"一面側に銀めっきを有する基板と;前記銀めっきの表面上に形成された金属または金属酸化物からなる保護層と;前記基板の一面側に実装されたLEDベアチップと;第1の樹脂およびこの第1の樹脂よりもガス透過率の低い第2の樹脂の混合物を有し、この混合物内に蛍光体が含有されて前記LEDベアチップおよび前記保護層を封止する透光性の封止樹脂と;を具備していることを特徴とする発光体。前記保護層は、前記銀めっきの表面上に部分的に形成されていることを特徴とする請求項1記載の発光体。前記第1の樹脂は、ポリジメチル系シリコーン樹脂であり、前記第2の樹脂は、ポリジフェニル系シリコーン樹脂であることを特徴とする請求項1または2記載の発光体。請求項1ないし3いずれか一記載の発光体と;この発光体を配設している装置本体と;前記発光体のLEDベアチップに電力を供給する電源装置と;を具備していることを特徴とする照明装置。しかし、ガス透過率の低い樹脂は、一般的に、硬度が高い傾向にあり、LEDベアチップの点消灯に伴う熱膨張および熱収縮により、基板から剥離しやすく、また、LEDベアチップ同士を電気接続しているボンディングワイヤなどが断線しやすいという問題がある。また、銀めっき上に金属膜を形成したものは、金属膜の膜厚が大きくなるに従い反射率が低下し、金属膜の膜厚が小さくなるに従い耐硫化性などに対する耐久力が低下して銀めっきを変色させるという問題がある。本実施形態は、基板上の水銀めっきが変色しにくく、その反射率の低下が抑制される発光体およびこの発光体を具備する照明装置を提供することを目的とする。本実施形態の発光体は、基板、保護層、LEDベアチップおよび封止樹脂を有して構成される。基板は、一面側に銀めっきを有し、その銀めっきの表面上に金属または金属酸化物からなる保護層が形成されている。LEDベアチップは、基板の一面側に実装されている。封止樹脂は、第1の樹脂および第2の樹脂の混合物を有し、この混合物内に蛍光体を含有している。第2の樹脂は、第1の樹脂よりもガス透過率が低い樹脂からなる。そして、封止樹脂は、透光性であって、LEDベアチップおよび保護層を封止している。本発明の実施形態によれば、基板の銀めっきの表面上に金属または金属酸化物からなる保護層が形成され、この保護層が第1の樹脂および第1の樹脂よりもガス透過率が低い第2の樹脂の混合物を有する封止樹脂により封止されているので、外部からのガスが封止樹脂を透過して銀めっき側に侵入しにくくなり、侵入したガスも保護層で阻止されて、これにより、基板の銀めっきが外部からのガスによって腐食、変色されにくくなることが期待できる。以下、本発明の一実施の形態について、図面を参照して説明する。まず、本発明の第1の実施形態について説明する。本実施形態の発光体1は、図1および図2に示すように構成される。図2において、発光体1は、基板2、保護層3、LEDベアチップ4および封止樹脂5を有して形成されている。基板2は、例えば、正方形に形成された厚さ1mmの板状のアルミニウムAlからなり、その一面2aに例えば厚さ80μmの絶縁層6が形成されている。絶縁層6は、例えばエポキシ材および無機フィラー材からなり、高熱伝導性を有している。そして、絶縁層6の表面に、例えば厚さ10μmの銀めっき部7が設けられている。銀めっき部7は、例えば銅Cu、この銅Cuの表面にニッケルNiめっきされ、さらに銀Agめっきされた導電材料からなっている。こうして、基板2は、その一面2a側に銀めっきを有している。保護層3は、銀めっき部7の表面上に形成され、銀めっき部7を覆っている。この保護層3は、金属または金属酸化物の薄膜からなっており、その膜厚は、10nm以下、例えば5nmである。金属としては、ジルコニウムZr、クロムCr、ニオブNb、ハフニウムHf、タンタルTa、バナジウムV、モリブデンMo、タングステンW、アルミニウムAl、シリコーンSiおよびロジウムRhなどであり、それらの合金も包含される。保護層3は、めっき、CVD装置による蒸着やスパッタ装置による製膜などによって形成することができる。そして、保護層3は、図1に示すように、上面視四角形に形成されている。そして、保護層3の両端側には、一対の配線パターン8,8が形成されている。配線パターン8,8は、例えば厚さ10μmの銅Cu箔からなり、銀めっき部7と同様、絶縁層6の表面に形成されている。そして、配線パターン8,8は、基板2の一端部側に設けられた雌コネクタ9に電気接続されている。雌コネクタ9は、LEDベアチップ4に電力を供給する図示しない電源装置に接続される。LEDベアチップ4は、複数個からなり、保護層3の表面3aに実装されている。すなわち、LEDベアチップ4は、基板2の銀めっきされた一面2a側に実装されている。そして、LEDベアチップ4は、図3に示すように、直方体に形成されたサファイア10の表面に発光層11が形成され、この発光層11の表面に電極12,13が設けられている。サファイア10は、保護層3の表面3aに図示しない透明シリコーンにより接着されている。発光層11は、例えば、紫外光から青色光の領域の光を放射する発光材料例えばInGaNを有して形成され、通電により青色光を放射する。電極12,13は、隣かつ列状のLEDベアチップ4の電極12,13にそれぞれワイヤボンディングされている。そして、図2に示すように、列状の図中最左端のLEDベアチップ4の電極12は、一対の配線パターン8,8の一方にワイヤボンディングされ、列状の図中最右端のLEDベアチップ4の電極13は、一対の配線パターン8,8の他方にワイヤボンディングされている。すなわち、図1に示すように、複数個のLEDベアチップ4は、列毎にボンディングワイヤ14により直列接続されて、一対の配線パターン8,8に電気接続されている。そして、基板2の絶縁層6上には、LEDベアチップ4を包囲するように、所定の幅を有する枠部15が形成されている。枠部15は、絶縁性を有する熱硬化性樹脂例えばシリコーン樹脂からなり、その外形が正四角形に形成されている。また、枠部15は、基板2上に雌コネクタ9を実装する前に、例えば印刷により形成されている。枠部15の基板2の一面2aからの高さは、300~600μmとなっている。そして、枠部15は、その内側がLEDベアチップ4の収納部となっており、その内側に封止樹脂5が充填されている。図2において、封止樹脂5は、枠部15の内側に充填されて、保護層3および各LEDベアチップ4を封止している。また、封止樹脂5は、枠部15の内側の一対の配線パターン8,8およびボンディングワイヤ14を封止している。封止樹脂5は、枠部15の頂部15a側まで充填されており、その表面5aが平坦状となっている。封止樹脂5は、透光性であって、第1の樹脂としての例えばポリジメチル系シリコーン樹脂および第2の樹脂としての例えばポリジフェニル系シリコーン樹脂を適宜の割合で混合した混合物を有して形成されている。ポリジメチル系シリコーン樹脂は、ガス透過率が高いものであるが、硬度が低いものである。したがって、ポリジメチル系シリコーン樹脂は、単独で使用されると、硬化したときに、保護層3および枠部15等に対する密着性が大きく、これらから剥れにくい。これに対して、ポリジフェニル系シリコーン樹脂は、ポリジメチル系シリコーン樹脂よりもガス透過率が低いものであるが、硬度が高くて、硬化したときに保護層3および枠部15等に対する密着性が低く、保護層3および枠部15等から剥れやすい。したがって、ポリジメチル系シリコーン樹脂第1の樹脂およびポリジフェニル系シリコーン樹脂第2の樹脂を適宜混合することにより、当該混合物は、ガス透過率が低く、保護層3および枠部15等から剥れにくくすることができる。ここでは、ポリジメチル系シリコーン樹脂は、ポリジフェニル系シリコーン樹脂よりも多く混合されている。また、当該混合物に無機フィラー材を混合して、ガス透過率や硬度などを調整してもよい。なお、封止樹脂5は、上記のポリジメチル系シリコーン樹脂およびポリジフェニル系シリコーン樹脂の混合物に限らず、透光性であって、第1の樹脂およびこの第1の樹脂よりもガス透過率の低い第2の樹脂の混合物を有して形成されていればよく、全体としてガス透過率が低く、適宜の硬度密着性を有するように形成されていればよい。また、封止樹脂5は、前記混合物内に蛍光体としてのYAG蛍光体16を所定の濃度で含有している。YAG蛍光体16は、LEDベアチップ4から放射された青色光が入射されると、その青色光を黄色光に波長変換する。すなわち、YAG蛍光体16は、LEDベアチップ4の放射光の一部を波長変換する。この波長変換された黄色光と、LEDベアチップ4から放射された青色光とが混合して封止樹脂5の表面5aから外方に出射されることにより、発光体1から白色光が放射しているように見える。封止樹脂5の表面5aは、発光体1の発光面となっている。そして、枠部15の外側の基板2上には、図1に示すように、白色のレジスト17が塗布されている。レジスト17は、封止樹脂5の表面5aからの漏れ光等を反射する。次に、第1の実施形態の作用について述べる。発光体1は、その雌コネクタ9に電源装置から電力が供給されると、LEDベアチップ4に所定の電流が流れる。LEDベアチップ4は、発熱し、発光層11から青色光を放射する。青色光は、その一部が封止樹脂5を透過して外方に出射される。また、青色光の一部は、封止樹脂5に含有されたYAG蛍光体16により黄色光に波長変換されて、封止樹脂5を透過して外方に出射される。また、青色光および黄色光のそれぞれの一部は、銀めっき部7の表面上に形成された保護層3に入射し、保護層3の表面3aで反射されるとともに、保護層3内に入射して銀めっき部7の表面で反射される。ここで、保護層3の膜厚は、10nm以下に形成されているので、保護層3内に入射した入射光および銀めっき部7の表面で反射された反射光の保護層3内での光損失が低減される。そして、保護層3側から封止樹脂5に入射した反射光は、その一部が封止樹脂5を透過して外方に出射される。そして、青色光と黄色光とが混合混色することにより、白色光が得られる。すなわち、発光体1から白色光が放射される。LEDベアチップ4に発生した熱は、銀めっき部7および保護層3から封止樹脂5に伝熱されるとともに基板2に伝熱される。そして、当該熱は、基板2から放熱されるとともに、封止樹脂5において熱拡散されて、封止樹脂5の表面5aおよび枠部15から外方に放熱される。そして、封止樹脂5は、例えば、第1の樹脂としてのポリジメチルシリコーン樹脂および第2の樹脂としてのポリジフェニル系シリコーン樹脂の混合物を有してなり、全体としてガス透過率が低いので、封止樹脂5の表面5a側から封止樹脂5内に外部からの硫化物などのガスが侵入しにくくなっている。また、封止樹脂5に侵入し、保護層3側まで透過したガスは、保護層3が金属または金属酸化物からなるので、保護層3内に侵入しにくい。これにより、銀めっき部7は、外部からのガスによって腐食や腐食されにくくなり、時間が経過しても、LEDベアチップ4から放射されて入射した光を低下させることなく反射する。また、封止樹脂5内に外部からのガスが侵入しにくいので、保護層3も外部からのガスによって腐食や腐食されにくい。これにより、発光体1の出射効率が時間の経過とともに低下することが抑制され、出射光の光束維持率の低下が抑制される。また、保護層3が均一の膜厚に形成されていなく、部分的に薄く形成されていても、封止樹脂5が全体としてガス透過率の低い上記混合物を有して形成されていることにより、封止樹脂5内に侵入する外部からのガス量が極めて小さく、ガスが薄く形成された部分から保護層3内に侵入しにくいものである。本実施形態の発光体1は、基板2の銀めっき部7の表面上に金属または金属酸化物からなる保護層3が形成され、この保護層3が第1の樹脂としてのポリジメチルシリコーン樹脂および第2の樹脂としてのポリジフェニル系シリコーン樹脂の混合物を有してなるガス透過率の低い封止樹脂5により封止されているので、外部からのガスが封止樹脂5を透過して銀めっき部7側に侵入しにくくなり、侵入したガスも保護層3により銀めっき部7側に侵入しにくくなり、これにより、基板2の一面2a側に形成された銀めっき部7が外部からのガスによって腐食されて変色されることを抑制でき、銀めっき部7からの反射光を確保することができて、放射光の光束維持率の低下を抑制できるという効果を有する。また、封止樹脂5は、低い硬度のポリジメチルシリコーン樹脂および高い硬度のポリジフェニル系シリコーン樹脂の混合物であるので、好適な硬度および密着性を有して、保護層3および枠部15等と適宜に密着して剥れにくくすることができるという効果を有する。なお、本実施形態において、枠部15を設けて封止樹脂5を枠部15の内側に充填させたが、枠部15を設けずに、封止樹脂5をLEDベアチップ4および保護層3を封止するように設けてもよい。次に、本発明の第2の実施形態について説明する。本実施形態の発光体1Aは、図4および図5に示すように形成され、保護層3が銀めっき部7の表面上に部分的に形成されたものである。なお、図4および図5において、図1および図2と同一部分または同一部分に相当する部分には、同一符号を付して説明は省略する。保護層3は、図4に示すように、銀めっき部7の表面において、LEDベアチップ4,4間および銀めっき部7の端部側に設けられている。すなわち、LEDベアチップ4の周回に亘る近傍を除く銀めっき部7に形成されている。したがって、銀めっき部7は、図5に示すように、保護層3により完全に覆われなく、封止樹脂5により封止されている。すなわち、封止樹脂5は、保護層3、LEDベアチップ4および銀めっき部7を密着して封止している。銀めっき部7の保護層3の非形成部分は、封止樹脂5に密着しているので、封止樹脂5を透過した外部の硫化物などのガスにより腐食、劣化されやすい。しかし、封止樹脂5は、例えば、第1の樹脂としてのポリジメチルシリコーン樹脂および第2の樹脂としてのポリジフェニル系シリコーン樹脂の混合物を有してなり、全体としてガス透過率が低いので、銀めっき部7の保護層3の非形成部分にまで透過するガスは、極めて少量である。これにより、銀めっき部7が腐食、劣化するとしても、その程度は、極めて小さい。また、銀めっき部7の保護層3の形成部分は、保護層3により銀めっき部7側へのガスの侵入がほぼ阻止されるので、当該銀めっき部7は、全体として腐食、劣化しにくい。したがって、銀めっき部7は、全体として、外部からのガスによっては腐食、劣化しにくく、その腐食、劣化の程度が極小となる。銀めっき部7の保護層3の非形成部分には、LEDベアチップ7から放射された青色光およびYAG蛍光体16で波長変換された黄色光が入射する。この入射光は、当該銀めっき部7で反射される。この反射光は、保護層3を通過しない分、光量の損失が低減される。本実施形態の発光体1Aによれば、保護層3は、銀めっき部7の表面上に部分的に形成されているので、銀めっき部7が外部からのガスによって腐食されて変色されることを抑制できるとともに、保護層3による銀めっき部7からの反射光の損失を低減することができて、放射光の光量の低下を抑制できるという効果を有する。なお、本実施形態において、保護層3は、銀めっき部7の表面において連なるように形成しているが、これに限らす、非連続的に形成してもよい。また、保護層3の非形成部分は、目視的に見えにくいように形成されてもよい。次に、本発明の第3の実施形態について説明する。本実施形態の照明装置21は、図6に示すように構成される。なお、図6において、図2と同一部分には、同一符号を付して説明は省略する。照明装置21は、天井面等に埋設されるダウンライトであり、略円筒状の装置本体22の下端側22aに円形の化粧枠23がリベット24により取り付けられ、この化粧枠23に透光性カバー25が配設されている。化粧枠23は、その外面23aに補強片26が設けられている。そして、装置本体22は、左右両側に装置本体22を天井面等に固定するための一対の取付けばね27,27をリベット28により取り付けている。また、装置本体22は、下端側22aの内部に図1に示す発光体1を回転対称に4個配設している。また、装置本体22は、その中間側22bの内部に電源装置29が配設されている。電源装置29は、交流電源を直流電源に変換し、発光体1のLEDベアチップ4に定電流電力を供給するように既知の構成により形成されている。そして、装置本体22の上面側22cには、交流電源からの図示しない電源線を接続する端子台30が配設されている。本実施形態の照明装置21は、LEDベアチップ4からの放射光を反射する銀めっき部7が腐食や劣化しにくい発光体1を具備しているので、時間の経過とともに出射効率が低下しにくく、照明光の光束維持率の低下を抑制することができるという効果を有する。なお、照明装置21は、埋込型のダウンライトに形成したが、これに限らず、発光体1を具備する長形の埋込型、直付け型や吊り下げ型などの照明装置やLED電球などのランプ装置に形成されたものであってもよい。"