炭化ケイ素基材表面からのケイ素の昇華により、炭化ケイ素基材上においてグラフェンを成長させる方法であって、るつぼ内に炭化ケイ素基材を配置し、前記るつぼを反応チャンバー内に配置することと、圧力を制御し、成長温度に加熱することと、1400°C超の温度で、及び600乃至1100barの不活性ガス圧力で、前記基材の表面上にグラフェンを成長させることとを含み、前記加熱は、少なくとも第1加熱段階及び第2加熱段階で行われ、前記第1加熱段階は少なくとも1200°Cの温度まで第1加熱速度で行われ、前記第2加熱段階は前記第1加熱段階の後に、且つ前記第1加熱速度よりも速い第2加熱速度で行われる方法。請求項1に記載の方法であって、前記第1加熱速度は、20乃至30°C/分であり、好ましくは、20乃至25°C/分である方法。請求項1又は2に記載の方法であって、前記第2加熱速度は25乃至35°C/分であり、好ましくは28乃至32°C/分である方法。請求項1乃至3の何れか1項に記載の方法であって、前記加熱は、前記第2加熱段階の後に第3加熱段階を更に含み、前記第3加熱段階は、前記第2加熱速度よりも速い第3加熱速度で行われる方法。請求項4に記載の方法であって、前記第3加熱速度は、30乃至40°C/分であり、好ましくは、32乃至37°C/分である方法。請求項1乃至5の何れか1項に記載の方法であって、前記第1加熱速度での加熱の後、且つ前記第2加熱速度での加熱の前に、前記反応チャンバーに不活性ガスが導入される方法。請求項1乃至6の何れか1項に記載の方法であって、前記グラフェンの成長は、本質的に等温条件下で行われる方法。請求項1乃至7の何れか1項に記載の方法であって、前記第1加熱段階は、真空中で行われる方法。請求項1乃至8の何れか1項に記載の方法であって、前記第2加熱段階は、不活性ガス雰囲気で行われる方法。請求項1乃至9の何れか1項に記載の方法であって、前記炭化ケイ素基材の表面は、ケイ素終端表面である方法。請求項1乃至10の何れか1項に記載の方法であって、前記グラフェンの成長は、少なくとも1650°Cの温度で行われる方法。請求項1乃至11の何れか1項に記載の方法であって、前記グラフェンの成長は、少なくとも1900°Cの温度で行われる方法。請求項1乃至12の何れか1項に記載のプロセスであって、前記基材は、グラファイトるつぼ内に配置される方法。請求項13に記載の方法であって、前記基材の作用表面は、グラフェンの成長の間、前記るつぼの底面から離れて、且つ該底面と向かい合って配置される方法。請求項1乃至14の何れか1項に記載の方法であって、前記るつぼは、前記グラフェンの成長の間、閉じられている方法。