光ディスクから情報を読み出すことによって再生動作を実行して、前記光ディスクに情報を書き込むことによって記録動作を実行する光ディスク記録再生装置に内蔵可能な光ディスク記録再生用半導体集積回路であって、前記光ディスク記録再生用半導体集積回路は、前記再生動作のための再生誤り訂正処理回路と、前記記録動作のための記録誤り訂正処理回路と、ホスト機器に接続可能なホストインターフェース回路と、半導体メモリに接続可能なメモリ制御回路とを具備して、前記メモリ制御回路は、調停回路とカウント回路とを含み、前記調停回路は、前記再生誤り訂正処理回路と前記記録誤り訂正処理回路の誤り訂正処理に関係して前記半導体メモリをアクセスするためのECCアクセスリクエストと、前記ホスト機器とのホストインターフェースに関係して前記ホストインターフェース回路が前記半導体メモリをアクセスするためのホストインターフェースアクセスリクエストとを、事前に設定された優先順位によって調停可能とされ、前記事前に設定された優先順位によって前記調停回路は、前記ECCアクセスリクエストを前記ホストインターフェースアクセスリクエストよりも高い優先順位で調停して、前記カウント回路には、前記再生動作と前記記録動作とに関係した動作モード信号が供給可能とされ、前記カウント回路は、前記再生誤り訂正処理回路と前記記録誤り訂正処理回路から出力される前記ECCアクセスリクエストの出力回数をカウントして、前記カウント回路がカウントした前記ECCアクセスリクエストの前記出力回数が前記動作モード信号によって指定された動作モードにおける所定の出力回数と一致することに応答して、前記カウント回路はカウント終了信号を生成して、前記所定の出力回数は、前記光ディスクの1個のECCブロックまたは当該1個のECCブロックの整数倍のデータに関係して前記半導体メモリをアクセスするために必要な前記ECCアクセスリクエストの出力回数に対応して、前記カウント回路から生成される前記カウント終了信号に応答して、前記調停回路は前記事前に設定された優先順位からアクセス調停の優先順位の切り替えを実行して、前記切り替え後の前記アクセス調停の優先順位によって前記調停回路は、前記ECCアクセスリクエストよりも前記ホストインターフェースアクセスリクエストを高い優先順位で調停することを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路。請求項1において、前記1個のECCブロックは、前記再生誤り訂正処理回路と前記記録誤り訂正処理回路の前記誤り訂正処理の最小単位であることを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路。請求項2において、前記光ディスク記録再生装置に内蔵されるピックアップの再生信号が前記光ディスク記録再生装置に内蔵される復調回路に供給されることにより、前記復調回路から生成される再生データが前記再生誤り訂正処理回路に供給可能とされ、前記再生誤り訂正処理回路は、前記復調回路から生成される前記再生データに関して再生誤り訂正処理を実行可能とされ、前記記録誤り訂正処理回路は前記メモリ制御回路を介して前記半導体メモリから読み出される記録情報に関して記録誤り訂正処理を実行可能とされ、前記記録誤り訂正処理の後の記録データは前記光ディスク記録再生装置に内蔵される変調回路を介して前記ピックアップに供給可能とされることを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路。請求項3において、前記再生動作時において、前記カウント回路は、前記1個のECCブロックの先頭を示す再生クラスタ同期信号を前記復調回路から受信するものであり、前記記録動作時において、前記カウント回路は、前記1個のECCブロックの先頭を示す記録クラスタ同期信号を前記変調回路から受信するものであり、前記再生クラスタ同期信号と前記記録クラスタ同期信号のうち前記カウント回路に早期に供給される同期信号によって、前記カウント回路がカウントした前記ECCアクセスリクエストの前記出力回数がカウント初期値にリセット可能とされることを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路。請求項4において、早期に供給される前記同期信号によって前記カウント回路がリセットされることに応答して、前記調停回路は前記切り替え後の前記アクセス調停の優先順位から前記事前に設定された優先順位に復帰することを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路。請求項5において、前記光ディスク記録再生用半導体集積回路は、前記メモリ制御回路に接続された中央処理ユニットを更に具備して、前記中央処理ユニットは、前記再生動作としての一般再生と特殊再生と前記記録動作としての一般記録と特殊記録を指定する前記動作モード信号を前記カウント回路に供給可能とされたことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路。請求項6において、前記復調回路から生成される前記再生データと前記変調回路に供給される前記記録データとに関するチャネルアクセスリクエストと、前記中央処理ユニットからのCPUアクセスリクエストとを、前記調停回路は調停可能とされたことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路。請求項7において、前記事前に設定された優先順位と前記切り替え後の前記アクセス調停の優先順位のいずれにおいても、前記調停回路は前記チャネルアクセスリクエストを両方の優先順位の1番目に設定して、前記調停回路は前記CPUアクセスリクエストを前記両方の優先順位の2番目に設定して、前記調停回路は前記ECCリクエストと前記ホストインターフェースアクセスリクエストとを前記両方の優先順位の3番目以下に設定することを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路。請求項7において、前記半導体メモリは、ダイナミックランダムアクセスメモリであることを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路。請求項9において、前記光ディスク記録再生用半導体集積回路の半導体チップと、前記半導体メモリとしての前記ダイナミックランダムアクセスメモリの半導体チップとは、単一の封止パッケージに内蔵されたことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路。光ディスクから情報を読み出すことによって再生動作を実行して、前記光ディスクに情報を書き込むことによって記録動作を実行する光ディスク記録再生装置に内蔵可能な光ディスク記録再生用半導体集積回路の動作方法であって、前記光ディスク記録再生用半導体集積回路は、前記再生動作のための再生誤り訂正処理回路と、前記記録動作のための記録誤り訂正処理回路と、ホスト機器に接続可能なホストインターフェース回路と、半導体メモリに接続可能なメモリ制御回路とを具備して、前記メモリ制御回路は、調停回路とカウント回路とを含み、前記調停回路は、前記再生誤り訂正処理回路と前記記録誤り訂正処理回路の誤り訂正処理に関係して前記半導体メモリをアクセスするためのECCアクセスリクエストと、前記ホスト機器とのホストインターフェースに関係して前記ホストインターフェース回路が前記半導体メモリをアクセスするためのホストインターフェースアクセスリクエストとを、事前に設定された優先順位によって調停可能とされ、前記事前に設定された優先順位によって前記調停回路は、前記ECCアクセスリクエストを前記ホストインターフェースアクセスリクエストよりも高い優先順位で調停して、前記カウント回路には、前記再生動作と前記記録動作とに関係した動作モード信号が供給可能とされ、前記カウント回路は、前記再生誤り訂正処理回路と前記記録誤り訂正処理回路から出力される前記ECCアクセスリクエストの出力回数をカウントして、前記カウント回路がカウントした前記ECCアクセスリクエストの前記出力回数が前記動作モード信号によって指定された動作モードにおける所定の出力回数と一致することに応答して、前記カウント回路はカウント終了信号を生成して、前記所定の出力回数は、前記光ディスクの1個のECCブロックまたは当該1個のECCブロックの整数倍のデータに関係して前記半導体メモリをアクセスするために必要な前記ECCアクセスリクエストの出力回数に対応して、前記カウント回路から生成される前記カウント終了信号に応答して、前記調停回路は前記事前に設定された優先順位からアクセス調停の優先順位の切り替えを実行して、前記切り替え後の前記アクセス調停の優先順位によって前記調停回路は、前記ECCアクセスリクエストよりも前記ホストインターフェースアクセスリクエストを高い優先順位で調停することを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路の動作方法。請求項11において、前記1個のECCブロックは、前記再生誤り訂正処理回路と前記記録誤り訂正処理回路の前記誤り訂正処理の最小単位であることを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路の動作方法。請求項12において、前記光ディスク記録再生装置に内蔵されるピックアップの再生信号が前記光ディスク記録再生装置に内蔵される復調回路に供給されることにより、前記復調回路から生成される再生データが前記再生誤り訂正処理回路に供給可能とされ、前記再生誤り訂正処理回路は、前記復調回路から生成される前記再生データに関して再生誤り訂正処理を実行可能とされ、前記記録誤り訂正処理回路は前記メモリ制御回路を介して前記半導体メモリから読み出される記録情報に関して記録誤り訂正処理を実行可能とされ、前記記録誤り訂正処理の後の記録データは前記光ディスク記録再生装置に内蔵される変調回路を介して前記ピックアップに供給可能とされることを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路の動作方法。請求項13において、前記再生動作時において、前記カウント回路は、前記1個のECCブロックの先頭を示す再生クラスタ同期信号を前記復調回路から受信するものであり、前記記録動作時において、前記カウント回路は、前記1個のECCブロックの先頭を示す記録クラスタ同期信号を前記変調回路から受信するものであり、前記再生クラスタ同期信号と前記記録クラスタ同期信号のうち前記カウント回路に早期に供給される同期信号によって、前記カウント回路がカウントした前記ECCアクセスリクエストの前記出力回数がカウント初期値にリセット可能とされることを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路の動作方法。請求項14において、早期に供給される前記同期信号によって前記カウント回路がリセットされることに応答して、前記調停回路は前記切り替え後の前記アクセス調停の優先順位から前記事前に設定された優先順位に復帰することを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路の動作方法。請求項15において、前記光ディスク記録再生用半導体集積回路は、前記メモリ制御回路に接続された中央処理ユニットを更に具備して、前記中央処理ユニットは、前記再生動作としての一般再生と特殊再生と前記記録動作としての一般記録と特殊記録を指定する前記動作モード信号を前記カウント回路に供給可能とされたことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路の動作方法。請求項16において、前記復調回路から生成される前記再生データと前記変調回路に供給される前記記録データとに関するチャネルアクセスリクエストと、前記中央処理ユニットからのCPUアクセスリクエストとを、前記調停回路は調停可能とされたことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路の動作方法。請求項17において、前記事前に設定された優先順位と前記切り替え後の前記アクセス調停の優先順位のいずれにおいても、前記調停回路は前記チャネルアクセスリクエストを両方の優先順位の1番目に設定して、前記調停回路は前記CPUアクセスリクエストを前記両方の優先順位の2番目に設定して、前記調停回路は前記ECCリクエストと前記ホストインターフェースアクセスリクエストとを前記両方の優先順位の3番目以下に設定することを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路の動作方法。請求項17において、前記半導体メモリは、ダイナミックランダムアクセスメモリであることを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路の動作方法。請求項19において、前記光ディスク記録再生用半導体集積回路の半導体チップと、前記半導体メモリとしての前記ダイナミックランダムアクセスメモリの半導体チップとは、単一の封止パッケージに内蔵されたことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路の動作方法。本発明者等は本発明に先立って、DVDやBD等の光ディスクの書き込み動作と読み出し動作とを実行可能な光ディスク記録再生用半導体集積回路の開発に従事した。この光ディスク記録再生用半導体集積回路には、通常の記録動作と通常の再生動作だけではなく、リードアフターライト動作やフル記録やベリファイ再生等の特殊な記録動作や特殊な再生動作が必要とされた。このリードアフターライト動作は、記憶媒体へのデータの書き込みを行なった直後に記録されたデータを再生して再生データと記録元データを比較して両方のデータが一致しない場合には、書き込みが失敗したと判定して再書き込みを実行する動作である。フル記録は、記録途中で記録停止を行った場合に未記録のスクランブルデータを記録ECC回路が再スクランブルを行い再スクランブルデータとパリティとをSDRAM等のメモリへ転送する動作である。ベリファイ再生は、ECCチェック結果のみ出力する再生動作である。このようにリードアフターライト動作やフル記録やベリファイ再生等の特殊な記録動作や特殊な再生動作が必要とされる光ディスク記録再生用半導体集積回路において、SDRAM等のメモリのアクセス調停方式を検討するために、本発明に先立って本発明者等は上記特許文献1に記載された方式を詳細に検討したものである。上記特許文献1に記載された方式では、記録媒体を記録または再生する際に分周カウンタは記録クロックまたは再生クロックを分周してこの分周クロックからアクセス要求を上位に繰り上げるための割り込み要求を出力するものである。しかしながら、上記特許文献1に記載の方式を上述の特殊な記録動作や特殊な再生動作が必要とされる光ディスク記録再生用半導体集積回路に適用する際に、分周カウンタの分周数をどのような値に設定すべきかと言う具体的なインプリメンテーションが明確でないと言う問題が本発明に先立った本発明者による検討によって明らかとされた。本発明は、以上のような本発明に先立った本発明者等による検討の結果、なされたものである。従って、本発明の目的とするところは、光ディスク記録再生用半導体集積回路において、特殊な記録動作や特殊な再生動作への対応を容易とすることにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。本願において開示される発明のうちの代表的なものについて簡単に説明すれば下記のとおりである。すなわち、本発明の代表的な実施の形態は、光ディスクから情報を読み出して再生動作を実行して、前記光ディスクに情報を書き込んで記録動作を実行する光ディスク記録再生装置に内蔵可能な光ディスク記録再生用半導体集積回路である。前記光ディスク記録再生用半導体集積回路は、再生誤り訂正処理回路と、記録誤り訂正処理回路と、ホスト機器に接続可能なホストインターフェース回路と、半導体メモリに接続可能なメモリ制御回路とを具備する。前記メモリ制御回路は、調停回路とカウント回路とを含む。前記調停回路は、前記再生誤り訂正処理回路と前記記録誤り訂正処理回路の誤り訂正処理に関係して前記半導体メモリをアクセスするECCアクセスリクエストと、前記ホスト機器とのホストインターフェースに関係して前記ホストインターフェース回路が前記半導体メモリをアクセスするホストインターフェースアクセスリクエストとを、事前に設定された優先順位によって調停する。前記事前に設定された優先順位によって前記調停回路は、前記ECCアクセスリクエストを前記ホストインターフェースアクセスリクエストよりも高い優先順位で調停する。前記カウント回路には、前記再生動作と前記記録動作とに関係した動作モード信号が供給される。前記カウント回路は、前記再生誤り訂正処理回路と前記記録誤り訂正処理回路から出力される前記ECCアクセスリクエストの出力回数をカウントする。前記カウント回路がカウントした前記ECCアクセスリクエストの前記出力回数が前記動作モード信号によって指定された動作モードにおける所定の出力回数と一致することに応答して、前記カウント回路はカウント終了信号を生成する。前記所定の出力回数は、前記光ディスクの1個のECCブロックまたは当該1個のECCブロックの整数倍のデータに関係して前記半導体メモリをアクセスするために必要な前記ECCアクセスリクエストの出力回数に対応する。前記カウント回路から生成される前記カウント終了信号に応答して、前記調停回路は前記事前に設定された優先順位からアクセス調停の優先順位の切り替えを実行する。前記切り替え後の前記アクセス調停の優先順位によって前記調停回路は、前記ECCアクセスリクエストよりも前記ホストインターフェースアクセスリクエストを高い優先順位で調停することを特徴とする。本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記の通りである。すなわち、本発明によれば、特殊な記録動作や特殊な再生動作への対応を容易とすることができる。1.実施の形態の概要まず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。代表的な実施の形態についての概要説明で括弧を付して参照する図面の参照符号は、それが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。1本発明の代表的な実施の形態は、光ディスクから情報を読み出すことによって再生動作を実行して、前記光ディスクに情報を書き込むことによって記録動作を実行する光ディスク記録再生装置に内蔵可能な光ディスク記録再生用半導体集積回路である。前記光ディスク記録再生用半導体集積回路は、前記再生動作のための再生誤り訂正処理回路と、前記記録動作のための記録誤り訂正処理回路と、ホスト機器に接続可能なホストインターフェース回路と、半導体メモリに接続可能なメモリ制御回路とを具備する。前記メモリ制御回路は、調停回路とカウント回路とを含む。前記調停回路は、前記再生誤り訂正処理回路と前記記録誤り訂正処理回路の誤り訂正処理に関係して前記半導体メモリをアクセスするためのECCアクセスリクエストと、前記ホスト機器とのホストインターフェースに関係して前記ホストインターフェース回路が前記半導体メモリをアクセスするためのホストインターフェースアクセスリクエストとを、事前に設定された優先順位によって調停可能とされる。前記事前に設定された優先順位によって前記調停回路は、前記ECCアクセスリクエストを前記ホストインターフェースアクセスリクエストよりも高い優先順位で調停する。前記カウント回路には、前記再生動作と前記記録動作とに関係した動作モード信号が供給可能とされる。前記カウント回路は、前記再生誤り訂正処理回路と前記記録誤り訂正処理回路から出力される前記ECCアクセスリクエストの出力回数をカウントする。前記カウント回路がカウントした前記ECCアクセスリクエストの前記出力回数が前記動作モード信号によって指定された動作モードにおける所定の出力回数と一致することに応答して、前記カウント回路はカウント終了信号を生成する。前記所定の出力回数は、前記光ディスクの1個のECCブロックまたは当該1個のECCブロックの整数倍のデータに関係して前記半導体メモリをアクセスするために必要な前記ECCアクセスリクエストの出力回数に対応する。前記カウント回路から生成される前記カウント終了信号に応答して、前記調停回路は前記事前に設定された優先順位からアクセス調停の優先順位の切り替えを実行する。前記切り替え後の前記アクセス調停の優先順位によって前記調停回路は、前記ECCアクセスリクエストよりも前記ホストインターフェースアクセスリクエストを高い優先順位で調停することを特徴とするものである。前記実施の形態によれば、特殊な記録動作や特殊な再生動作への対応を容易とすることができる。好適な実施の形態では、前記1個のECCブロックは、前記再生誤り訂正処理回路と前記記録誤り訂正処理回路の前記誤り訂正処理の最小単位であることを特徴とするものである。他の好適な実施の形態では、前記光ディスク記録再生装置に内蔵されるピックアップの再生信号が前記光ディスク記録再生装置に内蔵される復調回路に供給されることにより前記復調回路から生成される再生データが前記再生誤り訂正処理回路に供給可能とされる。前記再生誤り訂正処理回路は、前記復調回路から生成される前記再生データに関して再生誤り訂正処理を実行可能とされる。前記記録誤り訂正処理回路は前記メモリ制御回路を介して前記半導体メモリから読み出される記録情報に関して記録誤り訂正処理を実行可能とされて、前記記録誤り訂正処理の後の記録データは前記光ディスク記録再生装置に内蔵される変調回路を介して前記ピックアップに供給可能とされることを特徴とするものである。更に他の好適な実施の形態では、前記再生動作時において、前記カウント回路は、前記1個のECCブロックの先頭を示す再生クラスタ同期信号を前記復調回路から受信するものである。前記記録動作時において、前記カウント回路は、前記1個のECCブロックの先頭を示す記録クラスタ同期信号を前記変調回路から受信するものである。前記再生クラスタ同期信号と前記記録クラスタ同期信号のうち前記カウント回路に早期に供給される同期信号によって、前記カウント回路がカウントした前記ECCアクセスリクエストの前記出力回数がカウント初期値にリセット可能とされることを特徴とするものである。より好適な実施の形態では、早期に供給される前記同期信号によって前記カウント回路がリセットされることに応答して、前記調停回路は前記切り替え後の前記アクセス調停の優先順位から前記事前に設定された優先順位に復帰することを特徴とするものである。他のより好適な実施の形態による光ディスク記録再生用半導体集積回路は、前記メモリ制御回路に接続された中央処理ユニットを更に具備する。前記中央処理ユニットは、前記再生動作としての一般再生と特殊再生と前記記録動作としての一般記録と特殊記録を指定する前記動作モード信号を前記カウント回路に供給可能とされたことを特徴とするものである。更に他のより好適な実施の形態では、前記復調回路から生成される前記再生データと前記変調回路に供給される前記記録データとに関するチャネルアクセスリクエストと、前記中央処理ユニットからのCPUアクセスリクエストとを、前記調停回路は調停可能とされたことを特徴とするものである。別のより好適な実施の形態では、前記事前に設定された優先順位と前記切り替え後の前記アクセス調停の優先順位のいずれにおいても、前記調停回路は前記チャネルアクセスリクエストを両方の優先順位の1番目に設定して、前記調停回路は前記CPUアクセスリクエストを前記両方の優先順位の2番目に設定して、前記調停回路は前記ECCリクエストと前記ホストインターフェースアクセスリクエストとを前記両方の優先順位の3番目以下に設定することを特徴とするものである。具体的な実施の形態では、前記半導体メモリは、ダイナミックランダムアクセスメモリであることを特徴とするものである。最も具体的な実施の形態では、前記光ディスク記録再生用半導体集積回路の半導体チップと、前記半導体メモリとしての前記ダイナミックランダムアクセスメモリの半導体チップとは、単一の封止パッケージに内蔵されたことを特徴とするものである。2本発明の別の観点の代表的な実施の形態は、光ディスクから情報を読み出すことによって再生動作を実行して、前記光ディスクに情報を書き込むことによって記録動作を実行する光ディスク記録再生装置に内蔵可能な光ディスク記録再生用半導体集積回路の動作方法である。前記光ディスク記録再生用半導体集積回路は、前記再生動作のための再生誤り訂正処理回路と、前記記録動作のための記録誤り訂正処理回路と、ホスト機器に接続可能なホストインターフェース回路と、半導体メモリに接続可能なメモリ制御回路とを具備する。前記メモリ制御回路は、調停回路とカウント回路とを含む。前記調停回路は、前記再生誤り訂正処理回路と前記記録誤り訂正処理回路の誤り訂正処理に関係して前記半導体メモリをアクセスするためのECCアクセスリクエストと、前記ホスト機器とのホストインターフェースに関係して前記ホストインターフェース回路が前記半導体メモリをアクセスするためのホストインターフェースアクセスリクエストとを、事前に設定された優先順位によって調停可能とされる。前記事前に設定された優先順位によって前記調停回路は、前記ECCアクセスリクエストを前記ホストインターフェースアクセスリクエストよりも高い優先順位で調停する。前記カウント回路には、前記再生動作と前記記録動作とに関係した動作モード信号が供給可能とされる。前記カウント回路は、前記再生誤り訂正処理回路と前記記録誤り訂正処理回路から出力される前記ECCアクセスリクエストの出力回数をカウントする。前記カウント回路がカウントした前記ECCアクセスリクエストの前記出力回数が前記動作モード信号によって指定された動作モードにおける所定の出力回数と一致することに応答して、前記カウント回路はカウント終了信号を生成する。前記所定の出力回数は、前記光ディスクの1個のECCブロックまたは当該1個のECCブロックの整数倍のデータに関係して前記半導体メモリをアクセスするために必要な前記ECCアクセスリクエストの出力回数に対応する。前記カウント回路から生成される前記カウント終了信号に応答して、前記調停回路は前記事前に設定された優先順位からアクセス調停の優先順位の切り替えを実行する。前記切り替え後の前記アクセス調停の優先順位によって前記調停回路は、前記ECCアクセスリクエストよりも前記ホストインターフェースアクセスリクエストを高い優先順位で調停することを特徴とするものである。前記実施の形態によれば、特殊な記録動作や特殊な再生動作への対応を容易とすることができる。2.実施の形態の詳細次に、実施の形態について更に詳述する。尚、発明を実施するための最良の形態を説明するための全図において、前記の図と同一の機能を有する部品には同一の符号を付して、その繰り返しの説明は省略する。[実施の形態1]《光ディスク記録再生装置の構成》図1は、本発明の実施の形態1による光ディスク記録再生用半導体集積回路LSIを内蔵した光ディスク記録再生装置1の構成を示す図である。図1に示すように光ディスク記録再生装置1は、本発明の実施の形態1による光ディスク記録再生用半導体集積回路LSIと光ヘッドピックアップ12と変調回路13と復調回路14とSDRAMの半導体メモリ22によって構成される。光ディスク記録再生装置1は、着脱可能なDVDやBD等の光ディスク11から読み出しデータを読み出しホストコンピュータ2に供給することによって再生動作を実行する一方、ホストコンピュータ2からの書き込みデータを着脱可能な光ディスク11に書き込むことによって記録動作を実行するものである。光ディスク記録再生用半導体集積回路LSIは、インターリーブ回路15とデインターリーブ回路16と記録ECC処理回路17と再生ECC処理回路18とSerial-ATAPIインターフェース回路19とメモリ制御回路20と中央処理ユニット21とによって構成されている。メモリ制御回路20は、調停回路200と自動ATAPI/ECC優先順位切り替え回路201とECCリクエストカウント回路202を含んでいる。尚、光ディスク記録再生用半導体集積回路LSIには、図示しないクロック発生器から生成されるマスタクロックが供給される。尚、ATAPIは、AdvancedTechnologyAttachmentPacketInterfaceの略である。特に、光ディスク記録再生用半導体集積回路LSIとSDRAMの半導体メモリ22とは、SIPまたはMCPと呼ばれる混成半導体集積回路の形態に形成されることが可能である。すなわち、SDRAMの半導体メモリ22の半導体チップは、光ディスク記録再生用半導体集積回路LSIの半導体チップを内蔵する樹脂封止パッケージの内部に内蔵されることが可能である。着脱可能な光ディスク11は、スピンドルモータに保持され回転する。光ヘッドピックアップ12は、情報の記録および再生を行うレーザ光を発光する半導体レーザと、半導体レーザからのレーザ光を光ディスク11の面上に光スポットとして形成する光学レンズと、光ディスク10からの反射光を使用して情報の再生および自動焦点およびトラック追跡等の光点制御を実行するための光検出器とによって構成され、光ディスク11に情報の書き込み動作を実行する一方、光ディスク11から情報の読み出し動作を実行する。光ディスク記録再生装置1はホストコンピュータ2と接続されることによって、ホストコンピュータ2から供給される命令や情報データが中央処理ユニット21に供給されて、中央処理ユニット21が情報の記録動作、情報の再生動作およびピックアップ12のシーク動作を制御する。《再生動作》再生動作は、ホストコンピュータ2から中央処理ユニット21に再生開始指示を行うことによって実行される。光ヘッドピックアップ12からの再生信号は、光ディスク11のデータを抽出する復調回路14と、図示しないデスクランブル回路と、デインターリーブ回路16と、再生ECC処理回路18とを介して再生される。光ディスク11から再生された大量のデータは、メモリ制御回路20によって一時的にSDRAMのメモリ22に格納される。復調回路14の復調出力信号がデインターリーブ回路16によってデインターリーブされて、図示しないデスクランブル回路によってデスクランブルされることで生成されるチャネル再生データは、SDRAMのメモリ22にメモリ制御回路20を介して格納される。一方、SDRAMのメモリ22からメモリ制御回路20を介して読み出される再生データは再生ECC処理回路18で誤り訂正処理されて、誤り訂正処理後の再生データは再度メモリ制御回路20を介してSDRAMのメモリ22に格納される。SDRAMのメモリ22に格納された再生データは、Serial-ATAPIインターフェース回路19を介して、ホストコンピュータ2に出力される。尚、この再生動作の間には、光ヘッドピックアップ12の半導体レーザは、比較的低出力のレーザ光を発光する。《記録動作》記録動作は、ホストコンピュータ2から中央処理ユニット21に記録開始指示を行うことによって実行される。Serial-ATAPIインターフェイス回路19を介して供給されるホストコンピュータ2からの記録データは、記録ECC処理回路17と、図示しないスクランブル回路と、インターリーブ回路15と、変調回路13とによってNRZI記録データに変換される。尚、NRZIは、非ゼロ復帰反転すなわち負論理のNRZを意味している。大量の記録データは、メモリ制御回路20によって一時的にSDRAMのメモリ22に格納される。その際に、インターリーブ回路15によってインターリーブされたチャネル記録データが、メモリ制御回路20を介してSDRAMのメモリ22に格納される。一方、SDRAMのメモリ22からメモリ制御回路20を介して読み出される記録データは記録ECC処理回路17で記録ECC処理され、記録ECC処理後の記録データは再度メモリ制御回路20を介してSDRAMのメモリ22に格納される。このようにして生成されたNRZI記録データに応答して光ヘッドピックアップ12が書き込みレーザ光を光ディスク11に照射することによって、記録動作が実行される。《メモリ制御回路》メモリ制御回路20は、調停回路200と自動ATAPI/ECC優先順位切り替え回路201とECCリクエストカウント回路202とを含んでいる。調停回路200は、SDRAMのメモリ22へのアクセスを要求する複数のバスマスタとしての変調回路13と復調回路14と記録ECC処理回路17と再生ECC処理回路18とSerial-ATAPIインターフェース回路19と中央処理ユニット21とからの複数のアクセスを調停するアービタとして機能する。調停回路200によるアクセス調停は、通常は事前に設定された優先順位によって決定される。この事前に設定された優先順位によって決定される通常のアクセス調停では、Serial-ATAPIインターフェース回路19からのATAPIアクセスリクエストが優先順位の最下位に設定され、更に記録ECC処理回路17と再生ECC処理回路18とからのECCアクセスリクエストが優先順位の最下位より1つ高い順位に設定される。しかしながら、ATAPIアクセスリクエストを優先とする優先順位切り替えフラグ出力信号1が自動ATAPI/ECC優先順位切り替え回路201から調停回路200に供給された場合には、調停回路200によるアクセス調停では優先順位の最下位と最下位より1つ高い順位の切り替えが実行される。すなわち、ECCアクセスリクエストが優先順位の最下位に設定され、ATAPIアクセスリクエストが優先順位の最下位よりも1つ高い順位に設定される。しかし、SDRAMのメモリ22の次のアクセスサイクルでの調停回路200によるアクセス調停は通常の事前設定された優先順位に戻されるので、ATAPIアクセスリクエストが優先順位の最下位に設定されて、ECCアクセスリクエストが優先順位の最下位よりも1つ高い順位に設定される。アクセス調停で通常の事前設定された優先順位に戻されるSDRAMのメモリ22のアクセスサイクルの開始は、下記に説明する再生クラスタ同期信号SYNCと記録クラスタ同期信号SYNCのうちECCリクエストカウント回路202に早期に供給される信号によって指定される。再生動作時に、ECCリクエストカウント回路202は、再生ECC処理期間信号を再生ECC処理回路18から受け取る。また記録動作時に、ECCリクエストカウント回路202は、記録ECC処理期間信号を記録ECC処理回路17から受け取る。また再生動作時に、ECCリクエストカウント回路202は、1個のECCブロックの先頭を示す再生クラスタ同期信号SYNCを復調回路14から受け取る。記録動作時に、ECCリクエストカウント回路202は、1個のECCブロックの先頭を示す記録クラスタ同期信号SYNCを変調回路13から受け取る。ECCリクエストカウント回路202は、再生ECC処理回路18と記録ECC処理回路17とから出力されるECCリクエスト信号の出力回数をカウントする。すなわち、ECCリクエスト信号は、再生ECC処理回路18と記録ECC処理回路17とのECC処理に関係してSDRAMのメモリ22へのデータ書き込みアクセスまたはデータ読み出しアクセスのための要求信号である。またECCリクエストカウント回路202のカウンタ値は、復調回路14からの再生クラスタ同期信号SYNCと変調回路13からの記録クラスタ同期信号SYNCとによってリセットされて、カウント初期値0に復帰される。またECCリクエストカウント回路202は、中央処理ユニット21から供給される記録再生動作モード切り替え信号に応答して、記録動作と再生動作の種々の動作モードで、各動作モードで相違したECCリクエスト信号の出力回数のカウント動作を実行する。中央処理ユニット21から供給される記録再生動作モード切り替え信号は、一般的な再生のフル再生fulldecと、特殊再生のベリファイ再生verifydecと、特殊記録のフル記録fullencと、一般的な記録のパリティ付加記録parityencとを指定する。ECCリクエストカウント回路202は、各動作モードで固有の出力回数のECCリクエスト信号のカウント動作を終了すると、カウント終了信号を出力する。記録動作と再生動作の各動作モードでECCリクエストカウント回路202がカウント終了信号を出力するECCリクエスト信号の固有の出力回数は、1個のECCブロックの記録動作や再生動作に必要なSDRAMのメモリ22へのアクセスリクエストの回数に対応する。自動ATAPI/ECC優先順位切り替え回路201は、ECCリクエストカウント回路202から供給されるカウント終了信号に応答して、ATAPIアクセスリクエストを優先とする優先順位切り替えフラグ出力信号1を調停回路200に供給する。従って、調停回路200によるアクセス調停では優先順位の最下位と最下位より1つ高い順位の切り替えが実行されるので、ECCアクセスリクエストが優先順位の最下位に設定され、ATAPIアクセスリクエストが優先順位の最下位よりも1つ高い順位に設定される。《1個のECCブロック》図2は、図1に示した本発明の実施の形態1の光ディスク記録再生用半導体集積回路LSIに内蔵された再生ECC処理回路18と記録ECC処理回路17とのECC処理に関係したBDである光ディスク11の1個のECCブロックの構成を示す図である。図2に示した1個のECCブロックは、ECCによる誤り訂正処理の最小単位である。従って、図2に示した1個のECCブロックを複数のサブブロックに分割したとすると、ECCによる誤り訂正処理は不可能となる。図2に示したBDの1個のECCブロックには、上記特許文献2に記載されているように、64KBのデータサイズのユーザデータが格納される。64KBのユーザデータは、ロングディスタンスコードと呼ばれるコードと、バーストインディケータサブコードと呼ばれるコードとで保護されている。図2に示すように、1個のECCブロックには、38Bのユーザデータを4個含み1BのBISを3個含む合計155Bのフレームが496行含まれている。1個のECCブロックの一番左側には、合計155Bのフレームの先頭を示すフレームシンクFSが配置されている。1セクター2048Bのユーザデータに4Bの誤り検出コードを付加して、32セクターに対してLDCを符号化する。LDCは304個のコードワードで構成され、216Bの情報シンボルと32Bのパリティシンボルとから構成される。従って、LDCは、RS、すなわち、符号長248、データ216、ディスタンス33のRSコードであり、16シンボルまで訂正可能である。記録データのアドレス情報等の管理データは、BISを使用してECCエンコードされる。BISは、30Bの情報シンボルと32Bのパリティシンボルとから構成される。従って、BISは、RS、すなわち符号長62、データ30、ディスタンス33のRSコードである。言い換えると、BISの情報シンボルは記録データのアドレス情報を含むもので、記録データのアドレス情報の誤り訂正のためにユーザデータとは別個のRSコードが用意されている。従って、消失訂正と呼ばれるBISの訂正結果を元に事前にユーザデータの誤りと推測されるシンボルの場所を特定して訂正する方法を採用することが可能となる。この場所の特定が誤りのシンボルに一致する場合には、最大32シンボルまで訂正可能である。《SDRAM》図3は、図1に示す本発明の実施の形態1による光ディスク記録再生用半導体集積回路LSIを内蔵した光ディスク記録再生装置1のSDRAMのメモリ22に、複数のECCブロックが格納される様子を示す図である。複数のECCブロックの各ECCブロックは、LDC領域と、BIS領域と、ダミー領域とを含んでいる。LDC領域には、216Bの情報シンボルのLDCデータと32BのパリティシンボルのLDCパリティとからなるコードワードが304個格納される。BIS領域には、30Bの情報シンボルのBISデータと32BのパリティシンボルのBISパリティとからなるコードワードが24個格納される。ダミー領域には、ステータスやモニタ等の情報が格納され、更に光ディスク記録再生装置のメーカーや設計会社が光ディスク記録再生装置1のファームウェアを開発する際に必要な情報が格納される。《アクセス調停の優先順位》図4は、図1に示した本発明の実施の形態1の光ディスク記録再生用半導体集積回路LSIに内蔵されたメモリ制御回路20の調停回路200によるアクセス調停の優先順位を説明する図である。図4の左には優先順位の順番が示され、図4の中央には事前に設定された優先順位が示され、図4の右には調停回路200にATAPIアクセスリクエストを優先とする優先順位切り替えフラグ出力信号1が自動ATAPI/ECC優先順位切り替え回路201から供給されることで調停回路200によるアクセス調停の優先順位の切り替えが実行された場合の優先順位が示されている。図4で、まずCHは、変調回路13とインターリーブ回路15とに供給されるチャネル記録データおよび復調回路14とデインターリーブ回路16から供給されるチャネル再生データに関するSDRAMのメモリ22のチャネルアクセスリクエストを示す。また図4で、CPUは中央処理ユニット21によるSDRAMのメモリ22のCPUアクセスリクエストを示し、ECCは記録ECC処理回路17と再生ECC処理回路18によるSDRAMのメモリ22のECCアクセスリクエストを示し、ATAPIはSerial-ATAPIインターフェース回路19によるSDRAMのメモリ22のATAPIアクセスリクエストを示している。図4の中央の事前に設定された優先順位では、光ディスク11の読み出し動作と書き込み動作とを最優先とするために、チャネルアクセスリクエストCHは、優先順位の最上位の1番目に設定される。その次に、中央処理ユニット21はホストコンピュータ2からの割り込み要求に高速に応答する必要性があるので、CPUアクセスリクエストは、優先順位の2番目に設定される。更にその次に、記録ECC処理回路17と再生ECC処理回路18によるECC処理に関するECCアクセスリクエストは、優先順位の3番目に設定される。最後に、Serial-ATAPIインターフェース回路19によるホストデータ転送に関するATAPIアクセスリクエストは、優先順位の最下位の4番目に設定される。図4の右の順位切り替え後の優先順位では、ECCアクセスリクエストは、優先順位の最下位の4番目に設定され、Serial-ATAPIインターフェース回路19によるホストデータ転送に関するATAPIアクセスリクエストは、優先順位の3番目に設定される。《アクセス調停の優先順位の切り替え》図5は、図1に示した本発明の実施の形態1の光ディスク記録再生用半導体集積回路LSIに内蔵されたメモリ制御回路20の調停回路200におけるアクセス調停の優先順位の切り替えを説明する図である。図5に示すように、図4の中央の事前設定された優先順位50もしくは図1に示した本発明の実施の形態1による光ディスク記録再生装置1がシステムリセットされたリセット状態51では、ECC優先の状態52に設定される。すなわち、ECC優先の状態52では、ECCアクセスリクエストは優先順位の3番目に設定され、ATAPIアクセスリクエストは優先順位の最下位の4番目に設定される。ECC優先の状態52で、ECCリクエストカウント回路202が記録動作と再生動作との種々の動作モードで固有の出力回数のECCリクエスト信号のカウント動作を終了してカウント終了信号を出力すると、調停回路200においてアクセス調停の優先順位の切り替えが実行される。従って、調停回路200でのアクセス調停は、ECC優先の状態52からATAPI優先の状態54に遷移する。すなわち、ATAPI優先の状態54では、ECCアクセスリクエストは優先順位の最下位の4番目に設定され、ATAPIアクセスリクエストは優先順位の3番目に設定される。ATAPI優先の状態54で変調回路13からの記録クラスタ同期信号SYNCまたは復調回路14からの再生クラスタ同期信号SYNCの早期に供給される信号に応答して、ATAPI優先の状態54からECC優先の状態52に戻される。すなわち、調停回路200によるアクセス調停は通常の事前に設定された優先順位に戻されるので、ATAPIアクセスリクエストが優先順位の最下位に設定され、ECCアクセスリクエストが優先順位の最下位よりも1つ高い順位に設定される。《SDRAMへのアクセスリクエスト回数》図6は、図1に示した本発明の実施の形態1による光ディスク記録再生用半導体集積回路LSIを内蔵した光ディスク記録再生装置1が、一般的な再生のフル再生fulldecと特殊再生のベリファイ再生verifydecと特殊記録のフル記録fullencと一般的な記録のパリティ付加記録parityencの各動作を実行する際に、1個のECCブロックの記録動作や再生動作に必要なSDRAMのメモリ22へのアクセスリクエスト回数を示す図である。図6の右側の4列には、一般的な再生のフル再生fulldecのアクセスリクエスト回数と、特殊再生のベリファイ再生verifydecのアクセスリクエスト回数と、特殊記録のフル記録fullencのアクセスリクエスト回数と、一般的な記録のパリティ付加記録parityencのアクセスリクエスト回数が示されている。図6の左側の2列には、4種類のECCアクセスリクエスト名と、それぞれのリクエストの1回のデータ転送量とが示されている。図6の左側の2列の1行目には、図3に示したSDRAMのメモリ22のLDC領域のデータを読み出すためのECCアクセスリクエストECCreadと1回のデータ転送量の64Bとが示されている。図6の左側の2列の2行目には、図3に示したSDRAMのメモリ22のBIS領域のデータを読み出すためのECCアクセスリクエストECCreadと1回のデータ転送量の64Bとが示されている。図6の左側の2列の3行目には、図3に示したSDRAMのメモリ22のLDC領域にデータを書き込むためのECCアクセスリクエストECCwriteと1回のデータ転送量の64Bとが示されている。図6の左側の2列の4行目には、図3に示したSDRAMのメモリ22のBIS領域にデータを書き込むためのECCアクセスリクエストECCwriteと1回のデータ転送量の64Bとが示されている。《フル再生》一般的な再生のフル再生fulldecは、1個のECCブロックのユーザデータと記録データのアドレス情報等の管理データとを再生する必要がある。そのためには、図2に示した構造を有する1個のECCブロックをBDである光ディスク11から読み出して、図3に示したSDRAMのメモリ22のLDC領域とBIS領域とにデータを書き込む必要がある。その後に、図3に示したSDRAMのメモリ22のLDC領域とBIS領域に格納されたデータを再生ECC処理回路18に転送するために、図3に示したSDRAMのメモリ22のLDC領域とBIS領域に格納されたデータを読み出す必要がある。そのために、2個のECCアクセスリクエストECCread、ECCreadが使用されて、再生ECC処理回路18からECCアクセスリクエストECCreadが4×304回ECCリクエストカウント回路202に出力され、再生ECC処理回路18からECCアクセスリクエストECCreadが24回ECCリクエストカウント回路202に出力される。更にその後に、再生ECC処理回路18によって誤り訂正処理された誤り訂正処理結果を、図3に示したSDRAMのメモリ22のLDC領域とBIS領域とにデータを書き込む必要がある。そのために、2個のECCアクセスリクエストECCwrite、ECCwriteが使用され、再生ECC処理回路18からECCアクセスリクエストECCwriteが4×304回ECCリクエストカウント回路202に出力され、再生ECC処理回路18からECCアクセスリクエストECCwriteが24回ECCリクエストカウント回路202に出力される。従って、一般的な再生のフル再生fulldecでは、再生ECC処理回路18からECCリクエストカウント回路202に出力されるECCアクセスリクエストの総出力回数は2480回となる。一方、中央処理ユニット21から供給される記録再生動作モード切り替え信号はフル再生fulldecを示しており、記録再生動作モード切り替え信号に応答して、ECCリクエストカウント回路202は再生ECC処理回路18から出力されるECCアクセスリクエストの総出力回数が2480回となるとカウント動作を終了してカウント終了出力信号を出力する。すると、自動ATAPI/ECC優先順位切り替え回路201は、ECCリクエストカウント回路202から供給されるカウント終了信号に応答してATAPIアクセスリクエストを優先とする優先順位切り替えフラグ出力信号1を調停回路200に供給する。従って、調停回路200によるアクセス調停では優先順位の最下位と最下位よりも1つ高い順位の切り替えが実行されるので、ECCアクセスリクエストが優先順位の最下位に設定されて、ATAPIアクセスリクエストが優先順位の最下位よりも1つ高い順位に設定される。しかし、復調回路14から次に出力される再生クラスタ同期信号SYNCに応答して調停回路200によるアクセス調停は通常の事前に設定された優先順位に戻されるので、ATAPI優先の状態54からECC優先の状態52に戻される。《ベリファイ再生》特殊再生のベリファイ再生verifydecは、光ディスク11に記録されたユーザデータに誤りがあるか否かを検証するための再生動作である。この特殊再生のベリファイ再生verifydecでも、1個のECCブロックのユーザデータと記録データのアドレス情報等の管理データとを再生する必要がある。そのためには、図2に示した構造を有する1個のECCブロックをBDである光ディスク11から読み出して、図3に示したSDRAMのメモリ22のLDC領域とBIS領域とにデータを書き込む必要がある。その後に、図3に示したSDRAMのメモリ22のLDC領域とBIS領域に格納されたデータを再生ECC処理回路18に転送するために、図3に示したSDRAMのメモリ22のLDC領域とBIS領域に格納されたデータを読み出す必要がある。そのために、2個のECCアクセスリクエストECCread、ECCreadが使用されて、再生ECC処理回路18からECCアクセスリクエストECCreadが4×304回ECCリクエストカウント回路202に出力され、再生ECC処理回路18からECCアクセスリクエストECCreadが24回ECCリクエストカウント回路202に出力される。更にその後に、再生ECC処理回路18によって誤り訂正処理された誤り訂正処理結果から光ディスク11に記録されたユーザデータに誤りがあるか否かが判定される。ユーザデータの誤りの有無の判定結果を、図3に示したSDRAMのメモリ22の別のLDC領域に書き込む必要がある。そのために、ECCアクセスリクエストECCwriteが使用されて、再生ECC処理回路18からECCアクセスリクエストECCwriteが32回、ECCリクエストカウント回路202に出力される。従って、特殊再生のベリファイ再生verifydecでは、再生ECC処理回路18からECCリクエストカウント回路202に出力されるECCアクセスリクエストの総出力回数は1272回となる。一方、中央処理ユニット21から供給される記録再生動作モード切り替え信号はベリファイ再生verifydecを示しており、記録再生動作モード切り替え信号に応答してECCリクエストカウント回路202は再生ECC処理回路18から出力されるECCアクセスリクエストの総出力回数が1272回となるとカウント動作を終了してカウント終了出力信号を出力する。すると、自動ATAPI/ECC優先順位切り替え回路201は、ECCリクエストカウント回路202から供給されるカウント終了信号に応答してATAPIアクセスリクエストを優先とする優先順位切り替えフラグ出力信号1を調停回路200に供給する。従って、調停回路200によるアクセス調停では優先順位の最下位と最下位よりも1つ高い順位の切り替えが実行されるので、ECCアクセスリクエストが優先順位の最下位に設定されて、ATAPIアクセスリクエストが優先順位の最下位よりも1つ高い順位に設定される。しかし、復調回路14から次に出力される再生クラスタ同期信号SYNCに応答して調停回路200によるアクセス調停は通常の事前に設定された優先順位に戻されるので、ATAPI優先の状態54からECC優先の状態52に戻される。《フル記録》特殊記録のフル記録fullencは、記録途中で記録停止を行った場合に未記録のスクランブルデータを記録ECC処理回路17が再スクランブルを行い再スクランブルデータとパリティとをSDRAMのメモリ22へ転送する動作である。そのためには、図3に示したSDRAMのメモリ22のLDC領域とBIS領域とから光ディスク11に未記録のデータを読み出して記録ECC処理回路17に転送必要がある。そのために、2個のECCアクセスリクエストECCread、ECCreadが使用されて、記録ECC処理回路17からECCアクセスリクエストECCreadが4×304回ECCリクエストカウント回路202に出力され、記録ECC処理回路17からECCアクセスリクエストECCreadが24回ECCリクエストカウント回路202に出力される。更にその後に、記録ECC処理回路17によって再スクランブルされたユーザデータと管理データとを、図3に示したSDRAMのメモリ22のLDC領域とBIS領域とにデータを書き込む必要がある。そのために、2個のECCアクセスリクエストECCwrite、ECCwriteが使用され、記録ECC処理回路17からECCアクセスリクエストECCwriteが4×304回ECCリクエストカウント回路202に出力され、記録ECC処理回路17からECCアクセスリクエストECCwriteが24回ECCリクエストカウント回路202に出力される。従って、特殊記録のフル記録fullencでは、記録ECC処理回路17からECCリクエストカウント回路202に出力されるECCアクセスリクエストの総出力回数は2480回となる。一方、中央処理ユニット21から供給される記録再生動作モード切り替え信号はフル記録fullencを示しており、記録再生動作モード切り替え信号に応答して、ECCリクエストカウント回路202は記録ECC処理回路17から出力されるECCアクセスリクエストの総出力回数が2480回となるとカウント動作を終了してカウント終了出力信号を出力する。すると、自動ATAPI/ECC優先順位切り替え回路201は、ECCリクエストカウント回路202から供給されるカウント終了信号に応答してATAPIアクセスリクエストを優先とする優先順位切り替えフラグ出力信号1を調停回路200に供給する。従って、調停回路200によるアクセス調停では優先順位の最下位と最下位よりも1つ高い順位の切り替えが実行されるので、ECCアクセスリクエストが優先順位の最下位に設定されて、ATAPIアクセスリクエストが優先順位の最下位よりも1つ高い順位に設定される。しかし、変調回路13から次に出力される記録クラスタ同期信号SYNCに応答して調停回路200によるアクセス調停は通常の事前に設定された優先順位に戻されるので、ATAPI優先の状態54からECC優先の状態52に戻される。《パリティ付加記録》一般的な記録のパリティ付加記録parityencは、ホストコンピュータ2がSDRAMのメモリ22へ書き込みデータを転送する場合にメモリ制御回路20がスクランブルを実行する。記録ECC処理回路17は、スクランブルされたデータを読み出して、SDRAMのメモリ22へユーザデータのパリティと管理データだけを転送する。そのためには、最初に図3に示したSDRAMのメモリ22のLDC領域とBIS領域とに書き込みデータを書き込む必要がある。その後に、図3に示したSDRAMのメモリ22のLDC領域とBIS領域に格納されたデータを記録ECC処理回路17に転送するために、図3に示したSDRAMのメモリ22のLDC領域とBIS領域に格納されたデータを読み出す必要がある。そのために、2個のECCアクセスリクエストECCread、ECCreadが使用されて、記録ECC処理回路17からECCアクセスリクエストECCreadが4×304回ECCリクエストカウント回路202に出力され、記録ECC処理回路17からECCアクセスリクエストECCreadが24回ECCリクエストカウント回路202に出力される。その後に、記録ECC処理回路17によって再スクランブルされたユーザデータのパリティと管理データとを、図3に示したSDRAMのメモリ22のLDC領域とBIS領域とにデータを書き込む必要がある。このユーザデータのパリティは、図2に示した1個のECCブロックの4個のユーザデータUserDataの下部に配置されたパリティParityである。そのために、2個のECCアクセスリクエストECCwrite、ECCwriteが使用され、記録ECC処理回路17からECCアクセスリクエストECCwriteが1×304回ECCリクエストカウント回路202に出力され、記録ECC処理回路17からECCアクセスリクエストECCwriteが24回ECCリクエストカウント回路202に出力される。従って、一般的なパリティ付加記録parityencでは、記録ECC処理回路17からECCリクエストカウント回路202に出力されるECCアクセスリクエストの総出力回数は1568回となる。一方、中央処理ユニット21から供給される記録再生動作モード切り替え信号はパリティ付加記録parityencを示しており、記録再生動作モード切り替え信号に応答してECCリクエストカウント回路202は記録ECC処理回路17から出力されるECCアクセスリクエストの総出力回数が1568回となるとカウント動作を終了してカウント終了出力信号を出力する。すると、自動ATAPI/ECC優先順位切り替え回路201は、ECCリクエストカウント回路202から供給されるカウント終了信号に応答してATAPIアクセスリクエストを優先とする優先順位切り替えフラグ出力信号1を調停回路200に供給する。従って、調停回路200によるアクセス調停では優先順位の最下位と最下位よりも1つ高い順位との切り替えが実行されるので、ECCアクセスリクエストが優先順位の最下位に設定されてATAPIアクセスリクエストが優先順位の最下位よりも1つ高い順位に設定される。しかし、変調回路13から次に出力される記録クラスタ同期信号SYNCに応答して調停回路200によるアクセス調停は通常の事前に設定された優先順位に戻されるので、ATAPI優先の状態54からECC優先の状態52に戻される。《種々の動作モード》図7は、図1に示した本発明の実施の形態1の光ディスク記録再生用半導体集積回路LSIにおける再生ECC処理期間信号と記録ECC処理期間信号と再生動作と記録動作の種々の動作モードと1個のECCブロック中のECCアクセスリクエストの出力回数を示す図である。図7の左側の2列の3行には、リードアフターライト動作と記録動作と再生動作とが示されている。すなわち、図7の左側の2列の1行目では、ハイレベル1の再生ECC処理期間信号が再生ECC処理回路18から出力されるのと同時にハイレベル1の記録ECC処理期間信号が記録ECC処理回路17から出力されている。従って、図1に示した本発明の実施の形態1の光ディスク記録再生用半導体集積回路LSIは、ハイレベル1の再生ECC処理期間信号とハイレベル1の記録ECC処理期間信号とに応答して、リードアフターライト動作を実行する。このリードアフターライト動作には、ベリファイ再生とフル記録との組み合わせと、ベリファイ再生とパリティ付加記録との組み合わせと、フル再生とパリティ付加記録との組み合わせとが存在する。ECCアクセスリクエストの出力回数が1272回のベリファイ再生とECCアクセスリクエストの出力回数が2480回のフル記録との組み合わせによるリードアフターライト動作では、2つの出力回数の合計の3752回となる。ECCアクセスリクエストの出力回数が1272回のベリファイ再生とECCアクセスリクエストの出力回数が1568回のパリティ付加記録の組み合わせによるリードアフターライト動作では、2つの出力回数の合計の2480回となる。ECCアクセスリクエストの出力回数が2480回のフル再生とECCアクセスリクエストの出力回数が1568回のパリティ付加記録との組み合わせによるリードアフターライト動作では、2つの出力回数の合計の4048回となる。図7の左側の2列の2行目では、ローレベル0の再生ECC処理期間信号が再生ECC処理回路18から出力されるのと同時にハイレベル1の記録ECC処理期間信号が記録ECC処理回路17から出力されている。従って、図1に示した本発明の実施の形態1の光ディスク記録再生用半導体集積回路LSIは、ローレベル0の再生ECC処理期間信号とハイレベル1の記録ECC処理期間信号とに応答して、記録動作を実行する。この記録動作には、ECCアクセスリクエストの出力回数が2480回のフル記録とECCアクセスリクエストの出力回数が1568回のパリティ付加記録とが存在する。図7の左側の2列の3行目では、ハイレベル1の再生ECC処理期間信号が再生ECC処理回路18から出力されるのと同時にローレベル0の記録ECC処理期間信号が記録ECC処理回路17から出力されている。従って、図1に示した本発明の実施の形態1の光ディスク記録再生用半導体集積回路LSIは、ハイレベル1の再生ECC処理期間信号とローレベル0の記録ECC処理期間信号とに応答して、再生動作を実行する。この再生動作には、ECCアクセスリクエストの出力回数が1272回のベリファイ再生とECCアクセスリクエストの出力回数が2480回のフル再生とが存在する。《リードアフターライト動作》図8は、図1に示した本発明の実施の形態1の光ディスク記録再生用半導体集積回路LSIにおいて実行される特殊な記録再生動作であるリードアフターライト動作を説明する図である。図8に示したリードアフターライト動作は、光ディスク11へのデータの書き込みを行なった直後に記録されたデータを再生して再生データと記録元データを比較した後に、次のアドレスに新しい記録データを書き込む動作である。図8には、光ディスク11へのデータの書き込みアドレス情報である記憶アドレスN、N1...N7が示されている。記憶アドレスN、N1...N7は、記録動作の間に光ヘッドピックアップ12を駆動する図示されていないピックアップ駆動回路に光ディスク記録再生用半導体集積回路LSIから供給される。各記録アドレスN、N1...N7の先頭のタイミングで、記録クラスタの先頭を示す記録クラスタ同期信号SYNCが、変調回路13から光ディスク記録再生用半導体集積回路LSIに供給される。1個の記録クラスタは、図2に示した1個のECCブロックと記録クラスタの先頭を示すプリアンブル等の管理データとを含んでいる。従って、2個の記録クラスタ同期信号SYNCの間のチャネル転送期間には、1個の記録クラスタが転送される。従って、チャネル転送期間は、クラスタ処理時間となる。図8には、判定読み出しのための光ディスク11へのデータの読み出しアドレス情報である再生アドレスN、N1...N7が示されている。再生アドレスN、N1...N7は、再生動作の間に光ヘッドピックアップ12を駆動する図示されていないピックアップ駆動回路に光ディスク記録再生用半導体集積回路LSIから供給される。各再生アドレスN、N1...N7の先頭のタイミングで、再生クラスタの先頭を示す再生クラスタ同期信号SYNCが、復調回路14から光ディスク記録再生用半導体集積回路LSIに供給される。再生アドレスN、N1...N7に従って光ディスク11から記録データが読み出されて復調回路14とデインターリーブ回路16とデスクランブル回路とによって生成されるチャネル再生データCH再生0、CH再生1、CH再生2が、次々にメモリ制御回路20を介してSDRAMのメモリ22に格納される。SDRAMのメモリ22からメモリ制御回路20を介して読み出される再生データは、再生ECC処理回路18にて誤り訂正処理DEC_0、DEC_1、DEC_2を受ける。記録アドレスN、N1、N2の再生データのベリファイ処理を行った後に、次の記録アドレスN3、N4、N5に次の記録データを記録する。記録アドレスN、N1、N2の再生データのベリファイ処理によって再生ECC処理回路18の誤り訂正後の再生データが記録元データと一致しない場合には、書き込みが失敗した判定して再書き込みが実行される。記録アドレスN、N1、N2のいずれかに再書き込みが必要な場合には、その記録アドレスに戻って再書き込みが行われる。ATAPI記録データATAPI_0、ATAPI_1、ATAPI_2、ATAPI_3、ATAPI_4が、Serial-ATAPIインターフェース回路19を介してホストコンピュータ2から、次々にメモリ制御回路20を介してSDRAMのメモリ22に格納される。SDRAMのメモリ22からメモリ制御回路20を介して読み出される記録データは、記録ECC処理回路17によって記録ECC処理ENC_0、ENC_1、ENC_2、ENC_3、ENC_4を受ける。記録ECC処理された記録データは、メモリ制御回路20を介してSDRAMのメモリ22に格納される。その結果、チャネル記録データCH記録0、CH記録1、CH記録2、CH記録3、CH記録4が、インターリーブ回路15と変調回路13とを介して光ヘッドピックアップ12に供給される。再生処理の誤り訂正処理DEC_0の開始から誤り訂正処理DEC_2の終了までの期間に、ハイレベル1の再生ECC処理期間信号が、再生ECC処理回路18からECCリクエストカウント回路202に供給される。記録処理の記録ECC処理ENC_0の開始から記録ECC処理ENC_4の終了までの期間に、ハイレベル1の記録ECC処理期間信号が記録ECC処理回路17からECCリクエストカウント回路202に供給される。図8に示したように、記録ECC処理期間信号のハイレベル期間と再生ECC処理期間信号のハイレベル期間とが相違している。従って、ECC処理は、再生ECC処理DECECCのみの単独処理期間と、再生ECC処理DECECCと記録ECC処理ENCECCとの二重処理期間と、記録ECC処理ENCECCのみの単独処理期間とを含んでいる。再生ECC処理DECECCのみの単独処理期間では、図7の左側の2列の3行目に示したように、ベリファイ再生の場合には1272回の出力回数のECCアクセスリクエストが再生ECC処理回路18からECCリクエストカウント回路202に供給されるとECCリクエストカウント回路202はカウントを終了して、フル再生の場合には2480回の出力回数のECCアクセスリクエストが再生ECC処理回路18からECCリクエストカウント回路202に供給されるとECCリクエストカウント回路202はカウントを終了する。従って、ECCリクエストカウント回路202でのカウント終了によって、メモリ制御回路20の調停回路200は、ECC優先の状態0からATAPI優先の状態1に遷移する。この遷移以前のECC優先の状態0の期間では、再生ECC処理回路18がSDRAMのメモリ22をアクセスして誤り訂正処理DEC_0を実行することができる。この遷移以降のATAPI優先の状態1の期間では、Serial-ATAPIインターフェース回路19がSDRAMのメモリ22をアクセスしてATAPI記録データATAPI_0がSDRAMのメモリ22に格納されることができる。尚、その後に、記録アドレスN2の先頭の記録クラスタ同期信号SYNCによって、メモリ制御回路20の調停回路200は、ATAPI優先の状態1からECC優先の状態0に遷移する。再生ECC処理DECECCと記録ECC処理ENCECCとの二重処理期間では、図7の左側の2列の1行目に示したように、ベリファイ再生とフル記録との組み合わせの場合には、3752回の出力回数のECCアクセスリクエストが、またはベリファイ再生とパリティ付加記録との組み合わせの場合には、2480回の出力回数のECCアクセスリクエストが、またはフル再生とパリティ付加記録との組み合わせの場合には、4048回の出力回数のECCアクセスリクエストが、記録ECC処理回路17と再生ECC処理回路18からECCリクエストカウント回路202に供給される。この二重処理期間では、最初に、フル記録の場合には2480回の出力回数のECCアクセスリクエストが、またはパリティ付加記録の場合には1568回の出力回数のECCアクセスリクエストが記録ECC処理回路17からECCリクエストカウント回路202に供給されると、ECCリクエストカウント回路202は第1回目のカウント動作を終了する。従って、ECCリクエストカウント回路202でのカウント終了によって、メモリ制御回路20の調停回路200は、ECC優先の状態0からATAPI優先の状態1に遷移する。この遷移以前のECC優先の状態0の期間では、記録ECC処理回路17がSDRAMのメモリ22をアクセスして記録ECC処理ENC_0を実行することができる。この遷移以降のATAPI優先の状態1の期間では、Serial-ATAPIインターフェース回路19がSDRAMのメモリ22をアクセスしてATAPI記録データATAPI_1がSDRAMのメモリ22に格納されることができる。尚、その後、記録アドレスN3の先頭の記録クラスタ同期信号SYNCによって、メモリ制御回路20の調停回路200は、ATAPI優先の状態1からECC優先の状態0に遷移する。その次に、ベリファイ再生の場合には1272回の出力回数のECCアクセスリクエストが、またはフル再生の場合には2480回の出力回数のECCアクセスリクエストが再生ECC処理回路18からECCリクエストカウント回路202に供給されると、ECCリクエストカウント回路202は、第2回目のカウント動作を終了する。その結果、ECCリクエストカウント回路202でのカウント終了によって、メモリ制御回路20の調停回路200は、ECC優先の状態0からATAPI優先の状態1に遷移する。この遷移以前のECC優先の状態0の期間では、再生ECC処理回路18がSDRAMのメモリ22をアクセスして、再生ECC処理DEC_1を実行することができる。この遷移以降のATAPI優先の状態1の期間では、Serial-ATAPIインターフェース回路19がSDRAMのメモリ22をアクセスしてATAPI記録データATAPI_2がSDRAMのメモリ22に格納される。尚、その後、記録アドレスN4の先頭の記録クラスタ同期信号SYNCによって、メモリ制御回路20の調停回路200はATAPI優先の状態1からECC優先の状態0に遷移する。記録ECC処理ENCECCのみの単独処理期間では、図7の左側の2列の2行目に示したように、フル記録の場合には2480回の出力回数のECCアクセスリクエストが、またはパリティ付加記録の場合には1568回の出力回数のECCアクセスリクエストが記録ECC処理回路17からECCリクエストカウント回路202に供給されると、ECCリクエストカウント回路202は第1回目のカウント動作を終了する。従って、ECCリクエストカウント回路202でのカウント終了によって、メモリ制御回路20の調停回路200は、ECC優先の状態0からATAPI優先の状態1に遷移する。この遷移の以前のECC優先の状態0の期間では、記録ECC処理回路17がSDRAMのメモリ22をアクセスして記録ECC処理ENC_1を実行する。この遷移以降のATAPI優先の状態1の期間では、Serial-ATAPIインターフェース回路19がSDRAMのメモリ22をアクセスしてATAPI記録データATAPI_3がSDRAMのメモリ22に格納されることができる。尚、その後に、記録アドレスN5の先頭の記録クラスタ同期信号SYNCによって、メモリ制御回路20の調停回路200は、ATAPI優先の状態1からECC優先の状態0に遷移する。その後、フル記録の場合には2480回の出力回数のECCアクセスリクエストが、またはパリティ付加記録の場合には1568回の出力回数のECCアクセスリクエストが記録ECC処理回路17からECCリクエストカウント回路202に供給されると、ECCリクエストカウント回路202は第2回目のカウント動作を終了する。従って、ECCリクエストカウント回路202でのカウント終了によって、メモリ制御回路20の調停回路200は、ECC優先の状態0からATAPI優先の状態1に遷移する。この遷移の以前のECC優先の状態0の期間では、記録ECC処理回路17がSDRAMのメモリ22をアクセスして記録ECC処理ENC_2を実行する。この遷移以降のATAPI優先の状態1の期間では、Serial-ATAPIインターフェース回路19がSDRAMのメモリ22をアクセスしてATAPI記録データATAPI_4がSDRAMのメモリ22に格納されることができる。尚、その後に、記録アドレスN6の先頭の記録クラスタ同期信号SYNCによって、メモリ制御回路20の調停回路200は、ATAPI優先の状態1からECC優先の状態0に遷移する。その後に、フル記録の場合には2480回の出力回数のECCアクセスリクエストが、またはパリティ付加記録の場合には1568回の出力回数のECCアクセスリクエストが記録ECC処理回路17からECCリクエストカウント回路202に供給されると、ECCリクエストカウント回路202は第3回目のカウント動作を終了する。従って、ECCリクエストカウント回路202のカウント終了によって、メモリ制御回路20の調停回路200はECC優先の状態0からATAPI優先の状態1に遷移する。また、図8に示したリードアフターライト動作の例では、再生ECC処理DECECCと記録ECC処理ENCECCとの二重処理期間において再生ECC処理DEC_1よりも記録ECC処理ENC_0の方が優先されて先に実行されている。これは、図1に示す本発明の実施の形態1の光ディスク記録再生装置1のシステムとしては、1個の記録クラスタの光ディスク11への連続書き込みを可能とするために1個の記録クラスタの生成以前に記録ECCのエラー訂正コードのデータを生成する必要があるためである。一方、再生ECC処理回路18で誤り訂正処理された再生データは再生ECC処理回路18の内部のSRAM等の内部メモリに一次蓄積されることが可能であり、多少の時間はSerial-ATAPIインターフェース回路19を待たせることができるので、再生ECC処理の優先順位が記録ECC処理よりも低く設定されている。以上で説明したように図8に示したリードアフターライト動作は、再生ECC処理DECECCのみの単独処理期間と、再生ECC処理DECECCと記録ECC処理ENCECCとの二重処理期間と、記録ECC処理ENCECCのみの単独処理期間とで、ECCリクエストカウント回路202がカウント動作を終了する記録ECC処理回路17もしくは再生ECC処理回路18からのECCアクセスリクエストの出力回数が切り替えられるものである。またECCリクエストカウント回路202のカウント動作が終了されるECCアクセスリクエストの出力回数は、再生動作がベリファイ再生とフル再生とのいずれかと記録動作がフル記録とパリティ付加記録とのいずれかを示すモード切り替え信号によって設定されるものである。その結果、1個分のECCブロックの再生ECC処理もしくは記録ECC処理が終了したタイミングで、図1に示した本発明の実施の形態1の光ディスク記録再生用半導体集積回路LSIのメモリ制御回路20の調停回路200はECC優先の状態からATAPI優先の状態に切り替えられる。従って、このATAPI優先の期間に、Serial-ATAPIインターフェース回路19がSDRAMのメモリ22をアクセスすることが可能となる。更に復調回路14からの再生クラスタ同期信号SYNCと変調回路13からの記録クラスタ同期信号SYNCとのうちECCリクエストカウント回路202に早期に供給される信号によって、メモリ制御回路20の調停回路200はATAPI優先の状態からECC優先の状態に切り替えられるものである。[実施の形態2]《その他のメモリ制御回路の構成》図9は、本発明の実施の形態2による光ディスク記録再生用半導体集積回路LSIに内蔵されたその他のメモリ制御回路20の構成を示す図である。図9に示す本発明の実施の形態2による他のメモリ制御回路20が図1に示した本発明の実施の形態1によるメモリ制御回路20と相違するのは、下記の点である。すなわち、図9に示す本発明の実施の形態2による他のメモリ制御回路20には、図1に示した本発明の実施の形態1によるメモリ制御回路20には含まれていなかったトグルカウント回路203と回数一致判定回路204とOR回路205とが追加されている。図9に示した本発明の実施の形態2による他のメモリ制御回路20では、記録ECC処理回路17と再生ECC処理回路18とからECCリクエストカウント回路202に供給されるECCアクセスリクエストがトグルカウント回路203の入力端子にも供給されている。トグルカウント回路203のリセット端子には、Serial-ATAPIインターフェース回路19から生成されるATAPIリクエストが供給される。トグルカウント回路203の出力端子から生成されるトグルカウント値は、回数一致判定回路204の入力端子に供給される。自動ATAPI/ECC優先順位切り替え回路201の出力信号と回数一致判定回路204の出力信号とはOR回路205の一方の入力端子と他方の入力端子にそれぞれ供給され、OR回路205の出力端子から調停回路200に供給される優先順位切り替えフラグ出力信号が生成される。図10は、図9に示した他のメモリ制御回路20を内蔵する本発明の実施の形態2による光ディスク記録再生用半導体集積回路LSIの動作を説明する図である。図10に示したように、トグルカウント回路203はリセット端子にSerial-ATAPIインターフェース回路19から供給されるATAPIリクエストによってリセットされて出力端子のトグルカウント値はゼロとなる一方、入力端子にECCアクセスリクエストが順次供給されることによってトグルカウント値は順次カウントアップされる。例えば、トグルカウンタ203が3ビットカウンタで構成されている場合には、カウンタ値は0から7までカウントアップされる。図10に示した例では、回数一致判定回路204はトグルカウント回路203の出力端子のトグルカウント値が所定の値、例えば4となることに応答して、ハイレベルの一致判定出力信号を生成する。トグルカウント値のこの所定の値は、1ECC当たりのECCリクエストとATAPIリクエストとの比が4:1の場合に4と設定するものである。それによって、1ECC当たりのECCの処理とATAPIの処理とを略同じタイミングで終了させることが可能となり、SDRAMのメモリ22を効率的に使用することが可能となる。図10に示したように再生クラスタ同期信号SYNCと記録クラスタ同期信号SYNCとのうちECCリクエストカウント回路202に早期に供給される信号に応答してECCリクエストカウント回路202がリセットされ、カウント初期値0に復帰する。順次供給されるECCアクセスリクエストに応答してECCリクエストカウント回路202はカウントアップされて、記録動作と再生動作との種々の動作モードの各動作モードで固有の出力回数のECCアクセスリクエストのカウント動作をECCリクエストカウント回路202が終了することによってカウント終了信号が生成される。ECCリクエストカウント回路202から生成されるカウント終了信号に応答して、自動ATAPI/ECC優先順位切り替え回路201の出力信号は、ローレベル0のECC優先の状態からハイレベル1のATAPI優先の状態に切り替えられる。一方、ECCリクエストカウント回路202がカウント動作を終了してカウント終了信号が生成され自動ATAPI/ECC優先順位切り替え回路201の出力信号がローレベル0のECC優先状態からハイレベル1のATAPI優先状態に切り替えられる以前に、回数一致判定回路204の出力端子から複数のハイレベルの一致判定出力信号が生成される。回数一致判定回路204の出力端子から生成される複数のハイレベルの一致判定出力信号は、OR回路205の他方の入力端子と出力端子とを介して調停回路200にECC優先状態からATAPI優先状態に切り替えるための優先順位切り替えフラグ出力信号として供給される。以上、図9と図10とを参照して説明した本発明の実施の形態2による光ディスク記録再生用半導体集積回路LSIによれば、図1乃至図8を参照して説明した本発明の実施の形態1よりも、メモリ制御回路20の調停回路200においてATAPI優先の機会を増加することが可能となる。またATAPI優先の機会の増加度は、回数一致判定回路204がハイレベルの一致判定出力信号を生成するトグルカウント回路203の出力端子のトグルカウント値の所定の値を変化することで可能となる。以上、本発明者によってなされた発明を種々の実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。例えば、記録動作と再生動作の種々の動作モードの各動作モーでECCリクエストカウント回路202がカウント終了信号を出力するECCリクエスト信号の固有の出力回数は、1個のECCブロックの記録動作や再生動作に必要なSDRAMのメモリ22へのアクセスリクエストの回数に対応する以外に、整数倍のN個のECCブロックの記録動作や再生動作に必要なSDRAMのメモリ22へのアクセスリクエストの回数に対応させることも可能である。また例えば、光ディスク記録再生用半導体集積回路LSIとホストコンピュータ2の間のホストインターフェースは、Serial-ATAPIインターフェース回路19にのみ限定されるものではない。すなわち、ホストインターフェースとしては、Serial-ATAPIインターフェース以外にも、IDEやSCSI等を利用することも可能である。また光ディスク記録再生装置1に使用される半導体メモリ22には、SDRAMよりも更に高速のDDRの同期型ダイナミックランダムアクセスメモリを使用することが可能である。