垂直構造のシリコン光電子増倍管であって、ガイガーモードで動作する多数のマイクロピクセルと、前記マイクロピクセルの周りに配設されるトレンチ電極と、前記マイクロピクセル及び前記トレンチ電極が載置されると共に、外部につながるように部分的に開放された状態の基板と、を備えて、前記トレンチ電極と前記マイクロピクセルとの間に逆バイアスを加えることにより電場が水平に形成されることを特徴とする、垂直構造のシリコン光電子増倍管。前記マイクロピクセルは、p型伝導性のエピタキシ層と、前記エピタキシ層の内部に垂直に形成されるPN接合層と、を備えることを特徴とする、請求項1に記載の垂直構造のシリコン光電子増倍管。前記PN接合層は、p型伝導層と、前記p型伝導層の外側に配設されるn型伝導層と、を備えることを特徴とする、請求項2に記載の垂直構造のシリコン光電子増倍管。前記PN接合層は、前記n型伝導層の層厚が前記p型伝導層の層厚よりも2μm厚いことを特徴とする、請求項3に記載の垂直構造のシリコン光電子増倍管。前記PN接合層は、一字状構造、U字状構造及びV字状構造よりなる群から選ばれるいずれか一種の構造に形成されることを特徴とする、請求項2に記載の垂直構造のシリコン光電子増倍管。前記PN接合層は、層高が10μmであることを特徴とする、請求項2に記載の垂直構造のシリコン光電子増倍管。前記トレンチ電極は、金属を蒸着してなることを特徴とする、請求項1に記載の垂直構造のシリコン光電子増倍管。前記トレンチ電極は、前記マイクロピクセルの周りにおける正方形の周縁部、正方形の角部及び六角形の角部よりなる群から選ばれるいずれかの個所に配設されることを特徴とする、請求項1に記載の垂直構造のシリコン光電子増倍管。前記トレンチ電極は、層高が10~13μmであることを特徴とする、請求項1に記載の垂直構造のシリコン光電子増倍管。本発明は、既存に提案されている方法の上述の如き不都合を解消するために提案されたものであり、全波長帯の量子効率に優れた垂直構造のシリコン光電子増倍管を提供することをその目的とする。上述の目的を達成するために、本発明に係る垂直構造のシリコン光電子増倍管は、ガイガーモードで動作する多数のマイクロピクセルと、前記マイクロピクセルの周りに配設されるトレンチ電極と、前記マイクロピクセル及び前記トレンチ電極が載置されるとともに、外部につながるように部分的に開放された状態の基板と、を備えて、前記トレンチ電極と前記マイクロピクセルとの間に逆バイアスを加えることにより電場が水平に形成されることをその構成上の特徴とする。また、好ましくは、前記マイクロピクセルは、p型伝導性のエピタキシ層と、前記エピタキシ層の内部に垂直に形成されるPN接合層と、を備えていてもよい。さらに、好ましくは、前記PN接合層は、p型伝導層と、前記p型伝導層の外側に配設されるn型伝導層と、を備えていてもよい。さらに、好ましくは、前記PN接合層は、前記n型伝導層の層厚が前記p型伝導層の層厚よりも2μm厚くてもよい。さらに、好ましくは、前記PN接合層は、一字状構造、U字状構造及びV字状構造よりなる群から選ばれるいずれか1種の構造に形成されてもよい。さらに、好ましくは、前記PN接合層は、層高が10μmであってもよい。さらに、好ましくは、前記トレンチ電極は、金属を蒸着してなってもよい。さらに、好ましくは、前記トレンチ電極は、前記マイクロピクセルの周りにおける正方形の周縁部、正方形の角部及び六角形の角部よりなる群から選ばれるいずれかの個所に配設されてもよい。さらに、好ましくは、前記トレンチ電極は、層高が10~13μmであってもよい。本発明において提案している構成によれば全波長帯200~900nmに亘って量子効率を極大化させることができる。以下、添付図面に基づき、本発明が属する技術分野において通常の知識を持った者が本発明を容易に実施できるように好適な実施形態を詳細に説明する。但し、本発明の好適な実施形態を詳細に説明するに当たって、関連する公知機能または構成についての具体的な説明が本発明の要旨を余計に曖昧にする恐れがあると認められる場合には、その詳細な説明を省く。なお、類似する機能及び作用をする部分に対しては、図面の全体に亘って同じまたは類似する符号を付するものとする。加えて、明細書の全体に亘って、ある部分や他の部分につながっているとしたとき、これは、直接的につながっている場合だけではなく、それらの間に他の素子を介して間接的につながっている場合をも含む。なお、ある構成要素を含むとは、特に断わりのない限り、他の構成要素を排除するのではなく、他の構成要素をさらに含んでいてもよいということを意味する。以下、添付図面に基づき、本発明による実施形態について詳述する。シリコン光電子増倍管は約千個から数百個のマイクロピクセルよりなる半導体光ダイオードである。シリコン光電子増倍管の増幅率ゲインは106であり、既存の光電子増倍管PMTとほとんど同じ増幅率を示す。シリコン光電子増倍管のマイクロピクセルのサイズは10~100μmであり、1mm2の面積当たりに100~1000個が集積される。シリコン光電子増倍管のマイクロピクセルは共通の印加電圧とそれぞれの焼入れ抵抗として働き、出力信号は全てのマイクロピクセル信号の和となる。図2は、シリコン光電子増倍管のエピタキシ層内の電場分布図である。シリコン光電子増倍管100は、電圧をかけたとき、図2に示すように、基板140から数μmの深さXに弱い電場をかけることにより電荷の偏流領域を形成し、PN接合層120、すなわち、p層とn層との間には極めて強い電場Eが発生するようにして浅い空乏領域を生成して、ここで動作電圧のときにガイガーモード放電を生成する。センサーのマイクロピクセル110内に光が入射すると、光子は電場が高くかかっていた空乏領域内において電子事態、すなわち、放電を発生する。このとき、一つの光子により得られる電流の増幅率が106である。図3は、本発明の一実施形態によるシリコン光電子増倍管を構成するマイクロピクセルの断面図である。本発明の一実施形態による全波長帯の量子効率に優れた垂直構造のシリコン光電子増倍管100は、図3に示すように、ガイガーモードで動作する多数のマイクロピクセル600と、マイクロピクセル600の周りに配設されるトレンチ電極500図5参照と、マイクロピクセル600及びトレンチ電極500が載置されるとともに、外部につながるように部分的に開放された状態の基板200と、を備えて、トレンチ電極500とマイクロピクセル600との間に逆バイアスを加えることにより電場が水平に形成できるようにする。マイクロピクセル600とトレンチ電極500が外部につながるように部分的に開放された基板200に、マイクロピクセル600と該マイクロピクセル600の周りにトレンチ電極500を配設することにより、光を照射する場合、マイクロピクセル600とトレンチ電極500との間に形成された電場により電子-正孔対が形成されてアバランシェ放電が発生することになる。既存のシリコン光電子増倍管において水平に形成されたPN接合層120の深さまで入射できない紫外線30も表面に浅く入射さえすれば、マイクロピクセル600とトレンチ電極500との間に形成された電場に反応するため、紫外線30から赤外線20まで全波長帯の光が入射するとしても反応して量子効率を高めることが可能になる。マイクロピクセル600は、図3に示すように、p型伝導性のエピタキシ層300と、エピタキシ層300の内部に概ね垂直方向に形成されるPN接合層400と、を備えていてもよい。より具体的には、1のマイクロピクセル600は、その中央部と周辺部とにそれぞれ一対の電極となるカソード電極J及びアノード電極Tを備えており、本発明ではアノード電極Jがトレンチ電極500を構成している。図3では、カソード電極Jは例えば三角錐状、三角柱状に形成されており、カソード電極Jの表面を覆うようにPN接合層400が形成されている。PN接合層400が形成されたカソード電極Jとトレンチ電極500との間にはエピタキシ層300が形成されている。このような構成により、光が入射して反応をする領域となるエピタキシ層300内に垂直構造を有するPN接合層400を形成して電場を生成することが可能になる。なお、トレンチ電極500及び垂直方向に形成されたPN接合層400を備えて、これらの間に逆バイアスを加えて電場が水平に形成されるようにすることにより、紫外線30がPN接合層400まで入射することなく表面に浅く入射する場合でもトレンチ電極500とPN接合層400との間に形成された電場により電子-正孔対が形成されてアバランシェ放電が発生するようにし、且つ、赤外線20が深く入射する場合でもPN接合層400の電場に反応することにより全波長帯200~900nmに亘って量子効率を高めることができる。PN接合層400は、図3に示すように、p型伝導層420と、p型伝導層の外側に配設されるn型伝導層410と、を備えていてもよい。PN接合層400は、p型伝導層420と外側のn型伝導層410を備えて、p型伝導層420とn型伝導層410と間に極めて強い電場が発生するようにして、薄い空乏領域を生成し、ここで動作電圧のときにガイガーモード放電を生成することができる。PN接合層400は、図3に示すように、n型伝導層410の層厚がp型伝導層420の層厚よりも2μm程度厚くても良い。PN接合層400を形成するとき、n型伝導層410の領域をp型伝導層420の領域よりも約2μm厚く形成することにより、センサー内のノイズを低減することができる。図4は、本発明の他の実施形態による垂直構造のシリコン光電子増倍管を構成するマイクロピクセルの断面図であり、図5は、本発明のさらに他の実施形態による垂直構造のシリコン光電子増倍管を構成するマイクロピクセルの断面図である。PN接合層400は、図3から図5に示すように、V字状構造400、コの字状構造400’及びU字状構造400’’、その他一の字状の構造などよりなる群から選ばれるいずれか1種の構造に形成可能である。PN接合層400をマイクロピクセル600のエピタキシ層300の内部にV字状構造400、コの字状構造400’、U字状構造400’’などの垂直構造に形成する場合、PN接合層400とトレンチ電極500との間に電場を形成することができると共に、PN接合層400がV字状構造400、U字状構造400’’などの斜線状に形成されれば、可視光線10、赤外線20、紫外線30などのように光が入射する深さに違いがあってもPN接合層400に達することができて量子効率を高める役割を果たすことができる。PN接合層400は、エピタキシ層300内に垂直に一の字の縦状構造、U字状構造またはV字状構造のトレンチをエッチングした後、トレンチの側面にPN接合層400を形成するような方法により形成可能である。PN接合層400は、図3から図5に示すように、層高、つまり基板の高さ方向のPN接合層400の高さが10μmであってもよい。PN接合層400の層高を約10μmに形成した場合、赤外線20まで全て吸収することができる。赤外線20がシリコンに深く入射しても10μmの深さに形成されたPN接合層400の電場に反応することができる。トレンチ電極500は、図3から図5に示すように、金属を蒸着してなってもよい。垂直構造のPN接合層400の周りにトレンチを周設し、トレンチの内部に金属を蒸着してトレンチ電極500を形成する。10μmの層厚を有する垂直構造のPN接合層400の周りにトレンチを形成し、ここに金属を蒸着し、トレンチ電極500と垂直構造のPN接合層400との間に逆バイアスを加えることにより、電場が水平に形成されるような構造にする。これにより、光が浅く入射しても、あるいは、深く入射しても、水平に形成された電場に反応することができる。図6は、本発明の一実施形態による垂直構造のシリコン光電子増倍管を構成するトレンチ電極の配置を示す図であり、図7は、本発明の他の実施形態による垂直構造のシリコン光電子増倍管を構成するトレンチ電極の配置を示す図であり、図8は、本発明のさらに他の実施形態による垂直構造のシリコン光電子増倍管を構成するトレンチ電極の配置を示す図である。トレンチ電極500は、図6から図8に示すように、マイクロピクセル600の周りにおける正方形の周縁部、正方形の角部及び六角形の角部よりなる群から選ばれるいずれかの個所に配設可能である。トレンチ電極500は、PN接合層400が埋め込まれているマイクロピクセル600の周りに配設されて、垂直に形成されたPN接合層400との間に逆バイアスを加えることにより電場を水平に形成する役割を果たすことができる。図6に示すように、マイクロピクセル600の周りに正方形にトレンチを周設してトレンチの内部に金属を蒸着することによりトレンチ電極500を形成することができる。あるいは、図7に示すように、マイクロピクセル600の周りにおける正方形の角部にのみトレンチを形成してトレンチの内部に金属を蒸着することにより、トレンチ電極500を形成してもよく、図8に示すように、マイクロピクセル600の周りにおける六角形の角部にのみトレンチを形成してトレンチの内部に金属を蒸着することにより、トレンチ電極500を形成してもよい。トレンチ電極500はマイクロピクセル600の周りに配設される形状に応じて、印加電圧とPN接合層400とトレンチ電極500との間に形成される電場の強度または形状などを調節することができる。トレンチ電極500は、図6から図8に示すように、層高が10~13μmであってもよい。光が入射して反応をする領域となるエピタキシ層300内に10μmの深さの垂直構造を有するPN接合層400を形成し、その周りに10~13μmの深さの電極トレンチ電極500を形成して、PN接合層400とトレンチ電極500との間に逆バイアスをかけると電場が形成されるような構造を形成する。トレンチ電極500の層高をPN接合層400と同様に約10μmにするか、あるいは、これよりも高い約13μmにする場合、PN接合層400とトレンチ電極500との間に逆バイアスを加えると電場が水平に且つ一様に形成される。上記構成により、トレンチ電極及び垂直に形成されたPN接合層を備え、これらの間に逆バイアスを加えて電場が水平に形成されるようにすることにより、紫外線がPN接合層まで入射することなく表面に浅く入射してもトレンチ電極とPN接合層との間に形成された電場により電子-正孔対が形成されてアバランシェ放電が発生するようにし、且つ、赤外線が深く入射してもPN接合層の電場に反応することにより全波長帯200~900nmに亘って量子効率を極大化させることのできる、全波長帯の量子効率に優れた垂直構造のシリコン光電子増倍管を提供することができる。以上述べたように、本発明は、本発明が属する技術分野において通常の知識を持った者によって種々に変形または応用可能であり、本発明による技術的思想の範囲は特許請求の範囲によって定められるべきである。