長さを有する透光性チューブと、前記透光性チューブの断面周辺に沿って離隔設置された複数の光半導体モジュールと、を含み、前記の複数の光半導体モジュールは、それぞれ異なる前記光半導体モジュールと対向しないように位置することを特徴とする光半導体基盤管型照明装置。前記の複数の光半導体モジュールは、前記透光性チューブの断面上部に位置して、下部に向かって光を発する第1光半導体モジュールと、前記第1光半導体モジュールと対向しないように前記透光性チューブの断面下部両側に傾いて位置して、上部に光を発する第2光半導体モジュールと、第3光半導体モジュールと、を含むことを特徴とする請求項1に記載の光半導体基盤管型照明装置。前記の複数の光半導体モジュールは、等間隔で配置されることを特徴とする請求項1又は2に記載の光半導体基盤管型照明装置。前記第1光半導体モジュール、前記第2光半導体モジュール及び前記第3光半導体モジュールは、一つの二等辺三角形または正三角形の三つの頂点にそれぞれ位置することを特徴とする請求項2に記載の光半導体基盤管型照明装置。前記の複数の光半導体モジュールは、それぞれ前記透光性チューブの長さ方向に沿って配列された半導体光素子のアレイを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の光半導体基盤管型照明装置。前記透光性チューブは、互いに離隔するように配置された3つ以上のスリットピースによって形成され、隣り合うスリットピース間の設置ギャップに前記の複数の光半導体モジュールがそれぞれ組立て設置されることを特徴とする請求項1又は2に記載の光半導体基盤管型照明装置。前記の複数の光半導体モジュールは、前記設置ギャップにより外部に露出されるベースPCBと、前記ベース上に結合されて前記透光性チューブ内に位置するPCBと、前記PCB上に実装される半導体光素子のアレイと、を含むことを特徴とする請求項6に記載の光半導体基盤管型照明装置。前記透光性チューブは、光拡散材料を表面または内部に含むことを特徴とする請求項1に記載の光半導体基盤管型照明装置。前記透光性チューブは、波長変換材料を表面または内部に含むことを特徴とする請求項1に記載の光半導体基盤管型照明装置。前記第1光半導体モジュールの光出力が、前記第2光半導体モジュール及び前記第3光半導体モジュールの光出力よりも大きく、前記第2光半導体モジュールの光出力と前記第3光半導体モジュールの光出力は、同じことを特徴とする請求項2に記載の光半導体基盤管型照明装置。前記第2光半導体モジュール及び前記第3光半導体モジュールの色温度は、前記第1光半導体モジュールの色温度と異なることを特徴とする請求項2に記載の光半導体基盤管型照明装置。前記光半導体基盤管型照明装置が天井に設置される場合、前記天井と最も近い前記透光性チューブの位置に前記第1光半導体モジュールが位置することを特徴とする請求項2に記載の光半導体基盤管型照明装置。前記透光性チューブは、中空円形の断面形態を有し、前記の複数の光半導体モジュールは、120°の等間隔で配置された3つの光半導体モジュールであることを特徴とする請求項2に記載の光半導体基盤管型照明装置。前記透光性チューブは、互いに離隔するように配置された3つ以上の円弧形断面のスリットピースによって形成され、隣り合うスリットピース間の設置ギャップに前記3つの光半導体モジュールがそれぞれ組立て設置されることを特徴とする請求項8に記載の光半導体基盤管型照明装置。前記透光性チューブの両端に設置された一対のコネクターを含むが、前記の一対のコネクターの少なくとも一つは、電気接続部の機能を行わないダミーコネクターであることを特徴とする請求項1に記載の光半導体基盤管型照明装置。前述のベースの両側面に前記スリットピースの縁に対応する連結溝が形成され、前記連結溝に前記スリットピースの縁が嵌められることを特徴とする請求項7に記載の光半導体基盤管型照明装置。前記透光性チューブに対する前記の複数の光半導体モジュールの設置角度が同一なことを特徴とする請求項1に記載の光半導体基盤管型照明装置。前記設置角度は90°であることを特徴とする請求項17に記載の光半導体基盤管型照明装置。長さを有する透光性チューブと、前記透光性チューブの長さ方向に沿って形成された直線型スリットと、前記スリットの縁が側面に嵌められたまま、前記透光性チューブに固定される一つ以上のバー型光半導体モジュールと、を含み、前記光半導体モジュールは、ヒートシンク、前記ヒートシンク上に付けられたPCB、及び前記PCB上にアレイされる半導体光素子を含み、前記ヒートシンクの一部が前記スリットにより前記透光性チューブの外部に露出されることを特徴とする光半導体基盤管型照明装置。前記透光性チューブの内周面には、一対のフックが向かい合うように前記透光性チューブの長さ方向に沿って形成され、前記スリットは前記の一対のフック間中央において前記透光性チューブの長さ方向に沿って形成され、前記スリットが外力によって拡張すると、前記光半導体モジュールの左右突出部が前記の一対のフックにそれぞれスライド式に挿入されることを特徴とする請求項19に記載の光半導体基盤管型照明装置。前記スリットが外力に拡張されると、前記ヒートシンク後方の防熱突出部が前記スリットにスライド式に挿入されて前記透光性チューブの外部に露出されることを特徴とする請求項20に記載の光半導体基盤管型照明装置。前記ヒートシンクは、左右ガイド翼を備え、前記左右翼それぞれと前記PCBの左右端それぞれとが、前記光半導体モジュールの左右突出部をそれぞれ成しながら前記の一対のフックにそれぞれ全て挿入されることを特徴とする請求項20に記載の光半導体基盤管型照明装置。前記PCBは、金属を基盤とするMCPCB又はMPCBであることを特徴とする請求項19に記載の光半導体基盤管型照明装置。前記透光性チューブは、前記光半導体モジュールと対向する位置に他の光半導体モジュールがないことを特徴とする請求項19に記載の光半導体基盤管型照明装置。前記透光性チューブの内周面には、凹凸型の光拡散パターンが形成されていることを特徴とする請求項19乃至請求項24のいずれかに記載の光半導体基盤管型照明装置。光半導体基盤管型組立装置を製造する方法において、長さを有する透光性チューブを準備し、長さ方向に前記透光性チューブに直線型のスリットを形成し、前記スリットを拡張した状態で前記スリットに一つ以上のバー型光半導体モジュールをスライド方式で挿入固定する組立てを含むことを特徴とする光半導体基盤管型照明装置の製造方法。前記チューブの準備は、前記透光性チューブの内周面に向かい合いながら長さ方向に沿って形成された一対のフックがあるようにすることを特徴とする請求項26に記載の光半導体基盤管型照明装置の製造方法。前記組立ては、前記光半導体モジュールの左右両側に形成された突出部が前記の一対のフックにそれぞれスライド式に挿入され、前記光半導体モジュール後方の突出部が、前記の拡張されたスリットを通してスライド式に挿入されたまま前記透光性チューブの外部に露出されることを特徴とする請求項27に記載の光半導体基盤管型照明装置の製造方法。前記スリットの形成は、前記透光性チューブの長さ全体に亘り前記スリットが形成され、前記組立ては前記透光性チューブの長さ全体に亘って前記スリットを広げて前記光半導体モジュールを挿入することを特徴とする請求項26乃至請求項28のいずれかに記載の光半導体基盤管型照明装置の製造方法。前記スリットの形成は、前記透光性チューブの一端付近を一部残して前記スリットが形成され、前記組立ては、前記透光性チューブの一部の長さ領域だけで前記スリットを広げて前記光半導体モジュールを挿入することを特徴とする請求項26乃至請求項28のいずれかに記載の光半導体基盤管型照明装置の製造方法。前記組立て後に、前記スリットが形成されない前記透光性チューブの一部分を切断して除去することをさらに含むことを特徴とする請求項26乃至請求項30のいずれかに記載の光半導体基盤管型照明装置の製造方法。よって、本発明が解決しようとする一つの課題は、半導体光素子と透光性間の距離を長くして配光分布を拡張させた管型の光半導体基盤照明装置を提供することである。また、本発明が解決しようとする他の課題は、組立性が向上した光半導体基盤照明装置、及びその製造方法を提供することである。本発明の一側面にかかる光半導体基盤管型照明装置は、長さを有する透光性チューブと、前記透光性チューブの断面周辺に沿って離隔設置された複数の光半導体モジュールとを含み、前記複数の光半導体モジュールは、それぞれ異なる前記光半導体モジュールと対向しないように位置する。一実施例においては、前記複数の光半導体モジュールは、前記透光性チューブの断面上部に位置して、下部に向かって光を発する第1光半導体モジュールと、前記第1光半導体モジュールと対向しないように前記透光性チューブの断面下部両側に傾いて位置して、上部に光を発する第2光半導体モジュールと、第3光半導体モジュールとを含む。一実施例においては、前記の複数の光半導体モジュールは、等間隔で配置される。一実施例においては、前記第1光半導体モジュール、前記第2光半導体モジュール及び前記第3光半導体モジュールは、一つの二等辺三角形または正三角形の三つの頂点にそれぞれ位置する。一実施例においては、前記の複数の光半導体モジュールは、それぞれ前記透光性チューブの長さ方向に沿って配列された半導体光素子のアレイを含む。一実施例においては、前記透光性チューブは、互いに離隔するように配置された3つ以上のスリットピースによって形成され、隣り合うスリットピース間の設置ギャップに前記の複数の光半導体モジュールがそれぞれ組立て設置される。一実施例においては、前記の複数の光半導体モジュールは、前記設置ギャップにより外部に露出されるベースと、前記ベース上に結合されて前記透光性チューブ内に位置するPCBと、前記PCB上に実装される半導体光素子のアレイとを含む。一実施例においては、前記透光性チューブは、光拡散材料を表面または内部に含む。一実施例においては、前記透光性チューブは、波長変換材料を表面または内部に含む。一実施例においては、前記第1光半導体モジュールの光出力が、前記第2光半導体モジュール及び前記第3光半導体モジュールの光出力よりも大きく、前記第2光半導体モジュールの光出力と前記第3光半導体モジュールの光出力は、同じであることが好ましい。一実施例においては、前記第2光半導体モジュール及び前記第3光半導体モジュールの色温度は、前記第1光半導体モジュールの色温度と異なるように決められる。一実施例においては、前記光半導体基盤管型照明装置が天井に設置される場合、前記天井と最も近い前記透光性チューブの位置に前記第1光半導体モジュールが位置する。一実施例においては、前記透光性チューブは、中空円形の断面形態を有し、前記の複数の光半導体モジュールは、120°の等間隔で配置された3つの光半導体モジュールであってもよい。一実施例においては、前記透光性チューブは、互いに離隔するように配置された3つ以上の円弧断面のスリットピースによって形成され、隣り合うスリットピース間の設置ギャップに前記3つの光半導体モジュールがそれぞれ組立て設置される。一実施例においては、前記光半導体基盤管型照明装置は、前記透光性チューブの両端に設置された一対のコネクターを含むが、前記の一対のコネクターの少なくとも一つは、電気接続部の機能を行わないダミーコネクターであってもよい。一実施例においては、前述のベースの両側面に前記スリットピースの縁に対応する連結溝が形成され、前記連結溝に前記スリットピースの縁が嵌められる。一実施例においては、前記透光性スリットに対する前記の複数の光半導体モジュールの設置角度が同一なことが好ましく、このとき、前記設置角度は90°であることが好ましい。本発明のまた別の側面においては、光半導体基盤管型照明装置が提供でき、該光半導体基盤管型照明装置は、長さを有する透光性チューブと、前記透光性チューブの長さ方向に沿って形成された直線型スリットと、前記スリットの縁が側面に嵌められたまま、前記透光性チューブに固定される一つ以上のバー型光半導体モジュールとを含み、前記光半導体モジュールは、ヒートシンク、前記ヒートシンク上に付けられたPCB、及び前記PCB上にアレイされる半導体光素子を含み、前記ヒートシンクの一部が前記スリットにより前記透光性チューブの外部に露出される。好ましくは、前記透光性チューブの内周面には、一対のフックが向かい合うように前記透光性チューブの長さ方向に沿って形成され、前記スリットは前記の一対のフック間中央において前記透光性チューブの長さ方向に沿って形成され、前記スリットが外力によって拡張すると、前記光半導体モジュールの左右突出部が前記の一対のフックにそれぞれスライド式に挿入できる。好ましくは、前記スリットが外力に拡張されると、前記ヒートシンク後方の防熱突出部が前記スリットにスライド式に挿入されて前記透光性チューブの外部に露出される。好ましくは、前記ヒートシンクは、左右ガイド翼を備え、前記左右翼それぞれと前記PCBの左右端それぞれが、前記光半導体モジュールの左右突出部をそれぞれ成しながら前記の一対のフックにそれぞれ全て挿入される。好ましくは、前記PCBは、金属を基盤とするMCPCB又はMPCBであってもよい。好ましくは、前記透光性チューブは、前記光半導体モジュールと対向する位置に他の光半導体モジュールがない。本発明のまた別の側面においては、半導体基盤管型組立装置を製造する方法が提供でき、この方法は、長さを有する透光性チューブを準備し、長さ方向に前記透光性チューブに直線型のスリットを形成し、前記スリットを拡張した状態で前記スリットに一つ以上の光半導体モジュールをスライド方式で挿入固定する組立てを含む。好ましくは、前記チューブの準備は、前記透光性チューブの内周面に向かい合いながら長さ方向に沿って形成された一対のフックがあるようにする。好ましくは、前記組立ては、前記光半導体モジュールの左右両側に形成された突出部が前記の一対のフックにそれぞれスライド式に挿入され、前記光半導体モジュール後方の突出部が、前記の拡張されたスリットを通してスライド式に挿入されたまま前記透光性チューブの外部に露出される。一実施例においては、前記スリットの形成は、前記透光性チューブの長さ全体に亘り前記スリットが形成され、前記組立ては前記透光性チューブの長さ全体に亘って前記スリットを広げて前記光半導体モジュールを挿入する。他の実施例においては、前記スリットの形成は、前記透光性チューブの一端付近を一部残して前記スリットが形成され、前記組立ては、前記透光性チューブの一部の長さ領域だけで前記スリットを広げて前記光半導体モジュールを挿入する。このとき、前記方法は前記組立て後に、前記スリットが形成されない前記透光性チューブの一部分を切断して除去することをさらに含む。特許請求の範囲及び詳細な説明において、用語半導体光素子は、発光ダイオードチップ等のような光半導体を含み、又は利用する素子を意味する。前記半導体光素子が発光ダイオードチップを内部に含むパッケージレベルのLEDであることが好ましい。本発明にかかる光半導体基盤管型照明装置は、透光性チューブの下の前方に光を発する第1光半導体モジュールに加え、透光性チューブの上部後方に光を発する第2及び第3光半導体モジュールを含む。よって、本発明にかかる光半導体基盤管型照明装置は、従来の管型または蛍光灯型のLED照明装置において、透光性チューブの上部後方領域が暗くなるという短所を克服することができる。本発明によると、複数の光半導体モジュールの一部の光半導体モジュールの色温度を変えて設定することができ、これを利用することにより、間接灯としての活用も可能である。本発明にかかる光半導体基盤管型照明装置は、一般的な室内照明用としては勿論、景観照明用としても適するという長所を有する。本発明によると、バー型の光半導体モジュールを透光性チューブの壁に直接設置し、半導体光素子と透光性チューブとの間の距離を広げて配光分布を拡張させた管型の光半導体基盤照明装置が実現できる。また、本発明によると、一部分が透光性チューブ外部に露出するようにバー型の光半導体モジュールを透光性チューブの壁に直接設置することにおいて、透光性チューブに形成したスリットを広げて光半導体モジュールをスライド方式で簡単に組立てる方式の採択により、光半導体基盤管型照明装置の組立性を大きく向上させることができる。以下、添付の図面を参照して本発明の実施例を詳しく説明する。次に紹介する実施例は、当業者に本発明の思想が十分に伝わるようにするために、例として提供するものである。よって、本発明は以下に説明する実施例に限定されず、他の形態で具体化することもできる。そして、図面において、構成要素の幅、長さ、厚さ等は、便宜のために誇張して表現する場合がある。明細書全体に亘り同一な参照番号は同一な構成要素を表す。図2は、本発明の一実施例にかかる光半導体基盤管型照明装置を図示した斜視図であり、図3は、図2のI-Iに沿った断面図である。図2及び図3に示したように、本実施例にかかる光半導体基盤管型照明装置1は、蛍光灯と類似する形態を有する。前記光半導体基盤管型照明装置1の長さを有し、中空の円形断面を有する透光性チューブ20と、前記透光性チューブ20の断面周辺に沿って配置された3つの光半導体モジュール40a、40b、40cを含む。本実施例において、前記透光性チューブ20は、3つの非常に長いスリットピース20a、20b、20cを含む。前記スリットピース20a、20b、20cは、それぞれ透光性があり、衝撃に強いプラスチック材料からなる。また、前記スリットピース20a、20b、20cは、全て同一な円弧型断面を有する。3つのスリットピース20a、20b、20cが円形の断面形態を構成するように配置される際、スリットピース20a、20b、20c間には3つの非常に長い設置ギャップが形成される。この3つの設置ギャップに、それぞれバー型を有する前記3つの光半導体モジュール40a、40b、40cがそれぞれ設置される。これにより、前記透光性スリット20の円周辺に沿って3つの光半導体モジュール40a、40b、40cが約120°の等間隔で位置する。よって、前記3つの光半導体モジュール40a、40b、40cは、仮想の正三角形の三つの頂点にそれぞれ位置する。前記透光性スリット20の両端には、2つのコネクター60a、60bが設けられる。前記2つのコネクター60a、60b共に、光半導体モジュール40a、40b、40cに電力を供給する電気接続部の役割をし得、2つのコネクター60a、60bの一つのコネクター60aだけが電気接続部の役割をし得る。この場合、残りの他のコネクター60bは、透光性チューブ20の一端をコネクター接続装置の一端に機構的に連結させる役割だけをすると言える。さらに、2つのコネクター60a、60b共に、電気接続部の機能をせず、機構的接続機能だけを行うようにすることができる。この場合、機構的接続機能を有しない別途設ける電気接続部が、ケーブルと共に透光性チューブ20の一部開口された部分により引き込まれて利用される。本明細書において、電気接続機能を行わず、機構的な接続機能だけを行うコネクターをダミーコネクターと定義する。前記透光性チューブ20に対する前記3つの光半導体モジュール40a、40b、40cの設置角度は、全て同一であることが好ましい。前記設置角度は、該当光半導体モジュールの設置位置での前記透光性チューブ20に対する接線Lと、該当光半導体モジュールの光の中心軸線Cが成す角度で定められ、本実施例において前記設置角度は90°である。本実施例の場合、透光性チューブ20が光半導体モジュール40a、40b又は40cの設置位置で円弧または曲線面を有するため、接線Lと中心軸線Cが成す角度を設置角度に定めたが、透光性チューブが光半導体モジュール設置位置に直線面を有する場合、その直線面と光半導体モジュールの光中心軸が成す角度を設置角度にする。光半導体モジュールの設置角度を変える場合、設計条件が複雑になることにより、目的とする照明装置を目的とする配光特性で設計することが難しくなる。また、前記設置角度を変える場合、断面が左右対称的な透光性チューブ20から一方に左右のどちらかに光分布が片寄る恐れが多くなる。そのため、光半導体モジュール40a、40b、40cの設置角度は、全て同一に固定し、残りの条件を変えて、目的とする配光分布を得ることが好ましい。図3に示したように、前記光半導体モジュール40a、40b又は40cは、それぞれヒートシンクを含むか、或いはヒートシンクの役割をする非常に長いバー型の金属ベース42a、42b又は42cと、前記ベース42a、42b又は42c上に結合されたPCB44a、44b又は44cと、前記PCB44a、44b又は44c上に実装された半導体光素子46a、46b又は46cのアレイを含む。各PCB44a、44b又は44cに実装された半導体光素子は、長さ方向に沿って1列以上に配列されて、一つまたはそれ以上のアレイを構成できる。前記半導体光素子46a、46b又は46cは、発光ダイオードチップを内蔵したLEDパッケージであることが好ましく、発光ダイオードチップから出た光を波長変換する波長変換材料を内部にさらに含むようにしてもよい。しかし、半導体光素子が発光ダイオードチップではない他の光半導体チップ、又はこれを利用または含む素子の場合もある。前記金属ベース42a、42b、42cは、前述の設置ギャップにより一部分が透光性チューブ20の外部に露出されている。光半導体モジュール40a、40b又は40cのベース42a、42b又は42cは、隣り合う二つのスリットピース20aと20b、20bと20c、又は20cと20aを連結、組立てる手段として利用できる。本実施例においては、前記ベース42a、42b又は42cの両側面にスリットピース20a、20b又は20cのスリット縁に対応する連結溝422、422が形成されており、前記光半導体モジュール40a、40b又は40cの側面、特に、前記連結溝422にスリットピースの20a、20b又は20cの縁、つまり、該当スリットの両側縁又は切開面が嵌められることにより、前記スリットピース20a、20b、20cと光半導体モジュール40a、40b、40cが組立てられる。前記3つの光半導体モジュール40a、40b、40cのうち、第1光半導体モジュール40aは透光性チューブ20の円周上部に位置し、下に向かって光を発する。本実施例にかかる光半導体基盤管型照明装置1が天井に略水平に設置されると仮定すると、前記第1光半導体モジュール40aの半導体光素子46aは、透光性チューブ20の円周最上端付近に位置して、照明装置下の室内空間を照らす主照明光を提供する。前記円周最上端は、天井と最も近い位置を言う。光半導体モジュール40a、40b、40cの120°等間隔配置により、前記第1光半導体モジュール40aと対向する位置には如何なる光半導体モジュールも存在しない。第1光半導体モジュール40aの半導体光素子46aが約120~150°指向角に光を発するが、前記第1光半導体モジュール40aの直下領域に配光量が最も多いため、他の光半導体モジュール40b又は40cと干渉して引き起こされる光損失が殆どない。前記3つの光半導体モジュール40a、40b、40cのうち、第2及び第3光半導体モジュール40b、40cは、透光性チューブ20の円周下部の左右側にそれぞれ偏心するように位置して、その反対側上側に向かって光を発する。前記第2及び第3光半導体モジュール40b、40cの光半導体素子46b、46cから出る光は、第1光半導体モジュール40aからの光がカバーできない領域、つまり、照明装置の後方領域及び側方領域をカバーする。光半導体モジュール40a、40b、40cの120°間隔配置によって、前記第2光半導体モジュール40bと対向する位置に、他の光半導体モジュールが存在せず、前記第3光半導体モジュール40cと対向する位置にも光半導体モジュールが存在しない。よって、前記第2及び第3光半導体モジュール40b、40c内の半導体光素子46b、46cから出た光は、それ以外の他の光半導体モジュールによって殆ど干渉されず、照明装置の上部又は後方を照明できる。照明装置が天井に設置される場合、前記第2光半導体モジュール40b及び前記第3光半導体モジュール40cは、天井付近を明るく照らす。透光性チューブ20の周辺に沿って、第1、第2、第3光半導体モジュール40a、40b、40cを等間隔で配置することにより、透光性チューブ20の全体周辺、つまり、360°全体領域に亘って光が均等に分布されるという配光特性を得ることができる。第1光半導体モジュール40aに対する印加電力より、第2及び第3光半導体モジュール40b、40cに対する印加電力を相対的に小さくして、後方から出る光の出力を相対的に小さく調節することが好ましい。このために、前記第2及び第3光半導体モジュール40b、40cについては消費電力が低い半導体光素子を利用したり、或いは半導体光素子を減らしたりする方式が利用できる。このとき、第2光半導体モジュール40bに対する印加電力及び光出力並びに第3光半導体モジュール40cに対する印加電力及び光出力は、同じであることが好ましい。前記第1光半導体モジュール40a内の半導体光素子46aは、所望の、例えば、約5000Kの色温度光を発するようにする一方で、第2及び第3光半導体モジュール40b、40cは、少なくとも第1光半導体モジュール40a内半導体光素子46aの光と色温度が異なる光を発する半導体光素子46b又は46cを少なくとも一つ以上含むことによって、カラーディミング機能を有する間接灯形式の光源になるようにすることができる。本実施例にかかる光半導体基盤管型照明装置1は、前記透光性チューブ20の内周面に光拡散層21を含む。前記透光性チューブ20の内周面に拡散材料をコーティングしたり、或いは拡散シートを前記透光性チューブ20の内周面に付けたりして形成できる。この光拡散層21は、透光性チューブ20を通過する光を広く拡散させて光半導体モジュール40a、40b、40cが設置される領域周辺が相対的に暗くなるという問題点を補完する。代案として、前記透光性チューブ20の外周面に光拡散層を形成でき、透光性チューブ20を構成する透光性プラスチック材料内に拡散材料を介在させることも考慮できる。また、前記透光性チューブ20は、波長変換材料、より好ましくは、リモートフォスファーremotephosphorを含むようにしてもよく、このリモートフォスファーは透光性チューブ20の内周面及び/又は外周面に形成でき、さらには、透光性チューブ20を形成する樹脂材料内に含まれて形成することもできる。図4及び図5は、本発明の他の多様な実施形態を説明するための例示図である。図4は、略楕円形の透光性チューブ20の周辺に沿って3つの光半導体モジュール、つまり、第1光半導体モジュール40a、第2光半導体モジュール40b及び第3光半導体モジュール40cが約120°の間隔で配置される。前記第1、第2、第3光半導体モジュール40a、40b、40cは、二等辺三角形の三つの頂点に位置する。前記の実施例と同様に、前記第1光半導体モジュール40aが前方下、つまり、下部の室内空間を照明し、前記第2光半導体モジュール40b及び前記第3光半導体モジュール40cは、照明装置の上部、つまり、後方の天井付近を照明する。図5は、頂点付近にラウンド面を含む略正三角形断面の透光性チューブ20の周辺に沿って3つの光半導体モジュール、つまり、第1光半導体モジュール40a、第2光半導体モジュール40b及び第3光半導体モジュール40cが配置される。前記透光性チューブ20断面において、一つの平行な上辺に第1光半導体モジュール40aが位置し、残りの二つの傾斜した側辺に第2光半導体モジュール40bと第3光半導体モジュール40cとが位置する。前記第1光半導体モジュール40aは、前方下、つまり、下部の室内空間を照明し、前記第2光半導体モジュール40b及び前記第3光半導体モジュール40cは、照明装置の上部、つまり、後方天井付近を照明する。多くの配光が要求される部分に頂点または先端形状が存在する場合、その部分で光の損失が発生し得るため、前述のようなラウンド面を準備してこれを防止するのが良い。透光性チューブ20は、光が多く要求される部分に、頂点、先端または他の鋭い形状を排除することが好ましい。以下では、本発明の他の実施例にかかる管型光半導体基盤照明装置、及びその製造方法について説明する。以下、実施例の説明で説明しない内容は、前述の実施例に従うものとする。図6は、本発明の他の実施例にかかる光半導体基盤管型照明装置を組立てた状態に図示した斜視図であり、図7は、図6の光半導体基盤管型照明装置を分解した状態に図示した分解斜視図で、図8a及び図8bは、それぞれ図6及び図7に示した半導体基盤管型照明装置の一端部を、コネクターを分離した状態に拡大して相互異なるそれぞれにも図示した拡大斜視図であり、図9は、図6~図7と図8a及び図8bに示した光半導体基盤管型照明装置を図示した横断面図である。以下、実施例を説明するにおいて、前述の実施例と同一または類似する構成要素については同一な図面符号を用いている。図6~図9に示したように、本実施例にかかる光半導体基盤管型照明装置1は、長さを有し、中空略円形断面を有するプラスチック材質の透光性チューブ20と、前記透光性チューブ20の長さ方向に沿って設置されたバーbar型の光半導体モジュール40とを含む。本実施例において、前記透光性チューブ20は、それ自体の長さ方向に長く形成された一つの設置ギャップを含む。前記設置ギャップを除いた残りの周辺部分は、連続的に連結されている。前記設置ギャップに略バー型の光半導体モジュール40が嵌められ、前記透光性チューブ20の円形壁に前記光半導体モジュール40が固定設置される。前記光半導体モジュール40が設置された領域を除き、前記透光性チューブ20の全ての壁には如何なる光半導体モジュール40も存在しない。前記透光性チューブ20の両端には、2つのコネクター60a、60bが設置される。前記の2つのコネクター60a、60b共に、前記光半導体モジュール40に電力を供給する電気接続部の役割をし得、2つのコネクター60a、60bの一つのコネクター60aだけが電気接続部の役割をし得る。この場合、残りの他のコネクター60bは、透光性チューブ20の一端をコネクター接続装置の一端に機構的に連結させる役割だけをすると言える。さらに、2つのコネクター60a、60b共に、電気接続部の機能をせず、機構的接続機能のみし得る。この場合、機構的接続機能しない別途の電気接続部が、ケーブルと共に透光性チューブ20の一部開口された部分により引き込まれて利用できる。図8b及び9に示したように、前記光半導体モジュール40のそれぞれは、長い形状のヒートシンク42と、前記ヒートシンク42の平らな前面に付けられたPCB44と、前記PCB44上に実装された半導体光素子46のアレイを含む。各PCB44に実装された半導体光素子は、長さ方向に沿って一列に配列されて一つのアレイを構成している。このとき、前記PCB44は、熱伝導性が大きい金属を基盤とするMCPCBMetalCorePrintedCircuitBoard又はMPCBMetalPrintedCircuitBoardであることが好ましい。前記ヒートシンク42は、前述の設置ギャップにより一部分が透光性チューブ20の外部に露出されている。以下にて詳しく説明するように、前記光半導体モジュール40は、前記透光性チューブ20の設置ギャップに長さ方向にスライド方式で挿入されて前記透光性チューブ20に固く結合する。前記透光性チューブ20は、前記設置ギャップに沿って前記光半導体モジュール40のスライド挿入を許容するガイド構造を含み、前記光半導体モジュール40の前記ヒートシンク42と前記PCB44は、相互結合した状態で前記ガイド構造にスライド方式でガイドされ得る形状を含む。前記透光性チューブ20の設置ギャップと、ガイド構造についてより具体的に説明すると次のようになる。前記透光性チューブ20は、前記設置ギャップを作るために長さ方向に沿って形成された直線型のスリット201を含む。以下にてより詳しく説明するように、前記スリット201は刃等の鋭い切断道具、又はレーザーによる切断加工によって形成できる。前記スリット201に隣接して、前記透光性チューブ20の内周面には一対のフック202、202が向かい合うように前記透光性チューブ20の長さ方向に沿って形成され、前記フック202、202によって前記光半導体モジュール40が、スライド式にガイされる一つのガイド構造が形成される。以下でも説明するように、前記フック202、202は、前記透光性チューブ20を成形する際に、一体に成形されることが良い。そして、前記スリット201は、フック202、202が形成された透光性チューブ20を長さ方向に沿って切開して形成される。ここで、前記スリット201が一対のフック202、202間にあるため、外力により前記スリット201を広げることによって、前記一対のフック202、202間を広げることができる。図9に示したように、前記ヒートシンク42は、前記PCB44が付けられた平らな前面を有する。また、前記ヒートシンク42は前記前面の後ろ側に左右一対のガイド翼422、422と、後方中央の防熱突出部424を含む。前記ガイド翼422の背面は、平らな前面と異なり、透光性チューブ20の内周曲面と同じか、或いはそれと類似する曲面からなる。前記防熱突出部424は、前記ヒートシンク42の背面中央に長さ方向に長く形成され、両側面は垂直面からなる。前記防熱突出部424の背面は、前記透光性チューブ20の外周曲面と同じか類似する曲面からなる。前記PCB44は、半導体光素子46がアレイされる中央を基準に左右側に端を有する。前記PCB44の左右側端は、ヒートシンク42の左右側ガイド翼422、422と共に前記光半導体モジュール40の左右側に突出した構造を成す。前記ヒートシンク42の前面幅より、前記PCB44の幅がより大きいことが好ましく、これにより、前記PCB44の左右両側の縁が光半導体モジュール40の左右側に最も離れて位置する。前記光半導体モジュール40が前記透光性チューブ20の設置ギャップにスライド式に嵌められる際、左側のフック202にはヒートシンク42の左側翼422と、PCB44の左側端が共に挿入され、前記右側のフック202には、ヒートシンク42の右側翼422と右側端が共に長さ方向に挿入される。つまり、前記一対のフック202はそれぞれヒートシンク42と前記PCB44の端を一緒につかんで維持する。そして、一対のフック202がガイド構造を成すため、前記光半導体モジュール40は前記一対のフック202に沿ってスライド可能に挿入され得る。前記のような光半導体モジュール40の長さ方向の挿入は、透光性チューブ20のスリット201を強制的に広げた後行われるため、前記光半導体モジュール40の挿入後は、前記スリット210を狭める方向に弾性力が働き、前記弾性力によって、前記光半導体モジュール40の設置ギャップ内に固く固定され得る。前記の一対のフック202にそれぞれ挿入される部分を光半導体モジュール40の左右側突出部とする場合は、前記左右側突出部はそれぞれ前記ヒートシンク42のガイド翼422と前記ガイド翼上のPCB44の端とを含む。前記光半導体モジュール20の後方突出部、つまり、ヒートシンク42後方の防熱突出部424は、前記透光性チューブ20の拡張されたスリット201により前記透光性チューブ20の外部に露出される。前記スリット201の左右縁、つまり、左右切開面が前記突出部424の側面と接するように前記光半導体モジュールの側面に嵌る。このとき、前記スリット201の狭めようとする弾性力によって、前記縁、つまり、切開面が前記突出部424の両側面を強く圧迫する。図9に示したように、前記透光性チューブ20の内周面には、光を広く拡散させるための凹凸型の光拡散パターン29が形成される。前記光拡散パターン29は、前記透光性チューブ20を、例えば、射出成形によって形成する際、その透光性チューブ20の内周面に形成できる。前述のような光半導体基盤管型照明装置を製造する一実施例による方法を、図10及び図11を参照して説明する。先ず、図10を参照すると、長さ方向に沿って長く延長された向かい合う一対のフック202、202を内周面に備えた透光性チューブ20を、例えば、射出成形によって準備する。次に、前記一対のフック202、202間中央に、前記透光性チューブ20の全体長さに亘り直線型の長いスリット201が形成される。前記スリット201は、刃またはレーザー等のような切断道具で前記透光性チューブ20を長さ方向に切断または切開することによって形成される。前記スリット201の形成によって、前記透光性チューブ20は前記一対のフック202、202間に外力によって拡張され得る設置ギャップが形成される。次に、図11を参照すると、前記透光性チューブ20に対して、矢印方向に外力を加え、前記スリット201の幅を強制的に拡張させる。次に、直線型光半導体モジュール40を前記スリット201の拡張によって形成された設置ギャップ内にスライド式に挿入する。このとき、前記直線型光半導体モジュール40の左右突出部は、一対のフック202、202にそれぞれ挿入されて案内され、前記光半導体モジュール40後方の突出部は、拡張されたスリット201に沿ってスライド式に挿入されて案内される。前述のように、前記の一対のフック202、202にそれぞれ挿入される前記光半導体モジュール40の左右突出部は、それぞれPCBの左側または右側の端と前記ヒートシンクの左側または右側ガイド翼を含む。その次に、前記透光性チューブ20の両端または一端をコネクターで塞ぎ、光半導体基盤管型照明装置を完成する。次に、前述のような光半導体基盤管型照明装置を製造する他の実施例による方法を、図12~図14を参照して説明する。前述の実施例のような方法で一対のフック202、202を内周面に備える透光性チューブ20を準備する。前述の実施例と同様に、前記一対のフック202、202間中央に前記透光性チューブ20の長さに沿って直線型の長いスリット201を形成するものの、前記透光性チューブ20の一端付近にはスリット201を形成せず、そのまま残す。本実施例でも、前記スリット201は刃またはレーザー等のような切断道具を利用して形成される。次に、図12を参照すると、スリットが形成されない前記透光性チューブ20の一端付近を除いた残りの透光性チューブ20に対して、矢印方向に外力を加えて、前記スリット201の幅を強制的に拡張させる。次に、前述の実施例のような方式で直線型光半導体モジュール40を、前記スリット201の拡張によって形成された設置ギャップ内にスライド式に挿入する。次に図13を参照すると、前記透光性チューブ20のスリット201が形成されない残りの部分Lを切断、除去する。これにより、前記透光性チューブ20の全体長さに亘りスリット201が形成される。前記透光性チューブ20の一部を除去する工程後に、光半導体モジュール40が挿入し切っていない場合は、前記光半導体モジュール40を直線方向にさらに押して完全に挿入させる。本実施例による方法は、様々な長所を有するが、その中でも、長い透過性チューブ20のスリット201を一方だけ広げることによる工程上の便宜性と、透光性チューブ20に複数のスリットを形成し、その複数のスリットに複数の光半導体モジュールを設置して、例えば、図1~図5の実施例でのような照明装置を作ることができるという点である。上では、一つの光半導体モジュール40は、透光性チューブ20に一つの設置ギャップ又は一つのスリット201に挿入設置される構造について説明したが、図14に示された実施例でのように、二つ以上の光半導体モジュール40、40が一つの設置ギャップ又は一つのスリット201に一緒に挿入された構造の光半導体基盤管型照明装置を考慮できる。図14を参照すると、二つの光半導体モジュール40、40が隣り合う側面同士を予め締結したまま透光性チューブ20の一つのスリット201内に挿入している。このとき、二つの光半導体モジュール40、40の相互隣接していない側面に存在する突出部が、透光性チューブ20に形成された一対のフック202、202にそれぞれスライド式に挿入され得る。二つの光半導体モジュール40、40が隣り合う側面を結合する構造は、多様な変形が可能なものであり、その具体的な説明は省略する。そして、一つのスリットに一緒に挿入される二つの光半導体モジュール40、40は、同一直線上にあるように連結でき、一定角度で交差するように連結することもできる。