筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部と、該発熱部に対して円筒空間を形成する様に設けられた断熱部と、前記発熱部を囲繞する様に前記断熱部の上方側に設けられ、前記円筒空間に接続された冷却ガス導入部と、前記冷却ガス導入部の略中央部から直径方向に向けて前記冷却ガス導入部と略同じ高さに設けられた冷却ガス排出部と、を有する基板処理装置。前記冷却ガス導入部に冷却ガスを導入する冷却ガス導入口をさらに有し、前記冷却ガス排出部は、前記冷却ガス導入部に導入された冷却ガスを外部へ排出させる冷却ガス排出口を有し、前記冷却ガス導入口と前記冷却ガス排出口は、前記発熱部の上方であって発熱領域外に設けられる請求項1記載の基板処理装置。筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部と、該発熱部に対して円筒空間を形成する様に設けられた断熱部と、前記発熱部と前記断熱部の上方に設けられた天板部と、前記発熱部を囲繞する様に前記断熱部の上方側に設けられ、前記円筒空間に接続された冷却ガス導入部と、前記冷却ガス導入部の略中央部から直径方向に向けて前記冷却ガス導入部と略同じ高さに設けられた冷却ガス排出部と、前記冷却ガス導入部に冷却ガスを導入する冷却ガス導入口と、前記冷却ガス導入部に導入された冷却ガスを外部へ排出させる冷却ガス排出口と、を有し、前記冷却ガス導入口と前記冷却ガス排出口は前記天板部に設けられる基板処理装置。筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部と、該発熱部に対して円筒空間を形成する様に設けられた断熱部と、前記発熱部を囲繞する様に前記断熱部の上方側に設けられ、前記円筒空間に接続された冷却ガス導入部と、前記冷却ガス導入部の略中央部から直径方向に向けて前記冷却ガス導入部と略同じ高さに設けられた冷却ガス排出部と、を有し、前記発熱部により加熱して基板を処理する半導体装置の製造方法。筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部により基板を熱処理する工程と、前記発熱部に対して円筒空間を形成する様に断熱部が設けられ、前記発熱部を囲繞する様に前記断熱部の上方側に設けられ、前記円筒空間に接続された冷却ガス導入部に冷却ガスが導入される工程と、前記円筒空間に導入された冷却ガスが、前記冷却ガス導入部の略中央部から直径方向に向けて該冷却ガス導入部と略同じ高さの冷却ガス排出部から排出される工程と、を有する半導体装置の製造方法。前記冷却ガス導入部に冷却ガスが導入される工程では、前記発熱部の上方であって発熱領域外に設けられた冷却ガス導入口から該冷却ガス導入部に冷却ガスが導入され、前記冷却ガス排出部から冷却ガスが排出される工程では、前記発熱部の上方であって発熱領域外に設けられ、前記冷却ガス導入口と略同じ高さに設けられた冷却ガス排出口を介して冷却ガスが排出される、請求項5記載の半導体装置の製造方法。筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部により基板を熱処理する工程と、前記発熱部に対して円筒空間を形成する様に断熱部が設けられ、前記発熱部を囲繞する様に前記断熱部の上方側に設けられ、前記円筒空間に接続された冷却ガス導入部に、前記発熱部と前記断熱部の上方に設けられた天板部に設けられた冷却ガス導入口から冷却ガスが導入される工程と、前記円筒空間に導入された冷却ガスが、前記冷却ガス導入部の略中央部から直径方向に向けて前記冷却ガス導入口と略同じ高さの前記天板部に設けられた冷却ガス排出口から排出される工程と、を有する半導体装置の製造方法。筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部と、該発熱部に対して円筒空間を形成する様に設けられた断熱部と、前記発熱部を囲繞する様に前記断熱部の上方側に設けられ、前記円筒空間に接続された冷却ガス導入部と、前記冷却ガス導入部の略中央部から直径方向に向けて前記冷却ガス導入部と略同じ高さに設けられた冷却ガス排出部と、を有する加熱装置。前記冷却ガス導入部に冷却ガスを導入する冷却ガス導入口をさらに有し、前記冷却ガス排出部は、前記冷却ガス導入部に導入された冷却ガスを外部へ排出させる冷却ガス排出口を有し、前記冷却ガス導入口と前記冷却ガス排出口は、前記発熱部の上方であって発熱領域外に設けられる請求項8記載の加熱装置。筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部と、該発熱部に対して円筒空間を形成する様に設けられた断熱部と、前記発熱部と前記断熱部の上方に設けられた天板部と、前記発熱部を囲繞する様に前記断熱部の上方側に設けられ、前記円筒空間に接続された冷却ガス導入部と、前記冷却ガス導入部の略中央部から直径方向に向けて前記冷却ガス導入部と略同じ高さに設けられた冷却ガス排出部と、前記冷却ガス導入部に冷却ガスを導入する冷却ガス導入口と、前記冷却ガス導入部に導入された冷却ガスを外部へ排出させる冷却ガス排出口と、を有し、前記冷却ガス導入口と前記冷却ガス排出口は前記天板部に設けられる加熱装置。しかしながら、上述の基板処理装置では、加熱装置である発熱部背面側からの放熱が多い。特に、発熱部下部は炉口部からの放熱が多いため負荷が大きいので、さらに大きな負荷をかけることとなり、加熱装置の寿命を短くしてしまうといった問題があった。また、スループットの向上のため、炉内温度を迅速に低下させることの要請がある。本発明の目的は、装置の小型化を図りつつ加熱装置の寿命を長くし、炉内温度を迅速に低下させてスループットを向上させることができる基板処理装置、半導体装置の製造方法及び加熱装置を提供することにある。本発明の一態様によれば、筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部と、該発熱部に対して円筒空間を形成する様に設けられた断熱部と、前記発熱部を囲繞する様に前記断熱部の上方側に設けられ、前記円筒空間に接続された冷却ガス導入部と、前記冷却ガス導入部の略中央部から直径方向に向けて前記冷却ガス導入部と略同じ高さに設けられた冷却ガス排出部と、を有する基板処理装置が提供される。本発明の他の態様によれば、筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部と、該発熱部に対して円筒空間を形成する様に設けられた断熱部と、前記発熱部と前記断熱部の上方に設けられた天板部と、前記発熱部を囲繞する様に前記断熱部の上方側に設けられ、前記円筒空間に接続された冷却ガス導入部と、前記冷却ガス導入部の略中央部から直径方向に向けて前記冷却ガス導入部と略同じ高さに設けられた冷却ガス排出部と、前記冷却ガス導入部に冷却ガスを導入する冷却ガス導入口と、前記冷却ガス導入部に導入された冷却ガスを外部へ排出させる冷却ガス排出口と、を有し、前記冷却ガス導入口と前記冷却ガス排出口は前記天板部に設けられる基板処理装置が提供される。本発明の他の態様によれば、筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部と、該発熱部に対して円筒空間を形成する様に設けられた断熱部と、前記発熱部を囲繞する様に前記断熱部の上方側に設けられ、前記円筒空間に接続された冷却ガス導入部と、前記冷却ガス導入部の略中央部から直径方向に向けて前記冷却ガス導入部と略同じ高さに設けられた冷却ガス排出部と、を有し、前記発熱部により加熱して基板を処理する半導体装置の製造方法が提供される。本発明の他の態様によれば、筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部により基板を熱処理する工程と、前記発熱部に対して円筒空間を形成する様に断熱部が設けられ、前記発熱部を囲繞する様に前記断熱部の上方側に設けられ、前記円筒空間に接続された冷却ガス導入部に冷却ガスが導入される工程と、前記円筒空間に導入された冷却ガスが、前記冷却ガス導入部の略中央部から直径方向に向けて該冷却ガス導入部と略同じ高さの冷却ガス排出部から排出される工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。本発明の他の態様によれば、筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部により基板を熱処理する工程と、前記発熱部に対して円筒空間を形成する様に断熱部が設けられ、前記発熱部を囲繞する様に前記断熱部の上方側に設けられ、前記円筒空間に接続された冷却ガス導入部に、前記発熱部と前記断熱部の上方に設けられた天板部に設けられた冷却ガス導入口から冷却ガスが導入される工程と、前記円筒空間に導入された冷却ガスが、前記冷却ガス導入部の略中央部から直径方向に向けて前記冷却ガス導入口と略同じ高さの前記天板部に設けられた冷却ガス排出口から排出される工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。本発明の他の態様によれば、筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部と、該発熱部に対して円筒空間を形成する様に設けられた断熱部と、前記発熱部を囲繞する様に前記断熱部の上方側に設けられ、前記円筒空間に接続された冷却ガス導入部と、前記冷却ガス導入部の略中央部から直径方向に向けて前記冷却ガス導入部と略同じ高さに設けられた冷却ガス排出部と、を有する加熱装置が提供される。本発明の他の態様によれば、筒状の断熱体と該断熱体の内周面に配設された発熱線とで構成される発熱部と、該発熱部に対して円筒空間を形成する様に設けられた断熱部と、前記発熱部と前記断熱部の上方に設けられた天板部と、前記発熱部を囲繞する様に前記断熱部の上方側に設けられ、前記円筒空間に接続された冷却ガス導入部と、前記冷却ガス導入部の略中央部から直径方向に向けて前記冷却ガス導入部と略同じ高さに設けられた冷却ガス排出部と、前記冷却ガス導入部に冷却ガスを導入する冷却ガス導入口と、前記冷却ガス導入部に導入された冷却ガスを外部へ排出させる冷却ガス排出口と、を有し、前記冷却ガス導入口と前記冷却ガス排出口は前記天板部に設けられる加熱装置が提供される。本発明によれば、装置の小型化を図りつつ加熱装置の寿命を長くし、炉内温度を迅速に低下させてスループットを向上させることができる基板処理装置、半導体装置の製造方法及び加熱装置を提供することができる。本発明の実施形態に係る基板処理装置10を図面を参照して説明する。本実施形態に係る基板処理装置10は、図1に示すように、円筒状の加熱装置12と、加熱装置12の内部に炉内空間14をもって収容された円筒状の均熱管16と、均熱管16の内部に隙間をもって収容された円筒状の反応管18と、反応管18内に処理対象の基板20を保持するボート22とを備えている。ボート22は基板20を水平状態で隙間をもって多段に装填でき、この状態で複数枚の基板20を反応管18内で保持する。ボート22はボートキャップ24を介して図外のエレベータ上に載置されており、このエレベータにより昇降可能となっている。したがって、基板20の反応管18内への装填および反応管18からの取り出しはエレベータの作動により行われる。また、反応管18は基板20を収容する反応室を形成しており、反応管18にはガス導入管26が連通され、ガス導入管26には図外の反応ガス供給源が接続されている。また、反応管18の下端部には排気管28が接続されており、反応室内の排気を行っている。加熱装置12は、発熱部30、断熱部32及び天板部34から構成され、発熱部30の外側に円筒空間33をもって断熱部32が同心円上に配設され、それらの上端の開口が天板部34で塞がれている。発熱部30は、筒状の断熱体36と該内周面に配設された発熱線38から構成されている。また、発熱部30には、ガス吹出し孔35が所要の分布で多数形成され、円筒空間33と炉内空間14とを略水平に連通している。すなわち、発熱部30の内側が発熱領域となっている。天板部34は、下層側断熱板44と上層側断熱板46とを重ね合わせた構造となっている。発熱部30の上端に当接して設けられる下層側断熱板44には円形の通孔48が形成されており、この通孔48は下層側断熱板44の中央すなわち、加熱装置12の中心軸上に位置している。また、下層側断熱板44の上に重ねて設けられる上層側断熱板46には溝50が形成されており、この溝50は通孔48に対応する上層側断熱板46の中央位置から直径方向に側面まで略水平に連続し、溝50の端で上層側断熱板46の側面を切り欠き、冷却ガス排出口51が形成されている。冷却ガス導入部40は、下層側断熱板44の外周から上層側断熱板46の外周を連通して、発熱部30の上部を囲繞する様に断熱部32の上方の天板部34に設けられている。冷却ガス導入部40には、冷却ガス導入口47が例えば2つ接続され、この冷却ガス導入口47から冷却ガスが導入される。冷却ガス導入部40の下面には、所要の間隔で導通口42が設けられ、さらに導通口42から円周方向に所定の間隔で導通孔43が設けられている。導通孔43は、下端が円筒空間33に開口するように下方に向かって中心側に形成している。すなわち、冷却ガス導入部40の内周面が、円筒空間33の内周面より外側に設けられている。このように導通孔43を設けることで、冷却ガス導入部40からの冷却ガスを円筒空間33に円滑に導くことができる。したがって、冷却ガス導入口47から導入された冷却ガスは、冷却ガス導入部40、導通口42、導通孔43、円筒空間33、ガス吹出し孔35、炉内空間14、通孔48、溝50を介して冷却ガス導入口47と略同じ高さに配置された冷却ガス排出口51から排出される。冷却ガス排出部52は、上述の通孔48、溝50及び冷却ガス排出口51により構成される。この冷却ガス排出部52は、前記冷却ガス導入部40の略中央部から直径方向に向けて冷却ガス導入部40と略同じ高さに配置されている。冷却ガス排出口51には、開閉可能なダンパー54を備えた放熱管56が接続され、さらにラジエータ58及び冷却ファン60が接続されており、これら放熱管56、ラジエータ58及び冷却ファン60を通して加熱装置12内の熱せられた冷却ガスが排出される。ここで、冷却ガス導入口47と冷却ガス排出口51は、発熱部30と断熱部32の上方であって発熱領域外に配置されている。また、冷却ガス導入口47と冷却ガス排出口51は、天板部34に設けられている。反応管18に装入した基板20への薄膜の形成は、加熱装置12の発熱部30を発熱させて均熱管16を介して反応管18を加熱し、反応ガス供給管26を介して反応管18内に反応ガスを導入するとともに、排気管28を介して反応管18内を排気して、基板20の表面に薄膜を生成させることにより行われる。上記の成膜処理が終了すると、排気管28からの排気を続行した状態で加熱装置12による加熱を停止し、反応管18内の熱せられた雰囲気を外部へ排出することにより、反応管18内の温度を低下させる。更にこれと同時に、ダンパー54を開けるとともに冷却ファン60を作動させて、冷却ガスが、冷却ガス導入部40に供給され、導通口42、導通孔43を経て円筒空間33に導入される。そして、円筒空間33を冷却ガスは下降し、ガス吹出し孔35を介して炉内空間14に流入し、この炉内空間14に流入した冷却ガスは、上昇して、冷却ガス排出部52から排出され、発熱部30を外面、内面の両側から冷却する。すなわち、加熱装置12内の熱せられた冷却ガスを冷却ガス排出部52を介して外部へ放出して、加熱装置12内の温度も低下させ、これによっても、反応管18内の温度を低下させる。そして、反応管18内の温度を所定の温度まで低下させた後に、エレベータを作動させてボート22を反応管18から引き出し、成膜された基板20を反応管18から取り出す。次に、比較例に係る基板処理装置について説明する。比較例1図4には第1の比較例に係る基板処理装置62が示されている。なお、以下、前述の実施例と同一部分には同一符号を付して重複する説明は省略する。第1の比較例に係る基板処理装置62は、冷却ガス導入部40が加熱装置12の下部に設けられている。また、加熱装置12の内部に円筒空間33が設けられていない。すなわち、成膜処理が終了すると、ダンパー54を開けるとともに冷却ファン60を作動させて、冷却ガスが、加熱装置12の下部に設けられた冷却ガス導入部40から供給され、加熱装置12と均熱管16の間の炉内空間14を上昇して、内部の熱せられた空気を冷却ガス排出部52から炉外へ放出して、加熱装置12内の温度を低下させて、反応管18内の温度を低下させる。上述の第1の比較例に係る基板処理装置62では、加熱装置12の下部に冷却ガス導入部40を設けるので、冷却ガス導入部40の分、装置本体の高さが高くなってしまう。また、円筒空間33を有さず、発熱部30の片側である炉内空間14にのみ冷却ガスの流路を形成して冷却する。比較例2図5には第2の比較例に係る基板処理装置70が示されている。第2の比較例に係る基板処理装置70は、冷却ガス導入部40が加熱装置12の下方側面に設けられている。すなわち、成膜処理が終了すると、ダンパー54を開けるとともに冷却ファン60を作動させて、冷却ガスが、加熱装置12の下方側面に設けられた冷却ガス導入部40から供給され、円筒空間33、ガス吹出し孔35を介して炉内空間14を上昇して、内部の熱せられた空気を冷却ガス排出部52から炉外へ放出して、加熱装置12内の温度を低下させて、反応管18内の温度を低下させる。上述の第2の比較例に係る基板処理装置70では、高さ方向の延長はなくなるが、加熱装置12側面の発熱部30の背面側からの放熱が大きくなる。特に、下方においては元々炉口部からの放熱が多く負荷が大きいので、さらに加熱装置に多くの負荷をかけることとなり、加熱装置の寿命を短くしてしまう。比較例3図6には第3の比較例に係る基板処理装置80が示されている。第3の比較例に係る基板処理装置80は、冷却ガス導入部40が加熱装置12の上方側面に設けられている。すなわち、成膜処理が終了すると、ダンパー54を開けるとともに冷却ファン60を作動させて、冷却ガスが、加熱装置12の上方側面に設けられた冷却ガス導入部40から供給され、円筒空間33、ガス吹出し孔35を介して炉内空間14を上昇して、内部の熱せられた空気を冷却ガス排出部52から炉外へ放出して、加熱装置12内の温度を低下させて、反応管18内の温度を低下させる。上述の第3の比較例に係る基板処理装置80では、加熱装置12の上方側面に冷却ガス導入部40を設けるので、加熱装置の横方向の寸法が大きくなり、これに合わせて加熱装置12を収納する装置本体の外形寸法も大きくなってしまう。したがって、本実施形態に係る基板処理装置10によれば、冷却ガス排出部52からの排気による冷却に際して、冷却ガス導入部40を加熱装置12の上方に配置し、発熱部30を囲繞する様に断熱部の上方に設けて円筒空間33へ接続し、冷却ガス排出部52を冷却ガス導入部の略中央部から直径方向に向けてと略同一高さに配置することにより、加熱装置の形状をコンパクトにすることができる。すなわち、装置本体を小型化できる。また、冷却ガス導入部40を発熱部30の背面に配置していないため、放熱量が少なくなる。これにより、炉内は均一且つ効率的に冷却され、反応管18の温度が迅速に低下し、基板20の温度が反応炉から取り出し得る所定温度まで迅速に低下させ、スループットを向上させることができる。さらに、加熱装置の寿命延長が期待できる。なお、上記した各実施例では均熱管16を備えた基板処理装置を示したが、本発明は均熱管16を有しない基板処理装置に適用してもよく、上記した実施例と同様な効果を得ることができる。また、上記した実施例では円筒状の加熱装置12を示したが、本発明では、これに限らず、種々な断面形状の筒型ヒータに適用することができる。また、下層側断熱板44及び上層側断熱板46の形状も、円板状に限られず、加熱装置12の上端開口を塞げるように、加熱装置12の断面形状に応じて種々に設定される。また、本発明は冷却ガス導入部40に、該冷却ガス導入部40と前記円筒空間33とを連通させる導通孔43を円周方向に所定間隔で設ける構成を示したが、これに限らず、導通孔43を設けず、冷却ガス導入部40から直接円筒空間33に連通する構成に適用することができる。また、本発明は冷却ガス導入口47を2つ設けた例を示したが、これに限らず、1つでもよい。また、本発明は、半導体製造技術、特に、被処理基板を処理室に収容して加熱装置によって加熱した状態で処理を施す熱処理技術に関し、例えば、半導体集積回路装置半導体デバイスが作り込まれる半導体ウエハに酸化処理や拡散処理、イオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフローやアニール及び熱CVD反応による成膜処理などに使用される基板処理装置に利用して有効なものに適用することができる。