対象表面に対し走査型顕微鏡のプローブ先端部を振動させる段階と、前記プローブ先端部が前記対象表面に接近することによって前記プローブ先端部の前記振動の振幅が減衰したことを検出する段階と、検出された前記減衰を用い、前記対象表面を検出する段階と、前記プローブ先端部を用い、前記減衰の検出と同時に前記対象表面の活性状態を測定するか、または改質させる段階とを備える方法。接近曲線プロセスの間に前記減衰を検出する段階を備える、請求項1に記載の方法。インターミッテントコンタクトが検出されたときに前記接近曲線プロセスを停止する段階を備える、請求項2に記載の方法。参照媒体中での前記振動の振幅と比べてセンサ先端部の前記振動の振幅が持続的に減少していることを検出すると、前記接近曲線プロセスを停止する段階を備える、請求項2に記載の方法。参照媒体中での前記振動の振幅と比べて前記プローブ先端部の前記振動の振幅が0.5から15減少していることを検出すると、前記接近曲線プロセスを停止する段階を備える、請求項2に記載の方法。参照媒体中での前記振動の振幅と比べて前記プローブ先端部の前記振動の振幅が5から10減少していることを検出すると、前記接近曲線プロセスを停止する段階を備える、請求項2に記載の方法。連続の線走査を用い、画像を構成する段階を備え、前記連続の線走査のそれぞれが、順方向のインターミッテントコンタクト走査および逆方向の等距離走査を含む、請求項1から6のいずれか1項に記載の方法。測定された前記振動の振幅を用い、前記対象表面に対する前記プローブ先端部の動きを制御する段階を備える、請求項1から7のいずれか1項に記載の方法。前記プローブ先端部を振動させる段階が、前記活性電極の半径の1から2の間の振幅で振動させる段階を有する、請求項1から8のいずれか1項に記載の方法。前記プローブ先端部に対し正弦波振動を加える段階を備える、請求項1から9のいずれか1項に記載の方法。前記プローブ先端部に対し鋸歯状振動を加える段階を備える、請求項1から9のいずれか1項に記載の方法。前記プローブ先端部に対し矩形振動を加える段階を備える、請求項1から9のいずれか1項に記載の方法。前記プローブ先端部の振動周波数が、5から100000Hzの間の値である、請求項1から12のいずれか1項に記載の方法。前記プローブ先端部の振動周波数が、5から5000Hzの間の値である、請求項1から13のいずれか1項に記載の方法。前記プローブ先端部の振動周波数が、30から110Hzの間の値である、請求項1から14のいずれか1項に記載の方法。前記プローブ先端部の振幅が0.1nmから1μmの間の値である、請求項1から15のいずれか1項に記載の方法。前記プローブ先端部の振幅が5nmから500nmの間の値である、請求項1から16のいずれか1項に記載の方法。前記プローブ先端部の振幅が15nmから250nmの間の値である、請求項1から17のいずれか1項に記載の方法。前記プローブが超微小電極である、請求項1から18のいずれか1項に記載の方法。前記プローブがイオンコンダクタンスプローブである、請求項1から18のいずれか1項に記載の方法。前記プローブが光ファイバープローブである、請求項1から18のいずれか1項に記載の方法。前記プローブが電位差測定のためのインジケータプローブである、請求項1から18のいずれか1項に記載の方法。前記プローブの測定された電気化学的応答を用い、前記対象表面に関する情報を提供する段階を備える、請求項1から22のいずれか1項に記載の方法。前記プローブ先端部の前記電気化学的応答が、任意の電位に保持され対象種と相互作用する際に前記プローブ先端部で生じる電流である、請求項23に記載の方法。前記プローブ先端部の前記電気化学的応答が、対象種と相互作用する際に前記プローブ先端部で生じる電位である、請求項23に記載の方法。前記プローブ先端部の前記電気化学的応答を用い、化学種を前記対象表面に供給する段階を備える、請求項23に記載の方法。前記プローブ先端部を前記対象表面に対し垂直、または実質的に垂直に振動させる段階を備える、請求項1から26のいずれか1項に記載の方法。コンピュータを、請求項1から27のいずれか1項に記載の方法を実行する走査型顕微鏡装置として機能させるプログラム。走査型顕微鏡装置のプロセッサにより実行されたときに、前記走査型顕微鏡装置に方法を実行させる機械可読コードを保存したコンピュータ可読記録媒体であり、前記方法は、対象表面に対しプローブ先端部を振動させる段階と、前記プローブ先端部が前記対象表面に接近することによって前記プローブ先端部の前記振動の振幅が減衰したことを検出する段階と、検出された前記減衰を用い、前記対象表面を検出する段階と、前記プローブ先端部を用い、前記減衰の検出と同時に前記対象表面の活性状態を測定するか、または改質させる段階とを備えるコンピュータ可読記録媒体。対象表面に対し走査型顕微鏡のプローブ先端部を振動させ、前記プローブ先端部が前記対象表面に接近することによって前記プローブ先端部の前記振動の振幅が減衰したことを検出し、検出された前記減衰を用い、前記対象表面を検出し、前記プローブ先端部を用い、前記減衰の検出と同時に前記対象表面の活性状態を測定するか、または改質させるように構成された装置。対象表面に対し走査型顕微鏡のプローブ先端部を振動させる手段と、前記プローブ先端部が前記対象表面に接近することによって前記プローブ先端部の前記振動の振幅が減衰したことを検出する手段と、検出された前記減衰を用い、前記対象表面を検出する手段と、前記プローブ先端部を用い、前記減衰の検出と同時に前記対象表面の活性状態を測定するか、または改質させる手段とを備えた装置。しかし、2種類のメディエータを用いる場合、対象となる系と相互作用しない適切な酸化還元活性種を見つけるのは難しい。また、インピーダンスのフィードバックによる方法およびTPMによる方法は、計測される電流に応じてSECM先端部と基板表面との間の距離を決定するため、基板の活性に依存することとなる。シアフォースのフィードバックによる方法およびSECM-AFMによる方法は、フォースフィードバック信号を用いることで、画像生成中において先端部と対象界面との間の微小なかつ実質的に一定な分離を維持出来るので有利ではあるが、専門家による分析、および/または新規な先端部がさらに要求される。本願発明の第1の態様は、対象表面に対し走査型顕微鏡のプローブ先端部を振動させる段階と、プローブ先端部が対象表面に接近することによってプローブ先端部の振動の振幅が減衰したことを検出する段階と、検出された減衰を用い、対象表面を検出する段階と、プローブ先端部を用い、減衰の検出と同時に対象表面の活性状態を測定するか、または改質させる段階とを備える方法を提供する。また本願発明は、走査型電気化学顕微鏡装置により実行されたときに、走査型電気化学顕微鏡装置が方法を実行するように制御する機械可読命令を備えたコンピュータプログラムを提供する。本願発明の第2の態様は、走査型顕微鏡装置のプロセッサにより実行されたときに、走査型顕微鏡装置に方法を実行させる機械可読コードを保存したコンピュータ可読記録媒体であり、方法は、対象表面に対し走査型顕微鏡装置のプローブ先端部を振動させる段階と、プローブ先端部が対象表面に接近することによってプローブ先端部の振動の振幅が減衰したことを検出する段階と、検出された減衰を用い、対象表面を検出する段階と、プローブ先端部を用い、減衰の検出と同時に対象表面の活性状態を測定するか、または改質させる段階とを備えるコンピュータ可読記録媒体を提供する。本願発明の第3の態様は、対象表面に対し走査型顕微鏡のプローブ先端部を振動させ、プローブ先端部が対象表面に接近することによってプローブ先端部の振動の振幅が減衰したことを検出し、検出された減衰を用い、対象表面を検出し、プローブ先端部を用い、減衰の検出と同時に対象表面の活性状態を測定するか、または改質させるように構成された装置を提供する。本願発明の第4の態様は、対象表面に対し走査型顕微鏡のプローブ先端部を振動させる手段と、プローブ先端部が対象表面に接近することによってプローブ先端部の振動の振幅が減衰したことを検出する手段と、検出された減衰を用い、対象表面を検出する手段と、プローブ先端部を用い、減衰の検出と同時に対象表面の活性状態を測定するか、または改質させる手段とを備えた装置を提供する。実施形態の特徴および、関連した効果と利点に関する一般的な説明を以下に示す。インターミッテントコンタクトSECMIC-SECMとして知られるいくつかの態様において本願発明は、トポグラフィおよび表面上の活性を個別に分析することが出来る、例えばSECM等、新規の走査型顕微鏡における先端部の位置決め方法に関する。本願発明の実施形態は、対象表面に対してSECM先端部に微小振動を加えることを含む。SECM先端部の高さは、SECM先端部の平均高さを中心として振動する。SECM先端部は対象表面に対して動かされ、振動の振幅はSECM先端部が表面に近づくに従って減衰される。減衰が検出され、SECM先端部と表面との間の距離に関する絶対情報を提供する。振動振幅の減衰をフィードバック信号として用い、基板表面に対するSECM先端部の動きを制御する。SECM先端部の電気化学的応答を計測し、界面、表面、または相についての補足情報を提供することが出来、またSECM先端部の電気化学的応答を制御し、界面、表面、または相を改質させることも出来る。本願発明の態様は、あらゆる種類のSECM先端部電流測定および電位差測定のための先端部を含むに用いることが出来、あらゆるSECM構成に用いることが出来る。また本願発明の態様は、ナノスケールのSECM電極先端部および、集束イオンビーム法または研磨およびエッチング処理によって形成されたSECM先端部に用いることも出来る。また本願発明の態様は、イオンコンダクタンスプローブ、光ファイバープローブ、および表面または界面に物理的に近く位置決めされることが所望される、局所的な気体の検出/イメージングのためのプローブ、微小流体細胞の位置決めのためのプローブ等、他のプロ―ブの位置決めおよびイメージングに用いることが出来る。SECM先端部は、電位差測定のためのインジケータプローブであってもよい。従来の技術と比較し、本願発明の実施形態は、基板のトポグラフィおよび表面上の活性を個別に分析する、安価、ロバスト、かつ単純な方法を提供する。本願発明のいくつかの実施形態を実施するのに追加的に必要となる機器および制御方式は最小限である。よって、本願発明の態様は、基板のトポグラフィおよび基板上の活性をSECMで分析する安価かつ単純な方法を提供する。フィードバック表面位置を特定するのに用いられるはSECM先端部の基板表面との物理的相互作用によって決まり、表面上の活性状態によっては決まらない。このことが意味するのは、基板上の活性の変化は、先端部と基板との間の距離測定に影響を与えないということである。よって本願発明の実施形態は、基板のトポグラフィおよび基板上の活性を個別に決定するロバストな方法を提供する。また、このことが意味するのは、本願発明の態様は、標準的なSECM先端部UMEと共に、標準的なSECMモードにおいて用いることが出来るということである。また本願発明の態様は、非電気化学顕微鏡に用いることも出来る。このアプローチの特に有利な特徴は、電位差測定電極およびイオンコンダクタンスプローブ等の他の種類のSECM先端部を用いることが可能になるということである。また、先端部位置が微かに振動されるため、電流のAC成分および平均電流を分離することもさらに出来、これにより電気化学的な情報内容が格段に詳細なものになる。本願発明の実施形態がタッピングモードAFMTM-AFM。米国特許第5412890号と異なる点は、TM-AFMで用いられるカンチレバー構造の先端部と比較し本願発明の実施形態が全く異なる先端部のデザインを用いる点であり、TM-AFMで用いられる共振周波数と比較し先端部が異なる周波数で振動させられる点である。本願発明がWipfandBardの先端部位置変調TPMによる方法米国特許第5382336号と異なる点は、非電気化学信号を用いてフィードバックおよび位置決め感度を与える点である。TPMと異なり、本願発明ではSECM先端部が基板と接近することとなる。本願発明の実施形態は、SECM先端部を典型的に0.1nmから1μmの微小振動を、典型的に5から100000Hzで加えることを含む。SECM先端部はUMEであってよく、例えば半径0.002から12.5μmの金属線Aの形態で、対象表面Cに対し典型的に垂直な状態でガラスキャピラリーB内に封止されたものであってもよい。振動するSECM先端部が表面に接すると、振動の振幅が減衰する。振動は、典型的に正弦波振動であるが、他の種類の振動を用いることも出来る。図1は、UMEの断面図およびUMEの振動を示す。図2は、バルク溶液内にあるときすなわち、表面に接近していない状態のSECM先端部の動きを示す。図3は、基板表面とインターミッテントコンタクトするときのSECM先端部の動きを示す。ここで、波形の上半分、すなわち位置0よりも上の部分は、図2と実質的に同じであることが見て取れる。しかし、波形の下半分は、表面Cとの接近により減衰している。この減衰が検出され、先端部と表面との間の距離に関する絶対情報が提供される。この絶対情報を用い、接近曲線測定先端部を、通常垂直方向に基板に近づけるように、または基板から離すように動かすにおける先端部と表面との間の距離の測定基準として用いることが出来、また、イメージング先端部および/または基板が互いに対し横方向に動かされるの際に先端部と基板表面との間の距離を一定に保つ設定点に用いることも出来る。SECM先端部の電気化学的信号例えば、電流および/または電位を動作中継続して測定し、表面上の活性に関する情報が提供される。本願発明の実施形態について詳細に説明をする。本願発明の実施形態を電流接近曲線測定ならびに、電流測定および電位差測定によるイメージングに関して説明する。図4に、電気的にバイアスのかかっていない試料に関する電流測定の構成を、模式的に示す。なお、試料が導体または半導体材料である場合であっても、電位および/または電流制御用の電極として接続が可能である。[装置および器具]典型的に基板表面52に対し垂直にマウントされるが、異なる角度でマウントされてもよいSECM先端部B白金ディスクUMEの粗調整は、マニピュレータスクリュー56によって制御される手動3次元x、y、zステージによってなされる。なおこの位置決めは、他の手段によってなされてもよい。微調整は、それぞれ歪みゲージセンサーを備える3つのx、y、z圧電位置決め装置42によってなされる。閉ループで動作する圧電位置決め装置42は、圧電位置決め装置アンプ/サーボ47によって制御される。圧電位置決め装置アンプ/サーボ47は、コンピュータ45によって制御される。ACジェネレータ49によって提供されるAC信号が、信号加算器48によってz圧電位置決め装置の制御に印加される。AC信号は、SECM先端部Bの平均高さを中心として、SECM先端部Bに関し以下の正弦波振動を生成する。しかし、他の振動プロファイルを用いることも可能である。コンピュータ45は、処理手段、メモリ手段、およびメモリ手段に保存されたコンピュータプログラムを含み、この処理手段は、1以上のプロセッサを有し、メモリ手段は1以上のメモリを有する。処理手段は、コンピュータプログラムの制御のもと、測定、検出および制御等を含む、下記の様々な動作を実行する。本願発明の実施形態は、典型的にファラデーケージ41内で、防振台55上で、作用電極または活性電極として金属線AまたはUME先端部Bを用い、および準基準電極51を用いた二電極構成にて実施される。しかし、他の周知の電気化学セットアップのうち、三電極作用、基準、およびカウンタ電極または四電極二定電位セットアップ等を用いることも出来る。SECM先端部の電流および圧電位置決め装置の位置が記録される。SECMは拡散律速構成で動作し、SECM先端部は任意の電位に保持され、ターゲットの化学物質を電解する。[インターミッテントコンタクトSECMIC-SECM接近曲線]マニピュレータスクリュー56を用い、SECM先端部が基板表面近くに動かされる。x、y、z圧電位置決め装置42のうちz圧電位置決め装置42を用い、SECM先端部を基板に近づけるように動かし、接近曲線測定を行う。同時にSECM先端部は、典型的に70Hzの周波数および活性電極の半径の1から210nmから150nmの振幅で振動させられる。しかし、振動振幅は、活性電極の半径の0.001から50の間のいずれの値であってもよい。IC-SECM接近曲線測定は、インターミッテントコンタクトが検出された時点で停止する。ここでインターミッテントコンタクトとは、バルク溶液内でのz圧電位置決め装置歪みゲージセンサz-SGSの振動振幅と比較した場合の、z-SGSの先端部の振動振幅の持続的な減少と定義する例えば、1から15の持続的な減少。UMEの先端部Bが絶縁性の基板表面Cに近づく場合、平均電流は減少する。導電性の基板表面Cに近づく場合、平均電流は増加する。接近曲線の大部分において、z-SGSの振動振幅は一定であり、UMEの先端部Bと基板表面Cとの間でインターミッテントコンタクトが発生すると、振動振幅が変化する。ここでは振動周波数は70Hzであるが、5から100000Hzの間のいかなる値であってもよい。振動周波数は、5から5000Hzの間の値であってもよい。振動周波数は、30から110Hzの間の値であってもよい。振動振幅は、0.1nmから1μmの間の値であってもよい。振動振幅は、5nmから500nmの間の値であってもよい。振動振幅は、15nmから250nmの間の値であってもよい。SECM先端部の振動振幅はモニタリングされ、測定された振動振幅を用いて対象表面に対するSECM先端部の動きが制御される。正弦波振動の代わりに、他の波形の振動を用いることが出来る。例えばSECM先端部に対し矩形振動を加えることも出来る。矩形波の振動周波数は、5から100000Hzの間の値であってもよく、あるいは他の値であってもよい。振動振幅は、0.1nmから1μmの間の値であってもよい。鋸歯状振動をSECM先端部に加えてもよい。鋸歯状信号の振動周波数は、5から100000Hzの間の値であってもよい。ここで振動振幅は、0.1nmから1μmの間の値であってもよい。SECM先端部の電気化学的応答を測定し、対象表面に関する情報を提供する。SECM先端部の電気化学的応答は、任意の電位に保持され対象種と相互作用する際にSECM先端部で生じる電流、またはSECM先端部を流れる電流であってもよい。他の実施形態では、対象種と相互作用する際にSECM先端部で生じる電位であってもよい。また他の実施形態では、定電流制御によって電流が先端部に加えられる際の電位であってもよい。さらに他の実施形態ではコンダクタンス電流であってもよい。SECM先端部の電気化学的応答を用い、化学種を対象表面に供給してもよい。これらの実施形態において対象表面は、2種類の物質間の界面、固体または液体の表面、あるいは1種類の物質の2つの相の境界すなわち固体と液体、液体と気体、または固体と気体であり、生体細胞または組織の表面等、他の表面であってもよい。SECM先端部は、対象表面に対し垂直、または実質的に垂直に振動させられる。[インターミッテントコンタクトSECMイメージング]SECM先端部Bは、インターミッテントコンタクトが検出された点が終端部となるインターミッテントコンタクトIC-SECM接近曲線を用いて、表面Cと連係する。典型的に複数回の線走査を用いて画像が構成されるが、他の走査法を用いることも出来る。各線走査は、順方向のインターミッテントコンタクト走査と逆方向の等距離走査を含む。順方向の走査は、基板表面Cとインターミッテントコンタクトしながら行われる。逆方向の走査は、順方向の走査中に先端部Bのz方向の位置の測定により特定される、基板表面Cとの間の一定距離を保ちつつ行われる。この先端部Bと基板表面Cとの間の距離は、典型的に、2μmの半径を持つ、活性先端部Bに対し、0.1から2μmの範囲である。インターミッテントコンタクト走査中、SECM先端部の高さが、コンピュータ45上で実装される比例制御部により更新される。PID比例-積分-微分制御部等の他の形態の制御部を代わりに用いることも出来る。比例制御部は以下の数式に基づいて制御を行う。ここで、およびは、それぞれSECM先端部の新しい高さと古い高さであり、は、z-SGSの振動振幅であり、は、バルク溶液内でのz-SGSの振動振幅である。z-SGSの振動振幅における10の減少を走査の設定点として用いるが、他の値を用いることも出来る。線走査の間にSECM先端部の電流を測定する。このことにより、化学活性の画像先端部電流の様々な測定値に基づくおよび基板の高さz圧電位置決め装置の位置に基づくが同時に構成される。導電領域および絶縁領域を有する基板の場合、UMEが電流測定によるフィードバックモードで動作する際、IC-SECMイメージングによって、導電領域上では平均電流の増加を用い正の拡散フィードバック、絶縁領域では平均電流の低下を用い負の拡散フィードバック、画像が形成される。インターミッテントコンタクト線走査の間、および等距離線走査の間の両方で、平均電流を記録することが出来る。インターミッテントコンタクト線走査および等距離走査の両方の画像で観察される平均電流の増加と低下のパターンは、互いに同様である。しかし、インターミッテントコンタクト線走査での平均電流の方が、等距離走査での平均電流よりも大きな変動性を示す。インターミッテントコンタクト線走査におけるz圧電位置決め装置の位置に基づいて、コンピュータ45が基板表面を特定する。さらに、電流の振動成分を分離することも出来る。コンピュータ45が電流の振動成分の振幅および位相に基づいて、基板表面上の活性に関する画像を構成する。UMEを電位差測定のための先端部例えば、pH感受性、Cl-選択性電極、またはその他同様の電極として動作させるIC-SECMイメージングでは、対象種の濃度に関する画像が形成される。この場合、二電極電位差測定電極セットアップ指示電極および基準電極を用い、指示電極の電位を測定する。この電位を、先端部の位置における対象種の局所濃度に変換することが出来る。上述の電流測定によるイメージングに関する本発明の主な利点は、試料のトポグラフィおよび先端部と基板との間の距離が先端部の振動の減衰によって決定できるということである。また電位差測定電極を、接近曲線測定のIC-SECMモードに用いることも可能である。