"基板上に、化学溶液析出法により形成したZnO層を配設し、前記ZnO層の上に気相法により形成したZnO層を配設した紫外発光素子。前記基板の軟化点が、600°C以上650°C以下である請求項1に記載の紫外発光素子。前記気相法がEB蒸着法である請求項1または2記載の紫外発光素子。基板上にCBD法によりZnO層を形成する工程と、前記ZnO層上に気相法によりZnO薄膜を形成する工程を含む紫外発光素子の製造方法。前記気相法がEB蒸着法である請求項4記載の紫外発光素子の製造方法。しかしながら、上記方法においては、発火の可能性がある水素ガスを用いるので、特殊な装置を用いる必要である。また、水素ガスで処理したZnOにおいても、紫外発光強度が充分に得られるとはいえない。本発明は、上記の課題を解決するものであって、特殊な装置を用いることなく、緑色発光を抑制し、紫外域発光を飛躍的に増大させた紫外発光素子を提供することを目的とする。本発明の一つの実施形態に係る紫外発光素子は、基板上に、化学溶液析出法により形成したZnO層を配設し、前記ZnO層の上に、気相法により形成したZnO層を配設した紫外発光素子である。本発明によれば、ZnO層を化学溶液析出法により形成しているので、特殊な装置を用いることなく、格子定数が合い、結晶性の高いZnO層を形成することができる。従って、緑色発光を抑制し、紫外域発光を飛躍的に増大させた紫外発光素子を提供できる。本発明の実施の形態及び実施例を説明するが,当然ながら本発明はこれらの形式に限定されるものでなく,本発明の技術的範囲を逸脱しない範囲で適宜変更して実施することができる。なお、本発明における紫外発光材料とは、発光ピークの波長が400nm以下にあるものを指す。まず、本発明に到った概要について説明する。本願発明者等は、電子ビームEB蒸着法のZnO膜を種々の条件下で発光特性を評価した結果、次のことを新たに見いだした。基板上にCBD法で形成したZnO膜をバッファ層として配設し、さらにその上にZnO層を形成した場合と、上記バッファ層がなく、直接基板上にZnO層を形成した場合とを比較した。その結果、前者の場合において、緑色発光が抑制され、紫外発光が飛躍的に改善された材料が得られる事を見出した。これは、CBD法で形成したZnOバッファ層を作ることにより、格子定数が合い、結晶性の高いZnO層を成長することができたと考えられる。また、気相法により基板上に直接ZnO層を成長する場合、基板の平坦性や熱膨張係数格子定数の違い等が原因でZnO層が成長しにくいが、CBD法を用いることで、比較的容易にZnOバッファ層を形成することができる。ここで、上記気相法とは、EB蒸着、スパッタリング、CVD、MBE等の方法によって薄膜状の固相を得る方法である。本発明では、上記した気相法のいずれの方法を用いることも可能であるが、特に、EB蒸着法は、低温で、簡便で、ZnO層を製造することができるので好ましい。以下、本発明の実施の形態を、実施例により、さらに詳細に説明する。実施例1図1に示すように、厚み50nmの透明導電膜2ITOが表面に配設された、軟化点が600°C以上650°C以下の低融点基板1ガラス基板:縦20mm×横10mm×厚み15mm上に、CBD法によりバッファ層となるZnO層3を厚み1000nmで成膜した。その具体的なCBD法によるバッファ層の成膜方法は、以下の通りである。第1段階の処理として、エタノールとジエタノールアミンが1:1の割合で混合された有機溶剤に、ZnCH3COO2が0.1mol/lの濃度になるよう溶解させた混合溶液を、上記ガラス基板上に配設されたITO層の上にスピンコートにより成膜した。第2の処理として、前記の第1段階で混合溶液が成膜された基板を、基板1の軟化点より低い温度で乾燥焼成した。具体的には、大気中にて150°Cで30分間乾燥させた後、さらに350°Cで20分間焼成した。第3の処理として、ヘキサメチレンテトラミンにZnNO32が0.1mol/lの濃度になるよう溶解させた混合溶液を65°Cに過熱し、この混合溶液中に、上記の第2の処理で焼成した基板を投入して、1時間の成膜を行わせた。この際、基板上にZnOバッファ層が成長する。第4の処理として、上記の第3の処理で焼成した基板を、純水にて洗浄した後、大気中にて100°Cで30分間乾燥させ、基板上に1000nmのZnOバッファ層3を作製した。以上のように、CBD法によって成膜した厚み1000nmのZnOバッファ層3上に、さらにEB蒸着法により、150°CでZnO層を成膜し、厚み300nmのZnO層4を積層した。この積層体を実施例1とする。<性能比較実験>続いて、本実施例による紫外発光素子の光学的特性について、以下のように比較例1および比較例2の紫外発光素子を用意して、これらと性能を比較する実験を行った。比較例1実施例1と同じガラス基板上に配設されたITO層上に、直接EB蒸着法により150°Cで、厚み300nmのZnOを成膜したものを比較例1とする。比較例2実施例1でZnOバッファ層上にEB蒸着法によるZnO層を成膜する前のもの、すなわち、ガラス基板上にZnOバッファ層のみを成膜したものを比較例2とする。実施例、及び比較例1,2の紫外発光素子について、光学的特性を評価する方法として、He-Cdレーザを励起光源励起波長325nmとするフォトルミネッセンスPLスペクトルの測定を室温下で行った。その測定結果を図2に示す。図2において横軸は発光波長λを、縦軸は光強度単位a.u.を示している。この図から分かるように、実施例で得られたZnO薄膜実施例1はバッファ層を設けなかった場合のZnO薄膜比較例1よりも、バンド端発光380nmの強度が2.2倍に増加することが確認できた。また、ZnOバッファ層自体比較例2と比べ、バンド端発光の強度は20倍であり、且つ不純物準位を介した発光400nm以上の波長と見られる強度も1/10以下であることが確認できた。以上のことから、本実施形態にかかる紫外発光素子によれば、CBD法により成膜されたZnO層バッファ-上にEB蒸着法でZnOを成膜することで、結晶品質が良好で紫外発光効率の良いZnO層が得られることが確認できた。また、上記のようにCBD法によりZnO層バッファ-を形成する工程では、比較的低い温度で焼成しても成膜することができるので、基板1として軟化点の低い600°C以上650°C以下ガラス基板を用いることができる。"