"極端紫外光EUVリソグラフィシステムの光源集光モジュールであって、パルスレーザ光線を生成するレーザ光源と、光源集光モジュール軸に沿って配置され、前記パルスレーザ光線を受光して前記光源集光モジュール軸の第1方向に前記パルスレーザ光線を反射するように構成される折り返しミラーと、内部空間を有する蒸気炉を備え、前記蒸気炉の内部空間の液体Snまたは固体Snを蒸気Snに変化させ、前記蒸気Snが前記パルスレーザ光線で照射される隙間に前記蒸気Snを供給するように構成され、前記第1方向とほぼ反対の第2方向にEUVを放射するレーザ生成プラズマLPPを生成する蒸気Sn供給源と、入射端および出射端を有し、前記入射端において前記EUVを受光し、前記出射端に隣接する中間焦点において、受光した前記EUVを集束するように配置される斜入射集光器GICミラーとを備える、光源集光モジュール。チャンバ内部空間を有する真空チャンバと、前記蒸気炉を収容する格納容器内部空間を有し、前記チャンバ内部空間内に配置される温度制御格納容器と、前記真空チャンバ及び前記温度制御格納容器内に形成され、第1端および第2端を有し、前記第1端が前記隙間に隣接して配置される円錐孔をさらに備え、前記レーザ光線は、前記第2端から前記円錐孔を通って前記第1端に向かって進行し、前記隙間の蒸気Snに到達する請求項1に記載の光源集光モジュール。液体または固体のSnを含むSn供給源をさらに備え、前記Sn供給源は、前記蒸気炉に動作可能に接続され、前記液体または固体のSnを前記蒸気炉の内部空間に供給する請求項1または2に記載の光源集光モジュール。前記蒸気炉は蒸気炉筐体をさらに備えており、前記蒸気炉筐体は、前記蒸気炉の内部空間から前記隙間に蒸気が流入するように前記隙間に隣接して配置される開口を有する請求項3に記載の光源集光モジュール。第1端および第2端を有する出力管をさらに備え、前記第1端は、前記Sn供給源の一端に動作可能に接続され、前記第2端は、前記開口に接続され、その結果、前記隙間が画定される請求項4に記載の光源集光モジュール。前記隙間に隣接する前記出力管に配置され、前記出力管における前記蒸気Snの凝縮を低減させるように構成される加熱部をさらに備える請求項5に記載の光源集光モジュール。前記蒸気炉に電気的に接続され、前記蒸気炉に電流を供給して前記蒸気炉を加熱し、前記液体Snまたは固体Snから蒸気Snを生成するように構成される電流源をさらに備える請求項1から6のいずれかに記載の光源集光モジュール。前記GICミラーの出射端と前記中間焦点との間に配置され、通常は前記中間焦点に向かわない前記EUVの一部を前記中間焦点に向けるように構成される放射集光強化装置RCEDをさらに備える請求項1から7のいずれかに記載の光源集光モジュール。前記RCEDは、入力端と、出力端と、前記入力端から前記出力端に向かう方向に向かうに従って狭くなるテーパ内面とを有し、前記RCEDは、前記出力端が前記中間焦点に隣接して配置された状態で、前記光源集光モジュール軸に沿って軸方向に配置される請求項8に記載の光源集光モジュール。前記GICミラーは、多層コーティングを含まない第1反射面を有する請求項1から9のいずれかに記載の光源集光モジュール。前記GICミラーは、Ruコーティングを含む、請求項1から9のいずれかに記載の光源集光モジュール。前記GICミラーは、多層コーティングを含む、請求項1から9のいずれかに記載の光源集光モジュール。前記GICミラーは、少なくとも一つの区画化GICシェルを有し、前記区画化GICシェルは、多層コーティングを含まない第1反射面と、多層コーティングを含む第2反射面とを有する請求項1から9のいずれかに記載の光源集光モジュール。反射レチクルに光を照射する極端紫外光EUVリソグラフィシステムであって、請求項1から13のいずれかに記載の光源集光モジュールと、前記中間焦点に形成された前記集束EUVを受光して凝縮EUVを形成し、前記凝縮EUVを前記反射レチクルに照射するように構成されるイルミネータとを備える、EUVリソグラフィシステム。前記EUVリソグラフィシステムは、感光性半導体ウエハ上にパターン像を形成するためのEUVリソグラフィシステムであり、前記反射レチクルの下流に配置され、前記反射レチクルによって反射されたEUVを受光し、そこから前記感光性半導体ウエハ上に前記パターン像を形成するように構成される投影光学システムをさらに備える請求項14に記載のEUVリソグラフィシステム。レーザ生成プラズマLPPから極端紫外光EUVを集光する方法であって、入射端および出射端を有する斜入射集光器GICミラーを軸方向に配置することと、蒸気Snを供給するように構成されるLPPターゲットシステムを前記GICミラーの入射端に隣接して配置することと、前記GICミラーの軸方向にパルスレーザ光線を照射し、前記パルスレーザ光を前記GICミラーの前記出射端から前記GICミラーを介して前記入射端まで通過させ、蒸気Snに到達させることにより、EUVを放射する前記LPPを形成することと、前記GICミラーを使用して、前記LPPからのEUVの一部を前記GICミラーの入射端で集光し、集光した前記EUVを前記GICミラーの出射端から出射し、中間焦点に焦点スポットを形成することを備える方法。前記GICミラーの出射端と前記中間焦点との間に放射集光強化装置RCEDを配置することと、前記RCEDを使用して、通常は前記中間焦点に向かわない前記EUVの一部を前記中間焦点に向けることとをさらに備える、請求項16に記載の方法。真空チャンバ内に配置される蒸気炉において蒸気Snを生成することをさらに備え、前記蒸気Snは、前記パルスレーザ光線がアクセス可能な隙間に供給される請求項16または17に記載の方法。多層コーティングを含まない第1反射面を有する前記GICミラーを設けることをさらに備える請求項16から18のいずれかに記載の方法。Ruコーティングを有する前記GICミラーを設けることをさらに備える請求項16から18のいずれかに記載の方法。多層コーティングを有する前記GICミラーを設けることをさらに備える、請求項16から18のいずれかに記載の方法。第1反射面と、前記多層コーティングを有する第2反射面とを有する少なくとも一つの区画化GICシェルを有する前記GICミラーを設けることをさらに備える請求項16から18のいずれかに記載の方法。前記中間焦点においてEUVから凝縮EUVを形成し、前記凝縮EUVを反射レチクルに照射することをさらに備える請求項16から22のいずれかに記載の方法。前記反射レチクルによって反射されたEUVを受光し、そこから投影光学システムを使用して前記感光性半導体ウエハ上に前記パターン像を形成することをさらに備える、請求項23に記載の方法。パルスレーザ光線を生成するレーザ光源と、チャンバ内部空間を有する真空チャンバと、格納容器内部空間を有し、前記チャンバ内部空間内に配置される温度制御格納容器と、前記格納容器内部空間内に配置され、開口を有するとともに蒸気炉内部空間を画定する筐体を有し、前記蒸気炉内部空間内の固体または液体のSnを蒸気Snに変化させるように構成される蒸気炉と、前記真空チャンバと前記温度制御格納容器とに形成される孔とを備え、前記蒸気Snは、前記蒸気炉内部空間から前記開口を通過して、前記パルスレーザ光線がアクセス可能な隙間に流入し、前記孔は、前記レーザ光線を通過させ、前記開口を介して前記隙間に流入する前記蒸気Snに前記レーザ光線を到達させるように構成されるレーザ生成プラズマLPPターゲットシステム。液体または固体のSnを含むSn供給源をさらに備え、前記Sn供給源は、前記蒸気炉に動作可能に接続され、液体または固体のSnを前記蒸気炉内部空間に供給する請求項25に記載のLPPターゲットシステム。前記蒸気炉に電気的に接続され、前記蒸気炉に電流を供給して前記蒸気炉を加熱し、前記液体Snまたは固体Snから前記蒸気Snを生成するように構成される電流源をさらに備える請求項25または26に記載のLPPターゲットシステム。本発明は、一般に、斜入射集光器GICに関し、特に、EUVリソグラフィシステムで使用される光源集光モジュールSOCOMOを形成するために使用されるGICミラーに関する。ここで、SOCOMOは、EUVを生成するためにSn蒸気とレーザ光源とを使用するLPPターゲットシステムを備える。本発明の一態様は、極端紫外光EUVリソグラフィシステムのSOCOMOである。ここで、SOCOMOは、レーザ光源と折り返しミラーとを備える。レーザ光源は、パルスレーザ光線を生成する。折り返しミラーは、光源集光モジュール軸に沿って配置され、パルスレーザ光線を受光して光源集光モジュール軸の第1方向にパルスレーザ光線を反射するように構成されている。また、SOCOMOは、Sn蒸気源を備える。Sn蒸気源は、内部空間を有する蒸気炉を備えており、蒸気炉の内部空間の液体Snまたは固体Snを蒸気Snに変化させ、蒸気Snがパルスレーザ光線で照射される隙間に蒸気Snを供給するように構成されている。そして、これにより、第1方向とほぼ反対の第2方向にEUVを放射するLPPが生成される。また、SOCOMOは、GICミラーを備える。GICミラーは、入射端および出射端を有する。そして、GICミラーは、入射端においてEUVを受光し、出射端に隣接する中間焦点において、受光したEUVを集束するように配置されている。上述のSOCOMOは、真空チャンバ、被温度制御格納容器および孔をさらに備えることが好ましい。ここで、真空チャンバは、チャンバ内部空間を有する。温度制御格納容器は、チャンバ内部空間内に配置されている。温度制御格納容器は、蒸気炉を収容する格納容器内部空間を有する。孔は、真空チャンバ及び被温度制御格納容器に形成される円錐孔である。孔は、第1端および第2端を有する。そして、孔は、第1端が隙間に隣接して配置されている。レーザ光線は、円錐孔を第2端から第1端に向かって通過し、隙間の蒸気Snに到達する。上述のSOCOMOは、液体または固体のSnを含むSn供給源をさらに備えることが好ましい。ここで、Sn供給源は、蒸気炉に動作可能に接続され、液体または固体のSnを蒸気炉の内部空間に供給する。上述のSOCOMOにおいて、蒸気炉は蒸気炉筐体をさらに備えることが好ましい。ここで、蒸気炉筐体は、蒸気炉の内部空間から隙間に蒸気が流入するように隙間に隣接して配置される開口を有する。上述のSOCOMOは、第1端及び第2端を有する出力管をさらに備えることが好ましい。ここで、第1端は、Sn供給源の一端に動作可能に接続される。また、第2端は、開口に接続される。その結果、隙間が画定される。上述のSOCOMOは、隙間に隣接する出力管に配置される加熱部をさらに備えることが好ましい。ここで、加熱部は、出力管におけるSn蒸気の凝縮を低減するように構成されている。上述のSOCOMOは、蒸気炉に電気的に接続された電流源をさらに備えることが好ましい。電流源は、蒸気炉に電流を供給して蒸気炉を加熱し、液体Snまたは固体Snから蒸気Snを生成するように構成される。上述のSOCOMOは、放射集光強化装置RCEDをさらに備えることが好ましい。RCEDは、GICミラーの出射端と中間焦点との間に配置される。RCEDは、通常は中間焦点に向かわないEUVの一部を中間焦点に向けるように構成される。上述のSOCOMOにおいて、RCEDは、入力端と、出力端と、入力端から出力端に向かう方向に向かうに従って狭くなるテーパ内面とを有することが好ましい。また、RCEDは、出力端が中間焦点に隣接して配置された状態で、SOCOMO軸に沿って軸方向に配置される。上述のSOCOMOにおいて、GICミラーは、多層コーティングを含まない第1反射面を有することが好ましい。上述のSOCOMOにおいて、GICミラーはRuコーティングを含むことが好ましい。上述のSOCOMOにおいて、GICミラーは多層コーティングを含むことが好ましい。上述のSOCOMOにおいて、GICミラーは、少なくとも一つの区画化GICシェルを有することが好ましい。区画化GICシェルは、多層コーティングを含まない第1反射面と、多層コーティングを含む第2反射面とを有する。本発明の他の態様は、反射レチクルに光を照射する極端紫外光EUVリソグラフィシステムである。このEUVリソグラフィシステムは、上述の光源集光モジュールと、イルミネータとを備える。このイルミネータは、中間焦点に形成された集束EUVを受光して凝縮EUVを形成し、その凝縮EUVを反射レチクルに照射するように構成される。上述のEUVリソグラフィシステムは、感光性半導体ウエハ上にパターン像を形成するためのEUVリソグラフィシステムであることが好ましい。このEUVリソグラフィシステムは、投影光学システムをさらに備えることが好ましい。この投影光学システムは、反射レチクルの下流に配置される。また、この投影光学システムは、反射レチクルによって反射されたEUVを受光し、そこから感光性半導体ウエハ上にパターン像を形成するように構成される。本発明の他の態様は、LPPからEUVを集光する方法である。この方法は、入射端および出射端を有するGICミラーを軸方向に配置することを備える。また、この方法は、蒸気Snを供給するように構成されるLPPターゲットシステムをGICミラーの入射端に隣接して配置することを備える。また、この方法は、GICミラーの軸方向にパルスレーザ光線を照射し、パルスレーザ光線をGICミラーの出射端からGICミラーを介して入射端まで通過させ、蒸気Snに到達させることにより、EUVを放射するLPPを形成することをさらに備える。また、この方法は、GICミラーを使用して、LPPからのEUVの一部をGICミラーの入射端で集光し、集光したEUVをGICミラーの出射端から出射し、中間焦点に焦点スポットを形成することを備える。上述の方法は、GICミラーの出射端と中間焦点との間に放射集光強化装置RCEDを配置することをさらに備えることが好ましい。また、上述の方法は、RCEDを使用して、通常は中間焦点に向かわないEUVの一部を中間焦点に向けることをさらに備えることが好ましい。上述の方法は、真空チャンバ内に配置される蒸気炉において蒸気Snを生成することをさらに備えることが好ましい。ここで、Sn蒸気は、パルスレーザ光線がアクセス可能な隙間に供給される。上述の方法は、多層コーティングを含まない第1反射面を有するGICミラーを設けることをさらに備えることが好ましい。上述の方法は、Ruコーティングを有するGICミラーを設けることをさらに備えることが好ましい。上述の方法は、多層コーティングを有するGICミラーを設けることをさらに備えることが好ましい。上述の方法は、第1反射面と、多層コーティングを含む第2反射面とを有する少なくとも一つの区画化GICシェルを有するGICミラーを設けることをさらに備えることが好ましい。上述の方法は、中間焦点においてEUVから凝縮EUVを形成し、凝縮EUVを反射レチクルに照射することをさらに備えることが好ましい。上述の方法は、反射レチクルによって反射されたEUVを受光し、そこから投影光学システムを使用して感光性半導体ウエハ上にパターン像を形成することをさらに備えることが好ましい。本発明の他の態様は、LPPターゲットシステムである。このLPPターゲットシステムは、パルスレーザ光線を生成するレーザ光源と、チャンバ内部空間を有する真空チャンバとを備える。また、このLPPターゲットシステムは、チャンバ内部空間内に配置される温度制御格納容器を備える。温度制御格納容器は、格納容器内部空間を有する。また、蒸気炉は、格納容器内部空間内に配置される。また、蒸気炉は、開口を有するとともに蒸気炉内部空間を画定する筐体を有する。蒸気炉は、蒸気炉内部空間内の固体または液体のSnを蒸気Snに変化させるように構成される。ここで、蒸気Snは、蒸気炉内部空間から開口を介して、パルスレーザ光線がアクセス可能な隙間に流入する。また、LPPターゲットシステムは、真空チャンバと温度制御格納容器とに形成される孔を有する。この孔は、レーザ光線を通過させ、開口を介して隙間に流入する蒸気Snにレーザ光線を到達させるように構成される。その結果、LPPが生成される。上述のLPPターゲットシステムは、液体または固体のSnを含むSn供給源をさらに備えることが好ましい。Sn供給源は、蒸気炉に動作可能に接続され、液体または固体のSnを蒸気炉内部空間に供給する。上述のLPPターゲットシステムは、電流源をさらに備えることが好ましい。電流源は、蒸気炉に電気的に接続される。電流源は、蒸気炉に電流を供給して蒸気炉を加熱し、液体Snまたは固体Snから蒸気Snを生成するように構成される。本発明のさらなる特徴および利点は、下記の詳細な説明発明を実施するための形態に明記されている。また、それらの一部は、詳細な説明の記載内容から当業者にとって直ちに明白となるか、下記の詳細な説明、特許請求の範囲、添付図面を含む、ここに記載された発明を実施することによって認識される。本願では、一般に、GICが開示され、特に、EUVリソグラフィシステムに利用される光源集光モジュールSOCOMOを形成するために使用されるGICミラーが開示される。なお、EUVリソグラフィシステムは、LLP方式のEUV光源を有する。図3A及び図3Bは、LPPGIC型SOCOMO以下、SOCOMOと称す100の一般例の概略図である。本図では、LPP24及び中間焦点IFはGICミラーMGの反対側に位置する。GICミラーMGは、入射端3および出射端5を有する。LPP24を生成するLPPターゲットシステム40についても図示されており、以下、LPPターゲットシステム40の例について詳細に議論する。図3Bにおいて、LPPGIC型SOCOMO100は、さらに放射線集光強化装置RCED110を選択的に備えている。RCED110については米国特許仮出願第61/341,806号発明の名称:EUVの集光を強化したEUV集光システムに記載されており、当該仮出願は本出願に援用される。RCED110は、光学軸A1に沿って、GICミラーMG側で中間焦点IFおよび開口絞りASに隣接して配置される。RCED110は、開口絞りASを通過して中間焦点IFに達し焦点スポットFSを形成するEUV30の光量を増大させるように構成されている。この構成は、RCED110により方向転換され、開口絞りASを通過して中間スポットFSを形成する屈折EUV光線30Sにより図示されている。図4は、図3Bの一般構成に基づくLPPGIC型SOCOMO100の一例の概略図である。図4のLPPGIC型SOCOMO100は、光源部41およびターゲット部42を備えるLPPターゲットシステム40を利用する。光源部41は、光学軸A1に垂直な軸A2に沿ってレーザ光線13を発するレーザ光源12を備える。また、光源部41は、光学軸A1及び軸A2の交点に光学軸A1に沿って配置される折り返しミラーFMを備える。なお、交点は、GICミラーMGと中間焦点IFとの間例えば、GICミラーMGとRCED110との間に位置する。これにより、マルチシェル型GICミラーMG図4の一例では、2つのGICシェルM1及びM2を有するが、光学軸1に沿ってLPP24と中間焦点IFとの間に配置される構成が実現する。詳細は後述するが、レーザ光線13をターゲット部42の焦点F13に焦点合わせし、LPP24を形成する際に、レーザ光源12に隣接するレンズ17がこれを補助する。一実施形態において、GICシェルM1及びM2は、各反射面にRuコーティング図示せずを有する。当該コーティングは、比較的安定しており、LPP24からの所定量のSnコーティングに対して耐性を有する。ターゲット部42は、光学軸A1に沿って-X方向にGGICミラーMGを進行するレーザ光線13によって照射される。これにより、ほぼX方向に放射されるEUV30が生成される。折り返しミラーFMによる軸方向の広がりは最小となっている。したがって、レーザ光線13はほぼ光学軸A1に沿ってGICミラーMGを一方向即ち、-X方向に進行し、EUV30はほぼ反対方向即ち、X方向にGICミラーMG,RCED110を進行し、中間焦点IFに到達する。図5は、蒸気Sn源を構成するターゲット部42の詳細な側面図である。ターゲット部42は、内部空間122を有する真空チャンバ120を備える。真空システム126は、真空チャンバ120の内部空間122に空気圧接続されており、内部空間122を真空状態にするように動作可能である。内部空間122には、容器壁134により画定された内部空間132を有する格納容器130が配置されている。一または複数の冷却ライン140は、容器壁134に熱接触され、且つ、冷却液供給源144に接続され、冷却液145の流れにより格納容器130を冷却する。このような冷却により、格納容器130の内部空間132の温度が制御され、蒸気炉150で生成された熱放射から真空チャンバ120を保護する。ターゲット部42は、格納容器130の内部空間132に収容される蒸気炉150を備える。蒸気炉150は、固体または液体のSn156を蒸気Sn156Vに変化させるように構成されている。蒸気炉150は、電線162を介して電流源160に動作可能に接続されている。電流源160は真空チャンバ120の外部に配置されることが好ましく、電線162は複数のフィードスルー164を介して真空チャンバ120、格納容器130内に引き込まれることが好ましい。蒸気炉150は、筐体151を有する。筐体151は、内部空間152を画定すると共に開口153を有する。筐体151は、固体または液体のSn156を受け、内部空間152に収容するように構成されている。一例において、固体または液体のSn156は、例えば、流入管172を介して、Sn供給源170から蒸気炉150の内部空間152に供給される。また、固体または液体のSn156は、例えば、ペレット形状で供給されてもよい。蒸気炉150は、例えば、R.D.MathisCompany所在地:米国カリフォルニア州ロングビーチ製の蒸発ボックス源である。出力収集管例えば、煙突174は、開口153において、または、開口153に隣接して蒸気炉150の内部空間152に接続される一端を有する。一例では、出力収集管174は、一端がSn供給源170に接続される。他の例では、図示の通り、出力収集管174は、単純に遠端が閉鎖されている。一例において、加熱部175は、出力収集管174に設けられている。なお、加熱部175は、より具体的には、出力収集管174が蒸気炉150と接続する位置またはその近傍に設けられている。加熱部175は、電流源160に電気的に接続されている。後述の理由により、孔または隙間以下、隙間と称す180は、出力収集管174の端部と蒸気炉150の筐体151の開口153により画定される。例えば、隙間180は、出力収集管174の一端を蒸気炉150の開口153に接続しない状態で、出力収集管174と蒸気炉150との間に形成されてもよい。他の例では、出力収集管174は開口153に接続されるが、出力収集管174自体に隙間例えば、孔180が形成されている。孔190は、真空チャンバ120及び格納容器130に形成されている。一例において、孔190は、狭端192及び広端194を有する円錐形状である。そして、狭端192は、隙間180に位置する。一例において、広端194は、鍔図示せずを有し、LPPGIC型SOCOMO100の他の構成要素に関連する隣接真空チャンバ図示せずに接続される。一例において、真空チャンバ120には、少なくとも一つの温度センサTSが設けられており、真空チャンバ120の内部空間122の温度が監視される。ターゲット部42は、制御部200を備えている。制御部200は、真空システム126、冷却液供給源144、電流源160、Sn供給源170、温度センサTS、LPPターゲットシステム40の光源部41のレーザ光源12図4参照に動作可能に接続されている。一例において、制御部200は、コンピュータ読み込み可能な媒体メモリに指示ソフトウェアを保存可能なパーソナルコンピュータを備え、コンピュータに搭載されたプロセッサを介して当該指示を実行させ、LPPターゲットシステム40がLPP24を生成するように動作させる。図4及び図5を参照すると、LPPターゲットシステム40の動作時、制御部200は、真空システム126に信号Sg0を送信して、真空システム126に対して真空チャンバ120の内部空間122を真空状態にさせる。なお、真空チャンバ120は、LPPGIC型SOCOMO100を収容するより大型の真空チャンバ図示せずに接続されるか、その一部であるものとする。また、制御部200は、電流源160に信号Sg1を送信する。これにより、電流源160は、電線162を介して蒸気炉150に電流を供給する。また、制御部200は、Sn供給源170に信号Sg2を送信し、Sn供給源170に対して蒸気炉150の内部空間152に流入管172を介して固体または液体のSn156を供給させる。さらに、制御部200は、冷却液供給源144に信号Sg3を送信して、一または複数の冷却ライン140へ冷却液145を供給し始める。さらに、制御部200は、レーザ光源12に信号Sg4を送信して、レーザ光線13を形成し始める。また、制御部200は、温度センサTSから温度信号Sg5を受信する。ここで、温度信号Sg5には、真空チャンバ120の内部空間122の温度の情報が含まれる。一実施形態において、この温度の情報は、冷却液供給源144の動作を制御し、格納容器130の温度を制御するために使用される。固体または液体のSn156が蒸気炉150の内部空間152に到達すると、電流源160によって供給される大電流による筐体151のジュール熱によって蒸発し、蒸気Sn156Vが生成される。このように、一例では、筐体151が大きな電気抵抗を示すので、電流源160からの電流により筐体151が加熱されることになる。他の例では、固体または液体のSn156を加熱して蒸気Sn156Vを形成するために、筐体151内の加熱部図示せずが使用される。そして、蒸気Sn156Vは、開口153を介して蒸気炉150の内部空間152から流出し、隙間180に流入する。ここで、レーザ光線13が隙間180に集束される。その結果、隙間180の蒸気Sn156Vが集束レーザ光線13で照射される。これにより、LPP24透過図で示すが形成され、LPP24がほぼX方向にEUV30を放射する。蒸気Sn156Vが連続的に隙間180に流入することにより、LPP24が高反復率で長時間生成される。少量の蒸気Sn156Vが隙間180から逃れて円錐孔190から流出するものの、少量の蒸気Sn156Vは出力収集管174に到達し、加熱部175の動作によって再び隙間180に向けられる。しかし、Snは固体というよりは気体の状態で供給されるため、低減すべき塵埃Snの量は最小限となっている。一例において、制御部200は、電流源160に制御信号Sg6を送信する。その結果、電流源160は、出力収集管174の加熱部175に電流を送り、加熱部175に熱を発生させる。出力収集管174の内壁に生成されると共に通常は蒸気Sn156Vを隙間180に戻す凝縮Snが、この熱によって再び蒸発し、隙間180の蒸気Sn156Vが比較的高密度に保たれる。上述の通り、制御部200は、温度センサTSからの温度信号Sg5を受信し、冷却システム冷却ライン140、冷却液供給源144、冷却液145の動作により、真空チャンバ120の内部空間122及び格納容器130の温度を制御することができる。その結果、隙間180における蒸気Sn156Vの圧力が調整され、LPP24においてEUV30に変化するSnの量を制御することができる。多層第1ミラーのないSOCOMOLPPGIC型SOCOMO100の一構成例では、多層コートが設けられていない第1ミラーが設けられている。即ち、EUV30が最初に入射する最初に反射するミラーまたはミラー部が、多層コーティング18を有していない。LPPGIC型SOCOMO100の他の構成例では、第1ミラーは、実質的に斜入射ミラーである。また、他の実施形態では、第1ミラーが多層コーティング18を有してもよい。LPPGIC型SOCOMO100の主な利点は、その性能が多層被覆反射面の残存に依存しない点にある。一実施形態例に係るGICミラーMGは、例えば、図6に示されるGICシェルM1等のような、少なくとも一つの区画化GICシェルを有している。GICシェルM1は、2つのミラー区画、即ち、第1面Sf1を有するミラー区画M1Aと、第2面Sf2を有するミラー区画M1Bとを有することが示されている。第1面Sf1により第1反射が行われしたがって、第1ミラーであり、第2面Sf2により第2反射が行われる。なお、第2反射はLPP24の目標線上に位置しない。一実施形態例では、第2面Sf2が、多層コーティング18を支持する。これは、EUV30が一旦反射されると、その強度が相当弱められると共に、通常はLPP24が目標線上に位置しないため、多層コーティング18に入射するイオン及び中性原子の量が最小になるからである。GIC型SOCOMO対NIC型SOCOMOLPPNIC型SOCOMO10とLPPGIC型SOCOMO100とには、あるトレードオフの関係が成立する。例えば、LPP24からのEUV30の特定の集光角度に関しては、LPPNIC型SOCOMO10は、LPPGIC型SOCOMO100よりもコンパクトに設計することができる。また、LPPNIC型SOCOMO10は、原則、光学軸A1に対して90°を超える角度で、Sn光源20から放射されたEUV30を集光するように設計することができ、集光効率をより高めることができる。しかし、NICの径が過度に大きくなる、または、EUV30が中間焦点IFにおいて光学軸A1となす角度が過度に大きくなるので、通常、上記の利点が実際に利用されることはない。また、LPPGIC型SOCOMO100により生成される遠隔フィールドの強度分布は、GICシェルM1及びM2の厚みの影と、複数のGICミラーMGを支持する機械的構造体の厚みの影とが原因でさらに広がる。しかし、本発明において以下議論する実施形態では、GICの表面が、表面補正機能を有している。この表面補正機能により、GICの複数のシェルの厚みによる陰影効果が低減され、中間焦点IFにおける中間スポットFSの均一性が向上する。さらに、LPPGIC型SOCOMO100は、LPPNIC型SOCOMO10に比べて、中間焦点IFにおいて一般的により大きな中間スポットFSを形成する。こうした大きさの相違は、主としてGICミラーの形状誤差に関係があり、技術進歩に伴い低減されつつある。全体としては、LPPGIC型SOCOMO100から得られる利益、即ち、より長い動作寿命、費用の低減、簡素であること、維持費用および問題の低減が、上記のトレードオフを上回るものであると一般に考えられている。LPPGIC型SOCOMO用GICミラーの一例図7は、LPPGIC型SOCOMO100用のGICミラーMGの一例の概略部分側面図である。一例として、光学設計上、図7のGICミラーMGは、実際には、図8に示されるように、光学軸A1周りに対称な円筒状の8つの入れ子状GICシェル250から構成されている。この例では、GICシェル250の数を最小化するために、3つの最内部GICシェル250は楕円形を有し、残りの5つの最外部GICシェル250は、楕円形かつ双曲線状の断面を有する軸外し二重反射設計に基づいている。なお、このようなGICミラーMGは、欧州特許出願公報第EP1901126A1発明の名称:コレクタ光学システム等に記載されており、当該公報は本出願に援用される。図7は、2つの最外部GICシェル250を図示している。当該最外部GICシェル250は、それぞれ、楕円形部250Eおよび双曲線部250Hを有する。また、図7には、光源焦点SF、仮想共通焦点CFおよび中間焦点IFに加えて、GICシェル250の楕円形部250Eおよび双曲線部250Hそれぞれの軸AEおよび軸AHが図示されている。仮想共通焦点CFと中間焦点IFとの間の距離は、ΔLである。仮想共通焦点CFは、光学軸A1から距離Δr分だけオフセットされている。光学軸A1周りに楕円形部250Eおよび双曲線部250Hの断面を1回転させることで、光学面全体が得られる。GICミラーMGの一例の設計例が、下記の表1及び表2に掲載されている。当該設計の主な光学パラメータは、aLPP24と中間焦点IFとの間の距離ΔL=2400mm、bLPP側の最大集光角度=70.7°である。一実施形態例では、各GICシェル250はRuコーティングを有し、各EUV波長での反射率が改善される。複数のGICシェル250の光学面がRuで被覆された場合、波長13.5nmのEUV30に対するGICミラーMGの理論上の集光効率は、LPP24からの2πステラジアン放射に対して37.6となる。LPPEUV光源は、放電生成プラズマDPPEUV光源に比べて随分小型典型的には、約10分の1の面積である。このため、LPP24を使用すれば、GICミラーMGの出射とイルミネータ入射との間の面積効率etendueを良好に一致させることができる。特に、LPP24における集光角度は、GICミラーMGとイルミネータの面積効率との不一致による効率損失が無視できる程度の状態または極めて限定的な状態で、極めて大きな値に増加し得る。一実施形態例において、集光半角は約70度または70度を超える。特定の集光器の光学設計に関して、遠隔フィールドにおける強度分布の均一性がDPP源よりも劣る傾向にあるという点で、LPP24の寸法には問題がある。事実、LPP24は小型であるため、DPP源に比べて、複数のGICシェル250の厚みによる遠隔フィールドの影がよりくっきりとする傾向がある。こうした効果を少なくとも部分的に相殺するために、各GICシェル250に対して表面形状即ち光学プロファイル補正が加えられ、遠隔フィールドにおける強度分布の均一性が改善されている例えば、国際特許出願公報第WO2009-095219A1号発明の名称:EUV及びX線を適用する改良型斜入射集光器光学システムを参照。なお、当該公報は本出願に援用される。。このように、GICミラーMGの一実施形態例では、各GICシェル250は、GICシェルの2つの縁において、ゼロに等しい多項式補正放物線補正が重畳されている。なお、その値は、最大でも0.01mmである。表1および表2には、図10に示されるGICミラーMGの一設計例が示されている。ミラー番号は、特定のGICシェル250の番号であり、最内部GICシェル250から順に最外部GICシェル250まで付与されている。図9Aは、GICシェルのプロファイルを補正しない場合における、中間焦点IFにおける正規化遠隔フィールド位置と、そこに入射する光線の強度任意の単位との関係を表すプロットである。当該プロットは、中間焦点IFにおいて形成されるLPP24の中間画像即ち、中間スポットFSの均一性に関する測定値である。LPP24は、0.2mmの径を有する球体としてモデル化されている。図9Bは、複数のGICシェル250に上記補正を適用したことを除いて、先と同様のプロットである。図9Aのプロットと図9Bのプロットとを比較すると、図9Bの強度においては振幅が相当低減されており、複数のGICシェル250の表面形状を補正した結果、中間焦点IFにおける中間スポットFSでの遠隔フィールド均一性が著しく改善されていることがわかる。LPPGIC型SOCOMOを備えるEUVリソグラフィシステム図10は、本発明に係るEUVリソグラフィシステム以下、リソグラフィシステムと称す300の一例である。リソグラフィシステム300は、例えば、米国特許出願第US2004/0265712A1号、第US2005/0016679A1号、第US2005/0155624A1号に開示されており、当該出願は本出願に援用される。リソグラフィシステム300は、システム軸A3およびEUV光源LSを備えている。EUV光源LSは、LPPGIC型SOCOMOを備えている。LPPGIC型SOCOMOは、光学軸A1を有し、上述の蒸気Sn方式のLPPターゲットシステム40を備えている。LPPターゲットシステム40は、λ=13.5nmの作用EUV30を放出するLPP24を生成する。LPPGIC型SOCOMO100は、上述の通り、GICミラーMGを備え、RCED110を選択的に備えている。一実施形態例において、GICミラーMGは、米国特許出願第12/592,735号に記載されるように冷却される。なお、当該米国特許出願は、本出願に援用される。また、一例においては、RCED110が冷却される。GICミラーMGは、EUV光源LSの下流側の近傍に配置されており、光学集光器軸A1がシステム軸A3に沿うようにして配置されている。GICミラーMGは、光源焦点SFに位置するEUV光源LSからの作用EUV30即ち、光線LRを集光する。そして、集光された放射光線は、中間焦点IFに中間光源像IS即ち、焦点スポットを結像する。RCED110は、中間焦点IFに通常は到達しないEUV30を中間焦点IFに到達させることにより、EUV30の集光を強化する。LPPGIC型SOCOMO100は、一例において、LPPターゲットシステム40、GICミラーMG及びRCED110を備えている。照明システム316は、入射端317および出射端318を有する。また、照明システム316は、入射端317がGICミラーMG側に配置された状態で、システム軸A3に沿ってGICミラーMGの下流側の近傍に配置されている。照明システム316は、入射端317において中間光源像ISからのEUV30を受け、出射端318において略均一なEUVビーム320即ち、凝縮EUVを出射する。リソグラフィシステムシステム300が走査型システムである場合、EUVビーム320は、典型的には、反射レチクル336を走査する略均一なライン状のEUV30として、反射レチクル336上に形成される。投影光学システム326は、屈折したシステム軸A3に沿って、照明システム316の下流に配置されている。投影光学システム326は、照明システム316の出射端318に対向する入射端327と、反対側の出射端328とを有する。反射レチクル336は投影光学システム326の入射端327に隣接して配置されており、半導体ウエハ340は投影光学システム326の出射端328に隣接して配置されている。反射レチクル336は、半導体ウエハ340に転写されるパターン図示せずを有し、半導体ウエハ340は感光性コーティング例えば、フォトレジスト層342を有する。動作時において、均一化されたEUVビーム320は、反射レチクル336を照射し、レチクル336によって反射される。そして、投影光学システム326によって、半導体ウエハ340の感光性コーティング342の表面上に、レチクル336上のパターンが結像される。走査型リソグラフィシステムシステム300では、反射レチクル像が感光性コーティング342の表面上を走査し、露光フィールド上にパターンが形成される。典型的には、反射レチクル336と半導体ウエハ340とを同期させて移動させることにより、走査が実行される。一旦、レチクルパターンが半導体ウエハ340に結像されて記録されると、パターン化された半導体ウエハ340は、標準的なフォトリソグラフィ技術および半導体プロセス技術を使用して処理される。その結果、複数の集積回路ICチップが形成される。なお、一般的にリソグラフィシステム300の構成要素は、図10に図示されるように、共通の屈折したシステム軸A3に沿って配置される。当業者であれば、例えば、照明システム316や投影光学システム326の様々な構成要素の入口軸および出口軸がオフセットされる場合もあり得ることは、理解される。当業者には明白であるが、本発明の精神および範囲を逸脱することなく、本発明に対して様々な修正および変更を加えることができる。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲およびその均等範囲内において本発明の修正および変更を包含する。"