酸化錫相110のピーク強度I1と酸化錫以外の酸化物あるいは複合酸化物相のX線回折図における2θ=15~40°の範囲に存在する最大ピーク強度I2がI2/I1=01~1であることを特徴とする酸化錫と酸化亜鉛と3価以上の元素の酸化物を主成分としたスパッタリングターゲット。Sn以外の3価以上の元素をMとした場合、Sn/SnZnM=04~09、Zn/SnZnM=01~06、M/SnZnM=001~05であることを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲット。Sn/SnZnM=05~08、Zn/SnZnM=025~04、M/SnZnM=001~03であることを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲット。M/ZnM=0.1~067であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載スパッタリングターゲット。M/ZnM=0.15~04であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載スパッタリングターゲット。3価以上の元素Mが、Al、In、Ga、Sbから選択した1種以上の元素であることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。相対密度が90以上、バルク抵抗率が10-1Ωcm以下であることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。請求項1~7のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを使用して、少なくとも薄膜として光情報記録媒体構造の一部を形成することを特徴とする光情報記録媒体及びその製造方法。請求項1~7のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを使用して、少なくとも薄膜として光情報記録媒体の構造の一部を形成し、且つ記録層又は反射層と隣接して配置されていることを特徴とする光情報記録媒体及びその製造方法。本発明は、SnO2系酸化物を含む材料を採用するとともに、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難く、密着性が良好で、尚且つ高速成膜可能であるスパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体用薄膜特に保護膜としての使用及びその製造方法に関するものであり、これによって、光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善することを目的とする。上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、保護層材ZnS-SiO2を、硫化物を含まない酸化物のみの材料へと置き換え、ZnS-SiO2と同等の光学特性及び非晶質安定性を確保し、尚且つ高速成膜が可能であり、光情報記録媒体の特性改善、生産性向上が可能であるとの知見を得た。本発明はこの知見に基づき、1酸化錫相110のピーク強度I1と酸化錫以外の酸化物あるいは複合酸化物相のX線回折図における2θ=15~40°の範囲に存在する最大ピーク強度I2がI2/I1=01~1であることを特徴とする酸化錫と酸化亜鉛と3価以上の元素の酸化物を主成分としたスパッタリングターゲット、2Sn以外の3価以上の元素をMとした場合、Sn/SnZnM=04~09、Zn/SnZnM=01~06、M/SnZnM=001~05であることを特徴とする1記載のスパッタリングターゲット、3Sn/SnZnM=05~08、Zn/SnZnM=025~04、M/SnZnM=001~03であることを特徴とする1記載のスパッタリングターゲットを提供する。また、本発明は4M/ZnM=0.1~067であることを特徴とする1~3のいずれかに記載スパッタリングターゲット、5M/ZnM=0.15~04であることを特徴とする1~3のいずれかに記載スパッタリングターゲット、63価以上の元素Mが、Al、In、Ga、Sbから選択した1種以上の元素であることを特徴とする1~5のいずれかに記載のスパッタリングターゲット、7相対密度が90以上、バルク抵抗率が10-1Ωcm以下であることを特徴とする1~6のいずれかに記載のスパッタリングターゲット、81~7のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを使用して、少なくとも薄膜として光情報記録媒体構造の一部を形成することを特徴とする光情報記録媒体及びその製造方法、91~7のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを使用して、少なくとも薄膜として光情報記録媒体の構造の一部を形成し、且つ記録層又は反射層と隣接して配置されていることを特徴とする光情報記録媒体及びその製造方法を提供する。保護層材ZnS-SiO2を、硫化物を含まない酸化物のみの材料へと置き換えることによって、隣接する反射層、記録層等への硫黄による劣化を抑制すると共に、ZnS-SiO2と同等の光学特性及び非晶質安定性を確保し、且つ高速成膜ができる。これにより、光情報記録媒体の特性改善及び生産性の向上が可能である。本発明のスパッタリングターゲットは、酸化錫相110のピーク強度I1と酸化錫以外の酸化物あるいは複合酸化物相のX線回折図における2θ=15~40°の範囲に存在する最大ピーク強度I2がI2/I1=01~1であることが、本発明の大きな特徴である。SnO2はスパッタリング時の成膜速度が通常の酸化物に比べて高いということが判った。そのSnO2を含有し、光学特性、非晶質安定性を、現行ZnS-SiO2と同等に調整するため、SnO2とZnO及び3価以上の元素からなる酸化物の組成比を最適化した。酸化錫相110のピーク強度I1とその他の酸化物及び複合酸化物相の最大ピーク強度I2の比がI2/I1が1よりも大きいと、成膜速度が低く、酸化錫添加の効果が得られ難い。逆に0.1よりも小さい場合は、光学特性、特に透過率が、ZnS-SiO2と大きく異なってくる。また、Sn以外の3価以上の元素をMとした場合、Sn/SnZnMが04未満、又はZn/SnZnMが06を超えると、十分な成膜速度が得られず、Sn/SnZnMが0.9を超え、又はZn/SnZnMが0.1未満の場合は、透過率が低下する。望ましくは、Sn/SnZnM=05~08、Zn/SnZnM=025~04の範囲が良い。M/SnZnMが001未満の場合は、導電性が得られず、M/SnZnMが05を超えると、非晶質安定性に劣り、成膜速度も低下する。望ましくは、M/SnZnMが001~03の範囲が良い。さらに非晶質安定化を強化するために、M/ZnM=0.1~067に調整すると良い。望ましくは、M/ZnM=0.15~04が良い。3価以上の元素Mとしては、特にAl、In、Ga、Sbから選択した1種以上の元素を用いる。本発明は、このように酸化亜鉛を主成分とする化合物を添加することにより、ターゲットの導電性を保有させることができ、これによって直流スパッタDCスパッタによって薄膜を形成することができる。DCスパッタリングはRFスパッタリングに比べ、成膜速度が速く、スパッタリング効率が良いという点で優れている。また、DCスパッタリング装置は価格が安く、制御が容易であり、電力の消費量も少なくて済むという利点がある。保護膜自体の膜厚を薄くすることも可能となるため、生産性向上、基板加熱防止効果を発揮できる。本発明のスパッタリングターゲットは、上記の通り、相対密度が90以上、バルク抵抗率が10-1Ωcm以下であり、このターゲットを使用することにより、生産性が向上し、品質の優れた材料を得ることができ、光ディスク保護膜をもつ光記録媒体を低コストで安定して製造できるという著しい効果がある。これによって、均一な成膜が可能であり、また特性に優れた光情報記録媒体用薄膜保護膜を形成することができる。さらに、本発明のスパッタリングターゲットを使用して形成された薄膜は、光情報記録媒体の構造の一部を形成し、記録層又は反射層と隣接して配置されるが、上記の通り、ZnSを使用していないので、Sによる汚染がなく、保護層に挟まれるように配置された記録層材への硫黄成分の拡散がなくなり、これによる記録層の劣化がなくなるという著しい効果がある。また、大容量化、高速記録化のため、高反射率で高熱伝導特性を有する純AgまたはAg合金が反射層材に使用されるようになったが、この隣接する反射層への硫黄成分の拡散も無くなり、同様に反射層材が腐食劣化して、光情報記録媒体の反射率等の特性劣化を引き起こす原因が一掃されるという優れた効果を有する。本発明のスパッタリングターゲットは、平均粒径が5μm以下である各構成元素の酸化物粉末を、常圧焼結又は高温加圧焼結することによって製造することができる。これによって、相対密度が90以上を有するスパッタリングターゲットが得られる。この場合、焼結前に酸化亜鉛を主成分とした酸化物粉末を、800~1300°Cで仮焼することが望ましい。この仮焼後、3μm以下に粉砕して焼結用の原料とする。さらに、本発明のスパッタリングターゲットを使用することにより、生産性が向上し、品質の優れた材料を得ることができ、光ディスク保護膜をもつ光記録媒体を低コストで安定して製造できるという著しい効果がある。本発明のスパッタリングターゲットの密度向上は、空孔を減少させ結晶粒を微細化し、ターゲットのスパッタ面を均一かつ平滑にすることができるので、スパッタリング時のパーティクルやノジュールを低減させ、さらにターゲットライフも長くすることができるという著しい効果を有し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができる。以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。実施例1-54N相当で5μm以下のIn2O3粉、Ga2O3粉、Sb2O3粉、Al2O3粉、4N相当で平均粒径5μm以下のZnO粉及び4N相当で平均粒径5μm以下のSnO2粉を準備し、表1に示す組成となるように調合して、湿式混合し、乾燥後、1100°Cで仮焼した。さらに、この仮焼粉を平均粒径1μm相当まで湿式微粉砕した後、バインダーを添加してスプレードライヤーで造粒した。この造粒粉を冷間で加圧成形し、酸素雰囲気、1300°Cで常圧焼結し、この焼結材を機械加工でターゲット形状に仕上げた。このターゲットの組成Mol、結晶相比、Sn/SnZnM、Zn/SnZnM、M/SnZnM、M/ZnM、ターゲットの相対密度、バルク抵抗値はそれぞれ、表1に示すとおりである。6インチφサイズに加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、DCスパッタ、スパッタパワー1000W、Arガス圧0.5Paとし、目標膜厚1500Åで成膜した。ターゲットの組成Mol、成膜サンプルの透過率波長633nm、屈折率波長633nm、非晶質性成膜サンプルのアニール処理600°C×30min、Arフロー前後のXRDCu-Kα、40kV、30mAによる測定、スパッタ方式及び成膜速度Å/secを測定した結果をまとめて表2に示す。以上の結果、実施例1-6のスパッタリングターゲットは、いずれもバルク抵抗値が0.07Ωcm以下であり、相対密度は90~97に達し、安定したDCスパッタができた。そして、成膜速度が5.5~7.3Å/secが達成され、良好なスパッタ性を有した。スパッタ膜の透過率は、SnO2の量が増加すると低下する傾向にあるが、88~95633μmに達し、屈折率は2.2~2.4であり、また特定の結晶ピークは見られず、安定した非晶質性1.1~1.5を有していた。本実施例のターゲットは、ZnSを使用していないので、硫黄の拡散汚染による光情報記録媒体の特性劣化は生じない。また、後述する比較例に比べて、成膜サンプルの透過率、屈折率、非晶質の安定性、ターゲット密度、バルク低効率、成膜速度がいずれも良好な値を示し、DCスパッタが可能であった。比較例1-5表1に示すように、本願発明の条件とは異なる原料粉の成分及び組成比の材料、特に比較例5においてはZnS原料粉を準備し、これを実施例と同様の条件で、ターゲットを作製し、かつこのターゲットを用いてスパッタ膜を形成した。この結果を、同様に表1に示す。本発明から逸脱する比較例の成分組成では、例えば比較例3、比較例5はバルク抵抗値が高いため、DCスパッタができないのでRFスパッタを行ったが、スパッタの制御性が悪く、成膜速度が遅延し、スパッタリング効率を向上させることができなかった。また、特に比較例5はZnSが多く含有されており、硫黄による汚染の危険のある材料であった。比較例1、3は、成膜速度がそれぞれ3.9Å/sec、1.3Å/secであり、成膜速度が低く、スパッタリング効率を向上させることができなかった。また、比較例3はターゲット密度が低く、バルク抵抗値が100Ωcmを超えるという問題があった。比較例2は透過率が低く、バルク抵抗値も高かった。比較例4は非晶質性が4.5であり、安定性に欠けていた。