ChemicalMechanicalPolishingCMP法においてリテーナリングの内周側に配置される研磨対象物を研磨するための研磨パッドであって、研磨面を有する硬質層と、前記硬質層を挟んで前記研磨対象物と反対側に配置され、前記硬質層よりも軟質である軟質層と、を有し、前記研磨面に異なる荷重を作用させた際の前記研磨面の窪み量の差分が86マイクロメートル以下である、研磨パッド。リテーナリングと、ChemicalMechanicalPolishingCMP法において前記リテーナリングの内周側に配置される研磨対象物を研磨するための研磨パッドであって、研磨面を有する硬質層と、前記硬質層を挟んで前記研磨対象物と反対側に配置され、前記硬質層よりも軟質である軟質層と、を有し、前記研磨面に異なる荷重を作用させた際の前記研磨面の窪み量の差分が86マイクロメートル以下である研磨パッドと、を少なくとも含む、研磨装置。ChemicalMechanicalPolishingCMP法によって研磨対象物を研磨する研磨方法であって、研磨面を有する硬質層と、前記硬質層を挟んで前記研磨対象物と反対側に配置され、前記硬質層よりも軟質である軟質層と、を有し、前記研磨面に異なる荷重を作用させた際の前記研磨面の窪み量の差分が86マイクロメートル以下である研磨パッドを用い、リテーナリングの内周側に配置される前記研磨対象物を研磨する、研磨方法。請求項3に記載の研磨方法であって、前記研磨パッドの温度上昇に応じて、前記研磨対象物の回転数を調整する、研磨方法。しかしながら、特許文献1の2層研磨パッドでは、半導体ウェーハの外周部の研磨量が中央部の研磨量よりも大きくなってしまう場合があった。特許文献2は、上記の問題について一切触れていない。本願発明の目的は、研磨パッドを使用してCMP法の研磨を実施するに際し、研磨対象物の外周部の研磨量を抑える技術を提供することにある。本願発明の第1の観点によれば、ChemicalMechanicalPolishingCMP法においてリテーナリングの内周側に配置される研磨対象物を研磨するための研磨パッドであって、研磨面を有する硬質層と、前記硬質層を挟んで前記研磨対象物と反対側に配置され、前記硬質層よりも軟質である軟質層と、を有し、前記研磨面に異なる荷重を作用させた際の前記研磨面の窪み量の差分が86マイクロメートル以下である、研磨パッドが提供される。以上の構成によれば、前記研磨パッドを使用してCMP法の研磨を実施するに際し、前記研磨対象物の外周部の研磨量を抑えることができる。本願発明の第2の観点によれば、リテーナリングと、ChemicalMechanicalPolishingCMP法において前記リテーナリングの内周側に配置される研磨対象物を研磨するための研磨パッドであって、研磨面を有する硬質層と、前記硬質層を挟んで前記研磨対象物と反対側に配置され、前記硬質層よりも軟質である軟質層と、を有し、前記研磨面に異なる荷重を作用させた際の前記研磨面の窪み量の差分が86マイクロメートル以下である研磨パッドと、を少なくとも含む、研磨装置が提供される。本願発明の第3の観点によれば、ChemicalMechanicalPolishingCMP法によって研磨対象物を研磨する研磨方法であって、研磨面を有する硬質層と、前記硬質層を挟んで前記研磨対象物と反対側に配置され、前記硬質層よりも軟質である軟質層と、を有し、前記研磨面に異なる荷重を作用させた際の前記研磨面の窪み量の差分が86マイクロメートル以下である研磨パッドを用い、リテーナリングの内周側に配置される前記研磨対象物を研磨する、研磨方法が提供される。好ましくは、前記研磨パッドの温度上昇に応じて、前記研磨対象物の回転数を調整する。本願発明によれば、前記研磨パッドを使用してCMP法の研磨を実施するに際し、前記研磨対象物の外周部の研磨量を抑えることができる。研磨装置1図1に示すように、研磨装置1は、ヘッド2と、プラテン3と、制御部4と、モータドライバ5と、ヘッド駆動モータ6と、プラテン駆動モータ7と、によって構成されている。ヘッド2は、研磨対象物としての半導体ウェハ8を吸着保持する。ヘッド2の外周部には、円環状のリテーナリング9が配置されている。半導体ウェハ8は、リテーナリング9の内周側に配置される。プラテン3のヘッド2側の表面には、研磨パッド10が取り付けられている。研磨パッド10は、ヘッド2に吸着保持されている半導体ウェハ8を研磨するためのものである。制御部4は、モータドライバ5を介してヘッド駆動モータ6とプラテン駆動モータ7を駆動する。ヘッド駆動モータ6は、ヘッド2を回転させる。プラテン駆動モータ7はプラテン3を回転させる。プラテン3には、プラテン3の温度を測定するための熱電対11が搭載されている。熱電対11は、プラテン3の温度を測定することで、研磨パッド10の温度を間接的に測定する。熱電対11の出力電圧は制御部4に入力される。次に、図2を参照しつつ、研磨パッド10について詳細に説明する。本実施形態において研磨パッド10は、所謂2層研磨パッドである。即ち、研磨パッド10は、研磨面10aを有する硬質層12と、硬質層12を挟んで半導体ウェハ8と反対側に配置され、硬質層12よりも軟質である軟質層13と、によって構成されている。硬質層12は、例えばポリウレタン系樹脂材料によって形成されている。軟質層13は、例えばポリウレタンフォームによって形成されている。そして、硬質層12と軟質層13は図示しない接着層によって相互に接着されている。軟質層13を挟んで硬質層12と反対側には離型紙14が設けられている。軟質層13と離型紙14は図示しない接着層によって相互に接着されている。以上の構成で、図1に示すプラテン3とヘッド2は所望の回転数で回転駆動される。その際、プラテン3上には適宜に研磨剤としてのスラリーが供給される。その上で、ヘッド2とプラテン3の間に適量のスラリーが流入されることで、ヘッド2に取り付けられた半導体ウェハ8はプラテン3によって研磨されることになる。このとき、リテーナリング9は、研磨パッド10に対して押圧されることで、研磨パッド10のうちリテーナリング9内に位置する部分の高い平坦度を一時的に確保している。このリテーナリング9により、半導体ウェハ8の外周部だけが過研磨されてしまうのを抑制している。しかしながら、上記のリテーナリング9を使用したとしても、半導体ウェハ8の外周部が過研磨されてしまう場合がある。この問題を、図3と図4を参照して以下に説明する。図3に示すように、リテーナリング9を研磨パッド10に対して押圧すると、研磨パッド10はリテーナリング9の近傍で窪むように変形して、研磨面10aに窪み部Pを形成する。そして、この窪み部Pの存在により、半導体ウェハ8の外周部と研磨面10aとの間には、若干の隙間gが形成されることになる。研磨の際は、この隙間gに多くのスラリーが流入する。一方で、スラリーの流入量と研磨レート研磨が進行する度合いは正の相関関係にある。従って、上記隙間gの存在により、半導体ウェハ8の外周部は若干過研磨されてしまうことになる。ただ、半導体ウェハ8の外周から5mm程度の範囲はチップとして取り出すことはないので、図3に示す程度の範囲での過研磨であればさほど問題になることはない。ここで、本願発明者の鋭意研究によれば、図3における窪み部Pの深さについて言えば、研磨パッド10の硬質層12はさほど支配的ではなく、むしろ、研磨パッド10の軟質層13が強く支配的であることが判明している。即ち、窪み部Pの深さについては、研磨パッド10の硬質層12の硬度等を測定したとしても管理できるものではないということである。一方で、図4では、研磨パッド10の全体が図3のものと比較して更に軟質であるもので研磨を実施した様子を示している。即ち、研磨パッド10が全体として硬質であるか軟質であるかによって、隙間gの形成される程度に大きな違いが生まれている。そして、図4に示すように隙間gが大きく形成されていると、隙間gに流入するスラリーの量も必然的に多くなる。そして、前述したようにスラリーの流入量と研磨量との間には正の相関関係があることから、結果として、研磨パッド10が全体として軟質であると、半導体ウェハ8の外周部が大きく過研磨されてしまう、と言及することができる。そこで、本願発明者は、研磨パッド10の全体としての硬さの程度を定量的に評価すべく、図5に示す特定窪み量差分値測定試験を実施した。特定窪み量差分値測定試験は、JISL1096に準拠している。具体的には、本試験では、接触底面15aを有する截頭円錐形状のオモリ15を、接触底面15aを下向きにして研磨パッド10の硬質層12上に静かに載せる。そして、1分後、オモリ15が研磨パッド10上に載っている状態で、オモリ15がどれくらい研磨パッド10内に沈んでいるかを例えばレーザー変位計などを用いて測定する。即ち、変形前の研磨パッド10の研磨面10aを基準として接触底面15aが沈んだ量としての特定窪み量Tを測定する。特定窪み量Tを測定するに際しては、2つのオモリ15を使用する。1つは、質量w1が641[g/cm2]であるオモリ15であり、1つは、質量w2が5161[g/cm2]であるオモリ15である。そしてこれら2つのオモリ15を使用して特定窪み量Tを2回測定したら、これら2つの特定窪み量Tの差分値である特定窪み量差分値ΔTμm]を算出する。即ち、下記式1である。ΔT[μm]=|T1―T2|1ただし、特定窪み量T1[μm]は、質量w1のオモリ15を使用した際の特定窪み量Tであり、特定窪み量T2[μm]は、質量w2のオモリ15を使用した際の特定窪み量Tである。また、特定窪み量差分値ΔTμm]としては、異なる2つの測定位置における測定結果の平均値を採用するものとする。図6は、特定窪み量差分値ΔTが異なる複数の研磨パッド10を用いて研磨試験を行い、研磨後の研磨量分布をグラフにしたものである。縦軸は研磨量[nm]、横軸は半導体ウェハ8の中心からの距離[mm]である。研磨条件は以下の通りである。研磨時間:240[sec]ウェーハ種別:DXADダミー、X:極性がない、A:最低グレードウェーハ半導体ウェハ8の被研磨面には研磨試験に先立って予め1800nmのプラズマCVD膜が積層されている。ヘッド2の回転数:90[rpm]プラテン3の回転数:90[rpm]半導体ウェハ8の直径:200[mm]図6において、黒丸のプロットは特定窪み量差分値ΔT=81[μm]である。黒菱形のプロットは特定窪み量差分値ΔT=86[μm]である。白四角のプロットは特定窪み量差分値ΔT=93[μm]である。白三角のプロットは特定窪み量差分値ΔT=84[μm]である。図6のグラフによれば、特定窪み量差分値ΔTが86[μm]以下である研磨パッド10を用いれば、半導体ウェハ8の外周部における研磨量を中心部と比較して抑えることができることが判る。詳しく言えば、図6のグラフによれば、特定窪み量差分値ΔTが86[μm]以下である研磨パッド10を用いれば、半導体ウェハ8の外周縁から5mm内側の位置における研磨量が、半導体ウェハ8の中央部の研磨量よりも小さくなっていることが判る。なお、図6により、特定窪み量差分値ΔTを小さくすればするほど、半導体ウェハ8の外周部における研磨量を一層抑えられることが判るが、別の観点で、即ち、研磨パッド10と半導体ウェハ8との馴染み易さを確保するために、特定窪み量差分値ΔTは55[μm]以上であることが望ましい。以上に、本実施形態の研磨パッド10を説明したが、研磨パッド10は、要するに、以下の特長を有している。即ち、ChemicalMechanicalPolishingCMP法においてリテーナリング9の内周側に配置される半導体ウェハ8研磨対象物を研磨するための研磨パッド10は、研磨パッド10の研磨面10aを有する硬質層12と、硬質層12を挟んで半導体ウェハ8と反対側に配置され、硬質層12よりも軟質である軟質層13と、を有する。研磨面10aに異なる荷重を作用させた際の研磨面10aの窪み量の差分である特定窪み量差分値ΔTが86[μm]以下である。以上の研磨パッド10を用いれば、図3及び図4、図6に示すように、研磨パッド10を使用してCMP法の研磨を実施するに際し、半導体ウェハ8の外周部の研磨量を抑えることができる。ヘッド2の回転数について次に、ヘッド2の回転数について説明する。図7には、ヘッド2の回転数を45[rpm]にした場合と、90[rpm]にした場合の、研磨時間とプラテン温度即ち、研磨パッド10の温度との関係をグラフで示している。縦軸は図1に示すようにプラテン3の外周縁から20[mm]内周側の位置におけるプラテン3の温度である。具体的には、プラテン3の温度[°C]とは、研磨パッド10に対して接触するプラテン3の表面近傍の温度を意味する。研磨パッド10に対して接触するプラテン3の表面近傍の温度は、研磨パッド10の温度と同一視しうる。プラテン3の温度は熱電対11によって測定する。横軸は研磨時間[sec]である。図7によれば、プラテン3の回転数を上げるとプラテン3の温度が高くなることが判る。また、プラテン3の温度が高くなると研磨パッド10の温度も高くなる。研磨パッド10の温度が高くなると研磨パッド10は軟化する傾向にある。なぜなら、研磨パッド10は一般に樹脂系材料で形成されているからである。そして、研磨パッド10が軟化すると、図6によれば、半導体ウェハ8の外周部の研磨量が大きくなってしまう。以上の考察は、図8に示した研磨試験の結果によって裏付けられている。図8は、プラテン3の回転数を変えて研磨試験を行い、研磨後の研磨量分布をグラフにしたものである。縦軸は研磨量[nm]、横軸は半導体ウェハ8の中心からの距離[mm]である。研磨条件は以下の通りである。研磨時間:240[sec]ウェーハ種別:DXAウェーハ半導体ウェハ8の被研磨面には研磨試験に先立って予め1800nmのプラズマCVD膜が積層されている。ヘッド2の回転数:90[rpm]プラテン3の回転数:45[rpm]又は90[rpm]半導体ウェハ8の直径:200[mm]図8によれば、プラテン3の回転数を90[rpm]のような極めて高い回転数にすると、半導体ウェハ8の外周部における研磨量が飛躍的に増大してしまうことが判る。これは、プラテン3の回転数が高すぎたため、研磨パッド10が著しく加熱され、もって、研磨パッド10が過度に軟化してしまったからだと考えられる。従って、図8によれば、半導体ウェハ8の外周部における研磨量を抑えるには、プラテン3の回転数を高くし過ぎないことが肝要であることが判る。更に言えば、好ましくは、図1に示すように、研磨中にプラテン3の温度を測定し、プラテン3の温度が所定値を上回ったらプラテン3の回転数を2割落とす、などといったように、プラテン3の温度を監視しつつプラテン3の温度上昇に応じてプラテン3の回転数を調整することが好ましい。また、図8によれば、プラテン3の回転数と、研磨量のバラツキ幅と、には正の相関関係があることが判る。即ち、プラテン3の回転数を90[rpm]とすると、半導体ウェハ8の研磨量の最大値と最小値との差=バラツキ幅は、150[nm]となったのに対し、プラテン3の回転数を45[rpm]とすると、半導体ウェハ8の研磨量の最大値と最小値との差は、100[nm]程度に収まった。このことから、プラテン3の回転数を抑えると、半導体ウェハ8の研磨量のバラツキ幅が抑えられ、もって、安定した研磨が実現することができよう。最後に、以上に開示した、半導体ウェハ8の外周部の研磨量を抑える技術の有益性について付言する。図9は、SOISiliconOnInsulatorウェーハと通常のDXAウェーハを用いて研磨試験を行い、研磨後の研磨量分布をグラフにしたものである。縦軸は研磨量[nm]、横軸は半導体ウェハ8の中心からの距離[mm]である。研磨条件は以下の通りである。研磨時間:240[sec]半導体ウェハ8の被研磨面には研磨試験に先立って予め1800nmのプラズマCVD膜が積層されている。ヘッド2の回転数:90[rpm]プラテン3の回転数:90[rpm]半導体ウェハ8の直径:200[mm]SOIウェーハは、通常のDXAウェーハと異なり、外周部を斜めに削り落とす機械的研磨であるテラス研磨がCMP研磨に先立って施されるのが一般的である。既に説明したように、半導体ウェハ8の外周部の研磨量の要因は図3や図4に示した隙間gであるところ、図9から判るように、SOIウェーハは、通常のDXAウェーハよりも、外周部の研磨量が著しい。従って、特定窪み量差分値ΔTを規定した上述の技術は、特に、テラス研磨が施されるウェーハ特に、SOIウェーハにおいて有益であると言及することができる。