電流狭窄層を有する半導体レーザであって、前記電流狭窄層は、n型不純物原子がドープされたn接合層、絶縁層、及びp型不純物原子がドープされたp接合層から構成され、前記p接合層は、その周辺部よりも厚い中央部を備え、前記n接合層は、前記中央部において前記p接合層と接してトンネル接合を形成し、前記絶縁層は、前記周辺部において、前記n接合層とp接合層とを隔てることを特徴とする半導体レーザ。前記周辺部における前記絶縁層の厚みは、電子のドブロイ波長以上であることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ。活性層を複数有する端面発光型であることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体レーザ。活性層と、前記活性層の両側に位置する一対のn型DBRとを有する面発光型であることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体レーザ。前記p型不純物原子はZnであることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体レーザ。前記n型不純物原子はSeであることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体レーザ。前記n接合層、前記p接合層、前記n接合層と前記p接合層とを隔てる絶縁層、前記中央部に対応する大きさのp電極、及び前記中央部に対応する大きさのn電極を含む半導体レーザを形成し、アニールするとともに、前記p電極及び前記n電極を用いて電流注入を行い、前記p接合層の前記中央部に含まれるp型不純物原子を熱拡散させ、前記中央部を、前記n接合層に接するまで拡散させることで前記電流狭窄層を形成することを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の半導体レーザの製造方法。しかしながら、特許文献1~4の技術では、半導体レーザ内部に電流狭窄構造を形成するために、半導体の結晶成長を途中で中断して、ウェハを一旦外部に出す必要がある。そのため、結晶表面の清浄度を保つ方策を講じる必要があり、また、工程数が多いことによってスループットが悪くなってしまう。また、特許文献5の技術では、厚さ方向およびそれと直交する方向への金属の拡散距離を正確に制御することが難しく、また、金属は元々オーミック接触を得るための材料であることから、電流狭窄の効果が不十分となる。本発明は以上に点に鑑みなされたものであり、上述した課題のうちの少なくとも1以上を解決できる半導体レーザ及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明の半導体レーザは、電流狭窄層を有する。その電流狭窄層は、n型不純物原子がドープされたn接合層、絶縁層、及びp型不純物原子がドープされたp接合層から構成され、前記p接合層は、その周辺部よりも厚い中央部を備え、前記n接合層は、前記中央部において前記p接合層と接してトンネル接合を形成し、前記絶縁層は、前記周辺部において、前記n接合層とp接合層とを隔てる。本発明の半導体レーザにおいては、結晶成長の途中でウェハを外部に出さなくても、電流狭窄層を形成することができる。また、本発明の半導体レーザが備える電流狭窄層のうち、周辺部では、p接合層とn接合層とが絶縁層で隔てられている。そのため、周辺部では、中央部に比べて顕著に電流が流れ難いため、電流狭窄の効果が高い。前記周辺部における前記絶縁層の厚みは、電子のドブロイ波長以上であることが好ましい。絶縁層の厚みが電子のドブロイ波長以上であることにより、周辺部において一層電流が流れ難く、電流狭窄の効果が一層高くなる。本発明の半導体レーザは、例えば、活性層を複数有する端面発光型とすることができる。また、本発明の半導体レーザは、活性層と、前記活性層の両側に位置する一対のn型DBRとを有する面発光型とすることができる。前記p型不純物原子はZnであることが好ましい。p型不純物原子がZnであることにより、他の原子の場合に比べて、活性化率を容易に高くできる点で優れる。また、前記n型不純物原子はSeであることが好ましい。n型不純物原子がSeであることにより、他の原子の場合に比べて、Znの拡散を抑制できる点で優れる。本発明の半導体レーザは、例えば、以下のように製造することができる。すなわち、前記n接合層、前記p接合層、前記n接合層と前記p接合層とを隔てる絶縁層、前記中央部に対応する大きさのp電極、及び前記中央部に対応する大きさのn電極を含む半導体レーザを形成し、アニールするとともに、前記p電極及び前記n電極を用いて電流注入を行い、前記p接合層の前記中央部に含まれるp型不純物原子を熱拡散させ、前記中央部を、前記n接合層に接するまで拡散させることで前記電流狭窄層を形成する。上記の製造方法によれば、結晶成長の途中でウェハを外部に出すことなく、電流狭窄層を形成することができる。また、上記の方法で製造した半導体レーザを駆動するときにおけるp接合層、絶縁層、及びn接合層の温度は、通常、電流注入及びアニールのときの温度より十分低い例えば90°Cので、半導体レーザの駆動時に、トンネル接合が破壊してしまうことがない。前記電流狭窄層とは、半導体レーザが有する層の1種であり、中央部に比べて、周辺部の抵抗が大きい層をいう。周辺部は絶縁層であってもよい。電流狭窄層は、半導体レーザの周辺部での電流を制限し、中央部において優先的に電流が流れるようにする。前記中央部に対応する大きさとは、例えば、前記中央部と同じ大きさとすることができる。あるいは、前記中央部に対応する大きさとは、所定の大きさの中央部を形成できるように設定された大きさであってもよい。本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。1.第1の実施形態1半導体レーザ1の製造方法図1及び図2に基づいて、半導体レーザ1の製造方法を説明する。図1は、後述するアニール及び電流注入を行う前の状態における半導体レーザ1の構成を表す側断面図である。図2は、完成した半導体レーザ1の構成を表す側断面図である。まず、図1に示すように、n型InP基板3の片面に、n型クラッド層5、SCH分離閉じ込めヘテロ構造層7、活性層9、SCH層11、p型クラッド層13、p型不純物原子Znがドープされたp接合層15、アンドープ層絶縁層17、n型不純物原子Seがドープされたn接合層19、n型クラッド層21、SCH層23、活性層25、SCH層27、p型クラッド層29、及びp型コンタクト層31を順次積層する。積層は、MOCVD法により行うことができる。各層の組成、膜厚、及びキャリア濃度は表1に示すとおりである。この時点で、p接合層15、及びn接合層19の厚みは、それぞれ均一である。また、p接合層15、及びn接合層19は、その全面にわたって、アンドープ層17により隔てられている。また、p型コンタクト層31の上に、絶縁層33及びp電極35を形成する。p電極35は、その中央のコンタクト部35aのみにおいて、p型コンタクト層31に接している。p電極35のうち、コンタクト部35a以外の周辺部は、絶縁層33により、p型コンタクト層31と隔てられている。コンタクト部35aの大きさは、後述する中央部15aと同じである。コンタクト部35aの幅すなわち中央部15aの幅は、例えば、100μmとすることができる。また、n型InP基板3の反対側の面には、絶縁層37及びn電極39を形成する。n電極39は、その中央のコンタクト部39aのみにおいて、n型InP基板3に接している。n電極39のうち、コンタクト部39a以外の周辺部は、絶縁層37により、n型InP基板3と隔てられている。コンタクト部39aの大きさは、後述する中央部15aと同じである。コンタクト部39aの幅すなわち中央部15aの幅は、例えば、100μmとすることができる。次に、p電極35とn電極39との間に電圧を印加して、電流注入を行うとともに、半導体レーザ1を、500°Cの温度でアニールする。電流注入は、半導体レーザ1が100°C程度昇温する条件とする。アニールのとき、半導体レーザ1の左右両側面は、十分放熱できるように、かつ表面からAsが抜けないように、層流となるようAsH3を十分流しておく。上記の電流注入とアニールにより、図2に示すように、p接合層15のうち、上方向図1における上方向から見て、コンタクト部35a及びコンタクト部39aと重複する部分以下、中央部15aとするに含まれるp型不純物原子が熱拡散する。熱拡散は、アンドープ層17の方向と、p型クラッド層13の方向との両方に進行する。その結果、p接合層15のうち、中央部15aは、層の厚さ方向に拡大し、n接合層19に接する。中央部15aとn接合層19とは、トンネル接合層として機能する。このとき、p接合層15のうち、中央部15a以外の部分以下、周辺部15bとするでは、p型不純物原子の熱拡散が生じず、周辺部15bの膜厚は変化しない。2半導体レーザ1の構成半導体レーザ1は、図2に示す構成を有する。すなわち、p接合層15のうち、中央部15aは、p型不純物原子の熱拡散の結果、周辺部15bに比べて、膜の厚さ方向に突出し、n接合層19と接している。中央部15aとn接合層19とは、上述したように、トンネル接合層として機能する。また、中央部15aは、p型クラッド層13の方向にも突出している。中央部15aの断面形状は、図2に示すように、略両凸断面である。また、p接合層15のうち、周辺部15bは、中央部15aに比べて膜厚が薄く、周辺部15bとn接合層19とは、アンドープ層17により隔てられている。周辺部15bとn接合層19との間におけるアンドープ層17の厚みは20nmであり、電子のドブロイ波長略10nmよりも大きい。以上のように、p接合層15とn接合層19とは、中央部15aにおいては、トンネル結合層として機能して、電流を容易に通し、周辺部15bでは電流を通し難いから、電流狭窄層として機能する。なお、半導体レーザ1は、活性層を複数有する端面発光型1.5μm帯半導体レーザであり、p接合層15、アンドープ層17、及びn接合層19以外の部分は、周知の構造である。3半導体レーザ1が奏する効果p接合層15、アンドープ層17、及びn接合層19から構成される電流狭窄層は、結晶成長の途中でウェハを外部に出さなくても、形成することができる。iip接合層15、アンドープ層17、及びn接合層19から構成される電流狭窄層のうち、周辺部15bの部分では、アンドープ層17により、p接合層15とn接合層19とが隔てられている。そのため、周辺部15bでは、中央部15aに比べて顕著に電流が流れ難いため、電流狭窄の効果が高い。半導体レーザ1を駆動するときにおけるp接合層15、アンドープ層17、及びn接合層19の温度は、電流注入及びアニールのときの温度より十分低い例えば90°Cので、半導体レーザ1の駆動時に、トンネル接合が破壊されてしまうことがない。2.第2の実施形態1半導体レーザ101の製造方法図3及び図4に基づいて、半導体レーザ101の製造方法を説明する。図3は、後述するアニール及び電流注入を行う前の状態における半導体レーザ101の構成を表す側断面図である。図4は、完成した半導体レーザ101の構成を表す側断面図である。まず、図3に示すように、n型GaAs基板103の片面に、n型DBR層105、n型不純物原子Seがドープされたn接合層107、アンドープ層絶縁層109、p型不純物原子Znがドープされたp接合層111、クラッド層113、活性層115、クラッド層117、n型DBR層119、及びn型コンタクト層121を順次積層する。積層は、MOCVD法により行うことができる。各層の組成、膜厚、及びキャリア濃度は表2に示すとおりである。この時点で、n接合層107、及びp接合層111の厚みは、それぞれ均一である。また、n接合層107、及びp接合層111は、その全面にわたって、アンドープ層109により隔てられている。また、n型コンタクト層121の上に、n電極123を形成する。n電極123は、n型コンタクト層121の中央部のみに形成されている。n電極123の大きさは、後述する中央部111aと同じである。n電極123の幅すなわち中央部111aの幅は、例えば、100μmとすることができる。また、n型GaAs基板103の反対側の面には、透明導電膜125、絶縁層127、及びp電極129を形成する。透明導電膜125は、n型GaAs基板103の中央部のみに形成されている。透明導電膜125の大きさは、後述する中央部111aと同じである。n型GaAs基板103のうち、透明導電膜125が形成されていない周辺部には絶縁層127が形成されている。p電極129は、透明導電膜125及び絶縁層127よりも上層に形成されており、透明導電膜125と電気的に接触している。透明導電膜125の幅すなわち中央部111aの幅は、例えば、100μmとすることができる。次に、n電極123とn電極129との間に電圧を印加して、電流注入を行うとともに、半導体レーザ101を、500°Cの温度でアニールする。電流注入は、半導体レーザ101が100°C程度昇温する条件とする。アニールのとき、半導体レーザ101の左右両側面は、十分放熱できるように、かつ表面からAsが抜けないように、層流となるようAsH3を十分流しておく。上記の電流注入とアニールにより、図4に示すように、p接合層111のうち、上方向図4における上方向から見て、n電極123及び透明導電膜125と重複する部分以下、中央部111aとするに含まれるp型不純物原子が熱拡散する。熱拡散は、アンドープ層109の方向と、クラッド層113の方向との両方に進行する。その結果、p接合層111のうち、中央部111aは、層の厚さ方向に拡大し、n接合層107に接する。中央部111aとn接合層107とは、トンネル接合層として機能する。このとき、p接合層111のうち、中央部111a以外の部分以下、周辺部111bとするでは、p型不純物原子の熱拡散が生じず、周辺部111bの膜厚は変化しない。2半導体レーザ101の構成半導体レーザ1は、図4に示す構成を有する。すなわち、p接合層111のうち、中央部111aは、p型不純物原子の熱拡散の結果、周辺部111bに比べて、膜の厚さ方向に突出し、n接合層107と接している。中央部111aとn接合層107とは、上述したように、トンネル接合層として機能する。また、中央部111aは、クラッド層113の方向にも、突出している。中央部111aの断面形状は、図4に示すように、略両凸断面である。また、p接合層111のうち、周辺部111bは、中央部111aに比べて膜厚が薄く、周辺部111bとn接合層107とは、アンドープ層109により隔てられている。周辺部111bとn接合層107との間におけるアンドープ層109の厚みは20nmであり、電子のドブロイ波長略10nmよりも大きい。以上のように、p接合層111とn接合層107とは、中央部111aにおいては、トンネル結合層として機能して、電流を容易に通し、周辺部111bでは電流を通し難いから、電流狭窄層として機能する。なお、半導体レーザ101は、活性層と、その活性層の両側に位置する一対のn型DBRとを有する面発光型0.8μm帯半導体レーザであり、p接合層111、アンドープ層109、及びn接合層107以外の部分は、周知の構造である。3半導体レーザ101が奏する効果p接合層111、アンドープ層109、及びn接合層107から構成される電流狭窄層は、結晶成長の途中でウェハを外部に出さなくても、形成することができる。iip接合層111、アンドープ層109、及びn接合層107から構成される電流狭窄層のうち、周辺部111bの部分では、アンドープ層109により、p接合層111とn接合層107とが隔てられている。そのため、周辺部111bでは、中央部111aに比べて顕著に電流が流れ難いため、電流狭窄の効果が高い。半導体レーザ101を駆動するときにおけるp接合層111、アンドープ層109、及びn接合層107の温度は、電流注入及びアニールのときの温度より十分低い例えば90°Cであるので、半導体レーザ101の駆動時に、トンネル接合が破壊されてしまうことがない。尚、本発明は前記実施の形態になんら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。例えば、前記第1又は第2の実施形態において、p型とn型とを入れ替えてもよい。また、前記第2の実施形態において、p接合層111、アンドープ層109、及びn接合層107の位置は、他の位置であってもよい。例えば、n型GaAs基板103とn型DBR層105との間、クラッド層117とn型DBR層119との間、n型DBR層119とn型コンタクト層121との間等に配置することができる。