"可視光に対する透光性を有し、表裏に、それぞれ独立に、凹凸構造を有する構造体と、前記構造体の一方の面上に設けられた、高屈折率材料層と、前記高屈折率材料層上に設けられた、屈折率が1.6以上の発光領域を含む発光体と、を有し、前記高屈折率材料層は、前記構造体に接する面より他方の面が平坦であり、前記高屈折率材料層の屈折率は、1.6以上であり、前記構造体の屈折率は、1.0より高く、前記高屈折率材料層の屈折率より低い固体発光素子。可視光に対する透光性を有し、表裏に、それぞれ独立に、凹凸構造を有する構造体と、前記構造体の一方の面上に設けられた、高屈折率材料層と、前記高屈折率材料層上に設けられた、第1の電極と、前記第1の電極上に設けられた、発光物質を含む層と、前記発光物質を含む層上に設けられた、第2の電極と、を有し、前記高屈折率材料層は、前記構造体に接する面より他方の面が平坦であり、前記高屈折率材料層の屈折率、前記第1の電極の屈折率、及び前記発光物質を含む層の屈折率は、それぞれ1.6以上であり、前記構造体の屈折率は、1.0より高く、前記高屈折率材料層の屈折率より低い固体発光素子。請求項2において、前記高屈折率材料層と前記第1の電極との間に、屈折率が1.6以上の窒化膜を有する固体発光素子。請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記構造体の屈折率が1.3以上であり、前記高屈折率材料層の屈折率よりも低い固体発光素子。請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記高屈折率材料層の屈折率が、1.7以上である固体発光素子。請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記構造体は、前記高屈折率材料層と接する第1の層と、前記第1の層と一方の面で接する第2の層からなり、前記第1の層の屈折率と前記第2の層の屈折率の差は、0.15以下であり、前記第1の層は、前記高屈折率材料層と接する面に凹凸構造を有し、前記第2の層は、他方の面に凹凸構造を有する固体発光素子。請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記構造体は、前記高屈折率材料層と接する第1の層と、前記第1の層と接する第2の層と、前記第2の層と接する第3の層からなり、前記第1の層の屈折率、前記第2の層の屈折率、及び前記第3の層の屈折率の差は、0.15以下であり、前記第1の層は、前記高屈折率材料層と接する面に凹凸構造を有し、前記第3の層は、前記第2の層と接する面とは逆側の面に凹凸構造を有する固体発光素子。請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の固体発光素子を備える発光装置。請求項8に記載の発光装置を備える照明装置。しかし、可視光を透過し、高屈折率である材料ガラス、樹脂などは、種類が少なく高価であるため、非特許文献1に示される構成は、コストが高いという問題がある。したがって、本発明の一態様は、安価で、光取り出し効率の高い固体発光素子を提供することを目的の一とする。また、該固体発光素子を用いた発光装置、または該発光装置を用いた照明装置を提供することを目的の一とする。上記課題を解決するために、本発明者らは高屈折率の材料の使用量に着眼した。発光体に接して屈折率が1.6以上の材料層を薄く設け、屈折率が1.0より高く該材料層の屈折率より低い支持体を該材料層と接して設け、材料層と支持体の界面、及び支持体と大気の界面は、それぞれ凹凸構造を有する構成とすれば良い。このような構成とすることで、高屈折率の媒体から低屈折率の媒体に臨界角を超えて入射する光が全反射し、光の取り出し効率が低下する現象を抑制し、かつ安価な固体発光素子を提供することができる。したがって、本発明の一態様は、可視光に対する透光性を有し、表裏に、それぞれ独立に、凹凸構造を有する構造体と、構造体の一方の面上に設けられた高屈折率材料層と、高屈折率材料層上に設けられた屈折率が1.6以上の発光領域を含む発光体と、を有し、高屈折率材料層は、構造体に接する面より他方の面が平坦であり、高屈折率材料層の屈折率は、1.6以上であり、構造体の屈折率は、1.0より高く、高屈折率材料層の屈折率より低い固体発光素子である。また、本発明の一態様は、可視光に対する透光性を有し、表裏に、それぞれ独立に、凹凸構造を有する構造体と、構造体の一方の面上に設けられた高屈折率材料層と、高屈折率材料層上に設けられた第1の電極と、第1の電極上に設けられた発光物質を含む層と、発光物質を含む層上に設けられた第2の電極と、を有し、高屈折率材料層は、構造体に接する面より他方の面が平坦であり、高屈折率材料層の屈折率、第1の電極の屈折率、及び発光物質を含む層の屈折率は、それぞれ1.6以上であり、構造体の屈折率は、1.0より高く、高屈折率材料層の屈折率より低い固体発光素子である。上記構成の固体発光素子は、高屈折率材料層と第1の電極の接する面が平坦であるため、例えば、該固体発光素子が有機EL素子である場合にも、第1の電極を平坦に形成でき、第1の電極の凹凸に起因する有機ELのリーク電流が抑制でき、高い信頼性が得られるため好ましい。また、上記固体発光素子において、高屈折率材料層と第1の電極との間に、屈折率が1.6以上の窒化膜を有することが好ましい。上記構成の固体発光素子は、高屈折率材料層と第1の電極との間に屈折率が1.6以上の窒化膜を有するため、光の取り出し効率を低下することなく、発光体への不純物の拡散を防ぐことができる。例えば、該固体発光素子が有機EL素子である場合にも、構造体や高屈折率材料層に含まれる水分がEL層に浸入することを防ぐことが可能であり好ましい。また、上記固体発光素子において、構造体の屈折率が1.3以上であり、高屈折率材料層の屈折率よりも低いことが好ましい。また、上記固体発光素子において、高屈折率材料層の屈折率が、1.7以上であることが好ましい。上記固体発光素子において、構造体は、複数の層からなっていても良い。構造体が複数の層からなる場合、それらの層の屈折率の差は、0.15以下であると、屈折率の差による光の反射を1以下に抑制することができ、好ましい。さらに、屈折率の差は0.10以下であるとより好ましい。例えば、構造体は、高屈折率材料層と接する第1の層と、第1の層と一方の面で接する第2の層からなり、第1の層の屈折率と第2の層の屈折率の差は、0.15以下であり、第1の層は、高屈折率材料層と接する面に凹凸構造を有し、第2の層は、他方の面に凹凸構造を有する構成とすることができる。また、構造体は、高屈折率材料層と接する第1の層と、第1の層と接する第2の層と、第2の層と接する第3の層からなり、第1の層の屈折率、第2の層の屈折率、及び第3の層の屈折率の差は、0.15以下であり、第1の層は、高屈折率材料層と接する面に凹凸構造を有し、第3の層は、第2の層と接する面とは逆側の面に凹凸構造を有する構成とすることができる。本発明の一態様は、上記固体発光素子を備える発光装置である。また、本発明の一態様は、該発光装置を備える照明装置である。本発明の一態様は、安価で、光取り出し効率の高い固体発光素子を提供することができる。また、該固体発光素子を用いた発光装置、または該発光装置を用いた照明装置を提供することができる。実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様の固体発光素子について図1及び図2を用いて説明する。図1Aの固体発光素子は、構造体101、高屈折率材料層201、及び発光体301からなる。構造体101は、可視光に対する透光性以後、単に透光性と記すを有し、表裏に、それぞれ独立に、凹凸構造を有する。凹凸構造は、ストライプ状であっても効果を奏するが、マトリクス状の凹凸構造が好ましい。また、構造体101の屈折率は1.0より高く高屈折率材料層201の屈折率より低い。特に、構造体101の屈折率は、1.3以上であり、高屈折率材料層201の屈折率よりも低いことが好ましい。図2A~Fに、本発明の一態様の固体発光素子が備える構造体101の一例を示す。図2A~Fに示す構造体101は、表裏に、それぞれ独立に、凹凸構造のパターンを有する。構造体101が有する凹凸構造のパターンは、特に限定されず、例えば、半球状図2A~D、Fや、円錐、角錐三角錐、四角錐等などの頂点を有する形状とすることができる図2E。凹凸構造は、高屈折率材料層201と接する側の凹凸の大きさ、高さについては、0.1~100μm程度とすることが好ましい。逆側の凹凸の大きさ、高さについては、0.1~1000μm程度とすることが好ましい。高屈折率材料層201と接する側の凹凸構造の大きさは、高屈折率材料層201に用いる材料の使用量に影響を与えるため、凹凸の大きさ、高さの許容範囲が狭い。一方、逆側の面の凹凸構造は、1000μmを超えた大きさ、高さの構造を採用しても問題ない。また、どちらの面の凹凸も、特に、1μm以上であると、光の干渉による影響を抑制することができるため、好ましい。パターンは、隣り合う部分において隙間が生じないように設けられていることが好ましい。例えば、パターンは最密充填で配置されることが好ましい。例えば、好ましい底面形状として、正六角形が挙げられる。構造体101は、図2Aに示すように、一種類の材料で構成されていても良いし、図2B~Fにそれぞれ示すように、複数の材料の積層で構成されていても良い。複数の層で構成する場合、構造体101の屈折率は層によって異なっていても良い。構造体101の屈折率が層によって異なる場合、全ての層の屈折率の差が0.15以下であると、屈折率の差による光の反射を1以下に抑制することができ、好ましい。より好ましくは、0.10以下であり、構造体101を形成する層の屈折率の差が小さいほど、屈折率の差による光の反射を抑制することができる。構造体が、屈折率の異なる複数の層からなる場合、隣り合う2層において、高屈折率材料層201側の層の屈折率が、光を取り出す側の層の屈折率よりも高い場合は、2層の界面に凹凸構造を設けることが好ましい。また、構造体101に含まれる隣り合う2層において、高屈折率材料層201側の層の屈折率が、光を取り出す側の層の屈折率以下の場合、上記凹凸構造を設ける工程が不要となり便宜である。構造体101を形成する層のうち、高屈折率材料層201に接する層の屈折率が、最も小さいことが好ましい。これは、構造体101を形成する層同士の界面において、全反射を抑制することができ、光取り出し効率が向上するためである。図2Aに示す構造体101は、第1の層111のみからなる。第1の層111は、屈折率が、1.0より高く、高屈折率材料層201の屈折率より低い材料を用いて形成すれば良い。第1の層111に用いることができる材料としては、例えば、屈折率が1.0より高く1.6より低いガラスや樹脂などが挙げられる。樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、またはポリ塩化ビニル樹脂などを用いることができる。特に、屈折率が1.4以上1.6未満の材料を用いることが好ましい。上述の材料に、凹凸構造を作製するための方法としては、例えば、エッチング法、砥粒加工法サンドブラスト法、マイクロブラスト加工法、液滴吐出法や、印刷法スクリーン印刷やオフセット印刷などパターンが形成される方法、スピンコート法などの塗布法、ディッピング法、ディスペンサ法、インプリント法、ナノインプリント法等を適宜用いることができる。図2B~Eに示す構造体101は、第1の層111と、第2の層112からなる。第1の層111は、高屈折率材料層201と接する面にパターンを有する。第2の層112は、第1の層111と接する面とは逆側の面にパターンを有する。図2C~Eに示す構造体101において、第1の層111は前述の材料方法を用いて形成することができる。また、第2の層112は、第1の層111に用いることができる材料方法を用いることができるほか、半球レンズ、マイクロレンズアレイや、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を用いることもできる。例えば、第1の層111に上記レンズやフィルムを、第1の層111又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接着剤等を用いて接着することで第2の層112を形成することができる。図2Bに示す構造体101において、第1の層111は、図2C~Eの第2の層112と同様の材料方法を用いて形成することができ、第2の層112は、図2C~Eの第1の層111と同様の材料方法を用いて形成することができる。図2B~Eに示す構造体101のように、構造体が2層からなる場合は、第1の層111の屈折率と、第2の層112の屈折率の差は0.15以下であることが好ましい。構造体101を形成する層の屈折率の差が小さいほど、屈折率の差による光の反射を抑制することができる。また、第1の層111の屈折率が、第2の層112の屈折率よりも低いと、第1の層111と第2の層112の界面における全反射等による光のロスを抑制することができ、光取り出し効率が向上するため好ましい。図2Fに示す構造体101は、第1の層111、第2の層112、及び第3の層113からなる。第1の層111は、高屈折率材料層201と接する面に凹凸構造を有する。第2の層112は、第3の層113と接する面とは逆側の面に凹凸構造を有する。第1の層111及び第2の層112は、それぞれ図2C~Eと同様の材料方法を用いて形成することができる。図2Fに示す構造体101において、少なくとも第3の層113が、支持体としての機能を備えていれば良い。したがって、第1の層111及び第2の層112は、薄く形成されていれば良く、必要な光学特性を有する材料を適宜選択して形成することができる。第1の層111及び第2の層112の膜厚は、それぞれ数十μm程度で形成すれば良く、必要によってはそれ以上の厚さで形成しても良い。第3の層113は凹凸加工が不要であるため、前述のガラスや樹脂の中でも、加工性の良さなどにこだわらず、安価な材料や入手が容易な材料を適宜用いることができる。例えば、樹脂は、軽くて割れにくいだけでなく、再利用が容易であるため好ましい。図2Fに示す構造体101のように、構造体が3層からなる場合、3層の屈折率の差は、0.15以下であることが好ましい。3層の屈折率の差が小さいほど、屈折率の差による光の反射を抑制することができる。また、第1の層111の屈折率が最も低く、第2の層112の屈折率は、第1の層111の屈折率以上であり、第3の層113の屈折率は、第2の層112の屈折率以上であることが好ましい。第1の層111と第2の層112の界面、及び第2の層112と第3の層113の界面においても、全反射等による光のロスを抑制することができ、光取り出し効率が向上するためである。なお、構造体101において、高屈折率材料層201と接する面のパターンは、高屈折率材料層201を設ける前に形成するが、逆側光を取り出す側の面のパターンは、形成時期に限定は無く、高屈折率材料層201を設ける前に形成しても、構造体101上に高屈折率材料層201や、発光層等を設けた後に形成しても良い。高屈折率材料層201や発光体等を形成する工程中や搬送中に、パターンが壊れることを防ぐことができるため、固体発光素子を構成する層を形成した後または、発光体等を封止した後に、光を取り出す側の面にパターンを形成することが好ましい。高屈折率材料層201は、高屈折率ガラスや、液体、樹脂からなる。高屈折率材料層201は、透光性を有する。高屈折率材料層201の屈折率は、1.6以上、好ましくは1.7以上2.1以下とする。高屈折率の樹脂としては、臭素が含まれる樹脂、硫黄が含まれる樹脂などが挙げられ、例えば、含硫黄ポリイミド樹脂、エピスルフィド樹脂、チオウレタン樹脂、又は臭素化芳香族樹脂などを用いることができる。また、PETポリエチレンテレフタラート、TACトリアセチルセルロースなども用いることができる。高屈折率の液体としては、硫黄及びヨウ化メチレンを含む接触液屈折液などを用いることができる。成膜方法としては、材料にあった種々の方法を適用すれば良い。例えば、前述の樹脂を、スピンコート法を用いて成膜し、熱または光によって硬化させることで形成することができる。接着強度や加工のしやすさなどを考慮し適宜選択することができる。一般に、高屈折率の樹脂は高価であるが、本発明の一態様の固体発光素子において、高屈折率材料層201は、数十μm程度といった薄い膜厚で形成すれば良い。したがって、低コストで光取り出し効率の高い固体発光素子を作製することができる。発光体301は、LEDLightEmittingDiode、有機ELエレクトロルミネッセンス、Electroluminescence素子、無機EL素子など、屈折率が1.6以上の材料を用いることができる。発光体301に有機ELを用いた固体発光素子を図1Bに示す。図1Bの固体発光素子は、構造体101、高屈折率材料層201、第1の電極103、発光物質を含むEL層102、第2の電極108からなる。図1Bにおいて、高屈折率材料層201は、構造体101と接する面よりも、第1の電極103と接する面のほうが平坦である。したがって、EL層102のリーク電流を抑制することができる。以上のように、本実施の形態の固体発光素子は、支持体と発光体との間に、1.6以上の屈折率の高屈折率材料層を薄く設けている。さらに、支持体と大気との界面、及び支持体と高屈折率の層との界面には、それぞれ凹凸構造を設けている。このような構成とすることで、高価な高屈折率材料の使用量を減らし、安価で高い光取り出し効率の固体発光素子を実現することができる。なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。実施の形態2本実施の形態では、本発明の一態様の固体発光素子の一例を説明する。本実施の形態では、有機EL素子を例にして、図3を用いて説明する。図3Aに示す発光素子は、構造体101上の高屈折率材料層201と、高屈折率材料層201上の窒化膜202と、窒化膜202上の第1の電極103と、第1の電極103上のEL層102と、EL層102上の第2の電極108とを有する。EL層102は、少なくとも発光性の有機化合物を含む発光層が含まれていれば良い。そのほか、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができる。図3Aにおいて、EL層102は、第1の電極103側から、正孔注入層701、正孔輸送層702、発光層703、電子輸送層704、及び電子注入層705の順で積層されている。また、本実施の形態において、EL層102の屈折率は、1.7以上である。窒化膜202は、構造体101や高屈折率材料層201に含まれる水分から、後に作製する一対の電極層第1の電極103、第2の電極108やEL層102を保護する効果を有するため、設けることが好ましい。窒化膜202は透光性を有する。図3Aに示す発光素子の作製方法について説明する。まず、構造体101を用意する。構造体101としては、実施の形態1で説明した構成を適用することができる。本実施の形態では、ここで、屈折率1.5のガラス基板の一方の面に、屈折率1.36のフッ素樹脂膜を形成し、インプリント法を用いて、凹凸構造を形成する。フッ素樹脂は、数十μm程度の厚みで成膜すれば良い。他方の面は、一対の電極層やEL層102を作製した後に、凹凸構造を形成することとし、詳細は後述する。構造体101は、光を取り出す側に、凹凸構造が施されているため、従来では、構造体101内を導波していた基板モード光を外部に取り出すことができる。よって、光取り出し効率を向上させることができる。次に、構造体101上に高屈折率材料層201を形成する。高屈折率材料層201は、実施の形態1で説明した材料で形成することができる。構造体101に凹凸構造が施されているため、従来ではEL層内を導波していた薄膜モード光を外部に取り出すことができる。よって、光取り出し効率を向上させることができる。高屈折率材料層201は、構造体101と接する面より、他方の面ここでは、窒化膜202と接する面が平坦である。したがって、後に形成するEL層102のリーク電流を抑制し、高い信頼性を得ることができる。次に、高屈折率材料層201上に、屈折率が1.6以上の窒化膜202を形成する。窒化膜202としては、例えば、窒化ケイ素膜、窒化酸化ケイ素膜、窒化アルミニウム膜などを用いることができる。窒化膜202を設けることで、光の取り出し効率を低下することなく、発光素子への不純物の拡散を防ぐことができる。例えば、構造体101や高屈折率材料層201からEL層102に水分が侵入することを防ぐことができ、発光素子の寿命の低下を抑制することができる。次に、窒化膜202上に、第1の電極103を形成する。第1の電極103は、EL層102から見て、光の取り出し方向に設けられるため、透光性を有する材料を用いて形成する。透光性を有する材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物ITOともいう、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いることができる。また、第1の電極103として、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタン等の金属材料を用いることができる。または、それら金属材料の窒化物例えば、窒化チタン等を用いてもよい。なお、金属材料又はその窒化物を用いる場合、透光性を有する程度に薄くすればよい。次に、第1の電極103上に、EL層102を形成する。図3Aにおいて、EL層102は、正孔注入層701、正孔輸送層702、発光層703、電子輸送層704、電子注入層705を有する。正孔注入層701は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることができる。また、フタロシアニン略称:H2Pc、銅IIフタロシアニン略称:CuPc等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。また、低分子の有機化合物である4,4’,4’’-トリスN,N-ジフェニルアミノトリフェニルアミン略称:TDATA、4,4’,4’’-トリス[N-3-メチルフェニル-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン略称:MTDATA、4,4’-ビス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DPAB、4,4’-ビスN-{4-[N’-3-メチルフェニル-N’-フェニルアミノ]フェニル}-N-フェニルアミノビフェニル略称:DNTPD、1,3,5-トリス[N-4-ジフェニルアミノフェニル-N-フェニルアミノ]ベンゼン略称:DPA3B、3-[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA1、3,6-ビス[N-9-フェニルカルバゾール-3-イル-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCA2、3-[N-1-ナフチル-N-9-フェニルカルバゾール-3-イルアミノ]-9-フェニルカルバゾール略称:PCzPCN1等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。さらに、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等を用いることもできる。例えば、ポリN-ビニルカルバゾール略称:PVK、ポリ4-ビニルトリフェニルアミン略称:PVTPA、ポリ[N-4-{N’-[4-4-ジフェニルアミノフェニル]フェニル-N’-フェニルアミノ}フェニルメタクリルアミド]略称:PTPDMA、ポリ[N,N’-ビス4-ブチルフェニル-N,N’-ビスフェニルベンジジン]略称:Poly-TPDなどの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ3,4-エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸PEDOT/PSS、ポリアニリン/ポリスチレンスルホン酸PAni/PSS等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。特に、正孔注入層701として、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることが好ましい。正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることにより、第1の電極103からの正孔注入性を良好にし、発光素子の駆動電圧を低減することができる。これらの複合材料は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター物質とを共蒸着することにより形成することができる。該複合材料を用いて正孔注入層701を形成することにより、第1の電極103からEL層102への正孔注入が容易となる。複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。複合材料に用いることのできる有機化合物としては、例えば、TDATA、MTDATA、DPAB、DNTPD、DPA3B、PCzPCA1、PCzPCA2、PCzPCN1、4,4’-ビス[N-1-ナフチル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:NPB又はα-NPD、N,N’-ビス3-メチルフェニル-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン略称:TPD、4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLP等の芳香族アミン化合物や、4,4’-ジN-カルバゾリルビフェニル略称:CBP、1,3,5-トリス[4-N-カルバゾリルフェニル]ベンゼン略称:TCPB、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、9-フェニル-3-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:PCzPA、1,4-ビス[4-N-カルバゾリルフェニル]-2,3,5,6-テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘導体を用いることができる。また、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、2-tert-ブチル-9,10-ビス4-フェニルフェニルアントラセン略称:t-BuDBA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、2-tert-ブチルアントラセン略称:t-BuAnth、9,10-ビス4-メチル-1-ナフチルアントラセン略称:DMNA、9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]-2-tert-ブチルアントラセン、9,10-ビス[2-1-ナフチルフェニル]アントラセン、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ1-ナフチルアントラセン等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。さらに、2,3,6,7-テトラメチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン、9,9’-ビアントリル、10,10’-ジフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス2-フェニルフェニル-9,9’-ビアントリル、10,10’-ビス[2,3,4,5,6-ペンタフェニルフェニル]-9,9’-ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11-テトラtert-ブチルペリレン、ペンタセン、コロネン、4,4’-ビス2,2-ジフェニルビニルビフェニル略称:DPVBi、9,10-ビス[4-2,2-ジフェニルビニルフェニル]アントラセン略称:DPVPA等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。また、電子受容体としては、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン略称:F4-TCNQ、クロラニル等の有機化合物や、遷移金属酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。なお、上述したPVK、PVTPA、PTPDMA、Poly-TPD等の高分子化合物と、上述した電子受容体を用いて複合材料を形成し、正孔注入層701に用いてもよい。正孔輸送層702は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、NPB、TPD、BPAFLP、4,4’-ビス[N-9,9-ジメチルフルオレン-2-イル-N-フェニルアミノ]ビフェニル略称:DFLDPBi、4,4’-ビス[N-スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル-N―フェニルアミノ]ビフェニル略称:BSPB等の芳香族アミン化合物を用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。また、正孔輸送層702には、CBP、CzPA、PCzPAのようなカルバゾール誘導体や、t-BuDNA、DNA、DPAnthのようなアントラセン誘導体を用いても良い。また、正孔輸送層702には、PVK、PVTPA、PTPDMA、Poly-TPDなどの高分子化合物を用いることもできる。発光層703は、発光性の有機化合物を含む層である。発光性の有機化合物としては、例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。発光層703に用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、N,N’-ビス[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N,N’-ジフェニルスチルベン-4,4’-ジアミン略称:YGA2S、4-9H-カルバゾール-9-イル-4’-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:YGAPA、4-10-フェニル-9-アントリル-4’-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルトリフェニルアミン略称:PCBAPAなどが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCABPhA、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPAPA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル-2-アントリル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン略称:2DPABPhA、N-[9,10-ビス1,1’-ビフェニル-2-イル]-N-[4-9H-カルバゾール-9-イルフェニル]-N-フェニルアントラセン-2-アミン略称:2YGABPhA、N,N,9-トリフェニルアントラセン-9-アミン略称:DPhAPhAなどが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、5,12-ビス1,1’-ビフェニル-4-イル-6,11-ジフェニルテトラセン略称:BPTなどが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルテトラセン-5,11-ジアミン略称:p-mPhTD、7,14-ジフェニル-N,N,N’,N’-テトラキス4-メチルフェニルアセナフト[1,2-a]フルオランテン-3,10-ジアミン略称:p-mPhAFDなどが挙げられる。また、発光層703に用いることができる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIテトラキス1-ピラゾリルボラート略称:FIr6、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIピコリナート略称:FIrpic、ビス{2-[3’,5’-ビストリフルオロメチルフェニル]ピリジナト-N,C2’}イリジウムIIIピコリナート略称:IrCF3ppy2pic、ビス[2-4’,6’-ジフルオロフェニルピリジナト-N,C2’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:FIracacなどが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irppy3、ビス2-フェニルピリジナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irppy2acac、ビス1,2-ジフェニル-1H-ベンゾイミダゾラトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpbi2acac、ビスベンゾ[h]キノリナトイリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbzq2acac、トリスベンゾ[h]キノリナトイリジウムIII略称:Irbzq3などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス2,4-ジフェニル-1,3-オキサゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irdpo2acac、ビス[2-4’-パーフルオロフェニルフェニルピリジナト]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irp-PF-ph2acac、ビス2-フェニルベンゾチアゾラト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbt2acac、アセチルアセトナトビス[2,3-ビス4-フルオロフェニル-5-メチルピラジナト]イリジウムIII略称:IrFdppr-Me2acac、アセチルアセトナトビス{2-4-メトキシフェニル-3,5-ジメチルピラジナト}イリジウムIII略称:Irdmmoppr2acacなどが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス2-フェニルキノリナト-N,C2’イリジウムIII略称:Irpq3、ビス2-フェニルキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpq2acac、アセチルアセトナトビス3,5-ジメチル-2-フェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irmppr-Me2acac、アセチルアセトナトビス5-イソプロピル-3-メチル-2-フェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irmppr-iPr2acacなどが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス[2-2’-ベンゾ[4,5-α]チエニルピリジナト-N,C3’]イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irbtp2acac、ビス1-フェニルイソキノリナト-N,C2’イリジウムIIIアセチルアセトナート略称:Irpiq2acac、アセチルアセトナトビス[2,3-ビス4-フルオロフェニルキノキサリナト]イリジウムIII略称:IrFdpq2acac、アセチルアセトナトビス2,3,5-トリフェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irtppr2acac、ジピバロイルメタナトビス2,3,5-トリフェニルピラジナトイリジウムIII略称:Irtppr2dpm、2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリン白金II略称:PtOEP等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリスアセチルアセトナトモノフェナントロリンテルビウムIII略称:Tbacac3Phen、トリス1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオナトモノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuDBM3Phen、トリス[1-2-テノイル-3,3,3-トリフルオロアセトナト]モノフェナントロリンユーロピウムIII略称:EuTTA3Phen等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光異なる多重度間の電子遷移であるため、燐光性化合物として用いることができる。なお、発光層703としては、上述した発光性の有機化合物ゲスト材料を他の物質ホスト材料に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては、各種のものを用いることができ、発光性の物質よりも最低空軌道準位LUMO準位が高く、最高被占有軌道準位HOMO準位が低い物質を用いることが好ましい。ホスト材料としては、具体的には、トリス8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウムIII略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウムII略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウムIII略称:BAlq、ビス8-キノリノラト亜鉛II略称:Znq、ビス[2-2-ベンゾオキサゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnPBO、ビス[2-2-ベンゾチアゾリルフェノラト]亜鉛II略称:ZnBTZなどの金属錯体、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBD、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、2,2’,2’’-1,3,5-ベンゼントリイルトリス1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール略称:TPBI、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCPなどの複素環化合物や、9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:CzPA、3,6-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:DPCzPA、9,10-ビス3,5-ジフェニルフェニルアントラセン略称:DPPA、9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:DNA、2-tert-ブチル-9,10-ジ2-ナフチルアントラセン略称:t-BuDNA、9,9’-ビアントリル略称:BANT、9,9’-スチルベン-3,3’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS、9,9’-スチルベン-4,4’-ジイルジフェナントレン略称:DPNS2、3,3’,3’’-ベンゼン-1,3,5-トリイルトリピレン略称:TPB3、9,10-ジフェニルアントラセン略称:DPAnth、6,12-ジメトキシ-5,11-ジフェニルクリセンなどの縮合芳香族化合物、N,N-ジフェニル-9-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:CzA1PA、4-10-フェニル-9-アントリルトリフェニルアミン略称:DPhPA、N,9-ジフェニル-N-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPA、N,9-ジフェニル-N-{4-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]フェニル}-9H-カルバゾール-3-アミン略称:PCAPBA、N-9,10-ジフェニル-2-アントリル-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン略称:2PCAPA、NPBまたはα-NPD、TPD、DFLDPBi、BSPBなどの芳香族アミン化合物などを用いることができる。また、ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するためにルブレン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料へのエネルギー移動をより効率良く行うためにNPB、あるいはAlq等をさらに添加してもよい。ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光層703の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。また、発光層703として高分子化合物を用いることができる。具体的には、青色系の発光材料として、ポリ9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル略称:PFO、ポリ[9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル-co-2,5-ジメトキシベンゼン-1,4-ジイル]略称:PF-DMOP、ポリ{9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル-co-[N,N’-ジ-p-ブチルフェニル-1,4-ジアミノベンゼン]}略称:TAB-PFHなどが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、ポリp-フェニレンビニレン略称:PPV、ポリ[9,9-ジヘキシルフルオレン-2,7-ジイル-alt-co-ベンゾ[2,1,3]チアジアゾール-4,7-ジイル]略称:PFBT、ポリ[9,9-ジオクチル-2,7-ジビニレンフルオレニレン-alt-co-2-メトキシ-5-2-エチルヘキシロキシ-1,4-フェニレン]などが挙げられる。また、橙色~赤色系の発光材料として、ポリ[2-メトキシ-5-2’-エチルヘキソキシ-1,4-フェニレンビニレン]略称:MEH-PPV、ポリ3-ブチルチオフェン-2,5-ジイル略称:R4-PAT、ポリ{[9,9-ジヘキシル-2,7-ビス1-シアノビニレンフルオレニレン]-alt-co-[2,5-ビスN,N’-ジフェニルアミノ-1,4-フェニレン]}、ポリ{[2-メトキシ-5-2-エチルヘキシロキシ-1,4-ビス1-シアノビニレンフェニレン]-alt-co-[2,5-ビスN,N’-ジフェニルアミノ-1,4-フェニレン]}略称:CN-PPV-DPDなどが挙げられる。また、複数の発光層を設け、それぞれの発光層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、2つの発光層を有する発光素子において、第1の発光層の発光色と第2の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、3つ以上の発光層を有する発光素子の場合でも同様である。電子輸送層704は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質としては、例えば、トリス8-キノリノラトアルミニウム略称:Alq、トリス4-メチル-8-キノリノラトアルミニウム略称:Almq3、ビス10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウム略称:BeBq2、ビス2-メチル-8-キノリノラト4-フェニルフェノラトアルミニウム略称:BAlqなど、キノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また、この他ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾオキサゾラト]亜鉛略称:ZnBOX2、ビス[2-2-ヒドロキシフェニルベンゾチアゾラト]亜鉛略称:ZnBTZ2などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2-4-ビフェニリル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール略称:PBDや、1,3-ビス[5-p-tert-ブチルフェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン略称:OXD-7、3-4-ビフェニリル-4-フェニル-5-4-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール略称:TAZ、バソフェナントロリン略称:BPhen、バソキュプロイン略称:BCPなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。電子注入層705は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層705には、リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層704を構成する物質を用いることもできる。なお、上述した正孔注入層701、正孔輸送層702、発光層703、電子輸送層704、電子注入層705は、それぞれ、蒸着法真空蒸着法を含む、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。EL層は、図3Bに示すように、第1の電極103と第2の電極108との間に複数積層されていても良い。この場合、積層された第1のEL層800と第2のEL層801との間には、電荷発生層803を設けることが好ましい。電荷発生層803は上述の複合材料で形成することができる。また、電荷発生層803は複合材料からなる層と他の材料からなる層との積層構造でもよい。この場合、他の材料からなる層としては、電子供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層や、透明導電膜からなる層などを用いることができる。このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方のEL層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。この構造は上述のEL層の構造と組み合わせて用いることができる。また、それぞれのEL層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、2つのEL層を有する発光素子において、第1のEL層の発光色と第2のEL層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。また、3つ以上のEL層を有する発光素子の場合でも同様である。EL層102は、図3Cに示すように、第1の電極103と第2の電極108との間に、正孔注入層701、正孔輸送層702、発光層703、電子輸送層704、電子注入バッファー層706、電子リレー層707、及び第2の電極108と接する複合材料層708を有していても良い。第2の電極108と接する複合材料層708を設けることで、特にスパッタリング法を用いて第2の電極108を形成する際に、EL層102が受けるダメージを低減することができるため、好ましい。複合材料層708は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。さらに、電子注入バッファー層706を設けることで、複合材料層708と電子輸送層704との間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層708で生じた電子を電子輸送層704に容易に注入することができる。電子注入バッファー層706には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物アルカリ金属化合物酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む、アルカリ土類金属化合物酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む、または希土類金属の化合物酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。また、電子注入バッファー層706が、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、0.001以上0.1以下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物アルカリ金属化合物酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む、アルカリ土類金属化合物酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む、または希土類金属の化合物酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含むの他、テトラチアナフタセン略称:TTN、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した電子輸送層704の材料と同様の材料を用いて形成することができる。さらに、電子注入バッファー層706と複合材料層708との間に、電子リレー層707を形成することが好ましい。電子リレー層707は、必ずしも設ける必要は無いが、電子輸送性の高い電子リレー層707を設けることで、電子注入バッファー層706へ電子を速やかに送ることが可能となる。複合材料層708と電子注入バッファー層706との間に電子リレー層707が挟まれた構造は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層706に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造である。したがって、駆動電圧の上昇を抑制することができる。電子リレー層707は、電子輸送性の高い物質を含み、該電子輸送性の高い物質のLUMO準位は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸送層704に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるように形成する。また、電子リレー層707がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー準位も複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸送層704に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるようにする。具体的なエネルギー準位の数値としては、電子リレー層707に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位は-5.0eV以上、好ましくは-5.0eV以上-3.0eV以下とするとよい。電子リレー層707に含まれる電子輸送性の高い物質としてはフタロシアニン系の材料又は金属-酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。電子リレー層707に含まれるフタロシアニン系材料としては、CuPc、SnPcPhthalocyaninetinIIcomplex、ZnPcPhthalocyaninezinccomplex、CoPcCobaltIIphthalocyanine,β-form、FePcPhthalocyanineIron及びPhO-VOPcVanadyl2,9,16,23-tetraphenoxy-29H,31H-phthalocyanineのいずれかを用いることが好ましい。電子リレー層707に含まれる金属-酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としては、金属-酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属-酸素の二重結合はアクセプター性電子を受容しやすい性質を有するため、電子の移動授受がより容易になる。また、金属-酸素の二重結合を有する金属錯体は安定であると考えられる。したがって、金属-酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることにより発光素子を低電圧でより安定に駆動することが可能になる。金属-酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としてはフタロシアニン系材料が好ましい。具体的には、VOPcVanadylphthalocyanine、SnOPcPhthalocyaninetinIVoxidecomplex及びTiOPcPhthalocyaninetitaniumoxidecomplexのいずれかは、分子構造的に金属-酸素の二重結合が他の分子に対して作用しやすく、アクセプター性が高いため好ましい。なお、上述したフタロシアニン系材料としては、フェノキシ基を有するものが好ましい。具体的にはPhO-VOPcのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が好ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため、発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため、成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。電子リレー層707はさらにドナー性物質を含んでいても良い。ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物アルカリ金属化合物酸化リチウムなどの酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウムなどの炭酸塩を含む、アルカリ土類金属化合物酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む、又は希土類金属の化合物酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含むの他、テトラチアナフタセン略称:TTN、ニッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用いることができる。電子リレー層707にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子の移動が容易となり、発光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。電子リレー層707にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質としては上記した材料の他、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位より高いLUMO準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位としては、-5.0eV以上、好ましくは-5.0eV以上-3.0eV以下の範囲にLUMO準位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、ペリレン誘導体や、含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定であるため、電子リレー層707を形成する為に用いる材料として、好ましい材料である。ペリレン誘導体の具体例としては、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物略称:PTCDA、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボキシリックビスベンゾイミダゾール略称:PTCBI、N,N’-ジオクチル-3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸ジイミド略称:PTCDI-C8H、N,N’-ジヘキシル-3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸ジイミド略称:HexPTC等が挙げられる。また、含窒素縮合芳香族化合物の具体例としては、ピラジノ[2,3-f][1,10]フェナントロリン-2,3-ジカルボニトリル略称:PPDN、2,3,6,7,10,11-ヘキサシアノ-1,4,5,8,9,12-ヘキサアザトリフェニレン略称:HATCN6、2,3-ジフェニルピリド[2,3-b]ピラジン略称:2PYPR、2,3-ビス4-フルオロフェニルピリド[2,3-b]ピラジン略称:F2PYPR等が挙げられる。その他にも、7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン略称:TCNQ、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物略称:NTCDA、パーフルオロペンタセン、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン略称:F16CuPc、N,N’-ビス2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-ペンタデカフルオロオクチル-1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド略称:NTCDI-C8F、3’,4’-ジブチル-5,5’’-ビスジシアノメチレン-5,5’’-ジヒドロ-2,2’:5’,2’’-テルチオフェン略称:DCMT、メタノフラーレン例えば、[6,6]-フェニルC61酪酸メチルエステル等を用いることができる。なお、電子リレー層707にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質とドナー性物質との共蒸着などの方法によって電子リレー層707を形成すれば良い。正孔注入層701、正孔輸送層702、発光層703、及び電子輸送層704は前述の材料を用いてそれぞれ形成すれば良い。そして、EL層102上に、第2の電極108を形成する。第2の電極108は、光の取り出し方向と反対側に設けられ、反射性を有する材料を用いて形成される。反射性を有する材料としては、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料を用いることができる。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金アルミニウム合金や銀と銅の合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅の合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜、又は金属酸化物膜を積層することでアルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。上述の材料は、地殻における存在量が多く安価であるため、発光素子の作製コストを低減することができ、好ましい。最後に、構造体101の光を取り出す側の面に、屈折率1.5のマイクロレンズアレイを用いて凹凸構造を形成する。以上により、本実施の形態の有機EL素子を作製することができる。本発明の一態様では、高屈折率材料の使用量を減らして、光取り出し効率の高い素子を得ることができる。実施の形態3本実施の形態では、本発明の一態様の固体発光素子を備える発光装置を用いた、照明装置の一例について図4ABを用いて説明する。図4Aは照明装置卓上照明装置であり、照明部7501、傘7502、可変アーム7503、支柱7504、台7505、電源スイッチ7506を含む。なお、照明装置は、本発明の一態様により形成される発光装置を照明部7501に用いることにより作製される。なお、照明装置には、図4Aに示す卓上照明装置の他、天井固定型の照明装置天井固定型照明装置または壁掛け型の照明装置壁掛け型照明装置なども含まれる。なお、本発明の一態様を適用して形成される発光装置を照明装置卓上照明装置の照明部7501に用いることで、電力効率が高く、面内で均一に発光し、光取り出し効率の高い照明装置卓上照明装置を提供することができる。図4Bは、本発明の一態様を適用して形成される発光装置を、室内照明装置として用いた例である。本発明の一態様の発光装置は大面積化に有利であるため、天井固定型照明装置3001に示すように大面積の照明装置として用いることができる。その他、壁掛け型照明装置3002として用いることもできる。なお、本発明の一態様を適用して形成される発光装置を用いることで、電力効率が高く、面内で均一に発光し、光取り出し効率の高い照明装置を提供することができる。なお、図4Bに示すように、室内照明装置を備えた部屋で、図4Aで説明した卓上照明装置3000を併用してもよい。本実施例では、本発明の一態様の固体発光素子の光取り出し効率を計算によって求めた。本実施例において、計算には、照明設計解析ソフトウェアであるLightTools7.1SR1サイバネットシステム株式会社製を用いた。以下に、本実施例で用いた固体発光素子の構造について、図5を用いて説明する。本実施例では、固体発光素子として、有機EL素子を用いた。従来例1図5Aに示す従来例1の有機EL素子は、ガラス基板1000上に、インジウムスズ酸化物ITOからなる第1の電極1003と、発光物質を含むEL層1002と、アルミニウムからなる第2の電極1008とが順に積層された構成とした。計算に用いた各々の条件としては、屈折率は、ガラス基板が1.5、第1の電極が2.0、EL層が1.78とした。また、第1の電極の透過率は90、EL層の発光領域は60μm□、EL層の発光波長は550nm、第2の電極の反射率は90とした。従来例2図5Bに示す従来例2の有機EL素子は、従来例1の構成に加え、ガラス基板1000の電極やEL層1002が形成されていない面側に、屈折率1.5の半球状のマイクロレンズ1004を設けた構成とした。このとき、半球の直径は30μmとした。構成例1本発明の一態様の有機EL素子である構成例1図5Cは、従来例2の構成に加え、ガラス基板1005と第1の電極1003との間に、高屈折率材料層1006を設けた。高屈折率材料層1006の屈折率は1.8とした。また、ガラス基板1005は、高屈折率材料層1006と接する面に半球状の凹凸構造を有する構成とした。半球の直径は30μmとした。構成例2本発明の一態様の有機EL素子である構成例2図5Dは、従来例2の構成に加え、ガラス基板1000と第1の電極1003との間に、ガラス基板1000側から、低屈折率材料層1007及び高屈折率材料層1006を設けた。低屈折率材料層1007の屈折率は1.36とし、高屈折率材料層1006の屈折率は1.8とした。また、低屈折率材料層1007と高屈折率材料層1006との界面は半球状の凹凸構造を有する構成とした。半球の直径は30μmとした。計算から得られたそれぞれの素子の光取り出し効率の値、及び従来例1の光取り出し効率を1としたときの従来例2、構成例1、構成例2の光取り出し効率の比の値を表1に示す。表1に示す通り、従来例12に比べ、本発明の一態様を適用した構成例12は光取り出し効率が高い結果となった。また、構成例2の光取り出し効率が最も高い結果となった。構成例2は、高屈折率材料層1006とガラス基板1000の間に、ガラス基板1000よりも低い屈折率の層である低屈折率材料層1007を有する。これは、低屈折率材料層1007とガラス基板1000の界面での全反射等による光のロスを抑制することができ、光取り出し効率が向上したためである。以上の結果から、本発明の一態様を適用することで、光取り出し効率の高い固体発光素子を安価に実現できることが示唆された。本実施例では、本発明の一態様の固体発光素子について、図6を用いて説明する。本実施例の固体発光素子は全て有機EL素子である。本実施例で用いた材料の化学式を以下に示す。本実施例では、発光素子1、発光素子2、及び比較発光素子3を作製した。本発明の一態様である発光素子1図6A及び発光素子2図6Bは、構造体101を有する。そして、構造体101上に、高屈折率材料層201が形成され、該高屈折率材料層201上に、発光体301が形成されている。図6Aに示す発光素子1の構造体101は、高屈折率材料層201側から第1の層111、第3の層113及び第2の層112aを備える。第1の層111は、6μmピッチのマイクロレンズアレイ屈折率約1.5からなり、第3の層113は、厚さ0.7mmのガラス屈折率約1.48からなり、第2の層112aは、半球レンズ屈折率約1.5からなる。なお、第3の層113及び第2の層112aは、透光性を有する樹脂屈折率約1.5を介して接している。図6Bに示す発光素子2の構造体101は、高屈折率材料層201側から第1の層111、第3の層113及び第2の層112bを備える。第1の層111は、6μmピッチのマイクロレンズアレイ屈折率約1.5からなり、第3の層113は、厚さ0.7mmのガラス屈折率約1.48からなり、第2の層112bは、レンズ拡散板屈折率約1.5からなる。なお、第3の層113及び第2の層112bは、透光性を有する樹脂屈折率約1.5を介して接している。従来例である比較発光素子3は、第3の層113上に発光体301が形成されている図6C。第3の層113は、厚さ0.7mmのガラス屈折率約1.48からなる。以下に、具体的な作製方法を示す。発光素子1まず、屈折率約1.48のガラスコーニング製、EAGLEXG登録商標上に屈折率約1.5のマイクロレンズアレイを、金型を用いて作製した。マイクロレンズアレイの材料としては、エポキシメタクリレートを主成分とするオプトクレーブHS226株式会社アーデル製を用いて作製した。前述の通り、マイクロレンズアレイのピッチは6μmとした。次に、マイクロレンズアレイ上に、バーコータで、高屈折率樹脂膜厚約10nmを塗布した。そして、紫外線波長:365nm90mW/cm2以上で1分照射し、該高屈折率樹脂を硬化させることで、高屈折率材料層201を形成した。なお、高屈折率樹脂としては、屈折率約1.8のUV硬化型機能性ハードコート剤LIODURASTYT80-01東洋インキ株式会社製、Liodurasは登録商標を用いた。そして、高屈折率材料層201上に発光体301を形成した。発光体301の具体的な作製方法は後述する。発光体301を形成した後、該ガラスにおける発光体301が形成されていない側の面であって、発光体301の発光領域と重なる位置に、屈折率約1.5の透光性を有する樹脂を介して屈折率約1.5の半球レンズを設けた。なお、半球レンズとしては、非球面コンデンサーレンズ35×26.2FLエドモンドオプティクスジャパン製を用いた。また、透光性を有する樹脂としては、Electro-Lite社製、ELC-2500Clearを用いた。発光素子2まず、発光素子1と同様の方法材料で、第1の層111、第3の層113、高屈折率材料層201及び発光体301を形成した。発光体301を形成した後、該ガラスにおける発光体301が形成されていない側の面であって、発光体301の発光領域と重なる位置に、屈折率約1.5の透光性を有する樹脂を介して屈折率約1.5のレンズ拡散板を設けた。レンズ拡散板としては、LSD60PC10-F12株式会社オプティカルソリューションズ製を用いた。また、透光性を有する樹脂としては、Electro-Lite社製、ELC-2500Clearを用いた。比較発光素子3第3の層113上に発光体301を形成することで、比較発光素子3を作製した。第3の層113としては、屈折率約1.48のガラスコーニング製、EAGLEXG登録商標を用い、発光体301は、発光素子1と同様の方法で作製した。以下では、発光素子1、発光素子2及び比較発光素子3が備える発光体301の作製方法について、図6Dを用いて説明する。<発光体301の作製方法>酸化珪素を含むインジウム錫酸化物ITSOをスパッタリング法にて成膜し、陽極として機能する第1の電極1101を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。次に、第1の電極1101が形成された面が下方となるように、第1の電極1101が形成された基板1100を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10-4Pa程度まで減圧した後、第1の電極1101上に、9-フェニル-3-[4-10-フェニル-9-アントリルフェニル]-9H-カルバゾール略称:PCzPAと酸化モリブデンVIを共蒸着することで、第1の正孔注入層1111aを形成した。その膜厚は50nmとし、PCzPAと酸化モリブデンVIの比率は、重量比で2:1=PCzPA:酸化モリブデンとなるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で、複数の蒸着源から同時に蒸着を行う蒸着法である。次に、第1の正孔注入層1111a上に、PCzPAを30nmの膜厚となるように成膜し、第1の正孔輸送層1112aを形成した。さらに、第1の正孔輸送層1112a上に、9-[4-N-カルバゾリル]フェニル-10-フェニルアントラセン略称:CzPAとN,N’-ビス4-9-フェニル-9H-フルオレン-9-イルフェニル-N,N’-ジフェニルピレン-1,6-ジアミン略称:1,6FLPAPrnを共蒸着することで、第1の発光層1113aを形成した。その膜厚は30nmとし、CzPAと1,6FLPAPrnの比率は、重量比で1:0.05=CzPA:1,6FLPAPrnとなるように調節した。次に、第1の発光層1113a上に、CzPAを膜厚5nm、バソフェナントロリン略称:BPhenを膜厚15nmとなるように成膜し、第1の電子輸送層1114aを形成した。そして、第1の電子輸送層1114a上に、Liを0.1nmの膜厚で蒸着し、第1の電子注入層1115aを形成した。その後、第1の電子注入層1115a上に、銅フタロシアニン略称:CuPcを膜厚2nmで蒸着し、電子リレー層1116を形成した。次に、電子リレー層1116上に、4-フェニル-4’-9-フェニルフルオレン-9-イルトリフェニルアミン略称:BPAFLPと酸化モリブデンVIを共蒸着することで、第2の正孔注入層1111bを形成した。その膜厚は60nmとし、BPAFLPと酸化モリブデンVIの比率は、重量比で2:1=BPAFLP:酸化モリブデンとなるように調節した。なお、本実施例の第2の正孔注入層1111bは、先の実施の形態で説明した電荷発生層として機能する。次に、第2の正孔注入層1111b上に、BPAFLPを膜厚20nmとなるように成膜し、第2の正孔輸送層1112bを形成した。そして、第2の正孔輸送層1112b上に、2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:2mDBTPDBq-IIと4-フェニル-4’-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イルトリフェニルアミン略称:PCBA1BPとアセチルアセトナトビス4,6-ジフェニルピリミジナトイリジウムIII略称:[Irdppm2acac]を共蒸着することで、第2の発光層1113bを形成した。その膜厚は、40nmとし、2mDBTPDBq-II、PCBA1BP、及びIrdppm2acacの比率は、重量比で1.6:0.4:0.12=2mDBTPDBq-II:PCBA1BP:Irdppm2acacとなるように調節した。次に、第2の発光層1113b上に、2mDBTPDBq-IIを膜厚15nm、BPhenを膜厚15nmとなるように成膜し、第2の電子輸送層1114bを形成した。そして、第2の電子輸送層1114b上に、フッ化リチウムLiFを1nmの膜厚で蒸着し、第2の電子注入層1115bを形成した。その後、第2の電子注入層1115b上に、陰極として機能する第2の電極1103として、アルミニウムを200nmの膜厚となるように蒸着した。最後に、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。以上によって作製した、発光体301である有機EL素子の素子構造を表2に示す。以上で得られた本実施例の発光素子1、発光素子2及び比較発光素子3の相対電力効率について表3に示す。表3における相対電力効率は、比較発光素子3の電力効率を1とした相対的な値として示す。表3からわかる通り、従来例である比較発光素子3に比べて、本発明の一態様を適用した発光素子1及び発光素子2は、それぞれ相対電力効率が1.92、1.34と高い値を示した。本実施例の結果から、本発明の一態様を適用することで、電力効率の高い固体発光素子を得られることが示された。参考例1上記実施例で用いた2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:2mDBTPDBq-IIの合成方法について説明する。2mDBTPDBq-IIの合成スキームをA-1に示す。2L三口フラスコに2-クロロジベンゾ[f,h]キノキサリン5.3g20mmol、3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニルボロン酸6.1g20mmol、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0460mg0.4mmol、トルエン300mL、エタノール20mL、2Mの炭酸カリウム水溶液20mLを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物を窒素気流下、100°Cで7.5時間攪拌した。室温まで冷ました後、得られた混合物を濾過して白色の濾物を得た。得られた濾物を水、エタノールの順で洗浄した後、乾燥させた。得られた固体を約600mLの熱トルエンに溶かし、セライト和光純薬工業株式会社、カタログ番号:531-16855、フロリジール和光純薬工業株式会社、カタログ番号:540-00135を通して吸引濾過し、無色透明の濾液を得た。得られた濾液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。クロマトグラフィーは、熱トルエンを展開溶媒に用いて行った。ここで得られた固体にアセトンとエタノールを加えて超音波を照射した後、生じた懸濁物を濾取して乾燥させたところ、白色粉末を収量7.85g、収率80で得た。得られた白色粉末4.0gをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力5.0Pa、アルゴン流量5mL/minの条件で、白色粉末を300°Cで加熱して行った。昇華精製後、目的物の白色粉末を収量3.5g、収率88で得た。核磁気共鳴法NMRによって、この化合物が目的物である2-[3-ジベンゾチオフェン-4-イルフェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン略称:2mDBTPDBq-IIであることを確認した。得られた物質の1HNMRデータを以下に示す。1HNMRCDCl3,300MHz:δppm=7.45-7.52m,2H,7.59-7.65m,2H,7.71-7.91m,7H,8.20-8.25m,2H,8.41d,J=7.8Hz,1H,8.65d,J=7.5Hz,2H,8.77-8.78m,1H,9.23dd,J=7.2Hz,1.5Hz,1H,9.42dd,J=7.8Hz,1.5Hz,1H,9.48s,1H。参考例2上記実施例で用いたアセチルアセトナトビス4,6-ジフェニルピリミジナトイリジウムIII略称:[Irdppm2acac]の合成方法について説明する。<ステップ1;4,6-ジフェニルピリミジン略称:Hdppmの合成>まず、4,6-ジクロロピリミジン5.02g、フェニルボロン酸8.29g、炭酸ナトリウム7.19g、ビストリフェニルホスフィンパラジウムIIジクロリド略称:PdPPh32Cl20.29g、水20mL、アセトニトリル20mLを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、内部をアルゴン置換した。この反応容器にマイクロ波2.45GHz100Wを60分間照射することで加熱した。ここで更にフェニルボロン酸2.08g、炭酸ナトリウム1.79g、PdPPh32Cl20.070g、水5mL、アセトニトリル5mLをフラスコに入れ、再度マイクロ波2.45GHz100Wを60分間照射することで加熱した。その後この溶液に水を加え、ジクロロメタンにて有機層を抽出した。得られた抽出液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥させた。乾燥した後の溶液を濾過した。この溶液の溶媒を留去した後、得られた残渣を、ジクロロメタンを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、ピリミジン誘導体Hdppmを得た黄白色粉末、収率38。なお、マイクロ波の照射は、マイクロ波合成装置CEM社製Discoverを用いた。以下にステップ1の合成スキームB-1を示す。<ステップ2;ジ-μ-クロロ-ビス[ビス4,6-ジフェニルピリミジナトイリジウムIII]略称:[Irdppm2Cl]2の合成>次に、2-エトキシエタノール15mL、水5mL、上記ステップ1で得たHdppm1.10g、塩化イリジウム水和物IrCl3H2O0.69gを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、ナスフラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波2.45GHz100Wを1時間照射し、反応させた。溶媒を留去した後、得られた残渣をエタノールで濾過し、次いで洗浄し、複核錯体[Irdppm2Cl]2を得た赤褐色粉末、収率88。以下にステップ2の合成スキームB-2を示す。<ステップ3;アセチルアセトナトビス4,6-ジフェニルピリミジナトイリジウムIII略称:[Irdppm2acac]の合成>さらに、2-エトキシエタノール40mL、上記ステップ2で得た[Irdppm2Cl]21.44g、アセチルアセトン0.30g、炭酸ナトリウム1.07gを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、ナスフラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波2.45GHz120Wを60分間照射し、反応させた。溶媒を留去し、得られた残渣をジクロロメタンに溶解して濾過し、不溶物を除去した。得られた濾液を水、次いで飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥させた。乾燥した後の溶液を濾過した。この溶液の溶媒を留去した後、得られた残渣を、ジクロロメタン:酢酸エチル=50:1体積比を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。その後、ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒にて再結晶化することにより、目的物である橙色粉末を得た収率32。以下にステップ3の合成スキームB-3を示す。上記ステップ3で得られた橙色粉末の核磁気共鳴分光法1H-NMRによる分析結果を下記に示す。この結果から、本合成例において、[Irdppm2acac]が得られたことがわかった。1HNMR.δCDCl3:1.83s,6H,5.29s,1H,6.48d,2H,6.80t,2H,6.90t,2H,7.55-7.63m,6H,7.77d,2H,8.17s,2H,8.24d,4H,9.17s,2H."