基板を真空雰囲気中に収容するチャンバと、前記基板に材料を成膜する際に前記チャンバの内壁を保護し、前記チャンバから着脱可能なシールド部材とを備え、前記シールド部材は、前記チャンバの内壁の保護にまだ使用されていていない使用前シールドを筒状に巻いた使用前ロールと、前記使用前ロールと連続して繋がっており、前記チャンバの内壁の保護にすでに使用された使用後シールドを筒状に巻くことが可能な使用後ロールとを含み、前記シールド部材を前記チャンバの内壁において支持するガイド部をさらに備えたことを特徴とする成膜装置。前記シールド部材が前記基板の周囲の全体を取り囲むように前記基板の側面と前記チャンバの内側壁との間において重なっていることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。前記シールド部材は、前記基板の側面と前記チャンバの内壁との間において折り返されていることを特徴とする請求項2に記載の成膜装置。前記使用前シールドを前記使用前ロールから繰り出し、かつ、前記使用後シールドを前記使用後ロールに巻き取るモータをさらに備えたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の成膜装置。真空雰囲気中において基板に材料を成膜する成膜装置のチャンバの内壁を保護し、前記成膜装置に対して着脱可能なシールド部材であって、前記チャンバの内壁の保護にまだ使用されていない使用前シールドを巻いた使用前ロールと、前記使用前ロールと連続して繋がっており、前記チャンバの内壁の保護にすでに使用された使用後シールドを筒状に巻くことが可能な使用後ロールとを備え、前記使用前シールドは前記使用前ロールから繰り出されて前記チャンバの内壁を保護し、前記使用後シールドは前記使用後ロールに巻き取られることを特徴とするシールド部材。前記シールド部材を前記成膜装置から取り外した後、前記使用後シールドは、前記使用後ロールから繰り出されて洗浄され、洗浄後、前記使用前シールドとして前記使用前ロールに巻き取られることを特徴とする請求項5に記載のシールド部材。チャンバ内壁を保護するシールドの交換頻度を低下させ、半導体製造工程におけるスループットの向上および製造コストの低下を実現することができる成膜装置およびシールド部材を提供する。本実施形態による成膜装置は、基板を真空雰囲気中に収容するチャンバと、基板に材料を成膜する際に前記チャンバの内壁を保護し、チャンバから着脱可能なシールド部材とを備えている。シールド部材は、チャンバの内壁の保護にまだ使用されていていない使用前シールドを筒状に巻いた使用前ロールと、使用前ロールと連続して繋がっており、チャンバの内壁の保護にすでに使用された使用後シールドを筒状に巻くことが可能な使用後ロールとを含む。ガイド部は、シールド部材をチャンバの内壁において支持する。以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。図1は、本実施形態によるウェハ搬送装置1を備えたマルチチャンバ型成膜装置2の概略平面図である。ウェハ搬送装置1は、半導体ウェハ3を収納したウェハカセット4を複数配置したロードステーション5と、ウェハ3に薄膜を形成する複数のプロセスチャンバ6に隣接するトランスファチャンバ7と、ロードステーション5とトランスファチャンバ7との間にそれぞれ配置されたロードロックチャンバ8およびアンロードロックチャンバ9とを備えている。ロードステーション5の中央部には、半導体ウェハ3のオリエンテーションフラットを利用して半導体ウェハ3の位置決めを行うオリエンタ11が配置されている。ロードステーション5におけるオリエンタ11の両側には、それぞれ未処理の半導体ウェハ3を収納したウェハカセット4が複数配置されている。さらに、ロードステーション5には、半導体ウェハ3の搬送を行うロードステーションロボット13が設けられている。ロードステーションロボット13は、遠隔操作によりガイド12に沿って移動可能であり、かつ、伸縮可能なリンク機構13aを備えている。リンク機構13aの先端には、半導体ウェハ3を水平に搭載する平板状のブレード13bが取り付けられている。ロードロックチャンバ8およびアンロードロックチャンバ9は、それぞれ大気圧のロードステーション5に連結されるとともに、10-7~10-8Torr程度の真空状態に排気されたトランスファチャンバ7にスリットバルブ20を介して連結されている。スリットバルブ20は、ロードロックチャンバ8およびアンロードロックチャンバ9とトランスファチャンバ7とを連通したり、気密に遮断したりすることができるようになっている。ロードステーションロボット13は、ブレード13bをロードロックチャンバ8、アンロードロックチャンバ9およびウェハカセット4内に差し入れることができ、それにより、半導体ウェハ3を各チャンバ8、9またはウェハカセット4に搬送することができる。トランスファチャンバ7には、半導体ウェハ3の搬送を行うトランスファロボット21が設けられている。トランスファロボット21は、トランスファチャンバ7の中心に設置された支持軸21aと、支持軸21aの外周に設けられた伸縮可能なリンク機構21bと、リンク機構21bの先端で水平に支持された細長い平板状のブレード21cとを備えている。リンク機構21bは、支持軸21aを中心としてブレード21cを旋回させることができ、かつ、径方向に移動させることができる。トランスファロボット21は、ブレード21cをロードロックチャンバ8、プロセスチャンバ6およびアンロードロックチャンバ9内に差し入れることができ、それにより、半導体ウェハ3を各チャンバ6、8、9に搬送することができる。トランスファチャンバ7の周囲には、複数のプロセスチャンバ6がそれぞれスリットバルブ20を介して連結されている。本実施形態におけるプロセスチャンバ6は、スパッタリングによりウェハ3に薄膜を形成するもので、10-9Torr程度の真空状態にされている。スリットバルブ20は、プロセスチャンバ6とトランスファチャンバ7とを連通したり、気密に遮断したりすることができるようになっている。成膜処理時には、半導体ウェハ3は、ロードステーションロボット13によってウェハカセット4からロードロックチャンバ8に搬送され、その後、トランスファロボット21によって、ロードロックチャンバ8からプロセスチャンバ6に搬送される。成膜処理後、半導体ウェハ3は、トランスファロボット21によって、プロセスチャンバ6からアンロードロックチャンバ9に搬送され、その後、ロードステーションロボット13によってアンロードロックチャンバ9からウェハカセット4に搬送される。図2は、プロセスチャンバ6の構成を示す断面図である。プロセスチャンバ6は、例えば、ステンレスを用いて円筒状に形成されている。バッキングプレート電極54は、プロセスチャンバ6の上面開口部を気密に閉塞するように着脱可能に取り付けられる。バッキングプレート54の下面には、ターゲット52が固定されている。バッキングプレート54の上面には、ターゲット52に磁場を印加するためのマグネット56が設けられている。これにより、成膜装置は、いわゆる、マグネトロンスパッタリングを行うことができる。バッキングプレート54には、電場を形成するための電源58が接続されている。プロセスチャンバ6内において、ターゲット52と対向するように導電体からなるステージ60が設けられている。ステージ60上には、被処理基板として半導体ウェハ3が搭載される。半導体ウェハ3をステージ60に固定するために、クランプリング64がステージ60の外縁部に設けられている。ステージ60は、プロセスチャンバ6の底部を貫通して垂直上方に延びる昇降可能な支持軸66に支持され、電気的にはプロセスチャンバ6と共に接地されている。なお、プロセスチャンバ6は減圧可能に構成されており、支持軸66を擦動可能に通す貫通孔もシール部材図示せずによって真空封止されている。プロセスチャンバ6内には、プロセスチャンバ6よりも直径の小さい円筒状の内部チャンバ30が設けられている。本実施形態では、プロセスチャンバ内でシールド部材によって、プラズマとスパッタチャンバ内壁を遮蔽された部分を便宜的に内部チャンバと呼ぶ。内部チャンバ30は、ステージ60上の半導体ウェハ3をクランプリング64の高さまで上昇させたときに、ターゲット52と半導体ウェハ3とを結ぶ空間処理空間の周りを囲むように設けられている。内部チャンバ30の下端部にはフランジ部30aが設けられており、フランジ部30aの上にクランプリング64が取り付けられている。内部チャンバ30の上端部とバッキングプレート54の外縁部との間には絶縁性のOリング34が設けられており、プロセスチャンバ6内を真空状態で密閉している。内部チャンバ30の内壁に、シールド40が設けられている。シールド40は、真空雰囲気中において半導体ウェハ3にメタル材料等を成膜する際に、成膜装置の内部チャンバ30の内壁を保護する。例えば、スパッタ成膜時には、ガス供給源図示せずよりガス供給管36を介してプロセスチャンバ6内に不活性ガス例えば、Arガスが導入される。プロセスチャンバ6の底に設けられている排気口38は真空ポンプ図示せずに通じており、プロセスチャンバ6内が真空状態に減圧されている。そして、電源58よりターゲット52とステージ60との間に電圧が印加されることで、処理空間内でArガスが電離してプラズマが発生し、プラズマからの加速されたArイオンの入射によりターゲット52の表面がスパッタされる。スパッタ粒子はステージ60上の半導体ウェハ3の主面に堆積してメタル薄膜を形成する。このような、スパッタ法においては、ターゲット52の表面からスパッタされたメタル粒子は、ターゲット正面の半導体ウェハ3に向かうだけでなく、内部チャンバ30の内側面にも向かって飛散する。このとき、シールド40は、スパッタ粒子が内部チャンバ30の内側面に付着しないように保護し、それにより、スパッタ粒子はシールド40の表面に付着する。図3Aは、シールド40、ガイド部41およびその周辺を示す断面図である。図3Bは、シールド40、ガイド部41およびその周辺を示す斜視図である。内部チャンバ30には、シールド40を案内するガイド部41が備えられている。ガイド部41は、シールド40が内部チャンバ30の内壁を被覆するように、シールド40の上端および下端を支持している。ガイド部41は、内部チャンバ30と同様に、例えば、ステンレスで形成されている。ガイド部41は、シールド40が接触する部分に、摩擦抵抗が低くかつ耐熱性の材料例えば、シリコーン、ゴム等からなる接触部42を備えている。これにより、シールド40は、ガイド部41内を内部チャンバ30の内壁面に沿って図3の紙面に対して垂直方向に滑らかに摺動することができる。図4は、シールド部材50の構成を示す斜視図である。シールド部材50は、使用前ロール44と、使用後ロール45とを備えている。使用前ロール44は、内部チャンバ30の内壁の保護にまだ使用されていていない使用前のシールド40を筒状に巻いて形成されている。使用後ロール45は、使用前ロールと連続して繋がっており、内部チャンバ30の内壁の保護にすでに使用された使用後のシールド40を筒状に巻いて形成されている。使用前シールドは使用前ロール44から繰り出されて内部チャンバ30の内壁を保護する。そして、成膜工程で使用された使用後シールドは使用後ロール45に巻き取られる。シールド40は、耐熱性に優れ、柔軟性があり、かつ、膜材料を通過させない材料を用いて形成される。シールド40は、例えば、ステンレスSUSSteelUseStainless等の金属膜からなる。ただし、金属膜を用いる場合、ロール上に巻くことができるような柔軟性を維持するために、シールド40は、充分に薄くするする必要がある。例えば、シールド40は、ステンレス製の場合、約1.5mmの厚みに形成される。シールド40の幅は、内部チャンバ30の内側面の幅高さに適合するように設定される。例えば、シールド40の幅は、約400mmである。また、シールド40の表面は、付着した膜材料が剥がれることを抑制するために、エンボス加工されていることが好ましい。例えば、図5に示すように、シールド40の表面は、アルミニウムAl、銅Cu、マグネシウムMg、亜鉛Zn等の金属を含む合金からなるプラズマ溶射膜46を備えている。図5は、シールド40の表面近傍の断面図である。プラズマ溶射膜46の表面は、エンボス加工によって適度に粗面化されている。プラズマ溶射膜46の表面の粗さは、膜材料80が十分に大きな結合力で密着し、膜材料80の剥離を確実に抑制できるように設定される。さらに、シールド40とプラズマ溶射膜46との結合力を高めるために、シールド40の表面をブラスト処理によって適度な粗さに粗面化してもよい。図6は、プロセスチャンバ60、内部チャンバ30およびシールド部材50の関係を示す概略平面図である。尚、図2は、図6の2-2線に沿った断面図に相当する。プロセスチャンバ60内は真空状態であり、従って、成膜装置において、内部チャンバ30およびシールド部材50は、真空雰囲気中に設けられている。使用前ロール44および使用後ロール45は、内部チャンバ30の外側に設けられており、シールド40は、内部チャンバ30のシールド導入口35から導入される。内部チャンバ30内に導入されたシールド40は、回転可能なロータ90、ガイド部41に支持されており、内部チャンバ30の内壁面に沿って該内壁面を被覆している。成膜装置は、使用後ロール45を回転させるモータ100をさらに備えている。モータ100は、使用後のシールドを使用前のシールドに変更するときに、使用後ロール45を矢印A3の方向に回転させて、使用後のシールド40を巻き取る。モータ100の回転動作に追従して、使用前ロール44が矢印A1の方向に回転し、使用前のシールド40を内部チャンバ30内へ繰り出す。この場合、モータ100が使用後ロール45を回転させることによって、自動的に使用前ロール44も回転し、該使用前ロール44から使用前のシールド40が繰り出される。従って、使用前ロール44は、回転軸を中心に回転可能に設置されていればよく、使用前ロール44側にはモータは必ずしも必要ない。勿論、必要に応じて、使用前ロール44、ロータ90~92にモータを配備してもよい。これにより、使用前ロール44からシールド40を円滑に繰り出し、かつ、シールド40を円滑に使用後ロール45へ巻き取ることができる。ロータ90~92は、内部チャンバ30内のシールド導入口35の近傍に設けられている。ロータ90、92は、シールド40がシールド導入口35からガイド部41へ円滑に導入されるように設けられている。シールド導入口35から内部チャンバ30へ導入されるシールド40は、ロータ90と92との間に挟まれており、ロータ90および92の両方の回転動作によって内部チャンバ30内へ送り出される。シールド40が、ロータ90と92との間に挟まれていることによって、内部チャンバ30の内側と外側とを遮断する。それにより、内部チャンバ30内のスパッタ粒子がシールド導入口35を介して内部チャンバ30の外へ侵出してしまうことを抑制することができる。ロータ91、92は、シールド40がガイド部41からシールド導入口35へ円滑に導出されるように設けられている。ロータ91および92において、シールド40は、内部チャンバ30の内壁に沿って内部チャンバ30の内部を完全に一周した後、半導体ウェハ3の側面と内部チャンバ30の内側壁との間において折り返されてシールド導入口35から導出される。即ち、シールド40が半導体ウェハ3の周囲の全体を取り囲むように、使用前シールドおよび使用後シールドは、半導体ウェハ3の側面と内部チャンバ30の内側壁との間において重なっている。これにより、内部チャンバ30内のスパッタ粒子がシールド導入口35の近傍へ接近することを抑制し、スパッタ粒子がシールド導入口35を介して内部チャンバ30の外へ侵出してしまうことをさらに効果的に抑制することができる。本実施形態では、プロセスチャンバ6内の真空状態を維持したまま、モータ100が使用前シールドを使用前ロール44から繰り出し、かつ、使用後シールドを使用後ロール45に巻き取る。これにより、プロセスチャンバ6内の真空状態を維持したまま、シールド40に堆積した材料が剥がれてパーティクルの原因になる前に、使用後シールドを使用前シールドに交換することができる。シールド40は、使用前ロール44に使用前シールドが無くなるまで、あるいは、使用前シールドが不足するまで交換可能である。使用後シールドから使用前シールドへの交換は、シールド40の表面に堆積した膜材料の膜厚で決定することが好ましい。しかし、シールド40の表面に堆積した膜材料の膜厚を実測することは困難である。従って、その膜材料の膜厚を示すパラメータとして、成膜処理した半導体ウェハ3の数処理回数、成膜処理時間の積算値、あるいは、成膜処理で使用した電力の積算値等がある。即ち、使用後シールドから使用前シールドへの交換は、これらのパラメータのいずれかに基づいて実行すればよい。例えば、上記パラメータが所定値に達した場合に、モータ100を駆動させ、使用後シールドを使用前シールドに交換すればよい。この場合、モータ100は、使用後シールドから使用前シールドへの交換のトリガとなる所定値を記憶する記憶部110と、上記パラメータが所定値に達した場合に、モータ100を駆動させる演算部120とを備えたサーボモータでよい。これにより、オペレータは、使用後シールドから使用前シールドへの交換を意識する必要が無く、シールド部材50全体の交換に留意すれば足りる。使用前ロール44に使用前シールドが無くなった場合、あるいは、使用前ロール44に使用前シールドが内部チャンバ30の内壁を被覆するのに足りなくなった場合、オペレータは、使用後のシールド部材50を新しい使用前のシールド部材50と交換する。シールド部材50の交換は、プロセスチャンバ6の内部を真空状態から大気圧の状態へ解放する必要がある。シールド部材50の交換後、プロセスチャンバ6の内部は、再度、真空引きされる。その後、モータ100によってシールド40を交換しながら成膜処理を継続することができる。尚、シールド部材50は、複数回例えば、10回シールド40を交換できるように、充分な長さの使用前シールドを有することが好ましい。使用後のシールド部材50を成膜装置から取り外した後、使用後のシールド部材50に堆積した材料を除去するために、使用後シールドは使用後ロール45から繰り出されて洗浄される。洗浄後、使用前シールドとして使用前ロール45に巻き取られる。これにより、シールド部材50は、再度、新しいシールド部材50としてリサイクルされ得る。本実施形態によれば、シールド部材50が使用前ロール44および使用後ロール45を備え、使用前シールドは使用前ロール44から繰り出されて内部チャンバ30の内壁を保護し、使用後シールドは使用後ロール45に巻き取られる。これにより、プロセスチャンバ6および内部チャンバ30の真空状態を維持したまま、シールド40を複数回に亘って交換することができる。その結果、シールド部材50の交換頻度が低減し、メンテナンス負担が軽減される。また、メンテナンスのためにプロセスチャンバ6および内部チャンバ30の真空状態を解放する頻度が低減するので、成膜工程のスループットの向上および製造コストの低下を実現することができる。尚、上記実施形態では、モータ100が使用後ロール45を回転させることによってシールド40を交換している。しかし、使用後ロール45の軸を回転ハンドル図示せずと連結させ、オペレータが回転ハンドルを介して手動で使用後ロール45を回転させてもよい。このとき、使用後ロール45の軸は、貫通孔を介して回転ハンドルと連結されており、その貫通孔においてシール部材によって真空封止される。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。