"第1波長域の第1励起光を発する光源と、前記第1波長域に励起帯を有し、前記第1励起光が入射すると、第2波長域の第2励起光及び第3波長域の第1赤外光を発する第1ガラス蛍光体と、前記第2波長域に励起帯を有し、前記第3波長域に励起帯を有さず、前記第2励起光が入射すると、前記第1赤外光を透過するとともに、第4波長域の第2赤外光を発する第2ガラス蛍光体と、を少なくとも備え、前記第3波長域の少なくとも一部及び前記第4波長域の少なくとも一部を含む広帯域赤外光を外部へ放射する広帯域赤外光放射装置。前記第3波長域は、前記第4波長域よりも短く、前記第1ガラス蛍光体は、前記第1励起光が入射すると、前記第4波長域よりも長い第5波長域の第3赤外光を発し、前記第2ガラス蛍光体は、前記第5波長域に励起帯を有さず、前記広帯域赤外光は、前記第3波長域の少なくとも一部、前記第4波長域の少なくとも一部及び前記第5波長域の少なくとも一部を含む請求項1に記載の広帯域赤外光放射装置。前記第1ガラス蛍光体の発光中心は、Smイオンであり、前記第2ガラス蛍光体の発光中心は、Ybイオン及びNdイオンである請求項2に記載の広帯域赤外光放射装置。前記第1波長域は、380nm~440nmであり、前記第2波長域は、550nm~670nmであり、前記第3波長域は、850nm~970nmであり、前記第4波長域は、950nm~1070nmであり、前記第5波長域は、1100nm~1220nmである請求項3に記載の広帯域赤外光放射装置。所定の波長域に励起帯を有し、所定の励起光が入射すると、第6波長域の第4赤外光を発する第3ガラス蛍光体をさらに備え、前記広帯域赤外光は、前記第3波長域の少なくとも一部及び前記第4波長域の少なくとも一部並びに前記第6波長域の少なくとも一部を含む請求項4に記載の広帯域赤外光放射装置。前記所定の波長域は、前記第2波長域、前記第3波長域、前記第4波長域及び前記前記第5波長域の少なくとも1つの波長域の少なくとも一部である請求項5に記載の広帯域赤外光放射装置。前記第3ガラス蛍光体の発光中心は、Erイオンである請求項6に記載の広帯域赤外光放射装置。前記第6波長域は、1450nm~1630nmである請求項7に記載の広帯域赤外光放射装置。前記光源は、半導体発光素子であり、前記第1ガラス蛍光体は、前記半導体発光素子を封止する請求項1から8のいずれか1項に記載の広帯域赤外光放射装置。前記第2ガラス蛍光体は、前記第1ガラス蛍光体を覆う請求項9に記載の広帯域赤外光放射装置。前記第1ガラス蛍光体と前記第2ガラス蛍光体は、母体が同系のガラスである請求項10に記載の広帯域赤外光放射装置。前記蛍光体の前記母体は、Sb2O3-B2O3系ガラスからなる請求項11に記載の広帯域赤外光放射装置。ところで、特許文献1のような光干渉断層撮影装置用の光源である場合、深さ方向の分解能は半値幅に逆比例することから、光源のさらなる広帯域化が求められている。また、分光分析においても、同時に検出できる物質の数が増えるので、光源の広帯域化が求められている。特に、900~1000nmの波長領域は、糖、脂肪、水分等に起因する吸収スペクトルが存在することから、農業食品分野では重要であるが、特許文献1、非特許文献1から3に記載の光源ではこの波長領域の全てをカバーしきれていない。本発明は、前記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、さらに広帯域の赤外光を放射する広帯域赤外光放射装置を提供することにある。前記目的を達成するため、本発明では、第1波長域の第1励起光を発する光源と、前記第1波長域に励起帯を有し、前記第1励起光が入射すると、第2波長域の第2励起光及び第3波長域の第1赤外光を発する第1ガラス蛍光体と、前記第2波長域に励起帯を有し、前記第3波長域に励起帯を有さず、前記第2励起光が入射すると、前記第1赤外光を透過するとともに、第4波長域の第2赤外光を発する第2ガラス蛍光体と、を少なくとも備え、前記第3波長域の少なくとも一部及び前記第4波長域の少なくとも一部を含む広帯域赤外光を外部へ放射する広帯域赤外光放射装置が提供される。この広帯域赤外光放射装置によれば、光源から第1励起光が発せられて第1ガラス蛍光体に入射すると、第1励起光により励起されて第1ガラス蛍光体から第2励起光及び第1赤外光が発せられる。さらに第2励起光及び第1赤外光が第2ガラス蛍光体に入射すると、第1赤外光は第2ガラス蛍光体を透過するとともに、第2励起光により励起されて第2ガラス蛍光体から第2赤外光が発せられる。これにより、第2ガラス蛍光体から、第1赤外光及び第2赤外光を含む広帯域赤外光が外部へ向かって放射される。上記広帯域赤外光放射装置において、前記第3波長域は、前記第4波長域よりも短く、前記第1ガラス蛍光体は、前記第1励起光が入射すると、前記第4波長域よりも長い第5波長域の第3赤外光を発し、前記第2ガラス蛍光体は、前記第5波長域に励起帯を有さず、前記広帯域赤外光は、前記第3波長域の少なくとも一部、前記第4波長域の少なくとも一部及び前記第5波長域の少なくとも一部を含むことが好ましい。この広帯域赤外光放射装置によれば、光源から第1励起光が発せられて第1ガラス蛍光体に入射すると、第1励起光により励起されて第1ガラス蛍光体から第2励起光及び第1赤外光に加えて、第3赤外光が発せられる。さらに第2励起光、第1赤外光及び第3赤外光が第2ガラス蛍光体に入射すると、第1赤外光及び第3赤外光は第2ガラス蛍光体を透過するとともに、第2励起光により励起されて第2ガラス蛍光体から第2赤外光が発せられる。これにより、第2ガラス蛍光体から、第1赤外光、第2赤外光及び第3赤外光を含む広帯域赤外光が外部へ向かって放射される。上記広帯域赤外光放射装置において、前記第1ガラス蛍光体の発光中心は、Smイオンであり、前記第2ガラス蛍光体の発光中心は、Ybイオン及びNdイオンであってもよい。上記広帯域赤外光放射装置において、前記第1波長域は、380nm~440nmであり、前記第2波長域は、550nm~670nmであり、前記第3波長域は、850nm~970nmであり、前記第4波長域は、950nm~1070nmであり、前記第5波長域は、1100nm~1220nmであってもよい。上記広帯域赤外光放射装置において、所定の波長域に励起帯を有し、所定の励起光が入射すると、第6波長域の第4赤外光を発する第3ガラス蛍光体をさらに備え、前記広帯域赤外光は、前記第3波長域の少なくとも一部及び前記第4波長域の少なくとも一部並びに前記第6波長域の少なくとも一部を含んでもよい。上記広帯域赤外光放射装置において、前記所定の波長域は、前記第2波長域、前記第3波長域、前記第4波長域及び前記前記第5波長域の少なくとも1つの波長域の少なくとも一部であってもよい。上記広帯域赤外光放射装置において、記第3ガラス蛍光体の発光中心は、Erイオンであってもよい。上記広帯域赤外光放射装置において、前記第6波長域は、1450nm~1630nmであってもよい。上記広帯域赤外光放射装置において、前記光源は、半導体発光素子であり、前記第1ガラス蛍光体は、前記半導体発光素子を封止してもよい。上記広帯域赤外光放射装置において、前記第2ガラス蛍光体は、前記第1ガラス蛍光体を覆ってもよい。上記広帯域赤外光放射装置において、前記第1ガラス蛍光体と前記第2ガラス蛍光体は、母体が同系のガラスであってもよい。上記広帯域赤外光放射装置において、前記蛍光体の前記母体は、Sb2O3-B2O3系ガラスからなってもよい。本発明の広帯域赤外光放射装置によれば、従来よりも広帯域の赤外光を放射することができる。図1から図7は本発明の第1の実施形態を示すものであり、図1は半導体発光装置の模式断面図である。図1に示すように、広帯域赤外光放射装置としての半導体発光装置1は、一対のリードフレーム2,3と、各リードフレーム2,3に搭載されるLED素子4と、LED素子4を封止する封止材としての第1ガラス蛍光体51と、第1ガラス蛍光体51を覆う第2ガラス蛍光体52と、を備えている。この半導体発光装置1は、850nm~1220nm程度の赤外光を発することができる。この波長領域は、生体の透過性が高いので、例えば、医療分野、生体観察分野等の光源として用いると好適である。特に、900nm~1000nmの波長領域がカバーされるので、糖、脂肪、水分等に起因する吸収スペクトルが存在し、農業食品分野における光源として有用である。各リードフレーム2,3は、導電性の金属からなり、互いに平行に所定方向へ延びる棒状部21,31と、棒状部21,31の先端側に形成されLED素子4が搭載される搭載部22,32と、棒状部21,31の先端側に形成されLED素子4を包囲する反射部23,33と、をそれぞれ有している。ここでは、各リードフレーム2,3の基端側を下方、先端側を上方として説明する。各棒状部21,31は、基端側が外部電源と接続され、LED素子4へ電力が供給されるようになっている。各搭載部22,32は、各棒状部21,31の先端側から互いに近接する方向へ延び、絶縁が確保されるよう間隔をおいて配置される。各搭載部22,32の上面は、平坦に形成され、一体的に円形を呈している。各反射部23,33は、各棒状部21,31の先端側から上方へ延び、LED素子4から発せられた光を上方へ反射する。各反射部23,33の内面は、下方から上方へ向かって拡開するよう形成されている。LED素子4は、基板41と、半導体層42と、半導体層42に接続されたp電極43及びn電極44とから構成される。p電極43及びn電極44は、各搭載部22,32にそれぞれ電気的に接続される。本実施形態においては、LED素子4は、p電極43及びn電極44が搭載面に形成されたフリップチップ型であり、p電極43が一方のリードフレーム2に、n電極44が他方のリードフレーム3に接続されるように、各リードフレーム2,3を跨いで配置される。本実施形態においては、基板41はサファイアからなり、半導体層42はInxAlyGa1xyN0≦x≦1,0≦y≦1,0≦xy≦1の式で表される半導体からなる。LED素子4は、第1波長域の第1励起光λ1を発する。図2は、LED素子の発光スペクトルを示すグラフである。図2に示すように、本実施形態においては、第1波長域は380nm~440nmであり、LED素子4は、ピーク波長が405nm付近で、半値幅が15nm程度の光を発する。また、図2中の斜線は第1ガラス蛍光体51の励起帯を示し、本実施形態においては、励起帯は395nm~415nm程度である。このように、第1ガラス蛍光体51は、第1波長域に励起帯を有することから、第1励起光λ1が入射すると蛍光を発する。第1ガラス蛍光体51は、LED素子4を封止し、リードフレーム2,3の搭載部22,32及び反射部23,33の内側に充填される。本実施形態においては、第1ガラス蛍光体51は、外表面が上方へ凸の半球状に形成されている。また、第2ガラス蛍光体52は、第1ガラス蛍光体51の外表面の全体にわたって、同じ厚さで形成されている。本実施形態においては、第1ガラス蛍光体51と第2ガラス蛍光体52は隙間なく接触して接触部分が界面53をなし、第2ガラス蛍光体52の外表面がレンズ形状面54をなしている。尚、第2ガラス蛍光体52の保護や光の制御を目的として、第2ガラス蛍光体52の外表面に樹脂等からなる膜を形成してもよい。本実施形態においては、第2ガラス蛍光体52とリードフレーム2,3の外側は面一に形成されている。第1ガラス蛍光体51及び第2ガラス蛍光体52は、ガラスからなる母体と、この母体に含まれる発光中心をそれぞれ有している。ここでいう発光中心とは、母体材料中に存在し発光を示す構造であるが、母体材料とは実質的に1つの材料を構成しているものをいい、樹脂、ガラス等からなる封止材中に含有された蛍光体とは異なるものである。すなわち、樹脂、ガラス等からなる封止材中に蛍光体を含有させた場合、樹脂、ガラス等からなる封止材と蛍光体とは、材料として別個のものであり、1つの材料を構成しているとはいえない。本実施形態においては、第1ガラス蛍光体51の母体はSb2O3-B2O3系ガラスからなり、発光中心はSm3となっている。第1ガラス蛍光体51は、LED素子4から発せられた第1励起光λ1により励起されると、第2波長域の第2励起光λ2、第3波長域の第1赤外光λ3及び第5波長域の第3赤外光λ5を発する。図3a及びbは、Sm2O3を1.1mol、Bi2O3を9.9mol、B2O3を44.6mol、Sb2O3を44.4molとして作製された厚さ1.0mmの第1ガラス蛍光体の発光スペクトルを示すグラフである。具体的に、発光スペクトルは励起波長405nmにて測定された発光強度から求めた。図3aに示すように、本実施形態においては、第2波長域は550nm~670nmである。また、第2励起光λ2は、565nm付近の第1ピークと、590nm付近の第2ピークと、640nm付近の第3ピークと、を有し、第2ピークが最も発光強度が高くなっている。図3bに示すように、本実施形態においては、第3波長域は850nm~970nmである。第1赤外光λ3は、900nm付近の第1ピークと、950nm付近の第2ピークと、を有し、第2ピークが最も発光強度が高くなっている。また、本実施形態においては、第5波長域は1100nm~1220nmである。第3赤外光λ5は、1180nm付近にピークを有する。尚、図3bに示すように、第1ガラス蛍光体51は、第1赤外光λ3と第3赤外光λ5の間にも、1030nm付近にピークを有する赤外光を発している。第1ガラス蛍光体51は、Sm2O3粉末と、Sb2O3粉末と、H3BO3粉末と、Bi2O3粉末と、を混合して溶融した後、冷却することにより作製される。溶融温度は1000°Cとした。また、第2ガラス蛍光体52の母体はSb2O3-B2O3系ガラスからなり、発光中心はYb3及びNd3となっている。図4に示すように、第2ガラス蛍光体52は、第2波長域に励起帯を有することから、第1ガラス蛍光体51から発せられた第2励起光λ2により励起されると、第4波長域の第2赤外光λ4を発する。また、第2ガラス蛍光体52は第3波長域に励起帯を有しておらず、第1ガラス蛍光体51から発せられた第1赤外光λ3は第2ガラス蛍光体52を透過する。図4は、Yb2O3を1.2mol、Nd2O3を1.1mol、Bi2O3を9.7mol、B2O3を44.1mol、Sb2O3を43.9molとして作製された厚さ1.0mmの第2ガラス蛍光体の励起スペクトルを示すグラフである。具体的に、励起スペクトルは発光波長976nmにて測定された発光強度から求めた。図4に示すように、第2ガラス蛍光体52は、500nmから700nmにわたって励起することができる。従って、第2励起光λ2の第2波長域が500nmから700nmであれば、第2ガラス蛍光体52を励起することができる。第2ガラス蛍光体52の励起スペクトルは、複数のピークを有しており、特に530nm付近、585nm付近、685nm付近の励起効率が優れている。図5は、Yb2O3を1.2mol、Nd2O3を1.1mol、Bi2O3を9.7mol、B2O3を44.1mol、Sb2O3を43.9molとして作製された厚さ1.0mmの第2ガラス蛍光体の発光スペクトルを示すグラフである。具体的に、発光スペクトルは励起波長590nmにて測定された発光強度から求めた。図5に示すように、本実施形態においては、第4波長域は950nm~1070nmである。尚、発光強度が小さいが、厳密には950nm以下でも発光をしている。第2赤外光λ4は、978nm付近にて鋭い発光ピークを有し、この発光ピークの長波長側に1006nm付近をピークとする比較的ブロードな発光ピークを有している。1003nmの発光ピークは、半値幅が100nm程度である。第2ガラス蛍光体52は、Yb2O3粉末と、Nd2O3粉末と、Sb2O3粉末と、H3BO3粉末と、Bi2O3粉末と、を混合して溶融した後、冷却することにより作製される。溶融温度は1000°Cとした。次に、この半導体発光装置1の製造方法を説明する。まず、各リードフレーム2,3にLED素子4を実装する。尚、各リードフレーム2,3は、金属を加工することにより作製され、LED素子4は、サファイアからなる基板41上に、GaN系の半導体層42をエピタキシャル成長させることにより作製されている。一方、Sm2O3粉末と、Sb2O3粉末と、H3BO3粉末と、Bi2O3粉末と、を混合して加熱し、軟化した状態の第1ガラス蛍光体51を作製する。そして、LED素子4が搭載された各リードフレーム2,3の先端にて型を用いて第1ガラス蛍光体51を配置する。これと同時に、Yb2O3粉末と、Nd2O3粉末と、Sb2O3粉末と、H3BO3粉末と、Bi2O3粉末と、を混合して加熱し、軟化した状態の第2ガラス蛍光体52を作製する。そして、第1ガラス蛍光体51上にて型を用いて第2ガラス蛍光体52を配置し、第1及び第2第2ガラス蛍光体51,52を冷却してモールド成型する。これにより、レンズ形状面54を有する第1及び第2ガラス蛍光体51,52によりLED素子4が封止された砲弾型の半導体発光装置1が完成する。ここで、LED素子4はフリップチップ実装されているので、LED素子4と各リードフレーム23の電気的接続部位に、各蛍光体51,52からの物理的、熱的等のダメージが加わり難くなっている。また、モールド成形時には、LED素子4を冷却しつつ各蛍光体51,52を成型することが望ましい。以上のように構成された半導体発光装置1は、各リードフレーム2,3に電圧を印加すると、図6に示すように、LED素子4から青色の第1励起光λ1が発せられる。ここで、図6は、半導体発光装置1における波長変換作用を示す説明図である。尚、図6においては、説明のため、LED素子4、第1ガラス蛍光体51及び第2ガラス蛍光体52を離して図示している。図6に示すように、光源としてのLED素子4から第1励起光λ1が第1ガラス蛍光体51に入射すると、第1励起光λ1により励起されて第1ガラス蛍光体51から黄色の第2励起光λ2、第1赤外光λ3及び第3赤外光λ5を含む光が発せられる。さらに、第2励起光λ2、第1赤外光λ3及び第3赤外光λ5が第2ガラス蛍光体52に入射すると、第1赤外光λ3及び第3赤外光λ5は第2ガラス蛍光体52を透過するとともに、第2励起光λ2により励起されて第2ガラス蛍光体52から第2赤外光λ4が発せられる。これにより、第2ガラス蛍光体52から、第1赤外光λ3、第2赤外光λ4及び第3赤外光λ5を含む広帯域赤外光が外部へ向かって放射される。図7は、半導体発光装置1から外部へ放射される広帯域赤外光の発光スペクトルを示すグラフである。図7に示すように、第2ガラス蛍光体52の発光に起因する第2赤外光λ4の短波長側と長波長側に、第1ガラス蛍光体51の発光に起因する第1及び第3赤外光λ3,λ5の発光スペクトルが存在し、全体として広帯域な赤外光が外部へ放射されている。尚、各赤外光λ3,λ4,λ5の発光強度は、発光中心となる希土類イオンの濃度や、各蛍光体51,52の厚さ等を変更することにより、適宜調整が可能である。また、各蛍光体51,52の内部では発光中心をなす希土類イオンが母体のガラス中に均一に含まれているので、各蛍光体51,52の内部で偏りなく波長変換が行われる。すなわち、蛍光体を粒子とし透明な封止材に含有させた従来の発光装置のように、封止材における粒子の分布状態に応じて色むらが生じるようなことはないし、蛍光体粒子と封止材の界面で光が反射するようなこともない。そして、各蛍光体51,52にて波長変換された赤外光は、レンズ形状面54により集光されて、装置の外部へ放射される。また、本実施形態の半導体発光装置1によれば、ガラスとしてSb2O3-B2O3系ガラスを用いたので、各蛍光体51,52の融点が比較的低く、装置の製造に有利である。さらに、各蛍光体51,52のガラスが同じ系であることから、互いの屈折率がほぼ同じであり、互いの界面53で屈折率は殆ど変化しない。従って、界面53における光の反射、屈折等の影響はなく、光学的な制御を行いやすい。また、各蛍光体51,52のガラス転移温度、熱膨張率等もほぼ同じであるので、装置製造時に、互いの熱膨張係数の差に起因して冷却時にクラックが生じることはなく、各蛍光体51,52を的確に密着させることができる。尚、前記実施形態においては、第1ガラス蛍光体51の発光中心がSmイオンであるもの、第2ガラス蛍光体52の発光中心がYbイオン及びNdイオンであるものを示したが、発光中心は、例えば、Tmイオン、Erイオン、Dyイオン、Prイオン等の希土類イオンを用いることができる。さらにこれらを適宜共添加してもよい。各希土類イオンはそれぞれ励起波長及び発光波長が異なることから、半導体発光装置1の用途に応じて適宜第1ガラス蛍光体用希土類イオン、第2ガラス蛍光体用希土類イオンを選択すればよい。また、前記実施形態においては、第1ガラス蛍光体51から、第2ガラス蛍光体52の第2赤外光より短波長側と長波長側の両方の赤外線が発せられるものを示したが、いずれか一方の赤外線が発せられるものであっても、第2赤外光を広帯域化することができることはいうまでもない。また、第3波長域、第4波長域及び第5波長域が、互いに明確に区別される必要はなく、例えば、第3波長域と第4波長域の一部が重なっていたり、第4波長域と第5波長域の一部が重なっていてもよい。むしろ、隣接する波長域の一部が重なっている方が、発光強度の均一化が図れて好ましい場合がある。前記実施形態のように、第1、第2、第3赤外光がピークとなる波長を有している場合は、第1赤外光のピーク波長が第2赤外光のピーク波長より短く、第3赤外光のピーク波長が第2赤外光のピーク波長より長ければよい。さらにまた、各蛍光体51,52のLED素子4に近い側例えば、図1中の下側と、LED素子4から離れた側例えば、図1中の上側とで、希土類イオンの濃度を変化させてもよい。これは、意図的に行う濃度変化であり、従来技術における意図しない分散ムラとは異なるものである。この場合、各蛍光体51,52をLED素子4の側から希土類イオンの濃度が異なる複数の層により構成したり、LED素子4から遠ざかるにつれて希土類イオンの濃度が連続的に変化するよう構成することができる。さらにまた、各蛍光体51,52内で、希土類イオンの種類を変化させてもよい。また、各蛍光体51,52の母体として、Sb2O3-B2O3系の硼酸系ガラスを用いたものを示したが、リン酸系ガラスやフッ化物ガラスを用いてもよい。具体的には、Bi2O3-GeO2系ガラス、ZnO-B2O3系ガラス、CaO-B2O3系ガラス、CaO-P2O5系ガラス等の低融点ガラスを例示することができる。各蛍光体51,52の母体のガラスは、LED素子4を封止するため、融点が低い方が好ましい。また、各蛍光体51,52の母体のガラスの屈折率を、LED素子4の基板41の屈折率と合わせることが望ましい。例えば、前記実施形態では、基板41が屈折率1.8のサファイアであることから、各蛍光体51,52の母体に屈折率1.8のガラスを用いることが望ましい。尚、ガラスの屈折率は、ガラス中の各酸化物の量を調整することにより変化させることができる。さらにまた、第1ガラス蛍光体51と第2ガラス蛍光体52とで、母体のガラス系が異なるものであってもよい。例えば、第1ガラス蛍光体51を融点が比較的低いガラスとし、第2ガラス蛍光体52を融点が比較的高いガラスとすれば、第2ガラス蛍光体52を予め所期形状に成形しておき、第1ガラス蛍光体51のみ溶融させ、第2ガラス蛍光体52のガラスを型としてLED素子4を封止することもできる。また、例えば、第1ガラス蛍光体51を屈折率が比較的高いガラスとし、第2ガラス蛍光体52を屈折率が比較的低いガラスとすれば、各蛍光体51,52の界面にて全反射の条件が成立することはない。また、例えば、第1ガラス蛍光体51を屈折率が比較的低いガラスとし、第2ガラス蛍光体52を屈折率が比較的高いガラスとしても、各蛍光体51,52の屈折率の選択により、外部放射効率を高くすることができる。さらに、LED素子4の配光特性を勘案し、半導体発光装置1における所望の配光特性が実現できるように、希土類イオン濃度や母体ガラスの組成を適宜変化させることが可能である。例えば、LED素子4の配光特性が素子の中心軸素子の光出射面に垂直で素子の中央を通る軸について非対称である場合に、半導体発光装置1から出射される光が装置の中心軸について対称的となるよう各蛍光体51,52の希土類イオン濃度や屈折率を設計することができるし、LED素子4の配光特性が素子の中心軸について対称的である場合に、導体発光装置1から出射される光が装置の中心軸について非対称となるよう各蛍光体51,52の希土類イオン濃度や屈折率を設計することもできる。また、前記実施形態においては、第2ガラス蛍光体52のレンズ形状面54が滑らかな湾曲形状であるものを示したが、例えばレンズ形状面54をLED素子4からの距離がほぼ一定なフレネルレンズの形状としてもよく、レンズ形状面54は任意に変更することができる。図8は本発明の第2の実施形態を示すものであり、図8は半導体発光装置の模式断面図である。図8に示すように、この半導体発光装置101は、一対のリードフレーム102,103と、一方のリードフレーム102に搭載されるLED素子104と、LED素子104を封止する封止材としての第1ガラス蛍光体51と、第1ガラス蛍光体51を覆う第2ガラス蛍光体52と、を備えている。各リードフレーム102,103は、互いに平行に所定方向へ延びる棒状部121,131をそれぞれ有している。一方のリードフレーム102は、棒状部121の先端側に形成されLED素子104が搭載される搭載部122と、搭載部122の外縁から上方に突出形成されLED素子104を包囲する反射部123と、を有している。搭載部122は、棒状部121の先端側から他方のリードフレーム103へ近接する方向へ延び、絶縁が確保されるよう他方のリードフレーム103と間隔をおいて配置される。搭載部122の上面は、平坦に形成され、円形を呈している。反射部123は、LED素子104から発せられた光を上方へ反射し、その内面は下方から上方へ向かって拡開するよう形成されている。LED素子104は、基板141上に半導体層142が形成され、半導体層42上に形成された電極143がワイヤ145により他方にリードフレーム103と電気的に接続される。尚、このLED素子104の基板141は、導電性を有しており、基板141が搭載部122と接触することにより一方のリードフレームと電気的に接続されるようになっている。LED素子104の発光スペクトルは、第1の実施形態のLED素子4と同様である。LED素子104を封止する第1及び第2ガラス蛍光体51,52は、リードフレーム102の搭載部122及び反射部123の内側に充填され、外表面がレンズ形状面54をなしている。本実施形態においては、第2ガラス蛍光体52とリードフレーム102,103の外側は面一に形成されている。第1ガラス蛍光体51及び第2ガラス蛍光体52は、第1の実施形態と同様であるので、ここでは詳述しない。以上のように構成された半導体発光装置101も、各リードフレーム102,103に電圧を印加すると、第2ガラス蛍光体52から、第1赤外光λ3、第2赤外光λ4及び第3赤外光λ5を含む広帯域赤外光が外部へ向かって放射される。尚、前記各実施形態では、棒状部を有する一対のリードフレームの先端に蛍光体を設けた半導体発光装置を示したが、例えば、図9及び図10に示すように、表面実装型の半導体発光装置としてもよく、装置の形態は任意に変更することができる。図9の半導体発光装置201は、セラミックからなる基体206に上方を開口した凹部を形成し、当該凹部内にLED素子4がフリップチップ実装されている。基体206の底部262には、LED素子4への電力供給のための金属からなるメタルパターン202,203が形成されている。また、基体206は、LED素子4を包囲する反射部261を有している。基体206の凹部の内部には、第1ガラス蛍光体51及び第2ガラス蛍光体52がLED素子4側からこの順に充填されている。LED素子4及び各蛍光体51,52は、第1の実施形態と同じものである。第2ガラス蛍光体5の上面は、反射部261と面一となるよう平坦に形成されている。各蛍光体51,52は、軟化した状態で基体206の凹部内に充填される。図10の半導体発光装置301は、基体206の凹部内にLED素子104を実装したものである。LED素子104は、第2の実施形態と同じものである。LED素子104の電極143とメタルパターン203とはワイヤ345により電気的に接続される。基体206の凹部の内部には、第1ガラス蛍光体51及び第2ガラス蛍光体52がLED素子104側からこの順に充填されている。各蛍光体51,52は、第1の実施形態と同じものである。各蛍光体51,52は、溶融した状態で基体206の凹部内に充填される。また、前記各実施形態では、2つのガラス蛍光体を用いたものを示したが、例えば図11から図14に示すように、3以上のガラス蛍光体を用いてもよいことは勿論である。図11は、3つのガラス蛍光体を用いた場合の波長変換作用を示す説明図である。図11の変形例では、前記各実施形態の第1ガラス蛍光体51及び第2ガラス蛍光体52に加え、第3ガラス蛍光体55を用いている。第1ガラス蛍光体51及び第2ガラス蛍光体52は、前記各実施形態と同様であるのでここでは説明を省略する。第3ガラス蛍光体55は、ガラスからなる母体と、この母体に含まれる発光中心をそれぞれ有している。第3ガラス蛍光体55は、第2ガラス蛍光体52の出射側に配置され、第1赤外光λ3及び第2赤外光λ4により励起されると、第6波長域の第4赤外光λ6を発する。尚、第1赤外光λ3と第2赤外光λ4の一方で励起されるようにしてもよい。具体的に、第3ガラス蛍光体55の母体はSb2O3-B2O3系ガラスからなり、発光中心はEr3となっている。第3ガラス蛍光体55は、980nm付近の光により励起されると、1450~1630nmの光を発する。第3ガラス蛍光体55は、Er2O3粉末と、Sb2O3粉末と、H3BO3粉末と、Bi2O3粉末と、を混合して溶融した後、冷却することにより作製される。以上のように構成された半導体発光装置は、図11に示すようにLED素子4から第1励起光λ1が第1ガラス蛍光体51に入射すると、第1ガラス蛍光体51から第2励起光λ2、第1赤外光λ3及び第3赤外光λ5を含む光が発せられる。そして、第2励起光λ2、第1赤外光λ3及び第3赤外光λ5が第2ガラス蛍光体52に入射すると、第1赤外光λ3及び第3赤外光λ5は第2ガラス蛍光体52を透過するとともに、第2ガラス蛍光体52から第2赤外光λ4が発せられる。第1赤外光λ3、第2赤外光λ4及び第3赤外光λ5が第3ガラス蛍光体55に入射すると、第3赤外光λ5は第3ガラス蛍光体55を透過する。また、第1赤外光λ3及び第2赤外光λ4の一部により第3ガラス蛍光体55が励起されて、第3ガラス蛍光体55から第4赤外光λ6が発せられる。第1赤外光λ3及び第2赤外光λ4は、一部が第3ガラス蛍光体55に吸収され、第1赤外光残部λ3’及び第2赤外光残部λ4’が第3ガラス蛍光体55を透過する。これにより、第3ガラス蛍光体55から、第1赤外光残部λ3’、第2赤外光残部λ4’、第3赤外光λ5及び第4赤外光λ6を含む広帯域赤外光が外部へ向かって放射される。このように、第1赤外光λ3及び第2赤外光λ4の一部が他の蛍光体等に吸収されても、広帯域赤外光に第3波長域及び第4波長域の少なくとも一部が含まれていればよい。同様に、第3赤外光λ5及び第4赤外光λ6の一部が他の蛍光体等に吸収されてもよく、この場合も広帯域赤外光に第5波長域及び第6波長域の少なくとも一部が含まれていればよい。また、図12に示すように、第1ガラス蛍光体51と第2ガラス蛍光体52の間に第3ガラス蛍光体55を配置してもよい。この場合も、図11と同様に、LED素子4から第1励起光λ1が第1ガラス蛍光体51に入射すると、第1ガラス蛍光体51から第2励起光λ2、第1赤外光λ3及び第3赤外光λ5を含む光が発せられる。そして、第2励起光λ2、第1赤外光λ3及び第3赤外光λ5が第3ガラス蛍光体55に入射すると、第2励起光λ2及び第3赤外光λ5は第3ガラス蛍光体55を透過する。また、第1赤外光λ3の一部により第3ガラス蛍光体55が励起されて、第3ガラス蛍光体55から第4赤外光λ6が発させられる。第1赤外光λ3は、一部が第3ガラス蛍光体55に吸収され、第1赤外光残部λ3’が第3ガラス蛍光体55を透過する。第2励起光λ2、第1赤外光残部λ3’、第3赤外光λ5及び第4赤外光λ6が第2ガラス蛍光体52に入射すると、第1赤外光残部λ3’、第3赤外光λ5及び第4赤外光λ6は第2ガラス蛍光体52を透過する。また、第2励起光λ2により第2ガラス蛍光体52が励起されて、第2ガラス蛍光体52から第2赤外光λ4が発せられる。これにより、第2ガラス蛍光体52から、第1赤外光残部λ3’、第2赤外光λ4、第3赤外光λ5及び第4赤外光λ6を含む広帯域赤外光が外部へ向かって放射される。図11のような配置の場合、第1ガラス蛍光体51から発せられる第1赤外光λ3と、第2ガラス蛍光体52から発せられる第2赤外光λ4と、で励起可能な第3ガラス蛍光体55が出射側に位置しているので、第3ガラス蛍光体55から発せられる第4赤外光λ6の発光強度を比較的高くすることができる。また、図12のような配置の場合、第3ガラス蛍光体55よりも第2ガラス蛍光体52が出射側に位置しているので、第3ガラス蛍光体55の励起帯を第2ガラス蛍光体52から発せられる第2赤外光λ4でカバーすることができる。図13及び図14は、3つのガラス蛍光体を用いた場合の半導体発光装置の模式断面図である。図13の半導体発光装置201は、基体206に上方を開口した凹部を形成し、当該凹部内にLED素子4がフリップチップ実装されている。基体206の底部262にはメタルパターン202,203が形成され、基体206はLED素子4を包囲する反射部261を有している。基体206の凹部の内部には、第1ガラス蛍光体51、第3ガラス蛍光体55及び第2ガラス蛍光体52がLED素子4側からこの順に充填されている。各蛍光体51,52,55は、軟化した状態で基体206の凹部内に充填される。図14の半導体発光装置301は、基体206の凹部内にLED素子104を実装したものである。LED素子104の電極143とメタルパターン203とはワイヤ345により電気的に接続される。基体206の凹部の内部には、第1ガラス蛍光体51、第3ガラス蛍光体55及び第2ガラス蛍光体52がLED素子104側からこの順に充填されている。各蛍光体51,52,55は、溶融した状態で基体206の凹部内に充填される。また、前記各実施形態では、半導体発光素子としてLED素子を用いたものを示したが、例えばLD素子のような他の半導体発光素子を用いてもよい。さらに、第1ガラス蛍光体により光源としての半導体発光素子が封止されるものを示したが、第1ガラス蛍光体と光源を別個に配置してもよい。さらにまた、第1ガラス蛍光体及び第2ガラス蛍光体が密着しているものを示したが、第1ガラス蛍光体と第2ガラス蛍光体が別個に配置されていてもよい。また、変形例として3つのガラス蛍光体を用いたものを示したが、さらにガラス蛍光体を増やすことも可能であるし、その他、具体的な細部構成は適宜に変更可能である。"