"それぞれ後面でコンタクトされる複数の半導体セル1を含み、各コンタクト面2上にコンタクト領域3が設けられている、光起電モジュール20の製造方法であって、非導電性のシート状支持体4を用意するステップと、前記支持体4上に各半導体セル1の各コンタクト面2を載置するステップと、前記支持体4を貫通するように点状の穿孔を行って、各半導体セル1の各コンタクト面2の各コンタクト領域3上に複数の貫通孔10を形成するステップと、前記支持体4上にコンタクト剤11を塗布して各貫通孔10を充填し、前記支持体4上を延在するコンタクト層11aを形成するステップとを含むことを特徴とする光起電モジュールの製造方法。各半導体セル1の各コンタクト面2を載置した後、各半導体セル1を前記支持体4上でラミネートすることにより、各半導体セル1を封止材7によって覆い、例えば該封止材7はエチレンビニルアセテートEVAから成るかまたはケイ素有機化合物シリコーンをベースとしたプラスティックから成る、請求項1記載の光起電モジュールの製造方法。前記コンタクト剤11を塗布した後、絶縁カバー層12によって少なくとも部分的に前記コンタクト層11aを覆うステップと、前記絶縁カバー層12、前記支持体4および/または複数の導体路を貫通する点状の穿孔を行って、各半導体セル1の各コンタクト領域3に複数の貫通孔10を形成するステップと、コンタクト剤13を前記絶縁カバー層12に塗布して各貫通孔10を充填し、前記絶縁カバー層12上を延在する別のコンタクト層13aを形成するステップとにより、少なくとも1つの別のコンタクト層13aを形成する、請求項1または2記載の光起電モジュールの製造方法。前記コンタクト剤11,13の塗布を、印刷法もしくはスプレー塗布法もしくは選択的はんだ付け法によって行う、請求項1から3までのいずれか1項記載の光起電モジュールの製造方法。前記点状の穿孔を行う際に、前記支持体4上に配置された各半導体セル1の画像識別を行い、画像処理および/または基準点設定によって、個々の全半導体セル1上に穿孔装置8の直接の基準を形成する、請求項1から4までのいずれか1項記載の光起電モジュールの製造方法。透過光撮像装置14,16,17による画像識別のために透過像18を形成し、画像処理の際に各透過像での輪郭識別19を行い、該輪郭識別の結果に応じて、自動的に、そこから求められた各貫通孔10を形成すべき位置へ穿孔装置8を運動させる、請求項3記載の光起電モジュールの製造方法。前記点状の穿孔を、レーザー穿孔装置を用いたレーザー穿孔プロセスの形態で行う、請求項1から6までのいずれか1項記載の光起電モジュールの製造方法。レジスト系から成る保護層25を前記後面のコンタクト層11a,13aへ被着する、請求項1から7までのいずれか1項記載の光起電モジュールの製造方法。前記保護層25を前記光起電モジュール20の後面22の全面にわたって被着する、請求項8記載の光起電モジュールの製造方法。前記保護層25の被着を、ローラコーティングもしくは噴射コーティングもしくはシートラミネートもしくは粉末コーティングによって行う、請求項8または9記載の光起電モジュールの製造方法。前記レジスト系は単一の層を含む、請求項8から10までのいずれか1項記載の光起電モジュールの製造方法。前記レジスト系は複数の層を含む、請求項8から10までのいずれか1項記載の光起電モジュールの製造方法。デザイン要素を形成するために、前記保護層25にパターンを形成する、請求項8から12までのいずれか1項記載の光起電モジュールの製造方法。光起電モジュール20であって、それぞれ後面でコンタクトされる複数の半導体セル1と、絶縁シートとして構成された支持体4とを含み、前記支持体の第1の面に各半導体セルのコンタクト面が載置されており、前記支持体は、前記第1の面上の各半導体セル間のコンタクトを形成するために導電性材料を充填された複数の貫通孔10と、第2の面を延在する少なくとも1つのコンタクト層11a,13aとを有していることを特徴とする光起電モジュール20。前記導電性材料11は、導電性封止材および/またはインクの形態で塗布されるトラックおよび/またはペーストおよび/またははんだである、請求項14記載の光起電モジュール20。"