"光導波路ユニットと、光学素子が実装された電気回路ユニットとを結合させてなる光電気混載基板であって、上記光導波路ユニットが、アンダークラッド層と、このアンダークラッド層の表面に形成された光路用のコアと、このコアを被覆するオーバークラッド層と、上記アンダークラッド層および上記オーバークラッド層の少なくとも一方の部分に延設された電気回路ユニット位置決め用の突起部とを備え、上記電気回路ユニットが、電気回路基板と、この電気回路基板上の所定部分に実装された光学素子と、上記突起部が嵌合する嵌合孔とを備え、上記光導波路ユニットの上記突起部が、上記コアの光透過面に対して所定位置に位置決め形成され、上記電気回路ユニットの上記嵌合孔が、上記光学素子に対して所定位置に位置決め形成され、上記光導波路ユニットと上記電気回路ユニットとの結合が、上記光導波路ユニットの上記突起部を、上記電気回路ユニットの上記嵌合孔に嵌合させた状態でなされていることを特徴とする光電気混載基板。上記光導波路ユニットの上記突起部と異なる部分に、第2の突起部が延設され、上記電気回路ユニットの上記嵌合孔と異なる部分に、上記第2の突起部が嵌合する第2の嵌合孔が形成されている請求項1記載の光電気混載基板。光導波路ユニットと、光学素子が実装された電気回路ユニットとを結合させる請求項1記載の光電気混載基板の製法であって、上記光導波路ユニットの作製が、アンダークラッド層を形成する工程と、このアンダークラッド層の表面に、光路用のコアを形成する工程と、上記コアを被覆するようオーバークラッド層を形成する工程とを備え、上記アンダークラッド層を形成する工程および上記オーバークラッド層を形成する工程の少なくとも一方の工程において、上記コアの光透過面に対して位置決めされた所定位置に、電気回路ユニット位置決め用の突起部を延設することが行われ、上記電気回路ユニットの作製が、電気回路基板を形成する工程と、この電気回路基板上の所定部分に光学素子を実装する工程とを備え、上記電気回路基板を形成する工程において、上記光学素子の実装予定位置に対して位置決めされた所定位置に、上記突起部を嵌合させる嵌合孔を形成することが行われ、上記光導波路ユニットと上記電気回路ユニットとを結合させ光電気混載基板にすることが、上記光導波路ユニットの上記突起部を、上記電気回路ユニットの上記嵌合孔に嵌合させることにより行われることを特徴とする光電気混載基板の製法。上記光導波路ユニットの上記突起部と異なる部分に、第2の突起部を延設し、上記電気回路ユニットの上記嵌合孔と異なる部分に、上記第2の突起部を嵌合させる第2の嵌合孔を形成する請求項3記載の光電気混載基板の製法。しかしながら、上記特許文献1の調芯方法では、高精度な調芯が可能であるものの、手間と時間とを要し、量産性に欠ける。また、上記特許文献2の調芯方法では、孔部とピンとの嵌合という簡単な方法で位置合わせが可能であるものの、コネクタおよびピンそれぞれの作製の際の寸法誤差だけでなく、光導波路ユニットに対するコネクタの取り付け位置の位置ずれ,電気回路ユニットに対する位置決め用のピンの取り付け位置の位置ずれ等も生じるため、それら寸法誤差および位置ずれが累積することで、調芯精度が悪化する。そこで、調芯精度を高めようとすると、上記寸法誤差や位置ずれが発生しないよう、寸法精度の管理が必要となるため、コストが高くなるとともに、量産性に欠けたものとなる。本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、光導波路ユニットのコアと電気回路ユニットの光学素子との調芯作業が不要であり、かつ、量産性に優れている光電気混載基板およびその製法の提供をその目的とする。上記の目的を達成するため、本発明は、光導波路ユニットと、光学素子が実装された電気回路ユニットとを結合させてなる光電気混載基板であって、上記光導波路ユニットが、アンダークラッド層と、このアンダークラッド層の表面に形成された光路用のコアと、このコアを被覆するオーバークラッド層と、上記アンダークラッド層および上記オーバークラッド層の少なくとも一方の部分に延設された電気回路ユニット位置決め用の突起部とを備え、上記電気回路ユニットが、電気回路基板と、この電気回路基板上の所定部分に実装された光学素子と、上記突起部が嵌合する嵌合孔とを備え、上記光導波路ユニットの上記突起部が、上記コアの光透過面に対して所定位置に位置決め形成され、上記電気回路ユニットの上記嵌合孔が、上記光学素子に対して所定位置に位置決め形成され、上記光導波路ユニットと上記電気回路ユニットとの結合が、上記光導波路ユニットの上記突起部を、上記電気回路ユニットの上記嵌合孔に嵌合させた状態でなされている光電気混載基板を第1の要旨とする。また、本発明は、光導波路ユニットと、光学素子が実装された電気回路ユニットとを結合させる上記光電気混載基板の製法であって、上記光導波路ユニットの作製が、アンダークラッド層を形成する工程と、このアンダークラッド層の表面に、光路用のコアを形成する工程と、上記コアを被覆するようオーバークラッド層を形成する工程とを備え、上記アンダークラッド層を形成する工程および上記オーバークラッド層を形成する工程の少なくとも一方の工程において、上記コアの光透過面に対して位置決めされた所定位置に、電気回路ユニット位置決め用の突起部を延設することが行われ、上記電気回路ユニットの作製が、電気回路基板を形成する工程と、この電気回路基板上の所定部分に光学素子を実装する工程とを備え、上記電気回路基板を形成する工程において、上記光学素子の実装予定位置に対して位置決めされた所定位置に、上記突起部を嵌合させる嵌合孔を形成することが行われ、上記光導波路ユニットと上記電気回路ユニットとを結合させ光電気混載基板にすることが、上記光導波路ユニットの上記突起部を、上記電気回路ユニットの上記嵌合孔に嵌合させることにより行われる光電気混載基板の製法を第2の要旨とする。本発明の光電気混載基板は、光導波路ユニットと、光学素子が実装された電気回路ユニットとを、結合させたものとなっている。上記光導波路ユニットでは、コアの光透過面と、電気回路ユニット位置決め用の突起部とが、互いに位置決めされた位置関係になっている。また、上記電気回路ユニットでは、光学素子と、上記光導波路ユニットの突起部が嵌合する嵌合孔とが、互いに位置決めされた位置関係になっている。そのため、上記光導波路ユニットの突起部が、上記電気回路ユニットの嵌合孔に嵌合した状態、すなわち、光導波路ユニットと電気回路ユニットとが結合した状態では、光導波路ユニットのコアと、電気回路ユニットの光学素子とが、自動的に調芯された状態になる。しかも、上記光導波路ユニットの突起部は、その光導波路ユニットを構成するアンダークラッド層およびオーバークラッド層の少なくとも一方の所定部分が延設されたものであり、上記電気回路ユニットの嵌合孔は、その電気回路ユニットに形成されたものであることから、上記突起部と上記嵌合孔との嵌合に、コネクタ等の他の部品は設けられていない。そのため、光導波路ユニットと電気回路ユニットとの結合に、上記コネクタ等の他の部品による寸法誤差や位置ずれの累積がなく、光導波路ユニットのコアと電気回路ユニットの光学素子との調芯は、高精度になっている。本発明の光電気混載基板は、以上のように、上記光導波路ユニットの突起部と上記電気回路ユニットの嵌合孔とを嵌合するという簡単な作業により、コアと光学素子とが自動的に高精度に調芯される構造となっていることから、手間と時間とを要する調芯作業が不要であるため、量産性に優れている。また、上記突起部と上記嵌合孔との嵌合に、コネクタ等の他の部品が不要であることから、そのコネクタ等の寸法精度の管理も不要であるため、この点からも、量産性に優れている。特に、上記光導波路ユニットの上記突起部と異なる部分に、第2の突起部が延設され、上記電気回路ユニットの上記嵌合孔と異なる部分に、上記第2の突起部が嵌合する第2の嵌合孔が形成されている場合には、上記光導波路ユニットの第2の突起部と、上記電気回路ユニットの第2の嵌合孔とを、嵌合させることにより、上記電気回路ユニットに対する上記光導波路ユニットの位置ずれが、より確実に防止されるため、コアと光学素子との調芯を、より確実に維持することができる。本発明の光電気混載基板の製法は、光導波路ユニットと、光学素子が実装された電気回路ユニットとを、結合させることにより行われる。上記光導波路ユニットを作製する工程では、コアの光透過面に対して位置決めされた所定位置に、電気回路ユニット位置決め用の突起部を延設している。また、上記電気回路ユニットを作製する工程では、光学素子に対して位置決めされた所定位置に、上記光導波路ユニットの突起部を嵌合させる嵌合孔を形成している。そのため、上記光導波路ユニットの上記突起部を、上記電気回路ユニットの上記嵌合孔に嵌合させ、上記光導波路ユニットと上記電気回路ユニットとを結合させると、光導波路ユニットのコアと、電気回路ユニットの光学素子とを、自動的に調芯することができる。しかも、上記光導波路ユニットの突起部は、その光導波路ユニットを構成するアンダークラッド層およびオーバークラッド層の少なくとも一方の所定部分を延設して形成され、上記電気回路ユニットの嵌合孔は、その電気回路ユニットを構成する電気回路基板の一部に形成されることから、上記突起部と上記嵌合孔との嵌合に、コネクタ等の他の部品を要しない。そのため、光導波路ユニットと電気回路ユニットとの結合に、上記コネクタ等の他の部品による寸法誤差や位置ずれの累積が生じず、光導波路ユニットのコアと電気回路ユニットの光学素子との調芯が、高精度になる。本発明の光電気混載基板の製法は、以上のように、上記光導波路ユニットの突起部と上記電気回路ユニットの嵌合孔とを嵌合するという簡単な作業により、コアと光学素子とが自動的に高精度に調芯されることから、手間と時間とを要する調芯作業が不要であるため、量産性に優れている。また、上記突起部と上記嵌合孔との嵌合に、コネクタ等の他の部品を要しないことから、そのコネクタ等の寸法精度の管理も不要であるため、この点からも、量産性に優れている。特に、上記光導波路ユニットの上記突起部と異なる部分に、第2の突起部を延設し、上記電気回路ユニットの上記嵌合孔と異なる部分に、上記第2の突起部を嵌合させる第2の嵌合孔を形成する場合には、上記光導波路ユニットの第2の突起部と、上記電気回路ユニットの第2の嵌合孔とを、嵌合させることにより、上記電気回路ユニットに対する上記光導波路ユニットの位置ずれを、より確実に防止することができる。つぎに、本発明の実施の形態を図面にもとづいて詳しく説明する。図1は、本発明の光電気混載基板の第1の実施の形態を模式的に示す斜視図である。この光電気混載基板は、電気回路ユニット位置決め用の突起部4を有する光導波路ユニットWと、その突起部4が嵌合する嵌合孔15を有する電気回路ユニットEとを、個別に作製し、上記光導波路ユニットWの上記突起部4を、上記電気回路ユニットEの上記嵌合孔15に嵌合することにより、上記光導波路ユニットWと上記電気回路ユニットEとを結合して一体化したものとなっている。ここで、光導波路ユニットWにおいて、上記突起部4は、コア2の光透過面一端面2aに対して所定位置両ユニットW,Eの結合時に光導波路ユニットWの光透過面2aが電気回路ユニットEの光学素子10と対面するよう予め設定された位置に位置決め形成されている。また、上記電気回路ユニットEにおいて、上記突起部4が嵌合する上記嵌合孔15は、光学素子10に対して所定位置両ユニットW,Eの結合時に電気回路ユニットEの光学素子10が光導波路ユニットWの光透過面2aと対面するよう予め設定された位置に位置決め形成されている。このため、上記光電気混載基板では、上記突起部4と上記嵌合孔15との嵌合により、コア2の光透過面2aと光学素子10とが、適正に位置決めされ、調芯された状態になっている。なお、この実施の形態では、上記光導波路ユニットWが曲げられた状態で、上記電気回路ユニットEに結合している。より詳しく説明すると、上記光導波路ユニットWは、その斜視図を図2aに、そのA-A断面での要部拡大断面図を図2bに示すように、アンダークラッド層1と、このアンダークラッド層1の表面に所定パターンの線状に形成された光路用のコア2と、このコア2を被覆した状態で上記アンダークラッド層1の表面に形成されたオーバークラッド層3とを備えている。そして、この光導波路ユニットWの一端縁図2では下端縁では、コア2の存在しない、上記アンダークラッド層1とオーバークラッド層3との積層部分が、コア2の軸方向に沿って延長され、その延長部分が、電気回路ユニット位置決め用の上記突起部4に形成されている。この突起部4は、コア2の光透過面2aに対して所定位置に位置決め形成されている。この実施の形態では、上記突起部4の配置は、コア2の両側2個所に形成されており、上記突起部4の形状は、厚みアンダークラッド層1とオーバークラッド層3との積層方向の厚みが一定で、幅が延長方向にいくにつれて徐々に狭くなる正面視台形状に形成されている。一方、上記電気回路ユニットEは、図3にその斜視図を示すように、基板11と、この基板11の表面に絶縁層図示せずを介して実装された光学素子10および駆動ICとを備えている。そして、この電気回路ユニットEには、上記光導波路ユニットWの突起部4図2a参照が嵌合する嵌合孔15が形成されている。この嵌合孔15は、上記光学素子10に対して、所定位置に位置決め形成されている。この実施の形態では、上記嵌合孔15の配置は、上記光学素子10の両側2個所に形成されており、上記嵌合孔15の形状は、平面視長方形状に形成されている。なお、上記絶縁層は、上記基板11のうち嵌合孔15を除く表面に形成されている。そして、その絶縁層の表面には、上記駆動ICと接続する電気回路図示せずが形成されているとともに、光学素子10を位置決め形成する際の目印として利用される光学素子位置規定用電極図示せず、および上記嵌合孔15を位置決め形成する際の目印として利用される嵌合孔位置決め用回路図示せずが形成されている。その嵌合孔位置決め用回路は、上記嵌合孔15の周縁に、枠状に形成されている。さらに、これら電気回路,光学素子位置規定用電極,嵌合孔位置決め用回路の表面には、めっき層図示せずが形成されている。上記光学素子位置規定用電極は、上記絶縁層の表面の略中央部に形成され、上記光学素子10は、上記光学素子位置規定用電極を基準とした所定位置に実装されている。そして、上記光学素子10と上記駆動ICとがワイヤーボンディングにより電気的に接続され、その駆動ICと電極パッド上記電気回路の一部分とがワイヤーボンディングにより電気的に接続されている。その状態で、上記光学素子10およびその周辺部が樹脂封止されている図示せず。上記光学素子10は、この実施の形態では、ワイヤーボンディングタイプの素子が用いられており、その発光部または受光部は、光学素子10の表面図3では上面に形成されている。なお、上記駆動ICは、例えば、発光素子光学素子10を駆動させるドライバー、または受光素子光学素子10からの信号を増幅するトランスインピーダンスアンプTIA等を指す。そして、上記光電気混載基板は、図1に示すように、上記光導波路ユニットWの上記突起部4が、上記電気回路ユニットEの上記嵌合孔15に嵌合されている状態で、光導波路ユニットWと電気回路ユニットEとが結合され一体化されている。ここで、先に述べたように、光導波路ユニットWに形成された上記突起部4は、コア2の光透過面2aに対して所定位置に位置決め形成されている。また、電気回路ユニットEに形成された嵌合孔15は、光学素子10に対して所定位置に位置決め形成されている。そのため、上記突起部4と嵌合孔15との嵌合により、コア2の光透過面2aと光学素子10とは、適正に位置決めされ、自動的に調芯された状態になっている。さらに、この実施の形態では、光導波路ユニットWの上記突起部4が台形状に形成されているため、電気回路ユニットEの上記長方形状の嵌合孔15の開口長さを所定値に設定することにより、上記台形状の突起部4の対向する傾斜面を、上記長方形状の嵌合孔15の対向する両面に当接させて、上記突起部4の嵌合量嵌合深さを適正に設定することができ、それにより、光導波路ユニットWの一端面コア2の光透過面2aと、電気回路ユニットEの光学素子10との間の距離を適正に設定することができる。また、上記突起部4の幅や上記嵌合孔15の開口長さ等に寸法収縮等が発生しても、上記台形状の突起部4の対向する傾斜面を利用することにより、上記突起部4と上記嵌合孔15とは、同軸的に嵌合し、コア2と光学素子10との調芯ずれを防止することができる。なお、図1では、理解を容易にするため、上記嵌合孔15の大きさを、上記突起部4の大きさに対し大きめに図示しているが、実際は、同等ないし僅かに大きい程度である。上記光電気混載基板は、下記の1~3の工程を経て製造される。1上記光導波路ユニットWを作製する工程図4a~d参照。2上記電気回路ユニットEを作製する工程図5a~f参照。3上記光導波路ユニットWを上記電気回路ユニットEに結合する工程。1光導波路ユニットWの作製工程上記1の光導波路ユニットWの作製工程について説明する。まず、アンダークラッド層1を形成する際に用いる平板状の基台20図4a参照を準備する。この基台20の形成材料としては、例えば、ガラス,石英,シリコン,樹脂,金属等があげられる。なかでも、ステンレス製基板が好ましい。ステンレス製基板は、熱に対する伸縮耐性に優れ、上記光導波路装置の製造過程において、様々な寸法が設計値に略維持されるからである。また、基台20の厚みは、例えば、20μm~1mmの範囲内に設定される。ついで、図4aに示すように、上記基台20の表面の所定領域に、フォトリソグラフィ法により、その一端縁の2個所に平面視台形状の突起片1aが形成されたアンダークラッド層1を形成する。このアンダークラッド層1の形成材料としては、感光性エポキシ樹脂等の感光性樹脂が用いられる。アンダークラッド層1の厚みは、例えば、5~50μmの範囲内に設定される。つぎに、図4bに示すように、上記アンダークラッド層1の表面に、フォトリソグラフィ法により、所定パターンのコア2を形成する。このとき、コア2の光透過面一端面2aを、アンダークラッド層1の表面のうち、上記2個所の突起片1aの間の部分において、上記2個所の突起片1aに対して所定位置に位置決めする。このコア2の位置決めは、上記2個所の突起片1aを基準に形成されたフォトマスクを、上記フォトリソグラフィ法によりコア2を形成する際に、上記2個所の突起片1aを基準に配置した状態で、上記フォトマスクを介して露光することにより行われる。上記コア2の形成材料としては、例えば、上記アンダークラッド層1と同様の感光性樹脂があげられ、上記アンダークラッド層1およびオーバークラッド層3図4c参照の形成材料よりも屈折率が大きい材料が用いられる。この屈折率の調整は、例えば、上記アンダークラッド層1,コア2,オーバークラッド層3の各形成材料の種類の選択や組成比率を調整して行うことができる。コアの数は、1本でも複数本でもよい図4bでは1本。コア2のパターンは、例えば、直線状,分岐状,交差状等があげられ、それらが混在していてもよい図4bでは直線状。コア2の厚みは、例えば、20~100μmの範囲内に設定される。コア2の幅は、例えば、20~100μmの範囲内に設定される。そして、図4cに示すように、上記コア2を被覆するよう、上記アンダークラッド層1の表面に、フォトリソグラフィ法により、オーバークラッド層3を形成する。このとき、上記アンダークラッド層1の突起片1a上にも、その突起片1aと同形状の突起片3aを形成する。上記オーバークラッド層3の形成材料としては、例えば、上記アンダークラッド層1と同様の感光性樹脂があげられる。上記オーバークラッド層3の厚みアンダークラッド層1の表面からの厚みは、例えば、コア2の厚みを上回り1000μm以下の範囲内に設定される。ここで、上記アンダークラッド層1の突起片1aと、その上に形成された上記オーバークラッド層の突起片3aとの積層部分が、電気回路ユニット位置決め用の前記突起部4となる。そして、先に述べたように、コア2の光透過面2aが、上記アンダークラッド層1の突起片1aに対して所定位置に位置決め形成されていることから、その突起片1aに上記オーバークラッド層の突起片3aを積層してなる上記突起部4は、コア2の光透過面2aに対して所定位置に位置決め形成されている。上記突起部4の寸法は、例えば、突出量が300~5000μmの範囲内、幅が100~5000μmの範囲内にそれぞれ設定される。ついで、図4dに示すように、アンダークラッド層1の裏面から基台20図4c参照を剥離する。これにより、アンダークラッド層1,コア2,オーバークラッド層3を備え、上記アンダークラッド層1とオーバークラッド層3との積層部分に電気回路ユニット位置決め用の突起部4が延設された光導波路ユニットWを得る。この光導波路ユニットWの厚みは、例えば、30~1150μmの範囲内に設定される。このようにして、上記1の光導波路ユニットWの作製工程が完了する。2電気回路ユニットEの作製工程つぎに、上記2の電気回路ユニットEの作製工程について説明する。まず、前記基板11図5a参照を準備する。この基板11の形成材料としては、例えば、金属,樹脂等があげられる。なかでも、加工容易性および寸法安定性の観点から、ステンレス製基板が好ましい。また、上記基板11の厚みは、例えば、0.02~0.1mmの範囲内に設定される。ついで、図5aに示すように、上記基板11の表面の所定領域に、絶縁層12に形成する。この絶縁層12の形成は、例えば、感光性ポリイミド樹脂等の、絶縁層形成用の感光性樹脂が溶媒に溶解しているワニスを塗布した後、必要に応じて、それを加熱処理して乾燥させ、絶縁層形成用の感光性樹脂層を形成する。そして、その感光性樹脂層を、フォトマスクを介して紫外線等の照射線により露光することにより、所定形状の絶縁層12に形成する。絶縁層12の厚みは、例えば、5~15μmの範囲内に設定される。つぎに、図5bに示すように、上記絶縁層12の表面に、電気回路図示せずと、光学素子位置規定用電極13と、枠状の嵌合孔位置決め用回路14とを、同時に形成し、電気回路基板を作製する。これら電気回路等の形成は、例えば、セミアディティブ法により行われる。すなわち、まず、上記絶縁層12の表面に、スパッタリングまたは無電解めっき等により金属層厚み60~260nm程度を形成する。この金属層は、後の電解めっきを行う際のシード層電解めっき層形成の素地となる層となる。ついで、上記基板11,絶縁層12およびシード層からなる積層体の両面に、ドライフィルムレジストを貼着した後、上記シード層が形成されている側のドライフィルムレジストに、フォトリソグラフィ法により上記電気回路等のパターンの孔部を同時に形成し、その孔部の底に上記シード層の表面部分を露呈させる。つぎに、電解めっきにより、上記孔部の底に露呈した上記シード層の表面部分に、電解めっき層厚み5~20μm程度を積層形成する。そして、上記ドライフィルムレジストを水酸化ナトリウム水溶液等により剥離する。その後、上記電解めっき層が形成されていないシード層部分をソフトエッチングにより除去し、残存した電解めっき層とその下のシード層とからなる積層部分を上記電気回路等に形成する。このようにして、上記基板11,絶縁層12、電気回路,光学素子位置規定用電極13,および枠状の嵌合孔位置決め用回路14からなる電気回路基板を得る。そして、その電気回路基板を露光機にセットし、表面側電気回路側と裏面側基板11側とをカメラで撮影し、その画像を基に、上記表面側の枠状の嵌合孔位置決め用回路14を目印として、上記裏面側における嵌合孔形成予定部上記枠状の嵌合孔位置決め用回路14の枠内に対応する部分の位置を適正に位置決めする。ついで、その嵌合孔形成予定部を除く裏面側部分を、ドライフィルムレジスト図示せずで覆う。つぎに、図5cに示すように、露呈している上記嵌合孔形成予定部の基板11の部分を、塩化第2鉄水溶液を用いてエッチングすることにより除去する。これにより、その除去部分11aから上記絶縁層12の部分が露呈する。ついで、図5dに示すように、上記露呈した絶縁層12の部分を、ケミカルエッチング液を用いてエッチングすることにより除去する。これにより、上記嵌合孔形成予定部を嵌合孔15に形成する。この嵌合孔15は、上記セミアディティブ法により光学素子位置規定用電極13と同時に形成した枠状の嵌合孔位置決め用回路14を基準に形成されているため、上記嵌合孔15は、上記光学素子位置規定用電極13に対して所定位置に位置決め形成される。上記嵌合孔15の開口長さおよび開口幅は、その嵌合孔15に嵌合する上記光導波路ユニットの突起部4図1参照の嵌合部分の幅および厚みと同等ないしそれよりも僅かに例えば1~100μm程度大きく設定される。つぎに、電解めっき処理を施すことにより、図5eに示すように、上記電気回路,光学素子位置規定用電極13,および嵌合孔位置決め用回路14の表面に、めっき層16を形成する。その後、上記ドライフィルムレジストを水酸化ナトリウム水溶液等により剥離する。なお、上記めっき層16の成分としては、金,ニッケル等があげられる。また、そのめっき層16の厚みは、通常、0.2~0.5μmの範囲内に設定される。そして、図5fに示すように、上記光学素子位置規定用電極13を基準とした所定位置に、上記光学素子10および駆動IC図示せずを実装ダイボンディングする。ついで、上記光学素子10と上記駆動ICとをワイヤーボンディングにより電気的に接続するとともに、上記駆動ICと電極パッド上記電気回路の一部分とをワイヤーボンディングにより電気的に接続する。その後、上記光学素子10およびその周辺部を、樹脂封止図示せずする。これにより、上記嵌合孔15を有する電気回路ユニットEを得る。ここで、先に述べたように、図5dの工程で形成された嵌合孔15が、上記光学素子位置規定用電極13に対して所定位置に位置決め形成されているため、その光学素子位置規定用電極13に対する所定位置に実装した光学素子10と上記嵌合孔15とは、互いに位置決めされた位置関係になっている。このようにして、上記2の電気回路ユニットEの作製工程が完了する。3光導波路ユニットWと電気回路ユニットEとの結合工程つぎに、光導波路ユニットWと電気回路ユニットEとの結合工程について説明する。この結合は、上記電気回路ユニットEの光学素子10と、上記光導波路ユニットWのコア2の光透過面2aとを対面させた状態で、上記光導波路ユニットWの突起部4を、上記電気回路ユニットEの嵌合孔15に嵌合させ、上記光導波路ユニットWと上記電気回路ユニットEとを一体化する図1参照。その後、必要に応じて、上記突起部4と嵌合孔15との嵌合部を接着剤で固定してもよい。そして、上記光導波路ユニットWを、図1に示すように、曲げる。このようにして、上記3の光導波路ユニットWと電気回路ユニットEとの結合工程が完了し、目的とする光電気混載基板が完成する。ここで、先に述べたように、上記光導波路ユニットWでは、コア2の光透過面2aと電気回路ユニット位置決め用の突起部4とが互いに位置決めされた位置関係になっている。また、上記光学素子10が実装された電気回路ユニットEでは、光学素子10と上記突起部4が嵌合する嵌合孔15とが互いに位置決めされた位置関係になっている。そのため、上記のように、上記突起部4を上記嵌合孔15に嵌合させて、上記光電気混載基板を作製すると、コア2の光透過面2aと光学素子10とが、自動的に調芯される。その結果、上記光電気混載基板を作製には、手間と時間とを要する調芯作業が不要となる。すなわち、上記光電気混載基板は、量産性に優れたものとなっている。しかも、上記光導波路ユニットWの突起部4は、その光導波路ユニットWを構成するアンダークラッド層1およびオーバークラッド層3の所定部分が延設されたものである。また、上記電気回路ユニットEの嵌合孔15は、その電気回路ユニットEを構成する電気回路基板に形成されたものである。すなわち、上記突起部4と上記嵌合孔15との嵌合に、コネクタ等の他の部品は設けられていない。そのため、光導波路ユニットWと電気回路ユニットEとの結合に、上記コネクタ等の他の部品による寸法誤差や位置ずれの累積がなく、光導波路ユニットWのコア2と電気回路ユニットEの光学素子10との調芯は、高精度になっている。また、上記突起部4と上記嵌合孔15との嵌合に、コネクタ等の他の部品を要しないことから、そのコネクタ等の寸法精度の管理も不要となっており、この点からも、量産性に優れている。図6は、本発明の光電気混載基板の第2の実施の形態を模式的に示す斜視図である。この実施の形態では、光導波路ユニットWは、その一端縁の上記突起部第1の突起部4に加えて、その光導波路ユニットWの片側側縁に、その第1の突起部4と同様の第2の突起部5が延設されたものとなっている。また、上記電気回路ユニットEは、上記第1の突起部4が嵌合する嵌合孔第1の嵌合孔15が形成された部分と、直角に折り曲げられた折り曲げ部分とからなり、その曲げ部分に、上記第2の突起部5が嵌合する第2の嵌合孔17が形成されたものとなっている。それ以外の部分は、図1に示す上記第1の実施の形態と同様であり、同様の部分には、同じ符号を付している。この実施の形態の光電気混載基板では、光導波路ユニットWと電気回路ユニットEとの結合が、第1の突起部4と第1の嵌合孔15との嵌合に加えて、第2の突起部5と第2の嵌合孔17とが嵌合されているため、上記電気回路ユニットEに対する上記光導波路ユニットWの位置ずれを、より確実に防止することができる。それにより、コア2と光学素子10との調芯を、より確実に維持することができる。この実施の形態において、光導波路ユニットWの作製は、上記第1の実施の形態と同様にして作製することができる。電気回路ユニットEの上記折り曲げ部分は、第1の突起部4と第1の嵌合孔15とを嵌合させた後に折り曲げられる部分である。すなわち、その電気回路ユニットEの作製では、上記折り曲げ部分を、第1の嵌合孔15が形成された部分と同一平面状にした状態で、上記第1の実施の形態と同様にして、上記第1の嵌合孔15を形成するとともに、この第1の嵌合孔15に対して所定位置に、折り曲げ予定線および上記第2の嵌合孔17を位置決め形成することが行われる。そして、光導波路ユニットWと電気回路ユニットEとの結合工程において、上記第1の突起部4と第1の嵌合孔15とを嵌合させた後、上記電気回路ユニットEの上記折り曲げ部分を、上記折り曲げ予定線から直角に折り曲げ、上記第2の突起部5を第2の嵌合孔17に嵌合させることが行われる。図7は、本発明の光電気混載基板の第3の実施の形態を模式的に示す斜視図である。この実施の形態では、光導波路ユニットWのコア2が、その一端部において、光導波路ユニットWの片側側縁の方に曲がっており、それに対応して、電気回路ユニットEの第1の嵌合孔15に嵌合する第1の突起部4が、光導波路ユニットWの片側側縁に延設さている。それ以外の光導波路ユニットWの部分および電気回路ユニットEは、図1に示す上記第1の実施の形態と同様であり、同様の部分には、同じ符号を付している。そして、上記第1の実施の形態と同様の作用効果を奏する。なお、上記コア2の曲がりの構造として、例えば、曲率半径0.5~10mmの曲がり等が考えられる。図8は、本発明の光電気混載基板の第4の実施の形態を模式的に示す斜視図である。この実施の形態では、図7に示す上記第3の実施の形態において、図6に示す上記第2の実施の形態と同様にして、第1の突起部4と第1の嵌合孔15とに加えて、第2の突起部5と第2の嵌合孔17とを形成し、それらを嵌合させたものである。この実施の形態においても、上記第2の実施の形態と同様の作用効果を奏する。図9a,bは、上記電気回路ユニット位置決め用の突起部4の変形例を模式的に示す正面図である。すなわち、図9aでは、上記突起部4が三角形状に形成されている。この場合は、図1に示す台形状の突起部4と同様、三角形状の傾斜面を利用して、光導波路ユニットWの一端面コア2の光透過面2aと、電気回路ユニットEの光学素子10との間の距離を適正に設定することができ、また、コア2と光学素子10との調芯ずれを防止することもできる図1参照。図9bでは、上記突起部4が段部状に形成されている。この場合は、上記突起部4が嵌合孔15図1参照に嵌合した後は、突起部4が抜け難くなっている。上記以外にも、例えば、上記突起部4を半円状等に形成してもよい。図10a~dは、光導波路ユニットWの作製おいて、突起片3aを含むオーバークラッド層3図4c参照の他の作製工程作製方法として、型成形による方法を模式的に示している。すなわち、上記各実施の形態では、上記突起片3aを含むオーバークラッド層3の形成をフォトリソグラフィ法により形成したが、型成形により形成してもよい。その形成は、つぎのようにして行われる。すなわち、まず、図10aに示すように、上記突起片3aを含むオーバークラッド層3の形状に対応する型面31を有する凹部が、その下面に形成されている成形型30を準備する。ついで、図10bに示すように、基台20の表面に、突起片1aを有するアンダークラッド層1が形成され、このアンダークラッド層1の表面にコア2が所定パターンに形成された状態図4bと同様の状態において、図10cに示すように、上記成形型30の下面を基台20の表面に密着させる。このとき、上記成形型30の、上記突起片3aに対応する型面部分31aを、アンダークラッド層1の突起片1a上に位置決めする。ついで、上記突起片1aを含むアンダークラッド層1の表面と上記成形型30の型面31とコア2の表面とで囲まれた成形空間に、オーバークラッド層形成用の樹脂を、上記成形型30に形成された注入孔図示せずから注入し、上記成形空間を上記樹脂で満たす。つぎに、その樹脂が感光性樹脂の場合は、上記成形型30を通して紫外線等の照射線を露光した後に加熱処理を行い、上記樹脂が熱硬化性樹脂の場合は、加熱処理を行う。これにより、上記オーバークラッド層形成用の樹脂が硬化し、上記突起片3aを含むオーバークラッド層3が形成される。そして、脱型し、図10dに示すように、図4cと同様のものを得る。このようにして形成してもよい。図11a~dは、光導波路ユニットWの他の形態の作製工程を模式的に示している。すなわち、上記各実施の形態では、光導波路ユニットWにおける電気回路ユニット位置決め用の突起部4を、アンダークラッド層1とオーバークラッド層3との積層部分を延設したものとしたが、図4c参照、オーバークラッド層3のみを延設したものとしてもよい。そのような光導波路ユニットWの作製工程作製方法は、つぎのようにして行われる。すなわち、まず、図11aに示すように、基台20の表面の所定領域に、フォトリソグラフィ法により、上記突起片1a図4a参照のないアンダークラッド層1を形成する。ついで、図11bに示すように、上記アンダークラッド層1の表面に、フォトリソグラフィ法により、所定パターンのコア2を形成する。つぎに、図11cに示すように、突起部4を含むオーバークラッド層3の形状に対応する型面31を有する凹部が、その下面に形成されている成形型30を準備する。そして、図11dに示すように、上記成形型30の下面を基台20の表面に密着させる。このとき、上記成形型30の、上記突起部4に対応する型面部分31aを、コア2の光透過面2aに対して位置決めする。ついで、上記成形型30の型面31と上記基台20の表面とアンダークラッド層1の表面とコア2の表面とで囲まれた成形空間に、オーバークラッド層形成用の樹脂を、上記成形型30に形成された注入孔図示せずから注入し、上記成形空間を上記樹脂で満たす。その後は、図10cで説明した上記方法と同様にして、上記突起部4を含むオーバークラッド層3を形成する。そして、脱型し、図12に示すように、基台20の表面に、オーバークラッド層3のみに上記突起部4が延設された光導波路ユニットWを得る。または、上記オーバークラッド層3の形成は、上記型成形図11c~d参照に代えて、フォトリソグラフィ法により行ってもよい。なお、上記形態図11a~d参照では、オーバークラッド層3のみに、電気回路ユニット位置決め用の突起部4を延設したが、アンダークラッド層1のみに、電気回路ユニット位置決め用の突起部4を延設してもよい。そのような光導波路ユニットWの作製工程作製方法は、基台20の表面に、突起片1aを有するアンダークラッド層1が形成され、このアンダークラッド層1の表面にコア2が所定パターンに形成された状態図4bと同様の状態において、型成形またはフォトリソグラフィ法により、上記突起片3a図4c参照のないオーバークラッド層3を形成することにより、作製することができる。図13a,bは、光導波路ユニットWのさらに他の形態を模式的に示している。この実施の形態では、図13aに正面図、図13bに図13aのB-B断面図で示すように、オーバークラッド層3がアンダークラッド層1よりも、一回り大きく形成されている。このような光導波路ユニットWも、先に述べた型成形またはフォトリソグラフィ法により作製することができる。上記のように図10a~c、図11a~d、図13a,b参照、電気回路ユニット位置決め用の突起部4を型成形により形成すると、その突起部4の厚みを厚く形成することが可能となり、その突起部4を電気回路ユニットEの嵌合孔15に嵌合した状態において、その嵌合部分の強度を強化することができる。また、上記型成形の場合、上記成形型30の、上記突起部4に対応する型面部分31aを変形することにより、上記突起部4の厚みを、延長方向にいくにつれて徐々に薄く形成してもよい。なお、上記各実施の形態では、光学素子10として、ワイヤーボンディングタイプの素子を用いたが、フリップチップタイプの素子を用いてもよい。このフリップチップタイプの素子を用いる場合は、発光部または受光部が、光学素子10の実装面裏面に形成されているため、図14に示すように、光導波路ユニットWは、光学素子10が実装されていない側から電気回路ユニットEに嵌合され、上記発光部または受光部に対応する電気回路ユニットEの部分には、光通過用の貫通孔18が形成されている。また、上記各実施の形態では、光電気混載基板の一端部について説明したが、他端部においても、上記各実施の形態と同様の構成としてもよい。この場合は、上記光学素子10として、例えば、一端部側に発光素子、他端部側に受光素子を実装することにより、その発光素子からの光を、コア2を介して、上記受光素子で受光するようにすることができる。さらに、上記各実施の形態では、電気回路ユニットEの作製工程において、電気回路,光学素子位置規定用電極13,嵌合孔位置決め用回路14の表面に、めっき層16を形成したが、このめっき層16は、必要に応じて形成されるものであり、不要な場合は、形成しなくてもよい。つぎに、実施例について説明する。但し、本発明は、実施例に限定されるわけではない。アンダークラッド層,オーバークラッド層突起部を含むの形成材料成分A固形エポキシ樹脂:芳香環骨格を含むエポキシ樹脂三菱化学社製、エピコート100270重量部。成分B固形エポキシ樹脂:脂環骨格を含むエポキシ樹脂ダイセル化学工業社製、EHPE315030重量部。成分C光酸発生剤:トリアリールスルホチニウム塩の50プロピオンカーボネイト溶液サンアプロ社製、CPI-200K2重量部。これら成分A~Cを乳酸エチル武蔵野化学研究所社製55重量部に撹拌溶解温度80°C、撹拌250rpm×3時間させ、アンダークラッド層およびオーバークラッド層の形成材料感光性樹脂組成物を調製した。この感光性樹脂組成物の粘度は、デジタル粘度計ブルックフィールド社製、HBDV-ICPで測定すると、1320mPasであった。コアの形成材料成分D:O-クレゾールノボラックグリシジルエーテル新日鐡化学社製、YDCN-700-10100重量部。この成分Dと上記成分C1重量部とを乳酸エチル武蔵野化学研究所社製60重量部に撹拌溶解温度80°C、撹拌250rpm×3時間させ、コアの形成材料感光性樹脂組成物を調製した。この感光性樹脂組成物の粘度は、上記デジタル粘度計で測定すると、1900mPasであった。実施例1光導波路ユニットの作製上記アンダークラッド層,コア,オーバークラッド層の各形成材料を用い、上記第1の実施の形態と同様にして、電気回路ユニット位置決め用の等脚台形状の突起部を有する光導波路ユニットを作製した。上記等脚台形状の突起部の寸法は、底辺長い方の辺の幅を2.5mm、頂辺短い方の辺の幅を1.0mm、高さ突出長さを3.0mm、隣り合う突起部の中心間距離を6.5mmとした。電気回路ユニットの作製上記第1の実施の形態と同様にして、上記電気回路ユニット位置決め用の突起部が嵌合する長方形状の嵌合孔を有する電気回路ユニットを作製した。その嵌合孔の寸法は、開口長さを2.5mm、開口幅を0.1mm、隣り合う嵌合孔の中心間距離を6.5mmとした。なお、光学素子として、ワイヤーボンディング,フリップチップ両用の発光素子VCSEL:ULMフォトニクス社製、ULM850-10-CO0104Uを実装した。光電気混載基板の製造上記光導波路ユニットの突起部を、上記電気回路ユニットの嵌合孔に嵌合させ、上記光導波路ユニットと上記電気回路ユニットとを一体化した。そして、その嵌合部を接着剤で固定した。光伝播試験上記実施例1の光電気混載基板の発光素子に電流を流し、発光素子から光を出射させた。そして、光電気混載基板のコアの他端部から光が出射されることを確認した。実施例2光導波路ユニットの作製上記実施例1の光導波路ユニットにおいて、他端部も、一端部と同様に、電気回路ユニット位置決め用の等脚台形状の突起部を有する光導波路ユニットを作製した。それ以外は、上記実施例1と同様にした。電気回路ユニットの作製上記実施例1の電気回路ユニットに、発光素子用のドライバーを実装した送信用電気回路ユニットを作製した。さらに、上記実施例1の電気回路ユニットにおいて、発光素子に代えて、ワイヤーボンディング,フリップチップ両用の受光素子PD:albis社製、PDCA04-70-GSを実装し、また、その受光素子用のTIAを実装した受信用電気回路ユニットを作製した。上記発光素子および受光素子の実装方法は、ワイヤーボンディング,フリップチップのそれぞれの方法を採用した。光電気混載基板の製造上記実施例1と同様にして、光導波路ユニットの一端部に、上記送信用電気回路ユニットを固定し、他端部に、上記受信用電気回路ユニットを固定した。信号伝送試験別途用意したパーソナルコンピュータを用い、上記ドライバーとTIAとを制御しながら、上記送信用電気回路ユニットからパルスパターンジェネレータにより、高速信号を入力し、上記受信用電気回路ユニットからオシロスコープで信号を読み取った。そして、アイパターン評価により、実施例2の光電気混載基板の信号伝送特性を評価した。その結果、10Gbpsの信号伝送においても、良好な信号伝送を確認することができた。上記実施例1,2の結果から、上記製法では、光導波路ユニットのコアと電気回路ユニットの光学素子発光素子,受光素子との調芯作業をしなくても、得られた光電気混載基板は、適正に光伝播することがわかる。なお、上記第2~4の実施の形態、図9~14に示すように形成した光電気混載基板でも、調芯作業をしなくても、適正に光伝播するという結果が得られた。"