基板上で行方向及び列方向にそれぞれ行選択線及び信号線が一定間隔置きに複数本配置され、前記行選択線及び前記信号線にて囲まれた領域には可視光を入射して画像の信号情報に変換する複数の画素が配置されて画像検出部を構成し、前記画像検出部の前記複数の画素上には放射線を前記可視光に変換する蛍光変換膜が形成され、さらに前記蛍光変換膜上には放射線遮蔽材と放射線透過材とが前記行選択線又は前記信号線と平行な方向に交互に配置されたグリッドを設けた放射線画像検出器において、隣接する前記画素同士の隙間でかつ前記前記蛍光変換膜と前記行選択線又は前記信号線との間に、前記行選択線及び/又は前記信号線に沿って反射膜を形成したことを特徴とする放射線画像検出器。前記画素は、ゲート、ソース、ドレインを有してスイッチング機能を行うスイッチング素子及び光を電荷信号に変換する光電変換素子を含み、かつ、前記任意の画素内において、前記スイッチング素子は前記ゲートで前記行選択線の1本と、前記ソースで前記信号線のうちの1本と、前記ドレインで前記光電変換素子と接続され、さらに、前記光電変換素子の上部には当該光電変換素子にバイアス電圧を印加するバイアス線が配置されており、前記バイアス線と前記反射膜とが同一平面内で一体的に形成されていることを特徴とする請求項1記載の放射線画像検出器。放射線画像検出器の画素間隔をA、グリッド22を構成するX線吸収材43の間隔をBとすると、出力画像に発生するモアレの間隔Cは以下の式にて表される。C=1/1/A-1/B上記式によって表されるモアレの間隔Cは、モアレの性質上、画素間隔AやX線吸収材43の間隔Bよりも大きな値となることが知られている。特に、画素間隔AとX線吸収材43の間隔Bが近い値である場合、縞模様であるモアレの間隔Cは非常に大きな値となってしまい、X線を用いた画像診断に大きな悪影響を及ぼしてしまう。上記モアレ現象を改善するために、これまで以下のような手法が知られている。第一に、グリッド22の内部の箔状のX線遮蔽材42の厚みを薄くすることである。このようにすることでX線遮蔽材42によって発生する影が少なくなり、モアレの強度を下げることが可能である。しかし、X線遮蔽材42の幅を薄くすると、グリッド22本来の目的である散乱X線の除去性能が低下してしまうため、X線画像のコントラストを悪化させてしまう。第二に、画像検出部25内部におけるフォトダイオード33の受光面積割合を増やすことである。しかし、微細な回路形成技術を用いて製造される画像検出部25において、フォトダイオード33の面積の割合を増やすことは、一般的に非常に困難であり、その実現には多額の費用が発生するため、放射線画像検出器の大幅な価格の上昇が避けられない。第三に、グリッド22内部のX線遮蔽材42とX線透過材43とからなる周期と、放射線画像検出器の画素の周期を大きくずらす手法がある。このことによりモアレの縞模様の間隔は狭くなり、X線画像診断においてモアレは目立たなくなる。しかし、高品位なX線画像診断を行うためには放射線画像検出器を構成する画素の周期は非常に狭くすることが求められる。また、グリッド22においてもX線遮蔽材42の間隔が広いとX線遮蔽材42自身による影が画像診断の妨げとなるため、高品位のX線画像を得るためにはグリッド22のX線遮蔽材42の間隔は狭いことが求められている。そのため、放射線画像検出器の画素の周期よりもグリッド22内部のX線遮蔽材42の周期が短いことが必要になる。しかし、このような微細構造を持つグリッド22の作成は非常に困難であり、グリッド22の価格を大幅に上昇させる要因となっている。第四に、撮影中のグリッド22を機械的に動かす手法がある。X線照射中にグリッド22を内部のX線遮蔽材42の周期方向に移動することで、モアレ模様を露光時間内にて平均化し、結果としてモアレ模様を改善する手法である。しかし、この手法はグリッド22を撮影のタイミングに合わせて機械的に振動させる複雑な機構が必要であるため、装置全体の価格が高くなってしまうという難点がある。また、X線動画像の撮影にこの手法を用いる場合、グリッドを途切れなく移動させることが必要となるため、技術的な難度が高くなる。本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、モアレ現象の低減が可能な放射線画像検出器を提供することを目的とする。上述の目的を達成するため、本放射線画像検出器は、基板上で行方向及び列方向にそれぞれ行選択線及び信号線が一定間隔置きに複数本配置され、前記行選択線及び前記信号線にて囲まれた領域には可視光を入射して画像の信号情報に変換する複数の画素が配置されて画像検出部を構成し、前記画像検出部の前記複数の画素上には放射線を前記可視光に変換する蛍光変換膜が形成され、さらに前記蛍光変換膜上には放射線遮蔽材と放射線透過材とが前記行選択線又は前記信号線と平行な方向に交互に配置されたグリッドを設けた放射線画像検出器において、隣接する前記画素同士の隙間でかつ前記前記蛍光変換膜と前記行選択線又は前記信号線との間に、前記行選択線及び/又は前記信号線に沿って反射膜を形成したことを特徴とする。放射線画像検出器10図1は、本実施の形態に係る放射線画像検出器10の構成を示すものである。この放射線画像検出器10は、蛍光を電気信号による画像情報へと変換する画像検出部25と、画像検出部25上に設けられ入射X線21を蛍光に変換する蛍光変換膜23と、蛍光変換膜23上に設けられ被写体等で散乱を受けたX線を除去するグリッド22と、を備えている。画像検出部25は、主にガラス基板により構成されている保持基板27上に、フォトダイオード及び薄膜トランジスタTFTを含む画素28が多数配列された回路層29を設けて形成されている。図2に画像検出部25の理想的な等価回路を、図3に画素28内部の理想的な等価回路を示す。画素28は、薄膜トランジスタ31、フォトダイオード33を含み、薄膜トランジスタ31のゲートには行選択線ゲート線35が接続され、薄膜トランジスタ31のソースには信号線37が接続され、薄膜トランジスタ31のドレインにはフォトダイオード33とコンデンサ36とが並列に接続されている。なお、コンデンサ36は、フォトダイオード33の電極間の容量であり、フォトダイオード33内部にて発生した電荷が蓄積される。また、行選択線35は、薄膜トランジスタ31のスイッチング動作を制御している。また、信号線37の終端には、信号線37を伝わる電荷信号を増幅し、外部に出力する機能を有する積分アンプ41が信号線37と一対一に接続されている。更に、行選択線35は、図4に示すゲートドライバの特定の信号線に接続される。放射線画像検出器10の周辺回路図4は、図1の放射線画像検出器10の周辺回路であるゲート駆動回路13及び読取回路17の具体的な構成の一例を示すものである。ゲート駆動回路13は、ゲートドライバ63及び行選択回路65を備え、読取回路17は積分アンプ41、A/Dアナログデジタル変換器67及び駆動器69を備えている。ゲートドライバ63は、外部からの信号を受信すると、放射線センサ11に接続されている多数の信号線の電圧を順番に変更していく機能を有している。また、このゲートドライバ63には行選択回路65が接続される。行選択回路65は、X線画像の走査方向に従って対応するゲートドライバ63へと信号を送る機能を有している。また、積分アンプ41は、A/D変換器67を介して駆動器69に接続されている。反射膜38図5は、放射線画像検出器10の画像検出部25の表面に形成された回路パターンを示している。この回路パターンは、図7に示す従来の回路パターンと比較して、隣接する下部電極24間に行選択線35方向に沿って新たに反射膜38が形成されている点が異なっている。この反射膜38は、バイアス線26と同一面上にあって、バイアス線26と一体化して形成されている。反射膜38の作用図6に、放射線画像検出器10の断面構造を示す。この図は、図5に示すAA線における断面に沿って見たものであり、蛍光変換膜23上に形成されているグリッド22において、図8と同様に、X線遮蔽材42とX線透過材43とが信号線37と平行な方向に交互に配置されている。本実施の形態に係る放射線画像検出器10では、従来の放射線画像検出器50と同様に、被写体を通過した入射X線21がグリッド22を通過する際に、入射X線21に含まれる散乱X線成分はX線遮蔽材42に吸収除去される。グリッド22を透過したX線画像は、蛍光変換膜23内部にて可視光画像に変換される。可視光に変換されたX線画像は画像検出部25に到達し、その一部はフォトダイオード33表面に入射することで電気信号に変換され、放射線画像検出器から画像信号として外部に出力される。画像検出部25に入射した可視光画像のうち、フォトダイオード33以外の領域に入射した成分は反射膜38に入射する。反射膜38にて反射された可視光は蛍光変換膜23に戻り、蛍光変換膜23上部にある反射膜30にて反射もしくは蛍光変換膜23内部にて散乱されることにより、再び画像検出部25に入射することとなる。反射膜38にて反射され蛍光変換膜23を経由して再び画像検出部25内部に戻った可視光の一部はフォトダイオード33に入射し、電気信号に変換されて放射線画像検出器から画像信号として外部に出力される。フォトダイオード33以外の反射膜38に入射した可視光は再び蛍光変換膜23内部にて反射され、最終的にフォトダイオード33に入射するまで画像検出部25と蛍光変換膜23の間を反射し続けることになる。上記動作を行う結果、フォトダイオード33以外の領域に入射した可視光成分は反射膜38と蛍光変換膜23との間で反射を繰り返し、最終的に近隣画素のフォトダイオード33に入射し、画像信号として放射線画像検出器から出力されることになる。その結果、保持基板27への可視光の抜けを大幅に防止することが可能になり、結果としてモアレの濃淡差を大幅に減少させ、X線画像の画質を高めることが可能になる。画像検出部25の動作次に、放射線画像検出器10の画像検出部25における動作を説明する。初期状態において、図3におけるコンデンサ36には電荷が蓄えられており、並列接続されているフォトダイオード33には逆バイアス状態の電圧が加えられている。このときの電圧は信号線37に加えられている電圧と同じである。フォトダイオード33はダイオードの一種なので、逆バイアスの電圧が加えられても電流はほとんど流れることは無い。そのためコンデンサ36に蓄えられた電荷は減少することなく保持されることになる。この状況にて、図6において被写体を通過しグリッド22にて散乱線が除去された入射X線21が蛍光変換膜23に入射すると、蛍光変換膜23内部において高エネルギーのX線が低エネルギーの多数の可視光に変換される。蛍光変換膜23内部にて発生した蛍光の一部は画像検出部25表面に配置されているフォトダイオード33へと到達する。図3に示すフォトダイオード33に入射した蛍光はフォトダイオード33内部にて電子とホールからなる電荷に変換され、コンデンサ36にて印加されている電界方向に沿ってフォトダイオード33の持つ両端子へと到達することで、フォトダイオード33内部を流れる電流として観測される。蛍光の入射により発生したフォトダイオード33内部を流れる電流は並列接続されているコンデンサ36へと流れ込み、コンデンサ36内部に蓄えられている電荷を打ち消す作用を及ぼす。その結果、コンデンサ36に蓄えられていた電荷は減少し、コンデンサ36の端子間に発生していた電位差も初期状態と比べて減少する。図2、3において示される行選択線ゲート線35は、図4にて示すゲートドライバ63の特定の信号線に接続される。ある特定の時間においてはゲートドライバ63において電位の変化している制御線は1本のみであり、電位の変化した制御線に接続されている行選択線35に並列接続されている薄膜トランジスタ31のソース、ドレイン間端子は絶縁状態から導通状態へと変化する。各信号線37には特定の電圧が掛けられており、電位の変換した行選択線35に接続されている薄膜トランジスタ31のソース、ドレイン端子を通じて接続されているコンデンサ36に印加されることになる。初期状態においてコンデンサ36は信号線37と同じ電位状態になっているため、コンデンサ36の電荷量が初期状態と変化していない場合、コンデンサ36には信号線37からの電荷の移動は発生しない。しかし、外部からの入射X線21より蛍光変換膜23内部にて発生した蛍光が入射したフォトダイオード33と並列接続しているコンデンサ36では、内部に蓄えられている電荷が減少しており、初期状態の電位とは変化している。そのため導通状態となった薄膜トランジスタ31を通じて信号線37より電荷の移動が発生し、コンデンサ36内部に蓄えられた電荷量は初期状態に戻る。また移動した電荷量は信号線37を流れる信号となり外部へと伝わっていく。図2、3における信号線37はそれぞれに対応した積分アンプ41に1対1に接続されており、信号線37を流れる電流は対応する積分アンプ41へと入力される。積分アンプ41では一定時間内に流れる電流を積分し、その積分値に対応した電圧を外部へと出力する。この動作を行うことで、ある一定時間内に信号線を流れる電荷量を電圧値に変換することが可能となる。この結果、入力X線21にて蛍光変換膜23内部にて発生した蛍光の強弱分布に対応したフォトダイオード33内部にて発生する電荷信号は、積分アンプ41によって電位情報へと変換される。積分アンプ41より発生した電位はA/D変換器67にて順次デジタル信号へと変換される。デジタル値となった信号は画像検出部25内部に配置された画素の行と列にしたがって順次整理され、画像信号として外部へと出力される。上記動作を連続して行うことにより、X線画像情報は電気信号による画像情報へと変換され、外部へと出力される。外部へと出力された電気信号による画像情報は通常のディスプレイ装置によって容易に画像化が可能であり、その画像のよりX線画像を可視光による画像として観察することが可能となる。本実施の形態の効果1反射膜38を設けることにより、フォトダイオード33以外の領域に入射した可視光成分は反射膜38と蛍光変換膜23との間で反射を繰り返し、最終的に近隣画素のフォトダイオード33に入射し、画像信号として放射線画像検出器10から出力されるため、保持基板27への可視光の抜けを大幅に防止することが可能になり、モアレの濃淡差を大幅に減少させ、X線画像の画質を高めることが可能になる。2反射膜38は、従来のバイアス線26と同一面上にあって、バイアス線26と一体化して形成されているので、従来の放射線画像検出器の製造方法と比較して大幅な変更点は無く、製品価格の大幅な上昇を避けることが可能である。3バイアス線26は導電率の高いアルミを多く用いており、可視光の反射率の高いバイアス線26と同じ材質を用いて反射膜38を形成しているため、反射膜38と蛍光変換膜23間にて反射される可視光の減衰を抑え、モアレの低減に大きな効果が期待できる。なお、本実施の形態では反射膜38を行選択線35に沿って形成したが、信号線37に沿って反射膜を形成しても同様の効果が得られる。また、行選択線35及び信号線37の双方に沿って同時に反射膜を形成することにより、一層効果的にモアレを低減することが可能になる。