ダイシングにより切り分けられた半導体チップを突上げピンで突き上げ、この突き上げられた半導体チップをピックアップする半導体チップのピックアップ方法であって、前記半導体チップを複数の突き上げピンで突き上げる工程と、前記複数の突き上げピンの一部を下降する工程と、突き上げられた前記半導体チップをコレットでピックアップする工程と、を具備することを特徴とする半導体チップのピックアップ方法。前記複数の突き上げピンは、並列に配置されており、前記突き上げピンを下降する工程は、前記並列に配置された複数の突き上げピンの一部を端から順に下降させることを特徴とする請求項1に記載の半導体チップのピックアップ方法。前記並列に配置された複数の突き上げピンの一部を端から順に下降させる際、前記突き上げピンを下降させる度に、前記半導体チップの突き上げ量を所定量ずつ大きくすることを特徴とする請求項2に記載の半導体チップのピックアップ方法。ダイシングにより切り分けられた半導体チップを突き上げピンで突き上げ、この突き上げられた半導体チップをピックアップする半導体チップのピックアップ装置であって、前記半導体チップを突き上げる複数の突き上げピンと、前記複数の突き上げピンを独立して昇降する昇降機構と、突き上げられた前記半導体チップをピックアップするコレットと、を備え、前記昇降機構は、前記複数の突き上げピンで前記半導体チップを突き上げたのち、一部の突き上げピンを下降させ、前記コレットは、前記一部の突き上げピンが下降した後、前記半導体チップをピックアップすることを特徴とする半導体チップのピックアップ装置。前記複数の突き上げピンは、並列に配置されており、前記昇降機構は、前記並列に配置された複数の突き上げピンの一部を端から順に下降させることを特徴とする請求項4に記載の半導体チップのピックアップ装置。前記昇降機構は、前記並列に配置された複数の突き上げピンの一部を端から順に下降させる際、前記突き上げピンを下降させる度に、前記半導体チップの突き上げ量を所定量ずつ大きくすることを特徴とする請求項5に記載の半導体チップのピックアップ装置。前記複数の突き上げピンは、前記半導体チップを突き上げる面が平らであることを特徴とする請求項4乃至請求項6のいずれか1項に記載の半導体チップのピックアップ装置。しかしながら、従来の半導体チップのピックアップ装置では、半導体チップを突き上げる突き上げピンの先端形状が、尖っているもしくは丸みを帯びているため、半導体チップを突き上げる際の接触面積が狭い。このため、突き上げピンにより半導体チップを突き上げる際に半導体チップに応力が加わり易い。加えて、半導体チップの薄形化が進んでいることから、突き上げピンによる突き上げの際に、応力により半導体チップに割れや欠け等の不具合が生じ易くなっている。また、半導体チップ裏面との接触面積が狭いことから、突き上げ時に半導体チップの位置や角度がずれ易い。本発明の実施形態は、突き上げ時の半導体チップへの応力を緩和し、突き上げ時に生じる半導体チップの不具合を抑制できる半導体チップのピックアップ方法及び半導体チップのピックアップ装置を提供することを目的とする。実施形態の半導体チップのピックアップ方法は、半導体チップを複数の突き上げピンで突き上げる工程と、複数の突き上げピンの一部を下降する工程と、突き上げられた半導体チップをコレットでピックアップする工程と、を具備する。以下、図面を参照して、実施形態について詳細に説明する。実施形態図1は、半導体基板1以下、ウェハ1と称するのダイシング工程の説明図である。初めに、図1を参照して、多数の半導体チップCが形成されたウェハ1のダイシング工程について説明する。ウェハ1表面には、多数の半導体チップCが形成されている。ウェハ1は、所定の厚さ例えば、30~80μmとなるまで裏面が研削され、この薄形化したウェハ1はダイシング用の粘着シート2に貼り付けられる。さらに、ウェハ1が貼り付けられた粘着シート2は、金属枠3に外周部を弛みのないように引き伸ばされて貼り付けられる図1a参照。粘着シート2は、例えばPVCポリ塩化ビニールやPETポリエチレンテレフタレート等の伸縮性を有する樹脂のシート基材2a及びこのシート基材2aの片面側ウェハ1側に設けられた粘着剤層2bからなる。この粘着剤層2bは、紫外線UVの照射により硬化して粘着力が低下する性質のものを使用することが好ましい。粘着シート2上に貼り付けられたウェハ1は、半導体チップCごとに切り分けダイシングされる図1b参照。切り分け後は、粘着シート2に紫外線UVを照射して粘着シート2の粘着剤層2bを硬化して粘着力を低下させる図1c。上記ダイシング工程の後、切り分けられた半導体チップCは、所定の検査を行った後、検査に合格した良品だけが、次に説明する実施形態に係る半導体チップCのピックアップ装置でピックアップされる。図2は、実施形態に係る半導体チップCのピックアップ装置10以下、単にピックアップ装置10と称するの構成図である。以下、図2を参照して実施形態に係るピックアップ装置10の構成について説明する。ピックアップ装置10は、固定治具11、突き上げ機構12、X-Yステージ13、シリンダ14、コレット15、駆動機構16、シリンダ17及び制御機構18を備えている。なお、突き上げ機構12及びコレット15は、図示しない真空ポンプに接続されている。固定治具11は、ダイシング工程で切り出された多数の半導体チップCが粘着された粘着シート2の外周部を把持する金属枠3を保持する。突き上げ機構12は、切り出された個々の半導体チップCを裏面側下側から突き上げる。X-Yステージ13は、突き上げ機構12を粘着シート2上の半導体チップCに対して水平方向に駆動し、水平方向の位置決め動作を行う。シリンダ14は、突き上げ機構12を粘着シート2上の半導体チップCに対して垂直方向に駆動する。コレット15は、突き上げ機構12により突き上げられた半導体チップCを吸着してピックアップする。駆動機構16は、コレット15を粘着シート2上の半導体チップCに対して水平方向に駆動し、水平方向の位置決め動作を行う。シリンダ17は、コレット15を、粘着シート2上の半導体チップCに対して垂直方向に駆動する。制御機構18は、ピックアップ装置10全体を制御する。図3aは、突き上げ機構12の断面図である。図3bは、突き上げ機構12の平面図である。以下、図3を参照して、突き上げ機構12の構成を説明する。突き上げ機構12は、吸着ステージ101、複数の突き上げピン102a~102e及び昇降機構103ピンホルダーを備える。吸着ステージ101の表面には、粘着シート2の裏面を吸着するための複数の吸着孔101aがグルーブ溝101c内に設けられている。また、吸着ステージ101の表面中央部には、開口101bが設けられている。各突き上げピン102a~102eの形状は、直方体であり、これら突き上げピン102a~102eが吸着ステージ101の表面中央部に設けられた開口101b内に並列に配置される。また、各突き上げピン102a~102eの表面突き上げ面は、従来の突き上げピンとは異なり、長方形矩形であり、かつ、平ら、すなわち平面となっている。この実施形態では、各突き上げピン102a~102eの表面を平面とすることにより、半導体チップCを突き上げる際の接触面積を広くしている。このため、半導体チップCを突き上げる際に生じる応力を低減できる。また、接触面積が広いので、突き上げ時に半導体チップCの位置や角度がずれる位置ずれが生じにくい。なお、図3では、突き上げピンの数が5つとなっているが、この数に限定されるものではなく、複数個あればよい。昇降機構103は、開口101b内に並列に配置された突き上げピン102a~102eを昇降させる小型のエアシリンダを備える。該エアシリンダは、外部から供給されるエアにより駆動される。昇降機構103は、突き上げピン102a~102eを独立して昇降させるために、突き上げピン102a~102eごとに対応するエアシリンダを備えている。なお、突き上げピン102a~102eを昇降させる機構には、種々のものが適用できる。例えば、電磁式のシリンダや小型モータ等により突き上げピン102a~102eを昇降させるように構成してもよい。昇降機構103は、突き上げピン102a~102eを独立して昇降させることができるため、半導体チップCの大きさによって、昇降させる突き上げピンの数を変更することが可能である。これにより、半導体チップの種類機種に応じて、突き上げピンの数を変更することができる。図4~図6は、この実施形態に係るピックアップ装置10を用いた半導体チップCのピックアップ工程の説明図である。以下、ピックアップ装置10を用いた半導体チップCのピックアップについて図2~図6を参照して説明する。なお、X-Yステージ13、シリンダ14、駆動機構16、シリンダ17及び昇降機構103等は、制御機構18により制御される。工程1:図4a参照駆動機構16を制御して、コレット15をピックアップ対象である半導体チップCの直上部に位置決めするとともに、X-Yステージ13を制御して、突き上げ機構12の吸着ステージ101の開口101b内に設けられた突き上げピン102a~102eをピックアップ対象である半導体チップCの直下に一致するように位置決めする。その後、シリンダ14により突き上げ機構12を上昇させて、吸着ステージ101を粘着シート2の裏面に当接させ、吸着孔101aからの真空引きにより粘着シート2の裏面を真空吸引する。工程2:図4b参照昇降機構103を制御して、吸着ステージ101の開口101b内に並列に配置された突き上げピン102a~102eを同時に、同一の速度で、所定の高さまで上昇させる。突き上げピン102a~102eの上昇により、粘着シート2を介してピックアップ対象である半導体チップCが所定量押し上げられる。なお、ここでいう同時、同一の速度とは、厳密に同時、同一の速度との意味ではなく、半導体チップCに応力による割れや欠け等の不具合が生じない範囲内であれば、厳密に同時、同一の速度でなくともよい。上述したように、実施形態では、突き上げピン102a~102eの表面は、平ら、すなわち平面となっており、かつ、突き上げピン102a~102eが同時に突き上げ動作を行うため、半導体チップCを突き上げる際の接触面積を広くすることができる。このため、半導体チップCを突き上げる際に生じる半導体チップCへの応力を低減することができる。また、突き上げ時に半導体チップCの位置や角度がずれる位置ずれが生じにくい。なお、突き上げピン102a~102eの押し上げ量高さは、粘着シート2を破ることのない量高さとする。使用する粘着シート2によって、シートの伸び量が異なるため、突き上げピン102a~102eの押し上げ量高さは、粘着シート2の伸び量に合わせて適宜調整することが好ましい。工程3:図5a参照突き上げピン102a~102eを所定量上昇した後、昇降機構103を制御して、右端の突き上げピン102eを下降させる。ここで、ピックアップ対象である半導体チップC周辺の粘着シート2は、吸着ステージ101に吸着されており、かつ伸縮性を有することから、半導体チップC端部の粘着シート2は、吸着ステージ101側に引っ張られた状態となっている。このため、突き上げピン102eを下降させると、半導体チップCの裏面と突き上げピン102eと間の粘着シート2が、半導体チップCの裏面から剥がれる。工程4:図5b参照突き上げピン102eを下降させた後、昇降機構103を制御して、さらに突き上げピン102dを下降させる。突き上げピン102dを下降させると、半導体チップCの裏面と突き上げピン102dと間の粘着シート2が、半導体チップCの裏面から剥がれる。なお、図5では、突き上げピン102d、102eまで下降しているが、突き上げピン102cまで下降するようにしてもよい。さらに、図5は、図面に向かって右端から突き上げピン102e及び102dを下降させているが、図面に向かって左端から突き上げピン102a及び102bを下降させるようにしてもよい。右端もしくは左端の突き上げピンを下降させることにより、半導体チップCの裏面が粘着シート2に粘着している面積を狭くすることができる。このため、後述する工程で、半導体チップCをコレット15でピックアップする際に半導体チップに加わる応力を小さくすることができる。工程5:図6a参照シリンダ17を制御して、コレット15の先端部がピックアップ対象である半導体チップCの表面に当接するまで下降させ、ピックアップ対象である半導体チップCを吸着する。工程6:図6b参照シリンダ17を制御して、半導体チップCを吸着したままコレット15を上昇させる。その後、駆動機構16によりピックアップした半導体チップCをリードフレーム上の所定位置にマウントする。他の半導体チップCについても、同様にしてピックアップし、リードフレーム上の所定位置にマウントする。以上のように、この実施形態に係るピックアップ装置10は、突き上げピン102a~102eの表面が平面となっており、かつ、突き上げピン102a~102eが同時に突き上げ動作を行うため、半導体チップCを突き上げる際の接触面積を広くとることができる。このため、半導体チップCを突き上げる際に生じる半導体チップCへの応力を低減することができる。さらに、半導体チップCを突き上げる際の接触面積が広いので、突き上げ時に半導体チップCの位置や角度がずれる位置ずれが生じにくい。また、突き上げピン102a~102eの一部を端から下降させた後に、半導体チップCをピックアップしているので、半導体チップCの裏面が粘着シート2に粘着している面積を狭くすることができる。このため、半導体チップCを次の工程でピックアップする際に半導体チップに加わる応力を小さくすることができる。実施形態の変形例実施形態では、突き上げピン102a~102eを同時に所定量上昇させた後図4b参照、突き上げピンの突き上げ量を一定に保ったまま、つまり半導体チップCの突き上げ量を一定としたまま、突き上げピン102a~102eの一部を端から順に降下させている図5a~図6a参照。しかしながら、突き上げピン102a~102eを同時に所定量上昇させた後、突き上げピン102a~102eの一部を端から順に降下させる度に、突き上げピンの突き上げ量、すなわち半導体チップCの突き上げ量を所定量ずつ大きくしてもよい。このように構成した場合、突き上げピンの突き上げ量が大きくなる度に、半導体チップC端部の粘着シート2が吸着ステージ101側に引っ張られる力が大きくなるため、半導体チップCの裏面から粘着シート2が、半導体チップCの裏面から剥がれ易くなる効果がある。なお、突き上げピン102a~102eを昇降させる機構には、第1の実施形態と同様に種々のものを適用できるが、半導体チップCの突き上げ量を所定量ずつ大きくすることを考慮して、例えば、電磁式のシリンダや小型モータ等、突き上げ量を複数段階に制御できるものを使用することが好ましい。その他の実施形態以上のように、本発明のいくつかの実施形態について説明したが、上記実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図するものではない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を変更しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態や変形が、発明の範囲や要旨に含まれるのと同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。