"金属部材にプレス加工による複数の凹部が形成されるとともに、その凹部の周縁部に、前記金属部材の表面が盛り上がってなる隆起部が前記凹部を囲むように形成され、前記凹部に一部嵌合したフィン材がろう付けされてなり、前記金属部材と前記フィン材との間のフィレット部が、前記隆起部を含んで形成されていることを特徴とするヒートシンク。前記フィン材は、その表面の少なくとも一部が、前記金属部材よりも腐食電位の低い材料で形成されていることを特徴とする請求項1記載のヒートシンク。請求項1又は2に記載のヒートシンクと、セラミックス基板を有するパワーモジュール用基板とが接合されていることを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板。芯材の表面にろう材が貼り合わされた金属部材に、プレス加工によって複数の凹部を形成するとともに、その凹部の加工により前記凹部の周縁部に、前記金属部材の表面が盛り上がってなる隆起部を前記凹部を囲むように形成した後、前記フィン材を前記凹部に一部嵌合させた状態で加圧しつつ加熱することにより、前記金属材料と前記フィン材とをろう付けすることを特徴とするヒートシンクの製造方法。芯材の表面にろう材が貼り合わされた金属部材に、プレス加工によって複数の凹部を形成するとともに、その凹部の加工により前記凹部の周縁部に、前記金属部材の表面が盛り上がってなる隆起部を前記凹部を囲むように形成した後、前記フィン材を前記凹部に一部嵌合させ、前記金属部材にセラミックス基板を有するパワーモジュール用基板をろう材を介して積層した状態で厚さ方向に加圧しつつ加熱することにより、前記金属部材と前記フィン材とをろう付けし、かつ前記金属部材を前記パワーモジュール用基板に接合することを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。しかしながら、特許文献2及び特許文献3記載のヒートシンクにおいては、金属部材に形成した凹部に放熱フィンの端部をかしめて機械的に固定しているので、かしめ部分の密着性が悪く、熱抵抗が大きくなって、冷却性能が低くなり易い。また、かしめ部分の隙間に腐食が生じた場合には、金属部材に孔が開いて冷却液がヒートシンクから漏れ出る等の問題がある。また、特許文献4記載のヒートシンクにおいては、伝熱基板と扁平コイルフィン部材間でのフィレット部が、さらなる熱抵抗の低減化という点で課題があった。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、設計自由度が高く、簡単に製造できるとともに、冷却性能を向上させることができるヒートシンク、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を備えたパワーモジュール及び作業性に優れたヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。本発明のヒートシンクは、金属部材にプレス加工による複数の凹部が形成されるとともに、その凹部の周縁部に、前記金属部材の表面が盛り上がってなる隆起部が前記凹部を囲むように形成され、前記凹部に一部嵌合したフィン材がろう付けされてなり、前記金属部材と前記フィン材との間のフィレット部が、前記隆起部を含んで形成されていることを特徴とする。これにより、金属部材とフィン材とがろう材によって隙間なく接合されるとともに、金属部材とフィン材との間のフィレット部が、金属部材の隆起部により接合部を長く形成することができるので、金属部材とフィン材との間の熱抵抗を小さくして、ヒートシンクの冷却効率を向上させることができる。また、本発明のヒートシンクにおいて、前記フィン材は、その表面の少なくとも一部が、前記金属部材よりも腐食電位の低い材料で形成されているとよい。フィン材の表面を金属部材よりも腐食電位の低い材料で形成することにより、フィン材を構成する腐食電位の低い材料部分が犠牲的に腐食して、金属部材の腐食を抑制することができる。金属部材よりも先にフィン材が腐食することにより、金属部材の孔食を防止して冷却液のパワーモジュール用基板側への漏洩を防ぐことができる。また、本発明のヒートシンク付パワーモジュール用基板は、前述のヒートシンクと、セラミックス基板を有するパワーモジュール用基板とが接合されていることを特徴とする。さらに、本発明のヒートシンクの製造方法は、芯材の表面にろう材が貼り合わされた金属部材に、プレス加工によって複数の凹部を形成するとともに、その凹部の加工により、前記凹部の周縁部に、前記金属部材の表面が盛り上がってなる隆起部が前記凹部を囲むように形成した後、前記フィン材を前記凹部に一部嵌合させた状態で加圧しつつ加熱することにより、前記金属材料と前記フィン材とをろう付けすることを特徴とする。プレス加工により金属部材に凹部を形成すると、材料が流動して凹部の周縁部に隆起部が形成される。金属部材にはろう材が貼り合わされているので、凹部の底面にも、ろう材が配置される。この凹部にフィン材を一部嵌合させて加圧、加熱すると、凹部底面とフィン材との間に介在する溶融したろう材が押し出されて、凹部とフィン材との隙間に流れるとともに、金属部材表面のろう材も表面張力によって引き込まれて、その隙間に充填される。さらに、凹部の隆起部に案内されて、金属部材とフィン材との接合部でろう材がフィン材の表面に立ち上がり、フィレット部を形成することができる。また、プレス加工による金属部材への凹部の成形においては、パワーモジュール用基板の直下に配置される部分のみに凹部を形成することができ、フィン材配置の設計自由度が高いうえに、このようなヒートシンクを簡単に製造することができる。また、本発明のヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法は、芯材の表面にろう材が貼り合わされた金属部材に、プレス加工によって複数の凹部を形成するとともに、その凹部の加工により前記凹部の周縁部に、前記金属部材の表面が盛り上がってなる隆起部を前記凹部を囲むように形成した後、前記フィン材を前記凹部に一部嵌合させ、前記金属部材にセラミックス基板を有するパワーモジュール用基板をろう材を介して積層した状態で厚さ方向に加圧しつつ加熱することにより、前記金属部材と前記フィン材とをろう付けし、かつ前記金属部材を前記パワーモジュール用基板に接合することを特徴とする。この場合、ヒートシンクを構成する金属部材とフィン材とのろう付け時に、金属部材とパワーモジュール用基板とを同時に接合することができるので、一度の加熱でヒートシンク付きパワーモジュール用基板を製造することが可能であり、作業効率に優れる。本発明によれば、金属部材とフィン材とを隙間なく、かつフィレット部の長い接合部によって接合することができるので、冷却性能を向上させることができる。以下、本発明の一実施形態を、図面を参照しながら説明する。図1は、この発明により製造されるパワーモジュール1を示している。この図1のパワーモジュール1は、セラミックス等からなるセラミックス基板2を有するパワーモジュール用基板3と、このパワーモジュール用基板3の表面に搭載された半導体チップ等の電子部品4と、パワーモジュール用基板3に接合されたヒートシンク5とから構成される。パワーモジュール用基板3は、セラミックス基板2の両面に金属層6,7が積層されており、その一方の金属層6が回路層となり、その表面に電子部品4が接合される。また、他方の金属層7は放熱層とされ、その表面にヒートシンク5が取り付けられる。セラミックス基板2は、例えば、AlN窒化アルミニウム、Si3N4窒化珪素等の窒化物系セラミックス、もしくはAl2O3アルミナ等の酸化物系セラミックスにより形成される。両金属層6,7は、いずれも純度99.90質量以上のアルミニウムが用いられ、JIS規格では、1N90純度99.90質量以上:いわゆる3Nアルミニウム又は1N99純度99.99質量以上:いわゆる4Nアルミニウムを用いることができる。セラミックス基板2及び両金属層6,7の平面状の大きさや厚さについての個々の寸法は特に限定されるものではないが、両金属層6,7の一辺が約250mmの略正方形に形成され、セラミックス基板2は、両金属層6,7より若干大きい矩形に形成される。また、セラミックス基板2の厚さは例えば635μm、両金属層6,7の厚さは600μmとされる。また、両金属層6,7は、それぞれプレス加工により所望の外形に打ち抜いたものをセラミックス基板2に接合するか、あるいは、平板状のものをセラミックス基板2に接合した後に、エッチング加工により所望の外形に形成するか、いずれの方法も採用することができる。また、セラミックス基板2と回路層及び放熱層となる金属層6,7とは、Al-Si系、Al-Ge系、Al-Cu系、Al-Mg系またはAl-Mn系等のろう材によりろう付けされている。なお、金属層6と電子部品4との接合には、Sn-Cu系,Sn-Ag系,Sn-Ag-Cu系,Zn-Al系もしくはPb-Sn系等のはんだ材が用いられる。図中符号8がそのはんだ接合層を示す。また、電子部品4と金属層6の端子部との間は、アルミニウム等からなるボンディングワイヤ図示略により接続される。一方、ヒートシンク5は、金属部材50に複数のフィン材55を固着して形成される。金属部材50は、フィン材55を接合する前の状態では、図3に示すように、アルミニウム板の芯材51の両面にろう材52を貼り合わせて形成されたクラッド材であり、芯材51は純度99質量いわゆる2Nアルミニウム以下のアルミニウムにより形成され、例えば、JIS規格における3000系合金のアルミニウムが使用される。また、ろう材52は、Al-Si系、Al-Si-Mg系等が使用される。芯材51の厚さは例えば900μm、両面のろう材52の厚さは50μmとされ、金属部材50は厚さ1mmに形成されている。また、この金属部材50の片面には、図3に示すように、フィン材55が固着される複数の凹部53がプレス加工により形成されており、その凹部53の周縁部には、プレス時に材料が流動することにより表面が盛り上がって形成される隆起部54が、凹部53を囲むように形成されている。ここで、当該隆起部54の高さは、フィレット部によるフィン材55と金属部材50の接合部を長く形成するために50μm以上が望ましく、また、ろう材が隆起部54を確実に這い上がるために150μm以下が望ましい。フィン材55は、金属部材50の凹部55に嵌合するピン状に形成されており、例えばワイヤ部材を一定の長さに切断することにより、直径1mm、高さ8~10mmに形成され、金属部材50の表面に3mm程度のピッチで垂直に固着されている。また、このフィン材55は、その表面の少なくとも一部が、金属部材50芯材51よりも腐食電位の低い材料で形成される。図1から図4に示す例では、フィン材55の全体が金属部材50より腐食電位が低い材料として、純度99質量以下のアルミニウムである7000系合金によって形成されている。また、この他に3000系合金のアルミニウムからなる金属部材50に対し、金属部材50より腐食電位が低い材料として、フィン材の少なくとも一部の表面を4000系合金のアルミニウムで形成することができる。次に、このように構成したヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法について説明する。まず、図3aに示すように、アルミニウム板の芯材51の両面にろう材52を貼り合わせて形成されたクラッド材を用意する。このクラッド材にプレス加工により、パンチ9を押圧して複数の凹部53を形成する。図3bに示すように、プレス加工により形成されるこれらの凹部53の周縁部には、プレス加工時に隆起部54が形成される。なお、確実に隆起部54を形成するために、凹部53に対応した凸部及びその凸部の周縁部に隆起部54に対応した凹部が形成された上型を用いてコイニング加工を施すことが望ましい。ここで、ろう材52は、金属部材50の表面だけでなく、凹部53の底面にも配置された状態となっている。次に、このようにして金属部材50の片面に設けられた各凹部53に、図4に示すように、フラックス56を塗布したフィン材55を一部嵌合させた状態とするとともに、金属部材50の反対面に、予めセラミックス基板2の両面に金属層を接合したパワーモジュール用基板3を積層状態に保持する。この保持状態で、これらを厚さ方向に0.5×105~5×105Paで加圧しつつ、例えば真空中で610°Cのろう付け温度で数分間加熱することにより、金属部材50と各フィン材55とがろう付けされるとともに、金属部材50とパワーモジュール用基板3の金属層7とがろう付けされる。この場合、凹部53にフィン材55を一部嵌合させて加圧、加熱することにより、凹部53の底面とフィン材55との間に介在する溶融したろう材52が押し出されて、凹部53とフィン材55との隙間に流れるとともに、金属部材50の表面のろう材52も表面張力によって引き込まれて、その隙間に充填される。さらに、凹部53の隆起部54に案内されて、金属部材50とフィン材55との接合部でろう材52がフィン材55の表面に立ち上がり、図2に示すようなフィレット部57が形成される。これにより、金属部材50とフィン材55とがろう材52によって隙間なく接合されるとともに、金属部材50とフィン材55との間のフィレット部57によって、その接合部を長く形成することができるので、金属部材50とフィン材55との間の熱抵抗を小さくして、ヒートシンク5の冷却効率を向上させることができる。また、ヒートシンク5を構成する金属部材50とフィン材55とのろう付けと同時に、金属部材50とパワーモジュール用基板3を構成する金属層7とを同時に接合することができるので、一度の加熱でヒートシンク付きパワーモジュール用基板を製造することが可能であり、作業効率に優れる。具体的には、芯材51にろう材52がクラッドされた金属部材50の一方の表面にプレス加工によって凹部53を形成し、その凹部53にフィン材55を嵌合する。次に、他の表面に金属層7、Al-Siろう箔図示略、セラミックス基板2、Al-Siろう箔図示略、金属層6を順次積層し、この積層体を厚さ方向に0.5×105~5×105Paで加圧しながら真空中で600~650°Cで約1時間加熱することにより、同時に接合した。また、上記のヒートシンク5においては、フィン材55は、金属部材50よりも腐食電位の低い材料で形成されていることから、フィン材55を構成する腐食電位の低い材料部分が犠牲的に腐食して、金属部材50の腐食を抑制することができるとともに、金属部材50よりも先にフィン材55が腐食することにより、金属部材50の孔食を防止して冷却液のパワーモジュール用基板3側への漏洩を防ぐことができる。なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、フィン材は金属部品の全面に設けてもよいが、パワーモジュール用基板の金属部材の直下に配置される部分のみに設けてもよい。また、上記実施形態では、金属部品は、芯材の両面にろう材を貼り合わせたクラッド材としていたが、凹部が形成される片面側だけにろう材を貼り合わせたクラッド材を用いてもよく、その場合は、金属部材とパワーモジュール用基板との間にろう材箔を介して接合すればよい。さらに、フィン材の形状はピン状棒状に限定されることはなく、板状の形状にも対応可能である。その場合、図5に示すように、フィン材70を、金属部材51と同じ材料の芯材71例えば、3000系合金のアルミニウムと、芯材71よりも腐食電位の低い被覆材72例えば、7000系合金のアルミニウムとのクラッド材により、角柱状又は板状に構成してもよいし、図6に示すように、フィン材80の先端部のみ腐食電位の低い被覆材82で形成する構成としてもよい。また、パワーモジュール用基板を構成するセラミックス基板と金属層との接合は、ろう付けに限らず、拡散接合等によるものであってもよい。そして、上記の実施形態においては、予めセラミックス基板を有するパワーモジュール用基板及びヒートシンクを別々に形成してから、それぞれを接合していたが、セラミックス基板に金属層を積層した積層体と、その放熱層にヒートシンクを構成する金属部材を積層し、一度の加熱でヒートシンク付パワーモジュール用基板を製造する構成としてもよい。また、上記実施形態では、パワーモジュール用基板は、セラミックス基板の両面に金属層が積層された構成として説明し、その金属層のうちの放熱層にヒートシンクを取り付ける構成としていたが、放熱層を設けずにセラミックス基板の裏面とヒートシンクとを直接接合してもよい。"