各画素に配置されたスイッチング素子と、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極の上に配置された絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合うスリットが形成された画素電極と、前記画素電極を覆うとともに前記スリットの長軸に対して交差する方向に配向処理された第1配向膜と、を備えた第1基板と、前記第1配向膜と対向するとともに前記第1配向膜の配向処理方向と平行かつ逆向きに配向処理された第2配向膜を備えた第2基板と、前記第1基板の前記第1配向膜と前記第2基板の前記第2配向膜との間に保持され、前記画素電極と前記共通電極との間に電界が形成されていない状態で前記第1配向膜及び前記第2配向膜の配向処理方向に初期配向する液晶分子を含む液晶層と、前記第1基板の外面に配置され、前記液晶分子の初期配向方向と平行な方位からずれた第1吸収軸を有する第1偏光板と、前記第2基板の外面に配置され、前記液晶分子の初期配向方向と直交する方位の第2吸収軸を有する第2偏光板と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。前記第1吸収軸は、前記液晶分子の初期配向方向に対して1°~2°ずれたことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。前記第1吸収軸は、前記液晶分子の初期配向方向に対して反時計回りに1°~2°ずれたことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。本実施形態の目的は、表示品位を改善することが可能な液晶表示装置を提供することにある。本実施形態によれば、各画素に配置されたスイッチング素子と、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極の上に配置された絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合うスリットが形成された画素電極と、前記画素電極を覆うとともに前記スリットの長軸に対して交差する方向に配向処理された第1配向膜と、を備えた第1基板と、前記第1配向膜と対向するとともに前記第1配向膜の配向処理方向と平行かつ逆向きに配向処理された第2配向膜を備えた第2基板と、前記第1基板の前記第1配向膜と前記第2基板の前記第2配向膜との間に保持され、前記共通電極と前記画素電極との間に電位差が形成されていない状態で前記第1配向膜及び前記第2配向膜の配向処理方向に初期配向する液晶分子を含む液晶層と、前記第1基板の外面に配置され、前記液晶分子の初期配向方向と平行な方位からずれた第1吸収軸を有する第1偏光板と、前記第2基板の外面に配置され、前記液晶分子の初期配向方向と直交する方位の第2吸収軸を有する第2偏光板と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。図1は、本実施形態の液晶表示装置を構成する液晶表示パネルLPNの構成及び等価回路を概略的に示す図である。すなわち、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの透過型の液晶表示パネルLPNを備えている。液晶表示パネルLPNは、第1基板であるアレイ基板ARと、アレイ基板ARに対向して配置された第2基板である対向基板CTと、これらのアレイ基板ARと対向基板CTとの間に保持された液晶層LQと、を備えている。このような液晶表示パネルLPNは、画像を表示するアクティブエリアACTを備えている。このアクティブエリアACTは、m×n個のマトリクス状に配置された複数の画素PXによって構成されている但し、m及びnは正の整数である。アレイ基板ARは、アクティブエリアACTにおいて、第1方向Xに沿ってそれぞれ延出したn本のゲート配線GG1~Gn及びn本の容量線CC1~Cn、第1方向Xに直交する第2方向Yに沿ってそれぞれ延出したm本のソース配線SS1~Sm、各画素PXにおいてゲート配線G及びソース配線Sと電気的に接続されたスイッチング素子SW、各画素PXにおいてスイッチング素子SWに各々電気的に接続された画素電極PE、画素電極PEと向かい合う共通電極CEなどを備えている。共通電極CEは、複数の画素PXに亘って共通に形成されている。画素電極PEは、各画素PXにおいて島状に形成されている。各ゲート配線Gは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、ゲートドライバGDに接続されている。各ソース配線Sは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、ソースドライバSDに接続されている。各容量線Cは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、補助容量電圧が供給される電圧印加部VCSと電気的に接続されている。共通電極CEは、コモン電圧が供給される給電部VSと電気的に接続されている。ゲートドライバGD及びソースドライバSDは、例えばその少なくとも一部がアレイ基板ARに形成され、駆動ICチップ2と接続されている。図示した例では、液晶表示パネルLPNを駆動するのに必要な信号源としての駆動ICチップ2は、液晶表示パネルLPNのアクティブエリアACTの外側において、アレイ基板ARに実装されている。また、図示した例の液晶表示パネルLPNは、FFSモードあるいはIPSモードに適用可能な構成であり、アレイ基板ARに画素電極PE及び共通電極CEを備えている。このような構成の液晶表示パネルLPNでは、画素電極PE及び共通電極CEの間に形成される横電界例えば、フリンジ電界のうちの基板の主面にほぼ平行な電界を主に利用して液晶層LQを構成する液晶分子をスイッチングする。図2は、図1に示したアレイ基板ARにおける画素PXの構造を対向基板CTの側から見た概略平面図である。なお、ここでは、説明に必要な主要部のみを図示しており、スイッチング素子などの図示を省略している。ゲート配線Gは、第1方向Xに沿ってそれぞれ延出している。このようなゲート配線Gは、第2方向Yに沿って第1ピッチで配置されている。ソース配線Sは、第2方向Yに沿ってそれぞれ延出している。このようなソース配線Sは、第1方向Xに沿って第1ピッチよりも小さい第2ピッチで配置されている。ゲート配線Gとソース配線Sとで規定された画素PXは、第1方向Xに沿った長さが第2方向Yに沿った長さよりも短い縦長の長方形状である。つまり、画素PXの第2方向Yに沿った長さはゲート配線間の第1ピッチに相当し、画素PXの第1方向Xに沿った長さはソース配線間の第2ピッチに相当する。共通電極CEは、第1方向Xに沿って延在している。すなわち、共通電極CEは、各画素PXに配置されるとともにソース配線Sの上方を跨いで、第1方向Xに隣接する複数の画素PXに亘って共通に形成されている。各画素PXの画素電極PEは、共通電極CEの上方に配置されている。各画素電極PEは、各画素PXにおいて長方形状の画素形状に対応した島状に形成されている。図示した例では、画素電極PEは、第1方向Xに沿った短辺及び第2方向Yに沿った長辺を有する概略長方形状に形成されている。このような各画素電極PEには、共通電極CEと向かい合う複数のスリットPSLが形成されている。図示した例では、スリットPSLのそれぞれは、第2方向Yに沿って延出しており、第2方向Yと平行な長軸を有している。図3は、図1に示した液晶表示パネルLPNの断面構造を概略的に示す図である。すなわち、アレイ基板ARは、ガラス基板などの光透過性を有する第1絶縁基板10を用いて形成されている。このアレイ基板ARは、第1絶縁基板10の内面すなわち対向基板CTに対向する側10Aにスイッチング素子SW、共通電極CE、画素電極PEなどを備えている。ここに示したスイッチング素子SWは、例えば薄膜トランジスタTFTである。このスイッチング素子SWは、ポリシリコンやアモルファスシリコンによって形成された半導体層を備えている。なお、スイッチング素子SWは、トップゲート型あるいはボトムゲート型のいずれであっても良い。このようなスイッチング素子SWは、第1絶縁膜11によって覆われている。共通電極CEは、第1絶縁膜11の上に形成されている。このような共通電極CEは、透明な導電材料、例えば、インジウムティンオキサイドITOやインジウムジンクオキサイドIZOなどによって形成されている。この共通電極CEは、第2絶縁膜12によって覆われている。また、この第2絶縁膜12は、第1絶縁膜11の上にも配置されている。画素電極PEは、第2絶縁膜12の上に形成され、共通電極CEと向かい合っている。この画素電極PEは、第1絶縁膜11及び第2絶縁膜12を貫通するコンタクトホールを介してスイッチング素子SWに接続されている。また、この画素電極PEは、第2絶縁膜12を介して共通電極CEと向かい合うスリットPSLを有している。このような画素電極PEは、透明な導電材料、例えば、ITOやIZOなどによって形成されている。この画素電極PEは、第1配向膜AL1によって覆われている。また、この第1配向膜AL1は、第2絶縁膜12の上にも配置されている。このような第1配向膜AL1は、水平配向性を示す材料例えば、ポリイミドによって形成され、アレイ基板ARの液晶層LQに接する面に配置されている。一方、対向基板CTは、ガラス基板などの光透過性を有する第2絶縁基板30を用いて形成されている。この対向基板CTは、第2絶縁基板30の内面すなわちアレイ基板ARに対向する側30Aに、各画素PXを区画するブラックマトリクス31、カラーフィルタ32、オーバーコート層33などを備えている。ブラックマトリクス31は、第2絶縁基板30の内面30Aにおいて、アレイ基板ARに設けられたゲート配線Gやソース配線S、さらにはスイッチング素子SWなどの配線部に対向するように形成されている。カラーフィルタ32は、第2絶縁基板30の内面30Aに形成され、ブラックマトリクス31の上にも延在している。このカラーフィルタ32は、互いに異なる複数の色、例えば赤色、青色、緑色といった3原色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。互いに異なる色のカラーフィルタ32間の境界は、ブラックマトリクス31上に位置している。オーバーコート層33は、カラーフィルタ32を覆っている。このオーバーコート層33は、ブラックマトリクス31やカラーフィルタ32の表面の凹凸を平坦化する。このようなオーバーコート層33は、透明な樹脂材料によって形成されている。このオーバーコート層33は、第2配向膜AL2によって覆われている。この第2配向膜AL2は、水平配向性を示す材料例えば、ポリイミドによって形成され、対向基板CTの液晶層LQに接する面に配置されている。上述したようなアレイ基板ARと対向基板CTとは、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2が向かい合うように配置されている。このとき、アレイ基板ARと対向基板CTの間には、一方の基板に形成された柱状スペーサにより、所定のセルギャップが形成される。アレイ基板ARと対向基板CTとは、セルギャップが形成された状態でシール材によって貼り合わせられている。液晶層LQは、これらのアレイ基板ARの第1配向膜AL1と対向基板CTの第2配向膜AL2との間に形成されたセルギャップに封入された液晶分子LMを含む液晶組成物によって構成されている。このような構成の液晶表示パネルLPNに対して、その背面側には、バックライトBLが配置されている。バックライトBLとしては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオードLEDを利用したものや冷陰極管CCFLを利用したものなどのいずれでも適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。アレイ基板ARの外面、すなわち第1絶縁基板10の外面10Bには、第1偏光板PL1が配置されている。また、対向基板CTの外面、すなわち第2絶縁基板30の外面30Bには、第2偏光板PL2が配置されている。なお、第1絶縁基板10と第1偏光板PL1との間や、第2絶縁基板30と第2偏光板PL2との間には、位相差板など他の光学素子が配置されても良い。第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2は、図2に示したように、基板主面あるいは、X-Y平面と平行な面内において、互いに平行な方位に配向処理例えば、ラビング処理や光配向処理されている。第1配向膜AL1は、スリットPSLの長軸図2に示した例では第2方向Yに対して45°以下の鋭角に交差する方向に沿って配向処理されている。第1配向膜AL1の配向処理方向R1は、例えば、スリットPSLが延出した第2方向Yに対して5°~15°の角度をもって交差する方向である。また、第2配向膜AL2は、第1配向膜AL1の配向処理方向R1と平行な方向に沿って配向処理されている。第1配向膜AL1の配向処理方向R1と第2配向膜AL2の配向処理方向R2とは互いに逆向きである。ここで、本実施形態における第1偏光板PL1の第1吸収軸及び第2偏光板PL2の第2吸収軸と、液晶分子LMの初期配向方向との関係について説明する。図4は、X-Y平面内における第1吸収軸A1及び第2吸収軸A2と、液晶分子LMの初期配向方向ILMとの関係を説明するための図である。液晶分子LMの初期配向方向ILMとは、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されていない状態での液晶分子LMのX-Y平面内での配向方向に相当し、第1配向膜AL1の配向処理方向R1及び第2配向膜AL2の配向処理方向R2と平行な方向である。第1偏光板PL1の第1吸収軸A1は、初期配向方向ILMと平行な方位からずれた方位に設定されている。つまり、第1吸収軸A1の方位は、配向処理方向R1及び配向処理方向R2に対して非平行である。ここで、第1吸収軸A1が初期配向方向ILMに対してずれる方向は、時計回り図中の右回りと、反時計回り図中の左回りとがあり得る。初期配向方向ILMに対する第1吸収軸A1のずれ角度については後に詳述する。一方、第2偏光板PL2の第2吸収軸A2は、初期配向方向ILMと直交する方位に設定されている。つまり、第2吸収軸A2の方位は、配向処理方向R1及び配向処理方向R2に対して直交している。このため、第1偏光板PL1の第1吸収軸A1と第2偏光板PL2の第2吸収軸A2とはクロスニコルの位置関係からずれている。つまり、X-Y平面内において、第1吸収軸A1と第2吸収軸A2とのなす角度は、厳密な90°ではなく、90°に近い鋭角となる。以下に、上記構成の液晶表示装置における動作について説明する。画素電極PEと共通電極CEとの間に電位差を形成するような電圧が印加されていないOFF時においては、液晶層LQに電圧が印加されていない状態であり、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されていない。このため、液晶層LQに含まれる液晶分子LMは、図2に実線で示したように、X-Y平面内において、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2の配向処理方向R1及びR2に初期配向する。OFF時には、バックライトBLからのバックライト光の一部は、第1偏光板PL1を透過し、液晶表示パネルLPNに入射する。液晶表示パネルLPNに入射した光は、第1偏光板PL1の第1吸収軸A1と直交する直線偏光である。このような直線偏光の偏光状態は、OFF時の液晶表示パネルLPNを通過した際にほとんど変化しない。このため、液晶表示パネルLPNを透過した直線偏光のほとんどが、第2偏光板PL2によって吸収される黒表示。一方、画素電極PEと共通電極CEとの間に電位差を形成するような電圧が印加されたON時においては、液晶層LQに電圧が印加された状態であり、画素電極PEと共通電極CEとの間にフリンジ電界が形成される。このため、液晶分子LMは、図2に破線で示したように、X-Y平面内において、初期配向方向とは異なる方位に配向する。ポジ型の液晶材料においては、液晶分子LMは、電界と略平行な方向つまり、スリットPSLの長軸と略直交する方向に配向する。このようなON時には、第1偏光板PL1の第1吸収軸A1と直交する直線偏光は、液晶表示パネルLPNに入射し、その偏光状態は、液晶層LQを通過する際に液晶分子LMの配向状態に応じて変化する。このため、ON時においては、液晶層LQを通過した少なくとも一部の光は、第2偏光板PL2を透過する白表示。次に、本実施形態における第1吸収軸A1の初期配向方向ILMに対する最適なずれ角度について検討する。本実施形態では、いわゆる焼き付き現象を改善すべく、アレイ基板AR側の第1偏光板PL1を本来配置すべき位置から意図的にずらして配置するものである。つまり、本来、第1偏光板PL1は、その第1吸収軸A1が液晶分子LMの初期配向方向ILMと平行な方位に設定されるように配置されるべきところ、本実施形態においては、第1吸収軸A1が初期配向方向ILMからずれた方位に設定されるように配置している。ここでは、焼き付き現象を再現するため、初期に黒表示を行った際の黒輝度を測定した後、白表示を一定時間行い、再び黒表示を行った際の黒輝度を測定する第1の実験を行った。焼き付き現象が発生した場合には、白表示後に測定した黒輝度は、初期に測定した黒輝度よりも高くなる。焼き付き現象が発生しなかった場合には、白表示後に測定した黒輝度は、初期に測定した黒輝度と同等以下となる。図5は、第1の実験の測定結果を示す図である。図中の横軸において、-2°は第1吸収軸A1が初期配向方向ILMに対して時計回りに2°ずれた場合に相当し、-1°は第1吸収軸A1が初期配向方向ILMに対して時計回りに1°ずれた場合に相当し、0°は第1吸収軸A1が初期配向方向ILMと平行である場合に相当し、1°は第1吸収軸A1が初期配向方向ILMに対して反時計回りに1°ずれた場合に相当し、2°は第1吸収軸A1が初期配向方向ILMに対して反時計回りに2°ずれた場合に相当する。図中の縦軸は輝度上昇比であり、初期に黒表示を行った際に測定した黒輝度B0に対して、白表示を60分間行った後に再び黒表示を行った際に測定した黒輝度B1の比率B1/B0に相当する。なお、輝度の測定には、ミノルタ社製のCA210を使用し、白表示では液晶層LQに印加する駆動電圧を5Vとし、黒表示では液晶層LQに印加する駆動電圧を0.01Vとし、いずれも暗室で光度500cdのバックライトBLをアレイ基板AR側から照射して、対向基板CT側で輝度を測定した。なお、いずれの場合においても、第2偏光板PL2は、その第2吸収軸A2が初期配向方向ILMに対して直交するように配置されている。図示した測定結果によれば、第1吸収軸A1を初期配向方向ILMに対して時計回りにずらした場合-2°の場合、及び、-1°の場合には、輝度上昇比が大きくなる、つまり、焼き付きが顕著に現れる傾向を呈することが確認された。図示しないが、第1吸収軸A1のずれ角度が時計回りにさらに大きくなると、輝度上昇比がさらに大きくなることも確認された。一方、第1吸収軸A1を初期配向方向ILMに対して反時計回りにずらした場合2°の場合、及び、1°の場合には、輝度上昇比が小さくなる、つまり、焼き付きが改善される傾向を呈することが確認された。また、図示しないが、第1吸収軸A1のずれ角度が反時計回りにさらに大きくなると、輝度上昇比はさらに小さくなることも確認された。すなわち、第1吸収軸A1を初期配向方向ILMに対して反時計回りにずらすことにより、バックライトBLから入射した光のうち、液晶層LQを通過して対向基板CT側に出射される光量が抑えられ、これにより、大幅に焼き付きを低減することが可能となる。但し、第1吸収軸A1のずれ角度が大きくなると、第1吸収軸A1が初期配向方向ILMと平行である場合つまり、第1偏光板PL1と第2偏光板PL2とがクロスニコルの位置関係にある場合と比較して、黒表示の際の黒輝度が上昇する傾向がある。このため、第1吸収軸A1のずれ角度が大きくなると、コントラスト比の低下を招くことになる。したがって、焼き付きを改善しつつ、コントラスト比の低下を抑制するためには、第1吸収軸A1は液晶分子LMの初期配向方向ILMに対して反時計回りにずらし、しかも、ずれ角度が1°~2°の範囲であることが望ましい。なお、上記の本実施形態の構成においては、第1吸収軸A1が液晶分子LMの初期配向方向ILMに対して反時計回りにずれた場合に焼き付きを低減できる傾向が確認されたが、第1配向膜AL1や第2配向膜AL2を形成する材料等、本実施形態で適用した構成と異なる条件においては、第1吸収軸A1が初期配向方向ILMに対して時計回りにずれた場合に焼き付きを低減できる場合もあり得る。次に、焼き付き現象を再現するため、周期的に黒表示と白表示を切り替え、黒表示を行った際の黒輝度を測定する第2の実験を行った。図6は、第2の実験の測定結果を示す図である。図中の横軸は測定時間分であり、縦軸は黒輝度cdである。この第2の実験では、最初の10分間では1分間隔で黒輝度を測定し、その後の20分間では、白輝度を表示した後に黒輝度を測定する作業を2分間隔で実施した。その後の10分間では、1分間隔で黒輝度を測定した。なお、黒輝度の測定条件は第1の実験と同一である。また、この第2の実験は、第1の実験と同様に、第1吸収軸A1のずれ角度が-2°の場合、-1°の場合、0°の場合、1°の場合、2°の場合についてそれぞれ行った。図示した測定結果によれば、第1の実験結果と同様に、第1吸収軸A1を初期配向方向ILMに対して時計回りにずらした場合-2°の場合、及び、-1°の場合には、2分間隔で黒輝度を測定している20分間においてその前後の時間よりも黒輝度が上昇する傾向が確認されたが、第1吸収軸A1を初期配向方向ILMに対して反時計回りにずらした場合2°の場合、及び、1°の場合には、2分間隔で黒輝度を測定している20分間においてその前後の時間よりも黒輝度が低下する傾向が確認された。つまり、この第2の実験においても、第1吸収軸A1を初期配向方向ILMに対して反時計回りにずらした場合には、焼き付き現象が改善される傾向が確認された。以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位を改善することが可能な液晶表示装置を提供することができる。なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。例えば、上記の実施形態においては、画素電極PEのスリットPSLは第2方向Yに平行な長軸を有するように形成したが、第1方向Xに平行な長軸を有するように形成しても良いし、第1方向X及び第2方向Yに交差する方向に平行な長軸を有するように形成しても良いし、くの字形に屈曲した形状に形成しても良い。