"液晶性分子をランダムに配向させた状態に固定してなる薄膜を含んでなる偏光解消素子。該液晶性分子が,光重合性液晶性高分子である,請求項1の偏光解消素子。光重合性液晶性液晶性高分子を含んでなる重合性材料を,非配向性の表面を有する基板の該表面に塗布し,これを該光重合性液晶性高分子がネマチック相の状態をとる温度に一旦加熱した上で,該温度より低下させ,該光重合性液晶性高分子を,偏光軸の方向について全体として偏りのない光照射に付すことにより重合させ,次いで焼成することを含む,偏光解消素子の製造方法。該光照射が,非偏光の,又は該基板上の該重合性材料に対し光電場方向を時間的に変化させた偏光の照射の照射である,請求項3の製造方法。該偏光の照射が,該基板上の該光重合性液晶性液晶性高分子に対して偏光の光電場面を相対的に回転させつつ行われるものである,請求項4の製造方法。該偏光の照射が,該基板をその面内で回転させつつ該光重合性液晶性液晶性高分子に偏光を照射することによりなされるものである,請求項4の製造方法。該非配向性を有する表面が,該基板の表面に配向膜形成材料を塗布し,これを焼成した後,偏光軸の方向について全体として偏りのない光照射に付して重合させることにより作製されるものである,請求項3ないし6の何れかの製造方法。該配向膜形成材料の光照射が,非偏光の,又は該基板上の該配向膜形成材料に対し光電場方向を時間的に変化させた偏光の照射の照射である,請求項7の製造方法。該配向膜形成材料へ偏光の照射が,該基板上の該配向膜形成材料に対して偏光の光電場面を相対的に回転させつつ行われるものである,請求項8の製造方法。該配向膜形成材料へ偏光の照射が,該基板をその面内で回転させつつ該配向膜形成材料に偏光を照射することによりなされるものである,請求項9の製造方法。該配向膜材料がポリビニルシンナメートである,請求項7ないし10の何れかの製造方法。上記背景において,本発明は,作製手順が少なく作製が容易で,且つ軽量の偏光解消素子を提供することである。本発明者らは,アモルファスランダム液晶配向構造を有する薄膜に直線偏光が入射すると,その透過光の偏光特性が効率的に解消されることを見出し,更に検討を加えて本発明を完成させた。すなわち,本発明は,以下を提供するものである。1液晶性分子をランダムに配向させた状態に固定してなる薄膜を含んでなる偏光解消素子。2該液晶性分子が,光重合性液晶性高分子である,上記1の偏光解消素子。3光重合性液晶性液晶性高分子を含んでなる重合性材料を,非配向性の表面を有する基板の該表面に塗布し,これを該光重合性液晶性高分子がネマチック相の状態をとる温度に一旦加熱した上で,該温度より低下させ,該光重合性液晶性高分子を,偏光軸の方向について全体として偏りのない光照射に付すことにより重合させ,次いで焼成することを含む,偏光解消素子の製造方法。4該光照射が,非偏光の,又は該基板上の該重合性材料に対し光電場方向を時間的に変化させた偏光の照射の照射である,上記3の製造方法。5該偏光の照射が,該基板上の該光重合性液晶性液晶性高分子に対して偏光の光電場面を相対的に回転させつつ行われるものである,上記4の製造方法。6該偏光の照射が,該基板をその面内で回転させつつ該光重合性液晶性液晶性高分子に偏光を照射することによりなされるものである,上記4の製造方法。7該非配向性を有する表面が,該基板の表面に配向膜形成材料を塗布し,これを焼成した後,偏光軸の方向について全体として偏りのない光照射に付して重合させることにより作製されるものである,上記3ないし6の何れかの製造方法。8該配向膜形成材料の光照射が,非偏光の,又は該基板上の該配向膜形成材料に対し光電場方向を時間的に変化させた偏光の照射の照射である,上記7の製造方法。9該配向膜形成材料へ偏光の照射が,該基板上の該配向膜形成材料に対して偏光の光電場面を相対的に回転させつつ行われるものである,上記8の製造方法。10該配向膜形成材料へ偏光の照射が,該基板をその面内で回転させつつ該配向膜形成材料に偏光を照射することによりなされるものである,上記9の製造方法。11該配向膜材料がポリビニルシンナメートである,上記7ないし10の何れかの製造方法。本発明によれば,従来のものに比して極めて軽量の偏光解消素子を得ることができる。また,本発明の偏光解消素子は,従来のものに比して作製が極めて容易であり,従って,従来のものより格段に低いコストでの提供することが可能となる。更に,本発明によれば,偏光解消素子のサイズや形状における自由度が従来に比して極めて高く,種々のサイズや形状の基板を用いて作製でき,また作製後にカッティングする等の単純な手段でサイズや形状の変更を行うことも容易にできる。このため,本発明の偏光解消素子は,光検出器,回折格子,分光器その他種々の光学機器への組み込みが極めて容易になるという点でも,非常に有利である。偏光を完全に解消することは,特定の方向の電場面を有する入射光を,あらゆる方向に完全に同一強度の電場面を有するようにした偏光の束に変換することであるが,これは技術的に極めて困難である。現在繁用されている水晶偏光解消板を用いても,透過光の強度における角度依存性は残り,角度に対する強度のプロットは,もとの入射光の偏光軸光電場面方向にピークを持つなだらかな曲線を与える。従って,本明細書において,偏光解消とは,特定方向の偏光性を有する入射光を,入射光の偏光方向とは垂直な方向までも含んだ,種々の方向の偏光の混合した光にすることをいう。本明細書において,偏光解消素子とは,上に述べた意味での偏光解消を達成することのできる物品をいい,平面状,弯曲状,直方体立方体を含む,円柱状等,形状は問わない。偏光解消素子は,偏光を解消する機能を有する薄膜偏光解消膜を有しておればよく,そのような薄膜を基板の片面又は両面に設けたものも包含する。本明細書において,液晶分子の配向について,ランダムあるいはアモルファスとは,液晶分子の向きにより生ずる偏光軸の方向に規則性がなく,全体として偏光軸に関して異方性がないことをいい,実用上,直径約50μm以上の領域全体で見たとき特定の偏光軸に揃っていなければ足りる。本明細書において,液晶性高分子とは,液晶を形成する能力を有する高分子をいう。典型的な液晶性高分子は,主鎖及び/又は側鎖に,メソゲン液晶を形成し得る剛直な構造部位を有する高分子である。本明細書において,光重合性液晶性高分子とは,液晶性分子であって,且つ光例えば,紫外線による重合性を兼ね備えたものをいう。偏光解消膜を作製するには,光重合性と液晶性があれば十分であるから,光重合性液晶性高分子としては,それ以外に特段の制約はなく,両性質を有する種々の重合性液晶を適宜用いてよい。例えば,次の一般式で示される重合性液晶式中,aは2~6の整数を,Rはハロゲン,アルキル基又は芳香族基を,それぞれ表す。:が挙げられる。が,これらに限定されない。本明細書において,光重合性液晶性液晶性高分子を含んでなる重合性材料は,光重合性液晶性高分子の他に,均等な薄い塗布等の取り扱いを容易にし,重合の速度等を調整する等の目的で,常法により,溶媒,重合開始剤,界面活性剤その他,光重合において周知の種々の材料を,適宜含有していてよい。本発明において,基板に上記重合性材料を塗布する場合,塗布厚は,特に限定されないが,一般には,約1μm~約50μmの範囲とするのが好ましく,約1μm~約5μmの範囲とするのがより好ましい。本明細書において,重合性材料をについて,ネマチック相の状態をとる温度とは,液晶性の分子が,特定の配向秩序を持ち得るが三次元的な位置秩序は持たない状態をとる温度であり,固体の状態を採る温度範囲と液体の状態を採る温度範囲との中間に位置する,ある幅を有する温度である。但し,本発明においては,基板への重合性材料の塗布に際し,基板には特定の配向性を持たせないことから,その上に塗布した重合性材料は,特定の配向性を有しない。ネマチック相の状態をとる温度は,用いる液晶材料毎に相違するが,材料を加熱しつつ偏光を照射して観察する等により,極めて簡単に検出することができる。本発明において,偏光軸の方向について全体として偏りのない光照射を行うときの温度は,重合性材料を一旦ネマチック相の状態をとる温度に高めた後,当該温度から約10~20°Cまではゆっくり放冷し温度を低下させその後室温まで冷却させた時点で行うことが適切である。それにより光重合性液晶性高分子に重合を起こさせ,メソゲンにランダムな方向をとらせた状態に固定することができる。本明細書において,偏光軸の方向について全体として偏りのない光照射とは,典型的には,非偏光すなわち,あらゆる方向に同一の光電場強度となるように種々の光電場方向の偏光を均等に含んだ光を照射することであるが,同様の結果を与えることのできる他の適宜な方法を用いてよい。例えば,光電場方向を時間的に変化好ましくは,回転させつつ偏光を所定の時間照射することにより,照射時間全体で見たとき結果的に特定の光電場方向への偏りを消失させることができる。これは,例えば,対象物に特定の偏光を照射しつつ,両者を相対的に回転例えば,基板の側を回転させることにより行うことができる。なお本発明において,基板は,偏光解消能を有する薄膜をその上に安定に形成することのできる,任意の透明な支持体であってそれ自身が特定方向の偏光性を実質的に有しないものであればよく,それ以外には特に限定されない。特に好ましい一例は,ガラスである。本発明において,焼成は,重合させた後の重合性材料を加熱することにより,溶媒用いた場合その他の揮発性物質の除去と共に,分子レベルで樹脂の構造を安定化して,製品の耐久性を高めるためのプロセスである。焼成温度は,用いる樹脂の性質に応じて適宜選択すればよい。本発明において,光重合性液晶性高分子が塗布される表面は,当該高分子に特定の配向をとらせるおそれがないよう,非配向性のものである。そのような非配向性の表面は,基板例えば,洗浄したガラス基板自体の表面であってもよいが,基板の表面に配向膜形成材料例えば,光架橋性樹脂であるポリビニルシンナメートを塗布しこれを焼成した後,偏光軸の偏りをなくした光照射を照射することで作製して行うのが,より確実である。以下,実施例を参照して本発明を更に具体的に説明するが,本発明がそれらの実施例に限定されることは意図しない。実施例11偏光解消素子の作製ガラス基板に,配向膜材料として光架橋性樹脂であるPVCiポリビニルシンナメート,AldrichChemCoを塗布し,スピンコートした予備回転:500rpm×5秒,本回転:2000rpm×20秒。次いでこれを90°Cで30秒次いで180°Cで1時間焼成した。焼成後,これを回転させつつ直線偏光である紫外線波長313nmを,照射した。紫外線照射量は,5,10,15又は20J/cm2とした。また,紫外線照射しないものも設けた。上記で得られた各配向膜但し特定の配向性を有しないを備えた基板上に,光重合性液晶性高分子として下記の重合成液晶組成物を塗布し,スピンコートした予備回転:500rpm,本回転1000rpm。これを,該高分子がネマチック相の状態をとる温度85~115°C内の95°Cで5分間加熱した後放冷し,温度が80°Cまで下がった段階で,基板を中心軸周りに回転させつつ,高分子膜に上方から直線偏光である紫外線波長313nmを照射し900mJ,次いで230°Cで30分間焼成することにより,偏光解消素子サンプルを作製した膜厚2.3μm。重合成液晶組成物重合性液晶A次式5:28.54重量光開始材:Irg907:1.43重量添加剤:BYK330レベリング剤:0.03重量溶剤:シクロヘキサノン:70.0重量2偏光解消能の測定上記で得られた偏光解消素子サンプルについて,その偏光解消能を以下の方法で測定した。測定方法測定方法は次のとおりである。図1に示すシステム構成を構成する。図において,1は偏光ビームスプリッタPBSであり,3はλ/4板,5は検出器,7は偏光子,9はサンプル偏光解消素子,11は回転検光子,13は検出器,15は,I/V変換器,17はデジタルマルチメータ,19はコンピュータを示す。レーザ光源から光波長532nmを偏光ビームスプリッタ1でS偏光垂直偏光,ISとP偏光平行偏光,IPに分離し,直進して透過した平行偏光をλ/4板3に通して円偏光とするこれにより,光源からのレーザ光自体が有し得る特定方向の偏光性が測定に及ぼす可能性を遮断する。円偏光を静止した偏光子7に通して直線偏光とし,これをサンプル9に当て,透過光を回転検光子11に導き,通過した光測定光を検出器13で検出する。他方,偏光ビームスプリッタで直角方向に反射したS偏光参照光の強度を検出器5で検出とする。検出器5及び13でそれぞれ検出された光強度をI/V変換器15で電圧に変換し,デジタルマルチメータ17で測定光の強度を求め,これを,回転検光子11の回転角の回転角の関数として,コンピュータに記憶させる。これに際し,測定光の強度は,規格化強度IN=測定光強度/参照光強度として記録する。これにより,光源からの光の強度の時間的不安定さによる影響が除かれる。図2は,光軸を原点とするxy座標系に,偏光子の偏光軸方向P,ある時点の回転検光子の偏光軸方向A,液晶のfast軸n0とslow軸noを描いた図であり,x軸は偏光子の偏光軸方向と一致させてあり,θは液晶のfast軸とx軸との角度,φは,偏光子と回転検光子とのなす角度を示す。偏光子におけるジョーンズベクトルの計算により,回転検光子を通過してくる光の強度は,一般に次式1で表される。ここに,δは,位相差を表す。サンプルである偏光解消素子において液晶分子はアモルファス配向していることから,光強度をθについて0~πまで積分することにより,このサンプルでの測定光の強度は,次式2で表される。図3は,式2に基づき,種々の位相差δにつき,回転検光子の角度に対し測定光の規格化強度を任意単位でプロットしたものである。位相差δが0からπまで増加するに伴い測定光の規格化強度における回転検光子の角度への依存性が低下し,位相差δがπに達したきはと角度への依存性は完全に消失するすなわち偏光は完全に解消されることが分かる。従って,このグラフと,実際のサンプルでの測定光の強度を回転検光子の角度に対してプロットして得られる結果とを比較することで,偏光がどの程度まで解消されたかを評価することができる。結果上記で作製した偏光解消素子サンプル及び素ガラスでの測定結果を図4に示す。図に見られるように,対照としての素ガラスを用いたときは,回転検光子の角度に依存して透過光強度の非常に大きな変化ゼロ~最大が観察された。これに対し,紫外線照射5~20JしたPVCi膜上に光重合性液晶性高分子の硬化膜を形成したサンプルでは,何れも,透過光強度の回転検光子の角度への依存性が非常に小さくなっており,偏光子と回転検光子の偏光軸方向に90°の差があっても,十分な強度の透過光が検出されている。従って,作製した素子は,偏光解消素子として十分に機能することが分かる。図5は,こうして得られた偏光解消素子の代表的な偏光顕微鏡像を示す。バーは40μmであり,液晶性分子がランダムに配向していることが分かる。"