基材の表面に、引張応力を有する応力膜とこの応力膜の上層に被覆された上層膜とを含む多層の被覆膜を備える部材に対して行う表面処理方法であって、前記被覆膜にパルスレーザを照射することで、前記上層膜を除去して前記応力膜を表面に露出させ、かつ該応力膜の引張応力を低減又は該応力膜に対して圧縮応力を付与することを特徴とする表面処理方法。前記パルスレーザの膜上における集光点のオーバーラップ率が、20以上80以下であることを特徴とする請求項1に記載の表面処理方法。前記パルスレーザの膜上における集光点のピークパワー密度が、002GWcm2以上5GWcm2以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の表面処理方法。前記パルスレーザは、パルス幅が5ns以上500ns以下であることを特徴とする請求項3に記載の表面処理方法。前記パルスレーザは、パルスエネルギーが01mJ以上1mJ以下であることを特徴とする請求項3又は4に記載の表面処理方法。前記パルスレーザは、強度がピーク強度値の1e2となるときのビーム直径が20μm以上150μm以下であることを特徴とする請求項3~5のいずれか1項に記載の表面処理方法。しかし、特許文献1で行われている酸化物膜の除去は機械的に行われているため、除去処理の処理量の制御を行い難く、その処理量にばらつきが生じる。よって、酸化物膜の除去が不十分であったり、逆に表面に露出されるべき酸化物以外の膜まで除去してしまい、その膜厚が小さくなる虞がある。また、機械的な除去処理では、酸化物膜を除去すべき領域よりも実際に除去される領域が広くなり易く、局所的な除去処理を行い難い。被加工材との摩擦領域において、表面に露出された酸化物以外の膜の応力が圧縮の場合、耐欠損性に優れると考えられている。しかし、機械的な除去方法で酸化物膜を除去すると、除去処理によって表面に露出された膜の応力の制御を行い難い。よって、基材の表面に被覆膜を成膜する段階において、その被覆膜が引張応力であれば、機械的な方法で酸化物膜の除去を行っても、表面に露出された酸化物以外の膜は何ら変化せず当初の引張応力のままであり、その引張応力を緩和することは難しい。通常、CVD法により成膜された膜は、成膜時においては引張応力を有する。そのため、被加工材との摩擦領域が成膜段階の引張応力になっていることで、耐欠損性の向上は難しい。本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、基材上に形成された多層の被覆膜のうち、下層の被覆膜が有する引張応力を低減し、又は引張応力を圧縮応力に調整できる表面処理方法を提供することにある。本発明は、多層の被覆膜に対して行う表面処理方法に工夫を施すことで、被覆膜のうち、除去したい膜の特定領域のみを除去し易くすることができ、除去後に表面に露出した膜の応力の制御を可能とし、上記目的を達成する。本発明の表面処理方法は、基材の表面に、引張応力を有する応力膜とこの応力膜の上層に被覆された上層膜とを含む多層の被覆膜を備える部材に対して行う表面処理方法であって、上記被覆膜にパルスレーザを照射することで、上記上層膜を除去して上記応力膜を表面に露出させ、かつ該応力膜の引張応力を低減又は該応力膜に対して圧縮応力を付与する。上記構成によれば、パルスレーザを照射することで、被覆膜の表面処理において、その処理量の制御を行うことができる。ここで言う処理量の制御とは、パルスレーザの照射領域の広さとその深さ方向のことである。パルスレーザを照射した領域の上層膜を確実に除去できるので、表面処理の広さに対して処理量にばらつきが生じにくい。また、パルスレーザを照射した深さ方向も制御できるので、除去したい膜のみを除去することができ、除去によって露出した表層の膜に対して膜厚減少を防止できる。さらに、パルスレーザ照射は局所的な熱衝撃による除去のため、応力膜に欠損が生じにくい。特に、パルスレーザを用いることで、上層膜の除去によって表面に露出した応力膜の応力の制御を行うことができる。本発明では、成膜段階から引張応力を有する応力膜に対して、その引張応力を低減、更には圧縮応力を付与することができる。例えば、処理対象が金型部品や摺動部品等の機械部品の場合、表面処理後の応力膜の応力がゼロ応力または若干の引張応力であっても、処理前の応力膜に対して処理後の応力膜の応力が低減していれば、耐摩耗性を維持しながら、耐欠損性等の特性を向上させることができる。一方、処理対象が切削工具のような大きな衝撃を受ける部品の場合、切削に作用する領域においては、高度な耐欠損性を要求されるため、被削材と接触する表層の膜が圧縮応力であることが望まれる。従って、この場合、処理後の露出された応力膜の応力が圧縮応力であることが好ましい特性といえる。本発明の表面処理方法は、上記のような機械部品や切削工具はもちろん、他の部材であっても、2層以上の被覆を施した部材に広く適用出来るものである。本発明の一形態として、上記パルスレーザの膜上における集光点のオーバーラップ率が、20以上80以下であることが挙げられる。パルスレーザを用いるので、膜上における集光点で、その集光レーザビームの重複領域を設けることが好ましい。オーバーラップ率は、[{-/]×100により求められる。レーザビームの1パルス分の送り量は、スキャン速度/により求められる。このオーバーラップ率が20以上であることで、パルスレーザが照射された領域において、応力膜に対して、効果的に引張応力を低減又は圧縮応力を付与することができる。特に、表面に露出した応力膜が圧縮応力を有することで、更に効果的に耐欠損性を向上することができる。この応力膜の応力は、応力膜の厚み方向に分布を有している。一方、オーバーラップ率が増加するに伴い、応力膜の膜厚が減少し、耐摩耗性が低下する。よって、耐摩耗性及び耐欠損性を共に備える部材を得るためには、オーバーラップ率は20以上80以下が好ましく、より好ましくは40以上60以下である。オーバーラップ率を調整する方法として、パルスレーザ光の繰り返し周波数、またはスキャン速度を変更することが挙げられる。例えば、オーバーラップ率を50とする場合、ビームスポット径が50μmのとき、繰り返し周波数を5kHz、スキャン速度を125mmsに設定するとよい。本発明の一形態として、上記パルスレーザの膜上における集光点のピークパワー密度が、002GWcm2以上5GWcm2以下であることが挙げられる。パルスレーザの場合、レーザ光の強度はパルスレーザの膜上における集光点のピークパワー密度で決まる。ピークパワー密度は、集光点における/により求められる。このピークパワー密度の大きさは、除去する膜の厚みが増す程、または薄くなる程大きくする必要がある。除去する膜の厚みが厚い場合、その除去に必要なエネルギーは大きくなり、ピークパワー密度が大きくなる。一方、除去する膜の厚みが薄い場合、表面に露出した応力膜への熱的ダメージを抑制するためにパルス幅を短くするので、ピークパワー密度が大きくなる。ピークパワー密度が002GWcm2以上であることで、パルスレーザが照射された領域において、金型部品や機械部品、工具などの実用に耐えうる所望の膜の除去ができ、表面に露出した応力膜に対して、引張応力を低減又は圧縮応力を付与することができる。特に、表面に露出した応力膜が圧縮応力を有することで、効果的にその耐欠損性を向上することができる。一方、ピークパワー密度が大きくなると、表面に露出した応力膜へ熱的ダメージを付与してしまい、その応力膜が溶融凝固という過程を経るため、圧縮応力を付与し難くなる。よって、耐摩耗性及び耐欠損性を共に備える部材を得るためには、ピークパワー密度は002GWcm2以上5GWcm2以下が好ましく、より好ましくは004GWcm2以上4GWcm2以下である。ピークパワー密度を調整する方法として、集光点におけるレーザ光のパルスエネルギー、またはビームスポット断面積、またはパルス幅を変更することが挙げられる。パルス幅は5ns以上500ns以下であることが好ましく、より好ましくは10ns以上300ns以下である。パルスエネルギーは01mJ以上1mJ以下であることが好ましく、より好ましくは03mJ以上09mJ以下である。ピークパワー密度の調整方法の中でも最も簡便な調整方法は、集光レンズに入射する手前で、凹レンズと凸レンズの組レンズや、ビーム拡大鏡を用いて、レーザ光の発散角とレーザビーム直径を調整して集光レンズに入射して、ビームスポット断面積を調整すること、つまりレーザビーム直径を調整することである。ここで言うビーム直径は、レーザ光としての空間的な幅のことである。即ち、レーザ光の強度がピーク強度値の1e2まで減衰したときの空間的な幅である。このビーム直径は20μm以上150μm以下であることが好ましく、より好ましくは40μm以上100μm以下である。本発明の表面処理方法は、パルスレーザを照射することで、被覆膜の表面処理において、その処理量の制御を行うことができる。よって、除去したい膜の特定領域のみを除去することができる。また、膜の除去後に表面に露出した応力膜の応力の制御を行うことができる。特に、この露出した応力膜に対して、引張応力を低減、更には圧縮応力を付与することで、耐欠損性を向上することができる。以下、本発明についての実施形態を図面に基づいて説明する。<実施形態>[概要]一つの例示として、多層コーティング部材における実施形態を示す。図1は、多層コーティング部材の断面の一部を拡大して示す図である。この多層コーティング部材1は、基材10の表面に、引張応力を有する応力膜21とこの応力膜の上層に被覆された上層膜22とを含む多層被覆膜20を備える。被覆膜20のうち、上層膜22を除去したい領域にパルスレーザを照射することで、上層膜22が部分的に除去され、応力膜21が表面に露出されている。パルスレーザの非照射部3は、パルスレーザが照射されていないので、基材10の表面に、応力膜21と上層膜22とを備える。≪多層コーティング部材の製造方法≫成膜工程成膜工程は、基材10の表面に多層の被覆膜20を成膜する。本形態では、基材10の表面に、応力膜21を成膜し、その上に上層膜22を成膜する。被覆膜20の成膜方法は、従来公知の種々の成膜方法を採用することができる。応力膜21に関しては、CVD法で成膜することが好ましく、特にMTCVD法により成膜することが好ましい。従来のCVD法は約1020~1030°Cで成膜を行うのに対して、MTCVD法は約850~900°Cと比較的低温で成膜を行うことができるため、成膜の際、加熱による基材10へのダメージを低減することができる。よって、基材10に被覆する被覆膜20は、MTCVD法によって成膜することがより好ましい。CVD法により成膜された応力膜21は、通常、成膜時においては引張応力を有する。基材基材10は、成膜可能な各種材料が利用できる。具体的には、各種金属材料、セラミックス、又は超硬合金やサーメットといった各種焼結材などが挙げられる。ここでは、WC基超硬合金を基材10としている。WCとCoを含む超硬合金は、耐摩耗性及び耐欠損性に非常に優れるため切削加工に最適である。上層膜上層膜22として、後述する応力膜21よりもパルスレーザの照射により消失し易い材料又は厚さの膜が利用でき、例えば、耐熱性に優れる酸化物の膜が挙げられる。酸化物の膜としては、周期律表4513族元素から選択される1種以上の元素の酸化物の膜であることが挙げられる。この酸化物の膜として、Al2O3ZrO2TiO2VO2等が挙げられ、耐熱性を高めることができる。応力膜応力膜21として、例えば、酸化物以外の膜が挙げられる。酸化物以外の膜としては、周期律表456族元素、Al及びSiからなる群より選択される少なくとも1種の元素、または上記元素と、硼素、炭素及び窒素からなる群より選択される少なくとも1種とからなる化合物が挙げられる。例えば、CrTiAlSiVZrHfTiCTiNTiB2TiCBNTiCNTiBNHfNHfCTiAlNAlCrNCrNVNZrNZrCNZrBNZrCBNTiSiNTiAlCTiSiCNAlNAlCNAlTiSiNAlTiCrNTiAlCNNbCNbCNMo2C等が挙げられる。特に、上記酸化物以外の膜として、パルスレーザ照射部2における表面に露出された応力膜21は、窒化物又は炭窒化物の膜であることが挙げられる。窒化物又は炭窒化物は、金属との耐焼付性に優れているので、パルスレーザ照射部2における表面に存在することで、耐欠損性をより高めることができる。この窒化物又は炭窒化物の膜として、周期律表456族元素、Al及びSiからなる群より選択される少なくとも1種の元素の窒化物又は炭窒化物が挙げられる。例えば、TiNTiCNHfNTiAlNAlCrNCrNVNTiSiNTiSiCN等が挙げられる。特に、TiCN膜は耐摩耗性、耐欠損性がより向上するので好ましい。中でも、CNのモル比が5:5~7:3の範囲のTiCN膜は、非常に優れた耐欠損性を示し、例えば切削工具において寿命をさらに向上することが期待できる。表面処理工程表面処理工程は、上述した被覆膜20のうち、上層膜22を除去したい領域にパルスレーザを照射することで、上層膜22を除去して応力膜21を表面に露出させ、かつ、露出させた応力膜21に対して引張応力を低減又は圧縮応力を付与する。パルスレーザの照射条件は、上述した通りである。さらに、パルスレーザとして、Qスイッチ型を用いると瞬間的に非常に強いパワーを発振することができて好ましい。パルス波の波長は266~1064nmであることが好ましい。パルスレーザ照射部2は、上層膜22の除去によって応力膜21を露出させ、該応力膜21のおいて応力を変えたい領域に設定すればよく、応力膜21の一部であってもよいし、全部であってもよい。[試験例]硬質合金からなる基材表面に被覆膜を備えた試験片を作製し、パルスレーザの照射によって露出された応力膜中の応力状態、及びその膜厚を調べた。以下の試験例では、パルスレーザの膜上における集光点のオーバーラップ率を変化させた。試験例1≪試験片の製造≫種別:実施例11~18、比較例111216~18超硬合金からなる基材の表面に、以下に示す5層の被覆膜を第1層から順に第5層まで成膜した。超硬合金基材には、主成分であるWCCoに若干のTa化合物とTi化合物を含有するものを用いた。第1層は、約02μmのTiNで、H210VolTiCl4400VolN2の組成ガスを用いて、圧力を6kPa、基板温度を840°CとしMTCVD法にて成膜した。第2層は、約12μmのTiCNで、H220VolTiCl4200VolN205VolCH3CNの組成ガスを用いて、圧力を10kPa、基板温度を860°CとしMTCVD法にて成膜した。第3層は、約02μmのTiBNで、H220VolTiCl440VolBCl350VolN2の組成ガスを用いて、圧力を60kPa、基板温度を970°CとしCVD法にて成膜した。第4層は、約40μmのAl2O3で、H230VolAlCl335VolCO204VolH2S30VolHClの組成ガスを用いて、圧力を6kPa、基板温度を1000°CとしCVD法にて成膜した。第5層は、約05μmのTiNで、H220VolTiCl4300VolN2の組成ガスを用いて、圧力を20kPa、基板温度を1000°CとしCVD法にて成膜した。被覆膜において各膜は、第1層のTiN膜は超硬合金基材と第2層との密着性を高め、第2層のTiCN膜は耐摩耗性を高め、第3層のTiBN膜は第4層との密着力を高め、かつレーザ光を吸収し、第4層のAl2O3膜は耐熱性を高め、第5層のTiN膜は美的効果を高めている。しかし、あくまでも本例は例示であるため、被覆膜の構成膜、膜順序は限定されるものではない。但し、酸化物の膜は、パルスレーザ照射部の表層を形成する酸化物以外の膜に対して上層側に形成されている。この酸化物の膜とパルスレーザ照射部の表層を形成する膜は、隣接していても良いし、両膜の間に別の膜が介在されていても良い。上記被覆膜は5層ともCVD法により成膜されており、引張応力を有している。応力膜である第2層のTiCN膜は、130MPa程度の引張応力を有している。この被覆膜のうち、パルスレーザ照射部において、上層膜を除去し、応力膜を露出させ、かつこの応力膜の応力を制御する表面処理を行う。この表面処理として、パルスレーザを用いて行った例を実施例11~18、比較例12とする。表面処理として、ブラッシングを用いた例を比較例11、連続波レーザを用いた例を比較例17、変調レーザを用いた例を比較例18とする。また、除去を行わなかった未処理品を比較例16とする。ただし、連続波レーザ及び変調レーザは、パルスレーザではないため、ピークパワー密度Wcm2で定義ができない即ち、値が0となる。また、両レーザ連続波レーザ及び変調レーザとも出力が高くなると連続的に基材への入熱量が大きくなり、基材への熱ダメージが大きくなる。そこで、微細加工用に用いられるレーザの出力レベルとして、両レーザとも平均出力が30Wとなるように調整したレーザを用いた。種別:実施例19~116、比較例13被覆膜を構成する上層膜を変えて試験片を製造した。ここでは、第4層のAl2O3に代えて40μmのZrO2を成膜した。成膜条件は、Ar339VolH2339VolCO217VolZrCl4の組成ガスを用いて、圧力を4kPa、基板温度を850°Cとし、CVD法にて成膜した。上層膜を除去し、応力膜を露出させ、かつこの応力膜の応力を制御する表面処理は、パルスレーザを用いて行った。種別:実施例117~124、比較例14被覆膜を構成する上層膜を変えて試験片を製造した。ここでは、第4層のAl2O3に代えて40μmのTiO2を成膜した。成膜条件は、H220VolTiCl404VolCOの組成ガスを用いて、圧力を8kPa、基板温度を980°CとしたCVD法である。上層膜を除去し、応力膜を露出させ、かつこの応力膜の応力を制御する表面処理は、パルスレーザを用いて行った。種別:実施例125~132、比較例15被覆膜を構成する上層膜を変えて試験片を製造した。ここでは、第4層のAl2O3に代えて40μmのVO2を成膜した。成膜条件は、75VolH2O25VolVCl4の組成ガスを用いて、圧力を101kPa、基板温度を600°Cとし、CVD法にて成膜した。上層膜を除去し、応力膜を露出させ、かつこの応力膜の応力を制御する表面処理は、パルスレーザを用いて行った。上記パルスレーザによる表面処理方法は、超硬合金基材に垂直な方向からパルスレーザをスキャンしながら照射した。試験例1では、ビームスポット径75μmとなるようにし、繰り返し周波数を25kHz、スキャン速度を750mmsに設定することで、オーバーラップ率を60とし、パルスレーザを照射した。ピークパワー密度は、パルス幅を1ns5ns10ns20ns50ns100ns200ns300ns500nsと変えることによって調整した。なお、連続波レーザ比較例17及び変調レーザ比較例18においても、ビームスポット径を同一の75μmとし、変調レーザについては、変調周波数断続的に出力する周波数を25kHzとした。この試験例では、パルスレーザ、連続波レーザ、変調レーザともレーザ光の波長は1064nmである。上記条件のパルスレーザを照射することで、パルスレーザを照射した領域において、被覆膜のうち上層膜を除去することができ、応力膜を露出することができた。得られた試験片は、パルスレーザを照射した領域においては、基材の表面にTiN膜、TiCN膜が順に備えられており、TiBN膜、Al2O3膜、TiN膜は存在しない。≪評価≫応力膜の応力状態得られた試験片において、パルスレーザ照射部の応力膜中の厚み方向の応力分布を高輝度放射光を用いたX線回折により、sin2ψ法で厚み方向の応力状態を精密に測定した。その結果を表1に示す。表1のTiCN膜の応力状態は、応力分布において、圧縮応力が存在する場合は、その圧縮応力の最大値を示し、圧縮応力が存在せず引張り応力のみが存在する場合は、その引張応力の最大値を示している。応力膜の膜厚また、得られた試験片において、膜厚測定箇所を実際に切断して、その断面を直接SEMで観察して、膜厚を測定した。その結果を表1に併せて示す。≪結果≫表1に示すように、表面処理として、002GWcm2以上のピークパワー密度のパルスレーザを用いた場合及びブラッシングを用いた機械的な処理の場合は、上層膜を除去し、応力膜を露出させることができた。応力膜の応力状態表面処理として、002GWcm2以上のピークパワー密度のパルスレーザを用いた場合、応力膜における残留応力は厚み方向に分布を持ち、該分布は圧縮応力となる部分を有し、該圧縮応力の最大値が表1に示す値となっている。しかし、ブラッシングを用いた機械的な除去の場合、応力膜は引張応力のままであり、かつ応力膜の成膜終了時の引張応力に対してほぼ変わりない。これは、機械的な除去では、応力膜の成膜時に形成された引張応力は緩和できないということである。また、未処理品の場合TiCN膜の応力は引張となっていることから、本発明の試験片は、パルスレーザ照射部のTiCN膜は部分的に圧縮応力を有しており、非照射部のTiCN膜は引張応力のままであると考えられる。つまり、本発明の表面処理方法は、パルスレーザ照射部と非照射部とを有する部材に好適であると考えられる。応力膜の膜厚パルスレーザの膜上における集光点のオーバーラップ率が60の場合、パルスレーザの照射による有意な膜厚の減少は見受けられなかった。試験例2試験例2は、パルスレーザの膜上における集光点のオーバーラップ率が試験例1と異なる。試験例2では、ビームスポット径40μmとなるようにし、繰り返し周波数を25kHz、スキャン速度を600mmsに設定することで、オーバーラップ率を40とし、パルスレーザを照射した。その他の照射条件は、試験例1と同様である。試験例1と同様の評価方法を行った結果を表2に示す。≪結果≫表2に示すように、表面処理として、002GWcm2以上のピークパワー密度のパルスレーザを用いた場合は、上層膜を除去し、応力膜を露出させることができた。そして、応力膜における残留応力が厚み方向に分布を持ち、該分布は圧縮応力となる部分を有し、該圧縮応力の最大値を表2に示す値とできた。また、応力膜の有意な膜厚の減少は見受けられなかった。試験例3試験例3は、パルスレーザの膜上における集光点のオーバーラップ率が試験例1と異なる。試験例3では、ビームスポット径100μmとなるようにし、繰り返し周波数を25kHz、スキャン速度を1000mmsに設定することで、オーバーラップ率を60とし、パルスレーザを照射した。この例では、試験例1とオーバーラップ率の数値が同じであるが、ビームスポット径などの数値が試験例1と異なる。その他の照射条件は、試験例1と同様である。試験例1と同様の評価方法を行った結果を表3に示す。≪結果≫表3に示すように、表面処理として、002GWcm2以上のピークパワー密度のパルスレーザを用いた場合は、上層膜を除去し、応力膜を露出させることができた。そして、応力膜における残留応力が厚み方向に分布を持ち、該分布は圧縮応力となる部分を有し、該圧縮応力の最大値を表3に示す値とできた。また、応力膜の有意な膜厚の減少は見受けられなかった。試験例4試験例4は、パルスレーザの膜上における集光点のオーバーラップ率が試験例1と異なる。試験例4では、ビームスポット径20μmとなるようにし、繰り返し周波数を50kHz、スキャン速度を650mmsに設定することで、オーバーラップ率を35とし、パルスレーザを照射した。その他の照射条件は、試験例1と同様である。試験例1と同様の評価方法を行った結果を表4に示す。≪結果≫表4に示すように、表面処理として、002GWcm2以上のピークパワー密度のパルスレーザを用いた場合は、上層膜を除去し、応力膜を露出させることができた。そして、応力膜における残留応力が厚み方向に分布を持ち、該分布は圧縮応力となる部分を有し、該圧縮応力の最大値を表4に示す値とできた。また、応力膜の有意な膜厚の減少は見受けられなかった。試験例5試験例5は、パルスレーザの膜上における集光点のオーバーラップ率が試験例1と異なる。試験例5では、ビームスポット径35μmとなるようにし、繰り返し周波数を40kHz、スキャン速度を490mmsに設定することで、オーバーラップ率を65とし、パルスレーザを照射した。その他の照射条件は、試験例1と同様である。試験例1と同様の評価方法を行った結果を表5に示す。≪結果≫表5に示すように、表面処理として、002GWcm2以上のピークパワー密度のパルスレーザを用いた場合は、上層膜を除去し、応力膜を露出させることができた。そして、応力膜における残留応力が厚み方向に分布を持ち、該分布は圧縮応力となる部分を有し、該圧縮応力の最大値を表5に示す値とできた。応力膜の膜厚は、約8の減少が見受けられた。試験例6試験例6は、パルスレーザの膜上における集光点のオーバーラップ率が試験例1と異なる。試験例6では、ビームスポット径50μmとなるようにし、繰り返し周波数を20kHz、スキャン速度を800mmsに設定することで、オーバーラップ率を20とし、パルスレーザを照射した。その他の照射条件は、試験例1と同様である。試験例1と同様の評価方法を行った結果を表6に示す。≪結果≫表6に示すように、表面処理として、002GWcm2以上のピークパワー密度のパルスレーザを用いた場合は、上層膜を除去し、応力膜を露出させることができた。そして、応力膜における残留応力が厚み方向に分布を持ち、該分布は圧縮応力となる部分を有し、該圧縮応力の最大値を表6に示す値とできた。また、応力膜の有意な膜厚の減少は見受けられなかった。試験例7試験例7は、パルスレーザの膜上における集光点のオーバーラップ率が試験例1と異なる。試験例7では、ビームスポット径150μmとなるようにし、繰り返し周波数を25kHz、スキャン速度を750mmsに設定することで、オーバーラップ率を80とし、パルスレーザを照射した。その他の照射条件は、試験例1と同様である。試験例1と同様の評価方法を行った結果を表7に示す。≪結果≫表7に示すように、表面処理として、002GWcm2以上のピークパワー密度のパルスレーザを用いた場合は、上層膜を除去し、応力膜を露出させることができた。そして、応力膜における残留応力が厚み方向に分布を持ち、該分布は圧縮応力となる部分を有し、該圧縮応力の最大値を表7に示す値とできた。応力膜の膜厚は、約16の減少が見受けられた。試験例8試験例8は、パルスレーザの膜上における集光点のオーバーラップ率が試験例1と異なる。試験例8では、ビームスポット径50μmとなるようにし、繰り返し周波数を20kHz、スキャン速度を850mmsに設定することで、オーバーラップ率を15とし、パルスレーザを照射した。その他の照射条件は、試験例1と同様である。試験例1と同様の評価方法を行った結果を表8に示す。≪結果≫表8に示すように、表面処理として、002GWcm2以上のピークパワー密度のパルスレーザを用いた場合は、上層膜を除去し、応力膜を露出させることができた。そして、応力膜における残留応力が厚み方向に分布を持ち、該分布は圧縮応力となる部分を有し、該圧縮応力の最大値を表8に示す値とできた。また、応力膜の有意な膜厚の減少は見受けられなかった。試験例9試験例9は、パルスレーザの膜上における集光点のオーバーラップ率が試験例1と異なる。試験例9では、ビームスポット径120μmとなるようにし、繰り返し周波数を30kHz、スキャン速度を540mmsに設定することで、オーバーラップ率を85とし、パルスレーザを照射した。その他の照射条件は、試験例1と同様である。試験例1と同様の評価方法を行った結果を表9に示す。≪結果≫表9に示すように、表面処理として、002GWcm2以上のピークパワー密度のパルスレーザを用いた場合は、上層膜を除去し、応力膜を露出させることができた。そして、応力膜における残留応力が厚み方向に分布を持ち、該分布は圧縮応力となる部分を有し、該圧縮応力の最大値を表9に示す値とできた。応力膜の膜厚は、約25の減少が見受けられた。まとめ上記試験例1~9から、本発明の表面処理は、002GWcm2以上のピークパワー密度のパルスレーザを照射することで、上層膜を除去して応力膜を露出させることができた。そして、その露出した応力膜における残留応力が厚み方向に分布を持ち、該分布は圧縮応力となる部分を有することがわかった。つまり、応力膜に対して圧縮応力を付与することができることがわかった。成膜終了時に引張応力を有していた応力膜が圧縮応力になることで、この応力膜を備える部材は、耐欠損性に優れると考えられる。特に、パルスレーザの照射条件として、パルスレーザの膜上における集光点のオーバーラップ率を20以上とすることで、応力膜に対して、効果的に圧縮応力を付与することができる。一方、オーバーラップ率が増加するに伴い、応力膜の膜厚が減少した。このオーバーラップ率が85の場合、応力膜の膜厚減少は約25と大きく、耐摩耗性の低下に繋がると考えられる。特に、オーバーラップ率を40以上60以下とすると、応力膜に対して、高い圧縮応力を付与することができ、かつ応力膜の膜厚減少を抑制できて好ましい。なお、上述した実施の形態は、本発明の要旨を逸脱することなく、適宜変更することが可能であり、本発明の範囲は上述した構成に限定されるものではない。例えば、基材や被覆膜の材質、パルスレーザの照射条件や照射領域等を適宜変化させることができる。