主成分がSrTiO3系化合物で形成されると共に、粒界絶縁化剤とガラス成分とを含む拡散剤が含有された粒界絶縁型半導体セラミックであって、前記粒界絶縁化剤が、Pbを含まない非Pb系材料で形成されると共に、前記ガラス成分が、B及びPbを含まないSiO2-X2O-MO-TiO2系ガラス材Xはアルカリ金属、MはBa、Sr、Caから選択された少なくとも1種を示す。を主成分とし、かつ、前記ガラス成分の含有量は、前記粒界絶縁化剤100重量部に対し3~15重量部であることを特徴とする粒界絶縁型半導体セラミック。前記粒界絶縁化剤は、少なくともBi及びCuを含有していることを特徴とする請求項1記載の粒界絶縁型半導体セラミック。前記粒界絶縁化剤の含有量は、前記主成分100重量部に対し0.8~1.5重量部であることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の粒界絶縁型半導体セラミック。前記ガラス成分中のアルカリ金属Xは、Liであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の粒界絶縁型半導体セラミック。部品素体が、請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の半導体セラミックで形成されていることを特徴とする半導体セラミックコンデンサ。前記部品素体が筒型形状に形成されると共に、該部品素体の内周面及び外周面に電極が形成されていることを特徴とする請求項5記載の半導体セラミックコンデンサ。少なくともSr化合物及びTi化合物を含む複数のセラミック素原料を調合し、還元雰囲気下、焼成して焼結体を作製する工程と、鉛を含まない非鉛系材料からなる粒界絶縁化剤とB及びPbを含まないSiO2-X2O-MO-TiO2系ガラス材Aはアルカリ金属、MはBa、Sr、Caから選択された少なくとも1種を示す。からなるガラス成分を所定量秤量する工程と、前記粒界絶縁化剤及び前記ガラス成分と前記焼結体とを混合撹拌しながら、大気雰囲気下、熱処理を行い、部品素体を作製する工程とを含むことを特徴とする半導体セラミックコンデンサの製造方法。前記焼結体を筒型形状に作製すると共に、前記部品素体の内周面及び外周面にめっき処理を施して電極を形成する工程を含むことを特徴とする請求項7記載の半導体セラミックコンデンサの製造方法。前記粒界絶縁化剤100重量部に対し前記ガラス成分が3~15重量部となるように、前記粒界絶縁化剤及び前記ガラス成分をそれぞれ秤量することを特徴とする請求項7又は請求項8記載の半導体セラミックコンデンサの製造方法。ところで、近年、世界的に環境問題に対する意識が高まっており、特に欧州連合EUでは、電気電子機器における特定有害物質の使用制限を規定したRoHSRestrictionofHazardousSubstances指令や、廃棄自動車の環境規制を規定したELVEndofLifeVehiclesDirective指令等で環境汚染を招くPbの使用規制が整備されてきている。このためPb系材料に代わる代替材料の開発が急務になっている。しかしながら、特許文献1では、粒界絶縁化剤としてPbを含有したBi2O3-Pb3O4-B2O3-CuO-SiO2系材料を使用している。この特許文献1では、Pb3O4の含有量が1/2弱を占めているが、前記粒界絶縁化剤からPb3O4を除去すると、熱処理時に粒界絶縁化剤の拡散力が低下し、結晶粒界を十分に酸化させるのが困難になる。特に、肉厚の大きい円筒型や角筒型等の筒型形状を有する半導体セラミックコンデンサでは、粒界絶縁化剤が内部にまで十分に熱拡散せず、このため電気特性の劣化を招くおそれがある。また、特許文献2では、粒界絶縁化剤及びガラス粉末の双方にPbを使用しており、特許文献1と同様の課題が生じる。しかも、特許文献2では、ガラス成分中にBを含有している。そして、このようにガラス成分中にBを含有させた場合、拡散力については一定の効果が生じるが、絶縁抵抗や絶縁破壊電圧が低くなる傾向にあり、電気特性の低下を招くおそれがある。本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、拡散剤にPb系材料を使用しなくても、良好な電気特性を得ることができる粒界絶縁型半導体セラミック、該粒界絶縁型半導体セラミックを使用した半導体セラミックコンデンサ、及び半導体セラミックコンデンサの製造方法を提供することを目的とする。本発明者は、上記目的を達成するために鋭意研究を行ったところ、粒界絶縁化剤としてBi-Cu系等のPbを含まない非鉛系材料を使用し、ガラス成分としてBやPbを含まないSiO2-X2O-MO-TiO2系ガラス材Xはアルカリ金属、MはBa、Sr、Caから選択された少なくとも1種を示す。を使用することにより、拡散剤が非Pb系でありながら絶縁抵抗や絶縁破壊電圧の低下を招くことなく、良好な電気特性を有する粒界絶縁型半導体セラミックを得ることができるという知見を得た。本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係る粒界絶縁型半導体セラミックは、主成分がSrTiO3系化合物で形成されると共に、粒界絶縁化剤とガラス成分とを含む拡散剤が含有された粒界絶縁型半導体セラミックであって、前記粒界絶縁化剤が、Pbを含まない非Pb系材料で形成されると共に、前記ガラス成分が、B及びPbを含まないSiO2-X2O-MO-TiO2系ガラス材Xはアルカリ金属、MはBa、Sr、Caから選択された少なくとも1種を示す。を主成分とし、かつ、前記ガラス成分の含有量は、前記粒界絶縁化剤100重量部に対し3~15重量部であることを特徴としている。また、本発明の粒界絶縁型半導体セラミックは、前記粒界絶縁化剤が、少なくともBi及びCuを含有しているのが好ましい。また、本発明の粒界絶縁型半導体セラミックは、前記粒界絶縁化剤の含有量が、前記主成分100重量部に対し0.8~1.5重量部であるのが好ましい。さらに、本発明の粒界絶縁型半導体セラミックは、前記ガラス成分中のアルカリ金属Xは、Liであるのが好ましい。また、本発明に係る半導体セラミックコンデンサは、部品素体が、上記いずれかに記載の粒界絶縁型半導体セラミックで形成されていることを特徴としている。また、本発明の半導体セラミックコンデンサは、前記部品素体が筒型形状に形成されると共に、該部品素体の内周面及び外周面に電極が形成されているのが好ましい。また、本発明に係る半導体セラミックコンデンサの製造方法は、少なくともSr化合物及びTi化合物を含む複数のセラミック素原料を調合し、還元雰囲気下、焼成して焼結体を作製する工程と、Pbを含まない非Pb系材料からなる粒界絶縁化剤とB及びPbを含まないSiO2-X2O-MO-TiO2系ガラス材Xはアルカリ金属、MはBa、Sr、Caから選択された少なくとも1種を示す。からなるガラス成分を所定量秤量する工程と、前記粒界絶縁化剤及び前記ガラス成分と前記焼結体とを混合撹拌しながら、大気雰囲気下、熱処理を行い、部品素体を作製する工程とを含むことを特徴としている。さらに、本発明の半導体セラミックコンデンサの製造方法は、前記焼結体を筒型形状に作製すると共に、前記部品素体の内周面及び外周面にめっき処理を施して電極を形成する工程を含むのが好ましい。また、本発明の半導体セラミックコンデンサの製造方法は、前記粒界絶縁化剤100重量部に対し前記ガラス成分が3~15重量部となるように、前記粒界絶縁化剤及び前記ガラス成分をそれぞれ秤量するのが好ましい。本発明の粒界絶縁型半導体セラミックによれば、粒界絶縁化剤が、Pbを含まないBi-Cu系等の非Pb系材料で形成されると共に、前記ガラス成分が、B及びPbを含まないSiO2-X2O-MO-TiO2系ガラス材XはLi等のアルカリ金属、MはBa、Sr、Caから選択された少なくとも1種を示す。を主成分とし、かつ、前記ガラス成分の含有量は、前記粒界絶縁化剤100重量部に対し3~15重量部であるので、Pbを含有しなくても、絶縁抵抗や絶縁破壊電圧の低下を招くことなく、Pb系拡散剤を使用した場合と同等以上の良好な電気特性を有する粒界絶縁型半導体セラミックを得ることができる。また、本発明の半導体セラミックコンデンサによれば、部品素体が、上述した粒界絶縁型半導体セラミックで形成されているので、半導体セラミックとして非Pb系材料を使用した場合であっても、電気特性が良好な半導体セラミックコンデンサを得ることができる。また、前記部品素体が筒型形状に形成されると共に、該部品素体の内周面及び外周面に電極が形成されているので、拡散剤は部品素体全体に均一乃至略均一に分布することから、前記部品素体の肉厚が厚い場合であっても、静電容量、絶縁抵抗、絶縁破壊電圧等の各種電気特性が良好で実用性に優れた半導体セラミックコンデンサを得ることができる。また、本発明の半導体セラミックコンデンサの製造方法によれば、少なくともSr化合物及びTi化合物を含む複数のセラミック素原料を調合し、還元雰囲気下、焼成して焼結体を作製する工程と、Pbを含まない非Pb系材料からなる粒界絶縁化剤とB及びPbを含まないSiO2-X2O-MO-TiO2系ガラス材Xはアルカリ金属、MはBa、Sr、Caから選択された少なくとも1種を示す。からなるガラス成分を所定量秤量する工程と、前記粒界絶縁化剤及び前記ガラス成分と前記焼結体とを混合撹拌しながら、大気雰囲気下、熱処理を行、部品素体を作製する工程とを含むので、粒界絶縁化剤及びガラス成分を含む拡散剤はPb系拡散剤と同程度の拡散力を有することから、焼結体が肉厚の厚い筒型形状であっても、部品素体中で拡散剤を均一乃至略均一に分布させることが可能となる。これにより粒界を万遍なく酸化させることができ、所望の粒界絶縁層を得ることができる。そして、このようにして得られた半導体セラミックコンデンサは、静電容量、絶縁抵抗、絶縁破壊電圧等の各種電気特性が良好で実用性に優れたものとなる。次に、本発明の実施の形態を詳説する。図1は、本発明の粒界絶縁型半導体セラミックを使用して得られた半導体セラミックコンデンサの一実施の形態を模式的に示す斜視図であり、図2は、図1の縦断面図である。この半導体セラミックコンデンサは、貫通孔1が形成された角筒形状の部品素体2を有し、該部品素体2の内周面に内周電極3が形成されると共に、前記部品素体2の外周面には外周電極4が形成されている。そして、この半導体セラミックコンデンサは、例えば、フェライトビーズ等の一対のインダクタンス素子に挟着され、ノイズフィルタとして広く使用されている。部品素体2は、具体的には、粒界絶縁型半導体セラミックで形成されている。この粒界絶縁型半導体セラミックは、半導体化された結晶粒子と、結晶粒子の周囲に形成される粒界絶縁層との集合体からなり、結晶粒子同士が粒界絶縁層を介して静電容量を形成する。上記粒界絶縁型半導体セラミックは、主成分がSrTiO3系材料で形成されると共に、拡散剤が副成分として含有され、還元雰囲気下での焼成処理で結晶粒子が半導体化されると共に、焼成処理後に行われる熱処理によって、結晶粒子表面から金属酸化物を熱拡散させ、結晶粒界を酸化させて絶縁化し、これにより粒界絶縁層が形成されている。上記拡散剤は、結晶粒界の絶縁化に寄与する粒界絶縁化剤と熱拡散促進剤として作用するガラス成分とを含んでいる。上記粒界絶縁化剤としては、Pbを含まない非Pb系材料が使用される。ここで、Pbは除いたのは、Pbは環境汚染を招くことから、環境負荷を低減するためである。このような粒界絶縁化剤は、非Pb系でありかつ熱拡散によって所望の粒界絶縁層を形成するものであれば、特に限定されるものではないが、Pb系材料と同等程度以上の良好な電気特性を得る観点からは、少なくともBi及びCuを含有した金属酸化物を使用するのが好ましい。また、上記ガラス成分は、主成分がB及びPbを含まないSiO2-X2O-MO-TiO2系ガラス材で形成されている。Xは、Li、Na、Kに代表されるアルカリ金属を示し、これらアルカリ金属Xの中では、Liを好んで使用することができる。また、MはBa、Sr、Caから選択された少なくとも1種を示している。ここで、Pbは除いたのは、上述した粒界絶縁化剤の場合と同様、Pbは環境汚染を招くことから、環境負荷を低減するためである。また、Bを除いたのは、ガラス成分としてBを含有したホウケイ酸ガラスの場合、一定の拡散力向上は可能であるが、絶縁抵抗や絶縁破壊電圧の低下を招く傾向にあり、Pb系拡散剤を使用した場合に比べ電気特性が低下するおそれがある。そして、上記ガラス成分の含有量は、粒界絶縁化剤100重量部に対し3~15重量部となるように配合されている。すなわち、ガラス成分の含有量が、粒界絶縁化剤100重量部に対し3重量部未満になると、静電容量、絶縁抵抗、絶縁破壊電圧等の各種電気特性が劣化するおそれがある。一方、ガラス成分の含有量が、粒界絶縁化剤100重量部に対し15重量部を超えると、絶縁抵抗や絶縁破壊電圧は良好であるが、静電容量の低下を招き、また、熱処理時に部品素体2同士がくっついてしまうおそれがある。したがって、所望の電気特性を確保するためには、ガラス成分の含有量は、粒界絶縁化剤100重量部に対し3~15重量部となるように配合する必要がある。このように本実施の形態では、粒界絶縁剤がPbを含まないBi-Cu系等の非鉛系材料で形成されると共に、前記ガラス成分が、B及びPbを含まないSiO2-X2O-MO-TiO2系ガラス材を主成分とし、かつ、前記ガラス成分の含有量が、前記粒界絶縁化剤100重量部に対し3~15重量部であるので、Pbを含有しなくても、絶縁抵抗や絶縁破壊電圧の低下を招くことなく、Pb系拡散剤を使用した場合と同等程度以上の電気特性を有する粒界絶縁型半導体セラミックを得ることができる。本発明は、筒型形状の半導体セラミックコンデンサの場合、特に効果的である。すなわち、半導体セラミックコンデンサが円板等の薄板形状の場合は、結晶粒子表面の金属酸化物は、容易に熱拡散して所望の粒界絶縁層を形成することが可能である。しかしながら、上述した図1及び図2のように、部品素体2が角筒等の筒型形状に形成されている場合、部品素体2の内周面と外周面との間の厚み、すなわち肉厚が、例えば100μm以上に厚くなる場合がある。そして、このように部品素体2の肉厚が厚いと、従来では拡散性に優れたPbを含んでいない場合、十分な粒界絶縁層を形成するのが困難であった。しかるに、本発明によれば、部品素体2の肉厚が厚い場合であっても、結晶粒子表面の金属酸化物を容易に熱拡散させることが可能となり、環境汚染を招くこともなく、所望の電気特性を有する半導体セラミックコンデンサを得ることができる。尚、半導体セラミックは、SrTiO3を主成分とするのであればよく、例えば、Srの一部をBaやCaで置換してもよく、また焼成処理時に半導体化を容易にするためにYやLa、Sm等の希土類元素を含有させるのも好ましい。さらに、SrサイトとTiサイトのモル比についても、化学量論組成では1.000であるが、必要に応じてSrサイトリッチ又はTiサイトリッチとなるようにSr化合物及びTi化合物を配合するのも好ましい。さらに、用途に応じた所望の電気特性を得るために、必要に応じて種々の添加物を含有させるのも好ましい。また、内周電極3及び外周電極4の電極材料についても、特に限定されるものではなく、例えば、Ni-SnやNi-Cuを使用することができ、これら金属材料を使用して、めっき法により二層構造に形成することができる。次に、上記半導体セラミックコンデンサの製造方法を詳述する。セラミック素原料として、Sr化合物、Ti化合物、必要に応じてCa化合物、Ba化合物、希土類元素化合物等を用意する。そして、これらのセラミック素原料を所定量秤量し、次いで、これらをボールミルで十分に湿式混合し、蒸発乾燥した後、1100~1300°Cの温度で2時間程度仮焼し、仮焼物を得る。次に、この仮焼物に有機バインダ、可塑剤、分散剤、水を加えて混錬し、スラリーを作製する。次いで、このスラリーを、所定形状の成形型に投入し、押出し成形機等を使用してチューブ状に成形し、乾燥機で乾燥させた後、角筒形状に切断して成形体を得た。そして、得られた成形体を400~1100°Cの温度で4時間焼成し、これにより有機バインダを除去する。次いで、N2:90~97、H2:3~10の還元性雰囲気下、1400~1500°Cの温度で3時間程度、焼成処理を行い、角筒形状の焼結体を得る。次に、Pbを含有していない非Pb系材料、例えば、Bi2O3及びCuOを含有した粒界絶縁化剤を用意し、さらにガラス成分としてB及びPbを含まないSiO2-Bi2O3-X2O-MO-TiO2系ガラス材を用意する。そして、ガラス成分の含有量が、粒界絶縁化剤100重量部に対し3~15重量部となるように両者を混合し、拡散剤を作製する。次に、この拡散剤を上記焼結体と共に、回転式熱処理炉に投入し、焼結体と拡散剤とを混合撹拌しながら、大気中1100~1200°Cで2時間、熱処理を行い、焼結体の結晶粒界を絶縁化し、これにより粒界絶縁型半導体セラミックからなる部品素体2を作製する。尚、拡散剤と焼結体との比率は、特に限定されるものではないが、拡散剤は、例えば、焼結体100重量部に対し、0.8~1.5重量部となるように配合される。そしてその後は、部品素体2の内周面及び外周面に無電解めっき及び/又は電解めっきを施して一層又は二層以上のめっき皮膜を形成し、これにより内周電極3及び外周電極4を形成し、これにより半導体セラミックコンデンサを作製する。このように本実施の形態によれば、Sr化合物やTi化合物を含む所定のセラミック素原料を調合し、還元雰囲気下、焼成して焼結体を作製する工程と、Pbを含まない非Pb系材料からなる粒界絶縁化剤とB及びPbを含まないSiO2-X2O-MO-TiO2系ガラス材からなるガラス成分を所定量秤量する工程と、前記粒界絶縁化剤及び前記ガラス成分と前記焼結体とを混合撹拌しながら、大気雰囲気下、熱処理を行い、部品素体2を作製する工程とを含むので、焼結体が肉厚の厚い筒型形状であっても、拡散剤は部品素体2中で均一乃至略均一に分布させることができる。これにより結晶粒界を万遍なく酸化させることができ、所望の粒界絶縁層を得ることができる。そして、このようにして得られた半導体セラミックコンデンサは、静電容量、絶縁抵抗、絶縁破壊電圧等の各種電気特性が良好で実用性に優れたものとなる。尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態では、角筒形状の半導体セラミックコンデンサについて説明したが、図3に示すように円筒形状の半導体セラミックコンデンサにも適用できるのはいうまでもない。すなわち、この半導体セラミックコンデンサは、部品素体5が貫通孔6を有する円筒形状に形成されている。そして、この部品素体5が上述した半導体セラミックで形成されると共に、該部品素体5の内周面に内周電極7が形成されると共に、部品素体5の外周面に外周電極8が形成されている。この半導体セラミックコンデンサにおいても、部品素体5が本発明の半導体セラミックコンデンサで形成されることにより、拡散剤にPbを含まなくても電気特性の良好な実用価値のある半導体セラミックコンデンサを得ることができる。また、上記実施の形態では、肉厚が厚い筒型形状の半導体セラミックコンデンサについて説明したが、筒型形状に限定されるものではなく、他の形式、特に厚みが厚い半導体セラミックコンデンサに有効に適用できるのはいうまでもない。次に、本発明の実施例を具体的に説明する。粒界絶縁化剤及びガラス成分の調製絶縁化素材として、Bi2O3、CuO、Pb3O4を用意した。そして、これら絶縁化素材を表1に示すような成分組成となるように混合して調製し、粒界絶縁化剤A~Eを作製した。この表1から明らかなように、粒界絶縁化剤A~Dは、Bi2O3及びCuOを含有し、Pb3O4を含有せず、本発明範囲内の粒界絶縁化剤を示している。これに対し粒界絶縁化剤Eは、Pb3O4を47.5重量含有しており、本発明範囲外の粒界絶縁化剤を示している。次に、ガラス素材として、SiO2、Li2O3、M2CO3MはSr、Ba又はCa、TiO2、B2O3、Al2O3、ZnO、及びBi2O3を用意した。そして、これらガラス素材を表2に示すような成分組成となるように混合して調製し、ガラス成分a~hを作製した。この表2から明らかなように、ガラス成分a~dは、SiO2-Li2O-MO-TiO2系ガラス材で形成され、B2O3及びPb成分を含有せず、本発明範囲内のガラス成分を示している。これに対しガラス成分e~hは、TiO2を含有せず、その代わりにB2O3その他の成分を含有しており、本発明範囲外のガラス成分を示している。試料の作製セラミック素原料として、SrCO3、CaCO3、TiO2、及びY2O3を用意した。そして、これらのセラミック素原料をTiO3の組成となるように秤量した。次いで、これらをボールミルを使用し、16時間湿式で混合し、蒸発乾燥した後、1150°Cの温度で2時間仮焼し、仮焼物を得た。次に、この仮焼物に有機バインダ、可塑剤、分散剤、水を加えて混錬し、スラリーを得た。このスラリーを、所定形状の成形型に投入し、押出し成形機を用いてチューブ状に成形し、乾燥機で乾燥させた後、角筒形状に切断して成形体を得た。得られた成形体を400~1100°Cの温度で4時間焼成し、有機バインダを除去した後、N2:95、H2:5の還元性雰囲気下、1400~1450°Cの温度で3時間、焼成処理を行い、角筒形状の焼結体を得た。尚、この焼結体の寸法は、辺長が1.7mm、内径が1.0mm、長さが40mmであった。次に、表1の組成を有する各粒界絶縁化剤A~E100重量部に対し、表2の組成を有するガラス成分a~hを0~30重量部混合し、拡散剤を作製した。この拡散剤が上記角筒形状の焼結体100重量部に対し、0.8~1.5重量部となるように前記拡散剤を秤量し、焼結体1000個と共に、円筒形状のアルミナ製匣に収容した。そして、この匣を回転式熱処理炉に投入し、熱処理炉内で匣を回転させ、これにより匣内で焼結体と拡散剤とを混合撹拌しながら、大気中1100~1150°Cで2時間、熱処理を行い、焼結体の結晶粒界を絶縁化し、これにより粒界絶縁型半導体セラミックからなる部品素体を得た。次いで、部品素体の内周面及び外周面に無電解ニッケルめっきを施してニッケル皮膜を形成し、さらにニッケル皮膜の表面に電解スズめっきを施してスズ皮膜を形成し、これにより二層構造の電極を形成し、試料番号1~43の半導体セラミックコンデンサを作製した。次に、試料番号1~43の各試料について、プレシジジョンLCRメータアジレントテクノロジー社製4284Aを使用し、周波数1KHzで電圧1Vrmsを印加し、静電容量及び誘電損失を測定した。また、試料番号1~43の各試料について、デジタル超高抵抗/微少電流計アドバンテスト社製R8340Aを使用し、250Vの電圧を印加して絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧を測定した。表3は、試料番号1~43の拡散剤の組成、含有量及び測定結果を示している。尚、静電容量は、単位長さ当りの静電容量に換算して掲載している。試料番号28は、ガラス成分を含有していないものの、電気特性はいずれも良好であるが、Pb成分を含有した粒界絶縁化剤Eを使用している。試料番号29~31は、粒界絶縁化剤Cを使用しているが、拡散剤中にガラス成分が含まれていないため、静電容量、絶縁抵抗、及び絶縁破壊電圧のいずれも試料番号28に比べ劣ることが分かった。試料番号32、33は、ガラス成分の含有量が粒界絶縁化剤100重量部に対し20~30重量部と多く、このため静電容量が2000pF/mm以下に低下することが分かった。試料番号34~43は、Bを含有したガラス成分e~hを使用しているので、絶縁抵抗は5400MΩ以下に低下し、絶縁破壊電圧も640V以下に低下することが分かった。特に、試料番号35~43は、静電容量も2000pF/mm以下に低下することが分かった。これに対し試料番号1~27は、本発明の粒界絶縁化剤A~Dを使用し、本発明のガラス成分a~dを粒界絶縁化剤100重量部に対し3~15重量部含有させているので、静電容量は2000pF/mm以上、絶縁破壊電圧は890V以上となり、Pb成分を含有した試料番号28と同程度又は同程度以上の特性が得られた。また、絶縁抵抗については8200MΩ以上となり、Pb成分を含有した試料番号28に比べ、遥かに大きな絶縁抵抗が得られることが分かった。次に、試料番号11及び38の断面を走査電子顕微鏡以下、SEMという。で撮像し、波長分散型X線分析法以下、WDXという。を使用して断面のBiの分布状態を観察した。図4は、試料番号11のSEM像、図5は、試料番号11のBi分布状態を示し、図6は、試料番号38のSEM像、図7は、試料番号38のBi分布状態を示している。尚、図4及び図6中、左側の円弧部分は試料の内周面を示し、右側の略直線状部分は試料の外周面を示している。また、図4及び図6のSEM像と図5及び図7の白点で観察されるBi分布状態は位置的に対応している。この図6及び図7から明らかなように、本発明範囲外の試料番号38は、外表面から拡散したBiが部品素体中を内周面まで十分に拡散しきれていないことが分かった。これに対し図4及び図5から明らかなように、本発明範囲内の試料番号11では、外表面から拡散したBiが部品素体中を内周面まで、ほぼ万遍なく拡散していることが確認された。実施例1と同様にしてスラリーを作製した。次いで、このスラリーを、所定形状の成形型に投入し、押出し成形機を用いてチューブ状に成形し、乾燥機で乾燥させた後、円筒形状に切断して成形体を得た。その後は、実施例1と同様の方法手順で円筒形状の焼結体を得た。この焼結体の寸法は、外径が3.0mm、内径が1.6mm、長さが2.5mmであった。次に、粒界絶縁化剤A~E100重量部に対し、ガラス成分a~dを0~15重量部混合し、拡散剤を作製した。この拡散剤が上記角筒形状の焼結体100重量部に対し、1.0重量部となるように前記拡散剤を秤量し、この拡散剤を焼結体1000個と共に、円筒形状のアルミナ製匣に収容した。そしてこの匣を回転式熱処理炉に投入し、熱処理炉内で匣を回転させ、これにより匣内で焼結体と拡散剤とを混合撹拌しながら、大気中1100~1150°Cで2時間、熱処理を行い、焼結体の結晶粒界を絶縁化し、これにより粒界絶縁型半導体セラミックからなる部品素体を得た。そしてその後は実施例1と同様の方法手順で部品素体の内周面及び外周面に電極を形成し、試料番号51~65の試料を得た。次いで、これら試料番号51~65の試料について、実施例1と同様の方法手順で静電容量、誘電損失、絶縁抵抗、及び絶縁破壊電圧を測定した。表4は、試料番号51~65の拡散剤の組成、含有量及び測定結果を示している。試料番号64は、ガラス成分を含有していないものの、電気特性はいずれも良好であるが、Pb成分を含有した粒界絶縁化剤Eを使用している。試料番号65は、粒界絶縁化剤Cを使用しているが、拡散剤中にガラス成分が含まれていないため、静電容量、絶縁抵抗、及び絶縁破壊電圧のいずれも試料番号64に比べ劣化することが分かった。これに対し試料番号51~63は、本発明の粒界絶縁化剤A~Dを使用し、本発明のガラス成分a~dを粒界絶縁化剤100重量部に対し3~15重量部含有させているので、静電容量は5.0~5.1nF、絶縁破壊電圧は1800~2200VとなってPb成分を含有した試料番号64と同程度乃至同程度以上の特性を得ることができ、また、絶縁抵抗については38000~50000MΩとなり、前記試料番号64に比べ遥かに大きな絶縁抵抗が得られることが分かった。