"電子放出素子が設けられた第一基板と、アノードが設けられた第二基板とを、真空ベークして冷却した後、電子放出素子の設置側とアノードの設置側とを内面側にして向き合わせて、周縁部に支持枠を挟み込んで封着する電子線装置の製造方法において、前記第一及び第二基板の少なくとも一方の内面に予め非蒸発型ゲッターを付設しておき、該非蒸発型ゲッター付第一及び/又は第二基板の前記真空ベーク時に、付設された前記非蒸発型ゲッターが活性化温度に到達する前に前記非蒸発型ゲッター付第一及び/又は第二基板の内面側に対向板を近接させ、この状態で、前記活性化温度以上の温度での前記真空ベークと、その後の冷却とを行うことを特徴とする電子線装置の製造方法。前記第一及び第二基板の一方を前記非蒸発型ゲッター付とし、他方の内面側の周縁部に予め支持枠を取り付けておくことを特徴とする請求項1に記載の電子線装置の製造方法。前記非蒸発型ゲッター付第一又は第二基板の内面側外周縁部の内側に予め支持枠を取り付けておき、該支持枠が取り付けられた前記非蒸発型ゲッター付第一又は第二基板の内面側へ前記対向板を近接させると共に、前記非蒸発型ゲッター付第一又は第二基板の外周縁部と、前記対向板の外周縁部との間に両者間を遮蔽するスカートを介在させ、この状態で、前記活性化温度以上の温度での前記真空ベークと、その後の冷却とを行うことを特徴とする請求項1に記載の電子線装置の製造方法。前記非蒸発型ゲッター付第一又は第二基板は、前記支持枠よりも内側に付設された非蒸発型第一ゲッターと、前記支持枠よりも外側に付設された非蒸発型第二ゲッターとを有することを特徴とする請求項3に記載の電子線装置の製造方法。前記非蒸発型第一ゲッターの吸着性能よりも前記非蒸発型第二ゲッターの吸着性能が高いことを特徴とする請求項4に記載の電子線装置の製造方法。前記非蒸発型第二ゲッターが取り外し可能であることを特徴とする請求項4又は5に記載の電子線装置の製造方法。前記対向板が、ガラス材料からなることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電子線装置の製造方法。前記対向板が、貴金属薄膜をコーティングしたガラス材料からなることを特徴とする請求項7に記載の電子線装置の製造方法。請求項1乃至8のいずれか一項に記載の電子線装置の製造方法における第二基板として、アノードと共に、電子線の照射により発光して画像を表示する画像形成部材を備えた基板を用いることを特徴とする画像表示装置の製造方法。特許文献1の技術では、リアプレート及びフェースプレートを対向配置させた状態で真空ベークを実施する。ベーク温度は350°C~380°Cで、この時の真空度は104Paと開示されている。フェースプレート又はリアプレートに非蒸発型ゲッターを有する場合、真空ベークの際にゲッター活性化されるが、その際に暴露される真空度により活性化後のゲッター性能が大きく左右される。また、非蒸発型ゲッターは300°Cを超えた温度で10分~1時間かけて活性化され、温度が高い程、活性化に必要な時間は短縮する。活性化されたゲッターはケミカルポンプとしての機能が発現し周囲のガス分子を吸着する。真空ベーク後、外囲器が接合封止されるまでの間、非蒸発型ゲッターが吸着したガス分子量が多いほど接合封止後のゲッター性能が低くなるため、外囲器内部を高真空に維持できる期間が短くなってしまう。真空ベーク後、外囲器が接合封止されるまでの間で最も真空度が悪く、時間がかかるのが冷却期間である。一般的に、リアプレート及びフェースプレートが、蒸発型ゲッターを蒸着処理するゲッター処理のプロセス温度である100°C程度まで降温するのに2時間程度必要であり、真空度も105Paより高真空とはならない。これは、真空中で冷却に時間がかかるためと、リアプレート及びフェースプレートの放出ガスが枯れても、真空チャンバーの構成部材であるチャンバー壁やヒーター、リフレクタ等からの放出ガスが枯れないためである。つまり、冷却期間では真空チャンバーからの放出ガスを、活性化した非蒸発型ゲッターが吸着するために、非蒸発型ゲッターの劣化が進むという問題があった。そこで、本発明は、非蒸発型ゲッターの活性化後の劣化を抑え、接合封止後のゲッター性能を高く維持し、電子線装置及び画像表示装置を構成する外囲器内部を高真空に長時間維持できる電子線装置及び画像表示装置の製造方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明は、電子放出素子が設けられた第一基板と、アノードが設けられた第二基板とを、真空ベークして冷却した後、電子放出素子の設置側とアノードの設置側とを内面側にして向き合わせて、周縁部に支持枠を挟み込んで封止する電子線装置の製造方法において、前記第一及び第二基板の少なくとも一方の内面に予め非蒸発型ゲッターを付設しておき、該非蒸発型ゲッター付第一及び/又は第二基板の前記真空ベーク時に、付設された前記非蒸発型ゲッターが活性化温度に到達する前に前記非蒸発型ゲッター付第一及び/又は第二基板の内面側に対向板を近接させ、この状態で、前記活性化温度以上の温度での前記真空ベークと、その後の冷却とを行うことを特徴とする電子線装置の製造方法を提供するものである。本発明によれば、非蒸発型ゲッターの付設面に対向板を近接させることにより、非蒸発型ゲッターの付設面と対向板間のギャップ空間の真空度を高く維持したまま真空ベークと冷却を行うことができる。このため、非蒸発型ゲッターの活性化後の劣化を抑えることができ、接合封止後のゲッター性能を高く維持し、電子線装置及び画像表示装置を構成する外囲器内部を高真空に長時間維持できる。以下、本発明の実施形態について説明する。本発明の電子線装置の製造方法は、これによって得られる電子線装置を用いた画像表示装置の製造方法に好適に使用することができる。特に、電子放出素子が形成されたリアプレートと、画像形成部材蛍光膜及びアノード電子加速電極が形成されたフェースプレートとが対向配置され接合封止されて外囲器を形成している画像表示装置は、本発明が適用される好ましい形態である。図1aは、本発明で製造することができる画像表示装置の一例を示す部分破断斜視図である。画像表示装置10は、第一基板12と、第二基板13とを有している。第一基板12と第二基板13は、周縁部に支持枠22を挟み込んで封着されることにより、密閉され真空に維持された内部空間を有する外囲器11気密容器を形成している。画像表示装置10においては、第一基板12はリアプレートに対応し、第二基板13はフェースプレートに対応する。支持枠22は、予め第一基板12又は第二基板13に接合しておき、後述する真空ベーク及び冷却後の封着工程において、支持枠22の反対側に第二基板13又は第一基板12を接合して外囲器11を形成できるようにすることができる。支持枠22は、予め第一基板12に接合しておいた場合、第一基板12と共に真空ベークされ、予め第二基板13に接合しておいた場合、第二基板13と共に真空ベークされることになる。また、支持枠22を第一及び第二基板12,13のいずれにも接合せずにおき、後述する真空ベーク及び冷却後の封着工程において、第一及び第二基板12,13を同時に支持枠22に接合するようにしても良い。この場合、支持枠22は、第一又は第二基板12又は13と共に真空ベークしても良いが、別途真空ベークすることもできる。第一基板12の内面側第二基板13との対向面側には、画像信号に応じて電子を放出する多数の電子放出素子32が設けられ、画像信号に応じて各電子放出素子32を駆動させるための配線X方向配線33、Y方向配線34が形成されている。電子放出素子32は、SCE表面伝導型、スピント型、CNTカーボンナノチューブ型等の複数の方式があるが、特に好ましいのはSCE型である。第二基板13はガラス材料からなり、内面側には、電子の照射を受けて発光して画像を表示する画像形成部材である蛍光膜36が設けられている。蛍光膜36上にはメタルバックと称されるアノード37が形成されており、アノード37と蛍光膜36とが積層された構成をとっている。アノード37は、Al薄膜等の導電材料で構成され、電子を引き付ける電極としての機能を奏するもので、外囲器11に設けられた高圧端子Hvから電位の供給を受ける。第一基板12の電子放出素子32の設置側と、第二基板13のアノード37及び蛍光膜36の設置側内面側となって対向されている。第一基板12上に設けられた電子放出素子32のカソードと、第二基板13上に設けられたアノード37とは対向配置され、電子線装置を構成している。図1bは、図1aの画像表示装置の電子放出素子近傍の詳細断面図である。第二基板13の内面側であるアノード37の表面には、蒸発型ゲッター38が付設されている。蒸発型ゲッター38は、真空環境下で、封止接合された外囲器11が構成される前に付設される。例えば、TiやBa等のゲッター金属をスパッタ法やEB蒸着法等の真空蒸着法により膜厚10~100nm程度に成膜することで付設される。膜厚が厚いほど蒸発型ゲッター38の吸着性能は向上するが、膜厚が厚いほど電子放出素子32から放出された電子が蛍光膜36に突入しにくくなり、画像表示装置10としての輝度が低下する。よって、特に好ましくは、約30nmの均一な膜厚分布で成膜されたTi膜である。第一基板12の内面側には、非蒸発型ゲッター39が付設されており、非蒸発型ゲッター付第一基板12となっている。なお、本例では非蒸発型ゲッター付基板は第一基板12となっているが、第二基板13又は第一及び第二基板12,13の両者を非蒸発型ゲッター付基板とすることもできる。しかし、第二基板13に蛍光膜36を設けて画像表示装置を形成する場合、非蒸発型ゲッター39は第二基板13ではなく、第一基板12に付設することが好ましい。一般に蛍光膜36はガスの発生量が多いことから、非蒸発型ゲッター39を劣化させることなく蛍光膜36から生じるガスを真空ベークで除去しやすくするためである。なお、以下の説明においては、非蒸発型ゲッターをNEGと記す。NEG39は電子放出素子32、X方向配線33及びY方向配線34と同様に、真空ベーク工程や接合封止工程のために真空チャンバーに投入される前に予め付設される。例えば、TiやZr等のゲッター金属やこれらを含む合金であるNEG材料を、DCスパッタ法等のスパッタ法や真空蒸着法により、膜厚100~3000nm程度に厚く成膜することで付設することができる。膜厚が厚くなるとNEG39の吸着性能は向上するが、膜厚が厚すぎるとドライ法、ウェット法に関わらずパターン形成が難しくなる。よって、特に好ましくは、DCスパッタ法により膜厚1μm程度に成膜されたTi膜やZr膜である。蒸発型ゲッター38は水や酸素等の活性ガスに対して吸着性能が高いのに対し、NEG39は水素やCO等に対して吸着性能が高い。このため、所要の性能を各々の機能に振り分けて設計することにより、必要最小限な膜厚で外囲器11内部を高真空に長時間維持することが可能となる。次に、本発明の実施形態について具体的に説明する。図2は、本発明に係る画像表示装置の製造装置の一例を示す概略図である。第一基板12は、図2の左上のロードロック室L1Rに投入され、ロードロック室L1Rが真空引きされた後、インラインベーク室H21R~H33Rへ搬送されて真空ベークされ、冷却される。インラインベーク室H21R~H33Rは直線に並んだ真空ベークチャンバーであり、6分割された各ゾーンはそれぞれ一定温度に保持されている。昇温ゾーンH21R、H22Rは室温から徐々に温度を上げるために温度設定されており、定温加熱ゾーンH23Rは所定の温度に設定され、降温ゾーンH31R~H33Rは徐々に温度を下げるために温度設定されている。第一基板12がインラインベーク室H21R~H33Rを通過する際のベーク温度プロファイルの一例を図3に示す。インラインベーク室H21R~H33Rで真空ベークされた第一基板12は、封着事前温度である120°C程度まで降温された後に、搬送室TRV4、クラスタ室T6を経由して封着室S8に送られる。第二基板13も第一基板12と同様に、図2の左下のロードロック室L1Fに投入され、ロードロック室L1Fが真空引きされた後、インラインベーク室H21F~H33Fへ搬送されて真空ベークされ、冷却される。第二基板13がインラインベーク室H21F~H33Fを通過する際のベーク温度プロファイルは、図3の第一基板12のベーク温度プロファイルと同様であるが、最高到達温度となる定温加熱ゾーンの設定温度は第一基板12と異なる温度としても良い。真空ベークの目的は、第一及び第二基板12,13の脱ガス、及びNEG39の活性化である。第一及び第二基板12,13のいずれも高温で真空ベークすることが望ましいが、制約も存在する。第一基板12の場合、高温で真空ベークすると、電子放出素子32の素子性能が表面酸化による影響を受けるため、410°C前後の温度までとすることが好ましい。一方、第二基板13の場合、高温では蛍光膜36の劣化があるものの450°Cまでは加熱できる。加熱温度が50°C違うと脱ガス効果が大きく異なり、400°Cで1時間処理するのと、450°Cで10分処理するのとで同程度の効果が得られることが判っている。つまり、第二基板13の真空ベーク時に、最高到達温度となる定温加熱ゾーンの設定温度を450°Cにすると、処理時間を短くすることができる点でより好ましい。インラインベーク室H21F~H33Fで真空ベークされた第二基板13は、封着事前温度である120°C程度まで降温された後に、搬送室TRV4、クラスタ室T6を経由してゲッター室E7に送られる。ゲッター室に送られた第二基板13は、ゲッター室E7で蒸発型ゲッター38が形成された後に、再度クラスタ室T6を経由して封着室S8に送られる。封着室S8に送られた第一及び第二基板12,13は、封着室S8で、対向配置された状態で再度加熱され圧力を加えられ、接合封止されて外囲器11となる。内部が気密容器となった外囲器11は、クラスタ室T6、搬送室TRV4を逆に搬送され、アンロード室UL5に送られる。アンロード室UL5が大気圧にまでベントされた後、外囲器11は製造装置から大気中に取り出される。上記製造方法では、2系列の真空チャンバーを用いて第一及び第二基板12,13を真空ベークしているが、1系列の真空チャンバーのみで加熱温度を制御することにより第一及び第二基板12,13を真空ベークしても良い。以下、上記製造方法を、図4を用い、細かい工程に分けて詳しく説明する。図4aは、第一基板12を真空ベークする際に用いる真空ベーク用キャリア40の概略図であり、図4bは、真空ベーク用キャリア40周辺部の概略図である。<ステップS1:投入工程>まず、図4aに示すように、内面側に支持枠22をフリットガラスや低融点金属等の気密性の高い接合部材で接合した第一基板12を、真空ベーク用キャリア40に設置する。支持枠22には、InやSn又はこれらを主成分とする合金材料からなる低融点の金属シール材料よりなる接合封止用の接合部材24が予め塗布されている。第一基板12は、図4bに示されるように、内面側にNEG39が付設されており、非蒸発型ゲッター付第一基板12となっている。真空ベーク用キャリア40には、第一基板12と略同じ大きさの対向板41が、第一基板12の内面側と対向する位置に予め設置されている。対向板41は、加熱時の放出ガスが比較的少なく、かつ加熱時の熱変形が比較的少ないガラス材料で構成することが好ましい。更に、大気中での表面吸着ガスを少なくする目的で、数nm程度の厚さでAuやPt等の貴金属薄膜をコーティングしたガラス材料を対向板41として用いることが望ましい。第一基板12が投入、搬出される際に対向板41と干渉しないように、また、真空ベークの際に第一基板12が熱変形して支持枠22上の接合部材24が対向板41と接触しないように、第一基板12と対向板41とは適切な距離をあけて設置される。この適切な距離は、第一基板12の大きさにより変わってくるが、1m四方までの基板サイズであれば、第一基板12と対向板41の距離は50mm以上あけておけば干渉の恐れはない。更に、真空チャンバーで真空ベーク用キャリア40全体を真空引きする際に、第一基板12と対向板41との間のギャップ空間も短時間で真空引きする必要があり、ギャップ間距離も同じく50mm程度にする必要がある。ギャップ間距離が短い場合、例えばギャップ間距離が数mmの場合、ギャップ空間を105Paまで真空引きするのに1時間もかかる。このように準備された真空ベーク用キャリア40を、図2に示す製造装置のロードロック室L1Rに投入する。ロードロック室L1Rで105Pa程度まで真空引きした後、真空ベーク用キャリア40は、真空状態のインラインベーク室H21R~H33Rの最初の昇温ゾーンH21Rに搬送される。昇温ゾーンは、ステップ式に410°Cまで第一基板12を加熱するために二段階のステップで昇温させるため、H21Rは150°C、H22Rは280°Cに設定されている。真空ベーク用キャリア40が搬送される際に、温度変化が急峻だと基板温度ムラが大きくなり、基板にクラックを発生させるリスクがあるため、搬送スピードと共に各昇温ゾーンの設定温度を図3のように最適化することが好ましい。<ステップS2:近接工程>次に、NEG39の活性化温度に到達する前、例えば真空ベーク用キャリア40が昇温ゾーンH21R、H22Rで加熱されている時又は定温加熱ゾーンH23Rへ搬送した直後に、第一基板12を、対向板41との距離を狭める位置に移動させる。図4bに示すように、第一基板12を支持するためにキャリア台43に取り付けられた押し上げピン44を押し上げることで、第一基板12と対向板41の距離を狭め、第一基板12の内面側に対向板41を近接させることができる。但し、第一基板12に支持枠22が取り付けられている場合、図4aに示すように、支持枠22の一般的な高さからすると、第一基板12と対向板41は、概ね20mm程度までしか近づけられない。対向板41と支持枠22間の間隔を小さくすることはできるが、支持枠22の上面には接合部材24が設けられているので、対向板41と支持枠22間の間隔を小さくし過ぎると対向板41にこの接合部材24が接触しやすくなる。このため、真空ベーク用キャリア40の周辺部にスカート42を設けても良い。更に説明すると、支持枠22は、通常、第一基板12の内面側外周縁部の内側に取り付けられており、スカー42は、第一基板12の外周縁部と、対向板41の外周縁部との間を遮蔽するもので、この両者間に介在される物である。このスカート42を設けた場合、移動した第一基板12とスカート42のギャップ間距離dを容易に4mm程度以下にまで近づけることができる。第一基板12の内面側に付設されたNEG39は、概ね300°C以上の温度で活性化され、ガスの吸着が始まる。第一基板12の内面側への対向板41の近接と、スカート42による、第一基板12の外周縁部と、対向板41の外周縁部との間の遮蔽は、NEG39がその活性化温度に到達する前行われる。<ステップS3:加熱工程>次に、真空ベーク用キャリア40と一緒に、第一基板12を、NEG39の活性化温度以上の温度である最高到達温度の410°Cにて所定時間加熱する。第一基板12上に形成されたNEG39の活性化には、所定の時間加熱する必要がある。図5にTiをEB蒸着法により蒸着した1μmのTi金属NEGを、400°Cに真空ベークした際に、ゲッター吸着性能を加熱と同時に測定した結果を示す。横軸が加熱時間、縦軸が水H2O、二酸化炭素CO2、一酸化炭素COの各ガスのゲッター吸着速度である。グラフ中の直線がTi膜のベーク温度プロファイルである。Ti金属NEGの水に対する吸着性能は、350°Cまで加熱された直後に最大値となり、Ti金属NEGの二酸化炭素や一酸化炭素に対する吸着性能は、400°Cに到達1時間後にようやく最大値となることがグラフから判る。本発明では、図3に示すように、第一基板12を400°Cに加熱してから1時間は400°Cを超える温度で第一基板12の真空ベークを実施する。真空ベークされる第一基板12から放出されるガス量は、二段階で放出される。まず、200°C前後の温度で材料表面に吸着されたガスが放出される。主に、水等の表面吸着ガスが中心である。次に放出されるのが、400°C前後の温度で第一基板12に形成された電子放出素子32、X方向配線33、Y方向配線34及びNEG39からの放出ガスであり、各部材内部に吸蔵されたガスが中心である。主に、酸素、二酸化炭素、窒素等が中心である。NEG39が活性化された後は、第一基板12から放出されるガス量と、対向板41から放出されるガス量を加えた値より、NEG39により吸着されるガス量の方が大きくなる。図6は410°Cでの真空ベーク開始後1時間経過後の第一基板12と対向板41との間のギャップ空間内部とギャップ空間外部での真空度、ガスの流れを模式的に示す図である。図6に示すように、定温加熱ゾーンH23Rの真空チャンバーのチャンバー内部ギャップ空間外部の真空度は105Paに止まる。これは、真空チャンバーの構成部材であるチャンバー壁やヒーターリフレクタ等からの放出ガスが枯れないためである。例えば、チャンバー全体をヒーターで覆い真空ベークして脱ガス処理すればチャンバーからの放出ガスは半減するが、ヒーターリフレクタは冷却水を常に流して100°C程度に冷却されているため、焼き出し等で放出ガスを低減することは難しい。これに対し、対向板41を第一基板12に近接させる構造にした場合、NEG39がガスを吸着するため、第一基板12と対向板41との間のギャップ空間の真空度は桁違いに良くなる。ここで、図4bにおいて、スカート42の張出部の長さL=20mm、ギャップ間距離d=4mmとしたモデルで、真空ベーク後の各部材の放出ガスとNEG39の吸着性能を用いて、シミュレーションによりギャップ空間の真空度分布を計算した。その結果、真空チャンバーH23Rの内部ギャップ空間の外部が105Paであっても、ギャップ空間の殆どのエリアで107Pa台の高真空が維持されることが判った。ギャップ空間の殆どのエリアとは、第一基板12上に電子放出素子32が形成されたエリアであり、画像表示装置の表示有効エリアに当たる。<ステップS4:冷却工程>次に、真空ベーク用キャリア40を降温ゾーンH31R、H32R、H33Rに順次搬送し、所定時間ずつ滞在させることにより、図3に示すようなベーク温度プロファイルで第一基板12を冷却する。第一基板12は、例えば120°C程度まで冷却された後、搬送室TRV4に真空ベーク用キャリア40ごと搬送される。搬送室では、図4bに示した押し上げピン44を下降させ、第一基板12と対向板41の距離を50mm程度に遠ざけた後、クラスタ室T6まで真空ベーク用キャリア40を移動させる。クラスタ室では、第一基板12が真空ベーク用キャリア40と切り離され単独で封着室S8に搬送される。第二基板13は、第一基板12の真空ベーク処理と並行して、図2に示すもう一つのインラインベーク室H21F~H33Fで真空ベークされる。第一基板12用と同様の構造で、基板サイズの異なる第二基板13に合わせてサイズ修正された真空ベーク用キャリア40に予め第二基板13を設置する。図2の左下のもう一つのロードロック室L1Fに真空ベーク用キャリア40ごと第二基板13を投入し、真空引きを行う。次に、昇温ゾーンH21F、H22F、H23Fでステップ式に昇温され、定温加熱ゾーンH31Fで450°Cまで加熱され、降温ゾーンH31F、H32Fで120°C以下まで冷却される。続いて、第二基板13は、第一基板12と同様に、搬送室TRV4、クラスタ室T6に順次、搬送された後、ゲッター室E7に送られる。ゲッター室では、EB蒸着法により第二基板13の内面側のアノード37の表面に蒸発型ゲッター38としてTi膜が膜厚30nm程度に蒸着される。次に、第二基板13は単独で封着室S8に搬送される。封着室S8に搬送された第一及び第二基板12,13は、互いに対向させて配置される。封着室S8では、第一及び第二基板12,13を、封着事前温度の120°Cとなるように再加熱し、全体の温度分布が小さくなるまで所定時間保持する。その後、両側から圧力を加えながら、支持枠22の近傍のみ局所加熱で接合封止を行う。局所加熱は、金属シール材料に通電したりランプやレーザーを用いて行うことができる。接合封止され気密容器となった外囲器11は、封着室S8からクラスタ室T6、搬送室TRV4を経由してアンロード室UL5に搬送される。アンロード室UL5が大気圧にまでベントされた後、外囲器11は装置外に搬出されて、真空ベーク工程及び接合封止工程が完了する。上記では、第一基板12の内面側にNEG39を形成し、第一基板12を非蒸発型ゲッター付基板としている。しかし、NEG39を付設するのは、第一及び第二基板12,13の少なくともいずれか一方であれば良く、非蒸発型ゲッター付第一又は第二基板12又は13に対して対向板41を近付けるようにすればよい。第一及び第二基板12,13の一方を非蒸発型ゲッター付とし、他方の内面側の周縁部に予め支持枠22を取り付けておくこともできる。このようにすれば、スカート42を用いることなく、非蒸発型ゲッター付第一又は第二基板12又は13の内面に対向板41を近接させるだけで、NEG39の劣化を抑制することができる。以下、具体的な実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明する。以下に示す各実施例の画像表示装置は、図1に示すように、ガラスで構成されたリアプレートに対応する第一基板12と、やはりガラスで構成されたフェースプレートに対応する第二基板13とを有する。第一基板12上には、複数1080行×5760列の表面伝導型電子放出素子32が、X方向配線33及びY方向配線34と電気的に接続され、単純マトリクス配線されている。X方向配線33上にはNEG39としてTi膜がDCスパッタ法により1μmの厚さで形成されている。第二基板13には、画像形成部材である蛍光膜36上に、Al薄膜からなるメタルバックと称されるアノード37がEB蒸着法により0.1μmの厚さで形成され、蒸発型ゲッター38としてTi膜がEB蒸着法により30nmの厚さで形成されている。[実施例1]本実施例では、支持枠22を有する第一基板12上の全面支持枠22よりも内側と外側にNEG39を形成する。まず、第一基板12と支持枠22とを接合する。第一基板12を構成するガラスと同じガラス材料からなる支持枠22には、低融点金属のSnを主成分とする合金材料からなる接合封止用の接合部材24がディスペンス法により予め幅4mm、厚さ0.3mmで塗布されている。次に、図2の画像表示装置の製造装置に投入する前に、図4に示すようなSUS製の真空ベーク用キャリア40に、第一基板12を設置する。第一基板12は、約800mm×1300mm×1.1mm厚のサイズでロボット等を用いて所定位置に精度良く設置する。また、第一基板12は、複数の押し上げピン44上に置かれ、真空ベーク用キャリア40との熱伝導を少なくする状態で支持される。押し上げピン44は、キャリア台43にスライド可能な状態で設置されている。真空ベーク用キャリア40には、NEG39を介して第一基板12と対向する位置に対向板41が予め配置されている。対向板41は、金属に比べて熱変形が比較的少ない、即ち線膨張係数の小さい材料であるガラス材料が用いられ、真空ベーク中に放出ガスが少なくなるように、第一基板12と対向する面にPtがスパッタ法により5nmの厚さで予めコーティングされている。押し上げピン44の標準スライド位置は、第一基板12と対向板41の距離が50mmとなる位置である。真空ベーク用キャリア40の外周部、即ち第一基板12の四辺には、スカート42が外周に沿う形で設置されている。つまり、支持枠22よりも外側に形成されたNEG39と対向板41の間にスカート42が配置されている。スカート42は、第一基板12と対向板41との間のギャップ空間と、ギャップ空間の外部とのコンダクタンスを絞る目的で設置される。図4bに示すように、第一基板12とスカート42のギャップ間距離dが小さいほど、また、スカート42のハリ部の長さLが長いほど、ギャップ空間とギャップ空間の外部とのコンダクタンスを絞る効果は大きい。本実施例では、スカート42のハリ部の長さLは約20mm、押し上げピン44が標準スライド位置にある場合のギャップ間距離dは約35mmである。<ステップS1:投入工程>第一基板12が設置された状態で真空ベーク用キャリア40を、図2の画像表示装置の製造装置のロードロック室L1Rに投入する。投入後、真空引きを開始し、105Pa台の真空度に到達した後に、中間ゲートを開けてインラインベーク室H21R~H33Rに真空ベーク用キャリア40を搬送する。インラインベーク室H21R~H33Rは、直線に並んだ真空ベークチャンバーであり、6分割された各ゾーンはそれぞれ異なる所定温度で保持されている。インラインベーク室H21R~H33Rの加熱機構は、IRランプヒーターと金属製のリフレクタからなり放出ガスの少ない構成である。最初に搬送された昇温ゾーンH21Rは、150°Cの温度に定温加熱されたゾーンであり、30分間滞在する間に第一基板12は150°Cまで加熱される図3。次に、昇温ゾーンH22Rに真空ベーク用キャリア40が搬送される。2番目に搬送された昇温ゾーンH22Rは、280°Cの温度に定温加熱されたゾーンであり、30分間滞在する間に第一基板12は280°Cまで加熱される図3。<ステップS2:近接工程>次に、真空ベーク用キャリア40は定温加熱ゾーンH23Rに搬送される。搬送された直後、真空ベーク用キャリア40の押し上げピン44は、製造装置に設置されたリニアモーターにより押し上げられる図4。押し上げピン44がスライドすることにより、第一基板12は対向板41やスカート42に近づけられ、第一基板12とスカート42のギャップ間距離dが4mmとなる位置まで第一基板12を移動させる。この移動は、定温加熱ゾーンH23Rへの搬送直後から1分程度で完了する。<ステップS3:加熱工程>定温ゾーンH23R搬入後から10分後には第一基板12は、400°Cまで加熱され、80分間滞在する間に410°C以上にまで上昇する図3。第一基板12上に形成されたNEG39は、第一基板12が約300°Cに加熱された時からゲッター活性化が始まり、ガスの吸着を開始し、約1時間後にはゲッター活性化は完了する。ここで、ゲッター活性化が完了した状態でのインラインベーク室H21R~H33R内部の真空度の分布について説明する。ワークを400°C以上に加熱する真空チャンバー内は、大型のクライオポンプ等で排気しても105Pa台までしか真空引きできない。また、その場合のガスは、殆どが水成分となる。NEG39にとって、ゲッター活性化後に性能劣化する主因となるのが吸着する水成分で、105Paの水分圧環境下に1時間以上の長時間晒される場合の影響は大きい。図7に、膜厚1μmのTi膜からなるNEG材料の水に対する吸着性能を示す。横軸にガス吸着量、縦軸に吸着速度をプロットしたグラフであり、理想的な高真空状態にてゲッター活性化されたNEG材料の場合、左上の吸着速度が最大となる初期速度性能を備える。その後、ガス水を吸着するに従い、吸着量に応じて水に対する吸着速度が低下する。即ち、NEG材料の性能が劣化することを表している。1×105Paの水分圧環境下にて1時間放置されたNEG39は、図7に示すように吸着速度=20m3/m2/sまで劣化することが判っている。また、1×106Pa以下の水分圧環境下なら、ガス吸着量が1桁以上小さくなるため、殆ど劣化しないことも判った。よって、NEG39の活性化後には、真空度、特に水分圧が1×106Pa以下となる真空環境下にてNEG39を処理する必要がある。図4bにおいて、L=20mmとし、d=4mmとなる位置まで押し上げピン44を押し上げた状態で、真空ベーク後の各部材の放出ガスとNEG39の吸着性能を用いて、シミュレーションによりギャップ空間の真空度分布を計算した。その結果、真空チャンバーH23Rの内部ギャップ空間の外部が105Paであっても、ギャップ空間の殆どのエリアで107Pa台の高真空が維持されることとなり、NEG39の活性化後の性能劣化が無視できるほど小さいことが予想される。<ステップS4:冷却工程>次に、押し上げピン44によりギャップ間距離dが4mmとなる状態にて、真空ベーク用キャリア40を降温ゾーンH31R~H33Rに搬送する。降温ゾーン3ヶ所に、数十分ずつ滞在させ、第一基板12を120°C以下の温度まで冷却する。最後の降温ゾーンH33Rを出る直前に、押し上げピン44を押し下げて、標準スライド位置まで第一基板12を降下させる。その後、真空ベーク用キャリア40は、搬送室TRV4内を搬送され、クラスタ室T6への入り口まで移動する。クラスタ室T6内に設置された真空ロボットにより、第一基板12は真空ベーク用キャリア40から切り離され、単独にて封着室S8に搬送される。押し上げピン44を押し下げてから、封着室S8に搬入されるまでの所要時間は約15分で、真空度、特に水分圧も106Pa未満であるため、この間のNEG39の性能劣化は、無視できるほど小さい。第二基板13は、第一基板12の真空ベーク処理と並行して、もう一つのインラインベーク室H21F~H33Fにて真空ベークされる。第一基板12用と同様の構造で、基板サイズが小さい第二基板13に合わせてサイズ修正された真空ベーク用キャリア40に予め第二基板13を設置する。図2の左下のもう一つのロードロック室L1Fから真空ベーク用キャリア40ごと第二基板13を製造装置に投入し、真空引きを行う。次に、昇温ゾーンH21F、H22F、H23Fにてステップ式に昇温され、定温加熱ゾーンH31Fでは450°Cまで加熱され、降温ゾーンH31F、H32Fでは120°C以下まで冷却される。また、真空ベーク中は、第一基板12の場合より高温であるため、第一基板12の2倍以上真空度が悪いが、NEG性能劣化の問題がないため最終的な画像表示装置の寿命性能には、全く影響しない。第二基板13は、第一基板12と同様に、搬送室TRV4、クラスタ室T6に順次、搬送された後、ゲッター室E7に送られる。ゲッター室E7では、EB蒸着法により第二基板13の内面上のアノード37表面に蒸発型ゲッター38としてTi膜が膜厚30nm程度に蒸着された後、第二基板13は単独で封着室S8に搬送される。封着室S8に搬送された第一及び第二基板12,13は、互いに対向させて配置される。封着室では、第一及び第二基板12,13を、封着事前温度の120°Cとなるよう再加熱し全体の温度分布が小さくなるまで30分間、再加熱される。その後、両側から圧力を加えながら、支持枠22近傍のみ局所加熱して、金属シール材料を溶融させて接合封止を行う。局所加熱は、対向するコーナー間右下と左上に数十Aの電流を間欠的に流す方法で行う。別の対向するコーナー右上と左下に流路を切り替えて、交互に流す方法で、温度分布を小さくする。接合封止され気密容器となった外囲器11は、封着室S8からクラスタ室T6、搬送室TRV4を経由してアンロード室UL5に搬送される。アンロード室が大気圧にまでベントされた後、外囲器11は装置外に搬出され、真空ベーク工程接合封止工程が完了する。以上のように本実施例で製造された画像表示装置10では、NEG39が理想的な高真空環境下にてゲッター活性化されたのと同様の高い初期性能を備え、接合封止後のゲッター性能を高く維持できるため、外囲器11内部を高真空に長時間維持することができる。このため、画質寿命の長い画像表示装置10を提供することができる。更に、NEG39が高い初期性能を備えることで、予めNEG39の膜厚を薄く設定することが可能となり、厚膜のプロセスコストを削減する等の設計自由度が向上する。特許文献1の技術ではリアプレートとフェースプレートを対向させて同時に真空ベーク処理を行っていたが、上記のように第一基板12と第二基板13を別々に真空ベーク処理することで、二つの効果が得られる。一つ目の効果は、真空度の改善である。画像表示装置を製造する場合の第二基板13は、ガラスフリット等を分散させた蛍光体材料を印刷マスクにて印刷した後に焼成して蛍光膜36をパターン形成している。蛍光膜36は、焼成後にも溶媒等の残存成分が少なくなく、真空ベーク時に多量のガスを放出する。1時間後の450°C真空ベーク後の比較で、第二基板13が対向板41より1桁以上放出ガスレートが大きいという測定結果が得られた。第一基板12の真空ベーク処理時に放出ガスが少ない対向板41を用いることで、106Pa未満という高いギャップ空間の真空度水分圧が得られる。もう一つの効果は、真空ベーク処理温度を第一基板12と第に基板13とで異なる温度に設定できることによる効果である。第二基板13を450°C、第一基板12を410°Cに設定したことで、80分程度の定温加熱時間で脱ガス処理が完了できた。同じ温度で第一及び第二基板12,13の両者を真空ベークした場合、第一基板12の加熱に対する制約から410°C程度までしか加熱温度を上げにくいことになる。放出ガスが元々多い、画像表示装置の製造に用いる第二基板13を同程度まで脱ガス処理する場合、5倍以上の処理時間が必要となるため、定温加熱時間を400分以上とする必要を生じる。このため、昇温から降温までの全ベーク処理プロセス時間が2倍以上かかることになり、処理タクトが半減する。第一基板12と第二基板13を別々に真空ベーク処理することは、製造コストの面からも効果が大きい。本実施例では、定温加熱に設定された各ゾーンに真空ベーク用キャリア40を順次投入搬出して次のゾーンに搬送している。しかし、図3に示した加熱時間に応じて加熱処理するために、処理時間に応じた大きさ長さに加熱チャンバーを変え、一定速度で搬送しながら加熱処理しても良い。[実施例2]実施例1では、第一基板12の内面側の全面にNEG39を形成していたが、本実施例では、支持枠22を有する第一基板12の内面側の支持枠22よりも内側と外側で異なる状態のNEG材を付設する。つまり、図8に示すように、外囲器11の内部となる、支持枠22よりも内側の領域には非蒸発型第一ゲッターとしてNEG39を形成する。外囲器11の外部となる、支持枠22よりも外側の領域には、非蒸発型第二ゲッターとして、非蒸発型第一ゲッターより厚く吸着性能が高いNEG45を付設してある。図8に本実施例での真空ベーク用キャリア40に第一基板12をセットした際の真空ベーク用キャリア40周辺部の断面構造概略図を示す。真空ベーク用キャリア40には、NEG39の付設面と対向する位置に対向板41が予め配置され、NEG45と対向板41の間にスカート42が配置されている。NEG45としては、合金NEG材料粉末を焼結して板状に成形したものや、ガラス母材表面にNEG材料をコーティングしたものを用いることができる。これらは、高い吸着性能で、しかも廉価であり、クリップ等を用いて容易に取り外し可能に付設することができる。NEG45の単位面積あたりの吸着性能は、NEG39より容易に高くすることができ、これによって支持枠22よりも内側の領域へのガスの侵入を抑制しやすくなる。また、NEG45を取り外し可能に付設しておくと、接合封止して外囲器11を形成後、NEG材45を外囲器11から取り外すことで、リアプレート21の四4辺に形成される引出し配線パターンへを露出させて、その後の接続作業を容易にすることができる。これ以外の工程は実施例1と同様である。[実施例3]本実施例では、支持枠22を第一基板12に予め接合するのでなく、支持枠22を第二基板13に予め接合した構成とし、第一基板12の内面全面にNEG39を形成する。この構成の場合、第一基板12は接合部材24を上面に備えた支持枠22を有しないため、第一基板12と対向板41は実施例1よりも更に近づけることが可能となる図9。真空ベーク用キャリア40には、NEG39を介して第一基板12と対向する位置に対向板41が予め配置され、図4で説明したスカート42は不要で、第一基板12と対向板41を4mm以下の距離まで近づけることができる。第一基板12と対向板41との距離が18.8mmの場合と、第一基板12を押し上げて4mmにまで近接させた場合との、それぞれのギャップ空間の真空度分布をシミュレーションにより計算した。その結果、ギャップ間距離が18.8mmの場合にはギャップ空間の半分以上のエリアで106Paより悪い真空度となり、ギャップ間距離が4mmの場合にはギャップ空間の殆どのエリアで106Pa未満の高い真空度分布となることが判った。即ち、対向板41と第一基板12の距離を4mmにまで近づければ、真空ベーク処理時のギャップ空間の真空度は、全面にわたって106Pa未満とすることが可能となる。これ以外の工程は実施例1と同様である。"