波長1550nmにおいて0.19dB/km以下の伝送損失と、波長1550nmにおいて110μm2以上の実効断面積Aeffと、1.3μm以上、かつ、1.53μm以下のファイバカットオフ波長λcを有する石英系の光ファイバであって、屈折率n1、外径2aを有する純石英からなるコアと、前記コアの外周に設けられるとともに屈折率n2、外径2bを有する内側クラッドと、前記内側クラッドの外周に設けられるとともに屈折率n3を有する外側クラッドを備え、前記屈折率n3は、前記屈折率n1よりも小さく、かつ、前記屈折率n2よりも大きく、前記コアの外径に対する前記内側クラッドの外径の比Ra=2b/2aは、2.5以上、かつ、3.5以下であり、使用波長上限で基底モードが漏洩開始する際の対応する基底モード遮断波長をλFCupとするとき、基底モード遮断波長λFCは、λFCupを超える波長になるように設定され、波長1550nmで曲げ損失が最小となる、前記外側クラッドに対する前記内側クラッドの比屈折率差Δ-=100×n2-n3/n3をΔ-minとするとき、前記Δ-は、Δ-min以上、かつ、Δ-min0.06以下となるように設計されていることを特徴とする光ファイバ。前記Δ-は、-0.12以上、かつ、-0.06以下であることを特徴とする請求項1記載の光ファイバ。波長1550nmにおける実効断面積Aeffは、150μm2以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の光ファイバ。波長1550nmにおける実効断面積Aeffは、120μm2以上、かつ、140μm2以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の光ファイバ。基底モード遮断波長λFCは、2400nmを越えていることを特徴とする請求項1又は2記載の光ファイバ。請求項1又は2記載の光ファイバを備えた光通信システム。前記光ファイバ内において、伝搬光をラマン増幅することを特徴とする請求項6記載の光通信システム。前記光ファイバは、1.45μm以下のファイバカットオフ波長を有することを特徴とする請求項6記載の光通信システム。80km以上の中継スパンにおける2以上の箇所に布設され、それぞれがクレーム1又は2の光ファイバと同じ構造を有する複数の第1光ファイバと、前記中継スパン及びその両端における4以上の箇所で前記第1光ファイバと接続された複数の第2光ファイバであって、それぞれが波長1550nmにおいて85μm2以下の実効断面積Aeffを有するとともに、少なくともいずれかは、前記中継スパンの両端に布設されるか、又は、前記中継スパン中の1箇所に布設された複数の第2光ファイバとを備えた光通信システムにおいて、前記第1光ファイバそれぞれは、波長1550nmにおいて0.19dB/km以下の伝送損失と、波長1550nmにおいて110μm2以上、かつ、150μm2以下の実効断面積Aeffと、1.3μm以上、かつ、1.45μm以下のファイバカットオフ波長λcを有し、前記第1光ファイバそれぞれにおいて伝搬光をラマン増幅することを特徴とする光通信システム。波長1625nm以下の光を伝送するための媒体として、波長1550nmにおいて0.19dB/km以下の伝送損失と、波長1550nmにおいて110μm2以上の実効断面積Aeffと、1.3μm以上、かつ、1.53μm以下のファイバカットオフ波長λcを有する石英系の光ファイバであって、屈折率n1、外径2aを有する純石英からなるコアと、前記コアの外周に設けられるとともに屈折率n2、外径2bを有する内側クラッドと、前記内側クラッドの外周に設けられるとともに屈折率n3を有する外側クラッドを備え、前記屈折率n3は、前記屈折率n1よりも小さく、かつ、前記屈折率n2よりも大きく、前記外側クラッドに対する前記内側クラッドの比屈折率差Δ-=100×n2-n3/n3は、-0.12以上、かつ、-0.06以下であり、前記コアの外径に対する前記内側クラッドの外径の比Ra=2b/2aは、2.5以上、かつ、3.5以下であることを特徴とする光ファイバ。波長1550nmにおける実効断面積Aeffは、150μm2以下であることを特徴とする請求項10記載の光ファイバ。波長1550nmにおける実効断面積Aeffは、120μm2以上、かつ、140μm2以下であることを特徴とする請求項10記載の光ファイバ。基底モード遮断波長λFCは、2400nmを越えていることを特徴とする請求項10記載の光ファイバ。請求項10記載の光ファイバを備えた光通信システム。前記光ファイバ内において、伝搬光をラマン増幅することを特徴とする請求項14記載の光通信システム。前記光ファイバは、1.45μm以下のファイバカットオフ波長を有することを特徴とする請求項14記載の光通信システム。80km以上の中継スパンにおける2以上の箇所に布設された複数の第1光ファイバと、前記中継スパン及びその両端における4以上の箇所で前記第1光ファイバと接続された複数の第2光ファイバであって、それぞれが波長1550nmにおいて85μm2以下の実効断面積Aeffを有するとともに、少なくともいずれかは、前記中継スパンの両端に布設されるか、又は、前記中継スパン中の1箇所に布設された複数の第2光ファイバとを備えた光通信システムにおいて、前記第1光ファイバそれぞれは、波長1550nmにおいて0.19dB/km以下の伝送損失と、波長1550nmにおいて110μm2以上、かつ、150μm2以下の実効断面積Aeffと、1.3μm以上、かつ、1.45μm以下のファイバカットオフ波長λcを有し、前記第1光ファイバそれぞれにおいて伝搬光をラマン増幅することを特徴とする光通信システム。前記第1光ファイバそれぞれは、屈折率n1、外径2aを有する純石英からなるコアと、前記コアの外周に設けられるとともに屈折率n2、外径2bを有する内側クラッドと、前記内側クラッドの外周に設けられるとともに屈折率n3を有する外側クラッドを有し、前記屈折率n3は、前記屈折率n1よりも小さく、かつ、前記屈折率n2よりも大きく、前記コアの外径に対する前記内側クラッドの外径の比Raは、2.5以上、かつ、3.5以下であり、使用波長上限で基底モードが漏洩開始する際の対応する基底モード遮断波長をλFCupとするとき、基底モード遮断波長λFCは、λFCupを超える波長になるように設定され、波長1550nmで曲げ損失が最小となる、前記外側クラッドに対する前記内側クラッドの比屈折率差Δ-=100×n2-n3/n3をΔ-minとするとき、前記Δ-は、Δ-min以上、かつ、Δ-min0.06以下となるように設計されていることを特徴とする請求項17記載の光通信システム。前記第1光ファイバそれぞれは、波長1625nm以下の光を伝搬するための媒体であって、屈折率n1、外径2aを有する純石英からなるコアと、前記コアの外周に設けられるとともに屈折率n2、外径2bを有する内側クラッドと、前記内側クラッドの外周に設けられるとともに屈折率n3を有する外側クラッドを有し、前記屈折率n3は、前記屈折率n1よりも小さく、かつ、前記屈折率n2よりも大きく、前記外側クラッドに対する前記内側クラッドの比屈折率差Δ-=100×n2-n3/n3は、-0.12以上、かつ、-0.06以下であり、前記コアの外径に対する前記内側クラッドの外径の比Raは、2.5以上、かつ、3.5以下であることを特徴とする請求項17記載の光通信システム。前記実効断面積Aeffは、120μm2以上、かつ、140μm2以下であることを特徴とする請求項17~19のいずれか一項記載の光通信システム。発明者らは、上述の従来技術について検討した結果、以下のような課題を発見した。すなわち、実際の光通信システムでは、伝送用光ファイバの両端は中継器や送受信機などの機器と接続されている。機器の両端は汎用シングルモードファイバ以下、SMF:SingleModeOpticalFiberという又は非ゼロ分散シフトファイバ以下、NZDSF:NonZeroDispersionShiftedOpticalFiberというなどの光ファイバで構成されており、このような光ファイバが融着やコネクタ接続などにより伝送用光ファイバに接続される。あるいは、伝送用光ファイバが、伝送路の途中で種類の異なる他の伝送用光ファイバと接続されることもある。伝送用光ファイバの実効断面積Aeffが、機器両端の光ファイバや他の伝送用光ファイバに比べて大きすぎると、接続損失が大きくなるため、当該光通信システム全体のOSNRが劣化してしまう。また、長距離光通信システムでは分布ラマン増幅がよく適用されるが、伝送用光ファイバの実効断面積Aeffが大きいとラマン増幅効率が低下してしまう。そのため、所望のゲインを得るために巨大なポンプ光パワーが必要になってしまう。以上のことから、伝送用光ファイバの実効断面積Aeffは、大きければ大きいほど良いのではなく、最適な値に設定されなければならない。上述の先行技術では、接続損失も考慮してOSNRを改善できるように実効断面積Aeffを最適化した光ファイバは報告されていない。一般に、光ファイバにおける実効断面積Aeffの拡大は、曲げ損失の増加を伴う。上記特許文献1に開示された光ファイバでは、曲げ損失を抑制するためにディプレストクラッド型屈折率プロファイルを採用しているが、このプロファイルでは基底モード遮断による漏洩損失が起こらないように注意してプロファイルを設計しなければならない。上記特許文献1は、外側クラッドに対するコアの比屈折率差Δn及び内側クラッドの比屈折率差Δn-それぞれの絶対値が互いに等しい場合には基底モード光が光ファイバを伝搬しない旨、記載している上記特許文献1の段落番号0047参照。しかしながら、これは、使用波長で基底モード遮断が起きないようにしているだけである。実際には、基底モード遮断波長よりも短い波長で基底モード伝搬光の漏洩が始まり、伝送損失が増大する。使用波長帯域全体1530nm~1625nmで、基底モード遮断による漏洩損失を抑制する必要がある。本発明は上述のような課題を解決するためになされたものであり、機器や他種の光ファイバとの接続構造を有するとともにラマン増幅を行う光通信システムと、それに適用可能な光ファイバを提供することを目的としている。特に、目的の光ファイバは、OSNRの改善を可能にするための構造を有する光ファイバであって、ディプレストクラッド型屈折率プロファイルを持ち、基底モード遮断による漏洩損失を回避しつつ曲げ損失も抑制可能にする。なお、当該光通信システム全体としては、デジタルコヒーレント受信技術など、受信機で分散による波形歪を補償する技術を適用することで、光ファイバの分散値の改善を考慮する必要がなくなっている。本発明に係る光ファイバは、光学特性として、波長1550nmにおいて0.19dB/km以下の伝送損失と、波長1550nmにおいて110μm2以上の実効断面積Aeffと、1.3μm以上、かつ、1.53μm以下のファイバカットオフ波長λcを有する石英系の光ファイバである。また、当該光ファイバは、ディプレストクラッド型屈折率プロファイルを実現するため、屈折率n1、外径2aを有する純石英からなるコアと、コアの外周に設けられるとともに屈折率n2、外径2bを有する内側クラッドと、内側クラッドの外周に設けられるとともに屈折率n3を有する外側クラッドを備える。本発明に係る光ファイバにおいて、屈折率n3は、n1>n3>n2条件1を満たすのが好ましい。外側クラッドに対する内側クラッドの比屈折率差Δ-=100×n2-n3/n3は、-0.12≦Δ-≦-0.06条件2を満たすのが好ましい。また、コアの外径に対する内側クラッドの外径の比Ra=2b/2aは、2.5≦Ra≦3.5条件3を満たすのが好ましい。なお、本発明に係る光ファイバは、波長1625nm以下の光を伝搬するための媒体に適用可能である。当該光ファイバは、低損失の純石英コアを有するとともに、曲げ損失に強いディプレストクラッド型屈折率プロファイルを有する。当該光ファイバは、基底モード遮断波長λFCとして、2400nm以上に設定することにより、漏洩損失の低減を実現する。本発明に係る光ファイバは、上記光学特性及びディプレストクラッド型屈折率プロファイルを備えるとともに、上記条件1及び条件3の他、以下の2条件を満たしてもよい。すなわち、使用波長上限での基底モードが漏洩開始する際の基底モード遮断波長をλFCupとするとき、基底モード遮断波長λFCは、λFCupを超える波長になるように設定される条件4。また、波長1550nmにおける曲げ損失が最小となる、外側クラッドに対する内側クラッドの比屈折率差Δ-=100×n2-n3/n3をΔ-minとするとき、Δ-は、Δ-min以上、かつ、Δ-min0.006以下となるように設計される条件5。なお、本発明に係る光ファイバにおいて、上限波長として1625nmまでの伝送を可能にするため、波長1550nmにおける実効断面積Aeffは、150μm2以下であってもよい。当該光ファイバが適用される光通信システムの中継スパンでは、少なくとも2以上の箇所での接続を想定し、かつ、この中継スパンにおいてラマン増幅を行うことを想定しており、当該光通信システム全体において1dB以上のOSNRが確保される。また、よりよいOSNRを確保するため、波長1550nmにおける実効断面積Aeffは、120μm2以上、かつ、140μm2以下であってもよい。本発明に係る光通信システムは、上述のような構造を備えた光ファイバ本発明に係る光ファイバを備える。また、当該光通信システムは、この光ファイバ内において、伝搬光をラマン増幅する。この場合、ラマン増幅用の励起光をシングルモード伝搬させる条件として、光ファイバは、1.45μm以下のファイバカットオフ波長を有するのが好ましい。本発明に係る光通信システムは、複数の第1の光ファイバと複数の第2光ファイバにより、80km以上の中継スパン長中継スパンを有する光通信システムを構成し得る。この場合、複数の第1光ファイバは、80km以上の中継スパンにおける2以上の箇所に布設される。複数の第2光ファイバは、中継スパンにおける4以上の箇所で第1光ファイバと接続される。また、複数の第2光ファイバは、それぞれが波長1550nmにおいて85μm2以下の実効断面積Aeffを有する。複数の第2光ファイバの少なくともいずれかは、中継スパンの両端に布設されるか、又は、中継スパン中の1箇所に布設される。すなわち、当該光通信システムでは、第1光ファイバが、小さい実効断面積Aeffが85μm2以下の第2光ファイバと4以上の箇所で接続されることを想定しており、この第1光ファイバが110μm2~150μm2の大きな実効断面積Aeffを有することにより、より高パワーのラマン増幅用の励起光の入力を可能にする一方、第1光ファイバが波長1550nmにおいて0.19dB/km以下の低伝送損失を有することにより、長中継スパンにおける光伝送が可能になる。その結果、当該光通信システム全体において1dB以上のOSNRが達成可能になる。第1光ファイバそれぞれは、波長1550nmにおいて0.19dB/km以下の伝送損失と、波長1550nmにおいて110μm2以上、かつ、150μm2以下の実効断面積Aeffと、1.3μm以上、かつ、1.45μm以下のファイバカットオフ波長λcを有するのが好ましい。この場合、当該光通信システムは、第1光ファイバそれぞれにおいて伝搬光をラマン増幅する。第1光ファイバそれぞれは、ディプレトクラッド型屈折率プロファイルを実現するため、屈折率n1、外径2aを有する純石英からなるコアと、前記コアの外周に設けられるとともに屈折率n2、外径2bを有する内側クラッドと、前記内側クラッドの外周に設けられるとともに屈折率n3を有する外側クラッドを有してもよい。また、屈折率n3は、上記条件1を満たすのが好ましい。コアの外径に対する内側クラッドの外径の比Raは、上記条件3を満たすのが好ましい。さらに、第1光ファイバそれぞれは、上記条件4及び条件5をともに満たすのが好ましい。さらに、本発明に係る光通信システムに適用される第1光ファイバそれぞれは、波長1625nm以下の光を伝搬するための媒体であって、上記ディプレストクラッド型屈折率プロファイルを有し、上記条件1、条件2及び条件3を満たすのが好ましい。この場合、第1光ファイバそれぞれの実効断面積Aeffは、120μm2以上、かつ、140μm2以下であるのが好ましい。本発明によれば、ラマン増幅が行われる光通信システムにおけるOSNRが改善されるとともに、基底モード遮断による漏洩損失の回避と、曲げ損失の抑制の両立が可能になる。すなわち、光通信システム全体としては、デジタルコヒーレント受信技術など、受信端で分散による波形歪を補償する技術を適用することで、分散値の改善を目的としない、OSNRの改善及び曲げ損失の抑制に特化した本願発明に係る光ファイバは有用となる。以下、この発明に係る光ファイバ及び光通信システムの各実施形態を、図1~図9を用いて詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一符号を付して重複する説明を省略する。まず、光通信システムの伝送用光ファイバに適用可能な、本実施形態に係る光ファイバの実効断面積Aeffの最適値について説明する。すなわち、光ファイバの特性の観点から、OSNRは近似的に以下の式1で表される。ここで、Aeffは信号光波長における光ファイバの実効断面積、αは信号光波長における伝送損失、αSPは接続損失、Nは1中継スパン当たりの接続箇所数中継スパンの両端の接続箇所を含む、Lは1中継スパン当たりの光ファイバの長さである。上記式1の第一項は、光ファイバ中で発生する非線形光学現象の一つである自己位相変調SPM:SelfPhaseModulationによる非線形位相シフト量を一定としたときの許容入射光パワーに対応している。非線形位相シフト量φSPMは以下の式2で与えられる。ここで、λは信号光波長、n2は光ファイバの非線形屈折率、Leffは光ファイバの実効長、Pinは入射光パワーである。実効長Leffは、十分にファイバ長が長ければ、例えば50km以上であり、Leff≒1/α1/kmで近似できる。上記式2より、非線形屈折率n2を一定、非線形位相シフト量φSPMを一定としたときの許容入射パワーは、Aeffμm2×α1/kmに比例して大きくなる。上記式1の第二項は、光ファイバの接続損失に対応しており、接続される二種類の光ファイバ間におけるモードフィールド径以下、MFD:ModeFieldDiameterというの不整合のみ考慮すると、接続損失dBは以下の式3で見積もることができる。ここで、W1は本実施形態に係る光ファイバのMFD、W2は機器両端の光ファイバ又は他の伝送用光ファイバのMFDである。他種の伝送用光ファイバとしては、例えば、波長1550nmで、Aeff=80μm2、MFD=10.1μmのシングルモードファイバSMF:SingleModeFiber、又はAeff=50~70μm2、MFD=8~10μmの分散シフトファイバDSF:DispersionShiftedFiberや非ゼロ分散シフトファイバNZDSF:NonZeroDispersionShiftedFiberが用いられる。上記式1の第二項より、Aeffが機器両端の光ファイバや他の伝送用ファイバに比べて大きいとMFD不整合が大きくなり、接続損失が大きくなる。なお、上記式1の第三項は、光ファイバの伝送損失を示す。以下、波長に依存する特性は、特に波長を示さない限り、波長1550nmにおけるものとする。図1は、実効断面積AeffとOSNR改善量の関係を示す図である。なお、図1には、1中継スパン中の接続箇所数Nが0、2、4箇所の各接続構成のOSNRを示すグラフが示されている。図1において、縦軸は、伝送用ファイバとしてSMFAeff=80μm2、伝送損失=0.190dB/kmを使用した場合に対するOSNRの改善量を示す。なお、図1では、実効断面積AeffがOSNR改善量に与える影響を評価するため、伝送損失は全てSMFと同じにしてある。また、上記式3のW2は、SMFのMFDであって、具体的には10.1μmである。図1より、接続箇所が無い場合N=0、実効断面積Aeffが大きいほどOSNRを改善させることができる。次に、1中継スパンの両端に接続箇所が2箇所存在する場合N=2は、伝送用ファイバの両端の中継器などの機器内の光ファイバが接続されている状態にあたる図9a参照。この場合、実効断面積Aeffが150μm2以上のときOSNR改善量はほぼ飽和する。そのため、これ以上実効断面積Aeffを拡大してもOSNR改善効果は小さい。また、分布ラマン増幅のポンプ光パワーを実用的な範囲内数ワット以下に抑えるためには、実効断面積Aeffは150μm2以下としなければならない。したがって、OSNR改善量を1dB以上にするには、実効断面積Aeffが110~150μm2の範囲にするのがよい。1中継スパンにおける接続箇所が4箇所存在する場合は、さらに、中継スパンの途中で当該伝送用光ファイバと他種の伝送用ファイバとの接続が2箇所存在する場合に相当する図9b参照。この場合、OSNR改善量は、実効断面積Aeffが135μm2のとき最大値となる。また、OSNR改善量が1dB以上となるのは、実効断面積Aeffが110~150μm2の範囲である。これはラマン増幅のポンプ光パワーが実用的な範囲内である。図2は、本発明に係る光ファイバの一実施形態の断面構造を示す図、及びその屈折率プロファイルである。本実施形態に係る光ファイバ100は、図2aに示すように、所定軸に沿って伸びた、屈折率n1、外径2aを有するコア110と、コア110の外周に設けられた、屈折率n2<n1、外径2bを有する内側クラッド120と、内側クラッド120の外周に設けられた、屈折率n3<n1、>n2を有する外側クラッド130と、外側クラッド130の外周に設けられた被覆樹脂140を備える。なお、被覆樹脂140は、外側クラッド140の外周に設けられたプライマリ被覆樹脂141と、プライマリ被覆樹脂141の外周に設けられたセカンダリ被覆樹脂142から構成されている。また、図2bには、図2aに示された光ファイバ100のうちガラス領域の屈折率プロファイル150が示されている。この屈折率プロファイル150において、領域151はコア110の屈折率を示し、領域152は内側クラッド120の屈折率を示し、領域153は外側クラッド130の屈折率を示す。このような屈折率プロファイル150の特徴として、同じ実効断面積Aeffを有する光ファイバ間であれば、屈折率プロファイル150を有する光ファイバの方がステップインデックス型屈折率プロファイルを有する光ファイバよりも曲げ損失を低く抑えることができる。ところが、屈折率プロファイル150を有する光ファイバでは、波長が長くなると基底モード光がコアからクラッドへと漏洩し始め、ある波長で基底モード遮断を起こすことが知られている。なお、ステップインデックス型屈折率プロファイルを有する光ファイバでは、基底モード遮断は無いが、曲げ損失が大きい。図3は、漏洩損失が発生し始める波長λLKnmと基底モード遮断波長λFCnmとの関係を示すグラフである。ここで、波長λLKは、基底モードの漏洩損失が、ステップインデックス型屈折率プロファイルを有するとともに中心コアが実質的に純シリカである光ファイバにおける伝送損失dB/kmの20以上となる波長と定義する。光通信に利用されるCバンド~Lバンド1530~1625nm:本実施形態に係る光通信システムにおける使用波長帯域の波長帯全てで漏洩損失を起こさないようにする波長λLKを1625nm以上にするためには、図3より、規定モード遮断波長λFCを少なくとも2400nm以上にする必要がある。なお、図3中に示された1は、後述する図5の表中に示された比較例を示す。また、図3に示すように、伝送損失が実用的に低い領域で、漏洩損失が発生し始める波長と基底モード遮断波長との関係は、本願明細書において初めて特定されたものである。従来、基底モード遮断波長を長くする方が漏洩損失を回避するのに良いことは知られていたが、実際に漏洩損失がいくらの波長から出始めるかは、ファイバを作ってみないと分からなかった。これに対して本願発明によれば、使用波長範囲を設定した時に、具体的に基底モード遮断波長をいくら以上にすればよいかを特定できたので、従来と比較してファイバ設計が容易になったと言える。図4は、直径20mmでの曲げ損失と基底モード遮断波長との関係を示すグラフである。具体的には、外側クラッド130に対する内側クラッド120の比屈折率差Δ-、コア110の外径に対する内側クラッド120の外径の比2b/2aを変えたときの、基底モード遮断波長λFCnmと直径20mmでの曲げ損失との関係が示されている。この図4では、内側クラッド120に対するコア110の比屈折率差Δ及びコア110の外径2aは、実効断面積Aeffが135μm2、LP11モードのカットオフ波長λcが1350nmとなるように調整されている。ラマン増幅の場合、励起光波長の場合でもシングルモードを実現するためには、ファイバカットオフ波長は1.45μm以下であることが好ましい。曲げ損失は、比2b/2aが3.0のときに最小となっており、曲げ損失をSMFと同等以下の20dB/km以下に抑えるには、比2b/2aを2.5~3.5とし、比屈折率差Δ-を-0.06以下にする必要がある。また、基底モード遮断波長λFCを2400nm以上にするためには、比2b/2aが3.0のとき、比屈折率差Δ-を-0.12以上にする必要がある。なお、従来、漏洩が発生する波長は、ファイバを作ってみないと分からなかった。これに対して本願発明によれば、基底モード遮断波長計算値で特定することができるようになったので、従来と比較してファイバ設計が容易になった。図5は、本実施形態に係る光ファイバ実施例1~15と比較例に係る光ファイバの構造パラメータ及び光学特性を纏めた表である。この図5の表に示された比較例では、基底モード遮断波長λFCは2263nmと信号光波長よりも長いが、漏洩損失は1441nm=λLKから発生しており、波長1550nmにおける伝送損失も0.32dB/kmと高い。一方、実施例1~15は、何れも光通信波長帯で漏洩損失は発生していない。また、実施例1の実効断面積Aeffは134μm2、曲げ損失は8.0dB/mと良好である。他の実施例2~15も比較例と比べてより良好な曲げ損失を有する。また、実効断面積Aeffの拡大には、マイクロベンドロスの増加も伴う。図6は、本実施形態に係る光ファイバの複数サンプルについて、被覆樹脂のヤング率及び実効断面積Aeffを変えたときのマイクロベンドロスを纏めた表である。この図6には、ガラス径外側クラッド130の外径、プライマリ被覆樹脂141のヤング率及び外径、セカンダリ被覆樹脂141のヤング率及び外径、光ファイバのAeff、λcに対するマイクロベンドロスが示されている。ここで、マイクロベンドロスは、直径50μm、間隔100μmのワイヤーメッシュで表面を覆われた直径400mmのボビンに、光ファイバを張力80gで巻いた時の損失増加量で表す。図6に示されたサンプル1~3とサンプル4~6との比較から、プライマリ被覆樹脂141のヤング率を小さくすることで、同じ実効断面積Aeffを有する光ファイバ間であれば、サンプル4~6の光ファイバの方がマイクロベンドロスを低減することができることが分かる。また、サンプル5とサンプル7との比較から、セカンダリ被覆樹脂142のヤング率を大きくすることで同じ実効断面積Aeffを有する光ファイバ間であれば、サンプル7の光ファイバの方がマイクロベンドロスを低減することができることが分かる。一般的に、プライマリ被覆樹脂141のヤング率が低く、かつ、セカンダ被覆樹脂142のリヤング率が高い光ファイバの方が、マイクロベンドロスは低くなる。具体的には、プライマリ被覆樹脂141のヤング率は0.3~0.6MPa、セカンダリ被覆樹脂142のヤング率は700~1500MPaの範囲で選定されるのが好ましい。マイクロベンドロスを低減する手段として、ガラス径又は被覆樹脂140プライマリ被覆樹脂141及びセカンダリ被覆樹脂142を含むの外径を拡大する手法もあるが、一般的に使用されている光ファイバガラス径:125μm、被覆外径:245μmとの差が大きくなるため、実用的でない。そこで、本実施形態に係る光ファイバでは、ガラス径として125±1μm、セカンダリ被覆樹脂142の外径として240~250μmを想定している。図7は、中継スパンにおける接続状態の差に起因した、SMFに対するOSNR改善量を、実効断面積Aeffと伝送損失の関係で示す図である。特に、図7aは、SMFとの接続箇所を有しない伝送用光ファイバで構成された80kmの中継スパン構成における、SMFに対するOSNR改善量を、実効断面積Aeffμm2と伝送損失dB/kmの関係を示し、図7bは、SMFと2箇所で接続された伝送用光ファイバを含む80kmの中継スパン構成における、SMFに対するOSNR改善量を、実効断面積Aeffμm2と伝送損失dB/kmの関係を示し、図7cは、SMFと4箇所で接続された伝送用光ファイバを含む80kmの中継スパン構成における、SMFに対するOSNR改善量を、実効断面積Aeffμm2と伝送損失dB/kmの関係を示す。なお、上述のように、図7a~図7cは、1中継スパン中、本実施形態に係る伝送用光ファイバとSMFとの接続箇所が0、2、4箇所存在する場合のOSNR改善量を、実効断面積Aeffと伝送損失に対して等高線で示したグラフである。1中継スパンの長さは80kmであり、上記式3のW2として、SMFのMFDは10.1μmとした。また、OSNR改善量は伝送用ファイバとしてSMFを使用した場合を基準としている。図7a~図7cから、実効断面積Aeffが110~150μm2、伝送損失が0.19dB/km以下であれば、1中継スパン中の接続箇所が0~4箇所存在する場合もOSNR改善量を1dB以上とすることができることが分かる。さらに、実効断面積Aeffが120~140μm2、伝送損失が0.18dB/km以下であれば、1中継スパン中の接続箇所が0箇所又は2箇所存在する場合にOSNR改善量を2dB以上とすることができる。さらに、実効断面積Aeffが120~140μm2、伝送損失が0.17dB/km以下であれば、1中継スパン中に接続箇所が4箇所存在する場合でもOSNR改善量を2dB以上とすることができる。なお、ファイバカットオフ波長λcは1.3~1.53μmの範囲内にするのが好ましい。この範囲を下回ると、曲げ損失が大きくなる。逆にこの範囲を上回ると、Cバンドで信号光がシングルモードとならない。さらに、ファイバカットオフ波長λcが1450nm以下だとより好ましい。分布ラマン増幅で用いられるポンプ光の波長は1450nm程度であるため、ポンプ光がシングルモードとなり、その結果、励起効率が劣化しないからである。本実施形態に係る光ファイバ100において、信号光パワーの大部分が伝搬するコア110は、実質的に不純物を含まない純シリカであることが、伝送損失を低くできるので、より好ましい。ただし、コア110には、伝送損失を増加させない程度の微量の添加物が含まれてもよい。例えば、微量のハロゲン元素やアルカリ金属元素がコア110に含まれてもよい。具体的には、コア110は、2mol以下の塩素Cl、1mol以下のフッ素F、0.1mol以下のカリウムKを含んでもよい。また、純シリカコアを有する光ファイバは、非線形屈折率n2が低く、非線形位相シフト量φSPMを一定としたときの許容入射パワーをより大きくできる。そのため、OSNRをさらに増加させることができる。なお、コア110にGeが添加されたSMFの非線形屈折率n2は2.35×10-20m2/Wであるのに対し、純シリカコアを有する光ファイバファイバの非線形屈折率n2は2.20×10-20m2/Wである。次に、本実施形態に係る光ファイバの構造決定動作を、図8を用いて詳細に説明する。なお、図8は、本実施形態に係る光ファイバの構造決定動作を説明するためのフローチャートである。光ファイバ100の構造決定では、まず、コア110の材質を決めるステップST1。実質的に純シリカコアがより望ましい。内側クラッド120及び外側クラッド130は、フッ素添加が好ましい純シリカコアで、伝送損失低減が低く、非線形屈折率n2も低い。ステップST2では、上記式1及び式2から、所望のOSNRを改善するための実効断面積Aeffが決定される。また、ステップST3では、使用波長帯でシングルモードとなるように、かつ曲げ損失が大きくならないようにλcが決定される。ステップST4では、以上のように決定されたAeff及びλcとなるように、内側クラッド120に対するコア110の比屈折率差Δ及びコア110の外径2aが決定される。一方、ステップST5では、図3においてλLKが使用波長帯よりも長くなるようにλFCが決定される。また、ステップST6では、目標とする曲げ損失が決定される。ステップST7では、以上のように決定されたλFC、曲げ損失となるように、図4から外側クラッド130に対する内側クラッド120の比屈折率差Δ-、比2b/2aが決定され、更に、ステップST8において、マイクロベンドロスを低く抑えられるよう、プライマリ被覆樹脂141及びセカンダリ被覆樹脂142が決定される。図9は、本発明に係る光通信システムの各実施形態の構成を示す図である。なお、図9aは、1中継スパン中にSMFとの接続箇所が2箇所存在する光伝送システムの構成を示す。また、図9bは、1中継スパン中にSMFとの接続箇所が4箇所存在する光伝送システムの構成を示す。具体的には、図9aに示された光通信システム200Aは、信号光を出力する送信器210と、信号光を受信する受信器220を備え、これら送信器210と受信器220との間の伝送経路上に複数の中継器230A、230Bが配置されている。中継スパンは、これら中継器230A、230B間の光伝送区間であり、当該光通信システム200Aでは、この中継スパンが1本の伝送用光ファイバ100本実施形態に係る光ファイバを含む。この伝送用光ファイバ100の両端は、それぞれ中継器230A、230Bの端部の他種の伝送用光ファイバ図示せずに接続されており、この図9aの光通信システム200Aにおいて、1中継スパン中には2箇所の接続箇所A1、A2が存在する。一方、図9bに示された光通信システム200Bも、信号光を出力する送信器210と、信号光を受信する受信器220を備え、これら送信器210と受信器220との間の伝送経路上に複数の中継器230A、230Bが配置されている。中継スパンは、これら中継器230A、230B間の光伝送区間であり、当該光通信システム200Bでは、さらに、この中継スパンが2本の伝送用光ファイバ100本実施形態に係る光ファイバと他種の伝送用光ファイバ300を含む。この中継スパンは、中継器230A、230Bの端部との接続箇所B1、B4を含め、4箇所の接続箇所B1~B4を含む。すなわち、図9bの光通信システム200Bでは、1中継スパン中に4箇所の接続箇所B1~B4が存在している。なお、何れの光通信システム200A、200Bにおいても、中継器230A、230B両端の光ファイバ231は、標準的なSMF一般的には、波長1550nmにおける実効断面積Aeffは80μm2だが、85μm2もある。他種の伝送用光ファイバ300の実行断面積Aeffは標準的なSMFの実効断面積Aeff例えば、85μm2より小さい。