"第1主面と当該第1主面に対向する第2主面とを有するガラス基板と、前記第1主面上に形成された酸化チタンまたは酸化ジルコニウムを含有する低反射層と、前記低反射層上に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金を含有する導電層と、前記導電層上に形成された酸化スズを含有する保護層と、を備える、導電層付き基板。前記導電層および前記保護層が、レーザ光の照射によりパターニングされている、請求項1に記載の導電層付き基板。前記導電層がAl-Zr-Nb合金またはAl-Nd合金を含有する、請求項1または2に記載の導電層付き基板。前記導電層と前記保護層との間に介在させて、前記導電層が含有する金属よりも光吸収性が高い金属を含有するアシスト層をさらに備える、請求項1~3のいずか一項に記載の導電層付き基板。さらに、前記ガラス基板上の各層を覆う誘電体を備える、請求項1~4のいずれか一項に記載の導電層付き基板。プラズマディスプレイパネル前面基板として用いられる、請求項5に記載の導電層付き基板。液晶ディスプレイLCDおよびPDPなどのフラットパネルディスプレイFPDにおいては、ITO透明電極が使用されている例えば、特許文献1を参照。しかし、近年のFPDの急速な普及に伴い、ITOの主原料であるインジウムは、将来的には枯渇することも懸念されている。そのため、インジウムを主原料とするITOを使用しないPDPの開発が急務となっている。またPDPにおいてはコストダウンという観点からも、高価なインジウムを主原料とするITOを使用しないITOレス化が要求されている。ITO透明電極を形成する場合、まず、スパッタリング等の手法を用いてガラス基板上にITOのベタ膜を形成し、その後、必要な電極形状とするためにウェットパターニングによって不要部位を除去する。つまり、ITO透明電極を得る過程においては、スパッタリングおよびパターニングの工程が必須となっている。ITOレス化が実現されれば、工程簡素化の観点からも有利である。また、PDPにおいては、セル中に充填する希ガスとして高濃度のキセノンを添加することで発光効率が向上することが知られており、これにより省エネ化を図ることができる。そして、キセノンを使用して良好な発光効率を得るためには、比較的細い電極を形成する必要がある。しかし、ITO透明電極は比較的高抵抗であるため線幅を比較的太くしなければならず、ITOの使用が良好な発光効率の障害となっている。なお、ITOレス化という観点から、従来のPDP前面基板製造プロセスから単にITO電極形成工程を省略し、銀電極のみで電極を形成することが考えられる。しかし、銀電極は焼成時に収縮して寸法精度が劣化するため、高精度の電極パターンを得ることが非常に難しいという別の問題が生ずる。そこで、本発明者らは、電極となる導電層の構成材料として実績のあるアルミニウムAlに再度着目し、ITOレス化の検討を行った。その結果、ガラス基板と導電層アルミニウムまたはアルミニウム合金との間に、低反射層酸化チタンまたは酸化ジルコニウムを有する構成に可能性を見出した。この低反射層は、光学干渉を利用して低反射性能を発揮するものである。しかし、本発明者らは、このような構成を有する基板を焼成すると、ガラス基板が着色するという問題が発生することを明らかにした。このようなガラス基板の着色を防ぐ方法としては、通常、ガラス基板と導電層との間に保護層を形成することを考えるが、このような基板においては、上述したように、ガラス基板と導電層との間に低反射層が形成されているため、保護膜を形成することはできない。本発明は、以上のような点を鑑みてなされたものであり、ITOレス化された導電層付き基板を提供することを目的とする。本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を行った。その結果、導電層上に保護層を設けることで、ガラス基板の着色を防止できることを見出した。また、その保護層として種々の膜を検討した結果、酸化スズ膜が最適であることを発見した。すなわち、本発明は、以下の1~6を提供する。1第1主面と当該第1主面に対向する第2主面とを有するガラス基板と、前記第1主面上に形成された酸化チタンまたは酸化ジルコニウムを含有する低反射層と、前記低反射層上に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金を含有する導電層と、前記導電層上に形成された酸化スズを含有する保護層と、を備える、導電層付き基板。2前記導電層および前記保護層が、レーザ光の照射によりパターニングされている、前記1に記載の導電層付き基板。3前記導電層がAl-Zr-Nb合金またはAl-Nd合金を含有する、前記1または2に記載の導電層付き基板。4前記導電層と前記保護層との間に介在させて、前記導電層が含有する金属よりも光吸収性が高い金属を含有するアシスト層をさらに備える、前記1~3のいずれか1つに記載の導電層付き基板。5さらに、前記ガラス基板上の各層を覆う誘電体を備える、前記1~4のいずれか1つに記載の導電層付き基板。6プラズマディスプレイパネル前面基板として用いられる、前記5に記載の導電層付き基板。本発明によれば、ITOレス化された導電層付き基板を提供することができる。[導電層付き基板]本発明の導電層付き基板は、第1主面と当該第1主面に対向する第2主面とを有するガラス基板と、前記第1主面上に形成された酸化チタンまたは酸化ジルコニウムを含有する低反射層と、前記低反射層上に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金を含有する導電層と、前記導電層上に形成された酸化スズを含有する保護層と、を備える、導電層付き基板である。本発明の導電層付き基板においては、少なくとも、前記導電層および前記保護層が、レーザ光の照射によりパターニングされているのが好ましい。なお、本発明において、層上とは、当該層に接している場合のみならず、他の層を介して間接的に積層されている場合をも含む概念である。図1は、本発明の導電層付き基板の実施態様の一例を示す側断面図である。図1に示すように、導電層付き基板以下、単に基板と呼ぶ。1においては、第1主面12と当該第1主面に対向する第2主面14とを有するガラス基板10の第1主面12上に、低反射層20、導電層30、アシスト層40および保護層50がこの順に形成されている。これらの各層は積層体60を構成する。基板1においては、積層体60を覆うようにして、誘電体70が形成されている。以下、基板1の構成について、図1に基いて説明する。なお、基板1をPDP前面基板として用いる場合、PDP鑑賞側は第2主面14側となる。ガラス基板図1に示すように、基板1は、ガラス基板10を備える。ガラス基板10は、強度および耐久性が他の材質に比べて優れている。ガラス基板10の種類は特に限定されず、例えば、従来公知の各種ガラス基板ソーダライムガラス、無アルカリガラス等を用いることができる。好ましい具体的態様の1つとして、PDP用高歪点ガラスを挙げることができる。また、その大きさや厚さも特に限定されない。例えば、縦横の長さとして、各々、400~3000mm程度のものを好ましく用いることができる。また、その厚さは0.7~3.0mmが好ましく、1.5~3.0mmがより好ましい。低反射層図1に示すように、低反射層20は、ガラス基板10の第1主面12上に形成されている。基板1がPDP前面基板として用いられる場合、ガラス基板10の第2主面14側に向けて入射する光の反射率を低くするために、低反射層20が必要となる。低反射層20は、光吸収性が高く、反射率が低い。具体的には、低反射層20の反射率は、10以下が好ましく、7以下がより好ましい。なお、本発明において、低反射層20の反射率とは、第2主面14の法線方向に対して入射角5°で第2主面14側から入射された波長350~800nmの光に対する反射率のうち、この波長範囲で最低値を示す反射率のことをいう。低反射層20は、その構成材料として、少なくとも酸化チタンTiOx、x>0または酸化ジルコニウムZrOx、x>0を含有している。これにより、低反射層20においては、低い反射率が実現されるとともに、ガラス基板10および/または導電層30に対する優れた密着性が実現される。低反射層20の厚さは、用途に応じた種々の厚さであってよいが、25~200nmであるのが好ましく、50~100nmがより好ましい。なお、後述するように、基板1において、導電層30等はレーザ光の照射によってパターニングされるが、この際、低反射層20も併せてパターニングされてよい。導電層図1に示すように、導電層30は、低反射層20上に形成されている。導電層30は電極として機能するものであり、基板1がPDP前面基板として用いられる場合、導電層30によって電極が構成される。導電層30は、その構成材料として、アルミニウム金属単体Al、または、アルミニウム合金Al合金を含有する。なお、導電層30の構成材料として銀Agを用いた場合、後述する焼成時に電極が収縮して、電極の寸法精度が劣化してしまうため、採用することができない。また、導電層30の構成材料として銅Cuを用いた場合、誘電体70に泡を発生させてしまい、電極の断線を起こすといった問題がある。さらに、銅は焼成によって酸化されて、シート抵抗値が著しく上昇してしまう。これに対して、Al、Al合金においては、焼成後の抵抗維持性焼成後に抵抗値が多大にならない特性に優れる。Al合金に添加されるAl以外の他金属としては、例えば、Zr、Nb、Mo、Si、Mn等が挙げられる。このようなAl合金としては、例えば、Al-Nd、Al-Zr-Nb、Al-Mo-Si、Al-Mn-Si等が挙げられるが、後述する高温焼成後抵抗維持効果がより向上するという理由から、Al-Nd、Al-Zr-Nbが好ましい。なお、Al合金中の他金属の添加量としては、効果とコストと両面の観点から0.1~10atが好ましく、また添加量が多ければ多いほどシート抵抗が上昇するため、0.1~5atがより好ましく、0.1~2atがさらに好ましい。ここでいうatは、Al合金の量に対する原子濃度を意味する。導電層30の構成材料としては、アルミニウム金属単体Al、または、アルミニウム合金Al合金のいずれであってもよいが、焼成による結晶粒の成長が抑制されること、ヒロック発生が抑制されて表面粗さ表面凹凸が低減されること、および、焼成による部分的酸化が抑制されて遮光性劣化の抑制効果にも優れること等の理由から、Al合金が好ましい。ここで、Al合金を構成材料とする導電層Al-Nd層、Al-Zr-Nb層において、ヒロック低減のメカニズムは、以下のものと推定される。Al-Nd層のヒロック低減メカニズムの推定Al-Nd層においては、弾性変形の上限温度に達するまでに、Ndが金属間化合物Al4Ndとして析出することにより、急激な応力緩和を起こし、その結果として、降伏が生じないためと考えられる。Al-Zr-Nb層のヒロック低減メカニズムの推定まず、焼成によってAl結晶核が生成し、結晶粒が成長し、結晶粒界結晶粒の境界が形成されるが、この際に、Zrが結晶粒界に押し出されて析出すると考えられる。これは、Zrが、低密度の軽い元素であり、比較的低温で原子移動が起こりやすい元素であるためと考えられる。そして、結晶粒界に析出したZrは、Alの原子移動を阻止し、ストレスマイグレーションやサーマルマイグレーションに起因するヒロックの発生を抑制すると期待される。このとき、Nbが、Alと金属間化合物を形成して移動できなくなることで、周囲のAlは移動が抑制されて、Alの結晶核が生成し、これにより、Zrの結晶粒界への析出が促進されて、Zrによるヒロック抑制効果が向上するものと考えられる。導電層30の厚さは、用途に応じて種々の厚さであってよいが、薄くすることにより、焼成前成膜直後asdepoの表面粗さを抑制できるという理由から、0.1~10μmが好ましく、0.5~5μmがより好まく、1.0~5.0μmがさらに好ましい。アシスト層図1に示すように、基板1においては、導電層30と後述する保護層50との間に介在させて、アシスト層40が形成されていてもよい。アシスト層40を構成する材料は、導電層30が含有する金属AlまたはAl合金とは異なる金属であって、導電層30が含有する金属よりも光吸収性が高い金属を含有しており、導電層30とは光吸収性が異なっている。導電層30は光吸収性が低いため、パターニングに用いるレーザ光が吸収されにくい。したがって、導電層30をパターニングするためには高いフルエンス単位面積当たりのエネルギー量のレーザ光が必要となる。しかし、このようなアシスト層40が導電層30上に形成されていることによって、基板1に照射されたレーザ光がアシスト層40によって吸収され、アシスト層40に吸収されたレーザ光のエネルギーの一部が熱エネルギーとして十分に導電層30に伝達されて、導電層30が除去される。アシスト層40の構成材料である金属としては、レーザ光に対する吸収性が良く、なおかつ吸収したエネルギーを熱エネルギーとして、AlまたはAl合金を含有する導電層30に効率良く伝達できる金属が好ましい。具体的には、クロムCr、コバルトCo、モリブデンMoが好ましく、クロムCrがより好ましい。これにより、アシスト層40が形成されていない場合と比較して、より低いフルエンスのレーザ光によって、導電層30をパターニングすることができる。アシスト層40の厚さは、導電層30の厚さに応じて種々の厚さであってよいが、5~200nmが好ましく、10~50nmがより好ましい。アシスト層40の厚さが5nm以上であれば、導電層30をパターニングするために必要な量のレーザ光を吸収できる厚さとして十分であり、200nm以下であればレーザ光を吸収するための厚さが必要以上にならず効率良く導電層30をパターニングできる。保護層次に、保護層50について説明する。保護層50は、その構成材料として酸化スズSnO2を含有し、上述した導電層30上に形成されるものであるが、図1に示すように、保護層50がアシスト層40を介して導電層30上に形成されていてもよい。このような保護層50が形成されることにより、基板1においては、導電層30によるガラス基板10または誘電体70への侵食が抑制される。図2A~Dは、導電層30によるガラス基板10への侵食を説明するための模式図である。なお、図2A~Dでは、導電層30以外の層を省略して示している。図2Aは焼成前の状態を示し、図2Dは焼成後の状態を示す。焼成前図2Aではガラス基板10には着色がない。しかし、焼成後図2Dでは、ガラス基板10には着色が見られる。着色のメカニズムを、以下に説明する。導電層30の形成後には結晶粒が小さいが図2A、焼成によってAlの結晶粒31が成長し、結晶粒31の境界である結晶粒界32が形成され図2B、この結晶粒界32が、大気中に存在する酸素O2の拡散経路になる。そして、図2Cに示すように、結晶粒界32にO2が流入して、結晶粒界32が酸化されてAl酸化物が形成され、このAl酸化物に由来するAlイオンが純Al原子よりガラス基板10側に拡散しやすい特性を有するため、Alイオンは徐々にガラス基板10に拡散し始める。酸素が継続的に流入し、Alが継続的に酸化され、Alイオンのガラス基板10への拡散も継続する。やがて図2Dに示すように、侵食33が発生すると考えられる。このような侵食により、ガラス基板10には着色等が見られる。また、導電層30とガラス基板10との間に低反射層を形成しても図示せず、低反射層はAlイオンの拡散を阻止する効果がないから、同じく着色が見られる。しかしながら、本発明の基板1においては、酸化スズSnO2を含有する保護層50が導電層30上に形成されることにより、AlまたはAl合金を含有する導電層30を有していても、焼成後においても侵食33の発生が抑制され、ガラス基板10の着色等を抑制することができる。これは、保護層50は酸素遮断効果があり、結晶粒界32への酸素流入を防止することで、結晶粒界32の酸化が抑制される。Alが酸化されなければ、ガラス基板10への拡散が少ないので、これにより侵食33の発生が抑制されると考えられる。また、導電層30がAl合金で構成されることにより、ガラス基板10への侵食がより抑制される。例えば、導電層30の構成材料がAl-Ndである場合、添加されたNdによってAlの結晶粒31の成長が抑制されて、酸素の拡散パスである結晶粒界32が複雑化する。また、Ndが結晶粒界32に偏析することで、Ndが優先的に酸化される。こうして、結晶粒界32でのAlの酸化がより抑制され、ガラス基板10への侵食がより抑制されると考えられる。さらに、基板1が誘電体70を有する場合においては、保護層50は、導電層30による誘電体70への侵食も抑制する。すなわち、焼成によって、導電層30が誘電体70と反応し、Alが酸化され、Alイオンが誘電体70側に拡散して侵食が発生すると考えられる。しかし、保護層50を設けることにより、誘電体70とAlの接触が避けられ、誘電体70側への侵食が防止される。保護層50の厚さは、ガラス基板10の第1主面12への侵食をより抑制できるという理由から、20~150nmが好ましく、30~120nmがより好ましく、40~100nmがさらに好ましく、50~100nmが最も好ましい。誘電体図1に示すように、基板1は、さらに、誘電体70を有していてもよい。誘電体70は、積層体60を覆うようにして形成される。誘電体70を構成する材料としては、電気的絶縁材料であればよく、例えば、一般的な誘電体ペーストを用いることができるが、ガラス成分を含有していることが好ましい。このガラス成分としては、例えば、ZnO-B2O3-SiO2系ガラス、ZnO-P2O5-SiO2系ガラス、Bi2O3-B2O3-SiO2系ガラス、ZnO-B2O3-K2O系ガラス、ZnO-P2O5-TiO2系ガラス、B2O3-SiO2-Al2O3系ガラス、P2O5-B2O3-Al2O3系ガラス等の三成分系ガラス;Bi2O3-B2O3-SiO2-Al2O3系ガラス、ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3系ガラス、ZnO-P2O5-SiO2-Al2O3系ガラス、ZnO-Bi2O3-SiO2-B2O3系ガラス等の四成分系ガラス;ZnO-Bi2O3-BaO-Al2O3-B2O3、ZnO-Bi2O3-SiO2-Al2O3-B2O3系ガラス等の五成分系ガラス;等が挙げられ、なかでも、Bi2O3、ZnOを含むガラス成分であるのが好ましい。なお、これらのガラス成分には、CaO、Na2O、TiO2、CuO、Li2O、K2O、BaO、MgO、SrO等が添加されていてもよい。誘電体70は、用途に応じた種々の厚さであってよいが、PDP前面基板に使用される場合、ガラス基板10の第1主面12からの厚さは、例えば、5~50μmの厚さで構成されるのが好ましく、10~40μmの厚さで構成されるのがより好ましい。このような本発明の基板1は、従来のITO透明電極を用いることなく、ITOレス化が実現されており、PDP前面基板として好ましく用いることができる。[導電層付き基板の製造方法]次に、基板1の製造方法の一例について説明する。以下では、基板1の製造方法が備える各工程について説明する。積層体形成工程図3は、積層体形成工程の一例を示す側断面図である。当該工程は、ガラス基板10の第1主面12上に、積層体60が含む各層を順に形成する工程である。つまり、積層体60が、低反射層20、導電層30、アシスト層40、および、保護層50を含む場合には、これらの各層がガラス基板10の第1主面12上に順に形成される。各層の形成は、例えば、スパッタリングにより行うことができる。スパッタリングは、各層の構成材料に応じたターゲットと、Arガス、ArとCO2との混合ガス等の各種の雰囲気ガスとを用いて行うことができる。パターニング工程図4は、パターニング工程の一例を示す側断面図である。当該工程は、ガラス基板10の第1主面12上に形成された積層体60をパターニングする工程である。パターニング工程においては、第1主面12側に設けられたレーザ光源80が生成したレーザ光81が、保護層50の表面主面に照射され、照射部位が除去部82となる。このようにして、低反射層20、導電層30、アシスト層40、および保護層50を含む積層体60は、不要部分が除去されて、パターニングされる。このとき、レーザ光源80と基板1との間に設けられたマスク83を用いて、所定のパターンを描くように、レーザ光81を積層体60に照射するようにしてよい。例えば、基板1がPDP前面基板として用いられる場合、図4に示すように、所定間隔を有して、所定幅の除去部82が形成され、残された積層体60が平行形成された複数本の直線状パターンを形成するようにしてよい。レーザ光81としては、積層体60を加工できるフルエンスがあればよく、例えば、波長320~1070nmの固体レーザが挙げられる。また、十分なフルエンスを得るためには、YAG基本波付近、例えば、波長が1060~1070nmの範囲内にあるレーザ光81を用いることが好ましい。なお、YAG基本波の第2高調波、第3高調波などのYAG基本波の高調波も、レーザ光81として用いることができる。レーザ光81のエネルギー密度は、市販機使用および量産性を考慮し、例えば、0.3~10J/cm2が好ましい。また、レーザ光81は、パルスレーザであっても、連続照射レーザであってもよいが、熱的影響を極力下げ、パターンの加工精度や品質を保つため、例えば、繰り返し周波数が1~100kHz、パルス幅が1ns~1μsであるパルスレーザを用いるのが好ましく、10~100nsがより好ましい。レーザ光源80は、このようなレーザ光81を生成して発射できるものであれば、特に限定されず、種々のレーザ光源80を用いることができる。導電層30上にアシスト層40が積層された積層体60の状態では、レーザ光の吸収性が高まっているので、アシスト層40から下層の導電層30に効率よく熱エネルギーが伝達され、導電層30が熱で気化しアシスト層40と同時に蒸発することで、積層体60が除去される。このとき、レーザ光81は低エネルギーで済むとともに、残渣の少ない高精度なパターニングを行うことができる。なお、保護層50があっても、レーザ光を一部吸収する他、レーザ光を透過させることもでき、また保護層50の膜厚が薄いため、上記とほぼ同様にパターニング可能である。誘電体形成工程基板1の製造方法は、パターニング工程の後に、さらに、誘電体形成工程を備えていてもよい。当該工程は、積層体60を覆うようにして、上述した誘電体ペーストを塗布する工程である。塗布された誘電体ペーストは、後に焼成されて誘電体が形成される。塗布方法は特に限定されず、所望の厚さを塗布できる従来公知の方法でよい。焼成工程基板1の製造方法は、誘電体形成工程の後、または、誘電体形成工程を経ずにパターニング工程の後に、さらに、焼成工程を備えていてもよい。当該工程は、例えば、電気炉を用いて、基板1を焼成する工程である。焼成温度は、誘電体が固まるのに必要な温度で、例えば、500~620°Cが好ましく、焼成時間前記焼成温度の保持時間は、20~40分間が好ましい。<実験例I:導電層の抵抗維持性の検討>ガラス基板高歪点ソーダライム系ガラス、PD200、厚さ:1.8mm、旭硝子社製上に、Arガスと各種ターゲットとを用いて、DCマグネトロン方式でスパッタリングを行い、ガラス基板の第1主面上に導電層を形成した。このとき、ターゲットの金属としては、AlまたはCuを選択した。その後、電気炉を用いて、Al5μmまたはCu3μmの導電層が形成されたガラス基板を、600°Cまで昇温させて30分間焼成し、その後、自然冷却して2種類のサンプルを得た。なお、スパッタリングには、DCマグネトロンスパッタ装置を用いた。各サンプルの導電層について、低抵抗率計ロレスタIPMCP-T250、三菱化学社製を用いて、四探針法により、大気焼成の前後におけるシート抵抗値単位:Ω/□を測定した。測定結果を下記第1表に示す。前記第1表から明らかなように、Cuで構成された導電層は、焼成の前後で抵抗値が著しく上昇していたのに対して、Alで構成された導電層は、焼成の前後で抵抗値が不変であった。このことから、導電層の構成材料として、Cuは焼成により酸化されてしまい抵抗維持性に問題がある一方で、Alは抵抗維持性に優れることが分かった。<実験例II:導電層の表面粗さの検討>まず、ガラス基板PD200、厚さ:1.8mm、旭硝子社製の第1主面上に、Arガスと各種ターゲットとを用いてスパッタリングを行い、導電層を形成した。このとき、ターゲットの金属としては、Al、Al-NdNd:2at、または、Al-Zr-NbZr:1~1.5at、Nb:0.1~0.5atを選択した。得られた各サンプルの導電層について、AFMAtomicForceMicroscope装置KEYENCE社製ナノスケールハイブリッド顕微鏡VN8000を用いて、焼成前成膜直後asdepoの表面粗さ平均面粗さRaを測定した。このとき、焼成の条件は実験例Iと同じにした。各層の厚さおよび測定結果を、下記第2表に示す。なお、各層の厚さの調節は、成膜時間の調整で行った。前記第2表が示す結果から、導電層においては、合金化または薄膜化によって、表面粗さが低減される傾向にあることが分かった。なお、スパッタリングを行う際、層が厚いほどスパッタ成膜により発生した熱の量が多くなり、その熱の影響によってAlの結晶粒が成長し、表面粗さが増大し平滑性が劣化するものと考えられる。<実験例III:導電層の合金化による結晶粒の成長抑制の検討>実験例III-1ガラス基板PD200、厚さ:1.8mm、旭硝子社製の第1主面上に、ArガスとAlターゲットとを用いてスパッタリングを行い、Alで構成された導電層厚さ:5μmを形成した。その後、電気炉を用いて、600°Cまで昇温させて30分間焼成し、その後、自然冷却してサンプルを得た。実験例III-2導電層を形成する際に、Alターゲットに代えて、Al-NdNd:2atターゲットを用いて、Al-Ndで構成された導電層厚さ:5μmを形成した以外は、実験例III-1と同様にした。SEMによる結晶粒成長の観察次に、焼成後の各サンプルについて、FIBFocusedIonBeam装置を用いて断面加工し、FE-SEMFieldEmissionScanningElectronMicroscopeにて断面を観察した。図5は、実験例IIIの断面を示すFE-SEM写真である。図5に示すように、Alで構成された導電層実験例III-1においては、結晶粒が成長し、縦長の結晶粒界が形成されていることが確認できる。一方、Al-Ndで構成された導電層実験例III-2においては、結晶粒成長が抑制され、酸素の拡散パスとなる結晶粒界が複雑化していることが分かる。<実験例IV:保護層による侵食抑制の検討>実験例IV-1ガラス基板PD200、厚さ:1.8mm、旭硝子社製上に、ArガスとAlターゲットとを用いてスパッタリングを行い、Alで構成された導電層厚さ:5μmを形成した。その後、電気炉を用いて、600°Cまで昇温させて30分間焼成し、その後、自然冷却してサンプルを得た。実験例IV-2実験例IV-1のサンプルを、ArガスとSnO2ターゲットとを用いてスパッタリングを行い、SnO2で構成された保護層厚さ:500nmを導電層上に形成し、その後、実験例IV-1と同様にして焼成した。SEMによる侵食の観察次に、焼成後の各サンプルについて、実験例IIIと同様にして、FE-SEMにて断面を観察した。図6は、実験例IVの断面を示すFE-SEM写真である。図6に示すように、保護層図6中SnO2を設けなかった実験例IV-1においては、導電層図6中Alで結晶粒成長が起こり、ガラス基板図6中glassへの侵食が確認されるのに対して、保護層を設けた実験例IV-2においては、ガラス基板への侵食は確認されなかった。以下に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。なお、本発明はこれらに限定されるものではない。<実施例1~19、比較例1~11>実施例1~4まず、ガラス基板PD200、厚さ:1.8mm、旭硝子社製上に、ArCO2の混合ガスCO2ガス濃度:10とTiターゲットとを用いてスパッタリングを行い、酸化Tiで構成された低反射層を形成した。次に、低反射層上に、ArガスとAlターゲットとを用いてスパッタリングを行い、Alで構成された導電層を形成した。次に、ArガスとSnO2ターゲットとを用いてスパッタリングを行い、SnO2で構成された保護層を形成した。このとき、成膜時間を調整することにより保護層の厚さを異ならせた。なお、各層の厚さは、下記第3表に示すとおりである。次に、YAG基本波レーザ光波長:1064nmを、後述する条件にて、第1主面側からマスクを介して各層に照射して、パターニングを行った。その後、ZnOを含むガラス成分を含有する誘電体ペーストを、パターニングされた各層およびガラス基板を覆うように塗布し厚さ:約30μm、電気炉を用いて、600°Cまで昇温させて30分間の条件で焼成し、自然冷却して実施例1~4のサンプルを得た。得られた実施例1~4のサンプルは、それぞれ、保護層の厚さが異なる。実施例5~8Al-NdNd:2atターゲットを用いて、Al-Ndで構成された導電層を形成した以外は、実施例1~4と同様にして、実施例5~8のサンプルを得た。得られた実施例5~8のサンプルは、それぞれ、保護層の厚さが異なる。実施例9導電層を形成する際の成膜時間を調整することにより導電層の厚さを薄くした以外は、実施例7と同様にして、実施例9のサンプルを得た。実施例10~13Al-Zr-NbZr:1~1.5at、Nb:0.1~0.5atターゲットを用いて、Al-Zr-Nbで構成された導電層を形成した以外は、実施例1~4と同様にして、実施例10~13のサンプルを得た。得られた実施例10~13のサンプルは、それぞれ、保護層の厚さが異なる。実施例14~16低反射層を形成する際に、Zrターゲットを用いて、酸化Zrで構成された低反射層を形成した以外は、それぞれ、実施例3,7,12と同様にして、実施例14~16のサンプルを得た。得られた実施例14~16のサンプルは、それぞれ、導電層の構成材料が異なる。実施例17~19導電層を形成した後、ArガスとCrターゲットとを用いてスパッタリングを行い、Crで構成されたアシスト層を導電層上に形成し、このアシスト層上に保護層を形成した。アシスト層を形成した以外は、それぞれ、実施例3,7,12と同様にして、実施例17~19のサンプルを得た。得られた実施例17~19のサンプルは、それぞれ、導電層の構成材料が異なる。比較例1~3保護層を形成しなかった以外は、実施例3,7,12と同様にして、比較例1~3のサンプルを得た。得られた比較例1~3のサンプルは、それぞれ、導電層の構成材料が異なる。比較例4各種雰囲気ガスおよびターゲットを用いて、酸化Siで構成された保護層を形成した以外は、実施例12と同様にした。比較例5各種雰囲気ガスおよびターゲットを用いて、Coで構成された保護層を形成した以外は、実施例12と同様にした。比較例6各種雰囲気ガスおよびターゲットを用いて、Moで構成された保護層を形成した以外は、実施例12と同様にした。比較例7各種雰囲気ガスおよびターゲットを用いて、Zrで構成された保護層を形成した以外は、実施例12と同様にした。比較例8各種雰囲気ガスおよびターゲットを用いて、Crで構成された保護層を形成した以外は、実施例7と同様にした。比較例9Ni-Mo-Fe-TaMo:22.5at,Fe:3.5at,Ta:1.0atターゲットを用いて、酸化Ni合金高Moで構成された低反射層を形成し、保護層を形成しなかった以外は、実施例3と同様にして、比較例9のサンプルを得た。比較例10Ni-Mo-Fe-TaMo:10.0at,Fe:3.5at,Ta:1.0atターゲットを用いて、酸化Ni合金低Moで構成された低反射層を形成し、保護層を形成しなかった以外は、実施例3と同様にして、比較例10のサンプルを得た。比較例11低反射層と導電層との間に、酸化Snで構成された層を形成し、保護層を形成しなかった以外は、実施例12と同様にして、比較例11のサンプルを得た。得られた各サンプルについて、下記の評価を行った。評価結果を下記第3表に示す。なお、評価を行わなかった場合には-と記載した。<導電層のガラス基板の第1主面への侵食に対する耐性>焼成後の各サンプルにおいて、導電層Alのガラス基板の第1主面への侵食に対する耐性単に耐侵食性ともいう。を、下記のようにして評価した。まず、焼成後の各サンプルにおけるガラス基板を目視にて観察し、着色の有無を確認した着色。また、焼成後の各サンプルについて、前記FIB装置を用いて断面加工し、前記FE-SEMにて断面を観察することにより、導電層のガラス基板への侵食の有無を確認した断面SEM。さらに、EDXを用いて、ガラス基板中の成分分析を行い、Al成分の検出の有無を確認した成分分析。着色が下記Dよりも濃く断面SEMにて侵食が確認され成分分析で検出されたAl成分の量が下記Dより多量であった場合にはEと評価した。着色が有り断面SEMにて侵食が確認され成分分析でもAl成分が検出された場合にはDと評価した。また、着色は上記Dより低減されたものの断面SEMにて侵食が確認され成分分析でもAl成分が検出された場合にはCと評価した。着色がなく断面SEMで侵食が確認されなかったが成分分析でAl成分がわずかに検出された場合にはBと評価した。着色がなく断面SEMで侵食が確認されず成分分析でもAl成分が検出されなかった場合にはAと評価した。<レーザ加工性>レーザ光の基本条件は、波長λ=1064nmのYAGパルスレーザ光を使用し、フルエンス単位面積当たりのエネルギー量は、8.1J/cm2以下とした。また、パルスレーザの周波数は6kHzとし、パルス幅は40nsとした。このとき、フルエンス6.9J/cm2以下のレーザ光であっても、ダメージを与えることなくパターニングが可能であった場合には、レーザ加工性に非常に優れるものとしてAと評価した。一方、フルエンス6.9~8.1J/cm2のレーザ光でパターニングが可能であった場合には、レーザ加工性にやや優れるものとしてBと評価した。また、フルエンス8.1J/cm2のレーザ光でパターニングが不可だが、フルエンスを更に上げれば例えば10J/cm2以上加工可能であった場合には、レーザ加工性にやや劣るものとしてCと評価した。<低反射性>分光光度計U-4000、日立ハイテクノロジーズ社製を用いて、ガラス基板の第2主面側から、入射角5°として、波長350~800nmの範囲で反射率を測定した。この波長範囲で最低値の反射率Rminともいうが10以下の場合には低反射性に優れるものとしてAと評価し、10超であった場合には低反射性に劣るものとしてBと評価した。前記第3表に示す結果から、実施例1~4と実施例5~8と実施例10~13とを対比すると、導電層の構成材料が合金化されるほど、耐侵食性に優れる傾向にあることが分かった。このような傾向は、低反射層の構成材料を酸化Zrに変更した場合も実施例14~16、アシスト層を設けた場合も実施例17~19、同様であることが分かった。また、実施例7と実施例9とを対比すると、導電層が薄膜化することにより、保護層の厚さが同じ50nmであっても、より耐侵食性に優れることが分かった。また、アシスト層を形成した実施例17~18では、レーザ加工性に優れていた。保護層を設けない場合比較例1~3、保護層の構成材料として酸化Snを選択しない場合比較例4~8等は、耐侵食性に劣ることが分かった。また、比較例9,10においても、充分な耐侵食性は得られないことが分かった。"