マスクデータを利用してエッチングの手法によりエンボス版を製造するシミュレーションを行なうエッチングシミュレーション装置であって、テクスチュアの高さ情報を階調値で表すデータであるテクスチュアのハイトフィールドデータを閾値により2値化し生成された、開口部とマスク部を有するマスクデータと、開口部とマスク部の境界からマスク部側に向かう距離と腐食深度との関係を表すサイドエッチングプロファイルとに基づき、エッチング対象の高さ情報を階調値で表すハイトフィールドデータについて、マスクデータの開口部に対応する箇所では所定の腐食深度を前記階調値から減算し、マスク部に対応する箇所では前記サイドエッチングプロファイルに基づく前記境界からの距離に応じた腐食深度を前記階調値から減算することにより、サイドエッチングの影響を反映したエッチング後のエッチング対象のハイトフィールドデータを生成するエッチングシミュレーションを行うことを特徴とするエッチングシミュレーション装置。前記エッチングシミュレーションでは、エッチング対象の角部においてエッチングの速度が変化する丸エッチングの影響について、エッチング対象上の一の箇所がその両側のエッチング対象上の所定の箇所となす角度および前記角度を二等分する線分の鉛直方向に対する傾斜角と、前記一の箇所におけるエッチング進行の度合いとの関係を示す丸エッチングプロファイルを用いて、前記腐食深度に対する重み付けを行なうことにより、丸エッチングの影響を反映したエッチング後のエッチング対象のハイトフィールドデータを生成することを特徴とする請求項1に記載のエッチングシミュレーション装置。前記エッチングプロファイルは、少なくともエッチング液の種類、濃度、温度、エッチング対象の素材のいずれかに応じて、異なるものが定められることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のエッチングシミュレーション装置。マスクデータを利用してエッチングの手法によりエンボス版を製造するシミュレーションを行なうエッチングシミュレーション装置によるエッチングシミュレーション方法であって、エッチングシミュレーション装置が、テクスチュアの高さ情報を階調値で表すデータであるテクスチュアのハイトフィールドデータを閾値により2値化し生成された、開口部とマスク部を有するマスクデータと、開口部とマスク部の境界からマスク部側に向かう距離と腐食深度との関係を表すサイドエッチングプロファイルとに基づき、エッチング対象の高さ情報を階調値で表すハイトフィールドデータについて、マスクデータの開口部に対応する箇所では所定の腐食深度を前記階調値から減算し、マスク部に対応する箇所では前記サイドエッチングプロファイルに基づく前記境界からの距離に応じた腐食深度を前記階調値から減算することにより、サイドエッチングの影響を反映したエッチング後のエッチング対象のハイトフィールドデータを生成するエッチングシミュレーションを行うことを特徴とするエッチングシミュレーション方法。前記エッチングシミュレーションでは、エッチング対象の角部においてエッチングの速度が変化する丸エッチングの影響について、エッチング対象上の一の箇所がその両側のエッチング対象上の所定の箇所となす角度および前記角度を二等分する線分の鉛直方向に対する傾斜角と、前記一の箇所におけるエッチング進行の度合いとの関係を示す丸エッチングプロファイルを用いて、前記腐食深度に対する重み付けを行なうことにより、丸エッチングの影響を反映したエッチング後のエッチング対象のハイトフィールドデータを生成することを特徴とする請求項4に記載のエッチングシミュレーション方法。前記エッチングプロファイルは、少なくともエッチング液の種類、濃度、温度、エッチング対象の素材のいずれかに応じて、異なるものが定められることを特徴とする請求項4または請求項5に記載のエッチングシミュレーション方法。コンピュータを、請求項1から請求項3のいずれかに記載のエッチングシミュレーション装置として機能させるプログラム。コンピュータを、請求項1から請求項3のいずれかに記載のエッチングシミュレーション装置として機能させるプログラムを記憶した記憶媒体。ところで、上記のエッチング工程では、マスクデータレジスト膜のパターンからは予期できない形状がエンボス版上に形成される課題がある。この理由として、サイドエッチングと丸エッチングがある。サイドエッチングとは、レジスト膜より内側に意図しないエッチングが生じる現象を指す。例えば図17aのように、レジスト53のパターンによりエンボス版の表面51で一定の深さをエッチングした場合、レジスト膜側の部分55aもエッチングされ、意図しない形状が形成されてしまう。丸エッチングとは、エッチング対象の角部でエッチング速度が変化することにより、所定時間のエッチング後、全体的に形状が丸まる現象を指す。例えば図17bのように、エンボス版の表面51に突出する部分55bがある場合、部分55bではより早くエッチングされ、所定時間のエッチング後には、部分55bの腐食深度がそれ以外の箇所での腐食深度より大きくなり、全体的に形状が丸まる。従来、上記の影響については、マスクデータの作成時に、いったん作成したマスクデータを用いてエッチングを行い、エッチング結果により意匠を確認し、適切なマスクデータが作成されているかを検討していたが、実際にエッチングを行うには手間がかかり、マスクデータの制作コストが増える要因となっていた。本発明は、前述した問題点に鑑みてなされたもので、エンボス版の形状の変化を正確に反映させたエッチングシミュレーションを行うことにより、マスクデータの作成の際のコストを低減できるエッチングシミュレーション装置等を提供することを目的とする。前述した目的を達するための第1の発明は、マスクデータを利用してエッチングの手法によりエンボス版を製造するシミュレーションを行なうエッチングシミュレーション装置であって、テクスチュアの高さ情報を階調値で表すデータであるテクスチュアのハイトフィールドデータを閾値により2値化し生成された、開口部とマスク部を有するマスクデータと、開口部とマスク部の境界からマスク部側に向かう距離と腐食深度との関係を表すサイドエッチングプロファイルとに基づき、エッチング対象の高さ情報を階調値で表すハイトフィールドデータについて、マスクデータの開口部に対応する箇所では所定の腐食深度を前記階調値から減算し、マスク部に対応する箇所では前記サイドエッチングプロファイルに基づく前記境界からの距離に応じた腐食深度を前記階調値から減算することにより、サイドエッチングの影響を反映したエッチング後のエッチング対象のハイトフィールドデータを生成するエッチングシミュレーションを行うことを特徴とするエッチングシミュレーション装置である。上記構成により、エッチング時にマスク側でもエッチングが進行するサイドエッチングの影響を考慮した、正確なエッチングシミュレーションを行うことができる。これにより、マスクデータの作成時に実際にエッチングを行うことなく意匠の確認ができ、マスクデータの作成のコストが低減される。前記エッチングシミュレーションでは、エッチング対象の角部においてエッチングの速度が変化する丸エッチングの影響について、エッチング対象上の一の箇所がその両側のエッチング対象上の所定の箇所となす角度および前記角度を二等分する線分の鉛直方向に対する傾斜角と、前記一の箇所におけるエッチング進行の度合いとの関係を示す丸エッチングプロファイルを用いて、前記腐食深度に対する重み付けを行なうことにより、丸エッチングの影響を反映したエッチング後のエッチング対象のハイトフィールドデータを生成する。かかる構成により、エッチング時に角部においてエッチング速度が変化する丸エッチングの影響を考慮した、より正確なエッチングシミュレーションを行うことができ、これにより、マスクデータの作成時に、より詳細に意匠の確認ができる。前記エッチングプロファイルは、少なくともエッチング液の種類、濃度、温度、エッチング対象の素材のいずれかに応じて、異なるものが定められる。かかる構成により、エッチングプロファイルについて数々の条件に応じて異なるデータを用いることで、エッチング環境の影響を考慮した、さらに正確なエッチングシミュレーションを行うことができ、これにより、マスクデータの作成時に、さらに詳細に意匠の確認ができる。前述した目的を達するための第2の発明は、マスクデータを利用してエッチングの手法によりエンボス版を製造するシミュレーションを行なうエッチングシミュレーション装置によるエッチングシミュレーション方法であって、エッチングシミュレーション装置が、テクスチュアの高さ情報を階調値で表すデータであるテクスチュアのハイトフィールドデータを閾値により2値化し生成された、開口部とマスク部を有するマスクデータと、開口部とマスク部の境界からマスク部側に向かう距離と腐食深度との関係を表すサイドエッチングプロファイルとに基づき、エッチング対象の高さ情報を階調値で表すハイトフィールドデータについて、マスクデータの開口部に対応する箇所では所定の腐食深度を前記階調値から減算し、マスク部に対応する箇所では前記サイドエッチングプロファイルに基づく前記境界からの距離に応じた腐食深度を前記階調値から減算することにより、サイドエッチングの影響を反映したエッチング後のエッチング対象のハイトフィールドデータを生成するエッチングシミュレーションを行うことを特徴とするエッチングシミュレーション方法である。前記エッチングシミュレーションでは、エッチング対象の角部においてエッチングの速度が変化する丸エッチングの影響について、エッチング対象上の一の箇所がその両側のエッチング対象上の所定の箇所となす角度および前記角度を二等分する線分の鉛直方向に対する傾斜角と、前記一の箇所におけるエッチング進行の度合いとの関係を示す丸エッチングプロファイルを用いて、前記腐食深度に対する重み付けを行なうことにより、丸エッチングの影響を反映したエッチング後のエッチング対象のハイトフィールドデータを生成する。前記エッチングプロファイルは、少なくともエッチング液の種類、濃度、温度、エッチング対象の素材のいずれかに応じて、異なるものが定められる。前述した目的を達するための第3の発明は、コンピュータを、第1の発明のエッチングシミュレーション装置として機能させるプログラムである。前述した目的を達するための第4の発明は、コンピュータを、第1の発明のエッチングシミュレーション装置として機能させるプログラムを記憶した記憶媒体である。本発明により、エンボス版の形状の変化を正確に反映させたエッチングシミュレーションを行うことにより、マスクデータの作成の際のコストを低減できるエッチングシミュレーション装置等を提供することができる。以下、図面を参照しながら、本発明のエッチングシミュレーション装置等の実施形態について説明する。まず、図1、図2を参照して、本実施形態のエッチングシミュレーション装置について説明する。図1は、エッチングシミュレーション装置1のハードウェア構成の一例を示す図である。図1に示すように、エッチングシミュレーション装置1は、制御部11、記憶部12、メディア入出力部13、周辺機器I/F部14、通信部15、入力部16、表示部17等がバス18を介して接続されて構成される。制御部11は、CPU、ROM、RAM等により構成される。CPUは、記憶部12、ROM、記録媒体等に格納されるプログラムをRAM上のワークメモリ領域に呼び出して実行し、バス18を介して接続された各部を駆動制御する。ROMは、コンピュータのブートプログラムやBIOS等のプログラム、データ等を恒久的に保持する。RAMは、ロードしたプログラムやデータを一時的に保持するとともに、制御部11が各種処理を行うため使用するワークエリアを備える。記憶部12は、例えばハードディスクドライブであり、制御部11が実行するプログラムや、プログラム実行に必要なデータ、OSオペレーティングシステム等が格納されている。メディア入出力部13は、例えば、フロッピー登録商標ディスクドライブ、CDドライブ、DVDドライブ、MOドライブ等のメディア入出力装置であり、データの入出力を行う。周辺機器I/Fインタフェース部14は、周辺機器を接続させるためのポートであり、周辺機器I/F部14を介して周辺機器とのデータの送受信を行う。周辺機器I/F部14は、USB等で構成されており、通常複数の周辺機器I/Fを有する。周辺機器との接続形態は有線、無線を問わない。通信部15は、通信制御装置、通信ポート等を有し、ネットワーク等との通信を媒介する通信インタフェースであり、通信制御を行う。入力部16は、例えば、キーボード、マウス等のポインティングデバイス、テンキー等の入力装置であり、入力されたデータを制御部11へ出力する。表示部17は、例えば液晶パネル、CRTモニタ等のディスプレイ装置と、ディスプレイ装置と連携して表示処理を実行するための論理回路ビデオアダプタ等で構成され、制御部11の制御により入力された表示情報をディスプレイ装置上に表示させる。バス18は、各装置間の制御信号、データ信号等の授受を媒介する経路である。次に、エッチングシミュレーション装置1の機能構成について、図2を用いて説明する。図2に示すように、エッチングシミュレーション装置1は、マスクデータ生成手段21、エッチングシミュレーション手段23等を有し、記憶部12にハイトフィールドデータテクスチュア25、マスクデータ26、エッチングプロファイル27、腐食深度データ28、ハイトフィールドデータエッチング対象29を記憶する。マスクデータ生成手段21は、エッチングシミュレーション装置1の制御部11が、入力部16等を介してユーザにより入力された、マスクデータ生成等に用いるパラメータに応じて、ハイトフィールドデータテクスチュア25より1以上のマスクデータ26を生成し記憶部12に記憶するものである。入力されるパラメータは、閾値や閾値の数等である。エッチングシミュレーション手段23は、エッチングシミュレーション装置1の制御部11が、マスクデータ26、エッチングプロファイル27、腐食深度データ28を用いて、ハイトフィールドデータエッチング対象29に対しエッチングシミュレーションを行ない、エッチング後のハイトフィールドデータエッチング対象29を作成し、記憶部12に記憶するものである。ハイトフィールドデータテクスチュア25は、テクスチュアの表面の凹凸形状高さの情報を例えば256の階調値で表したグレースケールの画像データであり、エッチングによりエンボス版を作成する際の目標となる形状である。ハイトフィールドデータ25は、予め、あるいはエッチングシミュレーション装置1での処理の開始に際して入力し、記憶部12等に記憶させておく。マスクデータ26は、エッチング対象に対しエッチングを行なう箇所開口部とエッチングを行なわない箇所マスク部を示すデータである。実際のエッチングでは、マスク部が該当する箇所で、コーティングしたレジストにレーザを照射して硬化させることにより、エッチング対象にレジスト膜が形成される。エッチングプロファイル27は、実際のエッチング時のエッチング対象の形状の詳細な変化に関するデータであり、後述するサイドエッチングプロファイル27aと丸エッチングプロファイル27bを含む。サイドエッチングプロファイル27aは、エッチング時にマスク部側でもエッチングが進行する前述のサイドエッチングの影響を表現するものである。丸エッチングプロファイル27bは、エッチング時にエッチング対象の角部においてエッチング速度が変化する前述の丸エッチングの影響を表現するものである。腐食深度データ28は、マスクデータ生成の際の閾値に相当する所定の腐食深度を定めるものである。マスクデータ26の生成に用いる閾値と、マスクデータ26を用いた1回分のエッチングにおける所定の腐食深度が関連付けて定められる。ハイトフィールドデータエッチング対象29は、エッチング対象であるエンボス版の表面の凹凸形状高さの情報を表したハイトフィールドデータである。エッチングシミュレーションが繰り返されることにより初期のハイトフィールドデータエッチング対象29の表面がマスクデータ26に応じて窪んだ形状となり、ハイトフィールドデータテクスチュア25の上下反転形状に近づく。次に、エッチングシミュレーション装置1によるエッチングシミュレーション処理の手順について、図3~図11を用いて説明する。まず、図3、図4を用いて、ハイトフィールドデータテクスチュア25を用いたマスクデータ26の生成について説明する。図3に示すように、まず、2値化の際の閾値や閾値の数等の、マスクデータ26の生成に用いるパラメータを、入力部16等を介して入力するステップS11。エッチングシミュレーション装置1の制御部11は、ハイトフィールドデータテクスチュア25について、ステップS11で入力された閾値等のパラメータに応じて、各閾値による2値化を行い、マスクデータ26を生成するステップS12。生成されたマスクデータ26は、エッチングシミュレーション装置1の記憶部12に記憶される。また、メディア入出力部13を介して記録媒体に出力したりしてもよい。図4は、マスクデータ26の生成について示す図で、図4aに示す例では、ハイトフィールドデータテクスチュア25について、4つの閾値31高いものから順に31-1~31-4を定め、各閾値以上か否かによる2値化を行う。なお、閾値等はこれに限らず、目的に応じてステップS11で適宜定め入力すればよい。図4bは、このようにして生成されたマスクデータ26の例である。マスクデータ26-1は、ハイトフィールドデータテクスチュア25について、閾値31-1以上か否かで2値化したものである。26aは閾値31-1以上の領域である開口部、26bは閾値31-1より低い領域であるマスク部である。同様の処理を各閾値3131-1~31-4について行い、ハイトフィールドデータテクスチュア25について、閾値の数だけマスクデータ2626-1~26-4が生成される。次に、ユーザの指示に応じて、マスクデータ26、エッチングプロファイル27、腐食深度データ28を用いて、ハイトフィールドデータエッチング対象29に対するエッチングシミュレーションを行なう。このエッチングシミュレーションについて、図5~図11を用いて説明する。図5に示すように、エッチングシミュレーションにおいては、まず、エッチングシミュレーション装置1の制御部11が、記憶部12に記憶されたマスクデータ26を取得するステップS21。例えば、初回には、前記したマスクデータ26-1を取得する。そして、制御部11は、マスクデータ26とサイドエッチングプロファイル27a、腐食深度データ28を用い、エッチング時の腐食深度を示すエッチングデータ46の算出を行なうステップS22。ステップS22では、図6に示すように、まず、ステップS21で取得したマスクデータ26の各画素セルにおける、マスク部26bと開口部26aの境界からの距離を算出し、距離データ30を作成するステップS221。距離データ30を作成するには、まず、図7aに示すように、マスクデータ26と同じ大きさの配列の距離データ30を用意して、全てのセルの値を最大値で初期化する。なお、図7において白抜き数字の部分はマスクデータ26においてマスク部26bに当たるセルで、それ以外は開口部26aに当たるセルである。次に、図7bに示すように、マスクデータ26におけるマスク部26bと開口部26aの境界に対応するセルの値に距離0を格納する。次に、図7cに示すように、距離データ30を走査して、各セルの値を、周囲8近傍のセルに格納された値と周囲8近傍のセルまでの距離上下左右は1、斜め方向は√2を周囲8近傍のセルごとに足した値の中で、最も小さい値で更新する。図7cは、上から1行目のセルについて、左から右へと走査しながら上記の処理を行ったものである。この処理を走査方向を変えつつ繰り返すと、図7dに示すようにマスクデータ26におけるマスク部26bと開口部26aの境界からの距離を示す距離データ30が作成される。距離データ30は、実距離に換算されて用いられる。例えば、マスクデータ26の解像度が508dpiの場合、1画素の大きさは50μmに対応するが、この際、距離データ30の各セルに格納されている値に50μmを掛けた値が境界からの距離として用いられる。図6に戻り、次に、エッチングシミュレーション装置1の制御部11は、腐食深度データ28、距離データ30とサイドエッチングプロファイル27aを用いて、マスクデータ26を用いてエッチングを行った際のエッチングデータ46の算出を行うステップS222。図8は、サイドエッチングプロファイル27aについて説明する図である。サイドエッチングプロファイル27aは、前述したサイドエッチングの影響を表すもので、ある時間エッチングを行なった際の、マスク部26bと開口部26aの境界よりマスク部26b側でのエッチング対象45の形状を特に表すものである。本実施形態では、サイドエッチングプロファイル27aは、図8aに示す、エッチング対象45で、マスクデータ26の開口部26a開口部26aとマスク部26bの境界にあたる箇所での腐食深度hに対する、開口部26aとマスク部26bの境界からマスク部26b側に向かう水平距離anと腐食深度hnの関係を例えば図8bのように表すものとする。サイドエッチングプロファイル27aは、予め定める所定の腐食深度hごとに定められる。なお、サイドエッチングプロファイル27aはこれに限ることはなく、エッチングを行なった際の、マスク部26b側でのエッチング対象45の形状を表すものであればよいが、上記のようなデータとすることにより、正確にサイドエッチングの影響を反映させることができる。図9は、サイドエッチングプロファイル27aを用いた、エッチングデータ46の算出について示す図である。本実施形態では、前記のステップS11で入力され、マスクデータ26の生成に用いた閾値に応じて、腐食深度データ28に基づき、マスクデータ26を用いた1回分のエッチングにおける腐食深度hを取得し、1つのマスクデータ26を用いた1回分1段分のエッチングを行った場合のエッチングデータ46の作成を行う。エッチングデータ46は、マスクデータ26と同じ大きさの配列のデータである。この際、開口部26aにあたる箇所のエッチングデータ46としては、1回分の腐食深度h例えば30を書き込む。一方、マスク部26bにあたる箇所の腐食深度としては、距離データ30と、上記腐食深度hに対応して予め定められているサイドエッチングプロファイル27aを用いて、開口部26aとマスク部26bの境界からの距離に応じた値を書き込む例えば15。以上のようにして、図5のステップS22において、1回分のエッチングにおける、サイドエッチングの影響を考慮したエッチングデータ46が得られる。次に、エッチングシミュレーション装置1の制御部11は、エッチング対象のハイトフィールドデータであるハイトフィールドデータエッチング対象29を取得するステップS23。続いて、エッチングシミュレーション装置1の制御部11は、エッチングデータ46、丸エッチングプロファイル27bを用いた、エッチングシミュレーションを行うステップS24。この際、ハイトフィールドデータエッチング対象29の階調値について、先ほどマスクデータ26とサイドエッチングプロファイル27aを用いて算出した腐食深度を減算する。即ち、開口部26aに対応する箇所では所定の腐食深度hを減算し、マスク部26bに対応する箇所では、サイドエッチングプロファイル27aに基づく、開口部26aとマスク部26bの境界からの水平距離に応じた腐食深度を減算する。そして、この際、上記の腐食深度に、丸エッチングプロファイル27bを用いて丸エッチングの影響を反映させる。図10は、丸エッチングプロファイル27bについて示す図である。丸エッチングプロファイル27bは、エッチング対象45の角部等によるエッチング速度の変化の影響を表すものである。丸エッチングプロファイル27bは、エッチング対象上の一の箇所が所定の距離離れた両側の箇所となす角度、即ち図10aにおけるエッチング対象45上の点P0が当該点P0から距離bにある両側の点P1、P2となす角度θと、当該角度θを2等分する線分の鉛直方向に対する傾斜角αの組み合わせθ、αと、エッチング進行の度合いとの関係を数値化して表すものであり、その例が図10bである。本実施形態では、丸エッチングプロファイル27bとしては、図10bに示すように、角度θが180°、角度αが0°の場合点P0周りでエッチング対象の表面が水平を基準として、θ、αの組み合わせについて腐食深度の変化率を表すデータとする。丸エッチングプロファイル27bでは、突出部θ<180°のエッチング速度が平坦な部分より大きくなる変化率がことや、逆に凹部θ>180°のエッチング速度が平坦な部分より小さくなる変化率が-ことが表される。さらに、傾斜角αが大きいほど、角度θによるエッチング速度の変化が強調される、あるいは大きくなることが表される。なお、丸エッチングプロファイル27bはこれに限ることは無く、エッチング対象の形状に応じたエッチング進行の度合いの違いを表すことができればよいが、上記のようなデータとすることにより、正確に丸エッチングの影響を反映させることができる。前述したように、エッチングシミュレーション装置1の制御部11は、ハイトフィールドデータエッチング対象29について、先程算出したエッチングデータ46の腐食深度を対応する画素セルごとに減算する。そして、この際、減算する腐食深度の値について、丸エッチングプロファイル27bを用いた重み付けを行なうことにより、丸エッチングの影響を反映させる。なお、本実施形態では、上記のエッチングデータ46の腐食深度の値を複数に等分し、1回分のエッチングの進行状況を複数のステップでシミュレーションしハイトフィールドデータを作成する。以下説明する例は、腐食深度の値を3等分し、1回分のエッチングの進行状況を3ステップでシミュレーションするものである。丸エッチングの影響を考慮したエッチングシミュレーションの例を示す図が、図11である。図11aに示すハイトフィールドデータエッチング対象29では、突出部291が存在する。エッチングシミュレーションとしては、ハイトフィールドデータエッチング対象29の階調値から、先程求めたエッチングデータ46の腐食深度図9参照の3等分値を対応する画素ごとに減算するが、この際、ハイトフィールドデータエッチング対象29の各画素について前記の角度θと角度αを算出し、上記の深度に、図10bに示す丸エッチングプロファイル27bで角度θ、角度αに対応する変化率を掛けて重み付けを行い、重みづけ後の腐食深度を減算した値を書き込む。第1ステップにおけるエッチング後のハイトフィールドデータエッチング対象29の例を示したものが、図11bのハイトフィールドデータエッチング対象29である。図11aに示すハイトフィールドデータエッチング対象29の平坦な部分x1では、開口部26aにおけるエッチングデータ46の腐食深度の3等分値例えば10が減算される。平坦な箇所であるので、この際の丸エッチングプロファイル27bによる腐食深度の変化率は0であり、図11bの部分x1の階調値は40→30となる。一方、突出部x2の場合、同じく開口部26aにおけるエッチングデータ46の腐食深度の3等分値に丸エッチングプロファイル27bによる重みづけを行った腐食深度を減算するが、突出部では腐食深度の変化率が大きくなり、重みづけ後の腐食深度が増加例えば10→15し、図11bの部分x2の階調値が60→45と変化する。このように、突出部での腐食深度が平坦な部分よりも大きくなっており、前述の丸エッチングの影響が表現されている。加えて、マスク部26bに対応する箇所でも階調値が減算され、サイドエッチングの影響が表現されている。このようにして作成された第1ステップにおけるエッチング後のハイトフィールドデータエッチング対象29は、上記と同様にして行われる、次のステップのエッチングシミュレーションにおいて、エッチング前のハイトフィールドデータエッチング対象29として用いられる。このようにして、各ステップにおけるハイトフィールドデータエッチング対象29を図11b、c、dに示すように算出する。前述したように、1回分1段分のエッチングが3ステップでシミュレーションされるので、図11dが、1回分のエッチング後のハイトフィールドデータエッチング対象29を算出したものになる。各ハイトフィールドデータエッチング対象29は、記憶部12等に記憶する。なお、上記の例では1回分のエッチングの進行状況を3ステップでシミュレーションし、各ステップにおけるハイトフィールドデータエッチング対象29を生成したが、シミュレーションするステップ数はこれに限らず、例えば5ステップでもよいし、1回分のエッチングの進行状況を1ステップでシミュレーションしてもよい。このようにして、1つのマスクデータ26を用いた1回分のエッチング後のハイトフィールドデータエッチング対象29が生成されるステップS25。このハイトフィールドデータエッチング対象29は、マスクデータ26を変更して行う次回のシミュレーションにおけるハイトフィールドデータエッチング対象29の初期形状となる。上記の処理を全てのマスクデータ26について行なうまでステップS26のNo繰り返し、全てのマスクデータ26について上記の処理を行えばステップS26のYes、エッチングシミュレーションを終了する。なお、エッチングした形状は、エッチング液の種類濃度温度、エッチング対象であるエンボス版の素材である金属の種類によって大きく変化する。例えば、濃度の異なるエッチング液を用いた場合、同じ時間エッチングしても進み具合に差が生じるため、形状が異なってくる。そのため、以上のサイドエッチングプロファイル27aおよび丸エッチングプロファイル27bとしては、上記のエッチング液の種類濃度温度、エンボス版の金属の種類を含むエッチング環境ごとに、これに応じた異なるデータを定めて記憶部12に記憶しておき、想定されるエッチング環境に応じたものを選択し用いる。以下、図12~図14を用いて、上記の手法を用いたシミュレーションの例を示す。図12は、入力するマスクデータの例であり、ここでは、マスク部が黒で、開口部が白で表されている。図12aは左上部分を小さなマスク部としたマスクデータであり、図12bは中央部を大きなマスク部としたマスクデータである。どちらも、大きさ200×200ピクセル、解像度508dpiのデータである。図13aは、図12bに示すマスクデータを用いて平坦なエッチング対象にエッチングを行うエッチングシミュレーションを行った結果を示す図である。エッチングシミュレーションとしては、腐食深度を500μmとし、1段エッチングを行った。図13bは上記のマスクデータの右上部分でのエッチングシミュレーション結果を拡大して示す図である。図13a、bでは、腐食深度がグレースケールで示されており、黒色は深度0μm、白色は深度500μmを示す。なお、図13cは図13bに対応する部分のマスクデータを示す図である。図13a、bより、サイドエッチングの影響が開口部とマスク部の境界付近にあらわれており、その形状が滑らかに変化していることがわかる。また、図14は、図12aのマスクデータを1段目のエッチングに用い、図12bのマスクデータを2段目のエッチングに用いて、平坦なエッチング対象にエッチングを行うエッチングシミュレーションを行った結果を示す図である。エッチングシミュレーションとしては、図12aのマスクデータを用いた1段目の腐食深度を200μmとし、図12bのマスクデータを用いた2段目の腐食深度を100μmとし、2段エッチングを行った。図14では腐食深度がグレースケールで示されており、黒色は深度0μm、白色は深度300μmを示す。図14では、マスクデータにおける開口部とマスク部の境界部でのサイドエッチングと、2段目のエッチングの際の丸エッチングの影響が表れており、その形状が滑らかに変化していることがわかる。以上説明したように、本発明の実施形態によれば、エッチングプロファイルを用いて、エッチング時にマスク側でもエッチングが進行するサイドエッチングの影響や、エッチング対象の角部でエッチング速度が変化する丸エッチングの影響を考慮した、正確なエッチングシミュレーションを行うことができる。これにより、マスクデータの作成時に実際にエッチングを行うことなく意匠の確認ができ、マスクデータの作成のコストが低減される。また、エッチングプロファイルについて数々の条件に応じて異なるデータを用いることで、エッチング液の種類濃度温度、エンボス版の金属の種類など、エッチング環境の影響をさらに考慮したエッチングシミュレーションを行うことができ、これにより、マスクデータの作成時に、さらに詳細に意匠の確認ができる。以上、添付図面を参照しながら、本発明に係るエッチングシミュレーション装置等の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、本願で開示した技術的思想の範疇内において、各種の変更例又は修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。