画像データを積算して、画像を形成する荷電粒子線装置において、設定される走査線方向の大きさごとに、第1の走査線間間隔と走査線方向とは垂直な方向の第1の大きさの第1の走査領域を持つ第1の走査パターンと、走査線方向とは垂直な方向に前記第1の走査領域より大きな走査領域を持ち、第1の走査パターンより多くの走査線数を持つ第2の走査パターンを記憶する記憶媒体と、前記第2の走査パターンを用いて荷電粒子線を走査したときに、前記第1の走査パターンと同じ走査線の走査によって得られる第1の検出信号と、当該第1の走査パターンと同じ走査線に隣接する第2の走査パターン固有の走査線の走査によって得られる第2の検出信号を積算して、前記第1の走査パターンの信号として画像メモリに記憶させる演算装置を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。請求項1において、前記記憶媒体には、設定される走査線方向の大きさごとに、異なる走査線数を有する複数の走査パターンが記憶されていることを特徴とする荷電粒子線装置。請求項1において、前記荷電粒子線を走査する偏向器と、前記記憶媒体に記憶された走査パターンに従って、当該偏向器に走査信号を発生する制御装置を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。請求項1において、前記演算装置は、1の走査位置への走査によって得られる信号と、隣接する走査位置への走査によって得られる信号の信号を積算すると共に、前記走査パターンに含まれる走査線数が多い程、前記隣接する走査位置の数を増加して前記積算を行うことを特徴とする荷電粒子線装置。請求項1において、前記記憶媒体には、設定される走査線方向の大きさごとに、異なる走査線数を有する複数の走査パターンが記憶され、当該複数の走査パターンは、前記走査線方向に垂直な方向の大きさが大きい程、走査線数が多くなると共に、当該大きさに比例して、前記走査線数が増加することを特徴とする荷電粒子線装置。請求項5において、前記演算装置は、前記走査線間の間隔が大きい程、前記積算対象となる隣接する走査位置を増加させることを特徴とする荷電粒子線装置。画像データを積算して、画像を形成する荷電粒子線装置において、設定される走査線方向の大きさごとに、走査線方向とは垂直な方向に、異なる大きさであって、異なる走査線数を持つ複数の走査パターンによる走査が可能な偏向器と、1フレーム内にて、前記走査線方向とは垂直な方向の大きさに比例する数の走査線位置への走査によって得られる検出信号を1の走査位置の検出信号として、積算する演算装置を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。画像のS/Nを向上するためには、同一領域に対し、複数の走査を行うことによって得られる信号を積算する必要があるが、この積算数がかさむと、パターンのシュリンク量が大きくなる。特許文献1に開示の手法によれば、単位面積当たりの照射量を減らすことができるため、シュリンクの低減を実現することができるが、積算枚数の増加に伴って発生するシュリンクについては何ら考慮されておらず、S/Nの向上とシュリンクの低減はトレードオフの関係にあった。以下に、取得画像のS/Nの向上と、シュリンクの低減の両立の実現を目的とする荷電粒子線装置を提案する。上記目的を達成するために一態様として、画像データを積算して、画像を形成する荷電粒子線装置において、設定される走査線方向の大きさごとに、第1の走査線間間隔と走査線方向とは垂直な方向の第1の大きさの第1の走査領域を持つ第1の走査パターンと、走査線方向とは垂直な方向に前記第1の走査領域より大きな走査領域を持ち、第1の走査パターンより多くの走査線数を持つ第2の走査パターンを記憶する記憶媒体と、前記第2の走査パターンを用いて荷電粒子線を走査したときに、前記第1の走査パターンと同じ走査線の走査によって得られる第1の検出信号と、当該第1の走査パターンと同じ走査線に隣接する第2の走査パターン固有の走査線の走査によって得られる第2の検出信号を積算して、前記第1の走査パターンの信号として画像メモリに記憶させる演算装置を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置を提案する。上記構成によれば、取得画像のS/Nの向上と、シュリンクの低減の両立が可能となる。以下、半導体ウェーハやマスク表面の計測を行う荷電粒子線装置を実施例として説明する。半導体デバイスの微細化に伴い、さまざまなパターン構造や材料が開発されている。そんな中、フォトリソグラフィーの感光材料としてフッ化アルゴンArFエキシマレーザ光に感光するフォトレジストArFレジストが使用されている。しかし、このフォトレジストは電子ビームが照射されるとフォトレジストで形成されているパターンが縮小シュリンクすることがわかってきた。そのため、パターン計測を行う走査型電子顕微鏡によるパターンへの電子ビーム照射によりシュリンクが起こり、高い寸法精度を得るのが困難になってきている。このシュリンクを低減するためにこれまでいくつかの方策が取られてきている。シュリンクを低減させるためには電子線の照射密度を減らしていくことが必要である。例えば走査型電子顕微鏡の加速電圧やプローブ電流などの測定条件を変えることでシュリンク低減を実現することが考えられるが、二次電子の信号量が低下してしまう。そのため、走査回数を増やして信号量を確保する必要があり、シュリンク低減量も多くを望めない。Y方向走査線に対し垂直な方向に走査領域を拡げることで照射密度を低減することも考えられるが、S/N比改善のため複数回の走査が必要になり、どうしてもシュリンクが起こってしまう。そこで本実施例では、複数回の走査を行う場合であっても、同一個所へのビーム照射回数を抑制可能な荷電粒子線装置を提案する。ArFレジストなど電子線照射にてシュリンクが発生するような試料では電子線照射密度を下げる必要がある。通常、走査電子顕微鏡は、X方向とY方向の倍率を等しくなるように、走査線の長さと、走査線間間隔が設定される。通常走査において、単位面積当たりの電子線照射密度を小さくするためには、倍率を下げる必要があるが、その分、電子顕微鏡画像を用いたパターンの寸法測定を行う際の測定精度が低下する。そのため、走査線の走査方向X方向の倍率に対して垂直方向Y方向の倍率を小さくすることで単位面積あたりの電子線照射密度を小さくしてシュリンク量を抑えることも考えられている。この場合、試料像の縦横比が1になるようにするため、走査線の間隔がX方向とY方向の倍率が等しい場合に比べて大きくなる。そして、その間隔はX方向の倍率とY方向の倍率によって決まる。通常、これらの画像を計測に使用する場合、二次電子信号のS/N改善のため走査を複数回実施し、それらの合成により計測用画像を作成しているこの計測用画像を作成するための走査実施回数をフレーム積算数とする。。パターンのシュリンク量は、フレーム積算数に応じて変化するため、S/Nを向上するために、フレーム積算数を増加させると、シュリンク量も増加してしまう。そこで、X方向とY方向の倍率を変更したことでできた走査線の間隔に対して新たな走査線を設けることで同じ位置での照射によるシュリンクを低減させる手法、及びこれを実現するための装置を提案する。走査線の間隔に対して走査線が重ならない本数は、X方向の倍率とY方向の倍率で決まってくる。たとえば、X方向の倍率が30万倍、Y方向が6万倍の場合、6万倍での走査線間隔に対し、30万倍の走査線間隔は5倍であるので、重ならない走査線を5本走査することができる。この場合、通常走査であれば、フレーム積算数5枚分に相当する画像を、同一走査位置に対して1回の走査にて作成することができる。また、フレーム積算数を8枚にしたい場合、上述のようにY方向の倍率が6万倍のままだと、5回走査した後、再度最初の一番上から3枚走査した場合、2回走査した位置と1回のみ走査した位置の画像が合成されてしまうことになるが、走査重なり回数を設定することで、走査する位置の走査回数に違いがでないようにすることもできる。例えば、通常走査で8枚のフレームを要する場合、通常走査と比較してY方向の倍率を1/4とした上で、走査を2回繰り返す場合と、通常走査と比較してY方向の倍率を1/2とした上で、走査を4回繰り返す場合の少なくとも2つのパターンが考えられるが、この2つを選択可能とすることによって、走査回数の異なる画像を積算することのない設定が可能となる。以下、図面を用いてより詳細に、パターンのシュリンクを抑制する手法、及び装置について説明する。なお、以下に説明する実施例では、荷電粒子線装置の一態様として、走査電子顕微鏡ScanningElectronMicroscope:SEMを例に採って説明するが、これに限られることはなく、例えば、液体金属イオン源や気体イオン源から放出されるイオンビームを試料に照射する集束イオンビームFocusedIonBeam装置を画像形成装置として適用することも可能である。図1はSEMの概要構成図である。電子源101から引出電極102によって引き出され、図示しない加速電極によって加速された電子ビーム103は、集束レンズの一形態であるコンデンサレンズ104によって、絞られた後に、走査偏向器105により、試料109上を一次元的、或いは二次元的に走査される。試料109の周囲は、真空試料室107によって包囲されている。電子ビーム103は試料台108に内蔵された電極に印加された負電圧により減速されると共に、対物レンズ106のレンズ作用によって集束されて試料109上に照射される。電子ビーム103が試料109に照射されると、当該照射個所から二次電子、及び後方散乱電子のような電子110が放出される。放出された電子110は、試料に印加される負電圧に基づく加速作用によって、電子源方向に加速され、変換電極112に衝突し、二次電子111を生じさせる。変換電極112から放出された二次電子111は、検出器113によって捕捉され、捕捉された二次電子量によって、検出器113の出力が変化する。この出力Iに応じて図示しない表示装置の輝度が変化する。例えば二次元像を形成する場合には、走査偏向器105への偏向信号と、検出器113の出力との同期をとることで、走査領域の画像を形成する。なお、図1の例では試料から放出された電子を変換電極にて一端変換して検出する例について説明しているが、無論このような構成に限られることはなく、例えば加速された電子の軌道上に、電子倍像管や検出器の検出面を配置するような構成とすることも可能である。制御装置114は、走査電子顕微鏡の各構成を制御すると共に、検出された電子に基づいて画像を形成する機能や、ラインプロファイルと呼ばれる検出電子の強度分布輝度分布情報を形成する演算装置を備えている。図2は図1に例示した制御装置114の概要を説明する図である。なお、図1の例では、走査偏向器105として電磁式の偏向器を採用しているが、これに限られることはなく、図2に例示するように静電式の偏向器の採用も可能である。画像メモリ209は、例えば1024×1024の画素で、深さ方向に256段階の階調を記憶することが可能なメモリである。クロック信号生成回路207から出力される信号を同期信号としてアドレス生成回路208が動作する。クロック信号生成回路207の出力信号の速度が一回の二次元走査の時間を決めている。例えば出力信号の周期が60nsであれば、1/15秒に一枚の二次元走査を行うTV走査となる。このクロックの周期は任意に決めることができ1枚の画像を1秒で形成するようなゆっくりした走査も可能である。画像メモリ209のメモリ位置に対応したアドレス信号がアドレス生成回路208で生成され、Y走査D-A変換器212、X走査D-A変換器213に出力される。X走査D-A変換器212に入力されるアドレス信号は0から1023を繰り返すデジタル信号で、これをアナログ信号に変換する。Y走査D-A変換器212に入力される信号はX走査D-A変換器213の出力が1023から0に到達したときにプラス1される。当該信号は、0から1023の繰り返しのデジタル信号であり、これを鋸歯波のアナログ信号に変換する。これらの鋸歯状アナログ信号はY走査アンプ214とX走査アンプ215で増幅され、走査偏向器201に供給される。Y走査アンプ214とX走査アンプ215の増幅度を変えることでビームの走査領域の大きさを任意に換えることができる。試料から放出される電子は、検出器113によって検出され、この検出信号は、これを信号A-D変換器216でデジタル化し、画像メモリ209に記録される。画像メモリ209のアドレスと電子ビームを走査したアドレスが対応しているので、画像メモリ209には二次元像が記録される。画像メモリ209内の信号は、図示しない読み出しクロック回路からの出力信号を用いて、読み出しアドレス生成回路から時系列で順次に読み出すことができる。アドレスに対応して読み出された信号は、演算装置203に備えられた表示装置、或いはネットワーク接続された入力装置206の輝度変調入力となる。また、図2に例示する制御装置114は、アドレス信号と画像メモリのアドレスを一致させて、画像メモリに検出信号を記憶させる以外に、アドレス信号と画像メモリのアドレスを一致させない状態で、検出信号を記憶することができる。通常、書き込みアドレスと画像メモリ位置は対応しているが、以下に説明する本実施例では、フレーム数の増加に伴って、Y方向のアドレスに対して、Y方向のメモリ位置を変化させている。具体的には、設定フレーム数積算数が4枚であった場合、1フレーム目は、アドレスとメモリ位置は同じ位置であるが、2フレーム目は、アドレスに対して、-1本分メモリ位置をずらして、検出信号を記憶させる。そして3フレーム目は、-2本分、4フレーム目は-3本分、メモリ位置をずらして登録を実行する。すなわち、1~4本目の走査線を同じメモリ位置1本目のメモリ位置に登録させる。以上のように、メモリの書き込みアドレスと、走査信号のアドレスをそれぞれ個々に生成するために、アドレス生成回路208には、ビーム走査を行う走査信号を生成するための走査信号生成回路210と、画像メモリ209への書き込みアドレス信号を生成するための書き込みアドレス生成回路211を備えている。また、後述するようにフレーム単位で走査線位置をずらすのではなく、1フレームで設定された走査線分の走査を実行し、画像積算の段階で1~4本目の走査によって得られた信号を、1本目の信号として積算を行うようにしても良い。演算装置203では、主に複数回の走査に基づいて得られた画像データを積算する積算処理が行われる。なお、通常、SEMは倍率の設定に伴って、X方向走査線方向とY方向走査線に対し垂直な方向のサンプリング点の間隔は同じに設定される。具体的には、512×512画素のSEMの場合、512本の走査線と、1走査線当たり、512のサンプリング点が設定され、両方向のサンプリング点間の間隔は同じになる。一方、本実施例装置は、このような通常走査モードに加えて、X方向とY方向の視野サイズを変える変倍モードを備えている。図6は、SEMの走査条件を設定するGUIGraphicalUserInterface画面の一例を示す図である。このGUI画面は入力装置206等に表示され、当該GUI画面の設定に基づいて、制御装置114は偏向器201への走査信号を供給する。図6のGUI画面には、ビーム走査の方式Scantypeを決定するボタンが設けられており、通常走査モードNormalと縦横変倍走査モードRectangularが選択可能となっている。通常走査モードを選択すると、図3aに例示するように、走査線数512本、1走査線当たりのサンプリング点を512点サンプリング点間の距離は走査線間間隔と同じとすることによって、縦Y方向と横X方向の倍率を同じに設定する。このような走査条件は予め制御装置114に内蔵された記憶媒体図示せずに記憶されており、入力装置206による設定に基づいて、当該記憶媒体から読み出される。また、倍率はFOVFieldOfView:視野sizeに数値入力をすることによって、設定することができる。通常走査モードの場合、XとYは同じ値となる。また、視野の大きさを入力するのではなく、倍率表示領域の大きさ/ビームの走査領域の大きさを入力するようにしても良い。更に、フレーム数FrameNumberを入力することによって、画像の積算枚数を設定する。図3aは、4フレーム分の走査を行うことによって、画像信号301~304を取得する例を示している。取得された画像信号の内、同じアドレスを持つ信号例えば積算対象305~308を積算することによって、積算画像を形成する。また、ビームの他のパラメータとして、視野位置Location、ビーム電流Beamcurrent、ビームの試料への到達エネルギーLandingEnergyの設定が可能となっている。到達エネルギーは、加速電極に印加される加速電圧から、試料に印加する負電圧リターディング電圧を減算した値である。加速電圧とリターディング電圧を設定可能とするようにしても良い。また、入力装置206は、設計データ記憶媒体204へのアクセスが可能であり、読み出した設計データに対し、視野位置や視野の大きさの設定を行うことによって、電子顕微鏡の装置条件の設定が可能となっている。このような設定に基づいて、レシピと呼ばれるSEMの動作プログラムを作成し、演算装置に内蔵される記憶媒体に装置条件を記憶する。図6に例示するGUI画面では、パターンの識別情報PatternNameやアドレスLocationを入力することによって、対応する設計データを図形情報として読み出し、表示領域601に表示できるようになっている。なお、設計データ記憶媒体204に記憶される設計データは、GDSフォーマットやOASISフォーマットなどで表現されており、所定の形式にて記憶されている。また、設計データは、設計データを表示するソフトウェアがそのフォーマット形式を表示でき、図形データとして取り扱うことができれば、その種類は問わない。また、図形データは、設計データに基づいて形成されるパターンの理想形状を示す線分画像情報に換えて、シミュレーター205による露光シミュレーションを施すことによって、実パターンに近くなるような変形処理が施された線分画像情報であっても良い。演算装置203は、画像メモリ209に記憶された画像信号を所定の条件に従って積算する。なお、本実施例では演算装置203はSEMの制御装置114に直接的に接続、あるいは内蔵されるものとして説明するが、それに限られることはなく、外部の演算装置にて、積算処理を行うようにしても良い。図6に例示するGUI画面上で変倍走査モードRectangularを選択すると、例えば図3bに例示するように、X方向横方向に対し、視野がY方向縦方向に長い走査領域にてビーム走査が行われる。このような走査パターンは、設定倍率X方向の走査領域のサイズごとに、制御装置114内の図示しない記憶媒体や外部の記憶媒体等に記憶されており、1のX方向の視野サイズに対し、複数のY方向の視野サイズがあり、その組み合わせが、複数の走査パターンとして登録されている。また、この複数の走査パターンには、Y方向の視野サイズが大きい程、走査線数が多くなるようなパターンが含まれている。更に、変倍走査パターンには、同じ視野サイズであっても、走査線数の異なる複数の走査パターンが含まれていることが望ましい。例えばX方向の視野サイズに対して、Y方向の視野サイズが4倍の走査パターンの場合、2048本の走査線からなる走査パターン走査パターン1、1024本の走査線からなり、走査パターン1に対し、走査線間間隔が2倍の走査パターン走査パターン2、及び512本の走査線からなり、走査線間間隔が走査パターンに対して4倍の走査パターン走査パターン3等を記憶しておくことが望ましい。このような走査によって得られた画像信号は、走査信号のアドレスと書き込みアドレスを一致させた状態で、走査と書き込みを行うとX方向に対してY方向に長い画像となるが、本実施例の場合、このようにして得られた画像信号を、X方向が高倍率、Y方向が低倍率となるように、画像信号を記憶する。なお、通常走査モードと走査線数は同じである。即ち、X方向のサンプリングポイント間の間隔に対して、Y方向のサンプリングポイント間の間隔走査線間間隔を拡張し、書き込み時には、X方向に対して相対的にY方向の書き込みアドレス間の間隔を狭める。このようにして形成された画像は、見た目上、X方向に対し相対的に圧縮したようなものとなる。このようなX方向とY方向の倍率が異なる画像は、試料上に形成されたパターンの形状を正確に現したものではないが、X方向に向かってパターンの寸法を測定するような場合であり、且つ寸法測定対象パターンが図10に例示するようなY方向に長いラインパターン1001であるような場合、X方向には高倍率であり、且つ寸法測定対象となるラインパターン1001が漏れなく視野内に収まった画像1002を形成することができる。図10の例では、走査領域1003は、X方向に対しY方向の長さが4倍長く設定されている。即ち、画像1002はY方向に対し相対的にX方向の倍率が4倍となる。このような走査法によれば、寸法測定精度を高く維持しつつ、単位面積当たりのビーム照射量を減らすことができるため、ビーム照射によってシュリンクするようなパターンを測定対象とする場合に、シュリンクの抑制と測定精度の維持の両立をはかることが可能となる。更に、発明者らの検討によって、単位面積当たりの照射量を減らすだけではなく、同一走査線軌道上へのビーム照射を低減することによっても、パターンのシュリンクを抑制できることが明らかになった。そこで、本実施例では、単に走査線間間隔を拡げて単位面積当たりの照射量を減らすのではなく、更に走査線位置を意図してずらすことによって、同一走査線軌道上への重畳走査線数を減らしつつ、必要な信号量を確保する手法を提案する。より具体的には、変倍走査によって拡張した走査線間に、新たな走査線を設定することによって、実質的にフレーム数を増加させる。図3bは変倍走査時の走査線位置を示す図である。図3aの通常走査時と比較すると、Y方向の倍率が1/4視野の大きさが4倍となり、更にY方向の視野を拡張することによって4倍となる走査線位置310間の間隔に、新たな走査線位置311~313を設定している。即ち、視野の大きさが4倍となった分、通常走査と比較して走査線数も4倍2048本としている。更に、本実施例では、走査線位置310~313への走査によって得られた検出信号を、同じアドレスの信号として画像メモリ209に記憶、或いは積算して画像メモリ209に記憶している。このような処理を走査領域309全体に対して実施する。このような積算処理によって得られる画像は、図10に例示するようなラインパターン1001であれば、測定対象となるパターン幅の情報を高精度に表現したものとなり、1走査線位置に対する走査線数を抑制することが可能となる。図3bの走査法では、異なる走査線位置の検出信号を積算することになるが、積算対象が近い位置にあり、且つ視野の上下に延びるパターンであるため、測定精度を低下させることなく、S/Nを向上することが可能となる。図3aと図3bを比較すると、図3aが512本の走査を4フレームに亘って行うことによって、計2048本の走査を行っているのに対し、図3bが2048本の走査を1フレームで行うことによって、計2048本の走査を行っているため、取得信号量はいずれも同じである。図3bの走査法は、同一個所への走査線の重複を極力抑制するという目的に鑑み、変倍走査によって拡張した走査線間に新たな走査線を設定し、異なる走査線位置から得られる検出信号を積算することによって、通常の変倍走査より更にシュリンクの発生を抑制することができる。また、積算は拡張前の元の走査線走査線310本走査線、実線で表記と、主走査線間に走査線間間隔の拡張後に挿入される走査線走査線311~313副走査線、点線で表記との間で行われるため、上下に圧縮したような画像となるものの、パターンの形状を再現した画像を形成することが可能となる。図4は、ビームの走査条件の設定から、画像信号を取得するまでの工程を示すフローチャートである。まず、図6に例示するようなGUI画面上にて、走査条件を設定するステップ401。次に設定された走査条件に基づくビーム走査を実行するステップ402。この走査によって得られた検出信号を設定フレーム数分、積算し、画像メモリに記憶するステップ403、404。図3bの例は、積算数が4と設定され、主走査線310、及び副走査線311~313の4走査によって得られる検出信号を、Y方向に同一アドレスの信号として積算する。なお、検出信号にアドレス信号を付して、後処理によって積算するようにしても良い。次に、設計データを用いて測定レシピを設定する工程を図5のフローチャートを用いて説明する。まず、図6に例示するようなGUI画面から、試料上の座標情報Locationや、パターンの名称PatternName等を入力することによって、画像を取得したい領域の設計データを読み出す。なお、レシピの設定は入力装置206、或いはその他、必要なプログラムが記憶されたコンピュータによって行うことができ、入力装置206の設定に基づいて、設計データ記憶媒体204から設計データを読み出し、当該設計データに基づいて、パターンの配置、形状を示す図形データを作成し、GUI画面上に表示する。次に図形データ上で視野を設定するステップ502。視野設定は倍率の設定や視野サイズFOVsize、及び視野の位置の設定によって行う。本例では、X方向の視野サイズとY方向の視野サイズが一致した視野602を初期の視野として設定する例を説明する。次に、フレーム数積算枚数の設定を行うステップ503。次に、許容重複走査線数の設定を行うステップ504。この設定は例えば、走査線数NumberofLinesを設定することによって行う。ここで、例えば、設定フレーム数が4枚であり、許容重複走査線数が2本であった場合、視野602だけでは、必要な信号を取得することができないため、領域603も走査対象とし、視野602と領域603からなる長方形状の走査領域を設定する。具体的には、Y方向に走査領域を2倍に拡張することで走査線間間隔を2倍とし、その間に副走査線を挿入することによって、必要な走査線数を確保する。視野602の走査線数が512本の場合、フレーム数を4に設定すると、必要な走査線数は2048本となる。重複走査線数が2本である場合、視野602では1024本の走査線が設定されることになり、必要走査線数の半分しか確保できないため、視野602と同じ大きさの領域603をも走査領域とすることによって、2048本の走査線数を設定する。入力装置206等に記憶された記憶媒体には、視野領域数=必要フレーム数/許容重複走査線数を演算する演算式が記憶されており、上記必要フレーム数と許容重複走査線数の2つの条件を設定によって、視野領域数或いは走査領域の大きさを演算する。なお、先に走査領域の大きさと、他の1の条件を決定することによって、残りの条件を演算するようにしても良い。また、必要フレーム数や許容重複走査線数に換えて、必要ドーズ量、ビーム電流、必要信号量を指標化した値、或いは試料へのダメージを指標化した値をパラメータとした演算式を用いて、装置条件を設定するようなアルゴリズムを用意するようにしても良い。次に、設定された走査領域の全てにパターンが含まれているか否かの判定を行い、含まれていると判断できる場合には、GUI画面にて設定した条件をレシピとして登録ステップ505し、含まれていないと判断できる場合には、エラーメッセージを発生ステップ506し、オペレータに装置条件の再設定を促す。例えば、必要フレーム数が8枚であり、許容重複走査線数が1本である場合、初期の設定視野602を基準とすると、視野602と同じ大きさの視野が他に7つ必要となる。近接した位置に走査領域を設定しようとすると、領域604のように、パターンから外れた位置に走査領域を設定してしまう場合があるため、このような場合にはエラーメッセージを発生することによって、誤った設定を防止する。設定領域内にパターンが含まれているか否かの判定は、設定領域に含まれる設定データの情報を参照し、設定領域内にパターンの頂点が含まれるかの判定等に基づいて、行うようにしても良いし、他の図形判定アルゴリズムを用いて判断を行うようにしても良い。図7は、必要フレーム数1走査線位置に対する走査線数が16本であり、許容重複走査線数が4として設定されたときの画像処理の概要を示す図である。フレーム701~704は、通常走査に比べて、Y方向に4倍の長さを持ち、本走査線706と711との間の間隔は、通常走査と比較して4倍の長さを持っている。走査線706と711との間には、3本の副走査線707~709が設定され、フレーム701~704の本走査線706と副走査線707~709の積算信号が、信号710として画像メモリに登録される。信号710は16本の走査線によって得られた検出信号の積算信号である。以上のような処理をフレーム全体で行うことによって、画像信号705を形成する。図8は、必要走査線数が2048本である場合のフレーム数と、視野の大きさの組み合わせを示す図である。許容重複走査線数が4以上である場合には、通常走査と同様に、X方向とY方向の視野サイズが等しい視野を設定し、同一個所に4回の走査4フレームを実行する図8a。また、許容重複走査線数が2である場合には、Y方向の視野サイズを2倍走査線間間隔を2倍とし、走査線間に1本の走査位置を設定することによって、1フレーム当たり、1024本の走査を行う。そして、1024本の走査を2フレーム行うことによって、2048本の走査を実行する図8b。許容重複走査線数が1である場合には、1フレーム内にすべての走査線位置を設定すべく、Y方向の視野サイズを4倍走査線間間隔を4倍とし、走査線間に3本の走査線位置を設定することによって、必要な走査線数を確保する。以上のような設定をGUI画面上で行うことによって、視野の大きさ、試料へのダメージ、及び画像のS/Nを考慮しつつ、適切な装置条件を設定することが可能となる。図9は、必要な信号量の設定に基づいて、装置条件を設定する工程を示すフローチャートである。まず、図5のフローチャートと同様に、座標情報等の設定に基づいて、設計データを読み出すステップ901。その上で、必要な信号量を設定するステップ902。本例では、走査線数NumberofLinesを設定する例を示すが、信号量を指標化した他のパラメータを指定可能としても良い。次に、設定された信号量に基づいて、予めデータベースに記憶されているフレーム数重複走査線数と、視野サイズの組み合わせを読み出すステップ903。この組み合わせとは、例えば図8に例示したフレーム数と、視野サイズの組み合わせであり、このような情報を、表示領域601に重畳表示することによって、オペレータはパターンの大きさに対し、適切な位置に走査領域が設定されているか否かを確認しつつ、装置設定を行うことができる。以上のような設定を行った上で、例えばパターンのない個所に走査領域が設定されているような場合は、エラーメッセージを発生ステップ905し、適正に走査領域が設定されているような場合は、装置条件をレシピに登録するステップ904。以上のように、必要信号量の設定に応じて、他の条件の組み合わせを選択できるようにすれば、必要な画質を優先して、他の装置条件の設定を行うことが可能となる。また、必要信号量に換えて、画質を指標化した値を用いるようにしても良い。更に、許容重複走査線数、或いは試料ダメージの指標値に応じて、視野サイズやフレーム数の組み合わせを読み出すようにしても良い。以上のような構成によれば、試料ダメージを優先して、装置条件の設定を行うことが可能となる。なお、これまで説明してきた実施例は、インターレス走査のような走査法にも適用が可能である。