"指示を示す指示信号を取得する取得手段と、光により励起されると磁場に応じて直線偏光の偏光面を回転させる原子を内部に封入し、当該原子に照射される前記直線偏光を透過させるセルと、前記セルを透過した前記直線偏光の偏光面の回転角を計測する計測部と、前記セルを外部から加熱する加熱部と、前記取得手段が前記計測部による計測を停止する旨の指示を示す指示信号を取得すると、前記計測部に計測を停止させ、前記加熱部に加熱を停止させるとともに、前記セルのうち前記光が照射される部分よりも温度が低い前記光の照射されない部分が存在するように前記セルの内部に温度勾配を発生させる温度勾配発生部とを備えることを特徴とする磁場測定装置。前記温度勾配発生部は、前記取得手段が前記計測部による計測を開始する旨の指示を示す指示信号を取得すると、前記計測部に計測を開始させ、前記加熱部に加熱を開始させるとともに、前記温度勾配を発生させることを特徴とする請求項1に記載の磁場測定装置。前記温度勾配発生部は、前記光が照射される部分を加熱する補助加熱部を有することを特徴とする請求項1または2に記載の磁場測定装置。前記温度勾配発生部は、前記光が照射されない部分を冷却する冷却部を有することを特徴とする請求項1または2に記載の磁場測定装置。しかしながら、突起部を冷却する冷却装置に例えばペルティエ素子を採用した場合、これにより発生する磁気ノイズが、上記の回転角の計測に影響する可能性があるため、計測中に突起部を冷却することは望ましくない。そのため、計測中において、ペルティエ素子等にセルを冷却させ続けるべきではない。本発明は、光の照射される領域に原子が析出することを抑制するために、適切なタイミングでセル内部に温度勾配を発生させることを目的とする。本発明は、指示を示す指示信号を取得する取得手段と、光により励起されると磁場に応じて直線偏光の偏光面を回転させる原子を内部に封入し、当該原子に照射される前記直線偏光を透過させるセルと、前記セルを透過した前記直線偏光の偏光面の回転角を計測する計測部と、前記セルを外部から加熱する加熱部と、前記取得手段が前記計測部による計測を停止する旨の指示を示す指示信号を取得すると、前記計測部に計測を停止させ、前記加熱部に加熱を停止させるとともに、前記セルのうち前記光が照射される部分よりも温度が低い前記光の照射されない部分が存在するように前記セルの内部に温度勾配を発生させる温度勾配発生部とを備えることを特徴とする磁場測定装置を提供する。この構成によれば、光の照射される領域に原子が析出することを抑制するために、適切なタイミングでセル内部に温度勾配を発生させることができる。上記磁場測定装置において、前記温度勾配発生部は、前記取得手段が前記計測部による計測を開始する旨の指示を示す指示信号を取得すると、前記計測部に計測を開始させ、前記加熱部に加熱を開始させるとともに、前記温度勾配を発生させるとよい。この構成によれば、磁場の測定を開始する際において、光の照射される領域に原子が析出することを抑制するために、適切なタイミングでセル内部に温度勾配を発生させることができる。また、上記磁場測定装置において、前記温度勾配発生部は、前記光が照射される部分を加熱する補助加熱部を有してもよい。また、上記磁場測定装置において、前記温度勾配発生部は、前記光が照射されない部分を冷却する冷却部を有してもよい。1.第1実施形態1-1.構成図1は、本発明の第1実施形態に係る磁場測定装置100の構成を示す図である。磁場測定装置100は、例えば心磁心臓からの磁気や脳磁脳からの磁気などの生体から発生する微弱な磁場の測定に用いられる。磁場測定装置100は、セル1と、被覆層2と、ポンプ光照射部3と、プローブ光照射部4と、プローブ光計測部5と、冷却部6と、加熱部7とを備える。磁場測定装置100の各構成の配置を説明するため、各構成が配置される空間をxyz右手系座標空間として表す。図1に示す座標記号のうち、内側が白い円の中に黒い円を描いた記号は、紙面奥側から手前側に向かう矢印を表している。また、後述する図4に示す座標記号のうち、内側が白い円の中に交差する2本の線分を描いた記号は、紙面手前側から奥側に向かう矢印を表している。空間においてx成分が増加する方向をx方向といい、x成分が減少する方向を-x方向という。同様に、y、z成分についても、y方向、-y方向、z方向、-z方向を定義する。図1に示すように、セル1は被覆層2に覆われており、セル1の-x方向には、ポンプ光照射部3が設置される。ポンプ光照射部3は円偏光成分を有するポンプ光を、x方向に平行な矢印D1方向に沿ってセル1に照射する。プローブ光照射部4は、セル1の-y方向に設置されており、直線偏光成分を有するプローブ光を、y方向に平行な矢印D2方向に沿ってセル1に照射する。プローブ光計測部5は、セル1のy方向に設置される。プローブ光計測部5は、プローブ光照射部4から矢印D2方向に沿って照射され、セル1を透過したプローブ光を受ける。磁場測定装置100は、測定対象の磁場の中にセル1が位置するように配置される。具体的には、磁場測定装置100は、セル1から見て-z方向に測定対象が位置するように配置される。図2は、第1実施形態に係るセル1の構成を示す斜視図である。セル1は、中空の立方体の一面から末端が閉ざされた管が延びた形状をしており、ガラス等の光を透過する材料で形成される。セル1の上述した中空の立方体は、外部と内部とを仕切り、光を透過する少なくとも4枚の部材を有している。この光を透過する4枚の部材とは、セル1のx方向、-x方向、y方向、および-y方向に面した各部材であり、-x方向の部材を壁面11a図2において図示せずと、x方向の部材を壁面11bという。また、セル1の部材のうち、-y方向の部材を壁面12aと、y方向の部材を壁面12b図2において図示せずという。また、セル1を構成する部材のうちポンプ光およびプローブ光が照射されないz方向の部材を壁面13bといい、-z方向の部材を壁面13aという図2において図示せず。そして、壁面13bからz方向に延びてさらに-x方向に曲がる、末端の閉塞された筒状の部材を筒状部14という。なお、セル1の形状は、他の立体形状であってもよい。セル1の内部には、例えばアルカリ金属などの原子以下、偏光面回転物質というが気体の状態すなわちガス状態で封入される。この偏光面回転物質は、例えばリチウムLi、ナトリウムNa、カリウムK、ルビジウムRb、セシウムCs、フランシウムFrである。セル1内の原子は、円偏光により励起されて原子の外殻電子のスピンが偏極される。なお、セル1の内部には、典型的には単一種類の偏光面回転物質が封入されるが、複数種類の偏光面回転物質が含まれていてもよい。また、セル1内の原子は、常時気体の状態である必要はなく、磁場の測定を行うときに気体の状態であればよい。さらに、セル1の内部には、セル1の壁との衝突等による偏光面回転物質の緩和を穏やかにするために、ヘリウムHe、窒素Nなどが緩衝ガスとして含まれていてもよい。冷却部6は、例えばペルティエ素子であり、筒状部14の末端に接触してその接触面から吸熱することでセル1の内部に封入された気体を冷却する。加熱部7は、例えば電熱ヒーターであり、セル1と壁面13aで接触し、その接触面を介してセル1の内部に封入された気体を加熱する。被覆層2は、z方向および-z方向にそれぞれ正方形の開口部を有する四角柱状の部材であり、セル1を-z方向に移動させてその開口部に嵌め込むことで、壁面11a、壁面11b、壁面12a、および壁面12bに接し、これらをそれぞれ外側から覆う。図3は、被覆層2によってセル1が覆われた様子を示す図である。図4は、図3における矢視IV-IVからセル1、被覆層2、冷却部6、および加熱部7を見た断面図である。そして、図5は、図3における矢視V-Vからセル1、被覆層2、冷却部6、および加熱部7を見た断面図である。被覆層2には、ポンプ光を透過させるための孔21a図2において図示せずおよび孔21bと、プローブ光を透過させるための孔22aおよび孔22b図2において図示せずが設けられている。被覆層2は、材質として例えば炭化ケイ素などを含んでおり、セル1内に封入された原子をガス状態にするために加熱部7がセル1を加熱するときに、セル1とともに加熱される。ポンプ光照射部3は、光源と、半波長板と、偏光ビームスプリッターと、四分の一波長板とを備える。光源は、無偏光のレーザー光を図1に示す矢印D1方向に照射する。半波長板は、光源から照射された光の偏光面を回転させる。偏向ビームスプリッターは、半波長板を透過した光のp偏光成分入射面に対して平行な成分を透過させ、s偏光成分入射面に対して垂直な成分を反射させる。このs偏光成分は、例えばレーザー光の出力のモニタリングに用いられてもよいし、光を吸収する部材により吸収されてもよい。四分の一波長板は、偏向ビームスプリッターを透過した光を円偏光に変化させる。これにより、四分の一波長板を透過した光は、円偏光成分を有するポンプ光となる。プローブ光照射部4は、光源と、半波長板と、偏向ビームスプリッターと、偏光板とを備える。光源は、無偏光のレーザー光を図1に示す矢印D2方向に照射する。半波長板は、光源から照射された光の偏光面を回転させる。偏向ビームスプリッターは、半波長板を透過した光のp偏光成分を透過させ、s偏光成分を反射させる。偏光板は、偏向ビームスプリッターを透過した光のうち特定方向に偏光した光だけを透過させる。これにより、偏光板を透過した光は、直線偏光成分を有するプローブ光となる。なお、ポンプ光とプローブ光とは、互いに直交する関係であることが好ましいが、交差する関係であれば完全に直交しなくてもよい。プローブ光計測部5は、プローブ光照射部4から照射されセル1を透過したプローブ光を検出し、検出したプローブ光に含まれる直線偏光の偏光面の回転角を計測する。プローブ光計測部5は、半波長板と、液晶パネルと、光センサーと、A/D変換器と、メモリーと、演算部とを備える。半波長板は、セル1を透過したプローブ光の偏光面を回転させる。液晶パネルは、ネマティック液晶と呼ばれる液晶を用いて、半波長板を通過したプローブ光のp偏光成分又はs偏光成分を透過させる。ここで液晶パネルは時分割制御されるため、上述したp偏光成分とs偏光成分とは時分割された期間ごとに透過されて分離される。光センサーは、例えばフォトダイオードであり、液晶パネルを透過したプローブ光を電気信号に変換して出力する。A/D変換器は、光センサーから出力された電気信号をデジタルデータに変換して出力する。メモリーは、A/D変換器から出力されたデータを記憶する。演算部は、メモリーに記憶されたデータを用いて、光センサーにより検出されたプローブ光のp偏光成分とs偏光成分との差分を算出する。なお、プローブ光計測部5は、偏光ビームスプリッターを用いて、セル1を透過したプローブ光をp偏光成分とs偏光成分に分離し、これらの差分を算出してもよい。図6は、磁場測定装置100の制御に関する構成を示すブロック図である。制御部9は、CPUCentralProcessingUnit、ROMReadOnlyMemory、RAMRandomAccessMemoryや、ハードディスクドライブなどの記憶部を有し、記憶部やROMに記憶されているコンピュータープログラムを読み出して実行することにより、ポンプ光照射部3、プローブ光照射部4、プローブ光計測部5、冷却部6、および加熱部7を制御する。なお、制御部9は、利用者からの操作を受け付ける操作部や、操作部を備えた外部機器と通信を行う通信インターフェイスなどを備えており、これらを介して利用者の指示を示す指示信号を取得する。なお、これら操作部や通信インターフェイスなどは、利用者からの指示を受け付けているが、例えば、異常が検知された際における緊急停止指示のように、利用者以外からの指示を受け付けてもよい。要するに、これら操作部や通信インターフェイスなどは、指示を示す指示信号を取得する取得手段の一例である。磁場測定装置100は、これらの構成のほかに、例えば、測定対象以外の磁場を遮蔽するための磁気シールドや、外部からの磁場に対する補正用の磁場を印加するコイルなどを備えていてもよい。また、被覆層2が磁気シールドを兼ねていてもよい。1-2.動作次に、磁場測定装置100の動作を説明する。図7は、制御部9による磁場測定装置100の制御のタイミングを示す図である。同図における横軸は時間経過を表しており、縦軸には、制御される構成が行ごとに配列されている。Cinは制御部9が利用者から操作を受け取るタイミングを示す行である。C7は加熱部7がセル1を加熱するタイミングを示す行である。C6は冷却部6がセル1を冷却するタイミングを示す行である。C3はポンプ光照射部3がポンプ光を照射するタイミングを示す行である。C4はプローブ光照射部4がプローブ光を照射するタイミングを示す行である。C5はプローブ光計測部5が直線偏光の偏光面の回転角を計測するタイミングを示す行である。時刻t0において、制御部9が利用者から磁場の測定を開始する旨の指示を示す指示信号Sonを取得すると、制御部9は、加熱部7に加熱を開始させるとともに、冷却部6に冷却を開始させる。加熱部7による加熱が開始されると例えば壁面13aの内壁に付着した固体ないし液体の偏光面回転物質が急激にガス化し、壁面11a,11b,12a,12b以下、光透過壁面というの内壁の温度が偏光面回転物質の露点以下となるようなガス分圧となり、その結果これらの内壁に偏光面回転物質が結露する場合がある。冷却部6により筒状部14の末端を冷却することで、光透過壁面においてこのような急激なガス化に伴う結露が防止される。Δt1は実験などに基づいて設定される時間であり、加熱部7による加熱の開始から、系における熱の出入りがほぼ均衡して、セル1の内部の温度が安定し、セル1に封入された偏光面回転物質のガス濃度が予め決められた濃度に到達するまでの時間を示している。時刻t0からΔt1が経過した時刻t1において、制御部9はポンプ光照射部3にポンプ光の照射を開始させる。セル1の内部において偏光面回転物質が上述したような安定状態になることで、磁場の測定が可能となるからである。ポンプ光照射部3が、セル1にポンプ光を照射することにより、セル1内の偏光面回転物質は励起状態となる。このとき、セル1内の偏光面回転物質は、セル1に印加された測定対象の磁場に応じたトルクを受けて歳差運動を行う。Δt2は実験などに基づいて設定される時間であり、加熱部7による加熱の開始から、光透過壁面が加熱部7により温められることによって、その温度が光透過壁面の近傍における偏光面回転物質の露点を充分に上回るまでの時間を示している。時刻t0からΔt2が経過した時刻t2において、制御部9は冷却部6に冷却を停止させる。光透過壁面の温度がその近傍における偏光面回転物質の露点を充分に上回ることで、光透過壁面へ偏光面回転物質が結露する可能性が低下するからである。なお、図7において、Δt2>Δt1であるが、Δt1>Δt2であってもよい。Δt3は実験などに基づいて設定される時間であり、ポンプ光照射部3によるポンプ光の照射の開始から、セル1に封入されガス状態となった偏光面回転物質の励起状態が安定するまでの時間を示している。時刻t1からΔt3が経過した時刻t3において、制御部9は、プローブ光照射部4にプローブ光の照射を開始させる。偏光面回転物質の励起状態が安定することで、正確な磁場の測定が可能となるからである。プローブ光照射部4によりセル1に照射されたこのプローブ光は、セル1の内部を通過するときに、セル1内の偏光面回転物質の歳差運動により、その偏光面が回転される。この偏光面の回転角は、セル1に印加された測定対象の磁場に応じた大きさを有する。つまり、この偏光面回転物質は、光により励起されるとセル1の外部から印加される磁場に応じて直線偏光の偏光面を回転させる原子の一例である。Δt4は実験などに基づいて設定される時間であり、プローブ光照射部4によるプローブ光の照射の開始から、照射されたそのプローブ光の偏光面の回転角が安定するまでの時間を示している。時刻t3からΔt4が経過した時刻t4において、制御部9は、プローブ光計測部5に、プローブ光に含まれる直線偏光における偏光面の回転角の計測を開始させる。安定した回転角を計測するためである。なお、上述した時刻t2において、冷却部6が停止されているが、冷却部6はプローブ光計測部5による回転角の計測が開始される時刻t4までに停止されていることが望ましい。冷却部6が、ペルティエ素子である場合に、発生する磁気ノイズがプローブ光計測部5による計測に影響する可能性があるからである。セル1を透過したプローブ光は、プローブ光計測部5に備えられた半波長板により偏光面が回転され、液晶パネルに到達する。プローブ光計測部5は、到達したプローブ光をs偏光成分とp偏光成分とに分離し、p偏光成分とs偏光成分との差分を算出する。これにより、セル1の内部を通過するときに回転されたプローブ光の偏光面の回転角が得られる。この偏光面の回転角は、セル1に印加された測定対象の磁場に応じた大きさを有する。従って、磁場測定装置100は、プローブ光の偏光面の回転角を求めることにより、測定対象の磁場を測定する。なお、磁場測定装置100が、セル1の内部の温度を測定する温度測定部図示せずを備えている場合、この温度測定部が測定する温度が予め決められた温度を下回らないように、制御部9は加熱部7を制御してもよい。これにより、セル1が過剰に加熱されることと、その加熱が不足することもなくなるので、エネルギーの節約に資するとともに、プローブ光計測部5による計測中にセル1内部において偏光面回転物質が結露する可能性が低減する。次に、時刻t5において、制御部9が利用者から磁場の測定を終了する旨の指示を示す指示信号Soffを取得すると、制御部9は、加熱部7によるセル1の加熱、ポンプ光照射部3によるポンプ光の照射、プローブ光照射部4によるプローブ光の照射、およびプローブ光計測部5による回転角の計測を停止させるとともに、冷却部6に冷却を開始再開させる。冷却部6により筒状部14の末端が冷却されると、セル1の内壁のうち、筒状部14の末端に対応する部分以下、末端部というの温度が最低温度になる。すなわち、セル1の内壁に温度勾配が生じる。これにより、セル1に封入されガス状態となっている偏光面回転物質は光透過壁面よりも末端部に結露しやすくなる。その結果、セル1内部の偏光面回転物質の濃度が低下し、光透過壁面にこれが結露する可能性が低減する。Δt6は実験などに基づいて設定される時間であり、冷却部6による冷却の再開から、セル1内部の偏光面回転物質の濃度が予め決められた濃度を下回るまでの時間を示している。時刻t5からΔt6が経過した時刻t6において、制御部9は冷却部6に筒状部14の冷却を停止させる。セル1に封入された偏光面回転物質のガス濃度が予め決められた濃度に到達することにより、想定している外気温によって冷却され熱的に定常状態となったセル1内部に新たに偏光面回転物質が結露する可能性、すなわち光透過壁面に偏光面回転物質が結露する可能性が低減するからである。なお、時刻t5において、制御部9は加熱部7によるセル1の加熱を停止していたが、図中破線で示すように、時刻t5から一定時間にわたって加熱部7に加熱を続けさせてもよい。加熱部7が接している壁面13aから光透過壁面までの距離は壁面13aから末端部までよりも近いため、加熱部7による加熱を継続させることで、光透過壁面の温度を上昇させ、偏光面回転物質の結露が防止される可能性が高まるからである。以上説明したように、利用者から磁場の測定を開始する旨の指示を示す指示信号Sonや、測定を終了する旨の指示を示す指示信号Soffを取得したことを契機として、磁場測定装置100の制御部9は冷却部6による筒状部14の冷却を開始させる。磁場の測定を開始する時や終了する時には、セル1の温度変化が激しくなる。したがって、そのような時に、冷却部6による冷却を開始させることで、磁場測定装置100は、セル1の内壁に温度勾配を生じさせる。そして、その温度勾配によりセル1の内部でガス状態となっている偏光面回転物質のうち結露する可能性があるものは冷却している筒状部14の末端部に集まるため、光透過壁面における結露が防止される。2.第2実施形態2-1.構成図8は、本発明の第2実施形態に係る磁場測定装置100aの構成を示す図である。磁場測定装置100aは、冷却部6に代えて補助加熱部8が備えられている点が上述した第1実施形態に係る磁場測定装置100と相違している。以下、磁場測定装置100aについて、磁場測定装置100と相違する点について主に説明する。図9は、第2実施形態に係るセル1の構成を示す斜視図である。第2実施形態において、セル1は第1実施形態と同じように、被覆層2によってx方向、-x方向、y方向、および-y方向が覆われているが、被覆層2はさらに、補助加熱部8によってこれらの方向が覆われている。補助加熱部8は、例えば電熱ヒーターであり、被覆層2を介してセル1およびその内部を加熱する加熱手段である。なお、図9に示すように、補助加熱部8は、z方向に配置される補助加熱部8aと-z方向に配置される補助加熱部8bに分離されていてもよい。図10は、補助加熱部8によって被覆層2およびセル1が覆われた様子を示す図である。図11は、図10における矢視XI-XIからセル1、被覆層2、加熱部7、および補助加熱部8を見た断面図である。被覆層2には、ポンプ光を透過させるための孔21a図2において図示せずおよび孔21bと、プローブ光を透過させるための孔22aおよび孔22b図2において図示せずが設けられている。補助加熱部8aと補助加熱部8bは上下に重ねられる。これら補助加熱部8には、その重なった部分において上述した被覆層2に設けられた孔に対応する部分に孔が設けられている。これにより、セル1に照射されるポンプ光およびプローブ光は被覆層2および補助加熱部8によって妨げられることなく透過する。図12は、磁場測定装置100aの制御に関する構成を示すブロック図である。制御部9aは、CPUCentralProcessingUnit、ROMReadOnlyMemory、RAMRandomAccessMemoryや、ハードディスクドライブなどの記憶部を有し、記憶部やROMに記憶されているコンピュータープログラムを読み出して実行することにより、ポンプ光照射部3,プローブ光照射部4、プローブ光計測部5、加熱部7、および補助加熱部8を制御する。その他の点において、制御部9aは制御部9と共通するため、説明を省略する。2-2.動作次に、磁場測定装置100aの動作を説明する。図13は、制御部9aによる磁場測定装置100aの制御のタイミングを示す図である。同図における横軸は時間経過を表しており、縦軸には、制御される構成が行ごとに配列されている。図13には、図7に記載されたC6に代えてC8が記載されている。このC8は補助加熱部8が被覆層2を介してセル1を加熱するタイミングを示す行である。その他の行は、図13は図7と共通するため説明を省略する。時刻t0において、制御部9が利用者から磁場の測定を開始する旨の指示を示す指示信号Sonを取得すると、制御部9は、加熱部7にセル1の加熱を開始させるとともに、補助加熱部8に加熱を開始させる。また、時刻t0からΔt2が経過した時刻t2において、制御部9は補助加熱部8に被覆層2を介したセル1の加熱を停止させる。また、時刻t5において、制御部9が利用者から磁場の測定を終了する旨の指示を示す指示信号Soffを取得すると、制御部9は、加熱部7によるセル1の加熱、ポンプ光照射部3によるポンプ光の照射、プローブ光照射部4によるプローブ光の照射、およびプローブ光計測部5による回転角の計測を停止させるとともに、補助加熱部8に被覆層2を介したセル1の加熱を開始再開させる。そして、時刻t5からΔt6が経過した時刻t6において、制御部9は補助加熱部8に被覆層2を介したセル1の加熱を停止させる。以上説明したように、利用者から磁場の測定を開始する旨の指示を示す指示信号Sonや、測定を終了する旨の指示を示す指示信号Soffを取得したことを契機として、磁場測定装置100の制御部9は補助加熱部8に被覆層2を介したセル1の加熱を開始させる。これは上述した第1実施形態と同じように、セル1の温度変化が激しくなる時に、補助加熱部8による加熱を開始させることで、磁場測定装置100は、セル1の内壁に温度勾配を生じさせるためである。そして、その温度勾配によりセル1の内部でガス状態となっている偏光面回転物質のうち結露する可能性があるものは補助加熱部8により加熱されていない筒状部14の末端部や壁面13a、13bに集まるため、光透過壁面における結露が防止される。3.変形例本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、以下のように変形させて実施してもよい。また、以下の変形例を組み合わせてもよい。3-1.セル1に照射されるポンプ光及びプローブ光は、出射されてからセル1に入射するまでの進行方向が一定である必要はない。つまり、ポンプ光及びプローブ光は、セル1に入射するときに所定の方向になっていればよく、途中でミラー等によって反射され、進行方向が変更されてもよい。したがって、例えば、光の照射位置や検出位置を1箇所に集中させることも可能である。また、プローブ光がポンプ光を兼ねてもよい。この場合、プローブ光照射部4により照射された光により、セル1に封入された偏光面回転物質が励起し、その励起された偏光面回転物質によって、その光に含まれた直線偏光成分が回転すればよい。なお、この変形例において、ポンプ光照射部3はなくてもよい。3-2.磁場測定装置100は、セル1を透過したポンプ光を検出してもよい。また、磁場測定装置100には、セル1を透過したポンプ光を吸収する部材を設けてもよい。この部材は、シート状であるとより好ましい。3-3.磁場測定装置100は、プローブ光計測部5で検出した光に応じた信号を可視化し、これを表示する手段を備えてもよい。また、磁場測定装置100は、プローブ光計測部5で検出した光に応じた信号を生成し、これを外部装置表示装置、コンピュータ装置などに出力する構成を備えていてもよい。3-4.被覆層2が透明な材質である場合、または、磁場測定に影響を与えない程度に光を吸収する材質である場合には、被覆層2に孔21aなどを設けなくてもよい。また、被覆層2はなくてもよい。第2実施形態において、被覆層2がない場合には、セル1の光透過壁面を覆うように補助加熱部8が配置されていてもよい。3-5.上述の実施形態において、セル1には、筒状部14が設けられていたが、筒状部14はなくてもよい。第1実施形態において、筒状部14がない場合には、壁面13bに接するように冷却部6が配置されていてもよい。これにより、セル1内部の偏光面回転物質は、光透過壁面よりも壁面13bに結露しやすくなるため、偏光面回転物質の光透過壁面への結露が防止される。また、壁面13bに代えて、壁面13aに冷却部6が配置されていてもよい。加熱部7によって加熱されていた壁面13aを、加熱部7の加熱を停止させた後に、冷却部6によって冷却することで、セル1内部の偏光面回転物質は、光透過壁面よりも壁面13aに結露しやすくなる。3-6.上述の実施形態において、時刻t0において、制御部9が利用者から磁場の測定を開始する旨の指示を示す指示信号Sonを取得すると、制御部9は、加熱部7に加熱を開始させるとともに、冷却部6に冷却を開始させたり、補助加熱部8に加熱を開始させたりしていたが、制御部9は、このタイミングにおいて、冷却部6または補助加熱部8を制御しなくてもよい。制御部9は、少なくとも、時刻t5において、制御部9が利用者から磁場の測定を終了する旨の指示を示す指示信号Soffを取得するタイミングで、冷却部6または補助加熱部8を制御すればよい。したがって、制御部9および冷却部6、または制御部9および補助加熱部8は、制御部9取得手段がプローブ光計測部5計測部による計測を停止する旨の指示を示す指示信号を取得したときに、プローブ光計測部5計測部に計測を停止させ、加熱部7に加熱を停止させるとともに、セル1のうち光が照射される部分の温度が光の照射されない部分の温度よりも高くなる温度勾配を発生させる温度勾配発生部の一例である。なお、この場合、磁場の測定を開始する際に加熱部7による加熱により偏光面回転物質が急激にガス化することについての弊害は、加熱部7によって加えられる熱量を小さくする、すなわち加熱速度を緩慢にすることによって、解決してもよい。3-7.上述した第1実施形態および第2実施形態を組み合わせてもよい。すなわち、磁場測定装置100は冷却部6と補助加熱部8とをともに備えていてもよい。この場合でも、上述したタイミングで、冷却部6と補助加熱部8とを制御することにより、セル1の内壁に温度勾配が生じるので光透過壁面における結露が防止される。"