"書込み磁性層を提供する層の積層を備える書込み可能な磁気素子であって、前記積層は、少なくとも1つの磁性材料の中央層13、53、70、23、63、80であって、該少なくとも1つの磁性材料が該中央層の平面に対して平行又は垂直な磁化の向きを提供する、中央層を有し、該中央層は非磁性材料の第1の外側層12、52、71、22、62と第2の外側層14、54、72、24、64、82との間に挟まれ、前記第1の外側層12、52、71、22、62は第1の非磁性材料を含み、前記第2の外側層14、54、72、24、64、82は、第1の非磁性材料とは異なる第2の非磁性材料を含み、少なくとも前記第2の非磁性材料は導電性であることと、前記積層は、前記中央層の前記平面に対して並行な電流の向きにおいて前記第2の外側層と前記中央層とを通って電流を流すデバイスと、前記中央層13、53、70、23、63、80の前記平面と前記電流の向きとに対して平行又は垂直のいずれかである成分を有する磁場を磁場の向きに沿って印加するデバイスとを備えることと、前記磁化の向きと前記磁場の向きとは相互に垂直であることと、を特徴とする磁気素子。前記磁場は、前記中央層の前記平面と前記電流の向きとに対して平行又は垂直のいずれかであることを特徴とする、請求項1に記載の磁気素子。前記磁場の向きは前記電流の向きに対して平行であることと、前記磁化は、前記磁性中央層13,53、70の前記平面に対して垂直であることと、を特徴とする、請求項1又は請求項2に記載の磁気素子。前記中央層13,53、70は、0.1nm~5nmの範囲内、好ましくは2nm以下の厚さを有することを特徴とする、請求項3に記載の磁気素子。前記磁化の向きは前記電流の向きに対して平行であることと、前記磁場の向きは前記磁性中央層23,63、80の前記平面に対して垂直であることと、を特徴とする、請求項1又は請求項2に記載の磁気素子。前記中央層23,63、80は、0.1nm~5nmの範囲内、好ましくは3nm以下の厚さを有することを特徴とする、請求項5に記載の磁気素子。前記中央層13,53、70、23,63、80は、本質的な垂直磁気異方性を提供する合金、すなわち、詳細にはFePt、FePd、CoPt、又は実際に、希土類元素及び遷移金属合金、詳細にはGdCo、TdFeCoを含むことを特徴とする、請求項3又は請求項4に記載の磁気素子。前記中央層は、前記積層内に、前記界面、詳細にはCo、Fe、CoFe、Ni、CoNiによって誘導される垂直磁気異方性を提供する金属又は合金を含むことを特徴とする、請求項3又は請求項4に記載の磁気素子。前記中央層は、前記積層内、詳細にはCo、Fe、CoFe、Ni、NiFe、CoNi内に、面内磁気異方性を提供する金属又は合金を含むことを特徴とする、請求項5又は請求項6に記載の磁気素子。少なくとも1つの外側層は導電性であり、Pt、W、Ir、Ru、Pd、Cu、Au、Bi、又はこれらの金属の任意の合金等の非磁性金属で作られることを特徴とする、請求項1~9のいずれか1項に記載の磁気素子。前記導電性外側層の厚さは10nm未満、好ましくは5nm以下であることを特徴とする、請求項10に記載の磁気素子。前記第1の外側層はSiOx、AlOx、MgOx、TiOx、TaOx、HfOx等の誘電性の酸化物で作られるか、又はSiNx、BNx等の誘電性の窒化物で作られることを特徴とする、請求項1~11のいずれか1項に記載の磁気素子。前記外側層の厚さは0.5nm~200nmの範囲内、より詳細には0.5nm~100nmの範囲内、好ましくは3nm以下であることを特徴とする、請求項12に記載の磁気素子。外側層の双方が導電性であり、前記非磁性材料又は合金のうちの2つの異なるものから選択されることを特徴とする、請求項1~11のいずれか1項に記載の磁気素子。前記電流は、104A/cm2~109A/cm2の範囲内、好ましくは105A/cm2~108A/cm2の範囲内にある電流密度を提供することを特徴とする、請求項1~14のいずれか1項に記載の磁気素子。前記印加される磁場は、0.002T~1Tの範囲内、有利には0.005T~0.8Tの範囲内にある値を提供することを特徴とする、請求項1~15のいずれか1項に記載の磁気素子。前記第1の外側層52は、磁性材料の読出し層58と読出し電極59とに覆われていることを特徴とする、請求項1~16のいずれか1項に記載の磁気素子。前記第1の外側層52は非磁性金属で作られることと、前記第1の外側層52は前記読出し層58、前記読出し電極59、及び前記中央層と共同してスピンバルブを形成することと、を特徴とする、請求項17に記載の磁気素子。前記第1の外側層52は誘電性であることと、前記第1の外側層52は前記読出し層58、前記読出し電極59、及び前記中央層と共同して磁気トンネル接合を形成することと、を特徴とする、請求項17に記載の磁気素子。前記第1の外側層の厚さは3nm未満であることを特徴とする、請求項17~19のいずれか1項に記載の磁気素子。前記第1の外側層及び前記中央層はスタッドを形成し、一方、前記第2の外側層はトラックを形成することを特徴とする、請求項1~20のいずれか1項に記載の磁気素子。前記第2の外側層は前記スタッドの一部を形成する追加の厚さの領域を含むことを特徴とする、請求項21に記載の磁気素子。書き込み可能な磁気デバイスであって、請求項21又は請求項22に記載の複数のスタッドを備え、該スタッドの前記第2の外側層は該スタッドに共通である前記トラックを有することを特徴とする、書き込み可能な磁気デバイス。書き込み可能な磁気デバイスであって、前記第1の外側層と、前記中央層と、前記第2の外側層の追加の厚さの前記領域とが、請求項22に記載のスタッドを形成することと、該デバイスは、前記スタッドの前記第2の外側層の横の導電性トラックとともに複数の前記スタッドを備え、前記スタッドの各々の前記第2の外側層及び前記中央層を通して前記電流を注入し、前記第2の外側層は前記導電トラックの前記材料とは異なる導電材料から作られることと、を特徴とする、書き込み可能な磁気デバイス。本発明の目的は、磁化を反転させるためにその平面に平行な又は垂直な磁化を有する磁性層が存在することだけを必要とし、積層が層の平面に垂直に電流を流すことを必要とせずに動作する磁気メモリを提供することである。したがって、本発明は、書込み磁性層を提供する層の積層を備える書込み可能な磁気素子であって、前記積層は、少なくとも1つの磁性材料の中央層であって、該少なくとも1つの磁性材料は該中央層の平面に対して平行又は垂直な磁化の向きを提供する、中央層を有し、該中央層は非磁性材料の第1の外側層と第2の外側層との間に挟まれ、前記第1の外側層は第1の非磁性材料を含み、前記第2の外側層は、第1の非磁性材料とは異なる第2の非磁性材料を含み、少なくとも前記第2の非磁性材料は導電性であることと、前記積層は、前記中央層の前記平面に対して並行な電流の向きにおいて前記第2の外側層と前記中央層とを通って電流を流すデバイスと、前記中央層の前記平面と前記電流の向きとに対して平行又は垂直のいずれかである成分を有する磁場を磁場の向きに沿って印加するデバイスとを備えることと、前記磁化の向きと前記磁場の向きとは相互に垂直であることと、を特徴とする、磁気素子を提供する。有利には、磁場は中央層の平面に対して及び電流の流れの向きに対して平行であるか又は垂直であり、換言すれば、印加される磁場の向きは上記磁場の向きに一致する。以下の2つの構成が可能である。すなわち、第1の構成では、磁場の向きは電流の流れる向きに対して平行であり、磁化は磁性中央層の平面に対して垂直である。第2の構成では、磁化の向きは電流の流れる向きに対して平行であり、磁場の向きは磁性中央層の平面に対して垂直である。双方の構成において、電流の流れは磁性層に平行であり、積層内を通って層の平面に垂直な向きには流れない。むしろ、電流は層の平面に対して平行な少なくとも1つの電流の流れの向きに、中央磁性層と少なくとも第2の外側層を通って流れ、メモリには、電流の流れる向き又は磁場の向きに作用することによって書き込むことができる。中央層は、有利には、0.1ナノメートルnm~5nmの範囲内の厚さを有する。第1の構成では、この値は、好ましくは2nm以下である。第2の構成では、この値は、好ましくは3nm以下である。磁化の向きが層の平面に対して垂直である場合、中央層は本質的な垂直磁気異方性を提供する合金、すなわち、詳細にはFeP、FePd、CoPt、又は実際に、希土類元素、及び同様に本質的な垂直磁気異方性を提供する、GdCo、TdFeCo等の遷移金属合金を含むことができる。中央層は、積層内に、界面、詳細にはCo、Fe、CoFe、Ni、NiFe、CoNiによって誘導される垂直磁気異方性を提供する金属又は合金を含むこともできる。磁化の向きが層の平面に含まれる場合、中央層は、積層内、詳細にはCo、Fe、CoFe、Ni、CoNi内に、面内磁気異方性を提供する金属又は合金を含むことができる。少なくとも1つの導電性外側層は、非磁性金属、好ましくはPt、W、Ir、Ru、Pd、Cu、Au、Bi、又はこれらの金属の任意の合金で作ることができる。そのような導電性層の厚さは、1nm~10nmの範囲内、好ましくは5nm以下の範囲とすることができる。この厚さの値は、中央層の厚さとして選択される値とは無関係である。非導電性の外側層のうちの1つは、絶縁性の材料、好ましくはSiOx、AlOx、MgOx、TiOx、TaOx、HfOx等の誘電性の酸化物で作られるか、又はSiNx、BNx等の誘電性の窒化物で作られる。この外側層の厚さは、例えば0.5nm~200nmの範囲内、より詳細には0.5nm~100nmの範囲内とすることができ、特に記憶素子がトンネル磁気抵抗信号によって読み出される場合は、好ましくは3nm以下である。双方の外側層は、導電性とすることができるが、このとき外側層は上記非磁性材料又は金属合金のうちの2つの異なるものから選択される。電流密度は、例えば104A/cm2~109A/cm2の範囲内、有利には105A/cm2~108A/cm2の範囲内にある。印加される磁場は、0.002テスラーT~1Tの範囲内、有利には0.005T~0.8Tの範囲内にある値を提供することができる。第1の外側層上記電流はこの層を通っては流れないは、磁性材料の読出し層及び読出し電極で覆うことができる。第1の外側層が非磁性金属で作られる場合、第1の外側層は、読出し層、読出し電極及び中央層と共同してスピンバルブを形成する。第1の外側層が誘電性である場合、第1の外側層は上記読出し層、読出し電極、及び中央層と共同して磁気トンネル接合を形成する。このとき、第1の外側層の厚さは、好ましくは3nm未満である。磁気素子は、第1の外側層と中央層とがスタッドstudを形成し、一方、第2の外側層はトラックを形成するような方法で構造化することができる。第2の外側層は、スタッドの一部を形成する追加の厚さの領域を含むことができる。本発明は、複数のスタッドを含む、書き込み可能な磁気デバイスを提供することができる。この磁気デバイス内では、第2の外側層はスタッドに共通である上記トラックで構成される。代替的には、第1の外側層、中央層、及び第2の外側層はスタッドを形成し、書込み可能な磁気デバイスは、複数の上記スタッドを、上記スタッドの第2の外側層と隣接する導電性トラックとともに有し、上記スタッドの各々の第2の外側層及び中央層を通して上記電流を注入し、各第2の外側層は、導電性トラックの材料と異なる導電性材料で作られる。図面を参照しながら以下の説明を読むことにより、本発明をより良好に理解することができる。本発明に関連して実施される積層、すなわち中央磁性層が磁性体でない2つの外側層間に挟まれていて、その2つの層のうちの少なくとも1つは導電性であり、2つの外側層が異なる材料からなるこの積層は、中央磁性層において非補償の電界を発生させる反転非対称性inversionasymmetryを生じさせる効果を有する。この電界中を伝搬する電子は自身の座標系において、電流及び電界の双方に対して垂直な向きの、ラシュバ場として知られる磁場に曝される。こうして、この磁場は伝導電子に印加される。本発明者らは、ラシュバ場と遍歴電子及び局在化電子の回転を結合する交換相互作用とからの結果としての有効磁場が局所磁化に印加されることを示した。例えば、IoanMihaiMiron他によるCurrentdrivenspintorqueinducedbytheRashbaeffectinaferromagneticmetallayerと題する記事は、3nm厚のPtの層と、その平面に対して垂直な磁化、したがって、z軸に平行な磁化を有する0.6nm厚のCoの層と、x軸に平行に流れる電流を運ぶ2nm厚のAlOxの層とを有する積層を示している。この状況は座標系の第3の軸、すなわちy軸に沿った有効磁場Heffを提供する。したがって、この構成は磁場が層の磁化と共線的ではないので、メモリを作製するには不適切である。驚くべきことに、電流が反転非対称性を提供する構造に注入されたときに、磁場Heffと、Heffに垂直な成分を有する外側磁場との相互作用に起因する磁化の動力学の結果であると解釈されるものを用いることによって、その理論的な障壁が克服できることを本発明者らは示しており、この磁場のHeffに垂直な成分の向きは、電流の注入の向きと共線的である第1の構成か又はその向きと垂直である第2の構成。図1a~図1fは、本発明を実施する第1の構成を示している。この構成では、印加される磁場の向きは電流の向きに対して平行であり、磁化の向きは磁性中央層の平面に対して垂直である。したがって、印加される磁場は磁化と有効磁場Heffとの双方に対して垂直である。符号15は構造体の短絡を避けるための絶縁体である基板を示している。この基板は、特に誘電性酸化物例えばSiOx、AlOx、MgOx又は窒化物、例えばSiNxによって構成することができる。この基板は、基板単独でも良いし、他の何らかの基板、例えばシリコンの上に堆積することもできる。符号13は平面に対して垂直な磁化の平面磁性層を示す。符号16は、或る向き又は反対の向きで存在することができる磁化の方向性を示す。符号12は第1の非磁性外側層を示し、符号14は第2の非磁性外側層を示す。第2の外側層14は書込中に電流が通過する層である。符号11は、この向き又は反対の向きに向けることができる、書込み電流の向きを示し、符号17は印加される磁場の方向を示す。磁場の方向は、電流の向きと共線的であり、同じ向き又は反対の向きに向けることができる。図1a及び図1bは、非構造化積層を示す。非構造化積層内の積層の層12、13、及び14はトラックを形成する。図1c~図1fは、構造化積層を示す。構造化積層内では層14第2の外側層と呼ばれるは導電性であり、磁性層13及び非磁性層12第1の外側層と呼ばれるだけが構造化される層であり、これによりスタッド図1c及び図1dを形成する。構造化積層内の3つの層12、13、及び14は構造化され、スタッド内に導電性層14の追加の厚さ14’を集積することにより、スタッドを形成する。これにより、スタッドは非磁性材料の層14の小部分を含む図1e及び図1f。第2の外側層として考慮すべき厚さは、層14の厚さに追加の厚さ14’を適切にプラスしたものである。追加の厚さ14’の領域は必ずしも層14と同一の導電性材料で作られている必要はなく、この場合、第2の非磁性外側層としてふるまうのは追加の厚さ14’だけであり、反転非対称性を得るためにスタック内で機能を果たすのは追加の厚さ14’の材料であることに留意すべきである。この場合、層14の金属性材料は、任意の材料とすることができる。スタッドを形成することにより、スタッドの中の磁化のみを反転することが可能になる。そうでない場合は、トラックの長さ全体にわたって磁化が反転されてしまうからである。磁性層13は垂直の磁化を表し、その厚さはかなり薄い。このため界面に起因する電界は無視できない。上記厚さは、通常は2nmを超えることはなく、最大でも5nmである。例えば、固有の垂直磁気異方性に起因して垂直の磁化を示す磁性材料FePt、FePd、CoPt、等の合金;GdCo、TbFeCo、...等の希土類及び遷移金属の合金、又は界面によって誘導される垂直磁気異方性効果を示す磁性材料Co、Fe、CoFe、Ni、CoNi、...の全てを用いることができる。例えば、磁性半導体材料、例えばGaMnAsすなわちMnドープのGaAs等の非金属性の磁性材料等を採用することも可能である。既知の磁性半導体材料は周囲より低い温度でのみ磁性体であるということに留意すべきである。磁性材料の垂直異方性が界面によって誘導されるとき、例えば上記外側酸化物層の堆積パラメーターを変更するか、又は積層を作製した後にアニールを実施することにより、中央層の厚さに対して、及び/又は外側酸化物層の酸化状態に対して作用することによって、平面に対して垂直な磁化を得ることが可能である。例:3nm厚のPt導電性層14と、1nm厚のCo中央層13と、AlOx層12とを備える積層は、このAlOxの所与の酸化状態に対して垂直な層磁化を提供し、一方、Co層の厚さが1.5nmに等しい場合、磁化は平面内にある。積層が真空中で300°Cで60分間アニールされる場合は、Co中央層13の磁化は平面に対して垂直である。Co層の厚さが3nmより厚いと、層12がAlOxで作られている場合、アニール又は酸化パラメーターに関わらず、平面の外部の磁化を得るのは不可能である。しかしながら、層12に用いられる誘電体がMgOxである場合、中央層の3nm以上の厚さに対しても垂直の磁化を得ることが可能である。様々な酸化物AlOx、MgOx、SiOxの磁気特性に与えるコバルト層の厚さの影響は、IEEETransactionsonMagneticsVol46No6June2010において公開されたJaeChulLee他による記事DomainpatternsandmagnetizationreversalbehaviorsinoxideCoPtfilms内で説明されている。Pt/Co/AlOx三層における磁気特性に与える酸化及びアニールの影響は、PhysicalReviewB79024423において公開されたBRodmacq他による記事InfluenceofthermalannealingontheperpendicularmagneticanisotropyofPtCoAlOxtrilayers内で説明されている。プラチナコバルト金属酸化物三層積層におけるコバルト層の磁気特性に与える酸化物層の酸化状態の影響は、JournalofAppliedPhysics104043914において公開されたAManchon他による記事AnalysisofoxygeninducedanisotropycrossoverinPtCoMOxtrilayers内で説明されている。構造内全体に反転非対称性を作り出すために、2つの非磁性層12及び14は異なるものである必要がある。好ましくは、2つの異なる材料は、これらの層の層ごとに、例えば2つのうちの一方に対しては誘電体が選択され、他方に対しては金属が選択されるが、それらの各々に対して金属を選択することも可能である。構造がスタッドではなくトラックを形成する場合のみ、層12及び14の双方を誘電体とすることが可能である。このとき、中央層13内を直接電流が流れるようにすることが可能である。したがって、2つの層12及び14の各々は、積層全体層12、13及び14が垂直の磁化を有するように、層は異なるという条件下で、以下の材料、すなわち、誘電性酸化物SiOx、AlOx,MgOx、TiOx、TaOx、HfOx、...と、誘電性窒化物SiNx、Bnx、...と、非磁性金属Pt、Pd、Cu、Au、Bi、...と、これらの金属の非磁性合金と、任意選択で有機半導体化合物必要な場合、成長バッファbuffer、例えばイリジウム等の金属に関連付けられた、例えばGaAs、Si、Ge又はグラファイトとで構成することができる。非磁性層の一方又は他方が導電性、すなわち金属又は合金で作られている場合、2つの外側層は同じ組成であってはならない。層12及び14の厚さは、広範囲の値にわたって選択することができ、通常は0.5nm~200nmの厚さであり、より好ましくは0.5nm~100nmの範囲内とすることができる。図2a及び図2bに示すように、層12が絶縁層である場合、メモリ点がトンネル磁気抵抗信号によって読み出される場合を除いて、例えば磁性層及び電極を上記絶縁層の上に付加することによって、上述の上限値、すなわち200nmに達する値であっても不都合はない。そのような状況下では、絶縁層の厚さは、3nm未満となるように選択されることが好ましい。しかしながら、金属で作られた層12及び/又は14を有する場合、これらの導電性チャネルが並列である結果として磁性層を通過する有効電流が過度に少なくなることを避けるために、それらの金属層は薄く、通常5nm厚未満、一般的には10nm厚未満であることが好ましい。図2a及び図2bに示すように、層12が金属性であり、例えばこの金属性層の上に磁性層及び電極を付加することによって、メモリ点が巨大磁気抵抗信号によって読み出される場合、上記導電性層12の厚さは通常、10nm未満、好ましくは5nm未満となるように選択されるべきである。これらの種々の層は、蒸着、スパッタリング、電気化学堆積、化学成長、等の任意の既知の技術によって堆積することができる。或る特定の形状では、層14を省くことができる。このとき、磁性層13は絶縁基板15の上に直接堆積すべきであり、非磁性層12は反転非対称性を有するように、すなわち基板15を構成する材料とは異なる材料から選択されるべきである。それにもかかわらず、スタッドが構築される場合、構築されたスタッドここでは18a及び18bの中央層13に電流を注入することができるように、層14が存在し、導電性の材料で構成されなければならないことに留意すべきである。そのような状況下では、追加の厚さ部分14’も導電性でなければならない。これにより、ラシュバ場を生成し、磁性中央層13に電流を注入することを可能にするために、層12と組合せて、求める反転非対称性が生成される。反転される素子は、図1a及び図1bに示されているトラックであるか、又はトラック内に取付けられるか若しくは構築されるスタッド図1c~図1fであるかにかかわらず、導電性電極に既知の方法で接続される。これにより、図1に示すように電流が軸11に沿って導電性層14に注入されるようになり、これによりさらに、電流を磁性中央層13に注入することが可能になる。磁場は電流の注入軸11と共線的に、構造に印加される17。電流は軸11に沿って、矢印の向きI又は矢印の向きとは逆の向きI-に印加することができる。同様に、磁場は軸17に沿って、矢印の向きH又は矢印の向きとは逆の向きH-に印加することができる。電流及び磁場の向きの組が磁化の向きを安定させる。例えば、I、Hの組が、図1a~図1fに示すように磁化の形態を上向きで安定させる。素子の磁化が上向きで均一に磁化される形態から開始して、電流の向きをIに維持し、印加する磁場の向きを変えながらH-、磁化を反転させることが可能である。別の解決法は、磁気の向きHを維持し、電流の向きを変えることI-である。この解決法は、何らかのエネルギーを消費するのを避けるために、静磁場、例えば永久磁石によって生成された磁場を用いることを可能にするので好ましい。印加する磁場の向きに作用を及ぼすことによって、それにより組I、H-をもたらし、又は印加する電流の向きに作用を及ぼすことによって組I-、Hをもたらすことにより、磁化を下向きに反転させることが可能であり、上述のように、組I-、Hが好ましい。磁化が反転されると、注入電流がなくても、静磁場の有無にかかわらず、磁化は安定している。電流の向き及び磁化の向きの双方を変えることは組I-、H-をもたらし、これはまた磁化を上向きに安定させる。一般に、外部磁場が電流軸に対して厳密に平行である必要はないことに留意すべきである。磁化に対して垂直である平面内に外部磁場を有することで十分であり、この外部磁場が電流に対して平行な非ゼロの成分を有する。印加される磁場と電流との間の角度が60度に達するまで反転は観測される。層14に注入される電流密度の通常の値は、104A/cm2~109A/cm2の範囲内にあり、好ましくは、105A/cm2~108A/cm2の範囲内にある。電流軸に沿って印加される磁場成分の通常の値は、20エルステッドOe~10キロエルステッドkOeの範囲、すなわち0.00002T~1Tの範囲内にある。有利には、値は50Oe0.005T~8000Oe0.8Tの範囲内の値から選択される。これは、2つの磁化方向を分離するエネルギー障壁の過度の低下を誘発することを避けるのに十分な低い値を維持しなければならない。なぜならば、エネルギー障壁の過度の低下は望まれていない反転を引き起こすことになるからである。この目的のために、印加される磁場の値は、磁性層の有効異方性磁場よりはるかに小さい値となるように選択される。例えば、Ptの層14とMgOの層12との間のCoの中央層は、0.8T8000Oeの有効異方性磁場を有し、0.008T800Oeの磁場を問題なく印加することが可能である。印加される磁場の値は、実際には、有効異方性磁場の値の3分の1~10分の1の範囲内、特にその異方性磁場の値の4分の1~10分の1の範囲内にあるように選択される。磁場は種々の方法で、例えば、1つ若しくは複数のコイルに流れる電流を用いてデバイス全体にわたって全体的な磁場を生成する簡潔な方法で;又は磁場によって誘導される反転を伴うMRAMメモリにおいて用いられる種類の、電流を伝えるトラックによって;又は、好ましい方法では、反転されることになる少なくとも1つのスタッドの近くに配置された永久磁石によって、印加することができる。この解法は、磁場を生成するために、いかなるエネルギー消費の増加をも引き起こさないという重要な利点を有する。この永久磁石は、磁気を帯びた堆積を構築することによって得ることができ、それによってこの反転技術を、例えばメモリ又は論理型の機能デバイスに集積することを容易にすることができる。構造全体にわたって磁場を生成するために、スタッドの組の外側に配置された1つ又は複数の永久磁石を実装することも可能である。図2a及び図2bはMRAM書込み可能メモリセルにおいて使用可能な積層の例を示している。符号53は、絶縁基板55について上述したように、積層を作るために2つの異なる非磁性材料52及び54に挟まれた磁性中央層を示している。符号57は印加される外部磁場の向きを示している。読出しの目的で、積層の上方に、磁性材料の層58と1つ又は複数の導電性層磁性的又は非磁性的とすることができるを含むことができる上部電極59とが配置されている。層58の機能は、構造53、52、及び58が、層53の磁化の向き56に基づいて異なる電気抵抗値を呈すること磁気抵抗信号を可能にすることである。これは読出しのみに関することであり、層53の磁化を操作することには影響しない。言い換えると、書込み及び読出しは独立して規定され、別々に最適化することができる。電極59は1つの層を備えることができるか、又は従来の方法では異なる機能の層の積層を備えることができる。例えば、電極59は以下の物、すなわち、操作されることになる層53に向けて放射される磁場を制限するように合成の反強磁性syntheticantiferromagnetismを画定している積層、例えば、非磁性の金属材料の非常に薄い層通常、0.3nmのルテニウムRuによって強磁性体層58と分離されている強磁性体層を備える積層であって、2つの強磁性体層の磁化の値は可能な限り互いに近い値であり、それによって、ルテニウム層の存在に起因したそれらの層間の反強磁性結合は、上記3層によって層53上へ放射される磁場が結果としてゼロになるか又は実質的にゼロになる、積層か、又はそうでない場合、このいわゆる基準層58を安定化するように、層58と交換することによって結合された反強磁性の磁性材料か、又はそうでない場合、電気的なコンタクトを形成するための非磁性の導電性材料か、又は実際に、上記の様々な可能性の組合せ、例えば、強磁性体材料と反強磁性材料との間を結合することによってそれらの磁化を安定させるように、強磁性体材料に近接した反強磁性材料であって、強磁性体材料は層58から、通常は0.3nmのRuの薄い金属層によって分離され、これによって、上記2つの強磁性体層間の磁気結合が反強磁性となる、組合せ、を備えることができる。最終的には、第1の磁性材料は、例えば7nmのRuで覆われた5nmのTaのように、1つ又は複数の非磁性の導電性層で覆われる。そのような組合せの例は、例えば、IntJNanotechnologyVol7591においてBDieny他によって説明されているように、STT反転のために用いられる磁気積層内に見ることができる。2つの主な構成は層52の特性に基づいて区別することができる。すなわち、層52が非磁性金属の場合、構造53、52、及び58はスピンバルブ型であり、一方、層52が誘電性の場合、構造53、52、及び58は磁気トンネル接合型である。磁気抵抗信号は、上記構造に関してより一層強力であるので、これらの構造は好ましい構造である。同様に、磁気抵抗信号を更に最適化するために、双方の構造において層58の磁化が共線である、すなわち層53の磁化と平行であるか、又は逆平行であることが好ましい。図2a及び図2bにおいて、A、B、及びCは3つの電気的な接続端子を示している。書込み段階中、電流は端子Aと端子Bとの間に注入される又は等価な方法では、電圧が上記2つの端子間に印加され、電流の流れを発生させる。電流は磁性層53を通過して、この層内に、ラシュバ場と、局所磁化に作用するs-d交換相互作用とに起因する有効磁場を生成するMiron他による上述の記事を参照されたい。この有効磁場Heffは、以下の等価な方法では、スピン軌道場又は有効磁場Heffと呼ばれる。本発明によれば、このスピン軌道場は、印加される外部磁場と組み合わせて、磁化を操作することを可能にする。層52が誘電性の材料で構成される場合、横方向に注入される電流は、その層を通過しないので、その層を損傷しない。格納される情報は、通常、層53内の磁化の方向であり、トンネル接合型構造及びスピンバルブ型構造の双方の場合、端子Cと端子Bとの間又は等価の方法では、端子Cと端子Aとの間に低い値の電流例えば、トンネル接合の場合で数マイクロアンペアμA~数十μA程度を注入し、上記端子間の電圧を測定することによって;又はそうでない場合、端子Bと端子Cとの間又は等価の方法では、端子Cと端子Aとの間に定電圧を印加し、上記端子間を流れる電流を測定し、それにより、双方の場合とも当該端子間の抵抗を測定することによって、読み出される。抵抗は、磁化の向き56が基準層58の磁化の向きに対して平行であるか又は逆平行であるかに基づいて2つの異なる値を有する。読出し電流は小さい値を有しているので、これによりトンネル障壁層52が誘電性である場合は損傷を受けない。上述のように、印加される磁場は一定の向きを保持することができ、磁化の反転は層54及び53を通って流れる電流の向きによって得られる。この解法は、容易に集積することができ、永久磁石を用いるとき追加の電力消費を意味しないので好ましい。そうでない場合、当然のことながら、電流が注入される向きを保持しながら、印加される磁場の向きを単に反転することにより磁化を反転することができる。メモリアーキテクチャーの例を、図3a~図3dを参照して以下で説明する。図3a~図3dの中で、図3b及び図3dは集積された永久磁石を実装している。図3a~図3dは、第1の構成におけるメモリアーキテクチャーの4つの実施態様を示しており、図2a及び図2bに示す構造を実装している。磁性材料の層70は、トンネル接合又はスピンバルブによって層70の磁化を読み出すために、導電性層72と、図2a及び図2bの層52、58、59を含む積層71との間に挟まれている。読出し線74は、所与の線のメモリ点の点Cに電力供給する働きをする。領域54’と等価な追加の厚さ72’も存在する。向き76の静磁場が、電流が導電性層72を通って流れる向きと平行に印加される。1つ又は複数の永久磁石によってメモリ全体に静磁場を印加することができるか、又はそうでない場合、例えば、個々の積層によって形成された各スタッドそのうちの3つが示されているに位置合わせされている永久磁石75a及び75bによって、各スタッドに印加することができる。電流を、導電性層72を通って一方の向きに、及び反対の向きに印加するために、例えば金属-酸化物-半導体MOS型の2つのトランジスタ73a及び73b図3a及び図3bを実装することができるか、又はそうでない場合、他端78が或る定電位に設定された単一のトランジスタ73a図3c及び図3dが用いられる。層72は電流配送トラックの形態で構成されている。この層72は、層72の上に配置された他の或る導電性材料の層を備えることもできる。所与のメモリ点に対して、書込み電流を2つの異なる方法で注入することができる。第1の方法では、スイッチとして動作する2つのトランジスタ73a及び73bが用いられ、それらのトランジスタの自由端子freeterminalが、その一方はグラウンドに接続され他方は電圧Vddに接続され、電圧Vddは、選択された値の電流を、トランジスタ73a及び73bのいずれが電圧Vddに接続されているかに基づいて、一方の向きに又は他方の向きに流すように選択される。第2の方法では、一方のトランジスタ73aのみが用いられ、積層の他端72は78において定電圧に接続される。対称操作トランジスタに接続されたトラックは電位Vdd又はグラウンドに接続され、一方、トラック72の端部に接続された他方のトラックは、78においてグラウンド又はVddに接続される。この構成は、以下の構成よりも多くの電流が生成されることを可能にする。非対称操作トラック72の端部に接続されたトラックは、78において中間電位、例えばVdd/2に接続され、一方、トランジスタ73aに接続されたトラックは、所望の電流の向きに基づいて、それぞれ電位Vdd又はグラウンドに接続される。この構成は、生成されることになる電流をより少なくすることを可能にする。本発明の構成では、電流は従来技術で用いられる領域よりはるかに狭い領域に配送することができ、この電流はデバイスを動作させるのに十分である。この実施形態では、動作により消費される電力がより少ない。第2の構成図4a~図4fでは、磁性層の磁化の向き26がそれらの平面内に設定されていて、注入される電流の向きと平行であり、例えば、印加される定磁場が磁化の向き26に対して垂直であり、かつスピン-軌道磁場有効磁場の向きとも垂直である。印加される磁場は、磁場Heffの向きに対して厳密に垂直である必要はないが、以下で、印加された磁場の有効成分とよばれる非ゼロの成分を有していなくてはならない。有効成分はHeff又はスピン-軌道場と磁化の向き26とに対して垂直である向きに延在する。印加される磁場とこの磁場の有効成分との間の角度は最大で60度とすることができる。図1a~図1fに関して、3つの形状、すなわちトラックの形態図4a及び図4b、及び、導電性のトラック24がスタッドの長さに沿っているスタッドの形態図4c及び図4d、又はそうでない場合、高くなっている領域24’を提供するスタッドの形態図4e及び図4fが示されている。高くなっている領域24’は導電性通常は金属で作られるであり、トラック24と同じ材料で作られている必要はなく、その場合、非磁性の外側層として振舞うのは追加領域24’であり、追加領域24’の材料が、積層内で反転非対称性を得るために機能する。層24の金属材料は、このとき任意の材料とすることができる。各形状に対して、21は注入される電流の向きを表し、27は向きに関する上述の見解にしたがって印加される外部磁場の有効成分の向きを表す。この向きは、層23及び層24の平面に対して垂直であり、したがって、層23の磁化の向き26及び注入される電流の向き21に対して垂直である。磁性材料の薄い層23は、異なる非磁性材料の2つの層間に挟まれている。すなわち、層22は上側に設置され、層24は下側に設置され、電流がこの薄い層に注入される。通常の積層は、絶縁基板25、例えば、誘電性酸化物例えばSiOx、AlOx、MgOx、又は窒化シリコン、例えばSiNxを備え、その上に積層形成構造が堆積される。磁性材料の薄い層又は磁性材料若しくは磁性層23の組合せ、例えば、コバルトの3nmの厚さの層は、異なる非磁性材料の2つの層22及び24、例えば誘電体層22と、一般的には金属、例えばプラチナである導電性材料の層24との間に挟まれている。層22及び24は2つの異なる金属とすることもできる。磁性層23の磁化は、トラックの軸26に沿って方向付けされている平面に含まれる。電流は磁化の向きと平行な向き21で注入され、外側磁場は、界面の平面に又はスピン-軌道場に垂直な向き27の有効成分を有する磁化に垂直な平面内に印加される。非磁性材料22及び磁性材料23を含むスタッド28a又は28b図4c~図4fは、スタッドに含まれる磁化のみを反転するために導電性トラック24上に形成することができる。スタッド28b図4e及び図4fは、非磁性材料24の厚さの一部分24’を含むことができる。スタッド28a又は28bは、任意の形状、すなわち、正方形、長方形、円盤形、楕円形、又は実際に、変形されたときのそれらの形状のうちの任意のものとすることができ、原則は、磁化はトラックに沿って向けられるということである。この目的のために、主軸がトラックの軸に平行な楕円形状を有することが好ましい。上述のように、高くした部分24’も、層22の材料及び導電性トラック24の材料とは異なる導電性材料で作ることができる。基板25の材料は、第1の構成で用いられる材料と同じ材料か選択することができる。層13とは異なり、磁性層23は、注入された電流及び局所磁化への作用に起因する有効磁場Heffとすることが無視できないことを確実にする程度に十分に薄い厚さの面内磁化を提供する必要がある。層22及び24が非磁性かつ導電性である場合、その磁気異方性が平面内に存在するような厚さの層23を有することが望ましい。この厚さは、通常、層22及び24と同一の2つの層12及び14層に囲まれた層13の厚さ図1a~図1fよりも厚い。2つの層のうちの一方通常は層22が絶縁性の材料、通常AlOx、MgOx、TiOx、TaOx、...等で作られる場合、同時に、例えばその層を堆積している間に、又は実際に堆積後に真空中でアニールすることにより、磁性層の厚さを増加させるか、又は酸化物層の酸化の状態を変えることが可能である。そのような処置の例は、上述の、BRodmacq他による出版物及びAManchon他による出版物に見ることができる。したがって、この磁性層の厚さは、或る状況下では、酸化及び/又はアニールパラメーターとの関連で、上述の第1の構成で用いられる厚さと同一とすることができるが、一方磁化は、その第1の構成では垂直であり、この説明中の構成では面内planarである。この厚さは、第2の構成では通常、5nmを超えず、好ましくは3nm以下である。面内磁化を提供する全ての磁性材料Co、Fe、CoFe、NiFe、CoNi、...を用いることができる。製造条件に基づいて、例えば、Ga,MnAs等の磁性半導体等の非金属性の磁性材料を用いることも可能である。例えばGaAs100の上に成長させて得られるGa,MnAsに関する例示的な実施例として、GaAsにMnをドープした後に圧縮応力が存在し、それにより、面内異方性がもたらされ、一方、GaInAs上で成長させる場合は、応力が異なり、その結果として、磁気異方性は平面に対して垂直になる。この例は、AnisotropicmagnetizationrelaxationinferromagneticGa1xMnxAsthinfilmsKhKhazen、HJVonBardeleben、MCubukcu、JLCantin、VNovak、KOlejnik、MCukr、LThevenard、ALemaitre、PhysRevB78195210、又は実際に、FerromagneticsemiconductorsmovingbeyondAsAHMacDonaldPSchifferNSamarthNatureMaterials4195202doi101038nmat1325に見られる。第1の構成における層12及び14について述べられたあらゆることは、非磁性層22及び24に対しても有効であるが、ただし、垂直磁化を有する全ての積層層12、13、及び14に対して課された制約が、ここでは積層が面内磁化を有するという制約に置き換えられていることは例外である。層24の省略層14に関して述べられたあらゆることは、ここで適用可能である。層の反転同様に、第1の構成における磁化の反転について述べられたあらゆることは、上述の磁化の向きと印加される外部磁場の向きとを考慮して、ここで同じく再現することができる。同じことが、磁場の値、電流密度、及び、いかに磁場が印加されるかに関して適用される。面内磁化の場合、異方性磁場は約4πMsであり、ここで、Msは飽和磁化、すなわちCoの場合約1.5Tである。印加される磁場の値は、実際には有効な異方性磁場の値の3分の1~10分の1の範囲内とすることができ、好ましくは、有効な異方性磁場の値の4分の1~10分の1の範囲内とすることができる。したがって、印加される磁場の値は第1の構成より大きくなる場合がある。なぜならば、異方性磁場が一般にはより大きいからである。図5a及び図5bは、MRAM磁気メモリセル又は論理部品での使用に適し、書込み及び読出しの双方に適した積層の例を示している。薄い磁性材料63は、その平面に対して平行な向き66に磁化を提供し、異なる非磁性材料の2つの層62及び層64の間に挟まれている。材料64は絶縁基板上に導電性トラックを形成し、場合によっては追加の厚さの領域64’を有している。外側磁場は、積層された層間の界面の平面に垂直な向き67に沿って印加される。この積層上には、磁性材料の層68と、導電性材料の1つ又は複数の層を提供する上部電極69とが連続して積み重ねられている。この導電性材料は、図4c~図4fを参照して説明したように、第1の構成のような積層を形成するために、任意選択で磁性材料とすることもできる。A、B、及びCは、それぞれトラック64の端部とコンタクトA及びB、及び上部電極69とコンタクトC電気的コンタクトを形成するための点を表している。図5bは、スタッド内に集積され、向き67で磁場を生成する永久磁化磁石60a及び60bの例も示している。Cで接触することを可能にするために、永久磁石60bは導電性の材料で作られている。図6a~図6dは、図5a及び図5bを参照して説明した構造を実施するメモリアーキテクチャーを、4つの異なる実施形態で示している。これらの各実施形態において、磁性層80は、電流供給層82、82’と、積層81との間に挟まれている。積層81は、図5a及び図5bの層62、68及び69を有し、第1の構成のように、層80の磁化の状態を読出すために、層62が誘電体である場合はトンネルメモリ積層又は、層62が非磁性の金属である場合はスピンバルブ型積層を規定している。図6aでは、2つのトランジスタ83a及び83bの制御下で、電流はトラック82に注入される。トンネル接合型構造及びスピンバルブ型構造の双方の場合、格納される情報は、通常、層80内の磁化の方向であり、低い値の電流例えば、トンネル接合の場合で数マイクロアンペア又は数十マイクロアンペア程度を、端子C線84と端子Bとの間等価の方法では、端子Cと端子Aとの間に注入し、上記2端子間の電圧を測定することによって、又はそうでない場合、端子Cと端子Bとの間に等価の方法では、端子Cと端子Aとの間に定電圧を印加し、上記端子間を流れる電流を測定し、それにより、いずれの場合も当該端子間の抵抗を測定することによって、読み出される。抵抗は、層80の磁化の向き66が基準層68の磁化の向きに対して平行であるか又は逆平行であるかに基づいて2つの異なる値を有する。読出し電流は小さい値を有しているので、これによりトンネル障壁層62が誘電体の場合は損傷を受けない。永久磁石85a及び85bは、静磁場を層80の平面に対して垂直な向き86に印加するように、構造内のそれぞれ、トラック82の下に、及び積層81の上に集積することができる。永久磁石85aを構成する材料は、読出しを妨げないようにするために、導電性である必要がある。図6c及び図6dは、1つのみの読出しトランジスタが用いられていて、電流供給線82の他端88点Bは定電位に接続されていることにより、それぞれ図6a及び図6bと異なる。ここで、層80の磁化は、向き86の静磁場の存在下で、底部電極82に沿って一方の向き又は他方の向きで移動する電流によって反転され、積層82、80、及び81の外側層は、潜在的には追加の厚さ82’の導電性領域とともに、電流供給トラック82の形態で構造化される。上述の例では、追加の厚さの部分82’は、トラック82と同じ材料で作ることもできるし、異なる材料で作ることもできる。所与のメモリ点に対して、書込みのために2つの方法で電流を注入することができる。第1の方法では、スイッチとして動作する2つのトランジスタ83a及び83bが用いられ、それらの自由端子が、それらのうちの一方はグラウンドに接続され他方は電圧Vddに接続され、電圧Vddは、選択された値の電流を、トランジスタ83a及び83bのいずれが電圧Vddに接続されているかに基づいて、一方の向きに又は他方の向きに流すように選択される。第2の方法では、1つのトランジスタ83aのみが用いられ、トラック82の他端は88において定電圧に接続される。対称操作トランジスタに接続されたトラックは電位Vdd又はグラウンド電位に引き上げられ、一方、トラック82の端部に接続された他方のトラックは、88においてグラウンド又はVddに接続される。この構成は、以下の構成よりも多くの電流が生成されることを可能にする。非対称操作トラック82の端部に接続されたトラックは、88において中間電位、例えばVdd/2に接続され、一方、トランジスタ83aに接続されたトラックは、電流に関する所望の向きに基づいて、それぞれ電位Vdd又はグラウンドに接続される。この構成は生成されることになる電流を少なくすることを可能にする。本発明の構成では、電流は従来技術で用いられる領域よりはるかに狭い領域に配送することができ、この電流はデバイスを動作可能とするのに十分である。この実施形態では、動作時のエネルギー消費を節約することができる。"