"処理対象物が設置され、真空雰囲気を維持可能な処理室と、前記処理室に隣接して設置され、前記処理対象物を加熱する電子ビームを出射する電子銃と、前記処理室内に設けられ、前記電子銃から出射した前記電子ビームを集束する電子ビーム集束機構とを具備する真空処理装置。請求項1に記載の真空処理装置であって、前記電子ビーム集束機構は、少なくとも1つの集束コイルを有する真空処理装置。請求項2に記載の真空処理装置であって、前記電子ビーム集束機構は、前記電子ビームの通過点における温度を測定する少なくとも1つの熱電対と、前記熱電対による測定結果を基に前記集束コイルに供給する電流値を制御する制御部と、を更に具備する真空処理装置。請求項3に記載の真空処理装置であって、前記電子ビーム集束機構は、複数の集束コイルを有し、前記熱電対は、前記複数の集束コイルの各々に対応して配置された複数の熱電対を含む真空処理装置。請求項2に記載の真空処理装置であって、前記電子ビーム集束機構は、前記電子ビームの一通過点における温度を測定する熱電対と、前記熱電対による測定結果を基に前記電子ビーム集束機構内の圧力を制御する制御部と、を更に有する真空処理装置。請求項1に記載の真空処理装置であって、前記電子銃はピアス式電子銃である真空処理装置。請求項1に記載の真空処理装置であって、前記電子銃は第1の揺動コイルを有し、前記電子ビーム集束機構は第2の揺動コイルを有し、前記電子ビームは、前記第1の揺動コイル及び前記第2の揺動コイルによって偏向され前記処理対象物に照射される真空処理装置。請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の真空処理装置であって、前記処理対象物は蒸発材料であり、前記電子銃は、前記電子ビームにより前記蒸発材料を加熱する加熱源である真空処理装置。請求項8に記載の真空処理装置であって、前記蒸発材料は、金属または金属酸化物である真空処理装置。電子ビーム蒸着装置において、ピアス式電子銃から発射される高密度な電子は、高真空中を通過する間に空間電荷効果によりビームが発散する傾向がある。このため、電子ビーム照射点となる蒸発源で十分なパワー密度を確保できず、蒸発材料の蒸発レートが大幅に低下する場合があるという問題がある。特に、フラットパネルディスプレイを構成する大型基板上に金属配線膜等を成膜する場合、高真空雰囲気で大面積の成膜となり、また装置設計上、蒸発源とピアス式電子銃との距離を長くする必要がある。このため、ピアス式電子銃から蒸発源に到達するまでの間に電子ビームが発散し、蒸発レートが低下してしまうため、大面積の成膜を実現することが困難であった。更に、電子ビームの集束状態はビームの出力電流値、真空蒸着室の圧力や雰囲気のインピーダンス等によって変化するため、蒸発レートが変動し、安定した成膜を行うことができないという問題がある。これらの問題を解決するために、電子の加速電圧を高くして、ビームの発散を抑えることも可能である。しかしながら、電子銃の高電圧印加部の絶縁強化、電子銃電源から電子銃までの高電圧配線の絶縁強化、電子銃電源の高電圧発生部の絶縁強化、電子ビームと雰囲気中の気体及び被照射物との衝突によるX線の発生、また被照射物及び生成物へのダメージなど新たな問題が発生する可能性がある。以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、高真空領域においても電子ビームの発散を抑え、最適な電子ビームの密度で、安定した処理を行うことができる真空処理装置装置を提供することにある。本発明の一形態に係る真空処理装置は、処理室と、電子銃と、電子ビーム集束機構とを有する。上記処理室は、処理対象物が設置され、真空雰囲気を維持可能である。上記電子銃は、上記処理室に隣接して設置され、上記処理対象物を加熱する電子ビームを出射する。上記電子ビーム集束機構は、上記処理室内に設けられ、上記電子銃から出射した上記電子ビームを集束する。本発明の一形態に係る真空処理装置は、処理室と、電子銃と、電子ビーム集束機構とを有する。上記処理室は、処理対象物が設置され、真空雰囲気を維持可能である。上記電子銃は、上記処理室に隣接して設置され、上記処理対象物を加熱する電子ビームを出射する。上記電子ビーム集束機構は、上記処理室内に設けられ、上記電子銃から出射した上記電子ビームを集束する。この真空処理装置によれば、電子銃から出射される電子ビームは、処理室内に設けられる電子ビーム集束機構によって集束された後、処理対象物に照射されるので、真空雰囲気の処理室内を通過することによる電子ビームの発散は抑制される。従って、最適な電子ビーム密度を確保でき、処理対象物に対する安定した処理を確保することができる。上記電子ビーム集束機構は、集束コイルを有する。この構成により、集束コイルによって電子ビームを集束することができる。上記電子ビーム集束機構は、熱電対と、制御部とを更に有してもよい。上記熱電対は、上記電子ビームの通過点における温度を測定する。上記制御部は、上記熱電対による測定結果を基に上記集束コイルに供給する電流値を制御する。上記構成においては、熱電対により測定された電子ビームの通過点における温度を基に集束コイルに供給する電流値が制御される。従って、集束コイル電流の制御により所望の電子ビーム形状が得られる。上記電子ビーム集束機構は、複数の集束コイルを有していてもよい。上記熱電対は、上記各集束コイルに対応して複数配置されてもよい。熱電対を少なくとも集束コイルに対応して設けることにより、電子ビームを所望の形状に制御することができる。上記電子ビーム集束機構は、熱電対と、制御部とを更に有していても良い。上記熱電対は、上記電子ビームの一通過点における温度を測定する。上記制御部は、上記熱電対による測定結果を基に上記電子ビーム集束機構内の圧力を制御する。上記構成によれば、熱電対により測定された電子ビームの通過点における温度を基に電子ビーム集束機構内の圧力が制御される。従って、電子ビームの拡がり及び縮みは圧力によって変化するので、圧力制御により所望の電子ビーム形状が得られる。上記電子銃は第1の揺動コイルを有し、上記電子ビーム集束機構は第2の揺動コイルを有してもよい。上記電子ビームは、上記第1の揺動コイル及び上記の第2揺動コイルによって偏向され上記処理対象物に照射される。これにより、第1の揺動コイル及び第2の揺動コイルを用いて電子ビームを偏向するため、電子銃及び電子ビーム集束機構以外に、電子ビームを偏向する偏向手段が不要となる。従って、蒸発材料に照射される電子ビームの制御性に優れる。上記処理対象物は、蒸発材料であってもよい。この場合、上記電子銃は、上記電子ビームにより上記蒸発材料を加熱する加熱源を構成する。これにより、蒸発材料上で十分なパワー密度を確保でき、蒸発レートの低下を防止できる蒸着装置を提供することができる。上記蒸発材料は、金属または金属酸化物とすることができる。上記真空処理装置によれば、高真空下における電子ビームの発散が著しい金属膜の成膜であっても、電子ビーム集束機構によって電子ビームの発散は集束される。従って、蒸発源で十分なパワー密度を確保でき、蒸発レートの低下を防止することができる。以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。[蒸着装置の構成]図1は、本発明の一実施形態に係る真空処理装置としてのインライン式電子ビーム蒸着装置1の概略部分斜視図である。図1では、真空蒸着室における被処理部材としてのガラス基板の搬送方向と、電子ビーム発生装置としての電子銃20と、電子ビーム集束機構150との位置関係を示す。図2は、図1のA-A ́で切断した概略断面図である。ピアス式電子銃から発せられる電子ビームは、真空蒸着室内で偏向手段としての偏向コイル図示しないにより偏向し蒸発源に照射されるが、図2においては、図面をわかりやすくするため、電子ビームを偏向させず直線的に蒸発材料ターゲット31に照射されるように示している。図1に示すように、インライン式電子ビーム蒸着装置1は、ガラス基板10が搬送、収容される処理室としての真空蒸着室50と、真空蒸着室50と隣接して配置される電子銃20と、真空蒸着室50内に設けられた電子ビーム集束機構150とを具備する。インライン式電子ビーム蒸着装置1では、電子銃20から照射された電子ビーム40によって、蒸発材料31が加熱され、蒸発して、ガラス基板10に蒸着膜として形成される。真空蒸着室50は、ガラス基板10の搬送方向と垂直な方向の断面が矩形状の真空チャンバ51と、真空チャンバ51の底面に配置された蒸発材料31が収容された回転式リングハース30蒸発源とを備える。ガラス基板10は、真空チャンバ51の上方で水平方向に搬送可能に設計されている。真空蒸着室50内は真空維持可能に設計されている。電子銃20は、ガラス基板10の搬送方向からみて真空チャンバ51の両側外壁面それぞれに取付フランジ70により複数固設されている。電子銃20の内部と真空蒸着室50の内部とは連通している。図2に示すように、電子銃20は、筐体21と、筐体21の内部に設けられたカソード室120と、矢印71のようにカソード室120内を真空排気する真空排気系を具備する。電子銃20は、イオンコレクタ22と、フィラメント23と、カソード25と、ウェネルト24と、アノード26と、フローレジスタ27と、第1の集束コイル28と、第1の揺動コイル29とを具備する。フィラメント23は、交流電流が流されることにより、ジュール熱で発熱され、熱電子を放出するものである。カソード25は、フィラメント23に対して正の電圧を印加することによりフィラメント23で発生し、加速された電子を受けることで加熱され、熱電子を放出するものである。ウェネルト24は、フォーカス電極とも呼ばれ、カソード25と同電位で、アノード26との間に、電子がアノード26の中心に向かうような電界を形成し、効率よく電子ビームを発生させるものである。アノード26は、カソード25に対し正の電位にあり、カソード25で発生した熱電子を加速するものである。アノード26はグランド電位74に置かれており、カソード25には負の電圧を印加している。アノード26の中心部にある孔を電子ビームが通過する。電子ビームと雰囲気中の残留気体との衝突等で発生したイオンはアノード26とカソード25の電圧で加速され、カソード25をスパッタして孔を形成する。長時間の使用によりカソード25を貫通する孔が形成されたときに、イオンビームを受け、筐体21にダメージを与えないように、イオンコレクタ22が設けられている。フローレジスタ27は、コンダクタンスを小さくし、カソード室20内の圧力を低く保つものである。第1の集束コイル28は、発生する磁場により、アノード26を通過したビームをリングハース30に収容される蒸発材料31上で集束させるものである。集束コイル28は、例えば520ターンのコイルであり、カソード25の表面から例えば100mm離れた位置に設置されている。第1の揺動コイル29は、リングハース30に収容される蒸発材料31上で電子ビームをスキャン又はスイープさせるものである。フィラメント23はフィラメント電源70に接続され、フィラメント23及びカソード25はカソード電源72に接続されている。フィラメント電源70からフィラメント23に通電すると、フィラメント23が加熱されて熱電子を発生させる。また、カソード電源72によりフィラメント23とカソード25との間には電圧が印加される。この熱電子の衝突及びフィラメント23からの輻射熱により、カソード25が加熱されて、カソード25の表面から熱電子を放出するようになっている。カソード25及びウェネルト24とアノード26とは、加速電源73に接続されている。この加速電源73によりカソード25とアノード26との間に電圧を印加し、カソード25の表面から放出された熱電子をアノード26に向かって加速することにより電子ビームが形成される。なお、ウェネルト24とアノード26との間の電位勾配により、カソード25の表面から放出された熱電子はアノード26に向かって集束するようになっている。電子ビーム集束機構150は、ガラス基板10の搬送方向からみて真空チャンバ51の両側内壁面それぞれに、各電子銃20と対応して複数設置されている。電子ビーム集束機構150は、外形が円筒型の筐体60と、筐体60内に設けられたビーム輸送管55と、筐体60内に設けられビーム輸送管55の周りに設けられた第2の集束コイル52電子ビーム集束機構の第1集束コイルと、第3の集束コイル53と、第2の揺動コイル54と、ビーム輸送管55に設けられた熱電対56~59とを具備する。ビーム輸送管55は例えばCu製の円筒構造を有し、図示しない冷却手段により冷却可能となっている。第2の集束コイル52、第3の集束コイル53は、例えば500ターンのコイルであり、3Aまでの電流が流せる構造となっている。本実施形態においては、第2の集束コイル52及び第3の集束コイル53は、カソード25の表面から、それぞれ300mm、500mm離れた位置に設置されている。第1の集束コイル28、第2の集束コイル52及び第3集束コイル53は、それぞれ電子ビーム40が発散状態にあるときに対応して設けられ、各集束コイルにより発散状態の電子ビームは集束される。電子ビームの進行方向をy軸とし、電子ビームの広がり方向をz軸としたときに、電子ビームのdz/dyの値が小さく、電子ビームの直径が所定の値以下となるような位置に対応して集束コイルが設けられる。第2の揺動コイル54は、第1の揺動コイル29と同一の構成とすることができる。例えば、電子銃20から見たx軸の揺動周波数は500Hz、y軸の揺動周波数は222Hz、ポジションの移動周波数はそれぞれ50Hz~100Hzである。熱電対56~59は電子ビーム40のビームパスに沿って複数配置される。熱電対56~59は、電子ビーム40のその通過点における温度を検知するセンサである。熱電対56は第2の集束コイル52に対応して、熱電対57は第3の集束コイル53に対応して配置されている。熱電対58は第2の集束コイル52と第3の集束コイル53の間に対応して配置され、熱電対59は電子ビーム集束機構150の電子ビームが出射される側の端部付近に配置される。本実施形態においては熱電対を4つ設けたが、熱電対を少なくとも集束コイルに対応した位置に配置すればよく、例えば2つの集束コイルを設ける場合には熱電対を2つ設ければよい。また、集束コイルの数に限定されずに電子ビーム40のビームパスに沿って、集束コイルの数より多い数を設けてもよく、熱電対が多いほど、より正確な電子ビーム形状を把握することができる。熱電対56~59による測定結果は制御部61に入力され、その結果を基に制御部61によって、第1の集束コイル28、第2の集束コイル52及び第3の集束コイル53、または第2の集束コイル52及び第3の集束コイル53に供給する電流がそれぞれ設定される。制御部61は、真空チャンバ51の外部に設置されている。本実施形態においては、熱電対の温度測定結果を基に集束コイルに供給する電流を設定して、蒸発材料31における電子ビーム40の照射点で十分なパワー密度が確保できるように電子ビーム40の集束状態を制御しているが、これに限定されるものではない。例えば、熱電対56~59の温度測定結果を基に、制御部図示せずによって、ビーム輸送管55内の圧力を調整、設定してもよい。すなわち、電子ビームの拡がり方及び縮み方は真空度によって変化するため、真空度を調整することによって、電子ビーム40の集束状態を制御することができる。具体的には、第2の集束コイル52と第3の集束コイル53との間に真空排気系を設け、更に圧力調整のためにAr等の不活性ガスを供給する機構を設け、熱電対の温度測定結果から、これら真空排気系及び不活性ガス供給機構を用いて真空度を調整することが考えられる。あるいは、第1の集束コイル28と第2の集束コイル52との間、または第1の集束コイル28と第2の集束コイル52との間及び第2の集束コイル52と第3の集束コイル53との間の両方に真空排気系を設けてもよい。本実施形態において、真空蒸着室50内に電子ビーム集束機構150を設けることにより、カソード室120から照射された電子ビーム40は、電子ビーム集束機構150を通過した後、蒸発材料31に照射される。これにより、高真空中の真空蒸着室50内での電子ビーム40の発散は電子ビーム集束機構150により集束されるので、電子ビーム40の照射点となる蒸発材料31で十分なパワー密度を確保でき、発散による蒸発レートの低下を防止することができる。また、フラットパネルディスプレイを構成する大型基板上に例えばAlからなる配線を形成するためAlの金属膜を成膜する場合、大面積の成膜となるため、設計上、蒸発源とピアス式電子銃との距離を長くする必要がある。しかし、このような場合においても、電子ビーム集束機構150を設けることにより、蒸発レートの低下が防止されるので、大面積での蒸着成膜を実現することが可能となる。ここで、酸化物の成膜ではプロセスガスを導入するため電子ビームの発散の問題が著しくないが、金属膜の成膜では電子ビームの発散の問題が著しい。そのため、本実施形態のような電子ビーム集束機構150を備えた蒸着装置1は、金属膜の蒸着の際、特に有効である。上述の実施形態において、電子銃20として集束コイルを1つ設けた構成を示したが、図3に示すように、集束コイルを2つ設けた電子銃220を用いてもよい。図3において、上述の実施形態と同様の構成については同様の符号を付し、その説明を省略する。また、図3においては、真空蒸着室50及び電子ビーム集束機構150等の図示を省略している。図3におけるピアス式電子銃220は、第1のフローレジスタ227、第2のフローレジスタ228、集束コイル221及び222、揺動コイル223、及び矢印271で示されるように中間室を真空排気する排気系を更に具備する。図3においては、2段排気系となっているが、これは真空蒸着室との差圧を確保するためである。一般的にピアス式電子銃の電子放出源には間接加熱式のタングステン製カソードを使用する。カソード表面からの単位面積あたりの熱電子放出量は、リチャードソン-ダッシュマンの式で示されるように温度により決まる。大きなビーム電流値を得るためには大きな直径のカソードが必要になるので、アノードの孔の直径及びフローレジスタの孔の直径は大きくなる。このため、コンダクタンスが大きくなり、真空蒸着室との差圧を確保するために2段排気系が必要になる。また、上述の実施形態において、電子ビーム集束機構150に第2の揺動コイル54を設けたが、電子銃20、電子ビーム集束機構150及びビーム照射点の位置関係により省略してもよい。また、集束コイル52と集束コイル53との間に第2の揺動コイル54を配置してもよい。上述の実施形態において、電子ビーム集束機構150の集束コイルを2段としたが、これに限定されるものではなく、電子ビームの輸送距離、電子ビーム40のパワー密度及び真空蒸着室50雰囲気により、1段にしてもよく、また3段以上としてもよい。蒸着材料31としては、Al、Cu、Moなどの金属や、MgOなどの金属酸化物が適用可能である。特に、上述したように、金属膜の成膜では高真空下で電子ビームを輸送するために、電子ビームの発散の問題が著しいため、大面積の基板上に電極を形成するために、Al、Cu、Moなどの金属膜を蒸着する際、本実施形態の蒸着装置1に示すような電子ビーム集束機構150を使用することは特に有効である。[比較例に係る蒸着装置]ここで、比較例として、電子ビーム集束機構150を具備しない従来の蒸着装置について説明する。図4は、従来の蒸着装置における電子銃の投入パワーを12.8kWとした場合の、真空蒸着室圧力と酸化マグネシウムの成膜レートとの関係を示す図である。図5は、加速電圧30kVのピアス式電子銃を使用し、ビーム電流400mAの電子ビームを、カソード表面から750mmの距離に設置したW製ターゲット表面へ照射したときの、プロセス室圧力と電子ビーム直径との関係を示す図である。図4に示すように、1.0×10-2Pa前後の圧力領域では、ピアス式電子銃から発射された電子は、真空蒸着室の残留気体と衝突し、衝突により発生した正イオンが電子ビームを中和し、電子の負電荷同士の反発を中和し、電子ビームは集束状態を維持する。3×10-3Pa以下の圧力では、真空蒸着室の残留気体の量が少なく、負電荷同士の反発により電子が発散し、パワー密度が低下し成膜レートは低くなる。一方、3×10-2Pa以上の圧力では、真空蒸着室の残留気体の量が多いため、電子はこの残留気体との衝突による損失で蒸発源に到達する電子電流が減少し、成膜レートは低くなる。図5に示すように、プロセス圧力が1.0×10-2Paより低くなると、残留気体による負電荷同士の反発に対する中和作用の効果が減少し、電子ビームが発散していることが確認できる。図6に、加速電圧30kW、ビーム電流を1A及び2Aとしたときの中和作用の効果が全くない場合のビームの拡がり状態をシミュレーションした結果を示す。ビーム電流1Aのときカソード表面から750mmの距離ではビーム直径は約120mmになる。これらから、加速電圧30kVの電子銃ではプロセス圧力が約5×10-3Pa~5×10-2Paの領域では、電子銃から発射された電子は、図7aに示すように集束した状態でターゲットに照射され、1×10-3Paより低い圧力領域では電子は図7bに示すように発散し、パワー密度が低下し蒸発レートは大幅に低下する。このように、従来の蒸着装置においては、真空蒸着室の圧力、電子ビームの電流値電子の密度及び雰囲気のインピーダンス残留気体の種類等によって電子ビームの集束状態が変化し、成膜レートが大幅に変動する。このため、安定した成膜を行うことが困難である。[本実施形態における蒸着装置の評価]次に、上述した本発明の一実施形態における、電子ビーム集束機構150を備えた蒸着装置1について説明する。上述したように、蒸着装置1では、電子銃20の第1の集束コイル28、電子ビーム集束機構150の第2の集束コイル52及び第3の集束コイル53は、カソード25の表面から、それぞれ100mm、300mm、500mm離れた位置に設置されている。図8は、第1の集束コイル28に2.5A,第2の集束コイル52に2.0Aの電流を流した場合の磁束密度分布である。更に、第3の集束コイル53に2.0Aの電流を流した場合、図8に示す磁束密度分布に、更にカソードからの距離500mmの位置に約230ガウスのピークが現れた磁束密度分布を持つ集束磁場を発生させることができる。図9は、上述に示す蒸着装置1の構成において、真空蒸着室50内の圧力を1.5×10-5Paとし、第1の集束コイル28に2.5Aの電流を流し、第3の集束コイル53には電流を流さず、第2の集束コイル52に流す電流値を変化させたときの電子ビームの状態をシミュレーションした結果である。図10は、同じ条件下での、第3の集束コイル53に対応して配置された熱電対57による温度測定結果を示す。図9において、縦軸の半径rとは、電子ビームの進行方向と垂直な平面における円形状の電子ビームの半径rである。図10に示すように、第2の集束コイル52に流す電流値が2.5Aのときに、温度は最小値を示した。図11は、上述に示す蒸着装置1の構成において、真空蒸着室50内の圧力を1.5×10-5Paとし、第1の集束コイル28に2.5Aの電流を流し、第2の集束コイル52に2.0Aの電流を流し、第3の集束コイル53に流す電流値を変化させたときの電子ビームの状態をシミュレーションした結果である。図12は、同じ条件下での、熱電対59による温度測定結果を示す。図11に示すように、電子銃20のカソード25から750mmの位置に蒸発材料31を配置する場合、蒸発材料31上で最も電子ビームが絞れた時の第3の集束コイル53に流す電流値は2.0Aであった。また、図10及び図12に示すように、電子ビーム40の拡がり状態は、熱電対による温度で把握できることが確認された。すなわち、電子ビーム40の直径が大きいと、熱電対で測定される温度が高くなる。また、熱電対による温度測定により、Cu製のビーム輸送管55を損傷させるような異常温度を検出できるため、Cu製のビーム輸送管に孔があくのを防止するように制御することができる。以上のシミュレーション結果から、第1の集束コイル28に流す電流を2.5A、第2の集束コイル52に流す電流を2.0A、第3の集束コイル53に流す電流を2.0Aとし、この場合における電子ビームの状態を図13に示す。図13に示すように、電子ビーム40が発散rが増加する状態部分に対応して集束コイルを配置することにより電子ビーム40は集束される。上述した蒸着装置1において、第1の集束コイル28、第2の集束コイル52及び第3の集束コイル53を、カソード25から、それぞれ100mm、300mm、500mm離れた位置に設置し、カソード25から蒸発材料31までの距離を750mmとし、蒸発材料としてMoを用い、Mo膜を成膜した。図14に、投入パワーとスタティックレートとの関係を示す。スタティックレートは、蒸発材料31から650mmの真上に設置したCRTM水晶振動子で測定した。まず、従来の蒸着装置と同様に電子ビーム集束機構150がない状態を想定して、電子ビーム集束機構150の第2の集束コイル52及び第3の集束コイル53に電流を流さずに真空蒸着室50の圧力を1.0×10-2Paに設定して成膜した。1.0×10-2Paでは正イオンによる中和作用により電子ビームは集束するため、投入パワー10.3kWで65.8オングストローム/sec、14kWで137.9オングストローム/secのスタティックレートになった。次に、真空蒸着室50の圧力を1.5×10-5Paとし、電子ビーム集束機構150の第2の集束コイル52及び第3の集束コイル53に電流を流さずに、蒸発材料31に電子ビーム40を照射した。正イオンによる中和作用が少ないため、24kWを投入してもMoはほとんど蒸発しなかった。そこで、真空蒸着室50内を圧力1.5×10-5Paという高真空雰囲気とし、電子ビーム集束機構150の第2の集束コイル52に2.0A、第3の集束コイル53に2.0Aの電流を流し、かつ、電子ビームの集束状態を熱電対でモニタしながら成膜した。その結果、投入パワー10kWで71オングストローム/sec、15kWで157.9オングストローム/secのスタティックレートという、好ましい成膜レートが得られた。すなわち、高真空雰囲気下であっても、電子ビーム集束機構150を設け、該機構150で電子ビームの集束を行うことにより、電子ビーム集束機構150がない状態であって真空蒸着室50内の圧力が1.0×10-2Paの時とほぼ同等の成膜レートを達成することができた。また、蒸発材料31上の電子ビーム40の直径が約20mmとなっていることを目視で確認でき、充分集束していることが確認された。更に、投入パワー15kWで電子ビームの集束状態を熱電対でモニタし、且つ熱電対で測定した温度が、設定した範囲になるように第2の集束コイル52、第3の集束コイル53の電流値を調整しながら220時間の成膜を行った。その結果、図15に示すように、長時間の連続運転において安定した成膜レートが得られた。[変形例]以上、本発明の実施形態について説明したが、勿論、本発明はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。図16は、本発明における蒸着装置における電子銃20、電子ビーム集束機構150、偏向コイル80及び蒸発材料31との位置関係を示す概略断面図である。図16aは、上述した図1及び図2に示す一実施形態における蒸着装置1に係る概略断面図であり、図16b~eは変形例である。図1及び図2においては図示を省略したが、図16aに示すように、上述の実施形態における蒸着装置1では、偏向コイル80を蒸発材料31の近傍に配置している。偏向コイル80により、電子銃20から出射し、電子ビーム集束機構150を通過した電子ビームは、偏向コイル80により偏向され、蒸発材料31に照射される。なお、偏向コイル80の他に、永久磁石を用いることもできる。図16bは変形例1を示す。変形例1では、偏向コイル80に加え、電子ビーム集束機構150 ́に設置した第2の揺動コイル54も使用して電子ビームを偏向させている。正イオンによる中和作用が多少見込める雰囲気で使用できる。図16cは変形例2を示す。変形例2では、変形例1の構成に加え、電子銃20 ́に設置した第1の揺動コイル29も偏向に使用した。電子ビーム集束機構150 ́内部への着膜が課題となるが、電子ビーム形状の制御が容易になるため、蒸発量の少ないプロセスや連続運転時間が短いプロセスに使用できる。図16dは変形例3を示す。上述の実施形態では、電子銃2020 ́は、長手方向が水平となるように配置されている。これに対し、変形例3では、電子銃20 ́及び電子ビーム集束機構150 ́を蒸発材料31に向けて斜めに傾けて設置している。電子ビーム形状の制御が容易になるため、蒸発量の少ないプロセスや連続運転時間が短いプロセスに使用できる。図16eは変形例4を示す。変形例4では、電子ビーム集束機構150 ́に設置した第2の揺動コイル54と、電子銃20 ́に設置した第1の揺動コイル29とを偏向に使用し、偏向コイル80を使用していない。偏向コイル80を使用しないため、電子ビーム直径がかなり絞れ、蒸発材料31でのビーム制御性に優れる。また、強磁性体の成膜プロセスに適用できる。また、以上の実施形態では、第2の集束コイル52、第3の集束コイル53の設置位置を上述したような距離に設定したが、これらの条件はあくまでも一例であり、電子ビームの出力や所望とするビーム径、蒸発材料31の設置場所等に応じて、適宜変更可能である。図1ではインライン式蒸着装置を使用して本発明に係る実施形態を説明したが、基板を静止させて成膜する蒸着装置、基板を回転して成膜する蒸着装置に本発明を適用してもよい。また、インライン式に限らず、ロードロック式蒸着装置やバッチ式蒸着装置に本発明を適用してもよい。さらに、以上の実施形態では、真空処理装置として電子ビーム蒸着装置を例に挙げて説明したが、これに限られず、電子ビームを用いた各種処理装置、例えば、表面処理装置、真空熱処理装置、真空溶解炉、真空精製炉などにも本発明は適用可能である。"