"書込み磁気層を呈する層の積層体を備える書込み可能な磁気エレメントであって、前記エレメントは、前記積層体が、中心層13、53、100の平面に対して平行である磁化方向を有する磁化を呈する少なくとも1つの磁性体による中心層13、53、100を有し、前記層は非磁性体による第1および第2の外層12、52、101;14、54、102の間に挟まれ、前記第1の外層12、52、101は第1の非磁性体を備え、かつ前記第2の外層14、54、102は、前記第1の非磁性体とは異なる第2の非磁性体を備え、少なくとも前記第2の非磁性体は導電性であることと、前記エレメントは、前記中心層13、53、100内に有効磁場を発生する目的で、書込み電流に、前記第2の外層14、54、102および前記中心層13、53、100を前記中心層13、53、100の前記平面に対して平行な電流の流れ方向へ前記磁化方向に対して90 ゚±60 ゚の範囲内の、具体的には90 ゚±30 ゚、かつより具体的には90 ゚±15 ゚の範囲内の角度αで通過させるためのデバイスを含み、前記電流は、前記磁化方向を第1の磁化方向または前記第1の磁化方向とは反対である第2の磁化方向へ方向づけるために、第1の方向または前記第1の方向とは反対である第2の方向の何れかへ印加されることを特徴とする書込み可能な磁気エレメント。前記書込み電流方向は、前記磁化方向に対して垂直であることを特徴とする、請求項1に記載の磁気エレメント。前記中心層13、53、100は、0.1nmから5nmまでの範囲内、好ましくは3nm以下の厚さを有することを特徴とする、請求項1から請求項2までの何れかに記載の磁気エレメント。前記中心層13、53、100は、前記積層体内に平面磁気異方性を呈する、具体的にはCo、Ni、Fe、CoxFey、NixFey、CoxNiyである金属または金属合金を含むことを特徴とする、請求項1から請求項3までの任意の請求項に記載の磁気エレメント。少なくとも一方の外層は導電性であって、Pt、W、Ir、Ru、Pd、Cu、Au、Ag、Bi等の非磁性金属製、または前記金属の合金製であり、または事実上、高ドープ半導体材料製であることを特徴とする、請求項1から請求項4までの任意の請求項に記載の磁気エレメント。前記導電外層の厚さは、0.5nmから100nmまでの範囲内、より具体的には1nmから10nmまでの範囲内であり、好ましくは5nm以下であることを特徴とする、請求項5に記載の磁気エレメント。双方の外層は導電性であり、かつ前記非磁性合金または非磁性体のうちの異なる2つの材料で製造されることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の磁気エレメント。前記第1の外層は非導電性であり、かつ具体的には、SiOx、AlOx、MgOx、TiOx、TaOx、ZnO、HfOx等の誘電酸化物、またはSiNx、Bnx等の誘電窒化物で製造されることを特徴とする、請求項1から請求項6までの任意の請求項に記載の磁気エレメント。前記第1の外層は、真性または軽くドープされている、0.1Ωcmより大きい、かつ好ましくは1Ωcmより大きい抵抗率を呈する、Si、GeまたはGaAs等の半導体であることを特徴とする、請求項1から請求項6までの任意の請求項に記載の磁気エレメント。前記誘電的に非導電性である第1の外層の厚さは、0.5nmから200nmまでの範囲内、より具体的には0.5nmから100nmまでの範囲内であり、好ましくは3nm未満であることを特徴とする、請求項8または請求項9に記載の磁気エレメント。前記書込み電流は、104A/cm2から109A/cm2までの範囲内、好ましくは105A/cm2から108A/cm2までの範囲内の電流密度を呈することを特徴とする、請求項1から請求項10までの任意の請求項に記載の磁気エレメント。前記第1の外層52は、磁性体製の読取り層58によって、かつ読取り電極59によって覆われることを特徴とする、請求項1から請求項11までの任意の請求項に記載の磁気エレメント。前記第1の外層52は非磁性金属で製造されることと、前記第1の外層52は、前記中心層53、前記読取り層58および前記電極59と共働してスピンバルブを形成することと、前記第1の外層52の厚さは、0.5nmから10nmまでの範囲内、かつ好ましくは0.5nmから5nmまでの範囲内であることを特徴とする、請求項12に記載の磁気エレメント。前記第1の外層52は非導電性であることと、前記第1の外層52は、前記中心層53、前記読取り層58および前記読取り電極59と共働して磁気トンネル接合部を形成することと、前記第1の外層12、52、101の厚さは、0.5nmから5nmまでの範囲内、かつ好ましくは3nm未満であることを特徴とする、請求項12に記載の磁気エレメント。少なくとも前記第1の外層54、102および前記中心層53、100はスタッドを形成することを特徴とする、請求項1から請求項14までの任意の請求項に記載の磁気エレメント。前記第2の外層54、102は、前記スタッドの一部を形成する余分な厚さの領域54’、102’を含むことを特徴とする、請求項15に記載の磁気エレメント。請求項15または請求項16に記載の複数のスタッドを備えることと、前記第2の外層は、前記複数のスタッドに共通するトラック54、102を含むことを特徴とする書込み可能な磁気デバイス。前記第1の外層52、101と、前記中心層53、100と、前記第2の外層を構成する余分な厚さの領域54’、102’とが請求項16に記載のスタッドを形成することと、前記書込み可能な磁気デバイスは、前記電流を前記スタッドの各々の前記第2の外層54’、102’および前記中心層53、100を介して注入するために、複数の前記スタッドを、前記スタッドの第2の外層54’、102’の境を成す導電トラック54、102と共に含み、前記第2の外層は、前記導電トラック54、102の材料とは異なる導電材料で製造されることを特徴とする書込み可能な磁気デバイス。本発明は、磁化を反転するために、磁気層その平面に対して平行な磁化を有するの存在を必要としない、かつ書込み電流を層の平面に対して垂直に通す積層体なしに動作する、書込み可能な磁気エレメントを提供する。したがって、本発明は、書込み磁気層を呈する層の積層体を備える書込み可能な磁気エレメントを提供し、前記エレメントは、積層体が、中心層の平面に対して平行である磁化方向を有する磁化を呈する少なくとも1つの磁性体による中心層を有し、この層は非磁性体による第1および第2の外層の間に挟まれ、第1の外層は第1の非磁性体を備え、かつ第2の外層は、第1の非磁性体とは異なる第2の非磁性体を備え、少なくとも第2の非磁性体は導電性であることを特徴とし、かつ前記エレメントは、中心層内に有効磁場または、スピン-軌道場を発生する目的で、書込み電流に、第2の外層および中心層を中心層の平面に対して平行な電流の流れ方向へ前記磁化方向に対して90 ゚±60 ゚の範囲内の、具体的には90 ゚±30 ゚、かつより具体的には90 ゚±15 ゚の範囲内の角度αで通過させるためのデバイスを含み、前記電流は、磁化方向を第1の磁化方向または第1の磁化方向とは反対である第2の磁化方向へ方向づけるために、第1の方向または第1の方向とは反対である第2の方向の何れかへ印加されることを特徴とする。本発明は、外部磁場が印加されることなく書込み動作を実行できるようにする、という重要な追加的優位点を提供する。有効磁場または、スピン-軌道磁場は、本明細書本文において後述するように、ラシュバRashba場に起因し、かつ局所磁化に作用するs-d交換相互作用に起因する。本発明が基礎とする考案は、スピン-軌道磁場を用いて磁気層の磁化を操作することである。本発明によれば、これは、印加される磁場を必要とすることなく、磁気層の磁化を好ましくはスピン-軌道磁場の方向と共線的に配向することによって達成され、前記方向は、積層体、界面および電流が流れる方向の構造によって決定される。書込み電流が流れる方向は、好ましくは、前記磁化方向に対して垂直である。書込み電流は、磁気層に対して平行に流れ、かつ積層体を層の平面に対して垂直方向へは通過せず、よって、メモリの書込みまたは消去を、前記電流が流れる方向に作用することによって、かつより具体的には、電流パルスを印加することによって、外部磁場の印加を必要とすることなく行うことが可能である。効果的には、中心層は、0.1ナノメートルnmから5nmまでの範囲内の、好ましくは3nm以下の厚さを有する。効果的には、中心層は、積層内に平面磁気異方性を呈する、具体的にはCo、Ni、Fe、CoxFey、NixFey、CoxNiy、他、...である金属または金属合金を含み、この中心層の磁化は、中心層の平面において抑制される。効果的には、少なくとも一方の外層は導電性であって、Pt、W、Ir、Ru、Pd、Cu、Au、Ag、Bi等の非磁性金属製、またはこれらの金属の合金製であり、または事実上、Si、GeまたはGaAs等の高ドープ半導体材料ドーピング製である。例として、前記導電外層の厚さは、0.5nmから100nmまでの範囲内、より具体的には1nmから10nmまでの範囲内であり、好ましくは5nm以下である。双方の外層は導電性であってもよく、かつ前記非磁性合金または非磁性体のうちの異なる2つの材料で製造される。導電外層の厚さは、中心層の厚さとは無関係である。第1の外層が非導電性である場合、これは、効果的には、好ましくはSiOx、AlOx、MgOx、TiOx、TaOx、ZnO、HfOxである誘電酸化物、またはSiNx、Bnx等の誘電窒化物、または事実上、その抵抗率が0.1Ωcm即ち、典型的にはSiまたはGeの1立方センチメートル当たり1016ドーピング原子/cm3未満であるドーピングレベルより大きく、かつ好ましくは1Ωcmより大きいように真性または極く軽くドープされている半導体例えば、Si、GeまたはGaAsで製造される。例として、この外層の厚さは0.5nmから200nmまでの範囲内であり、具体的には0.5nmから100nmまでの範囲内である。より具体的には、これは、0.5nmから5nmまでの範囲内であり、かつ好ましくは、具体的にはメモリエレメントがトンネル磁気抵抗信号によって読み取られる場合には3nm未満である。何れにしても、この層の厚さは、中心層の厚さとは無関係である。例として、書込み電流は、104A/cm2から109A/cm2までの範囲内、好ましくは105A/cm2から108A/cm2までの範囲内の電流密度を呈する。第1の外層は、磁性体製の読取り層によって、かつ読取り電極によって覆われてもよい。デバイスは、このようにして形成されるような積層体に読取り電流を通過させるために、かつ積層体の端子を介する抵抗を測定するために、読取り電極へ結合されてもよい。第1の外層が非磁性金属製である場合、これは、中心層、読取り層および読取り電極と共働してスピンバルブを形成する。よって、第1の外層の厚さは、0.5nmから10nmまでの範囲内であり、好ましくは5nm未満である。第1の外層が誘電体である場合、これは、中心層、読取り層および読取り電極と共働して磁気トンネル接合部を形成する。このような状況下では、第1の外層の厚さは0.5nmから5nmまでの範囲内であり、好ましくは3nm未満である。第1の外層および中心層は、効果的にはスタッドを形成する。第2の外層は、スタッドの一部を形成する余分な厚さの領域を含んでもよい。トラックは、効果的には、第2の外層、または第2の外層の境を成す導電トラックの何れかによって形成される。本発明は、先に画定したような複数のスタッドを備える、かつ第2の外層がこれらのスタッドに共通する前記トラックを含む、書込み可能な磁気デバイスも提供する。最後に、本発明は、第1の外層と、中心層と、第2の外層を構成する余分な厚さの領域とがスタッドを形成することと、書込み可能な磁気デバイスが、前記電流を前記スタッドの各々の前記第2の外層および中心層を介して注入するために、複数の前記スタッドを、前記スタッドの第2の外層の境を成す導電トラックと共に含むことを特徴とする書込み可能な磁気デバイスも提供し、第2の外層は、導電トラックの材料とは異なる導電材料で製造される。本発明のコンテキストにおいて実装される積層体、即ち、磁性体ではない、かつ少なくとも一方は導電性である2つの外層の間に磁気中心層が挟まれ、2つの外層は異なる材料である積層体、は、磁気中心層内に非補償電界を発生する反転非対称性を生み出す効果を有する。この電界内を伝搬する電子は、その固有の基準系において、ラシュバ場として知られる磁場に曝される。ラシュバ場は、導電層内を流れる電流および電界の双方に対して垂直である。したがって、この磁場は、伝導電子へ印加される。発明者達は、ラシュバ場および遍歴的かつ局所化された電子のスピンを結合するs-d交換相互作用から結果的に生じる有効磁場スピン-軌道磁場とも称されるが局所磁化へ印加されることを示している。Current-drivenspintorqueinducedbytheRashbaeffectinaferromagneticmetallayerと題する、ネイチャーマテリアルズ/オンライン先行版、第9巻、230-234ページ、2010年3月マクミランパブリッシャーズ社、において刊行されているIoanMihaiMiron、他の論文は、厚さ3nmのPt層と、その平面に対して垂直な、延てはz軸に対して平行な磁化を有する厚さ0.6nmのCo層と、x軸に対して平行に流れる電流を運ぶ厚さ2nmのAlOx層とを有する積層体を示している。この積層は、基準系の第3の軸、即ちy軸に沿って有効磁場Heffまたは、スピン-軌道磁場を提供する。したがって、この構造は、磁場が磁気層の磁化に対して垂直であることに起因して、メモリの作成には不適切である。意外にも、発明者達は、この理論上の障害が、上述の論文に記述されているものとは異なる構造において、磁気層の磁化が、好ましくは電流により発生される有効磁場の方向と共線的である方向性を有することを可能にすることにより克服され得ることを示している。書込み電流が中心層へと、但し本構造では磁気中心層の平面内に存在する磁化方向に対して垂直に注入されると、磁化方向と共線的なスピン-軌道場が発生され、かつ磁化方向の反転が、本発明に従って、外部磁場を印加することなく、注入される書込み電流が流れる方向の関数として取得されてもよい。本発明において、この磁化反転は、中心層の平面における電流が流れる方向が磁化方向に対して垂直でない場合は達成され続けるが、磁化方向に対して90 ゚±60 ゚の範囲内、具体的には90 ゚±30 ゚の範囲内、より具体的には90 ゚±15 ゚の範囲内の角度αを形成する。有効磁場は、中心層の磁化方向と共線的な成分を保持する。図1aから図1gまでにおいて、参照符号15は、構造体の短絡を回避するように電気絶縁体である基板を指す。これは、具体的には、誘電酸化物SiO2、AlOx、MgOx、TiOx、TaOx、ZnO、HfOによって、または、例えばSiNxである窒化物によって構成されてもよい。これは、その基板自体の上であっても、例えばシリコンである別の基板上へ堆積されてもよい。参照符号13は、その平面に対して平行である磁化の平面磁気層を指す。参照符号16は、磁気層13の平面内に抑制される磁化の方向性を示す。参照符号14および12は、非磁性の外層を指す。参照符号11は、層13の平面に対して平行である、但し本例では、磁化に対して垂直である書込み電流の方向を指す。先に述べたように、電流の方向は、磁化の方向16に対して、90 ゚±60 ゚の範囲内の角度α図1d30 ゚<α<150 ゚、90 ゚±30 ゚の範囲内の角度α60 ゚<α<120 ゚、より具体的には90 ゚±15 ゚の範囲内の角度α75 ゚<α<105 ゚を形成してもよい。図1aおよび図1bは、積層体の層12、層13および層14がトラックを形成している、構造化されていない積層体を示している。磁化方向16は、本例では、電流が注入される導電層14を構成するトラックの長手方向に対して垂直である。図1cから図1gまでは、層14第2の外層と称されるが導電性であって、磁気層13および非磁気層12第1の外層と称されるのみが構造化されてスタッド18a図1cおよび図1dを形成する構造化された積層体、またはその他、導電層14の任意選択である余分な厚さ14’を組み入れるスタッド18bまたは18c図1eから図1gまでを構成するように層12、層13および層14の3層全てが構造化され、よってスタッド18bまたは18cが層14の非磁性体の厚さの一部を含む積層体を示している。よって、第2の外層の厚さとして考慮されるべきものは、層14固有の厚さに余分な厚さ14’を加えたものである。余分な厚さの領域14’は、必ずしも層14と同じ導電材料で製造されず、この場合、非磁性である第2の外層として作用するのは余分な厚さ14’自体であり、かつ反転非対称性を達成すべく積層体内で機能するのはその材質であることは観察されるべきである。したがって、層14の金属材料は任意であってもよい。スタッド18a、18bまたは18cの形成は、磁化をスタッド内でのみ反転させる働きをし、そうでなければ、磁化はトラックの長さ全体に渡って図1aおよび図1b反転される。スタッド18aから18cにおける磁化の方向16は、好ましくは、電流が流れる方向11に対して平行である導電トラック14の長手軸に対して垂直である。スピン-軌道場の方向と共線的であるこのような磁化方向を達成するためには、例えば、18cのように楕円形であって、その長手軸が導電トラック14余分の厚さ14’は任意選択の長手軸に対して垂直であるスタッドを製造して、所望される方向に異方性の形状を達成することが可能である。磁気層13は、その平面内に位置づけられる磁化方向を呈し、その厚さは、界面に起因して電界が無視できないものとなる程度に薄い。この厚さは、典型的には3nmを超えず、かつ最長でも5nmである。磁性体としては、平面磁化を呈する任意のものCo、Fe、Ni、CoxFey、NixFey、CoxNiy、他が使用されてもよい。また、例えば、GaMnAsMnドープGaAs、InMnAs、MnxGe1-x、ドープZnOまたは実際にはTiOxのような磁気半導体等の非金属磁性体を利用することも可能である。2つの非磁気層12および14は、構造体全体に反転非対称性を生成するために、異なるものである必要がある。これらの個々の層のための2つの異なる材料は、例えば、一方については誘電材料が、もう一方については金属が選択されるが、各々に金属を選択することも可能である。層12および層14の双方が非導電性であるという状況は、スタッドが構造化されていない場合、即ちトラックが存在する場合に限って可能である。よって電流は、トラックを構成する中心層13内を流れる。したがって、2つの非磁気層12および14は各々、層12、13、14による積層体が反転非対称性を呈するために両層が異なるものであることを条件として、次の材料、即ち、誘電酸化物SiOx、AlOx、MgOx、TiOx、TaOx、ZnO、HfOx、...、誘電窒化物SiNx、Bnx、...、非磁性金属Pt、Pd、Cu、Au、Bi、Ir、Ru、W、...、これらの金属の非磁性合金、有機または非有機半導体化合物例えば、任意選択でドープされたGaAs、Si、Ge、または必要であれば成長バッファへ結合される、例えば金属Ir、Ru、Ni等であるグラフェン、またはSiC等の半導体化合物から構成されてもよい。例として、導電性でない層は、その抵抗率が0.1ΩcmSiまたはGeの場合、典型的には、1016/cm3未満であるドーピングレベルに相当するより大きくなるように、かつ好ましくは1Ωcmより大きくなるように真性または軽くドープされている半導体材料例えば、Si、Ge、GaAsで製造される。半導体材料製の導電層の場合、例えば、1018/cm3以上の担体密度を有するSiまたはGeである高ドープ半導体ドーピングを提供することが適切である。非磁気層の一方またはもう一方が導電性である場合は、2つの外層が同じ組成を有していてはならない。層12および層14の厚さは、広範な値に渡って、典型的には厚さ0.5nmから200nmまでの範囲、より具体的には0.5nmから100nmまでの範囲に渡って選択されてもよい。しかしながら、金属の層12および/または層14を用いる場合、平行な導電チャネルに起因して磁気層を通過する有効電流が過剰に減ることを回避するために、微細な、典型的には5nm未満、一般的には10nm未満、の厚さを有する層を用いることが好ましい。絶縁層の場合、積層体が磁気トンネル接合部TMRによって読み取られるメモリに集積され、その厚さが典型的には3nm未満でなければならない事例でない限り、これらの層は厚くてもよく、例えば約200nmまでの厚さであってもよい。これらの様々な層は、蒸着、スパッタリング、電気化学堆積、化学成長、...等の任意の既知の技法によって堆積されてもよい。所定の構造では、層14が省略されてもよい。よって、磁気層13は、絶縁基板15非磁気層として作用する上へ直に堆積され、かつ非磁気層12は、基板15を構成するものとは異なる、積層体が反転非対称性を呈するように選択される物質で製造される。しかしながら、スタッドが構造化される場合、層14は存在していなければならず、かつ構造化されたスタッド本例では18aおよび18bへ電流を注入できるように、導電材料によって構成されなければならないことは観察されるべきである。反転するためのエレメントは、それが図示されているトラック図1aまたは図1bであれ、トラック内に構造化される、またはトラック上へ取り付けられるスタッド図1cから図1gまでであれ、書込み電流を方向11へ注入するように、従来の導電電極によって接続される。電流密度は、104A/cm2から109A/cm2までの範囲内、より具体的には、105A/cm2から108A/cm2までの範囲内であってもよい。書込み電流は、積層体の層12、13、14を垂直には通過せず、かつ、これらの層を垂直に通るのは大きさが遙かに小さい読取り電流のみである。したがって、中心層の平面に対して平行な電流方向に流れる書込み電流は、第2の外層および中心層のみを介して流れ、かつおそらくは第1の外層を、これが導電性である場合に限り通って流れる。電流を矢印11の方向または、反対方向へトラック14内に注入することにより、層13の磁化を、スピン-軌道相互作用および交換結合により磁化に際して生成される有効磁場によって切換えることができる。磁化は、磁気中心層13の平面において配向され、本例において、これは、電流注入方向に対して垂直に配向される。有効磁場は、磁化に対して平行であり、よってメモリポイントを、電流が注入される方向の関数として磁化を反転することにより書き込むことができる。中心層の磁化方向が電流注入方向に対して垂直でなければ、これらの方向が共線的でない限り、有効磁場が層の磁化方向と共線的な成分を保持することから、引き続き書き込みは可能である。角度αは、電流注入方向と磁化方向との間で、90 ゚±60 ゚の範囲内、具体的には90 ゚±30 ゚、より具体的には90 ゚±15 ゚の範囲内で選択される。αが90 ゚でないとき、スピン-軌道磁場は、書込み電流の印加の間に磁化を自らにアラインする。磁化は、その以前の軸へ戻るが、方向は、書込み電流パルスが停止するときの反対である。書込み電流の方向を変えることにより、磁化の軸は保たれるが、その方向は反転される。図2aおよび図2bは、MRAMメモリセルにおける使用に適する積層体の一例を示している。参照符号53は、電気絶縁基板55上へ先に述べたような積層体を形成するために、2つの異なる非磁性体52と任意選択の余分な厚さ54’を有する54との間に挟まれる磁気中心層を指す。参照符号51は、トラック54において電流が流れる方向を指し、参照符号56は、層53における磁化の方向を指し、本例において、これは、電流注入方向に対して垂直である。読取りを目的として、積層体の上には、磁性体である層58、および1つまたは複数の導電層磁性であってもなくてもよいを含み得る上部電極59が置かれている。層58の機能は、構造体53、52および58が、層53の磁化方向56に依存して異なる電気抵抗値を呈することを有効化することにある磁気抵抗信号。これは、読取りのみに関わる機能であり、層53の磁化の操作に対して影響するものではない。言い替えれば、書込みと読取りは独立して画定され、かつ別個に最適化されてもよい。電極59は、一層を備える場合もあれば、従来式に、異なる機能層の積層体を備える場合もある。例えば、これは、以下を含んでもよい。操作されるべき層53上へ放射される場を限定するように合成反強磁性を画定する積層体、例えば、非磁性金属材料の極く薄い層、典型的には0.3nmのルテニウムRu、により強磁性層58から分離される強磁性層を備える積層体であって、2つの強磁性層の磁化の値は、ルテニウム層の存在に起因する両者間の反強磁性結合によって結果的にこれらの3層が層53上へ放射する合計場がゼロまたは実質上ゼロになるように、可能な限り互いに近い。あるいは、この所謂基準層58を安定させるために、交換により層58と結合される反強磁性磁性体。あるいは、電気接触するための非磁性導電材料。または、事実上、これらの様々な可能性の組み合わせであって、例えば、その磁化を2材料間の結合により安定させるような、強磁性体に隣接する反強磁性体。強磁性体は、これらの2つの強磁性層間の磁気結合が反強磁性であるように、金属薄層、典型的には0.3nmのRu、によって層58から分離されている。最後に、第1の磁性体は、1つまたは複数の非磁性導電層で覆われ、例えば、5nmのTaが7nmのRuで覆われる。このような組み合わせの例は、例えば、B.Dieny、他によりInt.J.Nanotechnology、第7巻、591号2010年において記述されているような、STT反転に使用される磁気積層体に見出すことができる。主たる2つの構造は、非磁気層52の性質に依存して区別されてもよい。即ち、層52が非磁性金属であれば、構造体53、52および58はスピンバルブ型であるのに対して、層52が誘電体であれば、構造体53、52および58は磁気トンネル接合型である。これらの構造体では、磁気抵抗信号が遙かに強力であることから、これらは好ましい構造体である。同様に、磁気抵抗信号を最適化するために、双方の構造において、層58の磁化は共線的であること、即ち、層53の磁化に対して平行または反平行であることが好ましい。層52が導電性である、例えば、非磁性金属製である場合、その厚さは、効果的には10nm未満、かつ好ましくは5nm未満であるのに対して、層52が誘電体である場合、その厚さは、効果的には5nm未満、かつ好ましくは3nm未満である。図2aおよび図2bにおいて、A、BおよびCは、3つの電気接続端子を指す。書込み段の間、電流は、端子Aと端子Bとの間へ注入されるまたは、同様にして、電流が流れるようにするためにこれらの端子間へ電圧が印加される。電流は、磁気層53を通過し、この層内で、ラシュバ場および局所磁化に作用するs-d交換相互作用に起因して有効磁場を生成するIoanMihaiMiron、外による前述の論文を参照されたい。この有効場Heffは、同様にして、スピン-軌道磁場または有効場Heffと称される。印加される書込み電流によって生成されるこのスピン-軌道場は、本発明によれば、磁化を操作することを可能にする。層52が誘電体で構成される場合、横方向へ注入される書込み電流は前記層を通過せず、よってこれを損傷しない。書込み電流が中断されると、磁化方向は保たれる。格納された情報、典型的には、中心層53における磁化の方向性は、トンネル接合型構造およびスピンバルブ型構造の双方で、何れの場合も端子間の抵抗を測定すべく、端子Cおよび端子B間または、同様にして端子Cおよび端子A間へ低値例えば、トンネル接合の場合、約数マイクロアンペアμAから数十μAまでの読取り電流を注入し、かつこれらの端子間の電圧を測定することによって、あるいは、端子Bおよび端子C間または、同様にして端子Aおよび端子C間へ定電圧を印加し、かつこれらの端子間を流れる電流を測定することによって読み取られる。抵抗は、層53の磁化が基準層58の磁化に対して平行であるか、反平行であるかに依存して、2つの異なる値を呈する。読取り電流は、トンネルバリア層52が誘電性である場合が損傷されないように、低値を有する。以下、図3aおよび図3bを参照して、メモリアーキテクチャの例について説明する。磁気層100は、層100の平面内に含まれる磁化方向107図1cから図1g、図2aおよび図2bにおける層13および層53に相当するを有して、2つの非磁気層101および102図1aおよび図1fの層12および層14、および図2aおよび図2bの層52および層54に相当する間に挟まれていることが分かる。スタッドは、余分な厚さの領域102’図1cから図1g、図2aおよび図2bにおける領域14’および領域54’に相当するを呈してもよい。この領域102’は導電性であり、よって、これがトラックと同じ材料から製造される場合は、導電トラック102の一部を形成するが、他に、異なる材料で製造される場合は、第2の非磁気層を構成する。ここでは、単純化のために、層101は、前記層12または前記層52の双方を含み、また、磁気層および非磁気層もトンネル接合型積層体が画定されることを有効化しスピンバルブとしても知られる、よって、層100図2aおよび図2bにおける層52、層58および層59も同様の磁化状態を読み取ることが可能にされる。層100の磁化は、下部電極102および磁気中心層100を通過する電流によって反転される。これを行うために、サンドイッチを構成する第2の非磁気層102は、電流供給トラック形式に構造化される。このトラックは、さらに、例えば、層102の下に位置づけられる別の物質の別の層によって構成されてもよい。電流注入は、1つまたは複数のトランジスタスタッド毎によって制御される。例として考えられる状況は、2つである。即ち、スイッチとして動作する2つのトランジスタ103aおよび103bの何れもが使用され、トラック不図示により、接地電位または所望される電流を流させるように選択される電圧の何れかへ接続される図3a、あるいは、トランジスタ103aのみが存在し、トラック102の他端105ポイントBは定電位へ取り込まれるトラックへ接続される図3b。所定のメモリポイントに対して、書込み電流は、2つの異なる態様で注入されてもよい。第1の態様では、スイッチとして動作する2つのトランジスタ103aおよび103bが使用され、両者の自由端子は、一方の端子については接地へ接続され、かつもう一方に関しては電圧Vddへ接続され、電圧Vddは、選択される値の電流を、トランジスタ103aおよび103bのどちらが電圧Vddへ接続されるかに依存して一方向へ、またはもう一方の方向へ流すように選択される。第2の態様では、一方のトランジスタ103aのみが使用され、トラック102の他端は、105において、定電圧へ接続される。したがって、この場合、次の2つの動作モードが可能である。対称動作:トランジスタ103aへ接続されるトラックは、電位Vddへまたは、接地へ接続され、一方で、105においてトラック102の端へ接続される他のトラックは、接地へまたはVddへ接続される。この構造は、次の構造よりも大きい電流が発生されることを有効化する。非対称動作:105においてトラック102の端へ接続される導電トラックは、中間電位へ、例えばVdd/2へ接続され、一方で、トランジスタ103aへ接続されるトラックは、所望される電流方向に依存して各々電位Vddへ、または接地へ取り込まれる。この構造は、より少ない電流が発生されることを有効化する。本発明によるこの構造では、書込み電流は、従来技術で使用される面積より遙かに小さい面積へ送出されてもよく、かつ前記電流は、デバイスを動作させるに足るものである。この実施形態では、動作が消費する電力は低減する。何れの態様においても、動作が対称性であるか、非対称性であるかに関わらず、書込み電流方向の反転は、メモリポイントが書き込まれることを有効化する。図4は、二次元メモリセルアレイを、例えばトンネル接合によって形成するためのメモリエレメントの例示的な集積配電図である。一方向には、トランジスタ1131、1132、1133、113’1、113’2、113’3、1131、1132、他...のドレインへ接続されるビットラインまたはディジットライン1111、1112、1113、...、他、および共役ビットライン1121、1122、1123、...が存在し、二次元アレイを形成している。垂直方向には、トランジスタ1131、1132、1133、113’1、113’2、113’3、1131、1132、他...のゲートの制御トラック110、110’、110、...が存在し、ワードラインを形成している。ベンチマーク1141、1142、1143、114’1、114’2、114’3、他,...は、トンネル接合または、スピンバルブを備える、本発明による積層体を略示している。トンネル接合またはスピンバルブは、書込み段階の間、その層の平面に対して垂直な電流によって交差されず、これがその層の平面に対して垂直な電流によって交差されるのは、読取り段階に限られる。特性ポイントA、BおよびCが報告されている。これらは、図2a、図2b、図3c、図3d、図5a、図5b、図6cおよび図6dに示されているものに相当する単一のトランジスタによるマウンティング。ポイントAは、トランジスタ1131、1132、1133、113’1、113’2、他、...のソースへ接続される。ポイントBは、共役ビットライン1121、1122、1123、...他へ接続され、ポイントCは、バイアスライン115、115’、他、...へ接続される。トランジスタ1131、1132、1133、113’1、113’2、他、...のドレインDは、ビットライン1111、1112、1113、...、他へ接続される。したがって、積層体1141、1142、...、他のボトムは、その磁化が書込み電流によって変更される層である。何れの場合も、トランジスタのソースおよびドレインはスワップされることが可能であり、よって、ソースはビットライン1111、1112、他...へ、かつドレインはポイントAへ接続されることが可能である。例えば1141であるメモリポイントの書込み段階では、先に述べたバランスされた動作の場合、このメモリポイントに関連づけられるビットライン1111および共役ビットライン1121は、所望される磁化方向に従って電圧Vddへまたは、接地へ、かつ接地へまたは、電位Vddへ至らされる。他のメモリポイントに関連づけられる他のビットライン1112、他...、および共役ビットライン1122、...、他は、不活性である。関連のワードライン110は、トランジスタ1131を介する書込み電流の流れを許容するために、トランジスタ1131前述の諸図面のトランジスタ73aまたは83aに等しいの閉止の制御に必要な電位にされる。したがって、書込み電流は、ポイントAおよびBを、所望される磁化方向に依存して一方向へ、または他の方向へ通過する。このセルのみへ書き込むために、他のワードライン110’、110、他...は、トランジスタを開放する電位にされる。トンネル接合またはスピンバルブ型の積層体を、層の平面に対して垂直に横断する電流はなく、横断すれば、積層体を損傷させる危険性がある。この目的に沿って、この書込み段階では、積層体のポイントCへ接続されるバイアスライン115、115’、他...は不活性であるまたは、開放されている。例えばメモリロケーション1141の読取り段階では、このメモリに関連づけられる共役ビットライン1121は開放され、よって、他の共役ビットライン1122、他...も全て、これらを介して電流が巡らないように開放される。このメモリセルに関連づけられるバイアスライン115は、弱い読取り電流がトンネル接合またはスピンバルブを通ることを許容する電位にされ、一方で、他の偏極ライン115’、他...は、全て切断される。関連するワードライン110は、トランジスタ1131を閉止するための電位にされ、よって、電流は、ポイントCおよびA間のトンネル接合またはスピンバルブを通過することができる。このトンネル接合またはこのスピンバルブのみを読み取るために、他のワードライン110’、他...は、トランジスタを開放する電位にされる。よって、トンネル接合の場合、読取りは、例えば先行技術に従って、増幅器により、接合部を介して流れる電流を基準電流と比較することによって実行されることが可能である。積層体の平面に対して垂直に流れる、この低電流密度の読取り電流は、この読取り段階の間の接合部の書込みを許容しない。スピンバルブの場合も、手順は同じである。"