ナノワイヤのアレイであって、複数のナノワイヤを含み、複数のナノワイヤは、複数の第1末端および複数の第2末端をそれぞれ含み、上記複数のナノワイヤのそれぞれに関し、上記複数の第1末端から選択される対応する第1末端と、上記複数の第2末端から選択される対応する第2末端とは、少なくとも200μmの距離分だけ離れており、上記複数のナノワイヤのうち、全てのナノワイヤは、互いに実質的に平行であるナノワイヤのアレイ。上記第1末端と第2末端との距離が、少なくとも300μmである請求項1に記載のナノワイヤのアレイ。上記距離が、少なくとも400μmである請求項2に記載のナノワイヤのアレイ。上記距離が、少なくとも500μmである請求項3に記載のナノワイヤのアレイ。上記距離が、少なくとも525μmである請求項4に記載のナノワイヤのアレイ。上記複数のナノワイヤのそれぞれが、半導体物質を含む請求項1に記載のナノワイヤのアレイ。上記半導体物質がシリコンである請求項6に記載のナノワイヤのアレイ。ナノ構造のアレイであって、複数のナノ構造を含み、上記複数のナノ構造は、複数の第1末端および複数の第2末端をそれぞれ含み、上記複数のナノ構造に関し、上記複数の第1末端から選択される対応する第1末端と、上記複数の第2末端から選択される対応する第2末端とは、少なくとも200μmの距離分だけ離れており、上記複数のナノ構造のうち、全てのナノ構造は、互いに実質的に平行であり、上記複数のナノ構造のそれぞれは、半導体物質を含むナノ構造のアレイ。上記半導体物質がシリコンである請求項8に記載のナノ構造のアレイ。上記距離が、少なくとも300μmである請求項8に記載のナノ構造のアレイ。上記距離が、少なくとも400μmである請求項10に記載のナノ構造のアレイ。上記距離が、少なくとも500μmである請求項11に記載のナノ構造のアレイ。上記距離が、少なくとも525μmである請求項12に記載のナノ構造のアレイ。上記複数のナノ構造が、複数のナノホールにそれぞれ対応する請求項8に記載のナノ構造のアレイ。ナノワイヤのアレイであって、複数のナノワイヤを含み、上記複数のナノワイヤのそれぞれは、第1表面における第1末端および第2末端を含み、上記第1末端と第2末端とは、少なくとも200μmの第1距離分だけ離れており、上記複数のナノワイヤは、上記第1表面上の第1領域に対応し、上記複数のナノワイヤのうち、全てのナノワイヤは、互いに実質的に平行であるナノワイヤのアレイ。上記複数のナノワイヤが熱電素子の一部である請求項15に記載のナノワイヤのアレイ。上記第1距離が、少なくとも300μmである請求項15に記載のナノワイヤのアレイ。上記第1距離が、少なくとも400μmである請求項17に記載のナノワイヤのアレイ。上記第1距離が、少なくとも500μmである請求項18に記載のナノワイヤのアレイ。上記第1距離が、少なくとも525μmである請求項19に記載のナノワイヤのアレイ。上記第1領域が、少なくとも100mm2の大きさである請求項15に記載のナノワイヤのアレイ。上記第1領域が、少なくとも1000mm2の大きさである請求項21に記載のナノワイヤのアレイ。上記第1領域が、少なくとも2500mm2の大きさである請求項22に記載のナノワイヤのアレイ。上記第1領域が、少なくとも5000mm2の大きさである請求項23に記載のナノワイヤのアレイ。上記複数のナノワイヤのそれぞれは、上記第1表面に対して垂直である請求項15に記載のナノワイヤのアレイ。上記複数のナノワイヤのそれぞれの断面積は、直径が250nm未満に相当する請求項15に記載のナノワイヤ。上記断面積は、複数のナノワイヤの長手方向に沿って実質的に均一である請求項26に記載のナノワイヤ。上記複数のナノワイヤは、第1ナノワイヤおよび第2ナノワイヤを含み、上記第1ナノワイヤと第2ナノワイヤとは、1000nm未満の第2距離分だけ離れている請求項15に記載のナノワイヤのアレイ。上記複数のナノワイヤのそれぞれは、上記複数のナノワイヤから選択された他のナノワイヤから第2距離分だけ離れており、上記第2距離は1000nm未満である請求項15に記載のナノワイヤのアレイ。上記複数のナノワイヤのそれぞれは、半導体物質を含む請求項15に記載のナノワイヤのアレイ。上記半導体物質がシリコンである請求項30に記載のナノワイヤのアレイ。ナノ構造のアレイであって、複数のナノ構造を含み、上記複数のナノ構造のそれぞれは、第1表面における第1末端および第2末端を含み、上記第1末端と第2末端とは、少なくとも200μmの第1距離分だけ離れており、上記複数のナノ構造は、上記第1表面上の第1領域に対応し、上記複数のナノ構造のうち、全てのナノ構造は、互いに実質的に平行であり、上記複数のナノ構造のそれぞれは半導体物質を含むナノ構造のアレイ。上記複数のナノ構造が熱電素子の一部である請求項32に記載のナノ構造のアレイ。上記半導体物質がシリコンである請求項32に記載のナノ構造のアレイ。上記第1距離が、少なくとも300μmである請求項32に記載のナノワイヤのアレイ。上記第1距離が、少なくとも400μmである請求項35に記載のナノワイヤのアレイ。上記第1距離が、少なくとも500μmである請求項36に記載のナノワイヤのアレイ。上記第1距離が、少なくとも525μmである請求項37に記載のナノワイヤのアレイ。上記第1領域が、少なくとも100mm2の大きさである請求項32に記載のナノワイヤのアレイ。上記第1領域が、少なくとも1000mm2の大きさである請求項39に記載のナノワイヤのアレイ。上記第1領域が、少なくとも2500mm2の大きさである請求項40に記載のナノワイヤのアレイ。上記第1領域が、少なくとも5000mm2の大きさである請求項41に記載のナノワイヤのアレイ。上記複数のナノ構造のそれぞれは、上記第1表面に対して垂直である請求項32に記載のナノ構造のアレイ。上記複数のナノ構造が、複数のナノホールにそれぞれ対応する請求項32に記載のナノ構造のアレイ。上記複数のナノホールのそれぞれの断面積は、直径が250nm未満に相当する請求項44に記載のナノ構造のアレイ。上記断面積は、それぞれの複数のナノホールの長手方向に沿って実質的に均一である請求項45に記載のナノ構造のアレイ。上記複数のナノ構造は、第1ナノ構造および第2ナノ構造を含み、上記第1ナノ構造と第2ナノ構造とは、1000nm未満の第2距離分だけ離れている請求項32に記載のナノ構造のアレイ。上記複数のナノ構造のそれぞれは、上記複数のナノ構造から選択された他のナノ構造から第2距離分だけ離れており、上記第2距離は1000nm未満である請求項32に記載のナノ構造のアレイ。ナノワイヤのアレイを形成する方法であって、第1表面および1以上の第2表面を含む半導体基板を準備する工程と、1以上の第2表面の1以上の部分を、露出した第1表面の少なくとも第1部分でマスキングする工程と、上記第1表面の少なくとも上記露出した第1部分に、金属蒸着フィルムを貼り付ける工程と、少なくとも上記第1表面の露出した第1部分を通じて、第1エッチング液を使用し、上記半導体基板をエッチングする工程と、複数の第1ナノワイヤを形成する工程とを含み、上記複数の第1ナノワイヤのそれぞれは、第3表面における第1末端および第2末端を含み、上記第1末端と第2末端とは、少なくとも200μmの第1距離分だけ離れており、上記複数の第1ナノワイヤは、上記第1表面上の第1領域に対応し、上記第1表面上の第1領域は、上記第1表面の露出した第1部分に実質的に対応し、上記複数の第1ナノワイヤのうち全てのナノワイヤは、互いに実質的に平行であるナノワイヤのアレイを形成する方法。上記半導体基板がシリコンを含む請求項49に記載のナノワイヤのアレイを形成する方法。上記1以上の第2表面の少なくとも1以上の部分をマスキングする工程には、1以上の第2表面に1以上のマスキング材料を貼り付ける工程が含まれる請求項49に記載のナノワイヤのアレイを形成する方法。上記1以上のマスキング材料は、テープ、マニキュア液、フォトレジスト、Si3N4、SiC、DLC、Al、Ti、Ni、Au、Ag、Cr、ITO、Fe、PtおよびMoからなる群から選択される請求項51に記載のナノワイヤのアレイを形成する方法。上記金属蒸着フィルムには、Ag、Au、Pt、Pd、NiおよびCuからなる群から選択された1以上の金属が含まれる請求項49に記載のナノワイヤのアレイを形成する方法。上記第1エッチング液には、1以上の酸化剤が含まれる請求項49に記載のナノワイヤのアレイを形成する方法。上記1以上の酸化剤は、AgNO3、KNO3、NaNO3、FeNO33、H2O2、Ag2CrO4、HNO3およびKMnO4からなる群から選択される請求項54に記載のナノワイヤのアレイを形成する方法。上記第1表面の少なくとも露出した部分を通じて、第2エッチング液を使用し、上記半導体基板をエッチングする工程をさらに含み、上記第2エッチング液は、第1エッチング液とは異なる請求項49に記載のナノワイヤのアレイを形成する方法。上記半導体基板を洗浄する工程をさらに含む請求項49に記載のナノワイヤのアレイを形成する方法。複数の第1ナノワイヤを形成する工程の後、上記半導体基板を清掃する工程をさらに含む請求項49に記載のナノワイヤのアレイを形成する方法。複数の第1ナノワイヤを形成する工程の後、上記半導体基板を乾燥する工程をさらに含む請求項49に記載のナノワイヤのアレイを形成する方法。半導体基板には、上記第1表面に対して反対側の第4表面が含まれ、上記1以上の第2表面の少なくとも1以上の部分をマスキングする工程は、露出した第4表面の少なくとも第2部分を維持する工程を含む請求項49に記載のナノワイヤのアレイを形成する方法。上記第4表面の少なくとも露出した第2部分に金属蒸着フィルムを貼り付ける工程と、上記第4表面の少なくとも露出した第2部分と通じ、第1エッチング液を使用して、上記半導体基板をエッチングする工程と、複数の第2ナノワイヤを形成する工程とを含み、上記第5表面は、上記第3表面と異なっている請求項60に記載のナノワイヤのアレイを形成する方法。