イオンビームを発生するように構成されたイオン源と、前記イオンビームを走査して、走査原点から発散する軌道を有する走査イオンビームを生じるように構成されたスキャナと、このスキャナの上流に配置され、イオンビームを走査原点における焦点に集束させるように構成された集束フィールドを有する集束素子とを具えるビームラインイオン注入装置。請求項1に記載のビームラインイオン注入装置において、このビームラインイオン注入装置が更に、イオンビームセットアップ手順中に走査原点に位置させるビーム電流検出装置を具えており、このビーム電流検出装置は、走査原点におけるイオンビームのビーム電流を表す電流を検出ように構成されており、前記集束素子は、最大電流がビーム電流検出装置により検出されてイオンビームが走査原点における焦点に集束されるまでイオンビームを集束させるように構成されているようにしたビームラインイオン注入装置。請求項2に記載のビームラインイオン注入装置において、前記ビーム電流検出装置は、イオンビームセットアップ手順中に走査原点に位置させる最長孔を有するプレートと、イオンビームセットアップ手順中にこのプレートの下流に位置するビーム電流センサとを具えており、前記最長孔は、イオンビームの一部分を前記ビーム電流センサに向けて通過させるものであるビームラインイオン注入装置。請求項3に記載のビームラインイオン注入装置において、前記プレートと前記ビーム電流センサとが、移動アセンブリ内に一体化されているビームラインイオン注入装置。請求項3に記載のビームラインイオン注入装置において、前記最長孔は第1の方向で第1の幅を有し、前記イオンビームは前記焦点において前記第1の方向で第2の幅を有し、前記第1の幅は前記第2の幅よりも小さくしたビームラインイオン注入装置。請求項5に記載のビームラインイオン注入装置において、前記第1の幅は約2ミリメートルmmとし、前記第2の幅は約3mmとしたビームラインイオン注入装置。請求項2に記載のビームラインイオン注入装置において、前記ビーム電流検出装置は、第1の方向で第1の幅を有するビーム電流センサを具えており、前記イオンビームは、前記焦点において前記第1の方向で第2の幅を有し、前記第1の幅は前記第2の幅よりも小さくしたビームラインイオン注入装置。請求項1に記載のビームラインイオン注入装置において、前記集束素子は静電レンズを有しているビームラインイオン注入装置。請求項1に記載のビームラインイオン注入装置において、前記焦点は、前記イオンビームの幅が最小の幅にある際に生じるようになっているビームラインイオン注入装置。イオンビームを発生させるステップと、前記イオンビームを走査原点に位置する焦点に集束させるステップと、前記イオンビームを走査して、前記走査原点から発散する軌道を有する走査イオンビームを生ぜしめるステップとを具えるイオンビームチューニング方法。請求項10に記載のイオンビームチューニング方法において、この方法が更に、前記走査原点における前記イオンビームのビーム電流を表す電流を検出する検出ステップを具えており、前記イオンビームを走査原点に位置する焦点に集束させる前記ステップが、前記走査原点における前記電流が最大電流になるまで前記イオンビームを調整するステップを有するようにするイオンビームチューニング方法。請求項11に記載のイオンビームチューニング方法において、前記検出ステップが、最長孔を有するプレートを前記走査原点に配置するとともにこのプレートの下流にビーム電流センサを配置するステップを有し、前記最長孔が前記イオンビームの一部分を前記ビーム電流センサに向けて通過させるようにし、この最長孔は第1の方向で第1の幅を有し、前記イオンビームは前記焦点において前記第1の方向で第2の幅を有し、前記第1の幅は前記第2の幅よりも小さくするようにするイオンビームチューニング方法。請求項12に記載のイオンビームチューニング方法において、前記第1の幅は約2mmとし、前記第2の幅は約3mmとするイオンビームチューニング方法。請求項11に記載のイオンビームチューニング方法において、前記検出ステップが、第1の方向で第2の幅を有するビーム電流センサを前記走査原点に配置するステップを有し、前記イオンビームが前記第1の方向で第2の幅を有し、前記第1の幅は前記第2の幅よりも小さくするようにするイオンビームチューニング方法。請求項10に記載のイオンビームチューニング方法において、前記イオンビームが前記走査原点の上流で第1の方向における幅を有し、前記イオンビームを前記走査原点に位置する前記焦点に集束させる前記ステップが、前記幅を前記走査原点における最小幅まで幅狭にするステップを有するようにするイオンビームチューニング方法。質量分析器と、この質量分析器の下流の質量分解開口と、スキャナとを具える従来のビームラインイオン注入装置は、イオンビームを質量分解開口における焦点に集束させる。従って、イオンビームが質量分解開口の下流のスキャナの走査原点に到達する時までにこのイオンビームは拡がってしまう。この従来のビームラインイオン注入装置に対する1つの欠点は、イオンビームの局部的なビーム角の拡がりが、角度感応分野にとって許容しえない程度に大きくなるおそれがあるということである。1つの実験では、ホウ素イオンの高エネルギー3メガ電子ボルトMeVイオンビームが0.06°の局部的なビーム角の拡がりを有していた。すなわち、局部的なビーム角の平均に関する最大偏差は0.06°であった。このような偏差はチャネリングの量に、従って、ドーパントイオンが半導体ウエハ内に注入される最終深さに悪影響を及ぼすおそれがある。更に、得られるドーズ量の均一性も悪影響を受けるおそれがある。従って、上述した不備及び欠点を解決するビームラインイオン注入装置及び方法を提供するのが好ましい。本発明の第1の態様によれば、ビームラインイオン注入装置を提供する。このビームラインイオン注入装置は、イオンビームを発生するように構成されたイオン源と、前記イオンビームを走査して、走査原点から発散する軌道を有する走査イオンビームを生じるように構成されたスキャナと、このスキャナの上流に配置され、イオンビームを走査原点における焦点に集束させるように構成された集束フィールドを有する集束素子とを具える。本発明の他の態様によれば、イオンビームチューニング方法を提供する。この方法は、イオンビームを発生させるステップと、前記イオンビームを走査原点に位置する焦点に集束させるステップと、前記イオンビームを走査して、前記走査原点から発散する軌道を有する走査イオンビームを生ぜしめるステップとを具える。以下に、添付図面に示す代表的な実施例につき本発明を更に詳細に説明する。以下では代表的な実施例につき本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。本発明の内容を利用する当業者は、本発明の範囲内の更なる実施、変形及び具現化や、その他の使用分野を認識しうるものであり、これらに対して本発明は重要な役割を果たすものである。本発明を良好に理解するために添付図面を参照するが、これらの添付図面において同様な要素には同じ符号を付してある。図1は、本発明によるビームラインイオン注入装置100を示すブロック線図である。このビームラインイオン注入装置100は、イオン源102と、集束素子104と、スキャナ106と、ビーム電流検出装置144と、コントローラ120と、ユーザインタフェースシステム122とを具えている。イオン源102は、イオンビーム105を発生するように構成されている。このイオン源102は、フィラメントにより熱イオン放出温度まで加熱されて電子をアークチャンバ内に放出するカソードを有する間接加熱カソードIHCイオン源のような如何なる種類のイオン源とすることもできる。当該技術分野で既知のように、引出電極アセンブリは、イオンをアークチャンバ内のプラズマから引出開口を経て、良好に規定されたイオンビーム105となるように引き出すことができる。イオン源102から引き出されたイオンビーム105は、このイオン源102から引き出された際にほぼ円形の横断面形状を有するスポットビームとすることができる。スポットビームの横断面形状は、このスポットビームがビームラインに沿って下流に伝搬するにつれ変化するおそれがあり、ある場合には不規則な形状となるおそれもある。集束素子104は、イオンビームを焦点に集束させるように構成された集束フィールドを有する。この集束フィールドは、例えば、集束素子の種類に応じて電界又は磁界とすることができる。一例では、集束素子104は、1つ以上の電源によりバイアスされてイオンビーム105を集束させる電界エネルギーを生じる1つ以上の電極を有する静電レンズとすることができる。静電レンズは、あるビームラインイオン注入装置において加減速コラム及び四極レンズの双方又は何れか一方とすることもできる。スキャナ106は、イオンビーム105を走査平面内で往復走査又は偏向させて走査原点109から発散する軌道を有する走査イオンビーム107を生じるように構成されている。このスキャナ106は、静電スキャナ又は磁気スキャナとすることができる。静電スキャナには、ギャップを形成するように互いに離間させることができる走査プレートの形態の1組以上の走査電極を設けることができる。イオンビーム105は前記ギャップを通るように指向させるとともにこのギャップ内で電界により偏向させることができる。磁気スキャナには、磁極片とコイルとを設け、これらにより電磁石を構成するようにしうる。磁極片はギャップを形成するように互いに離間させ、このギャップを通るようにイオンビーム105を指向させるとともにこのギャップ内で磁界により偏向させるようにすることができる。角度補正器108は、発散軌道を有する走査スポットビーム107を偏向させ、ほぼ平行なイオン経路軌道としたほぼ平行なイオンビーム経路を走査スポットビーム107に与えるようにする。この角度補正器108は、角度補正器磁石又は平行化静電レンズとすることができる。エンドステーション部114には、所望のスペシーズのイオンがワークピース110に当るようにこのワークピース110を支持するプラテン支持台112を設けることができる。ワークピース110は、例えば、材料を変形させるためのイオン処理を受ける半導体ウエハ又はその他の物体とすることができる。又、ワークピース110は、一般的な円板状の形状のような種々の物理的な形状を成すようにもできる。エンドステーション部114には、ワークピース110をその保持領域からプラテン112に且つプラテン112から物理的に移動させるウエハ駆動システムを設けることもできる。ワークピース110は、静電クランプ処理のような既知の技術を用いてプラテン112に緊締させることができる。エンドステーション部114には、プラテン112を、従ってこのプラテンに緊締されたワークピース110を所望の態様で駆動するプラテン駆動システムを設けることもできる。このプラテン駆動システムには、例えば、サーボ駆動モータや、ねじ駆動機構や、機械的リンク機構や、当該技術分野で既知のようなその他の如何なる構成素子をも設けることができる。コントローラ120は、ビームラインイオン注入装置100の種々の何らかのシステム及び構成素子から入力データ及び命令を受け、これらを制御するための出力信号を生じるようにしうる。このコントローラ120は、所望の入力/出力機能を実行するようにプログラミングしうる汎用のコンピュータとするか又はこれを含むようにでき、或いはその回路網とするか又はこれを含むようにできる。このコントローラ120には、アプリケーション特有の集積回路や、その他の配線された又はプログラム可能な電子装置や、個別素子の回路等のような他の電子回路又は構成素子を含めることもできる。又、このコントローラ120には、通信装置や、データ記憶装置や、ソフトウェアを含めることもできる。ユーザインタフェースシステム122には、タッチスクリーン、キーボード、ユーザポインティングデバイス、ディスプレイ、プリンタ等のような装置を含め、ユーザが命令及びデータの双方又は何れか一方を入力しうるようにするか、又はコントローラ120を経てビームラインイオン注入装置100をモニタリングするか、又はこれら入力及びモニタリングの双方を達成するようにするも、これらの装置に限定されるものではない。図2を参照するに、このデカルト座標系は、ビームラインイオン注入装置100の動作の説明を助けるために示してある。このデカルト座標系は、イオンビーム105の中央の軌道によって規定されたZ軸を有している。このZ軸に対し垂直な平面202にはX軸及びY軸が含まれている。X軸は平面202の水平軸であり、Y軸はX軸に対し直交する、平面202の垂直軸である。従って、Z軸はイオンビーム105の軌道が変化すると変化し、このZ軸は、イオンビームがビームラインに沿って種々の個所で湾曲しうるためにこの軌道に対し接線となる。ビームラインイオン注入装置100のイオン源102は、動作中イオンビーム105を発生するように構成されている。イオンビーム105は、イオン源102から取り出された際にほぼ円形の横断面形状を有するスポットビームとすることができる。スキャナ106は、イオンビームを走査し、この走査されたイオンビーム107が走査原点109から発散する軌道を有するように生じるように構成されている。スキャナ106の上流に位置する集束フィールドを有する集束素子104は、イオンビーム105を走査原点109における焦点に集束させるように構成されている。イオンビーム105は、このイオンビームがビームラインに沿って下流に移動する際にX軸方向X軸次元で幅を変化させることができ、X軸方向におけるイオンビーム105の幅が最小となる際に焦点が生じうる。図3を参照するに、この図3には、イオンビーム105がZ軸方向で下流に向けて移動する際のこのイオンビーム105の展開平面図が示されている。Y軸はこの図3の平面から出現するものであり、X軸方向に沿うイオンビーム105の幅は、このイオンビーム105がビームラインに沿って下流に伝搬する際に変化する。焦点306は、X軸に沿うイオンビーム105の幅が最小となる際に生じうる。図3の最上部の例では、イオンビーム105の焦点306がスキャナ106の走査原点109の下流に位置している。図3の中間部の例では、イオンビーム105の焦点306が走査原点109の上流に位置している。又、図3の最下部の例では、イオンビーム105の焦点306が走査原点109に位置している。図4Aは、図3のライン4A‐4Aに沿って断面とし、イオンビーム105の移動方向において下流方向に見たこのイオンビーム105の横断面図である。同様に、図4Bは、図3のライン4B‐4Bに沿って断面とし、イオンビーム105の移動方向において下流方向に見たこのイオンビーム105の横断面図である。図4Bは、イオンビーム105がその焦点306に集束された際のこのイオンビーム105の近似形状を示している。図4Aに示すイオンビーム105の幅W3は、焦点306に生じる、図4Bに示すこのイオンビーム105の最大幅W2よりもかなり広い。一実施例では、この最大幅W2を約3ミリメートルmmとする。図4A及び4Bは、Y軸方向におけるイオンビーム105の高さがほぼ同様であることを示しているが、必ずしもこのようにする必要はない。その理由は、高さも変えることができる為である。イオンビーム105の横断面形状は、ある場合には不規則的な形状にすることもできる。図5を参照するに、この図5には、イオンビームセットアップ手順中に走査原点109に位置させるビーム電流検出装置144の一実施例を示す斜視図が示されている。このビーム電流検出装置144には、最長孔504を有するプレート502を設けることができる。このビーム電流検出装置144には更に、最長孔504の下流に位置するファラデーカップのようなビーム電流センサ506を設けることができる。プレート502とビーム電流センサ506とは、アーム508により支持された移動トラベリングアセンブリ510内に一体化することができる。或いはまた、ビーム電流センサ506は、これが最長孔504を有する適切配置のプレートの下流に配置されている限り、同じ移動アセンブリ内に存在させないようにできる。アーム508をアクチュエータにより駆動するとともに、コントローラ120により制御して、ビームセットアップ手順中にプレート502の最長孔504が走査原点109に配置されるようにしうる。最長孔504は、図4Bに示すような、イオンビーム105の焦点306におけるこのイオンビーム105の最小幅W2よりも小さいX軸方向における幅W1を有するようにしうる。ある場合には、X軸方向における最長孔の幅W1を2mmとし、同じX軸方向におけるイオンビーム105の焦点306におけるこのイオンビーム105の最小幅W2を3mmとすることができる。動作に当っては、ビームセットアップ手順中にビーム電流検出装置144を走査原点109に配置する。特に、最長孔504を有するプレート502をZ軸に沿って走査原点109に配置しうる。最長孔504は、イオンビーム105の一部がここを通過して下流のビーム電流センサ506に到達するようにする。従って、ビーム電流センサ506はイオンビーム105のこの部分のビーム電流値を検出しうる。図6におけるプロットが示しているように、イオンビーム105のこの部分のビーム電流値は、集束素子104がイオンビーム105を集束させる為に変化する。ビーム電流センサ506により検出されたビーム電流は時間t1において最大値となり、このことは焦点306が走査原点109にあることを表している。例えば、図3を参照するに、図3の最上部の例に示されているように、焦点306が走査原点109の下流にある場合には、ビーム電流センサにより検出されるビーム電流は最大値よりも小さくなる。その理由は、同じ量のビーム電流がX軸方向で大きな距離に亘って分散される為である。同様に、図3の中間部の例に示されているように、焦点306が走査原点109の上流にある場合にも、ビーム電流センサにより検出されるビーム電流は最大値よりも小さくなる。最終的に、図3の最下部の例に示されているように、焦点306が走査原点109と整列されるまでは、ビーム電流センサが時間t1において最大値を検出することはない。更に他の実施例では、ビーム電流検出装置144に、イオンビームの焦点306におけるX軸方向でのこのイオンビームの最小幅W2よりも小さいX軸方向での幅を有するビーム電流センサを設けることができる。一実施例では、このビーム電流センサを、最長孔504とほぼ同様な最長形状を有するようにするとともに、グラファイトのような導電性材料から形成するようにすることができる。更に他の実施例では、走査原点109に近接するイオンビーム105の像を捕捉するカメラをイオンビーム105に対し関連する位置に配置することができる。このカメラにより捕捉されたイオンビーム105の像をコントローラ120に入力させることができる。これに応答してコントローラ120が、イオンビームを走査原点における焦点に集束させることを集束素子104に指令するようにしうる。従って、スキャナの上流に位置し、イオンビームを走査原点における焦点に集束させるように構成された集束フィールドを有する集束素子を具えるビームラインイオン注入装置が得られる。有利なことに、イオンビームを走査原点における焦点に集束させることにより、イオンビーム105の局部的なビーム角の拡がりが最少となる。このことは、チャネリングイオン注入のためのイオンビームを高エネルギーにするようなある分野にとって望ましいことである。図7は、局部的なビーム角の拡がりが最少である状態を示すブロック線図である。図7の実施例におけるスキャナ106は、ギャップを形成するように互いに離間された走査プレート702及び704を有する静電スキャナである。動作に当っては、以前に詳述したように、イオンビーム105を走査原点109における焦点に集束させる。スキャナの下流にある角度補正器108は、走査されたイオンビーム107の発散軌道をより一層平行な軌道に偏向させるレンズとして作用する。角度補正器108を出射するイオンビーム105も局部的なイオン軌道を有している。例えば、ワークピース110の1つのエッジに当るイオンビーム105の展開図を示してあり、この展開図において、個々のビームレット710、712、714、716及び718が最少の局部的なビーム角の拡がりを有するようにするのが有利であり、従って、これらのビームレットが互いに極めて平行になるようにするのが有利である。一実施例では、ホウ素イオンより成る3MeVのイオンビームを走査原点における焦点に集束させることにより、このイオンビームは0.01°のみの局部的なビーム角の拡がりを呈した。この局部的なビーム角の拡がりが、局部的なビーム角の平均に関する最大偏差となる。例えば、中央のビームレット714が0°の入射角における局部的なビーム角の平均を表し、他の何れのビームレット710、712、716及び718によるこの局部的なビーム角の平均からの最大偏差が0.01°である場合には、局部的なビーム角の拡がりは0.01°である。従って、有利なことに、ビームレット710、712、716及び718も互いに極めて平行となる。更に、局部的なビーム角の拡がりを制御することは、ワークピース110に種々の位置で当るイオンビーム105を比較した場合の平行度を全体的に改善するのにも役立つ。これとは対照的に実験データが示した通り、ビームの焦点が質量分解スリットに生じた場合、ホウ素イオンより成る同じ3MeVのイオンビームはより大きな0.06°の局部的なビーム角の拡がりを有した。更に、ワークピースとしてのイオン注入されたシリコンウエハに関する均一性の結果は、サーマウェーブThermawave登録商標プローブにより測定したところ0.7から0.3に改善された。本発明の範囲はここで述べた特定の実施例に限定されるものではない。上述した説明及び図面から当業者にとって明らかなように、ここで述べた特定の実施例以外に、他の種々の例及び変形例を本発明に加えうるものである。従って、このような他の例及び変形例は本発明の範囲内に入るものである。更に、本発明は、特定の目的に対する特定の環境における特定の実施との関連で説明したが、当業者にとって明らかなように、この説明の有効性は、この関連に限定されず、本発明は種々の如何なる目的に対する種々の如何なる環境においても有効に実施しうるものである。従って、本発明の特許請求の範囲は、上述した本発明の全容及び精神を考慮して解釈すべきである。