる。第1半導体層2は逆導電型の不純物が添加された半導体材料からなる層であり、たとえば、PリンやBホウ素が熱拡散や成膜技術によってSi材料に添加された層である。半導体基板1は主面である受光面および裏面の形状が略矩形で、厚みが0.1~0.2mmなどの薄板である。略矩形とは、互いに垂直となる2組の平行な辺を有した形状であり、図では長方形の例を示したが、正方形としてもよく、角の一部が切り落とされた形状であってもよい。特に単結晶を用いた太陽電池では、円柱の単結晶インゴットから矩形の基板を形成する際に、切り落とされて無駄となる部分を減らすために、角の一部が切り落とされた形状の基板が使用されることが多く、このような形状も略矩形に含む。略矩形の半導体基板1の2組の平行な辺のうち、3辺の側面である、第2側面12、第3側面13、第4側面14において第1半導体層2は半導体基板1の受光面からこれらの側面を経て裏面の縁の一部領域まで延在する。この縁の一部領域の第1半導体層2の上には第1半導体層2と接続された第1電極8が形成されている。この第1電極8はAg銀を主に含んだ金属材料からなることが望ましい。一方、残る1辺の側面である第1側面11の側面には第1半導体層2がない。また、半導体基板1の側面には金属電極がない。裏面の縁の一部領域を除いた領域には半導体基板1と同じ一導電型の第2半導体層3が形成されている。第2半導体層3は裏面の主な面積を占めて、3辺の第2側面12、第3側面13、第4辺14を除いて、第1側面11の際にまで形成されるようにしてもよい。第2半導体層3は半導体基板1に比べて一導電型の不純物濃度が高く、抵抗率が低い。第2半導体層3も第1半導体層2と同様に半導体に一導電型の不純物を熱拡散や成膜技術で添加して形成された層である。この第2半導体層3の上には第2半導体層3と接続された第2電極6が形成されている。裏面側の第1電極8と第2電極6との間には、たとえば幅0.5mm程度のギャップ16があり、第1電極8と第2電極6とが短絡することを防止している。また、このギャップ16の中に第1半導体層2と第2半導体層3とを分離するためにこれらの層を除去して半導体基板1まで達する分離溝17がある。受光面側の第1半導体層2の上には、入射する光量を高めるため、反射防止膜18があり、また、第1半導体層2に接続された細線電極4およびバス電極5がある。ここでは、電気抵抗を下げるためにバス電極5の幅を細線電極4よりも太くしたが、電極による影面積を低減するためにバス電極5の幅を細線電極4と同じか細くしてもよく、また、受光面側のバス電極5をなくしてもよい。半導体基板1がSi材料である場合、反射防止膜18は窒化シリコンや酸化シリコンと窒化シリコンとの二層膜などで形成するとよい。細線電極4は第1半導体層2の電流を集電する電極であり、受光面を遮る部分が少なくなるように、適当な間隔をあけて配設される。細線電極4は、たとえば、1.5~2.5mmの周期で幅0.05~0.1mm程度の細い幅で細長に形成されたパターンを有する。バス電極5は第2半導体層3が側面に形成された3辺の第2側面12、第3側面13、第4側面14に沿って、これらの辺の近傍に形成される。バス電極5は細線電極4より幅が太い1~数mm程度の幅のパターンを有する。細線電極4はバス電極5に接続されている。これらの細線電極4やバス電極5はAg銀を主に含んだ金属材料からなることが望ましい。細線電極4のかわりに受光面に透明導電膜を形成したり、透明導電膜と細線電極4とをくみあわせたりしてもよい。裏面の第1電極8および第2電極6にはそれぞれ裏面側に導電部材が接続されて、外部に電力が取り出される。第2電極6がAlアルミニウムを主成分とする材料からなる場合、導電部材と第2電極6との電気的接続を容易とするため、Agを主に含んだ金属材料からなる接続電極7を第2電極6の一部に形成してもよい。図3のように、縁に第1半導体層2のない第1側面11の近傍には第1側面11に沿って長い形状の長尺接続電極9を2か所設けた。第1側面11に沿った長さLEの2か所の合計は第1側面11の長さL1の半分以上とした。また、図のように平行な第1側面11と第2側面12との間隔L2を、平行な第3側面13と第4側面14との間隔L1より短くしてもよい。半導体基板1の厚みは、たとえば200μm以下であり、150μm以下であると望ましい。また、第1側面11と第2側面12との間隔L2は、たとえば50~100mmであり、第3側面13と第4側面14との間隔L1は100~200mmなどである。以上のように本実施の形態1は基板と同じ一導電型の第2半導体層3に接続された第2電極6と、受光面を覆って形成された逆導電型の第1半導体層2に接続された第1電極8とが基板の裏面にあるため、裏面のみを用いて発生した電力を取り出したり、複数の太陽電池を接続したりすることが容易となる。1辺の側面に第1半導体層2がないため、この1辺の裏面側を横切って導電部材が第2電極6の電流を取り出すことが容易となる。従来文献のように基板の受光面から側面を経て裏面まで金属電極を形成すると半導体基板1が薄板であるため側面が非常に狭く、金属電極の曲率が大きくなり、また、厚み制御が困難であるため電極に割れ等が生じやすく、金属電極が剥離しやすいなど信頼性上の問題が生じるが、本実施の形態1では金属電極がないためそのような問題が発生しない。また、第1半導体層2と第1電極8との接続は基板の側面の第1半導体層2を経るが、基板の3辺の側面の第1半導体層2を経るようにしたことにより、導体としての第1半導体層2の幅が大きくなり、接続抵抗を小さくすることができる。この接続抵抗を小さくするには、基板側面における導体としての第1半導体層2の長さを短くすればよい。そのため半導体基板1の厚みを200μm以下にすると好ましく、150μmや100μm以下にするとより好ましい。また、受光面のバス電極5と裏面側の第1電極2とは、基板の3辺に沿って形成されるが、基板の縁のできるだけ際にまで近づけて形成されていることが望ましい。さらに、この接続抵抗を小さくするために、第1半導体層2の不純物濃度を高めて抵抗を下げることも効果的である。たとえば、Si単結晶基板に不純物を熱拡散して第1半導体層2を形成する場合、第1半導体層2のシート抵抗として10Ω/□以下とすると接続抵抗を小さくできる。ただし、受光面の抵抗が低い場合、不純物起因の再結合が増大し、発電特性が低下するため、受光面の大部分のシート抵抗は70Ω/□以上とし、シリコン基板側端面付近のみを低抵抗とすることがより好ましい。また、裏面において第1側面11の近傍においては、第2半導体層3がその際にまで形成されているので、この部分は光発電に効率よく寄与することができ、変換効率向上に効果がある。次に、熱拡散によってpn接合を形成するSi太陽電池の製造方法を例にして、本実施の形態1の太陽電池の製造方法を説明する。図4は本実施の形態1の太陽電池の製造方法を示すフロー図である。図5は太陽電池の製造方法を説明する部分断面図であり、図4の各工程を模式的に示したものである。まず、厚さ150μmのp型Si単結晶からなる半導体基板1を用意する。半導体基板1の表面に機械加工などによるダメージが残留する場合には、フッ酸と硝酸の混合溶液や水酸化カリウムの水溶液を使用して表面のダメージ層を除去するダメージエッチング工程S1。次いでPOCl3オキシ塩化リンを拡散源とした熱拡散法を用いて温度700~1000°C程度で、半導体基板1の表面部にドーピング元素を拡散させることによって第1半導体層2を形成するリン拡散工程S2。これにより、略矩形の一導電型の半導体基板1の全辺において受光面から側面を経て裏面の縁の一部領域まで延在する逆導電型の第1半導体層2が形成される。この時、ウェハの4辺の端面周辺部のみをリン酸に浸漬するなどしたのちに急激に500°C程度まで加熱して乾燥させておいてから上記拡散工程を実施するなどして、拡散条件を調整して基板の4辺の側面には特に高濃度にドーピングして電気抵抗を下げておくことが望ましい。次に、基板をフッ化水素酸水溶液中に浸漬することにより、上記拡散工程で形成されたリンガラスを除去する。この後、化学蒸気堆積CVD法を用いて表面にシリコン窒化膜を設けて、パッシベーションを行うとともに、受光面の反射防止膜18を形成する窒化膜形成工程S3。次に、裏面に銀ペーストを、第1電極2、接続電極7、長尺接続電極9の形状にスクリーン印刷する裏面銀電極形成工程S4。また、裏面の主な領域にアルミペーストを占める第2電極3の形状にスクリーン印刷する裏面アルミ電極形成工程S5。第2電極3は接続電極7、長尺接続電極9と接して、電気的に接続される。一方、アルミペーストは第1電極2に接続しないようにギャップ16を開けて印刷される。次に、受光面に銀ペーストを細線電極4、バス電極5の形状にスクリーン印刷する表面銀電極形成工程S6。これらの電極を高温で焼成することで、銀ペーストやアルミペーストに含まれていた添加物を消失させて強固な電極を形成する焼成工程S7。このとき、受光面では、細線電極4、バス電極5は反射防止膜18を侵食して貫通し、その下の第1半導体層2と接続する。また、裏面では、アルミペーストのアルミ成分がSiに熱拡散することにより第2半導体層3ができる。なお、図では接続電極7、長尺接続電極9に接する部分にも第2半導体層3ができるように示したが、これらの部分には必ずしも第2半導体層3ができなくてもよい。第2半導体層3はp型の不純物が高濃度に添加されたいわゆるp層となり、発生した電子が第2電極6で再結合することを防止して、高効率の太陽電池セルを形成することができる。以上によって、裏面の縁の一部領域に第1半導体層2と接続する第1電極8が形成され、その一部領域を除く裏面の領域に一導電型の第2半導体層3が形成され、その第2半導体層3の上に第2半導体層3と接続する第2電極6が形成される。次に、裏面のギャップ16の第1半導体層2や第2半導体層3を除去してpn分離を行う裏面pn分離工程S8。本実施の形態1ではpn分離として、レーザーを照射して第1半導体層2を除去して幅10μm、深さ20μm程度の分離溝17を形成した。pn分離は、リン拡散で形成されたn層である第1半導体層2とアルミで形成されたp層である第2半導体層3とが繋がっていると、それらに接続された第1電極2と第2電極6との間が電気的に低抵抗となってしまい、外部回路に電流が取り出されずの上記p層とn層との間を直接的に電流が流れて損失を生じるので、この損失を防ぐために行われる。なお、分離溝17は、一回のみでなく、複数回のレーザー照射によって形成されていても良く、複数本の溝によって成されていても良い。また、pn分離溝16は電極3になるべく近い方が好ましいが、pn分離溝16形成時にレーザー等を用いた場合で、電極3と重なると、電極3の金属をレーザーで加熱して拡散して、第1電極2と第2電極6との間が電気的に低抵抗となってしまい、外部回路に電流が取り出されずの上記p層とn層との間を直接的に電流が流れて損失を生じるため、注意が必要である。なお、上記太陽電池セルの製造方法には、半導体基板1の受光面にテクスチャー形成等のプロセスが含まれていないが、より高効率を実現するために、含まれていてよく、本発明の効果になんら影響を与えるものではない。最後に、このように形成した半導体基板1を切断する切断工程S9。切断前の略矩形の半導体基板1の中心を通り、かつ、その1辺に平行な切断線50に沿って切断することにより、略矩形の2枚の太陽電池に分割される。図6および図7は切断前の略矩形の太陽電池とその切断線50の位置を受光面および裏面側から示した平面図である。受光面および裏面側の各電極は切断線50に対して対称な形状となっているので、切断後に同一形状の2つの太陽電池となる。切断は、たとえば、切断線50に沿って、受光面または裏面にレーザーで溝を形成した後、折り曲げて割断する方法で行うことができる。切断後の太陽電池の略矩形の3辺の側面には第1半導体層2が残存し、切断面が第1半導体層2の形成されていない1辺の側面となる。このように切断によって第1半導体層2のある3辺と、第1半導体層2のない1辺が形成されるので、製造が簡単である。また、側面に金属電極を形成する工程を含まないので、生産性に優れ、金属電極の剥離の問題も生じない。次に、上記の太陽電池を複数接続した本実施の形態1の太陽電池モジュールについて説明する。図8および図9は本実施の形態1の太陽電池モジュールの太陽電池間の接続構造を受光面側および裏面側から見た平面図である。なお、図では簡略化のため、太陽電池を10a、10b、10c、10dの4個と実際の個数よりも少なくしている。また、屋外で使用される太陽電池モジュールは透明なガラス板の上に図のように接続した複数の太陽電池を受面側がガラス板側となるように配設した後、裏面側に封止フィルムで覆って封止するが、詳細な説明は省略する。また、図10はその太陽電池モジュールの太陽電池間の接続構造を説明する断面図であり、図8および図9点線CDに沿って切断した部分の断面図である。太陽電池モジュールにおいて太陽電池どうしは、隣接する第1の太陽電池10aの第1半導体層2が形成されない第1側面11と第2の太陽電池10bの第1半導体層2が形成された第2側面12とが間隔をあけて相対するように並設される。第2の太陽電池10bの第1半導体層2が裏面側まで延在する3辺において第1電極2に接続された導電部材31が、第1の太陽電池10aの第1半導体層2が形成されない第1側面11の裏面側を経て第1の太陽電池10aの第2電極6と電気的に接続される。導電部材31は、たとえば、厚さ0.1~0.5mmの銅箔の両面に銀すずのめっきを施した金属箔である。隣接する太陽電池間を接続するために、導電部材31として略90度の2か所の屈曲部があるZ字型の形状のものを2本使用した。導電部材31は略90度で屈曲するので、導電部材31の1本は隣接する一方の太陽電池の3辺のうち2辺に沿って第1電極8に接続され、その1辺の途中で他方の太陽電池側に向けて屈曲されて、他方の太陽電池の接続電極7、長尺接続電極9に接続される。各電極と導電部材31との接続は、はんだや金属ペーストなどを使用することができる。図11は本実施の形態1の太陽電池モジュールの導電部材31を金属箔のプレス抜き加工で形成する場合に配置の例を示す平面図である。隣接する2つの太陽電池間を接続する1組の導電部材31は対称な形状であるが、図のようにプレス抜き加工で形成した一方をを裏がえすのみで1対の導電部材となるので、効率よく生産することができる。直列接続した両端の太陽電池には電池間を接続する導電部材31とは異なる形状の導電部材41、42が接続される。一方の端の第1の太陽電池10aの第1電極8に接続された導電部材42は図示しないリード線が接続されて、このリード線は太陽電池モジュールの外部に電力が取り出される。同様に他方の端の第4の太陽電池10dの第2電極6に接続された導電部材41も図示しないリード線が接続されて、太陽電池モジュールの外部に取り出される。図12は本実施の形態1の太陽電池モジュールの太陽電池間の接続工程を説明する斜視図である。第1の太陽電池10aおよび第2の太陽電池10bを所定の間隔をあけて受光面を下に向けて並べた後、はんだを付着させた2本1組の導電部材31を裏面側の各電極位置点線Eに載置して接続を行う。このとき、第2の太陽電池10bにおいて、導電部材31は太陽電池の内側には第1電極8と第2電極6とが短絡しないようにギャップ16を超えないように載置するが、太陽電池の外側には図8、9に示すように第1電極8に接続した部分から側面の外側にはみ出すようにしてもよい。導電部材31の幅を第1電極8よりも広くして導電部材31が外側にはみ出すようにすると、導電部材31の幅が広がり接続損失が低下し、発電出力が向上するという利点がある。上記のように本実施の形態1の太陽電池モジュールは、太陽電池の受光面側の第2半導体層2が3辺を用いて裏面側の第1電極8まで接続されて、その3辺において導電部材31が第1電極8に接続されて隣接する太陽電池間が接続されるので、側面に金属電極がなくても太陽電池間の接続損失を低く抑えることができる。一方、第1の太陽電池10aの第1半導体層2のない第1側面11の裏面側を経て導電部材31が接続されるので、第1の太陽電池10aの受光面側の第1半導体層2と短絡する問題が生じにくい。このため、隣接する太陽電池どうしの裏面のみによる電気的接続が良好である。また、側面に金属電極がないので、剥がれた金属電極によって短絡が生じたり、電極抵抗が増大したりするなどの問題が生じない。また、長尺接続電極9近傍の第1側面11に沿った長さLEの2か所の合計は第1側面11の長さL1の半分以上であり、導電部材31はこの第2の太陽電池10bの第2電極6に接続された長尺接続電極9と相対する第1の太陽電池10aの第1電極8とをL1の半分以上の幅で接続している。このように1辺の長さの半分以上の幅広の導体で接続されているので、接続損失が極めて小さくなる。受光面上にバス電極が形成されないため、バス電極による電極影による受光面積の低下が生じない。このため、バスの幅を広くすることができ、抵抗損失を低減することが出来る。実施の形態2.図13は、本発明の実施の形態2に係わる太陽電池モジュールの構成の一部を示す平面図である。図14は本発明の実施の形態2に係わる太陽電池モジュールの構成の一部を示す断面図であり、図13の点線FG部の断面図に相当する。図13は受光面側から見た平面図であるが、第1の太陽電池10aについては受光面側の電極を省略して裏面側の電極を透過的に示した。本実施の形態2の太陽電池モジュールは実施の形態1と類似するが導電部材が異なる。また、実施の形態1にはあった長尺接続電極9が実施の形態2では無い。実施の形態2の導電部材32は、金属箔を型抜きしたのもではなく、1本の帯状の金属箔を用いて行われる。導電部材32は2箇所において同じ回転方向に略90度折り曲げて構成されている。この導電部材32によって、第2の太陽電池10bの第1電極8と、隣接する第1の太陽電池10aの第2電極6とが接続される。図15は、本実施の形態2の太陽電池モジュールの導電部材32の構成を示す平面図である。導電部材32は表裏ともに銀すずのはんだめっきが施されているが、図では裏側にハッチングをつけておもて側と区別してわかりやすくして示している。2箇所の第1折り曲げ部38、第2折り曲げ部39では折り曲げる回転方向が同じになっている。2箇所を略90度で折り曲げるだけなので、簡単な機械加工により、連続的に導電部材32を製造することが可能であり生産性がよい。導電部材32は2か所の第1および第2折り曲げ部38、39により、第1電極接続部33、中間部35、第2電極接続部37に分かれる。第1電極接続部33は第2の太陽電池10bの第3側面13または第4側面14に沿った部分の第1電極8に接続され、第2電極接続部37は第21の太陽電池10aの接続電極7を介して第2電極6に接続されている。第1電極接続部33に対して、約90度曲げられた中間部35は、第2の太陽電池10bの第2側面12に沿った第1電極8にの一部に接続される。第2電極接続部37の中心線62は第1電極接続部33の中心線61よりも太陽電池10の中心側にあり、また、3辺を利用して接続が行われるので、実施の形態1と同様に、接続損失を低減することができる。導電部材32の第1電極8や接続電極7への接続は、太陽電池10を300°C近くに加熱して、導電部材32の銅箔の両面にめっきされた銀すずめっきを溶融させることで、銀すずを溶融して容易に接合できるが、スポット的に加熱して接合してもよい。また、本実施の形態2では、第1および第2折り曲げ部38、39のすぐ近く、第1電極接続部33と中間部35との間、中間部35と第2電極接続部37との間に屈曲部34、36を設けた。このような屈曲部34、36を設けたことにより、導電部材32のおもて側と裏側とを同じ平面に保つことが容易になり、3辺において、第1電極8との接合を容易にすることができる。また、屈曲部34、36は、余ったはんだを吸収するバッファとしての役割も果たすので、溶融したはんだが他の部分に付着する恐れを軽減する効果がある。なお、上記実施の形態では、導電部材32のおもて面において、第1電極8よりも両端側に、太陽電池10よりもはみ出させた場合を示したが、太陽電池セル10の端部にそろえてもよく、第1電極8の内側に接続してもよい。導電部材32を太陽電池10の端部にそろえて、第1電極8の内側で接続することで、横に隣接する太陽電池セル間を縮めることができ、コンパクトな太陽電池モジュールを構成することが可能になる。実施の形態3.図16は本実施の形態3の太陽電池の構成を説明する断面図である。本実施の形態3の太陽電池は実施の形態1と同様であるが、受光面側の細線電極4の下の第1半導体層の不純物濃度が細線電極4の主要な受光面における第1半導体層の不純物濃度より高い高濃度第1半導体層20となっている。つまり、本実施の形態3の太陽電池は電極下の不純物濃度を高めて低抵抗とすることで、電極との接触抵抗を低下させて性能を向上することができる、いわゆる選択エミッタ構造の太陽電池である。そして、半導体基板1の3辺に沿ったバス電極5の下、およびそこから側面を経て裏面の第1電極8の下まで、細線電極4の下と同じ高い不純物濃度が添加された高濃度第1半導体層20となっている。上記の実施の形態1で述べたように、側面の第1半導体層の抵抗を下げることは接続抵抗を小さくするのに有効であるが、受光面の第1半導体層に高濃度の不純物を添加すると半導体中の欠陥が増加してキャリアの再結合が生じやすくなり、太陽電池の変換特性がかえって低下する場合がある。そこで、実質的な受光面となる大部分の第1半導体層は不純物濃度の低い低濃度第1半導体層19として、側面付近を高濃度第1半導体層20とした。たとえば、シート抵抗で高濃度第1半導体層20は20Ω以下、低濃度第1半導体層19は60~120Ωなどとするとよい。受光面の大部分にくらべて第1半導体層の不純物濃度を高くする方法として、局所的に不純物拡散剤を塗布して熱拡散させる方法、レーザー照射などで局所的に加熱して不純物拡散を行う方法、不純物拡散後に局所的にマスクで覆って不純物拡散層をエッチングする方法などがある。以下ではマスクを用いたエッチング方法を説明する。図17は本実施の形態3の太陽電池の製造方法を示すフロー図である。また、図18は本実施の形態3の太陽電池の製造方法を説明する断面模式図である。なお、図18は図17に対応する一部の工程を省略している。半導体基板1を用意してダメージエッチングする工程S1は実施の形態1と同様である。その後、実施の形態1でのリン拡散工程S2が本実施の形態3では第1リン拡散工程S21、マスク形成工程S22、エッチングおよびマスク除去工程S23、第2リン拡散工程S24に分かれている。第1リン拡散工程S21では実施の形態1のリン拡散工程S2と同様にリンを拡散して第1拡散層22を半導体基板1の全面に形成する。第1拡散層22のシート抵抗はたとえば20~30Ωなどとする。次に熱酸化やCVD法により半導体基板1の表面にSiO2などのマスク膜30を形成する。さらに、この膜の上に細線電極4やバス電極5のパターンの樹脂膜を印刷などで形成してマスク膜30をエッチングする。このとき、基板の側面から裏面にかけてマスク膜が残存するようにする。次にエッチングおよびマスク除去工程S23で、たとえば、水酸化カリウム等のアルカリ水溶液でマスク膜30の開口部の第1拡散層22をエッチング除去して、その後に、マスク膜30をフッ酸などで除去する。水酸化カリウム等のアルカリ水溶液によるシリコンの異方性エッチングでマスク膜の開口部に反射防止のテクスチャー構造ができる。マスクに覆われた基板の表面には第1拡散層22が残る。次に、第2リン拡散工程S24で第1リン拡散工程S21と同様にリンを拡散する。この拡散前に第1拡散層22が残留していた箇所は、拡散が2回繰り返されることにより高濃度第1半導体層20となる。一方、受光面の大部分に第2リン拡散層ができ、この部分は拡散が1回のみとなるので低濃度第1半導体層19となる。このようにして第1半導体層に不純物濃度が異なる複数の領域ができる。低濃度第1半導体層第2リン拡散層19のシート抵抗は、たとえば60~120Ω/□などとする。2回拡散された高濃度第1半導体層20のシート抵抗は20Ω/□以下などとなる。この後の、窒化膜形成工程S3、裏面銀電極形成工程S4、裏面アルミ電極形成工程S5、表面銀電極形成工程S6、焼成工程S7、裏面pn分離工程S8、切断工程S9は実施の形態1と同様である。本実施の形態3は細線電極4の下の不純物濃度を高めた選択エミッタ構造としたので、受光面の集電特性も優れた太陽電池となる。しかし、必ずしも選択エミッタ構造とする必要はなく、側面周辺のみ不純物濃度を高めてもよい。第1半導体層が半導体基板1の側面および裏面周辺の第1電極8の形成領域における不純物濃度が受光面の主な部分を占める第1半導体層の不純物濃度よりも高くなるようにすれば、集電抵抗を著しく下げることが可能になるとともに、受光面の主な部分における発電特性を良好なものとすることができる。また、本実施の形態3の太陽電池を実施の形態1や2の太陽電池モジュールとすることで、受光面側バス電極の影による発電損失を低減できると共に、太陽電池間の接続損失を低く抑えることができる。また、長期耐久性が向上する。なお、以上の太陽電池は片面から光を入射する太陽電池について述べたが、本発明の接続構造は裏面側に光を入射する太陽電池についても適用することができる。また、上記実施の形態では、主にp型シリコン基板を用いた場合を示したが、n型シリコン基板や他の半導体基板を用いても同様の効果が得られることは自明である。