結晶の原料原子を含む液体を収容する容器と、前記液体と接する液体接触面に、弾性波を進行波として伝搬させる弾性波伝搬手段と、を有する結晶成長装置。前記液体接触面が、前記容器の内面である請求項1に記載の結晶成長装置。前記弾性波伝搬手段が、前記容器に接して配置された圧電体を有し、前記圧電体に交番電界を印加することにより、前記液体接触面に前記弾性波を伝搬させる請求項2に記載の結晶成長装置。前記弾性波伝搬手段が、前記容器の一部である圧電体を有し、前記圧電体に交番電界を印加することにより、前記液体接触面に前記弾性波を伝搬させる請求項2に記載の結晶成長装置。前記圧電体を複数有し、前記複数の圧電体のそれぞれに印加する交番電界の位相を調整することで、前記弾性波を進行波として伝搬させる請求項3または請求項4に記載の結晶成長装置。前記複数の圧電体から選択された2つの圧電体が、距離Lを隔てて位置し、前記2つの圧電体の各々に印加される交番電界の位相が、90度または270度相違し、前記弾性波の波長λと前記距離Lとの間に、L=λn1/4、ただしnは整数、の関係を有する請求項5に記載の結晶成長装置。前記容器が、前記液体接触面を伝搬する弾性波が元の位置に達する周回経路を有し、前記周回経路を伝搬した弾性波の振幅が増強されるように、前記圧電体に印加される前記交番電界の位相が調整される請求項3から請求項6の何れか一項に記載の結晶成長装置。前記容器の内部に設置される弾性体、をさらに有し、前記液体接触面が、前記弾性体の表面である請求項1から請求項7の何れか一項に記載の結晶成長装置。前記弾性波伝搬手段が、前記弾性体に接して配置された圧電体を有し、前記圧電体に交番電界を印加することにより、前記液体接触面に前記弾性波を伝搬させる請求項8に記載の結晶成長装置。前記弾性波伝搬手段が、前記弾性体の一部である圧電体を有し、前記圧電体に交番電界を印加することにより、前記液体接触面に前記弾性波を伝搬させる請求項8に記載の結晶成長装置。前記圧電体を複数有し、前記複数の圧電体のそれぞれに印加する交番電界の位相を調整することで、前記弾性波を進行波として伝搬させる請求項9または請求項10に記載の結晶成長装置。前記複数の圧電体から選択された2つの圧電体が、距離Lを隔てて位置し、前記2つの圧電体の各々に印加される交番電界の位相が、90度または270度相違し、前記弾性波の波長λと前記距離Lとの間に、L=λn1/4、ただしnは整数、の関係を有する請求項11に記載の結晶成長装置。前記弾性体が、前記液体接触面を伝搬する弾性波が元の位置に達する周回経路を有し、前記周回経路を伝搬した弾性波の振幅が増強されるように、前記圧電体に印加される前記交番電界の位相が調整される請求項9から請求項12の何れか一項に記載の結晶成長装置。前記弾性波伝搬手段から離れて位置する除振手段をさらに有し、前記除振手段が、前記液体接触面を伝搬して前記除振手段に達した弾性波を吸収する弾性波吸収部材である請求項1から請求項13の何れか一項に記載の結晶成長装置。前記弾性波伝搬手段から離れて位置する除振手段をさらに有し、前記除振手段が、前記液体接触面を伝搬して前記除振手段に達した弾性波を打ち消す振動を発生する圧電体である請求項1から請求項13の何れか一項に記載の結晶成長装置。前記結晶の原料原子を含む気体を、大気圧以上の圧力で供給する気体供給手段と、前記気体と前記液体とが接触する気液界面における前記気体の圧力を大気圧以上に維持する圧力維持手段と、をさらに有する請求項1から請求項15の何れか一項に記載の結晶成長装置。前記容器を加熱する加熱手段をさらに有する請求項1から請求項16の何れか一項に記載の結晶成長装置。前記弾性波伝搬手段が、圧電体を有し、前記圧電体のキュリー点が500°C以上である請求項17に記載の結晶成長装置。前記圧電体が、La3Ga5SiO14、LiNbO3、SiO2、AlNおよびAlN/Scからなる群から選択された1以上の材料からなる請求項18に記載の結晶成長装置。前記液体接触面を構成する部材が、AlN、SiC、グラファイト、BN、Al2O3およびSiO2からなる群から選択された1以上の材料からなる請求項1から請求項19の何れか一項に記載の結晶成長装置。容器に結晶の原料原子を含む液体を収容する段階と、前記液体と接する液体接触面に弾性波を進行波として伝搬させながら、前記容器内の前記液体に前記結晶の種結晶を接触し、前記結晶を成長する段階と、を有する結晶成長方法。前記結晶を成長する段階において、前記結晶の原料原子を含む気体を前記容器に供給し、前記気体の圧力を大気圧以上に維持しつつ前記結晶を成長する請求項21に記載の結晶成長方法。前記液体が、ガリウム原子とアルカリ金属原子を含み、前記気体が、窒素原子を含み、前記結晶として、窒化ガリウム単結晶を成長する請求項22に記載の結晶成長方法。フラックス法による窒化ガリウム単結晶の形成は、たとえば、500°C以上に加熱して溶解したガリウムおよびアルカリ金属の混合融液を、10気圧以上の窒素ガス環境下に置き、混合融液内のガリウムと液内に侵入した窒素とを反応させ、窒化ガリウムを析出することで為される。アルカリ金属としてナトリウムを用いる場合のフラックス法を、以下Naフラックス法と称する。窒化ガリウム単結晶の析出には種結晶が用いられる場合もある。フラックス法では、混合融液の表面から窒素ガスが侵入するため、液の表面近傍で寄生析出意図しない結晶成長が発生しやすい。寄生析出が発生すると、当該析出により窒素ガスが消費され、本来意図している結晶の成長点まで十分な窒素が供給されにくくなり、形成した結晶の品質が低下する可能性があるという不都合がある。その対策として、混合融液を撹拌する方策が考えられるが、フラックス法による窒化ガリウム結晶の成長は、高温高圧環境で実施されるため、成長装置に機械的な撹拌機構を取り付けることが難しく、実用的な大きさの結晶の均一性を確保するには、特許文献1に記載のような、成長装置全体を揺動する方式を採用せざるを得ない。しかし、成長装置の全体を揺動する方式は、装置が大型化し、設置場所に制限がある場合には導入が困難となる。また、装置の大型化は、コストを高め、製品の競争力に対し不利に作用する。本発明の目的は、フラックス法を用いた結晶成長装置において、実用的な大きさの結晶の均一性その他の品質を確保しつつ、結晶成長装置を小型化簡略化できる技術を提供することにある。なお、フラックス法において、溶媒としてNa、K等のアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属を用いることができ、ガリウムに代えて他のIII族原子を結晶原料に用いることができるが、前記した課題は、溶媒あるいは結晶原料の相違に関わらず共通する課題であり、本発明の目的は、溶媒あるいは結晶原料が異なる場合にも妥当する。上記課題を解決するために、本発明の第1の態様においては、結晶の原料原子を含む液体を収容する容器と、前記液体と接する液体接触面に、弾性波を進行波として伝搬させる弾性波伝搬手段と、を有する結晶成長装置を提供する。前記液体接触面として、前記容器の内面が例示できる。前記弾性波伝搬手段が、前記容器に接して配置された圧電体を有してもよく、前記圧電体に交番電界を印加することにより、前記液体接触面に前記弾性波を伝搬させることができる。あるいは、前記弾性波伝搬手段が、前記容器の一部である圧電体を有してもよく、前記圧電体に交番電界を印加することにより、前記液体接触面に前記弾性波を伝搬させることができる。前記圧電体を複数有してもよく、前記複数の圧電体のそれぞれに印加する交番電界の位相を調整することで、前記弾性波を進行波として伝搬させることができる。前記複数の圧電体から選択された2つの圧電体が、距離Lを隔てて位置し、前記2つの圧電体の各々に印加される交番電界の位相が、90度または270度相違する場合、前記弾性波の波長λと前記距離Lとの間に、L=λn1/4、ただしnは整数、の関係を有することができる。前記容器が、前記液体接触面を伝搬する弾性波が元の位置に達する周回経路を有してもよく、この場合、前記周回経路を伝搬した弾性波の振幅が増強されるように、前記圧電体に印加される前記交番電界の位相が調整されてもよい。前記容器の内部に設置される弾性体、をさらに有してもよく、この場合、前記液体接触面として、前記弾性体の表面が例示できる。前記弾性波伝搬手段が、前記弾性体に接して配置された圧電体を有してもよく、前記圧電体に交番電界を印加することにより、前記液体接触面に前記弾性波を伝搬させることができる。あるいは、前記弾性波伝搬手段が、前記弾性体の一部である圧電体を有してもよく、前記圧電体に交番電界を印加することにより、前記液体接触面に前記弾性波を伝搬させることができる。前記圧電体を複数有してもよく、前記複数の圧電体のそれぞれに印加する交番電界の位相を調整することで、前記弾性波を進行波として伝搬させることができる。前記複数の圧電体から選択された2つの圧電体が、距離Lを隔てて位置し、前記2つの圧電体の各々に印加される交番電界の位相が、90度または270度相違する場合、前記弾性波の波長λと前記距離Lとの間に、L=λn1/4、ただしnは整数、の関係を有することができる。前記弾性体が、前記液体接触面を伝搬する弾性波が元の位置に達する周回経路を有してもよく、この場合、前記周回経路を伝搬した弾性波の振幅が増強されるように、前記圧電体に印加される前記交番電界の位相が調整されてもよい。前記弾性波伝搬手段から離れて位置する除振手段をさらに有してもよく、前記除振手段が、前記液体接触面を伝搬して前記除振手段に達した弾性波を吸収する弾性波吸収部材であってもよい。あるいは、前記弾性波伝搬手段から離れて位置する除振手段をさらに有してもよく、前記除振手段が、前記液体接触面を伝搬して前記除振手段に達した弾性波を打ち消す振動を発生する圧電体であってもよい。前記結晶の原料原子を含む気体を、大気圧以上の圧力で供給する気体供給手段と、前記気体と前記液体とが接触する気液界面における前記気体の圧力を大気圧以上に維持する圧力維持手段と、をさらに有してもよい。前記容器を加熱する加熱手段をさらに有してもよい。前記弾性波伝搬手段が有する圧電体のキュリー点として500°C以上が挙げられる。前記圧電体として、La3Ga5SiO14、LiNbO3、SiO2、AlNおよびAlN/Scからなる群から選択された1以上の材料からなるものが挙げられる。前記液体接触面を構成する部材として、AlN、SiC、グラファイト、BN、Al2O3およびSiO2からなる群から選択された1以上の材料からなるものが挙げられる。本発明の第2の態様においては、容器に結晶の原料原子を含む液体を収容する段階と、前記液体と接する液体接触面に弾性波を進行波として伝搬させながら、前記容器内の前記液体に前記結晶の種結晶を接触し、前記結晶を成長する段階と、を有する結晶成長方法を提供する。前記結晶を成長する段階において、前記結晶の原料原子を含む気体を前記容器に供給し、前記気体の圧力を大気圧以上に維持しつつ前記結晶を成長してもよい。前記液体として、ガリウム原子とアルカリ金属原子を含むものが挙げられ、前記気体として、窒素原子を含むものが挙げられ、前記結晶として、窒化ガリウム単結晶を成長することが挙げられる。図1は、結晶成長装置100を上方から見た概略図であり、図2は、結晶成長装置100を正面から見た概略断面図である。結晶成長装置100は、容器102と、圧電体108と、気体供給手段110と、圧力維持手段112と、加熱手段114とを有する。気体供給手段110は、結晶の原料原子を含む気体を、大気圧以上の圧力で供給する。圧力維持手段112は、気体と液体とが接触する気液界面における気体の圧力を大気圧以上に維持する。加熱手段114は、容器102とその内部の物質を加熱する。気体供給手段110として高圧ガスボンベ、配管、レギュレータ等の高圧ガス供給系が例示できる。圧力維持手段112として圧力容器が例示できる。加熱手段114として、電熱ヒータ、ハロゲンランプヒータ等が例示できる。容器102は、結晶の原料原子を含む液体を収容する。形成する結晶が窒化ガリウムである場合、容器102に収容される液体として、ガリウムを含んだナトリウムフラックスが例示できる。フラックスは、ナトリウムに代えて、カリウム等他のアルカリ金属またはアルカリ土類金属であってもよい。ナトリウムフラックスは、一般に500°C以上の高温で液体になり溶質であるガリウムを溶解するので、容器102は、耐熱性であることが好ましい。また、容器201は、後に説明するようにその内面が弾性波伝搬面になる場合には、高温でも弾性波音波または超音波を含む。以下この明細書において同じである。が良好に伝達される程度の剛性を有する材料からなることが好ましい。具体的には、容器102は、AlN、SiC、グラファイト、BN、Al2O3、または、SiO2からなることが好ましい。容器102は、これらの材料を組み合わせた複合材からなるものであっても良い。容器102は、下に凸形状を有するベルジャ形であり、上部は円筒形である。容器102がこのような形状を有することで、結晶成長に必要な量の原料を溶解したフラックスが蓄えられる。容器102の内面は、結晶原料を含んだ液体と接する液体接触面104である。液体接触面104を構成する部材の材質は、容器102の材質と異なってもよいが、液体接触面104での弾性波の伝搬を良好とするには、液体接触面104を、AlN、SiC、グラファイト、BN、Al2O3およびSiO2からなる群から選択された1以上の材料で構成することが好ましい。容器102内に設置される結晶原料とフラックスは、加熱手段114によって加熱され、結晶原料とフラックスが溶融した液体120になる。一方、気体供給手段110から、結晶原料原子を含んだ気体が、容器102に供給される。容器102に供給された気体は、圧力維持手段112により大気圧以上の圧力に維持され、気体分子が液体120の気液界面を介して液体120内に侵入する。このような状態で、支持部材118に支持された種結晶116を液体120の液面近傍に配置すれば、種結晶116の表面に結晶が析出し、結晶が成長する。容器102上部の円筒形状部分に、リング形状の圧電体108が容器102に接して配置されている。圧電体108は、液体接触面104に弾性波を進行波として伝搬させる弾性波伝搬手段の一例である。圧電体108に交番電界を印加することにより弾性波を発生し、液体接触面104に弾性波が伝搬する。なお、弾性波は、容器102の壁面を伝搬し、圧電体108に到達することにより、定在波を形成しうるが、交番電圧の印加強度を、弾性波が伝搬過程で減衰し、圧電体108に到達しない程度に抑えることにより、進行波とすることができる。弾性波は、黒矢印で示す方向上から下に向かって進行波として伝搬する。弾性波が進行波として液体接触面104を伝搬することで液体接触面104に接する液体120が進行波の進行方向に輸送される。その結果、液体120に白矢印のような流れが発生し、種結晶116の結晶成長面に、十分な量の結晶原料が供給されるようになる。特に固体と液体の界面から液体に溶解した窒素原料を効果的に種結晶表面に輸送できる。この結果、結晶の成長速度が高まり、結晶の品質が向上する。また、寄生析出が発生するような場合であっても、液体120が十分に攪拌されるので寄生析出した結晶が再溶融し、原料の収率を高めることができる。なお、弾性波伝搬手段である圧電体は、容器102の一部であってもよい。また、気体供給手段110が供給する気体は、液体120内に直接導入されてもよい。圧電体108は、そのキュリー点が500°C以上であるものを選択する。たとえば、圧電体108は、La3Ga5SiO14、LiNbO3、SiO2、AlNおよびAlN/Scからなる群から選択された1以上の材料からなるものとすることができる。上記した結晶成長装置100を用いた結晶成長方法は、容器102に結晶の原料原子を含む液体を収容する段階と、液体と接する液体接触面104に弾性波を進行波として伝搬させながら、容器102内の液体に結晶の種結晶を接触し、結晶を成長する段階と、を有する。結晶を成長する段階では、結晶の原料原子を含む気体を容器102に供給し、気体の圧力を大気圧以上に維持しつつ結晶を成長する。結晶とした窒化ガリウム単結晶を成長する場合、液体120として、ガリウム原子とアルカリ金属原子を含む融液とし、気体として、窒素原子を含むガスを供給する。窒素原子を含む気体として、窒素ガス、アンモニアガスまたはヒドラジンガスが挙げられる。圧電体108に印加する交番電界は、その電圧振幅が大きいほど、また、周波数高いほど、液体120の輸送速度が向上し、良好な結晶が形成できる。図3は、結晶成長装置200を正面から見た概略断面図である。結晶成長装置200は、弾性波伝搬手段である圧電体108を複数有する点が結晶成長装置100と相違することを除き、他は結晶成長装置100と同じである。よって、結晶成長装置100と相違する点についてのみ説明する。結晶成長装置200では、圧電体108を複数とすることで、それぞれの圧電体108に印加する交番電界の位相を調整することができる。交番電界の位相を調整することで、弾性波の指向性弾性波進行波の進行方向を圧電体108の並び方向とすることができる。これにより、より大きな弾性波の進行波を生成することができ、より効果的に液体120を流動させることができる。図4は、結晶成長装置300を上方から見た概略図である。図5は、結晶成長装置300を正面から見た概略断面図である。結晶成長装置300は、結晶成長装置100あるいは結晶成長装置200とは圧電体108の配置が相違する。すなわち、結晶成長装置300における圧電体108は、直線形状を有し、圧電体108の長さ方向が容器102の上下方向となるよう外側壁面に接して配置されている。また、圧電体108は2本配置されている。圧電体108をこのように配置することで、弾性波は、容器102の円周方向図4の黒矢印の方向に進行し、結晶成長装置100あるいは結晶成長装置200とは、弾性波の進行方向が相違することとなる。この結果、流体120は、白矢印の方向に流動し、結晶の成長面付近液体120の液面付近で円を描くような流れを生じる。結晶成長装置100および結晶成長装置200では、結晶の成長面付近である液体120の液面付近の液体120の流動は、中央部から噴出するような流れであったが、結晶成長装置300では、先に説明したように液面で円を描くような流れであり、よりスムーズな層流を形成する。この結果、結晶の品質をより高めることができる。結晶成長装置300では、圧電体108を前記の通り配置するので、弾性波が容器102の液体接触面104を周方向に伝搬すると、一周して元の位置に達する周回経路を有することとなる。この場合、圧電体108に印加される交番電界の位相を、周回経路を伝搬した弾性波の振幅が増強されるように調整できる。この結果、弾性波を定在波にすることなく安定的継続的に進行波とすることができる。すなわち、弾性波として投入されたエネルギーは効率的に進行波に変換され、エネルギーの無駄なく液体120の輸送に寄与できる。また、結晶成長装置300では、複数の圧電体108が配置されており、当該複数の圧電体108のそれぞれに印加する交番電界の位相を調整できる。すなわち、複数の圧電体108から選択された2つの圧電体108が、距離Lを隔てて位置する場合、2つの圧電体108の各々に印加する交番電界の位相を、90度または270度相違させ、弾性波の波長λと距離Lとの間に、L=λn1/4、ただしnは整数、の関係を有するように、圧電体108に印加する電圧の周波数および位相を調整する。このように調整することで、大きな進行波を生成することができ、より効果的に液体120を流動させることができる。図6は、結晶成長装置400を正面から見た概略断面図である。結晶成長装置400は、除振手段202を有する点が結晶成長装置200と相違することを除き、他は結晶成長装置200と同様である。よって、相違する点についてのみ説明する。除振手段202は、弾性波伝搬手段106から離れて位置する。除振手段202として、液体接触面104を伝搬して除振手段202に達した弾性波を吸収する弾性波吸収部材204が挙げられる。除振手段202を有さない場合、圧電体108を発した弾性波は、容器102の底部で反射し、液体接触面104に定在波を発生する可能性がある。しかし、除振手段202を有することで、定在波の原因となる反射波を発生せず、弾性波エネルギーは効率的に進行波に変換できる。なお、除振手段202として、図7に示すような他の構成も例示できる。図7は、結晶成長装置500を正面から見た概略断面図である。結晶成長装置500の除振手段202は、液体接触面104を伝搬して除振手段202に達した弾性波を打ち消す振動を発生する圧電体108である。除振手段202としての圧電体108は、弾性波伝搬手段としての圧電体108から離れて配置される。つまり、除振手段202としての圧電体108は、容器102の底部付近に配置される。除振手段202としての圧電体108には弾性波を打ち消す振動を発生する電圧を印加する。これにより定在波の発生を防止できる。結晶成長装置400の除振手段202がパッシブな除振手段であるなら、結晶成長装置500の除振手段202はアクティブな除振手段と言える。図8は、結晶成長装置600を上方から見た概略図である。図9は、結晶成長装置600を正面から見た概略断面図である。結晶成長装置600は、液体120の流動に駆動力を与える弾性波の伝搬を容器102の他に弾性体210によっても与えようとするものである。結晶成長装置600は、弾性体210、をさらに有する。弾性体210は、容器102の内部に設置される。結晶成長装置600では、容器102の円筒形の中央に弾性体210を配置しているが、中央である必要はない。弾性体210は、円筒形状を有し、弾性波伝搬手段としての圧電体218と、除振手段202としての圧電体218とが、弾性体210の内部に接して配置されている。弾性体210の材質は、容器102と同様とすることができる。弾性波伝搬手段としての圧電体218に交番電界を印加することにより、弾性体210の表面に弾性波の進行波を生成できる。弾性体210の表面は液体120と接触しており、液体120に流動の駆動力を与える液体接触面104として機能することができる。なお、弾性体210の一部が圧電体218であってもよい。圧電体218を複数有し、複数の圧電体218のそれぞれに印加する交番電界の位相を調整できる点、は容器102についての場合と同様である。また除振手段202としての圧電体218を機能させることで弾性体210の表面での定在波の発生を防止できる。容器102の内面における弾性波進行波による液体120の駆動に加え、弾性体210の表面における弾性波進行波による駆動により、液体120がより強く駆動され、液体120の流動性が高まり、成長する結晶の大面積化にも対応でき、結晶の均一性を向上することもできる。図10は、結晶成長装置700を上方から見た概略図である。図11は、結晶成長装置700を正面から見た概略断面図である。結晶成長装置700は、液体120が周方向に円を描くように流動する結晶成長装置300の場合に弾性体210を適用した例である。この場合、弾性体210が、液体接触面104を伝搬する弾性波が元の位置に達する周回経路を有し、周回経路を伝搬した弾性波の振幅が増強されるように、圧電体218に印加される交番電界の位相が調整できる。結晶成長装置700の場合も、容器102の内面を伝搬する弾性波進行波からの駆動力に加え、弾性体210の表面を伝搬する弾性波進行波の駆動力が加わり、より強く液体120が流動する。この結果、結晶の品質向上、成長速度の増加、収率の向上等を図ることができる。なお、圧電体218を複数有し、複数の圧電体218のそれぞれに印加する交番電界の位相を調整することで、弾性波を進行波として伝搬させる点、複数の圧電体218から選択された2つの圧電体218が、距離Lを隔てて位置し、2つの圧電体218の各々に印加される交番電界の位相が、90度または270度相違し、弾性波の波長λと距離Lとの間に、L=λn1/4、ただしnは整数、を有して良い点、は容器102についての場合と同様である。図12は、結晶成長装置800を上方から見た概略図である。図13は、結晶成長装置800を正面から見た概略断面図である。結晶成長装置800は、容器102がバレル型の形状を有する。このようなバレル形状を持つ容器102であっても、圧電体108によって、黒矢印方向の弾性波進行波を生成でき、液体120を白矢印方向に流動できる。この場合も、結晶成長装置100から結晶成長装置700の場合と同様に、結晶の均一性を向上し、成長速度の増加、結晶品質の向上、収率の改善等を図ることができる。なお、結晶成長装置800の容器102は、周回経路を有するものであり、周回経路を伝搬した弾性波の振幅が増強されるように、圧電体108に印加される交番電界の位相が調整できる点、複数の圧電体108のそれぞれに印加する交番電界の位相を調整することで、弾性波を進行波として伝搬させる点、複数の圧電体108から選択された2つの圧電体108が、距離Lを隔てて位置し、2つの圧電体108の各々に印加される交番電界の位相が、90度または270度相違し、弾性波の波長λと距離Lとの間に、L=λn1/4、ただしnは整数、を有して良い点、は結晶成長装置300あるいは結晶成長装置700の場合と同様である。