基板と、前記基板の表面に形成された第1弾性体と、前記第1弾性体の表面に形成され、前記第1弾性体よりも弾性率が高い第2弾性体と、前記第2弾性体により前記第1弾性体に固着された第1半導体素子とを備える半導体装置。前記第1半導体素子は、台座と、前記台座を厚さ方向に貫通する貫通孔を覆うように前記台座の表面に設けられたダイアフラムを備える請求項1に記載の半導体装置。前記第1弾性体の弾性率は100MPaである請求項1又は2に記載の半導体装置。前記第1弾性体の厚さは20~40μmである請求項3に記載の半導体装置。さらに、前記基板の表面に形成され、前記第1半導体素子と電気的に接続され、前記第1半導体素子の出力信号を増幅する第2半導体素子を備える請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体装置。基板の表面に第1弾性体を形成する工程と、前記第1弾性体よりも弾性率が高い第2弾性体により前記第1半導体素子を前記第1弾性体に固着する工程とを含む半導体装置の製造方法。前記第1半導体素子は、台座と、前記台座を厚さ方向に貫通する貫通孔を覆うように前記台座の表面に設けられたダイアフラムを備える請求項6記載の半導体装置の製造方法。さらに、前記基板の表面に、前記第1半導体素子と電気的に接続され、前記第1半導体素子の出力信号を増幅する第2半導体素子を形成する工程を含む請求項6又は7に記載の半導体装置の製造方法。しかしながら、上記従来技術の半導体装置の一例としてのMEMSマイクモジュールでは、以下のような課題がある。上述したように、半導体素子と基板との熱膨張係数の差に基づいて半導体素子に応力が加わり、半導体素子の特性が変化するという課題がある。半導体素子への応力を低減するためには、1接着剤の膜厚を厚くし接着剤の体積を増加させる対策、2接着材の弾性率を下げ、接着剤で応力を吸収する対策がとられている。対策1においては、接着剤のチクソ比を高くして流れにくくする必要がある。チクソ比をあげるには、接着剤に含有されるフィラー径を大きくする、又は接着剤に含有されるフィラーの含有比を上げる必要がある。ここで、一例として変換体であるダイアフラムを備えた半導体素子のように、半導体素子におけるダイアフラムの接着面、つまり、ダイアフラムを支える台座が枠状になっている場合は、この枠の幅に合わせた内径のノズルを使用して接着剤を描画しなければならない。しかしながら、半導体素子の小型化に伴って枠の幅が狭くなっているため、より小さなノズルの内径が要求されるが、内径の小さなノズルでは接着剤のフィラー含有比及びフィラー径が大きいとノズルが目詰まりし易く、細く描画するのが困難になる。一般的に、フィラーの最大径に対してノズル内径を3倍の大きさにしなければならない。対策2において、接着剤の弾性率を下げるにはフィラー含有比を下げる、フィラー径を小さくする必要がある。しかしこの場合、接着剤の厚さが薄くなり、十分に応力を吸収することができない。以上より、対策1及び対策2のいずれでも基板から半導体素子に応力が加わり、半導体素子の特性が変化するという課題を解消することは困難である。そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、基板から半導体素子への応力を十分に吸収することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る半導体装置は、基板と、前記基板の表面に形成された第1弾性体と、前記第1弾性体の表面に形成され、前記第1弾性体よりも弾性率が高い第2弾性体と、前記第2弾性体により前記第1弾性体に固着された第1半導体素子とを備えることを特徴とする。これにより、第2弾性体よりも柔らかい第1弾性体が第2弾性体の直下に形成されることで、半導体装置の組立時のキュアダイボンディング工程及び封止工程のキュア、及び2次実装時のリフローなどの熱処理から生じる基板応力を第1弾性体で効率よく吸収することができる。従って、半導体素子のクラック、剥離及び特性劣化などを低減することができる。また、第1弾性体が基板応力を吸収する機能を持つため、第2弾性体としては半導体素子を基板に固着する機能を中心にその材料を選択することができる。従って、第2弾性体をダイボンディングなどで描画塗布する場合に、内径の小さいノズルを使った場合でも目詰まりしにくい粘度の低いものを第2弾性体の材料として用いることができ、第2弾性体の材料の選択肢を拡げることができる。その結果、半導体素子の小型化にも対応することができる。また、前記第1半導体素子は、台座と、前記台座を厚さ方向に貫通する貫通孔を覆うように前記台座の表面に設けられたダイアフラムを備えてもよい。これにより、半導体素子は変換体素子を備えることができる。特に、半導体素子がMEMS技術を用いて形成された変換体素子としてのMEMSマイク素子である場合において、ダイアフラムは脆弱なため、基板応力の影響を顕著に受ける。しかしながら、第2弾性体よりも柔らかい第1弾性体が第2弾性体の直下に形成されることで、熱処理などから生じる基板応力を第1弾性体で効率よく吸収することできる。これにより、実装後のMEMSマイク素子への応力を低減することができ、脆弱なダイアフラムの変形を緩和し、半導体装置の特性低下を抑制して感度の良い半導体装置を実現することができる。また、前記第1弾性体の弾性率は100MPaであってもよい。また、前記第1弾性体の厚さは20~40μmであってもよい。これにより、熱処理などから生じる基板応力を第1弾性体で更に効率よく吸収することができ、半導体素子のクラック、剥離及び特性劣化などを効率よく低減することができる。また、前記半導体装置は、さらに、前記基板の表面に形成され、前記第1半導体素子と電気的に接続され、前記第1半導体素子の出力信号を増幅する第2半導体素子を備えてもよい。これにより、半導体素子がMEMSマイク素子である場合、MEMSマイク素子で電気信号に変換された音波を増幅することができる。本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、基板の表面に第1弾性体を形成する工程と、前記第1弾性体よりも弾性率が高い第2弾性体により前記第1半導体素子を前記第1弾性体に固着する工程とを含むことを特徴とする。これにより、第2弾性体よりも柔らかい第1弾性体が第2弾性体の直下に形成されることで、半導体装置の組立時のキュアダイボンディング工程及び封止工程のキュア、及び2次実装時のリフローなどの熱処理から生じる基板応力を第1弾性体で効率よく吸収することができる。従って半導体素子のクラック、剥離及び特性劣化などを低減することができる半導体装置を製造することができる。また、第1弾性体が基板応力を吸収する機能を持つため、第2弾性体としては半導体素子を基板に固着する機能を中心にその材料を選択することができる。従って、第2弾性体をダイボンディングなどで描画塗布する場合に、内径の小さいノズルを使った場合でも目詰まりしにくい粘度の低いものを第2弾性体の材料として用いることができ、第2弾性体の材料の選択肢を拡げることができる。その結果、半導体素子の小型化にも対応することができる。また、前記第1半導体素子は、台座と、前記台座を厚さ方向に貫通する貫通孔を覆うように前記台座の表面に設けられたダイアフラムを備えてもよい。これにより、半導体素子はMEMSマイク素子を備えることができる。特に、半導体素子がMEMSマイク素子である場合において、ダイアフラムは脆弱なため、基板応力の影響を顕著に受ける。しかしながら、第2弾性体よりも柔らかい第1弾性体が第2弾性体の直下に形成されることで、熱処理などから生じる基板応力を第1弾性体で効率よく吸収することできる。これにより、実装後のMEMSマイク素子への応力を低減することができ、脆弱なダイアフラムの変形を緩和し、半導体装置の特性低下を抑制して感度の良い半導体装置を実現することができる。また、前記半導体装置の製造方法は、さらに、前記基板の表面に、前記第1半導体素子と電気的に接続され、前記第1半導体素子の出力信号を増幅する第2半導体素子を形成する工程を含んでもよい。これにより、半導体素子がMEMSマイク素子である場合、MEMSマイク素子で電気信号に変換された音波を増幅することができる。本発明によれば、内径の小さいノズルを使った場合でも目詰まりしにくいように粘度の低い接着剤を基板と半導体素子との間の接着剤に用いた場合でも、基板から半導体素子への応力を十分に吸収することができる半導体装置及びその製造方法を提供することができる。以下、本発明に係る半導体装置の好適な実施の形態について、図面を参照しながら詳述する。図1Aは、本発明の実施の形態に係る半導体装置10の一例を示す平面図である。また、図1Bは、本発明の実施の形態に係る半導体装置10の一例を示す断面図図1Aの一点鎖線EE’に沿った断面図である。本発明の実施の形態に係る半導体装置10は、ダイアフラム17を有し、音波によるダイアフラム17の振動を電気信号に変換する変換体モジュールの一例である。半導体装置10は、図1A及び図1Bに示すように、基板11と、第2弾性体13により第1弾性体14に固着接着された半導体素子第1半導体素子12と、基板11の第1主面表面上に形成された第1弾性体14と、第1弾性体14の表面上に形成され、第1弾性体14よりも弾性率が高い第2弾性体13と、ワイヤー18と、電極ランド19とを備える。半導体素子12は、第1主面表面と、当該第1主面の反対の面である第2主面裏面とを有し、第1主面から第2主面に貫通する台座16を厚さ方向に貫通する貫通孔15が形成されている台座16と、台座16の第1主面上に形成され、貫通孔15の一部を覆うように台座16の表面に設けられた薄膜の振動板であるダイアフラム17と、電極パッド21とを備える。半導体素子12は、ダイアフラム17の振動を電気信号に変換する変換体の一例であり、例えばMEMSマイク素子などである。台座16は、ダイアフラム17を支えるための台座である。なお、第1主面は、例えば、台座16の上面であり、第2主面は、第1主面の反対の面であり、例えば、台座16の下面である。台座16は、例えばシリコンなどから構成される。台座16は、図1A及び図1Bに示すように、底面が菱形の角柱である。台座16の底面の4つの頂点をABCDとすると、例えば辺ABと辺DAとのなす角は70°、辺BCと辺CDとのなす角は110°である。また、台座16の幅は、例えば約100μmである。ここで、台座16の幅は、台座16の貫通孔15に面した内壁と、台座16の外壁との間の距離であって、最も薄い部分の距離を示している。図1Aにおいて、貫通孔15は底面が六角形の角柱形状であるため、台座16の幅は、菱形の台座16の一辺と、当該一辺に平行で、かつ、六角形の貫通孔15を形成する辺のうちの当該一辺に最も近い一辺との距離である。ダイアフラム17は、音波によって振動し、当該振動を電気信号に変換する振動板である。ダイアフラム17は、例えばSiO2及びSiNなどの無機金属薄膜から構成される。ダイアフラム17は、例えば、容量素子を構成する2枚の無機金属薄膜から構成され、振動によって容量が変化することで、振動を電気信号に変換する。貫通孔15は、ダイアフラム17を振動しやすくし、音波の検知精度を高めるために形成されている。なお、基板11を厚さ方向に貫通する音孔がダイアフラム17に対応する半導体素子12の直下に形成されてもよい図示しない。電極パッド21は、ダイアフラム17によって変換された電気信号を、半導体素子12の外部に出力するための電極パッド21である。図1A及び図1Bに示すように、電極パッド21には、ワイヤー18が接続されている。電極パッド21は、例えば、金、アルミニウム及び銅などから構成される。第1弾性体14は、基板11の第1主面上を選択的に覆うように形成され、第2弾性体13より硬さが柔らかい。第2弾性体13は、台座16の底部と第1弾性体14との間に介在するとともに、台座16の側面の一部を覆うように形成されている。第1弾性体14及び第2弾性体13は、基板11と台座16との間に介在する。基板11は、半導体素子12を実装するための実装基板である。基板11は、例えばAu、Cu、Pb、Niなどの金属から構成された配線20と、例えばガラスエポキシなどの樹脂あるいはセラミックなどから構成される基体との積層構造を有する。また、基板11の第1主面及び第2主面には金属などの表面を選択的に保護するように、レジストからなる第1弾性体14を備える。第1弾性体14の物性については後で詳しく説明する。第2弾性体13は、基板11と半導体素子12とを第1弾性体14を介して接着する。図1Bに示すように、第2弾性体13は、台座16の下面と基板11とを接着するとともに、台座16の側面の一部を覆うように形成されている。ここで、第1弾性体14と第2弾性体13との物性について説明する。第1弾性体14は、第2弾性体13よりも柔らかく、つまり弾性率が第2弾性体13よりも低く、第1弾性体14の弾性率は100MPa以下、具体的には90MPa以下である。第1弾性体14は、具体的には、エポキシアクリレート系、シリコーン系、及びウレタン系などの粘弾性体からなる。第1弾性体14の厚さは、例えば、第2弾性体13と配線20の上面との間において、20~40μmである。第2弾性体13は、具体的には、エポキシアクリレート系、シリコーン系、ポリイミド系、及びウレタン系などの粘弾性体からなる。使用する主剤は前述したもの以外にも考えられるが、第1弾性体14との相性により第2弾性体13の硬化時に硬化阻害する場合エポキシ系―シリコーン系などがあるため、第1弾性体14の主剤に合わせて適宜選択される。また、第2弾性体13の弾性率は第1弾性体14の弾性率より高ければよく、その値に関しては特に限定されない。加えて、第2弾性体13は台座16の側面のうち、台座16の下面から10~250μmの範囲の側面を覆っている。ワイヤー18は、電極パッド21と電極ランド19とを電気的に接続するワイヤーである。ワイヤー18は、例えば銅及び金などから構成される。ここで、電極パッド21と電極ランド19との距離基板11表面と平行な面における最短距離は、例えば、0.4mmである。従って、ワイヤー18は、当該距離0.4mm以上の長さを有する。電極ランド19は、ワイヤー18が接続される電極である。電極ランド19は、配線20に接続され、半導体素子12からワイヤー18を介して出力される電気信号を配線20に伝達する。電極ランド19は、例えば金及び銅などから構成される。なお、電極ランド19は、第1弾性体14に覆われた配線20のうち、第1弾性体14に形成された開口によって外部に露出した部分に相当する。配線20は、半導体素子12から出力される電気信号を所定の回路図示せずに伝達するための配線20である。配線20は、例えば、銅などから構成される。なお、所定の回路は、電気信号の増幅、及び、電気信号から音声データへの変換などを行う回路である。なお、半導体装置10は、さらに、基板11の表面に形成され、半導体素子12と電気的に接続され、半導体素子12の出力信号を増幅する半導体素子第2半導体素子を備えてもよい。続いて、本発明の実施の形態に係るMEMSマイクモジュール100の製造方法について、図2を用いて説明する。図2は、本発明の実施の形態に係る半導体装置10の製造方法の一例を示す工程断面図である。まず、<110>ウエハを準備する。<110>ウエハは、電極パッド21と、ダイアフラム17と、貫通孔15と、台座16とを有する半導体素子12が複数個形成された集合体である。半導体素子12は、公知の方法により形成される。次に、<110>ウエハをステルスダイシングにより個片化し、図2aに示すように、半導体素子12を形成する。なお、図2aには、<110>ウエハを個片化して形成される複数の半導体素子12のうちの1個の半導体素子12について示している。次に、複数の半導体素子12に対応して複数の基板11を準備する図示せず。複数の基板11のそれぞれには、ガラスエポキシ樹脂などから構成される基体の表面上に、銅などからなる配線20と、第2弾性体13と、第2弾性体13に形成された開口により露出している電極ランド19とが形成されている。ここで、例えば、エポキシアクリレート系、シリコーン系、及びウレタン系などの材料を、スクリーン印刷で電極ランド19を開口するように基板11表面上に塗布することで、基板11の表面上には既に第2弾性体13が形成されている。もしくは、UVultraviolet反応性を付加した上記材料をシート状に基板11表面上に形成し、基板11表面に対してシート接着したのち、接着された上記材料に対してフォトリソグラフィーを用いてパターンニングを行うことでも形成できる。もしくは、UV反応性を付加した液状の上記材料を基板11表面上に印刷塗付したのち、印刷塗付された上記材料に対してフォトリソグラフィーを用いてパターンニングを行うことでも形成できる。次に、図2bに示すように、第2弾性体13を複数の基板11具体的には、第2弾性体13のそれぞれの表面上に形成、具体的には、台座16の下面の形状に沿ってノズルで描画する。例えば、粘度9500cP、チクソ比4.5のエポキシアクリレート系の第2弾性体13を、半導体素子12と基板11具体的には、第2弾性体13との接着剤として内径100μmのノズルで描画する。なお、図2bには、複数の基板11及び半導体素子12のうちの1個の基板11及び半導体素子12について示している。次に、基板11表面上に塗布された、第1弾性体14よりも弾性率が高い第2弾性体13により、複数の半導体素子12をそれに対応する基板11に接着する。そして、第2弾性体13を硬化させることで、半導体素子12を基板11に固着させる。なお、半導体素子12の隣に半導体素子12の出力信号を増幅させる増幅機能を持つ半導体素子第2半導体素子を固着してもよい。言い換えると、基板11の表面に、半導体素子12と電気的に接続され、半導体素子12の出力信号を増幅する半導体素子第2半導体素子を形成してもよい。次に、図2cに示すように、複数の半導体素子12のそれぞれについて、ワイヤー18を用いたワイヤーボンディングにより、電極パッド21と電極ランド19とを電気的に接続させる。また、半導体素子12の隣に増幅機能を持つ半導体素子も固着させた場合は、電極パッド21と増幅機能を持つ半導体素子とをワイヤー18で電気的に接続し、さらに増幅機能を持つ半導体素子と電極ランド19とをワイヤー18で電気的に接続することで、増幅した信号を出力させることができる。なお、図2cには、複数の基板11及び半導体素子12のうちの1個の基板11及び半導体素子12について示している。最後に、半導体素子12を覆うように複数の基板11のそれぞれの表面上にシールドキャップを封着する。なお、複数の基板11の代わりに、配線20、第1弾性体14及び電極ランド19を複数個ずつ分離された状態で備える1つの基板11を用いてもよい。この場合、最後に、1つの基板11が複数の基板11に個片化される図示せず。以上のようにして、図1A及び図1Bに示すような半導体装置10を製造することができる。以上のように、本発明の実施の形態に係る半導体装置10は、基板11と、半導体素子12とを備え、基板11の第1主面上に形成された第1弾性体14と、基板11及び第1弾性体14に半導体素子12を接着する第2弾性体13とを備える。第1弾性体14は基板11の第1主面上を選択的に覆うように形成され、第2弾性体13より硬さが柔らかい。第2弾性体13は、第1弾性体14を介在させて基板11と半導体素子12とを接着するとともに、台座16の側面の一部を覆うように形成されている。このように、第1弾性体14を第2弾性体13より柔らかくすることで、実装後の半導体素子12への応力を低減することができ、脆弱なダイアフラム17の変形を緩和し、半導体素子12の特性の劣化を抑制することができる。なお、第1弾性体14の弾性率は90MPa以下であれば、半導体素子12への応力を効率よく低減することができる。また、第1弾性体14の厚さを20~40μmにすることで更に効率よく応力を低減することができる。その関係を図3に示す。図3は、半導体素子12の実装による共振周波数の上昇する割合を示している。図3から分かるように、第1弾性体14の膜厚が厚く、第1弾性体14の弾性率が低いほど、共振周波数の変動が少なくなる。具体的には、第1弾性体14の膜厚が20~40μmであり、第1弾性体14の弾性率は90MPa以下であれば、共振周波数の変動が少なくなる。本発明の実施の形態に係る半導体装置10では、第1弾性体14が半導体素子12と基板11との間に形成されており、共振周波数の変動を抑制するのに十分な体積と弾性率で設けられている。したがって、本発明の実施の形態に係る半導体装置10によれば、感度の良い半導体素子12を提供することができる。ここで、第2弾性体13は接着剤として基板11具体的には、第1弾性体14上に、台座16の下面の形状に沿ってノズルで描画される。通常、第2弾性体13の厚さを厚くしたり、弾性率を下げたりしても、半導体素子12への応力吸収の効果を得ることができる。しかしながら、半導体素子12の接着後の断面を示す図4にあるように、接着剤としての第2弾性体13にはフィラー22が含有されるため、第2弾性体13の厚さを厚くするには第2弾性体13のチクソ比を高くして流れにくくする必要があり、チクソ比をあげるには接着剤に含有されるフィラー22の径を大きくする、又はフィラー22の含有比を上げる必要がある。ここで、半導体素子12におけるダイアフラム17の接着面、つまり、ダイアフラム17を支える台座16が枠状になっている場合は、この枠の幅に合わせた内径のノズルを使用して第2弾性体13を描画しなければならない。しかしながら、半導体素子12の小型化に伴って枠の幅が狭くなっているため、より小さなノズルの内径が要求されるが、内径の小さなノズルでは接着剤のフィラー22の含有比及びフィラー22の径が大きいとノズルが目詰まりし易く、細く描画するのが困難になる。一般的に、フィラー22の最大径に対してノズル内径を3倍の大きさにしなければならない。なお、図5に第2弾性体13接着剤の厚さ高さと、フィラー22の含有比と、第2弾性体13接着剤のチクソ比との関係を示す。また、第2弾性体13の弾性率を下げるにはフィラー22の含有比を下げる必要がある。しかしこの場合、第2弾性体13の厚さが薄くなり、基板からの応力を十分に吸収することができない。なお、図6にフィラー22の含有比と第2弾性体13の弾性率との関係を示す。しかしながら、本発明の実施の形態に係る半導体装置10によれば、第1弾性体14が基板応力を吸収する機能を持つため、第2弾性体13としては半導体素子12を基板11に固着する機能を中心にその材料を選択することができる。また、第1弾性体14が効率よく基板応力を吸収する。従って、第2弾性体13をダイボンディングなどで描画塗布する場合に、内径の小さいノズルを使った場合でも目詰まりしにくい粘度の低いものを第2弾性体13の材料として用いることができ、第2弾性体13の材料の選択肢を拡げることができる。その結果、半導体素子の小型化にも対応することができる。以上、本発明の半導体装置及びその製造方法について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。本発明の要旨を逸脱しない範囲内で当業者が思いつく各種変形を施したものも本発明の範囲内に含まれる。また、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、複数の実施の形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。例えば、上記実施の形態で用いた平面図及び断面図のそれぞれにおいて、各構成要素の角部及び辺を直線的に記載しているが、製造上の理由により、角部及び辺が丸みをおびたものも本発明に含まれる。また、上記実施の形態で用いた数字は、全て本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明は例示された数字に制限されない。また、上記で示した各構成要素の材料は、全て本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明は例示された材料に制限されない。また、上記実施の形態で示した半導体装置10の構成は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、本発明に係る半導体装置10は、上記構成の全てを必ずしも備える必要はない。言い換えると、本発明に係る半導体装置10は、本発明の効果を実現できる最小限の構成のみを備えればよい。また、上記実施の形態において、半導体素子12は、台座16と、貫通孔15と、ダイアフラム17とを備えたMEMSマイク素子であるとした。しかし、MEMSマイク素子に限らず、半導体素子12は、例えば回路構造を有する50μm以下の薄さの半導体素子や、高熱を発するLEDなどの光学素子を有する半導体素子であってもよい。このような半導体素子に対しても、基板からの応力を効率よく第1弾性体で吸収することができるので、上記実施の形態で述べた効果と同様の効果を得ることができる。