半導体ナノ粒子と蛍光増強粒子とを含有することを特徴とするナノ粒子集積体。前記蛍光増強粒子が金属コロイド粒子である、請求項1に記載のナノ粒子集積体。前記蛍光増強微粒子が、金、銀、白金のいずれかから選ばれる金属またはその合金からなる粒子である、請求項1または2に記載のナノ粒子集積体。前記蛍光増強粒子の表面の一部または全部が誘電体からなる層で被覆されている、請求項1~3のいずれか一項に記載のナノ粒子集積体。前記蛍光増強粒子の体積平均粒径が10~100nmである、請求項1~4のいずれか一項に記載のナノ粒子集積体。前記ナノ粒子集積体の体積平均粒径が40~1000nmである、請求項1~5のいずれか一項に記載のナノ粒子集積体。請求項1~6のいずれか一項に記載のナノ粒子集積体と、当該ナノ粒子集積体に結合した標的認識物質とにより形成されることを特徴とする、生体物質標識剤。本発明は、上記問題状況にかんがみてなされたものであり、その解決課題は、蛍光発光する半導体ナノ粒子を高密度に集積させても濃度消光せず、発光輝度の高い半導体ナノ粒子集積体を提供することである。上記課題を解決した本発明は、以下の事項を包含する。[1]半導体ナノ粒子と蛍光増強粒子とを含有することを特徴とするナノ粒子集積体。[2]前記蛍光増強粒子が金属コロイド粒子である、[1]に記載のナノ粒子集積体。[3]前記蛍光増強微粒子が、金、銀、白金のいずれかから選ばれる金属またはその合金からなる粒子である、[1]または[2]に記載のナノ粒子集積体。[4]前記蛍光増強粒子の表面の一部または全部が誘電体からなる層で被覆されている、[1]~[3]のいずれか一項に記載のナノ粒子集積体。[5]前記蛍光増強粒子の体積平均粒径が10~100nmである、[1]~[4]のいずれか一項に記載のナノ粒子集積体。[6]前記ナノ粒子集積体の体積平均粒径が40~1000nmである、[1]~[5]のいずれか一項に記載のナノ粒子集積体。[7][1]~[6]のいずれか一項に記載のナノ粒子集積体と、当該ナノ粒子集積体に結合した標的認識物質とにより形成されることを特徴とする、生体物質標識剤。本発明の上記手段により、集積化した蛍光発光する半導体ナノ粒子の濃度消光を抑制し、かつ、蛍光増強粒子による蛍光増強によって、発光輝度の高い半導体ナノ粒子集積体を提供することができる。半導体ナノ粒子のみからなるナノ粒子集積体では前記濃度消光を起こすため、半導体ナノ粒子の個数分の輝度にはならず、集積体を構成する半導体ナノ粒子の本来の発光輝度の4割程度の発光輝度となる。しかしながら、本発明に係るナノ粒子集積体では、半導体ナノ粒子の近傍に蛍光増強粒子を混在させることにより、従来のナノ粒子集積体よりも著しく高い発光輝度を達成することができる。その理由としては、半導体ナノ粒子同士の近接を抑制して濃度消光が起こる程度を少なくすると共に、蛍光増強粒子の局在化表面プラズモンによる蛍光増強効果によって半導体ナノ粒子が発する蛍光の強度が向上したことが考えられる。本発明に係るナノ粒子集積体の一方の構成要素ある半導体ナノ粒子の素材としては、公知の半導体ナノ粒子と同様に、たとえばSi、Ge、InN、InP、GaAs、AlSe、CdSe、AlAs、GaP、ZnTe、CdTe、InAsなどの半導体又はこれらを形成する原料を用いることができる。本発明においては、特に、低毒性という観点からはInPやSiが、可視光の範囲における発光強度の観点からはCdTeやCdSeが好ましく用いられる。また、前記半導体ナノ粒子をコアとし、その外層にシェルを付加したコア/シェル構造の半導体ナノ粒子を用いてもよい。シェルを形成するための素材としては、公知のコア/シェル構造の半導体ナノ粒子と同様に、II-VI族、III-V族、IV族の無機半導体を用いることができる。例えば、Si、Ge、InN、InP、GaAs、AlSe、CdSe、AlAs、GaP、ZnTe、CdTe、InAsなどの各コア形成無機材料よりバンドギャップが大きく、毒性を有さない半導体又はこれらを形成する原料が好ましい。より具体的には、たとえば、InP、CdTe、及びCdSeをコアとする場合にはZnSが、Siをコアとする場合にはSiO2がシェルとして好適である。なお、コアが部分的に露出しても弊害を生じない限り、シェルはコアの全表面を完全に被覆するものでなくてもよい。本発明に用いるコア/シェル構造でないコアのみからなる半導体ナノ粒子の体積平均粒径は、従来のものと同程度でよいが、1~15nmであることが好ましい。また、本発明に用いるコア/シェル構造の半導体ナノ体粒子の体積平均粒径も、従来のものと同程度でよいが、1~20nmであることが好ましい。なお、本発明において、上述した半導体ナノ粒子、及び以下に述べる蛍光増強微粒子金属コロイド粒子やナノ粒子集積体の粒径は、原則として体積平均粒径により表される。この体積平均粒径は、動的光散乱法DynamicLightScatteringDLSによる粒径測定装置たとえばMalvernInstruments社製、ZetasizerNanoSを用いて、上記各粒子の作製直後凝集前の粒径分布を測定することにより求められる値であり、粒径分布のピーク中心位置の粒径をその粒子の体積平均粒径とする。本発明に係るナノ粒子集積体のもう一方の構成要素である蛍光増強粒子とは、ナノ粒子集積体中で半導体ナノ粒子の近傍に混在する粒子であって、それが混在しない場合と比較して、半導体ナノ粒子が発する蛍光の強度を増強する機能を有する粒子をいう。蛍光増強粒子としては、代表的には金属コロイド粒子が挙げられる。金属コロイド粒子は、光源からの光照射によって局在化表面プラズモンを生じる。金属コロイド粒子表面近傍に誘起された強い局所電場により、集積体中での金属コロイド粒子近傍の半導体ナノ粒子からの発光を増強する役割を果たす。それとともに、金属コロイド粒子は一定のサイズを有するため半導体ナノ粒子同士の間隔を広げることができ、半導体ナノ粒子の発光の濃度消光を抑制する役割も果たす。なお、蛍光増強粒子について金属コロイド粒子を代表例として取り上げながら説明するが、他の粒子を蛍光増強粒子とする場合も、金属種や体積平均粒径などについて、同様の事項を適用することが可能である。本発明で用いられる蛍光増強粒子としての金属コロイド粒子を構成する金属種には、特に制限はないものの、試料等に対する化学的安定性が高く、可視光により局在化表面プラズモンが効率的に発生することから、金、銀、白金等の貴金属、あるいはこれらの合金が好ましく、中でも金が特に好ましい。金属コロイド粒子の粒径は、上記コロイド液中でコロイドとして分散状態を維持でき、且つ本発明の作用効果を発揮できる程度に局在化表面プラズモンを十分に起こすことができる限り特に制限はない。しかし、一般的に、金属コロイド粒子の最大吸光波長は、構成金属種により変わるほか、構成金属種が同じであっても、金属コロイド粒子の粒径が大きくなるほど大きくなる傾向にある。そのため、金属コロイド粒子の粒径は、同じ集積体に集積化される半導体ナノ粒子からの蛍光が金属コロイド粒子による吸光により消光されないような粒径であることが望ましい。具体的には、蛍光増強粒子としての金属コロイド粒子の体積平均粒径は、一般的には0.1~1000nmの範囲内にあるが、ナノ粒子集積体中の蛍光増強粒子として用いる場合は、1nm~100nmの範囲内にあることが好ましく、10~100nmの範囲内にあることがより好ましい。金属コロイド粒子の形状は任意の形状のものであってもよく、例えば、球状、楕円状、円柱状などの形状を有するものが挙げられる。このような金属コロイド粒子は、様々な粒径を有する金属コロイド粒子のコロイド溶液の形態で市販品として入手可能である。あるいは、このような金属コロイド粒子を、従来公知の方法、例えば、HAuCl4、H2PtCl4、硝酸銀などの金属化合物の溶液を還元することによって得ることもできる。また、上記の金属コロイド粒子は、半導体ナノ粒子の金属消光を防止するため、表面の一部または全部が誘電体からなる層で被覆されていてもよい。この層を形成する誘電体としては、たとえばシリカSiO2や酸化チタン、あるいは合成ポリマーが挙げられ、中でもシリカは好適な誘電体として用いることができる。表面に誘電体からなる層が形成された金属コロイド粒子は公知の方法に従って作製することができる。たとえば、金属コロイド粒子を酸性ケイ酸液に添加することにより、シリカからなる誘電体層を有する金属コロイド粒子を作製することができる。誘電体層たとえばシリカからなるものの厚さは1~20nmが好ましい。誘電体層の材質に応じて誘電体層を形成する際の反応条件を調整することにより、厚さを上記の範囲内にすることができる。本発明に係るナノ粒子集積体は、半導体ナノ粒子および蛍光増強粒子を含有するナノ粒子集積体である。ここでナノ粒子集積体とは、複数のナノサイズの粒子本発明では半導体ナノ粒子および蛍光増強粒子が相互に接触した状態で集まった集合体をいう。このようなナノ粒子集積体は、半導体ナノ粒子および蛍光増強粒子のみからなるものであってもよいし、本発明の作用効果が奏される範囲で、他の粒子をさらに含有するものであってもよい。ナノ粒子集積体を構成する半導体ナノ粒子および蛍光増強粒子それぞれの個数、あるいは半導体ナノ粒子1個あたりの蛍光増強粒子の個数は特に限定されるものではないが、ナノ粒子集積体が発する蛍光強度を勘案して、必要に応じて製造条件を調整することにより、適切な範囲に収めればよい。なお、ナノ粒子集積体中の半導体ナノ粒子1個あたりの蛍光増強粒子の個数は、たとえば高周波プラズマ発光分析装置を用いた元素分析により算出することができる。本発明のナノ粒子集積体は、溶媒の塩濃度を調整したり、半導体ナノ粒子および蛍光増強粒子の静電的な相互作用を用いることや、半導体ナノ粒子の形成過程又は形成後の分散過程において、半導体ナノ粒子及びその材料を殆ど溶解しない貧溶媒を使用することにより形成することができる。上記貧溶媒としては、例えば、アルコール類メタノール、エタノール、プロパノール等、ケトン類アセトン、メチルエチルケトン等を用いることができる。たとえば、適切な溶媒中で、ナノ粒子集積体を構成する原料となる半導体ナノ粒子および蛍光増強粒子の混合物を撹拌することにより、それらの粒子で構成されたナノ粒子集積体を調製することができる。本発明のナノ粒子集積体の体積平均粒径は、10~1000nmの範囲内であることが好ましく、40~500nmの範囲内であることがより好ましい。本発明のナノ粒子集積体が発する蛍光を測定する際は、蛍光増強粒子の吸収波長、すなわち局在化表面プラズモンが発生して半導体ナノ粒子を励起させるエネルギーが放出されることになる波長を含む光を照射する。この際の電場増強効果によって、蛍光増強粒子の近傍において、半導体ナノ粒子発光蛍光の強度を向上させることが可能となる。あるいは、蛍光増強粒子の吸収波長と半導体ナノ粒子の励起波長の両方を含む光を照射するようにしてもよい。照射光は、適切な光源レーザーダイオード、水銀ランプ等から照射すればよく、また必要に応じて波長スペクトルを調整するための適切な部材フィルター、ダイクロックミラー等を透過させたものであってもよい。[生体物質標識剤とバイオイメージング]本発明のナノ粒子集積体の用途は特に限定されるものではないが、代表的には、生体物質標識剤における蛍光体として利用することができる。蛍光標識の標的とする生体物質標的物質を有する生細胞もしくは生体に本発明に係る生体物質標識剤を添加することで、標的物質と結合もしくは吸着させることができる。その後、当該結合体もしくは吸着体に所定の波長の励起光を照射し、当該励起光に応じて半導体ナノ粒子から発生する所定の波長の蛍光を検出することにより、上記標的物質の蛍光動態イメージングを行うことができる。すなわち、本発明に係る生体物質標識剤は、バイオイメージング法生体物質を構成する生体分子やその動的現象を可視化する技術手段に利用することができる。親水化処理本発明のナノ粒子集積体の表面は、一般的な方法によって作製された場合には疎水性であるため、そのままでは水分散性が悪く、水溶液中でナノ粒子集積体が凝集してしまう等の問題が起こりやすい。そのため、特に生体物質標識剤として使用する場合は、ナノ粒子集積体を構成する半導体ナノ粒子の表面を親水化処理することが好ましい。親水化処理の方法としては例えば、半導体ナノ粒子を調製した際に残存した表面の親油性基をピリジン等で除去した後に、半導体ナノ粒子の表面に表面修飾剤を化学的および/または物理的に結合させる方法がある。表面修飾剤としては、親水基としてカルボキシル基またはアミノ基を持つ化合物が好ましく、そのような化合物の具体例としてはメルカプトプロピオン酸、メルカプトウンデカン酸、アミノプロパンチオールなどが挙げられる。例えば、半導体ナノ粒子105gをメルカプトウンデカン酸0.2gが溶解した純水10ml中に分散させて、40°C、10分間攪拌することにより、表面がカルボキシル基で修飾されたナノ粒子集積体を作製することができる。生体物質標識剤本発明に係る生体物質標識剤は、標的物質と特異的に結合する物質標的認識物質と、それを標識化するための蛍光体として、好ましくは上述した親水化処理が施された、ナノ粒子集積体とが、有機分子を介して結合した構造を有する。標的認識物質本発明に係る生体物質標識剤が目的とする標的物質は、それと特異的に結合する物質が存在するものであれば特に限定されるものではないが、代表的にはタンパク質ペプチドおよび核酸分子ヌクレオチド鎖が挙げられる。したがって、標的認識物質としては、上記タンパク質を抗原として認識する抗体やそれに特異的に結合する他のタンパク質等、あるいは前記核酸分子にハイブリダイズする塩基配列を有する核酸分子等が挙げられる。有機分子親水化処理されたナノ粒子集積体と、標的認識物質とを結合させる有機分子は、そのような機能を担える有機分子であれば特に限定されるものではなく、一般的な生体物質標識剤に用いられている有機分子を本発明においても用いることができる。例えば、半導体ナノ粒子および標的認識物質を非特異的に吸着させることのできるアルブミン、ミオグロビンおよびカゼイン等のタンパク質を用いることができ、また、アビジンおよびビオチンでそれぞれ半導体ナノ粒子および標的認識物質を修飾し、それらを特異的に結合させる方法も好適である。上記結合の態様は特に限定されず、共有結合、イオン結合、水素結合、配位結合、物理吸着および化学吸着等が挙げられるが、結合の安定性から共有結合などの結合力の強い結合が好ましい。具体的には、たとえば、前述のようにカルボキシル基を有する化合物メルカプトウンデカン酸などでナノ粒子集積体の親水化処理した場合、そのカルボキシル基はアビジンのアミノ基と共有結合を形成するための官能基として好適である。一方、標的認識物質代表的には抗体も公知の手法によりビオチンを結合させることができる。そのようにして導入されたアビジンおよびビオチンを特異的に結合させることにより、それらを介して半導体ナノ粒子および標的認識物質が結合した生体物質標識剤を作製することができる。以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。[実施例1]InP/ZnS半導体ナノ粒子の合成まず、以下に示す手法によってInP粒子の合成を行った。三つ口フラスコに6mlのオクタデセンを入れ、その溶媒中に1mlのオクタデセンに溶解させたInacac3とトリストリメチルシリルホスフィンをInとPの比がIn/P=1/1となるように加え、アルゴン雰囲気中で300°C、1h反応させInP粒子分散液を得た。このようにして得られたInP粒子は630nmに極大発光波長を持った粒子であった。続いて、300°C、1h反応後の上記InP粒子分散液を80°Cまで放冷した後、その分散液に1mlのオクタデセンに溶解させたステアリン酸亜鉛硫黄をIn、P、Zn、Sの比がIn/P/Zn/S=1/1/1/1となるように加え、80°Cから230°Cに昇温し、30分反応させることにより、ZnSシェル付加InP半導体ナノ粒子InP/ZnSを得た。動的光散乱法DLSによる粒径測定装置MalvernInstruments社製、ZetasizerNanoSを用いて、半導体ナノ粒子の粒径分布を測定したところ、半導体ナノ粒子InP/ZnSの体積平均粒径は8nmであった。さらに、得られた半導体ナノ粒子InP/ZnS1mLに、アンモニア水0.1mL、3-MPA1mLを加えて攪拌、水相に溶解している半導体ナノ粒子InP/ZnS1を回収した。[実施例2]金コロイド粒子の作製金コロイドB.B.International社製、体積平均粒径粒径のカタログ値40nmを濃度5×104molに調整した水溶液500mLに、APS3-トリメトキシシラン水溶液2.5mL、1mmolを添加し、15分間強攪拌することにより、金コロイド表面のクエン酸を置換した。pH10~11に調整したsodiumusilicate0.54重量水溶液20mLを前述の金コロイド水溶液に添加し、強攪拌した。24時間経過すると、厚さが約4nmのSiO2被膜が形成された。この溶液を遠心分離により30mLまで濃縮した溶液に、170mLのエタノールを添加した。さらに0.6mLのNH4OH28を滴下し、80μLのTEOSテトラエトキシシランを添加し、8時間ゆっくり攪拌して、厚さ10nmのSiO2被膜を有する蛍光増強粒子1を得た。[実施例3]ナノ粒子集積体の作製前記InP/ZnS半導体ナノ粒子1および蛍光増強粒子1をリン酸緩衝液pH:7.2中で攪拌、混合し、その後超音波処理行い、ナノ粒子集積体1を得た。また、InP/ZnS半導体ナノ粒子1のみを用い、同様の操作を行い、ナノ粒子集積体2を作製した。得られたナノ粒子集積体懸濁液についてDLS測定を行ったところ、ナノ粒子集積体1、2とも体積平均粒径は200nmであった。さらに、ナノ粒子集積体1について、高周波プラズマ発光分析装置ICPM-8500、島津製作所製を用いて元素分析を行い、金ナノ粒子の含有量を算出したところ、ナノ粒子集積体1粒子あたり蛍光増強粒子が平均12個含有されていることがわかった。[実施例4]半導体ナノ粒子含有ガラス粒子の作製特許文献1特開2005-281019号公報記載の実施例1に従い、当該実施例におけるテルル化カドミウムナノ粒子の代わりに実施例1で作製した半導体ナノ粒子InP/ZnSを用いて、シリカマトリックス中にInP/ZnSからなる半導体ナノ粒子が分散したガラス粒子半導体ナノ粒子含有ガラス粒子を作製した。上記実施例3と同様にてDLS測定を行ったところ、この半導体ナノ粒子含有ガラス粒子の体積平均粒径も200nmであった。[実施例5]発光強度の測定および蛍光強度の比較蛍光強度の測定は、蛍光分光光度計を用いて行った。実施例3で調製したナノ粒子集積体1および2の懸濁液、ならびに実施例4で調製した蛍光ガラス粒子3の懸濁液を、純水を用いて、それぞれ粒子モル濃度を0.01nmol/Lに調整した。励起波長は520nmとし、それぞれの試料の蛍光極大波長650nmにおける蛍光強度を測定した。蛍光強度の測定結果を表1に示す。ナノ粒子集積体1~3とも体積平均粒径は200nmと等しいにもかかわらず、体積平均粒径40nmの金コロイド粒子が蛍光増強粒子として機能しているナノ粒子集積体1が最も蛍光強度が大きいことがわかる。