第1の磁性層と、第2の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層とを結ぶ第1の方向において前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられた第3の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第3の磁性層との間に設けられた第1の中間層と、前記第2の磁性層と前記第3の磁性層との間に設けられた第2の中間層と、前記第1の方向に直交する第2の方向において前記第3の磁性層に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の前記第3の磁性層が設けられた側とは反対側に設けられた電極と、を備え、前記電極に正の電圧を与え、前記第1の磁性層から前記第2の磁性層に第1の電流値で電流を流すことで前記第2の磁性層に情報を書き込むことを特徴とする磁気メモリ装置。第1の磁性層と、第2の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層とを結ぶ第1の方向において前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられた第3の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第3の磁性層との間に設けられた第1の中間層と、前記第2の磁性層と前記第3の磁性層との間に設けられた第2の中間層と、前記第1の方向に直交する第2の方向において前記第3の磁性層に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の前記第3の磁性層が設けられた側とは反対側に設けられた電極と、を備え、前記電極に負の電圧を与え前記第1の磁性層から前記第2の磁性層に第1の電流値の電流を流すこと、又は前記電極に正の電圧を与え前記第1の磁性層から前記第2の磁性層に前記第1の電流値よりも小さな第2の電流値を流すことで前記第2の磁性層の情報を読み出すことを特徴とする磁気メモリ装置。第1の磁性層と、第2の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層とを結ぶ第1の方向において前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられた第3の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第3の磁性層との間に設けられた第1の中間層と、前記第2の磁性層と前記第3の磁性層との間に設けられた第2の中間層と、前記第1の方向に直交する第2の方向において前記第3の磁性層に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の前記第3の磁性層が設けられた側とは反対側に設けられた電極と、を備えることを特徴とする磁気メモリ。前記第1の磁性層の磁化が固定され、かつ積層方向に向いており、前記第2の磁性層の磁化が可変であり、かつ積層方向に向いており、前記第3の磁性層の磁化が固定され、かつ積層方向に対して垂直な方向に向いていることを特徴とする請求項3に記載の磁気メモリ。前記第1の磁性層の磁化が固定され、かつ積層方向に対して垂直な方向に向いており、前記第2の磁性層の磁化が可変であり、かつ積層方向に対して垂直な方向に向いており、前記第3の磁性層の磁化が固定され、かつ積層方向に向いていることを特徴とする請求項3に記載の磁気メモリ。前記第1の磁性層、前記第2の磁性層、及び前記第3の磁性層は、最密六方構造の<0001>配向又は、面心立方の<111>配向を有することを特徴とする請求項2又は請求項5に記載の磁気メモリ。前記第3の磁性層のダンピング係数は、前記第2の磁性層のダンピング係数よりも大きいことを特徴とする請求項3に記載の磁気メモリ。前記第1の方向において前記絶縁膜及び前記電極を挟み、かつ前記第2の方向において前記第1の磁性層、前記第2の磁性層、前記第3の磁性層、前記第1の中間層、前記第2の中間層を挟む絶縁体と、を更に備え、前記絶縁膜の比誘電率は、前記絶縁体の比誘電率よりも大きいことを特徴とする請求項3に記載の磁気メモリ。前記第1の方向において、交互に設けられた複数の第1の配線及び第2の配線と、前記第1の配線と前記第2の配線との間に設けられた請求項3乃至請求項8の何れかに記載の磁気メモリと、を備えることを特徴とする磁気メモリ装置。しかしながら、MRAMでは、磁化の制御は電流だけによっておこなわれ、書き込む情報量に比例して、回路に流す電流の大きさも増加する。そこで本発明の実施形態は、低電流で書き込み動作を行うことができる大容量の磁気メモリ及び磁気メモリ装置を提供することを目的とする。本発明の一態様に係る磁気メモリは、第1の磁性層と、第2の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層とを結ぶ第1の方向において前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられた第3の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第3の磁性層との間に設けられた第1の中間層と、前記第2の磁性層と前記第3の磁性層との間に設けられた第2の中間層と、前記第1の方向に直交する第2の方向において前記第3の磁性層に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の前記第3の磁性層が設けられた側とは反対側に設けられた電極と、を備え、前記電極に正の電圧を与え、前記第1の磁性層から前記第2の磁性層に第1の電流値で電流を流すことで前記第2の磁性層に情報を書き込むことを特徴とする。また、本発明の一態様に係る磁気メモリは、第1の磁性層と、第2の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層とを結ぶ第1の方向において前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられた第3の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第3の磁性層との間に設けられた第1の中間層と、前記第2の磁性層と前記第3の磁性層との間に設けられた第2の中間層と、前記第1の方向に直交する第2の方向において前記第3の磁性層に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の前記第3の磁性層が設けられた側とは反対側に設けられた電極と、を備え、前記電極に負の電圧を与え前記第1の磁性層から前記第2の磁性層に第1の電流値の電流を流すこと、又は前記電極に正の電圧を与え前記第1の磁性層から前記第2の磁性層に前記第1の電流値よりも小さな第2の電流値を流すことで前記第2の磁性層の情報を読み出すことを特徴とする。以下図面を参照して、本発明の各実施形態を説明する。同じ符号が付されているものは同様のものを示す。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。第1の実施形態図1Aは、磁気メモリ100を示す図である。磁気メモリ100は、第1の磁性層10と、第1の中間層40と、第3の磁性層30と、第2の中間層50と、第2の磁性層20と、絶縁膜60と、電極70とを備える。ここで、図1Aに示すようにx軸、y軸、及びz軸はそれぞれ直交している。z軸方向は積層方向を示し、x軸方向及びy軸方向は積層方向に対して垂直な方向を示す。第1の磁性層10、第1の中間層40、第3の磁性層30、第2の中間層50、及び第2の磁性層20は、z軸方向に積層されている。y軸方向において、第3の磁性層30に絶縁膜60が設けられている。絶縁膜60の第3の磁性層30が設けられていない側には電極70が設けられている。電極70には、電流の切換えを行うトランジスタTr_g-iのドレイン端子が接続されている。第1の磁性層10、第2の磁性層20、及び第3の磁性層30は、強磁性体又はフェリ磁性体である。強磁性体には、鉄Fe、コバルトCo、ニッケルNi、マンガンMn、及びクロムCrから選択される少なくとも一つの元素と、白金Pt、パラジウムPd、イリジウムIr、ルテニウムRu、及びロジウムRhから選択される少なくとも一つの元素との合金を用いることができる。例えばCoPtやNiFe、CoCrPtなどを用いることができる。上記した材料の特性は、組成の変更、又は熱処理によって変化させることができる。フェリ磁性体には、TbFeCo及びGdFeCoなど、希土類と遷移金属のアモルファス合金を用いることができる。これらの材料はスパッタ装置で薄膜として堆積すると磁化がz軸方向に向き易くなる傾向があり、磁化を垂直にしたい場合に用いることができる。フェリ磁性体のほかにもCo/Pt、Co/Pd、又はCo/Niの積層構造を用いると第1の磁性層10、第2の磁性層20、及び第3の磁性層30の磁化をz軸方向に向けることができる。これらの積層構造は、最密六方構造の<0001>配向又は、面心立方構造の<111>配向を有する傾向がある。第1の磁性層10は、磁化が固定されている。また、第1の磁性層10の磁化は、積層方向に向いている。第1の磁性層10の膜厚は、10nm以上50nm以下である。第1の磁性層10は、第1の中間層40を通じて第3の磁性層30の磁化を第1の磁性層10の磁化の向きに揃えようとする働きを有する。第2の磁性層20は、磁化が第1の磁性層10及び第3の磁性層30の磁化と比較して弱く固定されている。このため、磁化がある程度自由に回転することができる可変であるともいう。また、第2の磁性層20の磁化は、積層方向に向いている。第2の磁性層20の膜厚は、2nm以上10nm以下である。第3の磁性層30は、磁化が固定されている。また、第3の磁性層30の磁化は、積層方向に対して垂直方向を向いている。第3の磁性層30の膜厚は、10nm以上50nm以下である。第3の磁性層30は電流を流した際に第2の磁性層20に発生するスピントルクの反作用によって磁化の方向が変わらないように、第2の磁性層20と比較して大きなダンピング係数を有することが望ましい。ダンピング係数が大きい磁性材料においては磁化の歳差運動が強く妨げられる。したがって、スピントルクによる磁化反転に必要な時間が長くなる。第1の中間層40を第1の磁性層10と第3の磁性層30との間に設けることで、第1の磁性層10と第3の磁性層30との間で交換結合を生じさせる。また、第1の中間層40を第1の磁性層10と第3の磁性層30との間に設けることで、第1の磁性層10の磁化と第3の磁性層30の磁化の向きをそれぞれ独立に向けることができる。第1の中間層40には、非磁性金属を用いることができる。非磁性金属としては、例えば銀Ag、銅Cu、ルテニウムRu、ロジウムRh、及びイリジウムIrから選択される少なくとも一つの元素を用いることができる。また、これらの元素を組み合わせて合金として用いてもよい。第1の中間層40の膜厚は、1nm以上30nm以下である。第2の中間層50は、第2の磁性層20と第3の磁性層30が直接的に磁気結合するのを防ぐ。第2の中間層50には、導電性材料又は絶縁性材料を用いることができる。導電性材料としては、例えば銅Cu、金Au、銀Ag、及びアルミニウムAlから選択される少なくとも一つの元素を用いることができる。また、これらの元素を組み合わせて合金として用いてもよい。係る場合の第2の中間層50の膜厚は、1.5nm以上20nm以下である。係る場合には、第2の磁性層20と第3の磁性層30との間には、GMRGiantMagnetoresistance効果が観測される。絶縁性材料としては、例えばアルミニウムAl、チタンTi、亜鉛Zn、ジルコニウムZr、タンタルTa、コバルトCo、ニッケルNi、シリコンSi、マグネシウムMg、及び鉄Feから選択される少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物、フッ化物、又は酸窒化物等を用いることができる。具体的には、例えばアルミ酸化物Al2O3を用いることができる。また、絶縁性材料としては、AlAs、GaN、AlN、ZnSe、又はZnO等の大きなエネルギーギャップを有する半導体を用いることもできる。係る場合の第2の中間層50の膜厚は、0.2nm以上2.0nm以下である。係る場合には、第2の磁性層20と第3の磁性層30との間にTMRTunnelMagnetroresistance効果が観測される。絶縁膜60には、例えばアルミニウムAl、チタンTi、亜鉛Zn、ジルコニウムZr、タンタルTa、コバルトCo、ニッケルNi、シリコンSi、マグネシウムMg、及び鉄Feから選択される少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物、フッ化物、又は酸窒化物等を用いることができる。具体的には、例えば酸化マグネシウムMgOを用いることができる。また、絶縁膜60の比誘電率は、できるだけ大きいことが好ましい。これは、電極70に電圧を印加した際に第3の磁性層30と電極70との間に電荷が分布しやすくなるためである。また、第2の中間層50と絶縁膜60に同じ材料を用いた場合には、第3の磁性層30と絶縁膜60との間に白金Pt、パラジウムPd、イリジウムIr、ルテニウムRu、及びロジウムRhの層、又はこれらの元素を組み合わせた合金の層を設ける。このときの層厚は、1原子層又は2原子層である。このようにすることで、第3の磁性層30の磁化の制御に必要な電圧を下げることができる。また、磁気メモリ100は、図1Bのように絶縁体65が設けられていてもよい。この場合、y軸方向において第1の磁性層10、第1の中間層40、第3の磁性層30、第2の中間層50、及び第2の磁性層20には、絶縁体65が設けられている。また、z軸方向において絶縁膜60及び電極70にも絶縁体65が設けられている。このとき、絶縁膜60の比誘電率は絶縁体65が有する比誘電率よりも大きい。これは、電極70に電圧を印加した際に第3の磁性層30と電極70との間に電荷が分布しやすくなるためである。次に、磁気メモリ100の動作原理について説明する。磁気メモリ100の書き込み動作について説明する。図2は、磁気メモリ100に電圧電流が印加されていない状態平衡状態を示す図である。第1の磁性層10、第2の磁性層20、及び第3の磁性層30に示す矢印は磁化の向きを示している。第1の磁性層10の磁化の向きは、紙面下向きである。第2の磁性層20の磁化の向きは紙面上向きである。第3の磁性層30の磁化の向きは紙面右向きである。磁気メモリ100のデータは、例えば第2の磁性層20の磁化が紙面上向きであれば‘1’とし、紙面下向きであれば‘0’として扱う。書き込みは、第2の磁性層20の磁化を反転させることで行う。第1の磁性層10から第3の磁性層30、又は第3の磁性層30から第1の磁性層10に向かって電流を流すことで第2の磁性層20の磁化の向きを反転させる。しかしながら、第3の磁性層30の磁化が傾いていない場合平衡状態というには、第2の磁性層20の磁化は反転しにくい。これは、第3の磁性層30と第2の磁性層20の二つの層の磁化のなす角が90度に近ければ近いほど、第2の磁性層20の磁化を反転させる働きをするスピントルクが小さいためである。平衡状態から電極70の電位が第3の磁性層30の電位より高くなるように第3の磁性層30と電極70との間に電圧VgVg>0Vを印加すると第3の磁性層30の磁化は紙面下方向に傾く。これは、図3に示すように、第3の磁性層30の電荷の一部図3では負の電荷を示しているが絶縁膜60との界面付近に移動したために、第3の磁性層30の磁化が固定される強さが弱まり、第1の磁性層10の磁化の影響を受けやすくなったからであると考えられる。第3の磁性層30の磁化の傾きの度合いは電極70から印加されるVgの大きさを変えることで調整できる。図4は、Vgを2.5Vではなく、5Vに設定した場合に第2の磁性層20の磁化が反転している様子を示す。Vgを2.5V印加したときの第3の磁性層30の磁化の傾きをθ1図4Aとし、Vgを5V印加したときの第3の磁性層30の磁化の傾きをθ2図4Bとしている。θ1はθ2より小さい。このように、磁気メモリ100は電極70に電圧を印加して第3の磁性層30の磁化を傾け、第2の磁性層20に電流を流すことで第2の磁性層20の磁化を容易に反転させることができる。電極70の印加されるVgの値を大きくすると、第3の磁性層30の磁化の傾きが大きくなるので第2の磁性層20の磁化を反転させる時間を短くすることができる。磁気メモリ100の読み出し動作について説明する。読み出しは、第1の磁性層10と第2の磁性層20との間に電流を流したときの抵抗変化量を検出することで行う。このときの抵抗変化量は、第2の磁性層20の磁化と第3の磁性層30の磁化とがなす相対的な角度に依存する。平衡状態では、第2の磁性層20の磁化と第3の磁性層30の磁化は直交している。このために、この状態で第1の磁性層10と第3の磁性層30との間に電流を流しても、第2の磁性層20の磁化が紙面上向きであろうと紙面下向きであろうと第2の磁性層20の磁化と第3の磁性層30の磁化との相対的な角度は変化しないので磁気メモリ100の抵抗変化量は変化しない。そこで、電極70の電位が第3の磁性層30の電位より高くなるように第3の磁性層30と電極70との間に電圧VgVg>0Vを印加することで第3の磁性層30の磁化を傾けて第2の磁性層20の磁化と第3の磁性層30の磁化とのなす相対的な角度を変化させる。この相対的な角度の大きさで抵抗値が変化するので、磁気メモリ100の読み出し動作を行うことができる。図5は、第2の磁性層20の磁化の向きが紙面上向き図5Aの場合と紙面下向き図5Bの場合を示す。図5Cは、第3の磁性層30の磁化の傾きθと磁気メモリ100の抵抗変化量ΔRとの関係を示す図である。実線は図5Aに示す第2の磁性層20の磁化が紙面上向きの場合を示す。破線は図5Bに示す第2の磁性層20の磁化が紙面下向きの場合を示す。θが大きくなるにつれてΔRが大きくなっていることがわかる。また、第2の磁性層20の磁化の向きが紙面下向きの場合と紙面上向きの場合でΔRの変化の挙動が反対であることがわかる。よって、第3の磁性層30の磁化を傾けて電流を磁気メモリ100に流すことで第2の磁性層20の磁化の向きがわかるので、読み出しを行うことができる。磁気メモリ100に流す電流値は書き込み時の電流値より小さくする。また、書き込み時に印加する電圧と逆の電圧を印加してもよい。すなわち、書き込み時の電圧が正であれば、読み出し時の電圧は負である変形例1図6は、磁気メモリ100の変形例を示す図である。第1の磁性層10の磁化は紙面左向きである。第2の磁性層20の磁化は紙面右向きである。第3の磁性層30の磁化は紙面上向きである。図6Aは平衡状態を示す。図6Bは電極70の電位よりも第3の磁性層30の電位が高くなるように第3の磁性層30と電極70との間に電圧VgVg<0Vを印加した状態を示す。電極70に電圧を印加することで、第3の磁性層30の磁化が固定される強さが弱まり、第1の磁性層10の磁化の影響を受けて第3の磁性層30の磁化が傾く。変形例2図7は、磁気メモリ100の変形例を示す図である。第1の磁性層10上に第3の中間層41を設けている。第3の中間層41上には第4の磁性層42が設けられている。第3の中間層41はRuを含む層である。第4の磁性層42はIrMn等を含む反強磁性層である。従って、これらの層を設けることで第1の磁性層10の磁化をより強く固定できる。変形例3図8は、磁気メモリ100の変形例を示す図である。複数の磁気メモリ100が直列に接続されることで磁気メモリ装置200となっている。それぞれの磁気メモリ100の間は金属配線で接続されている。紙面上方の磁気メモリ100から第1番目、第i番目、第N番目とする。iとNは自然数で1<i<Nである。Nは最後尾の磁気メモリ100である。第1番目の磁気メモリ100の第1の磁性層10は、トランジスタTr_Cのソース端子又はドレイン端子と金属配線で接続されている。それぞれの磁気メモリ100の電極70は、トランジスタのソース端子又はドレイン端子が接続されている。第N番目の磁気メモリ100の第2の磁性層20は、金属配線によって外部回路図示せずの共通端子と接続されている。磁気メモリ装置200を複数並べて記録装置として用いた場合に、それぞれの磁気メモリ装置200の第i番目の磁気メモリ100の電極70に接続されているトランジスタTr_g_iを共通のトランジスタとして用いることができる。このために、磁気メモリ装置200は、外部回路の配線を簡単にできる。第2の実施形態磁気メモリ100の製造方法について説明する。図9に示すように、磁気メモリは下部リード線と第2の磁性層20との間には、電極の働きをする金属多層膜が設けられている。下部リード線上にTa層、Ru層、Cu層が設けられている。一方で上部リード線と第1の磁性層10との間にも金属多層膜が設けられている。第1の磁性層10上にCu層、Ta層が設けられている。図9に示す磁気メモリ100は、以下のようにして作製する。まず、基板上に絶縁体を積層し、マスクを用いて絶縁体をエッチングすることで基板表面の一部を露出させる。露出した部分に下部リード線を埋め込む。次に、超高真空スパッタ装置を用いて下部リード線上及び絶縁体上にTa層、Ru層、Cu層、第2の磁性層20、第2の中間層50、第3の磁性層30、第1の中間層40、第1の磁性層10、Cu層、Ta層の順に積層する図10。次に積層した構造上にネガレジストを塗布し、電子線露光装置を用いて下部リード線上に積層した構造のみを露光現像することでネガレジストを残す。残ったネガレジストをパターンとしてイオンミリングを行い、下部リード線上にのみ積層した構造を残す。このとき、イオンミリングの条件によっては下部リード線上に積層された構造がテーパー形状となる。その後、ネガレジストを除去する図11。次に、超高真空スパッタ装置を用いてTa層上及び絶縁体上に絶縁体を積層する。そして、化学機械研磨CMPを行って平坦化をおこなったのち、反応性イオンエッチングを用いてTa層をマスクとして絶縁体の上面が第3の磁性層30の下側に位置するように絶縁体をエッチングする図12。次に、イオンミリングを用いて下部リード線上に積層された構造の側壁部分の化合物を取り除いた後、不活性ガスで封止しながら原子層堆積装置に試料を搬入し、下部リード線上に積層された構造の側面に絶縁膜60を堆積する図13。次に、超高真空スパッタ装置を用いてTa層上、絶縁体上、及び絶縁膜60上に電極70となる金属層を堆積する。そして、図8及び図9で説明したのと同様の方法で、Ta層上にネガレジスト残す。Ta層上のネガレジストをパターンとして金属層の上面が第3の磁性層30の上側に位置するように金属層をエッチングする。その後、ネガレジストを除去する。次に、Ta層上、絶縁膜60上、及び金属層上にポジレジストを堆積する。KrF露光装置を用いて磁気メモリ100とその周辺に設けられた配線に対応したポジレジストのパターンを形成し、イオンミリングを用いてポジレジスト以外の部分を削る。この時点で、第1の中間層40や第1の磁性層10の側壁にも電極70の一部が掛かってしまうことがある図14。しかしながら、第1の磁性層10の磁気異方性エネルギーは、十分に大きいので第1の磁性層10に電圧が印加されても磁気メモリ100の動作に問題は生じない。次に、超高真空スパッタ装置を用いて絶縁体を全体に堆積し、化学機械研磨CMPを行って平坦化を行う。最後に電子露光とイオンミリングを用いてTa層の上面を露出させ、上部リード線となる金属層を超高真空スパッタ装置で堆積させ、KrF露光装置とイオンミリングを用いて配線を形成する図8このとき、Ta層上面の面積よりも小さな面積で上部リード線をTa層上に形成すると、電極70と上部リード線の短絡を抑制することができる。第1の実施例磁気メモリ100に対して数値解析によるシミュレーションを行った。初期状態における、第1の磁性層10の磁化の向きはz軸方向下向き、第2の磁性層20の磁化方向はz軸方向上向き、第3の磁性層30の磁化方向はz軸にほぼ直交となっている。第3の磁性層30は構成材料の磁気特性と素子の形状による効果によって、z軸を磁化容易軸とする磁気異方性を元来持っている。その大きさは1×104Jm3である。第1の磁性層10は第1の中間層40を介して第3の磁性層30に静磁エネルギーに換算して05×103Jm3の交換バイアスを与えており、第3の磁性層30の磁化はz軸方向に直交した状態からわずか~1°にz軸方向下方向に傾いている。電極70と第3の磁性層30との間に第3の磁性層を基準とした電圧を印加すると、第3の磁性層30のz軸に直交した方向を容易軸とする磁気異方性は15×103Jm3Vの割合で変化する。第2の磁性層20は厚さ3nmであり、z軸方向を磁化容易軸とする一軸磁気異方性を有している。その磁気異方性エネルギーは48×105Jm3、磁化の大きさは800emucc、ダンピング定数は0007である。また、このシミュレーションでは第2の磁性層と第3の磁性層の間を行き来する電流のスピン偏極率は50である。図15は、電極70の電位が第3の磁性層30の電位よりも高くなるように第3の磁性層30と電極70との間に電圧VgVg>0Vを印加したときの第3の磁性層30の磁化の傾きを示した結果である。横軸が電極70に印加した電圧Vを示し、縦軸が第3の磁性層30の磁化の傾きθを示す。図15からわかるように、電圧を印加するに連れて第3の磁性層30の磁化が傾いていることがわかる。例えば、電極70に5V印加すると、磁化は6°傾くことがわかる。図16は、電極70の電位が第3の磁性層30の電位よりも高くなるように第3の磁性層30と電極70との間に電圧VgVg>0Vを印加しつつ磁気メモリ100に7×106Acm2の電流を流したときの第3の磁性層30の磁化の積層方向成分を示した結果である。横軸は経過時間nsec示し、縦軸は第3の磁性層30の磁化の積層方向成分を示す。電極70に2.5Vを印加して第3の磁性層30の磁化を平衡状態から3°傾けた場合には、20nsecの間では第2の磁性層20の磁化は反転しない。一方、電極70に5Vを印加して第3の磁性層30の磁化を平衡状態から6°傾けた場合には、15nsec位で第2の磁性層20の磁化が反転する。このことから、第3の磁性層30に電圧を印加することで第2の磁性層20の磁化を反転させることがわかる。また、電極70に印加する電圧を大きくすることで、容易に第3の磁性層30の磁化を反転させることができる。第3の実施形態複数の磁気メモリ100を直列接続した場合の磁気メモリ装置200の動作原理について説明する。説明のために、磁気メモリ100の個数を10個とする。図17にその構成を示す。第1番目の磁気メモリ100の第1の磁性層10は、正の電流のOn/Offを行うトランジスタTr_Cpと負の電流のOn/Offを行うTr_Cmと磁気メモリ100に記録されている情報を読み取る容量端子が接続されている。それぞれの磁気メモリ100の電極70にはトランジスタTr_G1~Tr_g10が接続さている。第10番目の磁気メモリ100の第2の磁性層20は外部回路の共通端子が接続されている。第2の磁性層20の磁化の向きが紙面上向きである場合のデータを‘1’とし、紙面下向きである場合のデータを‘0’とする。第1の磁性層10、第2の磁性層20、及び第3の磁性層30の磁化の向きはそれぞれ図17に示すとおりである。始めに書き込み動作について説明する。それぞれの磁気メモリ100への書き込みは電流電圧の印加によって行われる。電極70の電位が第3の磁性層30の電位よりも高くなるように第3の磁性層30と電極70との間に電圧VgVg>0Vが印加されている磁気メモリ100に電流を流すことで選択的に書き込み動作を行う。電流の方向によって、第2の磁性層20の磁化反転の向きが決定される。トランジスタTr_CpをOnにして正の電流を第1番目から第10番目の磁気メモリ100に流すと、電極70に電圧が印加され、かつデータが‘0’の磁気メモリ100の第2の磁性層20の磁化が反転しデータが‘1’の磁気メモリ100となる。一方で、負の電流を流した場合には、電極70に電圧が印加され、かつデータが‘1’の磁気メモリ100の第2の磁性層20の磁化が反転しデータが‘0’となる。図18は、第i番目の磁気メモリ100の電極70に電圧を印加した状態で、Tr_CmをOnにして負の電流-IcIc>0を流し、第i番目の磁気メモリ100のデータを‘1’から‘0’に書き換えている。図18Aは、磁気メモリ装置200の概略図を示す。図18Bは、電圧を印加するタイミングを示している。図19は、第10番目の磁気メモリ100の電極70に電圧を印加した状態で、Tr_CpをOnにして正の電流Icを流し、第10番目の磁気メモリ100のデータを‘0’から‘1’に書き換えている。図19Aは、磁気メモリ装置200の概略図を示す。図19Bは、電圧を印加するタイミングを示している。次に読み出し動作について説明する。磁気メモリ装置200の読み出しは、第1番目の磁気メモリ100の電極70から第10番目の磁気メモリ100の電極70まで順々に電圧を印加していき、そのときの磁気メモリ100の抵抗変化が正か負かを判断することで行う。例えば、抵抗変化が正の場合には、‘1’のデータが記録されていることを示し、抵抗変化が負の場合には、‘0’のデータが記録されていることを示す。磁気メモリ100に流す電流値は書き込み時の電流値より小さくする。また、書き込み時に印加する電圧と逆の電圧を印加してもよい。すなわち、書き込み時の電圧が正であれば、読み出し時の電圧は負である。抵抗変化を直接読み出しても良いが、図20Aに示すように容量接合を設けて抵抗変化を読み出してもよい。このとき、電極70の電圧をパルス状に印加して第3の磁性層30の磁化が時間的に変化する際に生じる電圧降下分の微分信号を計測することで磁気メモリ100を読み出すことができる。なお、第1の実施形態から第3の実施形態まで第1の磁性層10及び第3の磁性層30の磁化は固定され、第2の磁性層20の磁化は第1の磁性層10及び第3の磁性層30の磁化と比べて弱く固定されていることを前提として説明した。しかしながら、書き込み読み込み動作においては、第1の磁性層10及び第2の磁性層20の磁化が固定され、第3の磁性層30の磁化が第1の磁性層10及び第2の磁性層20の磁化と比べて弱く固定されているとしてもよい。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。