"aシリカ、bi下記式上式中、nは0~8の整数であり、R1及びR2の各々は独立に、水素、ヒドロキシル基及びC1~C6アルキル基からなる群より選ばれ、又は、R1及びR2は一緒になってオキソ基を形成し、そしてnが2以上である場合には、CR1R2基の間の結合は独立に、単結合、二重結合又は三重結合からなる群より選ばれるのジカルボン酸、ii下記式上式中、R1、R2、R3及びR4の各々は、独立に、水素、アミノアルキル基、カルボキシアルキル基、ヒドロキシアルキル基、R1又はR2のいずれかをR3又はR4のいずれかに結合させる-CH2n-基及び-CH=CHn-基からなる群より選ばれ、nは1~6の整数であるのアミノ酸、iii式1上式中、nは0~8の整数であり、R1~R3の各々は、独立に、水素、アルキル、ヒドロキシ及びヒドロキシアルキルからなる群より選ばれ、R1~R3の少なくとも1つはヒドロキシ又はヒドロキシアルキルである、又は、式2上式中、nは1~5の整数であるのヒドロキシ酸、ivカルボキシ置換ピラジン化合物、及び、vカルボキシ置換トリアゾール化合物、からなる群より選ばれる1種以上の有機カルボン酸、その塩又はその水和物、cヒドロキシアルキルセルロース、カラギーナン及びキサンタンガムからなる群より選ばれる1種以上のポリサッカリド、d1種以上の塩基、e場合により、1種以上の界面活性剤及び/又はポリマー、f場合により、1種以上の還元剤、g場合により、1種以上の殺生物剤、及び、h水から本質的になり、アルカリpHである、ケミカルメカニカル研磨組成物。前記シリカは研磨組成物の0.001wt~20wtの量で存在する、請求項1に記載の研磨組成物。前記シリカは研磨組成物の0.05wt~10wtの量で存在する、請求項2に記載の研磨組成物。前記1種以上の有機カルボン酸は研磨組成物の0.0005wt~2wtの合計量で存在する、請求項1に記載の研磨組成物。前記ジカルボン酸はマロン酸、メチルマロン酸、ジメチルマロン酸、ブチルマロン酸、マレイン酸、メソシュウ酸ナトリウム一水和物sodiummesooxalatemonohydrate、酒石酸、リンゴ酸、シュウ酸及びそれらの混合物からなる群より選ばれる、請求項1に記載の研磨組成物。前記ジカルボン酸はマロン酸である、請求項5に記載の研磨組成物。前記アミノ酸はグリシン、セリン、グルタミン酸、アスパラギン酸、リジン、ビシン、ニトリロ三酢酸、ピペコリン酸、ピコリン酸及びプロリンからなる群より選ばれる、請求項1に記載の研磨組成物。少なくとも1種の有機カルボン酸はカルボキシ置換ピラジン化合物である、請求項1に記載の研磨組成物。前記カルボキシ置換ピラジン化合物は3-アミノピラジン-2-カルボン酸である、請求項8に記載の研磨組成物。前記カルボキシ置換トリアゾール化合物は3-アミノ-1,2,4-トリアゾール-5-カルボン酸である、請求項1に記載の研磨組成物。芳香族ヒドロキシ酸は没食子酸、4-ヒドロキシ安息香酸、サリチル酸、2,4-ジヒドロキシ安息香酸、2,3-ジヒドロキシ安息香酸及び3,4-ジヒドロキシ安息香酸からなる群より選ばれる、請求項1に記載の研磨組成物。少なくとも1種のポリサッカリドはヒドロキシエチルセルロースである、請求項1に記載の研磨組成物。ヒドロキシエチルセルロースの平均分子量は300,000g/モル以下である、請求項12に記載の研磨組成物。ヒドロキシエチルセルロースの平均分子量は10,000g/モル~100,000g/モルである、請求項13に記載の研磨組成物。pHは8~12である、請求項1に記載の研磨組成物。pHは9~11である、請求項15に記載の研磨組成物。1種以上の界面活性剤及び/又はポリマーは研磨組成物中に存在する、請求項1に記載の研磨組成物。少なくとも1種の界面活性剤は非イオン性界面活性剤である、請求項17に記載の研磨組成物。前記界面活性剤はアセチレンジオール界面活性剤又は疎水化hydrophobatedポリエチレングリコールである、請求項18に記載の研磨組成物。前記1種以上のポリマーはポリエチレングリコールポリウレタン又は水溶性アクリルである、請求項17に記載の研磨組成物。前記還元剤はメタ重亜硫酸カリウムである、請求項1に記載の研磨組成物。i研磨パッド及び請求項1~21のいずれか1項に記載のケミカルメカニカル研磨組成物と基材を接触させること、ii前記ケミカルメカニカル研磨組成物を介して前記基材に対して前記研磨パッドを移動させること、及び、iii前記基材の少なくとも一部を研削して前記基材を研磨すること、を含む、基材のケミカルメカニカル研磨方法。前記基材はシリコンを含み、該シリコンの一部を研削して基材を研磨する、請求項22に記載の方法。このように、高い除去速度、低い粒子欠陥性及び低い曇り性を示す、改良されたケミカルメカニカル研磨組成物が当該技術分野において必要とされている。本発明は研磨材、速度向上剤、ポリサッカリド、塩基、場合により界面活性剤及び/又はポリマー、場合により還元剤、及び、水を含むケミカルメカニカル研磨組成物を提供する。本発明は、詳細には、aシリカ、b1種以上の有機カルボン酸又はその塩、cヒドロキシアルキルセルロース、カラギーナン及びキサンタンガムからなる群より選ばれる1種以上のポリサッカリド、d1種以上の塩基、e場合により、1種以上の界面活性剤及び/又はポリマー、f場合により、1種以上の還元剤、g場合により、1種以上の殺生物剤及びh水を含み、アルカリpHである、ケミカルメカニカル研磨組成物を提供する。本発明に係るケミカルメカニカル研磨組成物は、望ましくは、高い除去速度、低い粒子欠陥性及び低い曇り性を示す。さらに、本発明に係る研磨組成物の少なくとも幾つかの実施形態は低い固形分を含み、そのため、比較的に低コストである。本発明は、本発明のケミカルメカニカル研磨組成物を用いて基材をケミカルメカニカル研磨する方法をさらに提供する。通常、基材はシリコンを含む。本発明は1種以上のポリサッカリド及び1種以上の速度向上剤を含むケミカルメカニカル研磨組成物及び基材例えば、シリコンウエハのケミカルメカニカル研磨方法を提供する。出願人は従来のアミン速度向上剤が粒子欠陥を増加させそして研磨された基材の曇りを増加させることを発見した。ある実施形態において、ケミカルメカニカル研磨組成物はaシリカ、b1種以上の有機カルボン酸又はその塩、cヒドロキシアルキルセルロース、カラギーナン及びキサンタンガムからなる群より選ばれる1種以上のポリサッカリド、d1種以上の塩基、e場合により、1種以上の界面活性剤及び/又はポリマー、f場合により、1種以上の還元剤、g場合により、1種以上の殺生物剤及びh水を含み、から本質的になり、又は、からなり、ここで、有機カルボン酸はジカルボン酸、アミノ酸、ヒドロキシ酸、アミノ-カルボキシ置換ピラジン化合物及びアミノ-カルボキシ置換トリアゾール化合物からなる群より選ばれ、そして研磨組成物はアルカリpHである。本発明の研磨組成物は、望ましくは、本発明の方法により基材を研磨したときに、高い除去速度を示す。例えば、本発明の実施形態によりシリコンウエハを研磨するときに、研磨組成物は、望ましくは、500Å/分以上、好ましくは700Å/分以上、そしてより好ましくは1000Å/分以上の除去速度を示す。さらに、本発明の研磨組成物は、望ましくは、基材を研磨したときに、適切な技術により決定して、低い粒子欠陥性を示す。本発明の研磨組成物により研磨された基材上の粒子欠陥は任意の適切な技術により決定されうる。例えば、暗視野法線ビームコンポジットdarkfieldnormalbeamcompositeDCN及び暗視野斜線ビームコンポジットdarkfieldobliquebeamcompositeDCOなどのレーザ光散乱技術を用いて研磨された基材上の粒子欠陥を測定することができる。本発明の研磨組成物で研磨された基材、特に、シリコンは望ましくはDCN値が4000計数以下であり、例えば、3500計数以下、3000計数以下、2500計数以下、2000計数以下、1500計数以下、又は、1000計数以下である。代わりに、又は、加えて、本発明の研磨組成物で研磨された基材、特に、シリコンは望ましくはDCO値が2000計数以下であり、例えば、1500計数以下、1000計数以下、又は、500計数以下である。本発明の研磨組成物は、望ましくは、基材を研磨したときに、適切な技術により決定して低い曇り性を示す。例えば、レーザ光散乱技術による暗視野狭許容性法線入射ビームDNN測定を用いて研磨された基材上の曇り度を測定することができる。本発明の研磨組成物により研磨された基材、特に、シリコンは、望ましくは、曇り度DNN測定が0.2ppm以下、より好ましくは0.1ppm以下、そして最も好ましくは0.05ppm以下である。ケミカルメカニカル研磨組成物は、望ましくは、aシリカ、bi下記式上式中、nは0~8の整数であり、R1及びR2の各々は独立に、水素、ヒドロキシ基及びC1~C6アルキル基からなる群より選ばれ、又は、R1及びR2は一緒になってオキソ基を形成し、そしてnが2以上である場合には、CR1R2基の間の結合は独立に、単結合、二重結合又は三重結合からなる群より選ばれるのジカルボン酸、ii下記式上式中、R1、R2、R3及びR4の各々は、独立に、水素、アミノアルキル基、カルボキシアルキル基、ヒドロキシアルキル基、R1又はR2のいずれかをR3又はR4のいずれかに結合させる-CH2n-基及び-CH=CHn-基からなる群より選ばれ、nは1~6の整数であるのアミノ酸、iii式1上式中、nは0~8の整数すなわち、nは0、1、2、3、4、5、6、7又は8であり、R1~R3の各々は、独立に、水素、アルキル、ヒドロキシ及びヒドロキシアルキルからなる群より選ばれ、R1~R3の少なくとも1つはヒドロキシ又はヒドロキシアルキルであるの脂肪族ヒドロキシ酸、又は、式2上式中、nは1~5の整数であるの芳香族ヒドロキシ酸、ivカルボキシ置換ピラジン化合物及びvカルボキシ置換トリアゾール化合物からなる群より選ばれる1種以上の有機カルボン酸又はその塩、cヒドロキシアルキルセルロース、カラギーナン及びキサンタンガムからなる群より選ばれる1種以上のポリサッカリド、d1種以上の塩基、e場合により、1種以上の界面活性剤及び/又はポリマー、f場合により、1種以上の還元剤、g場合により、1種以上の殺生物剤及びh水から本質的になり、アルカリpHである。本明細書中に記載されるとおり、研磨組成物はコスト効率的な輸送のために濃厚物として調製され、その後、研磨の前に希釈される。研磨組成物濃厚物は1:1例えば、濃縮されたスラリー1部に水1部~1:50又はさらには1:100まで、あるいは、それ以上に希釈されうる。研磨材、例えば、シリカなどの金属酸化物粒子は任意の適切な形状であってよく、例えば、湿式プロセス金属酸化物粒子例えば、湿式プロセスシリカ粒子、ヒュームド金属酸化物粒子例えば、ヒュームドシリカ粒子又はそれらの組み合わせであってよい。研磨材は、好ましくはシリカである。湿式プロセス金属酸化物例えば、シリカ粒子は、一般に、実質的に球形形状であり、一方、ヒュームド金属酸化物例えば、シリカ粒子は、一般に、一次粒子の鎖状凝集物である。シリカは湿式プロセスシリカ例えば、縮合重合又は沈降シリカ粒子であるか又は湿式プロセスシリカを含むことができる。縮合重合シリカ粒子は、通常、SiOH4を縮合してコロイド粒子を形成させることにより調製され、ここで、コロイド粒子は平均粒子サイズが1nm~1000nmであるものと定義される。このようなシリカ粒子は米国特許第5,230,833号明細書にしたがって調製でき、又は、任意の種々の市販製品として得ることができ、例えば、AkzoNobelBindzil5080製品、NalcoDVSTS006製品及びFusoPL1PL1HPL1SLPL2PL2LPL3PL3HPL3LPL5PL6LPL7PL7HPL10HPLSH3及びPL20製品、ならびに、DuPontBayerAppliedResearchSilbondNissanChemicalClariantなどから入手可能な他の同様の製品である。シリカはヒュームドシリカであるか又はヒュームドシリカを含むことができる。ヒュームドシリカ粒子は、火成プロセスで揮発性前駆体例えば、ハロゲン化ケイ素から、高温炎H2/空気又はH2/CH4/空気中で前駆体を加水分解及び/又は酸化させてヒュームドシリカを生成させることにより製造されうる。液滴発生器を用いて前駆体を含有する溶液を高温炎中にスプレイし、そしてその後、金属酸化物を回収することができる。典型的な液滴発生器としてはバイフルイドアトマイザ、高圧スプレイノズル及び超音波アトマイザが挙げられる。適切なヒュームドシリカ焼成シリカとしても知られる粒子はCabotTokuyama及びEvonikDegussaなどの製造者から市販されている。シリカは任意の適切な平均粒子サイズすなわち、平均粒子直径であることができる。シリカは平均粒子サイズが4nm以上、10nm以上、例えば、15nm以上、20nm以上又は25nm以上であることができる。代わりに、又は、加えて、シリカは平均粒子サイズが200nm以下、150nm以下、120nm以下、例えば、110nm以下、100nm以下、90nm以下、80nm以下、70nm以下、60nm以下、50nm以下、又は、40nm以下であることができる。このように、シリカは任意の上記の2つの終端により規定される平均粒子サイズであることができる。例えば、シリカは平均粒子サイズが4nm~200nm、10nm~100nm、20nm~100nm、20nm~80nm、20nm~60nm、又は、20nm~40nmであることができる。非球形シリカ粒子では、粒子のサイズは粒子を包囲する最も小さい球の直径である。シリカの粒子サイズは任意の適切な技術により、例えば、レーザ回折技術を用いて測定されうる。適切な粒子サイズ測定器はMalvernInstrumentsから入手可能である。研磨組成物は任意の適切な量のシリカを含むことができる。濃縮された研磨組成物は20wt以下のシリカ、例えば、15wt以下、10wt以下、8wt以下、9wt以下、8wt以下、7wt以下、6wt以下、5wt以下、4wt以下、3wt以下又は2wt以下のシリカを含むことができる。希釈の後に、研磨組成物は、0.001wt以上のシリカ、例えば、0.01wt以上、0.1wt以上、0.5wt以上又は1wt以上のシリカを含むことができる。このように、研磨組成物はシリカに関して記載した任意の2つの終端により規定される量でシリカを含むことができる。例えば、研磨組成物は0.001wt~20wtのシリカ、又は、0.001wt~15wt、0.001wt~10wt、0.001wt~8wt、0.001wt~6wt、0.001wt~5wtのシリカ、0.001wt~2wt、又は、0.05wt~2wtのシリカを含むことができる。好ましい実施形態において、研磨組成物は、使用時点で、0.2wt~0.6wtのシリカを含む。シリカ粒子は好ましくは本発明の研磨組成物中でコロイド安定である。用語コロイドは液体キャリア中のシリカ粒子の懸濁液を指す。コロイド安定性は経時にわたる懸濁の維持を指す。本発明の関係で、もし、研磨材を100mLのメスシリンダー中に入れ、攪拌せずに2時間放置したときに、メスシリンダーの底部50mL中の粒子の濃度g/mLで[B]と、メスシリンダーの上部50mL中の粒子の濃度g/mLで[T]との差異を研磨組成物中の粒子の初期濃度g/mLで[C]で割ったものが0.5以下すなわち、{[B]-[T]}/[C]≦0.5であるならば、研磨材はコロイド安定であると考えられる。より好ましくは、[B]-[T]/[C]の値は0.3以下であり、最も好ましくは0.1以下である。本発明の研磨組成物はポリサッカリドとの組み合わせで速度向上剤を含む。驚くべきことに、ポリサッカリド、及び、場合により、ポリマー又は界面活性剤との組み合わせでの速度向上剤は高速除去性、低い粒子欠陥及び低い曇り性を示すケミカルメカニカル研磨組成物を提供することができる。速度向上剤は、望ましくは、1種以上の有機カルボン酸である。ある実施形態において、研磨組成物はiジカルボン酸、iiアミノ酸、iiiヒドロキシ酸、ivカルボキシ置換ピラジン化合物及びvカルボキシ置換トリアゾール化合物からなる群より選ばれる1種以上の有機カルボン酸、その塩及び/又はその水和物を含む。いかなる特定の理論にも固執するつもりはないが、カルボン酸は、超配位化合物例えば、五配位又は六配位ケイ素化合物を形成することにより研磨粒子例えば、シリカ又は基材例えば、シリコンを活性化するものと考えられる。研磨組成物は任意の適切な量の1種以上の有機カルボン酸を含むことができる。研磨組成物は0.0005wt以上の有機カルボン酸、例えば、0.005wt以上、0.05wt以上、0.5wt以上の有機カルボン酸を含むことができる。代わりに、又は、加えて、研磨組成物は2wt以下の有機カルボン酸、例えば、1.5wt以下、1.0wt以下、又は、0.5wt以下の有機カルボン酸を含むことができる。このように、研磨組成物は有機カルボン酸に関して記載した上記の任意の2つの終端により規定される合計量で1種以上の有機カルボン酸を含むことができる。例えば、研磨組成物は0.0005wt~2wt、0.005wt~2wt、0.005wt~1wt、0.005wt~0.05wtの有機カルボン酸を含むことができる。好ましい実施形態において、研磨組成物は1wt未満の有機カルボン酸を含む。適切な有機カルボン酸としては、下記式上式中、nは0~8の整数すなわち、nは0、1、2、3、4、5、6、7又は8であるを有するジカルボン酸が挙げられる。nが2以上すなわち、2、3、4、5、6、7又は8である実施形態において、CR1R2基の間の結合は独立に、単結合、二重結合又は三重結合からなる群より選ばれる。好ましい実施形態において、nは0、1又は2であり、より好ましくはnは1又は2である。nが2以上であり、CR1R2基の間の結合が二重結合である実施形態において、二重結合のコンフィグレーションはE、Z又はそれらの混合物であり、ラセミ混合物を含む。マレイン酸はnが2であり、CR1R2単位の間の結合がZコンフィグレーションを有する二重結合である例示のジカルボン酸である。通常、ジカルボン酸のR1及びR2の各々は、独立に、水素、ヒドロキシ及びC1~C6アルキルすなわち、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、secブチル、ペンチル、イソペンチル、secペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、イソヘキシル、secヘキシル及びネオヘキシルからなる群より選ばれ、又は、R1及びR2は一緒になってオキソ基を形成している。好ましい実施形態では、ジカルボン酸のR1及びR2の各々は、独立に、水素、ヒドロキシ及びC1~C4アルキルからなる群より選ばれ、又は、R1及びR2は一緒になってオキソ基を形成している。特に好ましい実施形態において、ジカルボン酸のR1及びR2の各々は、独立に、水素及びヒドロキシからなる群より選ばれる。適切なジカルボン酸の非限定的な例としては、マロン酸、メチルマロン酸、ジメチルマロン酸、ブチルマロン酸、マレイン酸、メソシュウ酸ナトリウム一水和物sodiummesooxalatemonohydrate、酒石酸、リンゴ酸、シュウ酸及びそれらの混合物が挙げられる。特に好ましい実施形態において、ジカルボン酸はマロン酸又は酒石酸である。適切な有機カルボン酸としては、下記式上式中、R1、R2、R3及びR4の各々は、独立に、水素、アミノアルキル基、カルボキシアルキル基、ヒドロキシアルキル基、R1又はR2のいずれかをR3又はR4のいずれかに結合させる-CH2n-及び-CH=CHn-基からなる群より選ばれ、nは1~6の整数であるのアミノ酸が挙げられる。例示のアミノ酸はグリシンであり、R1~R4の各々は水素である。アミノアルキル基は望ましくはアミノC1-C6アルキル基例えば、アミノメチル、アミノエチル、アミノプロピル、アミノブチル、アミノペンチル又はアミノヘキシルである。アミノアルキル置換基を含む例示のアミノ酸はリジンであり、ここで、R1又はR2の1つがアミノブチル基であり、R1~R4置換基の残りは水素である。カルボキシアルキル基は、望ましくは、カルボキシC1-C6アルキル基例えば、カルボキシメチル、カルボキシエチル、カルボキシプロピル、カルボキシブチル、カルボキシペンチル又はカルボキシヘキシルである。カルボキシアルキル置換基を含む例示のアミノ酸としては、例えば、アスパラギン酸及びグルタミン酸が挙げられ、ここで、R1又はR2の1つがカルボキシメチルアスパラギン酸であるか、又は、カルボキシエチルグルタミン酸であり、R1~R4置換基の残りは水素である。1つ以上のカルボキシアルキル置換基を含む別の例示のアミノ酸はニトリロ三酢酸であり、ここで、R1及びR2の各々は水素であり、R3及びR4の各々はカルボキシメチルである。ヒドロキシアルキル基は、望ましくは、ヒドロキシC1~C6アルキル基例えば、ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシプロピル、ヒドロキシブチル、ヒドロキシペンチル又はヒドロキシヘキシルである。ヒドロキシアルキル置換基を含む例示のアミノ酸はセリンであり、ここで、R1又はR2の1つがヒドロキシメチルであり、R1~R4置換基の残りは水素である。1つ以上のヒドロキシアルキル置換基を含む別の例示のアミノ酸はビシンであり、ここで、R1及びR2の各々は水素であり、R3及びR4の各々はヒドロキシエチルである。アミノ酸は、R1/R2の1つ及びR3/R4の1つが-CH2n-基式中、nは1~6の整数すなわち、nは1、2、3、4、5又は6であるを介して結合されており、それにより、脂肪族複素環式化合物を形成している環状アミノ酸であることができる。好ましい実施形態では、nは4である。ピペコリン酸、ピコリン酸及びプロリンは、R1/R2の1つ及びR3/R4の1つが-CH24-基又は-CH=CHn-基を介して結合されている例示のアミノ酸である。本発明によれば、アミノ酸は適宜に任意の適切な立体化学を有することができる例えば、D-、L-、R-、S-及びそれらの混合物で、ラセミ混合物を含む。適切な有機カルボン酸としては式1上式中、nは0~8の整数すなわち、nは0、1、2、3、4、5、6、7又は8であり、R1~R3の各々は、独立に、水素、アルキル、ヒドロキシ及びヒドロキシアルキルからなる群より選ばれ、ここで、R1~R3の少なくとも1つはヒドロキシ又はヒドロキシアルキルであるの脂肪族ヒドロキシ酸が挙げられる。好ましい実施形態において、式1の脂肪族ヒドロキシ酸のnは1~3の整数である。式1の脂肪族ヒドロキシ酸のアルキル基は、通常、C1~C6アルキル基例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル又はヘキシルである。典型的には、式1のヒドロキシ酸のヒドロキシアルキル基は、ヒドロキシC1~C6アルキル例えば、ヒドロキシメチルである。好ましい実施形態において、式1のヒドロキシ酸は脂肪族ヒドロキシ酸である。式1の例示の脂肪族ヒドロキシ酸としては、例えば、乳酸、グリコール酸、2-ヒドロキシ酪酸及びジメチロールプロピオン酸が挙げられる。適切なカルボン酸としては、また、式2上式中、nは1~5の整数であるの芳香族ヒドロキシ酸が挙げられる。芳香族ヒドロキシ酸は任意の適切な置換パターンを有してよい例えば、オルト-、メタ-、パラ-置換、及び/又は、モノ-、ジ-、トリ-、テトラ-及びペンタ置換。適切な芳香族ヒドロキシ酸の非限定的な例としては、3,4,5-トリヒドロキシ安息香酸すなわち、没食子酸、4-ヒドロキシ安息香酸、2-ヒドロキシ安息香酸すなわち、サリチル酸、2,4-ジヒドロキシ安息香酸、2,3-ジヒドロキシ安息香酸及び3,4-ジヒドロ安息香酸が挙げられる。適切な有機カルボン酸としては、カルボキシ置換ピラジン化合物が挙げられる。例示の適切なカルボキシ置換ピラジン化合物としては、例えば、3-アミノピラジン-2-カルボン酸、5-メチル-2-ピラジンカルボン酸及びピラジン-2-カルボン酸が挙げられる。カルボキシ置換ピラジンの例示の置換基としては、直鎖及び枝分かれC1~C6アルキル基例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、secブチル、tertブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、secペンチル、tertペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、イソヘキシル、secヘキシル、tertヘキシル及びネオヘキシル及び直鎖及び枝分かれC1~C6アルコキシ基及びC6~C10アリール基例えば、フェニル、ベンジル、ナフチルが挙げられる。C6~C10アリール基は置換されていても又は置換されていなくてもよい。適切な有機カルボン酸としては、カルボキシ置換トリアゾール化合物が挙げられる。本本発明に適切な例示的なカルボキシ置換トリアゾール化合物としては、例えば、3-アミノ-1,2,4-トリアゾール-5-カルボン酸が挙げられる。カルボキシ置換トリアゾール化合物の例示の置換基としては、直鎖及び枝分かれC1~C6アルキル基例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、secブチル、tertブチル、ペンチル、イソペンチル、secペンチル、tertペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、イソヘキシル、secヘキシル、tertヘキシル及びネオヘキシル及び直鎖及び枝分かれC1~C6アルコキシ基及びC6~C10アリール基例えば、フェニル、ベンジル、ナフチルが挙げられる。C6~C10アリール基は置換されていても又は置換されていなくてもよい。研磨組成物はレオロジー調節剤として1種以上のポリサッカリド例えば、変性セルロースエーテル又は複合炭水化物を含む。1種以上のポリサッカリドは1種以上の変性セルロースエーテル又は1種以上の複合炭水化物例えば、ガム、例えば、キサンタンガム、グアーガム、カラヤガム、カラギーナンガム又はペクチン及びヒアルロン酸ナトリウムであることができる。いかなる特定の理論に拘束されるつもりはないが、ポリサッカリドは下記のことによって研磨組成物ケミカルメカニカル研磨性能を向上させるものと考えられる。シリコンウエハの表面に吸着し、粒子と基材との間に研磨活性化バリアを増加し、それにより、隆起領域丘をより低い領域谷よりも速く研磨して粗さを低減することにより粗さを改良し、粒子と基材との間に保護バリアを提供し、それが粒子洗浄を促進し、組成物中の増粘剤として作用させるなどして研磨系の粘弾性を改良し、研磨基材の湿潤性を改良し及び/又は研磨組成物のシリカ分散液を安定化させる。ある実施形態において、1種以上のポリサッカリドはヒドロキシアルキルセルロース、カラギーナン及びキサンタンガムからなる群より選ばれる。好ましい実施形態では、ポリサッカリドは変性セルロースエーテル例えば、ヒドロキシアルキルセルロースである。例示のヒドロキシアルキルセルロースエーテルとしては、メチルヒドロキシエチルセルロースHEMC、メチルヒドロキシプロピルセルロースHPMC、ヒドロキシエチルセルロースHEC、メチルセルロースMC及びヒドロキシプロピルセルロースHPCなどが挙げられる。特に好ましい実施形態において、ヒドロキシアルキルセルロースはヒドロキシエチルセルロースである。研磨用組成物は、任意の適切な量の1種以上のポリサッカリドを含むことができる。研磨組成物は、0.0001wt以上のポリサッカリド、例えば、0.001wt以上、0.01wt以上のポリサッカリド、又は、0.05wt以上のポリサッカリドを含むことができる。代わりに、又は、加えて、研磨組成物は0.5wt以下のポリサッカリド、例えば、0.1wt以下のポリサッカリド、0.05wt以下、0.03wt以下、又は、0.02wt以下のポリサッカリドを含むことができる。このように、研磨組成物は、ポリサッカリドに関して記載した任意の上記の2つの終端により規定される合計量で1種以上のポリサッカリドを含むことができる。例えば、研磨組成物は0.0001wt~0.5wt、0.001wt~0.1wt、0.001wt~0.05wt、0.001wt~0.003wt、又は、0.001wt~0.002wtのポリサッカリドを含むことができる。好ましい実施形態において、研磨組成物は、研磨時に、0.06wtのポリサッカリド例えば、570~630ppmを含む。別の好ましい実施形態において、研磨組成物は、使用の時点で0.0030wtのポリサッカリド例えば、28~32ppmを含む。ポリサッカリドは任意の適切な分子量であることができる。例えば、ポリサッカリドが変性セルロースエーテル例えば、HEC、HEMC、HPMC及びHPCである場合には、平均分子量は300,000g/モル以下、例えば、250,000g/モル以下、200,000g/モル以下、150,000g/モル以下、100,000g/モル以下、又は、100,000g/モル以下である。代わりに、又は、加えて、平均分子量は10,000g/モル以上、例えば、20,000g/モル以上、30,000g/モル以上、50,000g/モル以上、75,000g/モル以上、又は、100,000g/モル以上であることができる。このように、ヒドロキシエチルセルロースの分子量は、ヒドロキシエチルセルロースに関して記載した任意の2つの上記の終端の間であることができる。例えば、ヒドロキシエチルセルロースの分子量は10,000g/モル~300,000g/モル、20,000g/モル~200,000g/モル、50,000g/モル~150,000g/モル、50,000g/モル~100,000g/モル、75,000g/モル~100,000g/モルであることができる。好ましい実施形態において、ヒドロキシエチルセルロースの平均分子量は80,000g/モル例えば、83,000g/モルである。ポリサッカリドがキサンタンガムである場合には、平均分子量は、通常、300,000g/モルである。本発明では、カラギーナンの平均分子量は、本明細書に記載されるように研磨組成物を向上させるような分子量である。研磨組成物は少なくとも1種の塩基を含む。塩基は任意の適切な塩基であってよい。ある実施形態では、研磨組成物は、無機塩基、例えば、アルカリ金属塩例えば、カリウム塩である少なくとも1種の塩基を含む。通常、1種以上の塩基はアルカリ金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属重炭酸塩及びホウ酸塩からなる群より選ばれる。当該技術分野で知られているように、適切なアルカリ金属としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム及びフランシウムが挙げられる。好ましい実施形態において、1種以上の塩基は水酸化カリウム、炭酸カリウム及び重炭酸カリウムからなる群より選ばれる。好ましい実施形態では、適切なホウ酸塩の例としては、ホウ酸、ホウ酸カリウム及びホウ酸二カリウムdipotassiumborateが挙げられる。研磨組成物は研磨組成物のpHがアルカリ性になるように、任意の適切な量の塩基を含むことができる。特に、研磨組成物のpHは7よりも大きい。好ましい実施形態では、研磨用組成物のpHは、8~12例えば、8~10、8~11、9~10、9~11又は9~12であり、より好ましくはpHは9~11例えば、9~10又は9.5である。研磨組成物は、場合により、1種以上の界面活性剤を含む。界面活性剤の存在についての典型的な欠点は、しばしば、シリコン表面の全体としての除去速度の低下である。シリコン表面での界面活性剤の吸収は表面でシリコンと研磨粒子の接触を低減するように作用し、そして金属表面と研磨粒子の接触がシリコン表面を研削する主要なメカニズムであることから、除去速度は、しばしば有用な速度を下回る速度に低減され、これにより、研磨組成物中の界面活性剤の有用性を制限する。しかし、本発明の研磨組成物中の1種以上の界面活性剤の存在は有利に曇り性又はDCO欠陥を改善する。1種以上の界面活性剤は任意の適切な量で研磨組成物中に存在することができる。界面活性剤の量が少なすぎる場合には、界面活性剤の添加で何の利点も観察されない。界面活性剤の量が多すぎる場合には、除去速度の低下が観察される。界面活性剤の量は0.1ppm以上、0.5ppm以上、1ppm以上、5ppm以上、約10ppm以上、20ppm以上、50ppm以上、100ppm以上又は200ppm以上であることができる。代わりに、又は、加えて、界面活性剤の量は1000ppm以下、800ppm以下、600ppm以下、400ppm以下、又は、200ppm以下であることができる。このように、研磨組成物は界面活性剤に関して記載した任意の2つの終端により規定される合計量で1種以上の界面活性剤を含むことができる。例えば、研磨組成物は10ppm~1000ppm、20ppm~800ppm、50ppm~400ppm、又は、100ppm~200ppmの界面活性剤を含むことができる。好ましい実施形態では、研磨組成物中の界面活性剤の量は5ppmである。別の好ましい実施形態において、研磨組成物中の界面活性剤の量は150ppmである。さらに、界面活性剤はいかなる有用な共溶媒とともに取り込まれてもよい。界面活性剤は、存在する場合には、任意の適切な界面活性剤であることができる。典型的には、界面活性剤は非イオン性界面活性剤及びアニオン性界面活性剤からなる群より選ばれるであろう。好ましい実施形態では、界面活性剤は非イオン性界面活性剤である。例示的な非イオン性界面活性剤としては、アセチレンジオール界面活性剤及び疎水化ポリエチレングリコール界面活性剤が挙げられる。例示のアセチレンジオール界面活性剤は、AirProductsから市販されているSURFYNOL製品である。SURFYNOL商標界面活性剤の例は、SURFYNOL商標104すなわち、1,4-ジイソブチル-1,4-ジメチルブチンジオールであり、それはワックス状固形分、液体、易流動性粉末として入手可能な非イオン性湿潤剤及び分子脱泡剤である。具体的な疎水化ポリエチレングリコール界面活性剤はStepanCompanyから市販されているIGEPAL商標エトキシル化ノニルフェノールポリエーテルである。IGEPAL商標界面活性剤の例はノノキシノール-15とも呼ばれるIGEPAL商標CO730及びエトキシル化セチルアルコールであるBRIJ商標93である。その他の例示の非イオン性界面活性剤としては、シロキサン単位、エチレンオキシド単位及びプロピレンオキシド単位を含むコポリマー界面活性剤が挙げられる。上記のコポリマー界面活性剤の構造は、直鎖状、ペンダント又はトリシロキサンタイプであることができる。このようなコポリマー界面活性剤の好ましい例はMomentivePerformanceMaterialsから市販されている、ペンダント構造を有するSILWET商標ファミリーの界面活性剤として市販されている。シロキサン単位、エチレンオキシド単位及びプロピレンオキシド単位を含むコポリマー界面活性剤は任意の適切な分子量又は構造を有することができる。適切な非イオン性界面活性剤としては、また、アクリルエステルを含むポリマーが挙げられる。アクリルエステルを含む好ましいポリマーは、アルコール成分の少なくとも1つの水素原子がフッ素で置換されているような、エステルモノマーのアルコール成分上でフッ素により置換されたアクリルエステルモノマーを含む。アクリルエステルを含むこのようなポリマーの好ましい例は、3M社からFLUORAD界面活性剤として市販されている。適切な非イオン性界面活性剤としては、さらに、1つの末端でペルフルオロ化アルキル鎖を含み、他端でヒドロキシル基又はアルキル基を含む、エチレンオキシド直鎖状ポリマーが挙げられる。このようなポリマーの好ましい例としては、DuPontから市販されているZONYL商標ラインが挙げられる。適切な非イオン性界面活性剤は、さらに、エチレンオキシド単位及びプロピレンオキシド単位とエチレンジアミンとのコポリマーが挙げられる。このようなコポリマーの好ましい例としては、BASFから市販されているTETRONIC商標ファミリーのブロックコポリマー界面活性剤が挙げられる。別の好ましい実施形態では、界面活性剤はアニオン性界面活性剤であり、特に、スルホン酸、硫酸エステル、カルボン酸系界面活性剤、リン酸塩、ホスホン酸塩又はリン酸エステル系界面活性剤から選ばれる少なくとも1つである。一般式H-[CH2]nS04nは、通常、1~18の整数であるを有するスルホン酸塩は好ましい。このようなアニオン性界面活性剤の例はドデシル硫酸ナトリウムSDSである。リン酸系界面活性剤のいくつかの例はZonylFSE及びHuntsmanPP1198である。研磨組成物は、場合により、1種以上のポリマーを含む。ポリマーは任意の適切なポリマーであることができる。1種以上のポリマー例えば、ウレタンポリマー又はアクリレートポリマーは、通常、ウエハ表面に吸着するように又は研磨組成物のレオロジー特性を改善するように研磨組成物中に含まれている。例示のポリマーとしてはポリエチレングリコールポリウレタン又は水溶性アクリレートが挙げられる。適切なポリエチレングリコールポリウレタンポリマーとしては、例えば、OMGBorchersGmbHから市販されているBORCHI商標ゲル製品が挙げられる。例示のBORCHI商標ゲルとしてはBORCHI商標ゲル0024、BORCHI商標ゲル0434、BORCHI商標ゲルWN50S、BORCHI商標ゲルL75N及びBORCHI商標ゲルPW25が挙げられ、それらのすべては会合性増粘剤として作用する。BORCHI商標ゲルは、下記一般構造に基づくポリエチレングリコールポリウレタンポリマーである。上式中、m及びnによりそれぞれ表されるエトキシル化度及びアルキル化度は様々である。又は、ポリウレタン構造は、トルエンジイソシアネートTDI、4,4-メチレンビスフェニルジイソシアネートMDI、ヘキサメチレンジイソシアネートHDI、HDI三量体及びポリマー-MDIなどのような任意の適切な多官能性イソシアネートに基づくものであってよい。特定の理論に拘束されるつもりはないが、ポリエチレングリコールポリウレタンポリマー、特にBORCHI商標ゲルはシリコンウエハの表面に吸着し、粒子と基材との間に研磨活性化バリアを増加し、それにより、隆起領域丘をより低い領域谷よりも速く研磨して粗さを低減することにより粗さを改良し、粒子と基材との間に保護バリアを提供し、それが粒子洗浄を促進し、又は、研磨組成物内に非共有結合ネットワークを形成し、それにより、特に高剪断条件下に粘度を安定化させるものと考えられる。ポリエチレングリコールポリウレタンポリマーは任意の適切な分子量を有することができる。BORCHI商標ゲル0434、BORCHI商標ゲルWN50S及びBORCHI商標ゲルPW25の分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって決定して、エトキシル化及びアルキル化の程度に応じて10,000g/モル~40,000g/モルの範囲にある。BORCHI商標ゲル0024は、中剪断及び高剪断範囲でニュートニアン流動を生成させるために使用される液体のグリコールエーテル不含の非イオン性ポリウレタン系増粘剤である。BORCHI商標ゲル0024は組成物のレオロジープロファイルを変更するために、他の低剪断増粘剤例えば、BORCHI商標ゲルPW25又はBORCHI商標ゲルLW44と組み合わせて使用されうる。BORCHI商標ゲル0024は23°Cで測定して、1.04~1.08g/cm3の密度であり、2,000~10,000mPasの粘度を有する。BORCHIゲル0434は、溶媒、アルキルフェノールエトキシレートAPEO、HAPS有害大気汚染物質及びスズ化合物を含まない液体のグリコールエーテル不含非イオン性ポリウレタン系会合性増粘剤であり、主としてニュートニアンレオロジープロファイルを有する。BORCHIゲル0434は、粘度を、特に、より高剪断で安定させるために組成物内に非共有結合性ネットワークを形成する。BORCHI商標ゲル0434は、23°Cで測定して、1.01~1.05g/cm3の密度及び15,000mPasの最大粘度を有する。BORCHIゲルL75Nは脂肪族イソシアネートを使用して製造された液体のグリコールエーテル不含非イオン性ポリウレタン系増粘剤である。BORCHI商標ゲルL75Nはエマルジョン中で流動促進剤として機能し、そして水性系中で安定剤として機能し、分散粒子の表面に吸着させることにより、エマルジョンのレオロジープロファイルを向上させる。BORCHI商標ゲルL75Nは、23°Cで測定して、9,000mPas未満の粘度を有する。適切なポリマーの他の例は、Cognisから入手可能なDSX商標会合性増粘剤製品である。ポリエーテル及びポリウレタン誘導体に基づくDSX商標増粘剤は、pH非依存性であり、溶媒、アルキルフェニルエトキシレートAPEO及び重金属を含まない。理論に拘束されるつもりはないが、DSX商標増粘剤の疎水性末端基及び側基は結合して研磨組成物の粘度を増加させる役割を果たすネットワークを形成すると考えられる。例示のDSX商標増粘剤は、DSX商標3000であり、それは、25°Cで1.05g/cm3の密度、4000~6000mPasの粘度及び30の固形分を有する。ある実施形態において、研磨組成物は1種以上の水溶性アクリレートポリマーを含む。水溶性アクリレートの適切な例は、OMGBorchersGmbHから入手可能なBORCHI商標ゲルALAである。BORCHI商標ゲルALAは以下の特性を有する:20°Cで粘度が25,000~60,000mPasである液体であり、不揮発物含有分が9~11であり、pHが≧8であり、そして20°Cでの密度が約1.05g/cm3である。他の適切な水溶性アクリレートポリマーはAkzoNobelから市販されているALCOGUM商標Lシリーズ製品である。ALCOGUM商標Lシリーズ製品はアクリレートをベースとするエマルジョンコポリマーであり、それは研磨組成物中で再現可能な粘度を容易に得るために、レオロジー調節剤としての役割を果たす。ALCOGUM商標Lシリーズ製品の適切な例としては、ALCOGUM商標L15、L31及びL283が挙げられる。ALCOGUM商標L15は以下の特性を有する水中の30の活性固形分で供給されるアクリレートをベースとするエマルジョンコポリマーである:pH2.2~3.0、固形分29~31、粘度10,000~15,000pH9.0、NaOH、25°C、10rpm、2.5乾燥。ALCOGUM商標L31はアクリル酸エチル-メタクリル酸コポリマーをベースとする。ALCOGUM商標L283は水中25の活性固形分で供給されるアクリレートをベースとするエマルジョンコポリマーであり、疎水性に変性された、アルカリ可溶性エマルジョンポリマー例えば、HASE増粘剤である。ALCOGUM商標L283は下記の特性を有する:pH4.5~5.5、固形分24~26、粘度30,000~52,000cps、2.0乾燥、pH9.0、ΝH4ΟΗ、25°C、10rpm、25°Cでの密度1.05kg/L。ある実施形態において、研磨組成物は、チクソトロピー剤として作用する1種以上のポリマーを含む。例示のチクソトロピー剤はBORCHI商標ゲルチクソ2であり、それはチクソトロピー剤であり、無極性/弱極性の増粘剤である。研磨組成物は、場合により、1種以上の還元剤を含む。還元剤は任意の適切な還元剤であることができる。1種以上の還元剤を研磨組成物中に含ませ、ソフト研磨パッド及び低除去研磨パッド例えば、CIEGAL商標7355を使用している場合に、除去速度を向上させ、欠陥を改善させることができる。例示の適切な還元剤としてはメタ重亜硫酸カリウムなどの亜硫酸塩が挙げられる。1種以上の還元剤は任意の適切な量で研磨組成物中に存在することができる。還元剤の量が低すぎる場合には、還元剤の添加で何らの利点も観察されない。還元剤の量が高すぎる場合には、基材の曇りの増加又はコロイド安定性の損失を観察することがある。研磨組成物は、0.0001wt以上の還元剤を含むことができ、例えば、0.001wt以上、0.01wt以上、0.1wt以上の還元剤を含むことができる。代わりに、又は、加えて、研磨組成物は0.5t以下の還元剤、例えば、0.4wt以下、0.3wt以下、0.2wt以下又は0.1wt以下の還元剤を含むことができる。例えば、研磨組成物は、0.001wt~0.5wt、0.01wt~0.4wt、0.1wt~0.3wtの還元剤を含む。好ましい実施形態では、研磨組成物は、研磨時に、0.07wt~0.15wtの還元剤を含み、特に0.1wtの還元剤を含む例えば、975~1025ppm。別の好ましい実施形態では、研磨組成物は、研磨時に、0.02wt~0.05wtの還元剤、特に0.04wtの還元剤を含む例えば、375~425ppm。研磨組成物は、場合により、1種以上の殺生物剤を含む。殺生物剤は任意の適切な殺生物剤であることができ、例えば、Dowasil75又は1-3-クロロアリル-3,5,7-トリアザ-1-アゾニアアダマンタンクロリドである。研磨組成物中の殺生物剤の量は、通常、使用時点で、1~500ppmであり、好ましくは10~20ppmである。研磨組成物は水を含む。水を用いて、研磨又は平坦化される適切な基材の表面に研磨組成物の他の成分を適用するのを容易にする。好ましくは、水は脱イオン水である。研磨組成物は任意の適切な技術により調製することができ、その多くは当業者に知られている。研磨組成物はバッチ又は連続プロセスで調製することができる。一般的には、研磨組成物は任意の順序でその成分を混合することにより調製できる。本明細書で使用する際に、用語成分は個々の要素例えば、シリカ、有機カルボン酸、ポリサッカリド、任意成分の界面活性剤及び/又はポリマー、水などならびに2つ以上の要素例えば、シリカ、有機カルボン酸、ポリサッカリド、任意成分の界面活性剤及び/又はポリマー、水などの任意の組み合わせを包含する。研磨組成物の水中に溶解した場合の酸、塩基又は塩例えば、有機カルボン酸、塩基及び/又はアルカリ金属炭酸塩等である研磨組成物のいずれかの成分はカチオン及びアニオンとして解離形態で存在してよいことが理解されるであろう。本明細書中で記載する研磨組成物中に存在するかかる化合物の量は研磨組成物の調製に使用される未解離の化合物の質量を指すものと理解される。例えば、アルカリ金属炭酸塩例えば、炭酸カリウムの質量は、存在する場合には、実験式例えば、K2CO3により提供されるとおり、カリウムとカーボネートの両方を含む塩の量を指す。例えば、有機カルボン酸、ポリサッカリド、塩基及び場合により、界面活性剤及び/又はポリマーは、有機カルボン酸、ポリサッカリド、塩基及び場合により、界面活性剤及び/又はポリマーを任意の順序で又はさらには同時に水に対して添加することにより、水に溶解させることができる。その後、シリカを添加し、研磨組成物中のシリカを分散させう任意の方法で分散させることができる。研磨組成物は、塩基などの1種以上の成分を、使用するときの短時間前例えば、使用前の1分以内、又は、使用前の1時間以内、又は、7日以内に研磨組成物に添加して、使用前に調製することができる。pHは任意の適切な時間に調整することができ、好ましくは、研磨組成物にシリカを添加する前に調整される。研磨組成物は、また、研磨操作中に基材の表面で成分を混合することにより調製することができる。研磨組成物は、使用前に適切な量の水で希釈されることが意図された濃厚物の形態にすることができる。例えば、シリカ、有機カルボン酸、ポリサッカリド、塩基、場合により、界面活性剤及び/又はポリマーならびに他のいずれかの適切な添加剤は各成分に関して上記に記載した濃度よりも2倍以上大きい例えば、5倍、10倍又は15倍又は20倍又は100倍又はさらには200倍の量で濃厚物中で各々存在することができ、それにより、濃厚物が等体積の水例えば、それぞれ2等体積の水、5等体積の水又は10等体積の水又15等体積の水又は20等体積の水又は100等体積の水又は200等体積の水で希釈されたときに、各成分は成分に関して上記に示した範囲内の量で研磨組成物中に存在するであろう。さらに、当業者によって理解されるように、濃厚物は、有機カルボン酸、ポリサッカリド、塩基、場合により界面活性剤及び/又はポリマー、及び、他の適切な添加剤を濃厚物中に少なくとも部分的に又は完全に溶解し、好ましくは、濃厚物中に完全に溶解するのを確保するために、最終の研磨組成物中に適切な分率の水を含むことができる。特記のない限り、サンプルは指定された濃度の濃厚物として製造され、その後、スラリー1質量部あたりに19部の水で希釈される。本発明は、i本明細書中に記載されるとおりのケミカルメカニカル研磨組成物及び研磨パッドと基材を接触させること、ii基材と研磨パッドとの間にケミカルメカニカル研磨組成物を配置して、研磨パッドを基材に対して移動させること、及びiii基材の少なくとも一部を研削して、基材を研磨することを含む、基材のケミカルメカニカル研磨方法を提供する。本発明の研磨組成物を使用していかなる基材も研磨することができるが、研磨組成物は、シリコンを含む基材、例えば、エレクトロニクス産業で使用されるシリコンウエハの研磨に特に有用である。この点で、シリコンは非ドープシリコンであっても、又は、ホウ素又はアルミニウムをドープしたp型シリコンであってもよい。さらに、シリコンは多結晶シリコンとすることができる。本発明の研磨組成物及びその使用方法はダイヤモンドソーイング及び粗研削することによりシリコン単結晶から製造されたままのシリコンウエハを最終研磨するのに適しており、また、シリコンウエハのエッジ研磨のために、研磨によるシリコンウエハの再利用に使用するために適している。有利なことに、本発明の研磨方法を用いて研磨されるシリコン基材は低表面粗さを示す。平面性からの偏差の算術平均としてここに定義される表面粗さRaは任意の適切な技術を用いて測定することができる。適切な技術としては、例えば、VeecoInstrumentsから入手可能な計器を用いた針形状測定及び光学形状測定が挙げられ、、ならびに、原子間力顕微鏡が挙げられる。通常、本発明の研磨方法は、光学形状測定計を用いて測定した場合に、20Å以下例えば、14Å以下、又は、12Å以下、又は、10Å以下、又は、さらには8Å以下のシリコンウエハに表面粗さを生じさせる。DCN、DCO及びDNNの曇り度測定は120nmの閾値にてKLATencoreSP1で行われた。本発明の研磨方法は、特に、ケミカルメカニカル研磨装置と組み合わせて使用するのに適している。典型的には、装置は、使用時に動作しかつ軌道、線形又は円運動から生じる速度を有するプラテン、該プラテンと接触しておりかつ動作時にプラテンとともに動く研磨パッド、及び、研磨パッドの表面に対して基材を接触させそして移動させることで研磨する基材を保持するキャリアを含む。基材の研磨は、基材を研磨パッド及び本発明の研磨組成物と接触して配置し、その後、基材に対して研磨パッドを移動させて、基材の少なくとも一部を研削して基材を研磨することにより行う。基材は任意の適切な研磨パッド例えば、研磨面を用いてケミカルメカニカル研磨組成物により研磨することができる。適切な研磨パッドとしては、例えば、織布及び不織布研磨パッドが挙げられる。また、適切な研磨パッドは、様々な密度、硬度、厚さ、圧縮性、圧縮時に反発する能力及び圧縮弾性率の任意の適切なポリマーを含むことができる。適切なポリマーとしては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ナイロン、フロロカーボン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリエーテル、ポリエチレン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリプロピレン、それらの共形成製品及びそれらの混合物が挙げられる。軟質ポリウレタン研磨パッドは本発明の研磨方法との組み合わせで特に有用である。典型的なパッドとしては、限定するわけではないが、SURFIN商標000、SURFIN商標SSW1、SPM3100、POLITEX商標又はFujiboPOLYPAS商標27が挙げられる。望ましくは、ケミカルメカニカル研磨装置は、さらに、現場研磨終点検出システムを含み、その多くは当該技術分野で知られている。研磨される基材の表面から反射される光又はその他の放射線を分析することによって、研磨プロセスを検査しそしてモニタリングするための技術は当該技術分野で知られている。このような方法は、例えば、米国特許第5,196,353号、米国特許第5,433,651号、米国特許第5,609,511号、米国特許第5,643,046号、米国特許第5,658,183号、米国特許第5,730,642号、米国特許第5,838,447号、米国特許第5,872,633号、米国特許第5,893,796号、米国特許第5,949,927号及び米国特許第5,964,643号明細書に記載されている。望ましくは、研磨されている基材に対する研磨プロセスの進捗状況の検査又はモニタリングは、研磨終点の決定、すなわち、特定の基材に対して研磨プロセスを終了すべき時点の決定を可能にする。これらの例は本発明をさらに説明するが、もちろん、その範囲をいかなる方法でも限定するものとして解釈されるべきでない。特記のない限り、例1~18での研磨条件は以下のとおりであった:37.9kPaの下方への力で、74rpmのテーブルの速度で、そして150~200mL/分の研磨組成物の流速で、20.3cmのp型にドープされたシリコンウエハとPlanar472ポリッシャーを用いた。研磨組成物のpHは水酸化カリウムで調整した。すべての研磨組成物は濃厚物として調製した。研磨のために、29部の水に対して1部の濃厚物の質量比を用いて濃厚物を希釈した。例全体をとおして以下の略語を使用する。除去速度RR、分子量Mw、ヒドロキシエチルセルロースHEC、メチルヒドロキシエチルセルロースMeHEC、マロン酸MA、酒石酸TA、没食子酸GA、キサンタンガムXG、カラギーナンC、乳酸LA、ピペコリン酸PA、グリシンGly、アスパラギン酸Asp、3-アミノ-1,2,4-トリアゾール-5-カルボン酸ATCA、ドデシル硫酸ナトリウムSDS、アミノエチルピペラジンAEP、ジメチロールプロピオン酸DMPA、ピペラジンP、BORCHI商標ゲルBG及びCOGNISDSX3000DSX3000。[例1]本例では、シリカ、有機カルボン酸、ポリサッカリド、塩基、場合により界面活性剤及び水を含む本発明の研磨組成物は、良好な全体としての基材研磨特性を示すことができることを実証する。研磨組成物1A~1Fと特定される6つの異なる研磨組成物により、FujimiCorporationから市販されているSURFIN商標000パッドを用いて同一条件下でシリコン基材を研磨した。研磨組成物1A~1Fの各々は、a使用時点で0.2wtのFusoPL2シリカ粒子、b表1に示す濃度の有機カルボン酸、TA又はMA、c表1に示す濃度のポリサッカリド、HECMw=80,000g/モル又はXG、d表1に示すとおりのpHを有する各研磨組成物を提供するのに十分な水酸化カリウム、及び、e水を含んだ。さらに、研磨組成物1Fは界面活性剤、すなわち、SURFYNOL商標104を含んだ。同様のシリコン基材を、研磨組成物C1及びC2と特定される2つの他の比較用研磨組成物により、同一の条件で研磨した。研磨組成物C1及びC2は両方とも、6wtのFusoPL2シリカ粒子を水中に含み使用時点で0.2wt、また、表1に示すとおりのpHを有する各研磨組成物を提供するのに十分な水酸化カリウムを含んだ。研磨組成物C1は有機カルボン酸もポリサッカリドも含んでいなかった。研磨組成物C2はさらに、HECMw=80,000g/モルを含んだが、有機カルボン酸を含まなかった。基材の除去速度RR、欠陥DCN及びDCOの両方、及び、曇り度DNNを各研磨組成物に対して決定し、その結果を表1にまとめる。表1に示す結果から明らかなとおり、本発明の研磨組成物は基材の除去速度、欠陥及び曇り度の良好なバランスを提供することができる。[例2]本例は本発明の研磨組成物が基材除去速度、欠陥及び曇り度に対して与える有機カルボン酸及びポリサッカリドの濃度の効果を示す。研磨組成物2A~2Fと特定される6つの異なる研磨組成物により、FujimiCorporationから市販されているSURFIN商標000パッドを用いて同一条件下で同様のシリコン基材を研磨した。各研磨組成物は、a4wtのFusoPL2シリカ粒子、b表2に示す濃度の有機カルボン酸、MA、c表2に示す濃度のポリサッカリド、HECMw=80,000g/モル、d表2に示すとおりのpHを有する各研磨組成物を提供するのに十分な水酸化カリウム、及び、e水を含んだ。基材の除去速度RR、欠陥DCN及びDCOの両方、及び、曇り度DNNを各研磨組成物に対して決定し、その結果を表2にまとめる。比較を容易にするために、例1の研磨組成物C1及びC2に関する情報も表2に含める。表2に示す結果から明らかなとおり、本発明の研磨組成物は基材の除去速度、欠陥及び曇り度の良好なバランスを提供することができる。特に、研磨組成物2Dにより明らかなとおり、有機カルボン酸、例えば、マロン酸、及び、ポリサッカリド、例えば、ヒドロキシエチルセルロースの両方の量が多量であると、基材の除去速度が改良され、基材の欠陥性が改良され、そして基材の曇り度が改良されることが示された。[例3]本例は、シリカ、有機カルボン酸、ポリサッカリド、塩基、場合により界面活性剤、及び、水を含む本発明の研磨組成物が良好な研磨特性を示すことを実証する。研磨組成物3A及び3Bと特定される2つの研磨組成物により、FujimiCorporationから市販されているSURFIN商標000パッドを用いて同一条件下で同様のシリコン基材を研磨した。研磨組成物は、a4の、有機薬剤により表面改質されたコロイドシリカFusoPL2;52nm直径又はヒュームドシリカCabotL9090m2/gの表面積のいずれか、b5547ppmのマロン酸、c607ppmのHECMw=80,000g/モル、d水酸化カリウム及びe水を含んだ。基材の除去速度RR、欠陥DCN及びDCOの両方、及び、曇り度DNNを各研磨組成物に対して決定し、その結果を表3にまとめる。表3に示す結果から明らかなとおり、コロイド湿潤プロセスシリカ及びヒュームドシリカの両方は、本発明の研磨組成物中に含まれるときに、良好な基材の除去速度を、低い基材の欠陥及び良好な基材の曇り度とともに示す。[例4]本例は、シリカ、有機カルボン酸、ポリサッカリド、塩基及び水を含む本発明の研磨組成物が良好な全体として研磨特性を示すことができることを実証する。研磨組成物4A~4Dと特定される4つの異なる研磨組成物により、SPM3100研磨パッドを用いて同一条件下で同様のシリコン基材を研磨した。各研磨組成物4A~4Dは、a4wtのFusoPL2シリカ粒子、b表4に示す濃度の有機カルボン酸であるマロン酸、ピペコリン酸、グリシン又は乳酸、c607ppmのポリサッカリド、HECMw=80,000g/モル、d表4に示すとおりのpHを有する各研磨組成物を提供するのに十分な水酸化カリウム及びe水を含んだ。基材の除去速度RR、欠陥DCN及びDCOの両方、及び、曇り度DNNを各研磨組成物に対して決定し、その結果を表4にまとめる。比較を容易にするために、例1の研磨組成物C2に関する情報も表4に含める。表4に示す結果から明らかなとおり、本発明の研磨組成物は基材の除去速度、欠陥及び曇り度の良好なバランスを提供することができる。特に、研磨組成物4A~4Dにより明らかなとおり、有機カルボン酸の存在により、合理的に良好な基材欠陥性を維持しながら、基材の除去速度が改良され、そして基材の曇り性が改良されていることが示された。[例5]本例は、シリカ、有機カルボン酸、ポリサッカリド、塩基、場合により界面活性剤、及び、水を含む、本発明の研磨組成物が良好な全体としての研磨特性を示すことができることを実証する。研磨組成物5A~5Kと特定される11種の異なる研磨組成物により、POLITEX商標RegII研磨パッドを用いて同一条件下で同様のシリコン基材を研磨した。研磨組成物5A~5Kの各々は、a4wtのFusoPL2シリカ粒子、b表5に示す濃度の有機カルボン酸、TA又はAEP、c607ppmのポリサッカリド、HECMw=100,000g/モル、MeHEC、XG、C又は表5に示す濃度のXG、d表5に示すとおりのpHを有する各研磨組成物を提供するのに十分な水酸化カリウム及びe水を含んだ。研磨組成物5A~5C、5F~5H、5J及び5Kは界面活性剤を含まなかった。研磨組成物5D、5E及び5Iは、それぞれ、37ppmのSURFYNOL商標104、80ppmのIGEPAL商標CO730及び37ppmのSURFYNOL商標104をさらに含んだ。同様のシリコン基材を、研磨組成物C3及びC4と特定される2つの他の比較用研磨組成物により、同一の条件でPOLITEX商標RegII研磨パッドを用いて研磨した。研磨組成物C3及びC4は両方ともa4wtのFusoPL2シリカ粒子、b有機カルボン酸なし、c607ppmのHECMw=100,000g/モル、d表5に示すとおりのpHを有する各研磨組成物を提供するのに十分な水酸化カリウム及びe水を含んだ。基材の除去速度RR、欠陥DCN及びDCOの両方、及び、曇り度DNNを各研磨組成物に対して決定し、その結果を表5にまとめる。表5に示す結果から明らかなとおり、本発明の研磨組成物は、基材の除去速度、欠陥及び曇り度の良好なバランスを提供することができることを示す。[例6]本例は、シリカ、有機カルボン酸、ポリサッカリド、塩基、場合によりポリマー、及び、水を含む、本発明の研磨組成物を示す。研磨組成物6A~6Eと特定される5つの異なる研磨組成物により、SPM3100研磨パッドを用いて同一条件下で同様のシリコン基材を研磨した。各研磨組成物6A~6Eは、a4wtのFusoPL2シリカ粒子、b0.55wtのマロン酸、c607ppmのHECMw=83,000g/モル、dpHを9.6に調節するための水酸化カリウム、e水、及び、f場合により、ポリマー、具体的には、表6に示すとおりの疎水化ポリエチレングリコールポリウレタン、を含んだ。基材の除去速度RR及び曇り度DNNを各研磨組成物に対して決定し、その結果を表6にまとめる。表6に示す結果から明らかなとおり、COGNISDSX商標3000ポリマー又はBORCHI商標ゲルPW25ポリマーのいずれかを含む研磨組成物は、かかるポリマーを含まない同一の研磨組成物と比較して、改良された基材の曇り度を示した。[例7]本例は、シリカ、有機カルボン酸、ポリサッカリド、塩基及び水を含む本発明の研磨組成物を示す。本例は、ポリサッカリドの分子量が研磨組成物により示される基材除去速度に対して及ぼす効果をさらに示す。研磨組成物7A~7Cと特定される3つの異なる研磨組成物により、SPM3100研磨パッドを用いて同一条件下で同様のシリコン基材を研磨した。研磨組成物7A~7Cの各々は、a4wtのFusoPL2シリカ粒子、b0.55wtのマロン酸、c607ppmの、表7に示すとおりの分子量が83,000~1,300,000であるHEC、d水酸化カリウム及びe水を含んだ。基材の除去速度RR、欠陥DCO及び曇り度DNNを各研磨組成物に対して決定し、その結果を表7にまとめる。表7に示す結果から明らかなとおり、平均分子量が83,000g/モルであるHECを含む研磨組成物は、分子量がより高いHECを含む同様の研磨組成物よりも高い除去速度を示した。[例8]本例は、シリカ、有機カルボン酸、ポリサッカリド、塩基及び水を含む本発明の研磨組成物を示す。研磨組成物8A~8Hと特定される8つの異なる研磨組成物により、SPM3100研磨パッドを用いて同一条件下で同様のシリコン基材を研磨した。研磨組成物8A~8Hの各々は、a4wtのFusoPL2シリカ粒子、b表8に示す濃度の有機カルボン酸、c607ppmのHECMw=83,000g/モル、d水酸化カリウム及びe水を含んだ。基材の除去速度RR、欠陥DCO及び曇り度DNNを各研磨組成物に対して決定し、その結果を表8にまとめる。表8に示す結果から明らかなとおり、本発明の研磨組成物は基材の除去速度、欠陥及び曇り度の良好なバランスを提供することができる。[例9]本例は、シリカ、有機カルボン酸、ポリサッカリド、塩基、場合により、ポリマー、及び水を含む、本発明の研磨組成物を示す。本例は、ポリマー例えば、BGPW25及び塩基の濃度が研磨組成物により示される基材除去速度、欠陥性及び曇り度に対して及ぼす効果をさらに示す。研磨組成物9A~9Eと特定される5つの異なる研磨組成物により、SPM3100研磨パッドを用いて同一条件下で同様のシリコン基材を研磨した。研磨組成物9A~9Eの各々は、a4wt又は5wtのFusoPL2シリカ粒子のいずれか、b0.55wtのマロン酸MA又は0.68wtの3-アミノ-1,2,4-トリアゾール-5-カルボン酸ATCAのいずれか、c607ppmのHECMw=80,000g/モル、d表9に示す量の水酸化カリウム及びe水を含んだ。研磨組成物9B~Eは疎水化ポリエチレングリコールポリウレタンとして150ppmのBORCHI商標ゲルPW25をさらに含んだ。基材の除去速度RR、欠陥DCO及び曇り度DNNを各研磨組成物に対して決定し、その結果を表9にまとめる。表9に示す結果から明らかなとおり、本発明の研磨組成物は基材の除去速度、欠陥及び曇り度の良好なバランスを提供することができる。[例10]本例は、シリカ、有機カルボン酸、ポリサッカリド、塩基、場合により、ポリマー、及び水を含む、本発明の研磨組成物が良好な研磨特性を示すことを実証する。研磨組成物10A~10Jと特定される10種の研磨組成物により、SPM3100研磨パッドを用いて同一条件下で同様のシリコン基材を研磨した。研磨組成物10A~10Jの各々は、a4wtのFusoPL2シリカ粒子、b表10に示す濃度のマロン酸又はジメチロールプロピオン酸のいずれか、c607ppmのHECMw=80,000g/モル、d表10に示す濃度の水酸化カリウム及びe水を含んだ。研磨組成物10B~10Jは疎水化ポリエチレングリコールポリウレタンポリマーとして150ppmのBORCHI商標PW25をさらに含んだ。基材の除去速度RR、欠陥DCO及び曇り度DNNを各研磨組成物に対して決定し、その結果を表10にまとめる。表10に示す結果から明らかなとおり、本発明の研磨組成物は基材の除去速度、欠陥及び曇り度の良好なバランスを提供することができる。[例11]本例は、シリカ、有機カルボン酸、ポリサッカリド、塩基、場合により、ポリマー、及び水を含む、本発明の研磨組成物が良好な研磨特性を示すことを実証する。研磨組成物11A~11Gと特定される7つの研磨組成物により、SPM3100研磨パッドを用いて同一条件下で同様のシリコン基材を研磨した。研磨組成物11A~11Gの各々は、a4wtのFusoPL2シリカ粒子、b表11に示す濃度のマロン酸MA、アスパラギン酸Asp、ビシン又は3-アミノピラジン-2-カルボン酸、c607ppmのHECMw=80,000g/モル、d0.55wtの水酸化カリウム及びe水を含んだ。研磨組成物11B~11Fは150ppmのBORCHI商標ゲルPW25をさらに含んだ。pHはKOHにより0.6に調節した。基材の除去速度RR、欠陥DCO及び曇り度DNNを各研磨組成物に対して決定し、その結果を表11にまとめる。表11に示す結果から明らかなとおり、本発明の研磨組成物は基材の除去速度、欠陥及び曇り度の良好なバランスを提供することができる。[例12]本例は、シリカ、有機カルボン酸、ポリサッカリド、塩基、場合により、界面活性剤又はポリマー、及び水を含む、本発明の研磨組成物が良好な研磨特性を示すことを実証する。研磨組成物12A~12Hと特定される9つの研磨組成物により、SPM3100研磨パッドを用いて同一条件下で同様のシリコン基材を研磨した。研磨組成物12A~12Hの各々は、a4wtのFusoPL2シリカ粒子、b0.55wtのマロン酸、c607ppmのHECMw=80,000g/モル、d0.75wtのKOH、e水、及び、場合により、表12に示すとおりのポリマー又は界面活性剤を含んだ。基材の除去速度RR、欠陥DCO及び曇り度DNNを各研磨組成物に対して決定し、その結果を表12にまとめる。表12に示す結果から明らかなとおり、本発明の研磨組成物は基材の除去速度、欠陥及び曇り度の良好なバランスを提供することができる。[例13]本例は、シリカ、有機カルボン酸、ポリサッカリド、塩基、ポリマー及び水を含む、本発明の研磨組成物が良好な研磨特性を示すことを実証する。本例は、また、ポリサッカリド、塩基及びポリマーの濃度が基材の除去速度、欠陥及び曇り度に対して及ぼす効果も示す。研磨組成物13A~13Jと特定される10種の研磨組成物により、SPM3100研磨パッドを用いて同一条件下で同様のシリコン基材を研磨した。研磨組成物13A~13Jの各々は、a4wtのFusoPL2シリカ粒子、b0.55wtのマロン酸、c表13に示す濃度のHEC、d表13に示す濃度の水酸化カリウム、e表13に示す濃度のBORCHI商標ゲルPW25及びf水を含んだ。基材の除去速度RR、欠陥DCO及び曇り度DNNを各研磨組成物に対して決定し、その結果を表13にまとめる。表13に示す結果から明らかなとおり、本発明の研磨組成物は基材の除去速度、欠陥及び曇り度の良好なバランスを提供することができる。[例14]本例は、シリカ、有機カルボン酸、ポリサッカリド、塩基、界面活性剤又はポリマー及び水を含む、本発明の研磨組成物が良好な研磨特性を示すことを実証する。本例は、また、界面活性剤の濃度が基材除去速度、欠陥及び曇り度に対して及ぼす効果も示す。研磨組成物14A~14Hと特定される8つの研磨組成物により、SPM3100研磨パッドを用いて同一条件下で同様のシリコン基材を研磨した。研磨組成物14A~14Hの各々は、a4wtのFusoPL2シリカ粒子、b0.55wtのマロン酸、c607ppmのHECMw=80,000g/モル、d0.75wtのKOH、e表14に示す濃度のBORCHI商標ゲルPW25及びf水を含んだ。基材の除去速度RR、欠陥DCO及び曇り度DNNを各研磨組成物に対して決定し、その結果を表14にまとめる。表14に示す結果から明らかなとおり、BORCHI商標ゲルPW25ポリマーを含まなかった研磨組成物14Aは高い基材除去速度、適切な欠陥及び低い基材曇り度を示した。BORCHI商標ゲルPW25ポリマーを含んだ、研磨組成物14B~14Hは、これらの研磨条件下に、研磨組成物14Aと比較したときに改良された基材曇り度を、適切な基材除去速度及び欠陥とともに示した。[例15]本例は、シリカ、有機カルボン酸、ポリサッカリド、塩基、場合により、ポリマー、及び水を含む、本発明の研磨組成物が良好な研磨特性を示すことを実証する。本例は、また、界面活性剤及びポリマーの濃度が基材除去速度、欠陥及び曇り度に対して及ぼす効果も示す。研磨組成物15A~15Gと特定される7つの研磨組成物により、SPM3100研磨パッドを用いて同一条件下で同様のシリコン基材を研磨した。研磨組成物15A~15Gの各々は、a4wtのFusoPL2シリカ粒子、b0.55wtのマロン酸、c607ppmのHECMw=80,000g/モル、d0.75wtのKOH、e水、及び、f場合により、表15に示す濃度のポリマーを含んだ。基材の除去速度RR、欠陥DCO及び曇り度DNNを各研磨組成物に対して決定し、その結果を表15にまとめる。表15に示す結果から明らかなとおり、ポリマーを含まなかった研磨組成物15Aは適切な基材除去速度及び良好な基材曇り度を示した。対照的に、BORCHI商標ゲルWN50Sを含む研磨組成物15B~15Dは、これらの研磨条件下に、研磨組成物15Aと比較したときに改良された基材欠陥及び曇り度を示した。さらに、BORCHI商標ゲルALAを含む研磨組成物15E~15Gは、これらの研磨条件下に、研磨組成物15Aと比較したときに改良された基材除去速度及び欠陥を、適切な基材曇り度とともに示した。[例16]本例は、シリカ、有機カルボン酸、ポリサッカリド、塩基、ポリマー及び水を含む、本発明の研磨組成物が良好な研磨特性を示すことを実証する。研磨組成物16A~16Eと特定される5つの研磨組成物により、SPM3100研磨パッドを用いて同一条件下で同様のシリコン基材を研磨した。研磨組成物16A~16Eの各々は、a4wtのFusoPL2シリカ粒子、b0.55wtのマロン酸、c607ppmのHECMw=80,000g/モル、d0.75wtのKOH、e水、及び、f場合により、表16に示す濃度のポリマーを含んだ。基材の除去速度RR、欠陥DCO及び曇り度DNNを各研磨組成物に対して決定し、その結果を表16にまとめる。表16に示す結果から明らかなとおり、ポリマーを含まなかった研磨組成物16Aは適切な基材除去速度、欠陥及び曇り度を示した。対照的に、ポリエチレングリコールポリウレタンを含む研磨組成物16Bは、これらの研磨条件下に、研磨組成物16Aと比較したときに、適切な除去速度及び欠陥とともに、改良された基材曇り度を示した。さらに、水溶性アクリレートポリマーを含む研磨組成物16C~16Eは、これらの研磨条件下に、研磨組成物16Aと比較したときに改良された基材除去速度を、適切な基材欠陥及び曇り度とともに示した。[例17]本例は、シリカ、有機カルボン酸、ポリサッカリド、塩基、界面活性剤又はポリマー及び水を含む、本発明の研磨組成物が良好な研磨特性を示すことを実証する。本例は、また、ポリマーの濃度が基材除去速度、欠陥及び曇り度に対して及ぼす効果も示す。研磨組成物17A~17Jと特定される10種の研磨組成物により、SPM3100研磨パッドを用いて同一条件下で同様のシリコン基材を研磨した。各研磨組成物は、a4wtのFusoPL2シリカ粒子、b0.55wtのマロン酸、c607ppmのHECMw=80,000g/モル、d0.75wtのKOH、e水、及び、f場合により、表17に示す濃度のポリマーを含んだ。基材の除去速度RR、欠陥DCO及び曇り度DNNを各研磨組成物に対して決定した。その結果を表17にまとめる。表17に示す結果から明らかなとおり、界面活性剤又はポリマー例えば、BGウレタン又はBGアクリレートのいずれかを含む研磨組成物により研磨された基材はこのような追加の添加剤を含まなかった研磨組成物により研磨された基材と比較して、これらの条件下に、基材曇り度が低減された。[例18]本例は、シリカ、有機カルボン酸、ポリサッカリド、塩基、場合により、還元剤及び水を含む、本発明の研磨組成物が良好な研磨特性を示すことを実証する。研磨組成物18A~18Gと特定される7つの異なる研磨組成物により、CIEGAL7355パッドを用いて同一条件下で同様のシリコン基材を研磨した。研磨組成物18A~18Fの各々は、a4wtのFusoPL2シリカ粒子、b表18に示す濃度のMA又は没食子酸のいずれか、c607ppmのポリサッカリド、HECMw=80,000g/モル、d表18に示す濃度の水酸化カリウム、及びe水を含んだ。さらに、研磨組成物18B~18Gは、また、表18に示す濃度の重炭酸カリウム又はメタ重亜硫酸カリウムを含んだ。基材の除去速度RR、欠陥DCO及び曇り度DNNを各研磨組成物に対して決定し、その結果を表18にまとめる。表18に示す結果から明らかなとおり、本発明の研磨組成物は基材の除去速度、欠陥及び曇り度の良好なバランスを提供することができる。"