"第1の色相で発光する第1の発光素子を有する第1の表示素子をマトリクス状に複数有し、前記第1の色相とは異なる第2の色相で発光する第2の発光素子を有する第2の表示素子をマトリクス状に複数有し、前記第1の色相の光を受光する第1のフォトセンサをマトリクス状に複数有し、前記第2の色相の光を受光する第2のフォトセンサをマトリクス状に複数有し、前記第1のフォトセンサは、前記第1の色相の光を受光する第1の光電変換素子と、前記第1の光電変換素子に電気的に接続される第1の増幅回路と、を有し、前記第2のフォトセンサは、前記第2の色相の光を受光する第2の光電変換素子と、前記第2の光電変換素子に電気的に接続される第2の増幅回路と、を有し、前記第1の増幅回路は、前記第1の増幅回路に蓄積された電荷を放電させるリセット動作と、前記第1の光電変換素子に流れる光電流の電流量に対応した電荷を蓄積する蓄積動作と、当該電荷の量を情報として含む出力信号を読み出す選択動作とを行い、前記第2の増幅回路は、前記第2の増幅回路に蓄積された電荷を放電させるリセット動作と、前記第2の光電変換素子に流れる光電流の電流量に対応した電荷を蓄積する蓄積動作と、当該電荷の量を情報として含む出力信号を読み出す選択動作とを行い、第1の期間では、複数の前記第1の発光素子を一斉に発光させた状態で、且つ複数の前記第2の発光素子を発光させない状態で、複数の前記第1のフォトセンサにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行い、前記第1の期間と重複しない第2の期間では、複数の前記第2の発光素子を一斉に発光させた状態で、且つ複数の前記第1の発光素子を発光させない状態で、複数の前記第2のフォトセンサにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行い、前記第1の期間及び前記第2の期間の後に設けられた第3の期間では、複数の前記第1のフォトセンサにおいて選択動作を順次行い、複数の前記第2のフォトセンサにおいて選択動作を順次行うことを特徴とする半導体装置の駆動方法。第1の色相で発光する第1の発光素子を有する第1の表示素子をマトリクス状に複数有し、前記第1の色相とは異なる第2の色相で発光する第2の発光素子を有する第2の表示素子をマトリクス状に複数有し、前記第1の色相及び前記第2の色相とは異なる第3の色相で発光する第3の発光素子を有する第3の表示素子をマトリクス状に複数有し、前記第1の色相の光を受光する第1のフォトセンサをマトリクス状に複数有し、前記第2の色相の光を受光する第2のフォトセンサをマトリクス状に複数有し、前記第3の色相の光を受光する第3のフォトセンサをマトリクス状に複数有し、前記第1のフォトセンサは、前記第1の色相の光を受光する第1の光電変換素子と、前記第1の光電変換素子に電気的に接続される第1の増幅回路と、を有し、前記第2のフォトセンサは、前記第2の色相の光を受光する第2の光電変換素子と、前記第2の光電変換素子に電気的に接続される第2の増幅回路と、を有し、前記第3のフォトセンサは、前記第3の色相の光を受光する第3の光電変換素子と、前記第3の光電変換素子に電気的に接続される第3の増幅回路と、を有し、前記第1の増幅回路は、前記第1の増幅回路に蓄積された電荷を放電させるリセット動作と、前記第1の光電変換素子に流れる光電流の電流量に対応した電荷を蓄積する蓄積動作と、当該電荷の量を情報として含む出力信号を読み出す選択動作とを行い、前記第2の増幅回路は、前記第2の増幅回路に蓄積された電荷を放電させるリセット動作と、前記第2の光電変換素子に流れる光電流の電流量に対応した電荷を蓄積する蓄積動作と、当該電荷の量を情報として含む出力信号を読み出す選択動作とを行い、前記第3の増幅回路は、前記第3の増幅回路に蓄積された電荷を放電させるリセット動作と、前記第3の光電変換素子に流れる光電流の電流量に対応した電荷を蓄積する蓄積動作と、当該電荷の量を情報として含む出力信号を読み出す選択動作とを行い、前記第1の期間では、複数の前記第1の発光素子を一斉に発光させた状態で、且つ複数の前記第2の発光素子及び複数の前記第3の発光素子を発光させない状態で、複数の前記第1のフォトセンサにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行い、前記第1の期間と重複しない前記第2の期間では、複数の前記第2の発光素子を一斉に発光させた状態で、且つ複数の前記第1の発光素子及び複数の前記第3の発光素子を発光させない状態で、複数の前記第2のフォトセンサにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行い、前記第1の期間及び前記第2の期間と重複しない第3の期間では、複数の前記第3の発光素子を一斉に発光させた状態で、且つ複数の前記第1の発光素子及び複数の前記第2の発光素子を発光させない状態で、複数の前記第3のフォトセンサにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行い、前記第1の期間、前記第2の期間及び前記第3の期間の後に設けられた第4の期間では、複数の前記第1のフォトセンサにおいて選択動作を順次行い、複数の前記第2のフォトセンサにおいて選択動作を順次行い、複数の前記第3のフォトセンサにおいて選択動作を順次行うことを特徴とする半導体装置の駆動方法。被検出物に対応するカラー画像を取得するために、表示領域兼情報入力領域に配置された複数のフォトセンサが光被検出物において反射した光等を受光するための期間が必要となる。この期間では、被検出物の情報を取得するために、表示領域兼情報入力領域に配置された複数の発光素子のうち発光を選択された発光素子は概略同じ輝度で発光させる。そのため、この期間では通常の画像表示を行うことができない。そこで、表示領域兼情報入力領域に配置された複数のフォトセンサが光被検出物において反射した光等を受光するために必要な期間を短くすることを課題とする。つまり、フォトセンサと、発光素子を有する表示素子と、の組をマトリクス状に複数有する半導体装置であって、通常の画像表示に与える影響を低減し、被検出物に対応するカラー画像を取得することが可能な半導体装置及びその駆動方法を提供することを課題とする。少なくとも2つの異なる色相に対応する被検出物の情報の取得を行う半導体装置の駆動方法本発明の半導体装置の駆動方法の一態様を示す。まず、当該駆動方法を適用する半導体装置の構成について示す。半導体装置の基本構成第1の色相で発光する第1の発光素子を有する第1の表示素子をマトリクス状に複数有し、第1の色相とは異なる第2の色相で発光する第2の発光素子を有する第2の表示素子をマトリクス状に複数有し、第1の色相の光を受光する第1のフォトセンサをマトリクス状に複数有し、第2の色相の光を受光する第2のフォトセンサをマトリクス状に複数有し、第1のフォトセンサは、第1の色相の光を受光する第1の光電変換素子と、第1の光電変換素子に電気的に接続される第1の増幅回路と、を有し、第2のフォトセンサは、第2の色相の光を受光する第2の光電変換素子と、第2の光電変換素子に電気的に接続される第2の増幅回路と、を有する半導体装置。本発明の半導体装置の駆動方法の一態様は、上記半導体装置における以下の駆動方法である。第1の増幅回路は、第1の増幅回路に蓄積された電荷を放電させるリセット動作と、第1の光電変換素子に流れる光電流の電流量に対応した電荷を蓄積する蓄積動作と、当該電荷の量を情報として含む出力信号を読み出す選択動作とを行い、第2の増幅回路は、第2の増幅回路に蓄積された電荷を放電させるリセット動作と、第2の光電変換素子に流れる光電流の電流量に対応した電荷を蓄積する蓄積動作と、当該電荷の量を情報として含む出力信号を読み出す選択動作とを行う。第1の期間では、複数の第1の発光素子を一斉に発光させた状態で、且つ複数の第2の発光素子を発光させない状態で、複数の第1のフォトセンサにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行う。第1の期間と重複しない第2の期間では、複数の第2の発光素子を一斉に発光させた状態で、且つ複数の第1の発光素子を発光させない状態で、複数の第2のフォトセンサにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行う。第1の期間及び第2の期間の後に設けられた第3の期間では、複数の第1のフォトセンサにおいて選択動作を順次行い、複数の第2のフォトセンサにおいて選択動作を順次行う。ここで、第1の期間において、複数の第1の発光素子は概略同じ輝度で発光させられる。第2の期間において、複数の第2の発光素子は概略同じ輝度で発光させられる。こうして、第1の色相に対応する被検出物の情報の取得と、第2の色相に対応する被検出物の情報の取得とを行い、被検出物に対応するカラー画像を取得することができる。半導体装置の構成のバリエーションなお、上記の半導体装置は、複数または単数の表示素子と、複数または単数のフォトセンサとの組をマトリクス状に複数有しているとみなすこともできる。半導体装置が、第1の表示素子と、第2の表示素子と、第1のフォトセンサと、第2のフォトセンサと、の組をマトリクス状に複数有している場合が、以下の半導体装置の構成1に対応する。また、半導体装置が、第1の表示素子と、第2の表示素子と、第1のフォトセンサとの第1の組と、第3の表示素子と、第4の表示素子と、第2のフォトセンサとの第2の組と、の群を、マトリクス状に複数有している場合は、以下の半導体装置の構成2に対応する。半導体装置の構成1第1の表示素子と第2の表示素子と第1のフォトセンサと第2のフォトセンサとの組をマトリクス状に複数有し、第1の表示素子は第1の色相で発光する第1の発光素子を有し、第2の表示素子は第1の色相とは異なる第2の色相で発光する第2の発光素子を有し、第1のフォトセンサは、第1の色相の光を受光する第1の光電変換素子と、第1の光電変換素子に電気的に接続される第1の増幅回路と、を有し、第2のフォトセンサは、第2の色相の光を受光する第2の光電変換素子と、第2の光電変換素子に電気的に接続される第2の増幅回路と、を有する半導体装置。本発明の半導体装置の駆動方法の一態様は、上記半導体装置の構成1における以下の駆動方法である。第1の増幅回路は、第1の増幅回路に蓄積された電荷を放電させるリセット動作と、第1の光電変換素子に流れる光電流の電流量に対応した電荷を蓄積する蓄積動作と、当該電荷の量を情報として含む出力信号を読み出す選択動作とを行い、第2の増幅回路は、第2の増幅回路に蓄積された電荷を放電させるリセット動作と、第2の光電変換素子に流れる光電流の電流量に対応した電荷を蓄積する蓄積動作と、当該電荷の量を情報として含む出力信号を読み出す選択動作とを行う。第1の期間では、複数の第1の発光素子を一斉に発光させた状態で、且つ複数の第2の発光素子を発光させない状態で、複数の第1のフォトセンサにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行う。第1の期間と重複しない第2の期間では、複数の第2の発光素子を一斉に発光させた状態で、且つ複数の第1の発光素子を発光させない状態で、複数の第2のフォトセンサにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行う。第1の期間及び第2の期間の後に設けられた第3の期間では、複数の第1のフォトセンサにおいて選択動作を順次行い、複数の第2のフォトセンサにおいて選択動作を順次行う。ここで、第1の期間において、複数の第1の発光素子は概略同じ輝度で発光させられる。第2の期間において、複数の第2の発光素子は概略同じ輝度で発光させられる。こうして、第1の色相に対応する被検出物の情報の取得と、第2の色相に対応する被検出物の情報の取得とを行い、被検出物に対応するカラー画像を取得することができる。半導体装置の構成2第1の表示素子と第2の表示素子と第1のフォトセンサとの第1の組と、第3の表示素子と第4の表示素子と第2のフォトセンサとの第2の組と、の群をマトリクス状に複数有し、第1の表示素子は第1の色相で発光する第1の発光素子を有し、第2の表示素子は第1の色相とは異なる第2の色相で発光する第2の発光素子を有し、第3の表示素子は第1の色相で発光する第3の発光素子を有し、第4の表示素子は第2の色相で発光する第4の発光素子を有し、第1のフォトセンサは、第1の色相の光を受光する第1の光電変換素子と、第1の光電変換素子に電気的に接続される第1の増幅回路と、を有し、第2のフォトセンサは、第2の色相の光を受光する第2の光電変換素子と、第2の光電変換素子に電気的に接続される第2の増幅回路と、を有する半導体装置。本発明の半導体装置の駆動方法の一態様は、上記半導体装置の構成2における以下の駆動方法である。第1の増幅回路は、第1の増幅回路に蓄積された電荷を放電させるリセット動作と、第1の光電変換素子に流れる光電流の電流量に対応した電荷を蓄積する蓄積動作と、当該電荷の量を情報として含む出力信号を読み出す選択動作とを行い、第2の増幅回路は、第2の増幅回路に蓄積された電荷を放電させるリセット動作と、第2の光電変換素子に流れる光電流の電流量に対応した電荷を蓄積する蓄積動作と、当該電荷の量を情報として含む出力信号を読み出す選択動作とを行う。第1の期間では、複数の第1の発光素子及び複数の第3の発光素子を一斉に発光させた状態で、且つ複数の第2の発光素子及び複数の第4の発光素子を発光させない状態で、複数の第1のフォトセンサにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行う。第1の期間と重複しない第2の期間では、複数の第2の発光素子及び複数の第4の発光素子を一斉に発光させた状態で、且つ複数の第1の発光素子及び複数の第3の発光素子を発光させない状態で、複数の第2のフォトセンサにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行う。第1の期間及び第2の期間の後に設けられた第3の期間では、複数の第1のフォトセンサにおいて選択動作を順次行い、複数の第2のフォトセンサにおいて選択動作を順次行う。ここで、第1の期間において、複数の第1の発光素子及び複数の第3の発光素子は概略同じ輝度で発光させられる。第2の期間において、複数の第2の発光素子及び複数の第4の発光素子は概略同じ輝度で発光させられる。こうして、第1の色相に対応する被検出物の情報の取得と、第2の色相に対応する被検出物の情報の取得とを行い、被検出物に対応するカラー画像を取得することができる。ここまで、少なくとも、第1の色相に対応する被検出物の情報の取得と、第2の色相に対応する被検出物の情報の取得とを行う半導体装置の駆動方法の一態様を示した。本発明は、3つ以上の異なる色相に対応する被検出物の情報の取得を行う半導体装置の駆動方法に適用することもできる。ここで、例えば、複数の異なる色相として、赤、緑、及び青を用いることができる。また、複数の異なる色相として、赤、緑、及び青と、イエロー、シアン、及びマゼンタのいずれか一と、を用いることができる。また、複数の異なる色相として、赤、緑、青、及び白を用いることができる。複数の色相の組み合わせはこれに限定されない。以下に、本発明を、3つの異なる色相に対応する被検出物の情報の取得を行う半導体装置の駆動方法に適用した例を示す。3つの異なる色相に対応する被検出物の情報の取得を行う半導体装置の駆動方法半導体装置の基本構成第1の色相で発光する第1の発光素子を有する第1の表示素子をマトリクス状に複数有し、第1の色相とは異なる第2の色相で発光する第2の発光素子を有する第2の表示素子をマトリクス状に複数有し、第1の色相及び第2の色相とは異なる第3の色相で発光する第3の発光素子を有する第3の表示素子をマトリクス状に複数有し、第1の色相の光を受光する第1のフォトセンサをマトリクス状に複数有し、第2の色相の光を受光する第2のフォトセンサをマトリクス状に複数有し、第3の色相の光を受光する第3のフォトセンサをマトリクス状に複数有し、第1のフォトセンサは、第1の色相の光を受光する第1の光電変換素子と、第1の光電変換素子に電気的に接続される第1の増幅回路と、を有し、第2のフォトセンサは、第2の色相の光を受光する第2の光電変換素子と、第2の光電変換素子に電気的に接続される第2の増幅回路と、を有し、第3のフォトセンサは、第3の色相の光を受光する第3の光電変換素子と、第3の光電変換素子に電気的に接続される第3の増幅回路と、を有する半導体装置。本発明の半導体装置の駆動方法の一態様は、上記半導体装置における以下の駆動方法である。第1の増幅回路は、第1の増幅回路に蓄積された電荷を放電させるリセット動作と、第1の光電変換素子に流れる光電流の電流量に対応した電荷を蓄積する蓄積動作と、当該電荷の量を情報として含む出力信号を読み出す選択動作とを行い、第2の増幅回路は、第2の増幅回路に蓄積された電荷を放電させるリセット動作と、第2の光電変換素子に流れる光電流の電流量に対応した電荷を蓄積する蓄積動作と、当該電荷の量を情報として含む出力信号を読み出す選択動作とを行い、第3の増幅回路は、第3の増幅回路に蓄積された電荷を放電させるリセット動作と、第3の光電変換素子に流れる光電流の電流量に対応した電荷を蓄積する蓄積動作と、当該電荷の量を情報として含む出力信号を読み出す選択動作とを行う。第1の期間では、複数の第1の発光素子を一斉に発光させた状態で、且つ複数の第2の発光素子及び複数の第3の発光素子を発光させない状態で、複数の第1のフォトセンサにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行う。第1の期間と重複しない第2の期間では、複数の第2の発光素子を一斉に発光させた状態で、且つ複数の第1の発光素子及び複数の第3の発光素子を発光させない状態で、複数の第2のフォトセンサにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行う。第1の期間及び第2の期間と重複しない第3の期間では、複数の第3の発光素子を一斉に発光させた状態で、且つ複数の第1の発光素子及び複数の第2の発光素子を発光させない状態で、複数の第3のフォトセンサにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行う。第1の期間、第2の期間及び第3の期間の後に設けられた第4の期間では、複数の第1のフォトセンサにおいて選択動作を順次行い、複数の第2のフォトセンサにおいて選択動作を順次行い、複数の第3のフォトセンサにおいて選択動作を順次行う。ここで、第1の期間において、複数の第1の発光素子は概略同じ輝度で発光させられる。第2の期間において、複数の第2の発光素子は概略同じ輝度で発光させられる。第3の期間において、複数の第3の発光素子は概略同じ輝度で発光させられる。こうして、第1の色相に対応する被検出物の情報の取得と、第2の色相に対応する被検出物の情報の取得と、第3の色相に対応する被検出物の情報の取得とを行い、被検出物に対応するカラー画像を取得することができる。半導体装置の構成のバリエーションなお、上記の半導体装置は、複数または単数の表示素子と、複数または単数のフォトセンサとの組をマトリクス状に複数有しているとみなすこともできる。半導体装置が、第1の表示素子と、第2の表示素子と、第3の表示素子と、第1のフォトセンサと、第2のフォトセンサと、第3のフォトセンサと、の組をマトリクス状に複数有している場合が、以下の半導体装置の構成1に対応する。また、半導体装置が、第1の表示素子と、第2の表示素子と、第3の表示素子と、第1のフォトセンサとの第1の組と、第4の表示素子と、第5の表示素子と、第6の表示素子と、第2のフォトセンサとの第2の組と、第7の表示素子と、第8の表示素子と、第9の表示素子と、第3のフォトセンサとの第3の組と、の群を、マトリクス状に複数有している場合は、以下の半導体装置の構成2に対応する。半導体装置の構成1第1の表示素子と第2の表示素子と第3の表示素子と第1のフォトセンサと第2のフォトセンサと第3のフォトセンサと、の組をマトリクス状に複数有し、第1の表示素子は第1の色相で発光する第1の発光素子を有し、第2の表示素子は第1の色相とは異なる第2の色相で発光する第2の発光素子を有し、第3の表示素子は第1の色相及び第2の色相とは異なる第3の色相で発光する第3の発光素子を有し、第1のフォトセンサは、第1の色相の光を受光する第1の光電変換素子と、第1の光電変換素子に電気的に接続される第1の増幅回路と、を有し、第2のフォトセンサは、第2の色相の光を受光する第2の光電変換素子と、第2の光電変換素子に電気的に接続される第2の増幅回路と、を有し、第3のフォトセンサは、第3の色相の光を受光する第3の光電変換素子と、第3の光電変換素子に電気的に接続される第3の増幅回路と、を有する半導体装置。本発明の半導体装置の駆動方法の一態様は、上記半導体装置の構成1における以下の駆動方法である。第1の増幅回路は、第1の増幅回路に蓄積された電荷を放電させるリセット動作と、第1の光電変換素子に流れる光電流の電流量に対応した電荷を蓄積する蓄積動作と、当該電荷の量を情報として含む出力信号を読み出す選択動作とを行い、第2の増幅回路は、第2の増幅回路に蓄積された電荷を放電させるリセット動作と、第2の光電変換素子に流れる光電流の電流量に対応した電荷を蓄積する蓄積動作と、当該電荷の量を情報として含む出力信号を読み出す選択動作とを行い、第3の増幅回路は、第3の増幅回路に蓄積された電荷を放電させるリセット動作と、第3の光電変換素子に流れる光電流の電流量に対応した電荷を蓄積する蓄積動作と、当該電荷の量を情報として含む出力信号を読み出す選択動作とを行う。第1の期間では、複数の第1の発光素子を一斉に発光させた状態で、且つ複数の第2の発光素子及び複数の第3の発光素子を発光させない状態で、複数の第1のフォトセンサにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行う。第1の期間と重複しない第2の期間では、複数の第2の発光素子を一斉に発光させた状態で、且つ複数の第1の発光素子及び複数の第3の発光素子を発光させない状態で、複数の第2のフォトセンサにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行う。第1の期間及び第2の期間と重複しない第3の期間では、複数の第3の発光素子を一斉に発光させた状態で、且つ複数の第1の発光素子及び複数の第2の発光素子を発光させない状態で、複数の第3のフォトセンサにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行う。第1の期間、第2の期間及び第3の期間の後に設けられた第4の期間では、複数の第1のフォトセンサにおいて選択動作を順次行い、複数の第2のフォトセンサにおいて選択動作を順次行い、複数の第3のフォトセンサにおいて選択動作を順次行う。ここで、第1の期間において、複数の第1の発光素子は概略同じ輝度で発光させられる。第2の期間において、複数の第2の発光素子は概略同じ輝度で発光させられる。第3の期間において、複数の第3の発光素子は概略同じ輝度で発光させられる。こうして、第1の色相に対応する被検出物の情報の取得と、第2の色相に対応する被検出物の情報の取得と、第3の色相に対応する被検出物の情報の取得とを行い、被検出物に対応するカラー画像を取得することができる。半導体装置の構成2第1の表示素子と第2の表示素子と第3の表示素子と第1のフォトセンサとの第1の組と、第4の表示素子と第5の表示素子と第6の表示素子と第2のフォトセンサとの第2の組と、第7の表示素子と第8の表示素子と第9の表示素子と第3のフォトセンサとの第3の組と、の群をマトリクス状に複数有し、第1の表示素子は第1の色相で発光する第1の発光素子を有し、第2の表示素子は第1の色相とは異なる第2の色相で発光する第2の発光素子を有し、第3の表示素子は第1の色相及び第2の色相とは異なる第3の色相で発光する第3の発光素子を有し、第4の表示素子は第1の色相で発光する第4の発光素子を有し、第5の表示素子は第2の色相で発光する第5の発光素子を有し、第6の表示素子は第3の色相で発光する第6の発光素子を有し、第7の表示素子は第1の色相で発光する第7の発光素子を有し、第8の表示素子は第2の色相で発光する第8の発光素子を有し、第9の表示素子は第3の色相の発光する第9の発光素子を有し、第1のフォトセンサは、第1の色相の光を受光する第1の光電変換素子と、第1の光電変換素子に電気的に接続される第1の増幅回路と、を有し、第2のフォトセンサは、第2の色相の光を受光する第2の光電変換素子と、第2の光電変換素子に電気的に接続される第2の増幅回路と、を有し、第3のフォトセンサは、第3の色相の光を受光する第3の光電変換素子と、第3の光電変換素子に電気的に接続される第3の増幅回路と、を有する半導体装置。本発明の半導体装置の駆動方法の一態様は、上記半導体装置の構成2における以下の駆動方法である。第1の増幅回路は、第1の増幅回路に蓄積された電荷を放電させるリセット動作と、第1の光電変換素子に流れる光電流の電流量に対応した電荷を蓄積する蓄積動作と、当該電荷の量を情報として含む出力信号を読み出す選択動作とを行い、第2の増幅回路は、第2の増幅回路に蓄積された電荷を放電させるリセット動作と、第2の光電変換素子に流れる光電流の電流量に対応した電荷を蓄積する蓄積動作と、当該電荷の量を情報として含む出力信号を読み出す選択動作とを行い、第3の増幅回路は、第3の増幅回路に蓄積された電荷を放電させるリセット動作と、第3の光電変換素子に流れる光電流の電流量に対応した電荷を蓄積する蓄積動作と、当該電荷の量を情報として含む出力信号を読み出す選択動作とを行う。第1の期間では、複数の第1の発光素子、複数の第4の発光素子、及び複数の第7の発光素子を一斉に発光させた状態で、且つ複数の第2の発光素子、複数の第3の発光素子、複数の第5の発光素子、複数の第6の発光素子、複数の第8の発光素子、及び複数の第9の発光素子を発光させない状態で、複数の第1のフォトセンサにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行う。第1の期間と重複しない第2の期間では、複数の第2の発光素子、複数の第5の発光素子、及び複数の第8の発光素子を一斉に発光させた状態で、且つ複数の第1の発光素子、複数の第3の発光素子、複数の第4の発光素子、複数の第6の発光素子、複数の第7の発光素子、及び複数の第9の発光素子を発光させない状態で、複数の第2のフォトセンサにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行う。第1の期間及び第2の期間と重複しない第3の期間では、複数の第3の発光素子、複数の第6の発光素子、及び複数の第9の発光素子を一斉に発光させた状態で、且つ複数の第1の発光素子、複数の第2の発光素子、複数の第4の発光素子、複数の第5の発光素子、複数の第7の発光素子、及び複数の第8の発光素子を発光させない状態で、複数の第3のフォトセンサにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行う。第1の期間、第2の期間及び第3の期間の後に設けられた第4の期間では、複数の第1のフォトセンサにおいて選択動作を順次行い、複数の第2のフォトセンサにおいて選択動作を順次行い、複数の第3のフォトセンサにおいて選択動作を順次行う。ここで、第1の期間において、複数の第1の発光素子、複数の第4の発光素子、及び複数の第7の発光素子は概略同じ輝度で発光させられる。第2の期間において、複数の第2の発光素子、複数の第5の発光素子、及び複数の第8の発光素子は概略同じ輝度で発光させられる。第3の期間において、複数の第3の発光素子、複数の第6の発光素子、及び複数の第9の発光素子は概略同じ輝度で発光させられる。こうして、第1の色相に対応する被検出物の情報の取得と、第2の色相に対応する被検出物の情報の取得と、第3の色相に対応する被検出物の情報の取得とを行い、被検出物に対応するカラー画像を取得することができる。なお、上述の駆動方法において、リセット動作は、半導体装置が有する発光素子の状態発光状態、非発光状態に関わらず行うこともできる。なお、フォトセンサにおいてリセット動作は蓄積動作の直前に行うのが好ましい。また、発光素子第1の発光素子、第2の発光素子、第3の発光素子、第4の発光素子、第5の発光素子、第6の発光素子、第7の発光素子、第8の発光素子、第9の発光素子は、電流または電圧によって発光の輝度が制御される素子であり、発光ダイオード、OLEDOrganicLightEmittingDiode:有機発光素子等とすることができる。光電変換素子第1の光電変換素子、第2の光電変換素子、第3の光電変換素子はフォトダイオードやフォトトランジスタとすることができる。本発明の一態様に係る半導体装置の駆動方法では、各色相に対応する複数のフォトセンサにおいて、一斉に蓄積動作を行うため、各色相に対応する被検出物の情報の取得のための受光を高速に行うことができる。また、複数のフォトセンサにおける選択動作は、半導体装置が有する発光素子の状態発光状態、非発光状態に関わらず行うことができる。そのため、半導体装置が画像表示を行っている間に、複数のフォトセンサにおける選択動作を行うことができる。よって、複数のフォトセンサにおける選択動作を全て行うために必要な期間の長さが長くても、画像表示への影響は少ない。なお、上述の駆動方法を用いる場合、半導体装置が有する複数のフォトセンサにおいて、リセット動作及び蓄積動作を行ってから選択動作を行うまでの期間の長さが異なるフォトセンサが存在する。フォトセンサを構成する素子等においてリークが大きい場合、当該期間の長さが長い程、得られる情報に入るノイズが大きくなり、複数のフォトセンサにおいて被検出物の情報の取得を正確に行うことが困難になる。ここで、フォトセンサを構成する素子としてトランジスタを用い、当該トランジスタとして、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタを用いることより、トランジスタのオフ電流によるリークを低減することができる。そのため、リセット動作及び蓄積動作を行ってから選択動作を行うまでの期間の長さが長い場合においても、ノイズの影響を低減することができる。こうして、上述の駆動方法を用いる場合においても、被検出物の情報の取得を正確に行うことができる。こうして、通常の画像表示に与える影響を低減し、被検出物に対応するカラー画像を取得することが可能な半導体装置及びその駆動方法を提供することができる。本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、トランジスタが有するソース電極とドレイン電極は、トランジスタの極性及び各電極に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、nチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる電極がソース電極と呼ばれ、高い電位が与えられる電極がドレイン電極と呼ばれる。また、pチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる電極がドレイン電極と呼ばれ、高い電位が与えられる電極がソース電極と呼ばれる。以下、ソース電極とドレイン電極のいずれか一方を第1端子、他方を第2端子として説明を行う場合がある。また、本明細書中において、電気的な接続とは、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、電気的に接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。また、回路図上は独立している構成要素同士が接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において、トランジスタが直列に電気的に接続されている状態とは、例えば、あるトランジスタの第1端子と第2端子のいずれか一方のみが、別のトランジスタの第1端子と第2端子のいずれか一方のみに電気的に接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に電気的に接続されている状態とは、あるトランジスタの第1端子が別のトランジスタの第1端子に電気的に接続され、且つ、あるトランジスタの第2端子が別のトランジスタの第2端子に電気的に接続されている状態を意味する。なお、特に断りがない限り、本明細書でオフ電流とは、nチャネル型トランジスタにおいては、ドレイン電極をソース電極とゲート電極よりも高い電位とした状態において、ソース電極の電位を基準としたときのゲート電極の電位が0V以下であるときに、ソース電極とドレイン電極の間に流れる電流のことを意味する。或いは、本明細書でオフ電流とは、pチャネル型トランジスタにおいては、ドレイン電極をソース電極とゲート電極よりも低い電位とした状態において、ソース電極の電位を基準としたときのゲート電極の電位が0V以上であるときに、ソース電極とドレイン電極の間に流れる電流のことを意味する。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置の駆動方法について説明する。半導体装置の構成の一態様まず、半導体装置の構成について図1を用いて説明する。図1Aは、半導体装置の表示領域兼情報入力領域の一部の構成を示す模式図である。図1Aにおいて、組110は、表示素子101Rと、表示素子101Gと、表示素子101Bと、フォトセンサ301Rと、フォトセンサ301Gと、フォトセンサ301Bとを有する。また、図1Bに示すように、半導体装置の表示領域兼情報入力領域は、組110をマトリクス状に複数有する。なお、図1Bでは、組110が3行3列に設けられる例を示したがこれに限定されない。組110は一般にmmは自然数行nnは自然数列のマトリクス状に複数設けることができる。図1A及び図1Bにおいて、表示素子101Rは第1の色相例えば、赤とするで発光する発光素子102Rと、発光素子102Rを制御する制御回路103Rと、を有する。表示素子101Gは第1の色相とは異なる第2の色相例えば、緑とするで発光する発光素子102Gと、発光素子102Gを制御する制御回路103Gと、を有する。表示素子101Bは第1の色相及び第2の色相とは異なる第3の色相例えば、青とするで発光する発光素子102Bと、発光素子102Bを制御する制御回路103Bと、を有する。フォトセンサ301Rは、第1の色相の光を受光する光電変換素子302Rと、光電変換素子302Rに電気的に接続される増幅回路303Rと、を有する。フォトセンサ301Gは、第2の色相の光を受光する光電変換素子302Gと、光電変換素子302Gに電気的に接続される増幅回路303Gと、を有する。フォトセンサ301Bは、第3の色相の光を受光する光電変換素子302Bと、光電変換素子302Bに電気的に接続される増幅回路303Bと、を有する。また、図1Bに示すとおり、同じ列に配置された複数の組110において、表示素子101R、表示素子101G、表示素子101Bを一方向に並べて配置することができる。この一方向は、マトリクス状に配置した組110の列方向同じ列に配置される組110が並んだ方向とすることができる。同じ列に配置された複数の組110において、フォトセンサ301R、フォトセンサ301G、フォトセンサ301Bを一方向に並べて配置することができる。この一方向は、マトリクス状に配置した組110の列方向同じ列に配置される組110が並んだ方向とすることができる。ここで、組110の1列に対して、複数の異なる色相に対応する表示素子が並んだ列以下、サブ画素列と呼ぶと、複数の異なる色相に対応するフォトセンサが並んだ列以下、サブセンサ列と呼ぶとが対応するということもできる。ここで、図1Bに示すとおり、同じ色相に対応するフォトセンサを一方向に並べて配置することができる。この一方向は、マトリクス状に配置した組110の行方向同じ行に配置される組110が並んだ方向とすることができる。図1Bの構成は、組110の1行に対して、フォトセンサ301Rが並んだ行以下、サブセンサ行と呼ぶと、フォトセンサ301Gが並んだ行以下、サブセンサ行と呼ぶと、フォトセンサ301Bが並んだ行以下、サブセンサ行と呼ぶとの3つのサブセンサ行が対応するということもできる。つまり、複数のフォトセンサを有する任意の1サブセンサ行に注目した場合に、当該複数のフォトセンサは同じ色相に対応するフォトセンサとすることができる。そして、複数のフォトセンサを有する別の1サブセンサ行に注目した場合に、当該複数のフォトセンサは当該色相とは異なる色相に対応するフォトセンサとすることができる。また、同じ色相に対応する表示素子を一方向に並べて配置することができる。この一方向は、マトリクス状に配置した組110の行方向同じ行に配置される組110が並んだ方向とすることができる。図1Bの構成は、組110の1行に対して、表示素子101Rが並んだ行以下、サブ画素行と呼ぶと、表示素子101Gが並んだ行以下、サブ画素行と呼ぶと、表示素子101Bが並んだ行以下、サブ画素行と呼ぶとの3つのサブ画素行が対応するということもできる。つまり、複数の表示素子を有する任意の1サブ画素行に注目した場合に、当該複数の表示素子は同じ色相に対応する表示素子とすることができる。そして、複数の表示素子を有する別の1サブ画素行に注目した場合に、当該複数の表示素子は当該色相とは異なる色相に対応する表示素子とすることができる。図1では、3つの異なる色相に対応するフォトセンサ、及び3つの異なる色相に対応する表示素子によって組110が構成される例を示したがこれに限定されない。組110を構成するフォトセンサの数、及び対応する色相の数は任意の数とすることができる。組110を構成する表示素子の数、及び対応する色相の数は任意の数とすることができる。表示素子の具体的な構成の一態様表示素子101R、表示素子101G、及び表示素子101Bとしては、例えば、図5A、図5B、図5Cに示す構成を用いることができる。なお、図5において、発光素子102は、発光素子102R、発光素子102G、発光素子102Bのいずれかとすることができる。また、図5において、制御回路103は、制御回路103R、制御回路103G、制御回路103Bのいずれかとすることができる。図5Aにおいて、制御回路103は、トランジスタ201とトランジスタ202と、を有する。トランジスタ201のゲートは配線GLと電気的に接続される。トランジスタ201のソースとドレインの一方は配線SLと電気的に接続される。トランジスタ201のソースとドレインの他方は、トランジスタ202のゲートと電気的に接続される。トランジスタ202のソースとドレインの一方は、配線VRと電気的に接続される。トランジスタ202のソースとドレインの他方は、発光素子102の一対の電極のうちの一方と電気的に接続される。発光素子102の一対の電極のうちの他方は配線VBと電気的に接続される。配線VRは電源線である。なお、図5Aでは、制御回路103は容量素子203を有し、容量素子203の一対の電極のうちの一方はトランジスタ202のゲートおよびトランジスタ201のソースとドレインの他方と電気的に接続され、容量素子203の一対の電極のうちの他方は、配線CSと電気的に接続される構成を示したがこれに限定されない。図5Bに示すとおり、配線CSを設けずに、容量素子203の一対の電極のうちの他方が、トランジスタ202のソースとドレインの一方または、配線VRと電気的に接続されていてもよい。また、図5Cに示すとおり、容量素子203を設けなくてもよい。例えば、トランジスタ201としてオフ電流が著しく小さいトランジスタを用いることによって、トランジスタ202のゲートの電位を長期間にわたって保持することができるため、保持容量として機能する容量素子203を省略することができる。オフ電流が著しく小さいトランジスタとしては、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタを用いることができる。なお、容量素子203を設ける代わりに、トランジスタ202等の寄生容量を積極的に利用することもできる。フォトセンサの具体的な構成の一態様フォトセンサ301R、フォトセンサ301G、及びフォトセンサ301Bとしては、例えば、図6A、図6B、図6C、図6Dに示す構成を用いることができる。なお、図6において、光電変換素子302は、光電変換素子302R、光電変換素子302G、光電変換素子302Bのいずれかとすることができる。また、図6において、増幅回路303は、増幅回路303R、増幅回路303G、増幅回路303Bのいずれかとすることができる。図6Aにおいて、増幅回路303は、トランジスタ304と、トランジスタ305と、トランジスタ306と、を有する。トランジスタ305とトランジスタ306は配線OUTと配線VSの間に直列に電気的に接続される。トランジスタ305のゲートはトランジスタ304のソースとドレインの一方と電気的に接続される。トランジスタ304のソースとドレインの他方は光電変換素子302の一対の電極のうちの一方と電気的に接続される。光電変換素子302の一対の電極のうちの他方は配線PRと電気的に接続される。トランジスタ304のゲートは配線TXと電気的に接続される。トランジスタ306のゲートは配線SEと電気的に接続される。トランジスタ304のソースとドレインの一方とトランジスタ305のゲートが電気的に接続されているノードを、ノードFDとして示している。ノードFDに蓄積される電荷の量によって、増幅回路303の出力信号配線OUTから出力される信号の電位が定まる。ノードFDにおいて電荷をより確実に保持するために、ノードFDに容量素子を電気的に接続しても良い。また、増幅回路303の構成は、図6Aに示した構成に限定されない。例えば、図6Bに示すような構成とすることができる。図6Aでは、配線OUTと配線VSの間に、トランジスタ306及びトランジスタ305がこの順に直列に電気的に接続されている。一方、図6Bでは、配線OUTと配線VSの間に、トランジスタ305及びトランジスタ306がこの順に直列に電気的に接続される。また例えば、増幅回路303の構成は、図6Cや図6Dに示すような構成とすることができる。図6Cや図6Dの構成における増幅回路303は、図6Aや図6Bに示した構成に加えて、更にトランジスタ307を有する。図6Cは、図6Aに示した構成にトランジスタ307を追加した例であり、図6Dは図6Bに示した構成にトランジスタ307を追加した例である。図6C及び図6Dにおいて、トランジスタ307のソースとドレインの一方は、配線VSと電気的に接続される。トランジスタ307のソースとドレインの他方は、トランジスタ305のゲート及びトランジスタ304のソースとドレインの一方と電気的に接続される。トランジスタ307のゲートは配線RSと電気的に接続される。上述の表示素子の具体的な構成の一態様、及びフォトセンサの具体的な構成の一態様において、トランジスタ201、トランジスタ202、トランジスタ304、トランジスタ305、トランジスタ306、及びトランジスタ307のいずれかは、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタとすることができる。トランジスタ201、トランジスタ202、トランジスタ304、トランジスタ305、トランジスタ306、及びトランジスタ307の全てを、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタとすることもできる。トランジスタ201、トランジスタ202、トランジスタ304、トランジスタ305、トランジスタ306、及びトランジスタ307のいずれかを、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタとし、残りのトランジスタは、チャネルがシリコン層に形成されるトランジスタとすることもできる。配線の配置のバリエーション図4は、図1Aに示した構成において、図5A及び図6Aに示した構成を適用し、更に、配線VR、配線VS、配線SE、配線OUT、配線TX、配線PR、配線SL、配線GL、配線VB、配線CSが延びて配置される様子を示した図である。図4において、配線PR、配線TX、配線SE、配線GL、配線CS、配線VBは互いに並列に配置され、これらの配線と交差するように、配線SL、配線OUT、配線VR、配線VSが互いに並列に配置されている。なお、配線VRと配線VSは共有することもできる。図4において、配線PR、配線TX、配線SE、配線GL、配線CS、配線VBが延びた方向を、行方向とする。配線SL、配線OUT、配線VR、配線VSが延びた方向を、列方向とする。また、図4では、組110が有する表示素子101R、表示素子101G、表示素子101Bにおいて、配線SLを共有している。組110が有する表示素子101R、表示素子101G、表示素子101Bにおいて、配線VRを共有している。フォトセンサ301R、フォトセンサ301G、フォトセンサ301Bにおいて、配線OUTを共有している。フォトセンサ301R、フォトセンサ301G、フォトセンサ301Bにおいて、配線VSを共有している。各配線が延びている方向や、配線同士の配置関係例えば、並列に配置されている、または交差するように配置されている等には様々なパターンがあり、図4に示した構成に限定されない。また、図1Aにおける制御回路103や増幅回路303を、上述した図5B、図5C、図6B、図6C、図6Dに示した構成に変えた場合にも、図4と同様に各配線を特定の方向に延ばして配置することができる。なお、図1Bに示したように、組110を複数マトリクス状に配置する場合には、配線が延びた方向に配置される組110において、当該配線を共有することができる。同じサブセンサ行に配置された複数のフォトセンサにおいて、配線を共有することができる。例えば、同じサブセンサ行に配置された複数のフォトセンサにおいて、配線SEを共有することができる。例えば、同じサブセンサ行に配置された複数のフォトセンサにおいて、配線TXを共有することができる。例えば、同じサブセンサ行に配置された複数のフォトセンサにおいて、配線PRを共有することができる。また、同じサブ画素行に配置された複数の表示素子において、配線を共有することができる。例えば、同じサブ画素行に配置された複数の表示素子において、配線GLを共有することができる。例えば、同じサブ画素行に配置された複数の表示素子において、配線CSを共有することができる。例えば、同じサブ画素行に配置された複数の表示素子において、配線VBを共有することができる。同じサブ画素列に配置された複数の表示素子において、配線を共有することができる。例えば、同じサブ画素列に配置された複数の表示素子において、配線SLを共有することができる。また、同じサブ画素列に配置された複数の表示素子において、配線VRを共有することができる。また同じサブセンサ列に配置された複数のフォトセンサにおいて、配線を共有することができる。例えば、同じサブセンサ列に配置された複数のフォトセンサにおいて、配線OUTを共有することができる。同じサブセンサ列に配置された複数のフォトセンサにおいて、配線VSを共有することができる。このように、配線を共有することによって、半導体装置の配線の数を低減し、半導体装置を高精細化することができる。また、同じ電位や同じ信号が入力される配線を共有することができる。例えば、配線VBは、マトリクス状に配置された複数の組110の全ての組において共有することもできる。この場合、配線VBは配線ではなく電極と呼ぶこともできる。また例えば、配線PRは、複数の組110で共有することもできる。例えば、フォトセンサ301におけるリセット動作及び蓄積動作を同時に行う組において、配線PRを共有することもできる。次いで、上記半導体装置の駆動方法について説明する。まず、フォトセンサフォトセンサ301R、フォトセンサ301G、フォトセンサ301B単独での駆動方法について説明する。フォトセンサの駆動方法フォトセンサの駆動方法の一例について説明する。フォトセンサの駆動方法その1図6A及び図6Bに示した構成のフォトセンサ301の駆動方法について説明する。図7Aは、図6A及び図6Bに示した各配線配線TX、配線PR、配線SE、配線OUT及びノードFDの電位の変化を示すタイミングチャートの一例である。なお、光電変換素子302としてフォトダイオードを用いる例について説明する。なお、図7Aに示すタイミングチャートでは、フォトセンサ301の動作を分かりやすく説明するため、配線TX、配線SE、配線PRには、ハイレベルまたはローレベルの電位が与えられるものと仮定する。具体的に、配線TXには、ハイレベルの電位HTXと、ローレベルの電位LTXが与えられるものとし、配線SEには、ハイレベルの電位HSEと、ローレベルの電位LSEが与えられるものとし、配線PRには、ハイレベルの電位HPRと、ローレベルの電位LPRが与えられるものとする。なお配線VSには、所定の電位、例えば、ハイレベルの電源電位VDDが与えられている。また、光電変換素子302として用いるフォトダイオードの陽極が配線PRに電気的に接続され、陰極がトランジスタ304のソースとドレインの他方に電気的に接続される場合の例を説明する。しかしながら、本発明はこれに限定されず、光電変換素子302として用いるフォトダイオードの陰極が配線PRに電気的に接続され、陽極がトランジスタ304のソースとドレインの他方に電気的に接続されていてもよい。仮に、光電変換素子302として用いるフォトダイオードの陰極が配線PRに電気的に接続され、陽極がトランジスタ304のソースとドレインの他方に電気的に接続されている場合においても、光電変換素子302のバイアス状態順方向バイアス、逆方向バイアスが以下の説明と同様になるように各配線の電位を定めればよい。なお、トランジスタ304、トランジスタ305及びトランジスタ306は全てnチャネル型トランジスタであるとして説明を行う。しかしながら、本発明はこれに限定されず、トランジスタ304、トランジスタ305及びトランジスタ306のいずれか、または全てがpチャネル型トランジスタであってもよい。仮に、トランジスタ304、トランジスタ305及びトランジスタ306のいずれか、または全てがpチャネル型トランジスタである場合においても、各トランジスタのオン状態またはオフ状態が以下の説明と同様になるように各配線の電位を定めればよい。まず、時刻T1において、配線TXの電位を、電位LTXから電位HTXに変化させる。配線TXの電位が電位HTXになると、トランジスタ304はオン状態になる。なお、時刻T1において、配線SEには電位LSEが与えられ、配線PRには電位LPRが与えられている。時刻T2において、配線PRの電位を、電位LPRから電位HPRに変化させる。また、時刻T2において、配線TXの電位は電位HTXのままであり、配線SEの電位は電位LSEのままである。光電変換素子302に順方向バイアスの電圧が印加される。こうして、ノードFDには配線PRの電位HPRが与えられるため、ノードFDの電位が所定の値にリセットされる。この動作は言い換えれば、ノードFDに蓄積された負の電荷を放電する動作ということもできる。なお、光電変換素子302として用いるフォトダイオードの陰極が配線PRに電気的に接続され、陽極がトランジスタ304のソースとドレインの他方に電気的に接続されている場合においては、この動作は言い換えれば、ノードFDに蓄積された正の電荷を放電する動作ということもできる。時刻T3において、配線PRの電位を、電位HPRから電位LPRに変化させる。時刻T3の直前まで、ノードFDの電位は電位HPRに保たれているため、配線PRの電位が電位LPRになると、光電変換素子302に逆方向バイアスの電圧が印加されることになる。そして、光電変換素子302に逆方向バイアスの電圧が印加された状態で、光電変換素子302に光被検出物において反射した光等が入射すると、光電変換素子302の陰極から陽極に向かって電流光電流が流れる。光電流の電流値は入射した光の強度に従って変化する。すなわち、光電変換素子302に入射する光の強度が高いほど光電流の電流値は高くなり、ノードFDと光電変換素子302の間を移動する電荷の量も大きくなる。逆に、光電変換素子302に入射する光の強度が低いほど光電流の電流値は低くなり、ノードFDと光電変換素子302の間を移動する電荷の量も小さくなる。よって、ノードFDの電位は、光の強度が高いほど変化が大きく、光の強度が低いほど変化が小さい。図7Aでは、時刻T3から時刻T4において、ノードFDに負の電荷が蓄積されることにより、ノードFDの電位が低下する例を示したがこれに限定されない。光電変換素子302として用いるフォトダイオードの陰極が配線PRに電気的に接続され、陽極がトランジスタ304のソースとドレインの他方に電気的に接続されている場合において、ノードFDに正の電荷が蓄積言い換えれば、負の電荷が放電されることにより、ノードFDの電位が上昇してもよい。時刻T4において、配線TXの電位を電位HTXから電位LTXに変化させると、トランジスタ304はオフ状態になる。よって、ノードFDと光電変換素子302の間での電荷の移動が止まるため、ノードFDの電位が定まる。時刻T5において、配線SEの電位を電位LSEから電位HSEに変化させると、トランジスタ306はオン状態になる。すると、ノードFDの電位に応じて配線VRと配線OUTの間で電荷の移動が生じる。なお、時刻T5以前に、配線OUTの電位を所定の電位にする動作プリチャージ動作を完了させておく。なお、図7Aでは、配線OUTの電位は時刻T5以前にローレベルの電位にプリチャージされ、時刻T5から時刻T6の間に光強度に応じて配線OUTの電位が上昇する場合を示したがこれに限定されない。配線OUTの電位は時刻T5以前にハイレベルの電位にプリチャージされ、時刻T5から時刻T6の間に光強度に応じて配線OUTの電位が低下してもよい。この際は、配線VSにはローレベルの電源電位が与えられているものとする。プリチャージ動作は、例えば、配線OUTと、所定の電位が与えられる配線とをトランジスタ等のスイッチング素子を介して電気的に接続し、当該トランジスタをオン状態とすることによって行うことができる。プリチャージ動作を完了した後は、当該トランジスタはオフ状態とする。時刻T6において、配線SEの電位を電位HSEから電位LSEに変化させると、配線VSから配線OUTへの電荷の移動が停止し、配線OUTの電位が決定する。この配線OUTの電位が、フォトセンサ301の出力信号の電位に相当する。そして、出力信号の電位には、被検出物によって反射した光の情報が含まれている。ここで、時刻T1や時刻T4において配線TXの電位を変化させるときに、配線TXとノードFDとの間の寄生容量によって、ノードFDの電位が変化する。この電位の変化が大きい場合、出力信号を正確に出力することができない。配線TXの電位を変化させるときのノードFDの電位の変化を抑制するために、トランジスタ304のゲートとソースの間、またはゲートとドレインの間の容量を低減することが有効である。また、トランジスタ305のゲート容量を増大することが有効である。更に、ノードFDに容量素子を電気的に接続することが有効である。なお、図7Aでは、これらの対策を施す等して、配線TXの電位を変化させるときのノードFDの電位の変化は無視できるものとしている。以上が、図6A及び図6Bに示した構成のフォトセンサ301の駆動方法である。フォトセンサの駆動方法その2次いで、図6C及び図6Dに示した構成のフォトセンサ301の駆動方法について説明する。図7Bは、図6C及び図6Dに示した各配線配線TX、配線RS、配線SE、配線OUT及びノードFDの電位の変化を示すタイミングチャートの一例である。なお、光電変換素子302としてフォトダイオードを用いる例について説明する。なお、図7Bに示すタイミングチャートでは、フォトセンサ301の動作を分かりやすく説明するため、配線TX、配線RS、配線SEには、ハイレベルまたはローレベルの電位が与えられるものと仮定する。具体的に、配線TXには、ハイレベルの電位HTXと、ローレベルの電位LTXが与えられるものとし、配線SEには、ハイレベルの電位HSEと、ローレベルの電位LSEが与えられるものとし、配線RSには、ハイレベルの電位HRSと、ローレベルの電位LRSが与えられるものとする。なお、配線PRには、一定の電位、例えば、ローレベルの電源電位VSSが与えられている。なお配線VSには、所定の電位、例えば、ハイレベルの電源電位VDDが与えられている。また、光電変換素子302として用いるフォトダイオードの陽極が配線PRに電気的に接続され、陰極がトランジスタ304のソースとドレインの他方に電気的に接続される場合の例を説明する。しかしながら、本発明はこれに限定されず、光電変換素子302として用いるフォトダイオードの陰極が配線PRに電気的に接続され、陽極がトランジスタ304のソースとドレインの他方に電気的に接続されていてもよい。仮に、光電変換素子302として用いるフォトダイオードの陰極が配線PRに電気的に接続され、陽極がトランジスタ304のソースとドレインの他方に電気的に接続されている場合においても、光電変換素子302のバイアス状態順方向バイアス、逆方向バイアスが以下の説明と同様になるように各配線の電位を定めればよい。なお、トランジスタ304、トランジスタ305、トランジスタ306及びトランジスタ307は全てnチャネル型トランジスタであるとして説明を行う。しかしながら、本発明はこれに限定されず、トランジスタ304、トランジスタ305、トランジスタ306及びトランジスタ307のいずれか、または全てがpチャネル型トランジスタであってもよい。仮に、トランジスタ304、トランジスタ305、トランジスタ306及びトランジスタ307のいずれか、または全てがpチャネル型トランジスタである場合においても、各トランジスタのオン状態またはオフ状態が以下の説明と同様になるように各配線の電位を定めればよい。まず、時刻T1において、配線TXの電位を、電位LTXから電位HTXに変化させる。配線TXの電位が電位HTXになると、トランジスタ304はオン状態になる。なお、時刻T1において、配線SEには電位LSEが与えられ、配線RSには電位LRSが与えられている。次いで、時刻T2において、配線RSの電位を、電位LRSから電位HRSに変化させる。配線RSの電位が電位HRSになると、トランジスタ307はオン状態になる。また、時刻T2において、配線TXの電位は電位HTXのままであり、配線SEの電位は電位LSEのままである。よって、ノードFDには電源電位VDDが与えられるため、ノードFDの電位が所定の値にリセットされる。また、光電変換素子302には、逆方向バイアスの電圧が印加される。この動作は言い換えれば、ノードFDに蓄積された負の電荷を放電する動作ということもできる。なお、光電変換素子302として用いるフォトダイオードの陰極が配線PRに電気的に接続され、陽極がトランジスタ304のソースとドレインの他方に電気的に接続されている場合においては、この動作は言い換えれば、ノードFDに蓄積された正の電荷を放電する動作ということもできる。次いで、時刻T3において、配線RSの電位を、電位HRSから電位LRSに変化させる。時刻T3の直前まで、ノードFDの電位は電源電位VDDに保たれているため、配線RSの電位が電位LRSになった後も、光電変換素子302に逆方向バイアスの電圧が印加された状態が続く。そして、この状態で、光電変換素子302に光が入射すると、光電変換素子302の陰極から陽極に向かって光電流が流れる。光電流の値は光の強度に従って変化する。すなわち、光電変換素子302に入射する光の強度が高いほど光電流の電流値は高くなり、ノードFDと光電変換素子302の間を移動する電荷の量も大きくなる。逆に、光電変換素子302に入射する光の強度が低いほど光電流の電流値は低くなり、ノードFDと光電変換素子302の間を移動する電荷の量は小さくなる。よって、ノードFDの電位は、光の強度が高いほど変化が大きく、光の強度が低いほど変化が小さい。図7Bでは、時刻T3から時刻T4において、ノードFDに負の電荷が蓄積されることにより、ノードFDの電位が低下する例を示したがこれに限定されない。光電変換素子302として用いるフォトダイオードの陰極が配線PRに電気的に接続され、陽極がトランジスタ304のソースとドレインの他方に電気的に接続されている場合において、ノードFDに正の電荷が蓄積言い換えれば、負の電荷が放電されることにより、ノードFDの電位が上昇してもよい。次いで、時刻T4において、配線TXの電位を電位HTXから電位LTXに変化させると、トランジスタ304はオフ状態になる。よって、ノードFDと光電変換素子302の間の電荷の移動が止まるため、ノードFDの電位が定まる。次いで、時刻T5において、配線SEの電位を電位LSEから電位HSEに変化させると、トランジスタ306はオン状態になる。すると、ノードFDの電位に応じて配線VSと配線OUTの間で電荷の移動が生じる。なお、時刻T5以前に、配線OUTの電位を所定の電位にする動作プリチャージ動作を完了させておく。なお、図7Bでは、配線OUTの電位は時刻T5以前にローレベルの電位にプリチャージされ、時刻T5から時刻T6の間に光強度に応じて配線OUTの電位が上昇する場合を示したがこれに限定されない。配線OUTの電位は時刻T5以前にハイレベルの電位にプリチャージされ、時刻T5から時刻T6の間に光強度に応じて配線OUTの電位が低下してもよい。この際は、配線VSにはローレベルの電源電位が与えられているものとする。プリチャージ動作は、例えば、配線OUTと、所定の電位が与えられる配線とをトランジスタ等のスイッチング素子を介して電気的に接続し、当該トランジスタをオン状態とすることによって行うことができる。プリチャージ動作を完了した後は、当該トランジスタはオフ状態とする。時刻T6において、配線SEの電位を電位HSEから電位LSEに変化させると、配線VSから配線OUTへの電荷の移動が停止し、配線OUTの電位が決定する。この配線OUTの電位が、フォトセンサ301の出力信号の電位に相当する。そして、出力信号の電位には、被検出物によって反射した光の情報が含まれている。ここで、時刻T1や時刻T4において配線TXの電位を変化させるときに、配線TXとノードFDとの間の寄生容量によって、ノードFDの電位が変化する。この電位の変化が大きい場合、出力信号を正確に出力することができない。配線TXの電位を変化させるときのノードFDの電位の変化を抑制するために、トランジスタ304のゲートとソースの間、またはゲートとドレインの間の容量を低減することが有効である。また、トランジスタ305のゲート容量を増大することが有効である。更に、ノードFDに容量素子を電気的に接続することが有効である。なお、図7Bでは、これらの対策を施す等して、配線TXの電位を変化させるときのノードFDの電位の変化は無視できるものとしている。以上が、図6C及び図6Dに示した構成のフォトセンサ301の駆動方法である。図7Aや図7Bのタイミングチャートで示したフォトセンサ301の上記一連の動作は、リセット動作、蓄積動作、選択動作に分類することができる。すなわち、時刻T2から時刻T3までの動作がリセット動作、時刻T3から時刻T4までの動作が蓄積動作、時刻T5から時刻T6までの動作が選択動作に相当する。また、蓄積動作が終了してから選択動作が開始されるまでの期間、すなわち、時刻T4から時刻T5までの期間が、ノードFDにおいて電荷が保持されている電荷保持期間に相当する。ここで、リセット動作を行う期間をTRと表記し、蓄積動作を行う期間をTIと表記し、選択動作を行う期間をTSと表記する。以上が、フォトセンサ301の駆動方法の説明である。半導体装置の駆動方法図4に示した組110を図1Bのようにマトリクス状に複数有する半導体装置の駆動方法について、図2及び図11のタイミングチャートを参照して説明する。なお、同じサブセンサ行に配置された複数のフォトセンサにおいて配線SEを共有し、同じサブセンサ行に配置された複数のフォトセンサにおいて配線TXを共有し、同じサブセンサ行に配置された複数のフォトセンサにおいて配線PRを共有し、また、同じサブ画素行に配置された複数の表示素子において配線GLを共有し、同じサブ画素行に配置された複数の表示素子において配線CSを共有し、同じサブ画素行に配置された複数の表示素子において配線VBを共有し、同じサブ画素列に配置された複数の表示素子において配線SLを共有し、同じサブ画素列に配置された複数の表示素子において配線VRを共有し、同じサブセンサ列に配置された複数のフォトセンサにおいて配線OUTを共有し、同じサブセンサ列に配置された複数のフォトセンサにおいて配線VSを共有する半導体装置における駆動方法の一例を示す。図2及び図11において、p,qは、マトリクス状に配置された組110のうちの第ppは自然数行目第qqは自然数列目に対応する組を示す。図2のタイミングチャートは、6つの組110それぞれに設けられた表示素子101R、表示素子101G、表示素子101Bの動作と、フォトセンサ301R、フォトセンサ301G、フォトセンサ301Bの動作の関係を示している。また、図2中、TRTIは、図7のタイミングチャートを用いて説明した、リセット動作及びリセット動作に続く蓄積動作を行う期間を示している。また、図2中、Rは第1の色相例えば、赤で発光素子が発光している期間を示し、Gは第2の色相例えば、緑で発光素子が発光している期間を示し、Bは第3の色相例えば、青で発光素子が発光している期間を示す。図11のタイミングチャートは、6つの組それぞれに設けられたフォトセンサ301R、フォトセンサ301G、フォトセンサ301Bの動作の関係を示している。また、図11中、TSは、図7のタイミングチャートを用いて説明した、選択動作を行う期間を示している。まず、図2のタイミングチャートを用いて、各色相に対応する被検出物の情報の取得のための受光の動作について説明する。時刻TL1から時刻TL2の期間では、発光素子102Rを一斉に発光させた状態で、且つ発光素子102G及び発光素子102Bを発光させない状態で、全てのフォトセンサ301Rにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行う。時刻TL3から時刻TL4の期間では、発光素子102Gを一斉に発光させた状態で、且つ発光素子102R及び発光素子102Bを発光させない状態で、全てのフォトセンサ301Gにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行う。時刻TL5から時刻TL6の期間では、発光素子102Bを一斉に発光させた状態で、且つ発光素子102R及び発光素子102Gを発光させない状態で、全てのフォトセンサ301Bにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行う。ここで、時刻TL1から時刻TL2の期間では、全ての発光素子102Rは概略同じ輝度で発光させられる。時刻TL3から時刻TL4の期間では、全ての発光素子102Gは概略同じ輝度で発光させられる。時刻TL5から時刻TL6の期間では、全ての発光素子102Bは概略同じ輝度で発光させられる。こうして、各色相に対応する被検出物の情報の取得のための受光を行うことができる。図2に示したタイミングチャートの動作は、例えば、半導体装置が画像表示を行っている際の帰線期間中に行うことができる。同じ色相に対応する複数のフォトセンサを同じサブセンサ行に配置し、サブセンサ行の行方向に延びて配置される配線を共有する場合に、半導体装置の表示領域兼情報入力領域が有する行方向に延びた配線のうちの一部のみを選択することによって、当該複数のフォトセンサを同時に制御することができる。例えば、組110が3つの異なる色相に対応する3つのサブセンサ行を有する場合には、1/3の配線のみ選択することによって、1つの色相に対応する被検出物の情報の取得のための受光を行うことができる。こうして、半導体装置は、各色相に対応する被検出物の情報の取得のための受光を高速に切り替えて行うことができる。次いで、図11のタイミングチャートを用いて、各色相に対応する被検出物の情報被検出物によって反射した光の情報を各フォトセンサから読み出す動作について説明する。図11のタイミングチャートは、図2に示したタイミングチャートの動作が終わってからの動作を示している。図11に示すように、フォトセンサ301Rにおいて選択動作を各サブセンサ行毎に順次行い、フォトセンサ301Gにおいて選択動作を各サブセンサ行毎に順次行い、フォトセンサ301Bにおいて選択動作を各サブセンサ行毎に順次行う。こうして、被検出物に対応するカラー画像を取得することができる。なお、フォトセンサにおける選択動作は、半導体装置が有する発光素子の状態発光状態、非発光状態に関わらず行うことができる。そのため、半導体装置が画像表示を行っている間に、フォトセンサにおける選択動作を行うことができる。よって、複数のフォトセンサにおける選択動作を全て行うために必要な期間の長さが長くても、画像表示への影響は少ない。なお、図2及び図11に示した駆動方法を用いる場合、半導体装置が有する複数のフォトセンサにおいて、リセット動作及び蓄積動作を行ってから選択動作を行うまでの期間電荷保持期間の長さが異なるフォトセンサが存在する。フォトセンサを構成する素子等においてリークが大きい場合、当該期間の長さが長い程、得られる情報に入るノイズが大きくなり、複数のフォトセンサにおいて被検出物の情報の取得を正確に行うことが困難になる。ここで、フォトセンサを構成する素子としてトランジスタを用い、当該トランジスタとして、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタを用いることより、トランジスタのオフ電流によるリークを低減することができる。そのため、リセット動作及び蓄積動作を行ってから選択動作を行うまでの期間電荷保持期間の長さが長い場合においても、ノイズの影響を低減することができる。こうして、図2及び図11に示した駆動方法を用いる場合においても、被検出物の情報の取得を正確に行うことができる。こうして、通常の画像表示に与える影響を低減し、被検出物に対応するカラー画像を取得することができる。本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせて実施することが可能である。実施の形態2本実施の形態では、実施の形態1において図2のタイミングチャートを用いて示した表示素子の駆動方法の更に詳細な一態様を示す。説明には図3のタイミングチャートを用い、その他図面の符号も参照する。なお、図3のタイミングチャートの駆動方法を行う半導体装置の構成については、実施の形態1において示した図2のタイミングチャートの動作を行う前提となる半導体装置の構成と同じであり、説明は省略する。表示素子の駆動方法図3において、p,qは、マトリクス状に配置された組110のうちの第p行目第q列目に対応する組を示す。図3のタイミングチャートは、6つの組110それぞれに設けられた表示素子101Rに電気的に接続される配線GL及び配線SL、表示素子101Gに電気的に接続される配線GL及び配線SL、表示素子101Bに電気的に接続される配線GL及び配線SLの電位の状態を示している。6つの組110において、配線SLは共有されているので、各組の配線SLには同じ信号が入力されている。なお、図3に示すタイミングチャートでは、配線GL、配線SLには、ハイレベルまたはローレベルの電位が与えられるものと仮定する。なお配線VRには、所定の電位が与えられ、配線VBには、所定の電位が与えられ、配線VRに与えられる電位と配線VBに与えられる電位の電位差は、当該電位差に対応する電圧を発光素子102発光素子102R、発光素子102G、発光素子102Bの一対の電極間に印加した際に当該発光素子が発光するように定められている。例えば、配線VRにハイレベルの電源電位VDDが与えられ、配線VBにはローレベルの電源電位VSSが与えられているとする。なお、トランジスタ201、及びトランジスタ202は全てnチャネル型トランジスタであるとして説明を行う。しかしながら、本発明はこれに限定されず、トランジスタ201、及びトランジスタ202のいずれか、または全てがpチャネル型トランジスタであってもよい。仮に、トランジスタ201、及びトランジスタ202のいずれか、または全てがpチャネル型トランジスタである場合においても、各トランジスタのオン状態またはオフ状態が以下の説明と同様になるように各配線の電位を定めればよい。時刻TL0において、全ての表示素子表示素子101R、表示素子101G、表示素子101Bにおいて配線GLの電位をハイレベルとすると、全ての表示素子表示素子101R、表示素子101G、表示素子101Bのトランジスタ201はオン状態になる。このとき、配線SLの電位をローレベルとすると、全ての表示素子表示素子101R、表示素子101G、表示素子101Bのトランジスタ202はオフ状態となる。こうして、全ての表示素子表示素子101R、表示素子101G、表示素子101Bの発光素子発光素子102R、発光素子102G、発光素子102Bを非発光状態とすることができる。時刻TL1において、第1の色相に対応する表示素子101Rに電気的に接続される配線GLの電位をハイレベルとすると、第1の色相に対応する表示素子101Rのトランジスタ201はオン状態になる。このとき、配線SLの電位がハイレベルとなると、第1の色相に対応する表示素子101Rのトランジスタ202もオン状態となる。すると、第1の色相に対応する表示素子101Rのトランジスタ202を介して、配線VRの電位が第1の色相に対応する表示素子101Rの発光素子102Rの一対の電極のうちの一方に入力される。こうして、発光素子102Rの一対の電極間に所定の電圧が印加され、発光素子102Rは発光する。時刻TL1の後も、容量素子203や寄生容量等によって、第1の色相に対応する表示素子101Rのトランジスタ202のゲートの電位は維持されるため、第1の色相に対応する表示素子101Rに電気的に接続される配線GLの電位がローレベルとなってトランジスタ201がオフ状態となった後も、発光素子102Rは発光し続ける。その後、時刻TL2において、再び第1の色相に対応する表示素子101Rに電気的に接続される配線GLの電位をハイレベルとすると、第1の色相に対応する表示素子101Rのトランジスタ201はオン状態になる。このとき、配線SLの電位をローレベルとすることによって第1の色相に対応する表示素子101Rのトランジスタ202をオフ状態とすることができる。こうして、発光素子102Rを非発光状態とすることができる。こうして、時刻TL1~時刻TL2の期間において、半導体装置の表示領域兼情報入力領域は、第1の色相例えば、赤で発光する。時刻TL3において、第2の色相に対応する表示素子101Gに電気的に接続される配線GLの電位をハイレベルとすると、第2の色相に対応する表示素子101Gのトランジスタ201はオン状態になる。このとき、配線SLの電位がハイレベルとなると、第2の色相に対応する表示素子101Gのトランジスタ202もオン状態となる。すると、第2の色相に対応する表示素子101Gのトランジスタ202を介して、配線VRの電位が第2の色相に対応する表示素子101Gの発光素子102Gの一対の電極のうちの一方に入力される。こうして、発光素子102Gの一対の電極間に所定の電圧が印加され、発光素子102Gは発光する。時刻TL3の後も、容量素子203や寄生容量等によって、第2の色相に対応する表示素子101Gのトランジスタ202のゲートの電位は維持されるため、第2の色相に対応する表示素子101Gに電気的に接続される配線GLの電位がローレベルとなってトランジスタ201がオフ状態となった後も、発光素子102Gは発光し続ける。その後、時刻TL4において、再び第2の色相に対応する表示素子101Gに電気的に接続される配線GLの電位をハイレベルとすると、第2の色相に対応する表示素子101Gのトランジスタ201はオン状態になる。このとき、配線SLの電位をローレベルとすることによって第2の色相に対応する表示素子101Gのトランジスタ202をオフ状態とすることができる。こうして、発光素子102Gを非発光状態とすることができる。こうして、時刻TL3~時刻TL4の期間において、半導体装置の表示領域兼情報入力領域は、第2の色相例えば、緑で発光する。時刻TL5において、第3の色相に対応する表示素子101Bに電気的に接続される配線GLの電位をハイレベルとすると、第3の色相に対応する表示素子101Bのトランジスタ201はオン状態になる。このとき、配線SLの電位がハイレベルとなると、第3の色相に対応する表示素子101Bのトランジスタ202もオン状態となる。すると、第3の色相に対応する表示素子101Bのトランジスタ202を介して、配線VRの電位が第3の色相に対応する表示素子101Bの発光素子102Bの一対の電極のうちの一方に入力される。こうして、発光素子102Bの一対の電極間に所定の電圧が印加され、発光素子102Bは発光する。時刻TL5の後も、容量素子203や寄生容量等によって、第3の色相に対応する表示素子101Bのトランジスタ202のゲートの電位は維持されるため、第3の色相に対応する表示素子101Bに電気的に接続される配線GLの電位がローレベルとなってトランジスタ201がオフ状態となった後も、発光素子102Bは発光し続ける。その後、時刻TL6において、再び第3の色相に対応する表示素子101Bに電気的に接続される配線GLの電位をハイレベルとすると、第3の色相に対応する表示素子101Bのトランジスタ201はオン状態になる。このとき、配線SLの電位をローレベルとすることによって第3の色相に対応する表示素子101Bのトランジスタ202をオフ状態とすることができる。こうして、発光素子102Bを非発光状態とすることができる。こうして、時刻TL5~時刻TL6の期間において、半導体装置の表示領域兼情報入力領域は、第3の色相例えば、青で発光する。以上のとおり、表示素子を駆動することができる。本実施の形態で示す駆動方法では、同じ色相に対応する複数の表示素子を同じサブ画素行に配置し、サブ画素行の行方向に延びて配置される配線を共有し、半導体装置の表示領域兼情報入力領域が有する行方向に延びた配線のうちの一部のみを選択することによって、当該複数の表示素子を同時に制御する。例えば、組110が3つの異なる色相に対応する3つのサブ画素行を有する場合には、1/3の配線のみ選択することによって、1つの色相で発光を行い、また当該色相の光の消灯を行う。こうして、半導体装置は、各色相に対応する発光を高速に切り替えて行うことができる。また、半導体装置の表示領域兼情報入力領域が有する全ての配線SLにおいて、同じ信号を同時に入力することによって、非常に短時間内に各色相に対応する発光を行うことができる。こうして、半導体装置は、各色相に対応する発光を高速に切り替えて行うことができる。そのため、通常の画像表示に与える影響を低減し、被検出物に対応するカラー画像を取得することができる。本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせて実施することが可能である。実施の形態3本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置の駆動方法について、実施の形態1とは異なる駆動方法について説明する。半導体装置の構成の一態様まず、半導体装置の構成について図8を用いて説明する。図8Aは、半導体装置の表示領域兼情報入力領域の一部の構成を示す模式図である。図8Aにおいて、組110は、表示素子101Rと、表示素子101Gと、表示素子101Bと、フォトセンサ301Xとを有する。フォトセンサ301Xは、フォトセンサ301R、フォトセンサ301G、フォトセンサ301Bのいずれかである。表示素子101Rと、表示素子101Gと、表示素子101Bと、フォトセンサ301Rとを有する組110と、表示素子101Rと、表示素子101Gと、表示素子101Bと、フォトセンサ301Gとを有する組110と、表示素子101Rと、表示素子101Gと、表示素子101Bと、フォトセンサ301Bとを有する組110と、で群111を構成する。図8Bに示すように、半導体装置の表示領域兼情報入力領域は、群111をマトリクス状に複数有する。なお、図8Bでは、群111が2行3列に設けられる例を示したがこれに限定されない。群111は一般にmmは自然数行nnは自然数列のマトリクス状に複数設けることができる。なお、図8Bに示した構成は、組110が6行3列のマトリクス状に複数設けられた構成と考えることもできる。以下、組110がマトリクス状に複数設けられた構成であるとみなして説明を行う。図8A及び図8Bにおいて、表示素子101Rは第1の色相例えば、赤とするで発光する発光素子102Rと、発光素子102Rを制御する制御回路103Rと、を有する。表示素子101Gは第1の色相とは異なる第2の色相例えば、緑とするで発光する発光素子102Gと、発光素子102Gを制御する制御回路103Gと、を有する。表示素子101Bは第1の色相及び第2の色相とは異なる第3の色相例えば、青とするで発光する発光素子102Bと、発光素子102Bを制御する制御回路103Bと、を有する。フォトセンサ301Rは、第1の色相の光を受光する光電変換素子302Rと、光電変換素子302Rに電気的に接続される増幅回路303Rと、を有する。フォトセンサ301Gは、第2の色相の光を受光する光電変換素子302Gと、光電変換素子302Gに電気的に接続される増幅回路303Gと、を有する。フォトセンサ301Bは、第3の色相の光を受光する光電変換素子302Bと、光電変換素子302Bに電気的に接続される増幅回路303Bと、を有する。また、図8Bに示すとおり、同じ列に配置された複数の組110において、表示素子101R、表示素子101G、表示素子101Bを一方向に並べて配置することができる。この一方向は、マトリクス状に配置した組110の列方向同じ列に配置される組110が並んだ方向とすることができる。同じ列に配置された複数の組110において、フォトセンサ301R、フォトセンサ301G、フォトセンサ301Bを一方向に並べて配置することができる。この一方向は、マトリクス状に配置した組110の列方向同じ列に配置される組110が並んだ方向とすることができる。ここで、組110の1列に対して、複数の異なる色相に対応する表示素子が並んだ列以下、サブ画素列と呼ぶと、複数の異なる色相に対応するフォトセンサが並んだ列以下、サブセンサ列と呼ぶとが対応するということもできる。ここで、図8Bに示すとおり、同じ色相に対応するフォトセンサを一方向に並べて配置することができる。この一方向は、マトリクス状に配置した組110の行方向同じ行に配置される組110が並んだ方向とすることができる。図8Bの構成は、組110の1行に対して、フォトセンサ301Rが並んだ行以下、サブセンサ行と呼ぶ、または、フォトセンサ301Gが並んだ行以下、サブセンサ行と呼ぶ、または、フォトセンサ301Bが並んだ行以下、サブセンサ行と呼ぶの1つのサブセンサ行が対応するということもできる。つまり、複数のフォトセンサを有する任意の1サブセンサ行に注目した場合に、当該複数のフォトセンサは同じ色相に対応するフォトセンサとすることができる。そして、複数のフォトセンサを有する別の1サブセンサ行に注目した場合に、当該複数のフォトセンサは当該色相とは異なる色相に対応するフォトセンサとすることができる。また、同じ色相に対応する表示素子を一方向に並べて配置することができる。この一方向は、マトリクス状に配置した組110の行方向同じ行に配置される組110が並んだ方向とすることができる。図8Bの構成は、組110の1行に対して、表示素子101Rが並んだ行以下、サブ画素行と呼ぶと、表示素子101Gが並んだ行以下、サブ画素行と呼ぶと、表示素子101Bが並んだ行以下、サブ画素行と呼ぶとの3つのサブ画素行が対応するということもできる。つまり、複数の表示素子を有する任意の1サブ画素行に注目した場合に、当該複数の表示素子は同じ色相に対応する表示素子とすることができる。そして、複数の表示素子を有する別の1サブ画素行に注目した場合に、当該複数の表示素子は当該色相とは異なる色相に対応する表示素子とすることができる。図8では、3つの異なる色相に対応するフォトセンサ、及び3つの異なる色相に対応する表示素子によって群111が構成される例を示したがこれに限定されない。群111を構成するフォトセンサの数、及び対応する色相の数は任意の数とすることができる。群111を構成する表示素子の数、及び対応する色相の数は任意の数とすることができる。表示素子の具体的な構成の一態様表示素子101R、表示素子101G、表示素子101B、制御回路103R、制御回路103G、及び制御回路103Bの具体的な構成については、実施の形態1で説明した構成と同様とすることができるため、説明は省略する。フォトセンサの具体的な構成の一態様フォトセンサ301R、フォトセンサ301G、フォトセンサ301B、増幅回路303R、増幅回路303G、及び増幅回路303Bの具体的な構成については、実施の形態1で説明した構成と同様とすることができるため、説明は省略する。なお、図8Aにおけるフォトセンサ301Xは、光電変換素子302Xと、増幅回路303Xを有し、光電変換素子302Xは、光電変換素子302R、光電変換素子302G、または光電変換素子302Bに相当し、増幅回路303Xは、増幅回路303R、増幅回路303G、または増幅回路303Bに相当する。配線の配置のバリエーション図10は、図8Aに示した構成において、図5A及び図6Aに示した構成を適用し、更に、配線VR、配線VS、配線SE、配線OUT、配線TX、配線PR、配線SL、配線GL、配線VB、配線CSが延びて配置される様子を示した図である。図10において、配線PR、配線TX、配線SE、配線GL、配線CS、配線VBは互いに並列に配置され、これらの配線と交差するように、配線SL、配線OUT、配線VR、配線VSが互いに並列に配置されている。なお、配線VRと配線VSは共有することもできる。図10において、配線PR、配線TX、配線SE、配線GL、配線CS、配線VBが延びた方向を、行方向とする。配線SL、配線OUT、配線VR、配線VSが延びた方向を、列方向とする。また、図10において、組110が有する表示素子101R、表示素子101G、表示素子101Bにおいて、配線SLを共有している。組110が有する表示素子101R、表示素子101G、表示素子101Bにおいて、配線VRを共有している。各配線が延びている方向や、配線同士の配置関係例えば、並列に配置されている、または交差するように配置されている等には様々なパターンがあり、図10に示した構成に限定されない。また、図8Aにおいて、上述した図5B、図5C、図6B、図6C、図6Dに示した構成を適用した場合にも、図10と同様に各配線を特定の方向に延ばして配置することができる。なお、図8Bに示したように、組110を複数マトリクス状に配置する場合には、配線が延びた方向に配置される組110において、当該配線を共有することができる。同じサブセンサ行に配置された複数のフォトセンサにおいて、配線を共有することができる。例えば、同じサブセンサ行に配置された複数のフォトセンサにおいて、配線SEを共有することができる。例えば、同じサブセンサ行に配置された複数のフォトセンサにおいて、配線TXを共有することができる。例えば、同じサブセンサ行に配置された複数のフォトセンサにおいて、配線PRを共有することができる。また、同じサブ画素行に配置された複数の表示素子において、配線を共有することができる。例えば、同じサブ画素行に配置された複数の表示素子において、配線GLを共有することができる。例えば、同じサブ画素行に配置された複数の表示素子において、配線CSを共有することができる。例えば、同じサブ画素行に配置された複数の表示素子において、配線VBを共有することができる。同じサブ画素列に配置された複数の表示素子において、配線を共有することができる。例えば、同じサブ画素列に配置された複数の表示素子において、配線SLを共有することができる。また、同じサブ画素列に配置された複数の表示素子において、配線VRを共有することができる。また同じサブセンサ列に配置された複数のフォトセンサにおいて、配線を共有することができる。例えば、同じサブセンサ列に配置された複数のフォトセンサにおいて、配線OUTを共有することができる。同じサブセンサ列に配置された複数のフォトセンサにおいて、配線VSを共有することができる。このように、配線を共有することによって、半導体装置の配線の数を低減し、半導体装置を高精細化することができる。また、同じ電位や同じ信号が入力される配線を共有することができる。例えば、配線VBは、マトリクス状に配置された複数の組110の全ての組110において共有することもできる。この場合、配線VBは配線ではなく電極と呼ぶこともできる。また例えば、配線PRは、複数の組110で共有することもできる。例えば、フォトセンサ301におけるリセット動作及び蓄積動作を同時に行う組において、配線PRを共有することもできる。半導体装置の駆動方法次いで、上記半導体装置の駆動方法について説明する。フォトセンサフォトセンサ301R、フォトセンサ301G、フォトセンサ301B単独での駆動方法については、実施の形態1で説明した駆動方法と同様であるため、説明は省略する。図8Bのように、組110をマトリクス状に複数有する半導体装置の駆動方法について、図9及び図12のタイミングチャートを参照して説明する。なお、図8Bにおける各組110として、図10に示した構成を適用する場合について説明する。なお、同じサブセンサ行に配置された複数のフォトセンサにおいて配線SEを共有し、同じサブセンサ行に配置された複数のフォトセンサにおいて配線TXを共有し、同じサブセンサ行に配置された複数のフォトセンサにおいて配線PRを共有し、また、同じサブ画素行に配置された複数の表示素子において配線GLを共有し、同じサブ画素行に配置された複数の表示素子において配線CSを共有し、同じサブ画素行に配置された複数の表示素子において配線VBを共有し、同じサブ画素列に配置された複数の表示素子において配線SLを共有し、同じサブ画素列に配置された複数の表示素子において配線VRを共有し、同じサブセンサ列に配置された複数のフォトセンサにおいて配線OUTを共有し、同じサブセンサ列に配置された複数のフォトセンサにおいて配線VSを共有する半導体装置における駆動方法の一例を示す。図9及び図12において、p,qは、マトリクス状に配置された組110のうちの第ppは自然数行目第qqは自然数列目に対応する組を示す。図9のタイミングチャートは、6つの組110それぞれに設けられた表示素子101R、表示素子101G、表示素子101Bの動作と、各組110に設けられたフォトセンサ301R、フォトセンサ301G、またはフォトセンサ301Bの動作の関係を示している。また、図9中、TRTIは、図7のタイミングチャートを用いて説明した、リセット動作及びリセット動作に続く蓄積動作を行う期間を示している。また、図9中、Rは第1の色相例えば、赤で発光素子が発光している期間を示し、Gは第2の色相例えば、緑で発光素子が発光している期間を示し、Bは第3の色相例えば、青で発光素子が発光している期間を示す。図12のタイミングチャートは、6つの組それぞれに設けられたフォトセンサ301R、フォトセンサ301G、またはフォトセンサ301Bの動作の関係を示している。また、図12中、TSは、図7のタイミングチャートを用いて説明した、選択動作を行う期間を示している。まず、図9のタイミングチャートを用いて、各色相に対応する被検出物の情報の取得のための受光の動作について説明する。時刻TL1から時刻TL2の期間では、発光素子102Rを一斉に発光させた状態で、且つ発光素子102G及び発光素子102Bを発光させない状態で、全てのフォトセンサ301Rにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行う。時刻TL3から時刻TL4の期間では、発光素子102Gを一斉に発光させた状態で、且つ発光素子102R及び発光素子102Bを発光させない状態で、全てのフォトセンサ301Gにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行う。時刻TL5から時刻TL6の期間では、発光素子102Bを一斉に発光させた状態で、且つ発光素子102R及び発光素子102Gを発光させない状態で、全てのフォトセンサ301Bにおいて、一斉にリセット動作を行った後、一斉に蓄積動作を行う。ここで、時刻TL1から時刻TL2の期間では、全ての発光素子102Rは概略同じ輝度で発光させられる。時刻TL3から時刻TL4の期間では、全ての発光素子102Gは概略同じ輝度で発光させられる。時刻TL5から時刻TL6の期間では、全ての発光素子102Bは概略同じ輝度で発光させられる。こうして、各色相に対応する被検出物の情報の取得のための受光を行うことができる。図9に示したタイミングチャートの動作は、例えば、半導体装置が画像表示を行っている際の帰線期間中に行うことができる。同じ色相に対応する複数のフォトセンサを同じサブセンサ行に配置し、サブセンサ行の行方向に延びて配置される配線を共有する場合に、半導体装置の表示領域兼情報入力領域が有する行方向に延びた配線のうちの一部のみを選択することによって、当該複数のフォトセンサを同時に制御することができる。例えば、群111が3つの異なる色相に対応する3つのサブセンサ行を有する場合には、1/3の配線のみ選択することによって、1つの色相に対応する被検出物の情報の取得のための受光を行うことができる。こうして、半導体装置は、各色相に対応する被検出物の情報の取得のための受光を高速に切り替えて行うことができる。次いで、図12のタイミングチャートを用いて、各色相に対応する被検出物の情報を各フォトセンサから読み出す動作について説明する。図12のタイミングチャートは、図9に示したタイミングチャートの動作が終わってからの動作を示している。図12に示すように、フォトセンサ301Rにおいて選択動作を各サブセンサ行毎に順次行い、フォトセンサ301Gにおいて選択動作を各サブセンサ行毎に順次行い、フォトセンサ301Bにおいて選択動作を各サブセンサ行毎に順次行う。こうして、被検出物に対応するカラー画像を取得することができる。なお、フォトセンサにおける選択動作は、半導体装置が有する発光素子の状態発光状態、非発光状態に関わらず行うことができる。そのため、半導体装置が画像表示を行っている間に、フォトセンサにおける選択動作を行うことができる。よって、複数のフォトセンサにおける選択動作を全て行うために必要な期間の長さが長くても、画像表示への影響は少ない。なお、図9及び図12に示した駆動方法を用いる場合、半導体装置が有する複数のフォトセンサにおいて、リセット動作及び蓄積動作を行ってから選択動作を行うまでの期間電荷保持期間の長さが異なるフォトセンサが存在する。フォトセンサを構成する素子等においてリークが大きい場合、当該期間の長さが長い程、得られる情報に入るノイズが大きくなり、複数のフォトセンサにおいて被検出物の情報の取得を正確に行うことが困難になる。ここで、フォトセンサを構成する素子としてトランジスタを用い、当該トランジスタとして、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタを用いることより、トランジスタのオフ電流によるリークを低減することができる。そのため、リセット動作及び蓄積動作を行ってから選択動作を行うまでの期間電荷保持期間の長さが長い場合においても、ノイズの影響を低減することができる。こうして、図9及び図12に示した駆動方法を用いる場合においても、被検出物の情報の取得を正確に行うことができる。こうして、通常の画像表示に与える影響を低減し、被検出物に対応するカラー画像を取得することができる。なお、図9のタイミングチャートを用いて示した表示素子の駆動方法の更に詳細な一態様については、実施の形態2において説明した駆動方法と同様の駆動方法を用いることができる。本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせて実施することが可能である。実施の形態4本実施の形態では、本発明の半導体装置に用いることができるトランジスタの構成の一態様を示す。トランジスタのチャネルが形成される半導体層としては、例えば非晶質半導体、微結晶半導体、多結晶半導体、又は単結晶半導体を含む層を用いることができる。また、例えば元素周期表における第14族の半導体シリコンなどを含有する半導体層を用いることができる。トランジスタのチャネルが形成される半導体層として、酸化物半導体層を用いることもできる。酸化物半導体層に用いる酸化物半導体として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、二元系金属の酸化物であるIn-Zn系酸化物、Sn-Zn系酸化物、Al-Zn系酸化物、Zn-Mg系酸化物、Sn-Mg系酸化物、In-Mg系酸化物、In-Ga系酸化物、三元系金属の酸化物であるIn-Ga-Zn系酸化物IGZOとも表記する、In-Al-Zn系酸化物、In-Sn-Zn系酸化物、Sn-Ga-Zn系酸化物、Al-Ga-Zn系酸化物、Sn-Al-Zn系酸化物、In-Hf-Zn系酸化物、In-La-Zn系酸化物、In-Ce-Zn系酸化物、In-Pr-Zn系酸化物、In-Nd-Zn系酸化物、In-Sm-Zn系酸化物、In-Eu-Zn系酸化物、In-Gd-Zn系酸化物、In-Tb-Zn系酸化物、In-Dy-Zn系酸化物、In-Ho-Zn系酸化物、In-Er-Zn系酸化物、In-Tm-Zn系酸化物、In-Yb-Zn系酸化物、In-Lu-Zn系酸化物、四元系金属の酸化物であるIn-Sn-Ga-Zn系酸化物、In-Hf-Ga-Zn系酸化物、In-Al-Ga-Zn系酸化物、In-Sn-Al-Zn系酸化物、In-Sn-Hf-Zn系酸化物、In-Hf-Al-Zn系酸化物を用いることができる。なお、ここで、例えば、In-Ga-Zn系酸化物とは、InとGaとZnを主成分として有する酸化物という意味であり、InとGaとZnの比率は問わない。また、InとGaとZn以外の金属元素が入っていてもよい。また、酸化物半導体として、InMO3ZnOmm>0、且つ、mは整数でないで表記される材料を用いてもよい。なお、Mは、Ga、Fe、Mn及びCoから選ばれた一の金属元素または複数の金属元素を示す。また、酸化物半導体として、In3SnO5ZnOnn>0、且つ、nは整数で表記される材料を用いてもよい。酸化物半導体層は単結晶でも、非単結晶でもよい。後者の場合、アモルファスでも、多結晶でもよい。また、アモルファス中に結晶性を有する部分を含む構造でも、非アモルファスでもよい。酸化物半導体層は、スパッタリング法によって形成することが好ましい。例えば、上述した系の酸化物ターゲットを用いて、スパッタリング法により酸化物半導体層を形成することができる。ここで、ターゲットの純度を、99.99以上とすることで、酸化物半導体層に混入するアルカリ金属、水素原子、水素分子、水、水酸基、または水素化物等を低減することができる。また、当該ターゲットを用いることで、酸化物半導体層において、リチウムLi、ナトリウムNa、カリウムK等のアルカリ金属の濃度を低減することができる。また、酸化物半導体層の形成時に、スパッタリング装置の処理室の圧力を0.4Pa以下とすることで、被成膜面及び被成膜物への、アルカリ金属、水素等の不純物の混入を低減することができる。なお、被成膜物に含まれる水素は、水素原子の他、水素分子、水、水酸基、または水素化物として含まれる場合もある。また、スパッタリング装置の処理室の排気系として吸着型の真空ポンプ例えばクライオポンプなどを用いることで、排気系からアルカリ金属、水素原子、水素分子、水、水酸基、または水素化物等の不純物の逆流を低減することができる。また、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。酸化物半導体層の形成後、必要であれば、水素及び水分をほとんど含まない雰囲気下窒素雰囲気、酸素雰囲気、乾燥空気雰囲気例えば、水分については露点-40°C以下、好ましくは露点-60°C以下などで加熱処理温度範囲200°C以上450°C以下を行ってもよい。この加熱処理は、酸化物半導体層中からH、OHなどを脱離させる脱水化または脱水素化とも呼ぶことができ、不活性雰囲気下で昇温し、途中で切り替え酸素を含む雰囲気下とする加熱処理を行う場合や、酸素雰囲気下で加熱処理を行う場合は、加酸化処理とも呼べる。酸化物半導体層には、電子供与体ドナーとなる水分または水素、アルカリ金属元素NaやLi等などの不純物が低減されて高純度化された酸化物半導体層を用いる。高純度化された酸化物半導体層は、二次イオン質量分析法SIMS:SecondaryIonMassSpectroscopyによる水素濃度の測定値が、5×1019/cm3以下、好ましくは5×1018/cm3以下、より好ましくは5×1017/cm3以下、さらに好ましくは1×1016/cm3以下とする。また、ホール効果測定により測定できる酸化物半導体層のキャリア密度は、1×1014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3未満、さらに好ましくは1×1011/cm3未満とする。また、酸化物半導体のバンドギャップは、2eV以上、好ましくは2.5eV以上、より好ましくは3eV以上である。なお、酸化物半導体は不純物に対して鈍感であり、膜中にはかなりの金属不純物が含まれていても問題がなく、ナトリウムのようなアルカリ金属が多量に含まれる廉価なソーダ石灰ガラスも使えると指摘されている神谷、野村、細野、アモルファス酸化物半導体の物性とデバイス開発の現状、固体物理、2009年9月号、Vol.44、pp.621-633.。しかし、このような指摘は適切でない。アルカリ金属は酸化物半導体を構成する元素ではないため、不純物である。アルカリ土類金属も、酸化物半導体を構成する元素ではない場合において、不純物となる。特に、アルカリ金属のうちナトリウムNaは、酸化物半導体層に接する絶縁膜が酸化物である場合、当該絶縁膜中に拡散してNaとなる。また、Naは、酸化物半導体層内において、酸化物半導体を構成する金属と酸素の結合を分断する、或いは、その結合中に割り込む。その結果、例えば、閾値電圧がマイナス方向にシフトすることによるノーマリオン化、移動度の低下等の、トランジスタの特性の劣化が起こり、加えて、特性のばらつきも生じる。この不純物によりもたらされるトランジスタの特性の劣化と、特性のばらつきは、酸化物半導体層中の水素濃度が十分に低い場合において顕著に現れる。従って、酸化物半導体層中の水素濃度が1×1018/cm3以下、より好ましくは1×1017/cm3以下である場合には、上記不純物の濃度を低減することが望ましい。具体的に、二次イオン質量分析法によるNa濃度の測定値は、5×1016/cm3以下、好ましくは1×1016/cm3以下、更に好ましくは1×1015/cm3以下とするとよい。同様に、Li濃度の測定値は、5×1015/cm3以下、好ましくは1×1015/cm3以下とするとよい。同様に、K濃度の測定値は、5×1015/cm3以下、好ましくは1×1015/cm3以下とするとよい。層中のアルカリ金属元素濃度や水素濃度の測定をSIMSで行う場合、その原理上、試料表面近傍や、材質が異なる層との積層界面近傍のデータを正確に得ることが困難であることが知られている。そこで、層中におけるアルカリ金属元素濃度や水素濃度の厚さ方向の分布をSIMSで分析する場合、対象となる層が存在する範囲において、値に極端な変動が無く、ほぼ一定の値が得られる領域における平均値を、アルカリ金属元素濃度や水素濃度として採用する。また、測定の対象となる層の厚さが小さい場合、隣接する層内のアルカリ金属元素濃度や水素濃度の影響を受けて、ほぼ一定の値が得られる領域を見いだせない場合がある。この場合、当該層が存在する領域における、アルカリ金属元素濃度や水素濃度の最大値または最小値を、当該層中のアルカリ金属元素濃度や水素濃度として採用する。さらに、当該層が存在する領域において、最大値を有する山型のピーク、最小値を有する谷型のピークが存在しない場合、変曲点の値をアルカリ金属元素濃度や水素濃度として採用する。酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタのオフ電流密度は、100yA/μm以下、好ましくは10yA/μm以下、更に好ましくは1yA/μm以下にすることができる。また、Snなどのp型の導電性を付与する不純物を酸化物半導体層にドープすることで、酸化物半導体層を弱いp型とし、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタのオフ電流の低減を図ってもよい。なお、トランジスタはゲートをチャネルが形成される半導体層の上側にのみ有していてもよいし、ゲートを半導体層の下側にのみ有していてもよい。また、トランジスタはチャネルが形成される半導体層を間に挟んで存在する一対のゲートを有していてもよい。トランジスタが、チャネルが形成される半導体層を間に挟んで存在する一対のゲートを有している場合、一方のゲートにはトランジスタのスイッチングを制御するための信号が与えられ、他方のゲートは電位が与えられた状態とすることができる。この場合、一対のゲートに同じ高さの電位が与えられていても良いし、他方のゲートにのみグラウンドなどの固定電位が与えられていても良い。他方のゲートに与える電位の高さを制御することで、トランジスタの閾値電圧を制御することができる。なお、トランジスタのしきい値電圧に影響を与えないならば、他方のゲートは電気的に絶縁されたフローティングの状態であっても良い。本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせて実施することが可能である。本発明の一態様に係る半導体装置の駆動方法は、通常の画像表示に与える影響を低減し、被検出物に対応するカラー画像を取得することができるという特徴を有している。本発明の一態様に係る駆動方法を用いた半導体装置は、表示装置、ノート型パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置代表的にはDVD:DigitalVersatileDisc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る駆動方法を用いた半導体装置を用いることができる電子機器として、携帯電話、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、電子書籍、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、ゴーグル型ディスプレイヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等、複写機、ファクシミリ、プリンター、プリンター複合機、現金自動預け入れ払い機ATM、自動販売機などが挙げられる。本実施例は、上記実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。"