"少なくとも非磁性基板の上に、裏打ち層と、下地層と、中間層と、垂直磁気記録層とが順に積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、前記裏打ち層は、非晶質構造を有する軟磁性膜を少なくとも有しており、前記下地層は、前記非磁性基板側から第1下地層と第2下地層とが積層されてなり、前記第1下地層はfcc構造の元素とbcc構造の元素とを含むfcc構造の合金層であり、前記第2下地層はNiW合金を含み、前記中間層は、Ru又はRu合金を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体。前記第1の下地層は、PdV合金、CuW合金の何れかであることを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気記録媒体。前記PdV合金に含まれるVの量が、1原子~65原子の範囲内であることを特徴とする請求項2に記載の垂直磁気記録媒体。前記CuW合金に含まれるWの量が1原子~40原子の範囲内であることを特徴とする請求項2に記載の垂直磁気記録媒体。請求項1~4の何れか一項に記載の垂直磁気記録媒体と、前記垂直磁気記録媒体に対して情報の書き込みを行う単磁極ヘッドと、を備えることを特徴とする磁気記録再生装置。本出願人は、裏打ち層を構成する軟磁性膜を非晶質構造とし、下地層にNiW合金を用いることにより、その上に形成する、例えばRu又はRu合金からなる中間層の結晶サイズの低減、結晶サイズの均一化を図り、また中間層との結晶格子サイズの整合性を高め、成長する柱状晶の分離構造を促進し、さらにその上に形成する磁性粒子を孤立化させた高記録密度の垂直磁気記録媒体を提案している特許文献3を参照。。しかしながら、磁気記録媒体に対する高記録密度化の要求はとどまるところがなく、これまで以上に高記録密度化を実現できる磁気記録媒体が求められている。本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、NiW合金を用いた下地層の結晶粒の微細化、粒度分布の均質化を図ることで、その上に形成する中間層、記録層の結晶粒の微細化、粒度分布の均質化、配向性の向上を図り、電磁変換特性に優れ高記録密度化に対応可能な垂直磁気記録媒体、並びにその垂直磁気記録媒体を備えた磁気記録再生装置を提供することを目的とする。1少なくとも非磁性基板の上に、裏打ち層と、下地層と、中間層と、垂直磁気記録層とが順に積層されてなる垂直磁気記録媒体であって、前記裏打ち層は、非晶質構造を有する軟磁性膜を少なくとも有しており、前記下地層は、前記非磁性基板側から第1下地層と第2下地層とが積層されてなり、前記第1下地層はfcc構造の元素とbcc構造の元素とを含むfcc構造の合金層であり、前記第2下地層はNiW合金を含み、前記中間層は、Ru又はRu合金を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体。2前記第1の下地層は、PdV合金、CuW合金の何れかであることを特徴とする1に記載の垂直磁気記録媒体。3前記PdV合金に含まれるVの量が、1原子~65原子の範囲内であることを特徴とする2に記載の垂直磁気記録媒体。4前記CuW合金に含まれるWの量が1原子~40原子の範囲内であることを特徴とする2に記載の垂直磁気記録媒体。51~4の何れか一項に記載の垂直磁気記録媒体と、前記垂直磁気記録媒体に対して情報の書き込みを行う単磁極ヘッドと、を備えることを特徴とする磁気記録再生装置。本発明によれば、下地層を、fcc構造の元素とbcc構造の元素を含むfcc構造の合金層からなる第1下地層と、NiW合金層からなる第2下地層の2層構造とすることにより、下地層の上に形成する中間層、垂直磁気記録層の結晶粒の微細化、粒度分布の均質化、配向性の向上が図られ、電磁変換特性に優れ高記録密度化に対応可能な垂直磁気記録媒体を提供できる。以下、本発明を適用した垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。垂直磁気記録媒体本発明を適用した垂直磁気記録媒体は、例えば図1に示すように、非磁性基板1の両面に、密着層11と、裏打ち層2と、第1下地層3下地層と、第2下地層4下地層と、中間層5と、垂直磁気記録層6と、保護層7とが順に積層されてなると共に、最上層に潤滑膜図1では省略。が成膜された構成となっている。なお、図1においては、非磁性基板1の片面のみを図示している。このうち、非磁性基板1としては、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属材料からなる金属基板を用いてもよいし、ガラス、セラミック、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの非金属材料からなる非金属基板を用いてもよい。また、非磁性基板1を構成するガラス基板としては、例えば、非晶質ガラスや、結晶化ガラスを用いることができ、さらに、非晶質ガラスとしては、汎用のソーダライムガラスや、アルミノシリケートガラスなどを用いることができる。一方、結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスなどを用いることができる。非磁性基板1は、平均表面粗さRaが0.8nm以下、好ましくは0.5nm以下であることが、記録密度を高める点から好ましい。また、非磁性基板1は、表面の微小うねりWaが0.3nm以下、好ましくは0.25nm以下であることが、磁気ヘッドを低浮上させて高記録密度記録を行う点から好ましい。このように、非磁性基板1の表面を平坦化することによって、中間層5及び垂直磁気記録層6の結晶配向を高め、記録再生特性を向上させ、また、ヘッドを低浮上させることが可能となる。また、非磁性基板1は、後述するようにCo又はFeが主成分となる裏打ち層2と接することで、表面の吸着ガスや、水分の影響、基板成分の拡散などにより、腐食が進行する可能性がある。このため、非磁性基板1と裏打ち層2との間に密着層11を設けることが好ましい。なお、密着層11の材料としては、例えば、Cr、Cr合金、Ti、Ti合金など適宜選択することが可能である。また、密着層11の厚みは2nm以上であることが好ましく、30nm以下であることが好ましい。裏打ち層2は、第1軟磁性膜8と、Ru膜9と、第2軟磁性膜10とが順に積層された構造を有している。すなわち、この裏打ち層2は、2層の軟磁性膜8,10の間にRu膜9を挟み込むことによって、Ru膜9の上下の軟磁性膜8,10がアンチフェロカップリング結合した構造を有している。これにより、外部からの磁界に対しての耐性、並びに垂直磁気記録特有の問題であるWATEWideAreaTackErasure現象に対しての耐性を高めることができる。第1及び第2軟磁性膜8,10は、例えばCoFe合金からなる。これら軟磁性膜8,10にCoFe合金を用いることで、高い飽和磁束密度Bs1.4T以上を実現でき、また、後述する第1下地層3、第2下地層4を用いることにより、更に優れた記録再生特性を得ることができる。なお、第1及び第2軟磁性膜8,10を成膜する際は、非磁性基板1の半径方向に磁界を与えた状態で、スパッタリング法によりCoFe合金膜を形成することが好ましい。また、CoFe合金には、Zr、Ta、Nbの何れかを添加することが好ましい。これにより、CoFe合金の非晶質化が促進され、NiW合金の配向性を向上させることが可能となる。また、CoFe合金に対するZr、Ta、Nbの添加量は、3~15原子の範囲であることが好ましく、5~10原子の範囲であることが更に好ましい。CoFe合金中のFeの含有量は、5~60原子の範囲であることが好ましい。Feの含有量が5原子未満であると、裏打ち層2の飽和磁束密度Bsが低くなり好ましくない。一方、Feの含有量が60原子を超えると、裏打ち層2の腐食性が悪化するため好ましくない。裏打ち層2の膜厚は、15~80nmの範囲であることが好ましく、20~50nmの範囲であることが更に好ましい。裏打ち層2の膜厚が15nm未満であると、磁気ヘッドからの磁束を十分に吸収することができず、書き込みが不十分となり、記録再生特性が悪化するために好ましくない。一方、裏打ち層2の膜厚が80nmを超えると、生産性が著しく低下するために好ましくない。また、裏打ち層2では、第1及び第2軟磁性膜8,10を非晶質構造とすることで、表面粗さRaの粗大化を防ぐことができる。これにより、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となり、さらに高記録密度化が可能となる。ここで、裏打ち層2を構成する第1及び第2軟磁性膜8,10におけるAFC結合の大きさを示す指標としてHbiasを定義したとき、裏打ち層2は、このHbiasの値が80Oe以上であることが好ましく、300Oe以下であることが好ましい。これにより、外磁場耐性及びWATE耐性を高めることが可能である。Hbiasは、飽和磁束密度をMsとし、飽和磁束密度Msの半値の磁界Ms2と定義したものであり、第1及び第2軟磁性膜8,10に上記材料を用いて、これら軟磁性膜8,10の間に設けたRu膜9の膜厚を所定の膜厚例えば0.6~0.8nmとすることで、上記Hbiasの値を満足することできる。また、第1及び第2軟磁性膜8,10は、10Oe以下、好ましくは5Oe以下とするのが好ましい。なお、1Oeは、約79A/mである。第1下地層3、第2下地層4は、その上に設けられた中間層5と垂直磁気記録層6の配向や結晶サイズを制御するためのものであり、磁気ヘッドから発生する磁束の基板面に対する垂直方向成分を大きくするために、また情報が記録される垂直磁気記録層6の磁化の方向をより強固に非磁性基板1と垂直な方向に固定するために設けられている。すなわち、第2軟磁性膜10は非晶質構造であるため、この上に直接、中間層や磁気記録層を設けても、磁気記録層を垂直配向させることは困難だからである。下地層にNiW合金を用いることで、その上にc軸配向性の高いhcp構造の磁性粒子を成長させて垂直磁気記録層を形成できる特許文献3を参照。。本願発明者は、このNiW合金からなる下地層に改良を加えて、垂直磁気記録層の結晶粒のさらなる微細化、結晶粒の粒度分布の均質化、結晶粒の配向性の向上を図ることを検討した結果、下地層を、fcc構造の元素とbcc構造の元素を含むfcc構造の合金層と、NiW合金層との2層構造とすることで、これらが実現できることを見いだした。この理由は、裏打ち層2を構成する非晶質構造の第2軟磁性膜10と、fcc構造を主体としたNiW合金下地層との間に、fcc構造の元素とbcc構造の元素を含むfcc構造の合金層を設けることで、fcc構造を主体としたNiW合金の微結晶粒の形成をより安定化させ、また、NiW合金の結晶の粒度分布も均一化するためと考えている。このように、NiW合金からなる第2下地層4の結晶組織が改善されることで、更にその上に積層される中間層5及び垂直磁気記録層6の結晶粒の微細化、粒度分布の均質化、配向性の向上が図られ、電磁変換特性に優れ高記録密度化に対応可能な垂直磁気記録媒体が実現可能になる。本発明の第1下地層3を形成するfcc構造の元素とは、具体的には、Ni、Cu、Rh、Pd、Ag、Ir、Pt、Au、Alであり、bcc構造の元素とは、V、Cr、Fe、Nb、Mo、Ta、W、Tiである。fcc構造の元素とは、安定状態でfcc構造を取る元素であり、同様に、bcc構造の元素とは、安定状態でbcc構造を取る元素である。なお、Tiは平衡状態でhcp構造を取ることが知られているが、スパッタリングのように非平衡状態急冷状態の成膜ではβ-Tiとして、bcc構造の安定化状態となり得る。これらの元素を組み合わせた好ましい合金としては、fcc構造のPdV合金またはCuW合金であり、特に好ましいのは、Vの量を1原子~65原子の範囲内、最も好ましくは40原子~50原子の範囲内としたPdV合金、Wの量を1原子~40原子の範囲内、最も好ましくは10原子~15原子の範囲内としたCuW合金である。第1下地層3の膜厚は、1~5nmの範囲であることが好ましい。第1下地層3の膜厚が1nm未満であると本発明の効果が不十分となり、第2下地層のNiW合金層の結晶粒径の微細化及び均一化の効果が低下する。一方、第1下地層3の膜厚が5nmを超えると、第2下地層4の結晶サイズが大きくなるために好ましくない。本発明では、第2下地層4をNiW合金から構成する。このNiW合金中のWの含有量は3原子~10原子の範囲内とすることが好ましい。NiW合金中のWの含有量が3原子未満又は10原子を越えると、垂直磁気記録媒体の配向や結晶サイズを制御する効果が低下するため好ましくない。なお、NiW合金には、結晶サイズ低減及び中間層5との結晶格子サイズの整合性を高める目的で、他の元素を添加することが可能である。例えば、結晶サイズを低減する目的では、B、Mnなどを添加してもよく、この場合、B、Mnの含有量は6原子以下であることが好ましく、1原子以上であることが好ましい。また、中間層5との結晶格子サイズの整合性を高める目的では、Ru、Pt、Mo、Taなどを添加することが可能である。この場合、Ru、Pt、Mo、Taの含有量は40原子以下及び1原子以上であることが好ましい。第2下地層4の膜厚は、2~20nmの範囲であることが好ましい。第2下地層4の膜厚が2nm未満であると効果が不十分となり、結晶粒径の微細化の効果を得ることができず、また配向も悪化するので好ましくない。一方、第2下地層4の膜厚が20nmを超えると、結晶サイズが大きくなるために好ましくない。中間層5は、垂直磁性層をc軸配向した柱状晶とするための層であり、その成長面はドーム状の形状を有している。このような中間層5は、Ru又はRu合金によって形成できる。Ru合金としては、例えば、RuCo、RuAl、RuMn、RuMo、RuFe合金を例示できる。Ru合金中のRu量は50原子以上90原子以下がよい。また、中間層5の膜厚は、30nm以下、好ましくは16nm以下であることが好ましく、5nm以上であることが好ましい。中間層5を薄くすることで、磁気ヘッドと裏打ち層2との間の距離が小さくなり、磁気ヘッドからの磁束を急峻にすることができる。その結果、裏打ち層2の膜厚を更に薄くすることができ、生産性を向上させることが可能となる。垂直磁気記録層6は、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた磁性膜からなる。この垂直磁気記録層6は、少なくともCoとPtを含み、更にSNR特性改善などの目的で、酸化物や、Cr、B、Cu、Ta、Zrなどを添加してもよい。また、酸化物としては、SiO2、SiO、Cr2O3、CoO、Ta2O3、TiO2などを挙げることができる。垂直磁気記録層6中の酸化物の体積率は15~40体積であることが好ましく、25~35体積であることが更に好ましい。この酸化物の体積率が15体積未満であると、SNR特性が不十分となるため好ましくない。一方、この酸化物の体積率が40体積を超えると、高記録密度に対応するだけの保磁力を得ることができないため好ましくない。垂直磁気記録層6のニュークリエーション磁界-Hnは、2.0kOe以上であることが好ましく、3.0kOe以下であることが好ましい。-Hnが2.0kOe未満であると、熱揺らぎが発生するので好ましくない。垂直磁気記録層6の膜厚は、6~20nmの範囲であることが好ましい。例えば、酸化物グラニュラー層の膜厚がこの範囲であると、十分な出力を確保することができ、OW特性の悪化が生じないために好ましい。なお、垂直磁気記録層6は、単層構造とすることもできるし、組成の異なる材料からなる2層以上の構造とすることもできる。保護層7は、垂直磁気記録層6の腐食を防ぐと共に、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぐためのものであり、従来公知の材料、例えばC、SiO2、ZrO2を含むものを用いることができる。保護層7の膜厚は、1~5nmの範囲であることが、磁気ヘッドと媒体表面との距離を小さくできるので高記録密度の点から望ましい。最上層に塗布する潤滑膜には、従来公知の材料、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いることができる。磁気記録再生装置図2は、本発明を適用した磁気記録再生装置の一例を示すものである。この磁気記録再生装置は、上記図1に示す構成を有する垂直磁気記録媒体50と、垂直磁気記録媒体50を回転駆動させる媒体駆動部51と、垂直磁気記録媒体50に情報を記録再生する磁気ヘッド52と、この磁気ヘッド52を垂直磁気記録媒体50に対して相対運動させるヘッド駆動部53と、記録再生信号処理系54とを備えている。また、記録再生信号処理系54は、外部から入力されたデータを処理して記録信号を磁気ヘッド52に送り、磁気ヘッド52からの再生信号を処理してデータを外部に送ることが可能となっている。本発明を適用した磁気記録再生装置では、上記垂直磁気記録媒体の更なる高記録密度化という要望に応えるべく、垂直磁気記録層6に対する書き込み能力に優れた単磁極ヘッドを磁気ヘッド52に用いている。そして、上記垂直磁気記録媒体では、このような単磁極ヘッドに対応するために、非磁性基板1と垂直磁気記録層6との間に裏打ち層2を設けて、単磁極ヘッドと垂直磁気記録層6との間の磁束の出入りの効率向上を図っている。また、磁気記録再生装置では、再生素子として巨大磁気抵抗効果GMRを利用したGMR素子などを有した、より高記録密度に適した磁気ヘッド52を用いることができる。なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、本発明は、上記垂直磁気記録層6に磁気的に分離された磁気記録パターンを有する垂直磁気記録媒体に適用することも可能である。具体的に、磁気記録パターンを有する磁気記録媒体としては、磁気記録パターンが1ビットごとに一定の規則性をもって配置された、いわゆるパターンドメディアや、磁気記録パターンが、トラック状に配置されたメディアや、その他、サーボ信号パターン等を挙げることができる。以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することができる。本実施例では、先ず、非磁性基板としてガラス基板直径2.5インチをDCマグネトロンスパッタ装置アネルバ社製C-3010の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度1×105Paとなるまで成膜チャンバ内を排気した。このガラス基板上に、50Cr-50TiCr含有量50原子、Ti含有量50原子からなる密着層を4nm、71Co-20Fe-5Zr-4NbCo含有量71原子、Fe含有量20原子、Zr含有量5原子、Nb含有量4原子からなる第1軟磁性膜を20nm、Ru膜を0.8nm、71Co-20Fe-5Zr-4Nbからなる第2軟磁性膜を20nm成膜して裏打ち層を形成した。なお、これら軟磁性膜の結晶構造が非晶質構造であることをXRDで確認した。次に、この上に、表1に示す組成、結晶構造の第1下地層を2nmの膜厚で成膜し、その上に、表1に示す組成のNiW合金からなる第2下地層を10nmの膜厚で成膜した。この上に、Ruからなる中間層を12nm成膜し、垂直磁気記録層として、60Co-10Cr-20Pt-10SiO2を10nm、65Co-18Cr―14Pt-3Bを6nm成膜した。そして、この上に、イオンビーム法により4nmのカーボンからなる保護層を形成した後、ディッピング法によりパーフルオロポリエーテルからなる潤滑膜を形成し、実験例1~22の垂直磁気記録媒体を得た。そして、これら実験例1~22の垂直磁気記録媒体について、記録再生特性SNR、分解能特性Res:372.39MHzにおける高域出力xに対する62.07MHzにおける低域の出力yの比x/y×100を示す。この値が高いほど信号の再現性が良いことを示す。の評価を行った。その評価結果を表1に示す。なお、記録再生特性の評価については、記録部にシングルポール磁極、再生部にGMR素子を備えた磁気ヘッドを用いて、記録周波数条件を線記録密度1000kFCIとして測定した。表1に示すように、実験例1~22のうち、比較例に相当する実験例1、10、11、16、17はいずれも、発明例に相当する他の実験例に比べて、記録再生特性SNR及び分解能特性Resが明らかに低くなっていた。従って、発明例に相当する実験例2~9、12~15、18~22は、優れた記録再生特性SNR及び分解能特性Resを有することがわかる。"