基体上にラインアンドスペース構造を形成する工程と、前記ラインアンドスペース構造のラインの側壁および上面に絶縁膜材料で第1の膜をスペースの幅の1/2未満の厚さで成膜する工程と、前記第1の膜を選択的に除去してラインの頂面を露出させる工程と、前記第1の膜に対して濡れ性の悪い材料で前記ラインアンドスペース構造を覆い、前記ラインアンドスペース構造を跨ぐ第2の膜を塗布成膜法により成膜する工程と、前記第2の膜を熱処理により硬化させる工程と、を備える、半導体装置の製造方法。前記第1の膜を選択的に除去する工程に先立って、前記第1の膜に対して濡れ性の良好な材料をスペース内に埋め込んで第3の膜を成膜する工程と、前記第2の膜の成膜前に前記第3の膜を除去する工程と、をさらに備え前記ラインアンドスペース構造の頂面は、前記第3の膜に引き続いて前記第1の膜を選択的に除去することにより露出する、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。基体と、前記基体上に所定間隔で互いに平行に配置されたラインパターンで構成されたラインアンドスペース構造と、前記ラインパターンの側面に絶縁膜材料で形成された第1の膜と、前記ラインパターン間のスペースを跨ぐように前記ラインアンドスペース構造の上に前記第1の膜に対して濡れ性の悪い材料で形成された第2の膜と、を備え、前記スペース内には、少なくともその底面の全面が露出するエアギャップが形成された半導体装置。前記第2の膜の底面は、前記金属配線の底面よりも上方に位置することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。前記ラインパターンは、金属配線と、前記金属配線上に形成された酸化膜との積層体であり、前記第1の膜は、炭素を含有する酸化膜または低誘電率材料で形成される、ことを特徴とする請求項3または4に記載の半導体装置。本発明が解決しようとする課題は、空隙率の大きいエアギャップを有する半導体装置およびその製造方法を提供することである。実施形態の半導体装置の製造方法は、基体上にラインアンドスペース構造を形成する工程と、前記ラインアンドスペース構造のラインの側壁および上面に絶縁膜材料で第1の膜を成膜する工程と、前記第1の膜を選択的に除去して前記ライン領域の頂面を露出させる工程と、前記ラインアンドスペース領域を跨ぐ第2の膜を塗布成膜法により成膜する工程と、前記第2の膜を熱処理により硬化させる工程と、を持つ。前記第1の膜の厚さは前記スペースの幅の1/2未満であり、前記第2の膜は、前記第1の膜に対して濡れ性の悪い材料で前記ラインアンドスペース構造を覆うように成膜される。以下、実施の形態のいくつかについて図面を参照しながら説明する。図面においては、同一の部分には同一の参照番号を付し、その重複説明を適宜省略する。1実施形態1による半導体装置図1Aは、実施形態1による半導体装置の主要部を示す略示断面図である。図1Aに示す半導体装置は、基板Sと、ラインアンドスペース構造体1と、第1絶縁膜3と、第2絶縁膜7とを備える。基板Sは、シリコン基板であり、本実施形態において例えば基体に対応する。基板Sは、シリコン基板に限ることは勿論なく、例えばガラス基板でもセラミック基板でもよい。ラインアンドスペース構造体1は、シリコン基板上に所定の間隔でラインパターンとスペースパターンとが交互に繰り返し配置されたものである。ラインパターンは金属で形成され、本実施形態において金属配線をなす。第1絶縁膜3は、ラインアンドスペース構造体1の金属配線の側面および底面に、例えばシリコン窒化膜で成膜される。第1絶縁膜3の厚さは、スペースの幅をW1とすると、1/2×W1未満である。本実施形態において、第1絶縁膜3は例えば第1の膜に対応する。第2絶縁膜7は、絶縁膜3に対して濡れ性の悪い材料、例えばMSQMethylSilsesquioxaneなどの炭素を含有したシリコン酸化膜で、ラインアンドスペース構造体1のスペースを跨ぐようにラインアンドスペース構造体1の上に形成される。本実施形態において、第2絶縁膜7は例えば第2の膜に対応する。このような構造により、図1Aの半導体装置において、ラインアンドスペース構造体1の各金属配線間には、第1絶縁膜3および第2絶縁膜7で囲まれたエアギャップが形成される。後に製造方法の実施の形態として説明するように、実際の製造工程においては第2絶縁膜7の材料であるMSQが若干量だけスペース内に流れ込む場合があるために、第2絶縁膜7のスペース内の底面が図1の点線に示す形状になることがあり、さらに、図1Bの変形例の一点鎖線に示すような形状になることもあるが、図1Bの一点鎖線を超えて流れ込むことは無く、少なくとも第1絶縁膜3の底面は全て露出している。この結果、本実施形態の半導体装置は、良好なエアギャップ構造を備える。これにより、配線抵抗および容量のいずれにおいても低減された半導体装置が提供される。なお、上述の説明では第2絶縁膜7として濡れ性の悪い材料であるMSQを一例として示したが、ここでいう濡れ性は、下地材料上に第2絶縁膜7を、液体状の原材料薬液を用いて塗布成膜法により形成する場合において、仮に薬液が孤立した状態を保てるような微少量だけを滴下した場合に、その薬液の表面張力や下地材料と薬液との界面張力によって決まる、接触角を用いて定量的に定義することができる。一般に、濡れ性は固体上に液体をおいたときの広がり方で表すことができ、固体と液体とがある角度θで接触しているとき、上記角度θを接触角といい、接触角θが小さいほど濡れ性がよく、接触角θが大きいほど濡れ性が悪い、といわれる。本件明細書における濡れ性とは、下地材料の上に絶縁膜を形成する際に、該絶縁膜を形成するための材料を含有する薬液を下地材料に滴下したときの接触角から定量化することができる。本実施形態においては、第2絶縁膜7を形成するための、第2絶縁膜7の材料を含有する薬液を、下地材料に滴下したときの接触角から定量化できる。接触角の実際の測定においては薬液は固化しており、固体下地絶縁膜3上に固体第2の絶縁膜7が形成された構造となるが、薬液を用いた塗布成膜法によるMSQ等の形成においては、その固化時においても形状が大きく変わることはないため、濡れ性の評価が可能になる。図1Aに示す半導体装置の製造方法を、実施形態1および2による半導体装置の製造方法として図1A乃至図8を参照しながら説明する。2実施形態1による半導体装置の製造方法図2A乃至図7は、実施形態1による半導体装置の製造方法を説明する略示断面図である。まず、図2Aに示すように、基板S上に、金属の積層膜2を形成し、次に、図2Bに示すように、フォトレジストRを形成する。次に、ドライエッチングにより図2Cに示すように積層膜2を選択的に除去し、最後にフォトレジストRを除去することにより、図2Dに示すようにラインアンドスペース構造体1を形成する。次に、図3に示すように、例えばCVDChemicalVaporDeposition法を用いてラインアンドスペース構造体1の表面、および基板Sで表面が露出した領域上にのみ絶縁膜材料、例えばシリコン窒化膜で第1絶縁膜4を成膜する。このとき、第1の絶縁膜4の厚さは、ラインアンドスペース構造体1のスペースの幅をW1とすると、1/2×W1未満とする。続いて、図4に示すように、スペース内部への埋め込みが可能な、第1絶縁膜4に対して良好な濡れ性を有する材料、例えばアモルファスシリコン膜、あるいはシリコン酸化膜を、第3の膜6として、ラインアンドスペース構造体1を覆うように成膜する。これにより、第3の膜6は各スペース内部を充填する。次に、CMPChemicalMechanicalPolishingにより第3の膜6、および第1の絶縁膜4のうちラインの上部に成膜された部分を除去し、図5に示すように、ラインアンドスペース構造体1の頂面を露出させる。これにより、第1絶縁膜4および第3絶縁膜6は、それぞれ第1絶縁膜3および第3の膜5となる。その後、図6に示すように、スペース内部に埋め込まれた第3の膜5をウェットエッチングにより除去する。続いて、絶縁膜3に対して濡れ性の悪い材料、例えばMSQなどの炭素を含有したシリコン酸化膜で第2絶縁膜8をラインアンドスペース構造体1へ塗布成膜法により成膜する。このとき第2絶縁膜8は、絶縁膜3に対する濡れ性の悪さのため、スペース領域の第1絶縁膜3上には成膜されない。これにより、図7に示すように、スペース領域に第2絶縁膜8が流れ込まれずに第1絶縁膜3が存在しないライン上部に成膜される。これにより、各スペース領域を跨いでラインアンドスペース構造体1の頂面を繋ぐように第2絶縁膜8が成膜される。絶縁膜3に対する第2絶縁膜8の濡れ性の評価のため、第2絶縁膜8の材料を含有する薬液を下地の絶縁膜3に滴下したときの接触角を測定したところ、約90度であった。その後は、高温での熱処理を行うことで第2絶縁膜8を硬化させて第2絶縁膜7とする。これにより、スペース内、即ち、金属配線間にエアギャップが良好に形成されて図1に示す半導体装置が提供される。本実施形態によれば、ラインアンドスペース構造体1を覆うように第1絶縁膜4に対して良好な濡れ性を有する材料で第3の絶縁膜6を成膜することにより各スペース領域を第3の絶縁膜6で一旦充填するので、その後のCMP工程において、パターン倒れの懸念が解消される。これにより、エアギャップ構造を安定的に形成することができる。第1絶縁膜4に対する第3の絶縁膜6の濡れ性の評価のため、第3の絶縁膜6の材料を含有する薬液を下地の絶縁膜4に滴下したときの接触角を測定したところ、約40度であった。3実施形態2による半導体装置の製造方法図8は、実施形態2による半導体装置の製造方法を説明する略示断面図である。まず、前述した実施形態1による半導体装置の製造方法と同様にして基板S上にラインアンドスペース構造体1を形成し図2参照、例えばCVD法を用いてラインアンドスペース構造体1の表面に絶縁膜材料、例えばシリコン窒化膜で第1絶縁膜4を成膜する図3参照。このとき、第1絶縁膜4の厚さは、ラインアンドスペース構造体1のスペースの幅をW1とすると、1/2×W1未満とする。次いで、スペース領域を除いて、ラインアンドスペース構造体1の頂面に形成されている第1絶縁膜4をCMPによって除去することにより、図8に示すように、第1絶縁膜3とする。続いて、前述した実施形態1と同様に、第1絶縁膜3に対して濡れ性の悪い絶縁膜材料、例えばMSQなどの炭素を含有したシリコン酸化膜をラインアンドスペース構造体1上へ塗布成膜法により成膜し、スペース領域を跨いでラインアンドスペース構造体1の頂面を繋ぐ第2絶縁膜8を成膜し図7参照、その後は、高温の熱処理で第2絶縁膜8を硬化させて第2絶縁膜7とすることにより、スペース領域、即ち、金属配線間にエアギャップが形成されて図1に示す半導体装置が提供される。なお、第2絶縁膜8の材料を含有する薬液を下地の第1絶縁膜3に滴下した際の接触角は約80度であった。本実施形態によれば、上述した実施形態1による製造方法のように、第1絶縁膜4に対して良好な濡れ性を有する第3の絶縁膜6で各スペース領域を一旦充填することなく、第2絶縁膜8を直接ラインアンドスペース構造体1上に成膜するので、実施形態1と比較してより少ない工程数で良好なエアギャップを金属配線間に形成することができる。また、上述した実施形態1および2の半導体装置の製造方法によれば、塗布材料であるMSQなどの炭素を含有したシリコン酸化膜について、本来持ち得る絶縁膜としての特性を劣化させることなく、エアギャップを良好に形成させることが可能となる。これにより、低誘電率化が実現されるとともに、機械強度や耐熱性に優れた層間絶縁膜を備える半導体装置が提供される。4実施形態2による半導体装置図9は、本実施形態による半導体装置の主要部を示す略示断面図である。図9に示す半導体装置は、基板Sと、シリコン酸化膜22と、ラインアンドスペース構造体と、側壁膜25と、エアギャップ形成用絶縁膜30と、を備える。基板Sは、シリコン基板であり、本実施形態において例えば基体に対応する。基板Sは、シリコン基板に限ることはなく、例えばガラス基板でもセラミック基板でもよい。シリコン酸化膜22は、基板S上に形成される。シリコン酸化膜22上には、間隔W2で互いに平行に配置されたラインパターンで構成されるラインアンドスペース構造体が形成される。各ラインパターンは、金属配線層23とプラズマシリコン窒化膜24が順次に形成された積層体で構成される。ラインパターンの側壁には、例えばシリコン酸化膜で側壁膜25が成膜される。そして、ラインアンドスペース構造体の上には、スペース領域を跨いでプラズマシリコン窒化膜24および側壁膜25の頂面を繋ぐように、側壁膜25に対して濡れ性の悪い材料、例えばMSQなどの炭素を含有したシリコン酸化膜でエアギャップ形成用絶縁膜30が成膜されている。スペース領域の底面シリコン酸化膜22の上面は少なくともその全面が露出しており、本実施形態において、エアギャップ形成用絶縁膜30のスペース領域における底面の高さは、金属配線層23の底面よりも高い。また、エアギャップ形成用絶縁膜30のスペース領域における底面の高さが金属配線層23の頂面よりも高いとさらに望ましい。配線間容量がさらに低減されるからである。このように、本実施形態では、配線間容量に寄与する、金属配線層23の側面にエアギャップ形成用絶縁膜30が形成されていないので、ラインパターン間でエアギャップが良好に形成されている。本実施形態において、側壁膜25は例えば第1の膜に対応し、エアギャップ形成用絶縁膜30は例えば第2の膜に対応する。図9に示す半導体装置について、ライン幅30nmおよびスペース幅30nmの場合で配線間容量を測定したところ、エアギャップを形成していない場合の構造の容量の約65にまで容量が低減しており、また、その容量のばらつきは、平均値に対して1σがわずか±5であった。以上述べた実施形態1および2による半導体装置においては、ラインアンドスペース構造体のスペース内にエアギャップが良好に形成されているので、配線抵抗および容量のいずれもが低減されており、高速動作低消費電力の双方が実現される。図9では、金属配線23の上にシリコン窒化膜24が形成され、これらの積層体の側壁にシリコン酸化膜で側壁膜25が形成された構造を示したが、これら材料の組み合わせに限られるものでは決してない。本実施形態のラインアンドスペース構造体で、その上面に塗布形成される膜の材料とラインパターンの側面に形成される材料とが互いに異なっており、かつ、ラインパターンの側面に形成される材料に対して、上面に塗布形成される膜の濡れ性が悪ければ、図9の構造と同様の効果を得ることができる。例えば、側壁膜として有機系の膜でもよいし、他の低誘電率絶縁膜材料でもよい。その場合は、金属配線23の上でエアギャップ形成用絶縁膜30と接する膜は、図9のシリコン窒素化膜24でなく、他の材料、例えばシリコン酸化膜でもよい。このような構造の一例を本実施形態の変形例として図10に示す。図10に示す半導体装置の側壁膜28においては、シリコン酸化膜中に炭素Cが5以上の濃度で含まれている。また、金属配線23の上にはシリコン酸化膜29が成膜されてその頂面でエアギャップ形成用絶縁膜30と接している。側壁膜として炭素Cを含む材料、または低誘電率材料を用いることにより、これらの材料の濡れ性が悪いために良好なエアギャップが形成されることに加え、これらの材料の比誘電率が、概略2.5~3.5であり、シリコン酸化膜の4.2、またはシリコン窒化膜の7.5よりも小さいので、配線間容量をさらに低減することができる。5実施形態3による半導体装置の製造方法図9に示す半導体装置の製造方法を、実施形態3による半導体装置の製造方法として以下に説明する。図11乃至図13は、本実施形態による半導体装置の製造方法を説明する略示断面図である。まず、基板S上にシリコン酸化膜22を成膜し、次いで、金属、プラズマシリコン窒化膜23をシリコン酸化膜22上に積層した後、図示しないフォトレジストを形成して既知のドライエッチングを行って該積層体を選択的に除去し、最後にフォトレジストを除去して図11に示すように、金属配線23およびプラズマシリコン窒化膜24でなるラインパターンが所定間隔W2で互いに平行に配置されたラインアンドスペース構造体を形成する。このとき、シリコン窒化膜24の肩部は、シリコン窒化膜24と金属配線23の加工のためのエッチングの際に、レジスト自体がエッチングされることにより、なだらかな傾きを持つ形状となる。また、本実施形態において、金属配線23の幅、およびその間隔の幅W2は、例えばいずれも25nmとなっており、金属配線23の材料は、例えばタングステンWであり、その厚さは100nm、その上層のシリコン窒化膜は75nmとなっている。次いで、ALDAtomicLayerDeposition-CVD法により、図12に示すようにシリコン酸化膜26を成膜し、金属配線23の側面をカバーする。本実施形態において、シリコン酸化膜26の厚さは例えば4nmである。この厚さは、後の工程で隙間をエアギャップとして残すため、スペース幅W2の1/2未満であることが望ましい。この一方、シリコン酸化膜26の厚さは、後工程による加工でシリコン酸化膜26自体が消滅しない程度、即ち概略2nm程度以上は必要である。続いて、シリコン酸化膜26のうち金属配線23の側面に形成されている部分を残すように、ドライエッチングを行い、図13に示すような側壁膜25を形成する。これは公知の異方性のあるドライエッチングにより形成することができる。図13の例においても、側壁膜25の厚さはスペース幅W2の1/2未満であることが望ましい。その後は、前述した実施形態1および2と同様にして、側壁膜25に対して濡れ性が悪い材料、例えばMSQなどの炭素を含有したシリコン酸化膜をラインアンドスペース構造体上に塗布して高温の熱処理で硬化させてエアギャップ形成用絶縁膜30とする。エアギャップ形成用絶縁膜30は、側壁膜25に対する濡れ性の悪さから、スペース領域に入らずに、プラズマシリコン窒化膜24の頂面および側壁膜25の上端部にのみ成膜する。これにより、図9に示す配線間エアギャップ構造が提供される。なお、エアギャップ形成用絶縁膜30の材料を含有する薬液を下地の側壁膜25に滴下した際の接触角は約65度であった。また、側壁膜25に代えて、側壁膜28としてCを5以上の濃度で含むシリコン酸化膜を用いてもよく、この場合には配線間の容量をさらに下げることができる。このように、本実施形態によれば、特性ばらつきの少ないエアギャップ構造を安定的に形成することができる。なお、上述の実施形態では、ラインアンドスペース構造体にエアギャップ構造を形成する場合を取り挙げて説明したが、これに限ることなく、トレンチ構造にも適用でき、同様のエアギャップ構造を実現することができる。以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。また、塗布成膜法により絶縁膜を形成した場合に、その濡れ性は下地材料、および塗布材料によって異なるが、濡れ性の悪さを特長として成膜する場合には概略60度以上の接触角があれば、また、濡れ性のよさを特長として成膜する場合には概略45度以下の接触角であれば、それぞれ本発明の趣旨を反映したエアギャップ構造の形成が可能である。