プログラムを格納したプログラムメモリと、前記プログラムに従い、DRC検証を実行するDRC実行制御部とを具備し、前記DRC実行制御部は、部分的に変更が加えられた検証済のレイアウトパタンデータの変更箇所から等電位追跡を用いてDRC検証の検証対象箇所を特定し、前記検証対象箇所に対してDRC検証を行うレイアウト検証装置。請求項1に記載のレイアウト検証装置であって、前記DRC実行制御部は、変更前後のレイアウトパタンデータの差分図形を抽出する差分図形抽出部と、前記差分図形から変更ノードを抽出する変更ノード抽出部と、変更後のレイアウトパタンデータに対して等電位番号を付与する等電位番号付与部と、前記等電位番号を参照して前記変更ノードと同じ等電位番号を持つ検証対象ゲートを抽出する検証対象抽出部と、前記抽出された検証対象ゲートに対して、アンテナ比のDRC検証を実行するDRC実行部とを具備するレイアウト検証装置。請求項2に記載のレイアウト検証装置であって、前記変更ノード抽出部は、前記差分図形がアンテナ比のDRC検証の対象マスク層の図形であるかを判定する手段と、前記差分図形が対象マスク層の図形である場合に、前記対象マスク層が、変更前のレイアウトパタンデータに追加されたマスク層であるか、変更前のレイアウトパタンデータから削除されたマスク層であるかを判定する手段と、前記対象マスク層が追加されたマスク層である場合に、前記対象マスク層を変更ノードとする手段と、前記対象マスク層が削除されたマスク層である場合に、前記削除されたマスク層の種類を判定する手段と、前記削除されたマスク層が配線層である場合に、前記対象マスク層に接するマスク層を変更ノードとする手段と、前記削除されたマスク層がビアコンタクト層である場合に、前記対象マスク層の下層のマスク層を変更ノードとする手段とを具備するレイアウト検証装置。計算機により実施される半導体集積回路のレイアウト検証方法であって、部分的に変更が加えられた検証済のレイアウトパタンデータの変更箇所から等電位追跡を用いてDRC検証の検証対象箇所を特定することと、前記検証対象箇所に対してDRC検証を行うこととを含むレイアウト検証方法。請求項4に記載のレイアウト検証方法であって、変更前後のレイアウトパタンデータの差分図形を抽出することと、前記差分図形から変更ノードを抽出することと、変更後のレイアウトパタンデータに対して等電位番号を付与することと、前記等電位番号を参照して前記変更ノードと同じ等電位番号を持つ検証対象ゲートを抽出することと、前記抽出された検証対象ゲートに対して、アンテナ比のDRC検証を実行することとを更に含むレイアウト検証方法。請求項5に記載のレイアウト検証方法であって、前記差分図形がアンテナ比のDRC検証の対象マスク層の図形であるかを判定することと、前記差分図形が対象マスク層の図形である場合に、前記対象マスク層が、変更前のレイアウトパタンデータに追加されたマスク層であるか、変更前のレイアウトパタンデータから削除されたマスク層であるかを判定することと、前記対象マスク層が追加されたマスク層である場合に、前記対象マスク層を変更ノードとすることと、前記対象マスク層が削除されたマスク層である場合に、前記削除されたマスク層の種類を判定することと、前記削除されたマスク層が配線層である場合に、前記対象マスク層に接するマスク層を変更ノードとすることと、前記削除されたマスク層がビアコンタクト層である場合に、前記対象マスク層の下層のマスク層を変更ノードとすることとを更に含むレイアウト検証方法。部分的に変更が加えられた検証済のレイアウトパタンデータの変更箇所から等電位追跡を用いてDRC検証の検証対象箇所を特定するステップと、前記検証対象箇所に対してDRC検証を行うステップとを計算機に実行させるためのプログラム。請求項7に記載のプログラムであって、変更前後のレイアウトパタンデータの差分図形を抽出するステップと、前記差分図形から変更ノードを抽出するステップと、変更後のレイアウトパタンデータに対して等電位番号を付与するステップと、前記等電位番号を参照して前記変更ノードと同じ等電位番号を持つ検証対象ゲートを抽出するステップと、前記抽出された検証対象ゲートに対して、アンテナ比のDRC検証を実行するステップとを更に計算機に実行させるためのプログラム。請求項8に記載のプログラムであって、前記差分図形がアンテナ比のDRC検証の対象マスク層の図形であるかを判定するステップと、前記差分図形が対象マスク層の図形である場合に、前記対象マスク層が、変更前のレイアウトパタンデータに追加されたマスク層であるか、変更前のレイアウトパタンデータから削除されたマスク層であるかを判定するステップと、前記対象マスク層が追加されたマスク層である場合に、前記対象マスク層を変更ノードとするステップと、前記対象マスク層が削除されたマスク層である場合に、前記削除されたマスク層の種類を判定するステップと、前記削除されたマスク層が配線層である場合に、前記対象マスク層に接するマスク層を変更ノードとするステップと、前記削除されたマスク層がビアコンタクト層である場合に、前記対象マスク層の下層のマスク層を変更ノードとするステップとを更に計算機に実行させるためのプログラム。本発明の目的は、半導体集積回路のレイアウト検証のうち、検証済のレイアウトパタンデータへ部分的に変更を加えた後で行うDRC検証において、変更箇所から、等電位追跡を用いて、ゲート電極とゲート酸化膜の面積比アンテナ比等に関するDRC検証の検証対象箇所を特定するレイアウト検証方法を提供することである。本発明に係るレイアウト検証装置は、プログラムを格納したプログラムメモリと、該プログラムに従い、DRC検証を実行するDRC実行制御部とを具備する。該DRC実行制御部は、部分的に変更が加えられた検証済のレイアウトパタンデータの変更箇所から等電位追跡を用いてDRC検証の検証対象箇所を特定し、該検証対象箇所に対してDRC検証を行う。本発明に係るレイアウト検証方法は、計算機により実施される半導体集積回路のレイアウト検証方法であって、部分的に変更が加えられた検証済のレイアウトパタンデータの変更箇所から等電位追跡を用いてDRC検証の検証対象箇所を特定することと、該検証対象箇所に対してDRC検証を行うこととを含む。本発明に係るプログラムは、上記のレイアウト検証方法における処理を、計算機に実行させるためのプログラムである。なお、本発明に係るプログラムは、記憶装置や記憶媒体に格納することが可能である。半導体集積回路のレイアウト検証において、検証の対象とならない箇所に対するDRC検証の時間を省略できるため、アンテナ比のようなDRC検証の時間が短縮できる。<実施形態>以下に、本発明の実施形態について添付図面を参照して説明する。図7は、本発明に係るレイアウト検証装置の構成を示す図である。本発明に係るレイアウト検証装置は、変更前レイアウトファイル31と、変更後レイアウトファイル32と、DRCチェック項目ファイル33を読み込み、DRC検証を行った後、DRC結果ファイル41を出力する。変更前レイアウトファイル31には、変更を加える前の集積回路のレイアウトパタンデータが格納される。変更前レイアウトファイル31に格納されたレイアウトパタンデータは、DRC検証でエラーがないことを確認済のデータである。変更後レイアウトファイル32には、変更前レイアウトファイル31に格納されたレイアウトパタンデータに対して部分的に変更、修正が加えられたレイアウトパタンデータが格納される。DRCチェック項目ファイル33には、事前に、レイアウトパタンデータにおけるマスク層の定義情報と、DRC検証の対象となるマスク層を示す情報と、各マスク層の接続関係を示す等電位追跡情報と、DRC検証を行う際のチェック項目及びチェック寸法に関するデータが格納される。DRC結果ファイル41には、DRC検証を行った結果として得られるエラー情報に関するデータが格納される。[レイアウト検証装置の構成]本発明に係るレイアウト検証装置は、DRC実行制御部51と、プログラムメモリ52を備える。DRC実行制御部51は、プログラムメモリ52に記憶されたプログラムに従い、変更前レイアウトファイル31と、変更後レイアウトファイル32と、DRCチェック項目ファイル33を読み込み、検証対象領域を設定し、DRCチェック項目ファイル33に格納されたチェック項目及びチェック寸法に基づいて、DRC検証を実行する。DRC実行制御部51は、DRC検証の結果、エラーが検出された場合、エラー情報を生成し、エラー情報に基づいてエラーレポート、レイアウトパタン上に重ねて表示されたエラーフラグ、アンテナ比のDRC結果等に関するデータが格納されたDRC結果ファイル41を出力する。例えば、DRC実行制御部51から出力されるDRC結果ファイル41は、アンテナ比エラーが検出されたゲート座標や、該エラーゲートのアンテナ比を含んでいる。プログラムメモリ52は、図8に示すレイアウト検証処理を行うためのプログラムと、DRC実行制御プログラムを記憶する。[レイアウト検証処理]図8を参照して、本発明におけるレイアウト検証処理について説明する。1ステップS11まず、設計者又はレイアウト検証装置は、レイアウトパタンデータの変更を行う。設計者が変更を行う場合には、設計者は、レイアウトエディタを用いてレイアウトパタンデータの変更を行う。レイアウト検証装置が変更を行う場合には、レイアウト検証装置は、プログラムに従って、自動的にレイアウトパタンデータの変更を行う。ここでは、変更前レイアウトファイル31に格納されたレイアウトパタンデータに対して、部分的に変更/修正を行ったレイアウトパタンデータを、変更後レイアウトファイル32に格納する。レイアウト検証装置は、変更前レイアウトファイル31及び変更後レイアウトファイル32を読み込む。2ステップS12次に、レイアウト検証装置は、変更前後のレイアウトパタンデータを比較し、差分図形の抽出を行う。具体的には、レイアウト検証装置は、変更前レイアウトファイル31に格納されたレイアウトパタンデータと、変更後レイアウトファイル32に格納されたレイアウトパタンデータとを読み込み、両レイアウトパタンデータの不一致部分を差分図形として抽出する。差分図形の抽出の詳細については後述する。3ステップS13次に、レイアウト検証装置は、抽出された差分図形を基に、変更ノード抽出処理を行う。変更ノード抽出処理の詳細については後述する。4ステップS14次に、図8のレイアウト検証装置は、抽出された変更ノード変更後のレイアウトパタンデータに対して等電位番号の付与を行う。等電位番号の付与の詳細については後述する。5ステップS15次に、レイアウト検証装置は、抽出された差分図形を基に、等電位追跡を行い、抽出された変更ノードと同じ等電位番号を持つ検証対象箇所の抽出を行う。検証対象箇所の抽出の詳細については後述する。6ステップS16次に、レイアウト検証装置は、ステップS15で抽出した検証対象箇所に対してのみアンテナ比のDRC検証を行う。アンテナ比のDRC検証の詳細については後述する。7ステップS17次に、レイアウト検証装置は、ステップS16にて判定したDRC検証の結果をDRC結果ファイル41に出力する。8ステップS18次に、レイアウト検証装置は、レイアウト検証装置は、DRC検証の結果を基に、エラーがあるか否か判定する。ここで、DRC検証の結果でエラーありステップS16でyesの場合、ステップS11のレイアウトパタンデータ変更に進む。また、DRC検証の結果でエラーなしステップS16でnoの場合、処理を終了する。[差分図形の抽出]以下に、差分図形の抽出の詳細について説明する。図9Aは、図7の変更前レイアウトファイル31に格納された変更前のレイアウトパタンデータを示す図である。図9Bは、図7の変更後レイアウトファイル32に格納された変更後のレイアウトパタンデータを示す図である。図9A及び図9Bにおいて、D1はフィールドのマスク層のレイアウトパタンデータである。D2はポリシリコンのマスク層のレイアウトパタンデータである。D3はコンタクトのマスク層のレイアウトパタンデータである。D4は第1メタルのマスク層のレイアウトパタンデータである。D5は第1ビアViaのマスク層のレイアウトパタンデータである。D6は第2メタルのマスク層のレイアウトパタンデータである。D7は第2ビアのマスク層のレイアウトパタンデータである。D8は第3メタルのマスク層のレイアウトパタンデータである。D9は第3ビアのマスク層のレイアウトパタンデータである。D10は第4メタルのマスク層のレイアウトパタンデータである。これらは、事前に、DRCチェック項目ファイル33に定義されている。なお、D1は拡散層diffusionlayerに相当し、D2はゲート電極に相当する。レイアウト検証装置は、図9Aに示す変更前のレイアウトパタンデータと、図9Bに示す変更後のレイアウトパタンデータとの差分から、図9Bに示す第3ビアのマスク層D9と第4メタルのマスク層D10を差分図形として抽出する。[変更ノード抽出処理]図10を参照して、図8のステップS13に示す変更ノード抽出処理の詳細について説明する。1ステップS131まず、レイアウト検証装置は、差分図形がアンテナ比のDRC検証対象のマスク層の図形であるかを判定する。例えば、差分図形が、フィールドマスク層、ポリシリコンマスク層、コンタクトマスク層、メタルマスク層、ビアマスク層のいずれかであれば、アンテナ比の検証対象マスク層の図形と判定する。差分図形のマスク層が、アンテナ比のDRC検証対象のマスク層でない場合ステップS131でno、変更ノードの抽出は行わず、当該変更ノード抽出処理を終了し、図8のステップS14に進む。反対に、差分図形のマスク層が、アンテナ比のDRC検証対象のマスク層である場合ステップS131でyes、ステップS132に進む。2ステップS132次に、レイアウト検証装置は、差分図形と変更後のレイアウトパタンデータを比較し、差分図形が変更前のレイアウトパタンデータに追加された図形か、変更前のレイアウトパタンデータから削除された図形かの判断を行う。すなわち、レイアウト検証装置は、差分図形のマスク層が、変更前のレイアウトパタンデータに追加された対象マスク層か、変更前のレイアウトパタンデータから削除された対象マスク層かの判断を行う。レイアウト検証装置は、差分図形が追加された図形の場合、ステップS133に進む。反対に、差分図形が削除された図形の場合、ステップS134に進む。3ステップS133レイアウト検証装置は、差分図形が追加された図形の場合、差分図形を変更ノードとして設定するので、図8のステップS12で抽出した差分図形である第3ビアのマスク層D9と第4メタルのマスク層D10を変更ノードとして設定する。すなわち、レイアウト検証装置は、追加された対象マスク層自体を変更ノードとする。4ステップS134レイアウト検証装置は、差分図形が削除された図形の場合、対象マスク層の種類を判定する。ここでは、レイアウト検証装置は、削除された対象マスク層が配線層フィールドのマスク層、ポリシリコンのマスク層、又はメタルのマスク層の場合、ステップS135に進む。また、削除された対象マスク層がビアコンタクト層ビアのマスク層、又はコンタクトのマスク層の場合、ステップS136に進む。5ステップS135レイアウト検証装置は、削除された対象マスク層が配線層である場合、差分図形に接する図形を変更ノードとする。すなわち、レイアウト検証装置は、削除された対象マスク層に接するマスク層を変更ノードとする。6ステップS136レイアウト検証装置は、削除された対象マスク層がビアのマスク層、又はコンタクトのマスク層の場合、差分図形の下層の図形を変更ノードとする。すなわち、レイアウト検証装置は、削除された対象マスク層より積層方向に対し下方にあるマスク層削除された対象マスク層の下層のマスク層を変更ノードとする。[削除されたマスク層がメタルのマスク層である場合]図11A~図11Cを参照して、ステップS134において、削除されたマスク層がメタルのマスク層である場合について説明する。図11A~図11Cにおいて、E1はフィールドのマスク層のレイアウトパタンデータである。E2はポリシリコンのマスク層のレイアウトパタンデータである。E3はコンタクトのマスク層のレイアウトパタンデータである。E4は第1メタルのマスク層のレイアウトパタンデータである。E5は第1ビアのマスク層のレイアウトパタンデータである。E6-1、E6-2は第2メタルのマスク層のレイアウトパタンデータである。E7は第2ビアのマスク層のレイアウトパタンデータである。E8は第3メタルのマスク層のレイアウトパタンデータである。これらは、事前に、DRCチェック項目ファイル33に定義されている。図11Aは、変更前のレイアウトパタンデータである。図11Bは、変更後のレイアウトパタンデータである。図11Cは、図11Aと図11Bの差分図形を図11Bに追加した図である。第2メタルのマスク層のレイアウトパタンデータにおいて、図11AのE6-1と図11BのE6-2の差分である図11CのE10が、図8のステップS12で抽出した差分図形となる。図11CのE10は、図8のステップS12で抽出した差分図形であり、対象層は配線層第2メタルのマスク層であるので、レイアウト検証装置は、差分図形E10に接する図形を変更ノードとする。図11Cの場合、レイアウト検証装置は、差分図形E10削除された対象マスク層に接する第2メタルのマスク層E6-2を変更ノードとして抽出する。[削除されたマスク層がビアのマスク層である場合]図12A~図12Cを参照して、ステップS134において、削除されたマスク層がビアのマスク層である場合について説明する。図12A~図12Cにおいて、F1はフィールドのマスク層のレイアウトパタンデータである。F2はポリシリコンのマスク層のレイアウトパタンデータである。F3はコンタクトのマスク層のレイアウトパタンデータである。F4は第1メタルのマスク層のレイアウトパタンデータである。F5は第1ビアのマスク層のレイアウトパタンデータである。F6は第2メタルのマスク層のレイアウトパタンデータである。F7は第2ビアのマスク層のレイアウトパタンデータである。F8は第3メタルのマスク層のレイアウトパタンデータである。これらは、事前に、DRCチェック項目ファイル33に定義されている。図12Aは、変更前のレイアウトパタンデータである。図12Bは、変更後のレイアウトパタンデータである。図12Cは、図12Aと図12Bの差分図形を図12Bに追加した図である。図12AにはF7とF8が存在するが、図12BにはF7とF8が存在しない。すなわち、F7とF8が削除されている。図12Cには、図12Bに存在しないF7とF8に相当するF10とF11の図形を、削除された図形と分かるように追加する。図12CのF10とF11は、図8のステップS12で抽出した差分図形である。図12Cの差分図形F10と差分図形F11は、図8のステップS12で抽出した差分図形であり、差分図形F10に着目すると、対象層はビアマスク層であるので、レイアウト検証装置は、差分図形F10より積層方向に対し下方にあるマスク層の図形を変更ノードとする。図12Cの場合、レイアウト検証装置は、削除された第2ビアのマスク層の図形である差分図形F10の下層の図形である第2メタルのマスク層F6を変更ノードとして抽出する。なお、レイアウト検証装置は、等電位追跡情報から、コンタクトのマスク層、ビアのマスク層の下層である配線層を特定することができる。[等電位追跡情報]図13を参照して、等電位追跡情報の例について説明する。図13のconnection-nの行は、配線層下層の列のマスク層と配線層上層の列のマスク層が、接続層の列のマスク層を介して接続することを示す。例えば、connection-1の行は、フィールドのマスク層下層と第1メタルのマスク層上層が、コンタクトのマスク層を介して接続することを示す。同様に、connection-2の行は、ポリシリコンのマスク層下層と第1メタルのマスク層上層が、コンタクトのマスク層を介して接続することを示す。同様に、connection-3の行は、第1メタルのマスク層下層と第2メタルのマスク層上層が、第1ビアのマスク層を介して接続することを示す。同様に、connection-4の行は、第2メタルのマスク層下層と第3メタルのマスク層上層が、第2ビアのマスク層を介して接続することを示す。同様に、connection-5の行は、第3メタルのマスク層下層と第4メタルのマスク層上層が、第3ビアのマスク層を介して接続することを示す。[等電位番号の付与]以下に、等電位番号の付与の詳細について説明する。レイアウト検証装置は、DRCチェック項目のファイル33に予め用意した図13の等電位追跡情報を参照して、差分図形を含めた各図形に等電位番号を割り振る。図14は、図9Bのレイアウトパタンに対して等電位番号を付与した図である。図14において、eq1、eq2、eq3は、各図形の等電位番号を示し、eq1で指し示す図形が同じ等電位番号を持つこと等電位であることを表している。等電位番号eq1、eq2、eq3は、電気的接続を持たないため、異なる等電位番号となる。[検証対象箇所の抽出]以下に、検証対象箇所の抽出について説明する。レイアウト検証装置は、ステップS13で抽出した変更ノードと同じ等電位番号を持つポリシリコンのマスク層でチャネルを構成する箇所を検証対象箇所として設定する。ここでは、検証対象箇所の例として、アンテナ比のDRC検証の対象となるゲート部分検証対象ゲートを想定している。図9Bのレイアウトパタンデータの場合、ステップS13で抽出した変更ノードは、第3ビアのマスク層D9と、第4メタルのマスク層D10である。レイアウト検証装置は、ステップS14で付与した等電位番号を参照して、変更ノード第3ビアのマスク層D9、及び第4メタルのマスク層D10と等電位のポリシリコンマスク層D2にチャネルを構成する箇所が存在するので、このポリシリコンマスク層D2を検証対象ゲートとして抽出する。[アンテナ比のDRC検証]以下に、アンテナ比のDRC検証の詳細について説明する。ここでは、第3ビアのマスク層と第4メタルのマスク層を追加する変更を行った場合のDRC検証について説明する。アンテナ比を検証対象ゲートに接続するメタル面積の総和/検証対象ゲート面積と定義したとすると、図9Bのレイアウトパタンデータの場合、ポリシリコンマスク層D2でチャネルを構成する箇所が検証対象ゲートとなるので、図14で等電位番号eq1が対象となり、D4の面積D6の面積D8の面積D10の面積/D2の面積で求めることができる。レイアウト検証装置は、このD4の面積D6の面積D8の面積D10の面積/D2でチャネルを構成する箇所の面積の値が、図7のDRCチェック項目のファイル33で示される基準値を超えた場合にDRCエラーと判定する。[DRC実行制御部の構成]図15を参照して、DRC実行制御部51の構成例について説明する。図8に示すレイアウト検証処理を実現するため、DRC実行制御部51は、差分図形抽出部511と、変更ノード抽出部512と、等電位番号付与部513と、検証対象抽出部514と、DRC実行部515と、DRC結果出力部516を備える。差分図形抽出部511は、図8のステップS12に示す差分図形抽出処理を行う。変更ノード抽出部512は、図8のステップS13に示す変更ノード抽出処理を行う。等電位番号付与部513は、図8のステップS14に示す等電位番号付与処理を行う。検証対象抽出部514は、図8のステップS15に示す検証対象抽出処理を行う。DRC実行部515は、図8のステップS16に示すDRC検証処理を行う。DRC結果出力部516は、図8のステップS17に示すDRC結果ファイル出力処理を行う。[ハードウェアの例示]本発明に係るレイアウト検証装置の例として、PCパソコン、アプライアンスappliance、シンクライアントサーバ、ワークステーション、メインフレーム、スーパーコンピュータ等の計算機を想定している。DRC実行制御部51の例として、CPUCentralProcessingUnit、ネットワークプロセッサNP:NetworkProcessor、マイクロプロセッサmicroprocessor、マイクロコントローラ、或いは、専用の機能を有する半導体集積回路IC:IntegratedCircuit等が考えられる。プログラムメモリ52の例として、RAMRandomAccessMemory、ROMReadOnlyMemory、EEPROMElectricallyErasableandProgrammableReadOnlyMemoryやフラッシュメモリ等の半導体記憶装置、HDDHardDiskDriveやSSDSolidStateDrive等の補助記憶装置、又は、DVDDigitalVersatileDisk等のリムーバブルディスクや、SDメモリカードSecureDigitalmemorycard等の記憶媒体メディア等が考えられる。また、バッファbufferやレジスタregisterでも良い。或いは、DASDirectAttachedStorage、FC-SANFibreChannel-StorageAreaNetwork、NASNetworkAttachedStorage、IP-SANIP-StorageAreaNetwork等を用いたストレージ装置でも良い。差分図形抽出部511、変更ノード抽出部512、等電位番号付与部513、検証対象抽出部514、DRC実行部515、及びDRC結果出力部516は、モジュールmodule、コンポーネントcomponent、或いは専用デバイス、又はこれらの起動呼出プログラムでも良い。但し、実際には、これらの例に限定されない。<まとめ>以上のように、本発明では、変更前後のレイアウトパタンデータを比較し差分図形から変更ノードを決定して変更後のレイアウトパタンに対して等電位番号を付与し、付与された等電位番号を参照して抽出した変更ノードと同じ等電位番号を持つ図形を検証対象箇所とする。具体的には、変更ノードの抽出処理で変更前後のレイアウトパタンデータを比較し差分図形から変更ノードを決定する。また、等電位番号付与処理で変更後のレイアウトパタンに対して等電位番号を付与する。また、等電位番号付与処理で付与された等電位番号を参照して、変更ノードの抽出処理で抽出した変更ノードと同じ等電位番号を持つ図形を検証対象箇所とする。これにより、レイアウトパタンデータ変更によって検証の対象となる箇所を特定し、当該箇所を追跡して特定してDRC検証をすることができる。本発明により、検証済のレイアウトパタンデータへ部分的に変更を加えた後で行うアンテナ比のような一部のDRC検証においても、変更箇所の特定が可能となるので検証対象領域をレイアウトパタンデータの全領域に設定する必要がなく、DRC検証時間を短縮することができる。例えば、半導体集積回路上に100万個のトランジスタが存在しているとして、通常のDRC検証と本発明におけるDRC検証とで、アンテナ比チェックの対象となるトランジスタ数を比較してみる。通常のDRC検証では、修正箇所の規模に関わらず、全トランジスタ100万個のトランジスタ全部に対してアンテナ比チェックを行う必要がある。一方、本発明におけるDRC検証では、レイアウト変更の影響を受ける変更箇所のゲートに対してのみアンテナ比チェックを行えば良い。レイアウト変更の影響を受ける変更箇所のゲートが1つだけである場合、計算量はゲート数に比例するため、本発明におけるDRC検証の計算時間は、通常のDRC検証の計算時間の1/100万となる。すなわち、これだけの計算時間の短縮効果が得られる。<付記>上記の実施形態の一部又は全部は、以下の付記のように記載することも可能である。但し、実際には、以下の記載例に限定されない。付記1半導体集積回路のレイアウト検証のうち、検証済のレイアウトパタンデータへ部分的に変更を加えた後で行うDRC検証システムにおいて、変更前後のレイアウトパタンデータの差分図形を抽出して前記差分図形から変更ノードを抽出する手段と、変更後のレイアウトパタンデータに対して等電位番号を付与して前記等電位番号を参照して前記変更ノードと同じ等電位番号を持つ検証対象箇所を抽出する手段と、前抽出された記検証対象箇所に対して、アンテナ比のDRC検証を実行する手段とを具備するDRC検証システム。付記2半導体集積回路のレイアウト方法であって、検証済のレイアウトパタンデータへ部分的に変更を加えた後で行うDRC検証方法において、変更前後のレイアウトパタンデータの差分図形を抽出して前記差分図形から変更ノードを抽出するステップと、変更後のレイアウトパタンデータに対して等電位番号を付与して前記等電位番号を参照して前記変更ノードと同じ等電位番号を持つ検証対象箇所を抽出するステップと、前抽出された記検証対象箇所に対して、アンテナ比のDRC検証を実行するステップとを有することを特徴とするレイアウト検証方法。付記3付記2に記載のレイアウト検証方法であって、差分図形から変更ノードを抽出するステップは、変更後のレイアウトパタンデータが追加された図形の場合に差分図形を変更ノードとするステップと、変更後のレイアウトパタンデータが削除された図形の場合で対象層が配線層の場合に差分図形に接する図形を変更ノードとするステップと、変更後のレイアウトパタンデータが削除された図形の場合で対象層がビアコンタクト層ビア層及びコンタクト層のいずれかの場合に差分図形の下のマスク層の図形を変更ノードとするステップとを有することを特徴とするレイアウト検証方法。<備考>以上、本発明の実施形態を詳述してきたが、実際には、上記の実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の変更があっても本発明に含まれる。