TiO2濃度が3~8質量であり、OH濃度が50質量ppm以下であり、波長365nmにおける厚さ1mmあたりの内部透過率T365が95以上である、TiO2含有石英ガラス基材。ハロゲン濃度が1000質量ppm以下である、請求項1に記載のTiO2含有石英ガラス基材。インプリントモールドに用いられるである、請求項1または2に記載のTiO2含有石英ガラス基材。TiO2濃度が3~8質量であるTiO2含有石英ガラス基材を製造する方法であって、下記の工程a~dを有する、TiO2含有石英ガラス基材の製造方法。aSiO2前駆体およびTiO2前駆体を含むガラス形成原料を火炎加水分解または熱分解して得られるTiO2-SiO2ガラス微粒子を、堆積させて多孔質TiO2-SiO2ガラス体を得る工程。b前記多孔質TiO2-SiO2ガラス体を減圧下にて1000~1300°Cに加熱して低OH化多孔質TiO2-SiO2ガラス体を得る工程。c前記低OH化多孔質TiO2-SiO2ガラス体を酸素ガス雰囲気下または不活性ガスおよび酸素ガスを含む雰囲気下にて緻密化温度に加熱してTiO2-SiO2緻密体を得る工程。d前記TiO2-SiO2緻密体を透明ガラス化温度に加熱して透明TiO2-SiO2ガラス体を得る工程。TiO2含有石英ガラスのOH濃度が50質量ppm以下である、請求項4に記載の製造方法。TiO2含有石英ガラスのハロゲン濃度が1000質量ppm以下である、請求項4または5に記載の製造方法。TiO2含有石英ガラスのTi3が4質量ppm以下である、請求項4~6のいずれか一項に記載の製造方法。しかし、TiO2含有石英ガラス基板の熱膨張係数は、TiO2濃度、仮想温度、及び、OHなどのその他成分の濃度によって変化する。OH濃度が高いと構造緩和がしやすくなることから、ガラスの外側と内側で仮想温度の差が生じやすくなり、熱膨張係数の分布が形成されやすくなる。また、OH濃度が高いと、OH濃度の分布も大きくなり、熱膨張係数の分布が形成されやすくなる。一方、OH濃度が低いと、OH濃度の分布が付きにくいだけでなく、構造緩和が抑制されることから、仮想温度の分布が形成されにくくなり、均一な熱膨張係数を有するガラスが得やすい。また、さらに、OH濃度が高い場合には、インプリントモールドにクラックが生成しやすくなるという問題が生じる。そこで、TiO2含有石英ガラス基材のOH濃度を低くすることが考えられるが、OH濃度を低くすると、TiO2が還元されてTi3が生成しやすくなる。Ti3は、光インプリント法にて取り扱われる紫外線365nmを吸収するため、インプリントモールドの波長365nmにおける内部透過率が低下する。また、TiO2含有石英ガラス基材のOH濃度を低下させる方法としては、ハロゲン濃度特にフッ素濃度を高くする方法が知られているが、ハロゲン濃度を高くすると、Ti3がさらに生成しやすくなるという問題がある。本発明は、寸法精度が高く、硬度が十分に高く、クラックが生成しにくく、かつ紫外線365nmの透過率が十分に高いインプリントモールドを得るのに特に適したTiO2含有石英ガラス基材およびその製造方法を提供する。本発明のTiO2含有石英ガラス基材は、TiO2濃度が3~8質量であり、OH濃度が50質量ppm以下であり、波長365nmにおける厚さ1mmあたりの内部透過率T365が95以上である。本発明のTiO2含有石英ガラス基材は、ハロゲン濃度が1000質量ppm以下であることが好ましい。本発明のTiO2含有石英ガラス基材は、好ましくはインプリントモールドに用いられる。本発明のTiO2含有石英ガラス基材の製造方法は、TiO2濃度が3~8質量であるTiO2含有石英ガラス基材を製造する方法であって、下記の工程a~dを有する。aSiO2前駆体およびTiO2前駆体を含むガラス形成原料を火炎加水分解または熱分解して得られるTiO2-SiO2ガラス微粒子を、堆積させて多孔質TiO2-SiO2ガラス体を得る工程。b前記多孔質TiO2-SiO2ガラス体を減圧下にて1000~1300°Cに加熱して低OH化多孔質TiO2-SiO2ガラス体を得る工程。c前記低OH化多孔質TiO2-SiO2ガラス体を酸素ガス雰囲気下または不活性ガスおよび酸素ガスを含む雰囲気下にて緻密化温度に加熱してTiO2-SiO2緻密体を得る工程。d前記TiO2-SiO2緻密体を透明ガラス化温度に加熱して透明TiO2-SiO2ガラス体を得る工程。本発明の製造方法において、TiO2含有石英ガラス基材は、OH濃度が50質量ppm以下であることが好ましい。また、本発明の製造方法において、TiO2含有石英ガラス基材は、ハロゲン濃度が1000質量ppm以下であることが好ましい。さらに、本発明の製造方法において、TiO2含有石英ガラス基材のTi3は4質量ppm以下であることが好ましい。本発明のTiO2含有石英ガラス基材によれば、寸法精度が高く、硬度が十分に高く、クラックが生成しにくく、かつ紫外線365nmの透過率が十分に高いインプリントモールドを得ることができる。本発明のTiO2含有石英ガラス基材の製造方法によれば、寸法精度が高く、硬度が十分に高く、クラックが生成しにくく、かつ紫外線365nmの透過率が十分に高いインプリントモールドを得ることができるTiO2含有石英ガラス基材を製造できる。またその他の光学部材に使用してもよい。<TiO2含有石英ガラス基材>TiO2濃度TiO2含有石英ガラス基材100質量中のTiO2濃度は、3~8質量であり、4~7.5質量が好ましく、5~7質量がより好ましい。TiO2含有石英ガラス基材はインプリントモールド用基材として用いられる場合は、温度変化に対する寸法安定性、および硬度が要求される。TiO2濃度が3質量以上であれば、室温付近における熱膨張係数を小さくできる。TiO2濃度が8質量以下であれば、硬度が十分に高くなる。TiO2濃度は、蛍光X線分析法において、ファンダメンタルパラメータ法FP法を用いて測定する。Ti3濃度TiO2含有石英ガラス基材中のTi3濃度は、平均で、4質量ppm以下が好ましく、3質量ppm以下がより好ましく、2質量ppm以下がさらに好ましく、1質量ppm以下が特に好ましい。Ti3濃度は、0.5質量ppm以下が最も好ましい。Ti3濃度は、TiO2含有石英ガラスの着色、特に内部透過率T365に影響する。Ti3濃度が4質量ppm以下において、茶色の着色が抑えられ、その結果、内部透過率T365の低下が抑えられ、透明性が良好となる。Ti3濃度は電子スピン共鳴ESR:ElectronSpinResonance測定によって求める。測定条件は下記の通りである。周波数:9.44GHz付近X-band、出力:4mW、変調磁場:100KHz、0.2mT、測定温度:室温、ESR種積分範囲:332~368mT、感度校正:一定量のMn2/MgOのピーク高さにて実施。縦軸が信号強度であり、横軸が磁場強度mTであるESR信号微分形において、TiO2含有石英ガラスは、g1=1.988、g2=1.946、g3=1.915の異方性を有する形状を示す。ガラス中のTi3は、通常、g=1.9前後で観察されるため、これらをTi3由来の信号とする。Ti3濃度は、二回積分後の強度を、濃度既知の標準試料の対応する2回積分後の強度と比較して求める。OH濃度TiO2含有石英ガラス基材中のOH濃度は、50質量ppm以下であり、45質量ppm以下が好ましく、40質量ppm以下がより好ましい。OH濃度が50質量ppm以下であれば、TiO2含有石英ガラス基材からなるインプリントモールドとして使用した場合、クラックの発生が抑えられる。OH濃度は下記の方法によって求める。赤外分光光度計による測定を行い、波長2.7μmでの吸収ピークからOH濃度を求めるJ.P.Wiiliamset.al.、CeramicBulletin、555、524、1976。該方法による検出限界は0.1質量ppmである。ハロゲン濃度TiO2含有石英ガラス基材中のハロゲン濃度は、1000質量ppm以下が好ましく、500質量ppm以下がより好ましく、200質量ppm以下がさらに好ましい。ハロゲン濃度が1000質量ppm以下であれば、Ti3濃度が増加しにくくなるため、茶色の着色が起こりにくくなる。その結果、T365の低下が抑えられ、透明性が損なわれない。ハロゲン濃度は下記の方法によって求める。塩素、臭素、ヨウ素濃度は、サンプルを水酸化ナトリウム溶液に加熱溶解し、陽イオン除去フィルタでろ過した溶解液について、イオンクロマトグラフ分析法にてイオン濃度を定量分析することによって求める。フッ素濃度は、高濃度100質量ppm以上の場合、蛍光X線にて、既知のフッ素濃度のサンプルを用い、FP法ファンダメンタルパラメータ法を用いて求め、低濃度100質量ppm未満の場合、塩素濃度と同様に、イオンクロマトグラフ分析法にてフッ素イオン濃度を定量分析することによって求める。内部透過率TiO2含有石英ガラス基材の、波長365nmにおける厚さ1mmあたりの内部透過率T365は、95以上である。光インプリント法では、紫外線の照射によって光硬化性樹脂を硬化させるため、紫外線365nmの透過率が高い方が好ましい。TiO2含有石英ガラス基材の、波長300~700nmの領域における厚さ1mmあたりの内部透過率T300~700は、70以上が好ましく、80以上がより好ましく、85以上がさらに好ましく、90以上が特に好ましい。光インプリント法では、紫外線の光照射によって光硬化性樹脂を硬化させるため、紫外線領域の透過率が高い方が好ましい。TiO2含有石英ガラス基材の、波長400~700nmの領域における厚さ1mmあたりの内部透過率T400~700は、80以上が好ましく、85以上がより好ましく、90以上がさらに好ましい。T400~700が80以上であれば、可視光が吸収されにくく、顕微鏡、目視等による検査の際に、泡、脈理等の内部欠点の有無を判別しやすくなり、検査や評価において不具合が生じにくい。内部透過率は下記の方法によって求める。分光光度計を用いて、サンプル鏡面研磨されたTiO2含有石英ガラス基材の透過率を測定する。厚さ1mmあたりの内部透過率は、同じ程度の鏡面研磨を施した厚さの異なるサンプル、たとえば、厚さ2mmのサンプルと厚さ1mmのサンプルの透過率を測定し、透過率を吸光度に変換した後、厚さ2mmのサンプルの吸光度から厚さ1mmのサンプルの吸光度を引くことで、厚さ1mmあたりの吸光度を求め、再度透過率に変換することで求める。サンプルと同じ程度の鏡面研磨を施した厚さ1mm程度の石英ガラスを用意する。該石英ガラスの吸収のない波長、たとえば2000nm付近の波長での石英ガラスの透過率減少分を表面裏面の反射損とする。透過率減少分を吸光度に変換し、表面裏面の反射損の吸光度とする。内部透過率の測定波長域における厚さ1mmのサンプルの透過率を吸光度に変換し、前記石英ガラスの波長2000nm付近での吸光度を引く。吸光度の差を再度透過率に変換して内部透過率とする。応力TiO2含有石英ガラス基材の、ストリエによって生じる応力の標準偏差dev[σ]は、0.05MPa以下が好ましく、0.04MPa以下がより好ましく、0.03MPa以下がさらに好ましい。通常、後述するスート法で製造されるガラス体は、3方向ストリエフリーといわれ、ストリエが見られないが、スート法で製造されるガラス体であってもドーパントTiO2等を含む場合には、ストリエが見られる可能性がある。ストリエが存在すると、粗さやうねりの小さい表面が得られにくい。また、同様の理由から、TiO2含有石英ガラス基材の、ストリエによって生じる応力における最大値と最小値との差Δσは、0.23MPa以下が好ましく、0.2MPa以下がより好ましく、0.15MPa以下がさらに好ましい。応力は下記の方法によって求める。まず、複屈折顕微鏡を用いて1mm×1mm程度の領域を測定することでサンプルのレタデーションを求め、下式1から応力のプロファイルを求める。Δ=C×F×n×d1。ここで、Δは、レタデーションであり、Cは、光弾性定数であり、Fは、応力であり、nは屈折率であり、dは、サンプルの厚さである。ついで、応力のプロファイルから、応力の標準偏差dev[σ]、応力における最大値と最小値との差Δσを求める。具体的には、TiO2含有石英ガラス基材からスライスによってサンプルを切り取り、さらに研磨を行うことによって、30mm×30mm×0.5mmの板状のサンプルを得る。複屈折顕微鏡にて、サンプルの30mm×30mmの面にヘリウムネオンレーザ光を垂直にあて、脈理が十分に観察可能な倍率に拡大して、面内のレタデーション分布を調べ、応力分布に換算する。脈理のピッチが細かい場合は、サンプルの厚さを薄くする必要がある。熱膨張係数TiO2含有石英ガラス基材の、15~35°Cにおける熱膨張係数C15~35は、0±200ppb/°Cの範囲内にあることが好ましい。TiO2含有石英ガラス基材を、インプリントモールド用基材として用いる場合は、温度変化に対する寸法安定性、より具体的には、インプリント法の際に、該モールドが経験し得る温度領域における温度変化に対する寸法安定性に優れることが要求される。ここで、インプリントモールドが経験し得る温度領域は、インプリント法の種類によって異なる。光インプリント法では、紫外線の照射によって光硬化性樹脂を硬化させるため、該モールドが経験し得る温度領域は基本的には室温付近である。ただし、紫外線の照射によって該モールドの温度が局所的に上昇する場合がある。紫外線の照射による局所的な温度上昇を考慮して、該モールドが経験し得る温度領域を15~35°Cとする。C15~35は、0±100ppb/°Cの範囲内にあることがより好ましく、0±50ppb/°Cの範囲内にあることがさらに好ましく、0±20ppb/°Cの範囲内にあることが特に好ましい。TiO2含有石英ガラス基材の、22°Cにおける熱膨張係数C22は、0±30ppb/°Cであることが好ましく、0±10ppb/°Cであることがより好ましく、0±5ppb/°Cであることがさらに好ましい。C22が0±30ppb/°Cの範囲であれば、値の正負にかかわらず、温度変化による寸法変化を無視できる。22°Cにおける熱膨張係数のように少ない測定点数で精度よく測定するためには、レーザヘテロダイン干渉式熱膨張計たとえば、ユニオプト社製、CTE-01等を用いて、その温度の前後1~3°Cの温度変化によるサンプルの寸法変化を測定し、その平均の熱膨張係数をその中間の温度における熱膨張係数とする。硬度TiO2-SiO2ガラス基材の、ビッカース硬度は、650以上であることが好ましく、660以上がさらに好ましく、690以上が特に好ましい。ビッカース硬度は、下記のようにして求める。ビッカース硬度計を用い、100gf0.98Nの荷重でビッカース圧子をサンプルの研磨面に押し込み、圧痕の対角線の長さdμmを測定する。圧痕の対角線の長さdから、下式2を用いてビッカース硬度VHNを計算する。VHN=1854.4×100/d22作用効果以上説明したTiO2含有石英ガラス基材にあっては、TiO2濃度が3~8質量であるため、寸法精度が高く、かつ硬度が十分に高いインプリントモールドを得ることができる。また、OH濃度が50質量ppm以下であるため、クラックが生成しにくいインプリントモールドを得ることができる。また、波長365nmにおける厚さ1mmあたりの内部透過率T365が95以上であるため、紫外線365nmの透過率が十分に高いインプリントモールドを得ることができる。またその他の光学部材に使用することもできる。<TiO2含有石英ガラス基材の製造方法>本発明のTiO2含有石英ガラス基材以下、TiO2-SiO2ガラス基材とも記す。の製造方法は、下記の工程a~gを有する方法である。aSiO2前駆体およびTiO2前駆体を含むガラス形成原料を加水分解または熱分解して得られるTiO2-SiO2ガラス微粒子を、堆積させて多孔質TiO2-SiO2ガラス体を得る工程。b前記多孔質TiO2-SiO2ガラス体を減圧下にて1000~1300°Cに加熱して低OH化多孔質TiO2-SiO2ガラス体を得る工程。c前記低OH化多孔質TiO2-SiO2ガラス体を酸素ガス雰囲気下または不活性ガスおよび酸素ガスを含む雰囲気下にて緻密化温度に加熱してTiO2-SiO2緻密体を得る工程。d前記TiO2-SiO2緻密体を透明ガラス化温度まで昇温して透明TiO2-SiO2ガラス体を得る工程。e必要に応じて前記透明TiO2-SiO2ガラス体を軟化点以上に加熱して成形し、成形TiO2-SiO2ガラス体を得る工程。f必要に応じて前記工程dで得られた透明TiO2-SiO2ガラス体または前記工程eで得られた成形TiO2-SiO2ガラス体をアニール処理する工程。g必要に応じて前記工程dで得られた透明TiO2-SiO2ガラス体、前記工程eで得られた成形TiO2-SiO2ガラス体、または前記工程fで得られたTiO2-SiO2ガラス体に、切断、切削、研磨等の機械加工を行うことにより、所定の形状を有するTiO2-SiO2ガラス基材を得る工程。工程aガラス形成原料であるSiO2前駆体およびTiO2前駆体を火炎加水分解または熱分解させて得られるTiO2-SiO2ガラス微粒子スートを、堆積用基材に堆積、成長させて多孔質TiO2-SiO2ガラス体を形成させる。スート法としては、MCVD法、OVD法、VAD法等が挙げられ、大量生産性に優れる、堆積用基材の大きさ等の製造条件を調整することによって大面積の面内において組成の均一なガラス体が得られる、等の点から、VAD法が好ましい。ガラス形成原料としては、ガス化可能な原料が挙げられる。SiO2前駆体としては、ハロゲン化ケイ素化合物、アルコキシシランが挙げられる。TiO2前駆体としては、ハロゲン化チタン化合物、アルコキシチタンが挙げられる。ハロゲン化ケイ素化合物としては、塩化物SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl等、フッ化物SiF4、SiHF3、SiH2F2等、臭化物SiBr4、SiHBr3等、ヨウ化物SiI4等が挙げられる。アルコキシシランとしては、下式3で表わされる化合物が挙げられる。RnSiOR4-n3ただし、Rは、炭素数1~4のアルキル基であり、nは、0~3の整数であり、複数のRにおいて、一部のRが異なっていてもよい。ハロゲン化チタン化合物としては、TiCl4、TiBr4等が挙げられる。アルコキシチタンとしては、下式4で表わされる化合物が挙げられる。RnTiOR4-n4ただし、Rは、炭素数1~4のアルキル基であり、nは0~3の整数であり、複数のRにおいて、一部のRが異なっていてもよい。また、SiO2前駆体およびTiO2前駆体として、シリコンチタンダブルアルコキシド等のSiおよびTiを含む化合物を用いてもよい。堆積用基材としては、石英ガラス製の種棒たとえば、日本国特公昭63-24937号公報に記載された種棒が挙げられる。また、棒状に限らず、板状の堆積用基材を用いてもよい。工程b工程aで得られた多孔質TiO2-SiO2ガラス体を減圧下にて1000~1300°Cに加熱して、低OH化多孔質TiO2-SiO2ガラス体を得る。工程bを行うことによって、多孔質TiO2-SiO2ガラス体のOH濃度を低減できる。工程bにおける加熱温度は、1000~1300°Cであり、1100~1200°Cが好ましい。加熱温度が1000°C以上であれば、多孔質TiO2-SiO2ガラス体のOH濃度を十分に低減できる。加熱温度が1300°C以下であれば、多孔質TiO2-SiO2ガラス体が緻密化されることなく、効率よくOH濃度を低減できる。工程bにおける加熱時間は、コストの抑制の点から、100時間以下が好ましく、50時間以下がより好ましい。また、該加熱時間は、低OH化の効果の点から、10時間以上が好ましく、20時間以上がより好ましい。工程bにおける圧力絶対圧は、0.1Pa以下が好ましく、0.05Pa以下がより好ましく、0.01Pa以下がさらに好ましい。圧力絶対圧が0.1Pa以下であれば、多孔質TiO2-SiO2ガラス体の脱気によって、多孔質TiO2-SiO2ガラス体のOH濃度を十分に低減できる。工程c工程bで得られた低OH化多孔質TiO2-SiO2ガラス体を酸素ガス雰囲気下または不活性ガスおよび酸素ガスを含む雰囲気下にて緻密化温度まで昇温して、TiO2-SiO2緻密体を得る。緻密化温度以上での保持時間は、1~100時間であることが好ましく、2~50時間であることがさらに好ましい。工程cを、酸素ガスを含む雰囲気下酸化条件にて行うことによって、Ti3の生成が抑えられる。酸素を含まない雰囲気下で緻密化した後に、酸素雰囲気中で酸化処理を行ってもTi3の生成を抑制することができるが、この方法では長時間の熱処理が必要となる。長時間熱処理を行うと不純物が拡散し易くなり、結晶化の原因になる。酸素ガスを含む雰囲気下での緻密化することで、酸素雰囲気下での長時間の熱処理なしでTi3の生成を抑えることができる。不活性ガスおよび酸素ガスを含む混合ガスの露点は、低OH化の点から、-50°C以下が好ましく、-60°C以下がより好ましい。不活性ガスとしては、ヘリウムが好ましい。酸素ガス雰囲気または不活性ガスおよび酸素ガスを含む雰囲気の圧力は、常圧または減圧が好ましい。減圧の場合は13000Pa以下が好ましい。酸素ガスと不活性ガスを含む場合、酸素ガスの割合は10体積~100体積であることが好ましい。緻密化温度とは、光学顕微鏡で空隙が確認できなくなるまで多孔質TiO2-SiO2ガラス体を緻密化できる温度を意味する。緻密化温度は、1250~1550°Cが好ましく、1350~1450°Cがより好ましい。工程cにおいては、TiO2-SiO2緻密体の均質性が上がる点から、低OH化多孔質TiO2-SiO2ガラス体を減圧下好ましくは13000Pa以下、より好ましくは1300Pa以下に置いた後、ついで不活性ガスおよび酸素ガスを含む混合ガスを導入して所定の圧力の不活性ガスおよび酸素ガスを含む雰囲気とすることが好ましい。また、工程cにおいては、TiO2-SiO2緻密体の均質性が上がる点から、低OH化多孔質TiO2-SiO2ガラス体を不活性ガスおよび酸素ガスを含む雰囲気下、室温または緻密化温度未満の温度にて保持した後に、緻密化温度まで昇温することが好ましい。工程d工程cで得られたTiO2-SiO2緻密体を、透明ガラス化温度まで昇温して、透明TiO2-SiO2ガラス体を得る。透明ガラス化温度とは、光学顕微鏡で結晶が確認できなくなり、透明なガラスが得られる温度を意味する。透明ガラス化温度は、1350~1750°Cが好ましく、1400~1700°Cがより好ましい。雰囲気としては、不活性ガスヘリウム、アルゴン等の100の雰囲気、または不活性ガスヘリウム、アルゴン等を主成分とする雰囲気が好ましい。雰囲気の圧力は、常圧または減圧が好ましい。減圧の場合は13000Pa以下が好ましい。工程e工程dで得られた透明TiO2-SiO2ガラス体を、型に入れて軟化点以上の温度に加熱して所望の形状に成形し、成形TiO2-SiO2ガラス体を得る。成形温度は、1500~1800°Cが好ましい。成形温度が1500°C以上であれば、透明TiO2-SiO2ガラス体の粘度が低くなり、自重変形しやすい。また、SiO2の結晶相であるクリストバライトの成長またはTiO2の結晶相であるルチルもしくはアナターゼの成長が抑えられ、いわゆる失透が生じにくい。成形温度が1800°C以下であれば、SiO2の昇華が抑えられる。工程eは、複数回繰り返してもよい。たとえば、透明TiO2-SiO2ガラス体を型に入れて軟化点以上の温度に加熱した後、得られた成形TiO2-SiO2ガラス体を別の型に入れて軟化点以上の温度に加熱する2段階の成形を実施してもよい。また、工程dおよび工程eを連続的に、または同時に行ってもよい。また、工程dで得られた透明TiO2-SiO2ガラス体が十分に大きい場合は、つぎの工程eを行わずに工程dで得られた透明TiO2-SiO2ガラス体を所定の寸法に切り出すことで、成形TiO2-SiO2ガラス体としてもよい。また、工程eの代わりにまたは工程eの後、工程fよりも前に、下記の工程e’を行ってもよい。工程e’e’前記工程dで得られた透明TiO2-SiO2ガラス体または前記工程eで得られた成形TiO2-SiO2ガラス体を、T1400°C以上の温度で20時間以上加熱する工程。T1は、工程fで得られるTiO2-SiO2ガラス体の徐冷点°Cである。徐冷点とは、ガラスの粘性ηが1013dPasとなる温度を意味する。徐冷点は、下記のように求める。JISR3103-2:2001に準拠する方法でビームベンディング法によりガラスの粘性を測定し、粘性ηが1013dPasとなる温度を徐冷点とする。工程e’を行うことによって、TiO2-SiO2ガラス体におけるストリエが軽減される。ストリエとは、TiO2-SiO2ガラス体の組成上の不均一組成分布である。ストリエを有するTiO2-SiO2ガラス体にはTiO2濃度の異なる部位が存在することになる。TiO2濃度が高い部位は、熱膨張係数CTEが負になるため、工程fにおける降温過程の際に、TiO2濃度が高い部位が膨張する傾向がある。この際、TiO2濃度が高い部位に隣接してTiO2濃度が低い部位が存在すると、TiO2濃度が高い部位の膨張が妨げられて圧縮応力が加わることとなる。その結果、TiO2-SiO2ガラス体には応力の分布が生じることとなる。本明細書において、このような応力の分布のことをストリエによって生じる応力の分布という。インプリントモールド用基材として用いられるTiO2-SiO2ガラス体に、ストリエによって生じる応力の分布が存在すると、表面を研磨する際に、加工レートに差が生じて、研磨後の表面の粗さやうねりに影響が及ぶこととなる。工程e’を行うことによって、ついで行われる工程fを経て製造されるTiO2-SiO2ガラス体におけるストリエによって生じる応力の分布が、インプリントモールド用基材として用いる上で問題とならないレベルまで低減される。工程e’における加熱温度は、TiO2-SiO2ガラス体における発泡や昇華が抑えられる点から、T1600°C未満が好ましく、T1550°C未満がより好ましく、T1500°C未満がさらに好ましい。すなわち、工程e’における加熱温度は、T1400°C以上T1600°C未満が好ましく、T1400°C以上T1550°C未満がより好ましく、T1450°C以上T1500°C未満がさらに好ましい。工程e’における加熱時間は、ストリエの軽減の効果とTiO2-SiO2ガラス体の歩留まりとのバランス、コストの抑制等の点から、240時間以下が好ましく、150時間以下がより好ましい。また、該加熱時間は、ストリエの軽減の効果の点から、24時間超が好ましく、48時間超がより好ましく、96時間超がさらに好ましい。工程e’および工程fを連続的に、または同時に行ってもよい。また、工程dおよびまたは工程eと、工程e’とを連続的に、または同時に行ってもよい。工程f工程dで得られた透明TiO2-SiO2ガラス体、工程eで得られた成形TiO2-SiO2ガラス体、または工程e’後のTiO2-SiO2ガラス体を、1100°C以上の温度に昇温した後、100°C/hr以下の平均降温速度で700°C以下の温度まで降温するアニール処理を行い、TiO2-SiO2ガラス体の仮想温度を制御する。工程dまたは工程eまたは工程e’と、工程fとを連続的に、または同時に行う場合は、工程dまたは工程eまたは工程e’における1100°C以上の温度からの降温過程において、得られる透明TiO2-SiO2ガラス体または成形TiO2-SiO2ガラス体を、1100°Cから700°Cまで100°C/hr以下の平均降温速度で降温するアニール処理を行い、TiO2-SiO2ガラス体の仮想温度を制御する。平均降温速度は、10°C/hr以下がより好ましく、5°C/hr以下がさらに好ましく、2.5°C/hr以下が特に好ましい。また、700°C以下の温度まで降温した後は放冷できる。なお、雰囲気は特に限定されない。工程fで得られるTiO2-SiO2ガラス体から、異物、泡等のインクルージョンを排除するためには、工程a~e特に工程aにおいてコンタミネーションを抑制すること、さらに工程c~eの温度条件を正確にコントロールすることが肝要である。工程g工程dで得られた透明TiO2-SiO2ガラス体、前記工程eで得られた成形TiO2-SiO2ガラス体、または工程fで得られたTiO2-SiO2ガラス体に、切断、切削、研磨等の機械加工を行うことにより、所定の形状を有するTiO2-SiO2ガラス基材を得る。研磨工程はその研磨面の仕上がり状況に応じて2回以上の工程に分けて行うことが好ましい。作用効果以上説明した本発明のTiO2含有石英ガラス基材の製造方法にあっては、TiO2濃度が3~8質量であるTiO2含有石英ガラス基材を製造する方法である。インプリントモールドとして使用する場合には、寸法精度が高く、かつ硬度が十分に高いインプリントモールドを得ることができるTiO2含有石英ガラス基材を製造できる。また、工程bにおいて工程aで得られた多孔質TiO2-SiO2ガラス体を減圧下にて1000~1300°Cに加熱しているため、OH濃度を50質量ppm以下とすることができ、その結果、クラックが生成しにくいインプリントモールドを得ることができるTiO2含有石英ガラス基材を製造できる。また、工程cの緻密化を、酸素ガス雰囲気下または不活性ガスおよび酸素ガスを含む雰囲気下にて行っているため、OH濃度が低いにもかかわらずTi3の生成が抑えられ、その結果、波長365nmにおける厚さ1mmあたりの内部透過率T365が95以上である、紫外線365nmの透過率が十分に高いインプリントモールドを得ることができるTiO2含有石英ガラス基材を製造できる。<インプリントモールド>本発明のTiO2含有石英ガラス基材はインプリントモールド用として適する。本発明のTiO2含有石英ガラス基材の主表面に、エッチングによって転写パターンを形成することによって製造できる。転写パターンは、目的とする微細な凹凸パターンの反転パターンであり、複数の微細な凸部および/または凹部からなる。エッチング方法としては、ドライエッチングが好ましく、具体的には、SF6による反応性イオンエッチングが好ましい。以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。例1、2は実施例であり、例3~8は比較例である。例1工程aガラス形成原料であるTiCl4およびSiCl4を、それぞれガス化させた後に混合し、酸水素火炎中で加熱加水分解火炎加水分解させることで得られるTiO2-SiO2ガラス微粒子を堆積用基材に堆積、成長させて、多孔質TiO2-SiO2ガラス体を形成した。TiCl4およびSiCl4の割合は、TiO2-SiO2ガラス体中のTiO2濃度が6.2質量になるよう調整した。得られた多孔質TiO2-SiO2ガラス体はそのままではハンドリングしにくいため、堆積用基材に堆積させたままの状態で、大気中、1200°Cにて4時間保持した後、堆積用基材から外した。工程b得られた多孔質TiO2-SiO2ガラス体を、0.01Pa絶対圧の圧力下にて1170°Cで50時間保持して、低OH化多孔質TiO2-SiO2ガラス体を得た。工程c得られた低OH化多孔質TiO2-SiO2ガラス体を、ヘリウムガスおよび酸素ガスからなる混合ガスヘリウムガス:80体積、酸素ガス20体積、混合ガスの露点:-62°Cの雰囲気下にて1450°Cで4時間保持して、TiO2-SiO2緻密体を得た。工程d得られたTiO2-SiO2緻密体を、カーボン型に入れて1700°Cにて4時間保持することによって透明TiO2-SiO2ガラス体を得た。例2TiO2濃度が7.4質量となるようにガラス形成原料の組成を調整した以外は、例1と同様にして透明TiO2-SiO2ガラス体を得た。例3TiO2濃度が8.5質量となるようにガラス形成原料の組成を調整した以外は、例1と同様にして透明TiO2-SiO2ガラス体を得た。例4工程bを行わない以外は、例1と同様にして透明TiO2-SiO2ガラス体を得た。例5工程cを下記の工程c’に変更した以外は、例1と同様にして透明TiO2-SiO2ガラス体を得た。工程c’得られた低OH化多孔質TiO2-SiO2ガラス体を、ヘリウムガス雰囲気下にて1450°Cで4時間保持して、TiO2-SiO2緻密体を得た。例6工程bを下記の工程b’に変更した以外は、例1と同様にして透明TiO2-SiO2ガラス体を得た。工程b’フッ素単体F2を窒素ガスで20molに希釈した混合ガスの雰囲気下、圧力:ゲージ圧で0.21MPa、温度:140°Cの条件下で24時間保持し、フッ素を含有した多孔質TiO2-SiO2ガラス体を得た。例7超低膨張ガラスコーニング社製、ULEを用意した。例8工程bを行わず、工程cを下記の工程cに変更した以外は、例1と同様にして透明TiO2-SiO2ガラス体を得た。工程c得られた多孔質TiO2-SiO2ガラス体を、ヘリウムガス雰囲気下、ゾーン加熱電気炉内を移動させつつ1450°Cで4時間加熱して、TiO2-SiO2緻密体を得た。評価得られた透明TiO2-SiO2ガラス体について、TiO2濃度、Ti3濃度、OH濃度、フッ素濃度、塩素濃度、内部透過率を、上述の方法にて求めた。結果を表1および表2に示す。また、例1については、応力、熱膨張係数を、上述の方法にて求めた。結果を表3に示す。また、例1~3については、硬度を、上述の方法にて求めた。結果を表4に示す。また、例1~4、7、8については、下記の方法にてクラックの評価を行った。結果を表4に示す。また、例1~3におけるTiO2濃度と硬度との関係をグラフ図1に示す。クラックビッカース硬度計を用い、露点-80°Cの乾燥窒素中で100gf0.98Nの荷重でビッカース圧子をサンプルに打ち込み、30秒後に圧痕周辺を観察した。なお、クラックが発生しなかった場合をA、クラックが発生した場合をBとした。例2は、例1に比べ、TiO2濃度が少し高めであるため、硬度が若干低下した。例3は、TiO2濃度が8質量を超えたため、硬度が不十分であった。例4は、工程bの低OH化を行っていないため、OH濃度が高く、クラックが発生した。例5は、工程cの緻密化を、酸素ガスを含む雰囲気下にて行っていないため、Ti3濃度が高くなり、内部透過率T365が低下した。例6は、直接フッ素化にて低OH化を行っているため、フッ素濃度が高く、Ti3濃度が高くなり、内部透過率T365が低下した。例7は、OH濃度が高く、クラックが発生した。例8は、OH濃度が高く、クラックが発生した。本発明を詳細に、また特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく、様々な修正や変更を加えることができることは、当業者にとって明らかである。本出願は、2010年7月8日出願の、日本特許出願2010-155691に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。