"近紫外光を発する近紫外発光素子と、近紫外光により励起されて赤色光を発する赤色蛍光体とを有し、前記近紫外発光素子から発せられる近紫外光の少なくとも一部を前記赤色蛍光体により赤色光に変換して発する赤色発光部と、青色光により励起されて黄色光を発する黄色蛍光体と、前記赤色発光部の外部に配置され、青色光を発する青色発光素子と、前記青色発光素子から発せられる青色光の一部により励起されて前記黄色蛍光体から発せられる黄色光と、前記青色発光素子から発せられる青色光の残りの少なくとも一部と、前記赤色発光部から発せられる赤色光とを含む白色光を出射する出射部とを備えることを特徴とする発光装置。前記出射部は、内部に前記黄色蛍光体が混合されており前記青色発光素子と前記赤色発光部とを一体で覆う透光性の第1樹脂からなることを特徴とする請求項1の発光装置。前記赤色蛍光体は、発光ピーク波長が610~640nm、発光スペクトルの半値幅が15~50nmの蛍光体であることを特徴とする請求項1又は2の発光装置。前記赤色蛍光体は、Eu3で賦活された蛍光体であることを特徴とする請求項1から3のいずれかの発光装置。前記赤色発光部は、さらに、内部に前記赤色蛍光体が混合されており前記近紫外発光素子を覆う透光性の第2樹脂を有し、赤色光を前記第2樹脂から発することを特徴とする請求項2の発光装置。前記第2樹脂は、前記第1樹脂より屈折率が小さい樹脂であることを特徴とする請求項5の発光装置。前記近紫外発光素子及び前記青色発光素子は、いずれもGaN窒化ガリウム系材料を用いたLED発光ダイオードであることを特徴とする請求項1から6のいずれかの発光装置。前記近紫外発光素子は、フリップチップタイプの素子であり、前記赤色発光部は、前記赤色蛍光体を含む材料を前記近紫外発光素子の表面上に有することを特徴とする請求項1から4のいずれかの発光装置。前記黄色蛍光体は、近紫外光及び青色光により励起されて黄色光を発する蛍光体であり、前記出射部は、前記白色光として、前記近紫外発光素子から発せられる近紫外光の一部により励起されて前記黄色蛍光体から発せられる黄色光を含む光を出射することを特徴とする請求項1から8のいずれかの発光装置。特許文献1の構成では、黄色発光強度に対し、赤色波長領域の発光強度はかなり低いものである。そのため、赤系の物体の色再現力は必ずしも高いとは言えず、照明用光源やディスプレイ用光源として用いる場合には鮮やかさや彩りが不足して視認されることが少ないという課題があった。また、特許文献2の構成でも、他の波長領域に対して赤色波長領域の発光強度は高くなく、赤色系物体の十分な色再現力が得られないという課題があった。また、特許文献3の構成では、現状は近紫外LED自体の放射強度、また、近紫外励起の青~黄色波長領域で発光する蛍光体の発光強度が十分高いとは言えず、白色発光装置としては、青色LEDを用いたものに対して発光効率面で優れるとは言い難いという課題があった。また、特許文献4の構成では、青色LEDがGaN窒化ガリウム系、赤色LEDがAlGaInPアルミニウムインジウムガリウムリン系のように異なる半導体素材を用いた構成となり、それらの温度-電流特性等の基本特性が異なるため、環境条件や時間推移により発光強度や発光色がかなり不安定なものとなる等の課題があった。本発明は、例えば、赤色蛍光体を用いて赤色再現性の高い白色光を発する発光装置として、赤色波長領域の発光強度が高く、かつ、全体の発光効率が高いものを提供することを目的とする。本発明の一の態様に係る発光装置は、近紫外光を発する近紫外発光素子と、近紫外光により励起されて赤色光を発する赤色蛍光体とを有し、前記近紫外発光素子から発せられる近紫外光の少なくとも一部を前記赤色蛍光体により赤色光に変換して発する赤色発光部と、青色光により励起されて黄色光を発する黄色蛍光体と、前記赤色発光部の外部に配置され、青色光を発する青色発光素子と、前記青色発光素子から発せられる青色光の一部により励起されて前記黄色蛍光体から発せられる黄色光と、前記青色発光素子から発せられる青色光の残りの少なくとも一部と、前記赤色発光部から発せられる赤色光とを含む白色光を出射する出射部とを備える。本発明の一の態様では、発光装置において、赤色発光部が、近紫外発光素子から発せられる近紫外光の少なくとも一部を赤色蛍光体により赤色光に変換して発する。そして、出射部が、青色発光素子から発せられる青色光の一部により励起されて黄色蛍光体から発せられる黄色光と、青色発光素子から発せられる青色光の残りの少なくとも一部と、赤色発光部から発せられる赤色光とを含む白色光を出射する。これにより、赤色波長領域の発光強度が高く、かつ、全体の発光効率が高い発光装置を提供することが可能となる。以下、本発明の実施の形態について、図を用いて説明する。なお、各実施の形態の説明において、上、下、左、右、前、後、表、裏といった方向は、説明の便宜上、そのように記しているだけであって、装置、器具、部品等の配置や向き等を限定するものではない。実施の形態1.図1は、本実施の形態に係る発光装置10の部分断面図である。図2は、発光装置10の部分上面図である。図1及び図2において、発光装置10は、ベース基板11と、青色LEDチップ12と、第1封止材料13と、近紫外LEDチップ14及び第2封止材料15を有する赤色発光部16と、リフレクタ17とを備える。ベース基板11には、青色LEDチップ12及び近紫外LEDチップ14が、それぞれダイボンド材料18を用いて実装される。図示していないが、ベース基板11は長手状であり、長手方向に沿って複数の近紫外LEDチップ14が直線状に1列に配置され、1つの近紫外LEDチップ14を2つの青色LEDチップ12が挟むように、長手方向に沿って複数の青色LEDチップ12が直線状に2列に配置される。なお、ベース基板11の形状、青色LEDチップ12及び近紫外LEDチップ14の数や配置は、発光装置10の用途等に合わせて適宜変更してよい。例えば、ベース基板11は平面視円形状であってもよい。そして、中心部に1つ又は複数の近紫外LEDチップ14が配置され、近紫外LEDチップ14の周りを複数の青色LEDチップ12が囲むように、複数の青色LEDチップ12が環状に配置されてもよい。青色LEDチップ12は、赤色発光部16の外部に配置され、青色光を発する青色発光素子の例である。青色LEDチップ12の代わりに、LEDチップ以外の無機ELエレクトロルミネッセンス、有機EL等、青色光を発する他の種類の発光素子が用いられてもよい。近紫外LEDチップ14は、近紫外光を発する近紫外発光素子の例である。近紫外LEDチップ14の代わりに、LEDチップ以外の無機EL、有機EL等、近紫外光を発する他の種類の発光素子が用いられてもよい。第2封止材料15の内部には、近紫外光により励起されて赤色光を発する赤色蛍光体が混合されている。第2封止材料15は、近紫外LEDチップ14を覆う透光性の第2樹脂の例である。赤色発光部16は、近紫外LEDチップ14から発せられる近紫外光の少なくとも一部を、第2封止材料15の内部に有する赤色蛍光体により赤色光に変換して第2封止材料15から発する。第1封止材料13の内部には、青色光により励起されて黄色光を発する黄色蛍光体が混合されている。第1封止材料13は、青色LEDチップ12と赤色発光部16とを一体で覆う透光性の第1樹脂の例である。リフレクタ17は、第1封止材料13を支持するとともに、第1封止材料13の内部を進む光の一部を反射して配光を制御する。発光装置10は、青色LEDチップ12から発せられる青色光の一部を、第1封止材料13の内部に備える黄色蛍光体により黄色光に変換する。そして、発光装置10は、この黄色光と、青色LEDチップ12から発せられる青色光の残りの少なくとも一部と、赤色発光部16から発せられる赤色光とを含む白色光を第1封止材料13から出射する。上記のように、本実施の形態では、第1封止材料13が、青色LEDチップ12から発せられる青色光の一部により励起されて黄色蛍光体から発せられる黄色光と、青色LEDチップ12から発せられる青色光の残りの少なくとも一部と、赤色発光部16から発せられる赤色光とを含む白色光を出射する出射部として機能する。以下、発光装置10の構成について、さらに詳述する。ベース基板11とリフレクタ17とからなるLED実装領域を確保したキャビティ領域内では、ベース基板11上に設けられた導電路上に青色LEDチップ12と近紫外LEDチップ14とがダイボンド材料18を用いて実装されている。近紫外LEDチップ14の周囲は、近紫外LEDチップ14からの近紫外光により励起発光する赤色蛍光体が混合された第2封止材料15で覆われている。ここでは、近紫外LEDチップ14と、赤色蛍光体が混合された第2封止材料15とで赤色発光部16が構成されている。図2に示すように、第2封止材料15は、近紫外LEDチップ14の全体を覆っている。さらに、赤色発光部16と青色LEDチップ12の全体とが、少なくとも青色LEDチップ12からの青色光により励起発光する黄色蛍光体が混合された第1封止材料13で覆われている。黄色蛍光体は、530~590nmナノメートル程度の黄色波長領域に発光ピークを有する光緑~橙成分を含んでもよいを発する。本実施の形態において、青色LEDチップ12は、440~475nm程度の青色波長領域に発光ピークを有する光を発する。また、近紫外LEDチップ14は、370~420nm程度の近紫外波長領域薄い紫あるいは無色に発光ピークを有する光を発する。発光装置10の発光源となる青色LEDチップ12及び近紫外LEDチップ14は、予めパタン形成された導電部図示していないに、ダイボンド材料18あるいは、はんだを用いて実装固定される。青色LEDチップ12及び近紫外LEDチップ14は、例えば、フェースアップLEDであり、LEDに通電可能となるように導電部とLEDチップとがボンディングワイヤ19を用いて接続される即ち、ワイヤボンディングされる。ここで、ベース基板11には、ガラスエポキシ材、ガラスコンポジット材、あるいは、放熱性を高めるために金属材料等が用いられる。導電部としては、銅等の薄いパタンが作製され、その上に下地処理用の金属薄膜等を介して銀メッキや金メッキ処理が施される。さらに、ベース基板11の上には、高反射レジスト材であるアクリル、エポキシ、シリコーン系等の白色樹脂層が、ほぼ均一な厚みで形成される。第1封止材料13及び第2封止材料15には、シリコーン等、耐光性や耐熱性の優れた樹脂が用いられる。第1封止材料13及び第2封止材料15による樹脂封止によって、樹脂に混合された蛍光体によるLED光の波長変換が行えるだけでなく、LEDチップの保護やチップ光の取り出し量の増加といった作用効果も得られる。図3は、発光装置10の発光スペクトル20の例を示す図である。図3において、近紫外LEDチップ14からの近紫外発光成分21は、第2封止材料15に混合された赤色蛍光体を励起して、赤色発光成分24を生み出している。また、青色LEDチップ12からの青色発光成分22は、第1封止材料13に混合された黄色蛍光体を励起して、黄色発光成分23を生み出している。発光装置10は、近紫外発光成分21、青色発光成分22、黄色発光成分23、赤色発光成分24を合成して、目標とする白色の発光スペクトル20を得ている。上記のように、本実施の形態では、発光装置10の赤色発光部16が、近紫外LEDチップ14を有するとともに、その近傍に、近紫外光により励起発光する赤色蛍光体を有する。この赤色蛍光体としては、後述するように、可視光領域よりも近紫外光領域に、あるいは、近紫外領域のみに強い励起域を有するものが用いられる。そのため、赤色発光部16は、周囲に配置された青色LEDチップ12の影響をほとんど受けずに、近紫外LEDチップ14からの近紫外光の発光強度に比例する発光強度の赤色光を発することができる。したがって、近紫外LEDチップ14の電流値を制御することで、安定した赤色出力を得ることができる。なお、近紫外光はほとんど無色あるいは薄紫色であるため、赤色蛍光体の励起に寄与しない近紫外発光成分21は、ほとんど発光装置10の出射光の色味には影響しない。図4は、発光装置10に用いられる赤色蛍光体の波長吸収発光特性の例を示す図である。図5は、一般的な窒化物赤色蛍光体の波長吸収発光特性を示す図である。図4では、1Y2O2S:Eu3により吸収される波長成分励起スペクトルを細い実線、Y2O2S:Eu3により発せられる波長成分発光スペクトルを太い実線で示している。また、2LiEu,SmW2O8により吸収される波長成分励起スペクトルを細い点線、LiEu,SmW2O8により発せられる波長成分発光スペクトルを太い点線で示している。本実施の形態では、第2封止材料15に混合される赤色蛍光体として、発光スペクトルの半値幅が100nmに及ぶような広いもの例えば可視光領域でも励起域を持つ窒化物赤色蛍光体ではなく、近紫外領域例えば、図3の近紫外発光成分21で強く励起され、半値幅が15~50nm程度の発光例えば、図3の赤色発光成分24の鋭いものが用いられる。そのような蛍光体として、図4に波長吸収発光特性を示した1Y2O2S:Eu3、2LiEu,SmW2O8のほか、La2O2S:Eu3、Y2O3:Eu3等を用いることができる。これらの蛍光体は、赤色発光イオンとして希土類のEu3で賦活された蛍光体であり、高い強度の赤色波長成分を発するものである。また、これらの蛍光体は、発光ピーク波長が610~640nm程度のものである。図4に示した例では、1Y2O2S:Eu3の発光ピーク波長が約625nm、2LiEu,SmW2O8の発光ピーク波長が約615nmとなっている。また、いずれの蛍光体も発光スペクトルの半値幅が20~35nm程度となっている。これに対し、図5に示した窒化物赤色蛍光体具体的には、CaAlSiN3:Eu2の発光波長領域は相対的に広く、赤色発光強度も低くなっている。蛍光体の特性は、組成や粉体の粒径、表面状態によって多少異なるが、上記のように、本実施の形態では、発光ピーク波長610~640nm、半値幅15~50nmの赤色蛍光体が用いられる。このため、近紫外LEDチップ14の発光強度を調整することで、図3に示したように、黄色発光成分23黄色波長領域のピークを超えるほどの高い発光強度の赤色発光成分24を得ることが可能となる。図4に特性を示したような赤色蛍光体は、可視光ではほとんど励起されない励起成分は若干あるが紫外励起強度に対してかなり小さい。そのため、本実施の形態において、赤色発光部16の周囲に配置される青色LEDチップ12の青色光のうち、第2封止材料15内の赤色蛍光体に吸収される光の比率はごくわずかである。したがって、第1封止材料13内の黄色蛍光体を励起する青色光の強度は高いまま維持される。その結果、光束が大きく、かつ、赤色発光強度が高い即ち、赤色再現性が良好な出射光を得ることができる。このように、本実施の形態において、発光装置10は、赤色発光強度が高い白色光を出射するため、発光装置10を照明用光源として用いる場合、目標とする光色あるいは色温度には依存するものの、基本的には出射光の特殊演色評価数R9や平均演色評価数Raも大きく改善することが可能である。また、発光装置10を表示用液晶ディスプレイのバックライト光源等として用いる場合は、狭い赤色波長領域で鋭い発光成分を持つ光を出射するという特徴から、カラーディスプレイとしての赤色鮮鋭度を高めるとともに色域特性ガマットを広くすることができる。図6は、赤色LEDを備えた従来の白色発光装置の発光スペクトルを示す図である。従来、青色LEDと黄色蛍光体とを用いた構成に、さらに赤色LEDを加えた白色発光装置がある。このような構成を用いる場合でも、図6に示すように、鋭い赤色発光成分を持つ光を得ることができる。しかしながら、各色LEDチップの主材料が、例えば青色LEDチップはGaN系、赤色LEDチップはAlGaInP系といったように異なる素材となる。通常、素材の異なるLEDチップ間では、駆動電圧や温度特性等の基本特性が異なるため特に赤色LEDは温度による光出力変化の比率が大きい、環境条件や時間推移により発光強度や発光色がかなり不安定なものとなってしまう。これに対し、本実施の形態では、発光装置10が備える青色LEDチップ12及び近紫外LEDチップ14を、いずれもGaN系材料を用いたLEDとすることができる。そのため、青色LEDチップ12及び近紫外LEDチップ14として、駆動電圧や温度特性等の基本特性がほぼ同じLEDチップを用いることができる。したがって、周囲環境等に変化があったとしても両方のLEDチップが同じような影響を受けるため、発光色が不安定になる等の不具合が生じにくい。例えば、青色LEDチップ12と近紫外LEDチップ14とを接続する導電路を独立に設けておけば、必要に応じて少なくとも一方の強度調整を行うことで発光色の制御を行うことが可能となる。図7は、一般的な白色発光装置の発光スペクトルを示す図である。図7では、青色LED及び黄色蛍光体のみを組み合わせた従来の白色発光装置の発光スペクトルを実線で示している。また、その白色発光装置に、さらに赤色蛍光体を加えたものの発光スペクトルを点線で示している。従来、赤色蛍光体例えば、図5に示したCaAlSiN3:Eu2やα-サイアロン:Eu2といったEu2で賦活された蛍光体を含む白色発光装置では、赤色蛍光体を含まないもの図7の実線の発光スペクトルに対して、青色波長成分を吸収し、橙~赤色波長領域にかけてなだらかな赤色波長成分を得る図7の点線の発光スペクトルことで、赤色波長領域での色味改善を行っている。仮に、上記のような青色LED及び黄色蛍光体のみを組み合わせた白色発光装置に、本実施の形態で用いるような赤色蛍光体例えば、図4に特性を示したものを加えたとすると、赤色蛍光体は、青色光によってほとんど励起されることなく、単に青色光の散乱吸収体として作用する。そのため、発光効率が低くなってしまう。これに対し、本実施の形態では、近紫外LEDチップ14の近傍周辺に黄色蛍光体を介在させずに赤色蛍光体を配置することにより、効率のよい赤色光への変換を行うことができる。そのため、高い発光効率を維持しつつ、鋭い赤み成分を持つ出射光を得ることができ、特に赤色の色再現性や鮮やかさを向上させることができる。発光装置10を照明用光源として用いる場合には、赤色の特性演色評価数や、平均演色評価数も改善することができる。また、本実施の形態では、赤色発光部16を1つの発光単位としており、赤色発光部16が発する光が、黄色蛍光体を多く含むもう1つの広い発光領域第1封止材料13の領域に放射状に広がる。そのため、赤色発光部16から発せられた赤色光の多くが、第1封止材料13内の黄色蛍光体の表面で拡散され、結果としてキャビティ内での混色性が高まり、発光装置10の表面及び照明領域に色むらの少ない光を照射することができる。以上説明したように、本実施の形態では、青色LEDチップ12、近紫外LEDチップ14という2種類のLED光源を使用し、青色光により励起発光する発光イオンEu2を持つ赤色蛍光体ではなく、近紫外光により励起されて鋭い発光スペクトルの半値幅の狭い赤色波長成分を有する光を発する、例えばEu3を持つような赤色蛍光体を用いている。これにより、発光装置10の出射光白色光の赤色再現力演色性を高めることができる。また、近紫外LEDチップ14から近紫外光が照射されやすい位置に赤色蛍光体を配置しているため、上記2種類のLED光源を一体封止する第1封止材料13黄色蛍光樹脂層を介しても十分な強度の赤色光が得られ、さらに第1封止材料13内にも変換赤色光が広がるため、色むらの少ない混色性のよい発光装置10が得られる。さらに、上記2種類のLED光源に同じGaN系素子を用いることにより、同程度の順電圧Vfを持つチップを選定して構成することができ、光出力の電気的安定性を確保することができる。なお、第1封止材料13に含まれる黄色蛍光体は、必ずしも青色LEDチップ12のみにより励起発光するものである必要はなく、近紫外LEDチップ14によっても励起発光する、例えばシリケート系のような蛍光体であってもよい。赤色発光部16からは、赤色光のほか、発光装置10の出射光の色味には大きく寄与しないものの、近紫外光が放射されるため、この近紫外光も黄色光に変換することで、さらに発光効率を向上させることができる。なお、目標の色光色度や色温度がある場合には、それに合わせて黄色蛍光体や赤色蛍光体の含有量を調整すればよい。本実施の形態では、第1封止材料13や第2封止材料15が、光を散乱させる透過性粒子例えば、ガラスビーズ、酸化チタン粒子を含んでもよい。この場合、第1封止材料13や第2封止材料15の内部での光乱反射性を高め、混色性のよい発光装置10を得ることができる。本実施の形態によれば、標準比視感度が高い発光波長領域の光を、青色LEDとそれに励起発光する黄色蛍光体の光で高い発光効率で発光させつつ、赤色蛍光体自体が青色LED光の進行を妨げる吸収材料として機能ことがないように、発光強度の高い鋭い赤色発光を得ることができる。さらには近紫外LEDの周辺近傍で赤色蛍光体により色変換された光は、同一樹脂封止領域内を拡散して進むため、低色むらで赤色再現性が高く発光効率のよい白色発光装置を得ることができる。実施の形態2.本実施の形態について、主に実施の形態1との差異を説明する。図8は、本実施の形態に係る発光装置10の部分断面図である。図8では、発光装置10における光線の進み方を矢印で示している。発光装置10の構成は、図1に示した実施の形態1のものと同様である。本実施の形態では、赤色発光部16の第2封止材料15として、第1封止材料13より屈折率が小さい樹脂が用いられる。本実施の形態によれば、第2封止材料15の樹脂界面での反射比率を高めることができ、青色LEDチップ12から発せられる青色光や、第1封止材料13に混合された黄色蛍光体から発せられる黄色光青色光が黄色蛍光体により変換された光が第2封止材料15内へ直接進入する割合を極力低く抑えることができる。例えば図8に実線の矢印で示す光線のように、全屈折率差により決まる全反射角以上で第2封止材料15に向かう光線は全て界面で反射される。したがって、第1封止材料13から第2封止材料15に向けては光が進入しにくくなるため、発光装置10の発光効率を高く維持することができる第2封止材料15に進入する光のほとんどは第2封止材料15内で波長変換に寄与することなく、吸収されてしまう。また、第2封止材料15に混合された赤色蛍光体から発せられる赤色光近紫外光が赤色蛍光体により変換された光が第2封止材料15の界面で内側へ反射される割合も極力低く抑えることができる。例えば図8に点線の矢印で示す光線のように、第2封止材料15を通して放射される光線は第1封止材料13及び第2封止材料15の屈折率差の関係から、第2封止材料15の界面で反射されずに第1封止材料13に進入しやすくなるため、効率よく赤色変換光を放射させることができる。例えば、第1封止材料13として、屈折率がn=1.51程度のフェニル系シリコーン、第2封止材料15として、屈折率がn=1.41程度のメチル系シリコーンを用いることができる。この場合、一般的にメチル系シリコーンよりフェニル系シリコーンのほうが、ガス透過性が低いため、さらに、発光装置10の光特性の向上やキャビティ内材料の劣化促進の防止等が可能となる。なお、第1封止材料13及び第2封止材料15として、他の種類の樹脂を用いてもよいことは言うまでもない。なお、本実施の形態では、第2封止材料15の封止形態を側面視楕円状としているが、これ以外の形状、例えば半円状、長方形状平坦封止としてもよい実施の形態1についても同様。実施の形態3.本実施の形態について、主に実施の形態1との差異を説明する。図9は、本実施の形態に係る発光装置10の部分断面図である。図9において、近紫外LEDチップ14は、フリップチップタイプの素子である。発光装置10の赤色発光部16は、図1に示した実施の形態1の第2封止材料15に代えて、赤色蛍光体を含む材料15aを近紫外LEDチップ14の表面上に有する。この赤色蛍光体としては、実施の形態1と同様の蛍光体が用いられる。例えば、赤色蛍光体を含む材料15aは、近紫外LEDチップ14の平坦表面に印刷又は塗布される。あるいは、例えば、赤色蛍光体を含む材料15aは、蛍光体混合樹脂シートであり、近紫外LEDチップ14の平坦表面に貼り付けられる。本実施の形態では、近紫外LEDチップ14の表面のみに赤色蛍光体を用いればよいため、蛍光材料の中でも高価な赤色蛍光体の使用量を抑えることができる。近紫外LEDチップ14及び青色LEDチップ12は、黄色蛍光体が混合された第1封止材料13で一体封止されている。そのため、赤色蛍光体が近紫外LEDチップ14からの近紫外光により励起されて発する赤色光は、第1封止材料13の内部で青色光と黄色光と混ざりながら拡散され、発光装置10の出射光として外部に放射される。したがって、キャビティ内での混色性が向上し、発光装置10の出射光の色むらを低減することができる。図10は、本実施の形態の変形例に係る発光装置10の部分断面図である。図10では、青色LEDチップ12も、フリップチップタイプの素子である。発光装置10は、図9に示したような黄色蛍光体を含む第1封止材料13に代えて、蛍光体を含まない第1封止材料13aを備える。そして、発光装置10は、黄色蛍光体を含む材料13bを青色LEDチップ12の表面上に備える。近紫外LEDチップ14及び青色LEDチップ12は、蛍光体が混合されていない第1封止材料13aで一体封止されている。そのため、赤色蛍光体が近紫外LEDチップ14からの近紫外光により励起されて発する赤色光は、第1封止材料13の内部で白色光青色光と黄色光の合成光と混ざりながら拡散され、発光装置10の出射光として外部に放射される。この場合、キャビティサイズにもよるが、赤色蛍光体を含む材料15aの上部、及び、黄色蛍光体を含む材料13bの上部において、それぞれの色合いが強くなる。また、それぞれの真上方向近紫外LEDチップ14及び青色LEDチップ12の光軸方向において、それぞれの色赤色及び白色の光が直接放射されやすくなる。したがって、図9に示した発光装置10のほうが、キャビティ内の混色性に優れ、発光装置10の照射面での色むらも目立ちにくい。上記のように、本実施の形態では、特に、図9のような構成を採用することで、高価な赤色蛍光体を節約でき、また、キャビティ表面及び照射面に色むらが生じにくく、赤色再現性及び発光効率が良好な発光装置10を提供することができる。以上、本発明の実施の形態について説明したが、これらの実施の形態のうち、2つ以上を組み合わせて実施しても構わない。あるいは、これらの実施の形態のうち、1つを部分的に実施しても構わない。あるいは、これらの実施の形態のうち、2つ以上を部分的に組み合わせて実施しても構わない。なお、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能である。"