上面に電子部品が実装された基板と、前記電子部品が実装された上面を封止する絶縁性の封止樹脂層と、前記封止樹脂層の前記基板と反対側を覆う導電性の外装シールドと、前記封止樹脂層の内部に配置され、前記外装シールドと前記基板に備えられた接地端子とを電気的に接続する接続部とを備えていることを特徴とする半導体モジュール。前記外装シールドを貫通し、少なくとも前記封止樹脂層の内部に到達する凹部が形成されており、前記接続部は、前記凹部の内周面を覆う内周部分と前記接地端子と接触する接触部分とを備える請求項1に記載の半導体モジュール。前記基板は下面に接地端子が配置されており、前記凹部が、前記封止樹脂層、前記基板及び接地端子を貫通している請求項2に記載の半導体モジュール。前記凹部は、前記封止樹脂層を貫通しており、前記接続部の前記接触部分は前記凹部の底面を覆うように形成されており、前記接触部分は前記基板の上面に形成された接地端子と接触する請求項2に記載の半導体モジュール。前記凹部が前記電子部品の上部に形成されており、前記電子部品の前記接地端子と接続された導体部分と前記接触部分とが接触している請求項2に記載の半導体モジュール。前記電子部品が、シリコン貫通電極を備えた半導体素子である請求項5に記載の半導体モジュール。前記接地端子が基板の上面に形成されており、前記基板には、前記接地端子と接続し、前記基板の厚み方向に立設された導電体が実装されており、前記接触部分が前記導電体と接触する請求項2に記載の半導体モジュール。前記外装シールドは平面形状が前記基板よりも小さい請求項1から請求項7のいずれかに記載の半導体モジュール。前記接続部が複数個備えられている請求項1から請求項8のいずれかに記載の半導体モジュール。前記複数個の接続部は、少なくとも前記基板の対角位置に対を成すように配置されている請求項9に記載の半導体モジュール。しかしながら、図32に示すように半導体モジュールGを搭載基板Mbに搭載するとき、モジュール基板91の下面に形成されたモジュール実装端子912と、搭載基板Mbの信号端子Stとを接続するときに用いられる、はんだ又は導電性樹脂接着剤の量によって、搭載基板Mbの信号端子Stと外装シールド94とが短絡してしまう場合があり、作業性がよくない。また、上述の方法で半導体モジュールを製造する場合、第1ダイシング工程及び第2ダイシング工程の2度のダイシング工程が必要であるとともに、それぞれのダイシング工程で厚みの異なるダイシングブレードを用いる必要があり、製造工程が煩雑になる。また、ダイシングによって除去される樹脂又は導電性ペーストの量が多くなる。以上のことより、生産性が低くなりやすく、コストアップにつながる。そこで本発明は、外装シールドを確実に接地するとともに前記外装シールドと信号配線との短絡を抑制できる半導体モジュールを提供することを目的とする。さらに本発明は、小型低背化を達成しつつ、生産性の高い半導体モジュールを提供することを目的とする。上記目的を達成するために本発明は、上面に電子部品が実装された基板と、前記電子部品が実装された上面を封止する絶縁性の封止樹脂層と、前記封止樹脂層の前記基板と反対側を覆う導電性の外装シールドと、前記封止樹脂層の内部に配置され、前記外装シールドと前記基板に備えられた接地端子とを電気的に接続する接続部とを備えた半導体モジュールを提供する。この構成によると、前記外装シールドと前記接地端子とを接続する接続部が封止樹脂内に配置されるので、前記外装シールドと前記接地端子とを確実に設置することができ、電磁界、静電による影響高周波ノイズ等を効率よく遮断シールドすることが可能である。また、前記接続部が、はんだ付け時のはんだが多くても、前記半導体モジュールの信号配線と前記外装シールドとが短絡してしまう不具合を抑制できる。このことより、前記搭載基板に実装するときの、はんだ量にある程度の調整代があるので、組み付けの生産性を高めることが可能である。さらに、前記基板の上部に取り付けられるカバーが不要であるので低背化、小型が可能である。上記構成において、前記外装シールドを貫通し、少なくとも前記封止樹脂層の内部に到達する凹部が形成されており、前記接続部は、前記凹部の内周面を覆う内周部分と前記接地端子と接触する接触部分とを備えていてもよい。上記構成において、前記基板は下面に接地端子が配置されており、前記凹部が、前記封止樹脂層、前記基板及び接地端子を貫通していてもよい。この構成によると、前記凹部を前記モジュール基板を搭載基板に実装するときの位置決め孔として利用することができ、作業性が高い。上記構成において、前記凹部は、前記封止樹脂層を貫通しており、前記接続部の前記接触部分は前記凹部の底面を覆うように形成されており、前記接触部分は前記基板の上面に形成された接地端子と接触するようにしてもよい。上記構成において、前記凹部が前記電子部品の上部に形成されており、前記電子部品の前記接地端子と接続された導体部分と前記接触部分とが接触していてもよい。このとき、前記電子部品として、シリコン貫通電極を備えた半導体素子であってもよい。上記構成において、前記接地端子が基板の上面に形成されており、前記基板には、前記接地端子と接続し、前記基板の厚み方向に立設された導電体が実装されており、前記接触部分が前記導電体と接触するようにしてもよい。前記立設された導電体として、低抵抗素子、ジャンパー線等を挙げることができる。容易に立設できる構成のものを広く採用することができる。前記外装シールドは平面形状が前記基板よりも小さく形成されている。この構成によると、前記モジュール基板を切断、分離するときに用いるダイシングブレードが他の部分に比べて切断しにくい、外装シールドを切断しないようにすることが可能である。これにより、ダイシングブレードの磨耗を抑制することができるとともに、前記外装シールドを切断するときに発生する応力、ひずみを抑えることができる。上記構成において、前記接続部が複数個備えられていてもよく、その場合、少なくとも前記基板の対角位置に対を成すように配置されている物を挙げることができる。本発明によると、外装シールドを確実に接地するとともに前記外装シールドと信号配線との短絡を抑制できる半導体モジュールを提供することができる。さらに本発明によると、小型低背化を達成しつつ、生産性の高い半導体モジュールを提供することができる。以下に本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、便宜上、部材符号及び又はハッチングを省略する場合もあるが、かかる場合、他の図面を参照するものとする。第1の実施形態図1は本発明にかかる半導体モジュールの一例の概略斜視図であり、図2は図1に示す半導体モジュールをII-II線で切断したときの矢視断面図である。まず、図1及び図2を参照して、本発明にかかる半導体モジュールAの構造について説明する。図1、図2に示すように、本発明にかかる半導体モジュールAは、モジュール基板1と、モジュール基板1の上面一主面であり以下において部品実装面と称する場合もあるに実装された複数個の電子部品2と、これらの電子部品2を含むモジュール基板1の上面を封止する封止樹脂層3と、封止樹脂層3の上面を覆う外装シールド4と、外装シールド4と一体に形成された接続部5とを備えている。モジュール基板1は、本発明の基板の一例であり、後述の集合基板100を切り分けることで得られる基板である。なお、実際の製造工程では、集合基板100は、電子部品2、封止樹脂層3、外装シールド4、接続部5等の実装、形成が終了した後に切断される。また半導体モジュールAは、図1に示すように、平面的に見て平面視正方形形状を有している。半導体モジュールAは、平面視正方形の対角位置に2個の貫通孔Thを備えている。貫通孔Thの詳細については後述するが、半導体モジュールAを搭載基板Mbに実装するとき、半導体モジュールAを搭載基板Mbに対して位置決めするための基準孔として用いられる。モジュール基板1は、所定の厚みを有するセラミックス多層基板であり、平面視で正方形形状を有している。モジュール基板1の上面には、所定の配線パターンに形成され、電子部品2が電気的に接続される配線導体11が形成されている。また、モジュール基板1の下面には、ビアホール不図示等を介して配線導体と電気的に接続されたモジュール実装端子12が形成されている。さらに、モジュール基板1の内部の層及び下面には、接地ライン13が形成されている。接地ライン13の内部の層に配置されている部分内層接地配線131と下面に形成されている部分下面接地端子132とは電気的に接続されている。なお、配線導体11、モジュール実装端子12及び接地ライン13は低抵抗の金属薄膜、例えば、銅の薄膜で構成されている。また、配線導体11には電子部品2の接地線と接続されるものもあり、電子部品2の接地線と接続される配線導体11はビアホール不図示等を介して、接地ライン13と接続されている。なお、接地ライン13の内層接地配線131は、配置されている層のできるだけ広い部分に形成されることが好ましい。このように、接地ライン13を大きくすることで、モジュール基板1の下面側からの電磁界、静電等による影響高周波ノイズ等を遮断シールドする効果を得ることが可能である。モジュール基板1の上面に実装された複数個の電子部品2は、図2に示すように、半導体素子21、及び、抵抗、インダクタ、コンデンサなどの受動部品22等を含んでいる。これら複数個の電子部品2は、目的とする機能を発揮するように適宜選択され、モジュール基板1の部品実装面に実装されている。例えば、半導体モジュールAが携帯電話の無線送受信用のモジュールとして用いられる場合には、半導体素子21として、RF-ICRadioFrequencyIntegratedCircuitなどが用いられる。受動部品22は、チップ型電子部品チップ部品である。受動部品22は、例えば、セラミックス焼成体を素体とし、その両端部に外部端子電極221を備えた構成を有している。上述した複数個の電子部品2は、モジュール基板1の上面の所定の位置に実装されることで、モジュール基板1の配線導体11図2参照等を介して互いに接続されたり、或いは、接地されたりする。このことによって、半導体モジュールAは集積回路を構成している。なお、半導体モジュールAにおいて、モジュール基板1の上面に実装される半導体素子21は、WL-CSPWaferLevelChipSizePackageに構成されたICである。また、モジュール基板1には、必要に応じて、BPFBandPassFilter、水晶振動子などの部品が実装される場合もある。そして、電子部品2が実装されたモジュール基板1の上面は、上述しているように電子部品2とともに封止樹脂層3で覆われている。この封止樹脂層3は、電子部品2を封止して絶縁層を成すものであり、モジュール基板1の上面の全体を覆うように形成されている。封止樹脂層3が形成されていることで、電子部品2や配線導体11が外部からの応力、湿気や汚染物質から保護されている。封止樹脂層3は絶縁性の樹脂で構成されており、例えば、エポキシ樹脂で構成されている。なお、封止樹脂層3はこの構成に限定されるものではなく、モジュール基板1の上面及び電子部品2を封止できる樹脂等を広く採用することができる。半導体モジュールAには、モジュール基板1、封止樹脂層3及び接地ライン13の下面接地端子132を貫通する貫通孔Thが形成されている。すなわち、貫通孔Thは半導体モジュールAの上面から下面に貫通する形状を有している。なお、接地ライン13の下面接地端子132は、貫通孔Thに貫通される構成であるため、モジュール基板1の対角位置の貫通孔Thが形成される部分に形成されている。そして、封止樹脂層3の上面を覆うように、外装シールド4が形成されている。外装シールド4は、導電性を有する金属箔であり、例えば、銅箔で構成されている。半導体モジュールAでは、外装シールド4は封止樹脂層3の上面全体を覆っており、封止樹脂層3の上面にしっかり固着している。また、貫通孔Thの内部に配置された、接続部5が形成されている。接続部5は外装シールド4と同じ銅箔で構成されており、外装シールド4と一体に導通状態で形成されている。また、接続部5は、貫通孔Thの内周面を覆うように配置された内周部分51と、内周部分の外装シールド4と反対側の端部に形成され、接地ライン13の下面接地端子132と電気的に接触する接触部分52とを有している。接地ライン13と接続部5とが電気的に接続されることで、接続部5内周部分51と一体的に形成された外装シールド4も、接地ライン13と電気的に接続される。なお、接地ライン13が接地される搭載基板の接地線と接続されることで外装シールド4も接地される。このことから、外装シールド4が電磁シールドを構成し、電磁界、静電による影響高周波ノイズ等を遮断シールドすることが可能である。なお、半導体モジュールAでは、外装シールド4で半導体モジュールAの側面を覆っていない構成となっているが、半導体モジュールAが薄いので、外装シールド4側面を覆わない構成で十分なシールド効果を得ることが可能である。また、接触部分52のモジュール基板1の下面より突出した部分を、接地ライン13の下面接地端子132に沿うように成形し、接地ライン13の下面接地端子132にはんだ付け等で電気的に接続するようにしてもよい。このように、接触部分52と下面接地端子132とを固定することで、外装シールド4と接地ライン13との接続を確実に行うことが可能である。なお、半導体モジュールAにおいて、接触部分52が内周部分51の下側端部に形成され、接触部分52と接地ライン13の下面接地端子132とが接触することで、外装シールド4と接地ライン13とを電気的に接続しているが、これに限定されるものではない。接触部分52が、接地ライン13のモジュール基板1の内層に配置される内層接地配線131と接触するように接続部5が形成されていてもよい。この構成でも、外装シールド4と接地ライン13とを確実に接続することが可能である。次に、本発明にかかる半導体モジュールAを搭載基板に実装した状態について新たな図面を参照して説明する。図3は図2に示す半導体モジュールを実装した状態の半導体モジュール及び搭載基板の断面図である。図3に示すように、半導体モジュールAは、搭載基板Mbの一主面である上面に実装されている。搭載基板Mbの上面には、半導体モジュールAの下面に形成されたモジュール実装端子12と接続する信号電極Stと、同じく、下面に形成された接地ライン13の下面接地端子132と接続する接地電極Gtとを備えている。なお、信号電極Stは、実装されている部品電子部品2等に駆動用の信号電力を供給するための端子である。また、搭載基板Mbの上面には、垂直に突出した柱状部Prが備えられており、図3に示すように柱状部Prは半導体モジュールAの貫通孔Thに挿入されている。柱状部Prは、半導体モジュールAに形成されている2つの貫通孔Thに同時に挿入できるように2個備えられている。柱状部Prは、搭載基板Mbの下面より上面に貫通し、絶縁性を有するピンである。柱状部Prは、半導体モジュールAの2つの貫通孔Thのそれぞれを同時に挿入できる配置されている。柱状部Prが貫通孔Thのそれぞれに挿入されるように半導体モジュールAを配置することで、半導体モジュールAを搭載基板Mbの正確な位置に位置決めすることが可能である。すなわち、2個の貫通孔Thに2個の柱状部Prが挿入されるように半導体モジュールAを搭載基板Mbに取り付けることで、半導体モジュールAのモジュール実装端子12と対応する信号電極St、及び、接地ライン13の下面接地端子132と接地電極Gtとを正確に接触させることが可能である。この状態で、モジュール実装端子12と対応する信号電極端子St、接地ライン13の下面接地端子132と接地電極Gtとをはんだ又は導電性樹脂接着剤等で接触固定することで、半導体モジュールAを搭載基板Mbに実装することが可能である。このとき、図3に示しているように、半導体モジュールAの側面には外装シールド4が形成されないので、はんだ又は導電性樹脂接着剤の量が多い場合であっても、信号電極Stと外装シールド4とが短絡する不具合の発生を抑制することができる。これにより、半導体モジュールAを搭載基板Mbに実装するときのはんだ或いは導電性樹脂接着剤の量の制限を緩和することができ、生産性を高めることができる。なお、上述の例において、貫通孔Thに挿入される柱状部Prとして搭載基板Mbを貫通するピンを例にしているが、これに限定されるものではなく、搭載基板Mbと一体に形成されているものでもよく、或いは、搭載基板Mbの上面より埋め込まれた柱状の部材であってもよい。また、柱状部Prが金属線等の導電性を有する部材であって、搭載基板Mbの設置電極Gtと接続しておき、柱状部Prと貫通孔Thの内周面に形成された接続部5の内周部分51と接触固定するように形成してもよい。このように導電性を有する柱状部Prと接続部5の内周部分51とを電気的に接触させることで、半導体モジュールAの位置決めを行うとともに、外装シールド4をより確実に接地することが可能である。さらには、搭載基板Mbに孔を設けておき、半導体モジュールAの貫通孔Thの上面側から貫通させた柱状の冶具を搭載基板Mbの孔に挿入することで位置決めしてもよい。半導体モジュールAの貫通孔Thに軸状の部材を挿入することで位置決めする方法を広く採用することができる。次に、本発明にかかる半導体モジュールAの製造方法について新たな図面を参照して説明する。図4~図11は半導体モジュールAを製造するときの各工程を模式的に示す断面図である。図4は集合基板に電子部品を実装した状態の平面図であり、図5は図4に示す集合基板の断面図である。なお、図4では配線パターンである配線導体11の記載を省略しているが、実際には集合基板100のモジュール基板1を構成する部分に、それぞれ同一の配線導体11が形成されているものとする。また、図4において、水平方向をX方向、紙面内でX方向と直交する方向をY方向とする。まず、モジュール基板1を並べて組み合わせた形状の集合基板100を準備する。この集合基板100は、セラミックス多層基板であり、集合基板100は、同じ形状及び大きさのモジュール領域101を備えている。ここで、図4では、モジュール領域101を特定するため、境界部分を一点鎖線境界線で示しているが、実際の集合基板100には、モジュール領域101の境界線が形成されているわけではない。なお、モジュール領域101は切断後モジュール基板1となる部分であり、正方形形状を有している。後のダイシング工程において、モジュール領域101の隣り合う部分に設けられたダイシングラインDLでX方向又はY方向に切断することで、モジュール領域101は個々のモジュール基板1に分離される。このことより、隣り合うモジュール領域101の間にはダイサー不図示で切削するための切削しろが形成されており、その切削しろがダイシングラインDLとすることもできる。なお、ダイシングラインDLは、集合基板100に実際に形成されていてもよく、ダイサーの制御部に位置情報座標、長さ等として備えられた仮想のラインであってもよい。モジュール領域101には、配線導体11、モジュール実装端子12及び接地ライン13が備えられている。配線導体11、モジュール実装端子12及び接地ライン13は全てのモジュール領域101で共通した形状及び大きさを有している。図4、図5に示すように、モジュール基板1を並べて組み合わせた形状の集合基板100の上面部品実装面に、半導体素子21、受動部品22等の複数個の電子部品2をはんだ付けにて実装する実装工程。配線導体11は複数の配線パターンで形成されており、複数個の電子部品2の端子はそれぞれ予め決められた配線導体11と接続するように実装される。半導体モジュールAでは、電子部品2は表面実装されるので、例えば、次の手順で電子部品が実装される。まず、集合基板100の上面に形成された配線導体11に印刷手法を用いてクリームはんだを塗布する。そして、マウンターを利用して、複数個の電子部品2半導体素子21、受動部品22のそれぞれの端子が、予め決められた配線導体11と接続するように配置する。そして、電子部品2が配置された集合基板100をリフロー炉で加熱し、はんだを溶かすことで電子部品2を配線導体11に固定する。実装工程により複数個の電子部品2が実装された集合基板100の上面に絶縁性樹脂の封止樹脂層3を形成する封止工程。図6は封止工程後の集合基板を示す断面図である。図6に示すように、電子部品2が実装された集合基板100の上面には、トランスファーモールド法によって形成された絶縁性樹脂の封止樹脂層3が形成されている。封止工程では、絶縁性樹脂として、例えば、エポキシ樹脂が用いられる。エポキシ樹脂は熱硬化性の樹脂であり、集合基板100の上面を覆うように配置した後、加熱されることで硬化する。なお、エポキシ樹脂の効果前の流動性粘性を調整するために、無機質フィラーが添加される場合もある。図6に示すように、封止樹脂層3は、集合基板100の上面の全体を覆う。トランスファーモールド法では、集合基板100に成形型金属、カーボン等を取り付け、成形型の内部にエポキシ樹脂が注入される。このとき、成形型を加熱することで、エポキシ樹脂を加熱する。熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂は、金型からの熱を受けて硬化する。封止工程で封止樹脂層3が形成された集合基板100に貫通孔Thを形成する孔あけ工程。図7は孔あけ工程を模式的に示す断面図であり、図8は孔あけ工程後の集合基板を示す平面図である。図7に示すように、孔あけ工程は、NCNumericalControlドリルNdを用いて、集合基板100の予め決められた位置ここでは、モジュール領域101の対角位置の2箇所に貫通孔Thを形成する。NCドリルNdは、不図示の制御部より、貫通孔Thを形成する場所のX座標値及びY座標値を得ており、各座標値により示される場所に、貫通孔Thを形成する。図8に示すように、貫通孔Thは、各モジュール領域101内で同じ位置に、形成されている。なお、図2、図7に示しているように、この貫通孔Thは、封止樹脂層3及び集合基板100モジュール基板1を貫通するように形成されており、さらには、集合基板100の下面に形成されている接地ライン13の下面接地端子132も貫通している。なお、貫通孔Thは2箇所に限定されるものではなく、1箇所或いは3箇所以上であってもよい。貫通孔Thは個数に関わらず、接地ライン13の下面接地端子132を貫通するように形成される。孔あけ工程にて貫通孔Thが形成された後、封止樹脂層3の上面に金属被膜を成形する成膜工程。図9は成膜工程により金属被膜が形成された状態の集合基板の断面図であり、図10は図9の貫通孔部分の拡大断面図である。図9に示すように、上面に封止樹脂層3が形成され、貫通孔Thが形成された集合基板100の上面、すなわち、封止樹脂層3の上面から、めっき手法により金属被膜を形成する。成膜工程によって、形成された金属被膜は、封止樹脂層3の上面全体を均一又は略均一にカバーするように形成される。成膜工程において、金属被膜は、封止樹脂層3の上面だけでなく、貫通孔Thの内周面にも形成される図10参照。そして、金属被膜は貫通孔Thの下面側の端部にも到達しており、接地ライン13の下面接地端子132と接触している。成膜工程によって形成された金属被膜は、封止樹脂層3の上面、貫通孔Thの内周面に形成され、下面接地端子132と接触している。この成膜工程によって形成された金属被膜が、図1、図2等に示される外装シールド4及び接続部5を構成する。図10に示すように、外装シールド4は、封止樹脂層3の上面、すなわち、電子部品2が実装された集合基板100の上面を覆う。そして、貫通孔Thに形成された接続部5の内周部分51及び接触部分52を介して、下面接地端子132と接触する。例えば、分離後の半導体モジュールAにおいて、下面接地端子132が搭載基板Mbの接地端子Gtと接続されることで、接地され、外装シールド4も接地される構成になっている。なお、外装シールド4は、例えば、銅のような、低抵抗の金属で形成されていることが好ましい。また、成膜工程で形成された接続部5の接触部分52と下面接地端子132とをはんだで固定するはんだ付け工程を備えていてもよい。このとき、接触部分52として、下面接地端子132に沿って広がる構成を有していてもよい。接触部分52の広がる部分としてめっき手法による成膜時に形成されるばりを利用してもよい。成膜工程において外装シールド4及び接続部5が形成された集合基板100を、切断、分離するダイシング工程。図11はダイシング工程を示す断面図である。ダイシング工程では、高速回転するダイシングブレードDbを、ダイシングラインDLに沿って移動させて、モジュール領域101を切断、分離し、個々の半導体モジュールAに個片化する。なお、図11に示すダイシング工程ではダイシングブレードDbを集合基板100側から接触させているが、これに限定されるものではない。以上示した複数の工程を経て形成された半導体モジュールAは、側面がダイシングブレードDbによる切断端面となっている。このことから、半導体モジュールAの側面に外装シールド4が形成されることはなく、小型化が可能である。また、半導体モジュールAの外装シールド4は貫通孔Thに形成された接続部5を介して接地される構成である。このことより、半導体モジュールAは小型化及び低背化を達成しつつ、確実なシールド性を有する。また、半導体モジュールAでは、側面に外装シールド4及びそれと類する導電部が形成されていないので、図3に示したように半導体モジュールAを搭載基板Mbに実装するときのはんだの量によって、搭載基板Mbの信号端子Stと外装シールド4のような接地された導体部分とが短絡する不具合を抑制することが可能である。また、本発明にかかる半導体モジュールAの製造工程ではダイシング工程が1度である。このことから、従来の2度のダイシング工程を経て製造される半導体モジュールGに比べて、製造に必要な時間を短縮することができる。また、本発明にかかる半導体モジュールAの製造工程においてダイシングブレードDbによって切削される部分は、従来の半導体モジュールGの製造工程におけるそれに比べて小さい。これにより、本発明にかかる半導体モジュールAは従来の半導体モジュールGに比べて材料の無駄を減らすことが可能である。さらには、ダイシング工程では1種類の厚さのダイシングブレードDbを用いて集合基板100を切断、分離するので、製造に必要な装置を簡略化することができる。以上のことから、本発明の半導体モジュールAは、小型、低背であるとともに、製造工程が少なく、製造に要する材料も減らすことができ、生産性が高い。また、本発明の半導体モジュールAを用いることで、搭載基板に実装するときの実装ミスを防ぐことができ、半導体モジュールAが用いられる電子機器の生産性を高めることも可能である。第2の実施形態本発明にかかる半導体モジュールの他の例について図面を参照して説明する。図12は本発明にかかる半導体モジュールの他の例の概略断面図である。図12に示す半導体モジュールBは、モジュール基板1b、モジュール実装端子12b、接地ライン13b及び接続部5bが異なる以外は、半導体モジュールAと同じ構成を有している。半導体モジュールBを構成する部分のうち、半導体モジュールAを構成する部分と実質上同じ部分には、同じ符号を付すとともに、詳細な説明は省略する。図12に示しているように、モジュール基板1bの接地ライン13bは、モジュール基板1bの部品実装面である上面に上面接地端子130bを備えており、上面接地端子130bはモジュール基板1bの内層に形成された内層接地配線131に接続されている。なお、接地ライン13bは、例えば、銅箔のような電気抵抗の低い金属箔で形成されている。また、半導体モジュールBにおいて、モジュール基板1bの上面形成された上面接地端子130bと、同じくモジュール基板1bの上面に形成された配線導体11の接地される配線とが上面で接触している場合、半導体モジュールAで用いられていた、配線導体11と内層接地配線131とをつなぐビアホール不図示を省略することが可能である。図12に示しているように、封止樹脂層3bには、上面からモジュール基板1の上面に配された上面接地端子130bに到達する凹穴Vhが形成されている。凹穴Vhは底部が上面接地端子130bとなる位置に形成されている。なお、半導体モジュールBの凹穴Vhは、半導体モジュールAの貫通孔Thと平面視同じ位置に形成されている。さらに半導体モジュールBの上面に、金属被膜で形成された外装シールド4が備えられている。なお、凹穴Vhは、半導体モジュールAの貫通孔Thと平面視同じ位置に形成されていてもよいがそれ以外であってもよい。また、位置決めに用いないので、1箇所であってもよいし、3箇所以上形成されていてもよい。接続部5bは、凹穴Vhの内周面を覆う部分内周部分51bと、凹穴Vhの底面を覆う部分接触部分53bとを備えている。接続部5bの内周部分51bと接触部分53bとは、一体的に形成されている。そして、図12に示すように、外装シールド4と接続部分5b内周部分51bとは一体的に形成されている。また、接触部分53bが、接地ライン13bの上面接地端子130bと接触することで、接続部5b内周部分51bと一体的に形成された外装シールド4は、接地ライン13bと電気的に接続される。半導体モジュールBの構成によると、接続部5bの接触部分53bと接地ライン13bの上面接地端子130bとが面で接触するので、安定的に接続される。これにより、外装シールド4と接地ライン13bとの接続抵抗を低減することができる。なお、接地ライン13bは搭載基板の接地線と接続されることで、接地され、外装シールド4も接地される。これにより、外装シールド4の電磁界、静電による影響高周波ノイズ等を遮断シールドする効果を高めることが可能である。次に図12に示す半導体モジュールBの搭載基板Mbへの搭載について図面を参照して説明する。図13は図12に示す半導体モジュールを実装した状態の半導体モジュール及び搭載基板の断面図である。なお、図13では、半導体モジュールBが異なる以外は、図12と同じ構成を有しており、実質上、同じ部分は同じ符号を付し、実質上同じ部分の詳細な説明は省略する。図13に示すように、搭載基板Mbの上面に半導体モジュールBが実装されている。半導体モジュールBのモジュール実装端子12が信号電極Stと、接地ライン13bの下面接地端子132bが接地電極Gtとそれぞれ接続されている。図13に示すように、半導体モジュールBにおいて、モジュール実装端子12が外周部分、下面接地端子132bが中央付近に、それぞれ、離れて形成されている。これにより、半導体モジュールBを実装するときのはんだの量が多く、モジュール実装端子12と下面接地端子132bとの短絡を抑制することが可能である。また、モジュール実装端子12と信号電極Stとのはんだ付けのとき、はんだの量が多く、はんだが半導体モジュールBの側面に盛り上がっても、はんだと外装シールド4とが接触することはない。これにより、搭載基板Mbの信号端子Stと接地端子Gtと電気的に接続された外装シールド4との短絡を抑制することができる。次に図12に示す半導体モジュールBの製造工程について、新たな図面を参照して説明する。図14~図18は図12に示す半導体モジュールを製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。半導体モジュールBの製造工程では、実装工程及び封止工程までは半導体モジュールAの製造工程と同じである。すなわち、集合基板100上面に複数の電子部品2を実装し、絶縁性の樹脂で集合基板100の上面を封止する。封止工程で封止樹脂層3が形成された集合基板100に凹穴Vhを形成する穴あけ工程。図14は穴あけ工程中の集合基板を模式的に示す断面図であり、図15は集合基板の上面を封止している封止樹脂層にレーザー光Lsを照射している状態を示す断面図である。穴あけ工程では、集合基板100の上面側より、レーザー光Lsを照射し、封止樹脂層3に凹穴Vhを形成する。レーザーLs光は、集合基板100の上面に対して直交するように照射される。封止樹脂層3は、レーザー光Lsが照射されることで切削され、凹穴Vhが形成される。図12に示すように、凹穴Vhの底面が上面接地端子130bとなっているので、レーザー光Lsは、モジュール領域101の上面に形成されている上面接地端子130bに向かって照射される。図15に示すように、レーザー光Lsは金属鏡面である上面接地端子130bで反射される。この特性を利用して、レーザー光Lsを出射するレーザー光源不図示上面接地端子130bの上部に正確に位置決めすることができる。これにより、レーザー光Lsを上面接地端子130bに向けて正確に照射することができる。さらに詳しく説明すると、レーザー光Lsは、金属鏡面でより多く反射される特性を有しており、上面接地端子130bと集合基板100とでは反射されるレーザー光Lsの光量が異なる。この特性を利用して、レーザー光Lsの反射光を検出しつつ、封止樹脂層3の上部からレーザー光Lsを照射し、反射光の強さ光量が一定以上になったところで、レーザー光Lsによる穴あけ加工を開始する。なお、レーザー光Lsの照射位置を決めるためにレーザー光Lsを封止樹脂層3の上部より照射する場合、封止樹脂層3が切削されないように、位置決め時レーザー光Lsの出力を穴あけ時に比べて落とすようにしてもよい。また、NC制御によって、レーザー光源のモジュール領域101に対する凡その位置を決めておき、上述のレーザー光Lsの反射特性を利用して、正確な位置決めを行うようにしてもよい。なお、NC制御によるレーザー光源のモジュール領域101に対して正確な位置決めが可能な場合、反射特性による位置決めを省略してもよい。レーザー光Lsの照射位置を決定した後、予め決められた出力のレーザー光Lsを封止樹脂層3に照射し、封止樹脂層3の切削を行う。レーザー光Lsによる封止樹脂層3の切削が上面接地端子130bに到達すると、レーザー光Lsが上面接地端子130bで反射され、切削が鈍り、穴あけ加工穴あけ工程が完了する。なお、穴あけ工程において、凹穴Vhの底面より上面接地端子130bが露出度を高めるため、凹穴Vh部分の封止樹脂層3を構成する樹脂は完全に或いは略完全に取り除かれていることが好ましい。穴あけ工程によって、凹穴Vhが形成された後、封止樹脂層3の上面に金属被膜を成形する成膜工程。図16は成膜工程後の集合基板の断面図であり、図17は図16に示す集合基板の凹穴部分を拡大した断面図である。金属被膜の成膜方法については、半導体モジュールAの製造工程と同様の方法で行われる。すなわち、封止樹脂層3の上面から、めっき手法により金属被膜を形成する。成膜工程によって、形成された金属被膜は、封止樹脂層3の上面全体を均一又は略均一にカバーするように形成される。また、成膜工程において、金属被膜は、封止樹脂層3の上面だけでなく、凹穴Vhの内周面及び底面にも形成される図17参照。凹穴Vhの底面から上面接地端子130bが露出しており、金属被膜は凹穴Vhの底面で上面接地端子130bと接触する。この成膜工程によって形成された金属被膜が、図12に示される外装シールド4及び接続部5bを構成する。図12に示すように、外装シールド4は、封止樹脂層3の上面、すなわち、電子部品2が実装された集合基板100の上面を覆う構成を有している。また、図17に示しているように、外装シールド4bと接続部5b内周部分51bとが一体で形成されている。そして、接続部5bは接触部分53bで、上面接地端子130bと接触している。例えば、切断、分離後の半導体モジュールAにおいて、下面接地端子132が搭載基板Mbの接地端子Gtとの接触で接地されることで、外装シールド4も接地される構成になっている。なお、外装シールド4及び接続部5bは、例えば、銅のような、低抵抗の金属で形成されていることが好ましい。成膜工程において外装シールド4及び接続部5bが形成された集合基板100を、切断、分離するダイシング工程。図18はダイシング工程を示す断面図である。半導体モジュールBの製造工程におけるダイシング工程は、半導体モジュールAの製造工程におけるダイシング工程と同じ方法である。すなわち、高速回転するダイシングブレードDbをダイシングラインDLに沿って移動させ、モジュール領域101を切断、分離し、個々の半導体モジュールBに個片化する。以上示した複数の工程を経て形成された半導体モジュールBは、側面がダイシングブレードDbによる切断端面となっている。このことから、半導体モジュールBの側面に外装シールド4bが形成されることはなく、小型化が可能である。また、半導体モジュールBの外装シールド4は凹穴Vhに形成された接続部5b内周部分51b及び接触部分53bを介して接地する構成である。このことより、半導体モジュールBは低背化を達成しつつ、確実なシールド性を有する。また、半導体モジュールBでは、側面に外装シールド4及びそれに類する導電部が形成されていないので、図13に示したように半導体モジュールBを搭載基板Mbに実装するときのはんだの量によって、搭載基板Mbの信号端子Stと、外装シールド4のような接地された導体部分とが短絡する不具合を抑制することが可能である。また、本発明にかかる半導体モジュールBの製造工程ではダイシング工程が1度である。このことから、従来の2度のダイシング工程を経て製造される半導体モジュールGに比べて、製造に必要な時間を短縮することができる。また、本発明にかかる半導体モジュールBの製造工程においてダイシングブレードによって切削される部分は、従来の半導体モジュールGの製造工程におけるそれに比べて小さい。これにより、本発明にかかる半導体モジュールBは従来の半導体モジュールGに比べて材料の無駄を減らすことが可能である。さらには、ダイシング工程において1種類の厚さのダイシングブレードで集合基板100を切断、分離するので、製造に必要な装置を簡略化することができる。以上のことから、本発明の半導体モジュールBは、小型、低背であるとともに、製造工程が少なく、製造に要する材料も減らすことができ、生産性が高い。また、本発明の半導体モジュールBを用いることで、搭載基板に実装するときの実装ミスを防ぐことができ、半導体モジュールBが用いられる電子機器の生産性を高めることも可能である。第3の実施形態本発明にかかる半導体モジュールのさらに他の例について新たな図面を参照して説明する。図19は本発明にかかる半導体モジュールのさらに他の例を拡大した断面図である。図19に示す半導体モジュールCは、接続部5cが異なる以外は半導体モジュールBと同じ構成を有しており、実質上同じ部分には同じ符号を付すとともに、実質上同じ部分の詳細な説明は省略する。図19に示しているように、受動部品22cは、モジュール基板1bの上面接地端子130bと接続して実装されている。受動部品22cは上面に、電極端子220cを備えており、受動部品22cは外面に電極端子220cと上面接地端子130bとを接続する配線222cを備えている。すなわち、電極端子220cは接地端子の機能を備えている。そして、図19に示すように、半導体モジュールCの接続部5cは、凹穴Vhの内周面を覆う部分内周部分51cと、凹穴Vhの底面を覆う部分接触部分53cとが一体で形成されている。また、外装シールド4と接続部5c内周部分51cとは一体に形成されている。半導体モジュールCの凹穴Vhは受動部品22cの上部に形成されており、接続部5cの接触部分53cが電極端子220cと接触している。電極端子220cが接地ライン13bと電気的に接続される。これにより、接続部5cと一体に形成されている外装シールド4も接地ライン13bと接続される。この半導体モジュールCによると、受動部品22cの一部を利用して外装シールド4の接地を行うので、モジュール基板上に外装シールドを接地させるための接地端子を、複数個の電子部品2を避けて形成する必要がなく、半導体モジュールCの平面視の大きさを小型化することが可能である。半導体モジュールCの製造工程は、穴あけ工程による穴あけ位置が異なる以外は、半導体モジュールBと同じであり、製造工程の詳細は省略する。半導体モジュールCの凹穴Vhは、半導体モジュールBの凹穴Vhに比べて浅い。このことから、穴あけ工程に要する時間を短縮することが可能であり、半導体モジュールBに比べて、製造効率を高めることが可能である。なお、半導体モジュールCにおいて、受動部品22cとして、電極端子220cと上面接地端子130bとを接続する配線222cが外面に形成されたものを挙げているが、これに限定されるものではなく、内部に形成された貫通孔と貫通孔スルーホールを介して接続するものであってもよい。図20は本実施形態の変形例を示す拡大断面図である。図20に示すように、外周部分を接地された金属製のカバー223cで覆われる受動部品22cたとえば、水晶振動子の上面に凹穴Vhを形成し、接続部5cの凹穴Vhの底面を覆う接触部分53cをカバー223cに接触させることで、外装シールド4と接地ライン13bとの接続を行うことが可能である。この構成によると、受動部品22cに電極端子220c、配線222c等を形成しなくてもよく、それだけ、半導体モジュールCの製造にかかる手間を省くことが可能である。第3の実施形態のその他の効果は、上述の第1、第2の実施形態と同様である。第4の実施形態本発明にかかる半導体モジュールのさらに他の例について図面を参照して説明する。図21は本発明にかかる半導体モジュールのさらに他の例の拡大断面図である。図21に示す半導体モジュールDは、半導体素子21d及び接続部5dが異なる以外、半導体モジュールCと同じ構成を有するものであり、実質上同じ部分には同じ符号を付すとともに、同じ部分の詳細な説明は省略する。さらに製造工程についても、穴あけ工程で形成する凹穴の位置が異なる以外は、同様の構成を有しているので、詳しい説明は省略する。図21に示すように、半導体モジュールDは、内周面に導電性を有する貫通孔であるシリコン貫通電極210dが形成されたシリコン貫通WL-CSPである半導体素子21dを備えている。半導体モジュールDは、シリコン貫通電極dを介して、上面に形成された金属端子部211dと、下面に形成された下面側端子不図示とが電気的に接続されている。シリコン貫通電極dを介して金属端子部211dと接続された下面側端子はモジュール基板1の上面接地端子130bとはんだを介して接続されている。これにより、半導体素子21dの上面の金属端子部211dは接地ライン13bと接続される。そして、半導体モジュールDにおいて、凹穴Vhは半導体素子21dの上部に形成されており、接続部5dの凹穴Vhの底面を覆う接触部分53dは、半導体素子21dの金属端子部211dと接触している。これにより、接続部5dが接地ライン13bと電気的に接続され、接続部5dと一体に形成されている外装シールド4も接地ライン13bと電気的に接続される。なお、接続ライン13bが接地される搭載基板の接地線と接続されることで外装シールド4も接地される。半導体素子21dにシリコン貫通EL-CSPを用いることで、外装シールド4を確実に且つ容易に接地ラインと接続することが可能である。また、半導体モジュールC同様、凹穴Vhが浅いので製造工程に要する時間を短縮することができる。第4の実施形態のその他の効果は、上述の第1~第3の実施形態と同様である。第5の実施形態本発明の半導体モジュールの他の例について図面を参照して説明する。図22は本発明にかかる半導体モジュールのさらに他の例の拡大断面図である。図22に示す半導体モジュールEは、半導体モジュールEの厚み方向上下方向に立てて配置されたチップ部品23eを備えている以外は、半導体モジュールBと同じ構成を有しており、実質上同じ部分は、同じ符号を付すとともに、詳細な説明を省略する。図22に示すように、半導体モジュールEは、複数個の電子部品2eに加え、チップ部品23eの外部端子電極231eの一方を上面接地端子130bにはんだ付けし、チップ部品23eが半導体モジュールEの厚み方向に立設している。そして、半導体モジュールEの上面は、絶縁性樹脂3で封止されている。また、半導体モジュールEは、チップ部品23eの外部端子電極231eの他方が露出するように形成された凹穴Vhと、凹穴Vhの内周面と底面とをそれぞれ覆う内周部分51e及び接触部分53eとを含む接続部5eを備えている。なお、チップ部品23eとして、外部端子電極231eの一方と他方とが導通であるもの、例えば、抵抗器低抵抗を挙げることができる。半導体モジュールEにおいて、凹穴Vhはチップ部品23eの上部に形成されており、接続部5eの凹穴Vhの底面を覆う接触部分53eは、チップ部品23eの外部端子電極231eの他方と接触している。これにより、接続部5eは、チップ部品23eを介して接地ライン13bと電気的に接続され、接続部5eと一体に形成された外装シールド4も接地ライン13bと電気的に接続される。なお、接地ライン13bは搭載基板の接地線と接続されることで、接地され、外装シールド4も接地される。半導体モジュールEはチップ部品23e及び接続部5eを利用して、外装シールド4と接地ライン13bとを接続するので、外装シールド4を確実に且つ容易に接地することが可能である。また、半導体モジュールC同様、凹穴Vhが浅いので製造工程に要する時間を短縮することができる。また、チップ部品23eとして、半導体モジュールEの厚み方向の長さを、封止樹脂層3の同じ厚さのものを用い、封止工程において、先端側の外部端子電極231eが樹脂から露出するように絶縁性樹脂で封止するようにしてもよい。このように、チップ部品23eの先端側の外部端子電極231eが樹脂から露出するように樹脂で封止することで、チップ部品23eの外部端子電極231eを露出させる工程上述において、穴あけ工程を飛ばすことが可能である。これにより、製造工程を減らすことができ、それだけ、生産効率を上げることが可能である。なお、チップ部品23eとして、抵抗器を用いる場合、その抵抗は可能な限り小さい方が好ましい。また、チップ部品23eの代わりに、立設状態で配置することが可能な銅線ジャンパ線を用いてもよい。第5の実施形態のその他の効果は、上述の第1~第4の実施形態と同様である。第6の実施形態本発明にかかる半導体ユニットについて図面を参照して説明する。図23は本発明にかかる半導体モジュールの他の例の平面図であり、図24は図23に示す半導体モジュールの成膜工程が終了した後の集合基板を示す平面図である。半導体モジュールFは、外装シールド4fが異なる以外は、半導体モジュールBと同じ構成を有しており、実質上同じ部分は同じ符号を付すとともに、詳細な説明は省略する。図23に示すように、半導体モジュールFは、平面視において、外装シールド4fがモジュール基板1bよりも小さく形成されている。外装シールド4fは、モジュール基板1bよりも小さいが、電子部品2に対する、或いは、電子部品2からの電磁界、静電による影響を確実に遮断シールドできる大きさを有している。図24は成膜工程が完了した状態の集合基板の平面図である。半導体モジュールFの製造工程において、実装工程、封止工程、穴あけ工程は、半導体モジュールBの製造工程と同じである。すなわち、集合基板100の上面に複数個の電子部品2を実装し図4参照、集合基板100の上面を電子部品2を含めて絶縁性樹脂で封止し封止樹脂層3を形成した後図5参照、封止樹脂層3の上部から予め決められた位置に凹穴Vhを形成する図14参照。穴あけ工程にて凹穴Vhを形成した後、封止樹脂層3の上面のユニット領域101の境界部分にめっきレジストMrを施す。このめっきレジストMrが形成される部分には、ダイシング工程においてダイシングブレードによって切断されるダイシングラインDLが形成される。めっきレジストMrが形成された封止樹脂層3の上面に、めっき手法にて金属被膜を成膜する図24参照。成膜工程において、封止樹脂層3の上面には、ダイシングラインDL上にめっきレジストMrが形成されており、ダイシングラインDLを除く部分にのみ金属被膜が成膜される。封止樹脂層3の上面に金属被膜が形成された後、めっきレジストMrを取り除くことで、ダイシングラインDL上には、金属被膜が形成されない。ダイシング工程において、金属被膜である外装シールド4を切断するとき、モジュール基板1bや封止樹脂層3を切断する場合にくらべてダイシングブレードDbへの負担が大きくなる。そこで、図24に示すように、めっきレジストMrでダイシングラインDL上の金属被膜を排除することで、ダイシングブレードが金属被膜を切断しなようにし、ダイシングブレードの磨耗を抑えている。また、ダイシングブレードが金属被膜を切断することで、ダイシング工程で、封止樹脂層3或いはモジュール基板1bにストレスがかかるのを低減することが可能である。なお、本実施形態では、理解を容易にするため、めっきレジストを施す領域を大きく示しているが、実際には、ダイシングブレードの幅と略同じかわずかに広い程度とすることも可能である。ダイシングブレードが金属被膜と接触せず、外装シールド4が確実に電磁界、静電による影響を遮断シールドできる大きさとなるものを広く採用することが可能である。なお、本実施形態において、半導体モジュールFの構成として、半導体モジュールBと同じ構成のものとしたが、これに限定されるものではない。第6の実施形態のその他の効果は、上述の第1~第5の実施形態と同様である。以上、本発明の実施形態につき説明したが、本発明の範囲はこれに限定されるものではなく、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。例えば、上述の各実施形態において、モジュール基板集合基板として、セラミックス多層基板を用いた例を示しているが、これに限定されるものではなく、セラミックス多層基板以外の基板を用いてもよい。例えば、ガラスエポキシ多層基板や多層樹脂基板を用いてもよい。また、上述の各実施形態において、封止樹脂層を構成する絶縁性樹脂としてエポキシ樹脂を挙げているがこれに限定するものではない。絶縁性を有し、加工性流動性、硬化性等に優れる樹脂を広く採用することができる。また、封止樹脂層の成形方法として、トランスファーモールド法を採用しているが、これに限定されるものではなく、封止樹脂層を精度良く、確実に形成することができる方法を広く採用することが可能である。また、接続部は平面視において、封止樹脂層内であれば、特に場所にこだわらなくてもよい。さらに、上述の各実施形態において、外装シールドを構成する金属被膜として銅箔を用いているが、これに限定されるものではない。例えば、アルミニウム箔などを用いてもよい。また、銅箔、アルミニウム箔以外にも、導電性に優れ、加工が容易な金属被膜を広く採用することが可能である。また、上述の各実施形態において、金属被膜をめっき手法により成膜する方法を採用しているが、これに限定されるものではない。例えば、スパッタリングや蒸着等の方法を用いてもよい。封止樹脂層の上面よりはがれにくい金属被膜を形成する方法を広く採用することが可能である。また、上述の各実施形態において、WL-CSPからなる半導体素子をモジュール基板に実装した例を示しているが、これに限定されるものではなく、WL-CSP以外の半導体素子を実装する構成としてもよい。また、WL-CSPからなる半導体素子及び又はWL-CSP以外の半導体素子が複数個備えられた構成としてもよい。そのとき、半導体素子とモジュール基板の配線導体とは、上述のような下面に形成された端子をはんだ付けすることで接続されていてもよく、ボンディングワイヤを用いて接続されてもよい。