細粒化処理後に、Nd-Cuの拡散処理を行なうNdFeB系希土類磁石の製造方法において、上記NdFeB系希土類磁石の原料に、Al、ZrおよびNbの少なくとも1種を添加することを特徴とするNdFeB系希土類磁石の製造方法。請求項1において、上記細粒化処理を、HDDR処理により行なうことを特徴とするNdFeB系希土類磁石の製造方法。請求項1または2において、AlおよびZrを共に添加することを特徴とするNdFeB系希土類磁石の製造方法。請求項1~3のいずれか1項において、Alの添加量を1~8atとすることを特徴とするNdFeB系希土類磁石の製造方法。請求項1~4のいずれか1項において、Zrの添加量を0.5~2atとすることを特徴とするNdFeB系希土類磁石の製造方法。請求項1において、AlおよびNbを共に添加することを特徴とするNdFeB系希土類磁石の製造方法。本発明は、HDDRなどの細粒化処理した後にNd-Cuを拡散させてNdFeB系希土類磁石を製造する際に、更に保磁力を向上させることができる製造方法を提供することを目的とする。上記の目的を達成するために、本発明によれば、細粒化処理後に、Nd-Cuの拡散処理を行なうNdFeB系希土類磁石の製造方法において、上記NdFeB系希土類磁石の原料に、AlおよびZrの少なくとも1種を添加することを特徴とするNdFeB系希土類磁石の製造方法が提供される。本発明によれば、AlおよびZrの少なくとも1種を添加することにより、細粒化およびNd-Cu拡散の少なくとも1方が促進されて、結晶粒界の磁気的分断効果が高まり保磁力が向上する。本発明は、NdFeB系希土類合金にHDDR処理等の細粒化処理を施した後に、Nd-Cuを拡散させる製造方法において、細粒化促進元素としてのZrおよびNd-Cu拡散促進元素としてのAlの少なくとも1方を上記合金に添加することにより、保磁力を向上させる。本発明の方法は、1合金化→2細粒化処理→3Nd-Cu拡散処理を必須とする。すなわち、1合金化工程において、後続の細粒化処理およびNd-Cu拡散処理に必要な元素を添加し、2細粒化処理により結晶粒を微細化し、3Nd-Cu拡散処理により結晶粒界にNdを主成分とする相以下、Nd相あるいはNd粒界相と略称するを析出させる。2の細粒化と3の粒界のNd粒界相の存在により大きな磁気的分断効果を発現させ、それにより高い保磁力を実現する。合金化および添加元素まず、合金化工程において、合金原料を非酸化性雰囲気下で溶解してNdFeB系合金の溶湯を作成する。Zrは特に細粒化に有効な添加元素であり、添加量は0.5~2atとすることが望ましい。添加量が0.5at未満では細粒化による保磁力向上効果が少ない。2atを超えるとNdFeB系磁石の主相組成に影響を及ぼし磁石特性に悪影響がある。細粒化元素としてZrの他に、磁石主相の組成に影響を及ぼさない範囲の量でNb、Ga等を適宜含有することができる。Alは特にNd-Cu拡散促進に有効な添加元素であり、添加量は1~8atとすることが望ましい。添加量が1at未満ではNd-Cu拡散促進による保磁力向上効果が少ない。8atを超えるとNdFeB系磁石の主相組成に影響を及ぼし磁石特性に悪影響がある。細粒化処理本発明において、細粒化の方法は、HDDRHDHydrogenationDisproportionation水素化相分解とDRDehydrogenationRecombination脱水素化再結合の2工程からなる処理が最も望ましい。HDDR処理は、結晶をその異方性を維持して高磁化なまま細粒化して保磁力を向上させる唯一の技術として注目されている。ただし、これに限定する必要はなく、液体急冷法、非晶質からの再結合反応等を用いても良い。添加元素Zrは、特に細粒化を促進する効果が大きい。また、保磁力は、細粒化に加えて結晶粒界のNd相の存在によって大きく影響される。図1は、結晶粒界のNd相間の平均距離と保磁力の関係を示す。図1の黒丸プロット●で示すように、Nd相間の平均距離と保磁力との間には高い相関性が得られ相関係数:R2=0.94、Nd相間の平均距離が小さくなるほど、保磁力が向上する。Nd相間の平均距離は、粒界のNd相によって取り囲まれる主相Nd2Fe14B領域の大きさに対応する。図2に示すように、結晶粒径が等しい組織であっても、ANd相が粗大な粒子として析出すると、結晶粒界には一部のみにNd相が存在し、Nd相で取り囲まれる領域は大きくなって、保磁力は低くなり、B結晶粒界のほとんど全てにNd相が存在するとNd相に取り囲まれる領域は小さくなって、保磁力は高くなる。すなわち、細粒化した組織であっても、Nd相が結晶粒界に優先的に析出しないと、細粒化による保磁力向上効果は小さい。その一例として図1に白菱形◇プロットで示したのは、Nd相が粗大粒子として析出し、結晶粒界への析出が部分的になった場合の結晶粒径に対する保磁力の関係であり、相関性は非常に低い相関係数:R2=0.30。なお、図2Bから、Nd相が結晶粒界の全てを満たしたときNd相間隔は最小となり、結晶粒径に等しくなることが分かる。Nd-Cu拡散処理HDDR処理等の細粒化処理を施したNdFeB系希土類磁石は細粒化してはいるが、Nd相の存在しない結晶粒界が多く存在しているため、Nd相で囲まれる領域が大きく、保磁力は小さい。そこで細粒化処理後に粒界にNdを拡散させる方法がとられている。HDDR処理等により細粒化した粉末に、NdにCu、Ni等の元素を添加して低融点化させた合金粉末を混合し、不活性雰囲気中で熱処理することで粒界にNdが拡散する。ここで、NdにCu、Ni等を添加して低融点化するのは、拡散処理温度を低温化させて、細粒化した主相が拡散熱処理時に粗大化するのを防止するためである。Nd相が無い粒界にNdが拡散するため、Nd相で取り囲まれる領域が小さくなり、保磁力が向上する。なお、図2Bに示したとおり、Nd相に取り囲まれる領域は結晶粒径より小さくはならないので、Nd-Cu拡散による保磁力向上には、主相の細粒化が前提となる。本発明においては、Nd-Cu拡散をAl添加により促進することにより、保磁力向上効果が一層高まる。添加元素による細粒化NdFeB系希土類磁石原料を、Nd15Fe77B899.5atM0.5atM=Al、Cu、Nb、Zrとなるように配合し、アーク炉にて溶製した後、1150°Cで10時間の均質化処理を施し、粒径50~100μmとなるように粉砕および篩い分けした。細粒化のためHDDR処理として、900°Cにて水素分圧1気圧で4時間保持した後、真空中にて750°Cで水素放出させた。図3に、無添加、添加元素Al、Cu、Nb、Zrの各場合について、HDDR処理後のTEM像を示す。いずれも処理前の粒径数百μmに対して細粒化150~200nmしていたが、Zr添加の場合が最も顕著に細粒化150nmしていた。Zr添加細粒化材へのNd-Cu拡散処理Zr添加してHDDR処理した上記NdFeB系希土類磁石合金試料に、20wtの添加量で70Nd-30Cuを乳鉢にて粉砕混合した後、真空中にて550°C×1時間の拡散処理を行なった。この拡散処理条件添加量、温度、時間は、図4、図5、図6に示す予備実験結果により設定した。すなわち、図4よりNd-Cu添加量は20wt、図5より拡散処理温度は550°C1時間、図6より拡散処理時間は1時間550°Cがそれぞれ望ましい。図7に、HDDR処理した状態白三角△プロットと、HDDR処理後にNd-Cu拡散処理した状態黒四角プロットについて、NdFeB系希土類磁石合金へのZr添加量と保磁力との関係を示す。Zr添加量0.1at~1atの範囲で、HDDR処理のみに対して、HDDR処理後にNd-Cu拡散処理すると保磁力は向上することが分かる。ただし、この試料の結晶粒径図3E:150nmであれば、図1において結晶粒界にNd相が十分に分布している場合の直線関係から21kOe程度の保磁力が予測されるのに対して、実際に得られたのは13~14kOe程度に過ぎず、微細化した結晶粒に見合う保磁力は得られていない。これは、Nd相が結晶粒界に十分に析出していないためと推測される。Al添加によるNd-Cu拡散の促進本発明においては、NdFeB系希土類磁石合金にAlを添加することにより、Nd-Cu拡散を促進し、細粒化に見合う保磁力を達成する。Al添加材のHDDR後の結晶粒径は、図3Bから200nm程度であり、図1において結晶粒界にNd相が十分に分布している場合の直線関係から19kOe程度の保磁力が予測される。図8に、NdFeB系希土類磁石合金へのAl添加量を0.5at~10atの範囲で変えて、HDDR処理のみの状態白四角□プロットおよびHDDR処理後にNd-Cu拡散処理した状態黒菱形◆プロットの保磁力を比較して示す。図示したように、Al添加量5atで上記予測値に等しい19kOeが実際に達成されていることから、Alを5at程度添加することにより、結晶粒界のほぼ全域にNd相を行きわたらせることができると考えられる。Alは、1atの添加で明瞭な保磁力向上効果が認められるが、8atを超えるとHDDR反応を妨げ、磁石性能保磁力が低下した。図9に、Al添加量5at、8at、10atの試料について、拡散処理前後の磁化曲線を示す。Al添加量8atの拡散処理前の状態で、磁化曲線が矢印で示した部分で2段になっていることが認められる。これはHDDR反応が十分に行なわれていないためと考えられる。Zr添加による細粒化とAl添加による拡散促進の組み合わせNdFeB系希土類磁石合金に、Al:5at、Zr:0.1~5atを添加して、ZrとAlの複合添加の効果を調べた。この範囲のZr添加量についていずれも、HDDR処理後の平均粒径は150nm程度であり、図3Eに示したZr単独0.5at添加の場合と同等であった。図10に示すように、Zr/Al複合添加により、HDDR処理のみの状態白菱形◇プロットおよびHDDR処理後にNd-Cu拡散処理した状態白四角□プロットのいずれも、保磁力が大きく向上した。特に、Zr1atAl5atを複合添加したNdFeB系希土類磁石合金は、保磁力21kOeが達成されている。これは図1において結晶粒界にNd相が十分に分布している場合の直線関係から結晶粒径150nmの場合に予測される21kOe程度の保磁力と一致する。このことから、Zr1atAl5atの複合添加により、結晶粒界のほぼ全域にNd相を行きわたらせることができると考えられる。ただし、結晶粒が更に微細化した場合には、Nd相析出サイトである結晶粒界の面積が増加するので、結晶粒界全域にNd相を行きわたらせるためにNd-Cu拡散促進のためのAl添加量は増加すると考えられる。図10の結果から、Zr/Al複合添加する際のZr添加量は、0.5at~2atとすることが望ましい。すなわち、Zrは、0.5atの添加で明瞭な保磁力向上効果が認められるが、2atを超えるとHDDR反応を妨げ、磁石性能保磁力が低下する。図11に、Al添加量5at一定とし、Zr添加量1at、2at、3atの試料について、拡散処理前後の磁化曲線を示す。Zr添加量3atの拡散処理前の状態で、磁化曲線が矢印で示した部分で2段になっていることが認められる。これはHDDR反応が十分に行なわれていないためと考えられる。Nbによる微細化とAl添加による拡散促進の組み合わせ前出の図3Dに示したように、Zrの代わりにNbを添加しても微細化効果が得られる。そこで、NdFeB系希土類磁石合金に、Nb:0.5atを添加した場合について、A細粒化のためにHDDR処理として、900°Cにて水素分圧1気圧で4時間保持した後、真空中にて水素放出させた試料、およびBHDDR処理した試料に、20wtの添加量で70Nd-30Cuを乳鉢にて粉砕混合した後、真空中にて550°C×1時間の拡散処理を行なった試料を作成した。更に、NdFeB系希土類磁石合金に、Nb:0.5atおよびAl:0.5atを複合添加した場合について、上記同じHDDR処理およびNd-Cu添加後拡散処理した試料Cを作成した。表1および図12に、試料ABCについて、保磁力の測定結果を示す。いずれについても、比較のために、細粒化元素としてZr:0.5at添加し、上記ABCと同じ処理をした場合を併記した。表1および図12に示されるように、Nb添加によって細粒化した場合も、Zr添加によって細粒化した場合と同様に、Zr添加よりは効果の大きさこそ若干小さいが、AHDDR処理、BNd-Cu拡散処理、CAl添加によるそれぞれの保磁力向上の傾向は全く同じであり、Nb/Al複合添加によりNd単独添加の場合に比べて保磁力が顕著に向上している。すなわち、Nbによって細粒化した場合も、AlによってNd-Cuの拡散が促進され、高い保磁力が得られる。なお、本発明では、Nd-Cu拡散促進のためにNdFeB系希土類磁石合金にAlを添加したが、拡散させるNd-CuにAlを添加することによっても、Nd-Cu拡散促進効果は得られると推測される。