半導体素子と当該半導体素子を支える実装基板との接合構造を有する半導体装置であって、前記半導体素子と前記実装基板とは、融点が270°C以上であり且つビスマスを主成分とするはんだ材によって接合されており、前記半導体素子における前記実装基板側の面上には、金属拡散バリア層、前記金属拡散バリア層に接するはんだ接合バリア層、及び、前記はんだ接合バリア層に接するビスマス含有はんだ層が積層されており、前記はんだ接合バリア層の側面は、前記金属拡散バリア層の側面よりも外側に位置していることを特徴とする半導体装置。請求項1に記載の半導体装置において、前記半導体素子における前記実装基板側の前記面と前記金属拡散バリア層との間に、当該面及び前記金属拡散バリア層のそれぞれと接するオーミックコンタクト層が形成されており、前記オーミックコンタクト層は、前記半導体素子における前記実装基板側の前記面の全体を覆うように形成されていることを特徴とする半導体装置。請求項2に記載の半導体装置において、前記金属拡散バリア層は、前記オーミックコンタクト層における前記金属拡散バリア層側の面の全体を覆うように形成されていることを特徴とする半導体装置。請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記はんだ接合バリア層は、前記金属拡散バリア層における前記はんだ接合バリア層側の面の全体を覆うように形成されていることを特徴とする半導体装置。請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記はんだ接合バリア層は銅からなることを特徴とする半導体装置。請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記金属拡散バリア層はニッケルからなることを特徴とする半導体装置。請求項1~6のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記はんだ接合バリア層の構成材料が、前記ビスマス含有はんだ層及び前記金属拡散バリア層のそれぞれの内部に拡散した場合にも、前記はんだ接合バリア層が存在することを特徴とする半導体装置。請求項1~7のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記はんだ接合バリア層を含めた前記ビスマス含有はんだ層におけるビスマスの質量濃度は、50以上で且つ99.5以下であることを特徴とする半導体装置。半導体素子と当該半導体素子を支える実装基板との接合構造を有する半導体装置であって、前記半導体素子と前記実装基板とは、融点が270°C以上であり且つビスマスを主成分とするはんだ材によって接合されており、前記半導体素子における前記実装基板側の面上には、金属拡散バリア層、前記金属拡散バリア層に接するはんだ接合バリア層、及び、前記はんだ接合バリア層に接するビスマス含有はんだ層が積層されており、前記ビスマス含有はんだ層の側面のうち少なくとも上部は、前記金属拡散バリア層の側面よりも内側に位置していることを特徴とする半導体装置。請求項9に記載の半導体装置において、前記半導体素子における前記実装基板側の前記面と前記金属拡散バリア層との間に、当該面及び前記金属拡散バリア層のそれぞれと接するオーミックコンタクト層が形成されており、前記オーミックコンタクト層は、前記半導体素子における前記実装基板側の前記面の全体を覆うように形成されていることを特徴とする半導体装置。請求項10に記載の半導体装置において、前記金属拡散バリア層は、前記オーミックコンタクト層における前記金属拡散バリア層側の面の全体を覆うように形成されていることを特徴とする半導体装置。請求項9~11のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記はんだ接合バリア層は、前記金属拡散バリア層における前記はんだ接合バリア層側の面の全体を覆うように形成されていることを特徴とする半導体装置。請求項9~12のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記はんだ接合バリア層は銅からなることを特徴とする半導体装置。請求項9~13のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記金属拡散バリア層はニッケルからなることを特徴とする半導体装置。請求項9~14のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記はんだ接合バリア層の構成材料が、前記ビスマス含有はんだ層及び前記金属拡散バリア層のそれぞれの内部に拡散した場合にも、前記はんだ接合バリア層が存在することを特徴とする半導体装置。請求項9~15のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記はんだ接合バリア層の側部は、前記ビスマス含有はんだ層の側面のうち少なくとも上部を覆うように前記ビスマス含有はんだ層の方へ延びていることを特徴とする半導体装置。請求項9~16のいずれか1項に記載の半導体装置において、前記はんだ接合バリア層を含めた前記ビスマス含有はんだ層におけるビスマスの質量濃度は、50以上で且つ99.5以下であることを特徴とする半導体装置。リフロー実装時に溶けない融点を持ち且つ満足すべき信頼性を持つ鉛フリー元素であるBiを主成分とするはんだつまりBi系はんだを用いて半導体素子の実装を行う場合に当該半導体素子に必要な金属拡散バリア層の効果を得るためには、金属の拡散を確実に防止できるように金属拡散バリア層の厚さを設定する必要があると同時に、金属拡散バリア層の側面の露出部がBi系はんだに接触しない構造を採用する必要がある。しかしながら、特許文献1の接合構造において、Ag層の厚さは特に規定されていない。また、半導体素子の裏面全面に形成されたAg層とBi系はんだ層との反応において262°C以上の温度で固液共存状態となるため、半導体素子の実装時に温度が310°Cに達する場合や半導体装置の実装時に温度が262°Cを超える場合、半導体素子の近傍に半導体素子の裏面全面を覆うように形成された金属拡散バリア層つまりNi層とBi系はんだ層とが反応してしまう。その結果、Ni層とBi系はんだ層との接触面全面に、脆い金属間化合物であるBiNiやBi3Ni等が生成されてしまい、接合信頼性が低下してしまう。また、特許文献1の接合構造においては、当該接合構造を構成する各層の側面の露出に対して何らの保護手段も取られていないので、半導体素子が個片化される前にBi系はんだ層を形成した場合において半導体素子を個片化する際や半導体素子を実装基板上に実装する際に、Bi系はんだ層とNi層とが接触してしまい、その結果、接合信頼性が低下する危険性がある。一方、特許文献2の接合構造においては、Bi系はんだ層とCu層との関係では前述の特許文献1のAg層とは違い、半導体素子の実装時に温度が310°Cに達してもCu層が溶けないため、BiNiやBi3Ni等が生成されることはない。しかしながら、特許文献2の接合構造においては、当該接合構造のうち半導体素子の裏面上に形成されている各層の厚さや金属拡散バリア層について特段の記述がされていない。また、特許文献1の接合構造の場合と同様に、接合構造を構成する各層の側面の露出に対して何らの保護手段も取られていない。このため、特許文献2の接合構造においても、信頼性上の問題が発生することは避けられないと考えられる。前記に鑑み、本発明は、半導体素子と実装基板とがBiを主成分とするはんだ材によって接合されている半導体装置の接合信頼性を向上させることを目的とする。前記の目的を達成するために、本願発明者らは、半導体素子と実装基板との接合構造に必要な金属拡散バリア層であるNi層とBiはんだ層とをバリアするために、Ni層とBiはんだ層との間に、例えばCuからなるはんだ接合バリア層を介在させることを着想し、当該はんだ接合バリア層として必要な厚さについて、以下のような検討を行った。図9は、Cu-Bi合金の状態図であり、図10は、図9の状態図に基づいて半導体素子の実装温度近傍における10μm厚のBi層に対するCu溶解量を算出した結果を示している。図10に示すように、半導体素子の一般的な実装温度である310°Cで、10μm厚のBi層に対するCu溶解量が0.03μm溶解量に相当するCu厚さであることから、10μm厚のBi層に対して必要なバリア層の厚さは0.03μm以上となる。しかし、この値は理論値であり、バリア層にピンホールなどが生じる可能性も考えると、実際のバリア層の厚さをこの値の約数十~数百倍に設定することが望まれる。図11aは、例えばSi基板を用いて形成された半導体素子を、実装基板、例えばCuからなるリード端子上にBiを主成分とするはんだ材を用いて実装する際に、リード端子の実装面上に、Bi、Cu、Ag、Niの各単一元素からなる層の積層体を介して半導体素子を搭載した様子を示す断面図である。また、図11b及びcはそれぞれ、図11aに示す構造のうちBi層として10μm厚のBi層を用いたサンプルを330°Cの環境下に5分間滞留させた時の接合度バリア性を、Cu厚とAg厚とをパラメータとして求めた結果を示す表及びグラフである。ここで、接合度バリア性は、図11aに示す接合構造の断面における接合部の割合完全剥離の場合が0、剥離なし場合が100を用いて表されている。また、高温環境下での生産時の滞留マージンやはんだ材料の経時加速変化等を確認するために、330°Cの環境下での5分間滞留を行っている。図11b及びcに示すように、接合構造中にAg層がNi層の近傍に設けられているサンプルの結果と、接合構造中にAg層が設けられていないサンプルの結果とを比較すると、Ag層がNi層の近傍に設けられている場合、Cu厚が2.5μm以上ないと、330°Cの環境下での滞留を行わなくても剥離が生じる。一方、Ag層が設けられていない場合、Cu厚が3.5μm以上あれば、330°Cの環境下での5分間滞留を行っても剥離が生じない。以上のことから、金属拡散バリア層であるNi層とBiはんだ層との間に、例えばCuからなるはんだ接合バリア層を介在させる場合、当該バリア層の厚さを3.5μm以上に設定すると共にNi層とBiはんだ層との間にAg層を介在させないことが望ましいということが判明した。また、さらに、本願発明者らは、接合構造を構成する各層の側面の露出に対する1つの保護手段として、金属拡散バリア層であるNi層とBiはんだ層との間にはんだ接合バリア層を介在させた構成において、はんだ接合バリア層の側面を、金属拡散バリア層であるNi層の側面よりも外側に位置させることを着想した。これにより、半導体素子の実装時等におけるNi層とBiはんだ層との接触をより確実に防止することができる。さらに、本願発明者らは、接合構造を構成する各層の側面の露出に対する他の保護手段として、Biはんだ層の側面のうち少なくとも上部を、金属拡散バリア層であるNi層の側面よりも内側に位置させることを着想した。これにより、半導体素子の実装時等におけNi層とBiはんだ層との接触をより確実に防止することができる。尚、Biはんだ層の濡れ拡がり量の制御が困難である場合には、リードフレーム等の実装基板とBiはんだ層との間に濡れ拡がり制御層としてAg層を設けてもよい。本発明は、以上の知見に基づいてなされたものであって、本発明に係る第1の半導体装置は、半導体素子と当該半導体素子を支える実装基板との接合構造を有する半導体装置であって、前記半導体素子と前記実装基板とは、融点が270°C以上であり且つビスマスを主成分とするはんだ材によって接合されており、前記半導体素子における前記実装基板側の面上には、金属拡散バリア層、前記金属拡散バリア層に接するはんだ接合バリア層、及び、前記はんだ接合バリア層に接するビスマス含有はんだ層が積層されており、前記はんだ接合バリア層の側面は、前記金属拡散バリア層の側面よりも外側に位置している。尚、本願において、主成分とは、対象となる部材例えば半導体素子と実装基板との接合部に含まれる元素のうち質量濃度が最も高い元素を意味する。本発明に係る第1の半導体装置において、前記半導体素子と前記実装基板との接合構造における各層の平面形状が正方形又は長方形である場合、前記はんだ接合バリア層の4側面は、前記金属拡散バリア層の4側面よりも外側に位置していてもよい。本発明に係る第1の半導体装置において、前記はんだ接合バリア層及び前記ビスマス含有はんだ層がそれぞれ単一元素例えばCuとBiで構成されている場合、半導体素子実装時に前記はんだ接合バリア層中の元素が所定の割合で前記ビスマス含有はんだ層中に拡散してもよい。このようにすると、接合信頼性の高い半導体装置を安定して且つ安価に製造することができる。本発明に係る第1の半導体装置において、前記半導体素子における前記実装基板側の前記面と前記金属拡散バリア層との間に、当該面及び前記金属拡散バリア層のそれぞれと接するオーミックコンタクト層が形成されており、前記オーミックコンタクト層は、前記半導体素子における前記実装基板側の前記面の全体を覆うように形成されていてもよい。本発明に係る第1の半導体装置において、前記金属拡散バリア層は、前記オーミックコンタクト層における前記金属拡散バリア層側の面の全体を覆うように形成されていてもよい。本発明に係る第1の半導体装置において、前記はんだ接合バリア層は、前記金属拡散バリア層における前記はんだ接合バリア層側の面の全体を覆うように形成されていてもよい。本発明に係る第1の半導体装置において、前記はんだ接合バリア層は銅から構成されていてもよい。本発明に係る第1の半導体装置において、前記金属拡散バリア層はニッケルから構成されていてもよい。本発明に係る第1の半導体装置において、前記はんだ接合バリア層の構成材料が、前記ビスマス含有はんだ層及び前記金属拡散バリア層のそれぞれの内部に拡散した場合にも、前記はんだ接合バリア層が存在してもよい。本発明に係る第1の半導体装置において、前記はんだ接合バリア層を含めた前記ビスマス含有はんだ層におけるビスマスの質量濃度は、50以上で且つ99.5以下であってもよい。本発明に係る第2の半導体装置は、半導体素子と当該半導体素子を支える実装基板との接合構造を有する半導体装置であって、前記半導体素子と前記実装基板とは、融点が270°C以上であり且つビスマスを主成分とするはんだ材によって接合されており、前記半導体素子における前記実装基板側の面上には、金属拡散バリア層、前記金属拡散バリア層に接するはんだ接合バリア層、及び、前記はんだ接合バリア層に接するビスマス含有はんだ層が積層されており、前記ビスマス含有はんだ層の側面のうち少なくとも上部は、前記金属拡散バリア層の側面よりも内側に位置している。本発明に係る第2の半導体装置において、前記半導体素子と前記実装基板との接合構造における各層の平面形状が正方形又は長方形である場合、前記ビスマス含有はんだ層の4側面のうち少なくとも上部は、前記金属拡散バリア層の4側面よりも内側に位置していてもよい。本発明に係る第2の半導体装置において、前記はんだ接合バリア層及び前記ビスマス含有はんだ層がそれぞれ単一元素例えばCuとBiで構成されている場合、半導体素子実装時に前記はんだ接合バリア層中の元素が所定の割合で前記ビスマス含有はんだ層中に拡散してもよい。このようにすると、接合信頼性の高い半導体装置を安定して且つ安価に製造することができる。本発明に係る第2の半導体装置において、前記半導体素子における前記実装基板側の前記面と前記金属拡散バリア層との間に、当該面及び前記金属拡散バリア層のそれぞれと接するオーミックコンタクト層が形成されており、前記オーミックコンタクト層は、前記半導体素子における前記実装基板側の前記面の全体を覆うように形成されていてもよい。本発明に係る第2の半導体装置において、前記金属拡散バリア層は、前記オーミックコンタクト層における前記金属拡散バリア層側の面の全体を覆うように形成されていてもよい。本発明に係る第2の半導体装置において、前記はんだ接合バリア層は、前記金属拡散バリア層における前記はんだ接合バリア層側の面の全体を覆うように形成されていてもよい。本発明に係る第2の半導体装置において、前記はんだ接合バリア層は銅から構成されていてもよい。本発明に係る第2の半導体装置において、前記金属拡散バリア層はニッケルから構成されていてもよい。本発明に係る第2の半導体装置において、前記はんだ接合バリア層の構成材料が、前記ビスマス含有はんだ層及び前記金属拡散バリア層のそれぞれの内部に拡散した場合にも、前記はんだ接合バリア層が存在してもよい。本発明に係る第2の半導体装置において、前記はんだ接合バリア層の側部は、前記ビスマス含有はんだ層の側面のうち少なくとも上部を覆うように前記ビスマス含有はんだ層の方へ延びていてもよい。ここで、前記半導体素子と前記実装基板との接合構造における各層の平面形状が正方形又は長方形である場合、前記はんだ接合バリア層の4側部は、前記ビスマス含有はんだ層の4側面のうち少なくとも上部を覆うように前記ビスマス含有はんだ層の方へ延びていてもよい。本発明に係る第2の半導体装置において、前記はんだ接合バリア層を含めた前記ビスマス含有はんだ層におけるビスマスの質量濃度は、50以上で且つ99.5以下であってもよい。本発明によると、半導体素子と実装基板とがBiを主成分とするはんだ材によって接合されている半導体装置の接合信頼性を向上させることができる。また、本発明によると、半導体素子の実装温度やはんだ濡れ拡がりに影響されることなく、半導体素子を実装することができるので、従来の鉛はんだの代替が困難であった高温鉛フリーはんだを使用した半導体装置を得ることができる。さらに、本発明によると、接合構造の各構成層が単一元素からなる場合にも前述の効果を得ることができるため、現行プロセスによる半導体装置製造が可能となるので、低コストプロセスを実現することができる。第1の実施形態以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置について、図面を参照しながら説明する。図1は、第1の実施形態に係る半導体装置における半導体素子と実装基板との接合状態を示す断面図である。図1に示すように、例えばCu合金により構成された厚さ約100μmの実装基板15上に半導体素子11が実装されている。半導体素子11と実装基板15との間には、半導体素子11に近い方から、電極層12、及び接合部材であるBi系はんだ層13が半導体素子11の下面全面を覆うように形成されている。電極層12は、半導体素子11の下面に接し且つ当該下面全面を覆うオーミックコンタクト層12a、オーミックコンタクト層12aの下面に接し且つ当該下面全面を覆う金属拡散バリア層12b、及び、金属拡散バリア層12bの下面に接し且つ当該下面全面を覆うはんだ接合バリア層12cが積層された構造を有している。オーミックコンタクト層12aは、例えばクロムCr、チタンTi又は金Au合金からなり、約0.01~0.5μm程度の厚さ例えば0.1μm程度の厚さを有している。また、半導体素子11への金属の拡散を防止する金属拡散バリア層12bは、例えばNiからなり、約0.1~0.5μm程度の厚さ例えば0.3μm程度の厚さを有している。また、はんだ接合バリア層12cは、例えばCuからなり、約0.01~10μm程度の厚さ例えば5μm程度の厚さを有している。さらに、半導体素子11と実装基板15との接合部材であるBi系はんだ層13は、約5~200μm程度の厚さ例えば10μm程度の厚さを有している。すなわち、図1に示す本実施形態の半導体装置においては、実装基板15の材料として、一般的なCu合金を用い、半導体素子11を実装基板15上に固着させるための接合部材として、比較的低温で溶融するはんだ材を用い、当該はんだ材として、融点が270°C以上であり且つビスマスを主成分とするBi系はんだを用い、金属拡散バリア層の材料として、Niを用いている。ここで、電極層12を構成する各層の金属材料の組合せによって様々な特性が変わることから、金属材料の組み合わせと各層の厚さとを適切に設定することによって、半導体素子11と実装基板15との接合構造中に脆弱な金属間化合物が生成されないようにする必要がある。また、各層の金属材料は、電気回路基板上に半導体装置を実装するための温度、例えば260°Cよりも高い融点を持つ必要がある。260°C以下の融点を持つ金属材料を用いた場合、半導体素子11と実装基板15との接合構造が再溶融してしまい、実装基板15上の設計外の位置に半導体素子11が再配置されてしまったり、接合構造が再形成されてしまうので、電気特性や信頼性が悪化してしまう。また、本実施形態において、接合部材として、Biを主成分とするBi系はんだ層13を用いる理由は、Biの融点が271.3°Cであること、コスト、加工性及び環境負荷安全性の点で優れていること、並びに、Bi系はんだ層13と接合する上下の部材との熱膨張係数の差が小さく、応力に起因する負荷が小さいことである。例えば、Biの熱膨張係数が13×106/°Cであるのに対して、Cu実装基板15の構成材料の熱膨張係数は17×106/°Cであり、Si半導体素子11の構成材料の熱膨張係数は2.5×106/°Cである。また、本実施形態において、接合部材であるBi系はんだ層13及び電極層12の各層をそれぞれ単一金属元素により構成してもよいし、又は、融点が260°C以上であり且つ共晶成分が発生する接合部材を用いてもよい。但し、この場合、はんだ接合部の組成の不均一さに起因して接合性が低下するおそれがある。従って、単一金属元素からなる層の積層体Biはんだ層を含むを形成し、半導体素子実装時にBiはんだ層を溶融させ、Biはんだ層と接合する上下の部材中の金属元素をある一定量Biはんだ層中に拡散させることが望ましい。以上に説明した本実施形態によると、金属拡散バリア層12bとBi系はんだ層13との間にはんだ接合バリア層12cを介在させているため、半導体素子11の実装時にBi系はんだ層13が溶融した際にBiと金属拡散バリア層12b中のNiとが反応することを防止することが可能となる。従って、脆い金属間化合物であるBiNiやBi3Ni等が生成される事態を回避することができるので、半導体装置の接合信頼性を向上させることができる。特に、本実施形態においては、図1に示すように、はんだ接合バリア層12cの側面はんだ接合バリア層12cの平面形状が正方形又は長方形である場合には4側面を、金属拡散バリア層12bの側面金属拡散バリア層12bの平面形状が正方形又は長方形である場合には4側面よりも外側に位置させている。このため、半導体素子11の実装時等における金属拡散バリア層12b中のNiとBi系はんだ層13中のBiとの反応をより確実に防止することができる。また、本実施形態によると、半導体素子11の実装温度やはんだ濡れ拡がりに影響されることなく、半導体素子11を実装することができる。従って、従来の鉛はんだの代替が困難であった高温鉛フリーはんだを使用して、温度サイクル試験を満足し、且つ実装時や高温動作時等におけるはんだ再溶融に起因する接合信頼性の悪化のない半導体装置を得ることができる。また、接合構造の各構成層が単一元素からなる場合にも前述の効果を得ることができるため、現行プロセスによる半導体装置製造が可能となるので、安定した低コストプロセスを実現することができる。すなわち、接合部材として高温鉛フリーはんだを用いることによって、安価なリフロー実装対応可能な完全鉛フリー半導体装置を実現することができる。尚、半導体素子11の実装時等に、はんだ接合バリア層12cの構成材料が、Bi系はんだ層13及び金属拡散バリア層12bのそれぞれの内部に拡散した場合にも、はんだ接合バリア層12cが層として存在することが好ましい。図2aは、電極層12及びBi系はんだ層13が設けられた半導体素子11の実装前但し個片化後の断面写真であり、図2bは、半導体素子11を実装基板15上に実装した後の断面写真である。図2a及び図2bにおいて、上から、Siは半導体素子11であり、Cr/Niはオーミックコンタクト層12a/金属拡散バリア層12bであり、Cuははんだ接合バリア層12cであり、BiはBi系はんだ層13である。尚、図2bのAg及びその下のCuはそれぞれ、濡れ拡がり制御層及び実装基板15である。すなわち、本実施形態の変形例として、図3に示すように、Bi系はんだ層13と実装基板15との間に、例えば銀Agからなる厚さ約1~5μm程度の濡れ拡がり制御層14を形成してもよい。このようにすると、Bi系はんだ層13の濡れ拡がり量の制御が容易になる。特に、濡れ拡がり制御層14の側面濡れ拡がり制御層14の平面形状が正方形又は長方形である場合には4側面を、半導体素子11の側面半導体素子11の平面形状が正方形又は長方形である場合には4側面よりも外側に位置させることによって、Bi系はんだ層13の濡れ性を向上させることが可能となる。尚、本実施形態において、オーミックコンタクト層12aは、半導体素子11における実装基板15側の面の全体を覆うように形成されていてもよい。また、金属拡散バリア層12bは、オーミックコンタクト層12aにおける金属拡散バリア層12b側の面の全体を覆うように形成されていてもよい。また、はんだ接合バリア層12cは、金属拡散バリア層12bにおけるはんだ接合バリア層12c側の面の全体を覆うように形成されていてもよい。また、オーミックコンタクト層12aを設けずに、半導体素子11と実装基板15との間を放熱経路としてのみ用いてもよい。すなわち、電極層12に代えて、金属拡散バリア層12b及び接合バリア層12cの積層体を設けてもよい。また、本実施形態において、はんだ接合バリア層12cの材料として、Cuを用いたが、これに代えて、例えば銀Ag又はコバルトCo等を用いてもよい。また、本実施形態において、金属拡散バリア層12bの材料として、Niを用いたが、これに代えて、例えばバナジウムV等を用いてもよい。また、本実施形態において、はんだ接合バリア層12cを含めたBi系はんだ層13におけるBiの質量濃度は、50以上で且つ99.5以下であってもよい。また、濡れ拡がり制御層14を形成する場合には、はんだ接合バリア層12c及び濡れ拡がり制御層14を含めたBi系はんだ層13におけるBiの質量濃度は、35以上で且つ97以下であってもよい。以下、前述の本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。この製造方法においては、半導体素子11を個片化する前に電極層12及びBi系はんだ層13を例えば蒸着法又はめっき法を用いて形成した後、半導体素子11を個片化する際に電極層12に触れないように例えばダイヤモンド砥石のついたブレードを用いて切削を行い、その後、へき開によって半導体素子11を完全に個片化する。続いて、例えば水素ガスなどの還元ガスの雰囲気中で例えば310°C程度に加熱した実装基板15上に半導体素子11を搭載した後、冷却して半導体素子11を実装基板15に固着させる。尚、この製造方法においては、半導体素子11を個片化する際に、はんだ接合バリア層12cの側部の突き出し長さに若干バラツキが生じることもあるが、半導体素子11と電極層12との接合状態を損なうことなく半導体素子11を個片化することができる。第2の実施形態以下、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置について、図面を参照しながら説明する。図4は、第2の実施形態に係る半導体装置における半導体素子と実装基板との接合状態を示す断面図である。図4に示すように、例えばCu合金により構成された厚さ約100μmの実装基板25上に半導体素子21が実装されている。半導体素子21と実装基板25との間には、半導体素子21に近い方から、電極層22、及び接合部材であるBi系はんだ層23が半導体素子21の下面全面を覆うように形成されている。電極層22は、半導体素子21の下面に接し且つ当該下面全面を覆うオーミックコンタクト層22a、オーミックコンタクト層22aの下面に接し且つ当該下面全面を覆う金属拡散バリア層22b、及び、金属拡散バリア層22bの下面に接し且つ当該下面全面を覆うはんだ接合バリア層22cが積層された構造を有している。オーミックコンタクト層22aは、例えばCr、Ti又はAu合金からなり、約0.01~0.5μm程度の厚さ例えば0.1μm程度の厚さを有している。また、半導体素子21への金属の拡散を防止する金属拡散バリア層22bは、例えばNiからなり、約0.1~0.5μm程度の厚さ例えば0.3μm程度の厚さを有している。また、はんだ接合バリア層22cは、例えばCuからなり、約0.01~10μm程度の厚さ例えば5μm程度の厚さを有している。さらに、半導体素子21と実装基板25との接合部材であるBi系はんだ層23は、約5~200μm程度の厚さ例えば10μm程度の厚さを有している。すなわち、図4に示す本実施形態の半導体装置においては、実装基板25の材料として、一般的なCu合金を用い、半導体素子21を実装基板25上に固着させるための接合部材として、比較的低温で溶融するはんだ材を用い、当該はんだ材として、融点が270°C以上であり且つビスマスを主成分とするBi系はんだを用い、金属拡散バリア層の材料として、Niを用いている。ここで、電極層22を構成する各層の金属材料の組合せによって様々な特性が変わることから、金属材料の組み合わせと各層の厚さとを適切に設定することによって、半導体素子21と実装基板25との接合構造中に脆弱な金属間化合物が生成されないようにする必要がある。また、各層の金属材料は、電気回路基板上に半導体装置を実装するための温度、例えば260°Cよりも高い融点を持つ必要がある。260°C以下の融点を持つ金属材料を用いた場合、半導体素子21と実装基板25との接合構造が再溶融してしまい、実装基板25上の設計外の位置に半導体素子21が再配置されてしまったり、接合構造が再形成されてしまうので、電気特性や信頼性が悪化してしまう。また、本実施形態において、接合部材として、Biを主成分とするBi系はんだ層23を用いる理由は、Biの融点が271.3°Cであること、コスト、加工性及び環境負荷安全性の点で優れていること、並びに、Bi系はんだ層23と接合する上下の部材との熱膨張係数の差が小さく、応力に起因する負荷が小さいことである。例えば、Biの熱膨張係数が13×106/°Cであるのに対して、Cu実装基板25の構成材料の熱膨張係数は17×106/°Cであり、Si半導体素子21の構成材料の熱膨張係数は2.5×106/°Cである。また、本実施形態において、接合部材であるBi系はんだ層23及び電極層22の各層をそれぞれ単一金属元素により構成してもよいし、又は、融点が260°C以上であり且つ共晶成分が発生する接合部材を用いてもよい。但し、この場合、はんだ接合部の組成の不均一さに起因して接合性が低下するおそれがある。従って、単一金属元素からなる層の積層体Biはんだ層を含むを形成し、半導体素子実装時にBiはんだ層を溶融させ、Biはんだ層と接合する上下の部材中の金属元素をある一定量Biはんだ層中に拡散させることが望ましい。以上に説明した本実施形態によると、金属拡散バリア層22bとBi系はんだ層23との間にはんだ接合バリア層22cを介在させているため、半導体素子21の実装時にBi系はんだ層23が溶融した際にBiと金属拡散バリア層22b中のNiとが反応することを防止することが可能となる。従って、脆い金属間化合物であるBiNiやBi3Ni等が生成される事態を回避することができるので、半導体装置の接合信頼性を向上させることができる。特に、本実施形態においては、図4に示すように、Bi系はんだ層23の側面Bi系はんだ層23の平面形状が正方形又は長方形である場合には4側面のうち少なくとも上部を、金属拡散バリア層22bの側面金属拡散バリア層22bの平面形状が正方形又は長方形である場合には4側面よりも内側に位置させている。より具体的には、はんだ接合バリア層22cの側部はんだ接合バリア層22cの平面形状が正方形又は長方形である場合には4側部は、Bi系はんだ層23の側面Bi系はんだ層23の平面形状が正方形又は長方形である場合には4側面のうち少なくとも上部を覆うようにBi系はんだ層23の方へ例えば約0.1~8μm程度延びている。これにより、Bi系はんだ層23が溶融した際にBiがはんだ接合バリア層22cの側面をはい上がる事態を阻止できる。このため、半導体素子21の実装時等における金属拡散バリア層22b中のNiとBi系はんだ層23中のBiとの反応をより確実に防止することができる。また、本実施形態によると、半導体素子21の実装温度やはんだ濡れ拡がりに影響されることなく、半導体素子21を実装することができる。従って、従来の鉛はんだの代替が困難であった高温鉛フリーはんだを使用して、温度サイクル試験を満足し、且つ実装時や高温動作時等におけるはんだ再溶融に起因する接合信頼性の悪化のない半導体装置を得ることができる。また、接合構造の各構成層が単一元素からなる場合にも前述の効果を得ることができるため、現行プロセスによる半導体装置製造が可能となるので、安定した低コストプロセスを実現することができる。すなわち、接合部材として高温鉛フリーはんだを用いることによって、安価なリフロー実装対応可能な完全鉛フリー半導体装置を実現することができる。尚、半導体素子21の実装時等に、はんだ接合バリア層22cの構成材料が、Bi系はんだ層23及び金属拡散バリア層22bのそれぞれの内部に拡散した場合にも、はんだ接合バリア層22cが層として存在することが好ましい。図5aは、電極層22及びBi系はんだ層23が設けられた半導体素子21の実装前但し個片化後の断面写真であり、図5bは、半導体素子21を実装基板25上に実装した後の断面写真である。図5a及び図5bにおいて、上から、Siは半導体素子21であり、Cr/Niはオーミックコンタクト層22a/金属拡散バリア層22bであり、Cuははんだ接合バリア層22cであり、BiはBi系はんだ層23である。尚、図5bのAg及びその下のCuはそれぞれ、濡れ拡がり制御層及び実装基板25である。すなわち、本実施形態の変形例として、図6に示すように、Bi系はんだ層23と実装基板25との間に、例えばAgからなる厚さ約1~5μm程度の濡れ拡がり制御層24を形成してもよい。このようにすると、Bi系はんだ層23の濡れ拡がり量の制御が容易になる。特に、濡れ拡がり制御層24の側面濡れ拡がり制御層24の平面形状が正方形又は長方形である場合には4側面を、半導体素子21の側面半導体素子21の平面形状が正方形又は長方形である場合には4側面よりも外側に位置させることによって、Bi系はんだ層23の濡れ性を向上させることが可能となる。尚、本実施形態において、オーミックコンタクト層22aは、半導体素子21における実装基板25側の面の全体を覆うように形成されていてもよい。また、金属拡散バリア層22bは、オーミックコンタクト層22aにおける金属拡散バリア層22b側の面の全体を覆うように形成されていてもよい。また、はんだ接合バリア層22cは、金属拡散バリア層22bにおけるはんだ接合バリア層22c側の面の全体を覆うように形成されていてもよい。また、オーミックコンタクト層22aを設けずに、半導体素子21と実装基板25との間を放熱経路としてのみ用いてもよい。すなわち、電極層22に代えて、金属拡散バリア層22b及び接合バリア層22cの積層体を設けてもよい。また、本実施形態において、はんだ接合バリア層22cの材料として、Cuを用いたが、これに代えて、例えばAg又はCo等を用いてもよい。また、本実施形態において、金属拡散バリア層22bの材料として、Niを用いたが、これに代えて、例えばバナジウムV等を用いてもよい。また、本実施形態において、はんだ接合バリア層22cを含めたBi系はんだ層23におけるBiの質量濃度は、50以上で且つ99.5以下であってもよい。また、濡れ拡がり制御層24を形成する場合には、はんだ接合バリア層22c及び濡れ拡がり制御層24を含めたBi系はんだ層23におけるBiの質量濃度は、35以上で且つ97以下であってもよい。以下、前述の本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。この製造方法においては、半導体素子21を個片化する前に電極層22を形成した後、半導体素子21を個片化する際に電極層22に完全に接触するように例えばダイヤモンド砥石のついたブレードを用いて切削を行う。ここで、へき開は行わない。続いて、例えば水素ガスなどの還元ガスの雰囲気中で例えば310°C程度に加熱した実装基板25上に、溶融させたBi系はんだ層23を介して半導体素子21を搭載した後、冷却して半導体素子21を実装基板25に固着させる。また、この製造方法は、半導体素子21を個片化する際の条件によってはんだ接合バリア層22cの側部を下方に延ばすように切削を行う技術であるため、半導体素子21に電極層22及びBi系はんだ層23を設けた状態で切削を行うことが望ましいが、この場合、ブレードの磨耗度が高くなることに注意する必要がある。尚、第1及び第2の実施形態において、Bi系はんだ層13及び23をBiのみから構成した場合、Bi系はんだ層13及び23のそれぞれの上下の部材から、図9のCu-Bi合金の状態図に示す関係に従ってCuが所定量拡散する。従って、半導体素子実装条件を用いてCuの拡散量をコントロールできるので、はんだ接合部の組成の不均一性を低減することができる。また、第1及び第2の実施形態において、1つの半導体素子を接合部材によって実装基板上に実装する場合を説明したが、複数の半導体素子を実装基板上に実装する場合にも本発明を適用可能であることは言うまでもない。また、第1及び第2の実施形態において、リード端子等の実装基板又はその一部に対するワイヤー接続、及び当該ワイヤー等を保護する樹脂封止構造等の説明を省略しているが、こられの構成要素を半導体装置に設けてもよいことは言うまでもない。