画像表示領域に設けられた複数の走査線と、該複数の走査線に交差する複数のデータ線と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素とを備えた素子基板と、該素子基板に対向する対向基板と、を有する電気光学装置であって、前記対向基板は、前記素子基板と対向する面上に、平面視で前記画素と前記画素との間の領域と重なるように配置された遮光性配線と、前記遮光性配線を覆うように形成された透光性絶縁層と、前記透光性絶縁層を覆うように形成された透光性共通電極と、前記画像表示領域において前記遮光性配線と前記透光性共通電極とを電気的に導通させる導通部と、を有することを特徴とする電気光学装置。前記遮光性配線は、前記画像表示領域と、該画像表示領域より外側の外周領域の双方に設けられ、前記導通部は、前記画像表示領域で前記透光性共通電極と前記遮光性配線とを導通させる第1導通部と、前記外周領域で前記透光性共通電極と前記遮光性配線とを導通させる第2導通部と、を備えることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。前記第1導通部は、前記走査線および前記データ線のうちの少なくとも一方と平面視で重なる位置において、前記絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して、前記遮光性配線と前記透光性共通電極を電気的に接続することを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。前記透光性共通電極は、配向膜を兼ねた金属酸化膜からなることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の電気光学装置。前記遮光性配線は、アルミニウム系金属層と、該アルミニウム系金属層上に積層されたバリア層と、を備えていることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の電気光学装置。前記透光性共通電極は、前記素子基板と前記対向基板との間に設けられた基板間導通材を介して前記素子基板側から前記共通電位が印加されており、前記基板間導通材は、前記透光性共通電極と接していることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の電気光学装置。前記透光性共通電極は、前記素子基板と前記対向基板との間に設けられた基板間導通材を介して前記素子基板側から前記共通電位が印加されており、前記基板間導通材は、前記遮光性配線と接していることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の電気光学装置。請求項1乃至7の何れか一項に記載の電気光学装置を備えた投射型表示装置であって、前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、を有していることを特徴とする投射型表示装置。しかしながら、特許文献1に記載の技術は、オフ期間に走査線に供給する走査信号によって蓄積容量を蓄積する方式の液晶装置のみに適用でき、他の方式の液晶装置には適用できないという問題点がある。また、特許文献1に記載の技術のように、走査線に供給する走査信号波形によって横ストロークを防止する技術の場合、駆動方式を大幅に変更しなければならないという問題点がある。以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、対向基板側の構造を変更することにより、横ストロークの発生を防止することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置を提供することにある。上記課題を解決するために、本発明は、画像表示領域に設けられた複数の走査線と、該複数の走査線に交差する複数のデータ線と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素とを備えた素子基板と、該素子基板に対向する対向基板とを有する電気光学装置であって、前記対向基板は、前記素子基板と対向する面上に、平面視で前記画素と前記画素との間の領域と重なるように配置された遮光性配線と、前記遮光性配線を覆うように形成された透光性絶縁層と、前記透光性絶縁層を覆うように形成された透光性共通電極と、前記画像表示領域において前記遮光性配線と前記透光性共通電極とを電気的に導通させる導通部とを有することを特徴とする。本発明では、データ線は画像表示領域に延在しているため、透光性共通電極は、データ線と対向し容量的に結合している。このため、データ線に供給されるデータの電位が変化すると、透光性共通電極の電位が変動する。ここで、対向基板には、透光性共通電極より下層側にブラックマトリクス部等として機能する遮光性の導電材料よりなる遮光性配線が設けられ、かかる遮光性配線は、導通部において透光性共通電極と導通している。このため、透光性共通電極単体でのシート抵抗が高い場合でも、透光性共通電極のシート抵抗を低減したのと実質的に同様な効果を得ることができる。それ故、透光性共通電極の電位がデータの電位変化に伴って変動しても、短い時間で共通電位に復帰するので、横ストロークの発生を防止することができる。また、遮光性配線の上層には透光性絶縁層が形成されているため、遮光性配線に起因する段差が緩和されるので、透光性共通電極に段差切れが発生しない。それ故、透光性共通電極のシート抵抗が増大する原因を排除することができ、横ストロークの発生を防止することができる。本発明において、前記遮光性配線は、前記画像表示領域と、該画像表示領域より外側の外周領域の双方に設けられ、前記導通部は、前記画像表示領域で前記透光性共通電極と前記遮光性配線とを導通させる第1導通部と、前記外周領域で前記透光性共通電極と前記遮光性配線とを導通させる第2導通部とを備えていることが好ましい。かかる構成によれば、遮光性配線と透光性共通電極との導通個所が多い分、透光性共通電極のシート抵抗を遮光性配線によって実質的により低減することができるので、横ストロークの発生をより確実に防止することができる。本発明において、前記第1導通部は、前記走査線および前記データ線のうちの少なくとも一方と平面視で重なる位置において、前記絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して、前記遮光性配線と前記透光性共通電極とを電気的に接続することが好ましい。かかる構成によれば、画像表示領域内での遮光性配線と透光性共通電極との導通個所を多くすることができる。従って、透光性共通電極のシート抵抗を遮光性配線によって実質的に低減することができるので、横ストロークの発生をより確実に防止することができる。本発明において、前記透光性共通電極は、配向膜を兼ねた金属酸化膜からなることが好ましい。かかる構成によれば、ポリイミド層等の有機配向膜を対向基板に設ける必要がないので、有機配向膜の劣化に起因する表示品位の経時的な変化を防止することができる。また、対向基板に対して透光性共通電極とは別に配向膜を形成する必要もないので、工程数を削減することができる。本発明において、前記遮光性配線は、アルミニウム系金属層と、該アルミニウム系金属層に対して前記素子基板が位置する側に積層されたバリア層と、を備えていることが好ましい。かかる構成によれば、フォトリソグラフィ技術を用いて遮光性配線をパターニング形成するにあたって、レジストマスクを剥離する際、アルミニウム系金属層が腐食する等の問題の発生を回避することができる。また、透光性絶縁層にコンタクトホールを形成する際、アルミニウム系金属層からなる遮光性配線が腐食しないという効果を有する。この場合、遮光性配線は、単層である場合に比して厚くなる分、段差が大きくなるが、遮光性配線の上層には透光性絶縁層が形成されているため、遮光性配線に起因する段差が緩和される。従って、透光性共通電極に段差切れが発生しないので、透光性共通電極のシート抵抗が増大する原因を排除することができ、横ストロークの発生を防止することができる。本発明において、前記透光性共通電極は、前記素子基板と前記対向基板との間に設けられた導電性の基板間導通材を介して前記素子基板側から前記共通電位が印加されており、前記基板間導通材は、前記透光性共通電極と接している構成を採用することができる。かかる構成の場合、基板間導通を行う箇所から絶縁膜を除去する必要がない等の利点がある。本発明において、前記透光性共通電極は、前記素子基板と前記対向基板との間に設けられた基板間導通材を介して前記素子基板側から前記共通電位が印加されており、前記基板間導通材は、前記透光性共通電極と接している構成を採用してもよい。かかる構成によれば、基板間導通材は、透光性共通電極に用いたITOIndiumTinOxideやIZOIndiumZincOxide等の金属酸化物系導電膜よりも柔らかいアルミニウム系金属層等の遮光性配線と接することになるので、基板間導通材は、遮光性配線であれば、多少食い込むことができる。従って、基板間距離が多少ばらついても基板間導通を確実に行うことができるとともに、基板間導通材と遮光性配線との接触面積が大であるので、接続抵抗を低減することができる。本発明に係る電気光学装置は、例えば、投射型表示装置のライトバルブや直視型表示装置として用いられる。本発明に係る電気光学装置を投射型表示装置に用いる場合、投射型表示装置には、前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、が設けられる。図面を参照して、本発明の電気光学装置の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側対向基板が位置する側を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。また、対向基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側素子基板が位置する側を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。[実施の形態1]全体構成図1は、本発明の実施の形態1に係る液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。図1において、液晶装置100は、TNTwistedNematicモードやVAVerticalAlignmentモードの液晶パネル100pを有しており、液晶パネル100pは、その中央領域に複数の画素100aが所定の間隔をおいてマトリクス状に配列された画像表示領域10a有効画素領域を備えている。液晶パネル100pにおいて、後述する素子基板10図2等を参照では、画像表示領域10aの内側で複数本のデータ線6a画像信号線および複数本の走査線3aが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素100aが構成されている。複数の画素100aの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター30、および後述する画素電極9aが形成されている。画素トランジスター30のソースにはデータ線6aが電気的に接続され、画素トランジスター30のゲートには走査線3aが電気的に接続され、画素トランジスター30のドレインには、画素電極9aが電気的に接続されている。素子基板10において、画像表示領域10aより外周側には走査線駆動回路104やデータ線駆動回路101が設けられている。データ線駆動回路101は各データ線6aに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線6aに順次供給する。走査線駆動回路104は、各走査線3aに電気的に接続しており、走査信号を各走査線3aに順次供給する。各画素100aにおいて、画素電極9aは、後述する対向基板20図2等を参照に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量50aを構成している。また、各画素100aには、液晶容量50aで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量50aと並列に保持容量55が付加されている。本形態では、保持容量55を構成するために、複数の画素100aに跨って走査線3aと並行して延びた容量線5bが形成されている。本形態において、容量線5bは、共通電位Vcomが印加された定電位配線6tに導通している。液晶パネル100pおよび素子基板10の構成図2は、本発明の実施の形態1に係る液晶装置100の液晶パネル100pの説明図であり、図2a、bは各々、液晶パネル100pを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH-H′断面図である。図3は、本発明の実施の形態1に係る液晶装置100に用いた液晶パネル100pの電極等の構成を示す説明図であり、図3a、bは、電極等の全体的なレイアウトを示す説明図、および液晶パネル100pの角部分の一つを拡大して示す説明図である。なお、図3において画素電極9aやダミー画素電極9bの数等については少なく示してある。図2および図3に示すように、液晶パネル100pでは、素子基板10と対向基板20とが所定の隙間を介してシール材107によって貼り合わされており、シール材107は対向基板20の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材107は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。かかる構成の液晶パネル100pにおいて、素子基板10および対向基板20はいずれも四角形であり、液晶パネル100pの略中央には、図1を参照して説明した画像表示領域10aが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材107も略四角形に設けられ、画像表示領域10aの外側は、四角枠状の外周領域10cになっている。素子基板10において、外周領域10cでは、素子基板10の一辺に沿ってデータ線駆動回路101および複数の端子102が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路104が形成されている。なお、端子102には、フレキシブル配線基板図示せずが接続されており、素子基板10には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。詳しくは後述するが、素子基板10において対向基板20と対向する一方側の基板面において、画像表示領域10aには、図1を参照して説明した画素トランジスター30、および画素トランジスター30に電気的に接続する画素電極9aがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極9aの上層側には配向膜16が形成されている。素子基板10の一方側の基板面において、外周領域10cのうち、画像表示領域10aとシール材107とに挟まれた四角枠状の周辺領域10bには、画素電極9aと同時形成されたダミー画素電極9bが形成されている。ダミー画素電極9bは、隣り合うダミー画素電極9b同士が細幅の連結部9f図3b参照で繋がっている。また、ダミー画素電極9bは、共通電位Vcomが印加されており、画像表示領域10aの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。また、ダミー画素電極9bは、素子基板10において配向膜16が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域10aと周辺領域10bとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜16が形成される面を平坦面にするのに寄与する。なお、ダミー画素電極9bに電位を印加せず、ダミー画素電極9bを電位的にフロート状態とする場合もあり、この場合でも、ダミー画素電極9bは、画像表示領域10aと周辺領域10bとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜16が形成される面を平坦面にするのに寄与する。図2bに示すように、対向基板20において素子基板10と対向する一方面側には透光性の導電材料よりなる共通電極21透光性共通電極が形成されている。共通電極21は、対向基板20の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素100aに跨って形成されている。なお、本形態では、後述するように、共通電極21は配向膜としての機能も備えているため、配向膜は形成されていない。また、対向基板20において素子基板10と対向する一方面側には、共通電極21の下層側に遮光性の導電材料よりなる遮光層29遮光性配線が形成されており、遮光層29と共通電極21との層間には透光性の絶縁材料よりなる絶縁層27透光性絶縁層が形成されている。本形態において、遮光層29は、画像表示領域10aの外周縁に沿って延在する額縁部分29aと、隣り合う画素電極9aにより挟まれた画素間領域10f画素100pと画素100pとの間の領域に重なるブラックマトリクス部29bとを備えている。ここで、額縁部分29aはダミー画素電極9bと重なる位置に形成されており、額縁部分29aの外周縁は、シール材107の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分29aとシール材107とは重なっていない。図2a、および図3a、bに示すように、液晶パネル100pにおいて、素子基板10には、シール材107より外側において対向基板20の角部分と重なる領域に、素子基板10と対向基板20との間で電気的導通をとるための基板間導通電極8tが形成されている。基板間導通電極8tは、共通電位Vcomが印加された定電位配線6tに導通しており、定電位配線6tは、端子102のうち、共通電位印加用の端子102aに導通している。基板間導通電極8tには、導電粒子を含んだ基板間導通材109が配置されており、対向基板20の共通電極21は、基板間導通材109および基板間導通電極8tを介して、素子基板10側に電気的に接続されている。このため、共通電極21は、素子基板10の側から共通電位Vcomが印加されている。シール材107は、略同一の幅寸法をもって対向基板20の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材107は、略四角形である。但し、シール材107は、対向基板20の角部分と重なる領域では基板間導通電極8tを避けて内側を通るように設けられており、シール材107の角部分は略円弧状である。かかる構成の液晶装置100において、画素電極9aおよび共通電極21を透光性導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、画素電極9aおよび共通電極21のうち、例えば、共通電極21を透光性導電膜により形成し、画素電極9a反射性導電膜により形成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。液晶装置100が反射型である場合、素子基板10および対向基板20のうち、対向基板20の側から入射した光が素子基板10で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。液晶装置100が透過型である場合、素子基板10および対向基板20のうち、例えば、対向基板20の側から入射した光が素子基板10を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。液晶装置100は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板20あるいは素子基板10には、カラーフィルター図示せずが形成される。また、液晶装置100では、使用する液晶層50の種類や、ノーマリホワイトモード/ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル100pに対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置100は、後述する投射型表示装置液晶プロジェクターにおいて、RGB用のライトバルブとして用いることができる。この場合、RGB用の各液晶装置100の各々には、RGB色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。本形態において、液晶装置100が、後述する投射型表示装置においてRGB用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、対向基板20から入射した光が素子基板10を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、液晶装置100は、液晶層50として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたVAモードの液晶パネル100pを備えている場合を中心に説明する。画素の具体的構成図4は、本発明の実施の形態1に係る液晶装置100の画素の説明図であり、図4a、bは各々、液晶装置100に用いた素子基板10において隣り合う複数の画素の平面図、および対向基板20において複数の画素電極9aに対向する部分の平面図である。図5は、本発明の実施の形態1に係る液晶装置100の断面図であり、図5a、bは、図4のF-F′線に相当する位置で液晶装置100を切断したときの断面図、および基板間導通電極8tが位置する部分を通る位置で液晶装置100を切断したときの断面図である。なお、図4aでは、半導体層1aは細くて短い点線で示し、走査線3aは太い実線で示し、データ線6aおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、容量線5bは二点鎖線で示し、画素電極9aは長い破線で示し、下電極層4aは細い実線で示してある。なお、素子基板10では、誘電体層42aが形成されているが、誘電体層42aは容量線5bと重なる領域に形成されているため、図4aには図示を省略してある。また、下電極層4aの外周縁に沿ってエッチングストッパー層40aの開口縁が存在するが、図4aでは、かかる開口縁の図示は省略してある。また、図4bでは、遮光層29のブラックマトリクス部29bを右上がりの斜線領域として示してある。なお、図4bには、ブラックマトリクス部29bと画素電極9aとの位置関係が分かりやすいように、素子基板10に形成した画素電極9aも示してある。図4aに示すように、素子基板10において対向基板20と対向する一方側の基板面には、複数の画素100aの各々に矩形状の画素電極9aが形成されており、隣り合う画素電極9aにより挟まれた領域と重なる画素間領域10fに沿ってデータ線6aおよび走査線3aが形成されている。本形態において、画素間領域10fは縦横に延在しており、走査線3aが延在する第1方向に延在する第1領域10gと重なるように走査線3aが直線的に形成され、データ線6aが延在する第2方向に延在する第2領域10hと重なるようにデータ線6aが直線的に形成されている。また、データ線6aと走査線3aとの交差に対応して画素トランジスター30が形成されており、本形態において、画素トランジスター30は、データ線6aと走査線3aとが交差する領域に形成されている。素子基板10には、走査線3aと重なるように容量線5bが形成されており、かかる容量線5bには共通電位Vcomが印加されている。本形態において、容量線5bは、走査線3aと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線6aと走査線3aとの交差部分でデータ線6aに重なるように延びた副線部分とを備えている。図5aに示すように、素子基板10は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体10wの液晶層50側の基板面一方面側に形成された画素電極9a、画素スイッチング用の画素トランジスター30、および配向膜16を主体として構成されており、対向基板20は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体20w、その液晶層50側の表面素子基板10と対向する一方面側に形成された遮光層29、絶縁層27および共通電極21を主体として構成されている。素子基板10において、複数の画素100aの各々には、半導体層1aを備えた画素トランジスター30が形成されている。半導体層1aは、走査線3aの一部からなるゲート電極3cに対して透光性のゲート絶縁層2を介して対向するチャネル領域1gと、ソース領域1bと、ドレイン領域1cとを備えており、ソース領域1bおよびドレイン領域1cは各々、低濃度領域および高濃度領域を備えている。半導体層1aは、例えば、基板本体10w上に、シリコン酸化膜等からなる透光性の下地絶縁膜12上に形成された多結晶シリコン膜等によって構成され、ゲート絶縁層2は、CVD法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。また、ゲート絶縁層2は、半導体層1aを熱酸化してなるシリコン酸化膜と、CVD法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜との2層構造を有する場合もある。走査線3aには、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜が用いられる。なお、基板本体10wと下地絶縁膜12の層間、あるいは2層にした下地絶縁膜12の層間に、走査線3aと重なる遮光層を形成する場合や、かかる遮光層を走査線3aとし、遮光層とゲート電極3cとを導通させた構造を採用することもある。走査線3aの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の第1層間絶縁膜41が形成されており、第1層間絶縁膜41の上層には下電極層4aが形成されている。下電極層4aは、走査線3aとデータ線6aとの交差する位置を基点として走査線3aおよびデータ線6aに沿って延出する略L字型に形成されている。下電極層4aは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなり、コンタクトホール7cを介してドレイン領域1cに電気的に接続されている。下電極層4aの上層側には、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率絶縁膜からなる誘電体層42aが形成されている。誘電体層42aの上層側には、誘電体層42aを介して下電極層4aと対向するように容量線5bが形成され、かかる容量線5b、誘電体層42aおよび下電極層4aによって、保持容量55が形成されている。容量線5bは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。本形態において、容量線5bは、アルミニウム層とチタン窒化膜との2層構造や、銅含有アルミニウム層からなる。ここで、下電極層4a、誘電体層42aおよび容量線5bは、画素トランジスター30の上層側に形成され、保持容量55は、画素トランジスター30の上層側のうち、少なくとも画素トランジスター30に対して平面視で重なる領域に形成されている。本形態において、誘電体層42aは、容量線5bと略同一形状をもって同一の領域に形成されている。また、誘電体層42aの端縁42eおよび容量線5bの端縁5eは、下電極層4aと重なる位置にある。下電極層4aと誘電体層42aとの層間にはシリコン酸化膜等からなるエッチングストッパー層40aが形成されており、かかるエッチングストッパー層40aには、下電極層4aに対して部分的に重なる領域に開口部40bが形成されている。このため、下電極層4aと容量線5bとは、開口部40bにおいて誘電体層42aを介して対向し、保持容量55を構成している。また、エッチングストッパー層40aは、少なくとも誘電体層42aの端縁42eおよび容量線5bの端縁5eと重なる領域に形成されている。容量線5bの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の第2層間絶縁膜43が形成され、第2層間絶縁膜43の上層にはデータ線6aおよびドレイン電極6bが形成されている。データ線6aはコンタクトホール7aを介してソース領域1bに電気的に接続している。ドレイン電極6bはコンタクトホール7bを介して下電極層4aに電気的に接続し、下電極層4aを介してドレイン領域1cに電気的に接続している。データ線6aおよびドレイン電極6bは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。データ線6aおよびドレイン電極6bの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の第3層間絶縁膜44が形成されている。第3層間絶縁膜44には、ドレイン電極6bへ通じるコンタクトホール7dが形成されている。第3層間絶縁膜44の上層には、金属酸化物層としてのITOIndiumTinOxide膜等の透光性導電膜からなる画素電極9aが形成されており、画素電極9aは、コンタクトホール7dを介してドレイン電極6bに電気的に接続されている。本形態において、第3層間絶縁膜44の表面は平坦面になっている。第3層間絶縁膜44の表面には、図2b等を参照して説明したダミー画素電極9b図4aには図示せずが形成されており、かかるダミー画素電極9bは、画素電極9aと同時形成された透光性導電膜からなる。画素電極9aの表面には配向膜16が形成されている。配向膜16は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜16は、SiOXx<2、SiO2、TiO2、MgO、Al2O3、In2O3、Sb2O3、Ta2O5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜垂直配向膜であり、配向膜16と画素電極9aとの層間にはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の透光性の保護膜17が形成されている。保護膜17は、表面が平坦面になっており、隣り合う画素電極9aの間に形成された凹部を埋めている。従って、配向膜16は、保護膜17の平坦な表面に形成されている。対向基板20の構成対向基板20では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体20wの液晶層50側の表面素子基板10に対向する側の面に、アルミニウム、チタン、モリブデン、タングステン、クロムやそれらの化合物や合金等からなる導電性の遮光層29遮光性配線が形成されており、かかる遮光層29のうち、画像表示領域10aに形成されているブラックマトリクス部29bは、図4bに示すように、画素間領域10fと重なる位置で縦横に延在している。本形態において、遮光層29に、アルミニウム合金層アルミニウム系金属層が用いられている。また、遮光層29では、アルミニウム合金層に対して上層側表面側にチタン窒化膜等のバリア層が形成されている。このため、フォトリソグラフィ技術により遮光層29をパターニング形成するにあたって、レジストマスクを剥離する際、アルミニウム系金属層が腐食する等の問題の発生を回避することができる。また、後述するように、絶縁層27にコンタクトホール27a、27bを形成する際、アルミニウム系金属層からなる遮光層が腐食しないという効果を有する。なお、遮光層29としては、チタン窒化膜、アルミニウム合金層、チタン窒化膜からなる三層構造が採用される場合もある。かかる構成の場合、遮光層29での反射を防止することができるので、迷光の発生を防止することができる。また、対向基板20では、遮光層29の上層素子基板10に対向する側の面にシリコン酸化膜等からなる絶縁層27透光性絶縁層が形成されており、かかる絶縁層27の上層素子基板10に対向する側の面に共通電極21透光性共通電極が形成されている。本形態において、共通電極21は、ITO膜からなる。本形態において、共通電極21を構成するITO膜は、イオンビームを斜め方向から照射することによって配向膜としての機能も付与してある。より具体的には、5×106Torr程度の真空雰囲気中でアルゴンイオンソースから出射されたイオンビームを50~150eV程度の照射エネルギーでITO膜に対して斜め方向から1~300秒照射してあり、かかるITO膜は、液晶層50に用いた液晶材料を配向させる能力を有している。また、共通電極21を構成するITO膜は、斜方蒸着により形成することによって、配向膜としての機能を付与することもある。従って、本形態では、共通電極21の上層側に配向膜が形成されていない。かかる構成によれば、ポリイミド層等の有機配向膜を対向基板20に設ける必要がないので、有機配向膜の劣化に起因する表示品位の経時的な変化を防止することができる。また、対向基板20に対して共通電極とは別に配向膜を形成する必要もないので、工程数を削減することができる。このように構成した液晶装置100において、液晶材料として誘電異方性が負のネマチック液晶化合物が用いられており、共通電極21、および素子基板10の配向膜16は、液晶材料を垂直配向させ、液晶パネル100pは、ノーマリブラックのVAモードとして動作させる。なお、図1等を参照して説明したデータ線駆動回路101および走査線駆動回路104には、Nチャネル型の駆動用トランジスターとPチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター30の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板10においてデータ線駆動回路101および走査線駆動回路104が形成されている領域も、図5aに示す断面構成と略同様な断面構成を有している。基板間導通電極8t等の構成図5bに示すように、図2等を参照して説明した端子102は、第3層間絶縁膜44の表面に形成されたアルミニウム合金膜等からなり、端子102のうち、共通電位供給用の端子102aは、第2層間絶縁膜43の表面等で延在する定電位配線6tに対して、第3層間絶縁膜44に形成されたコンタクトホール7tを介して導通している。また、素子基板10では、対向基板20の4つの角部分と重なる位置に基板間導通電極8tが形成されている。かかる基板間導通電極8tは、第3層間絶縁膜44の表面上に、端子102と同時形成されたアルミニウム合金膜等からなる。基板間導通電極8tは、第3層間絶縁膜44に形成されたコンタクトホール7uを介して定電位配線6tに導通している。これに対して、対向基板20の角部分では、絶縁層27および共通電極21が積層されており、共通電極21は露出した状態にある。なお、本形態では、シール材107として光硬化性樹脂が用いられていることから、シール材107の光硬化を妨げないように、シール材107と重なる領域には遮光層29が形成されていない。それ故、対向基板20の角部分には遮光層29が形成されておらず、絶縁層27および共通電極21のみが存在する。このように構成した液晶パネル100pにおいて、素子基板10の基板間導通電極8tと、対向基板20の角部分に位置する共通電極21との間には基板間導通材109が配置されている。かかる基板間導通材109は、ガラスビーズやグラスファイバー等の粒の表面に銀等の金属膜が被覆された導電粒子109bと、樹脂成分109dとからなり、導電粒子109bは、基板間導通電極8tおよび共通電極21の双方に接している。かかる構成によれば、端子102aから供給された共通電位Vcomは、定電位配線6t、基板間導通電極8tおよび導電粒子109bを介して、共通電極21に印加される。共通電極21と遮光層29との導通構造本形態の液晶装置100に用いた対向基板20おいては、まず、図3b、図4bおよび図5aに示すように、画像表示領域10aでは、絶縁層27のうち、遮光層29のブラックマトリクス部29bと共通電極21とが重なる領域にコンタクトホール27a絶縁層27の非形成領域が形成されており、かかるコンタクトホール27aを介して、共通電極21と遮光層29とが導通する第1導通部25aが形成されている。本形態において、コンタクトホール27a第1導通部25aは、図3bから分かるように、素子基板10において第1方向に延在する画素間領域10fの第1領域10g走査線3aと平面視で重なる領域と、第1方向と交差する第2方向に延在する画素間領域10fの第2領域10hデータ線6aと平面視で重なる領域との複数の交差部分の各々に設けられている。なお、第1導通部25aは、第1領域10g走査線3aと平面視で重なる領域、および第2領域10hデータ線6aと平面視で重なる領域のうちの一方と重なる領域に設けられてもよい。また、図3bおよび図5bに示すように、外周領域10cのうち、ダミー画素電極9bが形成されている周辺領域10bでは、対向基板20に遮光層29の額縁部分29aが形成されている。そこで、本形態では、絶縁層27のうち、遮光層29の額縁部分29aと共通電極21とが重なる領域にコンタクトホール27b絶縁層27の非形成領域が形成されており、かかるコンタクトホール27bを介して、共通電極21と遮光層29とが導通する第2導通部25bが形成されている。本形態において、コンタクトホール27b第2導通部25bは、図3bから分かるように、データ線6aが延在する方向の複数個所に形成されている。このように本形態では、対向基板20において、ITO膜等の透光性導電膜からなる共通電極21と、アルミニウム合金等の金属膜からなる遮光層29とが複数個所で電気的に接続している。このため、共通電極21単体でのシート抵抗が高い場合でも、共通電極21のシート抵抗を低減したのと実質的に同様な効果を得ることができる。本形態の主な効果以上説明したように、本形態の液晶装置100において、素子基板10では、データ線6a画像信号線は画素間領域10fで延在しているため、共通電極21は、画素間領域10fでデータ線6aと対向し容量的に結合している。このため、データ線6aに供給される画像信号の電位が変化すると、共通電極21の電位が変動する。ここで、対向基板20には、共通電極21より下層側に額縁部分29aやブラックマトリクス部29bとして機能する導電性の遮光層29が設けられ、かかる遮光層29は絶縁層27の非形成領域コンタクトホール27a、27bからなる導通部第1導通部25aおよび第2導通部25bにおいて共通電極21と導通している。このため、共通電極21単体でのシート抵抗が高い場合でも、共通電極21のシート抵抗を低減したのと実質的に同様な効果を得ることができる。それ故、共通電極21の電位が画像信号の電位変化に伴って変動しても、共通電極21の電位は、短い時間で共通電位に復帰するので、横ストロークの発生を防止することができる。また、遮光層29の上層には絶縁層27が形成されているため、遮光層29に起因する段差が緩和されるので、共通電極21に段差切れが発生しない。それ故、共通電極21のシート抵抗が増大する原因を排除することができる。特に、本形態において、遮光層29は、アルミニウム合金層アルミニウム系金属層と、チタン窒化膜からなるバリア層とからなるため、遮光層29は、単層である場合に比して厚い。このため、遮光層29の段差は大きいが、遮光層29の上層には絶縁層27が形成されているため、遮光層29に起因する段差が緩和される。従って、共通電極21に段差切れが発生しないので、共通電極21のシート抵抗が増大する原因を排除することができる、それ故、共通電極21のシート抵抗を実質的に低下させる効果を確実に得ることができるので、横ストロークの発生を確実に防止することができる。また、遮光層29は、画像表示領域10aおよび外周領域10cの双方に設けられ、導通部として、画素間領域10fと重なる位置で共通電極21と遮光層29とを導通させる第1導通部25aと、外周領域10cで共通電極21と遮光層29とを導通させる第2導通部25bとが設けられている。しかも、第1導通部25aは、素子基板10において第1方向に延在する画素間領域10fの第1領域10gと、第1方向と交差する第2方向に延在する画素間領域10fの第2領域10hとの複数の交差部分の各々に設けられている。このため、遮光層29と共通電極21との導通個所が多い分、共通電極21のシート抵抗を遮光層29によって実質的に大幅に低減することができるので、横ストロークの発生をより確実に防止することができる。また、基板間導通材109は、共通電極21と接している構成を採用したため、基板間導通を行う箇所から絶縁層27を除去する必要がない等の利点がある。また、本形態では、対向基板20の角部分には遮光層29を設けないため、シール材107と重なる領域に遮光層29が存在しない。従って、シール材107として光硬化性樹脂を用いた場合、対向基板20側からのUV照射のみによってシール材107を硬化させることができる。[実施の形態2]図6は、本発明の実施の形態2に係る液晶装置100の断面図であり、図6a、bは、図4のF-F′線に相当する位置で液晶装置100を切断したときの断面図、および基板間導通電極8tが位置する部分を通る位置で液晶装置100を切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。実施の形態1では、対向基板20において基板間導通が行われる角部分には遮光層29を設けない構成であったが、本形態では、図6bに示すように、遮光層29は、対向基板20の角部分まで延在しており、対向基板20の角部分では、図6aに示す画像表示領域と同様、遮光層29、絶縁層27および共通電極21が積層されている。また、基板間導通材109は、共通電極21と接している。かかる構成の場合には、対向基板20において基板間導通が行われる角部分では、遮光層29、絶縁層27および共通電極21が積層されているため、素子基板10と対向基板20の角部分との隙間が狭い。従って、基板間導通材109によって、共通電極21と素子基板10の基板間導通電極8tとを確実に導通させることができるという利点がある。かかる構成の場合、シール材107と重なる領域には遮光層29を形成しなければ、遮光層29がシール材107の硬化を妨げることはない。また、シール材107と重なる領域に遮光層29を形成した場合でも、シール材107として熱硬化性樹脂を用いれば、遮光層29がシール材107の硬化を妨げない。また、シール材107として光硬化性樹脂を用いた場合でも、素子基板10からUV照射を行えば、遮光層29がシール材107の硬化を妨げない。また、シール材107と重なる領域の遮光層29についてはスリット等の透光部を形成した構成や、シール材107と重なる領域の遮光層29については細幅とする構成を採用すれば、シール材107として光硬化性樹脂を用いた場合でも、対向基板20からのUV照射によってシール材107が硬化することを遮光層29が妨げることはない。[実施の形態3]図7は、本発明の実施の形態3に係る液晶装置100の断面図であり、図7a、bは、図4のF-F′線に相当する位置で液晶装置100を切断したときの断面図、および基板間導通電極8tが位置する部分を通る位置で液晶装置100を切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。実施の形態1、2では、共通電極21と基板間導通材109とが接している構成であったが、本形態では、図7bに示すように、遮光層29は、対向基板20において基板間導通が行われる角部分に形成されている一方、絶縁層27および共通電極21は、対向基板20の角部分には形成されていない。但し、遮光層29において額縁部分29aが形成されている領域等では、図7aに示す画像表示領域10aと同様、遮光層29、絶縁層27および共通電極21が積層されている。かかる構成によれば、アルミニウム合金層を備えた遮光層29と基板間導通材109とが接している構成となる。このため、基板間導通材109は、遮光層29に多少食い込むことができるので、基板間距離が多少ばらついても基板間導通を確実に行うことができる。また、基板間導通材109と遮光層29との接触面積が大であるので、接続抵抗を低減することができる。かかる構成の場合、シール材107と重なる領域には遮光層29を形成する必要がある。この場合でも、シール材107として熱硬化性樹脂を用いれば、遮光層29がシール材107の硬化を妨げない。また、シール材107として光硬化性樹脂を用いた場合でも、素子基板10からUV照射を行えば、遮光層29がシール材107の硬化を妨げない。また、シール材107と重なる領域の遮光層29についてはスリット等の透光部を形成した構成や、シール材107と重なる領域の遮光層29については細幅とする構成を採用すれば、シール材107として光硬化性樹脂を用いた場合でも、対向基板20からのUV照射によってシール材107が硬化することを遮光層29が妨げることはない。[実施の形態4]図8は、本発明の実施の形態4に係る液晶装置100の断面図であり、図8a、bは、図4のF-F′線に相当する位置で液晶装置100を切断したときの断面図、および基板間導通電極8tが位置する部分を通る位置で液晶装置100を切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。また、上記実施の形態1~3では、共通電極21を、配向膜を兼ねたITO膜により形成したが、図8に示すように、共通電極21の上層に配向膜26が形成された液晶装置100に本発明を適用してもよい。なお、図8は、実施の形態1に係る液晶装置100に配向膜26を設けたが、実施の形態2、3に係る液晶装置100に配向膜26を設けてもよい。[他の実施の形態]上記実施の形態では、画像表示領域10a内の第1導通部25aで共通電極21と遮光層29とを導通させ、外周領域10cの第2導通部25bで共通電極21と遮光層29とを導通させたが、画像表示領域10a内の第1導通部25a、および外周領域10cの第2導通部25bのうちの一方のみで共通電極21と遮光層29とを導通させてもよい。上記実施の形態1、2では、共通電極21を、配向膜を兼ねたITO膜により形成したが、画素電極9aについても、配向膜を兼ねたITO膜により形成してもよい。上記実施の形態では、配向膜として無機配向膜を例示したが、配向膜としてポリイミド膜等の有機配向膜を用いた液晶装置100に本発明を適用してもよい。上記実施の形態では、透過型の液晶装置100を例示したが、反射型の液晶装置100に本発明を適用してもよい。[電子機器への搭載例]上述した実施形態に係る液晶装置100を適用した電子機器について説明する。図9は、本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置の概略構成図であり、図9a、bは各々、透過型の液晶装置100を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の液晶装置100を用いた投射型表示装置の説明図である。投射型表示装置の第1例図9aに示す投射型表示装置110は、観察者側に設けられたスクリーン111に光を照射し、このスクリーン111で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置110は、光源112を備えた光源部130と、ダイクロイックミラー113、114と、液晶ライトバルブ115~117液晶装置100と、投射光学系118と、クロスダイクロイックプリズム119と、リレー系120とを備えている。光源112は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー113は、光源112からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー114は、ダイクロイックミラー113で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー113、114は、光源112から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。ここで、ダイクロイックミラー113と光源112との間には、インテグレーター121及び偏光変換素子122が光源112から順に配置されている。インテグレーター121は、光源112から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子122は、光源112からの光を例えばs偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。液晶ライトバルブ115は、ダイクロイックミラー113を透過して反射ミラー123で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置100である。液晶ライトバルブ115は、λ/2位相差板115a、第1偏光板115b、液晶パネル115c及び第2偏光板115dを備えている。ここで、液晶ライトバルブ115に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー113を透過しても光の偏光は変化しないことから、s偏光のままである。λ/2位相差板115aは、液晶ライトバルブ115に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。また、第1偏光板115bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル115cは、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光中間調であれば円偏光又は楕円偏光に変換する構成となっている。さらに、第2偏光板115dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ115は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム119に向けて射出する構成となっている。なお、λ/2位相差板115a及び第1偏光板115bは、偏光を変換させない透光性のガラス板115eに接した状態で配置されており、λ/2位相差板115a及び第1偏光板115bが発熱によって歪むのを回避することができる。液晶ライトバルブ116は、ダイクロイックミラー113で反射した後にダイクロイックミラー114で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置100である。そして、液晶ライトバルブ116は、液晶ライトバルブ115と同様に、第1偏光板116b、液晶パネル116c及び第2偏光板116dを備えている。液晶ライトバルブ116に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー113、114で反射されて入射するs偏光である。第1偏光板116bは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル116cは、s偏光を画像信号に応じた変調によってp偏光中間調であれば円偏光又は楕円偏光に変換する構成となっている。そして、第2偏光板116dは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ116は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム119に向けて射出する構成となっている。液晶ライトバルブ117は、ダイクロイックミラー113で反射し、ダイクロイックミラー114を透過した後でリレー系120を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置100である。そして、液晶ライトバルブ117は、液晶ライトバルブ115、116と同様に、λ/2位相差板117a、第1偏光板117b、液晶パネル117c及び第2偏光板117dを備えている。ここで、液晶ライトバルブ117に入射する青色光は、ダイクロイックミラー113で反射してダイクロイックミラー114を透過した後にリレー系120の後述する2つの反射ミラー125a、125bで反射することから、s偏光となっている。λ/2位相差板117aは、液晶ライトバルブ117に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。また、第1偏光板117bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル117cは、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光中間調であれば円偏光又は楕円偏光に変換する構成となっている。さらに、第2偏光板117dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ117は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム119に向けて射出する構成となっている。なお、λ/2位相差板117a及び第1偏光板117bは、ガラス板117eに接した状態で配置されている。リレー系120は、リレーレンズ124a、124bと反射ミラー125a、125bとを備えている。リレーレンズ124a、124bは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ124aは、ダイクロイックミラー114と反射ミラー125aとの間に配置されている。また、リレーレンズ124bは、反射ミラー125a、125bの間に配置されている。反射ミラー125aは、ダイクロイックミラー114を透過してリレーレンズ124aから出射した青色光をリレーレンズ124bに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー125bは、リレーレンズ124bから出射した青色光を液晶ライトバルブ117に向けて反射するように配置されている。クロスダイクロイックプリズム119は、2つのダイクロイック膜119a、119bをX字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜119aは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜119bは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム119は、液晶ライトバルブ115~117のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系118に向けて射出するように構成されている。なお、液晶ライトバルブ115、117からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はs偏光であり、液晶ライトバルブ116からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はp偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム119に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム119において各液晶ライトバルブ115~117から入射する光を有効に合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜119a、119bはs偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜119a、119bで反射される赤色光及び青色光をs偏光とし、ダイクロイック膜119a、119bを透過する緑色光をp偏光としている。投射光学系118は、投影レンズ図示略を有しており、クロスダイクロイックプリズム119で合成された光をスクリーン111に投射するように構成されている。投射型表示装置の第2例図9bに示す投射型表示装置1000において、光源部890は、システム光軸Lに沿って光源810、インテグレーターレンズ820および偏光変換素子830が配置された偏光照明装置800を有している。また、投射型表示装置1000は、システム光軸Lに沿って、偏光照明装置800から出射されたS偏光光束をS偏光光束反射面841により反射させる偏光ビームスプリッター840と、偏光ビームスプリッター840のS偏光光束反射面841から反射された光のうち、青色光Bの成分を分離するダイクロイックミラー842と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光Rの成分を反射させて分離するダイクロイックミラー843とを有している。また、投射型表示装置1000は、各色光が入射する3つの反射型の液晶装置100液晶装置100R、100G、100Bを備えており、光源部890は、3つの液晶装置100液晶装置100R、100G、100Bに所定の色光を供給する。かかる投射型表示装置1000においては、3つの液晶装置100R、100G、100Bにて変調された光をダイクロイックミラー842、843、および偏光ビームスプリッター840にて合成した後、この合成光を投射光学系850によってスクリーン860等の被投射部材に投射する。他の投射型表示装置なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するLED光源等を用い、かかるLED光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。他の電子機器本発明を適用した液晶装置100については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末PDA:PersonalDigitalAssistants、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。この場合、電気光学装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示パネルやプラズマ表示パネルを用いてもよい。