"光を用いて目標領域の情報を取得する情報取得装置において、前記目標領域に所定のドットパターンでレーザ光を投射する投射光学系と、前記投射光学系に対して所定の距離だけ横方向に離れて並ぶように配置され、前記目標領域を撮像する受光光学系と、を備え、前記投射光学系は、レーザ光源と、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を回折によりドットパターンの光に変換する回折光学素子とを備え、前記受光光学系は、撮像素子と、前記目標領域からの光を前記撮像素子に集光する集光レンズとを備え、前記回折光学素子は、前記目標領域における前記ドットパターンのドットの輝度が、前記ドットパターンの中心部よりも周辺部の方が大きくなるよう構成される、ことを特徴とする情報取得装置。請求項1に記載の情報取得装置において、前記回折光学素子は、前記目標領域における前記ドットの輝度が、前記目標領域における前記ドットパターンの中心からの距離に応じて大きくなるよう構成される、ことを特徴とする情報取得装置。請求項2に記載の情報取得装置において、前記回折光学素子は、前記ドットの輝度が、前記ドットパターンの中心から放射状に離れるに従って段階的に大きくなるよう構成される、ことを特徴とする情報取得装置。請求項1ないし3の何れか一項に記載の情報取得装置において、前記回折光学素子は、さらに、前記目標領域における前記ドットパターンのドットの密度が、前記ドットパターンの中心部よりも周辺部の方が小さくなるよう構成される、ことを特徴とする情報取得装置。請求項1ないし4の何れか一項に記載の情報取得装置において、前記投射光学系は、前記レーザ光源から出射された前記レーザ光を平行光に変換するコリメータレンズをさらに備え、前記回折光学素子は、前記コリメータレンズによって平行光に変換された前記レーザ光を回折によりドットパターンの光に変換する、ことを特徴とする情報取得装置。請求項1ないし5の何れか一項に記載の投射光学系を備えた投射装置。請求項1ないし5の何れか一項に記載の情報取得装置を有する物体検出装置。上記物体検出装置では、レーザ光源から出射されたレーザ光を回折光学素子により回折させて、ドットパターンを持つレーザ光が生成される。この場合、回折光学素子は、たとえば、目標領域上のドットパターンが同じ輝度で均一に分布するよう設計される。しかしながら、回折光学素子に生じる誤差等により、目標領域上の各ドットの輝度は必ずしも均一にならずばらつきが生じる。このため、輝度の低いドットが自然光や室内灯等の光迷光に埋もれ易くなり、このようなドットの照射位置において、距離検出の精度が低下する惧れがある。本発明は、このような問題を解消するためになされたものであり、ドットパターンに輝度のばらつきが生じても、距離検出の精度が低下することを抑制可能な情報取得装置、投射装置および物体検出装置を提供することを目的とする。本発明の第1の態様は、光を用いて目標領域の情報を取得する情報取得装置に関する。この態様に係る情報取得装置は、前記目標領域に所定のドットパターンでレーザ光を投射する投射光学系と、前記投射光学系に対して所定の距離だけ横方向に離れて並ぶように配置され、前記目標領域を撮像する受光光学系と、を備える。ここで、前記投射光学系は、レーザ光源と、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を回折によりドットパターンの光に変換する回折光学素子とを備える。前記受光光学系は、撮像素子と、前記目標領域からの光を前記撮像素子に集光する集光レンズとを備える。前記回折光学素子は、前記目標領域における前記ドットパターンのドットの輝度が、前記ドットパターンの中心部よりも周辺部の方が大きくなるよう構成される。本発明の第2の態様は、投射装置に関する。この態様に係る投射装置は、上記第1の態様に係る投射光学系を備える。本発明の第3の態様は、物体検出装置に関する。この態様に係る物体検出装置は、上記第1の態様に係る情報取得装置を有する。本発明によれば、ドットパターンに輝度のばらつきが生じても、距離検出の精度が低下することを抑制可能な情報取得装置、投射装置および物体検出装置を提供することができる。本発明の特徴は、以下に示す実施の形態の説明により更に明らかとなろう。ただし、以下の実施の形態は、あくまでも、本発明の一つの実施形態であって、本発明ないし各構成要件の用語の意義は、以下の実施の形態に記載されたものに制限されるものではない。以下、本発明の実施の形態につき図面を参照して説明する。本実施の形態には、所定のドットパターンを持つレーザ光を目標領域に照射するタイプの情報取得装置が例示されている。まず、図1に本実施の形態に係る物体検出装置の概略構成を示す。図示の如く、物体検出装置は、情報取得装置1と、情報処理装置2とを備えている。テレビ3は、情報処理装置2からの信号によって制御される。なお、情報取得装置1と情報処理装置2とからなる装置が、本発明の物体検出装置に相当する。情報取得装置1は、目標領域全体に赤外光を投射し、その反射光をCMOSイメージセンサにて受光することにより、目標領域にある物体各部の距離以下、3次元距離情報というを取得する。取得された3次元距離情報は、ケーブル4を介して情報処理装置2に送られる。情報処理装置2は、たとえば、テレビ制御用のコントローラやゲーム機、パーソナルコンピュータ等である。情報処理装置2は、情報取得装置1から受信した3次元距離情報に基づき、目標領域における物体を検出し、検出結果に基づきテレビ3を制御する。たとえば、情報処理装置2は、受信した3次元距離情報に基づき人を検出するとともに、3次元距離情報の変化から、その人の動きを検出する。たとえば、情報処理装置2がテレビ制御用のコントローラである場合、情報処理装置2には、受信した3次元距離情報からその人のジェスチャを検出するとともに、ジェスチャに応じてテレビ3に制御信号を出力するアプリケーションプログラムがインストールされている。この場合、ユーザは、テレビ3を見ながら所定のジェスチャをすることにより、チャンネル切り替えやボリュームのUp/Down等、所定の機能をテレビ3に実行させることができる。また、たとえば、情報処理装置2がゲーム機である場合、情報処理装置2には、受信した3次元距離情報からその人の動きを検出するとともに、検出した動きに応じてテレビ画面上のキャラクタを動作させ、ゲームの対戦状況を変化させるアプリケーションプログラムがインストールされている。この場合、ユーザは、テレビ3を見ながら所定の動きをすることにより、自身がテレビ画面上のキャラクタとしてゲームの対戦を行う臨場感を味わうことができる。図2は、情報取得装置1と情報処理装置2の構成を示す図である。情報取得装置1は、光学部の構成として、投射光学系11と受光光学系12とを備えている。この他、情報取得装置1は、回路部の構成として、CPUCentralProcessingUnit21と、レーザ駆動回路22と、撮像信号処理回路23と、入出力回路24と、メモリ25を備えている。投射光学系11は、所定のドットパターンのレーザ光を、目標領域に照射する。受光光学系12は、目標領域から反射されたレーザ光を受光する。投射光学系11と受光光学系12の構成は、追って、図6、7を参照して説明する。CPU21は、メモリ25に格納された制御プログラムに従って各部を制御する。かかる制御プログラムによって、CPU21には、投射光学系11内のレーザ光源111後述を制御するためのレーザ制御部21aと、3次元距離情報を生成するための3次元距離演算部21bの機能が付与される。レーザ駆動回路22は、CPU21からの制御信号に応じてレーザ光源111後述を駆動する。撮像信号処理回路23は、受光光学系12内のCMOSイメージセンサ123後述を制御して、CMOSイメージセンサ123で生成された各画素の信号電荷をライン毎に順次取り込む。そして、取り込んだ信号を順次CPU21に出力する。CPU21は、撮像信号処理回路23から供給される信号撮像信号をもとに、情報取得装置1から検出対象物の各部までの距離を、3次元距離演算部21bによる処理によって算出する。入出力回路24は、情報処理装置2とのデータ通信を制御する。情報処理装置2は、CPU31と、入出力回路32と、メモリ33を備えている。なお、情報処理装置2には、同図に示す構成の他、テレビ3との通信を行うための構成や、CD-ROM等の外部メモリに格納された情報を読み取ってメモリ33にインストールするためのドライブ装置等が配されるが、便宜上、これら周辺回路の構成は図示省略されている。CPU31は、メモリ33に格納された制御プログラムアプリケーションプログラムに従って各部を制御する。かかる制御プログラムによって、CPU31には、画像中の物体を検出するための物体検出部31aの機能が付与される。かかる制御プログラムは、たとえば、図示しないドライブ装置によってCD-ROMから読み取られ、メモリ33にインストールされる。たとえば、制御プログラムがゲームプログラムである場合、物体検出部31aは、情報取得装置1から供給される3次元距離情報から画像中の人およびその動きを検出する。そして、検出された動きに応じてテレビ画面上のキャラクタを動作させるための処理が制御プログラムにより実行される。また、制御プログラムがテレビ3の機能を制御するためのプログラムである場合、物体検出部31aは、情報取得装置1から供給される3次元距離情報から画像中の人およびその動きジェスチャを検出する。そして、検出された動きジェスチャに応じて、テレビ3の機能チャンネル切り替えやボリューム調整、等を制御するための処理が制御プログラムにより実行される。入出力回路32は、情報取得装置1とのデータ通信を制御する。図3aは、目標領域に対するレーザ光の照射状態を模式的に示す図であり、図3bは、CMOSイメージセンサ123におけるレーザ光の受光状態を模式的に示す図である。なお、同図bには、便宜上、目標領域に平坦な面スクリーンが存在するときの受光状態が示されている。同図aに示すように、投射光学系11からは、ドットパターンを持ったレーザ光以下、このパターンを持つレーザ光の全体をDP光というが、目標領域に向けて照射される。同図aには、DP光の投射領域が実線の枠によって示されている。DP光の光束中には、回折光学素子による回折作用によってレーザ光の強度が高められたドット領域以下、単にドットというが、回折光学素子による回折作用によるドットパターンに従って点在している。なお、図3aでは、便宜上、DP光の光束が、マトリックス状に並ぶ複数のセグメント領域に区分されている。各セグメント領域には、ドットが固有のパターンで点在している。一つのセグメント領域におけるドットの点在パターンは、他の全てのセグメント領域におけるドットの点在パターンと相違する。これにより、各セグメント領域は、ドットの点在パターンをもって、他の全てのセグメント領域から区別可能となっている。目標領域に平坦な面スクリーンが存在すると、これにより反射されたDP光の各セグメント領域は、同図bのように、CMOSイメージセンサ123上においてマトリックス状に分布する。たとえば、同図aに示す目標領域上におけるセグメント領域S0の光は、CMOSイメージセンサ123上では、同図bに示すセグメント領域Spに入射する。なお、図3bにおいても、DP光の光束領域が実線の枠によって示され、便宜上、DP光の光束が、マトリックス状に並ぶ複数のセグメント領域に区分されている。上記3次元距離演算部21bでは、各セグメント領域がCMOSイメージセンサ123上のどの位置に入射したかの検出以下、パターンマッチングというが行われ、その受光位置から、三角測量法に基づいて、検出対象物体の各部各セグメント領域の照射位置までの距離が検出される。かかる検出手法の詳細は、たとえば、上記非特許文献1第19回日本ロボット学会学術講演会2001年9月18-20日予稿集、P1279-1280に示されている。図4は、上記距離検出に用いられる基準テンプレートの生成方法を模式的に示す図である。図4aに示すように、基準テンプレートの生成時には、投射光学系11から所定の距離Lsの位置に、Z軸方向に垂直な平坦な反射平面RSが配置される。レーザ光源111の温度は、所定の温度基準温度に維持される。この状態で、投射光学系11からDP光が所定時間Teだけ出射される。出射されたDP光は、反射平面RSによって反射され、受光光学系12のCMOSイメージセンサ123に入射する。これにより、CMOSイメージセンサ123から、画素毎の電気信号が出力される。出力された画素毎の電気信号の値画素値が、図2のメモリ25上に展開される。こうしてメモリ25上に展開された画素値に基づいて、図4bに示すように、CMOSイメージセンサ123上におけるDP光の照射領域を規定する基準パターン領域が設定される。さらに、この基準パターン領域が、縦横に区分されてセグメント領域が設定される。上記のように、各セグメント領域には、固有のパターンでドットが点在する。よって、セグメント領域の画素値のパターンは、セグメント領域毎に異なっている。なお、各セグメント領域は、他の全てのセグメント領域と同じサイズである。基準テンプレートは、このようにCMOSイメージセンサ123上に設定された各セグメント領域に、そのセグメント領域に含まれる各画素の画素値を対応付けて構成される。具体的には、基準テンプレートは、CMOSイメージセンサ123上における基準パターン領域の位置に関する情報と、基準パターン領域に含まれる全画素の画素値と、基準パターン領域をセグメント領域に分割するための情報を含んでいる。基準パターン領域に含まれる全画素の画素値は、基準パターン領域に含まれるDP光のドットパターンに相応するものになる。また、基準パターン領域に含まれる全画素の画素値のマッピング領域をセグメント領域に区分することで、各セグメント領域に含まれる画素の画素値が取得される。なお、基準テンプレートは、さらに、各セグメント領域に含まれる画素の画素値を、セグメント領域毎に保持していても良い。構成された基準テンプレートは、図2のメモリ25に、消去不可能な状態で保持される。こうしてメモリ25に保持された基準テンプレートは、投射光学系11から検出対象物体の各部までの距離を算出する際に参照される。たとえば、図4aに示すように距離Lsよりも近い位置に物体がある場合、基準パターン上の所定のセグメント領域Snに対応するDP光DPnは、物体によって反射され、セグメント領域Snとは異なる領域Sn’に入射する。投射光学系11と受光光学系12はX軸方向に隣り合っているため、セグメント領域Snに対する領域Sn’の変位方向はX軸に平行となる。図4aの場合、物体が距離Lsよりも近い位置にあるため、領域Sn’は、セグメント領域Snに対してX軸正方向に変位する。物体が距離Lsよりも遠い位置にあれば、領域Sn’は、セグメント領域Snに対してX軸負方向に変位する。セグメント領域Snに対する領域Sn’の変位方向と変位量をもとに、投射光学系11からDP光DPnが照射された物体の部分までの距離Lrが、距離Lsを用いて、三角測量法に基づき算出される。同様にして、他のセグメント領域に対応する物体の部分について、投射光学系11からの距離が算出される。かかる距離算出では、基準テンプレートのセグメント領域Snが、実測時においてどの位置に変位したかを検出する必要がある。この検出は、実測時にCMOSイメージセンサ123上に照射されたDP光のドットパターンと、セグメント領域Snに含まれるドットパターンとを照合することによって行われる。図5は、かかる検出の手法を説明する図である。同図aは、CMOSイメージセンサ123上における基準パターン領域とセグメント領域の設定状態を示す図、同図bは、実測時におけるセグメント領域の探索方法を示す図、同図cは、実測されたDP光のドットパターンと、基準テンプレートのセグメント領域に含まれるドットパターンとの照合方法を示す図である。たとえば、同図aのセグメント領域S1の実測時における変位位置を探索する場合、同図bに示すように、セグメント領域S1が、範囲P1~P2において、X軸方向に1画素ずつ送られ、各送り位置において、セグメント領域S1のドットパターンと、実測されたDP光のドットパターンのマッチング度合いが求められる。この場合、セグメント領域S1は、基準パターン領域の最上段のセグメント領域群を通るラインL1上のみをX軸方向に送られる。これは、上記のように、通常、各セグメント領域は、実測時において、基準テンプレートにより設定された位置からX軸方向にのみ変位するためである。すなわち、セグメント領域S1は、最上段のラインL1上にあると考えられるためである。このように、X軸方向にのみ探索を行うことで、探索のための処理負担が軽減される。なお、実測時には、検出対象物体の位置によっては、セグメント領域が基準パターン領域の範囲からX軸方向にはみ出すことが起こり得る。このため、範囲P1~P2は、基準パターン領域のX軸方向の幅よりも広く設定される。上記マッチング度合いの検出時には、ラインL1上に、セグメント領域S1と同じサイズの領域比較領域が設定され、この比較領域とセグメント領域S1との間の類似度が求められる。すなわち、セグメント領域S1の各画素の画素値と、比較領域の対応する画素の画素値との差分が求められる。そして、求めた差分を比較領域の全ての画素について加算した値Rsadが、類似度を示す値として取得される。たとえば、図5cのように、一つのセグメント領域中に、m列×n行の画素が含まれている場合、セグメント領域のi列、j行の画素の画素値Ti,jと、比較領域のi列、j行の画素の画素値Ii,jとの差分が求められる。そして、セグメント領域の全ての画素について差分が求められ、その差分の総和により、値Rsadが求められる。すなわち、値Rsadは、次式により算出される。値Rsadが小さい程、セグメント領域と比較領域との間の類似度が高い。探索時には、比較領域が、ラインL1上を1画素ずつずらされつつ順次設定される。そして、ラインL1上の全ての比較領域について、値Rsadが求められる。求めた値Rsadの中から、閾値より小さいものが抽出される。閾値より小さい値Rsadが無ければ、セグメント領域S1の探索はエラーとされる。そして、抽出されたRsadの中で最も値が小さいものに対応する比較領域が、セグメント領域S1の移動領域であると判定される。ラインL1上のセグメント領域S1以外のセグメント領域も、上記と同様の探索が行われる。また、他のライン上のセグメント領域も、上記と同様、そのライン上に比較領域が設定されて、探索が行われる。こうして、実測時に取得されたDP光のドットパターンから、各セグメント領域の変位位置が探索されると、上記のように、その変位位置に基づいて、三角測量法により、各セグメント領域に対応する検出対象物体の部位までの距離が求められる。図6は、投射光学系11と受光光学系12の設置状態を示す斜視図である。投射光学系11と受光光学系12は、熱伝導性の高いベースプレート300上に設置される。投射光学系11を構成する光学部材は、シャーシ11aに設置され、このシャーシ11aがベースプレート300上に設置される。これにより、投射光学系11がベースプレート300上に設置される。受光光学系12は、ベースプレート300上の2つの台座300aの上面と、2つの台座300aの間のベースプレート300の上面に設置される。2つの台座300aの間のベースプレート300の上面には、後述するCMOSイメージセンサ123が設置され、台座300aの上面には保持板12aが設置され、この保持板12aに、後述するフィルタ121および撮像レンズ122を保持するレンズホルダ12bが設置される。投射光学系11と受光光学系12は、投射光学系11の投射中心と受光光学系12の撮像中心がX軸に平行な直線上に並ぶように、X軸方向に所定の距離をもって並んで設置されている。ベースプレート300の裏面に、情報取得装置1の回路部図2参照を保持する回路基板200図7参照が設置される。ベースプレート300の中央下部には、レーザ光源111の配線をベースプレート300の背部に取り出すための孔300bが形成されている。また、ベースプレート300の受光光学系12の設置位置の下部には、CMOSイメージセンサ123のコネクタ12cをベースプレート300の背部に露出させるための開口300cが形成されている。なお、図6の左半分が投射装置を構成し、右半分が受光装置を構成する。左半分の投射装置は、本発明の投射装置に相当する。図7は、本実施の形態に係る投射光学系11と受光光学系12の構成を模式的に示す図である。投射光学系11は、レーザ光源111と、コリメータレンズ112と、立ち上げミラー113と、回折光学素子DOE:DiffractiveOpticalElement114を備えている。また、受光光学系12は、フィルタ121と、撮像レンズ122と、CMOSイメージセンサ123とを備えている。レーザ光源111は、波長830nm程度の狭波長帯域のレーザ光を出力する。レーザ光源111は、レーザ光の光軸がX軸に平行となるように設置される。コリメータレンズ112は、レーザ光源111から出射されたレーザ光を略平行光に変換する。コリメータレンズ112は、自身の光軸がレーザ光源111から出射されたレーザ光の光軸に整合するように設置される。立ち上げミラー113は、コリメータレンズ112側から入射されたレーザ光を反射する。レーザ光の光軸は、立ち上げミラー113によって90°折り曲げられてZ軸に平行となる。DOE114は、入射面に回折パターンを有する。DOE114は、樹脂による射出成型もしくはガラス基材にリソグラフィとドライエッチング手法を用いるなどして形成される。回折パターンは、たとえば、ステップ型のホログラムにより構成される。この回折パターンによる回折作用により、立ち上げミラー113により反射されDOE114に入射したレーザ光は、ドットパターンのレーザ光に変換されて、目標領域に照射される。回折パターンは、目標領域において所定のドットパターンとなるように設計されている。目標領域におけるドットパターンについては、追って図8~10を参照して説明する。目標領域から反射されたレーザ光は、フィルタ121を透過して撮像レンズ122に入射する。フィルタ121は、レーザ光源111の出射波長830nm程度を含む波長帯域の光を透過し、その他の波長帯域をカットする。撮像レンズ122は、フィルタ121を介して入射された光をCMOSイメージセンサ123上に集光する。撮像レンズ122は複数のレンズから構成され、所定のレンズとレンズとの間にアパーチャとスペーサが介挿されている。かかるアパーチャは、撮像レンズ122のFナンバーに合うように、外部からの光に絞りを掛ける。CMOSイメージセンサ123は、撮像レンズ122にて集光された光を受光して、画素毎に、受光光量に応じた信号電荷を撮像信号処理回路23に出力する。ここで、CMOSイメージセンサ123は、各画素における受光から高レスポンスでその画素の信号電荷を撮像信号処理回路23に出力できるよう、信号の出力速度が高速化されている。フィルタ121は、受光面がZ軸に垂直になるように配置される。撮像レンズ122は、光軸がZ軸に平行となるように設置される。CMOSイメージセンサ123は、受光面がZ軸に垂直になるように設置される。また、フィルタ121の中心とCMOSイメージセンサ123の受光領域の中心が撮像レンズ122の光軸上に並ぶように、フィルタ121、撮像レンズ122およびCMOSイメージセンサ123が配置される。投射光学系11と受光光学系12は、図6を参照して説明したように、ベースプレート300に設置されている。ベースプレート300の下面には、さらに、回路基板200が設置され、この回路基板200から、レーザ光源111およびCMOSイメージセンサ123に配線フレキシブル基板201、202が接続されている。回路基板200には、図2に示すCPU21やレーザ駆動回路22等の情報取得装置1の回路部が実装されている。図7の構成において、DOE114は、通常、ドットパターンのドットが、目標領域において、同じ輝度で、且つ、均一に分散するように設計される。このようにドットを分散させることにより、目標領域を満遍なく探索することが可能となる。しかしながら、このように設計されたDOE114を用いて実際にドットパターンを生成すると、ドットの輝度が領域によって相違することが分かった。また、ドットの輝度の相違には、一定の傾向があることが分かった。以下、本件出願の発明者が行ったDOE114の分析および評価について説明する。まず、本件出願の発明者は、比較例として、ドットパターンのドットが目標領域上で同じ輝度で且つ均一に分布するよう、DOE114の回折パターンを調整した。図8は、この場合の目標領域におけるドットパターンのシミュレーション例を示す図である。比較例のDOE114は、回折作用により、図示の如く、目標領域においてドットパターンのドットを同じ輝度かつ均一な密度で分布させるよう設計されている。次に、本件出願の発明者は、かかる設計に従って構成されたDOE114比較例を用いて、実際に目標領域にドットパターンを投射し、そのときのドットパターンの投射状態をCMOSイメージセンサ123によって撮像した。そして、CMOSイメージセンサ123の各画素の受光光量検出信号から、CMOSイメージセンサ123上におけるドットパターンの輝度分布を測定した。図9は、比較例のDOE114を用いた場合のCMOSイメージセンサ123上の輝度分布を示す測定結果である。図9の中央部分は、CMOSイメージセンサ123の受光面2次元平面上における輝度を色この図には、輝度の違いが色の違いによって表されているによって示す輝度分布図である。図9の左側および下側には、それぞれ、かかる輝度分布図のA-A’直線およびB-B’直線に沿う部分の輝度値がグラフにより示されている。図9の左側および下側のグラフは、それぞれ、最大輝度を15として正規化されている。なお、図9の左側および下側のグラフに示されるように、実際には、図9の中央部分に示された図の周りの領域にも輝度が存在するが、かかる領域の輝度は低いため、便宜上、図9の中央部分の図には、かかる領域の輝度が表わされていない。図示の如く、CMOSイメージセンサ123上の輝度は、中心において最大となっており、中心から離れるに従って小さくなっている。このように、目標領域においてドットの密度が均一となるようDOE114が設計された場合でも、実際には、CMOSイメージセンサ123上において輝度のばらつきが生じてしまう。すなわち、この測定結果から、目標領域に投射されたドットパターンは、中央から端に向かうにつれて、ドットの輝度が低下することが分かる。このように輝度のばらつきが生じると、CMOSイメージセンサ123の中心付近と端付近において、セグメント領域に含まれるドット数は略同じであるにも拘わらず、輝度が低い端付近においては、自然光や照明灯の光などの迷光によって、ドットが検出されにくくなってしまう。これにより、CMOSイメージセンサ123の端付近のセグメント領域において、パターンマッチングの精度が低下する惧れがある。なお、図9の中央部分の輝度分布図を参照すると、ドットの輝度は、中央から放射状に変化することが分かる。つまり、輝度が略同じであるドットは、ドットパターンの中心に対して略同心円状に分布し、中心から離れるにしたがって徐々にドットの輝度が低下するものと考えられる。本件出願の発明者が同様に形成された複数のDOE114について上記と同様の測定を行ったところ、この傾向は、何れのDOE114でも同じく確認された。よって、ドットパターンのドットが目標領域上で同じ輝度で且つ均一に分布するようにDOE114を設計した場合には、目標領域に投射されるドットは、一般に、上記のような傾向で分散するものと考えられる。そこで、本実施の形態では、図10に示すように、目標領域においてドットの輝度が不均一となるよう、DOE114の回折パターンが調整される。図10は、本実施の形態の目標領域におけるドットの分布状態を模式的に示す図である。本実施の形態のDOE114は、回折作用により、図示の如く、目標領域においてドットの密度が同心円状に中心から離れるに従って中心からの距離に比例して小さくなるよう構成される。図中の破線で示す部分は、ドットの密度が略等しい領域である。ここで、ドットの密度は、たとえば、複数のドットを一つに纏めることにより小さくされる。たとえば、図11aに示すように、比較例において、一つのセグメント領域に、D1~D8の8個のドットが含まれているとする。この場合、ドットパターンの周辺部のセグメント領域では、個々のドットの輝度が、同図aの下側に模式的に示された大きさを持っているとする。本実施の形態では、この状態から、たとえば、ドットD1、D3、D5、D7がドットD2、D4、D6、D8にそれぞれ重なる位置に導かれるように、DOE114の設計が調整される。これにより、同図bのように、一つのセグメント領域に、D1’~D4’の4つのドットが含まれるようになり、比較例に比べてドットの密度が1/2になる。このとき、ドットD1’~D4’は、比較例の2つのドットが重ねられたものであるため、同図bの下側に模式的に示すように、比較例の各ドットの2倍程度の輝度を持つようになる。こうして、ドットは、密度を減じられながら、輝度が高められる。なお、ドットパターンの中央部では、上記のようなドットの重ね合わせは行われない。したがって、ドットパターンの中央部のドットは、比較例の場合と、密度も輝度も変わらない。なお、図11の例では、ドットD1、D3、D5、D7がドットD2、D4、D6、D8にそれぞれ重ねられたが、実際には、各セグメント領域に含まれるドットのパターンが固有のパターンとなるように、複数のドットが重ねられ、ドットの輝度が高められる。互いに重なるドットは、同じセグメント領域に含まれなくても良い。このように各セグメント領域のドットのパターンが固有のパターンとなり、且つ、ドットパターン周辺部のドットの輝度が高められるように、DOE114の回折パターンが調整される。図11に示すようにDOE114を調整すると、ドットパターン周辺部のドットの密度が中央部の密度の1/2になり、中央部と周辺部との間のドットの密度の差が大きくなる。このように周辺部においてドットの密度が小さくなると、一つのセグメント領域に含まれるドットの数が少なくなり、セグメント領域のマッチングにエラーが生じ易くなる。このため、周辺部のドットの輝度を高める場合には、ドットパターンの中心部と周辺部とで、なるべくドットの密度に差が生じないようにするのが望ましい。図12は、周辺部のドットの密度の低下を抑制しながら、周辺部のドットの輝度を高める方法を説明する図である。たとえば、同図a、bの上段に示すように、比較例において、ドットパターンの中央部と周辺部のセグメント領域に、それぞれ、8個のドットD11~D18、D1~D8が含まれているとする。この状態から、たとえば、ドットD1、D5、D7がドットD2、D6、D8にそれぞれ重なる位置に導かれ、且つ、中央部のドットD15、D16が周辺部のドットD3、D4にそれぞれ重なる位置に導かれるように、DOE114の設計が調整される。これにより、同図bの下段のように、周辺部では、一つのセグメント領域に、D1’~D5’の5つのドットが含まれるようになり、図11bの場合に比べてドットの密度が高められる。このとき、D1’~D5’は、2つのドットが重ねられたものであるため、輝度が高められる。こうして、周辺部のドットは、密度を減じられながら、輝度が高められる。他方、ドットパターンの中央部では、ドットD15、16が除かれるため、図12aの下段のように、一つのセグメント領域に、6つのドットが含まれるようになる。したがって、ドットパターンの中央部のドットは、密度がやや小さくなる。なお、図12の例では、ドットD1、D5、D7およびドットD15、D16が、それぞれ、ドットD2、D6、D8およびドットD3、D4に重ねられたが、実際には、各セグメント領域に含まれるドットのパターンが固有のパターンとなるように、複数のドットが重ねられ、ドットの輝度が高められる。互いに重なるドットは、同じセグメント領域に含まれなくても良い。このように各セグメント領域のドットのパターンが固有のパターンとなり、且つ、ドットパターン周辺部のドットの輝度が高められるように、DOE114の回折パターンが調整される。また、図12の例では、ドットパターンの中央部のドットが周辺部のドットの一部に重ねられたが、中央部に限らず、中央部と周辺部の間の領域のドットが周辺部のドットに重ねられても良く、あるいは、中央部のドットが中央部と周辺部の間の領域のドットに重ねられても良い。要するに、周辺部のドットの輝度が中央部よりも高められるように、DOE114が設計されれば良い。また、ドットの密度は、必ずしも、ドットパターンの中央部よりも周辺部の方が小さくなる必要はなく、周辺部のドットの輝度が中央部よりも高められれば、中央部と周辺部とでドットの密度が略同じであっても良い。また、互いに重なるドットの数は、2個でなく、3個以上でも良い。このように、ドットパターンの周辺部のドットの輝度が高まるようにDOE114が設計されたとしても、実際に、DOE114によりドットパターンが生成されると、図9を参照して述べたように、ドットパターン周辺部のドットの輝度は、設計値理想値よりも低くなる。しかしながら、このようにドットパターン周辺部のドットの輝度が高まるようにDOE114を設計すると、実際にドットパターンが目標領域に照射されたときの周辺部のドットの輝度が中央部のドットの輝度に近づき、周辺部のドットが迷光による影響を受けにくくなるとの効果が奏される。これにより、セグメント領域のパターンマッチングの精度が高められ、結果、距離検出精度が高まる。なお、ドットの輝度は、ドットパターンの中心から放射状に離れるに従ってリニアに増加させてもよく、あるいは、段階的に増加させてもよい。たとえば、ドットの輝度を段階的に増加させる場合、図13a、bに示すように、ドットパターンの中心から同心円状に複数の領域を設定し、それぞれの領域内ではドットの輝度を等しくする。図13a、bでは、ドットの輝度が等しい領域は、同じ濃さで示されている。ドットの輝度が等しい領域は、ドットの密度も等しくなっている。なお、上記のDOE調整方法では、比較例のドットパターンに含まれる各ドットの照射位置を適宜調整することにより、周辺部の輝度が高められたが、比較例のドットパターンはそのまま維持し、周辺部のドットに新たなドット光束を重ね合わせることで、周辺部のドットの輝度を高めるように、DOE114を調整することも可能である。こうすると、ドットの密度を比較例と同様に均一としながら、ドットパターン周辺部のドットの輝度を高めることができる。しかしながら、こうすると、比較例のドットパターンに加えて、周辺部のドットに重ね合わせるための新たなドット光束がDOE114により生成される必要があるため、レーザ光源111の出力が同じであれば、一つのドットの輝度が低下することとなる。これにより、比較例において検出可能であったドットが、周辺部のドットの輝度を高めたために、迷光に埋もれることが起こり得る。よって、周辺部のドットの輝度を高めるようDOE114を調整する場合には、極力、新たなドット光束を生成せずに、既存のドットを上記のように適宜重ね合わせるようにするのが望ましい。以上、本実施の形態によれば、輝度の低いドットパターンの周辺部分においてドットの輝度が高められるため、当該周辺部分のドットが迷光に埋もれにくくなる。これにより、目標領域の外側付近のセグメント領域におけるパターンマッチングの精度が向上され得る。よって、物体検出装置の距離検出の精度が高められ得る。以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は、上記実施の形態に何ら制限されるものではなく、また、本発明の実施の形態も上記の他に種々の変更が可能である。たとえば、上記実施の形態では、光検出器として、CMOSイメージセンサ123を用いたが、これに替えて、CCDイメージセンサを用いることもできる。また、上記実施の形態では、図10に示すように、目標領域におけるドットの密度は、同心円状に中心から離れるに従って小さくなるよう構成されたが、これに限らず、図14a、bに示すように、楕円形状および方形状に中心から離れるに従って小さくなるよう構成されても良い。この場合も、ドットの密度は、ドットパターンの中心から放射状に離れるに従ってリニアに減少させてもよく、あるいは、図13a、bと同様、段階的に減少させてもよい。また、ドットの輝度の設計値理想値も、図14c、dに示すように、楕円形状および方形状に中心から離れるに従って段階的に大きくなるよう設定されても良く、あるいは、楕円形状および方形状に中心から離れるに従ってリニアに大きくなるよう設定されてもよい。また、上記実施の形態では、レーザ光源111とコリメータレンズ112をX軸方向に並べ、立ち上げミラー113でレーザ光の光軸をZ軸方向に折り曲げるようにしたが、レーザ光をZ軸方向に出射するようレーザ光源111を配置し、レーザ光源111と、コリメータレンズ112と、DOE114をZ軸方向に並べて配置するようにしても良い。この場合、立ち上げミラー113を省略できるが、投射光学系11の寸法がZ軸方向に大きくなる。また、上記実施の形態では、隣り合うセグメント領域が互いに重なることなく区分されたが、所定のセグメント領域と、当該セグメント領域に対し上下または左右に隣り合うセグメント領域が、互いに重なるように設定されても良い。この他、本発明の実施の形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。"