"コロイダルシリカを含有する研磨液が用いられる精密研磨工程を含むハードディスク用ガラス基板の製造方法であって、精密研磨工程において、コロイダルシリカのζ電位ζS、ガラス基板のζ電位ζG、及び研磨パッドのζ電位ζPがすべて0未満でありζS<0、ζG<0、ζP<0、かつ、ガラス基板のζ電位が研磨パッドのζ電位よりも低いζG<ζP電位条件の下で、ガラス基板を研磨することを特徴とするハードディスク用ガラス基板の製造方法。研磨液は、pHが10~13であることを特徴とする請求項1に記載のハードディスク用ガラス基板の製造方法。研磨液は、ζ電位を調整するために、水溶性ポリマー及び/又は界面活性剤を含有することを特徴とする請求項1又は2に記載のハードディスク用ガラス基板の製造方法。コロイダルシリカを含有する研磨液が用いられる精密研磨工程を含むハードディスク用ガラス基板の製造方法であって、精密研磨工程において、コロイダルシリカのζ電位ζS、ガラス基板のζ電位ζG、及び研磨パッドのζ電位ζPがすべて0超えでありζS>0、ζG>0、ζP>0、かつ、ガラス基板のζ電位が研磨パッドのζ電位よりも高いζG>ζP電位条件の下で、ガラス基板を研磨することを特徴とするハードディスク用ガラス基板の製造方法。ζG/ζP>2であることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のハードディスク用ガラス基板の製造方法。化学強化工程をさらに含むことを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載のハードディスク用ガラス基板の製造方法。研磨液は、循環使用されることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載のハードディスク用ガラス基板の製造方法。研磨液は、循環使用に際して、前記電位条件ζS<0、ζG<0、ζP<0、かつ、ζG<ζP又はζS>0、ζG>0、ζP>0、かつ、ζG>ζPが達成されるように再調製されることを特徴とする請求項7に記載のハードディスク用ガラス基板の製造方法。以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。図1は、本実施形態に係るハードディスク用ガラス基板50及びガラス素板50’の斜視図、図2は、前記ガラス基板50の製造工程図である。本実施形態では、ガラス基板50は、円盤加工工程A、ラップ工程B、1次研磨粗研磨工程C、2次研磨精密研磨工程D、化学強化工程G、洗浄工程E、検査工程Fを経て製造することができる。これを工程Iとする。本実施形態では、ガラス基板50は、円盤加工工程A、ラップ工程B、1次研磨粗研磨工程C、化学強化工程G、2次研磨精密研磨工程D、洗浄工程E、検査工程Fを経て製造することもできる。これを工程IIとする。本実施形態では、ガラス基板50は、円盤加工工程A、ラップ工程B、1次研磨粗研磨工程C、2次研磨精密研磨工程D、洗浄工程E、検査工程Fを経て製造することもできる。これを工程IIIとする。ガラス基板50に用いられるガラス素板50’は、二酸化ケイ素SiO2を主成分とするガラス組成物で構成されている。ガラス組成物は、マグネシウム、カルシウム及び/又はセリウムを含んでいても含んでいなくてもよい。代表的なガラス組成物は、例えば、SiO2、Al2O3、B2O3、Li2O、Na2O、K2O、MgO、CaO、BaO、SrO、ZnO等を含む。円盤加工工程Aは、溶融状ガラス組成物を円盤状外径:2.5インチ、1.8インチ、1.0インチ、0.8インチ等、厚み:2mm、1mm、0.63mm等のガラス素板50’に押圧加工する工程である。ラップ工程Bは、ガラス素板50’を所定の板厚にラップ研削加工する工程である。ラップ工程Bは、第1ラップ工程B1と第2ラップ工程B2とで構成されている。第1ラップ工程B1では、ガラス素板50’の表裏両面を研削し、ガラス素板50’の全体形状、すなわちガラス素板50’の平行度、平坦度及び厚みを予備調整する。第2ラップ工程B2では、第1ラップ工程B1に続いて、ガラス素板50’の表裏両面を再び研削し、ガラス素板50’の平行度、平坦度及び厚みをさらに微調整する。なお、この工程以降、ガラス素板50’をガラス基板50と称する。粗研磨工程Cは、精密研磨工程Dで最終的に必要とされる面粗さを効率よく得ることができるように、ガラス基板50の面粗さを向上させる工程である。精密研磨工程Dは、粗研磨工程Cを経たガラス基板50の表面をさらに精密に研磨する工程である。洗浄工程Eは、精密研磨工程Dを経たガラス基板50に付着している異物を、例えば、フィルタリングした純水、イオン交換水、超純水、酸性洗剤、中性洗剤、アルカリ性洗剤、有機溶剤、界面活性剤を含んだ各種洗浄剤等を用いて、洗浄し、除去する工程である。なお、ラップ工程Bの後や粗研磨工程Cの後にも同様の洗浄工程を設けることができる。検査工程Fは、洗浄工程Eを経たガラス基板50に付着したまま残っている異物やガラス基板50の欠陥の有無を検査する工程である。この検査工程Fで、異物や欠陥の個数が基準数以下のときは、ガラス基板50は、表面に磁気層等を形成する工程に送られる。一方、異物や欠陥の個数が基準数を超えているときは、ガラス基板50は、再洗浄工程に送られて再洗浄された後、再検査工程で再検査を受ける。ガラス基板50の異物や欠陥の個数は、例えば、KLA-Tencor社から商業的に入手し得る光学的表面分析装置opticalsurfaceanalyzer:OSACandela6300等を用いて計測することができる。化学強化工程Gは、ガラス基板50を化学強化液に浸漬して、ガラス基板50に化学強化層を形成する工程である。このような化学強化層を形成することにより、ガラス基板50の耐衝撃性、耐振動性及び耐熱性等を向上させることができる。次に、粗研磨工程C及び精密研磨工程Dで用いられる研磨装置10を説明する。図3は、両面同時研磨が可能な研磨装置10の概略側面図である。研磨装置10は、互いに平行になるように上下に間隔を隔てて配置され、相互に逆方向に回転可能な円盤状の上定盤11と下定盤12とを備えている。この上下定盤11,12の各対向面にガラス基板50の表裏の両面を研磨するための研磨パッドPが設けられている。上下定盤11,12の間には、回転可能な複数のEGキャリア13が配置されている。EGキャリア13には複数のガラス基板50が嵌め込まれてセットされている。EGキャリア13は、ガラス基板50を保持した状態で、自転しながら定盤11,12の回転中心に対して下定盤12と同方向に公転する。このような動作をしている上下定盤11,12及びEGキャリア13に対して、研磨液が研磨液供給器15のノズル16から上定盤11の研磨パッドPとガラス基板50との間、及び、下定盤12の研磨パッドPとガラス基板50との間にそれぞれ供給され、これにより、ガラス基板50の研磨が実行される。供給された研磨液は、液回収部14で回収され、金属イオン等が除去された後、研磨液供給器15に戻され、循環使用される。なお、符号17は、潤滑剤供給器である。本実施形態では、研磨液は、シリカ系の砥粒コロイダルシリカを含有する研磨液スラリーである。つまり、本実施形態では、ハードディスク用ガラス基板50の製造方法において、このコロイダルシリカを含有する研磨液が精密研磨工程Dで用いられる。そして、精密研磨工程Dにおいて、コロイダルシリカのζ電位ζS、ガラス基板50のζ電位ζG、及び研磨パッドPのζ電位ζPがすべて0未満でありζS<0、ζG<0、ζP<0、換言すれば、コロイダルシリカのζ電位ζS、ガラス基板50のζ電位ζG、及び研磨パッドPのζ電位ζPがすべてマイナスの電位であり、かつ、ガラス基板50のζ電位が研磨パッドPのζ電位よりも低いζG<ζP、換言すれば、ガラス基板50のζ電位の絶対値が研磨パッドPのζ電位の絶対値よりも大きい|ζG|>|ζP|電位条件の下で、ガラス基板50を研磨する。このようにすれば、ガラス基板50のζ電位が研磨パッドPのζ電位よりも低いζG<ζPから、すなわち|ζG|>|ζP|であるから、コロイダルシリカとガラス基板50との間に生じるクーロン力に起因する反発力F=kq1q2/r2よりも、コロイダルシリカと研磨パッドPとの間に生じるクーロン力に起因する反発力が小さくなるので、コロイダルシリカはガラス基板50に付着するよりも研磨パッドPに付着する傾向が大きくなる。そのため、コロイダルシリカのガラス基板50への付着量が低減し、また、洗浄工程Eへのコロイダルシリカの持ち込み量も減少して、高清浄度のガラス基板50が得られる。また、本実施形態では、精密研磨工程Dにおいて、コロイダルシリカのζ電位ζS、ガラス基板50のζ電位ζG、及び研磨パッドPのζ電位ζPがすべて0超えでありζS>0、ζG>0、ζP>0、換言すれば、コロイダルシリカのζ電位ζS、ガラス基板50のζ電位ζG、及び研磨パッドPのζ電位ζPがすべてプラスの電位であり、かつ、ガラス基板50のζ電位が研磨パッドPのζ電位よりも高いζG>ζP、換言すれば、ガラス基板50のζ電位の絶対値が研磨パッドPのζ電位の絶対値よりも大きい|ζG|>|ζP|電位条件の下で、ガラス基板50を研磨してもよい。このようにしても、ガラス基板50のζ電位が研磨パッドPのζ電位よりも高いζG>ζPから、すなわち|ζG|>|ζP|であるから、コロイダルシリカとガラス基板50との間に生じるクーロン力に起因する反発力F=kq1q2/r2よりも、コロイダルシリカと研磨パッドPとの間に生じるクーロン力に起因する反発力が小さくなるので、コロイダルシリカはガラス基板50に付着するよりも研磨パッドPに付着する傾向が大きくなる。そのため、コロイダルシリカのガラス基板50への付着量が低減し、また、洗浄工程Eへのコロイダルシリカの持ち込み量も減少して、高清浄度のガラス基板50が得られる。本実施形態では、ガラス基板50のζ電位ζG/研磨パッドPのζ電位ζP>2であることが好ましい。コロイダルシリカがガラス基板50に付着するよりも研磨パッドPに付着する傾向が確実に大きくなるからである。本実施形態では、化学強化工程Gを含まない工程IIIよりも、化学強化工程Gを含む工程I又は工程IIが好ましい。コロイダルシリカのガラス基板50への付着量が確実に低減するからである。本実施形態では、研磨液は、pHが10~13であることが好ましい。前記精密研磨工程Dにおける電位条件ζS<0、ζG<0、ζP<0、かつ、ζG<ζPが容易に達成されるからである。本実施形態では、研磨液は、ζ電位を調整するために、水溶性ポリマー及び/又は界面活性剤を含有することが好ましい。前記精密研磨工程Dにおける電位条件ζS<0、ζG<0、ζP<0、かつ、ζG<ζPが確実に達成されるからである。本実施形態で、ζ電位を調整するために使用することのできる水溶性ポリマーとしては、例えば、ポリビニルアルコール、変性ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、メタアクリル酸共重合体、ポリメタアクリルアミド共重合体、エチレングリコール等が挙げられる。これらは、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を組み合わせて使用してもよい。本実施形態で、ζ電位を調整するために使用することのできる界面活性剤としては、例えば、スルホン酸系界面活性剤、リン酸系界面活性剤、非イオン系界面活性剤等が挙げられる。これらは、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を組み合わせて使用してもよい。本実施形態では、研磨液は、循環使用されることが好ましい。ガラス基板50の製造コストの削減が図られるからである。本実施形態では、研磨液は、循環使用に際して、前記精密研磨工程Dにおける電位条件ζS<0、ζG<0、ζP<0、かつ、ζG<ζP又はζS>0、ζG>0、ζP>0、かつ、ζG>ζPが達成されるように再調製されることが好ましい。研磨液を繰り返し使用していると、時間の経過と共に研磨液の組成が変化していくので、常に使用開始時の組成が維持され、常に使用開始時と同様の効果が得られるように、回収した研磨液を、例えば液回収部14から研磨液供給器15に戻す間に再調製するのである。これにより、コロイダルシリカのガラス基板50への付着量が常に低減することとなる。本実施形態では、コロイダルシリカは、平均粒子径が1~100nmのものが好ましく、1~80nmのものがより好ましく、1~50nmのものがさらに好ましく、1~20nmのものが特に好ましい。コロイダルシリカの平均粒子径がこれらの範囲を超えると、研磨後のガラス基板50の平滑性が低下する可能性が生じるからである。本実施形態では、コロイダルシリカ等にζ電位を付与し、付与したζ電位を調整する方法としては、特に制限はない。例えば、一般に、ζ電位は、pHに依存する。したがって、研磨液に硫酸等の無機酸や水酸化カリウム等のアルカリ金属の水酸化物等を添加することにより、ζ電位を付与し、調整することができる。ζ電位が付与されたコロイダルシリカは、分散性が高まり、より平滑な面を得ることができる。例えば、コロイダルシリカのζ電位が-10mV以下又は10mV以上となる条件では、コロイダルシリカを分散性の良い状態にでき、研磨に際してコロイダルシリカをガラス基板50の全体に亘って略均一に配設でき、ガラス基板50を全体に亘って略均一な取り代量で研磨できる。逆に、コロイダルシリカのζ電位が-10mV~10mVの範囲では、コロイダルシリカが凝集し易くなり、ガラス基板50の表面にコロイダルシリカが局所的に凝集し易くなる。より好ましいコロイダルシリカのζ電位は、例えば、-90mV~-10mV、又は、10mV~90mV等である。本実施形態では、コロイダルシリカ等にζ電位を付与し、付与したζ電位を調整する方法として、前記のように、研磨液のpHを制御する方法研磨液に硫酸や水酸化カリウム等を添加するの他に、ζ電位を調整するために研磨液に添加する水溶性ポリマー及び/又は界面活性剤の種類や添加量等を制御する方法がある。これによっても、所望のζ電位をコロイダルシリカ等に付与することができる。研磨液のpHを制御する方法と、水溶性ポリマー及び/又は界面活性剤の種類や添加量等を制御する方法とを組み合わせて用いても構わない。具体的には、コロイダルシリカのζ電位は研磨液のpHを調整することで調整可能である。研磨液のpHを大きくすると、すなわちアルカリ性側に調整すると、コロイダルシリカのζ電位は低下し、ζ電位をマイナス側に調整することができる。一方、研磨液のpHを小さくすると、すなわち酸性側に調整すると、コロイダルシリカのζ電位は上昇し、ζ電位をプラス側に調整することができる。さらに、上記の水溶性ポリマーや界面活性剤の種類や添加量等を調整することによって、同様に、コロイダルシリカのζ電位をマイナス側又はプラス側に調整することができる。また、ガラス基板50や研磨パッドPのζ電位を調整する場合には、研磨液のpHを変更する他に、水溶性ポリマー及び/又は界面活性剤を含有する研磨液との接触時間や、研磨液に含有される水溶性ポリマーや界面活性剤の濃度を調整することによって、ガラス基板50や研磨パッドPのζ電位の値を上昇させたり低下させたりすることが可能である。例えば、研磨液との接触時間を長くして、ガラス基板50や研磨パッドPにおけるOH基やCOOH基の導入量を増加させた場合には、ガラス基板50や研磨パッドPのζ電位の値は減少する傾向を示す。逆に、ガラス基板50や研磨パッドPにおけるOH基やCOOH基の導入量を低下させた場合には、ガラス基板50や研磨パッドPのζ電位の値は増加する傾向を示す。なお、ζ電位の測定には、例えば、大塚電子社製のゼータ電位粒径測定システムELSZ-2を使用することができる。その場合、データを3回取り、その平均値を測定値とすることが好ましい。一般に、溶液に別の相例えばコロイド粒子等が接触したとき、その界面では電荷分離が起こり、電気二重層が形成され、電位差が生じる。溶液に対して接触した相が相対的に運動しているとき、接触相の表面からある厚さの層にある溶液は粘性のために接触相と共に運動する。この層の表面滑り面と界面から充分に離れた溶液の部分との電位差がζ電位である。ζ電位の測定方法には、電気泳動法、流動電位法、超音波法、ESA法等があり、これらのうちいずれを使用してもよい。これらのうち電気泳動光散乱測定法レーザードップラー法は平板サンプル表面のζ電位も測定可能であるから、この方法について説明を加える。帯電したコロイド粒子が分散している系に、外部から電場をかけると、粒子は電極に向かって泳動移動するが、その速度は粒子の荷電に比例するため、その粒子の泳動速度を測定することによりζ電位を求めることができる。電気泳動光散乱測定法は、ドップラー効果を利用して散乱光の周波数のシフト量から粒子の泳動速度を求める方法であり、電気泳動光散乱測定法においては、屈折率nの溶媒に分散した試料に、波長λのレーザー光を照射し、散乱角θで検出する場合の、泳動速度Vとドップラーシフト量Δvとの関係が式1で表される。Δv={2Vnsinθ/2}/λ...式1ここで得られた泳動速度Vと電場Eとから、式2で表すように、電気移動度Uを求めることができる。U=V/E...式2電気移動度Uからζ電位への変換は、式3で表されるSmoluchowskiの式を用いて求めることができる。ζ=4πηU/ε...式3ここで、η:溶媒の粘度、ε:溶媒の誘電率である以上説明したように、本実施形態によれば、精密研磨工程Dにおいて、ζS<0、ζG<0、ζP<0、かつ、ζG<ζPの電位条件の下で、又は、ζS>0、ζG>0、ζP>0、かつ、ζG>ζPの電位条件の下で、ガラス基板50を研磨することにより、コロイダルシリカがガラス基板50に付着するよりも研磨パッドPに付着する傾向が大きくなり、コロイダルシリカのガラス基板50への付着量が低減し、ハードディスク用ガラス基板50の生産性が向上する。本実施形態に係るハードディスク用ガラス基板50の製造方法の技術的特徴をまとめると下記のようになる。精密研磨工程Dにおいて、ガラス基板50のζ電位の絶対値が研磨パッドPのζ電位の絶対値よりも大きい|ζG|>|ζP|から、コロイダルシリカとガラス基板50との間に生じるクーロン力に起因する反発力F=kq1q2/r2よりも、コロイダルシリカと研磨パッドPとの間に生じるクーロン力に起因する反発力が小さくなるので、コロイダルシリカはガラス基板50に付着するよりも研磨パッドPに付着する傾向が大きくなる。そのため、コロイダルシリカのガラス基板50への付着量が低減し、また、洗浄工程Eへのコロイダルシリカの持ち込み量も減少して、高清浄度のガラス基板50が得られる。研磨液は、pHが10~13であるから、精密研磨工程Dにおける電位条件ζS<0、ζG<0、ζP<0、かつ、ζG<ζPが容易に達成される。研磨液は、ζ電位を調整するために、水溶性ポリマー及び/又は界面活性剤を含有するから、精密研磨工程Dにおける電位条件ζS<0、ζG<0、ζP<0、かつ、ζG<ζPが確実に達成される。ζG/ζP>2であるから、コロイダルシリカがガラス基板50に付着するよりも研磨パッドPに付着する傾向が確実に大きくなる。化学強化工程Gをさらに含むから、コロイダルシリカのガラス基板50への付着量が確実に低減する。研磨液は、循環使用されるから、ガラス基板50の製造コストの削減が図られる。研磨液は、循環使用に際して、精密研磨工程Dにおける電位条件ζS<0、ζG<0、ζP<0、かつ、ζG<ζP又はζS>0、ζG>0、ζP>0、かつ、ζG>ζPが達成されるように再調製されるから、コロイダルシリカのガラス基板50への付着量が常に低減する。以下、実施例を通して、本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこの実施例により限定されるものではない。[ガラス基板]下記の組成質量のガラス組成物で構成される溶融状ガラスを、外径が1.8インチ、厚みが1mmの円盤状のガラス素板に押圧加工し、平行度、平坦度及び厚みを予備調整し、さらに微調整して、研磨前のガラス基板50を作製した。SiO2:50~70Al2O3:0~20B2O3:0~5ただし、SiO2Al2O3B2O3=50~85また、Li2ONa2OK2O=0~20また、MgOCaOBaOSrOZnO=2~20[研磨液]コロイダルシリカを含有する研磨液として、フジミインコーポレーテッド社製のCompol20を用いた。[研磨パッド]研磨装置10の上下定盤11,12に用いる研磨パッドPとして、FILWEL社製のスウェード系研磨パッドを用いた。[精密研磨工程における電位条件の設定]表1に示すように、研磨液のpHを硫酸や水酸化カリウムを添加することにより様々に変化させたところ、研磨パッドPのζ電位ζP、コロイダルシリカのζ電位ζS、ガラス基板50のζ電位ζGが表1に示すように変化した。それぞれを精密研磨工程における電位条件A~Iとした。なお、電位条件Iでは、さらに、ζ電位を調整するための水溶性ポリマーや界面活性剤を研磨液に添加することにより、表1に示すようなゼータ電位ζP、ζS、ζGを実現した。各ζ電位は、大塚電子社製のゼータ電位粒径測定システムELSZ-2を用いて測定した。その場合、データを3回取り、その平均値を測定値とした。コロイダルシリカのζ電位ζSは、研磨液からサンプリングし、フローセルユニットを用いて測定した印加電圧:60mV/cm。研磨パッドPのζ電位ζP及びガラス基板50のζ電位ζGは、各pHの研磨液中に、研磨パッドP及びガラス基板50のサンプル37mm×16mm×5mmを浸漬し、平板セルを用いて測定した。[ガラス基板の製造]表2に示すように、試験1~9では、化学強化工程Gを精密研磨工程Dと洗浄工程Eとの間に含む工程Iによりガラス基板50を製造した。試験11~19では、化学強化工程Gを粗研磨工程Cと精密研磨工程Dとの間に含む工程IIによりガラス基板50を製造した。試験21~29では、化学強化工程Gを含まない工程IIIによりガラス基板50を製造した。また、試験1~9、試験11~19、試験21~29では、それぞれ、精密研磨工程Dにおいて、電位条件A~Iにより、ガラス基板50を研磨した。[洗浄工程後の検査]製造されたガラス基板50の異物や欠陥の個数を、KLA-Tencor社から商業的に入手し得る光学的表面分析装置Candela6300等を用いて計測した。結果を表2に示す。表2中の評価は下記の評価基準による。◎:12個未満○:13~20個△:21~39個×:40個以上[結果考察]電位条件A~Eは、精密研磨工程Dにおける電位条件ζS<0、ζG<0、ζP<0、かつ、ζG<ζPがすべて満足されているものである。電位条件F、Gは、精密研磨工程Dにおける電位条件ζS<0、ζG<0、ζP<0、かつ、ζG<ζPのうち、ζS<0が満足されていないものである。電位条件Hは、精密研磨工程Dにおける電位条件ζS<0、ζG<0、ζP<0、かつ、ζG<ζPのうち、ζS<0、ζP<0が満足されていないものである。電位条件Iは、精密研磨工程Dにおける電位条件ζS<0、ζG<0、ζP<0、かつ、ζG<ζPのうち、ζG<ζPが満足されていないものである。試験1~5は、試験6~9に比べて、製造されたガラス基板50の異物や欠陥の個数が少なく、相対的に高清浄度のガラス基板50が得られた。このことから、試験1~5は、試験6~9に比べて、コロイダルシリカのガラス基板50への付着量が低減したものと考察される。同様に、試験11~15は、試験16~19に比べて、製造されたガラス基板50の異物や欠陥の個数が少なく、相対的に高清浄度のガラス基板50が得られた。このことから、試験11~15は、試験16~19に比べて、コロイダルシリカのガラス基板50への付着量が低減したものと考察される。また、同様に、試験21~25は、試験26~29に比べて、製造されたガラス基板50の異物や欠陥の個数が少なく、相対的に高清浄度のガラス基板50が得られた。このことから、試験21~25は、試験26~29に比べて、コロイダルシリカのガラス基板50への付着量が低減したものと考察される。電位条件A~EのうちでもA~Dは、ガラス基板50のζ電位ζG/研磨パッドPのζ電位ζP>2が満足されているものである。そのため、試験1~4は試験5に比べて、試験11~14は試験15に比べて、試験21~24は試験25に比べて、それぞれ、製造されたガラス基板50の異物や欠陥の個数が少なく、相対的に高清浄度のガラス基板50が得られた。このことから、試験1~4は試験5に比べて、試験11~14は試験15に比べて、試験21~24は試験25に比べて、それぞれ、コロイダルシリカのガラス基板50への付着量が低減したものと考察される。試験1~9、試験11~19、試験21~29を相互比較すると、化学強化工程Gを含む工程I、工程IIにより製造されたガラス基板50試験1~9、試験11~19の異物や欠陥の個数は、化学強化工程Gを含まない工程IIIにより製造されたガラス基板50試験21~29の異物や欠陥の個数よりも少なかった。このことから、精密研磨工程Dの直前又は直後に化学強化工程Gを行なうことが、コロイダルシリカのガラス基板50への付着量の低減に有利に働いたものと考察される。この出願は、2010年9月30日に出願された日本国特許出願特願2010-221978を基礎とするものであり、その内容は、本願に含まれるものである。本発明を表現するために、前述において図面を参照しながら実施形態を通して本発明を適切かつ十分に説明したが、当業者であれば前述の実施形態を変更及び/又は改良することは容易になし得ることであると認識すべきである。したがって、当業者が実施する変更形態又は改良形態が、請求の範囲に記載された請求項の権利範囲を離脱するレベルのものでない限り、当該変更形態又は当該改良形態は、当該請求項の権利範囲に包括されると解釈される。"