"光電素子であって、表面を有し、前記表面と垂直する法線方向を含む基板と、前記基板の前記表面に位置して前記表面と接触し、前記基板の前記表面の一部を露出する複数の第一種結晶柱と、前記第一種結晶柱の側壁及び前記基板の前記露出された表面に位置する第一保護層と、前記複数の第一種結晶柱の上に位置し、第一表面及び前記第一表面と相対する第二表面を有し、前記第一表面は前記複数の第一種結晶柱と直接接触する第一緩衝層と、前記複数の第一種結晶柱、前記基板の前記表面及び前記第一緩衝層の前記第一表面の間に位置する少なくとも一つの第一空洞構造と、を含み、前記少なくとも一つの第一空洞構造は幅と高さを有し、前記幅は前記第一空洞構造における前記表面に平行する方向の最大寸法であり、前記高さは前記第一空洞構造における前記法線方向に平行する方向の最大寸法であり、前記高さと前記幅の比率は1/5~3の範囲にあることを特徴とする光電素子。光電素子であって、表面を有し、前記表面と垂直する法線方向を含む基板と、前記基板の前記表面に位置して前記表面と接触し、前記基板の前記表面の一部を露出する複数の第一種結晶柱と、前記第一種結晶柱の側壁及び前記基板の前記露出された表面に位置する第一保護層と、前記複数の第一種結晶柱の上に位置し、第一表面及び前記第一表面と相対する第二表面を有し、前記第一表面は前記複数の第一種結晶柱と直接接触する第一緩衝層と、記複数の第一種結晶柱、前記基板の前記表面及び前記第一緩衝層の前記第一表面の間に位置する少なくとも一つの第一空洞構造と、を含み、前記少なくとも一つの第一空洞構造は幅と高さを有し、前記幅は前記第一空洞構造における前記表面に平行する方向の最大寸法であり、前記高さは前記第一空洞構造における前記法線方向に平行する方向の最大寸法であり、前記高さは0.5μm~2μmの範囲にあり、及び/又は前記幅は50nm~600nmの範囲にあることを特徴とする光電素子。前記光電素子は複数の前記第一空洞構造を有し、前記複数の第一空洞構造は互いに独立し、或いは相互連結され、或いは一つ又は複数のメッシュ状の第一空洞群を形成し、或いは規則的なアレイを形成し、かつ前記複数の第一空洞構造の平均間隔は100Å~1.5μmの範囲にあり、空洞隙率は5~90の範囲にあることを特徴とする請求項1又は2記載の光電素子。更に、前記第一緩衝層の前記第二表面に形成された第一半導体層、能動層及び第二半導体層を含むことを特徴とする請求項1又は2記載の光電素子。更に、前記第一緩衝層の前記第二表面に位置し、前記第二表面の一部を露出する複数の第二種結晶柱と、前記第二種結晶柱の側壁及び前記第一緩衝層の前記露出された第二表面に位置する第二保護層と、前記複数の第二種結晶柱の上に位置し、第一表面及び前記第一表面と相対する第二表面を有し、前記第一表面は前記複数の第一種結晶柱と直接接触する第二緩衝層と、前記複数の第二種結晶柱、前記第一緩衝層の前記第二表面及び前記第二緩衝層の前記第一表面の間に位置する少なくとも一つの第二空洞構造と、を含み、前記第二空洞構造は高さと幅の比率は1/5~3の範囲にあり、前記高さは0.5μm~2μmの範囲にあり、及び/又は前記幅は50nm~600nmの範囲にあり、かつ前記第一緩衝層又は前記第二緩衝層は不純物を添加していない層又は未混合層又は-n型混合層であることを特徴とする請求項1又は2記載の光電素子。前記光電素子は複数の前記第二空洞構造を有し、前記複数の第二空洞構造は互いに独立し、或いは相互連結され、或いは一つ又は複数のメッシュ状の第二空洞群を形成し、或いは規則的なアレイを形成し、かつ前記複数の第二空洞構造の平均間隔は100Å~1.5μmの範囲にあり、空洞隙率は5~90の範囲にあり、前記第一空洞の体積は前記第二空洞の体積以上であることを特徴とする請求項5記載の光電素子。前記第一保護層又は前記第二保護層の材料は、SiO2、HSQ又はMSQ等のようなシルセスキオキサンSilsequioxaneを基材とする重合体であることを特徴とする請求項5記載の光電素子。光電素子の製造方法であって、表面を有し、前記表面と垂直する法線方向を含む基板を提供するステップと、前記基板の前記表面に第一種結晶層を形成するステップと、前記第一種結晶層をパターン化して、複数の第一種結晶柱を形成し、かつ前記基板の前記表面の一部を露出するステップと、前記複数の第一種結晶柱の側壁及び前記基板の前記露出された表面に保護層を被覆するステップと、前記複数の第一種結晶柱の上に、第一表面及び前記第一表面と相対する第二表面を有し、前記第一表面は前記複数の第一種結晶柱と直接接触する第一緩衝層を形成するステップと、前記複数の第一種結晶柱、前記基板の前記表面及び前記第一緩衝層の前記第一表面の間に位置する少なくとも一つの第一空洞構造を形成するステップと、を含み、前記少なくとも一つの第一空洞構造は幅と高さを有し、前記幅は前記第一空洞構造における前記表面に平行する方向の最大寸法であり、前記高さは前記第一空洞構造における前記法線方向に平行する方向の最大寸法であり、前記高さと前記幅の比率は1/5~3の範囲にあることを特徴とする光電素子の製造方法。光電素子の製造方法であって、表面を有し、前記表面と垂直する法線方向を含む基板を提供するステップと、前記基板の前記表面に第一種結晶層を形成するステップと、前記第一種結晶層をパターン化して、複数の第一種結晶柱を形成し、かつ前記基板の前記表面の一部を露出するステップと、前記複数の第一種結晶柱の側壁及び前記基板の前記露出された表面に保護層を被覆するステップと、前記複数の第一種結晶柱の上に、第一表面及び前記第一表面と相対する第二表面を有し、前記第一表面は前記複数の第一種結晶柱と直接接触する第一緩衝層を形成するステップと、前記複数の第一種結晶柱、前記基板の前記表面及び前記第一緩衝層の前記第一表面の間に位置する少なくとも一つの第一空洞構造を形成するステップと、を含み、前記少なくとも一つの第一空洞構造は幅と高さを有し、前記幅は前記第一空洞構造における前記表面に平行する方向の最大寸法であり、前記高さは前記第一空洞構造における前記法線方向に平行する方向の最大寸法であり、前記高さは0.5μm~2μmの範囲にあり、及び/又は前記幅は50nm~600nmの範囲にあることを特徴とする光電素子の製造方法。前記第一種結晶層をパターン化するステップは、前記第一種結晶層にエッチングレジスト層を形成するステップと、前記エッチングレジスト層に金属薄膜層を形成するステップと、前記金属薄膜層を複数の金属粒になるように加熱するステップと、前記複数の金属粒をマスクとして、前記エッチングレジスト層に対し、パターンを形成するように異方性エッチングを行うステップと、前記複数の金属粒を除去するステップと、前記パターン化したエッチングレジスト層をマスクとして、前記第一種結晶層に対しドライエッチングを行うステップと、を含むことを特徴とする請求項8又は9記載の光電素子の製造方法。前記光電素子は複数の前記第一空洞構造を有し、前記複数の第一空洞構造は互いに独立し、或いは相互連結され、或いは一つ又は複数のメッシュ状の第一空洞群を形成し、或いは規則的なアレイを形成し、かつ前記複数の第一空洞構造の平均間隔は100Å~1.5μmの範囲にあり、空洞隙率は5~90の範囲にあることを特徴とする請求項8又は9記載の光電素子の製造方法。更に、前記第一緩衝層の前記第二表面に第一半導体層、能動層及び第二半導体層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項8又は9記載の光電素子の製造方法。更に、前記第一緩衝層の前記第二表面に前記第二表面の一部が露出されるよう複数の第二種結晶柱を形成するステップと、前記第二種結晶柱の側壁及び前記第一緩衝層の前記露出された第二表面に第二保護層を被覆するステップと、前記複数の第二種結晶柱の上に、第一表面及び前記第一表面と相対する第二表面を有し、前記第一表面は前記複数の第一種結晶柱と直接接触する第二緩衝層を形成するステップと、前記複数の第二種結晶柱、前記第一緩衝層の前記第二表面及び前記第二緩衝層の前記第一表面の間に位置する少なくとも一つの第二空洞構造を形成するステップと、を含み、前記少なくとも一つの第二空洞構造は幅と高さを有し、前記幅は前記第二空洞構造における前記表面に平行する方向の最大寸法であり、前記高さは前記第二空洞構造における前記法線方向に平行する方向の最大寸法であり、前記高さと前記幅の比率は1/5~3の範囲にあり、又は前記高さは0.5μm~2μmの範囲にあり、及び/又は前記幅は50nm~600nmの範囲にあり、かつ前記第一緩衝層又は前記第二緩衝層は不純物を添加していない層又は未混合層又は-n型混合層であることを特徴とする請求項8又は9記載の光電素子の製造方法。前記複数の第二空洞構造は互いに独立し、或いは相互連結され、或いは一つ又は複数のメッシュ状の第二空洞群を形成し、或いは規則的なアレイを形成し、かつ前記複数の第二空洞構造の平均間隔は100Å~1.5μmの範囲にあり、空洞隙率は5~90の範囲にあり、前記第一空洞の体積は前記第二空洞の体積以上であることを特徴とする請求項13記載の光電素子の製造方法。前記第一保護層又は前記第二保護層は、スピンオングラス塗布SOGspinonglasscoating方法によって形成されることを特徴とする請求項13記載の光電素子の製造方法。本発明は光電素子及びその製造方法を提供する。本発明の光電素子であって、表面及び表面と垂直する法線方向を有する基板と;基板の表面に位置して表面と接触し、基板の表面の一部を露出する複数の第一種結晶柱と;第一種結晶柱の側壁及び基板の露出表面に位置する第一保護層と;複数の第一種結晶柱の上に位置し、第一表面及び第一表面と相対する第二表面を有し、第一表面は複数の第一種結晶柱と直接接触する第一緩衝層と;複数の第一種結晶柱、基板の表面及び第一緩衝層の第一表面の間に位置する少なくとも一つの第一空洞構造と、を含み、少なくとも一つの第一空洞構造は幅と高さを有し、幅は第一空洞構造における表面に平行する方向の最大寸法であり、高さは第一空洞構造における法線方向に平行する方向の最大寸法であり、高さと幅の比率は1/5~3の範囲にある。本発明を更に詳しく、完全に説明するため、図1A乃至図3を参照しながら下記のように説明する。図1A~図1Fをもって、本発明による第一実施例の光電素子の製造方法を簡単に説明する。図1Aに示されているように、基板101の第一表面1011に第一種結晶層102を成長させる。その内、基板は法線方向Nを有する。続いて、図1Bに示されているように、第一種結晶層102をエッチングし、基板101の第一表面1011上に複数の第一種結晶柱1021を形成する。本実施例において、上述の第一種結晶柱1021は、電気化学エッチング、異方性エッチングを用い、例えば誘導結合プラズマinductivecouplingplasmaICPによるドライエッチング或いは蓚酸、水酸化カリウム又は燐酸、硫酸溶液などの単一溶液又は混合溶液によるウェットエッチングを用いて、少なくとも一つの空洞構造、例えば空洞porevoidbore、ピンホールpinhole或いは少なくとも二つの空洞構造が相互連結されてメッシュ空洞構造多孔質構造、porousstructureを含むように形成される。その形成方法の一つとして、本願の出願人の台湾特許出願099132135号を参考し、該出願の一部内容を引用した。続いて、図1Cに示されているように、上記の第一種結晶柱1021の表面及び露出された基板の第一表面上に保護層103を被覆する。保護層103は、第一種結晶柱1021の側壁を被覆する第一保護層1031、第一種結晶柱1021の間にある露出された基板の第一表面1011上を被覆する第二保護層1032、第一種結晶柱1021の上面を被覆する第三保護層1033を含む。実施例において、保護層103はスピンオングラス塗布SOGspinonglasscoating方法によって形成され、保護層103の材料はSiO2、HSQ及びMSQなどのようなシルセスキオキサンSilsequioxaneを基材とする重合体である。その後、上述の第三保護層1033を除去し、続いて第一緩衝層105を成長する。該第一緩衝層105は、図1Dに示されているように、上述の複数の第一種結晶柱1021の上面を沿ってエピタキシャル横方向成長EpitaxialLateralOvergrowthELOGの方式で、同時に横方向と上方向へ成長する。上述の第一緩衝層105を成長させると共に、隣接する二つの第一種結晶柱1021と基板101及び第一緩衝層105の間に少なくとも一つの第一空洞104を形成する。本実施例において、第一種結晶柱1021の側壁が第一保護層1031によって被覆されているため、第一緩衝層105の生長方向性及び空間成長優先性を効率的に制御することができる。本実施例において、第一種結晶層102又は第一緩衝層105は不純物を添加していないUnintentionallyDopedUID層又は未混合層であり、又はn型混合層である。本実施例において、第一空洞104の幅は、50nm~600nm、50nm~500nm、50nm~400nm、50nm~300nm、50nm~200nm又は50nm~100nmの範囲にある。第一空洞104の高さは、0.5μm~2μm、0.5μm~1.8μm、0.5μm~1.6μm、0.5μm~1.4μm、0.5μm~1.2μm、0.5μm~1μm又は0.5μm~0.8μmの範囲にある。本実施例において、第一空洞は、1/5~3、1/5~2、1/5~1、1/5~1/2、1/5~1/3又は1/5~1/4の高幅比率高さと幅の比率を有し得る。本実施例において、隣接する二つの第一種結晶柱1021と基板101の間に複数の第一空洞104を形成することができる。他の実施例において、複数の第一種結晶柱1021が規則的なアレイ構造であり得るため、上述の複数の第一空洞104も規則的なアレイ構造であり得る。図1Eは本発明の実施例により形成された第一孔洞104の走査型電子顕微鏡ScanningElectronMicroscopySEMの図である。図1Eを参照するに、この複数の第一空洞104は、互いに独立した単一の第一空洞1041又は該単一第一空洞1041が相互連結されて一つ又は複数のメッシュ状第一空洞群1042を形成することができる。上述の複数の第一空洞104の平均幅Wxは、50nm~600nm、50nm~500nm、50nm~400nm、50nm~300nm、50nm~200nm又は50nm~100nmの範囲にある。上述の複数の第一空洞104の平均高さHxは、0.5μm~2μm、0.5μm~1.8μm、0.5μm~1.6μm、0.5μm~1.4μm、0.5μm~1.2μm、0.5μm~1μm又は0.5μm~0.8μmの範囲にある。本実施例において、上述の複数の第一空洞104の平均間隔は、10nm~1.5μm、30nm~1.5μm、50nm~1.5μm、80nm~1.5μm、1μm~1.5μm又は1.2μm~1.5μmである。本実施例において、上述の複数の第一空洞104は、1/5~3、1/5~2、1/5~1、1/5~1/2、1/5~1/3又は1/5~1/4の平均高幅比率高さと幅の比率を有し得る。上述の複数の第一空洞104によって形成される空洞隙率Фporosityは、第一空洞104の総体積Vvを全体体積VTで割る値で定義され、全体体積VTは第一空洞104の総体積に第一結晶層102の体積を加えた値である。本実施例において、空洞隙率Фは、5~90、10~90、20~90、30~90、40~90、50~90、60~90、70~90又は80~90の範囲にある。続いて、図1Fに示されたように、上記の第一緩衝層105の上面に第一半導体層106、能動層107及び第二半導体層108を成長させ、一部の能動層107と第二半導体層108をエッチングして一部の第一半導体層106を露出し、第一半導体層106と第二半導体層108の上に二つの電極109、110を形成して光電素子100を形成する。上述の電極109、110の材料は、クロムCr、チタンTi、ニッケルNi、白金Pt、銅Cu、金Au、アルミニウムAl又は銀Ag等の金属材質の単一構成又は合金又は重層の組合せから選択し得る。本実施例において、上述の第一空洞104は中空構造であり、該第一空洞104は屈折率を有し、空気レンズとして適用される。光線が光電素子100の中で第一空洞104まで進入した場合、第一空洞104の内部と外部材料の屈折率の差異例えば、緩衝層の屈折率は約2~3の間にあり、空気の屈折率は約1であるによって、光線は第一空洞104で出射方向が変更され、これにより光線の引出率を高める。一方、第一空洞104は散乱中心scatteringcenterとして、光子の出射方向を変更し、且つ全反射を減少することもできる。第一空洞104の密度を増加することで、上述の効果を更に増加することができる。図2は本発明の第二実施例の光電素子を説明するための断面図である。本実施例の製造工程は第一実施例と大体同様であり、具体的なフローについては第一実施例を参照し、ここで省略する。本実施例において、基板201と、基板201に形成された複数の第一種結晶柱2021と、第一種結晶柱2021の側壁を被覆する第一保護層2031と、第一種結晶柱2021の間の露出された基板の第一表面2011を被覆する第二保護層2032を含む。実施例において、第一保護層2031と第二保護層2032はスピンオングラス塗布SOGspinonglasscoating方法で形成される。第一保護層2031と第二保護層2032の材料はSiO2、HSQ及びMSQなどのようなシルセスキオキサンSilsequioxaneを基材とする重合体である。その後、上述の複数の第一種結晶柱2021の上面を沿ってエピタキシャル横方向成長EpitaxialLateralOvergrowthELOGの方式で、同時に横方向と上方向へ第一緩衝層205を成長し、隣接する二つの第一種結晶柱2021と基板201及び第一緩衝層205の間に少なくとも一つの第一空洞204を形成する。本実施例において、第一種結晶柱2021の側壁が第一保護層2031によって被覆されているため、第一緩衝層205の生長方向性及び空間成長優先性を効率的に制御することができる。本実施例において、第一緩衝層205は不純物を添加していないUnintentionallyDopedUID層又は未混合層であり、又はn型混合層である。その後、第一緩衝層205の上に複数の第二種結晶柱2061を形成し、第二種結晶柱2061の側壁に第三保護層2071を被覆し、第二種結晶柱2061の間にある第一緩衝層の露出された第一表面2051に第四保護層2072を被覆する。本実施例において、第一保護層2031、第二保護層2032、第三保護層2071及び第四保護層2072はスピンオングラス塗布SOGspinonglasscoating方法で形成され、材料はSiO2、HSQ及びMSQなどのようなシルセスキオキサンSilsequioxaneを基材とする重合体である。その後、上述の複数の第二種結晶柱2061の上面を沿ってエピタキシャル横方向成長EpitaxialLateralOvergrowthELOGの方式で、同時に横方向と上方向へ第二緩衝層209を成長し、隣接する二つの第二種結晶柱2061、第一緩衝層205及び第二緩衝層209の間に少なくとも一つの第二空洞208を形成する。本実施例において、第二種結晶柱2061の側壁が第三保護層2071によって被覆されているため、第二緩衝層209の生長方向性及び空間成長優先性を効率的に制御することができる。本実施例において、第二緩衝層209は不純物を添加していないUnintentionallyDopedUID層又は未混合層であり、又はn型混合層である。本実施例において、第一空洞204、第二空洞208の幅は、50nm~600nm、50nm~500nm、50nm~400nm、50nm~300nm、50nm~200nm又は50nm~100nmの範囲にある。第一空洞204、第二空洞208の高さは、0.5μm~2μm、0.5μm~1.8μm、0.5μm~1.6μm、0.5μm~1.4μm、0.5μm~1.2μm、0.5μm~1μm又は0.5μm~0.8μmの範囲にある。また、本実施例において、第一空洞204、第二空洞208はそれぞれ1/5~3、1/5~2、1/5~1、1/5~1/2、1/5~1/3又は1/5~1/4の高幅比率高さと幅の比率を有し得る。本実施例において、上述の第一空洞204の体積はほぼ上述の第二空洞208の体積と同様である。他の実施例において、上述の第一空洞204の体積は上述の第二空洞208の体積より大きい。本実施例において、隣接する二つの第一種結晶柱2021と基板201の間に複数の第一空洞204を形成することができる。他の実施例において、複数の第一種結晶柱2021が規則的なアレイ構造であり得るため、上述の複数の第一空洞204も規則的なアレイ構造であり得る。他の実施例において、この複数の第一空洞204は単一の第一空洞、又は該単一の第一空洞が相互連結されて一つ又は複数のメッシュ状の第一空洞群を形成する。上述の複数の第一空洞204の平均幅Wxは、50nm~600nm、50nm~500nm、50nm~400nm、50nm~300nm、50nm~200nm又は50nm~100nmの範囲にある。上述の複数の第一空洞204の平均高さHxは、0.5μm~2μm、0.5μm~1.8μm、0.5μm~1.6μm、0.5μm~1.4μm、0.5μm~1.2μm、0.5μm~1μm又は0.5μm~0.8μmの範囲にある。本実施例において、上述の複数の第一空洞204の平均間隔は、10nm~1.5μm、30nm~1.5μm、50nm~1.5μm、80nm~1.5μm、1μm~1.5μm又は1.2μm~1.5μmである。本実施例において、上述の複数の第一空洞204は、1/5~3、1/5~2、1/5~1、1/5~1/2、1/5~1/3又は1/5~1/4の平均高幅比率高さと幅の比率を有し得る。上述の複数の第一空洞204によって形成される空洞隙率Фporosityは、第一空洞204の総体積Vvを全体体積VTで割る値で定義され、全体体積VTは第一空洞204の総体積に第一種結晶柱2021の体積を加えた値である。本実施例において、空洞隙率Фは、5~90、10~90、20~90、30~90、40~90、50~90、60~90、70~90又は80~90の範囲にある。本実施例において、隣接する二つの第二種結晶柱2061と第二緩衝層205の間に複数の第二空洞208を形成することができる。他の実施例において、複数の第二種結晶柱2061が規則的なアレイ構造であり得るため、上述の複数の第二空洞208も規則的なアレイ構造であり得る。他の実施例において、この複数の第二空洞208は単一の第二空洞、又は該単一の第二空洞が相互連結されて一つ又は複数のメッシュ状の第二空洞群を形成する。上述の複数の第二空洞208の平均幅Wxは、50nm~600nm、50nm~500nm、50nm~400nm、50nm~300nm、50nm~200nm又は50nm~100nmの範囲にある。上述の複数の第二空洞208の平均高さHxは、0.5μm~2μm、0.5μm~1.8μm、0.5μm~1.6μm、0.5μm~1.4μm、0.5μm~1.2μm、0.5μm~1μm又は0.5μm~0.8μmの範囲にある。本実施例において、上述の複数の第二空洞208の平均間隔は、10nm~1.5μm、30nm~1.5μm、50nm~1.5μm、80nm~1.5μm、1μm~1.5μm又は1.2μm~1.5μmである。本実施例において、上述の複数の第二空洞208は、1/5~3、1/5~2、1/5~1、1/5~1/2、1/5~1/3又は1/5~1/4の平均高幅比率高さと幅の比率を有し得る。上述の複数の第二空洞208によって形成される空洞隙率Фporosityは、第二空洞208の総体積Vvを全体体積VTで割る値で定義され、全体体積VTは第二空洞208の総体積に第二種結晶柱2061の体積を加えた値である。本実施例において、空洞隙率Фは、5~90、10~90、20~90、30~90、40~90、50~90、60~90、70~90又は80~90の範囲にある。上記の第二緩衝層209の上面に第一半導体層210、能動層211及び第二半導体層212を成長させ、一部の能動層211と第二半導体層212をエッチングして一部の第一半導体層210を露出し、第一半導体層210と第二半導体層212の上に二つの電極213、214を形成して光電素子200を形成する。上述の電極213、214の材料は、クロムCr、チタンTi、ニッケルNi、白金Pt、銅Cu、金Au、アルミニウムAl又は銀Ag等の金属材質の単一構成又は合金又は重層の組合せから選択し得る。本実施例において、上述の第一空洞204及び第二空洞208は中空構造であり、該第一空洞204及び第二空洞208は屈折率を有し、空気レンズとして適用される。光線が光電素子200の中で第一空洞204及び第二空洞208まで進入した場合、第一空洞204及び第二空洞208の内部と外部材料の屈折率の差異例えば、緩衝層の屈折率は約2~3の間にあり、空気の屈折率は約1であるによって、光線は第一空洞204及び第二空洞208で出射方向が変更され、これにより光線の引出率を高める。一方、第一空洞204及び第二空洞208は散乱中心scatteringcenterとして、光子の出射方向を変更し、且つ全反射を減少することもできる。第一空洞204及び第二空洞208の密度を増加することで、上述の効果を更に増加することができる。他の実施例において、更に、上述の第二緩衝層209と第一半導体層210に上述の実施例と同様な製造工程に従って選択的に第三種結晶柱図示せず及び第三緩衝層図示せずを形成することができ、第二緩衝層209と第三種結晶柱図示せずの間に少なくとも一つの第三空洞図示せずを形成して、上記の光線の引出率を高める効果を更に増加することができる。実施例において、上述の第一空洞204、第二空洞208及び第三空洞図示せずの体積はほぼ同様である。他の実施例において、上述の第一空洞204の体積は上述の第二空洞208より大きく、上述の第二空洞208の体積は上述の第三空洞図示せずより大きい。他の実施例において、上述の実施例と同様な製造工程によって、第四空洞図示せず、第五空洞図示せず等を順に形成することができ、第一空洞から第五空洞の体積は徐々に小さくなる。図3A~図3Fを参照しながら、上述の第一実施例において第一半導体層102を複数の第一半導体柱1021にエッチングする方法を更に詳細に説明する。図3Aを参照するに、基板301の第一表面3011に第一種結晶層302を成長させる。続いて、図3Bを参照するに、第一半導体層302の上に二酸化珪素SiO2からなるエッチングレジスト層303を成長させる。続いて、エッチングレジスト層303の上にニッケルからなる金属薄膜層304を形成し、かつ金属薄膜層304の厚さは500乃至2000nmの間にある。続いて、図3Cを参照するに、この金属薄膜層304に対し熱処理を行い、熱処理の温度は750°C-900°Cの範囲であり、金属薄膜層304が規則的又は不規則的に配列された複数のナノメートルレベルの金属粒3041を形成するようにする。図3Dを参照するに、上述の複数のナノメートルレベルの金属粒3041をマスクとして、エッチングレジスト層303に対し異方性エッチングを行う。例えば、誘導結合型プラズマinductivecouplingplasmaICPによってエッチングレジスト層303において複数のナノメートルレベルのエッチングレジスト柱3031を形成する。図3E~図3Fを参照するに、上記のものを100°Cの硝酸エッチング液に入れ、酸エッチングを行って、残留した金属粒3041を除去する。続いて、上述の複数のエッチングレジスト柱3031をマスクとして、第一種結晶層302に対しドライエッチングを行って、複数の第一種結晶柱3021を形成する。最後に、複数のエッチングレジスト柱3031を除去する。具体的に、光電素子100、200は、発光ダイオードLED、フォトダイオードphotodiode、フォトレジスターphotoresistor、レーザーlaser、赤外線エミッターinfraredemitter、有機発光ダイオードorganiclightemittingdiode及び太陽電池solarcellの中の少なくとも一つである。基板101、201は成長、搭載の基礎である。その材質は、ゲルマニウムGe、ヒ化ガリウムGaAs、リン化インジウムInP、サファイアSapphire、炭化ケイ素SiC、ケイ素Si、アルミ酸リチウムLiAlO2、酸化亜鉛ZnO、窒化ガリウムGaN、窒化アルミニウムAlN、金属、ガラス、複合材料Composite、ダイヤモンド、CVDダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボンDiamondLikeCarbonDLC、スピネルspinel,MgAl2O4、アルミナAl2O3、酸化ケイ素SiOx及びガリウム酸リチウムLiGaO2の内の一つであるが、これに限られたものではない。上述の第一半導体層106、210及び第二半導体層108、212は、互いに少なくとも二つの部分の電気的特性、極性又は不純物が異なり、或いはそれぞれ電子と空孔を提供する半導体材料の単層又は多層多層は二層又は二層以上を示し、下記も同様である。であり、電気的特性はp型、n型及びi型の中の少なくともいずれか二つの組合せから選択できる。能動層107、211は、第一半導体層106、210及び第二半導体層108、212の間に位置し、電気エネルギーと光エネルギーが変換又は変換するように誘発されるエリアである。電気エネルギーを光エネルギーに変換又は誘発するものとして、発光ダイオード、液晶ディスプレイ、有機発光ダイオードがあり、光エネルギーを電気エネルギーに変換又は誘発するものとして、太陽電池、フォトダイオードがある。上述の第一種結晶層102、202、第一緩衝層105、205、第二種結晶層206、第二緩衝層209、第一半導体層106、210、能動層107、211及び第二半導体層108、212の材質は、ガリウムGa、アルミニウムAl、インジウムIn、砒素As、リンP、窒素N及びケイ素Siから構成された群から選択した一種又は一種以上の物質を含む。本発明の他の実施例による光電素子100、200は発光ダイオードであり、その発光の周波数スペクトルは半導体単層又は多層の物理又は化学要素を変更することで調整できる。通常、アルミニウムガリウムインジウムリンAlGaInP系、窒化アルミニウムガリウムインジウムAlGaInN系及び酸化亜鉛ZnO系等の材料が用いられる。変換部の構造は、例えばシングルへテロ構造singleheterostructure;SH、ダブルへテロ構造doubleheterostructureDH、ダブルサイドダブルダブルヘテロ構造doublesidedoubleheterostructure;DDH又は多重量子井戸multiquantumwell;MQWである。さらに、量子井戸の対数を調整することで、発光の波長を変更することもできる。本発明の実施例において、第一種結晶層102、202と基板101、201の間に選択的に移行層図示せずを含むことができる。この移行層は二種類の材料システムの間に位置して、基板の材料システムが半導体システムの材料システムに移行するようにする。発光ダイオードの構造において、移行層は例えば緩衝層bufferlayer等のような二種の材料間の格子不整合度を減少する材料層である。また、移行層は二種の材料又は二つの分離構造を結合する単層又は多層の構造でもあり、材料は有機材料、無機材料、金属及び半導体等から選択され、構造は反射層、熱伝導層、導電層、オーミック接触層、歪抵抗層、応力解放stressrelease層、応力調整stressadjustment層、結合層bonding、波長変換stressadjustment層及び機械固定構造等から選択できる。第二半導体層108、212の上に更に選択的に接触層図示せずを形成することができる。接触層は、第二半導体層108、212における能動層107、211から離れた側に設けられる。具体的に、接触層は光学層、電気層又はその二つの組み合わせである。光学層は能動層107、211から射出する電磁放射又は光線、或いは能動層107、211に進入する電磁放射又は光線を変更する。ここでいう変更とは、電磁放射又は光線の少なくとも一種の光学特性を変更することであり、上記の特性は、周波数、波長、強度、フラックス、効率、色温度、演色性、ライトフィールドlightfield及び画角angleofviewを含むが、これらに限定されていない。電気層は、接触層のいずれか一組の相対側間の電圧、抵抗、電流、コンデンサーのうちの少なくとも一つの数値、密度、分布に変化又は変化の傾向があるようにする。接触層を構成する材料として、酸化物、電気伝導性酸化物、透明酸化物、50又はそれ以上の透過率を有する酸化物、金属、相対透光金属、50又はそれ以上の透過率を有する金属、有機物、無機物、螢光物質、燐光物質、セラミックス、半導体、不純物を含む半導体及び不純物を含まない半導体の中の少なくとも一つを含む。適用に応じて、接触層の材料は酸化インジウムスズ、酸化カドミウム酸化スズ、アンチモン酸化スズantimonytinoxide、インジウム亜鉛酸化物、亜鉛アルミニウム酸化物及び酸化亜鉛スズの中の少なくとも一つである。相対する透光金属である場合、厚さは約0.005μm~0.6μmである。上記の図面及び説明はそれぞれ特定の実施例に対応するが、当業者は、各実施例で説明又は開示した素子、実施方式、設計基準及び技術原理は、明らかに相互衝突、矛盾又は共に実施できない場合を除いて、必要に応じて自由に参照、交換、組合せ、調和又は合併できることを理解しなければならない。上記のように、本発明を説明したが、本発明の範囲、実施順序又は使用される材料と工程の方法は、上記の説明によって限定されない。本発明に対して行った各種変更と修飾は、依然として本発明の範囲に属する。"