組成式Ba1-x、CaxjLiy、Ti1-yO32/3j/3-y/2ただし、0.005≦x<0.100、0<y≦0.020、1.000≦j≦1.040で表される主成分に対して、副成分としてAlを1.000mol以下0を含まず、含有することを特徴とする圧電セラミックス。組成式Ba1-x、CaxjLiy、Mnz、Ti1-y-zO32/3j/3-y/2-z/3ただし、0.005≦x<0.100、0<y≦0.020、0<z≦0.003、1.000≦j≦1.040で表される主成分に対して、副成分としてAlを1.000mol以下0を含まず、含有することを特徴とする圧電セラミックス。絶縁抵抗率が1.000×109Ωm以上であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の圧電セラミックス。圧電歪定数d31が150pC/N以上であることを特徴とする請求項1~請求項3のいずれかに記載の圧電セラミックス。0°C以上50°C以下の温度範囲における圧電歪定数d31最大値が、前記圧電歪定数d31最小値の1.25倍以内であることを特徴とする請求項1~請求項4のいずれか一項に記載の圧電セラミックス。酸素分圧が1×10-8Pa以上1×10-2Pa以下の雰囲気中で焼成したことを特徴とする請求項1~請求項5のいずれか一項に記載の圧電セラミックス。請求項1~請求項6のいずれか一項に記載の圧電セラミックスからなる圧電層と、NiまたはNi合金よりなる内部電極層が交互に積層されていることを特徴とする積層型圧電素子。特許文献1に記載されている圧電セラミックスBa1-xCaxyTiO3ただし、0.01≦x≦0.25、0.96≦y≦1.04において、y>1の組成域では圧電d31定数が150pC/N未満と低く、実用化には不十分であるという課題がある。一方、y≦1の組成域では、焼成を試行したところ、焼成過程で異常粒成長を起こしやすく、均質な焼結体が得られず、十分な圧電特性が得られないという課題が見出された。また、特許文献1に記載の圧電セラミックスにNiあるいはNi合金の内部電極を設け、積層型圧電素子を構成する場合、酸素分圧が1×10-2Paより低い還元雰囲気中で焼成することが必要となる。これは、NiあるいはNi合金を内部電極とした場合、大気あるいは酸素雰囲気中で焼成すると、NiがNiOに酸化されてしまうためである。しかしながら、特許文献1の圧電セラミックスを、還元雰囲気中で焼成したところ、還元反応が起こり、半導体化し、絶縁抵抗が低い圧電セラミックスとなるという課題が見出された。したがって、本発明は、圧電特性を保持するとともに、還元雰囲気中での焼成においても高い絶縁抵抗率を有する圧電セラミックスおよび積層型圧電素子を提供することを目的とする。本発明は、組成式Ba1-x、CaxjLiy、Ti1-yO32/3j/3-y/2ただし、0.005≦x<0.100、0<y≦0.020、1.000≦j≦1.040で表される主成分に対して、副成分としてAlを1.000mol以下0を含まず、含有することを特徴とする圧電セラミックスである。また、本発明は、組成式Ba1-x、CaxjLiy、Mnz、Ti1-y-zO32/3j/3-y/2-z/3ただし、0.005≦x<0.100、0<y≦0.020、0<z≦0.003、1.000≦j≦1.040で表される主成分に対して、副成分としてAlを1.000mol以下0を含まず、含有することを特徴とする圧電セラミックスである。また、上記の圧電セラミックスは、絶縁抵抗率が1.000×109Ωm以上であることが好ましい。また、上記の圧電セラミックスは、圧電歪定数d31が150pC/N以上であることが好ましい。また、上記の圧電セラミックスは、0°C以上50°C以下の温度範囲における圧電歪定数d31最大値が、前記圧電歪定数d31最小値の1.25倍以内であることが好ましい。また、上記の圧電セラミックスは、酸素分圧が1×10-8Pa以上1×10-2Pa以下の雰囲気中で焼成されていることが好ましい。また、本発明は、上記の圧電セラミックスからなる圧電層と、NiまたはNi合金よりなる内部電極層が交互に積層されていることを特徴とする積層型圧電素子である。本発明によれば、圧電特性を保持するとともに、還元雰囲気中での焼成においても高い絶縁抵抗率を有する圧電セラミックスおよび積層型圧電素子を提供することが可能となる。本発明の実施の形態に係る圧電セラミックスについて説明する。本実施の形態では、まず、Ba、Ca、Ti、Li、Mnの化合物からなる粉末をそれぞれ用意し、Alの化合物からなる粉末をAl換算で1.000mol以下0を含まず含有するように所定量を秤量し、混合したものを出発原料とする。この出発原料の粉末の形態は、特に限定されず、後述する工程を経て得られる圧電セラミックスが、組成式Ba1-x、CaxjLiy、Mnz、Ti1-yO32/3j/3-y/2-z/3ただし、0.005≦x<0.100、0<y≦0.020、0≦z≦0.003、1.000≦j≦1.040で表される主成分に対して、副成分としてAlを1.000mol以下0を含まずであればよく、製造や保管の容易さや価格等を考慮して選択するのが好ましい。例えば、炭酸バリウムBaCO3粉末、炭酸カルシウムCaCO3粉末、二酸化チタンTiO2粉末、炭酸リチウムLi2CO3粉末、炭酸マンガンMnCO3粉末、酸化アルミニウムAl2O3粉末等を使用することが可能である。Li、Alを含有することにより、還元雰囲気中における焼成時の圧電セラミックスの還元を防ぎ、絶縁抵抗率を1.000×109Ωm以上とすることができる。また、Mnは含有しなくともよいが、含有することで絶縁抵抗率をさらに向上させることができる。また、組成式Ba1-x、CaxjLiy、Mnz、Ti1-yO32/3j/3-y/2-z/3ただし、0.005≦x<0.100、0<y≦0.020、0≦z≦0.003、1.000≦j≦1.040で表される主成分に対して、副成分としてAlを1.000mol以下0を含まずとする本実施の形態において、Li、Mn、Alを、上記の範囲とすることにより、以下の効果を奏する。すなわち、圧電歪定数d31を150pC/N以上、0°C以上50°C以下の温度範囲における圧電歪定数d31最大値を、前記圧電歪定数d31最小値の1.25倍以内とし、実使用環境における温度特性を良好にすることができる。組成式Ba1-x、CaxjLiy、Ti1-y-zO32/3j/3-y/2ただし、0.005≦x<0.100、0<y≦0.020、1.000≦j≦1.040、または組成式Ba1-x、CaxjLiy、Mnz、Ti1-y-zO32/3j/3-y/2-z/3ただし、0.005≦x<0.100、0<y≦0.020、0<z≦0.003、1.000≦j≦1.040で表される主成分において、1.000≦j≦1.040としたのは、j<1.000の組成域では焼成過程で異常粒成長が生じ、均質なセラミックスが得られないためであり、一方でj>1.040の組成域では焼結性が低下するため圧電特性が劣化してしまうという問題があるためである。前述の出発原料を加圧成形し、酸素分圧が1×10-8Pa以上1×10-2Pa以下の還元雰囲気中で焼成することにより本発明の圧電セラミックスを得ることができる。上述の製法により作製した圧電セラミックスは、絶縁抵抗率が1.000×109Ωm以上、圧電歪定数d31が150pC/N以上、0°C以上50°C以下の温度範囲における圧電歪定数d31最大値が、前記圧電歪定数d31最小値の1.25倍以内となる。なお、本実施の形態の圧電セラミックスを圧電層として、内部電極を設けた内部電極層を交互に積層した積層型圧電素子としてもよく、本実施の形態の圧電セラミックスは還元雰囲気中で焼成できるため、NiまたはNi合金を含有する内部電極を用いることができる。実施例1本発明の実施例1における圧電セラミックスは、以下の製造工程により作製した。まず、組成式Ba1-x、CaxjLiy、Mnz、Ti1-y-zO32/3j/3-y/2-z/3において、j=1とし、x、y、zの各配合比が表1、表2、表3となるように、炭酸バリウムBaCO3粉末、炭酸カルシウムCaCO3粉末、二酸化チタンTiO2粉末、炭酸リチウムLi2CO3粉末、炭酸マンガンMnCO3粉末をそれぞれ秤量し、エタノールを加え、ボールミルにより24時間の湿式混合を行った。得られた混合物を乾燥後、800°C~1100°Cで仮焼し、得られた仮焼粉末100molに、酸化アルミニウムAl2O3粉末をamol、表1、表2、表3の配合比となるように添加し、エタノールを加え、ボールミルにより24時間の湿式混合を行ったものを出発原料とした。仮焼温度は、各出発原料の組成により調整し、好適な仮焼温度でそれぞれ仮焼した。得られた出発原料を乾燥させた後、ポリビニルアルコールをバインダーとして混合して造粒し、圧力100MPaの一軸加圧成形により、直径20mm、厚さ5mmの形状に成形した。この成形体を酸素分圧が10-3Paの雰囲気中、1100°C~1350°Cで3時間焼成し、圧電セラミックスの円板状焼結体を作製した。焼成温度は、各出発原料の組成により調整し、好適な焼成温度によりそれぞれ焼成した。前述の円板状焼結体をさらに1mmの厚さに加工して円板状試料を作製し、その両面に銀電極を焼き付け、80°Cのシリコンオイル中で2kV/mmの直流電界を30分間印加することによって分極処理を行った。分極処理した前述の円板状試料を室温で24時間放置することによって圧電特性を安定化させた後、デジタルエレクトロメータを用いた直流2端子法により絶縁抵抗率を測定した。さらに前述の円板状試料を切断加工して長さ10mm、幅2mm、厚さ1mmの矩形状試料を作製し、1kV/mmの電界を印加したときの矩形状試料の歪み率から圧電歪定数d31を測定した。上述の方法により測定した25°Cにおける圧電歪定数d31、0°C以上50°C以下の温度範囲における圧電d31定数の変化率Δd31、および絶縁抵抗率の値を表1、表2、表3に示す。なお、圧電歪定数d31、Δd31の欄に※が表示されている試料は、絶縁抵抗率が低いことから分極処理ができず、圧電d31定数が測定できなかった。表1、表2、表3に示すように、本発明の範囲内である実施例の各試料においては、絶縁抵抗率は1.000×109Ωm以上、圧電歪定数d31は150pC/N以上、Δd31は25以下0°C以上50°C以下の温度範囲における圧電歪定数d31最大値が、前記圧電歪定数d31最小値の1.25倍以内であった。比較例の各試料においては、いずれも絶縁抵抗率および圧電歪定数d31の値の同時に満足することができなかった。実施例2本発明の実施例2における圧電セラミックスは、以下の製造工程により作製した。組成式Ba1-x、CaxjLiy、Mnz、Ti1-y-zO32/3j/3-y/2-z/3において、x=0.030、y=0.006、z=0.001とし、jの各配合比を、0.990~1.050となるように、炭酸バリウムBaCO3粉末、炭酸カルシウムCaCO3粉末、二酸化チタンTiO2粉末、炭酸リチウムLi2CO3粉末、炭酸マンガンMnCO3粉末をそれぞれ秤量し、エタノールを加え、ボールミルにより24時間の湿式混合を行った。得られた混合物を乾燥後、実施例1と同様に仮焼し、得られた仮焼粉末100molに、酸化アルミニウムAl2O3粉末を0.300mol添加し、エタノールを加え、ボールミルにより24時間の湿式混合を行ったものを出発原料とした。得られた出発原料を乾燥させた後、実施例1で示したのと同様の方法で、成形、焼成し、圧電セラミックスの焼結体を作製後、焼結体表面について顕微鏡観察を行った。図1は、実施例2における焼結体表面の顕微鏡観察写真で、図1aは、j=0.990の場合、図1bは、j=1.000の場合、図1cは、j=1.040の場合である。図1に示すように、j≧1の領域においては粒径が均一な焼結体が得られるのに対して、j=0.990の試料では、局部的に粗大化した異常粒が生成し、均質な焼結体が得られなかった。作製した焼結体について、実施例1と同様の方法で、絶縁抵抗率、圧電歪定数d31、およびΔd31を測定した。上述の方法により測定した25°Cにおける圧電歪定数d31、0°C以上50°C以下の温度範囲における圧電歪定数d31の変化率Δd31、および絶縁抵抗率の値を表4に示す。なお、j=0.990の試料は、均質な焼結体が得られなかったため、表4に測定値を示していない。表4に示すように、本発明の範囲内の各試料においては、絶縁抵抗率は1.000×109Ωm以上、圧電歪定数d31は150pC/N以上、Δd31は25以下0°C以上50°C以下の温度範囲における圧電歪定数d31最大値が、前記圧電歪定数d31最小値の1.25倍以内となった。比較例の各試料においては、いずれも絶縁抵抗率および圧電歪定数d31の値の同時に満足することができなかった。以上説明したとおり、本発明によれば、圧電特性を保持するとともに、還元雰囲気中での焼成においても高い絶縁抵抗率を有する圧電セラミックスおよび積層型圧電素子を提供することが可能となった。