"基板の一方の面上に形成された膜の除去予定部位をレーザ光の照射により除去して、除去部を形成する膜加工方法であって、前記レーザ光の照射は、パルスレーザ光源からレーザ光を2ショット以上照射するものであり、1ショット目の前記レーザ光が、前記除去予定部位における膜平面に垂直な方向の50以上100未満を除去するエネルギー密度を有し、2ショット目以降の各ショットの前記レーザ光が、前記1ショット目の前記レーザ光が有するエネルギー密度の50~100のエネルギー密度を有し、前記レーザ光のショット間隔が、1秒以上である、膜加工方法。前記膜が、少なくとも、金属を含有する金属層を有する、請求項1に記載の膜加工方法。前記金属層の厚さが、0.1μm以上である、請求項2に記載の膜加工方法。前記膜が、前記金属層と、当該金属層が含有する金属よりも光吸収性が高い金属を含有するアシスト層と、を有する積層膜である、請求項3に記載の膜加工方法。前記1ショット目の前記レーザ光が有するエネルギー密度が、8.1J/cm2以下である、請求項4に記載の膜加工方法。前記基板がガラス基板である、請求項1~5のいずれか1項に記載の膜加工方法。産業用レーザとしては、CO2レーザ、YAGレーザ、エキシマレーザなどが挙げられる。ガラス基板上の薄膜を加工する際には、ガラス基板に与える影響の小さなYAG基本波レーザを用いることが一般的である。しかし、金属層の吸収性が良好でない等の理由から、照射するレーザ光のエネルギーを相当に上げないと加工が困難な場合があり、より低エネルギーで加工を行いたいという要求があった。また、膜厚が厚い例えば数μm場合、YAG基本波レーザ光等のナノ秒レーザ光は、高エネルギーで照射した場合には、膜に与える熱的影響が比較的大きい。そのため、レーザ光を照射して除去部を形成した際に、除去部に隣接する膜が剥がれてしまう、エッジに盛り上がりが生じる等、加工精度や加工品質にも問題があった。そのため、低エネルギーで加工できること、かつ、加工精度や加工品質にも優れた膜加工方法が期待されている。なお、周辺への熱影響やデブリなどの問題を解決する方法として、パルス幅を非常に小さくしたピコ秒レーザやフェムト秒レーザが開発されている。しかし、ピコ秒レーザやフェムト秒レーザはYAGナノ秒レーザほど高出力では発信できないため、非常に小さな面積しか加工できず、比較的大面積加工時に速度効率が悪い問題があった。本発明は、以上の点を鑑みてなされた発明であり、低エネルギーで行われ、かつ、加工精度や加工品質にも優れた、膜加工方法を提供することを目的とする。本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討した。その結果、膜の除去予定部位を100除去できるエネルギーよりも低エネルギーのレーザ光を2ショット以上、所定のショット間隔を空けて照射することで、熱的影響も抑制できることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明は、以下の1~6を提供する。1基板の一方の面上に形成された膜の除去予定部位をレーザ光の照射により除去して、除去部を形成する膜加工方法であって、上記レーザ光の照射は、パルスレーザ光源からレーザ光を2ショット以上照射するものであり、1ショット目の上記レーザ光が、上記除去予定部位における膜平面に垂直な方向の50以上100未満を除去するエネルギー密度を有し、2ショット目以降の各ショットの上記レーザ光が、上記1ショット目の上記レーザ光が有するエネルギー密度の50~100のエネルギー密度を有し、上記レーザ光のショット間隔が、1秒以上である、膜加工方法。2上記膜が、少なくとも、金属を含有する金属層を有する、上記1に記載の膜加工方法。3上記金属層の厚さが、0.1μm以上である、上記2に記載の膜加工方法。4上記膜が、上記金属層と、当該金属層が含有する金属よりも光吸収性が高い金属を含有するアシスト層と、を有する積層膜である、上記3に記載の膜加工方法。5上記1ショット目の上記レーザ光が有するエネルギー密度が、8.1J/cm2以下である、上記4に記載の膜加工方法。6上記基板がガラス基板である、上記1~5のいずれか1つに記載の膜加工方法。本発明によれば、低エネルギーで行われ、かつ、加工精度や加工品質にも優れた、膜加工方法を提供することができる。[本発明の膜加工方法]まず、図1および図2に基いて、本発明の膜加工方法の概要を説明する。図1は、本発明の膜加工方法によって、ガラス基板10上に形成された膜60が加工されている途中の状態の膜付き基板1の一例を示す側断面図であり、図2は、その平面図である。なお、図1および図2では基板の一例としてガラス基板を用いている。しかし本発明において、基板はガラス基板に限られず、レーザ照射によりダメージを受けないものであれば他の材質の基板も使用し得る。たとえば、樹脂基板、セラミックス基板などが挙げられる。ガラス基板10は、第1主面12と、この第1主面12に対向する第2主面14とを有する。また、膜60後述する除去予定部位65を含むが有する図中下側の面第1主面12側の面と、この面に対向する図中上側の面とを含む概念を、以下、膜平面ともいう。なお、ガラス基板10および膜60を含む膜付き基板1の詳細は、後述する。本発明の膜加工方法は、概略的には、ガラス基板10の第1主面12上に形成された膜60の不要部位である除去予定部位65を、レーザ光図1および図2では図示せずの照射によって除去し、除去部71を形成する膜加工方法である。図1および図2においては、膜60の加工が一部終了しており、複数の除去部71が形成され、除去部71はガラス基板10を露出させている。このとき、マスク図示せずを併用することで、膜60が所定のパターンを描くように、レーザ光を照射してもよい。膜60のパターンは、用途に応じて種々のパターンとすることができる。例えば、金属層30図1および図2では図示せずがPDP前面基板用の電極を形成する場合、図1および図2に示すように、所定幅を有するライン状の除去部71が所定間隔をもって形成されるようにしてもよい。これにより、除去されずに残された膜60が、除去部71を介して、平行配置された複数本のライン状パターンを形成する。除去予定部位65除去部71における膜平面に平行な方向の長さ幅の長さ:Wは、本発明における効果が実効的になるという観点から、10~1000μmであるのが好ましく、20~300μmであるのがより好ましい。次に、図3AおよびBならびに図4AおよびBに基いて、本発明の膜加工方法の詳細について説明する。本発明の膜加工方法は、ガラス基板10上に形成された膜60の除去予定部位65に、パルスレーザ光源80からレーザ光81を2ショット以上照射して、除去部71を形成する膜加工方法である。このとき、レーザ光81のショット間隔は、1秒以上である。以下、本発明の膜加工方法を間欠レーザ加工法ともいう。これに対して、同一箇所に1ショットのみのレーザ光の照射だけで除去予定部位65を除去して除去部71を形成する方法を従来レーザ加工法ともいう。以下では、本発明の膜加工方法間欠レーザ加工法について、レーザ光81を2ショットのみ照射する態様についてより詳細に説明する。説明に際しては、便宜的に、1ショット目のレーザ光81を照射する工程を第1工程と呼び、2ショット目のレーザ光81を照射する工程を第2工程と呼ぶ。図3AおよびBは、第1工程の一例を示す側断面図である。図3Aは、1ショット目のレーザ光81を照射中の状態を示し、図3Bは、1ショット目のレーザ光81の照射を終えた状態を示す。第1工程においては、図3Aに示すように、膜60の除去予定部位65に対して、第1主面12側からレーザ光81が照射される。そして、図3Bに示すように、レーザ光81の照射によって、除去予定部位65は、膜平面に垂直な方向の50以上100未満が除去される。すなわち、1ショット目のレーザ光81は、除去予定部位65における膜平面に垂直な方向の50以上100未満を蒸発させて除去する分だけのエネルギー密度フルエンスともいう。単位は[J/cm2]を有する。1ショット目のレーザ光81のエネルギー密度を、別の方法で規定することもできる。すなわち、膜60の除去予定部位65の単位容積を、1ショットのみで除去するために必要なレーザ光81のエネルギー密度理論値または平均値を基準エネルギー密度とした場合において、基準エネルギー密度の50以上100未満のエネルギー密度を、1ショット目のレーザ光81のエネルギー密度として規定することができる。間欠レーザ加工法の1ショット目のレーザ光81は、1ショットのみで除去部71を形成する従来レーザ加工法のレーザ光と比較して、低エネルギーとなる。1ショット目のレーザ光が有するエネルギー密度は、2ショット目以降のレーザ光と合わせて考慮し、総合的により低エネルギーで加工を行え、かつ膜への熱的影響を極力抑えるという観点から、除去予定部位65における膜平面に垂直な方向の50~99を除去するエネルギー密度であるのが好ましく、70~85を除去するエネルギー密度であるのがより好ましい。図4AおよびBは、第2工程の一例を示す側断面図である。図4Aは、2ショット目のレーザ光81を照射中の状態を示し、図4Bは、2ショット目のレーザ光81の照射を終えた状態を示す。第2工程においては、図4Aに示すように、第1工程で一部が除去された残りの除去予定部位65に対して、第1主面12側からレーザ光81が照射される。そして、図4Bに示すように、レーザ光81が照射された除去予定部位65は除去されて、除去部71が形成される。本態様において、2ショット目のレーザ光81のエネルギー密度は、残りの除去予定部位65を全て蒸発させるだけのエネルギー密度を有している必要があるが、その場合であっても、1ショット目のレーザ光81のエネルギー密度に対して、50~100である。したがって、間欠レーザ加工法の2ショット目のレーザ光81は、1ショット目と同様に、やはり、従来レーザ加工法のレーザ光と比較して、低エネルギーとなる。2ショット目以降のレーザ光81のエネルギー密度は、1ショット目のレーザ光と合わせて考慮し、総合的により低エネルギーで加工を行え、かつ膜に対する熱的影響を局力抑えるという観点から、1ショット目のレーザ光81のエネルギー密度に対して、50~100であるのが好ましく、50~80であるのがより好ましい。1ショット目においても2ショット目においても、レーザ光81の照射によって膜60のレーザ光照射部位では熱が発生する。発生した熱は除去予定部位65に隣接する膜60に影響を及ぼす。しかし、本発明の膜加工方法においては、上述のように、1ショット目のレーザ光81も2ショット目以降のレーザ光81も、従来レーザ加工法のレーザ光と比較して、低エネルギーである。そのため、膜60に対する熱的影響がより小さく、加工精度や加工品質に優れる。本発明の膜加工方法において照射される2ショット以上のレーザ光81のトータルのエネルギー密度は、1ショットのみで除去部71を形成する従来レーザ加工法におけるレーザ光のエネルギー密度よりも小さい方が好ましい。ここで、各ショットにおけるレーザ光81が従来レーザ加工法と比較して低エネルギーであったとしても、ショット間隔が短い場合例えば、1/6000秒、1/30秒などには、直前に行ったショット例えば1ショット目で発生した熱が、次のショット例えば2ショット目までに膜60から拡散せずに留まったままとなり、各ショットで膜60に発生した熱が合算されて、熱的影響が大きくなり、加工精度や加工品質が劣る。しかしながら、本発明の膜加工方法間欠レーザ加工法においては、ショット間隔が1秒以上と比較的長いため、1ショット目で膜60に発生した熱を、2ショット目までに逃がすことができ、膜60に発生した熱が合算されにくくなる。そのため、ショット間隔が短い場合と比べて、熱的影響が小さくなり、加工精度や加工品質に優れる。ショット間隔は、熱的影響がより小さくなって加工精度や加工品質により優れるという理由から、1秒以上であり、加工精度および加工品質がさらに優れ、かつ加工効率向上の観点から、3~300秒であることが好ましく、5~30秒であるのがより好ましい。レーザ光81は、パルス幅がナノ秒ns:10-9秒であるナノ秒レーザ光であるのが好ましく、例えば、YAG基本波レーザ光が挙げられる。ナノ秒レーザ光としては、パルス幅が10~500nsであるのが好ましく、フルエンスが3~10J/cm2であるのが好ましく、波長が1060~1064nmであるのが好ましく、繰り返し周波数が1~10kHzであるのが好ましく、レーザ平均出力が100~800Wであるのが好ましい。パルスレーザ光源80は、ナノ秒レーザ光であるレーザ光81を生成して発射できるものであれば、特に限定されず、種々のレーザ光源を用いることができる。このとき、レーザ光81を1秒以上のショット間隔で膜60に照射するためには、1つのパルスレーザ光源80が上記ショット間隔でレーザ光81を照射するようにしてもよいし、並列的に配置した2つのパルスレーザ光源80を膜60に対して相対的に移動させて上記ショット間隔となるようにしてもよいし、レーザ光81を照射するヘッドが並列的に2つ配置された1つのパルスレーザ光源80を膜60に対して相対的に移動させて上記ショット間隔となるようにしてもよい。なお、図3AおよびBならびに図4AおよびBでは、レーザ光81を膜60の第1主面12側から照射する態様膜面照射のみを説明したが、レーザ光81を第2主面14側から照射する態様ガラス面照射であってもよい。[本発明の膜加工方法が用いられる対象]次に、図5に基いて、本発明の膜加工方法が用いられる対象加工対象の一例として、膜付き基板1について説明する。図5は、膜付き基板1の一例を示す側断面図である。膜付き基板1は、ガラス基板10を有し、その第1主面12上に膜60が形成されている。なお、膜付き基板1をPDP前面基板として用いる場合、PDPテレビ鑑賞側は第2主面14側となる。ガラス基板ガラス基板10としては、特に限定されないが、膜付き基板1をPDP前面基板として用いる場合には、板厚1~3mm程度のガラス基板を好ましく用いることができる。このようなガラス基板10の具体例としては、PDP用ガラス基板であるPD200旭硝子社製が挙げられる。膜ガラス基板10の第1主面12上に形成される膜60は、単一の層からなる単層膜であっても、異なる層が積層してなる積層膜であってもよいが、少なくとも、金属材料で構成された金属層30を有することが好ましい。すなわち、膜60が単層膜である場合、膜60は金属層30のみからなることが好ましい。なお、図5においては、膜60が単一の金属層30のみからなる膜付き基板1について示している。<金属層>金属層30を構成する金属材料としては、金属であれば特に限定されない。もっとも、膜付き基板1がPDP前面基板として用いられる場合には、金属層30によって電極が構成されることから、金属材料としては、例えば、銀Ag、銅Cu、アルミニウムAl、アルミニウム合金Al合金等が挙げられる。これらのうち、誘電体を設けた場合にも泡を発生させてしまうことがなく、また、焼成前後における寸法精度に優れ、さらに、焼成後の抵抗維持性焼成後に抵抗値が多大にならない特性にも優れる等の理由から、AlまたはAl合金であるのが好ましい。さらに、レーザ光が照射された際に、より蒸発しやすいという理由から、Al合金であるのがより好ましい。Al合金に添加されるAl以外の他金属としては、例えば、Zr、Nb、Mo、Si、Mn等が挙げられる。このようなAl合金としては、例えば、Al-Nd、Al-Zr-Nb、Al-Mo-Si、Al-Mn-Si等が挙げられ、Al-Nd、Al-Zr-Nbであるのが好ましい。ところで、膜60除去予定部位65が膜厚が大きいほど、レーザ光81の照射による、除去部71に隣接する膜60への熱的影響が大きくなる。そのため、膜60の膜厚が大きいほど、本発明の膜加工方法による熱的影響の抑制がより実効的になる。そして、膜60の膜厚は、膜60の主要部である金属層30に大きく依存する。このような観点から、金属層30における膜平面に垂直な方向の長さ厚さは、0.1~5μmであるのが好ましく、0.5~3μmであるのがより好ましい。<アシスト層>図6AおよびBは、膜付き基板1の別の一例を示す側断面図である。積層膜である場合の膜60は、金属層30上またはガラス基板10の第1主面12上に、アシスト層40を有していてもよい。図6Aは、アシスト層40が金属層30上に形成されている状態を示し、図6Bは、アシスト層40がガラス基板10の第1主面12上に形成されている状態を示している。アシスト層40は、金属層30が含有する金属とは異なる金属であって、金属層30が含有する金属よりも光吸収性が高い金属を含有しており、金属層30とは光吸収性が異なっている。アシスト層40が、金属層30上またはガラス基板10の第1主面12上に形成されていることによって、金属層30の光吸収性が低いためにレーザ光を十分に吸収して蒸発しにくい場合であっても、照射されたレーザ光が十分に金属層30に伝達されて、金属層30が除去されやすくなる。なお、アシスト層40は、レーザ光の照射によって、金属層30とともに除去される。アシスト層40の構成材料である金属としては、金属層30に効率良くレーザ光のエネルギーを伝達できる金属であるのが好ましい。例えば、金属層30がAlまたはAl合金を含有する場合、アシスト層40の構成材料は、クロムCr、コバルトCo、モリブデンMoであるのが好ましく、クロムCrであるのがより好ましい。これにより、アシスト層40が形成されていない場合と比較して、より低いパワーのレーザ光によって、金属層30を蒸発させることができる。アシスト層40の厚さは、金属層30の厚さに応じた種々の厚さであってよいが、5~200nmが好ましく、10~50nmがより好ましい。アシスト層40の厚さが5nm以上であれば、導電層30をパターニングするために必要な量のレーザ光を吸収できる膜厚として十分であり、200nm以下であればレーザ光を吸収するための膜厚が必要以上にならず、効率良く導電層30をパターニングできる。<低反射層>図7は、膜付き基板1のさらに別の一例を示す側断面図である。図7に示すように、ガラス基板10の第1主面12上に形成されるアシスト層40に代えて、光吸収性が高く反射率が低い低反射層20が形成されていてもよい。膜付き基板1がPDP前面基板として用いられる場合、ガラス基板10の第2主面14側からの入射光を反射しないようにするために、低反射層20を要する。低反射層20の反射率は、例えば10以下であるのが好ましい。なお、低反射層20の反射率とは、ガラス基板10側の法線方向に対して入射角5°でガラス側から入射された波長350~800nmの光に対する反射率のうち、この波長範囲で最低値を示す反射率のことをいう。低反射層20は、少なくとも酸化チタンTiOx,x>0または酸化ジルコニウムZrOx,x>0を含有しているのが好ましい。これにより、低反射層20においては、低い反射率が実現されるとともに、ガラス基板10および/または金属層30に対する優れた密着性が実現される。低反射層20の厚さは、用途に応じた種々の厚さであってよいが、金属層30に合わせて必要な低反射率を得るには、25~200nmであるがの好ましく、さらに反射率10以下を得るには、50~100nmであるのがより好ましい。積層膜である場合の膜60は、さらに別の層を有していてもよく、例えば、プラズマディスプレイパネルPDPの前面基板の電極として使用される場合、誘電体の侵食を防ぐために、金属層30上に形成されたアシスト層40上に、保護層構成材料として酸化スズSnO2を含有する層図示せずを有していてもよい。例えば、膜60が、金属層30と、金属層30上に形成されたアシスト層40とを有する積層膜である場合において、本発明の膜加工方法によって、膜面照射をする場合、1ショット目のレーザ光81のエネルギー密度は、金属層30の厚さによって適宜設定すればよいが、膜60への熱的影響を極力抑える観点から、8.1J/cm2以下であるのが好ましく、7J/cm2以下がより好ましい。また、金属層30を十分除去可能となることから、0.1J/cm2以上であることが好ましい。以下に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。<加工対象>加工対象1ガラス基板PD200、厚さ:1.8mm、旭硝子社製上に、ArガスとAlターゲットとを用いてスパッタリングを行い、Alで構成された金属層厚さ:0.5μmを形成した。このようにしてガラス基板上に形成された単層の膜Alを加工対象1とした。加工対象2ガラス基板PD200、厚さ:1.8mm、旭硝子社製上に、ArガスとAlターゲットとを用いてスパッタリングを行い、Cuで構成された金属層厚さ:0.2μmを形成した。このようにしてガラス基板上に形成された単層の膜Cuを加工対象2とした。加工対象3ガラス基板PD200、厚さ:1.8mm、旭硝子社製上に、ArガスとAl-NdNd:2atターゲットとを用いてスパッタリングを行い、Al-Ndで構成された金属層厚さ:1μmを形成した。その後、さらに、ArガスとCrターゲットとを用いてスパッタリングを行い、Crで構成されたアシスト層厚さ:50nmを金属層上に形成した。このようにしてガラス基板上に形成された積層の膜Al-Nd/Crを加工対象3とした。加工対象4ガラス基板PD200、厚さ:1.8mm、旭硝子社製上に、ArCO2の混合ガスCO2ガス濃度:10とTiターゲットとを用いてスパッタリングを行い、酸化チタンTiOxで構成された低反射層厚さ:65nmを形成した。次に、ArガスとAl-NdNd:2atターゲットとを用いてスパッタリングを行い、Al-Ndで構成された金属層厚さ:1μmを低反射層上に形成した。次に、ArガスとCrターゲットとを用いてスパッタリングを行い、Crで構成されたアシスト層厚さ:50nmを金属層上に形成した。このようにしてガラス基板上に形成された積層の膜TiOx/Al-Nd/Crを加工対象4とした。<加工法>下記第1表に示す加工対象に対して、YAG基本波レーザ光を照射して、膜にライン状の除去部幅の長さ:75μmを形成した。このとき、レーザ光を、ガラス基板側とは反対側から膜に照射した膜面照射。YAG基本波レーザ光の条件は、次のとおりである。波長λ:1064nm、周波数:6kHz、パルス幅:40ns、最大出力フルエンス:~15J/cm2各実施例および比較例における、レーザ光のショット数ショット数、ショット数が複数回である場合における各ショットの間隔ショット間隔、各ショットにおけるエネルギー密度フルエンス[J/cm2]については、下記第1表に示す。このとき、ショット数が1である比較例1,6,11および16では、レーザ光の照射によって、膜の除去予定部位における膜平面に垂直な方向の100が除去された。また、ショット数が2である比較例2,3,7,8,12,13,17および18、ならびに、実施例4,5,9,10,14,15,19および20では、1ショット目のレーザ光の照射によって、除去予定部位における膜平面に垂直な方向の80以上が除去された。<評価>上記のように膜の加工を行った際、以下の評価を行った。結果を下記第1表に示す。エッジ形状図8は、エッジ形状の評価方法を模式的に示す側断面図である。図8に示すように、膜60に除去部71が形成される際、レーザ光の照射による熱的影響を受けて、そのエッジ部分に、膜60の表面から突出するような形状バリが出現する場合がある。このようなバリが出現すると加工精度に劣ると評価される。そこで、加工後の膜60のエッジ形状を、レーザ顕微鏡を用いて観察した。図8中、H1がバリの高さを示し、H2が膜60の高さを示している。ここで、H1/H2×100の値が10以下である場合は、熱的影響が小さく加工精度や加工品質に優れるものとしてAと評価し、10超100未満である場合は、熱的影響がややあり加工精度や加工品質にやや劣るものとしてBと評価し、100以上である場合は熱的影響が大きく加工精度や加工品質に劣るものとしてCと評価した。デブリ発生状況図9は、デブリ発生状況の評価方法を模式的に示す平面図である。図9に示すように、膜60にレーザ光が照射されて除去部71が形成される際、照射部位から膜60の破片デブリ50が飛び散って、周囲の膜60に付着する。レーザ光の照射による熱的影響が大きいほど、デブリ50の付着範囲は広範囲となり、加工品質に劣る。そこで、加工後の膜60におけるデブリ発生状況を、SEMを用いて観察した。図9中、X1およびX2は、デブリ50が付着した膜60の幅の長さを示している。X1およびX2の最大値が5μm未満である場合は熱的影響が小さく加工品質に優れるものとしてAと評価した。その最大値が5~10μmである場合は熱的影響がややあり加工品質にやや劣るものとしてBと評価した。その最大値が10μm超である場合は熱的影響が大きく加工品質に劣るものとしてCと評価した。膜剥がれ図10は、膜剥がれの評価方法を模式的に示す平面図である。図10に示すように、膜60にレーザ光が照射されて除去部71が形成される際、レーザ光の照射による熱的影響が大きいほど、除去部71に隣接する膜60がガラス基板10から剥がれて、形状に異変が生じてしまう。図10中、膜60の剥がれをZで示している。そこで、加工後における膜60の剥がれを、SEMを用いて観察した。図10中、Y1およびY2は、剥がれが生じた膜60の幅の長さを示している。Y1およびY2の最大値が1μm未満である場合は熱的影響が小さく加工精度に優れるものとしてAと評価した。その最大値が1~10μmである場合は熱的影響がややあり加工精度にやや劣るものとしてBと評価した。その最大値が10μm超である場合は熱的影響が大きく加工精度に劣るものとしてCと評価した。なお、実用上の観点から、エッジ形状、デブリ発生状況および膜剥がれの評価として、Cの評価がなく、かつ、Bの評価が1以下であることが要求され、全てAの評価であるのが好ましい。上記第1表に示す結果から、ショット数が1である比較例1,6,11および16では、加工精度や加工品質に劣ることが分かった。また、比較例2および3、7および8、12および13、ならびに、17および18を見ると、ショット数が2であっても、ショット間隔が本発明の範囲外である場合には、やはり、加工精度や加工品質に劣ることが分かった。これに対して、ショット数が2であって、かつ、ショット間隔が本発明の範囲内である実施例4および5、9および10,14および15、ならびに、19および20は、比較例1,6,11および16よりも低エネルギーとなり、かつ、加工精度や加工品質にも優れることが分かった。このとき、実施例4と実施例5とを対比すると、ショット間隔がより長い実施例5の方が、加工精度により優れることが分かった。これは、実施例9と実施例10との対比結果、実施例14と実施例15との対比結果、ならびに、実施例17と実施例18との対比結果においても同様であった。"