水素ラジカルジェネレータによって生成され、リソグラフィ装置の光エレメント上に堆積した汚染物質を低減させる方法であって、前記水素ラジカルジェネレータの金属フィラメントの金属酸化物を含む第1部分が前記金属酸化物の蒸発温度以下である還元温度である場合に、水素分子を前記第1部分に供給することを含む、方法。前記方法を反復して前記金属フィラメントの別の第2部分上の酸化物量を低減させる、請求項1に記載の方法。前記金属フィラメントの駆動電流を増加させて前記方法を反復する、請求項2に記載の方法。前記水素分子の圧力を低減させて前記方法を反復する、請求項2または3に記載の方法。前記金属フィラメントの温度を、前記金属フィラメントを通過する水素分子を原子化し、かつ前記光エレメントの洗浄に使用される水素ラジカルを生成するのに十分な原子化温度まで上昇させることをさらに含む、請求項1~4のいずれかに記載の方法。前記方法は、前記金属フィラメントが酸化剤にさらされた後に、かつ前記金属フィラメントの温度を、前記金属フィラメントを通過する水素分子を原子化し、かつ水素ラジカルを生成するのに十分な原子化温度まで上昇させる前に行われる、請求項1~5のいずれかに記載の方法。前記方法は、前記金属フィラメントが酸化剤にさらされた後に行われる、請求項1~6のいずれかに記載の方法。リソグラフィ装置の光エレメントの洗浄に使用される水素ラジカルジェネレータであって、金属フィラメントと、前記水素ラジカルジェネレータの前記金属フィラメントの金属酸化物を含む第1部分の温度を制御するコントローラと、を含み、前記コントローラは、前記金属フィラメントの前記第1部分の温度が前記金属酸化物の蒸発温度以下である還元温度である場合に、水素分子を前記金属フィラメントの前記第1部分に供給する、水素ラジカルジェネレータ。水素ラジカルジェネレータによって生成され、リソグラフィ装置の光エレメント上に堆積した汚染物質を低減させる方法であって、前記水素ラジカルジェネレータの金属フィラメント上に存在する金属酸化物の一部を蒸発させることを含む、方法。前記方法は、前記金属フィラメントが酸化剤にさらされた後に、かつ前記水素ラジカルジェネレータによって生成された水素ラジカルを用いて前記光エレメントの洗浄が行われる前に行われる、請求項9に記載の方法。蒸発前、蒸発中、または蒸発後、前記金属フィラメントの温度が、前記金属フィラメントを通過する水素分子を原子化し、かつ水素ラジカルを生成するのに十分な原子化温度である場合に、水素分子を前記金属フィラメントに通過させる、請求項9または10に記載の方法。前記バリアは、蒸発した金属酸化物および/または水素ラジカルが前記水素ラジカルジェネレータから前記光エレメントに進むのを防止する第1構成から、前記水素ラジカルジェネレータによって生成された水素ラジカルが前記光エレメントに進むことができる第2構成に移動可能である、請求項9~11のいずれかに記載の方法。水素流が前記フィラメントおよび前記光エレメントに対して設けられるのを防止するバリアが設けられる場合、前記水素ラジカルジェネレータの前記金属フィラメント上に存在する前記金属酸化物の一部を蒸発させる、またはバリアが前記水素ラジカルジェネレータと前記光エレメントとの間に配置される場合、前記水素ラジカルジェネレータの前記金属フィラメント上に存在する前記金属酸化物の一部を蒸発させる、および前記バリアは、前記金属フィラメントを取り囲むコンパートメントまたは前記水素ラジカルジェネレータの一部を形成する、請求項9~12のいずれかに記載の方法。水素流が前記フィラメントおよび前記光エレメントに対して設けられるのを防止するバリアが提供される場合、前記水素ラジカルジェネレータの前記金属フィラメント上に存在する前記金属酸化物の一部を蒸発させる、またはバリアが前記水素ラジカルジェネレータと前記光エレメントとの間に配置される場合、前記水素ラジカルジェネレータの前記金属フィラメント上に存在する前記金属酸化物の一部を蒸発させる、および前記バリアは、前記光エレメントを取り囲むコンパートメントの一部を形成する、請求項9~12のいずれかに記載の方法。リソグラフィ装置であって、光エレメントと、前記光エレメントの洗浄に使用される水素ラジカルを生成する水素ラジカルジェネレータと、前記水素ラジカルジェネレータの金属フィラメント上の金属酸化物の蒸発が起きるときに、前記水素ラジカルジェネレータと前記光エレメントとの間で移動可能であるように配置されるバリアと、を含む、リソグラフィ装置。0048図1は、本発明の一実施形態に係る、ソースコレクタモジュールSOを含むリソグラフィ装置100を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームB例えば、EUV放射を調整するように構成された照明システムイルミネータと呼ばれることもあるILと、パターニングデバイス例えば、マスクまたはレチクルMAを支持するように構成され、かつパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに連結されたサポート構造例えば、マスクテーブルMTと、基板例えば、レジストコートウェーハWを保持するように構成され、かつ基板Wを正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに連結された基板テーブル例えば、ウェーハテーブルWTと、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C例えば、1つ以上のダイを含む上に投影するように構成された投影システム例えば、反射投影システムPSと、を含む。0049照明システムILとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。0050サポート構造MTは、パターニングデバイスMAの向き、リソグラフィ装置100の設計、および、パターニングデバイスMAが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスMAを保持する。サポート構造MTは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスMAを保持することができる。サポート構造MTは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造MTは、パターニングデバイスMAを、例えば、投影システムPSに対して所望の位置に確実に置くことができる。0051パターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応し得る。0052パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型位相シフト、およびハーフトーン型位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。0053照明システムなどの投影システムは、使われている露光放射にとって、あるいは真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。EUVに対して真空を用いることが望ましいことがある。というのは、他のガスは放射を吸収し過ぎる場合があるからである。従って、真空壁および真空ポンプを用いて、真空環境をビーム経路全体に提供することができる。0054本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの例えば、反射型マスクを採用しているものである。0055リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ以上の基板テーブルおよび/または2つ以上のマスクテーブルを有する型のものであってもよい。そのようなマルチステージ機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を1つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の1つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。0056図1を参照すると、照明システムILは、ソースコレクタモジュールSOから極端紫外線EUV放射ビームを受ける。EUV光を生成する方法としては、EUV範囲の1つ以上の発光線を用いて材料を少なくとも1つの元素、例えばキセノン、リチウム、またはスズを有するプラズマ状態に変換することが含まれるが、必ずしもこれに限定されない。レーザ生成プラズマLPPと呼ばれることが多いそのような方法において、必要な線発光素子を有する材料の小滴、流れ、またはクラスタなどの燃料をレーザビームで照射することによって、必要なプラズマを生成することができる。ソースコレクタモジュールSOは、燃料を励起するレーザビームを供給するための図1に示されないレーザを含むEUV放射システムの一部であってよい。結果として得られるプラズマは、出力放射、例えばEUV放射を放出し、この出力放射は、ソースコレクタモジュール内に配置される放射コレクタを使用して集光される。例えば、CO2レーザを使用して燃料励起のためのレーザビームを供給する場合、レーザおよびソースコレクタモジュールは、別個の構成要素であってもよい。0057そのような場合には、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、レーザからソースコレクタモジュールへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源がDPP源と呼ばれることが多い放電生成プラズマEUVジェネレータである場合、放射源は、ソースコレクタモジュールの一体部分とすることもできる。0058照明システムILは、放射ビームBの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、照明システムILの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲通常、それぞれσouterおよびσinnerと呼ばれるを調節することができる。さらに、照明システムILは、ファセットフィールドミラーデバイスおよびファセット瞳ミラーデバイスといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。照明システムを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。0059放射ビームBは、サポート構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されているパターニングデバイス例えば、マスクMA上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス例えば、マスクMAから反射された後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点をあわせる。第2ポジショナPWおよび位置センサPS2例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサを使って、例えば、さまざまなターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置決めするように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサPS1を使い、パターニングデバイス例えば、マスクMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス例えば、マスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1およびM2と、基板アライメントマークP1およびP2とを使って、位置合わせされてもよい。0060例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。1.ステップモードにおいては、サポート構造例えば、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームBに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影するすなわち、単一静的露光。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。2.スキャンモードにおいては、サポート構造例えば、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期的に例えば、XまたはY方向にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影するすなわち、単一動的露光。サポート構造例えば、マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの縮小拡大率および像反転特性によって決めることができる。3.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造例えば、マスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0061上述の使用モードの組合せおよび/またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。0062図2は、ソースコレクタモジュールSOと、照明システムILと、投影システムPSとを含む装置100をより詳細に示している。ソースコレクタモジュールSOは、真空環境をソースコレクタモジュールSOの囲い構造220内に維持することができるように構成および配置される。EUV放射放出プラズマ210が、放電生成プラズマDPP源によって形成され得る。EUV放射は、ガスまたは蒸気、例えば、Xeガス、Li蒸気またはSn蒸気によって生成することができ、非常に高温のプラズマ210が生成されて電磁スペクトルのEUV範囲の放射を放出する。非常に高温のプラズマ210は、例えば、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマをもたらす放電によって生成される。Xe、Li、Sn蒸気または他の適切なガスまたは蒸気の、例えば10Paの分圧が、放射を効率よく生成するために必要とされ得る。一実施形態において、励起されたスズSnのプラズマを設けてEUV放射を生成する。0063プラズマ210が放出する放射は、放射源チャンバ211の開口内または開口の後ろに位置決めされる、任意のガスバリアまたは汚染物質トラップ230場合によっては汚染物質バリアまたはフォイルトラップとも呼ばれるを介して放射源チャンバ211からコレクタチャンバ212内に送られる。汚染物質トラップ230は、チャネル構造を含み得る。また、汚染物質トラップ230は、ガスバリアまたはガスバリアとチャネル構造の組合せを含み得る。本明細書で示される汚染物質トラップまたは汚染物質バリア230は、当該技術分野で公知のように、チャネル構造を少なくとも含む。0064コレクタチャンバ212は、いわゆるかすめ入射コレクタとすることができる放射コレクタCOを含み得る。放射コレクタCOは、上流放射コレクタ側251と下流放射コレクタ側252とを有する。コレクタCOを横切る放射は、格子スペクトルフィルタ240で反射されて仮想放射源点IFに集束させることが可能である。仮想放射源点IFは、一般に中間焦点と呼ばれ、ソースコレクタモジュールSOは、中間焦点IFが囲い構造220の開口221に、または開口221の付近に位置するように配置される。仮想放射源点IFは放射放出プラズマ210の像である。開口221を通り抜ける前に、放射は任意のスペクトル純度フィルタSPFを通り抜けてよい。他の実施形態において、スペクトル純度フィルタSPFは、リソグラフィ装置の別の部分例えば、ソースコレクタモジュールSOの外側に位置してよい。0065その後、放射は照明システムILを横切る。照明システムILは、パターニングデバイスMAにおける放射ビーム21の所望の角度分布ならびにパターニングデバイスMAにおける放射強度の所望の均一性を与えるように配置されたファセットフィールドミラーデバイス22およびファセット瞳ミラーデバイス24を含み得る。サポート構造MTによって保持されたパターニングデバイスMAで放射ビーム21が反射されると、パターン形成されたビーム26が形成され、パターン形成されたビーム26は、投影システムPSによって、反射エレメント28および30を介して、ウェーハステージまたは基板テーブルWTによって保持された基板W上に結像される。0066また、リソグラフィ装置は、例えば、リソグラフィ装置の1つ以上の光エレメントの面を洗浄するために使用され得る水素ラジカルを生成するための少なくとも1つの水素ラジカルジェネレータHRGを備える。光エレメントは、上述のミラーまたは反射面もしくは反射デバイス、リソグラフィ装置内で放射ビームを操作する例えば、反射する、または屈折させるために使用され得る他のエレメント、あるいはセンサのうちの1つ以上とすることができる。水素ラジカルジェネレータHRGの実施形態を以下により詳細に説明する。いくつかの実施形態において、1つの水素ラジカルジェネレータHRGしか設けなくてよく、水素ラジカルジェネレータを用いて生成された水素ラジカルを、例えば適切なガス流、拡散などによって1つ以上の光エレメントに向けて誘導してよい。別の実施形態において、2つ以上の水素ラジカルジェネレータHRG、例えば、各光エレメントまたはリソグラフィ装置内の各コンパートメントに対して1つ以上の水素ラジカルジェネレータHRGを設けてよい。0067一般に、図示されたエレメントより数の多いエレメントが照明光学ユニットILおよび投影システムPSに存在してよい。格子スペクトルフィルタ240は、リソグラフィ装置のタイプによって任意で存在してよい。さらに、図示された反射エレメントより数の多い反射エレメント例えば、ミラーが存在してよい。例えば、図2に示すものと比較して、投影システムPS内に追加の1~6つの反射エレメントが存在してよい。0068図2に示すコレクタCOは、コレクタまたはコレクタミラーの単なる一例として、かすめ入射リフレクタ253、254および255を有する入れ子式コレクタとして描かれている。かすめ入射リフレクタ253、254および255は、光軸Oの周りで軸方向に対称的に配置され、このタイプのコレクタCOは、DPP源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ源と組み合わせて使用されることが好ましい。0069あるいは、ソースコレクタモジュールSOは、図3に示すように、LPP放射システムの一部であってもよく、LPP放射システムを含んでもよく、またはLPP放射システムを形成してもよい。図3を参照すると、レーザLAは、キセノンXe、スズSn、またはリチウムLiの小滴、領域、または蒸気などの燃料内にレーザエネルギーを堆積させるように配置され、それによって電子温度が数10eVの高電離プラズマ210が生成される。イオンの脱励起および再結合中に生成されたエネルギー放射は、プラズマ210から放出され、囲い構造220において近垂直入射コレクタCOによって集光され、開口221上に集束される。開口221を通り抜ける前に、放射は任意のスペクトル純度フィルタSPFを通り抜けてよい。他の実施形態において、スペクトル純度フィルタSPFは、リソグラフィ装置の別の部分例えば、ソースコレクタモジュールSOの外側に位置してよい。0070上述の通り、水素ラジカルジェネレータは、リソグラフィ装置の1つ以上の光エレメントから汚染物質を除去するために使用され得る。図4は、リソグラフィ装置の光エレメント50との関連で水素ラジカルジェネレータHRGを概略的に示している特定の縮尺に従わない。この図において、また実際に本明細書記載の発明のいずれの実施形態において、水素ラジカルジェネレータHRGは、洗浄されるべき光エレメントに近接または隣接してよく、または例えば、適切な流れ、拡散によって、および/または導管などを介して水素ラジカルジェネレータから洗浄されるべき光エレメントに供給された水素ラジカルを有する光エレメントから離れていてもよい。従って、いずれの実施形態において、水素ラジカルが水素ラジカルジェネレータからリソグラフィ装置、および/またはそれに含まれる光エレメントに供給されることを可能にするために、水素ラジカルジェネレータはリソグラフィ装置と流体連通する。0071水素ラジカルジェネレータHRGは、コンパートメント52を含み得る。コンパートメント52内に配置されるのは金属フィラメント54である。金属フィラメント54は、例えば、タングステン、または実際には水素分子を原子化するのに必要な温度に耐えられる他の金属とすることができる。図中、フィラメントはコイル状の形を有すると示されているが、他の実施形態では別の形態をとってよい。0072金属フィラメント54は、コントローラ56と接続し、コントローラ56によって制御され駆動される。コントローラ56は、金属フィラメント54に供給され、かつ金属フィラメント54を通過する駆動電流を適切に制御することにより、金属フィラメント54の温度を制御することができる。コントローラ56は、コンパートメント52の外側に位置すると示されているが、他の実施形態では、コンパートメント52内に配置されてよく、またはコンパートメント52の一部を形成してよい。0073コンパートメント52は、コンパートメント52内に入る、およびコンパートメント52から出るガスなど例えば、粒子、原子、分子の通過を可能にする入口58および出口60を備える。図示していないが、水素ラジカルジェネレータHRGは、ガスなどを水素ラジカルジェネレータに引き込み、または吹き込み、および/または水素ラジカルジェネレータの外に、かつ水素ラジカルジェネレータから離れて排出する1つ以上のポンプを備えてよく、またはこうした1つ以上のポンプと併用されてよい。図中、出口60は、光エレメント50に向かって方向付けられるとして示されている。しかし、他の実施形態において、他の配置が可能であり、または好ましいことがあり得る。例えば、1つ以上の管または導管などが、水素ラジカルジェネレータから1つ以上の光エレメントまたはそれらの一部にガスなどを誘導してよい。0074図4に戻ると、使用中、水素分子62がコンパートメント52に送り込まれ、または引き込まれ、金属フィラメント54を例えば、金属フィラメント54を貫いて、および/またはその周囲を通過する。これは、金属フィラメント54の温度が、水素分子62を原子化し、かつ光エレメント50の洗浄に使用される水素ラジカル64を生成するのに十分な原子化温度例えば、1300°C~2500°Cである場合に行われる。上述の通り、金属フィラメント54、または少なくともその一部は、金属フィラメント54の酸化剤例えば、空気、水、または酸素への曝露により酸化することがある例えば、金属酸化物表面層または領域を含んだり有したりすることがある。そのような曝露は、金属フィラメント54もしくは水素ラジカルジェネレータHRG全体またはリソグラフィ装置全体さえもが製造され、搬送され、整備のために開放されるなどの場合に起こる。高温例えば、1300°C~2500°Cと相まって、金属酸化物の存在は、一部またはすべての金属酸化物の蒸発の原因となり得る。従って、水素ラジカル64が水素ラジカルジェネレータHRGから排出されるだけでなく、蒸発した金属酸化物66も水素ラジカルジェネレータHRGから排出されることになる。0075水素ラジカル64は例えば、光エレメント50の表面上のカーボンと反応し、その結果カーボンを除去するラジカル64によって光エレメント50を洗浄するために使用され得るが、水素ラジカル64は金属酸化物66を純金属に還元する場合があるものの、通常、光エレメント50上に堆積している金属酸化物66と接触してガス上の金属をもたらすことはない。従って、金属酸化物66そのもの、またはその金属形態は、光エレメント50上に堆積し、光エレメント50の汚染物質となる。そのような汚染物質は、光エレメント50の光学性能の低下、ひいてはリソグラフィ装置全体の光学性能の低下を招く場合がある。0076さらに、上述の装置に対して、抽出点68が設けられてこの例では、光エレメント50に隣接しているが、他の位置を用いてよい水素、水素ラジカル64、および/または水素ラジカル64によって光エレメント50の付近から、またおそらくリソグラフィ装置の外に、かつリソグラフィ装置から離れて除去された汚染物質を抽出する。しかし、抽出点68および与えられ得る引張力は、蒸発した金属酸化物66の堆積によって生じる光エレメント50の汚染物質を除去しない場合がある。0077実際に、水素ラジカル64を用いる光エレメント50の洗浄は、水素ラジカルジェネレータHRGによって生成された金属酸化物66の堆積による光エレメント50の汚染物質の原因となり得る。金属酸化物66の光エレメント50上への堆積の結果としての光エレメント50の汚染物質を低減可能であることが望ましいことがある。0078一実施形態に従って、水素ラジカルジェネレータによって生成された汚染物質およびその後のリソグラフィ装置の光エレメント上への汚染物質の堆積を低減させる方法が提供される。この方法には、水素分子の原子化および光エレメントの洗浄に使用される水素ラジカルの生成に先立って、またはこうした原子化および生成の間に水素ラジカルジェネレータの金属フィラメント上の金属酸化物を還元すること、もしくは金属酸化物の蒸発が起きている場合に金属フィラメントまたは、通常、水素ラジカルジェネレータと洗浄される光エレメントの中間に選択的に配置可能に設けられたバリアの使用が含まれる。0079別の態様において、水素ラジカルジェネレータによって生成された汚染物質およびその後のリソグラフィ装置の光エレメント上への汚染物質の堆積を低減させる方法が提供される。この方法は、水素ラジカルジェネレータの金属フィラメントの金属酸化物を含む第1部分が金属酸化物の蒸発温度未満である還元温度である場合に、金属フィラメントの第1部分に水素分子を与えることを含む。0080本発明の別のまたはさらなる態様において、水素ラジカルジェネレータによって生成された汚染物質およびその後のリソグラフィ装置の光エレメント上への汚染物質の堆積を低減させる方法が提供される。この方法は、バリアバリアの一部を含むが水素ラジカルジェネレータと光エレメントの中間に配置されている場合に、水素ラジカルジェネレータの金属フィラメント上に存在する金属酸化物を蒸発させることを含む。中間は、水素ラジカルジェネレータまたはその金属フィラメントと光エレメントとの間で蒸発した金属酸化物が取り得る経路内のあらゆる位置とすることができる。例えば、中間は、金属フィラメントと光エレメントの見通し線と等しくなくてよい。例として、バリアは、金属フィラメントと光エレメントの見通し線と位置合わせされない経路、または一致する経路を有する導管内に配置されたり、この導管の一部を構成してよい。0081本発明の実施形態を、単なる例として、図5~図8を参照して以下に説明する。別々の図例えば、図4などの前出の図を含むに記載されている同じ特徴には、明確さと一貫性のために同じ参照符号が与えられる。なお、留意すべき点として、これらの図は、明示的に別段の定めをした場合を除き、特定の縮尺に従わずに描かれている。0082図5は、図4に示されかつ図4を参照して説明されるものと実質的に同一の水素ラジカルジェネレータHRGおよび光エレメント50を概略的に示している。しかし、図4に示す水素ラジカルジェネレータHRGと図5に示す水素ラジカルジェネレータHRGの微妙かつ重要な違いは、コントローラ56に関する。図5において、コントローラ56は、別のコントローラ、または異なるように構成されたコントローラである。コントローラ56は、図5のコントローラ56が、水素分子62を金属フィラメント54に通過させる際に金属フィラメント54または少なくともその一部の温度が少なくともある時間に還元温度に制御され得るように配置されるという点で異なる。この還元温度は、金属フィラメント54上に存在する、または金属フィラメント54に含まれる金属酸化物の蒸発温度以下である。例えば、この還元温度は、約1300°C~2500°Cの範囲であり得る水素分子を原子化するために用いられる原子化温度との比較において、約400°C~1200°Cの範囲であり得る。0083金属フィラメント54が還元温度である場合に水素分子62を金属フィラメント54に通過させると、金属酸化物と水素分子62との間に化学反応が起きて、結果的に純粋形態の金属フィラメント54上に残留するおよびH2Oが生成される。H2O70は抽出点68によって抽出され得る。金属フィラメントがタングステンから形成される、またはタングステンを含む場合、金属酸化物は酸化タングステンまたはその変種となる可能性があり、化学反応後に残留している純金属はタングステンとなる。0084金属フィラメント54またはその特定の一部から金属酸化物が完全に除去されるまで、または少なくとも十分に除去されるまで例えば、ある重量パーセントもしくは領域分、またはある重量パーセントもしくは領域まで、上述の方法を継続または反復することができる。0085還元速度を上げるために、H2の流れをオフにしてよい。0086コントローラ56によって供給される所与の駆動電流に対して、金属フィラメント54の別々の部分が別々の温度に到達することがある。従って、金属フィラメント54の一般により冷たい部分もまた上述の化学反応が起きるのに十分な還元温度に到達することを確実にするように、その後の方法の反復にについて金属フィラメント54の駆動電流を増加させてよい。その代わりに、または、それに加えて、水素流または水素圧力を低減させて、水素分子62の熱輸送を低減させてよく、結果的により高温の堆積になる。0087上述の化学反応は、広範囲の温度で起こり得る。しかし、温度が低すぎると、化学反応は時間がかかりすぎる場合があり、水素ラジカルジェネレータHRG、そしておそらく、ひいてはリソグラフィ装置全体が洗浄のために使用可能となる前の休止時間downtimeの増加を招く。しかし、温度が高すぎると、金属酸化物は蒸発する場合があり、これは光エレメント50の汚染につながり得るため望ましくない。0088本実施形態において、そして実際に他の任意の実施形態において、光学的に、金属フィラメント54の駆動電流または抵抗の変化を監視することによって、あるいは他の適切な方法で、金属フィラメント54上の金属酸化物の存在を検出することができる。0089金属フィラメント54から十分に金属酸化物が除去されていると、当該方法は、金属フィラメントの温度を、金属フィラメントを通過する水素分子62を原子化し、かつ光エレメント50の洗浄に使用される水素ラジカル64を生成するのに十分な原子化温度まで上昇させる例えば、コントローラ56を使用してことをさらに含み得る。この状況を図6に示す。0090上述の方法は、金属フィラメント54が当該酸化剤例えば、空気、酸素、または水にさらされた後に、かつ金属フィラメント54の温度がフィラメントを通過する水素分子を原子化し、かつ光エレメント50の洗浄に使用される水素ラジカルを生成するのに十分な原子化温度まで上昇する前に行うことができる。このように、蒸発した金属酸化物による光エレメント50の汚染物質は低減または除去されるべきである。当該方法および本明細書に記載のいずれの方法は、金属フィラメント54が酸化剤に例えば特定の時間さらされるたびに行われてよい。還元は、フィラメント54が原子化温度に到達する前ごとに行われてよい。その代わりに、または、それに加えて、当該方法は、フィラメント54上に存在する金属酸化物のレベルが特定の閾値ゼロ、またはゼロ以外の値、および/または適切な光学または電気検出によって決定され得るレベルまたは値に到達するたびに行われてよい。金属フィラメント54は、水素分子をフィラメントに通過させる前に、または水素分子をフィラメントに通過させる際に金属フィラメント54の温度が還元温度であるように制御され得る。0091上述のまたはさらに以下の還元温度は、水素分子を原子化するのに必要な原子化温度未満になると考えられる。さらに、金属フィラメントを形成する金属は、その金属酸化物がその純粋形態の金属と比較して容易に蒸発する金属となると考えられる。このことは、本明細書に記載のすべての実施形態について当てはまり得る。0092本実施形態、そして本明細書に記載のいずれの実施形態について、当該方法は、水素ラジカルジェネレータがリソグラフィ装置と流体連通しているときに行われ得る。このことは、当該方法が、水素ラジカルジェネレータがリソグラフィ装置内に配置される場合、または流体例えば、水素ラジカルなどのガスが水素ラジカルジェネレータからリソグラフィ装置および/またはその光エレメントへ送られ得るように水素ラジカルジェネレータがリソグラフィ装置に接続される場合に行われ得ることを意味する。その代わりに、または、それに加えて、このことは、水素ラジカルジェネレータがリソグラフィ装置および/またはその光エレメント内で、あるいはリソグラフィ装置および/またはその光エレメントに対して正常位置に関してインサイチュinsituであるときに当該方法を行うとして記載され得る。使用中、水素ラジカルジェネレータがリソグラフィ装置に接続されている場合、リソグラフィ装置は水素ラジカルジェネレータを含むとして記載され得る。0093図7は、本発明のさらなるまたは別の実施形態を概略的に示している。図7は、前出の図に示されかつそれらの図を参照して説明されるものと同一の水素ラジカルジェネレータHRGおよび光エレメント50を概略的に示している。しかし、この実施形態においては、さらにバリア80が設けられる。バリア80バリアの一部を含むは、金属フィラメント54上に存在する金属酸化物66の蒸発が起きているときに水素ラジカルジェネレータHRGと光エレメント50の中間を移動可能であるように配置される。従って、バリア80は、蒸発した金属酸化物66が光エレメント50に到達するのを阻止することができる。蒸発した金属酸化物はバリア80上に堆積し得る。0094中間は、水素ラジカルジェネレータHRGまたはその金属フィラメント54と光エレメント50との間で蒸発した金属酸化物66が取り得る経路内のあらゆる位置とすることができる。例えば、中間は、金属フィラメント54と光エレメント50の見通し線と等しくなくてよい。例として、バリア80は、金属フィラメント54と光エレメント50の見通し線と位置合わせされない経路、または一致する経路を有する導管図示せず内に配置されたり、この導管図示せずの一部を構成してよい。0095図7は、フィラメントまたはその一部がその上に位置する金属酸化物を蒸発させるのに十分な温度である場合に、水素分子62がフィラメント54を通過し得ることを示している。この蒸発温度で、水素ラジカル64も生成され得る。水素ラジカル64および蒸発した金属酸化物66は、水素ラジカルジェネレータHRGを出る。バリア80は、蒸発した金属酸化物66が光エレメント50に少なくとも到達するのを防止する。0096図8は、金属酸化物が除去されると、または金属酸化物の蒸発が停止すると、バリア80が第1構成から第2構成に移り得ることを示している。第1構成において、蒸発した金属酸化物および/または水素ラジカルが水素ラジカルジェネレータから光エレメントに進むことが防止される。図8に示す第2構成において、水素ラジカルジェネレータHRGによって生成された水素ラジカル64は、光エレメント50を洗浄するために光エレメント50に進むことができる。0097バリア80は、水素ラジカルジェネレータHRGと光エレメント50の中間にある程度任意に配置されるとして示されている。より詳細な実施形態において、バリア80は、金属フィラメント54を取り囲むコンパートメントまたは水素ラジカルジェネレータHRGの一部を形成してよい。その代わりに、または、それに加えて、当該バリアまたは別のバリアが光エレメントまたは1つ以上の光エレメントを取り囲むコンパートメントの一部を形成してよい。0098上述の通り、一実施形態において、金属フィラメントは還元温度まで加熱されて、金属酸化物が純粋形態の金属およびH2Oに変換される化学反応が起きるすなわち、金属酸化物の還元が存在することが確実になる。また、別の実施形態において、金属酸化物が蒸発し始めるまでフィラメントの温度を上昇させ、これは水素分子の原子化が起き始める温度に一致し得る。フィラメントの温度上昇は、フィラメントに供給される駆動電流の対応する増加または増加の変化の分、任意の適切な方法、例えば、特定の率もしくは変化度で、または段階的に行われてよい。0099図9は、本発明のさらなる実施形態において、バリア80と共に、リソグラフィ装置の光エレメントに対する水素ラジカルジェネレータを概略的に示している。図9の実施形態において、バリア80は、水素ラジカルジェネレータHRGに向かう水素分子の流れの経路の上流に配置され、水素分子が金属フィラメント54に到達するのを防止する。0100使用中、金属酸化物、例として酸化タングステンが蒸発し始めるまでフィラメント54の温度を上昇させてよい。再び、これは水素分子の原子化が起き始める温度に一致し得る。フィラメントは、1300°Cから2500°Cの範囲の温度、例えば、1860°Cに加熱され得る。水素ラジカルジェネレータHRGの圧力は、約510-7mbarとすることができる。バリア80は、水素分子をフィラメント54に確実に到達させないので、水素流は金属酸化物を光エレメントに搬送しない。金属酸化物は、酸化タングステンが堆積したタングステンフィラメントであり得る。酸化タングステンは、W2O3、WO2、WO3、または他の形態の酸化タングステンであり得る。0101図9の実施形態のバリア80を使用する代わりに、水素分子の流れを単純にオフにしてもよい。0102いくつかの実施形態において、コントローラと併せて水素ラジカルジェネレータが製造され、販売され、単独で使用される。しかし、水素ラジカルジェネレータは、その使用に関して上述のリソグラフィ装置と共に特定の用途を見出し得ると考えられる。例えば、水素ラジカルジェネレータは、放射ビームを調整するように構成された照明システムを含むリソグラフィ装置と共に用途を見出し得る。その代わりに、または、それに加えて、当該リソグラフィ装置は、放射ビームの断面にパターンを与えてパターン形成された放射ビームを形成可能であるパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートを含んでよい。その代わりに、または、それに加えて、すべての基板に対して構成された基板テーブルが設けられてよい。その代わりに、または、それに加えて、当該リソグラフィ装置は、パターン形成された放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムを備えてよい。0103本明細書において、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用されるウェーハまたはダイという用語はすべて、それぞれより一般的な基板またはターゲット部分という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ICを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。0104レンズという用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか1つまたはこれらの組合せを指すことができる。0105以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。