"プラズマを生成するプラズマ生成手段を有するプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室に連通する処理室と、前記プラズマ生成室と前記処理室との間に配置され、正電圧が印加される加速電極と負電圧が印加される減速電極とを有し、前記プラズマ生成室から前記処理室へイオンビームを引き出す引き出し電極と、前記処理室内に設けられ前記イオンビームが照射される領域に被加工物を搭載する被加工物ホルダーと、を備えたイオンミリング装置であって、前記加速電極は前記イオンビームが通過する複数の第1引き出し穴を有し、前記減速電極は前記加速電極と隙間を隔てて対向し、前記減速電極は前記第1引き出し穴を通過した前記イオンビームが通過する複数の第2引き出し穴を有し、前記第1引き出し穴のエッジと、前記第2引き出し穴のエッジとの間の直交距離が異なるものを含むことを特徴とするイオンミリング装置。請求項1に記載のイオンミリング装置において、前記加速電極は平板状であって、前記減速電極の前記加速電極と対向する面には、前記第2引き出し穴の周縁部に前記減速電極の厚み方向に段差部が設けられていることを特徴とするイオンミリング装置。請求項2に記載のイオンミリング装置において、前記段差部は同心円として複数形成されていることを特徴とするイオンミリング装置。請求項1に記載のイオンミリング装置において、前記加速電極は平板状であって、前記減速電極の前記加速電極と対向する面は、前記加速電極に向かって凸面または凹面となる曲面を有し、前記曲面に前記第2引き出し穴を備えることを特徴とするイオンミリング装置。プラズマを生成するプラズマ生成手段を有するプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室に連通する処理室と、前記プラズマ生成室と前記処理室との間に配置され、正電圧が印加される加速電極と負電圧が印加される減速電極とを有し、前記プラズマ生成室から前記処理室へイオンビームを引き出す引き出し電極と、前記処理室内に設けられ前記イオンビームが照射される領域に被加工物を搭載する被加工物ホルダーと、を備えたイオンミリング装置であって、前記加速電極は前記イオンビームが通過する複数の第1引き出し穴を有し、前記減速電極は前記加速電極と隙間を隔てて対向し、前記減速電極は前記加速電極と対向する面に絶縁性の絶縁パターンが設けられた導電基板であり、かつ前記第1引き出し穴を通過した前記イオンビームが通過する複数の第2引き出し穴を有し、前記加速電極の前記第1引き出し穴のエッジと、向かい合う前記減速電極の前記絶縁パターンが形成されていない前記導電基板表面との間の直交距離が異なるものを含むことを特徴とするイオンミリング装置。請求項5に記載のイオンミリング装置において、前記加速電極は平板状であって、前記減速電極の前記加速電極と対向する面には、前記第2引き出し穴の周縁部に前記減速電極の厚み方向に段差部が設けられていることを特徴とするイオンミリング装置。プラズマを生成するプラズマ生成手段を有するプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室に連通する処理室と、前記プラズマ生成室と前記処理室との間に配置され、正電圧が印加される加速電極と負電圧が印加される減速電極とを有し、前記プラズマ生成室から前記処理室へイオンビームを引き出す引き出し電極と、前記処理室内に設けられ前記イオンビームが照射される領域に被加工物を搭載する被加工物ホルダーと、を備えたイオンミリング装置であって、前記加速電極は前記イオンビームが通過する複数の第1引き出し穴を有し、前記減速電極は前記加速電極と隙間を隔てて対向し、前記減速電極は前記加速電極と対向する面に導電の導電パターンが設けられた絶縁基板であり、かつ前記第1引き出し穴を通過した前記イオンビームが通過する複数の第2引き出し穴を有し、前記第1引き出し穴のエッジと、前記減速電極の前記導電パターンとの間の直交距離が異なるものを含むことを特徴とするイオンミリング装置。請求項7に記載のイオンミリング装置において、前記加速電極は平板状であって、前記減速電極の前記加速電極と対向する面には、前記第2引き出し穴の周縁部に前記減速電極の厚み方向に段差部が設けられていることを特徴とするイオンミリング装置。従来のイオンミリング装置では、被加工物の表面を均一に加工することに主眼がおかれ、1回の加工で深さの異なる加工はできない。このため、例えば、1つの被加工物で深さが異なる加工する場合には、所定の深さまで加工した後、加工をしない部分をマスクして再度加工をする必要がある。このように、1つの被加工物で深さの異なる加工では、複数の工程を経る必要がある。本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。[適用例1]本適用例にかかるイオンミリング装置は、プラズマを生成するプラズマ生成手段を有するプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室に連通する処理室と、前記プラズマ生成室と前記処理室との間に配置され、正電圧が印加される加速電極と負電圧が印加される減速電極とを有し、前記プラズマ生成室から前記処理室へイオンビームを引き出す引き出し電極と、前記処理室内に設けられ前記イオンビームが照射される領域に被加工物を搭載する被加工物ホルダーと、を備えたイオンミリング装置であって、前記加速電極は前記イオンビームが通過する複数の第1引き出し穴を有し、前記減速電極は前記加速電極と隙間を隔てて対向し、前記減速電極は前記第1引き出し穴を通過した前記イオンビームが通過する複数の第2引き出し穴を有し、前記第1引き出し穴のエッジと、前記第2引き出し穴のエッジとの間の直交距離が異なるものを含むことを特徴とする。この構成によれば、正電位が印加される加速電極の第1引き出し穴のエッジと、負電位が印加される減速電極の第2引き出し穴のエッジとの間の直交距離が異なるものを含んでいる。そして、加速電極と減速電極との間には一定の電位差が生じている。このため、第1引き出し穴と第2引き出し穴との直交距離が小さい場合には両電極間の等電位線の密度が高く、この直交距離が大きい場合には等電位線の密度が低くなる。加速電極と減速電極との間の等電位線の密度が高い場合、多くのイオンを引き出すことができ、等電位線の密度が低い場合は引き出すイオンが少ない。イオンの放出量が多ければ基板などの被加工物の加工量を大きくでき、イオンの放出量に応じて基板などの被加工物の加工量を変えることができる。このようにして、イオンを放出する第1引き出し穴のエッジと第2引き出し穴のエッジの間の直交距離を異ならせることで、引き出し穴からのイオン放出量を制御でき、1回の加工で深さの異なるイオンミリング加工をすることが可能となる。なお、本明細書で直交距離とは、導電性を有する導電部と導電部との間で概ね直交する距離または最短距離のことを言う。つまり、一点を基準にして、電位差の生じる最も短い距離のことを言う。[適用例2]上記適用例にかかるイオンミリング装置において、前記加速電極は平板状であって、前記減速電極の前記加速電極と対向する面には、前記第2引き出し穴の周縁部に前記減速電極の厚み方向に段差部が設けられていることが望ましい。この構成によれば、減速電極の加速電極と対向する面には、第2引き出し穴の周縁部に減速電極の厚み方向に段差部が設けられている。このように、段差部を設けることで容易に第1引き出し穴のエッジと第2引き出し穴のエッジとの直交距離を変えることができる。[適用例3]上記適用例にかかるイオンミリング装置において、前記段差部は同心円として複数形成されていることが望ましい。この構成によれば、段差部が同心円状に複数形成されているため、漸次、第1引き出し穴のエッジと第2引き出し穴のエッジとの直交距離を変更でき、被加工物を凸状または凹状に加工することができる。[適用例4]上記適用例にかかるイオンミリング装置において、前記加速電極は平板状であって、前記減速電極の前記加速電極と対向する面は、前記加速電極に向かって凸面または凹面となる曲面を有し、前記曲面に前記第2引き出し穴を備えることが望ましい。この構成によれば、加速電極に向かって凸面または凹面となる曲面を有し、この曲面に第2引き出し穴が形成されている。このため、被加工物を連続した凸面または凹面となる曲面を有する形状に加工することが可能である。[適用例5]本適用例にかかるイオンミリング装置は、プラズマを生成するプラズマ生成手段を有するプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室に連通する処理室と、前記プラズマ生成室と前記処理室との間に配置され、正電圧が印加される加速電極と負電圧が印加される減速電極とを有し、前記プラズマ生成室から前記処理室へイオンビームを引き出す引き出し電極と、前記処理室内に設けられ前記イオンビームが照射される領域に被加工物を搭載する被加工物ホルダーと、を備えたイオンミリング装置であって、前記加速電極は前記イオンビームが通過する複数の第1引き出し穴を有し、前記減速電極は前記加速電極と隙間を隔てて対向し、前記減速電極は前記加速電極と対向する面に絶縁性の絶縁パターンが設けられた導電基板であり、かつ前記第1引き出し穴を通過した前記イオンビームが通過する複数の第2引き出し穴を有し、前記加速電極の前記第1引き出し穴のエッジと、向かい合う前記減速電極の前記絶縁パターンが形成されていない前記導電基板表面との間の直交距離が異なるものを含むことを特徴とする。この構成によれば、減速電極は導電基板に絶縁性の絶縁パターンが設けられて形成されている。そして、加速電極の第1引き出し穴のエッジと、減速電極の第2引き出し穴の周辺の絶縁パターンが形成されていない導電基板表面との間の直交距離が異なるものを含んでいる。そして、加速電極と減速電極との間には一定の電位差が生じている。このため、第1引き出し穴と第2引き出し穴の周辺の絶縁パターンが形成されていない導電基板表面との間の直交距離が小さい場合には両電極間の等電位線の密度が高く、この直交距離が大きい場合には等電位線の密度が低くなる。加速電極と減速電極との間の等電位線の密度が高い場合、多くのイオンを引き出すことができ、等電位線の密度が低い場合は引き出すイオンが少ない。イオンの放出量が多ければ基板などの被加工物の加工量を大きくでき、イオンの放出量に応じて基板などの被加工物の加工量を変えることができる。このようにして、イオンを放出する第1引き出し穴のエッジと第2引き出し穴の周辺の絶縁パターンが形成されていない導電基板表面との間の直交距離を異ならせることで、引き出し穴からのイオン放出量を制御でき、1回の加工で深さの異なるイオンミリング加工をすることが可能となる。[適用例6]上記適用例にかかるイオンミリング装置において、前記加速電極は平板状であって、前記減速電極の前記加速電極と対向する面には、前記第2引き出し穴の周縁部に前記減速電極の厚み方向に段差部が設けられていることが望ましい。この構成によれば、減速電極の加速電極と対向する面には、第2引き出し穴の周縁部に減速電極の厚み方向に段差部が設けられている。このように、段差部を設けることで第1引き出し穴のエッジと第2引き出し穴の周辺の絶縁パターンが形成されていない導電基板表面との間の直交距離を変えることができる。[適用例7]本適用例にかかるイオンミリング装置は、プラズマを生成するプラズマ生成手段を有するプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室に連通する処理室と、前記プラズマ生成室と前記処理室との間に配置され、正電圧が印加される加速電極と負電圧が印加される減速電極とを有し、前記プラズマ生成室から前記処理室へイオンビームを引き出す引き出し電極と、前記処理室内に設けられ前記イオンビームが照射される領域に被加工物を搭載する被加工物ホルダーと、を備えたイオンミリング装置であって、前記加速電極は前記イオンビームが通過する複数の第1引き出し穴を有し、前記減速電極は前記加速電極と隙間を隔てて対向し、前記減速電極は前記加速電極と対向する面に導電の導電パターンが設けられた絶縁基板であり、かつ前記第1引き出し穴を通過した前記イオンビームが通過する複数の第2引き出し穴を有し、前記第1引き出し穴のエッジと、前記減速電極の前記導電パターンとの間の直交距離が異なるものを含むことを特徴とする。この構成によれば、減速電極の絶縁基板に加速電極と対向する面に、導電性の導電パターンが設けられて形成されている。そして、加速電極の第1引き出し穴のエッジと、向かい合う減速電極の第2引き出し穴の周辺の前記導電パターンとの間の直交距離が異なるものを含んでいる。そして、加速電極と減速電極との間には一定の電位差が生じている。このため、第1引き出し穴と第2引き出し穴の周辺の導電パターンとの間の直交距離が小さい場合には等電位線の密度が高く、この直交距離が大きい場合には等電位線の密度が低くなる。加速電極と減速電極との間の等電位線の密度が高い場合、多くのイオンを引き出すことができ、等電位線の密度が低い場合は引き出すイオンが少ない。イオンの放出量が多ければ基板などの被加工物の加工量を大きくでき、イオンの放出量に応じて基板などの被加工物の加工量を変えることができる。このようにして、イオンを放出する第1引き出し穴のエッジと、第2引き出し穴の周辺の導電パターンとの直交距離を異ならせることで、引き出し穴からのイオン放出量を制御でき、1回の加工で深さの異なるイオンミリング加工をすることが可能となる。[適用例8]上記適用例にかかるイオンミリング装置において、前記加速電極は平板状であって、前記減速電極の前記加速電極と対向する面には、前記第2引き出し穴の周縁部に前記減速電極の厚み方向に段差部が設けられていることが望ましい。この構成によれば、減速電極の加速電極と対向する面には、第2引き出し穴の周縁部に減速電極の厚み方向に段差部が設けられている。このように、段差部を設けることで第1引き出し穴のエッジと第2引き出し穴の周辺の導電パターンとの間の直交距離を変えることができる。以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の寸法の割合を適宜変更している。第1実施形態<イオンミリング装置の構成>図1は本実施形態のイオンミリング装置の構成を示す模式図である。図2は減速電極の構成を示す平面図および断面図である。図3は本実施形態のイオンミリング装置で加工された基板の形状を示す断面図である。イオンミリング装置1は、プラズマを生成するプラズマ生成手段を有するプラズマ生成室10と、プラズマ生成室10からイオンビームを引き出す引き出し電極20と、引き出されたイオンビームが導入される処理室30と、を備えている。プラズマ生成室10は、高周波プラズマ室11と、これに連結するプラズマ拡張室14とから構成されている。高周波プラズマ室11は石英円筒管12に高周波コイル13が巻かれて形成され、ガス導入口17から外部よりArなどの放電ガスが供給できる構成となっている。高周波コイル13には高周波電源16が接続され、高周波コイル13に高周波電力が供給される。そして、高周波プラズマ室11に連結されたプラズマ拡張室14は、高周波プラズマ室11よりも大きな径を持って形成され、外周に多極の永久磁石15a,15bが配置されている。永久磁石15aは、プラズマ拡張室14の外周に配置され、隣り合う永久磁石は反対の極となるように配置されている。永久磁石15bも同様に、隣り合う永久磁石は反対の極となるように配置されている図示せず。この永久磁石15a,15bは、磁力線によりプラズマをプラズマ拡張室14に閉じ込めるとともに、放電領域に磁界をかけてイオンの飛程距離を長くしてイオン化率を増大させる機能を有する。このように、本実施形態におけるイオンミリング装置1のプラズマ生成手段は高周波放電を利用した高周波イオン源が用いられている。なお、プラズマ生成手段としてフィラメントを用い直流放電を利用したイオン源であってもよい。プラズマ拡張室14の処理室30との間には引き出し電極20が配置されている。引き出し電極20は、加速電極21、減速電極22の2枚の電極から構成され、電極取り付け板38に取り付けられている。この引き出し電極20は、プラズマの生成源に近い方から加速電極21、減速電極22の順に隙間を隔てて対向配置されている。各電極は導電性で円板状に形成され、モリブデンなどの高融点材料が用いられている。なお、加速電極21と減速電極22との隙間は1.5~2mm程度に設定されている。そして、加速電極21にはイオンビームが通過する多数の第1引き出し穴23が形成され、減速電極22にはイオンビームが通過する多数の第2引き出し穴24が形成されている。第1引き出し穴23、第2引き出し穴24は径が1~2mm程度の円形の貫通穴であり、一つの第1引き出し穴23に対して、一つの第2引き出し穴24が備えられ、両者はほぼ同一の径で形成されている。この第1引き出し穴23および第2引き出し穴24は平面視において重なるように配置され、イオンビームが損失なく加速電極21から減速電極22を経て処理室30に引き出せるように構成されている。加速電極21は平板状に形成され、減速電極22は、加速電極21と向かい合う面において、減速電極22の厚み方向に段差部が設けられている。図2aは減速電極22の構成を示す平面図であり、図2bは同図aのA-A断線に沿う断面図である。減速電極22の一面には同心円状に段差部25a,25b,25cが形成され、中央部に向かって凹形状となっている。減速電極22の外周側より段差部25aが形成され、その内周側に段差部25b、さらに内周側に段差部25cが設けられている。段差部25aと段差部25bの間には平面状に形成された第1平面26aが設けられ、段差部25bと段差部25cの間には平面状に形成された第2平面26bが設けられている。そして、減速電極22の中央には段差部25cに囲まれた平面状の第3平面26cが設けられている。そして、第1平面26a,第2平面26b,第3平面26cにはそれぞれ多数の第2引き出し穴24が形成されている。このような減速電極22の形状から、加速電極21と減速電極22との隙間が第1平面26a,第2平面26b,第3平面26cのそれぞれにおいて異なることになる。減速電極22は中央部に向かって凹形状となっているため、第1平面26aが加速電極21に一番近く、第3平面26cが加速電極21に一番遠い配置になっている。図1に戻り、加速電極21には加速電源35が接続され、減速電極22には減速電源36が接続されている。加速電源35からは500Vから2000Vの間の電圧が加速電極21に印加され、減速電源36からは-100Vから-500Vの間の電圧が減速電極22に印加される。これらの加速電極21および減速電極22に印加する電圧を調整することによって、引き出し電極20から引き出されるイオンビームのエネルギーを調整することができる。また、引き出し電極20として、接地電極を被加工物側に設けてもよい。接地電極は接地、または接地に対して-100V未満の電圧が印加されるものであり、イオンビームの安定的な引き出しに効果がある。そして、処理室30にはマイクロ波プラズマニュートライザー31が配置されている。マイクロ波プラズマニュートライザー31は、引き出し電極20の下流にマイクロ波放電によるプラズマを生成する。この、マイクロ波放電によるプラズマは、基板などの被加工物の表面にイオンビームが照射されて帯電するのを防止するための電子供給源として用いられる。処理室30には、排気装置図示せずが接続され、処理室30およびそれに連結されるプラズマ拡張室14、高周波プラズマ室11を減圧状態に保つことが可能である。そして、処理室30には基板などの被加工物を保持する基板ホルダー32が設置されている。基板ホルダー32は円板状に形成され、基板ホルダー32の中心部に軸が設けられて軸を中心に回転可能に形成されている。また、基板ホルダー32は、被加工物の材質により所望の加工速度ミリングレートに合わせて、イオンビームに対して傾いて配置されている。さらに、引き出し電極20と基板ホルダー32との間に、シャッターを設けても良い。シャッターは基板ホルダー32に保持された被加工物に対してイオンビームを照射するときにはシャッターを開き、イオンビームを照射しないときにはシャッターを閉じてイオンビームの照射を制御することができる。なお、処理室30はイオンビームの導入の安定性を確保するために電気的に接地された状態となっている。<イオンミリング装置の動作>次に、上記のイオンミリング装置1の動作について説明する。排気装置により、処理室30、プラズマ生成室10、が排気され、その後、一定流量の放電ガスが各イオンガンの高周波プラズマ室11に供給される。そして、高周波コイル13に高周波電力を印加すると、放電ガスが放電しプラズマが高周波プラズマ室11に生成する。生成されたプラズマはプラズマ拡張室14に拡張する。プラズマ拡張室14からイオンが引き出し電極20を用いてイオンビームとして処理室30に引き出される。処理室30に導入されたイオンビームは、回転する基板ホルダー32に保持された被加工物に照射してイオンミリング加工が行われる。本実施形態では、加速電極21と減速電極22の間の隙間が第1平面26aで加速電極21に一番近く、第3平面26cで加速電極21に一番遠い配置になっている。このため、イオンミリング加工された基板40は、図3に示すように、段差部42a,42bを有する凸形状となる。<イオンビームの引き出しについて>ここで、本実施形態の引き出し電極からのイオンビームの引き出しについて詳細に説明する。図4は、引き出し電極を用いてプラズマ雰囲気からイオンを引き出すことを説明する模式図である。図4aに示すように、第1引き出し穴23が形成された加速電極21と、第2引き出し穴24が形成された減速電極22とは、両者の直交距離H1を隔てて平行に配置されている。加速電極21には正の電圧が印加され、減速電極22には負-の電圧が印加されている。このため、加速電極21と減速電極22との間には電位差が生じている。この電極間の等電位線Lについて考察すると、平行平板の電極が対向している部分では、電極に沿って平行な等電位線Lとなり、電位差が大きいと等電位線の密度が高くなる。そして、第1引き出し穴23および第2引き出し穴24が形成された部分では、等電位線Lが変形し、電極間の中央を挟んで各引き出し穴に近い方に引き寄せられたように、曲線状の等電位線Lとなる。なお、等電位線とは電場中で電位が一定となる点を結んだ仮想の線のことである。このような状態において、加速電極21の減速電極22と対向する面とは反対の面の側にプラズマ雰囲気4が生成されていると、イオン5が加速電極21の第1引き出し穴23に引き寄せられ、等電位線Lと直交する電場電界に沿って移動する。このことから、イオン5はプラズマ雰囲気4から加速電極21の第1引き出し穴23を経て減速電極22の第2引き出し穴24からイオンビーム6として放出される。次に、図4bに示すように、加速電極21と減速電極22との間の隙間が大きくなった場合について説明する。加速電極21と減速電極22との直交距離H2は、図4aで説明した直交距離H1に対して、H1<H2の関係にある。また、加速電極21の減速電極22との間には図4aで説明したのと同じ電位差が生じているものとする。このとき、加速電極21と減速電極22との間の等電位線Lは、上記図4aと同様な等電位線Lとなるが、電極間の直交距離が大きくなるため等電位線Lの密度が低くなる。このような状態において、加速電極21の減速電極22と対向する面とは反対の面の側にプラズマ雰囲気4が生成されていると、イオン5はプラズマ雰囲気4から加速電極21の第1引き出し穴23を経て減速電極22の第2引き出し穴24からイオンビーム6として放出されるが、等電位線Lの密度が低いため放出されるイオン5の量も低下する。次に、本実施形態における電極表面に段差部を設けて電極間の隙間寸法を変化させることでイオン放出量を制御する例について説明する。図5は引き出し電極の隙間と基板のイオンミリング加工について説明する模式図である。引き出し電極20は、加速電極21と減速電極22が隙間を隔てて対向配置されている。減速電極22の加速電極21と対向する面には減速電極22の厚み方向に段差となる段差部25a,25b,25cが設けられ、第1引き出し穴23と第2引き出し穴24との隙間寸法が異なるように形成されている。詳しくは、加速電極21の第1引き出し穴23のエッジ23aと、減速電極22の第2引き出し穴24とのエッジ24aとの間の直交距離が異なるように構成されている。減速電極22には、段差部25aに繋がる第1平面26aと、段差部25bに繋がる第2平面26bと、段差部25cに繋がる第3平面26cが形成されている。そして、第1平面26a、第2平面26b、第3平面26cは加速電極21と対向している。第1引き出し穴23のエッジ23aと第1平面26aに形成された第2引き出し穴24とのエッジ24aとの間の直交距離h1、第1引き出し穴23のエッジ23aと第2平面26bに形成された第2引き出し穴24のエッジ24aとの間の直交距離h2、第1引き出し穴23のエッジ23aと第3平面26cに形成された第2引き出し穴24とのエッジ24aとの間の直交距離h3、とすると、h1<h2<h3の関係にある。加速電極21と減速電極22の間には電位差が生じており、第1引き出し穴23のエッジ23aと第2引き出し穴24のエッジ24aとの間の直交距離h1,h2,h3に応じてイオン放出がなされる。つまり、直交距離の小さい方が、イオンの放出量が多くなる。このことから、例えば、図5に示すように、それぞれのイオンビーム6に対応して加工部分を除きレジスト41を塗布した基板40では、イオンビーム6による基板の加工量がそれぞれ異なることになる。直交距離の小さい第2引き出し穴24からはイオン放出量が多く、基板40を深く加工ができる。直交距離の大きい第2引き出し穴24からはイオン放出量が少なく、基板40の加工は浅くなる。以上、本実施形態のイオンミリング装置1は、加速電極21の第1引き出し穴23のエッジ23aと、減速電極22の第2引き出し穴24のエッジ24aとの間の直交距離が異なるものを含んでいる。減速電極22の加速電極21と対向する面には、第2引き出し穴24の周縁部に減速電極22の厚み方向に段差部25a,25b,25cが設けられている。このため、第1引き出し穴23と第2引き出し穴24との直交距離が小さい場合には等電位線Lの密度が高く、この直交距離が大きい場合には等電位線Lの密度が低くなる。加速電極21と減速電極22との間の等電位線Lの密度が高い場合、多くのイオン5を引き出すことができ、等電位線Lの密度が低い場合は引き出すイオン5が少ない。このようにして、イオン5を放出する第1引き出し穴23のエッジ23aと第2引き出し穴24のエッジ24aの間の直交距離を異ならせることで、引き出し穴からのイオン放出量を制御でき、1回の加工で深さの異なるイオンミリング加工をすることが可能となる。例えば、本実施形態のイオンミリング装置を用いて、1つの基板内に深さの異なる溝を形成するなど複雑なパターンを形成することができる。なお、本実施形態では減速電極22の厚み方向に段差部25a,25b,25cを設けたが、逆に加速電極21の厚み方向に段差部を設けても良い。さらに、両者の電極に段差部を設けて電極間の直交距離を変化させてもよい。第1実施形態の変形例次に、第1実施形態のおけるイオンミリング装置の変形例について説明する。本変形例では引き出し電極の形状のみが第1実施形態と異なり、この引き出し電極について説明する。図6は第1実施形態の変形例における引き出し電極の構成を示す模式図である。引き出し電極20は、加速電極21と減速電極22を備え、両者は隙間を隔てて対向配置されている。そして、加速電極21にはイオンビーム6が通過する第1引き出し穴23が形成され、減速電極22にはイオンビーム6が通過する第2引き出し穴24が形成されている。減速電極22の加速電極21と対向する面は、加速電極21に向かって凸となるように曲面Rで形成されている。この曲面Rには第2引き出し穴24が形成され、第1引き出し穴23と第2引き出し穴24との隙間が異なるものが含まれている。詳しくは、加速電極21の第1引き出し穴23のエッジ23aと減速電極22の第2引き出し穴24とのエッジ24aとの間の直交距離が異なる。本変形例では、第1引き出し穴23のエッジ23aと減速電極22の中央部に形成された第2引き出し穴24とのエッジ24aとの間の直交距離h11、第1引き出し穴23のエッジ23aと減速電極22の周辺に形成された第2引き出し穴24のエッジ24aとの間の直交距離h12、h13、とすると、h11<h12=h13の関係にある。加速電極21と減速電極22の間には電位差が生じており、第1引き出し穴23のエッジ23aと第2引き出し穴24とのエッジ24aの間の直交距離h11,h12,h13に応じてイオン放出がなされる。つまり、加速電極21に一番近い中央部はイオンの放出量が多く、他はそれに比べてイオン放出量が少ない。このことから、例えば、基板40にイオンビーム6を照射して加工すると、中央部は加工量が多く、その周辺は加工量が少なく減速電極22の曲面Rが転写されたような凹部が形成される。このように、加速電極21と向かい合う減速電極22の面に曲面Rを設けることで、第1引き出し穴23のエッジ23aと第2引き出し穴24のエッジ24aとの間の直交距離を1組の引き出し電極20の中で変えることができる。そして、この直交距離に応じたイオンビーム6による加工量を確保することができる。なお、本変形例では減速電極22を加速電極21に向かって凸形状の曲面としたが、凹形状の曲面としてもよい。この場合、中央部の加工が少なく中央部が凸となる形状に加工することができる。このように、被加工物を任意の形状に加工することが可能である。また、本変形例では減速電極22の表面に曲面Rを設けたが、逆に加速電極21に曲面Rを設けても良い。さらに、両者の電極に曲面Rを設けて電極間の直交距離を変化させてもよい。第2実施形態次に第2実施形態のイオンミリング装置について説明する。本実施形態では引き出し電極の構成のみが第1実施形態と異なるため、引き出し電極について説明し、他の構成要素の説明は省略する。図7は第2実施形態における引き出し電極の構成を示す模式図である。図8は第2引き出し穴と絶縁パターンの構成を示す平面図である。引き出し電極20は、加速電極21と減速電極22を備え、両者は隙間を隔てて対向配置されている。そして、加速電極21にはイオンビーム6が通過する第1引き出し穴23が形成され、減速電極22にはイオンビーム6が通過する第2引き出し穴24が形成されている。減速電極22は導電性の導電基板22aと、加速電極21と対向する面に形成された絶縁パターン22bから構成されている。導電基板22aはステンレススチール、アルミニウム、高密度カーボンなどの材料で形成されている。絶縁パターン22bは、図8に示すように、一部の第2引き出し穴24の外縁部に同心円状に形成されている。また、同心円の大きさも異なるように形成されている。この絶縁パターン22bは、酸化シリコンなどの薄膜にフォトリソグラフィー技術を用いてパターニングされている。第2引き出し穴24の外周縁に絶縁パターン22bが形成されていないところでは、第1引き出し穴23のエッジ23aと第2引き出し穴24とのエッジ24aとの間が電位差のかかる直交距離h21となる。これに対して、第2引き出し穴24の外周縁に絶縁パターン22bが形成されているところでは、第1引き出し穴23のエッジ23aからの直交距離である絶縁パターン22bの外周の導電基板22aとの境部24bとの間が電位差のかかる直交距離h22となる。そして、直交距離は、h21<h22となる関係にある。このように、第2引き出し穴24の外周縁に絶縁パターン22bを形成することで、引き出し電極20の中で直交距離が異なるように構成することができる。ここで、本実施形態の引き出し電極からイオンビームの引き出しについて詳細に説明する。図9はプラズマ雰囲気からイオンの引き出しを説明する模式図である。図9aに示すように、第1引き出し穴23が形成された加速電極21と、第2引き出し穴24が形成された減速電極22とは、両者の電位差がかかる直交距離H1を隔てて平行に配置されている。この電極間の等電位線Lについて考察すると、平行平板の電極が対向している部分では、電極に沿って平行な等電位線Lとなり、第1引き出し穴23および第2引き出し穴24が形成された部分では、中央を挟んで各引き出し穴に近い方に引き寄せられた曲線状の等電位線Lとなる。これに対して、図9bに示すように、第1引き出し穴23のエッジ23aから絶縁パターン22bの外周の導電基板22aとの境との間が電位差のかかる直交距離H2となる。この直交距離はH1<H2となり、電極間の隙間寸法が大きくなった効果がある。つまり、加速電極21と減速電極22との間の等電位線Lは、上記図9aと比べて等電位線Lの密度が低くなる。このような状態において、加速電極21の減速電極22と対向する面とは反対の面の側にプラズマ雰囲気4が生成されていると、イオン5はプラズマ雰囲気4から加速電極21の第1引き出し穴23を経て減速電極22の第2引き出し穴24からイオンビーム6として放出されるが、等電位線Lの密度が低いため放出されるイオン5の量は図9aの状態と比べて低下する。このことから、例えば、図7に示すように、それぞれのイオンビーム6に対応して加工部分を除きレジスト41を塗布した基板40では、イオンビーム6による基板の加工量がそれぞれ異なることになる。直交距離の小さい第2引き出し穴24からはイオン放出量が多く、基板40を深く加工ができる。直交距離の大きい第2引き出し穴24からはイオン放出量が少なく、基板40の加工は浅くなる。このようにして、第2引き出し穴24の外周縁に絶縁パターン22bを形成することで、引き出し穴からのイオン放出量を制御でき、1回の加工で深さの異なるイオンミリング加工をすることが可能となる。なお、本変形例では減速電極22の表面に絶縁パターン22bを設けたが、逆に加速電極21に絶縁パターン22bを設けても良い。第2実施形態の変形例次に、第2実施形態のおけるイオンミリング装置の変形例について説明する。本変形例では引き出し電極の形状のみが第2実施形態と異なり、この引き出し電極について説明する。本変形例では、減速電極に段差部と絶縁パターンを設けることで、イオン放出量の制御を行う。図10は、第2実施形態の変形例における引き出し電極の構成を示す模式図である。引き出し電極20は、加速電極21と減速電極22を備え、両者は隙間を隔てて対向配置されている。減速電極22の加速電極21と対向する面には段差部25a,25b,25cが設けられ、第1引き出し穴23と第2引き出し穴24との隙間寸法が異なるように形成されている。さらに、一部の第2引き出し穴24の外周縁には絶縁パターン22bが形成されている。絶縁パターン22bは第2引き出し穴24と同心円状に設けられている。また、同心円の大きさも異なるように形成されている。第2引き出し穴24の外周縁に絶縁パターン22bが形成されていないところでは、第1引き出し穴23のエッジ23aと第2引き出し穴24のエッジ24aとの間が電位差のかかる直交距離h31となる。これに対して、第2引き出し穴24の外周縁に絶縁パターン22bが形成されているところでは、第1引き出し穴23のエッジ23aから絶縁パターン22bの外周の導電基板22aとの境との間が電位差のかかる直交距離h32,33となる。そして、直交距離は、h31<h32<h33となる関係にある。このように、減速電極22に段差部25a,25b,25cを設け、さらに第2引き出し穴24の外周縁に絶縁パターン22bを形成することで、引き出し電極20の中で直交距離が異なるように構成することができる。加速電極21と減速電極22の間には電位差が生じており、第1引き出し穴23のエッジとの間の直交距離h31,h32,h33に応じてイオン放出がなされる。つまり、直交距離の小さい方が、イオンの放出量が多くなる。このことから、例えば、図10に示すように、それぞれのイオンビーム6に対応して加工部分を除きレジスト41を塗布した基板40では、イオンビーム6による基板の加工量がそれぞれ異なることになる。直交距離の小さい第2引き出し穴24からはイオン放出量が多く、基板40を深く加工ができる。直交距離の大きい第2引き出し穴24からはイオン放出量が少なく、基板40の加工は浅くなる。このように、本変形例では第1、第2実施形態と同様な効果を有することができる。第3実施形態次に第3実施形態のイオンミリング装置について説明する。本実施形態では引き出し電極の構成のみが第1実施形態と異なるため、引き出し電極について説明し、他の構成要素の説明は省略する。図11は第2実施形態における引き出し電極の構成を示す模式図である。引き出し電極20は、加速電極21と減速電極22を備え、両者は隙間を隔てて対向配置されている。そして、加速電極21にはイオンビーム6が通過する第1引き出し穴23が形成され、減速電極22にはイオンビーム6が通過する第2引き出し穴24が形成されている。減速電極22は絶縁性の絶縁基板22cと、加速電極21と対向する面に形成された導電パターン22dから構成されている。絶縁基板22cはアルミナなどの材料で形成されている。導電パターン22dは、第2引き出し穴24の外縁部に同心円状に形成されている。一部の導電パターン22dは、第2引き出し穴24の外周縁に沿って形成され、他の導電パターン22dは、第2引き出し穴24の外周縁から隙間をあけて同心円状に形成されている。この導電パターン22dは、金などの導電材料がメッキまたは印刷などにより形成されている。第2引き出し穴24の外周縁に沿って導電パターン22dが形成されているところでは、第1引き出し穴23のエッジ23aと導電パターン22dの端部24cとの間が電位差のかかる直交距離h41となる。これに対して、第2引き出し穴24の外周縁から離れて導電パターン22dが形成されているところでは、第1引き出し穴23のエッジ23aから導電パターン22dの端部24cとの間が電位差のかかる直交距離h42となる。そして、直交距離は、h41<h42となる関係にある。このように、第2引き出し穴24の外周縁およびその周辺に導電パターン22dを形成することで、引き出し電極20の中で直交距離が異なるように構成することができる。ここで、本実施形態の引き出し電極からのイオンビームの引き出しについて詳細に説明する。図12はプラズマ雰囲気からイオンの引き出しを説明する模式図である。図12aに示すように、第1引き出し穴23が形成された加速電極21と、第2引き出し穴24が形成された減速電極22とは、両者の電位差がかかる直交距離H1を隔てて平行に配置されている。第2引き出し穴24の外周に沿って導電パターン22dが形成されているため、第1引き出し穴23のエッジ23aと、導電パターン22dの端部24cとの間が直交距離H1となる。この電極間の等電位線Lについて考察すると、平行平板の電極が対向している部分では、電極に沿って平行な等電位線Lとなり、第1引き出し穴23および第2引き出し穴24が形成された部分では、中央を挟んで各引き出し穴に近い方に引き寄せられた曲線状の等電位線Lとなる。これに対して、図12bに示すように、第1引き出し穴23のエッジ23aから導電パターン22dの端部24cとの間が電位差のかかる直交距離H2となる。この直交距離はH1<H2となり、電極間の隙間寸法が大きくなった効果がある。つまり、加速電極21と減速電極22との間の等電位線Lは、上記図9aと比べて等電位線Lの密度が低くなる。このような状態において、加速電極21の減速電極22と対向する面とは反対の面の側にプラズマ雰囲気4が生成されていると、イオン5はプラズマ雰囲気4から加速電極21の第1引き出し穴23を経て減速電極22の第2引き出し穴24からイオンビーム6として放出されるが、等電位線Lの密度が低いため放出されるイオン5の量は図12aの状態と比べて低下する。このことから、例えば、図11に示すように、それぞれのイオンビーム6に対応して加工部分を除きレジスト41を塗布した基板40では、イオンビーム6による基板の加工量がそれぞれ異なることになる。直交距離の小さい第2引き出し穴24からはイオン放出量が多く、基板40を深く加工ができる。直交距離の大きい第2引き出し穴24からはイオン放出量が少なく、基板40の加工は浅くなる。このようにして、第2引き出し穴24の外周縁およびその周辺に導電パターン22dを形成することで、引き出し穴からのイオン放出量を制御でき、1回の加工で深さの異なるイオンミリング加工をすることが可能となる。なお、本変形例では減速電極22の表面に導電パターン22dを設けたが、逆に加速電極21を絶縁基板で構成し、その表面に導電パターン22dを設けても良い。第3実施形態の変形例次に、第3実施形態のおけるイオンミリング装置の変形例について説明する。本変形例では引き出し電極の形状のみが第2実施形態と異なり、この引き出し電極について説明する。本変形例では、減速電極に段差部と導電パターンを設けることで、イオン放出量の制御を行う。図13は、第3実施形態の変形例における引き出し電極の構成を示す模式図である。引き出し電極20は、加速電極21と減速電極22を備え、両者は隙間を隔てて対向配置されている。減速電極22の加速電極21と対向する面には段差部25a,25b,25cが設けられ、第1引き出し穴23と第2引き出し穴24との隙間寸法が異なるように形成されている。さらに、第2引き出し穴24の外周縁またはその周辺には導電パターン22dが形成されている。減速電極22には第2引き出し穴24の外周縁に沿って導電パターン22dが設けられ箇所と、第2引き出し穴24の外周縁から間隔をあけて同心円状に導電パターン22dが設けられる箇所とを有している。第2引き出し穴24の外周縁に導電パターン22dが形成されているところでは、第1引き出し穴23のエッジ23aと導電パターン22dの端部24cとの間が電位差のかかる直交距離h51となる。これに対して、第2引き出し穴24の外周縁から間隔をあけて導電パターン22dが形成されているところでは、第1引き出し穴23のエッジ23aから導電パターン22dの端部24cとの間が電位差のかかる直交距離h52,53となる。そして、直交距離は、h51<h52<h53となる関係にある。このように、減速電極22に段差部25a,25b,25cを設け、さらに第2引き出し穴24の外周縁に導電パターン22dを形成することで、引き出し電極20の中で直交距離が異なるように構成することができる。加速電極21と減速電極22の間には電位差が生じており、第1引き出し穴23のエッジ23aとの間の直交距離h51,h52,h53に応じてイオン放出がなされる。つまり、直交距離の小さい方が、イオンの放出量が多くなる。このことから、例えば、図13に示すように、それぞれのイオンビーム6に対応して加工部分を除きレジスト41を塗布した基板40では、イオンビーム6による基板の加工量がそれぞれ異なることになる。直交距離の小さい第2引き出し穴24からはイオン放出量が多く、基板40を深く加工ができる。直交距離の大きい第2引き出し穴24からはイオン放出量が少なく、基板40の加工は浅くなる。このように、本変形例では第1、第2、第3実施形態と同様な効果を有することができる。なお、第1、第2、第3実施形態ではイオンミリング加工を行う実施形態を説明したが、このイオンミリング装置を用いて基板表面の親水処理や撥水処理などの表面処理を行うことも可能である。本発明によれば、例えば、撥水処理において所定の部分は強い撥水処理を行い、他の部分は弱い撥水処理を行うなど、処理の強弱を同時に施すことができる。本発明は以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更することができる。そして、多くの変形が本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有するものにより可能である。"