複数の素子が形成された部品領域の周辺部にダミー領域を有し、前記部品領域の表面は複数の製品部が区画され、前記ダミー領域に、前記部品領域を囲むような凹部を設けた電子部品用セラミック絶縁基板。複数の製品部は縦方向、横方向の分割溝によって区画され、前記分割溝と凹部を同じ方法で同時に形成することによって設けた請求項1記載の電子部品用セラミック絶縁基板。しかしながら、上記従来の電子部品用セラミック絶縁基板1においては、フォトリソグラフィー工法によってパターンを形成する場合にその上面に形成された素子上にスピンコート工法またはロールコート工法によりフォトレジスト膜を形成しようとすると、図5に示すように、フォトレジスト膜6の膜厚について、フォトレジスト膜6の表面張力によって電子部品用セラミック絶縁基板1の周縁部分が他の部分より厚くなるため、このフォトレジスト膜6に近接させたフォトマスクを介して露光する際、周縁部分でフォトレジスト膜6が厚くなった部分エッジビーズ部とマスクが干渉し、パターンを形成する領域のマスクとフォトレジスト膜6との隙間寸法が安定して制御できず、これにより、抵抗体等の素子において露光時のUV光の回折現象の程度が露光領域により変化しパターンの線幅がばらつく可能性があるため、それぞれの素子を一定の形状、寸法にパターンニングできず、安定した特性が得られない場合があるという課題を有していた。本発明は上記従来の課題を解決するもので、安定した特性を得ることができる電子部品用セラミック絶縁基板を提供することを目的とするものである。上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。本発明の請求項1に記載の発明は、複数の素子が形成された部品領域の周辺部にダミー領域を有し、前記部品領域の表面は複数の製品部が区画され、前記ダミー領域に、前記部品領域を囲むような凹部を設けたもので、この構成によれば、スピンコート工法またはロールコート工法により形成されるフォトレジスト膜の電子部品用セラミック絶縁基板の周縁部分の余分な量を凹部に流し込むことができるため、マスクとフォトレジスト膜の隙間の寸法を均一にでき、これにより、抵抗体等の素子において露光される箇所がばらつく可能性を低減できるため、それぞれの素子を一定の形状、寸法にパターンニングでき、この結果、安定した特性が得られるという作用効果が得られるものである。本発明の請求項2に記載の発明は、特に、複数の製品部は縦方向、横方向の分割溝によって区画され、前記分割溝と凹部を同じ方法で同時に形成することによって設けたもので、この構成によれば、生産性を向上させることができるという作用効果が得られるものである。以上のように本発明の電子部品用セラミック絶縁基板は、ダミー領域に、部品領域を囲むような凹部を設けているため、スピンコート工法またはロールコート工法により形成されるフォトレジスト膜の電子部品用セラミック絶縁基板の周縁部分の余分な量を凹部に流し込むことができ、これにより、マスクとフォトレジスト膜の隙間の寸法を均一にできるため、抵抗体等の素子において露光される箇所がばらつく可能性を低減でき、安定した特性が得られるという優れた効果を奏するものである。以下、本発明の一実施の形態における電子部品用セラミック絶縁基板について、図面を参照しながら説明する。図1は本発明の一実施の形態における電子部品用セラミック絶縁基板10の上面図である。本発明の一実施の形態における電子部品用セラミック絶縁基板10は、図1に示すように、複数の素子が形成された部品領域11の周辺部にダミー領域12を有し、前記部品領域11の表面は複数の製品部13が区画され、前記ダミー領域12に、前記部品領域11を囲むような凹部14を設けるようにしている。上記構成において、電子部品用セラミック絶縁基板10は、アルミナ等の絶縁材料で構成され、上面視矩形状のシート状になっている。また、前記部品領域11は、電子部品用セラミック絶縁基板10の中央部分に位置し、複数の縦方向の分割溝15aと複数の横方向の分割溝15bが設けられ、この分割溝15a、15bによって複数の製品部13が区画されている。なお、分割溝15a、15bは、ダイシング、レーザースクライブあるいは電子部品用セラミック絶縁基板10の成形時に金型で同時プレスすることによって、かつ電子部品用セラミック絶縁基板10を貫通しないように形成されている。そして、部品領域11には抵抗体等の素子が複数形成されている。この素子は1つの製品部13に1つまたは複数設けられる。なお、説明を簡単にするために、図1では、製品部13が縦に4個、横に3個形成されたものを示す。さらに、前記ダミー領域12は、電子部品用セラミック絶縁基板10の周辺部において部品領域11を囲むように位置している。また、ダミー領域12には、製品部13や素子は形成されない。なお、図1ではダミー領域12に分割溝15a、15bダミー分割溝が形成されているが、分割溝を形成しなくてもよい。そして、前記凹部14は、ダミー領域12において、前記部品領域11の周囲を一周して囲むように形成されている。この凹部14は、ダイシング、レーザースクライブあるいは電子部品用セラミック絶縁基板10の成型時に金型で同時プレスすることによって、電子部品用セラミック絶縁基板10を貫通しないように形成される。また、凹部14は、分割溝15a、15bによって電子部品用セラミック絶縁基板10を分割するときも、割れないように構成されている。すなわち、図2aに示すように、分割溝15a、15bは、割れやすいように、底面が尖っているのに対し、凹部14は、図2bに示すように、割れにくいように、底面が平面になっている。さらに、凹部14の深さは、電子部品用セラミック絶縁基板10の厚みの1/2以下となっている。そして、凹部14と電子部品用セラミック絶縁基板10の端縁との距離を、隣り合う縦方向の分割溝15a同士の距離、または隣り合う横方向の分割溝15b同士の距離の1/2以下にすれば、凹部14で割れにくくなる。なお、凹部14で割れてもよいが、この場合、凹部14で割れたことによって得られる欠片の面積を、製品部13の面積より小さくして、ふるいによって選別できるようにする必要がある。また、凹部14を電子部品用セラミック絶縁基板10の端縁まで延ばしてもよい。さらに、この凹部14に、電子部品用セラミック絶縁基板10の周縁のフォトレジスト膜が流れ込むようになっており、その容積は、塗布されるフォトレジスト膜の量と膜厚を勘案して、凹部14からフォトレジスト膜が溢れないように設定すればよい。そしてまた、凹部14は、フォトレジスト膜が最も厚くなる箇所に形成するのが好ましい。次に、本発明の一実施の形態における電子部品用セラミック絶縁基板を用いた電子部品の製造方法を、薄膜チップ抵抗器を例に説明する。まず、部品領域11の周辺部にダミー領域12を有する電子部品用セラミック絶縁基板10を用意する。このとき、ダイシング、レーザースクライブあるいは電子部品用セラミック絶縁基板10の成型時に金型で同時プレスすることによって、複数の縦方向の分割溝15a、複数の横方向の分割溝15bと凹部14を同時に形成する。これにより、別々に形成する場合と比べて生産性を向上させることができる。また、分割溝15a、分割溝15bは、少なくとも前記部品領域11の表面に形成し、この分割溝15a、15bによって複数の製品部13を区画する。そして、凹部14は、電子部品用セラミック絶縁基板10のダミー領域12において部品領域11の周囲を連続して囲むように形成する。なお、縦方向の分割溝15aと横方向の分割溝15bを異なる方法で形成してもよく、この場合、縦方向の分割溝15aと縦方向の凹部14を同じ方法で同時に形成し、横方向の分割溝15bと横方向の凹部14を同じ方法で同時に形成する。さらに、縦方向の分割溝15aと横方向の分割溝15bを形成した後、ダイシングやレーザースクライブによって凹部14を形成してもよい。次に、横方向の分割溝15bを跨ぐように、金を含む樹脂を印刷して、一対の電極を形成する。次に、電子部品用セラミック絶縁基板10の少なくとも部品領域11全面にスパッタすることによりNiCr合金膜よりなる金属薄膜層を形成する。次に、電子部品用セラミック絶縁基板10の中心部における金属薄膜層の上にフォトレジスト材料を滴下する。そして、スピンコート法により、フォトレジスト材料を遠心力で周囲に向かって薄く広がるようにする。このとき、凹部14に、電子部品用セラミック絶縁基板10の周縁部分に広がってきたフォトレジスト膜が流れ込むようにし、フォトレジスト膜の厚みを均等にする。なお、フォトレジスト膜をロールコート工法によって形成してもよい。次に、フォトレジスト層の上にマスクを配置し、露光して、溶剤で現像する。このようにして、フォトレジスト層をパターンニングする。次に、エッチングしてパターンニングされた金属薄膜層を得る。その後、溶剤を用いてフォトレジスト層を除去する。その後、所定の保護膜や端面電極の形成、および分割溝15a、15bに沿って分割し、素子として金属薄膜層を有する個片状の製品部13薄膜チップ抵抗器を複数作製する。上記のように本発明の一実施の形態における電子部品用セラミック絶縁基板は、ダミー領域12に、部品領域11を囲むような凹部14を設けているため、スピンコート工法またはロールコート工法により形成されるフォトレジスト膜の電子部品用セラミック絶縁基板の周縁部分の余分な量を凹部14に流し込むことができ、これにより、マスクとフォトレジスト膜の隙間寸法を均一にできるため、露光時のUVの回折現象が露光領域によって変化することはないため、それぞれの素子を一定の形状、寸法にパターンニングでき、この結果、安定した特性が得られるという効果が得られるものである。すなわち、スピンコート工法やロールコート工法によりフォトレジスト膜を形成する場合、表面張力で電子部品用セラミック絶縁基板10の周縁部のフォトレジスト膜の膜厚が厚くなっても、凹部14に余分なフォトレジスト膜を流し込むことができるため、図3に示すように、フォトレジスト膜16の厚みを一定にしかつその上面を平滑にすることができる。この結果、マスクとフォトレジスト膜の隙間寸法が、1枚の電子部品用セラミック絶縁基板において場所によって異なったり、ロット間で異なったりするのを防止できるため、抵抗体等の素子において露光される箇所がばらつく可能性を低減でき、これにより、例えば、抵抗体の形状を所定の形状、寸法にパターンニングすることができるため、抵抗値を安定させることができる。一方、図5において、電子部品用セラミック絶縁基板1の他の部分より厚くなっている周縁部分を削ったり、電子部品用セラミック絶縁基板1の端縁を研磨してC面あるいはR面を付けたりすることも考えられるが、この場合は、工程が増えてしまい、生産性が悪化するが、本発明のようにすれば、生産性が悪化することはない。なお、上記した本発明の一実施の形態における電子部品用セラミック絶縁基板は、その表面に分割溝15a、15bを形成するようにしたが、分割溝を形成しなくてもよい。