EUV露光用の反射型マスクの基板に用いられる反射型マスク用基板であって、その主面に、EUV光検査用アライメントマークと、電子線描画用アライメントマークと、を有し、前記EUV光検査用アライメントマーク、および、前記電子線描画用アライメントマークのいずれもが、凹型の段差マークであって、前記EUV光検査用アライメントマークの深さが、前記電子線描画用アライメントマークの深さよりも浅いことを特徴とする反射型マスク用基板。前記電子線描画用アライメントマークが、前記EUV光検査用アライメントマークよりも基板の中心から外側に配設されていることを特徴とする請求項1に記載の反射型マスク用基板。請求項1~2のいずれかに記載の反射型マスク用基板と、前記反射型マスク用基板の主面の上に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収層と、を有することを特徴とする反射型マスクブランクス。請求項1~2のいずれかに記載の反射型マスク用基板と、前記反射型マスク用基板の主面の上に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収体パターンと、を有することを特徴とする反射型マスク。前記吸収体パターンが、平面視上、前記反射層の位相欠陥を覆う位置に配設されていることを特徴とする請求項4に記載の反射型マスク。表面研磨された基板材料の主面に、ハードマスク層を形成する工程と、前記ハードマスク層の上に、第1のレジスト層を形成する工程と、前記第1のレジスト層に、EUV光検査用アライメントマーク、および、電子線描画用アライメントマークの両方のエッチングパターンを同一工程で形成する工程と、前記第1のレジスト層に形成した前記エッチングパターンから露出する前記ハードマスク層をエッチングして、前記ハードマスク層に、前記EUV光検査用アライメントマーク、および、前記電子線描画用アライメントマークの両方のエッチングパターンを形成する工程と、前記第1のレジスト層を除去する工程と、前記ハードマスク層に形成した前記エッチングパターンから露出する前記基板材料を、ドライエッチングする工程と、前記ハードマスク層、および、前記ハードマスク層から露出する前記基板材料の上に、第2のレジスト層を形成する工程と、前記第2のレジスト層に、前記電子線描画用アライメントマークのエッチングパターンを形成する工程と、前記第2のレジスト層に形成した前記エッチングパターンから露出する前記基板材料をドライエッチングする工程と、前記第2のレジスト層を除去する工程と、前記ハードマスク層を除去する工程と、を順に有することを特徴とする反射型マスク用基板の製造方法。請求項6に記載の反射型マスク用基板の製造方法により製造される反射型マスク用基板を用い、請求項6に記載の工程に続いて、前記反射型マスク用基板の主面の上に、多層膜からなる反射層を形成する工程と、前記反射層の上に、EUV光を吸収する吸収層を形成する工程と、を順に有することを特徴とする反射型マスクブランクスの製造方法。前記反射層を形成する工程と、前記吸収層を形成する工程と、の間に、前記EUV光検査用アライメントマークを用いて前記反射層の位相欠陥の位置をEUV光により検出する検査を行う工程を、有することを特徴とする請求項7に記載の反射型マスクブランクスの製造方法。請求項7に記載の反射型マスクブランクスの製造方法により製造される反射型マスクブランクスを用い、請求項7に記載の工程に続いて、前記吸収層を部分的に除去して吸収体パターンを形成する工程を、有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。請求項8に記載の反射型マスクブランクスの製造方法により製造される反射型マスクブランクスを用い、請求項8に記載の工程に続いて、平面視上、前記検査により検出した前記位相欠陥を覆うレジストパターンを、前記電子線描画用アライメントマークを検出する電子線アライメント描画により形成する工程と、前記レジストパターンから露出する前記吸収層をエッチングすることにより、前記吸収層を部分的に除去して吸収体パターンを形成する工程と、を順に有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。上記のUV光を用いた欠陥検査においては、反射層の表面の凹凸を検出することは可能であるが、反射層の内部や反射層の下の基板材料の上に欠陥があるにもかかわらず、反射層の表面が平滑化されているような位相欠陥に対しては、検知できない。また、上記のように、わずか3.4nmの段差が、180度の位相差を与える位相欠陥となり得るのに対して、前記UV光の波長は2桁ほど大きい値であることから、検出限界の問題もある。それゆえ、検査光として露光光と同じEUV光を用いることが提案されている例えば、特許文献3。検査光にEUV光を用いる場合、例え反射層の表面が平滑化されているような位相欠陥であっても検知可能であり、また、段差が数nmレベルの欠陥も高感度に検出できるからである。しかしながら、検査光にEUV光を用いる場合、数nmレベルの段差も高感度に検出できることから、前記の100nm~500nmの深さを有するアライメントマークでは、アライメントマークからの信号が強すぎてサチュレーションを起こしてしまい、検出精度の低下や、場合によっては、検出光学系に損傷を生じてしまうという問題があった。本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、EUV光による欠陥検査を高精度に行うことと、電子線によるアライメント描画を高精度に行うことの両方が可能な、反射型マスク用基板、反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法を提供することである。本発明者は、種々研究した結果、反射型マスク用基板の主面に、同一工程で位置決めされた深さの異なる2種のアライメントマークを形成し、一方を、EUV光欠陥検査用アライメントマークとし、他方を、電子線描画用アライメントマークとすることで、上記課題を解決できることを見出して本発明を完成したものである。すなわち、本発明の請求項1に係る発明は、EUV露光用の反射型マスクの基板に用いられる反射型マスク用基板であって、その主面に、EUV光検査用アライメントマークと、電子線描画用アライメントマークと、を有し、前記EUV光検査用アライメントマーク、および、前記電子線描画用アライメントマークのいずれもが、凹型の段差マークであって、前記EUV光検査用アライメントマークの深さが、前記電子線描画用アライメントマークの深さよりも浅いことを特徴とする反射型マスク用基板である。また、本発明の請求項2に係る発明は、前記電子線描画用アライメントマークが、前記EUV光検査用アライメントマークよりも基板の中心から外側に配設されていることを特徴とする請求項1に記載の反射型マスク用基板である。また、本発明の請求項3に係る発明は、請求項1~2のいずれかに記載の反射型マスク用基板と、前記反射型マスク用基板の主面の上に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収層と、を有することを特徴とする反射型マスクブランクスである。また、本発明の請求項4に係る発明は、請求項1~2のいずれかに記載の反射型マスク用基板と、前記反射型マスク用基板の主面の上に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収体パターンと、を有することを特徴とする反射型マスクである。また、本発明の請求項5に係る発明は、前記吸収体パターンが、平面視上、前記反射層の位相欠陥を覆う位置に配設されていることを特徴とする請求項4に記載の反射型マスクである。また、本発明の請求項6に係る発明は、表面研磨された基板材料の主面に、ハードマスク層を形成する工程と、前記ハードマスク層の上に、第1のレジスト層を形成する工程と、前記第1のレジスト層に、EUV光検査用アライメントマーク、および、電子線描画用アライメントマークの両方のエッチングパターンを同一工程で形成する工程と、前記第1のレジスト層に形成した前記エッチングパターンから露出する前記ハードマスク層をエッチングして、前記ハードマスク層に、前記EUV光検査用アライメントマーク、および、前記電子線描画用アライメントマークの両方のエッチングパターンを形成する工程と、前記第1のレジスト層を除去する工程と、前記ハードマスク層に形成した前記エッチングパターンから露出する前記基板材料を、ドライエッチングする工程と、前記ハードマスク層、および、前記ハードマスク層から露出する前記基板材料の上に、第2のレジスト層を形成する工程と、前記第2のレジスト層に、前記電子線描画用アライメントマークのエッチングパターンを形成する工程と、前記第2のレジスト層に形成した前記エッチングパターンから露出する前記基板材料をドライエッチングする工程と、前記第2のレジスト層を除去する工程と、前記ハードマスク層を除去する工程と、を順に有することを特徴とする反射型マスク用基板の製造方法である。また、本発明の請求項7に係る発明は、請求項6に記載の反射型マスク用基板の製造方法により製造される反射型マスク用基板を用い、請求項6に記載の工程に続いて、前記反射型マスク用基板の主面の上に、多層膜からなる反射層を形成する工程と、前記反射層の上に、EUV光を吸収する吸収層を形成する工程と、を順に有することを特徴とする反射型マスクブランクスの製造方法である。また、本発明の請求項8に係る発明は、前記反射層を形成する工程と、前記吸収層を形成する工程と、の間に、前記EUV光検査用アライメントマークを用いて前記反射層の位相欠陥の位置をEUV光により検出する検査を行う工程を、有することを特徴とする請求項7に記載の反射型マスクブランクスの製造方法である。また、本発明の請求項9に係る発明は、請求項7に記載の反射型マスクブランクスの製造方法により製造される反射型マスクブランクスを用い、請求項7に記載の工程に続いて、前記吸収層を部分的に除去して吸収体パターンを形成する工程を、有することを特徴とする反射型マスクの製造方法である。また、本発明の請求項10に係る発明は、請求項8に記載の反射型マスクブランクスの製造方法により製造される反射型マスクブランクスを用い、請求項8に記載の工程に続いて、平面視上、前記検査により検出した前記位相欠陥を覆うレジストパターンを、前記電子線描画用アライメントマークを検出する電子線アライメント描画により形成する工程と、前記レジストパターンから露出する前記吸収層をエッチングすることにより、前記吸収層を部分的に除去して吸収体パターンを形成する工程と、を順に有することを特徴とする反射型マスクの製造方法である。本発明によれば、検査用アライメントマークをEUV光による検出に適した深さとすることができ、また、描画用アライメントマークを電子線による検出に適した深さとすることができるため、EUV光による欠陥検査を高精度に行うことと、電子線によるアライメント描画を高精度に行うことの両方が可能となる。反射型マスク用基板まず、本発明に係る反射型マスク用基板について説明する。図1は、本発明に係る反射型マスク用基板の一例を示す説明図であり、aは概略平面図、bはaのA-A断面図を示す。また、図2は、本発明に係る反射型マスク用基板の他の例を示す概略平面図である。図1aおよび図1bに示すように、本発明に係る反射型マスク用基板1は、EUV露光用の反射型マスクの基板に用いられる反射型マスク用基板であって、その主面に、EUV光検査用アライメントマーク21と、電子線描画用アライメントマーク22と、を有し、前記EUV光検査用アライメントマーク21、および、前記電子線描画用アライメントマーク22のいずれもが、凹型の段差マークであって、前記EUV光検査用アライメントマーク21の深さが、前記電子線描画用アライメントマーク22の深さよりも浅いことを特徴とする。上記のように、本発明に係る反射型マスク用基板1は、EUV光検査用アライメントマーク21と、電子線描画用アライメントマーク22の、深さの異なる2種類のアライメントマークを有しているため、EUV光検査用アライメントマーク21をEUV光による検出に適した深さとすることができ、また、電子線描画用アライメントマークを電子線による検出に適した深さとすることができる。それゆえ、EUV光による欠陥検査を高精度に行うことと、電子線によるアライメント描画を高精度に行うことの両方が可能となる。前記EUV光検査用アライメントマーク21の深さは、EUV光を用いる欠陥検査装置がサチュレーションを起こさない範囲とすることが好ましく、例えば、10nm~30nmの範囲であることが好ましい。一方、前記電子線描画用アライメントマーク22の深さは、前記電子線描画用アライメントマーク22の上に、反射層、吸収層、および、レジスト層が形成された状態で、電子線を用いて前記電子線描画用アライメントマーク22を検出することができる深さとすることが好ましく、例えば、100nm~500nmの範囲であることが好ましい。前記EUV光検査用アライメントマーク21の平面形状としては、EUV光を用いる欠陥検査装置でアライメントマークとして検出できるものであれば用いることができ、例えば、十字型、L字型、矩形等の平面形状を有するアライメントマークが1個又は複数個組み合わされたものなどが挙げられる。その平面サイズは、EUV光を用いる欠陥検査装置で検出可能な大きさであり、例えば、前記十字型の場合、全長が1mm~3mm程度であって、線幅が1μm~10μm程度である。また、前記電子線描画用アライメントマーク22の平面形状としては、電子線描画装置でアライメントマークとして検出できるものであれば用いることができ、例えば、十字型、L字型、矩形等の平面形状を有するアライメントマークが1個又は複数個組み合わされたものなどが挙げられる。その平面サイズは、電子線描画装置で検出可能な大きさであり、例えば、前記十字型の場合、全長が1mm~3mm程度であって、線幅が1μm~10μm程度である。また、本発明に係る反射型マスク用基板においては、前記電子線描画用アライメントマークが、前記EUV光検査用アライメントマークよりも基板の中心から外側に配設されていることが好ましい。例えば、図1aに示すように、反射型マスク用基板1の平面外形を構成する各辺の中心近傍に、上記の各アライメントマークが配設される形態においては、前記各辺により近い位置に電子線描画用アライメントマーク22が配設され、基板の中心により近い位置にEUV光検査用アライメントマーク21が配設されることが好ましい。また、図2aや図2bに示すように、反射型マスク用基板1の平面外形の角部四隅近傍に、上記の各アライメントマークが配設される形態においては、前記各角部により近い位置に電子線描画用アライメントマーク22が配設され、基板の中心により近い位置にEUV光検査用アライメントマーク21が配設されることが好ましい。上述のように、電子線描画用アライメントマーク22の深さは、EUV光検査用アライメントマーク21の深さよりも格段に深いため、EUV光検査用アライメントマーク21よりも電子線描画用アライメントマーク22の中に異物が滞留し易い。そして、基板洗浄後のスピン乾燥等の工程の際に、前記異物が電子線描画用アライメントマーク22から流出して、基板表面に付着する恐れがある。ここで、上述のように、電子線描画用アライメントマーク22が、EUV光検査用アライメントマーク21よりも基板の中心から外側に配設されている場合には、スピン乾燥の際に前記電子線描画用アライメントマーク22から流出する異物は、遠心力により基板の中心から外側の方向に付着するため、前記電子線描画用アライメントマーク22よりも基板の内側に形成されている前記EUV光検査用アライメントマーク21が汚染されることを抑制することができる。反射型マスクブランクス次に、本発明に係る反射型マスクブランクスについて説明する。図3は、本発明に係る反射型マスクブランクスの一例を示す概略断面図である。図3に示すように、本発明に係る反射型マスクブランクスは、上述の反射型マスク用基板1と、前記反射型マスク用基板1の主面の上に形成された多層膜からなる反射層12と、前記反射層12の上に形成された吸収層13と、を有するものである。本発明に係る反射型マスクブランクス2は、EUV光検査用アライメントマーク21と、電子線描画用アライメントマーク22の、深さの異なる2種類のアライメントマークを有しているため、EUV光検査用アライメントマーク21をEUV光による検出に適した深さとすることができ、また、電子線描画用アライメントマークを電子線による検出に適した深さとすることができる。それゆえ、EUV光による欠陥検査を高精度に行うことと、電子線によるアライメント描画を高精度に行うことの両方が可能となる。反射型マスク次に、本発明に係る反射型マスクについて説明する。図4は、本発明に係る反射型マスクの一例を示す説明図であり、aは全体の概略断面図、bは位相欠陥と吸収体パターンとの関係を示す説明図である。図4aに示すように、本発明に係る反射型マスク3は、上述の反射型マスク用基板1と、前記反射型マスク用基板1の主面の上に形成された多層膜からなる反射層12と、前記反射層12の上に形成された吸収体パターン13Aと、を有するものである。本発明に係る反射型マスク3は、EUV光検査用アライメントマーク21と、電子線描画用アライメントマーク22の、深さの異なる2種類のアライメントマークを有しているため、EUV光検査用アライメントマーク21をEUV光による検出に適した深さとすることができ、また、電子線描画用アライメントマーク22を電子線による検出に適した深さとすることができる。それゆえ、EUV光による欠陥検査を高精度に行うことと、電子線によるアライメント描画を高精度に行うことの両方が可能となる。また、本発明に係る反射型マスクにおいては、前記吸収体パターンが、平面視上、前記反射層の位相欠陥を覆う位置に配設されていることが好ましい。図4bに示すように、位相欠陥32が吸収体パターン13Aに覆われている場合には、吸収体パターン13Aに入射したEUV光41は、吸収体パターン13Aに吸収されるため、転写結果に位相効果の影響を及ぼすことはなく、前記位相欠陥32によるパターン転写への影響を、効果的に回避することができるからである。なお、反射層12の位相欠陥が無い領域に入射したEUV光の反射光40は、その位相が揃っていることから、転写結果に位相効果の影響を及ぼすことはない。ただし、上述のように、吸収体パターン13Aで位相欠陥32を覆うためには、EUV光による欠陥検査の結果に基づいて吸収体パターン13Aの配設位置をシフトし、検出された前記位相欠陥の位置に、吸収体パターン13Aを形成するためのレジストパターンを、位置精度良く形成する必要がある。ここで、本発明においては、上述のように、EUV光検査用アライメントマークをEUV光による検出に適した深さとすることができ、また、電子線描画用アライメントマークを電子線による検出に適した深さとすることができるため、EUV光による欠陥検査を高精度に行うことと、電子線によるアライメント描画を高精度に行うことの両方が可能である。すなわち、本発明においては、まず、反射層12を形成した後に、EUV光検査用アライメントマーク21を用いてEUV光による欠陥検査を行うことで、位置精度良く位相欠陥32を検出できる。その後、反射層12の上に吸収層13を形成して本発明に係る反射型マスクブランクス1を製造し、次いで、前記吸収層13の上に形成したレジスト層に、電子線描画装置で電子線描画用アライメントマーク22を用いてアライメント描画することによって、前記検出した位相欠陥32を覆うように配設位置をシフトしたレジストパターンを位置精度良く形成することができる。そして、前記レジストパターンをエッチングマスクに用いて吸収層13をエッチングすることにより、前記検出した位相欠陥32の上に、吸収体パターン13Aが位置精度良く形成された反射型マスク3を得ることができる。そして、本発明に係る反射型マスク3をEUV露光に用いることで、前記位相欠陥によるパターン転写への影響を、効果的に回避することができる。次に、本発明に係る反射型マスク用基板、反射型マスクブランクス、または、反射型マスクを構成するその他の要素について説明する。反射層反射層12は、EUV露光に用いられるEUV光を高い反射率で反射する材料が用いられ、Moモリブデン層とSiシリコン層からなる多層膜が多用されており、例えば、2.8nm厚のMo層と4.2nm厚のSi層を各40層積層した多層膜よりなる反射層が挙げられる。それ以外には、特定の波長域で高い反射率が得られる材料として、Ru/Si、Mo/Be、Mo化合物/Si化合物、Si/Nb周期多層膜、Si/Mo/Ru周期多層膜、Si/Mo/Ru/Mo周期多層膜およびSi/Ru/Mo/Ru周期多層膜なども用いることができる。ただし、材料によって最適な膜厚は異なる。Mo層とSi層からなる多層膜の場合、イオンビームスパッタ法により、まずSiターゲットを用いてSi層を成膜し、その後、Moターゲットを用いてMo層を成膜し、これを1周期として、30~60周期、好ましくは40周期積層されて、多層膜の反射層が得られる。上記のように、EUV光を高い反射率で反射させるために、13.5nmのEUV光を入射角6.0度で入射したときの反射層3の反射率は、通常、60以上を示すように設定されている。キャッピング層反射層12の反射率を高めるには屈折率の大きいMo層を最上層とするのが好ましいが、Moは大気で酸化され易く、反射率が低下するので、酸化防止やマスク洗浄時における保護のための保護層として、最上層を厚めのSi層としたり、最上層にスパッタリング法などによりRuルテニウム層を成膜して、キャッピング層とすることが行われている。例えば、キャッピング層としてSiを用いる場合は、反射層12の最上層に11nmの厚さで設けられ、キャッピング層としてRuを用いる場合は、反射層12の最上層に2.5nmの厚さで設けられる。バッファ層EUV光を吸収する吸収層13をドライエッチングなどの方法でパターンエッチングするときに、下層の反射層12に損傷を与えるのを防止するために、反射層12と吸収層13との間にバッファ層が設けられる場合がある。バッファ層の材料としてはSiO2、Al2O3、Cr、CrNなどが用いられる。CrNを用いる場合は、RFマグネトロンスパッタ法によりCrターゲットを用いてN2ガス雰囲気下で、上記の反射層の上にCrN膜を5nm~15nm程度の膜厚で成膜するのが好ましい。吸収層EUV光を吸収する吸収層13の材料としては、Ta、TaO、TaB、TaN、TaBNなどのTaを主成分とする材料や、Cr、Crを主成分としN、O、Cから選ばれる少なくとも1つの成分を含有する材料などが用いられる。吸収層13の膜厚としては、20nm~100nm程度の範囲の膜厚が用いられる。導電層基板材料11における反射層12が設けられた主面とは反対側の面裏面の上には、導電層が形成されていてもよい。この導電層は、反射型マスクの裏面を静電吸着するために設けられるものである。この導電層は、導電性を示す金属や金属窒化物などの薄膜であって、例えば、クロムCrや窒化クロムCrNなどを、厚さ20nm~150nm程度に成膜して用いられる。反射型マスク用基板の製造方法次に、本発明に係る反射型マスク用基板の製造方法について説明する。本発明に係る反射型マスク用基板の製造方法は、表面研磨された基板材料の主面に、ハードマスク層を形成する工程と、前記ハードマスク層の上に、第1のレジスト層を形成する工程と、前記第1のレジスト層に、EUV光検査用アライメントマーク、および、電子線描画用アライメントマークの両方のエッチングパターンを同一工程で形成する工程と、前記第1のレジスト層に形成した前記エッチングパターンから露出する前記ハードマスク層をエッチングして、前記ハードマスク層に、前記EUV光検査用アライメントマーク、および、前記電子線描画用アライメントマークの両方のエッチングパターンを形成する工程と、前記第1のレジスト層を除去する工程と、前記ハードマスク層に形成した前記エッチングパターンから露出する前記基板材料を、ドライエッチングする工程と、前記ハードマスク層、および、前記ハードマスク層から露出する前記基板材料の上に、第2のレジスト層を形成する工程と、前記第2のレジスト層に、前記電子線描画用アライメントマークのエッチングパターンを形成する工程と、前記第2のレジスト層に形成した前記エッチングパターンから露出する前記基板材料をドライエッチングする工程と、前記第2のレジスト層を除去する工程と、前記ハードマスク層を除去する工程と、を、順に有するものである。図5および図6は、本発明に係る反射型マスク用基板の製造方法の一例を示す模式的工程図である。本発明に係る反射型マスク用基板1を製造するには、まず、図5aに示すように、表面研磨された基板材料11を用意し、その主面の上にCrN窒化クロム等からなるハードマスク層50を形成し図5b、さらにその上に、第1のレジスト層60を形成する図5c。次に、例えば、レーザ描画および現像により、前記第1のレジスト層60に、EUV光検査用アライメントマーク21、および、電子線描画用アライメントマーク22の両方のエッチングパターンを同一工程で形成する図5d。ここで、上述のEUV光検査用アライメントマーク21、および、電子線描画用アライメントマーク22の両方のエッチングパターンを同一工程で形成するとは、例えば、パターン形成手段としてレーザ描画装置を用いる場合には、レーザ描画装置に搭載された基板材料11を途中で取り出したりせずに、前記基板材料11のハードマスク層50の上に形成された第1のレジスト層60に、EUV光検査用アライメントマーク21と電子線描画用アライメントマーク22の両方のエッチングパターンを一回の工程でレーザ描画し、その後、前記基板材料11をレーザ描画装置から取り出して、通常の現像工程現像、リンス、乾燥を施すことにより、EUV光検査用アライメントマーク21と電子線描画用アライメントマーク22の両方のエッチングパターンを有するレジストパターンを形成することをいう。このような工程で、EUV光検査用アライメントマーク21と電子線描画用アライメントマーク22の両方のエッチングパターンが形成されるため、前記EUV光検査用アライメントマーク21と電子線描画用アライメントマーク22の各エッチングパターンの相互の位置関係は、高い精度で設計どおりに保たれることになる。なお、本発明においては、EUV光検査用アライメントマーク21、および、電子線描画用アライメントマーク22の両方のエッチングパターンを同一工程で形成することによって、両者の相対的位置関係を高精度に保つことができればよく、例えば、上記のパターン形成手段として、レーザ描画装置に替えて電子線描画装置を用いても良い。次に、前記第1のレジスト層60に形成した前記エッチングパターンから露出する前記ハードマスク層50をエッチングして、前記ハードマスク層50に、前記EUV光検査用アライメントマーク21、および、前記電子線描画用アライメントマーク22の両方のエッチングパターンを形成し図5e、その後、第1のレジスト層60を剥離除去する図5f。上記のハードマスク層50のエッチングは、ドライエッチングであってもよく、ウェットエッチングであってもよい。例えば、ドライエッチングの場合には、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いることができ、ウェットエッチングの場合には、硝酸第2セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合液を用いることができる。次に、図6gに示すように、ハードマスク層50に形成した前記エッチングパターンから露出する基板材料11をドライエッチングして、EUV光検査用アライメントマーク21、および、凹型構造体22Aを形成する。ここで、前記凹型構造体22Aは、電子線描画用アライメントマーク22と同じ位置に形成され、電子線描画用アライメントマーク22と略同一の平面形状を有するものであるが、その深さはEUV光検査用アライメントマーク21と略同一な構造体である。上記の基板材料11のエッチングは、ドライエッチングが好ましい。等方性エッチングであるウェットエッチングに比べて、ドライエッチングでは側壁を垂直に形成しやすく、EUV光を用いた欠陥検査において、EUV光検査用アライメントマーク21のエッジを検出することが、より容易になるからである。また、後述するように、凹型構造体22Aをさらにエッチングして電子線描画用アライメントマーク22を形成する際にも、凹型構造体22Aの側壁が垂直であれば、電子線描画用アライメントマーク22の側壁も垂直に形成しやすく、電子線を用いたアライメント描画において、電子線描画用アライメントマーク22のエッジを検出することが、より容易になるからである。上記の基板材料11のドライエッチングには、例えば、フッ素系のガスを用いることができる次に、図6hに示すように、前記ハードマスク層50、および、前記ハードマスク層50から露出する前記基板材料11の上に、第2のレジスト層61を形成し、次いで、例えば、レーザ描画および現像により、前記第2のレジスト層61に、前記電子線描画用アライメントマーク22のエッチングパターンを形成する。なお、前記レーザ描画に替えて電子線描画を用いても良い。ここで、前記第2のレジスト層61に形成された前記エッチングパターンは、電子線描画用アライメントマーク22と略同一の平面形状を有する必要は無く、電子線描画用アライメントマーク22の平面形状よりも十分に大きな開口パターンであることが好ましい。さらに言えば、本工程においては、前記第2のレジスト層61で被覆される部位は、前記EUV光検査用アライメントマーク21が形成された部位だけであっても良い。レジスト層61は、電子線描画用アライメントマーク22を形成するためのエッチングから、EUV光検査用アライメントマーク21を保護する目的で形成されるものだからである。なお、電子線描画用アライメントマーク22を形成するためのエッチングにおけるエッチングマスクの機能は、ハードマスク層50が担うことになる。そして、前記第2のレジスト層61に形成された前記エッチングパターンが、上記のような開口パターンであれば、例えば、基板材料11の外形を基準とした精度の低いアライメント描画であっても、前記凹型構造体22Aを前記第2のレジスト層61から露出させることができる。次に、前記第2のレジスト層61に形成した前記エッチングパターンから露出する前記凹型構造体22Aをさらにドライエッチングして、所望の深さの電子線描画用アライメントマーク22を形成し図6i、その後、第2のレジスト層61を剥離除去する図6j。最後に、ハードマスク層50を除去して、EUV光検査用アライメントマーク21と電子線描画用アライメントマーク22を有する反射型マスク用基板1を得る図6k。以上説明したように、本発明の反射型マスク用基板の製造方法によれば、EUV光検査用アライメントマークと、電子線描画用アライメントマークと、を有し、前記EUV光検査用アライメントマークの深さが、前記電子線描画用アライメントマークの深さよりも浅い反射型マスク用基板を得ることができる。また、本発明によれば、EUV光検査用アライメントマークをEUV光による検出に適した深さとすることができ、また、電子線描画用アライメントマークを電子線による検出に適した深さとすることができ、EUV光による欠陥検査を高精度に行うことと、電子線によるアライメント描画を高精度に行うことの両方が可能となる。また、上述のように、EUV光検査用アライメントマーク、および、電子線描画用アライメントマークの両方のエッチングパターンを同一工程で形成できるため、EUV光検査用アライメントマークと電子線描画用アライメントマークの相互の位置関係を、高い精度で設計どおりに保つことができる。それゆえ、本発明に係る反射型マスク用基板を用いて、反射型マスクを製造する場合、EUV光による欠陥検査で検出した位相欠陥の上に、位置精度良く吸収体パターンを形成することができ、位相欠陥によるパターン転写への影響を回避することが可能な反射型マスクを得ることができる。反射型マスクブランクスの製造方法次に、本発明に係る反射型マスクブランクスの製造方法について説明する。本発明に係る反射型マスクブランクスの製造方法は、上述の反射型マスク用基板の製造方法により製造される反射型マスク用基板を用い、上述の工程に続いて、前記反射型マスク用基板の主面の上に、多層膜からなる反射層を形成する工程と、前記反射層の上に、EUV光を吸収する吸収層を形成する工程と、を、順に有するものである。図7は、本発明に係る反射型マスクブランクスの製造方法の一例を示す模式的工程図である。本発明に係る反射型マスクブランクス2を製造するには、まず、図7aに示すように、上述の反射型マスク用基板の製造方法により製造された反射型マスク用基板1を用意し、その主面の上に、多層膜からなる反射層12を形成し図7b、次いで、前記反射層12の上に、EUV光を吸収する吸収層13を形成する図7c。前記反射層12を形成するには、例えば、反射型マスク用基板1の主面に、イオンビームスパッタ法により、まずSiターゲットを用いてSi層を4.2nm成膜し、その後、Moターゲットを用いてMo層を2.8nm成膜し、これを1周期として、30~60周期、好ましくは40周期積層することで、多層膜からなる反射層12を形成することができる。また、前記吸収層13を形成するには、例えば、DCマグネトロンスパッタ法により、Taターゲットを用いて、Arと窒素の混合ガス雰囲気下で、TaN膜を20nm~100nmの厚さで形成することができる。なお、図示はしないが、反射層12の上には、反射層12を保護するためのキャッピング層や、吸収層13を部分的に除去して吸収体パターン13Aを形成する際の反射層12へのエッチングダメージを防止するためのバッファ層を設けてもよい。また、本発明においては、前記反射層12を形成する工程と、前記吸収層13を形成する工程と、の間に、前記EUV光検査用アライメントマーク21を用いて前記反射層12の位相欠陥の位置をEUV光により検出する検査を行う工程を有することが好ましい。EUV光は吸収層13に吸収されてしまうため、反射層12の上に吸収層13を形成した後に、前記EUV光検査用アライメントマーク21を用いて前記反射層12の位相欠陥の位置をEUV光により検出する検査を行うことは困難だからである。以上説明したように、本発明の反射型マスクブランクスの製造方法によれば、EUV光検査用アライメントマークと、電子線描画用アライメントマークと、を有し、前記EUV光検査用アライメントマークの深さが、前記電子線描画用アライメントマークの深さよりも浅く形成されている反射型マスク用基板の主面の上に、多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収層と、を有する反射型マスクブランクスを得ることができる。また、本発明によれば、EUV光検査用アライメントマークをEUV光による検出に適した深さとすることができ、また、電子線描画用アライメントマークを電子線による検出に適した深さとすることができることから、EUV光による欠陥検査を高精度に行うことと、電子線によるアライメント描画を高精度に行うことの両方が可能となる。また、上述のように、EUV光検査用アライメントマーク、および、電子線描画用アライメントマークの両方のエッチングパターンを同一工程で形成できるため、EUV光検査用アライメントマークと電子線描画用アライメントマークの相互の位置関係を、高い精度で設計どおりに保つことができる。それゆえ、本発明に係る反射型マスクブランクスを用いて、反射型マスクを製造する場合、EUV光による欠陥検査で検出した位相欠陥の上に、位置精度良く吸収体パターンを形成することができ、位相欠陥によるパターン転写への影響を回避することが可能な反射型マスクを得ることができる。反射型マスクの製造方法次に、本発明に係る反射型マスクの製造方法について説明する。本発明に係る反射型マスクの製造方法は、上述の反射型マスクブランクスの製造方法により製造される反射型マスクブランクスを用い、上述の工程に続いて、前記吸収層を部分的に除去して吸収体パターンを形成する工程を、有するものである。そして、本発明の前記吸収体パターンを形成する工程においては、平面視上、前記検査により検出した前記位相欠陥を覆うレジストパターンを、前記電子線描画用アライメントマークを検出する電子線アライメント描画により形成する工程と、前記レジストパターンから露出する前記吸収層をエッチングすることにより、前記吸収層を部分的に除去して吸収体パターンを形成する工程と、を順に有することが好ましい。上記のような工程を有する製造方法により、前記吸収体パターンが、平面視上、前記反射層の位相欠陥を覆う位置に配設されている本発明に係る反射型マスクを製造することができるからである。図8は、本発明に係る反射型マスクの製造方法の一例を示す模式的工程図である。本発明に係る反射型マスク3を製造するには、まず、図8aに示すように、上述の反射型マスクブランクスの製造方法により製造された反射型マスクブランクス2を用意する。なお、この反射型マスクブランクス2は、前記反射層の位相欠陥の位置およびサイズをEUV光により検査済みのものである。次に、前記反射型マスクブランクス2の吸収層13の上に電子線レジスト層62を形成し図8b、次いで、上記検査で検出した位相欠陥の上に吸収体パターンが形成されるように位置をシフトさせた描画パターンを、電子線描画用アライメントマーク22を用いてアライメント描画し、現像することにより、平面視上、前記検査により検出した前記位相欠陥を覆うレジストパターン62Aを形成する図8c。ここで、電子線描画用アライメントマーク22は、上述のように、電子線による検出に適した深さに形成されているため、例え、反射層12、吸収層13、および、電子線レジスト層62が形成された上からでも、電子線描画用アライメントマーク22を良好に検出でき、それゆえ、電子線によるアライメント描画を位置精度良く行うことができる。次に、前記レジストパターン62Aから露出する前記吸収層13をエッチングすることにより、前記吸収層13を部分的に除去して吸収体パターン13Aを形成し図8d、その後、前記レジストパターン62Aを剥離除去して、前記吸収体パターン13Aが、平面視上、前記反射層12の位相欠陥を覆う位置に配設されている本発明の反射型マスク3を得る。以上説明したように、本発明の反射型マスクの製造方法によれば、EUV光検査用アライメントマークと、電子線描画用アライメントマークと、を有し、前記EUV光検査用アライメントマークの深さが、前記電子線描画用アライメントマークの深さよりも浅く形成されている反射型マスク用基板の主面の上に、多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収体パターンと、を有する反射型マスクを得ることができる。また、本発明によれば、EUV光検査用アライメントマークをEUV光による検出に適した深さとすることができ、また、電子線描画用アライメントマークを電子線による検出に適した深さとすることができることから、EUV光による欠陥検査を高精度に行うことと、電子線によるアライメント描画を高精度に行うことの両方が可能となる。また、上述のように、EUV光検査用アライメントマーク、および、電子線描画用アライメントマークの両方のエッチングパターンを同一工程で形成できるため、EUV光検査用アライメントマークと電子線描画用アライメントマークの相互の位置関係を、高い精度で設計どおりに保つことができる。それゆえ、本発明によれば、EUV光による欠陥検査で検出した位相欠陥の上に、位置精度良く吸収体パターンを形成することができ、位相欠陥によるパターン転写への影響を回避することが可能な反射型マスクを得ることができる。以上、本発明に係る反射型マスク用基板、反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。実施例1基板材料11として、光学研磨された大きさ6インチ角厚さ0.25インチの合成石英基板を用い、その主面の上に、CrN窒化クロムを100nmの厚さにスパッタ成膜してハードマスク層50を形成し、その上に、第1のレジスト層60東京応化工業、IP3500を厚さ450nmで塗布形成し、EUV光検査用アライメントマーク21と電子線描画用アライメントマーク22の両方のエッチングパターンを一回の工程でレーザ描画し、その後、前記基板材料11をレーザ描画装置米国ETEC社、ALTA3500から取り出して、通常の現像工程現像、リンス、乾燥を施すことにより、EUV光検査用アライメントマーク21と電子線描画用アライメントマーク22の両方に相当する位置が開口したパターンを有するレジストパターンを形成した。ここで、EUV光検査用アライメントマーク21の平面形状、および、電子線描画用アライメントマーク22の平面形状は、いずれも十字型とし、その全長は2mm、線幅は2μmとした。また、各アライメントマークの配置は、図2aに示すように、基板材料11の対角線上の四隅にそれぞれ各1個それぞれ計4個配置し、電子線描画用アライメントマーク22が、EUV光検査用アライメントマーク21よりも基板材料11の中心から外側になるように配置した。ここで、各電子線描画用アライメントマーク22の中心位置と、各EUV光検査用アライメントマーク21の中心位置との距離は、X方向に4mm、Y方向に4mm、離して配置した。次に、前記レジスト層60に形成した前記エッチングパターンから露出する前記CrN層を、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いてドライエッチングし、前記CrN層に、前記EUV光検査用アライメントマーク21、および、前記電子線描画用アライメントマーク22の両方のエッチングパターンを形成し、その後、第1のレジスト層60を剥離除去した。次に、前記CrN層に形成した前記エッチングパターンから露出する基板材料11を、CF4ガスとHeガスの混合ガスを用いてドライエッチングし、深さが20nmのEUV光検査用アライメントマーク21、および、凹型構造体22Aを形成した。次に、前記CrN層、および、前記CrN層から露出する基板材料11の上に、第2のレジスト層61東京応化工業、IP3500を厚さ450nmで塗布形成し、次いで、レーザ描画および現像により、前記第2のレジスト層61から前記凹型構造体22Aを露出させた。次に、露出した前記凹型構造体22Aを、さらにCF4ガスとHeガスの混合ガスを用いてドライエッチングし、深さ300nmの電子線描画用アライメントマーク22を形成し、その後、第2のレジスト層61を剥離除去し、次いで、前記CrN層を除去して、EUV光検査用アライメントマーク21と電子線描画用アライメントマーク22を有する本発明の反射型マスク用基板1を得た。次に、上記の反射型マスク用基板1の主面の上に、イオンビームスパッタ法により、Siターゲットを用いてSi膜を4.2nm成膜し、続いてMoターゲットを用いてMo膜を2.8nm成膜し、これを1周期として40周期積層してMoとSiの多層膜よりなる反射層12を形成した後、最表面のMo膜の上に、Ru層を2.5nm成膜してキャッピング層を形成した。その後、前記EUV光検査用アライメントマーク21を用いて反射層12における位相欠陥の位置およびサイズを検出する検査を行った。検査には、EUV露光と同じ波長13.5nmのEUV光を用いた。本実施例における前記EUV光検査用アライメントマーク21の深さは20nmであり、サチュレーションを起こすことなく、高精度に欠陥検査することができた。次に、上記のRu膜の上に、DCマグネトロンスパッタ法により、Taターゲットを用いて、Arと窒素の混合ガス雰囲気下で、TaN膜を60nmの厚さで形成して吸収層13とし、本発明に係る反射型マスクブランクス2を得た。次に、上記の反射型マスクブランクス2を用い、TaN膜からなる吸収層13の上に電子線レジスト層62富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ、FEP171を厚さ200nmで塗布形成し、電子線描画用アライメントマーク22を用いて電子線描画装置日本電子、JBX9000でアライメント描画して、前記検査により検出した前記位相欠陥を覆うようにレジストパターン62Aを形成した。本実施例における前記電子線描画用アライメントマーク22の深さは300nmであり電子線による検出に適した深さに形成されているため、反射層12、Ru層、TaN層、および電子線レジスト層62を形成した上からでも、上記電子線描画装置の電子線走査に対して十分なコントラストの検出信号を得ることができた。次に、前記TaN層を塩素ガスでドライエッチングして、Ruからなるキャッピング層を露出させ、吸収体パターン13Aを形成し、その後、電子線レジスト層62を剥離除去して、本発明に係る反射型マスク3を得た。その後、上記の反射型マスク3の吸収体パターン13Aから露出する反射層を、波長13.5nmのEUV光を用いたEUV顕微鏡で観察した。上記の観察の結果、TaN層形成前のEUV光を用いた欠陥検査で検出された位相欠陥は全て吸収体パターン13Aで覆われており、露出する反射層厳密には、最上層にRu膜を備えた反射層において、位相欠陥は見つからなかった。上述のように、本発明によれば、EUV光による欠陥検査を高精度に行うことと、電子線によるアライメント描画を高精度に行うことの両方が可能となり、前記各アライメントマークを用いた欠陥検査およびアライメント描画により、位相欠陥によるパターン転写への影響を回避することが可能な反射型マスクを得ることができる。