"材料の層を基板上に形成するための方法であって、a前記基板をイオンでボンバードする工程と、b前記工程aに続き、耐熱性金属窒化物の層を前記基板上に堆積する工程と、およびc前記耐熱性金属窒化物の層を第1セットのイオンでボンバードする工程とを含む方法。前記工程aは、前記基板を、イオンを含むプラズマへ曝す工程と、および前記プラズマからの前記イオンを前記基板へ衝突させるように、前記基板を電気的にバイアスする工程とを含む、請求項1に記載の方法。前記基板を前記プラズマへ曝す前記工程は、ガスを供給する工程と、および前記ガスへエネルギーを供給する工程とを含む、請求項2に記載の方法。前記ガスへエネルギーを供給する前記工程は、周波数を有する信号を、前記ウェハの第1側面上の第1電極へ供給する工程を含む、請求項3に記載の方法。前記周波数は、350から600キロヘルツの範囲であり、前記信号は、300から1,200ワットの範囲の電力を有する、請求項4に記載の方法。前記ウェハは、300°Cから475°Cの範囲の温度に設定される、請求項5に記載の方法。前記工程aは、処理チャンバ内で実行され、前記処理チャンバ内の圧力は、前記工程aが実行されている間、0.3から10Torrの範囲である、請求項1に記載の方法。前記ガスは、窒素、水素、およびヘリウムから成る群から選択される少なくとも1つのガスを含む、請求項4に記載の方法。前記基板は五酸化タンタルである、請求項8に記載の方法。前記基板はポリシリコンである、請求項8に記載の方法。前記工程a、前記工程b、および前記工程cは全て、単一の処理チャンバ内で、前記工程aの開始と前記工程cの完了との間、前記単一の処理チャンバから前記基板を取り出すことなく実行される、請求項1に記載の方法。前記工程bは、化学的気相堆積を用いて実行される、請求項1に記載の方法。前記耐熱性金属窒化物の層は、有機金属化合物の熱分解により堆積される、請求項12に記載の方法。前記耐熱性金属窒化物は窒化チタンである、請求項13に記載の方法。前記工程cは、前記耐熱性金属窒化物を、前記第1セットのイオンを含むプラズマへ曝す工程と、および前記プラズマからの前記第1セットのイオンを前記基板に衝突させるべく前記耐熱性金属窒化物を電気的にバイアスする工程とを含む、請求項1に記載の方法。前記耐熱性金属窒化物を前記プラズマへ曝す前記工程は、ガスを供給する工程と、および前記ガスへエネルギーを供給する工程とを含む、請求項15に記載の方法。前記ガスへエネルギーを供給する前記工程は、周波数を有する信号を、前記ウェハの第1側面上の第1電極へ供給する工程を含む、請求項16に記載の方法。前記ガスは、窒素、水素、アルゴン、ヘリウム、およびアンモニアから成る群から選択される少なくとも1つのガスを含む、請求項17に記載の方法。前記耐熱性金属窒化物は窒化チタンである、請求項18に記載の方法。更に、d前記工程cに続き、前記耐熱性金属窒化物の層を第2セットのイオンでボンバードする工程を含む、請求項1に記載の方法。前記工程cは、前記耐熱性金属窒化物を前記第1セットのイオンを含む第1プラズマへ曝す工程と、および前記第1セットのイオンを前記耐熱性金属窒化物の層に衝突させるべく前記耐熱性金属窒化物を電気的にバイアスする工程とを含み、前記工程dは、前記耐熱性金属窒化物を前記第2セットのイオンを含む第2プラズマへ曝す工程と、および前記第2セットのイオンを前記耐熱性金属窒化物の層に衝突させるべく前記耐熱性金属窒化物を電気的にバイアスする工程とを含む、請求項20に記載の方法。前記耐熱性金属窒化物を前記第1プラズマへ曝す前記工程は、第1ガスを供給する工程と、および前記第1プラズマを生成するために、前記第1ガスへエネルギーを供給する工程と、を含み、前記耐熱性金属窒化物を第2プラズマへ曝す前記工程は、第2ガスを供給する工程と、および前記第2プラズマを生成するために、前記第2ガスへエネルギーを供給する工程とを含む、請求項21に記載の方法。前記第1ガスへエネルギーを供給する前記工程は、第1周波数を有する第1信号を前記基板の第1側面上の第1電極へ供給する工程を含み、前記第2ガスへエネルギーを供給する前記工程は、第2周波数を有する第2信号を、前記ウェハの前記第1側面上の前記第1電極へ供給する工程を含む、請求項22に記載の方法。前記第1ガスは、窒素、水素、アルゴン、ヘリウム、およびアンモニアから成る群から選択される少なくとも1つのガスを含む、請求項22に記載の方法。前記第2ガスは、窒素、ヘリウム、ネオン、およびアルゴンから成る群から選択される少なくとも1つのガスを含む、請求項22に記載の方法。前記工程bは、化学的気相堆積を用いて実行される、請求項20に記載の方法。前記耐熱性金属窒化物の層は、窒化チタンである請求項26に記載の方法。内部に組込まれたプログラムコードを有するプロセッサ可読記憶媒体であって、前記プログラムコードは半導体ウェハ上の基板上への膜の構成中にチャンバを制御し、前記チャンバは、ガスパネル、加熱素子、圧力制御ユニット、および信号ソースを包含し、前記プログラムコードは、第1プログラムコードであって、前記ガスパネル、前記加熱素子、前記信号ソース、および前記圧力制御ユニットへ、前記基板をプラズマアニールさせる信号を供給するようプロセッサに命令する第1プログラムコードと、第2プログラムコードであって、前記第1プログラムコードに応答して前記基板がプラズマアニールされた後に、前記ガスパネル、前記加熱素子、および前記圧力制御ユニットへ、前記チャンバにおいて前記基板上に耐熱性金属窒化物の層を堆積させる信号を供給するようプロセッサに命令する第2プログラムコードと、第3プログラムコードであって、前記ガスパネル、前記加熱素子、前記圧力制御ユニット、および前記信号ソースへ、前記耐熱性金属窒化物の層を初めてプラズマアニールさせる信号を供給するよう前記プロセッサに命令する第3プログラムコードとを含むプロセッサ可読記憶媒体。前記第1プログラムコードは、前記ガスパネルに、窒素、水素、およびヘリウムから成る群から選択される少なくとも1つのガスを供給させるよう、前記プロセッサに命令する、請求項28に記載のプロセッサ可読記憶媒体。前記プログラムコードは、更に、第4プログラムコードを含み、前記第4プログラムコードは、前記ガスパネル、前記加熱素子、前記圧力制御ユニット、および前記信号ソースへ、前記耐熱性金属窒化物の層を第2回目にプラズマアニールさせる信号を供給するよう前記プロセッサに命令する、請求項29に記載のプロセッサ可読記憶媒体。前記第3プログラムコードは、前記ガスパネルに、窒素、水素、アルゴン、ヘリウム、およびアンモニア、から成る群から選択される少なくとも1つのガスを供給させるよう前記プロセッサに命令し、前記第4プログラムコードは、前記ガスパネルに、窒素、ヘリウム、ネオン、およびアルゴン、から成る群から選択される少なくとも1つのガスを供給させるよう前記プロセッサに命令する、請求項30に記載のプロセッサ可読記憶媒体。本発明によると、耐熱性金属窒化物膜が、ウェハ上に部分的に形成された集積回路における露出された基板上に形成され、それにより、膜が基板に密着する。更に、全体の膜形成が、単一の処理チャンバでその場で行なえる。そのような膜形成において、いずれの膜材料であっても、その堆積前に、基板がプラズマアニールされる。プラズマアニール中に、基板はイオンでボンバードされる。基板がプラズマアニールされた後に、耐熱性金属窒化物の層が基板上に堆積される。本発明の実施の形態の1つでは、耐熱性金属窒化物は窒化チタンである。基板をプラズマアニールした結果として、基板と耐熱性金属窒化物との間には良好な密着結合がある。次に、堆積された耐熱性金属窒化物は、第1プラズマのアニールを受け、その間に、耐熱性金属窒化物は、第1セットのイオンでバンバードされる。本発明の実施の形態では、耐熱性金属窒化物は、第1プラズマアニールが完了した後に、第2プラズマのアニールも受ける。第2プラズマアニール中に、耐熱性金属窒化物は、第2セットのイオンでボンバードされる。本発明の実施の形態では、基板のプラズマアニール、耐熱性金属窒化物の堆積、および、耐熱性金属窒化物のプラズマアニールは、全て同じ場所で行なわれる。基板をプラズマアニールする場合、基板はイオンを含むプラズマに曝される。プラズマは、ガスを供給し、高周波で生成されたエネルギーでガスを活性化することにより生成される。本発明の実施の形態の1つでは、供給されるガスは、窒素ガスである。本発明の更なる実施の形態では、ガスは、窒素と、水素やヘリウムなどの他の元素のガスとの混合物を含んでもよい。本発明の更なる詳細は、添付図面の助けを借りて説明される。図1aは、部分的に形成された集積回路における基板材料101の断面図を示す。耐熱性金属窒化物の拡散バリアが、基板101上に形成されることになる。基板は、数多い材料のいずれか1つであってよい。例えば、基板101は、トランジスタのゲートを形成するポリシリコンでもよく、代替として、コンデンサの誘電体を形成する五酸化タンタルでもよい。本発明は、バリア層の特定の使用または配置に限定されないことを理解されたい。図1bに示すように、基板101はプラズマアニールを受け、そこで、基板101は、耐熱性金属窒化物堆積用の基板101を調製するようプラズマ102で処理される。プラズマアニールの結果、耐熱性金属窒化物は、基板101へより良好に密着する。プラズマアニールを行なう際には、ガスが供給されて、そのガスにエネルギーが注入され、プラズマ102を形成する。本発明によるプラズマ102を形成するために、ガスは、350から600キロヘルツkHzの範囲の周波数を有する信号からのエネルギーを使用して励起される。信号の電力は、300から1200ワットの範囲でよい。信号は、プラズマを生成し持続するために10から300秒間ガスへ供給されてよい。プラズマ102の生成中に、基板101は、基板101へ誘引されるプラズマ102中にイオンを結果として生ずる自己バイアス電圧を得て、それにより、イオンが基板102をボンバードする。本発明の実施の形態の1つでは、基板101の温度は、300から475°Cの範囲にあるよう設定され、プラズマアニールは、0.3から10Torrの範囲の圧力を持つ環境で実行される。本発明によると、プラズマ102を形成するために使用されるガスは、いずれのガスでもよいが、好ましくは、窒素、アンモニア、またはアルゴンなど、酸素と炭素を含まないガスである。本発明の実施の形態の1つでは、ガスは、窒素N2で構成される。本発明の代替の実施の形態では、ガスは、窒素N2と、水素H2のような他の元素との混合物で構成される。代替として、ガスは、窒素N2とヘリウムHeとの混合物、または窒素N2、水素H2、およびヘリウムHeとの混合物であってもよい。ガスに窒素が含有される上記実施の形態の各々では、窒素イオンがプラズマ102内に形成される。窒素イオンは基板101をボンバードする。基板101が五酸化タンタルである場合、窒素イオンのボンバードは、基板101の上面への酸窒化タンタルの層の形成を結果として生じる。本発明によると、酸窒化タンタルは、後に基板101上に堆積される耐熱性金属窒化物拡散バリアの酸化を禁止する。基板がプラズマ102により一旦処理されると、図1cに示すように、耐熱性金属窒化物材料103が基板101の上面に堆積される式。MxNyの耐熱性金属窒化物ここで、Mは、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、モリブデン、タングステン、および他の耐熱性金属でよく;xとyは、金属と窒素の種々の定量的結合を表すは、耐熱性金属窒化物材料103として使用できる。本発明によると、耐熱性金属窒化物103は、化学気相堆積CVDを使用して堆積される窒化チタンTiNでよい。窒化チタンの化学的気相成長は、有機金属のチタン化合物の使用により達成できる。そのような化合物の1つは、テトラキスジアルキルアミドチタンTiNR24であり、ここで、各場合でのRは、独立して、アルキル基における、例えば、1-5炭素原子である。テトラキスジメチルアミドチタンTDMATを使用するのが通常で、その化学式はTiNCH324である。ヘリウム、アルゴン、窒素、または水素などの、キャリアガスが化合物をCVDチャンバ内へ持込み、それにより、それはエネルギーを注入されることができる。エネルギーは、熱CVDの場合、熱的加熱源により、または、プラズマ強化CVDの場合、周波数を持つ信号を供給する信号ソースにより、生成できる。活性化された化学的蒸気は、ウェハの表面と反応して、ウェハ上に材料の薄い層を形成する。TDMATの化学的蒸気が使用される場合、窒化チタン膜がウェハの表面上に堆積される。耐熱性金属窒化物103としての窒化チタンの堆積を容易にするために、基板101の温度は、340~390°Cの範囲にあるように設定され、堆積が実行されている環境の圧力は、0.5から2.0Torrの範囲であるように設定される。本発明の実施の形態で使用できる窒化チタンを堆積するための従来のCVDプロセスは、Sandhu他へ発行された米国特許第5,246,881号に開示されている。基板101へ提供されたプラズマ処理の結果、図1bを参照して説明したように、窒化チタン103の基板101への密着性が改善される。基板101がポリシリコンまたは五酸化タンタルである場合、窒化チタンの密着性は、基板のプラズマアニールが遂行されない場合に得られる密着性を超えて著しく増強される。更に、基板101が五酸化タンタルである場合、窒化チタン103の酸化は著しく低減される。先に説明したように、五酸化タンタルの基板のプラズマアニールは、基板101の上面への酸窒化タンタル形成を結果として生じる。酸窒化タンタルは、五酸化タンタル基板101において、窒化チタン103を酸素から隔離する。その結果、窒化チタン103の酸素含有量は低減され、それによって、窒化チタン103の固有抵抗を低下させる。図2aは、プラズマアニールされていない五酸化タンタルの層上に800から1000Åの窒化チタン層が堆積された構造のオージェプロファイルを示す。図2bは、本発明により、プラズマアニールされていない五酸化タンタルの層上に800から1000Åの窒化チタン層が堆積された構造のオージェ深さプロファイルを示す。図2aと2bを比較して分かるように、窒化チタンと五酸化タンタルとの間に接合が形成される2500Åから2750Åの範囲の深さのところで、酸素含有量は、図2bでの構造で著しく低い。これは、プラズマアニールにより形成された隔離酸窒化タンタルの存在を表している。図2bに示す五酸化タンタルは、30秒間のプラズマアニールを施した。プラズマは、N2から成るガスを使用して形成された。ガスは、100~560SCCMの流量で供給され、350kHzの周波数と略750ワットの電力を有する信号により活性化された。窒化チタン103のCVD堆積層は、有意量の炭素を含有できる。これは、得られた窒化チタン層を化学的に反応性する。結果として、膜103が空気または他の酸素含有ガスに曝されるとき、酸素は窒化チタン膜103へ吸収される。酸素吸収は制御されないので、窒化チタン103の安定に悪影響を及ぼし、窒化チタン103の固有抵抗を不利に増加させる。これは、集積回路に形成されたデバイスの信頼性が劣ることを結果としてもたらすだろう。空気への暴露後、CVD堆積された窒化チタン膜の膜固有抵抗は、約10,000μΩ-cmから約100,000μΩ-cmまでの値へ増加し得る。堆積された窒化チタンが、電極構造またはプラグなどの配線構造での拡散バリアとして使用される場合、非常に望ましくない値である。約600μΩ-cm以下の程度の固有抵抗が望ましい。図1dに示すように、CVD堆積された、窒化チタンなどの耐熱性金属窒化物103は、固有抵抗を低減するようプラズマアニールすることができる。膜103の固有抵抗を低減するために一回のプラズマアニールでも、連続するプラズマアニールであってもよい。本明細書に引用して組込まれる、1997年2月28日出願の米国特許出願第08/810,221号で発明の名称半導体ウェハ上への膜の構成は、窒化チタン等の、耐熱性金属窒化物103の固有抵抗を低減するために使用できる一回または連続するプラズマアニールの両方を開示している。前記のプロセスは、本明細書に引用して組込まれる、1996年7月12日出願のZhao他による米国特許出願第08/680,724号で発明の名称化学的気相堆積チャンバ内のガス流動経路でのペデスタル周辺の部品に記載のような単一のCVDチャンバで完遂される。この形式のチャンバは、カリフォルニア州サンタクララのAppliedMaterialsIncにより商品名TxZChamberで製造され、それは、基板101のプラズマアニール、耐熱性金属窒化物103の堆積、および耐熱性金属窒化物103のプラズマアニールを行なうために使用できる。本発明によるプラズマアニールを行なうために使用できる代替のチャンバは、本明細書に引用して組込まれる、1997年2月28日出願の米国特許出願第08/810,221号で発明の名称半導体ウェハ上への膜の構成に開示されている。基板のプラズマアニール、CVD堆積、および耐熱性金属窒化物のプラズマアニールを行なうために2つ以上のチャンバが使用される場合、好ましくは、CVDチャンバからアニールチャンバへのウェハの移送中に真空が維持される。図3は、TxZChamberのようなCVDチャンバを概略的に示す。チャンバ130は、処理チャンバ内圧力を設定して、処理チャンバ135から反応副生成物を排出するための圧力制御ユニット140例えば、真空ポンプを含む。チャンバ130は、処理チャンバ135の壁をシャワーヘッド134とウェハ支持体132から電気的に絶縁する絶縁体162も含む。ガスパネル143が、ガスをシャワーヘッド134へ供給するためにチャンバ130に備えられる。本発明の実施の形態が、更に、図3に示すチャンバ130を参照して説明されるが、この技術に通常に精通する者は、説明されたプラズマアニールおよび堆積が、先に説明したように、異なる多数のチャンバ内で実行できることが分かるであろう。本発明に従って基板を処理するためには、基板が存在し露出しているウェハ180が、チャンバのウェハ支持体132上に配置され、シャワーヘッド134から約0.3から0.8インチ、好ましくは、0.6から0.7インチ間隔を置かれる。シャワーヘッド134を通し処理チャンバ135内へ導入される窒素ガスN2へエネルギーを与えることにより、活性化イオンを持つプラズマ181が得られる。窒素ガスが好ましいが、水素、ヘリウム、アルゴン、またはアンモニアなどの1つ以上の他のガスが、基板のプラズマ処理に使用できる。ガスパネル143は、窒素ガスをシャワーヘッド134へ、100から1,000sccmの範囲の流量レートで供給する。エネルギーは、シャワーヘッド134へ代替としてペデスタル132へ結合されている信号ソース136からガスへ供給される。350から600kHzの範囲の周波数と300から1,200ワットの範囲の電力を有する信号が供給される。シャワーヘッド134にパワー、すなわちトップパワーが与えられ、そしてウェハ支持体132と処理チャンバ135の壁を接地するとともに、シャワーヘッドが、700から1000ワットで駆動され、ウェハ180と接地との間に-100から-200ボルトの間のDC自己バイアス電圧が、ウェハ180上に誘導される。これは、プラズマ181から窒素イオンを誘引することにより、ウェハ180上の露出された基板に衝突させるには充分である。プラズマアニール中、処理チャンバ135内の圧力は、0.3から10Torrの範囲、好ましくはチャンバ内圧力は0.5から2.0Torrの範囲である。基板を含め、ウェハ180の温度は、300から475°Cの範囲に設定される。プラズマアニールは、一般に、15から300秒の範囲の時間行なわれ、好ましいプラズマアニール時間は20~40秒の範囲である。トップパワーが好ましいとはいえ、プラズマは、高周波信号をペデスタル132だけへ供給する、すなわちボトムパワーにより、または、ペデスタルとシャワーヘッドへ瞬時に供給することにより生成できる。これらオプション構成は、ペデスタル132へ整合ネットワーク252を介してRFパワーソール136へ結合する破線の経路175により表されている。プラズマアニールの完了後、処理チャンバ135内のガスは、圧力制御ユニット140により一掃される。基板が五酸化タンタルである場合、上記のように、窒素イオンのボンバードは、ウェハ180上の露出された五酸化タンタル基板の上面に酸窒化タンタルの形成を結果として生じる。本発明の代替の実施の形態では、ウェハ180上の基板のプラズマアニール中に、窒素N2と水素H2の混合ガスを、窒素ガスに置換えることができる。図3に示すチャンバ130を使用する場合、ウェハ180は、ウェハ支持体132上に配置でき、シャワーヘッド134から約0.3から0.8インチ、好ましくは、0.6から0.7インチの間隔を置かれる。窒素と水素の3:1の混合物から成るガスが、シャワーヘッド134を介して処理チャンバ135内へ導入される。窒素と水素の混合物は、ガスパネル143によりシャワーヘッド134を介して約300sccmの窒素流量で供給される。次いで信号ソース136が、信号を、シャワーヘッド134へ整合ネットワーク252を介して供給する。信号ソース136により供給される信号は、300から1,200ワット、好ましくは700から1,000ワットの範囲の電力と、300から600kHzの範囲の周波数を有する。上記混合ガスは窒素対水素比3:1を有するが、5:1と1:5の間のいずれかの比を用いることができる。正に帯電した窒素と水素イオンを含むプラズマが、シャワーヘッド134へ供給される電力の作用下で生じる。プラズマは、普通は、15から300秒間の範囲で持続され、トップパワーだけが使用される場合、好ましい時間は10から35秒である。上記のように、処理チャンバの壁とウェハ支持体132は接地されている。シャワーヘッド134は、-150から-450ボルトの間、普通には-400ボルト、の負のバイアスを取得する。基板を含め、ウェハ180は、-100から-200ボルトの間、普通には、-150ボルト、の負のバイアスを取得するよう自己バイアスする。この負のバイアス電圧は、ボンバード中ほぼ一定である。ボンバード中、プラズマからの正に帯電したイオンは、ウェハ180上の基板の表面への電圧傾度により加速される。これは、イオンにウェハ表面をボンバードさせ、50から100Åの深さに浸透する。プラズマからのエネルギー的に中性な原子粒子もウェハをボンバードできる。基板がプラズマ181により処理された後に、耐熱性金属窒化物の拡散バリア材料182の層が、ウェハ180の上面に堆積される。本発明の実施の形態の1つの実施例として、窒化チタンの堆積を、耐熱性金属窒化物182の堆積を例証するよう説明する。本発明によると、窒化チタン182は、化学的気相成長を使用して堆積される。窒素N2とヘリウムHeの混合キャリアガスが、TDMAT化合物を、処理チャンバ135内へシャワーヘッド134を介して持込み、それにより、TDMATはエネルギーを注入されることができる。混合キャリアガスとTDMAT化合物の両方がガスパネル143によりシャワーヘッド134へ供給される。窒素とヘリウムガスは、各々100から1,500sccmの範囲の流量で供給され、TDMATは、100~1,000sccmの範囲の流量で供給される。処理チャンバ135では、ウェハ180は温度、300~390°Cの範囲に設定され、圧力制御ユニット140は、処理チャンバ135内の圧力を0.5から2.0Torrの範囲にあるよう設定する。TDMATは、ウェハの加熱された表面と反応して、基板を含むウェハ180の上面に窒化チタン182の薄層を形成する。堆積プロセスは、50から900秒間の範囲で継続される。堆積が完了した後に、結果としての副生成物は、圧力制御ユニット140により処理チャンバ135から一掃される。ウェハ180上の露出された基板上で行なわれたプラズマアニールの結果、プラズマアニールされた基板への窒化チタンの密着性が改善される。窒化チタンの改善された密着性は、プラズマアニールされていない基板で得られる密着性に優越している。プラズマアニールされた基板が五酸化タンタルである場合、基板の上面に形成された酸窒化タンタルによる隔離により、窒化チタンも酸化のレベルが低減される。窒化チタン層の固有抵抗を改善するために、膜は、1997年2月28日出願の米国特許出願第08/810,221号で発明の名称半導体ウェハ上への膜の構成に記載されたように、アニールでき、ここで、窒素、水素、アンモニア、または、その幾つかの組合せのプラズマが、チャンバで点火され、活性化イオンで膜をボンバードする。イオンボンバードの結果、堆積された材料の圧縮が起こり、厚さを20から50減少させることができる。この減少は、ウェハ180の温度とプラズマの処理時間とプラズマエネルギに依存する。更に、窒化チタンの層を、引続き堆積させることができ、プラズマアニールが可能で、所望の厚さを持つ拡散バリア膜を得る。アニールが完了した後に、得られるプラズマアニールされた窒化チタン膜182は、多くの改善された特性を示す。酸素含有量は低減され、それによって、酸素が堆積されアニールされた材料の1未満を構成するようにされる。膜の密度は、3.1立方センチ当りグラムg/cm3未満から約3.9g/cm3へ増加される。堆積された膜内へ取込まれた炭素の分量は、25以上低減され、それにより、炭素は堆積膜の3を構成する。膜の構造に変化が生じ、膜の固有抵抗は、処理前レベルのほぼ10,000μΩ-cmから150μΩ-cm程度にまで低減される。アニールされた膜が酸素、空気、または水蒸気に曝される場合、酸素は、堆積膜がアニールされない場合よりはるかに少ない程度で吸収される。プラズマアニールは、堆積されたままの膜での炭素と窒素をプラズマからの窒素に置換えさせる。本発明によると、窒化チタンは、プロセッサ使用の制御ユニットにより制御されるチャンバにおいて堆積できる。図4は、そのような能力で使用できる制御ユニット200を示す。制御ユニット200は、全て制御ユニットバス225へ結合された、プロセッサユニット205、メモリ210、大容量記憶装置220、入力制御ユニット270、および表示ユニット250を含む。プロセッサユニット205は、メモリに記憶された命令を実行する能力のあるマイクロプロセッサまたは他のエンジンであってもよい。メモリ210は、ハードディスクドライブ、随時書込み読出しメモリRAM、読出し専用メモリROM、RAMとROMの組合せ、または他のメモリ、で構成できる。メモリ210は、本発明により、ウェハ上の基板をプラズマアニールする、耐熱性金属窒化物を堆積し、そして、耐熱性金属窒化物をプラズマアニールするための上記プロセス工程の遂行を具現化するようプロセッサユニット205が実行する命令を含む。メモリ210における命令は、プログラムコードの形式であってよい。プログラムコードは、幾多の異なるプログラミング言語のいずれか1つに従うことができる。例えば、プログラムコードは、C、C、BASIC、Pascal、または数多くの他の言語で書かれてもよい。大容量記憶装置220は、磁気ディスクまたは磁気テープなどのプロセッサの解読可能な記憶媒体から、データおよび命令を記憶し、データおよび命令を取出す。例えば、大容量記憶装置220は、ハードディスクドライブ、フロッピディスクドライブ、テープドライブ、光ディスクドライブ、または、コンパクトディスク読出し専用メモリCD-ROMドライブであってもよい。大容量記憶装置220は、プロセッサユニット205から受取る指示に応答して命令を記憶し、取出す。大容量記憶ユニット220により記憶され取出されるデータおよび命令は、基板のプラズマアニール、耐熱性金属窒化物の堆積、耐熱性金属窒化物のプラズマアニールを遂行するために、プロセッサユニット205により使用できる。データおよび命令は、最初に媒体から大容量記憶装置220により取出すことができて、次に、プロセッサユニット205による使用のためにメモリ210へ転送できる。表示ユニット250は、プロセッサユニット205の制御の下で図形表示と文字数字との形式で情報をチャンバーオペレータへ提供する。入力制御ユニット270は、チャンバーオペレータ操作者の入力の受領を提供するよう、キーボード、マウス、または光ペンなどの、データ入力装置を制御ユニット200へ結合する。制御ユニットバス225は、制御ユニットバス225へ結合されている全ての装置間のデータと制御信号の転送を提供する。制御ユニットバス225は、制御ユニット200における装置へ直接接続する単一のバスとして表示されているが、制御ユニット225は、バスの集合であってもよい。例えば、プロセッサユニット205とメモリ210はローカルプロセッサバスへ結合される一方で、表示ユニット250、入力制御ユニット270、および大容量記憶装置220は、入力出力周辺器バスへ結合されて良い。ローカルプロセッサバスと入力出力周辺器バスは相互に結合でき、制御ユニットバス225を形成する。制御ユニット200は、本発明による、基板のプラズマアニール、耐熱性金属窒化物の堆積、耐熱性金属窒化物のプラズマアニールを遂行するために、図3に示すチャンバのような、チャンバの構成要素へ結合される。チャンバ構成要素の各々は、制御ユニット200とそれぞれの構成要素との間の通信を具現化するよう制御ユニットバス225へ結合できる。図3を参照して示された、これらのチャンバ構成要素は、ガスパネル143、抵抗性コイルなどの加熱素子141、圧力制御ユニット140、信号ソース136、および、温度決定装置を含む。制御ユニット200は、本発明による、基板のプラズマアニール、耐熱性金属窒化物の堆積、耐熱性金属窒化物のプラズマアニールのプロセス工程に対して上記操作を構成要素に遂行させる信号をチャンバ構成要素へ供給する。制御ユニット200は、これらのプロセス工程を制御することにおける進行方法を決定するよう、これらの構成要素から信号も受取る。例えば、制御ユニット200は、温度決定装置160から信号を受取り、ウェハの所望の温度を設定するために加熱素子141が供給すべき熱の量を決定する。図5は、メモリ210から受取るプログラムコード命令に応答してプロセッサユニット205により遂行され得るプロセス工程の順序を示す。本発明による耐熱性金属窒化物膜の形成を開始すると、工程300で、ウェハ上の露出した基板のプラズマアニールが遂行される。それに応じて、プロセッサユニット205は、耐熱性金属窒化物膜が形成されることになる基板をプラズマアニールさせるよう、プロセッサユニットにチャンバ130の構成要素の操作を指示させる命令をメモリ210から取出す。例えば、プロセッサユニット205は、図1bを参照して先に説明したように、基板をプラズマアニールする操作をするよう、圧力制御ユニット140、加熱素子141、ガスパネル143、温度決定装置160、および信号ソース136、に命令する。基板のプラズマアニール工程300に続き、堆積工程301が行なわれる。堆積工程301で、プロセッサユニット205は、メモリ210から取出された命令を実行する。これらの命令の実行は、図1cを参照して説明したように、プラズマアニールされた基板上へ、窒化チタンなどの、耐熱性金属窒化物の層を堆積するよう、チャンバ130の構成要素が操作される結果となる。例えば、プロセッサユニット205は、図1cを参照して上記で説明したように、プラズマアニールされた基板上に耐熱性金属窒化物の層を堆積する操作をするよう、圧力制御ユニット140、加熱素子141、ガスパネル143、および温度決定装置160、を制御する。耐熱性金属窒化物の堆積工程301が完了した後に、工程302で、メモリ210から取出された命令が、図1dを参照して上記で説明したプラズマアニール手順の1つのような、耐熱性金属窒化物のプラズマアニールをチャンバ130の構成要素に遂行させるよう、プロセッサユニット205に命令する。プラズマアニールは、窒素、窒素と水素の混合、または窒素、水素、とアルゴンなどの別のガスとの混合でのプラズマアニールを含むことができる。代替として、プラズマアニール工程302は、先に説明したように、連続したアニールを実行させることができる。工程302でプラズマアニールを遂行することでは、プロセッサユニット205は、図1dを参照して先に説明したように、耐熱性金属窒化物のプラズマアニールを実行する操作をするよう、圧力制御ユニット140、加熱素子141、ガスパネル143、温度決定装置160、および信号ソース136、に命令する。本発明は特定の実施例の実施の形態に関して説明されたが、種々の変形と変更が、先に記載の特許請求の範囲に規定される本発明の精神と範囲から逸脱することなく、この技術に精通した者によりなされ得ることが理解されよう。"