"赤外線を吸収する赤外線吸収部を備えた赤外線検出素子であって、前記赤外線吸収部は、赤外線が入射する入射面を有する第1の吸収部と、前記第1の吸収部の前記入射面に立設された突起でそれぞれ構成される複数の第2の吸収部と、を有し、前記突起の根元部分に凹状の窪み部が形成されていることを特徴とする赤外線検出素子。請求項1に記載の赤外線検出素子であって、前記赤外線吸収部は、前記第1の吸収部における前記入射面とは反対側の面に設けられた複数の第3の吸収部をさらに有しており、前記第3の吸収部は、平面視において前記窪み部の少なくとも一部と重複していることを特徴とする赤外線検出素子。請求項1又は2に記載の赤外線検出素子であって、前記第2の吸収部は、前記根元部分の上に位置する頭部を有し、下記の1式を満たすことを特徴とする赤外線検出素子。h1≧h2...1式但し、前記1式において、h1は前記頭部の高さであり、h2は前記窪み部の高さである。請求項1~3のいずれかに記載の赤外線検出素子であって、下記の2式を満たすことを特徴とする赤外線検出素子。d≧h2...2式但し、前記2式において、dは前記窪み部の奥行きであり、h2は前記窪み部の高さである。請求項1~4のいずれかに記載の赤外線検出素子であって、前記第3の吸収部は、内孔を持つ環状形状を有しており、前記内孔は、平面視において前記根元部分の少なくとも一部と重複していることを特徴とする赤外線検出素子。請求項1~5のいずれかに記載の赤外線検出素子であって、複数の前記第2の吸収部は、赤外線の波長よりも小さな間隔で周期的に配列されていることを特徴とする赤外線検出素子。上記の赤外線検出素子では、突起を高くすることで赤外線の吸収率を向上させることができる。しかしながら、この場合には、突起の体積が増加し熱容量が増加するので、赤外線検出素子としての熱時定数が大きくなり応答速度が遅くなってしまうという問題がある。本発明が解決しようとする課題は、応答速度を維持しつつ赤外線の吸収率を向上させることが可能な赤外線検出素子を提供することである。本発明は、赤外線吸収部の第2の吸収部を構成する突起の根元部分に、凹状の窪み部を形成することによって上記課題を解決する。本発明によれば、突起の体積を増加させることなく、光の回折現象を利用して窪み部に赤外線を閉じ込めることができるので、応答速度を維持しつつ赤外線の吸収率を向上させることができる。以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図1Aは本実施形態における赤外線検出素子を示す平面図、図1Bは図1AのIBIB線に沿った断面図である。本実施形態における赤外線検出素子1は、図1A及び図1Bに示すように、シリコンSi基板100上に形成された枠部10と、枠部10内に配置された受光部20と、受光部20と枠部10とを連結する一対の支持梁60と、を備えている。なお、本実施形態におけるシリコン基板100が本発明における基板の一例に相当し、本実施形態における一対の支持梁60が、本発明における梁の一例に相当する。先ず、図1Aを参照しながら赤外線検出素子1の平面構造について説明する。枠部10は、平面視において矩形の枠形状を有しており、エッチングスリット11を介して支持梁60と分離されている。一対の支持梁60は、屈曲点を有する略L型形状をそれぞれ有している。それぞれの支持梁60の一端は受光部20に繋がっているのに対し、当該支持梁60の他端は枠部10に繋がっている。この支持梁60も、エッチングスリット11を介して受光部20と分離されている。また、この支持梁60には、受光部20の温度上昇を検出するための温度検出部61が組み込まれている。この温度検出部61は、P型ポリシリコン62とN型ポリシリコン63とを有するサーモパイルから構成されている。このP型ポリシリコン62とN型ポリシリコン62とは、支持梁60の長手方向に沿って相互に平行に配置されており、アルミ配線12,22を介して、P型ポリシリコン62とN型ポリシリコン63とが交互にすなわちPNPNの順に電気的に直列接続されている。また、この温度検出部61の両端には、赤外線検出素子1の検出信号を外部に出力するためのコンタクト13が設けられている。受光部20は、平面視において矩形形状を有しており、一対の支持梁60によって枠部10内に保持されている。この受光部20は、赤外線を吸収する赤外線吸収部21を有している。なお、赤外線吸収部21の詳細な構成については後述する。次に、図1Bを参照しながら赤外線検出素子1の断面構造について説明する。枠部10は、例えばシリコン酸化膜SiO2から構成される層間絶縁層110と、例えばシリコン窒化膜SiNから構成され、層間絶縁層110を覆う保護層120と、を備えており、層間絶縁層110は、アルミ配線12図1A参照を電気的に絶縁すると共に保護している。支持梁60も、枠部10と同様に、層間絶縁層110と、層間絶縁層110を覆う保護層120と、を備えており、層間絶縁層110は、P型ポリシリコン62とN型ポリシリコン63とを電気的に絶縁すると共に保護している。受光部20も、枠部10及び支持梁60と同様に、層間絶縁層110と、層間絶縁層110を覆う保護層120と、を備えており、層間絶縁層110はアルミ配線22を電気的に絶縁すると共に保護している。また、この受光部20の赤外線吸収部21においては、保護層120が、第1及び第2の吸収部30,40を支持する下地層を構成している。さらに、シリコン基板100には、後述する異方性エッチングによって、四角錐形状の凹部101が形成されており、受光部20と支持梁60はこの凹部101の上方に設けられている。このため、受光部20とシリコン基板100との間には空隙102が介在させた状態で、支持梁60が受光部20を保持しており、受光部20とシリコン基板100とは熱的に分離されている。赤外線検出素子1の受光部20に入射した赤外線は、赤外線吸収部21に吸収され、光子のエネルギーが熱エネルギーへと変換されて、受光部20の温度が上昇する。これにより、支持梁60内に設けられた温度検出部61の受光部20側の端部温接点64と、当該温度検出部61の枠部10側の端部冷接点65との間に、吸収した赤外線の量に応じた温度差が生じる。ここで、温度検出部61を構成するサーモパイルは、温度差に比例した起電力をゼーベック効果により生じる。そのため、赤外線吸収部21が吸収した赤外線の量に応じた温度差が生じると、温度差に比例した起電力がコンタクト13を介して外部に出力される。次に、本実施形態における受光部20の赤外線吸収部21の構成について、図2~図6を参照しながら詳細に説明する。図2は本実施形態における赤外線吸収部を示す斜視図、図3は図2のIIIIII線に沿った断面図、図4は本実施形態における第2の吸収部のレイアウトの一例を示す平面図、図5は本実施形態における第2の吸収部のレイアウトの他の例を示す平面図、図6は本実施形態における第2の吸収部のレイアウトのさらに他の例を示す平面図である。本実施形態における赤外線吸収部21は、図2及び図3に示すように、第1の吸収部30と多数の第2の吸収部40とを備えた凹凸構造となっている。第1の吸収部30は赤外線受光部21の全面に亘って平面状に形成されている。一方、第2の吸収部40は、この第1の吸収部30の入射面31上に立設された突起から構成されている。第1及び第2の吸収部30,40はいずれも、フリーキャリア吸収を起こす材料で構成されている。フリーキャリア吸収を起こす材料としては、例えば、アルミニウムAlやタングステンW等の金属や、ボロンやリン等の不純物をドープしたポリシリコン或いはアモルファスシリコン等の半導体を例示することができる。本実施形態において、突起形状の第2の吸収部40は、図2及び3に示すように、当該突起の先端部分に位置する頭部41と、頭部41の下方に位置する根元部分42と、を有しており、根元部分42には凹状の窪み部43が形成されている。本実施形態における窪み部43は、第2の吸収部すなわち突起40の全周に亘って形成された環状溝であり、根元部分42の幅w2が頭部41の幅w1よりも相対的に小さくなっているw2<w1。なお、本実施形態では、第2の吸収部40が矩形の平面形状を有しているが、特にこれに限定されない。例えば、第2の吸収部が円形、三角形、或いは多角形の平面形状を有してもよい。本実施形態における赤外線救出部21では、図4に示すように、多数の第2の吸収部40が、検出対象である赤外線の波長8~14μmの半分以下の細かな間隔cすなわちc≦4μmで、正方形の格子状に配列されている。第2の吸収部40を赤外線の波長よりも細かい間隔cで周期的に配列することで、突起状の第2の吸収部40により赤外線の反射を低減することができる。なお、多数の第2の吸収部40が、赤外線の波長よりも細かい間隔cで周期的に配列されていれば、上記のレイアウトに特に限定されない。例えば、図5に示すように第2の吸収部40を正三角形の格子状に配列してもよいし、或いは、図6に示すように第2の吸収部40を菱形の格子状に配列してもよい。図4~図6に示すレイアウトは偏光面に依存しないので、高い吸収率を維持することができる。なお、特に図示しないが、第2の吸収部40をストライプ状に配置してもよく、この場合には、特定方向に偏光した赤外線を検知する素子として利用することができる。以上に説明した赤外線吸収部21に赤外線が入射すると、第2の吸収部40の凸凹構造によって赤外線が錯乱し、赤外線吸収部21での赤外線の反射が低減する。さらに、本実施形態では、第2の吸収部40の窪み部43に赤外線が回折入射する。窪み部43に一旦入射した赤外線は、当該窪み部43の中で反射を繰り返すうちに第1及び第2の吸収部21,22に吸収されるので、結果的に赤外線吸収部21での赤外線の反射が大幅に低減する。この際、本実施形態では、図3に示すように、頭部41の高さh1と、窪み部43の高さh2との間に、h1≧h2...1式の関係が成立することが好ましい。上記の1式を満たすことで、窪み部43に赤外線を閉じ込めやすい構造とすることができ、赤外線吸収部21における赤外線の反射低減を図ることができる。また、本実施形態では、窪み部43の高さh2と、窪み部43の奥行きdとの間に、d≧h2...2式の関係が成立することが好ましい。上記2式を満たすことで、窪み部43に赤外線を閉じ込めやすい構造とすることができ、赤外線吸収部21における赤外線の反射低減を図ることができる。具体的には、例えば、第2の吸収部40すなわち突起の高さh0が1.5μmであり、当該第2の吸収部40の幅w1が2.0μmである場合には、頭部41の高さh1を1.0μmとし、窪み部43の高さh2を0.5μmとし、当該窪み部43の奥行きdを0.75μmとする。以下に、本実施形態における赤外線検出素子1の製造方法について図7A~図7Oを参照しながら説明する。図7A~図7Oは本実施形態における赤外線検出素子の製造工程を示す断面図である。先ず、図7Aに示すように、シリコン基板100の表面に、ポリシリコン犠牲層131を形成する。このポリシリコン犠牲層131は、例えば0.3μm程度の厚さを有している。次いで、このポリシリコン犠牲層131にボロンを注入することで、矩形枠形状のエッチングストッパ132を形成する。このエッチングストッパ132の形状は、上述の枠部10の形状に対応している。次いで、図7Bに示すように、ポリシリコン犠牲層131及びエッチングストッパ132の上に、第1のシリコン窒化層SiN133を形成する。この第1のシリコン窒化層133は、例えば0.1μm程度の厚さを有している。次いで、図7Cに示すように、第1のシリコン窒化層133の上に第1のポリシリコン層134を形成し、当該第1のポリシリコン層134を、第1の吸収部30、P型ポリシリコン62、及びN型ポリシリコン63に対応した形状に、ドライエッチングによってパターニングする。次いで、図7Dに示すように、第1のポリシリコン層134において第1の吸収部30とP型ポリシリコン62に対応する部分に、ボロンを注入する。一方、第1のポリシリコン層134においてN型ポリシリコン63に対応する部分にはリンを注入する。次いで、図7Eに示すように、第1のシリコン窒化層133の上にシリコン酸化層SiO2135を形成し、CMPやリフロー等によって当該シリコン酸化層135を平坦化する。このシリコン酸化層135は、第1の吸収部30、P型ポリシリコン62、及びN型ポリシリコン53を分離すると共に電気的に絶縁する。このシリコン酸化層135は、例えば0.5μm程度の厚さを有している。次いで、図7Fに示すように、シリコン酸化層135において第2の吸収部40の根元部分42に対応する位置に、多数の開口136を形成する。次いで、図7Gに示すように、シリコン酸化層135の上に第2のポリシリコン層136をさらに形成し、CMPによって当該第2のポリシリコン層136を平坦化する。この第2のポリシリコン層136は、例えば1.0μm程度の厚さを有している。次いで、第1の吸収部30と同程度のボロン濃度となるように、第2のポリシリコン層136にボロンを注入する。これにより、第2の吸収部40の根元部分42が形成される。次いで、図7Hに示すように、シリコン酸化層135が露出するまで第2のポリシリコン層136に対してドライエッチングを行うことで、第2の吸収部40の頭部41を形成する。以上のように形成された第1及び第2の吸収部30,40は、ボロンがドープされたシリコンで構成されているため、フリーキャリア吸収を利用した赤外線吸収体として機能する。次いで、図7Iに示すように、シリコン酸化層135にコンタクトホール不図示を形成した後に、シリコン酸化層135の上にアルミ層を形成し、このアルミ層をパターニングすることで、アルミ配線12,22を形成する。このアルミ配線12,22を介して、P型ポリシリコン62とN型ポリシリコン63とが交互に直列接続されてサーモパイルが構成される。次いで、図7Jに示すように、シリコン酸化物SiO2をさらに堆積させて、アルミ配線12,22や第2の吸収部40を覆うほどまでシリコン酸化層135を厚くした後に、CMPやリフロー等によって当該シリコン酸化層135を平坦化する。次いで、図7Kに示すように、シリコン酸化層135と第1のシリコン窒化層133に対してポリシリコン犠牲層131が露出するまでドライエッチングを行う。これにより、枠部10と支持梁60とが分離されると共に、支持梁60と受光部20とが分離される。これと同時に、シリコン酸化層135においてアルミ配線22と第2の吸収部40との間の部分に対してもドライエッチングを行うが、この部分では、第1の吸収部30がエッチングストッパとして機能する。次いで、図7Lに示すように、シリコン酸化層135の露出面全体に第2のシリコン窒化層SiN138をプラズマCVD等により形成する。この第2のシリコン窒化層138は、上述の第1のシリコン窒化層133と同様に、例えば0.1μm程度の厚さを有している。次いで、図7Mに示すように、枠部10と支持梁60との間や支持梁60と受光部20との間に露出している第1のシリコン窒化層133をドライエッチングにより除去して、エッチングスリット11を形成する。これと同時に、第2のシリコン窒化層138において第1及び第2の吸収部30,40の上方の部分に開口139をドライエッチングによって形成する。次いで、図7Nに示すように、ヒドラジンやTMAH等のアルカリ性液体を用いて、エッチングスリット11を介してシリコン基板100及び第1のポリシリコン犠牲層131に対して結晶異方性エッチングを行う。これにより、エッチングストッパ132によって区画される枠内に、四角錐状の凹部101が形成され、受光部20とシリコン基板100との間に空隙102が形成される。次いで、図7Oに示すように、HF液等を用いて、開口139を介してシリコン酸化層135に対してウエットエッチングを行い、第1及び第2の吸収部30,40を露出させることで、赤外線検出素子1が完成する。なお、上述のシリコン酸化層135が、赤外線検出素子1の層間絶縁層110を構成し、上述の第1及び第2のシリコン窒化層133,138が、赤外線検出素子1の保護層120を構成する。以上のように、本実施形態では、第2の吸収部40の根元部分42に、凹状の窪み部43を形成する。これにより、第2の吸収部40の体積を増加させることなく、光の回折現象を利用して窪み部43に赤外線を閉じ込めて反射低減を図ることができるので、赤外線検出素子1の応答速度を維持しつつ赤外線の吸収率を向上させることができる。図8は本実施形態における赤外線検出素子を示す断面図、図9は本実施形態における赤外線吸収部を示す断面図である。本実施形態では、受光部20Bの赤外線吸収部21Bの構成が第1実施形態と相違するが、それ以外の構成は第1実施形態と同様である。以下に第2実施形態における赤外線検出素子1Bについて第1実施形態との相違点についてのみ説明し、第1実施形態と同様の構成である部分については同一符号を付して説明を省略する。本実施形態における赤外線吸収部21Bは、第1実施形態と同様に、図8及び図9に示すように、第1の吸収部30Bと第2の吸収部40Bを有している。この第1及び第2の吸収部30B,40が、検出波長においてフォノンによる吸収を起こす材料で構成されている点で第1実施形態と相違する。検出波長においてフォノンによる吸収を起こす材料としては、例えば、シリコン酸化物SiO2やシリコン窒化物SiN等を例示することができる。例えば、シリコン酸化物は9μmの吸収帯を有しているのに対し、シリコン窒化物は11μmの吸収帯を有しているので、検出波長が10μmを含む場合には、シリコン酸化物とシリコン窒化物の双方を赤外線吸収体として採用することができる。具体的には、図9に示すように、第1の吸収部30Bは、シリコン酸化物から構成される上層33と、シリコン窒化物から構成される下層34と、を有する2層構造となっている。一方、第2の吸収部40Bは、頭部41Bの最上部411がシリコン窒化物で構成されていることを除いて、全体としてシリコン酸化物で構成されている。なお、第1の吸収部30Bは、第1実施形態と同様に、赤外線吸収部21Bの全面に形成されている。また、第2の吸収部40Bも、第1実施形態と同様に、頭部41Bと、窪み部43Bが形成された根元部分42Bと、を有する突起であり、多数の第2の吸収部40Bが第1の吸収部30B上に立設されている。以下に、本実施形態における赤外線検出素子1Bの製造方法について、図10A~図10Iを参照しながら説明する。図10A~図10Iは本実施形態における赤外線検出素子の製造方法を示す断面図である。先ず、図10Aに示すように、シリコン基板100の表面に、第1のポリシリコン犠牲層131を形成する。この第1のポリシリコン犠牲層141は、例えば0.3μm程度の厚さを有している。次いで、この第1のポリシリコン犠牲層131にボロンを注入することで、矩形枠形状のエッチングストッパ132を形成する。このエッチングストッパ132の形状は、枠部10の形状に対応している。次いで、図10Bに示すように、第1のポリシリコン犠牲層131及びエッチングストッパ132の上に、第1のシリコン窒化層133を形成し、さらに当該第1のシリコン窒化層133の上にシリコン酸化層135を形成する。この第1のシリコン窒化層133は、例えば0.1μm程度の厚さを有するのに対し、シリコン酸化層135は、例えば0.2μm程度の厚さを有している。次いで、図10Cに示すように、シリコン酸化層135の上に、ポリシリコン層134を形成し、ポリシリコン層134を、第1の吸収部30B、P型ポリシリコン62、及びN型ポリシリコン63に対応した形状にドライエッチングによりパターニングする。次いで、図10Dに示すように、ポリシリコン層134においてP型ポリシリコン62に対応する部分にボロンを注入すると共に、ポリシリコン層134においてN型ポリシリコン63に対応する部分にリンを注入する。一方、本実施形態では、ポリシリコン層134において第1の吸収部30Bに対応する部分にはボロンを注入せずに、当該部分を第2のポリシリコン犠牲層140として利用する。次いで、図10Eに示すように、シリコン酸化物SiO2をさらに堆積させて、第2のポリシリコン犠牲層140、P型ポリシリコン62、及びN型ポリシリコン63を覆うほどシリコン酸化層135を厚くした後に、第2のポリシリコン犠牲層140が露出するまでシリコン酸化層135をエッチバックやCMP等によって平坦化する。そして、このシリコン酸化層135にコンタクトホール不図示を形成した後に、シリコン酸化層135の上にアルミ層を形成し、このアルミ層をパターニングすることで、アルミ配線12,22を形成する。このアルミ配線12,22を介して、P型ポリシリコン62とN型ポリシリコン63とが交互に直列接続されてサーモパイルが構成される。次いで、図10Fに示すように、シリコン酸化物SiO2をさらに堆積させて、アルミ配線12,22を覆うほどシリコン酸化層135を厚くする。そして、シリコン酸化層135と第1のシリコン窒化層133に対して、ポリシリコン犠牲層131が露出するまでドライエッチングを行う。これにより、枠部10と支持梁60とが分離されると共に、支持梁60と受光部20Bとが分離される。次いで、図10Gに示すように、シリコン酸化層135の露出面全体に第2のシリコン窒化層SiN138をプラズマCVD等により形成する。この第2のシリコン窒化層138は、上述の第1のシリコン窒化層133と同様に、例えば0.1μm程度の厚さを有している。次いで、図10Hに示すように、枠部10と支持梁60との間や支持梁60と受光部20Bとの間に露出している第1のシリコン窒化膜133をドライエッチングにより除去して、エッチングスリット11を形成する。次いで、図10Iに示すように、第2のシリコン窒化層138とシリコン酸化層135において第2の吸収部40Bの頭部41Bに対応した部分が残るように、第2のシリコン窒化層138とシリコン酸化層135を、第2のポリシリコン犠牲層140が露出するまでドライエッチングにより除去する。これにより、第2の吸収部40Bの頭部41Bが形成される。次いで、特に図示しないが、ヒドラジンやTMAH等のアルカリ性液体を用いて、エッチングスリット11を介してシリコン基板100及び第1のポリシリコン犠牲層131に対して結晶異方性エッチングを行う。これにより、エッチングストッパ132によって区画される枠内に、四角錐状の凹部101が形成され、受光部20とシリコン基板100との間に空隙102が形成される。また、このエッチングによって第2のポリシリコン犠牲層140も除去されるので、第2の吸収部40Bの根元部分42Bと第1の吸収部30B全体が露出し、赤外線検出素子1Bが完成する。なお、上述のシリコン酸化層135が、赤外線検出素子1の層間絶縁層110を構成し、上述の第1及び第2のシリコン窒化層133,138が、赤外線検出素子1Bの保護層120を構成する。以上のように、本実施形態では、第1実施形態と同様に、第2の吸収部40Bの根元部分42Bに、凹状の窪み部43Bを形成する。これにより、第2の吸収部40Bの体積を増加させることなく、光の回折現象を利用して窪み部43Bに赤外線を閉じ込めて反射低減を図ることができるので、赤外線検出素子1Bの応答速度を維持しつつ赤外線の吸収率を向上させることができる。また、本実施形態では、第1実施形態と同様に、頭部41Bの高さh1と、窪み部43Bの高さh2との間に、上記の1式の関係が成立している。このため、窪み部43Bに赤外線を閉じ込めやすい構造とすることができ、赤外線吸収部21Bにおける赤外線の反射低減を図ることができる。また、本実施形態では、第1実施形態と同様に、窪み部43Bの高さh2と、窪み部43Bの奥行きdとの間に、上記の2式の関係が成立している。このため、窪み部43Bに赤外線を閉じ込めやすい構造とすることができ、赤外線吸収部21Bにおける赤外線の反射低減を図ることができる。さらに、本実施形態では、第1実施形態と同様に、多数の第2の吸収部40Bが、検出対象である赤外線の波長よりも細かい間隔cで周期的に配列されているので、突起状の第2の吸収部40Bにより赤外線の反射を低減することができる。図11は本実施形態における赤外線検出素子を示す断面図、図12は本実施形態における赤外線吸収部を示す斜視図、図13は図12のXIIIXIII線に沿った断面図である。本実施形態では、受光部20Cの構成が第1実施形態と相違するが、それ以外の構成は第1実施形態と同様である。以下に第3実施形態における赤外線検出素子1Cについて第1実施形態との相違点についてのみ説明し、第1実施形態と同様の構成である部分については同一符号を付して説明を省略する。本実施形態における受光部20Cの赤外線吸収部21Cは、図11~図13に示すように、第1実施形態と同様の第1及び第2の吸収部30,40に加えて、第3の吸収部50を有している。この第3の吸収部50は、第1の吸収部30における入射面31とは反対側の面32に設けられている。また、この第3の吸収部50は、例えば平板形状を有しており、平面視図13において紙面の上方から下方に向かって見た場合において第2の吸収部40の窪み部43と重複している。このような第3の吸収部50によって、窪み部43に入射して第1の吸収部30を透過してしまった赤外線を吸収することができるので、吸収率の向上を図ることができる。因みに、本実施形態では、第3の吸収部50の体積が、窪み部43の体積と同一又はそれよりも小さいので、上述の従来技術と比較して、赤外線吸収部21Cの熱容量が増加することはない。なお、必ずしも、第3の吸収部50が、平面視において窪み部43の全体と重複している必要はなく、窪み部43の少なくとも一部と重複していればよい。なお、第3の吸収部を図14及び図15に示すような環状としてもよい。図14は本実施形態における赤外線吸収部の変形例を示す斜視図、図15は図14のXVXV線に沿った断面図である。図14及び図15に示す第3の吸収部50Bは、内孔51を有する環状形状ドーナツ形状を有しており、当該内孔51は、平面視図15において紙面の上方から下方に向かって見た場合において第2の吸収部40の根元部分42と重複している。第2の吸収部40の根元部分42の直下には赤外線があまり透過しないので、当該根元部分42の下方に内孔51を位置させて、窪み部43の下方のみに第3の吸収部50Bを配置することで、第3の吸収部50Bの体積を低減して熱容量を低減することができ、赤外線検出素子の応答速度を向上させることができる。なお、必ずしも、第3の吸収部50Bの内孔51が、平面視において第2の吸収部40の根元部分42の全体と重複している必要はなく、根元部分42の少なくとも一部と重複していればよい。以下に、本実施形態における赤外線検出素子1Cの製造方法について、図16A~図16Cを参照しながら説明する。図16A~図16Cは本実施形態における赤外線検出素子の製造方法を示す断面図である。先ず、図16Aに示すように、シリコン基板100の表面にポリシリコン犠牲層131を形成する。このポリシリコン犠牲層131は、例えば0.8μm程度の厚さを有している。次いで、当該ポリシリコン犠牲層131において第3の吸収部50に対応する部分に対してドライエッチングを行い、ポリシリコン犠牲層131において第3の吸収部50に対応する部分の厚さが例えば0.3μm程度となるまで、ポリシリコン犠牲層131を掘り下げる。さらに、このポリシリコン犠牲層131にボロンを注入することで、矩形枠形状のエッチングストッパ132を形成する。このエッチングストッパ132の形状は、枠部10の形状に対応している。次いで、図16Bに示すように、ポリシリコン犠牲層131及びエッチングストッパ132の上に、第1のシリコン窒化層133を形成する。この第1のシリコン窒化層133は、例えば0.1μm程度の厚さを有している。次いで、図16Cに示すように、第1のシリコン窒化層133の上に、第1のポリシリコン層134を形成し、CMPやエッチバック等によって当該第1のポリシリコンを平坦化する。次いで、当該第1のポリシリコン層134を、第1の吸収部30、P型ポリシリコン62、及びN型ポリシリコン63に対応した形状にドライエッチングによってパターニングする。以降、第1実施形態における図7D~図7Oと同様の工程を経ることで、赤外線検出素子1Cが完成する。以上のように、本実施形態では、第1実施形態と同様に、第2の吸収部40の根元部分42に、凹状の窪み部43を形成する。これにより、第2の吸収部40の体積を増加させることなく、光の回折現象を利用して窪み部43に赤外線を閉じ込めて反射低減を図ることができるので、赤外線検出素子1Bの応答速度を維持しつつ赤外線の吸収率を向上させることができる。また、本実施形態では、第1実施形態と同様に、頭部41の高さh1と、窪み部43の高さh2との間に、上記の1式の関係が成立している。このため、窪み部43に赤外線を閉じ込めやすい構造とすることができ、赤外線吸収部21Cにおける赤外線の反射低減を図ることができる。また、本実施形態では、第1実施形態と同様に、窪み部43の高さh2と、窪み部43の奥行きdとの間に、上記の2式の関係が成立している。このため、窪み部43に赤外線を閉じ込めやすい構造とすることができ、赤外線吸収部21Cにおける赤外線の反射低減を図ることができる。さらに、本実施形態では、第1実施形態と同様に、多数の第2の吸収部40が、検出対象である赤外線の波長よりも細かい間隔cで周期的に配列されているので、突起状の第2の吸収部40により赤外線の反射を低減することができる。なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。例えば、第2の吸収部の形状は、上記のものに特に限定されない。例えば、図17Aに示す第2の吸収部40Dのように、一つの突起に窪み部43を複数個所形成してもよい。或いは、図17Bに示す第2の吸収部40Eのように、突起の上面に凹部412を形成してもよい。また、上述の実施形態では、温度検出部としてサーモパイルを用いた赤外線検出素子に本発明を適用した例について説明したが、特にこれに限定されない。例えば、温度検出部としてボロメータを用いた赤外線検出素子に本発明を適用してもよい。この場合には、受光部における赤外線吸収部の下に、酸化バナジウム等で構成されるボロメータ層を形成する。"