"分子内に以下の第1の官能基を含有する繰り返し単位と式1[式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。Raaは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Rは、酸により脱離しうる有機基を表す。R’は、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。aは、0又は1の整数を表し、nは、1~5の整数を表す。]で表される繰り返し単位とを含む高分子化合物Aと、電磁波又は電子線の照射により酸を発生しうる化合物であって熱分解温度が200°C以下である化合物Bとを、含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。第1の官能基:活性水素と反応しうる第2の官能基を、電磁波の照射もしくは熱の作用により生成しうる官能基前記第1の官能基が、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基である請求項1に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式3[式中、Xaは、酸素原子又は硫黄原子を表し、R6及びR7は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。]で表される基である請求項2に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式4[式中、Xbは、酸素原子又は硫黄原子を表し、R8、R9及びR10は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。]で表される基である請求項2に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。前記高分子化合物Aが、更に、式2[式中、R2は、水素原子又はメチル基を表す。Rbbは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。R’’は、酸により脱離しうる有機基を表す。R’’’は、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。bは、0又は1の整数を表し、mは、1~5の整数を表す。]で表される繰り返し単位を有する高分子化合物A-1である請求項1~4のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。請求項1~5のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程;マスクを介して該塗布層の一部分に電磁波又は電子線を照射する工程;該塗布層の電磁波又は電子線が照射された部分を現像し塗布層にパターンを形成する工程;及び、該パターンを形成した塗布層に熱を印加する工程;を包含する有機薄膜トランジスタ絶縁層の製造方法。前記電磁波が紫外線である請求項6に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層の製造方法。請求項1~5のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて形成した有機薄膜トランジスタ絶縁層を有する有機薄膜トランジスタ。前記有機薄膜トランジスタ絶縁層がゲート絶縁層である請求項8に記載の有機薄膜トランジスタ。請求項8又は9記載の有機薄膜トランジスタを含むディスプレイ用部材。請求項10に記載のディスプレイ用部材を含むディスプレイ。しかしながら、有機エレクトロルミネッセンス素子有機EL素子のような発光素子を駆動するなど実用化を考慮すると、上部電極と下部ゲート電極との間に形成された絶縁層にビアホール等の貫通部分を形成し、上部電極と下部ゲート電極とを接合する必要がある。しかしながら、上記従来の材料は感光性を有しておらず、絶縁層の形成時にパターン化することが困難である。それゆえ、かかる絶縁層にビアホール等の貫通部分を形成するためには、まず、該絶縁層上にレジスト材料を含む液を塗布し、レジスト層を形成する工程、マスクを通して該レジスト層に露光する工程、該レジスト層を現像してレジスト層のパターンを形成する工程、パターンが形成されたレジスト層をマスクとして絶縁層にパターンを転写する工程、パターンが形成されたレジスト層を剥離除去する工程が必要であり、製造プロセスが煩雑になるという課題がある。本発明の目的は、有機薄膜トランジスタの絶縁層に、例えば、ビアホール等、所定の位置に形成する必要がある貫通部分を簡便な工程によって形成することができる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供することである。即ち、本発明は、分子内に以下の第1の官能基を含有する繰り返し単位と式1[式中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。Raaは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Rは、酸により脱離しうる有機基を表す。R’は、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。aは、0又は1の整数を表し、nは、1~5の整数を表す。]で表される繰り返し単位とを含む高分子化合物Aと、電磁波又は電子線の照射により酸を発生しうる化合物であって熱分解温度が200°C以下である化合物Bとを、含む有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を提供する。第1の官能基:活性水素と反応しうる第2の官能基を、電磁波の照射もしくは熱の作用により生成しうる官能基ある一形態においては、前記第1の官能基が、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基である。ある一形態においては、前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式3[式中、Xaは、酸素原子又は硫黄原子を表し、R6及びR7は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。]で表される基である。ある一形態においては、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式4[式中、Xbは、酸素原子又は硫黄原子を表し、R8、R9及びR10は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。]で表される基である。ある一形態においては、前記高分子化合物Aが、更に、式2[式中、R2は、水素原子又はメチル基を表す。Rbbは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。R’’は、酸により脱離しうる有機基を表す。R’’’は、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。bは、0又は1の整数を表し、mは、1~5の整数を表す。]で表される繰り返し単位を有する高分子化合物A-1である。また、本発明は、前記有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程;マスクを介して該塗布層の一部分に電磁波又は電子線を照射する工程;該塗布層の電磁波又は電子線が照射された部分を現像して塗布層にパターンを形成する工程;及び、該パターンを形成した塗布層に熱を印加する工程;を包含する有機薄膜トランジスタ絶縁層の製造方法を提供する。ある一形態においては、前記電磁波が紫外線である。また、本発明は、前記有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて形成した有機薄膜トランジスタ絶縁層を有する有機薄膜トランジスタを提供する。ある一形態においては、前記有機薄膜トランジスタ絶縁層がゲート絶縁層である。また、本発明は、前記有機薄膜トランジスタを含むディスプレイ用部材を提供する。また、本発明は、前記ディスプレイ用部材を含むディスプレイを提供する。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、ビアホールを有する絶縁層の形成が容易であり、更に、特性に優れた有機薄膜トランジスタ絶縁層を提供する。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層用材料を使用した有機薄膜トランジスタは、例えば、リーク電流が小さくなる。次に、本発明をさらに詳細に説明する。<高分子化合物A>本明細書において、高分子化合物とは、分子中に同じ構造単位が複数繰り返された構造を含む化合物をいい、いわゆる2量体もこれに含まれる。一方、低分子化合物とは、分子中に同じ構造単位を繰り返し有していない化合物を意味する。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は高分子化合物Aを含み、該高分子化合物Aは、分子内に、第1の官能基を含有する繰り返し単位と式1で表される繰り返し単位とを含有する。該第1の官能基は、活性水素と反応しうる第2の官能基を、電磁波の照射もしくは熱の作用により生成しうる官能基である。式1中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態では、R1は水素原子である。式1中、Raaは、主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。連結部分は、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を架橋させる環境条件の下で反応性を示さない構造を有する二価の基であればよい。該連結部分としては、例えば、炭素数1~20の二価の有機基からなる結合、エーテル結合-O-、ケトン結合-CO-、エステル結合-COO-、-OCO-、アミド結合-NHCO-、-CONH-、ウレタン結合-NHCOO-、-OCONH-及びこれらの結合が組み合わされた結合が挙げられる。該連結部分中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。aは、0又は1の整数を表す。ある一形態では、aは0である。Raaで表される炭素数1~20の二価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよい。該炭素数1~20の二価の有機基としては、例えば、炭素数1~20の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の二価の環状炭化水素基及びアルキル基等で置換されていてもよい炭素数6~20の二価の芳香族炭化水素基が挙げられる。中でも、炭素数1~6の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~6の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数3~6の二価の環状炭化水素基及びアルキル基等で置換されていてもよい二価の炭素数6~20の芳香族炭化水素基が好ましい。二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、二価の分岐状脂肪族炭化水素基及び二価の環状炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピルレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、イソプロピレン基、イソブチレン基、ジメチルプロピレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基及びシクロヘキシレン基が挙げられる。アルキル基等で置換されていてもよい炭素数6~20の二価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ジメチルフェニレン基、トリメチルフェニレン基、エチレンフェニレン基、ジエチレンフェニレン基、トリエチレンフェニレン基、プロピレンフェニレン基、ブチレンフェニレン基、メチルナフチレン基、ジメチルナフチレン基、トリメチルナフチレン基、ビニルナフチレン基、エテニルナフチレン基、メチルアンスリレン基及びエチルアンスリレン基が挙げられる。式1中、側鎖部分は置換基を有するフェニル基である。有機薄膜トランジスタ絶縁層材料中にフェニル部分が存在することにより、形成される有機薄膜トランジスタ絶縁層の結晶性が向上し、その結果、有機薄膜トランジスタ絶縁層としての性能が向上する。式1中、R’は、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。炭素数1~20の一価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、飽和であっても不飽和であってもよい。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。R’で表される炭素数1~20の一価の有機基としては、例えば、炭素数1~20の直鎖状炭化水素基、炭素数3~20の分岐状炭化水素基、炭素数3~20の環状炭化水素基及び炭素数6~20の芳香族炭化水素基が挙げられ、好ましくは、炭素数1~6の直鎖状炭化水素基、炭素数3~6の分岐状炭化水素基、炭素数3~6の環状炭化水素基及び炭素数6~20の芳香族炭化水素基である。炭素数1~20の直鎖状炭化水素基、炭素数3~20の分岐状炭化水素基及び炭素数3~20の環状炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。炭素数6~20の芳香族炭化水素基は、基中の水素原子がアルキル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などで置換されていてもよい。炭素数1~20の一価の有機基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチニル基、シクロヘキシニル基、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、トリル基、キシリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、エテニルナフチル基、メチルアンスリル基、エチルアンスリル基、クロロフェニル基及びブロモフェニル基が挙げられる。炭素数1~20の一価の有機基としては、アルキル基が好ましい。式1中、Rは、酸により脱離しうる有機基を表す。このことは、式1中、-COOR基に対して酸が作用した場合に、R基が脱離して、-COOH基が生成することを意味する。その場合、高分子化合物Aは酸性を示し、その結果、アルカリ性溶液に対して可溶性を示すようになる。酸により脱離しうる有機基としては、例えば、分岐構造又は環状炭化水素構造を有する炭素数4~20の炭化水素基、置換されていてもよいヒドロフラニル基、置換されていてもよいヒドロピラニル基、が挙げられる。分岐構造を有する炭素数4~20の炭化水素基としては、例えば、ターシャリーブチル基、2,3-ジメチル-2-ブチル基、2、3、3-トリメチル-2-ブチル基が挙げられる。環状炭化水素構造を有する炭素数4~20の炭化水素基としては、例えば、2-シクロプロピル-2-プロピル基、1-メチル-1-シクロペンチル基、1-メチル-1-シクロヘキシル基、1-メチル-1-シクロヘプタニル基、2-メチル-2-アダマンチル基及び2-アダマンチル-2-プロピル基が挙げられる。ヒドロフラニル基及びヒドロピラニル基が有していてもよい置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、アルコキシ基及びアルキル基が挙げられる。ヒドロフラニル基とは、ジヒドロフラン又はテトラヒドロフランから水素原子1個を除いた基を意味し、置換されていてもよいヒドロフラニル基としては、例えば、テトラヒドロフラニル基が挙げられる。ヒドロピラニル基とは、ジヒドロピラン又はテトラヒドロピランから水素原子1個を除いた基を意味し、置換されていてもよいヒドロピラニル基としては、例えば、テトラヒドロピラニル基及び4-メトキシテトラヒドロピラニル基が挙げられる。式1中、nは、1~5の整数を表す。ある一形態では、nは1である。前記高分子化合物Aの分子内に含有される第1の官能基は活性水素と反応しないが、該第1の官能基に電磁波を照射する又は熱を作用させると第2の官能基が生成し、該第2の官能基が活性水素と反応する。つまり、前記第1の官能基は電磁波の照射又は熱の作用により脱保護されて、活性水素と反応する第2の官能基を生成する。第2の官能基は高分子化合物Aの分子内に含有される活性水素含有基と反応してこれと結合することにより、絶縁層の内部に架橋構造を形成することができる。ここで、活性水素とは、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子のような炭素原子以外の原子に結合した水素原子をいう。有機薄膜トランジスタ絶縁層の内部に架橋構造が形成されると、分子構造の移動が抑制され、絶縁層の分極が抑制される。絶縁層の分極が抑制されると、例えばゲート絶縁層として用いた場合に有機薄膜トランジスタの閾値電圧の絶対値が低下して、動作精度が向上する。高分子化合物Aの分子内に含有される活性水素含有基としては、例えば、酸を発生しうる化合物Bから発生した酸の作用により、式1中、-COOR基からR基が脱離して生成するカルボキシル基が挙げられる。また、例えば、酸を発生しうる化合物Bから発生した酸の作用により、式2中、-OR基からR基が脱離して生成する水酸基が挙げられる。前記第2の官能基は、有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成工程において、電磁波が照射されるまで又は熱が加えられるまで保護ブロックされており、前記第1の官能基の形態で有機薄膜トランジスタ絶縁層材料中に存在する。その結果、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の貯蔵安定性が向上する。前記第1の官能基の好ましい例としては、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が挙げられる。前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基は、イソシアナト基と反応しうる活性水素を1分子中に1個だけ有するブロック化剤とイソシアナト基とを反応させることにより製造することができる。前記ブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基は、イソチオシアナト基と反応しうる活性水素を1分子中に1個だけ有するブロック化剤とイソチオシアナト基とを反応させることにより製造することができる。前記ブロック化剤は、イソシアナト基又はイソチオシアナト基と反応した後に、170°C以下の温度で解離するものが好ましい。ブロック化剤としては、例えば、アルコ-ル系化合物、フェノ-ル系化合物、活性メチレン系化合物、メルカプタン系化合物、酸アミド系化合物、酸イミド系化合物、イミダゾール系化合物、尿素系化合物、オキシム系化合物、アミン系化合物、イミン系化合物、重亜硫酸塩、ピリジン系化合物及びピラゾール系化合物が挙げられる。ブロック化剤は、単独使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。好ましいブロック化剤としては、オキシム系化合物及びピラゾール系化合物が挙げられる。以下に、具体的なブロック化剤を例示する。アルコ-ル系化合物としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、2-エチルヘキサノール、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルカルビトール、ベンジルアルコール、及び、シクロヘキサノールが挙げられる。フェノール系化合物としては、例えば、フェノール、クレゾール、エチルフェノール、ブチルフェノール、ノニルフェノール、ジノニルフェノール、スチレン化フェノール、及び、ヒドロキシ安息香酸エステルが挙げられる。活性メチレン系化合物としては、例えば、マロン酸ジメチル、マロン酸ジエチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、及び、アセチルアセトンが挙げられる。メルカプタン系化合物としては、例えば、ブチルメルカプタン、及び、ドデシルメルカプタンが挙げられる。酸アミド系化合物としては、例えば、アセトアニリド、酢酸アミド、ε-カプロラクタム、δ-バレロラクタム、及び、γ-ブチロラクタムが挙げられる。酸イミド系化合物としては、例えば、コハク酸イミド、及び、マレイン酸イミドが挙げられる。イミダゾール系化合物としては、例えば、イミダゾール、及び、2-メチルイミダゾールが挙げられる。尿素系化合物としては、例えば、尿素、チオ尿素、及び、エチレン尿素が挙げられる。オキシム系化合物としては、例えば、ホルムアルドオキシム、アセトアルドオキシム、アセトオキシム、メチルエチルケトオキシム、及び、シクロヘキサノンオキシムが挙げられる。アミン系化合物としては、例えば、ジフェニルアミン、アニリン、及び、カルバゾールが挙げられる。イミン系化合物としては、例えば、エチレンイミン、及び、ポリエチレンイミンが挙げられる。重亜硫酸塩としては、例えば、重亜硫酸ソーダが挙げられる。ピリジン系化合物としては、例えば、2-ヒドロキシピリジン、及び、2-ヒドロキシキノリンが挙げられる。ピラゾール系化合物としては、例えば、3,5-ジメチルピラゾール、及び、3,5-ジエチルピラゾールが挙げられる。本発明に用いてもよいブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチアシアナト基としては、前記式3で表される基及び前記式4で表される基が好ましい。式3及び式4中、Xaは、酸素原子又は硫黄原子を表し、Xbは、酸素原子又は硫黄原子を表し、R6~R10は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。R6~R10で表される炭素数1~20の一価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、飽和であっても不飽和であってもよい。炭素数1~20の一価の有機基としては、例えば、炭素数1~20の直鎖状炭化水素基、炭素数3~20の分岐状炭化水素基、炭素数3~20の環状炭化水素基、及び、炭素数6~20の芳香族炭化水素基が挙げられ、炭素数1~6の直鎖状炭化水素基、炭素数3~6の分岐状炭化水素基、炭素数3~6の環状炭化水素基、及び、炭素数6~20の芳香族炭化水素基が好ましい。炭素数1~20の直鎖状炭化水素基、炭素数3~20の分岐状炭化水素基、及び、炭素数3~20の環状炭化水素基は、これらの基に含まれる水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい。炭素数6~20の芳香族炭化水素基は、基中の水素原子がアルキル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などで置換されていてもよい。R6~R10で表される炭素数1~20の一価の有機基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチニル基、シクロヘキシニル基、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、トリル基、キシリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、エテニルナフチル基、メチルアンスリル基、エチルアンスリル基、クロロフェニル基及びブロモフェニル基が挙げられる。R6~R10で表される炭素数1~20の一価の有機基としては、アルキル基が好ましい。ある一形態では、R6~R10は水素原子である。ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基としては、例えば、O-メチリデンアミノカルボキシアミノ基、O-1-エチリデンアミノカルボキシアミノ基、O-1-メチルエチリデンアミノカルボキシアミノ基、O-1-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノ基、N-3,5-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノ基、N-3-エチル-5-メチルピラゾリルカルボニルアミノ基、N-3,5-ジエチルピラゾリルカルボニルアミノ基、N-3-プロピル-5-メチルピラゾリルカルボニルアミノ基、及び、N-3-エチル-5-プロピルピラゾリルカルボニルアミノ基が挙げられる。ブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基としては、例えば、O-メチリデンアミノチオカルボキシアミノ基、O-1-エチリデンアミノチオカルボキシアミノ基、O-1-メチルエチリデンアミノチオカルボキシアミノ基、O-1-メチルプロピリデンアミノチオカルボキシアミノ基、N-3,5-ジメチルピラゾリルチオカルボニルアミノ基、N-3-エチル-5-メチルピラゾリルチオカルボニルアミノ基、N-3,5-ジエチルピラゾリルチオカルボニルアミノ基、N-3-プロピル-5-メチルピラゾリルチオカルボニルアミノ基、及び、N-3-エチル-5-プロピルピラゾリルチオカルボニルアミノ基が挙げられる。第1の官能基としては、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基が好ましい。本発明に用いられる高分子化合物Aは、更に、式2で表される繰り返し単位を有する高分子化合物A-1であることが好ましい。式2中、R2は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態では、R2は水素原子である。式2中、Rbbは、主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。連結部分は、本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を架橋させる環境条件の下で反応性を示さない構造を有する二価の基であればよい。該連結部分としては、例えば、炭素数1~20の二価の有機基からなる結合、エーテル結合-O-、ケトン結合-CO-、エステル結合-COO-、-OCO-、アミド結合-NHCO-、-CONH-、ウレタン結合-NHCOO-、-OCONH-及びこれらの結合が組み合わされた結合が挙げられる。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。bは、0又は1の整数を表す。ある一形態では、bは0である。Rbbで表される炭素数1~20の二価の有機基の具体例は、前述のRaaで表される炭素数1~20の二価の有機基の具体例と同じである。式2中、Rは、酸により脱離しうる有機基を表す。このことは、式2中、-OR基に対して酸が作用した場合に、R基が脱離して、-OH基が生成することを意味する。その場合、生成した-OH基は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料に含有されるカルボキシル基又は第2の官能基と反応して、有機薄膜トランジスタ絶縁層の内部に架橋構造を形成することができるようになる。尚、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料に含有されるカルボキシル基は、例えば、酸を発生しうる化合物Bから発生した酸の作用により、式1中、-COOR基からR基が脱離して生成したものである。また、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料に含有される第2の官能基は、例えば、電磁波又は熱の作用により、第1の官能基が脱保護して生成したものである。酸により脱離しうる有機基としては、例えば、置換されていてもよい炭素数2~20のアルコシキアルキル基、置換されていてもよいヒドロフラニル基、置換されていてもよいヒドロピラニル基、炭素数3~20の環状炭化水素構造を有する基が挙げられる。炭素数2~20のアルコシキアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、炭素数1~20のアルコキシ基、炭素数1~20のアルキル基、ハロゲン原子及びフェニル基が挙げられる。置換されていてもよい炭素数2~20のアルコシキアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、1-エトキシエチル基、2-エトキシエチル基、ビス2-クロロエトキシメチル基、1-メチル-1-メトキシエチル基、1-イソプロポキシエチル基、が挙げられる。ヒドロフラニル基及びヒドロピラニル基が有していてもよい置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、アルコキシ基及びアルキル基が挙げられる。ヒドロフラニル基とは、ジヒドロフラン又はテトラヒドロフランから水素原子1個を除いた基を意味し、置換されていてもよいヒドロフラニル基としては、例えば、テトラヒドロフラニル基が挙げられる。ヒドロピラニル基とは、ジヒドロピラン又はテトラヒドロピランから水素原子1個を除いた基を意味し、置換されていてもよいヒドロピラニル基としては、例えば、テトラヒドロピラニル基及び4-メトキシテトラヒドロピラニル基が挙げられる。炭素数3~20の環状炭化水素構造を有する基としては、例えば、1-シクロプロピル-1-メチルエチル基、1-メチル-1-シクロペンチル基、1-メチル-1-シクロヘキシル基、1-メチル-1-シクロヘプタニル基、2-メチル-2-アダマンチル基及び1メチル-1-2-アダマンチルエチル基が挙げられる。式2中、mは、1~5の整数を表す。ある一形態では、mは1である。式2中、R’’’は、水素原子又は炭素数1~20の一価の有機基を表す。該炭素数1~20の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。R’’’で表される炭素数1~20の一価の有機基の具体例は、前述のR’で表される炭素数1~20の一価の有機基の具体例と同じである。高分子化合物Aは、例えば、第1の官能基を含有する重合性モノマーと前記式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとを含む重合性モノマー混合物を、光重合開始剤もしくは熱重合開始剤を用いて共重合させる方法により製造することが出来る。前記第1の官能基を含有する重合性モノマーとしては、例えば、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基とブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基のいずれかと不飽和結合とを分子内に有するモノマーが挙げられる。該ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基とブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基のいずれかと不飽和結合とを分子内に有するモノマーは、イソシアナト基又はイソチオシアナト基と不飽和結合とを分子内に有する化合物と、ブロック化剤とを反応させることにより製造することが出来る。不飽和結合としては、不飽和二重結合が好ましい。分子内に不飽和二重結合とイソシアナト基とを有する化合物としては、例えば、2-アクリロイルオキシエチルイソシアネート、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、及び、2-2’-メタクリロイルオキシエチルオキシエチルイソシアネートが挙げられる。分子内に不飽和二重結合とイソチオシアナト基とを有する化合物としては、例えば、2-アクリロイルオキシエチルイソチオシアネート、2-メタクリロイルオキシエチルイソチオシアネート、及び、2-2’-メタクリロイルオキシエチルオキシエチルイソチオシアネートが挙げられる。前記第1の官能基を含有する重合性モノマーの製造には、前記ブロック化剤を好適に用いることが出来る。イソシアナト基又はイソチオシアナト基と不飽和結合とを分子内に有する化合物と、ブロック化剤とを反応させて、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基又はブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基と不飽和結合とを分子内に有するモノマーを製造する反応においては、必要に応じて有機溶媒、触媒等を添加することが出来る。前記分子内にブロック化剤でブロックされたイソシアナト基と不飽和二重結合とを有するモノマーとしては、例えば、2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、及び、2-N-1’,3’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレートが挙げられる。前記分子内にブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基と不飽和二重結合とを有するモノマーとしては、例えば、2-O-1’-メチルプロピリデンアミノチオカルボキシアミノエチル-メタクリレート、及び、2-N-1’,3’-ジメチルピラゾリルチオカルボニルアミノエチル-メタクリレートが挙げられる。前記光重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノン、2,2-ジエトキシアセトフェノン、4-イソプロピル-2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオフェノン、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオフェノン、4,4’-ビスジエチルアミノベンゾフェノン、ベンゾフェノン、メチルo-ベンゾイルベンゾエート、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-O-エトキシカルボニルオキシム、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-o-ベンゾイルオキシム、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインオクチルエーテル、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、ジアセチル等のカルボニル化合物、メチルアントラキノン、クロロアントラキノン、クロロチオキサントン、2-メチルチオキサントン、2-イソプロピルチオキサントン等のアントラキノン誘導体又はチオキサントン誘導体、ジフェニルジスルフィド、ジチオカーバメート等の硫黄化合物が挙げられる。共重合を開始させるエネルギーとして光エネルギーを用いる場合は、重合性モノマーに照射する光の波長は、360nm以上、好ましくは360~450nmである。前記熱重合開始剤としては、ラジカル重合の開始剤となる化合物であればよく、例えば、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、2,2’-アゾビスイソバレロニトリル、2,2’-アゾビス2,4-ジメチルバレロニトリル、4,4’-アゾビス4-シアノバレリックアシッド、1、1’-アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル、2,2’-アゾビス2-メチルプロパン、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオンアミジン2塩酸塩等のアゾ系化合物、メチルエチルケトンパーオキシド、メチルイソブチルケトンパーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシド、アセチルアセトンパーオキシド等のケトンパーオキシド類、イソブチルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシド、2,4-ジクロロベンゾイルパーオキシド、o-メチルベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、p-クロロベンゾイルパーオキシド等のジアシルパーオキシド類、2,4,4-トリメチルペンチル-2-ヒドロパーオキシド、ジイソプロピルベンゼンヒドロパーオキシド、クメンヒドロパーオキシド、tert-ブチルヒドロパーオキシド等のヒドロパーオキシド類、ジクミルパーオキシド、tert-ブチルクミルパーオキシド、ジ-tert-ブチルパーオキシド、トリスtert-ブチルパーオキシトリアジン等のジアルキルパーオキシド類、1,1-ジ-tert-ブチルパーオキシシクロヘキサン、2,2-ジtert-ブチルパーオキシブタン等のパーオキシケタール類、tert-ブチルパーオキシピバレート、tert-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、tert-ブチルパーオキシイソブチレート、ジ-tert-ブチルパーオキシヘキサヒドロテレフタレート、ジ-tert-ブチルパーオキシアゼレート、tert-ブチルパーオキシ-3,5,5-トリメチルヘキサノエート、tert-ブチルパーオキシアセテート、tert-ブチルパーオキシベンゾエート、ジ-tert-ブチルパーオキシトリメチルアジペート等のアルキルパーエステル類、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ-sec-ブチルパーオキシジカーボネート、tert-ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート等のパーオキシカーボネート類が挙げられる。式1で表される繰り返し単位の原料となるモノマーとしては、例えば、ターシャリーブチル-4-ビニルベンゾエート、2-メチル-2-アダマンチル-4-ビニルベンゾエート、及び、テトラヒドロ-2-ピラニル-4-ビニルベンゾエートが挙げられる。高分子化合物A-1は、例えば、第1の官能基を含有する重合性モノマー、前記式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、前記式2で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとを含む重合性モノマー混合物を用い、前記高分子化合物Aの製造と同様の方法により製造することが出来る。式2で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとしては、例えば、4-メトキシメトキシスチレン、4-メトキシエトキシメトキシスチレン、4-1-エトキシエトキシスチレン、4-2-テトラヒドロピラニルオキシスチレン、4-シクロプロピルメトキシスチレン、及び、4-シクロヘキシルオキシスチレンが挙げられる。高分子化合物Aは、第1の官能基を含有する重合性モノマー、前記式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー以外の重合性モノマーを重合時に添加して製造してもよい。高分子化合物A-1は、第1の官能基を含有する重合性モノマー、前記式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、前記式2で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー以外の重合性モノマーを重合時に添加して製造してもよい。追加して使用される重合性モノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル及びその誘導体、メタアクリル酸エステル及びその誘導体、スチレン及びその誘導体、酢酸ビニル及びその誘導体、メタアクリロニトリル及びその誘導体、アクリロニトリル及びその誘導体、有機カルボン酸のビニルエステル及びその誘導体、有機カルボン酸のアリルエステル及びその誘導体、フマル酸のジアルキルエステル及びその誘導体、マレイン酸のジアルキルエステル及びその誘導体、イタコン酸のジアルキルエステル及びその誘導体、有機カルボン酸のN-ビニルアミド誘導体、末端不飽和炭化水素及びその誘導体、不飽和炭化水素基を含む有機ゲルマニウム誘導体、ビニル-1,3-ジオキソラン-2-オン及びその誘導体が挙げられる。追加して使用される重合性モノマーの種類は、絶縁層に要求される特性に応じて適宜選択される。溶媒に対する優れた耐久性や有機薄膜トランジスタのヒステリシスを小さくする観点からは、スチレンやスチレン誘導体のように、これらの化合物を含む膜において、分子の密度が高く、硬い膜を形成するモノマーが選択される。また、ゲート電極や基板の表面等の絶縁層の隣接面に対する密着性の観点からは、メタアクリル酸エステル及びその誘導体、アクリル酸エステル及びその誘導体のように、高分子化合物A又は高分子化合物A-1に可塑性を付与するモノマーが選択される。アクリル酸エステル及びその誘導体は、単官能のアクリレートであっても、使用量に制約は出てくるものの、多官能のアクリレートであってもよい。アクリル酸エステル及びその誘導体としては、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸-n-プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸-n-ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸-sec-ブチル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸-2-エチルヘキシル、アクリル酸デシル、アクリル酸イソボルニル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸-2-ヒドロキシエチル、アクリル酸-2-ヒドロキシプロピル、アクリル酸-3-ヒドロキシプロピル、アクリル酸-2-ヒドロキシブチル、アクリル酸-2-ヒドロキシフェニルエチル、エチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、1,4-ブタンジオールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールペンタアクリレート、2,2,2-トリフルオロエチルアクリレート、2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルアクリレート、2-パーフルオロブチルエチルアクリレート、3-パーフルオロブチル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-パーフルオロヘキシルエチルアクリレート、3-パーフルオロヘキシル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-パーフルオロオクチルエチルアクリレート、3-パーフルオロオクチル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-パーフルオロデシルエチルアクリレート、2-パーフルオロ-3-メチルブチルエチルアクリレート、3-パーフルオロ-3-メチルブチル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-パーフルオロ-5-メチルヘキシルエチルアクリレート、2-パーフルオロ-3-メチルブチル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、3-パーフルオロ-5-メチルヘキシル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、2-パーフルオロ-7-メチルオクチルエチルアクリレート、3-パーフルオロ-7-メチルオクチル-2-ヒドロキシプロピルアクリレート、1H,1H,3H-テトラフルオロプロピルアクリレート、1H,1H,5H-オクタフルオロペンチルアクリレート、1H,1H,7H-ドデカフルオロヘプチルアクリレート、1H,1H,9H-ヘキサデカフルオロノニルアクリレート、1H-1-トリフルオロメチルトリフルオロエチルアクリレート、1H,1H,3H-ヘキサフルオロブチルアクリレート、N,N-ジメチルアクリルアミド、N,N-ジエチルアクリルアミド、及び、N-アクリロイルモルフォリンが挙げられる。メタアクリル酸エステル及びその誘導体は、単官能のメタアクリレートであってもよく、使用量に制約は出てくるものの、多官能のメタアクリレートであってもよい。メタアクリル酸エステル及びその誘導体としては、例えば、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸-n-プロピル、メタアクリル酸イソプロピル、メタアクリル酸-n-ブチル、メタアクリル酸イソブチル、メタアクリル酸-sec-ブチル、メタアクリル酸ヘキシル、メタアクリル酸オクチル、メタアクリル酸-2-エチルヘキシル、メタアクリル酸デシル、メタアクリル酸イソボルニル、メタアクリル酸シクロヘキシル、メタアクリル酸フェニル、メタアクリル酸ベンジル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシエチル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸-3-ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシブチル、メタアクリル酸-2-ヒドロキシフェニルエチル、エチレングリコールジメタアクリレート、プロピレングリコールジメタアクリレート、1,4-ブタンジオールジメタアクリレート、ジエチレングリコールジメタアクリレート、トリエチレングリコールジメタアクリレート、トリメチロールプロパンジメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタアクリレート、ペンタエリスリトールペンタメタアクリレート、2,2,2-トリフルオロエチルメタアクリレート、2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロブチルエチルメタアクリレート、3-パーフルオロブチル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロヘキシルエチルメタアクリレート、3-パーフルオロヘキシル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロオクチルエチルメタアクリレート、3-パーフルオロオクチル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロデシルエチルメタアクリレート、2-パーフルオロ-3-メチルブチルエチルメタアクリレート、3-パーフルオロ-3-メチルブチル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロ-5-メチルヘキシルエチルメタアクリレート、2-パーフルオロ-3-メチルブチル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、3-パーフルオロ-5-メチルヘキシル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、2-パーフルオロ-7-メチルオクチルエチルメタアクリレート、3-パーフルオロ-7-メチルオクチル-2-ヒドロキシプロピルメタアクリレート、1H,1H,3H-テトラフルオロプロピルメタアクリレート、1H,1H,5H-オクタフルオロペンチルメタアクリレート、1H,1H,7H-ドデカフルオロヘプチルメタアクリレート、1H,1H,9H-ヘキサデカフルオロノニルメタアクリレート、1H-1-トリフルオロメチルトリフルオロエチルメタアクリレート、1H,1H,3H-ヘキサフルオロブチルメタアクリレート、N,N-ジメチルメタアクリルアミド、N,N-ジエチルメタアクリルアミド、及び、N-アクリロイルモルフォリンが挙げられる。スチレン及びその誘導体としては、例えば、スチレン、2,4-ジメチル-α-メチルスチレン、o-メチルスチレン、m-メチルスチレン、p-メチルスチレン、2,4-ジメチルスチレン、2,5-ジメチルスチレン、2,6-ジメチルスチレン、3,4-ジメチルスチレン、3,5-ジメチルスチレン、2,4,6-トリメチルスチレン、2,4,5-トリメチルスチレン、ペンタメチルスチレン、o-エチルスチレン、m-エチルスチレン、p-エチルスチレン、o-クロロスチレン、m-クロロスチレン、p-クロロスチレン、o-ブロモスチレン、m-ブロモスチレン、p-ブロモスチレン、o-メトキシスチレン、m-メトキシスチレン、p-メトキシスチレン、o-ヒドロキシスチレン、m-ヒドロキシスチレン、p-ヒドロキシスチレン、2-ビニルビフェニル、3-ビニルビフェニル、4-ビニルビフェニル、1-ビニルナフタレン、2-ビニルナフタレン、4-ビニル-p-ターフェニル、1-ビニルアントラセン、α-メチルスチレン、o-イソプロペニルトルエン、m-イソプロペニルトルエン、p-イソプロペニルトルエン、2,4-ジメチル-α-メチルスチレン、2,3-ジメチル-α-メチルスチレン、3,5-ジメチル-α-メチルスチレン、p-イソプロピル-α-メチルスチレン、α-エチルスチレン、α-クロロスチレン、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、ジイソプロピルベンゼン及び、4-アミノスチレンが挙げられる。有機カルボン酸のビニルエステル及びその誘導体としては、例えば、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、安息香酸ビニル及びアジピン酸ジビニルが挙げられる。有機カルボン酸のアリルエステル及びその誘導体としては、例えば、酢酸アリル、安息香酸アリル、アジピン酸ジアリル、テレフタル酸ジアリル、イソフタル酸ジアリル及びフタル酸ジアリルが挙げられる。フマル酸のジアルキルエステル及びその誘導体としては、例えば、フマル酸ジメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジイソプロピル、フマル酸ジ-sec-ブチル、フマル酸ジイソブチル、フマル酸ジ-n-ブチル、フマル酸ジ-2-エチルヘキシル及びフマル酸ジベンジルが挙げられる。マレイン酸のジアルキルエステル及びその誘導体としては、例えば、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジイソプロピル、マレイン酸ジ-sec-ブチル、マレイン酸ジイソブチル、マレイン酸ジ-n-ブチル、マレイン酸ジ-2-エチルヘキシル及びマレイン酸ジベンジルが挙げられる。イタコン酸のジアルキルエステル及びその誘導体としては、例えば、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジイソプロピル、イタコン酸ジ-sec-ブチル、イタコン酸ジイソブチル、イタコン酸ジ-n-ブチル、イタコン酸ジ-2-エチルヘキシル及びイタコン酸ジベンジルが挙げられる。有機カルボン酸のN-ビニルアミド誘導体としては、例えば、N-メチル-N-ビニルアセトアミドが挙げられる。末端不飽和炭化水素及びその誘導体としては、例えば、1-ブテン、1-ペンテン、1-ヘキセン、1-オクテン、ビニルシクロヘキサン、塩化ビニル及びアリルアルコールが挙げられる。不飽和炭化水素基を含む有機ゲルマニウム誘導体としては、例えば、アリルトリメチルゲルマニウム、アリルトリエチルゲルマニウム、アリルトリブチルゲルマニウム、トリメチルビニルゲルマニウム及びトリエチルビニルゲルマニウムが挙げられる。ビニル-1,3-ジオキソラン-2-オン及びその誘導体としては、例えば、4-ビニル-1,3-ジオキソラン-2-オン、及び5-メチル-4-ビニル-1,3-ジオキソラン-2-オンが挙げられる。追加して使用される重合性モノマーとしては、アクリル酸アルキルエステル、メタアクリル酸アルキルエステル、スチレン、4-メトキシスチレン、アクリロニトリル、メタアクリロニトリル、アリルトリメチルゲルマニウム、及び4-ビニル-1,3-ジオキソラン-2-オンが好ましい。高分子化合物A及び高分子化合物A-1中の第1の官能基を含有する重合性モノマーの仕込みモル量は、重合に関与する全ての重合性モノマー中、好ましくは5モル以上50モル以下であり、より好ましくは5モル以上40モル以下である。第1の官能基を含有する重合性モノマーの仕込みモル量をこの範囲に調節することにより、絶縁層の内部に架橋構造が十分形成され、極性基の含有量が低いレベルに保たれ、絶縁層の分極が抑制される。高分子化合物A及び高分子化合物A-1中の式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの仕込みモル量は、重合に関与する全ての重合性モノマー中、好ましくは20モル以上70モル以下であり、より好ましくは30モル以上60モル以下である。式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの仕込みモル量が20モル未満ではアルカリ現像液に対する溶解性が不十分となり、現像できない場合がある。式1で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの仕込みモル量が70モルを超えると溶解コントラストが低下し、解像性が悪くなる場合がある。高分子化合物A及び高分子化合物A-1のポリスチレン換算の重量平均分子量は、3000~1000000が好ましく、5000~500000がより好ましい。高分子化合物A及び高分子化合物A-1は、直鎖状でも分岐状でもよく、環状であってもよい。高分子化合物Aとしては、例えば、ポリターシャリー-ブチル-4-ビニルベンゾエート-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-テトラヒドロピラニル-4-ビニルベンゾエート-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-メチル-2-アダマンチル-4-ビニルベンゾエート-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリターシャリー-ブチル-4-ビニルベンゾエート-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-テトラヒドロピラニル-4-ビニルベンゾエート-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-メチル-2-アダマンチル-4-ビニルベンゾエート-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリターシャリー-ブチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-メトキシスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-テトラヒドロピラニル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-メトキシスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-メチル-2-アダマンチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-メトキシスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリターシャリー-ブチル-4-ビニルベンゾエート-コ-スチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-テトラヒドロピラニル-4-ビニルベンゾエート-コ-スチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-メチル-2-アダマンチル-4-ビニルベンゾエート-コ-スチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリターシャリー-ブチル-4-ビニルベンゾエート-コ-2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-テトラヒドロピラニル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ1-メチルアダマンチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリターシャリー-ブチル-4-ビニルベンゾエート-コ-2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン-コ-4-メトキシスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-テトラヒドロピラニル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン-コ-4-メトキシスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-メチル-2-アダマンチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン-コ-4-メトキシスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリターシャリー-ブチル-4-ビニルベンゾエート-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-テトラヒドロピラニル-4-ビニルベンゾエート-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-メチル-2-アダマンチル-4-ビニルベンゾエート-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリターシャリー-ブチル-4-ビニルベンゾエート-コ-アクリロニトリル-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-テトラヒドロピラニル-4-ビニルベンゾエート-コ-アクリロニトリル-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-メチル-2-アダマンチル-4-ビニルベンゾエート-コ-アクリロニトリル-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリターシャリー-ブチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-メトキシスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-テトラヒドロピラニル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-メトキシスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-メチル-2-アダマンチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-メトキシスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリターシャリー-ブチル-4-ビニルベンゾエート-コ-スチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-テトラヒドロピラニル-4-ビニルベンゾエート-コ-スチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-メチル-2-アダマンチル-4-ビニルベンゾエート-コ-スチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリターシャリー-ブチル-4-ビニルベンゾエート-コ-2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-テトラヒドロピラニル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-メチル-2-アダマンチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリターシャリー-ブチル-4-ビニルベンゾエート-コ-2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン-コ-4-メトキシスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-テトラヒドロピラニル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン-コ-4-メトキシスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、及びポリ1-メチルアダマンチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン-コ-4-メトキシスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレートが挙げられる。高分子化合物A-1としては、例えば、ポリターシャリー-ブチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-テトラヒドロピラニル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-メチル-2-アダマンチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリターシャリー-ブチル-4ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-テトラヒドロピラニル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-メチル-2-アダマンチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4スチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリターシャリー-ブチル-4ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-4-メトキシスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-テトラヒドロピラニル-4ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-4-メトキシスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-メチル-2-アダマンチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-4-メトキシスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリターシャリー-ブチル-4ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-スチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-テトラヒドロピラニル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-スチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ1-メチルアダマンチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-スチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリターシャリー-ブチル-4ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-テトラヒドロピラニル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-4-2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-メチル-2-アダマンチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-4-2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリターシャリー-ブチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン-コ-4-メトキシスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-テトラヒドロピラニル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-4-2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン-コ-4-メトキシスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-メチル-2-アダマンチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-4-2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン-コ-4-メトキシスチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリターシャリー-ブチル-4ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-テトラヒドロピラニル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-2-O-1’-メチルプロピリデンアミノカルボキシアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-メチル-2-アダマンチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリターシャリー-ブチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-テトラヒドロピラニル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-メチル-2-アダマンチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4スチレン-コ-アクリロニトリル-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリターシャリー-ブチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-4-メトキシスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-テトラヒドロピラニル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-4-メトキシスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ1-メチルアダマンチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-4-メトキシスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリターシャリー-ブチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-スチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-テトラヒドロピラニル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-スチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-メチル-2-アダマンチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-スチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリターシャリー-ブチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-テトラヒドロピラニル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-4-2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-メチル-2-アダマンチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-4-2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリターシャリー-ブチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン-コ-4-メトキシスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、ポリ2-テトラヒドロピラニル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-4-2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン-コ-4-メトキシスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレート、及びポリ2-メチル-2-アダマンチル-4-ビニルベンゾエート-コ-4-スチレン-コ-4-2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレン-コ-4-メトキシスチレン-コ-2-1’-3’,5’-ジメチルピラゾリルカルボニルアミノエチル-メタクリレートが挙げられる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、電磁波又は電子線の照射により酸を発生しうる化合物であって熱分解温度が200°C以下である化合物Bを含む。ここでいう熱分解とは、加熱することにより酸を発生することを意味する。電磁波には、一般に、赤外線、可視光線、紫外線などが含まれる。好ましい電磁波は紫外線である。より好ましい電磁波は波長450nm以下、好ましくは200~410nmの紫外線である。紫外線の波長が短すぎると電磁波が基材と絶縁層との界面まで届かない場合があり、長すぎると化合物Bが分解せず、現像できない場合がある。当該化合物の熱分解温度は200°C以下であるが、好ましくは100~200°C、より好ましくは120~200°Cである。当該化合物の熱分解温度が200°Cを超えると、架橋構造の形成が不十分になる場合がある。化合物Bとしては、例えば、トルエンスルホン酸エステル化合物及びトリアジン化合物が挙げられる。トルエンスルホン酸エステル化合物としては、例えば、α-p-トルエンスルホニルオキシメチルベンゾイン、α-p-トルエンスルホニルオキシ-o-ニトロトルエン、及びα-p-トルエンスルホニルオキシ-p-ニトロトルエンが挙げられる。トリアジン化合物としては、例えば、2,4-ビストリクロロメチル-6-メチル-1,3,5-トリアジン、2,4,6-トリストリクロロメチル-1,3,5-トリアジン、2,4-ビストリクロロメチル-6-フェニル-1,3,5-トリアジン、2,4-ビストリクロロメチル-6-4’-メトキシフェニル-1,3,5-トリアジン、及び2,4-ビストリクロロメチル-6-3’,4’-ジメトキシフェニル-1,3,5-トリアジンが挙げられる。本発明の酸を発生する化合物Bとしては、熱分解温度が200°Cより高い電磁波又は電子線の照射により酸を発生する化合物と熱分解温度が200°C以下の熱酸発生剤とを組み合わせて用いることができる。電磁波又は電子線の照射により酸を発生する機能と、所定の温度、例えば、100°C以上に加熱した場合に酸を発生する機能とは有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が備えていれば足り、必ずしも一種類の化合物が備える必要はないからである。<有機薄膜トランジスタ絶縁層材料>本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、混合や粘度調節のための溶媒、添加剤などを含有していてもよい。該溶媒としては、例えば、テトラヒドロフランやジエチルエーテルなどのエーテル溶媒、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素溶媒、シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素溶媒、ペンテン等の不飽和炭化水素溶媒、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、アセトンなどのケトン溶媒、ブチルアセテートなどのアセテート溶媒、イソプロピルアルコールなどのアルコール溶媒、クロロホルムなどのハロゲン溶媒、これらの溶媒の混合溶媒が挙げられる。また、添加剤としては、増感剤、レべリング剤、粘度調節剤などを用いることができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタに含まれる絶縁層の形成に用いられる組成物である。有機薄膜トランジスタの絶縁層中でも、オーバーコート層又はゲート絶縁層の形成に用いられることが好ましい。有機薄膜トランジスタ絶縁層材料としては、有機薄膜トランジスタオーバーコート層材料、及び有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料が好ましく、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料がより好ましい。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、式1で表される繰り返し単位を含む高分子化合物Aを含むことにより、該有機薄膜トランジスタ絶縁層材料から形成した絶縁層を有する有機薄膜トランジスタのリーク電流が少なくなる。<有機薄膜トランジスタ>図1は、本発明の一実施形態であるボトムゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。この有機薄膜トランジスタには、基板1と、基板1上に形成されたゲート電極2と、ゲート電極2上に形成されたゲート絶縁層3と、ゲート絶縁層3上に形成された有機半導体層4と、有機半導体層4上にチャネル部を挟んで形成されたソース電極5及びドレイン電極6と、素子全体を覆うオーバーコート7とが、備えられている。ボトムゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタは、例えば、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に有機半導体層を形成し、有機半導体層上にソース電極、ドレイン電極を形成し、オーバーコートを形成することで製造することができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料として、ゲート絶縁層を形成するのに好適に用いられる。また、有機薄膜トランジスタオーバーコート層材料として、オーバーコート層を形成するのに用いることもできる。図2は、本発明の一実施形態であるボトムゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。この有機薄膜トランジスタには、基板1と、基板1上に形成されたゲート電極2と、ゲート電極2上に形成されたゲート絶縁層3と、ゲート絶縁層3上にチャネル部を挟んで形成されたソース電極5及びドレイン電極6と、ソース電極5及びドレイン電極6上に形成された有機半導体層4と、素子全体を覆うオーバーコート7とが、備えられている。ボトムゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタは、例えば、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上にソース電極、ドレイン電極を形成し、ソース電極、ドレイン電極上に有機半導体層を形成し、オーバーコートを形成することで製造することができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料として、ゲート絶縁層を形成するのに好適に用いられる。また、有機薄膜トランジスタオーバーコート層材料として、オーバーコート層を形成するのに用いることもできる。ゲート絶縁層又はオーバーコート層の形成は、例えば、高分子化合物Aと化合物Bと有機溶媒とを含有する有機薄膜トランジスタ絶縁層材料絶縁層塗布液を調製し、絶縁層塗布液を、基材に塗布し、乾燥し、マスクを通して選択的に電磁波又は電子線を照射し、熱処理した後、アルカリ現像液で照射部を現像し、未照射部分を加熱硬化させることにより行う。ここで、基材とは、その上に有機薄膜トランジスタ絶縁層が配置されることになる有機薄膜トランジスタの構成部材をいう。絶縁層塗布液に用いられる有機溶媒としては、高分子化合物A及び化合物Bを溶解させるものであれば特に制限は無いが、常圧での沸点が100°C~200°Cの有機溶媒が好ましい。常圧での沸点が100°C~200°Cの有機溶媒の例としては、2-ヘプタノン沸点151°C、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート沸点146°Cが挙げられる。該絶縁層塗布液には、必要に応じてレベリング剤、界面活性剤、硬化触媒等を添加することができる。該絶縁層塗布液はスピンコート、ダイコーター、スクリーン印刷、インクジェット等の公知の方法により有機半導体化合物層又はゲート電極上に塗布することができる。形成される塗布層は必要に応じて乾燥させる。ここでいう乾燥は、塗布された樹脂組成物に含まれる溶媒を除去することを意味する。乾燥させた塗布層は、次いでマスクを通して選択的に電磁波又は電子線を照射させる。マスクは、電磁波又は電子線を透過する透過部分と、電磁波又は電子線を遮断する遮断部分とを有する部材である。ここで使用するマスクは、電磁波又は電子線を遮断する部分が、基材の表面のうち絶縁層を形成したい部分に対応する形状を有するものである。塗布層のうち、マスクの透過部分に対応する部分では、電磁波又は電子線の照射により、酸を発生する化合物Bが分解して酸を発生し、高分子化合物A及び高分子化合物A-1中の酸の作用により脱離しうる基が脱離し、アルカリ可溶性基が生成する。該脱離反応は、熱によって促進される。塗布層をアルカリ現像液に浸漬することで、電磁波又は電子線が照射された部分は溶解除去され、塗布層にマスクの遮断部分に対応した形状のパターンが転写される。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は感光性を有し、該絶縁層塗布液を塗布乾燥した塗布層に対して、パターンを形成することができる。塗布層は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が未だ層内で架橋していない状態にあり、溶解し易いため、微細なパターンを高精度及び短時間で形成することができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の感光性はポジ型である。そして、塗布層を現像するための現像液としてアルカリ溶液が使用される。アルカリ溶液は、ポジ型レジストを現像するために通常使用されるアルカリ現像液を使用してよい。具体的には、上記アルカリ溶液は水性媒体にアルカリ性塩を溶解した溶液である。アルカリ溶液はpH10以上、好ましくはpH10~14、より好ましくはpH11~14のものである。水性媒体とは、水、又は水及び水溶性有機溶媒を含有する溶媒をいう。水溶性有機溶媒には、アセトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、テトラヒドロフラン等が含まれる。水性媒体中の水溶性有機溶媒の含有量は50重量以下、好ましくは40重量以下であり、より好ましくは30重量以下である。アルカリ性塩としては、水酸化テトラメチルアンモニウムTMAH、モノエタノールアミン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウムなどが通常使用される。該マスクパターンが転写された塗布層は、加熱により硬化させる。酸を発生する化合物Bの熱分解温度以上の温度に加熱することで、酸を発生する化合物Bが熱分解して酸を発生し、高分子化合物A及び高分子化合物A-1中の酸の作用により脱離しうる基が脱離し、アルカリ可溶性基が生成する。該アルカリ可溶性基は、活性水素を有している。また、加熱により高分子化合物A及び高分子化合物A-1中の第1の官能基から活性水素と反応する第2の官能基が生成し、該アルカリ可溶性基と反応して架橋構造が形成される。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層の形成方法の一態様は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程;マスクを介して該塗布層の一部分に電磁波又は電子線を照射する工程;該塗布層の電磁波又は電子線が照射された部分を現像して塗布層にパターンを形成する工程;及び、該パターンを形成した塗布層に熱を印加する工程;を包含する有機薄膜トランジスタ絶縁層の製造方法である。ここで、現像とは、塗布層のうちマスクの透過部分に対応する形状の部分を溶解除去し、マスクの遮断部分に対応した形状の部分を残すことをいう。照射する電磁波の波長は450nm以下が好ましく、より好ましくは200~410nmである。照射する電磁波の波長が450nmを越えると酸を発生する化合物Bの分解が不十分となり、アルカリ現像液に対する溶解性が不十分になり、パターン形成が出来なくなる場合がある。電磁波としては、紫外線が好ましい。紫外線の照射は、例えば、半導体の製造のために使用されている露光装置やUV硬化性樹脂を硬化させるために使用されているUVランプを用いて行うことができる。電子線の照射は、例えば、超小型電子線照射管を用いて行うことができる。加熱はヒーター及びオーブンなどを用いて行うことができる。塗布層に熱を印加する場合は、塗布層を、酸を発生する化合物Bの熱分解温度以上の温度に加熱して約5~120分、好ましくは約10~60分維持する。一般に、塗布層の加熱温度は約80~250°C、好ましくは約100~230°Cである。加熱温度が低すぎたり加熱時間が短すぎると絶縁層の架橋が不十分になる可能性があり、加熱温度が高すぎたり加熱時間が長すぎると絶縁層が損傷する可能性がある。ゲート絶縁層上には、自己組織化単分子膜層を形成してもよい。該自己組織化単分子膜層は、例えば、有機溶媒中にアルキルクロロシラン化合物もしくはアルキルアルコキシシラン化合物を1~10重量溶解した溶液でゲート絶縁層を処理することにより形成することが出来る。アルキルクロロシラン化合物の例としては、メチルトリクロロシラン、エチルトリクロロシラン、ブチルトリクロロシラン、デシルトリクロロシラン、オクタデシルトリクロロシランが挙げられる。アルキルアルコキシシラン化合物の例としては、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシランが挙げられる。基板1、ゲート電極2、ソース電極5、ドレイン電極6及び有機半導体層4は、通常使用される材料及び方法で構成すればよい。基板の材料には樹脂やプラスチックの板やフィルム、ガラス板、シリコン板などが用いられる。電極の材料には、クロム、金、銀、アルミニウム、モリブデン等を用い、蒸着法、スパッタ法、印刷法、インクジェット法等の公知の方法で電極を形成する。有機半導体層4を形成するための有機半導体化合物としてはπ共役ポリマーが用いられ、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類、ポリアリルアミン類、フルオレン類、ポリカルバゾール類、ポリインドール類、ポリP-フェニレンビニレン類などを用いることができる。また、有機溶媒への溶解性を有する低分子物質、例えば、ペンタセンなどの多環芳香族の誘導体、フタロシアニン誘導体、ペリレン誘導体、テトラチアフルバレン誘導体、テトラシアノキノジメタン誘導体、フラーレン類、カーボンナノチューブ類などを用いることができる。具体的には、2,1,3-ベンゾチアジアゾール-4,7-ジエチレンボロネートと、2,6-ジブロモ-4,4-ビス-ヘキサデカニル-4H-シクロペンタ2,1-b;3,4-b’-ジチオフェンとの縮合物、9,9-ジ-n-オクチルフルオレン-2,7-ジエチレンボロネートと、5,5’-ジブロモ-2,2’-バイチオフェンとの縮合物等があげられる。有機半導体層の形成は、例えば、有機半導体化合物に溶媒を添加して有機半導体塗布液を調製し、該有機半導体塗布液をゲート絶縁層上に塗布し、該有機半導体塗布液を乾燥させることにより行う。本発明では、ゲート絶縁層を構成する樹脂がベンゼン環を有し、有機半導体化合物と親和性がある。それゆえ、上記塗布乾燥法によって、有機半導体層とゲート絶縁層との間に均一で平坦な界面が形成される。有機半導体塗布液に使用される溶媒としては、有機半導体を溶解又は分散させるものであれば特に制限は無いが、好ましくは、常圧での沸点が50°C~200°Cの溶媒である。該溶媒の例としては、クロロホルム、トルエン、アニソール、2-ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられる。該有機半導体塗布液は、前記絶縁層塗布液と同様にスピンコート、ダイコーター、スクリーン印刷、インクジェット等の公知の方法によりゲート絶縁層上に塗布することができる。本発明の有機薄膜トランジスタは、有機薄膜トランジスタを保護し、また、表面の平滑性を高める目的で、オーバーコート材でコートしてもよい。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて製造した絶縁層は、その上に平坦な膜等を積層することができ、積層構造を容易に形成することができる。また、該絶縁層上に有機エレクトロルミネッセンス素子を好適に搭載することができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて、好適に有機薄膜トランジスタを有するディスプレイ用部材を作製できる。該有機薄膜トランジスタを有するディスプレイ用部材を用いて、ディスプレイ用部材を備えるディスプレイを作製できる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、絶縁層以外のトランジスタに含まれる層、有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれる層を形成する用途にも用いることができる。以下、本発明を実施例により説明するが、本発明が実施例により限定されるものではないことは言うまでもない。合成例1化合物1の合成三方コックを上部に付けたジムロートを200mlの三つ口フラスコに取り付け、該三つ口フラスコ中に、4-ビニル安息香酸アルドリッチ製を25.45g、3、4-ジヒドロ-2H-ピランを50g、触媒量の濃塩酸及び攪拌子を入れ、フラスコ内部の空気を窒素で置換した。フラスコを50°Cのオイルバス中に浸け、マグネティックスターラーで攪拌子を攪拌させながら2時間反応させた。反応終了後、反応混合物を300mlの分液ロートに移し、ジエチルエーテル100mlを加えた後、水酸化ナトリウム水溶液を加えて水層がアルカリ性になるまで有機層を水洗し、有機層を分液した。50mlのイオン交換水で有機層の水洗を3回繰り返した後、有機層を分液し、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。無水硫酸マグネシウムを濾別した後、濾液をロータリーエバポレーターを用いて濃縮し、化合物1を無色透明の液体として得た。化合物1の得量は38.25gであり、収率は96であった。化合物1合成例2高分子化合物1の合成50ml耐圧容器エース製に、化合物1を4.00g、スチレン和光純薬製を0.72g、2-O-[1’-メチルプロピリデンアミノ]カルボキシアミノエチル-メタクリレート昭和電工製、商品名カレンズMOI-BMを2.48g、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオニトリルを0.04g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート東京化成製を24.11g入れ、溶存酸素をパージするためアルゴンガスをバブリングした後、密栓した。80°Cのオイルバス中で8時間重合させ、高分子化合物1が溶解している粘稠なプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。高分子化合物1は、下記繰り返し単位を有している。括弧の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。高分子化合物1得られた高分子化合物1の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、93000であった島津製GPC、TskgelsuperHM-H1本TskgelsuperH20001本、移動相=THF。合成例3高分子化合物2の合成50ml耐圧容器エース製に、化合物1を3.00g、スチレン和光純薬製を1.79g、2-O-[1’-メチルプロピリデンアミノ]カルボキシアミノエチル-メタクリレート昭和電工製、商品名カレンズMOI-BMを3.10g、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオニトリルを0.04g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート東京化成製を18.51g入れ、溶存酸素をパージするためアルゴンガスをバブリングした後、密栓した。80°Cのオイルバス中で8時間重合させ、高分子化合物2が溶解している粘稠なプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。高分子化合物2は、下記繰り返し単位を有している。括弧の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。高分子化合物2得られた高分子化合物2の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、97000であった島津製GPC、TskgelsuperHM-H1本TskgelsuperH20001本、移動相=THF。合成例4高分子化合物3の合成50ml耐圧容器エース製に、化合物1を3.00g、アクリロニトリル和光純薬製を0.46g、2-O-[1’-メチルプロピリデンアミノ]カルボキシアミノエチル-メタクリレート昭和電工製、商品名カレンズMOI-BMを3.10g、4-メトキシスチレン東京化成製を1.16g、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオニトリルを0.04g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート東京化成製を18.08g入れ、溶存酸素をパージするためアルゴンガスをバブリングした後、密栓した。80°Cのオイルバス中で8時間重合させ、高分子化合物3が溶解している粘稠なプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。高分子化合物3は、下記繰り返し単位を有している。括弧の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。高分子化合物3得られた高分子化合物3の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、88000であった島津製GPC、TskgelsuperHM-H1本TskgelsuperH20001本、移動相=THF。合成例5高分子化合物4の合成50ml耐圧容器エース製に、化合物1を3.00g、2,3,4,5,6-ペンタフルオロスチレンアルドリッチ製を3.34g、2-O-[1’-メチルプロピリデンアミノ]カルボキシアミノエチル-メタクリレート昭和電工製、商品名カレンズMOI-BMを3.10g、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオニトリルを0.05g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート東京化成製を22.14g入れ、溶存酸素をパージするためアルゴンガスをバブリングした後、密栓した。80°Cのオイルバス中で8時間重合させ、高分子化合物4が溶解している粘稠なプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。高分子化合物4は、下記繰り返し単位を有している。括弧の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。高分子化合物4得られた高分子化合物4の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、85000であった島津製GPC、TskgelsuperHM-H1本TskgelsuperH20001本、移動相=THF。合成例6高分子化合物5の合成50ml耐圧容器エース製に、化合物1を3.00g、ターシャリー-ブトキシスチレン和光純薬製を1.71g、2-O-[1’-メチルプロピリデンアミノ]カルボキシアミノエチル-メタクリレート昭和電工製、商品名カレンズMOI-BMを1.55g、4-メトキシスチレン東京化成製を0.43g、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオニトリルを0.03g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート東京化成製を15.69g入れ、溶存酸素をパージするためアルゴンガスをバブリングした後、密栓した。80°Cのオイルバス中で8時間重合させ、高分子化合物5が溶解している粘稠なプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。高分子化合物5は、下記繰り返し単位を有している。括弧の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。高分子化合物5得られた高分子化合物5の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、91000であった島津製GPC、TskgelsuperHM-H1本TskgelsuperH20001本、移動相=THF。合成例7高分子化合物6の合成50ml耐圧容器エース製に、化合物1を2.00g、4-1-エトキシエトキシスチレン東ソー有機化学製を0.83g、2-O-[1’-メチルプロピリデンアミノ]カルボキシアミノエチル-メタクリレート昭和電工製、商品名カレンズMOI-BMを1.03g、4-メトキシスチレン東京化成製を0.58g、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオニトリルを0.02g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート東京化成製を10.41g入れ、溶存酸素をパージするためアルゴンガスをバブリングした後、密栓した。80°Cのオイルバス中で8時間重合させ、高分子化合物6が溶解している粘稠なプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。高分子化合物6は、下記繰り返し単位を有している。括弧の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。高分子化合物6得られた高分子化合物6の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、78000であった島津製GPC、TskgelsuperHM-H1本TskgelsuperH20001本、移動相=THF。合成例8高分子化合物7の合成50ml耐圧容器エース製に、2-メチル-2-アダマンタノールとメタクリロイルクロライドから合成した2-メチル-2-アダマンチルメタクリレートを2.00g、α-ヒドロキシ-γ-ブチロラクトンとメタクリロイルクロライドから合成したα-メタクリロイルオキシ-γ-ブチロラクトンを2.13g、2-ヒドロキシエチルメタクリレートを0.37g、2-O-[1’-メチルプロピリデンアミノ]カルボキシアミノエチル-メタクリレート昭和電工製、商品名カレンズMOI-BMを0.75g、2,2’-アゾビス2-メチルプロピオニトリルを0.03g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート東京化成製を14.63g入れ、溶存酸素をパージするためアルゴンガスをバブリングした後、密栓した。80°Cのオイルバス中で8時間重合させ、高分子化合物7が溶解している粘稠なプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た。高分子化合物7は、下記繰り返し単位を有している。括弧の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。高分子化合物7得られた高分子化合物7の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、501000であった島津製GPC、TskgelsuperHM-H1本TskgelsuperH20001本、移動相=THF。実施例1有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及びMIM素子の製造10mlのサンプル瓶に、合成例2で得た高分子化合物1のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を1.00g、光酸発生剤である下記化合物みどり化学製MBZ-101を0.003g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを1.00g入れ、攪拌しながら溶解して、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である均一な塗布溶液1を調製した。TG-DTA島津製作所社製DTG-60を使用して測定したMBZ-101の熱分解開始温度は177°Cであった。得られた塗布溶液1を孔径0.45μmのメンブレンフィルターを用いて濾過し、クロム電極のついたガラス基板上にスピンコートした後、ホットプレート上で100°Cで1分間乾燥させ、塗布層を形成した。その後、アライナーCanon製;PLA-521を用いて1200mJ/cm2のUV光波長365nmをマスクを通して塗布層に照射し、ホットプレート上100°Cで30秒間ポストベークした後、ナガセポジティブデベロッパーNPD-18に30秒間浸漬して露光部を除去し、現像した。現像後のガラス基板をイオン交換水で水洗し、スピンドライヤーで乾燥させた後、窒素中、ホットプレート上で220°Cで30分間焼成し、ビアホールを有するゲート絶縁層を得た。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を用いて絶縁層にビアホールを形成することにより、絶縁層上にレジスト材料を含む液を塗布し、レジスト層を形成する工程、マスクを通して該レジスト層に露光する工程、該レジスト層を現像してレジスト層のパターンを形成する工程、パターンが形成されたレジスト層をマスクとして絶縁層にパターンを転写する工程、パターンが形成されたレジスト層を剥離除去する工程を省くことができ、簡便にビアホールを形成することができる。次に、得られたゲート絶縁層上にアルミ電極をメタルマスク蒸着で形成してMIMMetalInsulatorMetal素子を作製した。<MIM素子の電気特性の評価>こうして作製したMIM素子について、電極間に1MV/cmの電界をかけて、リーク電流を真空プロ-バBCT22MDC-5-HT-SCU;NagaseElectronicEquipmentsServiceCoLTD製を用いて測定した。結果を表1に示す。<有機薄膜トランジスタ絶縁層材料のレジスト特性の評価>有機薄膜トランジスタ絶縁層材料のレジスト特性は、25μm角のパターンが解像するか否かで評価した。解像した場合を○、しなかった場合を×で表した。実施例2有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及びMIM素子の製造10mlのサンプル瓶に、合成例3で得た高分子化合物2のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を1.00g、光酸発生剤であるMBZ-101みどり化学製を0.003g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを1.00g入れ、攪拌しながら溶解して、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である均一な塗布溶液3を調製した。塗布溶液1にかえて塗布溶液3を用いた以外は実施例1と同様にしてMIM素子を作製し、リーク電流及びレジスト特性を評価した。結果を表1に示す。実施例3有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及びMIM素子の製造10mlのサンプル瓶に、合成例4で得た高分子化合物3のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を1.00g、光酸発生剤であるMBZ-101みどり化学製を0.003g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを1.00g入れ、攪拌しながら溶解して、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である均一な塗布溶液4を調製した。塗布溶液1にかえて塗布溶液4を用いた以外は実施例1と同様にしてMIM素子を作製し、リーク電流及びレジスト特性を評価した。結果を表1に示す。実施例4有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及びMIM素子の製造10mlのサンプル瓶に、合成例6で得た高分子化合物5のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を1.00g、光酸発生剤であるMBZ-101みどり化学製を0.003g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを1.00g入れ、攪拌しながら溶解して、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である均一な塗布溶液5を調製した。塗布溶液1にかえて塗布溶液5を用いた以外は実施例1と同様にしてMIM素子を作製し、リーク電流及びレジスト特性を評価した。結果を表1に示す。実施例5有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及びMIM素子の製造10mlのサンプル瓶に、合成例7で得た高分子化合物6のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を1.00g、光酸発生剤であるMBZ-101みどり化学製を0.003g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを1.00g入れ、攪拌しながら溶解して、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である均一な塗布溶液6を調製した。塗布溶液1にかえて塗布溶液6を用いた以外は実施例1と同様にしてMIM素子を作製し、リーク電流及びレジスト特性を評価した。結果を表1に示す。実施例6有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及びMIM素子の製造10mlのサンプル瓶に、合成例6で得た高分子化合物5のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を1.00g、合成例5で得た高分子化合物4のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を0.20g、光酸発生剤であるMBZ-101みどり化学製を0.0035g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを1.00g入れ、攪拌しながら溶解して、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である均一な塗布溶液7を調製した。塗布溶液1にかえて塗布溶液7を用いた以外は実施例1と同様にしてMIM素子を作製し、リーク電流及びレジスト特性を評価した。結果を表1に示す。実施例7有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及びMIM素子の製造10mlのサンプル瓶に、合成例7で得た高分子化合物6のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を1.00g、合成例5で得た高分子化合物4のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を0.20g、光酸発生剤であるMBZ-101みどり化学製を0.0035g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを1.00g入れ、攪拌しながら溶解して、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である均一な塗布溶液8を調製した。塗布溶液1にかえて塗布溶液8を用いた以外は実施例1と同様にしてMIM素子を作製し、リーク電流及びレジスト特性を評価した。結果を表1に示す。比較例1有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及びMIM素子の製造10mlのサンプル瓶に、合成例8で得た高分子化合物7のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を1.00g、光酸発生剤であるMBZ-101みどり化学製を0.003g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを1.00g入れ、攪拌しながら溶解して、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である均一な塗布溶液9を調製した。塗布溶液1にかえて塗布溶液9を用いた以外は実施例1と同様にしてMIM素子を作製し、リーク電流及びレジスト特性を評価した。結果を表1に示す。"