チャンバー内にウエーハを載置するサセプタを具備し、チャンバー内を気相エッチングによりクリーニングするコールドウォールタイプの気相成長装置を用いてエピタキシャルウエーハを製造する方法であって、前記クリーニング前の昇温時に、前記サセプタを前記チャンバー内壁に近づけ、該チャンバー内壁の温度を上昇させた後に、前記サセプタをもとの位置に戻し、その後、前記チャンバー及び前記サセプタを気相エッチングによりクリーニングし、該クリーニングされたチャンバー内で、前記サセプタ上に載置されたウエーハの主表面にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウエーハを製造することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。前記クリーニング前の昇温時に、前記サセプタを1100°C以上に加熱することを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルウエーハの製造方法。前記クリーニング前の昇温時に、前記サセプタを前記チャンバー内壁に近づけ、前記チャンバー内壁の温度を580°C以上に上昇させることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のエピタキシャルウエーハの製造方法。前記クリーニング時に、前記チャンバーにHClガスを流して前記サセプタ及び前記チャンバーを気相エッチングによりクリーニングすることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のエピタキシャルウエーハの製造方法。コールドウォール型反応器では、サセプタの温度は容易に上昇するが、チャンバー内壁は昇温に時間がかかる。また、チャンバー内壁を十分に昇温できない場合もある。すなわち、サセプタの温度はエッチング反応を効率よく進められる1100°C以上に容易に上げることができるため、サセプタ部分では速やかにエッチング反応を進めることができる。しかし、チャンバー内壁の温度はサセプタに比べて温度を上げることはできない構造になっており昇温に時間がかかる。また、通常、内壁に付着するウォールデポ量はサセプタ上のデポに比べてわずかであるが、HClエッチング時の温度もサセプタ部分に比べて700°C以下と低いため、エッチング速度は非常に遅くなる。そのため、ウォールデポの除去がHClエッチング処理の律速となることもある。本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、クリーニング前の昇温時間とエッチング時間を短縮できるエピタキシャルウエーハの製造方法を提供することを目的とする。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、チャンバー内にウエーハを載置するサセプタを具備し、チャンバー内を気相エッチングによりクリーニングするコールドウォールタイプの気相成長装置を用いてエピタキシャルウエーハを製造する方法であって、前記クリーニング前の昇温時に、前記サセプタを前記チャンバー内壁に近づけ、該チャンバー内壁の温度を上昇させた後に、前記サセプタをもとの位置に戻し、その後、前記チャンバー及び前記サセプタを気相エッチングによりクリーニングし、該クリーニングされたチャンバー内で、前記サセプタ上に載置されたウエーハの主表面にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウエーハを製造することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。このように、加熱しやすいサセプタを近づけてチャンバー内壁温度を上昇させれば、クリーニング前の昇温時間とエッチング時間を短縮できるエピタキシャルウエーハの製造方法となる。また、前記クリーニング前の昇温時に、サセプタを1100°C以上に加熱することが好ましく、さらに、サセプタをチャンバー内壁に近づけ、チャンバー内壁の温度を580°C以上に上昇させることが好ましい。これにより、クリーニング前の昇温時間とエッチング時間を一層短縮することができる。さらに、前記クリーニング時に、チャンバーにHClガスを流してサセプタ及びチャンバーを気相エッチングによりクリーニングすることが好ましい。これによりサセプタ及びチャンバーからポリシリコンやポリ塩化シランを容易に除去することができる。以上説明したように、本発明のエピタキシャルウエーハの製造方法であれば、クリーニング前の昇温時間とエッチング時間を短縮できる。特に、サセプタ及びチャンバーからポリシリコンやポリ塩化シランを効率よく除去することができる。以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。上述のように、クリーニング前の昇温時間とエッチング時間を短縮できるエピタキシャルウエーハの製造方法が望まれていた。本発明者らは、上記問題点について鋭意検討を重ねた結果、加熱されたサセプタをチャンバー内壁に近づけて、チャンバー内壁の温度を上昇させることで、クリーニング前の昇温時間とエッチング時間を短縮できることを見出して、本発明を完成させた。以下、本発明をより詳細に説明する。本発明のエピタキシャルウエーハの製造方法では、チャンバー内にウエーハWを載置するサセプタを具備し、チャンバー内を気相エッチングによりクリーニングするコールドウォールタイプの気相成長装置を用いる。図1に本発明のエピタキシャルウエーハの製造方法に用いることのできる枚葉式の気相成長装置の一例を示す。図1に示すように、コールドウォールタイプの気相成長装置20はチャンバー1内にウエーハWを載置するサセプタ2を具備する。さらに、気相成長装置20は、SUSからなるチャンバーベース3とそれを上下から挟み、チャンバー1を形成する透明石英部材4、4’と、チャンバー1の内部に設けられてSUSのチャンバーベースをカバーする不透明石英部材5、5’とウエーハWを上面で支持するサセプタ2を備えている。また、サセプタ2は回転機構6に接続されており、気相成長中は回転している。回転機構6内部はSUSが使われており、回転機構6内部をパージするガス導入管7が設けられている。さらに、サセプタ2は上下動してチャンバー1の内壁上部の透明石英部材4に近づき、また元の位置に戻れるように、支持構造10で支持される。チャンバー1には、チャンバー1内に原料ガス例えばSiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH4、及びドーパントガスなど及びキャリアガス例えば、水素を含む気相成長ガスをサセプタ2の上側の領域に導入してサセプタ上のウエーハWの主表面上に供給する気相成長用ガス導入管8が設けられている。また、チャンバー1は、気相成長用ガス導入管8が設けられた側と反対側にガス排出管9が設けられている。なお、本発明のエピタキシャルウエーハの製造方法に用いることのできる気相成長装置としては、上記のようにサセプタがチャンバーの内壁に近づき、また元の位置に戻れるような装置であればバッチ式の気相成長装置でもよい。本発明では、クリーニング前の昇温時に、サセプタ2をチャンバー1の内壁に近づけ、該チャンバー1の内壁の温度を上昇させた後に、サセプタ2をもとの位置に戻す。これにより、容易に昇温するサセプタ2がチャンバー1の内壁上部の透明石英部材4のサセプタ2側の内壁の昇温を助け、クリーニング前の昇温時間を短縮することができる。さらに、これにより、チャンバー1の内壁が充分に昇温し、これに付着するウォールデポの除去も促進され、エッチング時間を短縮することができる。ここで、サセプタ2をチャンバー1の内壁に近づけるとは、通常、気相成長時の位置にあるサセプタ2を、支持構造10等で、その位置よりもチャンバー1の内壁側に近づけることを意味し、サセプタ2をもとの位置に戻すとは、近づけられたサセプタ2を気相成長時の位置に戻すことをいう。なお、チャンバー1内、及びサセプタ2の加熱は公知の加熱装置不図示で行うことができる。例えば、チャンバー1及びサセプタ2の加熱装置としては、いわゆるランプ加熱方式が例示される。この際に、サセプタ2を1100°C以上に加熱することが好ましく、サセプタ2をチャンバー1の内壁に近づけ、チャンバー1の内壁の温度を580°C以上に上昇させることが好ましい。これにより、クリーニング前の昇温時間とエッチング時間を一層短縮することができる。その後、クリーニング時には、チャンバー1及びサセプタ2を気相エッチングによりクリーニングする。この際、サセプタの周りの高温となるガス流路等も同時にクリーニングできる。このクリーニング時には、チャンバー1にHClガスを流してサセプタ2及びチャンバー1を気相エッチングによりクリーニングすることが好ましい。これにより、サセプタ1、その周りの高温となるガス流路、及びチャンバー2等からポリシリコンやポリ塩化シランをより容易に除去することができるエピタキシャルウエーハの製造方法となる。なお、クリーニング時にはチャンバー1は1100~1200°Cまで加熱することができる。本発明では、前述のようにしてクリーニングされたチャンバー1内で、ウエーハWの主表面にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウエーハを製造する。以下、図1に示す枚葉式の気相成長装置を例に本発明の気相成長について具体的に説明するが、本発明の気相成長はこれに制限されるものではない。最初に、投入温度例えば650°Cに調整したチャンバー1内にウエーハWを投入し、その主表面が上を向くように、サセプタ2上面のザグリに載置する。ここでチャンバー1にはウエーハWが投入される前段階から、気相成長用ガス導入管8及びパージガス導入管7をそれぞれ介して水素ガスを導入しておく。次に、サセプタ2上のウエーハWを加熱装置により水素熱処理温度例えば1050~1200°Cまで加熱する。次に、ウエーハWの主表面に形成されている自然酸化膜を除去するための気相エッチングを行う。なお、この気相エッチングは、具体的には、次工程である気相成長の直前まで行われる。次に、ウエーハWを所望の成長温度例えば1050~1180°Cまで降温し、気相成長用ガス導入管8を介してウエーハWの主表面上に原料ガス例えば、SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH4及びドーパントガスなどを、パージガス導入管7を介してパージガス例えば水素をそれぞれ略水平に供給することによってウエーハWの主表面上にエピタキシャル層を気相成長してエピタキシャルウエーハを製造することができる。最後に、エピタキシャルウエーハを取り出し温度例えば、650°Cまで降温し、チャンバー1外へと搬出する。以下、本発明の実施例および比較例を挙げてさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。実施例図1に示す枚様式の気相成長装置を準備した。加熱装置でサセプタを700°Cから1200°Cまで加熱し、加熱されたサセプタを1200°Cで保持して、ウエーハ載置面をチャンバー内壁に近づけ、チャンバー内壁の温度を上昇させた。図2にチャンバー内壁の温度変化をパイロメータで測温した結果を示す。図2の横軸は後述する比較例のチャンバー内壁が580°Cとなるまでの時間を1として、経過時間を示したものである。その後、サセプタをもとの位置に戻し、HClガスを流してチャンバー及びサセプタに付着したポリシリコンやポリ塩化シランを気相エッチングによりクリーニングした。クリーニングされたチャンバー内で、ウエーハの主表面にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウエーハを製造した。比較例図1の枚様式の気相成長装置を準備した。サセプタを移動させずに通常用いられるヒーターでチャンバー内の温度を上昇させた。図2にチャンバー内壁の温度変化をパイロメータで測温した結果を示す。その後、チャンバー及びサセプタを気相エッチングによりクリーニングした。クリーニングされたチャンバー内で、ウエーハの主表面にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウエーハを製造した。図2に示されるようにチャンバー内壁が約580°Cに到達する時間が短縮できた。また、実施例においてクリーニングから気相成長までに要した時間は比較例と比べて80となった。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。