"半導体集積回路のレイアウト済みの所定領域内の基準位置から所定の間隔かつ同一形状の複数の部分領域を選択し、前記選択された部分領域ごとに、各部分領域内に前記レイアウトされたパターンが当該部分領域内に占める比率であるパターン密度を算出し、前記複数の部分領域間の前記パターン密度の相関に基づいて前記レイアウトの検証を行う半導体集積回路のレイアウト設計方法。前記基準位置を中心とする円周上における前記所定の間隔の複数の点のそれぞれを含む複数の単位領域を前記複数の部分領域として選択することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路のレイアウト設計方法。前記基準位置を始点とする直線上における前記所定の間隔の複数の点のそれぞれを含む複数の単位領域を前記複数の部分領域として選択することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路のレイアウト設計方法。前記基準位置を中心とした等間隔の複数の半径を設定し、前記設定された複数の半径に基づく各円周上における前記所定の間隔の複数の点のそれぞれを含む複数の単位領域を前記複数の部分領域として選択することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路のレイアウト設計方法。前記算出された各部分領域のパターン密度に基づき、前記半導体集積回路における複数の製造条件における相関情報を算出することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体集積回路のレイアウト設計方法。しかしながら、特許文献1に示したような任意の評価領域の被覆率であるパターン密度を求めるだけでは、粗密に関しては平均的な情報が得られるものの、製造プロセスに寄与し得るより詳細な情報を把握できず、レイアウトパターンの加工精度を十分に確保できないという問題点がある。以下、問題点について説明する。図24及び図25は、レイアウトパターンの例としてレイアウトパターンA1及びA2を示す図である。ここで、レイアウトパターンA1及びA2は、全体の領域面積が同一であるものとする。また、レイアウトパターンA1及びA2は、ポリゴン図形の数や個々のポリゴン図形のサイズが異なるものの、各ポリゴン図形の面積の総計は同一であるものとする。この場合、図23に適用すると、レイアウトパターンA1及びA2のパターン密度が同値となり、レイアウトパターンA1及びA2は、パターンの判別をすることができない。よって、設計されたレイアウトパターンについての検証を十分に行うことができない。さらに、製造プロセスの観点からレイアウトパターンの影響の詳細を考察すると、リソグラフィー露光技術やドライエッチング加工技術におけるレイアウトパターンの加工精度の確保には、少なからずパターン依存性が影響する。これらは、一般的には近接効果とかマイクロローディング効果とか呼ばれ、ナノメートルオーダーのパターン寸法まで微細化された最近の半導体集積回路では、隣接した複数のポリゴンパターンの配置領域の特徴をより詳細に把握する必要がある。例えば、リソグラフィー露光技術では、既に光源波長以下の露光パターン寸法を対象とした高精度の加工精度が求められ、回折干渉効果などの物理要因によって、目的とするパターン形状自体ばかりでなく、周辺パターンの配置の影響が避けられない。また、ドライエッチング加工では、減圧環境下での電離プラズマ等により活性励起された反応性ガスを用いたプラズマ処理によって発生するシリコンウェハー表面上の加工対象物質の反応生成物の拡散、輸送、堆積などの諸現象の複合によるものと推察されている。これらの詳細な物理的機構の解明は困難なものの、テストパターンを用いた事前評価により、パターン形状の二次元的な異方性や影響範囲の隣接距離的相関についての知見は得ることができる。これらの製造上の基本的知見を、製品ごとに異なるレイアウトパターンに的確に適用して、加工精度の向上を行うことが、半導体集積回路の製造において求められている。これらの課題に対して、特許文献1では矩形の評価領域でのパターン密度を求めていたので、粗密に関しては平均的な情報が得られるものの、製造プロセスに寄与し得る、より詳細な情報については有効ではなかった。本発明の第1の態様にかかる半導体集積回路のレイアウト設計方法は、半導体集積回路のレイアウト済みの所定領域内の基準位置から所定の間隔かつ同一形状の複数の部分領域を選択し、前記選択された部分領域ごとに、各部分領域内に前記レイアウトされたパターンが当該部分領域内に占める比率であるパターン密度を算出し、前記複数の部分領域間の前記パターン密度の相関に基づいて前記レイアウトの検証を行う。上述した本発明の第1の態様では、一の所定領域内から複数の部分領域ごとにパターン密度を算出することでパターン密度の精度が高まり、部分領域間のパターン密度の相関に基づいてレイアウトの検証を行うことで、製造プロセスにおいて隣接するパターンから受ける影響を加味したより詳細な情報を把握することができる。本発明により、製造プロセスを考慮してレイアウトパターンの加工精度を十分に確保するための半導体集積回路のレイアウト設計方法を提供することができる。本発明では、特許文献1にみられた評価領域のパターン密度というスカラー値の代わりに、より多くの情報を得るために、単位評価領域を評価対象中心点からの距離方向又は方位角で所定の間隔を走査することで、単位評価領域毎に局所的なパターン密度を評価し、走査変数に対するスペクトルデータを得るという特徴を有している。すなわち、半導体集積回路のレイアウト済みの所定領域内の基準位置から所定の間隔かつ同一形状の複数の部分領域を選択し、前記選択された部分領域ごとに、各部分領域内に前記レイアウトされたパターンが当該部分領域内に占める比率であるパターン密度を算出し、前記複数の部分領域間の前記パターン密度の相関に基づいて前記レイアウトの検証を行う半導体集積回路のレイアウト設計方法といえる。これにより、製造プロセスを考慮して、レイアウトパターンの加工精度を十分に確保するための半導体集積回路のレイアウト設計方法を提供することができる。<実施の形態1>本発明の実施の形態1にかかる半導体集積回路のレイアウト設計方法では、半導体集積回路の製造プロセスの一つであるリソグラフィー技術を考慮する場合について説明する。尚、本発明の実施の形態1では、単位評価領域を単位評価円として説明するが、これに限定されない。図1は、本発明の実施の形態1にかかるレイアウト設計方法の流れを説明するためのフローチャートである。まず、対象とするターゲットパターンに合わせて評価中心点CX,Yを設定するS11。次に、評価距離R、単位評価半径dRを設定するS12。言い換えると、その評価中心点Cから半径Rの距離の円周上に沿って、より小さい単位評価半径dRを設定する。そして、円周上に沿って走査するための初期方位角θinit、方位角増分dθ、最終方位角θendを設定し、方位角θに初期方位角θinitを代入するS13。以上の準備設定から、評価中心点Cから距離R離れた円周上を方位角θで順次角度をdθだけ増分させながら、単位評価円内のパターン密度を評価する。具体的には、方位角θが最終方位角θendより小さいか否かを判定するS14。ステップS14でYESの場合、単位評価円内のポリゴン群を選択するS15。そして、単位評価円内のパターン密度を算出するS16。ここで、パターン密度の算出手法は、上述した図23等と同じであっても構わない。尚、実施の形態1にかかる単位評価円は、レイアウト検証対称のレイアウトパターンの領域全体に対して十分に小さいため、単位評価円当たりに、ポリゴン図形が一つ含まれるか否かとなることが多い。そのため、ステップS16の処理負荷はそれほど高くないと言える。その後、方位角θに方位角増分dθを加算するS17。ステップS14でNOの場合、走査変数である方位角θに対するパターン密度スペクトルを算出するS18。つまり、最終的には、走査変数θに対するパターン密度スペクトルとしてデータ化するものである。このように、実施の形態1では、基準位置である評価中心点Cを中心とする円周上における所定の間隔である方位角増分dθごとの複数の点のそれぞれを含む複数の単位領域を複数の部分領域として選択するものである。そして、選択された部分領域ごとにパターン密度を算出することで、所定間隔のパターン密度データを得ることができる。そのため、これらを用いてレイアウトの検証ができる。以下に、本発明の実施の形態1にかかるレイアウト設計方法について、具体例を用いて説明する。図2は、本発明の実施の形態1にかかるレイアウト設計方法をレイアウトパターンA1に適用した場合の概念を説明するための図である。評価中心点Cは、レイアウトパターンA1のレイアウト検証における基準位置である。円c1は、評価中心点Cから距離R1を半径とした円である。単位評価円u111は、方位角θ=0のときの円c1上の点を含む単位評価領域である。また、単位評価円u112は、方位角θ=dθのときの円c1上の点を含む単位評価領域である。このように、実施の形態1では、特定の半径における円周上の所定間隔の点を含む各単位評価領域ごとにパターン密度を算出し、これらをスペクトルデータとする。図3は、レイアウトパターンA1においてr=R1の場合に求められたパターン密度の分布の例を示す図である。次に、図4は、本発明の実施の形態1にかかるレイアウト設計方法をレイアウトパターンA2に適用した場合の概念を説明するための図である。単位評価円u211及びu212は、レイアウトパターンA2における評価中心点Cから距離R1を半径とした円c1上の所定間隔の各点を含む単位評価領域である。また、図5は、レイアウトパターンA2においてr=R1の場合に求められたパターン密度の分布の例を示す図である。レイアウトパターンA1とは、全体のパターン密度が同一であるが、パターンが異なるため、図3と図5との差が明確となり、レイアウトパターンA1及びA2の詳細な差異を客観的に示すことができる。図6は、本発明の実施の形態1にかかるレイアウト設計方法をレイアウトパターンA1に適用した場合の概念を説明するための図である。図2と異なり、評価中心点Cからの半径を距離R2とした場合であり、単位評価円u121及びu122におけるパターン密度を算出する。また、図7は、レイアウトパターンA1においてr=R2の場合に求められたパターン密度の分布の例を示す図である。図3とは、対象とするレイアウトパターンA1が同一であるが、パターン密度を算出した単位評価円、つまり部分領域が異なるため、分布も異なる。よって、レイアウトパターンA1におけるより詳細な情報を得ることができる。同様に、図8は、本発明の実施の形態1にかかるレイアウト設計方法をレイアウトパターンA2に適用した場合の概念を説明するための図である。図4と異なり、評価中心点Cからの半径を距離R2とした場合であり、単位評価円u221及びu222におけるパターン密度を算出する。また、図9は、レイアウトパターンA2においてr=R2の場合に求められたパターン密度の分布の例を示す図である。図5とは、対象とするレイアウトパターンA2が同一であるが、パターン密度を算出した単位評価円、つまり部分領域が異なるため、分布も異なる。よって、レイアウトパターンA2におけるより詳細な情報を得ることができる。続いて、本発明の実施の形態1の効果を説明する。半導体集積回路の製造プロセスの一つであるリソグラフィー技術で用いる露光照明には、複数の光強度分布のものが存在する。これらは、製造対象のレイアウトパターンの特性に応じて最適な光強度分布が異なる。ここで、特許文献1にかかるような評価領域内で一つのパターン密度を用いるだけでは、レイアウトパターンの特性を十分に把握することができない。そこで、本発明の実施の形態1にかかるレイアウト設計方法を用いることで、評価領域内における複数の部分領域におけるパターン密度をスペクトルデータとして取得できる。ここで、本発明の実施の形態1にかかるレイアウト設計方法により求められたパターン密度の分布の例が図10であるものとする。そして、例えば、リソグラフィー技術で用いることができる露光照明が2つ存在するものとする。このとき、一方の露光照明における光強度分布が対称であり、他方の露光照明における光強度分布が非対称であるものとする。例えば、図11は、露光照明系光強度分布が対称である場合の例を示す図であり、図12は、露光照明系光強度分布が非対称である場合の例を示す図である。この場合、本発明の実施の形態1にかかるレイアウト設計方法により対象レイアウトパターンの異方性情報が図10のようにパターン密度分布として定量的に明確化される。パターン密度分布を用いて、つまり、複数の単位評価円間のパターン密度の相関を考慮して、当該対象レイアウトパターンのレイアウト検証ができる。よって、リソグラフィー技術の露光照明系の光強度分布を図11又は図12のいずれであるかを選択することを支援することができる。つまり、特許文献1では困難であった対象パターンに応じた露光照明系光強度分布の最適な選択が可能となった。<実施の形態2>本発明の実施の形態2にかかる半導体集積回路のレイアウト設計方法では、半導体集積回路の製造プロセスの一つであるドライエッチング技術を考慮する場合について説明する。本発明の実施の形態2では、実施の形態1と比べて、方位角θを固定し、代わりに、方位角θ方向の直線上を走査する。言い換えると、本発明の実施の形態2では、基準位置を始点とする直線上における所定の間隔の複数の点のそれぞれを含む複数の単位領域を複数の部分領域として選択する。尚、本発明の実施の形態2でも、単位評価領域を単位評価円として説明するが、これに限定されない。図13は、本発明の実施の形態2にかかるレイアウト設計方法の流れを説明するためのフローチャートである。まず、対象とするターゲットパターンに合わせて評価中心点CX,Yを設定するS21。次に、評価方位角θを設定するS22。そして、評価中心点Cから評価方位角θ方向に伸ばした直線上の走査初期距離R_init、走査距離増分単位評価円半径dR及び走査最終距離R_endを設定し、半径Rに走査初期距離R_initを代入するS23。以上の準備設定から、評価中心点Cから方位角θ方向に伸ばした直線上を順次距離をdRだけ増分させながら、単位評価円内のパターン密度を評価する。具体的には、距離Rが走査最終距離R_endより小さいか否かを判定するS24。ステップS24でYESの場合、単位評価円内のポリゴン群を選択するS25。そして、単位評価円内のパターン密度を算出するS26。その後、距離Rに走査距離増分dRを加算するS27。ステップS24でNOの場合、走査変数である距離Rに対するパターン密度スペクトルFRを算出するS28。さらに、パターン密度スペクトルFR及び寸法変化差GRから相関関数ZRを算出するS29。ここで、寸法変化差GRは、テストパターンの寸法変化差の距離依存性のデータである。これは、製品製造とは別に、工程メンテナンスとして、テストパターンを加工して、加工精度をモニタすることで日常的に得られているものである。つまり、本発明の実施の形態2にかかるレイアウト設計方法では、ドライエッチング技術のマイクロローディング効果の基礎データとして、寸法変化差GRを参照データとして用意するものとする。図14は、本発明の実施の形態2にかかるレイアウト設計方法を適用した場合の概念を説明するための図である。図14では、まず、評価中心点C付近に、他と比べて大きなサイズの製造パターンP0がレイアウトされているものとする。そして、評価中心点Cから所定の評価方位角θ方向に伸ばした直線上に、所定間隔であるdRごとにパターン中心点C1、C2及びC3が存在し、各点を含む設計パターンPa1、Pa2及びPa3がレイアウト設計されたものとする。このようなレイアウトパターンにおいて、ドライエッチング技術を施した場合、製造パターンP0に起因したマイクロローディング効果により、実際に製造されるパターンは、それぞれ製造パターンPb1、Pb2及びPb3のようになる。つまり、設計パターンPa1、Pa2及びPa3に比べて、それぞれ寸法変化差d1、d2及びd3が生じる。これらを寸法変化差GRとして用いることができる。このデータから、工程管理能力としての加工精度の距離依存性が明らかとなる。図15は、本発明の実施の形態2にかかるレイアウト設計方法により求められたパターン密度分布と、寸法変化差の距離依存性データとを用いて、相関関数を求める場合の概念を説明するための図である。ここで、パターン密度F1及びF2は、異なるレイアウトパターンにおける同一の方位角θである場合のパターン密度である。同一の方位角θであるため、寸法変化差GRは共通し、それぞれ式1により相関関数Z1R及びZ2Rを求めることができる。このように、本発明の実施の形態2にかかるパターン密度スペクトルを用いると、異なるレイアウトパターン間の特性を定量的に比較することが可能となる。例えば、ターゲットパターン毎の一連のパターン密度スペクトルF1R,F2R,との相関関数Z1,Z2を求めることで容易に明確化できるからである。このような相関性は、特許文献1では得られなかった点である。<実施の形態3>本発明の実施の形態3では、基準位置を中心とした等間隔の複数の半径を設定し、設定された複数の半径に基づく各円周上における所定の間隔の複数の点のそれぞれを含む複数の単位領域を複数の部分領域として選択するものである。いわば、実施の形態1及び2を併せたものである。図16は、本発明の実施の形態3にかかるレイアウト設計方法をレイアウトパターンA1に適用した場合の概念を説明するための図である。また、図17は、本発明の実施の形態3にかかるレイアウト設計方法をレイアウトパターンA2に適用した場合の概念を説明するための図である。ここでは、例えば、評価中心点Cからの同心円c1及びc2を設定する。つまり、半径Rが距離R1である円c1としてc1上を方位角増分dθごとに変化させて単位評価円ごとのパターン密度を算出し、その後、半径Rに走査距離増分dRを加算した距離R2である円c2としてc2上を方位角増分dθごとに変化させて単位評価円ごとのパターン密度を算出する。尚、これを3以上の半径に対して実施しても構わない。図18は、本発明の実施の形態3にかかるレイアウト設計方法により求められたパターン密度の分布の例を示す図である。つまり、走査変数を半径R及び方位角θの二変数としたときのパターン密度Fθ、Rを算出した場合の分布である。すなわち、実施の形態3では、実施の形態1及2における走査変数の組み合わせとして、距離R、方位角θを用いて、より詳細な評価を行うことにより、全体として三次元的なパターン密度スペクトルデータを得るものである。このようなスペクトルデータから、さらに高位の情報を得るには、映像信号を対象として開発された各種信号処理技術を適用することができる。最新のデータ処理装置を用いれば、数千から数万ポイントのデータに対しても、実用的な処理が可能となっている。例えば、しきい値レベル抽出やフーリエ変換手法を適用することにより、レイアウトパターンの特徴情報の定量化が可能である。その詳細はデータマインニング手法として、広く実用化されているものであり、本発明は半導体集積回路製造プロセス技術と、それらの定量化手法を連結させる意義を持つ要素技術である。<実施の形態4>本発明の実施の形態4では、実施の形態3をさらに改良し、半導体集積回路製造プロセスにおけるドライエッチング技術の工程条件の最適化方法を示す。実施の形態2では、一定の工程条件下における加工精度上のクリティカルパターンの比較検証例を示したが、実施の形態4では、与えられたパターンに対して、複数の変動条件に対して同時に且つ定量的に工程条件を最適化することを特徴とする半導体集積回路の製造方法を示す。言い換えると、本発明の実施の形態4では、算出された各部分領域のパターン密度に基づき、半導体集積回路における複数の製造条件における相関情報を算出することを特徴とする。実施の形態3のように複数の走査変数を用いたパターン密度分布を求めると、極大値、極小値のように複数のピーク位置が存在する場合がある。この場合、いずれのピーク位置へ到達させることが最適かを判断することが困難である。ドライエッチング技術では、反応性ガスの電離プラズマを発生させるための高周波電力の印加や反応性ガスの流入による雰囲気圧力制御などの様々な工程条件が存在し、それらの組み合わせとして製造条件が決定される。本発明は、このような課題に対して明確な定量指標を与えるものである。図19は、本発明の実施の形態4にかかるレイアウト設計方法により求められたパターン密度分布と、寸法変化差の距離依存性データとを用いて、相関関数を求める場合の概念を説明するための図である。まず、プロセス評価用のテストパターンを用いて、周辺パターン間の寸法変換差データを、隣接距離Rに応じて測定してデータ化することで、複数の寸法変換差スペクトルが得られる。例えば、ガス圧及びRFパワーを変化させた各種工程条件ごとに一連の寸法変換差スペクトルG1R、G2R、が得られたものとする。次に、特に厳しい加工精度が要求されるターゲットパターンに対して、実施の形態2の手法に基づいて、パターン密度スペクトルFRを得る。そして、パターン密度スペクトルFRと寸法変換差スペクトルG1R及びG2Rを用いることで、両者のスペクトル間の相関関数Z1R及びZ2Rを算出できる。図20は、本発明の実施の形態4にかかるレイアウト設計方法により求められた条件最適化マップの例を示す図である。つまり、ガス圧及びRFパワーの二変数に対する相関強度等値曲線をプロットしたものであり、領域Z01~Z04により表現できる。これにより、相関強度のピークを求めることを支援することができる。図10では、相関強度の極小値領域Z04が特定できる。この極小値領域Z04に対応するガス圧及びRFパワーを用いることで、ターゲットパターンに対する寸法変換差を最小化できることになる。よって、本発明の実施の形態4にかかるレイアウト設計方法により算出された複数の製造条件における相関情報を用いて製造プロセスを最適化することができる。<その他の実施の形態>本発明は、DFMDesignforManufacturingレイアウト検証方法であり、半導体集積回路パターンレイアウト配置の検証に関する。本発明は次のように表現することもできる。すなわち、半導体集積回路等のレイアウトパターンの検証方法に関して、評価中心点を定め、その評価中心点から一定の距離を保った円周上を方位角を走査しながら、もしくは、その評価中心点から一定の方位角方向に距離を走査しながら、単位評価領域内のパターン密度を逐次求め、走査変数に対するスペクトルデータを得ることを特徴とするレイアウト検証方法である。さらに、上記検証方法で得られたスペクトルデータを用いて、半導体製造プロセスデータとの相関を考慮して、製造条件を最適化することを特徴とする製造方法である。図21は、本発明の実施の形態1乃至4にかかるレイアウト設計装置10の構成例を示すブロック図である。レイアウト設計装置10は、半導体集積回路の回路設計を支援するためのコンピュータシステムである。レイアウト設計装置10は、CPUCentralProcessingUnit11と、RAMRandomAccessMemory12と、ROMReadOnlyMemory13と、入出力部14と、ハードディスク15とを備える。ハードディスク15は、不揮発性記憶装置である。ハードディスク15は、レイアウト設計プログラム151、レイアウトデータ152等を格納する。レイアウト設計プログラム151は、本発明の実施の形態1にかかるレイアウト設計方法を含む処理が実装されたコンピュータプログラムである。レイアウトデータ152は、レイアウト検証対象のレイアウトパターンデータである。CPU11は、レイアウト設計装置10における各種処理、RAM12、ROM13、入出力部14及びハードディスク15へのアクセス等を制御する。入出力部14は、入力装置不図示及び出力装置不図示とのデータの通信を行う。レイアウト設計装置10は、CPU11が、RAM12、ROM13又はハードディスク15に格納されたレイアウト設計プログラム151を読み込み、実行する。これにより、レイアウト設計装置10は、少なくとも、本発明の実施の形態1乃至4のいずれかにかかるレイアウト設計方法を実現するものである。さらに、本発明は上述した実施の形態のみに限定されるものではなく、既に述べた本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることは勿論である。例えば、上述の実施の形態では、本発明をハードウェアの構成として説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。本発明は、任意の処理を、CPUCentralProcessingUnitにコンピュータプログラムを実行させることにより実現することも可能である。上述の例において、プログラムは、様々なタイプの非一時的なコンピュータ可読媒体nontransitorycomputerreadablemediumを用いて格納され、コンピュータに供給することができる。非一時的なコンピュータ可読媒体は、様々なタイプの実体のある記録媒体tangiblestoragemediumを含む。非一時的なコンピュータ可読媒体の例は、磁気記録媒体例えばフレキシブルディスク、磁気テープ、ハードディスクドライブ、光磁気記録媒体例えば光磁気ディスク、CD-ROMReadOnlyMemory、CD-R、CD-R/W、DVDDigitalVersatileDisc、BDDisc、半導体メモリ例えば、マスクROM、PROMProgrammableROM、EPROMErasablePROM、フラッシュROM、RAMRandomAccessMemoryを含む。また、プログラムは、様々なタイプの一時的なコンピュータ可読媒体transitorycomputerreadablemediumによってコンピュータに供給されてもよい。一時的なコンピュータ可読媒体の例は、電気信号、光信号、及び電磁波を含む。一時的なコンピュータ可読媒体は、電線及び光ファイバ等の有線通信路、又は無線通信路を介して、プログラムをコンピュータに供給できる。"