"ガラス板の切断部の下方位置に非支持空間を有する支持ステージの上に、ガラス板を載置した状態で、前記切断部にアシストガスを噴射しながら、前記切断部に向かってレーザビームを照射し、前記切断部を境界として前記ガラス板を製品部と非製品部とに溶断するガラス板切断装置であって、前記ガラス板の上方空間において、前記製品部となる側の上方位置に配置され、前記切断部に向かって斜め下方に前記アシストガスを噴射する第1のガス噴射手段と、前記非製品部となる側の上方位置に配置され、溶断過程で生じる溶融異物を吸引する第1の吸引手段とを備え、前記ガラス板の下方空間において、前記製品部となる側の下方位置に配置され、前記切断部に向かって斜め上方に前記アシストガスを噴射する第2のガス噴射手段と、前記非支持空間内の前記溶融異物を吸引する第2の吸引手段とを備えていることを特徴とするガラス板切断装置。前記第2の吸引手段の吸引口が、前記切断部を含む切断予定線に沿って長尺であることを特徴とする請求項1に記載のガラス板切断装置。前記第2の吸引手段が、前記非製品部となる側に偏倚して配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のガラス板切断装置。前記第1のガス噴射手段が、前記アシストガスをガラス板の上面に15°~45°の傾斜角をもって噴射することを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載のガラス板切断装置。前記製品部となる側で前記非支持空間に面する前記支持ステージの側面部が、前記第2のガス噴射手段から噴射される前記アシストガスを斜め上方へ案内するテーパ面をなすことを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のガラス板切断装置。前記製品部となる側で前記非支持部に面する前記支持ステージは、前記第2のガス噴射手段から噴射された前記アシストガスを斜め上方に誘導して前記非支持空間に開放するガス流通路を有することを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載のガラス板切断装置。前記レーザビームが、前記ガラス板に対してデフォーカスで照射されることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載のガラス板切断装置。ガラス板の切断部に沿って非支持空間を有する支持ステージの上に、ガラス板を載置した状態で、前記切断部にアシストガスを噴射しながら、前記切断部に向かってレーザビームを照射し、前記切断部を境界として前記ガラス板を製品部と非製品部とに溶断するガラス板切断方法であって、前記ガラス板の上方空間において、前記製品部となる側の上方位置から前記切断部に向かって斜め下方に前記アシストガスを噴射して、前記非製品部となる側の上方位置で溶断過程に生じる溶融異物を吸引すると共に、前記ガラス板の下方空間において、前記製品部となる側の下方位置から前記切断部に向かって斜め上方に前記アシストガスを噴射して、前記非支持空間内の前記溶融異物を吸引することを特徴とするガラス板切断方法。ところで、特許文献1では、被加工物の切断部の真下にのみ吸引ノズルを配置し、被加工物の切断部から落下するドロス等の付着物を吸引ノズルで吸引するようにしている。しかしながら、ガラス板の場合、表面の清浄性が厳格に要求される場合も多いことから、仮に特許文献1の切断方法をガラス板にそのまま適用した場合には、次のような問題が生じる。すなわち、ガラス板の溶断時に切断部で生じる溶融異物を補助ノズルから噴射されるガスで吹き飛ばすと、溶融異物はガラス板の非製品部側特許文献1でいう廃材側へ飛散するだけでなく、微小な溶融異物は空中に浮遊することになる。そのため、この浮遊している溶融異物を放置していると、ガラス板の製品部側に再び付着するおそれがある。この点、特許文献1では、被加工物の下方に吸引ノズルを配置して対処しているが、このような吸引ノズルで捕捉可能な溶融異物は、空中に浮遊することなく、切断部から重力で落下するような大きな異物が主となるものと考えられる。したがって、空中を浮遊するような微小な溶融異物を十分に捕捉することは実質的に不可能となる。特に、溶断過程で切断部が貫通する前の状態では、溶融異物を全く吸引することができないため、ガラス板の上方空間における溶融異物の浮遊は顕著になる。本発明は、以上の実情に鑑み、ガラス板をレーザビームの照射熱で溶断する際に、製品となるガラス板にドロス等の溶融異物が付着する事態を確実に低減することを技術的課題とする。上記の課題を解決するために創案された第1の発明は、ガラス板の切断部の下方位置に非支持空間を有する支持ステージの上に、ガラス板を載置した状態で、前記切断部にアシストガスを噴射しながら、前記切断部に向かってレーザビームを照射し、前記切断部を境界として前記ガラス板を製品部と非製品部とに溶断するガラス板切断装置であって、前記ガラス板の上方空間において、前記製品部となる側の上方位置に配置され、前記切断部に向かって斜め下方に前記アシストガスを噴射する第1のガス噴射手段と、前記非製品部となる側の上方位置に配置され、溶断過程で生じる溶融異物を吸引する第1の吸引手段とを備え、前記ガラス板の下方空間において、前記製品部となる側の下方位置に配置され、前記切断部に向かって斜め上方に前記アシストガスを噴射する第2のガス噴射手段と、前記非支持空間内の前記溶融異物を吸引する第2の吸引手段とを備えていることに特徴づけられる。ここで、溶融異物は、ガラス板の溶断時に発生するドロス等の異物を意味し、溶融状態にあるもの、固化状態にあるものの双方を含む以下、同様。このような構成によれば、アシストガスがガラス板の製品部となる側の上下両側から切断部に向かって斜めに噴射されることから、切断部の溶融異物を確実に非製品部側に吹き飛ばすことができる。そして、この上下のアシストガスによって吹き飛ばされた溶融異物は、ガラス板の上下両側に配置された第1の吸引手段および第2の吸引手段によって吸引される。そのため、ガラス板の上下空間において、浮遊する溶融異物を確実に捕捉することができる。したがって、ガラス板の製品部に溶融異物が付着するという事態を確実に低減することが可能となる。上記の構成において、前記第2の吸引手段の吸引口が、前記切断部を含む切断予定線に沿って長尺であることが好ましい。すなわち、ガラス板の下方空間において、溶融異物が広範囲に亘って飛散する傾向があるため、溶融異物を確実に捕捉する観点から、ガラス板の下方空間に配置される第2の吸引手段の吸引口は、切断予定線ガラス板の切断方向に沿って長尺であることが好ましい。上記の構成において、前記第2の吸引手段が、前記非製品部となる側に偏倚して配置されていることが好ましい。すなわち、ガラス板の下方空間、すなわち、非支持空間においても、第1のガス噴射手段又は第2のガス噴射手段によって、溶融異物が非製品部側に吹き飛ばされることになるので、第2の吸引手段を非製品部となる側に偏倚させて配置した方が溶融異物を効率よく捕捉することが可能となる。上記の構成において、前記第1のガス噴射手段が、前記アシストガスをガラス板の上面に15°~45°の傾斜角をもって噴射するように構成されていてもよい。このような傾斜角でアシストガスを噴射すれば、製品部となる側に溶融異物を効率よく吹き飛ばすことが可能となる。換言すれば、第1のガス噴射手段の傾斜角が15°未満であると、切断部にアシストガスを効率よく作用させることが困難になって、溶融異物を非製品部となる側に吹き飛ばす力を十分発揮できなくなるおそれがある。一方、第1のガラス噴射手段の傾斜角が45°を超えると、アシストガスによって溶融異物を非製品部となる側に吹き飛ばす力が弱くなるおそれがある。上記の構成において、前記製品部となる側で前記非支持空間に面する前記支持ステージの側面部が、前記第2のガス噴射手段から噴射される前記アシストガスを斜め上方へ案内するテーパ面をなすようにしてもよい。このようにすれば、支持ステージの側面部のテーパ面によって、アシストガスを斜め上方に案内することができるので、第2のガス噴射手段から噴射されたアシストガスをガラス板の切断部に確実に作用させることができる。上記の構成において、前記製品部となる側で前記非支持部に面する前記支持ステージは、前記第2のガス噴射手段から噴射された前記アシストガスを斜め上方に誘導して前記非支持空間に開放するガス流通路を有するようにしてもよい。このようにすれば、支持ステージのガス流通路によって、アシストガスを斜め上方に案内することができるので、第2のガス噴射手段から噴射されたアシストガスをガラス板の切断部に確実に作用させることができる。上記の構成において、前記レーザビームが、前記ガラス板に対してデフォーカスで照射されるように構成されていることが好ましい。このようにすれば、レーザビームのエネルギー密度が、切断部に対応する位置で小さくなることから、照射位置周辺におけるエネルギーの変化量も小さくなる。そのため、ガラス板の反りや振動などによって、照射位置が多少変動したとしても、切断部に加わる照射熱が変化し難く、ほぼ同条件で溶断を実行することが可能となる。上記の課題を解決するために創案された第2の発明は、ガラス板の切断部に沿って非支持空間を有する支持ステージの上に、ガラス板を載置した状態で、前記切断部にアシストガスを噴射しながら、前記切断部に向かってレーザビームを照射し、前記切断部を境界として前記ガラス板を製品部と非製品部とに溶断するガラス板切断方法であって、前記ガラス板の上方空間において、前記製品部となる側の上方位置から前記切断部に向かって斜め下方に前記アシストガスを噴射して、前記非製品部となる側の上方位置で溶断過程に生じる溶融異物を吸引すると共に、前記ガラス板の下方空間において、前記製品部となる側の下方位置から前記切断部に向かって斜め上方に前記アシストガスを噴射して、前記非支持空間内の前記溶融異物を吸引することに特徴づけられる。このような方法によれば、既に述べた第1の発明と同様の作用効果を享受することができる。以上のような本発明によれば、ガラス板の切断部に上下両側からアシストガスが噴射されると共に、そのアシストガスで吹き飛ばされた溶融異物がガラス板の上下両側で吸引されて捕捉される。したがって、ガラス板の製品部に溶融異物が付着するという事態を確実に低減することができ、製品部の清浄性を良好に維持することが可能となる。以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。なお、以下では、ガラス板は、厚み500μm以下のフラットパネルディスプレイ用のガラス基板とするが、勿論これに限定されるものではない。例えば、太陽電池用、有機EL照明用、タッチパネル用、デジタルサイネージ用等、種々の分野に利用される薄板ガラス基板や、その有機樹脂との積層体などに適用が可能である。なお、薄板ガラスの厚みは、300μm以下であることが好ましい。第1実施形態図1に示すように、本発明の第1実施形態に係るガラス板切断装置1は、平置き姿勢のガラス基板Gを下方から支持する支持ステージ2と、この支持ステージ2に支持されたガラス基板Gを溶断分離するレーザビーム照射器3とを備えている。支持ステージ2は、ステージ本体21と、ステージ本体21の上面に沿って移動するコンベア22とを備えている。ガラス基板Gは、コンベア22の移動により切断予定線CLに沿った搬送方向下流側図中の矢印A方向に搬送される。このとき、ステージ本体21は、コンベア22をガイドする役割を果たす。なお、コンベア22には図示しない多数の通気孔が形成されており、この通気孔を介してガラス基板Gをコンベア22上に吸着保持しながら搬送するようになっている。勿論、ガラス基板Gを吸着せずに、コンベアによってガラス基板Gの幅方向端部を表裏両側から挟持して搬送するなど、他の搬送方法を採用してもよい。ステージ本体21及びコンベア22は、図2に示すように、ガラス基板Gの幅方向に間隔を置いて2つに分離されており、ガラス基板Gの切断予定線CLの下方位置に非支持空間Sを有している。この非支持空間Sでは、ガラス基板Gの下面と支持ステージ2が接触しておらず、ガラス基板Gの下面が非支持空間Sに対して露出している。レーザビーム照射器3は、図3に示すように、レーザビームLBを伝搬させる内部空間を有し、この空間内にレンズ31を備えている。この実施形態では、レンズ31で集光されたレーザビームLBは、微焦点に集光してガラス基板Gの上面に焦点位置FPを合わせた状態で、切断部レーザビームLBを照射して溶断を行なっている部分Cに照射される。そして、このレーザビームLBの照射熱によって切断予定線CLに沿ってガラス基板Gを溶断し、製品となる製品部Gaと、廃棄等され製品とならない非製品部Gbとに分離する。なお、レーザビームLBの焦点位置FPは、ガラス基板Gの厚み方向中間位置であってもよい。また、レーザビームLBの焦点位置FPをガラス基板Gの上方に設定し、レーザビームLBをデフォーカスした状態で切断部Cに照射するようにしてもよい。ガラス板切断装置1は、ガラス基板Gの上方空間において、製品部Gaとなる側の上方位置に配置された第1ガス噴射ノズル4と、非製品部Gbとなる側の上方位置に配置された第1吸引ノズル5とを備えている。第1ガス噴射ノズル4は、製品部Gaとなる側から切断部Cに向かって斜め下方に第1アシストガスサイドアシストガスA1を噴射する。第1吸引ノズル5は、非製品部Gbとなる側でガラス基板Gの上方空間の溶融異物を吸引する。一方、ガラス板切断装置1は、ガラス基板Gの下方空間において、製品部Gaとなる側の下方位置に配置された第2ガス噴射ノズル6と、非支持空間Sに配置された第2吸引ノズル7とを備えている。第2ガス噴射ノズル6は、製品部Gaとなる側から切断部Cに向かって斜め上方に第2アシストガスサイドアシストガスA2を噴射し、切断部Cの溶融異物を非製品部Gbとなる側に吹き飛ばす。第2吸引ノズル7は、ガラス基板Gの下方空間、すなわち非支持空間Sの溶融異物を吸引する。詳細には、ガラス基板Gの上方空間では、第1ガス噴射ノズル4と、第1吸引ノズル5とが、互いに向かい合うように配置されている。ガラス基板Gの表面上面に対する第1ガス噴射ノズル4の仮想中心線L1の傾斜角α1は、15°~45°、好ましくは20°~40°、より好ましくは25°~35°に設定される。ガラス基板Gの表面に対する第1吸引ノズル5の仮想中心線L2の傾斜角β1は、α1±15°以内、好ましくはα1±10°以内、より好ましくはα1±5°以内に設定される。一方、ガラス基板Gの下方空間では、第2ガス噴射ノズル6と、第2吸引ノズル7とが、互いに向かい合うように配置されている。製品部Ga側のステージ本体21の非支持空間Sに面する側面部21aが、上方が下方よりもガラス基板Gの切断部Cに接近するように傾斜したテーパ面をなしている。このテーパ面をなす側面部21aによって、第2ガス噴射ノズル6から噴射されるアシストガスA2を斜め上方に案内し、ガラス基板Gの切断部Cに供給するようになっている。なお、図示例では、非製品部Gb側のステージ本体21の非支持空間Sに面する側面部21aも、上方が下方よりもガラス基板Gの切断部Cに接近するように傾斜したテーパ面をなしている。勿論、製品部Ga側のステージ本体21の側面部21aのみをテーパ面としてもよい。ガラス基板Gの裏面下面に対する第2ガス噴射ノズル6の仮想中心線L3の傾斜角α2は、15°~70°、好ましくは20°~60°、より好ましくは25°~45°に設定される。この傾斜角α2は、ステージ本体21の側面部21aの傾斜角と実質的に等しい。これに対し、第2吸引ノズル7は、その吸引口を上方に指向させた状態で、切断部Cの真下から非製品部Gb側に偏倚させて配置されている。これは、第1アシストガスA1や第2アシストガスA2によって、溶融異物が非支持空間S内において非製品部Gb側に吹き飛ばされながら下降するからである。なお、切断部Cの真下に第2吸引ノズル7を配置してもよい。第2吸引ノズル7は、図4に示すように、ガラス基板Gの切断予定線CL方向に沿って長尺な吸引口81を有する。これは、ガラス基板Gの下方空間において、溶融異物が切断予定線CL方向に沿った広範囲に飛散する傾向があるためである。なお、レーザビーム照射器3等によるスペース上の制約がなければ、ガラス基板Gの上方空間に配置された第1吸引ノズル5も、切断予定線CLの延在方向に沿って長尺な吸引口を有するようにしてもよい。ここで、この実施形態では、レーザビーム照射器3の先端部に第3ガス噴射ノズル8が接続されており、レーザビーム照射器3の内部空間レンズ31よりも下方の空間に第3アシストガスセンターアシストガスA3を供給するようになっている。レーザビーム照射器3の内部空間に供給された第3アシストガスA3は、レーザビーム照射器3の先端からガラス基板Gの切断部Cに向かって真下に噴射される。すなわち、レーザビーム照射器3の先端からは、レーザビームLBが出射されると共に、第3アシストガスA3が噴射される。なお、第3ガス噴射ノズル8は適宜省略してもよい。以上のように構成されたガラス板切断装置1の動作を説明する。図1及び図2に示すように、支持ステージ2のコンベア22によってガラス基板Gを搬送し、搬送経路上に静止状態で配置されたレーザビーム照射器3から照射されるレーザビームLBをガラス基板Gの切断予定線CLに沿って走査する。レーザビームLBのスポット径は、図5に示す溶断直後における製品部Gaの切断端面Ga1と非製品部Gbの切断端面Gb1との間の最小隙間bよりも小さく設定される。レーザビームLBの照射エネルギーは、ガラス基板Gの上面において、100~100000W/mm2に設定される。このようにレーザビームLBを照射しながら、図3に示すように、ガラス基板Gの製品部Gaとなる側の上方位置に配置された第1ガス噴射ノズル4からガラス基板Gの切断予定線CL上に位置する切断部Cに向かって斜め下方に第1アシストガスA1を噴射する。また同時に、ガラス基板Gの製品部Gaとなる側の下方位置に配置された第2ガス噴射ノズル6から切断部Cに向かって斜め上方に第2アシストガスA2を噴射する。これにより、切断部Cから溶融異物が除去され、溶断が効率的に行なわれる。また、溶融異物が非製品部Gb側へ吹き飛ばされるので、製品部Gaに溶融異物が付着する事態を防止することができる。この際、第1アシストガスA1や第2アシストガスA2と共に、切断部Cに噴射される第3アシストガスA3は、ガラス基板Gを溶断する際に生じる溶融異物をガラス基板Gの切断部Cから除去する役割と、その溶融異物からレーザビーム照射器3のレンズ31等の光学部品を保護する役割、更には、レンズの熱を冷却する役割を果たす。また、これらアシストガスA1~A3によって吹き飛ばされた溶融異物は、ガラス基板Gの上下両側に配置された第1吸引ノズル5および第2吸引ノズル7によって吸引される。そのため、ガラス基板Gの上下空間において、浮遊する溶融異物を確実に捕捉することができる。したがって、ガラス基板Gの製品部Gaに溶融異物が付着するという事態を確実に低減することが可能となる。第1アシストガスA1の噴射圧は、0.01~0.5[MPa]に設定される。第2アシストガスA2の噴射圧は、0.01~0.5[MPa]に設定される。第3アシストガスA3の噴射圧は、0~0.02[MPa]に設定される。この実施形態のように、第3アシストガスA3を噴射する場合には、第1アシストガスA1の噴射圧をP1とし、第3アシストガスA3の噴射圧をP3とすると、P1とP3の間には次のような関係が成立する。すなわち、P3/P1が、0~2に設定される。この場合、第1アシストガスA1の噴射圧が、第3アシストガスA3の噴射圧よりも大きくすることが好ましい。詳細には、P3/P1は、0.1~0.5に設定されることが好ましい。なお、第3アシストガスA3の噴射圧は、レーザビーム照射器3のレンズ31等の光学部品を溶融異物から保護できる程度の圧力に設定することが好ましい。このように第1アシストガスA1と第3アシストガスA3の噴射圧の大小関係を調整すれば、ガラス基板Gの上方空間において、第3アシストガスA3の噴射圧が相対的に弱められるので、主として第1アシストガスA1によって、溶断時に生じる切断部Cの溶融異物を吹き飛ばすことになる。この第1アシストガスA1は、製品部Gaとなる側の上方位置から切断部Cに向かって斜め下方に噴射されることから、第1アシストガスA1に比べて、溶融状態にあるガラス基板Gの切断部C近傍を下方に押圧する力は弱い。そのため、図6に示すように、溶融状態にあるガラス基板Gの切断部C近傍が、アシストガスによって下方に強く押圧され、垂れ下がってしまうという不具合を防止できる。そして、このように切断部Cの垂れ下がりを防止した状態で、第1アシストガスA1と第2アシストガスA2によって切断部Cに生じる溶融異物は非製品部Gbとなる側に優先的に飛散するため、製品部Gaの切断端面Ga1に溶融異物が溜まり難くなる。したがって、図5に示すように、製品部Gaの切断端面Ga1の形状を略円弧状の良好な形状に維持することが可能となる。付言すれば、製品部Gaの切断端面Ga1は、火造り面で構成される。また、製品部Gaの切断端面Ga1の算術平均粗さRaは、例えば、0.3μm以下で、且つ、その粗さ曲線要素の平均長さRSmは、例えば、150μm以上となる。ここで、Raの下限値およびRSmの上限値について説明するならば、Raは限りなく零に近いことが望ましく、RSmは限りなく無限大に近いことが望ましい。しかしながら、実用上は加工設備等による限界があるため、Raの下限値やRSmの上限値を規定する意義は乏しい。そのため、上記では、Raの下限値とRSmの上限値を設けていない。なお、Ra及びRSmは、JIS2001に基づくものとする。さらに、製品部Gaの切断端面Ga1の残留圧縮応力は、例えば、20MPa~500MPaとなる。なお、非製品部Gbの切断端面Gb1には、第1アシストガスA1や第2アシストガスA2によって吹き飛ばされた溶融異物ドロスなどが付着し、切断端面Gb1の形状が、略円弧状から逸脱する場合もある。なお、このような作用効果は、第3アシストガスA3を省略し、切断部Cに第1アシストガスA1と第2アシストガスA2のみを供給する場合でも同様に享受することができる。各アシストガスA1~A3としては、例えば、酸素又は空気や、水蒸気二酸化炭素窒素アルゴンなどの不活性ガスが用いられ、適所でこれらのガスを混合してもよい。各アシストガスA1~A3は、加熱して熱風として噴射してもよい。各アシストガスA1~A3は、同種のガスであってもよいし、異種のガスであってもよい。更に、上記のようにガラス基板Gを溶断すれば、図5に示すように、ガラス基板Gの切断部Cの一部が溶融除去され、製品部Gaの切断端面Ga1と、非製品部Gbの切断端面Gb1との間には隙間が形成される。そのため、この隙間の分だけ製品部Gaの切断端面Ga1と、非製品部Gbの切断端面Gb1とが離間しているので、切断端面Ga1,Gb1同士が接触して破損する事態を防止しつつ、製品部Gaと非製品部Gbとを円滑に分離できる。詳細には、ガラス基板Gの厚みをaとし、溶断後における製品部Gaの切断端面Ga1と非製品部Gbの切断端面Gb1との間の最小隙間をbとした場合に、0.1≦b/a≦2なる関係を満足する最小隙間bを溶断により形成する。このようにすれば、ガラス基板Gの厚みとの相対的な関係で、製品部Gaの切断端面Ga1と非製品部Gbの切断端面Gb1間の隙間が厳格に管理されることから、製品部Gaの溶断端面Ga1近傍の形状を良好に維持しつつ、製品部Gaと非製品部Gbを安全に分離することができる。更には、歪によるガラスの変形や破損も回避することが可能となる。すなわち、b/aが2を超えると、溶断により溶融除去される薄板ガラスGの量が多くなり過ぎて、切断部C近傍に付与される熱量が過度に大きくなる。一方、b/aが0.1未満になると、溶断端面Ga1,Gb1同士が接近し過ぎ、分離時に溶断端面Ga1,Gb1同士が接触して製品部Ga又は非製品部Gbが破損するおそれがある。ここで、最小隙間bの大きさを調整する方法としては、1レーザビームLBの出力パワーを変更する、2ガラス基板Gに対するスポット径の大きさを変更する、3ガラス基板Gの表面に対する第1アシストガスA1の傾斜角α1や、ガラス基板Gの裏面に対する第2アシストガスA2の傾斜角α2を変更する、4第1アシストガスA1などのガラス基板Gに供給されるガスの噴射圧を変更する、5レーザビームのパルス幅やパターンを変更する、などの溶断条件の変更が挙がられる。なお、第1アシストガスA1の指向方向は、切断部C近傍であればよい。例えば、図3では、第1アシストガスA1の仮想中心線L1が、切断部Cと交差するようにしているが、仮想中心線L1が、切断部Cよりも製品部Gaとなる側でガラス基板Gの上面や下面と交差するようにしてもよい。また同様に、第2アシストガスA2の指向方向は、切断部C近傍であればよい。例えば、図3では、第2アシストガスA2の仮想中心線L3が、切断部Cと交差するようにしているが、仮想中心線L3が、切断部Cよりも製品部Gaとなる側でガラス基板Gの上面や下面と交差するようにしてもよい。また、この実施形態では、第1アシストガスA1と第2アシストガスA2は、同時にガラス基板Gの切断部Cに噴射するようにしているが、これに限定されるものではない。例えば、ガラス基板Gの切断部Cが貫通するまでは、第1アシストガスA1で切断部Cの溶融異物を吹き飛ばし、ガラス基板Gの切断部Cが貫通した後は、第1アシストガスA1を止めて、第2アシストガスA2で切断部Cの溶融異物を吹き飛ばすようにしてもよい。この場合、第3アシストガスA3は、第1アシストガスA1と共に、噴射を停止させてもよい。更に、この実施形態では、第1吸引ノズル5と第2吸引ノズル7によって、同時に溶融異物を吸引するようにしているが、これに限定されるものではない。例えば、ガラス基板Gの切断部Cが貫通するまでは、第1吸引ノズル5で溶融異物を吸引し、ガラス基板Gの切断部Cが貫通した後は、第2吸引ノズル7で溶融異物を吸引するようにしてもよい。第2実施形態図7に示すように、本発明の第2実施形態に係るガラス板切断装置1が、第1実施形態に係るガラス板切断装置1と相違するところは、第2アシストガスA2の供給方法にある。以下、共通点についての説明は省略し、相違点についてのみ説明する。第2実施形態では、支持ステージ2のステージ本体21に、斜め上方に向かって延在し、一端が非支持空間Sに連通するガス流通路21bが形成されている。このガス流通路21bの他端には、第2ガス噴射ノズル6の噴射口が接続されている。これにより、第2ガス噴射ノズル6から噴射された第2アシストガスA2が、ガス流通路21bを通じて斜め上方に誘導され、ガラス基板Gの切断部Cに供給される。なお、本発明は、上記の各実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、ガラス基板Gをオーバーフローダウンドロー法などで成形した場合、図8に示すように、ガラス基板Gの幅方向中央部の厚みよりも、ガラス基板Gの幅方向両端部の厚みが相対的に分厚くなる。そして、幅方向中央部が製品部Gaとされ、幅方向両端部が非製品部耳部と称されるGbとされる。したがって、本発明に係る切断方法及び切断装置を、このようなガラス基板Gの非製品部Gbとなる耳部の除去に利用してもよい。"