"オゾン利用系に供されるオゾン含有ガスの流量を一定にした状態で当該ガスへのオゾン分解因子の供給を制御することにより当該ガスのオゾン濃度を制御することを特徴とするオゾン濃度制御方法。前記オゾン利用系はオゾン濃度80vol以上のオゾン含有ガスを利用することを特徴とする請求項1に記載のオゾン濃度制御方法。前記オゾン含有ガスの流量が一定のもとで前記オゾン利用系のガス供給ラインと排気ラインの差圧に基づき当該系における発火を検出することを特徴とする請求項1または2に記載のオゾン濃度制御方法。前記オゾン含有ガスに対してオゾン分解因子として供される紫外光領域の波長を含む光の照射強度を制御することにより当該ガスのオゾン濃度を制御することを特徴とする請求項1または2に記載のオゾン濃度制御方法。前記オゾン含有ガスに対してオゾン分解因子として供される熱の温度を制御することにより当該ガスのオゾン濃度を制御することを特徴とする請求項1または2に記載のオゾン濃度制御方法。オゾン供給装置からオゾン含有ガスが一定の流量でオゾン利用系に供されるオゾン供給ラインに、前記オゾン含有ガスに対するオゾン分解因子の供給を制御することにより当該ガスのオゾン濃度を制御するオゾン分解装置を備えたことを特徴とするプロセス装置。前記オゾン含有ガスの流量が一定のもとで前記オゾン利用系のガス供給ラインと排気ラインとの差圧に基づき当該系における発火を検出する発火検出装置を備えたことを特徴とする請求項6に記載のプロセス装置。前記オゾン分解装置は、前記オゾン利用系に供されるオゾン含有ガスに対してオゾン分解因子として紫外光領域の波長を含む光を照射する光源と、前記オゾン利用系に供されるオゾン含有ガスのオゾン濃度が所定の値にとなるように前記光源の照射光強度を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする請求項6または7に記載のプロセス装置。前記オゾン分解装置は、前記オゾン利用系に供されるオゾン含有ガスに対してオゾン分解因子として熱を加える加熱手段と、前記オゾン利用系に供されるオゾン含有ガスのオゾン濃度が所定の値にとなるように前記加熱手段の加熱温度を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする請求項6または7に記載のプロセス装置。オゾン処理は従来の酸化処理よりも低温で行えることが特徴でこれまで800°C以下のプロセスで行われている。一方で炭化ケイ素SiC酸化など800°Cを越す比較的高温のプロセスにおいても高濃度オゾンガスの適用が検討されている。前記高温の処理炉内へのオゾンガスの供給過程ではオゾン熱分解反応が盛んに起こるので100sccm以上の大流量で供給を行うことが必要とされる。高温処理炉にオゾン供給を開始する段階では所望のオゾン流量及び温度に達するまでの流量変化及び温度変化の大きさにより、定常流では爆発限界圧力以下の圧力であるにも関わらず小規模な爆発反応が起こる。したがって、定常状態のガス流状態とするまでにガス流に含まれるオゾン濃度を安全且つ高精度に制御する必要がある。そこで、本発明のオゾン濃度制御方法は、オゾン利用系に供されるオゾン含有ガスの流量を一定にした状態で当該ガスへのオゾン分解因子の供給を制御することにより当該ガスのオゾン濃度を制御する。本発明のプロセス装置の態様としては、オゾン供給装置からオゾン含有ガスが一定の流量でオゾン利用系に供されるオゾン供給ラインに、前記オゾン含有ガスに対するオゾン分解因子の供給を制御することにより当該ガスのオゾン濃度を制御するオゾン分解装置を備える。これらの発明によればオゾン利用系に供されるオゾン含有ガスの流量を変化させることなく当該ガスのオゾン濃度を制御できる。尚、前記オゾン含有ガスとしてはオゾン濃度80vol以上のガスが例示される。前記オゾン濃度制御方法において、前記オゾン含有ガスの流量が一定のもとで前記オゾン利用系のガス供給ラインと排気ラインの差圧に基づき当該系における発火を検出するようにするとよい。この方法によればオゾン濃度変化に伴うオゾン利用系での圧力変化が起こってもガス流量の変動が少ないので当該オゾン利用系における発火を精度よく監視できる。尚、この方法に対応したプロセス装置の態様としては、前記オゾン含有ガスの流量が一定のもとで前記オゾン利用系のガス供給ラインと排気ラインとの差圧に基づき当該系における発火を検出する発火検出装置を備えたものが挙げられる。前記オゾン含有ガスのオゾン濃度の制御法の具体的な態様としては、前記オゾン含有ガスに対してオゾン分解因子として供される紫外光領域の波長を含む光の照射強度を制御することにより当該ガスのオゾン濃度を制御する方法が挙げられる。この装置の態様としては、前記オゾン利用系に供されるオゾン含有ガスに対してオゾン分解因子として紫外光領域の波長を含む光を照射する光源と、前記オゾン利用系に供されるオゾン含有ガスのオゾン濃度が所定の値にとなるように前記光源の照射光強度を制御する制御部とを備えたオゾン分解装置が挙げられる。また、前記オゾン含有ガスのオゾン濃度の制御法の他の具体的な態様としては、前記オゾン含有ガスに対してオゾン分解因子として供される熱の温度を制御することにより当該ガスのオゾン濃度を制御する方法が挙げられる。この装置の態様としては、前記オゾン利用系に供されるオゾン含有ガスに対してオゾン分解因子として熱を加える加熱手段と、前記オゾン利用系に供されるオゾン含有ガスのオゾン濃度が所定の値にとなるように前記加熱手段の加熱温度を制御する制御部とを備えた分解装置が挙げられる。したがって、以上の発明によればオゾン利用系に供されるオゾン含有ガスのオゾン濃度を安全且つ高精度に制御できる。以下、図面を参照しながら発明の実施形態について説明する。[実施形態1]図1に示された本発明の実施形態1に係るプロセス装置1は処理温度が800°Cを超えた高温処理チャンバ24にオゾン含有ガスを供給する際の初期状態においてオゾン含有ガスの流量が所定の流量となった時点で当該ガスのオゾン濃度を制御する。プロセス装置1は高温処理チャンバ24のガス供給ライン11にオゾン供給装置21、バルブV1、オゾン分解装置22、オゾン濃度計23が順次配置させている。一方、高温処理チャンバ24の排気ライン12にはバルブV2、オゾン除外筒25、真空ポンプ26が順次配置させている。ガス供給ライン11、排気ライン12は真空対応のSUS管から成り、その内面は研磨処理されている。オゾン供給装置21は少なくともオゾン濃度80vol以上のオゾン含有ガスを生成する。オゾン供給装置21としては例えば特許文献1に開示されたオゾンビーム発生装置が挙げられる。バルブV1,V2はそれぞれガス供給ライン11,排気ライン12のガス流路の開度を調節することにより高温処理チャンバ24内のガスの流量及び圧力を制御する。バルブV1,V2にはオゾン耐性のある開度調整可能な真空バルブが適用される。オゾン分解装置22は高温処理チャンバ24に供されるオゾン含有ガスに対してオゾン分解因子として供される紫外光領域の光の照射強度を制御することにより当該ガスのオゾン濃度を制御する。オゾン濃度計23は0.1気圧以下の減圧状態となっている80vol以上のオゾン濃度を計測する。オゾン濃度計23には例えばオゾンガスに照射された紫外光の減衰を利用してオゾン濃度を算出する特許文献3に開示されたオゾン濃度測定装置が適用される。オゾン濃度計23はオゾン分解装置22、高温処理チャンバ24に対して直列に配置されているが、装置22,チャンバ24間のガス供給ライン11にバイパスラインを設け、このラインに導入されたガスのオゾン濃度を測定するようにしてもよい。高温処理チャンバ24は、オゾン利用系の一態様であって、炭化ケイ素SiCに例示される半導体の材料をオゾン生成装置21から供されたオゾン含有ガスによって800°C以上の処理温度のもとで酸化処理するための炉である。オゾン除外筒25は高温処理チャンバ24から排出されたガスのオゾン濃度が0.5ppm以下となるまでに当該ガス中のオゾンを分解する。オゾン除外筒25にはオゾンを用いた半導体製造装置に採用されている周知のオゾン除外装置を適用すればよい。真空ポンプ26はガス供給ライン11,排気ライン12内の雰囲気を減圧させることによりオゾン含有ガスを高温処理チャンバ24内に導入し、オゾン除外筒25を介して系外に排気する。図2を参照しながらオゾン分解装置22の具体的な構成について説明する。オゾン分解装置22は紫外光光源31と配管部32と制御部33とを備える。紫外光光源31は紫外光領域の光を照射する。前記光の照射強度は任意に調節可能となっている。紫外光領域の光は波長210nm~300nmを含み、300nm以上の波長領域の光を含んでいてもよい。紫外光光源31は連続光、パルス光のいずれのタイプのものを適用してよい。パルス光タイプのものとしては周波数1Hz以上ものが例示される。配管部32はガス供給ライン11に設置される。配管部32はガス供給ライン11、排気ライン12と同様に真空対応のSUS管から成りその内面が適宜に研磨処理されている。配管部32は紫外光光源31から照射された紫外光領域の光を配管部32内に導入する透過窓34を備えている。透過窓34は少なくとも波長210nm~300nmの光の透過できる材料から成る。当該材料としては合成石英ガラスが例示される。照射窓34と配管部32との接続部分は真空度が0.1Pa以下である条件でも対応できるようにOリングやガスケットによって密閉される。紫外光光源31の紫外光照射強度及び透過窓34の面積はプロセスに用いるオゾン含有ガスの流量により設定される。例えば、内径1インチ以下の配管に対してオゾン濃度約100volのオゾン含有ガスを100sccmの流量で供給する場合、透過窓34の面積は1cm2~10cm2とし、紫外光強度は波長210nm~300nm帯の光強度が1mW/cm2~100mW/cm2とする。このときオゾン濃度は5~100volの範囲で制御できる特許文献4。制御部33はオゾン濃度計23で算出されたオゾン濃度が所定の値となるように紫外光光源31の照射光強度を制御する。図1~図3を参照しながらオゾン分解装置22の動作例について説明する。段階1:紫外光光源31の紫外光強度を十分に強くした例えば上限値近くまで設定した状態で、オゾン供給装置21から供されたオゾン含有ガスの流量をバルブV1,V2の操作によってゼロの状態から徐々に上昇させ、所望の流量程度まで増加させる。所望の流量に達してからこの流量を維持させた状態で紫外光の強度を変え始める段階が図3に示された開始時間横軸がゼロの状態に相当する。段階2:紫外光光源31の紫外光強度を徐々に降下させる。これにより高温処理チャンバ24に供されるオゾン含有ガスのオゾン濃度が上昇する。オゾン濃度は光照射量の調節により制御する。ガス流量はプロセス流量に近い値に設定されており、供給開始段階でのプロセス制御パラメータは光照射量となっている。光照射量は印加電力により制御できる。したがって、バルブV1,V2の開閉度による全体ガス流量制御に比べて短い応答時間での電気出力制御が可能となるのでオゾン濃度を精密に制御できる。段階3:プロセス装置1のプロセス条件が所定の条件に達し時点、具体的にはオゾン濃度が所望の値に達した時点で、紫外光光源31の出力を一定の状態例えばゼロの状態に保持させる。プロセス中はこの状態が保持される。以上のようにオゾン分解装置22によれば高温処理チャンバ24に供されるオゾン含有ガスの流量を一定にした状態で当該ガスに含まれるオゾン濃度を制御できる。また、高温処理チャンバ24のような分解反応が盛んな系に適用されても爆発に繋がる発火を防ぐことができる。さらに、前記オゾン含有ガスの流量変化に起因する爆発限界以下の圧力のもとでの発火の発生も抑制できる。そして、紫外光光源31の出力調節によって前記オゾン含有ガスのオゾン濃度を制御するようにしているのでバルブ開閉度によるガス流量制御よりも迅速且つ精密に制御できる。[実施形態2]図4に示された本発明の実施形態2に係るオゾン分解装置27は高温処理チャンバ24に供されるオゾン含有ガスに対してオゾン分解因子として印加される熱の温度を制御することにより当該ガスのオゾン濃度を制御する。オゾン分解装置27はヒーター41と温度計42と制御部43とを備える。ヒーター41は高温処理チャンバ24に供されるオゾン含有ガスに対してオゾン分解因子として熱を印加する加熱手段である。ヒーター41はバルブV1とオゾン濃度計23との間のガス供給ライン11に付帯されるヒーター線からなる。ヒーター41の温度は400度以下に設定される。温度計42はヒーター41の温度を検出する。制御部43はオゾン濃度計23で算出されたオゾン濃度が所定の値となるようにヒーター41の温度を温度計42によってモニターしながら制御する。尚、ガス供給ライン11におけるOリング、ガスケット等の密閉部材によって密閉される部分がヒーター41によって加熱される場合、当該密閉部材にはフッ素ゴムやパーフロロエラストマー等の耐熱性の材料からなるものが採用される。図4に示されたヒーター41の加熱長Lは高温処理チャンバ24に供されるオゾン量により適宜の長さに設定される。例えば内径1インチ以下の配管に対してオゾン濃度約100volのオゾン含有ガスを100sccmの流量で供給する場合、加熱長Lは10mm~100mm以下、ヒーター41の加熱温度は350~400°Cに設定される。オゾン分解装置27のオゾン濃度制御スケジュールは図3に示された紫外光強度をヒーター41の温度に置き換えたものとなる。[実施形態3]図5に示された実施形態3に係るプロセス装置2は高温処理チャンバ24の差圧を常時監視し、この差圧に基づきチャンバ24内での爆発に繋がる発火を検出することでプロセスの再現性の維持を図る。プロセス装置2は実施形態1,2に係るプロセス装置1において圧力計28,29、発火検出装置30を備えた構成となっている。圧力計28はオゾン濃度計23と高温処理チャンバ24との間のオゾン供給ライン11に具備されている。圧力計29は高温処理チャンバ24とバルブV2との間の排気ライン14に具備されている。圧力計28,29は0.1Pa以上10000Pa以下の測定範囲にて0.1Pa刻みの測定値が得られる仕様のものが適用される。発火検出装置30は圧力計28,29の圧力値P1,P2の差である差圧P=P1-P2に基づき高温処理チャンバ24内の発火を検出する。具体的には差圧Pが閾値よりも大きいときに前記発火が起こったことを検出する。差圧Pは高温処理チャンバ24内におけるオゾンガスの流量及びオゾン分解反応による分子数密度変化によって決まる。オゾン分解反応による分子数密度変化とは2O3→3O2の反応により2つのオゾン分子が分解して3つの酸素分子が生成したことによる分子数の密度変化である。一般的に前記反応が高温処理チャンバ24内で盛んに起こると連鎖的に起きるようになり、高温処理チャンバ24内の局所的な加熱部分で分子数密度が急上昇するので高温処理チャンバ24全体の配管抵抗が変化したように見える。ガス流量は前記配管抵抗と差圧Pとの積によって表されるのでガス流量と差圧Pとをリアルタイムで測定することで配管抵抗の急激な変化、つまりチャンバ24内にて発火が起こるか否かをモニターできる。差圧Pは一秒間に1回以上の頻度で測定し、プロセス中は常時測定している状態にする。従来のオゾンを利用した半導体製造プロセスではオゾン含有ガスのガス流量を0から徐々に高めることによりプロセスを開始する。従来では、このプロセスに係る高温処理チャンバの差圧Pを測定しようとすると、ガス流量の増大に伴う大きな圧力変動により、発火の検出が困難となる。これに対して本実施形態のプロセス装置2ではオゾン含有ガスの流量を一定に維持させた状態で差圧Pに基づき高温処理チャンバ24における発火を検出する。オゾン濃度変化に伴う高温処理チャンバ24内での圧力変化が起こってもガス流量の変動が少ないので、チャンバ24内における発火を精度よく監視できる。したがって、高温処理チャンバ24に供されるオゾン含有ガスのオゾン濃度が安全且つ安定に保持され、プロセスの再現性が維持される。"