イオン源から引き出されたイオンビームを、真空ビームライン室を経由して、真空ビームライン終端口に連通した真空処理室内に運び、該真空処理室内のウエハに注入するよう構成したイオン注入装置におけるイオン注入方法において、ウエハへのイオン注入中に、イオンビーム電流を計測するとともに、前記真空ビームライン室または真空処理室内で動作する構造体の位置の変化に応じて変化する真空コンダクタンスの変化を求め、さらに上記真空ビームライン室または真空処理室内に設置された真空計で計測される1個所ないし複数個所の真空度の変化を検知し、上記求めた真空コンダクタンスと1個所ないし複数個所の真空度とを用いてイオンビーム電流量を補正し、ウエハに注入するドーズ量を制御するイオン注入方法。請求項1に記載のイオン注入方法において、上記イオン注入装置は、上記イオンビームが上記真空ビームライン室内で一方向に走査され、上記真空処理室内のウエハが、イオンビーム走査方向とほぼ直交する方向に機械的に走査されるイオン注入装置であるところの、ウエハに注入するドーズ量を制御するイオン注入方法。請求項2に記載のイオン注入方法において、ウエハを機械的に走査するために上記真空処理室内に設置されたウエハ走査体及びウエハが上記真空処理室内で動作する構造体であり、上記構造体の位置の変化によって変化する真空コンダクタンスの変化を求めるとともに、別途真空計で計測した1個ないし複数個の真空度の変化を検知して、上記求めた真空コンダクタンスと1個ないし複数個の真空度を用いてイオンビーム電流量を補正し、ウエハに注入するドーズ量を制御するイオン注入方法。請求項3に記載のイオン注入方法において、ウエハを機械的に走査するために上記真空処理室内に設置されたウエハ走査体のウエハ走査方向の位置の関数として真空コンダクタンスの変化を求め、イオン注入中に発生するウエハ走査体の位置変化に合わせて、ウエハに注入するドーズ量を制御するイオン注入方法。請求項1から4のいずれか1項に記載のイオン注入方法において、上記真空ビームライン室及び真空処理室内に真空計を複数個設置し、上記イオン注入装置に意図的かつ経常的に導入される1個ないし複数個の導入気体の分圧値と、イオン注入によってウエハ表面のレジスト膜から付随的に発生するレジスト起因気体分圧値を、上記複数個の真空計測定値からそれぞれ取得し、イオンビームに与える、上記1個ないし複数個の導入気体の効果と、上記レジスト起因気体の効果をそれぞれ計算し、その計算結果に従って、イオンビーム電流量を補正し、ウエハに注入するドーズ量を制御するイオン注入方法。請求項1から4のいずれか1項に記載のイオン注入方法において、上記イオン注入装置に意図的かつ経常的に導入される1個ないし複数個の導入気体分圧値を、ウエハへのイオン注入前に、1個の真空計と、上記イオン注入装置に設置されたマスフローメータを用いて、それら導入気体分圧値を取得し、イオン注入によってウエハ表面のレジスト膜から付随的に発生するレジスト起因気体分圧値は、ウエハへのイオン注入中に上記1個の真空計を用いて取得し、イオンビームに与える、上記1個ないし複数個の導入気体の効果と、上記レジスト起因気体の効果をそれぞれ計算し、その計算結果に従って、イオンビーム電流量を補正し、ウエハに注入するドーズ量を制御するイオン注入方法。請求項6に記載のイオン注入方法において、ウエハへのイオン注入前に取得される、上記イオン注入装置に意図的かつ経常的に導入される1個ないし複数個の導入気体分圧値について、ウエハを機械的に走査するために上記真空処理室内に設置されたウエハ走査体のウエハ走査方向の位置として、上記真空処理室に設置された真空ポンプによる真空コンダクタンスが最も大きい位置に、上記ウエハ走査体の位置を設定して、それら導入気体分圧値を取得し、イオン注入時に行われる、ウエハ表面のレジスト膜から付随的に発生するレジスト起因気体分圧測定結果と共に、イオンビームに与える、上記1個ないし複数個の導入気体の効果と、上記レジスト起因気体の効果をそれぞれ計算し、その計算結果に従って、イオンビーム電流量を補正し、ウエハに注入するドーズ量を制御するイオン注入方法。請求項5から7のいずれか1項に記載のイオン注入方法において、上記1個ないし複数個の導入気体及びウエハ表面のレジスト膜から付随的に発生するレジスト起因気体の影響を除いて、ウエハまで到達する粒子数の変動を監視し、ウエハへのイオン注入中に粒子数変動が発生した場合に、ウエハへのイオン注入を中断するイオン注入方法。イオン源から引き出されたイオンビームを、真空ビームライン室を経由して、真空ビームライン終端口に連通した真空処理室内に運び、該真空処理室内のウエハに注入するよう構成したイオン注入装置において、ウエハへのイオン注入中に、上記真空ビームライン室または真空処理室内で動作する構造体によって変化する真空コンダクタンスの変化を求めるとともに、上記真空ビームライン室または真空処理室内に設置された真空計で計測される1個ないし複数個の真空度の変化を検知し、上記求めた真空コンダクタンスと1個ないし複数個の真空度を用いてイオンビーム電流量を補正し、ウエハに注入するドーズ量を制御するイオン注入装置。請求項9に記載のイオン注入装置において、上記イオンビームが上記真空ビームライン室内で一方向に走査され、上記真空処理室内のウエハが、イオンビーム走査方向とほぼ直交する方向に機械的に走査されるイオン注入装置。請求項10に記載のイオン注入装置において、ウエハを機械的に走査するために上記真空処理室内に設置されたウエハ走査体及びウエハが上記真空処理室内で動作する構造体であり、上記構造体の位置の変化によって変化する真空コンダクタンスの変化を求めるとともに、別途真空計で計測した1個ないし複数個の真空度の変化を検知し、上記求めた真空コンダクタンスと1個ないし複数個の真空度を用いてイオンビーム電流量を補正し、ウエハに注入するドーズ量を制御するイオン注入装置。特許文献1の真空補正機能は、イオン注入前のレジスト起因気体が発生していない状態の真空計測定値を導入気体の分圧値PAとし、イオン注入中もその分圧値が常に一定であると仮定している。そして、イオン注入中に刻々と変化し続ける真空計測定値Pから導入気体の分圧値PAの差をとった値PPAをレジスト起因気体の分圧値としている。しかし、後で詳しく説明するように、イオン注入装置では、通常、ウエハへのイオン注入中に、イオン注入装置中に動作する構造体が存在する。そして、その構造体が機械的に動作することにより、ビームラインの真空コンダクタンスが変化する。すなわち、導入気体の分圧値PAは、イオン注入中、時間的に有意に変化している。また、後で詳しく説明するように、ビームラインに意図的に導入される導入気体は1種類とは限らないが、特許文献1の真空補正機能では、その点について、考察が不足している。このことから、特許文献1の真空補正機能では、導入した導入気体の分圧値PAと、真空計測定値Pからの差分により求めているレジスト起因気体の分圧値PPAそれぞれに誤差を生じている。その結果、ドーズ量制御に使用される注入イオンビーム電流にずれが生じており、正確なドーズ量制御が行なえなくなっている。従って、複数種類の導入気体とレジスト起因気体の分圧値をそれぞれ正確に見積もるためには、ビームラインにおけるそれぞれの分圧値をコンダクタンス効果とビームラインに導入する導入気体の種類を含めて計算する必要がある。本発明の課題は、ビームラインにとどまった複数種類の導入気体とレジスト起因気体の中性化効果を、コンダクタンス効果を含めて見積もり、正確なドーズ量制御を実現できる高精度イオン注入方法、及び高精度イオン注入装置を提供することにある。本発明の具体的な課題は、以下の内容を実現できるようにすることである。外部から導入した複数種類の導入気体とウエハから発生するレジスト起因気体のビームラインにおける真空度分圧値を、真空ビームライン室又は真空処理室内で動作する構造体の位置の変化に応じて変化する真空コンダクタンスの変化に基づくコンダクタンス効果を含めて正確に見積もり、複数種類の導入気体とレジスト起因気体によるイオンビームの中性化効果を正確に計算して、正確なドーズ量制御を行う。本発明は、イオン源から引き出されたイオンビームを、真空ビームライン室を経由して、真空ビームライン終端口に連通した真空処理室内に運び、真空処理室内のウエハに注入するよう構成したイオン注入装置に適用される。この発明に係るイオン注入方法の一つは、イオン注入中にイオンビーム電流を計測する手段と、真空計によって真空度を測定する手段を備えたイオン注入装置に適用され、ウエハへのイオン注入中に、真空ビームライン室または真空処理室内で動作する構造体によって変化する真空コンダクタンスの変化を求めるとともに、上記真空計により計測される1個ないし複数個の真空度の変化を検知し、上記求めた真空コンダクタンスと1個ないし複数個の真空度を用いてイオンビーム電流量を補正し、ウエハに注入するドーズ量を制御する真空補正機能を備えたことを特徴とする。また、この発明は、予め求めておいた外部から導入する導入気体とレジスト起因気体に対する真空補正係数と、上記気体に対するコンダクタンス効果を含んだそれぞれの真空度分圧値から計算した注入イオンビーム電流を基準にドーズ量制御を行う真空補正機能を備えたことを特徴とする。さらに、外部から導入した導入気体が複数の場合でも、それらの導入気体に対するビームイオンの真空補正係数と、コンダクタンス効果を含んだ真空度分圧値を別々に計算し、換算した注入イオンビーム電流を基準にドーズ量制御を行う真空補正機能を備えたことを特徴とする。加えて、上記導入気体とレジスト起因気体の影響を除いて、ウエハまで到達する粒子数の変動を、ウエハへのイオン注入中に常に監視し、ウエハへのイオン注入中に注入される粒子数の変動が発生した場合に、ウエハへのイオン注入を中断する機能を備えたことも、特徴の一つである。本発明によれば、外部から導入した複数種類の導入気体とウエハから発生するレジスト起因気体について、真空ビームライン室又は真空処理室内で動作する構造体の位置の変化に応じて変化する真空コンダクタンスの変化に基づくコンダクタンス効果を考慮して真空ビームライン室の真空度分圧値を正確に見積もり、測定されたイオンビーム電流から実際に注入される粒子数に基づくイオンビーム電流へ正確に補正することにより実現でき、ウエハに注入するドーズ量を制御する、高精度イオン注入方法が実現できる。本発明によれば、外部から導入した複数種類の導入気体とウエハから発生するレジスト起因気体について、コンダクタンス効果を考慮して真空ビームライン室の真空度分圧値を正確に見積もり、測定されたイオンビーム電流から実際に注入される粒子数に基づくイオンビーム電流へ正確に補正することにより実現でき、ウエハに注入するドーズ量を制御する、高精度イオン注入装置が実現できる。本発明は、イオン源から引き出されたイオンビームを、真空ビームライン室を経由して、真空ビームライン終端口に連通した真空処理室内に運び、真空処理室内のウエハに注入するよう構成したイオン注入装置に適用される。しかし、イオン注入装置の種類は、複数種類ある。全ての種類のイオン注入装置について説明を行うと煩雑になるので、以下では、イオン注入装置の代表例として、枚葉式イオン注入装置について説明する。以下の説明では、イオン源から真空処理室に至る、イオンビーム搬送系をビームラインと呼び、イオンビーム搬送系を構成している要素を収容している室を真空ビームライン室と呼ぶ。真空処理室は真空ビームライン室の真空ビームライン終端口に連通する。図1を参照して、本発明が適用されるイオン注入装置の例として、ハイブリッドスキャン方式と呼ばれる、代表的な枚葉式イオン注入装置の構成について説明する。図1において、イオン注入装置は、イオン源11から引出電極12により引き出したイオンビームを、真空ビームライン室を通してウエハまで運ぶ。ビームラインに沿って、質量分析装置13、質量分析スリット14、ビームスキャナー15、パラレルレンズ16を順に配置している。図1では図示を省略しているが、パラレルレンズ16の下流側にはさらに、エネルギー分析装置図2に22で示す、エネルギー分析スリット、ウエハ処理室図2に30で示すを順に配置している。ウエハ処理室内には、ウエハ17を保持するホルダ18を含むウエハ走査体以下では、メカニカルスキャン装置と呼ぶことがあるが配置される。イオン源11から引き出されたイオンビームはビームラインに沿ってウエハ処理室内に配置されたホルダ18上のウエハ17に導かれる。一般に、イオン注入装置では、空間電荷効果をキャンセルしてイオンビーム輸送効率を上げるため、あるいはウエハ17上でのチャージアップを防止するために、ビームラインの複数箇所でイオンビームに電子を供給することがある。勿論、枚葉式イオン注入装置でも、そのような電子供給が行われることがある。この場合、電子の供給源として、外部から意図的に気体を導入することが多い。通常、その目的に応じて、アルゴン、クリプトン、キセノン等の複数種類の希ガス気体が導入される場合が多い。ここで、ウエハ全面にイオンを注入するために、枚葉式イオン注入装置では、ビームに対して設定した角度でウエハ17を一方向の線上を機械的に往復駆動するか一方向の線の方向とウエハの方向は設定角度傾く、あるいはビームが照射される位置を固定してウエハ17をその固定位置の平面上に機械的に一方向で往復駆動する場合が多い。例えば、図1に示したようなハイブリッドスキャン方式と呼ばれる枚葉式イオン注入装置では、イオンビームが真空ビームライン室内で一方向に走査される。一方、真空処理室内のウエハ17は、イオンビーム走査方向とほぼ直交する方向に機械的に移動するようにされる。なお、ウエハ17の下流側には、ウエハ17がイオンビームの走査範囲から外れているときにビーム電流を計測するバックファラデーカップ44-1が配置される。一方、ウエハ17に近い上流側であってウエハ17から外れたイオンビームの走査範囲内にはイオン注入中のビーム電流を計測するサイドファラデーカップ44-2が配置される。これらはドーズ量を知るためのものであり、ドーズカップとも呼ばれる。また、バッチ式イオン注入装置と呼ばれるイオン注入装置では、ディスクと呼ばれる回転構造体の同一円周上に複数枚のウエハが配設される。各ウエハがイオンビームを横切るようにディスクを高速回転させるとともに、ディスクを一方向に並進移動させることにより、複数のウエハ全面にイオンを注入する。従って、イオン源11から引き出されたイオンビームを、真空ビームライン室を経由して、真空ビームライン終端口に連通した真空処理室内に運び、真空処理室内のウエハに注入するよう構成したイオン注入装置では、ウエハ17へのイオン注入中に、真空ビームライン室または真空処理室内で動作する何らかの構造体が存在することが一般的である。一方、真空ビームライン室及び真空処理室は、真空排気装置によって真空が保たれている。真空ビームライン室及び真空処理室の真空度は、イオンビーム量、意図的に外部から導入する導入気体量、ウエハ17から発生するレジスト起因気体量、真空ビームライン室及び真空処理室内に存在する構造体からの脱気体量、及び真空排気装置に対する真空コンダクタンスによって決まっている。このうち、真空コンダクタンスは、真空ビームライン室及び真空処理室内に存在する構造体の機械的配置で決まる。言い換えると、真空ビームライン室または真空処理室内で動作する何らかの構造体が存在する場合、その位置に応じて、真空コンダクタンスが変化し、従って真空度も変化する。ここで、例えば、特許文献1の真空補正機能においては、導入気体の分圧値PAとして、イオン注入前のレジスト起因気体が発生していない状態の真空計測定値Pを用い、イオン注入中もその分圧値が常に一定であると仮定している。しかし、イオン注入装置にはウエハ17へのイオン注入中において、機械的に動作する構造体が存在する。構造体が機械的に動作すると、ビームラインの真空コンダクタンスが変化する。しかし、特許文献1では、このような構造体に起因する真空コンダクタンスの変化は検討されていない。イオン源11から引き出されたイオンビームを、真空ビームライン室を経由して真空処理室内に運び、真空処理室内のウエハ17に注入するよう構成したイオン注入装置において、真空ビームライン室または真空処理室内で動作する何らかの構造体が存在する場合には、上記真空コンダクタンスの変化及びそれによる真空度の変化による分圧値の変化は、一般的に成立するわけであるが、ここでは、理解の便宜のために、ハイブリッドスキャン方式と呼ばれる、代表的な枚葉式イオン注入装置の場合について、さらに詳しく説明する。図2a、bを参照して、イオン注入中に、導入気体の分圧値PAが一定にならないコンダクタンス効果についてさらに説明する。図2a、bは、図1に示したパラレルレンズ16よりも下流側の真空ビームライン室20と、真空ビームライン終端口29に連通した真空処理室30とを示している。以下の説明では、外部から導入される導入気体及びレジスト起因気体を総称して、残留気体と呼ぶことがある。真空処理室30内では、既に説明したように、ウエハ17はホルダ18に保持されている。ホルダ18は、昇降装置24によって、図2では上下方向に駆動される。言い換えると、イオンビームがウエハ17に注入される際、ウエハ全面に均一な注入ドーズ量となるように、昇降装置24を介してウエハ17が上下動する。図2にはエネルギー分析装置22が示されている。イオンビームがエネルギー分析装置22の上流で残留気体との衝突により中性化された場合には、中性化された粒子はウエハ17まで到達しない。一方、イオンビームがエネルギー分析装置22の下流で残留気体との衝突により中性化された場合には、中性化された粒子はウエハ17まで到達する。このように、エネルギー分析装置22の上流で中性化された粒子と、エネルギー分析装置22の下流で中性化された粒子との間には大きな差がある。図2には、真空ポンプによる真空排気装置23-1、23-2が二つ示されている。一方の真空排気装置23-1は真空ビームライン室20に、他方の真空排気装置23-2は真空処理室30にそれぞれ配置されている。真空排気装置の数や配置場所については例示であって、これに限定されるものではない。図2ではまた、導入気体A導入装置25と導入気体B導入装置26が、真空ビームライン室に並んで配置されている。導入気体導入装置はプラズマシャワーとも呼ばれ、その数や配置場所についても例示であって、これに限定されるものではない。図2ではさらに、真空計測定子21がエネルギー分析装置22より上流側の真空ビームライン室20に1個配設されている。真空計測定子の数や配置場所についても例示であって、これに限定されるものではない。ここで、ウエハ17が、図2aに実線で示す最上位位置にある場合、あるいは破線で示す最下位位置にある場合は、真空ビームライン室20に配置された真空排気装置23-1と、真空処理室30に配置された真空排気装置23-2の双方により、残留気体が排気される。図2aに示す太い矢印は、導入気体A導入装置25と真空排気装置23-1、23-2の間の真空コンダクタンスを示す。図2bに示すように、ウエハ17の移動に伴い、ウエハ17が真空ビームライン終端口29、すなわちイオンビーム照射域の中央に近づく。この場合、ウエハ17及び走査体が真空ビームライン室または真空処理室内で動作する構造体となる。ウエハ17及びウエハ走査体が真空ビームライン終端口29と重なる位置まで移動すると、真空排気装置23-2に対する真空コンダクタンスの悪化により、残留気体が排気されにくい状態になる。図2bにおいて真空排気装置23-2に向う太い矢印は、これを示している。わかりやすく言えば、真空排気装置23-2への排気経路がウエハ17及びウエハ走査体によって蓋をされることにより、真空コンダクタンスが悪化し、従って真空度も悪化する。例えば、特許文献1の真空補正機能は、導入気体の分圧値PAとして、イオン注入前のレジスト起因気体が発生していない状態の真空計測定値Pを用いる。そして、イオン注入中も分圧値PAが常に一定であると仮定しており、かつ、イオン注入中に刻々と変化し続ける真空計測定値Pから導入気体の分圧値PAの差をとった値PPAをレジスト起因気体の分圧値と仮定している。しかし、図2を用いた説明で明らかなように、真空コンダクタンスの悪化による真空度悪化効果を考慮に入れると、イオン注入中の導入気体の分圧値は、イオン注入前に比べて変化している。図2の場合には、イオン注入中の導入気体の分圧値は、イオン注入前に比べて大きくなっている。しかし、一般的には、真空ビームライン室または真空処理室内で動作する構造体の動作手法及び複数の真空排気装置の配置位置、及び真空計測定子の配置位置によって、イオン注入中の導入気体の分圧値と、イオン注入前の導入気体の分圧値との大小関係は、大きくなる場合も、小さくなる場合も有りうる。従って、ウエハ17へのイオン注入中の導入気体の分圧値は、イオン注入前のレジスト起因気体が発生していない状態の真空計測定値ではない。また、ウエハ17へのイオン注入中のレジスト起因気体の分圧値も、イオン注入中に刻々と変化し続ける真空計測定値Pから導入気体の分圧値PAの差をとった値PPAではない。本発明では、ウエハ17へのイオン注入中に、真空ビームライン室または真空処理室内で動作する構造体によって変化する真空コンダクタンスの変化を算出するとともに、真空ビームライン室または真空処理室内に設置された真空計で計測される1個ないし複数個の真空度の変化を検出する。そして、これらの値から、イオン注入中における、複数種類があり得るそれぞれの導入気体に対しての分圧値とレジスト起因気体の分圧値を精確に求める。ここで重要なことは、真空コンダクタンスは、真空ビームライン室及び真空処理室内に存在する構造体の機械的配置で決まることである。イオン注入装置において、真空ビームライン室または真空処理室内で動作する構造体を、その駆動範囲内でのそれぞれの位置における真空コンダクタンスの値またはその真空度に対する効果を、計算上ないし実験上得られるものとする。この場合、イオン注入中に、真空ビームライン室または真空処理室内で動作する構造体の位置情報を得ることで、真空ビームライン室または真空処理室内で動作する構造体によって変化する真空コンダクタンスの変化を求め、イオン注入中における、複数種類があり得るそれぞれの導入気体に対しての分圧値とレジスト起因気体の分圧値を精確に求めることが可能である。ここで、一例として、図2の場合においては、ウエハ17がイオンビーム照射域の中央に近づくにつれて、特に真空処理室30に存在する真空排気装置23-2に対する真空コンダクタンスの悪化により、残留気体が排気されにくい状態になる。それゆえ、イオン注入中に、ウエハ17を機械的に走査するために真空処理室30内に設置されたウエハ走査体のウエハ走査方向の位置の関数として真空コンダクタンスの変化を予め求めておくとともに、イオン注入中に発生するウエハ走査体の位置変化に合わせて、複数種類があり得るそれぞれの導入気体に対しての分圧値とレジスト起因気体の分圧値を精確に求めることで、後述されるように、ウエハ17に注入するドーズ量を制御することができることになる。ここで、ある真空排気装置の配置とウエハを機械的に走査するために真空処理室内に設置されたウエハ走査体及びウエハの配置を持つ、ハイブリッドスキャン方式と呼ばれる枚葉式イオン注入装置について考える。このような枚葉式イオン注入装置の一例について、一種類の外部から導入する導入気体に対しての、真空コンダクタンスの変化による真空度悪化効果が、ウエハ走査体の位置によってどのように変化するか実測した。その結果、イオン注入中の上記導入気体の分圧値PAは、以下の式、PAa1PA0で表すことができた。ここで、Yは、ウエハを機械的に走査するために真空処理室内に設置されたウエハ走査体のウエハ走査方向の位置であり、Ya、aは定数である。PA0は、イオン注入前に測定された、外部から導入する導入気体が存在する場合の真空度である。この測定時のウエハ走査体及びウエハの空間的位置は、図2において、ウエハ走査体の駆動範囲の最上位位置ないし最下位位置にある場合の真空度である。すなわち、真空処理室30に設置された真空排気装置23-2による真空コンダクタンスが最も大きい位置に、ウエハ走査体が位置した場合の真空度である。別の位置から導入される導入気体や、別の種類の導入気体の場合には、真空コンダクタンスの変化による真空度悪化効果が、当然異なり、例えば、イオン注入中の上記導入気体の分圧値PBは、PBb1PB0となる。ここで、Yは、ウエハ17を機械的に走査するために真空処理室30内に設置されたウエハ走査体のウエハ走査方向の位置であり、Yb、bは定数である。PB0は、イオン注入前に測定された、外部から導入する導入気体が存在する場合の真空度である。この測定時のウエハ走査体及びウエハ17の空間的位置は、これらが、図2において、ウエハ走査体の駆動範囲の最上位位置ないし最下位位置にある場合の真空度である。なお、真空排気装置の配置や、ウエハ17を機械的に走査するために真空処理室30内に設置されたウエハ走査体及びウエハ17の配置が異なる場合などには、上記式の形が変更されることは言うまでもない。ここで重要なことは、真空コンダクタンスの変化による真空度悪化効果に関して、真空ビームライン室20または真空処理室30内で動作する構造体の位置情報を得ることで、イオン注入中における、複数種類があり得るそれぞれの導入気体に対しての分圧値とレジスト起因気体の分圧値を精確に求めることが可能である点である。ここで、外部から導入する導入気体が複数ある場合について、さらに詳しく説明する。ここでは、2種類の導入気体、すなわち導入気体A、導入気体Bを考える。例えば、図2では、導入気体A導入装置25から導入気体Aが導入され、導入気体B導入装置26から導入気体Bが導入される。この場合、1個の真空計を用いるだけでは、ウエハ17へのイオン注入前に測定される真空値から、導入気体A、導入気体Bの分圧値をそれぞれ見積もることが出来ない。そのため、イオン注入中のレジスト起因気体の分圧値を精確に求めることもできない。すなわち、あらかじめ導入気体Aと導入気体Bの分圧値の比率を求めることが必要である。導入気体Aと導入気体Bの分圧値の比率を求めるための一つの方法として、以下の方法が考えられる。真空ビームライン室及び真空処理室内に真空計を複数個配置し、それらの真空計配置位置に対する真空コンダクタンスの差を利用して、上記複数個の真空計測定値からあらかじめ導入気体Aと導入気体Bの分圧値の比率を求める。導入気体Aと導入気体Bの分圧値の比率を求めるための別の方法として、以下の方法が考えられる。イオン注入装置に設置されたマスフローメータを用いて、イオン注入装置に導入される導入気体Aと導入気体Bの量を精確に測定することによって、あらかじめ導入気体Aと導入気体Bの分圧値の比率を求める。この場合、真空計は1個でよい。ここで、外部から導入する導入気体が複数有る場合に、上記手法のいずれを用いるかについては、コスト等の別観点から選択すればよい。ここで、図3を参照して、本発明で用いられるイオン注入装置のドーズ量制御系の一例について説明する。簡単のために、導入気体は1種類とする。イオン注入装置に設置されている真空計測定子21は真空ビームライン室20の真空度を計測して真空計測定値Pを示す信号を出力し、ドーズカップ44はイオンビーム電流を計測して測定イオンビーム電流Imを示す信号を出力する。ワークステーション41はドーズコントローラ42を通して測定イオンビーム電流Imと真空計測定値Pを一定周期でサンプリングし、サンプリングした値を記憶装置に格納する。ワークステーション41は測定イオンビーム電流Imと、あらかじめ求められている導入気体分圧値PAと、真空計測定値Pとから注入イオンビーム電流I0を算出し、算出した注入イオンビーム電流I0をドーズコントローラ42に送る。ドーズコントローラ42は、この算出した注入イオンビーム電流I0を用いてYスキャンコントローラ43を介してドーズ量制御を行う。Yスキャンコントローラ43は、昇降装置24、すなわちウエハ走査体の上下方向の駆動を制御するものである。ウエハ17へのドーズ量制御をさらに詳しく説明する。ドーズ量制御には、ウエハ17に注入されるべきドーズ量絶対値の制御と、ウエハ面内のドーズ量均一性の制御が考えられる。本発明では、イオン注入装置に意図的かつ経常的に導入される導入気体分圧値と、イオン注入によってウエハ表面のレジスト膜から付随的に発生するレジスト起因気体分圧値を精確に取得する。そして、イオンビームに与える導入気体の効果と、上記レジスト起因気体の効果をそれぞれ計算し、その計算値に基づいてイオンビーム電流量を補正し、ウエハ17に注入するドーズ量を制御している。この場合、ドーズ量絶対値も狙いのドーズ量に合わせこむことができ、またウエハ面内ドーズ量均一性も向上させることができる。ここでは、簡単のために、ウエハ面内ドーズ量均一性を用いて、本発明の効果を説明する。図4に、本発明により、実際に具体的な課題が解決された一例を示す。本発明を、ハイブリッドスキャン方式と呼ばれる、代表的な枚葉式イオン注入装置の一つに適用し、実際のウエハ17を用いて、本発明によるドーズ量制御の効果を確認した。図4は、ウエハのドーズ量測定の際に良く用いられる、シート抵抗値の測定値を示している。図4の横軸はウエハの径方向の位置を示し、径方向の中心が0で示されている。それゆえ、シート抵抗値が直線に近いほど、ウエハ面内ドーズ量均一性が良いことになる。図4に見られるように、本発明の不使用時のシート抵抗値51の測定結果から、本発明の不使用時に042であったウエハ面内ドーズ量均一性が、本発明の使用時のシート抵抗値52の測定結果から、本発明の使用時に024まで改善できたことが確認されており、本発明の効果は明らかである。以上、本発明を好ましい実施形態について説明したが、本発明は以下の態様で実施されてもよい。[態様1]真空ビームライン室及び真空処理室内に真空計を複数個設置し、イオン注入装置に意図的かつ経常的に導入される1個ないし複数個の導入気体の分圧値と、イオン注入によってウエハ表面のレジスト膜から付随的に発生するレジスト起因気体分圧値を、上記複数個の真空計測定値からそれぞれ取得し、イオンビームに与える、上記1個ないし複数個の導入気体の効果と、上記レジスト起因気体の効果をそれぞれ計算し、その計算結果に従って、イオンビーム電流量を補正し、ウエハに注入するドーズ量を制御する。[態様2]イオン注入装置に意図的かつ経常的に導入される1個ないし複数個の導入気体分圧値を、ウエハへのイオン注入前に、1個の真空計と、上記イオン注入装置に設置されたマスフローメータを用いて、それら導入気体分圧値を取得し、イオン注入によってウエハ表面のレジスト膜から付随的に発生するレジスト起因気体分圧値は、ウエハへのイオン注入中に上記1個の真空計を用いて取得し、イオンビームに与える、上記1個ないし複数個の導入気体の効果と、上記レジスト起因気体の効果をそれぞれ計算し、その計算結果に従って、イオンビーム電流量を補正し、ウエハに注入するドーズ量を制御する。[態様3]ウエハへのイオン注入前に取得される、イオン注入装置に意図的かつ経常的に導入される1個ないし複数個の導入気体分圧値について、ウエハを機械的に走査するために真空処理室内に設置されたウエハ走査体のウエハ走査方向の位置として、上記真空処理室に設置された真空ポンプによる真空コンダクタンスが最も大きい位置に、上記ウエハ走査体の位置を設定して、それら導入気体分圧値を取得し、イオン注入時に行われる、ウエハ表面のレジスト膜から付随的に発生するレジスト起因気体分圧測定結果と共に、イオンビームに与える、上記1個ないし複数個の導入気体の効果と、上記レジスト起因気体の効果をそれぞれ計算し、その計算結果に従って、イオンビーム電流量を補正し、ウエハに注入するドーズ量を制御する。[態様4]上記態様1から3のいずれかにおいて、上記1個ないし複数個の導入気体及びウエハ表面のレジスト膜から付随的に発生するレジスト起因気体の影響を除いて、ウエハまで到達する粒子数の変動を監視し、ウエハへのイオン注入中に粒子数変動が発生した場合に、ウエハへのイオン注入を中断する。