"リソグラフィ装置でEUV放射ビームの経路から汚染粒子を除去するシステムであって、aEUV放射ビームの経路の反対側に備えられる少なくとも1対の電極と、b前記少なくとも1対の電極の間に制御された電圧を供給する電圧源と、c前記少なくとも1対の電極間に供給される電圧を制御するコントローラとを備え、前記コントローラは、前記少なくとも1対の電極間に電圧のレジームを供給し、前記レジームは、1対の電極にAC電圧が供給される第1のステージと、1対の電極にDC電圧が供給される第2のステージとを含む、システム。前記レジームの各ステージの必要な電圧は、それぞれの連続する期間に同じ対の電極間に供給される、請求項1に記載の汚染粒子を除去するシステム。前記EUV放射ビームは、パルス放射源によって供給され、前記コントローラは、前記電圧レジームのステージの期間の合計が前記EUV放射ビームの連続するパルスの開始の間の時間に対応するように構成される、請求項2に記載の汚染粒子を除去するシステム。前記第1のステージのAC電圧の周波数と電位は、前記システムの構成に関して、前記1対の電極間に供給されるAC電圧が前記EUV放射ビームによって生成されるプラズマの密度を高めるように選択される、請求項2又は3に記載の汚染粒子を除去するシステム。前記第1のステージのAC電圧の周波数は、20~100MHzの間にある、請求項4に記載の汚染粒子を除去するシステム。前記第1のステージのAC電圧の大きさは、40~200Vの間にある、請求項4又は5に記載の汚染粒子を除去するシステム。AC電圧によって前記1対の電極に供給される電力は、0.005~0.04W/cm2の間にある、請求項4から6のいずれか1項に記載の汚染粒子を除去するシステム。前記第1のステージのAC電圧の周波数及び大きさは、前記システムの構成に関して、前記1対の電極間に供給されるAC電圧が前記EUV放射ビームによって生成されるプラズマを散逸させるように選択される、請求項2又は3に記載の汚染粒子を除去するシステム。前記第1のステージの前記AC電圧の周波数は、0.1~20MHzの間、望ましくは10MHzである、請求項8に記載の汚染粒子を除去するシステム。前記第1のステージの前記AC電圧の大きさは、10~400Vの間、望ましくは200Vである、請求項8又は9に記載の汚染粒子を除去するシステム。前記電圧レジームは、AC電圧が1対の電極に供給される前記第1のステージと第2のステージとの間に設けられた中間ステージを含み、前記第1のステージの前記AC電圧の周波数は、前記中間ステージの前記AC電圧の周波数よりも高い、請求項3に記載の汚染粒子を除去するシステム。前記第1のステージと前記中間ステージの前記AC電圧の周波数及び大きさは、前記システムの構成に関して、前記第1のステージの前記1対の電極間に供給される前記AC電圧が前記EUV放射ビームによって生成されるプラズマの密度を高め、前記第2のステージの前記1対の電極間に供給される前記AC電圧が前記プラズマを散逸させるように選択される、請求項11に記載の汚染粒子を除去するシステム。前記第1のステージの前記AC電圧の周波数は、20~100MHzの間にある、請求項12に記載の汚染粒子を除去するシステム。前記第1のステージの前記AC電圧の大きさは、40~200Vの間にある、請求項12又は13に記載の汚染粒子を除去するシステム。前記第1のステージの前記AC電圧によって前記1対の電極に供給される電力は、0.005~0.04W/cm2の間にある、請求項12から14のいずれか1項に記載の汚染粒子を除去するシステム。前記中間ステージの前記AC電圧の周波数は、0.1~20MHzの間、望ましくは10MHzである、請求項12から15のいずれか1項に記載の汚染粒子を除去するシステム。前記中間ステージの前記AC電圧は、10~400Vの間、望ましくは200Vである、請求項12から16のいずれか1項に記載の汚染粒子を除去するシステム。前記レジームの前記第1のステージの期間は、前記EUV放射ビームの連続パルスの開始の間の時間の5~15の間に対応し、望ましくは10未満である、請求項11から17のいずれか1項に記載の汚染粒子を除去するシステム。前記レジームの前記中間ステージの期間は、前記EUV放射ビームの連続パルスの開始の間の時間の30未満に対応し、望ましくは20未満に対応する、請求項11から18のいずれか1項に記載の汚染粒子を除去するシステム。前記レジームの前記第2のステージの期間は、前記EUV放射ビームの連続パルスの開始の間の時間の少なくとも40、少なくとも50、又は少なくとも60に対応する、請求項3から19のいずれか1項に記載の汚染粒子を除去するシステム。前記少なくとも1対の電極は、第1の対の電極が第2の対の電極よりも汚染粒子の発生源に近いように前記EUV放射ビームの軸に沿ったそれぞれの位置に備えられる第1及び第2の対の電極を備え、前記電圧レジームの前記第1のステージの電圧は、前記第1の対の電極に印加され、前記電極レジームの前記第2のステージの電圧は、前記第2の対の電極に印加される、請求項1に記載の汚染粒子を除去するシステム。前記電圧レジームは、前記第1のステージと前記第2のステージとの間に備えられ、AC電圧が1対の電極に供給される中間ステージを含み、前記第1のステージの前記AC電圧は、前記中間ステージの前記AC電圧よりも高い、請求項21に記載の汚染粒子を除去するシステム。前記レジームの前記中間ステージ及び第2のステージに必要な電圧は、それぞれの連続する期間に前記第2の対の電極間に供給される、請求項22に記載の汚染粒子を除去するシステム。前記第2のステージの前記DC電圧は、100~400Vの範囲から選択され、望ましくは200Vである、請求項1から23のいずれか1項に記載の汚染粒子を除去するシステム。請求項1から24のいずれか1項に記載の汚染粒子を除去するシステムを含むリソグラフィ装置。前記汚染粒子を除去するシステムは、照明システムと前記放射ビームにパターンを与えるパターニングデバイスとの間の前記EUVビーム経路から汚染粒子を除去する、請求項25に記載の汚染粒子を除去するシステムを含むリソグラフィ装置。リソグラフィ装置でEUV放射ビームの経路から汚染粒子を除去する方法であって、EUV放射ビームの経路の反対側に少なくとも1対の電極を備えるステップと、前記少なくとも1対の電極間の電圧レジームを供給するステップと、を含み、前記レジームはAC電圧が1対の前記電極に供給される第1のステージと、DC電圧が前記電極に供給される第2のステージとを含む、方法。パターニングされたEUV放射ビームを基板に投影するステップを含むデバイス製造方法であって、前記EUV放射ビームの経路の少なくとも一部から汚染粒子を除去する、請求項27に記載の方法を用いるステップを含むデバイス製造方法。0026本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ1つ又は複数の実施形態を開示する。開示される実施形態は本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される実施形態に限定されない。本発明は、本明細書に添付される特許請求の範囲によって定義される。0027記載された実施形態、及び本明細書で一実施形態、ある実施形態、例示的実施形態などに言及した場合、それは記載された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造、又は特性を含まないことがあることを示す。さらに、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識にあることが理解される。0028本発明の実施形態はハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア又はその任意の組合せで実施することができる。本発明の実施形態は、1つ又は複数のプロセッサで読み取り、実行することができる機械読み取り式媒体に記憶した命令として実施することもできる。機械読み取り式媒体は、機械例えば、計算デバイスで読み取り可能な形態で情報を記憶するか、又は伝送する任意の機構を含むことができる。例えば、機械読み取り式媒体は読み取り専用メモリROM、ランダムアクセスメモリRAM、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響又は他の形態の伝搬信号例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号など、及びその他を含むことができる。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令を、本明細書では特定の行為を実行するものとして記述することができる。しかし、このような記述は便宜的なものにすぎず、このような行為は実際には計算デバイス、プロセッサ、コントローラ、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行する他のデバイスの結果であることを認識されたい。0029本発明のある実施形態によれば、図1は、本発明の一実施形態による放射源コレクタモジュールSOを含むリソグラフィ装置100を概略的に示す。この装置は、放射ビームB例えば、EUV放射を調節するように構成された照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えば、マスク又はレチクルMAを支持するように構築され、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造例えば、マスクテーブルMTとを含む。リソグラフィ装置100は、また、基板例えば、レジストコートウェーハWを保持するように構築され、基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル例えば、ウェーハテーブルWTと、基板Wのターゲット部分C例えば、1つ又は複数のダイを含む上にパターニングデバイスMAによって放射ビームBへ付与されたパターンを投影するように構成された投影システム例えば、反射投影システムPSとを含む。0030照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。0031支持構造MTは、パターニングデバイスMAの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスMAを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。0032パターニングデバイスという用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。0033パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルLCDパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。0034本明細書で用いる投影システムという用語は、様々なタイプの投影システムを包含するものとして広義に解釈されるべきであり、照明システムと同様に、使用される露光放射に適した、又は真空の使用などのその他のファクタに適した屈折、反射、磁気、電磁、静電型又はその他のタイプの光学コンポーネント、又はその組合せを含んでもよい。その他のガスは過剰な放射を吸収することがあるので、EUV放射には真空を使用することが望ましい。したがって、真空壁及び真空ポンプを用いて真空環境をビーム経路全体に備えてもよい。0035この実施形態では、例えば装置は例えば反射マスクを使用する反射型である。0036リソグラフィ装置は、2つデュアルステージ又はそれ以上の基板テーブルと、例えば2つ以上のマスクテーブルを有するタイプのものであってよい。このようなマルチステージ機械では、追加のテーブルを並行して使用することができ、又は1つ又は複数のその他のテーブルが露光用に使用される間に1つ又は複数のテーブル上で準備ステップを実行することができる。0037図1を参照すると、イルミネータILは、極端紫外放射ビームを放射源コレクタモジュールSOから受ける。EUV光を生成する方法には、EUV範囲内の1つ又は複数の放出線を有する、例えばキセノン、リチウム又はスズなどの少なくとも1つの元素を有するプラズマ状態に物質を変換することが含まれるが、これに限定されない。レーザ生成プラズマLPPと呼ばれることが多いこのような方法の1つでは、必要な線発光元素を有する物質の液滴、流れ、又はクラスタをレーザビームで照射することによって必要なプラズマを生成することができる。放射源コレクタモジュールSOは、燃料を励起するレーザビームを提供するための、図1には図示していないレーザを含むEUV放射システムの一部であってもよい。結果として生ずるプラズマは、例えばEUV放射などの出力放射を放出し、この放射は放射源コレクタモジュール内に配置された放射コレクタを使用して収集される。燃料励起のためのレーザビームを供給するために、例えばCO2レーザが使用される場合には、レーザと放射源コレクタモジュールは別個の要素であってもよい。0038このような場合は、レーザはリソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び/又はビームエクスパンダを備えるビームデリバリシステムを用いて、レーザから放射源コレクタモジュールへと送られる。別の場合は、例えば放射源がDPP放射源と呼ばれることが多い放電生成プラズマEUV発生器である場合は、放射源は放射源コレクタモジュールの一体部品であってもよい。0039イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタを備えてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び/又は内側半径範囲一般にそれぞれ、σouter及びσinnerと呼ばれるを調整することができる。さらに、イルミネータILは、ファセット型フィールド及び瞳ミラーデバイスなどの他の種々のコンポーネントを備えてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調節し、その断面に所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。0040放射ビームBは、支持構造例えば、マスクテーブルMT上に保持されたパターニングデバイス例えば、マスクMAに入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイス例えば、マスクMAに反射した後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSはビームを基板Wのターゲット部分C上に合焦させる。第2のポジショナPWと位置センサPS2例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサを用いて、基板テーブルWTは、例えば、様々なターゲット部分Cを放射ビームBの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第1のポジショナPMと別の位置センサPS1を用いて、放射ビームBの経路に対してパターニングデバイス例えば、マスクMAを正確に位置決めできる。パターニングデバイス例えば、マスクMA及び基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせすることができる。0041図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも1つにて使用可能である。1.ステップモードにおいては、支持構造例えばマスクテーブルMT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影されるすなわち単一静的露光。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。2.スキャンモードにおいては、支持構造例えばマスクテーブルMT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影されるすなわち単一動的露光。支持構造例えばマスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大縮小及び像反転特性によって求めることができる。3.別のモードでは、支持構造例えばマスクテーブルMTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させるごとに、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。0042上述した使用モードの組合せ及び/又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。0043本発明のある実施形態によれば、図2は、放射源コレクタモジュールSO、照明システムIL、及び投影システムPSを含む装置100をより詳細に示している。放射源コレクタモジュールSOは、放射源コレクタモジュールSOの閉鎖構造220内に真空環境を保つことができるように構成され、配置されている。EUV放射線放出プラズマ210を放電生成プラズマ源によって形成することができる。EUV放射は、例えばXeガス、Li蒸気、又はSn蒸気などの適切なガス又は蒸気によって生成可能であり、電磁スペクトルのEUV範囲の放射線を放出するために極めて高温のプラズマ210が生成される。極めて高温のプラズマ210は、例えば少なくとも部分的に電離されたプラズマを生ずる放電によって生成される。放射を効率的に発生するには、例えば10PaのXe、Li、Sn蒸気、又はその他の適切なガス又は蒸気の部分圧が必要である。ある実施形態では、EUVプラズマを生成するために励起したスズSnが備えられる。0044高温プラズマ210によって放出される放射は、放射源チャンバ211の開口部内、又はその背後に位置する場合によっては汚染物バリア又はフォイルトラップとも呼ばれるオプションのガスバリア又は、汚染物トラップ230を経て放射源チャンバからコレクタチャンバ212へと送られる。汚染物トラップ230はチャネル構造を含むことができる。汚染物トラップ230はさらに、ガスバリア又はガスバリアとチャネル構造との組合せを含むことができる。本明細書にさらに示されている汚染物トラップ又は汚染物バリア230は、この分野では公知のように少なくとも1つのチャネル構造を含む。0045コレクタチャンバ211は、斜入射コレクタであってよい放射コレクタCOを含むことができる。放射コレクタCOは、上流の放射コレクタ側251と、下流の放射コレクタ側252とを有している。コレクタCOを横切る放射は回折格子分光フィルタ240から反射して仮想放射源点IFに合焦させることができる。中間焦点とも呼ばれる仮想放射源点IFと放射源コレクタモジュールとは、中間焦点IFが閉鎖構造220内の開口部、又はその近傍に位置するように配置される。仮想放射源点IFは、放射線放出プラズマ210の像である。0046その後、放射は、パターニングデバイスMAで放射ビーム21の所望の角度分布を与え、且つパターニングデバイスMAで放射強度の所望の均一性を与えるために、ファセット型フィールドミラーデバイス22、及びファセット型瞳ミラーデバイス24を含むことができる照明システムILを横切る。支持構造MTによって保持されるパターニングデバイスMAで放射ビーム21が反射すると、パターニングされたビーム26が形成され、パターニングされたビーム26は投影システムPSによって反射要素28を介して、ウェーハステージ又は基板テーブルWTによって保持される基板Wに結像される。0047照明光学ユニットIL及び投影システムPSには、一般に、図示した以上の要素があってもよい。リソグラフィ装置のタイプに応じて、オプションとして回折格子分光フィルタ240を備えてもよい。さらに、図示した以上の追加のミラーがあってもよく、例えば図2に示した以上の1~6個の追加の反射要素を投影システムPSに備えてもよい。0048図2に示すようなコレクタ光学系COは、コレクタ又はコレクタミラーの例として斜入射リフレクタ253、254、及び255を有する入れ子式コレクタとして示されている。斜入射リフレクタ253、254、及び255は光軸Oを中心に軸対称に配置され、このタイプのコレクタ光学系COは好ましくは、DPP源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ源と組み合わせて使用される。0049本発明のある実施形態では、図3に示すように放射源コレクタモジュールSOはLPP放射システムの一部であってもよい。レーザLAはキセノンXe、スズSn、又はリチウムLiなどの燃料にレーザエネルギーを吸収させて数十電子ボルトの電子温度を有する高度に電離されたプラズマ210を生成する。これらのイオンの脱励起と再結合中に生成されるエネルギー放射はプラズマから放出され、近垂直入射コレクタ光学系COによって収集され、閉鎖構造220内の開口部221へと合焦される。0050本発明のある実施形態によれば、図4は、スペクトル純度フィルタSPFが反射型回折格子ではなく透過型回折格子であるEUVリソグラフィ装置用の配置を示している。この場合、放射源からの放射はコレクタから中間焦点IF仮想放射源点へと直線経路を辿る。代替実施形態図示せずでは、スペクトル純度フィルタ11は仮想放射源点12に、又はコレクタ10と仮想放射源点12との間の任意の位置に配置することができる。フィルタは、例えば仮想放射源点12の下流側など、放射経路の別の位置に配置することもできる。複数のフィルタを配置することができる。上記例と同様に、コレクタCOは斜入射型図2のタイプでも直接デフレクタ型図3のタイプでもよい。0051上述のように、ガスバリアを含む汚染物トラップ230が放射源室内に備えられる。ガスバリアは、例えば参照により全体を本明細書に組み込むものとする米国特許第6,614,505号及び米国特許第6,359,969号に記載されているようなチャネル構造を含んでいる。汚染物トラップの目的は、光学系の要素に衝突する燃料材料又は副産物の発生、及び時間経過によるこれらの要素の劣化を防止し、又は少なくとも軽減することである。ガスバリアは流体の逆流による物理的バリアとして、汚染物との化学反応によって、及び/又は帯電粒子の静電又は電磁偏向によって作用してもよい。実際には、プラズマ材料を可能な最大範囲までブロックしつつ、放射を照明システムに伝達するためにこれらの方法の組合せを用いてもよい。上記米国特許に説明されているように、Sn又はその他のプラズマ材料を化学的に修正するために、粒子中に水素ラジカルを注入することができる。水素ラジカルは、光学面に既に堆積している場合があるSnやその他の元素を洗浄するためにも利用することができる。0052リソグラフィ装置の別の個所で汚染粒子に対するバリア又はバッファとして水素又はその他のガスを備えることができる。特に、中間焦点アパーチャ221を通過しようとすることがある粒子を妨げるために、放射源室SO内への水素のフローを準備することができる。さらに、水素ガスをiレチクルを汚染するシステムからの汚染物に対するバッファとしてレチクル支持体MTの近傍に、及びiiシステム内のより大きい真空空間に侵入するウェーハからの汚染物に対するバッファとしてウェーハ支持体の近傍に配備することができる。0053これらのすべての目的のため、水素供給源HS一部は図示し、一部は図示しないが各々の汚染物トラップ配置への水素ガス用に配備される。ある供給源は簡単なバッファとして分子水素ガスH2を供給してもよく、別の供給源は水素ラジカルを生成する。0054参照により全体を本明細書に組み込むものとし、且つ共同所有の米国特許6,781,673号’673号特許は、レチクルを保護するための静電偏向を提案している。同じ原理をリソグラフィ装置のその他のコンポーネントと空間に適用することができる。’673号特許は、EUVビーム自体の静電効果を利用して粒子に荷電することを提案しており、これがスズの粒子上に正電荷を発生する。0055本発明のある実施形態によれば、図5は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置におけるEUV放射ビームの経路から汚染粒子を除去するためのシステムを示している。この配置では、汚染粒子を除去するシステムは、EUV放射ビーム30が照明システムILによって供給され、パターニングデバイスMAに入射し、パターニングされたEUV放射ビームが投影システムPSへと向けられるリソグラフィ装置の領域に備えられる。0056上述のように、又、図5に示したように、水素は照明システムILと投影システムPSの両方に供給され、その結果、それぞれ照明システムIL及び投影システムPSからパターニングデバイスMAへの水素のフロー32、33が生ずる。特に、照明システムILからの水素のフロー32は、例えば放射源SOからの汚染粒子を同伴することができる。したがって、このような汚染粒子35がパターニングデバイスMAに到達することを防止することが望ましい。例えば、パターニングデバイスMAに堆積する20nm程度の微小粒子は、その後基板上に形成されるすべてのダイに致命的な欠陥を引き起こすことがある。0057本発明の汚染粒子除去システムでは、EUV放射ビームの経路のいずれかの側に1対の電極41、42を備えることができる。図5に示すように、電極41、42はパターニングデバイスMAの近傍のEUV放射ビームのどの側にも配置することができるので、1対の電極41、42は照明システムILによって供給される両方のEUV放射ビームの対向する両側、及びパターニングデバイスMAから投影システムPSに向けられるEUV放射ビームのいずれかの側に位置する。0058これまで提案されている汚染粒子を除去するシステムと同様に、1対の電極41、42の間に制御された電圧を設定する。したがって、静電荷を帯びる汚染粒子を一方の電極の42に引き寄せ、EUV放射ビームの経路から除去することができる。0059一実施形態では、一方の電極の41をアースし、他方の電極42に正の電圧を印加して、負の電荷を帯びる粒子をこれに引き寄せることができる。しかし、いずれかの電極41、42をアースし、他方に電圧を印加してもよいことが理解されよう。さらに、代替実施形態では、電極41、42のいずれか一方に正の電圧を印加し、他方の電極41、42に負の電圧を印加して1対の電極41、42の間に所望の電圧差を設けることができる。このような配置は、電極41、42の近傍の他方の表面をアースすることができるため、1対の電極41、42の間の空間に電界がより良好に閉じ込められるという利点を有している。0060しかし、これまで提案されている静電式汚染物除去システムとは異なり、本発明は、特定の電圧レジームを提供するために電圧源を制御するように構成されたコントローラ45を含んでいる。1対の電極41、42に印加される電圧レジームを入念に選択することによって、例えば一定のDC電圧を1対の電極41、42に供給するシステムと比較すると、汚染粒子を除去するシステムの性能の向上が得られる。0061上述のように、これまで提案されている静電式汚染物除去システムは、汚染粒子に正の電荷を与えるためにEUVビームの光電効果を利用することに基づくものであった。しかし、水素ガスが存在する結果、EUV放射により導電性の水素プラズマが形成される。このプラズマは、電極41、42間の電圧差によって生ずる静電界から汚染粒子を遮蔽することがある。さらに、水素プラズマは汚染粒子に次第に負の電荷を加え、光電効果がある正の電荷を消去してしまうことがある。本発明のある実施形態は、電極41、42により精巧な電圧レジームを提供することによって、システムの性能を高めることができるという認識に基づくものである。0062特に、本発明のある実施形態は、AC電圧が1対の電極41、42に供給される第1のステージと、DC電圧が1対の電極41、42に供給される第2のステージとを含む電圧レジームを使用してもよい。0063レジームの第1のステージは、これまで提案されているシステムと同様に、荷電汚染粒子35を一方の電極41、42に引き込む機能を果たす。第1のステージは、第2のステージの性能を高めるため、水素プラズマの形成と相互作用するために備えられる。0064本発明のある実施形態では、第1のステージのAC電圧は、EUV放射ビームによって生成される水素プラズマの密度を高めるように選択される。このような実施形態では、プラズマの密度上昇は、汚染粒子35が比較的強く負の電荷が荷電されるのに十分な、すなわち光電効果の正の電荷を補償する以上の密度上昇であってよい。汚染粒子35への正味電荷の強度を高めることによって、個々の粒子35が電極42によって捕捉される第2のステージの電圧により個々の粒子35が当初の軌道から十分に偏向される確率を高めることができる。0065本発明の別の実施形態では、第1のステージのAC電圧は、1対の電極41、42の間に供給されるAC電圧がEUV放射ビームによって生成された水素プラズマを散逸させる効果を有している。0066いずれにせよ、EUV放射によって形成される水素プラズマは時間の経過と共に自然に散逸することを理解されたい。しかし、第1のステージのAC電圧を適切に選択することによって、自然に散逸するよりも迅速に水素プラズマを散逸させることができる。したがって、第2のステージ中に水素プラズマの遮蔽作用を除去又は低減することができる。したがって、所定の電荷が汚染粒子35に印加される場合、第2のステージで電極41、42に印加されるDC電圧の効果はより大きくなる。一方、それは所定の汚染粒子35が電極42に引き寄せられる確率を高める。0067本発明のある実施形態で使用される電圧レジームのさらに別の配置では、AC電圧が電極41、42に供給される中間ステージを設けることができる。このような配置では、上述のように、EUVビームによって生成される水素プラズマのプラズマ密度を高めるように、第1のステージのAC電圧を選択することができる。その後、自然散逸よりも迅速にプラズマを散逸させるように、中間ステージのAC電圧を選択してもよい。0068したがって、このような配置では、システムはプラズマの密度を高め、ひいては汚染粒子35に印加される静電荷の強度を高める第1のステージを有利に活用できる。その後、中間ステージがプラズマ散逸の速度を速めることで、汚染粒子35を一方の電極42に引き寄せるためにDC電圧が使用される第2のステージの前にプラズマの遮蔽作用が除去又は低減されてもよい。0069上述のように、本実施形態により汚染粒子を除去するシステムのある実施形態では、電圧レジームの各ステージで必要な電圧は連続的な期間で1対の電極41、42の間に供給される。特に、EUV放射ビームはパルス放射源によって供給されてもよい。したがって、EUV放射ビームのパルスと同期して必要なレジームと電圧を供給するようにコントローラ45を構成することができる。0070特に、電圧レジームの各ステージの期間の合計は、EUV放射ビームの連続するパルスの開始の間の時間に対応してもよい。0071本発明のある実施形態では、EUV放射ビームの連続するパルス間の期間、特にEUV放射の後続のパルスの直前に電圧レジームの第2のステージ、すなわちDC電圧の供給ステージを備えることができる。0072プラズマ密度を集中させるために電圧レジームの第1のステージのAC電圧が選択される場合は、このAC電圧のタイミングを、EUV放射のパルス、及び/又はEUV放射のパルスの直後の期間と一致するようにすることができる。0073AC電圧がプラズマを散逸させるように構成されるレジームステージのタイミングをEUV放射のパルスの少し後にすることができる。プラズマ密度を集中させるためにレジームの第1のステージも使用される場合は、プラズマを散逸させるように構成された中間ステージは第1のステージの直後、又は少し後に続いてもよい。0074EUVパルス放射源を使用するリソグラフィ装置では、パルス周波数は例えば50kHzであることができ、その結果、パルス周期、すなわちEUV放射ビームの連続するパルスの開始間の時間は20μsとなる。例えば100kHz及び200kHzなどのその他のパルス周波数を用いてもよいことが理解されよう。0075一般に、第2のステージ、すなわちDC電圧を供給するレジームステージは、粒子が電圧42に引き寄せられる確率を最大にするために出来るだけ長く続くことが望ましい。ある実施形態では、電圧レジームの第2のステージの期間は、EUV放射ビームの連続するパルスの開始の間の時間の少なくとも40、少なくとも50、又は少なくとも60に対応する期間でよい。0076プラズマの荷電密度を高めるために使用される本発明による電圧レジームステージは、好ましくは出来るだけ短くてよい。このような配置は、プラズマが自然に散逸し、又は荷電汚染粒子35を引き寄せるためにDC電圧が供給される第2のステージの前に電圧レジームの中間ステージで供給されるAC電圧によって補助されて散逸するための出来るだけ長い時間を与える。本発明のある実施形態では、プラズマ密度を高めるために使用される電圧レジームステージの期間は、EUV放射ビームの連続するパルスの開始の間の時間の5~15の間、望ましくは10未満であってよい。0077プラズマの散逸を補助するために使用される本発明による電圧レジームステージの期間は望ましくは、EUV放射ビームの後続のパルスの前に、荷電汚染粒子を電極42に引き寄せるためにDC電圧が供給される電圧レジームの第2のステージのために十分な時間が残されるのに十分に短い期間であってよい。しかし、この期間はさらに、第2のステージが効果的であるために、すなわちプラズマの遮蔽作用が十分に軽減されるためプラズマが十分に散逸するために十分に長い期間でなければならない。ある配置では、本発明の電圧レジームのこのようなステージは、EUV放射ビームの連続するパルスの開始の間の時間の30未満、望ましくは20未満に対応するものでよい。0078本発明で使用される電圧レジームのステージで使用される電圧、すなわち電圧の大きさと周波数を選択する際、システムの要素の幾何形状を含むシステムの構成を考慮に入れる必要がある。特に、以下のファクタは使用される電圧の選択に影響を及ぼす。電極41、42に印加される電圧と共に電界強度を決定する電極41、42の離間距離、汚染粒子35の予測速度、及びそれらの予測質量範囲、粒子が電極41、42によって境界付けられる空間内にあることができる時間を決定する汚染粒子の進行方向での電極41、42の長さ、電極41、42間の空間内でのプラズマの形成、AC電圧により得られるプラズマ密度の上昇、及びその後の自然の、又は補助されるプラズマ散逸に影響を及ぼす電極41、42間の水素ガスの圧力、及び、EUV放射ビームのタイミングとパワー。0079本発明のシステムのセットアップ時には、汚染粒子はEUV放射ビームの複数のパルスの期間だけ、電極41、42によって境界付けされる空間内に留まることができることを理解する必要がある。したがって、汚染粒子35がEUV放射ビームの複数のパルスに対応する電圧レジームの複数のサイクルを体験するようにシステムを構成することができる。各サイクルは汚染粒子上の電荷を増大することがある。例えば、パルス周波数が50kHzであるリソグラフィ装置の予測される構成では、汚染粒子の速度は訳20m/sであってもよい。この場合、長さが例えば60mmの1対の電極41、42の場合、粒子35はEUV放射ビームの約150のパルス期間だけ電極41、42の間に留まることができる。0080各パルス内で、すなわち電圧レジームの各サイクル中、汚染粒子35上の正味電荷は増加することがあり、各パルス内で電圧レジームの第2のステージ中に汚染粒子35に力が加わる。0081可能な電極41、42の構成では、電極の長さすなわち汚染粒子が進行すると予測される方法での長さは60mmであることができ、幅は約100mmであり、おそらく約40mm~90mmだけ離間されよう。しかし、一般に電極は、EUV放射ビームと同じ幅に構成され、ビームの形状にできるだけ近い形状を辿ることが理解されよう。電極41、42間の空間内での水素の圧力は例えば約3Paでよい。0082このような例示的実施形態では、EUV放射ビームによって生成されるプラズマの密度を高めるために使用される電圧レジームステージのために選択されるAC電圧は、周波数が20~100MHz、電圧の大きさは40~200Vの間であるように選択することができる。さらに、この電圧レジームのステージで1対の電極41、42に供給される電力は、各電極の面積に基づいて0.005~0.04W/cm2になるように選択することができる。0083蒸気の例示的実施形態でプラズマ散逸を促進するために使用される電極レジームのステージ用のAC電圧は、周波数が0.1~20MHz、望ましくは約10MHz、電圧の大きさは10~400V、望ましくは約200Vであるように選択することができる。0084最期に、上記の例示的実施形態用の電圧レジームの第2のステージで使用されるDC電圧の選択に際して、DC電圧は100~400Vの範囲に、例えば200Vに選択することができる。0085プラズマ散逸を促進するための電圧、及び/又は電圧レジームの第2のステージ用の電圧を選択する際に、電圧の大きさはプラズマを持続させない十分に低い電圧に選択されなければならないことを理解されたい。従って、特定の構成のシステムでは、このようなステージ用に使用できる最高電圧はパッシェン曲線を用いて決定することができる。0086本発明の実施形態により、図6及び図7は電極41、42に200Vの定電圧が印加される図5に示したようなシステム図6、及び3ステージの電圧レジームが備えられる配置図7を使用したシミュレーションの結果を比較している。特に、レジームは40V、2μsで100MHzの第1のステージ、400V、6μsで0.25MHzの中間ステージ、及び12μsでDC400Vの第2のステージを含んでいる。0087図6と図7の両方で、グラフは粒子が電極41、42によって境界付けされる空間内に留まる複数の異なるパルスでの粒径による非停止確率分布、すなわち電極のサイズ、及び汚染粒子の予測速度を含むシステムの基本構成の相違に対応する非停止確率分布を示している。図示のように、3ステージの電圧レジームの性能は、DC定電圧を使用するシステムよりも大幅に向上する。0088本発明をこれまで図5に示す実施形態に照らして記載してきたが、本発明は代替実施形態によっても実装できることを理解されたい。例えば、図8に示すように、本発明のある実施形態により、関連するそれぞれの電圧コントローラ63、64と共に2対の電極61、62を備えることができる。0089例えば、電圧源63は、電圧レジームの第1のステージに必要な電圧を第1の対の電極61に供給するためにコントローラ45によって制御されることができ、第2の電圧源64は中間ステージ及び電圧レジームの第2のステージに必要な電圧を第2の対の電極62に供給してもよい。第1の対の電極61の間の第1の領域では、汚染粒子は、このレジームの第1のステージに従って第1の対の電極61に印加される電圧の結果として密度が高まったプラズマによって荷電される。その後、第2の対の電極62の間の空間で、汚染粒子を除去するために第2の対の電極62に電圧レジームの第2のステージ、すなわちDC電圧が印加される前に、プラズマを散逸させるために第2の対の電極62に電圧レジームの中間ステージが印加される。0090図9及び図10は、異なる汚染粒子について図8に示されるようなシステムを使用してシミュレーションの結果を示している。具体的には、図9は本発明のある実施形態により、金属などの二次電子放出率が比較的高い物質の汚染粒子の結果を示している。特に、二次電子放出率kは0.02である。図10は、絶縁体、具体的には、kが0.002である絶縁体などの二次電子放出率が比較的低い物質の結果を示している。図9及び図10の両方で、電圧レジームの第1のステージは40V、100MHzの電圧を使用して第1の対の電極61によって供給され、0.03W/cm2の電力を供給する。第2の対の電極62に印加される中間ステージは、EUV放射ビームの6.5μsの各パルスの開始から200V、10MHzの電圧によって供給される。これも中間ステージの終端からEUV放射ビームの次のパルスの開始まで第2の対の電極62に印加される第2のステージはDC200Vである。0091図9及び図10に示されるように、本発明の実施形態により、DC定電圧を使用した従来から知られているシステム、すなわち図6に示すようなシステムよりも非停止確率は大幅に向上する。しかし、図8に示すような実施形態では、異なる物質の粒子は異なる減速効率を有している。0092図8に示すような実施形態、すなわち電圧レジームの第1及び第2のステージが空間的に離間された実施形態は、非パルス放射ビームが使用されるシステム用に使用できよう。このような配置では、第1のステージは、プラズマによる汚染粒子の荷電を促進するためにプラズマ密度を高めるように構成されたAC電圧であってよい。電圧レジームの第2のステージは、荷電汚染粒子を除去するために使用されるDC電圧であってよい。0093本文ではICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書でウェーハ又はダイという用語を使用している場合、それぞれ、基板又はターゲット部分という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール、メトロロジーツール及び/又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。0094光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組合せを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。0095レンズという用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。0096以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の1つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスクの形態をとることができる。0097例えば、上記検査方法を実施するために、実行可能コードを含むプログラミングを含むコンピュータシステムのソフトウェア機能を使用してもよい。ソフトウエアコードを汎用コンピュータによって実行可能にされてもよい。動作時には、コード及び場合によっては関連するデータ記録を汎用コンピュータプラットフォーム内に記憶してもよい。しかし、別の時には、ソフトウェアを別の位置に記憶し、及び/又は適切な汎用コンピュータシステムにロードするために転送してもよい。したがって、上記実施形態は、少なくとも1つの機械読み取り可能媒体に搭載される1つ又は複数のコードモジュールの形態の1つ又は複数のソフトウェアを含んでいる。コンピュータシステムのプロセッサによるこのようなコードの実行によって、プラットフォームは本明細書に記載し、図示する実施形態で実行される機能と基本的に同様の機能を実施することが可能になる。0098本明細書で使用するコンピュータ又は機械読み取り可能媒体という用語は、プロセッサに実行命令を与えることに関与する任意の媒体を指す。このような媒体は、不揮発性媒体、揮発性媒体、及び伝送媒体を含むがこれらに限定されない多くの形態をとることができる。不揮発性媒体には、例えば、上記のように動作する任意のコンピュータ内の任意のストレージデバイスなどの光学又は磁気ディスクが含まれる。揮発性媒体には、コンピュータシステムのメインメモリなどのダイナミックメモリが含まれる。物理的伝送媒体には、コンピュータシステム内にバスを備えるワイヤを含む同軸ケーブル、銅線、及び光ファイバが含まれる。搬送波伝送媒体は、無線周波数RF及び赤外線IRデータ通信中に生成されるような電気又は電磁信号、又は音響又は光信号の形態をとることができる。したがって、コンピュータ読み取り可能媒体の一般的な形態には、フロッピーディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、その他の任意の磁気媒体、CD-ROM、DVD、その他の任意の光学媒体、パンチカード、紙テープ、穿孔パターンを有するその他の任意の物理媒体などの一般にはそれほど使用されない媒体、RAM、PROM、及びEPROM、FLASH-EPROM、その他の任意のメモリチップ又はカートリッジ、データ又は命令を搬送する搬送波、このような搬送波を伝送するケーブル又はリンク、又はコンピュータがプログラミングコード及び/又はデータをそこから読み取り、又は送信可能なその他の任意の媒体が含まれる。これらの形態のコンピュータ読み取り可能媒体の多くは、1つ又は複数の命令のうち1つ又は複数のシーケンスを実行するためにプロセッサに搬送することに関与し得る。0099特許請求の範囲を解釈するには、発明の概要及び要約書の項ではなく、発明を実施するための形態の項を使用するよう意図されていることを認識されたい。発明の概要及び要約書の項は、本発明者が想定するような本発明の1つ以上の例示的実施形態について述べることができるが、すべての例示的実施形態を述べることはできず、したがって本発明及び添付の特許請求の範囲をいかなる意味でも限定しないものとする。00100以上では、特定の機能の実施態様を例示する機能的構成記憶要素及びその関係を用いて本発明について説明してきた。これらの機能的構成記憶要素の境界は、本明細書では説明の便宜を図って任意に画定されている。特定の機能及びその関係が適切に実行される限り、代替的な境界を画定することができる。00101特定の実施形態に関する以上の説明は、本発明の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本発明の全体的概念から逸脱することなく、このような特定の実施形態を容易に修正する、及び/又はこれを様々な用途に適応させることができる。したがって、このような適応及び修正は、本明細書に提示された教示及び案内に基づき、開示された実施形態の同等物の意味及び範囲に入るものとする。本明細書の言葉遣い又は用語は説明のためのものであって、限定するものではなく、したがって本明細書の用語又は言葉遣いは、当業者には教示及び案内の観点から解釈されるべきことを理解されたい。00102本発明の幅及び範囲は、上述した例示的実施形態のいずれによっても限定されず、特許請求の範囲及びその同等物によってのみ規定されるものである。"