"気体に加わった加速度の大きさを検出する加速度センサであって、前記気体が充填された空間を有する筐体と、前記筐体内に配置され、前記気体を加熱するヒータと、前記筐体内に前記ヒータを挟んで対称に配置され、且つ電気的に極性が同じ向きに互いに直列接続された一対の温度検出ダイオードと、前記一対の温度検出ダイオードの間に電気的に接続され、前記一対の温度検出ダイオード間の温度差により生じる電流差分を、前記加速度を検出するための電圧に変換する電流電圧変換回路とを備えることを特徴とする加速度センサ。前記電流電圧変換回路が、前記一対の温度検出ダイオードの間に第1の入力端子が接続され、第2の入力端子が接地されたオペアンプと、前記オペアンプの前記第1の入力端子と出力端子との間に接続された抵抗とを備えることを特徴とする請求項1に記載の加速度センサ。前記ヒータが、前記一対の温度検出ダイオードと同じ構造のダイオードであることを特徴とする請求項1又は2に記載の加速度センサ。しかしながら、従来の熱感知型加速度センサにおいて、サーミスタや熱電対を温度検出素子に使用する場合、加わる加速度に対しての出力は小さく、微小な加速度を検知することが困難であった。上記問題点を鑑み、本発明の目的は、耐衝撃性に優れ、且つ微小な加速度を感度良く検出可能な加速度センサを提供することである。本発明の一態様によれば、気体に加わった加速度の大きさを検出する加速度センサであって、気体が充填された空間を有する筐体1,2と、筐体1,2内に配置され、気体を加熱するヒータ3と、筐体1,2内にヒータ3を挟んで対称に配置され、且つ電気的に極性が同じ向きに互いに直列接続された一対の温度検出ダイオードD1,D2と、一対の温度検出ダイオードD1,D2の間に電気的に接続され、一対の温度検出ダイオードD1,D2間の温度差により生じる電流差分を、加速度を検出するための電圧に変換する電流電圧変換回路100とを備える加速度センサが提供される。本発明の一態様において、電流電圧変換回路100が、一対の温度検出ダイオードD1,D2の間に第1の入力端子が接続され、第2の入力端子が接地されたオペアンプ101と、オペアンプ101の第1の入力端子と出力端子との間に接続された抵抗RLとを備えていても良い。本発明の一態様において、ヒータ3が温度検出ダイオードD1,D2と同じ構造のダイオードであっても良い。本発明によれば、耐衝撃性に優れ、且つ微小な加速度を感度良く検出可能な加速度センサを提供することができる。次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。また、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。本発明の実施の形態に係る加速度センサは、気体に加わった加速度の大きさを検出する加速度センサであって、図1及び図2に示すように、気体が充填された空間を有する筐体1,2と、筐体1,2内に配置され、気体を加熱するヒータ3と、筐体1,2内にヒータ3を挟んで対称に配置され、且つ電気的に極性が同じ向きに互いに直列接続された一対の温度検出ダイオードD1,D2と、一対の温度検出ダイオードD1,D2の間に電気的に接続され、一対の温度検出ダイオードD1,D2間の温度差により生じる電流差分を、加速度を検出するための電圧に変換する電流電圧変換回路100とを備える。図1に示すように、ヒータ3及び温度検出ダイオードD1,D2は、空洞部4上に宙に浮いた状態で互いに離間して平行に延伸する。ヒータ3及び温度検出ダイオードD1,D2のそれぞれは、50μm~500μm程度の幅を有し、100μm~2mm程度の長さを有する。ヒータ3及び温度検出ダイオードD1,D2のそれぞれには、配線11a~16aを介して、外部と電気的な接続をするためのパッド11b~16bがそれぞれ接続されている。筐体基板1は、内側に空洞部4を有する。基板1の材料としては、例えばシリコンSi等が使用可能である。ヒータ3としては、例えば発熱抵抗として機能する白金Pt等の薄膜が使用可能である。温度検出ダイオードD1,D2は、ショットキーバリアダイオードやpnダイオード等のダイオードである。本発明の実施の形態においては、温度検出ダイオードD1,D2がショットキーバリアダイオードの場合を説明する。図2に示すように、筐体カバー部材2は、図1に示した基板1の空洞部4と同じ開口形状の凹部5を有する。図1に示した基板1の上面に図2に示したカバー部材2の上面を下向きにして図3に示すように被せ、接着剤等により接着することにより、一つの筐体1,2となる。図1に示したヒータ3及び温度検出ダイオードD1,D2は、基板1の空洞部4とカバー部材2の凹部5が一体化した空間の中央に浮いた状態となる。この空間は一辺の長さが1mm~5mm程度の立方体又は直方体となる。この空間が大きいほど熱は対流しやすいために感度は良くなる。図1に示した温度検出ダイオードD1の周辺部分の詳細構造A-A断面図を図4に示す。本発明の実施の形態に係る加速度センサは、図4に示すように、基板1及び空洞部4上に延伸するように配置された直線状バー状の第1の絶縁膜21と、第1の絶縁膜21上に配置された半導体層22と、半導体層22上に配置された第1の金属膜24と、半導体層22及び第1の絶縁膜21上に配置された第2の絶縁膜23と、第2の絶縁膜23、半導体層22及び第1の金属膜24上に配置された第2の金属膜27を備える。第2の金属膜27は、図1に示した配線11a,14aの一部である。第1の絶縁膜21は、基板1に架橋し、半導体層22を空中に保持する。第1の絶縁膜21及び第2の絶縁膜23の厚さは0.1μm~2μm程度である。第1の絶縁膜21及び第2の絶縁膜23の材料としては、半導体層22の熱を逃がさないように熱伝導率の低い、例えばシリコン酸化膜SiO2膜又はシリコン窒化膜Si3N4膜等の材料が使用可能である。半導体層22の材料としては、例えばn型のシリコンSiが使用可能である。半導体層22は、例えば不純物密度は1×1016cm-3程度であり、厚さは1μm~5μm程度である。半導体層22は第1の金属膜24とショットキー接合し、半導体層22と第1の金属膜24によりショットキーバリアダイオードである温度検出ダイオードD1が形成されている。半導体層22の上部には、第1の金属膜24直下の領域を囲むようにガードリング領域25が形成されている。ガードリング領域25は、逆耐圧が低い領域をガードする。ガードリング領域25は、例えばp型で不純物密度1×1016~1018cm-3程度である。ガードリング領域25はn-型であっても良く、その場合は不純物密度1×1014~5×1015cm-3程度である。また、半導体層22の上部には、半導体層22よりも不純物密度が高いn型の半導体領域26が形成されている。半導体領域26は、半導体層22と電気的に接続し、第2の金属膜27とオーミック接触している。半導体領域26は、不純物密度が1×1020cm-3程度である。第1の金属膜24及び第2の金属膜27の材料としては、例えばクロムCr、モリブデンMo、パラジウムPd、白金Pt又はアルミニウムAl等がそれぞれ使用可能である。第1の金属膜24及び第2の金属膜27は、同じ材料を用いても良く、異なる材料を用いても良い。図1に示した温度検出ダイオードD2の周辺部分は、図4に示した温度検出ダイオードD1の周辺部分の構造と実質的に同様である。図5に示すように、温度検出ダイオードD1,D2は、極性が同じ向きで直列接続されている。温度検出ダイオードD1,D2は電気的に絶縁されているために、極性を同じ向きに接続が可能である。温度検出時には、両端に正負の電圧V,V-が印可される。印加する電圧は0.1V~1Vで、電流は100μA~数mAである。電流は多く流す方が感度は高いが、加速度がないときの温度検出ダイオードD1,D2の温度が上昇しないよう、ヒータ3で発生させる熱量に比べ1/10程度とすることが望ましい。また、製造上の理由で温度検出ダイオードD1,D2の特性が相対的に若干ずれている場合、正負の電圧V,V-の値を若干ずらすことによりオフセット補正することも可能である。なお、温度検出時は、温度検出ダイオードD1,D2に順方向電圧を印加しても良いし、逆方向電圧を印加しても良い。温度検出ダイオードD1,D2の接続ノードN0には電流電圧変換回路100が接続されている。電流電圧変換回路100は、一対の温度検出ダイオードD1,D2の間に第1の入力端子-の入力端子が接続され、第2の入力端子の入力端子が接地されたオペアンプ101と、オペアンプ101の第1の入力端子と出力端子との間に接続された抵抗RLを備える。オペアンプ101の第2の入力端子は接地され、出力端子は図示を省略した外部回路に接続されている。電流電圧変換回路100では、入力電流Iに対して出力電圧VoutはI×RLとなるので、抵抗RLの抵抗値は高いほど出力電圧Voutは高くなる。出力電圧Voutは100k~数MΩ程度となるのが好ましい。この出力電圧Voutに応じて外部回路により加速度を検出することが可能である。次に、本発明の実施の形態に係る加速度センサを用いた加速度検出方法を、図6及び7を用いて説明する。なお、図6及び図7において複数の楕円6は等温線を示し、楕円6の中の3本の矢印は熱広がる様子を示す。図6に示すように、加速度がない状態では、ヒータ3により加熱された空気は、ヒータ3の周囲に分布する。通常の地上では垂直方向に重力加速度Gがあるため、加熱された空気は上昇する。加熱された空気は若干であるが、水平方向にも拡散し、温度検出ダイオードD1,D2部分の温度も若干上昇する。しかし、温度検出ダイオードD1,D2は水平に対称に配置されているので温度差はない。一方、図7に示すように、水平方向に加速度Xがかかった状態では、ヒータ3で加熱された空気は、垂直方向の重力加速度Gと水平方向の加速度Xとの合計の加速度Tがかかっており、空気は加速度Tの反対方向に対流を起こす。すなわち、加熱された空気の流れは垂直より加速度Xと反対の方向の傾いた状態になる。その傾き量は加速度Xが大きいとより傾く。加熱された空気の流れが垂直より傾くと、温度検出ダイオードD1,D2の温度に差が生じる。図7では加速度Xの反対方向の温度検出ダイオードD1の方の温度が相対的に高くなる。温度検出ダイオードD1,D2に温度差が発生すると、例えば、温度検出ダイオードD1の電流が増えようとし、温度検出ダイオードD2の電流が減少し、両温度検出ダイオードD1,D2間の電流に差が生じる。この電流の差を電流電圧変換回路100が電圧に変換する。電流電圧変換回路100の出力電圧Voutに応じて、外部回路により加速度が検出可能である。ここで、温度検出ダイオードD1,D2で使用するショットキーバリアダイオードの電圧Vと電流密度Jの関係は一般に次のように表すことができる。式1~3において、Egはショットキー接合を構成するSiのバンドギャップ、hはプランク定数、qは電子の電荷、mは電子の有効質量、kはボルツマン定数、Tは絶対温度、NDはSiの不純物密度、niはSiの真性キャリア密度、εはSiの誘電率、ΦB0は金属とSiの間の障壁高さ、Vdはビルトイン電圧である。ΦB0は金属とSiの仕事関数の差であり、例えば、Siがn型半導体の場合、ΦB0は金属がクロムCrであれば0.60V、モリブデンMoであれば0.67V、パラジウムPdであれば0.7V、白金Ptであれば0.80Vである。Siがp型半導体の場合、ΦB0は金属がクロムCrであれば0.52V、モリブデンMoであれば0.45V、パラジウムPdであれば0.42V、白金Ptであれば0.32Vである。よって、金属の種類と、Siにドープされる不純物種、不純物密度、及び素子面積が決まれば、電流-電圧特性は決まる。ショットキーバリアダイオードでは、一定の電圧を印可させ、1°C温度が変化すると、電流変化は5~10程度である。例えば、Siがp型で不純物密度が1×1017cm-3、金属にMoを使用し、形状を500μm×100μmとして、温度300K27°Cと301K28°Cのときの逆方向電圧と電流の関係のシミュレーション結果を図8に示す。印加電圧が1Vでは、300Kのときに5.908mA、301Kのときに6.229mAであり、変化率は1°Cあたり5.6である。このように、ショットキーバリアダイオードでは、電流の温度係数が大きく、不純物密度や動作点を選ぶことにより、従来の温度検出素子として使用されるサーミスタと比して、低い電圧で大きな電流を流すことができる。また、図8に示した電流電圧特性を有するショットキーバリアダイオードを温度検出ダイオードD1,D2として使った場合、電圧V,V-に±0.2Vを印可させると、加速度がない状態では、両温度検出ダイオードD1,D2には同じ3.4mAの電流が流れ、電流電圧変換回路100には電流が流れないので、電圧は発生しない。1Gの加速度がかかると、0.05°Cの温度差すなわち、温度検出ダイオードD1,D2が片方ずつ0.025°C変化する。電流は1°C当たり5.6変化するので、3.4mA×5.6×0.025=0.48μAの電流変化である。電流電圧変換回路100に流れ出す電流は0.96μAとなり、抵抗RLが1MΩであれば、0.96Vの電圧出力となる。また、温度検出ダイオードD1,D2での消費電力は0.2V×3.4mA=0.68mWであり、ヒータ3で発生させる熱10mWより十分低く問題はない。次に、比較例に係る加速度センサとして、2つのサーミスタを温度検出素子として用い、図19に示す検出回路を用いて加速度を検出する場合を説明する。サーミスタに相当する抵抗R1,R2は負荷となる抵抗R3,R4を介して接地されている。抵抗R1,R2には数Vの電圧Vが印加されており、それぞれの抵抗値はR3/R1、R4/R2が同じになるよう設定されている。抵抗R3,R4と抵抗R1,R2との接続ノードN1,N2との間の電圧が出力となる。比較例に係る加速度センサにおいて、加速度がなく、サーミスタに相当する抵抗R1,R2の抵抗値が同じであるときは、接続ノードN1,N2間の電圧は0Vである。加速度が生じ、抵抗R1,R2に温度差が発生すると、例えば、抵抗R1の抵抗値が高くなり、抵抗R2の抵抗値は低くなる。そして、接続ノードN1,N2間には電圧は発生し、加速度に応じた出力電圧となる。比較例に係る加速度センサにおいて、加速度による温度差は、例えば、100μm×100μm×1mmのヒータを設置し、その両側に100μm離間してヒータと同形状のサーミスタを設置し、ヒータを中央にして1mm×1mm×1mmの空洞部を設け、乾燥した空気が密閉されているとする。ヒータは10mW加熱されていると、ヒータ及びサーミスタはシリコンSiとして、流体シミュレーションにより、1Gで約0.05°Cの温度差になる。サーミスタは、Ni、Mn、Co、Fe、V等の遷移金属の酸化物やそれらの混合物が使われ、素子の抵抗値は数10kΩ~100kΩで抵抗値の変化率は1°C当たり、0.数~2程度である。図19に示した検出回路にて、サーミスタが50kΩ、抵抗変化率が1/K、負荷抵抗50kΩとすると、1Gで両サーミスタの温度差が0.05°Cであるので、一方のサーミスタの温度変化は0.025°Cであり、抵抗変化は片方のサーミスタで1×0.025=0.025である。1Vの電圧が印可されていると、出力電圧は0.25mVである。一方、温度検出素子として熱電対を使用した場合でも、1°C当たりの起電力の変化はさらに小さく数10μVと小さい。このように、サーミスタや熱電対を温度検出素子として用いて、図19に示すような検出回路で小さな加速度を検知することは困難である。これに対して、本発明の実施の形態に係る加速度センサによれば、上述したように、ショットキーバリアダイオード等の温度検出ダイオードD1,D2は、温度による電流の変化がサーミスタより著しく大きく、且つ大きな電流を流すことができる。この結果、温度検出ダイオードD1,D2間の小さな温度差で、絶対値として大きな電流差を得ることができる。そして、その電流差が電流電圧変換回路100で電圧に変換されるため、微小な電流差、すなわち微小な温度差を検出することが可能となり、微小な加速度を感度良く検出することが可能となる。次に、本発明の実施の形態に係る加速度センサの製造方法の一例を、図9~図15を用いて説明する。なお、図9~図15に示す製造方法は一例であり、この変形例を含めてこれ以外の種々の製造方法により実現可能であることは勿論である。また、図9~図15では温度検出ダイオードD1周辺を図示して説明するが、温度検出ダイオードD2も同様に作製されるのは勿論である。イ図9に示すように、Si等からなる基板1を用意する。例えばサイモックスSIMOX法により基板1に酸素をイオン注入して熱処理を行い、図10に示すように基板1内部に、厚さ0.1μm~2μm程度の第1の絶縁膜BOX膜21、及び第1の絶縁膜21上に半導体層SOI層22を形成する。或いは、張り合わせ法により、2枚のシリコンSiウェハのうち一方に第1の絶縁膜21を形成して互いに張り合わせて熱処理を行い、一方のウェハを平坦研削して薄膜化させ半導体層22を形成しても良い。ロ次に、半導体層22上に図示を省略したレジスト膜を塗布し、リソグラフィ技術を用いてレジスト膜をパターニングする。引き続き、パターニングされたレジスト膜をマスクとしてp型不純物の場合はボロン11B等、n型不純物の場合は燐31P又は砒素75As等をイオン注入する。残存したレジスト膜はレジストリムーバ等を用いて除去される。その後、熱処理を行い半導体層22に注入された不純物イオンを活性化して、図11に示すようにガードリング領域25及び半導体領域26を形成する。なお、ガードリング領域25及び半導体領域26の導電型が異なる場合は、ガードリング領域25及び半導体領域26のそれぞれについてこの工程を繰り返す。ハ半導体層22上に図示を省略したレジスト膜を塗布し、リソグラフィ技術を用いてレジスト膜をパターニングする。引き続き、パターニングされたレジスト膜をマスクとして、反応性イオンエッチングRIE法等により半導体層22の一部を選択的に除去する。残存したレジスト膜はレジストリムーバ等を用いて除去される。この結果、図12に示すように、直線状の半導体層22が形成される。その後、リソグラフィ技術を用いて第1の絶縁膜を半導体層22と同じ直線状にパターニングする。ニ蒸着法等により、半導体層22及び第1の絶縁膜21上に、クロムCr等の第1の金属膜24を堆積する。その後、熱処理を行い、第1の金属膜24をシリサイド化する。第1の金属膜24上に図示を省略したレジスト膜を塗布し、リソグラフィ技術を用いてレジスト膜をパターニングする。引き続き、パターニングされたレジスト膜をマスクとして、RIE法等により第1の金属膜24の一部を選択的に除去する。残存したレジスト膜はレジストリムーバ等を用いて除去される。この結果、図13に示すように、半導体層22上に第1の金属膜24のパターンが形成され、第1の金属膜24と半導体層22とによりショットキーダイオードである温度検出ダイオードD1が形成される。なお、この工程において同時に温度検出ダイオードD2も形成される。ホ化学気相成長CVD法等により、第1の絶縁膜21、半導体層22及び第1の金属膜24上に、厚さ0.1μm~2μm程度のシリコン酸化膜SiO2膜等の第2の絶縁膜23を形成する。第2の絶縁膜23上に図示を省略したレジスト膜を塗布し、リソグラフィ技術を用いてレジスト膜をパターニングする。引き続き、パターニングされたレジスト膜をマスクとして、RIE法等により第2の絶縁膜23の一部を選択的に除去する。残存したレジスト膜はレジストリムーバ等を用いて除去される。この結果、図14に示すように第2の絶縁膜23のパターンが形成される。ヘ蒸着法等により、第2の絶縁膜23上に、アルミニウムAl等の第2の金属膜27を堆積する。第2の金属膜27上に図示を省略したレジスト膜を塗布し、リソグラフィ技術を用いてレジスト膜をパターニングする。引き続き、パターニングされたレジスト膜をマスクとして、RIE法等により第2の金属膜27の一部を選択的に除去する。残存したレジスト膜はレジストリムーバ等を用いて除去される。この結果、図13に示すように、半導体層22上に第2の金属膜27のパターンが形成される。この工程で同時に、図1に示した配線11a~16a及びパッド11b~16bも形成可能である。ト2フッ化キセノンXeF2を用いたドライエッチング等により、基板1の一部を除去して、5μm~10μm程度の深さで空洞部4を形成する。或いは、基板1を裏面からエッチングし、そこにシリコンSi等からなる蓋を張り付けて同じ構造を形成しても良い。チ別途、シリコンSi等の基板1を用意し、RIE法等により基板1の一部を選択的に除去する。この結果、図2に示した凹部5を有するカバー部材2が作製される。なお、パッド11b~16bは電流電圧変換回路100又は電源等に適宜接続される。また、ヒータ3は蒸着法等により第1の絶縁膜21上に白金Pt等の薄膜を堆積することにより適宜形成可能である。本発明の実施の形態に係る加速度センサの製造方法によれば、耐衝撃性に優れ、微小な加速度を感度の高く検出可能な加速度センサを製造可能となる。第1の変形例本発明の実施の形態の第1の変形例として、温度検出ダイオードD1,D2として他のショットキーバリアダイオードを使用する場合を説明する。本発明の実施の形態の第1の変形例に係る加速度センサは、図16に示すように、空洞部32を有する基板31と、基板31の空洞部32の両端を架橋する直線状の金属膜35,36と、直線状の半導体層33とを備える。半導体層33はn型であり、半導体層33と金属膜35がショットキー接合し、半導体層33と金属膜35によりショットキーダイオードが温度検出ダイオードD1として形成されている。半導体層33の上部には、半導体層33よりも不純物密度の高いn型の半導体領域34が金属膜36に接して設けられている。半導体領域34と金属膜36とはオーミック接触されている。図16では図示を省略するが、対となる温度検出ダイオードD2は、温度検出ダイオードD1と同様に形成されている。他の構成は、本発明の実施の形態に係る加速度センサと実質的に同様であるので、重複した説明を省略する。本発明の実施の形態の第1の変形例によれば、温度検出ダイオードD1,D2として種々の構造のショットキーバリアダイオードが使用可能である。第2の変形例本発明の実施の形態の第2の変形例として、温度検出ダイオードD1,D2としてpnダイオードを使用する場合を説明する。本発明の実施の形態の第2の変形例に係る加速度センサは、図17に示すように、空洞部32を有する基板31と、基板31の空洞部32の両端を架橋するように直線状に延伸して配置された金属膜35,36と、直線状の半導体層33とを備える。半導体層33はn型であり、半導体層33の上部には半導体層33よりも不純物密度の高いp型の半導体領域37が金属膜36に接して設けられている。半導体領域37と金属膜35はオーミック接触している。半導体領域37と半導体層33とによりpnダイオードが温度検出ダイオードD1として形成されている。半導体層33と金属膜35は絶縁膜37により絶縁されている。また、半導体層33の上部には、半導体層33よりも不純物密度の高いn型の半導体領域34が金属膜36に接して設けられている。半導体領域34と金属膜36とはオーミック接触されている。図17では図示を省略するが、対となる温度検出ダイオードD2は、温度検出ダイオードD1と同様に形成されている。他の構成は、本発明の実施の形態に係る加速度センサと実質的に同様であるので、重複した説明を省略する。本発明の実施の形態の第2の変形例によれば、温度検出ダイオードD1,D2としてpnダイオードを使用した場合でも同様の効果を奏することができる。第3の変形例本発明の実施の形態の第3の変形例として、2次元方向の加速度を検出する加速度センサを説明する。本発明の実施の形態の第3の変形例に係る加速度センサは、図18に示すように、空洞部40を有する基板41と、基板41に4本の梁部43~46を介して接続され、空洞部40の中央に配置されたヒータ42と、基板1に2本の梁部を介してそれぞれ接続され、ヒータ42の四方に配置された4つの温度検出ダイオードD11~D14を備える。ヒータ42及び温度検出ダイオードD11~D14は宙に浮いた状態で形成されている。温度検出ダイオードD11~D14としては、ショットキーバリアダイオード等のダイオードが使用可能である。図5に示した電流電圧変換回路100と同様の図示を省略した2つの電流電圧変換回路が、温度検出ダイオードD11,D13の間及び温度検出ダイオードD12,D14の間にそれぞれ接続されている。温度検出ダイオードD11,D13の温度差及び温度検出ダイオードD12,D14の温度差を検出することができ、Y方向及びX方向の2次元の加速度を検出可能である。本発明の実施の形態の第3の変形例に係る加速度センサは、本発明の実施の形態に係る加速度センサの製造方法と同様の工程で作製可能である。その他の実施の形態上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。例えば、本発明の実施の形態において、ヒータ3としてPt等からなる抵抗を用いる場合を説明したが、ヒータ3として温度検出ダイオードD1,D2と同じショットキーバリアダイオード等のダイオードを使用してもよい。この場合、製造工程において温度検出ダイオードD1,D2を作製するときにヒータ3も同時に作製することができるので、製造時間及び工程数が短縮でき、コストを減少させることができる。また、基板1の空洞部4及びカバー部材2の凹部5が一体化した空間に密閉される気体を空気として説明したが、気体の種類は特に限定されない。例えば、気体としてキセノンXe、六フッ化エタンC2F6、八フッ化プロパンC3F8、又は六フッ化硫黄SF6等の分子量の大きい気体を使用することで、より感度を上げることもできる。また、また、本発明の実施の形態において、半導体層22等の半導体部材について説明したp型及びn型の導電型を入れ替えても良い。その場合、印加電圧の符号も反転し、したがって電圧の大小関係も逆転する。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。"