第1の基板上に、複数の炭素元素の線状構造体と、複数の前記線状構造体間に配置された熱可塑性樹脂の充填層とを有する放熱材料を配置する工程と、前記放熱材料上に、吸取紙を配置する工程と、前記熱可塑性樹脂の融解温度よりも高い温度で熱処理を行い、複数の前記線状構造体上の前記熱可塑性樹脂を前記吸取紙により吸い取る工程と、前記吸取紙を除去する工程と、冷却して前記熱可塑性樹脂を固化し、前記放熱材料を前記第1の基板に接着する工程とを有することを特徴とする電子部品の製造方法。請求項1記載の電子部品の製造方法において、前記放熱材料を配置する工程では、前記充填層から露出した複数の前記線状構造体の一端部が前記第1の基板に直に接するように、前記放熱材料を前記第1の基板上に配置することを特徴とする電子部品の製造方法。請求項1又は2記載の電子部品の製造方法において、前記放熱材料を前記第1の基板に接着する工程の後に、複数の前記線状構造体の他端部を前記充填層から露出させる工程を更に有することを特徴とする電子部品の製造方法。請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法において、前記熱処理により、前記熱可塑性樹脂を前記第1の基板の表面まで浸透させることを特徴とする電子部品の製造方法。請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法において、前記放熱材料を配置する工程の後、前記吸取紙を配置する工程の前に、前記熱可塑性樹脂の融解温度よりも高い温度で熱処理を行い、前記熱可塑性樹脂を前記第1の基板の表面まで浸透させる工程を更に有することを特徴とする電子部品の製造方法。請求項1乃至5のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法において、前記吸取紙上から圧力を印加しながら前記熱処理を行うことを特徴とする電子部品の製造方法。請求項1乃至6のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法において、前記第1の基板上に前記放熱材料を配置する工程の前に、第2の基板上に、複数の前記線状構造体を成長する工程と、複数の前記線状構造体上に、前記熱可塑性樹脂のシートを配置する工程と、前記熱可塑性樹脂の融解温度よりも高い温度で熱処理を行い、前記シートを複数の前記線状構造体間に浸透させ、前記充填層を形成する工程と、複数の前記線状構造体及び前記充填層を前記第2の基板から剥離し、前記放熱材料を得る工程とを更に有することを特徴とする電子部品の製造方法。請求項1乃至7のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法において、複数の前記線状構造体の前記他端部に、前記熱可塑性樹脂よりも熱伝導率の高い被膜が形成されていることを特徴とする電子部品の製造方法。放熱板と、前記放熱板上に形成された放熱材料とを有し、前記放熱材料は、一端部が前記放熱板に直に接続された複数の炭素元素の線状構造体と、前記放熱板に接して形成され、複数の前記線状構造体間に配置された熱可塑性樹脂の充填層と、前記充填層から露出した複数の前記線状構造体の他端部に形成され、前記熱可塑性樹脂よりも熱伝導率の高い被膜とを有することを特徴とする電子部品。請求項9記載の電子部品において、前記放熱板は、前記放熱材料が配置される領域に凹部を有することを特徴とする電子部品。しかしながら、カーボンナノチューブを用いた従来の熱伝導シートでは、カーボンナノチューブの有する高い熱伝導度を充分に生かすことができなかった。本発明の目的は、発熱体からの熱を高効率で放熱しうる電子部品及びその製造方法を提供することにある。実施形態の一観点によれば、第1の基板上に、複数の炭素元素の線状構造体と、複数の前記線状構造体間に配置された熱可塑性樹脂の充填層とを有する放熱材料を配置する工程と、前記放熱材料上に、吸取紙を配置する工程と、前記熱可塑性樹脂の融解温度よりも高い温度で熱処理を行い、複数の前記線状構造体上の前記熱可塑性樹脂を前記吸取紙により吸い取る工程と、前記吸取紙を除去する工程と、冷却して前記熱可塑性樹脂を固化し、前記放熱材料を前記第1の基板に接着する工程とを有する電子部品の製造方法が提供される。また、実施形態の他の観点によれば、放熱板と、前記放熱板上に形成された放熱材料とを有し、前記放熱材料は、一端部が前記放熱板に直に接続された複数の炭素元素の線状構造体と、前記放熱板に接して形成され、複数の前記線状構造体間に配置された熱可塑性樹脂の充填層と、前記充填層から露出した複数の前記線状構造体の他端部に形成され、前記熱可塑性樹脂よりも熱伝導率の高い被膜とを有する電子部品が提供される。開示の電子部品の製造方法によれば、複数の炭素元素の線状構造体と、複数の線状構造体間に配置された熱可塑性樹脂の充填層とを有する放熱材料を基板上に接着する際に、熱可塑性樹脂が広がって線状構造体がばらけるのを防止することができる。これにより、放熱材料自体の熱抵抗の増加や、基板に対する放熱材料の接触熱抵抗の増加を防止することができる。また、開示の電子部品によれば、放熱体及び発熱体に対する接触熱抵抗を大幅に低減することができる。これにより、半導体素子から発せられる熱の放熱効率を高めることができ、電子機器の信頼性を向上することができる。[第1実施形態]第1実施形態による電子部品及びその製造方法について図1乃至図12を用いて説明する。図1は、本実施形態による電子部品の構造を示す斜視図である。図2乃至図12は、本実施形態による電子部品の製造方法を示す斜視図である。はじめに、本実施形態による電子部品の構造について図1を用いて説明する。本実施形態による電子部品は、図1に示すように、ヒートスプレッダとしての放熱板24上に、サーマルインターフェイスマテリアルとしてのシート状構造体であるカーボンナノチューブシート22が形成されたものである。カーボンナノチューブシート22は、シートの膜厚方向、すなわちシートの面と交差する方向に配向し、互いに間隔を開けて配置された複数のカーボンナノチューブ14を有している。複数のカーボンナノチューブ14の一端部図面において下側は、放熱板24に直にコンタクトしている。複数のカーボンナノチューブ14の他端部図面において上側には、被膜16が形成されている。カーボンナノチューブ14の間隙には熱可塑性樹脂の充填層20が形成されており、充填層20によってカーボンナノチューブ14が支持されている。被膜16が形成されたカーボンナノチューブ14の端部は、充填層20から露出している。カーボンナノチューブ14は、単層カーボンナノチューブ及び多層カーボンナノチューブのいずれでもよい。カーボンナノチューブ14の面密度は、特に限定されるものではないが、放熱性及び電気伝導性の観点からは、1×1010本/cm2以上であることが望ましい。カーボンナノチューブ14の長さは、特に限定されるものではないが、好ましくは5μm~500μm程度の値に設定することができる。カーボンナノチューブシート22を本実施形態のように発熱源例えばICチップと放熱部品例えばヒートスプレッダとの間に形成するサーマルインターフェイスマテリアルとして使用する場合、少なくとも発熱源及び放熱部品の表面の凹凸を埋める長さ以上であることが望ましい。前述のように、複数のカーボンナノチューブ14の一端部は、充填層20の熱可塑性樹脂を介さずに、放熱板24に直にコンタクトしている。これにより、カーボンナノチューブ14と放熱板24との間の接触熱抵抗を大幅に低減することができ、カーボンナノチューブ14と放熱板24との間の熱伝導効率を大幅に高めることができる。また、複数のカーボンナノチューブ14の他端部は、充填層20の表面から露出している。これにより、カーボンナノチューブシート22を発熱体に接触したとき、被膜16で覆われたカーボンナノチューブ14の端部が発熱体に対して直に接させることができる。これにより、カーボンナノチューブ14と発熱体との間の接触熱抵抗を大幅に低減することができ、カーボンナノチューブ14と発熱体との間の熱伝導効率を大幅に高めることができる。これにより、発熱体から発せられた熱を、カーボンナノチューブシート22を介して放熱板24に効率的に伝達して放熱することができ、発熱体の温度上昇を抑制することができる。被膜16は、発熱体に対するカーボンナノチューブ14の接触熱抵抗を低減するためのものである。被膜16を設けることにより、被膜16を設けない場合と比較して、カーボンナノチューブシート22の発熱体に対する接触面積を増加することができる。これにより、カーボンナノチューブ22と発熱体との間の接触熱抵抗が低減され、カーボンナノチューブシート22の熱伝導性を向上することができる。また、カーボンナノチューブ14の長さにばらつきが生じ、一部のカーボンナノチューブ14が発熱体に直に接触できないような場合にも、被膜16を介した横方向の熱伝導により、放熱に寄与するカーボンナノチューブ14の実質的な本数を増加することができる。これにより、カーボンナノチューブシート22の熱伝導性を向上することができる。被膜16を形成する材料は、熱伝導率の高い材料であれば、例えば、充填層20を形成する熱可塑性樹脂よりも熱伝導率の高い材料であれば、特に限定されるものではない。被膜16の膜厚は、製造過程において熱可塑性樹脂フィルム18の浸透を阻害しない膜厚であれば、特に限定されるものではない。被膜16の膜厚は、熱可塑性樹脂フィルム18の浸透性、カーボンナノチューブシート22に要求される特性、被膜16の構成材料等に応じて適宜設定することが望ましい。なお、被膜16の熱抵抗は、カーボンナノチューブ14の熱抵抗の1/100以下であることが望ましい。被膜16の熱抵抗が大きすぎると、カーボンナノチューブ14の高い熱伝導率を十分に生かせなくなるからである。すなわち、カーボンナノチューブ14の長さをTcnt、熱抵抗率をλcnt、被膜16の厚さをTcoat、熱抵抗率をλcoatとして、λcnt×Tcnt>λcoat×Tcoat×100の関係を満たすことが望ましい。充填層20は、熱可塑性樹脂によって形成されている。充填層20を形成する熱可塑性樹脂は、温度に応じて液体と固体との間で可逆的に状態変化するものであり、室温では固体であり、加熱すると液状に変化し、冷却すると接着性を発現しつつ固体に戻るものであれば、特に限定されるものではない。充填層20を形成する熱可塑性樹脂は、本実施形態による電子部品が接続される放熱体の放熱温度等に応じて、熱可塑性樹脂の融解温度をもとに選択することができる。熱可塑性樹脂の融解温度の下限値は、稼働時の発熱温度の上限値よりも高いことが望ましい。稼働時に熱可塑性樹脂が融解すると、カーボンナノチューブシート22が変形してカーボンナノチューブ14が配向性を損なうなど、熱伝導性を低下するなどの不具合を引き起こす虞があるからである。熱可塑性樹脂の融解温度の上限値は、発熱体及び放熱体の耐熱温度の下限値よりも低いことが望ましい。カーボンナノチューブシート22の充填層20は、発熱体に接触させた後にリフローを行うことが望ましいが、熱可塑性樹脂の融解温度が耐熱温度より高いと、発熱体及び/又は放熱体にダメージを与えることなくリフローをすることが困難となるからである。例えば、本実施形態の電子部品をCPUなどの電子機器の放熱用途に用いる場合、CPU稼働時の発熱温度の上限がおよそ125°Cであり、CPU電子部品の耐熱温度がおよそ250°Cであることに鑑み、融解温度が125°C~250°C程度の熱可塑性樹脂が好適である。また、充填層20には、必要に応じて、添加物を分散混合してもよい。添加物としては、例えば、熱伝導性の高い物質が考えられる。充填層20部分に熱伝導性の高い添加物を分散混合することにより、充填層20部分の熱伝導率を向上することができ、カーボンナノチューブシート22の全体としての熱伝導率を向上することができる。熱伝導性の高い材料としては、カーボンナノチューブ、金属材料、窒化アルミニウム、シリカ、アルミナ、グラファイト、フラーレン等を適用することができる。放熱板24は、銅などの高い熱伝導度を有する材料により形成されたものであり、カーボンナノチューブシート22を介して接続される放熱体例えばICチップから発せられる熱を放熱するためのものである。次に、本実施形態による電子部品の製造方法について図2乃至図12を用いて説明する。まず、カーボンナノチューブ14を成長するための土台として用いる基板10を用意する。基板10には、特に限定されるものではが、例えば、シリコン基板などの半導体基板、アルミナサファイア基板、MgO基板、ガラス基板などの絶縁性基板、金属基板などを用いることができる。また、これら基板上に薄膜が形成されたものでもよい。例えば、シリコン基板上に膜厚300nm程度のシリコン酸化膜が形成されたものを用いることができる。基板10は、カーボンナノチューブ14の成長後に剥離されるものである。この目的のもと、基板10としては、カーボンナノチューブ14の成長温度において変質しないことが望ましい。また、少なくともカーボンナノチューブ14に接する面がカーボンナノチューブ14から容易に剥離できる材料によって形成されていることが望ましい。或いは、少なくともカーボンナノチューブ14に接する部分が、カーボンナノチューブ14に対して選択的にエッチングできる材料によって形成されている基板10を用いてもよい。次いで、基板10上に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚2.5nmのFe鉄膜を形成し、Feの触媒金属膜12を形成する。なお、触媒金属膜12は、必ずしも基板10上の全面に形成する必要はなく、例えばリフトオフ法を用いて基板10の所定の領域上に選択的に形成するようにしてもよい。触媒金属としては、Feのほか、Coコバルト、Niニッケル、Au金、Ag銀、Pt白金又はこれらのうち少なくとも一の材料を含む合金を用いてもよい。また、触媒として、金属膜以外に、微分型静電分級器DMA:differentialmobilityanalyzer等を用い、予めサイズを制御して作製した金属微粒子を用いてもよい。この場合も、金属種については薄膜の場合と同様でよい。また、これら触媒金属の下地膜として、Moモリブデン、Tiチタン、Hfハフニウム、Zrジルコニウム、Nbニオブ、Vバナジウム、TaN窒化タンタル、TiSixチタンシリサイド、Alアルミニウム、Al2O3酸化アルミニウム、TiOx酸化チタン、Taタンタル、Wタングステン、Cu銅、Au金、Pt白金、Pdパラジウム、TiN窒化チタンなどの膜又はこれらのうち少なくとも一の材料を含む合金からなる膜を形成してもよい。例えば、Fe2.5nm/Al10nmの積層構造、Co2.6nm/TiN5nmの積層構造等を適用することができる。金属微粒子を用いる場合は、例えば、Co平均直径:3.8nm/TiN5nmなどの積層構造を適用することができる。次いで、基板10上に、例えばホットフィラメントCVD法により、触媒金属膜12を触媒として、カーボンナノチューブ14を成長する。カーボンナノチューブ14の成長条件は、例えば、原料ガスとしてアセチレンアルゴンの混合ガス分圧比1:9を用い、成膜室内の総ガス圧を1kPa、ホットフィラメント温度を1000°C、成長時間を20分とする。これにより、層数が3層~6層平均4層程度、直径が4nm~8nm平均6nm、長さが80μm成長レート:4μm/minの多層カーボンナノチューブを成長することができる。なお、カーボンナノチューブ14は、熱CVD法やリモートプラズマCVD法などの他の成膜方法により形成してもよい。また、成長するカーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブでもよい。また、炭素原料としては、アセチレンのほか、メタン、エチレン等の炭化水素類や、エタノール、メタノール等のアルコール類などを用いてもよい。カーボンナノチューブ14の長さは、特に限定されるものではないが、好ましくは5μm~500μm程度の値に設定することができる。サーマルインターフェイスマテリアルとして使用する場合、少なくとも発熱源及び放熱部品の表面の凹凸を埋める長さ以上であることが望ましい。こうして、基板10上に、基板10の法線方向に配向垂直配向した複数のカーボンナノチューブ14を形成する図2。なお、上記の成長条件で形成したカーボンナノチューブ14では、カーボンナノチューブ14の面密度は、1×1011本/cm2程度であった。これは、基板10表面の面積のおよそ10の領域上にカーボンナノチューブ14が形成されていることに相当する。次いで、必要に応じて、カーボンナノチューブ14上に、例えば蒸着法により、例えば膜厚数百nm程度の膜厚のAu金堆積し、Auの被膜16を形成する。被膜16は、カーボンナノチューブ14にダメージを与えない方法であれば、他の成膜方法例えばスパッタ法等を用いて形成してもよい。被膜16を形成する材料は、必ずしもAuである必要はないが、熱伝導率の高い材料であることが望ましい。カーボンナノチューブ14を電気伝導用途にも利用する場合には、導電性を有する材料、例えば、金属や合金等を適用することができる。被膜16の構成材料としては、例えば、銅Cu、ニッケルNi、金Au、インジウムIn等を用いることができる。また、被膜16は、単層構造である必要はなく、例えばチタンTiと金Auとの積層構造など、2層或いは3層以上の積層構造であってもよい。被膜16は、成長初期段階では、例えば図3に示すように、各カーボンナノチューブ14の先端部分を覆うように形成される。成長膜厚が増加してくると、隣接する各カーボンナノチューブ14の先端部分に形成された被膜16が互いに接続されるようになる。これにより、被膜16は、例えば図4に示すように、複数本の各カーボンナノチューブ14の先端部分を束ねるように形成される。被膜16の成長膜厚を更に増加すると、被膜16がシートの表面に平行な2次元方向に完全に接続され、隙間のない完全な膜となる。被膜16の膜厚は、充填層20を形成する際の充填材熱可塑性樹脂の浸透性等を考慮して、カーボンナノチューブ14の直径や面密度に応じて適宜設定することが望ましい。例えば、カーボンナノチューブ14の直径が10nm、面密度が1×1011cm-2の場合、互いに隣接するカーボンナノチューブ12の間隙はおよそ50nmである。この場合、隣接するカーボンナノチューブ12間が被膜16により接続されるためには、少なくとも間隙の半分以上の膜厚、すなわち膜厚25nm程度以上の被膜16を形成することが望ましい。また、被膜16を厚くしすぎると被膜16が隙間のない完全な膜となり充填材の浸透性が低下するため、被膜16の上限膜厚は、充填材の浸透性の面から設定することが望ましい。これらの観点から、上記条件のカーボンナノチューブ12では、被膜16の膜厚は、25nm~1000nm程度に設定することが望ましい。なお、被膜16は、必ずしも隣接するカーボンナノチューブ14が互いに接続されるに十分な膜厚を形成する必要はないが、これには被膜16によって複数本のカーボンナノチューブ14を束ねる効果がある図4参照。これにより、後工程で充填層20をカーボンナノチューブ14間に浸透させる際にカーボンナノチューブ14同士がばらばらになることを抑制することができる。また、被膜16を介した横方向への熱の伝導も可能となる。次いで、被膜16を形成したカーボンナノチューブ14上に、フィルム状に加工した熱可塑性樹脂熱可塑性樹脂フィルム18を載置する図5。熱可塑性樹脂フィルム18の熱可塑性樹脂としては、例えば、以下に示すホットメルト樹脂を適用することができる。ポリアミド系ホットメルト樹脂としては、例えば、ヘンケルジャパン株式会社製のMicromelt6239が挙げられる。また、ポリエステル系ホットメルト樹脂としては、例えば、ノガワケミカル株式会社製のDH598Bが挙げられる。また、ポリウレタン系ホットメルト樹脂としては、例えば、ノガワケミカル株式会社製のDH722Bが挙げられる。また、ポリオレフィン系ホットメルト樹脂としては、例えば、松村石油株式会社製のEP-90が挙げられる。また、エチレン共重合体ホットメルト樹脂としては、例えば、ノガワケミカル株式会社製のDA574Bが挙げられる。また、SBR系ホットメルト樹脂としては、例えば、横浜ゴム株式会社製のM-6250が挙げられる。また、EVA系ホットメルト樹脂としては、例えば、住友スリーエム株式会社製の3747が挙げられる。また、ブチルゴム系ホットメルト樹脂としては、例えば、横浜ゴム株式会社製のM-6158が挙げられる。ここでは、一例として、ヘンケルジャパン株式会社製のMicromelt6239を厚さ100μmのフィルム状に加工した熱硬化性樹脂フィルム18を用いた場合について説明する。なお、Micromelt6239は、融解温度が135°C~145°C、融解時粘度が5.5Pa.s~8.5Pa.s225°Cのホットメルト樹脂である。次いで、熱可塑性樹脂フィルム18を載置した基板10を、例えば195°Cの温度で加熱する。必要に応じて、熱可塑性樹脂フィルム18上から押圧してもよい。これにより、熱可塑性樹脂フィルム18の熱可塑性樹脂が融解し、カーボンナノチューブ14の間隙に徐々に浸透していく。こうして、熱可塑性樹脂フィルム18を、基板10の表面に達しない程度まで浸透させる。熱可塑性樹脂を予めシート状に加工しておくことにより、そのシート膜厚で充填材量のコントロールが可能となる。これにより、加熱温度や加熱時間のコントロールで、充填材が基板10まで浸潤しないようにコントロールすることができる。なお、基板10に達しないところで熱可塑性樹脂フィルム18の浸透を停止するのは、カーボンナノチューブ14及び熱可塑性樹脂フィルム18を基板10から剥離するのを容易にするためである。基板10に対する熱可塑性樹脂フィルム18の粘着性が低い場合などは、基板10に達するまで熱可塑性樹脂フィルム18を浸透させるようにしてもよい。カーボンナノチューブ14の間隙に浸透する熱可塑性樹脂フィルム18の厚さは、熱処理時間によって制御することができる。例えば、上記条件で成長した長さ80μmのカーボンナノチューブ12に対しては、195°Cで1分間の熱処理を行うことにより、熱可塑性樹脂フィルム18が基板10に達しない程度まで浸透させることができる。熱可塑性樹脂フィルム18の加熱時間は、熱可塑性樹脂フィルム18を基板10の表面に達しない程度に浸透させるように、カーボンナノチューブ14の長さ、熱可塑性樹脂の融解時の粘度、熱可塑性樹脂フィルム18の膜厚等に応じて適宜設定することが望ましい。なお、熱可塑性樹脂の形状は、予めフィルム状に加工しておくことが好適であるが、ペレット状や棒状でも構わない。次いで、熱可塑性樹脂フィルム18を所定の位置まで浸透させた後、室温まで冷却し、熱可塑性樹脂フィルム18を固化する。こうして、熱可塑性樹脂フィルム18の熱可塑性樹脂により形成され、カーボンナノチューブ14の間隙に充填された充填層20を形成する図6。次いで、カーボンナノチューブ14及び充填層20を基板10から剥離し、サーマルインターフェイスマテリアルとしてのカーボンナノチューブシート22を得る図7。この後、カーボンナノチューブ14の基板10から剥離した側の端部に、被膜16と同様の被膜を形成するようにしてもよい。次いで、ヒートスプレッダ等の放熱板24上に、カーボンナノチューブシート22を、カーボンナノチューブ14の基板10から剥離した側の端部が放熱板24側に位置するように、載置する図8。カーボンナノチューブ14の基板10から剥離した側の端部は、基板10の表面を反映した平坦な面を形成しており、また、充填層20により覆われていないため、放熱板24の表面に確実に接触される。次いで、カーボンナノチューブシート22の充填層20上に、吸取紙26を載置する。吸取紙26は、融解した熱可塑性樹脂材料を吸い取ることができる素材のシートである。一般的な吸取紙は、表面処理をして隙間を適度に多くした繊維状素材であり、例えば、古紙パルプ配合率100の表紙と、古紙パルプ配合率70の本体とにより形成される。このような吸取紙26としては、例えば、コクヨ株式会社製の吸取紙シム-1N等が挙げられる。次いで、充填層20の熱可塑性樹脂の融解温度、例えば195°Cの温度で加熱した状態で吸取紙26上から押圧する図9。これにより、放熱板24に達するまで充填層20をカーボンナノチューブ14間に浸透させる。吸取紙26上から加える圧力は、カーボンナノチューブ14の形状変化を引き起こさない程度の圧力であれば、特に限定されるものではなく、例えば、数百グラム程度の錘を載置することにより行うことができる。ここで、吸取紙26を用いるのは、充填層20の余分な熱可塑性樹脂を吸い取り、カーボンナノチューブ14がばらけるのを防止するためである。例えば、カーボンナノチューブ14の長さに比して熱可塑性樹脂フィルム18の膜厚が極めて厚いような場合、熱可塑性樹脂フィルム18を浸透させる際に加える圧力によって熱可塑性樹脂が横方向にも広がり、カーボンナノチューブ14がばらけることがある。カーボンナノチューブ14がばらけると、カーボンナノチューブ14が配向性を失うなど、接触熱抵抗の増加や熱伝導性の低下を引き起こす原因となる。余分な熱可塑性樹脂を吸取紙26によって吸い取ることにより、カーボンナノチューブ14がばらけることなく、放熱板24に達するまで充填層20を容易に浸透させることができる。また、吸取紙26を用いることには、使用する熱可塑性樹脂フィルム18の厚さの許容範囲を広げることができるというメリットもある。これにより、市販されている熱可塑性樹脂フィルムを使用する自由度が増し、生産性を向上することができる。熱可塑性樹脂フィルムは市販されてもいるが、薄いものでも100μm程度のものが一般的である。長さ数十μmのカーボンナノチューブ14に対して市販の熱可塑性樹脂フィルム18を用いる場合などには、特に有効である。次いで、加熱した状態のままで吸取紙26を取り除いた後、室温まで冷却し、充填層20の熱可塑性樹脂を固化する。この際、熱可塑性樹脂は接着性を発現し、放熱板24とカーボンナノチューブシート22とが接着される図10。なお、充填層20を放熱板24に達するまで浸透させる処理と、余分な熱可塑性樹脂を吸取紙26によって吸い取る処理とは、別々に行うこともできる。例えば、まず、カーボンナノチューブシート22の充填層20上に、熱可塑性樹脂に接着しない材料の板以下、押圧板というを載置する。押圧板としては、例えば、テフロン登録商標板や、市販の熱可塑性樹脂フィルムに貼付されている剥離紙を用いることができる。次いで、充填層20の熱可塑性樹脂の融解温度、例えば195°Cの温度で加熱した状態で押圧板上から押圧し、充填層20を放熱板24に達するまで浸透させる。次いで、室温まで冷却した後、押圧板を除去する。次いで、カーボンナノチューブシート22の充填層20上に、吸取紙26を載置する。次いで、充填層20の熱可塑性樹脂の融解温度、例えば195°Cの温度で加熱した状態で吸取紙26上から押圧し、充填層20の余分な熱可塑性樹脂を吸取紙26により吸い取る。次いで、加熱した状態のままで吸取紙26を取り除いた後、室温まで冷却し、充填層20の熱可塑性樹脂を固化する。このようにして、充填層20を放熱板24に達するまで浸透させるとともに、余分な熱可塑性樹脂を吸取紙26によって吸い取る。充填層20の熱可塑性樹脂は、カーボンナノチューブ14の端部と放熱板24とがコンタクトした状態で浸透していくため、カーボンナノチューブ14と放熱板24との界面に熱可塑性樹脂が入り込むことはない。これにより、カーボンナノチューブ14と放熱板24との間の接触熱抵抗が増加するのを防止することができる。次いで、必要に応じて、充填層20の表面部を除去する処理を行う図11。この処理は、被膜16上の熱可塑性樹脂が吸取紙26だけでは十分に除去できない場合を考慮したものである。充填層20の表面部を除去する処理には、例えば、ドライエッチングや、エタノール等の有機溶剤により拭き取る処理を適用することができる。ドライエッチングには、例えば、平行平板型ドライエッチング装置により、エッチングガスとして酸素を用い、数十ワット、数分間の処理を適用することができる。被膜16は、充填層20の熱可塑性樹脂をエッチングする際にカーボンナノチューブ14を保護する役割をも有する。なお、吸取紙26により熱可塑性樹脂を吸い取らず、ドライエッチングのみによって余分な熱可塑性樹脂を除去することも考えられるが、ドライエッチングの処理時間が長くなるため好ましくない。ドライエッチングの処理時間が長くなると、温度上昇によって熱可塑性樹脂が融解し、カーボンナノチューブ14の配向性に影響を与えることがある。かかる観点から、ドライエッチングによる熱可塑性樹脂の除去は、吸取紙26により余分な熱可塑性樹脂を除去した後に行うことが望ましい。このようにして、充填層20の表面から、被膜16により覆われたカーボンナノチューブ14の端部を露出する図12。こうして、放熱板24上にサーマルインターフェイスマテリアルとしてのカーボンナノチューブシート22が一体形成された本実施形態による電子部品を完成する。このように、本実施形態によれば、カーボンナノチューブシートを放熱板に熱圧着する際に、吸取紙を介してカーボンナノチューブシートを押圧して余分な熱可塑性樹脂を吸い取るので、熱可塑性樹脂が広がってカーボンナノチューブがばらけるのを防止することができる。これにより、カーボンナノチューブシート自体の熱抵抗の増加や放熱板に対する接触熱抵抗の増加を防止することができる。また、本実施形態によれば、カーボンナノチューブの一端部を放熱体に直にコンタクトさせることができる。これにより、カーボンナノチューブシートと放熱体との間の接触熱抵抗を大幅に低減することができる。また、カーボンナノチューブの他端部は、充填層から露出している。これにより、カーボンナノチューブシートを発熱体に接触させる際に、カーボンナノチューブの他端部を発熱体に直にコンタクトさせることができる。これにより、カーボンナノチューブシートと発熱体との間の接触熱抵抗を大幅に低減することができる。したがって、発熱体から発せられる熱を放熱体から高効率で放熱することができ、電子機器の信頼性を向上することができる。[第2実施形態]第2実施形態による電子部品及びその製造方法について図13を用いて説明する。図13は、本実施形態による電子部品の構造を示す斜視図である。本実施形態による電子部品は、図13に示すように、放熱板24に凹部28が形成されていることの他は、図1に示す第1実施形態による電子部品と同様である。凹部28は、放熱板24のカーボンナノチューブシート22の接続部分に形成されている。放熱板24に凹部28を形成しておくことにより、放熱板24上にカーボンナノチューブシート22を接着させる際に、融解した熱可塑性樹脂が放熱板24上で横方向に広がるのを抑制することができる。これにより、カーボンナノチューブ14がばらけるのを効果的に防止することができ、接触熱抵抗の増加や熱伝導性の低下を抑制することができる。このように、本実施形態によれば、カーボンナノチューブがばらけるのを効果的に防止し、接触熱抵抗の増加や熱伝導性の低下を抑制することができる。[第3実施形態]本発明の第3実施形態による電子機器及びその製造方法について図14乃至図17を用いて説明する。図14は、本実施形態による電子機器の構造を示す概略断面図である。図15乃至図17は、本実施形態による電子機器の製造方法を示す工程断面図である。はじめに、本実施形態による電子機器の構造について図14を用いて説明する。回路基板やビルドアップ基板等の基板30上には、例えばCPUなどの半導体素子34が実装されている。半導体素子34は、はんだバンプなどの突起状電極32を介して基板30に電気的に接続されている。半導体素子34上には、半導体素子34を覆うように、半導体素子34からの熱を拡散するためのヒートスプレッダ38が形成されている。半導体素子34とヒートスプレッダ38との間には、サーマルインターフェイスマテリアルとしてのカーボンナノチューブシート36が形成されている。ヒートスプレッダ38は、例えば有機シーラント40によって基板30に接着されている。カーボンナノチューブシート36及びヒートスプレッダ38は、第1又は第2実施形態による電子部品を用いて形成されたものである。次に、本実施形態による電子機器の製造方法について図15乃至図17を用いて説明する。まず、基板30上に、突起状電極32を介して半導体素子34を実装する図15。次いで、基板30上に、ヒートスプレッダ38を固定するための有機シーラント40を塗布する。次いで、基板30上に実装した半導体素子34上に、第1又は第2実施形態に記載の電子部品42を載置する図16。電子部品42は、ヒートスプレッダ38と、ヒートスプレッダに接続されたカーボンナノチューブシート36とを含む。ヒートスプレッダ38は第1又は第2実施形態による電子部品の放熱板24に該当し、カーボンナノチューブシート36は第1又は第2実施形態による電子部品のカーボンナノチューブシート22に該当するものである。この際、カーボンナノチューブシート36の表面には、被膜16で覆われたカーボンナノチューブ14の端部が露出しているため、被膜16で覆われたカーボンナノチューブ14の端部は、半導体素子34に直にコンタクトする。次いで、ヒートスプレッダ38に荷重をかけた状態で熱処理を行う。充填層20として例えばヘンケルジャパン株式会社製のMicromelt6239を用いたカーボンナノチューブシート36では、例えば荷重0.25MPaを加えた状態で、例えば195°C、10分間の熱処理を行う。この熱処理により、カーボンナノチューブシート36の充填層20を形成する熱可塑性樹脂が液状融解し、半導体素子34及びヒートスプレッダ38の表面凹凸に沿ってカーボンナノチューブシート36が変形する。また、カーボンナノチューブシート36内のカーボンナノチューブ14は、充填層20による拘束がゆるみ、半導体素子34及びヒートスプレッダ38が有する凹凸形状に追従して撓むことができる。これにより、半導体素子34及びヒートスプレッダ38に直に接するカーボンナノチューブ14が増加し、カーボンナノチューブシート36と半導体素子34及びヒートスプレッダ38との間の接触熱抵抗を大幅に低減することができる。次いで、室温まで冷却し、充填層20の熱可塑性樹脂を固化するとともに、ヒートスプレッダ38を有機シーラント40によって基板30上に固定する図17。この際、充填層20の熱可塑性樹脂は接着性を発現し、半導体素子34とヒートスプレッダ38との間をカーボンナノチューブシート36によって接着固定することができる。これにより、室温に冷却した後も、カーボンナノチューブシート36と半導体素子34及びヒートスプレッダ38との間の低い接触熱抵抗を維持することができる。このように、本実施形態によれば、第1又は第2実施形態による電子部品を用いて電子機器を組み立てるので、カーボンナノチューブシートのカーボンナノチューブの両端部を放熱体及び発熱体に直に接触させることができる。これにより、カーボンナノチューブシートと放熱体及び発熱体との間の接触熱抵抗を大幅に低減することができる。これにより、半導体素子から発せられる熱の放熱効率を高めることができ、電子機器の信頼性を向上することができる。[変形実施形態]上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、炭素元素の線状構造体を用いた放熱材料の例としてカーボンナノチューブシートを示したが、炭素元素の線状構造体を用いた放熱材料は、これに限定されるものではない。炭素元素の線状構造体は、炭素の六員環構造を有するグラフェンシートが筒状なったものであり、カーボンナノチューブのほか、カーボンナノワイヤ、カーボンロッド、カーボンファイバをも含むものである。これら線状構造体は、サイズが異なるほかは、カーボンナノチューブと同様である。これら線状構造体を用いた放熱材料においても適用することができる。また、第1実施形態では、放熱板24とは別の基板10上にカーボンナノチューブシート22を形成後、シートを放熱板24上に接着したが、基板10の代わりに放熱板24を用い、放熱板24上に直にカーボンナノチューブシート22を形成するようにしてもよい。また、上記実施形態に記載の構成材料や製造条件は、当該記載に限定されるものではなく、目的等に応じて適宜変更が可能である。また、カーボンナノチューブシートの使用目的も、上記実施形態に記載のものに限定されるものではない。開示のカーボンナノチューブシートは、熱伝導シートとしては、例えば、CPUの放熱シート、無線通信基地局用高出力増幅器、無線通信端末用高出力増幅器、電気自動車用高出力スイッチ、サーバー、パーソナルコンピュータなどへの適用が考えられる。また、カーボンナノチューブの高い許容電流密度特性を利用して、縦型配線シートやこれを用いた種々のアプリケーションにも適用可能である。以上の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。付記1第1の基板上に、複数の炭素元素の線状構造体と、複数の前記線状構造体間に配置された熱可塑性樹脂の充填層とを有する放熱材料を配置する工程と、前記放熱材料上に、吸取紙を配置する工程と、前記熱可塑性樹脂の融解温度よりも高い温度で熱処理を行い、複数の前記線状構造体上の前記熱可塑性樹脂を前記吸取紙により吸い取る工程と、前記吸取紙を除去する工程と、冷却して前記熱可塑性樹脂を固化し、前記放熱材料を前記第1の基板に接着する工程とを有することを特徴とする電子部品の製造方法。付記2付記1記載の電子部品の製造方法において、前記放熱材料を配置する工程では、前記充填層から露出した複数の前記線状構造体の一端部が前記第1の基板に直に接するように、前記放熱材料を前記第1の基板上に配置することを特徴とする電子部品の製造方法。付記3付記1又は2記載の電子部品の製造方法において、前記放熱材料を前記第1の基板に接着する工程の後に、複数の前記線状構造体の他端部を前記充填層から露出させる工程を更に有することを特徴とする電子部品の製造方法。付記4付記1乃至3のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法において、前記熱処理により、前記熱可塑性樹脂を前記第1の基板の表面まで浸透させることを特徴とする電子部品の製造方法。付記5付記1乃至3のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法において、前記放熱材料を配置する工程の後、前記吸取紙を配置する工程の前に、前記熱可塑性樹脂の融解温度よりも高い温度で熱処理を行い、前記熱可塑性樹脂を前記第1の基板の表面まで浸透させる工程を更に有することを特徴とする電子部品の製造方法。付記6付記1乃至5のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法において、前記吸取紙上から圧力を印加しながら前記熱処理を行うことを特徴とする電子部品の製造方法。付記7付記1乃至6のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法において、前記第1の基板上に前記放熱材料を配置する工程の前に、第2の基板上に、複数の前記線状構造体を成長する工程と、複数の前記線状構造体上に、前記熱可塑性樹脂のシートを配置する工程と、前記熱可塑性樹脂の融解温度よりも高い温度で熱処理を行い、前記シートを複数の前記線状構造体間に浸透させ、前記充填層を形成する工程と、複数の前記線状構造体及び前記充填層を前記第2の基板から剥離し、前記放熱材料を得る工程とを更に有することを特徴とする電子部品の製造方法。付記8付記7記載の電子部品の製造方法において、前記充填層を形成する工程では、前記第2の基板に達しないように前記シートを複数の前記線状構造体間に浸透させることを特徴とする電子部品の製造方法。付記9付記1乃至8のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法において、複数の前記線状構造体の前記他端部に、前記熱可塑性樹脂よりも熱伝導率の高い被膜が形成されていることを特徴とする電子部品の製造方法。付記10付記1乃至9のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法において、前記第1の基板は、放熱部品であることを特徴とする電子部品の製造方法。付記11付記1乃至10のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法において、前記第1の基板の前記放熱材料が配置される領域に凹部を形成する工程を更に有することを特徴とする電子部品の製造方法。付記12付記1乃至11のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法において、前記第1の基板と前記第2の基板は、同じ基板であることを特徴とする電子部品の製造方法。付記13放熱板と、前記放熱板上に形成された放熱材料とを有し、前記放熱材料は、一端部が前記放熱板に直に接続された複数の炭素元素の線状構造体と、前記放熱板に接して形成され、複数の前記線状構造体間に配置された熱可塑性樹脂の充填層と、前記充填層から露出した複数の前記線状構造体の他端部に形成され、前記熱可塑性樹脂よりも熱伝導率の高い被膜とを有することを特徴とする電子部品。付記14付記13記載の電子部品において、前記放熱板は、前記放熱材料が配置される領域に凹部を有することを特徴とする電子部品。