"コア部と、前記コア部の側面を覆うように設けられたクラッド部と、前記コア部の途中または延長線上に設けられ、前記コア部の光路を前記クラッド部の外部へと変換する光路変換部と、を備える光導波路と、前記クラッド部の外部に設けられた光素子と、前記光導波路と前記光素子との間に設けられ、前記光路変換部と前記光素子とを繋ぐ光路に沿って形成された貫通孔を備える基板と、前記光素子と前記基板との隙間に設けられた透明な封止部と、を有し、前記封止部の一部が前記貫通孔内に挿入され、この挿入部が前記光路を通過する信号光を収束させるレンズを構成していることを特徴とする光導波路モジュール。前記レンズの面は、前記光導波路側に向かって突出する凸型湾曲面を含んでいる請求項1に記載の光導波路モジュール。前記封止部は、樹脂材料で構成されている請求項1または2に記載の光導波路モジュール。前記光路変換部および前記光素子の受発光部の少なくとも一方に前記レンズの焦点が位置するよう構成されている請求項1ないし3のいずれかに記載の光導波路モジュール。コア部と、前記コア部の側面を覆うように設けられたクラッド部と、前記コア部の途中または延長線上に設けられ、前記コア部の光路を前記クラッド部の外部へと変換する光路変換部と、を備える光導波路と、前記クラッド部の外部に設けられた光素子と、前記光導波路と前記光素子との間に設けられ、前記光路変換部と前記光素子とを繋ぐ光路に沿って形成された貫通孔を備える基板と、前記光素子と前記基板との隙間に設けられた透明な封止部と、前記貫通孔内に設けられたレンズと、を有する光導波路モジュールの製造方法であって、前記基板の一方の面側に前記光素子を搭載した後、前記光素子と前記基板との隙間にペースト状の封止材を供給する工程と、前記封止材を前記貫通孔内に侵入させた後、前記封止材を固化して前記封止部および前記レンズを得る工程と、を有することを特徴とする光導波路モジュールの製造方法。前記封止材を、その自重または前記貫通孔による毛細管現象により前記貫通孔内に侵入させる請求項5に記載の光導波路モジュールの製造方法。前記封止材を、前記貫通孔の両端間に設けた圧力差に伴い、前記貫通孔内に侵入させる請求項5に記載の光導波路モジュールの製造方法。請求項1ないし4のいずれかに記載の光導波路モジュールを備えることを特徴とする電子機器。本発明の目的は、光素子と光導波路との光結合損失が小さく、高品質の光通信が可能な光導波路モジュール、かかる光導波路モジュールを効率よく製造可能な光導波路モジュールの製造方法、および、前記光導波路モジュールを備え、高品質の光通信が可能な電子機器を提供することにある。このような目的は、下記1~8の本発明により達成される。1コア部と、前記コア部の側面を覆うように設けられたクラッド部と、前記コア部の途中または延長線上に設けられ、前記コア部の光路を前記クラッド部の外部へと変換する光路変換部と、を備える光導波路と、前記クラッド部の外部に設けられた光素子と、前記光導波路と前記光素子との間に設けられ、前記光路変換部と前記光素子とを繋ぐ光路に沿って形成された貫通孔を備える基板と、前記光素子と前記基板との隙間に設けられた透明な封止部と、を有し、前記封止部の一部が前記貫通孔内に挿入され、この挿入部が前記光路を通過する信号光を収束させるレンズを構成していることを特徴とする光導波路モジュール。2前記レンズの面は、前記光導波路側に向かって突出する凸型湾曲面を含んでいる上記1に記載の光導波路モジュール。3前記封止部は、樹脂材料で構成されている上記1または2に記載の光導波路モジュール。4前記光路変換部および前記光素子の受発光部の少なくとも一方に前記レンズの焦点が位置するよう構成されている上記1ないし3のいずれかに記載の光導波路モジュール。なお、上記光路変換部とは、光路変換部および光路変換部近傍を意味する。同様に、上記受発光部とは受発光部および受発光部近傍を意味する。5コア部と、前記コア部の側面を覆うように設けられたクラッド部と、前記コア部の途中または延長線上に設けられ、前記コア部の光路を前記クラッド部の外部へと変換する光路変換部と、を備える光導波路と、前記クラッド部の外部に設けられた光素子と、前記光導波路と前記光素子との間に設けられ、前記光路変換部と前記光素子とを繋ぐ光路に沿って形成された貫通孔を備える基板と、前記光素子と前記基板との隙間に設けられた透明な封止部と、前記貫通孔内に設けられたレンズと、を有する光導波路モジュールの製造方法であって、前記基板の一方の面側に前記光素子を搭載した後、前記光素子と前記基板との隙間にペースト状の封止材を供給する工程と、前記封止材を前記貫通孔内に侵入させた後、前記封止材を固化して前記封止部および前記レンズを得る工程と、を有することを特徴とする光導波路モジュールの製造方法。6前記封止材を、その自重または前記貫通孔による毛細管現象により前記貫通孔内に侵入させる上記5に記載の光導波路モジュールの製造方法。7前記封止材を、前記貫通孔の両端間に設けた圧力差に伴い、前記貫通孔内に侵入させる上記5に記載の光導波路モジュールの製造方法。8上記1ないし4のいずれかに記載の光導波路モジュールを備えることを特徴とする電子機器。本発明によれば、光素子と光導波路との間にレンズを備えることにより、光素子と光導波路との光結合損失を小さくすることができるため、光搬送波のS/N比が高く、高品質の光通信が可能な光導波路モジュールが得られる。また、本発明によれば、このような光導波路モジュールを効率よく製造することができる。また、本発明によれば、このような光導波路モジュールを備えることにより、高品質の光通信が可能な信頼性の高い電子機器が得られる。以下、本発明の光導波路モジュール、光導波路モジュールの製造方法および電子機器について添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。<光導波路モジュール>≪第1実施形態≫まず、本発明の光導波路モジュールの第1実施形態について説明する。図1は、本発明の光導波路モジュールの第1実施形態を示す斜視図、図2は、図1のA-A線断面図、図3は、図2の部分拡大図である。なお、以下の説明では、図2、3の上側を上、下側を下という。また、各図では、厚さ方向を強調して描いている。図1に示す光導波路モジュール10は、光導波路1と、その上方に設けられた回路基板2基板と、回路基板2上に搭載された発光素子3光素子と、を有している。光導波路1は、長尺の帯状をなしており、回路基板2および発光素子3は、光導波路1の一方の端部図2の左側の端部に設けられている。発光素子3は、電気信号を光信号に変換し、発光部31から光信号を出射して光導波路1に入射させる素子である。図2に示す発光素子3は、その下面に設けられた発光部31と、発光部31に通電する電極32とを有している。発光部31は、図2の下方に向けて光信号を出射する。なお、図2に示す矢印は、発光素子3から出射した信号光の光路の例である。また、回路基板2と発光素子3との間隙には、透明な封止材封止部61が充填されている。一方、光導波路1のうち、発光素子3の位置に対応してミラー光路変換部16が設けられている。このミラー16は、図2の左右方向に延伸する光導波路1の光路を、光導波路1の外部へと変換するものであり、図2では、発光素子3の発光部31と光学的に接続されるよう、光路を90°変換する。このようなミラー16を介することにより、発光素子3から出射した信号光を光導波路1のコア部14に入射させることができる。また、図示しないものの、光導波路1の他方の端部には、受光素子が設けられる。この受光素子も光導波路1と光学的に接続されており、光導波路1に入射された信号光は受光素子に到達する。その結果、光導波路モジュール10において光通信が可能になる。また、回路基板2には、ミラー16と発光部31とを繋ぐ光路が通過する部位に、厚さ方向に貫通する貫通孔24が形成されている。ここで、前述した封止材61は、その一部が変形し、この貫通孔24内に挿入されるよう構成されている。そして、封止材61のうち、貫通孔24内に挿入された一部分は、ミラー16と発光部31とを繋ぐ光路において、光路を変換するレンズとして機能する。図2、3では、封止材61の一部分がレンズ100となる。このレンズ100は、発光部31から光導波路1に入射する信号光を収束光または平行光に変換することにより、信号光の発散を抑制し、ミラー16の有効領域に対してより多くの信号光を到達させる。したがって、このようなレンズ100を設けることにより、発光素子3と光導波路1との光結合効率が向上する。以下、光導波路モジュール10の各部について詳述する。光導波路図1に示す光導波路1は、下方からクラッド層第1クラッド層11、コア層13、およびクラッド層第2クラッド層12をこの順で積層してなる帯状の積層体を有している。このうちコア層13には、図1に示すように、平面視で直線状をなす1本のコア部14と、このコア部14の側面に隣接する側面クラッド部15とが形成されている。コア部14は、帯状の積層体の長手方向に沿って延伸しており、かつ、積層体の幅のほぼ中央に位置している。なお、図1において、コア部14にはドットを付している。図2に示す光導波路1では、ミラー16を介して入射された光を、コア部14とクラッド部各クラッド層11、12および各側面クラッド部15との界面で全反射させ、他方の端部に伝搬させることができる。これにより、出射端で受光した光の明滅パターンおよび光の強弱パターンの少なくとも一方に基づいて光通信を行うことができる。コア部14とクラッド部との界面で全反射を生じさせるためには、界面に屈折率差が存在する必要がある。コア部14の屈折率は、クラッド部の屈折率より大きければよく、その差は特に限定されないものの、クラッド部の屈折率の0.5以上であるのが好ましく、0.8以上であるのがより好ましい。一方、上限値は、特に設定されなくてもよいが、好ましくは5.5程度とされる。屈折率の差が前記下限値未満であると光を伝達する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えても、光の伝送効率のそれ以上の増大は期待できない。なお、前記屈折率差とは、コア部14の屈折率をA、クラッド部の屈折率をBとしたとき、次式で表わされる。屈折率差=|A/B-1|×100また、図1に示す構成では、コア部14は平面視で直線状に形成されているが、途中で湾曲、分岐等していてもよく、その形状は任意である。また、コア部14の横断面形状は、正方形または矩形長方形のような四角形であるのが一般的であるが、特に限定されず、真円、楕円のような円形、菱形、三角形、五角形のような多角形であってもよい。コア部14の幅および高さは、特に限定されないが、それぞれ、1~200μm程度であるのが好ましく、5~100μm程度であるのがより好ましく、20~70μm程度であるのがさらに好ましい。コア層13の構成材料は、上記の屈折率差が生じる材料であれば特に限定されないが、具体的には、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、エポキシ系樹脂やオキセタン系樹脂のような環状エーテル系樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリシラン、ポリシラザン、また、ベンゾシクロブテン系樹脂やノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂のような各種樹脂材料の他、石英ガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス材料等である。また、これらの中でも特にノルボルネン系樹脂が好ましい。これらのノルボルネン系ポリマーは、例えば、開環メタセシス重合ROMP、ROMPと水素化反応との組み合わせ、ラジカルまたはカチオンによる重合、カチオン性パラジウム重合開始剤を用いた重合、これ以外の重合開始剤例えば、ニッケルや他の遷移金属の重合開始剤を用いた重合等、公知のすべての重合方法で得ることができる。一方、各クラッド層11、12は、それぞれ、コア層13の下部および上部に位置している。このような各クラッド層11、12は、各側面クラッド部15とともに、コア部14の外周を囲むクラッド部を構成し、これにより光導波路1は信号光を漏出させることなく伝搬させることができる導光路として機能する。クラッド層11、12の平均厚さは、コア層13の平均厚さ各コア部14の平均高さの0.1~1.5倍程度であるのが好ましく、0.2~1.25倍程度であるのがより好ましく、具体的には、クラッド層11、12の平均厚さは、特に限定されないが、それぞれ、通常、1~200μm程度であるのが好ましく、3~100μm程度であるのがより好ましく、5~60μm程度であるのがさらに好ましい。これにより、光導波路1が必要以上に大型化厚膜化するのを防止しつつ、クラッド層としての機能が好適に発揮される。また、各クラッド層11、12の構成材料としては、例えば、前述したコア層13の構成材料と同様の材料を用いることができるが、特にノルボルネン系ポリマーが好ましい。また、コア層13の構成材料およびクラッド層11、12の構成材料を選択する場合、両者の間の屈折率差を考慮して材料を選択すればよい。具体的には、コア層13とクラッド層11、12との境界において光を確実に全反射させるため、コア層13の構成材料の屈折率がクラッド層11、12の屈折率に比べ十分に大きくなるように材料を選択すればよい。これにより、光導波路1の厚さ方向において十分な屈折率差が得られ、コア部14からクラッド層11、12に光が漏れ出るのを抑制することができる。なお、光の減衰を抑制する観点からは、コア層13の構成材料とクラッド層11、12の構成材料との密着性親和性が高いことも重要である。また、図2に示す光導波路1は、さらに、クラッド層11の下面に設けられた支持フィルム18およびクラッド層12の上面に設けられたカバーフィルム19を有している。これらの支持フィルム18およびカバーフィルム19は、必要に応じて設ければよく、省略されてもよい。このような支持フィルム18およびカバーフィルム19の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレン、ポリプロピレンのようなポリオレフィン、ポリイミド、ポリアミド等の各種樹脂材料等が挙げられる。また、支持フィルム18およびカバーフィルム19の各平均厚さは、特に限定されないが、5~200μm程度であるのが好ましく、10~100μm程度であるのがより好ましい。これにより、支持フィルム18およびカバーフィルム19は、適度な剛性を有するものとなるため、光導波路1の柔軟性を阻害し難くなる。また、カバーフィルム19は、光透過を阻害し難くなる。なお、支持フィルム18とクラッド層11との間、および、カバーフィルム19とクラッド層12との間は、接着または接合されているが、その方法としては、熱圧着、接着剤または粘着剤による接着等が挙げられる。このうち、接着層としては、例えば、アクリル系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤の他、各種ホットメルト接着剤ポリエステル系、変性オレフィン系等が挙げられる。また、特に耐熱性の高いものとして、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリイミドアミドエーテル、ポリエステルイミド、ポリイミドエーテル等の熱可塑性ポリイミド接着剤が好ましく用いられる。このような材料で構成された接着層は、比較的柔軟性に富んでいるため、光導波路1の形状が変化したとしても、その変化に自在に追従することができる。その結果、形状変化に伴う剥離を確実に防止し得るものとなる。このような接着層の平均厚さは、特に限定されないが、1~100μm程度であるのが好ましく、5~60μm程度であるのがより好ましい。また、前述したように、光導波路1の途中には、ミラー16が設けられている図2参照。このミラー16は、光導波路1の途中に掘り込み加工を施し、これにより得られた空間空洞の内壁面で構成される。この内壁面の一部は、コア部14を斜め45°に横切る平面であり、この平面がミラー16となる。ミラー16を介して、光導波路1と発光部31とが光学的に接続されている。なお、ミラー16には、必要に応じて反射膜を成膜するようにしてもよい。この反射膜としては、Au、Ag、Al等の金属膜が好ましく用いられる。また、ミラー16は、例えばコア部14の光軸を90°曲げる屈曲導波路等の光路変換手段で代替することもできる。発光素子発光素子3は、前述したように、下面に発光部31と電極32とを有するものであるが、具体的には、面発光レーザーVCSELのような半導体レーザーや、発光ダイオードLED等の発光素子である。一方、図1、2に示す光導波路モジュール10の回路基板2上には、発光素子3に隣り合うように半導体素子4が搭載されている。半導体素子4は、発光素子3の動作を制御する素子であり、下面には電極42を有している。かかる半導体素子4としては、例えば、ドライバーICや、トランスインピーダンスアンプTIA、リミッティングアンプLA等を含むコンビネーションICの他、各種LSI、RAM等が挙げられる。なお、発光素子3と半導体素子4は、後述する回路基板2により電気的に接続されており、半導体素子4により発光素子3の発光パターンおよび発光の強弱パターンを制御し得るよう構成されている。回路基板光導波路1の上方には、回路基板2が設けられており、回路基板2の下面と光導波路1の上面とは接着層5を介して接着されている。回路基板2は、図2に示すように、絶縁性基板21と、その下面に設けられた導体層22と、上面に設けられた導体層23と、を有している。回路基板2上に搭載された発光素子3と半導体素子4とは、導体層23を介して電気的に接続されている。ここで、絶縁性基板21には、発光素子3の発光部31と光導波路1のミラー16とを繋ぐ光路に沿って形成された貫通孔24が形成されている。貫通孔24は、前記光路に沿って絶縁性基板21を厚さ方向に貫通するよう構成されている。また、図3に示す絶縁性基板21おいて貫通孔24は、その両開口部の形状が平面視で円形をなしており、かつ、その横断面積は厚さ方向に沿って一定である。換言すれば、貫通孔24は円柱状をなしている。なお、貫通孔24の両開口部の形状は特に限定されず、真円、楕円、長円等の円形のほか、三角形、四角形、六角形等の多角形等であってもよい。また、絶縁性基板21は可撓性を有しているのが好ましい。可撓性を有する絶縁性基板21は、回路基板2と光導波路1との密着性向上に寄与するとともに、形状変化に対する優れた追従性を有するものとなる。その結果、光導波路1が可撓性を有している場合には、光導波路モジュール10全体も可撓性を有するものとなり、実装性に優れたものとなる。また、光導波路モジュール10を湾曲させた際には、絶縁性基板21と導体層22、23との剥離や、回路基板2と光導波路1との剥離を確実に防止することができ、剥離に伴う絶縁性の低下や伝送効率の低下を防止する。絶縁性基板21のヤング率引張弾性率は、一般的な室温環境下20~25°C前後で1~20GPa程度であるのが好ましく、2~12GPa程度であるのがより好ましい。ヤング率の範囲がこの程度であれば、絶縁性基板21は、上述したような効果を得る上で十分な可撓性を有するものとなる。このような絶縁性基板21を構成する材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、エポキシ系樹脂、各種ビニル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂等の各種樹脂材料が挙げられるが、中でもポリイミド系樹脂を主材料とするものが好ましく用いられる。ポリイミド系樹脂は、耐熱性が高く、優れた透光性および可撓性を有していることから、絶縁性基板21の構成材料として特に好適である。なお、絶縁性基板21の具体例としては、ポリエステル銅張フィルム基板、ポリイミド銅張フィルム基板、アラミド銅張フィルム基板等に使用されるフィルム基板が挙げられる。また、絶縁性基板21の平均厚さは、5~50μm程度であるのが好ましく、10~40μm程度であるのがより好ましい。このような厚さの絶縁性基板21であれば、その構成材料によらず、十分な可撓性を有するものとなる。また、絶縁性基板21の厚さが前記範囲内であれば、光導波路モジュール10の薄型化が図られる。さらには、絶縁性基板21の厚さが前記範囲内であれば、信号光の発散によって伝送効率が低下するのを防止することができる。例えば、発光素子3の発光部31から出射した信号光は、一定の出射角で発散しつつ回路基板2を通過してミラー16に入射するが、発光部31とミラー16との離間距離が大き過ぎる場合、信号光が発散し過ぎてしまい、ミラー16に到達する光量が減少するおそれがある。これに対し、絶縁性基板21の平均厚さを前記範囲内とすることにより、発光部31とミラー16との離間距離を確実に小さくすることができるため、信号光は広く発散してしまう前にミラー16に到達する。その結果、ミラー16に到達する光量の減少を防止し、発光素子3と光導波路1との光結合に伴う損失光結合損失を十分に低下させることができる。なお、絶縁性基板21は、上述した可撓性基板以外に、比較的剛性の高い剛性基板であってもよい。このような絶縁性基板21は、耐屈曲性が高くなり、屈曲に伴う発光素子3の損傷を防止する。絶縁性基板21のヤング率引張弾性率は、一般的な室温環境下20~25°C前後で5~50GPa程度であるのが好ましく、12~30GPa程度であるのがより好ましい。ヤング率の範囲がこの程度であれば、絶縁性基板21は、上述したような効果をより確実に発揮することができる。このような絶縁性基板21を構成する材料としては、例えば、紙、ガラス布、樹脂フィルム等を基材とし、この基材に、フェノール系樹脂、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂等の樹脂材料を含浸させたものが挙げられる。具体的には、ガラス布エポキシ銅張積層板、ガラス不織布エポキシ銅張積層板等のコンポジット銅張積層板に使用される絶縁性基板の他、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板等の耐熱熱可塑性の有機系リジッド基板や、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板等のセラミックス系リジッド基板等が挙げられる。また、絶縁性基板21が上述したような材料で構成される場合、その平均厚さは、好ましくは300μm~3mm程度、より好ましくは500μm~2.5mm程度とされる。なお、絶縁性基板21は、1枚の基板であってもよいが、複数層の基板を積層してなる多層基板ビルドアップ基板であってもよい。この場合、多層基板の層間には、パターニングされた導体層を含み、この導体層には任意の電気回路が形成されていてもよい。これにより、絶縁性基板21中に高密度の電気回路を構築することができる。また、絶縁性基板21には、厚さ方向に貫通する1つまたは複数の貫通孔が設けられていてもよく、これらの貫通孔には導電性材料が充填されているか、または、貫通孔の内壁面に沿って導電性材料の被膜が成膜されていてもよい。この導電性材料は、絶縁性基板21の両面の間を電気的に接続する貫通ビアとなる。また、絶縁性基板21に設けられた導体層22および導体層23は、それぞれ導電性材料で構成されている。各導体層22、23には、所定のパターンが形成されており、このパターンは配線として機能する。絶縁性基板21に貫通ビアが形成されている場合、貫通ビアと各導体層22、23とが接続され、これにより、導体層22と導体層23とが一部で導通する。各導体層22、23に用いられる導電性材料としては、例えば、アルミニウムAl、銅Cu、金Au、銀Ag、白金Pt、ニッケルNi、タングステンW、モリブデンMo等の各種金属材料が挙げられる。また、各導体層22、23の平均厚さは、配線に要求される導電率等に応じて適宜設定されるものの、例えば1~30μm程度とされる。また、各導体層22、23に形成される配線パターンの幅も、配線に要求される導電率や各導体層22、23の厚さ等に応じて適宜設定されるものの、例えば2~1000μm程度であるのが好ましく、5~500μm程度であるのがより好ましい。なお、このような配線パターンは、例えば、一旦全面に形成された導体層をパターニングする例えば、銅張基板の銅箔を部分的にエッチングする方法、別途用意した基板上にあらかじめパターニングされた導体層を転写する方法等により形成される。また、図3に示す各導体層22、23は、発光素子3の発光部31とミラー16との間の光路に干渉しないよう設けられた開口部221、231を有している。その結果、開口部221には導体層22の厚さに相当する高さの空隙が、開口部231には導体層23の厚さに相当する高さの空隙がそれぞれ生じている。また、各開口部221、231は、それぞれ絶縁性基板21に形成された貫通孔24と連通するものになる。また、発光素子3や半導体素子4と導体層23との間は、各種ハンダ、各種ろう材等により電気的かつ機械的に接続される。ハンダおよびろう材としては、例えば、Sn-Pb系の鉛ハンダの他、Sn-Ag-Cu系、Sn-Zn-Bi系、Sn-Cu系、Sn-Ag-In-Bi系、Sn-Zn-Al系の各種鉛フリーハンダ、JISに規定された各種低温ろう材等が挙げられる。なお、発光素子3や半導体素子4としては、例えばBGAタイプやLGAタイプ等のパッケージ仕様の素子が用いられる。また、導体層23とハンダまたはろう材とが接触することにより、導体層23を構成する金属成分の一部がハンダ側に溶解する現象が生じるおそれがある。この現象は、特に銅製の導体層23に対して生じる場合が多いことから銅食われと呼ばれている。銅食われが発生すると、導体層23が薄くなったり、欠損したりする等の不具合を招き、導体層23の機能を損なうおそれがある。そこで、ハンダと接する導体層23の表面には、あらかじめ、ハンダの下地として銅食われ防止膜下地層を形成しておくのが好ましい。この銅食われ防止膜の形成により、銅食われが防止され、導体層23の機能を長期にわたって維持することができる。銅食われ防止膜の構成材料としては、例えば、ニッケルNi、金Au、白金Pt、スズSn、パラジウムPd等が挙げられ、銅食われ防止膜は、これらの金属組成1種からなる単層であってもよく、2種以上を含む複合層例えば、Ni-Au複合層、Ni-Sn複合層等であってもよい。銅食われ防止膜の平均厚さは、特に限定されないが、0.05~5μm程度であるのが好ましく、0.1~3μm程度であるのがより好ましい。これにより、銅食われ防止膜そのものの電気抵抗を抑制しつつ、十分な銅食われ防止作用を発現させることができる。なお、発光素子3や半導体素子4と導体層23との電気的接続は、上述したような接続方法の他、ワイヤーボンディング、異方性導電フィルムACF、異方性導電ペーストACP等を用いた製造方法で行われてもよい。このうち、ワイヤーボンディングによれば、発光素子3や半導体素子4と回路基板2との間で熱膨張差が生じたとしても、柔軟性の高いボンディングワイヤーによって熱膨張差を吸収することができるので、接続部に対する応力集中が防止される。また、回路基板2と光導波路1との間は接着層5により接着されているが、接着層5を構成する接着剤としては、例えば、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤の他、各種ホットメルト接着剤ポリエステル系、変性オレフィン系等が挙げられる。また、特に耐熱性の高いものとして、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリイミドアミドエーテル、ポリエステルイミド、ポリイミドエーテル等の熱可塑性ポリイミド接着剤が挙げられる。なお、光導波路モジュール10は、光導波路1の他方の端部にも、回路基板2を有していてもよく、他の光学部品との接続を担うコネクター等を有していてもよい。図4は、図2に示す光導波路モジュールの他の構成例を示す縦断面図である。図4aに示す光導波路モジュール10では、光導波路1の他方の端部図2、4の右側の端部の上面にも回路基板2が設けられている。また、この回路基板2上には、受光素子7と半導体素子4とが搭載されている。また、光導波路1には、受光素子7の受光部71の位置に対応してミラー16が形成されている。このような光導波路モジュール10では、光導波路1からミラー16を介して出射した信号光が、受光素子7の受光部71に到達すると、光信号から電気信号への変換がなされる。このようにして光導波路1の両端部間における光通信が行われる。一方、図4bに示す光導波路モジュール10では、光導波路1の他方の端部に、他の光学部品との接続を担うコネクター20が設けられている。コネクター20としては、光ファイバーとの接続に用いられるPMTコネクター等が挙げられる。コネクター20を介して光導波路モジュール10を光ファイバーに接続することで、より長距離の光通信が可能になる。なお、図4では、光導波路1の一方の端部と他方の端部とで1対1の光通信を行う場合について説明したが、光導波路1の他方の端部には、光路を複数に分岐することができる光スプリッターを接続するようにしてもよい。レンズここで、発光素子3と回路基板2との隙間および発光素子3の側方には、封止材61が配されている。これにより、導体層23に開口部231を形成したことによる空隙にも封止材61が充填されている。一方、半導体素子4と回路基板2との隙間および半導体素子4の側方には、封止材62が配されている。このような封止材61、62は、それぞれ発光素子3および半導体素子4の耐候性耐熱性、耐湿性、気圧変化に対する耐久性等を高めるとともに、振動、外力、異物付着等から発光素子3および半導体素子4を確実に保護することができる。封止材61、62としては、透明な材料であればよく、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、エポキシ系樹脂やオキセタン系樹脂のような環状エーテル系樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリシラン、ポリシラザン、ベンゾシクロブテン系樹脂やノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂のような各種樹脂材料が挙げられる。このうち、熱や光を用いて容易に硬化し、レンズ100を高精度に製造可能であるという観点で、樹脂材料が好ましく用いられる。また、開口部231に充填された封止材61は、その一部が絶縁性基板21に形成された貫通孔24内にも侵入している。図3の場合、封止材61の一部が、貫通孔24内の深さ方向の途中まで侵入している。そして、侵入した部分の先端面は、図3の下方に向かって突出した凸条湾曲面で構成されており、貫通孔24を通過する光を収束するレンズとして機能している。すなわち、封止材61は、その一部を変形させてなるレンズ100を有しているのである。封止材61は、後述するようにペースト状の材料を貫通孔24内に侵入させた後、材料を固化させることにより形成される。したがって、ペースト状の材料と貫通孔24の内面との間に表面張力が働き、それに伴って侵入部挿入部の先端面には、自ずと、光導波路1側に向かって突出する湾曲面が形成される。この湾曲面に基づいて、レンズ100は、透過する信号光を収束させることができる。このようなレンズ100がない場合、発光部31から出射した信号光が光導波路1に入射するまでの間で、信号光が発散し、ミラー16の有効領域からはみ出てしまう信号光が発生する。このとき、はみ出た信号光は損失となり、ミラー16で反射される信号光の光量が少なくなるため、光信号のS/N比が低下してしまう。これに対し、レンズ100を設けることにより、光導波路1の表面に信号光の収束収斂機能が付与される。その結果、より多くの信号光をミラー16に入射させることにより信号光の損失の発生が抑制され、光通信のS/N比を高めることができる。そして、信頼性が高く高品質な光通信を提供し得る光導波路モジュール10が得られる。また、図3に示すレンズ100は、封止材61と一体化しているため、発光素子3やミラー16に対する位置が高い精度で保持される。このため、レンズ100を備えた光導波路モジュール10は、優れた耐候性を有するものとなる。レンズ100を構成する湾曲面の形状は、通過する信号光を収束し得る形状であればいかなる形状であってもよく、例えば、球面の他、放物線回転体、双曲線回転体、高次曲線回転体のような非球面等であってもよい。また、レンズ100の平面視における面積は、貫通孔24の横断面積に応じて変化するため、この横断面積は、レンズ100の光学性能等を考慮して適宜設定される。具体的には、貫通孔24の横断面積は、0.01~10mm2程度とされ、より好ましくは0.01~1mm2程度とされる。なお、レンズ100の平面視における面積は、この貫通孔24の横断面積にほぼ等しくなる。さらに、レンズ100の平面視における面積は、発光素子3の発光部31の面積受光素子7の受光部71の面積の1.2~10倍程度であるのが好ましく、2~5倍程度であるのがより好ましい。また、レンズ100は、その焦点が、ミラー16近傍に位置するよう構成されているのが好ましい。このような構成のレンズ100は、発光素子3の発光部31から放射状に出射した信号光を、平行光または収束光に変換し、それ以上発散しないように確実に光路変換することができる。その結果、信号光の発散に伴う損失を確実に抑制することができる。また、レンズ100は、その焦点が、発光素子3の発光部31近傍に位置するよう構成されているのが好ましい。このような構成のレンズ100は、ミラー16からはみ出る信号光を減らし、信号光の光結合損失を確実に抑えることができる。以上、貫通孔24内にレンズ100が載置されることで、発光素子3の発光部31とミラー16との光結合効率を高めることができ、信頼性が高く高品質な光通信を提供し得る光導波路モジュール10が得られる。また、レンズ100は、封止材61の一部を変形させて形成されたものであるため、その製造および実装が極めて容易であるとともに、発光素子3やミラー16に対する位置を確実に維持することができる。このため、このようなレンズ100は、耐候性の高い光導波路モジュール10を効率よく製造することを可能にする。また、レンズ100は、図5に示すような縦断面形状をなすものであってもよい。図5は、レンズおよび貫通孔の他の構成例を示す縦断面図である。なお、図5に示すレンズおよび貫通孔は、下記の点で相違する以外、図3に示すものと同じである。図5aに示す貫通孔24には、貫通孔24の深さ方向の途中から下端に至る間の内面において撥液処理が施されている。図5aにおいて撥液処理が施されている領域を、撥液処理領域241とする。このように撥液処理領域241を有することにより、貫通孔24の上端から侵入した封止材61は、撥液処理領域241に至るまで侵入すると、それ以上の侵入は困難になる。このようにして撥液処理領域241を適宜設定することで、封止材61の侵入深さを自在に制御することができる。その結果、レンズ100を配置する深さを制御することができる。撥液処理としては、封止材61の組成に応じて適宜設定されるものの、例えば、フッ素系撥液膜、シリコーン系撥液膜、シランカップリング剤被膜のような各種被膜を成膜する処理、各種表面改質処理等が挙げられる。なお、図5aに示す貫通孔24の内面のうち、撥液処理領域241以外の領域には、必要に応じて親液処理を施すようにしてもよい。これにより、封止材61の侵入が促進され、目的とする形状のレンズ100が形成され易くなる。親液処理としては、封止材61の組成に応じて適宜設定されるものの、例えば、プラズマ処理、電子線処理のような各種表面改質処理、シランカップリング剤被膜のような各種被膜を成膜する処理等が挙げられる。一方、封止材61は、図5bに示すように、貫通孔24の全体を埋めるよう配されていてもよい。貫通孔24の全体に充填された封止材61は、貫通孔24の下端から光導波路1側に突出し、その先端面が湾曲面を構成する。その結果、貫通孔24の下方にレンズ100が形成される。なお、図5bの場合、接着層5には、貫通孔24の位置に対応して開口部を形成するようにすればよい。これにより、レンズ100と接着層5との干渉が防止される。また、このようなレンズ100は、受光素子側に設けるようにしてもよい。図4aには、受光素子7側にレンズ100を設けた場合を示している。図4aの受光素子7側に設けられたレンズ100は、回路基板2と受光素子7との隙間に供給された封止材61のうち、貫通孔24内に侵入した一部で構成されている。このようなレンズ100を設けたことにより、光導波路1を伝搬し、ミラー16で反射された信号光が回路基板2に入射する際、レンズ100によって収束される。その結果、受光素子7の受光部71に入射する信号光の光量が増加する。したがって、受光素子側にレンズ100を設けたことで、出射側における光結合損失を抑制することができる。また、入射側および出射側の双方にレンズ100を設けた場合、信号光の伝搬効率を特に高めることができる。なお、上述した発光素子3側のレンズ100における特徴等は、受光素子7側のレンズ100にも全て適用可能である。≪第2実施形態≫次に、本発明の光導波路モジュールの第2実施形態について説明する。図6は、本発明の光導波路モジュールの第2実施形態を示す縦断面図である。以下、第2実施形態について説明するが、第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、図6において、第1実施形態と同様の構成部分については、先に説明したのと同様の符号を付し、その詳細な説明を省略する。図6に示す光導波路モジュール10は、貫通孔24の形状が異なる以外、第1実施形態と同様である。図6に示す貫通孔24は、発光素子3の発光部31とミラー16とを繋ぐ光路の下方に沿ってその横断面積が徐々に拡張するよう構成されている。この貫通孔24にも、第1実施形態と同様に封止材61の一部が侵入しており、この侵入部挿入部がレンズ100を構成している。このような貫通孔24では、その深さ方向によって横断面積が異なるため、封止材61の侵入深さを変えることで、必然的に、レンズ100の平面視における面積も前記横断面積に応じて異なることとなる。したがって、本実施形態では、貫通孔24に対する封止材61の侵入深さを変えることのみで、レンズ100の面積を容易に調整することができるという利点が得られる。また、レンズ100は、図7、8に示すような縦断面形状をなすものであってもよい。図7は、レンズおよび貫通孔の他の構成例を示す縦断面図である。なお、図7に示すレンズおよび貫通孔は、下記の点で相違する以外、図3に示すものと同じである。図7a、b、cにそれぞれ示すレンズ100は、貫通孔24内において配置する深さが異なっており、それに応じて面積も異なっている。前述したように、レンズ100を製造するにあたっては、ペースト状の材料を貫通孔24内に侵入させた後、材料を固化させる方法でレンズ100を形成することができるため、レンズ100の面積が大きくなるほど、鉛直下方に垂れ下がる形状になり易い。したがって、図7aに示すレンズ100に比べて、図7b、cに示すレンズ100はその面積が大きく、それとともにレンズ100の湾曲面の曲率半径が小さくなっている。その結果、図7b、cに示すレンズ100は、図7aに示すレンズ100に比べて焦点距離が短いものとなる。このように本実施形態では、貫通孔24に対する封止材61の侵入深さを変えることのみで、レンズ100の面積を容易に調整するとともに、その曲率半径、すなわち焦点距離をも容易に調整することができるという利点が得られる。なお、図7cの場合、接着層5には、貫通孔24の位置に対応して開口部を形成するようにすればよい。これにより、レンズ100と接着層5との干渉が防止される。図8は、レンズおよび貫通孔の他の構成例を示す縦断面図である。なお、図8に示すレンズおよび貫通孔は、下記の点で相違する以外、図3に示すものと同じである。図8a、b、cの貫通孔24は、発光素子3の発光部31とミラー16とを繋ぐ光路に対する内面の傾斜角度がそれぞれ異なっており、それに応じて貫通孔24内に設けられるレンズ100の曲率半径も異なっている。このような曲率半径の相違は、レンズ100がペースト状の材料を固化して製造されることに起因するものであり、換言すれば、貫通孔24の内面の傾斜角度を変えることのみで、レンズ100の曲率半径、すなわち焦点距離を容易に調整することができる。具体的には、光路に対する貫通孔24の内面の傾斜角度を大きくすればするほど、レンズ100の曲率半径が小さくなり、焦点距離を短くすることができる。また、貫通孔24は、図9に示すような縦断面形状をなすものであってもよい。図9は、貫通孔の他の構成例を示す縦断面図である。なお、図9に示す貫通孔は、下記の点で相違する以外、図6に示すものと同じである。図9a、bに示す貫通孔24は、円柱状の貫通孔と円錐台形状の貫通孔とを連結してなるものである。また、図9cに示す貫通孔24は、図6に示す貫通孔24を上下反転してなるものである。また、図9dに示す貫通孔24は、図6に示す貫通孔24において、深さ方向の途中で光路に対する内面の傾斜角度が変化してなるものである。また、図9eに示す貫通孔24は、その横断面積が下方に向かうにつれて加速的に拡張するよう構成されている。以上のような貫通孔24を用いた場合でも、信号光を収束されるレンズ100を容易に形成することができる。<光導波路モジュールの製造方法>次に、上述したような光導波路モジュールを製造する方法の一例について説明する。図1に示す光導波路モジュール10は、光導波路1、回路基板2、発光素子3および半導体素子4、および封止材61、62を用意し、これらを実装することで製造される。このうち、回路基板2は、絶縁性基板21の両面を覆うように導体層を形成した後、不要部分を除去パターニングし、配線パターンを含む導体層22、23を残存させることで形成される。導体層の製造方法としては、例えば、プラズマCVD、熱CVD、レーザーCVDのような化学蒸着法、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の物理蒸着法、電解めっき、無電解めっき等のめっき法、溶射法、ゾルゲル法、MOD法等が挙げられる。また、導体層のパターニング方法としては、例えばフォトリソグラフィー法とエッチング法とを組み合わせた方法が挙げられる。次に、光導波路の製造方法の一例について説明する。光導波路1は、下方から支持フィルム18、クラッド層11、コア層13、クラッド層12およびカバーフィルム19をこの順で積層してなる積層体母材と、この積層体の一部を除去することで形成されたミラー16と、を有している。以下、光導波路の製造方法を、[1]積層体を形成する工程、[2]ミラー16を形成する工程、に分けて説明する。[1]積層体母材のうち、クラッド層11、コア層13およびクラッド層12の3層は、クラッド層11、コア層13およびクラッド層12を順次成膜して形成する方法、あるいは、クラッド層11、コア層13およびクラッド層12をあらかじめ基材上に成膜した後、それぞれを基板から剥離して貼り合わせる方法等により製造される。一方、支持フィルム18およびカバーフィルム19は、上述したようにして製造された3層に対して貼り合わせる方法により製造される。クラッド層11、コア層13およびクラッド層12の各層は、それぞれ形成用の組成物を基材上に塗布して液状被膜を形成した後、液状被膜を均一化するとともに揮発成分を除去することにより形成される。塗布方法としては、例えば、ドクターブレード法、スピンコート法、ディッピング法、テーブルコート法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法、ダイコート法等の方法が挙げられる。また、液状被膜中の揮発成分を除去するには、液状被膜を加熱したり、減圧下に置いたり、あるいは乾燥ガスを吹き付けたりする方法が用いられる。なお、各層の形成用組成物としては、例えば、クラッド層11、コア層13またはクラッド層12の構成材料を各種溶媒に溶解または分散してなる溶液分散液が挙げられる。ここで、コア層13中にコア部14と側面クラッド部15とを形成する方法としては、例えば、フォトブリーチング法、フォトリソグラフィー法、直接露光法、ナノインプリンティング法、モノマーディフュージョン法等が挙げられる。これらの方法はいずれも、コア層13の一部領域の屈折率を変化させる、あるいは、一部領域の組成を異ならせることにより、相対的に屈折率の高いコア部14と相対的に屈折率の低い側面クラッド部15とを作り込むことができる。[2]次いで、積層体に対して支持フィルム18の下面側から一部を除去する掘り込み加工を施す。これにより得られた空間空洞の内壁面がミラー16となる。積層体に対する掘り込み加工は、例えば、レーザー加工法、ダイシングソーによるダイシング加工法等により行うことができる。以上のようにして、光導波路1が得られる。図10~12は、図2に示す光導波路モジュールを製造する方法を説明するための図縦断面図である。以下、光導波路モジュールの製造方法を、[1]回路基板2上に発光素子3および半導体素子4を実装する工程、[2]封止材充填材61、62を供給する工程、[3]封止材61の一部を貫通孔24内に侵入させた後、固化する工程、[4]回路基板2と光導波路1とを接着する工程、に分けて説明する。[1]まず、回路基板2を用意する。回路基板2には、前述したように開口部221を有する導体層22および開口部231を有する導体層23が形成されている。また、開口部221、231に対応して絶縁性基板21には貫通孔24が形成されている図10a。次に、回路基板2上に発光素子3および半導体素子4を実装する図10b。これにより、発光素子3の電極32および半導体素子4の電極42と、導体層23とが機械的および電気的に接続される。[2]次に、ディスペンサー等の供給部63により、発光素子3と回路基板2との隙間にペースト状の封止材61を供給する。また、図示しないものの、半導体素子4と回路基板2との隙間にはペースト状の封止材62を供給する。これらの封止材61、62の粘度は、特に限定されないが、室温で10~10,000mPas程度であるのが好ましく、100~8,000mPas程度であるのがより好ましい。これにより、封止材61、62は、隙間に浸透するための適度な流動性と、貫通孔24内に侵入したとき、表面張力によって所定の形状を保持し得る保形性と、を高度に両立するものとなる。[3]供給された封止材61は、開口部231を充填するとともに、一部が貫通孔24内に流動する。この際、貫通孔24の内面に接している封止材61は、表面張力により引っ張られるため、必然的に、下方に向かって中央部が突出する湾曲面610が形成される。すなわち、表面張力によって貫通孔24の内面に近い部分が図11の上方に引っ張られるため、相対的に内面から遠い部分中央部が下方に突出することとなり、信号光の収束に適した湾曲面610が自ずと形成されるのである。次に、封止材61、62を固化させる。封止材61、62の固化は、例えば、熱硬化法、光硬化法等の各種硬化法により行われる。これにより、封止材61の一部に、透過する信号光を収束されるレンズ100が形成される。[4]次いで、接着剤を用いて光導波路1上に回路基板2を積層する図11e参照。以上のようにして光導波路モジュール10が効率よく製造される。ここで、[3]の工程において、封止材61の一部を貫通孔24内に侵入させる方法としては、特に限定されないものの、例えば、貫通孔24が鉛直方向に沿うよう回路基板2を配置し、封止材61の自重により侵入させる方法、貫通孔24の毛細管現象を利用して封止材61を侵入させる方法等が挙げられる。これらの方法は、封止材61が自発的に貫通孔24内に流動するため、特に設備等を必要としない点で有用である。また、貫通孔24の内面に、封止材61に対する親液処理が施されている場合には、封止材61の流動が促進される。なお、自重により侵入と、毛細管現象による侵入とは、いずれか一方が作用する場合と、双方が作用する場合があるが、特に限定されない。一方、封止材61の一部を貫通孔24内に侵入させる方法としては、上記の方法以外に、回路基板2の上側発光素子3側から封止材61を加圧する方法、貫通孔24の下側発光素子3とは反対側から封止材61を吸引する方法、遠心力を付与する方法といった強制的な方法が挙げられる。このうち、封止材61を加圧する方法では、回路基板2を介して上下の空間で圧力差を設け、上方の圧力が高くなるよう設定する。具体的には、図12aに示すように、回路基板2の上に気密空間90を形成するための筐体9を載置するとともに、筐体9内に加圧力を付与する加圧ポンプ91を接続する。加圧ポンプ91により筐体9内が加圧されると、貫通孔24を介して圧力差が緩和されるが、この際、圧力差の緩和に伴って封止材61が貫通孔24内に引き込まれる。その結果、前述した湾曲面610が形成される。このような方法によれば、比較的粘度が高く、流動性の低い封止材61を用いた場合でも、湾曲面610を確実に形成することができる。また、加圧力の付与を調整することにより、封止材61の侵入深さを自在に制御することができる。また、貫通孔24の下方から封止材61を吸引する方法でも、封止材61は、図12aと同様の振る舞いを示す。具体的には、図12bに示すように、回路基板2の下に気密空間90を形成するための筐体9を載置するとともに、筐体9内を減圧する減圧ポンプ92を接続する。減圧ポンプ92により筐体9内が減圧されると、貫通孔24を介して圧力差が緩和されるが、この際、圧力差の緩和に伴って封止材61が貫通孔24内に引き込まれる。その結果、前述した湾曲面610が形成される。このような方法によっても、比較的粘度が高く、流動性の低い封止材61を用いた場合でも、湾曲面610を確実に形成することができる。また、吸引力を調整することにより、封止材61の侵入深さを自在に制御することができる。また、湾曲面610の形状を制御するためには、封止材61の侵入プロセス加圧プロセスまたは吸引プロセスと、封止材61の固化プロセス熱、光等の付与とを、同時にまたは交互に行うようにすればよい。これにより、湾曲面610を所望の形状にすることができる。上記2つの方法において貫通孔24の両端間に形成される圧力差は、特に限定されないが、0.001~0.1MPa程度であるのが好ましく、0.005~0.05MPa程度であるのがより好ましい。これにより、封止材61を適度な速さで侵入させることができるので、侵入深さの制御が容易に行える。さらに、上記工程2および3に代えて、以下の通り、工程5を採用することによって、湾曲面610を所望の形状にすることもできる。5ディスペンサー等の供給部63により、発光素子3と回路基板2との隙間にペースト状の封止材61を供給する。また、図示しないものの、半導体素子4と回路基板2との隙間にはペースト状の封止材62を供給する。これらの封止材61、62の粘度は、特に限定されないが、室温で1~100,000mPas程度であるのが好ましく、5~50,000mPas程度であるのがより好ましい。供給された封止材61は、開口部231を充填するとともに、一部が貫通孔24内に流動し、光素子実装面と反対側の面へ到達する。次に、レンズ形状が加工された型をそのレンズ形状部と開口部231の位置が合うように型を配置する。ついで、封止材61、62を固化させる。封止材61、62の固化は、例えば、熱硬化法、光硬化法等の各種硬化法により行われる。硬化後、離型することにより、封止材61の一部に、透過する信号光を収束されるレンズ100が形成される。以上のような各方法は、封止材61の粘度、回路基板2と発光素子3との隙間の大きさ、貫通孔24の横断面積等の条件に応じて適宜選択される。例えば、封止材61の粘度が低い、回路基板2と発光素子3との隙間が大きい、貫通孔24の横断面積が広いといった場合には、封止材61を強制的に侵入させる方法も用いられるが、好ましくは、封止材61を自発的に侵入させる方法が用いられる。一方、封止材61の粘度が高い、回路基板2と発光素子3との隙間が小さい、貫通孔24の横断面積が狭いといった場合には、好ましくは、封止材61を強制的に侵入させる方法が用いられる。さらに、必要に応じて、上述した複数の方法を組み合わせて用いるようにしてもよい。<電子機器>本発明の光導波路モジュールを備える電子機器本発明の電子機器は、光信号と電気信号の双方の信号処理を行ういかなる電子機器にも適用可能であるが、例えば、ルーター装置、WDM装置、携帯電話、ゲーム機、パソコン、テレビ、ホームサーバー等の電子機器類への適用が好適である。これらの電子機器では、いずれも、例えばLSI等の演算装置とRAM等の記憶装置との間で、大容量のデータを高速に伝送する必要がある。したがって、このような電子機器が本発明の光導波路モジュールを備えることにより、電気配線に特有なノイズ、信号劣化等の不具合が解消されるため、その性能の飛躍的な向上が期待できる。さらに、光導波路部分では、電気配線に比べて発熱量が大幅に削減される。このため、基板内の集積度を高めて小型化が図られるとともに、冷却に要する電力を削減することができ、電子機器全体の消費電力を削減することができる。以上、本発明の光導波路モジュール、光導波路モジュールの製造方法および電子機器の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、例えば光導波路モジュールを構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよく、複数の実施形態同士を組み合わせるようにしてもよい。また、前記各実施形態では、光導波路1が有するチャンネルコア部数は、1つであるが、本発明の光導波路モジュールでは、チャンネル数が2つ以上であってもよい。この場合、チャンネル数に応じてミラー、レンズ、発光素子、受光素子等の数を設定すればよい。また、発光素子および受光素子については、1つの素子に複数の発光部または複数の受光部を備えたものを用いるようにしてもよい。"