"基板上に第一電極である反射陽極、有機発光層を含む有機薄膜、n型ドーパントを含む電子注入性保護膜、及び第二電極であるITOからなる透明電極をこの順に形成する工程と、前記第一電極、前記有機薄膜、前記電子注入性保護膜、及び前記第二電極を覆うように封止層を形成する工程とを備えるトップエミッション型有機EL素子の製造方法において、前記電子注入性保護膜上に形成されたITO膜の面方位におけるXRD回折ピーク強度が、アモルファスITO膜のそれより大きいことを特徴とする、有機EL素子の製造方法。前記透明電極として形成されたITO膜は、非加熱処理で平均結晶粒径が20nm~50nm、かつ微結晶の最大粒径が60nm~100nmの範囲内であることを特徴とする、請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。前記透明電極形成を、スパッタ法にて平均入射イオンエネルギーを50eV~100eVに制御し、スパッタ粒子入射量に対するArイオン入射量の比率を0.01~0.1に制御することを特徴とする、請求項1または2に記載の有機EL素子の製造方法。前記透明電極形成のためのスパッタ成膜を、n型ドーパントを含む電子注入性保護膜の表層への初期成膜ではプロセスガスに酸素をドープせずに総膜厚の1/4を形成し、二次成膜ではArに対する酸素流量の比率を0.01~0.05にして残膜形成することを特徴とする、請求項1、2、及び3の何れか1項に記載の有機EL素子の製造方法。前記透明電極形成のためのスパッタ成膜を、ターゲット材料にITO、IZO、GZO、AZO、及びZnOのいずれかを用いることを特徴とする、請求項1、2、3及び4の何れか1項に記載の有機EL素子の製造方法。前記透明電極形成のためのスパッタ成膜を、プラズマ放電閾値より0.1Pa高い成膜圧力で行うことを特徴とする、請求項1、2、3、4、及び5の何れか1項に記載の有機EL素子の製造方法。前記透明電極形成のためのスパッタ成膜を、DCパルス電源を用いて印加電力の周波数を150kHz~300kHz、デューティ比を60~80に設定し行うことを特徴とする、請求項1、2、3、4、5、及び6の何れか1項に記載の有機EL素子の製造方法。OLEDの作製において、低分子或いは高分子を問わず、素子寿命の向上を如何にして図るかが、最大の課題である。しかしながら、寿命を支配する因子については十分明らかになっていない。その理由の一つに、OLED自体が数百nmの薄膜積層素子からなり、積層された各層は電極を除けば構成元素からも区別しにくい有機層であるために、有効な化学分析手法が乏しいことがある。上述のOLED特許文献1では、基板と反対側の最上層に化学的安定性の高い3価もしくは5価の不純物を微量添加したDLC膜が陽極に用いられている。これにより、ITOを透明陽極とした場合の問題である、n型縮退半導体ゆえの低い正孔注入効率を補うと共に、ガスバリア性を高めることにより素子耐久性の向上を図っている。しかしながら、トップエミッション型の層構成とした場合、近赤外域の透過性は優れる反面可視域の透過性の低いDLC膜を上部電極として採用することは困難である。また膜質がアモルファス状のためキャリア移動度が低く、電極の一方をITOからなる透明陽極とした場合、注入キャリアが電子となるp型のDLC膜を陰極として採用することは、やはり困難である。発光ポテンシャルを最大化させるため、デバイスの光取出効率を高めたトップエミッション型OLEDでは、電子注入性保護膜上に接触するように形成されるITOの膜質が駆動寿命に大きな影響を及ぼす。故に寿命支配因子の一つであるITOのキャリア移動度を如何に高めるかが寿命向上のための課題である。ITO膜の形成手段として広く用いられているスパッタ法は、真空蒸着法やCVDChemicalVaporDeposition:化学蒸着法等の成膜手段と比べて、緻密で平滑な薄膜が比較的低温プロセスで得られるという長所がある。しかしながら、スパッタ法で形成した薄膜はアモルファスになることが多く、結晶性膜を得るには、200°C以上に基板加熱しながらスパッタする必要がある。このような要求に即して、放電をより安定に長時間維持することを目的として開発されたスパッタ法がDCパルススパッタ法である。DCパルススパッタ法は、一定周期でターゲットの印加電力をON/OFFさせるもので、1周期中のON時間の比率であるデューティ比は70以上で使用されることが多い。この場合、アーキングの回避など放電安定性が増し、成膜時のピンホールの発生が低減されるが、その他の薄膜物性はDCスパッタ法で成膜した場合と大きく変わらない。DCパルススパッタ法でも、特に、低温あるいは非加熱の基板上への成膜では、結晶性の高い薄膜を得られない。一方、膜厚数十nmレベルの有機薄膜上に、ITO膜をスパッタ形成する場合は、その有機薄膜が蛍光体やn型もしくはp型半導体からなる機能性薄膜であるとき、その機能を担保すべく、プロセス焼成温度はガラス転移点Tg以下にする必要がある。更に、高エネルギー粒子であるスパッタ粒子の基板入射頻度及びエネルギーも制御しなくてはならない。しかし現状では、ガラス転移点Tg以下のプロセス温度で結晶性ITO膜を有機薄膜上に形成することは困難である。また、スパッタ粒子の入射頻度及びエネルギーはプロセスパラメータ成膜圧力等で制御可能なものの、膜物性及び結晶性を担保することは、やはり困難である。膜結晶性を高める手段として、基板入射エネルギー増加による表面マイグレーション泳動の促進が有効であることが知られている。しかし、基板入射エネルギーの増加は、下地である有機膜の蛍光量子収率やストークスシフト変化など、膜機能劣化を生じさせる懸念がある。なお、ストークシフトとは、吸収と蛍光の遷移エネルギー差であり、有機分子の励起状態の核配置が基底状態のそれよりも増加しているほどシフト量は拡大する。本発明は、上述の問題に鑑みて、ITO膜の結晶性を非加熱処理で向上させつつ、キャリア移動度電子注入を高める有機EL素子の製造方法を提供することを目的とする。上記の課題を解決する為に、本発明は、基板上に第一電極である反射陽極、有機発光層を含む有機薄膜、n型ドーパントを含む電子注入性保護膜、及び第二電極であるITOからなる透明電極をこの順に形成する工程と、前記第一電極、前記有機薄膜、前記電子注入性保護膜、及び前記第二電極を覆うように封止層を形成する工程とを備えるトップエミッション型有機EL素子の製造方法であって、前記電子注入性保護膜上に形成されたITO膜の面方位におけるXRD回折ピーク強度が、アモルファスITO膜のそれより大きいことを特徴とする。本発明は、DCマグネトロンスパッタ法により、電子注入性保護膜上に非加熱で、分子構造破壊などによる膜機能低下を引き起こすことなく、粒径制御された結晶性ITO膜を上部電極として形成することで、電子注入が促進され、デバイス長寿命化を可能とする効果を奏する。以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。本発明の目的の一つであるITO膜の結晶性の向上は、具体的には、In2O3のメインピークである面方位222での回折強度がアモルファスITO膜のそれより大きく且つ、平均結晶粒径をキャリア移動度が最大化される大きさとなるよう構造制御することにより実現される。スパッタ成膜における膜構造制御に対する最も重要なパラメータは、成膜温度基板温度とガス圧力である。耐熱性が劣る機能性有機薄膜の上にITO膜形成を行う場合、過度な基板温度上昇を抑制しなければならない。故に、熱エネルギーに代わる構造制御のための駆動エネルギーとして、スパッタ粒子運動エネルギーの存在が重要である。スパッタ粒子運動エネルギーはプラズマ中のイオン分率とプラズマ電位に大きく依存する。スパッタ粒子の中でもイオンは中性粒子の10~100倍程度のエネルギーを持ち、イオン分率は10以上であるので、イオンの運動エネルギー入射エネルギーを制御することが膜構造制御に効果的である。平均入射イオンエネルギーを50eV~100eV、スパッタ粒子入射量に対するArアルゴンイオン入射量の比率を0.01~0.1の範囲に制御して成膜を行うと、膜構造制御に好適である。一方、同制御範囲外で成膜を行った場合、着膜面が再スパッタされることで成膜速度低下、着膜面温度上昇、下地有機層のイオン入射ダメージによる膜機能低下などの発生が懸念される。つまり、再スパッタやそれに伴うArトラップ促進による膜欠陥密度上昇を抑制することは、緻密で結晶性及び配向性の高い膜形成に繋がる。以上を踏まえて、本発明の実施例による非加熱処理ITO膜の平均結晶粒径及び微結晶の最大粒径をそれぞれSEMScanningElectronMicroscope:走査型電子顕微鏡にて観察し、キャリア移動度との相関を調査した結果、前者は20nm~50nm、後者は60nm~100nmの範囲内でキャリア移動度が最大化されるとともに、本ITO膜を電子注入性保護膜上に接触するように形成した場合、図3に示すように、膜には面方位222に強い回折強度を示すことが確認された。図3において、縦軸は回折強度[cps:countpersecond]を示し、横軸は回折角度2θ[°]を表す。また、図5の層構成からなるトップエミッション型OLEDにおいて、本発明の実施例を適用した場合、図1に示すように、最も高い寿命特性を示すことも確認された。これら事象は結晶粒径制御、即ち、構造制御が結晶性向上、引いてはデバイス駆動寿命向上に寄与することを示唆するものである。なお、平均入射イオンエネルギーに関しては、ラングミューアプローブ法によるプラズマ診断にてイオン加速電位差Vp-Vfを、オシロスコープによるパルス放電波形観察によりターゲット電位VTを、それぞれ計測し、両指標から数値化を行った。ラングミューアプローブ法は、静電短針法とも呼ばれ、計測可能なプラズマ諸量は、電子温度Te、電子エネルギー分布関数EEDF:ElectronEnergyDistributionFunction、電子密度Ne、イオン密度Ni、フローティングポテンシャルVf、プラズマポテンシャルVpなどである。計測は簡便で、プラズマ中に挿入したプローブユニット先端のプローブチップでの電圧-電流特性を計測することで得られる。この際、EEDFはMaxwell-Bolzmann分布であることが前提となる。また、成膜圧力をプラズマ放電閾値より0.1Pa大きい圧力に制御している。この理由は、低ガス圧力下での異常放電抑制と、イオン入射エネルギー及び頻度を大きくし、基板上でのスパッタ粒子のマイグレーションを活発にすることで、結晶性を向上させるためである。なお、異常放電はノジュール黒色スパッタ残渣物:酸素欠損ITOの発生や、キャパシターのようにノジュール形成面で正負の電荷を蓄積させ、更にスパッタ中で蓄積し続ける電荷はある限界値を超えて局所的な絶縁破壊を引き起こし、その時生じるアーク放電により発生したパーティクルによって、膜質の劣化や電源へのダメージといった問題も引き起こす。また、透明電極形成のためのスパッタ成膜を、n型ドーパントを含む電子注入性保護膜表層への初期成膜ではプロセスガスに酸素をドープせずに総膜厚の1/4を形成するものとし、二次成膜ではArに対する酸素流量の比率を0.01~0.05として残膜形成することで、n型ドーパントである高活性なアルカリ金属またはアルカリ土類金属を酸化から防ぐことができるとともに、初期成膜を薄層形成することで、酸素ノンドープによる膜透過率低下を抑制できる。また、膜高抵抗化に関しても、成膜厚を極めて薄く設定することで、キャリア電子がトンネル注入される。これにより電子注入性低下が抑制され、かつデバイス高駆動化による寿命低下も抑制される。ここで本発明の実施形態に係る有機EL素子の製造方法における、ITO膜の結晶性とEL素子特性の相関とそのメカニズムについて述べる。図1に、トップエミッション型OLEDにおいて、それぞれ異なる方法でITO膜が形成されたG緑素子の寿命特性を示す。具体的には、点Pは本発明の実施形態にかかるマグネトロンスパッタ方法、点Pc1は比較例1として対向ターゲット式スパッタ方法、点Pc2は比較例としてプラズマ蒸着方法で形成した素子の寿命Lifetime/hを表している。同図より、本発明の実施例によりITO膜を形成した素子の輝度半減寿命が、他の方式でITO膜を形成した素子の寿命に比べ、2倍以上に延びていることが確認できる。これは、本発明の実施例により、ITO膜の結晶性が向上したことで、本膜から効率良く電子注入がなされ、正孔、電子両キャリアの注入バランスが改善し、引いては、駆動寿命が改善したためと考えられる。図2に、ITO膜を形成したEODElectronOnlyDevice:電子の単電荷デバイスの電子電流-電圧特性を示す。同図において、横軸は印加電圧Vを表し、縦軸は電子電流mAを表している。点線La1は従来のアルミ蒸着膜の電流―電圧特性を示している。なお、実線L、Lc1、及びLc2は、上述の図1を参照して説明した、本発明の実施形態、比較例1、及び比較例2におけるITO膜の電流―電圧特性をそれぞれ示している。本図より、本発明の実施例によりITO膜を形成した素子の電子電流が、Al蒸着膜に比べると劣るものの、対向ターゲット式スパッタ方法比較例1およびプラズマ蒸着方法比較例2によって、ITO膜を形成した素子の電流に比べ、良く流れている電子注入性が高いことが確認できる。これも、本発明の実施例により形成したITO膜の結晶性が向上し、本膜から効率良く電子注入がなされたためと考えられる。図3に、電子注入性保護膜上に接触するように形成したITO膜のX線回折X-raydiffraction:XRD結果を示す。同図において、横軸は回折角度2θ[°]を表し、縦軸は回折強度[cps:countspersecond]を表している。線C、Cc1、及びCc2は、上述の図1を参照して説明した、本発明の実施形態、比較例1、及び比較例2におけるITO膜のそれぞれの結晶性を示している。本図より、本発明の実施形態に係るITO膜は、2θ=30.6°、即ち面方位222に明瞭な回折ピーク強度が確認でき、他の方式で形成したITO膜比較例1及び比較例2に比べ結晶性が高いことが確認できる。これは、本発明の実施形態に掛かるITO膜は、着膜面にArイオンがイオンエネルギーを50~100eVに制御しながら、着膜面に入射されることで、膜の緻密性が向上する。即ち、イオンエネルギーが駆動力となってストレスマイグレーションが促進され、結晶配向性が向上するためと考えられる。上述の結晶性評価に用いたX線回折法は、原子のX線スペクトルが0.1nm程度で、固体の代表的原子間隔0.2~0.3nmに比べ小さく、結晶格子はX線に対して回折格子になるとともに、入射X線に対しては各原子の殻外電子から出る同程度の二次X線と互いに干渉する現象を利用した結晶構造解析法の一種である。具体的には、この干渉で特定方向格子面間隔dを持つ結晶に対して、X線を入射したとき、2dsinθ=nλの関係を持つθ、即ちブラッグ角、nは任意の整数のX線強度が高まり、結晶構造を反映した回折図形が得られるというものである。図4に、ITO非縮退状態図4a及び縮退状態図4bにおける、有機層と陰極界面とのエネルギーダイアグラム概念図を示す。本図より、ITO縮退状態図4bでは、ITO非縮退状態図4aに対し、界面に形成された電気二重層の両キャリア密度が高く、それに伴い電子注入障壁が低減ITOのフェルミ準位が伝導帯底部準位よりも真空準位側に近づくされている。このモデルは、ITO縮退状態における電子注入性が、非縮退状態に対して向上していることを示しており、そのメカニズムは、ITOの母結晶であるIn2O3にSnがドープされると、3価のInサイトに4価のSnが置換型固溶し、置換したSnは1原子当たり1個のキャリアを放出し、1020~1021cm-3のキャリア密度が安定して得られることで発現する。金属と有機半導体接触において、n型半導体のフェルミ準位が金属の仕事関数よりも高い場合、n型半導体の自由電子は金属側へと流れる。電子が金属側に移動しても、金属では電荷は表面にしか存在できない。つまり、金属に入った電子は全て金属表面にのみ存在して、そこから奥へは行けない。これにより、n型半導体と金属界面には電気二重層が形成される。界面電気二重層の形成によって、真空準位のシフトが起こると、シフト量はn型半導体と金属の組合せによっては1eVにもなり、バンドギャップエネルギーEgの大きさと比べても無視できない大きさとなる。界面電気二重層の極性は多くの場合、n型半導体が正で、金属が負となる。この原因は、n型半導体の特性によるものである。つまり、n型半導体は元々ドナーが解離して自由電子を生み出すため、自由電子の存在する状態が電気的に中性となる。そして、電子が無くなれば、半導体格子の一部をなす可動性のないドナーイオンが元の場所にそのまま残り、n型半導体が正で金属が負となる。電子がなくなった部分を空乏層Depletionlayerという。空乏層の空間電荷密度はドナーイオン密度と電荷素量の積である。図5に、本発明の主目的であるITO膜物性とデバイス寿命の相関を確認するための評価用素子の構造を模式的に示す。ガラス基板4及びTFT基材5上に平坦化膜6、第一電極である反射陽極7がそれぞれ形成され、更に画素仕切部材として隔壁9がフォトリソグラフィー法により形成されている。隔壁9で仕切られた画素領域には、正孔注入層10、インターレイヤ電子ブロッキング層11、有機薄膜である有機発光層RGB12、n型ドープ電子注入層13、第二電極である透明電極14が順番に設けられている。また、基材上に設けられた反射陽極7、有機発光層12、及び透明電極14は、主に両電極7及び14と有機発光層12を環境中の水分等から保護することを目的として封止される。封止には、第1封止層15SiNxと第2封止層16Al2O3の二層からなる薄膜封止層SiNxAl2O330と樹脂封止層17とを透明電極14上に形成し、色補正用カラーフィルター20でカラーフィルター用ガラス基材と貼り合わせる方法が採用されている。以上より、図5に示す構成を有する評価用素子では、外部雰囲気の影響に左右されずに寿命評価を行うことができる。図5に示す従来のトップエミッション型OLEDでは、第1封止層15SiNxのみを透明電極14の上に形成することで封止を行っている。しかしながら、デバイス端部の被覆性が不十分である。さらに、透明電極14上に異物が介在する場合、成膜粒子の指向性を主因とする封止層欠陥パスが発生し、ここから大気中の水分、酸素等が拡散侵入して、易酸化性であるn型ドープ電子注入層13や有機発光層19を改質させる。このように、従来は、封止層120がSiNxの一層のみで形成されているのに対して、本発明では封止層30はSiNxAl2O3の2層で形成されている。本発明において、二層からなる薄膜封止層SiNxAl2O330を透明電極16の上に形成し封止を行った場合、端部被覆性が向上する。更に第2封止層Al2O318の膜緻密性を向上させることで、封止層欠陥パスリークパスの発生をも抑制することができる。なお、第二封止層18は光学調整層としての機能も備えており、無機化合物の他に、パリレンなどの有機化合物を用いても良い。図6を参照して、本発明の実施形態に係るITO膜形成に用いるマグネトロンスパッタ装置について説明する。マグネトロンスパッタ装置100は、その内部にアースシールド32a、ターゲット32b、バッキングプレート32c、カソードマグネット32dからなるスパッタターゲットユニット32と、それと対向する位置に透光性基板28を保持するための基板回転保持機構22が具備されている。なお、スパッタ成膜時のイオン衝撃による過度の基板温度上昇を抑制するため、基板の裏面側に基板冷却板22bが具備されている。マグネトロンスパッタ装置100の外部には、スパッタガスAr、N2を内部導入するための配管41、ガス流量調整器であるMFCMassFlowController42、アース43、プラズマ放電用電源としてDCパルス電源37、更にはロータリーポンプやクライオポンプなどからなる排気ユニット38がそれぞれ具備されている。マグネトロンスパッタ装置100はターゲット32bの材料にITO、IZOインジウム亜鉛酸化物、GZOガリウムドープ酸化亜鉛、AZOアルミニウムドープ酸化亜鉛、ZnO酸化亜鉛等を用いることで、種々の透明導電膜形成が可能である。マグネトロンスパッタ方式はターゲット前面の形成磁場により電子を拘束させるとともに、電子衝突によるガスのイオン化を促進させてターゲット近傍のプラズマ密度を高める方法である。しかし磁場による荷電粒子の拘束は基板へ到達するイオン数も同時に減少させる。従って、マグネトロンスパッタ方式では、基板へ到達するスパッタ粒子は磁場の影響を受けない中性粒子がほとんどである。この場合、プラズマシースの電位差による荷電粒子の加速が期待できないため、その運動エネルギーは低い。一方で直流2極や高周波のみのスパッタ方式では、二次電子の基板入射により基板温度上昇が著しいが、マグネトロンスパッタでは、多くの電子は磁場に巻付き、サイクロトロン運動をしながら気体分子と衝突を繰り返し、エネルギーを失活させて基板に到達入射するため、基板温度上昇は少ない。また基板入射粒子の運動エネルギーを制御するには、イオンを利用することが最も効果的であり、プラズマ電位Vpと基板電位Vfとの電位差Vp-Vf、つまりイオン加速電位差を変えることで、イオンの運動エネルギーを大きく変えることができる。それにより形成膜に対して、高エネルギー粒子を衝突エネルギー付与させることが可能になり、更にイオン数自体を増加させることで、衝突頻度も上昇させることができる。イオン衝突頻度上昇は、膜の結晶性向上、キャリア移動度上昇に繋がるとともに、SnのIn原子との置換及びイオン化を促進させて、電子密度も上昇させる。その結果、電子注入が促進される。一方、パルススパッタ方式ではターゲットに印加する負バイアスを短時間反転し、スパッタ中に蓄積した絶縁膜表面の正電荷を電子によって中和する方法である。プラズマ中の電子の移動度はイオンのそれと比べて大きいので、中和に必要な正バイアス印加時間デューティ比は短時間で済む。そのため、DCスパッタと比較して遜色ない高い成膜速度が期待できる。また、パルススパッタ方式では通常のDC電源をパルス電源に交換するだけで容易に高エネルギー粒子の基板入射が実現できる。但し、1.パルススパッタにおける粒子エネルギーがターゲット印加電圧の挙動に大きく依存していること;2.パルススパッタの電子密度は通常のDCスパッタと同程度なので、高いイオン分率が望めないこと;そして、3.基板が接地されていない場合、基板のフローティング電位がプラズマ電位に追従することで、イオン加速電位差Vp-Vfが大きくならず、結果として基板到達粒子は必ずしも高エネルギーを持たない可能性があることなどに留意する必要がある。Arイオンなど希ガスイオンによる基板へのイオン衝撃には、形成膜の密着性向上ストレスマイグレーション制御や、膜密度を高める効果があり、イオンエネルギーを適当に制御すれば、形成膜の残留応力や多結晶膜などの優先配向面を制御することが可能である。こうしたイオン衝撃の特長を利用すると、膜の化学結合状態変化や表面上での化学反応活性化が可能になる。一方で過度のイオン衝撃は、下地膜が無機化合物の場合は構成元素脱離による組成ズレ光学定数変化を、有機化合物の場合は分子結合断裂共役長変化→蛍光量子収率変化を、それぞれ引き起こす懸念がある。そして、基板近傍のプラズマ密度が上昇するのに伴い、基板温度も上昇する。ターゲット表面からスパッタされた粒子は周囲のガス粒子と衝突しながら基板に到達する。衝突頻度はガス圧力によって決まる平均自由行程に依存する。低ガス圧力下では粒子の平均自由行程が長くなるので、スパッタ粒子はガス粒子との衝突による散乱の影響をほとんど受けることなく、運動エネルギーを失活させずに基板に到達する。運動エネルギーはスパッタ粒子が基板上を泳動するマイグレーション駆動力となり、一部は熱エネルギーに変換される。この熱エネルギーが基板温度上昇に直接的に寄与する。なお、基板-ターゲット間距離がターゲットや基板の寸法被スパッタ面積に比べて十分大きい場合、スパッタ粒子の入射方向はほぼ基板面の法線方向と一致する。高ガス圧力下では平均自由行程が短くなるので、スパッタ粒子は基板到達までガス粒子と衝突を繰り返し、運動エネルギーを大きく失活させる。また、この衝突による散乱のためスパッタ粒子の運動方向は大きく変化して、基板面の法線方向に対して角度をもって斜め入射する粒子が増加する。この斜め入射する粒子が薄膜の緻密性、結晶性に大きく関与する。以上より、本発明の有機EL素子の製造方法は、マグネトロンスパッタ法による透明電極形成を、スパッタ成膜パラメータを調整し、平均入射イオンエネルギー、下地膜に対する中性粒子スパッタ粒子とイオンの入射頻度比実効膜厚を制御しながら行う。具体的には、ガス圧力を従来よりも低く設定し、マイグレーションを活性化させるとともに、着膜面へのイオン入射も増加させ、膜の緻密性を高めるものである。これによりITO膜の結晶性面方位、回折ピーク強度、半値幅、結晶粒径を高めることが可能となる。つまり、本発明の製造方法を、OLED作製における透明電極形成に適用することにより、注入キャリアである電子の注入を促進させ、デバイス長寿命化が図れる。図5に示す評価素子において、板厚0.7mmのガラス基板4の上に反射陽極7としてアルミ合金膜を200nmの厚さで、反射陽極7上に直接成膜されている陽極界面層としてIZOIn2O3-ZnOを35nmの厚さで、それぞれDCマグネトロンスパッタ法により積層形成した後、反射陽極7と陽極界面層との二層をまとめてフォトリソ法によりパターニングし、ストライプパターンを形成した。次に正孔注入層10としてタングステン酸化物膜を12nmの厚さで、陽極界面層が直接積層された反射陽極7と同じくスパッタ法にて形成した後に、本基板図5において、タングステン酸化膜である正孔注入層10までが成膜されたを230°Cで45min間焼成し、更にストライプ状の反射陽極7の端部を覆うように、ポリイミド材料を用いてフォトリソ法により隔壁9を形成した。この隔壁9間に有機電子ブロッキング材料インターレイヤ11を、シクロヘキシルベンゼンCyclohexylbenzene:CHBとメチルアニソールMethyleAnisole:MAからなる混合溶媒に溶解し、インキとして塗布形成した後に、焼成後の乾燥膜厚が10nmになるように、200°Cで60min間真空焼成した。更にインターレイヤ11上に、ポリフルオレンPFからなる緑色有機発光材料LightEmittingPolymer:LEPを、インターレイヤ11と同じくCHBとMAからなる混合溶媒に溶解し、インキとして塗布形成した後、焼成後の乾燥膜厚が80nmになるよう、170°Cで60min間、N2雰囲気下で焼成した。次にLEP膜有機発光層12の上にn型ドーパントであるBaバリウムと電子注入性有機物とを80nmの厚さで、共蒸着にて、上述の反射陽極7に陽極界面層が直接積層された陽極層のストライプパターンと直交するようにマスク成膜した。なお、電子注入性有機物にはオキサジアゾールや主構造に分岐や捻れ構造を導入した、耐熱性つまりガラス転移点GlassTransitionTemperature:Tgの高いオキサジアゾール誘導体を用いても良い。ここで本発明の透明導電膜形成方法を用いて、n型ドーパントを含む電子注入性有機膜上に、陰極としてITOを35nm、マグネトロンパルススパッタ法にて形成した。ITOの成膜条件は、ガス圧力が0.6Pa、Ar流量が200sccm、酸素流量が10sccm、放電パワーが5.4kW、周波数が250kHz、デューティ比が75、通過成膜における搬送速度が41.2mm/sとした。なお、スパッタ成膜中における基板温度は50°C以下、平均入射イオンエネルギーは70eVであり、本条件で単膜形成したITO35nmの可視光透過率は90以上、シート抵抗は160Ω/□以下であった。以上より、DCパルス電源を用いて印加電力の周波数を150kHz~300kHz、デューティ比を60~80に設定することにより、透明電極14の形成のためのスパッタ成膜を行うことが好ましい。最後に本素子の発光領域全面にCVD法により第1封止層15SiNx膜を620nmの厚さで、ALDAtomicLayerDeposition:原子層堆積法により第2封止層16Al2O3膜を20nmの厚さで、それぞれ形成し、更に熱硬化型エポキシ樹脂を介してガラス基板4と貼り合わせることにより封止を行い、トップエミッション型OLEDを得た。上述の各層における膜厚は、光取出し効率が最大化される膜厚を光学シミュレーションにて算出したものである。以上に述べた製造方法により作製したトップエミッション型OLEDの輝度半減寿命初期輝度4,000cd/A:LT50は、従来方法にてITOを陰極形成した素子と比べ、約17倍伸びており、更に駆動電圧発光開始電圧は0.7V低下し、発光効率電流効率は1.7cd/A上昇した。このことは本発明により形成したITOから効率良く電子注入がなされ、正孔に対するキャリアバランスが改善界面での正孔蓄積が抑制されたことで、発光効率を始めとする電流-電圧-輝度特性、及び長期信頼性である寿命が向上したことを示唆するものである。また先述のトップエミッション型OLEDに対し、正孔注入層及びインターレイヤを除いた層構成からなるEODは、注入キャリアである電子の挙動確認に特化した素子である。本発明の透明導電膜形成方法により、n型ドーパントを含む電子注入層上にITOを形成したEODの電流-電圧特性は、最も大きな傾きを示した。このことも本発明により形成したITOから効率良く電子注入がなされたことを示唆するものである。また、電子注入性保護膜が形成された基板上に、前記のスパッタ条件で100nm成膜したITOの結晶性は、従来方法で同様の基板上に形成したITOと比べ、In2O3の主面方位である222に高い感度で回折ピーク強度が検出されたとともに、他の面方位にサブピークは検出されなかった。以上より、本発明の透明導電膜形成方法は、立方晶系に属し、bixbyiteと呼ばれる結晶構造を持つ、In2O3のIn3の位置にSn4を置換型固溶しつつ、格子定数の大きな変化格子歪を伴わずに、配向性の高いITO膜の形成が可能であることを示唆するものである。"