pHが6より小さい酸性薬液を基板に供給し、基板の主面全域を覆う前記酸性薬液の液膜を形成する第1薬液工程と、基板の主面全域が前記酸性薬液の液膜に覆われている状態で、pHが6以上のpH調整液を基板に供給し、前記酸性薬液の液膜を基板の主面全域を覆う前記pH調整液の液膜に置換するpH調整工程と、基板の主面全域が前記pH調整液の液膜に覆われている状態で、前記酸性薬液を基板に供給し、前記pH調整液の液膜を基板の主面全域を覆う前記酸性薬液の液膜に置換する第2薬液工程とを含む、基板処理方法。前記pH調整工程での基板への前記pH調整液の供給時間が、前記第1薬液工程での基板への前記酸性薬液の供給時間より短く、前記第2薬液工程での基板への前記酸性薬液の供給時間より短い、請求項1に記載の基板処理方法。前記pH調整工程は、基板を回転させながら前記pH調整液を基板に供給する工程であり、基板の回転速度をpH調整速度まで加速させながら前記pH調整液を基板に供給する工程と、前記pH調整速度で基板を定速回転させながら前記pH調整液を基板に供給する工程とを含む、請求項1または2に記載の基板処理方法。前記pH調整工程は、前記pH調整液と気体との混合流体を基板に供給する工程、および振動が与えられた前記pH調整液を基板に供給する工程の少なくとも一つを含む、請求項1~3のいずれか一項に記載の基板処理方法。前記第1薬液工程の後に、前記pH調整工程および第2薬液工程を含む1つのサイクルを複数回行う繰り返し工程を含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の基板処理方法。前記第1薬液工程および第2薬液工程は、室温の酸性薬液を基板に供給する工程である、請求項1~5のいずれか一項に記載の基板処理方法。基板を保持する基板保持手段と、pHが6より小さい酸性薬液を前記基板保持手段に保持されている基板に供給する薬液供給手段と、pHが6以上のpH調整液を前記基板保持手段に保持されている基板に供給するpH調整液供給手段と、前記薬液供給手段によって前記酸性薬液を基板に供給させ、基板の主面全域を覆う前記酸性薬液の液膜を形成する第1薬液工程と、基板の主面全域が前記酸性薬液の液膜に覆われている状態で、前記pH調整液供給手段によって前記pH調整液を基板に供給させ、前記酸性薬液の液膜を基板の主面全域を覆う前記pH調整液の液膜に置換するpH調整工程と、基板の主面全域が前記pH調整液の液膜に覆われている状態で、前記薬液供給手段によって前記酸性薬液を基板に供給させ、前記pH調整液の液膜を基板の主面全域を覆う前記酸性薬液の液膜に置換する第2薬液工程とを実行する制御手段とを含む、基板処理装置。前記制御手段は、前記pH調整工程での基板への前記pH調整液の供給時間が、前記第1薬液工程での基板への前記酸性薬液の供給時間より短く、前記第2薬液工程での基板への前記酸性薬液の供給時間より短くなるように、前記第1薬液工程、pH調整工程、および第2薬液工程を実行する、請求項7に記載の基板処理装置。前記基板保持手段に保持されている基板を回転させる基板回転手段をさらに含み、前記制御手段は、前記基板回転手段によって基板の回転速度をpH調整速度まで加速させながら、前記pH調整液供給手段によって前記pH調整液を基板に供給させる工程と、前記基板回転手段によって基板を前記pH調整速度で回転させながら、前記pH調整液供給手段によって前記pH調整液を基板に供給させる工程とを含む前記pH調整工程を実行する、請求項7または8に記載の基板処理装置。前記pH調整液供給手段は、前記pH調整液と気体との混合流体を基板に供給する二流体供給手段、および前記pH調整液に振動を与える振動付与手段の少なくとも一つを含む、請求項7~9のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記制御手段は、前記第1薬液工程の後に、前記pH調整工程および第2薬液工程を含む1つのサイクルを複数回行う繰り返し工程を実行する、請求項7~10のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記薬液供給手段は、室温の前記酸性薬液を前記基板保持手段に保持されている基板に供給する、請求項7~11のいずれか一項に記載の基板処理装置。ポリマー残渣の除去が不十分であると、ポリマー残渣が基板に残留するので、デバイスの電気的特性が低下したり、歩留りが低下したりする場合がある。ポリマー残渣の残留を抑制する方法としては、薬液処理時間の延長や、薬液温度の上昇が考えられる。しかしながら、これらの方法では、エッチングしたくない膜たとえば、Lowk膜などの絶縁膜の減少量までもが増加してしまい、電気的特性および歩留りが低下してしまう場合がある。たとえば特許文献1では、薬液および純水が供給された基板が清浄でない場合には、再び、薬液および純水が基板に供給される。すなわち、薬液および純水の供給が複数回行われる。これにより、薬液処理時間が延長される。そのため、エッチングしたくない膜の減少量が増加してしまう場合がある。さらに、特許文献1では、基板上で薬液と純水とが混ざることを防止するために、基板上の薬液を基板の周囲に飛散させて、基板上の薬液の量を著しく減少させる。そして、基板上の薬液の量が著しく減少した状態で、純水が基板に供給される。純水が供給された基板に再び薬液を供給する場合も同様に、基板上の純水の量が著しく減少した状態で、薬液が基板に供給される。そのため、薬液および純水が基板に供給される前に、基板の表面の一部が露出し、気液の界面が基板の表面内に形成される。しかしながら、気液の界面が形成されると、この界面に集まったパーティクルや、薬液中のパーティクルが、基板の露出部分に再付着し、基板の清浄度が低下してしまう場合がある。そこで、この発明の目的は、基板の清浄度を高めることができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。前記目的を達成するための請求項1記載の発明は、pH水素イオン指数が6より小さい酸性薬液を基板に供給し、基板の主面全域を覆う前記酸性薬液の液膜を形成する第1薬液工程S1と、基板の主面全域が前記酸性薬液の液膜に覆われている状態で、pHが6以上のpH調整液を基板に供給し、前記酸性薬液の液膜を基板の主面全域を覆う前記pH調整液の液膜に置換するpH調整工程S2と、基板の主面全域が前記pH調整液の液膜に覆われている状態で、前記酸性薬液を基板に供給し、前記pH調整液の液膜を基板の主面全域を覆う前記酸性薬液の液膜に置換する第2薬液工程S3とを含む、基板処理方法である。基板の主面は、デバイス形成面である表面であってもよいし、表面とは反対側の裏面であってもよい。この方法によれば、pHが6より小さい酸性薬液が基板に供給され、基板の主面全域を覆う酸性薬液の液膜が形成される。そして、基板の主面全域が酸性薬液の液膜に覆われている状態で、pHが6以上のpH調整液が基板に供給される。これにより、酸性薬液が基板上から排出され、酸性薬液の液膜が、基板の主面全域を覆うpH調整液の液膜に置換される。そして、基板の主面全域がpH調整液の液膜に覆われている状態で、再び、酸性薬液が基板に供給される。これにより、pH調整液の液膜が、基板の主面全域を覆う酸性薬液の液膜に置換される。このように、この方法では、基板の主面全域が露出していない状態で、基板上の液体が置換される。したがって、基板上の液体が置換されるときに、基板の主面内に気液の界面が形成されない。そのため、基板の清浄度の低下を抑制または防止できる。さらに、第2薬液工程では、酸性薬液は、基板の主面全域がpH調整液の液膜に覆われている状態で基板に供給される。後述するように、基板の主面がpH調整液に覆われているとき、基板上のパーティクルは、基板から剥がれ易い状態にある。したがって、パーティクルが基板から剥がれ易い状態で酸性薬液が基板に供給される。これにより、基板の清浄度を高めることができる。請求項2に記載の発明は、前記pH調整工程での基板への前記pH調整液の供給時間T2が、前記第1薬液工程での基板への前記酸性薬液の供給時間T1より短く、前記第2薬液工程での基板への前記酸性薬液の供給時間T1より短い、請求項1に記載の基板処理方法である。この方法によれば、基板へのpH調整液の供給が、短時間で行われるので、処理時間の増加を抑制できる。したがって、処理時間の増加を抑制しながら、基板の清浄度を高めることができる。請求項3に記載の発明は、前記pH調整工程は、基板を回転させながら前記pH調整液を基板に供給する工程であり、基板の回転速度をpH調整速度Yまで加速させながら前記pH調整液を基板に供給する工程と、前記pH調整速度で基板を定速回転させながら前記pH調整液を基板に供給する工程とを含む、請求項1または2に記載の基板処理方法である。この方法によれば、基板を加速させている状態、および加速後の回転速度で基板を回転させている状態で、pH調整液が基板に供給される。したがって、基板の加速を開始させる前よりも大きな遠心力が基板上の液体酸性薬液に加わる。そのため、基板上の酸性薬液の液膜を短時間で効率的に置換できる。さらに、基板上の酸性薬液が短時間で排出されるので、基板の主面の一部だけが酸性薬液に接している時間を短縮できる。これにより、薬液処理の均一性の低下を抑制または防止できる。請求項4に記載の発明は、前記pH調整工程は、前記pH調整液と気体との混合流体を基板に供給する工程、および振動が与えられた前記pH調整液を基板に供給する工程の少なくとも一つを含む、請求項1~3のいずれか一項に記載の基板処理方法である。この方法によれば、気体によって加速されたpH調整液、および振動エネルギーが与えられたpH調整液の少なくとも一方が、酸性薬液の液膜に覆われている基板に供給される。すなわち、運動エネルギーの高いpH調整液が、酸性薬液の液膜に覆われている基板に供給される。したがって、パターンが基板に形成されている場合には、このパターン内にもpH調整液を進入させることができる。これにより、パターン内の酸性薬液をも確実に置換でき、基板の清浄度を高めることができる。請求項5に記載の発明は、前記第1薬液工程の後に、前記pH調整工程および第2薬液工程を含む1つのサイクルを複数回行う繰り返し工程を含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の基板処理方法である。この方法によれば、pH調整液の供給と酸性薬液の供給とが交互に繰り返される。したがって、パーティクルが基板から剥がれ易い状態での薬液の供給が複数回行われる。そのため、パーティクルをより確実に基板から除去でき、基板の清浄度を高めることができる。請求項6に記載の発明は、前記第1薬液工程および第2薬液工程は、室温たとえば、20~30°Cの酸性薬液を基板に供給する工程である、請求項1~5のいずれか一項に記載の基板処理方法である。酸性薬液の活性は、温度の上昇によって高まる場合がある。しかし、高温の酸性薬液を基板に供給すると、エッチングしたくない膜の減少量も増加してしまう場合がある。一方、この方法によれば、室温の酸性薬液が基板に供給されるので、このような膜の減少を抑制できる。したがって、基板の品質低下を抑制できる。請求項7に記載の発明は、基板Wを保持する基板保持手段2と、pHが6より小さい酸性薬液を前記基板保持手段に保持されている基板に供給する薬液供給手段3~5と、pHが6以上のpH調整液を前記基板保持手段に保持されている基板に供給するpH調整液供給手段3~5と、前記薬液供給手段によって前記酸性薬液を基板に供給させ、基板の主面全域を覆う前記酸性薬液の液膜を形成する第1薬液工程と、基板の主面全域が前記酸性薬液の液膜に覆われている状態で、前記pH調整液供給手段によって前記pH調整液を基板に供給させ、前記酸性薬液の液膜を基板の主面全域を覆う前記pH調整液の液膜に置換するpH調整工程と、基板の主面全域が前記pH調整液の液膜に覆われている状態で、前記薬液供給手段によって前記酸性薬液を基板に供給させ、前記pH調整液の液膜を基板の主面全域を覆う前記酸性薬液の液膜に置換する第2薬液工程とを実行する制御手段6とを含む、基板処理装置1である。この構成によれば、請求項1の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。請求項8に記載の発明は、前記制御手段は、前記pH調整工程での基板への前記pH調整液の供給時間が、前記第1薬液工程での基板への前記酸性薬液の供給時間より短く、前記第2薬液工程での基板への前記酸性薬液の供給時間より短くなるように、前記第1薬液工程、pH調整工程、および第2薬液工程を実行する、請求項7に記載の基板処理装置である。この構成によれば、請求項2の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。請求項9に記載の発明は、前記基板保持手段に保持されている基板を回転させる基板回転手段2をさらに含み、前記制御手段は、前記基板回転手段によって基板の回転速度をpH調整速度まで加速させながら、前記pH調整液供給手段によって前記pH調整液を基板に供給させる工程と、前記基板回転手段によって基板を前記pH調整速度で回転させながら、前記pH調整液供給手段によって前記pH調整液を基板に供給させる工程とを含む前記pH調整工程を実行する、請求項7または8に記載の基板処理装置である。この構成によれば、請求項3の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。請求項10に記載の発明は、前記pH調整液供給手段は、前記pH調整液と気体との混合流体を基板に供給する二流体供給手段5、および前記pH調整液に振動を与える振動付与手段の少なくとも一つを含む、請求項7~9のいずれか一項に記載の基板処理装置である。この構成によれば、請求項4の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。請求項11に記載の発明は、前記制御手段は、前記第1薬液工程の後に、前記pH調整工程および第2薬液工程を含む1つのサイクルを複数回行う繰り返し工程を実行する、請求項7~10のいずれか一項に記載の基板処理装置である。この構成によれば、請求項5の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。請求項12に記載の発明は、前記薬液供給手段は、室温の前記酸性薬液を前記基板保持手段に保持されている基板に供給する、請求項7~11のいずれか一項に記載の基板処理装置である。この構成によれば、請求項6の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符号を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を限定する趣旨ではない。以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の一部の模式的な側面図である。基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置である。基板処理装置1は、基板Wを水平に保持して回転させるスピンチャック2基板保持手段、基板回転手段と、スピンチャック2に保持されている基板Wに処理液を供給する複数のノズルスキャンノズル3、固定ノズル4、および二流体ノズル5と、基板処理装置1に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御装置6制御手段とを含む。スピンチャック2は、基板Wを水平に保持して当該基板Wの中心を通る鉛直軸線A1まわりに回転可能な円盤状のスピンベース7と、スピンベース7を鉛直軸線A1まわりに回転させるスピンモータ8とを含む。スピンチャック2は、基板Wを水平方向に挟む挟持式のチャックであってもよいし、非デバイス形成面である基板Wの裏面下面を吸着するバキューム式のチャックであってもよい。図1では、スピンチャック2が、挟持式のチャックである場合を示している。スキャンノズル3薬液供給手段、pH調整液供給手段は、第1薬液バルブ9が介装された第1薬液配管10と、第1リンス液バルブ11が介装された第1リンス液配管12とに接続されている。第1薬液バルブ9が開かれると、薬液が、第1薬液配管10からスキャンノズル3に供給され、スキャンノズル3から吐出される。同様に、第1リンス液バルブ11が開かれると、リンス液が、第1リンス液配管12からスキャンノズル3に供給され、スキャンノズル3から吐出される。スキャンノズル3は、第1ノズル移動機構13に接続されている。第1ノズル移動機構13は、スキャンノズル3から吐出された処理液薬液またはリンス液が基板Wの上面中央部に着液する中心位置図5において実線で示す位置と、スキャンノズル3から吐出された処理液が基板Wの上面周縁部に着液する周縁位置図5において二点実線で示す位置との間でスキャンノズル3を移動させる。スキャンノズル3が処理液を吐出しており、基板Wが回転している状態で、第1ノズル移動機構13が、スキャンノズル3を中心位置および周縁位置の一方から他方に移動させると、処理液の着液位置が基板Wの上面全域を走査し、基板Wの上面全域に処理液が供給される。固定ノズル4薬液供給手段、pH調整液供給手段は、第2薬液バルブ14が介装された第2薬液配管15と、第2リンス液バルブ16が介装された第2リンス液配管17とに接続されている。第2薬液バルブ14が開かれると、薬液が、第2薬液配管15から固定ノズル4に供給され、固定ノズル4から吐出される。同様に、第2リンス液バルブ16が開かれると、リンス液が、第2リンス液配管17から固定ノズル4に供給され、固定ノズル4から吐出される。固定ノズル4は、所定位置に固定された状態で処理液を吐出する。固定ノズル4が処理液を吐出する吐出位置図1に示す位置は、固定ノズル4から吐出された処理液が基板Wの上面中央部に着液するように設定されている。基板Wが回転している状態で、処理液が固定ノズル4から吐出されると、基板Wの上面中央部に着液した処理液が、基板Wの回転による遠心力によって外方に広がる。これにより、基板Wの上面全域に処理液が供給される。二流体ノズル5薬液供給手段、pH調整液供給手段、二流体供給手段は、第3薬液バルブ18が介装された第3薬液配管19と、第3リンス液バルブ20が介装された第3リンス液配管21と、気体バルブ22が介装された気体配管23とに接続されている。第3薬液バルブ18が開かれると、薬液が、第3薬液配管19から二流体ノズル5に供給され、第3リンス液バルブ20が開かれると、リンス液が、第3リンス液配管21から二流体ノズル5に供給される。気体バルブ22が開かれると、不活性ガスたとえば、窒素ガスが、二流体ノズル5に供給される。第3薬液バルブ18および気体バルブ22が開かれると、二流体ノズル5に供給された薬液と窒素ガスとが混合され、多数の液滴からなる薬液の噴流が二流体ノズル5から噴射される。同様に、第3リンス液バルブ20および気体バルブ22が開かれると、二流体ノズル5に供給されたリンス液と窒素ガスとが混合され、多数の液滴からなるリンス液の噴流が二流体ノズル5から噴射される。二流体ノズル5は、第3ノズル移動機構24に接続されている。第3ノズル移動機構24は、二流体ノズル5から吐出された処理液の噴流が基板Wの上面中央部に衝突する中心位置図1に示す位置と、二流体ノズル5から吐出された処理液の噴流が基板Wの上面周縁部に衝突する周縁位置との間で二流体ノズル5を移動させる。二流体ノズル5が処理液の噴流を噴射しており、基板Wが回転している状態で、第3ノズル移動機構24が、二流体ノズル5を中心位置および周縁位置の一方から他方に移動させると、噴流の衝突位置が基板Wの上面全域を走査し、処理液の噴流が基板Wの上面全域に衝突する。これにより、基板Wの上面全域に処理液が供給される。各ノズル3~5に供給される薬液は、室温たとえば、20~30°Cより高温または低温に温度調節されていてもよいし、温度調節されていなくてもよい。具体的には、薬液の温度を変化させる温度調節装置ヒータまたはクーラが設けられていてもよいし、温度調節装置が設けられておらず、室温の薬液が各ノズル3~5に供給されてもよい。同様に、各ノズル3~5に供給されるリンス液は、室温より高温または低温に温度調節されていてもよいし、温度調節されていなくてもよい。各ノズル3~5に供給される薬液は、基板W基板Wに形成された薄膜を含むや、ポリマー残渣などの基板W上のパーティクルを腐食できエッチングでき、pHが6より小さい酸性薬液である。酸性薬液は、フッ酸、SPM硫酸と過酸化水素水の混合液、SC2塩酸と過酸化水素水の混合液、有機薬液のいずれかであってもよい。たとえば、酸性薬液は、ポリマー除去液の一例である希フッ酸DHF:dilutehydrofluoricacidであってもよい。各ノズル3~5に供給される希フッ酸のpHは、2~4の範囲内の一定の値に調整されている。また、各ノズル3~5に供給されるリンス液は、pHが6以上のpH調整液である。pH調整液のpHは、6~8、好ましくは6~7、さらに好ましくは、7である。pH調整液は、純水DIW:DeionziedWater、炭酸水、電解イオン水、水素水、およびオゾン水のいずれかであってもよい。図2は、基板処理装置1によって処理される基板Wの表面状態の一例を説明するための断面図である。以下に説明するように、基板Wは、たとえば、表面にポリマー残渣ドライエッチングやアッシング後の残渣が付着しており、金属パターンが露出した半導体ウエハである。金属パターンは、銅やタングステンその他の金属の単膜であってもよいし、複数の金属膜を積層した多層膜であってもよい。多層膜は、たとえば、銅膜と、この銅膜上に積層されたCoWP膜とを含む積層膜であってもよい。CoWP膜は、拡散防止のためのキャップ膜の一例である。図2に示すように、基板Wの表面上には、層間絶縁膜25が形成されている。層間絶縁膜25には、下配線溝26がその上面から掘り下げて形成されている。下配線溝26には、銅配線27が埋設されている。層間絶縁膜25上には、エッチストッパ膜28を介して、被加工膜の一例としての低誘電率絶縁膜29が積層されている。低誘電率絶縁膜29には、上配線溝30がその上面から掘り下げて形成されている。さらに、低誘電率絶縁膜29には、上配線溝30の底面から銅配線27の表面に達するヴィアホール31が形成されている。上配線溝30およびヴィアホール31には、銅が一括して埋め込まれる。上配線溝30およびヴィアホール31は、低誘電率絶縁膜29上にハードマスクが形成された後、ドライエッチング処理が行われ、低誘電率絶縁膜29におけるハードマスクから露出した部分が除去されることにより形成される。上配線溝30およびヴィアホール31が形成された後、アッシング処理が行われ、低誘電率絶縁膜29上から不要となったハードマスクが除去される。ドライエッチング時およびアッシング時には、低誘電率絶縁膜29やハードマスクの成分を含む反応生成物ポリマー残渣が、低誘電率絶縁膜29の表面上配線溝30およびヴィアホール31の内面を含む。などに付着する。そのため、アッシング後には、基板Wの表面にポリマー除去液を供給して、低誘電率絶縁膜29の表面からポリマー残渣を除去するポリマー除去工程が行われる。以下では、このような基板Wの表面からポリマー残渣を除去する処理の一例について説明する。図3は、基板処理装置1によって行われる基板Wの処理の一例を説明するための工程図である。図4は、基板Wの処理の一例が行われているときの状態を示す模式的な側面図である。図5は、基板Wの処理の一例が行われているときの基板処理装置1の動作を示すタイムチャートである。基板Wが処理されるときには、制御装置6は、各ノズル3~5をスピンチャック2の上方から退避させている状態で、図示しない搬送ロボットによって基板Wをスピンチャック2上に載置させる。これにより、デバイス形成面である表面が上に向けられた状態で、基板Wがスピンチャック2によって水平に保持される。次に、薬液たとえば、希フッ酸を基板Wに供給して、基板Wの上面全域を覆う薬液の液膜を形成する第1薬液工程が行われるS1。図3参照。具体的には、図4に示すように、制御装置6は、スピンモータ8によってスピンチャック2に保持されている基板Wを第1薬液速度Xたとえば、100~500rpmまで加速させて、第1薬液速度Xで基板Wを回転させる。さらに、制御装置6は、第1ノズル移動機構13によってスキャンノズル3を中心位置に移動させる。その後、図5に示すように、制御装置6は、第1薬液バルブ9を開いて、スキャンノズル3から薬液を吐出させる。そして、制御装置6は、スキャンノズル3から薬液を吐出させながら、第1ノズル移動機構13によってスキャンノズル3を中心位置と周縁位置とで複数回往復させる。スキャンノズル3から吐出された薬液は、基板Wの上面に着液し、基板Wの回転による遠心力によって外方に広がる。これにより、薬液の液膜が基板W上に形成され、基板Wの上面全域が、薬液の液膜に覆われる。図4に示すように、制御装置6は、第1薬液バルブ9を開いてから第1薬液時間T1たとえば、5~30秒が経過すると、スキャンノズル3が中心位置に位置している状態で第1薬液バルブ9を閉じて、スキャンノズル3からの薬液の吐出を停止させる。これにより、基板Wへの薬液の供給が停止される。次に、リンス液たとえば、純水を基板Wに供給して、薬液の液膜を基板Wの上面全域を覆うリンス液の液膜に置換するpH調整工程が行われるS2。図3参照。具体的には、図4に示すように、制御装置6は、第1薬液バルブ9を閉じるのに連続して、基板Wの回転を、第1薬液速度Xより高速のpH調整速度Yたとえば、300~1000rpmまで加速させる。さらに、制御装置6は、第1薬液バルブ9を閉じるのに連続して、第1リンス液バルブ11を開いて、スキャンノズル3からリンス液を吐出させる。そして、制御装置6は、スキャンノズル3からリンス液を吐出させながら、第1ノズル移動機構13によってスキャンノズル3を中心位置と周縁位置とで複数回往復させる。制御装置6は、第1リンス液バルブ11を開いてから、第1薬液時間T1よりも短いpH調整時間T2たとえば、5~30秒が経過すると、スキャンノズル3が中心位置に位置している状態で第1リンス液バルブ11を閉じて、スキャンノズル3からのリンス液の吐出を停止させる。これにより、基板Wへのリンス液の供給が停止される。図5に示すように、スキャンノズル3から吐出されたリンス液は、基板Wの上面全域が薬液の液膜に覆われている状態で基板Wに供給される。そのため、基板W上の薬液が、リンス液によって押し流され、基板Wの周囲に排出される。これにより、薬液の液膜がリンス液の液膜によって置換され、基板Wの上面全域が、リンス液の液膜に覆われる。さらに、基板Wが第1薬液速度Xより高速で回転している状態で、リンス液が基板Wに供給されるので、第1薬液速度Xで基板Wが回転しているときよりも大きな遠心力が基板W上の液体に加わり、基板W上の薬液がリンス液によって瞬時に置換される。そのため、薬液およびリンス液の両方の液膜によって基板Wの上面が覆われている時間が短縮され、基板Wの上面の一部だけが薬液によって処理されることを抑制できる。次に、薬液たとえば、希フッ酸を基板Wに供給して、リンス液の液膜を基板Wの上面全域を覆う薬液の液膜に置換する第2薬液工程が行われるS3。図3参照。具体的には、図4に示すように、制御装置6は、第1リンス液バルブ11を閉じるのに連続して、基板Wの回転を、第1薬液速度Xと等しい第2薬液速度Xまで減速させる。さらに、制御装置6は、第1リンス液バルブ11を閉じるのに連続して、第1薬液バルブ9を開いて、スキャンノズル3から薬液を吐出させる。そして、制御装置6は、スキャンノズル3から薬液を吐出させながら、第1ノズル移動機構13によってスキャンノズル3を中心位置と周縁位置とで複数回往復させる。制御装置6は、第1薬液バルブ9を開いてから、第1薬液時間T1と等しい第2薬液時間T1が経過すると、スキャンノズル3が中心位置に位置している状態で第1薬液バルブ9を閉じて、スキャンノズル3からの薬液の吐出を停止させる。これにより、基板Wへの薬液の供給が停止される。図5に示すように、スキャンノズル3から吐出された薬液は、基板Wの上面全域がリンス液の液膜に覆われている状態で基板Wに供給される。そのため、基板W上のリンス液が、薬液によって押し流され、基板Wの周囲に排出される。これにより、リンス液の液膜が薬液の液膜によって置換され、基板Wの上面全域が、薬液の液膜に覆われる。したがって、基板Wの上面全域に薬液が供給される。基板Wに付着しているパーティクルは、薬液との反応によって基板Wから剥がれる。また、基板Wに付着しているパーティクルは、薬液との反応によって剥がれた基板Wの一部と共に基板Wから剥がれるリフトオフ。このようにして、基板Wからパーティクルが除去される。次に、薬液の供給とリンス液の供給とを複数回行う繰り返し工程図3参照が行われる。具体的には、制御装置6は、第2薬液工程S3の後、前述のpH調整工程S2と同様に、リンス液を基板Wに供給して、薬液の液膜を基板Wの上面全域を覆うリンス液の液膜に置換する。その後、制御装置6は、前述の第2薬液工程S3と同様に、薬液を基板Wに供給して、リンス液の液膜を基板Wの上面全域を覆う薬液の液膜に置換する。すなわち、制御装置6は、第1薬液工程S1の後、pH調整工程S2から第2薬液工程S3までの1つのサイクルを複数回たとえば、2回行う。したがって、基板W上の液膜は、薬液の液膜とリンス液の液膜とに交互に入れ替わる。そのため、基板W表面や基板Wに付着している異物のpHが、6より小さい値と6以上の値とに交互に変化する。次に、リンス液たとえば、純水を基板Wに供給して、基板W上の薬液を洗い流すリンス工程が行われるS4。図3参照。具体的には、図4に示すように、制御装置6は、第1薬液バルブ9を閉じるのに連続して、基板Wの回転を、第1薬液速度Xより高速のリンス速度まで加速させる。さらに、制御装置6は、第1薬液バルブ9を閉じるのに連続して、第1リンス液バルブ11を開いて、スキャンノズル3からリンス液を吐出させる。そして、制御装置6は、スキャンノズル3からリンス液を吐出させながら、第1ノズル移動機構13によってスキャンノズル3を中心位置と周縁位置とで複数回往復させる。スキャンノズル3から吐出されたリンス液は、基板Wの上面全域が薬液の液膜に覆われている状態で基板Wに供給される。これにより、薬液の液膜がリンス液の液膜によって置換され、基板Wの上面全域が、リンス液の液膜に覆われる。図4に示すように、制御装置6は、第1リンス液バルブ11を開いてから、第1薬液時間T1およびpH調整時間T2よりも長く、pH調整時間T2の合計時間よりも長いリンス時間T3が経過すると、第1リンス液バルブ11を閉じて、スキャンノズル3からのリンス液の吐出を停止させる。これにより、基板Wへのリンス液の供給が停止される。次に、基板Wを乾燥させる乾燥工程スピンドライが行われるS5。図3参照。具体的には、制御装置6は、スピンモータ8によって、基板Wの回転を、pH調整速度およびリンス速度より高速の乾燥速度たとえば数千rpmまで加速させる。これにより、基板Wに付着しているリンス液に大きな遠心力が加わり、当該リンス液が基板Wの周囲に振り切られる。このようにして、基板Wからリンス液が除去され、基板Wが乾燥する。制御装置6は、基板Wの高速回転を開始させてから、pH調整時間T2よりも長い乾燥時間が経過すると、スピンモータ8によって基板Wの回転を停止させる。その後、制御装置6は、各ノズル3~5をスピンチャック2の上方から退避させた状態で、搬送ロボットによって基板Wをスピンチャック2から搬出させる。図6は、液体のpHとこの液体に浸漬されたパーティクルのゼータ電位zetapotentialとの関係を示すグラフである。図7は、パーティクルと基板Wとの間に生じる最大反発エネルギーについて説明するための表である。図8は、基板Wの処理の一例が行われているときのパーティクルのゼータ電位の変化を示すタイムチャートである。図9は、実施例および比較例のパーティクルの除去率について説明するための表である。Siケイ素、PSLポリスチレンラテックス、Si3N4窒化ケイ素、およびSiO2二酸化ケイ素などの粒子は、基板W表面に付着しているパーティクルの代表例である。また、Si、およびSiO2は、基板W表面を形成する物質の代表例である。各パーティクルが液体中に浸漬されている場合、各パーティクルのゼータ電位は、液体のpHに応じて変化する。具体的には、図6に示すように、pHが6~8の中性領域、およびpHが8より大きいアルカリ性領域では、いずれのパーティクルもゼータ電位が0以下である。これに対して、pHが6より小さい酸性領域でのPSLおよびSi3N4のゼータ電位□および△参照は、正であり、pHの低下に伴って大きくなる傾向にある。また、酸性領域pH<6の領域でのSiのゼータ電位◇参照は、負であるものの、pHの低下に伴って増加する傾向にある。SiO2○参照については、pHが4以下の領域では、ゼータ電位が正であるものの、その絶対値は小さい。このように、基板W表面がSiまたはSiO2によって形成されている場合、基板W表面のゼータ電位は、負またはほぼ0であるのに対し、パーティクルのゼータ電位は、液体のpHに応じて正または負に変化するので、パーティクルと基板Wとの間に引力が働く場合と、反発力斥力が働く場合とがある。図7は、基板W上の液体のpHが、3または7であり、基板W表面が、SiまたはSiO2によって形成されており、基板W表面に付着しているパーティクルが、Si、SiO2、およびSi3N4のいずれかの粒子である場合に、パーティクルと基板Wとの間に働く最大反発エネルギーの大きさを示している。図7の上段に示すように、基板W上の液体が、フッ酸、SPM、およびSC2のいずれかであり、pHが、3である場合、パーティクルと基板Wとの間に働く最大反発エネルギーは、0×10-18Jまたは1×10-18Jであり、非常に小さい。一方、図7の下段に示すように、基板W上の液体が、純水であり、pHが、7である場合、パーティクルと基板Wとの間に働く最大反発エネルギーは、pHが3の場合よりも大きい。そのため、基板W上のパーティクルは、基板Wから剥がれ易い状態にある。前述の基板Wの処理の一例では、pHが6より小さい酸性薬液の一例である希フッ酸と、pHが6以上のpH調整液の一例である純水とが、交互に基板Wに供給される。そのため、図8に示すように、基板W上のパーティクルのゼータ電位は、正と負とに交互に入れ替わる。したがって、パーティクルが基板Wから剥がれ易い状態で薬液が基板Wに供給され、基板Wからのパーティクルの脱離が促進される。これにより、パーティクルが効率的に除去される。具体的には、図9の実施例に示すように、希フッ酸の供給供給時間=20秒、第1薬液工程→純水の供給供給時間=5秒、pH調整工程→希フッ酸の供給供給時間=20秒、第2薬液工程→純水の供給供給時間=5秒、pH調整工程→希フッ酸の供給供給時間=20秒、第2薬液工程→純水の供給供給時間=20秒、リンス工程→乾燥工程の順番で、基板Wを処理した場合、パーティクルの除去率は、32.5であった。一方、図9の比較例に示すように、希フッ酸の供給供給時間=60秒、第1薬液工程→純水の供給供給時間=30秒、リンス工程→乾燥工程の順番で、基板Wを処理した場合、パーティクルの除去率は、-14.3であった。すなわち、薬液の供給を中断して、薬液の液膜を純水の液膜に置換しなかった場合、パーティクルの除去率は、-14.3であった。負の除去率は、パーティクルが増加していることを意味する。したがって、比較例に示す条件で基板Wを処理した場合、処理液中に含まれるパーティクルや、空気中を浮遊するパーティクルが基板Wに付着して、パーティクルの数が増加したと考えられる。一方、実施例に示す条件で基板Wを処理した場合、希フッ酸の合計供給時間が比較例と同じ60秒にも拘わらず、除去率が、比較例よりも大きい。したがって、パーティクルが効率的に除去されている。以上のように本実施形態では、pHが6より小さい酸性薬液たとえば、希フッ酸が基板Wに供給され、基板Wの上面全域を覆う酸性薬液の液膜が形成される。そして、基板Wの上面全域が酸性薬液の液膜に覆われている状態、つまり、基板Wの上面全域が露出していない状態で、pHが6以上のpH調整液たとえば、純水が基板Wに供給される。これにより、酸性薬液が基板W上から排出され、酸性薬液の液膜が、基板Wの上面全域を覆うpH調整液の液膜に置換される。そして、基板Wの上面全域がpH調整液の液膜に覆われている状態で、再び、酸性薬液が基板Wに供給される。酸性薬液の液膜がpH調整液の液膜に置換されることにより、基板Wの上面内の至るところでpHが、6より小さい値から6以上に変化する。したがって、基板W上のパーティクルのゼータ電位が変化し、パーティクルが基板Wから剥がれ易い状態になる。そのため、酸性薬液は、パーティクルが基板Wから剥がれ易い状態で基板Wに供給される。これにより、基板Wからのパーティクルの脱離が促進される。さらに、基板Wへのパーティクルの再付着が抑制または防止される。したがって、基板Wの清浄度を高めることができる。本発明の実施形態の説明は以上であるが、本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。たとえば、前述の実施形態では、pH調整工程での基板へのリンス液の供給時間が、第1薬液工程および第2薬液工程での基板への薬液の供給時間よりも短い場合について説明した。しかし、pH調整工程でのリンス液の供給時間は、各薬液工程での薬液の供給時間と等しくてもよいし、長くてもよい。また、前述の実施形態では、pH調整工程での基板の回転速度pH調整速度が、第1薬液工程および第2薬液工程での基板の回転速度第1薬液速度および第2薬液速度より高速である場合について説明した。しかし、pH調整速度は、第1薬液速度および第2薬液速度と等しくてもよいし、第1薬液速度および第2薬液速度より低速であってもよい。さらに、前述の実施形態では、第1薬液速度および第2薬液速度が等しい場合について説明したが、第1薬液速度および第2薬液速度は、異なっていてもよい。また、図4において二点鎖線で示すように、基板上の液体の置換を促進させるために、pH調整工程の一部の期間だけ、基板の回転速度を上昇させて、置換が完了した後に、基板の回転速度を元の速度まで低下させてもよい。すなわち、pH調整工程は、基板の回転速度をpH調整速度まで加速させながらpH調整液を基板に供給する加速工程と、pH調整速度で基板を定速回転させながらpH調整液を基板に供給する定速工程と、基板の回転速度を加速前の速度まで減速させながらpH調整液を基板に供給する減速工程とを含んでいてもよい。第1薬液工程および第2薬液工程についても同様である。また、前述の実施形態では、薬液およびリンス液が、共通のスキャンノズルから基板に供給される場合について説明した。しかし、薬液は、固定ノズルから基板に供給されてもよいし、二流体ノズルから基板に供給されてもよい。リンス液についても同様である。さらに、薬液用のスキャンノズルとリンス液用のスキャンノズルとが設けられ、薬液およびリンス液が、別々のスキャンノズルから基板に供給されてもよい。固定ノズルおよび二流体ノズルについても同様である。さらに、薬液およびリンス液に運動エネルギーを与えるノズルは、二流体ノズルに限らず、超音波振動子を備える超音波ノズルであってもよい。また、前述の実施形態では、pH調整工程と、第2薬液工程とが繰り返される場合について説明したが、pH調整工程および第2薬液工程が繰り返されず、最初の第2薬液工程が行われた後に、リンス工程および乾燥工程が行われてもよい。また、前述の実施形態では、第1薬液工程が最初に行われる場合について説明したが、第1薬液工程が行われる前に、基板の上面全域を覆うpH調整液の液膜を形成するpH調整工程第1pH調整工程が行われてもよい。すなわち、pH調整工程第1pH調整工程、第1薬液工程、pH調整工程第2pH調整工程、および第2薬液工程の順番で処理が行われてもよい。また、前述の実施形態では、パターンが形成された基板が処理される場合について説明したが、処理対象の基板は、パターンが形成されていない基板ベアウエハであってもよい。また、基板の処理は、ポリマー残渣などの異物を基板から除去する洗浄に限らず、基板薄膜が形成されている場合には、薄膜を含むのエッチングであってもよい。また、前述の実施形態では、基板処理装置が、円板状の基板を処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置は、液晶表示装置用基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。