"第一の電極、前記第一の電極に対向する第二の電極、及び前記第一の電極と前記第二の電極の間に設けられた有機材料を含む光電変換層を有する有機光電変換素子であって、前記光電変換層の電子スピン数が1.0×1015/cm3以下となっている有機光電変換素子。請求項1記載の有機光電変換素子であって、前記光電変換層は、有機材料を成膜して得られたものである有機光電変換素子。請求項1又は2記載の有機光電変換素子であって、前記電子スピン数が、電子スピン共鳴装置によって測定した信号のうち、等方性信号成分から求められる値である有機光電変換素子。請求項1~3のいずれか1項記載の有機光電変換素子であって、前記光電変換層は、その形成時又は形成後にアニール処理が行われたものである有機光電変換素子。請求項4記載の有機光電変換素子であって、前記アニール処理は、複数回に分けて行われたものである有機光電変換素子。請求項4又は5記載の有機光電変換素子であって、前記アニール処理は、前記光電変換層上に所定の材料膜を形成した状態で行われたものである有機光電変換素子。請求項1~6のいずれか1項記載の有機光電変換素子であって、前記光電変換層が、n型有機材料を含む有機光電変換素子。請求項7記載の有機光電変換素子であって、前記n型有機材料が、フラーレン又はフラーレン誘導体である有機光電変換素子。請求項7又は8記載の有機光電変換素子であって、前記光電変換層が、さらにp型有機材料を含む有機光電変換素子。請求項9記載の有機光電変換素子であって、前記p型有機材料が、染料又は5個以上の縮環構造を持たない材料である有機光電変換素子。請求項9又は10記載の有機光電変換素子であって、前記n型有機材料の電子親和力と前記p型有機材料のイオン化ポテンシャルの差が1.0eV以上である有機光電変換素子。請求項9~11のいずれか1項記載の有機光電変換素子であって、前記p型有機材料のイオン化ポテンシャルが5.2eV以上である有機光電変換素子。請求項1~12のいずれか1項記載の有機光電変換素子であって、前記光電変換層を構成する材料自体の電子スピン数が1.0×1015/cm3以下である有機光電変換素子。請求項1~13のいずれか1項記載の有機光電変換素子であって、60°Cにおける前記光電変換層の電子スピン数の値が、25°Cにおける値の3倍以内となっている有機光電変換素子。請求項1~14のいずれか1項記載の複数の有機光電変換素子と、前記各光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を読み出す読み出し部とを備える撮像素子。請求項15記載の撮像素子を備える撮像装置。複数の有機光電変換素子と、前記複数の有機光電変換素子の各々で発生した電荷に応じた信号を読み出す読み出し部とを有する撮像素子の製造方法であって、前記有機光電変換素子が、前記電荷を捕集する第一の電極と、前記第一の電極と対向する第二の電極と、前記第一の電極及び前記第二の電極の間に設けられ、入射光に応じて前記電荷を発生する有機材料を含む光電変換層を有し、前記光電変換層の電子スピン数が1.0×1015以下となるように前記光電変換層を形成する撮像素子の製造方法。請求項17記載の撮像素子の製造方法であって、前記光電変換層を、有機材料を成膜して形成する撮像素子の製造方法。請求項17又は18記載の撮像素子の製造方法であって、前記電子スピン数が、電子スピン共鳴装置によって測定した信号のうちの等方性信号成分から求められる値である撮像素子の製造方法。請求項17~19のいずれか1項記載の撮像素子の製造方法であって、前記光電変換層の形成時又は形成後にアニール処理を行う工程を有する撮像素子の製造方法。請求項20記載の撮像素子の製造方法であって、前記アニール処理を複数回に分けて行う撮像素子の製造方法。請求項20又は21記載の撮像素子の製造方法であって、前記アニール処理を、前記光電変換層上に所定の材料膜を形成した状態で行う撮像素子の製造方法。請求項17~22のいずれか1項記載の撮像素子の製造方法であって、前記光電変換層の材料としてn型有機材料を用いる撮像素子の製造方法。請求項23記載の撮像素子の製造方法であって、前記n型有機材料が、フラーレン又はフラーレン誘導体である撮像素子の製造方法。請求項23又は24記載の撮像素子の製造方法であって、前記光電変換層の材料として、さらにp型有機材料を用いる撮像素子の製造方法。請求項25記載の撮像素子の製造方法であって、前記p型有機材料が、染料又は5個以上の縮環構造を持たない材料である撮像素子の製造方法。請求項25又は26記載の撮像素子の製造方法であって、前記n型有機材料の電子親和力と前記p型有機材料のイオン化ポテンシャルの差が1.0eV以上となるように前記光電変換層を構成する各材料を選択する撮像素子の製造方法。請求項25~27のいずれか1項記載の撮像素子の製造方法であって、前記p型有機材料として、イオン化ポテンシャルが5.2eV以上であるものを用いる撮像素子の製造方法。請求項17~28のいずれか1項記載の撮像素子の製造方法であって、前記光電変換層を構成する材料として、材料自体の電子スピン数が1.0×1015/cm3以下であるものを用いる撮像素子の製造方法。請求項17~29のいずれか1項記載の撮像素子の製造方法であって、60°Cにおける前記光電変換層の電子スピン数の値が25°Cにおける値の3倍以内となるように、前記光電変換層の材料を選択する撮像素子の製造方法。しかし、特許文献3,4,5は、いずれも無機材料層における欠陥未結合手と電子スピン密度とに相関がある考えを示すものであり、未結合手の存在しない光電変換層具体的には、有機材料を含む光電変換層において暗電流源となるフリーキャリアをどのように抑えるかについては考慮されていない。本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、暗電流を低減することが可能な有機光電変換素子、これを備える撮像素子、これを備える撮像装置、及びその撮像素子の製造方法を提供することを目的とする。本発明の有機光電変換素子は、第一の電極、前記第一の電極に対向する第二の電極、及び前記第一の電極と前記第二の電極の間に設けられた有機材料を含む光電変換層を有する有機光電変換素子であって、前記光電変換層の電子スピン数が1.0×1015/cm3以下となっているものである。本発明の撮像素子は、複数の前記有機光電変換素子と、前記各光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を読み出す読み出し部とを備えるものである。本発明の撮像装置は、前記撮像素子を備えるものである。本発明の撮像素子の製造方法は、複数の有機光電変換素子と、前記複数の有機光電変換素子の各々で発生した電荷に応じた信号を読み出す読み出し部とを有する撮像素子の製造方法であって、前記有機光電変換素子が、前記電荷を捕集する第一の電極と、前記第一の電極と対向する第二の電極と、前記第一の電極及び前記第二の電極の間に設けられ、入射光に応じて前記電荷を発生する光電変換層を含み、前記光電変換層の電子スピン数が1.0×1015/cm3以下となるように前記光電変換層を形成するものである。本発明によれば、暗電流を低減することが可能な有機光電変換素子、これを備える撮像素子、これを備える撮像装置、及びその撮像素子の製造方法を提供することができる。本発明者は、検討の結果、一対の電極とこれらの間に設けられる有機材料を含む光電変換層とを有する有機光電変換素子において、一対の電極間に所定のバイアス電圧を印加した状態での有機光電変換素子の暗電流量と、光電変換層の1cm3あたりの電子スピン数との間には相関性があることを見出した。より具体的には、室温25°Cにおける光電変換層の1cm3あたりの電子スピン数を1.0×1015以下、理想的には0とすることで、撮像素子用途として実用上問題ないレベルにまで暗電流を低減できることを見出した。電子スピン数は、ESR電子スピン共鳴によって同定することができる。本明細書において、電子スピン数とは、具体的には、ESR測定装置で測定して得られる信号波形を等方性信号と異方性信号に分離し、等方性の信号成分について積分して同定したスピン数のことを言う。ESR測定には、Q-band、X-band測定などの手段を用いることができる。上記ESR信号の分離方法について詳述する。PENポリエチレンナフタレート基板上に、信号検出に必要な膜厚の有機膜を成膜後、大気にさらすことなくイナート雰囲気下でこのPEN基板を裁断し、裁断したPEN基板をサンプル管に封入して試料を用意し、この試料に対してQ-band、X-bandESR解析を行った。試料の形成方法は、正しく信号量が見積もれる場合には、上記態様通りでなくともよい。図3に、試料に含まれる有機膜がSnPc錫フタロシアニンである試料について測定したX-band、Q-bandESRスペクトルを示す。Q-bandESRスペクトルにおいて、異方性を有する信号と等方性を有する信号とに明確に分離することができる。この両者の平均g値はほぼ等しいことから、両者は等しい構造を有した常磁性種であると推定でき、線形の違いはスピンの運動性の違いに由来すると考えられる。即ち、異方性信号は、スピンがSnPc分子間で局在化しているSnPcカチオンラジカルすなわち、フリーに動くことができない、暗電流に寄与しない成分に対応し、等方性信号は、スピンがSnPc分子間で非局在化しているキャリア正孔=すなわち、フリーに動くことができる、暗電流に寄与する成分に対応すると推定できる。よって、暗電流と対応する成分としては、この等方性信号を把握することが重要である。この観点を踏まえると、X-band測定のスペクトルにおいても、同様に等方性と異方性に信号を分離することができる図4。本発明においては、この等方性信号量と暗電流量が相関する事を見出した実施例参照。より具体的には、この等方性信号量と暗電流に相関関係があることを見出した。つまり、等方性信号量電子スピン数が小さければ小さいほど、暗電流を少なくすることができる。この電子スピン数は、光電変換層を構成する原料そのものではなく、原料を成膜した後で測定することが重要である。なぜなら、原料となる粉などの状態とその原料を成膜した状態とでは、分子の凝集性、他材料との混合状態が異なり、原料と光電変換層とでは、中に存在できるフリーキャリアの量が異なる場合があるからである。特に、光電変換層がp型有機材料とn型有機材料との混合層であるときには、光電変換層を該p型有機材料又は該n型有機材料単独の層としたときよりも、電子スピン数が大きい場合がある。このことからも、まさに素子中と同様の状態の層について、電子スピン数を同定することが重要であることが分かる。更に、光電変換層の形成に真空加熱蒸着法を用いる場合、光電変換層の原料に含まれる不純物が異なるため、原料と光電変換層とでは観察される電子スピン数が異なる場合もありえる。このため、光電変換層となった状態での電子スピン数を観察することが重要である。光電変換層中に発生するフリーキャリアに由来する暗電流は、キャリア量本発明における電子スピン数と、光電変換層の移動度膜の抵抗と、光電変換層に印加される電界強度との積で表されると考えられる。そのため、本発明の効果は、光電変換層の移動度が高い状態膜の抵抗が低い状態、あるいは、印加電界強度が高い状態で特に顕著に発現すると考えられる。光電変換層の移動度として、1×10-6cm2/Vs以上である事が本発明の効果を顕著に発現させるに好ましく、1×10-5cm2/Vs以上が更に好ましく、5×10-4cm2/Vs以上が更に好ましい。上記のような移動度を有する光電変換層を実現する構成として、p型材料とn型材料の混合層が好ましい。p型材料とn型材料の混合層を形成し、p型材料が繋がったパスとn型材料が繋がったパスが形成されると、層中の正孔はp型材料によるパス中、電子はn型材料によるパス中を輸送される。p型材料は正孔移動度が高く、n型材料は電子移動度が高いため、上記層中では電子も正孔も速やかに輸送され、層抵抗が小さくなり、光電変換層中のキャリア量本発明における電子スピン数の暗電流への寄与が大きくなるためである。即ち、p型材料単体、n型材料単体の場合は、正孔輸送性、電子輸送性のどちらかが高く、どちらかが低い事になるため、層の抵抗が高くなり、相対的に暗電流値は低くなる傾向にある。但し、この場合、光信号も輸送されにくくなり、光電変換効率取り出せる電荷量も減少するため、S/Nは低下する場合がある。後述のように、p型材料とn型材料の混合層とすることで、層中の励起子解離界面数が増大し、感度を向上させる事ができる。但し、この場合は、該界面で熱励起によるキャリアが発生し、暗電流が増大する事となる。このため、本発明規定のように光電変換層中の電子スピン数キャリア量を少なくする事が重要となる。本発明において、室温25°Cにおける光電変換層の1cm3あたりの電子スピン数を1.0×1015以下、好ましくは1×1014以下、更に好ましくは8×1013以下とすることが好ましい。なお、不純物などによるフリーキャリアを抑制するため、光電変換層に使用する材料自体についても、材料中に含まれる不純物などのフリーキャリア発生源が光電変換層中に混入する危険性を考慮した場合、材料自体の電子スピン数材料を成膜した状態ではなく、材料のままの状態で同定した値は少ない方が好ましく、1.0×1015/cm3以下、好ましくは1×1014以下、更に好ましくは8×1013以下であることが好ましいと考えられる。但し、上述したように、材料自体の電子スピン数は層状態の電子スピン数と一意に対応せず、層状態での電子スピン数こそが重要であるため、材料自体の電子スピン数のみを規定しても、本明細書記載の効果を必ずしも得ることはできない。有機光電変換素子に光が照射されると、光誘起のフリーキャリアが光電変換層で発生することから、暗電流に対応する電子スピン数の測定は遮光条件で実施されるのが望ましい。また、電子スピン数の測定は、有機光電変換素子の駆動環境雰囲気と同様の環境で実施されることが望ましい。例えば、有機光電変換素子をイナート雰囲気下で駆動することが前提であれば、電子スピン数の測定もイナート雰囲気下で行われることが望ましい。何故ならば、例えば酸素が存在すると、この酸素がキャリアトラップあるいはキャリア発生源となり、観察される電子スピン数がイナート雰囲気下での値と異なる場合がある等、光電変換層中の状態は雰囲気に強く影響を受ける場合があるためである。熱励起のエネルギーギャップが小さいほど、また、発生源熱励起サイトが多いほど、光電変換層の内部キャリアは多くなる。撮像素子では動作状態や環境により駆動温度が高くなることを考慮すると、暗電流量は温度依存性が小さく、高い温度環境でも上昇しないことが望ましい。そのため、電子スピン数は、室温25°Cでの値に対し、60°Cの高温環境でも、室温での値の3倍以内であることが望ましい。以下、本発明の一実施形態である撮像素子について図面を参照して説明する。この撮像素子は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等の撮像装置、電子内視鏡、携帯電話機等の撮像モジュール等に搭載して用いられる。図1は、本発明の一実施形態を説明するための撮像素子の概略構成を示す平面模式図である。図1では、6行×6列の計36画素について図示している。図1に示す撮像素子は、平面上の行方向Xとこれに直交する列方向Yに二次元状図示の例では正方格子状に配列された複数の画素100を備える。複数の画素100には、赤色Rの光を検出するR画素図中Rを付したと、緑色Gの光を検出するG画素図中Gを付したと、青色Bの光を検出するB画素図中Bを付したとが含まれる。図1の例では、R画素とG画素を行方向Xに交互に並べたRG行と、G画素とB画素を行方向Xに交互に並べたGB行とを、列方向Yに交互に並べた配置となっている。図2は、図1に示した撮像素子におけるII-II線断面模式図である。図2に示すように、各画素100は、電荷蓄積部2と、読み出し部3と、コンタクト部4と、有機光電変換素子Pと、封止層11と、カラーフィルタ12とを含む。有機光電変換素子Pは、光を受光し、受光した光量に応じた電荷を発生する素子である。有機光電変換素子Pは、画素電極6と、電子ブロッキング層7と、光電変換層9と、対向電極10とを備え、これらがシリコン基板1の上方にこの順に積層された構造となっている。画素電極6は、画素100毎に分離されている。電子ブロッキング層7、光電変換層9、及び対向電極10は、それぞれ画素100毎には分離されておらず、全画素100で共通の層となっている。電荷蓄積部2は、有機光電変換素子Pで発生した正孔を蓄積するものである。読み出し部3は、電荷蓄積部2に蓄積された正孔を、その電荷量に応じた信号に変換して出力するものである。読み出し部3は、CCDChargeCoupledDevice及びアンプで構成される回路、MOSMetal-Oxide-Semiconductorトランジスタを用いたMOS回路等が用いられる。コンタクト部4は、有機光電変換素子Pの画素電極6と電荷蓄積部2とを電気的に接続するものであり、電荷蓄積部2上に形成された金属等の導電性材料で構成されている。画素電極6は、光電変換層9で発生した正孔を捕集するための電極である。コンタクト部4と画素電極6は、シリコン基板1上に形成された酸化シリコン等の絶縁層5内に形成されている。画素電極6の材料としては、例えば、金属、金属酸化物、金属窒化物、金属硼化物、有機導電性化合物、これらの混合物等が挙げられる。具体例としては、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫ITO、酸化インジウム亜鉛IZO、酸化インジウムタングステンIWO、酸化チタン等の導電性金属酸化物、窒化チタンTiN等の金属窒化物、金Au、白金Pt、銀Ag、クロムCr、ニッケルNi、アルミニウムAl等の金属、更にこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性化合物、これらとITOとの積層物、などが挙げられる。画素電極6の材料として特に好ましいのは、窒化チタン、窒化モリブデン、窒化タンタル、窒化タングステンのいずれかの材料である。電子ブロッキング層7は、画素電極6から光電変換層9に電子が注入されてしまうのを防ぐための層であり、単層又は複数層で構成されている。電子ブロッキング層7は、隣接する電極からの電子注入障壁が高くかつ正孔の輸送性が高い材料で構成することが好ましい。光電変換層9は、上述した光電変換層であり、光を受光して、その光量に応じた電荷電子、正孔を発生する有機の光電変換材料を含んで構成された層である。この撮像素子では、カラーフィルタ12によって分光を行っているため、光電変換層9の材料としては、可視光全域に渡って感度を持つ材料を用いる。光電変換層9は、有機の光電変換材料を含んでおり、この結果、分子の集合体の層となっている。このため、光電変換層9において未結合手ダングリングボンドはほぼ存在しない。また、光電変換層9を有機の光電変換材料を主成分として成膜して得られた層とすることで、未結合手を完全になくすことができる。例えば、光電変換層9がp型有機材料とn型有機材料との混合層であるときには、光電変換層9中に未結合手は発生しない。ここで、上記主成分とは、光電変換層9に含まれる有機の光電変換材料の割合が90以上、好ましくは95以上、更に好ましくは99以上であることを意味し、光電変換層9が実質的に有機材料のみで構成されていることを意味する。このように、光電変換層9は、未結合手がほぼ存在しない構成であるため、電子スピン数もほぼ0になると考えられるが、実際にはそうならない。上述したように、光電変換層9の電子スピン数と暗電流とには相関があることが分かったため、この電子スピン数を極力少なくすることが、暗電流を抑制することに繋がる。本実施形態では、室温25°Cにおける光電変換層の1cm3あたりの電子スピン数を1.0×1015以下、理想的には0となるように光電変換層9の材料及び形成条件を決めることで、撮像素子用途として実用上問題ないレベルにまで暗電流を低減することを可能にしている。対向電極10は、光電変換層9に光を入射させる必要があるため、光電変換層9が感度を持つ光に対して透明な材料例えばITOで構成されている。対向電極10には図示しない配線によってバイアス電圧が印加されるようになっている。この撮像素子では、画素電極6で正孔を捕集するため、正孔が画素電極6に移動し、電子が対向電極10に移動するようにバイアス電圧の極性が設定される。対向電極10の材料としては、例えば、金属、金属酸化物、金属窒化物、金属硼化物、有機導電性化合物、これらの混合物等が挙げられる。具体例としては、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫ITO、酸化インジウム亜鉛IZO、酸化インジウムタングステンIWO、酸化チタン等の導電性金属酸化物、TiN等の金属窒化物、金Au、白金Pt、銀Ag、クロムCr、ニッケルNi、アルミニウムAl等の金属、更にこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性化合物、これらとITOとの積層物、などが挙げられる。なお、対向電極10は、画素100毎に分離されていてもよい。対向電極10を画素100毎に分離した場合には、分離された各対向電極10を配線で電気的に接続しておけばよい。また、画素電極6と対向電極10の位置を逆にしてもよい。このときは、電子ブロッキング層7と光電変換層9の位置を逆にする必要がある。また、このときは、画素電極6を光電変換層9が感度を持つ光に対して十分に透明な材料で形成する必要がある。カラーフィルタ12は、対向電極10上に形成された封止層11の上に形成されている。R画素100のカラーフィルタ12は、R光を透過するフィルタであり、図2ではRを付している。G画素100のカラーフィルタ12は、G光を透過するフィルタであり、図2ではGを付している。B画素100のカラーフィルタ12は、B光を透過するフィルタである。光電変換層9としては、室温25°Cにおける1cm3あたりの電子スピン数が1.0×1015以下となっていれば、どのような有機材料で構成された層であってもよい。好ましい構成としては、p型有機材料P型有機半導体又はn型有機材料n型有機半導体を含む構成であり、より好ましい構成としては、n型有機材料とp型有機材料とを混合したバルクへテロ構造の層である。n型有機材料としては、フラーレン又はフラーレン誘導体を用いることが好ましい。フラーレンとは、フラーレンC60、フラーレンC70、フラーレンC76、フラーレンC78、フラーレンC80、フラーレンC82、フラーレンC84、フラーレンC90、フラーレンC96、フラーレンC240、フラーレン540、ミックスドフラーレン、フラーレンナノチューブを表し、フラーレン誘導体とはこれらに置換基が付加された化合物のことを表す。本発明において、特定の部分を基と称した場合には、当該部分はそれ自体が置換されていなくても、一種以上の可能な最多数までの置換基で置換されていても良いことを意味する。例えば、アルキル基とは置換又は無置換のアルキル基を意味する。また、本発明における化合物に使用できる置換基は、どのような置換基でも良い。このような置換基をWとすると、Wで示される置換基としては、いかなるものでも良く、特に制限は無いが、例えば、ハロゲン原子、アルキル基シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む、アルケニル基シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む、アルキニル基、アリール基、複素環基ヘテロ環基と言っても良い、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基アニリノ基を含む、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基-BOH2、ホスファト基-OPOOH2、スルファト基-OSO3H、その他の公知の置換基、が例として挙げられる。フラーレン誘導体として好ましくは、下記一般式Aで表される場合である。一般式A一般式AにおいてR1は置換基を表す。置換基としては、前述のWを用いることができる。置換基として好ましくは、アルキル基、アリール基、又は複素環基であり、好ましいもの及びそれらの好ましい具体例はWで示したものが挙げられる。アルキル基として更に好ましくは、炭素数1~12までのアルキル基であり、アリール基、及び複素環基として好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、フルオレン環、トリフェニレン環、ナフタセン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、ベンズイミダゾール環、イミダゾピリジン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環、又はフェナジン環であり、更に好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピリジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、又はチアゾール環であり、特に好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、又はピリジン環である。これらは更に置換基を有していてもよく、その置換基は可能な限り結合して環を形成してもよい。なお、nが2以上のとき複数のR1は同一であっても異なっていても良い。また、複数のR1は可能な限り結合して環を形成してもよい。nは1から60までの整数を表すが、好ましくは1から10までの整数である。以下に、好ましく用いられるフラーレン誘導体の例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。フラーレン及びフラーレン誘導体は、日本化学会編季刊化学総説No.431999、特開平10-167994号公報、特開平11-255508号公報、特開平11-255509号公報、特開2002-241323号公報、特開2003-196881号公報等に記載の化合物を用いることもできる。本発明に用いられるフラーレン及びフラーレン誘導体は例えば、日本化学会編季刊化学総説No.431999、特開平10-167994号公報、特開平11-255508号公報、特開平11-255509号公報、特開2002-241323号公報、特開2003-196881号公報等に記載の方法又は記載の方法に準じて製造することができる。光電変換層9がフラーレン又はフラーレン誘導体を含むことで、フラーレン分子又はフラーレン誘導体分子を経由して、光電変換により発生した電荷を画素電極6又は対向電極10まで早く輸送できる。フラーレン分子又はフラーレン誘導体分子が連なった状態になって電子の経路が形成されていると、電子輸送性が向上して有機光電変換素子の高速応答性が実現可能となる。このためにはフラーレン又はフラーレン誘導体が光電変換層9に40以上含まれていることが好ましい。もっとも、フラーレン又はフラーレン誘導体が多すぎるとp型有機材料が少なくなって接合界面が小さくなり励起子解離効率が低下してしまう。光電変換層9において、フラーレン又はフラーレン誘導体と共に混合されるp型有機材料として、特許第4213832号公報等に記載されたトリアリールアミン化合物を用いると有機光電変換素子の高SN比が発現可能になり、特に好ましい。光電変換層9内のフラーレン又はフラーレン誘導体の比率が大きすぎると該トリアリールアミン化合物が少なくなって入射光の吸収量が低下する。これにより光電変換効率が減少するので、光電変換層9に含まれるフラーレン又はフラーレン誘導体は85以下の組成であることが好ましい。本発明のp型有機光電変換材料としては下記一般式Bで表される化合物が好ましい。一般式B式中、Z11は少なくとも2つの炭素原子を含む環であって、5員環、6員環、又は、5員環及び6員環の少なくともいずれかを含む縮合環を表す。L11、L12、及びL13はそれぞれ独立に無置換メチン基、又は置換メチン基を表す。D11はアリーレン基又はヘテロ芳香族基を表す。n1は0以上の整数を表す。Z11は少なくとも2つの炭素原子を含む環であって、5員環、6員環、又は、5員環及び6員環の少なくともいずれかを含む縮合環を表す。5員環、6員環、又は、5員環及び6員環の少なくともいずれかを含む縮合環としては、通常メロシアニン色素で酸性核として用いられるものが好ましく、その具体例としては例えば以下のものが挙げられる。a1,3-ジカルボニル核:例えば1,3-インダンジオン、1,3-シクロヘキサンジオン、5,5-ジメチル-1,3-シクロヘキサンジオン、1,3-ジオキサン-4,6-ジオン等。bピラゾリノン核:例えば1-フェニル-2-ピラゾリン-5-オン、3-メチル-1-フェニル-2-ピラゾリン-5-オン、1-2-ベンゾチアゾイル-3-メチル-2-ピラゾリン-5-オン等。cイソオキサゾリノン核:例えば3-フェニル-2-イソオキサゾリン-5-オン、3-メチル-2-イソオキサゾリン-5-オン等。dオキシインドール核:例えば1-アルキル-2,3-ジヒドロ-2-オキシインドール等。e2,4,6-トリケトヘキサヒドロピリミジン核:例えばバルビツル酸又は2-チオバルビツル酸及びその誘導体等。誘導体としては例えば1-メチル、1-エチル等の1-アルキル体、1,3-ジメチル、1,3-ジエチル、1,3-ジブチル等の1,3-ジアルキル体、1,3-ジフェニル、1,3-ジp-クロロフェニル、1,3-ジp-エトキシカルボニルフェニル等の1,3-ジアリール体、1-エチル-3-フェニル等の1-アルキル-1-アリール体、1,3-ジ2―ピリジル等の1,3位ジヘテロ環置換体等が挙げられる。f2-チオ-2,4-チアゾリジンジオン核:例えばローダニン及びその誘導体等。誘導体としては例えば3-メチルローダニン、3-エチルローダニン、3-アリルローダニン等の3-アルキルローダニン、3-フェニルローダニン等の3-アリールローダニン、3-2-ピリジルローダニン等の3位ヘテロ環置換ローダニン等が挙げられる。g2-チオ-2,4-オキサゾリジンジオン2-チオ-2,4-3H,5H-オキサゾールジオン核:例えば3-エチル-2-チオ-2,4-オキサゾリジンジオン等。hチアナフテノン核:例えば32H-チアナフテノン-1,1-ジオキサイド等。i2-チオ-2,5-チアゾリジンジオン核:例えば3-エチル-2-チオ-2,5-チアゾリジンジオン等。j2,4-チアゾリジンジオン核:例えば2,4-チアゾリジンジオン、3-エチル-2,4-チアゾリジンジオン、3-フェニル-2,4-チアゾリジンジオン等。kチアゾリン-4-オン核:例えば4-チアゾリノン、2-エチル-4-チアゾリノン等。l2,4-イミダゾリジンジオンヒダントイン核:例えば2,4-イミダゾリジンジオン、3-エチル-2,4-イミダゾリジンジオン等。m2-チオ-2,4-イミダゾリジンジオン2-チオヒダントイン核:例えば2-チオ-2,4-イミダゾリジンジオン、3-エチル-2-チオ-2,4-イミダゾリジンジオン等。nイミダゾリン-5-オン核:例えば2-プロピルメルカプト-2-イミダゾリン-5-オン等。o3,5-ピラゾリジンジオン核:例えば1,2-ジフェニル-3,5-ピラゾリジンジオン、1,2-ジメチル-3,5-ピラゾリジンジオン等。pベンゾチオフェンー3-オン核:例えばベンゾチオフェンー3-オン、オキソベンゾチオフェンー3-オン、ジオキソベンゾチオフェンー3-オン等。qインダノン核:例えば1-インダノン、3-フェニルー1-インダノン、3-メチルー1-インダノン、3,3-ジフェニルー1-インダノン、3,3-ジメチルー1-インダノン等。Z11で形成される環として好ましくは、1,3-ジカルボニル核、ピラゾリノン核、2,4,6-トリケトヘキサヒドロピリミジン核チオケトン体も含み、例えばバルビツル酸核、2-チオバルビツール酸核、2-チオ-2,4-チアゾリジンジオン核、2-チオ-2,4-オキサゾリジンジオン核、2-チオ-2,5-チアゾリジンジオン核、2,4-チアゾリジンジオン核、2,4-イミダゾリジンジオン核、2-チオ-2,4-イミダゾリジンジオン核、2-イミダゾリン-5-オン核、3,5-ピラゾリジンジオン核、ベンゾチオフェンー3-オン核、インダノン核であり、より好ましくは1,3-ジカルボニル核、2,4,6-トリケトヘキサヒドロピリミジン核チオケトン体も含み、例えばバルビツル酸核、2-チオバルビツール酸核、3,5-ピラゾリジンジオン核、ベンゾチオフェンー3-オン核、インダノン核であり、更に好ましくは1,3-ジカルボニル核、2,4,6-トリケトヘキサヒドロピリミジン核チオケトン体も含み、例えばバルビツル酸核、2-チオバルビツール酸核であり、特に好ましくは1,3-インダンジオン核、バルビツル酸核、2-チオバルビツール酸核及びそれらの誘導体である。L11、L12、及びL13はそれぞれ独立に、無置換メチン基、又は置換メチン基を表す。置換メチン基同士が結合して環例、6員環例えばベンゼン環を形成してもよい。置換メチン基の置換基は置換基Wが挙げられるが、L11、L12、L13は全てが無置換メチン基である場合が好ましい。L11~L13は互いに連結して環を形成しても良く、形成する環として好ましくはシクロヘキセン環、シクロペンテン環、ベンゼン環、ナフタレン環、チオフェン環、ピラン環等が挙げられる。n1は0以上の整数を表し、好ましくは0以上3以下の整数を表し、より好ましくは0である。n1を増大させた場合、吸収波長域が長波長にする事ができるが、熱による分解温度が低くなる。可視域に適切な吸収を有し、かつ蒸着成膜時の熱分解を抑制する点でn=0が好ましい。D11はアリーレン基又はヘテロアリーレン基を表し、アリーレン基の方が好ましい。前記D11は-NRaRbを含む基であることが好ましく、-NRaRbが置換したアリーレン基を表す場合が更に好ましい。Ra、Rbはそれぞれ独立に、水素原子、又は置換基を表す。D11が表すアリーレン基としては、好ましくは炭素数6~30のアリーレン基であり、より好ましくは炭素数6~18のアリーレン基である。該アリーレン基は、後述の置換基Wを有していてもよく、好ましくは炭素数1~4のアルキル基を有していてもよい炭素数6~18のアリーレン基である。例えば、フェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基、ピレニレン基、フェナントレニレン基、メチルフェニレン基、ジメチルフェニレン基等が挙げられ、フェニレン基又はナフチレン基が好ましい。D11が表すヘテロアリーレン基は、好ましくは炭素数3~30であり、より好ましくは炭素数4~18である。該ヘテロアリーレン基は、後述の置換基Wを有していてもよく、好ましくは炭素数1~4のアルキル基を有していてもよい炭素数4~18のヘテロアリーレン基である。ヘテロアリーレン構造として好ましいものは、チオフェン、フラン、ピロール、オキサゾール、ジアゾール、チアゾール及びこれらの、ベンゾ縮環誘導体、チエノ縮環誘導体が挙げられ、チオフェン、ベンゾチオフェン、チエノチオフェン、ジベンゾチオフェン、ビチエノチオフェンがより好ましい。Ra、Rbで表される置換基としては後述の置換基Wが挙げられ、好ましくは、脂肪族炭化水素基好ましくは置換されてよいアルキル基、アルケニル基、アリール基好ましくは置換されてよいフェニル基、又はヘテロ環基である。Ra、Rbが表すアリール基としては、それぞれ独立に、好ましくは炭素数6~30のアリール基であり、より好ましくは炭素数6~18のアリール基である。該アリール基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1~4のアルキル基又は炭素数6~18のアリール基を有していてもよい炭素数6~18のアリール基である。例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ピレニル基、フェナントレニル基、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基、ビフェニル基等が挙げられ、フェニル基、ナフチル基、又はアントラセニル基が好ましい。Ra、Rbが表すヘテロ環基としては、それぞれ独立に、好ましくは炭素数3~30のヘテロ環基であり、より好ましくは炭素数3~18のヘテロ環基である。該ヘテロ環基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1~4のアルキル基又は炭素数6~18のアリール基を有していてもよい炭素数3~18のヘテロ環基である。また、Ra、Rbが表すヘテロ環基は縮環構造であることが好ましく、フラン環、チオフェン環、セレノフェン環、シロール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、オキサゾール環、チアゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環からから選ばれる環の組み合わせ同一でも良いの縮環構造が好ましく、キノリン環、イソキノリン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、チエノチオフェン環、ビチエノベンゼン環、ビチエノチオフェン環がより好ましい。D11、Ra、及びRbが表すアリーレン基及びアリール基は縮環構造であることが好ましく、ベンゼン環を含む縮環構造であることがより好ましく、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フェナントレン環が更に好ましく、ナフタレン環又はアントラセン環が特に好ましい。置換基Wとしてはハロゲン原子、アルキル基シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む、アルケニル基シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む、アルキニル基、アリール基、複素環基ヘテロ環基といっても良い、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基アニリノ基を含む、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基-BOH2、ホスファト基-OPOOH2、スルファト基-OSO3H、その他の公知の置換基が挙げられる。Ra、Rbが置換基が脂肪族炭化水素基好ましくはアルキル基、アルケニル基を表す場合、それらの置換基は、-NRaRbが置換したアリール基の芳香環好ましくはベンゼン環骨格の水素原子、又は置換基と結合して環好ましくは6員環を形成してもよい。Ra、Rbは互いに置換基同士が結合して環好ましくは5員又は6員環、より好ましくは6員環を形成してもよく、また、Ra、RbはそれぞれがLL11、L12、L13のいずれかを表す中の置換基と結合して環好ましくは5員又は6員環、より好ましくは6員環を形成してもよい。一般式Bで表される化合物は、特開2000-297068号公報に記載の化合物であり、前記公報に記載のない化合物も、前記公報に記載の合成方法に準じて製造することができる。一般式Bで表される化合物は一般式Cで表される化合物であることが好ましい。式C中、Z2、L21、L22、L23、及びnは一般式BにおけるZ1、L1、L2、L3、及びnと同義であり、その好ましい例も同様である。D21は置換又は無置換のアリーレン基を表す。D22、及びD23はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基又は置換若しくは無置換のヘテロ環基を表す。D21、D22、及びD23はそれぞれ独立に縮環芳香族基であることが好ましく、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、セレノフェン環、シロール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、オキサゾール環、チアゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環からから選ばれる環の組み合わせ同一でも良いの縮環構造が好ましく、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フェナントレン環、キノリン環、イソキノリン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、チエノチオフェン環、ビチエノベンゼン環、ビチエノチオフェン環が好ましい。D21、D22、及びD23が表すアリーレン基及びアリール基は縮環構造であることが好ましく、ベンゼン環を含む縮環構造であることがより好ましく、フェニル環、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フェナントレン環が更に好ましく、ナフタレン環又はアントラセン環が特に好ましい。D22、及びD23が表すヘテロ環基は縮環構造であることが好ましく、フラン環、チオフェン環、セレノフェン環、シロール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、オキサゾール環、チアゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環からから選ばれる環の組み合わせ同一でも良いの縮環構造が好ましく、キノリン環、イソキノリン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、チエノチオフェン環、ビチエノベンゼン環、ビチエノチオフェン環がより好ましい。以下に一般式Bで表されるp型光電変換材料の好ましい具体例を、一般式Dを用いて示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。式D中、Z3は表1におけるA-1~A-12のいずれかを表す。L31がメチレンを表し、nが0を表す。D31がB-1~B-9のいずれかであり、D32、及びD33がC-1~C-15のいずれかを表す。D31とD32、D31とD33、又はD32とD33がそれぞれ連結して縮環構造を形成する場合が好ましく、その場合の具体例を下記表1におけるD-1~D-4で表す。また、本発明のp型有機光電変換材料としては下記一般式Iで表される化合物が好ましい。一般式I一般式I中、XはO、S、N-R10を表す。R10は水素原子又は置換基を表す。Rx、Ryはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、少なくとも一方は電子求引性基を表す。また、Rx、Ryは連結して環を形成してもよい。Rは結合手、水素原子又は置換基を表すが、少なくとも1つは結合手-である。nrは1~4の整数を表す。nrが2以上のときはRは同じでも異なっていてもよい。2位と3位のR同士、5位と6位のR同士はそれぞれ互いに連結して環を形成してもよい。Xは酸素原子、硫黄原子、N-R10を表し、R10は、水素原子又は置換基を表す。Xとして好ましくは酸素原子、N-R10であり、より好ましくは酸素原子である。R10で表される置換基は下記の置換基Wとして記載のものが適用される。また、Rx、Ryで表される置換基は下記置換基Wが適用されるが、Rx、Ryの少なくとも一方は電子求引性基である。前記RxとRyに含まれるSp2炭素の総和が3以上であることが好ましい。置換基Wとしてはハロゲン原子、アルキル基シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む、アルケニル基シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む、アルキニル基、アリール基、複素環基ヘテロ環基といっても良い、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基アニリノ基を含む、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基-BOH2、ホスファト基-OPOOH2、スルファト基-OSO3H、その他の公知の置換基が挙げられる。前記一般式Iで示される化合物は下記一般式Iaで表される化合物が好ましい。一般式Ia式中、X、Rx、Ryはそれぞれ一般式IにおけるX、Rx、Ryと同義であり、好ましいものも同じである。R7~R9はそれぞれ独立に、水素又は置換基を表す。R8とR9は連結して環を形成してもよい。Lは共役結合からなる連結基を表す。D1は原子群を表す。R7~R9は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。R7~R9で表される置換基としては、例えば置換基Wとして挙げたものが適用できる。R7として好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基であり、更に好ましくは水素原子である。R8として好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、R9と連結して環を形成したものであり、より好ましくは水素原子、アルキル基であり、更に好ましくは水素原子である。R9として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基、R8と連結して環を形成したものであり、より好ましくはアルキル基好ましくは炭素数2以上20以下のアルキル基、より好ましくは炭素数3以上20以下の分岐又は環状アルキル基、更に好ましくは炭素数4以上12以下の4級炭素を持つ分岐又は環状アルキル基、特に好ましくはtert-ブチル基である。、アルケニル基好ましくは炭素数2以上30以下、より好ましくは炭素数3以上25以下、更に好ましくは炭素数4以上25以下のアルケニル基である。、アリール基好ましくはo-位に置換基のあるアリール基、より好ましくは炭素数7以上30以下のo-位に置換基のあるアルキル置換フェニル基、更に好ましくは2,6-ジメチル置換フェニル基、特に好ましくは2,4,6-トリメチルフェニル基である。であり、特に好ましくはtert-ブチル基、2,4,6-トリメチルフェニル基であり、最も好ましくはtert-ブチル基である。また、R9は、-L-D1であってもよい。Xは酸素原子、硫黄原子、N-R10を表し、R10は、水素原子又は置換基を表す。Xとして好ましくは酸素原子、N-R10であり、より好ましくは酸素原子である。R10で表される置換基としては、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、カルバモイル基、スルホニル基、スルフィニル基、又はヘテロ環基が挙げられ、より好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、又はヘテロ環基であり、更に好ましくは、アルキル基、アリール基、又は芳香族ヘテロ環基であり、更に好ましくはアルキル基、又はアリール基である。R10で表される置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には連結して環を形成してもよい。Lは共役結合の連結基を表す。Lで表される連結基として好ましくは、C、N、O、S、Se、Te、Si、Ge等で形成される共役結合性連結基であり、より好ましくはアルケニレン、アルキニレン、アリーレン、二価の芳香族ヘテロ環好ましくはアジン、アゾール、チオフェン、フラン環から形成される芳香族へテロ環である。、アゾ、イミン及びNとこれらの組み合わせから成る基であり、更に好ましくはアルケニレン、アリーレン、二価の芳香族へテロ環及びNとこれらの組み合わせから成る基であり、特に好ましくはアルケニレン及び炭素数6~30のアリーレン更に好ましくは炭素数6~20、特に好ましくは炭素数6~12である。の組合せから成る基である。Lで表される連結基の具体例としては、例えば以下のものが挙げられる。D1は原子群を表す。前記D1は-NRaRbを含む基であることが好ましく、更に、前記D1が-NRaRbが結合した2価のアリーレン基を表す場合が好ましい。Ra、Rbはそれぞれ独立に、水素原子、又は置換基を表し、Ra、Rb、Lは環を形成してもよい。Ra、Rbは互いに置換基同士が結合して環好ましくは5員又は6員環、より好ましくは6員環を形成してもよく、また、Ra、RbはそれぞれがL中の置換基と結合して環好ましくは5員又は6員環、より好ましくは6員環を形成してもよい。Ra、Rbで表される置換基は前記置換基Wが挙げられるが、好ましくは、脂肪族炭化水素基、アリール基、ヘテロ環基である。D1はパラ位にアミノ基が結合した2価のアリーレン基好ましくはフェニレン基である場合が好ましい。該アミノ基は置換されていてもよく、更に該アミノ基の置換基はアリーレン基中のアリール基好ましくはフェニル基のベンゼン環の置換基と結合して環を形成しうる。該アミノ基の置換基としては、前記置換基Wが挙げられるが、脂肪族炭化水素基、アリール基、又はヘテロ環基が好ましい。Ra、Rbが脂肪族炭化水素基、アリール基、ヘテロ環基の場合の置換基として好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルホニル基、シリル基、芳香族ヘテロ環基であり、より好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリル基、芳香族ヘテロ環基であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリル基、芳香族ヘテロ環基である。具体例は前記置換基Wで挙げたものが適用できる。Ra、Rbとして好ましくはアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基である。Ra、Rbとして特に好ましくはアルキル基、Lと連結して環を形成するアルキレン基、アリール基であり、更に好ましくは炭素数1~8のアルキル基、Lと連結して5ないし6員環を形成するアルキレン基、置換又は無置換のフェニル基であり、特に好ましくは、置換又は無置換のフェニル基である。前記一般式Iaで示される化合物が下記の一般式Ibで示される化合物であるが好ましい。一般式Ib式中、X、及びR7~R9、D1は一般式IaにおけるX、及びR7~R9、D1と同義である。L1、L2はそれぞれ独立に、メチン基、又は置換メチン基を表す。Z1は5又は6員環を形成するのに必要な原子群を表す。nは1以上の整数を表す。nは好ましくは1~3の整数である。前記一般式Ibで示される化合物が下記の一般式Icで示される化合物であることが好ましい。一般式Ic式中、X、R7~R9、L1、L2、Z1及びnは一般式IbにおけるX、R7~R9、L1、L2、Z1及びnと同義である。R1~R6はそれぞれ独立に、水素又は置換基を表す。R1とR2、R3とR4、R2とR5、R4とR6、R5とR6はそれぞれ連結して環を形成してもよい。前記一般式Iaで示される化合物が下記の一般式Idで示される化合物であることが好ましい。一般式Id式中、R7~R9、L1、L2、D1及びnは一般式Ibにおける、R7~R9、L1、L2、D1及びnと同義である。Z3は5ないし6員環を形成するに必要な原子群を表す。前記一般式Iaで示される化合物が下記の一般式Ieで示される化合物であることも好ましい。一般式Ie式中、X、R7~R9、L1、L2、n及びD1は一般式IbにおけるX、R7~R9、L1、L2、n及びD1と同義である。R11~R14はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。前記一般式Ieで示される化合物が下記の一般式Ifで示される化合物であることも好ましい。一般式If式中、X、R7~R9、R11、R14、L1、L2、n及びD1は一般式IeにおけるX、R7~R9、R11、R14、L1、L2、n及びD1と同義である。R15~R18はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。前記一般式IeにおけるR11、R14が全て、水素原子であることが好ましい。前記一般式IfにおけるR11、R14~R18が全て、水素原子を表すことが好ましい。前記D1が次式Igであることが好ましい。式中、R5、R6はそれぞれ独立に、水素又は置換基を表す。R5とR6は連結して環を形成してもよい。R5、R6が共に無置換又は置換フェニル基であることが特に好ましい。本発明で用いられる一般式Iで示される化合物特に4Hピラン系化合物について説明する。一般式I中、XはO、S、N-R10を表す。Rx、Ryはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、少なくとも一方は電子求引性基を表す。また、Rx、Ryは連結して環を形成してもよい。但し、RxとRyが共にシアノ基であることはない。R7~R10はそれぞれ独立に、水素又は置換基を表す。R8とR9は連結して環を形成してもよい。Lは共役結合からなる連結基を表す。D1は原子群を表す。Rx及びRyは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、少なくとも一方は電子求引性基を表す。また、Rx、Ryは連結して環を形成してもよい。前記RxとRyに含まれるSp2炭素の総和が3以上であることが好ましい。Rx、Ryで表される置換基としては、例えば置換基Wとして挙げたものが適用できる。Rx、Ryで表される置換基として好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボニル基、チオカルボニル基、オキシカルボニル基、アシルアミノ基、カルバモイル基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、スルホニル基、スルフィニル基、ホスホリル基、イミノ基、ハロゲン原子、シリル基、芳香族ヘテロ環基であり、より好ましくは、Hammettのσp値例えば、シグマパラ値の定義及び値はChem.Rev.1991,165-195に記載されているが0.2以上の電子求引性基であり、更に好ましくはアリール基、芳香族ヘテロ環基、カルボニル基、チオカルボニル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、スルホニル基、イミノ基、ハロゲン原子、及びRx、Ryが連結して電子求引性基の環を形成したものであり、特に好ましくは芳香族ヘテロ環基、カルボニル基、イミノ基、Rx、Ryが連結して電子求引性基の環を形成したものであり、最も好ましくは,Rx、Ryが連結して電子求引性基の環を形成したものである。一般式Ibで表される化合物は、一般式IaのRx、Ryが連結して環を形成した化合物であり、一般式Ib及びIc中のZ1は5ないし6員環を形成するに必要な原子群を表し、形成される環としては、通常メロシアニン色素で酸性核として用いられるものが好ましく、その具体例としては前記一般式BにおけるZ11の例示として挙げたものと同様のものを挙げることができる。Z1で形成される環として好ましくは、1,3-ジカルボニル核、ピラゾリノン核、2,4,6-トリケトヘキサヒドロピリミジン核チオケトン体も含む、2-チオ-2,4-チアゾリジンジオン核、2-チオ-2,4-オキサゾリジンジオン核、2-チオ-2,5-チアゾリジンジオン核、2,4-チアゾリジンジオン核、2,4-イミダゾリジンジオン核、2-チオ-2,4-イミダゾリジンジオン核、2-イミダゾリン-5-オン核、3,5-ピラゾリジンジオン核、ベンゾチオフェンー3-オン核、インダノン核であり、より好ましくは1,3-ジカルボニル核、2,4,6-トリケトヘキサヒドロピリミジン核チオケトン体も含む、3,5-ピラゾリジンジオン核、ベンゾチオフェンー3-オン核、インダノン核であり、更に好ましくは1,3-ジカルボニル核、2,4,6-トリケトヘキサヒドロピリミジン核チオケトン体も含むであり、特に好ましくは1,3-インダンジオン核である。L1、L2はそれぞれ独立に、無置換メチン基、又は置換メチン基を表す。置換メチン基の置換基は前記置換基Wが挙げられるが、L1、L2は共に無置換メチン基である場合が好ましい。nは1以上の整数を表す。nは好ましくは1である。一般式Ibで表される化合物は、一般式Icで表される化合物がより好ましい。一般式Icで表される化合物式中、X、R7~R10、L1、L2、Z1及びnは一般式IbにおけるX、R7~R10、L1、L2、Z1及びnと同義であり、好ましいものも同じである。R1~R6はそれぞれ独立に、水素又は置換基を表す。置換基としては、好ましくは脂肪族炭化水素基好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基が挙げられる。R1とR2、R3とR4、R2とR5、R4とR6、R5とR6はそれぞれ連結して環を形成してもよい。好ましくはR2とR5が連結して6員環を形成する場合である。一般式Ibで表される化合物は、更に一般式Idで表される化合物が好ましい。一般式Id中、R7~R9、L1、L2、D1及びnは一般式Ibにおける、R7~R9、L1、L2、D1及びnと同義であり、好ましいものも同じである。Z3は5ないし6員環を形成するに必要な原子群を表す。Z3で形成される環としては、例えば一般式IbにおけるZ1で形成される環のうち、1,3-ジカルボニル構造を環内に持つものであり、例えば1,3-シクロペンタンジオン、1,3-シクロヘキサンジオン、1,3-インダンジオン、3,5-ピラゾリジンジオン、2,4,6-トリケトヘキサヒドロピリミジン核などが挙げられ、好ましくは1,3-インダンジオン、3,5-ピラゾリジンジオン、バルビツル酸または2-チオバルビツル酸及びその誘導体であり、より好ましくは1,3-インダンジオン、1,2-ジアリール-3,5-ピラゾリジンジオンであり、更に好ましくは1,3-インダンジオン、1,2-ジフェニル-3,5-ピラゾリジンジオンであり、特に好ましくは1,3-インダンジオンである。Z3で形成される環は置換基を有してもよく、置換基としては例えば置換基Wとして挙げたものが適用できる。一般式Ibで表される化合物は、更に一般式Ieで表される化合物が好ましい。一般式Ie中、X、R7~R9、L1、L2、n及びD1は一般式IbにおけるX、R7~R9、L1、L2、n及びD1と同義であり、好ましいものも同じである。R11~R14はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては例えば置換基Wとして挙げたものが適用できる。R11~R14としては全てが水素原子である場合が好ましい。一般式Ibで表される化合物は、更に一般式Ifで表される化合物が好ましい。一般式If中、X、R7~R9、R11、R14、L1、L2、n及びD1は一般式IeにおけるX、R7~R9、R11、R14、L1、L2、n及びD1と同義であり、好ましいものも同じである。R15~R18はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては例えば置換基Wとして挙げたものが適用できる。R15~R18としては全てが水素原子である場合が好ましい。式Igにおいて、R5、R6で表される置換基はRa、Rbと同義であり、好ましいものも同じである。以下に、一般式Iで表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。一般式Iで示される部分構造を含む化合物は、種々の合成法により合成することができるが、例えば、ジ置換アニリン骨格のアリール基をホルミル化した後、活性メチレン化合物と無塩基下若しくは塩基存在下反応させる方法等が適用できる。例えば特開平11-335661号、特開平11-292875号、特開平11-335368号、特開2000―351774号、特開2001―81451号等に記載の方法を参考にして合成できる。本発明で用いるp型有機光電変換材料としては一般式Bで表される化合物が特に好ましい。一般式Bで表されるp型有機光電変換材料を用いる事により、層中の正孔、電子の輸送性が高い光電変換層抵抗値が低い光電変換層を実現する事が可能であるため、光電変換層の電子スピン数を本発明規定の数値にすることの重要性が増すことになる。また、電子スピン数を少なくする上で特に好ましいp型有機材料としては、染料若しくは5個以上の縮環構造を持たない材料縮環構造を0~4個、好ましは1~3個有する材料が挙げられる。また、光電変換層9をバルクへテロ構造にするときには、光電変換層9に含まれるn型有機材料のEa電子親和力と光電変換層9に含まれるp型有機材料のIpイオン化ポテンシャルの差が1.0eV以上であることが好ましい。また、p型有機材料のIpは5.2eV以上であることが好ましい。p型有機材料のIpは5.2eV以上5.7eV以下であることがより好ましい。また、不純物などによるフリーキャリアを抑制するため、光電変換層9に使用する材料自体にも電子スピン数が少ないものを用いることが好ましく、材料自体の電子スピン数材料を成膜した状態ではなく、材料のままの状態で同定した値が1.0×1015/cm3以下であることが好ましい。このような構成の撮像素子は次のようにして製造する。電荷蓄積部2及び読み出し部3が形成された回路基板1上に絶縁層5を形成し、絶縁層5内にコンタクト部4を形成する。次に、コンタクト部4上に電極材料を成膜し、これをパターニングして複数の画素電極6を形成する。次に、複数の画素電極6上に電子ブロッキング層7、光電変換層9、対向電極10を順次形成して有機光電変換素子Pを形成する。この有機光電変換素子Pを形成する際、光電変換層9の電子スピン数が1.0×1015/cm3以下、理想的には0/cm3となるように、光電変換層9の材料及び形成条件を決定する。次に、封止層11、カラーフィルタ12を形成して撮像素子を完成する。なお、以上の説明では、カラーフィルタ12により分光を行うものとしたが、カラーフィルタ12を省略し、光電変換層をG光や赤外光に感度を持つ材料で形成した構成としてもよい。また、1画素あたりに有機光電変換素子Pを3つ設け、この3つの有機光電変換素子Pを基板上方に積層した構造としてもよい。この場合は、カラーフィルタ12を省略し、1画素に含まれる各有機光電変換素子Pの光電変換層が、それぞれ赤色、青色、緑色の光に感度を持つ材料を選択すればよい。また、光電変換層9は、その形成時又は形成後にアニール処理を行うことが好ましい場合がある。このアニール処理により、光電変換層9中の電子スピン数が減少し、暗電流が低減するためである。暗電流値が低減する要因は定かではないが、アニール処理により、光電変換層9の内部状態が変化し、例えば、p型材料とn型材料の接合状態が変化することで、沸き出しキャリアの生じるエネルギー準位差が増大し例えばp型材料HOMOからn型材料LUMOへの電荷移動が、接合状態の変化に伴い生じにくくなり、電子スピン数フリーキャリア量が減少して、暗電流が低減すると考えられる。光電変換層9の形成直後の電子スピン数が本発明の規定範囲外であっても、上記アニール処理を行うことで、本発明の規定範囲内に入るようにすれば、暗電流を低減することが可能である。上記アニール処理は複数回に分けて実施した方が好ましい場合がある。光電変換層9を高い温度でいきなりアニール処理すると、電子スピン数が逆に増大し、暗電流が増大する場合があるためである。暗電流値が増大する要因は定かではないが、光電変換層9の内部状態が急激に変化し、例えば、p型材料とn型材料の接合状態が変化することで、沸き出しキャリアの生じるエネルギー準位差が減少し例えばp型材料HOMOからn型材料LUMOへの電荷移動が、接合状態の変化に伴い生じやすくなり、電子スピン数フリーキャリア量が増大し、暗電流が増大する事が一要因と予想される。具体的には、低い温度から複数回に分けて少しずつ高い温度でアニール処理する、あるいは、温度は一定とし、短い時間で複数回アニール処理する等、光電変換層9の内部状態の急激な変化を防止するようなアニール処理を行うことが好ましい。また、上記アニール処理は、アニール処理により変質しにくい膜が光電変換層9上に存在する状態で行うことが好ましい。使用する材料及び構成によるが、一般的に有機膜は、アニール処理により、当該有機膜を構成する分子が動き、膜構造が変化する傾向にある。有機膜表面に何もない状態でアニール処理を行うと、分子が自由に動きやすい状況になるため、急激な変化が生じやすく、前述のような悪影響が発生することがある。このため、光電変換層9上に光電変換層9の内部状態の急激な変化を防ぐための所定の材料膜例えば、上部電極又は保護膜が存在する状況でアニール処理を行う事で、光電変換層9の急激な変質を抑制することができる。また、上記アニール処理は、封止層11の形成時、カラーフィルタ12の形成時、及び撮像素子を回路基板に取り付ける際の半田リフロー時のいずれかにおいて実施するアニール処理と兼用して行うことも可能である。新規な工程としてアニール処理を別途行うことも可能であるが、他のアニール処理と兼用することで、プロセス数の増大を抑制することができる。上記アニール処理は、光電変換層の過度の急激な変化を抑制するため、光電変換層に使用する材料のTgガラス転移温度値以下で行うことが好ましい。但し、C60などのTgが高い材料と、それより低いTgのp型有機材料例えば光電変換色素とを混合した光電変換層を形成する場合、p型有機材料のTg値以上の温度でアニール処理しても構わない。これは、熱変化しにくいC60とp型有機材料との相互作用により、単材料膜状態よりもp型有機材料分子の熱運動が抑制されるためである。光電変換層がC60とp型有機材料との混合層である場合、p型有機材料のTg値120°C以下の温度でアニール処理することが好ましく、100°C以下が更に好ましい。光電変換層上に上記所定の材料膜がある状態でアニール処理を行う場合、光電変換層に使用している材料のTg値よりも高い温度でアニール処理しても構わない。これは、光電変換層上に何もない状態よりも、光電変換層上に熱変質しにくい膜が存在することで、光電変換層表面の分子が熱変質しにくい状況になり、熱運動開始箇所としての層表面の熱変化が抑制され、層全体としても変質しにくくなるためである。上記所定の材料膜は、ITO等の上部電極膜、酸化アルミ膜、酸化珪素膜、窒化珪素膜、及び酸化窒化膜等の保護膜が挙げられる。光電変換層上に熱変質しにくい所定の材料膜がある場合、光電変換層に使用されている材料のTg値120°C以下の温度でアニールすることが好ましく、100°C以下であることが更に好ましい。有機材料のTg値は、通常知られているようにDSC示差走査熱量測定などにより解析できる。実際には、層状態のガラス転移温度と、上記DSCで測定された材料粉体のガラス転移温度は同一でない場合もある。これは層状態の有機分子の相互作用状態と、粉体の相互作用状態分子同士の会合性などが異なるためであるが、一般的には層状態と粉体のTg値は良い相関を示すので、粉体のTg値を持って規定することが可能である。層状態のTg値は、エスアイアイナノテクノロジー株式会社製のnanoscaleThermalAnalysisなどで測定することができる。次に本発明の実施例を説明する。実施例1有機光電変換素子を備える撮像素子を作製した。ただし、撮像素子のうち、対向電極から上の構成の形成は省略した。手順は次の通りである。まず、CMOS回路からなる読み出し回路とこれに接続される接続電極とを形成したCMOS基板上に、スパッタ法によってアモルファス性ITOを30nm成膜し、これをパターニングして、各接続電極の上に画素電極を形成した。次に、複数の画素電極の上に、化合物2を真空蒸着法により100nmの厚みで成膜して電子ブロッキング層を形成した。次に、電子ブロッキング層上に、p型有機材料としての化合物1とn型有機材料としてのフラーレンC60をそれぞれ単層換算で100nm、200nmとなるように、真空蒸着法真空度は4×10-4Pa以下によって共蒸着して成膜して光電変換層を形成した。光電変換層は、CMOS基板の温度を25°Cに制御した状態で形成した。次に、スパッタ法によりアモルファス性ITOを10nmの厚みで光電変換層上に成膜して対向電極を形成して、カラーフィルタ及び封止層のない撮像素子を完成した。この撮像素子の光電変換層の電子スピン数の同定は、次のようにして行った。まず、PENポリエチレンナフタレート基板上に、化合物1とフラーレンC60をそれぞれ単層換算で100nm、200nmとなるように、真空蒸着法真空度は4×10-4Pa以下によって共蒸着して成膜して光電変換層を形成した。光電変換層は、基板の温度を25°Cに制御した状態で形成した。その後、PEN基板を大気にさらすことなくイナート雰囲気下で裁断し、サンプル管に封入した。そして、サンプル管に封入した試料をX-bandESR測定装置で測定を行い、測定した信号を等方性信号と異方性信号に分離し、等方性信号成分量を算出することにより電子スピン数を同定した。実施例2化合物1を化合物3に変更した以外は、実施例1と同様に撮像素子を作製し、実施例1と同様の方法で光電変換層の電子スピン数を同定した。実施例3化合物1を化合物4に変更した以外は、実施例1と同様に撮像素子を作製し、実施例1と同様の方法で光電変換層の電子スピン数を同定した。実施例4化合物1を化合物5に変更した以外は、実施例1と同様に撮像素子を作製し、実施例1と同様の方法で光電変換層の電子スピン数を同定した。実施例5化合物5を真空蒸着法によって膜厚100nmで成膜して光電変換層を形成した以外は、実施例1と同様に撮像素子を作製し、実施例1と同様の方法で光電変換層の電子スピン数を同定した。実施例6化合物6を真空蒸着法によって膜厚100nmで成膜して光電変換層を形成した以外は、実施例1と同様に撮像素子を作製し、実施例1と同様の方法で光電変換層の電子スピン数を同定した。実施例7化合物1を化合物7に変更した以外は、実施例1と同様に撮像素子を作製し、実施例1と同様の方法で光電変換層の電子スピン数を同定した。実施例8CMOS回路からなる読み出し回路とこれに接続される接続電極とを形成したCMOS基板上に、TiNを30nm成膜し、これをパターニングして、各接続電極の上に画素電極を形成した。次に、複数の画素電極の上に、化合物8を真空蒸着法により100nmの厚みで成膜して電子ブロッキング層を形成した。次に、電子ブロッキング層上に、p型有機材料としての化合物3とn型有機材料としてのフラーレンC60をそれぞれ単層換算で100nm、200nmとなるように、真空蒸着法真空度は4×10-4Pa以下によって共蒸着して成膜して光電変換層を形成した。光電変換層は、CMOS基板の温度を25°Cに制御した状態で形成した。次に、スパッタ法によりアモルファス性ITOを10nmの厚みで光電変換層上に成膜して対向電極を形成した。その後、封止層として、ALCVDAtomicLayerChemicalVaporDeposition装置により125°C条件下でAlO1.8膜を200nm、スパッタ法によりSiO1.3N0.4膜を100nm成膜して、カラーフィルタのない撮像素子を作成し、実施例1と同様の方法で光電変換層の電子スピン数を同定した。実施例9実施例8において、封止層作成後、200°Cで30分アニール処理を行う事以外は同様にして撮像素子を作成し、電子スピン数同定用サンプルも200°C30分アニールした後に測定を行った以外は実施例1と同様の方法で光電変換層の電子スピン数を同定した。実施例10化合物3を化合物4に変更した以外は、実施例8と同様に撮像素子を作製し、実施例1と同様の方法で光電変換層の電子スピン数を同定した。実施例11化合物3を化合物4に変更した以外は、実施例9と同様に撮像素子を作製し、実施例9と同様の方法で光電変換層の電子スピン数を同定した。実施例12化合物3を化合物7に変更した以外は、実施例8と同様に撮像素子を作製し、実施例1と同様の方法で光電変換層の電子スピン数を同定した。実施例13化合物3を化合物7に変更した以外は、実施例9と同様に撮像素子を作製し、実施例9と同様の方法で光電変換層の電子スピン数を同定した。実施例14実施例12において、封止層作成後、200°Cで5分アニール処理を6回を行う事以外は同様にして撮像素子を作成し、電子スピン数同定用サンプルも200°C5分アニールを6回行った後に測定を行った以外は実施例1と同様の方法で光電変換層の電子スピン数を同定した。実施例15実施例12において、封止層作成後、素子上にカラーフィルタ形成を実施した以外は同様にして撮像素子を作成した。カラーフィルタ形成工程は、脱水ベーク200°C5分、カラーレジスト塗布、プリベーク110°C2分、露光、現像、ポストベーク200°C5分を1カラーレジストについて行い、青、緑、赤色カラーレジスト3種類について行った200°Cアニールは合計30分。電子スピン数同定用サンプルは実施例14と同様の方法で光電変換層の電子スピン数を同定した。比較例1化合物1を化合物6に変更した以外は、実施例1と同様に撮像素子を作製し、実施例1と同様の方法で光電変換層の電子スピン数を同定した。比較例2化合物1をSnPc錫フタロシアニンに変更した以外は、実施例1と同様に撮像素子を作製し、実施例1と同様の方法で光電変換層の電子スピン数を同定した。実施例1~15、比較例1~2で作製した各撮像素子の画素電極及び対向電極間に2.0×105V/cmの電界を印加した場合の暗電流密度を測定した。表2に、各撮像素子の暗電流密度実施例1の値を1としたときの相対値と、各撮像素子の光電変換層の電子スピン数と、各撮像素子の光電変換層に用いたp型有機材料のIpの値とを示した。Ipはガラス基板上に材料単層100nmを真空蒸着により成膜し、AC-2理研計器株製で測定した。また、Tgは、材料の原料粉末をDSCにより測定して同定した。表2の結果により、光電変換層の電子スピン数を1.0×1015以下とすることで、暗電流を大幅に低減できることがわかった。言い換えると、光電変換層の電子スピン数が1.0×1015以下となるように、光電変換層を形成することで、暗電流を大幅に低減できることがわかった。また、実施例8と実施例9、実施例10と実施例11、実施例12と実施例13の表2中の結果の比較により、アニール処理によって電子スピン数暗電流を低減させられる事がわかった。また、実施例13、14の比較により、アニール処理工程は、複数回に分ける事で電子スピン数暗電流を更に低減する事が可能であり、実施例13、15により、アニール処理をカラーレジスト作成工程と兼用できる事もわかった。また、実施例5と実施例4、実施例6と比較例1をそれぞれ比較してわかるように、p型有機材料単独の層と、p型有機材料とn型有機材料との混合層とでは、それぞれの層に含まれるp型有機材料が同じであっても、電子スピン数が異なっている。つまり、光電変換層の電子スピン数は、光電変換層に含まれる各材料単独で決まるのではなく、各材料の相互作用によって決まる。したがって、光電変換層の材料そのものの電子スピン数ではなく、その材料を成膜した状態での電子スピン数を同定することが重要であることがわかる。以上説明したように、本明細書には次の事項が開示されている。開示された有機光電変換素子は、第一の電極、前記第一の電極に対向する第二の電極、及び前記第一の電極と前記第二の電極の間に設けられた有機材料を含む光電変換層を有する有機光電変換素子であって、前記光電変換層の電子スピン数が1.0×1015/cm3以下となっているものである。開示された有機光電変換素子は、前記光電変換層が有機材料を成膜して得られたものである。開示された有機光電変換素子は、前記電子スピン数が、電子スピン共鳴装置によって測定した信号のうち、等方性信号成分から求められる値であるものである。開示された有機光電変換素子は、前記光電変換層が、その形成時又は形成後にアニール処理が行われたものを含む。開示された有機光電変換素子は、前記アニール処理が複数回に分けて行われたものを含む。開示された有機光電変換素子は、前記アニール処理が、前記光電変換層上に所定の材料膜を形成した状態で行われたものを含む。開示された有機光電変換素子は、前記光電変換層が、n型有機材料を含むものである。開示された有機光電変換素子は、前記n型有機材料が、フラーレン又はフラーレン誘導体であるものである。開示された有機光電変換素子は、前記光電変換層が、更にp型有機材料を含むものである。開示された有機光電変換素子は、前記p型有機材料が、染料又は5個以上の縮環構造を持たない材料であるものである。開示された有機光電変換素子は、前記n型有機材料の電子親和力と前記p型有機材料のイオン化ポテンシャルの差が1.0eV以上であるものである。開示された有機光電変換素子は、前記p型有機材料のイオン化ポテンシャルが5.2eV以上であるものである。開示された有機光電変換素子は、前記光電変換層を構成する材料自体の電子スピン数が1.0×1015/cm3以下であるものである。開示された有機光電変換素子は、60°Cにおける前記光電変換層の電子スピン数の値が、25°Cにおける値の3倍以内となっているものである。開示された撮像素子は、複数の前記有機光電変換素子と、前記各光電変換素子で発生した電荷に応じた信号を読み出す読み出し部とを備えるものである。開示された撮像装置は、前記撮像素子を備えるものである。開示された撮像素子の製造方法は、複数の有機光電変換素子と、前記複数の有機光電変換素子の各々で発生した電荷に応じた信号を読み出す読み出し部とを有する撮像素子の製造方法であって、前記有機光電変換素子が、前記電荷を捕集する第一の電極と、前記第一の電極と対向する第二の電極と、前記第一の電極及び前記第二の電極の間に設けられ、入射光に応じて前記電荷を発生する光電変換層を含み、前記光電変換層の電子スピン数が1.0×1015以下となるように前記光電変換層を形成するものである。開示された撮像素子の製造方法は、前記光電変換層が有機材料を成膜して得られたものである。開示された撮像素子の製造方法は、前記電子スピン数が、電子スピン共鳴装置によって測定した信号のうちの等方性信号成分から求められる値であるものである。開示された撮像素子の製造方法は、前記光電変換層の形成時又は形成後にアニール処理を行う工程を有するものである。開示された撮像素子の製造方法は、前記アニール処理を複数回に分けて行うものである。開示された撮像素子の製造方法は、前記アニール処理を、前記光電変換層上に所定の材料膜を形成した状態で行うものである。開示された撮像素子の製造方法は、前記光電変換層の材料としてn型有機材料を用いるものである。開示された撮像素子の製造方法は、前記n型有機材料が、フラーレン又はフラーレン誘導体であるものである。開示された撮像素子の製造方法は、前記光電変換層の材料として、更にp型有機材料を用いるものである。開示された撮像素子の製造方法は、前記p型有機材料が、染料又は5個以上の縮環構造を持たない材料であるものである。開示された撮像素子の製造方法は、前記n型有機材料の電子親和力と前記p型有機材料のイオン化ポテンシャルの差が1.0eV以上となるように前記光電変換層を構成する各材料を選択するものである。開示された撮像素子の製造方法は、前記p型有機材料として、イオン化ポテンシャルが5.2eV以上であるものを用いるものである。開示された撮像素子の製造方法は、前記光電変換層を構成する材料として、材料自体の電子スピン数が1.0×1015/cm3以下であるものを用いるものである。開示された撮像素子の製造方法は、60°Cにおける前記光電変換層の電子スピン数の値が25°Cにおける値の3倍以内となるように、前記光電変換層の材料を選択するものである。"