"主要構造体上もしくは上記主要構造体と一体化されたキャリア上に実装された高周波半導体回路と、上記主要構造体上に配置されると共に上記高周波半導体回路に接続された高周波配線と、上記主要構造体上に配置されると共に上記高周波半導体回路に接続された直流配線と、上記主要構造体の内部に配置されると共に上記高周波半導体回路に接続されることなく、当該高周波パッケージの周辺に設けられた他の装置への直流電源あるいは直流信号を通過させる直流引き通し配線とを備えた高周波パッケージ。上記直流引き通し配線に設けられ、直流成分に損失を生じることなく、かつ、上記高周波半導体回路が動作する周波数の高周波を反射もしくは消散するフィルタを備えたことを特徴とする請求項1記載の高周波パッケージ。主要構造体上もしくは上記主要構造体と一体化されたキャリア上に実装された高周波半導体回路と、上記主要構造体上に配置されると共に上記高周波半導体回路に接続された高周波配線と、上記主要構造体上に配置されると共に上記高周波半導体回路に接続された直流配線と、上記主要構造体上に上記高周波半導体回路を囲むように配置された側壁と、上記側壁上に配置された接地導体と、上記接地導体上に配置された誘電体基板と、上記誘電体基板上に配置されると共に、上記高周波半導体回路に接続されることなく、当該高周波パッケージの周辺に設けられた他の装置への直流電源あるいは直流信号を通過させる直流引き通し配線と、上記直流引き通し配線に設けられ、直流成分に損失を生じることなく、かつ、上記高周波半導体回路が動作する周波数の高周波を反射もしくは消散するフィルタとを備えた高周波パッケージ。従来の高周波パッケージは、以上のように構成されているので、高周波パッケージの近傍空間に、他の装置への直流電源あるいは直流信号を伝送するハーネス状のリード線が引き通されていると、そのリード線と高周波パッケージに入出力される高周波とに不要結合を発生し、不具合を起こすことがある。図3はその状態を示したものであり、高周波パッケージに高周波入力端子4aと、高周波出力端子4fとが設けられ、その高周波パッケージの近傍空間に、他の装置に直流電源を伝送するリード線21と、他の装置に直流信号を伝送するリード線22とが引き通されている状態を示したものである。図3のように、高周波パッケージの高周波入力端子4aおよび高周波出力端子4fの近傍空間にリード線21,22が存在していると、例えば、高周波出力端子4f付近でリード線21,22と不要結合すれば、不要結合した高周波はリード線21,22上を伝搬し、高周波入力端子4aにおいて再結合する。すなわち、高周波の帰還が起こり、高周波パッケージの内部に実装された高周波半導体回路の入出力アイソレーションが劣化することになる。仮に、この高周波半導体回路が高周波増幅器である場合に、高周波増幅器の利得次第では、入出力アイソレーションの劣化は高周波増幅器の発振等を引き起こす場合もある等の課題があった。本発明は、以上のような課題を解消するためになされたものであり、他の装置への直流電源あるいは直流信号を伝送するリード線と、当該高周波パッケージ上に配置された高周波配線の周りから漏洩する高周波との不要結合を減少させ、これにより、高周波半導体回路の入出力アイソレーションを向上し、入出力アイソレーションの劣化に起因する不具合を低減する高周波パッケージを得ることを目的とする。本発明の高周波パッケージは、当該高周波パッケージの周辺に設けられた他の装置への直流電源あるいは直流信号の伝送にハーネス状のリード線またはフレキシブル基板等を用いることなく、主要構造体の内部に配置された直流引き通し配線を用いたものである。本発明によれば、直流引き通し配線が主要構造体の内部に配置されているので、この直流引き通し配線と主要構造体上に配置された高周波配線の周りから漏洩する高周波との不要結合を減少させることができる。これにより、高周波半導体回路の入出力アイソレーションを向上することができ、入出力アイソレーションの劣化に起因する不具合を低減できる効果がある。実施の形態1.この実施の形態1は、リード線の代わりに用いられる直流引き通し配線を主要構造体の内部に配置することにより、高周波配線の高周波との不要結合を減少させるものである。図1はこの発明の実施の形態1による高周波パッケージを示す分解斜視図である。図において、主要構造体1は、多層状の誘電体からなるものである。キャリア2は、底面に接地導体図示せずが形成され、主要構造体1を配置するものである。高周波半導体回路3は、半導体チップにより構成され、主要構造体1上に実装されたものである。この高周波半導体回路3は、主要構造体1上に形成された高周波入力端子4aおよび高周波入力線路4bからなる線路にボンドワイヤ4cを用いて接続されている。また、主要構造体1上に形成された高周波出力端子4fおよび高周波出力線路4eからなる線路にボンドワイヤ4dを用いて接続されている。なお、4aから4fにより高周波配線を構成する。また、この高周波半導体回路3は、主要構造体1上に形成された直流信号入力端子5aおよび直流信号入力線路5bからなる線路にボンドワイヤ5cを用いて接続されている。また、主要構造体1上に形成された直流電源入力端子6aおよび直流電源入力線路6bからなる線路にボンドワイヤ6cを用いて接続されている。なお、5aから5c,6aから6cにより直流配線を構成する。側壁7は、多層状の誘電体からなり、主要構造体1上に高周波半導体回路3を囲むように配置されたものである。キャビティ8は、側壁7の配置により主要構造体1上に形成される空間である。シールリング9は、側壁7上に配置され、リッド10は、キャビティ8を封止するように、シールリング9上に半田付けされるものである。さらに、この実施の形態1では、主要構造体1上に外部端子11a,11bが形成されている。これら外部端子11a,11bは、高周波入力端子4aおよび高周波出力端子4fから、少なくとも不要結合が発生しない程度に離れた位置に形成されたものである。また、引き通し配線11cは、外部端子11a,11bの真下であって、多層配置された主要構造体1の内部に形成されたものである。ビア11dは、外部端子11aと引き通し配線11cの一端とを電気的に接続し、ビア11eは、外部端子11bと引き通し配線11cの他端とを電気的に接続したものである。なお、外部端子11a,11b、引き通し配線11c、およびビア11d,11eにより直流引き通し配線を構成する。次に動作について説明する。図1において、この実施の形態1では、外部端子11a、ビア11d、引き通し配線11c、ビア11e、および外部端子11bからなる経路が一系統設けられている。この経路は、高周波半導体回路3に接続されることなく、また、その経路のほとんどが高周波パッケージの周辺の空間にあらわとなることなく、主要構造体1の高周波入力端子4aが形成された端面から高周波出力端子4fが形成された端面まで導通するものである。図2はこの発明の実施の形態1による高周波パッケージにリード線を接続した状態を示す分解斜視図である。図において、他の装置への直流電源の伝送のために、高周波入力端子4a側から高周波出力端子4f側へと高周波パッケージの近傍を引き通す必要のあるリード線21がある場合に、そのリード線21を分断する。そして、分断したリード線21を、リード線21a,21bとし、リード線21aの端部を外部端子11aに、リード線21bの端部を外部端子11bにそれぞれ接続する。このように、この実施の形態1の高周波パッケージでは、他の装置への直流電源の伝送を、リード線21a、外部端子11a、ビア11d、引き通し配線11c、ビア11e、外部端子11b、およびリード線21bからなる経路で通過させることができる。このため、高周波パッケージの近傍空間にあらわとなるリード線21の物理長が短くなり、またその一方で、引き通し配線11cは、リード線21に比べて不要結合を少なくすることのできる主要構造体1の内部に形成されている。したがって、図3に示したように、従来では、高周波パッケージ上の配線であるために、高周波入力端子4aおよび高周波出力端子4fの周りから漏洩する高周波とリード線21,22との不要結合を発生したが、この実施の形態1の高周波パッケージでは、この不要結合を減少させることができる。以上のように、この実施の形態1によれば、引き通し配線11cが主要構造体1の内部に配置されているので、この引き通し配線11cと主要構造体1上に配置された高周波入力端子4aおよび高周波出力端子4fの周りから漏洩する高周波との不要結合を減少させることができる。これにより、高周波半導体回路3の入出力アイソレーションを向上することができ、入出力アイソレーションの劣化に起因する不具合を低減できる効果がある。また、外部端子11a,11bは、高周波入力端子4aおよび高周波出力端子4fから、少なくとも不要結合が発生しない程度に離れた位置に形成したので、不要結合を更に減少させることができる。さらに、直流引き通し配線を、主要構造体1上に形成された外部端子11a,11bと、主要構造体1の内部に形成されたビア11d,11eおよび引き通し配線11cとから構成した。これにより、高周波パッケージの近傍空間に引き通す必要のあるリード線21をリード線21a,21bに分断し、分断したリード線21aの端部を主要構造体1上に形成された外部端子11aに、リード線21bの端部を主要構造体1上に形成された外部端子11bにそれぞれ接続すれば良く、分断したリード線21a,21bの接続を容易に行うことができる効果がある。さらに、上記実施の形態1によれば、直流引き通し配線を一系統のみ設けたものについて示したが、直流引き通し配線を複数系統設けたものであっても良い。この場合、高周波パッケージの周辺に複数のリード線が設けられるものであっても対応することができ、入出力アイソレーションの劣化に起因する不具合を低減できる効果がある。さらに、上記実施の形態1によれば、高周波半導体回路3を、主要構造体1上に実装した構成について示したが、高周波半導体回路3を、主要構造体1と一体化されたキャリア2上に実装する構成であっても良い。すなわち、主要構造体の中央に上面および底面間を貫通する穴を設け、その主要構造体の底面にキャリアが設けられ、そのキャリアの上面の一部が上記穴により露出した構成において、高周波半導体回路3を、主要構造体の穴より露出したキャリア上に実装した構成であっても良い。この場合、発熱の多い高周波半導体回路であっても、高周波半導体回路を主要構造体上ではなく、キャリア上に直接に実装することにより、高周波半導体回路の放熱をより促すことができる。さらに、主要構造体1の構成部材は、セラミックや樹脂であっても良く、また、シールリング9やキャリア2は必須というものではない。さらには、高周波パッケージの内部には、半導体チップを1つのみ実装する例を示したが、この実施の形態1の奏する効果は、実装される半導体チップの数や形態には依存しないことはいうまでもない。実施の形態2.この実施の形態2は、直流引き通し配線にフィルタを設けることにより、入出力アイソレーションを更に向上させるものである。図4はこの発明の実施の形態2による高周波パッケージを示す分解斜視図である。図において、フィルタ11fは、引き通し配線11cに設けられ、直流成分に損失を生じることなく、かつ、高周波半導体回路3が動作する周波数の高周波を反射もしくは消散するものである。先端開放スタブ11g,11hは、そのフィルタ11fの具体的な構成であり、引き通し配線11cの途上に接続されるように形成されたものである。以上のように、この実施の形態2によれば、引き通し配線11cに設けられ、直流成分に損失を生じることなく、かつ、高周波半導体回路3が動作する周波数の高周波を反射もしくは消散するフィルタ11fを備えたので、高周波半導体回路1の入出力アイソレーションを更に向上することができる効果がある。このため、高周波半導体回路1が高利得の増幅器の場合等、大きな入出力アイソレーションが求められる場合に好適である。また、そのフィルタ11fを、引き通し配線11cの途上に接続される先端開放スタブ11g,11hの形成により構成したので、フィルタ11fを極めて容易に構成することができる効果がある。実施の形態3.この実施の形態3は、主要構造体1上に誘電体基板を設け、その誘電体基板上にフィルタを有する直流引き通し配線を設けることにより、高周波配線の高周波との不要結合を減少させるものである。図5はこの発明の実施の形態3による高周波パッケージを示す分解斜視図である。図において、誘電体基板31は、多層状の誘電体からなるものである。接地導体32は、誘電体基板31の底面に形成され、リッド10上に配置されたものである。なお、この実施の形態3の場合、リッド10、シールリング9は導体からなり、また、詳細な記載は省くが、シールリング9は、ビア等によりキャリア2の底面に設けられた接地導体と導通が確保されている。即ち、リッド10は、電気的に接地された構造になっている。さらに、この実施の形態3では、誘電体基板31上に外部端子33a,33b、および引き通し配線33cが、一系統の直流引き通し配線として形成されている。また、フィルタ33dは、引き通し配線33cに設けられ、直流成分に損失を生じることなく、かつ、高周波半導体回路3が動作する周波数の高周波を反射もしくは消散するものである。先端開放スタブ33e,33fは、そのフィルタ33dの具体的な構成であり、引き通し配線33cの途上に接続されるように形成されたものである。さらに、誘電体基板31上に外部端子34a,34b、および引き通し配線34cが、もう一系統の直流引き通し配線として形成されている。また、フィルタ34dは、引き通し配線34cに設けられ、直流成分に損失を生じることなく、かつ、高周波半導体回路3が動作する周波数の高周波を反射もしくは消散するものである。先端開放スタブ34e,34fは、そのフィルタ34dの具体的な構成であり、引き通し配線34cの途上に接続されるように形成されたものである。次に動作について説明する。図5において、この実施の形態3では、実施の形態1において適用された、外部端子11a、ビア11d、引き通し配線11c、ビア11e、および外部端子11bからなる経路が取り除かれている。代わりに、リッド10上に誘電体基板31が配置され、その誘電体基板31上には、外部端子33a,33bおよび引き通し配線33cからなる一系統の直流引き通し配線と、外部端子34a,34bおよび引き通し配線34cからなるもう一系統の直流引き通し配線とが、計2系統形成されている。よって、例えば、直流電源のリード線21を、リード線21a,21bに分断すると共に、リード線21aの端部を外部端子33aに、リード線21bの端部を外部端子33bにそれぞれ接続する。また、直流信号のリード線22を、リード線22a,22bに分断すると共に、リード線22aの端部を外部端子34aに、リード線22bの端部を外部端子34bにそれぞれ接続する。このように、他の装置への直流電源および直流信号の2系統の伝送を、外部端子33a,33bおよび引き通し配線33cからなる経路と、外部端子34a,34bおよび引き通し配線34cからなる経路とで通過させることができる。しかしながら、誘電体基板31上に形成された引き通し配線33c,34cは、高周波パッケージの近傍空間にあらわとなっており、また、高周波入力端子4aおよび高周波出力端子4fの近傍空間で、外部端子33a,33bおよび外部端子34a,34bがリード線21a,21bおよびリード線22a,22bに接続することになるため、高周波のリード線への不要結合が生じやすい。これは、図3に示した従来の高周波パッケージと変わりがない。そこで、この実施の形態3では、各系統に、それぞれフィルタ33d,34dを設け、直流成分に損失を生じることなく、かつ、高周波半導体回路3が動作する周波数の高周波を反射もしくは消散する高周波を反射する。このため、高周波パッケージに実装された高周波半導体回路3の入出力アイソレーションを確保することができる。なお、リッド10は、電気的に接地された構造になっているので、誘電体基板31の裏面の接地導体32の電位がキャリア2の裏面の接地導体の電位と同等に保たれ、誘電体基板31上に形成されたフィルタ33d,34dが大きな通過損失を無理なく作用することが可能となる。以上のように、この実施の形態3によれば、引き通し配線33c,34cに設けられ、直流成分に損失を生じることなく、かつ、高周波半導体回路3が動作する周波数の高周波を反射もしくは消散するフィルタ33d,34dを備えたので、この引き通し配線33c,34cと主要構造体1上に配置された高周波入力端子4aおよび高周波出力端子4fの周りから漏洩する高周波との不要結合を減少させることができる。これにより、高周波半導体回路3の入出力アイソレーションを向上することができ、入出力アイソレーションの劣化に起因する不具合を低減できる効果がある。また、引き通し配線33c,34cを、主要構造体1上の誘電体基板31上に配置したので、主要構造体1の占有面積の拡大を招くことがない効果がある。また、この実施の形態3によれば、接地導体32は、キャリア2の底面の接地導体とビア等により導通されているので、接地導体32の電位がキャリア2の底面の接地導体の電位と同等に保たれ、誘電体基板31上に配置された高周波を反射するフィルタ33d,34dが大きな通過損失を無理なく作用することができる効果がある。上記実施の形態3では、引き通し配線33c,34cを誘電体基板31上に形成したが、誘電体基板31として多層基板を用い、引き通し配線33c,34cをその多層基板の内部に配置し、実施の形態1と同様に、誘電体基板31上の両端部のみに外部端子を形成し、引き通し配線と外部端子とをビアにより電気的に接続するように構成しても良く、高周波半導体回路3の入出力アイソレーションを更に向上することができる効果がある。このため、高周波半導体回路3が高利得の増幅器の場合等、大きな入出力アイソレーションが求められる場合に好適である。なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意な構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意な構成要素の省略が可能である。"