透光性基板上に透光性電極膜、光電変換部及び電荷増倍部を順次積層し、前記電荷増倍部に対向して配置した電子源を有する撮像デバイスであって、前記光電変換部は少なくともIB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物からなり、前記電荷増倍部は非晶質セレンを主体とする層から構成され、前記IB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物の抵抗率が106Ωcm以上1012Ωcm以下であることを特徴とする撮像デバイス。前記IB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物はバンドギャップが0.25eV~3.5eVである半導体であることを特徴とする請求項1記載の撮像デバイス。前記IB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物は非晶質であることを特徴とする請求項1又は2のいずれか一項に記載の撮像デバイス。前記光電変換部はIB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物からなる薄膜の膜厚は0.1nm以上1500nm以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の撮像デバイス。前記IB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物はセレン単体よりも耐性が高いことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の撮像デバイス。撮像デバイスの感度波長は、光導電膜にセレンSeを使用すると、入射光の赤色領域の感度が悪い。光導電膜入射光側にテルルTeなどをドーピングすると、赤色領域の感度は向上するが、青色領域の感度が低下する。すなわち、非晶質セレンのバンドギャップは2.0eVであるため、波長にして620nmの赤色光領域の一部までにしか感度を有さない。赤色光に対する感度を向上する、バンドギャップを狭める、などためTeドーピングが成されているが、赤色領域と青色領域との感度でトレードオフが起こる。よって、赤色領域と青色領域の感度を共に向上することが従来、困難であった。カルコパイライト構造結晶はその光特性から太陽電池としても検討されているが、光電変換効率を向上するためにもカルコパイライト構造の低抵抗な多結晶で用いられることが一般的である。光導電膜に多結晶のカルコパイライト構造化合物を撮像デバイスの光導電膜に用いた場合、その抵抗率が10Ωcm~102Ωcm程度であるため、入射光側の透光性電極からのキャリア注入が多量になり、暗電流が増加してしまう。結果として撮像デバイスとしてのS/N特性を損ねることになる。そこで本発明は、高いS/N比、光電変換効率を維持しつつ波長領域を拡大し得る撮像デバイスを提供することが一例として挙げられる。本発明の撮像デバイスは、透光性基板上に透光性電極膜、光電変換部及び電荷増倍部を順次積層し、前記電荷増倍部に対向して配置した電子源を有する撮像デバイスであって、前記光電変換部は少なくともIB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物からなり、前記電荷増倍部は非晶質セレンを主体とする層から構成され、前記IB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物の抵抗率が106Ωcm以上1012Ωcm以下であることを特徴とする。本発明の撮像デバイスにおいては、前記IB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物はバンドギャップが0.25eV~3.5eVである半導体であることとすることができる。本発明の撮像デバイスにおいては、前記IB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物は非晶質であることとすることができる。本発明の撮像デバイスにおいては、前記光電変換部はIB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物からなる薄膜の膜厚は0.1nm以上1500nm以下であることとすることができる。本発明の撮像デバイスにおいては、前記IB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物はセレン単体よりも耐性が高いこととすることができる。以下に本発明による実施形態の撮像デバイスを図面を参照しつつ説明する。図1は、撮像デバイスにおける撮像プレートを説明するため概略構成断面図である。撮像プレート10は、撮影すべき物体からの入射光を受光する透光性基板11上に、透光性基板11上に、透光性電極膜12、光電変換部13および電荷増倍部14が順次積層されて構成される。撮像デバイスは、この透光性電極膜12、光電変換部13および電荷増倍部14を担持した基板11と、その上の電荷増倍部14に対向して配置された電子源20とで構成される。電荷増倍部14と電子源20とは、例えば、真空空間4を介して離間している。光電変換部13は後に詳述するが、光電変換部13以外を先に説明する。透光性基板11透光性基板11は、撮像プレート10が撮像する波長の光、電磁波を透過する材料で形成されていればよい。例えば、可視光による撮像を行う場合には可視光を透過するガラスなどの材料で形成され、紫外光による撮像の場合には紫外光を透過するサファイア、石英ガラスなどの材料で形成されている。また、X線による撮像の場合には、X線を透過する材料、例えば、ベリリウムBe、シリコンSi、窒化ホウ素BN、酸化アルミニウムAl2O3などで形成されていればよい。なお、透光性基板11に入射する光は、紫外線、赤外線、可視光線、及びX線を含み、これらを総じて光と称する。透光性電極膜12透光性電極膜12は光を透過し電気抵抗の低い材料で形成されていればよい。透光性電極膜12には接続端子図示せずを介して所定の正電圧が印加される。たとえば、透光性電極膜12は、波長が約400nm~700nmの可視光領域での平均透過率が80以上であり、抵抗率が10-3Ωcm以下の材料であれば何でも良く、例えばITOIndiumTinOxide、IZOIndiumZincOxide、AZOAluminiumdopedZincOxide、GZOGaliumdopedZincOxide、ノンドープZnO、酸化スズSnO2、などが挙げられる。尚、特にこれらに限定するわけではなく、X線イメージングを目的とする場合、不要な可視光を透過せず、X線領域の波長を透過するような透光性電極膜であってもよい。その場合のX線透光性電極膜の材料例えばAlなどが挙げられる。なお、透光性電極膜のほか、いずれの薄膜の作製方法はスパッタリング、真空蒸着、ゾル-ゲル法、クラスタービーム蒸着、PLDPulsedLaserDepositionなどが挙げられる。電荷増倍部14電荷増倍部14がセレンを主体とするアバランシェ増倍を主に呈する層である。アバランシェ増倍では、入射光によって光電変換部13で生成された電子正孔対がキャリアとなり、電子正孔のそれぞれが透光性電極膜12及び電子源20例えば電子ビームの間の強電界で電荷増倍部内で加速され、インパクトイオン化によって新たな電子正孔対を生成し、さらにインパクトイオン化が新たなキャリアごとに次々と繰り返され、キャリアの数が指数関数的に増え大電流が流れる。電荷増倍部14は、非晶質でセレンを主成分としたカルコゲナイド系化合物から形成され、特に電界緩和を目的とした正孔の捕獲準位をセレン中に形成する物質を含む。正孔捕獲準位を形成する物質としては、例えばLi、Na、K、Mg、Ca、Ba、Tl及びそれらのフッ化物、及びAl、Cr、Mn、Co、Pb、Ceのフッ化物からなる群から選ばれた少なくとも1つが有効である。フッ化物としては、LiF、NaF、MgF2、CaF2、BaF2、AlF3、CrF3、MnF2、CoF2、PbF2、TlF、KFのようなストイキオメトリーな組成でもよいが、組成がずれたものでもよい。更に膜厚方向に対して組成の分布が発生していてもよい。電子源20電子源20としては、電荷増倍部14で増幅された正孔と結合できる電子を供給できれば、電子源は何を用いてもよい。点電子源、面電子源、電子源アレイの何れでもよいし、電子源の陰極として熱陰極、光陰極、冷陰極なども特に制約は無い。熱陰極としては、CaO、SrO、BaO、ThO2、W、LaB6、CeB6、TiC、ZrCなどが挙げられる。光陰極としては、K2CsSb、KCsTe、GaAsCs、Fが挙げられる。冷陰極としてはCNTカーボンナノチューブ、MIM金属絶縁体金属、MIS金属絶縁体半導体、スピント型などが挙げられる。さらに、電子源20としては、真空空間を設けず、この基板11の電荷増倍部14へ、インジウムInなどの金属を介して画素毎に点接続して電子を直接供給する固体走査装置も挙げられる。点接続した固体走査装置には画素毎に高い電圧に耐える、例えばMOS金属酸化物半導体トランジスタが設けられ、複数画素がマトリクスアレイ配置されてマトリクス駆動される。その他光電変換部13の透光性電極膜12側には、透光性電極膜12から光電変換部13への正孔注入を阻止するためのCeO2などの正孔注入阻止層を設けることができる。正孔注入阻止層のCeO2は非晶質であることが望ましいが、多結晶であってもよい。さらに、電荷増倍部14の電子供給側には、電荷増倍部14への電子注入を阻止するためのSb2S3、In2S3などの電子注入阻止層を設けることができる。電子注入を阻止するため、電子注入阻止層は、結晶体よりは非晶質が望ましく、また反射電子を生じないためにも多孔質化されていることが望ましい。電荷増倍部14には耐熱性を向上するためのAs2Se3、GeSe、Ga、GaSeの少なくとも1つを含む。尚、ストイキオメトリ組成でもよいが、化学量論的組成がずれたものでもよい。更に膜厚方向に対して組成の分布が発生していてもよい。また、特に完全な非晶質である必要は無く、高抵抗を維持するために微結晶化されているか、非晶質に近い多結晶であってもよい。光電変換部13光電変換部13は、入射光を吸収してキャリアの大部分を発生して、セレンを主体とした電荷増倍部14へ供給する感光薄膜である。光電変換部13はIB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物からなる。IB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物からなる光電変換部13は106Ωcm以上1012Ωcm以下の抵抗率となるように成膜される。光電変換部13としてのIB-IIIB-VIB族系化合物は、CuAlS2、CuAlSe2、CuAlTe2、CuGaS2、CuGaSe2、CuGaTe2、CuInS2、CuInSe2、CuInTe2、CuInGaSe2、AgAlS2、AgAlSe2、AgAlTe2、AgGaS2、AgGaSe2、AgGaTe2、AgInS2、AgInSe2、AgInTe2などが挙げられる。さらに、光電変換部13としてのIIB-IVB-VB族系化合物は、ZnSiP2、ZnSiAs2、ZnGeP2、ZnGeAs2、ZnSnP2、ZnSnAs2、ZnSnSb2、CdSiP2、CdSiAs2、CdGeP2、CdGeAs2、CdSnP2、CdSnAs2などが挙げられる。さらに、光電変換部13としてのIIB-IIIB-VIB族系化合物は、ZnAl2Se4、ZnAl2Te4、ZnGa2S4、ZnGa2Se4、ZnGa2Te4、ZnIn2Se4、ZnIn2Te4、CdAl2S4、CdAl2Se4、CdAl2Te4、CdGa2S4、CdGa2Se4、CdGa2Te4、CdIn2Te4、HgAl2S4、HgAl2Se4、HgAl2Te4、HgGa2S4、HgGa2Se4、HgGa2Te4、HgIn2Se4、HgIn2Te4などが挙げられる。これらのIB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物はバンドギャップを0.25eV~3.5eVを有する。光電変換部13のIB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物の抵抗率を106Ωcm以上1012Ωcm以下としているのは、光電変換部13の電気抵抗Rがセレン電荷増倍部14のものより低いと電流注入起因の暗電流が大きくなり、一方、光電変換部13の電気抵抗Rが高いと光電変換部13中でアバランシェ増倍現象が生じ、暗電流が大きくなることを、回避するためである。IB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物からなる光電変換部13の膜厚は光電変換するためには300nm程度必要である。そこで、光電変換部13の方が電荷増倍部14より抵抗が高いと、光電変換部13に強電界が印加されるので、それを防ぐため、IB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物の光電変換部13の抵抗率は少なくともセレン電荷増倍部14との膜厚比以下であることが望ましい。ここで、導体の電気抵抗率ρは、ρ=RS/L[Ωm]ただし、Rは電気抵抗[Ω]、S[m2]は導体の断面積、L[m]は導体の長さを示すが、ここで、電荷増倍部14と光電変換部13の断面積は等しく、長さLが膜厚となるで表わされる。よって、非晶質セレンの抵抗率を1012Ωcm、光電変換部13の膜厚300nm、増倍率200のセレン電荷増倍部14を15μm=15000nmとした場合、光電変換部13の抵抗率は1012×15000/300=5×1013[Ωcm]以下であることが望ましい。IB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物の光電変換部13の求められる抵抗率を、光電変換部13の原子層レベル膜厚0.1nmから1000nm程度の膜厚範囲で変化させグラフ化し考察してみる。図2は、グラフ縦軸にかかる光電変換部13の求められる抵抗率を、横軸に光電変換部13の膜厚を示す膜厚に対する電気抵抗率の変化を示すグラフである。グラフ中の上方の線がセレン電荷増倍部が膜厚15000nmとなる場合の限界線であり、グラフ中の下方の線がセレン電荷増倍部が原子層レベル膜厚となる場合の限界線である。A点では抵抗率上限でセレン電荷増倍部膜厚が15000nmで殆んどがSeあり、B点ではセレン電荷増倍部膜厚が15000nmでIB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物膜厚が同等あり、C点ではセレン電荷増倍部膜厚が原子層レベルでIB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物膜厚が同等あり、D点では抵抗率下限でセレン電荷増倍部膜厚が原子層レベルで殆んどがIB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物となっている。グラフ中の直線EFは物理的なIB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物の抵抗率の上限=非晶質セレンの抵抗率1012Ωcmを示す。グラフから明らかなように、IB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物の抵抗率は、暗電流を低減するために非晶質セレンの膜厚が0.1nm程度の時の6.67×105Ωcm以上かつセレン膜厚が15000nmの時にIB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物内でアバランシェ増倍現象を起さない1.5×1017Ωcm以下であることが望ましいグラフ中のABCDで囲まれた領域ことが分かる。ただし、非晶質IB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物は、Cu、In、Gaの金属を有するため、非晶質セレンよりも高い抵抗率を有することはない。以上より、グラフ中の直線EFの下領域が実現可能な抵抗率であり、光電変換部13の抵抗率が106Ωcm~1012Ωcmが好適である。よって、光電変換部13のIB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物が高抵抗106Ωcm以上であることにより、暗電流が従来の非晶質セレンのみからなる光電変換膜より低減でき、S/N比を高く取ることができる。また、光電変換部13のIB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物の抵抗率を非晶質セレンのもの1012Ωcmより小さくすることで、高電界を印加した時にIB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物内でアバランシェ増倍が生じるのを防ぐことができる。一般的に太陽電池向けに採用されているCuInx、Ga1-xSe2ただし、0≦x≦1はカルコパイライト構造の多結晶であるため、抵抗率が低いが、本発明では暗電流を抑制するためにも高抵抗が望ましく、非晶質として使用する。同様に、IIB-IIIB-VIB族系ではデフェクトカルコパイライト構造の結晶が知られているが、IIB-IIIB-VIB族系化合物も非晶質として使用する。すなわち、IB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物は、抵抗率を高めるために多結晶とはせずに、微細結晶が含まれる場合があるが、光電変換部13としてはほとんど非晶質化されていることが好ましい。セレンの結晶粒径は数1000nmオーダーであり、IB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物の結晶粒径も同等であると考えられるが、IB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物からなる光電変換部13の膜厚は0.1nm~1000nm程度とすると、結晶化が生じると膜厚以上の高さとなってしまう。従って、暗電流を増大させるため、結晶よりも非晶質であることが望ましい。参考として、図3はセレンに関する非晶質と結晶の暗電流の比較を示す電界強度に対する暗電流変化を示す。IB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物からなる光電変換部13の膜厚は0.1nm以上1500nm以下であることが好ましいが、0.1nmの原子層レベル厚があれば光電変換が行われ、そして、IB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物のバンドギャップ0.25eV~3.5eVは波長変換すると200nm~2800nmの領域をカバーする。よって、可視光から近赤外領域を考えると1000nm程度であり、非晶質セレンの光吸収係数は波長の長い赤色光でも7000cm-1であるため、その進入長光吸収係数の逆数より膜厚上限は1500nmであることが好ましい。以上、実施形態によれば、撮像デバイスの感光波長領域の拡大の効果が得られる。光電変換部光キャリア発生層にIB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物例えば、CuInGaSe2を活用する場合、IB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物のバンドギャップは1.4eV~1.5eVであるため、波長にして900nm程度の近赤外線光を中心とした、可視光から近赤外線光に感度を有することになる。更に、Ga組成を変動することで、バンドギャップを操作することが可能であるため、特異の波長に感度ピークを持たせることが可能となる。さらに、実施形態によれば、撮像デバイスの耐性の強化の効果も得られる。IB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物は金属類が混合されているため、耐熱性も先の非晶質セレンより経年劣化が軽く安定である。また、IB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物は耐放射線特性が良好であるため、宇宙用太陽電池としての応用も期待されている材料である。単独の非晶質セレンよりも耐環境特性が良好であり、幅広い応用が期待できる。更に、光吸収係数が高く、例えばSiの100倍程度であるため、光電変換に必要な膜厚が薄くできるため、原料使用量も少なくでき、環境負荷も低減できる。基板を選ばないため、光電変換装置としての一般的な基板であるガラス、更なる高効率の光電変換装置としてのFOPFiberOpticalPlate基板、X線検出へ有効であるBe基板などの多種用途へ向けた作製が可能である。なお、放射線とはX線、γ線などの電磁波並びにα線、β線、中性子線等の粒子線の総称をいい、耐放射線性とは、たとえば有機材料の場合、放射線による高分子鎖の間の結合架橋と分子鎖の切断及び二重結合等の不飽和結合の増大により力学特性が低下するが、無機系では、電気特性も変化するので、経時変化の出力信号電圧の低下を耐放射線特性の評価基準としている。またさらに、実施形態によれば、撮像デバイスの非晶質膜採用による成膜方法の拡大の効果も得られる。IB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物はその光特性から化合物系の太陽電池としても検討されているが、光電変換効率を向上するためにも低抵抗、多結晶で用いられることが一般的である。本発明において、光電変換部に多結晶のIB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物を用いた場合、抵抗率が10Ωcm~102Ωcm程度であるため、透光性電極膜12からのキャリア注入が多量になり、暗電流が増加してしまう。結果として光電変換装置としてのS/N特性を損ねることになるため、IB-IIIB-VIB族系又はIIB-IVB-VB族系又はIIB-IIIB-VIB族系化合物は抵抗率を高めるために非晶質であることが望ましい。尚、非晶質のセレン単体では抵抗率は1012Ωcmと非常に高い。更に、本発明用途での非晶質でよいという点は、成膜方法の幅も広げることになり、蒸着法以外にスパッタリングによる成膜なども適用が可能となる。撮像デバイスの変形例以下に本発明の実施形態の撮像デバイスの変形例を図面を参照しつつ説明する。なお、実施形態は例示に過ぎずこれらに本発明は制限されないことはいうまでもない。図4は、撮像プレート10ガラス基板11、透光性電極膜12、CuInGaSe2光電変換部図示せずおよび非晶質Se電荷増倍部14を担持が、真空空間4を介して、電子源20の電子源アレイと対向する撮像デバイスを示す断面図である。光電変換部には、透光性基板11に設けられた接続端子T1を介して所定の正電圧が印加される。電荷増倍部14と電子源の電子源アレイ20の間の真空空間4に配置されたメッシュ金属電極19には、複数の貫通開口が設けられている。メッシュ電極19には接続端子図示せずを介して所定の正電圧が印加される。メッシュ電極は、電子加速及び余剰電子回収のために設けられる中間電極である。これにより、電子ビームの方向性を良くして解像度を改善することができる。図5は、本発明による実施形態の撮像デバイスの電子源の電子源アレイチップとそれを制御するコントローラの構成を示すブロック図である。電子源アレイチップ24は、電子源を駆動するMOSトランジスタのゲート電極はX走査ドライバ水平走査回路に接続され、ソース電極はY走査ドライバ22垂直走査回路に接続され、点順次走査がなされる。Y走査ドライバ及びX走査ドライバは電子源アレイチップ24上に電子源アレイと一体に、1チップとして構成されている。図4に示すように、電子源アレイチップ24は、ガラスハウジング10A内にサポート25上に設けられている。電子源アレイチップ24の駆動に必要な信号や電圧などはガラスハウジング10Aに設けられた接続端子図示せずを介して供給される。これら電子源アレイチップ24と透光性基板11は、真空空間4を挾み略平行に配置され、フリットガラスまたはインジウムメタルによってシールされた透光性基板11とガラスハウジング10A内に真空封入されている。この撮像デバイスは、光軸Z方向に垂直な平面XY平面に複数の電子源が配列された電子源アレイ20と、光軸上に空間を隔てて電子源アレイ20に対向して配置された透光性基板11電荷増倍部14-光電変換部13と、を含み、電子源を点順次走査して電子を電荷増倍部14-光電変換部13へ放出して、透光性基板11からの光入射により電荷増倍部14-光電変換部13上に投影された光学像に対応した電気信号として出力するものである。図5に示すように、電子源31の複数が基板平面XY平面にマトリクス状に配置され電子源アレイ20を構成している。電子源アレイ20及びこれを駆動するY走査ドライバ22、X走査ドライバ23を含む電子源アレイチップ24として1チップとして構成されている。なお、コントローラ26や、その他の回路が当該チップ上に設けられていてもよい。チップ上面に形成されている電子源アレイ20は、Siウェハ上に形成した駆動回路LSI上に電子源アレイを直接積層して一体化したアクティブ駆動型電界放出アレイFEA:FieldEmitterArrayとして構成され、点順次スキャンがなされる撮像動作の高速駆動例えば、1つの電子源31の駆動パルス幅が数10nsに対応することができる。電子源アレイ20は、Y方向垂直方向及びX方向水平方向にそれぞれnライン及びmラインの走査駆動線以下、走査ラインという。に接続されたn行及びm列画素数はn×mからなるマトリクス配列の複数の電子源31から構成されている。また、電子源アレイ20の電子源31の数は、例えば、1920×1080個であり、1つの電子源31のサイズは20×20μm2である。1電子源31の表面部には、電子放出のための開口部である電子放出部91が設けられている。例えば、1電子源31の8×8μm2の領域には、電子源の直径が約1μmである電子放出部911μmφが3×3個形成されている。1つの電子放出部91からは、例えば、数マイクロアンペアμAの電子流が放出される放出電流密度は、約4A/cm2。なお、本実施例において示す数値は単なる例示に過ぎず、撮像プレートが用いられる装置、撮像プレートの解像度、感度などに応じて、適宜変更して適用することが可能である。Y走査ドライバ22及びX走査ドライバ23はコントローラ26からの垂直同期信号V-Sync、水平同期信号H-Sync、クロック信号CLKなどの制御信号に基づいて点順次走査及び電子源31の駆動を行う。すなわち、Y方向に走査ラインYj、j=1、2、..、nを順次走査し、ある1つの走査ラインYkとするの選択時にX方向に走査ラインXi、i=1、2、..、mを順次走査して当該走査ラインYk上の各電子源31を選択駆動することによって点順次走査を実行する。そして、電子を放出させる電子源31のスイッチングはMOSトランジスタのドレイン電位、すなわち、電子源31の各電子源31の下部電極の電位を走査ラインで制御することによって行われる。図6は、アクティブ駆動される電子源アレイにおける電子源31とそのスイッチングのためMOSトランジスタを説明する拡大部分断面図であって、上記の電子源アレイチップ24の電子源31の部分を拡大してある。シリコン素子基板30に形成された電子源アレイの電子源31は、MOSトランジスタアレイからなる駆動回路やこれを駆動制御するY走査ドライバ及びX走査ドライバとを素子基板30に形成した後、その上部に形成されている。上部電極36は、例えばY走査ドライバに接続され、それぞれに所定信号が印加される。下部電極33は例えばX走査ドライバに接続され、垂直方向走査パルスに同期してそれぞれに所定信号が印加される。下部電極33並び上部電極36の交点が電子放出部91の配置に対応するので、実施形態の撮像プレートにおいては、下部電極及び上部電極36により電子放出部91が順次駆動され、放出電子で近接した光電変換膜領域を走査して、光電変換膜に結像された画像から光電変換された映像信号を得る。図6に示すように、電子源31は、下部電極33、電子供給層34、絶縁体層35、例えばタングステンWからなる上部電極36、炭素層37の積層構造からなるMIS金属絶縁体半導体型の電子源である。電子源アレイ20の上部電極36はラインごと共通になっており、下部電極33および電子供給層34を分割して各電子源31を電気的に分離している。電子供給層34まで絶縁体層35及び上部電極36を貫通する凹部91が電子放出部である。シリコン素子基板30には複数のMOSFETでは、シリコン素子基板30中に素子分離膜77が形成されており、これら素子分離膜77間のシリコン素子基板30上にゲート絶縁膜74とポリシリコンからなるゲート電極75とが形成されている。また、ゲート電極75と素子分離膜77とをマスクとしてシリコン素子基板30に不純物を導入しこれを活性化することで、ソース電極72とドレイン電極76とが自己整合的に形成されている。下部電極33は、層間絶縁膜70を貫通しているコンタクトホール71内のタングステンなどの金属を介してドレイン電極76へ導通している。下部電極33ごとに電子源31が分離独立して、形成されている。下部電極33上に、電子供給層34、絶縁体層35及び上部電極36が順に積層されて、凹部として電子放出部91が形成され炭素層37で覆われている。電子源31の間は電子供給層34のエッチングにより除去された拡大開口空間80で分離されている。電子供給層34は下部電極33と同様に電子源31毎に分離独立しているが、上部電極36のブリッジ部36aが、空間上に架設され、隣接する電子源31を電気的に接続している。電子放出部91の上部電極36の上に炭素層37が成膜されている。図4に示す撮像プレート10において、外部からの光が透光性基板11と透光性電極膜12を経て光電変換部13と電荷増倍部14に入射すると、透光性電極膜12近傍の光電変換部13内部に入射光量に応じた電子正孔対が生成される。このうち正孔は透光性電極膜12を介して電荷増倍部14と光電変換部13に印加された強い電界によって加速され、電荷増倍部14を構成する原子と次々衝突して新たな電子正孔対を生み出す。このように、アバランシェ増倍され、この際の電流が入射光像に応じた映像信号として透光性電極膜12から出力される。