半導体基板上に下地膜を形成する工程と、前記下地膜上にアモルファスカーボン膜を成膜する第1の工程と、前記アモルファスカーボン膜に第1のパターンを形成する第2の工程と、前記第1のパターンを形成したアモルファスカーボン膜をマスクにして前記下地膜をエッチングすることにより、前記下地膜内に第2のパターンを形成する第3の工程と、を有し、前記第1の工程において、前記アモルファスカーボン膜の表面の膜密度よりも前記アモルファスカーボン膜の前記下地膜と接している面の膜密度を小さくすることを特徴とする半導体装置の製造方法。前記第1の工程において、前記アモルファスカーボン膜の表面から前記下地膜と接している面に向かって、前記アモルファスカーボン膜の膜密度を小さくすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記第1の工程において、成膜される前記アモルファスカーボン膜は、プロセスガスが導入される反応室内を大気圧以下の圧力に保持した状態で、前記プロセスガスに高周波パワーを印加して生成する高周波プラズマを用いたプラズマCVD法により形成され、前記プロセスガスが少なくとも炭化水素ガスを含有することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。前記プラズマCVD法の高周波パワーを処理時間と共にステップ状に増加させることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。前記プラズマCVD法の高周波パワーを処理時間と共に連続的に増加させることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。前記反応室内の圧力を処理時間と共にステップ状に低下させることを特徴とする請求項3乃至5の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記反応室内の圧力を処理時間と共に連続的に低下させることを特徴とする請求項3乃至5の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記アモルファスカーボン膜の膜密度が1.2gcm3から2.0gcm3の範囲であることを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記第3の工程の後に、前記第1のパターンが形成された前記アモルファスカーボン膜を除去する第4の工程と前記第2のパターンの内壁を導電材料で覆う第5の工程を有することを特徴とする請求項1乃至8の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。前記第2のパターンがホールであって、前記第5の工程によって前記ホールにコンタクトプラグを形成し、さらに前記コンタクトプラグ上に配線を形成することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。前記第2のパターンがホールであって、前記第5の工程によって前記ホールに少なくともキャパシタの下部電極を形成することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。少なくとも前記配線と前記下部電極のいずれか一方が、前記半導体基板に形成されたMISトランジスタと電気的に接続されていることを特徴とする請求項10又は11に記載の半導体装置の製造方法。下地膜上にアモルファスカーボン膜からなるハードマスクを成膜する第1の工程と、前記ハードマスクのパターンを形成する第2の工程と、を有し、前記第1の工程において、前記アモルファスカーボン膜の表面の膜密度よりも前記アモルファスカーボン膜の前記下地膜と接している面の膜密度を小さくすることを特徴とするハードマスクの形成方法。前記第1の工程において、前記アモルファスカーボン膜の表面から前記下地膜と接している面に向かって、前記アモルファスカーボン膜の膜密度を小さくすることを特徴とする請求項13に記載のハードマスクの形成方法。発明者らは、異方性ドライエッチングによって、上記のようなAC膜のハードマスクにパターンを形成する際、パターンの寸法が拡大してしまう不具合が生じることを見出した。図1は、マスクパターンを形成したAC膜の断面図であって、Aは理想形状、Bは実際の形状を示しており、CはAC膜がBよりも厚くなった場合の形状を示している。ここで、符号3はシリコン酸化膜である下地膜、符号4はAC膜であるハードマスク、符号5は窒素含有シリコン酸化膜とシリコン酸化膜の積層膜である中間マスクである。なお、ハードマスク4のパターンは、図示していないレジストマスクのパターンを中間マスク5に一旦、転写して、その中間マスク5をマスクにして形成している。理想状態である図1Aは、中間マスク5のパターン寸法が変動することなくハードマスク4に転写されており、ハードマスク4の開口部は全て垂直な形状として、開口幅はX1となっている。これに対して、現状を示した図1B、Cでは、ハードマスク4の開口部が傾斜した形状となっている。これは、中間マスク5をマスクにしてAC膜を異方性ドライエッチングする際、狙った縦方向のみならず、意図しない横方向にもエッチングが進行してしまうサイドエッチと称する現象が生じるためであり、特にAC膜の上部は、エッチングの最初から最後までエッチャントに被爆されているため、サイドエッチ量が最大となり、そこから下方に向かって徐々にサイドエッチ量が少なくなるので、AC膜におけるパターンはテーパー形状となる。その結果、Bの開口幅X2はX1よりも大きくなる。AC膜厚の増加によってエッチング時間が増加すると、サイドエッチ量も進行して残存するAC膜の幅が低減するので、Cの開口径X3はX2よりも大きくなる。なお、AC膜の最上部は、逆テーパー形状となっている。そこでは、中間マスク5がオーバーハングしており、AC膜のエッチング生成物が直ちに排出され難い状態となっている。従って、生成物が滞留し易く、その一部が中間マスク5に近いほど厚くAC膜に付着して、サイドエッチから保護するので、順テーパー部よりもサイドエッチ量が低下して、逆テーパー形状となる。このように、テーパー形状となってマスク機能が低下したハードマスクを用いて、被加工膜のドライエッチングを行っても、ハードマスクの膜減りが生じて、マスク開口部の寸法が処理時間と共に拡大するので、微細化に適応した加工寸法を確保するのは困難である。さらに、アスペクト比の大きいコンタクトホールなどをエッチングするため、厚いAC膜でハードマスクを形成すると、長時間処理に伴ってハードマスクの上部から一部のAC膜が離脱して異物となるので、下地膜3のパターン形状の異常をもたらすことになる。本発明は、上記課題を解決するものであり、サイドエッチ量に合わせて膜密度を制御したAC膜を形成することで、ハードマスクのパターン寸法ばらつきを低減させることが出来る半導体装置の製造方法を提供する。一実施形態は、半導体基板上に下地膜を形成する工程と、前記下地膜上にアモルファスカーボン膜を成膜する第1の工程と、前記アモルファスカーボン膜に第1のパターンを形成する第2の工程と、前記第1のパターンを形成したアモルファスカーボン膜をマスクにして前記下地膜をエッチングすることにより、前記下地膜内に第2のパターンを形成する第3の工程と、を有し、前記第1の工程において、前記アモルファスカーボン膜の表面の膜密度よりも前記アモルファスカーボン膜の前記下地膜と接している面の膜密度を小さくすることを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。他の実施形態は、下地膜上にアモルファスカーボン膜からなるハードマスクを成膜する第1の工程と、前記ハードマスクのパターンを形成する第2の工程と、を有し、前記第1の工程において、前記アモルファスカーボン膜の表面の膜密度よりも前記アモルファスカーボン膜の前記下地膜と接している面の膜密度を小さくすることを特徴とするハードマスクの形成方法に関する。ハードマスクのパターン寸法ばらつきが低減した半導体装置の製造方法及びハードマスクの形成方法を提供する。以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施例について詳細に説明する。なお、下記実施例は、本発明のより一層の深い理解のために示される具体例であって、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。また、図5~8において、A図は断面図、B図はA図を上から見た場合の上面図である。図6Cは、図6Aの破線部を拡大した図である。図2~4、及び9~13は断面図を表す。第1実施例図2に示すように、トランジスタ図示せずが形成されている半導体基板1以降、シリコン基板1と記載する。を覆うように、CVDChemicalVaporDeposition法によって、シリコン酸化膜SiO2である層間絶縁膜2を成膜する。次に、層間絶縁膜2を覆うように、CVD法によってシリコン酸化膜である下地膜3を成膜する。次に、図3に示すように、下地膜3を覆うように、プラズマCVD法によって700nm厚のAC膜であるハードマスク4を形成する第1の工程。このプラズマCVD法では、プロセスガスが導入される反応室内を大気圧以下の圧力に保持した状態で、プロセスガスに高周波パワーを印加して生成する高周波プラズマを用いる。ハードマスク4の膜厚は700nmに限定されるわけではなく、700nm以上に設定しても良い。このプラズマCVD法では、平行平板型の成膜装置を用いて、上下に配置されている電極間に成膜材料となるプロセスガスを供給してから、上部電極に高周波パワーを印加する。この高周波パワーによる電極間の放電によってプロセスガスをプラズマ化して、電極間のヒーター上で加熱したシリコン基板上に成膜する手法である。図3の工程では、ハードマスク4の上部と下部で膜密度を変えており、ハードマスク4は密度の異なる2つのAC膜から形成されている。すなわち、膜密度を1.25g/cm3とした下部のハードマスク4Aと、膜密度を1.38g/cm3とした上部のハードマスク4Bでは、成膜条件を変更する。まず、ハードマスク4Aは、チャンバー反応室内の圧力を5Torr、ヒーター温度を300°C、高周波パワーを300ワットWとし、プロセスガスであるプロピレンC3H6を600sccmstandardcubiccentimeterperminuteの流量でチャンバー内に供給することで、成膜している。次に、ハードマスク4Bはチャンバー内の圧力を5Torr、ヒーター温度を300°C、高周波パワーを750Wとし、プロピレンを600sccmの流量でチャンバー反応室内に供給することで成膜している。なお、ここでは、キャリアガスとして、ヘリウムHeとアルゴンArを夫々、400sccmと8000sccm供給している。なお、ハードマスク4Aの膜密度は1.25g/cm3に限定されるわけではなく、1.2g/cm3から2.0g/cm3の間で設定しても良い。ここで、膜密度を2.0g/cm3を超える値にするには、2000W以上の高周波パワーが必要であるが、成膜装置の許容値をオーバーするため、実現が困難である。また、膜密度は1.2g/cm3が物理限界に近く、高周波パワーをさらに低下させても1.2g/cm3未満にすることはできない。このように、高周波パワーを変更することで、同じ製造工程においてAC膜からなるハードマスク4Aと4Bの膜密度を変えることができる。図14に、高周波パワーとAC膜密度の関係を示す。図14では、高周波パワーに対するAC膜密度■印と、高周波パワーに対する成膜速度◆印を夫々プロットしている。図14に示したように、高周波パワーとAC膜密度は比例関係にあり、高周波パワーによって膜密度を制御することができる。この理由は、高周波パワーが高いほどプロセスガスのプラズマ化が促進されるので、生成されるプラズマ量を増加させることで、緻密で高密度状態のAC膜を得ることができるためである。また高周波パワーと成膜速度も比例関係にあり、これも高周波パワーが高いほどプロセスガスのプラズマ化が促進されて、成膜に寄与するプロセスガスが増加するため、成膜速度も向上することに起因している。なお、AC膜密度は、チャンバー内の圧力を変更することでも変えることができる。図15に、圧力とAC膜密度の関係を示す。図15では、圧力に対するAC膜密度■印と、圧力に対する成膜速度◆印を夫々プロットしている。図15に示したように、圧力とAC膜密度は逆比例関係にあり、圧力によって膜密度を制御することができる。この理由は、圧力を低減させることによって、プラズマへの変換効率を向上させ、成膜に寄与するプロセスガスの割合を増加させることで、高密度な膜を得ることができるためである。従って、チャンバー内の圧力を一定にして、プロセスガスの分圧が低くなるようにプロセスガスの流量を低減させても、同様に高密度な膜を得ることができる。なお圧力と成膜速度は比例関係にある。これは圧力を増加させるとプロセスガスの分圧も上昇して、単位体積当りのプロセスガスの分子数が増加するため、成膜速度が向上することに起因している。本実施例では、ハードマスク4の膜密度を2種類の構造としたが、膜密度は2種類に限定されるわけではなく、少なくとも、その表面の膜密度よりも下地膜と接している面の膜密度を小さくすれば良い。ハードマスク4は、さらに多数の3種類以上の膜密度の構造としても良い。ハードマスク4を複数の膜密度の構造とする場合、その表面から下地膜と接している面に向かって膜密度を段々と小さくすることが好ましい。この場合、ハードマスク4の互いに異なる膜密度の領域のうち、膜密度の高い領域表面に近い側の領域の膜密度M1と、膜密度の低い領域下地膜に近い側の領域の膜密度M2の比である、M1/M2は、1.1~2.0であることが好ましい。膜密度の比がこのような範囲にあることによって、ハードマスクのサイドエッチを低減して、ハードマスクの開口部側壁がより垂直形状に近いパターンを形成することができる。また、高周波パワーも300Wと750Wに限定されるのではなく、プロピレン流量も600sccmに限定されるものでなく、さらに圧力も5Torrに限定されるものではない。例えば、ハードマスク4の成膜条件は、温度30~600°C、高周波パワー100~2000W、プロセスガスの流量100~3000sccm、圧力0.01~20Torrの範囲で設定することができる。これらの条件を制御することで、ハードマスクの所望の膜密度を得ることができる。上述したように、温度及び高周波パワーを高くしたり、プロセスガスの流量及び圧力を低くすることにより、膜密度を高くすることができる。本実施例では、プロセスガスとしてプロピレンを使用したがこれに限定されるわけではなく、その他の炭化水素ガスを使用することもできる。ハードマスクの膜密度は、X線反射率測定法XRR:X-rayReflectionによって測定することができる。このXRRは、基板上の薄膜単層膜多層膜に対して非常に浅い角度で入射させたX線が全反射されることを利用するものであり、入射X線強度に対する全反射X線強度の薄膜表面への入射角度依存性を測定することによって、薄膜の密度や膜厚、界面ラフネスを非破壊で測定することができる。つまり、入射X線の角度が全反射臨界角以上になると、薄膜内部にX線が侵入し、試料表面や界面で透過波と反射波に分かれて反射波は干渉するため、入射角度を変えながら光路差の変化に伴う反射波の干渉信号を解析することで、薄膜の膜厚や界面ラフネスを求めることができる。さらに、全反射臨界角から、薄膜の密度を求めることができる。なお、ハードマスク4の形成における高周波パワーと圧力の切換え内容は、図16から18並びに図11と12を用いて、後に詳細に説明する。次に、図4に示すように、ハードマスク4を覆うように、CVD法によって55nm厚とした窒素含有シリコン酸化膜SiONと、シリコン酸化膜の積層膜である中間マスク5を成膜する。次に、中間マスク5を覆うように、100nm厚のフォトレジスト6を塗布する。ハードマスク4は面8aにおいて下地膜3に接し、面8aに対向するようにその表面8bを有する。次に、図5に示すように、フォトリソグラフィとドライエッチングによって、中間マスク5に幅X4が70nmのパターンを形成する。このとき、中間マスク5のパターンは垂直形状となっており、中間マスク5の上面から底面までがフォトレジスト6の幅X4と実質的に同じになっている。また、このドライエッチングでは、シリコン酸化膜を選択的にエッチングすることができるので、フォトレジスト6を薄く形成しておくことで、シリコン酸化膜である中間マスク5に形成するパターンの寸法精度を向上させることができる。次に、図6に示すように、中間マスク5をマスクとしたドライエッチングによって、ハードマスク4に第1のパターンを形成する第2の工程。この際のドライエッチングは、平行平板プラズマエッチ方式として、チャンバー内の圧力を20mTorr、温度を500°C、高周波バイアスパワーを500Wとしており、プロセスガスである酸素の流量を500sccmでチャンバー内に供給して行っている。このドライエッチングでは、炭素カーボンを選択的にエッチングすることができるので、中間マスク5の薄膜化が可能であり、中間マスク5によるパターンを精度良くハードマスク4へ転写することができる。このドライエッチングによるハードマスクパターンの開口部内壁は傾斜しており、ハードマスク4Aにおけるシリコン基板の主面に平行な平面からの角度θ1は85°となっている。角度θ1は85°に限定されるのではなく、85°以上であれば良く、最大値は理想状態である90°となる。このように傾斜してしまうのは、前述したサイドエッチによるためであり、ハードマスクを構成している材料の特性が同じならば、サイドエッチ量はハードマスクの上部になる程大きくなる。しかしながら、この工程におけるドライエッチングは、上部と下部で膜密度が異なるハードマスク4を同じ条件にて行うので、ハードマスク4の膜密度に応じて段差4aが生じる。これは、ハードマスク4を構成しているAC膜密度が、1.25g/cm3であるハードマスク4Aと、膜密度が1.38g/cm3であるハードマスク4Bで、サイドエッチ量が異なることに起因している。図16に、AC膜密度とサイドエッチ量サイドエッチレートの関係を示す。ここでは、ハードマスク4Aの上面から下地膜3の上面までのエッチング時間である75秒間におけるサイドエッチ量■印と、ハードマスク4Bの上面を基準にして200nm下方のサイドエッチ量が最大となる上部面から下地膜3の上面までのエッチング時間である109秒間におけるサイドエッチ量▲印を、AC膜密度毎に見出したサイドエッチレート◆印から算出してプロットしたものである。図16に示すように、ハードマスク4Aの上面のサイドエッチ量が29.6nmであるのに対して、ハードマスク4Aの上面と接しているハードマスク4Bの底面部では18.3nmとなっているので、段差4aでは夫々のサイドエッチ量の差分X5が11nm程度として、ハードマスク4Bが突出している。さらにハードマスク4Bにおける最大のサイドエッチ量X6は26.5nmとなり、ハードマスク4Aだけでハードマスク4を形成した場合の最大のサイドエッチ量43.1nmよりも16nm程度低減されている。このように本実施例のハードマスク4は、下部のハードマスク4Aの端部から上部のハードマスク4Bの端部が突出している。なお、図6Aのハードマスク4の上部における円内のパターンは、その他の部分と比較して逆方向に傾斜している。これも前述のとおり、オーバーハング状に突出した中間マスク5によって、エッチング生成物が付着して、一時的にサイドエッチの保護膜となるためである。次に、図7に示すように、ハードマスク4をマスクとした異方性ドライエッチングによって、下地膜3に、第2のパターンとしてコンタクトホール7を形成する第3の工程。このとき、図6Aの破線部を拡大した図6Cに示すように、ハードマスク4Bがハードマスク4Aのエッチングを防止して、ハードマスク4Aの開口幅が拡大してコンタクトホール径が大きくなることを防ぐ役割を果たしている。このドライエッチングは、シリコン酸化膜をエッチングするので、中間マスク5はエッチングの途中で完全に除去される。また、ハードマスク4Bの全部及び4Aの一部が除去されて、ハードマスク4Aの一部が残留する。このエッチングによって形成されたコンタクトホール7の形状は、後述する図9から図10で詳細に説明する。次に、図8に示すように、アッシング処理によって残留しているハードマスク44Aを除去する第4の工程。この後、下地膜3に形成したコンタクトホール7を埋め込むように、下地膜3をタングステンWなどの導電性材料で覆う第5の工程。次に、CMPChemicalMechanicalPolishingによって、下地膜3の上面における余剰な導電性材料を除去すると、コンタクトプラグ8が完成する。図9及び10は、ハードマスク4と下地膜3に形成したパターン形状の推移を示す断面図であり、図9及び10のA図は従来の方法を用いた現実の状態、B図は理想状態を示している。図9に示したように、ハードマスク4に形成したパターンは、A図では前述したものと同様に傾斜して、その底面部の幅をX7としており、B図では垂直となって、その幅をX8としている。次に、図10に示したように、図9におけるハードマスク4をマスクとして、下地膜3に対して異方性ドライエッチングを行うと、A図ではエッチングが進むにつれて、下地膜3に形成したパターンの幅X9がハードマスク4の幅X7よりも拡大する。このようなマスク機能の低下は、ハードマスク4のパターンが傾斜していることに伴って、下地膜3のエッチングとともに、ハードマスク4も膜減りするので、ハードマスク4におけるパターンのX方向の位置が後退することで生じる。これに対して、B図では、下地膜3のエッチングが進んでも、パターンの幅X8が拡大することはない。この理由は、ハードマスク4のパターンが垂直になっていることに伴い、エッチングによってハードマスク4が膜減りしても、その高さが低くなるだけでパターンのX方向の位置は変動しないため、幅X8は変化しないためである。このように、ハードマスク4に要求される機能は、エッチング時におけるパターン底部の寸法保持能力に他ならず、パターンが垂直に近い程マスク機能は高いことになる。従って、図6Cに示した本実施例におけるハードマスク4は、膜密度の大きいハードマスク4Bにおいて、破線部の黒で塗り潰し示した部分が存在するため、従来のハードマスク4よりも多く残留して垂直形状に近づいており、マスク機能が高くなっている。図17は、図3で示したハードマスク4の形成時における高周波パワーの切換えを示したタイミングチャートの一例であり、ハードマスク4Aと4Bの膜厚を夫々、350nmとして示している。ハードマスク4を形成するには、図17中、aに示したように、まず、300Wの高周波パワーで下部を構成しているハードマスク4Aを成膜する。次に、ハードマスク4Aの成膜が終了した302秒後から、高周波パワーを750Wへステップ状に増加させることで上部を構成しているハードマスク4Bを成膜し、370秒後に0Wとして成膜を終了する。ここでの高周波パワーは、ステップ状に増加させることに限らず、図17中、bに示す通り、223秒まで121W/分として連続的に増加させても良い。図11は、高周波パワーを連続的に増加させることによって形成したハードマスク4を示している。図11に示すように、高周波パワーを連続的に増加させることによって、膜密度の異なったハードマスク4に生じる段差を緩和し、パターンの傾斜角度θ2を図6のθ1よりもさらに垂直に近づけて、マスク機能を向上させることができる。また、高周波パワーを連続的に増加させることで、累積処理時間を短縮させる効果も奏する。この理由は、図14に示した通り、高周波パワーと成膜速度は比例しており、連続的に高周波パワーを増加させると、ステップ状に増加させるより早く高周波パワーが高くなって、成膜速度が向上するためである。なお、図17中、cに示す通り、67W/分として高周波パワーを連続的に増加させている途中で、さらに180秒から267秒まで172W/分として高周波パワーの増加割合を大きくしても問題は生じない。なお高周波パワーを連続的に増加させた場合には、その間に形成した膜の密度も連続的に増加することになる。図12は、図6におけるハードマスク4を3種類の膜密度で形成した場合の略断面図であり、符号4Cは膜密度が1.25g/cm3以上のAC膜で形成したハードマスクであり、同様に符号4Dはハードマスク4Cよりも膜密度が大きいハードマスクであり、符号4Eはハードマスク4Dよりも膜密度が大きいハードマスクである。また符合4bはハードマスク4Cと4Dによって生じた段差であり、符号4cはハードマスク4Dと4Eによって生じた段差である。図18は、図12で示したハードマスク4C乃至4Eの成膜時における高周波パワーの切換えを示すタイミングチャートの一例である。ここでは、ハードマスク4Cの膜密度を1.25g/cm3として、高周波パワーを300Wにして成膜し、同様にハードマスク4Dの膜密度を1.38g/cm3として、750Wにして成膜しており、さらにハードマスク4Eの膜密度を1.42g/cm3として、1000Wにして成膜する。なお、夫々の膜厚は2333nmとし、全体の膜厚を図3における膜厚と同じ700nmとして示している。ここでも図18中、dに示したように、300Wの高周波パワーでハードマスク4の下部を構成しているハードマスク4Cを成膜し、ハードマスク4Cの成膜が終了した201秒後から、高周波パワーを750Wへステップ状に増加させることで、ハードマスク4Dを成膜する。さらに、ハードマスク4Dの成膜が完了した247秒後に、高周波パワーを1000Wへステップ状に増加させることで、ハードマスク4Eを成膜し、280秒後に0Wとして成膜を終了する。図17と同様にここでも、高周波パワーは、膜密度の種類に合わせてステップ状に増加させることに限らず、図18中、eに示すように173秒まで243W/分として連続的に増加させても良い。連続的に増加させることで、累積処理時間が短縮する効果も図17に示した効果と同様である。なお、図18中、fに示す通り、100W/分として高周波パワーを連続的に増加させている途中で、さらに120秒から215秒まで314W/分として高周波パワーの増加割合を大きくしても問題は生じない。なお、高周波パワーを連続的に増加させた場合には、その間に形成した膜の密度も連続的に増加することになるのは、図17の場合と同じである。図19は、2つの異なる膜密度を有するハードマスク4を、成膜装置のチャンバー内圧力を変更することで成膜する場合の圧力切換えを示すタイミングチャートの一例であり、夫々のハードマスクの膜厚を350nmとし、全体の膜厚を700nmとしている。ここでは、図19中、gに示すように、まず圧力を8.0Torrとして膜密度の低い膜の成膜を開始し、31秒後に圧力を6.0Torrにステップ状に低下させて膜密度の高い膜の成膜を始め、67秒後に流量を0sccmにして成膜を終了させる。ここで圧力は、ステップ状に低下させることに限らず、図19中、hに示した通り、5.3Torr/分として圧力を連続的に低下させている途中で、さらに45秒から132秒図19中には途中の時間までを示すまで2.8Torr/分として圧力の低下割合を小さくしても問題は生じない。なお圧力を連続的に低下させた場合には、その間に形成した膜の密度は連続的に増加することになる。なお、本実施例では、コンタクトプラグを形成する例を説明したが、本発明はアスペクト比の高いその他のホールを形成する場合にも適用することができる。例えば、本発明の方法を用いて、下地膜内に第2のパターンとしてキャパシタホールを形成し、キャパシタホール内にキャパシタの下部電極を形成することもできる。第2実施例図13は、第2実施例によるDRAMDynamicRandomAccessMemory10の構造を示す略断面図で、A図は周辺回路部とセル端部を示しており、B図はセル中央部を示している。なお、セル端部とセル中央部を合わせて、セル部と称する。セル部と周辺回路部において、本実施例によるDRAM10は、半導体基板11以降、シリコン基板11と表記するに、プレーナ型MISトランジスタが設けられている。プレーナ型MISトランジスタは、シリコン基板11に設けられた素子分離領域となるSTIShallowTrenchIsolation12に囲まれた活性領域13内に位置しており、シリコン基板11の表面に設けられたゲート絶縁膜14と、ゲート絶縁膜14を覆うゲート電極15と、ゲート絶縁膜14の下部周辺に設けられたソース及びドレインとなる拡散層18で構成されている。さらにゲート電極15は、その上面部と側面部が夫々絶縁膜16とサイドウォール絶縁膜17で覆われている。なお、拡散層18は、ゲート絶縁膜14の真下の領域ではなく、ゲート絶縁膜14が形成されていないシリコン基板11に位置している。B図の活性領域13では、説明の便宜上2個のMISトランジスタを記載しているが、実際には、数千~数十万個のMISトランジスタが配置されるものである。拡散層18は、第1の層間絶縁膜19によって覆われたシリコン基板11の上部に位置しており、シリコン基板11における不純物とは反対の導電型を有するように設けられている。A図及びB図のセル部において、拡散層18に接続している第1のコンタクトプラグ20は、第1の層間絶縁膜19を貫通するように設けられて、隣接したプレーナ型トランジスタのサイドウォール絶縁膜17の間に位置している。ここで、拡散層18aに接続されている第1のコンタクトプラグ20aは、第2の層間絶縁膜21を貫通するように設けられた第2のコンタクトプラグ22と接続しており、拡散層18bに接続されている第1のコンタクトプラグ20bは、第2の層間絶縁膜21と第3の層間絶縁膜26を貫通するように設けられた第3のコンタクトプラグ27と接続されている。また、第2の層間絶縁膜21上には、ビットラインとなる第1の配線23が絶縁膜24とサイドウォール絶縁膜25で覆われて位置しており、第2のコンタクトプラグ22と接続されている。第3の層間絶縁膜26上には、後述するキャパシタ37と第3のコンタクトプラグ27とのアライメントマージンを確保するため、コンタクトパッド28が設けられており、第3のコンタクトプラグ27と接続されている。コンタクトパッド28上では、下部電極34と容量膜35と上部電極36で構成されたキャパシタ37が、第4の層間絶縁膜30と第5の層間絶縁膜31と第3の層間絶縁膜26を保護するカバー膜29を貫通するように設けられおり、下部電極34とコンタクトパッド28が接続している。さらにキャパシタ37の側面部は、キャパシタ37の倒壊を防止する第1の梁32と第2の梁33と接続されて、隣接したキャパシタ37が相互に支えあった構造となっている。キャパシタ37上では、上部電極36と接続した第4のコンタクトプラグ39が、上部電極36を覆う第6の層間絶縁膜38中に設けられており、第6の層間絶縁膜38上に位置している第2の配線40と接続されている。A図の周辺回路部においては、拡散層18に接続している第5のコンタクトプラグ41が、第1の層間絶縁膜19と第2の層間絶縁膜21を貫通するように設けられている。また、第2の層間絶縁膜21上には、第3の配線42が絶縁膜43とサイドウォール絶縁膜44で覆われて位置しており、第5のコンタクトプラグ41と接続されている。第3の配線42上は、カバー膜29で覆われており、さらにカバー膜29上には第4の層間絶縁膜30と第5の層間絶縁膜31と第6の層間絶縁膜38が設けられており、第6のコンタクトプラグ45が夫々を貫通するように配置されて、第2の配線40と接続している。以上のような構造を有するDRAMにおいて、本実施例による製法は、第2乃至第6のコンタクトプラグとキャパシタを形成するための型枠となるホールを形成する際に用いられるものであり、特に第6のコンタクトプラグやキャパシタの型枠のように長いホールを形成する際に適用するのが有効である。以上、説明したように、本発明の半導体装置の製造方法によれば、AC膜からなるハードマスクの形成途中において、化学気相堆積法プラズマCVD法における高周波パワーを増加させたり、AC膜の原料となる炭化水素ガスの流量を低下させている。このように、AC膜からなるハードマスクの製造条件をその製造途中で変えることによって、ハードマスクの下部層における膜密度をその上部層における膜密度より小さくすることができる。その結果、ハードマスク上部におけるサイドエッチ量が低減し、ハードマスクの上部が突出してハードマスク下部のエッチングを防ぐので、ハードマスク下部の膜減りが低下して、ハードマスクのマスク寸法のばらつきを低減させることができる。以上、上記では本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明は、上記の実施例に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。また、明細書、図面及び特許請求の範囲において、ステップ状とは、階段状に不連続に変化させることを表す。明細書、図面及び特許請求の範囲において、ハードマスクの表面とは、ハードマスクが下地膜と接する面と厚み方向の反対側に位置し、該下地膜と接する面と対向する面のことを表す。例えば、図3及び12ではハードマスクの表面は8bとなる。