硬化剤を0.001~20重量添加した熱硬化性樹脂を成形して硬化処理し、プラズマエッチング電極板としての所定の加工を行った後、不活性雰囲気中において800~3000°Cの温度で焼成炭化し、ついで1300~3500°Cの温度で熱処理したプラズマエッチング電極。プラズマエッチング電極の厚さが3~10mmである請求項1に記載のプラズマエッチング電極。本発明は、シリコンウエハのエッチング不良を防止して半導体集積回路の生産歩留、使用開始直後のシリコンウエハの金属汚染を大幅に低減できるプラズマエッチング電極を提供するものである。本発明は、シリコンウエハ表面へのFe汚染量が1×1010atoms/cm2~10×1010atoms/cm2であるガラス状炭素からなるプラズマエッチング電極に関する。また、本発明は、プラズマエッチング電極の厚さが3~10mmである上記に記載のプラズマエッチング電極に関する。本発明のプラズマエッチング電極は、シリコンウエハのエッチング後の金属汚染を防止して半導体集積回路の生産歩留、使用開始直後の生産歩留を大幅に低減できる。また、本発明のプラズマエッチング電極を用いたプラズマエッチング装置は、シリコンウエハの金属汚染を防止して半導体集積回路の生産歩留、特に新たなプラズマエッチング電極を使用開始した直後の生産歩留を大幅に低減できる。また、本発明の本発明のプラズマエッチング電極では、シリコンウエハのエッチング後の金属汚染を防止して半導体集積回路の生産歩留を向上できる、特に新たなプラズマエッチング電極を使用開始した直後の生産歩留を大幅に低減できるプラズマエッチング電極を的確に選択できる。本発明は、シリコンウエハ表面へのFe汚染量が1×1010atoms/cm2~10×1010atoms/cm2であるガラス状炭素からなるプラズマエッチング電極である。プラズマにより消耗する部分がガラス状炭素からなるプラズマエッチング電極において、ガラス状炭素が二次イオン質量分析SIMSで測定したFe濃度を1×103counts以下に制御することによって、シリコンウエハの金属汚染を大幅に低減させることがわかった。ここで、SIMSで測定した値が1×103countsを超えると、プラズマエッチングの際、被エッチング材であるシリコンウエハが、電極消耗とともに飛散したFeに汚染されるため、シリコンウエハに形成されている半導体集積回路が不良となってしまう。二次イオン質量分析SIMSで測定したFe濃度は、5×102counts以下とすることが半導体集積回路の生産歩留向上の効果がより高いので、より好ましく、1×102counts以下とすることが特に好ましい。平行平板型のプラズマエッチング装置におけるプラズマエッチング電極の形状は一般に円板状である。本発明において、プラズマにより消耗する部分がガラス状炭素からなるプラズマエッチング電極とは、その円板全体がガラス状炭素からなるもの及びプラズマにより消耗する部分、即ち円板の中央部分ガス吹き出し穴が設けられている範囲がガラス状炭素からなり、その外周がその他の材料で構成されるものを含む。本発明のプラズマエッチング電極を構成するガラス状炭素は、前記特性を満たすものであれば、その原料及び製造法に特に制限はない。原料として用いられる熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フラン樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、キシレン樹脂等を挙げることができる。また、これら樹脂の混合物を用いることもできる。これらの中で、フラン樹脂又はフェノール樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂の種類に応じて、硬化剤が用いられる。硬化剤としては、硫酸、塩酸、硝酸、リン酸等の無機酸、p-トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等の有機スルホン酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフロロ酢酸等のカルボン酸等が挙げられる。硬化剤は熱硬化性樹脂に対して0.001~20重量使用することが好ましい。前記熱硬化性樹脂は、必要に応じて前記硬化剤を添加した後、目的とする形状に応じて各種成形方法で成形した後、硬化処理する。この硬化は60~200°C、より好ましくは70~100°Cの温度で熱処理して行うことが好ましい。必要に応じさらにプラズマエッチング電極板としての所定の加工を行った後、高度に純化された治具及び炉を用い不活性雰囲気中通常、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスや窒素、水素、ハロゲンガス等の非酸化性ガスの少なくとも一種の気体からなる酸素を含まない雰囲気、又は真空下において、好ましくは800~3000°C、より好ましくは1100~2800°Cの温度で焼成炭化する。ついで好ましくは1300~3500°Cの温度で熱処理しガラス状炭素を得ることができる。SIMSでのFe測定値を上記の範囲内とするための方法は特に制限されないが、プラズマエッチング電極を、界面活性剤を添加したフッ硝酸、濃硫酸、王水等の強酸で洗浄する方法、HClガス雰囲気中で高温の熱処理を行う方法等が挙げられる。本発明のプラズマエッチング電極の大きさ及び形状としては、特に制限されないが、外径150~400mm、厚さが3~10mmの円板形のものが好ましい。電極をプラズマエッチング装置に取付けるための外周部の取付け穴は、8~24個設けられることが好ましい。エッチングガスをシャワー状に分散させるためのガス吹出し穴は、取付け穴より内周部に設けられることが好ましい。このガス吹出し穴の大きさはエッチング条件等により異なるが穴径で0.3~2.0mmが好ましく、穴数は100~3000個が好ましい。穴の加工は、機械加工、放電加工、超音波加工等で行うことができる。プラズマエッチング電極の形状とする加工、ガス吹き出し穴の作製は、ガラス状炭素を得た後、放電加工、超音波加工等で行うこともできる。本発明のプラズマエッチング電極を用いたプラズマエッチング装置は、プラズマエッチング電極として上記のものを使うこと以外は特に制限はない。その装置の一例としては、図1に示し、説明したものが挙げられ、図1において、プラズマエッチング電極6として上記のプラズマエッチング電極を用いればよい。本発明のプラズマエッチング電極の評価法は、前述のSIMSでFe濃度を測定することにより行うことができる。前述のようにFe濃度が1×103counts以下となるプラズマエッチング電極を得る条件製造法、洗浄方法などを選択して、それによりプラズマエッチング電極を製造すれば、シリコンウエハの金属汚染を低減できるプラズマエッチング電極を得ることが可能となる。以下に本発明の実施例を説明する。なお本実施例のSIMS測定は、株日立製作所製IMA-3型を用いて、1次イオン種:O2、1次イオン加速電圧:20KV、1次イオン電流:300nAの条件で行った。測定した点は、ガラス状炭素製電極の中心点と、外周から10mmのところを90度ピッチで4点の合計5点であり、その平均値をもって各電極の値とした。実施例1~8原料樹脂にフェノール樹脂日立化成工業株製、商品名VP-112Nを用い、これに硬化剤としてトリクロロ酢酸8重量を加え、70°Cの加熱下、直径500mmのアルミ製シャーレに注型して樹脂板を得た。この樹脂板を70°Cで3日、90°Cで3日で加熱硬化した後、1°C/分の昇温速度で最高900°Cで焼成炭素化し、次いで昇温速度5°C/分で最高3000°Cで熱処理してガラス状炭素を得た。得られたガラス状炭素平板に放電加工によってガス吹き出し穴穴径0.5mm、ピッチ10mm、個数500個等を形成した後、ラップ、ポリッシュで表面仕上げしプラズマエッチング電極外径200mm、厚さ3mmの形状とした。次いで濃度26重量のフッ化水素酸と濃度60重量の硝酸と界面活性剤旭硝子製、商品名サーフロンS131を5:5:1に混合したフッ硝酸に浸漬して超音波洗浄を行った。超音波洗浄時間を30分~120分の範囲で変えてSIMSで測定して本発明のプラズマエッチング電極を得た。上記のプラズマエッチング電極を図1に示す構成のプラズマエッチング装置に取り付け、反応ガスとしてトリフロロメタン、フッ化メタンを各20SCCM流し、電源周波数400KHz、反応チャンバー内のガス圧0.05Torrの条件でシリコンウエハのエッチング加工を行った。次いでこのシリコンウエハ表面のFe汚染量を全反射型蛍光X線分析装置テクノス株製、型式TREX610Tで測定した。測定結果を表1に示す。比較例1~4原料樹脂にフェノール樹脂日立化成工業株製、商品名VP-112Nを用い、これに硬化剤としてトリクロロ酢酸8重量を加え、70°Cの加熱下、直径500mmのアルミ製シャーレに注型して4つの樹脂板を得た。この樹脂板を70°Cで3日、90°Cで3日で加熱硬化した後、1°C/分の昇温速度で最高900°Cで焼成炭素化し、次いで昇温速度5°C/分で最高3000°Cで熱処理してガラス状炭素を得た。得られたガラス状炭素平板に放電加工によって実施例と同様にガス吹き出し穴等を形成した後、ラップ、ポリッシュで表面仕上げしプラズマエッチング電極の形状とした。次いで塩酸濃度1重量、3重量、7重量及び10重量で30分超音波洗浄した後、さらに純水で30分洗浄した。これをSIMSで測定して本発明の範囲外のプラズマエッチング電極を得た。上記のプラズマエッチング電極を実施例と同様にプラズマエッチング装置に取り付け、反応ガスとしてトリフロロメタン、フッ化メタンを各20SCCM流し、電源周波数400KHz、反応チャンバー内のガス圧0.05Torrの条件でシリコンウエハのエッチング加工を行った。次いでこのシリコンウエハ表面のFe汚染量を全反射型蛍光X線分析装置テクノス株製、型式TREX610Tで測定した。測定結果を表2に示す。表1及び表2のFe汚染量の測定結果は、6インチウエハの面内5点の平均値を示す。