"露光光の光路空間を液体で満たした状態で前記露光光に対して基板ステージに保持された基板を移動しつつ前記基板を露光する露光方法であって、所定条件の下で前記光路空間を液体で満たした状態で前記基板ステージを制御して前記基板ステージを移動させつつ前記基板ステージに保持された基板の位置情報を計測する第1ステップと、前記計測結果に基づいて前記基板ステージの移動制御精度を求める第2ステップと、前記求めた移動制御精度に基づいて前記基板を露光するときの露光条件を決定する第3ステップと、前記決定された露光条件に基づいて前記基板を露光する第4ステップとを有する露光方法。前記第4ステップにおいて、パターンを有するマスクを移動可能なマスクステージと前記基板ステージとを所定の走査方向に関して同期移動しつつ前記基板が露光され、前記移動制御精度は、前記マスクステージと前記基板ステージとの同期誤差を含む請求項1記載の露光方法。前記走査方向に関して前記マスクステージと前記基板ステージとを移動しつつ前記マスクと前記基板との位置情報を計測し、前記計測結果に基づいて前記同期誤差を求める請求項2記載の露光方法。前記マスク上の所定のスリット領域を前記露光光で照明し、前記同期誤差に基づいて、前記基板上の任意の点が前記スリット領域に入ってから出るまでの間の前記同期誤差の平均値、及び前記同期誤差の平均値のまわりの散らばり度合いの少なくとも一方を求める請求項2又は3記載の露光方法。前記基板ステージは所定の二次元方向に移動可能であって、前記移動制御精度は、前記二次元方向に関する移動制御精度を含む請求項1~4のいずれか一項記載の露光方法。前記基板ステージは所定の二次元方向に移動可能であって、前記移動制御精度は、前記二次元方向に垂直な方向に関する移動制御精度を含む請求項1~5のいずれか一項記載の露光方法。前記二次元方向に垂直な方向に関する移動制御精度は、前記基板ステージ上の所定面と該所定面を一致させるべき目標面との位置誤差を含む請求項6記載の露光方法。前記所定面は、前記基板ステージに保持された基板の表面、及び前記基板ステージに保持された基板の周囲に配置された部材の表面の少なくとも一方を含む請求項7記載の露光方法。前記第4ステップにおいて、前記露光光は、前記基板と投影光学系との間の光路空間を液体で満たした状態で前記基板上に照射され、前記目標面は、前記投影光学系と前記液体とを介して形成される像面に基づいて決定される請求項7又は8記載の露光方法。前記光路空間を液体で満たすことによって、前記基板ステージに保持された基板の表面と前記基板ステージに保持された基板の周囲に配置された部材の表面との少なくとも一方に液浸領域が形成される請求項1~9のいずれか一項記載の露光方法。前記露光条件は、前記光路空間を液体で満たすための液浸条件を含む請求項1~10のいずれか一項記載の露光方法。前記液浸条件は、前記光路空間に液体を供給するときの供給条件、及び液体を回収するときの回収条件の少なくとも一方を含む請求項11記載の露光方法。前記露光条件は、前記基板の移動条件を含む請求項1~12のいずれか一項記載の露光方法。前記移動条件は、前記基板の移動速度、加減速度、及び移動方向の少なくとも一つを含む請求項13記載の露光方法。前記移動条件は、前記光路空間と前記基板ステージとの位置関係を含む請求項13又は14記載の露光方法。前記露光条件は、前記液体に接触する物体の条件を含む請求項1~15のいずれか一項記載の露光方法。前記物体は、前記基板ステージに保持された基板、及び前記基板ステージに保持された基板の周囲に配置された部材の少なくとも一方を含む請求項16記載の露光方法。前記物体の条件は、前記液体との接触角に関する条件を含む請求項16又は17記載の露光方法。前記物体の条件は、前記物体の表面の膜に関する条件を含む請求項16~18のいずれか一項記載の露光方法。前記露光条件は、前記光路空間の外側から前記光路空間に向けて気体を吹き付けるときの吹き付け条件を含む請求項1~19のいずれか一項記載の露光方法。前記第1ステップ及び第2ステップは、前記所定条件を変えて複数回行われる請求項1~20のいずれか一項記載の露光方法。前記所定条件は、前記光路空間を液体で満たすための液浸条件、前記基板の移動条件、前記液体と接触する物体の条件、前記光路空間の外側から前記光路空間に向けて気体を吹き付けるときの吹き付け状態の少なくとも一つを含む請求項1~21のいずれか一項記載の露光方法。請求項1~22のいずれか一項記載の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、現像された基板を加工することとを含むデバイス製造方法。露光光の所定の光路空間を液体で満たしつつ前記液体を介して基板を露光する露光装置であって、前記基板を保持する基板ステージと、前記基板ステージにより保持された基板の位置情報を計測する計測装置と、所定条件の下で前記光路空間を液体で満たした状態で前記露光光に対して前記基板が移動されるときに計測装置により計測された基板の位置情報に基づいて、前記基板ステージの移動制御精度を求め、求められた移動制御精度に基づいて露光条件を決定する制御装置と、を備える露光装置。さらに、パターンを有するマスクを移動可能なマスクステージを備え、前記基板の露光時、前記マスクステージと前記基板ステージとは所定の走査方向に同期移動され、前記移動制御精度は、前記マスクステージと前記基板ステージとの同期誤差を含む請求項24記載の露光装置。前記計測装置は、前記走査方向に関する前記マスクステージと前記基板ステージの移動中に前記マスクと前記基板との位置情報を計測し、前記制御装置は、前記計測結果に基づいて前記同期誤差を求める請求項25記載の露光装置。前記制御装置は、前記同期誤差に基づいて、前記露光光が照射される所定のスリット領域に前記基板上の任意の点が入ってから出るまでの間の前記同期誤差の平均値、及び前記同期誤差の平均値のまわりの散らばり度合いの少なくとも一方を求める請求項25又は26記載の露光装置。前記基板ステージは所定の二次元方向に移動可能であり、前記移動制御精度は、前記二次元方向、及びそれに垂直な方向の少なくとも1つの方向に関する移動制御精度を含む請求項24~27のいずれか一項記載の露光装置。さらに、前記基板が像面側に配置される投影光学系を備え、前記露光光は、少なくとも前記投影光学系と前記基板との間の光路空間が前記液体で満たされた状態で前記基板上に照射される請求項24~28のいずれか一項記載の露光装置。さらに、前記光路空間の外側から前記光路空間に向けて気体を吹き付ける装置を備える請求項24~29のいずれか一項記載の露光装置。前記露光条件は、前記光路空間を液体で満たすための液浸条件、前記基板の移動条件、前記液体に接触する物体の条件、及び前記光路空間の外側から前記光路空間に向けて気体を吹き付けるときの吹き付け条件の少なくとも一つを含む請求項24~30のいずれか一項記載の露光装置。前記露光条件は、前記光路空間に液体を供給するときの供給条件、及び液体を回収するときの回収条件の少なくとも一方を含む請求項24~31のいずれか一項記載の露光装置。前記所定条件は、前記光路空間を液体で満たすための液浸条件、前記基板の移動条件、前記液体と接触する物体の条件、及び前記光路空間の外側から前記光路空間に向けて気体を吹き付けるときの吹き付け状態の少なくとも一つを含む請求項24~32のいずれか一項記載の露光装置。請求項24~33のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。基板を移動可能な基板ステージを有し、露光光の光路空間を液体で満たした状態で前記露光光に対して前記基板を移動しつつ露光する露光装置の制御精度の評価方法であって、所定条件の下で前記光路空間を液体で満たした状態で前記基板ステージを制御して前記基板ステージを移動させつつ前記基板の位置情報を計測する第1ステップと、前記計測結果に基づいて前記基板ステージの移動制御精度を評価する第2ステップとを有する評価方法。基板を移動可能な基板ステージを有し、露光光に対して前記基板を移動しつつ液体を介して基板を露光する露光装置の制御精度の評価方法であって、所定露光条件の下で、前記基板ステージを移動させつつ所定パターンを液体を介して基板にテスト露光するテスト露光ステップと、基板上にテスト露光された露光パターンを計測する計測ステップと、露光パターンの計測結果から基板ステージの移動制御精度を評価する評価ステップとを有する評価方法。前記基板と所定パターンを有するマスクとを所定の走査方向に同期移動させながら前記液体を介して基板が露光され、前記所定パターンが、前記走査方向に直交する方向に延在するパターンを含む請求項36に記載の評価方法。液浸露光装置において、露光光の光路空間を液体で満たした状態で基板ステージを移動しつつ基板を露光する場合、液体が基板ステージの移動制御精度に影響を及ぼす可能性がある。液体によって基板ステージの移動制御精度が劣化すると、基板を良好に露光できなくなる可能性がある。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液浸法に基づいて基板を露光する際、基板を良好に露光できる露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法を提供することを目的とする。また、液浸法に基づいて基板を露光する露光装置の制御精度を評価する評価方法を提供することを目的とする。上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。本発明の第1の態様に従えば、露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たした状態で露光光ELに対して基板ステージPSTに保持された基板Pを移動しつつ基板Pを露光する露光方法であって、所定条件の下で光路空間K1を液体LQで満たした状態で基板ステージPSTを制御して基板ステージPSTを移動させつつ基板ステージPSTに保持された基板の位置情報を計測する第1ステップと、計測結果に基づいて基板ステージPSTの移動制御精度を求める第2ステップと、求めた移動制御精度に基づいて基板Pを露光するときの露光条件を決定する第3ステップと、決定された露光条件に基づいて基板Pを露光する第4ステップとを有する露光方法が提供される。本発明の第1の態様によれば、所定条件の下で露光光の光路空間を液体で満たした状態で基板ステージを移動させつつ基板ステージに保持された基板の位置情報を計測して基板ステージの移動制御精度を求め、求めた移動制御精度に基づいて、最適な露光条件を決定することができる。そして、決定された露光条件に基づいて基板を良好に露光することができる。本発明の第2の態様に従えば、露光光ELの所定の光路空間K1を液体LQで満たしつつ前記液体LQを介して基板Pを露光する露光装置であって:所定条件の下で前記光路空間K1を液体LQで満たした状態で基板を保持して移動する基板ステージPSTと;前記基板ステージの移動を制御する制御装置CONTと;前記基板ステージPSTにより保持された基板Pの位置情報を計測する計測装置90と;を備え、前記制御装置CONTは、基板Pが基板ステージPSTにより移動されているときに計測装置90により計測された基板Pの位置情報に基づいて、前記基板ステージPSTの移動制御精度を求め、求められた移動制御精度に基づいて露光条件を決定する露光装置EXが提供される。本発明の第2の態様によれば、液浸法に基づいて基板を良好に露光することができる。特に、光路空間が液体で満たされている状況であっても、求めた移動制御精度に基づいて、最適な露光条件を決定することができる。本発明の第3の態様に従えば、上記態様の露光方法または露光装置EXを用いるデバイス製造方法が提供される。第3の態様によれば、液浸法に基づいて基板を良好に露光できる露光方法または露光装置を使ってデバイスを製造することができる。本発明の第4の態様に従えば、基板Pを移動可能な基板ステージPSTを有し、露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たした状態で露光光ELに対して基板Pを移動しつつ露光する露光装置EXの制御精度の評価方法であって、所定条件の下で光路空間K1を液体LQで満たした状態で基板ステージPSTを制御して基板ステージPSTを移動させつつ基板Pの位置情報を計測する第1ステップと、計測結果に基づいて基板ステージPSTの移動制御精度を評価する第2ステップとを有する評価方法が提供される。本発明の第4の態様によれば、所定条件の下で露光光の光路空間を液体で満たした状態で基板ステージを移動させつつ基板ステージに保持された基板の位置情報を計測することで、その所定条件において液体が基板ステージの移動制御精度に及ぼす影響を評価することができる。本発明の第5の態様に従えば、基板Pを移動可能な基板ステージPSTを有し、露光光ELに対して前記基板Pを移動しつつ液体LQを介して基板Pを露光する露光装置EXの制御精度の評価方法であって:所定露光条件の下で、前記基板ステージを移動させつつ所定パターンP1,P2を液体LQを介して基板Pにテスト露光するテスト露光ステップSB1と;基板上にテスト露光された露光パターンを計測する計測ステップSB2と;露光パターンの計測結果から基板ステージPSTの移動制御精度を評価する評価ステップSB3とを有する評価方法が提供される。本発明の第5の態様によれば、所定露光条件の下で基板上に液浸露光テスト露光された所定パターンを観測または計測することで、その所定露光条件において液体が基板ステージの移動制御精度に及ぼす影響を評価することができる。本発明によれば、液浸法に基づいて基板ステージに保持された基板を移動しつつ露光する際、基板を良好に露光することができる。それゆえ、本発明は、半導体素子、液晶表示素子又はディスプレイ、薄膜磁気ヘッド、CCD、レチクルマスクのような広範囲な製品を製造するための露光装置に極めて有用となる。以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。<第1実施形態>本実施形態に係る露光装置について図1~図4を参照しながら説明する。図1は露光装置EXを示す概略構成図、図2はマスクステージMSTの平面図、図3は基板ステージPSTの平面図、図4はノズル部材70を下方から見た図である。図1において、露光装置EXは、パターンを有するマスクMを保持して移動可能なマスクステージMSTと、基板Pを保持する基板ホルダPHを有し、基板Pを保持した基板ホルダPHを移動可能な基板ステージPSTと、マスクステージMST及び基板ステージPSTの位置情報を計測する干渉計システム90と、マスクステージMSTに保持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターン像を基板P上に投影する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を統括制御する制御装置CONTと、制御装置CONTに接続され、露光に関する各種情報を記憶した記憶装置MRYとを備えている。制御装置CONTは、露光装置EXの各種測定装置例えば、干渉計システム90、フォーカスレベリング検出系30、駆動装置例えば、マスクステージ駆動装置MSTD、基板ステージ駆動装置PSTD等に接続されており、それらとの間で測定結果や駆動指令の伝達が可能である。本実施形態の露光装置EXは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置である。液浸露光装置は、投影光学系PLの像面側における露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たすための液浸機構1を備えている。液浸機構1は、投影光学系PLの像面側近傍に設けられ、液体LQを供給する供給口12及び液体LQを回収する回収口22を有するノズル部材70と、ノズル部材70に設けられた供給口12を介して投影光学系PLの像面側に液体LQを供給する液体供給機構10と、ノズル部材70に設けられた回収口22を介して投影光学系PLの像面側の液体LQを回収する液体回収機構20とを備えている。ノズル部材70は、基板P基板ステージPSTの上方において、投影光学系PLを構成する複数の光学素子の、少なくとも投影光学系PLの像面に最も近い第1光学素子LS1を囲むように環状に形成されている。露光装置EXは、少なくともマスクMのパターン像を基板P上に投影している間、液体供給機構10から供給した液体LQにより投影光学系PLの投影領域ARを含む基板P上の一部に、投影領域ARよりも大きく且つ基板Pよりも小さい液体LQの液浸領域LRを局所的に形成する局所液浸方式を採用している。具体的には、露光装置EXは、投影光学系PLの像面に最も近い第1光学素子LS1の下面LSAと、投影光学系PLの像面側に配置された基板Pの表面との間の露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たし、投影光学系PLと光路空間K1に満たされた液体LQとを介してマスクMを通過した露光光ELを基板Pに照射することによって、マスクMのパターン像を基板Pに投影する。制御装置CONTは、液体供給機構10を使って基板P上に液体LQを所定量供給するとともに、液体回収機構20を使って基板P上の液体LQを所定量回収することで、基板P上に液体LQの液浸領域LRを局所的に形成する。本実施形態では、露光装置EXとしてマスクMと基板Pとを走査方向における互いに異なる向き逆方向に同期移動しつつマスクMに形成されたパターンを基板Pに露光する走査型露光装置所謂スキャニングステッパを使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、水平面内においてマスクMと基板Pとの同期移動方向走査方向をY軸方向、水平面内においてY軸方向と直交する方向をX軸方向非走査方向、Y軸及びX軸方向に垂直で投影光学系PLの光軸AXと一致する方向をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転傾斜方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。なお、ここでいう基板は半導体ウエハ等の基材上に感光材レジスト、保護膜などの膜を塗布したものを含む。マスクは基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。照明光学系ILは、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、及び露光光ELによるマスクM上の照明領域MRを設定する視野絞り等を有している。マスクM上の所定の照明領域MRは照明光学系ILにより均一な照度分布の露光光ELで照明される。照明光学系ILから射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線g線、h線、i線及びKrFエキシマレーザ光波長248nm等の遠紫外光DUV光、ArFエキシマレーザ光波長193nm及びF2レーザ光波長157nm等の真空紫外光VUV光などが用いられる。本実施形態においてはArFエキシマレーザ光が用いられる。本実施形態においては、液体供給機構10から供給する液体LQとして純水が用いられている。純水は、ArFエキシマレーザ光のみならず、例えば、水銀ランプから射出される輝線g線、h線、i線及びKrFエキシマレーザ光波長248nm等の遠紫外光DUV光も透過可能である。マスクステージMSTは、不図示のベース部材上を走査方向Y軸方向に沿って移動する粗動ステージMST1と、粗動ステージMST1上に搭載され、マスクMを保持して移動可能な微動ステージMST2とを有している。微動ステージMST2は、マスクMを真空吸着又は静電吸着により保持する。粗動ステージMST1及び微動ステージMST2を含むマスクステージMSTは、制御装置CONTにより制御されるリニアモータ、ボイスコイルモータ等を含むマスクステージ駆動装置MSTDの駆動により移動可能である。マスクステージ駆動装置MSTDの駆動により、粗動ステージMST1はY軸方向に移動可能であり、微動ステージMST2は、マスクMを保持した状態で、投影光学系PLの光軸AXに垂直な平面内、すなわちXY平面内で二次元方向に移動可能及びθZ方向に微少回転可能である。干渉計システム90は、粗動ステージMST1の位置情報を計測する粗動ステージ用干渉計92、及び微動ステージMST2の位置情報を計測する微動ステージ用干渉計94を備えている。粗動ステージ用干渉計92は、粗動ステージMST1上に設けられた移動鏡91に対向する位置に設けられている。粗動ステージ用干渉計92は、粗動ステージMST1のY軸方向及びX軸方向の位置を計測可能である。微動ステージ用干渉計94は、微動ステージMST2上に設けられた移動鏡93に対向する位置に設けられている。微動ステージ用干渉計94は、微動ステージMST2の二次元方向XY方向の位置、及びθZ方向の回転角を計測可能である。なお、微動ステージ用干渉計94を用いて微動ステージMST2のθX及びθY方向の回転角を計測するようにしてもよい。また、粗動ステージ用干渉計92及び微動ステージ用干渉計94はその一部例えば、光学系のみ、移動鏡91、93に対向して設けるようにしてもよい。図2において、微動ステージMST2のX方向の端部にはY軸方向に延びるX移動鏡93Xが固設されている。また、微動ステージMST2のY方向の端部にはコーナーキューブレトロリフレクタからなる2つのY移動鏡93Y、93Yが固設されている。微動ステージ用干渉計94は、X移動鏡93Xに対してX軸に平行なレーザビームBMxを照射し、Y移動鏡93Y、93Yのそれぞれに対してY軸に平行なレーザビームBMy、BMyを照射する。Y移動鏡93Y、93Yで反射したレーザビームBMy、BMyのそれぞれは、反射ミラー93M、93Mで反射してY移動鏡93Y、93Yに戻される。すなわち、微動ステージ用干渉計94のY移動鏡93Y、93YにレーザビームBMy、BMyを照射するY軸干渉計は所謂ダブルパス干渉計であり、これにより、微動ステージMST2が回転してもレーザビームの位置ずれが生じないようになっている。また、図2に示すように、マスクM上の露光光ELで照明される照明領域MRは、投影光学系PLの視野内でX軸方向を長手方向とするスリット状矩形状に設定されている。このように、微動ステージMST2上にはX軸の移動鏡93X、及び2つのY軸の移動鏡93Y、93Yが設けられ、これに対応して微動ステージ用干渉計94も3軸のレーザ干渉計から構成されているが、図1ではそれらが代表して移動鏡93、微動ステージ用干渉計94として示されている。なお、移動鏡91、93をそれぞれ粗動ステージMST1、微動ステージMST2に固設する代わりに、例えば粗動ステージMST1、微動ステージMST2の端面側面を鏡面加工して形成される反射面を用いてもよい。粗動ステージ用干渉計92及び微動ステージ用干渉計94の計測結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTは、微動ステージ用干渉計94の計測結果に基づいて、微動ステージMST2ひいてはマスクMの二次元方向XY方向の位置、及びθZ方向の回転角をリアルタイムで求めることができる。具体的には、制御装置CONTは、レーザビームBMxを測長軸とするX軸干渉計の出力に基づいて微動ステージMST2のX軸方向の位置を求めることができる。また、制御装置CONTは、レーザビームBMy、BMyを測長軸とする2つのY軸干渉計の出力の平均値に基づいて微動ステージMST2のY軸方向の位置を求めることができる。また、制御装置CONTは、2つのY軸干渉計の出力の差分とレーザビームBMy、BMyの間隔Lとに基づいて微動ステージMST2のθZ方向の回転角を求めることができる。そして、制御装置CONTは、粗動ステージ用干渉計92及び微動ステージ用干渉計94の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置MSTDを駆動し、粗動ステージMST1及び微動ステージMST2の位置制御を行うことによって、微動ステージMST2に保持されているマスクMの位置制御を行う。なお、粗動ステージMST1及び微動ステージMST2を備えたマスクステージは、例えば特開平8-130179号公報対応する米国特許第6721034号に開示されている。図1に戻って、投影光学系PLは、マスクMのパターン像を所定の投影倍率βで基板Pに投影露光するものであって、第1光学素子LS1を含む複数の光学素子で構成されており、それら光学素子は鏡筒PKで保持されている。本実施形態において、投影光学系PLは、投影倍率βが例えば1/4、1/5、あるいは1/8の縮小系である。露光時には、マスクMのパターン形成領域内の照明領域MRのパターンが投影光学系PL及び液体LQを介して基板P上の投影領域ARに縮小投影される。なお、投影光学系PLは縮小系、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。投影光学系PLを構成する複数の光学素子の、投影光学系PLの像面に最も近い第1光学素子LS1は鏡筒PKより露出している。基板ステージPSTは、基板Pを保持する基板ホルダPHを有し、投影光学系PLの像面側において、ベース部材500上で移動可能である。基板ホルダPHは、例えば真空吸着等により基板Pを保持する。基板ステージPST上には凹部86が設けられており、基板Pを保持するための基板ホルダPHは凹部86に配置されている。そして、基板ステージPSTの凹部86以外の上面87は、基板ホルダPHに保持された基板Pの表面とほぼ同じ高さ面一になるような平坦面平坦部となっている。なお、液浸領域LRを良好に保持できるのであれば、基板ホルダPH基板ステージPSTに保持された基板Pの表面と基板ステージPSTの上面87との間に僅かな段差があってもよい。例えば、基板Pの周囲に配置された基板ステージPSTの上面87が、基板ホルダPHに保持された基板Pの表面より僅かに低くてもよい。また、基板ステージPSTの上面87の一部、例えば基板Pを囲む所定領域のみ、基板Pの表面とほぼ同じ高さにする、あるいは僅かに異なる高さとしてもよい。基板ステージPSTは、制御装置CONTにより制御されるリニアモータ、ボイスコイルモータ等を含む基板ステージ駆動装置PSTDの駆動により、基板Pを基板ホルダPHを介して保持した状態で、ベース部材500上でXY平面内で二次元方向XY方向に移動可能、及びθZ方向に微小回転可能である。更に基板ステージPSTは、XY方向に垂直なZ軸方向、θX方向、及びθY方向にも移動可能である。したがって、基板ステージPSTに支持された基板Pの表面は、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向に移動可能である。干渉計システム90は、基板ステージPSTの位置情報を計測するXY干渉計96及びZ干渉計98を備えている。XY干渉計96は、基板ステージPSTの側面に固設された移動鏡95に対向する位置に設けられている。XY干渉計96は、基板ステージPSTの二次元方向XY方向の位置、及びθZ方向の回転角を計測可能である。図3において、基板ステージPSTのX側の側面にはY軸方向に延びるX移動鏡95Xが固設されている。また、基板ステージPSTのY側の側面にはX軸方向に延びるY移動鏡95Yが設けられている。XY干渉計96は、X移動鏡95Xに対してX軸に平行なレーザビームBPx、BPxを照射し、Y移動鏡95Yに対してY軸に平行なレーザビームBPy、BPyを照射する。このように、基板ステージPSTにはX軸の移動鏡95X、及びY軸の移動鏡95Yが設けられ、これに対応してXY干渉計96も4軸のレーザ干渉計から構成されているが、図1では、これらが代表して移動鏡95、XY干渉計96として示されている。XY干渉計96の計測結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTは、XY干渉計96の計測結果に基づいて、基板ステージPSTひいては基板Pの二次元方向XY方向の位置、及びθZ方向の回転角をリアルタイムで求めることができる。具体的には、制御装置CONTは、レーザビームBPxを測長軸とするX軸干渉計の出力に基づいて基板ステージPSTのX軸方向の位置を求めることができる。また、制御装置CONTは、レーザビームBPy、BPyを測長軸とする2つのY軸干渉計の出力の平均値に基づいて基板ステージPSTのY軸方向の位置を求めることができる。また、制御装置CONTは、2つのX軸干渉計の出力の差分とレーザビームBPx、BPxの間隔Dとに基づいて基板ステージPSTのθZ方向の回転角を求めることができる。図1に戻って、Z干渉計98は、基板ステージPSTの側面に設けられたZ移動鏡97に対向する位置に設けられている。XY干渉計96同様、Z干渉計98も複数の測長軸を有しており、基板ステージPSTのZ軸方向の位置、及びθX、θY方向の回転角を計測可能である。Z干渉計98の計測結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTは、Z干渉計98の計測結果に基づいて、基板ステージPSTのZ軸方向の位置、及びθX、θY方向の回転角をリアルタイムで求めることができる。なお、Z干渉計98を備えた露光装置の詳細は、例えば特表2001-510577号公報対応する国際公開第1999/28790号パンフレットに開示されている。なお、XY干渉計96及びZ干渉計98はその一部例えば、光学系のみを移動鏡95、97に対向して設けるようにしてもよい。また、移動鏡95、97を基板ステージPSTに固設する代わりに、例えば基板ステージPSTの一部側面などを鏡面加工して形成される反射面を用いてもよい。さらに、XY干渉計96は3軸のレーザ干渉計でもよいし、あるいはXY干渉計96を5軸のレーザ干渉計として、Z干渉計98の代わりに、θX、θY方向の回転角を計測可能としてもよい。また、露光装置EXは、例えば特開平8-37149号公報対応する米国特許第6327025号に開示されているような、基板ステージPSTに支持されている基板Pの表面の位置情報を検出する斜入射方式のフォーカスレベリング検出系30を備えている。フォーカスレベリング検出系30は、基板Pの表面に斜め方向より検出光Laを照射する投射部31と、検出光Laに対して所定の位置関係に設けられ、基板Pの表面に照射された検出光Laの反射光を受光する受光部32とを備えており、受光部32の受光結果に基づいて、基板Pの表面の位置情報Z軸方向の位置情報、及びθX、θY方向の傾斜情報を検出する。本実施形態においては、フォーカスレベリング検出系30の投射部31は、基板Pの表面の液浸領域LRの内側の複数位置のそれぞれに検出光Laを照射する。すなわち、フォーカスレベリング検出系30は、液体LQを介して基板Pの表面の位置情報を検出する。なお、フォーカスレベリング検出系30は、液浸領域LRの外側に検出光Laを照射して、液体LQを介さずに基板Pの表面の位置情報を検出する形態であってもよい。フォーカスレベリング検出系30の検出結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTは、フォーカスレベリング検出系30の計測結果に基づいて、投影光学系PLと基板Pとの間を液体LQで満たした状態で基板Pの表面の位置情報をリアルタイムで求めることができる。そして、制御装置CONTは、XY干渉計96の計測結果に基づいて、基板ステージ駆動装置PSTDを駆動し、基板ステージPSTのX軸方向、Y軸方向、及びθZ方向における位置制御を行うことによって、基板ステージPSTに保持されている基板PのX軸方向、Y軸方向、及びθZ方向における位置制御を行う。また、制御装置CONTは、フォーカスレベリング検出系30の検出結果などに基づいて、基板ステージ駆動装置PSTDを駆動し、基板P表面のZ軸方向、θX方向、及びθY方向における位置制御を行う。次に、液浸機構1の液体供給機構10及び液体回収機構20について説明する。液体供給機構10は、液体LQを投影光学系PLの像面側に供給する。液体供給機構10は、液体LQを送出可能な液体供給部11と、液体供給部11にその一端を接続する供給管13とを備えている。供給管13の他端はノズル部材70に接続されている。ノズル部材70の内部には、供給管13の他端と供給口12とを接続する内部流路供給流路が形成されている。液体供給部11は、液体LQを収容するタンク、加圧ポンプ、供給する液体LQの温度を調整する温度調整装置、及び液体LQ中の異物を取り除くフィルタユニット等を備えている。液体供給部11の液体供給動作は制御装置CONTにより制御される。なお、液体供給機構10のタンク、加圧ポンプ、温度調整装置、フィルタユニット等は、その全てを露光装置EXが備えている必要はなく、露光装置EXが設置される工場等の設備を代用してもよい。液体回収機構20は、投影光学系PLの像面側の液体LQを回収する。液体回収機構20は、液体LQを回収可能な液体回収部21と、液体回収部21にその一端を接続する回収管23とを備えている。回収管23の他端はノズル部材70に接続されている。ノズル部材70の内部には、回収管23の他端と回収口22とを接続する内部流路回収流路が形成されている。液体回収部21は例えば真空ポンプ等の真空系吸引装置、回収された液体LQと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体LQを収容するタンク等を備えている。なお、液体回収機構20の真空系、気液分離器、タンク等は、その全てを露光装置EXが備えている必要はなく、露光装置EXが設置される工場等の設備を代用してもよい。液体LQを供給する供給口12及び液体LQを回収する回収口22はノズル部材70の下面70Aに形成されている。ノズル部材70の下面70Aは、基板Pの表面、及び基板ステージPSTの上面87と対向する位置に設けられている。ノズル部材70は、投影光学系PLの像面側に配置される少なくとも1つの光学素子本例では、第1光学素子LS1の側面を囲むように設けられた環状部材であって、供給口12は、ノズル部材70の下面70Aにおいて、露光光ELの光路空間K1第1光学素子LS1を囲むように複数設けられている。図4に示すように、本実施形態においては、供給口12は、露光光ELの光路空間K1を囲むように4つ設けられており、供給口12のそれぞれは、所定長さ及び所定幅を有する平面視円弧状のスリット状に設けられている。また、回収口22は、ノズル部材70の下面70Aにおいて、光路空間K1に対して供給口12よりも外側に設けられており、光路空間K1第1光学素子LS1及び供給口12を囲むように環状に設けられている。また、本実施形態の回収口22には多孔部材が設けられている。多孔部材は、例えばセラミックス製の多孔体、チタン製の板状メッシュによって構成されている。そして、制御装置CONTは、液体供給機構10を使って基板P上に液体LQを所定量供給するとともに、液体回収機構20を使って基板P上の液体LQを所定量回収することで、投影光学系PLと基板Pとの間の露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たし、基板P上に液体LQの液浸領域LRを局所的に形成する。液体LQの液浸領域LRを形成する際、制御装置CONTは、液体供給部11及び液体回収部21のそれぞれを駆動する。制御装置CONTの制御のもとで液体供給部11から液体LQが送出されると、その液体供給部11から送出された液体LQは、供給管13を流れた後、ノズル部材70の供給流路を介して、供給口12より投影光学系PLの像面側に供給される。また、制御装置CONTのもとで液体回収部21が駆動されると、投影光学系PLの像面側の液体LQは回収口22を介してノズル部材70の回収流路に流入し、回収管23を流れた後、液体回収部21に回収される。次に、マスクMを保持したマスクステージMSTと基板Pを保持した基板ステージPSTとをY軸方向に関して同期移動しつつ基板Pを露光するときの制御方法の一例について説明する。図3に示すように、基板P上には複数のショット領域S1~S21がマトリクス状に設定されており、これら基板P上に設定された複数のショット領域S1~S21が順次露光される。基板P上の各ショット領域S1~S21のそれぞれを液浸露光するときには、制御装置CONTは、液浸機構1を使って投影光学系PLと基板Pとの間の露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たした状態で、露光光EL投影光学系PLに対して基板ステージPSTに保持された基板PをY軸方向に移動しつつ、基板P上の各ショット領域S1~S21のそれぞれを走査露光する。図3に示すように、本実施形態における投影光学系PLの投影領域ARはX軸方向を長手方向とするスリット状矩形状に設定されている。制御装置CONTは、露光光ELが照射される投影領域ARと、基板P上の各ショット領域S1~S21のそれぞれとを、図3中、矢印y1、y2で示す方向に相対的に移動しつつ、各ショット領域S1~S21のそれぞれを走査露光する。本実施形態においては、制御装置CONTは、基板P上に設定された複数のショット領域S1~S21の、最初に第1ショット領域S1を走査露光する。第1ショット領域S1を走査露光するとき、制御装置CONTは、第1ショット領域S1を走査開始位置へ移動するとともに、投影領域ARと第1ショット領域S1とが矢印y1で示す方向に相対的に移動するように基板P基板ステージPSTを移動し、第1ショット領域S1を走査露光する。第1ショット領域S1を走査露光した後、制御装置CONTは、次の第2ショット領域S2を走査露光するために、投影光学系PLと基板P基板ステージPSTとをX軸方向に相対的にステッピング移動する。制御装置CONTは、基板Pをステッピング移動して、第2ショット領域S2を走査開始位置へ移動するとともに、投影領域ARと第2ショット領域S2とが矢印y2で示す方向に相対的に移動するように基板P基板ステージPSTを移動し、第2ショット領域S2を走査露光する。第2ショット領域S2を走査露光した後、制御装置CONTは、次の第3ショット領域S3を走査露光するために、投影光学系PLと基板P基板ステージPSTとをX軸方向に相対的にステッピング移動する。以下同様に、制御装置CONTは、一つのショット領域を走査露光した後、基板Pのステッピング移動によって次のショット領域を走査開始位置に移動し、以下、ステップアンドスキャン方式で基板Pを移動しながら、第1~第21ショット領域S1~S21のそれぞれを順次露光する。制御装置CONTは、一つのショット領域を走査露光するとき、そのショット領域を走査開始位置に移動した後、Y軸方向に関して、加速する加速状態、一定速度で移動する定速状態、及び減速する減速状態の順に遷移するように、基板P基板ステージPSTを駆動する。走査露光時には、投影光学系PLのスリット状矩形状の投影領域ARに、マスクM上における露光光ELの照明領域MRに応じたマスクMの一部のパターン像が投影される。上述の定速状態においては、制御装置CONTは、マスクステージ駆動装置MSTDを介して粗動ステージMST1を所定の走査速度VmでY方向又は-Y方向に走査するのと同期して、基板ステージ駆動装置PSTDを介して基板ステージPSTを-Y方向又はY方向に走査速度Vp=βVmで走査するとともに、このときに生じる微動ステージMST2と基板ステージPSTマスクMのパターンと基板Pのショット領域との相対位置誤差を小さくするように、マスクステージ駆動装置MSTDを介して微動ステージMST2の動作を制御する。制御装置CONTは、マスクステージMSTの位置情報を計測する干渉計92、94、及び基板ステージPSTの位置情報を計測するXY干渉計96のそれぞれの計測結果をモニタしつつ、マスクステージMST微動ステージMST2と基板ステージPSTとをY軸方向に関して同期移動する。制御装置CONTは、XY干渉計96の計測結果より得られた基板ステージPSTの位置情報、及び速度情報に基づいて、基板ステージPSTが干渉計システム90XY干渉計96で規定される座標系内における目標位置に配置されるように、且つ基板Pが目標速度Vpで移動されるように、基板ステージ駆動装置PSTDを制御する。なお制御装置CONTは、例えばXY干渉計96の計測結果を微分することにより、基板ステージPSTの速度情報を求めることができる。制御装置CONTは、XY干渉計96の計測結果に基づいて、基板ステージPSTの位置と目標位置との差、及び基板ステージPSTの速度と目標速度Vpとの差を小さくするための制御量基板ステージPSTを目標速度Vpで移動させるための制御量を算出し、その制御量に基づいて基板ステージPSTを駆動するといった所謂フィードバック制御を行う。また、制御装置CONTは、粗動ステージ用干渉計92の計測結果より得られた粗動ステージMST1の位置情報、及び速度情報に基づいて、粗動ステージMST1が干渉計システム90粗動ステージ用干渉計92で規定される座標系内における目標位置に配置されるように、且つ粗動ステージMST1が目標速度Vmで移動されるように、マスクステージ駆動装置MSTDを制御する。なお制御装置CONTは、例えば粗動ステージ用干渉計92の計測結果を微分することにより、粗動ステージMST1の速度情報を求めることができる。制御装置CONTは、粗動ステージ用干渉計92の計測結果に基づいて、粗動ステージMST1の位置と目標位置との差、及び粗動ステージMST1の速度と目標速度Vmとの差を小さくするための制御量粗動ステージMST1を目標速度Vmで移動させるための制御量を算出し、その制御量に基づいて粗動ステージMST1を駆動するといった所謂フィードバック制御を行う。また、制御装置CONTは、干渉計システム90で規定される座標系内において、微動ステージMST2と基板ステージPSTとが所望の位置関係となるように、微動ステージ用干渉計94の計測結果より得られた微動ステージMST2の位置情報及び/又は速度情報と、XY干渉計96の計測結果より得られた基板ステージPSTの位置情報及び/又は速度情報とに基づいて、マスクステージMSTD微動ステージMST2を制御する。制御装置CONTは、微動ステージMST2と基板ステージPSTとの相対位置誤差が小さくなるように、XY干渉計96及び微動ステージ用干渉計94の計測結果に基づいて、微動ステージMST2を駆動するといった所謂フィードバック制御を行う。このように、制御装置CONTは、干渉計92、94、96を含む干渉計システム90を使って、マスクステージMST及び基板ステージPSTそれぞれの移動情報位置情報、速度情報、加速度情報の少なくとも1つを含むを求め、干渉計システム90で規定される座標系内においてマスクステージMSTと基板ステージPSTとのそれぞれが所望状態所望位置、所望速度、所望加速度となるように、且つ、マスクMと基板Pと微動ステージMST2と基板ステージPSTとが所望の位置関係となるように、マスクステージ駆動装置MSTD及び基板ステージ駆動装置PSTDを介してマスクステージMST及び基板ステージPSTの移動を制御する。なお、XY干渉計96の計測結果と微動ステージ用干渉計94の計測結果に基づいて微動ステージMST2の移動をフィードバック制御した場合にも、微動ステージMST2と基板ステージPSTとの間に微小な同期制御誤差が残留する可能性があるため、制御装置CONTは、後述するように、XY干渉計96の計測結果と微動ステージ用干渉計94の計測結果とをモニタして、その結果を記憶装置MRYに記憶することができる。次に、上述した構成を有する露光装置EXを用いてマスクMのパターン像を基板Pに露光する方法について図5のフローチャート図を参照しながら説明する。本実施形態においては、デバイス製造のための基板Pの実露光を行う前に、基板ステージPSTの移動制御精度を求めて、基板Pの露光条件を決定する。液浸露光装置EXにおいて、光路空間K1を液体LQで満たした状態で、基板ステージPSTを制御して、光路空間K1露光光ELに対して基板ステージPST基板Pを移動しつつ基板Pを露光する場合、液体LQの粘性抵抗、液体LQに起因する振動等によって、基板ステージPSTの移動制御精度が変動劣化する可能性がある。基板ステージPSTの移動制御精度には、XY方向に関する移動制御精度と、Z軸方向に関する移動制御精度とが含まれる。基板ステージPSTのXY方向に関する移動制御精度は、マスクステージMST微動ステージMST2と基板ステージPSTとの同期誤差を含む。同期誤差は、マスクステージMSTと基板ステージPSTとを所定の走査方向に関して同期移動させたとき、干渉計システム90で規定される座標系内におけるマスクステージMST微動ステージMST2と基板ステージPSTとの相対的な位置ずれ量位置誤差を含む。また、光路空間K1を液体LQで満たした状態で基板ステージPSTを移動させるときの条件に応じて、同期誤差が変動する可能性がある。その条件には、露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たすときの液浸条件が含まれ、液浸条件に応じて、同期誤差が変動する可能性がある。ここで、液浸条件は、液浸機構1が光路空間K1に液体LQを供給するための供給条件、及び液体LQを回収するための回収条件の少なくとも一方を含む。より具体的には、液浸条件には、例えば光路空間K1に対する単位時間当たりの液体供給量、あるいは単位時間当たりの液体回収量が含まれる。そこで、本実施形態においては、基板Pの露光を行う前に、複数の条件のそれぞれの下で基板ステージPSTの移動制御精度を求め、各条件の下での移動制御精度を評価し、移動制御精度誤差が小さくなる最適な露光条件を決定する処理を行う。簡単のため、以下の説明においては、基板ステージPSTのXY方向に関する移動制御精度、具体的にはマスクステージMSTと基板ステージPSTとをY軸方向に関して同期移動するときの同期誤差を評価し、同期誤差が最も小さくなるような露光条件を決定する場合を例にして説明する。また、露光条件液浸条件として、同期誤差が小さくなるような光路空間K1に対する単位時間当たりの液体供給量を決定する場合を例にして説明する。まず、制御装置CONTは、第1の条件の下での同期誤差を求めるための準備を行うステップSA1。制御装置CONTは、マスクステージMSTにマスクMをロードするとともに、基板ステージPSTに基板Pをロードする。そして、制御装置CONTは、液浸機構1を使って、第1の条件の下で光路空間K1を液体LQで満たし、露光装置EXを第1の条件に設定するステップSA2。ここでは、制御装置CONTは、液浸機構1を使って光路空間K1に単位時間当たりB1[リットル]の液体LQを供給するものとする。そして、制御装置CONTは、第1の条件の下で光路空間K1を液体LQで満たした状態で、目標情報目標位置及び/又は目標速度を出力し、マスクステージMST及び基板ステージPSTを制御して、マスクMを保持したマスクステージMSTと基板Pを保持した基板ステージPSTとをY軸方向に関して同期移動させる。本実施形態においては、同期誤差を求めるための同期移動は、デバイスを製造するための実露光と同様、図3を参照して説明したように、複数のショット領域S1~S21のそれぞれをステップアンドスキャン方式で露光するように行われる。なお、以下の説明においては、干渉計システム90を使った、マスクステージMSTの微動ステージMST2マスクMと基板ステージPST基板Pとのそれぞれの位置情報の計測は、各ショット領域の露光と並行して行われるかのように記載しているが、実際に基板Pに露光光ELは照射されていない。制御装置CONTは、まず、ショット領域S1を走査露光するように、Y軸方向に関してマスクステージMSTと基板ステージPSTとを同期移動しつつ、干渉計システム90を使って、マスクステージMSTの微動ステージMST2マスクMと基板ステージPST基板Pとのそれぞれの位置情報を計測するステップSA3。制御装置CONTは、干渉計システム90の計測値、具体的には微動ステージ用干渉計94及びXY干渉計96それぞれの計測値を所定のサンプリング間隔で同時に取得する。すなわち、制御装置CONTは、マスクステージMST及び基板ステージPSTそれぞれの位置情報を所定のサンプリング間隔で同時に取得する。制御装置CONTは、取得した計測値微動ステージMST2及び基板ステージPSTの位置情報を、ショット領域S1の露光開始時点を基準とした時間時刻に対応付けて記憶装置MRYに記憶する。このことを図6の模式図を参照しながら説明する。基板P上のあるショット領域例えば、ショット領域S1を露光する際、投影光学系PLに対するマスクM及び基板Pのそれぞれの位置は、時間の経過とともに変化する。すなわち、図6に示すように、露光開始時点である時刻t1において投影領域ARの中心に基板P上の点L1があり、以後、時刻t2、t3、...、tn、...と時間が経過するにつれて投影領域ARの中心に基板P上の各点L2、L3、...、Ln、...が順次移動する。制御装置CONTは、時刻t1を基準として、干渉計システム90の計測値微動ステージ用干渉計94及びXY干渉計96の計測値を各時刻t2、t3、...、tn、...に対応付けて記憶装置MRYに記憶する。そして、制御装置CONTは、複数のショット領域S2~S21を順次走査露光するように、マスクステージMSTと基板ステージPSTとを移動するとともに、干渉計システム90の計測値を順次記憶装置MRYに記憶する。次に、制御装置CONTは、マスクステージMST微動ステージMST2と基板ステージPSTとを同期移動しつつマスクMと基板Pとの位置情報を干渉計システム90を使って計測した計測結果に基づいて、マスクステージMST微動ステージMST2と基板ステージPSTとの同期誤差を導出するステップSA4。具体的には、制御装置CONTは、記憶装置MRYに同時刻に記憶されている干渉計94、96の計測結果に基づいて、X軸方向、Y軸方向、及びθZ方向の各方向についての、微動ステージMST2マスクMと、基板ステージPST基板Pとの同期誤差ErrX、ErrY、Errθを求める。上述のように、同期誤差は、マスクステージMST微動ステージMST2と基板ステージPSTとを同期移動させたときの、干渉計システム90で規定される座標系内におけるマスクステージMST微動ステージMST2と基板ステージPSTとの所望の相対位置関係からのずれ量相対位置誤差なので、制御装置CONTは、マスクステージMST微動ステージMST2及び基板ステージPSTそれぞれの二次元方向XY方向の位置情報及び回転情報を計測可能な干渉計94、96の計測結果に基づいて、X軸、Y軸、及びθZ方向の各方向に関する同期誤差を求めることができる。この結果、一つのショット領域に関して、X軸方向、Y軸方向、及びθZ方向のそれぞれの方向毎に、例えば図7に示されるような同期誤差の変化を示すグラフが得られる。ここで、図7に示すグラフの縦軸は同期誤差であり、横軸は時間である。なお図7のグラフにおいて、横軸は時間軸であるが、干渉計システム90で規定される基板P上の座標軸例えばY軸であってもよい。そして、制御装置CONTは、複数のショット領域S1~S21の全てについて、同期誤差を求める。次に、制御装置CONTは、求めた同期誤差に基づいて、基板P上のショット領域内の任意の点Lnがスリット領域としての照明領域MR、すなわち照明領域MRと共役な投影領域ARに入ってから出るまでの間の同期誤差の平均値以下、適宜移動平均と称する、及び同期誤差の平均値のまわりの散らばり度合としての標準偏差以下、適宜移動標準偏差と称するを求めるステップSA5。移動平均MA:movingaverage及び移動標準偏差MSD:movingstandarddeviationは、以下の1、2式を用いて求めることができる。なおここでは、点Lnが投影領域ARに入ってから出るまでの間のデータの取り込み回数、すなわちn番目のデータを中心に、スリット幅投影領域ARの走査方向の幅:例えば8mmでデータを取得したときのデータ数をm回とする。1式において、AvErrXn、AvErrYn、AvErrθnは、それぞれX軸方向、Y軸方向、及びθZ方向の移動平均を示す。2式において、σErrXn、σErrYn、σErrθnは、それぞれX軸方向、Y軸方向、及びθZ方向の移動標準偏差を示す。この結果、一つのショット領域に関して、X軸方向、Y軸方向、及びθZ方向のそれぞれの方向毎に、図8Aに示すような移動平均の変化を示すグラフ、及び図8Bに示すような移動標準偏差の変化を示すグラフが得られる。ここで、図8に示すグラフの縦軸は同期誤差であり、横軸はショット座標系のY軸である。図8Aの横軸Lnの点に対応する点Qは、上述の図7の同期誤差のグラフ中の点Ln-m-1/2から点Lnm-1/2の区間の平均値に相当する。そして、制御装置CONTは、複数のショット領域S1~S21の全てのそれぞれについて、移動平均及び移動標準偏差を求める。制御装置CONTは、同期誤差、その同期誤差より導出した移動平均及び移動標準偏差に関する情報を記憶装置MRYに記憶するステップSA6。以上により、第1の条件における同期誤差、移動平均、及び移動標準偏差が求められる。第1の条件における同期誤差、移動平均、及び移動標準偏差を求めた後、制御装置CONTは、第1の条件とは異なる第2の条件の下で、上述のステップSA2~ステップSA6と同様の処理を行う。具体的には、制御装置CONTは、液浸機構1を使って光路空間K1に単位時間当たりB2[リットル]の液体LQを供給しつつマスクステージMSTと基板ステージPSTとを同期移動し、そのときの干渉計システム90の計測結果に基づいて、ショット領域S1~S21のそれぞれと対応させて、同期誤差、移動平均、及び移動標準偏差等を導出する。第2の条件における液体供給量B2は、第1の条件における液体供給量B1とは異なる値である。そして、制御装置CONTは、第2の条件の下での同期誤差、その同期誤差より導出した移動平均、及び移動標準偏差に関する情報を記憶装置MRYに記憶する。以下同様に、制御装置CONTは、互いに異なる任意のN通りの条件のそれぞれの下供給量B1~BNで、上述のステップSA2~ステップSA6と同様の処理を行う。制御装置CONTは、各条件のそれぞれの下で同期誤差、その同期誤差より導出した移動平均及び移動標準偏差に関する情報を記憶装置MRYに記憶するステップSA7、SA10。制御装置CONTは、記憶装置MRYに記憶されている記憶情報、すなわち、同期誤差、移動平均、及び移動標準偏差に関する情報の少なくとも一つに基づいて、デバイスを製造するための基板Pを露光するときの露光条件を決定するステップSA8。すなわち、所定条件ここでは単位時間当たりの液体供給量を変化させた場合、例えば液体LQに接触する物体基板P、基板ステージPSTの上面87、第1光学素子LS1、ノズル部材70等に作用する力、振動状態等が変動する可能性がある。そして、その物体に作用する力、振動状態等の変動に伴って、同期誤差、移動平均、及び移動標準偏差が変動する可能性がある。そこで、制御装置CONTは、ステップSA6において記憶された同期誤差、移動平均、及び移動標準偏差の少なくとも一つに基づいて、最適な露光条件単位時間当たりの液体供給量を決定する。すなわち、制御装置CONTは、各条件の下での最適な露光条件を決定する。なお、上述の移動平均は、同期における低周波のずれ成分にあたり、その移動平均により、同期誤差が基板P上に投影されるパターンの像の位置ずれ、すなわちパターン像の動的なディストーションに与える影響をある程度定量的に評価することができる。また、上述の移動標準偏差は、同期における高周波のずれ成分にあたり、移動標準偏差により、同期誤差が基板P上に投影されるパターン像の分解能の劣化、像コントラスト解像度の劣化にどの程度の影響を与えるかをある程度定量的に評価することができる。また、ステップSA8においては、同期誤差、移動平均、及び移動標準偏差のそれぞれが相対的に小さくなる条件を露光条件として決定してもよいし、同期誤差、移動平均、及び移動標準偏差の中から重要な誤差情報ここでは1つ又は2つを選択し、その選択された誤差が最も小さくなる条件を露光条件として定めるようにしてもよい。そして、制御装置CONTは、決定された露光条件に基づいて、デバイスを製造するための基板Pを露光するステップSA9。デバイスを製造するための基板Pを露光する際には、制御装置CONTは、基板ステージPSTにデバイスを製造するための基板Pをロードする。そして、ステップSA8で決定された露光条件の下で、パターンを有するマスクMを保持したマスクステージMSTと、基板Pを保持した基板ステージPSTとをY軸方向に関して同期移動する。これにより、露光光ELで照明されたスリット状の照明領域MRに対してマスクMがY方向又は-Y方向に走査されるのと同期して照明領域MRと共役な投影領域ARに対して基板Pが投影光学系PLの縮小倍率βに応じた速度で-Y方向又はY方向に走査され、マスクMのパターン形成領域に形成されたパターンが基板P上のショット領域に逐次転写される。また、一つのショット領域の露光が終了すると、制御装置CONTは、基板ステージPSTを非走査方向X軸方向に所定距離移動して、次のショットの走査開始位置へのステッピング動作を行った後、走査露光を行い、このようにしてステップアンドスキャン方式で露光を行う。以上、露光条件供給条件として、単位時間当たりの液体供給量を決定し、その決定された露光条件に基づいて基板Pを露光する場合を例にして説明したが、同期誤差は、他の液浸条件の違いに応じても変動する可能性がある。例えば、複数の供給口12のそれぞれからの単位時間当たりの液体供給量に応じても変動する可能性があるため、制御装置CONTは、供給条件として、複数の供給口12のそれぞれからの単位時間当たりの液体供給量を変えつつ、上述のステップSA2~SA6と同様の処理を行うことにより、複数の供給口12のそれぞれからの単位時間当たりの液体供給量を含む最適な露光条件を決定し、その決定された露光条件に基づいて基板Pを露光することができる。また、同期誤差は、液体LQを回収するときの回収条件によっても変動する可能性がある。回収条件には、例えば単位時間当たりの液体回収量が含まれる。また、本実施形態においては、回収口22には多孔部材が設けられており、液浸機構1は、回収口22から液体LQのみを回収することが可能であるが、回収口22から液体LQと気体とを一緒に回収する可能性もある。そのため、回収条件には、回収口22から液体LQを回収するときの液体と気体との比率も含まれる。制御装置CONTは、上述の回収条件を変えつつ、上述のステップSA2~SA6と同様の処理を行うことにより、回収条件を含む最適な露光条件を決定し、その決定された露光条件に基づいて基板Pを露光することができる。また、液体の供給位置と回収位置の少なくとも一方を変化させた場合にも同期誤差は変動する可能性がある。したがって、液体の供給位置と回収位置の少なくとも一方が可変の場合には、制御装置CONTは、液体の供給位置と回収位置の少なくとも一方を変えつつ、上述のステップSA2~SA6と同様の処理を行うことによって、最適な露光条件を決定することができる。また、投影領域ARにおける液体LQの流れ方向を変化させた場合にも同期誤差が変動する可能性がある。投影領域ARにおける液体LQの流れ方向は、例えば液体の供給位置と回収位置との少なくとも一方を変化させることによって変えることができる。したがって、液体LQの流れ方向が可変の場合には、制御装置CONTは、液体の流れ方向を変えつつ、上述のステップSA2~SA6と同様の処理を行うことによって、最適な露光条件を決定することができる。また、図9の模式図に示すように、ノズル部材70を囲むように、回収口22とは別の第2回収口22’を有する第2ノズル部材70’を設ける構成が考えられる。ここで、第2回収口22’は、回収口22で回収しきれなかった液体LQを回収するためのものであり、これにより、光路空間K1の液体LQの漏出が防止されている。そして、第2回収口22’を介した吸引力などを含む回収条件に応じて、同期誤差が変動する可能性がある。制御装置CONTは、第2回収口22’による回収条件を含む最適な露光条件を決定し、その決定された露光条件に基づいて基板Pを露光することができる。また、同期誤差は、基板Pの移動条件に応じて変動する可能性もある。基板Pの移動条件は、基板Pの移動速度、加減速度、及び移動方向移動軌跡の少なくとも一つを含む。図10は一つのショット領域を走査露光するときの基板Pの移動状態の一例を示すグラフであって、横軸は時間、縦軸は基板Pの速度である。図10に示すように、一つのショット領域を走査露光するとき、Y軸方向に関して、加速する加速状態、一定速度で移動する定速状態、及び減速する減速状態の順に遷移するように、基板P基板ステージPSTが移動する。制御装置CONTは、例えば基板Pの移動速度を変えつつ、上述のステップSA2~SA6と同様の処理を行うことにより、基板Pの移動速度を含む最適な露光条件を決定し、その決定された露光条件に基づいて基板Pを露光することができる。また、基板Pの加速状態に応じても、同期誤差が変動する可能性がある。具体的には、定速状態での同期誤差は、基板Pの加速状態における加速度に応じて変動する可能性がある。制御装置CONTは、基板Pの加速度を変えつつ、上述のステップSA2~SA6と同様の処理を行うことにより、基板Pの加速度を含む最適な露光条件を決定し、その決定された露光条件に基づいて基板Pを露光することができる。また、図10において、第1の加速度プロファイルAC1で加速した場合と、第2の加速度プロファイルAC2で加速した場合とでは、その後の定速状態における移動速度が同じであっても、定速状態での同期誤差が互いに異なる可能性がある。そこで、制御装置CONTは、基板Pの加速度プロファイルを変えつつ、上述のステップSA2~SA6と同様の処理を行うことにより、基板Pの加速度プロファイルを含む最適な露光条件を決定し、その決定された露光条件に基づいて基板Pを露光することができる。同様に、基板Pの減速状態減速度及び減速プロファイルの少なくとも一方を含むに応じても、定速状態における同期誤差が変動する可能性があるため、制御装置CONTは、基板Pの減速状態を変えつつ、上述のステップSA2~SA6と同様の処理を行うことにより、基板Pの減速状態を含む最適な露光条件を決定し、その決定された露光条件に基づいて基板Pを露光することができる。また、同期誤差は、光路空間K1に対する基板Pの移動方向移動軌跡に応じても変動する可能性があるため、制御装置CONTは、基板Pの移動方向移動軌跡を変えつつ、上述のステップSA2~SA6と同様の処理を行うことにより、基板Pの移動方向移動軌跡を含む最適な露光条件を決定し、その決定された露光条件に基づいて基板Pを露光することができる。なお、基板Pの移動方向移動軌跡は、例えば各ショット領域を走査露光するときの基板Pの移動方向Y方向、-Y方向、ステッピング移動中の基板Pの移動方向、移動距離、移動路などが含まれる。また、同期誤差は、光路空間K1と基板ステージPST基板Pとの位置関係に応じて変動する可能性がある。すなわち、光路空間K1と基板ステージPSTとの位置関係に応じて、光路空間K1に満たされた液体LQを含む基板ステージPSTの重心位置が変動し、その重心位置の変動に伴って、同期誤差が変動する可能性がある。例えば、光路空間K1液体LQと基板ステージPSTとが図11Aに示すような位置関係にある場合と、図11Bに示すような位置関係にある場合とでは、液体LQを含む基板ステージPSTの重心位置が互いに異なる。なお、図11Aは、例えば第7ショット領域S7近傍を走査露光している状態であり、図11Bは、例えば第15ショット領域S15近傍を走査露光している状態である。したがって、上述のように、基板P上のショット領域S1~S21に対応する同期誤差を求めることによって、光路空間K1と基板ステージPSTとの位置関係に応じた同期誤差の変動を精度よく評価することができる。また、上述のようにショット領域S1~S21のそれぞれに対応して同期誤差を求めた場合には、制御装置CONTは、ショット領域に応じた同期誤差の評価結果に基づいて、各ショット領域S1~S21毎に、液浸領域LRを形成した状態での最適な露光条件を決定し、その決定された露光条件に基づいて、基板P上の各ショット領域S1~S21を露光することができる。また、図12の模式図に示すように、ノズル部材70を囲むように、光路空間K1の外側から光路空間K1に向けて気体を吹き付ける吹出口82を有する第3ノズル部材80を設ける構成が考えられる。吹出口82は、光路空間K1に向けて気体を吹き付けることにより、光路空間K1の液体LQの漏出を防止する。そして、吹出口82より光路空間K1に向けて気体を吹き付けるときの吹き付け条件に応じて、同期誤差が変動する可能性がある。ここで、吹き付け条件は、吹出口82から吹き出される単位時間当たりの気体の量、光路空間K1に対して気体を吹き付ける方向などを含む。制御装置CONTは、気体の吹き付け条件を変えつつ、上述のステップSA2~SA6と同様の処理を行うことにより、同期誤差が最も小さくなるような気体の吹き付け条件を含む露光条件を決定し、その決定された露光条件に基づいて基板Pを露光することができる。また、同期誤差は、液体LQに接触する物体の条件に応じて変動する可能性がある。物体は、基板ステージPSTに保持された基板P、あるいは基板ステージPSTに保持された基板Pの周囲に配置された部材基板ステージPSTの上面87などを含む。また、物体の条件には、液体LQとの接触角転落角を含むに関する条件が含まれる。図13Aは基板Pの断面図の一例である。図13Aにおいて、基板Pは、基材100と、その基材100の上面100Aに設けられた膜101とを有している。基材100は半導体ウエハを含む。膜101は感光材レジストによって形成されており、基材100の上面100Aの中央部の殆どを占める領域に所定の厚みで被覆されている。なお、図13Aにおいて、基材100の上面100Aの周縁部の感光材膜101は除去されている。図13Aにおいては、膜感光材101が基板Pの最上層に設けられており、この膜101が液浸露光時において液体LQと接触する液体接触面となる。図13Bは基板Pの別の例を示す図である。図13Bにおいて、基板Pは、膜101の表面を覆う第2膜102を有している。第2膜102はトップコート膜と呼ばれる保護膜によって形成されている。図13Bにおいては、第2膜保護膜102が基板Pの最上層に設けられており、この第2膜102が液浸露光時において液体LQを接触する液体接触面となる。基板Pの液体LQと接触する膜が変化すると、基板Pの液体LQとの接触角に関する条件が変化する場合がある。すなわち、基板Pの液体LQとの接触角は、基板Pの表面がレジスト膜かトップコート膜かによっても変化する可能性があるし、レジスト膜やトップコート膜の種類によって変化する場合もある。液体LQと基板Pとの接触角は、液体LQの圧力を変化させる要因となるため、同期誤差は、基板Pの液体LQとの接触角に関する条件に応じて変動する可能性がある。したがって、上述の実施形態のように、デバイス製造に用いられる基板P上に液浸領域LRを形成した状態で同期誤差を求めることによって、デバイス製造にのために基板Pを走査露光するときに生じ得る同期誤差の変動を精度よく評価することができる。また、基板Pの周縁領域に設けられたショット領域を露光するときなどにおいては、図14に示すように、液体LQの液浸領域LRは、基板ステージPSTに保持された基板Pの表面と、基板ステージPSTに保持された基板Pの周囲に配置された基板ステージPSTの上面87とに跨るようにして同時に形成される可能性がある。基板Pの表面の液体LQとの接触角親和性と基板ステージPSTの上面87の液体LQとの接触角親和性とが異なる場合、液浸領域LRが基板Pの表面のみに形成されている状態での同期誤差と、液浸領域LRが基板Pの表面と基板ステージPSTの上面とに同時に形成されている状態での同期誤差とは互いに異なる可能性がある。また、基板ステージPSTの上面87における液体LQとの接触角は100度以上例えば100°~130°であることが望ましい。但し、基板Pの表面における液体LQとの接触角は、基板ステージPSTに搬入される基板P表面の膜保護膜、感光材によって、例えば30°~110°の範囲で変化しうるため、基板ステージPSTの上面87における液体LQの接触角と基板P表面における液体LQの接触角との差が同期誤差に影響を及ぼす可能性がある。したがって、液浸領域LRが基板Pの表面と基板ステージPSTの上面87とに跨って形成されるような状態でも同期誤差を計測しておくのが望ましい。例えば、制御装置CONTは、液浸領域LRが基板Pの表面と基板ステージPSTの上面87とに跨って形成されるような状態で、液浸条件、基板P基板ステージPSTの移動条件などを変えつつ、上述のステップSA2~SA6と同様の処理を行うことによって、基板Pの周縁付近に設けられたショット領域を露光するときの最適な条件を決定することができる。また、制御装置CONTは、液浸領域LRが基板Pの表面のみに形成されている状態での同期誤差と、液浸領域LRが基板Pの表面と基板ステージPSTの上面とに同時に形成されている状態での同期誤差との双方を小さくするように、液浸領域LRが基板Pの表面のみに形成されている状態で基板Pを露光するときの条件と、液浸領域LRが基板Pの表面と基板ステージPSTの上面とに同時に形成されている状態で基板Pを露光するときの条件とを互いに異なる条件に設定してもよい。また、制御装置CONTは、基板ステージPSTの上面87の液体LQとの接触角を変えつつ、上述のステップSA2~SA6と同様の処理を行うことにより、基板ステージPSTの上面87の液体LQとの接触角に関する条件を含む最適な露光条件を決定し、その決定された露光条件に基づいて基板Pを露光することができる。なお、基板ステージPSTの上面87の液体LQとの接触角を変える場合には、例えば互いに異なる物性接触角を有する所定材料を上面87に被覆するようにすればよい。あるいは、上面87を形成するプレート部材を基板ステージPSTの基材と交換可能に設けておき、互いに異なる接触角を有するプレート部材を複数用意しておくことにより、基板ステージPSTの上面87の液体LQとの接触角を変えることができる。あるいは、基板ステージPSTの上面87をプラズマ加工などの機械的処理や化学薬品を用いた化学的処理を施してもよい。なお、基板ステージPSTの上面87の液体LQに対する接触角が変更できる場合には、基板ステージPSTの上面87の液体LQとの接触角と、基板Pの表面の液体LQとの接触角とをほぼ同じ値にすることによって、基板Pの表面を含む基板ステージPST上の接触角分布を均一化することができるため、液浸領域LRが基板Pの表面のみに形成されている状態での同期誤差と、液浸領域LRが基板Pの表面と基板ステージPSTの上面とに同時に形成されている状態での同期誤差との差異を小さくすることができる。以上のように、液浸条件、基板の移動条件など、同期誤差が変動する可能性ある条件を列挙したが、これらの条件のすべてに関して同期誤差の変化を計測、評価しなくてもよく、必要に応じて、これらの条件の一つの条件を変化させながら、あるいは複数の条件のそれぞれを変化させながら同期誤差を計測して、基板Pの最適な露光条件を決定することができる。また上述の実施形態のように、デバイス製造のための実露光で使用される基板Pを基板ステージPSTに保持した状態で同期誤差を求めて、最適な露光条件を決定するのが望ましいが、実露光に使用される基板Pと異なる評価用の基板を基板ステージPSTに保持して、同期誤差を求めるようにしてもよい。この場合、基板Pと同一の膜が表面に形成された評価用の基板を基板ステージPSTに保持して、同期誤差を求めるようにしてもよい。また、上述したように、表面の膜によって液体LQとの接触角が変わり、同期誤差の起こり方も変化する可能性があるので、表面の膜が異なる複数種の評価用基板を順次基板ステージPSTに保持し、複数種の評価用基板のそれぞれについて液浸条件、基板の移動条件などを変えながら同期誤差を求め、デバイス製造に用いられる基板Pを露光するときに、その基板P表面の膜条件と同一または類似の評価用基板に関する同期誤差の評価結果に基づいて、最適な露光条件を決定するようにしてもよい。また上述の実施形態においては、同期誤差の移動平均と移動標準偏差を求めているが、どちらか一方を求めるだけでもよいし、どちらも求めずに、図7に示したような同期誤差を求めて、露光条件を決定してもよい。また上述の実施形態においては、露光装置EXは粗動ステージ用干渉計92と微動ステージ用干渉計94とを備えているが、粗動ステージ用干渉計92を省略して、微動ステージ用干渉計94及びXY干渉計96の計測結果に基づいて粗動ステージMST1と微動ステージMST2の位置制御を行うようにしてもよい。また、マスクステージMST粗動ステージMST1と微動ステージMST2及び基板ステージPSTの制御も上述の制御に限られず、各種制御方法を採用することができる。さらに、X軸、Y軸及びθZ方向に微動可能な微動ステージを基板ステージPSTに設け、制御装置CONTは走査露光時、マスクMと基板Pとの相対位置誤差が小さくなるように、微動ステージMST2の代わりに、あるいはそれと組み合わせて、基板ステージPSTの微動ステージを駆動してもよい。なお、基板ホルダPHを、基板ステージPSTの一部例えばZ軸、θX及びθY方向に微動されるテーブルと一体に構成してもよい。また、上述の実施形態においては、マスクステージMSTは、粗動ステージMST1と微動ステージMST2を備えているが、国際公開第2004/073053号パンフレット対応する米国特許公開第2005/0248744号に開示されているように、粗動ステージと微動ステージに分離していないマスクステージを用いることもできる。また、上述の実施形態においては、マスクステージMSTに、デバイス製造のための本露光で使用されるマスクMを保持した状態で同期誤差を求めるようにしているが、本露光で用いられるものとは異なるマスクを用いても良いし、マスクステージMSTに何も搭載しなくてもよい。また、上述の実施形態においては、基板Pを露光するときのショット領域の配置で規定されるすべてのショット領域S1~S21のそれぞれに対応させて同期誤差を求めているが、一部の少なくとも一つのショット領域例えば、図3中の四隅のショット領域S1、S3、S19、S21と、中央部のショット領域S11に対応させて同期誤差を求めるようにしてもよい。また、基板Pを露光するときのショット領域の配置情報を使わずに、基板P上の所定の位置望ましくは複数位置で同期誤差を求めるようにしてもよい。<第2実施形態>以上、基板ステージPSTのXY方向に関する移動制御精度、すなわちマスクステージMSTと基板ステージPSTとをY軸方向に関して同期移動するときの同期誤差を評価し、最適な露光条件を決定する場合を例にして説明したが、光路空間K1に満たされた液体LQによって、基板ステージPSTのZ軸方向に関する移動制御精度が変動劣化する可能性もある。以下の説明において、基板ステージPSTのZ軸方向に関する移動制御精度を適宜、フォーカス制御精度誤差と称する。第2実施形態においては、制御装置CONTは、基板ステージPSTのフォーカス制御精度を求め、そのフォーカス制御精度誤差が小さくなるような露光条件を決定する。ここで、基板ステージPSTのフォーカス制御精度は、基板ステージPST上の所定面と、その所定面を一致させるべき目標面との位置誤差を含む。基板ステージPST上の所定面は、基板ステージPSTに保持された基板Pの表面、あるいは基板ステージPSTに保持された基板Pの周囲に配置された基板ステージPSTの上面87を含む。なお、基板ステージPSTに保持された基板Pの周囲基板ステージPSTの上面87などに、露光処理に関する計測器が搭載されている場合もある。基板Pを露光する場合、制御装置CONTは、基板Pの表面の位置情報をフォーカスレベリング検出系30を使って検出し、その検出結果に基づいて、投影光学系PLと光路空間K1に満たされた液体LQとを介して形成される像面と、基板Pの表面とが一致するように、基板ステージPSTを制御する。ここで、投影光学系PLと液体LQとを介して形成される像面の位置情報は予め求められており、制御装置CONTは、予め求められている像面と基板Pの表面とを一致させるように、フォーカスレベリング検出系30の検出結果に基づいて、基板ステージPSTのZ軸方向、θX方向、θY方向の位置制御を行う。ところが、制御装置CONTが基板ステージPSTに保持された基板Pの表面と像面とを一致させるために基板ステージPSTの位置制御を行っているにもかかわらず、基板ステージPSTに保持された基板Pの表面と像面との間に位置誤差が生じる可能性がある。そこで、第2実施形態においては、制御装置CONTは、第1実施形態と同様に、基板Pの実露光を行う前に、複数の条件のそれぞれの下で基板ステージPSTのフォーカス制御精度を求め、各条件の下でのフォーカス制御精度を評価し、そのフォーカス制御精度が良くなるすなわちフォーカス制御誤差が小さくなる最適な露光条件を決定する処理を行う。なお簡単のために、第2実施形態においても、露光条件として単位時間当たりの液体供給量を決定する場合を例にして説明する。まず、制御装置CONTは、液浸機構1を使って、光路空間K1に単位時間当たりB1[リットル]の液体LQを供給するといった第1の条件の下で、基板P上のショット領域S1を走査露光するように、マスクステージMSTと基板ステージPSTとを同期移動するとともに、フォーカスレベリング系30の検出結果に基づいて、基板ステージPSTのZ軸方向、θX方向、θY方向の位置制御を行う。さらに、その位置制御後に残留した投影領域AR内における基板Pの表面と像面とのずれ量残留誤差を所定のサンプリング間隔で取得する。制御装置CONTは、取得した残留誤差をフォーカス制御精度として、ショット領域S1の露光開始点を基準とした時間またはウエハ上の位置と対応付けて記憶装置MRYに記憶する。同様にして、制御装置CONTは、残りのショット領域S2~S21を順次走査露光するように、フォーカスレベリング系30の検出結果に基づいて、基板ステージPSTのZ軸方向、θX方向、θY方向の位置制御を行いながら、マスクステージMST微動ステージMST2と基板ステージPSTとを同期移動して、残りのショット領域S2~S21のそれぞれに対応するフォーカス制御精度残留誤差を記憶装置MRYに記憶する。このようにして、第1の条件の下でのフォーカス制御精度残留誤差を求めた後、制御装置CONTは第2の条件単位時間当たりの液体供給量B2[リットル]の下でショット領域S1~S21に対応するフォーカス制御精度残留誤差を求めて記憶装置MRYに記憶する。以降同様にして、制御装置CONTは、互いに異なるN通りの条件単位時間当たりの液体供給量B1~BNの下でショット領域S1~S21に対応するフォーカス制御精度残留誤差を求めて記憶装置MRYに記憶する。制御装置CONTは、記憶装置MRYに記憶されているフォーカス制御誤差残留誤差に基づいて、デバイス製造のために基板Pを露光するときの最適な露光条件を決定する。すなわち、液浸領域LRを形成した状態でマスクステージMSTと基板ステージPSTとを同期移動するときの条件例えば、単位時間当たりの液体供給量を変化させた場合、第1実施形態で説明した同期誤差と同様に、フォーカス制御精度残留誤差が変動する可能性があるため、記憶装置MRYに記憶されたフォーカス制御精度に基づいて、フォーカス残留誤差が小さくなるように、単位時間当たりの液体供給量を含む最適な露光条件を決定する。そして、制御装置CONTは、決定された露光条件に基づいて、デバイス製造のための基板Pをステップアンドスキャン方式で露光する。なお、第1実施形態と同様に、フォーカス制御精度は、単位時間当たりの液体供給量だけでなく、その他の液浸条件、基板基板ステージPSTの移動条件などの各種条件に応じて変化する可能性がある。したがって、第1実施形態で列挙した各種条件の少なくとも一つを必要に応じて選択し、その選択された条件を変化させながらフォーカス制御精度残留誤差を求めて、最適な露光条件を決定するのが望ましい。なお、上述の説明においては、フォーカスレベリング検出系30の検出結果に基づいて基板ステージPSTのZ軸方向、θX方向、θY方向の位置制御を行いながら、フォーカスレベリング検出系30の検出結果に基づいてフォーカス制御精度残留誤差を求めるようにしているが、Z干渉計98を使うこともできる。基板ステージPSTのZ軸方向、θX方向、θY方向の位置情報は、Z干渉計98によって計測されている。そのため、制御装置CONTは、Z干渉計98の計測結果に基づいて、基板ステージPSTの位置制御をしたり、基板ステージPSTのフォーカス制御精度を求めることができる。例えば制御装置CONTは、基板Pの表面形状凹凸情報を予め求めておくことにより、基板Pの表面と、予め求められている投影光学系PLと液体LQとを介して形成される像面とを一致させるように、Z干渉計98の計測結果に基づいて、基板ステージPSTの位置制御を行いながら、フォーカスレベリング検出系30の検出結果から、基板ステージPSTのフォーカス制御精度を求めることができる。また、フォーカスレベリング検出系30の検出結果に基づいて基板ステージPSTのZ軸方向、θX方向、θY方向の位置制御を行いながら、Z干渉計98の計測結果から基板ステージPSTのフォーカス制御精度を求めるようにしてもよい。また、制御装置CONTは、フォーカスレベリング検出系30を使って検出した基板ステージPST上の基板Pの表面のZ軸、θX、θY方向に関する位置情報と、Z干渉計98を使って検出した基板ステージPSTのZ軸、θX、θY方向に関する位置情報とに基づいて、基板ステージPSTの位置制御を行うとともに、フォーカスレベリング検出系30の検出結果とZ干渉計98の計測結果との少なくとも一方に基づいて、フォーカス制御精度を求めることができる。また、基板P基板ステージPSTの上面87の面位置をリアルタイムで検出可能なフォーカスレベリング検出系30を省いて、Z干渉計98の計測結果に基づいて基板ステージPSTのZ軸方向、θX方向、θY方向の位置制御を行いながら、Z干渉計98の計測結果から基板ステージPSTのフォーカス制御精度を求めるようにしてもよい。なお、上述の第2実施形態のように、デバイス製造のための露光で使用される基板Pを用いる場合、基板P表面の膜の影響、基板P表面の凹凸の影響なども加味されたフォーカス制御精度を求めることができるため、より最適な露光条件を決定することができるが、第1実施形態で説明したように、実露光に使用される基板Pと異なる評価用の基板を基板ステージPSTに保持して、フォーカス制御精度を求めるようにしてもよい。また、上述の第2実施形態においては、フォーカス制御精度を求めるために、マスクステージMSTと基板ステージPSTを同期移動するようにしているが、基板ステージPSTだけを動かしてフォーカス制御精度を求めるようにしてもよい。また、第2実施形態においては、フォーカス制御精度についてのみ説明したが、第1実施形態で説明した同期誤差移動平均、移動標準偏差の少なくとも一方を含むを求めるときに、フォーカス制御精度残留誤差を同時に求めるようにしてもよいことは言うまでもない。<第3実施形態>また上述の第1及び第2実施形態においては、干渉計システム90の計測結果やフォーカスレベリング検出系30の検出結果に基づいて同期誤差やフォーカス制御精度を求めているが、上述の各種条件の下で基板Pをテスト露光して、その露光結果に基づいて、同期誤差やフォーカス制御誤差を評価してもよい。図15のフローチャートに、テスト液浸露光による移動制御精度の評価方法の工程を示す。この方法では、上述の液浸条件を含む各露光条件の下で、所定パターンでテスト露光を行うSB1。このパターンとしては、例えば、図16に示すように、長手方向が略走査方向に向いたくさび状の第1パターンP1と、長手方向が走査方向と略直交する方向に向いたくさび状の第2パターンP2とを組み合わせて用いることができる。次いで、得られた基板上のテストパターンを現像してパターンP1及びP2の形状またはサイズを計測するSB2。最後に、その計測結果に基づいて同期誤差やフォーカス制御精度などの移動制御精度を決定または評価することができる。第1パターンP1の長さは走査方向に直交する方向の同期ずれによる影響を主に受け、第2パターンP2の長さは走査方向の同期ずれによる影響を主に受けることが分っている。それゆえ、第1パターンP1の寸法を異なる露光条件毎に求めることで露光条件の相違による、特に液浸条件の相違による同期誤差を求めることができる。さらには、第1パターンP1と第2パターンP2の長さの差をや比によりそれらのパターンの長さを比較することで現像プロセスの変動によるレジストパターンの寸法変化の影響を排除してマスクと基板の同期誤差を一層正確に求めることができる。なお、例えば特開平11-354420号公報には、テスト露光された基板上のパターンの長さを計測することによって同期誤差を計測する方法の一例が開示されている。なお、ここではテスト露光が行われた基板を現像して得られるパターンレジスト像を計測するものとしたが、これに限らず、例えば現像を行わずにテスト露光によって基板に形成されるパターン潜像、あるいは現像及びエッチングを経て得られるパターンを計測してもよい。以上のように、同期誤差やフォーカス制御精度は種々の条件に応じて変化する。これら種々の条件を最適化する場合には、例えばまず、プロセスに応じて基板Pの表面の膜が決定される。決定された基板Pの表面の膜に関する条件のもとで、光路空間K1に液体LQを保持可能液体LQの漏出無しで、且つ同期誤差、フォーカス制御精度、結像性能などの各種性能が最良状態となるような、最適な基板Pの移動条件、液浸条件などが決定される。なお、結像性能のパラメータの一つとして、投影光学系PLと液体LQとを介して形成されるパターン像の波面収差が挙げられる。液浸条件を変更した場合、投影光学系PLと液体LQとを介して形成されるパターン像の波面収差が変動する可能性がある。例えば上述のように各種条件のもとでテスト露光を行い、そのテスト露光により得られた基板Pに形成されたパターン形状の計測結果に基づいて、同期誤差やフォーカス制御精度を求めるとともに、波面収差、最良状態となる露光条件を求めることができる。なお、波面収差を求める際に、例えば国際公開第2005/043607号パンフレットに開示されている所定の波面収差計測器を用いるようにしてもよい。以上説明したように、複数の条件の下で露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たした状態で基板ステージPSTを移動させつつ基板P基板ステージPSTの位置情報を計測することで、各条件において液体LQが基板ステージPSTの移動制御精度に及ぼす影響を評価したり、各条件での基板ステージPSTの移動制御精度を求めることができる。そして、求めた移動制御精度に基づいて、最適な露光条件を決定することができる。そして、決定された露光条件に基づいて基板Pを良好に露光することができる。これにより、基板ステージPSTの移動制御精度に起因する、露光不良の発生を回避することができる。上述したように、上記各実施形態における液体LQは純水を用いた。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板P上のフォトレジスト、光学素子レンズ等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Pの表面、及び投影光学系PLの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。なお工場等から供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製造器を持つようにしてもよい。そして、波長が193nm程度の露光光ELに対する純水水の屈折率nはほぼ1.44と言われており、露光光ELの光源としてArFエキシマレーザ光波長193nmを用いた場合、基板P上では1/n、すなわち約134nmに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約n倍、すなわち約1.44倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系PLの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。上記実施形態では、投影光学系PLの先端に第1光学素子LS1が取り付けられており、このレンズにより投影光学系PLの光学特性、例えば収差球面収差、コマ収差等の調整を行うことができる。なお、投影光学系PLの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系PLの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光ELを透過可能な平行平面板であってもよい。なお、液体LQの流れによって生じる投影光学系PLの先端の光学素子と基板Pとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。なお、ノズル部材70等の液浸機構1の構造は、上述の構造に限られず、例えば、欧州特許公開第1420298号公報、国際公開第2004/055803号公報、国際公開第2004/057590号公報、国際公開第2005/029559号公報に記載されているものも用いることができる。なお、上記実施形態では、投影光学系PLと基板P表面との間は液体LQで満たされているが、例えば基板Pの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体LQを満たしてもよい。また、上述の実施形態の投影光学系は、先端の光学素子の像面側の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、先端の光学素子のマスク側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。なお、上記実施形態の液体LQは水純水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ELの光源がF2レーザである場合、このF2レーザ光は水を透過しないので、液体LQとしてはF2レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテルPFPE、フッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体LQと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体LQとしては、その他にも、露光光ELに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系PLや基板P表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの例えばセダー油を用いることも可能である。また、液体LQとしては、屈折率が1.6~1.8程度のものを使用してもよい。さらに、石英及び蛍石よりも屈折率が高い材料例えば1.6以上で光学素子LS1を形成してもよい。液体LQとして、種々の液体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。なお、上記実施形態では干渉計システム90を用いてマスクステージMSTや基板ステージPSTの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えばエンコーダシステムを用いてもよい。エンコーダシステムを用いて基板ステージPSTの位置情報を計測する場合、例えば基板ステージPSTの上面に1次元の回折格子を所定方向に沿って設け、かつその所定方向と交差してヘッドユニットを配置することとしてもよい。また、干渉計システムとエンコーダシステムの両方を備えるハイブリッドシステムとし、その少なくとも一方の計測結果を用いてマスクステージMSTや基板ステージPSTの位置制御を行うようにしてもよい。例えば、少なくとも露光動作中はエンコーダシステムの計測結果を用いてステージの位置制御を行い、その他の動作基板の交換などでは干渉計システムの計測結果を用いてステージの位置制御を行ってもよい。この場合、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測結果の較正キャリブレーションを行うことが好ましい。なお、上記各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版合成石英、シリコンウエハ等が適用される。露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップアンドスキャン方式の走査型露光装置スキャニングステッパの他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを基板ステージなどを用いて順次ステップ移動させるステップアンドリピート方式の投影露光装置ステッパにも適用することができる。また、露光装置EXとしては、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で第1パターンの縮小像を投影光学系例えば1/8縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系を用いて基板P上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で第2パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップアンドスティッチ方式の露光装置にも適用できる。これらの方式の露光装置においても本発明に従って液浸露光の際の基板ステージの移動制御精度を有効に求めることができる。また、上記実施形態では投影光学系PLを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系PLを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系PLを用いない場合であっても、露光光はレンズなどの光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸領域が形成される。また、本発明は、特開平10-163099号公報、特開平10-214783号公報対応米国特許6341007、6400441、6549269及び6590634、特表2000-505958号公報対応米国特許5,969,441あるいは米国特許6208407などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。この場合は、一方の基板ステージで液浸状態における同期誤差などを計測するようにしてもよいし、両方の基板ステージで液浸状態における同期誤差などを計測するようにしてもよい。更に、特開平11-135400号公報、特開2000-164504号公報対応する米国特許第6897963号などに開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材、及び/又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。なお、上述の実施形態においては、基板ステージPSTを使って同期誤差などを計測しているが、計測ステージを備えている場合には、計測ステージ上に液浸領域を形成した状態で計測ステージを移動させつつ計測ステージの移動制御精度同期誤差などを求め、その結果に基づいて露光条件を決定するようにしてもよい。また、上述の実施形態においては、投影光学系PLと基板Pとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、特開平6-124873号公報、特開平10-303114号公報、米国特許第5825043号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子CCDあるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン又は位相パターン減光パターンを形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクにかえて、例えば米国特許第6,778,257号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスクを用いてもよい。また、国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にラインアンドスペースパターンを露光する露光装置リソグラフィシステムにも本発明を適用することができる。さらに、例えば特表2004-519850号公報対応する米国特許第6611316号に開示されているように、2つのマスクパターンを、投影光学系を介してウエハ上で合成し、1回のスキャン露光によってウエハ上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも本発明を適用することができる。以上のように、本願実施形態の露光装置EXは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図17に示すように、マイクロデバイスの機能性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスクレチクルを製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、前述した実施形態の露光装置EXによりマスクのパターンを基板に露光し、露光した基板を現像する基板処理露光処理ステップ204、デバイス組み立てステップダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む205、検査ステップ206等を経て製造される。"