"半導体集積回路であって、金属で形成されたワイヤボンディングパッドと、前記ワイヤボンディングパッド下であってそれと接触して形成された金属補強層とを含み、前記金属補強層が、当該金属補強層の幅に渡って延伸する一連の平行ストリップを形成するようパターン形成され、そして、延伸領域に渡ってボンディング力を分散させて前記ワイヤボンディングパッドを強固させるように構成されており、前記金属補強層は金属ストリップを含み、前記金属ストリップは下方金属層上に位置し、前記金属ストリップはその間に空洞を有し、そして前記空洞は金属で充填されており、さらに、前記金属補強層の下であってそれと接触するように配置された少なくとも一つの金属層と、前記金属層の少なくとも二つの間に位置し、前記半導体集積回路内に延伸する少なくとも一つの脆弱インターレベル誘電体層とを備える、半導体集積回路。前記金属補強層が、窒化チタン、窒化タングステン、窒化ニッケル、及びそれらの混合及び合金からなる群から選択された耐熱性金属窒化物である、請求項1に記載の半導体集積回路。前記一連の平行ストリップは、相互接続する金属ストリップの格子である、請求項1に記載の半導体集積回路。前記ワイヤボンディングパッドの前記金属が、アルミニウム、銅、ならびにアルミニウムおよび銅の合金からなる群から選択される、請求項1に記載の半導体集積回路。前記補強層の厚さが100~600ナノメートルである、請求項1に記載の半導体集積回路。半導体集積回路内のワイヤボンディングパッドを補強する方法であって、前記ワイヤボンディングパッドの下に少なくとも1つの金属層を提供する工程と、前記ワイヤボンディングパッドと前記少なくとも1つの金属層との間に少なくとも1つの金属補強層を提供する工程とを含み、前記金属補強層が前記ワイヤボンディングパッド下であってそれと接触して形成され、前記金属補強層が、当該金属補強層の幅に渡って延伸する一連の平行ストリップを形成するようパターン形成され、そして、延伸領域に渡ってボンディング力を分散させて前記ワイヤボンディングパッドを強固させ、前記金属補強層は金属ストリップを含み、前記金属ストリップは下方金属層上に位置し、前記金属ストリップはその間に金属が充填した空洞を有し、前記ワイヤボンディングパッド、前記金属補強層、および前記少なくとも1つの金属層が導電接触し、さらに、前記少なくとも1つの金属層の各々の間には、前記半導体集積回路内に延伸する少なくとも一つの脆弱インターレベル誘電体層が位置する、方法。前記ワイヤボンディングパッドが、アルミニウム、銅又はそれらの混合又は合金であり、前記少なくとも一つの金属層が、アルミニウム、銅又はそれらの混合又は合金であり、前記金属補強層はパターン形成された耐熱性金属の構造である、請求項6に記載の方法。前記金属補強層の厚さが約100~600ナノメートルである、請求項6に記載の方法。前記一連の平行ストリップは、相互接続する金属ストリップの格子である、請求項6に記載の方法。したがって、1つまたは複数の構造的かつ機械的に弱い誘電体層の上にボンドパッドが置かれる場合に、プローブおよびボンディングの欠陥の発生を避けるための、またはできるだけ少なくするための信頼できる方法が必要とされている。本発明によれば、以前の装置および方法に関連する欠点をなくすか、または実質的に減らすボンドパッド補強システムおよび方法が提供される。本発明の一態様において、本発明の教示によるボンドパッドの補強システムは、上部接触パッド金属層と下にある金属層との間に配設されたパタン形成された補強構造体を含む。ボンドパッドおよび接触パッドという用語は、本願明細書において同義的に用いられている。本発明の別の態様において、本発明の教示によるボンドパッドの補強システムは、上部金属接触パッド層、少なくとも1つの下部金属層、および接触パッドの下に設けられた少なくとも1つの誘電体層または複数の誘電体層の積層を含む。パタン形成された補強構造体は、少なくとも1つの誘電体の積層に配置される。本発明のさらに別の態様において、半導体集積回路のボンドパッドを補強するための方法は、金属層を形成し、所定の領域の金属層を複数の空き領域を有する所定のパタンにパタン形成し、パタン形成された金属層上に金属層を形成し、パタン形成された金属層の空き領域を充填する工程を含む。本発明の一態様において、パタン形成された補強構造体は、結合されたまたは相互接続された構造体であり得る。本発明の別の態様において、補強パタン形成された構造体は、結合されないまたは相互接続されないおよび反復する要素を含み得る。本発明の技術的利点は、ボンディングに加わる力がボンドパッドおよび下にある構造体を損傷させないように改良されたボンドパッドの構造的完全性である。これらの技術的利点は、プロセスのスループットを減少させ得るボンディングのパラメータを変えることなく可能である。その結果、より信頼できる集積回路となり、ボンディングの欠陥は減少する。上記説明はより関連のある本発明の目的のいくつかを概説したものである。これら目的は、本発明のより顕著な特徴および応用例の例示に過ぎないことを理解されたい。他の多くの有益な結果は、以下に記載されるような本発明を変更する異なる方法で開示された本発明を応用することによって達成され得る。主張されるように、上記の一般的な説明および以下の詳細な説明は、例示的かつ説明目的のものであり、本発明を制限するものとして解釈されるべきではないことを理解されたい。本発明のこれらおよびその他の態様、特徴ならびに利点は、好適な実施形態および添付の特許請求の範囲の以下の説明を検証すれば、より明白となろう。図1~2は本発明の好適な実施形態を示している。図1は、ワイヤボンディング、フリップチップボンディング、およびテープ自動ボンディングTABなどであるがこれに限定されない従来のボンディング技術を用いてパッケージ基板図示せずに取り付けられる接触パッド層10を示す好適な実施形態の断面図である。典型的にはアルミニウム、金、銅、はんだ等から作られるボールボンディング図示せずが接触パッド10に結合されるのが好ましい。この接触パッドは保護酸化物層12から露出され、剥がされる。この接触パッド層は、好適には金属、さらに好適にはアルミニウムおよび/または銅を含んだ導電性材料から作られる。この接触パッド層10の直下には補強層14が存在する。この補強層は強力なチタン、窒化チタン、タングステン、窒化タングステン、ニッケル、窒化ニッケル、タンタル、窒化タンタル、窒化タンタルシリコン、およびそれらを組みあわせたもの/それらの合金などの耐熱性高融点金属から作られる。補強層14の下にはアルミニウムまたは銅、あるいはそれらを組みあわせたもの/それらの合金から作られた第1の金属層18が存在する。この第1の金属層18の下には、第1の誘電体層30および第1の金属層18と第2の金属層22とを導電接続する第1のバイア20が存在する。第2の金属層22の下には、第2の誘電体層32および第3の金属層26に第2の金属層20を接続する第2のバイア24が存在する。第3の金属層26の下には第3の誘電体層および第3のバイア28が存在する。金属層18、22、および26は当業者に知られている工程を用いて製造することができる。例えば、銅が導電性金属として用いられる場合、ダマシンプロセスを用いて上記金属が製造され得る。別法として、アルミニウム金属層を製造するためにサブトラクティブ法が一般に用いられる。非導電性材料には、二酸化シリコン、窒化シリコン、および水素シルセスキオキサンHSQ、ポリアミド、ポリシリサイドまたはポリ塩化ビフェニルPCBなどの他の非導電性材料などの誘電体を含み得る。蒸気誘電体層をデポジットするのによく用いられる技術には化学気相成長、スパッタリング、またはスピンプロセスを含む。好適な材料には、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化物、フッ化珪酸塩ガラスFSG、珪酸塩ガラスUSG、リン珪酸塩ガラスPSG、プラズマで発生させた酸化珪酸エチルTEOS、および最近ではシリコン含有水素シルセスキオキサンHSQ、またはさらにはゲルあるいは泡状の物質、あるいはポリイミドおよびパリレンなどの有機ポリマーを含む。当該技術において知られているように、各材料には適用のための好適なレジメがある。例えば、米国特許第6,232,662号を参照されたい。図2Aには、補強層の一実施形態が平面図として示されている。補強層は一連の平行なストリップ200として示されている。図2Bでは、補強層は相互接続金属ストリップ200および210として示されている。ストリップ200と210との間の空洞領域215は、下方の第1の金属層18または上部の接触パッド金属層10のいずれかから金属で充填されるべき領域を提供している。これによって、金属層の導電接続を損なうことがないと同時に、接触パッド10を補強して下の誘電体層を保護することが可能となっている。上記補強層の幅は100~500ナノメートルである。当業者であれば、特定の金属が効果的な閾値の厚さを必要とするであろうことを理解するであろう。例えば、ニッケルを用いる場合、補強層の厚さを少なくとも約200ナノメートルにすべきである。補強構造体が多様なパタンを取り得ることは上記から分かるであろう。一般的に、格子、十字架、ハニカム、および入れ子状の形状などのパタンは、規則的で反復し得る。このパタンは、接続されたまたは接続されない補強要素を有していてもよい。反復しないパタンも用いられ得る。補強構造体のパタンは、ボンドパッドの下の全体または実質的な領域を占め、補強構造体の補強ライン間の空き領域を弱い誘電体材料が充填するようにすることが好ましい。さらに、補強構造体の組成は、対応する金属層のメタライゼーションと同じであってもよい。例えば、補強構造体は、窒化チタン/窒化チタン/チタン底部層とアルミニウム中間層と窒化チタン上部層とを有し得る。補強構造体は、他の導電性または半導体材料から構成されてもよい。本発明の補強構造体は、それが任意のワイヤ、はんだ、またはフリップチップボンディング、超音波ボンディング、サーモソニックボンディング、熱圧着ボンディング、はんだバンプ若しくは前記バンプボンディングなどの他のボンディング工程、およびボンディング前ウェハプローブオペレーションの間に加わる応力および力に耐えるように、下にある弱い誘電体層を有する任意のボンドパッドを補強するために適用できることを理解されたい。したがって、本発明の教示は、下にある脆いおよび/または軟らかい誘電体構造を機械的に補強する、ボンドパッドの実質的に内部に構成される任意の構造を含む。これは、相互接続する金属ラインなどの既にパタン形成された現存する層から補強構造体が構成されるときに特に有利である。本発明のいくつかの実施形態とその利点を詳細に説明したが、本発明の教示および添付の特許請求の範囲に記載された本発明の精神および範囲から逸脱することなく、変更、変化、置換、変形、修正、バリエーションおよび改変を加えることができることを理解されたい。"