第1導電型のIII-V族化合物半導体からなる半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ、第1導電型でAlxGa1xyIn1yPの組成からなる第1クラッド層と、前記第1クラッド層上に設けられて第1導電型でAlzGa1zyIn1yPの組成からなり、xがzより0.05以上小さくなる第2クラッド層と、前記第2クラッド層上に設けられてAluGa1uyIn1yPの組成からなり、uがzより0.5以上小さくなる第1ガイド層と、前記第1ガイド層上に設けられたIII-V族化合物半導体からなる活性層と、前記活性層上に設けられてAluGa1uyIn1yPの組成からなる第2ガイド層と、前記第2ガイド層上に設けられ、第2導電型でAlzGa1zyIn1yPの組成からなる第3クラッド層と、前記第3クラッド層上に設けられ、第2導電型でIII-V族化合物半導体からなるエッチング停止層と、前記エッチング停止層上に設けられて第2導電型でAlzGa1zyIn1yPの組成からなり、リッジを形成する第4クラッド層とを備えていることを特徴とする半導体レーザ素子。第1導電型のIII-V族化合物半導体からなる半導体基板上に第1導電型でAlxGa1xyIn1yPの組成からなる第1クラッド層を形成する工程と、前記第1クラッド層上に第1導電型でAlzGa1zyIn1yPの組成からなり、xがzより0.05以上小さくなる第2クラッド層を形成する工程と、前記第2クラッド層上にAluGa1uyIn1yPの組成からなり、uがzより0.5以上小さくなる第1ガイド層を形成する工程と、前記第1ガイド層上にIII-V族化合物半導体からなる活性層を形成する工程と、前記活性層上にAluGa1uyIn1yPの組成からなる第2ガイド層を形成する工程と、前記第2ガイド層上に第2導電型でAlzGa1zyIn1yPの組成からなる第3クラッド層を形成する工程と、前記第3クラッド層上に第2導電型でIII-V族化合物半導体からなるエッチング停止層を形成する工程と、前記エッチング停止層上に第2導電型でAlzGa1zyIn1yPの組成からなる第4クラッド層を形成する工程と、前記第4クラッド層上にエッチングマスクを形成し、前記第4クラッド層をウェットエッチングすることによってリッジを形成する工程とを含むことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。しかしながら、ウェットエッチングでリッジを形成する半導体レーザ素子では、リッジ部分の断面形状が斜面を持った台形となるので、リッジ上部の面積を十分に確保して電気抵抗を低く抑えるためには、リッジ上部の幅に対してリッジの高さには制限があった。つまり、台形形状の高さを変更せずに幅を狭くすると、素子の電流経路となる台形の上辺部分が狭くなり、素子の電気抵抗が増大するとともに熱抵抗も増大し、動作中の活性層の温度が上昇してしまうので、キンク特性以外の性能を悪化させてしまう。そこで、リッジ部分の高さを減少させることによって電気抵抗と熱抵抗を減少させることが考えられる。しかし、そうすると今度はリッジ部分の高さを減少させたことによって、GaAsからなるコンタクト層が導波路に近くなってしまうので、上述したように光がコンタクト層に吸収されて吸収損失が増大してしまうという問題が生じる。したがって、キンク特性を改善するためにリッジ上部の幅を狭くすると、電気抵抗と熱抵抗が増大し、この電気抵抗と熱抵抗の増大を解決するためにリッジの高さを減少させると、光の吸収損失が増大してしまうという別の問題が生じていた。結局、従来ではキンク特性を改善することは困難であった。そこで、本発明は、上述した実情に鑑みて提案されたものであり、電気抵抗と熱抵抗の増大を引き起こすことなくキンク特性を改善することのできる半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法を提供することを目的とする。上記した目的を達成するために、本発明に係る半導体レーザ素子は、第1導電型のIII-V族化合物半導体からなる半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ、第1導電型でAlxGa1xyIn1yPの組成からなる第1クラッド層と、前記第1クラッド層上に設けられて第1導電型でAlzGa1zyIn1yPの組成からなり、xがzより0.05以上小さくなる第2クラッド層と、前記第2クラッド層上に設けられてAluGa1uyIn1yPの組成からなり、uがzより0.5以上小さくなる第1ガイド層と、前記第1ガイド層上に設けられたIII-V族化合物半導体からなる活性層と、前記活性層上に設けられてAluGa1uyIn1yPの組成からなる第2ガイド層と、前記第2ガイド層上に設けられ、第2導電型でAlzGa1zyIn1yPの組成からなる第3クラッド層と、前記第3クラッド層上に設けられ、第2導電型でIII-V族化合物半導体からなるエッチング停止層と、前記エッチング停止層上に設けられて第2導電型でAlzGa1zyIn1yPの組成からなり、リッジを形成する第4クラッド層とを備えていることを特徴とする。また、本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、第1導電型のIII-V族化合物半導体からなる半導体基板上に第1導電型でAlxGa1xyIn1yPの組成からなる第1クラッド層を形成する工程と、前記第1クラッド層上に第1導電型でAlzGa1zyIn1yPの組成からなり、xがzより0.05以上小さくなる第2クラッド層を形成する工程と、前記第2クラッド層上にAluGa1uyIn1yPの組成からなり、uがzより0.5以上小さくなる第1ガイド層を形成する工程と、前記第1ガイド層上にIII-V族化合物半導体からなる活性層を形成する工程と、前記活性層上にAluGa1uyIn1yPの組成からなる第2ガイド層を形成する工程と、前記第2ガイド層上に第2導電型でAlzGa1zyIn1yPの組成からなる第3クラッド層を形成する工程と、前記第3クラッド層上に第2導電型でIII-V族化合物半導体からなるエッチング停止層を形成する工程と、前記エッチング停止層上に第2導電型でAlzGa1zyIn1yPの組成からなる第4クラッド層を形成する工程と、前記第4クラッド層上にエッチングマスクを形成し、前記第4クラッド層をウェットエッチングすることによってリッジを形成する工程とを含むことを特徴とする。本発明に係る半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法によれば、AlxGa1xyIn1yPの組成からなる第1クラッド層とAlzGa1zyIn1yPの組成からなる第2クラッド層において、xがzより0.05以上小さくなるように設定し、AluGa1uyIn1yPの組成からなる第1ガイド層において、uがzより0.5以上小さくなるように設定したので、光を基板側に強く引き込むことが可能となり、リッジの幅を狭くして高さを低くしたとしてもコンタクト層による吸収損失を低減することができる。これにより電気抵抗と熱抵抗の増大を引き起こすことなくキンク特性を改善することができる。以下、本発明を適用した一実施形態について図面を参照して説明する。[半導体レーザ素子の製造方法]本実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法について図1を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法における各工程の断面図を示したものである。図1aに示すように、本実施形態に係る半導体レーザ素子の製造方法では、例えば有機金属化学気相成長MOCVD法や分子線エピタキシーMBE法などによって各層をエピタキシャル成長させて積層する。まず第1導電型のIII-V族化合物半導体からなる半導体基板1の表面上に、第1導電型のIII-V族化合物半導体からなる第1クラッド層2と第2クラッド層3をエピタキシャル成長させて形成する。半導体基板1としては例えばn型のGaAs基板が好ましく、第1クラッド層2は例えばn型のAlxGa1xyIn1yP0<x、y<1の組成で形成され、第2クラッド層3はn型でAlzGa1zyIn1yP0<z<1の組成で形成される。ただし、このときy=0.5が好ましく、xはzより0.05以上小さくなるように形成する。この後、第2クラッド層3上にはAluGa1uyIn1yP0<u<1の組成からなる第1ガイド層4を形成するが、このときuはzより0.5以上小さくなるように形成し、y=0.5が好ましい。さらに、第1ガイド層4上にはIII-V族化合物半導体からなる活性層5を形成し、活性層5上にはAluGa1uyIn1yPの組成からなる第2ガイド層6を順次エピタキシャル成長させて形成する。ここで、活性層5は、例えばアンドープGaInPからなり、多重量子井戸構造で形成されて障壁層バリア層と井戸層が交互に積層された構造となっている。次に、第2ガイド層6の上に第2導電型でAlzGa1zyIn1yPの組成からなる第3クラッド層7を形成し、第3クラッド層7の上に第2導電型でIII-V族化合物半導体からなるエッチング停止層8を形成する。ここで、第3クラッド層7としては例えばp型でAlzGa1z0.5In0.5Pの組成からなり、エッチング停止層8としてはp型でAlvGa1-v0.5In0.5P0<v<1の組成からなる。そして、エッチング停止層8上に第2導電型でAlzGa1zyIn1yPの組成からなる第4クラッド層9を形成し、第4クラッド層9の上に第2導電型のIII-V族族化合物半導体からなる障壁緩和層10を形成する。第4クラッド層9としては例えばp型でAlzGa1z0.5In0.5Pの組成からなり、障壁緩和層10としては例えばp型でGa0.5In0.5Pの組成からなる。こうして各層をエピタキシャル成長させて積層すると、次に障壁緩和層10の上にハードマスクとなる例えばSiO2を全面に堆積させた後、フォトリソグラフィなどによって所定のストライプ状をしたSiO2マスク11を形成する。そして、このSiO2マスク11を用いてウェットエッチングすることにより、第4クラッド層9をエッチング停止層8まで除去すると、図1bに示すような幅3.0μm以下のストライプ状のリッジ12が形成される。この後、再びエピタキシャルにn型のAl05In05Pからなる電流ブロック層13と、n型のGaAsからなる保護層14を順次成長させた後、SiO2マスク11を除去して再びエピタキシャルにp型のGaAsからなるコンタクト層15を形成すると、図1cに示すような半導体レーザ素子を製造することができる。[半導体レーザ素子の構造]次に、本実施形態に係る半導体レーザ素子の構造を、図2を参照して説明する。図2に示すように、本実施形態に係る半導体レーザ素子は、n型のGaAsからなる半導体基板1と、n型のAlxGa1xyIn1yPからなる第1クラッド層2と、n型のAlzGa1zyIn1yPからなる第2クラッド層3と、AluGa1uyIn1yPからなる第1ガイド層4と、アンドープGaInPからなる活性層5と、AluGa1uyIn1yPからなる第2ガイド層6と、p型のAlzGa1zyIn1yPからなる第3クラッド層7と、p型のAlvGa1-vyIn1yPからなるエッチング停止層8と、p型のAlzGa1zyIn1yPの組成からなり、リッジを形成する第4クラッド層9と、p型のGa0.5In0.5Pからなる障壁緩和層10と、n型のAl05In05Pからなる電流ブロック層13と、n型のGaAsからなる保護層14と、p型のGaAsからなるコンタクト層15とを備えている。ここで、AlxGa1xyIn1yPからなる第1クラッド層2とAlzGa1zyIn1yPからなる第2クラッド層3との間では、xがzより0.05以上小さくなるように設定されている。また、AluGa1uyIn1yPからなる第1ガイド層4とAlzGa1zyIn1yPからなる第2クラッド層3との間では、uがzより0.5以上小さくなるように設定されている。x、u、zの各値が小さくなると、それにしたがって各層の屈折率は増大するので、第2クラッド層3よりも第1クラッド層2及び第1ガイド層4のほうが屈折率は大きくなる。例えば、z=0.8、x=0.75、u=0.3として、リッジの幅を3.0μm、高さを0.75としたときの第2クラッド層3の屈折率と各層の屈折率との差を図2に示す。図2bは図2aに示す各層の屈折率差を示すものであり、各屈折率差はそれぞれ真横に示す各層にそれぞれ対応する。図2に示すように、第2クラッド層3の屈折率を基準にすると、第1クラッド層2の屈折率は0.015高く、第1及び第2ガイド層4、6の屈折率は0.166高く、エッチング停止層8の屈折率は0.205高くなる。このように半導体基板1側となる第1クラッド層2の屈折率を高くしたことにより、本実施形態に係る半導体レーザ素子では、光を半導体基板1側に強く引き込むことが可能となり、リッジ12の幅を狭くして高さを低くしたとしてもコンタクト層15側へ向かう光量が減少し、コンタクト層15による吸収損失を低減することができる。[実施形態の効果]次に、本実施形態に係る半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法による効果を説明する。従来では、特許文献1に開示されているように、n型のクラッド層を2層構造として、活性層から遠いほうのn型クラッド層の屈折率が、近いほうのクラッド層よりも大きくなるように組成を変化させ、屈折率の大きい外側のクラッド層のほうへ光を引き込むことによって、p型クラッド層の側へ向かう光量を減らして吸収損失を抑えていた。このような従来の半導体レーザ素子の構造及び屈折率分布を図3に示す。図3bは図3aに示す各層の屈折率差を示すものであり、各屈折率差はそれぞれ真横に示す各層にそれぞれ対応する。図3に示すように第2n型クラッド層の屈折率よりも第1n型クラッド層の屈折率のほうが0.009高くなるように設定されている。また、リッジ領域の幅は4.0μmに設定されている。ここで、図3に示す構造の半導体レーザ素子における基本導波モードの基板の表面に対して水平な方向成分の電界強度分布についてシミュレーションした結果を図4に示す。図4は図3に示すリッジを左右に二分する縦中心線における電界強度分布を示すものである。例えば、図4に示す第2p型クラッド層は図3aに示す第2p型クラッド層に対応し、図4の第2p型クラッド層よりも上側の領域は図3aに示す第2p型クラッド層よりも上側の領域例えば障壁緩和層を示す。なお、図5についても同様である。図4に示すように、このシミュレーション結果では、第2p型クラッド層の上部界面、すなわちコンタクト層側の界面における強度が最大値の1.0以下となっており、良好な結果となっていることが分かる。しかしながら、キンク特性を改善するために図3と同じ構造及び屈折率のままでリッジの幅を3.0μmに狭め、電気抵抗と熱抵抗の増大を抑えるためにリッジの高さを0.75μmに調整すると、そのシミュレーション結果は図5に示すような結果となる。図5に示すシミュレーション結果では、第2p型クラッド層の上部界面において、電界強度は1.0以上で約1.3近くになっている。したがって、リッジの幅を狭めて高さを低くすると、コンタクト層側へ向かう光量が増加してコンタクト層による吸収損失が増大してしまうことが分かる。したがって、従来ではキンク特性を改善することは困難であった。これに対して、本実施形態に係る半導体レーザ素子では、AlxGa1xyIn1yPの組成からなる第1クラッド層2とAlzGa1zyIn1yPの組成からなる第2クラッド層3において、xがzより0.05以上小さくなるように設定し、AluGa1uyIn1yPの組成からなる第1ガイド層4において、uがzより0.5以上小さくなるように設定したので、光を半導体基板1側に強く引き込むことが可能となり、リッジ12の幅を狭くして高さを低くしたとしてもコンタクト層15による吸収損失を低減することができる。例えば、図2に示すように第2及び第3クラッド層3、7の厚さが0.165μm、第1及び第2ガイド層4、6の厚さが0.033μm、活性層5を構成する量子井戸層とバリア層の厚さがいずれも0.07μm、エッチング停止層8の厚さが0.030μmであり、リッジ12の高さとなる第4クラッド層9の厚さを0.75μmに下げ、リッジ12の幅を3.0μmに狭めた場合についてシミュレーションを行うと、その結果は図6に示すようになる。図6は、図2に示す構造の半導体レーザ素子における基本導波モードの基板の表面に対して水平な方向成分の電解強度分布についてシミュレーションした結果を示すものであり、図2に示すリッジを左右に二分する縦中心線における電界強度分布を示すものである。例えば、図6に示す第4クラッド層は図2aに示す第4クラッド層9に対応し、図6の第4クラッド層よりも上側の領域は図2aに示す第4クラッド層よりも上側の領域例えば障壁緩和層10を示す。図6に示すシミュレーション結果では、第4クラッド層9の上部界面において、電界強度は0.9となり、図5と比較して低下している。したがって、図6の場合にはリッジ12の幅を狭めて高さを低くした場合であってもコンタクト層15側へ向かう光量は減少し、コンタクト層15による吸収損失を低く抑えることができる。これにより、本実施形態に係る半導体レーザ素子では電気抵抗と熱抵抗の増大を引き起こすことなくキンク特性を改善できることが分かる。なお、上述の実施形態は本発明の一例である。このため、本発明は、上述の実施形態に限定されることはなく、この実施形態以外の形態であっても、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計などに応じて種々の変更が可能であることは勿論である。