蛍光体が練り込まれた放射線に感度を持つシンチレータとしても機能する支持基板と、前記支持基板上に形成された、前記蛍光体が発光する蛍光に感度を有する第1光電変換素子、及び前記第1光電変換素子の信号を出力するための第1スイッチング素子と、を備えることを特徴とする放射線変換パネル。請求項1に記載の放射線変換パネルであって、前記第1光電変換素子及び前記第1スイッチング素子は、前記支持基板に接して形成されていることを特徴とする放射線変換パネル。請求項1に記載の放射線変換パネルであって、前記第1光電変換素子は、前記支持基板に接して形成されており、前記第1スイッチング素子は、前記第1光電変換素子を介装して、前記支持基板上に形成されていることを特徴とする放射線変換パネル。請求項1~3のいずれか1項に記載の放射線変換パネルであって、前記支持基板の前記第1光電変換素子及び前記第1スイッチング素子が設けられた側は、前記第1光電変換素子が設けられていない側に比べ、練り込まれた蛍光体の粒子のサイズが大きい、練り込まれた蛍光体の粒子の密度が高い、及び練り込まれた付活剤の量が多い、のうち少なくとも1つ以上の条件を満たすことを特徴とする放射線変換パネル。請求項1~4のいずれか1項に記載の放射線変換パネルであって、前記第1光電変換素子は、有機光電変換材料を用いて成形されていることを特徴とする放射線変換パネル。請求項1~4のいずれか1項に記載の放射線変換パネルであって、前記支持基板の前記第1光電変換素子及び前記第1スイッチング素子が設けられていない側には、前記蛍光体が発光する蛍光に感度を有する第2光電変換素子、及び前記第2光電変換素子の信号を出力するための第2スイッチング素子が形成されていることを特徴とする放射線変換パネル。請求項6に記載の放射線変換パネルであって、前記第1光電変換素子及び前記第2光電変換素子のうち、少なくとも放射線が照射される側に設けられた前記光電変換素子は、有機光電変換材料を用いて成形されていることを特徴とする放射線変換パネル。請求項7に記載の放射線変換パネルであって、前記第1光電変換素子及び前記第2光電変換素子のうち、照射側とは反対側に設けられている前記光電変換素子は、無機光電変換材料を用いて成形されていることを特徴とする放射線変換パネル。請求項1~8の何れか1項に記載の放射線変換パネルであって、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子のうち少なくとも一方は、酸化物半導体を用いて成形されていることを特徴とする放射線変換パネル。請求項1~9の何れか1項に記載の放射線変換パネルであって、前記支持基板は、アラミド又はバイオナノファイバーを含むことを特徴とする放射線変換パネル。しかしながら、上記した特許文献1の技術では、光カプラ層の剥離が発生することを抑えることはできるが、シンチレータと光電変換層とは光カプラを用いて貼り合わされているので、シンチレータと光電変換層とは剥がれてしまう可能性は残されており、剥離により放射線画像の画質が劣化してしまう虞がある。また、接着剤は、放射線によって劣化して着色してしまい、この接着剤の着色によって放射線画像の画質が劣化する。そこで本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたものであり、放射線画像の画質の劣化を防止する放射線変換パネルを提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、放射線変換パネルであって、蛍光体が練り込まれた放射線に感度を持つシンチレータとしても機能する支持基板と、前記支持基板上に形成された、前記蛍光体が発光する蛍光に感度を有する第1光電変換素子、及び前記第1光電変換素子の信号を出力するための第1スイッチング素子と、を備えることを特徴とする。前記第1光電変換素子及び前記第1スイッチング素子は、前記支持基板に接して形成されていてもよい。前記第1光電変換素子は、前記支持基板に接して形成されており、前記第1スイッチング素子は、前記第1光電変換素子を介装して、前記支持基板上に形成されていてもよい。前記支持基板の前記第1光電変換素子及び前記第1スイッチング素子が設けられた側は、前記第1光電変換素子が設けられていない側に比べ、練り込まれた蛍光体の粒子のサイズが大きい、練り込まれた蛍光体の粒子の密度が高い、及び練り込まれた付活剤の量が多い、のうち少なくとも1つ以上の条件を満たしてもよい。前記第1光電変換素子は、有機光電変換材料を用いて成形されていてもよい。前記支持基板の前記第1光電変換素子及び前記第1スイッチング素子が設けられていない側には、前記蛍光体が発光する蛍光に感度を有する第2光電変換素子、及び前記第2光電変換素子の信号を出力するための第2スイッチング素子が形成されてもよい。前記第1光電変換素子及び前記第2光電変換素子のうち、少なくとも放射線が照射される側に設けられた前記光電変換素子は、有機光電変換材料を用いて成形されてもよい。前記第1光電変換素子及び前記第2光電変換素子のうち、照射側とは反対側に設けられている前記光電変換素子は、無機光電変換材料を用いて成形されてもよい。前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子のうち少なくとも一方は、酸化物半導体を用いて成形されていてもよい。前記支持基板は、アラミド又はバイオナノファイバーを含んでいてもよい。本発明によれば、支持基板に蛍光体を練り込んでシンチレータとして機能させるので、第1光電変換素子の上に、接着剤を用いてシンチレータを貼り付ける必要が無くなり、シンチレータと第1光電変換素子との剥離による放射線画像の画質の劣化を防止することができる。また、シンチレータを支持基板とは別途製造する工程及びシンチレータの貼り付け工程がなくなるので、コストが低廉となる。また、接着剤を用いないので、接着剤によって放射線画像の画質が劣化することはない。第1光電変換素子から遠い位置にある蛍光体ほど粒子を小さくするので、第1光電変換素子に到達したときの蛍光の広がり範囲を狭くさせることができ、撮像される放射線画像のボケを抑えることができ、放射線画像の画質を向上させることができる。第1光電変換素子から遠い位置にある蛍光体ほど密度を小さくするので、第1光電変換素子から遠い位置にある蛍光体ほど、発光する蛍光の量が小さくなり、撮像される放射線画像のボケを抑えることができ、放射線画像の画質を向上させることができる。第1光電変換素子から遠い位置にある蛍光体ほど、付活剤の量が少なくなるので、第1光電変換素子から遠い位置にある蛍光体ほど、発光する蛍光の量が小さくなり、撮像される放射線画像のボケを抑えることができ、放射線画像の画質を向上させることができる。支持基板の第1光電変換素子及び第1スイッチング素子が設けられていない側には、蛍光体が発光する蛍光に感度を有する第2光電変換素子、及び第2光電変換素子の信号を出力するための第2スイッチング素子が形成されているので、同時に2枚の放射線画像を得ることができる。第1光電変換素子及び第2光電変換素子のうち、少なくとも放射線が照射される側に設けられた光電変換素子は、有機光電変換材料を用いて成形されているので、照射された放射線を左程減衰させることなくシンチレータとして機能する支持基板に入射させることができる。第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子のうち少なくとも一方は、酸化物半導体を用いて成形されているので、支持基板を熱によって変形させることなくスイッチング素子を成形することができる。支持基板は、アラミド又はバイオナノファイバーを含むので、支持基板の耐熱性を向上させることができるとともに、熱膨張率を低くすることができる。本発明に係る放射線変換パネルについて、好適な実施の形態を掲げ、添付の図面を参照しながら以下、詳細に説明する。図1は、実施の形態の放射線撮像システムの構成図である。放射線撮像システム10は、ベッド等の撮像台12に横臥した被写体14である患者に対して、撮像条件に従った線量からなる放射線16を照射する放射線源18と、被写体14を透過した放射線16を検出して放射線画像に変換する電子カセッテ放射線撮像装置20と、放射線源18及び電子カセッテ20を制御するコンソール24と、放射線画像を表示する表示装置26とを備える。コンソール24と、放射線源18と、電子カセッテ20と、表示装置26との間には、例えば、UWBUltraWideBand、IEEE802.11.a/g/n等の無線LAN、又は、ミリ波等を用いた無線通信により信号の送受信が行われる。なお、ケーブルを用いた有線通信により信号の送受信を行ってもよい。コンソール24には、病院内の放射線科において取り扱われる放射線画像やその他の情報を統括的に管理するRIS放射線科情報システム28が接続され、RIS28には、病院内の医事情報を統括的に管理するHIS医事情報システム30が接続されている。図2は、図1に示す電子カセッテ20の斜視図であり、電子カセッテ20は、パネル部32と、該パネル部32上に配置された制御部34とを備える。なお、パネル部32の厚みは、制御部34の厚みよりも薄く設定されている。パネル部32は、放射線16を透過可能な材料からなる略矩形状の筐体40を有し、パネル部32の撮像面42には放射線16が照射される。撮像面42の略中央部には、被写体14の撮像領域及び撮像位置を示すガイド線44が形成されている。ガイド線44の外枠が、放射線16の照射野を示す撮像可能領域36になる。また、ガイド線44の中心位置ガイド線44が十字状に交差する交点は、撮像可能領域36の中心位置であるとともに、電子カセッテ20の幾何学的な中心位置とされる。制御部34は、放射線16に対して非透過性の材料からなる略矩形状の筐体50を有する。該筐体50は、撮像面42の一端に沿って延在しており、撮像面42における撮像可能領域36の外に制御部34が配設される。この場合、筐体50の内部には、後述するパネル部32を制御するカセッテ制御部80と、バッテリ等の電源部108と、コンソール24との間で無線による信号の送受信が可能な通信部110等が配置されている図3、図4参照。電源部108は、パネル部32に電力供給を行う一方で、カセッテ制御部80及び通信部110に対しても電力供給を行う。制御部34の短手方向の側面52には、外部の電源から電源部108に対して充電を行うためのACアダプタの入力端子54と、外部機器との間で情報を送受信可能なインターフェース手段としてのUSB端子56と、PCカード等のメモリカードを装填するためのカードスロット58とが設けられている。パネル部32は、後述する放射線変換パネル及び駆動回路部を有する。放射線変換パネルは、被写体14を透過した放射線16をシンチレータ光変換部により可視光領域に含まれる蛍光に一端変換し、変換した前記蛍光を光電変換素子により電気信号に変換する間接変換型の放射線変換パネルである。図3は、放射線変換パネルにおける光電変換素子の配列と、光電変換素子とカセッテ制御部との間の電気的接続を模式的に示す図である。放射線変換パネル70では、多数の光電変換素子第1光電変換素子72が図示しない基板上に配列され、これらの光電変換素子72に対して駆動回路部74から制御信号を供給するための複数のゲート線76と、複数の光電変換素子72から出力される電気信号を読み出して駆動回路部74に出力する複数の信号線78とが配列されている。制御部34のカセッテ制御部80は、駆動回路部74に制御信号を供給することで駆動回路部74を制御する。図4は、電子カセッテの回路構成を示す図である。放射線変換パネル70は、行列状に配置された光電変換素子72とTFT82とを有する。可視光を電気信号に変換する各光電変換素子72が形成された光電変換層を、行列状のTFT82のアレイの上に配置した構造であってもよい。駆動回路部74を構成するバイアス回路84からバイアス電圧が供給される各光電変換素子72では、可視光を電気信号アナログ信号に変換することにより発生した電荷が蓄積され、各列毎にTFT82を順次オンにすることにより前記電荷を画像信号として読み出すことができる。つまり、TFT82は、光電変換素子72の信号を出力するためのスイッチング素子である。各光電変換素子72に接続されるTFT第1スイッチング素子82には、列方向と平行に延びるゲート線76と、行方向に平行に延びる信号線78とが接続される。各ゲート線76は、ゲート駆動回路86に接続され、各信号線78は、駆動回路部74を構成するマルチプレクサ92に接続される。ゲート線76には、列方向に配列されたTFT82をオンオフ制御する制御信号がゲート駆動回路86から供給される。この場合、ゲート駆動回路86には、カセッテ制御部80からアドレス信号が供給され、ゲート駆動回路86は、該アドレス信号に応じてTFT82をオンオフ制御する。TFT82がオンになると、行方向に配列されたTFT82を介して各光電変換素子72に保持されている電流が信号線78に流出する。この電荷は、増幅器88によって増幅される。増幅器88には、サンプルホールド回路90を介してマルチプレクサ92が接続される。マルチプレクサ92は、信号を出力する信号線78を切り替えるFETスイッチ94と、1つのFETスイッチ94をオンにして選択信号を出力させるマルチプレクサ駆動回路96とを有する。マルチプレクサ駆動回路96には、カセッテ制御部80からアドレス信号が供給され、該アドレス信号に応じて1つのFETスイッチ94をオンにする。FETスイッチ94には、A/D変換器98が接続されA/D変換器98によってデジタル信号に変換された放射線画像が、フレキシブル基板112を介してカセッテ制御部80に供給される。フレキシブル基板112は、カセッテ制御部80と駆動回路部74とを電気的に接続するものである。なお、スイッチング素子として機能するTFT82は、CMOSComplementaryMetalOxideSemiconductorイメージセンサ等の、他の撮像素子と組み合わせて実現してもよい。さらに、TFTで言うところのゲート信号に相当するシフトパルスにより電荷をシフトしながら転送するCCDChargeCoupledDeviceイメージセンサに置き換えることも可能である。カセッテ制御部80は、ゲート駆動回路86及びマルチプレクサ駆動回路96に対して供給するアドレス信号を発生するアドレス信号発生部100と、放射線変換パネル70によって検出された放射線画像を記憶する画像メモリ102とを備える。画像メモリ102に記憶された放射線画像は、通信部110によりコンソール24等に送信される。図5は、図3及び図4に示す放射線変換パネルの断面の一例を模式的に示した図である。放射線変換パネル70は、支持基板120と、蒸着等により支持基板120上に形成された光電変換素子72及びTFT82とを有する。光電変換素子72及びTFT82は、支持基板120に接して形成されている。なお、図5では、光電変換素子72とTFT82とを1層で表したが、図6に示すように、光電変換素子72とTFT82とが2層になっていてもよい。詳しくは、支持基板120上に光電変換素子72の層が形成され、その上にTFT82が形成されていてもよい。つまり、光電変換素子72を介装して支持基板120上にTFT82の層が形成されていてもよい。支持基板120は、プラスチック等を含む可撓性の基板である。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリクロロトリフルオロエチレン等を含む可撓性基板フレキシブル基板を用いることができる。また、支持基板120は、アラミド、バイオナノファイバー等を含む可撓性基板であってもよい。アラミド、バイオナノファイバーは、高い耐熱性と低い膨張率を両立する材料である。ポリエチレンテレフタレートは、放射線を吸収して370nmにピークを持つ光を発光する。支持基板120には、放射線を吸収して蛍光を発光する蛍光体122が練り込まれている。つまり、シンチレータが混練された支持基板120は、入射された放射線を、光電変換素子72が感度を有する波長帯域の蛍光に変換するシンチレータとして機能する。これにより、支持基板120は、放射線に感度を持つシンチレータとして機能する。蛍光体122が発する蛍光の波長帯域は、可視光帯域約波長360nm~830nm内にあることが好ましく、光電変換素子72によってモノクロ撮像を可能とするためには、緑色の波長帯域を含んでいることが好ましい。蛍光体122としては、具体的には、ガドリニウム硫酸化物GOSを含むものやLa2O2S:Tb、BaFX:Eu、BaSO4:Pb、CaWO4、La2OBr:Tb、ZnS:Agを含むもの等であっても良い。光電変換素子72は、有機光電変換材料OPC;OrganicPhotoconductorを用いて成形されていてもよく、蛍光体が発光した蛍光を吸収し、受光した光に応じた電荷を発生する。有機光電変換材料を用いて成形された光電変換素子72であれば、可視光にシャープな吸収スペクトルを持ち、蛍光体122が発光した蛍光以外の電磁波が光電変換素子72に吸収されることは殆ど無く、X線等の放射線が光電変換素子72で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑えることができる。なお、有機光電変換材料は、真空蒸着法で形成されるので、粘着等の貼り合わせに比べて剥離し難い。光電変換素子72を構成する有機光電変換材料は、蛍光体が発光した蛍光を最も良く吸収するためには、その吸収ピーク波長と蛍光体の発光ピーク波長とが近い程好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長と蛍光体122の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、両者の差が小さければ小さいほど、光電変換素子72は、蛍光体122が発光した蛍光を十分に吸収することが可能となる。具体的には、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、蛍光体122の放射線に対する発光ピーク波長との差が、10nm以内であることが好ましく、5nm以内であることがより好ましい。なお、有機光電変換材料は、支持基板120に塗布されてもよい。この場合も密着性がよい。なお、光電変換素子72は、無機光電変換材料を用いて成形してもよい。無機光電変換材料は、光の波長による選択性が低いので、可視光を透過するフィルタを光電変換素子72に設けてもよい。これにより、光電変換素子72は、該フィルタを透過した光を吸収することで、有機光電変換材料と同等の機能を有することができる。無機光電変換材料としては、アモルファスシリコンa-Si等がある。TFT82は、例えば、酸化物半導体を用いて成形されている。酸化物半導体として、アモルファス酸化物半導体IGZOを用いてもよい。IGZOInGaZnO4は、低温で成形可能であるため、プラスチック等の可撓性を有する支持基板120を用いても、熱によって支持基板120を変形させずにTFT82を成形することができる。なお、アラミド、又はバイオナノファイバーを用いて支持基板120を構成する場合は、TFT82は、酸化物半導体以外の半導体を用いて成形してもよい。アラミド及びバイオナノファイバーは耐熱性が高いので、高温でTFT82を成形しても、支持基板120が変形し難いからである。このように、支持基板120に蛍光体122を練り込んで、支持基板120をシンチレータとして機能させることで、支持基板120上に設けられた光電変換素子72の上に、接着剤によってシンチレータを貼り付ける必要がなくなり、シンチレータと光電変換素子72との剥離による放射線画像の画質の劣化を防止することができる。また、シンチレータを支持基板120とは別途製造する工程及びシンチレータの貼り付け工程がなくなるので、コストが低廉となる。また、接着剤を用いないので、接着剤によって放射線画像の画質が劣化することはない。図7は、図3及び図4に示す放射線変換パネルの断面の他の例を模式的に示した図であり、図5と異なる部分のみを説明する。図7に示す支持基板120は、図5に示す支持基板120と異なり、練り込まれている蛍光体122の粒子のサイズ大きさ、密度が場所によって異なるというものである。図7に示すように、支持基板120の光電変換素子72及びTFT82が設けられている側の蛍光体122の粒子は、支持基板120の光電変換素子72及びTFT82が設けられていない側の蛍光体122の粒子より大きい。蛍光体122の粒子が大きい場合には、発光する蛍光の量が大きくなるので、光電変換素子72から出力される輝度信号は大きくなるが、発光する蛍光が拡散し易くなるので発光する光の広がり範囲が広くなるので、得られる放射線画像がボケ易くなる。また、蛍光体122の粒子が小さい場合は、発光する蛍光が拡散し難くなるので発光する光の広がり範囲が狭くなるので、鮮明な放射線画像が得られるが、発光する蛍光の量が小さくなるので、光電変換素子72から出力される輝度信号は小さくなる。図7に示すように、支持基板120の光電変換素子72及びTFT82が設けられている側に練り込まれている蛍光体122の粒子は、支持基板120の光電変換素子72及びTFT82が設けられていない側の蛍光体122より密度が高い。蛍光体の粒子の密度が高いほど、発光する蛍光の量が大きくなる。参照符号124は、界面を表しており、界面124を境にして、蛍光体122の粒子の大きさ、粒子の密度が異なる。このように、蛍光体122の粒子の大きさ、粒子の密度を段階的に変えている。なお、界面124は、蛍光体の粒子サイズにあるのであって、支持基板120に界面はない。つまり、支持基板120は1つである。さらに、支持基板120の光電変換素子72及びTFT82が設けられている側の蛍光体122の付活剤を、支持基板120の光電変換素子72及びTFT82が設けられていない側の蛍光体122の付活剤より多くしてもよい。付活剤の量が多くなるほど、蛍光体122が発光する蛍光の量が多くなる。支持基板120となるプラスチック等に、蛍光体を練り込むときに、攪拌力を制御することで、蛍光体122を沈降させながら硬化させて、図7に示すような蛍光体122の粒子分布を作ることができる。図7では、蛍光体122の粒子の大きさ、粒子の密度を2段階に分けているが、蛍光体122の粒子の大きさ、粒子の密度を3段階以上に分けてもよい。3段階以上に分ける場合は、支持基板120の光電変換素子72等が設けられた側に近づくにつれ、蛍光体122の粒子の大きさ、粒子の密度を、大きく、高くしてもよい。また、図7では、蛍光体122の粒子の大きさ、粒子の密度を段階的に分けたが界面124が生じるように分けたが、蛍光体122の粒子の大きさ、粒子の密度を界面が生じないように徐々に変化させてもよい。つまり、支持基板120の光電変換素子72等が設けられた側に近づくにつれ、蛍光体122の粒子の大きさ、粒子の密度が徐々に大きく、高くなるようにしてもよい。付活剤の量も同様に、光電変換素子72及びTFT82が設けられている側に近づくほど、蛍光体122の付活剤の量を、段階的に、又は、界面が生じないように徐々に多くしてもよい。また、支持基板120がアラミド、バイオナノファイバーを多く含むことで、図7に示すような蛍光体122の粒子分布を作っても、支持基板120の熱膨張率を略均一にできる。支持基板120がアラミド、バイオナノファイバーを含まない場合は、蛍光体122が多い場所は熱膨張率が低くなり、蛍光体122が少ない場所は熱膨張率が高くなる傾向にある。なお、支持基板120のアラミド、バイオナノファイバーを含む割合に応じて、支持基板120の熱膨張率が変わり、アラミド、バイオナノファイバーを含む割合が多ければ多いほど、熱膨張率が低くなり、支持基板120の熱膨張率を略一定に近づけることができる。このように、光電変換素子72から遠い位置にある蛍光体122ほど粒子が小さいので、光電変換素子72から遠い位置にある蛍光体122ほど、発光する蛍光が拡散し難くなる。これにより、光電変換素子72に到達したときの蛍光の広がり範囲を狭くさせることができ、撮像される放射線画像のボケを抑えることができ、放射線画像の画質を向上させることができる。光電変換素子72から遠い位置にある蛍光体122ほど粒子の密度が小さくなるので、光電変換素子72から遠い位置にある蛍光体122ほど、発光する蛍光の量が小さくなる。これにより、撮像される放射線画像のボケを抑えることができ、放射線画像の画質を向上させることができる。また、光電変換素子72から遠い位置にある蛍光体122ほど、付活剤の量が少なくなるので、光電変換素子72から遠い位置にある蛍光体122ほど、発光する蛍光の量が小さくなり、撮像される放射線画像のボケを抑えることができ、放射線画像の画質を向上させることができる。なお、図7では、光電変換素子72とTFT82とを1層で表したが、図6に示すように、光電変換素子72とTFT82とが2層になっていてもよい。なお、光電変換素子72を有機光電変換材料で構成すると共に、有機材料からなるTFT82を備えたCMOS回路によって可撓性を有するTFT層を実現してもよい。この場合、CMOS回路で用いられるp型有機半導体の材料としてペンタセンを採用すると共に、n型有機半導体の材料としてフッ化銅フタロシアニンF16CuPcを採用すればよい。これにより、より小さな曲げ半径にすることが可能な可撓性を有するTFT層を実現することができる。また、このようにTFT層を構成することにより、ゲート絶縁膜を大幅に薄くすることができ、駆動電圧を低下させることも可能となる。さらに、ゲート絶縁膜、半導体、各電極を室温又は100°C以下で作製することができる。さらにまた、可撓性を有する支持基板120上にCMOS回路を直接作製することもできる。しかも、有機材料からなるTFT82は、スケーリング則に沿った製造プロセスにより微細化することが可能となる。なお、支持基板120は、薄厚のポリイミド基板上にポリイミド前駆体をスピンコート法で塗布して加熱すれば、ポリイミド前駆体がポリイミドに変化するので、凹凸のない平坦な基板を実現することができる。また、ミクロンオーダの複数のデバイスブロックを基板上の指定位置に配置する自己整合配置技術FluidicSelf-Assembly法を適用して、結晶Siからなる光電変換素子72及びTFT82を、樹脂基板からなる支持基板120上に配置してもよい。この場合、ミクロンオーダの微小デバイスブロックとしての光電変換素子72及びTFT82を他の基板に予め作製した後に該基板から切り離し、液体中で、前記光電変換素子72及び前記TFT82をターゲット基板としての支持基板120上に散布して統計的に配置する。支持基板120には、デバイスブロックに適合させるための加工が予め施されており、デバイスブロックを選択的に支持基板120に配置することができる。従って、最適な材料で作られた最適なデバイスブロック光電変換素子72及びTFT82を最適な基板支持基板120上に集積化させることができ、結晶でない支持基板120樹脂基板に光電変換素子72及びTFT82を集積化することが可能となる。上記実施の形態は、以下のように変形可能である。変形例1上記実施の形態では、支持基板120の片面にのみ光電変換素子及びTFTを形成するようにしたが、支持基板120の両面に、光電変換素子及びTFTを形成してもよい。この場合は、両面から放射線画像が読み出し可能となり、同時に2枚の放射線画像を得ることができる。図8は、変形例1の放射線変換パネルの断面の一例を模式的に示した図である。本変形例の放射線変換パネル70は、図5に示す支持基板120の光電変換素子72及びTFT82が形成されていない側に、さらに光電変換素子第2光電変換素子130及びTFT第2スイッチング素子132を形成したものである。光電変換素子72及び光電変換素子130のうち、少なくとも一方は、有機光電変換材料を用いて成形されていてもよい。有機光電変換材料は、上述したように、蛍光体122が発光した蛍光以外の電磁波を吸収しないのでX線を透過するので、有機光電変換材料を用いて成形された光電変換素子が設けられた側を放射線の照射側としてもよい。アモルファスシリコン等の無機光電変換材料は、X線を吸収する特性を有し、X線の吸収によって劣化してしまうので、無機光電変換材料で成形された光電変換素子が設けられた側を、裏面側としてもよい。図8では、照射側である光電変換素子130を有機光電変換材料で成形し、裏面側である光電変換素子72を無機光電変換材料で成形したものとする。これにより、無機光電変換材料で成形された光電変換素子72の寿命を延ばすことができる。また、照射側から照射されて、支持基板120を通過した放射線は、裏面側にある無機光電変換材料である光電変換素子72によって吸収されるので、裏面側から漏れる放射線量を少なくすることできる。また、放射線側に有機光電変換材料で成形された光電変換素子130を設けるので、光電変換素子130による放射線の減衰を低減させることができる。したがって、照射された放射線を左程減衰させることなく、支持基板120に入射させることができる。図9は、変形例1の放射線変換パネルの断面の他の例を模式的に示した図である。本変形例の放射線変換パネル70は、図7に示す放射線変換パネル70の支持基板120の光電変換素子72及びTFT82が形成されていない側に、さらに光電変換素子130及びTFT132を形成したものである。光電変換素子72及び光電変換素子130のうち、少なくとも一方は、有機光電変換材料を用いて成形されていてもよく、有機光電変換材料を用いて成形された光電変換素子が設けられた側を放射線の照射側としてもよい。図9においては、光電変換素子130を有機光電変換材料で成形し、光電変換素子72は、アモルファスシリコン等の無機光電変換材料で成形する。支持基板120がアラミド、バイオナノファイバーを含まない場合、若しくは、アラミド、バイオナノファイバーの含量が少ない場合に、支持基板120の光電変換素子130が設けられた側は、光電変換素子72が設けられた側に比べて熱膨張率は高くなる。これは、この膨張率の差は、蛍光体122が練り込まれた量の差に起因する。また、有機光電変換材料はアモルファスシリコンに比べ熱膨張率が高い。したがって、有機光電変換材料から成形された光電変換素子130及び支持基板120の光電変換素子130が設けられた側は、共に熱膨張率が高いので、支持基板120と光電変換素子130とが剥離することはない。なお、図8、図9において、TFT132は、アモルファス酸化物半導体IGZOを用いて成形されてもよい。また、光電変換素子130が設けられている側を照射側としたが、光電変換素子72が設けられた側を照射側としてもよい。また、図8、9では、光電変換素子130とTFT132とを1層で表したが、光電変換素子130とTFT132とが2層になっていてもよい。また、図8、図9おいて、有機光電変換材料を用いて光電変換素子130を成形し、IGZOを用いて光電変換素子72及びTFT82、132を成形するとともに、ポリエチレンテレフタレートの支持基板にGOS:Tbの蛍光体122を練りこむ。このような放射線変換パネル70に放射線が照射されると、GOS:Tbの蛍光体122は、緑色の光を発光し、ポリエチレンテレフタレートは、370nmにピークを持つ光を発光する。GOS:Tbの蛍光体122が発光した蛍光は、有機光電変換材料で成形された光電変換素子130に吸収され、ポリエチレンテレフタレートが発光した光は、IGZOを用いて成形された光電変換素子72によって吸収される。支持基板120のポリエチレンテレフタレートが発光した光を受光することで感度を向上させることができる。さらに、上記実施の形態及び変形例1において、光電変換素子72、130をフレキシブルな有機光電変換材料で構成し、TFT82、132もフレキシブルな有機材料で構成することで、放射線変換パネル70をフレキシブルにすることができ、放射線変換パネル70を有機材料で構成されたフレキシブルなCMOSセンサとして機能させることができる。これにより、パネル部32をフレキシブルにすることが可能となり、搬送時にパネル部32を巻くことで、携帯性を向上させることができる。変形例2上記実施の形態では、図2に示すように、パネル部32の撮像領域外の撮像面42上に制御部34が設けられた電子カセッテ20を用いて説明したが、図10、図11に示すような形態の電子カセッテ20を用いてもよい。なお、図10及び図11において、図2に示す構成要素と同様の構成要素について同一の参照符号を付し、図2と異なる部分のみを説明する。図10は、変形例2のパネル部と制御部とが積層された電子カセッテの斜視図である。電子カセッテ20は、制御部34の上にパネル部32が積層されたものである。パネル部32の上面は、撮像可能領域36及びガイド線44を含む撮像面42であり、パネル部32の撮像面42がある側とは反対側に制御部34が設けられている。この撮像面42の上に被写体である患者を配置させ、その患者の上から放射線を照射することで放射線撮像を行うことができる。このパネル部32と制御部34とを積層する電子カセッテ20の場合に、パネル部32を透過した放射線の制御部34への入射が、制御部34の故障の原因となるので、パネル部32と制御部34との間には、放射線を透過しない遮蔽板図示略を設ける。なお、図10では、分かり易くするために、パネル部32と制御部34とを別筐体とし、パネル部32と制御部34とを張り合わせて接合するようにしたが、パネル部32と制御部34を1つの筐体の中に収納してもよい。図11は、変形例2のパネル部32と制御部34とがヒンジ134によって接合されることで、折り畳み可能な電子カセッテ20を示す図である。図11Aに示すように、搬送時は、電子カセッテ20は折り畳まれた状態であり、パネル部32と制御部34とが重ね合わされた状態となる。使用時には、図11Bに示すように、ヒンジ134を中心として、パネル部32を制御部34から離間する方向に回動させることで、電子カセッテ20を展開させる。図11Cに示すように、パネル部32が展開されると、撮像可能領域を示す36、ガイド線44を含む撮像面42が現れる。該撮像面42の上に被写体である患者を配置させ、その患者の上から放射線を照射することで放射線撮像を行うことができる。以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。