放射線の投射ビームを提供するための照射系と、投射ビームにその断面においてパターンを付与するように働くパターン化手段を支持するための支持構造と、基板を保持するための基板テーブルと、基板の目標部分上にパターン化されたビームを投射するための投射系と、前記投射系の最終要素と前記基板の間の空間を浸漬液で充填するための液体供給システムとを含み、前記浸漬液が、i最終要素及び/若しくは液体供給システムとの間で60°より小さい接触角を有し、かつ/或いはii前記基板の表面との間で80°より小さい接触角を有することを特徴とするリソグラフィ装置。前記浸漬液が、前記浸漬液の表面張力を減少させるための添加剤を含む、請求項1に記載の装置。前記添加剤が界面活性剤又は石鹸又は塩である、請求項2に記載の装置。前記浸漬液と前記基板、最終要素及び/又は液体供給システムとの間の表面張力が、前記浸漬液と空気の間の表面張力より大きい、請求項1から3までのいずれか一項に記載の装置。前記浸漬液が、前記最終要素及び前記液体供給システムの表面との間で60°より小さい接触角を有し、かつ前記基板及び/又は基板テーブル及び/又は基板テーブル搭載センサの表面との間で90°より大きい接触角を有する、請求項1から4までのいずれか一項に記載の装置。前記浸漬液との間で60°より小さい接触角を有する前記表面が、ガラス、ガラスセラミック、金属酸化物又は金属である、請求項1から5までのいずれか一項に記載の装置。前記表面が、表面処理を施されており、任意選択で被覆又はポリマーである、請求項6に記載の装置。前記浸漬液が、前記基板の前記表面との間で75°より小さい、好ましくは70°より小さい、より好ましくは65°より小さい、又はさらに60°より小さい接触角を有する、請求項1から7までのいずれか一項に記載の装置。放射線の投射ビームを提供するための照射系と、投射ビームにその断面においてパターンを付与するように働くパターン化手段を支持するための支持構造と、基板を保持するための基板テーブルと、基板の目標部分上にパターン化されたビームを投射するための投射系と、前記基板、センサ又はシャッタ部材及び前記投射系の最終要素の間の空間を少なくとも部分的に浸漬液で充填するための液体供給システムとを含み、前記浸漬液が、前記基板、センサ、シャッタ部材及び/又は最終要素の表面との間で90°より大きい接触角を有し、その表面が、装置の光軸若しくは前記投射系の表面及び/又は前記基板テーブルの上表面の実質的にすべてと整合が可能であることを特徴とするリソグラフィ装置。前記浸漬液が、前記基板及び前記最終要素の両方の表面との間で90°より大きい接触角を有する、請求項9に記載の装置。前記液体供給システムが、前記基板の局限領域に前記浸漬液を閉じ込めるための複数のガス入口を含む、請求項10に記載の装置。前記複数のガス入口が、前記装置の光軸のまわりに配置され、前記光軸に向かう方向成分を少なくとも有する方向にガスを放射するためのものである、請求項11に記載の装置。前記方向が、前記基板の上表面に実質的に平行な平面上にある、請求項12に記載の装置。前記浸漬液が、前記基板の前記表面及び/又は基板テーブル及び/又はセンサ及び/又はシャッタ部材との間で90°より大きい接触角を有し、かつ前記最終要素及び/又は前記液体供給システムの表面との間で60°より小さい接触角を有する、請求項9に記載の装置。前記浸漬液との間で90°より大きい接触角を有する前記表面が、凸部及び凹部を含み、凸部間の間隔が5~200μmの範囲であり、凸部の高さが5~100μmの範囲であり、凸部が少なくとも疎水性ポリマー又は永続的に疎水性にされた材料からできている、請求項9から14までのいずれか一項に記載の装置。前記浸漬液との間で90°より大きい接触角を有する前記表面が、ポリマーである、請求項9から15までのいずれか一項に記載の装置。前記液体供給システムの入口ポート及び出口ポート並びに/又は前記最終要素でない前記投射系の諸部分が、前記浸漬液との間で90°より大きい接触角を有する表面を有する、請求項1から16までのいずれか一項に記載の装置。前記浸漬液との間で90°より大きい接触角を有する前記表面が、前記浸漬液との間で100°、110°又は120°より大きい接触角を有する表面である、請求項1から17までのいずれか一項に記載の装置。前記浸漬液との間で60°より小さい接触角を有する前記表面が、前記浸漬液との間で50°、40°、30°、25°又は20°より小さい接触角を有する表面である、請求項1から18までのいずれか一項に記載の装置。基板を提供するステップと、照明系を使用して、放射線の投射ビームを提供するステップと、パターン化手段を使用して、投射ビームにその断面においてパターンを付与するステップと、投射系の最終要素と前記基板の間の空間を浸漬液で充填するステップと、前記投射系を使用して、基板の目標部分上に放射線のパターン化されたビームを投射するステップとを含み、前記浸漬液が、i最終要素及び/若しくは液体供給システムとの間で60°より小さい接触角を有し、かつ/或いはii前記基板の表面との間で80°より小さい接触角を有することを特徴とする装置製造方法。前記浸漬液が、前記基板の前記表面との間で75°より小さい、好ましくは70°より小さい、より好ましくは65°より小さい、又はさらに60°より小さい接触角を有する、請求項20に記載の方法。基板を提供するステップと、照明系を使用して、放射線の投射ビームを提供するステップと、パターン化手段を使用して、投射ビームにその断面においてパターンを付与するステップと、投射系の最終要素及び前記基板、センサ又はシャッタ部材の間の空間を少なくとも部分的に浸漬液で充填するステップと、前記投射系を使用して、基板の目標部分上に放射線のパターン化されたビームを投射するステップとを含み、前記浸漬液が、前記基板、センサ、シャッタ部材及び/又は最終要素の表面との間で90°より大きい接触角を有し、その面が、装置の光軸又は前記投射系の表面及び/又は前記基板テーブルの上表面の実質的にすべてと整合可能であることを特徴とする装置製造方法。投射系を使用して、投射系の最終要素と基板の間の空間中に閉じ込められた浸漬液を通して基板上に放射線のパターン化されたビームを投射するステップを含み、保護膜を基板上に設け、前記保護膜が、浸漬液中で不溶であり浸漬液との間で80°より小さい接触角を有する、装置製造方法。前記保護膜が、65°~75°の範囲の接触角を有する、請求項23に記載の方法。前記保護膜が、所望の接触を実現すると判断された量で少なくとも1つのフッ化処理を施されたポリマーを含む、請求項22又は24に記載の方法。前記基板が、その表面上にレジストを設けられ、前記保護膜が、レジストの表面上に設けられている、請求項23、24又は25に記載の方法。基板が、その表面上にレジストを設けられ、保護膜が、レジストの表面上に設けられ、保護膜が浸漬液に対して80°より小さい接触角を有する、浸漬式リソグラフィにおいて使用される基板。前記保護膜が、65°~75°の範囲の接触角を有する、請求項27に記載の基板。前記保護膜が、所望の接触角を実現すると判断された量で少なくとも1つのフッ化処理を施されたポリマーを含む、請求項27又は28に記載の基板。気泡が基板上に設けられたレジスト層又はレジストスタックに張り付くことを防止するために、浸漬式リソグラフィ中の浸漬液に対して80°より小さい接触角を有する保護膜の使用。本発明の一目的は、上記の問題のいくつかに、詳しくは浸漬式リソグラフィ装置の浸漬液中の気泡形成及び液漏れに対処することである。本発明の別の目的は、たとえば液体供給システムからの漏れにより、浸漬液によってリソグラフィ装置の構成部品が汚染される危険性を低減することである。本発明の一態様によれば、-放射線の投射ビームを提供するための照射系と、-投射ビームにその断面においてパターンを付与するように働くパターン化手段を支持するための支持構造と、-基板を保持するための基板テーブルと、-基板の目標部分上にパターン化されたビームを投射するための投射系と、-前記投射系の最終要素と前記基板の間の空間を浸漬液で充填するための液体供給システムとを含み、前記浸漬液が、i最終要素及び/若しくは液体供給システムとの間で60°より小さい接触角を有し、かつ/或いはii前記基板の表面との間で80°より小さい接触角を有することを特徴とするリソグラフィ装置が提供される。表面に対する浸漬液の接触角は、その液と外部環境、たとえば空気との界面がその表面に接触する場所で、その表面とその表面上に存在する浸漬液の正接平面との間の角度として測定される。基板の表面は、通常保護膜、レジスト被覆又は基板材料自体である。浸漬液が表面との間で60°より小さい接触角を有する場合、浸漬液及び表面の相対運動中に、気泡が浸漬液中に形成される可能性はより少なくなることが分っている。したがって、浸漬液が水ベースの場合、表面が親水性であることが必要である。浸漬液が基板との間で60°より小さい接触角を有することを保証する一方法は、浸漬液の表面張力を低減させるために浸漬液中に添加剤を含めることである。基板、最終要素及び液体供給システムタイプの材料は、界面活性剤や石鹸などの添加剤がよく適している。このことは、浸漬液と基板、最終要素及び/又は液体供給システムの間の表面張力が、浸漬液と空気の間の表面張力より大きい場合、特に有利であり、気泡形成をもたらすことになる表面に対する浸漬液の相対運動による、どんな気泡の形成も防止される可能性がある。漏れを低減するためのもっとも有利な構成は、浸漬液が、前記最終要素及び前記液体供給システムの表面との間で60°より小さい接触角を有し、かつ前記基板及び/又は基板テーブル及び/又は基板テーブル搭載センサの表面との間で90°より大きい接触角を有することを保証するものである。この構成では、浸漬液が、最終要素及び液体供給システムに張り付き、かつ液体供給システムの下にある液体供給システムに対して移動しつつある要素の上を容易に摺動する。したがって、液体供給システムと液体供給システムの下にある要素の間での液体供給システムからの漏れを低減することができる。浸漬液が60°より小さい接触角を有する表面の例には、ガラス、ガラスセラミック、金属酸化物又は金属がある。表面には、任意選択で被覆又はポリマーの表面処理を施すことができる。前記本発明の別の目的は下記の本発明の構成により達成される。本発明の一態様によれば、-放射線の投射ビームを提供するための照射系と、-投射ビームにその断面においてパターンを付与するように働くパターン化手段を支持するための支持構造と、-基板を保持するための基板テーブルと、-基板の目標部分上にパターン化されたビームを投射するための投射系と、-前記基板、センサ又はシャッタ部材と前記投射系の最終要素の間の空間を少なくとも部分的に浸漬液で充填するための液体供給システムとを含み、前記浸漬液が、前記基板、センサ、シャッタ部材及び/又は最終要素の表面との間で90°より大きい接触角を有し、その表面が、装置の光軸又は前記投射系の表面及び/又は前記基板テーブルの上表面の実質的にすべてと整合可能なことを特徴とするリソグラフィ装置が提供される。こうすると、浸漬液が表面からはじかれ、したがって浸漬液残渣が表面上に残らず表面を乾いたままにしておくことが容易になることが保証される。このことは、表面がシャッタ部材の表面の場合、シャッタ部材を液体供給システムに保持する、液体供給システムとシャッタ部材の間の表面張力が大きくなる可能性がないため、シャッタ部材を液体供給システムから容易にすなわち、より小さい力で取り外すことができることを意味するので、やはり有利である。浸漬液が基板及び最終要素の両方の表面との間で90°より大きい接触角を有する場合、このようにすると、基板の局限領域のみに浸漬液を閉じ込める液体供給システムで有利に使用することができるシステムが形成される。このシステムでは、基板の局限領域に浸漬液を閉じ込めるための複数のガス入口によって、局限領域中の所定の位置に浸漬液を保持することができる。これは、浸漬液を所定の位置に保持するために局限領域の境界のまわりで空気に圧力を単に加えるだけで達成される。複数のガス入口を装置の光軸の周りに配置し、ガス入口は、光軸に向かう方向成分が少なくとも含まれる方向にガスを送るものであることが有利である。ガス入口が、装置の光軸に対して直接向かないことが有利であり、むしろ光軸の周りを円状に流れる空気流を発生するのがよりよいことが分っている。空気を基板の上表面に実質上平行な平面上に送ることが好ましい。浸漬液が表面との間で90°より大きい接触角を有することを保証する一方法は、表面が凸部及び凹部を含むことを保証するものであり、その場合、凸部間の間隔が5~200μmの範囲であり、凸部の高さが5~100μmの範囲であり、少なくとも凸部が疎水性ポリマー又は永続的に疎水性にされた材料からできている。本発明の別の態様によれば、-基板を提供するステップと、-照明系を使用して放射線の投射ビームを提供するステップと、-パターン化手段を使用して、投射ビームにその断面においてパターンを付与するステップと、-投射系の最終要素と前記基板の間の空間を浸漬液で充填するステップと、-前記投射系を使用して、基板の目標部分上に放射線の投射ビームを投射するステップとを含み、前記浸漬液が、i最終要素及び/若しくは液体供給システムとの間で60°より小さい接触角を有し、かつ/或いはii前記基板の表面との間で80°より小さい接触角を有ることを特徴とする装置製造方法が提供される。本発明の別の態様によれば、-基板を提供するステップと、-照明系を使用して、放射線の投射ビームを提供するステップと、-パターン化手段を使用して、投射ビームにその断面においてパターンを付与するステップと、-投射系の最終要素と前記基板、センサ又はシャッタ部材の間の空間を少なくとも部分的に浸漬液で充填するステップと、-前記投射系を使用して、基板の目標部分上に放射線のパターン化されたビームを投射するステップとを含み、前記浸漬液が、前記基板、センサ、シャッタ部材及び/又は最終要素の表面との間で90°より大きい接触角を有し、その表面が、装置の光軸又は前記投射系の表面及び/又は前記基板テーブルの上表面の実質的にすべてと整合可能であることを特徴とする装置製造方法が提供される。本明細書では、IC製造のリソグラフィ装置の使用について具体的に参照するが、ここに記述するリソグラフィ装置は、光集積システム、磁区メモリ用誘導及び検出パターン、液晶表示装置LCD、薄膜磁気ヘッドなど他の応用例も有り得ることを理解されたい。そのような代替の応用例の文脈においては、本明細書でウェハ又はダイの用語の使用は、それぞれより一般的な用語、基板又は目標部分と同義のものと見なすことができることが当業者には理解されよう。本明細書で言及する基板は、露光前又はその後、たとえばトラック通常、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール、又は計測ツール若しくは検査ツールで処理することができる。適用可能な場合、本明細書の開示は、それら及び他の基板処理用ツールに適用することができる。さらに、基板は、たとえば、多層のICを製作するために複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、複数の処理された層をすでに含む基板を言うこともある。本明細書で使用する用語放射線及びビームは、紫外線UVたとえば、波長が、365、248、193、157又は126nmを含めて、すべてのタイプの電磁放射線を網羅する。本明細書で使用する用語パターン化手段は、投射ビームにその断面においてパターンを付与して、基板の目標部分中にパターンを生成するために使用することができる手段を言うものと広く解釈すべきである。投射ビームに付与されるパターンは、基板の目標部分中の所望のパターンと正確に一致しないことがあることに留意されたい。一般に、投射ビームに付与されるパターンは、目標部分中の集積回路など製作中のデバイス内にある特定の機能層に一致することになる。パターン化手段は、透過型又は反射型とすることができる。パターン化手段の例には、マスク、プログラム可能なミラーアレイ及びプログラム可能なLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、交互位相シフト、減衰型位相シフトなどのマスクタイプ、並びに様々な複合マスクタイプが含まれる。プログラム可能なミラーアレイの一例は、行列構成の小さなミラーを使用するものであり、各ミラーは、入射放射線ビームを様々な方向に反射するように個々に傾けることができ、このようにして反射ビームがパターン化される。パターン化手段の各例では、支持構造は、フレーム又はテーブルとすることでき、たとえば、これらは、必要に応じて固定又は可動にすることができ、パターン化手段が、たとえば投射系に対して所望の位置にあることを保証することができる。本明細書では用語レチクル又はマスクのどんな使用も、より一般的な用語パターン化手段と同義のものと見なすことができる。本明細書で使用する用語投射系は、たとえば使用する露光用放射線に見合った、又は浸漬液の使用若しくは真空の使用など他のファクタに見合った屈折光学系、反射光学系及び反射屈折光学系を含めて、様々なタイプの投射系も網羅するものと広く解釈すべきである。本明細書で用語レンズのどんな使用も、より一般的な用語投射系と同義のものと見なすことができる。照射系は、放射線の投射ビームの誘導、成形又は制御をするための屈折、反射及び反射屈折光構成部品を含めて、様々なタイプの光構成部品を網羅することもある。そのような構成部品は、以下においてまとめて又は単独でレンズと呼ぶこともある。リソグラフィ装置は、2個2重ステージ以上の基板テーブル及び/又は2個以上のマスクテーブルを有するタイプのものとすることができる。そのような複数ステージの装置では、追加のテーブルを並行に使用することができ、或いは1個又は複数の他のテーブルを露光のために使用しながら、準備ステップを1個又は複数のテーブル上で実施することができる。例としてのみ、添付の概略図面を参照しながら、本発明の実施例を記述する。これらの図面では、対応する参照記号は対応する部品を示す。実施例1図1は、本発明の具体的な実施例によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、-放射線たとえば、紫外線の投射ビームPBを提供するための照射系照明装置ILと、-アイテムPLに対してパターン化手段たとえば、マスクMAを正確に位置決めするための第1の位置決め手段PMに接続され、パターン化手段を支持するための第1の支持構造たとえば、マスクテーブルMTと、-アイテムPLに対して基板たとえば、レジスト被膜ウェハWを正確に位置決めするための第2の位置決め手段PWに接続され、基板を保持するための基板テーブルたとえば、ウェハテーブルWTと、-パターン化手段MAによって投射ビームPBに付与されるパターンを、たとえば、1個又は複数のダイを有する基板Wの目標部分C上に結像するための投射系たとえば、屈折投射レンズPLとを含む。この図に示すように、この装置は、透過型のタイプたとえば、透過型マスク使用のものである。或いは、反射型のタイプ上記のプログラム可能なミラーアレイのタイプ使用でもよい。照明装置ILは、放射線源SOからの放射線ビームを受光する。放射線源及びリソグラフィ装置は、たとえば放射線源がエキシマーレーザの場合、別々の実体でよい。そのような場合、放射線源はリソグラフィ装置の一部をなすものとは見なされず、放射線ビームは、たとえば適切な誘導ミラー又はビームエクスパンダ、或いはその両方を含むビーム送出系BDの助けで、放射線源SOから照明装置ILに進む。他の場合、放射線源は、たとえば放射線源が水銀ランプの場合、装置と一体にすることができる。放射線源SO及び照明装置ILは、必要ならビーム送出系BDと合わせて、放射系と呼ぶことがある。照明装置ILは、ビームの角輝度分布を調節するための調節手段AMを含むことができる。一般に、少なくとも、照明装置のひとみ面中において半径方向の輝度分布の外部及び/又は内部の程度通常、それぞれ外部σ及び内部σと呼ばれるは、調節することができる。さらに、照明装置ILは、一般に、積分器IN及び集光器COなど他の様々な構成部品を含む。照明装置は、投射ビームPBと呼ばれ、その断面中に所望の一様性及び輝度分布を有する放射線の調整されたビームを提供する。投射ビームPBは、マスクテーブルMT上に保持されたマスクMA上に入射される。投射ビームPBは、マスクMAを横切るとレンズPLを通過し、このレンズは、ビームの焦点を基板Wの目標部分C上に合わせる。第2の位置合せ手段PW及び位置センサIFたとえば、干渉計の助けを得て、たとえば、ビームPBの経路中に異なる目標部分Cを位置決めするために、基板テーブルWTを正確に移動することができる。同様に、第1の位置決め手段PM及び他の位置センサ図1には明示していないを使用して、たとえば、マスクライブラリから機械的に抽出後又は走査中に、ビームPBの経路に対してマスクMAを正確に位置決めすることができる。一般に、対物テーブルMT及びWTの移動は、長ストローク機構粗い位置決め及び短ストローク機構精細な位置決めを用いて実現され、これらは位置決め手段PM及びPWの一部を形成する。しかし、ステッパスキャナではなくの場合、マスクテーブルMTは、短ストロークアクチュエータのみに接続すればよく、又は固定でもよい。マスクMA及び基板Wは、マスク位置合せマークM1、M2、及び基板位置合せマークP1、P2を使用して位置合せを行うことができる。この図示の装置は、以下の好ましいモードで使用することができる。1.ステップモードでは、投射ビームに付与されたパターン全体が一度に目標部分C上に投射される間たとえば、単一静止状態露光、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に保たれる。次いで、基板テーブルWTは、X及び/又はY方向にシフトされ、したがって異なる目標部分Cの露光ができる。ステップモードでは、露光域の最大サイズが、単一静止状態露光中に結像される目標部分Cのサイズを限定する。2.走査モードでは、投射ビームに付与されたパターンが、目標部分C上に投射される間たとえば、単一動的露光、マスクテーブルMT及び基板テーブルWTは、同時に走査される。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの相対移動の速度及び方向は、拡大率縮小率及び投射系PLの影像反転特性によって決まる。走査モードでは、露光域の最大サイズが単一動的露光中の目標部分の走査方向でない方向の幅を限定し、走査運動の長さは目標部分の走査方向の高さを決める。3.他のモードでは、マスクテーブルMTは、プログラム可能なパターン化手段を保持しながら基本的に静止状態に保たれる。基板テーブルWTは、投射ビームに付与されたパターンが、目標部分C上に投射される間、移動又は走査される。このモードでは、一般に、パルス状の放射線源が使用され、走査中、基板テーブルWTの移動した後ごとに、又は連続する放射線パルスの間に必要に応じてプログラム可能なパターン化手段が更新される。この運用モードは、上記のプログラム可能なミラーアレイのタイプなどのプログラム可能なパターン化手段を利用するマスクを使用しないリソグラフィに容易に適用することができる。上記の使用モード又はまったく異なる使用モードの組み合わせ及び/又は変形を使用することもできる。図4は、基板Wと投射系PLの最終要素の間の空間中で基板Wの局限領域のみに浸漬液を供給する、図2及び3の液体供給システムと同様なシステムを示す。浸漬液は、基板にも最終要素にも接触し、その2つの間にとぎれなく存在する。図4の液体供給システムは、投射系PLの最終要素の外周のまわりに延在するシール部材10を含む。シール部材10は、好ましくは、シール部材10の底部と基板Wの上表面の間にシールを形成する非接触シール手段であるシール手段15を有する。したがって、浸漬液5は、基板Wとシール手段15と投射系PLの間に閉じ込められる。シール手段15は、参照により全体を本明細書に組み込むヨーロッパ特許出願第03252955.4号に記載のように、ガス注入口及びガス排出口を有するガスシールとすることができる。液注入口18は、投射系PLと基板Wの間に浸漬液5を供給する。シール手段15がない同様の液体供給システムが可能であり、そのシステムでは、浸漬液が、投射系に固定されたシール部材10の底部と基板Wの間に毛管力によって保持される。自由対物距離すなわち、投射系の最終要素の底部と基板Wの上表面の間の長さは、好ましくは3mm±0.2又は±0.1mm程度のものであるが、1mmと同程度に短くすることができる。液体供給システム内に浸漬液を保持する助けとして、基板W、基板テーブルWT、シャッタ手段、センサなど、液体供給システムの下を摺動するどの表面も、浸漬液がその表面との間で90°、好ましくは100°、より好ましくは110°又は120°より大きい接触角を有するような面にすることが役に立ち得る。基板の表面は、一般に、保護膜、レジスト被膜又は基板材料自体になる。基板テーブルの浸漬液に接触する上表面がすべてこの特性を有することが好ましい。したがって、浸漬液は、これらの表面上を容易に流れる。浸漬液に接触する、液体供給システムの表面、好ましくは投射系PLの最終要素20の表面、又は投射系の他のどの表面は、浸漬液が、それらの表面との間で60°、好ましくは50°、より好ましくは40°、最も好ましくは30°、25°又は20°、さらには15°又は10°より小さい接触角を有するような表面である。したがって、浸漬液は、それらの表面に張り付き、それによって浸漬液の喪失が低減される。上記の一般的な必須要件には例外がある。たとえば、最終要素でなく液体供給システムの上にあり実質的に基板Wに平行な形状が環形の投射系の表面22を提供すること、すなわちその表面は、浸漬液が、90°又はそれより大きい、好ましくは100°又はそれより大きい、もっとも好ましくは110°又は120°又はそれより大きい接触角を有することは有利になることがある。これは、抽出口19からの浸漬液抽出の助けになり得る。ガスシール手段15の入出口もそのような特性から利益が得られる。これとは違って、シール部材10の底表面の内側部分には、シール手段15の半径方向内側に、浸漬液が他の領域とよりもその領域との間でもっと小さい接触角を取るように、適用される表面粗さを増加する表面処理を施すことで利益を得ることができる。基板Wが投射系PLに対して移動するとき矢印50で表示、浸漬液5と基板Wの間の摩擦によって、圧力が浸漬液中で高まって、浸漬液5のレベル7が一方で上昇し、レベル9が他方で下降する。これは、浸漬液5中に誘起された圧力勾配の結果であり、その結果、ガスが、投射系の下のある浸漬液の露光領域中に引き入れられることになり得る。基板Wの表面並びにシール部材10及び投射系PLの表面を、浸漬液が、その表面との間で60°、好ましくは50°、より好ましくは40°、最も好ましくは30°、25°又は20°より小さく、さらには15°又は10°の接触角をなす親水性ように形成することによって、一般に、浸漬液5中に気泡が形成される可能性を低減させるだけでなく、空気が露光領域中に引き入れられる可能性も低減させることが可能である。このようにすると、表面が濡れ、浸漬液が水ベースの場合、表面が親水性になることが保証される。問題の表面は、その上に結像される表面である基板Wの上表面40、投射系PLの最終要素の外側表面20、特にその底面、及び浸漬液5を局限領域に閉じ込めるシール部材10の内側表面である。そのような表面もちろん、被覆とすることができるを使用することは、浸漬液と表面の間の表面張力が、浸漬液と囲繞環境たとえば、空気の間の表面張力より大きくなることを意味する。その作用は、表面からすべての空気の気泡の除去を最適化することである。必要な接触角を保証する一方法は、浸漬液中の表面張力をできるだけ低減することである。浸漬液が実質的に水である場合波長が193nmの場合、浸漬液に界面活性剤又は石鹸を添加することによって、表面張力を都合よく低減することができる。ただし、これが悪影響たとえば、193nmの透過量の損失を及ぼさないことを条件とする。したがって、浸漬液中に空気が封じ込められるリスクが大いに低減される。表面粗さなど他のファクタも、材料の親水性を改善するために使用することができる。実施例2第2の実施例を図5に示す。この例は、以下に述べる点を除き第1の実施例と同じである。第2の実施例のシール部材10は、浸漬液5と様々な相互作用を有する層を含む。第1の層100は、上記のように、浸漬液5との間で60°より小さい、好ましくは50°より小さい、より好ましくは40°より小さい、もっとも好ましくは30°、25°又は20°さらには15°又は10°より小さい接触角を有する材料を含む。このようにすると、浸漬液5によってその層100が良好に濡れ、気泡がその層100上に形成される可能性を低減することが保証される。層100は、基板Wに面するシール部材10の下面上にあり、シール手段15よりも装置の光軸側により近くに配置されている。シール手段15の他方側に、浸漬液との間で90°より大きい、好ましくは100°より大きい、もっとも好ましくは110°又は120°より大きい接触角をなす疎水性第2の層110がある。基板Wに面するシール部材10の底面上にある、この第2の層110は、やはり浸漬液5をはじく作用を有し、それによってシール手段15の有効性を高める助けになる。実施例3及び4実施例3及び4をそれぞれ図6及び7に示す。それらは、第1の実施例と同じであり、それら実施例のいくつかの態様をより詳しく述べる。第3の実施例は、基板テーブルWT上に搭載され、浸漬液5を通して結像されるスルーレンズセンサ200に関するものである。第4の実施例は、参照により全体を本明細書に組み込むヨーロッパ特許出願第03254059.3号に記載のどちらのタイプすなわち、基板テーブルWTとは別の部材又はその一部でもよいシャッタ部材300に関するものである。実施例3及び4はともに、浸漬液5と接触し、浸漬液との間で90°より大きい、好ましくは100°より大きい、もっとも好ましくは110°又は120°より大きい接触角を有する表面を使用する。そのような表面を使用することによって、センサ200又はシャッタ部材300が移動して液体供給システムから離れたとき、センサ200又はシャッタ部材300の上に浸漬液の残渣が残る可能性がないことが保証される。ここでより詳しく述べると、図6は、センサ200を示し、センサは、上記の種類の任意のものとすることができ、検出要素210と、透過センサ回折格子222と、吸収要素220とを含む。吸収要素220は、センサのコントラストを高め、したがってセンサ性能全体を高めるために使用される。透過センサ回折格子222は、レチクルレベルで対応するパターンセンサ上のパターンより4~5倍大きいの投射空中像をたたみ込むために使用される。レチクルレベルにあるパターンの投射空中像による透過センサ回折格子222のたたみ込みは、基板レベルにある透過センサ回折格子222の位置に応じた輝度プロフィールをもたらすことになる。様々な基板テーブル位置における輝度データを用いて、空中像の位置及び形状が計算できる。センサ検出要素210は、回折格子の開放領域を透過した放射線を電気信号に変換する。吸収要素220の目的は、吸収特性が互いに異なる領域を提供することによって、投射ビームのエネルギーを一部吸収し、したがってセンサが十分なコントラストを実現できるようにすることである。吸収要素220は、アルミニウム及び/又はクロム或いはそれらの合金などの少なくとも1つの層からできていることが好ましいが、任意の金属の層から製作してもよい。図6では、投射系PLの最終要素がレンズ230として示してある。この実施例では、水などの浸漬液5が投射系の最終要素230とセンサ210の間に存在する。センサ200の上表面は、浸漬液5との間で90°より大きい、好ましくは100°より大きい、もっとも好ましくは110°又は120°より大きい接触角を有する被覆240が施される。被覆240は、いくつかの目的を果たす。それは、浸漬液を容易に除去することを可能にし、かつ/又は浸漬液残渣がセンサに残ることを防止する。このことは、空中のセンサを使用し浸漬液なしで測定もできることを意味する。浸漬液残渣の存在の結果、高さ及び位置の測定が誤ることになり得る。被覆層240の別の作用は、吸収要素220の金属を浸漬液5から隔離し、それによって、たとえば吸収要素220を形成する金属層間のガルバーニ反応に起因する、吸収要素220の金属の腐食を防止する。図7は、シャッタ部材300カバープレート、エッジシール部材、ギャップシール手段又は部材或いは中間プレートとも呼ばれるの一実施例を示す。シャッタ部材300は、基板表面ではない表面、多分、基板Wの上部表面と実質的に共面であり、基板Wのエッジに密着して隣接する基板テーブルWTの上部表面とすることができる。シャッタ部材300の領域は、基板テーブルWTが移動して投射系PL及びシール部材10がシャッタ部材300の上に位置した場合、シャッタ部材がシール部材10の開口部全体をふさいで、開口部から浸漬液が漏れることを防止できるように十分に広い。この位置では、通常の基板取扱い装置を使用して、基板Wを基板テーブルWTから取り外すことができる。図7に図示の実施例では、基板テーブルWTを移動して投射系PL及びシール部材10から完全に離し、基板Wを基板テーブルWTから取り外し、新しい基板を基板テーブルWT上に搭載することが可能である。図7では、シャッタ部材300は、シール部材10中の局限領域又は開口部の面積より大きい主な断面面積を有する平面の形である。シャッタ部材300の形状は、開口部を覆うものであるある限りどんな形状でもよい。シャッタ部材300は、基板ではなく、基板テーブルWTに対してもシール部材10に対しても移動可能であり、図7に示す磁石360など任意の手段によってシール部材10に取り付けることができる。基板Wを露光した後、基板テーブルWTを移動して、シャッタ部材300をシール部材10の開口部の下に位置させる。投射系PLの下に位置させた後、開口部を覆うためにシール部材10の底部にシャッタ部材300を取り付ける。取り付け方法は、たとえば真空源によって行うことができる。次いで、基板Wを交換することができる離れた場所に基板テーブルWTを移動する。図7では、シャッタ部材300をシール部材10に取り付けないときは、磁石370によってシャッタ部材300を基板テーブルWTに取り付けるが、非磁性体からできている場合、たとえば真空源によって取り付けることができる。浸漬液5と接触するシャッタ部材300の表面は、浸漬液5との間で90°より大きい、好ましくは100°より大きい、もっとも好ましくは110°又は120°より大きい接触角を有する表面である。したがって、第3の実施例と同様、基板テーブルが移動し、シャッタ部材300が後に残され、シール部材10上のシール手段15によって、浸漬液が、あってもわずかしか後に残らないことが保証され得る。さらに、シール部材の表面が上記のようである、すなわちその表面が浸漬液をはじく場合、シール部材10からシャッタ部材300を取り外すために必要な力が著しく小さくなる。浸漬液が水の場合、表面は疎水性と言われる。実施例5図8及び9を参照して第5の実施例を述べる。第5の実施例は、以下に述べる点を除き第1の実施例と同じである。第5の実施例では、異なるタイプの浸漬液閉じ込めシステムが示してある。投射系PLの最終要素及び基板Wの上表面は、浸漬液5との間で90°より大きい、好ましくは100°より大きい及びもっとも好ましくは110°又は120°より大きい接触角を有する材料から製作される。浸漬液5は、基板W又は投射系PLと接触していない浸漬液の表面上に加圧ガスを加えることによって、所定の位置に保持される。加圧ガスは、浸漬液5を囲繞するシール部材10中の入口400から供給される。複数の入口400を設け、それらは、浸漬液5を所定の位置に維持するのに有効などんな構成のものでもよい。図8は概略であり、実際には投射系PLと基板Wの間の間隔は、数ミクロン~数mm程度であり、したがって浸漬液5を所定の位置に保持するために必要な浸漬液上のガス圧は、低い。図8から分るように、シール部材10は、基板Wの上の異なるレベルにある幾組かのガス入口400を含むことができる。しかし、必ずしもそうする必要はなく、図9に示すように、1レベルのガス入口400のみを設けてもよい。浸漬液5が正しい位置にあることを保証するために、各入口400から様々な圧のガスを供給することができる。シール部材10を投射系PLに取り付けることができる。入口400のガスの圧は、浸漬液5の位置の測定値に応じてフィードフォワード又はフィードバック方式で制御することができる。基板Wが投射系PLに対して移動したとき、浸漬液5内に力が発生し、この力の測定値又は予測値に基づき、それに応じて各ガス入口400から流れるガスの圧を調節でき、たとえば一方側の圧を他方側の圧より高めることができる。図9から分るように、ガスが、装置の光軸に向かう方向成分を含む方向に放出されるような方向に、ガス入口400は、向くことが好ましい。その方向は、光軸に直接向いていないが、基板Wの上表面に実質的に平行な平面上にある。浸漬液5の周りを回るガス流を発生することが望ましく、これは、ガス入口400の方向を光軸からずらして向けることによって行われる。他の構成のガス入口を使用できることも理解されよう。表面及び浸漬液投射ビームの波長として193nmを使用するとき、浸漬液は実質的に水とすることが可能である。表面処理がされていないガラス上では、水は約70°の接触角になり、表面処理がされていないアルミニウム又はステンレス鋼上では、約80°の接触角になる。接触角は、液がなす角度である。本発明は、他のタイプの浸漬液にも等しく適用される。本発明では、浸漬液が水の場合、疎液性liquidphobic、接触角が90°より大きい又は疎水性の表面を使用する。これらの表面は、一般にテフロン登録商標、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアセタール、フルオロアルキルシラン、ワックス、又は炭素のようなダイアモンドなどのポリマーから生成される。ほとんどの液とその表面の間で高接触角をもたらす1つの特に有効な表面は、参照により全体を本明細書に組み込むWO96/04123に記載されている。ロータス表面と呼ばれるこの表面は、凸部及び凹部から構成される表面構造を含む、浸漬液と表面疎水性表面の間で大きな接触角が必要である上記実施例のどれにも特に適している。この凸部及び凹部からなる表面構造では、凸部間の間隔が5~200μmの範囲であり、凸部の高さが5~100μmの範囲である。少なくとも凸部は、疎水性ポリマー又は永続的に疎水性にされた材料からできており、凸部は、水又は界面活性剤を有する水によって取り除くことができない。浸漬液が水である場合、親液性liquidphilic、接触角が60°より小さい表面又は親水性表面も使用される。これらの表面は、金属酸化物たとえば、金属の表面上に、ガラス水晶又はZerodur登録商標などによって実現できる。ただし、表面から異物を高度に除去するための表面処理を行うものとする。したがって、要素の材料自体によって、必要ならさらに表面処理を行って、又は要素の表面上に被覆することによって、必要なタイプの表面を設けることができる。たとえば、基板テーブルWTは、Zerodurなどの構造ガラス又はガラスセラミックから製作されることがしばしばある。ポリマーの被覆又はロータス表面処理を適用して表面を疎液性にすることができる。別の例は、被覆して若しくは表面処理を施して親液性にされたポリマーたとえば、テフロン登録商標から製作した、或いは親液性にするために処理を行ったたとえば、高度に洗浄し、研磨した金属たとえば、ステンレス鋼の表面から製作された液体供給システムの場合である。表面との浸漬液の接触角に影響を与える減少させる別の方法は、界面活性剤を浸漬液に添加することである。界面活性剤の添加は、液の表面張力γを低減させる効果を有する。すなわち、安定した気泡の気泡半径Rは以下の式で与えられる。数1R=4γ/ΔPここでΔPは界面間の差圧であり、γを小さくすると、気泡半径Rは減少する。さらに、表面拡大係数surfacespreadingcoefficientSも表面張力によって影響を受け、したがって界面活性剤を添加することによって、表面特性を変更せずに表面上の液の接触角を減少させることができる。界面活性剤は、有機塩又は無機塩でよいそのイオンが水の分子を分裂させる。界面活性剤は、どんなタイプのものでもよくたとえば、陰イオン性、陽イオン性、双性イオン及び非イオン性、所望の結果を生じるような効力のある濃度で添加される通常臨界ミセル濃度以下。基板の表面からの浸漬液の蒸発によって、基板の許容できない温度低下が引き起され得る。したがって、浸漬液中に別の添加剤を使用して液の蒸気圧を変化させ、それによって蒸発を低減することが有利になり得る。保護膜本発明の一実施例では、保護膜を基板に、すなわちその基板のレジストの上面上に塗布して、ガス又は気泡がレジスト又はレジストスタックの表面に張り付くことを防止する。露光中、レジスト上の気泡によって、印刷像の焦点ボケ及び/又はゆがみによる欠陥が引き起され、歩留まりが低下する。本発明のこの実施例によれば、保護膜は親液性すなわち、浸漬液が水ベースの場合、親水性であり、80°より小さい範囲、たとえば65°~75°の接触角を有する。65°及び72°の接触角を有する表面を使用する実験では、基板1枚当りの気泡欠陥の数は、同じ条件下で、疎水性の保護膜又は保護膜のないレジストの場合の約500に比べ、10より少ない数まで減少することができる。親水性保護膜の使用は、気泡の形成を防止するとは考えられず、むしろ気泡が基板に付着し、そこで欠陥を起こすことになるのを防止すると考えられる。レジストに付着しないようにされた気泡を浸漬液から取り除いて、結像欠陥が起こるのを防止することができる。保護膜はドライリソグラフィでは周知であり、レジストを空気中の汚染から保護するために使用し、浸漬式リソグラフィで使用することが提案されていた。ただし、浸漬液水中で保護膜を不溶性にするために、フッ素処理したポリマーを添加する。これらポリマーは、保護膜を疎水性に、たとえば118°の接触角を有するようにする。本発明のこの実施例によれば、保護膜中の添加剤の量、特にフッ素処理したポリマーの量を親水性が所望の程度になるように選択する。保護膜も溶剤を使用して塗布すべきである。この溶剤は、レジスト溶剤と不相溶であり、一般に、メチルエチルケトンMEK;methylethylketoneの共溶剤を時には有するプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGMEA;propyleneglycolmonomethyletheracetate又はエチル乳酸塩ethyllactateであり、テトラメチルアンモニウム水酸化物TMAH;tetramethylammoniumhydroxideの弱アルカリ性溶剤通常、0.262であるレジスト現像液中で容易に可溶であることが望ましい。保護膜は、使用する、たとえば248、193又は157nmの露光波長の光による強力な照射下で安定であるべきである。本発明の詳しい実施例を以上説明してきたが、本発明が記述されたものとは別な方法で実施できることが理解されよう。この記述は、本発明を限定する意図のものではない。