電気光学結晶の内部に生じる屈折率分布によって回折格子を形成するとともに、データ信号に応じて前記回折格子の回折効率を変化させることで、前記回折格子によって光を変調する光変調器であって、前記データ信号よりも高周波の交流信号を前記データ信号によって振幅変調させた振幅変調信号を、前記電気光学結晶に印加する制御部を備え、前記振幅変調信号を受けた前記電気光学結晶の内部では、前記振幅変調信号の振幅に応じた分布を有する屈折率分布が、前記交流信号に応じて変化することを特徴とする光変調器。前記交流信号は矩形波である請求項1に記載の光変調器。前記制御部は、前記回折格子の回折効率のオフセットを調整するオフセット調整機構を有する請求項1または2に記載の光変調器。前記オフセット調整機構は、前記振幅変調信号に直流信号を加算して前記電気光学結晶に印加することで、前記オフセットを調整する請求項3に記載の光変調器。前記オフセット調整機構は、前記交流信号のデューティ比を変化させることで、前記オフセットを調整する請求項3または4に記載の光変調器。前記オフセット調整機構は、前記オフセットに関連する値を検出する第1ディテクタを有するとともに、前記第1ディテクタの検出値に基づいて前記オフセットを調整するフィードバック制御を行なう請求項3ないし5のいずれか一項に記載の光変調器。前記第1ディテクタは、前記オフセットに関連する値として、前記光変調器を通過した光の直流成分を検出する第1センサを有しており、前記オフセット調整機構は、前記第1センサの検出値に基づいて前記オフセットを調整する請求項6に記載の光変調器。前記制御部は、前記回折格子の回折効率を調整する回折効率調整機構を有する請求項1ないし7のいずれか一項に記載の光変調器。前記回折効率調整機構は、前記振幅変調信号の振幅を変化させることで、前記回折効率を調整する請求項8に記載の光変調器。前記回折効率調整機構は、前記データ信号を変化させることで、前記振幅変調信号の振幅を変化させる請求項9に記載の光変調器。前記回折効率調整機構は、前記交流信号の振幅を変化させることで、前記振幅変調信号を変化させる請求項9に記載の光変調器。前記回折効率調整機構は、前記回折効率に関連する値を検出する第2ディテクタを有するとともに、前記第2ディテクタの検出値に基づいて前記回折効率を調整するフィードバック制御を行なう請求項8ないし11のいずれか一項に記載の光変調器。前記第2ディテクタは、前記回折格子の回折効率に関連する値として、前記光変調器を通過した光の強度変化を検出する第2センサを有しており、前記第2センサの検出値に基づいて前記回折効率を調整する請求項12に記載の光変調器。前記交流信号の周波数は、前記データ信号の周波数の2倍以上である請求項1ないし13のいずれか一項に記載の光変調器。前記交流信号の周波数は、1KHz以上である請求項1ないし14のいずれか一項に記載の光変調器。前記電気光学結晶は、周期分極反転構造を有する強誘電体結晶であり、前記制御部は、前記電気光学結晶を挟んで設けられた2つの電極間に前記振幅変調信号を印加する請求項1ないし15のいずれか一項に記載の光変調器。前記電気光学結晶は、分極方向が一様な構造を有する強誘電体結晶であり、前記制御部は、前記電気光学結晶の同一面に設けられた2つの電極間に前記振幅変調信号を印加する請求項1ないし15のいずれか一項に記載の光変調器。前記電気光学結晶に設けられた前記電極には絶縁層を介して前記振幅変調信号が印加される請求項16または17に記載の光変調器。前記絶縁層は、二酸化ケイ素である請求項18に記載の光変調器。被描画面に光を照射して描画を行なう描画装置であって、請求項1ないし19のいずれか一項に記載の光変調器と、前記光変調器の前記電気光学結晶に光を入射させる光源部と、前記光変調器により変調されて前記電気光学結晶から射出した光を前記被描画面に導く光学系とを備えたことを特徴とする描画装置。光変調デバイスが有する電気光学結晶の内部に生じる屈折率分布によって回折格子を形成するとともに、データ信号に応じて前記回折格子の回折効率を変化させることで、前記回折格子によって光を変調する光変調デバイスの制御装置であって、前記データ信号よりも高周波の交流信号を前記データ信号によって振幅変調させた振幅変調信号を、前記電気光学結晶に印加する制御部を備え、前記振幅変調信号を受けた前記電気光学結晶の内部では、前記振幅変調信号の振幅に応じた分布を有する屈折率分布が、前記交流信号に応じて変化することを特徴とする光変調デバイスの制御装置。光変調デバイスが有する電気光学結晶の内部に生じる屈折率分布によって回折格子を形成するとともに、データ信号に応じて前記回折格子の回折効率を変化させることで、前記回折格子によって光を変調する光変調デバイスの制御方法であって、前記データ信号よりも高周波の交流信号を前記データ信号によって振幅変調させた振幅変調信号を、前記電気光学結晶に印加する工程を備え、前記工程において前記振幅変調信号を受けた前記電気光学結晶の内部では、前記振幅変調信号の振幅に応じた分布を有する屈折率分布が、前記交流信号に応じて変化することを特徴とする光変調デバイスの制御方法。ところで、外部から印加される電気信号の平均値が正側あるいは負側に偏るといった影響等により、強誘電体電気光学結晶そのものに電荷が残留してしまう場合があった。このような場合、電気光学結晶に印加される電気信号の値がゼロであるにも拘わらず、残留電荷による電界が電気光学結晶内部に発生して、回折格子の回折効率がゼロにならずにオフセットを持ってしまう。その結果、回折効率がオフセットだけずれて、回折格子による光変調を適切に実行できないおそれがあった。この発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、電気光学結晶への電荷の残留を解消することで、電気光学結晶の内部に形成される回折格子の回折効率のオフセットを抑えて、回折格子による適切な光変調の実現を可能とする技術を提供することを目的とする。本発明にかかる光変調器は、電気光学結晶の内部に生じる屈折率分布によって回折格子を形成するとともに、データ信号に応じて回折格子の回折効率を変化させることで、回折格子によって光を変調する光変調器であって、上記目的を達成するために、データ信号よりも高周波の交流信号をデータ信号によって振幅変調させた振幅変調信号を、電気光学結晶に印加する制御部を備え、振幅変調信号を受けた電気光学結晶の内部では、振幅変調信号の振幅に応じた分布を有する屈折率分布が、交流信号に応じて変化することを特徴としている。本発明にかかる光変調デバイスの制御装置は、光変調デバイスが有する電気光学結晶の内部に生じる屈折率分布によって回折格子を形成するとともに、データ信号に応じて回折格子の回折効率を変化させることで、回折格子によって光を変調する光変調デバイスの制御装置であって、上記目的を達成するために、データ信号よりも高周波の交流信号をデータ信号によって振幅変調させた振幅変調信号を、電気光学結晶に印加する制御部を備え、振幅変調信号を受けた電気光学結晶の内部では、振幅変調信号の振幅に応じた分布を有する屈折率分布が、交流信号に応じて変化することを特徴としている。本発明にかかる光変調デバイスの制御方法は、光変調デバイスが有する電気光学結晶の内部に生じる屈折率分布によって回折格子を形成するとともに、データ信号に応じて回折格子の回折効率を変化させることで、回折格子によって光を変調する光変調デバイスの制御方法であって、上記目的を達成するために、データ信号よりも高周波の交流信号をデータ信号によって振幅変調させた振幅変調信号を、電気光学結晶に印加する工程を備え、当該工程において振幅変調信号を受けた電気光学結晶の内部では、振幅変調信号の振幅に応じた分布を有する屈折率分布が、交流信号に応じて変化することを特徴としている。このように構成された発明光変調器、光変調デバイスの制御装置、光変調デバイスの制御方法は、データ信号に応じて、電気光学結晶内部に生じる回折格子の回折効率を変化させて光を変調する。ただし、電気光学結晶に印加される信号は、データ信号そのものではなくて、データ信号よりも高周波の交流信号をデータ信号によって振幅変調させた振幅変調信号である。このような振幅変調信号が印加された電気光学結晶の内部では、振幅変調信号の振幅に応じた分布を有する屈折率分布が、交流信号に応じて変化する。このとき、変化前後の屈折率分布は、いずれも振幅変調信号の振幅に応じた分布を有して、略等しい回折効率の回折格子を形成する。つまり、回折格子の回折効率は、振幅変調信号の交流成分とは概ね無関係に、振幅変調信号の振幅によって決まることとなる。そして、振幅変調信号は交流信号をデータ信号で振幅変調したものであるため、振幅変調信号の振幅はデータ信号に依存して変化する。したがって、回折格子の回折効率をデータ信号によって適切に変化させて、当該回折格子により光を変調することができる。しかも、本発明では、電気光学結晶に印加される振幅変調信号は、交流信号をデータ信号によって振幅変調させたものであるため、電気光学結晶には正側負側の両側に振動する信号が印加されることとなり、電気光学結晶への電荷の残留が解消することができる。その結果、電気光学結晶の内部に形成される回折格子の回折効率のオフセットを抑えて、回折格子による適切な光変調の実現が可能となっている。このとき、交流信号は矩形波であっても良い。このように構成した場合、交流信号に応じた屈折率分布の変化が速やかに行なわれるため、屈折率分布によって形成される回折格子の回折効率を安定させて、光変調をより適切に実行することが可能となる。なお、上述のとおり、交流信号をデータ信号によって振幅変調させた信号を電気光学結晶に印加することで、回折効率のオフセットを大幅に抑えることが可能となるものであるが、状況によっては若干のオフセットが残存する場合もある。そこで、制御部は、回折格子の回折効率のオフセットを調整するオフセット調整機構を有するように、光変調器を構成しても良い。これによって、回折効率のオフセットをより確実に抑制して、光変調をより適切に実行することが可能となる。この際、具体的には、オフセット調整機構は、振幅変調信号に直流信号を加算して電気光学結晶に印加することで、オフセットを調整することができる。あるいは、オフセット調整機構は、交流信号のデューティ比を変化させることで、オフセットを調整することもできる。このとき、オフセット調整機構は、オフセットに関連する値を検出する第1ディテクタを有するとともに、第1ディテクタの検出値に基づいてオフセットを調整するフィードバック制御を行なうように、光変調器を構成しても良い。このような構成では、例えば、回折効率のオフセットが時間とともに変動するようなオフセットドリフトに対しても効果的に対応することができるため、回折効率のオフセットをより確実に抑制して、光変調をより適切に実行することが可能となる。なお、オフセットに関連する値としては、例えば光変調器を通過した光の直流成分を用いることができる。具体的には、第1ディテクタは、オフセットに関連する値として、光変調器を通過した光の直流成分を検出する第1センサを有しており、オフセット調整機構は、第1センサの検出値に基づいてオフセットを調整するように、光変調器を構成すれば良い。また、回折効率のオフセット以外に、回折効率そのものがずれてしまう場合も想定される。そこで、制御部は、回折格子の回折効率を調整する回折効率調整機構を有するように、光変調器を構成しても良い。このように構成することで、回折効率が所望の値よりもずれたとしても、回折効率を適正値に調整して、光変調を適切に実行することが可能となる。なお、回折効率調整機構は、振幅変調信号の振幅を変化させることで、回折効率を調整することができる。具体的には、回折効率調整機構は、データ信号を変化させることで、振幅変調信号の振幅を変化させることができる。あるいは、回折効率調整機構は、交流信号の振幅を変化させることで、振幅変調信号を変化させることもできる。このとき、回折効率調整機構は、回折効率に関連する値を検出する第2ディテクタを有するとともに、第2ディテクタの検出値に基づいて回折効率を調整するフィードバック制御を行なうように、光変調器を構成しても良い。このような構成では、例えば、回折効率が時間とともに変動するような場合に対しても効果的に対応することができるため、回折効率を適切なものとして、光変調をより適切に実行することが可能となる。なお、回折格子の回折効率に関連する値としては、前記光変調器を通過した光の強度変化を用いることができる。具体的には、第2ディテクタは、回折格子の回折効率に関連する値として、光変調器を通過した光の強度変化を検出する第2センサを有しており、第2センサの検出値に基づいて回折効率を調整するように、光変調器を構成すれば良い。ところで、電気光学結晶は、電気信号の印加履歴に依存して、内部に形成される回折格子の回折効率が変化する、いわゆるヒステリシスを有する。したがって、このヒステリシスに起因して、回折効率にオフセットが生じる場合があった。ただし、このヒステリシスは、印加される電気信号の周波数が低いほど顕著になるという特性を有している。これに対して上述してきた本発明では、電気光学結晶に印加される電気信号は、データ信号よりも高周波の交流信号をデータ信号によって振幅変調させた振幅変調信号である。つまり、比較的高周波の電気信号が電気光学結晶に印加される。したがって、電気光学結晶のヒステリシスに起因した回折効率のオフセットを抑制して、光変調を適切に実行することが可能となる。特に、ヒステリシス起因のオフセットは、電気信号の周波数が高いほど効果的に抑制できる。そこで、交流信号の周波数は、データ信号の周波数の2倍以上であるように構成しても良い。また、交流信号の周波数は、1KHz以上であるように構成しても良い。また、電気的光学結晶の具体的構成としては種々のものを採用可能であり、この具体的構成にに応じて光変調器を次のように構成することができる。すなわち、電気光学結晶は、周期分極反転構造を有する強誘電体結晶であり、制御部は、電気光学結晶を挟んで設けられた2つの電極間に振幅変調信号を印加するように、光変調器を構成しても良い。あるいは、電気光学結晶は、分極方向が一様な構造を有する強誘電体結晶であり、制御部は、電気光学結晶の同一面に設けられた2つの電極間に振幅変調信号を印加するように、光変調器を構成しても良い。ところで、これらの構成においては、電気光学結晶に設けられた電極には、結晶中を通過する光が電極金属へ漏れ出ないようにするために、絶縁層を介して振幅変調信号が印加されるように構成することができる。ただし、このような構成では、絶縁層に電荷が残留してしまい、このことが電気光学結晶内部に形成される回折格子の回折効率のオフセット要因となるおそれがあった。特に、絶縁層は、二酸化ケイ素である場合、この問題が顕著になる傾向にあった。これに対して、本発明では、電気光学結晶に印加される振幅変調信号は、交流信号をデータ信号によって振幅変調させたものであるため、電気光学結晶には正側負側の両側に振動する信号が印加されることとなり、電気光学結晶そのものやその周囲絶縁層での電荷の残留が解消されている。その結果、電気光学結晶の内部に形成される回折格子の回折効率のオフセットを抑えて、回折格子による適切な光変調の実現が可能となっている。また、本発明にかかる描画装置は、被描画面に光を照射して描画を行なう描画装置であって、上記目的を達成するために、上述の光変調器と、光変調器の電気光学結晶に光を入射させる光源部と、光変調器により変調されて電気光学結晶から射出した光を被描画面に導く光学系とを備えたことを特徴としている。したがって、電気光学結晶の内部に形成される回折格子の回折効率のオフセットを抑えて、回折格子による適切な光変調の実現が可能となっている。以上のように、本発明によれば、電気光学結晶の内部に形成される回折格子の回折効率のオフセットを抑えて、回折格子による適切な光変調の実現が可能となっている。第1実施形態図1は本発明にかかる光変調器を装備したパターン描画装置を示す斜視図であり、図2は図1に示すパターン描画装置の側面図であり、図3は図1に示すパターン描画装置の電気的構成を示すブロック図である。このパターン描画装置100は、感光材料が表面に付与された半導体基板やガラス基板等の基板Wの表面に光を照射してパターンを描画する装置である。このパターン描画装置100では、本体フレーム101に対してカバー102が取り付けられて形成される本体内部に装置各部が配置されて本体部が構成されるとともに、本体部の外側本実施形態では、図2に示すように本体部の右手側に基板収納カセット110が配置されている。この基板収納カセット110には、露光処理を受けるべき未処理基板Wが収納されており、本体内部に配置される搬送ロボット120によって本体部にローディングされる。また、未処理基板Wに対して露光処理パターン描画処理が施された後、当該基板Wが搬送ロボット120によって本体部からアンローディングされて基板収納カセット110に戻される。この本体部では、図1および図2に示すように、カバー102に囲まれた本体内部の右手端部に搬送ロボット120が配置されている。また、この搬送ロボット120の左手側には基台130が配置されている。この基台130の一方端側領域図1および図2の右手側領域が、搬送ロボット120との間で基板Wの受け渡しを行う基板受渡領域となっているのに対し、他方端側領域図1および図2の左手側領域が基板Wへのパターン描画を行うパターン描画領域となっている。この基台130上では、基板受渡領域とパターン描画領域の境界位置にヘッド支持部140が設けられている。このヘッド支持部140では、基台130から上方に2本の脚部材141、142が立設されるとともに、それらの脚部材141、142の頂部を橋渡しするように梁部材143が横設されている。そして、図2に示すように、梁部材143のパターン描画領域側側面にカメラ撮像部150が固定されてステージ160に保持された基板Wの表面被描画面、被露光面を撮像可能となっている。このステージ160は基台130上でステージ移動機構161によりX方向、Y方向ならびにθ方向に移動される。すなわち、ステージ移動機構161は基台130の上面にX軸駆動部161X図3、Y軸駆動部161Y図3およびθ軸駆動部161T図3をこの順序で積層配置したものであり、ステージ160を水平面内で2次元的に移動させて位置決めする。また、ステージ160をθ軸鉛直軸回りに回転させて後述する光学ヘッド3に対する相対角度を調整して位置決めする。なお、このようなステージ移動機構161としては、従来より多用されているX-Y-θ軸移動機構を用いることができる。また、このように構成されたヘッド支持部140のパターン描画領域側で光学ヘッド3がボックス172に対して固定的に取り付けられている。なお、光学ヘッド3は本発明にかかる光変調器空間光変調器を装備して基板Wに対して光を照射して露光するものである。その構成および動作については、後で詳述する。また、基台130の反基板受渡側端部図1および図2の左手側端部においても、2本の脚部材144が立設されている。そして、この梁部材143と2本の脚部材144の頂部を橋渡しするように光学ヘッド3の照明光学系を収納したボックス172が設けられており、基台130のパターン描画領域を上方から覆っている。したがって、パターン描画装置100が設置されるクリーンルーム内に供給されているダウンフローを本体内部に引き入れたとしても、パターン描画領域にダウンフローが供給されない空間SPが形成される。そこで、本実施形態にかかるパターン描画装置100では、上記空間SPの反搬送ロボット側にステージ160と光学ヘッド3のボックス172とに挟まれた空間SPに向けて温調された気体を吹き出す気体吹出部190が配置されている。この実施形態では、本体部の左手側壁を構成するカバー102を貫通するように2つの気体吹出部190が上下に取り付けられている。これらの気体吹出部190は空調器191に接続されており、露光制御部181から指令に応じて作動して空調器191で温調された空気を空間SPに向けて吹き出す。これによって、気体吹出部190から吹き出された温調気体が横向きに流れて空間SPを通過する。これによって上記空間SPの雰囲気が入れ替えられてパターン描画領域での温度変化が抑制される。また、このように上記空間SPを通過した空気は搬送ロボット120に流れ込むが、この実施形態では、搬送ロボット120の下方部に排気口192が設けられるとともに、排気口192が配管193を介して空調器191に接続されている。したがって、排気口192を設けたことで搬送ロボット120を取り囲む雰囲気は排気されて同雰囲気内で下向きの気流、つまりダウンフローが形成される。したがって、搬送ロボット120でパーティクルが舞い上がり散乱するのが効果的に防止される。次に光学ヘッド露光装置3の構成および動作について説明する。この実施形態では、光学ヘッド3はボックス172に対して固定的に取り付けられており、光学ヘッド3の直下位置で移動している基板Wに対して光を落射することでステージ160に保持された基板Wを露光してパターンを描画する。なお、本実施形態では、光学ヘッド3はY方向に複数チャンネルで光を同時に照射可能となっており、Y方向が副走査方向に相当している。また、ステージ160をX方向に移動させることで基板Wに対してパターンを2次元的に描画することが可能となっており、X方向が主走査方向に相当している。図4は光学ヘッドの内部構成を簡略化して示す図であり、同図aは光学ヘッド3の光軸OAおよび副走査方向Yに沿って光学ヘッド3を上方すなわち、図1中の-X側からX側を向いて見た場合から見た場合の光学ヘッド3の内部構成を示し、同図bは主走査方向Xに沿って図1の装置手前側左下側から光学ヘッド3側を見た場合すなわち、光学ヘッド3のY側から見た場合の光学ヘッド3の内部構成を示している。図4に示す光学ヘッド3は、所定の波長例えば、830、635、405、あるいは、355ナノメートルnmの光ビームを出射する半導体レーザなどにより構成された光源部31を有している。なお、355nmのレーザ光を用いる場合は、YAGYttriumAluminumGarnetレーザの3倍高調波を用いる固体レーザ光源となる。この光源部31はコリメータレンズ図示省略を有しており、半導体レーザから出射される光ビームはコリメータレンズを介して平行光とされて図示を省略するミラーを介して照明光学系32に入射する。この照明光学系32は3枚のシリンドリカルレンズ321~323により構成されており、光源部31から出射してきた光ビームはシリンドリカルレンズ321~323の順で通過して空間光変調器33に入射する。これらのうちシリンドリカルレンズ321はY方向にのみビーム拡大機能負の集光機能を有しており、シリンドリカルレンズ321を通過した光は光軸OAに垂直な光束断面が円形から次第にY方向に長い楕円形へと変化する。一方、光軸OAおよびY方向に垂直なX方向に関して、シリンドリカルレンズ321を通過した光の光束断面の幅はほぼ一定とされる。また、シリンドリカルレンズ322はY方向にのみ正の集光機能を有しており、シリンドリカルレンズ321を通過した光ビームはシリンドリカルレンズ322によりビーム整形される。つまり、シリンドリカルレンズ322を通過した光は、光束断面がY方向に長い一定の大きさの楕円形とされてシリンドリカルレンズ323へと入射する。このシリンドリカルレンズ323は、X方向にのみ正の集光機能を有し、X方向のみに着目した場合には、図4bに示すように、シリンドリカルレンズ323を通過した光LIは集光しつつ、空間光変調器33の入射面331aへと入射する。また、Y方向に関しては、図4aに示すように、シリンドリカルレンズ323からの光ビームは平行光ビームとして空間光変調器33に入射する。空間光変調器33は、光変調素子331と、電極基板332と、電気回路基板336と、光変調素子331の強誘電体基板11内で電界を発生させて強誘電体基板11の強誘電体結晶を伝播する光を変調する変調部338図3とを有している。図5は空間光変調器33を示す図であり、同図aはZX平面における空間光変調器33の部分断面図であり、同図bはXY平面における空間光変調器33の部分断面図である。上述のとおり、空間光変調器33が備える光変調素子331は、周期分極反転構造を有するPeriodicallyPoled強誘電体結晶により構成された強誘電体基板11を有しており、SiO2などの絶縁層12および4層構造の接合部13を介して強誘電体基板11を支持基板14で支持している。この実施形態では、酸化マグネシウムMgOを添加したリチウムナイオベートLiNbO3:LithiumNiobateやストイキオメトリリチウムタンタレートSLT:StoichiometricLithiumTantalateの単結晶基板に対して処理を加えることで、周期分極反転構造を有する強誘電体基板11が薄膜状に形成されている。そして、この強誘電体基板11の下面に対して絶縁層12が全面均一に形成されている。さらに、絶縁層12にクロムCr膜13aおよび金Au膜13bがこの順序で形成されており、これらクロム膜13aおよび金膜13bにより2層構造の金属層が形成されている。そして、空間光変調器33では、図4および図5に示すように、電極基板332の上方主面には配線領域Raと、光変調素子331を載置するための載置領域Rbとが設けられている。そして、複数の電極333の各々が配線領域Raから載置領域RbまでZ軸方向に延設されている。より詳しくは、各電極333の-Z側端部は配線領域RaでZ方向に延び、載置領域Rbに達している。この載置領域Rbでは各電極333のZ側端部がZ方向にほぼ平行に延設されている。なお、本実施形態では各電極333のうち配線領域Ra上に位置する部位、つまり各電極333の-Z側端部は後述する誘導結合の被誘導部であり、以下において被誘導パターン部と称する。また、載置領域Rb上に位置する部位、つまり各電極333のZ側端部は光変調素子331の強誘電体基板11に対向しており、周期分極反転構造を制御するための電極部として機能するため、以下において電極部と称する。これらの電極333を覆うようにSiO2などの絶縁材料で構成される保護膜334が電極基板332の上方主面全体に形成されて電極333を保護するとともに、保護膜334の表面上方主面を平坦化している。そして、載置領域Rbでは、載置領域Rbに相当する位置上に光変調素子331が載置されている。こうして、図5に示すように各電極333の電極部が保護膜334を介して強誘電体基板11の他方主面S2Aと対向して配置される。このように配置された光変調素子331では、強誘電体基板11の一方主面S1A全体を覆うように接合部13が絶縁層12を介して形成されている。そして、接合部13に対して接地電圧が与えられる。これに対し、上記した複数の電極333の各々に対しては、光変調に応じた電圧が電気回路基板336の上方主面に設けられた配線図示省略を介して誘導結合によって変調部338から付与される。この電気回路基板336の上方主面上には、被誘導パターン部と同一形状を有する、導電材料で構成される配線が被誘導パターン部電極333のうち配線領域Ra上に位置する部位と一対一で対応して形成されている。このため、互いに一対一で対向する電極間は誘導結合によって電気的に接続される。また、電気回路基板336の下方主面上には、変調部338を構成する複数の電子部品3381が搭載されており、電気回路基板336を介して電極333と電気的に接続され、次に説明するように露光制御部181からの各種信号およびデータに応じてそれぞれ独立して電極333に電圧を付与する。変調部338には、図3に示すように、露光制御部181から露光タイミング信号、露光位置信号および露光データが与えられる。この変調部338は、電極333毎、つまりチャンネル毎にアナログ回路図示省略を有しており、露光制御部181から与えられた露光データに基づく電圧を電極333に付与する。なお、露光制御部181は、周期分極反転構造の周期より長くなるように複数の電極333例えば、隣接する2以上の電極333を1チャンネルとして制御する。空間光変調器33では、接合部13は接地されるのに対し、各チャンネルを構成する電極333は上記のように露光制御部181からの露光データなどに応じて、それぞれ独立して変調部338から電圧信号の付与を受ける。このため、光変調素子331の周期分極反転構造内では、変調部338から有限の電圧V10V以外の電圧が付与された電極333に対応する領域でのみ電極333と接合部13の間で生じる電界により分極方位に従った屈折率変化が発生して回折格子が形成される。より詳しくは、電圧V1が印加されたチャンネルでは、電圧V1の大きさに応じた回折効率Iを有する回折格子が形成される。その結果、当該チャンネルでは、回折効率Iに応じた大きさの回折光DLが発生するとともに、残りの光が0次光L0として光変調素子331を通過する。一方、それ以外のチャンネルでは入射光がそのまま0次光L0として光変調素子331を通過する。図4に戻って、光学ヘッド3の構成説明を続ける。上記のように構成された空間光変調器33の出射側図4の右手側に、X方向にのみ正の集光機能を有するシリンドリカルレンズ34、レンズ351、アパーチャ3521を有するアパーチャ板352、レンズ353がこの順序で配置されている。シリンドリカルレンズ34はX方向にのみ正の集光機能を有しており、空間光変調器33からの0次光L0は、図4bに示すように、シリンドリカルレンズ34にてX方向に関してほぼ平行な光とされ、正の集光機能を有するレンズ351に入射する。ここで、レンズ351の前側焦点は電極333のZ側の端部近傍における光変調素子331内の位置とされ、レンズ351の後側焦点にアパーチャ3521が位置するようにアパーチャ板352が配置される。したがって、光変調素子331中で回折を受けず、レンズ34を通過してY方向およびX方向の双方にほぼ平行とされる0次光L0は、図4a中に細い実線にて示すように、レンズ351を介してアパーチャ3521に集光し、当該アパーチャ3521を通過してレンズ353に入射する。このレンズ353は、前側焦点がアパーチャ3521の近傍に位置し、後側焦点がステージ160に保持された基板Wの表面上となるように配置されており、0次光L0はレンズ353を介して基板Wの表面上に照射されて露光される。一方、回折光DLは、図4a中に破線にて示すように、光軸OAに対して所定角度だけ傾いて光変調素子331から出射されるため、アパーチャ3521から離れた位置、つまりアパーチャ板352の表面で遮蔽される。このように、本実施形態では、レンズ351、アパーチャ板352およびレンズ353により、いわゆるシュリーレン光学系35が構成されている。このシュリーレン光学系35は両側テレセントリック光学系と同等の配置であり、図4に示すように、複数のチャンネルを有する光学ヘッド3で基板Wに露光する場合にも、その露光面基板Wの表面に対して各チャンネルの0次光L0の主光線図4中の2点鎖線は垂直であり、露光面のピント方向Zの変動に対して倍率の変化を受けない。その結果、高精度な露光が可能となる。このように、この実施形態では0次光を用いて基板Wへのパターン描画を行っている。また、上記のように配置されたレンズ34およびシュリーレン光学系35が、空間光変調器33からの光を基板Wの表面被露光面、被描画面に案内している。なお、上記のように構成されたパターン描画装置100は装置全体を制御するためにコンピュータ200を有している。このコンピュータ200はCPUや記憶部201等を有しており、露光制御部181とともに電装ラック図示省略内に配置されている。また、コンピュータ200内のCPUが所定のプログラムに従って演算処理することにより、ラスタライズ部202、伸縮率算出部203、データ修正部204およびデータ生成部205が実現される。例えば1つのLSIに相当するパターンのデータは外部のCAD等により生成されたデータであり、予めLSIデータ211として記憶部201に準備されており、当該LSIデータ211に基づき次のようにしてLSIのパターンが基板W上に描画される。ラスタライズ部202は、LSIデータ211が示す単位領域を分割してラスタライズし、ラスタデータ212を生成して記憶部201に保存する。こうしてラスタデータ212の準備後、または、ラスタデータ212の準備と並行して、上記のようにしてカセット110に収納されている未処理の基板Wが搬送ロボット120により搬出され、搬送ロボット120によってステージ160に載置される。その後、ステージ移動機構161によりステージ160がカメラ150の直下位置に移動して基板W上の各アライメントマーク基準マークを順番にカメラ150の撮像可能位置に位置決めし、カメラ150によるマーク撮像が実行される。カメラ150から出力される画像信号は電装ラック内の画像処理回路図3において図示省略により処理され、アライメントマークのステージ160上の位置が正確に求められる。そして、これらの位置情報に基づきθ軸駆動部161Tが作動してステージ160を鉛直軸回りに微小回転させて基板Wへのパターン描画に適した向きにアライメント位置合わせされる。ここで、ステージ160を光学ヘッド3の直下位置に移動させた後で当該アライメントを行ってもよい。図3に示す伸縮率算出部203は、画像処理回路にて求められた基板W上のアライメントマークの位置、および基板Wの向きの修正量を取得し、アライメント後のアライメントマークの位置、並びに、主走査方向Xおよび副走査方向Yに対する基板Wの伸縮率すなわち、主面の伸縮率を求める。一方、データ修正部204はラスタデータ212を取得し、伸縮の検出結果である伸縮率に基づいてデータの修正を行う。なお、このデータ修正については、例えば特許第4020248号に記載の方法を採用することができ、1つの分割領域のデータ修正が終了すると、修正後のラスタデータ212がデータ生成部205へと送られる。データ生成部205では、変更後の分割領域に対応する描画データ、すなわち、1つのストライプに相当するデータが生成される。こうして生成された描画データは、データ生成部205から露光制御部181へと送られ、露光制御部181が変調部338およびステージ移動機構161の各部を制御することにより1ストライプ分の描画が行われる。なお、露光動作については上記したとおり変調部338による電界発生制御により行われる。そして、1つのストライプに対する露光記録が終了すると、次の分割領域に対して同様の処理が行われ、ストライプごとの描画が繰り返される。こうして、基板W上の全ストライプの描画が終了して基板Wの表面への所望パターンの描画が完了すると、ステージ160は描画済み基板Wを載置したまま基板受渡位置図1および図2の右側領域に移動した後、基板搬送ロボット120により基板Wがカセット110へと戻され、次の基板Wが取り出されて上記したと同様の一連の処理が繰り返される。さらに、カセット110に収納されている全ての基板Wに対するパターン描画が終了すると、カセット110がパターン描画装置100から搬出される。以上が、空間光変調器33および当該空間光変調器33を装備したパターン描画装置100の構成および動作の概要である。上述のとおり、空間光変調器33において各チャンネルを構成する電極333には、変調部338から露光データに応じた電圧が印加される。ちなみに、この実施形態では、各電極333に印加される信号は、露光データそのものではなくて、交流信号電圧信号を露光データで振幅変調した変調露光信号電圧信号である図6。図6は、チャンネルを構成する電極に印加される変調露光信号の構成を説明する図である。より詳しくは、図6における露光データ交流信号変調露光信号の欄には、電圧Vを縦軸とするとともに時間tを横軸とするグラフにそれぞれの対応する波形が示されている。図6の露光データの欄に示すように、露光データは、正の電圧が比較的長周期で変化する信号である。図6の例では、電圧値Ea0V<Eaと電圧値Eb0V<Eb<Eaとの間で変化する矩形波状の露光データが示されている。具体的には、半導体、FPDを有する領域と屈折率nを有する領域とがY方向に交互に並ぶこととなるn<n。そして、このような屈折率分布が、変調画像信号の半周期=Tc/2で屈折率n0を中心として反転して、同図上下の状態を交互に繰り返す。このように、屈折率分布は変調画像信号の交流信号に伴なって反転するが、屈折率分布が形成する回折格子の回折効率Iは反転前後で等しくなるという性質を有する。これについて、図8を用いて説明する。図8は、強誘電体基板11の内部に形成される回折格子の回折効率を示す図である。同図では、横軸を電圧Vとして変調画像信号の時間変化同図下側と回折効率の変化同図上側とが併記されている。すなわち、同図下側では縦軸に時間tが取られており、変調画像信号の時間変化が示されている。一方、同図上側では縦軸に回折効率Iが取られており、電圧Vに対する回折効率Iの変化が示されている。なお、より詳細には、回折格子がブラッグ回折型である場合は、回折効率Iはsin2に比例し、回折格子がラマンナス型である場合は、回折効率IはJqβV2に比例する。ここで、関数Jqはq次のベッセル関数である。同図上側に示す回折効率Iの電圧特性から判るように、電圧が0Vの付近においては、回折効率Iは電圧Vの絶対値の増加に応じて増加する特性を有しており、電圧が0Vの点を通る縦軸を中心として略反転対称となっている。したがって、互いに絶対値の等しい-MaVおよびMaVそれぞれの電圧印加によって形成される回折格子はいずれも等しい回折効率Iaを有する。同様に、互いに絶対値の等しい-MbVおよびMbVそれぞれの電圧印加によって形成される回折格子はいずれも等しい回折効率Ib<Iaを有する。屈折率分布により形成される回折格子がこのような性質を有することから、変調露光信号として-MaVとMaVとの間を変化する信号が印加されている間は、回折効率Iaの回折格子が形成され、変調露光信号として-MbVとMbVとの間を変化する信号が印加されている間は、回折効率Ibの回折格子が形成される。つまり、回折格子の回折効率は、変調露光信号の交流成分とは概ね無関係に、変調露光信号の振幅によって決まることとなる。そして、変調露光信号は交流信号を露光データで振幅変調したものであるため、振幅変調信号の振幅は露光データに依存して変化する。そこで、この実施形態の変調部338は、屈折率分布により形成される回折格子の回折効率を露光データによって制御して、回折格子により光を変調している。以上に説明したように、この実施形態では、露光データに応じて、強誘電体基板11内部に生じる回折格子の回折効率Iを変化させて光を変調する。ただし、強誘電体基板11に印加される信号は、露光データそのものではなくて、露光データよりも高周波の交流信号を露光データによって振幅変調させた変調露光信号である。このような変調露光信号が印加された強誘電体基板11の内部では、変調露光信号の振幅に応じた分布を有する屈折率分布が、交流信号に応じて反転する。このとき、反転前後の屈折率分布は、いずれも変調露光信号の振幅に応じた分布を有して互いに反転した関係にあるため、略等しい回折効率Iの回折格子を形成する。つまり、回折格子の回折効率Iは、変調露光信号の交流成分とは概ね無関係に、変調露光信号の振幅によって決まることとなる。そして、変調露光信号は交流信号を露光データで振幅変調したものであるため、変調露光信号の振幅は露光データに依存して変化する。したがって、回折格子の回折効率Iを露光データによって適切に変化させて、当該回折格子により光を変調することができる。しかも、この実施形態では、強誘電体基板11に印加される変調露光信号は、交流信号を露光データによって振幅変調させたものであるため、強誘電体基板11には正側負側の両側に振動する信号が印加されることとなり、強誘電体基板11への電荷の残留が解消することができる。その結果、強誘電体基板11の内部に形成される回折格子の回折効率Iのオフセットを抑えて、回折格子による適切な光変調の実現が可能となっている。このとき、この実施形態に示したように、交流信号は矩形波であっても良い。このように構成した場合、交流信号に応じた屈折率分布の反転が速やかに行なわれるため、屈折率分布によって形成される回折格子の回折効率Iを安定させて、光変調をより適切に実行することが可能となる。ところで、強誘電体基板11は、電気信号の印加履歴に依存して、内部に形成される回折格子の回折効率Iが変化する、いわゆるヒステリシスを有する。したがって、このヒステリシスに起因して、回折効率Iにオフセットが生じる場合があった。ただし、このヒステリシスは、印加される電気信号の周波数が低いほど顕著になるという特性を有している図9。ここで、図9は、強誘電体結晶内部に形成される回折格子の回折効率のヒステリシスを示す図である。同図において、破線で示した曲線は、強誘電体基板11への印加電圧Vを低い周波数で振動させた際の回折効率Iの変化を示し、実線で示した曲線は、強誘電体基板11への印加電圧Vを高い周波数で振動させた際の回折効率Iの変化を示している。このように、印加電圧Vを速く変化させた場合には、回折効率Iにヒステリシスは見られないのに対して、印加電圧Vを遅く変化させた場合には、回折効率Iはヒステリシスループを形成する。これに対して、この実施形態では、強誘電体基板11に印加される電気信号は、露光データよりも高周波の交流信号を露光データによって振幅変調させた変調露光信号である。つまり、比較的高周波の電気信号が強誘電体基板11に印加される。したがって、強誘電体基板11のヒステリシスに起因した回折効率Iのオフセットを抑制して、光変調を適切に実行することが可能となる。特に、ヒステリシス起因のオフセットは、電気信号の周波数が高いほど効果的に抑制できる。そこで、上記実施形態において、露光データの周波数の2倍以上に交流信号の周波数を設定しても良い。また、交流信号の周波数を1KHz以上に設定しても良い。ところで、この実施形態では、光変調素子331の強誘電体基板11に設けられた電極333には、結晶中を通過する光が電極333金属へ漏れ出ないようにするために、絶縁層12を介して変調露光信号が印加される。ただし、このような構成では、絶縁層12に電荷が残留してしまい、このことがの強誘電体基板11内部に形成される回折格子の回折効率Iのオフセット要因となるおそれがあった。特に、絶縁層12がSiO2二酸化ケイ素である場合、この問題が顕著になる傾向にあった。これに対して、この実施形態では、強誘電体基板11に印加される変調露光信号は、交流信号を露光データによって振幅変調させたものであるため、強誘電体基板11には正側負側の両側に振動する信号が印加されることとなり、強誘電体基板11そのものやその周囲絶縁層12での電荷の残留が解消されている。その結果、強誘電体基板11の内部に形成される回折格子の回折効率Iのオフセットを抑えて、回折格子による適切な光変調の実現が可能となっている。また、この実施形態で説明したパターン描画装置100は、上述の空間光変調器33と用いて変調した光を、基板Wに光を照射して描画を行なう。したがって、強誘電体基板11の内部に形成される回折格子の回折効率のオフセットを抑えて、回折格子による適切な光変調の実現が可能となっている。第2実施形態ところで、第1実施形態で述べたとおり、交流信号を露光データによって振幅変調させた信号を強誘電体基板11に印加することで、回折効率Iのオフセットを大幅に抑えることが可能となるものであるが、状況によっては若干のオフセットが残存する場合もある。あるいは、残留電荷以外の要因によって、回折効率Iにオフセットが発生する場合もある。そこで、第2実施形態の変調部338は、回折格子の回折効率のオフセットを調整するオフセット調整動作を実行する。なお、第1実施形態と第2実施形態の違いは主としてこのオフセット調整動作にあるので、以下ではこの差異点を中心に説明する一方、共通部分については相当符号を付して説明を省略する。ちなみに、第2実施形態においても第1実施形態と共通する構成を具備することで、同様の効果を奏することは言うまでも無い。図10は、変調部が実行する回折効率Iのオフセット調整動作を示す図である。図10に示すグラフにおける座標の取り方は、図8のそれと同様である。同図上側において、破線で示す曲線はオフセットが無い回折効率Iの電圧特性を示しており、実線で示す曲線はオフセットを有する回折効率Iの電圧特性を示している。つまり、実線曲線で示す回折効率Iの電圧特性は、変調画像信号が無印加の状態で言い換えれば印加電圧Vが0Vの状態で、有限の値Io>0Vを有している。そこで、変調部338はオフセット調整機構を内蔵しており、このオフセットが0Vとなるように、直流電圧Vdcを強誘電体基板11の各電極333に印加する。これによって、回折効率のオフセットが調整されて、変調画像信号が無印加の状態において回折効率Iのオフセットはゼロとなる。そして、第2実施形態では、変調部338はこのオフセット調整を行なった後に、第1実施形態と同様の変調画像信号を強誘電体基板11の各電極333に印加する。これによって、電極333には、回折効率Iがゼロとなる直流電圧Vdcを中心として振動する変調画像信号が印加されることとなる。そのため、変調露光信号として-MaVdcVとMaVdcVとの間を変化する信号が印加されている間は、回折効率Iaの回折格子が形成され、変調露光信号として-MbVdvVとMbVdvVとの間を変化する信号が印加されている間は、回折効率Ibの回折格子が形成される。つまり、第1実施形態と同様に、回折格子の回折効率Iは、変調露光信号の交流成分とは概ね無関係に、変調露光信号の振幅によって決まることとなる。そして、変調露光信号は交流信号を露光データで振幅変調したものであるため、振幅変調信号の振幅は露光データに依存して変化する。したがって、変調部338は、屈折率分布により形成される回折格子の回折効率を露光データによって制御することで、回折格子により光を変調することができる。以上のように、第2実施形態においても、強誘電体基板11に印加される変調露光信号は、交流信号を露光データによって振幅変調させたものであるため、強誘電体基板11には正側負側の両側に振動する信号が印加されることとなり、強誘電体基板11への電荷の残留が解消することができる。その結果、強誘電体基板11の内部に形成される回折格子の回折効率Iのオフセットを抑えて、回折格子による適切な光変調の実現が可能となっている。また、第2実施形態では、変調部338は、回折格子の回折効率のオフセットを調整するオフセット調整機構を内蔵している。これによって、回折効率Iのオフセットをより確実に抑制して、光変調をより適切に実行することが可能となる。第3実施形態上記実施形態で示したとおり、変調部338は、強誘電体基板11の電極に電圧を印加することで、強誘電体基板11内部に形成される回折格子の回折効率Iを制御したり、あるいは回折効率Iのオフセットを調整したりするものである。そして、以下に説明するように第3実施形態では、このような変調部338の制御をフィードバック制御により行なう。なお、第3実施形態と上記実施形態の違いは主としてこのフィードバック制御にあるので、以下ではこの差異点を中心に説明する一方、共通部分については相当符号を付して説明を省略する。ちなみに、第3実施形態においても上記実施形態と共通する構成を具備することで、同様の効果を奏することは言うまでも無い。図11は光学ヘッドの内部構成を簡略化して示す図であり、同図aは光学ヘッド3の光軸OAおよび副走査方向Yに沿って光学ヘッド3を上方すなわち、図1中の-X側からX側を向いて見た場合から見た場合の光学ヘッド3の内部構成を示し、同図bは主走査方向Xに沿って図1の装置手前側左下側から光学ヘッド3側を見た場合すなわち、光学ヘッド3のY側から見た場合の光学ヘッド3の内部構成を示している。図11に示すように、光学ヘッド3は、アパーチャ板352とレンズ353との間にビームスプリッタ36を有している。このビームスプリッタ36は、アパーチャ板352を通過した0次光L0の一部を、Z方向に進行してレンズ353に入射する光と、Y方向に進行する光に分割するものである。そして、ビームスプリッタ36によりY方向に向けて分割された光は、変調部338に入射する。つまり、第3実施形態にかかる変調部338は、複数の電子部品3381で構成された制御回路338aの他に、Y方向から入射してきた光を分割するビームスプリッタ338b、高速応答センサ338cおよびパワーメータ338dを有している。ビームスプリッタ338bは、入射してきた光を高速応答センサ338cとパワーメータ338dのそれぞれに分割する。高速応答センサ338cは、ビームスプリッタ338bにより分割された光を検出し、その結果を制御回路338aへ出力する。つまり、この高速応答センサ338cは、空間光変調器33を通過した0次光L0の強度変化を検出して制御回路338aに出力する。一方、制御回路338aは、高速応答センサ338cから受信した値に基づいて電極333に印加する変調露光信号の振幅を調整して、強誘電体基板11内部に形成される回折格子の回折効率Iを目標値に近づける。具体的には、露光データを変化させることで、変調露光信号の振幅を変化させることができる。あるいは、交流信号の振幅を変化させることで、変調露光信号の振幅を変化させることもできる。こうして、回折格子の回折効率Iがフィードバック制御される。パワーメータ338dは、ビームスプリッタ338bにより分割された光を検出し、その結果を制御回路338aへ出力する。このパワーメータ338dは緩やかな光変化を捉えるものであり、実質的に入射光の直流成分を検出して制御回路338aに出力する。つまり、パワーメータ338dは、空間光変調器33を通過した0次光L0の直流成分を検出して制御回路338aに出力する。一方、制御回路338aは、パワーメータ338dから受信した値に基づいて電極333に印加する直流電圧Vdcを調整して、強誘電体基板11内部に形成される回折格子の回折効率Iのオフセットを減少させる。こうして、回折格子の回折効率Iのオフセットがフィードバック制御される。以上のように第3実施形態では、回折効率Iのオフセットに関連する値として、0次光L0の直流成分をパワーメータ338dにより検出し、この検出値に基づいて回折効率Iのオフセットを調整するフィードバック制御が行なわれる。このような構成では、例えば、回折効率Iのオフセットが時間とともに変動するようなオフセットドリフトに対しても効果的に対応することができるため、回折効率Iのオフセットをより確実に抑制して、光変調をより適切に実行することが可能となる。また、回折効率Iのオフセット以外に、回折効率Iそのものがずれてしまう場合も想定される。これに対して、第3実施形態の変調部338は、回折格子の回折効率Iを調整する制御回路338aを有している。したがって、回折効率Iが所望の値よりもずれたとしても、回折効率Iを適正値に調整して、光変調を適切に実行することが可能となる。特に、第3実施形態では、回折効率Iに関連する値として、空間光変調器33を通過した0次光L0の強度変化を高速応答センサ338cにより検出し、この検出値に基づいて回折効率Iを調整するフィードバック制御が行なわれる。このような構成では、例えば、回折効率Iが時間とともに変動するような場合に対しても効果的に対応することができるため、回折効率Iを適切なものとして、光変調をより適切に実行することが可能となる。その他以上のように、上記実施形態では、パターン描画装置100が本発明の描画装置に相当し、空間光変調器33が本発明の変調器に相当し、光変調素子331が本発明の光変調デバイスに相当し、変調部338および露光制御部181が協働して本発明の光変調デバイスの制御装置として機能し、強誘電体基板11が本発明の電気光学結晶に相当し、露光制御部181と変調部338が協働して本発明の制御部として機能している。また、露光データ図6が本発明のデータ信号に相当し、交流信号図6が本発明の交流信号に相当し、変調露光信号が本発明の振幅変調信号に相当している。また、変調部338が本発明のオフセット調整機構あるいは回折効率調整機構に相当している。また、パワーメータ338dが本発明の第1ディテクタあるいは第1センサに相当し高速応答センサ338cが本発明の第2ディテクタあるいは第2センサに相当している。なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記第2、第3実施形態では、直流電圧Vdcを印加することで、回折効率Iのオフセットを調整していた。しかしながら、直流電圧Vcを印加する方法以外で、回折効率Iのオフセットを調整することもできる。具体例を挙げれば、変調露光信号のデューティ比を変化させることによっても、回折効率Iのオフセットを調整することができる。この際、変調露光信号のデューティ比に対する回折効率Iのオフセットの変化を予め測定してテーブル形式等でメモリに記憶しておき、変調部338はこれを読み出した結果から変調露光信号のデューティ比を調整して、回折効率Iのオフセットを調整すれば良い。これによって、回折効率Iのオフセットをより確実に抑制して、光変調をより適切に実行することが可能となる。また、第3実施形態に示したようにフィードバック制御を行なう場合には、パワーメータ338dの検出値に基づいて変調露光信号のデューティ比を変えて、回折効率Iのオフセットを調整すれば良い。このような構成では、例えば、回折効率Iのオフセットが時間とともに変動するようなオフセットドリフトに対しても効果的に対応することができるため、回折効率Iのオフセットをより確実に抑制して、光変調をより適切に実行することが可能となる。あるいは、第3実施形態において、高速応答センサ338cの検出結果に基づいてオフセットを調整することもできる。つまり、この高速応答センサ338cは、空間光変調器33を通過した0次光L0の強度変化を検出するものであるため、この検出結果から0次光L0のデューティ比を求めることができる。したがって、この0次光L0のデューティ比に基づいて、変調露光信号のデューティ比を変えて、回折効率Iのオフセットを調整するように構成しても良い。なお、電気的光学結晶の具体的構成としては種々のものを採用可能であり、この具体的構成にに応じて光変調器の構成を変形することもできる。つまり、上記光学ヘッド3では、複数の電極333が形成された電極基板332に対し、強誘電体基板11を対向配置して光変調器33を構成していた。しかしながら、例えば図12に示すように強誘電体基板11の他方主面に複数の電極を配置し、変調部から各電極に駆動電圧を付与するように構成してもよい。あるいは、例えば特開2009-020306号公報に記載されているような電気光学結晶を用いるように、光変調器を変形することもできる。図13および図14は光変調器の変形例を示す図であり、特に図13aはZX断面を示し、図13bはXY断面を示している。この光変調器が備える光変調素子331は、分極方向が一様な構造を有する強誘電体基板11の表面に、信号電極333aとグランド電極333bを交互に並べた構成を備えている。そして、変調部338が信号電極333aに有限の電圧V1を印加すると、信号電極333aグランド電極333bの間に図14の破線で示すような電界が発生じて、強誘電体基板11内部に周期的に屈折率分布が発生する。すなわち、屈折率nを有する領域と屈折率nを有する領域とが交互に並ぶ。したがって、上記実施形態で示したように、交流信号を露光データで振幅変調した変調露光信号を信号電極333aに印加することで、強誘電体基板11内部の屈折率分布は、反転を繰り返すことになる。そして、このような構成では、露光データに応じて変調露光信号の振幅を変化させることで、屈折率分布で構成される回折格子の回折効率Iを制御できるとともに、強誘電体基板11への電荷残留を解消させて回折効率Iのオフセットを抑え、適切な光変調が実現できる点は、上記実施形態と同様である。また、上記実施形態では、絶縁層としてSiO2を用いたが、酸化窒素膜SiOxNyや酸化アルミニウムAl2O3などの透明誘電体膜を用いてもよい。また、上記実施形態では、0次光L0を基板Wに照射してパターンを描画するパターン描画装置に本発明を適用した場合について説明した。しかしながら1次以上の回折光を基板Wに照射してパターンを描画するパターン描画装置に対しても本発明を適用可能である。また、上記実施形態では、矩形波を振幅変調して得られる矩形波状の変調露光信号を強誘電体基板11に印加していた。しかしながら、矩形波以外の例えば正弦波を振幅変調して得られる正弦波状の変調露光信号を強誘電体基板11に印加しても良い。また、変調露光信号の周波数も上述のものに限られず、適宜変更が可能である。また、図7では、屈折率分布の反転現象の理解を容易とするために、隣接するチャンネルに対して逆位相の変調画像信号を印加した制御を例示した。しかしながら、各チャンネルに印加する変調画像信号の関係がこれに限られず、描画すべき画像パターンに応じて適宜変形できることは言うまでも無い。