アクティブエリアの各画素に配置されたスイッチング素子と、複数の画素に亘って配置された共通電極と、前記共通電極の上に配置された絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記絶縁膜の上において各画素に配置され前記共通電極と向かい合うスリットが形成された画素電極と、前記画素電極を覆うとともに前記スリットの長軸に対して交差する方向に配向処理された第1配向膜と、を備えた第1基板と、前記第1配向膜と対向するとともに前記第1配向膜の配向処理方向と平行かつ逆向きに配向処理された第2配向膜を備えた第2基板と、前記第1基板の前記第1配向膜と前記第2基板の前記第2配向膜との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えた液晶表示パネルを製造し、前記アクティブエリアの全画素の前記画素電極と前記共通電極との間に電界を形成した状態を保持するエージング処理を行い、前記アクティブエリアの全画素の前記画素電極と前記共通電極との間に電界が形成されていない状態で前記液晶分子の初期配向方向を検出し、検出した初期配向方向と平行な方向または直交する方向に第1吸収軸を位置合わせした状態で前記第1基板の外面に第1偏光板に配置するとともに、第2吸収軸を前記第1吸収軸とクロスニコルの位置関係に位置合わせした状態で前記第2基板の外面に第2偏光板を配置する、ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。前記液晶分子の初期配向方向の検出は、偏光顕微鏡により前記液晶表示パネルを透過する光が消光する位置を検出することにより行うことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。前記画素電極と前記共通電極との間に電界を形成した状態を保持する時間は1時間以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置の製造方法。アクティブエリアの各画素に配置されたスイッチング素子と、複数の画素に亘って配置された共通電極と、前記共通電極の上に配置された絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記絶縁膜の上において各画素に配置され前記共通電極と向かい合うスリットが形成された画素電極と、前記画素電極を覆うとともに前記スリットの長軸に対して交差する方向に配向処理された第1配向膜と、を備えた第1基板と、前記第1配向膜と対向するとともに前記第1配向膜の配向処理方向と平行かつ逆向きに配向処理された第2配向膜を備えた第2基板と、前記第1基板の前記第1配向膜と前記第2基板の前記第2配向膜との間に保持され、前記画素電極と前記共通電極との間に電界が形成されていない状態で前記第1配向膜及び前記第2配向膜の配向処理方向とは異なる方向に初期配向する液晶分子を含む液晶層と、前記第1基板の外面に配置され、第1吸収軸を有する第1偏光板と、前記第2基板の外面に配置され、前記第1吸収軸とクロスニコルの位置関係にある第2吸収軸を有する第2偏光板と、を備え、前記第1吸収軸及び前記第2吸収軸は、前記第1配向膜及び前記第2配向膜の配向処理方向に対してずれていることを特徴とする液晶表示装置。前記アクティブエリアにおいて、白と黒のチェッカーパターンを連続的に表示した後に、前記アクティブエリアの全面に中間調を表示した際に、チェッカーパターンの白を表示した領域とチェッカーパターンの黒を表示した領域とで略同一の輝度となることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置。前記第1吸収軸または前記第2吸収軸は、前記液晶分子の初期配向方向と平行であることを特徴とする請求項4または5に記載の液晶表示装置。前記液晶分子の初期配向方向と、前記第1配向膜及び前記第2配向膜の配向処理方向とのなす角度は、1°~5°であることを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1項に記載の液晶表示装置。本実施形態の目的は、表示品位を改善することが可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。本実施形態によれば、アクティブエリアの各画素に配置されたスイッチング素子と、複数の画素に亘って配置された共通電極と、前記共通電極の上に配置された絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記絶縁膜の上において各画素に配置され前記共通電極と向かい合うスリットが形成された画素電極と、前記画素電極を覆うとともに前記スリットの長軸に対して交差する方向に配向処理された第1配向膜と、を備えた第1基板と、前記第1配向膜と対向するとともに前記第1配向膜の配向処理方向と平行かつ逆向きに配向処理された第2配向膜を備えた第2基板と、前記第1基板の前記第1配向膜と前記第2基板の前記第2配向膜との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えた液晶表示パネルを製造し、前記アクティブエリアの全画素の前記画素電極と前記共通電極との間に電界を形成した状態を保持するエージング処理を行い、前記アクティブエリアの全画素の前記画素電極と前記共通電極との間に電界が形成されていない状態で前記液晶分子の初期配向方向を検出し、検出した初期配向方向と平行な方向または直交する方向に第1吸収軸を位置合わせした状態で前記第1基板の外面に第1偏光板に配置するとともに、第2吸収軸を前記第1吸収軸とクロスニコルの位置関係に位置合わせした状態で前記第2基板の外面に第2偏光板を配置する、ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法が提供される。本実施形態によれば、アクティブエリアの各画素に配置されたスイッチング素子と、複数の画素に亘って配置された共通電極と、前記共通電極の上に配置された絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記絶縁膜の上において各画素に配置され前記共通電極と向かい合うスリットが形成された画素電極と、前記画素電極を覆うとともに前記スリットの長軸に対して交差する方向に配向処理された第1配向膜と、を備えた第1基板と、前記第1配向膜と対向するとともに前記第1配向膜の配向処理方向と平行かつ逆向きに配向処理された第2配向膜を備えた第2基板と、前記第1基板の前記第1配向膜と前記第2基板の前記第2配向膜との間に保持され、前記画素電極と前記共通電極との間に電界が形成されていない状態で前記第1配向膜及び前記第2配向膜の配向処理方向とは異なる方向に初期配向する液晶分子を含む液晶層と、前記第1基板の外面に配置され、第1吸収軸を有する第1偏光板と、前記第2基板の外面に配置され、前記第1吸収軸とクロスニコルの位置関係にある第2吸収軸を有する第2偏光板と、を備え、前記第1吸収軸及び前記第2吸収軸は、前記第1配向膜及び前記第2配向膜の配向処理方向に対してずれていることを特徴とする液晶表示装置が提供される。以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。図1は、本実施形態の液晶表示装置を構成する液晶表示パネルLPNの構成及び等価回路を概略的に示す図である。すなわち、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの透過型の液晶表示パネルLPNを備えている。液晶表示パネルLPNは、第1基板であるアレイ基板ARと、アレイ基板ARに対向して配置された第2基板である対向基板CTと、これらのアレイ基板ARと対向基板CTとの間に保持された液晶層LQと、を備えている。このような液晶表示パネルLPNは、画像を表示するアクティブエリアACTを備えている。このアクティブエリアACTは、m×n個のマトリクス状に配置された複数の画素PXによって構成されている但し、m及びnは正の整数である。アレイ基板ARは、アクティブエリアACTにおいて、第1方向Xに沿ってそれぞれ延出したn本のゲート配線GG1~Gn及びn本の容量線CC1~Cn、第1方向Xに直交する第2方向Yに沿ってそれぞれ延出したm本のソース配線SS1~Sm、各画素PXにおいてゲート配線G及びソース配線Sと電気的に接続されたスイッチング素子SW、各画素PXにおいてスイッチング素子SWに各々電気的に接続された画素電極PE、画素電極PEと向かい合う共通電極CEなどを備えている。各ゲート配線Gは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、ゲートドライバGDに接続されている。各ソース配線Sは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、ソースドライバSDに接続されている。各容量線Cは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、補助容量電圧が供給される電圧印加部VCSと電気的に接続されている。共通電極CEは、コモン電圧が供給される給電部VSと電気的に接続されている。ゲートドライバGD及びソースドライバSDは、例えばその少なくとも一部がアレイ基板ARに形成され、駆動ICチップ2と接続されている。図示した例では、液晶表示パネルLPNを駆動するのに必要な信号源としての駆動ICチップ2は、液晶表示パネルLPNのアクティブエリアACTの外側において、アレイ基板ARに実装されている。また、図示した例の液晶表示パネルLPNは、FFSモードあるいはIPSモードに適用可能な構成であり、アレイ基板ARが画素電極PE及び共通電極CEを備えている。このような構成の液晶表示パネルLPNでは、画素電極PE及び共通電極CEの間に形成される横電界例えば、フリンジ電界のうちの基板の主面にほぼ平行な電界を主に利用して液晶層LQを構成する液晶分子をスイッチングする。図2は、図1に示したアレイ基板ARにおける画素PXの構造を対向基板CTの側から見た概略平面図である。なお、ここでは、説明に必要な主要部のみを図示しており、スイッチング素子などの図示を省略している。ゲート配線Gは、第1方向Xに沿ってそれぞれ延出している。このようなゲート配線Gは、第2方向Yに沿って第1ピッチで配置されている。ソース配線Sは、第2方向Yに沿ってそれぞれ延出している。このようなソース配線Sは、第1方向Xに沿って第1ピッチよりも小さい第2ピッチで配置されている。ゲート配線Gとソース配線Sとで規定された画素PXは、第1方向Xに沿った長さが第2方向Yに沿った長さよりも短い縦長の長方形状である。つまり、画素PXの第2方向Yに沿った長さはゲート配線間の第1ピッチに相当し、画素PXの第1方向Xに沿った長さはソース配線間の第2ピッチに相当する。共通電極CEは、第1方向Xに沿って延在している。すなわち、共通電極CEは、各画素PXに配置されるとともにソース配線Sの上方を跨いで、第1方向Xに隣接する複数の画素PXに亘って共通に形成されている。また、図示しないが、共通電極CEは、第2方向Yに隣接する複数の画素PXにわたって共通に形成されていても良い。各画素PXに配置された画素電極PEは、それぞれ共通電極CEの上方に位置している。各画素電極PEは、各画素PXにおいて長方形状の画素形状に対応した島状に形成されている。図示した例では、画素電極PEは、第1方向Xに沿った長さが第2方向Yに沿った長さよりも短い概略長方形状に形成されている。このような各画素電極PEには、共通電極CEと向かい合う複数のスリットPSLが形成されている。図示した例では、スリットPSLのそれぞれは、第2方向Yに沿って延出しており、第2方向Yと平行な長軸を有している。図3は、図1に示した液晶表示パネルLPNの断面構造を概略的に示す図である。すなわち、アレイ基板ARは、ガラス基板などの光透過性を有する第1絶縁基板10を用いて形成されている。このアレイ基板ARは、第1絶縁基板10の内面すなわち対向基板CTに対向する側10Aにスイッチング素子SW、共通電極CE、画素電極PEなどを備えている。ここに示したスイッチング素子SWは、例えば薄膜トランジスタTFTである。このスイッチング素子SWは、ポリシリコンやアモルファスシリコンによって形成された半導体層を備えている。なお、スイッチング素子SWは、トップゲート型あるいはボトムゲート型のいずれであっても良い。このようなスイッチング素子SWは、第1絶縁膜11によって覆われている。共通電極CEは、第1絶縁膜11の上に形成されている。このような共通電極CEは、透明な導電材料、例えば、インジウムティンオキサイドITOやインジウムジンクオキサイドIZOなどによって形成されている。この共通電極CEは、第2絶縁膜12によって覆われている。また、この第2絶縁膜12は、第1絶縁膜11の上にも配置されている。画素電極PEは、第2絶縁膜12の上に形成され、共通電極CEと向かい合っている。この画素電極PEは、第1絶縁膜11及び第2絶縁膜12を貫通するコンタクトホールを介してスイッチング素子SWに接続されている。また、この画素電極PEには、第2絶縁膜12を介して共通電極CEと向かい合うスリットPSLが形成されている。このような画素電極PEは、透明な導電材料、例えば、ITOやIZOなどによって形成されている。この画素電極PEは、第1配向膜AL1によって覆われている。また、この第1配向膜AL1は、第2絶縁膜12の上にも配置されている。このような第1配向膜AL1は、水平配向性を示す材料例えば、ポリイミドによって形成され、アレイ基板ARの液晶層LQに接する面に配置されている。一方、対向基板CTは、ガラス基板などの光透過性を有する第2絶縁基板30を用いて形成されている。この対向基板CTは、第2絶縁基板30の内面すなわちアレイ基板ARに対向する側30Aに、各画素PXを区画するブラックマトリクス31、カラーフィルタ32、オーバーコート層33などを備えている。ブラックマトリクス31は、第2絶縁基板30の内面30Aにおいて、アレイ基板ARに設けられたゲート配線Gやソース配線S、スイッチング素子SWなどの配線部に対向するように形成されている。カラーフィルタ32は、第2絶縁基板30の内面30Aに形成され、ブラックマトリクス31の上にも延在している。このカラーフィルタ32は、互いに異なる複数の色、例えば赤色、青色、緑色といった3原色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。互いに異なる色のカラーフィルタ32間の境界は、ブラックマトリクス31上に位置している。オーバーコート層33は、カラーフィルタ32を覆っている。このオーバーコート層33は、ブラックマトリクス31やカラーフィルタ32の表面の凹凸を平坦化する。このようなオーバーコート層33は、透明な樹脂材料によって形成されている。このオーバーコート層33は、第2配向膜AL2によって覆われている。この第2配向膜AL2は、水平配向性を示す材料例えば、ポリイミドによって形成され、対向基板CTの液晶層LQに接する面に配置されている。上述したようなアレイ基板ARと対向基板CTとは、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2が向かい合うように配置されている。このとき、アレイ基板ARと対向基板CTの間には、一方の基板に形成された柱状スペーサにより、所定のセルギャップが形成される。アレイ基板ARと対向基板CTとは、セルギャップが形成された状態でシール材によって貼り合わせられている。液晶層LQは、これらのアレイ基板ARの第1配向膜AL1と対向基板CTの第2配向膜AL2との間に形成されたセルギャップに封入された液晶分子LMを含む液晶組成物によって構成されている。このような構成の液晶表示パネルLPNに対して、その背面側には、バックライトBLが配置されている。バックライトBLとしては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオードLEDを利用したものや冷陰極管CCFLを利用したものなどのいずれでも適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。アレイ基板ARの外面、すなわち第1絶縁基板10の外面10Bには、第1吸収軸を有する第1偏光板PL1が配置されている。また、対向基板CTの外面、すなわち第2絶縁基板30の外面30Bには、第1吸収軸とクロスニコルの位置関係にある第2吸収軸を有する第2偏光板PL2が配置されている。なお、第1絶縁基板10と第1偏光板PL1との間や、第2絶縁基板30と第2偏光板PL2との間には、位相差板など他の光学素子が配置されても良い。第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2は、図2に示したように、基板主面あるいは、X-Y平面と平行な面内において、互いに平行な方位に配向処理例えば、ラビング処理や光配向処理されている。第1配向膜AL1は、スリットPSLの長軸図2に示した例では第2方向Yに対して45°以下の鋭角に交差する方向に沿って配向処理されている。第1配向膜AL1の配向処理方向R1は、例えば、スリットPSLが延出した第2方向Yに対して5°~15°の角度をもって交差する方向である。図示した例では、配向処理方向R1は、スリットPSLの長軸に対して時計回りに鋭角に交差する方向である。また、第2配向膜AL2は、第1配向膜AL1の配向処理方向R1と平行な方向に沿って配向処理されている。第1配向膜AL1の配向処理方向R1と第2配向膜AL2の配向処理方向R2とは互いに逆向きである。なお、図中には、X-Y平面内において、第1配向膜AL1の配向処理方向R1及び第2配向膜AL2の配向処理方向R2と平行な方向を配向軸RXとして図示している。本実施形態における液晶表示装置では、液晶表示パネルLPNにおいて、液晶分子LMは、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されていない状態で、第1配向膜AL1の配向処理方向R1及び第2配向膜AL2の配向処理方向R2とは異なる方向に初期配向している。液晶分子LMの初期配向方向ILMは、配向処理方向R1及び配向処理方向R2に対して、時計回りに鋭角に交差する方向である。このような液晶表示パネルLPNに配置された第1偏光板PL1の第1吸収軸及び第2偏光板PL2の第2吸収軸は、第1配向膜AL1の配向処理方向R1及び第2配向膜AL2の配向処理方向R2に対してずれている。あるいは、これらの第1吸収軸及び第2吸収軸のいずれか一方は液晶分子LMの初期配向方向ILMと平行であり、他方は初期配向方向ILMに直交する。以下に、上記構成の液晶表示装置における動作について説明する。画素電極PEと共通電極CEとの間に電位差を形成するような電圧が印加されていないOFF時においては、液晶層LQに電圧が印加されていない状態であり、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されていない。このため、液晶層LQに含まれる液晶分子LMは、図2に実線で示したように、X-Y平面内において、第1配向膜AL1の配向処理方向R1及び第2配向膜AL2の配向処理方向R2とは異なるILM方向に初期配向する。OFF時には、バックライトBLからのバックライト光の一部は、第1偏光板PL1を透過し、液晶表示パネルLPNに入射する。液晶表示パネルLPNに入射した光は、第1偏光板PL1の第1吸収軸A1と直交する直線偏光である。このような直線偏光の偏光状態は、OFF時の液晶表示パネルLPNを通過した際にほとんど変化しない。このため、液晶表示パネルLPNを透過した直線偏光のほとんどが、第2偏光板PL2によって吸収される黒表示。一方、画素電極PEと共通電極CEとの間に電位差を形成するような電圧が印加されたON時においては、液晶層LQに電圧が印加された状態であり、画素電極PEと共通電極CEとの間にフリンジ電界が形成される。このため、液晶分子LMは、図2に破線で示したように、X-Y平面内において、初期配向方向ILMとは異なる方位に配向する。ポジ型の液晶材料においては、液晶分子LMは、X-Y平面内において、電界と略平行な方向つまり、スリットPSLの長軸と略直交する方向に配向するように回転する。つまり、図示した例では、液晶分子LMの初期配向方向ILMはスリットPSLの長軸に対して時計回りに鋭角に交差する方向であるため、ON時においては、液晶分子LMは、初期配向方向ILMからさらに時計回りに回転し、電界の大きさに応じた方向に配向する。このようなON時には、第1偏光板PL1の第1吸収軸A1と直交する直線偏光は、液晶表示パネルLPNに入射し、その偏光状態は、液晶層LQを通過する際に液晶分子LMの配向状態に応じて変化する。このため、ON時においては、液晶層LQを通過した少なくとも一部の光は、第2偏光板PL2を透過する白表示。次に、本実施形態における液晶分子LMの初期配向方向ILMについて説明する。図4は、X-Y平面内における配向処理方向R1及び配向処理方向R2と、液晶分子LMの初期配向方向ILMとの関係を説明するための図である。なお、ここでは、X-Y平面内において、配向処理方向R1及び配向処理方向R2と平行な方向を配向軸RXとして図示している。上記の通り、本実施形態においては、画素電極PEに形成されるスリットPSLは、第2方向Yに平行な長軸LXを有している。このような形状のスリットPSLに対して、配向軸RXは、鋭角θ1に交差する方向に設定され、図示したように、例えば、長軸LXに対して時計回り図中の右回りに鋭角に交差する方向に設定されている。このため、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されていないOFF状態では、一般的には、液晶分子LMは、配向軸RXと平行な方向に配向する。しかしながら、長時間にわたり、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されたON状態が続くと、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されないOFF状態に戻しても、液晶分子LMが配向軸RXと平行な方向に完全に復帰しない場合がある。つまり、長時間にわたって同一パターンを連続して表示した後に、このパターンを消去してもそれまでに表示していたパターンが完全に消えずに残ってしまう現象、いわゆる焼き付き現象を生じる場合がある。発明者が鋭意検討したところによると、OFF状態においてスリットPSLの長軸LXに対して時計回りに鋭角θ1に交差する配向軸RXと平行な方向に配向していた液晶分子LMは、通常、ON状態に移行した際にさらに時計回りに鋭角θ2だけ回転し、再びOFF状態に戻すと反時計回りに鋭角θ2だけ回転してOFF状態と同じ位置に復帰する挙動を呈する。しかしながら、焼き付き現象を生じた状態の液晶分子LMは、ON状態に移行した際に時計回りに鋭角θ2だけ回転し、再びOFF状態に戻しても反時計回りに鋭角θ2より小さい鋭角θ3だけしか回転せず、OFF状態と同じ位置に復帰しないで安定化してしまうことを見出した。配向軸RXと平行な方向を基準にして、第1偏光板PL1及び第2偏光板PL2を配置した場合例えば、第1偏光板PL1の第1吸収軸が配向軸RXと平行または直交となるように配置し、第2偏光板PL2の第2吸収軸が第1吸収軸とクロスニコルの位置関係となるように配置した場合、上記のような現象に起因して、液晶分子LMがOFF状態で配向軸RXとは異なる方向に安定化してしまうと、光漏れが生じてしまう。したがって、本来表示すべき階調に対応する電圧を液晶層LQに印加しても、当該階調よりも高い輝度で表示されてしまう。上記の焼き付き現象を生じた液晶分子LMがOFF状態において安定化する位置は、種々の条件で大きくずれることはなく、発明者がある程度の時間にわたって液晶層LQに電圧を印加した後のOFF状態で液晶分子LMの安定化する位置を確認したところ、配向軸RXから時計回りに数度ずれた位置で飽和し、それ以上はほとんどずれないことがわかった。このため、本実施形態においては、第1偏光板PL1及び第2偏光板PL2を液晶表示パネルLPNに貼り付ける前に、あらかじめ液晶層LQに長時間にわたって電圧を印加するエージング処理を行い、OFF状態に戻したときに安定化した液晶分子LMの配向方向を初期配向方向ILMと定義することにした。そして、本実施形態においては、第1偏光板PL1及び第2偏光板PL2は、この初期配向方向ILMを基準にして配置されている。具体的には、第1偏光板PL1はその第1吸収軸A1が初期配向方向ILMと平行または直交となるように配置され、第2偏光板PL2はその第2吸収軸A2が第1吸収軸とクロスニコルの位置関係となるように配置されている。図4に示した例では、第1吸収軸A1は初期配向方向ILMに対して直交する方向に設定され、第2吸収軸A2は初期配向方向ILMと平行な方向に設定されている。これにより、焼き付き現象の発生を抑制することができ、表示品位を改善することが可能となる。液晶分子LMの初期配向方向ILMあるいは、第1吸収軸または第2吸収軸と、配向軸RXあるいは、配向処理方向R1及び配向処理方向R2とのなす角度Θは、例えば、1°~5°である。なお、本実施形態におけるエージング処理後にOFF状態で安定化する液晶分子LMの配向方向は、スリットPSLの長軸LXに対する配向軸RXに依存している。すなわち、上記の例では、配向軸RXは、長軸LXに対して時計回りに鋭角に交差する方向であったため、ON状態で液晶分子LMは時計回りに回転し、結果として、配向軸RXよりも時計回りに数度ずれた位置で液晶分子LMの配向方向が安定化したものである。配向軸RXが長軸LXに対して反時計回りに鋭角に交差する方向である場合には、ON状態で液晶分子LMは反時計回りに回転し、結果として、配向軸RXよりも反時計回りに数度ずれた位置で液晶分子LMの配向方向が安定化する。つまり、配向軸RXが長軸LXに対して反時計回りに鋭角に交差する設定では、初期配向方向ILMは、配向軸RXに対して反時計回りに鋭角に交差する方向となる。次に、本実施形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。図5は、本実施形態の液晶表示装置の製造工程を概略的に説明するためのフローチャートである。まず、上記構成の液晶表示パネルLPNを製造するST1。すなわち、第1絶縁基板10の内面10Aに、スイッチング素子SW、第1絶縁膜11、共通電極CE、第2絶縁膜12と、画素電極PE、画素電極PEのスリットPSLの長軸LXに対して交差する方向に配向処理された第1配向膜AL1を備えたアレイ基板ARを用意する。また、一方で、第2絶縁基板30の内面30Aに、第1配向膜AL1の配向処理方向と平行かつ逆向きに配向処理された第2配向膜AL2を備えた対向基板CTを用意する。そして、これらのアレイ基板ARと対向基板CTとの間に液晶層LQを封入し、液晶表示パネルLPNが完成する。続いて、製造した液晶表示パネルLPNのエージング処理を行うST2。すなわち、アクティブエリアACTの全画素PXの画素電極PEと共通電極CEとの間に電界を形成した状態つまり、画素電極PE及び共通電極CEに対して、例えば、白表示の際と同等の電圧を印加する状態を保持する。このため、アクティブエリアACTの全面に亘って、白画面を表示したON状態と同等の状態となる。本実施形態では、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界を形成した状態を保持する時間は1時間以上に設定しており、ここでは、交流矩形波30Hzで2時間にわたって液晶層LQに電圧を印加し続けた。続いて、エージング処理を行った液晶表示パネルLPNにおいて、液晶分子LMの初期配向方向ILMを検出するST3。すなわち、アクティブエリアACTの全画素PXの画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されていない状態に戻した液晶表示パネルLPNの背面の照明装置を点灯し、液晶表示パネルLPNをその前面側から偏光顕微鏡で観察し、液晶表示パネルLPNを透過する光が消光する位置を検出する。ここで検出した消光位置が液晶分子LMの初期配向方向ILMに相当する。続いて、液晶表示パネルLPNに第1偏光板PL1及び第2偏光板PL2を配置するST4。すなわち、第1偏光板PL1は、検出した初期配向方向ILMと平行な方向または直交する方向に第1吸収軸A1を位置合わせした状態でアレイ基板ARの外面10Bに配置される。また、第2偏光板PL2は、第2吸収軸A2を第1吸収軸A1とクロスニコルの位置関係に位置合わせした状態で対向基板CTの外面30Bに配置される。このようにして、液晶表示装置が製造される。次に、本実施形態の構成の液晶表示装置において、焼き付き現象の有無について確認した。ここでは、図6に示すような焼き付き現象を再現するための実験を行った。まず、図中のaで示すように、液晶表示パネルLPNに対して中間調階調値L127を表示するような電圧を印加し、アクティブエリアACTの全面に中間調画面を表示する。つまり、アクティブエリアACTの全画素PXの画素電極PEに対して中間調に対応する電圧が印加され、全画素PXにおいて画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成される。このような中間調画面が表示された状態で、輝度計によりアクティブエリアACT内の定点PPでの中間調の輝度を測定し、この輝度を初期輝度B0とする。なお、輝度の測定は、トプコン社製BM5Aを用いて行った。その後、図中のbで示すように、液晶表示パネルLPNに対してチェッカーパターンを表示するような電圧を印加し、アクティブエリアACTの全面に亘ってチェッカーパターンを表示した状態を30分間保持する。つまり、アクティブエリアACTの第1領域AA1の画素PXについては画素電極PEに対して電圧を印加せず、黒表示を行う一方で、アクティブエリアACTの第1領域AA1に隣接する第2領域AA2の画素PXについては画素電極PEに対して白階調値L255に対応する電圧が印加され、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成される。その後、図中のcで示すように、再び、液晶表示パネルLPNに対して中間調階調値L127を表示するような電圧を印加し、アクティブエリアACTの全面に中間調画面を表示した状態で、輝度計によりアクティブエリアACT内の定点PPでの中間調の輝度を測定し、測定した輝度と初期輝度B0との比によって輝度変動率を算出する。なお、輝度を測定するアクティブエリア内の定点PPは、チェッカーパターンを表示した際に白を表示する第2領域AA2内に設定され、初期輝度を測定した位置と同じ位置である。その後、30分間チェッカーパターンを表示した後に中間調表示に戻し定点PPでの輝度を測定して輝度変動率を算出することを繰り返し行い、120分後には、中間調を表示し続け、定期的に輝度を測定して輝度変動率を算出した。この実験には、本実施形態の構成つまり、第1偏光板PL1及び第2偏光板PL2を貼り付ける前にエージング処理を行って液晶分子LMの初期配向方向ILMに合わせて第1偏光板PL1及び第2偏光板PL2を配置した構成を適用した液晶表示装置を用意し、また、比較例としてエージング処理を行わずに配向軸RXに合わせて第1偏光板PL1及び第2偏光板PL2を配置した構成を適用した液晶表示装置を用意した。また、本実施形態及び比較例のそれぞれの液晶表示装置については、配向膜材料Aを使用したものと、配向膜材料Bを使用したものと2種類を用意した。図7は、焼き付き現象を再現するための実験の測定結果を示す図である。図中の横軸は経過時間minを示し、図中の縦軸は輝度変動率を示している。配向膜材料A及び配向膜材料Bを使用した本実施形態によれば、測定開始から120分が経過するまでの間、輝度変動率が上昇するが、120分以降、中間調を表示し続けている間に輝度変動率が低下し、輝度変動率が100、つまり、初期輝度B0に戻ることが確認された。このような本実施形態によれば、アクティブエリアACTにおいて、白と黒のチェッカーパターンを連続的に表示した後に、アクティブエリアACTの全面に中間調画面を表示した際に、チェッカーパターンの黒を表示した第1領域AA1では初期輝度B0となる一方で、チェッカーパターンの白を表示した第2領域AA2においても初期輝度B0に復帰するため、第1領域AA1と第2領域AA2とで略同一の輝度となり、焼き付き現象を抑制できることが確認された。一方、配向膜材料A及び配向膜材料Bを使用した比較例によれば、測定開始から120分が経過するまでの間、輝度変動率が上昇し、120分以降、中間調を表示し続けている間に輝度変動率は低下するものの、輝度変動率が100には戻らなかった。このような比較例によれば、アクティブエリアACTにおいて、白と黒のチェッカーパターンを連続的に表示した後に、アクティブエリアACTの全面に中間調画面を表示した際に、チェッカーパターンの黒を表示した第1領域AA1では初期輝度B0となる一方で、チェッカーパターンの白を表示した第2領域AA2においては初期輝度B0よりも高い輝度となるため、第1領域AA1と第2領域AA2とでの輝度差によってチェッカーパターンが視認される焼き付き現象が発生した。以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位を改善することが可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供することができる。なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。例えば、上記の実施形態においては、画素電極PEのスリットPSLは第2方向Yに平行な長軸を有するように形成したが、第1方向Xに平行な長軸を有するように形成しても良いし、第1方向X及び第2方向Yに交差する方向に平行な長軸を有するように形成しても良いし、くの字形に屈曲した形状に形成しても良い。