陰極と陽極の間に挟まれた活性発光ポリマーの層を含む発光デバイスにおいて、環境による攻撃からデバイスを保護する、低温塗布無機材料のカプセル形成層を含むことを特徴とするデバイス。低温塗布無機材料がIIIb族またはIVb族元素の酸化物または窒化物を含むことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。無機材料がシリコン系材料であることを特徴とする請求項2に記載のデバイス。無機材料が、窒化シリコンおよび酸化シリコンから選択されたシリコン系材料であることを特徴とする請求項3に記載のデバイス。デバイスと無機材料層の間に配置され、非反応性金属を含む低温塗布被覆を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。無機材料層の上に取付けられた保護用カバープレートを更に含むことを特徴とする請求項1に記載のデバイス。保護用カバープレートがエポキシで取付けられることを特徴とする請求項6に記載のデバイス。エポキシがカバープレートの周辺にあることを特徴とする請求項7に記載のデバイス。カバープレートと無機材料層の間に不活性ガスを更に含むことを特徴とする請求項8に記載のデバイス。エポキシがカバープレートと無機材料層の間に均一に分布していることを特徴とする請求項7に記載のデバイス。無機材料層の上に取付けられた保護用カバープレートを更に含むことを特徴とする請求項5に記載のデバイス。保護用カバープレートがエポキシで取付けられることを特徴とする請求項11に記載のデバイス。エポキシがカバープレートの周辺にあることを特徴とする請求項12に記載のデバイス。カバープレートと無機材料層の間に不活性ガスを更に含むことを特徴とする請求項13に記載のデバイス。エポキシがカバープレートと無機材料層の間に均一に分布していることを特徴とする請求項12に記載のデバイス。保護用カバープレートがはんだで取付けられることを特徴とする請求項6に記載のデバイス。保護用カバープレートがはんだで取付けられることを特徴とする請求項11に記載のデバイス。無機材料の被覆がフレームプレートの形をしていることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。無機材料層が400°C未満の温度で塗布されることを特徴とする請求項1に記載のデバイス。非反応性金属が400°C未満の温度で塗布されることを特徴とする請求項5に記載のデバイス。非反応性金属と無機材料が、共に400°C未満の温度で塗布されることを特徴とする請求項5に記載のデバイス。陰極と陽極の間に挟まれた活性発光ポリマーを含む発光デバイスを保護する方法であって、前記デバイスを低温塗布無機材料のカプセル形成層でカプセル封入することを含むことを特徴とする方法。低温塗布無機材料がIIIb族またはIVb族元素の酸化物または窒化物を含むことを特徴とする請求項22に記載の方法。低温塗布無機材料層を非反応性金属層でオーバーコートする段階を更に含むステップを特徴とする請求項22に記載の方法。無機材料層の上に保護板を取付ける段階を更に含むステップを特徴とする請求項22に記載の方法。デバイスと無機材料層の間に配置され、非反応性金属を含む低温塗布被覆を更に含むことを特徴とする請求項24に記載の方法。図1には本発明の一実施形態が示されている。図1には、透明な陽極層16が堆積した基板18からなる発光デバイスの横断面が示されている。陽極16に続いて、1層または複数層のポリマー層14および陰極金属層12がある。図1に示した実施形態では、デバイスはセラミック薄膜保護層10で覆われており、その保護層は感受性陰極金属層およびポリマー層を保護している。図2には本発明の他の実施形態が示されている。図2には、基板34と、それに続く陽極30、ポリマー層28および陰極26からなるデバイスの横断面が示されている。セラミック薄膜保護層24がデバイスを保護している。保護層24は、窒素またはアルゴンのような不活性ガス21で満たされた空洞中に封じ込められている。カバープレート22およびエポキシ20の周縁封止材が空洞を形成する。図3には、本発明の更に他の実施形態が示されている。図3には、基板52と、それに続く陽極50、光活性ポリマー層48および陰極46からなるデバイスの横断面が示されている。デバイスはセラミック薄膜保護層44によって保護されている。保護層44は、エポキシ20の層と、それに続くカバープレート42によって覆われている。図4には、本発明の更に他の実施形態が示されている。図4には、基板76と、それに続く陽極74、活性ポリマー層72および陰極70からなるデバイスの横断面が示されている。本発明のこの実施形態では、デバイスの空気感受性構成部品の回りにフレームを形成するために、セラミック薄膜68が使用されている。このフレーム68の上面に、薄膜金属層64が、セラミック薄膜68と同じフレーム形に形成される。カバープレート66上に、他の金属層60が、セラミック薄膜68とやはり同じ形に形成される。カバープレート66が、デバイスの周囲全体で金属はんだ62を用いてデバイスに取付けられる。はんだ付け工程を促進するために、金属層60がカバープレート上に形成される。この金属層60の形は、デバイス上の金属層64およびセラミック薄膜フレーム68の形に合致している。はんだ付けは不活性雰囲気中で行われ、その結果、形成される空洞は窒素またはアルゴンのような不活性ガス78で満たされる。図5には、本発明の更に他の実施形態が示されている。図5には、基板96と、それに続く陽極94、ポリマー層92および陰極90からなるデバイスの横断面が示されている。本発明のこの実施形態では、セラミック薄膜88がデバイスを保護する第一障壁として使用されている。このセラミック層88の上面に、薄膜金属層84が同じフレーム形に形成される。カバープレート86上には、他の金属層80が第1金属フレーム84と同形に形成される。カバープレート86は、デバイスの周囲全体で金属はんだ82を用いてデバイスに取付けられる。はんだ付け工程を促進するために、金属層80がカバープレート上に形成される。金属層80の形は、デバイス上の金属層84の形に合致する。はんだ付けは不活性雰囲気中で行われ、その結果、形成される空洞は窒素またはアルゴンのような不活性ガス98で満たされる。図6にはポリマー発光表示装置が示されている。同じ表示装置が3段階に示されており、図6aには製作直後のデバイスが示されている。発光領域は正方形領域である。図6bには、約25°C、30~40湿度の環境大気に24時間の期間曝した同一のデバイスが示されている。図6cには、同じ条件の環境大気に48時間曝した後の同じデバイスが示されている。画素の発光領域が24時間後にかなり減少した様子に注目されたい。環境大気に曝したほんの48時間後に、発光領域がほぼ完全に消失した様子に更に注目されたい。図6は、ポリマー発光表示装置のための適当なパッケージ技術の重要性を明らかに強調している。図7には、図2に示した構成にパッケージしたデバイスが示されている。図2に示した表示装置を、50°Cの温度、95の湿度に288時間曝した。図6に示したデバイスよりはるかに苛酷な条件に曝したにも関わらず、この表示装置では画素の発光領域のサイズに、有意な減少が認められないことに注目されたい。この図の表示装置では、発光領域への非発光性侵入部として現れた少数の欠陥が示されていることにも注目されたい。表示装置が高湿度に曝されると、これらの黒点black-spotは次第に広がる。これらの黒点は、このセラミック層内の欠陥による。これらの欠陥のために、湿気や程度は小さいが酸素も層内にゆっくり拡散し、陰極金属中に含まれる反応性金属と反応する。図8には、図4に示し、下記の実施例4に記載する表示装置の透視図が示されている。図9には、図8に示したデバイスの活性領域の2個の拡大図が示されている。この特定の実施形態は、上記の図4にも示され、下記の実施例4にも記載される。この場合デバイスを50°Cの温度、95の湿度に900時間曝した。発光領域は正方形で、周辺領域は非発光性である。高湿度に長時間曝しても、正方形の形および侵入部がないことから明らかなように、この方法でパッケージしたデバイスには画素の発光領域に減少が見られないことに注目されたい。更に、この方法でパッケージしたデバイスには黒点のような他の欠陥も見られないことに注目されたい。本発明によれば、環境中の湿気や酸素が、構成部品が電気的、化学的に活性であるデバイスの電極およびポリマー層と接触することを防止するために、セラミック薄膜が使用される。その無機耐火材料は、1種または複数種の酸化物および/または窒化物で構成される。これらの材料は、普通IIIb族およびIVb族元素の完全および部分的な酸化物および窒化物から選択することができる。これらにはホウ素、アルミニウム、シリコン、ガリウム、ゲルマニウム、インジウム、錫、タンタルおよび鉛の酸化物および窒化物が含まれる。耐火性の酸化物および窒化物を形成するためには、シリコン、アルミニウム、インジウムおよび錫が好ましい金属であり、シリコンおよびアルミニウム、特にシリコンが最も好ましい。無機耐火層の厚さは、約0.025μmから数10ミクロン、好ましくは0.05から5ミクロンである。この構造の一実施形態の横断面が図1に示されている。セラミック層は、湿気や酸素に対する気密な障壁を築くに充分な完全性を有していなければならない。セラミック材料、例えば窒化シリコンSixNy、一酸化シリコンSiOまたは二酸化シリコンSiO2のような無機耐火材料は、充分な密度の薄膜を形成することができれば、必要な障壁性を示すことができる。しかし、過去にこの種の材料の高密度膜を得るためには、典型的には400°Cを超える高温で膜を堆積させねばならない。最近、膜堆積中に高密度プラズマを用いて、150°C未満の温度で高密度膜が示された。この堆積温度の低下によって、ポリマー発光デバイス中の保護障壁として、セラミック薄膜の使用を検討することが可能となった。このような低い堆積温度では、微小なピンホールを全く含んでいない薄膜を得ることは通常は不可能である。しかし、1cm2当たり約10個未満のピンホール密度を有するセラミック膜を作製することは可能である。このようなピンホール密度ではポリマー発光デバイスを気密封止することができないので、これらのセラミック薄膜を、カルシウム、バリウム、ストロンチウム等の低仕事関数金属の超薄層約1~100nmと、それに続くアルミニウム、銅、銀等の非反応性金属のより厚い層>100nm、例えば100から10000nm、とりわけ100から1000nmの層からなる陰極金属構造と組合せることによって、ピンホールの超低密度<<0.1ピンホール/cm2を実現することが可能であることは、驚くべきことであり、意外なことである。セラミック層および陰極金属膜は、共に1~10ピンホール/cm2の範囲のピンホール密度を有するが、これらのピンホールの直径は一般に<<10μmと極めて小さい。したがって、これらのピンホールが直接相互の上面に生ずる確率は極めて小さく、重ね合せ全体では0.1ピンホール/cm2よりはるかに小さいピンホール密度となる。保護層は低温堆積法を用いて形成される。低温とは、350°C未満のような、約400°C未満の基板温度で各層を堆積させる方法を指す。反応スパッタリングを含むスパッタリングによって、基板が充分に冷却されていれば、これは実現される。プラズマ化学蒸着は、高密度膜が環境温度より少し高い温度40°Cから300°C未満の温度で得られるので、好ましい方法である。これらの方法は当技術分野で公知である。図6には、高温高湿度試験に曝す前後のポリマー発光画素のマトリックス配列の例が示されている。セラミック薄膜のない画素が湿気により次第に攻撃され、遂にはこのデバイスから光出力が完全に消失する様子に注目されたい。セラミック薄膜障壁を有する同様の試料も、比較のために図7に示されている。セラミック薄膜障壁によって、この試料は同一の試験条件下で全く影響を受けない。図2には、上記と同じ構造からなり、セラミック、ガラスまたは金属材料から作られたカバープレート22からなる障壁が追加されている本発明の他の実施形態が示されている。このふたは、エポキシ20の周縁封止材を介してデバイスに取付けられている。カバープレートおよびエポキシ封止材の目的は、湿気および酸素に対する追加障壁を提供することによって、セラミック薄膜保護層に対する要件を減少させることである。図3には、デバイスとふたの間の領域をエポキシで完全に満たすことによって、ふたが取付けられる本発明の更に他の実施形態が示されている。図4には本発明の更に他の実施形態が示されている。この実施形態では、ふたが金属はんだを用いてデバイスに取付けられている。ふたおよびはんだによって、この実施形態で気密封止が実現される。セラミック薄膜は、陽極と陰極リードとはんだ封止材の間の短絡を防止するように、電気絶縁をもたらす。この実施形態では、セラミックは図4および図8に示されるフレームの形に構築された。この実施形態では、温度感受性のポリマー材料を塗布する前にセラミック層を堆積することができ、したがってより広範囲の処理温度が利用できる。図5には本発明の更に他の実施形態が示されている。この実施形態では、ふたが金属はんだを用いてデバイスに取付けられている。セラミック薄膜は、陽極と陰極リードとはんだ封止材の間の短絡を防止するように、電気絶縁をもたらす。この実施形態では、はんだ封止材およびカバープレートが一次保護を提供し、セラミック薄膜がデバイスを保護する二次障壁を提供する。本発明に記述した方法でカプセル封入したときの、ポリマーLEDの安定性と寿命の顕著な改善が実施例に記録されている。実施例1この実施例では、画素の配列30×60からなるポリマー発光表示装置を作製した。表示装置の作製には数段階が必要であった。先ず、酸化インジウム錫ITOからなる陽極層を、ガラス基板上に列にパターン形成した。この実施例では60列を形成した。次いでデバイス全体を発光ポリマー材料で被覆した。その例にはOC1C10-PPV、MEH-PPVおよび関連する可溶性PPV誘動体が含まれる。次に、低仕事関数金属の薄層からなる陰極金属を堆積させ、続いてアルミニウム層を堆積させたアルミニウム層は、単にもっと反応性の高いCa層を保護するために追加された。陰極層を、行を形成するようにパターン形成した。前記の行を、下方にある陽極の列と直交するように配向させた。この実施例では30行を形成した。こうして列-行の各交点に発光画素を形成した。したがって、この実施例の表示装置は1800画素から構成された。環境大気中の酸素および湿気が陰極中の低仕事関数金属と反応することを防止するために、デバイス全体を窒化シリコンの薄層約1μmで被覆した。プラズマ化学蒸着PECVDを使用して被覆を行った。高密度プラズマを利用することにより、この堆積をほんの85°Cの温度の表示装置で実現した。表示装置をこの相対的に低い温度に曝したために、有意な損傷が発生せずに、低ピンホール密度の窒化シリコン薄膜が形成された。この窒化シリコン薄膜は、アルミニウム保護層と共にほぼ気密な封止を形成し、環境大気中の酸素および湿気がアルミニウム層下の反応性金属に達することを防止する。この実施例に記述したデバイスの横断面が図1に示されている。図6には、高湿度に曝したときの未保護デバイス中での画素の分解が示されている。図7には、この実施例に記述したように密封したデバイスが示されている。窒化シリコン被覆デバイス中の発光画素の水平方向縁部に、有意な分解が見られないことに注目されたい。実施例2この実施例では、ポリマー発光性表示装置を実施例1に記載したように作製した。窒化シリコン層の堆積後、第2のふたを塗布した。このふたは薄い0.7mmガラス板からなっていた。エポキシの周縁封止材を用いて、このふたをデバイスに取付けた。エポキシ封止材を、窒化シリコン層の周縁部の外側に配置した。その密閉を不活性ガス環境、即ちアルゴンガス代わりに、窒素も使用された。を含んだ制御雰囲気ドライボックス中で行った。この二次的な密閉の目的は、環境大気中の湿気が表示装置の陰極中の反応性低仕事関数金属に到達する所要時間を増加させることにより、デバイスの寿命を更に増加させることである。環境大気中の湿気は先ずエポキシ封止材に侵入し、次いで窒化シリコン層中のピンホールまたは欠陥の中を拡散するにちがいない。この型のデバイスの横断面は図2に示されている。実施例3この実施例では、ポリマー発光性表示装置を実施例1に記載したように作製した。窒化シリコン層の堆積後、第2のふたを塗布した。このふたは薄い0.7mmガラス板からなっていた。エポキシの均一分布層を用いて、そのふたをデバイスに取付けた。エポキシ封止材を、窒化シリコン層の周縁部の外側に配置した。その密閉を不活性ガス環境、即ちアルゴンガス代わりに、窒素も使用された。を含んだ制御雰囲気ドライボックス中で行った。この二次的な密閉の目的は、環境大気中の湿気が表示装置の陰極中の反応性低仕事関数金属に到達する所要時間を増加させることにより、デバイスの寿命を更に増加させることである。環境大気中の湿気は先ずエポキシ封止材に侵入し、次いで窒化シリコン層中のピンホールまたは欠陥の中を拡散するにちがいない。この型のデバイスの横断面は図3に示されている。実施例4この実施例は、実施例1~3に記載したデバイスに類似したポリマー発光性表示装置に関する。窒化シリコン堆積中のプロセスウィンドをより広くするために、プロセス順序を変更した。この実施例では、陽極列を図1のように形成した。陽極をパターン形成した後、窒化シリコンの薄層を堆積させた。表示装置の活性領域の回りにフレームを形成するように、窒化シリコン層を構築した。次いで金属の薄層を窒化シリコンフレームの上面に堆積させた。次ぎに、発光ポリマー層を堆積させ、続いて上記の実施例1に記載したように、横行にパターン形成した陰極を堆積させた。合致する金属フレームを有する、離れたガラスぶたを作製し、低融点はんだを用いて表示装置に取付けた。この実施例では、ガラスぶたおよび金属-はんだフレームが密封を実現した。窒化シリコン層は電気絶縁をもたらし、それによって、はんだが陽極および陰極線を短絡させることが防止された。このデバイスの横断面は図4に示されている。このデバイスの写真は図8に示されている。高湿度条件に大量に曝した後のデバイスの写真は、図9に示されている。黒点が全くないこと、および画素の縁で発光の減少が認められないことに注目されたい。実施例5この実施例では、上記の実施例1に記載したようにポリマー発光性表示装置を構築した。窒化シリコン堆積の後、窒化シリコン層の周縁に金属フレームを堆積させた。その寸法が大きさ、形共に窒化シリコン層上のフレームに合致する金属フレームの付いた、離れたガラスぶたも作製した。次に、そのガラスぶたを低融点はんだこの実施例では135°Cを用いて表示装置に取付けた。この場合、表示装置の一次保護は、ガラスぶたおよびそれと結合した金属はんだ封止材によってなされた。この実施例における窒化シリコンの目的は、陽極を形成する列と陰極を形成する行の間に、金属フレーム封止材が電気的短絡を創生するのを防止するためであった。このデバイスの横断面は図5に示されている。