基板上に、第1電極とシリコンからなる光電変換層と第2電極とをこの順に積層してなる光電変換装置において、上記光電変換層の側面部分は、酸化シリコン層となっていることを特徴とする光電変換装置。前記酸化シリコン層における、前記光電変換層の側面に直交する方向の層厚は、50nm以上かつ500nm以下であることを特徴とする請求項1記載の光電変換装置。前記酸化シリコン層は、非晶質膜からなっていることを特徴とする請求項1又は2記載の光電変換装置。前記シリコンかなる光電変換層の表面には、酸化シリコン層が厚さ3nm以下に形成されていることを特徴とする請求項1、2又は3記載の光電変換装置。前記基板上には、ストライプ状の第1電極分離溝を有する前記第1電極と、該第1電極の表面に形成されかつ上記第1電極分離溝とは重なり合わないストライプ状の光電変換層分離溝を有する前記光電変換層と、該光電変換層の表面に形成されかつ上記第1電極分離溝及び光電変換層分離溝とは重なり合わないストライプ状のセル分離溝を有する前記第2電極とが積層されており、上記光電変換層の一部は、上記第1電極に穿設された上記第1電極分離溝を通して基板に接しており、上記第2電極の一部は、上記光電変換層に穿設された上記光電変換層分離溝を通して第1電極に接しており、上記セル分離溝は、上記第2電極のみならず上記光電変換層をも分離するように光電変換層側に延びて形成されていることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の光電変換装置。前記基板は、波長800~1200nmの光に対して前記第1電極よりも吸収率が小さいことを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の光電変換装置。前記基板は、ガラス基板からなっていると共に、前記第1電極は、ITO、酸化錫又は酸化亜鉛の中のいずれかの材料からなっていることを特徴とする請求項1~6のいずれか1項に記載の光電変換装置。前記基板及び第1電極は、波長350~650nmの光に対して前記光電変換層よりも吸収率が小さいことを特徴とする請求項1~7のいずれか1項に記載の光電変換装置。請求項5に記載の光電変換装置を製造するための光電変換装置の製造方法であって、基板上に第1電極を成膜した後、該第1電極の一部を除去して第1電極分離溝を形成する工程と、上記第1電極の表面にシリコンからなる光電変換層を成膜した後、該光電変換層の一部を除去して光電変換層分離溝を形成する工程と、上記光電変換層の表面に第2電極を成膜した後、該第2電極と上記光電変換層との一部を同時に除去してセル分離溝を形成する工程とを含み、上記第1電極分離溝、光電変換層分離溝、及びセル分離溝のうち少なくともセル分離溝の形成を酸素雰囲気下又は水蒸気雰囲気下で熱を加えながら行うことにより、光電変換層の側面に酸化シリコン層を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。前記第1電極分離溝、光電変換層分離溝及びセル分離溝は、レーザ光の照射により形成されることを特徴とする請求項9記載の光電変換装置の製造方法。前記レーザ光のパワーは、0.1~10MW/cm2であることを特徴とする請求項10記載の光電変換装置の製造方法。前記光電変換層分離溝及びセル分離溝を形成すべく前記レーザ光を照射したときの照射領域における前記光電変換層の温度は、3000°C以上であることを特徴とする請求項10又は11記載の光電変換装置の製造方法。前記第1電極分離溝、光電変換層分離溝及びセル分離溝を形成するための基板の移動速度又はレーザ光の走査速度は、0.2m/s以下であることを特徴とする請求項10又は11記載の光電変換装置の製造方法。前記第1電極分離溝を形成するための前記レーザ光の波長は、800nm以上かつ1200nm以下であることを特徴とする請求項10又は11記載の光電変換装置の製造方法。前記光電変換層分離溝及びセル分離溝を形成するための前記レーザ光の波長は、350nm以上かつ650nm以下であることを特徴とする請求項10又は11記載の光電変換装置の製造方法。前記酸素雰囲気は、酸素濃度が25以上かつ35以下であることを特徴とする請求項9、10又は11記載の光電変換装置の製造方法。前記水蒸気雰囲気は、湿度が90以上かつ95以下であることを特徴とする請求項9、10又は11記載の光電変換装置の製造方法。しかしながら、上記従来の光電変換装置は、シリコン層中の高酸素濃度領域の形成は絶縁性の保持に直接的な効果をもたらすものではない。また、酸化性気体の吹き付けや酸化性溶液の滴下、又は酸化性溶液中に基板を浸すことによるスクライブ隣接部の冷却作用についても、レーザ光を照射させることによりアブレーションを起こさせる場合、レーザ光照射部の温度は数千度以上に達し、スクライブ加工の際にもレーザ光照射隣接部で同程度の高温状態となっていることが考えられるため、結晶化を抑制できるほどの効力があるとは考え難い。このように、シリコンからなる光電変換層を有する光電変換装置の製造プロセスにおいて、高出力のレーザを照射することにより、モジュールを複数のセルに分断するスクライブ加工を行うときに、発生する熱によってスクライブ加工溝の側面のシリコンが結晶化して導電性のよい結晶シリコンが形成されることで透明導電膜と裏面電極との間でリークが起こり、性能低下の原因となるという問題点を有している。本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、光電変換層を挟む電極間での電流のリークを防ぐことにより、変換効率の低下及び歩留まりの低下を抑制し得る光電変換装置及びその製造方法を提供することにある。本発明の光電変換装置は、上記課題を解決するために、基板上に、第1電極とシリコンからなる光電変換層と第2電極とをこの順に積層してなる光電変換装置において、上記光電変換層の側面部分は、酸化シリコン層となっていることを特徴としている。上記の発明によれば、光電変換装置は、基板上に、第1電極とシリコンからなる光電変換層と第2電極とをこの順に積層してなっている。このような、光電変換装置では、高出力のレーザ光を照射することにより、モジュールを複数のセルに分断するスクライブ加工を行うときに、発生する熱によってスクライブ加工溝の側面の半導体であるシリコンが結晶化して導電性のよい結晶シリコンが形成される。この結果、シリコンからなる光電変換層の側面部分における絶縁性が保たれず、電流のリークが発生し、変換効率の低下及び歩留まりの低下を引き起こすという問題が生じる。そこで、本発明の光電変換装置では、光電変換層の側面部分は、酸化シリコン層となっている。この酸化シリコン層は、非晶質からなっており、絶縁体である。すなわち、複数のセルに分断するスクライブ加工を、高出力のレーザ光を照射して行ったとしても、製造物においては光電変換層の側面部分は、絶縁体である酸化シリコン層となっている。この結果、第1電極と第2電極との間で、光電変換層の側面部分から電流がリークするのを防止することができる。したがって、光電変換層を挟む電極間での電流のリークを防ぐことにより、変換効率の低下及び歩留まりの低下を抑制し得る光電変換装置を提供することができる。本発明の光電変換装置では、前記酸化シリコン層における、前記光電変換層の側面に直交する方向の層厚は、50nm以上かつ500nm以下であることが好ましい。すなわち、シリコンからなる光電変換層を有する光電変換装置において、第1電極と第2電極との間のリーク電流は、シリコンの側面部分に存在する酸化シリコン層の層厚増加に伴って減少する。そして、酸化シリコン層が層厚50nm以上存在する場合には、第1電極と第2電極との間の絶縁性を十分に保つことができ、光電変換装置の出力低下を防ぐことができる。ここで、酸化シリコン層の層厚が500nm程度でリーク電流は略0となるため、それ以上の層厚にすることでさらなる顕著な効果が得られることはない。本発明の光電変換装置では、前記酸化シリコン層は、非晶質膜からなっていることが好ましい。すなわち、石英ガラス等を除く一般的に使用されるガラスは非晶質の酸化シリコンから形成されている。そして、シリコンからなる光電変換層を有する光電変換装置において、シリコンの側面部分に非晶質の酸化シリコン層が存在することは、該シリコンの側面部分にガラスと同等の絶縁性を持った層が存在することを意味する。この結果、第1電極と第2電極との間の電流のリークを防ぐことができるため、変換効率の低下を抑制し、高い出力を得ることが可能となる。本発明の光電変換装置では、前記シリコンかなる光電変換層の表面には、酸化シリコン層が厚さ3nm以下に形成されていることが好ましい。すなわち、シリコンからなる光電変換層の表面には第2電極が形成されている。ここで、半導体であるシリコンからなる光電変換層の表面に絶縁性の高い酸化シリコン層が存在することは、光電変換層と第2電極との間で正常なオーミック接触が構成されない原因となり、光電変換装置の出力の低下を引き起こす。しかしながら、酸化シリコン層の厚さが3nm以下であれば、オーミック接触の妨げとなるほどの障壁ではないため、高出力を得ることが可能となる。本発明の光電変換装置では、前記基板上には、ストライプ状の第1電極分離溝を有する前記第1電極と、該第1電極の表面に形成されかつ上記第1電極分離溝とは重なり合わないストライプ状の光電変換層分離溝を有する前記光電変換層と、該光電変換層の表面に形成されかつ上記第1電極分離溝及び光電変換層分離溝とは重なり合わないストライプ状のセル分離溝を有する前記第2電極とが積層されており、セル分離溝は、光電変換層分離溝から見て第1電極分離溝とは反対側の領域に形成されている。上記光電変換層の一部は、上記第1電極に穿設された上記第1電極分離溝を通して基板に接しており、上記第2電極の一部は、上記光電変換層に穿設された上記光電変換層分離溝を通して第1電極に接しており、上記セル分離溝は、上記第2電極のみならず上記光電変換層をも分離するように光電変換層側に延びて形成されていることが好ましい。このような構成を有することにより、1つの光電変換装置は、複数のセルに分断され、分断された1つのセルの第2電極とその隣に存在するセルの第1電極とが接触し導通状態となっている。これにより、それぞれのセルは、隣り合うセルと直列接続する。この結果、高出力の光電変換装置を製造することが可能となる。本発明の光電変換装置では、前記基板は、波長800~1200nmの光に対して前記第1電極よりも吸収率が小さいことが好ましい。すなわち、波長が800nm以上かつ1200nm以下の例えばレーザ光に関して、基板はこの波長に対する吸収率が低く、一方で第1電極の吸収率は高い。そのため、レーザ光を基板側から照射しても、レーザ光の大半は基板を透過し、第1電極にて吸収される。これにより、第1電極でのみエッチングを起こすことができ、結果として基板には影響を及ぼすことなく第1電極の除去が可能となる。本発明の光電変換装置では、前記基板は、ガラス基板からなっていると共に、前記第1電極は、ITO、酸化錫又は酸化亜鉛の中のいずれかの材料からなっていることが好ましい。これにより、基板及び第1電極が透明であるので、基板及び第1電極側から光電変換層への光吸収が可能である。このため、太陽光を光電変換層にて吸収して電気エネルギーに変換することができる。本発明の光電変換装置では、前記基板及び第1電極は、波長350~650nmの光に対して前記光電変換層よりも吸収率が小さいことが好ましい。これにより、波長が350nm以上かつ650nm以下のレーザ光に関して、この波長に対する吸収率の小さい基板及び第1電極には影響を与えず、吸収率の大きいシリコンからなる光電変換層のみを選択的に除去することが可能となる。本発明の光電変換装置の製造方法は、上記課題を解決するために、上記記載の光電変換装置を製造するための光電変換装置の製造方法であって、基板上に第1電極を成膜した後、該第1電極の一部を除去して第1電極分離溝を形成する工程と、上記第1電極の表面にシリコンからなる光電変換層を成膜した後、該光電変換層の一部を除去して光電変換層分離溝を形成する工程と、上記光電変換層の表面に第2電極を成膜した後、該第2電極と上記光電変換層との一部を同時に除去してセル分離溝を形成する工程とを含み、上記第1電極分離溝、光電変換層分離溝、及びセル分離溝のうち少なくともセル分離溝の形成を酸素雰囲気下又は水蒸気雰囲気下で熱を加えながら行うことにより、光電変換層の側面に酸化シリコン層を形成することを特徴としている。上記の発明によれば、シリコンからなる光電変換層を有する光電変換装置の製造プロセスにおいて、第1電極分離溝、光電変換層分離溝、及びセル分離溝のうち少なくともセル分離溝の形成を酸素雰囲気下又は水蒸気雰囲気下で熱を加えながら行うことにより、セル分離溝に隣接する光電変換層の側面に酸化シリコン層を形成することが可能となる。尚、側面に酸化シリコン膜を形成する必要があるのは、セル分離溝形成時のみである。このため、第1電極分離溝及び光電変換層分離溝の形成においては、必ずしも酸素雰囲気下又は水蒸気雰囲気下で行う必要はない。したがって、光電変換層を挟む電極間での電流のリークを防ぐことにより、変換効率の低下及び歩留まりの低下を抑制し得る光電変換装置の製造方法を提供することができる。本発明の光電変換装置の製造方法では、前記第1電極分離溝、光電変換層分離溝及びセル分離溝は、レーザ光の照射により形成されることが好ましい。すなわち、固体にレーザ光を照射した場合、レーザ光の照射強度が閾値以上になると、固体表面で電子、熱、光化学又は力学エネルギーに変換される。その結果、中性原子、分子、イオン、クラスター、電子又は光子が射出され、固体表面がエッチングされるレーザアブレーションと呼ばれる物理現象が起こる。この現象を利用し、成膜層の所定の箇所にレーザ光を照射することによって、照射領域の層を除去することができる。そのとき、照射領域では高熱が発生するため、この熱を利用して前記光電変換層のシリコン側面に酸化シリコン膜を形成することが可能となる。この結果、光電変換層を挟む電極間での電流のリークを防ぐことにより、変換効率の低下及び歩留まりの低下を抑制し得る光電変換装置を実現することが可能となる。本発明の光電変換装置の製造方法では、前記レーザ光のパワーは、0.1~10MW/cm2であることが好ましい。すなわち、レーザ光を照射して第1電極分離溝、光電変換層分離溝及びセル分離溝を形成する場合、最低でも除去する対象物がレーザアブレーションを起こすだけのレーザパワーが必要とされる。ここで、シリコンからなる光電変換層を有する光電変換装置の構成材料であれば、通常100kW/cm2以下であってもアブレーションが起こる。このため、膜の除去のみが目的であれば比較的低出力でも実現できる。しかし、本発明においては、パワー0.1~10MW/cm2という高出力のレーザ光を使用している。この理由は、照射領域において酸化シリコン層を形成するために必要な熱を発生させることを目的としているためであり、これによって、照射領域の温度が高くなり、シリコンの酸化反応を促進することができる。本発明の光電変換装置の製造方法では、前記光電変換層分離溝及びセル分離溝を形成すべく前記レーザ光を照射したときの照射領域における前記光電変換層の温度は、3000°C以上であることが好ましい。すなわち、シリコン表面に酸化膜を形成する熱酸化プロセスでは、通常、900~1200°Cにおいて数十分間の熱処理を必要とする。しかし、本発明では、光電変換層分離溝及びセル分離溝を形成すべくレーザ光を照射するときの照射領域における前記光電変換層の温度を、3000°C以上としている。このように、照射領域の温度を3000°C以上の高温にすることによって、より短時間でシリコン表面に酸化シリコン層を形成することができる。尚、光電変換層分離溝には、第2電極が充填されるが、この光電変換層分離溝の内部の第2電極と光電変換層の側面との絶縁性を高めるためには、光電変換層分離溝の側面における光電変換層の側面にも酸化シリコン層を形成することが好ましい。本発明の光電変換装置の製造方法では、前記第1電極分離溝、光電変換層分離溝及びセル分離溝を形成するための基板の移動速度又はレーザ光の走査速度は、0.2m/s以下であることが好ましい。すなわち、パルスレーザ光の連続照射により第1電極分離溝、光電変換層分離溝及びセル分離溝を形成するときに、各パルスにおけるそれぞれの加工領域が重なりを持った状態で溝とするためには、基板の移動速度又はレーザ光の走査速度を0.4m/s以下にする必要がある。また、基板の移動速度又はレーザ光の走査速度を特に0.2m/s以下にすることによって、レーザ光の面内強度にばらつきがあった場合でも、問題なく第1電極分離溝、光電変換層分離溝及びセル分離溝の形成を行うことが可能となる。本発明の光電変換装置の製造方法では、前記第1電極分離溝を形成するための前記レーザ光の波長は、800nm以上かつ1200nm以下であることが好ましい。すなわち、波長が800nm以上かつ1200nm以下のレーザ光に関して、基板はこの波長に対する吸収率が低く、一方で第1電極の吸収率は高い。そのため、レーザ光を基板側から照射しても、レーザ光の大半は基板を透過し、第1電極にて吸収される。これにより、第1電極でのみエッチングを起こすことができ、結果として基板には影響を及ぼすことなく第1電極の除去が可能となる。本発明の光電変換装置の製造方法では、前記光電変換層分離溝及びセル分離溝を形成するための前記レーザ光の波長は、350nm以上かつ650nm以下であることが好ましい。これにより、波長が350nm以上かつ650nm以下のレーザ光に関して、この波長に対する吸収率の小さい基板及び第1電極には影響を与えず、吸収率の大きいシリコンからなる光電変換層のみを選択的に除去することが可能となる。本発明の光電変換装置の製造方法では、前記酸素雰囲気は、酸素濃度が25以上かつ35以下であることが好ましい。すなわち、シリコンからなる光電変換層を有する光電変換装置の製造プロセスにおいて、第1電極分離溝、光電変換層分離溝及びセル分離溝の形成を酸素雰囲気下で行うことによりシリコン側面に酸化シリコン層を形成できるが、そのときの酸素濃度を25以上かつ35以下にすることによって、絶縁性を確保するのに適切な層厚の酸化シリコン層を形成することができる。本発明の光電変換装置の製造方法では、前記水蒸気雰囲気は、湿度が90以上かつ95以下であることが好ましい。すなわち、シリコンからなる光電変換層を有する光電変換装置の製造プロセスにおいて、第1電極分離溝、光電変換層分離溝及びセル分離溝の形成を水蒸気雰囲気で行うことによりシリコン側面に酸化シリコン層を形成できるが、そのときの湿度を90以上にすることによって、絶縁性を確保するのに適切な層厚の酸化シリコン層を形成することができる。本発明の光電変換装置は、以上のように、光電変換層の側面部分は、酸化シリコン層となっているものである。本発明の光電変換装置の製造方法は、以上のように、基板上に第1電極を成膜した後、該第1電極の一部を除去して第1電極分離溝を形成する工程と、上記第1電極の表面にシリコンからなる光電変換層を成膜した後、該光電変換層の一部を除去して光電変換層分離溝を形成する工程と、上記光電変換層の表面に第2電極を成膜した後、該第2電極と上記光電変換層との一部を同時に除去してセル分離溝を形成する工程とを含み、上記第1電極分離溝、光電変換層分離溝、及びセル分離溝のうち少なくともセル分離溝の形成を酸素雰囲気下又は水蒸気雰囲気下で行うことにより、光電変換層のシリコン表面に酸化シリコン層を形成する方法である。それゆえ、光電変換層を挟む電極間での電流のリークを防ぐことにより、変換効率の低下及び歩留まりの低下を抑制し得る光電変換装置及びその製造方法を提供するという効果を奏する。本発明の一実施形態について図1~図8に基づいて説明すれば、以下のとおりである。本実施の形態の光電変換装置の構成について、図1ab及び図2に基づいて説明する。図1aは光電変換装置の構成を示す断面図であり、図1bは光電変換装置の構成を示す平面図である。また、図2は、光電変換装置における基板の構成を示す斜視図である。本実施の形態の光電変換装置10は、図1に示すように、基板1上に、第1電極2とシリコンからなる光電変換層3と第2電極4とをこの順に積層してなっている。詳細には、基板1には、ストライプ状の第1電極分離溝2aを有する第1電極2と、第1電極2の表面に形成されかつ第1電極分離溝2aとは重なり合わないのストライプ状の光電変換層分離溝3aを有する光電変換層3と、該光電変換層3の表面に形成されかつ光電変換層分離溝3aとは重なり合わないストライプ状のセル分離溝11を有する第2電極4とが積層されている。ここで、セル分離溝11は、光電変換層分離溝3aから見て第1電極分離溝2aとは反対側の領域に形成されている。また、光電変換層3の一部は、第1電極2に穿設された上記第1電極分離溝2aを通して基板に接しており、第2電極4の一部は、光電変換層3に穿設された光電変換層分離溝3aを通して第1電極2に接している。さらに、セル分離溝11は、第2電極4のみならず光電変換層3をも分離するように光電変換層3側に延びて形成されている。このように、本実施の形態の光電変換装置10では、1つの光電変換装置10が複数のセルに分断され、分断された1つのセルの第2電極4とその隣に存在するセルの第1電極2とが接触し導通状態となっている。これにより、それぞれのセルは、隣り合うセルと直列接続する。このように、隣り合うセルを直列接続していくことによって、光電変換装置10としての出力を上げることができるものとなっている。上記基板1は、例えば、透明かつ絶縁性を有しており、図2に示すように、例えば、大きさが1m×3mであり、かつ厚さが5mmの無アルカリガラス基板にてなっている。ここで、太陽電池用ガラス基板である基板1に求められる性質としては、加工が容易で表面が平坦かつ滑らかであること、電気的化学的に安定していること、熱や機械的な応力に強いこと、及び光の透過率が高いことが挙げられる。尚、本実施の形態では、基板1として、無アルカリガラスを用いたが上述の条件を満たせばこれに限定されるものではない。ここで、一般的な太陽電池の透明絶縁基板としては、ソーダライムガラスが使用される。ソーダライムガラスは、窓ガラスやスライドガラスにも使用されているものである。ソーダライムガラスは、厚さ数mmといった比較的厚い基板を製造することが可能であるため、太陽電池のように屋外の環境にさらされ、耐久性が必要とされるようなデバイスの基板として汎用性がある。しかし、アルカリ成分を含むために太陽電池用の基板として使用する際にはアルカリ成分が基板上の成膜層に拡散して性能の低下を引き起こす可能性がある。このため、アルカリ成分をもつガラス基板を使用する場合には、予め基板に酸化シリコン等のアルカリ拡散防止膜を成膜する等、ガラス基板から成膜層への拡散を防ぐ対策を講じることが望ましい。一方、本実施の形態の基板1に使用している無アルカリガラスのようなアルカリ成分を含まないガラスは、上述のようなアルカリ拡散防止膜を形成する必要はない。また、石英ガラスは、ガラスとしてもっとも特性がよく、かつ耐久性にも優れている。しかし、その他ガラスに比べて非常に高価であるため、大面積を必要とする太陽電池基板には通常用いられない。次に、上記第1電極2は、図1に示すように、酸化錫をスパッタリングにより膜厚800nmにて成膜した透明導電膜からなっている。この透明導電膜はTCOTransparentConductiveOxide膜とも呼ばれ、上述した酸化錫の他に、酸化亜鉛、錫ドープ酸化インジウムITO又はフッ素ドープ酸化錫FTO等の半導体セラミックスの薄膜を絶縁性基板上に形成することによって、実現可能である。尚、第1電極2の導電率は、10-3[Ωcm]以上であるものが望ましい。また、TCO膜の表面には、テクスチャと呼ばれる高さ100nm程度の凹凸が形成されており、この形状を利用して太陽光を散乱させることによって、より多くの光を光電変換層で吸収させることが可能となる。次に、上記光電変換層3は、図1に示すように、シリコンSiからなっており、詳細には、最下層の非晶質シリコン層31と、非晶質シリコン層31の表面に形成された微結晶シリコン層32と、最上層の表面酸化シリコン層33とからなっている。このように、本実施の形態の光電変換装置10は、1層の非晶質シリコン層31の上に1層の微結晶シリコン層32を堆積させたタンデム型薄膜太陽電池からなっており、現在主流となってきているものである。ここで、微結晶シリコン層32とは、比較的粒径の小さな結晶が集まった結晶シリコンである。ただし、微結晶シリコンに限らず、粒径の大きな結晶シリコンでもよい。上記非晶質シリコン層31と微結晶シリコン層32では、太陽光の波長の中で利用する光の波長域が異なるため、これらを積層構造にすることによって、単層の場合よりも効率よく太陽光エネルギーを電気エネルギーに変換することができる。例えば非晶質シリコン層31の利用波長域は約300nm~700nmであり、微結晶シリコン層32の利用波長域は約500~1000nmである。このため、これらを積層させた場合、約300~1000nmの波長の光を利用することができる。1層の非晶質シリコン層31上に2層の結晶性の異なる結晶質シリコンを堆積することも可能である。これにより、さらに効率よく太陽光を利用できるトリプル型薄膜太陽電池とすることも可能である。尚、本実施の形態では、光電変換層3は、非晶質シリコン層31と微結晶シリコン層32とを有しているが、必ずしもこれに限らず、非晶質シリコン層31だけでもよい。また、これらが、1層以上堆積された構造となっていてもよい。上記非晶質シリコン層31の膜厚は例えば300nmであり、微結晶シリコン層32の膜厚は例えば2000nmである。各非晶質シリコン層31及び微結晶シリコン層32には、p層、i層、n層が形成されている。i層の膜厚については非晶質シリコン層31に比べて微結晶シリコン層32は、光の吸収率が小さいため、各層で同等量の光を吸収しようとすると、微結晶シリコン層32の膜厚は非晶質シリコン層31の膜厚の4倍以上にする必要がある。また、上記表面酸化シリコン層33の膜厚は3nm以下となっている。この表面酸化シリコン層33は、自然酸化により形成される光電変換層3上面の酸化シリコン膜である。本実施の形態では、この表面酸化シリコン層33の膜厚を3nm以下として小さい値に設定している。この理由は、半導体であるシリコンからなる光電変換層3の表面に絶縁性の高い酸化シリコン層が存在することは、光電変換層3と第2電極4との間で正常なオーミック接触が構成されない原因となり、光電変換装置10の出力の低下を引き起こす原因となる。しかしながら、酸化シリコン層の厚さが3nm以下であれば、オーミック接触の妨げとなるほどの障壁ではないため、高出力を得ることが可能となるためである。ここで、オーミック接触とは、金属と半導体との接触における抵抗性の接触のことであり、電流の方向と電圧の大きさとによらず、抵抗値が一定の場合をいう。完全なオーミック接触では、接触界面は純粋な抵抗分だけを持つことになる。これはとりも直さず、電圧Vが係数Rで電流Iに比例するオームの法則に従うことを意味するので、このような界面はオーミックと名付けられている。実際の界面では、抵抗値は多少の電圧電流による変動分があることが殆どであるが、そのような実際の界面もオーミック接触と呼ばれている。次に、上記第2電極4は、裏面電極として機能するものであり、例えば銀をスパッタリングにより膜厚200nmにて成膜した銀電極からなっている。裏面電極は、低抵抗、高導電率を有するだけでなく、光電変換層3が利用する波長域に対して高い反射率を有するものが望ましい。すなわち、光電変換層3として光吸収率の低い材料が使用された場合、光電変換層3で吸収されなかった光は電気エネルギーに変換することができないため、効率低下の原因となる。そこで、光電変換層3を透過してきた光を裏面電極で反射させ、再度、光電変換層3で吸収させることによって、効率よく光を吸収することができる。そのため、裏面電極としては高導電率、高反射率材料を用いることが望ましい。ここで、銀電極は、太陽光のうち、非晶質シリコン層31又は微結晶シリコン層32が主として利用する波長域である400~700nmの光に対する反射率が90以上である。このため、裏面電極に適した材料である。尚、第2電極4は、必ずしも銀電極に限らず、例えば、金属電極と光電変換層3との間に酸化亜鉛ZnOのような透明導電膜を成膜した裏面電極を用いることが可能である。また、第2電極4として、アルミニウムAlを用いることも可能である。次に、本実施の形態では、光電変換層3の側面部分は、酸化シリコン層としての側面酸化シリコン層34となっている。すなわち、基板1上に、第1電極2とシリコンからなる光電変換層3と第2電極4とをこの順に積層してなっている光電変換装置10では、高出力のレーザ光を照射することにより、モジュールを複数のセルに分断するスクライブ加工を行うときに、発生する熱によってスクライブ加工溝の側面の半導体であるシリコンが結晶化して導電性のよい結晶シリコンが形成される。この結果、シリコンからなる光電変換層3の側面部分における絶縁性が保たれず、電流のリークが発生し、変換効率の低下及び歩留まりの低下を引き起こすという問題が生じる。そこで、本実施の形態の光電変換装置10では、光電変換層3の側面部分を、酸化シリコン層としている。この側面酸化シリコン層34は、非晶質からなっており、絶縁体である。すなわち、本実施の形態では、複数のセルに分断するスクライブ加工を、高出力のレーザ光を照射して行ったとしても、製造物においては光電変換層3の側面部分は、絶縁体である側面酸化シリコン層34となっている。この結果、第1電極2と第2電極4との間で、光電変換層3の側面部分から電流がリークするのを防止することができる。したがって、光電変換層3を挟む第1電極2と第2電極4との間での電流のリークを防ぐことにより、変換効率の低下及び歩留まりの低下を抑制し得る光電変換装置10を提供することができる。ここで、本実施の形態では、側面酸化シリコン層34における、光電変換層3の側面に直交する方向の層厚は、50nm以上かつ500nm以下としている。すなわち、シリコンからなる光電変換層3を有する光電変換装置10において、第1電極2と第2電極4との間のリーク電流は、シリコンの側面部分に存在する側面酸化シリコン層34の層厚増加に伴って減少する。そして、側面酸化シリコン層34が層厚50nm以上存在する場合には、第1電極2と第2電極4との間の絶縁性を十分に保つことができ、光電変換装置10の出力低下を防ぐことができる。ここで、側面酸化シリコン層34の層厚が500nm程度でリーク電流は略0となるため、それ以上の層厚にすることでさらなる顕著な効果が得られることはない。また、本実施の形態の光電変換装置10では、側面酸化シリコン層34は、非晶質膜からなっている。すなわち、石英ガラス等を除く一般的に使用されるガラスは非晶質の酸化シリコンから形成されている。そして、シリコンからなる光電変換層3を有する光電変換装置10において、シリコンの側面部分に非晶質の側面酸化シリコン層34が存在することは、該シリコンの側面部分にガラスと同等の絶縁性を持った層が存在することを意味する。この結果、第1電極2と第2電極4との間の電流のリークを防ぐことができるため、変換効率の低下を抑制し、高い出力を得ることが可能となる。上記構成の光電変換装置10の製造方法について、図3ab~図5abcに基づいて以下に説明する。尚、図3abは第1電極2の成膜及び第1電極分離溝2aの形成工程を示す断面図であり、図4abは光電変換層3の成膜及び光電変換層分離溝3aの形成工程を示す断面図であり、図5abは第2電極4の成膜及びセル分離溝11の形成工程を示す断面図である。まず、図3aに示すように、例えば厚さ5mmのガラス基板等の基板1を平面方向に稼働する図示しない稼動ステージの上に設置し、基板1の表面に、第1電極2としての酸化錫を、スパッタリングにより例えば膜厚800nmにて成膜する。尚、第1電極2の表面には、100nm程度の凹凸ができる。次いで、第1電極2に第1電極分離溝2aを形成すべく、レーザ照射装置を用いて、レーザ光によるスクライブ加工を行う。スクライブ加工に用いられるレーザは、一般的にエキシマ、CO2等の気体レーザやYAGのような固体レーザ又は半導体レーザが用いられるが、これらに限定されるものではない。ここで、高出力のレーザ光を照射することによって行う膜の除去法は、レーザアブレーションと呼ばれる物理現象を利用したものである。レーザアブレーションは一般的にレーザ光の照射強度が閾値以上になると、固体表面で電子、熱、光化学、又は力学エネルギーに変換され、その結果中性原子、分子、イオン、クラスター、電子、光子が射出され、固体表面がエッチングされる現象である。図3bに示すように、上記稼動ステージを動かしながら固定された図示しないレーザ照射装置にてパルスレーザを基板1側から連続照射することによって、酸化錫膜からなる第1電極2のレーザスクライブ加工を行う。尚、このスクライブ加工は、基板1を固定ステージに設置し、レーザ光を走査させながら照射することでも行うことが可能である。レーザには、例えば波長1064nmのQスイッチYAGレーザを用いることができる。基板1はこの波長に対する吸収率が低く、一方、酸化錫からなる第1電極2の吸収率は高い。そのため、基板1側から照射してもレーザ光の大半は透過し、第1電極2で吸収される。これにより、基板1には影響を及ぼすことなく、第1電極2でのみアブレーションを起こすことができ、結果として酸化錫膜の除去が可能となる。尚、使用するレーザ光の波長としては酸化錫からなる第1電極2の吸収率が大きい800~1200nmの範囲内であることが必要であり、望ましくは1000nm付近であるものがよい。その他のパルスレーザ条件として、パルス周波数5kHz、照射時間100nsec、レーザパワー1MW/cm2、パルスレーザ照射面積80μmφに設定する。そして、稼動ステージをY方向に0.1m/sの速さで、レーザ光が基板1のY方向の端から端まで照射されるように動かすことにより、Y方向に1本の第1電極分離溝2aを形成する。その後、稼動ステージをX方向に移動さながら同様の加工を繰り返し、1cm間隔で10本の第1電極分離溝2aを形成する。尚、パルスレーザ連続照射時のY方向のステージ移動速度に関して、スクライブ領域を溝の形状とするには、連続する2回のパルスレーザの照射領域が重なりを有するような速度で稼動ステージを動かす必要がある。本実施の形態で使用したパルスレーザは周波数が5kHz、照射領域が80μmφであるため、稼動ステージの動作速度が0.4m/s以下であれば条件を満たし、さらに、レーザ光の照射面内強度が中心部に比べ周辺部では弱くなることを考慮すると0.2m/s以下であることが望ましい。また、レーザスクライブ加工により除去された領域は発電には寄与しないため、加工領域が大きくなるほど発電量は低下する。そのため、レーザ光照射領域が小さいほどセルの発電量は大きくなる。しかし、極めて小さい照射面積のレーザ光を用いてスクライブ加工を行うと加工溝の幅は狭くなり、加工溝の中に存在するごく小さな塵であっても隣のセルとの導通を引き起こす原因となり、結果として光電変換装置10の性能低下を引き起こす可能性がある。そのため、照射領域が極めて小さいレーザ光によるスクライブ加工においては、Y方向にレーザ光を1列照射した後に、その照射列と重なりを持つ範囲内でX方向に稼動ステージを移動させ、Y方向のスクライブ加工溝と平行になるように再び照射させていくことによって、X方向に幅を持った加工溝を形成することができる。次いで、図4aに示すように、光電変換層3として、1層からなる非晶質シリコン層31と、同様に1層からなる微結晶シリコン層32とを、13MHzの高周波プラズマCVDにより積層する。膜厚は、非晶質シリコン層31が例えば300nmであり、微結晶シリコン層32が例えば2000nmとする。それぞれのシリコン層には、p層、i層、n層を形成する。尚、i層の膜厚については、非晶質シリコン層31に比べて微結晶シリコン層32は光の吸収率が小さい。このため、それぞれの層で同等量の光を吸収しようとすると、微結晶シリコン層32の膜厚は非晶質シリコン層31の膜厚の4倍以上にする必要がある。次に、図4bに示すように、光電変換層3に光電変換層分離溝3aを形成する。光電変換層分離溝3aは、前記第1電極分離溝2aから例えば150μm離れた場所に、基板1の表面から見て第1電極分離溝2aと平行になるように、基板1側からレーザ光を照射してスクライブ加工を行う。このとき、Nd-YAGレーザの波長は、KTP結晶を組み込むことによって、従来の波長1064nmの半分である532nmとする。これにより、この波長に対する吸収率の小さい基板1及び第1電極2には影響を与えず、吸収率の大きい非晶質シリコン層31及び微結晶シリコン層32のみを選択的に除去することができる。尚、レーザ光の波長は、非晶質シリコン層31の吸収率が高い波長域である350~650nmの範囲内であることが必要であり、望ましくは500nm付近であることがよい。この理由は、以下のとおりである。すなわち、この波長域は、微結晶シリコン層32の吸収率が小さく、微結晶シリコン層32ではアブレーションが起こらない可能性もある。しかし、吸収率の高い下層の非晶質シリコン層31がアブレーションを起こすことにより、それと同時に微結晶シリコン層32も基板1の表面から射出されるからである。逆に、700nm程度の波長のレーザ光を使用すると、微結晶シリコン層32の吸収率が大きいため、微結晶シリコン層32でのアブレーションは起こるが、下層にある非晶質シリコン層31が除去されずに基板1上に残留してしまい、不良の原因となる可能性があるためである。また、上記のレーザ光のレーザパワーは2MW/cm2とし、その他のレーザ条件は第1電極分離溝2aの加工時と同条件とした。次いで、図5aに示すように、裏面電極である第2電極4として、銀をスパッタリングにより例えば膜厚200nmにて成膜する。第2電極4には、低抵抗、高導電率を有するだけでなく、光電変換層が利用する波長域に対して高い反射率を有するものが望ましい。ここで、銀電極からなる第1電極2は、太陽光のうち、非晶質シリコン層31又は微結晶シリコン層32が主として利用する波長域である400~700nmの光に対する反射率が90以上であるため、第2電極4に適した材料である。次に、図5bに示すように、第2電極4及び光電変換層3にセル分離溝11を形成する。セル分離溝11は、光電変換層分離溝3aから例えば200μm離れた場所に、基板1の表面から見て、光電変換層分離溝3aと平行になるように。基板1側からレーザ光を照射して、スクライブ加工を行う。レーザの条件は、光電変換層分離溝3aのスクライブ加工時と同条件とする。セル分離溝11のスクライブ加工では、非晶質シリコン層31及び微結晶シリコン層32層に加え、銀からなる第2電極4も同時に除去を行う。ここで、銀は波長532nmのレーザ光の吸収率が低く、アブレーションは起こらない。しかし、非晶質シリコン層31及び微結晶シリコン層32がアブレーションを起こすことによって、シリコン原子、分子の激しい射出に伴い、銀も同時に飛ばされるため、結果として、レーザ光照射領域と略同じ領域で銀電極もスクライブされる。また、セル分離溝11のスクライブ加工は、密閉空間内において酸素濃度を30にした酸素雰囲気中で実施する。これにより、セル分離溝11の側壁から非晶質シリコン層31及び微結晶シリコン層32側へ側面酸化シリコン層34を形成することができる。酸素雰囲気の形態は、このように密閉された空間に酸素濃度の高い気体を封入しておくことに限らない。すなわち、例えば、吸気口と排気口とを有した、閉じられた空間において、空間内の気圧が一定となるように排気口から排気しつつ吸気口から酸素濃度の高い気体を供給することによっても実現することが可能である。尚、側面酸化シリコン層34を形成するためには、酸素濃度は25以上35以下で行うことが望ましい。この理由を、図6に基づいて説明する。図6は、セル分離溝11形成時の酸素雰囲気下における酸素濃度と、形成された側面酸化シリコン層の抵抗値との関係を示すグラフである。図6に示すように、第1電極2と第2電極4とのリーク電流を抑えるためには、セル分離溝11の側壁に形成される側面酸化シリコン層34は、最低でも500kΩ以上の抵抗値を有する必要がある。また、リーク電流を無視できるほどにするためには、560kΩ以上の抵抗値が必要である。ここで、560kΩの側面酸化シリコン層34を形成するための酸素濃度は25である。したがって、酸素濃度25が下限となる。一方、抵抗値は、酸素濃度の上昇に伴って飽和していき、酸素濃度が35から50に上昇しても、抵抗値は610kΩから620kΩへと10kΩしか増加しないため、35以上の酸素濃度にするメリット小さい。それに加え、必要以上に高い酸素濃度にした場合には、製造過程での危険性が増すという観点からも酸素濃度は上限35であることが望ましいと考えられる。ここで、上述した酸素濃度30の酸素雰囲気下と同程度の酸化効果を水蒸気雰囲気下で実現することが可能である。この場合、湿度90以上で行うことが求められる。この理由を、図7に基づいて説明する。図7は、セル分離溝11形成時の水蒸気雰囲気下における湿度と、形成された側面酸化シリコン層の抵抗値との関係を示すグラフである。図7に示すように、側面酸化シリコン層34の抵抗値を560kΩにするためには、湿度は90以上である必要があり。尚、製造装置の腐食防止やメンテナンス、及び製造のし易さの観点から上限を95とすることが好ましい。上記水蒸気雰囲気下を作り出すための代表的な例としては、バブラー方式がある。バブラー方式は恒温水槽で一定温度に保たれた純水タンクに混合ガスをバブリングさせ、純水の温度に応じた飽和水蒸気を混合ガスに含ませてチャンバー内に送り込むことによって、水蒸気雰囲気下を実現する方式である。バブラーからチャンバーまでの配管には、水蒸気の凝縮を防ぐヒーターを設ける。また、チャンバーには排気ポンプを付属させ、混合ガスの送気量と排気管のしぼり弁とのバランスでチャンバーの内圧を制御する。また、上記酸素雰囲気下又は水蒸気雰囲気下において、空間内の圧力を10~200気圧の高圧状態とすることによって、より質のよい側面酸化シリコン層34を形成することができる。ここで、表面酸化シリコン層33の膜厚とリーク電流との関係を、図8に基づいて説明する。図8に示すように、リーク電流は側面酸化シリコン層34の膜厚増加に伴って減少し、側面酸化シリコン層34が50nm以上であれば絶縁は十分に保たれると考えられる。また、スクライブ加工時のレーザパワーを上げ、照射時間を長くすることにより側面酸化シリコン層34はより厚く形成できると考えられる。しかし、500nmの膜厚でリーク電流はほぼ0となるため、これ以上の膜厚にする必要はない。また、レーザ光の照射により必要以上に熱を発生させることは基板1やその他の積層膜に悪影響を及ぼす可能性もあるため、側面酸化シリコン層34は膜厚50~500nmで形成することが望ましい。これらを考慮し、本実施の形態では、300nmの側面酸化シリコン層34を形成している。尚、図6から判るように、酸素濃度25~35の酸素雰囲気下、又は湿度90以上の水蒸気雰囲気下にて、セル分離溝11の形成を行うことにより50~500nmの膜厚の側面酸化シリコン層34を得ることができる。また、光電変換層3における非晶質シリコン層31及び微結晶シリコン層32の側面に側面酸化シリコン層34を形成した場合の、微結晶シリコン層32上面の表面酸化シリコン層33の膜厚は1nm以下である。なぜなら、微結晶シリコン層32上面で酸化が起こるのは微結晶シリコン層32の堆積後から銀電極である第2電極4を形成するまでの間で起こる自然酸化のみである。通常、非常に結晶性の良い結晶シリコン表面であっても自然酸化による酸化シリコン膜の形成は10nm以下である。このため、今回のような微結晶シリコン層32においては、それよりも薄くなる。また、セル分離溝11のスクライブ加工を行う段階では、既に、微結晶シリコン層32の上面には、裏面電極である第2電極4が形成されおり、酸素雰囲気下又は水蒸気雰囲気下にさらされていない。このため、レーザ光の熱により微結晶シリコン層32の上面の端部が高温状態となったとしても、そこでの表面酸化シリコン層33の形成は起こらないからである。ここで、スクライブ加工において、2MW/cm2のパワーを有するレーザ光を80μmφ領域に照射したとき、非晶質シリコン層31の熱伝導率が10W/m°Cであることを考慮すると、照射領域で発生する熱は約3100°Cと推測される。シリコンの融点は1440°C、沸点は2600°Cであることから、前記条件でレーザを照射したときの照射領域でのシリコン温度は沸点以上となる。そのため、アブレーションによる膜の除去でレーザ照射領域にシリコンの残渣が存在した場合でも気化により残渣を消失させることができる。この結果、きれいな加工溝が形成し易く、シリコン残渣に起因するセル間のリークを防ぐことが可能になるという効果がある。また、照射領域の温度が3100°Cである場合、セル分離溝11の側壁でもこれと同程度まで温度が上昇していると考えられる。通常、酸素雰囲気中で表面に酸化シリコン層を形成し易い結晶性の良いシリコンであっても、表面酸化膜を形成するには、900~1200°Cで数十分程度の熱処理を行う必要がある。しかし、この熱処理温度に比べレーザ光の照射により発生する熱は極めて高いため、100nsecという短時間のレーザ照射による加熱であっても非晶質シリコン層31又は微結晶シリコン層32の側面に側面酸化シリコン層34を形成することが可能となる。また、仮に、基板1全体を900~1200°Cにしようとすると、基板1の軟化点がそれよりも低いために、基板1が耐えきれずに変形してくる。しかしながら、レーザ光の照射による熱の発生は、極めて局所的であること、また高温状態となるのは一瞬であり、直ぐに周囲の温度付近まで低下することから、基板1への影響は殆どない。また、形成される側面酸化シリコン層34に関して、酸化性気体又は酸化性液体と非晶質シリコン層31との反応により側面酸化シリコン層34が形成されるプロセスにおいては、降温速度が、形成される側面酸化シリコン層34の結晶性に影響してくる。降温がゆっくりとなされた徐冷プロセスでは水晶のような結晶性のよい物質が形成されるが、逆に一瞬にして降温する急冷プロセスの場合には、一般的なガラスのような非晶質の物質ができる。ここで、レーザ光の照射による側面酸化シリコン層34の形成を考えると、そのプロセスは数10~100nsecの間に温度が上昇し、すぐさま冷却される。これは上述の急冷プロセスに相当すると考えられるため、レーザ加工溝の側面には非晶質の側面酸化シリコン層34が形成される。尚、レーザ照射による加熱で非晶質シリコン層31又は微結晶シリコン層32の側面が融点以上まで温度上昇すると液化が起こるが、この液化は極めて瞬間的なものであるためレーザ加工溝の形状に影響を与えることはない。また、銀電極である第2電極4を成膜する前に行う光電変換層分離溝3aのスクライブ加工は、必ずしもセル分離溝11のスクライブ加工時のように酸素雰囲気下で行う必要性はない。なぜなら、スクライブ加工された光電変換層分離溝3aは、その後に形成される銀電極である第2電極4の成膜により埋められ、銀電極である第2電極4と酸化錫膜である第1電極2とは導通状態となる。そのため、仮に、光電変換層分離溝3aのスクライブ加工により、光電変換層分離溝3aの側壁でシリコンの結晶化が起き、導通状態が発生していたとしてもそれは問題にはならないからである。最後に、本実施の形態においては、光電変換装置10等の太陽電池モジュールの劣化を防ぐために、第2電極4の表面に、ポリフッ化ビニルPVF、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンPE、又は無機材料Al、SiO2等を積層したバックシートと呼ばれる図示しない裏面保護膜を接着している。通常、太陽電池モジュールは、屋外に設置されることが多いが、屋外の環境にセルが曝されることは、経時劣化に、より著しい性能低下を招く原因となり得る。そこで、耐候性がよく、電気的、機械的な特性も優れたバックシートを用いることにより、太陽電池モジュールの寿命を延ばすことができる。なお、太陽電池セルとバックシートとの間には、エチレン酢酸ビニル共重合樹脂EVAのような封止材が充填されており、加圧加熱処理を行うことによって、セルとバックシートとの接着性を高め、スクライブ加工溝の凹凸部分にも外気が触れないような構造となっている。封止材には、透明性や柔軟性のほか、接着性、引張強度、耐候性などが必要となってくるため、各種添加材が配合されているものを一般的に使用する。以上の製造方法により、光電変換装置10を製造して特性を評価したところ、これまで問題であった透明導電膜と裏面電極の電流のリークによる出力の低下は見られなかった。このように、本実施の形態の光電変換装置10及びその製造方法によれば、レーザスクライブ加工を酸素雰囲気下等で行うことにより、レーザ光によるスクライブ加工時に発生する熱によって、セル分離溝11の側壁に絶縁性の高い側面酸化シリコン層34を形成することにより、同領域での非晶質シリコン層31又は微結晶シリコン層32の結晶化を防ぐことができる。その結果、第1電極2と第2電極4との結晶シリコンを介しての電流リークの発生が抑えられ、優れた性能の薄膜シリコン型の光電変換装置10を提供することが可能となる。また、これにより、薄膜太陽電池内の直列構造が正常に機能することによって、性能低下を防ぐことができ、結果として高出力を得る光電変換装置10を得ることが可能となる。以上のように、本実施の形態の光電変換装置10は、基板1上に、第1電極2とシリコンからなる光電変換層3と第2電極4とをこの順に積層してなっている。このような、光電変換装置10では、高出力のレーザ光を照射することにより、モジュールを複数のセルに分断するスクライブ加工を行うときに、発生する熱によってスクライブ加工溝の側面の半導体であるシリコンが結晶化して導電性のよい結晶シリコンが形成される。この結果、シリコンからなる光電変換層3の側面部分における絶縁性が保たれず、電流のリークが発生し、変換効率の低下及び歩留まりの低下を引き起こすという問題が生じる。そこで、本実施の形態の光電変換装置10では、光電変換層3の側面部分は、側面酸化シリコン層34となっている。この側面酸化シリコン層34は、非晶質からなっており、絶縁体である。すなわち、複数のセルに分断するスクライブ加工を、高出力のレーザ光を照射して行ったとしても、製造物においては光電変換層3の側面部分は、絶縁体である側面酸化シリコン層34となっている。この結果、第1電極2と第2電極4との間で、光電変換層3の側面部分から電流がリークするのを防止することができる。したがって、光電変換層3を挟む第1電極2と第2電極4との間での電流のリークを防ぐことにより、変換効率の低下及び歩留まりの低下を抑制し得る光電変換装置10を提供することができる。また、本実施の形態の光電変換装置10では、側面酸化シリコン層34における、光電変換層3の側面に直交する方向の層厚は、50nm以上かつ500nm以下である。これにより、側面酸化シリコン層34が層厚50nm以上存在する場合には、第1電極と第2電極との間の絶縁性を十分に保つことができ、光電変換装置の出力低下を防ぐことができる。また、酸化シリコン層の層厚が500nm程度でリーク電流は略0となるため、それ以上の層厚にすることでさらなる顕著な効果が得られることはない。また、本実施の形態の光電変換装置10では、側面酸化シリコン層34は、非晶質膜からなっている。このように、シリコンの側面部分に非晶質の側面酸化シリコン層34が存在することは、該シリコンの側面部分にガラスと同等の絶縁性を持った層が存在することを意味する。この結果、第1電極2と第2電極4との間の電流のリークを防ぐことができるため、変換効率の低下を抑制し、高い出力を得ることが可能となる。また、本実施の形態の光電変換装置10では、シリコンかなる光電変換層3の表面には、表面酸化シリコン層33が厚さ3nm以下に形成されている。このように、表面酸化シリコン層33の厚さが3nm以下であれば、オーミック接触の妨げとなるほどの障壁ではないため、高出力を得ることが可能となる。また、本実施の形態の光電変換装置10では、基板1上には、ストライプ状の第1電極分離溝2aを有する第1電極2と、第1電極2の表面に形成されかつ第1電極分離溝2a及び第1電極分離溝2aとは重なり合わないストライプ状の光電変換層分離溝3aを有する光電変換層3と、光電変換層3の表面に形成されかつ第1電極分離溝2a及び光電変換層分離溝3aとは重なり合わないストライプ状のセル分離溝11を有する第2電極4とが積層されている。ここで、セル分離溝11は、光電変換層分離溝3aから見て第1電極分離溝2aとは反対側の領域に形成されている。光電変換層3の一部は、第1電極2に穿設された第1電極分離溝2aを通して基板1に接している。第1電極分離溝2aの一部は、光電変換層3に穿設された光電変換層分離溝3aを通して第1電極2に接している。セル分離溝11は、第2電極4のみならず光電変換層3をも分離するように光電変換層3側に延びて形成されている。このような構成を有することにより、1つの光電変換装置10は、複数のセルに分断され、分断された1つのセルの第2電極4とその隣に存在するセルの第1電極2とが接触し導通状態となっている。これにより、それぞれのセルは、隣り合うセルと直列接続する。この結果、高出力の光電変換装置10を製造することが可能となる。また、本実施の形態の光電変換装置10では、基板1は、波長800~1200nmの光に対して第1電極2よりも吸収率が小さい。すなわち、基板1はこの波長に対する吸収率が低く、一方で第1電極2の吸収率は高い。そのため、レーザ光を基板1側から照射しても、レーザ光の大半は基板1を透過し、第1電極2にて吸収される。これにより、第1電極2でのみレーザアブレーションを起こすことができ、結果として基板1には影響を及ぼすことなく第1電極2の除去が可能となる。また、本実施の形態の光電変換装置10では、基板1は、ガラス基板からなっていると共に、第1電極2、ITO、酸化錫又は酸化亜鉛の中のいずれかの材料からなっている。これにより、基板1及び第1電極2が透明であるので、基板1及び第1電極2側から光電変換層3への光吸収が可能である。このため、太陽光を光電変換層3にて吸収して電気エネルギーに変換することができる。また、本実施の形態の光電変換装置10では、基板1及び第1電極2は、波長350~650nmの光に対して前記光電変換層よりも吸収率が小さい。これにより、波長が350nm以上かつ650nm以下のレーザ光に関して、この波長に対する吸収率の小さい基板1及び第1電極には影響を与えず、吸収率の大きいシリコンからなる光電変換層3のみを選択的に除去することが可能となる。また、この波長域は、光電変換層3における微結晶シリコン層32の吸収率はあまり大きくはなく、微結晶シリコン層32ではレーザアブレーションが起こらない可能性もある。しかし、吸収率の高い下層の非晶質シリコン層31がレーザアブレーションを起こすことにより、それと同時に微結晶シリコン層32も基板1の表面から射出されるため、非晶質シリコン層31及び微結晶シリコン層32の両方のシリコン層を同時に除去することができる。また、本実施の形態の光電変換装置10の製造方法は、基板1上に第1電極2を成膜した後、該第1電極2の一部を除去して第1電極分離溝2aを形成する工程と、第1電極2の表面にシリコンからなる光電変換層3を成膜した後、光電変換層3の一部を除去して光電変換層分離溝3aを形成する工程と、光電変換層3の表面に第2電極4を成膜した後、第2電極4と光電変換層3との一部を同時に除去してセル分離溝11を形成する工程とを含む。そして、第1電極分離溝2a、光電変換層分離溝3a、及びセル分離溝11のうち少なくともセル分離溝11の形成を酸素雰囲気下又は水蒸気雰囲気下で熱を加えながら行うことにより、光電変換層3の側面に側面酸化シリコン層34を形成する。これにより、シリコンからなる光電変換層3を有する光電変換装置10の製造プロセスにおいて、第1電極分離溝2a、光電変換層分離溝3a、及びセル分離溝11のうち少なくともセル分離溝11の形成を酸素雰囲気下又は水蒸気雰囲気下で熱を加えながら行うことにより、セル分離溝11に隣接する光電変換層3の側面に側面酸化シリコン層34を形成することが可能となる。尚、側面に酸化シリコン膜を形成する必要があるのは、セル分離溝11形成時のみである。このため、第1電極分離溝2a及び光電変換層分離溝3aの形成においては、必ずしも酸素雰囲気下又は水蒸気雰囲気下で行う必要はない。したがって、光電変換層3を挟む第1電極2と第2電極4との間での電流のリークを防ぐことにより、変換効率の低下及び歩留まりの低下を抑制し得る光電変換装置10の製造方法を提供することができる。また、本実施の形態の光電変換装置10の製造方法では、第1電極分離溝2a、光電変換層分離溝3a及びセル分離溝11は、レーザ光の照射により形成される。すなわち、固体にレーザ光を照射した場合、レーザ光の照射強度が閾値以上になると、固体表面で電子、熱、光化学又は力学エネルギーに変換される。その結果、中性原子、分子、イオン、クラスター、電子又は光子が射出され、固体表面がエッチングされるレーザアブレーションと呼ばれる物理現象が起こる。この現象を利用し、成膜層の所定の箇所にレーザ光を照射することによって、照射領域の層を除去することができる。そのとき、照射領域では高熱が発生するため、この熱を利用して光電変換層3のシリコン側面に側面酸化シリコン層34を形成することが可能となる。この結果、光電変換層3を挟む第1電極2と第2電極4との間での電流のリークを防ぐことにより、変換効率の低下及び歩留まりの低下を抑制し得る光電変換装置10の製造方法を提供することができる。また、本実施の形態の光電変換装置10の製造方法では、レーザ光のパワーは、0.1~10MW/cm2である。すなわち、レーザ光を照射して第1電極分離溝2a、光電変換層分離溝3a及びセル分離溝11を形成する場合、最低でも除去する対象物がレーザアブレーションを起こすだけのレーザパワーが必要とされる。ここで、シリコンからなる光電変換層3を有する光電変換装置10の構成材料であれば、通常100kW/cm2以下であってもアブレーションが起こる。このため、膜の除去のみが目的であれば比較的低出力でも実現できる。しかし、本実施の形態においては、パワー0.1~10MW/cm2という高出力のレーザ光を使用している。この理由は、照射領域において酸化シリコン層を形成するために必要な熱を発生させることを目的としているためであり、これによって、照射領域の温度が高くなり、シリコンの酸化反応を促進することができる。また、本実施の形態の光電変換装置10の製造方法では、光電変換層分離溝3a及びセル分離溝11を形成すべくレーザ光を照射したときの照射領域における光電変換層3の温度は、3000°C以上である。すなわち、シリコン表面に酸化膜を形成する熱酸化プロセスでは、通常、900~1200°Cにおいて数十分間の熱処理を必要とする。しかし、本実施の形態では、光電変換層分離溝3a及びセル分離溝11を形成すべくレーザ光を照射するときの照射領域における光電変換層3の温度を、3000°C以上としている。このように、照射領域の温度を3000°C以上の高温にすることによって、より短時間でシリコン表面に酸化シリコン層を形成することができる。尚、光電変換層分離溝3aには、第2電極4が充填されるが、この光電変換層分離溝3aの内部の第2電極4と光電変換層3の側面との絶縁性を高めるためには、光電変換層分離溝3aの側面における光電変換層3の側面にも側面酸化シリコン層34を形成することが好ましい。また、本実施の形態の光電変換装置10の製造方法では、第1電極分離溝2a、光電変換層分離溝3a及びセル分離溝11を形成するための基板1の移動速度又はレーザ光の走査速度は、0.2m/s以下である。すなわち、パルスレーザ光の連続照射により第1電極分離溝2a、光電変換層分離溝3a及びセル分離溝11を形成するときに、各パルスにおけるそれぞれの加工領域が重なりを有した状態で溝とするためには、基板1の移動速度又はレーザ光の走査速度を0.4m/s以下にする必要がある。また、基板1の移動速度又はレーザ光の走査速度を特に0.2m/s以下にすることによって、レーザ光の面内強度にばらつきがあった場合でも、問題なく第1電極分離溝2a、光電変換層分離溝3a及びセル分離溝11の形成を行うことが可能となる。また、本実施の形態の光電変換装置10の製造方法では第1電極分離溝2aを形成するためのレーザ光の波長は、800nm以上かつ1200nm以下である。すなわち、波長が800nm以上かつ1200nm以下のレーザ光に関して、基板1はこの波長に対する吸収率が低く、一方で第1電極2の吸収率は高い。そのため、レーザ光を基板1側から照射しても、レーザ光の大半は基板1を透過し、第1電極2にて吸収される。これにより、第1電極2でのみレーザアブレーションを起こすことができ、結果として基板1には影響を及ぼすことなく第1電極2の除去が可能となる。また、本実施の形態の光電変換装置10の製造方法では、光電変換層分離溝3a及びセル分離溝11を形成するためのレーザ光の波長は、350nm以上かつ650nm以下である。これにより、波長が350nm以上かつ650nm以下のレーザ光に関して、この波長に対する吸収率の小さい基板1及び第1電極2には影響を与えず、吸収率の大きいシリコンからなる光電変換層3のみを選択的に除去することが可能となる。また、この波長域は、光電変換層3における微結晶シリコン層32の吸収率はあまり大きくはなく、微結晶シリコン層32ではレーザアブレーションが起こらない可能性もある。しかし、吸収率の高い下層の非晶質シリコン層31がレーザアブレーションを起こすことにより、それと同時に微結晶シリコン層32も基板1の表面から射出されるため、非晶質シリコン層31及び微結晶シリコン層32の両方のシリコン層を同時に除去することができる。また、本実施の形態の光電変換装置10の製造方法では、酸素雰囲気は、酸素濃度が25以上かつ35以下である。すなわち、シリコンからなる光電変換層3を有する光電変換装置10の製造プロセスにおいて、第1電極分離溝2a、光電変換層分離溝3a及びセル分離溝11の形成を酸素雰囲気下で行うことによりシリコン側面に側面酸化シリコン層34を形成できるが、そのときの酸素濃度を25以上かつ35以下にすることによって、絶縁性を確保するのに適切な層厚の側面酸化シリコン層34を形成することができる。また、本実施の形態の光電変換装置10の製造方法では、水蒸気雰囲気は、湿度が90以上かつ95以下である。すなわち、シリコンからなる光電変換層3を有する光電変換装置10の製造プロセスにおいて、第1電極分離溝2a、光電変換層分離溝3a及びセル分離溝11の形成を水蒸気雰囲気で行うことによりシリコン側面に側面酸化シリコン層34を形成できるが、そのときの湿度を90以上にすることによって、絶縁性を確保するのに適切な層厚の側面酸化シリコン層34を形成することができる。尚、本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。