溶媒およびアニーリングの少なくともいずれかによって光起電活性層を処理する方法であって、前記光起電活性層を溶媒分子に接触させること、および前記光起電活性層を加熱することの少なくともいずれかを特徴とする方法。前記光起電活性層は、フラーレン、特にメタノフラーレンなどの添加物とともに、混合物中に存在するポリアルキルチオフェンであることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記光起電活性層は、溶媒蒸気に曝露されることを特徴とする請求項1および2のいずれかに記載の方法。前記光起電活性層は、室温において前記溶媒蒸気に曝露されることを特徴とする請求項3に記載の方法。前記光起電活性層は、1分未満の間、前記溶媒蒸気に曝露されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の方法。前記溶媒、キシレン、トルエン、ブタノン、およびクロロホルム、およびさらなる溶媒および前記溶媒の任意の混合物の少なくともいずれかは、少なくとも部分的に前記ポリアルキルチオフェンを腐食または軟化させることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の方法。前記光起電活性層は、最低でも70°Cの温度においてアニーリングすることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の方法。混合物中のポリアルキルチオフェンを含む光起電活性層を備えた光起電素子であって、光起電層が深紅領域に吸収を有することを特徴とする光起電素子。本発明の目的は、光起電活性層の最大吸収を長波長領域側に偏移させることができ、かつ/またはその効率を向上させる例えば、短絡回路電流を増加させることにより方法を提供することにある。本発明の目的は、特に、フラーレンとの混合物中にポリアルキルチオフェンを含む光起電活性層の最大吸収を長波長側に移動させることのできる方法を提供することにある。本発明は、溶媒によるか、アニーリングによるかの少なくともいずれかによって光起電活性層を処理する方法に関する。該方法は、前記光起電活性層を溶媒分子と接触させること、および前記光起電活性層を加熱することの少なくともいずれかを特徴とする。本発明はまた、混合物中にポリアルキルチオフェンを含む光起電活性層を備え、深紅領域に吸収を有する光起電素子に関する。光起電活性層は、好ましくは、混合物中に、フラーレン、特にメタノフラーレンなどの添加物とともに存在するポリアルキルチチオフェンである。フラーレン以外のさらに可能な添加剤としては、例えば、CdTeテルル化カドミウム、CdS硫化カドミウムに基づく無機ナノ粒子、例えば、シアン置換PPVCN-PPVなどの高い電子親和性を有するポリマー類、または例えばテトラシアノキノンTCNQやテトラシアノアントラキノジメタンTCAQなどの高い電子親和性を有する小分子が挙げられる。本発明の一実施形態において、光起電活性層を、室温において溶媒蒸気に曝露する。これは、例えば、光起電活性層を溶媒を含む容器に通過させる保持すること、および溶媒蒸気を光起電活性層上に導くことの少なくともいずれかにより行うことができる。一実施形態において、光起電活性層を、非常に短時間、すなわち、1分未満、あるいは、例えば、秒またはミリ秒の範囲で溶媒蒸気に曝露する。本発明の一実施形態において、光起電活性層を最低でも70°C、好ましくは約80°C以上でアニールする。アニーリングの進行は、短絡回路電流の増加によって監視することができる。その他の温度および時間の組み合わせも考えられ、光起電パラメータの増大が止まるとすぐにプロセスが終了するものと想定される。光起電活性層を乾燥機内またはホットプレートなどの上に置くことによって、アニーリングを実施することができる。溶媒処理を、アニーリングと同時に行ってもよい。使用する溶媒は、例えば、キシレン、トルエンなどの芳香族溶媒、または、クロロホルムなどのハロゲン含有溶媒である。適切な溶媒は、光起電活性層を構成する材料の混合物に応じて選択される。溶媒の効果は、例えば、溶媒、すなわち、キシレン、トルエン、ブタノン、および/または、クロロホルム、および/またはさらなる溶媒または前記溶媒の任意の混合物が、少なくとも部分的にポリアルキルチオフェンを腐食および/または軟化させるということである。光起電活性層は、従来の方法によって、例えば、最先端の技術に従って、P3AT[ポリ3-アルキルチオフェン]/PCBMフェニルC61-ブトキシメトキシ溶液からスピンコートした薄膜を形成するか、あるいは標準的な印刷方法シルクスクリーン印刷、フレキソ印刷などにより塗布することによって製造される。試験結果を反映する3つのグラフに基づいた図面について、以下により詳細に説明する。図1は、ガラス上に、フラーレンの共存または非共存下でクロロホルムでスピンコートしたP3AT薄膜の吸収に対して観察された溶媒蒸気の効果を示している。三角は、ガラス上の純粋なP3AT薄膜を表し、黒四角は、P3AT/PCBM薄膜を表す。この薄膜が、P3ATに典型的な550nm付近の波長範囲における吸収に寄与しないことが明確に示されている。薄膜を一旦クロロホルム蒸気に曝露すると白菱形、その吸収挙動が変化し、P3ATに典型的な吸収特性が再びはっきりと見られるようになる。図2は、層のアニーリング温度による、短絡回路電流Isc黒四角および効率黒丸の変化を示した図である。各試料構造:ITO/PEDOT/P3HT:PCBM/Ca/Agを20分間アニーリングし、その電気特性Iscおよび効率を室温にて、キセノンランプからの70mW/cm2白色光による照明下で測定した。短絡回路電流、したがって効率は、温度が80°Cを越えると増大することがわかる。図3は、単一温度処理を行ったセルの、溶媒蒸気処理の前黒丸または後黒四角の電流/電圧I/V特性である。短絡回路電流Iscおよび効率の増加は、図1に示すようなセルの吸収挙動における赤色偏移を反映している。P3AT、特にポリヘキシルチオフェンをフラーレンと混合すると、P3ATの最大吸収が、青色スペクトル領域に100nm以上移動する。これによって、太陽電池と太陽光スペクトルとの間の不整合が増大する。本発明は以下の問題を解決する、すなわち、aP3AT/フラーレン薄膜の吸収を、溶媒アニーリングによって赤色スペクトル領域に引き戻し、さらにb温度アニーリングによって太陽電池の効率を増加させる。アニーリングとは、本発明の文中においては、目的、すなわち層の最大吸収を赤色側に偏移させることを達成するための、光起電活性層の処理のことをいう。