"基板処理チャンバの基板処理領域内で、パターン形成された基板の表面上の複数のトレンチから酸化ケイ素をエッチングする方法であって、第1のドライエッチング段階で、前記複数のトレンチそれぞれにおいて前記酸化ケイ素をドライエッチングし、前記複数のトレンチ内の残った酸化ケイ素の表面上に第1の固体副生成物を生成するステップであって、前記第1のドライエッチング段階中に前記酸化ケイ素が第1のエッチング速度で除去されるステップと、第2のドライエッチング段階で、前記複数のトレンチそれぞれにおいて前記酸化ケイ素をドライエッチングし、前記複数のトレンチ内の残った酸化ケイ素の表面上に第2の固体副生成物を生成するステップであって、前記第2のドライエッチング段階中の前記酸化ケイ素の第2のエッチング速度が、前記第1のエッチング速度未満であるステップと、前記複数のトレンチから前記第1および第2の固体副生成物を昇華させるステップとを含む方法。前記第1の固体副生成物が、前記第1のドライエッチング段階と前記第2のドライエッチング段階の間では昇華されない請求項1に記載の方法。前記第1のドライエッチング段階と前記第2のドライエッチング段階の間に本質的に遅延がない請求項1に記載の方法。前記複数のトレンチそれぞれの幅が35nm未満である請求項1に記載の方法。前記第1のドライエッチング段階の期間が、前記第2のドライエッチング段階の期間よりも長い請求項1に記載の方法。前記第1のドライエッチング段階の期間が、約15秒~約1分の間である請求項1に記載の方法。前記第2のドライエッチング段階の期間が、約5秒~約30秒の間である請求項1に記載の方法。前記酸化ケイ素が、前記第1および第2のドライエッチング段階中に60°C未満で維持される請求項1に記載の方法。前記酸化ケイ素が、前記複数のトレンチから前記第1および第2の固体副生成物を昇華させる操作中に、90°Cよりも高い温度に上昇する請求項1に記載の方法。前記第1のエッチング速度が、前記第2のエッチング速度の約2倍よりも大きい請求項1に記載の方法。前記第1のエッチング速度が、前記第2のエッチング速度の約5倍よりも大きい請求項1に記載の方法。前記第1のドライエッチング段階の前記ドライエッチングが、約1分以下で自己制限的になり、前記第2のドライエッチング段階の前記ドライエッチングが、約2分以上で自己制限的になる請求項1に記載の方法。前記ドライエッチング操作がそれぞれ、プラズマ流を生成するために、前記基板処理領域に流体結合された遠隔プラズマ領域内にフッ素含有前駆体と水素含有前駆体を流すと共に、前記遠隔プラズマ領域内でプラズマを発生させることを含む請求項1に記載の方法。前記水素含有前駆体が、原子水素、分子水素、アンモニア、炭化水素、および不完全にハロゲン置換された炭化水素からなる群から選択される少なくとも1つの前駆体を含む請求項13に記載の方法。前記フッ素含有前駆体が、三フッ化窒素、フッ化水素、二原子フッ素、単原子フッ素、およびフッ素置換炭化水素からなる群から選択される少なくとも1つの前駆体を含む請求項13に記載の方法。添付図面において、同様の構成要素および/または特徴には、同じ参照符号が付されていることがある。さらに、同じタイプの様々な構成要素は、参照符号の後に、ダッシュ記号と、同様の構成要素を区別する第2の符号とを続けることによって区別することができる。本明細書で第1の参照符号のみが使用される場合、その説明は、第2の参照符号に関係なく、同じ第1の参照符号を付されている同様の構成要素の任意の1つに適用可能である。トレンチ間でより均質なエッチング速度を可能にする、複数のトレンチから酸化ケイ素をエッチングする方法を述べる。エッチング後のトレンチ内部でのエッチングされた酸化ケイ素の表面も、より滑らかであることがある。この方法は、2つのドライエッチング段階と、ドライエッチング段階に続く昇華ステップとを含む。第1のドライエッチング段階は、酸化ケイ素を迅速に除去し、大きな固体残留物微粒子を生成する。第2のドライエッチング段階は、酸化ケイ素をゆっくりと除去し、大きな固体残留物微粒子の中に、小さな固体残留物微粒子を生成する。小さな固体残留物と大きな固体残留物は、どちらも、後続の昇華ステップで除去される。2つのドライエッチング段階の間には昇華ステップはない。Siconi商標エッチングプロセスがドライエッチングプロセスの一例であり、アンモニアNH3などの水素源を三フッ化窒素NF3などのフッ素源と組み合わせて使用している。この組合せが、遠隔プラズマシステムRPS内に流れ、遠隔プラズマシステム内で生成されるプラズマ流が、基板処理領域内に流される。プラズマ流は、露出された酸化ケイ素と反応して固体残留物を生成し、次いで、この固体残留物が表面から昇華されて、エッチングプロセスが完了する。そのようなドライエッチングによって処理された酸化ケイ素表面にわたって、厚さのばらつきが観察されることがある。厚さのばらつきは、ブランケットフィルム、広いトレンチ、さらには、狭いトレンチ内部のシリコン表面にわたる粗さとして現れることがある。厚さのばらつきの別の顕在は、比較的狭いトレンチ間のエッチング速度のばらつきとして観察されることがある。隣接するトレンチにおいて、酸化ケイ素間隙充填が異なる速度でエッチングされることがある。2つの連続したドライエッチング段階と、それらのドライエッチング段階に続く昇華段階とを使用してSiconi商標エッチングを行うことが、狭いトレンチ間のエッチング速度のばらつきを減少させる。第1のドライエッチング段階は、従来技術のSiconi商標プロセスと同様である。開示する実施形態では、第1の段階中に生成される固体副生成物は、比較的大きく、同様のサイズの狭いトレンチ間で異なる表面積を露出する。第2のドライエッチング段階は、より遅い速度で酸化ケイ素をエッチングする。第2のドライエッチング段階のエッチャントは、比較的大きな固体副生成物の孔を通って拡散し、大きな固体副生成物の下にある酸化ケイ素の異なる露出表面積と反応することができる。第2のドライエッチング段階は、大きな副生成物中に、比較的小さな固体副生成物を生成する。重量単位での小さな固体副生成物の量は、より少量の大きな固体副生成物を有するトレンチ内部で、より多いことがある。このようにすると、酸化ケイ素の消費すなわち酸化ケイ素の全体のエッチング速度が一様化され、それにより、複数の狭いトレンチ間のエッチング速度がより均一になる。したがって、トレンチ間の均一性は、2つのドライエッチング段階を、間に昇華ステップを含まずに順次に組み合わせることによって改良される。昇華ステップは、2つのドライエッチング段階後に、大きな固体副生成物と小さな固体副生成物との両方を除去するために行われる。本発明をより良く理解して把握するために、ここで図2および図3A~図3Dを参照する。これらの図はそれぞれ、開示する実施形態による、パターン形成された基板に適用されるドライエッチングプロセスの流れ図と、プロセス中のパターン形成された基板の図である。プロセスは、複数のトレンチ内に酸化ケイ素間隙充填350-1を有するパターン形成された基板が処理チャンバ内に移送されるときに始まる操作210、図3A。アンモニアと三フッ化窒素との流れが、処理領域とは別個のプラズマ領域内に投入される。この別個のプラズマ領域は、本明細書では遠隔プラズマ領域と呼ぶことがあり、処理チャンバとは異なるモジュールでよく、またはシャワーヘッドによって基板処理領域から離隔された処理チャンバ内の一区画でもよい。遠隔プラズマ領域内で生成されたプラズマ流が基板処理領域内に進み、パターン形成された基板と相互作用して酸化ケイ素を除去する。プラズマ流と酸化ケイ素の相互作用は、2段階に分けられる。第1の段階において、プロセスパラメータを選択して、酸化ケイ素間隙充填材料を迅速に除去し、図3Bに示されるように第1の固体残留物微粒子355を残す操作220。次いで、ドライエッチングの第2の段階を開始するために、プロセスパラメータを調節する。ドライエッチングのこの第2の段階中、酸化ケイ素間隙充填は、より遅い速度で除去され操作240、図3Cに示されるように、酸化ケイ素間隙充填350-3の上で第1の固体残留物微粒子355中に第2の固体残留物微粒子360を生成する。エッチング速度を測定するために、エッチング速度が、除去される酸化ケイ素を特徴付けることに留意すべきである。エッチング界面は、固体残留物355、360の下にある。エッチング速度を計測するために固体残留物を除去する必要はないが、界面を見るには、固体残留物の昇華後のほうが容易になる。様々な実施形態において、プラズマ流との相互作用中の酸化ケイ素の温度は、60°C未満、50°C未満、40°C未満、または35°C未満のいずれか1つにすることができる。基板を加熱して固体副生成物を昇華させる操作250。その結果の概略図を図3Dに示す。第1の固体残留物微粒子355と第2の固体残留物微粒子360がどちらも昇華プロセスによって除去される。様々な実施形態において、固体残留物および酸化ケイ素の温度は、完全な昇華中に、90°C超、100°C超、120°C超、または140°C超のいずれか1つに上昇させることができる。様々な実施形態において、昇華の期間は、45秒超、60秒超、75秒超、90秒超、または120秒超のいずれか1つであることがある。開示する実施形態では、トレンチの幅は、35nm未満、30nm未満、25nm未満、20nm未満、または15nm未満のいずれか1つでよい。いくつかの実施形態では、プラズマ流の流量、遠隔プラズマ出力、およびエッチングプロセスの期間などのプロセスパラメータの変更により、高いドライエッチング速度と低いドライエッチング速度を選択するのに必要とされる柔軟性がもたらされる。第1のドライエッチング段階中のドライエッチング速度は、第2のドライエッチング段階中のドライエッチング速度よりも大きい。本発明の開示する実施形態では、第1のドライエッチング段階中の酸化ケイ素のエッチング速度は、第2のドライエッチング段階中のエッチング速度の少なくとも約2倍、3倍、または5倍よりも大きくまたはほぼ等しくすることができる。また、いくつかの実施形態では、第1のドライエッチング段階中の酸化ケイ素のエッチング速度は、第2のドライエッチング段階中のエッチング速度の約10倍または5倍未満にするまたはほぼ等しくすることができる。これらの上限を下限と組み合わせて、追加の実施形態を成すこともできる。特定の実施形態では、第1のドライエッチング段階中のエッチング速度は、第2のドライエッチング段階中のエッチング速度の1~約5倍の間でよい。いくつかの実施形態では、第1のドライエッチング段階は、約15秒以上または約30秒以上続くことがある。いくつかの実施形態では、第1のドライエッチング段階は、約2分以下または約1分以下続くことがある。同様に、本発明のいくつかの実施形態では、第2のドライエッチング段階は、約30秒以下、約20秒以下、または約10秒以下続くことがある。第2のドライエッチング段階は、約3秒以上、約5秒以上、または約10秒以上続くことがある。任意の上限を任意の下限と組み合わせて、開示するさらなる実施形態において存在するさらなる範囲を与えることができる。第1の固体副生成物は、第1のドライエッチング段階と第2のドライエッチング段階との間では昇華されない。第1のドライエッチング段階と第2のドライエッチング段階の間での遅延は、ほとんどないか、または実質的に全くない。他の実施形態では、2組のプロセス条件の間で休止があり、休止中に、エッチャントおよび他のプロセス廃液が基板処理領域から除去される。本明細書で述べるように、プラズマ流を生成するために様々な前駆体を使用することができる。一般的に言って、エッチングプロセスのために使用されるプラズマ流を生成するために、遠隔プラズマ領域内でフッ素含有前駆体を水素含有前駆体と組み合わせることができる。フッ素含有前駆体は、三フッ化窒素、フッ化水素、二原子フッ素、単原子フッ素、およびフッ素置換炭化水素の1つまたは複数を含むことがある。水素含有前駆体は、原子水素、分子水素、アンモニア、炭化水素、および不完全にハロゲン置換された炭化水素の1つまたは複数を含むことがある。正しい可能性も正しくない可能性もある仮説メカニズムに特許請求の範囲の対象範囲を束縛することを望まずに、第2のドライエッチング段階中に生成されるプラズマ流は、第1のドライエッチング段階によって残っている比較的大きな固体残留物の周りで拡散することができると考えられる。第1のドライエッチング段階または第2のドライエッチング段階は、単独では、第1のドライエッチング段階とそれに続く第2のドライエッチング段階との順次の組合せよりも不均一な酸化ケイ素表面を生成する。さらなる可能なメカニズムは、第1のドライエッチング段階中により遅くエッチングされる特定のトレンチ内でのより大きな露出された酸化ケイ素領域を含むことがある。これは、第2のドライエッチング段階のプラズマ流が、より多い正味量の酸化ケイ素を除去できるようにし、それにより、複合型の高速-低速ドライエッチングプロセスを一様化する。エッチング速度は、プロセスパラメータの複雑な関数である。しかし、それぞれ第1および第2のドライエッチング段階中の高速および低速ドライエッチングプロセスのいくつかの例が決定されている。第1のドライエッチング段階中の高速ドライエッチングプロセスは、より速い飽和、すなわちエッチングが自己制限的になるまでの時間がより短いことによって特徴付けられる。例えば、第1のドライエッチング段階は、約30秒で自己制限的になることがあり、一方、第2のドライエッチング段階は、数分で自己制限的になることがある。飽和の遅延は、既に生成されている固体残留物を通る拡散能力の向上を示す。一実施形態では、第1のドライエッチング段階のエッチングプロセスステップ220は、1分以内で自己制限的になり、一方、第2のドライエッチング段階のエッチングプロセスステップ230は、少なくとも2分までは自己制限的にならない。別の実施形態では、第1のドライエッチング段階のエッチングプロセスステップ220は、15~45秒で自己制限的になり、一方、第2のドライエッチング段階のエッチングプロセスステップ230は、少なくとも3分までは自己制限的にならない。他のプロセスパラメータを一定にして、第1のドライエッチング段階は、プラズマ流を生成するために遠隔プラズマ領域に送達される2:1のNH3:NF3の比を含み、一方、第2のドライエッチング段階は10:1のNH3:NF3の比を含むことがある。これは、高速および低速ドライエッチングを実現する一方法の例示にすぎない。また、いくつかの実施形態では、第1のドライエッチング段階から第2のドライエッチング段階への30または50のプラズマ出力の減少が、流量比1:1のNH3:NF3のわずかな調節のみでドライエッチング速度を十分に減少させることが判明している。プロセスパラメータの相互依存性を前提として、高速および低速ドライエッチングプロセスを実現するさらに多くの方法があると予想される。例示的な処理システムを述べる中で、さらなる2段階ドライエッチングプロセスパラメータを開示する。例示的な処理システム図4は、本発明の実施形態を実施することができる例示的な処理チャンバ400を示す部分断面図である。一般に、水素含有前駆体とフッ素含有前駆体を、1つまたは複数の開孔451を通して遠隔プラズマ領域461~463内に導入し、プラズマ出力源446によって励起することができる。一実施形態では、処理チャンバ400は、チャンバ本体412と、リッドアセンブリ402と、支持アセンブリ410とを含む。リッドアセンブリ402は、チャンバ本体412の上端部に配設され、支持アセンブリ410は、少なくとも一部がチャンバ本体412の内部に配設される。処理チャンバ400および関連のハードウェアは、好ましくは、1つまたは複数のプロセス適合材料例えばアルミニウムやステンレス鋼などから形成される。チャンバ本体412は、処理チャンバ400の内部への進入を可能にするために、側壁に形成されたスリットバルブ開口460を含む。スリットバルブ開口460は、ウエハハンドリングロボット図示せずがチャンバ本体412の内部に進入できるように選択的に開閉される。一実施形態では、ウエハは、スリットバルブ開口460を通して、処理チャンバ400内に輸送することができ、また処理チャンバ400から隣接する移送チャンバおよび/またはロードロックチャンバに、またはクラスタツール内部の別のチャンバに輸送することができる。処理チャンバ400を含むことができる例示的なクラスタツールが図7に示される。1つまたは複数の実施形態において、チャンバ本体412は、チャンバ本体412を通して伝熱流体を流すためのチャンバ本体チャネル413を含む。伝熱流体は、加熱流体またはクーラントでよく、処理および基板移送中にチャンバ本体412の温度を制御するために使用される。チャンバ本体412の加熱は、チャンバ壁でのガスまたは副生成物の望ましくない凝縮を防止する助けとなることがある。例示的な伝熱流体は、水、エチレングリコール、またはそれらの混合物を含む。また、例示的な伝熱流体は、窒素ガスを含むこともある。支持アセンブリ410は、支持アセンブリ410を通して伝熱流体を流し、それにより基板温度に影響を及ぼすための支持アセンブリチャネル404を有することがある。さらに、チャンバ本体412は、支持アセンブリ410を取り囲むライナ433を含むことができる。ライナ433は、好ましくは、整備および洗浄のために取外し可能である。ライナ433は、アルミニウムなどの金属、またはセラミック材料から形成することができる。しかし、ライナ433は、任意のプロセス適合材料でよい。ライナ433は、ビードブラストして、上に堆積される任意の材料の接着性を高めることができ、それにより、処理チャンバ400の汚染を引き起こす材料のフレーキングを防止する。1つまたは複数の実施形態では、ライナ433は、1つまたは複数の開孔435と、開孔435内に形成されたポンピングチャネル429とを含み、ポンピングチャネル429は、真空システムと流体連絡する。開孔435は、ポンピングチャネル429内へのガス用の流路を提供し、ポンピングチャネル429は、処理チャンバ400内部のガス用の出口を提供する。真空システムは、処理チャンバ400を通るガスの流れを調整するために、真空ポンプ425と、スロットルバルブ427とを含むことができる。真空ポンプ425は、チャンバ本体412に配設された真空ポート431に結合され、したがってライナ433の内部に形成されたポンピングチャネル429と流体連絡する。用語ガスの単数形と複数形は、別段の指示がない限り交換可能に使用され、1つまたは複数の反応物、触媒、キャリアガス、パージガス、洗浄ガス、それらの組合せ、ならびにチャンバ本体412内に導入される任意の他の流体を表す。用語前駆体は、表面から材料を除去する、または表面に材料を堆積するための反応に関与する任意のプロセスガスを表すために使用される。開孔435は、ポンピングチャネル429がチャンバ本体412内部の処理領域440と流体連絡できるようにする。処理領域440は、リッドアセンブリ402の下面と支持アセンブリ410の上面とによって画定され、ライナ433によって取り囲まれる。開孔435は、ライナ433の周りに、均一のサイズで、均等に間隔を空けて設けることができる。しかし、任意の数、位置、サイズ、または形状の開孔を使用することができ、それらの設計パラメータはそれぞれ、以下により詳細に論じるように、基板受取面にわたるガスの所望の流れパターンに応じて変えることができる。さらに、開孔435のサイズ、数、および位置は、処理チャンバ400から出るガスの均一な流れを実現するように構成される。さらに、開孔サイズおよび位置は、チャンバ400からのガスの急速な排気を容易にするために高速または高容量ポンピングを提供するように構成することができる。例えば、真空ポート431に近接する開孔435の数およびサイズを、真空ポート431から離れた位置にある開孔435のサイズよりも小さくすることができる。ガス供給パネル図示せずは、典型的には、1つまたは複数の開孔451を通して処理チャンバ400にプロセスガスを提供するために使用される。使用される特定のガスは、チャンバ400内部で実施すべきプロセスに応じて決まる。例示的なガスは、限定はしないが、1つまたは複数の前駆体、還元剤、触媒、キャリアガス、パージガス、洗浄ガス、またはそれらの任意の混合物または組合せである。典型的には、処理チャンバ400に導入される1つまたは複数のガスは、上部プレート450にある開孔451を通ってプラズマ体積461内に流れる。別法として、または組み合わせて、開孔452を通して処理領域440内に処理ガスをより直接的に導入することができる。開孔452は、遠隔プラズマ励起を省略し、プラズマ励起を必要としないガスを含むプロセス、またはガスのさらなる励起から利益を得ないプロセスに有用である。電子作動式バルブおよび/または流量制御メカニズム図示せずを使用して、ガス供給源から処理チャンバ400内へのガスの流れを制御することができる。プロセスに応じて、任意の数のガスを処理チャンバ400に送達することができ、処理チャンバ400内で混合する、またはガスが処理チャンバ400に送達される前に混合することができる。さらに、リッドアセンブリ402は、リッドアセンブリ402内部で反応種のプラズマを発生させるために電極445を含むことができる。一実施形態では、電極445は、上部プレート450によって支持され、酸化アルミニウムまたは任意の他の絶縁およびプロセス適合材料からなる電気絶縁リング447を挿入することによって上部プレート450から電気的に絶縁される。1つまたは複数の実施形態では、電極445が電源446に結合され、リッドアセンブリ402の残りの部分は接地される。したがって、1つまたは複数のプロセスガスのプラズマは、電極445と環状取付けフランジ422との間の体積461、462、および/または463から構成される遠隔プラズマ領域内で発生させることができる。いくつかの実施形態では、環状取付けフランジは、ガス送達プレート420を備える、または支持する。例えば、プラズマは、電極445と、ブロッカアセンブリ430の一方または両方のブロッカプレートとの間で開始して維持することができる。あるいは、ブロッカアセンブリ430がない場合には、プラズマを電極445とガス送達プレート420との間で衝突させて包含することができる。いずれの実施形態においても、プラズマは、リッドアセンブリ402の内部によく閉じ込められる、または包含される。したがって、活性プラズマが、チャンバ本体412内部に配設された基板と直接接触しないので、プラズマは遠隔プラズマである。その結果、プラズマが基板表面から離隔されているので、基板に対するプラズマ損傷を防止することができる。様々な電源446が、水素含有前駆体例えばアンモニアおよび窒素含有前駆体三フッ化窒素を活性化させることができる。例えば、高周波RF、直流DC、またはマイクロ波MWベースの出力放出技法を使用することができる。また、活性化は、熱ベースの技法、ガス絶縁破壊技法、高強度光源例えば、UVエネルギー、またはX線源への露出によって引き起こすこともできる。あるいは、遠隔プラズマジェネレータなど遠隔活性化源を使用して反応種のプラズマを発生させることができ、次いで反応種がチャンバ400内に送達される。例示的な遠隔プラズマジェネレータは、MKSInstruments,Inc.およびAdvancedEnergyIndustries,Inc.などの製造業者から市販されている。例示的な処理システムでは、RF電源が電極445に結合される。電源446を使用して反応性の酸素も生成される場合には、より高出力のマイクロ波電源446が有益である。プロセスチャンバ本体412および基板の温度は、それぞれチャンバ本体チャネル413および支持アセンブリチャネル404を通して伝熱媒体を流すことによってそれぞれ制御することができる。熱エネルギーの伝達を容易にするために、支持アセンブリ410の内部に支持アセンブリチャネル404を形成することができる。チャンバ本体412と支持アセンブリ410は、別々に冷却または加熱することができる。例えば、一方を通して加熱流体を流すことができ、他方を通して冷却流体が流される。基板温度を制御するために他の方法を使用することもできる。抵抗ヒータを用いて、または何らかの他の手段によって支持アセンブリ410またはペデスタルなど支持アセンブリ410の一部を加熱することによって基板を加熱することができる。別の構成では、ガス送達プレート420を基板よりも高い温度で維持することができ、基板温度を高めるために基板を上昇させることができる。この場合、基板は、放射加熱されるか、または、ガスを使用してガス送達プレート420から基板に熱を伝導することによって加熱される。基板は、支持アセンブリ410を持ち上げることによって、またはリフトピンを採用することによって上昇させることができる。様々な実施形態において、本明細書で述べるエッチングプロセス中、チャンバ本体412は、50°C~80°Cの間、55°C~75°Cの間、または60°C~70°Cの間の適切な温度範囲内で維持することができる。様々な実施形態において、プラズマ流および/または酸化剤への露出中、基板は、上記の温度よりも低い温度、すなわち約15°C~約50°C、約22°C~約40°C、または約30°Cに維持することができる。プラズマ流は、様々な分子、分子フラグメント、およびイオン化種を含む。現在考えられているSiconi商標エッチングの理論的なメカニズムは、完全に正しい可能性も、そうでない可能性もあるが、プラズマ流は、本明細書で述べる低温基板と容易に反応するNH4FおよびNH4F.HFを含むものと考えられる。プラズマ流は、酸化ケイ素表面と反応して、NH42SiF6、NH3、およびH2O生成物を生成することができる。NH3およびH2Oは、本明細書で述べる処理条件下では蒸気であり、真空ポンプ425によって処理領域440から除去することができる。NH42SiF6固体副生成物の薄い連続または不連続の層が、基板表面上に残る。プラズマ流への露出、および関連する固体副生成物の蓄積後、基板を加熱して副生成物を除去することができる。いくつかの実施形態では、ガス送達プレート420は、ガス送達プレート420の内部またはガス送達プレート420の近くに加熱要素470を組み込むことによって加熱可能である。基板と加熱されたガス送達プレートとの間の距離を減少させることによって、基板を加熱することができる。様々な実施形態において、ガス送達プレート420は、約100°C~150°Cの間、約110°C~140°Cの間、または約120°C~130°Cの間に加熱することができる。基板と加熱されたガス送達プレートとの間の離隔距離を減少させることによって、様々な実施形態において、基板を約75°C超、約90°C超、約100°C超、または約115°C~約150°Cの間まで加熱することができる。ガス送達プレート420から基板に放射される熱は、基板上の固体NH42SiF6を揮発性のSiF4、NH3、およびHF生成物に解離または昇華させるのに十分なものにすべきであり、それらの生成物は、処理領域440からポンプで除去することができる。基板に熱を与える他の方法を使用することもできる。様々な実施形態において、三フッ化窒素または別のフッ素含有前駆体を、約25sccm~約200sccmの間、約50sccm~約150sccmの間、または約75sccm~約125sccmの間の速度で遠隔プラズマ体積461内に流すことができる。様々な実施形態において、アンモニアまたは一般に水素含有前駆体を、約50sccm~約300sccmの間、約75sccm~約250sccmの間、約100sccm~約200sccmの間、または約120sccm~約170sccmの間の速度で遠隔プラズマ体積461内に流すことができる。遅いドライエッチングを実現するために使用される方法の1つは、三フッ化窒素の流量をアンモニアの流量の約4分の1以下、約8分の1以下、または約10分の1以下に減少させることを含む。遠隔プラズマ領域内への水素含有前駆体とフッ素含有前駆体の合計の流量は、ガス混合物全体の0.05体積~約20体積となることがある。残りはキャリアガスである。一実施形態では、遠隔プラズマ領域内部の圧力を安定させるために、まず、反応性ガスの前にパージガスまたはキャリアガスが遠隔プラズマ領域内に投入される。プラズマ流の生成は、リッドアセンブリ402の残りの部分よりも電極445にプラズマ出力を印加することによって、体積461、462、および/または463の内部で行われる。プラズマ出力は、様々な周波数、または複数の周波数の組合せでよい。例示的な処理システムでは、プラズマは、電極445に送達されるRF出力によって提供される。様々な実施形態において、RF出力は、約1W~約1000Wの間、約5W~約600Wの間、約10W~約300Wの間、または約20W~約100Wの間でよい。様々な実施形態において、例示的な処理システムに印加されるRF周波数は、約200kHz未満、約150kHz未満、約120kHz未満、または約50kHz~約90kHzの間でよい。処理領域440内にオゾン、酸素、キャリアガス、および/またはプラズマ流を流す間、処理領域440を様々な圧力で維持することができる。様々な実施形態において、この圧力は、約500mTorr~約30Torrの間、約1Torr~約10Torrの間、または約3Torr~約6Torrの間で維持することができる。また、処理領域440内部でより低い圧力を使用することもできる。様々な実施形態において、この圧力は、約500mTorr以下、約250mTorr以下、約100mTorr以下、約50mTorr以下、または約20mTorr以下で維持することができる。1つまたは複数の実施形態では、処理チャンバ400は、AppliedMaterials,Inc.米国カリフォルニア州サンタクララから市販されているProducer商標GT、Centura商標AP、およびEndura商標プラットフォームを含めた様々なマルチ処理プラットフォームに組み込むことができる。そのような処理プラットフォームは、真空を破壊することなく、いくつかの処理操作を行うことができる。本発明の実施形態を実施することができる堆積チャンバとしては、様々なチャンバタイプのうち、誘電体エッチングチャンバ、高密度プラズマ化学気相堆積HDP-CVDチャンバ、プラズマ化学気相堆積PECVDチャンバ、準常圧化学気相堆積SACVDチャンバ、および熱化学気相堆積チャンバを挙げることができる。堆積システムの実施形態は、集積回路チップを製造するためのより大型の製造システムに組み込むことができる。図5は、開示する実施形態による堆積、ベーキング、および硬化チャンバのそのような1つのシステム500を示す。図中で、1対のフープFOUP;frontopeningunifiedpods502が基板例えば直径300mmのウエハを供給し、これらの基板は、ロボットアーム504によって受け取られ、低圧保持領域506内に配置され、その後、ウエハ処理チャンバ508a~fの1つの中に配置される。第2のロボットアーム510を使用して、保持領域506から処理チャンバ508a~fに、およびその逆に基板ウエハを輸送することができる。各処理チャンバ508a~fは、周期的層堆積CLD、原子層堆積ALD、化学気相堆積CVD、物理的気相堆積PVD、エッチング、前洗浄、ガス抜き、配向および他の基板プロセスに加えて、本明細書で述べるドライエッチングプロセスを含めたいくつかの基板処理操作を実施するように装備することができる。処理チャンバ508a~fは、流動可能な誘電体フィルムを基板ウエハ上に堆積し、アニーリングし、硬化させ、および/またはエッチングするための1つまたは複数のシステム構成要素を含むことができる。一構成では、2対の処理チャンバ例えば、508c~dと508e~fを使用して、基板上に誘電体材料を堆積することができ、処理チャンバの第3の対例えば、508a~bを使用して、堆積された誘電体をエッチングすることができる。別の構成では、3対のチャンバ例えば、508a~fすべてを、基板上の誘電体フィルムをエッチングするように構成することができる。説明するプロセスの任意の1つまたは複数は、様々な実施形態に示される製造システムから分離された1つまたは複数のチャンバで行うことができる。モータ、バルブ、流量コントローラ、電源、および本明細書で述べるプロセスレシピを実施するのに必要な他の機能を制御するために、システムコントローラ557が使用される。また、処理チャンバ508a~fの1つまたはすべてにガスを導入するために、システムコントローラ557によってガスハンドリングシステム555を制御することもできる。システムコントローラ557は、光センサからのフィードバックに依拠して、ガスハンドリングシステム555内および/または処理チャンバ508a~f内での可動の機械的アセンブリの位置を決定および調節することができる。機械的アセンブリは、システムコントローラ557の制御下でモータによって移動されるロボット、スロットルバルブ、およびサセプタを含むことがある。例示的実施形態では、システムコントローラ557は、ハードディスクドライブメモリ、USBポート、フロッピーディスクドライブ、および処理装置を含む。システムコントローラ557は、アナログおよびデジタル入出力ボード、インターフェースボード、およびステッパモータコントローラボードを含む。処理チャンバ400を含むマルチチャンバ処理システム500の様々な部分が、システムコントローラ557によって制御される。システムコントローラは、ハードディスク、フロッピーディスク、またはフラッシュメモリサムドライブthumbdriveなどコンピュータ可読媒体に記憶されたコンピュータプログラムの形態でシステム制御ソフトウェアを実行する。他のタイプのメモリを使用することもできる。コンピュータプログラムは、タイミング、ガスの混合、チャンバ圧力、チャンバ温度、RF出力レベル、サセプタ位置、および特定のプロセスの他のパラメータを示す命令のセットを含む。基板上でのフィルムのエッチング、堆積、または他の処理を行うためのプロセス、またはチャンバを洗浄するためのプロセスは、コントローラによって実行されるコンピュータプログラム製品を使用して実施することができる。コンピュータプログラムコードは、任意の従来のコンピュータ可読プログラミング言語、例えば、68000アセンブリ言語、C、C、Pascal、Fortranなどで書くことができる。従来のテキストエディタを使用して、適切なプログラムコードが単一のファイルまたは複数のファイルに入力され、コンピュータのメモリシステムなどコンピュータ使用可能媒体に記憶される、または組み入れられる。入力されたコードテキストが高水準言語である場合、コードがコンパイルされ、次いで、得られたコンパイラコードが、プリコンパイルされているMicrosoftWindows登録商標ライブラリルーチンのオブジェクトコードとリンクされる。リンクされ、コンパイルされたオブジェクトコードを実行するために、システムユーザは、オブジェクトコードを呼び出し、コンピュータシステムに、メモリへのコードのロードを行わせる。次いで、CPUは、プログラムで識別されるタスクを行うために、コードを読み取って実行する。ユーザとコントローラの間のインターフェースは、タッチモニタを介するものでよく、マウスおよびキーボードを含むこともある。一実施形態では、2つのモニタが使用され、一方が、操作者用に洗浄室の壁に取り付けられ、他方が、サービス技師用に壁の裏に取り付けられる。2つのモニタは、同じ情報を同時に表示することができ、この場合、一方のみが、ある時点で入力を受け入れるように構成される。特定の画面または機能を選択するために、操作者は、指またはマウスで表示画面上の指定の領域に触れる。触れられた領域は、その強調色を変え、または新たなメニューもしくは画面が表示され、操作者の選択を確認する。本明細書で使用するとき、基板は、上に層が形成されている、または形成されていない支持基板でよい。支持基板は、絶縁体、または様々なドーピング濃度およびプロファイルの半導体でよく、例えば、集積回路の製造で使用されるタイプの半導体基板でよい。酸化ケイ素は、低い濃度の他の元素成分、例えば、窒素、水素、炭素を含むことがある。ガスは、2つ以上のガスの組合せでよい。用語トレンチは、本明細書を通じて、エッチングされた形状寸法が大きな水平方向アスペクト比を有することは示唆せずに使用される。表面の上から見て、トレンチは、円形、楕円形、多角形、長方形、または様々な他の形状に見えることがある。いくつかの実施形態を開示してきたが、開示した実施形態の精神から逸脱することなく、様々な修正形態、代替構成、および均等形態を使用することができることを当業者は理解されよう。さらに、本発明を不要に曖昧にするのを避けるために、いくつかのよく知られているプロセスおよび要素は記載していない。したがって、上記の説明は、本発明の範囲を限定するものとみなすべきではない。ある範囲の値が与えられる場合、文脈上特に明記しない限りは下限の単位の10分の1の単位までの、その範囲の上限と下限の間の各介在値も特に開示されていると理解される。ある指定範囲内の任意の指定値または介在値と、その指定範囲内の任意の他の指定値または介在値との間のより小さな各範囲が包含される。これらのより小さな範囲の上限と下限は、個別に、範囲内に含まれることも範囲から除外されることもあり、より小さな範囲内に限度の一方もしくは両方が含まれる範囲、またはどちらも含まれない範囲も、指定範囲内の任意の特に除外される限度を条件として本発明の範囲に包含される。指定範囲が限度の一方または両方を含む場合、含まれているそれらの限度の一方または両方を除外した範囲も包含される。本明細書および添付の特許請求の範囲で使用するとき、文脈上明記しない限り、単数形は複数形も含む。したがって、例えば、プロセスへの言及は、複数のそのようなプロセスを含み、誘電体材料への言及は、当業者に知られている1つまたは複数の誘電体材料および均等物への言及を含む。また、用語備えるおよび含むは、本明細書および添付の特許請求の範囲で使用するとき、指定した特徴、整数、構成要素、またはステップの存在を特定する意図のものであるが、1つまたは複数の他の特徴、整数、構成要素、ステップ、作用、またはグループの存在または追加を除外しない。"