一対の電極間に配置され、少なくとも発光層を含む有機化合物層が2次元に配列されてなる発光領域を備える有機EL表示装置の製造方法において、前記発光領域全体に水に不溶である有機化合物層を形成する工程と、前記有機化合物層上に、水溶性材料を含む保護層を所定のパターン形状にて形成する工程と、前記保護層に覆われていない領域に形成されている有機化合物層を除去する工程と、前記保護層を除去する工程と、前記有機化合物層を乾燥する工程と、前記有機化合物層上に、少なくとも発光領域を含む領域に共通層を形成する工程と、を含み、前記有機化合物層を乾燥する工程から前記共通層を成膜する工程までの工程を真空中で行うことを特徴とする、有機EL表示素子の製造方法。前記共通層が、少なくともアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む層であることを特徴とする、有請求項1に記載の機EL表示装置の製造方法。前記保護層を除去する工程から前記有機化合物層を乾燥する工程までの工程を、連続したチャンバー内で行うことを特徴とする、請求項1又は2に記載の有機EL表示素子の製造方法。前記共通層が、有機化合物層と、アルカリ金属化合物からなる層との積層体であることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の有機EL表示素子の製造方法。前記共通層が、金属とアルカリ金属又はアルカリ土類金属の化合物とからなる層であることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の有機EL表示素子の製造方法。前記保護層が、水溶性材料からなる層であり、かつ、インクジェット法により所定の画素領域部分にのみ形成される層であることを特徴とする、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の有機EL表示素子の製造方法。前記保護層が、フッ化リチウムからなる層であり、所定の画素領域部分以外の部分にレーザを照射することで前記有機化合物層を除去することを特徴とする、請求項1に記載の有機EL表示素子の製造方法。一対の電極間に配置され、少なくとも発光層を含む有機化合物層が2次元に配列されてなる発光領域を備える有機EL表示装置の製造装置であって、前記有機化合物層を乾燥させるための乾燥室と、前記有機化合物層上に共通層を形成するための成膜室と、を備え、前記乾燥室と前記成膜室とが、真空ポンプによる真空排気が可能であることを特徴とする、有機EL表示装置の製造装置。さらに保護層を除去するための水洗処理室を備え、前記水洗処理室が、真空ポンプによる真空排気が可能であり、前記水洗処理室と前記乾燥室とが、搬入室を介して連結されていることを特徴とする、請求項8に記載の有機EL表示素子の製造装置。ところで、特許文献1にて示されたプロセスでは、パターニングされた複数色の有機化合物層上に設けたレジストをアセトン等の溶剤を使って除去している。そしてレジストを除去する際に使用した溶剤は、有機化合物層が形成されている基板を100°C程度に加熱してベーク処理を行うことで溶剤を揮発させている。しかし特許文献1には、溶剤を揮発させる雰囲気については何ら示されておらず、共通電極を成膜までのプロセスにおいて空気中の水分あるいは不純物が有機化合物層上に付着する可能性がある。ここで有機化合物層上に付着し得る不純物は、素子の発光効率あるいは耐久特性を悪化させる原因になる。一方、特許文献2においてはパターニング後に水溶性材料からなる保護層を除去するプロセスが開示されている。しかし特許文献2には、保護層を除去した後において必要となる水分除去の具体的工程については示されていない。ここで有機化合物層上に水分が残存した状態でそのまま共通電極を成膜すると、有機化合物層上に残留した水分が発光効率や耐久特性に悪影響を与えるという問題が生じる。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、高効率、高寿命かつ高精細な有機EL表示装置を得るための製造方法を提供することにある。本発明の、有機EL表示装置の製造方法は、一対の電極間に配置され、少なくとも発光層を含む有機化合物層が2次元に配列されてなる発光領域を備える有機EL表示装置の製造方法において、前記発光領域全体に水に不溶である有機化合物層を形成する工程と、前記有機化合物層上に、水溶性材料を含む保護層を所定のパターン形状にて形成する工程と、前記保護層に覆われていない領域に形成されている有機化合物層を除去する工程と、前記保護層を除去する工程と、前記有機化合物層を乾燥する工程と、前記有機化合物層上に、少なくとも発光領域を含む領域に共通層を形成する工程と、を含み、前記有機化合物層を乾燥する工程から前記共通層を成膜する工程までの工程を真空中で行うことを特徴とする。本発明によれば、高効率、高寿命かつ高精細な有機EL表示装置を得るための製造方法を提供することができる。即ち、本発明の製造方法は、有機化合物層の乾燥工程真空条件下で加熱することによる有機化合物層上の水分除去工程から共通電極成膜までの工程を真空中で行う。これにより本発明では、有機化合物層の乾燥工程で一旦吸着された水分を有機化合物層から除去した後、当該有機化合物層中に残留水分や不純物を再度取り込まないようにすることができる。このため本発明の製造方法を行うことにより、高効率、高寿命の有機EL表示装置を製造することができる。また有機化合物層の乾燥工程において、真空条件下で加熱を行うことにより、基板全体からも万遍なく水分の除去が可能である。従って、欠陥のない表示パネルを製造することができる。本発明の有機EL表示装置の製造方法は、一対の電極間に配置され、少なくとも発光層を含む有機化合物層が2次元に配列されてなる有機EL表示装置を製造する方法である。ここで本発明の有機EL表示装置の製造方法は、下記A乃至Fに示すプロセスを有している。A基板上の発光領域全体に、水に不溶である有機化合物層を形成する工程B有機化合物層上に、水溶性材料を含む保護層を所定のパターン形状にて形成する工程C保護層に覆われていない領域に形成されている有機化合物層を除去する工程D保護層を除去する工程E有機化合物層を乾燥する工程F有機化合物層上に、少なくとも発光領域を含む領域に共通層を形成する工程本発明において、有機化合物層を乾燥する工程工程Eから共通層を成膜する工程工程Fまでの工程は、真空中で行われる。尚、各プロセスの詳細については、後述する。以下、図面を参照しながら、本発明の有機EL表示装置の製造方法について詳細に説明する。図1は、本発明の有機EL表示装置の製造方法によって製造される有機EL表示装置の第1の例を示す断面模式図である。尚、図1の有機EL表示装置1は、基板10とは反対側から光を取り出すトップエミッション型の有機EL表示装置であるが、本発明の製造方法は、基板側から光を取りだすボトムエミッション型の有機EL表示装置でも適用可能である。図1の有機EL表示装置1は、3種類の有機EL素子を1組として、この1組の有機EL素子が2次元的に配列されてなる表示装置である。また画像データに応じた電気制御により点灯又は消灯を行うことにより、図1の有機EL表示装置1は画像表示を行うことができる。図1の有機EL表示装置1には、青色有機EL素子と、緑色有機EL素子と、赤色有機EL素子と、がそれぞれ設けられている。ここで青色有機EL素子は、基板10上に、下部電極11a、正孔輸送層12a、発光層13a、電子輸送層14a、電子注入層15及び上部電極16がこの順で設けられている。尚、以下の説明において、青色有機EL素子に含まれる電極下部電極11a、上部電極16及び電子注入層15以外の各層12a、13a、14a等で構成されている積層体を、青色有機化合物層2aと呼ぶことがある。また緑色有機EL素子は、基板10上に、下部電極11b、正孔輸送層12b、発光層13b、電子輸送層14b、電子注入層15及び上部電極16がこの順で設けられている。尚、以下の説明において、緑色有機EL素子に含まれる電極下部電極11b、上部電極16及び電子注入層15以外の各層12b、13b、14b等で構成されている積層体を、緑色有機化合物層2bと呼ぶことがある。また赤色有機EL素子は、基板10上に、下部電極11c、正孔輸送層12c、発光層13c、電子輸送層14c、電子注入層15及び上部電極16がこの順で設けられている。尚、以下の説明において、赤色有機EL素子に含まれる電極下部電極11c、上部電極16及び電子注入層15以外の各層12c、13c、14c等で構成されている積層体を、赤色有機化合物層2cと呼ぶことがある。尚、有機化合物層2a、2b、2cは、それぞれ発光層13a、13b、13cを有していれば、その層構成は特に限定されるものではない。ここで有機化合物層2a、2b、2cに含まれ得る層としては、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層等が挙げられる。図1の有機EL表示装置1に含まれる有機EL素子は、下記i乃至iiiのプロセスを経て光を発する。i下部電極11a11b、11cと上部電極16との間で電流を通電するiiプロセスiにより各電極から注入された正孔と電子とが発光層13a13b、13cにおいて再結合するiii正孔と電子との再結合により生成した励起子が基底状態に戻る即ち、上記プロセスiiiにおいて励起子が基底状態に戻る際に発光が生じる。次に、図1の有機EL表示装置1の構成部材についてそれぞれ詳しく説明する。トップエミッション型の有機EL表示装置では、下部電極11a11b、11cは、反射性電極である。ここで反射性電極の構成材料としては、導電性を有し、かつ反射率の高い材料が使用される。例えば、銀、アルミニウム等の金属材料が使用される。尚、反射性電極は、銀、アルミニウムを主成分とする金属材料からなる層と、インジウム錫酸化物ITO、インジウム亜鉛酸化物等の透明導電性材料からなる層とを積層してなる積層電極としてもよい。また図1の有機EL表示装置1において、下部電極11a11b、11cは、それぞれ素子ごとに個別に設けられる電極陽極として機能する。正孔輸送層12a12b、12cは、陽極下部電極11a11b、11cから注入された正孔を発光層13a13b、13cへ輸送する役割を担う。尚、必要に応じて陽極である下部電極11a11b、11cと正孔輸送層12a12b、12cとの間に、銅フタロシアニンや酸化バナジウム等からなる正孔注入層を介在層として設けてもよい。また、必要に応じて正孔輸送層12a12b、12cと発光層13a13b、13cとの間に、最低空軌道LUMOエネルギーの絶対値が小さい電子ブロック層を介在層として設けてもよい。正孔注入輸送性能を有する低分子及び高分子材料としては、トリフェニルジアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ポリフィリル誘導体、スチルベン誘導体、及びポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン、その他導電性高分子が挙げられる。ただし本発明は、これらに限定されるものではない。発光層13a13b、13cの構成材料としては、公知の発光材料を好適に用いることができる。尚、発光層13a13b、13cは、発光材料のみからなる層であってもよいし、ホストとドーパント発光ドーパント、電荷輸送ドーパント等とからなる層であってもよい。電子輸送層14a14b、14cの構成材料としては、公知の材料、例えばフェナントロリン化合物等を用いることができる。尚、必要に応じて発光層13a13b、13cと電子輸送層14a14b、14cとの間に、最高被占軌道HOMOエネルギーの絶対値が大きい材料からなる正孔ブロック層を介在層として形成してもよい。本発明においては、有機化合物層2a、2b、2cを構成する正孔輸送層12a12b、12c、発光層13a13b、13c及び電子輸送層14a14b、14cの構成材料は、それぞれ極性が弱く、水に不溶の材料である。図1の有機EL表示装置1において、電子注入層15は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む膜厚10Å乃至1000Åの薄膜層である。ところで電子注入層15においては、陰極からの電子の注入効率を向上させるために、電子注入層15内に、仕事関数の低い金属もしくはその化合物をドーパント等の形で含まれていることが好ましい。ここで仕事関数が低い金属として、好ましくは、アルカリ金属やアルカリ土類金属である。またアルカリ金属化合物は、大気中での取り扱いが比較的容易であるためより好ましい。ここで電子注入層15の構成材料として使用されるアルカリ金属化合物として、好ましくは、セシウム化合物である。またセシウム化合物の中でも炭酸セシウムが好ましい。炭酸セシウムは大気中で安定であり、取り扱いが容易である上、有機EL素子の駆動電圧を5V程度と低く抑えることができるからである。一方、セシウム化合物以外のアルカリ金属化合物として、好ましくは、フッ化リチウムLiF、フッ化カリウムKF等が挙げられる。アルカリ土類金属を含む電子注入層として、カルシウム、マグネシウム合金などが好適に用いられる。また電子注入層15は、ホストである有機化合物と、ドナー電子供与性ドーパントであるアルカリ金属やアルカリ土類金属とを混合してなる層とすると層自体の膜厚を厚くすること厚膜化が可能となる。ここでホストとなる有機化合物としては、電子輸送性の材料が好ましい。ここで電子輸送性の材料として、公知の材料を使用することができ、例えば、アルミキノリノール錯体やフェナントロリン化合物等を用いることができる。トップエミッション型の有機EL表示装置においては、上部電極16は、光透過性を有する電極である。具体的には、半透明性電極及び透明電極が挙げられる。ここで半透明性電極とは、金属材料からなる薄膜を5nm以上40nm未満の膜厚で成膜することによって形成される電極である。半透明性電極の構成材料となる金属材料として、金、白金、銀、アルミニウム、クロム、マグネシウム等の金属単体又はこれらを複数種組み合わせた合金が挙げられる。この中でも、特に、導電率と反射率が高い銀又は銀の合金が好ましい。また半透明性電極の膜厚を5nm以上40nm未満に設定することにより、半透明性電極が共振器構造として機能するのに十分な反射率が得られる。一方で、青色のEL発光波長ピーク波長460nm近辺に対して吸収による光ロスを抑え、良好な光取りだし効率を得ることができる。また上部電極16として透明電極を採用する場合は、インジウム亜鉛酸化物等の透明導電性材料を使うことができる。ところで、図1の有機EL表示装置1は、発光層13a13b、13cへ向けて電子を注入する部材層構成として、電子注入層15と上部電極16とがこの順で積層されている構成を採用している。しかし本発明において、発光層13a13b、13c向けて電子を注入する部材層構成としては、電子注入層15と上部電極16との積層体に限定されるものではない。例えば、電子注入層15及び上部電極16の機能を兼ね備える単一の層を上記積層体の代わりに採用してもよい。尚、当該単一の層を採用する場合、電子注入性の機能を発揮させるために、当該単一の層にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含ませる。次に、本発明の有機EL表示装置の製造方法について説明する。既に説明したように、本発明の有機EL表示装置の製造方法は、下記A乃至Fに示すプロセスを有している。A基板上の発光領域全体に、水に不溶である有機化合物層を形成する工程B有機化合物層上に、水溶性材料を含む保護層を所定のパターン形状にて形成する工程C保護層に覆われていない領域に形成されている有機化合物層を除去する工程有機化合物層の加工工程D保護層を除去する工程E有機化合物層を乾燥する工程F有機化合物層上に、少なくとも発光領域を含む領域に共通層を形成する工程以下に、図面を適宜参照しながら各プロセスについて説明する。図2は、本発明の有機EL表示装置の製造方法における第1の実施形態を示す断面模式図である。尚、図2に示される実施形態は、図1の有機EL表示装置1の製造プロセスを示している。1下部電極の形成工程まず基板10上に、下部電極反射電極11a11b、11cをパターニング形成する。パターニングの方法としては、公知の方法を採用することができる。尚、下部電極11a11b、11cが基板10上に予め設けられている電極付基板を用意することができる場合は、この工程を省略することができる。2有機化合物層の形成工程工程A次に、基板10あるいは下部電極11a11b、11c上に、有機化合物層を形成する。本発明において、有機化合物層の形成方法は特に限定されないが、好ましくは、真空雰囲気中で成膜する方法である。また有機化合物層の形成方法として、具体的には、基板10あるいは下部電極11a11b、11c上に、正孔輸送層12、青色発光層13a、電子輸送層14を順次発光領域全体に成膜する図2a。ここで正孔輸送層12、青色発光層13a及び電子輸送層14の構成材料は、上述したように極性が弱く、水に不溶の材料である。この材料選択により、後のプロセスで使用される水によって有機化合物層が溶解されることはない。3保護層の形成工程工程B次に、パターニング用の保護層20を設ける。この保護層20は有機化合物層のパターニングの際にマスクとして利用するもので、有機化合物層のパターニングの方法によってその層構成が異なる。ここで保護層のパターニングの方法としては、フォトリソグラフィー法、インクジェット法、レーザパターニング法等が挙げられる。ただし本発明において、有機化合物層のパターニングの方法はこれらに限定されるものではない。以下、フォトリソグラフィー法を採用する場合について説明する。尚、インクジェット法、レーザパターニング法を採用する方法については、実施例において詳細に説明する。フォトリソグラフィー法を採用する場合、保護層20として、2種類の保護層を積層する。具体的には、有機化合物層に近い側から順に、第1保護層21と、第2保護層22を積層し、さらにパターニング用のレジスト層23と、をこの順に積層する図2b。ただし保護層20の層構成は、第1保護層21、第2保護層22の2層構成に限定されるものではない。例えば、第1保護層21を省略した単層構成であってもよい。3-1第1保護層、第2保護層の成膜工程ここで第1保護層21は、水溶性材料からなる層である。第1保護層21を構成する水溶性材料は、水溶性であるとともに、成膜、除去が容易な材料であれば特に限定されるものではない。例えば、ポリビニルピロリドンPVP、ポリビニルアルコールPVA、ポリエチレングリコールPEG等の水溶性高分子材料、フッ化リチウム等の無機水溶性材料等が好適に用いられる。また第1保護層21の成膜方法は、特に限定されないが、水溶性高分子材料を使用する場合は、塗布法等の湿式成膜法が好ましく、無機水溶性材料を使用する場合は、蒸着法等の真空雰囲気中で行う成膜法が好ましい。また第2保護層22は、レジスト液フォトレジスト溶媒、フォトレジスト現像液、フォトレジスト剥離液に不溶な材料からなる層であり、具体的には、窒化ケイ素等の無機材料からなる層である。ここで第2保護層22は、フォトリソグラフィー法によるパターニングを行う際に、下層の有機化合物層等を現像液から保護できればよく、膜中に酸素あるいは水素が含まれていても構わない。また第2保護層22の成膜方法は、特に限定されないが、蒸着法等の真空雰囲気中で行う成膜法が好ましい。このため、有機化合物層から第2保護層22までを真空雰囲気中で連続成膜することは可能であり、またこの連続成膜が可能となれば、製造プロセスの簡略化につながるので有利である。ところで保護層をフォトリソグラフィー法によりパターニングを行う際には、一旦第1保護層21及び第2保護層22を発光領域全体に成膜するのが望ましい。3-2レジスト層の成膜工程上述した第1保護層21と第2保護層22とを順次成膜した後、第2保護層22上にレジスト層23を成膜する図2b。ここでレジスト層23を設ける前に、有機化合物層正孔輸送層12、青色発光層13a、電子輸送層14上に第2保護層22を成膜することにより、この有機化合物層がレジスト液によって溶解変形するのを防ぐことができる。3-3保護層の加工工程次に、第1保護層21と、第2保護層22と、レジスト層23と、からなる積層体を加工することにより、保護層20が所定のパターン形状にて形成される。フォトリソグラフィー法を利用して保護層20を所定のパターン形状にて形成する工程は、例えば、以下に示すプロセスからなる。3-3-1レジスト層23の露光工程図2c3-3-2レジスト層23の選択的除去工程3-3-3第2保護層22の加工選択的除去工程図2d3-3-4第1保護層21の加工選択的除去工程ここで工程3-3-1は、例えば、ネガ型のレジストを用いる場合、青色有機EL素子として指定された領域23aを選択的に露光する工程である。ここで工程3-3-2は、例えば、レジスト現像液を用いる方法や酸素ガスを用いたドライエッチング法によって行われる。ただし本発明においてはこれらの方法に限定されることはない。また工程3-3-3は、公知のドライエッチング法を採用することができる。尚、第2保護層22が窒化ケイ素からなる場合は、四フッ化炭素ガスCF4ガスを用いたドライエッチングを行うのが好ましい。また工程3-3-4は、パターニングされたレジスト層23と第2保護層22をマスクとして、例えば酸素ガスを用いたドライエッチング法を採用することができる。尚、保護層20を形成する際に第1保護層21の成膜を省略した場合は、本工程を行う必要がない。4有機化合物層青色有機化合物層2aの加工工程工程C次に、フォトリソグラフィー法に基づいて有機化合物層の加工を行う。尚、ここでいう加工とは、保護層20に覆われていない領域に形成されている有機化合物層を選択的に除去することをいう。有機化合物層の加工工程は、例えば、上記3-3-1乃至3-3-4の工程を経て所定のパターン形状にて形成された保護層20をマスクとして、工程3-3-4と同様に公知のドライエッチング法を採用して有機化合物層を加工する。上記工程3-3-1乃至3-3-4及び工程4を行うことで、図2eに示されるように、所定の領域、即ち、青色画素部分として指定した領域のみに青色有機化合物層2aを形成することができる。尚、工程4を終えた段階で有機化合物層青色有機化合物層2a上に設けられる第1保護層21及び第2保護層22は除去せずに残し、他の有機化合物層の形成工程から有機化合物層青色有機化合物層2aを保護するために用いる。5有機化合物層緑色有機化合物層2bの形成加工工程次に、緑色画素部分として指定した領域に、有機化合物層緑色有機化合物層2bを形成する。まず、正孔輸送層と、発光層13bと、電子輸送層と、からなる有機化合物層緑色有機化合物層2bを発光領域全体に成膜する。そして、上記3-3-1乃至3-3-4及び工程4と同様の工程を経て、所定の領域、即ち、緑色画素部分として指定した領域に選択的に緑色有機化合物層2bを形成することができる。尚、この工程において、有機化合物層緑色有機化合物層2bの加工を行う際には、少なくとも赤色画素部分として指定した領域にある有機化合物層を除去する必要がある。6有機化合物層赤色有機化合物層2cの形成加工工程次に、赤色画素部分として指定した領域に、有機化合物層赤色有機化合物層2cを形成する。正孔輸送層と、発光層13cと、電子輸送層と、からなる有機化合物層赤色有機化合物層2cを発光領域全体に成膜する。そして上記工程3-3-1乃至3-3-4及び工程4と同様の工程を経て、所定の領域、即ち、赤色画素部分として指定した領域のみに赤色有機化合物層2cを形成することができる。以上の工程により、所定の領域青、緑、赤の画素に対応した領域に各色の有機化合物層2a、2b、2cが選択的に形成されることになる図2f。尚、4乃至6に至る工程では、有機化合物層の成膜順を青、緑、赤として説明した。ただし、本発明においては有機化合物層の成膜順はこの順番に制限されるものではない。以上に説明した有機化合物層のパターニングを、フォトリソグラフィー法を利用して行う場合は、一般的なマスク露光機の数十μm以下の解像度という高い精細度で有機化合物層のパターニングを行うことが可能となる。このため、従来の高精細メタルマスクを使った方法と比べてより高精細の有機EL表示装置を作製することができる。7保護層の除去工程次に、保護層を除去する工程を行う。ここで第2保護層22を除去する場合は、例えば、ドライエッチングを利用して除去する。第2保護層22が窒化ケイ素からなる薄膜であればCF4によるドライエッチングを利用することができる図2g。また水溶性材料からなる第1保護層21を除去する場合は、水に浸漬することで除去できる図2h。ここで発光層、電子輸送層等の有機化合物層は水に不溶である。また有機化合物層の構成材料は水に漬けるだけでは分子構造が変質することはない。このため、第1保護層21を水に浸漬して除去した後は、次の工程で有機化合物層を乾燥させて有機化合物層の表面あるいは側面に付着した水分を除去すれば有機化合物層が有するEL特性は損なわれることはない。8有機化合物層の乾燥工程次に、有機化合物層を乾燥させて、有機化合物層の表面あるいは側面に付着した水分を極力除去しておく。本工程の次の工程になる共通層の形成工程は真空中でのプロセスとなる。ここで、本工程と次の工程共通層の形成工程との間で水分の再付着を避けるために、本工程では真空条件下で有機化合物層を有する基板を加熱して有機化合物層の表面あるいは側面に付着した水分を除去する。そして、真空状態を維持しながら、共通層を成膜する成膜室まで基板を搬送する。ここで有機化合物層の乾燥工程を行うチャンバー乾燥室と共通層の形成工程を行うチャンバー成膜室とは、搬送室等を設けることで空間的に閉鎖されている状態で連結されていれば、真空状態を維持したまま基板を搬送することは容易である。また有機化合物層の乾燥工程を行うチャンバーと共通層の形成工程を行うチャンバーとが空間的に閉鎖されている状態で連結されていなくても、真空排気が可能な搬送箱を用いて両チャンバー間を移動することで同様の効果を得ることができる。尚、ここでいう真空とは、簡易的な真空ポンプを用いて得ることのできる圧力を意味しており、具体的には1×103Pa以下の圧力である。1×103Pa以下の圧力に減圧することで、上記乾燥工程において有機化合物層内に吸着された水分が層内から除去された後、有機化合物層内に水分が再度取り込まれるのを抑制することができる。また103Pa以下の圧力に減圧し、さらに真空チャンバーに連結あるいは搬送箱を用いることで、上記乾燥工程後において有機化合物層上に異物が付着するのを抑制することができる。本工程において、有機化合物層の表面等に付着した水分を除去する際の加熱温度の範囲は、有機化合物層を構成する有機材料のガラス転移点を上限とし、50°Cを下限とする範囲である。ここで、有機材料のガラス転移点を超える温度で加熱すると有機化合物層が変質して所望の素子特性が得られない。一方で、加熱温度が50°Cよりも低いと、脱水効果が得られなくなることがある。また保護層の一部である水溶性材料からなる層を水洗して保護層を除去する工程を行った後、有機化合物層の乾燥工程までの工程においても閉鎖された空間内で基板を搬送させるのが好ましい。そうすれば、不純物の付着をより確実に回避することができる。9共通層の形成工程次に、有機化合物層上に、共通層15を形成する図2i。ここで言う共通層とは、フォトリソグラフィー法等のように保護層を用いたパターニングを行わない層を意味しており、複数の有機EL素子に跨って連続して形成される層のことである。共通層15の具体例としては、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む層電子注入層等が挙げられる。ここでアルカリ金属を含む層とは、アルカリ金属が、金属単体、合金を構成する一成分、酸化物やハロゲン化物等の化合物又はイオンの形で、対象となる層共通層15の中に含まれていることをいう。またアルカリ土類金属を含む層とは、アルカリ土類金属が、金属単体、合金を構成する一成分、酸化物やハロゲン化物等の化合物又はイオンの形で、対象となる層共通層15の中に含まれていることをいう。以下、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む層として、アルカリ金属化合物を含む共通層15の具体的な形成方法について説明する。アルカリ金属化合物を含む層は、例えば、真空成膜法にて形成される。ここでアルカリ金属化合物を含む層とは、具体的には、アルカリ金属化合物を含み、かつアルカリ金属イオンによる電子注入輸送機能を備える層である。また電子注入輸送機能を備える層とは、例えば、電子注入層、陰極等が挙げられる。電子注入層にアルカリ金属化合物が含まれる場合、電子注入層は、アルカリ金属化合物のみで構成されていてもよいし、アルカリ金属化合物と電子注入輸送性の有機化合物とから構成されていてもよい。また陰極にアルカリ金属化合物が含まれる場合、陰極は、例えば、アルカリ金属化合物と他の金属材料とからなる薄膜である。アルカリ土類金属を含む層についても同様である。10上部電極の形成工程アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む層を形成した後、上部電極を形成する。上部電極が陰極であり、アルカリ金属またはアルカリ土類金属が陰極として機能する場合は、上部電極を形成する必要はない。図1の有機EL表示装置1では、有機化合物層12、13、14上に共通層15電子注入層と、透明導電材料からなる上部電極16透明電極、陰極とがこの順に設けられている。図1の有機EL表示装置1においては、共通層15にアルカリ金属化合物が含まれている。尚、図1の有機EL表示装置1においては、共通入層15及び上部電極16が基板上に設けられた全画素において共通する層となっているが、本発明においてはこれに限定されるものではない。例えば、電子注入層及び上部電極16を複数の画素グループに分けて個別に形成してもよい。共通層15電子注入層及び上部電極16を形成した後、真空雰囲気あるいは水分量が制限された雰囲気内で、画素が設けられた発光領域を水分等から保護するための封止部材を設ける封止工程が行われる。ところで、アルカリ金属化合物を含む層の形成工程は、真空中でのプロセスとなるためこの工程で形成される共通層15電子注入層や上部電極16陰極は水に晒されることはない。さらにその後の封止工程も水分量が制限された雰囲気で行われるため、電子注入特性を損なうことなく各画素上に有機EL素子を形成することができる。ところで、5の工程有機化合物層青色有機化合物層の加工工程において、フォトリソグラフィー法の代わりにレーザパターニング法を用いることができる。ここでレーザパターニング法とは、例えば、フッ化リチウムからなる保護層を設けて、この保護層が設けられた領域画素領域部分以外の部分にレーザを照射し、当該レーザを照射した部分に形成された有機化合物層を除去することでパターニングを行う方法である。レーザパターニング法を用いた場合でも、一般的なマスク露光機の解像度でパターニングが可能である。このため、従来の高精細メタルマスクを使った場合に比べて高精細の有機EL表示素子が実現できる。また5の工程において、フォトリソグラフィー法の代わりにインクジェット法を用いることができる。ここでインクジェット法とは、保護層の形成の際に、インクジェットを用いて、所定の画素領域部分にのみ水溶性材料からなる保護層を形成する方法である。尚、有機化合物層の加工手段はフォトリソグラフィー法と同様の方法を用いることができる。インクジェット法を用いた場合でも、フォトリソグラフィー法やレーザパターニング法と同様に一般的なマスク露光機の解像度でパターニングが可能である。またインクジェット法を用いると、大面積のパターニングをより少ない工程で実施できるという効果を奏する。[実施例1]図3の有機EL表示装置3を、以下に説明する製造プロセスに従って作製した。尚、図3の有機EL表示装置3は、図1の有機EL表示装置1において、正孔輸送層12a、12b、12cと発光層13a、13b、13cとの間に電子ブロック層17a、17b、17cが介在層として設けられている。また発光層13a、13b、13cと電子輸送層14a、14b、14cとの間に正孔ブロック層18a、18b、18cが介在層として設けられている。即ち、各有機化合物層2a、2b、2cは、それぞれ正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層がこの順に積層されてなる積層体である。一方、製造プロセスの基本的な流れについては図2にて示されるものと同じである。ここで、本実施例で使用した材料の一部を下記に示す。1下部電極の形成工程スパッタリング法により、ガラス基板基板10上に、反射性電極11として、アルミニウム合金AlNdを成膜しアルミニウム合金膜を形成した。このときアルミニウム合金膜の膜厚を100nmとした。次に、スパッタリング法により、ITOを成膜しITO膜を成膜した。このときITO膜の膜厚を10nmとした。尚、上記アルミニウム合金膜とITO膜とからなる積層体は、下部電極11a、11b、11cとして機能する。次に、レジストパターニングにより、上記積層体を加工して、画素部分に対応した所定の領域に下部電極11a、11b、11cを形成した。さらに、この基板の表面に対してUV/オゾン洗浄を施した。2有機化合物層青色有機化合物層2aの形成工程次に、真空蒸着法を用いて、下部電極11a、11b、11c上に、式[1]に示される正孔輸送材料を成膜し、正孔輸送層12を形成した。このとき正孔輸送層12の膜厚を110nmとした。次に、式[2]に示される正孔輸送電子ブロック材料を成膜し電子ブロック層17を形成した。このとき電子ブロック層17の膜厚を10nmとした。次に、式[3]に示されるホストと、式[4]に示されるゲストとを、質量比が95:5となるように共蒸着して発光層13を形成した。このとき発光層13の膜厚を25nmとした。次に、発光層13上に、式[5]に示される電子輸送正孔ブロック材料を成膜し、正孔ブロック層18を形成した。このとき正孔ブロック層18の膜厚を10nmとした。次に、正孔ブロック層18上に、式[6]で示されるフェナントロリン化合物を成膜し電子輸送層14を形成した。このとき電子輸送層14の膜厚を10nmとした。3第1保護層、第2保護層の成膜工程次に、大気中にてスピンコート法により、電子輸送層14上に、ポリビニルピロリドンPVP5重量水溶液を塗布した後、110°Cのホットプレート上で水分を蒸発させることでPVP膜を成膜した。ここでPVP膜の膜厚は500nmであった。尚、PVP膜は、第1保護層21として機能する。次に、真空チャンバー内における化学気相成長法により、第1保護層21上に窒化ケイ素を成膜しSiN膜を成膜した。このときSiN膜の膜厚を1μmとした。尚、上記化学気相成長法を行う際の反応ガスとしては、SiH4、水素、窒素の混合ガスを用いた。また上記SiN膜は、第2保護層22として機能する。4レジスト層の成膜工程次に、フォトレジストポジ型をスピンコートしてレジスト層23を成膜した。5保護層の形成工程次に、成膜したレジスト層23をプリベークした後、画素パターンに応じたフォトマスクを用いて露光、現像、ポストベークを行った。この時のサブピクセルサイズは12μm×4μmであった。次に、残ったフォトレジストをマスクとして、CF4によるドライエッチングにより窒化ケイ素のエッチングを行った。次に、酸素ガスを用いてPVP膜のドライエッチングを行った。このとき、エッチングで使用した酸素ガスによって残っていたレジストも同時に除去された。6有機化合物層青色有機化合物層2aの加工工程次に、残った窒化ケイ素膜第二保護層22をマスクとして、酸素ガスを用いて有機化合物層のドライエッチングを行った。これにより、青色画素に相当する部分にのみ青色有機化合物層2aが選択的に形成された。7有機化合物層緑色有機化合物層2bの形成加工工程次に、発光層1313bに含まれる有機材料を緑に最適な材料とした上で、青色有機化合物層と同様の方法で成膜、パターニング工程を行うことで、下部電極11b上に、緑色有機化合物層2bが選択的に形成された。8有機化合物層赤色有機化合物層2cの形成加工工程次に、発光層1313cに含まれる有機材料を赤に最適な材料とした上で、青色有機化合物層と同様の方法で成膜、パターニング工程を行うことで、下部電極11c上に、赤色有機化合物層2cが形成された。これにより、青、緑、赤の3色分の有機化合物層が所定の画素所定の下部電極上に形成された。9保護層の除去工程次に、全体をCF4ガスによるドライエッチングにより有機化合物層2a、2b、2c上に設けられている第2保護層22を除去した。次に、基板全体を水に漬けて第1保護層21を除去した。10有機化合物層の乾燥工程次に、図4に示される装置30を用いて有機化合物層の乾燥工程以降の工程を行った。尚、図4の装置30において、搬送室36に連結された各チャンバー搬入室31、乾燥室32、第1成膜室33、第2成膜室34、封止作業室35は、真空ポンプ不図示によって真空排気が可能となっている。このため、搬送室36を経由すれば、基板10は真空雰囲気を維持したままチャンバー間を自由に移動することが可能である。まず基板10を、図4に示される搬入室31に入れた。尚、搬入室31は、基板10を投入した時点では大気圧にてベントされている。次に、搬入室31を含む装置30を構成する全ての室乾燥室32、第1成膜室33、第2成膜室34、封止作業室35、搬送室36内についてそれぞれ真空排気を行った。次に、仕切り弁不図示を開放して基板10を、搬入室31から搬送室36を経由して乾燥室32へ移動させた。次に、乾燥室32内にて、基板10を、乾燥室に設けられた加熱手段不図示により有機化合物層を構成する有機材料のガラス転移点よりも低い温度110°Cで加熱して、有機化合物層に含まれる水分を除去した。11アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む層共通層の形成工程次に、基板10を、搬送室36を経由して第1成膜室33へ搬送した後、式[6]で示されるフェナントロリン化合物と炭酸セシウムとを、層中のセシウム濃度が8.3質量となるように共蒸着して、電子注入層を形成した。このとき電子注入層の膜厚を15nmとした。尚、本実施例において、電子注入層は、共通層15として機能する。12上部電極の形成工程次に、基板10を、搬送室36を経由して第2成膜室34へ搬送した後、電子注入層15上に、加熱蒸着法により銀Agを成膜して、半透明性の上部電極16を形成した。このとき上部電極16の膜厚を16nmとした。13封止工程次に、基板10を、搬送室36を経由して封止作業室35へ搬送した後、窒素雰囲気下において封止ガラス不図示を基板に接着することにより素子劣化を防ぐ構造とした。以上のようにして有機EL表示装置を作製した。14有機EL表示装置の評価得られた有機EL表示装置について、画像を表示させたところ、赤:14cd/A、緑:45cd/A、青:3.5cd/Aの電流効率が得られた。これは、高精細メタルマスク蒸着を使って真空中で連続成膜した場合と同等の値である。一方、高精細化に関しては、高精細メタルマスク蒸着でのピクセルサイズが百ミクロン程度であったのに対し、12ミクロンのピクセルサイズを得ることができた。また、本実施例では保護層をPVP、窒化ケイ素の二層構成としており、どちらも膜厚を厚くすることが容易なので、プロセス中のゴミや欠陥に強く安定したプロセスが構築できる。さらに、有機化合物層の加工工程において水分が吸着したとしても、有機化合物層の乾燥工程から共通層の形成工程までの一連の工程を真空条件下で行えばよい。これにより、水分の有機化合物層への再付着を防ぎつつ、メタルマスクを用いたパターン成膜で形成した有機EL表示装置と同等の発光特性を得ることができる。[実施例2]実施例1において、保護層の除去工程も閉鎖的な空間内で行ったことを除いては、実施例1と同様の方法により有機EL表示装置を作製した。図5は、本実施例実施例2において使用した有機EL表示装置の一部分を示す模式図である。図5の装置40は、図4の装置30と同様に、搬入室41、乾燥室42、第1成膜室43、第2成膜室44、封止作業室45及び搬送室46を備える一方で、保護層の除去工程が行われる水洗処理室47及び水切り室48を新たに備え、搬入室41に連結されている。より具体的には、図5の装置40は、水洗処理室47と、水切り室48と、搬入室41と、がこの順で連結されている複数の室からなり、図5の装置40内に搬送された基板10は、水洗処理室47と水切り室48とをこの順で通過した後に搬入室41に搬送される。また水洗処理室47及び水切り室48は、真空ポンプ不図示によって真空排気が可能となっている。得られた有機EL表示装置について、画像を表示させたところ、実施例1とほぼ同等の電流効率が得られた。[実施例3]実施例1において、保護層の形成工程、保護層の除去工程を以下に説明するプロセスに変更したことを除いては、実施例1と同様の方法により有機EL表示装置を得た。以下に本実施例について説明する。A保護層の形成工程までの工程実施例1と同様の方法により、基板10上に、有機化合物層を形成した。尚、本実施例では、電子輸送層14を形成する際に、その膜厚を50nmとした。B保護層の成膜工程次に、有機化合物層上に、窒化ケイ素を成膜し、保護層20となる薄膜を成膜した。C保護層の形成工程次に、CF4ガスを用いたドライエッチングにより、保護層20となる薄膜を加工して保護層20を形成した。尚、ドライエッチングの際に、電子輸送層14の一部がCF4ガスによってエッチングされるため、電子輸送層そのものがダメージを受けることになる。そこで、以下の工程により、保護層20の除去を行いつつ電子輸送層14の加工を行った。D保護層の除去工程ドライエッチングのよる保護層の加工形成を行った後、基板10を、イソプロピルアルコールに浸漬した。ところで電子輸送層14の構成材料である式[6]で示されるフェナントロリン化合物は、イソプロピルアルコール60重量水溶液に対して1nm/秒の速さでエッチングされる。この特質を考慮して、基板10をイソプロピルアルコール60重量水溶液に40秒浸漬する。こうすることで電子輸送層14を膜厚10nmの状態で残すことができる。次に、基板10を純水で1分間リンスした。E有機化合物層の乾燥工程等実施例1と同様の方法により、有機化合物層の乾燥工程以降の工程を行った。以上により、有機EL表示装置を得た。得られた有機EL表示装置について実施例1と同様の測定評価を行ったところ、電流効率及び精細度が実施例1と同等であることがわかった。尚、本実施例において、有機化合物層の乾燥工程を行う際に、実施例1で使用した図4の装置30に換えて、実施例2で使用した図5の装置40を使用してもよい。[実施例4]本実施例では、図6に示された有機EL表示装置を作製した。ここで図6の有機EL表示装置4は、図1の有機EL表示装置1と比較して、発光層と電子輸送層との間に、正孔ブロック層18a、18b、18cが素子ごとに設けられている点と電子輸送層14が各画素に共通する層として成膜している点とが異なる。本実施例では、電子輸送層14の形成の時期を実施例1の9の工程保護層の除去工程の後で行っていることを除いては、実施例1にて説明される方法と同様の方法により有機EL表示装置を作製した。尚、本実施例では、電子輸送層14の形成に費やす工程の数を3から1に減らすことができるので、製造装置や製造プロセスの簡略化が可能である。得られた有機EL表示装置について実施例1と同様の測定評価を行ったところ、電流効率及び精細度が実施例1と同等であることがわかった。[実施例5]本実施例では、図7に示される製造プロセス本発明における第2の実施形態に従って、有機EL表示装置を作製した。まず実施例1と同様の方法で、反射電極である下部電極11a11b、11cを形成したガラス基板10上に、正孔輸送層12、青色発光層13、電子輸送層14を発光領域全体に成膜した図7a。次に、インクジェット法により、青色画素に相当する部分に選択的にPVP水溶液を塗布して部分的に第1保護層21を形成した図7b。このとき第1保護層21の膜厚は1000nmであった。次に、第1保護層21が設けられていない領域について酸素プラズマによるドライエッチングを行った。そうすると、PVP膜第1保護層21と有機化合物層とは、ほぼ同じエッチレートでエッチングされる。これを考慮して、緑色有機化合物層2bの総膜厚と、赤色有機化合物層2cの総膜厚と、の和よりもPVP膜を厚くしておく。そうすると緑色画素、赤色画素にそれぞれ相当する部分にある有機化合物をエッチングしたとしてもPVP膜の下方に設けられている有機化合物層青色有機化合物層2aはエッチングされない。従って、青色画素に相当する部分にのみ青色有機化合物層2aとPVP膜第1保護層21とが残ることになる図7c。これと同様の方法で、緑色有機化合物層2bと、赤色有機化合物層2cとを順次形成すると、図7dに示すように各色の画素においてその画素に対応した有機化合物層2a、2b、2cを残すことができる。ただし、図7dに示すようにエッチングマスクとして使用したPVP膜第1保護層21がまだ残っているので、次の工程として、基板全体を水に浸漬してPVP膜第1保護層21を除去した図7e。次に、実施例1と同様の条件下で有機化合物層2a、2b、2cが形成されている基板を、真空チャンバー内で加熱して有機化合物層2a、2b、2cに残留している水分を除いた。次に、電子注入層15、上部電極16半透過性電極を順次成膜し図7f、最後に、実施例1と同様の方法により封止工程を行った。これにより有機EL表示装置を得た。尚、本実施例の有機EL表示装置の電流効率は実施例1とほぼ同様であった。また、本実施例ではインクジェット法によるパターニングを行っているため、基板サイズの自由度が高く、第5世代の基板サイズでも対応可能である。[実施例6]本実施例では、図8に示される製造プロセス本発明における第3の実施形態に従って、有機EL表示装置を作製した。まず実施例1と同様の方法で、反射電極である下部電極11a11b、11cを形成したガラス基板10上に、正孔輸送層12、青色発光層13a、電子輸送層14を順次発光領域全体に成膜した図8a。次に、電子輸送層14上に、フッ化リチウムを成膜してLiF層24を形成した。このときLiF層24の膜厚を100nmとした。尚、LiF層24は保護層として機能する図8b。次に、青色有機化合物層2aが不要な部分、即ち、緑色画素、赤色画素にそれぞれ相当する部分の有機化合物層を、YAGレーザを用いたレーザアブレーション法により除去した図8c。具体的には、緑色画素、赤色画素にそれぞれ相当する部分に対応するように開口パターンが形成されているフォトマスク越しにレーザを照射して、照射した部分の有機化合物層をアブレーションした。この時のレーザ照射エネルギーは、200mJ/cm2であった。次に、正孔輸送層12、緑色発光層13b、電子輸送層14を順次発光領域全体に成膜した後、保護層LiF層24を成膜した図8d。次に赤色画素に相当する部分に対応するように開口パターンが形成されているフォトマスクを用いてレーザアブレーションを行うと、赤色画素の反射性電極下部電極11cが露出した図8e。ところで本実施例を実施されているパターニングは、フォトマスクを使った一括露光なので、実施例1と同程度の高精細パターンが形成可能である。一方、図8cで残した青色画素に相当する部分は、図8eに示されるように、有機化合物層が2色分積み重なっている。これは、有機化合物層が2色分積み重なっている部分について、上層部分の有機化合物層をレーザで除去しようとすると下層部分の有機化合物層にもダメージを与える可能性がある。このため、この工程においてレーザ照射する領域は赤色画素に相当する部分のみとする。次に、正孔輸送層12、赤色発光層13c、電子輸送層14を順次発光領域全体に成膜した図8f。この時点で各画素位置には最下層に所定の色の有機化合物層2a、2b、2cが形成されている。次に、基板全体を水に浸漬した。すると、LiF層24が水に溶けると共にLiF層24よりも上層にある有機化合物層がリフトオフにより除去された図8g。次に、他の実施例と同様に基板を真空チャンバー内で加熱して残留水分を除いた後、電子注入層15、半透過性電極16を順次成膜した図8h。最後に、実施例1と同様の方法により封止工程を行った。以上により有機EL表示装置を得た。得られた有機EL表示装置について、実施例1と同様に特性を評価したところ、電流効率、精細度が実施例1と同等であることが分かった。[実施例7]実施例1の10の工程において、電子輸送層14上に、フッ化リチウム膜厚0.5nmを成膜して電子注入層共通層15を形成したことを除いては、実施例1と同様の方法により有機EL表示装置を作製した。得られた有機EL表示装置について実施例1と同様の測定評価を行ったところ、電流効率及び精細度が実施例1と同等であることがわかった。[実施例8]実施例1の10の工程において、電子注入層共通層15と上部電極16とからなる積層体を形成する代わりに、炭酸セシウムと銀とを共蒸着して陰極を形成したことを除いては、実施例1と同様の方法により有機EL表示装置を作製した。得られた有機EL表示装置について実施例1と同様の測定評価を行ったところ、電流効率及び精細度が実施例1と同等であることがわかった。[比較例1]実施例1と同じ材料を用い、正孔輸送層12、発光層13、電子輸送層14、電子注入層を順次発光領域全体に成膜した。その後、PVP膜第1保護層21、窒化ケイ素膜第2保護層22を順次成膜してフォトリソグラフィーによる有機化合物層のパターニングを行った。次に、3色の有機化合物層を形成した後に保護層第1保護層21、第2保護層22を大気中で除去したのちに真空チャンバー内に基板を搬送し、共通陰極を成膜することで有機EL表示装置を得た。得られた有機EL表示装置について実施例1と同様の測定評価を行ったところ、電流効率は真空一貫と比べて1/10以下となった。これは、PVP膜第1保護層21を除去する際に水分除去が不十分であったため、素子完成後に電子注入層の電子注入特性が著しく劣化したためであると考えられる。