"ライン要素のアレイであって、各ライン要素が磁気検知構造である、ライン要素のアレイと、第1の接続要素であって、各第1の接続要素が2つの隣接するライン要素の第1の端部を接続するように位置付けられた、第1の接続要素と、第2の接続要素であって、各第2の接続要素が前記2つの隣接するライン要素の反対側の端部を各対向して隣接するライン要素に接続するように位置付けられた、第2の接続要素と、磁束集中構造のアレイであって、各1つの磁束集中構造が2つのライン要素間に配置された、磁束集中構造のアレイと、を備える、磁気検知コンポーネント。前記磁気検知構造が巨大磁気抵抗GMR構造である、請求項1に記載の磁気検知コンポーネント。前記磁気検知構造がスピンバルブ構造である、請求項1に記載の磁気検知コンポーネント。前記磁気検知構造が磁気トンネル接合MJT構造である、請求項1に記載の磁気検知コンポーネント。各磁束集中構造の幅が前記磁界検知コンポーネントの感度を実質的に最適化するように選択される、請求項1に記載の磁気検知コンポーネント。各磁束集中構造の厚さが前記磁界検知コンポーネントの感度を実質的に最適化するように選択される、請求項1に記載の磁気検知コンポーネント。各1つの磁束集中構造と前記1つの磁束集中構造に隣接する前記2つのライン要素の各1つとの間の間隔が、前記磁界検知コンポーネントの感度を実質的に最適化するように選択される、請求項1に記載の磁気検知コンポーネント。各1つの磁束集中構造が、前記1つの磁束集中構造に隣接する前記2つのライン要素の各1つからずれている、請求項1に記載の磁気検知コンポーネント。多数の磁気検知構造をライン要素として磁気検知構造のアレイに堆積することと、隣接するライン要素の第1及び第2の端部を接続するようにコンダクタ要素をパターニングして堆積することであって、前記接続する要素が実質的に蛇行形状の構造を形成するために前記隣接するライン要素の前記第1及び第2の端部を接続する、ことと、前記磁気検知構造間の分離を与えるように誘電層を堆積することと、前記誘電層に堆積バイアをパターニングしエッチングすることと、多数の磁束集中器構造をパターニングし堆積することであって、1つの磁束集中器構造が各2つの隣接するライン要素間に堆積されている、ことと、を備える、磁気検知コンポーネントを製造するための方法。カプセル化層を堆積することと、前記カプセル化層にバイアをパターニングしエッチングすることと、前記磁界検知構造に対する外部接続を可能とするためにボンドパッドを堆積することと、を更に備える、請求項9に記載の方法。静電放電保護バイアをパターニングしエッチングすることと、前記静電放電保護バイアに動作可能に接続された少なくとも1つの分路抵抗器をパターニングしエッチングすることと、を更に備える、請求項9に記載の方法。2つの基準抵抗器要素と、2つの磁気抵抗器要素であって、各々の磁気抵抗器要素が、ライン要素のアレイであって、各ライン要素が磁気検知構造である、ライン要素のアレイと、第1の接続要素であって、各第1の接続要素が2つの隣接するライン要素の第1の端部を接続するように位置付けられた、第1の接続要素と、第2の接続要素であって、各第2の接続要素が前記2つの隣接するライン要素の反対側の端部を各対向して隣接するライン要素に接続するように位置付けられた、第2の接続要素と、磁束集中構造のアレイであって、各1つの磁束集中構造が2つのライン要素間に配置された、磁束集中構造のアレイと、を有する、磁気抵抗器要素と、磁気集中/遮蔽構造と、を備え、前記磁気集中/遮蔽構造が、外部磁界から前記2つの基準抵抗器要素を実質的に遮蔽するために前記2つの基準抵抗器要素の上に配置され、前記2つの磁気抵抗器要素が、前記磁束集中/遮蔽構造の一部分と前記磁束集中/遮蔽構造の別の部分との間に配置され、各磁気抵抗器要素における前記磁束集中構造のアレイからの前記磁気集中構造のいくつかが前記磁気集中/遮蔽構造の前記一部分に動作可能に接続され、各磁気抵抗器要素における前記磁束集中構造のアレイからの前記磁気集中構造の他のいくつかが前記磁気集中/遮蔽構造の前記別の部分に動作可能に接続されている、センサ。前記2つの基準抵抗器要素及び前記2つの磁気抵抗器要素が接続されたホイートストンブリッジ構成を形成し、前記ホイートストンブリッジのアームの各々が1つの基準抵抗器及び1つの磁気抵抗器要素を備え、前記ホイートストンブリッジの出力が、前記ホイートストンブリッジの各アームにおける前記基準抵抗器要素及び前記磁気抵抗器要素の接続点間における電圧によって与えられる、請求項12に記載のセンサ。前記2つの基準抵抗器要素が2つの他の磁気抵抗器要素である、請求項12に記載のセンサ。前記磁束集中/遮蔽構造が複数の開口を有し、前記複数の開口からのいずれの開口の位置も、下に前記2つの基準抵抗器要素の一方が配置されている前記磁束集中/遮蔽構造の領域内の位置ではない、請求項12に記載のセンサ。前記磁束集中/遮蔽構造が2つのセクションを備え、第1のセクションが第1の基準抵抗器の上に配置され、第2のセクションが第2の基準抵抗器の上に配置され、前記2つの磁気抵抗器要素が前記第1のセクションと前記第2のセクションとの間に配置されている、請求項12に記載のセンサ。前記ライン要素に実質的に垂直なラインに実質的に平行な方向における前記集中/遮蔽構造の寸法が幅と称され、前記磁気抵抗器要素に近い前記第1のセクションの幅が前記磁気抵抗器要素から遠い前記第1のセクションの幅よりも小さく、前記磁気抵抗器要素に近い前記第2のセクションの幅が前記磁気抵抗器要素から遠い前記第2のセクションの幅よりも小さい、請求項16に記載のセンサ。前記磁気集中/遮蔽構造が6個のセクションを備え、第1のセクションが第1の基準抵抗器の上に配置され、第2のセクションと第3のセクションとの間に第1の磁気抵抗器要素が配置され、第4のセクションが第2の基準抵抗器の上に配置され、第5のセクションと第6のセクションとの間に第2の磁気抵抗器要素が配置されている、請求項12に記載のセンサ。これらの各磁束集中器設計の1つの欠点は、これらが与える一般化された磁界集中magneticfieldconcentrationにおいて特定のベクトルの選択性がほとんどないことである。丸い又はディスク状の磁束集中器は、多数の又は全てのベクトル方位から磁化を集める。これによって信号を増強するが、多くの磁気検知用途に不可欠な特定ベクトル方位信号の増強は行われない。更に、従来の磁束集中器設計の一般化された近接性は、充分に近接した設計によって可能となり得る最大の磁束結合を提供しない。このため、従来技術の設計では、最大の信号利得又は感度の向上が得られない。指向性及び感度が向上した磁界センサのために望ましい指向性向上及び近接結合の双方を提供する設計が必要とされている。以下で、指向性及び感度の向上のために望ましい指向性向上及び近接結合の双方を提供する磁界センサ設計、並びにそれらを製造するための方法の実施形態について開示する。一実施形態において、これらの教示の磁気検知コンポーネントは、ライン要素のアレイであって、各ライン要素が磁気検知構造である、ライン要素のアレイと、第1の接続要素であって、各第1の接続要素が2つの隣接するライン要素の第1の端部を接続するように位置付けられた、第1の接続要素と、第2の接続要素であって、各第2の接続要素が2つの隣接するライン要素の反対側の端部を各対向して隣接するライン要素に接続するように位置付けられた、第2の接続要素と、磁束集中構造のアレイであって、各1つの磁束集中構造が2つのライン要素間に配置された、磁束集中構造のアレイと、を含む。磁気検知コンポーネントを製造するための方法の一実施形態は、多数の磁気検知構造をライン要素として磁気検知構造のアレイに堆積することと、隣接するライン要素の第1及び第2の端部を接続するようにコンダクタ要素をパターニングして堆積することであって、この接続する要素が実質的に蛇行形状の構造を形成するために隣接するライン要素の第1及び第2の端部を接続する、ことと、磁気検知構造間の分離を与えるように誘電層を堆積することと、誘電層に堆積バイアをパターニングしエッチングすることと、多数の磁束集中器構造をパターニングし堆積することであって、1つの磁束集中器構造が各2つの隣接するライン要素間に堆積されている、ことと、含む。これらの教示のセンサの一実施形態は、2つの基準抵抗器要素と、2つの磁気抵抗器要素とを含み、各磁気抵抗器要素が、ライン要素のアレイであって、各ライン要素が磁気検知構造である、ライン要素のアレイと、第1の接続要素であって、各第1の接続要素が2つの隣接するライン要素の第1の端部を接続するように位置付けられた、第1の接続要素と、第2の接続要素であって、各第2の接続要素が2つの隣接するライン要素の反対側の端部を各対向して隣接するライン要素に接続するように位置付けられた、第2の接続要素と、磁束集中構造のアレイであって、各1つの磁束集中構造が2つのライン要素間に配置された、磁束集中構造のアレイと、を備える。また、センサの上述の実施形態は磁気集中/遮蔽構造を含み、この磁気集中/遮蔽構造は、外部磁界から2つの基準抵抗器要素を実質的に遮蔽するために2つの基準抵抗器要素の上に配置され、2つの磁気抵抗器要素は、磁束集中/遮蔽構造の一部分と磁束集中/遮蔽構造の別の部分との間に配置され、各磁気抵抗器要素における磁束集中構造のアレイからの磁気集中構造のいくつかは磁気集中/遮蔽構造の一部分に動作可能に接続され、各磁気抵抗器要素における磁束集中構造のアレイからの磁気集中構造の他のいくつかは磁気集中/遮蔽構造の別の部分に動作可能に接続されている。2つの基準抵抗器要素及び2つの磁気抵抗器要素はホイートストンブリッジ構成を形成するように接続され、ホイートストンブリッジのアームの各々が1つの基準抵抗器及び1つの磁気抵抗器要素を備える。ホイートストンブリッジの出力は、ホイートストンブリッジの各アームにおける基準抵抗器要素及び磁気抵抗器要素の接続点間における電圧によって与えられる。多数の他の実施形態も開示される。本教示を、その他の目的及び更に別の目的と共により良く理解するため、添付図面及び詳細な説明を参照し、その範囲は添付の特許請求の範囲に示すものとする。以下の詳細な説明は、これらの教示を実行するために現在考えられる最良の形態のものである。この説明は、限定の意味でなく、これらの教示の一般的な原理を例示する目的のみで行う。これらの教示の範囲は添付の特許請求の範囲によって最良に規定されるからである。これらの教示を様々な実施形態に関連付けて説明するが、これらの教示は、添付の特許請求の範囲の精神及び範囲内にある多種多様な更に別の実施形態及び他の実施形態も可能であることは認められよう。本明細書において用いる場合、単数形a1つの、an1つの、及びtheそのは、文脈によって明らかに他の場合が示されない限り、複数も含む。磁気抵抗器要素は、本明細書において用いる場合、磁界が存在していることによってその電圧-電流特性が変化する要素である。蛇行形状の構成又は構造とは、本明細書において用いる場合、要素のアレイを有する構造であって、要素から要素へと進む際に曲がりくねった経路をたどるように接続されたものを指す。かかる蛇行した構造は、要素のアレイと、ある要素から次の要素への接続要素と、を含む。他の場合が示されない限り、本明細書及び特許請求の範囲において用いる成分の量、反応条件等を表す全ての数字は、全ての例において約という言葉で修飾されるものと理解されよう。これらの教示のセンサの一実施形態は、2つの基準抵抗器要素と、2つの磁気抵抗器要素とを含み、各磁気抵抗器要素が、ライン要素のアレイであって、各ライン要素が磁気検知構造である、ライン要素のアレイと、第1の接続要素であって、各第1の接続要素が2つの隣接するライン要素の第1の端部を接続するように位置付けられた、第1の接続要素と、第2の接続要素であって、各第2の接続要素が2つの隣接するライン要素の反対側の端部を各対向して隣接するライン要素に接続するように位置付けられた、第2の接続要素と、磁束集中構造のアレイであって、各1つの磁束集中構造が2つのライン要素間に配置された、磁束集中構造のアレイと、を備える。また、センサの上述の実施形態は磁気集中/遮蔽構造を含み、この磁気集中/遮蔽構造は、外部磁界から2つの基準抵抗器要素を実質的に遮蔽するために2つの基準抵抗器要素の上に配置され、2つの磁気抵抗器要素は、磁束集中/遮蔽構造の一部分と磁束集中/遮蔽構造の別の部分との間に配置され、各磁気抵抗器要素における磁束集中構造のアレイからの磁気集中構造のいくつかは磁気集中/遮蔽構造の一部分に動作可能に接続され、各磁気抵抗器要素における磁束集中構造のアレイからの磁気集中構造の他のいくつかは磁気集中/遮蔽構造の別の部分に動作可能に接続されている。2つの基準抵抗器要素及び2つの磁気抵抗器要素はホイートストンブリッジ構成を形成するように接続され、ホイートストンブリッジのアームの各々が1つの基準抵抗器及び1つの磁気抵抗器要素を備える。ホイートストンブリッジの出力は、ホイートストンブリッジの各アームにおける基準抵抗器要素及び磁気抵抗器要素の接続点間における電圧によって与えられる。磁気抵抗器要素は、限定ではないが、巨大磁気抵抗GMRセンサ例えば米国特許第6,961,225号又はXiao等PhysRevLetters、Vol68、No25、3749~3752ページ、1992年6月22日を参照のこと。これらは双方ともあらゆる目的のために全体が引用により本願にも含まれるものとする、GMR-スピンバルブセンサピン層を有する、例えば米国特許第5,920,446号、米国特許第5,583,725号、DEHeim、DesignandOperationofSpinValveSensorsIEEETransactionsOnMagnetics、Vol30、No2、1994年3月、316~321ページ、あらゆる目的のために全体が引用により本願にも含まれるものとする、又は磁気トンネル接合MJTセンサ例えば米国特許第5,650,958号、あらゆる目的のために全体が引用により本願にも含まれるものとするとすることができる。一例においては、磁束集中構造のアレイからの各磁束集中構造の幅を、磁界検知コンポーネントの感度を実質的に最適化するように選択する感度=Δ出力/ΔH、ここでHは磁界強度である。本発明で以下に開示する例示的な実施形態では、磁束集中構造の幅は分析される範囲内、4~8μmにあると考えられない。幅が狭いと、磁束集中構造において形状消磁界効果が増大し、これによって磁束集中構造への磁束伝達についてドメイン関連の制約が生じる。2μm以下の細さの磁束集中構造では、何らかの強力な形状消磁効果が生じ、特に低い外部磁界において方向指示センサにおける地球磁場等、これらの磁束集中構造の有効性が著しく低下する。ロータ端部に永久磁石を取り付けたモータエンコーダ等の高い磁界では、磁束集中構造の有用な幅の小さい方の範囲をわずかに拡大することができる。別の例においては、各磁束集中構造の厚さを、磁界検知コンポーネントの感度を実質的に最適化するように選択する。更に別の例では、各1つの磁束集中構造と前記1つの磁束集中構造に隣接する2つのライン要素の各1つとの間の間隔を、磁界検知コンポーネントの感度を実質的に最適化するように選択する。磁束集中の大きさは、磁束集中器の厚さと共に増大する磁束集中は、外部磁化を捕獲するための材料の面積及び体積と共に増大する。本明細書で以下に開示する例示的な実施形態では、X及びY軸デバイスの好適な値は5μm厚さ範囲である。Z軸デバイスでは、好適な値は5~10μm範囲であり、z軸磁界を捕獲し、これをセンサ要素へと向かわせるストーブパイプ式。別の実施形態においては、各1つの磁束集中構造は、前記1つの磁束集中構造に隣接する2つのライン要素の各1つからずれている。ずれが小さくなると、磁束集中器と検知要素との間の結合が良好になる。これは、磁界強度がずれの距離と共に指数的に低下するからである。1つの例示的な実施形態について、分析するパラメータの概要を以下の表1に与える。図1は、これらの教示によるセンサの1つの具体的な実施形態を示す。これは、別個のy軸、x軸、及びz軸センサを示す3軸磁気方向指示センサであり、各々がホイートストンブリッジ構成である。各センサは2つの基準磁気抵抗器要素30及び2つの検知磁気抵抗器要素35を有し、それらはコンダクタ40によって接続され、外部配線接続のためのボンドパッド45で終端する。磁束集中器50、55は、それらの下に埋め込まれた基準磁気抵抗器に対する磁気遮蔽として機能する。磁束集中器は、検知磁気抵抗器から遠い上部で幅広く、検知磁気抵抗器に近い端部で細く、磁束集中を提供する。磁束集中器の細い端部は、検知磁気抵抗器に近接すると共に交互配置されて、外部磁界から検知要素まで最大の指向性結合を提供する。図2aから図2cはホイートストンブリッジセンサの回路図を示し、ここでR1及びR3は検知磁気抵抗器であり、R2及びR4は遮蔽された基準磁気抵抗器である。一般化した磁束集中器/磁束遮蔽の組み合わせを、基準磁気抵抗要素及び検知磁気抵抗要素のそれぞれに重ねて又は近接して示す。図2aを参照すると、磁気抵抗器R1及びR4は、遮蔽/磁束集中コンポーネント15によって遮蔽されている磁気抵抗器R4と直列に接続され、磁気抵抗器R2及びR3は、遮蔽/磁束集中コンポーネント25によって遮蔽されている磁気抵抗器R2と直列に接続されている。磁気抵抗器R1及びR4の直列接続は、磁気抵抗器R2及びR3の直列抵抗と並列に接続されている。図2bは、ホイートストンブリッジ構成の回路図を示す。ホイートストンブリッジの出力は、ホイートストンブリッジの各アームにおける基準遮蔽磁気抵抗器及び検知遮蔽なし磁気抵抗器の接続点間における電圧によって与えられる。図2cは、磁束集中効果を示す。一例において、集中比は、2つの磁束集中器間の間隙に対する磁束集中器の長さの比によって近似することができる。別の例では、集中比の表現は、磁束集中器の厚さの効果を含む。一実施形態において、これらの教示の磁界検知コンポーネントは、ライン要素のアレイであって、各ライン要素が磁気検知構造である、ライン要素のアレイと、第1の接続要素であって、各第1の接続要素が2つの隣接するライン要素の第1の端部を接続するように位置付けられた、第1の接続要素と、第2の接続要素であって、各第2の接続要素が2つの隣接するライン要素の反対側の端部を各対向して隣接するライン要素に接続するように位置付けられた、第2の接続要素と、磁束集中構造のアレイであって、各1つの磁束集中構造が2つのライン要素間に配置された、磁束集中構造のアレイと、を含む。図3は、蛇行形状の磁気抵抗要素の一実施形態を示す。これは、限定ではないが、GMR多層又はスピンバルブ抵抗要素とすることができる米国特許第7,639,005号はGMR多層蛇行を示し、その全体があらゆる目的のために引用により本願にも含まれるものとする。この蛇行はx又はy方位に向けることができる。抵抗値は、低電力消費及び高磁気抵抗、DR/R抵抗変化対印加磁界を与えるように選択することができる。図3を参照すると、蛇行形状は、長く細い、かつ薄い検知要素202のアレイにより形成される。参照を容易にするため、本明細書において要素202をライン又はワイヤ202として図示し、それらの断面形状については限定しない。各ライン又はワイヤ202は、その上端及び下端において隣接するライン又はワイヤの対向するものに接続されている。例えば、ワイヤ202は、下部接続204がワイヤ202bに接続し、上部接続206がワイヤ202cに接続する。最も外側のワイヤ202dの場合、抵抗器200の端部208は、抵抗器200が一部を形成する回路図示せずに接続する。従来から既知のように、ワイヤ202の数、長さ、幅、及び間隔は、所望の抵抗、回路サイズ、及び/又は回路もしくはセンサの製造技法に合わせて適宜、変動する場合がある。図4は、図1に示した実施形態の磁束集中器/磁束遮蔽の組み合わせ50、55の拡大図を示す。蛇行形状の磁気抵抗検知要素202には、指向性磁束集中器要素110が交互配置され近接している明確さのため、磁束集中器要素110の全てには符号を付していない。磁束集中器要素110は、集中器/磁束遮蔽50、55に動作可能に接続されている。図5は、これらの教示の蛇行形状の磁気抵抗検知要素202に交互配置されると共に近接した指向性磁束集中器要素110に動作可能に接続された磁束集中器/磁束遮蔽の組み合わせ50の拡大図を示す。また、磁気抵抗検知要素202に対する電気的接続を行うコネクタ120も図示する。図6は、これらの教示のセンサの別の実施形態を示す。これは、一体化したy軸及びx軸センサ並びに別個のz軸センサを示す3軸磁気方向指示センサであり、各々がホイートストンブリッジ構成である。各センサは2つの基準磁気抵抗器要素130及び2つの検知磁気抵抗要素140を有し、それらはコンダクタ150によって接続され、外部配線接続のためのボンドパッド160で終端する。磁気集中器170は、それらの下に埋め込まれた基準磁気抵抗器に対する磁気遮蔽として機能する。磁束集中器は、検知磁気抵抗器から遠い上部で幅広く、センサに近い端部で細く、磁束集中を提供する。磁束集中器の細い端部は、検知磁気抵抗器に近接すると共に交互配置されて、外部磁界から検知要素まで最大の指向性結合を提供する。図6を参照すると、x軸、y軸、及びz軸センサの各々について、磁気集中/遮蔽構造170は6個のセクションを有する。すなわち、第1のセクション170aが第1の基準抵抗器130の上に配置され、第2のセクション170bと第3のセクション170cとの間に第1の磁気抵抗器要素140が配置され、第4のセクション170dが第2の基準抵抗器130の上に配置され、第5のセクション170eと第6のセクション170fとの間に第2の磁気抵抗器要素140が配置されている。図7は、図6の磁束集中器/磁束遮蔽の組み合わせ170d、170eの実施形態の拡大図を示し、蛇行形状の磁気抵抗検知要素140に指向性磁束集中器要素180が交互配置されて近接している。指向性磁束集中器要素180は、磁束集中器/磁束遮蔽の組み合わせ170d、170eに動作可能に接続されている。磁束集中器設計に関して、重要な設計ファクタは、磁束集中器の面積及び厚さ、ネックダウン、材料、織り込まれた磁束集中器フィンガ幅、フィンガ厚さ、センサからのずれ距離、及び側壁プロファイルである。磁束集中器は、外部磁界に対して受動的に結合し、磁化を集め、それをデバイスのある領域から別の領域へと伝達することによって機能する。磁束は、集中器から検知要素を介し、検知要素の他方側の対称的な磁束集中器を通って伝達される。磁束伝導のための駆動力は外部磁界である。磁気抵抗は、磁束集中器保磁力及び異方性磁界、形状消磁及び磁束集中器と検知要素との間の間隙を含む。交互配置の磁束集中器/センサ設計によって磁界の指向性が向上し、これは特定された軸の検知には重要である。しかしながら、これに加えて、磁束集中器の主要部分は、検知要素に対する指向性磁界結合及び伝達の向上を容易にするように優先的に形状を決定しセグメント化することができる。一実施形態では、図9に示すように、磁束集中/遮蔽構造50、55は複数の開口スロット75を有する。開口スロット75は軟磁性材料を有しない。どの開口スロット75も、下に2つの基準磁気抵抗器要素の一方が配置されている磁束集中/遮蔽構造50、55の領域には位置していない。磁界検知コンポーネントを製造するための方法の一実施形態は、多数の磁気検知構造をライン要素として磁気検知構造のアレイに堆積することと、隣接するライン要素の第1及び第2の端部を接続するようにコンダクタ要素をパターニングして堆積することであって、この接続する要素が実質的に蛇行形状の構造を形成するために隣接するライン要素の第1及び第2の端部を接続する、ことと、磁気検知構造間の分離を与えるように誘電層を堆積することと、誘電層に堆積バイアをパターニングしエッチングすることと、多数の磁束集中器構造をパターニングし堆積することであって、1つの磁束集中器構造が各2つの隣接するライン要素間に堆積されている、ことと、を含む。一例において、磁界検知コンポーネントを製造するための方法は、カプセル化層を堆積することと、カプセル化層にバイアをパターニングしエッチングすることと、磁界検知構造に対する外部接続を可能とするためにボンドパッドを堆積することと、も含む。一実施形態において、磁気センサ製造シーケンスは以下の一般化されたステップから成る。平面ウェハ基板表面上に検知要素材料を堆積する。基板は、熱酸化シリコン又はセラミック材料とすることができる。良好な表面平滑度が必要である。ウェハ表面上に強磁性検知要素スタックAMR、GMR等を堆積し、マイクロリソグラフィによりパターニング及びエッチングして、目的とする抵抗及び磁気抵抗応答DR/Rを有する抵抗要素を形成する。リフトオフ処理により、コンダクタ要素及び終端部ボンドパッドをマイクロリソグラフィでパターニングし堆積することによって、抵抗要素間の電気的接続を達成する。次いで誘電ギャップ層を堆積して、検知要素、それらの配線、及び以降の層の間に電気的分離を与える。誘電層の堆積後、マイクロリソグラフィによってバイアをパターニングしエッチングする。強磁性磁束集中器/磁束遮蔽を堆積しパターニングする。これは、用いる磁束集中器材料に応じて、好ましくはマイクロリソグラフィパターニング及びマスク貫通電着によって、又はシート堆積、マイクロリソグラフィパターニング、及びエッチングによって実行することができる。任意選択として、カプセル化層を堆積し、バイアをパターニング及びエッチングし、ボンドパッドを堆積して、センサデバイスに対する外部接続を可能とする。このように、x、y、及びz軸センサをバッチ製造することができる。一例においては、静電放電保護を与えるために、製造中に基板に対する分路抵抗器及びバイア接続を提供する。この例では、製造シーケンスは、静電放電保護バイアをパターニングしエッチングすることと、放電保護バイアに動作可能に接続された少なくとも1つの分路抵抗器をパターニングしエッチングすることと、を含む。図8は、分路抵抗器220を有する基板にバイアを備えた蛇行形状の磁気抵抗検知要素202を示す。強磁性検知要素スタックは、Ta、NiFeCr、又は他の下層/エピタキシャル及びキャップ層、GMR上部又は下部合成スピンバルブ、又は多層、又はMTJスタックを有するNiFeAMR材料から成ることができる。コンダクタは、接着層、及びCu、Au、Al、又は他のいずれかの低抵抗コンダクタ材料から成ることができる。ギャップ層誘電体は、Al203、Si3N4、及びそれらの組み合わせ、又は、適切な誘電率及びデバイス動作条件に耐える降伏電圧を有する他の絶縁性材料とすることができる。磁束集中器/磁束遮蔽は、NiFe、NiFeMo、NiFeCo、NiFeB、CoFe、CoZrTa等、高透磁率、低保磁力、低異方性磁界の強磁性材料から成ることができる。カプセル化層は、先にギャップ層で用いたような誘電体から成ることができる。追加のカプセル化層材料は、限定ではないが、ポリイミドPI、又はビス-シクロブテンBCB、又は硬化フォトレジストフェノール性ポリマー等、硬化ポリマーを含むことができる。ボンドパッド材料は、Au、Cu、又はAlを含むことができる。あるいは、ボンドパッドは、フリップチップアセンブリのために隆起させたCu及び共晶はんだ柱とすることができる。磁束集中器設計に関して、重要な設計ファクタは、磁束集中器の面積及び厚さ、ネックダウン、材料、織り込まれた磁束集中器フィンガ幅、フィンガ厚さ、センサからのずれ距離、及び側壁プロファイルである。本教示を記載し規定する目的のため、本明細書において実質的にという言葉を用いることで、量的な比較、値、測定、又は他の表現に起因し得る固有の不確定性を表すことに留意すべきである。また、本明細書において実質的にという言葉を用いて、対象となる主題の基本的な機能を変えることなく、量的な表現が記述した参照から変動し得る程度を表す。本発明について様々な実施形態に関連付けて記載したが、これらの教示は、添付の特許請求の範囲の精神及び範囲内で多種多様な更に別の実施形態及び他の実施形態が可能であることは認められよう。"