"劈開起点が加工された半導体基板を劈開してチップ分離を行う半導体基板のエキスパンド装置において、前記半導体基板が中央に貼り付けられた弾性体のダイシングテープの外周縁部を固定するための環状のダイシングフレームを保持するダイシングフレーム保持部と、凸型球面部が形成され、前記凸型球面部によって前記ダイシングテープ側から前記半導体基板を押圧して前記ダイシングテープを引き伸ばすテープ拡張ステージと、前記凸型球面部に対応する凹型球面部が形成され、前記テープ拡張ステージによって引き伸ばされた前記ダイシングテープを前記半導体基板とともに前記凹型球面部と前記凸型球面部との間に挟み込む押さえ治具と、を備えたことを特徴とする半導体基板のエキスパンド装置。前記押さえ治具は、前記テープ拡張ステージが前記半導体基板を押圧する際の荷重を検知することによって、前記半導体基板に対する前記凹型球面部から印加される加圧量を調節するダンピング機構を備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体基板のエキスパンド装置。前記テープ拡張ステージは、前記ダイシングテープの外周縁部を固定した状態で保持する前記ダイシングフレーム保持部に対して、前記ダイシングテープの中央部分を押圧する方向および前記ダイシングテープから離れる方向に駆動する駆動機構を備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体基板のエキスパンド装置。前記テープ拡張ステージは、前記半導体基板と前記ダイシングフレームの間で前記ダイシングテープを挟持することにより、前記ダイシングテープが前記テープ拡張ステージによって引き伸ばされた状態を保持するテープクランプ部を備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体基板のエキスパンド装置。前記テープ拡張ステージには、前記ダイシングテープに接触する前記凸型球面部が、前記半導体基板に対応する大きさの円盤面として構成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体基板のエキスパンド装置。前記ダイシングフレーム保持部は、前記ダイシングフレームを載せるダイシングフレーム保持台と、前記ダイシングフレーム保持台上で前記ダイシングフレームを挟持する保持カバーとから構成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体基板のエキスパンド装置。劈開起点が加工された半導体基板を劈開してチップ分離を行うエキスパンド処理方法において、前記半導体基板が中央に貼り付けられた弾性体のダイシングテープを、その外周縁部で固定する工程と、前記半導体基板を前記ダイシングテープ側から凸型球面部により押圧するとともに前記凸型球面部とそれに対応する凹型球面部によって挟み込んだ状態で前記半導体基板を劈開する工程と、前記半導体基板が前記ダイシングテープ上で劈開された状態で前記凹型球面部を除去し、前記凸型球面部により前記ダイシングテープをさらに押圧することによりチップ分離を行う工程と、を備えたことを特徴とするエキスパンド処理方法。前記ダイシングテープの中央に貼り付けられた前記半導体基板には、その上面を覆うように保護フィルムを貼り付けるようにしたことを特徴とする請求項7記載のエキスパンド処理方法。上述したように、SiC基板やサファイヤ基板などの硬質難切削性基板の場合においては、半導体基板が硬質で一般的なSi基板よりも劈開しにくい。そのため、ダイシングテープと半導体基板との密着性が低いとダイシングテープだけが伸びてしまって、半導体基板が劈開されない現象が発生するといった問題があった。本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、SiCやサファイヤ等の難切削性硬質材料基板やメタル膜付基板であっても基板劈開およびメタル膜分断が確実に実施可能な半導体基板のエキスパンド装置を提供することを目的とする。また、本発明の別の目的は、確実なブレーキングおよびエキスパンドが可能なエキスパンド処理方法を提供することである。本発明では、上記問題を解決するために、劈開起点が加工された半導体基板半導体ウェハを劈開してチップ分離を行う半導体基板のエキスパンド装置が提供される。このエキスパンド装置は、前記半導体基板が中央に貼り付けられた弾性体のダイシングテープの外周縁部を固定するための環状のダイシングフレームを保持するダイシングフレーム保持部と、凸型球面部が形成され、前記凸型球面部によって前記ダイシングテープ側から前記半導体基板を押圧して前記ダイシングテープを引き伸ばすテープ拡張ステージと、前記凸型球面部に対応する凹型球面部が形成され、前記テープ拡張ステージによって引き伸ばされた前記ダイシングテープを前記半導体基板とともに前記凹型球面部と前記凸型球面部との間に挟み込む押さえ治具と、から構成される。また、本発明のエキスパンド処理方法は、劈開起点が加工された半導体基板を劈開してチップ分離を行うものであって、前記半導体基板が中央に貼り付けられた弾性体のダイシングテープを、その外周縁部で固定する工程と、前記半導体基板を前記ダイシングテープ側から凸型球面部により押圧するとともに前記凸型球面部とそれに対応する凹型球面部によって挟み込んだ状態で前記半導体基板を劈開する工程と、前記半導体基板が前記ダイシングテープ上で劈開された状態で前記凹型球面部を除去し、前記凸型球面部により前記ダイシングテープをさらに押圧することによりチップ分離を行う工程と、を備えている。本発明によれば、球体型拡張ステージと押さえ治具とで半導体用ウェハを挟み込みながらブレーキングおよびエキスパンドを行うことで、SiCやサファイヤ等の難切削性硬質材料基板やメタル膜付基板であっても基板劈開およびメタル膜分断が確実に実施可能である。以下、図面を参照してこの発明の実施の形態について説明する。実施の形態1図1は、第1の実施の形態に係る球面エキスパンド装置を示す概念図であって、Aはエキスパンド前における加工装置の断面構成、Bはエキスパンド時におけるチップ状態を示している。この球面エキスパンド装置が処理対象とする半導体ウェハとしての半導体基板1は、あらかじめスクライビング処理、又はステルスダイシング処理によって劈開起点が加工されたダイシング処理済の基板である。この半導体基板1は、環状のダイシングフレーム2の中央に位置するように、弾性体のダイシングテープ3上面に貼り付けられた状態でステルスダイシング処理が行われ、その後、全体を覆うように保護テープ図示せずが貼り付けられた状態で球面エキスパンド装置に提供される。第1の実施の形態に係る球面エキスパンド装置は、ダイシングフレーム2を保持するダイシングフレーム保持部を備えている。このダイシングフレーム保持部は、ダイシングフレーム2を載せるダイシングフレーム保持台4と、ダイシングフレーム2をダイシングフレーム保持台4上で保持する保持カバー5と、Oリング6,7とを有している。ダイシングフレーム2は、Oリング6,7を介してダイシングフレーム保持台4と保持カバー5との間に挟持される。Oリング6,7は、ダイシングテープ3を引き伸ばす際に、ダイシングフレーム2からダイシングテープ3が滑って外れてしまわないよう保持するためのものである。テープ拡張ステージ11は、ダイシングテープ3に対して図の下側に配置され、上面には凸型球面形状をなす円盤面11aが形成されている。このテープ拡張ステージ11は、ダイシングフレーム保持台4の内側にあって、図示しない駆動機構によって図の上下方向に昇降自在に配置され、その円盤面11aによってダイシングテープ3側から半導体基板1を図の上方に押圧することで、ダイシングテープ3を周辺方向に引き伸ばすことができる。なお、テープ拡張ステージ11の外周には、拡張保持リング9が設置されている。押さえ治具12は、テープ拡張ステージ11の円盤面11aとの間で半導体基板1を挟み込むように、その下面には凹型球面形状をなす円盤面12aが形成されている。この押さえ治具12は、円盤面11aの凸型球面形状に対応した円盤面12aの凹型球面によって、テープ拡張ステージ11によって押圧された半導体基板1の上面を加圧するものである。ここで、ダイシングフレーム保持台4に保持されたダイシングテープ3の引き伸ばし量は、押さえ治具12が配置されたダイシングフレーム保持台4からの高さによって規定される。つぎに、以上のように構成された球面エキスパンド装置の動作について説明する。まず、図1Aのようにスクライビング又は、ステルスダイシング、以下、スクライビングと総称する処理済の半導体基板1が設置される以前では、保持カバー5がたとえば図の上方へ移動していて、テープ拡張ステージ11および拡張保持リング9は図の下方へ移動している。この状態で、半導体基板1が貼り付けられたダイシングテープ3がダイシングフレーム保持台4上に搬送され、ダイシングフレーム2をダイシングフレーム保持台4に搭載した状態で保持カバー5により挟んで固定される。つぎに、テープ拡張ステージ11を駆動機構によって上昇させる。これにより、最初に円盤面11aの凸型球面頂部がダイシングテープ3の中央部と当接してダイシングテープ3を押圧する。こうしてダイシングテープ3が引き伸ばされる過程で、半導体基板1の中央の近傍に形成されている内部変質層のスクライブラインに折り曲げ力が作用して、半導体基板1はそのラインに沿って劈開される。このとき、押さえ治具12に形成された円盤面12aは、その凹型球面が半導体基板1の上面に当接することになる。したがって、ダイシングテープ3をさらに引き伸ばすようにテープ拡張ステージ11が上昇して、ダイシングテープ3を半導体基板1から引き剥がすような下向きの引張力が働いても、半導体基板1の外縁部分は円盤面12aの凹型球面によって下向きに抑えつけられているために、半導体基板1からダイシングテープ3が引き剥がされる恐れがなくなる。このようにテープ拡張ステージ11が上昇して円盤面11aによる押圧が続けられると、半導体基板1はその中央から周囲に向かって順次劈開されていく。最終的には、この円盤面11aの押圧による球面エキスパンド処理によって、半導体基板1は固片化され、複数のチップ1a,1b...1n1,1n,1n1に分離される。このとき、図1Bに示したようにダイシングテープ3は円盤面11aの外形形状に合わせて変形されることにより、その中央から周囲方向に矢印で示した引っ張り力が作用して、ダイシングテープ3が四方に引き伸ばされた状態になる。これにより、ダイシングテープ3に載っている固片化されたチップ1a,1b...1n1,1n,1n1は、引き伸ばされた分だけ間隔を置いて配置されることになる。以上のように、本実施の形態の球面エキスパンド装置では、凸型球面形状をなす円盤面11aを有するテープ拡張ステージ11と凹型球面形状をなす円盤面12aを有する押さえ治具12とでスクライビング、あるいはステルスダイシング処理済の半導体基板1を挟み込みながらブレーキングを行うものであって、半導体基板1がテープ拡張ステージ11と押さえ治具12に挟み込まれた状態でダイシングテープ3が引き伸ばされるから、半導体基板1への曲げ応力が発生して確実に劈開される。さらに、この劈開された状態で半導体基板1から押さえ治具12を取り外して、テープ拡張ステージ11でエキスパンドし続けることでチップ分割化が可能となる。したがって、SiC基板やサファイヤ基板などの硬質難切削性基板の場合でも、半導体基板1が劈開不十分となることなく、確実にブレーキングおよびエキスパンドすることが可能となる。実施の形態2図2は、第2の実施の形態に係る球面エキスパンド装置を示す概念図であって、Aはエキスパンド前における加工装置の断面構成、Bはエキスパンド時におけるチップ状態を示している。この球面エキスパンド装置では、下面に凹型球面形状をなす円盤面13aが形成された押さえ治具13をダンピング機構14a,14bによって押さえ治具固定板14に取り付けている。これらのダンピング機構14a,14bは、所定の弾性力を有するスプリングSによって押さえ治具13を押さえ治具固定板14に押し付けるように構成されている。そのため、押さえ治具13に対して一定以上の荷重がかかるとダンピング機能が働いて、図2Bに矢印によって示すように、押さえ治具13が押さえ治具固定板14から浮き上がるようになって、半導体基板1に対する円盤面13aの凹型球面からの加圧量を調節できる。したがって、このダンピング機構を備えた球面エキスパンド装置では、テープ拡張ステージ11の円盤面11aと押さえ治具13の円盤面13aとの間に半導体基板1を挟み込みながらブレーキングを行う際に、半導体基板1に一定以上の加圧力がかからないように保護することができる。その結果、ダイシングテープ3と半導体基板1との密着性が低い場合でも、確実にブレーキングおよびエキスパンドができるとともに、テープ拡張ステージ11と押さえ治具13とによって挟まれた半導体基板1に過大な荷重を加えてしまうことによって破損することなく、チップ分割化が可能となる。なお、押さえ治具固定板14はダイシングフレーム保持台4と同様に、半導体基板1を劈開してチップ分離を行う工程では所定の位置に固定されているが、半導体基板1が劈開された後にテープ拡張ステージ11によりチップ分割を行う際は、押さえ治具13とともに取り外すものとする。ここでは、ダンピング機構14a,14bを押さえ治具13の円盤面13aの外周部分で2か所に設けているが、半導体基板1に対する荷重を検知する手段として、押さえ治具13の中央部分に一つだけ設けるようにしてもよいし、円盤面13aの外周部分にさらに多数のダンピング機構を設けてもよい。実施の形態3つぎに、実施の形態2で説明したダンピング機構付きの球面エキスパンド装置を例にとって、挟み込み式の球面エキスパンド装置によるブレーキング兼エキスパンド処理の手順について説明する。図3および図4は、いずれも本発明のエキスパンド処理方法を示す工程説明図その1、その2である。図3Aには、ブレーキング処理前の準備工程を示している。スクライビング処理済の半導体基板1は、ダイシングフレーム2とダイシングテープ3によって固定された状態で、その上面を覆うように保護フィルム15を貼り付ける。この保護フィルム15は、テープ拡張ステージ11と押さえ治具13とで半導体基板1を挟み込む際に、半導体基板1の表面に塵などが付着したまま挟み込むことによって、その表面に傷が付くことを防止するためのものである。この保護フィルム15を貼り付けた半導体基板1およびダイシングフレーム2がテープ拡張ステージ11にセットされ、ダイシングフレーム保持台4とダイシングフレーム2の保持カバー5で挟んで保持される。つぎに、挟み込みによるブレーキング処理に進む。図3Bには、テープ拡張ステージ11が上昇して、その円盤面11aによって押さえ治具13の凹型球面形状をなす円盤面13aに半導体基板1が押し付けられた状態を示している。これにより、半導体基板1はテープ拡張ステージ11と押さえ治具13に挟まれて、テープ拡張ステージ11の球面に沿うように折り曲げ力が与えられることによって劈開される。このとき、挟み込みの荷重が一定以上になって、半導体基板1が破損してしまわないように、押さえ治具13の円盤面13aに一定以上の荷重がかかるとダンピング機構14a,14bが働く。以上により、スクライビング処理済の半導体基板1は、一定以上の加圧力がかからないように、かつテープ拡張ステージ11の球面に沿って折り曲げ力が与えられて、スクライブラインに沿って劈開される。つぎに、図3Cに示すように、テープ拡張ステージ11を降下させる。そして、半導体基板1上面から保護フィルム15を剥がしておく。そして、つぎに凸型球面円盤状のテープ拡張ステージ11をさらに上昇させるエキスパンド処理の際に、半導体基板1と押さえ治具13とが衝突するのを避けるため、押さえ治具13を除去あるいは上方に退避させる。つぎに、図4Dに示すように、テープ拡張ステージ11を再度上昇させる。これは、ダイシングテープ3とスクライビング処理済の半導体基板1をエキスパンドして、劈開済みのチップ1a,1b...1n1,1n,1n1に分割し、それぞれチップ間隔を拡大するためである。図4Eには、クランプ状態でのテープの切り離し工程を示している。ここでは、テープクランプリング10は図4Eに示すように押さえ治具12の上方にあって昇降自在に設置され、テープ拡張ステージ11の外周に設けられた拡張保持リング9とともにテープクランプ部を構成している。最初に、拡張保持リング9にテープクランプリング10を填め込むことにより、エキスパンドされたダイシングテープ3を保持する。すなわち、ダイシングテープ3の周縁部分で拡張保持リング9とテープクランプリング10とが嵌め込まれた状態になると、ダイシングテープ3は凸型球面形状をなす円盤面11aによって引き伸ばされた状態に保持される。その後、テープカッター16がテープ拡張ステージ11の外側で上昇して、拡張保持リング9の外周を1周り回転して、クランプ状態のダイシングテープ3を切断する。これにより、半導体基板1はダイシングテープ3上でチップ1a,1b...1n1,1n,1n1に分割された状態でダイシングフレーム2から切り離される。つぎに、図4Fに示すように、拡張保持リング9をテープ拡張ステージ11から分離させて取り外して、テープ拡張ステージ11だけを下降させる。これにより、エキスパンド済みのダイシングテープ3および半導体基板1を、拡張保持リング9とテープクランプリング10によって平坦に保持した状態で、球面エキスパンド装置から取り出すことが可能となる。以上の通り、本発明の球面エキスパンド装置では、テープ拡張ステージ11と押さえ治具12あるいは13とによって半導体用ウェハを挟み込みながらブレーキングおよびエキスパンドを行うようにしたので、SiCやサファイヤ等の難切削性硬質材料基板やメタル膜付基板でもブレーキング不十分な状態が発生せずに、一括して基板劈開およびメタル膜分断が可能となる。したがって、半導体用ウェハ、特に難切削性材料基板やメタル膜付基板等において、半導体用ウェハのブレーキングおよびエキスパンド処理を実施する際に、硬質材料やメタル膜付基板でも一括で基板劈開およびメタル膜を分離することが可能となる。これにより、従来のブレードダイシングから高速ダイシング処理方法スクライビング方式、ステルスダイシング方式などの採用が可能となり、生産性向上につながる。また、高速ダイシング処理方法の採用が可能となることでダイシング速度が大幅に速くなり、切削水および冷却水を必要としないドライブプロセスを可能とし、さらにカーフ幅ダイシング幅を狭くすることが可能なため、1枚の基板から多くのチップを取ることが可能となるだけでなく、消耗工具費を抑えることが可能なため、低ランニングコスト化が可能となる、といった効果も期待できる。なお、テープ拡張ステージ11、押さえ治具12,13、および拡張保持リング9の動作は上記の各例に限るものではない。テープ拡張ステージ11、押さえ治具12,13、拡張保持リング9の他、ダイシングフレーム保持台4も含め、相対的に移動してもよい。すなわち、テープ拡張ステージ11に対して押さえ治具12,13やダイシングフレーム保持台4が移動してもよい。テープ拡張ステージ11と押さえ治具12,13との間に半導体ウェハとしての半導体基板1を挟み込みながらブレーキングおよびエキスパンドを行えばよく、テープ拡張ステージ11、押さえ治具12,13、拡張保持リング9、およびダイシングフレーム保持台4が相対的に移動すればよい。"