プレヒータで予熱された上記セメント原料を仮焼する仮焼炉と、この仮焼炉で仮焼された上記セメント原料を焼成するセメントキルンと、このセメントキルンの窯尻部から排出された排ガスを上記プレヒータに供給する排ガス管と、この排ガス管に接続されて上記排ガスの一部を抜き出す塩素バイパス装置とを備え、上記排ガス管は、上記窯尻部から上記排ガスの下流側に向けて漸次上方へ傾斜する導管傾斜部と、この導管傾斜部の上端部に接続されて上記排ガスを上記プレヒータへ導くライジングダクトとを有し、上記導管傾斜部の上側面に上記仮焼炉の排気ダクトが接続されるとともに、当該排気ダクトと上記窯尻部との間の上記導管傾斜部に、上記塩素バイパス装置の抽気管が接続されたセメント製造設備において、上記仮焼炉の排気ダクトの下面に、水平面に対して20~60°の範囲の傾斜角度で上記導管傾斜部側へと突出する整流壁を形成するとともに、上記整流壁の下端縁と上記導管傾斜部の対向壁面との間隔を、当該下端縁と対向面との間における排ガス平均流速が15~35m/sの範囲になるように設定したことを特徴とするセメント製造設備。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、塩素濃度が低い仮焼炉排ガスの混入を防いで、当該塩素濃度が高いキルン排ガスの一部を抽気することにより、少量の排ガス抽気によって効率的にセメントキルン内の塩素濃度を低減させることができる塩素バイパス装置を備えたセメント製造設備を提供することを課題とするものである。上記課題を解決するため、請求項1に記載の発明は、プレヒータで予熱された上記セメント原料を仮焼する仮焼炉と、この仮焼炉で仮焼された上記セメント原料を焼成するセメントキルンと、このセメントキルンの窯尻部から排出された排ガスを上記プレヒータに供給する排ガス管と、この排ガス管に接続されて上記排ガスの一部を抜き出す塩素バイパス装置とを備え、上記排ガス管は、上記窯尻部から上記排ガスの下流側に向けて漸次上方へ傾斜する導管傾斜部と、この導管傾斜部の上端部に接続されて上記排ガスを上記プレヒータへ導くライジングダクトとを有し、上記導管傾斜部の上側面に上記仮焼炉の排気ダクトが接続されるとともに、当該排気ダクトと上記窯尻部との間の上記導管傾斜部に、上記塩素バイパス装置の抽気管が接続されたセメント製造設備において、上記仮焼炉の排気ダクトの下面に、水平面に対して20~60°の範囲の傾斜角度で上記導管傾斜部側へと突出する整流壁を形成するとともに、上記整流壁の下端縁と上記導管傾斜部の対向壁面との間隔を、当該下端縁と対向面との間における排ガス平均流速が15~35m/sの範囲になるように設定したことを特徴とするものである。請求項1に記載の本願発明に係るセメント製造設備によれば、仮焼炉の排気ダクトの下面に、水平面に対して20~60°の範囲の傾斜角度で導管傾斜部側へと突出する整流壁を形成し、かつこの整流壁の下端縁と導管傾斜部の対向壁面との間隔を、両者間の排ガス平均流速が15~35m/sの範囲になるように設定している。このため、後述する実験結果から明らかなように、排気ダクトからの仮焼炉排ガスがセメントキルンの窯尻部側へと降下することを防止して、もっぱら塩素濃度が高いキルン排ガスを抽気管から塩素バイパス装置へと送ることができ、よって少量の排ガス抽気によって効率的にセメントキルン内の塩素濃度を低減させることができる。なお、仮焼炉の排気ダクトに形成する上記整流壁の水平面に対する傾斜角度を20~60°とした理由は、当該傾斜角度が60°を超えると、排気ダクトからの仮焼炉排ガスが窯尻部側に降下して塩素バイパス装置の抽気管から抜き出される可能性が高くとともに、上記仮焼炉排ガスの流れがセメントキルンの窯尻部側からのキルン排ガスの流れを妨げて、当該排ガス流に圧力損失を与えるからであり、他方20°に満たないと、当該整流壁に仮焼炉排ガス中の原料ダストが堆積して操業に支障を生じるおそれがあるからである。また、整流壁の下端縁と導管傾斜部の対向壁面との間隔を、両者間の排ガス平均流速が15~35m/sの範囲になるように設定したのは、上記排ガス平均流速が15m/sに満たないと、仮焼炉排ガスの流れが勝って窯尻部側へと降下するおそれがあり、逆に35m/sを超えるように上記間隔を設定すると、当該間隔が狭くなり過ぎて導管傾斜部における圧力損失が増大し、同様に操業に支障を来すおそれが生じるからである。図1は、本発明に係るセメント製造設備の一実施形態の要部を示すもので、他の構成部分については図5に示したものと同様であるために、以下同一符号を用いて説明を簡略化する。図1に示すように、このセメント設備においては、仮焼炉10の排気ダクト16の下面16aの下部導管傾斜部14との接続部に、当該下面16aよりも水平面に対する傾斜角度が緩やかな整流壁20が形成されている。ちなみに、この整流壁20は、水平面に対してα=20~60°の範囲の傾斜角度の平坦面であり、導管傾斜部14側へと突出するように形成されている。さらに、この整流壁20の下端縁20aと、導管傾斜部14の下側面の内壁となる対向壁面14aとの間隔は、これら下端縁20aおよび対向面14a間を通過する排ガスの平均流速が15~35m/sの範囲になるように設定されている。本発明者等は、図1に示す整流壁20の傾斜角度およびその下端縁20aと導管傾斜部14の対向面14aとの間を通過する排ガスの平均流速を変化させた場合の実施例1~11および比較例1~6について、セメントキルン1から導管傾斜部14に至る排ガス流における圧力損失の変化等について解析を行った。図3は、その諸元および結果を示すものであり、図4は、上記結果を、横軸を下端縁20aと導管傾斜部14の対向面14aとの間を通過する排ガスの平均流速m/sとし、縦軸をセメントキルン1から導管傾斜部14に至る排ガス流における圧力損失mmAqとしてプロットして示したものである。さらに、図2に示すセメント製造設備および図7に示す従来のセメント製造設備において、排気ダクト16から排出される仮焼炉排ガスの流れを解析した。これら図2、図3、図4および図7に示す解析結果から、実施例1~11においては、上記整流壁20の水平面に対する傾斜角度を20~60°の範囲とし、かつこの整流壁20の下端縁20aと導管傾斜部14の対向壁面14aとの間隔を、両者間の排ガス平均流速が15~35m/sの範囲になるように設定している結果、排ガスの流れに大きな圧力損失を与えることがなく、しかも排気ダクト16からの仮焼炉排ガスがセメントキルン1の窯尻部2側へと降下して抽気管11から抜き出されることを防止して、もっぱら塩素濃度が高いセメントキルン1からの排ガスを抽気管11から塩素バイパス装置へと送ることができ、よって少量の排ガス抽気によって効率的にセメントキルン1内の塩素濃度を低減させることができることが判る。これに対して、比較例1、2のように上記排ガス平均流速が35m/sを超えると、上記圧力損失が急激に上昇して、上記下端縁20aと対向壁面14aとの間隔が狭くなり過ぎて導管傾斜部14における圧力損失が増大し、操業に支障を来すおそれが生じることが判る。また、比較例3~6のように、上記排ガス平均流速が15~35m/sの範囲内であっても、上記傾斜角度が60°を超えると、仮焼炉排ガスの流れが、導管傾斜部14からライジングダクト15へ向かうキルン排ガスの流れを妨げて、同様に導管傾斜部14における圧力損失の増大を招くことが判る。なお、上記実施形態においては、導管傾斜部14の上側面に塩素バイパス装置の抽気管11が接続されている場合についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、上記導管傾斜部14の上側面と下側面との間の側面に塩素バイパス装置の抽気管が接続されている場合においても同様に適用することが可能である。