"圧電性基板或いは圧電性薄膜をもつ基板上に、電気的な位相の遅れ、或いは位相の進みをもつ位相器を用いた一方向性すだれ状電極において、位相器の構造として、4位相器、及び4位相以上の位相器を用いた一方向性弾性表面波変換器及びこれらの変換器を用いた電子装置。圧電性基板或いは圧電性薄膜をもつ基板上に、3位相型位相器を用いたすだれ状電極一方向性変換器、或いはグループ型一方向性すだれ状電極、或いは4位相以上の位相器を用いた弾性表面波変換器において、これらのすだれ状電極が傾斜型すだれ状電極、或いは分散型すだれ状電極の構造からなる一方向性弾性表面波変換器及びこれらの変換器を用いた電子装置。圧電性基板或いは圧電性薄膜をもつ基板上に、位相器を用いたすだれ状電極一方向性変換器、3位相型位相器を用いたすだれ状電極一方向性変換器、或いはグループ型一方向性すだれ状電極、或いは4位相以上の位相器を用いた弾性表面波変換器を用いた構造であり、かつすだれ状電極の構造が周期が一定の構造、或いは変化する構造であり、かつこれらのすだれ状電極が幅方向重み付けされた構造、軸方向重み付けされた構造、容量重み付けされた構造、電極指容量重み付けされた構造のいずれかを用いたすだれ状電極一方向性変換器、また重み付けとして、SinX/Xなどの関数を用いた構造からなる一方向性弾性表面波変換器及びこれらの変換器を用いた電子装置。圧電性基板或いは圧電性薄膜をもつ基板上に、位相器を用いたすだれ状電極一方向性変換器、3位相型位相器を用いたすだれ状電極一方向性変換器、或いはグループ型一方向性すだれ状電極、或いは4位相以上の位相器を用いた弾性表面波変換器を用いた構造であり、かつすだれ状電極の構造が周期が一定の構造、或いは変化する構造であり、かつこれらのすだれ状電極が幅方向重み付けされた構造、軸方向重み付けされた構造、容量重み付けされた構造、電極指容量重み付けされた構造のいずれかを用いたすだれ状電極一方向性変換器、或いは重み付けとして、SinX/Xなどの関数を用いた構造からなる一方向性弾性表面波変換器において、上記のすだれ状一方向性変換器を伝搬方向、或いは伝搬方向に垂直な方向に、周波数特性をOFOrthogonalFrequencyに配置した構造のフィルタ及びこれらの変換器を用いた電子装置。圧電性基板或いは圧電性薄膜をもつ基板上に、位相器を用いたすだれ状電極一方向性変換器、3位相型位相器を用いたすだれ状電極一方向性変換器、或いはグループ型一方向性すだれ状電極、或いは4位相以上の位相器を用いた一方向性弾性表面波変換器を用いた構造であり、かつすだれ状電極の構造が周期が一定の構造、或いは変化する構造であり、かつこれらのすだれ状電極が幅方向重み付けされた構造、或いは軸方向重み付けされた構造、容量重み付けされた構造、電極指容量重み付けされた構造のいずれかを用いたすだれ状電極一方向性変換器、或いは重み付けとして、SinX/Xなどの関数を用いた構造からなる一方向性弾性表面波変換器、及び上記のすだれ状一方向性変換器を伝搬方向、或いは伝搬方向に垂直な方向に、周波数特性をOFOrthogonalFrequencyに配置した構造のフィルタに於いて、上記の一方向性変換器の位相器の位相を変化させることにより、中心周波数を変化させた可変型フィルタ、及び可変周波数型共振器、及び帯域幅を変化させた弾性表面波変換器、及びこれらの変換器を用いた電子装置。請求項5において、位相器として電圧の変化でインダクタンスL,容量C、MEMS素子のL,Cが変化する素子を用いた一方向性すだれ状変換器、或いは電圧の変化で伝送線路の伝搬速度が変化する伝送線路位相器を用いた一方向性すだれ状変換器、或いは上記のL,C,MEMS素子、伝送線路を組み合わせた位相可変素子からなるすだれ状電極一方向性変換器及びこれらの変換器を用いた電子装置。圧電性基板或いは圧電性薄膜をもつ基板上に、3位相型位相器を用いたすだれ状電極一方向性変換器、或いはグループ型一方向性すだれ状電極、或いは4位相以上の位相器を用いた弾性表面波変換器において、これらのすだれ状電極が傾斜型すだれ状電極、或いは分散型すだれ状電極の構造からなる一方向性弾性表面波変換器において、傾斜型すだれ状電極或いは分散型すだれ状電極の中心周波数が、f-n,...f-2,f-1,f0,f-1,f-2,...f-nとした場合において、位相器として、f0で、最適の位相となるような値、例えば90°或いはその値の±20などとした場合において、f-n,...f-2,f-1,f-1,f-2,...f-nの変換器の位相が最適な値から異なることになるのを各周波数における位相器間の距離を最適の位相となるように、変化させた構造の一方向性弾性表面波変換器及びこれらの変換器を用いた電子装置。L,C,R、トランス、L,C,RのMEMS素子、弾性表面波素子、伝送線路構造のT型回路或いはπ型回路を用いたフィルタにおいて、L,C,が電圧で変化する構造、或いは伝送線路の伝搬速度が電圧で変化する構造の可変周波数、及び可変帯域幅のフィルタ及びこれらの素子を用いた電子装置。請求項1、2、3、4、5、6,7,8の構造の一方向性変換器において、すだれ状電極が、電極の内部反射を用いたすだれ状電極一方向性変換器、或いはグレーティング構造の薄膜を用いた内部反射型一方向性すだれ状電極からなる構造の位相器型一方向性すだれ状変換器、及びこれらの変換器を用いた電子装置。請求項1、2、3、4、5、6、7,8,9の構造の一方向性変換器において、上記の電極を圧電基板に埋め込んだ構造、或いは圧電薄膜に埋め込んだ構造からなる一方向性すだれ状変換器、及びこれらの変換器を用いた電子装置。実施例の1は、図.1、図.2、図.3のように、圧電性基板或いは圧電性薄膜をもつ基板上に、電気的な位相の遅れ、或いは位相の進みをもつ位相器を用いた一方向性すだれ状電極において、位相器の構造として、4位相以上の位相器を用いた一方向性弾性表面波変換器及びこれらの変換器を用いた電子装置が、実施例の1である。実施例の2は、圧電性基板或いは圧電性薄膜をもつ基板上に、図.4のような、3位相型位相器を用いたすだれ状電極一方向性変換器、或いは図.5のようなグループ型一方向性すだれ状電極、或いは4位相以上の位相器を用いた弾性表面波変換器において、これらのすだれ状電極が、図.6のような傾斜型すだれ状電極、或いは、図.7のような分散型すだれ状電極の構造からなる一方向性弾性表面波変換器及びこれらの変換器を用いた電子装置が、実施例の2である。実施例の3は、圧電性基板或いは圧電性薄膜をもつ基板上に、位相器を用いたすだれ状電極一方向性変換器、3位相型位相器を用いたすだれ状電極一方向性変換器、或いはグループ型一方向性すだれ状電極、或いは4位相以上の位相器を用いた弾性表面波変換器を用いた構造であり、かつすだれ状電極の構造が周期が一定の構造、或いは変化する構造であり、かつこれらのすだれ状電極が幅方向重み付けされた構造、軸方向重み付けされた構造、容量重み付けされた構造、電極指容量重み付けされた構造のいずれかを用いたすだれ状電極一方向性変換器、また重み付けとして、SinX/Xなどの関数を用いた構造からなる一方向性弾性表面波変換器及びこれらの変換器を用いた電子装置が、実施例の3である。実施例の4は、圧電性基板或いは圧電性薄膜をもつ基板上に、位相器を用いたすだれ状電極一方向性変換器、3位相型位相器を用いたすだれ状電極一方向性変換器、或いはグループ型一方向性すだれ状電極、或いは4位相以上の位相器を用いた弾性表面波変換器を用いた構造であり、かつすだれ状電極の構造が周期が一定の構造、或いは変化する構造であり、かつこれらのすだれ状電極が幅方向重み付けされた構造、軸方向重み付けされた構造、容量重み付けされた構造、電極指容量重み付けされた構造のいずれかを用いたすだれ状電極一方向性変換器、或いは重み付けとして、SinX/Xなどの関数を用いた構造からなる一方向性弾性表面波変換器において、上記のすだれ状一方向性変換器を伝搬方向、或いは伝搬方向に垂直な方向に、周波数特性をOFCOrthogonalFrequencyCodingに配置した構造のフィルタ及びこれらの変換器を用いた電子装置が実施例の4である。実施例の5は、圧電性基板或いは圧電性薄膜をもつ基板上に、位相器を用いたすだれ状電極一方向性変換器、3位相型位相器を用いたすだれ状電極一方向性変換器、或いはグループ型一方向性すだれ状電極、或いは4位相以上の位相器を用いた一方向性弾性表面波変換器を用いた構造であり、かつすだれ状電極の構造が周期が一定の構造、或いは変化する構造であり、かつこれらのすだれ状電極が幅方向重み付けされた構造、或いは軸方向重み付けされた構造、容量重み付けされた構造、電極指容量重み付けされた構造のいずれかを用いたすだれ状電極一方向性変換器、或いは重み付けとして、SinX/Xなどの関数を用いた構造からなる一方向性弾性表面波変換器、及び上記のすだれ状一方向性変換器を伝搬方向、或いは伝搬方向に垂直な方向に、周波数特性をOFOrthogonalFrequencyに配置した構造のフィルタに於いて、上記の一方向性変換器の位相器の位相を変化させることにより、中心周波数を変化させた可変型フィルタ、及び可変周波数型共振器、及び帯域幅を変化させた弾性表面波変換器、及びこれらの変換器を用いた電子装置が、実施例の5である。実施例の6は、請求項5において、位相器として、電圧の変化でインダクタンス、容量、MEMS構造のL,C,トランス値が変化する素子を用いた一方向性すだれ状変換器、或いは電圧の変化で伝送線路の伝搬速度が変化する伝送線路位相器を用いた一方向性すだれ状変換器、或いは上記のL、C、MEMS構造L,C素子、伝送線路を組み合わせた位相可変素子からなるすだれ状電極一方向性変換器及びこれらの変換器を用いた電子装置が、実施例の6である。実施例の7は、圧電性基板或いは圧電性薄膜をもつ基板上に、3位相型位相器を用いたすだれ状電極一方向性変換器、或いはグループ型一方向性すだれ状電極、或いは4位相以上の位相器を用いた弾性表面波変換器において、これらのすだれ状電極が傾斜型すだれ状電極、或いは分散型すだれ状電極の構造からなる一方向性弾性表面波変換器において、傾斜型すだれ状電極或いは分散型すだれ状電極の中心周波数が、f-n,...f-2,f-1,f0,f-1,f-2,...f-nとした場合において、位相器として、f0で、最適の位相となるような値、例えば90°或いはその値の±20などとした場合において、f-n,...f-2,f-1,f-1,f-2,...f-nの変換器の位相が最適な値から異なることになのを各周波数における位相器間の距離を最適の位相となるように、変化させた構造の一方向性弾性表面波変換器びこれらの変換器を用いた電子装置が、実施例の7である。実施例の8は、L,C,R、トランス、L.C,のMEMS素子、弾性表面波素子、伝送線路構造のT型回路或いはπ型回路を用いたフィルタにおいて、L,C,が電圧で変化する構造、或いは伝送線路の伝搬速度が電圧で変化する構造の可変周波数、及び可変帯域幅のフィルタ及びこれらの素子を用いた電子装置が、実施例の8である。実施例の9は、請求項1、2、3、4、5、6,7,8の構造の一方向性変化器において、すだれ状電極が、電極の内部反射を用いたすだれ状電極一方向性変換器、或いはグレーティング構造の薄膜を用いた内部反射型一方向性すだれ状電極からなる構造の位相器型一方向性すだれ状変換器、及びこれらの変換器を用いた電子装置が実施例の9である。実施例の10は、請求項1、2、3、4、5、6、7,8,9の構造の一方向性変換器において、上記の電極を圧電基板に埋め込んだ構造、或いは圧電薄膜に埋め込んだ構造からなる一方向性すだれ状変換器、及びこれらの変換器を用いた電子装置が、実施例の10である。"