陽極酸化膜の製造方法であって、1SiO2が被覆された脱脂洗浄後の絶縁性基板上に、金属又は金属窒化物よりなる密着層を成膜後、Al層を成膜し、2前記Al層の上にSiO2層を成膜し、3前記SiO2層の上に電子線ポジレジストをコートし、4前記電子線レジストコートを電子線リソグラフィにより所望のパターンを描画し、5表面にパターンが形成された前記SiO2層を選択的に乾式あるいは湿式でエッチし、6前記SiO2層をマスクとして、前記Al層の陽極酸化を行い、7残留するレジストコートを完全剥離する工程で、高規則性陽極酸化アルミナ膜を形成することを特徴とする陽極酸化膜の製造方法。請求項1記載の製造方法であって、SiO2層の層厚が20~100nmの範囲であることを特徴とする陽極酸化膜の製造方法。請求項1記載の製造方法であって、電子線ポジレジストコートの厚みが100~300nmの範囲であることを特徴とする陽極酸化膜の製造方法。請求項1記載の製造方法であって、Al層の成膜がCVD法あるいはスパッタによることを特徴とする陽極酸化膜の製造方法。請求項1記載の製造方法であって、SiO2層成膜がPVD法によることを特徴とする陽極酸化膜の製造方法。請求項1記載の製造方法であって、金属が3d遷移金属であることを特徴とする陽極酸化膜の製造方法。請求項6に記載の3d遷移金属がTiあるいはCrであることを特徴とする陽極酸化膜の製造方法。請求項1に記載の金属窒化物がTiNあるいはAlNであることを特徴とする陽極酸化膜の製造方法。請求項1記載の製造方法であって、電子線描画によるパターンが、格子状配列、トライアングル状配列、五角形配列、八角形配列のいずれか、あるいは、前記5種類の配列の混在している配列をなすことを特徴とする陽極酸化膜の製造方法。請求項1記載の製造方法であって、硫酸、シュウ酸、リン酸あるいはクロム酸を使用し、陽極酸化電圧が200V以下のとき、孔径が200nm以下、ピッチが500nm以下の範囲であることを特徴とする陽極酸化膜の製造方法。本発明は、上記従来技術における課題を解決するためになされたものであり、数10nmから600μm電子線描画における最大露光面積の広範囲においてヘキサゴナルのみならず格子状など任意形状において、電子線描画可能な任意サイズ細孔径及び細孔間隔10nm以上、500nm以下で形成された陽極酸化アルミナ膜及びその製造方法を提供することを目的とする。ここで、細孔が規則的に配列した陽極酸化アルミナ膜とは、0.3molLシュウ酸水溶液を使用した場合、陽極酸化電圧40Vにおいては、40nm径の細孔を100nmピッチにおいて数百μm以下の範囲において欠陥を持たずにヘキサゴナル及び格子状配列を有する膜が生成される。本発明の他の課題は、上記陽極酸化アルミナ膜を用いて作製可能な機能性デバイス、特に抵抗変化型メモリ、半導体デバイス用絶縁膜、フィルタ及びその製造方法を提供することにある。この出願の発明は、上記の課題を解決するものとして第1に、陽極酸化膜の製造方法であって、1SiO2が被覆された脱脂洗浄後のSi基板上に、3d遷移金属又は金属窒化物よりなる密着層を成膜後Al層を成膜し、2前記Al層の上にSiO2層を成膜し、3前記SiO2層の上に電子線ポジレジストをコートし、4前記電子線レジストコートを電子線リソグラフィにより所望のパターンを描画し、5表面にパターンが形成された前記SiO2層を選択的にドライエッチし、6前記SiO2層をマスクとして、前記Al層の陽極酸化を行い、7残留するレジストコートを完全剥離する工程で、高規則性陽極酸化アルミナ膜を形成することを特徴とする陽極酸化アルミナ膜の製造方法を提供する。第2に、密着層の構成材料として、3d遷移金属がTiあるいはCr、金属窒化物がTiNあるいはAlNであることを特徴とする陽極酸化膜の製造方法を提供する。第3に、電子線描画によるパターンが、格子状配列、トライアングル状配列、五角形配列、八角形配列のいずれか、あるいは、前記5種類の配列の混在している配列をなすことを特徴とする陽極酸化膜の製造方法を提供する。第4に、硫酸、シュウ酸、リン酸あるいはクロム酸を使用し、陽極酸化電圧が200V以下のとき、孔径が200nm以下、ピッチが500nm以下の範囲であることを特徴とする陽極酸化膜の製造方法を提供する。本発明に係る陽極酸化膜の製造方法によれば、以下の効果が得られる。1Alの下部層としてはTi以外にも薄膜形成技術からCr等の3d遷移金属、TiN及びAlN等の窒化物に置換しても同等の作用効果を発揮させることができる。2電子線描画パターンは陽極酸化溶液例えば、リン酸、硫酸等の種類により変更が可能となる。3陽極酸化金属はAl以外にも陽極酸化可能な金属Si、Ti等に置換するこができる。4薄膜の利用によりAl層膜厚の制御性が高い。5基板は、本製造法では熱酸化SiO2付きSi基板を用いているが、絶縁性SrTiO3、Al2O3、ポリイミド等及び半導体性ZnO基板のようなより高い電気抵抗を示す基板に置換することができる。6従来の半導体プロセスへ本発明を応用することで、例えば、MOSゲート絶縁膜などの半導体デバイス上への高誘電率絶縁膜製造の製造が可能となる。7半導体プロセスに本発明を応用することで、より高い規則性、平坦性、膜厚制御性の特定波長フィルタの製造が可能となる。8任意基板上へのナノドット、ナノロッド等ナノ構造の基板上への形成時マスク材料としての応用も可能となる。本発明は、上記の通りの特徴を持つものであるが、以下にその実施の形態について説明する。初めに、電子線描画方法による直接描画インプリントによりその陽極酸化の規則構造を作製した。その方法としては熱酸化SiO2付きのSi基板上に真空蒸着あるいはスパッタ法にて密着層Ti、CrなどとAl薄膜を形成する。その後、保護層となるSiO2層をスパッタ法にて成膜する。そのSiO2に電子線リソグラフィにて規則構造を直接描画する。SiO2は下層のAlにダメージを与えることなく選択的にドライエッチングRIE、F系ガスにてパターンを形成可能である。その後、SiO2をマスクとして陽極酸化を行い、Al層の陽極酸化を行う。これにより陽極酸化溶液に暴露されるAl部のみが陽極酸化され、電子線描画と同等のパターンの高規則性陽極酸化アルミナを形成することが可能となる。図3は電子線インプリント法を用いた陽極酸化膜の形成方法のプロセスフローである。以下に詳細を述べる。初めに熱酸化SiO2付きSi基板の表面の有機物コンタミ層を有機溶剤アセトン、エタノールを用いて脱脂、洗浄する。その後、純水又は蒸留水により有機溶剤を除去し、半導体洗浄液セミコクリーン23:フルウチ化学社製、RCA洗浄法、ピラニア洗浄法にて表面に付着している有機物及び金属コンタミネーション層を除去する。洗浄後のSi基板は、10-4Pa以上の高真空状態のチャンバ内において真空蒸着あるいはスパッタ法によりTi密着層成長速度1~10nm/min、膜厚20~50nm、Al薄膜成長速度1~10nm/min、膜厚100~500nmを成膜する。密着層としては基板材料と陽極酸化材料との間に物理的結合ないしは格子定数が中間的であることが望ましい。3d遷移金属においてはSiO2中Oの2p電子と3d遷移金属中のd電子が軌道混成を起こしやすく、結合力が強いことが知られている。またAlN及びTiN窒化物密着層は基板材料Siと陽極酸化材料Alとの格子定数が非常に近いことが知られている。もちろん金属として格子状数が近いもの、窒化物として基板、陽極酸化材料ともに結合力が強いものも密着層として選択される。その後、RFスパッタ法で成膜した場合はそのままの状態で、真空蒸着法で成膜した場合は、Alの自然酸化層を除去するため、スパッタチャンバ内において、RF出力100Wで、2min間の逆スパッタを行い、その後、膜厚が20~100nmの、より好ましくは50~80nmのSiO2保護層を成膜する。これによりAl表面は酸化されずに陽極酸化が可能となる。これまでの工程は各種基板材料に対応可能なように全て100°C以下から室温までの温度にて行って構わない。成膜後は電子線レジストZEP520A:日本ゼオン社製などポジ型電子線レジストをスピンコート法にて200~500nm程度をコート細孔径に依存し、電子線描画装置にて必要とされる陽極酸化膜の規則構造を描画する。描画後、膜を電子線レジスト用現像液にて現像、細孔形成部分のレジストを除去する。現像済みサンプルはRIE反応性イオンエッチングReactiveIonetching装置において、CF4又はCHF3などF系ガスによりSiO2層のみの選択エッチングを行う。この工程においては、電子線レジストがエッチング装置のプラズマにて剥離している可能性が高い。表面にレジストが残っている場合は、電子線レジスト剥離液及びO2プラズマ処理にてレジストの剥離を行う。この工程でレジストが残ると、後工程においてはコンタミとなる。図4は、全工程が終了した後の、SEM観察による陽極酸化膜表面の画像である。電子線リソグラフィにより電子線レジスト上に描画する規則性のあるパターンは、格子状配列、トライアングル状配列、五角形配列、八角形配列のいずれか、あるいは、前記5種類の配列の混在している配列のうちから自由に選択することができる。また、電子線レジスト上に描画する規則性のあるパターンにおけるピッチ及び孔径は、使用する陽極酸化溶液によって制限される。陽極酸化液としては、硫酸、シュウ酸、リン酸、クロム酸が知られている。特によく使用される硫酸、シュウ酸、リン酸において規則性の高いパターンが自然に得られる電圧と孔径、ピッチとの関係を表1で示す。これはバルク材で長時間陽極酸化することにより規則性を高める場合に適当な条件であるが、本発明のように薄膜に人工的にパターンを作り、短時間陽極酸化する場合は必ずしもこの条件に従う必要はない。<実施例1>10-5Pa以下の高真空蒸着装置において、熱酸化処理により200nmのSiO2層が被服されたSi基板上に、RFスパッタ法により50nmのTi密着層を5.7nm/minの成長速度で成膜した。更に、前記Ti層状にAl層500nmを8.2nm/minの成長速度で成膜した。その後前記Al層上にRFスパッタ法において10-4Pa以下の高真空状態でSiO2保護層を60nm成膜した。成膜後の基板に電子線レジストZEP520Aをスピンコート法にて300nmコートし、電子線描画装置において細孔径40nm、ピッチ100nmの規則性ホール構造を描画した。この規則構造は0.3mol/Lシュウ酸水溶液を用いた2段階陽極酸化法によるアルミナ膜の細孔構造に対応する構造となる。描画、現像後サンプルはRIE装置を用いて、CF4流量54cm3/min、O2流量17cm3/min、RF出力80Wの条件で、70sのエッチングを行った。エッチング後、陽極酸化を行う。陰極にはPt基板を用い、電解液としては規則性構造周期に合わせ0.3mol/Lシュウ酸水溶液を用いた。陽極酸化時間は60sである。完成した陽極酸化膜のSEM像を図5に、またFIBSEM像により細孔の膜面垂直の断面像を図6に示す。<実施例2>10-5Pa以下の高真空蒸着装置において、熱酸化処理によりSiO2層が被覆されたSi基板上に、電子線蒸着法により20nmのTi密着層を6nm/minの成長速度で成膜した。更に、前記Ti層状にAl層500nmを6nm/minの成長速度で成膜した。その後、前記Al層上にRFスパッタ法において10-4Pa以下の高真空状態でSiO2保護層を50nm成膜した。成膜後の基板に電子線レジストZEP520Aをスピンコート法にて200nmコートし、電子線描画装置において細孔径40nm、ピッチ100nmの規則性ホール構造を描画した。この規則構造は0.3mol/Lシュウ酸水溶液を用いた2段階陽極酸化法によるアルミナ膜の細孔構造に対応する構造となる。描画、現像後サンプルはRIE装置を用いて、CHF3流量2.0cm3minバイアス出力10W、RF出力100W、の条件で、300sのエッチングを行った。エッチング後、陽極酸化を行う。陰極にはPt基板を用い、電解液としては規則性構造周期に合わせ0.3mol/Lシュウ酸水溶液を用いた。陽極酸化時間は180sである。完成した陽極酸化膜のSEM像を図7に、また、FIB-SEM像により細孔の膜面垂直の断面像を図8に示す。図8より規則構造は時間に比例し、アルミニウム膜中を膜面垂直方向に進行する様子が確認できる。またそのときのエッチングレートホール深さレートは100nm/minである。<比較例1>SiO2保護層を成膜せず、実施例1と同じ工程及び条件にて陽極酸化アルミナの製造を行った。図9は比較例1における電子線インプリント陽極酸化膜のFIB-SEM像である。規則性構造は同様に形成されているものの、表面平坦性に関してはAl薄膜中の結晶粒や、陽極酸化による表面あれが観測される。また、膜面垂直方向に関してもホール進行方向はアルミニウムの結晶粒や陽極酸化による電流方向の膜中不規則性から膜面垂直方向への規則的配列の崩れが観察される。<比較例2>Ti密着層及びSiO2保護層を成膜せずに、実施例1と同じ工程、条件にて陽極酸化アルミナの製造を行った。図10は比較例2における電子線インプリント陽極酸化膜の表面SEM及び断面FIB-SEM像である。比較例1同様のAl結晶粒及び電流方向に依存したホール構造及び表面状態が観察される。またパターン部以外のAl露出部への陽極酸化の進行が観察される。従来の電子線インプリント法はこの比較例2に相当する。<比較例3>電子線インプリントを用いずに実施例1と同じ工程、条件にて陽極酸化アルミナの製造を行った。図11は比較例3における陽極酸化膜の表面SEM像である。規則性は見られず、Al結晶粒による影響が観察される。従来のアルミニウム薄膜を利用した陽極酸化法はこの比較例3に相当する。もちろん、この発明は以上の例に限定されるものではなく、細部については様々な態様が可能であることはいうまでもない。