データ記憶媒体を形成する方法であって、互いに隣接する改変領域及び第1の領域を含む中間層を形成するステップであって、前記改変領域及び前記第1の領域は少なくとも1つの異なる特性を有する、ステップと、活性領域を形成するために、前記中間層の前記第1の領域に磁性種を蒸着する、ステップと、セパレータを形成するために、前記中間層の前記改変領域に非強磁性種を蒸着する、ステップと、を有する、データ記憶媒体を形成する方法。前記第1の領域及び前記改変領域は異なる構造を有する、請求項1に記載の方法。前記第1の領域は1つ以上の結晶を有し、前記改変領域はアモルファスである、請求項2に記載の方法。前記第1の領域は望ましい方位の1つ以上の結晶を有し、前記改変領域はアモルファスである、請求項2に記載の方法。前記第1の領域はアモルファスであり、前記改変領域は1つ以上の結晶を有する、請求項2に記載の方法。前記中間層は、Mg、Ta及びTiのうちの少なくとも1つを有する、請求項1に記載の方法。前記セパレータはSiO2を含む、請求項1に記載の方法。前記改変領域及び前記第1の領域は少なくとも1つの異なる種を有する、請求項1に記載の方法。前記改変領域及び前記セパレータは少なくとも1つの共通の種を有する、請求項1に記載の方法。前記少なくとも1つの共通の種はSiである、請求項9に記載の方法。前記活性領域及び前記セパレータを形成する前に、前記中間層の表面をエッチングするステップを、さらに有する、請求項1に記載の方法。前記中間層の前記改変領域は、イオン注入により形成される、請求項1に記載の方法。前記イオン注入は15keV以下のエネルギーで行われる、請求項12に記載の方法。データ記憶媒体を形成する方法であって、互いに隣接する改変領域及び第1の領域を含む中間層を形成するステップであって、前記改変領域及び前記第1の領域は少なくとも1つの異なる特性を有する、ステップと、活性領域を形成するために、前記中間層の前記第1の領域に磁性種を蒸着する、ステップと、セパレータを形成するために、前記中間層の前記改変領域に非強磁性種を蒸着する、ステップと、を有し、前記活性領域及び前記セパレータは同時に形成される、データ記憶媒体を形成する方法。前記第1の領域は1つ以上の結晶を有し、前記改変領域はアモルファスである、請求項14に記載の方法。前記第1の領域は望ましい方位の1つ以上の結晶を有し、前記改変領域はアモルファスである、請求項14に記載の方法。前記改変領域は、イオン注入により形成される、請求項14に記載の方法。前記イオン注入は15keV以下のエネルギーで行われる、請求項17に記載の方法。前記改変領域及び前記セパレータはSiを含む、請求項14に記載の方法。データ記憶媒体であって、改変領域及び複数の第1の領域を有する中間層であって、前記改変領域及び前記第1の領域は少なくとも1つの異なる特性を有する、中間層と、前記中間層の前記第1の領域に形成され、磁性材料を含む、活性領域と、前記中間層の前記改変領域に形成され、非強磁性材料を含む、セパレータと、を有する、データ記憶媒体。前記中間層は、Mg、Ta及びTiのうちの少なくとも1つを有する、請求項20に記載のデータ記憶媒体。前記活性領域は、Co、Ni、Cr及びPtのうちの少なくとも1つを有する、請求項21に記載のデータ記憶媒体。前記セパレータはSiO2を含む、請求項21に記載のデータ記憶媒体。前記第1の領域は1つ以上の結晶を有し、前記改変領域はアモルファスである、請求項20に記載のデータ記憶媒体。前記改変領域及び前記第1の領域は異なる種を有する、請求項20に記載のデータ記憶媒体。しかしながら、両方のアプローチは、いくつかの短所を有する。1つのそのような短所は、高イオンドーズの必要性により部分的に引き起こされる限られたスループットである。上で述べたように、セパレータ204aを形成する各アプローチは、約1×1016~1×1017イオンcm2の範囲のイオンドーズを必要とする。しかしながら、従来のイオン注入装置でのビーム電流は、イオンを生成するときの制限により、限定される。従って、そのような高ドーズは、スループットを制限し、すなわち、イオン注入システムが媒体を処理しなければならない時間を長くする。制限されるスループットにより、BPMを製造することに関連するコストは高くなり得る。スループットは、また、レジストのパターニングステップにより、部分的に制限される。上で述べたように、電子ビーム直接描画パターニングステップは、レジストをパターニングするために用いることができる。このプロセスでは、1つ以上の方向に沿って、電子ビームでスキャンして、レジストを直接に描画又はパターニングする。このプロセスは、より大きい分解能を可能にするけれども、このプロセスは、非常に遅く、高スループットの製造には適切ではない。スループットを高くするために、もっと有効なレジストパターニングプロセスである、ナノインプリントリソグラフィープロセスを用いることができる。しかしながら、このパターニングプロセスは、所望の特性のレジストを製造しない。例えば、ナノインプリントリソグラフィープロセスで達成される最大の実際のレジストの高さは、約50nmに制限される。そのようなレジストは、それに続く高ドーズイオン注入プロセスで存続することができず、かつ/又は、適切に下の材料を保護することができない。レジストの一部は、イオン注入の間にスパッタすることができ、さらされる領域の外側の材料の部分すなわち、もともとはレジスト108の下の材料は、イオン注入することができ、また、セパレータ204aに変換することができる。従って、最適とはいえないBPMの結果となり得る。さらに、セパレータ204aを形成するのに用いる高ドーズイオン注入は、また、さらされる領域の材料のスパッタリングに寄与することができる。このスパッタリング効果は、セパレータ204aを形成するのに必要な全ドーズに比例して生じる。このスパッタリング効果は、非平面記憶層をもたらすことができる。イオン注入ステップを含むBPM製造プロセスは、ギャップを満たすステップ例えば、図1dを除外する意図であるため、さらされる領域とさらされない領域との間の過度の非平面性は、非常に望ましくない。従って、ビットパターン媒体を製造する新しい方法が必要とされる。ビットパターン媒体を製造する技術が開示される。特定の例示的実施態様で、ビットパターン媒体を製造する方法として、その技術を実現することができる。その方法は、互いに隣接する改変領域及び第1の領域を含む中間層を形成するステップであって、改変領域及び第1の領域は少なくとも1つの異なる特性を有する、ステップと、活性領域を形成するために、中間層の第1の領域に磁性種を蒸着する、ステップと、セパレータを形成するために、中間層の改変領域に非強磁性種を蒸着する、ステップと、を有することができる。この特定の例示的実施態様の他の側面により、改変領域及び第1の領域は異なる構造を有することができる。この特定の例示的実施態様の更なる側面により、第1の領域は望ましい方位の1つ以上の結晶を有することができ、改変領域はアモルファスであり得る。この特定の例示的実施態様の追加の側面により、第1の領域はアモルファスであり、改変領域は1つ以上の結晶を有することができる。この特定の例示的実施態様の他の側面により、第1の領域は均一な方位を有する複数の結晶を有し、改変領域はアモルファスである。この特定の例示的実施態様の更なる側面により、中間層は、Mg、Ta及びTiのうちの少なくとも1つを有することができる。この特定の例示的実施態様の追加の側面により、セパレータはSiO2を含むことができる。この特定の例示的実施態様の更なる側面により、改変領域は第1の領域にはない少なくとも1つの種を有することができる。この特定の例示的実施態様の追加の側面により、改変領域及びセパレータは少なくとも1つの共通の種を有することができる。この特定の例示的実施態様の他の側面により、少なくとも1つの共通の種はSiであり得る。この特定の例示的実施態様の追加の側面により、その方法は、活性領域及びセパレータを形成する前に、中間層の表面をエッチングするステップを、さらに有することができる。この特定の例示的実施態様の更なる側面により、中間層の改変領域は、イオン注入により形成することができる。この特定の例示的実施態様の追加の側面により、イオン注入は15keV以下のエネルギーで行うことができる。別の例示的実施態様により、ビットパターン媒体を製造する方法として、その技術を実現することができる。その方法は、互いに隣接する改変領域及び第1の領域を含む中間層を形成するステップであって、改変領域及び第1の領域は少なくとも1つの異なる特性を有する、ステップと、活性領域を形成するために、中間層の第1の領域に磁性種を蒸着する、ステップと、セパレータを形成するために、中間層の改変領域に非強磁性種を蒸着する、ステップと、を有することができ、活性領域及びセパレータは同時に形成される。この特定の例示的実施態様の他の側面により、第1の領域は1つ以上の結晶を有し、改変領域はアモルファスである。この特定の例示的実施態様の追加の側面により、第1の領域は望ましい方位の1つ以上の結晶を有し、改変領域はアモルファスである。この特定の例示的実施態様の更なる側面により、改変領域は、イオン注入により形成することができる。この特定の例示的実施態様の追加の側面により、イオン注入は15keV以下のエネルギーで行うことができる。この特定の例示的実施態様の更なる側面により、改変領域及びセパレータはSiを含むことができる。この特定の例示的実施態様の追加の側面により、その方法は、活性領域及びセパレータを形成する前に、中間層の表面をエッチングするステップを、さらに有することができる。この特定の例示的実施態様の他の側面により、第1の領域は均一な方位を有する複数の結晶を有し、改変領域はアモルファスである。別の例示的実施態様により、データ記憶媒体を用いて、その技術を実現することができる。データ記憶媒体は、改変領域及び複数の第1の領域を有する中間層であって、改変領域及び第1の領域は少なくとも1つの異なる特性を有する、中間層と、中間層の第1の領域に形成され、磁性材料を含む、活性領域と、中間層の改変領域に形成され、非強磁性材料を含む、セパレータと、を有することができる。この特定の例示的実施態様の更なる側面により、中間層は、Mg、Ta及びTiのうちの少なくとも1つを有することができる。この特定の例示的実施態様の追加の側面により、活性領域は、Co、Ni、Cr及びPtのうちの少なくとも1つを有することができる。この特定の例示的実施態様の他の側面により、セパレータはSiO2を含むことができる。この特定の例示的実施態様の更なる側面により、改変領域及び第1の領域は異なる構造を有することができる。この特定の例示的実施態様の追加の側面により、第1の領域は1つ以上の結晶を有することができ、改変領域はアモルファスであり得る。この特定の例示的実施態様の他の側面により、改変領域及び第1の領域は異なる種を有する。添付図面に示す例示的な実施形態を参照して、本発明を以下に詳細に説明する。本発明は、例示的な実施形態を参照して以下に説明するけれども、本発明はそれらに限定されないことを理解すべきである。本明細書での教示にアクセスする当業者は、追加の実施、変更及び実施形態の他に、本明細書で説明される本発明の範囲内であり、本発明が有用であり得ることに関する、他の分野の使用も又、理解するであろう。本発明をより良く理解するために、以下に、添付の図面を参照するが、同様の要素は同様の数字で参照する。これらの図面は、本発明を制限するものと解釈すべきではなく、例示のみを意図している。上記の方法に関連する欠陥を解決するために、BPMを製造する新規な技術を導入する。本発明では、その技術は、選択的に処理された中間層の上にデータ記憶層を形成することを含むことができる。中間層を選択的に処理するために、様々なプロセスを用いることができる。一実施形態では、粒子又はイオン注入プロセスを用いることができる。他の実施形態では、他のプロセスを用いることができる。使用できる他のプロセスの例は、蒸着プロセス、ガス浸漬レーザドーピングGILDプロセス、及び、レーザ又は他の磁気波照射プロセスを含むことができる。そのようなプロセスが使用できるにもかかわらず、明確さと簡潔さのために、本発明は、イオン注入プロセスに焦点を合わせる。しかしながら、当業者は、本発明がそれに限定されないことを認識するであろう。使用される場合、イオン注入プロセス用のシステムは、ビームラインイオン注入システム、プラズマアシステドドーピングPLAD又はプラズマ浸漬イオン注入PIIIシステム、又は、任意の他の質量分析又は非質量分析イオン注入とすることができる。さらに、集束又は非集束イオンビームイオン注入システムもまた用いることができる。イオン又は粒子は、荷電した又は荷電していない、素粒子、原子又は分子のイオン又は粒子とすることができる。その上、粒子又はイオン注入プロセスの間に用いる粒子のタイプ又は種は、以下に記載するタイプ又は種だけに限定されない。イオン注入プロセスに加えて、その技術は、材料をエッチング又は蒸着するための1つ以上のプロセスを含むことができる。そのようなプロセスを実行するために、様々なシステムを用いることができる。便利さと明確さのために、本発明は、スパッタ蒸着又はエッチングシステムに焦点を合わせることができる。図3a及び3bを参照するに、本発明の一実施形態によるBPM又は媒体300の側面図及び平面図が示される。図は必ずしも縮小率で描かれていない。図3aに例示するように、媒体300は、特に、ベース層302、データ記憶層304及び保護層306を含むことができる。図に示すように、データ記憶層304をベース層302の上に配置することができる。ここに、ベース層302は、データ記憶層304を支持する1つ以上の層とすることができる。一実施形態では、ベース層302は、軟下地層図示せずを含むことができる。本実施形態では、データ記憶層304は、各々がシングルビットデータを記憶する複数の活性領域304bを含むことができる。図3bに示すように、各活性領域304bは、互いに、セパレータ304aにより分離される。本発明では、データ記憶層304は、各活性領域304bを、包囲し磁気的に分離する、単一の連続のセパレータ304a又は複数の不連続のセパレータセグメント304aとすることができる。BPM300は、また、中間層303を含むことができる。明確さと簡潔さのために、本発明は、中間層303が、ベース層302から分離されていると、記載している。しかしながら、当業者は、中間層303が、ベース層302の一部であるか、又は、ベース層302を形成する層のうちの1つであることを、理解するであろう。本実施形態の中間層303は、改変領域303aを選択的に含むことができる。中間層303が改変領域303aを含む場合、改変領域303aの外部の領域は、明確さと簡潔さのために、第1の領域303bとすることができる。本実施形態では、セパレータ304aは改変領域303aの上に配置することができ、一方、活性領域304bは第1の領域303bの上に配置することができる。別の実施形態では、セパレータ304aは第1の領域303bの上に配置することができ、一方、活性領域304bは改変領域303aの上に配置することができる。含まれる場合、改変領域303aは、第1の領域303bとは異なる少なくとも1つの特性を有することができる。一実施形態では、改変領域303aと、第1の領域303bとは、異なる構造及び/又は結晶方位を有することができる。例えば、改変領域303a及び第1の領域303bのうちの1つは、複数の結晶を有することができ、一方、改変領域303a及び第1の領域303bのうちの他の1つは、アモルファスとすることができる。別の例では、改変領域303a及び第1の領域303bのうちの1つは、望ましい方位を有する結晶又は種結晶を有することができ、その結晶又は種結晶は、活性領域304bのエピタキシャル成長のためのテンプレートとして作用することができる。その一方で、改変領域303a及び第1の領域303bのうちの他の1つは、アモルファスとすることができ、又は、望ましい方位を有する結晶を実質的に有しないとすることができる。本発明では、望ましい方位は、活性領域304bのエピタキシャル成長を可能にし、又は、促進する1つ以上の方位とすることができる。そのため、望ましい方位を有する結晶を有しない領域は、アモルファスとすることができるか、あるいは、活性領域304bのエピタキシャル成長のためのテンプレートとして作用しない結晶を有することができる。いくつかの実施形態では、望ましい方位を有する結晶は、活性領域304bの結晶の方位と同一の方位を有することができる。他のいくつかの実施形態では、望ましい方位を有する結晶は、均一な方位を有することができる。改変領域303aと第1の領域303bとの間の別の差異は、種の差異とすることができる。例えば、改変領域303aは、第1の領域303bに含まれない1つ以上の種を含むことができる。中間層303は、望ましくは、Ti、Mg及びTaの種のうちの少なくとも1つを含むチタンTi、マグネシウムMg又はタンタルTaベースの材料を含むことができる。一実施形態では、中間層303はTi種を含むことができる。別の実施形態では、中間層303は、Mg種を含む酸化マグネシウムMgOとすることができる。当業者は、中間層303が他の種を含むことができることを理解するであろう。本実施形態では、セパレータ304aは、望ましくは、低透過性及び低残留磁気の非強磁性材料とすることができる。非強磁性材料の例は、常磁性体、フェリ磁性体、反強磁性体及び任意の他の非強磁性体又は非磁性体を含むことができる。望ましくは、本実施形態のセパレータ304aは、少なくともシリコンSi及び酸素Oの種を含む二酸化シリコンSiO2とすることができる。別の実施形態では、セパレータ304aは、他の種を含む他の非強磁性材料とすることができる。本実施形態の活性領域304bは、その一方で、1つ以上の層で1つ以上の磁性材料を含むことができる。本実施形態では、活性領域304bは、望ましくは、強磁性材料である。活性領域304bに含むことができる種の例は、コバルトCo、ニッケルNi、クロムCr及びプラチナPt種のうちの少なくとも1つとすることができる。しかしながら、高透過性及び高残留磁気の他の磁性材料又は強磁性材料を有する活性領域304bは、本発明では、除外されない。上から見ると、活性領域304bは、ほぼ円形であるか又は曲面境界を有する図3b。活性領域304bの上から見たときの直径又は断面の厚さは、約5nmから約10nmに及ぶのが望ましい。その一方で、各活性領域304bを包囲するセパレータ304aは、約1nmから約4nmに及ぶ断面の厚さを有する図3b。そのような厚さの範囲は、その中のスピン方向が互いに作用するのを妨げるため、隣接する活性領域304bを磁気的に分離することができるので、そのような厚さの範囲が望ましい。それより薄いセパレータ304aは、隣接する活性領域304bを十分に磁気的に分離することができる限り、除外されない。それより厚いセパレータ304aは、除外されないけれども、BPM300内の活性領域304bの密度及び数を低減するので、望ましくない。本実施形態では、各活性領域304bは、シングルビットデータを記憶することができる。活性領域304bとセパレータ304aとを用いることにより、本実施形態のBPM300は、他の従来のデータ記憶媒体に比べて、より大きいデータ記憶容量を有することができる。図4a~4fを参照するに、本発明の一実施形態によるBPM400を製造する技術が示される。図4fに例示するように、本実施形態のBPM400は、特に、中間層403、データ記憶層404及び保護層406を含むことができる。データ記憶層404には、活性領域404bがあり、各活性領域404bは、互いに、セパレータ404aにより分離される。選択的に、中間層403内に改変領域403aがあり得る。図4fに示すBPM400を形成するために、ベース層402の一部であってもなくてもよい中間層403を準備する図4a。本実施形態では、中間層403は、望ましい方位を有する複数の結晶又は種結晶を含むことができる。そのような中間層403は、選択的に処理されて、中間層403の一部が改変領域403aに変換される。中間層403の選択的処理は、様々な処理を用いて達成することができる。一実施形態では、レジストパターニングを含むリソグラフィープロセスを用いることができる。この処理では、図4aに示すように、レジスト層408を中間層403の上に配置することができる。それから、中間層403の部分をパターニングし露出させるために図4b、電子ビーム直接書き込みリソグラフィー、極端紫外線リソグラフィー又はナノインプリントリソグラフィーのような既知のパターニング処理を用いることができる。次いで、改変領域403aを形成するために、中間層403の露出した部分を処理することができる。他の実施形態では、中間層403の選択的処理を、リソグラフィープロセスを用いずに達成することができる。一例では、中間層403の部分を選択的に処理するために、マスクを用いることができる。別の例では、所望の形状及び大きさを有する改変領域403aを形成するために、中間層403の部分を選択的に処理することができるシステムを用いることができる。本実施形態では、改変領域403aは、第1の領域403b、すなわち、露出していない中間層403の部分、とは異なる少なくとも1つの特性を有することができる。本実施形態では、改変領域403aは、アモルファスとすることができ、又は、望ましい方位を有する結晶を実質的に有しないとすることができる。この構造は、望ましい方位を有する結晶を含む第1の領域403bの構造とは異なる。本実施形態では、改変領域403aを形成するために、イオン注入プロセスを行うことができる。他の実施形態では、他の処理を用いることができる。このプロセスでは、アモルファスとするために、または別の方法で、露出した領域での結晶の方位を変えるために、イオン又は粒子422を中間層403の露出した部分に注入することができる図4c。そのため、改変領域403aを形成することができる。第1の領域403bでは、望ましい方位を有する結晶を保持することができる。改変領域403aを形成するために用いることができるイオン又は粒子422は、荷電した又は荷電していない、素粒子、原子又は分子のイオン又は粒子を含むことができる。選択したイオン又は粒子の種は、水素H、窒素N、ヘリウムHe、ネオンNe、アルゴンAr及びクリプトンKrを含むのが望ましい。本実施形態では、中間層403で種と直ちに反応しない1つ以上の不活性種が望ましい。しかしながら、本発明では、1つ以上の活性種は妨げられない。改変領域403aを形成するためのイオンエネルギーは、約15keV以下の低エネルギーが望ましい。そのような低エネルギーは、注入イオン又は粒子422の濃度が改変領域403aの表面近くで最大になることを可能にするため、この低エネルギーイオン注入が望ましい。その上、レジスト408は、低エネルギーイオン注入ステップの間に損傷又は劣化の可能性が低い。しかしながら、本発明では、他のエネルギーは妨げられない。リソグラフィープロセスを用いる場合、レジスト408は、改変領域403aを形成後に、除去することができる図4d。レジスト408の全ての配線を除去するための中間層403の徹底的な洗浄が望ましい。いくつかの実施形態では、中間層403のわずかな原子の層でさえ、除去することができる。この選択洗浄プロセスの例は、エッチング例えば、原子層エッチング及びスパッタ洗浄プロセスを含むことができる。しかしながら、他の洗浄又はエッチングプロセスも用いることができる。図4dに示すように、その結果の構造は、改変領域403a及び第1の領域403bを含む中間層403を含むことができる。改変領域403aを含む中間層403の上に、セパレータ404a及び活性領域404bを含むデータ記憶層404を形成することができる。本実施形態では、例えば、SiO2セパレータ404aのような非強磁性セパレータ404aは、改変領域403aの上に形成することができる。一方、磁気活性領域404b、望ましくは強磁性活性領域404bは、第1の領域403bの上に形成することができる。本実施形態では、セパレータ404a及び活性領域404bは、同時に形成することができる。他の実施形態では、セパレータ404a及び活性領域404bは、別々のステップで次々に形成することができる。本実施形態では、最終的に活性領域404b及びセパレータ404aを形成することができる種は、中間層403の近くで同時に導入することができる。例えば、二酸化シリコンSiO2セパレータ404aと、コバルトCo、ニッケルNi、クロムCr及びプラチナPtのうちの少なくとも1つを含む活性領域404bとを形成するために、シリコンSiと酸素O及びコバルトCo、ニッケルNi、クロムCr及びプラチナPtのうちの少なくとも1つを導入することができる。望ましい方位を有する第1の領域403bの結晶は、テンプレートとして作用することができ、活性領域404bは、第1の領域403bの上に、選択的に、かつ、ヘテロエピタキシャルに形成することができる。その一方で、アモルファス構造を有する、又は、望ましい方位を有する結晶を実質的に有しない改変領域403aは、セパレータ404a用のテンプレートとして作用することもでき、セパレータ404aは改変領域403aの上に形成することができる。一実施形態では、改変領域403aはアモルファスとすることができ、アモルファス二酸化シリコンSiO2セパレータ404aは、改変領域403aの上に形成することができる。本実施形態では、セパレータ404a及び活性領域404bを形成するために、スパッタ蒸着プロセスを用いることができる。他の実施形態では、他のタイプの蒸着プロセスを用いることができる。結果的に、改変領域403aの上のセパレータ404aと、第1の領域403bの上の活性領域とを含むデータ記憶層404を形成することができる。データ記憶層404を形成後に、図4fに例示するように、例えば、DLCキャップ層406のような保護層を成膜することができる。いくつかの実施形態では、選択的後処理プロセスを行うことができる。選択的後処理プロセスの例は、アニール処理を含むことができる。選択的後処理プロセスを行う場合、セパレータ404aを形成後に行うことができる。図5a~5fを参照するに、本発明の別の実施形態によるBPM500を製造する別の例示的な技術が示される。図5fに例示するように、本実施形態のBPM500は、特に、中間層503、データ記憶層504及び保護層506を含むことができる。データ記憶層504には、複数の活性領域504bがあり、各活性領域504bは、互いに、セパレータ504aにより分離される。中間層503内に改変領域503a及び複数の第1の領域503bがあり得る。図5fに示すBPM500を形成するために、ベース層502の一部であってもなくてもよい中間層503を準備する図5a。本実施形態では、中間層503は、望ましい方位を有する複数の結晶又は種結晶を含むことができる。そのような中間層503は、選択的に処理されて、中間層503の一部が改変領域503aに変換される。中間層503の選択的処理は、様々な処理を用いて達成することができる。一実施形態では、レジストパターニングを含むリソグラフィープロセスを用いることができる。この処理では、図5aに示すように、レジスト層508を中間層503の上に配置することができる。それから、中間層503の部分をパターニングし露出させるために図5b、電子ビーム直接書き込みリソグラフィー、極端紫外線リソグラフィー又はナノインプリントリソグラフィーのような既知のパターニング処理を用いることができる。次いで、改変領域503aを形成するために、中間層503の露出した部分を処理することができる。他の実施形態では、中間層503の選択的処理を、リソグラフィープロセスを用いずに達成することができる。一例では、中間層503の部分を選択的に処理するために、マスクを用いることができる。別の例では、所望の形状及び大きさを有する改変領域503aを形成するために、中間層503の部分を選択的に処理することができるシステムを用いることができる。本発明では、改変領域503aは、第1の領域503b、すなわち、処理されていない中間層503の部分、とは異なる少なくとも1つの特性を有することができる。本実施形態では、改変領域503aは、1つ以上の追加の種を含むことができる。所望の場合、改変領域503aは、異なる構造/結晶方位を有することもできる。例えば、改変領域503aは、アモルファスとすることができ、又は、望ましい方位を有する結晶を実質的に有しないとすることができる。本実施形態では、追加の種を導入し、及び/又は中間層503の露出した部分の構造/結晶方位を変え、改変領域503aを形成するために、イオン注入プロセスを用いることができる。他の実施形態では、他の処理を用いることができる。他の処理の例は、GILDプロセス、拡散プロセス、又は任意の他の種導入プロセスを含むことができる。明確さと簡潔さのために、本実施形態は、イオン注入プロセスを行うことに焦点を合わせる。しかしながら、当業者は、本発明がそれに限定されないことを認識するであろう。イオン注入プロセスでは、追加の種を導入し、及び/又は構造/結晶方位を変えるために用いることができる、イオン又は粒子522は、荷電した又は荷電していない、素粒子、原子又は分子の粒子又はイオンを含むことができる。選択したイオン又は粒子の種は、望ましいことに、セパレータ504aに含むことができる1つ以上の種を含むことができる。例えば、SiO2セパレータ504aを形成する場合、改変領域503aを形成するために導入される種は、シリコンSi及び/又は酸素Oを含むことができる。そのような種は、SiO2セパレータ504aの形成を強化するため、望ましい。SiO2セパレータ504a以外のセパレータを形成する場合、他の種を導入することができる。所望の場合、セパレータ504aに含むことができる種の導入の前に、間に又は後に、他の種も導入することができる。そのような他の種は、中間層503の露出した部分の構造/結晶方位を変えることができる、H、N、He、Ne、Ar、Kr又は任意の他の種を含むことができる。改変領域503aを形成するためのイオンエネルギーは、約15KeV以下の低エネルギーが望ましい。そのような低エネルギーは、注入イオン又は粒子522の濃度が改変領域503aの表面近くで最大になることを可能にするため、この低エネルギーが有利である。その上、レジスト408は、低エネルギーイオン注入ステップの間に損傷又は劣化の可能性が低い。しかしながら、本発明では、他のイオン注入エネルギーは妨げられない。選択的に改変領域503aを形成するために、リソグラフィープロセスを用いる場合、レジスト508は、改変領域503aを形成後に、除去することができる図5d。レジスト508の全ての配線を除去するための徹底的な洗浄が望ましい。いくつかの実施形態では、中間層503のわずかな原子の層でさえ、除去することができる。この選択洗浄プロセスの例は、エッチングプロセス例えば、原子層エッチング及びスパッタ洗浄プロセスを含むことができる。しかしながら、他の洗浄又はエッチングプロセスも用いることができる。図5dに示すように、その結果の構造は、改変領域503a及び第1の領域503bを含む中間層503と、ベース502とを含むことができる。改変領域503aを含む中間層503の上に、セパレータ504a及び活性領域504bを含むデータ記憶層504を形成することができる。本実施形態では、例えば、SiO2セパレータ504aのような非強磁性セパレータ504aは、改変領域503aの上に形成することができる。一方、磁気活性領域504b、望ましくは強磁性活性領域504bは、第1の領域503bの上に形成することができる。本実施形態では、セパレータ504a及び活性領域504bは、同時に形成することができる。他の実施形態では、セパレータ504a及び活性領域504bは、別々のステップで次々に形成することができる。本実施形態では、最終的にセパレータ504a及び活性領域504bを形成することができる種は、中間層503の近くで同時に導入することができる。例えば、二酸化シリコンSiO2セパレータ504aと、コバルトCo、ニッケルNi、クロムCr及びプラチナPtのうちの少なくとも1つを含む活性領域504bとを形成するために、シリコンSiと酸素O及びコバルトCo、ニッケルNi、クロムCr及びプラチナPtのうちの少なくとも1つを導入することができる。シリコン及び酸素は、Si及び/又はOを含む改変領域503aの上に選択的に成膜することができ、SiO2セパレータ504aの形成を生じることができる。改変領域503aがアモルファスでもある又は望ましい方位を有する結晶を実質的に有しない場合は、構造は、アモルファスSiO2セパレータ504aを改変領域503aの上に形成することを促進することもできる。改変領域503aは、活性領域504bの形成のためのテンプレートとして役立ちそうもない。そのため、活性領域504bは、改変領域503aの上に形成されそうもない。活性領域504bは、その代わりに、望ましい方位を有する結晶を含む第1の領域503bの上にヘテロエピタキシャルに形成されそうである。本実施形態では、セパレータ504a及び活性領域504bを形成するために、スパッタ蒸着プロセスのような蒸着プロセスを用いることができる。他の実施形態では、他の蒸着プロセスを用いることができる。結果的に、改変領域503aの上のセパレータ504aと、第1の領域503bの上の活性領域とを含むデータ記憶層504を形成することができる。データ記憶層504を形成後に、図5fに例示するように、例えば、DLCキャップ層506のような保護層を成膜することができる。いくつかの実施形態では、選択的後処理プロセスを行うことができる。選択的後処理プロセスの例は、アニール処理を含むことができる。選択的後処理プロセスを行う場合、セパレータ504aを形成後に行うことができる。図6a~6fを参照するに、本発明の別の実施形態によるBPM600を製造する技術が示される。図6fに例示するように、本実施形態のBPM600は、中間層603、データ記憶層604及び保護層606を含むことができる。データ記憶層604には、複数の活性領域604bがあり、各活性領域604bは、互いに、セパレータ604aにより分離される。中間層603内に複数の改変領域603aがあり得る。図6fに示すBPM600を形成するために、ベース層602の一部であってもなくてもよい中間層603を準備する図6a。前の実施形態とは異なり、本実施形態の中間層603は、アモルファスであるか又は望ましい方位の結晶を実質的に有しないとすることができる。そのため、中間層603は、活性領域604bのその後のエピタキシャル形成のためのテンプレートとして役立つことができない。そのような中間層603は、選択的に処理されて、中間層603の一部が複数の改変領域603aに変換される。中間層603の選択的処理は、様々な処理を用いて達成することができる。一実施形態では、レジストパターニングを含むリソグラフィープロセスを用いることができる。この処理では、図6aに示すように、レジスト層608を中間層603の上に配置することができる。それから、中間層603の部分をパターニングし露出させるために図6b、電子ビーム直接書き込みリソグラフィー、極端紫外線リソグラフィー又はナノインプリントリソグラフィーのような既知のパターニング処理を用いることができる。次いで、改変領域603aを形成するために、中間層603の露出した部分を処理することができる。他の実施形態では、中間層603の選択的処理を、リソグラフィープロセスを用いずに達成することができる。一例では、中間層603の部分を選択的に処理するために、マスクを用いることができる。別の例では、所望の形状及び大きさを有する改変領域603aを形成するために、中間層603の部分を選択的に処理することができるシステムを用いることができる。本発明では、改変領域603aは、第1の領域603b、すなわち、露出していない中間層603の部分、とは異なる少なくとも1つの特性を有することができる。例えば、改変領域603aは、望ましい方位の結晶を有することができ、一方、第1の領域603bは、アモルファスとすることができ、又は、望ましい方位の結晶を実質的に有しないとすることができる。改変領域603aを形成するために、様々な処理を実施することができる。一実施形態では、フラッシュランプのパルスレーザーの形態でのエネルギー622を、中間層603の露出している部分に導入することができる図6c。他の実施形態では、フォノン、イオン及び他の粒子を含む他の形態/手段により、エネルギー622を導入することができる。導入時に、中間層603の露出している部分の材料の構成を変えることにより、エネルギー622は改変領域603aを形成することができる。例えば、エネルギー622は、中間層の露出している部分の材料を、アモルファスから望ましい方位の結晶に変換することができる。そのような変換は、溶融し又は溶融しないで、起こすことができる。所望の場合、前の実施形態で述べたプロセスの1つを用いて追加の種を改変領域603aに導入することもできる。例えば、H、N、He、Ne、Ar、Kr、Co、Cr、Ni及びPtのうちの1つを導入することができる。種は、エネルギー622の導入ステップの間に、又は、前に、又は、後に導入することができる。選択的に改変領域603aを形成するために、リソグラフィープロセスを用いる場合、レジスト608は、改変領域603aを形成後に、除去することができる図6d。レジスト608の全ての配線を除去するための徹底的な洗浄が望ましい。いくつかの実施形態では、中間層603のわずかな原子の層でさえ、除去することができる。この選択洗浄プロセスの例は、エッチングプロセス例えば、原子層エッチング及びスパッタ洗浄プロセスを含むことができる。しかしながら、他の洗浄又はエッチングプロセスも用いることができる。図6dに示すように、その結果の構造は、改変領域603a及び第1の領域603bを含む中間層603を含むことができる。改変領域603aを含む中間層603の上に、セパレータ604a及び活性領域604bを含むデータ記憶層604を形成することができる。前の実施形態とは異なり、活性領域604bは、改変領域603aの上に形成することができる。一方、セパレータ604aは、第1の領域603bの上に形成することができる。しかしながら、活性領域604bが形成され、セパレータ604aが形成される、プロセスの各々は、前の実施形態で述べたプロセスと同様とすることができる。そのため形成プロセスの詳細な説明は省略する。データ記憶層604を形成後に、図6fに例示するように、例えば、DLCキャップ層606のような保護層606を成膜することができる。本実施形態では、セパレータ604a及び活性領域604bを形成するために用いることができるプロセスは、スパッタ蒸着プロセスを含むことができる。所望の場合、選択的後処理プロセスを行うことができる。この選択的後処理プロセスでは、第1の領域603bをアニールすることができ、多結晶又は単結晶構造のうちの1つに変えることができる。選択的後処理プロセスを含む場合、セパレータ604aを蒸着後にそのプロセスを行うことができる。BPMを製造する新規な技術が開示される。いくつかの実施形態で、データ記憶層の下層が処理される。さらに、データ記憶層の形成の前に下層が処理される。そのような実施形態は、BPMを製造する従来の技術に対し、いくつかの利点を提供する。従来の技術と異なり、データ記憶層の形成後に、平坦化の必要性はない。さらに、より低いイオン注入ドーズ及びより低いエネルギーを必要とする。そのような利点を有し、本発明の技術は、より高いスループット及びより少ないコストを有する。本発明は、本明細書に記載した特定の実施形態による範囲に限定すべきではない。実際に、本明細書に記載した実施形態に加えて、本発明の他の様々な実施形態及び変更は、前述の記載及び添付図面から当業者には明らかであろう。従って、そのような他の実施形態及び変更は、本発明の範囲内に入ることを意図している。さらに、本発明は、特定の目的のため、特定の環境で、特定の実施のコンテキストで、本明細書に記載したけれども、当業者は、その有用性がそれらに限定されず、本発明が、任意の数の目的のため、任意の数の環境で、有用に実施することができることを理解するであろう。従って、以下に記載の特許請求の範囲は、本明細書に記載されているように、本発明の全容及び精神に鑑みて解釈すべきである。