枠体と、前記枠体の上部に設けられ、角部が曲面に面取り加工された多孔質体と、前記多孔質体及び枠体の内部を吸引する吸引手段と、被分離体の一部を下側に押し下げる機能を有する手段と、被分離体の別の一部を持ち上げる機能を有する手段を有する治具と、を有することを特徴とする分離装置。請求項1において、前記多孔質体は、多孔質構造を有するセラミック、多孔質構造を有する金属、多孔質構造を有する樹脂のいずれか1つを含むことを特徴とする分離装置。保持基板上に、分離層及び半導体素子層を積層し、前記保持基板の一部及び分離層の一部を除去して、半導体素子層の一部を露出させ、前記半導体素子層、分離層、及び保持基板の積層体を、角部が曲面に面取り加工された多孔質体上に吸着保持させ、前記露出した半導体素子層の一部を押し下げることにより、前記露出した半導体素子層の一部を前記多孔質体の曲面に面取り加工された角部に沿って湾曲させ、前記半導体素子層の一部を湾曲させることにより、前記半導体素子層及び前記保持基板の間に隙間を形成し、前記保持基板を持ち上げることにより、前記分離層を介して、前記隙間から前記半導体素子層と保持基板を分離することを特徴とする分離方法。請求項3において、前記多孔質体は、多孔質構造を有するセラミック、多孔質構造を有する金属、多孔質構造を有する樹脂のいずれか1つを含むことを特徴とする分離方法。請求項3又は請求項4において、前記半導体素子層に接して、強度保持層が形成されることを特徴とする分離方法。請求項5において、前記強度保持層は、UV剥離フィルムあるいは水溶性樹脂であることを特徴とする分離方法。保持基板上に、分離層を形成し、前記分離層上に、薄膜トランジスタを含む半導体素子層を形成し、前記保持基板の一部及び分離層の一部を除去して、半導体素子層の一部を露出させ、前記半導体素子層、分離層、及び保持基板の積層体を、角部が曲面に面取り加工された多孔質体上に吸着保持させ、前記露出した半導体素子層の一部を押し下げることにより、前記半導体素子層の一部を前記多孔質体の曲面に面取り加工された角部に沿って湾曲させ、前記半導体素子層の一部を湾曲させることにより、前記半導体素子層及び前記保持基板の間に隙間を形成し、前記保持基板を持ち上げることにより、前記分離層を介して、前記隙間から前記半導体素子層と保持基板を分離することを特徴とする半導体素子の作製方法。請求項7において、前記多孔質体は、多孔質構造を有するセラミック、多孔質構造を有する金属、多孔質構造を有する樹脂のいずれか1つを含むことを特徴とする半導体素子の作製方法。請求項7又は請求項8おいて、前記半導体素子層に接して、強度保持層が形成されることを特徴とする半導体素子の作製方法。請求項9において、前記強度保持層は、UV剥離フィルムあるいは水溶性樹脂であることを特徴とする半導体素子の作製方法。保持基板上に、分離層及び半導体素子層を積層し、前記保持基板の一部及び分離層の一部を除去して、半導体素子層の一部を露出させ、前記半導体素子層、分離層、及び保持基板の積層体を、曲面に面取り加工された角部を有するステージ上に吸着保持させ、前記露出した半導体素子層の一部を押し下げることにより、前記露出した半導体素子層の一部を前記ステージの曲面に面取り加工された角部に沿って湾曲させ、前記半導体素子層の一部を湾曲させることにより、前記半導体素子層及び前記保持基板の間に隙間を形成し、前記保持基板を持ち上げることにより、前記分離層を介して、前記隙間から前記半導体素子層と保持基板を分離することを特徴とする分離方法。請求項11において、前記半導体素子層に接して、強度保持層が形成されることを特徴とする分離方法。請求項12において、前記強度保持層は、UV剥離フィルムあるいは水溶性樹脂であることを特徴とする分離方法。保持基板上に、分離層を形成し、前記分離層上に、薄膜トランジスタを含む半導体素子層を形成し、前記保持基板の一部及び分離層の一部を除去して、半導体素子層の一部を露出させ、前記半導体素子層、分離層、及び保持基板の積層体を、角部が曲面に面取り加工されたステージ上に吸着保持させ、前記露出した半導体素子層の一部を押し下げることにより、前記半導体素子層の一部を前記ステージの曲面に面取り加工された角部に沿って湾曲させ、前記半導体素子層の一部を湾曲させることにより、前記半導体素子層及び前記保持基板の間に隙間を形成し、前記保持基板を持ち上げることにより、前記分離層を介して、前記隙間から前記半導体素子層と保持基板を分離することを特徴とする半導体素子の作製方法。請求項14において、前記半導体素子層に接して、強度保持層が形成されることを特徴とする半導体素子の作製方法。請求項15において、前記強度保持層は、UV剥離フィルムあるいは水溶性樹脂であることを特徴とする半導体素子の作製方法。従来技術における基板と半導体素子を分離する工程は、工程数が多いという問題点がある。例えば特許文献2においては、第1の基板上に金属膜及び酸化物膜からなる分離層を積層し、分離層上に、半導体素子層を形成する。半導体素子層上に第2の基板を貼り付け、第1の基板に第3の基板を貼り付ける。その後、金属膜及び酸化物膜を物理的に引きはがすことにより、金属膜及び酸化物膜を分離する。これにより第2の基板側の半導体素子層と、第3の基板側の第1の基板及び金属膜を分離する。次いで半導体素子層を素子基板に貼り付ける。その後半導体素子層から第2の基板を剥離する。以上により、素子基板上に形成された半導体素子層を得る。このように、従来の分離工程では、第1の基板と半導体素子層の両方に、支持基板を貼り付ける工程と剥離する工程がある。このため全体の工程数が多くなる。上記を鑑み、開示される発明の一態様は、基板と半導体素子を分離する工程において、従来より工程数を削減することを課題の一とする。また開示される発明の一態様は、従来より工程数を削減する分離装置を得ることを課題の一とする。また開示される発明の一態様は、分離工程において工程数を削減することより、作製コストを抑制することを課題の一とする。また開示される発明の一態様は、半導体素子作製における生産性を向上させることを課題の一とする。開示される一態様では、分離工程の際に多孔質体が設けられたステージを有する分離装置を用い、半導体素子層、又は、分離層及び半導体素子層が最初に形成される基板以下保持基板というを吸着保持する。これにより、半導体素子層及び保持基板に貼り付ける基板以下支持基板というの数を減少させる。当該支持基板の数を減少させることにより、支持基板を貼り付ける工程及び分離する工程を削減することができる。これにより、作製工程数を従来より削減することができる。また作製工程数を削減することにより、作製コストを抑制することができる。また開示される一態様では、当該多孔質体の一つの角部、又は当該多孔質体及びステージの角部を、曲面に面取り加工する。分離工程の際に、保持基板の角部を除去し、半導体素子層の一部を露出させる。保持基板の端部は、保持基板に切り込みを入れ、当該保持基板の端部を持ち上げる。分離層及び分離層の上部に接して設けられている層は密着性が弱い。並びに、分離層及び分離層の下部に接して設けられている層は密着性が弱い。そのため、保持基板に切れ込みを入れた状態で当該保持基板の端部を持ち上げると、半導体素子層を残して保持基板端部のみを除去することができる。上下動が可能な治具により、半導体素子層の当該露出した領域をステージ側へ押し下げる。半導体素子層の当該露出した領域を押し下げると、分離層とその上に設けられている保持基板との密着性が弱いので、半導体素子層が分離する。半導体素子層が露出した領域で、下向きの力をかけることにより、弱い力で容易に半導体素子層のみを分離することが可能である。更に治具を押し下げることにより、半導体素子層を当該曲率半径を有するステージの一部に沿って湾曲させる。これにより半導体素子層及び保持基板との間に、半導体素子層が分離層から分離した隙間が形成される。当該治具を用いて、半導体素子層が分離層から分離した隙間から保持基板を持ち上げる。この際、保持基板が湾曲するように持ち上げると、単位時間当たりに分離する領域が線状もしくは帯状になる。一方、保持基板を垂直に持ち上げると、単位時間当たりに分離する領域が面状になる。よって、保持基板が湾曲するように持ち上げると、保持基板を垂直に持ち上げた場合と比較して、弱い力で分離することができる。以上から開示される発明の一態様に示されるステージを用いて、半導体素子層及び保持基板を分離すると、半導体素子層及び保持基板の分離が容易となる。半導体素子層及び保持基板の分離が容易となるので、半導体素子作製における生産性を向上させることが可能となる。開示される発明の一態様は、分離装置に関する。当該分離装置は、枠体と、当該枠体の上部に設けられ、角部が曲面に面取り加工された多孔質体と、当該多孔質体及び枠体の内部を吸引する吸引手段とを有することを特徴とする。当該分離装置は、被分離体の一部を下側に押し下げる機能を有する手段と、被分離体の別の一部を持ち上げる機能を有する手段を有する治具とを有することを特徴とする。開示される発明の一態様は、分離方法に関する。当該分離方法では、保持基板上に、分離層及び半導体素子層を積層する。当該保持基板の一部及び分離層の一部を除去して、半導体素子層の一部を露出させる。当該半導体素子層、分離層、及び保持基板の積層体を、角部が曲面に面取り加工された多孔質体上に吸着保持させる。当該露出した半導体素子層の一部を押し下げることにより、当該露半導体素子層の一部を当該多孔質体の曲面に面取り加工された角部に沿って湾曲させる。当該半導体素子層の一部を湾曲させることにより、当該半導体素子層及び当該保持基板の間に隙間を形成する。当該保持基板を持ち上げることにより、当該分離層を介して、当該隙間から当該半導体素子層と保持基板を分離することを特徴とする。開示される発明の一態様は、半導体素子の作製方法に関する。当該半導体素子の作製方法では、保持基板上に、分離層を形成する。当該分離層上に、薄膜トランジスタを含む半導体素子層を形成する。当該保持基板の一部及び分離層の一部を除去して、半導体素子層の一部を露出させる。当該半導体素子層、分離層、及び保持基板の積層体を、角部が曲面に面取り加工された多孔質体上に吸着保持させる。当該露出した半導体素子層の一部を押し下げることにより、当該半導体素子層の一部を当該多孔質体の曲面に面取り加工された角部に沿って湾曲させる。当該半導体素子層の一部を湾曲させることにより、当該半導体素子層及び当該保持基板の間に隙間を形成する。当該保持基板を持ち上げることにより、当該分離層を介して、当該隙間から当該半導体素子層と保持基板を分離することを特徴とする。開示される発明の一態様は、分離方法に関する。当該分離方法では、保持基板上に、分離層及び半導体素子層を積層する。当該保持基板の一部及び分離層の一部を除去して、半導体素子層の一部を露出させる。当該半導体素子層、分離層、及び保持基板の積層体を、曲面に面取り加工された角部を有するステージ上に吸着保持させる。当該露出した半導体素子層の一部を押し下げることにより、当該露出した半導体素子層の一部を当該ステージの曲面に面取り加工された角部に沿って湾曲させる。当該半導体素子層の一部を湾曲させることにより、当該半導体素子層及び当該保持基板の間に隙間を形成する。当該保持基板を持ち上げることにより、当該分離層を介して、当該隙間から当該半導体素子層と保持基板を分離することを特徴とする。開示される発明の一態様は、半導体素子の作製方法に関する。当該半導体素子の作製方法では、保持基板上に、分離層を形成する。当該分離層上に、薄膜トランジスタを含む半導体素子層を形成する。当該保持基板の一部及び分離層の一部を除去して、半導体素子層の一部を露出させる。当該半導体素子層、分離層、及び保持基板の積層体を、角部が曲面に面取り加工されたステージ上に吸着保持させる。当該露出した半導体素子層の一部を押し下げることにより、当該露出した半導体素子層の一部を当該ステージの曲面に面取り加工された角部に沿って湾曲させる。当該半導体素子層の一部を湾曲させることにより、当該半導体素子層及び当該保持基板の間に隙間を形成する。当該保持基板を持ち上げることにより、当該分離層を介して、当該隙間から当該半導体素子層と保持基板を分離することを特徴とする。開示される発明の一態様において、当該多孔質体は、多孔質構造を有するセラミック、多孔質構造を有する金属、多孔質構造を有する樹脂のいずれか1つを含むことを特徴とする。開示される発明の一態様において、当該半導体素子層に接して、強度保持層が形成されることを特徴とする。開示される発明の一態様において、当該強度保持層は、UV剥離フィルムあるいは水溶性樹脂であることを特徴とする。開示される発明の一態様により、基板と半導体素子を分離する工程において、従来より工程数を削減することができる。また開示される発明の一態様により、従来より工程数を削減する分離装置を得ることができる。また開示される発明の一態様は、分離工程において工程数を削減することにより、作製コストを抑制することができる。また開示される発明の一態様により、半導体素子作製における生産性を向上させることができる。以下、本明細書に開示された発明の実施の態様について、図面を参照して説明する。但し、本明細書に開示された発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本明細書に開示された発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に示す図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。<分離装置について>図1は本実施の形態の分離装置100の構成を示す図であり、図5は分離装置100の一部を拡大した拡大図である。分離装置100は、曲面に面取り加工された角部106を有するステージ101と、突起部110を有する治具107と、吸引手段108を有している。ステージ101には、当該曲面に面取り加工された角部109を有する多孔質体102、及び、多孔質体102を囲繞する枠体103を有する基台104が設けられている。多孔質体102は、枠体103の上部に設けられており、被吸着物を吸着保持する。多孔質体102は、例えば、多孔質構造を有するセラミック、多孔質構造を有する金属、多孔質構造を有する樹脂等の多孔質材料を用いて形成されており、通気性を有するものである。当該多孔質体102は、0.1μm以上10μm未満の径を有する気孔を複数有している。枠体103には連通管105が連通されており、連通管105は吸引手段108に連通されている。吸引手段108は、連通管105を通して、基台104多孔質体102及び枠体103の内部を吸引する。これにより、多孔質体102上の被吸着物が吸着保持される。後述する分離工程において、ステージ101の曲面に面取り加工された角部106及び多孔質体102の曲面に面取り加工された角部109に沿って、治具107により半導体素子層203を湾曲させる。ただし、角部106の全部が一様な曲率半径を有していなくてもよい。後述する分離工程で、半導体素子層203及び保持基板201との間に、半導体素子層203を分離層202から分離することにより隙間212を形成し、該隙間212に治具107の突起部110を入れることが可能な程度な曲率半径を有しておればよい。もちろん、角部106の全部が一様で連続した曲率半径を有していてもよい。そのためステージ101の角部106及び多孔質体102の角部109の曲率半径Rは、半導体素子層203が損傷を受けない程度の曲率半径に設定する必要がある。当該曲率半径Rの値については、後述する。また後述する分離工程において、治具107の突起部110を保持基板201に接触させ、治具107を持ち上げることにより、保持基板201を持ち上げる。これにより、分離層202を介して、保持基板201と半導体素子層203を分離する。なお治具107を駆動する駆動装置を設け、治具107を自動的に駆動させてもよい。なお図1及び図5では、曲面に面取り加工された角部106は、ステージ101の端部である。しかし、ステージ101の端部が、必ず曲面に面取り加工されていなくてもよい。図19に、ステージ101の端部が、曲面に面取り加工された角部106及び平坦部125を有する例を示す。ステージ101の端部が平坦部125を有して場合でも、曲面に面取り加工された角部106が設けられているので、分離工程には問題を生じない。曲面に面取り加工された角部106が設けられていることにより、後述する分離工程で、半導体素子層203及び保持基板201との間に隙間212が形成される。曲面に面取り加工された角部106が設けられていることにより、該隙間212に治具107を入れることができるので好適である。本実施の形態の分離装置を用いることにより、分離工程における工程数を従来より削減することができる。また、分離工程における工程数を削減できるので、作製コストを抑制することができる。さらに、半導体素子作製における生産性を向上させることが可能となる。<ステージの構成について>曲率半径Rの具体的な値について、図11A~図11B及び図12A~図12Bを用いて説明する。半導体素子層203は、分離工程においてステージ101及び多孔質体102の曲面に面取り加工された角部に沿って曲げられる。この際に半導体素子層203が損傷を受けると、半導体素子の生産性が低下してしまう。そこで、当該角部の曲率半径Rの値を決定する実験を行った。図11Bに、基体405の構造を示す。基体405は、UV剥離フィルム401、水溶性樹脂402、タングステン膜403、及び酸化珪素膜404を有する。UV剥離フィルム401及び水溶性樹脂402は、上記の強度保持層204に相当する。またタングステン膜403及び酸化珪素膜404は、分離層202に相当する。UV剥離フィルム401として、ポリエチレンテレフタレートを有するUV剥離テープUDT-1025MC株式会社トーヨーアドテック製厚さ300μmを用いた。また水溶性樹脂402として、アクリル系樹脂アロニックス登録商標VL-WSHL10東亞合成株式会社製厚さ30μmを用いた。タングステン膜403は、スパッタ法により膜厚50nm、酸化珪素膜404は、スパッタ法により膜厚200nmとなるように成膜した。また、基体405を幅ABが長さaである板406に貼り付け、板406に貼り付けた状態で、基体405にクラック損傷が発生するまで、基体405を湾曲させた。板406の表面Cから湾曲させた基体405の頂点Dまでの距離CDである長さbを測定した。湾曲させた基体405を中心Oを有する弧とみなし、直角三角形OBCの一辺の長さOBである曲率半径Rを計算した。板406の幅ABは300mm、板406の表面Cから基体405の頂点Dまでの距離bは45mmであった。その結果、直角三角形OBCの一辺の長さOBである曲率半径Rは27.25cmとなった。以上の結果から、ステージ101及び多孔質体102の曲率半径Rは27cm以上、より好ましくは。27.5cm以上が好ましい。さらにステージ101及び多孔質体102の曲率半径Rが28cm以上であると、損傷を生じる恐れがほぼなくなるので、さらに好ましい。曲率半径Rが27cmより小さいと、強度保持層204を湾曲させた際に、強度保持層204に接して設けられている半導体素子層203に、損傷が生じる恐れがある。図12A及び図12Bは、曲率半径Rが27.25cmの場合に、強度保持層204及び半導体素子層203に損傷が生じた様子を示す写真である。図12A及び図12Bに示すように、曲率半径Rの値が適切でないと、半導体素子層203にクラックが発生することが明らかになった。<分離方法及び半導体素子層の作製方法について>本実施の形態の分離方法及び半導体素子層の作製方法を以下に説明する。まず保持基板201を用意する。保持基板201上に分離層202及び半導体素子層203を形成する図2A参照。保持基板201としては、石英基板、半導体基板、ガラス基板、金属基板などを用いればよい。分離層202は、プラズマCVD法やスパッタリング法等により、金属層の単層、或いは当該金属層とその酸化膜の積層膜を形成する。当該金属層の金属元素として、タングステンW、モリブデンMo、チタンTi、タンタルTa、ニオブNb、ニッケルNi、コバルトCo、ジルコニウムZr、亜鉛Zn、ルテニウムRu、ロジウムRh、パラジウムPd、オスミウムOs、イリジウムIrから選ばれた少なくとも一つの元素を用いる。本実施の形態では、分離層202として、タングステン膜を形成する。後述する分離工程において、分離層202と分離層202の下部に接して設けられる層本実施の形態では、保持基板201との密着性が弱いこと、並びに、分離層202の上部に接して設けられる層本実施の形態では、半導体素子層203、より具体的には、後述する絶縁膜112との密着性が弱いことを利用して分離を行う。また分離層202の内部から分離が起こることもあり、分離層202の内部からの分離を利用して分離工程を行うこともできる。分離層202を金属層とその酸化膜の積層膜を用いた場合は、当該金属層とその酸化膜との間の密着性が弱いことを利用して分離を行う。或いは、当該金属酸化膜の脆弱さを利用し、当該金属酸化膜内部から分離が起こることを利用して、分離工程を行うこともできる。或いは、分離層202を金属層の単層で形成した場合でも、当該金属層に酸素を含む絶縁膜が形成されていると、当該金属層と絶縁膜との界面に、金属酸化膜が形成される。このような金属酸化膜は、後述の薄膜トランジスタ113を形成する過程における加熱工程により、酸素を含む絶縁膜から金属層に酸素が移動することにより形成される。以上のように金属層と絶縁膜との界面に、金属酸化膜が形成されると、金属層と金属酸化膜の界面、あるいは金属酸化膜内部から分離が起こり、これを利用して分離工程を行うことができる。本実施の形態では、半導体素子層203として、薄膜トランジスタThinFilmTransistor:TFTを有する層を形成する。半導体素子層203の構造の一例を図6Aに示す。図6Aに示す半導体素子層203は、絶縁膜112、絶縁膜112上に形成された薄膜トランジスタ113、薄膜トランジスタ113を覆う絶縁膜122、絶縁膜122上に形成された電極123を有している。絶縁膜112は下地膜として機能する膜である。絶縁膜112として、プラズマCVD法やスパッタリング法等により、珪素の酸化物、珪素の窒化物、窒素を含む珪素の酸化物、酸素を含む珪素の窒化物等を形成する。図6Aに示す薄膜トランジスタ113は、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を含む島状半導体膜117、島状半導体膜117上にゲート絶縁膜118、ゲート絶縁膜118上にゲート電極119、ゲート絶縁膜118及びゲート電極119上に絶縁膜120、絶縁膜120上に形成され、当該ソース領域及びドレイン領域に電気的に接続される電極111を有する。なお、薄膜トランジスタ113の構造は、図6Aに示す構造に限られるものではなく、図6Aに示す構造以外の構造を有する薄膜トランジスタを用いても良い。例えば、薄膜トランジスタ113として、ゲート電極119の両端にサイドウォールが形成され、LDD領域低濃度不純物領域を有するトップゲート型の薄膜トランジスタや、ボトムゲート型の薄膜トランジスタ、シリサイド領域を有する薄膜トランジスタなど、公知の薄膜トランジスタの構造を適用することができる。薄膜トランジスタ113上には、絶縁膜122が形成される。絶縁膜122は、公知の手段により、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜などの無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシなどの有機材料、シロキサンなどを用いて形成される。また絶縁膜122は、当該材料を用いて単層または積層で形成する。なお本明細書において、酸化窒化珪素膜及び窒化酸化珪素膜は、前者は窒素よりも酸素を多く含み、後者は酸素よりも窒素を多く含むという意味で使い分けている。絶縁膜122上には、薄膜トランジスタ113の電極111と電気的に接続される電極123が形成されている。電極123は、金属膜などを用いて形成される。本実施の形態では、電極123として、窒化チタン膜をスパッタ法で形成する。半導体素子層203に接して、強度保持層204を設ける図2B及び図6B参照。強度保持層204は、後の工程で半導体素子層203から剥離するので、UV紫外線剥離フィルムや水溶性樹脂等の剥離可能な樹脂層を用いる。また当該UV紫外線剥離フィルムや水溶性樹脂を積層した積層体を、強度保持層204として用いてもよい。強度保持層204は、分離工程において、半導体素子層203を保護する機能を有する。なお半導体素子層203が分離工程で損傷を受けない程度の強度を有する場合は、強度保持層204を設けなくてもよい。なお保持基板201、分離層202、半導体素子層203、及び強度保持層204の積層体は、分離される対象物であるので、被分離体とも言える。次いで、保持基板201の一部の領域205をスクライバ等を用いて除去する図2C参照。スクライバとは、基板に細い溝スクライブ溝を形成した後でスクライブ溝に衝撃を与え、スクライブ溝に沿った亀裂を発生させて基板を分断する装置である。本実施の形態では、保持基板201に切り込みを入れ、保持基板201の一部の領域205を持ち上げることで、当該領域205を除去する。分離層202及び保持基板201の密着性が弱いので、保持基板201に切れ込みを入れた状態で、当該保持基板201の一部の領域205を持ち上げると、半導体素子層203を残して保持基板201の一部の領域205のみを除去することができる。また保持基板201の一部の領域205を除去する際に、分離層202の一部を除去してもよいし、当該分離層202の一部が半導体素子層203上に残ってもよい。保持基板201の一部の領域205を除去することにより、半導体素子層203の一部が露出する。次いで、強度保持層204が多孔質体102に接するように、強度保持層204、半導体素子層203、分離層202、保持基板201の積層体を配置する。このとき、露出した半導体素子層203の一部を、多孔質体102の曲面に面取り加工された角部109、及びステージ101の曲面に面取り加工された角部106の上に配置する。これにより、多孔質体102及びステージ101、並びに強度保持層204との間に隙間211が形成される。また多孔質体102及び枠体103を含む基台104は、連通管105を介して吸引手段108により吸引される。これにより、当該積層体が多孔質体102に吸着保持される図3A参照。次いで、突起部110を有する治具107により、当該露出した半導体素子層203の一部を押し下げる。露出した半導体素子層203の一部を押し下げると、分離層202とその上に設けられている保持基板201との密着性が弱いので、半導体素子層203が剥離する。これにより保持基板201及び半導体素子層203との間に隙間212が形成される図3B参照。半導体素子層203が露出した一部に、下向きの力をかけることにより、弱い力で容易に半導体素子層203のみを剥離し、隙間212を形成することが可能である。更に治具107により露出した半導体素子層203の一部を下側に押し下げ、露出した半導体素子層203の一部を、多孔質体102の曲面に面取り加工された角部109、及び曲面に面取り加工されたステージ101の角部106に沿って湾曲させる。これにより半導体素子層203及び保持基板201との間に、半導体素子層203が分離層202から均一に分離した隙間212を形成する。上述の工程の際に、治具107により、半導体素子層203は、多孔質体102の曲面に面取り加工された角部109、及びステージ101の曲面に面取り加工された角部106に沿って湾曲する。しかし、角部109及び角部106曲率半径Rは、半導体素子層203に損傷を受けない範囲に設定しているので、半導体素子層203が損傷を受けることはない。なお当該曲率半径Rの値については、上述したとおりである。次いで、治具107の突起部110を隙間212に入れ、突起部110を当該露出した半導体素子層203の一部に接触させる。突起部110を当該露出した半導体素子層203の一部に接触させた状態で、治具107を持ち上げる。治具107を持ち上げることにより、保持基板201を持ち上げる。治具107を用いて、半導体素子層203が分離層202から均一に分離した隙間212側から保持基板201を持ち上げる図4A参照。この際、保持基板201がステージ101に対して湾曲するように持ち上げる。湾曲するように持ち上げることにより、単位時間当たりに分離する領域が線状もしくは帯状になり、垂直に持ち上げて面状の領域を同時に分離する場合と比較して弱い力で剥離することができる。保持基板201を持ち上げることにより、分離層202を介して、保持基板201と半導体素子層203を分離する図4B及び図6C参照。なお、治具107及びステージ101の曲面に面取り加工された角部106の位置関係を、図15A及び図15Bに示す。図15Aにおいて、ステージ101の曲面に面取り加工された角部106は、ステージ101の一つの角の周辺である。治具107は、除去された保持基板201の一部の領域205における一番長い辺に対して対向するように配置される。図15Bにおいて、ステージ101の曲面に面取り加工された角部106は、ステージ101の一つの辺の周辺である。治具107は、除去された保持基板201の一部の領域205における一番長い辺に対して対向するように配置される。また治具107を駆動する駆動装置を設け、上述の分離工程において治具107を自動的に駆動させてもよい。なお、半導体素子層203が分離層202から均一に分離する隙間212に、水などの液体を添加しても良い。液体を加えることによって、分離時に発生する静電気の放電を抑えられ、分離の際に必要な引き剥がす力も抑えることができる。液体の種類として、純水よりも比抵抗が低い水溶液を用いることができる。すなわち、水を溶媒とし、その溶媒に溶質となる物質が溶けた水溶液を用いることができる。水溶液の性質は酸性、アルカリ性、中性のいずれでもよい。例えば、酸や塩基が溶けている水溶液、塩塩は、酸性塩、アルカリ性塩、正塩のいずれでもよい。が溶けている水溶液などを用いることができる。液体に用いることができる水溶液としては、具体的には、二酸化炭素CO2の水溶液、塩化水素HClの水溶液塩酸、水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液、塩化アンモニウムNH4Clの水溶液などが挙げられる。液体には二酸化炭素の水溶液、塩化水素の水溶液のような、常温25°C、大気圧で気体となる分子が水に溶けた水溶液が好ましい。それは、液体を乾燥したとき、水と共に溶けた分子が気体となり、残らないためである。また、塩を溶かした水溶液を用いる場合、界面活性剤として機能する塩が好ましい。界面活性剤を溶かすことで、液体で濡らしやすくできる。また、水と揮発性の液体の混合溶液も液体に用いることができる。液体に揮発性の液体を含ませることにより乾燥処理が省略できる。揮発性の液体に少なくとも0.1程度水が含まれていれば、液体により電荷を拡散させること、すなわち帯電防止の効果を得ることができる。市販の高純度のエタノールやアセトンなどの有機溶剤には0.1以上の濃度で水を不純物として含んでいる製品もあるため、このような市販の有機溶剤は、濃度調節せずに、水と揮発性の液体の混合溶液として用いることが可能である。また、揮発性の液体の長所を生かすため、揮発性の液体の濃度は30以上が好ましい。よって、有機溶剤として普及している変性エタノールのような純度の低い有機溶剤も、濃度調節せずに、水と揮発性の液体の混合溶液として用いることができる。液体の供給方法の1つは、ノズルやスポイトなどの注入手段により、分離によって生じた隙間に液体を滴下する方法、または注ぐ方法がある。この場合、液体の供給は分離の開始から終了まで常時行ってもよいし、間欠的に行ってもよい。また、分離の初期の段階のみ液体を注ぐ、または滴下しておいて、分離が進行するにしたがって、供給した液体を毛細管現象により、分離の先端部分にまで行き渡らせることができる。液体を供給する他の方法は、スプレーノズルや霧吹きなどの噴霧手段により液体を霧状にして吹き付ける方法もある。この方法でも、液体の噴霧は、分離が進行している間、常時行ってもよいし、間欠的に行ってもよいし、分離の初期段階のみ行ってもよい。なお、液体として純水を用いる場合は、水蒸気にして吹き付けることができる。液体を供給する他の方法には、スポンジや布のような液体を吸い取り、また外力を与えることにより液体を放出できるような液体保持媒体を用いる方法がある。本実施の形態の分離工程において、従来より工程数を削減することができる。また、分離工程における工程数を削減できるので、作製コストを抑制することができる。次いで、半導体素子層203に、保持基板201とは異なる保持基板206を貼り合わせる図7A及び図6D参照。保持基板206として、ガラス基板、石英基板、透光性を有する樹脂基板などの透光性基板を用いることができる。また保持基板206として、透光性を有しない樹脂基板、半導体基板、セラミック基板、金属基板などの透光性を有しない基板を用いることができる。当該透光性基板或いは透光性を有しない基板は、可撓性を有する基板であってもよい。保持基板206は、半導体素子層203の用途に応じて、上述の基板から選択すればよい。本実施の形態では、保持基板206として、透光性及び可撓性を有する基板、より具体的には、透光性プラスティック基板を用いる。次いで、強度保持層204を半導体素子層203から剥離する図7B及び図6E参照。上述のように、強度保持層204としてUV紫外線剥離フィルムを用いた場合、UV紫外線照射することにより、半導体素子層203から強度保持層204を剥離する。また強度保持層204として、水溶性樹脂を用いた場合、水で洗うことにより強度保持層204を剥離する。以上より、保持基板206上に設けられた半導体素子層203を得ることが可能である。本実施の形態の半導体素子の作製方法において、作製工程数を従来より削減することができる。また、作製工程数を従来より削減できるので、作製コストを抑制することができる。さらに、半導体素子作製における生産性を向上させることが可能となる。<分離装置の変形例1>上記とは異なる分離装置、分離方法、及び半導体素子の作製方法について、以下に説明する。図8は本実施の形態の分離装置300の構成を示す図である。分離装置300は、ステージ301と、突起部110を有する治具107と、吸引手段108を有する。ステージ301には、曲面に面取り加工された角部109を有する多孔質体102、及び、多孔質体102を囲繞する枠体103を有する基台104が設けられている。多孔質体102は、枠体103の上部に設けられており、被吸着物を吸着保持する。図8に示す分離装置300は、図1に示す分離装置100と、ステージ301の角部が水平であるいう点で異なっている。図8に示す分離装置300において、曲面に面取り加工された角部を有するのは、多孔質体102のみである。なお図8では、曲面に面取り加工された角部109は、多孔質体102の端部である。しかし、多孔質体102の端部が、必ず曲面に面取り加工されていなくてもよい。図20に、多孔質体102の端部が、曲面に面取り加工された角部109及び平坦部126を有する例を示す。多孔質体102の端部が平坦部126を有して場合でも、曲面に面取り加工された角部109が設けられているので、分離工程には問題を生じない。曲面に面取り加工された角部109が設けられていることにより、後述する分離工程で、半導体素子層203及び保持基板201との間に隙間312が形成される。曲面に面取り加工された角部109が設けられていることにより、該隙間312に治具107を入れることができるので好適である。図9A~図9B及び図10に示す分離方法及び半導体素子層の作製方法を、以下に説明する。まず、図2Cに示す保持基板201の一部の領域205を除去する工程までを行う。次いで強度保持層204が多孔質体102に接するように、強度保持層204、半導体素子層203、分離層202、保持基板201の積層体を、多孔質体102に吸着保持させる。このとき、露出した半導体素子層203の一部を、多孔質体102の曲面に面取り加工された角部109の上に配置する。これにより、多孔質体102と強度保持層204との間に隙間311が形成される。図9A参照。次いで、突起部110を有する治具107により、当該露出した半導体素子層203の一部を、多孔質体102の曲面に面取り加工された角部109に沿って湾曲させる。これにより保持基板201及び半導体素子層203との間に隙間312が形成される図9B参照。なお、多孔質体102の端部が曲面に面取り加工された角部109及び平坦部126を有している場合図20参照は、強度保持層204及び半導体素子層203を平坦部126に沿って配置すればよい図21参照。次いで、治具107の突起部110を隙間312に入れ、突起部110を当該露出した半導体素子層203の一部に接触させる。突起部110を当該露出した半導体素子層203の一部に接触させた状態で、治具107を持ち上げる。治具107を持ち上げることにより、保持基板201を持ち上げる図10参照。保持基板201を持ち上げることにより、分離層202を介して、保持基板201と半導体素子層203を分離する。本実施の形態の分離装置を用いることにより、分離方法及び半導体素子の作製方法において、作製工程数を従来より削減することができる。また、作製工程数を従来より削減できるので、作製コストを抑制することができる。さらに、半導体素子作製における生産性を向上させることが可能となる。<分離装置の変形例2>上記とは異なる分離装置、分離方法、及び半導体素子の作製方法について、以下に説明する。図13は本実施の形態の分離装置600の構成を示す図である。分離装置600は、曲面に面取り加工された角部106を有するステージ101と、治具610と、治具611と、吸引手段108を有する。ステージ101には、曲面に面取り加工された角部109を有する多孔質体102、及び、多孔質体102を囲繞する枠体103を有する基台104が設けられている。多孔質体102は、枠体103の上部に設けられており、被吸着物を吸着保持する。ただし、角部106の全部が一様な曲率半径を有していなくてもよい。後述する分離工程で、半導体素子層203及び保持基板201との間に、半導体素子層203を分離層202から分離することにより隙間212を形成し、該隙間212に治具610を入れることが可能な程度な曲率半径を有しておればよい。図13に示す分離装置600は、図1に示す分離装置100と、突起部110を有する治具107が、治具610及び治具611に置き換わっているという点で異なっている。治具610は半導体素子層203を上下方向に動かす治具であり、治具611は保持基板201を保持して引き上げる治具である。治具611として、例えば先端に吸盤の付いた治具を用いればよい。なお治具610及び治具611を駆動する駆動装置を設け、治具610及び治具611を自動的に駆動してもよい。本実施の形態の分離方法及び半導体素子層の作製方法を、図14A~図14Bを用いて説明する。まず上記の記載に基づいて、図3Bに示す保持基板201及び半導体素子層203との間に隙間211が形成する工程までを行う。次いで、上下動が可能な治具610により、半導体素子層203の当該露出した領域をステージ101側へ押し下げる。半導体素子層203の当該露出した領域を押し下げると、分離層202とその上に設けられている保持基板201との密着性が弱いので、半導体素子層203が分離する。半導体素子層203が露出した領域で、下向きの力をかけることにより、弱い力で容易に半導体素子層203のみを分離することが可能である。更に治具610を押し下げることにより、半導体素子層203を当該曲率半径を有するステージ101の一部に沿って湾曲させる。これにより半導体素子層203及び保持基板201との間に、半導体素子層203が分離層202から均一に分離した隙間212を形成する図14A参照。治具610を隙間212に入れ、半導体素子層203側から保持基板201を持ち上げる。また治具611の吸盤を保持基板201に吸着させ、治具611を引き上げることで保持基板201を引き上げる図14B参照。保持基板201を持ち上げることにより、分離層202を介して、保持基板201と半導体素子層203を分離する。なお治具610及び治具611を駆動する駆動装置を設け、上述の分離工程において治具610及び治具611を自動的に駆動させてもよい。本実施の形態の分離装置を用いることにより、分離方法及び半導体素子の作製方法において、作製工程数を従来より削減することができる。また、作製工程数を従来より削減できるので、作製コストを抑制することができる。さらに、半導体素子作製における生産性を向上させることが可能となる。<分離装置の変形例3>上記とは異なる分離装置、分離方法、及び半導体素子の作製方法について、以下に説明する。図16Aは本実施の形態の分離装置700の構成を示す図である。なお図16Bは、ステージ701の上面図である。分離装置700は、曲面に面取り加工された角部706を有するステージ701と、突起部110を有する治具107と、吸引手段108を有している。ステージ701には、吸着孔702が設けられており、被吸着物を吸着保持する。ステージ701には連通管705が連通されており、連通管705は吸引手段108に連通されている。吸引手段108は、連通管705を通して、ステージ701の内部を吸引する。これにより、ステージ701上の被吸着物が吸着保持される。なお図16Aでは、図1と同様に治具107が設けられているが、治具107に代えて、図13に示す治具610及び治具611を設けてもよい。また治具107、或いは治具610及び治具611には、それぞれの治具を駆動する駆動装置を設け、自動的に駆動させてもよい。なお図16Aでは、曲面に面取り加工された角部706は、ステージ701の端部である。しかし、ステージ701の端部が、必ず曲面に面取り加工されていなくてもよい。図22に、ステージ701の端部が、曲面に面取り加工された角部706及び平坦部715を有する例を示す。ステージ701の端部が平坦部715を有して場合でも、曲面に面取り加工された角部706が設けられているので、分離工程には問題を生じない。曲面に面取り加工された角部706が設けられていることにより、後述する分離工程で、半導体素子層203及び保持基板201との間に隙間712が形成される。曲面に面取り加工された角部706が設けられていることにより、該隙間712に治具107を入れることができるので好適である。本実施の形態の分離方法及び半導体素子層の作製方法を、図17A~図17B、図18を用いて説明する。まず実施の形態1に基づいて、図2Cに示す保持基板201の一部の領域205を除去する工程までを行う。次いで強度保持層204が吸着孔702が設けられているステージ701の一面に接するように、強度保持層204、半導体素子層203、分離層202、保持基板201の積層体を、ステージ701に吸着保持させる。このとき、露出した半導体素子層203の一部を、ステージ701の曲面に面取り加工された角部706の上に配置する。これにより、ステージ701と強度保持層204との間に隙間711が形成される。図17A参照。次いで、突起部110を有する治具107により、当該露出した半導体素子層203の一部を、ステージ701の曲面に面取り加工された角部706に沿って湾曲させる。これにより保持基板201及び半導体素子層203との間に隙間712が形成される図17B参照。次いで、治具107の突起部110を隙間712に入れ、突起部110を当該露出した半導体素子層203の一部に接触させる。突起部110を当該露出した半導体素子層203の一部に接触させた状態で、治具107を持ち上げる。治具107を持ち上げることにより、保持基板201を持ち上げる図18参照。保持基板201を持ち上げることにより、分離層202を介して、保持基板201と半導体素子層203を分離する。本実施の形態の分離装置を用いることにより、分離方法及び半導体素子の作製方法において、作製工程数を従来より削減することができる。また、作製工程数を従来より削減できるので、作製コストを抑制することができる。さらに、半導体素子作製における生産性を向上させることが可能となる。