"窒化珪素質焼結体から成る窒化珪素基板の一方主面に銅板を回路部材として、他方主面に銅板を放熱部材として備えた放熱基体であって、前記回路部材を成す銅板は、前記放熱部材を成す銅板より硬度が高いことを特徴とする放熱基板。前記回路部材を成す銅板と前記放熱基板を成す銅板との硬度差が0.2GPa以上であることを特徴とする請求項1に記載の放熱基板。前記回路部材を成す銅板は、前記放熱部材を成す銅板より体積が大きいことを特徴とする請求項1または2に記載の放熱基板。前記窒化珪素基板は、その3点曲げ強度が750MPa以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の放熱基板。請求項1乃至4のいずれかに記載の放熱基板における前記回路部材を成す銅板上に電子部品を搭載したことを特徴とする電子装置。しかしながら、特許文献1および特許文献2で提案された放熱基板61は、いずれも780°C以上の高温で加熱して窒化珪素基板62に銅板65,66を接合しているため、接合時に熱応力が発生し、冷却の過程で放熱基板61が反りやすいという問題を有していた。しかも、銅板65,66を接合する際に用いられる活性金属層63,64は、活性金属層63,64に含まれる銅Cuおよび銀Agにより銅板65,66との接合強度を高められ、また活性金属層63,64に含まれるチタンTi、ジルコニウムZr、ハフニウムHf成分により窒化珪素基板62との接合強度も高められるため、銅板65,66の枚数を少なくするためにも、銅板65は窒化珪素基板62の一方主面上に一直線上に配置されていた。その結果、半導体素子67の個数が増えると、長手方向での反りが発生しやすいという問題を有していた。特に、特許文献1の放熱基板61では、その放熱特性を向上させるために銅板66を単一にして面積を大きくしているため、銅板65,66の接合時の熱応力がより大きくなるため、反りも大きくなり、放熱特性の高い放熱基板61を得ることができないという問題を有していた。さらに、近年、上述のような放熱基板61を使用した半導体装置の高出力化に伴って半導体素子の高集積化は急速に進行し、放熱基板61に繰り返し与えられる熱応力は増加する傾向にあるが、このような熱応力に対して十分な耐久性を備えた放熱基板とは言えなかった。本発明は、上述のような課題を解決するためのものであって、反りが抑制されるとともに耐久性を備えた放熱基板を提供するものである。本発明の放熱基板は、窒化珪素質焼結体から成る窒化珪素基板の一方主面に銅板を回路部材として、他方主面に銅板を放熱部材として備えた放熱基体であって、前記回路部材を成す銅板は、前記放熱部材を成す銅板より硬度が高いことを特徴とする。また、本発明の電子装置は、本発明の放熱基板における前記回路部材を成す銅板上に電子部品を搭載したことを特徴とする。本発明の放熱基板は、窒化珪素質焼結体から成る窒化珪素基板の一方主面に銅板を回路部材として、他方主面に銅板を放熱部材として備えた放熱基体であって、前記回路部材を成す銅板は、前記放熱部材を成す銅板より硬度が高いことから、放熱部材側に比較して回路部材側の剛性が高くなり、放熱基板に発生する反りの向きを放熱部材側に凸になるように制御することができるので、放熱部材にヒートシンクを密着する場合の密着性を高めることができるため、放熱基板の放熱特性を高いものとすることができる。また、本発明の電子装置は、本発明の放熱基板における前記回路部材を成す銅板上に半導体素子等の電子部品を搭載したことから、使用時に半導体素子等の電子部品に蓄熱することがなく、放熱性の高い電子装置とすることができる。以下、本発明を実施するための形態を図面を用いて説明する。図1は、本発明の放熱基板の一実施形態を示し、aは一方主面に配置された銅板を平面視したときの上方平面図、bは同図aのA-A線における断面図、cは他方主面に配置された銅板を平面視したときの下方底面図である。この放熱基板1は、窒化珪素質焼結体から成る窒化珪素基板2と、窒化珪素基板2の両主面上に順次積層された活性金属層31,32および銅を主成分とする結合層51,52と、結合層51,52上に配置された銅または銅合金を主成分とする銅板41,42と、を有してなり、一方の銅板41を回路部材として、他方の銅板42を放熱部材として電子装置において半導体素子等の電子部品の放熱を促進するためのものである。放熱基板1を構成する窒化珪素基板2は、窒化珪素質焼結体からなり、窒化珪素は熱伝導率が40W/mK以上と高く、放熱特性に優れるものである。窒化珪素基板2は、図1に示すB方向の長さが30~80mm、C方向の長さが10~80mm程度であり、厚みは用途によって異なるが、厚すぎると熱抵抗が高くなり、薄すぎると耐久性が低下するため、0.13~0.4mmとすることが適切である。このような窒化珪素基板2は、窒化珪素基板2の全質量を100とした場合、窒化珪素が少なくとも80質量以上含有してなり、その他の添加成分として、酸化エルビウム、酸化マグネシウム、酸化硅素、酸化モリブデン、酸化アルミニウム等が含まれているものである。機械的特性としては、3点曲げ強度が750MPa以上、ヤング率が300Gpa以上、ビッカース硬度Hvが13GPa以上、破壊靱性K1Cが5MPam1/2以上であることが好ましく、放熱基板1とした際に長期間の使用に供することができ、機械的特性を上述の範囲とすることで信頼性、即ち耐クリープ性やヒートサイクルに対する耐久性を向上させることができる。なお、3点曲げ強度については、放熱基板1から活性金属層31,32、結合層51,52および銅板41,42をエッチングにより除去した後、JISR1601-1995に準拠して測定すればよい。但し、窒化珪素基板2の厚みが薄く、窒化珪素基板2より切り出した試験片の厚みを3mmとすることができない場合、窒化珪素基板2の厚みをそのまま試験片の厚みとしてもよい。また、ヤング率についても、放熱基板1から活性金属層31,32、結合層51,52および銅板41,42をエッチングにより除去した後、JISR1602-1995で規定される圧子圧入法IF法に準拠して測定すればよい。但し、窒化珪素基板2の厚みが薄く、窒化珪素基板2より切り出した試験片の厚みを4mmとすることができない場合、窒化珪素基板2の厚みをそのまま試験片の厚みとしてもよい。ビッカース硬度Hvおよび破壊靱性K1Cについては、それぞれJISR1610-2003,JISR1607-1995に準拠して測定すればよい。また、電気的特性としては体積固有抵抗が、常温で1014Ωcm以上、300°Cで1012Ωcm以上であることが好ましい。この窒化珪素基板2の両主面上に形成される活性金属層31,32は、例えば、チタンTi、ジルコニウムZr、ハフニウムHfなどの4族元素のような活性金属を含むAg-Cu合金からなり、活性金属層31のA-A線における1個当たりのB方向の長さは例えば12.4~24.4mm、C方向の長さは16.4~20.4mm、厚みは10~20μmである。また、活性金属層32のA-A線における1個当たりのB方向の長さは例えば12.4~22.4mm、C方向の長さは16.4~24.4mm、厚みは10~20μm程度である。活性金属層31,32および銅板41,42との間に備えられた結合層51,52は、銅を主成分とし、結合層51,52の主成分である銅または銅合金の拡散作用により300~500°Cの低温でその上面に接合される銅板41,42を強固に接合することができる。また、結合層51,52は変形しやすいため、小さい荷重で接合することができ、また、冷却時に発生する熱応力も結合層51,52の変形で緩和することができるため、より厚みの大きな銅板41,42を接合しても反りが発生することなく、放熱特性に優れた放熱基板1を得ることができ、ヒートシンクの取り付けも不要にすることができるからである。また、結合層51,52は、銅を主成分とし、結合層51,52に対して主成分である銅が90質量以上含有すればよい。活性金属層31,32と銅板41,42とを強固に結合する機能を成し、無酸素銅、タフピッチ銅、りん脱酸銅、等の銅を用いるのがよい。特に、無酸素銅のうち、銅の含有率が99.995以上の線形結晶無酸素銅、単結晶状高純度無酸素銅および真空溶解銅のいずれかを用いることが好ましい。結合層51,52上に形成される銅板41,42は、窒化珪素基板2の一方主面上に配置された銅板41を回路部材として、且つ他方主面上に配置された銅板42を放熱部材として用いるものであり、半導体素子等の電子部品を回路部材を成す銅板41に搭載することで、電子装置の放熱基板1として作用する。回路部材として作用する銅板41は、1個当たりのB方向の長さは10~17mm、C方向の長さは10~20mm、厚みは回路を流れる電流の大きさや銅板41に搭載される半導体素子等の電子部品の発熱量等に応じて0.5~5mmが選択される。また、銅板42は発熱した半導体素子等の電子部品により発生した熱を逃がす、放熱作用を促進する放熱部材として作用し、1個当たりのB方向の長さは10~17mm、C方向の長さは10~20mm、厚みは0.5~5mmである。銅板41,42は、銅または銅合金を主成分とし、銅板41,42に対して銅または銅合金が99.96質量以上であるものである。無酸素銅、タフピッチ銅、りん脱酸銅等の銅を用いるのがよい。特に、無酸素銅のうち、銅の含有率が99.995以上の線形結晶無酸素銅、単結晶状高純度無酸素銅および真空溶解銅のいずれかを用いることが好ましい。また、銅板41,42は、複数行、複数列の行列状に配置してもよい。このように行列状に配置することで、窒化珪素基板2の形状を正方形、あるいは正方形に近い長方形にすることができるため、放熱基板1の反りを抑制することができる。ここで、放熱基板の反りについて図2を用いて説明する。放熱基板の反りは実質的に窒化珪素基板の反りで示すことができる。体積が等しい銅板を窒化珪素基板2の両主面状に1行で複数列あるいは複数行で1列に配置した放熱基板1に比べ、銅板41,42を複数行、複数列の行列状に配置した放熱基板1は、窒化珪素基板2の長手方向の長さを短くすることができるため、反りの曲率半径Rが同じである場合、窒化珪素基板2に発生する反りL1を小さくすることができる。また、回路部材を成す銅板41は、放熱部材を成す銅板42より体積が大きいことが好ましい。これは、銅板41,42間の体積差により放熱基板1に発生する反りの向きを制御することができるためであり、銅板41は銅板42よりその単位個数当たりの体積を大きくすることで、銅板42側に比較して銅板41側の剛性が高くなるため、放熱基板1に発生する反りの向きを銅板42側に凸になるように制御することができ、放熱部材をなす銅板42とヒートシンク不図示との密着性を上げられるため、放熱基板1の放熱特性をさらに上げることができる。特に、両主面に形成する銅板41,42の個数が同一で両主面の銅板41,42が対応する位置に形成してある場合、単位個数当たりの体積差は20mm3以上であることがより好ましい。そして、回路部材を成す銅板41は、放熱部材を成す銅板42より硬度が高いことが重要である。銅板41,42間の硬度差により放熱基板1に発生する反りの向きを制御することができ、銅板41は、銅板42よりその硬度を高くすることで、銅板41の剛性が高くなるため、放熱基板1に発生する反りの向きを銅板42側に凸になるように制御することができ、放熱部材とヒートシンク不図示との密着性を上げられるため、放熱基板1の放熱特性を上げることができる。特に、銅板41および銅板42のビッカース硬度Hvは、それぞれ0.7~1.2GPa、0.5~1.0GPa、その硬度差を0.2GPa以上とすることが好適である。なお、銅板41および銅板42の体積は、3次元形状測定器、あるいは倍率を2~10倍に設定して金属顕微鏡、画像計測器等を用いて測定でき、銅板41および銅板42のビッカース硬度Hvは、JISZ2244-2003に準拠して測定すればよく、測定に用いる試験荷重は、銅板41,42の厚みに依存し、例えば196mNミリニュートンとする。次いで、銅板41,42について種々の形態について図3乃至図4を用いて説明する。なお、図面における各符号は図1と同様な部材には同一の符号を用いている。図3aは一方主面に配置された銅板41を平面視したときの上方平面図、bは同図aのA-A線における断面図、cは他方主面に配置された銅板42を平面視したときの下方底面図である。図3に示す放熱基板1は、窒化珪素基板2の両主面に接合される銅板41,42が3行3列に配置されてなる放熱基板である。このように両主面に接合される銅板が複数の奇数行、複数の奇数列の行列状に配置されたものであり、四角形状の窒化珪素基板2の4つの角部を結ぶ2本の対角線の交点上に銅板41,42を構成する両主面上に各1枚の銅板41c,42cが存在し、この銅板41c,42cが接合工程で発生する放熱基板1の変形を拘束できるため、放熱基板1の反りを十分に抑制することができる。図4aは一方主面に配置された銅板41を平面視したときの上方平面図、bは同図aのA-A線における断面図、cは他方主面に配置された銅板42を平面視したときの下方底面図である。図4に示す放熱基板1は、結合層51が部分的に前記回路部材を成す複数の銅板41にわたって形成されており、結合層51が複数の銅板41を接続する配線として作用するためワイヤーによる配線が不要となるため、配線が簡略化される。また、結合層51,52の硬度は、銅板41,42との接合強度に影響を与える。結合層51,52の硬度が高過ぎると、銅板41,42との接合強度を十分高くすることができなくなるので、結合層51,52のビッカース硬度Hvが0.5GPa以下であることが好ましく、ビッカース硬度Hvをこの範囲とすることで、結合層51,52は容易に弾性変形して、銅板41,42との接合強度を高くすることができる。特に、ビッカース硬度Hvは0.2~0.5GPaであることがより好ましい。なお、結合層51,52のビッカース硬度Hvは、JISZ2244-2003に準拠して測定すればよく、測定に用いる試験荷重は、結合層51,52の厚みに依存し、例えば98mNミリニュートンあるいは196mNとする。次に、本発明の放熱基板の製造方法について説明する。本発明の放熱基板1は、先ず、長さ30~80mm、幅10~80mm、厚み0.13~0.4mmの窒化珪素基板2の両主面上に、チタンTi、ジルコニウムZr、ハフニウムHfなどの4族元素のような活性金属を含むAg-Cu合金のペーストをスクリーン印刷、ロールコーター法、刷毛塗り等で塗布し、このペースト上に銅が主成分であって、厚みが0.1~0.6μmである銅箔を積層した後、800~900°Cで加熱溶融して、活性金属層31,32および銅を主成分とする結合層51,52を形成する。次に、結合層51,52の銅板41,42と接する面を研磨した後、水素、窒素およびネオン、アルゴン等の不活性ガスのいずれかから選ばれる雰囲気中、300~500°Cに加熱し、30MPa以上の圧力で、結合層51,52と接合する面が平坦な銅板41,42をたとえば3行2列や3行3列の行列状に配置、接合して放熱基板1を得る。そして、銅や銅合金が酸化しない温度50°Cまで加圧したまま冷却し、この温度に到達した後、加圧を終了し、放熱基板1を取り出す。なお、銅板41が銅板42より体積が大きい放熱基板1を得る場合、両主面に形成する銅板41,42の個数が同じであれば予め銅板42よりその単位個数当たりの体積が大きい銅板41を準備し、上述に示した方法で作製すればよく、例えば、一方主面に設ける銅板41の各体積を種々変更してもよい。また、銅板41,42は、その硬度を銅板中に添加される不純物の比率で制御することができ、その比率を高くすると、硬度が高くなり、比率を低くすると、硬度が低くなる。銅板41が銅板42よりその硬度が高い放熱基板1を得る場合、予め不純物の比率が高い銅板41を準備し、上述に示した方法で作製すればよい。また、結合層51を複数の回路部材を成す銅板41にわたって形成してもよい。上述の図1,図3,図4で示したような放熱基板1は、銅板41を回路が形成された回路部材とすることで放熱基板として好適に用いることができる。具体的な回路の形成方法としては、予めプレス加工やエッチング加工によりパターニングして回路を形成した銅板を用いたり、接合後にエッチング、レーザー等によりパターニングしたりすればよい。以上のことから、銅直接接合法、高融点金属メタライズ法、活性金属法等で接合した場合より、接合時に銅板41,42に生じる反りが小さくなるので、銅板の厚みを大きくすることができる。銅板41,42の厚みの大きな放熱基板1は、放熱特性を高くすることができ、場合によってはヒートシンクの取り付けも不要にすることができる。そして、本発明の放熱基板1における回路部材を成す銅板41上に半導体素子等の電子部品を搭載することで、半導体装置等の電子装置を使用しているときにも電子部品に蓄熱することを有効に防止できる。以上、本発明の放熱基板1は、上述の通り放熱特性が良好であるため、昇華型サーマルプリンターヘッド用基板、面型発熱ヒーター支持基板、サーマルインクジェットプリンターヘッドのヒーター支持基板等にも適用させることができる。以下、参考例とともに本発明の実施例を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。各放熱基板試料を得るため、先ず、窒化珪素を84質量含有する窒化珪素質焼結体から成る表1に示す大きさの窒化珪素基板の両主面に、活性金属層となるチタンTiを含むAg-Cu合金のペーストをスクリーン印刷で塗布し、このペースト上に結合層となる無酸素銅からなる銅箔を積層した。次に、850°Cで加熱溶融して、活性金属層および無酸素銅からなる結合層を形成した。そして、結合層の銅板と接する面をラップ盤を用いて算術平均高さRa0.050μm以下まで研磨した後、水素雰囲気中にて加熱し、圧力30MPaで結合層と接合する面が平坦な銅板を配置し、接合することにより放熱基板である試料No.1~18を作製した。なお、銅板の個数、配置状態、体積、硬度、厚みは、それぞれ表1~表4に示すものである。参考例1ここでは、銅板をそれぞれ表1に示す如く行列状に配置して接合することにより放熱基板である試料No.1~3を作製した。次に、JISB0601-2001に準拠して触針式の表面粗さ計を用い、窒化珪素基板のB方向の最大高さRmaxを測定し、この測定値を反りとして表1に示した。なお、B方向の測定長さ、C方向の測定長さ、カットオフ値、触針先端半径、触針の走査速度はそれぞれ45mm,45mm,0.8mm,2μm,0.5mm/秒とした。表1からわかるように、2行×2列の複数の行列状に配置した試料No.2は、窒化珪素基板の主面形状が試料No1,3の前記形状に比べ、より正方形に近い長方形であったため、両主面の銅板ともB方向における反りを小さくすることができた。一方、複数の行列状に配置していない試料No.1,3は、窒化珪素基板の主面の形状がB方向に特に長い長方形であり、しかも両銅板とも1列の配置であるため、B方向における反りが大きかった。参考例2ここでは、両主面の銅板をそれぞれ表2に示す行列状に配置して接合することにより放熱基板である試料No.4,5を作製した。次に、JISB0601-2001に準拠して触針式の表面粗さ計を用い、窒化珪素基板のB方向およびC方向の最大高さRmaxを測定し、この測定値を反りとして表2に示した。なお、B方向の測定長さ、C方向の測定長さ、カットオフ値、触針先端半径、触針の走査速度はそれぞれ70mm,45mm,0.8mm,2μm,0.5mm/秒とした。表2からわかるように、両主面の銅板は複数の奇数行、複数の奇数列状に配置された試料No.5は、銅板が複数の奇数行、複数の偶数列状に配置された試料No.4に比べ、C方向における反りを20μm小さくできることがわかった。ここでは、両主面に銅板を3行×2列の複数の行列状に配置して放熱基板である試料No.6~12を作製した。この試料No.6~12は図1に示す放熱基板と同様な形態であり、各銅板は両主面に対峙する位置に配置したため、銅板の体積は単位個数当たりの体積にて測定し、表3に示す通りとした。次に、JISB0601-2001に準拠して触針式の表面粗さ計を用い、窒化珪素基板2のB方向およびC方向の最大高さRmaxを測定し、この測定値を反りとして表3に示した。なお、B方向の測定長さ、C方向の測定長さ、カットオフ値、触針先端半径、触針の走査速度はそれぞれ60mm,40mm,0.8mm,2μm,0.5mm/秒とした。表3からわかるように、一方主面の銅板が他方主面の銅板より単位個数当たりの体積が大きい試料No.9~12は、一方主面の銅板が他方主面の銅板よりその単位個数当たりの体積が小さい、また等しい試料No.6~8より、B方向、C方向とも反りが小さくできることがわかった。特に、両主面の銅板間の単位個数当たりの体積差が20mm3以上の試料No.10~12は、体積差が20mm3未満の試料No.9に比べ、B方向、C方向とも反りはより小さくできることがわかった。ここでは、両主面に銅板を3行×2列の複数の行列状に配置して接合することにより放熱基板である試料No.13~18を作製した。この試料No.13~18は図1に示す放熱基板と同様な形態であり、各銅板のビッカース硬度は表4に示す通りとした。ここで、銅板の各硬度は、JISZ2244-2003に準拠し、試験荷重を196mNミリニュートンとしたときの値である。次に、JISB0601-2001に準拠して触針式の表面粗さ計を用い、窒化珪素基板2のB方向およびC方向の最大高さRmaxを測定し、この測定値を反りとして表4に示した。なお、B方向の測定長さ、C方向の測定長さ、カットオフ値、触針先端半径、触針の走査速度はそれぞれ60mm,40mm,0.8mm,2μm,0.5mm/秒とした。表4からわかるように、一方主面の銅板が他方主面の銅板よりその硬度が高い試料No.16~18は、一方主面の銅板が他方主面の銅板よりその硬度が低い、または等しい試料No.13~15より、B方向、C方向とも反りは小さくできることがわかった。特に、両主面の銅板間の硬度差が0.2GPa以上の試料No.17,18は、硬度差が0.2GPa未満の試料No.16に比べ、B方向、C方向とも反りはより小さくできることかわかった。"