長方形基板100に層を堆積させるように構成されたマスク構造体140であって、層堆積の間前記基板のエッジ120をマスクするように適合されたマスクフレームであり、前記マスクフレームが少なくとも2つマスクフレーム側部部分340を含み、前記少なくとも2つマスクフレーム側部部分340がそれらの間のコーナー区域342にコーナーを形成する、マスクフレームを含み、前記マスクフレームは、前記側部部分の第1の重なり幅が前記コーナー区域の第2の重なり幅よりも大きくなるように前記長方形基板の前記エッジに重なるように成形される、マスク構造体。前記マスクフレームが、前記コーナー区域342に突出部をもつ、典型的には前記コーナー区域の各々に突出部をもつ少なくとも1つの開口部を有する、請求項1に記載のマスク構造体。前記第1の重なりWsが、2mmから8mm、典型的には3mmから6mmである、請求項1または2に記載のマスク構造体。前記第2の重なりWcが、0.0mmから4mm、典型的には1mmから3mmである、請求項1ないし3のいずれか一項に記載のマスク構造体。前記コーナー区域342が、0.5cmから10cm、典型的には2cmから6cmである長さLおよび/または幅Hを有する、請求項1ないし4のいずれか一項に記載のマスク構造体。前記コーナー区域342が、前記基板100の対応する長さおよび/または幅の0.5から5である長さLおよび/または幅Hを有する、請求項1ないし5のいずれか一項に記載のマスク構造体。前記少なくとも2つのマスクフレーム側部部分340が4つのマスクフレーム側部部分であり、前記マスク構造体が、前記4つのマスクフレーム側部部分のうちの2つのマスクフレーム側部部分を接続する少なくとも1つのバー540であり、さらなるコーナー区域342にさらなるコーナーが形成され、前記バーの幅が、前記バーの側部部分と比較して前記コーナー区域でより小さい、少なくとも1つのバー540をさらに含む、請求項1ないし6のいずれか一項に記載のマスク構造体。前記コーナー区域の前記コーナーが、70°から90°の角度を有する、請求項1ないし7のいずれか一項に記載のマスク構造体。前記重なりが、前記長方形基板100の表面と平行な平面に設けられる、請求項1ないし8のいずれか一項に記載のマスク構造体。前記フレームが、4つのコーナー要素601、603、606、608と、前記マスクフレームを形成するために一緒に接合されるように適合される少なくとも4つの側部要素602、604、605、607、609、610、典型的には少なくとも6つの側部要素とを含む、請求項1ないし9のいずれか一項に記載のマスク構造体。長方形基板100に層を堆積させるための装置600であって、その中が層堆積用に適合されたチャンバ612と、前記チャンバ内の請求項1ないし10のいずれか一項に記載のマスク構造体140と、前記層を形成する材料を堆積させるための堆積供給源630とを含む、装置。前記基板100を支持するキャリアを移送するように適合された移送システム620をさらに含む、請求項11に記載の装置。長方形基板100の上に層を堆積させる方法であって、前記基板エッジ120をマスクでマスクすることであり、マスキング幅が前記基板の側部と比較して前記基板のコーナーでより小さい、マスクすることと、前記基板に、特に、前記マスクでマスクされていない基板領域に、前記層の材料を堆積させることとを含む、方法。前記マスクが、請求項1ないし9のいずれか一項に記載のマスク構造体である、請求項13に記載の方法。前記堆積させることが、PVD法、CVD法、またはそれらの組合せで行われる、請求項13または14に記載の方法。次に、本発明の様々な実施形態が詳細に参照され、その1つまたは複数の例が図に示されている。図面の以下の説明の中で、同じ参照番号は同じ構成要素を参照する。全体的に、個々の実施形態に対する差のみが説明される。各例は本発明の説明のために提供され、本発明を限定するものではない。さらに、ある実施形態の一部として図示または説明される特徴は、他の実施形態で使用するか、または他の実施形態とともに使用して、さらに、さらなる実施形態をもたらすことができる。本説明はそのような変更および変形を含むことが意図される。いくつかの実施形態によれば、マスク構造体またはエッジ除外マスクは、被覆されるべき基板の少なくとも1つのエッジを覆うマスクとして理解されるべきである。一般に、マスクは、1つまたは複数の開口部を画定するフレームを形成することができるいくつかの部位または部分からなることができる。マスクのフレームは、さらにまた、いくつかのフレーム部分またはフレーム部位を有することができる。いくつかの実施形態によれば、マスクという用語は、炭素繊維材料、またはアルミニウム、チタン、ステンレス鋼などのような金属などのマスク材料に対して使用される。マスクは、被覆されるべき基板の一部を覆う。典型的には、マスクは、被覆されるべき基板と、るつぼ、ターゲットなどのような堆積材料の供給源との間に配置される。典型的には、エッジ除外マスクは、基板の面積の約1‰から約5まで、典型的には約5‰から約1の間、さらにより典型的には基板の面積の約1と約2との間を覆うことができる。いくつかの実施形態によれば、エッジ除外マスクによって覆われるか、シャドウされるshadowedか、またはマスクされる基板の区域は、基板の周辺に配置される。エッジ除外マスクは、堆積材料がないかまたは実質的にない状態に基板のエッジが保たれるべきときに望まれる。これは、被覆された基板の後での用途および/または取り扱いのために基板の画定された区域のみが被覆されるべきである場合に当てはまる。例えば、表示部として使用されることになる基板は前もって定められた寸法を有するべきである。典型的には、大面積基板は、基板のエッジのシャドウイングおよび/または基板の裏側被覆の防止のためにエッジ除外マスクを使用して被覆される。この手法により、基板への信頼できる安定した被覆が可能になる。いくつかの実施形態によれば、大面積基板は、典型的には約1.4m2から約8m2、より典型的には約2m2から約9m2、またはさらに12m2までのサイズを有することができる。典型的には、本明細書で説明する実施形態によるマスク構造体、装置、および方法が提供される長方形基板は、本明細書で説明するような大面積基板である。例えば、大面積基板は、約1.4m2基板1.1m×1.25mに対応するGEN5、約4.29m2基板1.95m×2.2mに対応するGEN7.5、約5.7m2基板2.2m×2.5mに対応するGEN8.5、またはさらに約8.7m2基板2.85m×3.05mに対応するGEN10とすることができる。GEN11およびGEN12などのさらに大きい世代および対応する基板面積を同様に実施することができる。図1は、長方形の基板の一例を示す。基板の最も外側の縁が110で表されている。典型的には、縁110は、基板の最も外側のラインとして説明することもでき、そのラインを越えたところで基板の材料は途絶える。本明細書で使用するとき、およびいくつかの実施形態によれば、基板のエッジ120は基板の周辺を含むことができる。典型的には、本明細書で使用されるようなエッジ120は基板の縁110を含む区域とすることができる。エッジ120は幅wを有することができ、幅wは縁110から基板100の表面上に延びる。このエッジ120は、典型的には、エッジ除外マスク40によって処理済み基板に画定され、エッジ除外マスク40は、基板100への1つまたは複数の層の堆積の間利用される。マスクは、通常、このエッジ区域への材料の堆積を低減させるか、または妨げる。しかし、マスクを用いたマスキングまたはブロッキングは、到達する原子、分子、およびクラスタのさらなる追加のシャドウイング効果をもたらし、追加のシャドウイング効果は、信頼できない層厚さおよびシート抵抗均一性をもたらすことがある。特に、基板の4つのコーナーは、2つのシャドウイング部位がこれらの点で互いに出会うので追加のシャドウイング効果によって影響される。本明細書で説明する実施形態によれば、これらの効果を補償するために、コーナーの1つまたは複数、典型的には、4つのコーナーは、マスクの有効範囲または重なりを少なくされる。マスクフレームの中央の開口部は突出部を有することができ、すなわち、マスクの残りと比較して、4つのコーナーのマスクフレームは凹部または切欠きを有することができる。これは、例えば、図3のコーナー区域342に示されており、マスク140と基板との重なりの幅Wc、すなわち、開口部を形成するマスクの境界と基板のエッジ110との距離は、マスク140と基板との重なりの幅Ws、すなわち、マスクフレームの側部部分340での開口部を形成するマスクの境界と基板のエッジ110との距離と比べて、コーナー区域342でより小さい。図2は、キャリア20に位置決めされた基板100の側面図を示し、基板のエッジはマスク140によってシャドウされる。図2に示した断面図は、図1に示したような普通のエッジ除外マスク140に対応するか、または本明細書で説明する実施形態による図2から6Aに示すようなエッジ除外マスク140に対応することができる。マスクは、典型的には、基板から2mmから8mmの間隙42を有するように設けられ、すなわち、基板表面をシャドウするマスクの部分は基板表面に接していない。他の実施形態によれば、マスクは基板に直接接触することもでき、例えば、間隙をなくすることができ、または間隙を0mmから8mmとすることができる。本明細書で説明する実施形態によれば、さらなるカバー250が存在することがあり、さらなるカバー250は、キャリアの一部分またはマスキング構造の他の部分252が基板への材料の堆積中に材料で被覆されないようにする。いくつかの実施形態によれば、エッジ120は、エッジ除外マスクと基板との間の重なりが存在する場合、基板100の表面上で縁110から延びる幅を有することができる。マスク開口部の長方形からの逸脱のために、重なりの幅は本明細書で説明する実施形態では変化する。そのために、この逸脱は、開口部の突出部またはマスクフレームの凹部として説明することができる。当業者なら理解されるように、重なりは、基板表面と平行な平面における投影に対して基板区域とマスクフレーム区域との重なり区域によって画定される。本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、第1の重なり、すなわち、第1の幅Wsは、2mmから8mm、典型的には3mmから6mmとすることができる。本発明のさらなるオプションの実施態様として、第2の重なり、すなわち、幅Wcは、0.0mmから4mm、典型的には1mmから3mmとすることができる。典型的には、幅wは基板全体に対称とすることができ、すなわち、各コーナー区域および各側部部分は同じ幅を有するが、基板の用途に応じて側部ごとに変化することもできる。いくつかの実施形態によれば、基板のエッジは、基板の被覆のために使用されるマスクの開口部によって画定することができる。例えば、エッジ除外マスクの開口部は、被覆される基板の区域に影響を与え、エッジなどの基板の区域を覆う。したがって、基板のエッジは、エッジ除外マスクによって覆われ、エッジ除外マスクが使用されている被覆プロセスの間被覆されない基板の区域として画定することができる。典型的には、基板のエッジは、堆積材料が実質的にない状態に保たれているべき基板の区域として、または堆積された材料の層厚さが、マスクされていない基板部分と比較して、少なくとも25の値まで減少される基板の区域として画定することができる。典型的には、基板は、材料堆積に好適な任意の材料から製作することができる。例えば、基板は、ガラス例えば、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラスなど、金属、ポリマー、セラミック、複合材料、炭素繊維材料、または堆積プロセスで被覆することができる任意の他の材料もしくは材料の組合せからなる群から選択された材料から製作することができる。いくつかの実施形態によれば、マスク開口部という用語はマスクの窓として理解されるべきであり、堆積材料は堆積プロセスの間窓を通過することができる。典型的には、マスク開口部は被覆窓として示されることもあり、それは、被覆材料が堆積される基板の区域を被覆窓が画定するからである。開口部の境界または内側境界は被覆窓の限界によって画定される。例えば、マスクが新しいか、または新たに洗浄されており、堆積プロセスにまだ使用されていない場合、開口部の境界はマスク材料で構成される。マスクが堆積プロセスに使用され、堆積材料がマスクに堆積されている場合、開口部の境界は、マスク上の堆積された材料による被覆窓の限界となることがある。異なる実施形態によれば、エッジ除外マスクはPVD堆積プロセス、CVD堆積プロセス、またはそれらの組合せのために利用することができる。それによって、マスクのエッジは、その近傍の原子、分子、クラスタに影響を与える。これらの影響は、より複雑になることがあり、それは、材料の流れが乱れなどによって影響されることがあり、エッジが必ずしもシャープカットオフエッジと見なすことができないからである。特に、より複雑な影響が、コーナーで、隣接する側部部分から重なり合う。したがって、基板の被覆される区域のコーナーでの厚さ均一性は、本発明の実施形態によって、および本発明の実施形態を利用する用途のために改善することができる。図3に示した実施形態は、4つのコーナー区域342でのマスクフレームの長方形凹部を示す。これは、マスク開口部または被覆窓の突出部に対応する。これらの区域は長さLおよび幅Hを有することができ、それらは、例えば、2cmから6cm、典型的には3cmから5cmとすることができる。異なる実施態様によれば、長さおよび幅はそれぞれの側部で等しくすることができ、またはそれらは異なることができる。例えば、それらは、それぞれのマスクの全体的な側部長さのほぼ同じ割合を有することができる。典型的には、凹部または突出部の寸法は、それぞれ、マスクのそれぞれの寸法、典型的には、開口部の長さであるマスクの内側境界の約0.5から5とすることができる。さらなる実施形態によれば、コーナー区域は、長方形形態と異なる形状を有するように形成することができる。それによって、コーナー区域が重なり幅の連続的な減少、すなわち、マスクフレーム部分によって形成されるコーナーに向かって幅Wsから幅Wcまでの連続的な減少を有することが可能である。図4は対応する実施形態を示し、突出部が、開口部のコーナー区域に、長方形のコーナー部分と比較して設けられる。図4から分かるように、このおよび同様の成形済みコーナー区域は、コーナーにある角度をもたらし、その角度は、側部部分340が互い交差する位置で、90°よりも小さい接線で画定される。例えば、この角度は、65°から95°、典型的には80°から90°とすることができる。特に、重なり幅の減少の初めに小さい勾配が存在する場合には、コーナー区域の長さおよび幅図3の長さLおよび幅Hは、例えば10cmまたはさらに15cmまで、上述のようにより大きくなることがある。本明細書で説明する実施形態は、コーナーに切欠きをもつエッジ除外マスクを説明している。それによって、足し合わされることがあり、したがって、層堆積しようとする基板部分においてさえ不十分な層厚さをもたらすことがある、コーナーでのエッジ除外マスクの隣接する側部部分のシャドウイング効果を減少させることができる。そのために、本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、コーナー区域の重なり幅Wcは0.5mmまたはさらに0mmという小ささでさえありうる。それによって、近接する側部部分のコーナー区域の近くの重なり幅Wcはコーナーにシャドウイング効果を発生させるのに十分であり、その結果、基板上に実際に堆積される区域は実質的に長方形になる。本発明のいくつかの実施態様によれば、コーナー区域に負の重なりnegativeoverlap、すなわち、間隙が存在することさえ可能である。全般的には、非被覆または実質的に非被覆の基板のエッジ内に堆積される基板上の区域を有することが望まれ、ここで、堆積される区域は長方形を有する。そのために、コーナーでの高次のシャドウイング効果を補償するのに、長方形の形態からわずかにはずれるエッジ除外マスクが設けられる。図5は、それぞれ、マスク構造体またはエッジ除外マスクのさらなる実施形態を示す。その中に、2つの対向する側部部分340間にバー540が設けられる。さらなる実施態様によれば、2つ以上のバー540を設けることができる。その上さらに、図5に示したバーに垂直なオプションのさらなるバーを設けることができる。そのような垂直のバーは、側部部分と別のバーとの間に設けることができ、しかし、別のバーは、マスク構造体の一部の側部部分と見なすこともできる。そのようなバーは、マスク全体の区域を異なる区域に分離することができる。そのような区域は、例えば、基板に製造されるデバイスに対応することができる。例えば、図5に示した2つの領域501は、大面積フラットパネルディスプレイなどの2つのデバイスに対応することができる。典型的には、基板上に製造されるディスプレイなどの1つまたは複数のデバイスが存在することができる。現在のガラスサイズの世代および移動電話のディスプレイのサイズを考慮すると、基板に複数のディスプレイが存在することができる。図5に示したような対応する分離は、各ディスプレイの区域を分離する複数のバーをもたらすことになる。さらなる実施形態によれば、バーは、特に、色フィルタ製造の用途で実装することができ、色フィルタの1つのディスプレイサイズに対応する区域のエッジを実装することができる。代替として、バーは、1つのキャリアにおいて異なる基板が用意される区域を分離することができる。例えば、図5に示したマスクは、2つの基板が1つのキャリアに支持される構成で使用することができる。例えば、2つの基板の一方は左の区域501に位置決めすることができ、2つの基板の他方のものは図5の右の区域501に位置決めすることができる。同様に、追加のバーをもつマスク構造体は、2つ以上の基板を有する基板構成で使用することができる。それによって、基板ごとに、個々の基板のさらなる処理にとって望ましいようにエッジ除外を行うことができる。したがって、いくつかの方法ステップは、2つ以上の基板を含む基板のより大きい構成で行うことができる。それによって、マスク構造体が基板の各々のエッジ除外を行うように、対応する数のバー540をもつマスク構造体を形成することができる。その後、すなわち、後続の方法ステップでは、基板構成は個々の基板に分離することができ、各基板は所望の被覆なしのエッジを有し、さらなる処理ステップは基板に1個ずつ行うことができる。これは、特に、いくつかの処理ステップ初期の処理ステップはより大きい規模で行うことができるが、他の方法ステップ後続の方法ステップは、それぞれ、キャリアの同じサイズで行うことができない、すなわち、同じ規模または場所の処理区域で制御することがより困難である場合、有用となりうる。本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる異なる実施形態によれば、側部部分と、サブマスク構造体の側部部分と見なすこともできるバー540などの1つまたは複数のさらなる部分とをもつマスクフレームを設けることができる。1つまたは複数のバーはさらなるコーナー区域を形成し、さらなるコーナー区域は図3および/または図4に関して説明したコーナー区域342と同様に設けることができる。したがって、さらなるコーナー区域は、さらに、それぞれの開口部が突出部を有するように、かつ/またはマスクフレームが凹部を有するように成形することができる。それによって、やはり、対応する、基板との重なり幅がコーナー区域で低減されるように重なり領域が設けられる。言い換えれば、バーの幅は、コーナーが形成される区域で低減される。本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、中央領域のバーの幅は10cmから20cmとすることができ、基板の関連する部分とのバーの重なりの幅は、中央領域の上述の重なりと同様に、2mmから8mm、典型的には3mmから6mmとすることができる。コーナー区域の第2の重なりは、0.0mmから4mm、典型的には1mmから3mmとすることができる。図6Aおよび6Bは、実施形態による堆積チャンバ600の概略図を示す。堆積チャンバ600は、PVDまたはCVDプロセスなどの堆積プロセス用に適合される。1つまたは複数の基板100が、基板移送デバイス620に配置されるように示されている。いくつかの実施形態によれば、基板支持体はチャンバ612内の基板100の位置を調整できるように移動可能とすることができる。特に、本明細書で説明するような大面積基板では、堆積は、垂直な基板配向または本質的に垂直な基板配向を有して行うことができる。そのために、移送デバイスは、1つまたは複数のドライバ625、例えばモータによって駆動される下部ローラ622を有することができる。ドライバ625は、ローラを回転させるためにシャフト623でローラ622に接続することができる。それによって、例えば、ローラをベルト、歯車システムなどに接続することによって、1つのモータ625が2つ以上のローラを駆動することが可能になる。ローラ624は、垂直または本質的に垂直な位置で基板を支持するのに使用することができる。典型的には、基板は垂直とすることができ、または垂直位置からわずかに、例えば5°まで外れることができる。大面積基板は、1m2から9m2の基板サイズを有し、典型的には非常に薄く、例えば、0.7mmまたはさらに0.5mmなどの1mm未満である。基板を支持し、定位置に基板を備えるために、基板は、基板の処理の間キャリアに供給される。したがって、基板は、キャリアに支持されている間、例えば複数のローラおよびドライバを含む移送システムで移送することができる。例えば、基板が中にあるキャリアは、ローラ622およびローラ624のシステムによって支持される。堆積材料供給源630は、チャンバ612内で、被覆されるべき基板の側に面して供給される。堆積材料供給源630は、堆積されるべき堆積材料635を基板に供給する。図6Aに示すように、および本明細書で説明する実施形態により、供給源630は、堆積材料が上にあるターゲット、または基板100への堆積のために材料を放出できるようにする任意の他の配置とすることができる。典型的には、材料供給源630は回転ターゲットとすることができる。いくつかの実施形態によれば、材料供給源630は、供給源230を位置決めし、かつ/または交換するために移動可能とすることができる。他の実施形態によれば、材料供給源は平面ターゲットとすることもできる。いくつかの実施形態によれば、層堆積中の参照番号635で示された堆積材料は、堆積プロセスと、被覆済み基板の後の用途とに応じて選ぶことができる。例えば、供給源の堆積材料は、アルミニウム、モリブデン、チタン、銅などのような金属、シリコン、インジウムスズ酸化物、および他の透明な導電酸化物からなる群から選択された材料とすることができる。典型的には、そのような材料を含むことができる酸化物層、窒化物層、または炭化物層を、供給源から材料を供給することによって、または反応性堆積、すなわち、供給源からの材料を処理ガスからの酸素、窒化物、または炭素のような元素と反応させることによって堆積させることができる。いくつかの実施形態によれば、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸窒化アルミニウムのような薄膜トランジスタ材料を堆積材料として使用することができる。典型的には、堆積チャンバ600は、マスク構造体140を含むマスキング機構640を含む。いくつかの実施形態によれば、マスク140はエッジ除外マスクである。エッジ除外マスク140は、基板100のエッジが堆積材料635で被覆されないことを確実にする。破線665は、チャンバ600の動作中の堆積材料635の経路を代表的に示す。一例として、材料635をスパッタさせるか、または蒸発させることもでき、破線665は、堆積材料のスパッタされた材料気体635の基板100への経路を概略的に示す。図6Aの破線665で分かるように、基板100のエッジは、エッジ除外マスク140のために堆積材料がないままである。図6Bにおいて、左のエッジ除外マスクは、マスクフレームを形成するために接続された個々のフレーム部分601、602、603、604、605、606、607、608、609、および610を含むように示されている。典型的には、特に、大面積基板のためのマスク構造体は、本質的にL形状にすることができ、コーナー区域またはコーナー区域の少なくとも重要な部分を含むことになる少なくとも4つのコーナー部分601、603、606、および608と、マスクフレームを形成するためにコーナー部位を接続する側部部分とを備えることになる。典型的には、フレーム部分601~610は、さねはぎ継ぎ構成で配列することができる。さねはぎ継ぎ構成は、互いに相対的にフレーム部分の定位置をもたらす。さらに、本明細書で説明するいくつかの実施形態によれば、フレーム部分のさねはぎ継ぎ構成により、フレーム部分を互いから離れたところに移動させることができる。典型的には、さねはぎ継ぎ構成により、フレーム部分は、堆積材料が通過することができる間隙をもたらすことなく、互いに離れるように滑ることができる。簡単にするために、左のマスク構造体140のみが部分601~610で示されている。同様に、処理システムの1つを超えるまたはすべてのマスク構造体が1つを超える部分を備えて、マスクフレームを形成することができる。本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態によれば、1つまたは複数のチャンバ612は、真空チャンバとして設けることができる。それによって、チャンバは、真空環境で基板を処理および/または被覆するように適合される。典型的には、圧力は、10mbar未満、例えば、1×10-7mbarと1×10-1mbarとの間とすることができる。したがって、堆積システムには、真空フランジ613に接続することができ、堆積システムを1×10-7mbarの圧力などの特定用途で動作できるようにするのに十分な低さの処理チャンバ612内の圧力を達成することができる排出システム図示せずを含めることができる。PVDプロセスなどの堆積中の圧力すなわち、堆積圧力は、0.1Paと1Paとの間とすることができる。特定の実施形態、例えばPVD用途では、処理ガスは、アルゴンと、酸素または窒素の少なくとも一方とを含み、アルゴン分圧は0.1Paと1Paとの間とすることができ、酸素、水素、および/または窒素分圧は0.1Paと1Paとの間とすることができる。典型的には、CVD用途の圧力範囲は、特に、上述で与えられた範囲の高圧力端で、約2桁大きくすることができる。いくつかの実施形態によれば、基板に堆積材料層を堆積させる方法が提供される。図7は、説明する方法の流れ図を示す。典型的には、基板は堆積装置のチャンバ内に用意される。いくつかの実施形態によれば、基板は上述のような大面積基板とすることができ、堆積装置は、図6Aおよび6Bに代表的に示したような堆積チャンバとすることができる。ステップ702において、マスキング機構640例えば、図6Aを参照がチャンバ612内で基板の方に移動され、基板の一部分がマスクで覆われる。典型的には、マスクは基板のエッジを覆う。マスキングは、本明細書で説明する実施形態によれば、本明細書で説明するようなコーナーカットエッジ除外マスクを備える。マスクは、典型的には、突出部をもつ開口部を備え、その開口部により、堆積材料は堆積プロセスの間通過できるようになる。そのようなマスクの例は図2~5に関して説明されている。基板をマスクした後、層がステップ704において堆積され、その結果、エッジは、堆積された材料がないか、または実質的にない状態に保たれる。本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、材料を堆積させる方法、装置の堆積、および基板のエッジを覆うためのマスクが大面積基板で使用される。本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、マスクは、マスクフレームを形成するために2つ以上のフレーム部分を含む。典型的には、マスクは、上述のような堆積装置で使用されるように適合される。本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができる異なる実施形態によれば、マスクフレームは、アルミニウム、インバール、チタン、およびステンレス鋼のような材料で製作することができる。上述に照らして、複数の実施形態が説明される。1つの実施形態によれば、長方形基板に層を堆積させるように構成されたマスク構造体、例えば、長方形基板に層を堆積させるように構成されたエッジ除外マスクが提供される。マスク構造体は、層堆積の間基板のエッジをマスクするように適合されたマスクフレームを含み、マスクフレームは少なくとも2つのマスクフレーム側部部分を含み、少なくとも2つのマスクフレーム側部部分はそれらの間のコーナー区域にコーナーを形成し、マスクフレームは、側部部分の第1の重なり幅がコーナー区域の第2の重なり幅よりも大きくなるように長方形基板のエッジに重なるように成形される。典型的には、マスクフレームは、コーナー区域に突出部をもつ、より典型的にはコーナー区域の各々に突出部をもつ少なくとも1つの開口部を形成することができる。本明細書で説明する他の実施形態と組み合わせることができるさらなる実施形態によれば、第1の重なりは、2mmから8mm、典型的には3mmから6mmとすることができ、第2の重なりは、0.0mmから4mm、典型的には1mmから3mmとすることができ、コーナー区域は、0.5cmから10cm、典型的には2cmから6cmである長さおよび/または幅を有することができ、かつ/またはコーナー区域は、基板の対応する長さおよび/または幅の0.5から5である長さおよび/または幅を有することができる。実施形態のさらなる追加または代替の変形によれば、少なくとも2つのマスクフレーム側部部分は4つのマスクフレーム側部部分とすることができ、マスクは、4つのマスクフレーム側部部分のうちの2つのマスクフレーム側部部分を接続する、例えばバーの側部部分をもつ、少なくとも1つのバーをさらに含むことができ、さらなるコーナー区域にさらなるコーナーが形成され、バーの幅はバー側部部分と比較してコーナー区域でより小さい。典型的には、コーナー区域のコーナーは、70°から90°の角度を有することができる。さらに、本明細書で説明する実施形態の重なりは、長方形基板の表面と平行な平面に設けることができる。別の実施形態によれば、長方形基板に層を堆積させるための装置が提供される。この装置は、その中が層堆積用に適合されたチャンバと、チャンバ内のマスク構造体、例えば、長方形基板に層を堆積させるように構成されたエッジ除外マスクとを含み、マスク構造体は、層堆積の間基板のエッジをマスクするように適合されたマスクフレームを含み、マスクフレームは少なくとも2つマスクフレーム側部部分を含み、少なくとも2つマスクフレーム側部部分はそれらの間のコーナー区域にコーナーを形成し、マスクフレームは、側部部分の第1の重なり幅がコーナー区域の第2の重なり幅よりも大きくなるように長方形基板のエッジに重なるように成形される。この装置は、層を形成する材料を堆積させるための堆積供給源をさらに含む。さらなる実施形態によれば、基板を支持するキャリアを移送するように適合された移送システムを、装置に設けることができる。さらなる実施形態によれば、長方形基板の上に層を堆積させる方法が提供される。この方法は、基板エッジをマスクでマスクすることであって、マスキング幅が基板の側部と比較して基板のコーナーでより小さい、マスクすることと、基板に、特に、マスクでマスクされていない基板領域に、層の材料を堆積させることとを含む。互いに追加してまたは代替として使用することができる本発明のオプションの実装態様によれば、マスクは本明細書で説明した実施形態によるマスク構造体とすることができ、かつ/または堆積は、PVD法、CVD法、またはそれらの組合せで行うことができる。上述は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他のおよびさらなる実施形態を本発明の基本範囲から逸脱することなく考案することができ、本発明の範囲は以下の特許請求の範囲によって決定される。