"3個1組で1相を構成し、全部で3相を構成する半導体素子と、前記半導体素子のうち、複数の前記半導体素子を電気的に接続する導体と、前記半導体素子へ電力を供給するゲート線と、を備え、前記半導体素子は、上下2段に配置されていることを特徴とする電力変換装置。上下2段に配置され前記1相を構成する前記半導体素子は、一方の段に配置される1つの前記半導体素子の中心が、他方の段に配置される2つの前記半導体素子の中心から等距離の位置に配置されることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。前記半導体素子は、2つの相では前記2段のうち一方の段に1個、他方の段に2個配置され、前記2つの相に挟まれる1つの相では、前記2段のうち一方の段に2個、他方の段に1個配置されることを特徴とする請求項2に記載の電力変換装置。前記半導体素子は、3つ全ての相で前記2段のうち一方の段に1個、他方の段に2個配置されることを特徴とする請求項2に記載の電力変換装置。上下2段に配置され前記1相を構成する前記半導体素子は、一方の段に配置される1つの前記半導体素子の中心と他方の段に配置される第1の前記半導体素子の中心とを結ぶ直線と、前記第1の半導体素子の中心と前記第1の半導体素子と同じ前記他方の段に配置される第2の半導体素子の中心とを結ぶ直線とが、前記第1の半導体素子の中心において互いに直交する位置に配置されることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。1相を構成する3つの前記半導体素子のうち2つを、1つの三角形の前記導体と、少なくとも1つの四角形の導体とで接続することを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の電力変換装置。1相を構成する3つの前記半導体素子のうち2つを、複数の四角形の導体とで接続することを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の電力変換装置。1相を構成する3つの前記半導体素子のうち2つを、2つの同形状の三角形の導体を配置して接続することを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の電力変換装置。1相を構成する3つの前記半導体素子のうち2つを、2つの同形状の三角形の導体を対称に配置して接続することを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の電力変換装置。前記ゲート線は、上段に配置される前記半導体素子に対してはその上部から、下段に配置される前記半導体素子に対してはその下部から配線されていることを特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれかに記載の電力変換装置。前記ゲート線は、上段に配置される前記半導体素子と下段に配置される前記半導体素子との間に配線されていることを特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれかに記載の電力変換装置。上段に配置される前記半導体素子と下段に配置される前記半導体素子との間に、前記半導体素子の破片飛散を防止するガードを備えていることを特徴とする請求項1ないし請求項10のいずれかに記載の電力変換装置。しかしながら、上記特許文献1では、以下の点について対応がなされていない。すなわち、上記特許文献1のように、半導体素子が3段に配置されると、半導体素子の冷却に関して、上部の半導体素子は下部の半導体素子から発生する熱の煽りによって素子の温度が高くなる傾向にある。そのため半導体素子が3段に配置される場合には、上部の半導体素子を使用温度範囲へ冷却するべく、設置される冷却器が大きくなる。また冷却器が大きくなると回路を構成する導体が大きくなり、インダクタンスが増大する。従って、半導体素子の配置の仕方により冷却器が大型化し、さらには導体インダクタンスの増加により半導体素子を保護するための回路が追加され、より一層のコスト増加や電力変換装置の大型化を招くことになる。さらには、電力変換装置が鉄道車両等に使用される場合、当該鉄道車両が導入される路線によっては低床化が必要なためコンパクト化が求められることもある。また、外国の鉄道車両等は日本の鉄道車両等よりも低床となる場合もあり、この場合にはより一層電力変換装置への厳しいコンパクト化の要求がなされる。本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、半導体素子等構成機器の配置に工夫を凝らすことで、コンパクトでスペース効率に優れた電力変換装置を提供することである。本発明の実施の形態に係る特徴は、電力変換装置において、3個1組で1相を構成し、全部で3相を構成する半導体素子と、半導体素子のうち、複数の半導体素子を電気的に接続する導体と、半導体素子へ電力を供給するゲート線と、を備え、半導体素子は、上下2段に配置されていることを特徴とする。以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。第1の実施の形態図1は、第1の実施の形態における電力変換装置S1の全体構成を示す正面図である。電力変換装置S1は、3個1組で1相を構成し、全部で3相を構成する半導体素子1と、半導体素子1のうち、複数の半導体素子1を電気的に接続する導体2と、半導体素子1へ電力を供給するゲート線3とを備えている。電力変換装置S1は、例えば、交流を直流に変換するコンバータ回路や直流を交流に変換するインバータ回路である。またこれらの回路に使用される半導体素子1は、例えばIGBTやSiC等の素子である。半導体素子1は、3個1組で1相を構成している。図1においては、破線で示す三角形略正三角形に囲まれる3個の半導体素子1が1組となる。全ての図面において、左からU相、V相、W相となり、図面ではそれぞれ符号U、符号V、符号Wで示される。本発明の実施の形態における半導体素子1は、上下2段に配置されている。図1以下、全ての図面においては、電力変換装置S以下、各実施の形態における電力変換装置をまとめて電力変換装置Sと表わすの正面が示されている。そのため、図1に示す符号H、これは電力変換装置S1の高さを示しているが、この矢印が示す方向が天地方向となる。従って図1においては、上段に4つの半導体素子1が、下段に5つの半導体素子1が配置されていることになる。上下2段に配置され1相を構成する半導体素子1は、一方の段に配置される1つの半導体素子1の中心が、他方の段に配置される2つの半導体素子の中心から等距離の位置に配置される。すなわち、例えば、U相を例に挙げて説明すると、一方の段上段には1つの半導体素子1、他方の段下段には2つの半導体素子1、合計3つの半導体素子1にて1相U相が構成される。これら3つの半導体素子1は、下段に配置される2つの半導体素子1の中心からそれぞれ等距離となる位置に、上段に配置される1つの半導体素子1の中心が位置する。すなわち、図1に示されているように、3つの半導体素子1がピラミッド状に積み上がっているかのように配置される。図1に示す電力変換装置S1においては、U相とW相の2つの相が同じ向き、すなわち、下段に2つの半導体素子1、上段に1つの半導体素子1が配置されている。一方、V相については、上段、下段に配置される半導体素子1の数がこれら2つの相と異なる。V相の場合、下段に1つの半導体素子1、上段に2つの半導体素子1が配置される。なお、V相、W相のいずれもU相同様、3つの半導体素子1がピラミッド状に配置される。従って、図1にて各相を示す破線の三角形は、略正三角形となる。但し、各相を示す破線の三角形は、略正三角形に限らず、例えば、直角三角形といった何らかの三角形の形状となれば良い。また、上述したように、U相とW相とが同じ向き、V相のみが逆向きとなるように半導体素子1が配置されるため、電力変換装置S1全体として見ると、上段に1列となるように4つの半導体素子1が配置され、下段には1列となるように5つの半導体素子1が配置されることになる。各相を構成する3つの半導体素子1のうち、2つの半導体素子1を互いに電気的に接続するために導体2が設けられている。この導体2は、導電率の良い、例えば、銅Cuの板が用いられる。図1に示す電力変換装置S1においては、導体2の形状は2種類示されている。すなわち、U相を例に挙げて説明すると、下段の一方の半導体素子1と上段の半導体素子1とを接続する導体2の形状は三角形である導体2a。もう1つの下段の他方の半導体素子1と上段の半導体素子1とを接続する導体2の形状は四角形であり、長さの異なる2つの四角形の導体2b,2bが使用されている。いずれの形状を採用するかは、接続対象となる半導体素子1との関係や、周辺に配置される図示しない周辺電気部品の形状等を勘案して決定される。電力変換装置Sには、半導体素子1へ電力を供給するゲート線3が設けられている。第1の実施の形態において取り上げる電力変換装置S1,S2,S3のいずれも、上段に配置される半導体素子1に対してはその上部に、下段に配置される半導体素子1に対してはその下部に、それぞれゲート線3a,3bが設けられる。また、各ゲート線3a,3bに用いられる電線をまとめるために、適宜電線支え4が設けられている。この電線支え4は、図面にてそれぞれ示される位置に設けられているが、電線の配置や取り回し等を考慮して、任意の場所に設けることができる。半導体素子1の裏面には、半導体素子1の冷却のための冷却器5が設けられている。半導体素子1はそのスイッチングの際に発熱することから、本発明の実施の形態においては冷却器5を電力変換装置Sに取り付けることによって、半導体素子1の温度上昇を緩和している。なお、半導体素子1を複数段に配置すると、上段に配置される半導体素子1は下部に配置される半導体素子1から発生する熱の煽りによって素子の温度が高くなる傾向にある。従って、本発明の実施の形態における冷却器5は、上段に配置される半導体素子1の冷却をより効率的に行うために、上段に配置される半導体素子1及び、その上部のゲート線3aが設けられている位置まで掛かるように配置されている。一方、下段に配置される半導体素子1の下部には同じようにゲート線3bが設けられているが、このゲート線3bは冷却器5の設置範囲に含まれない。以上、図1を用いて説明した通り、半導体素子等構成機器の配置に工夫を凝らすことで、コンパクトでスペース効率に優れた電力変換装置を提供することができる。すなわち、3つの半導体素子を天地方向に積層して3段の電力変換装置を構成するよりも上下2段に半導体素子を納めることによって、天地方向の高さを低く抑えることが可能となる。また、3つの半導体素子を2段に配置することによって、これまでよりも冷却器の大きさもコンパクト化することができる。その上、図1に示すようにU相、V相、W相を効率よく配置することができるため、導体インダクタンスの低減、サージ電圧抑制回路等の省略を図ることが可能となる。電力変換装置のコンパクト化は、例えば、電力変換装置が組み込まれる装置に対するスペース効率を高めるだけではなく全体のコンパクト化に寄与することになり、さらには、製造性の向上、搬送の際のハンドリング性能の向上、といった効果も奏する。ここで図2は、第1の実施の形態における電力変換装置S1の変形例1を示す正面図である。図2の電力変換装置S2においては、U相、V相、W相の3つの各相が同じ向きに配置されている点が図1に示す電力変換装置S1と相違する。この場合、図2に示すように上段に1つの半導体素子1、下段に2つの半導体素子1がそれぞれ配置されて1相を構成する。従って、合計で上段に3つの半導体素子1、下段に6つの半導体素子1がそれぞれ配置される。当該変形例1においては、特にV相の配置の仕方が図1に示す電力変換装置S1におけるV相と大きく相違する。3つの各相を図1の電力変換装置S1のように配置させる方法もあるが、この配置方法は設計上手間が増える可能性がある。一方、変形例1に示す電力変換装置S2における3つの各相はいずれも同じ方向を向いた状態で設置されている。このような向きであれば、配線等も含めた設置のための設計の手間を大きく削減させることが可能となる。図3は、第1の実施の形態における電力変換装置S1の変形例2を示す正面図である。変形例2の電力変換装置S3において、半導体素子1を互いに接続する導体2の形状は、いずれも三角形であり、導体2a,2a’のいずれも同形状の部材である。すなわち、導体2a’は、下段の一方の半導体素子1と上段の半導体素子1とを接続する三角形の導体2aと同形状の部材を、下段の2つの半導体素子1の中心から等距離を示す点を結んで形成される仮想の直線を境に反転、配置して、下段の他方の半導体素子1と上段の半導体素子1とを接続する。このように各相において必要とされる導体2をいずれも同じ形状とすることで、部品点数の削減、取り付け作業の効率化を図ることができる。なお、以上では図1と図3とを用いて1相の3つの半導体素子1を接続する導体2の形状として、1つの三角形、2つの四角形の組み合わせ、2つの三角形の組み合わせについて説明したが、この他の組み合わせ、例えば、1つの三角形、1つの四角形の組み合わせ、或いは、2つの四角形の組み合わせの導体2を使用して複数の半導体素子1を接続しても良い。また、導体2の形状そのものも三角形と四角形だけではなく、半導体素子1間における必要な電気的接続が確保できるのであれば、その他の形状であっても良い。なお、変形例1及び変形例2のいずれにおいても、上述した本発明の実施の形態における各効果を奏することはもちろんである。第2の実施の形態次に第2の実施の形態について説明する。なお、第2の実施の形態において、上述の第1の実施の形態において説明した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、同一の構成要素の説明は重複するので省略する。第2の実施の形態における電力変換装置S4は、第1の実施の形態における電力変換装置S1ないしS3と上下2段に配置される半導体素子1の配置レイアウトが相違する。なお、その他の構成については、第1の実施の形態における電力変換装置S1ないしS3と同様である。図4は、第2の実施の形態における電力変換装置S4の全体構成を示す正面図である。第2の実施の形態における半導体素子1は、上下2段に配置され1相を構成する半導体素子は、一方の段に配置される1つの半導体素子の中心と他方の段に配置される第1の半導体素子の中心とを結ぶ直線と、第1の半導体素子の中心と第1の半導体素子と同じ他方の段に配置される第2の半導体素子の中心とを結ぶ直線とが、第1の半導体素子の中心において互いに直交する位置に配置される。すなわち、図4に示されるU相を例に挙げて説明する。U相においては、下段に第1の半導体素子1aと第2の半導体素子1bとの2つの半導体素子1が配置されている。一方、上段には1つの半導体素子1cが配置されている。第1の半導体素子1aを基準に考えると、第1の半導体素子1aの中心は上段に配置される半導体素子1cの中心と垂直な直線で結ぶことが可能である図4に示す仮想線L1を参照。また、第1の半導体素子1aの中心は、同じ下段に配置されている半導体素子1bの中心と水平な直線で結ぶことができる図4に示す仮想線L2を参照。しかもこの仮想線L1と仮想線L2とは、第1の半導体素子1aの中心を交点とし互いに直交する関係にある。このように半導体素子1が配置されると、U相を構成する3つの半導体素子1は、図4の破線で示すように直角三角形で囲むことが可能となる。第2の実施の形態においては、3つの各相をそれぞれ構成する半導体素子1をこのように配置させることによって、半導体素子等構成機器の配置に工夫を凝らすことで、コンパクトでスペース効率に優れた電力変換装置を提供することができる。なお、図4に示すV相は、U相とW相とは逆の向きとなるように配置されている。但し、このような配置だけではなく、例えば、3つの相いずれも同じ向きとなるように半導体素子1を配置させることももちろん可能である。また、第2の実施の形態における導体2は、四角形のみ、四角形と三角形の組み合わせ、或いは、三角形のみ、と図4には3つのパターンが示されている。但し、同形状の導体を複数使用することによって部品点数の削減に資することになるが、一方で、上述したように、どのような形状の導体を使用しても構わない。第3の実施の形態次に第3の実施の形態について説明する。なお、第3の実施の形態において、上述の第1、或いは第2の実施の形態において説明した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、同一の構成要素の説明は重複するので省略する。第3の実施の形態における電力変換装置S5は、ゲート線3’の配置がこれまでの第1、或いは、第2の実施の形態における電力変換装置S1ないしS4と相違する。その他の構成は、上述した通りである。これまでは、上段に配置される半導体素子1の上部ゲート線3a、及び、下段に配置される半導体素子1の下部ゲート線3bにそれぞれ配置されていた図1ないし図4参照。第3の実施の形態では、このように上段と下段とで別に設けられていたゲート線3a,3bをまとめて1つのゲート線3’とし、しかもこのゲート線3’を上段に配置される半導体素子1と下段に配置される半導体素子1との間に設けることとしている。図5は、第3の実施の形態における電力変換装置S5の全体構成を示す正面図である。ゲート線3’は、上段の半導体素子1と下段の半導体素子1との間に設けられ、そこからそれぞれの半導体素子1に対して電力が供給されている。この位置にゲート線3’が設けられることによって、上段に配置される半導体素子1の上部或いは、下段に配置される半導体素子1の下部に、それぞれゲート線3を設ける必要がなくなる。従って、電力変換装置S5の天地方向の大きさ高さをより一層コンパクトにすることができる。図5には、その高さを示す矢印が示されている。ここで符号Hで示される高さは、第1、或いは、第2の実施の形態における電力変換装置S1ないしS4の高さを示している。一方、符号hで示される高さは、第3の実施の形態における電力変換装置S5の高さを示している。従って、電力変換装置S5は第1、或いは、第2の実施の形態における電力変換装置S1ないしS4よりも符号h’分の高さだけ低く構成することが可能となり、より一層のコンパクト化を図ることができる。これまでのように半導体素子の配置に工夫を凝らすだけではなく、ゲート線といった構成機器の配置にまで工夫を凝らすことで、コンパクトでスペース効率に優れた電力変換装置を提供することができる。第4の実施の形態次に第4の実施の形態について説明する。なお、第4の実施の形態において、上述の第1ないし第3の実施の形態において説明した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、同一の構成要素の説明は重複するので省略する。第4の実施の形態においては、電力変換装置に新たな部材を追加して構成している点が、これまで説明してきた電力変換装置S1ないしS5と相違する。その他の構成についてはこれまでと同様である。図6は、第4の実施の形態における電力変換装置の全体構成を示す正面図である。第4の実施の形態における電力変換装置S6は、上段に配置される半導体素子1と下段に配置される半導体素子1との間にガードGが設けられている。ここで電力変換装置S6が動作中に何らかの原因で半導体素子1が破壊される現象が生ずることが考えられる。このような現象が生ずると、破壊された半導体素子1の破片が周囲に飛散する可能性が高い。飛散した破片は周囲の半導体素子1等、周辺の構成機器に損傷を与えることになるため、それ自体は破壊していないのに飛散した破片によって破壊されてしまうことにもなりかねない。特に実施の形態における電力変換装置Sのように、コンパクト化を図るために密集して半導体素子1を配置する構成を採用していると、被害はより甚大なものになってしまう。そこで、第4の実施の形態における電力変換装置S6においては、ガードGを設けている。このガードGは、例えば平板等で構成されており、例えば半導体素子1の大きさに合わせてその奥行きが決定される。また、ガードGの上から導体2が複数の半導体素子1の間を接続することになるため、導体2に触れない大きさともなる。ガードGが設けられることによって、破壊された半導体素子1の破片が他の半導体素子1に飛散することを防止できるため、飛散した破片による二次的な破壊及び、破片による短絡を防止することができる。その意味で、ガードGは共連れ短絡防止用のガードであるといえる。以上、半導体素子等構成機器の配置に工夫を凝らすことで、コンパクトでスペース効率に優れるだけではなく、動作中に発生しうる障害にも対応することのできる電力変換装置を提供することができる。なお、第4の実施の形態においては、ガードGを上段の半導体素子1と下段の半導体素子1とを分けるようにその間に配置したが、その他、各段に配置される同列の半導体素子1間にもガードGを配置することは可能である。なお、この発明は、上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることにより種々の発明を形成できる。例えば、実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施の形態に亘る構成要素を適宜組み合わせても良い。"