"基板が装着されたチャンバーの内部にシリコン前駆体を注入して前記基板上にシリコンを蒸着する蒸着工程及び前記チャンバーの内部から未反応の前記シリコン前駆体及び反応副産物を除去する第1パージ工程を繰り返して前記基板上にシリコン薄膜を形成する工程と,前記チャンバーの内部にプラズマ雰囲気を形成し,前記シリコン薄膜をシリコン含有絶縁膜として形成する工程とを含むサイクリック薄膜の蒸着方法。前記シリコン含有絶縁膜を形成する工程は,O2,O3,N2及びNHを含む群から選択された一以上の反応ガスを注入して行われることを特徴とする請求項1記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。前記シリコン含有絶縁膜は,シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項1又は2記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。前記シリコン含有絶縁膜を形成する工程は,Ar,He,Kr及びXeを含む群から選択された一以上の点火ガスを注入してプラズマ雰囲気を形成することを特徴とする請求項2記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。前記点火ガスは100sccm~3000sccmの流量で注入され,前記反応ガスは10sccm~500sccmの流量で注入されることを特徴とする請求項4記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。前記シリコン含有絶縁膜を形成する工程は,O2又はO3を点火ガスとして利用してプラズマ雰囲気を形成することを特徴とする請求項1記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。前記シリコン含有絶縁膜を形成する工程の後,前記チャンバーの内部から反応副産物を除去する第2パージ工程を更に含み,前記シリコン薄膜を形成する工程,前記シリコン含有絶縁膜を形成する工程及び前記第2パージ工程は繰り返し行われることを特徴とする請求項1記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。前記シリコン薄膜を形成する工程は,前記シリコンを蒸着する工程及び前記第1パージ工程を3回~10回反復することを特徴とする請求項1記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。前記シリコン薄膜を形成する工程は,前記チャンバーの内部圧力を0.05Torr~10Torrに維持しながら行うことを特徴とする請求項1記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。前記シリコン含有絶縁膜を形成する工程は,前記チャンバーの内部圧力を0.05Torr~10Torrに維持することを特徴とする請求項1記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。前記シリコン薄膜を形成する工程は,非晶質のシリコン又は多結晶性を有するポリシリコンで形成されるシリコン薄膜を形成することを特徴とする請求項1記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。本発明の技術的課題は,上述した従来の問題点を解決するためのものであり,優秀な膜質と段差被覆性を有する絶縁膜を蒸着する方法を提供することにある。特に,優秀な膜質と段差被覆性とを有するサイクリック薄膜の蒸着方法を提供することにある。本発明の更に他の目的は,後述する詳細な説明と添付図面からより明確になるであろう。本発明の一実施例によるサイクリック薄膜の蒸着方法は,基板が装着されたチャンバーの内部にシリコン前駆体を注入して前記基板上にシリコンを蒸着する蒸着工程及び前記チャンバーの内部から未反応シリコン前駆体及び反応副産物を除去する第1パージ工程を繰り返して前記基板上にシリコン薄膜を形成する工程,前記チャンバーの内部にプラズマ雰囲気を形成し,蒸着された前記シリコン薄膜を前記シリコン含有絶縁膜として形成する工程を含む。前記絶縁膜として形成する工程は,O2O3N2及びNH3を含む群から選択された一以上の反応ガスを注入して行われてもよい。前記シリコン含有絶縁膜はシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜であってもよい。前記絶縁膜として形成する工程は,ArHeKr及びXeを含む群から選択された一以上の点火ガスignitiongasを注入してプラズマ雰囲気を形成してもよい。前記点火ガスは100sccm~3000sccmの流量で注入されてもよく,前記反応ガスは10sccm~500sccmの流量で注入されてもよい。前記絶縁膜として形成する工程は,O2又はO3を点火ガスとして利用してプラズマ雰囲気を形成してもよい。前記絶縁膜を形成する工程の後,前記チャンバーの内部から反応副産物を除去する第2パージ工程を更に含み,前記シリコン薄膜を蒸着する工程,前記絶縁膜を形成する工程及び前記第2パージ工程は繰り返し行われてもよい。前記シリコン薄膜を蒸着する工程は,前記シリコンを蒸着する工程及び前記第1パージ工程を3回~10回繰り返してもよい。前記シリコン薄膜を蒸着する工程は,前記チャンバーの内部圧力を0.05Torr~10Torrに維持しながら行われてもよい。前記絶縁膜を形成する工程は,前記チャンバーの内部圧力を0.05Torr~10Torrに維持してもよい。前記シリコン薄膜を形成する工程は,非晶質のシリコン又は多結晶性を有するポリシリコンで形成されるシリコン薄膜を形成することができる。本発明の一実施例によるサイクリック薄膜の蒸着方法は,厚さが薄くても優秀な膜質と段差被覆性を有する絶縁膜,例えばシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を形成することができる。また,シリコン薄膜をシリコン含有絶縁膜として形成する処理時間を短縮することができる。よって,高集積化された半導体素子を実現するために厚さが薄い絶縁膜を形成することができ,段差被覆性も優秀であるため微細構造を実現することができる。また,優秀な膜質を有するため,高集積化された半導体素子で要求される性能を満足たすことができる。以下,本発明の技術的思想による実施例について添付図面を参照して詳細に説明する。しかし,本発明の技術的思想による実施例は様々な形で変形されてもよく,本発明の範囲が以下で詳述する実施例によって限定されると解釈されてはならない。本発明の技術的思想による実施例は,当業界で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。添付図面において,同じ符号は始終同じ要素を意味する。なお,添付図面における様々な要素と領域は概略的に示されている。よって,本発明は添付図面に示された相対的な大きさや間隔によって限定されない。図1は,本発明の実施例によるサイクリック薄膜の蒸着方法を示すフローチャートである。図1を参照すると,半導体製造装置のチャンバーの内部に基板を装着するS100。前記チャンバーの内部に装着された基板にシリコン薄膜が形成されS200,シリコンを蒸着する工程S210及び第1パージ工程S220がシリコン薄膜の形成と共に行われる。シリコンを蒸着するために,前記チャンバーの内部にシリコン前駆体を注入して前記基板上にシリコンが蒸着されるようにしてもよいS210。前記基板上にシリコンを蒸着した後,未反応シリコン前駆体及び反応副産物を除去する第1パージ工程を行うS220。次に,シリコンを蒸着する工程S210及び第1パージ工程S220を繰り返しS230,前記基板上にシリコン薄膜を形成する。シリコンを蒸着する工程S210及び第1パージ工程S220は,例えば,3回~10回繰り返して行われてもよい。各シリコンを蒸着する工程S210では,1以上のシリコン原子層が前記基板上に形成されてもよい。よって,シリコンを蒸着する工程S210及び第1パージ工程S220を繰り返して行うとS230,非晶質のシリコン又は多結晶性を有するポリシリコンで形成されるシリコン薄膜が前記基板上に形成され得る。非晶質のシリコン又は多結晶性を有するシリコン薄膜は数Å~数十Åの厚さを有してもよい。次に,前記基板上に形成されたシリコン薄膜をシリコン含有絶縁膜として形成するS300。シリコン含有絶縁膜は,例えば,シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜であってもよい。シリコン薄膜をシリコン含有絶縁膜として形成するために,前記チャンバーの内部に反応ガスを注入してプラズマ雰囲気を形成してもよい。反応ガスは,例えば,O2,O3,N2及びNH3を含む群から選択された一以上のガスであってもよい。シリコン含有絶縁膜がシリコン酸化膜である場合,前記反応ガスはO2又はO3のような酸素原子を含むガスであってもよい。シリコン含有絶縁膜がシリコン窒化膜である場合,前記反応ガスはN2又はNH3のような窒素原子を含むガスであってもよい。又は,シリコン薄膜をシリコン含有絶縁膜,例えば,シリコン酸化膜として形成するために,前記チャンバー内部にO2又はO3を点火ガスとして利用してプラズマ雰囲気を形成してもよい。又は,シリコン薄膜をシリコン含有絶縁膜,例えば,シリコン窒化膜として形成するために,前記チャンバー内部にN2又はNH3を点火ガスとして利用してプラズマ雰囲気を形成してもよい。次に,チャンバーの内部で反応副産物と反応ガス又は点火ガスとを除去する第2パージ工程を行ってもよいS400。所望の厚さのシリコン含有絶縁膜を得るために,必要に応じてシリコン薄膜を形成する工程S200,シリコン含有絶縁膜として形成する工程S300及び第2パージ工程S400は繰り返し行われてもよいS500。所望の厚さのシリコン含有絶縁膜が形成された場合,基板はチャンバーから取り出されるS900。図2は,本発明の実施例によるサイクリック薄膜の蒸着方法を行うための半導体製造装置を示す概略的な断面図である。図2を参照すると,半導体製造装置10のチャンバー11内に反応ガスを導入するための導入部12が形成される。導入部12によって導入された反応ガスはシャワーヘッド13を介してチャンバー11の内部に噴射される。蒸着の対象となる基板100がチャック14の上に載置されるが,このようなチャック14はチャック支持台16によって支持される。チャック14は必要な場合,基板100に熱を加え,基板100が所定温度を有するようにしてもよい。このような装置によって蒸着が行われた後,排出部17によって排出される。また,半導体製造装置10はプラズマ雰囲気を形成するためにプラズマ発生部18を含んでもよい。図3は,本発明の実施例によるサイクリック薄膜の蒸着方法を示す図である。図3を参照すると,シリコン前駆体の注入とパージが繰り返し行われる。シリコン前駆体の注入とパージがそれぞれ数回繰り返し行われた後,プラズマ雰囲気が形成される。プラズマ雰囲気が形成された状態では,必要に応じて反応ガスが注入されてもよい。このように,シリコン前駆体の注入及びパージが繰り返し行われる工程からプラズマ雰囲気が形成される工程までが1サイクルとして動作する。即ち,シリコン前駆体の注入及びパージが繰り返し行われてシリコン薄膜を形成した後,プラズマ雰囲気を形成してシリコン含有絶縁膜を形成する過程が1サイクルとして動作する。従って,サイクリック薄膜の蒸着方法は,シリコン前駆体の注入とパージが繰り返し行われ得ることはもちろん,シリコン薄膜の形成及び絶縁膜の形成も同じく繰り返し行われ得る。図4a~図7は,上述した内容に基づき本発明の実施例によるサイクリック薄膜の蒸着方法を段階的に詳細に説明する。図4a~図7に係る説明において,必要な場合,図1~図3に係る参照符号が使用され得る。図4a~図4cは,本発明の実施例によるシリコンを蒸着する工程を示す断面図である。図4aは,本発明の実施例によるシリコン前駆体を注入する工程を示す断面図である。図4aを参照すると,基板100が装着されたチャンバー11内にシリコン前駆体50が注入される。基板100は,例えば,シリコン又は化合物半導体ウェーハのような半導体基板を含んでもよい。又は,基板100は,ガラス,金属,セラミック,石英のような半導体とは異なる基板物質などを含んでもよい。シリコン前駆体50は,例えば,BEMASbisethylmethylaminosilane,BDMASbisdimethylaminosilane,BEDAS,TEMAStetrakisethylmethylaminosilane,TDMAStetrakisidimethylaminosilane,TEDASのようなアミノ系シラン又はHCDhexachlorinedisilanのような塩化系シランであってもよく,シリコンと水素を含むシラン系列の前駆体であってもよい。基板100がシリコン前駆体50と反応するよう,基板100は50°C~600°Cの温度に維持されてもよい。また,基板100が装着されたチャンバー11内部の圧力は0.05Torr~10Torrを維持してもよい。図4bは,本発明の実施例による基板上にシリコンを蒸着する工程を示す断面図である。図4bを参照すると,シリコン前駆体50のうち基板100と反応するものによって基板100上にはシリコン原子が蒸着されてシリコン層112が形成されてもよい。シリコン層112は少なくとも1~数個のシリコン原子層で形成され得る。シリコン前駆体50は基板100と反応した後,反応副産物52が形成され得る。また,シリコン前駆体50のうち一部は基板100と反応せず,未反応状態で残っていてもよい。図4cは,本発明の実施例による第1パージ工程を行う工程を示す断面図である。図4cを参照すると,基板100上にシリコン層112を形成した後,残留した未反応状態のシリコン前駆体50及び反応副産物52をチャンバー11内部から除去するパージを行ってもよい。残留した未反応シリコン前駆体50及び反応副産物52をチャンバー11内部から除去する工程を第1パージ工程と称する。前記第1パージ工程の間,基板100は50°C~600°Cの温度を維持してもよい。また,基板100が装着されたチャンバー11内部の圧力は0.05Torr~10Torrに維持されてもよい。即ち,シリコン層112を蒸着する工程及び前記第1パージ工程の間,基板100の温度及びチャンバー11内部の圧力は一定に維持され得る。図5は,本発明の実施例によるシリコン薄膜を蒸着する工程を示す断面図である。図5を参照すると,図4a~図4cに示した工程を繰り返し,複数のシリコン層112,114,116を基板100上に蒸着し,非晶質のシリコン又は多結晶性を有するポリシリコンで形成されるシリコン薄膜110を形成する。シリコン薄膜110は数Å~数十Åの厚さを有してもよい。シリコン薄膜110が3~10個のシリコン層112,114,116を含むように,シリコン層112を蒸着する工程と前記第1パージ工程は3回~10回繰り返し行われてもよい。このようにシリコン薄膜110を複数のシリコン層112で形成すると,シリコン薄膜110は優秀な膜質と段差被覆性を有することができる。図6aは,本発明の実施例によるシリコン薄膜をシリコン含有絶縁膜として形成する工程を示す断面図である。図6aを参照すると,シリコン薄膜110が形成された基板100上にプラズマを加える。即ち,基板100が装着されたチャンバー11の内部にプラズマ雰囲気を形成する。プラズマ雰囲気を形成するために,ICPInductivelyCoupledPlasma,CCPCapacitivelyCoupledPlasma又はMWMicrowavePlasma方式を使用してもよい。この際,プラズマ雰囲気を形成するために100W~3kWの電力が印加され得る。プラズマ雰囲気を形成するために,例えば,Ar,He,Kr及びXeを含む群から選択された一以上の点火ガスと,例えば,O2,O3,N2及びNH3を含む群から選択された一以上の反応ガス60とが注入されてもよい。この際,点火ガスは100sccm~3000sccmの流量で注入されてもよい。又は,プラズマ雰囲気を形成するために,例えば,O2,O3,N2及びNH3を含む群から選択された一以上の反応ガス60が注入されてもよい。この際,反応ガス60が点火ガスの役割をするため,別途の点火ガスを注入しなくてもよい。反応ガス60として例えばO2,O3のような酸素原子を含むガスを使用する場合,シリコン薄膜110は反応ガス60に含まれた酸素原子と反応してシリコン酸化膜として形成される。又は,反応ガス60として例えばN2及びNH3のような窒素原子を含むガスを使用する場合,シリコン薄膜110は反応ガス60に含まれた窒素原子と反応してシリコン窒化膜として形成される。プラズマ雰囲気下でシリコン薄膜110をシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜のような後述するシリコン含有絶縁膜として変化させて形成するために,基板100が装着されたチャンバー11の圧力を0.05Torr~10Torrに維持してもよい。図6bは,本発明の実施例によるシリコンが含まれた第2パージ工程を行う工程を示す断面図である。図6a及び図6bを参照すると,残留した反応ガス60又は反応副産物を除去する第2パージ工程を行い,シリコン含有絶縁膜120aを形成する。シリコン含有絶縁膜120aは,例えば,シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜であってもよい。シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜のような前記シリコン含有絶縁膜120aをプラズマ雰囲気で形成すると優秀な膜質を得ることができる。特に,シリコン含有絶縁膜120aが薄く形成されても優秀な膜質を得ることができる。また,上述したように,シリコン薄膜110が優秀な膜質と段差被覆性を有することができるため,シリコン含有絶縁膜120aも同じく優秀な膜質と段差被覆性を有することができる。特に,シリコン含有絶縁膜120aはプラズマ雰囲気で形成されるため,更に良い膜質を有することができる。残留した未反応状態の反応ガス60又は反応副産物をチャンバー11の内部から除去するパージ工程を第2パージ工程と称する。図7は,本発明の他の実施例によるシリコン含有絶縁膜を示す断面図である。図7を参照すると,図4a~図6bで説明した工程を繰り返し,複数のシリコン含有絶縁膜120a,120bが含まれる絶縁膜120を形成することができる。図6aに示すシリコン薄膜110をシリコン含有絶縁膜120aとして形成する場合,シリコン薄膜110は露出された表面から絶縁膜に変化する。従って,シリコン薄膜110が厚い場合,シリコン薄膜110と反応するための酸素又は窒素はシリコン薄膜110の表面に形成された絶縁膜を貫通して拡散しなければならない。従って,絶縁膜の形成速度はシリコン薄膜110が厚いほどより遅くなる。形成しようとする絶縁膜120が相対的に厚い場合,相対的に薄いシリコン薄膜を形成した後にシリコン含有絶縁膜を形成する過程を繰り返すと,相対的に厚いシリコン薄膜を一度に絶縁膜として形成するよりも処理時間を短縮することができる。従って,処理時間とシリコン含有絶縁膜の所望の厚さを考慮し,図4a~図6bで説明した工程を繰り返す回数を決定してもよい。また,絶縁膜120は2つのシリコン含有絶縁膜120a,120bが含まれるものとして示されているが,3又はそれ以上のシリコン含有絶縁膜を含むことも可能である。本発明を好ましい実施例により詳細に説明したが,これとは異なる形の実施例も可能である。よって,後述する特許請求の範囲の技術的思想と範囲は好ましい実施例に限定されない。"