電子部品が実装されてなる回路基板と、前記回路基板の一方面に対向する第1の接合面と、前記第1の接合面とは異なる第2の接合面とを備えたヒートシンクと、前記回路基板の一部と電気的に接合されると共に、前記ヒートシンクに接合されるリードフレームと、前記回路基板、前記ヒートシンク、及び前記リードフレームを一体的に封止するモールド樹脂と、を備え、前記ヒートシンクの前記第1の接合面が前記回路基板の一方面に接合され、前記第2の接合面が前記リードフレームに接合されており、前記リードフレームが前記第2の接合面に接合されてなる接合部と、前記回路基板とが、前記回路基板の板面と直交する方向において少なくとも部分的に重なっていることを特徴とする半導体装置。前記ヒートシンクは、前記回路基板と対向する側に前記第2の接合面が形成され、前記回路基板と前記第1の接合面との距離よりも前記回路基板と前記第2の接合面との距離のほうが大きくなるように前記第1の接合面と前記第2の接合面とが段差形状で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記リードフレームは、前記第2の接合面に接合されると共に、前記接着媒体によって前記回路基板の前記一方面にも接合されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。前記ヒートシンクは、前記第1の接合面及び前記第2の接合面が前記回路基板と対向する側に設けられ、且つ、第1の接合面と前記第2の接合面とが平坦に構成されており、前記回路基板は、前記ヒートシンクと対向する側において、前記第1の接合面と対向する第1の対向面と、前記第2の接合面と対向する第2の対向面とが設けられており、前記第1の対向面及び前記第2の対向面は、前記第1の対向面よりも前記第2の対向面のほうが前記ヒートシンク側から離れるように段差形状で形成されており、前記ヒートシンクの前記第2の接合面に接合される前記リードフレームが、前記回路基板の前記第2の対向面に接合されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記ヒートシンクは、前記回路基板と対向する一方面側に前記第1の接合面が形成され、前記回路基板と対向する側とは反対面側に前記第2の接合面が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第2の接合面は、前記ヒートシンクにおける前記回路基板の一方の辺側に形成された端部に設けられており、前記ヒートシンクにおける前記第2の接合面側の前記端部は、前記回路基板の板面と平行な方向において前記一方の辺よりも前記回路基板の内側に収まるように配置されていることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の半導体装置。前記リードフレームは、前記第2の接合面に対向する位置に貫通孔が形成されており、前記接合部において、前記ヒートシンクと前記リードフレームとを接着する接着剤が前記貫通孔に入り込むように構成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の半導体装置。前記リードフレームは、絶縁性接着剤により前記第2の接合面に接合されていることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載の半導体装置。前記リードフレームがカシメによって前記第2の接合面と接合されていることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の半導体装置。前記回路基板の前記一方面に発熱素子が実装され、前記リードフレームが前記発熱素子の真裏の領域を避けて接合されていることを特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれか一項に記載の半導体装置。電子部品が実装されてなる回路基板と、前記回路基板の一方面に対する第1の接合面と、前記第1の接合面とは異なる第2の接合面とを備えたヒートシンクと、前記回路基板の一部と電気的に接合されると共に、前記ヒートシンクに接合されるリードフレームと、前記回路基板、前記ヒートシンク、及び前記リードフレームを一体的に封止するモールド樹脂とを備えた半導体装置を製造する製造方法であって、前記ヒートシンクとなるべきベース部材において、所定位置に前記第1の接合面及び前記第2の接合面をそれぞれ設けるように前記ヒートシンクを形成する工程と、前記回路基板の一方面と前記ヒートシンクの前記第1の接合面との間に接着媒体を介在させて前記回路基板を前記ヒートシンクに接合する工程と、前記ヒートシンクの前記第2の接合面に前記リードフレームを接合する工程と、前記回路基板及び前記リードフレームがいずれも前記ヒートシンクに接合された状態で、前記回路基板、前記ヒートシンク、及び前記リードフレームを前記モールド樹脂により一体的にモールドする工程と、を含み、前記回路基板及び前記リードフレームを前記ヒートシンクに接合されてなる接合部と、前記回路基板とが前記回路基板と直交する方向において少なくとも部分的に重なるように接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記ヒートシンクを形成する工程において、前記第1の接合面と同じ側に前記第2の接合面を形成し、前記リードフレームを前記第2の接合面に接合する工程では、前記第2の接合面に第2の接着媒体を塗布する工程を行った後に、当該第2の接着媒体を乾燥する工程を行い、前記リードフレームを前記第2の接合面に接合する工程を行った後に、前記回路基板を前記第1の接合面に接合する工程を行い、前記回路基板を第1の接合面に接合する工程を行った後に前記接着媒体を乾燥する工程を行うことを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造方法。前記第2の接合面に前記第2の接着媒体を塗布する工程では、当該第2の接着媒体と同材質の樹脂を前記回路基板の実装面側に塗布し、前記第2の接着媒体を乾燥する工程では、前記第2の接着媒体と前記実装面側の樹脂を共に乾燥することを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。前記ヒートシンクを形成する工程において、前記第1の接合面とは反対面側に前記第2の接合面を形成しており、前記リードフレームを接合する工程において、前記第1の接合面とは反対面側に形成された前記第2の接合面に対し第2の接着媒体を介在させて前記リードフレームを接合しており、前記回路基板を前記ヒートシンクに接合する工程と、前記リードフレームを前記ヒートシンクに接合する工程とを行った後に、前記接着媒体及び前記第2の接着媒体を共に乾燥する工程を行うことを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造方法。前記ヒートシンクを形成する工程では、前記第1の接合面及び前記第2の接合面を形成すると共に、前記ヒートシンクにおける前記モールド樹脂によりモールドされる面に前記モールド樹脂を入り込ませるための溝を形成することを特徴とする請求項11から請求項14のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。ところで、上記のような半導体装置では、装置構成が大型化すると熱応力等の影響が大きくなり、モールド樹脂と他部材との間に構成される各界面で剥離が生じやすくなるという問題がある。このような問題を解消する方法として、モールド樹脂と他部材例えばヒートシンクや回路基板等の線膨脹係数を極力合わせることで線膨張係数差を低減し、これにより応力緩和を図るといった方法などが考えられる。しかしながら、モールド樹脂の線膨張係数と他部材の線膨張係数を完全に合わせることは難しく、線膨張係数差を低減することで応力を緩和することには限界がある。例えば、モールド樹脂としてはエポキシ樹脂などを好適に用いることができるが、このエポキシ樹脂では線膨張係数を9ppm以下とすることが困難であり、回路基板やヒートシンクと線膨張係数を合わせることは構成上難しい。従って、このように大型化に起因する剥離の問題を解消するためにも、或いは装置の搭載スペース等を削減するためにも装置構成の小型化が求められている。本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、回路基板をモールド樹脂で封止してなる半導体装置において、回路基板及びリードフレームの放熱性を高め、且つ装置全体の大型化を効果的に抑制し得る構成を提供することを目的とする。また、そのような半導体装置を製造し得る製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、第一の発明に係る半導体装置は、電子部品が実装されてなる回路基板と、前記回路基板の一方面に対向する第1の接合面と、前記第1の接合面とは異なる第2の接合面とを備えたヒートシンクと、前記回路基板の一部と電気的に接合されると共に、前記ヒートシンクに接合されるリードフレームと、前記回路基板、前記ヒートシンク、及び前記リードフレームを一体的に封止するモールド樹脂と、を備え、前記ヒートシンクの前記第1の接合面が前記回路基板の一方面に接合され、前記第2の接合面が前記リードフレームに接合されており、前記リードフレームが前記第2の接合面に接合されてなる接合部と、前記回路基板とが、前記回路基板の板面と直交する方向において少なくとも部分的に重なっていることを特徴とする。また、上記課題を解決するため、第二の発明は、電子部品が実装されてなる回路基板と、前記回路基板の一方面に対する第1の接合面と、前記第1の接合面とは異なる第2の接合面とを備えたヒートシンクと、前記回路基板の一部と電気的に接合されると共に、前記ヒートシンクに接合されるリードフレームと、前記回路基板、前記ヒートシンク、及び前記リードフレームを一体的に封止するモールド樹脂とを備えた半導体装置を製造する製造方法であって、前記ヒートシンクとなるべきベース部材において、所定位置に前記第1の接合面及び前記第2の接合面をそれぞれ設けるように前記ヒートシンクを形成する工程と、前記回路基板の一方面と前記ヒートシンクの前記第1の接合面との間に接着媒体を介在させて前記回路基板を前記ヒートシンクに接合する工程と、前記ヒートシンクの前記第2の接合面に前記リードフレームを接合する工程と、前記回路基板及び前記リードフレームがいずれも前記ヒートシンクに接合された状態で、前記回路基板、前記ヒートシンク、及び前記リードフレームを前記モールド樹脂により一体的にモールドする工程と、を含み、前記回路基板及び前記リードフレームを前記ヒートシンクに接合されてなる接合部と、前記回路基板とが前記回路基板と直交する方向において少なくとも部分的に重なるように接合することを特徴とする。請求項1の発明では、ヒートシンクの第1の接合面が回路基板の一方面に接合され、第2の接合面がリードフレームに接合されており、リードフレームが第2の接合面に接合されてなる接合部と、回路基板とが、回路基板の板面と直交する方向において少なくとも部分的に重なるように構成されている。このように接合部リードフレームとヒートシンクとが接合された部分と回路基板とを当該回路基板の板面と直交する方向に重ねた配置とすることで、リードフレームとヒートシンクとの接合部が、回路基板の外周縁よりも外側即ち、回路基板の板面方向において回路基板の外縁よりも外側の領域に広がり難くなり、回路基板の機能を損なうことなくモールドサイズの低減を図ることができる。これにより、モールド樹脂の内部で生じる応力を低減することができ、回路基板やヒートシンクからモールド樹脂が剥離することを効果的に抑えることができる。また、上記のように回路基板と重なる位置に接合部を設けているため、第2の接合面の形状がモールドサイズの大型化に影響を与えにくく、接合面の形状を選定する上で自由度が大きくなる。請求項2の発明では、ヒートシンクにおいて、回路基板と対向する側に第2の接合面が形成され、回路基板と第1の接合面との距離よりも回路基板と第2の接合面との距離のほうが大きくなるように第1の接合面と第2の接合面とが段差形状で形成されている。この構成では、回路基板から比較的離れたスペース第2の接合面付近を利用してリードフレームをヒートシンクに接合できるようになり、モールド全体の小型化を図りつつ、回路基板とヒートシンクとを接合する際にリードフレームが干渉し難い構造を実現できる。また、第1の接合面側の接着剤が第2の接合面側に多少はみ出ても回路基板外周からはみ出るまでには余裕があるため、回路基板とヒートシンクとを接合する際に接着剤のはみ出しを精緻に制御する必要が無くなり、工程の簡易化例えば、接着剤を塗布する上での条件設定の簡略化等を図ることができる。請求項3の発明では、リードフレームが第2の接合面に接合されると共に接着媒体によって回路基板の一方面にも接合されている。この構成によれば、モールド全体の小型化を図りつつ、より確実な接合構造を実現できる。請求項4では、ヒートシンクにおいて第1の接合面及び第2の接合面が回路基板と対向する側に設けられ、第1の接合面及び第2の接合面が平坦に構成されている。そして、回路基板は、ヒートシンクと対向する側において、第1の接合面と対向する第1の対向面と、第2の接合面と対向する第2の対向面とが設けられている。そして、第1の対向面及び第2の対向面は、第1の対向面よりも第2の対向面のほうがヒートシンク側から離れるように段差形状で形成されており、ヒートシンクの第2の接合面に接合されるリードフレームが、回路基板の第2の対向面に接合されている。この構成によれば、回路基板側の段差スペース第2の対向面付近を利用してリードフレームを回路基板及びヒートシンクに接合できるようになり、モールド全体の小型化を図りつつ、より確実な接合構造を実現できる。また、ヒートシンクの第1の接合面及び第2の接合面を形成する上で複雑な切削加工などが不要となるため、工程の簡素化を図ることができ、製造時間や製造コストを抑えることができる。請求項5の発明では、ヒートシンクにおいて、回路基板と対向する一方面側に第1の接合面が形成され、回路基板と対向する側とは反対面側に第2の接合面が形成されている。この構成では、ヒートシンクの裏側回路基板と対向する側とは反対側のスペースを利用してリードフレームをヒートシンクに接合できるようになり、モールド全体の小型化を図りつつ、回路基板とヒートシンクとを接合する際にリードフレームが干渉し難い構造を実現できる。また、リードフレームをヒートシンクに接合する工程の制約をあまり受けることなく回路基板をヒートシンクに接合する工程を行うことができ、各製造工程を行う上での自由度を大きくすることができる。請求項6の発明では、第2の接合面がヒートシンクにおける回路基板の一方の辺側に形成された端部に設けられており、ヒートシンクにおける第2の接合面側の端部は、回路基板の板面と平行な方向において一方の辺よりも回路基板の内側に収まるように配置されている。この構成によれば、接合部だけでなくヒートシンク自体も回路基板の外周縁よりも外側即ち、回路基板の板面方向において回路基板の外縁よりも外側の領域に広がり難くなり、回路基板の機能を損なうことなくモールドサイズをより一層低減することができる。請求項7の発明では、リードフレームにおいて、第2の接合面に対向する位置に貫通孔が形成されており、接合部において、ヒートシンクとリードフレームとを接着する接着剤が貫通孔に入り込むように構成されている。この構成では、リードフレームをヒートシンクに接合する際に、接着剤がリードフレームの貫通孔に入り込むため、ヒートシンクは勿論のこと、比較的接着面積の少ないリードフレームについても確実に接着剤を接着することができ、リードフレームとヒートシンクとをより強固に接合することができる。請求項8の発明では、リードフレームが、絶縁性接着剤により第2の接合面に接合されている。この構成によれば、リードフレームの放熱性を高めつつ、リードフレームとヒートシンクの絶縁性を確保しやすくなる。請求項9の発明では、リードフレームがカシメによって第2の接合面と接合されている。この構成では、リードフレームとヒートシンクとを接合する上で接着剤の量の調整が必要とならず、接着剤のはみ出しなどに起因する悪影響等を防ぎやすくなる。また、接着剤の塗布工程や乾燥工程を一部省略或いは削減することができるため、製造上有利となる。請求項10の発明では、回路基板の一方面に発熱素子が実装され、リードフレームが発熱素子の真裏の領域を避けて接合されている。この構成では、発熱素子での発熱を直接ヒートシンクに放熱させる事ができると共に発熱素子での発熱とリードフレームの発熱が特定個所に集中し難くなり、放熱性をより高めることができる。請求項11の発明では、接合部リードフレームとヒートシンクとが接合された部分と回路基板を当該回路基板の板面と直交する方向に重ねた配置とし、この接合部を、回路基板の外周縁よりも外側即ち、回路基板の板面方向において回路基板の外縁よりも外側の領域に広がらせないようにモールド樹脂内に設けることができるため、回路基板の機能を損なわずにモールドサイズが抑えられた半導体装置を効率的に製造することができ、特に、モールド樹脂の小型化により、モールド樹脂の内部で生じる応力を低減することができるため、回路基板やヒートシンクからモールド樹脂が剥離することを効果的に抑えることができる。また、上記のように回路基板と重なる位置に接合部を設けているため、第2の接合面の形状がモールドサイズの大型化に影響を与えにくく、接合面の形状を選定する上で自由度が大きくなる。請求項12の発明では、ヒートシンクを形成する工程において、第1の接合面と同じ側に第2の接合面を形成し、リードフレームを第2の接合面に接合する工程では、第2の接合面に第2の接着媒体を塗布する工程を行った後に、当該第2の接着媒体を乾燥する工程を行っている。そして、リードフレームを第2の接合面に接合する工程を行った後に、回路基板を第1の接合面に接合する工程を行い、回路基板を第1の接合面に接合する工程を行った後に接着媒体を乾燥する工程を行っている。この方法によれば、ヒートシンクの第2の接合面にリードフレームを確実に接合した上で、第1の接合面に回路基板を接合することができるため、回路基板とヒートシンクの間の狭いスペースにリードフレームを安定的に接合し得る構成を好適に実現できる。請求項13の発明では、第2の接合面に第2の接着媒体を塗布する工程において、当該第2の接着媒体と同材質の樹脂を回路基板の実装面側に塗布し、第2の接着媒体を乾燥する工程では、第2の接着媒体と実装面側の樹脂を共に乾燥している。この方法によれば、回路基板の実装面側に樹脂媒体を塗布し、回路基板とモールド樹脂の間に樹脂を介在させることができるため、回路基板とモールド樹脂の線膨張係数の差異に起因する熱応力を緩和することができ、回路基板からモールド樹脂が剥離することを効果的に抑えることができる。更に、剥離防止用の上記樹脂と第2の接合面に塗布する第2の接着媒体を同時期に塗布することができ、且つ同時期に乾燥することができるため、樹脂の塗布及び乾燥を効率的に行うことができ、塗布工程及び乾燥工程に要する時間を短縮することできる。請求項14の発明では、ヒートシンクを形成する工程において、第1の接合面とは反対面側に第2の接合面を形成しており、リードフレームを接合する工程において、第1の接合面とは反対面側に形成された第2の接合面に対し第2の接着媒体を介在させてリードフレームを接合している。そして、回路基板をヒートシンクに接合する工程と、リードフレームをヒートシンクに接合する工程とを行った後に、接着媒体及び第2の接着媒体を共に乾燥する工程を行っている。この方法では、回路基板とヒートシンクを接合するための接着剤と、リードフレームとヒートシンクを接着するための接着剤第2の接着剤を同時期に乾燥することができるため、これらを別々に乾燥する製法と比較して工程数の削減を図ることができ、乾燥に要する時間を効果的に短縮することができる。請求項15の発明では、ヒートシンクを形成する工程において、第1の接合面及び第2の接合面を形成すると共に、ヒートシンクにおけるモールド樹脂によりモールドされる面にモールド樹脂を入り込ませるための溝を形成している。この方法によれば、ヒートシンクにおいて第1の接合面及び前記第2の接合面をモールド樹脂を入り込ませるための溝と同時期に形成することができるため、ヒートシンクにおいて各接合面と溝を効率的に形成することができ、これらの形成に要する時間を短縮することができる。第1実施形態以下、本発明の半導体装置を具現化した第1実施形態について、図面を参照して説明する。半導体装置の構成まず、図1、図2等を参照し、第1実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の断面を概略的に示す断面図である。図2は、図1の半導体装置の要部を概略的に示す平面図である。なお、図2では、一部のリードフレーム5のみを簡略的に示し、他のリードフレームの図示は省略している。本発明の半導体装置は、例えば自動車のトランスミッションなどに搭載され、その動作制御を行う車載用の電子制御装置として構成されている。この半導体装置は、図1に示すように、主として、ヒートシンク2と、リードフレーム5と、モールド樹脂7と、回路基板9等を備えている。回路基板9は、例えば耐熱性及び耐湿性に優れるセラミック材などによって構成されており、この回路基板9の基板上具体的には、ヒートシンク2側とは反対側の基板面9a上には、ポリイミド系樹脂などからなる樹脂層6を介在させて各種電子部品8が実装されている。この回路基板9は、リードフレーム5やアルミワイヤ10を介して外部からの電流供給や信号入力、或いは外部に対する信号の出力などが可能となっており、例えば回路基板9に実装される電子部品8によりトランスミッションの電子制御などが行われるようになっている。なお、ここではセラミック基板として構成される回路基板9を例示しているが、この回路基板9は樹脂基板として構成されていてもよい。ヒートシンク2は、例えば板状に構成されると共に、回路基板よりもやや大きい矩形状平面視矩形状に構成されており、回路基板9やリードフレーム5で発生した熱を外部に放熱する機能を有している。このヒートシンク2は、例えば、熱伝導性が高く、加工が容易な材料によって構成されており、具体的な材料としては、AlとSiCの焼結体AlSiC、SiC、カーボンなどが好適に用いられる。なお、ヒートシンク2の材質はこれらに限定されるものではなく、放熱性を有する他の材料を用いても良い。また、厚さや大きさ、形状などについても、様々に変更することができる。図1に示すように、ヒートシンク2は、回路基板9の一方面基板面9bに対向するように配置されており、この基板面9bに対向する第1の接合面2aと、第1の接合面2aとは異なる第2の接合面2bとを有している。第1の接合面2a及び第2の接合面2bは、いずれも平坦に構成され、且つ平坦な基板面9bとほぼ平行に配置されている。そして、図1のように、回路基板9と第1の接合面2aとの距離L1よりも回路基板9と第2の接合面2bとの距離L2のほうが大きくなるように第1の接合面2aと第2の接合面2bが段差形状で形成されている。また、上記ヒートシンク2と回路基板9は、基板接着剤3によって接着されている。回路基板9とヒートシンク2を接着する基板接着剤3は、例えば公知の樹脂接着剤などによって構成されており、回路基板9の基板面9bを少なくとも第1の接合面2aに接着するように介在している。リードフレーム5は、回路基板9に形成された電極と電気的に接続されるものであり、例えば金属材料によって構成されている。本実施形態の半導体装置1では、回路基板9の周囲に複数のリードフレーム5が配置されており、各リードフレーム5は、例えばワイヤ10を介在させて間接的に或いは直接的に回路基板9の電極に接続されている。これらリードフレーム5は、フレーム状に構成された金属材図5参照:後述をカットして形成されたものであり、それぞれが金属端子リード端子として機能している。また、複数のリードフレーム5の内、少なくとも一部のリードフレーム5aはヒートシンク2に接合されている。図1の例では、回路基板9の一方の辺9c側に設けられたリードフレーム5aが、絶縁性接着剤4によりヒートシンク2の第2の接合面2bに接続されている。絶縁性接着剤4としては絶縁性を有する公知の様々な樹脂接着剤を用いることができ、例えば、ポリイミド系樹脂によって構成されていてもよく、これ以外の材料のものであってもよい。なお、図1の例では、ワイヤ10を用いたワイヤボンディングによって接続されるリードフレーム5bがヒートシンク2に接合されておらず、回路基板9の端子に直接接続されるリードフレーム5aがヒートシンク2に接合された構成を示しているが、ワイヤボンディングによって回路基板9に接続されるリードフレーム5bがヒートシンク2に接合されていてもよい。このように、半導体装置1では、ヒートシンク2の一方面側の中央付近に配置されて大部分を占める平坦面第1の接合面2aが回路基板9の一方面に接合され、ヒートシンク2の一辺側回路基板9の一方の辺9c側に配置された平坦面第2の接合面2bがリードフレーム5に接合されている。そして、リードフレーム5と第2の接合面2bとが互いに接合されてなる接合部20と、回路基板9とが、回路基板9の板面と直交する方向において少なくとも部分的に重なっている。なお、本実施形態では、回路基板9の板面と直交する方向を上下方向とし、電子部品8の実装面側を上方、ヒートシンク2側を下方として説明する。また、複数のリードフレーム5の内、ヒートシンク2に接合されるリードフレーム5aは、上述のように第2の接合面2bに接合されると共に、基板接着剤3接着媒体によって回路基板9の一方面基板面9bにも接合されている。更に、第2の接合面2bは、ヒートシンク2における回路基板9の一方の辺9c側に形成された端部に設けられており、ヒートシンク2における第2の接合面2bは、少なくとも一部が、回路基板9の板面と平行な方向において一方の辺よりも回路基板9の内側に収まるように配置されている。モールド樹脂封止樹脂7は、回路基板9、ヒートシンク2、及びリードフレーム5の一端側部分回路基板9側の部分を一体的に封止して回路基板9や回路基板9と他部品との接合部位を保護するものであり、例えばエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂を材料としている。このモールド樹脂7によって回路基板9が被覆されて防水性が高められているため、例えば半導体装置1がトランスミッションに直載されるものである場合、ATFオイルなどの液体が回路基板9付近に侵入しないように保護される。また、図1の例では、回路基板9の実装面がポリイミド系樹脂などの高分子材料で構成される樹脂層6によって被覆されている。回路基板9の実装面基板面9aとモールド樹脂7の間に介在する樹脂層6は、回路基板9よりもモールド樹脂7との密着性が高くなっており、回路基板9とモールド樹脂7の界面での耐剥離性が高められている。本実施形態では、回路基板9の実装面側全体及び側面全体がモールド樹脂7によって被覆されており、回路基板9の基板面9bを覆う基板接着剤3の側縁部もモールド樹脂7によって被覆されている。従って、回路基板9がモールド樹脂7及び基板接着剤3によって密封されることになる。また、ヒートシンク2の外周縁全体もモールド樹脂7によって被覆されており、リードフレーム5aとヒートシンク2を接合してなる接合部20についても外部に露出しないようにモールド樹脂7によって被覆されている。上記のように構成される半導体装置1では、ヒートシンク2の厚さが1.5mm程度である。また、基板接着剤3の層の厚さは200μm程度であり、接着剤4の層の厚さは50μm程度である。また、リードフレーム5の厚さは0.25mm程度であり、回路基板9の厚さは1.2mm程度である。また、半導体装置1全体の厚さパッケージサイズは6.7mm程度である。なお、これらはいずれも回路基板9の板面と直交する方向を厚さ方向とする。上記半導体装置1で生じる主な効果上記半導体装置1では、ヒートシンク2の第1の接合面2aが回路基板9の一方面に接合され、第2の接合面2bがリードフレーム5に接合されており、リードフレーム5が第2の接合面2bに接合されてなる接合部20と、回路基板9とが、回路基板9の板面と直交する方向において少なくとも部分的に重なるように構成されている。このように接合部20リードフレーム5とヒートシンク2とが接合された部分と回路基板9とを当該回路基板9の板面と直交する方向即ち上下方向に重ねた配置とすることで、リードフレーム5とヒートシンク2との接合部20が、回路基板9の外周縁よりも外側即ち、回路基板9の板面方向において回路基板9の外縁よりも外側の領域に広がり難くなり、回路基板9の機能を損なうことなくモールドサイズの低減を図ることができる。これにより、モールド樹脂7の内部で生じる応力を低減することができ、回路基板9やヒートシンク2からモールド樹脂7が剥離することを効果的に抑えることができる。また、上記のように回路基板9と上下に重なる位置に接合部20を設けているため、第2の接合面2bの形状がモールドサイズの大型化に影響を与えにくく、接合面の形状を選定する上で自由度が大きくなる。また、上記半導体装置1では、ヒートシンク2において、回路基板9と対向する側に第2の接合面2bが形成され、回路基板9と第1の接合面2aとの距離L1よりも回路基板9と第2の接合面2bとの距離L2のほうが大きくなるように第1の接合面2aと第2の接合面2bとが段差形状で形成されている。この構成では、回路基板9から比較的離れたスペース第2の接合面2b付近を利用してリードフレーム5をヒートシンク2に接合できるようになり、モールド全体の小型化を図りつつ、回路基板9とヒートシンク2とを接合する際にリードフレーム5が干渉し難い構造を実現できる。また、第1の接合面2a側の接着剤が第2の接合面2b側に多少はみ出ても回路基板9外周からはみ出るまでには余裕があるため、回路基板9とヒートシンク2とを接合する際に接着剤のはみ出しを精緻に制御する必要が無くなり、工程の簡易化例えば、接着剤を塗布する上での条件設定の簡略化等を図ることができる。また、上記半導体装置1では、リードフレーム5が第2の接合面2bに接合されると共に基板接着剤3接着媒体によって回路基板9の基板面9b一方面にも接合されている。この構成によれば、モールド全体の小型化を図りつつ、より確実な接合構造を実現できる。また、上記半導体装置1では、リードフレーム5が、絶縁性の接着剤4により第2の接合面2bに接合されている。この構成によれば、リードフレーム5の放熱性を高めつつ、リードフレーム5とヒートシンク2の絶縁性を確保しやすくなる。上記半導体装置1の製造方法次に、上記半導体装置1を製造する製造方法について説明する。図3は、図1の半導体装置を製造する工程の一部を説明する説明図であり、図3Aは、ヒートシンクを形成する工程を説明する説明図であり、図3Bは第2の接合面に接着剤を塗布する工程を説明する説明図であり、図3Cは、ヒートシンクにリードフレームを接着する工程を説明する説明図である。図4は、図3の工程以後の工程を説明する説明図であり、図4Aは、ヒートシンクと回路基板を接合する工程を説明する説明図であり、図4Bは回路基板にボンディングワイヤを接合する工程を説明する説明図であり、図4Cは、ヒートシンクと回路基板が接合された接合体に樹脂をモールドする工程を説明する説明図である。図5は、図4Bの工程後の構成を概略的に示す平面図である。図6は、図4Cの工程後の構成を概略的に示す平面図である。なお、図5では、回路基板9に実装される電子部品を省略して示している。半導体装置1を製造するに際しては、まず、図3Aのように、ヒートシンク2となるべき基材ベース部材を所定形状に形成する工程を行う。この工程では、ヒートシンク2となるべきベース部材において第1の接合面2a及び第2の接合面2bを同じ面側の所定位置にそれぞれ設けるようにヒートシンク2を形成する。具体的には、ヒートシンク2を所定の大きさに板状に形成すると共に、一方面側の大部分を平坦な板面第1の接合面2aとし、その外縁部の所定位置において、第1の接合面2aよりも低くなるように第2の接合面2bを形成し、外縁部を部分的に段差形状とする。図3Aの形成工程の後には、ヒートシンク2の第2の接合面2bにリードフレーム5を接合する工程を行う。この工程では、まず、図3Bのように、図3Aの形成工程で形成された第2の接合面2bに対し上述の接着剤4を塗布するなお、接着剤4は、第2の接着媒体の一例に相当する。そして、各リードフレーム5が一体的に形成されたカット前のフレーム部材を所定位置に配置することで、接着剤4が塗布された位置に接合対象となるリードフレーム5aを配置し、第2の接合面2bとリードフレーム5aとを接合する。そして、このように第2の接合面2bとリードフレーム5aの間に接着剤4を介在させた状態でこの接着剤4を公知の乾燥装置によって乾燥させる工程を行う。図3B、図3Cに示す接合工程の後には、回路基板9の基板面9b一方面とヒートシンク2の第1の接合面2aとの間に基板接着剤3接着媒体を介在させて回路基板9をヒートシンク2に接合する工程を行う。具体的には、図3Cのようにヒートシンク2にリードフレーム5が接合された後に、上述の基板接着剤3を所定位置回路基板9に覆われる位置に塗布し、その後、ヒートシンク2上において基板接着剤3が塗布された位置に電子部品8が実装されてなる実装済みの回路基板9を載置する。更に、回路基板9の載置後には、上述の樹脂層6を回路基板9の実装面側に塗布する図4A。なお、図4Aはあくまで模式的に示すものであり、樹脂層6の塗布位置は図5のように回路基板9の外周縁部であってもよく、複数位置に分散させて塗布するようにしてもよい。また、回路基板9への電子部品8の実装はヒートシンク2上への回路基板9の載置後でもよい。そして、このようにヒートシンク2と回路基板9の間に基板接着剤3を介在させ、且つ回路基板9の実装面側に樹脂層6が設けられた状態でこの接合体図4Aを公知の乾燥装置によって乾燥させ、基板接着剤3及び樹脂層6を固化する。なお、この接合工程では、リードフレーム5aがヒートシンク2に接合されてなる接合部20と、回路基板9の一部が、当該回路基板9の板面と直交する方向即ち上下方向において少なくとも部分的に重なるように回路基板9を配置しており、接合部20の一部が回路基板9の端部によって覆われ、リードフレーム5aの端部が回路基板9とヒートシンク2とによって上下に挟まれた格好で接合されるようになっている。そして、図4Aのような接合体を構成した後には、一部のリードフレーム5図4ではリードフレーム5bを、ワイヤ10を介在させたワイヤボンディングにより回路基板9の端子に接続する。なお、基板接着剤3及び樹脂層6を乾燥する工程は、このようにワイヤボンディングを行った後に実施してもよい。そして、図4Bのような接合体回路基板9及びリードフレーム5がいずれもヒートシンク2に接合されてなる接合体を形成した後には、その接合状態で、回路基板9、ヒートシンク2、及びリードフレーム5を上述のモールド樹脂7により一体的にモールドする工程を行う図4C、図6。この工程では、少なくとも回路基板9の基板面9aを全体的に被覆し、回路基板9の外周部、基板接着剤3の層の外周部、ヒートシンク2の外周部をそれぞれ全体的に覆うようにモールド樹脂7を配置する。上記製造方法の主な効果上記製造方法によれば、接合部20リードフレーム5とヒートシンク2とが接合された部分と回路基板9を当該回路基板9の板面と直交する方向に重ねた配置とし、この接合部20を、回路基板9の外周縁よりも外側即ち、回路基板9の板面方向において回路基板9の外縁よりも外側の領域に広がらせないようにモールド樹脂7内に設けることができるため、回路基板9の機能を損なわずにモールドサイズが抑えられた半導体装置を効率的に製造することができ、特に、モールド樹脂7の小型化により、モールド樹脂7の内部で生じる応力を低減することができるため、回路基板9やヒートシンク2からモールド樹脂7が剥離することを効果的に抑えることができる。また、上記のように回路基板9と重なる位置に接合部20を設けているため、第2の接合面2bの形状がモールドサイズの大型化に影響を与えにくく、接合面の形状を選定する上で自由度が大きくなる。また、上記製造方法では、ヒートシンク2を形成する工程において、第1の接合面2aと同じ側に第2の接合面2bを形成し、リードフレーム5を第2の接合面2bに接合する工程では、第2の接合面2bに第2の接着媒体を塗布する工程を行った後に、当該第2の接着媒体を乾燥する工程を行っている。そして、リードフレーム5を第2の接合面2bに接合する工程を行った後に、回路基板9を第1の接合面2aに接合する工程を行い、回路基板9を第1の接合面2aに接合する工程を行った後に接着媒体を乾燥する工程を行っている。この方法によれば、ヒートシンク2の第2の接合面2bにリードフレーム5を確実に接合した上で、第1の接合面2aに回路基板9を確実に接合することができるため、回路基板9とヒートシンク2の間の狭いスペースにリードフレーム5を安定的に接合し得る構成を好適に実現できる。また、基板接着剤3と樹脂層6を同時期に乾燥することができるため、それぞれを別々に乾燥する方法と比較して乾燥工程を簡略化することができ、乾燥工程に要する時間を確実に短縮することができる。[第2実施形態次に第2実施形態について説明する。図7は、本発明の第2実施形態に係る半導体装置の断面を概略的に示す模式図である。第2実施形態に係る半導体装置200は、主としてヒートシンクの構成及びリードフレームの接合方法のみが第1実施形態の半導体装置1と異なり、それ以外は第1実施形態と同様である。よって、以下では異なる構成について重点的に説明することとし、同様の部分については第1実施形態と同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。本実施形態の半導体装置200では、第1実施形態と同一の回路基板9を有しており、この回路基板9と板状のヒートシンク202とが第1実施形態と同様の基板接着剤3によって接着されている。更に、第1実施形態と同様に複数のリードフレーム5が設けられ、それぞれが回路基板9の端子と電気的に接続されており、そのうちの一部のリードフレーム5aが上述の接着剤4によってヒートシンク202に接合されている。そして、これら回路基板9、ヒートシンク202、及びリードフレーム5が接合されてなる接合体がモールド樹脂7によって一体的に封止され、回路基板9の周囲が密封されている。この半導体装置200で用いられるヒートシンク202は、回路基板9側に略平坦な第1の接合面202aが形成され、回路基板9と対向する側とは反対面側に第2の接合面202bが形成されている。そして、第1の接合面202aが回路基板9の一方面基板面9bに接合され、第2の接合面202bがリードフレーム5aに接合されており、リードフレーム5が第2の接合面202bに接合されてなる接合部20と、回路基板9とが、回路基板9の板面と直交する方向即ち、上下方向において少なくとも部分的に重なっている。この構成では、ヒートシンク202の裏側回路基板9と対向する側とは反対側のスペースを利用してリードフレーム5をヒートシンク202に接合できるようになり、モールド全体の小型化を図りつつ、回路基板9とヒートシンク202とを接合する際にリードフレーム5が干渉し難い構造を実現できる。また、リードフレーム5をヒートシンク202に接合する工程の制約をあまり受けることなく回路基板9をヒートシンク202に接合する工程を行うことができ、各製造工程を行う上での自由度を大きくすることができる。次に、上述の半導体装置200の製造方法について説明する。半導体装置200を製造する場合、図3Aに相当する形成工程では、図3Aの形状に代えて図7のような形状のヒートシンク202を形成する。即ち、第1の接合面202aとは反対面側に第2の接合面202bが段差状に形成されてなるヒートシンク202を形成する。また、この工程では、第1の接合面202a及び第2の接合面202bを形成すると共に、ヒートシンク200におけるモールド樹脂7によりモールドされる面即ち第1の接合面202aにモールド樹脂7を入り込ませるための溝12を形成する。なお、半導体装置200を製造する方法では、ヒートシンクの形状が異なるだけであり、それ以外ヒートシンク202を構成するベース部材の材料や公知の加工方法などは第1実施形態で説明した図3Aの工程と同様である。そして、このようにヒートシンク202を形成した後に、第1の接合面202aに対して基板接着剤3を塗布し、その塗布された領域に電子部品8が実装されてなる実装済みの回路基板9を載置して接合する。そして、このように回路基板9とヒートシンク202とが基板接着剤3によって接着された接合体に対し樹脂層6及び接着剤4第2の接着媒体を塗布する工程を行う。この工程では、第2の接合面202bに塗布する接着剤4第2の接着媒体と回路基板9の実装面側に塗布する樹脂層6が同材質の樹脂例えばポリイミド系樹脂となっており、これら樹脂を同一の塗布工程にて同時期に塗布する。そして、上記のような接合状態即ち、第1の接合面202aに対して基板接着剤3を介して回路基板9が接合されると共に第1の接合面202aとは反対面側に形成された第2の接合面202bに対し接着剤4第2の接着媒体を介在させてリードフレーム5が接合され、更に回路基板9の実装面側に樹脂層6が配された状態で、これら基板接着剤3接着媒体、接着剤4第2の接着媒体、及び樹脂層6を公知の乾燥装置によって乾燥する工程を行う。上記製造方法の主な効果上記製造方法では、第2の接合面202bに接着剤4第2の接着媒体を塗布する工程において、当該接着剤4第2の接着媒体と同材質の樹脂樹脂層6を回路基板9の実装面側に塗布し、接着剤4第2の接着媒体を乾燥する工程では、接着剤4第2の接着媒体と実装面側の樹脂を共に乾燥している。この方法によれば、回路基板9の実装面側に樹脂媒体を塗布し、回路基板9とモールド樹脂7の間に樹脂を介在させることができるため、回路基板9とモールド樹脂7の線膨張係数の差異に起因する熱応力を緩和することができ、回路基板9からモールド樹脂7が剥離することを効果的に抑えることができる。更に、剥離防止用の上記樹脂と第2の接合面202bに塗布する第2の接着媒体を同時期に塗布することができ、且つ同時期に乾燥することができるため、樹脂の塗布及び乾燥を効率的に行うことができ、塗布工程及び乾燥工程に要する時間を短縮することできる。また、上記製造方法では、ヒートシンク202を形成する工程において、第1の接合面202aとは反対面側に第2の接合面202bを形成しており、リードフレーム5を接合する工程において、第1の接合面2aとは反対面側に形成された第2の接合面2bに対し第2の接着媒体を介在させてリードフレーム5を接合している。そして、回路基板9をヒートシンク202に接合する工程と、リードフレーム5をヒートシンク202に接合する工程とを行った後に、接着媒体及び第2の接着媒体を共に乾燥する工程を行っている。この方法では、回路基板9とヒートシンク202を接合するための基板接着剤3と、リードフレーム5とヒートシンク202を接着するための接着剤4第2の接着剤を同時期に乾燥することができるため、これらを別々に乾燥する製法と比較して工程数の削減を図ることができ、乾燥に要する時間を効果的に短縮することができる。また、上記製造方法では、ヒートシンク202を形成する工程において、第1の接合面202a及び第2の接合面202bを形成すると共に、ヒートシンク202におけるモールド樹脂7によりモールドされる面にモールド樹脂7を入り込ませるための溝12を形成している。この方法によれば、ヒートシンク202において第1の接合面202a及び第2の接合面202bをモールド樹脂7を入り込ませるための溝12と同時期に形成することができるため、ヒートシンク202において各接合面と溝12を効率的に形成することができ、これらの形成に要する時間を短縮することができる。そして、製造された半導体装置200では、モールド樹脂7が溝12に入り込んだ状態で固化し、封止されるため、構造上、モールド樹脂7がヒートシンク202からより一層剥離し難くなる。[第3実施形態]次に第3実施形態について説明する。図8は、本発明の第3実施形態に係る半導体装置の断面を概略的に示す模式図である。第3実施形態に係る半導体装置300は、主としてヒートシンクの構成、回路基板の構成及びリードフレームの接合方法のみが第1実施形態の半導体装置1と異なり、それ以外は第1実施形態と同様である。よって、以下では異なる構成について重点的に説明することとし、同様の部分については第1実施形態と同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。本実施形態の半導体装置300は、第1実施形態とは形状の異なる回路基板309を有しており、この回路基板309と板状のヒートシンク302とが第1実施形態と同様の基板接着剤3によって接着されている。更に、第1実施形態と同様に複数のリードフレーム5が設けられ、それぞれが回路基板309の端子と電気的に接続されており、そのうちの一部のリードフレーム5aがヒートシンク302に接合されている。そして、これら回路基板309、ヒートシンク302、及びリードフレーム5が接合されてなる接合体がモールド樹脂7によって一体的に封止され、回路基板309の周囲が密封されている。この半導体装置300で用いられるヒートシンク302は、第1の接合面302a及び第2の接合面302bが回路基板309と対向する側に設けられ、且つ、第1の接合面302aと第2の接合面302bとが連続した板面として平坦に構成されている。即ち、ヒートシンク302における回路基板309側の平坦面の一部領域が第1の接合面302aに相当し、その一部領域とは異なる周辺領域が第2の接合面302bに相当している。そして、第1の接合面302aが回路基板309の一方面基板面309bに接合され、第2の接合面302bがリードフレーム5aに接合されており、リードフレーム5が第2の接合面202bに接合されてなる接合部20と、回路基板309とが、回路基板309の板面と直交する方向即ち、上下方向において少なくとも部分的に重なっている。図8の構成では、回路基板309において、ヒートシンク302と対向する側に、第1の接合面302aと対向する第1の対向面309aと、第2の接合面302bと対向する第2の対向面309bとが形成されており、これら第1の対向面309a及び第2の対向面309bは、第1の対向面309aよりも第2の対向面309bのほうがヒートシンク302側から離れるように段差形状で形成されている。そして、第2の接合面302bに接合されるリードフレーム5が、回路基板309の第2の対向面309bにも接合されている。この構成によれば、回路基板309側の段差スペース第2の対向面309b付近を利用してリードフレーム5を回路基板309及びヒートシンク302に接合できるようになり、モールド全体の小型化を図りつつ、より確実な接合構造を実現できる。また、ヒートシンク302の第1の接合面302a及び第2の接合面302bを形成する上で複雑な切削加工などが不要となるため、工程の簡素化を図ることができ、製造時間や製造コストを抑えることができる。[第4実施形態]次に第4実施形態について説明する。図9は、本発明の第4実施形態に係る半導体装置の断面を概略的に示す模式図である。第4実施形態に係る半導体装置400は、主としてヒートシンクの構成及びリードフレームの接合方法のみが第1実施形態の半導体装置1と異なり、それ以外は第1実施形態と同様である。よって、以下では異なる構成について重点的に説明することとし、同様の部分については第1実施形態と同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。本実施形態の半導体装置400では、第1実施形態と同一の回路基板9を有しており、この回路基板9と板状のヒートシンク402とが第1実施形態と同様の基板接着剤3によって接着されている。更に、第1実施形態と同様に複数のリードフレーム5が設けられ、それぞれが回路基板9の端子と電気的に接続されており、そのうちの一部のリードフレーム5aがカシメによってヒートシンク402に接合されている。そして、これら回路基板9、ヒートシンク402、及びリードフレーム5が接合されてなる接合体がモールド樹脂7によって一体的に封止され、回路基板9の周囲が密封されている。この半導体装置400で用いられるヒートシンク402は、回路基板9側に略平坦な第1の接合面402aが形成され、この第1の接合面402aと同じ側において段差状に第2の接合面402bが形成されている。そして、第1の接合面402aが回路基板9の一方面基板面9bに接合され、第2の接合面402bがリードフレーム5aに接合されており、リードフレーム5が第2の接合面402bに接合されてなる接合部20カシメによって接合されるカシメ接合部404と、回路基板9とが、回路基板9の板面と直交する方向即ち、上下方向において少なくとも部分的に重なっている。この構成では、リードフレーム5とヒートシンク402とを接合する上で接着剤の量の調整が必要とならず、接着剤のはみ出しなどに起因する悪影響等を防ぎやすくなる。また、接着剤の塗布工程や乾燥工程を一部省略或いは削減することができるため、製造上有利となる。[第5実施形態]次に第5実施形態について説明する。図10は、本発明の第5実施形態に係る半導体装置の断面を概略的に示す模式図である。第5実施形態に係る半導体装置500は、主としてヒートシンクの構成及びリードフレームの接合方法のみが第1実施形態の半導体装置1と異なり、それ以外は第1実施形態と同様である。よって、以下では異なる構成について重点的に説明することとし、同様の部分については第1実施形態と同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。本実施形態の半導体装置500では、第1実施形態と同一の回路基板9を有しており、この回路基板9と板状のヒートシンク502とが第1実施形態と同様の基板接着剤3によって接着されている。更に、第1実施形態と同様に複数のリードフレーム5が設けられ、それぞれが回路基板9の端子と電気的に接続されており、そのうちの一部のリードフレーム5aが第1実施形態と同様の接着剤4によってヒートシンク502に接合されている。そして、これら回路基板9、ヒートシンク502、及びリードフレーム5が接合されてなる接合体がモールド樹脂7によって一体的に封止され、回路基板9の周囲が密封されている。この半導体装置500で用いられるヒートシンク502は、回路基板9側に略平坦な第1の接合面502aが形成され、この第1の接合面502aと同じ側において段差状に第2の接合面502bが形成されている。そして、第1の接合面502aが回路基板9の一方面基板面9bに接合され、第2の接合面502bがリードフレーム5aに接合されており、リードフレーム5が第2の接合面502bに接合されてなる接合部20と、回路基板9とが、回路基板9の板面と直交する方向即ち、上下方向において少なくとも部分的に重なっている。また、上記半導体装置500では、第2の接合面502bが、ヒートシンク502の端部回路基板9の一方の辺9c側に形成された端部502cに設けられており、ヒートシンク502における第2の接合面502b側の端部502cは、回路基板9の板面と平行な方向において一方の辺9cよりも回路基板9の内側に収まるように配置されている。この構成によれば、接合部20だけでなくヒートシンク502自体も回路基板9の外周縁よりも外側即ち、回路基板9の板面方向において回路基板9の外縁よりも外側の領域に広がり難くなり、回路基板9の機能を損なうことなくモールドサイズをより一層低減することができる。[第6実施形態]次に第6実施形態について説明する。図11は、本発明の第6実施形態に係る半導体装置の断面を概略的に示す模式図である。第6実施形態に係る半導体装置600は、主としてヒートシンクの構成及びリードフレームの接合方法のみが第1実施形態の半導体装置1と異なり、それ以外は第1実施形態と同様である。よって、以下では異なる構成について重点的に説明することとし、同様の部分については第1実施形態と同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。本実施形態の半導体装置600では、第1実施形態と同一の回路基板9を有しており、この回路基板9と板状のヒートシンク602とが第1実施形態と同様の基板接着剤3によって接着されている。更に、第1実施形態と同様に複数のリードフレーム5が設けられ、それぞれが回路基板9の端子と電気的に接続されており、そのうちの一部のリードフレーム5aが第1実施形態と同様の接着剤4によってヒートシンク602に接合されている。そして、これら回路基板9、ヒートシンク602、及びリードフレーム5が接合されてなる接合体がモールド樹脂7によって一体的に封止され、回路基板9の周囲が密封されている。この半導体装置600で用いられるヒートシンク602は、回路基板9側に略平坦な第1の接合面602aが形成され、この第1の接合面602aと同じ側において段差状に第2の接合面602bが形成されている。また、別の第2の接合面602cが段差状に形成されている。そして、第1の接合面602aが回路基板9の一方面基板面9bに接合され、第2の接合面602bがリードフレーム5aに接合されており、もう一つの第2の接合面602cにはワイヤボンディングされるリードフレーム5bが接合されている。そして、リードフレーム5aが第2の接合面602bに接合されてなる接合部20と、回路基板9とが、回路基板9の板面と直交する方向即ち、上下方向において少なくとも部分的に重なっており、リードフレーム5bが第2の接合面602cに接合されてなる接合部21と、回路基板9とが、回路基板9の板面と直交する方向即ち、上下方向において少なくとも部分的に重なっている。このように、ワイヤ10がボンディングされるリードフレーム5bリード端子を加工されたヒートシンク602の上面に接着剤4で接着することにより、このヒートシンク602がワイヤボンディングする際にリードフレーム5の高さを固定する治具の代替となり、ボンディング工程の治具の簡略化を図ることができる。[他の実施形態]本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。上記実施形態では、自動車のトランスミッションに搭載される直載式の半導体装置を例示したが、他の部分特に防水性が求められる部分に搭載される半導体装置として構成されていてもよい。第1実施形態では、リードフレーム5aと第2の接合面2bを接着剤4によって接合した例を示したが、図12に示す半導体装置700のように、リードフレーム5aと第2の接合面2bを溶接によって接合してもよい。第2実施形態では、ヒートシンク202に溝12を形成した構成を例示したが、図13に示す半導体装置800のように、第1実施形態と同様の段差構成をなすヒートシンク802において第2実施形態と同様の溝12を形成し、剥離防止性を高めてもよい。第1実施形態では、ヒートシンク2において第1の接合面と第2の接合面とが段差形状となっている例を示したが、図14に示す半導体装置900のように、第2の接合面902bを第1の接合面902aに対して傾斜するようにテーパ状に形成し、この第2の接合面902にリードフレーム5aを接合するようにしてもよい。第1実施形態では、リードフレームの一例を示したが、リードフレームの形状はこれに限られない。例えば、図15のリードフレーム5aのように、ディプレス加工がなされた部分ディプレス部17が設けられ、リードフレーム5aの端部ヒートシンク2の第2の接合面2bに接合される部分が、リードフレーム5bの端部ボンディングワイヤ10に接合される部分から上下方向回路基板9の板面と直交する方向、即ち高さ方向にずれていてもよい。この場合、ヒートシンク2とリードフレーム5aの接合部20の位置に左右されることなくワイヤボンディング部18の位置をボンディングに適した高さに設定し易くなる。第1実施形態では、第1の接合面2aと第2の接合面2bが段差形状となっている構成を例示したが、第1実施形態で用いられるヒートシンク2を図16のヒートシンク1102のように変更してもよい。このヒートシンク1102では、第1の接合面1102aと第2の接合面1102bとが連続的な平坦面として構成されており、リードフレーム5aは、接着剤4によって第2の接合面1102bに接合され、基板接着剤3によって回路基板9の端部付近に接合されている。この構成によれば、ヒートシンクに特別な加工を施すことなくモールドサイズの低減を図ることができる。いずれの実施形態でも、回路基板9には、図17のように電子部品8として発熱性の高い発熱素子30例えばパワーMOSFETやIGBTなどのスイッチ素子などが実装されていてもよい。そして、いずれの実施形態でも、図17のように、リードフレーム5がこのような発熱素子30の真裏の領域を避けて接合されていてもよい。即ち、いずれの実施形態でも、リードフレーム5aと第2の接合面の接合部20が発熱素子30と上下に重ならないように設けられていてもよい。この構成では、発熱素子での発熱を直接ヒートシンクに放熱させる事ができると共に発熱素子30での発熱とリードフレーム5の発熱が特定個所に集中し難くなり、放熱性をより高めることができる。なお、図17では、発熱素子30以外の電子部品については図示を省略している。上記実施形態では、回路基板やリードフレームの平面形状の一例を示したが、これに限定されるものではなく、これらを図18Aのように長手状に構成してもよい。このような構成の場合、回路基板の短辺側にリードフレームを接続する場合に十分な接続ができないことが懸念されるが、本発明によれば、図18Bのように回路基板9の下部にてヒートシンク2とリードフレーム5を接合することができるため、接着剤4の領域を確保して十分な強度で接着することが可能となり、その結果、製品形状選定の自由度拡大に寄与することになる。また、いずれの実施形態においても、リードフレームにおいて接着剤を侵入させるための貫通孔を形成することができる。例えば、図19の構成は、リードフレームの形状のみが第1実施形態の半導体装置1と異なっており、この構成では、リードフレーム5において、第2の接合面2bに対向する位置に貫通孔5eが形成されている。そして、接合部20において、ヒートシンク2とリードフレーム5とを接着する接着剤4が貫通孔5eに入り込むように構成されている。この構成では、リードフレーム5をヒートシンク2に接合する際に、接着剤4がリードフレーム5の貫通孔5eに入り込むため、ヒートシンク2は勿論のこと、比較的接着面積の少ないリードフレーム5についても確実に接着剤を接着することができ、リードフレーム5とヒートシンク2をより強固に接合することができる。