基板と、前記基板上に形成された第1の配線及び第2の配線と、前記第1の配線及び前記第2の配線に接続され、前記基板上にフリップチップ実装されたLEDチップと、前記基板の前記第1の配線及び前記第2の配線が形成されていない露出した領域のうちの、前記LEDチップの直下の領域以外の領域上に形成された白色レジストと、を有する発光装置。前記LEDチップの直下の領域における、前記第1の配線と前記第2の配線との間隔は100μm以下である、請求項1に記載の発光装置。前記基板は、セラミック基板である、請求項1又は2に記載の発光装置。前記基板は白色である、請求項1から3のいずれか1項に記載の発光装置。しかし、特許文献1に記載された発光装置によれば、LEDチップのn極が接続される配線とp極が接続される配線の間に形成された白色レジストが膨張して、LEDチップと配線との接続に不具合を生じさせるおそれがある。したがって、本発明の目的は、LEDチップと配線との接続不良を防ぎつつ、白色レジストにより光出力を向上させた発光装置を提供することにある。本発明は、上記目的を達成するため、基板と、前記基板上に形成された第1の配線及び第2の配線と、前記第1の配線及び前記第2の配線に接続され、前記基板上にフリップチップ実装されたLEDチップと、前記基板の前記第1の配線及び前記第2の配線が形成されていない露出した領域のうちの、前記LEDチップの直下の領域以外の領域上に形成された白色レジストと、を有する発光装置を提供する。上記発光装置において、前記LEDチップの直下の領域における、前記第1の配線と前記第2の配線との間隔は100μm以下であってもよい。上記発光装置において、前記基板は、セラミック基板であってもよい。上記発光装置において、前記基板は白色であってもよい。本発明によれば、LEDチップと配線との接続不良を防ぎつつ、白色レジストにより光出力を向上させた発光装置を提供することができる。第1の実施の形態図1は、本発明の実施の形態に係る発光装置1の一部の上面図である。図2a、bは、それぞれ図1の線分A-A、B-Bに沿った発光装置1の垂直断面図である。発光装置1は、フリップチップ実装されたフェイスダウンのLEDチップ2を有し、上方図2aの上方向から光を取り出す発光装置である。発光装置1は、透光性を有する基板3と、基板3上に形成された配線4a、4bと、配線4a、4bに接続されたLEDチップ2と、基板3の配線4a、4bが形成されていない露出した領域のうちの、LEDチップ2の直下の領域以外の領域上に形成された白色レジスト5を有する。LEDチップ2のn極とp極は、それぞれはんだバンプ等のバンプ6を介して配線4a、4bに接続される。LEDチップ2は、例えば、ピーク波長が470nmの青色の光を発する。LEDチップ2の平面形状は、例えば、四角形である。基板3は、例えば、厚さ0.4mmのアルミナ等からなり、素地が白色であるセラミック基板である。このように、基板厚が薄いため、LEDチップ2から発せられた光が基板3の露出した領域に入射した場合、基板3の裏側にその一部が透過する。基板3の厚さは、放熱性及び機械的強度の両立の観点から、0.05mm以上が好ましく、0.1mm以上がさらに好ましい。また、放熱性及び薄型化の両立の観点から、1.0mm以下が好ましく、0.4mm以下がさらに好ましい。配線4a、4bは、Au等の導電材材料からなる。また、配線4a、4bは、異なる材料から構成される多層構造、例えばCu膜、Ni膜、及びAu膜からなる多層構造、を有してもよい。配線4a、4bの厚さは、例えば、20μmである。白色レジスト5は、高い光反射率を有するレジスト材料、例えば、酸化チタン等の白色の顔料が加えられたシリコーンやエポキシ等樹脂からなる。特に、樹脂としては、耐光性や耐熱性が高く、変色しにくい低粘度シリコーンを用いることが好ましい。このようなレジスト材料を基板3上の配線4a、4bを含む配線間の領域配線に覆われていない露出した領域にスクリーン印刷等により埋め込むことにより、白色レジスト5が形成される。特に、配線パターンが微細である場合は、隣接する配線の間隔が狭い例えば、配線4aと配線4bの間隔が50~100μmため、高精度なファインピッチスクリーン印刷により形成される。白色レジスト5は、基板3の配線に覆われていない露出した領域を覆い、LEDチップ2から発せられて基板3方向に向かってくる光を反射することができるため、光の基板3の透過を抑え、発光装置1の光出力を向上させることができる。白色レジスト5は、スクリーン印刷等により塗布された後、硬化する際に膨張する。特に、配線4aと配線4bの間の領域のような、間隔の狭い領域に形成された白色レジスト5は、上方に大きく膨張するおそれが大きい。しかし、発光装置1においては、LEDチップ2の直下には白色レジスト5が形成されないため、配線4aと配線4bの間の白色レジスト5が膨張した場合であっても、LEDチップ2と配線4a、4bの接続に不具合は生じない。なお、LEDチップ2の基板3に対向する面にはAg等の反射率の高い材料からなる電極が形成されるため、LEDチップ2の直下に発せられる光はほとんどない。そのため、LEDチップ2の直下に白色レジスト5がなくても、光が基板3を透過することによる光出力の低下はほとんどない。図3は、比較例に係る発光装置10の垂直断面図である。図3の断面は、図2aの断面に対応する。発光装置10は、LEDチップ2の直下に白色レジスト5が形成される点において、発光装置1と異なる。発光装置10においては、図3に示されるように、LEDチップ2の直下の白色レジスト5が膨張し、LEDチップ2を実装する際に、LEDチップ2の底面が白色レジスト5に接触するおそれがある。この場合、LEDチップ2がバンプ6と適切に接続されず、LEDチップ2と配線4a、4bとの間に接続不良が生じるおそれがある。第2の実施の形態第2の実施の形態は、複数のLEDチップを含むLEDパッケージについての形態である。なお、第1の実施の形態と同様の点については、説明を省略又は簡略化する。図4aは、第2の実施の形態に係るLEDパッケージ20の上面図である。図4bは、図4の線分C-Cに沿ったLEDパッケージ20の垂直断面図である。LEDパッケージ20においては、直線状の配線14a、14b、14c、14d、14e、14fが基板3上に平行に並び、LEDチップ2が、配線14aと14b、配線14bと14c、配線14cと14d、配線14dと14e、又は配線14eと14fにバンプ6を介して接続される。白色レジスト5は、基板3の配線14a~14fに覆われていない露出した領域のうちの、LEDチップ2の直下の領域以外の領域上に形成される。LEDチップ2の直下には白色レジスト5が形成されないため、白色レジスト5が膨張した場合であっても、LEDチップ2と配線14a~14fの接続に不具合は生じない。複数のLEDチップ2は、エポキシやシリコーン等の樹脂からなる枠7に囲まれ、枠7内には、LEDチップ2を覆うようにエポキシやシリコーン等の樹脂からなる封止部材8が充填される。封止部材8を構成する樹脂としては、耐光性や耐熱性が高く、変色しにくい低粘度シリコーンを用いることが好ましい。また、枠7を構成する樹脂としては、加工性のよいエポキシや高粘度シリコーンを用いることが好ましい。実施の形態の効果上記実施の形態によれば、白色レジスト5により、LEDチップ2から発せられる光の基板3の透過を抑え、発光装置1の光出力を向上させることができる。そして、白色レジスト5はLEDチップ2の直下には形成されないため、白色レジスト5の膨張によるLEDチップ2と配線4a、4bとの接続不良を防ぐことができる。本発明は、上記の実施の形態に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。例えば、上記の実施の形態では、基板として、アルミナ基板を用いたが、窒化アルミ基板等のその他のセラミックス基板を用いてもよい。また、上記の実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。