"光を用いて目標領域の情報を取得する情報取得装置において、所定波長帯域の光を出射する光源と、前記光源から出射された光を、所定のドットパターンでもって、前記目標領域に向けて投射する投射光学系と、前記目標領域から反射された反射光を受光して信号を出力する受光素子と、を備え、前記投射光学系は、前記受光素子によって受光される前記光の基準パターンのドットが、少なくとも前記光源と前記受光素子の並び方向において、2.5画素以上のピッチを持つように、前記光を前記目標領域に向けて投射する、ことを特徴とする情報取得装置。請求項1に記載の情報取得装置において、前記投射光学系は、前記受光素子によって受光される前記光の基準パターンのドットが、前記光源と前記受光素子の並び方向と当該並び方向に垂直な方向において、2.5画素以上のピッチを持つように、前記光を前記目標領域に向けて投射する、ことを特徴とする情報取得装置。請求項1または2に記載の情報取得装置において、前記並び方向における前記ピッチが、2.5~3.5画素に設定されている、ことを特徴とする情報取得装置。請求項3に記載の情報取得装置において、前記並び方向における前記ピッチが、2.5画素に設定されている、ことを特徴とする情報取得装置。請求項3に記載の情報取得装置において、前記並び方向における前記ピッチが、3.0画素に設定されている、ことを特徴とする情報取得装置。請求項1ないし5の何れか一項に記載の情報取得装置を有する物体検出装置。上記物体検出装置では、実測時に、レーザ光の一つのドットが、イメージセンサ上の複数の画素に跨った状態で、イメージセンサに照射されることが起こり得る。この場合、一つのドットが同時に照射された、隣接する複数の画素からは、同時に信号が出力される。このため、イメージセンサの出力からドットパターンを把握する場合には、全体的にドット間の境界が無くなる状態が起こり得る。このため、実測時にイメージセンサ上に照射されたレーザ光のドットパターンとテンプレートに保持されたドットパターンとの照合を適正に行えず、検出対象物体の各部までの距離の検出精度が劣化するとの問題が生じる。本発明は、かかる問題を解消するためになされたものであり、ドットパターンの検出精度を向上させることができる情報取得装置およびこれを搭載する物体検出装置を提供することを目的とする。本発明の第1の態様は、光を用いて目標領域の情報を取得する情報取得装置に関する。この態様に係る情報取得装置は、所定波長帯域の光を出射する光源と、前記光源から出射された光を、所定のドットパターンでもって、前記目標領域に向けて投射する投射光学系と、前記目標領域から反射された反射光を受光して信号を出力する受光素子と、を備える。ここで、前記投射光学系は、前記受光素子によって受光される前記光の基準パターンのドットが、少なくとも前記光源と前記受光素子の並び方向において、2.5画素以上のピッチを持つように、前記光を前記目標領域に向けて投射する。本発明の第2の態様は、物体検出装置に関する。この態様に係る物体検出装置は、上記第1の態様に係る情報取得装置を有する。本発明によれば、ドットパターンの検出精度を向上させることができる情報取得装置およびこれを搭載する物体検出装置を提供することができる。本発明の特徴は、以下に示す実施の形態の説明により更に明らかとなろう。ただし、以下の実施の形態は、あくまでも、本発明の一つの実施形態であって、本発明ないし各構成要件の用語の意義は、以下の実施の形態に記載されたものに制限されるものではない。以下、本発明の実施の形態につき図面を参照して説明する。本実施の形態は、所定のドットパターンを持つレーザ光を目標領域に照射するタイプの情報取得装置に本発明を適用したものである。まず、図1に本実施の形態に係る物体検出装置の概略構成を示す。図示の如く、物体検出装置は、情報取得装置1と、情報処理装置2とを備えている。テレビ3は、情報処理装置2からの信号によって制御される。情報取得装置1は、目標領域全体に赤外光を投射し、その反射光をCMOSイメージセンサにて受光することにより、目標領域にある物体各部の距離以下、3次元距離情報というを取得する。取得された3次元距離情報は、ケーブル4を介して情報処理装置2に送られる。情報処理装置2は、たとえば、テレビ制御用のコントローラやゲーム機、パーソナルコンピュータ等である。情報処理装置2は、情報取得装置1から受信した3次元距離情報に基づき、目標領域における物体を検出し、検出結果に基づきテレビ3を制御する。たとえば、情報処理装置2は、受信した3次元距離情報に基づき人を検出するとともに、3次元距離情報の変化から、その人の動きを検出する。たとえば、情報処理装置2がテレビ制御用のコントローラである場合、情報処理装置2には、受信した3次元距離情報からその人のジェスチャを検出するとともに、ジェスチャに応じてテレビ3に制御信号を出力するアプリケーションプログラムがインストールされている。この場合、ユーザは、テレビ3を見ながら所定のジェスチャをすることにより、チャンネル切り替えやボリュームのUp/Down等、所定の機能をテレビ3に実行させることができる。また、たとえば、情報処理装置2がゲーム機である場合、情報処理装置2には、受信した3次元距離情報からその人の動きを検出するとともに、検出した動きに応じてテレビ画面上のキャラクタを動作させ、ゲームの対戦状況を変化させるアプリケーションプログラムがインストールされている。この場合、ユーザは、テレビ3を見ながら所定の動きをすることにより、自身がテレビ画面上のキャラクタとしてゲームの対戦を行う臨場感を味わうことができる。図2は、情報取得装置1と情報処理装置2の構成を示す図である。情報取得装置1は、光学系として、投射光学系11と受光光学系12とを備えている。投射光学系11と受光光学系12は、X軸方向に並ぶように、情報取得装置1に配置される。投射光学系11は、レーザ光源111と、コリメータレンズ112と、アパーチャ113と、回折光学素子DOE:DiffractiveOpticalElement114とを備えている。また、受光光学系12は、アパーチャ121と、撮像レンズ122と、フィルタ123と、CMOSイメージセンサ124とを備えている。この他、情報取得装置1は、回路部の構成として、CPUCentralProcessingUnit21と、レーザ駆動回路22と、撮像信号処理回路23と、入出力回路24と、メモリ25を備えている。レーザ光源111は、波長830nm程度の狭波長帯域のレーザ光を出力する。コリメータレンズ112は、レーザ光源111から出射されたレーザ光を平行光に変換する。アパーチャ113は、レーザ光の光束断面を所定の形状に調整する。DOE114は、入射面に回折パターンを有する。この回折パターンによる回折作用により、アパーチャ113からDOE114に入射したレーザ光は、ドットパターンのレーザ光に変換されて、目標領域に照射される。目標領域から反射されたレーザ光は、アパーチャ121を介して撮像レンズ122に入射する。アパーチャ121は、撮像レンズ122のFナンバーに合うように、外部からの光に絞りを掛ける。撮像レンズ122は、アパーチャ121を介して入射された光をCMOSイメージセンサ124上に集光する。フィルタ123は、レーザ光源111の出射波長830nm程度を含む波長帯域の光を透過し、可視光の波長帯域をカットするバンドパスフィルタである。CMOSイメージセンサ124は、撮像レンズ122にて集光された光を受光して、画素毎に、受光光量に応じた信号電荷を撮像信号処理回路23に出力する。ここで、CMOSイメージセンサ124は、各画素における受光から高レスポンスでその画素の信号電荷を撮像信号処理回路23に出力できるよう、信号の出力速度が高速化されている。CPU21は、メモリ25に格納された制御プログラムに従って各部を制御する。かかる制御プログラムによって、CPU21には、レーザ光源111を制御するためのレーザ制御部21aと、3次元距離情報を生成するための3次元距離演算部21bの機能が付与される。レーザ駆動回路22は、CPU21からの制御信号に応じてレーザ光源111を駆動する。撮像信号処理回路23は、CMOSイメージセンサ124を制御して、CMOSイメージセンサ124で生成された各画素の信号電荷をライン毎に順次取り込む。そして、取り込んだ信号を順次CPU21に出力する。CPU21は、撮像信号処理回路23から供給される信号撮像信号をもとに、情報取得装置1から検出対象物の各部までの距離を、3次元距離演算部21bによる処理によって算出する。入出力回路24は、情報処理装置2とのデータ通信を制御する。情報処理装置2は、CPU31と、入出力回路32と、メモリ33を備えている。なお、情報処理装置2には、同図に示す構成の他、テレビ3との通信を行うための構成や、CD-ROM等の外部メモリに格納された情報を読み取ってメモリ33にインストールするためのドライブ装置等が配されるが、便宜上、これら周辺回路の構成は図示省略されている。CPU31は、メモリ33に格納された制御プログラムアプリケーションプログラムに従って各部を制御する。かかる制御プログラムによって、CPU31には、画像中の物体を検出するための物体検出部31aの機能が付与される。かかる制御プログラムは、たとえば、図示しないドライブ装置によってCD-ROMから読み取られ、メモリ33にインストールされる。たとえば、制御プログラムがゲームプログラムである場合、物体検出部31aは、情報取得装置1から供給される3次元距離情報から画像中の人およびその動きを検出する。そして、検出された動きに応じてテレビ画面上のキャラクタを動作させるための処理が制御プログラムにより実行される。また、制御プログラムがテレビ3の機能を制御するためのプログラムである場合、物体検出部31aは、情報取得装置1から供給される3次元距離情報から画像中の人およびその動きジェスチャを検出する。そして、検出された動きジェスチャに応じて、テレビ3の機能チャンネル切り替えやボリューム調整、等を制御するための処理が制御プログラムにより実行される。入出力回路32は、情報取得装置1とのデータ通信を制御する。図3aは、目標領域に対するレーザ光の照射状態を模式的に示す図、図3bは、CMOSイメージセンサ124におけるレーザ光の受光状態を模式的に示す図である。なお、同図bには、便宜上、目標領域に平坦な面スクリーンが存在するときの受光状態が示されている。投射光学系11からは、ドットパターンを持ったレーザ光以下、このパターンを持つレーザ光の全体をDP光というが、目標領域に照射される。同図aには、DP光の光束領域が実線の枠によって示されている。DP光の光束中には、DOE114による回折作用によってレーザ光の強度が高められたドット領域以下、単にドットというが、DOE114による回折作用によるドットパターンに従って点在している。なお、図3aでは、便宜上、DP光の光束が、マトリックス状に並ぶ複数のセグメント領域に区分されている。各セグメント領域には、ドットが固有のパターンで点在している。一つのセグメント領域におけるドットの点在パターンは、他の全てのセグメント領域におけるドットの点在パターンと相違する。これにより、各セグメント領域は、ドットの点在パターンをもって、他の全てのセグメント領域から区別可能となっている。目標領域に平坦な面スクリーンが存在すると、これにより反射されたDP光の各セグメント領域は、同図bのように、CMOSイメージセンサ124上においてマトリックス状に分布する。たとえば、同図aに示す目標領域上におけるセグメント領域S0の光は、CMOSイメージセンサ124上では、同図bに示すセグメント領域Spに入射する。なお、図3bにおいても、DP光の光束領域が実線の枠によって示され、便宜上、DP光の光束が、マトリックス状に並ぶ複数のセグメント領域に区分されている。上記3次元距離演算部21bでは、CMOSイメージセンサ124上における各セグメント領域の位置が検出され、検出された各セグメント領域の位置から、三角測量法に基づいて、検出対象物体の各セグメント領域に対応する位置までの距離が検出される。かかる検出手法の詳細は、たとえば、上記非特許文献1第19回日本ロボット学会学術講演会2001年9月18-20日予稿集、P1279-1280に示されている。図4は、上記距離検出に用いられる基準テンプレートの生成方法を模式的に示す図である。図4aに示すように、基準テンプレートの生成時には、投射光学系11から所定の距離Lsの位置に、Z軸方向に垂直な平坦な反射平面RSが配置される。レーザ光源111の温度は、所定の温度基準温度に維持される。この状態で、投射光学系11からDP光が所定時間Teだけ出射される。出射されたDP光は、反射平面RSによって反射され、受光光学系12のCMOSイメージセンサ124に入射する。これにより、CMOSイメージセンサ124から、画素毎の電気信号が出力される。出力された画素毎の電気信号の値画素値が、図2のメモリ25上に展開される。こうしてメモリ25上に展開された画素値に基づいて、図4bに示すように、CMOSイメージセンサ124上におけるDP光の照射領域を規定する基準パターン領域が設定される。さらに、この基準パターン領域が、縦横に区分されてセグメント領域が設定される。上記のように、各セグメント領域には、固有のパターンでドットが点在する。よって、セグメント領域の画素値のパターンは、セグメント領域毎に異なっている。なお、各セグメント領域は、他の全てのセグメント領域と同じサイズである。基準テンプレートは、このようにCMOSイメージセンサ124上に設定された各セグメント領域に、そのセグメント領域に含まれる各画素の画素値を対応付けて構成される。具体的には、基準テンプレートは、CMOSイメージセンサ124上における基準パターン領域の位置に関する情報と、基準パターン領域に含まれる全画素の画素値と、基準パターン領域をセグメント領域に分割するための情報を含んでいる。基準パターン領域に含まれる全画素の画素値は、基準パターン領域に含まれるDP光のドットパターンに相応するものになる。また、基準パターン領域に含まれる全画素の画素値のマッピング領域をセグメント領域に区分することで、各セグメント領域に含まれる画素の画素値が取得される。なお、基準テンプレートは、さらに、各セグメント領域に含まれる画素の画素値を、セグメント領域毎に保持していても良い。構成された基準テンプレートは、図2のメモリ25に、消去不可能な状態で保持される。こうしてメモリ25に保持された基準テンプレートは、投射光学系11から検出対象物体の各部までの距離を算出する際に参照される。たとえば、図4aに示すように距離Lsよりも近い位置に物体がある場合、基準パターン上の所定のセグメント領域Snに対応するDP光DPnは、物体によって反射され、セグメント領域Snとは異なる領域Sn’に入射する。投射光学系11と受光光学系12はX軸方向に隣り合っているため、セグメント領域Snに対する領域Sn’の変位方向はX軸に平行となる。同図の場合、物体が距離Lsよりも近い位置にあるため、領域Sn’は、セグメント領域Snに対してX軸正方向に変位する。物体が距離Lsよりも遠い位置にあれば、領域Sn’は、セグメント領域Snに対してX軸負方向に変位する。セグメント領域Snに対する領域Sn’の変位方向と変位量をもとに、投射光学系11からDP光DPnが照射された物体の部分までの距離Lrが、距離Lsを用いて、三角測量法に基づき算出される。同様にして、他のセグメント領域に対応する物体の部分について、投射光学系11からの距離が算出される。かかる距離算出では、基準テンプレートのセグメント領域Snが、実測時においてどの位置に変位したかを検出する必要がある。この検出は、実測時にCMOSイメージセンサ124上に照射されたDP光のドットパターンと、セグメント領域Snに含まれるドットパターンとを照合することによって行われる。図5は、かかる検出の手法を説明する図である。同図aは、CMOSイメージセンサ124上における基準パターン領域とセグメント領域の設定状態を示す図、同図bは、実測時におけるセグメント領域の探索方法を示す図、同図cは、実測されたDP光のドットパターンと、基準テンプレートのセグメント領域に含まれるドットパターンとの照合方法を示す図である。たとえば、同図aのセグメント領域S1の実測時における変位位置を探索する場合、同図bに示すように、セグメント領域S1が、範囲P1~P2において、X軸方向に1画素ずつ送られ、各送り位置において、セグメント領域S1のドットパターンと、実測されたDP光のドットパターンのマッチング度合いが求められる。この場合、セグメント領域S1は、基準パターン領域の最上段のセグメント領域群を通るラインL1上のみをX軸方向に送られる。これは、上記のように、通常、各セグメント領域は、実測時において、基準テンプレートにより設定された位置からX軸方向にのみ変位するためである。すなわち、セグメント領域S1は、最上段のラインL1上にあると考えられるためである。このように、X軸方向にのみ探索を行うことで、探索のための処理負担が軽減される。なお、実測時には、検出対象物体の位置によっては、セグメント領域が基準パターン領域の範囲からX軸方向にはみ出すことが起こり得る。このため、範囲P1~P2は、基準パターン領域のX軸方向の幅よりも広く設定される。上記マッチング度合いの検出時には、ラインL1上に、セグメント領域S1と同じサイズの領域比較領域が設定され、この比較領域とセグメント領域S1との間の類似度が求められる。すなわち、セグメント領域S1の各画素の画素値と、比較領域の対応する画素の画素値との差分が求められる。そして、求めた差分を比較領域の全ての画素について加算した値Rsadが、類似度を示す値として取得される。たとえば、図5cのように、一つのセグメント領域中に、m列×n行の画素が含まれている場合、セグメント領域のi列、j行の画素の画素値Ti,jと、比較領域のi列、j行の画素の画素値Ii,jとの差分が求められる。そして、セグメント領域の全ての画素について差分が求められ、その差分の総和により、値Rsadが求められる。すなわち、値Rsadは、次式により算出される。値Rsadが小さい程、セグメント領域と比較領域との間の類似度が高い。探索時には、比較領域が、ラインL1上を1画素ずつずらされつつ順次設定される。そして、ラインL1上の全ての比較領域について、値Rsadが求められる。求めた値Rsadの中から、閾値より小さいものが抽出される。閾値より小さい値Rsadが無ければ、セグメント領域S1の探索はエラーとされる。そして、抽出されたRsadの中で最も値が小さいものに対応する比較領域が、セグメント領域S1の移動領域であると判定される。ラインL1上のセグメント領域S1以外のセグメント領域も、上記と同様の探索が行われる。また、他のライン上のセグメント領域も、上記と同様、そのライン上に比較領域が設定されて、探索が行われる。こうして、実測時に取得されたDP光のドットパターンから、各セグメント領域の変位位置が探索されると、上記のように、その変位位置に基づいて、三角測量法により、各セグメント領域に対応する検出対象物体の部位までの距離が求められる。ところで、実測時に取得されたDP光のドットパターンの各ドットは、CMOSイメージセンサ124上の各画素の領域に収まるように、CMOSイメージセンサ124に照射されるとは限らない。各ドットが2つまたは4つの画素に跨ってCMOSイメージセンサ124上に照射されることが、しばしば起こり得る。各ドットは、検出対象物までの距離によって、左右方向X軸方向にシフトする。このため、各ドットは、図5cのように、左右方向X軸方向の2つの画素に跨ってCMOSイメージセンサ124上に照射されることがある。なお、各ドットは、通常、上下方向Y軸方向の画素には跨らない。しかしながら、DOE114の特性の変化や、温度変化に基づくレーザ光源111の出射波長の変動等によって、各ドットが上下方向Y軸方向にシフトすることが起こり得る。このような場合、各ドットが上下方向Y軸方向の2つの画素に跨ることが起こり得る。このように複数の画素にドットが跨ると、隣接する複数の画素から、同時に信号が出力される。このため、信号を出力する画素のパターンに区切りが無くなり、セグメント領域と比較領域とのマッチング精度が低下するとの問題が起こり得る。図6は、ドットパターンの設定例比較例を示す図である。ドットパターンは、DOE114の回折パターンを調節することにより、変更され得る。図6では、一つの画素が一つの升目に対応する。また、上段の各図における黒丸がドット光を示し、下段の升目の塗り潰し状態によって、各画素の出力値画素値の強度が示されている。下段の各図において、白の升目は、画素値がゼロ、黒の升目は、一つのドットが一つの画素にのみ入射するときの画素値画素値=Hを示している。ドットのサイズは、一つの画素の領域よりも小さくなっている。同図の設定例では、X軸方向およびY軸方向における各ドットのピッチが、2画素に設定されている。同図a、b、cには、それぞれ、CMOSイメージセンサ124上におけるドットと画素の関係が示され、同図d、e、fには、それぞれ、同図a、b、cの状態でドットが照射されたときの、各画素の信号出力値画素値の状態が示されている。同図b、eには、基準テンプレート生成時のセグメント領域におけるドットの照射状態と画素値の状態が示され、同図a、dおよび同図c、fには、それぞれ、実測時において同図bのドットパターンが所定の比較領域に照射されたときの、ドットの照射状態と画素値の状態が示されている。同図bのように一つのドットが一つの画素に収まっている場合、同図eに示すように、対応する画素から画素値Hの信号が出力される。これに対し、実測時において、同図cのように、比較領域に対してドットパターンが半画素だけ左X軸負方向にずれると、同図fに示すように、上から2、4、6、8行目の画素の全てから画素値H/2の信号が出力される。この場合、上から2、4、6、8行目においては、信号を出力する画素のパターンに、区切り画素値がゼロの画素が無くなる。このため、同図eと同図fの画素値パターンを比較しても、両者の間でマッチングが取れにくくなる。また、実測時において、同図aのように、比較領域に対してドットパターンが半画素だけ左X軸負方向と上Y軸正方向にずれると、同図dに示すように、全ての画素から画素値H/4の信号が出力される。この場合、比較領域の全領域において、信号を出力する画素のパターンに区切りが無くなる。このため、同図eと同図dの画素値パターンを比較しても、両者の間でマッチングがさらに取れにくくなる。図7は、ドットパターンの他の設定例比較例を示す図である。同図a~fは、それぞれ、図6a~fに対応している。この設定例でも、ドットのサイズは、画素の領域よりも小さくなっている。また、この設定例では、X軸方向の各ドットのピッチは、1画素または2画素に設定され、Y軸方向における各ドットのピッチは、2画素に設定されている。実測時において、同図cのように、比較領域に対してドットパターンが半画素だけ左X軸負方向にずれると、同図fに示すように、上から2、4、6、8行目においては、それぞれ、一つの画素のみ画素値がHで、残りの画素は、全て画素値がH/2となる。この場合、図6fの場合に比べて、2、4、6、8行目の画素パターンに区切りが生じるものの、図7eに比べると、2、4、6、8行目の画素パターンの区切りの数は、図7eの場合に比べて、かなり少ない。このため、図7eと図7fの画素値パターンを比較しても、両者の間でマッチングは取られにくい。また、実測時において、同図aのように、比較領域に対してドットパターンが半画素だけ左X軸負方向と上Y軸正方向にずれると、同図dに示すように、各行においては、それぞれ、一つの画素のみ画素値がH/2で、残りの画素は、全て画素値がH/4となる。この場合、図6dの場合に比べて、各行の画素パターンに区切りが生じるものの、図7eに比べると、2、4、6、8行目の画素パターンの区切りの数がかなり少ない。また、図7d、eの上から1、3、5、7行目を比較すると、両者の画素値パターンは相違している。このため、図7dと図7eの画素値パターンを比較しても、両者の間でマッチングは取られにくい。図8は、本実施の形態におけるドットパターンの設定例を示す図である。この場合も、ドットパターンは、DOE114の回折パターンを調節することにより、同図のように設定され得る。同図a~fは、それぞれ、図6a~fに対応している。この設定例でも、ドットのサイズは、画素の領域よりも小さくなっている。また、この設定例では、X軸方向の各ドットのピッチは、2.5画素に設定され、Y軸方向における各ドットのピッチは、2画素に設定されている。実測時において、同図cのように、比較領域に対してドットパターンが半画素だけ左X軸負方向にずれると、同図fに示すように、上から2、4、6、8行目においては、画素値パターンに3つの区切りが生じる。これに対し、同図eにおける2、4、6、8行目の画素値パターンにも、3つの区切りが存在し、区切りの数は、同図e、fとの間で互いに同じである。また、同図e、fを比べると、区切りの位置は、互いに一致するか、1画素程度のずれしかない。したがって、同図fの画素値パターンは、同図eの画素値パターンに類似するようになる。このため、同図eと同図fの画素値パターンを比較すると、両者の間でマッチングが取られ易くなる。また、実測時において、同図aのように、比較領域に対してドットパターンが半画素だけ左X軸負方向と上Y軸正方向にずれると、同図dに示すように、上から2、4、6、8行目においては、画素値パターンに3つの区切りが生じる。これに対し、同図eにおける2、4、6、8行目の画素値パターンにも、3つの区切りが存在し、区切りの数は、同図e、dとの間で互いに同じである。また、同図e、dの2、4、6、8行目を比較すると、区切りの位置は、互いに一致するか、1画素程度のずれしかない。したがって、同図dの画素値パターンは、同図eの画素値パターンに類似するようになる。また、同図e、dの1、3、5、7行目を比較すると、両者の相違は、図6e、dの1、3、5、7行目の画素値パターンの相違や、図7e、dの1、3、5、7行目の画素値パターンの相違に比べて、相違の程度が低い。よって、1、3、5、7行目における画素値パターンの相違は、図8e、dの画素値パターンのマッチング判定において、大きくは影響しないものと考えられる。よって、この設定例では、比較領域に対してドットパターンが半画素だけ左X軸負方向と上Y軸正方向にずれた場合にも、同図eと同図dの画素値パターンの間で、マッチングが取られ易くなる。図9は、本実施の形態におけるドットパターンの他の設定例を示す図である。同図a~fは、それぞれ、図6a~fに対応している。この設定例でも、ドットのサイズは、画素の領域よりも小さくなっている。また、この設定例では、X軸方向の各ドットのピッチは、2.5画素に設定され、Y軸方向における各ドットのピッチも、2.5画素に設定されている。実測時において、同図cのように、比較領域に対してドットパターンが半画素だけ左X軸負方向にずれると、同図fに示すように、上から1、2、4、6、7行目においては、画素値パターンに3つの区切りが生じる。これに対し、同図eにおける1、2、4、6、7行目の画素値パターンにも、3つの区切りが存在し、区切りの数は、同図e、fとの間で互いに同じである。また、同図e、fを比べると、区切りの位置は、互いに一致するか、1画素程度のずれしかない。したがって、同図fの画素値パターンは、同図eの画素値パターンに類似するようになる。このため、同図eと同図fの画素値パターンを比較すると、両者の間でマッチングが取られ易くなる。また、実測時において、同図aのように、比較領域に対してドットパターンが半画素だけ左X軸負方向と上Y軸正方向にずれると、同図dに示すように、上から1、4、6行目においては、画素値パターンに3つの区切りが生じる。これに対し、同図eにおける1、4、6行目の画素値パターンにも、3つの区切りが存在し、区切りの数は、同図e、dとの間で互いに同じである。また、同図e、dの1、4、6行目を比較すると、区切りの位置は、互いに一致するか、1画素程度のずれしかない。また、同図e、dの5行目と8行目の画素値パターンは一致している。したがって、同図dの画素値パターンは、同図eの画素値パターンに類似するようになる。また、同図e、dの2、7行目を比較すると、両者の相違は、図6e、dの1、3、5、7行目の画素値パターンの相違や、図7e、dの1、3、5、7行目の画素値パターンの相違に比べて、相違の程度が低い。よって、2、7行目における画素値パターンの相違は、図9e、dの画素値パターンのマッチング判定において、大きくは影響しないものと考えられる。よって、この設定例では、比較領域に対してドットパターンが半画素だけ左X軸負方向と上Y軸正方向にずれた場合にも、図9eと同図dの画素値パターンの間で、マッチングが取られ易くなる。なお、図9の設定例では、同図e、d、fを参照して分かるとおり、全ての画素の画素値がゼロの行が3つまたは4つ存在し、これらの行によって、画素値パターンが、Y軸方向にも区切られている。ここで、Y軸方向の区切りの数は、同図e、d、fにおいて同じ3つである。また、Y軸方向の区切りの位置は、同図e、fにおいて同じであり、同図e、dにおいて同じか、1画素のズレしかない。このように画素値パターンがY軸方向にも区切られることにより、画素値パターンのマッチングがさらに取られ易くなり、セグメント領域の探索精度を高めることができる。図10は、本実施の形態におけるドットパターンの他の設定例を示す図である。同図a~fは、それぞれ、図6a~fに対応している。この設定例でも、ドットのサイズは、画素の領域よりも小さくなっている。また、この設定例では、X軸方向の各ドットのピッチは、3画素に設定され、Y軸方向における各ドットのピッチは、2画素に設定されている。実測時において、同図cのように、比較領域に対してドットパターンが半画素だけ左X軸負方向にずれていると、同図fに示すように、上から2、4、6、8行目においては、画素値パターンに3つの区切りが生じる。これに対し、同図eにおける2、4、6、8行目の画素値パターンにも、3つの区切りが存在し、区切りの数は、同図e、fとの間で互いに同じである。また、同図fの2、4、6、8行目の区切りの位置は、全て、同図eの2、4、6、8行目の区切りの位置に含まれる。したがって、同図fの画素値パターンは、同図eの画素値パターンに極めて類似するようになる。このため、同図eと同図fの画素値パターンを比較すると、両者の間でマッチングが取られ易くなる。実測時において、同図aのように、比較領域に対してドットパターンが半画素だけ左X軸負方向と上Y軸正方向にずれていると、同図dに示すように、上から2、4、6、8行目においては、画素値パターンに3つの区切りが生じる。これに対し、同図eにおける2、4、6、8行目の画素値パターンにも、3つの区切りが存在し、区切りの数は、同図e、dとの間で互いに同じである。また、同図dの2、4、6、8行目の区切りの位置は、全て、同図eの2、4、6、8行目の区切りの位置に含まれる。したがって、同図dの画素値パターンは、同図eの画素値パターンに極めて類似するようになる。また、同図e、dの1、3、5、7行目を比較すると、両者の相違は、図6e、dの1、3、5、7行目の画素値パターンの相違や、図7e、dの1、3、5、7行目の画素値パターンの相違に比べて、相違の程度が低い。よって、1、3、5、7行目における画素値パターンの相違は、図10e、dの画素値パターンのマッチング判定において、大きくは影響しないものと考えられる。よって、この設定例では、比較領域に対してドットパターンが半画素だけ左X軸負方向と上Y軸正方向にずれた場合にも、同図eと同図dの画素値パターンの間で、マッチングが取られ易くなる。なお、図10e、fの画素値パターンにおいて、画素値が互いに一致しない画素の数は、2行目に5個、4行目に6個、6行目に4個、8行目に5個の合計20個である。これに対し、図8e、fの画素値パターンにおいて、画素値が互いに一致しない画素の数は、2行目に6個、4行目に6個、6行目に6個、8行目に6個の合計24個である。このように、図10e、fの画素値パターンでは、図8e、fの画素値パターンよりも、画素値が一致しない画素の数が4個少ない。また、画素値が一致しない2つの画素の画素値の差は、何れもH/2である。よって、図10のドットパターンは、図8のドットパターンよりも、マッチングの検出精度が高いと言える。このことから、ドット間のピッチは、2.5画素よりも3画素の方が、さらに好ましいと言える。図11は、本実施の形態におけるドットパターンの更に他の設定例を示す図である。同図a~fは、それぞれ、図6a~fに対応している。この設定例でも、ドットのサイズは、画素の領域よりも小さくなっている。また、この設定例では、X軸方向の各ドットのピッチは、3.5画素に設定され、Y軸方向における各ドットのピッチは、2画素に設定されている。図11e、fの画素値パターンのマッチング度合いと、図10e、fの画素値パターンのマッチング度合いとを比較すると、両者のマッチング度合いは、略同じである。すなわち、図11e、fの画素値パターンにおいて、画素値が互いに一致しない画素の数は、2行目に5個、4行目に6個、6行目に4個、8行目に5個の合計20個である。これに対し、図10e、fの画素値パターンにおいて、画素値が互いに一致しない画素の数は、2行目に5個、4行目に6個、6行目に4個、8行目に5個の合計20個である。このように、図11e、fの画素値パターンと、図10e、fの画素値パターンとでは、画素値が一致しない画素の数が互いに同じであり、また、画素値が一致しない2つの画素の画素値の差は、何れもH/2である。よって、図11のドットパターンと図10のドットパターンとでは、マッチングの検出精度が略同じであると言える。このことから、X軸方向のドット間のピッチを3.5画素以上にしても、ドットパターンの探索精度は大きく変わらないものと思われる。むしろ、ドット間のピッチが広がると、一つのセグメント領域に含まれるドットの数が減少するため、類似度を示す値Rsadの上記式1参照に差が出にくくなり、ドットパターンの探索精度が低下する。したがって、X軸方向のドット間のピッチは、2.5~3.5画素程度に設定するのが望ましく、より好ましくは、3.0画素程度に設定するのが望ましい。1つのセグメント領域になるべく多くのドットを含めるには、X軸方向のドット間のピッチを2.5画素に設定すると良い。以上、本実施の形態によれば、ドットパターンの検出精度を向上させることができる情報取得装置およびこれを搭載する物体検出装置を実現することができる。また、この効果を、ドット間のピッチを調整するといった極めて簡単な手法で実現することができる。以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は、上記実施の形態に何ら制限されるものではなく、また、本発明の実施の形態も上記の他に種々の変更が可能である。たとえば、上記実施の形態では、図4bに示すように各セグメント領域が互いに重なることなく設定されたが、各セグメント領域が、その上下のセグメント領域と一部重なるように設定されても良い。また、各セグメント領域が、その左右のセグメント領域と一部重なってマトリックス状に並ぶように設定されても良い。ただし、このような場合も、各セグメント領域内のドットは、ピッチが2.5画素以上となるように調整される。また、セグメント領域の形状は、上記実施の形態のように長方形である他、正方形等、他の形状であっても良い。さらに、上記実施の形態では、受光素子として、CMOSイメージセンサ124を用いたが、これに替えて、CCDイメージセンサを用いることもできる。本発明の実施の形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。"