"基板と、該基板上に一方向に配されている第1光電変換セルおよび第2光電変換セルを含んでいる複数の光電変換セルとを備え、該光電変換セルのそれぞれは、第1電極層、光電変換層および第2電極層が積み重なっている積層体と、前記第2電極層上に配されている3つ以上の線状導電部とを含んでおり、前記第1光電変換セルには、前記光電変換層に隙間部が配されているとともに、該隙間部において、前記3つ以上の線状導電部と前記第2光電変換セルの前記第1電極層とをそれぞれ電気的に接続している3つ以上の接続部が配されており、該3つ以上の接続部のうちの2つの接続部を通る仮想的な直線上から外れた領域に、前記3つ以上の接続部のうちの前記2つの接続部とは異なる1つ以上の接続部が配されている、光電変換装置。前記隙間部は、3つ以上の貫通孔からなり、前記3つ以上の接続部は、前記3つ以上の貫通孔にそれぞれ配されている、請求項1に記載の光電変換装置。前記隙間部は、スリットからなり、該スリットは、該スリットの長手方向の途中に曲がり領域を含んでいる、請求項1に記載の光電変換装置。前記3つ以上の接続部は、前記スリットにそれぞれ配されており、該スリットは、前記3つ以上の接続部が配されていない非配設領域と、該非配設領域よりも幅が広く且つ前記3つ以上の接続部がそれぞれ配されている3つ以上の配設領域とを含んでいる、請求項3に記載の光電変換装置。前記第1光電変換セルの前記第1電極層は、第1領域および第2領域を含んでおり、前記第1領域と前記第2領域との間には両者を電気的に分離する線状隙間部が配されており、前記第2領域は、前記第2光電変換セルの前記第1電極層に接続されており、前記線状隙間部は、前記スリットに沿って配されているとともに、前記曲がり領域に沿って曲がっている、請求項3または請求項4に記載の光電変換装置。前記第1光電変換セルと前記第2光電変換セルとの間に、両者の前記光電変換層、前記第2電極層および前記3つ以上の線状導電部のそれぞれを電気的に分離するセル間分離領域が配されており、前記セル間分離領域は、前記スリットに沿って配されているとともに、前記曲がり領域に沿って曲がっている、請求項3から請求項5の何れか1つの請求項に記載の光電変換装置。基板と、該基板上に配されている複数の光電変換セルとを備え、該光電変換セルのそれぞれは、第1電極層と光電変換層および第2電極層が積み重なっている積層体と、前記第2電極層上に配されている2つ以上の線状導電部とを含んでおり、前記複数の光電変換セルは、一方向に電気的に直列に接続されている第1光電変換セルおよび第2光電変換セルを含んでいる第1セル列と、前記一方向に電気的に直列に接続されている第3光電変換セルおよび第4光電変換セルを含み、前記第1セル列と並んで配されている第2セル列とを有している複数のセル列を構成しており、前記第1セル列と前記第2セル列との間に両者を電気的に分離する列間分離領域が配されており、前記第1光電変換セルと前記第3光電変換セルとが前記列間分離領域を挟んで配されており、前記第1光電変換セルおよび前記第3光電変換セルの前記光電変換層のそれぞれには、隙間部が配されており、前記第1光電変換セルは、前記隙間部において、前記2つ以上の線状導電部と前記第2光電変換セルの前記第1電極層とをそれぞれ電気的に接続している2つ以上の接続部を含んでおり、前記第3光電変換セルは、前記隙間部において、前記2つ以上の線状導電部と前記第4光電変換セルの前記第1電極層とをそれぞれ電気的に接続している2つ以上の接続部を含んでおり、前記第1光電変換セルの前記2つ以上の接続部および前記第3光電変換セルの前記2つ以上の接続部を含む4つ以上の接続部のうちの2つの接続部が通る仮想的な直線上から外れた領域に、前記4つ以上の接続部のうちの前記2つの接続部とは異なる1つ以上の接続部が配されている、光電変換装置。前記第1光電変換セルの前記2つ以上の接続部は、第1の仮想的な直線上に配されており、前記第3光電変換セルの前記2つ以上の接続部は、前記第1の仮想的な直線とは異なる第2の仮想的な直線上に配されている、請求項7に記載の光電変換装置。基板を準備する準備工程と、前記基板上に、一方向に配列されている複数の第1電極層を形成する第1形成工程と、前記複数の第1電極層上に、第1方向に湾曲している1つ以上の湾曲領域を含むスリットが配されている光電変換層と第2電極層とが積み重なっている積層体を形成する第2形成工程と、前記第2電極層上に前記第1方向とは反対の第2方向に塗布液を塗布することで、3つ以上の線状導電部のパターンと、前記1つ以上の湾曲領域における湾曲の曲率が最大となっている最大曲率領域および前記スリットのうちの前記最大曲率領域以外の領域において前記3つ以上の線状導電部のパターンと前記複数の第1電極層のうちの1つの第1電極層とをそれぞれ接続する3つ以上の接続部のパターンとを形成する塗布工程とを有し、該塗布工程において、前記3つ以上の接続部のパターンのうちの2つの接続部のパターンがそれぞれ形成される2つの領域を通る仮想的な直線上から外れた領域に、前記3つ以上の接続部のパターンのうちの前記2つの接続部のパターンとは異なる1つ以上の接続部のパターンを形成する光電変換装置の製造方法。ここで、上記光電変換装置では、溝部に沿って接続部が他方向に延在している。このため、光電変換装置の受光面に積雪による押圧力等の外力が掛かると、該光電変換装置は、接続部の付近において撓み易い。したがって、基板および下部電極のうちの接続部に沿った領域にクラックが生じ易い。その結果、光電変換装置の変換効率の低下が生じ得る。そこで、外力の付与に拘わらず光電変換装置における変換効率が維持され得る光電変換装置ならびに該光電変換装置の製造方法が望まれている。上記課題を解決するために、一態様に係る光電変換装置は、基板と、該基板上に一方向に配されている第1光電変換セルおよび第2光電変換セルを含んでいる複数の光電変換セルとを備えている。また、該光電変換セルのそれぞれは、第1電極層、光電変換層および第2電極層が積み重なっている積層体と、前記第2電極層上に配されている3つ以上の線状導電部とを含んでいる。さらに、前記第1光電変換セルには、前記光電変換層に隙間部が配されているとともに、該隙間部において、前記3つ以上の線状導電部と前記第2光電変換セルの前記第1電極層とをそれぞれ電気的に接続している3つ以上の接続部が配されている。そして、該光電変換装置では、該3つ以上の接続部のうちの2つの接続部を通る仮想的な直線上から外れた領域に、前記3つ以上の接続部のうちの前記2つの接続部とは異なる1つ以上の接続部が配されている。また、他の一態様に係る光電変換装置は、基板と、該基板上に配されている複数の光電変換セルとを備えている。また、該光電変換セルのそれぞれは、第1電極層と光電変換層および第2電極層が積み重なっている積層体と、前記第2電極層上に配されている2つ以上の線状導電部とを含んでいる。また、前記複数の光電変換セルは、一方向に電気的に直列に接続されている第1光電変換セルおよび第2光電変換セルを含んでいる第1セル列と、前記一方向に電気的に直列に接続されている第3光電変換セルおよび第4光電変換セルを含み、前記第1セル列と並んで配されている第2セル列とを有している複数のセル列を構成している。さらに、該光電変換装置には、前記第1セル列と前記第2セル列との間に両者を電気的に分離する列間分離領域が配されている。また、該光電変換装置では、前記第1光電変換セルと前記第3光電変換セルとが前記列間分離領域を挟んで配されている。また、前記第1光電変換セルおよび前記第3光電変換セルの前記光電変換層のそれぞれには、隙間部が配されている。また、前記第1光電変換セルは、前記隙間部において、前記2つ以上の線状導電部と前記第2光電変換セルの前記第1電極層とをそれぞれ電気的に接続している2つ以上の接続部を含んでいる。さらに、前記第3光電変換セルは、前記隙間部において、前記2つ以上の線状導電部と前記第4光電変換セルの前記第1電極層とをそれぞれ電気的に接続している2つ以上の接続部を含んでいる。そして、前記第1光電変換セルの前記2つ以上の接続部および前記第3光電変換セルの前記2つ以上の接続部を含む4つ以上の接続部のうちの2つの接続部が通る仮想的な直線上から外れた領域に、前記4つ以上の接続部のうちの前記2つの接続部とは異なる1つ以上の接続部が配されている。また、その他の一態様に係る光電変換装置の製造方法は、準備工程と第1形成工程と第2形成工程と塗布工程とを有している。前記準備工程において、基板を準備する。前記第1形成工程において、前記基板上に、一方向に配列されている複数の第1電極層を形成する。前記第2形成工程において、前記複数の第1電極層上に、第1方向に湾曲している1つ以上の湾曲領域を含むスリットが配されている光電変換層と第2電極層とが積み重なっている積層体を形成する。前記塗布工程において、前記第2電極層上に前記第1方向とは反対の第2方向に塗布液を塗布することで、3つ以上の線状導電部のパターンと、前記1つ以上の湾曲領域における湾曲の曲率が最大となっている最大曲率領域および前記スリットのうちの前記最大曲率領域以外の領域において前記3つ以上の線状導電部のパターンと前記複数の第1電極層のうちの1つの第1電極層とをそれぞれ接続する3つ以上の接続部のパターンとを形成する。そして、前記塗布工程において、前記3つ以上の接続部のパターンのうちの2つの接続部のパターンがそれぞれ形成される2つの領域を通る仮想的な直線上から外れた領域に、前記3つ以上の接続部のパターンのうちの前記2つの接続部のパターンとは異なる1つ以上の接続部のパターンを形成する。一態様に係る光電変換装置、他の一態様に係る光電変換装置ならびにその他の一態様に係る光電変換装置の製造方法によれば、外力の付与に拘わらず光電変換装置における変換効率が維持され得る。以下、本発明の一実施形態および各種変形例を図面に基づいて説明する。なお、図面においては同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。なお、図1、図2および図4から図22には、光電変換セル10の配列方向図1の図面視右方向をX方向とする右手系のXYZ座標系が付されている。また、図1、図11、図13、図15、図17、図19および図21には、光電変換装置100,100A~100EがZ側から平面透視された際に、溝部P1,P1C~P1Eが配されている領域の外縁が破線で示されている。<一実施形態><光電変換装置の概略構成>図1および図2で示されるように、一実施形態に係る光電変換装置100は、基板1と、該基板1の上に平面的に並べられた複数の光電変換セル10とを備えている。隣り合う光電変換セル10は溝部P3によって分離されている。図1および図2では、図示の都合上、2つの光電変換セル10の一部のみが示されている。光電変換装置100には、図面の左右方向に、所定数の光電変換セル10が平面的に配列され得る。ここで、所定数は、例えば8つ等であれば良い。そして、例えば、光電変換装置100の±X方向の両端部に、発電によって生じる電圧および電流を出力するための電極が配され得る。なお、光電変換装置100には、例えば、多数の光電変換セル10が行列状に配置されていても良い。なお、光電変換装置100では、多数の光電変換セル10が高密度に平面的に配置されていれば、変換効率が向上する。変換効率は、光電変換装置100において太陽光のエネルギーが電気エネルギーに変換される割合を示す。例えば、変換効率は、光電変換装置100から出力される電気エネルギーの値が、光電変換装置100に入射される太陽光のエネルギーの値で除されて、100が乗じられることで導出され得る。ところで、複数の光電変換セル10は、±X方向に隣り合う第1光電変換セル10および第2光電変換セル10を含んでいる。ここで、第1光電変換セル10と第2光電変換セル10とを電気的に直列に接続する3つ以上の所定数の接続部5aが、第1光電変換セル10の光電変換層3における隙間部としての溝部P2に配されている。そして、3つ以上の所定数の接続部5aのうちの2つの接続部5aを通る仮想的な直線上から外れた領域に、該3つ以上の所定数の接続部5aのうちの該2つの接続部5aとは異なる1つ以上の接続部5aが配されている。このような構成により、光電変換装置100の受光面に積雪による押圧力等の外力が掛かったとしても、第1光電変換セル10に配されている3つ以上の接続部5aの付近において光電変換装置100が撓み難くなる。すなわち、3つ以上の接続部5aに沿って光電変換装置100が撓み難くなる。その結果、基板1および下部電極層2のうちの接続部5aに沿った領域にクラックが生じ難い。したがって、外力の付与に拘わらず光電変換装置100における変換効率が維持され得る。<光電変換セルの基本的な構成>各光電変換セル10は、第1電極層としての下部電極層2、光電変換層3、および第2電極層としての上部電極層4が積み重なっている積層体24と、該積層体24上に配されている3つ以上の所定数の線状導電部5とを備えている。また、各光電変換セル10には、溝部P1および溝部P2が配されている。そして、光電変換装置100では、上部電極層4が配されている側の主面が受光面となっている。基板1は、複数の光電変換セル10を支持するものである。基板1に含まれる主な材料には、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が採用され得る。なお、本実施形態では、基板1がソーダライムガラスである。また、基板1の厚さは、例えば、1mm以上で且つ3mm以下程度であれば良い。さらに、例えば、基板1の形状は平板状であれば良い。下部電極層2は、基板1のZ側の主面上面とも言うの上に配されている導電層である。下部電極層2に含まれる主な材料には、例えば、Mo、Al、Ti、TaおよびAu等の導電性を有する各種金属等が採用され得る。また、下部電極層2の厚さは、例えば、0.2μm以上で且つ1μm以下程度であれば良い。下部電極層2は、例えば、スパッタリング法または蒸着法等によって形成され得る。光電変換層3は、下部電極層2の上に配されている。該光電変換層3は、光吸収層31とバッファ層32とを備えている。光吸収層31およびバッファ層32は、この順に下部電極層2の上に積層されている。光吸収層31は、下部電極層2のZ側の主面上面とも言うの上に配されている。該光吸収層31は、第1導電型を有する半導体を主に含んでおり、光を吸収して電荷を生じる。ここで、第1導電型を有する半導体としては、例えば、カルコパイライト系の化合物半導体であるI-III-VI族化合物半導体等が適用され得る。なお、第1導電型は、例えばp型の導電型であれば良い。I-III-VI族化合物半導体とは、I-III-VI族化合物を主に含む半導体である。なお、I-III-VI族化合物を主に含む半導体とは、半導体がI-III-VI族化合物を70mol以上含むことを言う。以下の記載においても、主に含むは70mol以上含むことを意味する。I-III-VI族化合物は、I-B族元素11族元素とも言うとIII-B族元素13族元素とも言うとVI-B族元素16族元素とも言うとを主に含む化合物である。I-III-VI族化合物としては、例えば、CuIn,GaSe2CIGSとも言う、CuIn,GaSe,S2CIGSSとも言う、およびCuInSe2CISとも言う等が採用され得る。なお、CuIn,GaSe2は、CuとInとGaとSeとを主に含む化合物である。また、CuIn,GaSe,S2は、CuとInとGaとSeとSとを主に含む化合物である。ここでは、光吸収層31が、CIGSを主に含む。なお、光吸収層31がI-III-VI族化合物半導体を主に含んでいれば、光吸収層31の厚さが10μm以下であっても、光吸収層31による光電変換の効率が高めら得る。このため、光吸収層31の厚さは、例えば、1μm以上で且つ3μm以下程度であれば良い。光吸収層31は、スパッタリング法または蒸着法等といった真空プロセスによって形成され得る。また、光吸収層31は、塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによっても形成され得る。塗布法あるいは印刷法では、例えば、光吸収層31に主に含まれる金属元素を含む溶液が下部電極層2の上に塗布され、その後、乾燥および熱処理が行われる。バッファ層32は、光吸収層31のZ側の主面上面とも言うの上に配されており、光吸収層31の第1導電型とは異なる第2導電型を有する半導体を主に含む。ここで、導電型が異なる半導体とは、伝導担体キャリアが異なる半導体である。そして、第2導電型は、例えばn型の導電型であれば良い。なお、光吸収層31の導電型がn型であり、バッファ層32の導電型がp型であっても良い。ここでは、光吸収層31とバッファ層32との間にヘテロ接合領域が形成されている。このため、光電変換セル10では、ヘテロ接合領域を形成する光吸収層31とバッファ層32とにおいて光電変換が生じ得る。バッファ層32は、化合物半導体を主に含む。バッファ層32に含まれる化合物半導体としては、例えば、CdS、In2S3、ZnS、ZnO、In2Se3、InOH,S、Zn,InSe,OHおよびZn,MgO等が採用され得る。そして、バッファ層32が1Ωcm以上の抵抗率を有していれば、リーク電流の発生が抑制され得る。なお、バッファ層32は、例えば、化学浴槽堆積CBD法等によって形成され得る。また、バッファ層32の厚さは、例えば、10nm以上で且つ200nm以下程度であれば良い。バッファ層32の厚さが100nm以上で且つ200nm以下であれば、バッファ層32の上に上部電極層4がスパッタリング法等で形成される際に、バッファ層32においてダメージが生じ難くなる。上部電極層4は、光電変換層3のZ側の主面上面とも言うの上に配されている。そして、該上部電極層4は、例えば、n型の導電型を有する透明の導電層透明導電層とも言うである。該上部電極層4は、光電変換層3において生じた電荷を取り出す電極となる。上部電極層4は、バッファ層32よりも低い抵抗率を有する材料を主に含んでいれば良い。上部電極層4には、いわゆる窓層と呼ばれるものが含まれても良いし、窓層と透明導電層とが含まれても良い。上部電極層4は、禁制帯幅が広く且つ透明で低抵抗の材料を主に含んでいる。このような材料としては、例えば、ZnO、ZnOの化合物、Snが含まれたITOおよびSnO2等の金属酸化物半導体等が採用され得る。ZnOの化合物は、Al、B、Ga、InおよびFのうちの何れか1つの元素等が含まれたものであれば良い。上部電極層4は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長CVD法等によって形成され得る。上部電極層4の厚さは、例えば、0.1μm以上で且つ2.0μm以下程度であれば良い。ここで、上部電極層4が、1Ωcm未満の抵抗率と、50Ω/□以下のシート抵抗とを有していれば、上部電極層4を介して光電変換層3から電荷が良好に取り出され得る。ここで、バッファ層32および上部電極層4が、光吸収層31が吸収し得る光の波長帯域に対して、光を透過させ易い性質光透過性とも言うを有していれば、光吸収層31における光の吸収効率の低下が抑制され得る。また、上部電極層4の厚さが0.05μm以上で且つ0.5μm以下であれば、上部電極層4における光透過性が高められ、光電変換によって生じた電流が上部電極層4によって良好に伝送され得る。さらに、上部電極層4の絶対屈折率とバッファ層32の絶対屈折率とが略同一であれば、上部電極層4とバッファ層32との界面で光が反射することで生じる入射光のロスが低減され得る。3つの線状導電部5は、上部電極層4のZ側の主面上面とも言うの上に配されている。該3つの線状導電部5は、例えば、金属ペーストが上部電極層4の上面の上に塗布された後に乾燥されて該金属ペーストが固化されることで形成され得る。金属ペーストは、例えば、透光性を有する樹脂等のバインダーに光反射率が高く且つ導電性を有する粒子が添加されることで作製され得る。ここで、透光性を有する樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂等が採用され得る。また、金属ペーストに含まれる粒子としては、例えば、Cu、Al、NiならびにZnとAgの合金等の金属粒子が採用され得る。この場合、線状導電部5に導電性を有する多数の粒子が含まれており、該多数の粒子が相互に接触し合うことで、線状導電部5における良好な導電性が確保され得る。3つの線状導電部5は、一方向と直交する他方向であるY方向に離間しており、各線状導電部5がX方向に延在している。ここで、光電変換層3には、スリットとしての溝部P2が配されている。そして、3つの線状導電部5は、溝部P2に配されている3つの接続部5aによって、隣の第2光電変換セル10から第1光電変換セル10内まで延伸されている下部電極層2にそれぞれ接続されている。つまり、隣り合う第1光電変換セル10と第2光電変換セル10との間で、第1光電変換セル10に配されている3つの線状導電部5と、隣の第2光電変換セル10に配されている下部電極層2とが、3つの接続部5aによって接続されている。3つの線状導電部5は、光電変換層3において発生して上部電極層4において取り出された電荷を集電する役割を担う。3つの線状導電部5が配されていることで、上部電極層4における導電性が補われる。このため、上部電極層4の薄層化が可能となる。その結果、電荷の取り出し効率の確保と、上部電極層4における光透過性の向上とが両立し得る。上部電極層4および3つの線状導電部5によって集電された電荷は、接続部5aを通じて、隣の光電変換セル10に伝達される。これにより、光電変換装置100においては、隣り合う光電変換セル10が電気的に直列に接続されている。また、3つの線状導電部5の幅が50μm以上で且つ400μm以下程度であれば、隣接する光電変換セル10の間における良好な導電が確保され、光吸収層31への光の入射量の低下が抑制され得る。1つの光電変換セル10に配されている3つの線状導電部5のY方向における間隔は、例えば、2.5mm程度であれば良い。<溝部の配置とその役割>溝部P1は、概ねY方向に沿って延在している。図1で示されるように、例えば、溝部P1は、-Y側の端部からY方向に進むにつれて、X方向に湾曲した後に、-X方向に湾曲し、さらにX方向に湾曲している。すなわち、溝部P1は、蛇行している。ここで、X方向に湾曲しているとは、Y方向に進むにつれて、延在方向が、X方向に近づくようにY軸に対して傾けられた後に、X軸に略垂直な状態を経て、-X方向に近づくようにY軸に対して傾けられるように湾曲していることを言う。一方、-X方向に湾曲しているとは、Y方向に進むにつれて、延在方向が、-X方向に近づくようにY軸に対して傾けられた後に、X軸に略垂直な状態を経て、X方向に近づくようにY軸に対して傾けられるように湾曲していることを言う。また、溝部P1は、下部電極層2の上面から基板1の上面に至るまで配されている。つまり、光電変換装置100では、1以上の溝部P1が配されていることで、複数の下部電極層2がX方向に分離されている。これにより、図2で示されるように、1つの光電変換セル10では、下部電極層2は、溝部P1の-X側に位置する第1領域21と、溝部P1のX側に位置する第2領域22とを含んでいる。なお、図1および図2では、3つの下部電極層2が示されている。そして、1つの光電変換セル10では、第1領域21と第2領域22との間には、両者を電気的に分離する線状の隙間部線状隙間部とも言うとしての溝部P1が配されている。該溝部P1には、直上に配された光吸収層31の延在部分が埋入している。これにより、1つの光電変換セル10では、溝部P1によって、第1領域21と第2領域22とが電気的に分離されている。なお、溝部P1の幅は、例えば、50μm以上で且つ400μm以下程度であれば良い。また、±X方向に隣り合う第1光電変換セル10と第2光電変換セル10との間で、第1光電変換セル10の第2領域22と、第2光電変換セル10の第1領域21とが、1つの下部電極層2に含まれている。換言すれば、第2光電変換セル10の下部電極層2が、第1光電変換セル10まで延伸されている。これにより、第1光電変換セル10の第2領域22と、第2光電変換セル10の第1領域21とが電気的に接続されている。溝部P2は、概ねY方向に沿って延在している。図1で示されるように、溝部P2は、例えば、-Y側の端部からY方向に進むにつれて、X方向に湾曲した後に、-X方向に湾曲し、さらにX方向に湾曲している。すなわち、溝部P2は、蛇行している。このため、溝部P2は、該溝部P2の長手方向の途中に曲がっている領域曲がり領域とも言うCv1,Cv2を含んでいる。図1では、1つの溝部P2が、2つのX方向に湾曲している曲がり領域Cv1と1つの-X方向に湾曲している曲がり領域Cv2とを含んでいる。これにより、±X方向において、3つの接続部5aの配設位置が容易にずらされ得る。また、該溝部P2は、上部電極層4の上面から下部電極層2の上面に至るまで配されている。換言すれば、1つの光電変換セル10において、光電変換層3に該光電変換層3を±X方向に分離している隙間部としてのスリットである溝部P2が配されている。溝部P3は、隣り合う光電変換セル10の間において概ねY方向に延在している。図1で示されるように、溝部P3は、例えば、-Y側の端部からY方向に進むにつれて、X方向に湾曲した後に、-X方向に湾曲し、さらにX方向に湾曲している。すなわち、溝部P3は、蛇行している。また、溝部P3は、光電変換セル10のZ側の主面上面とも言うから下部電極層2の上面に至るまで配されている。つまり、溝部P3は、±X方向に隣り合う第1光電変換セル10と第2光電変換セル10との間に、両者の光電変換層3、上部電極層4および3つの線状導電部5のそれぞれを電気的に分離する領域セル間分離領域とも言うである。なお、溝部P3の幅は、例えば、40μm以上で且つ1000μm以下程度であれば良い。なお、各溝部P3には、光電変換装置100がモジュール化される際に、例えば、樹脂等の絶縁材料が入り込む。また、受光面の上方ここではZ側から各光電変換セル10を平面透視した場合、各光電変換セル10には、X方向に溝部P1と溝部P2と溝部P3とがこの順に配されている。そして、各光電変換セル10には、溝部P2を包含して溝部P1と溝部P3とに挟まれた領域第2領域22と、溝部P1が配されている領域と、残余の領域第1領域21とがある。そして、該残余の領域が、発電に寄与する領域発電領域とも言うとなる。また、溝部P1は、溝部P2に沿って配されている。このため、溝部P1は、溝部P2の曲がり領域Cv1,Cv2に沿って曲がっている。これによって、より大きな発電領域が確保され、光電変換装置100における変換効率が向上し得る。また、溝部P3は、溝部P2に沿って配されている。このため、溝部P3は、溝部P2の曲がり領域Cv1,Cv2に沿って曲がっている。これによって、さらに大きな発電領域が確保され、光電変換装置100における変換効率がさらに向上し得る。なお、本実施形態では、各光電変換セル10において、光電変換層3が、下部電極層2の第1領域21の上から第2領域22の上にかけて配されていたが、これに限られない。例えば、光電変換層3が、下部電極層2の第1領域21の上から溝部P1の内部に至るまで配されていれば良い。<接続部の配置>図1で示されるように、1つの光電変換セル10において、3つの接続部5aのうち、2つの接続部5aを通る仮想的な直線上から外れた領域に、該3つの接続部5aのうちの該2つの接続部5aとは異なる1つの接続部5aが配されている。具体的には、1つの溝部P2において、各曲がり領域Cv1のうちの最もX側に寄っている湾曲の頂点の領域に接続部5aが配されている。別の観点から言えば、曲がり領域Cv1は、X方向に湾曲している領域湾曲領域とも言うである。そして、曲がり領域Cv1における湾曲の曲率が最大となっている領域最大曲率領域とも言うに接続部5aが配されている。ここで、湾曲の曲率は、例えば、湾曲領域における溝部P2の幅方向の中心を結んだ該溝部P2の延在方向に沿った線中心線とも言うの曲率であれば良い。また、1つの溝部P2において、曲がり領域Cv2のうちの最も-X側に寄っている湾曲の頂点の領域に接続部5aが配されている。別の観点から言えば、曲がり領域Cv2は、-X方向に湾曲している領域湾曲領域とも言うである。そして、曲がり領域Cv2における湾曲の曲率が最大となっている領域最大曲率領域とも言うに接続部5aが配されている。図1では、2つの曲がり領域Cv1に配されている2つの接続部5aを結ぶ仮想的な直線の一部が細い2点鎖線で示されている。上述したように、1つの溝部P2において、X方向および-X方向への湾曲によって、X軸に沿って相互にずれた領域のそれぞれに接続部5aが配されている。その結果、3つの接続部5aのうち、1つの接続部5aが残りの2つの接続部5aを通る仮想的な直線上から外れた領域に配されている。これにより、光電変換装置100の受光面に積雪による押圧力等の外力が掛かったとしても、第1光電変換セル10に配されている3つの接続部5aの付近において光電変換装置100が撓み難くなる。このため、基板1および下部電極層2のうちの接続部5aに沿った領域にクラックが生じ難い。その結果、外力の付与に拘わらず光電変換装置100における変換効率が維持され得る。<光電変換装置の製造プロセス>ここで、上記構成を有する光電変換装置100の製造プロセスの一例について説明する。図3は、光電変換装置100の製造フローを例示するフローチャートである。図4から図10および図12は、光電変換装置100の製造途中の様子を模式的に示すXZ断面図である。図3のステップSp1では、基板1図4参照が準備される。基板1は、例えば、略矩形の盤面を有する平板状のものであれば良い。ステップSp2では、洗浄された基板1の一主面の略全面に、スパッタリング法または蒸着法等が用いられて、下部電極層2図5参照が形成される。ステップSp3では、下部電極層2の上面のうちの所定の形成対象位置からその直下の基板1の上面にかけて、概ねY方向に延在し且つ蛇行している溝部P1図6参照が形成される。溝部P1は、例えば、YAGレーザーまたはその他のレーザーの光が走査されつつ所定の形成対象位置に照射されることで形成され得る。このとき、基板1上に、X方向に配列されている複数の下部電極層2が形成される。ステップSp4では、下部電極層2の上に、光吸収層31図7参照が形成される。ここでは、例えば、下部電極層2の上に、光吸収層31に主に含まれる金属元素を含む皮膜310図7参照が形成される。該皮膜310は、例えば、光吸収層31に主に含まれる金属元素を含む溶液が下部電極層2の上に塗布された後に乾燥される処理が行われることで形成され得る。次に、皮膜310に対する加熱処理が行われることで、皮膜310における化合物半導体の結晶化が進み、光吸収層31が形成され得る。ステップSp5では、光吸収層31の上にバッファ層32図8参照が形成される。これにより、光吸収層31とバッファ層32とが積層されている光電変換層3が形成される。バッファ層32は、例えば、化学浴槽堆積CBD法によって形成され得る。具体的には、例えば、酢酸カドミウムとチオ尿素とがアンモニア水に溶解させられることで作製された溶液に光吸収層31が浸漬されることで、CdSを主に含むバッファ層32が形成され得る。ステップSp6では、光電変換層3の上に上部電極層4図9参照が形成される。上部電極層4は、例えば、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長CVD法等で形成され得る。具体的には、例えば、バッファ層32の上に、Alが添加されたZnOを主に含む透明な上部電極層4が形成される。ステップSp7では、上部電極層4の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極層2の上面に至る領域に、概ね他方向としてのY方向に延在し且つ蛇行している溝部P2図10参照が形成される。溝部P2は、スクライブ針が用いられたメカニカルスクライビング等によって形成され得る。このとき、第1方向としてのX方向に湾曲している湾曲領域としての曲がり領域Cv1を含む溝部P2が形成され得る。該溝部P2には、X方向とは反対方向の-X方向に湾曲している湾曲領域としての曲がり領域Cv2も含まれ得る。その結果、複数の下部電極層2上に、溝部P2が配されている光電変換層3と上部電極層4とが積み重なっている積層体34が形成され得る。ステップSp8では、上部電極層4の上面のうちの所定の形成対象位置から溝部P2の内部にかけて線状導電部5および接続部5a図11および図12参照が形成される。線状導電部5および接続部5aは、例えば、上部電極層4の上面のうちの所定の形成対象位置から溝部P2の内部にかけて金属ペーストが所定のパターンを有するように塗布され、塗布後の金属ペーストが乾燥によって固化されることで形成され得る。ここでは、スクリーン印刷等によって、金属ペーストが塗布され得る。このステップSp8では、例えば、図11で示されるように、矢印AR1の方向に、金属ペーストが塗布され得る。この場合、上部電極層4上に、第1方向としてのX方向とは反対の第2方向としての-X方向に塗布液としての金属ペーストが塗布される。これにより、3つの線状導電部5のパターンと、曲がり領域Cv1における湾曲の曲率が最大となっている最大曲率領域および溝部P2のうちの最大曲率領域以外の領域において3つの接続部5aのパターンとが形成される。該3つの接続部5aは、3つの線状導電部5と隣の光電変換セル10の下部電極層2とをそれぞれ接続する。そして、この場合、曲がり領域Cv1の最大曲率領域に塗布される金属ペーストは、塗布時に、溝部P2内から飛び出し難く、溝部P2内において広がり易い。このため、曲がり領域Cv1の最大曲率領域に配されている接続部5aを介して線状導電部5と下部電極層2とが電気的に良好に接続され得る。つまり、接続部5aを介した線状導電部5と下部電極層2との電気的な接続における電気抵抗が低減され得る。その結果、光電変換装置100における変換効率が上昇し得る。また、ステップSp8では、3つの接続部5aのパターンのうちの2つの接続部5aのパターンが形成される2つの領域を通る仮想的な直線上から外れた領域に、該2つの接続部5aのパターンとは異なる残りの1つの接続部5aのパターンが形成される。ステップSp9では、上部電極層4の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極層2の上面に至る領域に、概ねY方向に延在し且つ蛇行している溝部P3図1および図2参照が形成される。これにより、基板1の上に複数の光電変換セル10が配されている光電変換装置100が得られる。溝部P3は、例えば、溝部P2と同様に、スクライブ針が用いられたメカニカルスクライビング等によって形成され得る。<一実施形態のまとめ>以上のように、本実施形態に係る光電変換装置100では、基板1上においてX方向に第1光電変換セル10および第2光電変換セル10が配列されている。さらに、第1光電変換セル10と第2光電変換セル10とを電気的に直列に接続する3つの接続部5aが、第1光電変換セル10の光電変換層3における溝部P2に配されている。そして、3つの接続部5aのうちの2つの接続部5aを通る仮想的な直線上から外れた領域に、該3つの接続部5aのうちの該2つの接続部5aとは異なる1つの接続部5aが配されている。このような構成が採用されることで、光電変換装置100の受光面に積雪による押圧力等の外力が掛かっても、第1光電変換セル10の3つの接続部5aの付近において光電変換装置100が撓み難い。その結果、基板1および下部電極層2のうちの接続部5aに沿った領域にクラックが生じ難い。したがって、外力の付与に拘わらず光電変換装置100における変換効率が維持され得る。<変形例>なお、本発明は上記一実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、上記一実施形態では、1つの光電変換セル10において、光電変換層3に隙間部としての溝部P2が配されていたが、これに限られない。隙間部の形態については、種々のバリエーションが考えられ得る。以下、具体例として、第1~4変形例に係る光電変換装置100A~100Dについて説明する。<第1変形例>図13および図14で示されるように、第1変形例に係る光電変換装置100Aは、上記一実施形態に係る光電変換装置100がベースとされて、溝部P2が、3つの貫通孔Ch2に変更されたものである。なお、該変更によって、第1変形例に係る光電変換装置100Aでは、上記一実施形態に係る光電変換装置100の積層体24および光電変換セル10が、積層体24Aおよび光電変換セル10Aに変更されている。本変形例では、1つの光電変換セル10Aにおいて、光電変換層3に隙間部としての3つ以上の所定数の貫通孔Ch2が配されている。そして、該3つ以上の所定数の貫通孔Ch2に、3つ以上の所定数の接続部5aがそれぞれ配されている。なお、貫通孔Ch2は、溝部P2と同様に、スクライブ針が用いられたメカニカルスクライビング等によって形成され得る。このように、溝部P2の代わりに、3つ以上の所定数の貫通孔Ch2が採用されれば、積層体24Aのうちの、3つ以上の所定数の接続部5a同士の間に位置する部分の強度が向上し得る。これにより、光電変換装置100Aの受光面に積雪による押圧力等の外力が掛かっても、第1光電変換セル10Aの3つの接続部5aの付近において光電変換装置100Aがより撓み難い。その結果、基板1および下部電極層2のうちの接続部5aに沿った領域にクラックがより生じ難い。したがって、外力の付与に拘わらず光電変換装置100における変換効率が維持され得る。<第2変形例>図15および図16で示されるように、第2変形例に係る光電変換装置100Bは、上記一実施形態に係る光電変換装置100がベースとされて、溝部P2が、接続部5aが配されている領域で幅が広くなっている溝部P2Bに変更されたものである。なお、該変更によって、第2変形例に係る光電変換装置100Bでは、上記一実施形態に係る光電変換装置100の積層体24および光電変換セル10が、積層体24Bおよび光電変換セル10Bに変更されている。本変形例では、1つの光電変換セル10Aにおいて、3つ以上の所定数の接続部5aは、隙間部としてのスリットである溝部P2Bにそれぞれ配されている。該溝部P2Bは、3つ以上の所定数の接続部5aが配されている領域配設領域とも言うB21と、3つ以上の所定数の接続部5aが配されていない領域非配設領域とも言うB22とを含んでいる。そして、溝部P2Bの延在方向に直交する幅方向について、配設領域B21の幅は、非配設領域B22の幅よりも大きい。このように、溝部P2の代わりに、溝部P2Bが採用されれば、接続部5aを介した線状導電部5と下部電極層2との電気的な接続が良好に保たれ得る。さらに、積層体24Bのうちの、3つ以上の所定数の接続部5a同士の間に位置する部分の強度が向上し得る。これにより、光電変換装置100Bの受光面に積雪による押圧力等の外力が掛かっても、第1光電変換セル10Bの3つの接続部5aの付近において光電変換装置100Bがより撓み難い。その結果、基板1および下部電極層2のうちの接続部5aに沿った領域にクラックがより生じ難い。したがって、外力の付与に拘わらず光電変換装置100Bにおける変換効率が維持され得る。<第3変形例>図17および図18で示されるように、第3変形例に係る光電変換装置100Cは、上記一実施形態に係る光電変換装置100がベースとされて、溝部P1~P3が、形状の異なる溝部P1C~P3Cに変更されたものである。なお、該変更によって、第3変形例に係る光電変換装置100Cでは、上記一実施形態に係る光電変換装置100の積層体24および光電変換セル10が、積層体24Cおよび光電変換セル10Cに変更されている。本変形例では、各溝部P1C~P3Cは、一直線上においてY方向に延在している領域と、該一直線から-X方向にずれている別の直線上においてY方向に延在している領域とが連結された形状を有している。つまり、各溝部P1C~P3Cは、それぞれジグザグ状の形状を有している。そして、溝部P1Cは、溝部P2Cに沿って配されている。このため、溝部P1Cは、溝部P2Cのうちの±X方向に曲がっている領域に沿って曲がっている。また、溝部P3Cは、溝部P2Cに沿って配されている。このため、溝部P3Cは、溝部P2Cのうちの±X方向に曲がっている領域に沿って曲がっている。また、溝部P2Cのうちの、一直線上に延在する2つの領域基準領域とも言うLn2のそれぞれに接続部5aが配されている。また、溝部P2Cのうちの、該一直線から-X方向にずれているY方向に延在する領域ズレ領域とも言うPr2に接続部5aが配されている。これにより、3つ以上の所定数の接続部5aのうちの2つの接続部5aを通る仮想的な直線上から外れた領域に、該3つ以上の所定数の接続部5aのうちの該2つの接続部5aとは異なる1以上の接続部5aが配されている。したがって、本変形例では、上記一実施形態と同様な効果が得られる。また、本変形例では、各溝部P1C~P3Cが、基準領域Ln2から-X方向にずれているズレ領域Pr2を有していたが、これに限られない。例えば、各溝部P1C~P3Cは、基準領域Ln2からX方向にずれているズレ領域Pr2を有していても良い。<第4変形例>図19および図20で示されるように、第4変形例に係る光電変換装置100Dは、上記一実施形態に係る光電変換装置100がベースとされて、蛇行していた溝部P1~P3が、ブーメラン状の形状を有する溝部P1D~P3Dに変更されたものである。なお、該変更によって、第4変形例に係る光電変換装置100Dでは、上記一実施形態に係る光電変換装置100の積層体24および光電変換セル10が、積層体24Dおよび光電変換セル10Dに変更されている。本変形例では、溝部P2Dは、第1斜行領域D21と第2斜行領域D22とが連結領域Pk2によって連結された形状を有している。ここで、第1斜行領域D21は、延在方向がY方向を基準として-X方向に傾けられた第1方向第1斜行方向とも言うに直線状に延在する領域である。第2斜行領域D22は、延在方向がY方向を基準としてX方向に傾けられた第2方向第2斜行方向とも言うに直線状に延在する領域である。これにより、溝部P2Dは、該溝部P2Dの長手方向における途中において、曲がっている曲がり領域としての連結領域Pk2を含んでいる。そして、溝部P1Dは、溝部P2Dに沿って配されている。このため、溝部P1Dは、溝部P2Dのうちの曲がっている連結領域Pk2に沿って曲がっている。また、溝部P3Dは、溝部P2Dに沿って配されている。このため、溝部P3Dは、溝部P2Dのうちの曲がっている連結領域Pk2に沿って曲がっている。また、溝部P2Dのうちの、第1斜行領域D21、連結領域Pk2および第2斜行領域D22のそれぞれに接続部5aが配されている。これにより、3つ以上の所定数の接続部5aのうちの2つの接続部5aを通る仮想的な直線上から外れた領域に、該3つ以上の所定数の接続部5aのうちの該2つの接続部5aとは異なる1つ以上の接続部5aが配されている。したがって、本変形例では、上記一実施形態と同様な効果が得られる。また、本変形例では、各溝部P1D~P3Dが、-X方向に屈曲していたが、これに限られない。例えば、各溝部P1D~P3Dは、X方向に屈曲していても良い。<第5変形例>上記一実施形態および第1~4変形例では、1つの光電変換セル10において、2つの接続部5aを通る仮想的な直線上から外れた領域に、1以上の接続部5aが配されたが、これに限られない。例えば、複数の光電変換セル10が、X方向に配列されているだけでなく、Y方向にも配列されている場合には、Y方向に配列されている複数の光電変換セル10の間で、複数の接続部5aの配設位置が±X方向にずらされても良い。以下、具体例として、第5変形例に係る光電変換装置100Eについて説明する。図21および図22で示されるように、第5変形例に係る光電変換装置100Eは、上記一実施形態に係る光電変換装置100がベースとされて、X方向に配された複数の光電変換セル10が、行列状に配された複数の光電変換セル10Eに変更されたものである。また、第5変形例に係る光電変換装置100Eでは、上記一実施形態に係る溝部P1~P3の代わりに、溝部P1E~P3Eが配されている。なお、図21では、溝部P1E~P3Eのそれぞれが、Y方向に沿って直線状に延在している。具体的には、第5変形例に係る光電変換装置100Eは、基板1と、該基板1上に配されている複数の光電変換セル10Eとを備えている。複数の光電変換セル10Eは、第1~3セル列L1~L3を含んでいる。図21では、下から順に第1セル列L1、第2セル列L2および第3セル列L3が配されている。つまり、複数の光電変換セル10Eは、第1~3セル列L1~L3を構成している。第1~3セル列L1~L3のそれぞれは、X方向に電気的に直列に接続されている2以上の所定数の光電変換セル10Eを含んでいる。図21では、2以上の所定数は3である。そして、図21では、左からm番目であり且つ下からn番目に配されている光電変換セル10Eに符号10Emnが付されている。このため、第1セル列L1には、X方向に電気的に直列に接続されている3つの光電変換セル10E11~10E31が配されている。また、第2セル列L2には、X方向に電気的に直列に接続されている3つの光電変換セル10E12~10E32が配されている。さらに、第3セル列L3には、X方向に電気的に直列に接続されている3つの光電変換セル10E13~10E33が配されている。また、本変形例に係る光電変換装置100Eでは、第1セル列L1と第2セル列L2との間に両者を電気的に分離する領域列間分離領域とも言うP4が配されている。さらに、第2セル列L2と第3セル列L3との間にも両者を電気的に分離する列間分離領域P4が配されている。列間分離領域P4は、例えば、X方向に延在する線状のスリットであれば良い。列間分離領域P4は、第1セル列L1と第2セル列L2との間で下部電極層2を含む積層体24Eを分離している。また、列間分離領域P4は、第2セル列L2と第3セル列L3との間で下部電極層2を含む積層体24Eを分離している。なお、列間分離領域P4のうちの下部電極層2を分離している領域は、例えば、基板1上に形成された下部電極層2に溝部P1Eが形成される際に併せて形成されれば良い。そして、列間分離領域P4は、溝部P3Eが形成される際に併せて形成されれば良い。ここで、例えば、第1光電変換セルとしての光電変換セル10E11と第3光電変換セルとしての光電変換セル10E12とが列間分離領域P4を挟んで配されている。また、第2光電変換セルとしての光電変換セル10E21と第4光電変換セルとしての光電変換セル10E22とが列間分離領域P4を挟んで配されている。別の観点から言えば、複数の光電変換セル10Eには、第1~3セル列C1~C3が含まれている。図21では、左から順に第1セル列C1、第2セル列C2および第3セル列C3が配されている。第1~3セル列C1~C3のそれぞれは、Y方向に配列されている2以上の所定数の光電変換セル10Eを含んでいる。各セル列C1~C3における2以上の所定数の光電変換セル10Eは、列間分離領域P4の存在によって、Y方向には電気的に直列に接続されていない。複数の光電変換セル10Eのそれぞれは、第1電極層としての下部電極層2と光電変換層3と第2電極層である上部電極層4とが積み重なっている積層体24Eと、上部電極層4上に配されている2つ以上の所定数の線状導電部5を含んでいる。図21では、2つ以上の所定数は4である。そして、図21には、各光電変換セル10Eに、4つの線状導電部5が配されている様子が示されている。また、複数の光電変換セル10Eにおける光電変換層3のそれぞれには、隙間部としての溝部P2Eが配されている。該溝部P2Eは、例えば、Y方向に直線状に延在していれば良い。各光電変換セル10Eにおいては、2つ以上の所定数の線状導電部5のそれぞれと、X方向の隣の光電変換セル10Eの下部電極層2とが、溝部P2Eに配されている2つ以上の所定数の接続部5aによって電気的に接続されている。例えば、光電変換セル10E11は、溝部P2Eにおいて、2つ以上の所定数の線状導電部5と光電変換セル10E21の下部電極層2とをそれぞれ電気的に接続している2つ以上の所定数の接続部5aを含んでいる。また、例えば、光電変換セル10E12は、溝部P2Eにおいて、2つ以上の所定数の線状導電部5と光電変換セル10E22の下部電極層2とをそれぞれ電気的に接続している2つ以上の所定数の接続部5aを含んでいる。図21では、2つ以上の所定数は4である。そして、図21には、各光電変換セル10Eに、4つの接続部5aが配されている様子が示されている。また、列間分離領域P4を挟んでY方向に配されている一方の光電変換セル10Eと他方の光電変換セル10Eとの間で、一方の光電変換セル10Eの溝部P2Eと他方の光電変換セル10Eの溝部P2Eとが±X方向にずれている。例えば、第1セル列C1については、3つの光電変換セル10E11~10E13のうち、光電変換セル10E11の溝部P2Eと光電変換セル10E13の溝部P2EとがY方向に伸びる仮想的な一直線上に配されている。一方、3つの光電変換セル10E11~10E13のうち、光電変換セル10E12の溝部P2Eは、2つの光電変換セル10E11,10E13の溝部P2Eが配されているY方向に伸びる仮想的な一直線上から外れた領域に配されている。換言すれば、列間分離領域P4を挟んでY方向に配されている一方の光電変換セル10Eと他方の光電変換セル10Eとの間で、一方の光電変換セル10Eの2つ以上の所定数の接続部5aが第1の仮想的な直線上に配されているものとする。この場合、他方の光電変換セル10Eの2つ以上の所定数の接続部5aは、第1の仮想的な直線とは異なる第2の仮想的な直線上に配されている。このような構成によれば、列間分離領域P4を挟む光電変換セル10Eの間で、接続部5aの配設位置を±X方向に容易にずらすことが可能となる。すなわち、光電変換装置100Eの製造が容易となり得る。具体的には、例えば、光電変換セル10E11および光電変換セル10E12には、光電変換セル10E11の4つの接続部5aおよび光電変換セル10E12の4つの接続部5aを含む8つの接続部5aが配されている。そして、8つの接続部5aのうちの2つの接続部5aを通る仮想的な直線上から外れた領域に、該8つの接続部5aのうちの該2つの接続部5aとは異なる1つ以上の接続部5aが配されている。なお、列間分離領域P4を挟む2つの光電変換セル10Eにおいては、2つの接続部5aを通る仮想的な直線上から少なくとも1つの接続部5aがずれていれば良い。ここで、例えば、光電変換セル10E11および光電変換セル10E12に、光電変換セル10E11の2つ以上の所定数の接続部5aおよび光電変換セル10E12の2つ以上の所定数の接続部5aを含む4つ以上の接続部5aが配されている場合を想定する。この場合、4つ以上の接続部5aのうちの2つの接続部5aが通る仮想的な直線上から外れた領域に、該4つ以上の接続部5aのうちの該2つの接続部5aとは異なる1つの接続部5aが配されれば良い。以上のように、本変形例では、上記構成が採用されれば、上記一実施形態に係る光電変換装置100と同様な効果を奏し得る。<その他の変形例>◎例えば、上記一実施形態および上記第1~4変形例では、線状導電部5および接続部5aの数に相当する3つ以上の所定数が3であったが、これに限られない。3つ以上の所定数は、3以上であれば良い。このため、1つの光電変換セル10,10A~10Dにおいて、3つ以上の接続部5aのうちの2つの接続部5aを通る仮想的な直線上から外れた領域に、該3つ以上の接続部5aのうちの該2つの接続部5aとは異なる1以上の接続部5aが配されていれば良い。つまり、1つの光電変換セル10,10A~10Dにおいて、3つ以上の接続部5aのうちの少なくとも1つの接続部5aが一直線上から外れた位置に配されていれば良い。この場合、ステップSp8において、1つの光電変換セル10,10A~10Dについて、3つ以上の接続部5aのパターンのうちの2つの接続部5aのパターンがそれぞれ形成される。このとき、該2つの領域を通る仮想的な直線上から外れた領域に、該3つ以上の接続部5aのパターンのうちの該2つの接続部5aとは異なる1つ以上の接続部5aのパターンが形成されれば良い。◎また、上記一実施形態および上記第2変形例では、溝部P2,P2Bが蛇行していたが、これに限られない。例えば、溝部P2,P2Bが、X方向または-X方向に湾曲している1つ以上の湾曲領域を含んでいれば良い。なお、溝部P2,P2Bが、X方向に湾曲している1つの湾曲領域を含んでいる場合、例えば、該1つの湾曲領域の曲率が最大となる最大曲率領域に対して、-X方向に金属ペーストが塗布されることで接続部5aが形成されれば良い。これにより、湾曲領域の最大曲率領域に配されている接続部5aを介して線状導電部5と下部電極層2とが電気的に良好に接続され得る。つまり、接続部5aを介した線状導電部5と下部電極層2との電気的な接続における電気抵抗が低減され得る。その結果、光電変換装置100の変換効率が向上され得る。◎また、上記第5変形例では、溝部P1E,P2E,P3Eのそれぞれが、Y方向に直線上に延在していたが、これに限られない。例えば、溝部P1E,P2E,P3Eのそれぞれが、上記一実施形態および上記第2~4変形例の溝部P1,P1C,P1D,P2,P2B~P2D,P3,P3C,P3Dのように、曲がっていても良い。また、例えば、溝部P2Eの代わりに、上記第1変形例のように、接続部5aが配される複数の貫通孔Ch2が複数の隙間部として採用されても良い。◎また、上記第5変形例では、Y方向に配列された複数の光電変換セル10Eにおいて、複数の溝部P2Eのうちの少なくとも1つの溝部P2Eが±X方向にずれていたが、これに限られない。例えば、該複数の溝部P2Eのうちの少なくとも1つの溝部P2Eの延在方向が、他の溝部P2Eの延在方向と異なっていても良い。このような構成でも、列間分離領域P4を挟む2つの光電変換セル10Eにおいて、2つ以上の接続部5aを通る仮想的な直線上から少なくとも1つの接続部5aがずれ得る。◎また、上記一実施形態および第1~5変形例では、各光電変換セル10,10A~10Eに隙間部として、スリット状の溝部P2,P2B~P2Eおよび貫通孔Ch2のうちの何れか一方が設けられたが、これに限られない。例えば、各光電変換セル10,10A~10Eに、隙間部として、スリット状の溝部と貫通孔とが組み合わされたものが形成されても良い。◎また、上記一実施形態および上記第1~5変形例では、溝部P2,P2B~P2Eまたは貫通孔Ch2に、下部電極層2に直接接続する接続部5aが配されていたが、これに限られない。例えば、上部電極層4の形成前に溝部P2,P2B~P2Eまたは貫通孔Ch2が形成される場合、該溝部P2,P2B~P2Eまたは貫通孔Ch2内にも上部電極層4が形成され得る。この場合は、溝部P2,P2B~P2Eまたは貫通孔Ch2において、接続部5aは、上部電極層4を介して下部電極層2に電気的に接続され得る。◎また、上記一実施形態および第1~5変形例では、基板1上に、下部電極層2、光電変換層3、上部電極層4および線状導電部5がこの順に積層されたが、これに限られない。例えば、基板1側が受光面である場合には、基板1上に線状導電部5が形成され、その上に、上部電極層4、光電変換層3および下部電極層2がこの順に積層されても良い。この場合、例えば、上部電極層4と光電変換層3とが積み重なっている積層体に、溝部P2,P2B~P2Eおよび貫通孔Ch2のうちの少なくとも一つに相当する隙間部、および溝部P3,P3C~P3Eに相当する線状の領域が設けられれば良い。そして、例えば、フォトリソグラフィ技術等が用いられて、該隙間部に接続部5aが形成され、光電変換層3上に下部電極層2が形成されれば良い。これにより、光電変換セルのそれぞれについて、下部電極層2、光電変換層3および上部電極層4が積み重なっている積層体と、上部電極層4上に配されている3つ以上の線状導電部5とが形成され得る。そして、光電変換層3の隙間部に配されている3つ以上の接続部5aによって、3つ以上の線状導電部5と、隣の光電変換セルの下部電極層2とがそれぞれ電気的に接続される。◎なお、上記一実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。"