"導光板と、前記導光板の側面に配置された光源と、前記導光板の表面または内部に配置されると共に前記導光板と接着された光変調素子とを備え、前記光変調素子は、離間して互いに対向配置された一対の透明基板と、前記一対の透明基板のそれぞれの表面に設けられた一対の電極と、前記一対の透明基板の間隙に設けられた光変調層とを有し、前記光変調層は、光学異方性を有すると共に電場に対して応答する第1領域と、光学異方性を有すると共に電場に対して応答しない第2領域とを含み、前記第2領域は、筋状構造となっており、短軸方向の平均的な筋状組織サイズが0.05μm以上10μm以下となっている照明装置。前記第2領域の短軸方向の平均的な筋状組織サイズが0.2μm以上2μm以下となっている請求項1に記載の照明装置。前記第1領域は、液晶材料を主に含んで構成され、前記第2領域は、高分子材料を主に含んで構成されている請求項1または請求項2に記載の照明装置。前記光変調素子は、前記電極と前記光変調層との間に水平配向膜または垂直配向膜を有し、前記第2領域は、前記水平配向膜または前記垂直配向膜の作用により配向した重合性材料を熱および光の少なくとも一方によって重合させることにより形成されたものである請求項3に記載の照明装置。マトリクス状に配置された複数の画素を有すると共に、前記複数の画素が画像信号に基づいて駆動される表示パネルと、前記表示パネルを照明する照明装置とを備え、前記照明装置は、導光板と、前記導光板の側面に配置された光源と、前記導光板の表面または内部に配置されると共に前記導光板と接着された光変調素子とを前記表示パネル側から順に有し、前記光変調素子は、離間して互いに対向配置された一対の透明基板と、前記一対の透明基板のそれぞれの表面に設けられた一対の電極と、前記一対の透明基板の間隙に設けられた光変調層とを有し、前記光変調層は、光学異方性を有すると共に電場に対して応答する第1領域と、光学異方性を有すると共に電場に対して応答しない第2領域とを含み、前記第2領域は、筋状構造となっており、短軸方向の平均的な筋状組織サイズが0.05μm以上10μm以下となっている表示装置。導光板と、前記導光板の側面に配置された光源と、前記導光板の表面または内部に配置されると共に前記導光板と接着された光変調素子とを備え、前記光変調素子は、離間して互いに対向配置された一対の透明基板と、前記一対の透明基板のそれぞれの表面に設けられた一対の電極と、前記一対の透明基板の間隙に設けられた光変調層とを有し、前記光変調層は、光学異方性を有すると共に電場に対して応答する第1領域と、光学異方性を有すると共に電場に対して応答しない第2領域とを含み、前記一対の電極のうち少なくとも一方が透明導電膜からなり、前記透明導電膜は、酸化インジウムスズITO;IndiumTinOxideを含んで構成され、かつ以下の式で表される光学特性を有する照明装置。|A1-A2|≦0.5A1:波長450nm~650nmにおける最大光吸収率A2:波長450nm~650nmにおける最小光吸収率前記一対の透明基板のうち少なくとも前記透明導電膜が設けられた方の透明基板は、樹脂基板からなり、前記透明導電膜は、前記樹脂基板のガラス転移温度よりも低い温度でITOを含む膜をアニールすることにより結晶化させたものである請求項6に記載の照明装置。前記透明導電膜は、X線回折XRD;X‐raydiffraction測定により得られるXRDチャートにおいて、結晶化前のITOを含む膜では計測されない箇所にピークを有する請求項7に記載の照明装置。前記透明導電膜は、前記XRDチャートにおいて、222面に0.03°~2°の半値幅のピークを有する請求項8に記載の照明装置。前記透明導電膜は、前記XRDチャートにおいて、222面に0.1°~0.7°の半値幅のピークを有する請求項9に記載の照明装置。マトリクス状に配置された複数の画素を有すると共に、前記複数の画素が画像信号に基づいて駆動される表示パネルと、前記表示パネルを照明する照明装置とを備え、前記照明装置は、導光板と、前記導光板の側面に配置された光源と、前記導光板の表面または内部に配置されると共に前記導光板と接着された光変調素子とを前記表示パネル側から順に有し、前記光変調素子は、離間して互いに対向配置された一対の透明基板と、前記一対の透明基板のそれぞれの表面に設けられた一対の電極と、前記一対の透明基板の間隙に設けられた光変調層とを有し、前記光変調層は、光学異方性を有すると共に電場に対して応答する第1領域と、光学異方性を有すると共に電場に対して応答しない第2領域とを含み、前記一対の電極のうち少なくとも一方が透明導電膜からなり、前記透明導電膜は、酸化インジウムスズITO;IndiumTinOxideを含んで構成され、かつ以下の式で表される光学特性を有する表示装置。|A1-A2|≦0.5A1:波長450nm~650nmにおける最大光吸収率A2:波長450nm~650nmにおける最小光吸収率ところで、導光板内を伝播している光の取り出し技術としては、例えば、特許文献1において、透明と散乱を切り換える高分子分散液晶PDLC;PolymerDispersedLiquidCrystalを用いた表示装置が提案されている。これは、写り込み防止などを目的としたものであり、PDLCに対して部分的に電圧を印加して、透明と散乱を切り換える技術である。しかし、このバックライトでは、導光板の端部に取り付けた光源から離れるにつれて、照明光の長波長成分が多くなるという問題があった。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、照明光の可視領域全体における光強度分布の面内での相違をより少なくすることの可能な照明装置および表示装置を提供することにある。本発明の第1の照明装置は、導光板と、導光板の側面に配置された光源と、導光板の表面または内部に配置されると共に導光板と接着された光変調素子とを備えたものである。上記光変調素子は、離間して互いに対向配置された一対の透明基板と、一対の透明基板のそれぞれの表面に設けられた一対の電極と、一対の透明基板の間隙に設けられた光変調層とを有している。上記光変調層は、光学異方性を有すると共に電場に対して応答する第1領域と、光学異方性を有すると共に電場に対して応答しない第2領域とを含んでいる。ここで、第2領域は筋状構造となっており、短軸方向の平均的な筋状組織サイズが0.05μm以上10μm以下となっている。本発明の第1の表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素を有すると共に、複数の画素が画像信号に基づいて駆動される表示パネルと、表示パネルを照明する照明装置とを備えたものである。この表示装置に搭載された照明装置は、上記の第1の照明装置と同一の構成要素を有している。本発明の第1の照明装置および第1の表示装置では、導光板に接着された光変調素子内に、第1領域および第2領域を含んだ光変調層が設けられている。第1領域および第2領域は光学異方性を有しており、電場に対して上述した配向特性を有している。これにより、電場制御によって、例えば、第1領域および第2領域の光軸の向きを互いに一致させたり、互いに異ならせたりすることが可能となる。従って、例えば、双方の常光屈折率を互いに近接させると共に、双方の異常光屈折率も互いに近接させ、かつ、電場制御によって、第1領域および第2領域の光軸の向きを互いに一致させたときには、正面方向および斜め方向を含むあらゆる方向において屈折率差が小さくなり、高い透明性が得られる。また、例えば、電場制御によって、第1領域および第2領域の光軸の向きを互いに交差もしくは直交させたときには、正面方向および斜め方向を含むあらゆる方向において屈折率差が大きくなり、高い散乱性が得られる。また、本発明の第1の照明装置および第1の表示装置において、第2領域では、短軸方向の平均的な筋状組織サイズが0.05μm以上10μm以下となっている。これにより、光源から射出された光が導光板内を伝播していく過程で光変調素子を繰り返し通過したときに、可視領域全体における光散乱のバランスを保つことが出来る。短軸方向の平均的な筋状組織サイズが0.05μmから10μmの間にある場合には、光変調素子内での散乱能が、380~780nmの可視領域において略等しくなる。そのため、面内で、ある特定の波長成分の光のみが増加したり、減少したりすることがないので、可視領域でのバランスを面内で取ることができる。短軸方向の平均的な筋状組織サイズが0.05μm未満である場合や、10μmを超える場合には、波長に関係なく、光変調素子30の散乱能が低く、光変調素子として機能しない。本発明の第2の照明装置は、導光板と、導光板の側面に配置された光源と、導光板の表面または内部に配置されると共に導光板と接着された光変調素子とを備えたものである。上記光変調素子は、離間して互いに対向配置された一対の透明基板と、一対の透明基板のそれぞれの表面に設けられた一対の電極と、一対の透明基板の間隙に設けられた光変調層とを有している。上記光変調層は、光学異方性を有すると共に電場に対して応答する第1領域と、光学異方性を有すると共に電場に対して応答しない第2領域とを含んでいる。ここで、透明導電膜は、酸化インジウムスズITO;IndiumTinOxideを含んで構成され、かつ以下の式で表される光学特性を有している。|A1-A2|≦0.5A1:波長450nm~650nmにおける最大光吸収率A2:波長450nm~650nmにおける最小光吸収率本発明の第2の表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素を有すると共に、複数の画素が画像信号に基づいて駆動される表示パネルと、表示パネルを照明する照明装置とを備えたものである。この表示装置に搭載された照明装置は、上記の第2の照明装置と同一の構成要素を有している。本発明の第2の照明装置および第2の表示装置では、導光板に接着された光変調素子内に、第1領域および第2領域を含んだ光変調層が設けられている。第1領域および第2領域は光学異方性を有しており、電場に対して上述した配向特性を有している。これにより、電場制御によって、例えば、第1領域および第2領域の光軸の向きを互いに一致させたり、互いに異ならせたりすることが可能となる。従って、例えば、双方の常光屈折率を互いに近接させると共に、双方の異常光屈折率も互いに近接させ、かつ、電場制御によって、第1領域および第2領域の光軸の向きを互いに一致させたときには、正面方向および斜め方向を含むあらゆる方向において屈折率差が小さくなり、高い透明性が得られる。また、例えば、電場制御によって、第1領域および第2領域の光軸の向きを互いに交差もしくは直交させたときには、正面方向および斜め方向を含むあらゆる方向において屈折率差が大きくなり、高い散乱性が得られる。また、本発明の第2の照明装置および第2の表示装置において、一対の電極のうち少なくとも一方が透明導電膜からなる。この透明導電膜は、酸化インジウムスズITO;IndiumTinOxideを含んで構成され、かつ上記の式で表される光学特性を有している。このように、透明導電膜を上記の式に示した特性とすることにより、光源から射出された光が導光板内を伝播していく過程で光変調素子内の透明導電膜を繰り返し通過したときに、透明導電膜における、吸収の波長依存性が抑制される。ところで、照明装置および表示装置において、光変調層における、可視領域全体における光散乱のバランスを保つ方法としては、上記の方法の他に、以下のようなものがある。例えば、光変調素子に含まれる一対の電極のうち少なくとも一方が、ITOを含む膜以下、ITO膜と称する。によって構成されているとき、導光している光路中のどこか例えば、導光板および光変調素子の少なくとも一方に、例えば、長波長側の光を短波長側の光よりもより多く吸収する染料顔料が含まれていることが好ましい。上記の染料顔料として、公知の材料を使用することができる。特に、光変調層の形成に紫外線照射によるプロセスを含む場合には、例えば、光変調素子を形成した後に、染料顔料を含む導光板と光変調素子とを互いに貼り合わせたり、染料顔料が紫外線によってダメージを受けないように、染料顔料を含む部分を紫外線吸収層で紫外線から保護することが好ましい。このように、導光している光路中のどこかに上記の染料顔料を添加することにより、光源から射出された光が導光板内を伝播していく過程で光変調素子を繰り返し通過したときに、ITO膜を含む光変調素子の吸収の波長依存性が抑制される。また、例えば、光変調素子に含まれる一対の電極のうち少なくとも一方がITO膜によって構成されているとき、短波長側の反射率が長波長側の反射率よりも小さな光学多層膜を、ITO膜の表面もしくは裏面に形成することが好ましい。そのような光学多層膜としては、例えば、二酸化ケイ素からなる低屈折率層と、五酸化ニオブからなる高屈折率層とを交互に積層したものが挙げられる。このように、ITO膜の表面もしくは裏面のうち、光変調素子の光射出側の面に対して上記の光学多層膜を設けることにより、光源から射出された光が導光板内を伝播していく過程で光変調素子内のITO膜を繰り返し通過したときに、光学多層膜の作用により、ITO膜における反射の波長依存性が抑制される。また、例えば、光変調素子に含まれる第1領域が、電場に対して応答する液晶材料を主に含んで構成されており、光変調素子に含まれる第2領域が、電場に対して応答しない高分子材料を主に含んで構成されている場合に、第1領域の常光屈折率noLと第2領域の常光屈折率noPとの差屈折率差Δno=noL-noPが可視領域において0.1以下となっており、かつ第1領域の異常光屈折率neLと第2領域の異常光屈折率nePとの差屈折率差Δne=neL-nePも可視領域において0.1以下となっていることが好ましい。さらに、第1領域および第2領域が、以下の式A,Bで示されるような関係となっていることが好ましく、以下の式C,Dで示されるような関係となっていることがより好ましい。|Δne450nm―Δne650nm|≦0.059...A|Δno450nm―Δno650nm|≦0.059...B|Δne450nm―Δne650nm|≦0.032...C|Δno450nm―Δno650nm|≦0.032...DΔne450nm:450nmにおけるΔneΔne650nm:650nmにおけるΔneΔno450nm:450nmにおけるΔnoΔno650nm:650nmにおけるΔnoこのように、第1領域および第2領域が上述した特性を有していることにより、光源から射出された光が導光板内を伝播していく過程で光変調素子内の第1領域および第2領域を繰り返し通過したときに、光源からの距離に応じた、暗状態における散乱の波長依存性が抑制される。また、例えば、光変調素子に含まれる第1領域が液晶材料を主に含んで構成されており、光変調素子に含まれる第2領域が高分子材料を主に含んで構成されている場合に、第1領域の異常光屈折率neLと第2領域の常光屈折率noPとの差屈折率差ΔneLnoP=neL-noPが可視領域において0.1以上となっており、かつ第2領域の異常光屈折率nePと第1領域の常光屈折率noLとの差屈折率差ΔnePnoL=neP-noLが可視領域において0.1以上となっていることが好ましい。さらに、第1領域および第2領域が、以下の式E,Fで示されるような関係となっていることが好ましく、以下の式G,Hで示されるような関係となっていることがより好ましい。|ΔneLnoP450nm-ΔneLnoP650nm|≦0.080...E|ΔnePnoL450nm-ΔnePnoL650nm|≦0.080...F|ΔneLnoP450nm-ΔneLnoP650nm|≦0.044...G|ΔnePnoL450nm-ΔnePnoL650nm|≦0.044...HΔneLnoP450nm:450nmにおけるneLnoPΔneLnoP650nm:650nmにおけるneLnoPΔnePnoL450nm:450nmにおけるnePnoLΔnePnoL650nm:650nmにおけるnePnoLこのように、第1領域および第2領域が上述した特性を有していることにより、光源から射出された光が導光板内を伝播していく過程で光変調素子内の第1領域および第2領域を繰り返し通過したときに、光源からの距離に応じた、明状態における散乱の波長依存性が抑制される。光変調素子に含まれる第1領域が液晶材料を主に含んで構成されており、光変調素子に含まれる第2領域が高分子材料を主に含んで構成されている場合、液晶材料、高分子材料の組み合わせを選ぶことによって、散乱性を決定する屈折率差ΔneLnoP、ΔnePnoLが短波長側で小さく、長波長側で大きくなるようにもすることができる屈折率の逆波長分散。このように散乱の波長依存性を調整することにより、照明光の可視領域全体における光強度分布の面内での相違をより少なくすることができる。ITO膜の吸収によって、光源より離れると長波長側の光がより多くなる。光源に近いところは、光変調素子の散乱性から、短波長側の光が多くなる。しかしながら、ITO膜の反射によって、導光板中には、より短波長側の光が多くなるが、反射されなかった長波長側の光は光変調素子内に入る。そのため、光変調素子内で散乱される光は長波長側の光が更に多くなることが分かった。更に、光源から離れると長波長側の光は散乱され消費されていくため、今度は徐々に導光板から出射される光は短波長側の光が多くなる。その結果、光源側から、短波長の光、長波長の光、短波長の光になっている。そこで、上記した各種手段のうち少なくとも1つを用いることにより、照明光の可視領域全体における光強度分布の面内での相違をより少なくすることができる本発明の第1および第2の照明装置ならびに第1および第2の表示装置によれば、電場制御によって、第1領域および第2領域の光軸の向きを互いに一致させたり異ならせたりすることにより、全方向において、高い透明性が得られたり、高い散乱性が得られたりできるようにしたので、エッジライト方式において、光源の光強度を部分的に変調することができる。さらに、本発明の第1の照明装置および第1の表示装置によれば、光源から射出された光が導光板内を伝播していく過程で光変調素子を繰り返し通過したときに、散乱の波長依存性を抑制するようにしたので、導光板の端部に取り付けた光源から離れるにつれて、照明光の長波長成分が多くなるのを低減することができる。また、本発明の第2の照明装置および第2の表示装置によれば、光源から射出された光が導光板内を伝播していく過程で光変調素子を繰り返し通過したときに、透明導電膜における、吸収の波長依存性を抑制するようにしたので、導光板の端部に取り付けた光源から離れるにつれて、照明光の長波長成分が多くなるのを低減することができる。従って、本発明の第1および第2の照明装置ならびに第1および第2の表示装置では、照明光の可視領域全体における光強度分布の面内での相違をより少なくすることができる。以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.第1の実施の形態水平配向PDLC、バックライト図1~図192.第2の実施の形態垂直配向PDLC、バックライト図20~図223.変形例バックライト図23~図304.適用例表示装置図31<1.第1の実施の形態>[水平配向PDLCを用いた例]図1Aは、本発明の第1の実施の形態に係るバックライト1の断面構成の一例を表したものである。図1Bは、図1Aのバックライト1に含まれる光変調素子30の断面構成の一例を表したものである。なお、図1A,Bは、模式的に表したものであり、実際の寸法や形状と同一であるとは限らない。バックライト1は、例えば、液晶表示パネルなどを背後から照明するものであり、導光板10と、導光板10の側面に配置した光源20と、導光板10の背後に配置した光変調素子30および反射板40と、光変調素子30を駆動する駆動回路50とを備えている。導光板10は、導光板10の側面に配置した光源20からの光を導光板10の上面に導くものである。この導光板10は、導光板10の上面に配置される表示パネル図示せずに対応した形状、例えば、上面、下面および側面で囲まれた直方体状となっている。なお、以下では、導光板10の側面のうち光源20からの光が入射する側面を光入射面10Aと称するものとする。導光板10は、例えば、上面および下面の少なくとも一方の面に、所定のパターン化された形状を有しており、光入射面10Aから入射した光を散乱し、均一化する機能を有している。なお、バックライト1に印加する電圧を変調することによって輝度の均一化を行う場合には、パターン化されていない平坦な導光板を導光板10として用いることも可能である。この導光板10は、例えば、表示パネルとバックライト1との間に配置される光学シート例えば、拡散板、拡散シート、レンズフィルム、偏光分離シートなどを支持する支持体としても機能する。導光板10は、例えば、ポリカーボネート樹脂PCやアクリル樹脂ポリメチルメタクリレートPMMAなどの透明熱可塑性樹脂を主に含んで構成されている。光源20は、線状光源であり、例えば、熱陰極管、CCFL、または複数のLEDを一列に配置したものなどからなる。光源20が複数のLEDからなる場合には、効率、薄型化、均一性の観点から、全てのLEDがホワイトLEDであることが好ましい。なお、光源20が、例えば、赤色LED、緑色LEDおよび青色LEDを含んで構成されていてもよい。光源20は、図1Aに示したように、導光板10の一の側面にだけ設けられていてもよいし、導光板10の2つの側面、3つの側面または全ての側面に設けられていてもよい。反射板40は、導光板10の背後から光変調素子30を介して漏れ出てきた光を導光板10側に戻すものであり、例えば、反射、拡散、散乱などの機能を有している。これにより、光源20からの射出光を効率的に利用することができ、また、正面輝度の向上にも役立っている。この反射板40は、例えば、発泡PETポリエチレンテレフタレートや銀蒸着フィルム、多層膜反射フィルム、白色PETなどからなる。光変調素子30は、本実施の形態において、導光板10の背後下面に空気層を介さずに密着しており、例えば接着剤図示せずを介して導光板10の背後に接着されている。この光変調素子30は、例えば、図1Bに示したように、透明基板31、下側電極32、配向膜33、光変調層34、配向膜35、上側電極36および透明基板37を反射板40側から順に配置されたものである。透明基板31,37は、光変調層34を支持するものであり、一般に、可視光に対して透明な基板によって構成されている。そのような基板の材料としては、例えば、ガラス板や、樹脂基板などが挙げられる。樹脂基板の材料としては、表示装置1の表示面上に設置するものとしての機能を満たすものであれば特に限定されることはないが、透明性、屈折率、分散、複屈折などの光学特性、さらには耐衝撃性、耐熱性、耐久性などの諸特性からみて、特にポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキルメタアクリレート、スチレンなどといったビニルモノマーとの共重合体などのメタアクリル樹脂を用いることが可能である。また、可視光に対して透明な基板の材料として、ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネートCR-39などのポリカーボネート系樹脂を用いてもよい。また、可視光に対して透明な基板の材料の材料として、臭素化ビスフェノールA型のジメタアクリレートの単独重合体ないし共重合体、臭素化ビスフェノールA、モノメタアクリレートのウレタン変性モノマーの重合体及び共重合体などといった熱硬化性メタアクリル系樹脂も適用可能である。その他、可視光に対して透明な基板の材料の材料として、ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート及び不飽和ポリエステル、アクリロニトリル-スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー、例えばアートンJSR株製、登録商標やゼオノア日本ゼオン株製、登録商標などを用いることが好ましい。また、可視光に対して透明な基板の材料の材料として、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂の使用も可能である。下側電極32は、透明基板31のうち透明基板37との対向面上に設けられたものであり、例えば、図2に光変調素子30の一部を抜き出して示したように、面内の一の方向に延在する帯状の形状となっている。また、上側電極36は、透明基板37のうち透明基板31との対向面上に設けられたものであり、例えば、図2に示したように、面内の一の方向であって、かつ下側電極32の延在方向と交差直交する方向に延在する帯状の形状となっている。なお、下側電極32および上側電極36の形状は、駆動方式に依存するものである。例えば、これらが上述したような帯状の形状となっている場合には、例えば、各電極を単純マトリクス駆動することが可能である。一方がベタ膜となっており、他方が微小な方形状となっている場合には、例えば、各電極をアクティブマトリクス駆動することが可能である。また、一方がベタ膜となっており、他方が細かな引出線がついたブロック状となっている場合には、例えば、それぞれの分割ブロックを独自に駆動できるセグメント方式にすることもできる。下側電極32および上側電極36のうち少なくとも上側電極36バックライト1の上面側の電極は透明導電膜によって構成されている。この透明導電膜は、電極として使用することを考慮すると、50Ω/□以上、10kΩ/□以下の表面抵抗値となっていることが好ましい。また、上記の表面抵抗値で十分な導電性を確保すると同時に、光吸収を抑えることを考慮すると、この透明導電膜の物理膜厚dは、1nm<d<250nmを満たすことが好ましく、10nm<d<30nmを満たすことがより好ましい。図3Aは、ITO膜の光学特性の波長依存性の一例を表したものである。図3B,Cは、バックライトの色度変化の場所依存性の一例を表したものである。なお、図3B,Cの縦軸のΔu’v’は、その値が大きくなるほど、長波長側の成分が大きくなることに対応する指標である。図4A,Bは、導光スペクトルの波長依存性の一例を表したものである。上述の透明導電膜は、例えば、以下の式で示されるような特性を有していることが好ましい。上述の透明導電膜は、例えば、酸化インジウムスズITO;IndiumTinOxideを含む膜以下、ITO膜と称する。によって構成されている。なお、下側電極32および上側電極36は、酸化インジウム亜鉛IZO;IndiumZincOxide、メタルナノワイヤ、カーボンナノチューブなどによって構成されていてもよい。|A1-A2|≦2.00A1:450nm~650nmにおける最大光吸収率A2:450nm~650nmにおける最小光吸収率照明光としては、可視光が使用されるので、380~780nmの範囲で、透明導電膜の光吸収の差が少ないことが好ましい。380~780nmの範囲で光吸収率の最大値と最小値の差が、10.00以下であることが好ましく、7.00以下であることがより好ましい。特に、透明導電膜がバックライトなどに適用される場合は、使用する光源の波長領域の範囲内で光吸収率の最大値と最小値の差が2.00以下であることが好ましく、1.00以下であることがより好ましく、0.5以下であることが最も好ましい。一般的なLEDを光源として光源などを用いた場合、450~650nm範囲で、光吸収率の最大値と最小値の差が、2.00以下であることが好ましく、1.00以下であることがより好ましく図3Aの実線、0.5以下であることが最も好ましい図3Aの一点鎖線。なお、吸収率の測定は日本分光製V-550を用い、基板法線方向から5°入射にて反射率、透過率を測定し、100から反射率、透過率の値を引いた値を吸収率とした。このように、透明導電膜が上記の式に示した特性となっている場合には、光源20から射出された光が導光板10内を伝播していく過程で光変調素子30内の透明導電膜を繰り返し通過したときに、透明導電膜における、吸収の波長依存性が抑制される。透明導電膜が、一般的なITO膜からなる場合には、例えば、図3B,Cの破線および図4Aの矢印に示したように、光源20からの距離が遠くなるにつれて、長波長側の成分が増大していく。一方、透明導電膜が、上記の式に示した特性を有する、膜質改善されたITO膜からなる場合には、例えば、図3B,Cの実線および図4Bに示したように、長波長側の成分が光源20からの距離に応じて変化する割合が低減している。また、例えば、光変調素子に含まれる一対の電極のうち少なくとも一方が、ITOを含む膜以下、ITO膜と称する。によって構成されているとき、導光している光路中のどこか例えば、導光板および光変調素子の少なくとも一方に、例えば、長波長側の光を短波長側の光よりもより多く吸収する染料顔料が含まれていることが好ましい。上記の染料顔料として、公知の材料を使用することができる。特に、光変調層の形成に紫外線照射によるプロセスを含む場合には、例えば、光変調素子を形成した後に、染料顔料を含む導光板と光変調素子とを互いに貼り合わせたり、染料顔料が紫外線によってダメージを受けないように、染料顔料を含む部分を紫外線吸収層で紫外線から保護することが好ましい。このように、導光している光路中のどこかに上記の染料顔料を添加することにより、光源から射出された光が導光板内を伝播していく過程で光変調素子を繰り返し通過したときに、ITO膜を含む光変調素子の吸収の波長依存性が抑制される。ただし、下側電極32バックライト1の下面側の電極については、透明な材料でなくてもよく、例えば、金属によって構成されていてもよい。なお、下側電極32が金属によって構成されている場合には、下側電極32は、反射板40と同様、導光板10の背後から光変調素子30に入射する光を反射する機能も兼ね備えていることになる。従って、この場合には、例えば、図5に示したように、反射板40をなくすることも可能である。また、透明基板37と上側電極36との間に、何らかの光学的な層が設けられていてもよい。例えば、下側電極32および上側電極36のうち少なくとも上側電極36バックライト1の上面側の電極がITO膜によって構成されているとき、そのITO膜の光学特性の影響を緩和する層が、透明基板37と上側電極36との間に設けられていてもよい。ここで、ITO膜は、例えば、図6に示したように、屈折率が短波長側で大きく、長波長側で小さい性質を有している。そのため、ITO膜の反射率は、短波長側で高く、長波長側で低くなる。その結果、導光板10側からITO膜に対して光が入射し、ITO膜で反射された場合に、その反射光のうち光源20側の光には短波長側の成分が多く含まれ、光源20から遠ざかるにつれて、反射光にはさらに短波長の成分が多く含まれることになる。しかし、例えば、図7に示したように、短波長側の反射率が長波長側の反射率よりも小さな光学多層膜38を上側電極36上に設けた場合には、光源20から射出された光が導光板10内を伝播していく過程で光変調素子30内のITO膜に繰り返し入射したときに、光学多層膜38の作用により、ITO膜における、反射の波長依存性が抑制される。ここで、光学多層膜38は、例えば、二酸化ケイ素からなる低屈折率層と、五酸化ニオブからなる高屈折率層とを交互に積層して構成されている。下側電極32および上側電極36を光変調素子30の法線方向から見たときに、光変調素子30のうち下側電極32および上側電極36が互いに対向している箇所に対応する部分が光変調セル30-1を構成している。各光変調セル30-1は、下側電極32および上側電極36に所定の電圧を印加することにより別個独立に駆動することの可能なものであり、下側電極32および上側電極36に印加される電圧値の大きさに応じて、光源20からの光に対して透明性を示したり、散乱性を示したりする。なお、透明性、散乱性については、光変調層34を説明する際に詳細に説明する。配向膜33,35は、例えば、光変調層34に用いられる液晶やモノマーを配向させるものである。配向膜の種類としては、例えば、垂直用配向膜および水平用配向膜があるが、本実施の形態では、配向膜33,35には水平用配向膜が用いられる。水平用配向膜としては、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルアルコールなどをラビング処理することにより形成された配向膜、転写やエッチングなどにより溝形状が付与された配向膜が挙げられる。また、水平用配向膜としては、例えば、酸化ケイ素などの無機材料を斜方蒸着することにより形成された配向膜、イオンビーム照射により形成されたダイヤモンドライクカーボン配向膜、電極パターンスリットの形成された配向膜が挙げられる。透明基板31,37としてプラスチックフィルムを用いる場合には、製造工程において、透明基板31,37の表面に配向膜33,35を塗布した後の焼成温度ができるだけ低いことが好ましいことから、配向膜33,35として、100°C以下の温度で形成可能なポリアミドイミドを用いることが好ましい。また、垂直、水平いずれの配向膜においても、液晶とモノマーを配向させる機能があれば十分であり、通常の液晶ディスプレイに要求される電圧の繰り返し印加による信頼性などは必要ない。デバイス作成後の電圧印加による信頼性は、モノマーを重合したものと液晶との界面で決まるためである。また、配向膜を用いなくても、例えば、下側電極32および上側電極36間に電場や磁場を印加することによっても、光変調層34に用いられる液晶やモノマーを配向させることが可能である。つまり、下側電極32および上側電極36間に電場や磁場を印加しながら、紫外線照射して電圧印加状態での液晶やモノマーの配向状態を固定させることができる。配向膜の形成に電圧を用いる場合には、配向用と駆動用とで別々の電極を形成するか、液晶材料に周波数によって誘電率異方性の符号が反転する二周波液晶などを用いることができる。また、配向膜の形成に磁場を用いる場合、配向膜として磁化率異方性の大きい材料を用いることが好ましく、例えば、ベンゼン環の多い材料を用いることが好ましい。光変調層34は、例えば、図1Bに示したように、バルク34A第2領域と、バルク34A内に分散された微粒子状の複数の微粒子34B第1領域とを含んだ複合層となっている。バルク34Aおよび微粒子34Bは光学異方性を有している。図8Aは、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されていない時の、微粒子34B内の配向状態の一例を模式的に表したものである。なお、図8Aにおいて、バルク34A内の配向状態についての記載を省略した。図8Bは、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されていない時の、バルク34Aおよび微粒子34Bの屈折率異方性を示す屈折率楕円体の一例を表したものである。この屈折率楕円体は、様々な方向から入射した直線偏光の屈折率をテンソル楕円体で表したものであり、光が入射する方向からの楕円体の断面を見ることによって、幾何的に屈折率を知ることができるものである。図8Cは、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されていない時の、正面方向に向かう光L1と、斜め方向に向かう光L2とが光変調層34を透過する様子の一例を模式的表したものである。図9Aは、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されている時の、微粒子34B内の配向状態の一例を模式的に表したものである。なお、図9Aにおいて、バルク34A内の配向状態についての記載を省略した。図9Bは、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されている時の、バルク34Aおよび微粒子34Bの屈折率異方性を示す屈折率楕円体の一例を表したものである。図9Cは、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されている時の、正面方向に向かう光L1と、斜め方向に向かう光L2とが光変調層34において散乱される様子の一例を模式的表したものである。バルク34Aおよび微粒子34Bは、例えば、図8A,Bに示したように、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されていない時に、バルク34Aの光軸AX1および微粒子34Bの光軸AX2の向きが互いに一致する平行となる構成となっている。なお、光軸AX1,AX2とは、偏光方向によらず屈折率が一つの値になるような光線の進行方向と平行な線を指している。また、光軸AX1および光軸AX2の向きは常に互いに一致している必要はなく、光軸AX1の向きと光軸AX2の向きとが、例えば製造誤差などによって多少ずれていてもよい。また、微粒子34Bは、例えば、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されていない時に、光軸AX2が導光板10の光入射面10Aと平行となる構成となっている。微粒子34Bは、さらに、例えば、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されていない時に、光軸AX2が透明基板31,37の表面と僅かな角度θ1で交差する構成となっている図8B参照。なお、角度θ1については、微粒子34Bを構成する材料を説明する際に詳述する。一方、バルク34Aは、例えば、下側電極32および上側電極36間への電圧印加の有無に拘らず、バルク34Aの光軸AX1が一定となる構成となっている。具体的には、バルク34Aは、例えば、図8A,B,図9A,Bに示したように、バルク34Aの光軸AX1が導光板10の光入射面10Aと平行となると共に透明基板31,37の表面と所定の角度θ1で交差する構成となっている。つまり、バルク34Aの光軸AX1は、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されていない時に、微粒子34Bの光軸AX2と平行となっている。なお、光軸AX2が常に、導光板10の光入射面10Aと平行となると共に透明基板31,37の表面と角度θ1で交差している必要はなく、例えば製造誤差などによって透明基板31,37の表面と、角度θ1とは若干異なる角度で交差していてもよい。また、光軸AX1,AX2が常に導光板10の光入射面10Aと平行となっている必要はなく、例えば製造誤差などによって導光板10の光入射面10Aと、小さな角度で交差していてもよい。ここで、バルク34Aおよび微粒子34Bの常光屈折率が互いに等しく、かつバルク34Aおよび微粒子34Bの異常光屈折率が互いに等しいことが好ましい。この場合に、例えば、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されていない時には、図8Aに示したように、正面方向および斜め方向を含むあらゆる方向において屈折率差がほとんどなく、高い透明性が得られる。これにより、例えば、図8Cに示したように、正面方向に向かう光L1および斜め方向に向かう光L2は、光変調層34内で散乱されることなく、光変調層34を透過する。その結果、例えば、図10A,Bに示したように、光源20からの光L斜め方向からの光は、透明領域30A光変調層34内で透明性を示す領域の界面透明基板31または導光板10と空気との界面において全反射され、透明領域30Aの輝度黒表示の輝度が、光変調素子30を設けていない場合図10B中の一点鎖線と比べて下がる。また、バルク34Aおよび微粒子34Bは、例えば、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されている時には、図9Aに示したように、光軸AX1および光軸AX2の向きが互いに異なる交差する構成となっている。また、微粒子34Bは、例えば、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されている時に、微粒子34Bの光軸AX2が導光板10の光入射面10Aと平行となると共に透明基板31,37の表面と角度θ1よりも大きな角度θ2例えば90°で交差する構成となっている。なお、角度θ2については、微粒子34Bを構成する材料を説明する際に詳述する。したがって、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されている時には、光変調層34において、正面方向および斜め方向を含むあらゆる方向において屈折率差が大きくなり、高い散乱性が得られる。これにより、例えば、図9Cに示したように、正面方向に向かう光L1および斜め方向に向かう光L2は、光変調層34内で散乱される。その結果、例えば、図10A,Bに示したように、光源20からの光L斜め方向からの光は、散乱領域30B光変調層34内で散乱性を示す領域の界面透明基板31または導光板10と空気との界面を透過すると共に、反射板40側に透過した光は反射板40で反射され、光変調素子30を透過する。従って、散乱領域30Bの輝度は、印刷導光板図10B中の一点鎖線と比べて極めて高くなり、しかも、透明領域30Aの輝度が低下した分だけ、部分的な白表示の輝度輝度突き上げが大きくなる。なお、バルク34Aおよび微粒子34Bの常光屈折率は、互いに同一であることが好ましいが、例えば製造誤差などによって多少ずれていてもよい。そのずれ屈折率差Δnoが、可視領域において、例えば、0.1以下であることが好ましい図11参照。また、バルク34Aおよび微粒子34Bの異常光屈折率についても、互いに同一であることが好ましいが、例えば製造誤差などによって多少ずれていてもよい。そのずれ屈折率差Δneが、可視領域において、例えば、0.1以下であることが好ましい図11参照。また、バルク34Aの屈折率差ΔnP=異常光屈折率neP-常光屈折率noPや、微粒子34Bの屈折率差ΔnL=異常光屈折率neL-常光屈折率noLは、できるだけ大きいことが好ましく、0.05以上であることが好ましく、0.1以上であることがより好ましく、0.15以上であることがさらに好ましい。また、微粒子34Bの異常光屈折率neLとバルク34Aの常光屈折率noPとの差屈折率差ΔneLnoPが可視領域において0.1以上となっており、かつバルク34Aの異常光屈折率nePと微粒子34Bの常光屈折率noLとの差屈折率差ΔnePnoLが可視領域において0.1以上となっていることが好ましい。これらの場合には、光変調層34の散乱能が高くなり、導光条件を容易に破壊することができ、導光板10からの光を取り出しやすくなる。また、バルク34Aおよび微粒子34Bが、以下の式1,2で示されるような関係となっていることが好ましく、以下の式3,4で示されるような関係となっていることがより好ましい図12参照。|Δne450nm―Δne650nm|≦0.059...1|Δno450nm―Δno650nm|≦0.059...2|Δne450nm―Δne650nm|≦0.032...3|Δno450nm―Δno650nm|≦0.032...4Δne450nm:450nmにおけるΔneΔne650nm:650nmにおけるΔneΔne=neL-nePΔno450nm:450nmにおけるΔnoΔno650nm:650nmにおけるΔnoΔno=noL-noPまた、バルク34Aおよび微粒子34Bが、以下の式5,6で示されるような関係となっていることが好ましく、以下の式7,8で示されるような関係となっていることがより好ましい。|ΔneLnoP450nm-ΔneLnoP650nm|≦0.080...5|ΔnePnoL450nm-ΔnePnoL650nm|≦0.080...6|ΔneLnoP450nm-ΔneLnoP650nm|≦0.044...7|ΔnePnoL450nm-ΔnePnoL650nm|≦0.044...8ΔneLnoP450nm:450nmにおけるneLnoPΔneLnoP650nm:650nmにおけるneLnoPΔneLnoP=neL-noPΔnePnoL450nm:450nmにおけるnePnoLΔnePnoL650nm:650nmにおけるnePnoLΔnePnoL=neP-noLまた、バルク34Aおよび微粒子34Bは、電場に対する応答速度が互いに異なっている。バルク34Aは、例えば、電場に対して応答しない筋状構造図14A,B参照もしくは多孔質構造となっているか、または微粒子34Bの応答速度よりも遅い応答速度を有する棒状構造となっている。なお、図14A,Bは、光変調素子30に対して電場を印加したときの偏光顕微鏡写真であり、図14A,B中で筋状に明るい箇所が上述した筋状構造に相当している。図14Aには、液晶とモノマーの重量比を95:5としたときのバルク34Aの筋状構造の様子が示されており、図14Bには、液晶とモノマーの重量比を90:10としたときのバルク34Aの筋状構造の様子が示されている。バルク34Aは、例えば、低分子モノマーを重合化することにより得られた高分子材料によって形成されている。バルク34Aは、例えば、微粒子34Bの配向方向または配向膜33,35の配向方向に沿って配向した、配向性および重合性を有する材料例えばモノマーを熱および光の少なくとも一方によって重合させることにより形成されている。バルク34Aが、例えば、上述した筋状構造となっている場合には、短軸方向の平均的な筋状組織サイズは、導光光の散乱性を高くするという観点からは、0.05μm以上10μm以下となっていることが好ましく、0.2μm以上7μm以下の範囲であることがより好ましい。短軸方向の平均的な筋状組織サイズが0.05μmから10μmの間にある場合には、光変調素子30内での散乱能が、380~780nmの可視領域において略等しくなる。そのため、面内で、ある特定の波長成分の光のみが増加したり、減少したりすることがないので、可視領域でのバランスを面内で取ることができる。短軸方向の平均的な筋状組織サイズが0.05μm未満である場合や、10μmを超える場合には、波長に関係なく、光変調素子30の散乱能が低く、光変調素子30が光変調素子として機能しない。また、散乱の波長依存性を少なくするという観点からは、短軸方向の平均的な筋状組織サイズは、0.5μm以上5μm以下の範囲であることが好ましく、1~3μmの範囲であることがより好ましい。このようにした場合には、光源20から射出された光が導光板10内を伝播していく過程で光変調素子30内のバルク34Aを繰り返し通過したときに、バルク34Aにおける、散乱の波長依存性が抑制される。筋状組織のサイズは、偏光顕微鏡、共焦点顕微鏡、電子顕微鏡などで観察することができる。一方、微粒子34Bは、例えば、液晶材料を主に含んで構成されており、バルク34Aの応答速度よりも十分に早い応答速度を有している。微粒子34B内に含まれる液晶材料液晶分子は、例えば棒状分子である。微粒子34B内に含まれる液晶分子として、正の誘電率異方性を有するものいわゆるポジ型液晶を用いることが好ましい。ここで、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されていない時には、微粒子34B内において、液晶分子の長軸方向は、光軸AX1と平行となっている。このとき、微粒子34B内の液晶分子の長軸は、導光板10の光入射面10Aと平行となると共に透明基板31,37の表面と僅かな角度θ1で交差している。つまり、微粒子34B内の液晶分子は、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されていない時には、導光板10の光入射面10Aと平行な面内において角度θ1だけ傾斜した状態で配向している。この角度θ1は、プレチルト角と呼ばれるもので、例えば0.1°以上30°以下の範囲であることが好ましい。この角度θ1は、0.5°以上10°以下の範囲であることがより好ましく、0.7°以上2°以下の範囲であることがさらにより好ましい。角度θ1を大きくすると、後述するような理由から散乱の効率が低下する傾向にある。また、角度θ1を小さくし過ぎると、電圧印加時に液晶の立ち上がる方位角がばらつく。例えば、180°反対側の方位リバースチルトに液晶が立ち上がることもある。これにより、微粒子34Bとバルク34Aとの屈折率差を有効に利用できないので、散乱効率が低くなり、輝度が小さくなる傾向にある。また、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されている時には、微粒子34B内において、液晶分子の長軸方向は、光軸AX1と交差もしくは直交している。このとき、微粒子34B内の液晶分子の長軸は、導光板10の光入射面10Aと平行となると共に透明基板31,37の表面と角度θ1よりも大きな角度θ2例えば90°で交差している。つまり、微粒子34B内の液晶分子は、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されている時には、導光板10の光入射面10Aと平行な面内において角度θ2だけ傾斜した状態もしくは角度θ2=90°で真っ直ぐ立った状態で配向している。上記した、配向性および重合性を有するモノマーとしては、光学的に異方性を有しており、かつ液晶と複合する材料であればよいが、本実施の形態では紫外線で硬化する低分子モノマーであることが好ましい。電圧無印加の状態で、液晶と、低分子モノマーを重合化することにより形成されたもの高分子材料との光学的異方性の方向が一致していることが好ましいので、紫外線硬化前において、液晶と低分子モノマーが同一方向に配向していることが好ましい。微粒子34Bとして液晶が用いられる場合に、その液晶が棒状分子であるときには、使用するモノマー材料の形状も棒状であることが好ましい。以上のことから、モノマー材料としては重合性と液晶性を併せ持つ材料を用いることが好ましく、例えば、重合性官能基として、アクリレート基、メタクリレート基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニルエーテル基およびエポキシ基からなる群から選ばれた少なくとも1つの官能基を有することが好ましい。これらの官能基は、紫外線、赤外線または電子線を照射したり、加熱したりすることによって重合させることができる。紫外線照射時の配向度低下を抑制するために、多官能基をもつ液晶性材料を添加することもできる。バルク34Aを上述した筋状構造とする場合には、バルク34Aの原料として、2官能液晶性モノマーを用いることが好ましい。また、バルク34Aの原料に対して、液晶性を示す温度の調整を目的に単官能モノマーを添加したり、架橋密度向上を目的に3官能以上のモノマーを添加したりすることもできる。ところで、光変調素子30内に含まれるバルク34Aおよび微粒子34Bの屈折率を直接に計測することは容易ではないが、バルク34Aおよび微粒子34Bの屈折率と等価な値は、例えば、以下の方法により得られる。ここで、バルク34Aは、低分子モノマーを重合化することにより得られた高分子材料によって形成されており、微粒子34Bは、液晶材料を主に含んで構成されているものとする。なお、第2の実施の形態におけるバルク64Aおよび微粒子64Bの屈折率と等価な値についても、同様の方法で得られる。バルク34Aの屈折率の導出まず、ガラス基板上に水平配向膜を塗布し所定方向にラビングすることにより、1つの透明基板を作製する。次に、その透明基板上に、溶剤で希釈した液晶性モノマーに重合開始材を所定量添加したものを塗布し、溶剤を乾燥後、UV照射により液晶性モノマーを重合させ、試料を作成する。次に、その試料を、ラビング方向が入射偏光に対して0度、45度、90度で交差するようにステージに配置し、それぞれの角度について、ジェーエーウーラムジャパン社製の分光エリプソメーターM-2000Uを用いて計測を行う。その後、同社製のフィッティングソフトウェアWVASE32を用いて、試料の屈折率を求める。微粒子34Bの屈折率の導出まず、ガラス基板上に水平配向膜を塗布し所定方向にラビングすることにより、2つの透明基板を作製する。次に、2つの透明基板を所定の間隙を介して対向配置し、その間隙に液晶を注入し、セルを作成する。次に、そのセルを、ラビング方向が入射偏光に対して45度で交差するようにステージに設置し、上記の分光エリプソメーターを用いて計測を行った後、上記のフィッティングソフトウェアWVASE32を用いて、セルの屈折率を求める。駆動回路50は、例えば、一の光変調セル30-1において微粒子34Bの光軸AX2がバルク34Aの光軸AX1と平行もしくはほぼ平行となり、他の光変調セル30-1において微粒子34Bの光軸AX2がバルク34Aの光軸AX1と交差もしくは直交するように各光変調セル30-1の一対の電極下側電極32、上側電極36へ印加する電圧の大きさを制御するようになっている。つまり、駆動回路50は、電場制御によって、バルク34Aおよび微粒子34Bの光軸AX1,AX2の向きを互いに一致もしくはほぼ一致させたり、互いに異ならせたりもしくは直交させたりすることができるようになっている。以下に、本発明の各実施形態の共通構成を有する光変調素子30の製造方法について、図15A~Cから図17A~Cを参照しながら説明する。まず、ガラス基板またはプラスチックフィルム基板からなる透明基板31,37上に、ITOなどの透明導電膜32-1,36-1を形成する図15A。次に、表面全体にレジスト層を形成したのち、パターニングによりレジスト層に電極パターン下側電極32、上側電極36を形成する図15B。パターニングの方法としては、例えば、フォトリソグラフィ法、レーザー加工法、パターン印刷法、スクリーン印刷法などを用いることが可能である。また、例えば、メルク社のハイパーエッチ材料を用いてスクリーン印刷した後に所定の加熱を行い、その後、水洗することでパターニングを行うこともできる。電極パターンは駆動方法および部分駆動の分割数によって決定される。例えば、42インチサイズのディスプレイを12×6分割する場合には、電極幅がおよそ80mm程度のパターンとし、電極間のスリット部分はできるだけ細くする。だたし、後述のぼかし特性から、スリット部分が細すぎてもあまり意味をなさないので、具体的には、10~500μm程度のスリットとするのがよい。また、ITOナノ粒子をパターン印刷した後、それを焼成することによって電極パターンを形成してもよい。次に、表面全体に配向膜33,35を塗布したのち、乾燥させ、焼成する図15C。配向膜33,35としてポリイミド系材料を用いる場合には、溶媒にNMPN-メチル-2-ピロリドンを用いることが多いが、そのときには、大気下では200°C程度の温度が必要である。なお、この場合に、透明基板31,37としてプラスチック基板を用いる場合には、配向膜33,35を100°Cで真空乾燥させ、焼成することもできる。その後、配向膜33,35に対してラビング処理を行う。これにより、配向膜33,35が水平配向用の配向膜として機能し、さらに配向膜33,35のラビング方向にプレチルトを形成することが可能となる。次に、配向膜33上に、セルギャップを形成するためのスペーサ38を乾式または湿式で散布する図16A。なお、真空貼り合わせ法にて光変調セル30-1を作成する場合には、滴下する混合物中にスペーサ38を混合しておいてもよい。また、スペーサ38の替わりとして、フォトリソ法によって柱スペーサを形成することもできる。続いて、配向膜35上に、貼り合わせおよび液晶の漏れを防止するためのシール剤パターン39を、例えば額縁状に塗布する図16B。このシール剤パターン39はディスペンサー法やスクリーン印刷法にて形成することができる。以下に、真空貼り合わせ法OneDropFill法、ODF法について説明するが、真空注入法やロール貼合方式などで光変調セル30-1を作成することも可能である。まず、セルギャップ、セル面積などから決まる体積分にあたる液晶とモノマーの混合物41を面内に均一に滴下する図16C。混合物41の滴下にはリニアガイド方式の精密ディスペンサーを用いることが好ましいが、シール剤パターン39を土手として利用して、ダイコータなどを用いてもよい。液晶とモノマーは前述の材料を用いることができるが、液晶とモノマーの重量比は98:2~50:50、好ましくは95:5~75:25、より好ましくは92:8~85:15である。液晶の比率を多くすることで駆動電圧を低くすることができるが、あまり液晶を多くしすぎると電圧印加時の白色度が低下したり、電圧オフ後に応答速度が低下するなど透明時に戻りにくくなったりする傾向がある。後の工程で形成されるバルク34Aの筋状構造の組織サイズは、上記範囲の間で液晶とモノマーの比率を変えることで適宜調整することが可能である。液晶の比率を多くすることで、組織サイズが大きくなる傾向にあり、逆に液晶の比率を少なくすることで、組織サイズが小さくなる傾向にある。また、開始材料の添加量が多くなるほど組織サイズが小さくなる傾向にあり、照射する紫外線照度が強いほど組織サイズが小さくなる傾向にある。混合物41には、液晶とモノマーの他には、重合開始剤を添加する。使用する紫外線波長に応じて、添加する重合開始剤のモノマー比を0.1~10重量の範囲内で調整する。混合物41には、この他に、重合禁止剤や可塑剤、粘度調整剤なども必要に応じて添加可能である。モノマーが室温で固体やゲル状である場合には、口金やシリンジ、基板を加温することが好ましい。透明基板31および透明基板37を真空貼り合わせ機図示せずに配置したのち、真空排気し、貼り合わせを行う図17A。その後、貼り合わせたものを大気に解放し、大気圧での均一加圧によってセルギャップを均一化する。セルギャップは白輝度白色度と駆動電圧の関係から適宜選定できるが、5~40μm、好ましくは6~20μm、より好ましくは7~10μmである。貼り合わせ後、必要に応じて配向処理を行うことが好ましい図示せず。クロスニコル偏光子の間に、貼り合わせたセルを挿入した際に、光り漏れが生じている場合には、セルをある一定時間加熱処理したり、室温で放置したりして配向させる。その後、紫外線L3を照射してモノマーを重合させてポリマー化する図17B。このようにして、光変調素子30が製造される。紫外線を照射している時には、セルの温度が変化しないようにすることが好ましい。また、紫外線を照射するにあたって、透明基板31または透明基板37を冷却する装置を用意し、紫外線を照射しつつ、透明基板31または透明基板37を上記の装置によって冷却することが好ましい。そのようにした場合には、ポリマーの重合温度が、例えば室温以下となり、液晶のオーダーパラメーターを下げることができるので、配向乱れを防ぎ、暗状態の散乱の波長依存性が小さくなる。また、モノマー内の不純物をあらかじめ取り除いておくことが好ましい。そのようにした場合には、配向乱れを防ぎ、暗状態の散乱の波長依存性が小さくなる。また、赤外線カットフィルターを用いたり、光源にUV-LEDなどを用いたりすることが好ましい。紫外線照度は複合材料の組織構造に影響を与えるので、使用する液晶材料やモノマー材料、これらの組成から適宜調整することが好ましく、0.1~500mW/cm2の範囲が好ましく、さらに好ましくは0.5~30mW/cm2である。紫外線照度が低いほど駆動電圧が低くなる傾向にあり、生産性と特性の両面から好ましい紫外線照度を選定することができる。複合材料の組織構造のサイズは、UV照度を調整することにより可能である。例えば、UV照度を上げると、粒子サイズが小さくなるので、散乱の波長依存性が大きくなる。そして、導光板10に光変調素子30を貼り合わせる図17C。貼り合わせには、粘着、接着のいずれでもよいが、導光板10の屈折率と光変調素子30の基板材料の屈折率とにできるだけ近い屈折率の材料で粘着、接着することが好ましい。最後に、下側電極32および上側電極36に引き出し線図示せずを取り付ける。このようにして、本実施の形態のバックライト1が製造される。このように、光変調素子30を作成し、最後に導光板10に光変調素子30を貼り合わせるプロセスを説明したが、導光板10の表面に、配向膜35を形成した透明基板37を予め貼り合わせてから、バックライト1を作成することもできる。また、枚葉方式、ロールツーロール方式のいずれでもバックライト1を作成することができる。ところで、透明導電膜がITOを含む膜である場合に、上述したように、その透明導電膜において、使用する光源の波長領域の範囲内で光吸収率の最大値と最小値の差が0.5以下となるようにするためには、例えば、以下に示した方法で透明導電膜を作成することが好ましい。なお、以下では、透明導電膜を形成する基板として樹脂基板を用いた場合について説明する。まず、例えば、スパッタリング法を用いて、樹脂基板上にITOを含む透明導電膜を成膜する。このとき、透明導電膜の物理膜厚dは、1nm<d<250nmを満たしており、10nm<d<30nmを満たすことが好ましい。次に、樹脂基板のガラス転移温度よりも低い温度で透明導電膜をアニールする。例えば、樹脂基板がゼオノアからなる場合には、120°C、1時間で、大気中で透明導電膜のアニールを行う。これにより、樹脂基板上の透明導電膜が結晶化する。このとき、結晶化した透明導電膜の抵抗値は、50Ω/□以上、10kΩ/□以下となっている。図18は、X線回折XRD;X‐raydiffraction測定により得られたXRDチャートを表したものである。X線回折の測定にはリガク株製のRad-IICを用いた。光源にはCu-Kα線波長:1.541オングストロームを用い、光源のパワーを40kV、40mAとした。光学系として、発散スリット1°、散乱スリット1°及び受光スリット0.15mmを採用した。図中の実線が、上記のようにして結晶化した透明導電膜のXRDチャートであり、図中の破線が、結晶化前の透明導電膜のXRDチャートである。図18から、上記のようにして結晶化した透明導電膜は、XRDチャートにおいて、222面にピークを有していることがわかる。このときのピークの半値幅は、0.03°~2°の範囲内にあることが好ましく、0.1°~0.7°の範囲内にあることがより好ましい。このピークは、結晶化前の透明導電膜では計測されない箇所に現れている。図19は、バックライトの輝度変化の場所依存性の一例を表したものである。図中の破線は、光変調素子30が設けられておらず、導光板10として印刷導光板が設けられているときの結果である。図中の一点鎖線および実線は、下側電極32および上側電極36が上記のようにして結晶化した透明導電膜からなり、かつ下側電極32が3つの部分電極32Aからなるバックライトの結果である。図中の一点鎖線は、各光変調セル30-1の一対の電極下側電極32、上側電極36間に同一の電圧具体的には140Vppを印加したときの結果である。図中の実線は、各光変調セル30-1に、光源20からの距離に応じたデューティー比の電圧を印加したときの結果である。その時の電圧振幅は同一にする。具体的には、図中の実線は、140Vpp印加時に、光源20に一番近い光変調セル30-1にデューティー比28で電圧を印加し、真ん中の光変調セル30-1にデューティー比45で電圧を印加し、光源20から一番遠い光変調セル30-1にデューティー比100で電圧を印加したときの結果である。図19から、同一の電圧条件で駆動を行った場合図中の一点鎖線には、印刷導光板だけを設けた場合図中の破線と比べて、85程度の輝度が得られることがわかった。また、図19から、PWM駆動を行った場合図中の実線であっても、印刷導光板だけを設けた場合図中の破線と比べて、80程度の輝度が得られることがわかった。なお、下側電極32および上側電極36が非結晶状態の透明導電膜からなる場合に、上記と同様の実験を行うと、同一の電圧条件で駆動を行った場合には、印刷導光板だけを設けた場合と比べて、54程度の輝度しか得られず、PWM駆動を行った場合には、印刷導光板だけを設けた場合と比べて、44程度の輝度しか得られないことがわかっている。つまり、下側電極32および上側電極36が結晶化した透明導電膜からなる場合には、下側電極32および上側電極36が非結晶状態の透明導電膜からなる場合と比べて、光取り出し効率が大幅に高くなることがわかった。次に、バックライト1の作用および効果について説明する。バックライト1では、例えば、光変調セル30-1において微粒子34Bの光軸AX2がバルク34Aの光軸AX1と平行もしくはほぼ平行となり、別の光変調セル30-1において微粒子34Bの光軸AX2がバルク34Aの光軸AX1と交差もしくは直交するように、各光変調セル30-1の一対の電極下側電極32、上側電極36に電圧が印加される。これにより、光源20から射出され、導光板10内に入射した光は、光変調素子30のうち、光軸AX1と光軸AX2とが互いに平行もしくはほぼ平行となっている透過領域30Aを透過する。一方、光源20から射出され、導光板10内に入射した光は、光変調素子30のうち、光軸AX1と光軸AX2とが互いに交差もしくは直交している散乱領域30Bにおいて散乱される。この散乱光のうち散乱領域30Bの下面を透過した光は反射板40で反射され、再度、導光板10に戻されたのち、バックライト1の上面から射出される。また、散乱光のうち、散乱領域30Bの上面に向かった光は、導光板10を透過したのち、バックライト1の上面から射出される。このように、本基本構成では、透明領域30Aの上面からは光はほとんど射出されず、散乱領域30Bの上面から光が射出される。このようにして、正面方向の変調比を大きくしている。ところで、バックライト1では、バルク34Aおよび微粒子34Bが光学異方性材料を主に含んで形成されているので、斜め方向において、散乱性が小さくなり、透明性を向上させることができる。例えば、バルク34Aおよび微粒子34Bが、互いに常光屈折率が等しく、かつ互いに異常光屈折率も等しい光学異方性材料を主に含んで構成され、かつ、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されていない領域では、これらの光軸の向きが一致もしくはほぼ一致する。これにより、正面方向光変調素子30の法線方向および斜め方向を含むあらゆる方向において屈折率差が少なくなるか、またはなくなり、高い透明性が得られる。その結果、視野角の大きい範囲における光の漏洩を低減またはほとんどなくすることができ、視野角特性を良くすることができる。例えば、常光屈折率1.5、異常光屈折率1.65の液晶と、常光屈折率1.5、異常光屈折率1.65の液晶性モノマーとを混合し、配向膜または電界によって液晶と液晶性モノマーを配向させた状態で液晶性モノマーを重合させると、液晶の光軸と、液晶性モノマーが重合することによって形成されたポリマーの光軸とが互いに一致する。これにより、あらゆる方向で屈折率を一致させることができるので、そのようにした場合には、透明性が高い状態を実現でき、より一層、視野角特性を良くすることができる。また、バックライト1では、例えば、図10A,Bに示したように、透明領域30Aの輝度黒表示の輝度が、印刷導光板あるいは散乱状態図10B中の一点鎖線と比べて下がっている。他方、散乱領域30Bの輝度は、印刷導光板図10B中の一点鎖線と比べて極めて高くなり、しかも、透明領域30Aの輝度が低下した分だけ、部分的な白表示の輝度輝度突き上げが大きくなる。ところで、輝度突き上げとは、全面白表示した場合に比べて、部分的に白表示を行った場合の輝度を高くする技術である。CRTやPDPなどでは一般によく使われている技術である。しかし、液晶ディスプレイでは、バックライトは画像にかかわらず全体に均一発光しているので、部分的に輝度を高くすることはできない。もっとも、バックライトを、複数のLEDを2次元配置したLEDバックライトとした場合には、LEDを部分的に消灯することは可能である。しかし、そのようにした場合には、LEDを消灯した暗領域からの拡散光がなくなるので、全てのLEDを点灯した場合と比べて、輝度が低くなってしまう。また、部分的に点灯しているLEDに対して流す電流を大きくすることにより、輝度を増やすことも可能であるが、そのようにした場合には、非常に短時間に大電流が流れるので、回路の負荷や信頼性の点で問題が残る。一方、バックライト1では、バルク34Aおよび微粒子34Bが光学異方性材料を主に含んで形成されているので、斜め方向の散乱性が抑制され、暗状態での導光板からの漏れ光が少ない。これにより、部分的な暗状態の部分から部分的な明状態の部分に導光するので、バックライト1への投入電力を増やすことなく、輝度突き上げを実現することができる。また、バックライト1では、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されていない領域において、微粒子34Bの光軸AX2が、導光板10の光入射面10Aと平行となっており、かつ透明基板31,37の表面と僅かな角度θ1で交差している。つまり、微粒子34B内に含まれる液晶分子が、光入射面10Aと平行な面内において角度θ1だけ傾斜した状態プレチルト角が付与された状態で配向している。そのため、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加された時に、微粒子34B内に含まれる液晶材料は、ランダムな方位に立ち上がることはなく、光入射面10Aと平行な面内で立ち上がる。このとき、バルク34Aおよび微粒子34Bの光軸AX1,AX2が、光入射面10Aと平行な面内において互いに交差もしくは直交する。この場合に、導光板10の光入射面10Aから入射した光において、透明基板31に対して垂直に振動する光は、微粒子34Bの異常光屈折率とバルク34Aの常光屈折率との差を感じる。このとき、微粒子34Bの異常光屈折率とバルク34Aの常光屈折率との差は大きいことから、透明基板31に対して垂直に振動する光の散乱効率が高くなる。一方、透明基板31に対して平行に振動する光は、微粒子34Bの常光屈折率とバルク34Aの異常光屈折率の差を感じる。このとき、微粒子34Bの常光屈折率とバルク34Aの異常光屈折率の差も大きいことから、透明基板31に対して平行に振動する光の散乱効率も高くなる。従って、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加された領域を伝播する光は、斜め方向の成分を多く含む。例えば、導光板10としてアクリル導光板を用いた場合には、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加された領域内の光は、41.8°以上の角度で伝播する。その結果、斜め方向を含むあらゆる方向において屈折率差が大きくなり、高い散乱性が得られるので、表示輝度を向上させることができる。また、上記の輝度突き上げの効果により、表示輝度をさらに向上させることができる。また、本実施の形態において、バルク34Aが、例えば、上述した筋状構造となっている場合に、短軸方向の平均的な筋状組織サイズが、0.05μm以上10μm以下となっているときには、光源20から射出された光が導光板10内を伝播していく過程で光変調素子30を繰り返し通過したときに、可視領域全体における光散乱のバランスを保つことが出来る。これにより、導光板10の端部に取り付けた光源20から離れるにつれて、照明光の長波長成分が多くなるのを低減することができる。その結果、照明光の可視領域全体における光強度分布の面内での相違をより少なくすることができる。また、本実施の形態において、下側電極32および上側電極36のうち少なくとも上側電極36が透明導電膜によって構成されている場合に、この透明導電膜が、|A1-A2|≦2.00を満たす膜であるときには、長波長側の成分が光源20からの距離に応じて変化する割合を低減することができる。その結果、照明光の可視領域全体における光強度分布の面内での相違を少なくすることができる。また、上記の透明導電膜が、|A1-A2|≦1.00を満たす膜であるときや、|A1-A2|≦0.5を満たす膜であるときには、長波長側の成分が光源20からの距離に応じて変化する割合をさらに低減することができる。その結果、照明光の可視領域全体における光強度分布の面内での相違をより少なくすることができる。また、本実施の形態において、下側電極32および上側電極36のうち少なくとも上側電極36がITO膜によって構成されている場合に、導光板10と光変調素子30の少なくとも一方が、長波長側の光を短波長側の光よりもより多く吸収する染料顔料を含んでいるときには、ITO膜を含む光変調素子30の、吸収の波長依存性を抑制することができる。その結果、照明光の可視領域全体における光強度分布の面内での相違をより少なくすることができる。また、本実施の形態において、短波長側の反射率が長波長側の反射率よりも小さな光学多層膜38が上側電極36上に設けられている場合には、下側電極32および上側電極36のうち少なくとも上側電極36がITO膜によって構成されているときであっても、光学多層膜38の作用により、ITO膜を含む光変調素子30の、反射の波長依存性を抑制することができる。その結果、照明光の可視領域全体における光強度分布の面内での相違をより少なくすることができる。また、本実施の形態において、バルク34Aおよび微粒子34Bが、上記の式1,2で示されるような関係となっている場合には、光源20から射出された光が導光板10内を伝播していく過程で光変調素子30内のバルク34Aおよび微粒子34Bを繰り返し通過したときに、光源20からの距離に応じた、暗状態における散乱の波長依存性を抑制することができる。その結果、暗状態において、照明光の可視領域全体における光強度分布の面内での相違をより少なくすることができる。さらに、バルク34Aおよび微粒子34Bが、上記の式3,4で示されるような関係となっている場合には、暗状態において、照明光の可視領域全体における光強度分布の面内での相違をさらに少なくすることができる。また、本実施の形態において、バルク34Aおよび微粒子34Bが、上記の式5,6で示されるような関係となっている場合には、光源20から射出された光が導光板10内を伝播していく過程で光変調素子30内のバルク34Aおよび微粒子34Bを繰り返し通過したときに、光源20からの距離に応じた、明状態における散乱の波長依存性を抑制することができる。その結果、明状態において、照明光の可視領域全体における光強度分布の面内での相違をより少なくすることができる。さらに、バルク34Aおよび微粒子34Bが、上記の式7,8で示されるような関係となっている場合には、明状態において、照明光の可視領域全体における光強度分布の面内での相違をさらに少なくすることができる。また、本実施の形態において、上述した、照明光の長波長成分を面内でより均一化する各手段のうち複数の手段を適用するようにした場合には、照明光の可視領域全体における光強度分布の面内での相違をさらに少なくすることができる。<2.第2の実施の形態>垂直配向PDLCを用いた例]次に、本発明の第2の実施の形態に係るバックライト2について説明する。図20Aは、本実施の形態に係るバックライト2の断面構成の一例を表したものである。図20Bは、図20Aのバックライト2に含まれる光変調素子60の断面構成の一例を表したものである。本実施の形態のバックライト2では、配向膜33,35として垂直用配向膜が用いられており、さらに上記実施の形態の光変調層34に代わって光変調層64が設けられている点で、上記実施の形態のバックライト1の構成と相違する。そこで、以下では、上記実施の形態の構成との共通点についての説明を適宜、省略し、上記実施の形態の構成との相違点について主に説明する。上述したように、本実施の形態では、配向膜33,35として垂直用配向膜が用いられている。この垂直用配向膜によって、後述のバルク64Aおよび微粒子64Bが透明基板31から傾斜配向したプレチルトが形成されている。垂直用配向膜としては、シランカップリング材料や、ポリビニルアルコールPVA、ポリイミド系材料、界面活性剤などを用いることが可能である。例えば、これらの材料を塗布、乾燥した後にラビング処理を行うことにより、ラビング方向にプレチルトが形成される。また、透明基板31,37としてプラスチックフィルムを用いる場合には、製造工程において、透明基板31,37の表面に配向膜33,35を塗布した後の焼成温度ができるだけ低いことが好ましいことから、配向膜33,35としてアルコール系溶媒を使用することの可能なシランカップリング材料を用いることが好ましい。なお、配向膜33,35にラビング処理を施さずに、プレチルトを形成するようにしてもよい。それを実現する方法としては、例えば、配向膜33,35にセルを作成し、そのセルに対して磁場やスリット電極による斜め電場を印加しながら紫外線を照射する方法がある。ただし、配向膜33,35として垂直用配向膜を用いるに際しては、微粒子64B内に含まれる液晶分子として、負の誘電率異方性を有するものいわゆるネガ型液晶を用いることが好ましい。次に、本実施の形態の光変調層64について説明する。光変調層64は、例えば、図20Bに示したように、バルク64A第4領域と、バルク64A内に分散された微粒子状の複数の微粒子64B第3領域とを含んだ複合層となっている。バルク64Aおよび微粒子64Bは光学異方性を有している。図21Aは、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されていない時の、微粒子64B内の配向状態の一例を模式的に表したものである。なお、図21Aにおいて、バルク64A内の配向状態についての記載を省略した。図21Bは、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されていない時の、バルク64Aおよび微粒子64Bの屈折率異方性を示す屈折率楕円体の一例を表したものである。図21Cは、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されていない時の、正面方向に向かう光L1と、斜め方向に向かう光L2とが光変調層64を透過する様子の一例を模式的表したものである。図22Aは、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されている時の、微粒子64B内の配向状態の一例を模式的に表したものである。なお、図22Aにおいて、バルク64A内の配向状態についての記載を省略した。図22Bは、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されている時の、バルク64Aおよび微粒子64Bの屈折率異方性を示す屈折率楕円体の一例を表したものである。図22Cは、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されている時の、正面方向に向かう光L1と、斜め方向に向かう光L2とが光変調層64において散乱される様子の一例を模式的表したものである。バルク64Aおよび微粒子64Bは、例えば、図21A,Bに示したように、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されていない時に、バルク64Aの光軸AX3および微粒子64Bの光軸AX4の向きが互いに一致する平行となる構成となっている。なお、光軸AX3,AX4とは、偏光方向によらず屈折率が一つの値になるような光線の進行方向と平行な線を指している。また、光軸AX3および光軸AX4の向きは常に互いに一致している必要はなく、光軸AX3の向きと光軸AX4の向きとが、例えば製造誤差などによって多少ずれていてもよい。また、微粒子64Bは、例えば、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されていない時に、光軸AX4が導光板10の光入射面10Aと平行となる構成となっている。微粒子64Bは、さらに、例えば、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されていない時に、光軸AX4が透明基板31,37の法線と僅かな角度θ3第3角度で交差する構成となっている図21B参照。なお、角度θ3については、微粒子64Bを構成する材料を説明する際に詳述する。一方、バルク64Aは、例えば、下側電極32および上側電極36間への電圧印加の有無に拘らず、バルク64Aの光軸AX3が一定となる構成となっている。具体的には、バルク64Aは、例えば、図21A,B,図22A,Bに示したように、バルク64Aの光軸AX3が導光板10の光入射面10Aと平行となると共に透明基板31,37の法線と僅かな角度θ3第3角度で交差する構成となっている。つまり、バルク64Aの光軸AX3は、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されていない時に、微粒子64Bの光軸AX4と平行となっている。なお、光軸AX4が常に、導光板10の光入射面10Aと平行となると共に透明基板31,37の法線と角度θ3で交差している必要はなく、例えば製造誤差などによって透明基板31,37の法線と、角度θ3とは若干異なる角度で交差していてもよい。また、光軸AX3,AX4が常に導光板10の光入射面10Aと平行となっている必要はなく、例えば製造誤差などによって導光板10の光入射面10Aと、小さな角度で交差していてもよい。ここで、バルク64Aおよび微粒子64Bの常光屈折率が互いに等しく、かつバルク64Aおよび微粒子64Bの異常光屈折率が互いに等しいことが好ましい。この場合に、例えば、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されていない時には、図21Aに示したように、正面方向および斜め方向を含むあらゆる方向において屈折率差がほとんどなく、高い透明性が得られる。これにより、例えば、図21Cに示したように、正面方向に向かう光L1および斜め方向に向かう光L2は、光変調層64内で散乱されることなく、光変調層64を透過する。その結果、上記実施の形態と同様、例えば、図10A,Bに示したように、光源20からの光L斜め方向からの光は、透明領域30Aの界面透明基板31または導光板10と空気との界面において全反射され、透明領域30Aの輝度黒表示の輝度が、光変調素子60を設けていない場合図10B中の一点鎖線と比べて下がる。また、バルク64Aおよび微粒子64Bは、例えば、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されている時には、図22Aに示したように、光軸AX3および光軸AX4の向きが互いに異なる交差する構成となっている。また、微粒子64Bは、例えば、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されている時に、微粒子64Bの光軸AX4が導光板10の光入射面10Aと平行となると共に透明基板31,37の法線と角度θ3よりも大きな角度θ4第4角度で交差するか、または透明基板31,37の表面と平行となる構成となっている。なお、角度θ4については、微粒子64Bを構成する材料を説明する際に詳述する。したがって、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加された領域内を伝播する光は、斜め方向の成分を多く含む。例えば、導光板10としてアクリル導光板を用いた場合には、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加された領域内の光は、41.8°以上の角度で伝播する。その結果、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加された領域内を伝播する光においては、屈折率差が大きくなり、高い散乱性が得られる。これにより、例えば、図22Cに示したように、正面方向に向かう光L1および斜め方向に向かう光L2は、光変調層64内で散乱される。その結果、上記実施の形態と同様、例えば、図10A,Bに示したように、光源20からの光L斜め方向からの光は、散乱領域30Bの界面透明基板31または導光板10と空気との界面を透過すると共に、反射板40側に透過した光は反射板40で反射され、光変調素子60を透過する。従って、散乱領域30Bの輝度は、印刷導光板図10B中の一点鎖線と比べて極めて高くなり、しかも、透明領域30Aの輝度が低下した分だけ、部分的な白表示の輝度輝度突き上げが大きくなる。なお、バルク64Aおよび微粒子64Bの常光屈折率は、互いに同一であることが好ましいが、例えば製造誤差などによって多少ずれていてもよい。そのずれ屈折率差Δnoが、可視領域において、例えば、0.1以下であることが好ましい図11参照。また、バルク64Aおよび微粒子64Bの異常光屈折率についても、互いに同一であることが好ましいが、例えば製造誤差などによって多少ずれていてもよい。そのずれ屈折率差Δneが、可視領域において、例えば、0.1以下であることが好ましい図11参照。また、バルク64Aの屈折率差ΔnP=異常光屈折率neP-常光屈折率noPや、微粒子64Bの屈折率差ΔnL=異常光屈折率neL-常光屈折率noLは、できるだけ大きいことが好ましく、0.05以上であることが好ましく、0.1以上であることがより好ましく、0.15以上であることがさらに好ましい。また、微粒子64Bの異常光屈折率neLとバルク64Aの常光屈折率noPとの差屈折率差ΔneLnoPが可視領域において0.1以上となっており、かつバルク64Aの異常光屈折率nePと微粒子64Bの常光屈折率noLとの差屈折率差ΔnePnoLが可視領域において0.1以上となっていることが好ましい。これらの場合には、光変調層64の散乱能が高くなり、導光条件を容易に破壊することができ、導光板10からの光を取り出しやすくなる。また、バルク64Aおよび微粒子64Bが、以下の式9,10で示されるような関係となっていることが好ましく、以下の式11,12で示されるような関係となっていることがより好ましい図12参照。|Δne450nm―Δne650nm|≦0.059...9|Δno450nm―Δno650nm|≦0.059...10|Δne450nm―Δne650nm|≦0.032...11|Δno450nm―Δno650nm|≦0.032...12Δne450nm:450nmにおけるΔneΔne650nm:650nmにおけるΔneΔne=neL-nePΔno450nm:450nmにおけるΔnoΔno650nm:650nmにおけるΔnoΔno=noL-noPまた、バルク64Aおよび微粒子64Bが、以下の式13,14で示されるような関係となっていることが好ましく、以下の式15,16で示されるような関係となっていることがより好ましい図13参照。|ΔneLnoP450nm-ΔneLnoP650nm|≦0.080...13|ΔnePnoL450nm-ΔnePnoL650nm|≦0.080...14|ΔneLnoP450nm-ΔneLnoP650nm|≦0.044...15|ΔnePnoL450nm-ΔnePnoL650nm|≦0.044...16ΔneLnoP450nm:450nmにおけるneLnoPΔneLnoP650nm:650nmにおけるneLnoPΔneLnoP=neL-noPΔnePnoL450nm:450nmにおけるnePnoLΔnePnoL650nm:650nmにおけるnePnoLΔnePnoL=neP-noLまた、バルク64Aおよび微粒子64Bは、電場に対する応答速度が互いに異なっている。バルク64Aは、例えば、電場に対して応答しない筋状構造図14A,B参照もしくは多孔質構造となっているか、または微粒子64Bの応答速度よりも遅い応答速度を有する棒状構造となっている。バルク64Aは、例えば、低分子モノマーを重合化することにより得られた高分子材料によって形成されている。バルク64Aは、例えば、微粒子64Bの配向方向または配向膜33,35の配向方向に沿って配向した、配向性および重合性を有する材料例えばモノマーを熱および光の少なくとも一方によって重合させることにより形成されている。バルク64Aが、例えば、上述した筋状構造となっている場合には、短軸方向の平均的な筋状組織サイズは、導光光の散乱性を高くするという観点からは、0.05μm以上10μm以下となっていることが好ましく、0.2μm以上7μm以下の範囲であることがより好ましい。また、散乱の波長依存性を少なくするという観点からは、短軸方向の平均的な筋状組織サイズは、0.5μm以上5μm以下の範囲であることが好ましく、1~3μmの範囲であることがより好ましい。これらの理由は上記実施の形態で言及した通りである。一方、微粒子64Bは、例えば、液晶材料を主に含んで構成されており、バルク64Aの応答速度よりも十分に早い応答速度を有している。微粒子64B内に含まれる液晶材料液晶分子は、例えば棒状分子である。微粒子64B内に含まれる液晶分子として、負の誘電率異方性を有するものいわゆるネガ型液晶が用いられている。ここで、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されていない時には、微粒子64B内において、液晶分子の長軸方向は、光軸AX3と平行となっている。このとき、微粒子64B内の液晶分子の長軸は、導光板10の光入射面10Aと平行となると共に透明基板31,37の法線と僅かな角度θ3で交差している。つまり、微粒子64B内の液晶分子は、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されていない時には、導光板10の光入射面10Aと平行な面内において角度θ3だけ傾斜した状態で配向している。この角度θ3は、プレチルト角と呼ばれるもので、例えば0.1°以上30°以下の範囲であることが好ましい。この角度θ3は、0.5°以上10°以下の範囲であることがより好ましく、0.7°以上2°以下の範囲であることがさらにより好ましい。角度θ3を大きくすると、後述するような理由から散乱の効率が低下する傾向にある。また、角度θ3を小さくし過ぎると例えば、ほぼ0°すると、電圧印加時に液晶の立ち下がる方位角がばらつく。例えば、180°反対側の方位リバースチルトに液晶が立ち下がることもある。これにより、微粒子64Bとバルク64Aとの屈折率差を有効に利用できないので、散乱効率が低くなり、輝度が小さくなる傾向にある。また、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されている時には、微粒子64B内において、液晶分子の長軸方向は、光軸AX3と交差もしくは直交している。このとき、微粒子64B内の液晶分子の長軸は、導光板10の光入射面10Aと平行となると共に透明基板31,37の法線と角度θ3よりも大きな角度θ4で交差している。つまり、微粒子64B内の液晶分子は、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されている時には、導光板10の光入射面10Aと平行な面内において角度θ4だけ傾斜した状態もしくは角度θ4=90°で横に寝た状態で配向している。上記した、配向性および重合性を有するモノマーとしては、光学的に異方性を有しており、かつ液晶と複合する材料であればよいが、本実施の形態では紫外線で硬化する低分子モノマーであることが好ましい。電圧無印加の状態で、液晶と、低分子モノマーを重合化することにより形成されたもの高分子材料との光学的異方性の方向が一致していることが好ましいので、紫外線硬化前において、液晶と低分子モノマーが同一方向に配向していることが好ましい。微粒子64Bとして液晶が用いられる場合に、その液晶が棒状分子であるときには、使用するモノマー材料の形状も棒状であることが好ましい。以上のことから、モノマー材料としては重合性と液晶性を併せ持つ材料を用いることが好ましく、例えば、重合性官能基として、アクリレート基、メタクリレート基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニルエーテル基およびエポキシ基からなる群から選ばれた少なくとも1つの官能基を有することが好ましい。これらの官能基は、紫外線、赤外線または電子線を照射したり、加熱したりすることによって重合させることができる。紫外線照射時の配向度低下を抑制するために、多官能基をもつ液晶性材料を添加することもできる。バルク64Aを上述した筋状構造とする場合には、バルク64Aの原料として、2官能液晶性モノマーを用いることが好ましい。また、バルク64Aの原料に対して、液晶性を示す温度の調整を目的に単官能モノマーを添加したり、架橋密度向上を目的に3官能以上のモノマーを添加したりすることもできる。次に、本実施の形態のバックライト2の作用および効果について説明する。本実施の形態のバックライト2では、例えば、光変調セル30-1において微粒子64Bの光軸AX4がバルク34Aの光軸AX3と平行もしくはほぼ平行となり、別の光変調セル30-1において微粒子64Bの光軸AX4がバルク64Aの光軸AX3と交差もしくは直交するように、各光変調セル30-1の一対の電極下側電極32、上側電極36に電圧が印加される。これにより、光源20から射出され、導光板10内に入射した光は、光変調素子60のうち、光軸AX3と光軸AX4とが互いに平行もしくはほぼ平行となっている透過領域30Aを透過する。一方、光源20から射出され、導光板10内に入射した光は、光変調素子60のうち、光軸AX3と光軸AX4とが互いに交差もしくは直交している散乱領域30Bにおいて散乱される。この散乱光のうち散乱領域30Bの下面を透過した光は反射板40で反射され、再度、導光板10に戻されたのち、バックライト2の上面から射出される。また、散乱光のうち、散乱領域30Bの上面に向かった光は、導光板10を透過したのち、バックライト2の上面から射出される。このように、本実施の形態では、透明領域30Aの上面からは光はほとんど射出されず、散乱領域30Bの上面から光が射出される。このようにして、正面方向の変調比を大きくしている。ところで、本実施の形態では、バルク64Aおよび微粒子64Bが光学異方性材料を主に含んで形成されているので、斜め方向において、散乱性が小さくなり、透明性を向上させることができる。例えば、バルク64Aおよび微粒子64Bが、互いに常光屈折率が等しく、かつ互いに異常光屈折率も等しい光学異方性材料を主に含んで構成され、かつ、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されていない領域では、これらの光軸の向きが一致もしくはほぼ一致する。これにより、正面方向光変調素子60の法線方向および斜め方向を含むあらゆる方向において屈折率差が少なくなるか、またはなくなり、高い透明性が得られる。その結果、視野角の大きい範囲における光の漏洩を低減またはほとんどなくすることができ、視野角特性を良くすることができる。例えば、常光屈折率1.5、異常光屈折率1.65の液晶と、常光屈折率1.5、異常光屈折率1.65の液晶性モノマーとを混合し、配向膜または電界によって液晶と液晶性モノマーを配向させた状態で液晶性モノマーを重合させると、液晶の光軸と、液晶性モノマーが重合することによって形成されたポリマーの光軸とが互いに一致する。これにより、あらゆる方向で屈折率を一致させることができるので、そのようにした場合には、透明性が高い状態を実現でき、より一層、視野角特性を良くすることができる。また、本実施の形態では、例えば、図10A,Bに示したように、透明領域30Aの輝度黒表示の輝度が、印刷導光板あるいは散乱領域図10B中の一点鎖線と比べて下がっている。他方、散乱領域30Bの輝度は、印刷導光板図10B中の一点鎖線と比べて極めて高くなり、しかも、透明領域30Aの輝度が低下した分だけ、部分的な白表示の輝度輝度突き上げが大きくなる。これは、バルク64Aおよび微粒子64Bが光学異方性材料を主に含んで形成されており、斜め方向の散乱性が抑制され、暗状態での導光板からの漏れ光が少ないからである。従って、部分的な暗状態の部分から部分的な明状態の部分に導光するので、バックライト2への投入電力を増やすことなく、輝度突き上げを実現することができる。また、本実施の形態では、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加されていない領域において、微粒子64Bの光軸AX4が、導光板10の光入射面10Aと平行となっており、かつ透明基板31,37の法線と僅かな角度θ3で交差している。つまり、微粒子64B内に含まれる液晶分子が、光入射面10Aと平行な面内において角度θ3だけ傾斜した状態プレチルト角が付与された状態で配向している。そのため、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加された時に、微粒子64B内に含まれる液晶材料は、ランダムな方位に倒れることはなく、光入射面10Aと平行な面内で倒れる。このとき、バルク64Aおよび微粒子64Bの光軸AX3,AX4が、光入射面10Aと平行な面内において互いに交差もしくは直交する。この場合に、導光板10の光入射面10Aから入射した光において、透明基板31に対して垂直に振動する光は、微粒子64Bの常光屈折率とバルク64Aの異常光屈折率との差を感じる。このとき、微粒子64Bの常光屈折率とバルク64Aの異常光屈折率との差は大きいことから、透明基板31に対して垂直に振動する光の散乱効率が高くなる。一方、透明基板31に対して平行に振動する光は、微粒子64Bの異常光屈折率とバルク64Aの常光屈折率の差を感じる。このとき、微粒子64Bの異常光屈折率とバルク64Aの常光屈折率の差も大きいことから、透明基板31に対して平行に振動する光の散乱効率も高くなる。従って、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加された領域を伝播する光は、斜め方向の成分を多く含む。例えば、導光板10としてアクリル導光板を用いた場合には、下側電極32および上側電極36間に電圧が印加された領域内の光は、41.8°以上の角度で伝播する。その結果、屈折率差が大きくなり、高い散乱性が得られるので、表示輝度を向上させることができる。また、上記の輝度突き上げの効果により、表示輝度をさらに向上させることができる。一方、例えば、電圧無印加時に導光板10の光入射面10Aに垂直に、バルク64Aおよび微粒子64Bの光軸AX3,AX4を配置した場合には、透明基板31に対して垂直に振動する光は、前述した場合と同様に、微粒子64Bの常光屈折率とバルク64Aの異常光屈折率との差を感じるが、透明基板31に対して平行方向に振動する光は、微粒子64Bの常光屈折率とバルク64Aの常光屈折率との差を感じることになる。ここで、微粒子64Bの常光屈折率とバルク64Aの常光屈折率との差は、ほとんどないか、または全くない。そのため、光入射面10Aから入射した光において、透明基板31に対して垂直に振動する光は、前述した場合と同様に大きな屈折率差を感じるが、透明基板31に対して平行方向に振動する光は、屈折率差をほとんど感じないか、または全く感じない。その結果、透明基板31に対して垂直に振動する光の散乱効率は高くなるが、透明基板31に対して平行に振動する光の散乱効率は低いか、または、ゼロとなる。従って、光入射面10Aに対して光軸AX3,AX4を垂直に配置した場合には、光入射面10Aに対して光軸AX3,AX4を平行に配置した場合に比べて、散乱光率が低くなるので、導光板10から取り出せる輝度が低くなる。また、プレチルトを形成しない場合、または、実質的にプレチルト角がほぼ90°となっている場合には、液晶が倒れる方位はランダムになるので、屈折率差は、バルク64Aおよび微粒子64Bの光軸AX3,AX4を導光板10の光入射面10Aと平行にした場合の屈折率差と垂直にした場合の屈折率差との平均になる。従って、これらの場合においても、バルク64Aおよび微粒子64Bの光軸AX3,AX4を導光板10の光入射面10Aと平行にした場合に比べて、取り出せる輝度が低くなる。また、本実施の形態において、バルク64Aが、例えば、上述した筋状構造となっている場合に、短軸方向の平均的な筋状組織サイズが、0.05μm以上10μm以下となっているときには、光源20から射出された光が導光板10内を伝播していく過程で光変調素子60を繰り返し通過したときに、可視領域全体における光散乱のバランスを保つことが出来る。これにより、導光板10の端部に取り付けた光源20から離れるにつれて、照明光の長波長成分が多くなるのを低減することができる。その結果、照明光の可視領域全体における光強度分布の面内での相違をより少なくすることができる。また、本実施の形態において、バルク64Aおよび微粒子64Bが、上記の式9,10で示されるような関係となっている場合には、光源20から射出された光が導光板10内を伝播していく過程で光変調素子60内のバルク64Aおよび微粒子64Bを繰り返し通過したときに、光源20からの距離に応じた、暗状態における散乱の波長依存性を抑制することができる。その結果、暗状態において、照明光の可視領域全体における光強度分布の面内での相違をより少なくすることができる。さらに、バルク64Aおよび微粒子64Bが、上記の式11,12で示されるような関係となっている場合には、暗状態において、照明光の可視領域全体における光強度分布の面内での相違をさらに少なくすることができる。また、本実施の形態において、バルク64Aおよび微粒子64Bが、上記の式13,14で示されるような関係となっている場合には、光源20から射出された光が導光板10内を伝播していく過程で光変調素子60内のバルク64Aおよび微粒子64Bを繰り返し通過したときに、光源20からの距離に応じた、明状態における散乱の波長依存性を抑制することができる。その結果、明状態において、照明光の可視領域全体における光強度分布の面内での相違をより少なくすることができる。さらに、バルク64Aおよび微粒子64Bが、上記の式15,16で示されるような関係となっている場合には、明状態において、照明光の可視領域全体における光強度分布の面内での相違をさらに少なくすることができる。また、本実施の形態において、上述した、照明光の長波長成分を面内でより均一化する各手段のうち複数の手段を適用するようにした場合には、照明光の可視領域全体における光強度分布の面内での相違をさらに少なくすることができる。<3.変形例>上記各実施の形態では、光変調素子30,60は、導光板10の背後下面に空気層を介さずに密着して接合されていたが、例えば、図23に示したように、導光板10の上面に空気層を介さずに密着して接合されていてもよい。また、光変調素子30,60は、例えば、図24に示したように、導光板10の内部に設けられていてもよい。ただし、この場合でも、光変調素子30,60は、導光板10と空気層を介さずに密着して接合されていることが必要である。また、上記各実施の形態およびその変形例では、導光板10の上に特に何も設けられていなかったが、例えば、図25に示したように、光学シート70例えば、拡散板、拡散シート、レンズフィルム、偏光分離シートなどを設けてもよい。このようにした場合には、導光板10から斜め方向に射出した光の一部が正面方向に立ち上がるので、変調比を効果的に向上させることができる。ところで、上記各実施の形態およびその変形例において、光変調素子30,60は電圧印加の有無により透明と散乱を切り換えるものである。バルク34A,64Aの散乱粒子径が可視光波長と同程度となっている場合には、散乱の波長依存性を持つ。また、光変調素子30,60が屈折率の波長分散を持つ場合も同様に、散乱の波長依存性を持つ。エッジライト方式では、光源から遠い部分において、光源付近での散乱履歴の影響を受けるので、この散乱の波長依存性により、面内色度差が大きくなる傾向にある。従って、光変調素子30,60の散乱波長依存性を低減することが好ましい。光変調素子30,60の散乱波長依存性は、光変調素子30,60内のある一点における散乱光スペクトルと導光光スペクトルの比をとることで算出することが可能である。散乱光スペクトルは、光変調素子30,60の一部分を散乱状態にさせ、バックライト1,2上面に配置した拡散シートおよびプリズムシートを透過した光を、輝度計を用いて測定することにより得られる。このとき、輝度計の位置は、散乱領域内の散乱履歴が反映されないようにするために、散乱領域のうち光源20に最も近い箇所の直上にする。導光光スペクトルは、光変調素子30,60上にマッチングオイルを介して拡散シートを貼り、意図的に導光条件を崩した状態で測定される。導光光スペクトルの測定時には、拡散シートの上にプリズムシートを配置し、輝度計の位置および光学シートの構成は散乱光スペクトルの測定時と同様にする。一般的に、PDLCの散乱粒子径は可視光波長と同程度であり、またPDLCは屈折率の波長分散を持つことから、PDLCは散乱の波長依存性を持つことが知られている。図26は、筋状構造を持つPDLCの散乱波長依存性を示す。筋状構造を持つPDLCでは、組織が大きいので散乱波長依存性は比較的小さい。しかし、理想的には、可視光に対して各波長における散乱度合いが一定であることが望ましい。筋状構造を持つPDLCにおいて散乱波長依存性が生じる原因としては、例えば、液晶とモノマーのそれぞれに屈折率の波長依存性があることが考えられる。そこで、例えば、液晶およびモノマーの種類、液晶とモノマーの重量比、重合開始剤量の種類、重合時の紫外線強度および波長、重合時のサンプル温度などを調整することで、屈折率の波長依存性を低減することが考えられる。また、例えば、液晶とモノマーの界面接触面積を大きくしたり、液晶とモノマーの屈折率差を大きくしたりすることにより散乱効率を増加させ、多重散乱を増加させることにより取り出し波長を均一化し、散乱の波長依存性を低減することも考えられる。また、例えば、PDLCを厚くして光路長を長くすることで、多重散乱により取り出し波長を均一化し、それにより、散乱の波長依存性を低減することも考えられる。以下では、モノマーの種類を調整することにより散乱効率を増加させることと、PDLCを厚くして多重散乱により取り出し波長を均一化することについて詳細に説明する。まず、モノマーの種類を調整することにより散乱効率を増加させることついて説明する。PDLCは液晶とモノマーの混合物のうちモノマーを重合化することにより得られるものである。そのため、モノマーの種類を変えることで散乱効率を調整することができる。例えば、モノマーとして2官能モノマーのみを用いることにより筋状の組織構造が得られるのに対して、2官能モノマーに多官能モノマーを適量添加したものをモノマーとして用いることにより、筋状組織に三次元的なネットワーク構造が形成される。ここで、三次元的なネットワーク構造とは、筋に対して垂直な方向にも高分子が少し枝分かれしたような構造を指している。このように、筋状組織に三次元的なネットワーク構造が形成されることにより、散乱界面が増えて多重散乱による散乱波長依存性の改善が期待される。ただし、2官能モノマーに多官能モノマーを添加し過ぎると、筋状組織が崩れ過ぎ、散乱効率が小さくなってしまう。従って、多官能モノマーは、全モノマーの0wtより大きく、70wt未満であることが好ましく、5wtより大きく、50wt未満であることがより好ましい。また、官能基の数が多すぎると配向性を乱す傾向があるので、多官能モノマーとしては、3官能モノマーが好ましい。次に、PDLCを厚くして多重散乱により取り出し波長を均一化することについて説明する。PDLCの組成を変えずに、PDLCを厚くすると、単位体積あたりの散乱効率は一定のままで、PDLC内の光路長が長くなる。そのため、PDLC内部で多重散乱が起こり、散乱波長依存性が改善されると考えられる。PDLCが薄すぎると、輝度ムラなどが生じやすくなるので、PDLCは厚い方が好ましい。しかし、PDLCが厚すぎると、駆動電圧が高くなり、さらに、コストが高くなったり、透明状態での輝度が高くなったりする場合もある。このため、PDLCの厚みは3μm以上、70μm以下であることが好ましく、さらに5μm以上、50μm以下であることがより好ましく、7μm以上、20μm以下であることがより好ましい。次に、実施例について説明する。なお、下記の実施例は例示であり、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。小ガラスセル作成方法30mm×40mmサイズのPDLC小ガラスセルを以下のようにして作成した。まず、ガラス基板上にITOをスパッタにより製膜した後、ITO表面にポリイミド溶液をスピンコータにて塗布し80°C、10分の乾燥を行った。次に、200°C、60分の焼成を行った後、ラビング布を用いてラビングを行い、配向膜を作成した。作成した配向膜にビーズの散布を行い、外周に熱硬化シールを描画した後、80°C、10分間加熱を行った。加熱後、このガラス基板を、別途用意した配向膜付ITOガラス基板と貼り合わせ、貼り合わせたガラス基板同士の隙間に、液晶、紫外線硬化性モノマー、重合開始剤を所定組成になるように混合した溶液以下モノマー混合液晶と称する。を注入する。続いて、紫外線により露光を行った後、紫外線硬化樹脂で注入口を封止することにより、PDLCを作製した。その後、このPDLCを、マッチングオイルを介して導光板に貼り合わせた。このようにして、小ガラスセルを作成した。フィルムセル作成方法300mm×250mmサイズのPDLCフィルムセルを以下のようにして作成した。まず、フィルム基板ゼオノア上にITOをスパッタにより製膜した後、ITO表面にポリアミドイミド溶液をバーコータにて塗布し80°C、10分の乾燥を行った。次に、ラビング布を用いてラビングを行い、配向膜を作成した。続いて、配向膜付フィルム基板のフィルム面を、粘着材料を用いて5mm厚の導光板に貼り合わせることにより、導光板付ITOフィルムを作成した。さらに、導光板付ITOフィルム上に、ビーズの散布を行い、続いてモノマー混合液晶を大気中で滴下した後、その導光板付ITOフィルムを、別途用意した配向膜付ITOフィルムに、ラミネータにより大気下で貼り合わせた。最後に、紫外線により露光を行った。このようにして、フィルムセルを作成した。輝度およびスペクトル評価方法作成したセルの導光板端面に白色LEDの光を照射した。導光板の上部には拡散シートおよびレンズシートをこの順に載せ、セルに電圧を印加しながら、輝度計トプコン社製SRUL1を用いて、輝度およびスペクトルを測定した。散乱波長依存性に関しては前述したように正規化した散乱光スペクトルと正規化した導光光スペクトルの比と定義した。また、散乱波長依存性の度合いを表す傾きkは、最小二乗法で直線近似したときの傾きを表している。まず、作成したセルについて説明をする。実施例1では、上述した小ガラスセルの作成方法に従ってセル厚み7μmでセルの作成を行い、モノマー混合液晶が質量比にして液晶:モノマー=9010、全モノマーに対する3官能混合率0wt、重合開始剤が全モノマーの1wtとなるように混合した。露光は室温にて、ピーク波長365nm、露光強度5.4J/cm2で行った。実施例2では、3官能混合率を20wtにした以外は実施例1と同様にして作成した。実施例3,4では、セル厚みをそれぞれ9μm、13.5μmにした以外は実施例2と同様にして作成した。実施例5では、セルの材質をフィルムにし、厚みを7.5μmにした以外は実施例1と同様にして作成した。実施例6では、3官能混合率を20wtにした以外は実施例5と同様にして作成した。実施例7,8では、セル厚みをそれぞれ3μm、15μmにした以外は実施例6と同様にして作成した。表1には、それぞれ実施例の作成条件および輝度、傾きkを示す。以下、実施例の評価結果について説明を行う。実施例1,2まず、モノマーの種類を調整することにより散乱効率を増加させることにより散乱波長依存性の改善を図った。評価には上記作成方法により作成した小ガラスセルを用い、モノマー混合液晶として2官能モノマーのみを使用した実施例1と3官能モノマーを全モノマー重量比で20wt添加した実施例2で比較を行った図27A,B。図27Aは、セル厚み7μm、駆動電圧140Vpp、印加周波数100Hzで駆動した白状態における輝度を示す。図27Bは、白状態における散乱の波長依存性を示す。図27Aから、2官能モノマーに3官能モノマーを添加することにより、輝度は6165cd/m2から7552cd/m2に上昇しており、より高輝度になっていることがわかる。図27Bから、最小二乗法により直線近時した傾きknm1は、それぞれ-0.00059、-0.00046となり、2官能モノマーに3官能モノマーを添加することにより散乱波長依存性が改善していることが確認できる。これは3官能モノマーによりPDLCの散乱効率が高くなり、多重散乱が増えたためだと考えられる。実施例5,6図28は、フィルムセルでの実施例を示したものである。セル厚みは7.5μm、駆動電圧140Vpp、印加周波数240Hzで計測を行った。フィルムセルにおいても同様に、傾きknm1は2官能モノマーのみの組成実施例5で-0.00096、3官能モノマーを全モノマー重量比で20wt添加した組成実施例6で-0.00068となり、2官能モノマーに3官能モノマーを添加することにより散乱の波長依存性が改善されていることが確認された。実施例2,3,4次に、PDLCを厚くすることにより散乱波長依存性の改善を図った。組成を変化させずに、小セルの厚みを7μm実施例2、9μm実施例3、13.5μm実施例4と変化させ、駆動電圧140Vpp、印加周波数100Hzで駆動した白状態の輝度、ヘイズ、散乱波長依存性の変化を観察した。図29Aは、セルの厚みと輝度およびヘイズとの関係を示したものである。図29Bは、セルの厚みと散乱波長依存性の関係を示したものである。図29Aから、セル厚みが増加するにつれて輝度が7552cd/m2、7963cd/m2、8518cd/m2と増加していることを確認できる。図29Aから、セル厚みが増加するにつれてヘイズつまり散乱性も増加していることを確認できる。さらに、図29Bから、厚みが増加するに伴い、傾きknm1が-0.00046、-0.00013、-0.00004と0ゼロに近づき、輝度と同様に散乱波長依存性が改善していることがわかる。これはセルの厚みが増加して多重散乱による取り出し波長の平均化が生じたためと考えられる。実施例6,7,8図30は、フィルムセルでの実施例を示したものである。セル厚みは3μm実施例7、7.5μm実施例6、15μm実施例8、駆動電圧140Vpp、印加周波数240Hzで行った。フィルムセルにおいても同様に傾きknm1は、セル厚みの増加に伴い-0.00149、-0.00068、-0.00001と減少し、散乱波長依存性の改善が確認された。以上をまとめると、液晶およびモノマーの配向制御により筋状組織を形成し、さらに、3官能モノマーの添加によってPDLCの散乱効率を増加させたり、あるいは、セルの厚みを厚くし光路長を長くすることで多重散乱を増やしたりすることにより、取り出し波長の均一化を図ることができた。また、小セルおよびフィルムセルを用いた実施例1,2,5,6では、3官能モノマーを添加することで散乱効率が増加し、散乱波長依存性が改善されていることがわかった。また、実施例2~4,6~8では、セルの厚みを厚くしていくことで、散乱波長依存性が段階的に改善していることもわかった。<4.適用例>次に、上記各実施の形態のバックライト1,2の一適用例について説明する。図31は、本適用例にかかる表示装置3の概略構成の一例を表したものである。この表示装置2は、液晶表示パネル80表示パネルと、液晶表示パネル80の背後に配置されたバックライト1,2とを備えている。なお、表示装置3に搭載されるバックライトとして、第1の実施の形態のバックライト1、第2の実施の形態のバックライト2のいずれも用いることが可能である。液晶表示パネル80は、映像を表示するためのものである。この液晶表示パネル80は、例えば、映像信号に応じて各画素が駆動される透過型の表示パネルであり、液晶層を一対の透明基板で挟み込んだ構造となっている。具体的には、液晶表示パネル80は、バックライト1,2側から順に、偏光子、透明基板、画素電極、配向膜、液晶層、配向膜、共通電極、カラーフィルタ、透明基板および偏光子を有している。透明基板は、可視光に対して透明な基板、例えば板ガラスからなる。なお、バックライト1側の透明基板には、図示しないが、画素電極に電気的に接続されたTFTThinFilmTransistor;薄膜トランジスタおよび配線などを含むアクティブ型の駆動回路が形成されている。画素電極および共通電極は、例えばITOからなる。画素電極は、透明基板上に格子配列またはデルタ配列されたものであり、画素ごとの電極として機能する。他方、共通電極は、カラーフィルタ上に一面に形成されたものであり、各画素電極に対して対向する共通電極として機能する。配向膜は、例えばポリイミドなどの高分子材料からなり、液晶に対して配向処理を行う。液晶層は、例えば、VAVerticalAlignmentモード、TNTwistedNematicモードまたはSTNSuperTwistedNematicモードの液晶からなり、駆動回路図示せずからの印加電圧により、バックライト1からの射出光の偏光軸の向きを画素ごとに変える機能を有する。なお、液晶の配列を多段階で変えることにより画素ごとの透過軸の向きが多段階で調整される。カラーフィルタは、液晶層を透過してきた光を、例えば、赤R、緑Gおよび青Bの三原色にそれぞれ色分離したり、または、R、G、Bおよび白Wなどの四色にそれぞれ色分離したりするカラーフィルタを、画素電極の配列と対応させて配列したものである。フィルタ配列画素配列としては、一般的に、ストライプ配列や、ダイアゴナル配列、デルタ配列、レクタングル配列のようなものがある。偏光子は、光学シャッタの一種であり、ある一定の振動方向の光偏光のみを通過させる。なお、偏光子は、透過軸以外の振動方向の光偏光を吸収する吸収型の偏光素子であってもよいが、バックライト1,2側に反射する反射型の偏光素子であることが輝度向上の観点から好ましい。偏光子はそれぞれ、偏光軸が互いに90度異なるように配置されており、これによりバックライト1,2からの射出光が液晶層を介して透過し、あるいは遮断されるようになっている。駆動回路50は、例えば、複数の光変調セル30-1のうち黒表示の画素位置に対応するセルにおいて微粒子34B,64Bの光軸AX2,AX4がバルク34A,64Aの光軸AX1,AX3と平行となり、複数の光変調セル30-1のうち白表示の画素位置に対応するセルにおいて微粒子34B,64Bの光軸AX2,AX4がバルク34A,64Aの光軸AX1,AX3と交差するように各光変調セル30-1の一対の電極下側電極32、上側電極36へ印加する電圧の大きさを制御するようになっている。本適用例では、液晶表示パネル80を照明する光源として、上記実施の形態のバックライト1,2が用いられている。これにより、視野角の大きい範囲における光の漏洩を低減またはほとんどなくしつつ、表示輝度を向上させることができる。その結果、正面方向の変調比を高くすることができる。また、バックライト1,2への投入電力を増やすことなく、輝度突き上げを実現することができる。また、照明光の可視領域全体における光強度分布の面内での相違を少なくすることができる。また、本適用例では、バックライト1,2は、表示画像に合わせて部分的に液晶表示パネル80に入射する光強度を変調する。しかし、光変調素子30,60に含まれる電極下側電極32、上側電極36のパターンエッジ部分で急激な明るさ変化があると、表示画像上でもその境界部分が見えてしまう。そこで、できるだけ電極境界部分において、明るさが単調に変化する特性が求められ、そのような特性のことをぼかし特性と呼ぶ。ぼかし特性を大きくするためには、拡散性の強い拡散板を用いるのが効果的であるが、拡散性が強いと、全光線透過率も低くなるので明るさが低くなる傾向にある。従って、本適用例において、光学シート70に拡散板を用いる場合には、その拡散板の全光線透過率は、50~85であることが好ましく、60~80であることがより好ましい。また、導光板10と、バックライト1,2内の拡散板との空間距離を大きくすればするほど、ぼかし特性は良くなる。また、この他に、光変調素子30,60に含まれる電極下側電極32、上側電極36のパターンの数を増やし、明と暗ができるだけ単調に変化するように各電極の電圧を調整することもできる。"