第1のパターン付の第1の導電膜と、第2のパターン付の第2の導電膜と、複数の開口を有する、前記第1のパターン付の第1の導電膜及び前記第2のパターン付の第2の導電膜の間に設けられた絶縁フィルムと、を備えた薄膜基板であって、前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜は前記開口を通して電気接続されることを特徴とする、発光ダイオードに用いられる薄膜基板。請求項1記載の薄膜基板と、前記薄膜基板上にある結晶粒子と、前記結晶粒子を前記薄膜基板に接触させる手段と、前記結晶粒子をパッケージ封入する透明接着剤と、を備えた、化合物半導体デバイスのパッケージ封入構造。発光ダイオードに用いられる薄膜基板の作製方法において、複数の開口を有する絶縁フィルムを提供する工程、及び前記絶縁フィルムの表裏をなす2つの面上に第1のパターン付の第1の導電膜及び第2のパターン付の第2の導電膜をそれぞれ形成する工程であって、前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜は前記開口を通して相互に接触するものである工程、を含むことを特徴とする薄膜基板の作製方法。上記の観点において、民生エレクトロニクス製品市場では薄パッケージ封入型光電化合物半導体デバイスが緊急に必要とされている。そのようなデバイスはスペースを節約するために厚さを低減することが必要なだけでなく、熱放散問題に対処する必要もある。そのようなデバイスにより、信頼性の高い大電力エレクトロニクス製品がより容易に作製されるであろう。本発明に係る発光ダイオードに用いられる薄膜基板は、第1のパターン付の第1の導電膜と、第2のパターン付の第2の導電膜と、複数の開口を有する、前記第1のパターン付の第1の導電膜及び前記第2のパターン付の第2の導電膜の間に設けられた絶縁フィルムと、を備え、前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜は前記開口を通して電気接続されることを特徴とする。本発明に係る化合物半導体デバイスのパッケージ封入構造は、上述した薄膜基板と、前記薄膜基板上にある結晶粒子と、前記結晶粒子を前記薄膜基板に接触させる手段と、前記結晶粒子をパッケージ封入する透明接着剤と、を備え、薄膜基板は、第1のパターン付の第1の導電膜と、第2のパターン付の第2の導電膜と、複数の開口を有する、前記第1のパターン付の第1の導電膜及び前記第2のパターン付の第2の導電膜の間に設けられた絶縁フィルムと、を備え、前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜は前記開口を通して電気接続されることを特徴とする。本発明に係る発光ダイオードに用いられる薄膜基板の作製方法は、複数の開口を有する絶縁フィルムを提供する工程、及び前記絶縁フィルムの表裏をなす2つの面上に第1のパターン付の第1の導電膜及び第2のパターン付の第2の導電膜をそれぞれ形成する工程であって、前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜は前記開口を通して相互に接触するものである工程、を含むことを特徴とする。本発明に係る化合物半導体デバイスのパッケージ封入構造において、半導体チップと外部電極の間には電気信号を伝えるためのプリント基板がなく、よってデバイスの熱放散が向上し、且つ薄膜基板の使用により、スペースを節約するためデバイスの厚さを減じることができる。以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図2A~図2Fは本発明にしたがう化合物半導体デバイスのパッケージ封入構造の作製工程を示す略図である。図2Aに示されるように、仮基板21は第1の面211及び第2の面212を有する。本図において、第1の面は上面であり、第2の面は下面である。仮基板21は金属材料、セラミック材料及びポリマー材料でつくられる。パターン付導電膜22が、印刷、スクリーン印刷、電鋳、化学めっきまたは無電解めっきまたはスパッタリングによって第1の面211上に形成される。導電膜22の材料は、銀、ニッケル、銅、スズ、アルミニウムまたはこれらの金属材料の合金である。さらに、酸化インジウムスズITO、酸化インジウム亜鉛IZO、酸化インジウムガリウムIGO及び酸化インジウムタングステンIWOも導電膜22の材料に適し、導電膜22はさらに、N型電極221及びP型電極222を有するか、または複数の絶縁領域をもつコンタクトパターンを有する。図2B~図2Cに示されるように、化合物半導体チップ23がチップボンディング接着剤24によってN型電極221上に実装され、次いでワイアボンディングにより金属ワイア25を介してN型電極221及びP型電極222に電気的に接続される。さらに、ボンディングペーストの代りに、共融ボンディングによって半導体チップ23をN型電極221上に実装することができる。続いて、エポキシ樹脂及びシリコーンのような透明封入材料26が、半導体チップ23、N型電極221、P型電極222及び金属ワイア25を覆って被着される。透明封入材料26にはさらに、励起された蛍光粉末27から二次光が放射され得るように、蛍光粉末27が混合される。二次光は半導体チップ23からの一次光と混合されて白色光または複数の波長をもつ電磁放射波を形成する。混合される蛍光粉末27の材料は、YAG、TAG、ケイ酸塩または窒化物をベースとする蛍光粉末である。透明封入材料26は、トランスファー成形法または射出成形法により、半導体チップ23を覆って被着される。透明封入材料が硬化した後、曲げ、剥離、エッチング、レーザカッティングまたは研削によって基板21が除去される。よって、導電膜22の第2の面224が封入材料26上に現れる。こうして、図2Eに示されるように、化合物半導体デバイス20のパッケージ封入構造が完成する。導電膜22の第2の面224は導電膜22の第1の面223と表裏をなし、第1の面223は封入材料26に覆われたままである。半導体チップ23からの光を導き、集中させて、封入材料26の上面から放射させるため、図2Fに示されるように、封入材料26の側面を反射層28で覆うことができる。化合物半導体デバイス20’の半導体チップ23から放射された光は、反射層28によって反射され、半導体チップ23の回路面の上方に導かれて、封入材料26から外に出る。反射層28の材料は、二酸化チタンのような反射係数の高い材料を含む、不透明接着剤とすることができる。N型電極221及びP型電極222の第2の面224は、透明封入材料26で覆われていないから、表面実装のための外部コンタクトとしてはたらくことができる。さらに、半導体チップ23から発生される熱は優れた熱伝導係数をもつ薄導電膜22により直接に伝達され、よってパッケージ封入構造の熱放散効率が向上する。従来技術と比較すると、化合物半導体デバイス20には全パッケージ封入構造のためのプリント回路基板が必要ではなく、したがって、パッケージ封入構造厚を0.2mm~0.15mmまで減じることができる。本実施形態において、半導体チップ23はLED、レーザLEDまたは光電池とすることができる。図3Aは本発明の別の実施形態にしたがう化合物半導体デバイスのパッケージ封入構造の断面図である。化合物半導体デバイス30は、パターン付導電膜32、半導体チップ33及び透明封入材料36を有する。半導体チップ33はフリップチップボンディングによって導電フィルム32の第1の面323上に実装され、複数のバンプ35を介してN型電極321及びP型電極322に電気的に接続される。透明封入材料36は導電膜32の第1の面323及び半導体チップ33を覆って被着され、導電膜32の第2の面324は封入材料で覆われない。半導体チップ33からの光を導き、集中させて、封入材料36の上面から放射させるため、図3Bに示されるように、封入材料36の側面を反射層38で覆うことができる。化合物半導体デバイス30’の半導体チップ33から放射された光は、反射層38によって反射され、半導体チップ23の回路面の上方に導かれて、封入材料36から外に出る。本実施形態において、半導体チップ33はLED、レーザLEDまたは光電池とすることができる。図4は本発明にしたがう薄膜基板のそれぞれの層を示す分解組立図であり、図5は本発明にしたがう薄膜基板の断面図である。薄膜基板40は、上層導電膜41、絶縁層42及び下層導電膜43を有し、図5に示されるように、上層導電膜41のN型電極412が絶縁層42の複数の開口422を通して下層導電膜43のN型電極432に接触する。同様に、上層導電膜41のP型電極411が絶縁層42の複数の開口422を通して下層導電膜43のP型電極431に接触する。絶縁層42の厚さは約0.01~0.1mmであるから、上層導電膜41及び下層導電膜43は開口422を通して相互に容易に接触する。絶縁層42は、ポリイミド、PVポリビニル、PCポリカーボネート、PVCポリ塩化ビニル、PMMAポリメチルメタクリレートまたはアクリルでつくられた薄フィルム421である。ポリイミドが薄フィルム421として選ばれる場合には、流延、浸漬またはゾルゲルによってプレート上に形成される。続いて、直径が約0.1mmの複数の開口422が、機械的穴開け加工、レーザ穴開け加工またはプラズマエッチングによって絶縁フィルム421に形成される。上層導電膜41及び下層導電膜43は、電気めっき、印刷または銅箔圧着によって絶縁フィルム421上に形成される。さらに、熱は開口422を通して上層導電膜41と下層導電膜43の間で容易に伝達される。図6A~図6Bは本発明の別の2つの実施形態にしたがう化合物半導体デバイスのパッケージ封入構造の断面図である。化合物半導体デバイス60は、基板40、半導体チップ63、金属ワイア65及び透明封入材料66を有する。半導体チップ63はチップボンディング接着剤64または共融ボンディングによって基板40上に実装され、半導体チップ63のN型基板である背面はチップボンディング接着剤64によってN型電極412に電気的に接続することができる。さらに、図6Bに示されるように、化合物半導体デバイス60’の半導体チップ63’は、サファイア基板のような、非半導体基板上に形成される。したがって、半導体チップ63’をN型電極412及びP型電極411に電気的に接続するには2本の金属ワイア65’が必要である。透明封入材料66にはさらに、励起された蛍光粉末67から二次光が放射され得るように、蛍光粉末67が混合される。二次光は半導体チップ63’から放射される一次光と混合されて白色光または複数の波長をもつ電磁放射波を形成する。混合される蛍光粉末67の材料は、YAG、TAG、ケイ酸塩または窒化物をベースとする蛍光粉末である。本実施形態において、半導体チップ63はLED、レーザLEDまたは光電池とすることができる。透明封入材料66は、トランスファー成形法または射出成形法により、半導体チップ63を覆って被着される。図7は本発明の別の実施形態にしたがう化合物半導体デバイスのパッケージ封入構造の断面図である。化合物半導体デバイス70は、基板40、半導体チップ73及び透明封入材料66を有する。半導体チップ73は基板40上に実装され、複数のバンプ75を介してN型電極412及びP型電極411のそれぞれに電気的に接続される。本実施形態において、半導体チップ73は、LED、レーザLEDまたは光電池とすることができる。図6~図7の実施形態に関しては、輝度を高めるために反射層も用いられる。本発明の上述の実施形態の目的は説明に過ぎない。当業者であれば、添付される特許請求の範囲を逸脱しない数多くの別の実施形態を案出できるであろう。