"マトリックス状に配置された複数の画素から注目画素が指定されるとその注目画素に対する注目画素周辺領域を決定する注目画素周辺領域特定規則を記憶しておき、前記複数の画素についてエッジ画素か否か判断し、注目画素が指定されると、前記注目画素周辺領域特定規則によって決定された注目画素周辺領域内に存在するエッジ画素について、前記注目画素との距離を重み付けとして考慮した重み付き個別エッジ強調影響度を演算し、前記注目画素周辺領域内の前記各重み付き個別エッジ強調影響度を総計した重み付き総エッジ数NumEを演算し、前記注目画素のエッジ強調度Wについて、下限閾値THsよりも小さい場合はゼロとし、上限閾値THhよりも大きい場合は上限係数値Whとし、これらの中間である場合には下記式により演算し、W=WhNumE-THs/THh-THs前記注目画素を順次ずらして、全画素についてエッジ強調度を演算し、得られた各画素のエッジ強調度に基づき、エッジ強調処理を行うこと、を特徴とするエッジ強調方法。マトリックス状に配置された複数の画素から注目画素が指定されるとその注目画素に対する注目画素周辺領域を決定する注目画素周辺領域特定規則を記憶しておき、前記複数の画素についてエッジ画素か否か判断し、注目画素が指定されると、前記注目画素周辺領域特定規則によって決定された注目画素周辺領域内に存在するエッジ画素について、前記注目画素との距離を重み付けとして考慮した重み付き個別エッジ強調影響度を演算し、前記エッジ画素の重み付き個別エッジ強調影響度を総計した重み付き総エッジ強調影響度に基づいて、前記注目画素のエッジ強調度を演算すること、を特徴とするエッジ強調度演算方法。請求項2のエッジ強調度演算方法において、予め定めた下限閾値および上限閾値と、前記重み付き総エッジ強調影響度とを比較して、前記下限閾値よりも小さい場合は前記注目画素のエッジ強調度をゼロとし、前記上限閾値よりも大きい場合は、前記注目画素のエッジ強調度を予め定めた上限係数値とし、前記上限閾値と前記下限閾値の中間である場合には、前記注目画素のエッジ強調度を前記上限係数値前記重み付き総エッジ強調影響度-前記下限閾値/前記上限閾値-前記下限閾値とすること、を特徴とするエッジ強調度演算方法。マトリックス状に配置された複数の画素から注目画素が指定されるとその注目画素に対する注目画素周辺領域を決定する注目画素周辺領域特定規則を記憶しておき、前記複数の画素についてエッジ画素か否か判断し、注目画素が指定されると、前記注目画素周辺領域特定規則によって決定された注目画素周辺領域内に存在するエッジ画素に基づいて前記注目画素のエッジ強調度を演算するエッジ強調度演算方法であって、前記注目画素周辺領域内に存在するエッジ画素の重み付き個別エッジ強調影響度を総計した重み付き総エッジ強調影響度を演算し、予め定めた下限閾値および上限閾値と前記エッジ強調度を比較して、前記下限閾値よりも小さい場合は前記注目画素のエッジ強調度をゼロとし、前記上限閾値よりも大きい場合は、前記注目画素のエッジ強調度を予め定めた上限係数値とし、前記上限閾値と前記下限閾値の中間である場合には、前記注目画素のエッジ強調度を前記上限係数値前記重み付き総エッジ強調影響度-前記下限閾値/前記上限閾値-前記下限閾値とすること、を特徴とするエッジ強調度演算方法。マトリックス状に配置された複数の画素から注目画素が指定されるとその注目画素に対する注目画素周辺領域を決定する注目画素周辺領域特定規則を記憶しておき、前記複数の画素についてエッジ画素か否か判断し、注目画素が指定されると、前記注目画素周辺領域特定規則によって決定された注目画素周辺領域内に存在するエッジ画素について、前記注目画素との距離が近いエッジ画素数が多いほど、前記注目画素のエッジ強調度を大きくすること、を特徴とするエッジ強調度演算方法。マトリックス状に配置された複数の画素から注目画素が指定されるとその注目画素に対する注目画素周辺領域を決定する注目画素周辺領域特定規則を記憶する規則記憶手段、前記複数の画素についてエッジ画素か否か判断するエッジ画素判断手段、注目画素が指定されると、前記注目画素周辺領域特定規則によって決定された注目画素周辺領域内に存在するエッジ画素について、前記注目画素との距離を重み付けとして考慮した重み付き個別エッジ強調影響度を演算する重み付き個別エッジ強調影響度演算手段、前記エッジ画素の重み付き個別エッジ強調影響度を総計した重み付き総エッジ強調影響度に基づいて、前記注目画素のエッジ強調度を演算するエッジ強調度演算手段、を備えたことを特徴とするエッジ強調度演算装置。コンピュータを下記手段として機能させるためのエッジ強調度演算プログラム。マトリックス状に配置された複数の画素から注目画素が指定されるとその注目画素に対する注目画素周辺領域を決定する注目画素周辺領域特定規則を記憶する記憶手段、前記複数の画素についてエッジ画素か否か判断するエッジ画素判断手段、注目画素が指定されると、前記注目画素周辺領域特定規則によって決定された注目画素周辺領域内に存在するエッジ画素について、前記注目画素との距離を重み付けとして考慮した重み付き個別エッジ強調影響度を演算する重み付き個別エッジ強調影響度演算手段、前記エッジ画素の重み付き個別エッジ強調影響度を総計した重み付き総エッジ強調影響度に基づいて、前記注目画素のエッジ強調度を演算するエッジ強調度演算手段。マトリックス状に配置された複数の画素から注目画素が指定されるとその注目画素に対する注目画素周辺領域を決定する注目画素周辺領域特定規則を記憶しておき、前記複数の画素についてエッジ画素か否か判断し、注目画素が指定されると、前記注目画素周辺領域特定規則によって決定された注目画素周辺領域内に存在するエッジ画素の分布に基づき、前記注目画素周辺領域における前記注目画素のエッジ強調影響度を求めて、このエッジ強調影響度に基づいて、前記注目画素のエッジ強調度を演算すること、を特徴とするエッジ強調度演算方法。しかし、上記特許文献1に開示されたエッジ強調方法では、周りの画素との輝度差に基づいて重み付けをしているので、過強調が生じやすく、これによりリンギングアーティファクトが生ずる。この発明は、上記問題を解決し、過強調を防止したエッジ強調が可能なエッジ強調方法またはその装置を提供することを目的とする。本発明にかかるエッジ強調方法は、マトリックス状に配置された複数の画素から注目画素が指定されるとその注目画素に対する注目画素周辺領域を決定する注目画素周辺領域特定規則を記憶しておき、前記複数の画素について、エッジ画素か否か判断し、注目画素が指定されると、前記注目画素周辺領域特定規則によって決定された注目画素周辺領域内に存在するエッジ画素について、前記注目画素との距離を重み付けとして考慮した重み付きエッジ強調影響度を演算するとともに、前記注目画素周辺領域内の前記各重み付きエッジ強調影響度を総計した重み付き総エッジ数NumEを演算し、前記注目画素のエッジ強調度Wについて、下限閾値THsよりも小さい場合はゼロとし、上限閾値THhよりも大きい場合は上限係数値Whとし、これらの中間である場合には下記式により演算し、W=WhNumE-THs/THh-THs前記注目画素を順次ずらして、全画素についてエッジ強調度を演算し、得られた各画素のエッジ強調度に基づき、エッジ強調処理を行う。したがって、前記注目画素周辺領域に存在するエッジ画素の数および各エッジ画素との距離に基づいて、前記注目画素のエッジ強調が可能となる。また、上限閾値および下限閾値を設けているので、平坦部を強調せず、さらに、過強調も防止できる。本発明にかかるエッジ強調度演算方法は、マトリックス状に配置された複数の画素から注目画素が指定されるとその注目画素に対する注目画素周辺領域を決定する注目画素周辺領域特定規則を記憶しておき、前記複数の画素について、エッジ画素か否か判断し、注目画素が指定されると、前記注目画素周辺領域特定規則によって決定された注目画素周辺領域内に存在するエッジ画素について、前記注目画素との距離を重み付けとして考慮した重み付きエッジ強調影響度を演算し、前記エッジ画素の重み付きエッジ強調影響度を総計した重み付き総エッジ強調影響度に基づいて、前記注目画素のエッジ強調度を演算する。したがって、前記注目画素周辺領域に存在するエッジ画素の数および各エッジ画素との距離に基づいて、前記注目画素のエッジ強調度を決定することができる。本発明にかかるエッジ強調度演算方法は、予め定めた下限閾値および上限閾値と、前記重み付き総エッジ強調影響度とを比較して、前記下限閾値よりも小さい場合は前記注目画素のエッジ強調度をゼロとし、前記上限閾値よりも大きい場合は、前記注目画素のエッジ強調度を予め定めた上限係数値とし、前記上限閾値と前記下限閾値の中間である場合には、前記注目画素のエッジ強調度を前記上限係数値前記重み付き総エッジ強調影響度-前記下限閾値/前記上限閾値-前記下限閾値とする。このように、上限閾値および下限閾値を設けていることにより、平坦部を強調せず、さらに、過強調も防止できるエッジ強調度を求めることができる。本発明にかかるエッジ強調度演算方法は、マトリックス状に配置された複数の画素から注目画素が指定されるとその注目画素に対する注目画素周辺領域を決定する注目画素周辺領域特定規則を記憶しておき、前記複数の画素についてエッジ画素か否か判断し、注目画素が指定されると、前記注目画素周辺領域特定規則によって決定された注目画素周辺領域内に存在するエッジ画素に基づいて前記注目画素のエッジ強調度を演算するエッジ強調度演算方法であって、前記注目画素周辺領域内に存在するエッジ画素の重み付きエッジ強調影響度を総計した重み付き総エッジ強調影響度を演算し、予め定めた下限閾値および上限閾値と前記エッジ強調度を比較して、前記下限閾値よりも小さい場合は前記注目画素のエッジ強調度をゼロとし、前記上限閾値よりも大きい場合は、前記注目画素のエッジ強調度を予め定めた上限係数値とし、前記上限閾値と前記下限閾値の中間である場合には、前記注目画素のエッジ強調度を前記上限係数値前記重み付き総エッジ強調影響度-前記下限閾値/前記上限閾値-前記下限閾値とする。このように、上限閾値および下限閾値を設けていることにより、平坦部を強調せず、さらに、過強調も防止できるエッジ強調度を求めることができる。本発明にかかるエッジ強調度演算方法は、マトリックス状に配置された複数の画素から注目画素が指定されるとその注目画素に対する注目画素周辺領域を決定する注目画素周辺領域特定規則を記憶しておき、前記複数の画素についてエッジ画素か否か判断し、注目画素が指定されると、前記注目画素周辺領域特定規則によって決定された注目画素周辺領域内に存在するエッジ画素について、前記注目画素との距離が近いエッジ画素数が多いほど、前記注目画素のエッジ強調度を大きくする。したがって、前記注目画素周辺領域に存在するエッジ画素の数および各エッジ画素との距離が近いほど、前記注目画素のエッジ強調度を大きくすることができる。本発明にかかるエッジ強調度演算装置は、Aマトリックス状に配置された複数の画素から注目画素が指定されるとその注目画素に対する注目画素周辺領域を決定する注目画素周辺領域特定規則を記憶する規則記憶手段、B前記複数の画素についてエッジ画素か否か判断するエッジ画素判断手段、C注目画素が指定されると、前記注目画素周辺領域特定規則によって決定された注目画素周辺領域内に存在するエッジ画素について、前記注目画素との距離を重み付けとして考慮した重み付きエッジ強調影響度を演算する重み付きエッジ強調影響度演算手段、D前記エッジ画素の重み付きエッジ強調影響度を総計した重み付き総エッジ強調影響度に基づいて、前記注目画素のエッジ強調度を演算するエッジ強調度演算手段を備えている。したがって、前記注目画素周辺領域に存在するエッジ画素の数および各エッジ画素との距離に基づいて、前記注目画素のエッジ強調度を決定することができる。本発明にかかるエッジ強調度演算プログラムは、コンピュータを下記手段として機能させるためのエッジ強調度演算プログラムである。マトリックス状に配置された複数の画素から注目画素が指定されるとその注目画素に対する注目画素周辺領域を決定する注目画素周辺領域特定規則を記憶する記憶手段、前記複数の画素についてエッジ画素か否か判断するエッジ画素判断手段、注目画素が指定されると、前記注目画素周辺領域特定規則によって決定された注目画素周辺領域内に存在するエッジ画素について、前記注目画素との距離を重み付けとして考慮した重み付きエッジ強調影響度を演算する重み付きエッジ強調影響度演算手段、前記エッジ画素の重み付きエッジ強調影響度を総計した重み付き総エッジ強調影響度に基づいて、前記注目画素のエッジ強調度を演算するエッジ強調度演算手段。したがって、前記注目画素周辺領域に存在するエッジ画素の数および各エッジ画素との距離に基づいて、前記注目画素のエッジ強調度を決定することができる。本発明にかかるエッジ強調度演算方法は、マトリックス状に配置された複数の画素から注目画素が指定されるとその注目画素に対する注目画素周辺領域を決定する注目画素周辺領域特定規則を記憶しておき、前記複数の画素についてエッジ画素か否か判断し、注目画素が指定されると、前記注目画素周辺領域特定規則によって決定された注目画素周辺領域内に存在するエッジ画素の分布に基づき、前記注目画素周辺領域における前記注目画素のエッジ強調影響度を求めて、このエッジ強調影響度に基づいて、前記注目画素のエッジ強調度を演算する。したがって、前記注目画素周辺領域に存在するエッジ画素の数に基づいて、前記注目画素のエッジ強調度を決定することができる。なお、本明細書においてエッジとは、画素の輝度値、濃度値、色、模様などの特徴が類似している部分を一つの領域としたとき、上記の特徴が急激に変化している、領域と領域との境界をいう。重み付き総エッジ強調影響度は実施形態では、重み付け総エッジ数NumEが該当する。距離を考慮した重み付け演算とは、実施形態では、図8に示すように、重みを線形に変化させる場合はもちろん、非線形に変化させるようにしてもよく、要するに、注目画素に近づくほど大きくすればどのようなものであってもよい。なお、かかる距離に基づく重み付け処理はしないようにしてもよい。以下、本発明における実施形態について、図面を参照して説明する。1.1機能ブロック図1に、本発明の1実施形態にかかるエッジ強調装置1の機能ブロック図を示す。エッジ強調装置1は、規則記憶手段3、エッジ画素判断手段5、重み付きエッジ強調影響度演算手段7、エッジ強調度演算手段9、およびエッジ強調処理手段11を備えている。規則記憶手段3は、マトリックス状に配置された複数の画素から注目画素が指定されるとその注目画素に対する注目画素周辺領域を決定する注目画素周辺領域特定規則を記憶する。エッジ画素判断手段5は、前記複数の画素についてエッジ画素か否か判断する。重み付きエッジ強調影響度演算手段7は、注目画素が指定されると、前記注目画素周辺領域特定規則によって決定された注目画素周辺領域内に存在するエッジ画素について、前記注目画素との距離を重み付けとして考慮した重み付きエッジ強調影響度を演算するとともに、前記注目画素周辺領域内の前記各重み付きエッジ強調影響度を総計した重み付き総エッジ数NumEを演算する。エッジ強調度演算手段9は、前記注目画素のエッジ強調度Wについて、下限閾値THsよりも小さい場合はゼロとし、上限閾値THhよりも大きい場合は上限係数値Whとし、これらの中間である場合には下記式により演算する。W=WhNumE-THs/THh-THsエッジ強調処理手段11は、前記注目画素を順次ずらして、全画素についてエッジ強調度を演算して、得られた各画素のエッジ強調度に基づき、エッジ強調処理を行う。1.2ハードウェア構成図2にエッジ強調装置1のハードウェア構成を示す。エッジ強調装置1は、CPU23、フレームメモリ27、RAM25、フラッシュメモリ26を備えている。フラッシュメモリ26には、プログラム26pが記憶されている。プログラム26pには、後述するように、エッジ強調処理を行う。RAM25は演算結果等を記憶する。フレームメモリ27は1画面の画像データを保持する。CPU23は、プログラム26Pに従い、フレームメモリ27に記憶された画像データに対し、153画素のウインドウを設定し、設定した領域内の重み付けエッジ総計値に基づいてエッジ強調係数を決定して、適切なエッジ強調処理を行い、結果をRAM25に記憶する。1.3フローチャートの説明図2に示すプログラム26Pによる処理について図3を用いて説明する。CPU23は、1フレーム分の画素からエッジを検出するのエッジ量gを演算するステップS21。本実施形態においては、エッジ量演算対象画素のエッジ量gをソーベルSobelフィルタを用いて、さらに、得られた水平方向、および垂直方向の合計値を加算することにより、演算した。すなわち、図5A,Bに示すような水平方向、および垂直方向の係数行列を用いた演算を行い、水平方向の合計値gHSの絶対値と垂直方向の合計値gVSの絶対値を求め、これらを加算するようにした。このように、二乗計算でなく、合計値gHSの絶対値と垂直方向の合計値gVSで求めている為、演算が容易となる。CPU23は、エッジ量演算対象画素の閾値THgを演算する。本実施形態においては、閾値THgを、前16フレームの当該画素の平均輝度に予め定めた係数Kthを乗算した値とした。CPU23は、エッジ量演算対象画素のエッジ量gが閾値THgを越えているか否か判断しステップS25、エッジ量演算対象画素のエッジ量gが閾値THgを越えている場合には、そのエッジ量演算対象画素はエッジであるとしステップS27、エッジ量演算対象画素のエッジ量gが閾値THgを越えていない場合は、そのエッジ量演算対象画素はエッジでないと決定する。CPU23は、図7に示すフィルタを採用して、当該範囲において注目画素に近い位置にどの程度エッジ画素が存在するかを示す重み付けエッジ総計値NumEを演算する。本実施形態においては、重み付けエッジ総計値NumEは、前記注目画素周辺領域内の画素について、エッジ画素である場合は1を、エッジ画素でない場合は0とし、これに図8に示すフィルタをかけた値を総計したものとした。CPU23は、得られた重み付けエッジ総計値NumEについて、予め定めた下限閾値THs、上限値THhと比較するが下限閾値THsよりも小さい場合は、エッジ強調係数W=0とする。また、重み付けエッジ総計値NumEが上限閾値THhよりも大きい場合は、エッジ強調係数Wを予め定めた上限係数値Whとする。また、重み付けエッジ総計値NumEが下限閾値THsと上限閾値THhの間である場合には、下記式によって演算する。W=WhNumE-THs/THh-THsこれにより、重み付けエッジ総計値NumEとエッジ強調係数Wとの関係は、図9に示すように、下限閾値THsと上限閾値THhの間では線形に対応し、下限閾値THsよりも小さければゼロに、上限閾値THhよりも大きければ上限係数値Whとなる。よって、平坦部分を強調せず、テクスチャやエッジ部分は線形で強調係数Wが決定される。これによりテクスチャ部分を、より強く強調することができる。また、上限を設けることで、過強調の可能性がある部分の過強調を防止でき、これにより、リンギングアーティファクトを低減することもできる。つぎに、CPU23は、注目画素のエッジ強調処理を行う図3ステップS7。エッジ強調処理については従来の手法を採用すればよい。CPU23は、全画素についてステップS5~ステップS7の処理をしたか否か判断し、前画素について行っていない場合には、注目画素番号iをインクリメントし、ステップS5以下の処理を繰り返す。このようにして、エッジ強調処理が終了する。2他の実施形態上記実施形態においては、図1に示す機能を実現するために、CPU23を用い、ソフトウェアによってこれを実現している。しかし、その一部もしくは全てを、ロジック回路などのハードウェアによって実現してもよい。なお、プログラムの一部の処理を、オペレーティングシステムOSにさせるようにしてもよい。図10に、全ての処理をロジック回路で実現する場合の機能ブロック図を示す。8近傍平滑フィルタ可変フィルタ51は入力データYを平滑化する。差分器53は、入力データYと8近傍平滑フィルタ可変フィルタ51の出力との差分を求める。最適強調係数算出部55は、図3ステップS3の処理を実行して、エッジ強調係数を演算する。差分器53からの出力値は輪郭成分であり、乗算器57は、これにエッジ強調係数を乗算する。これにより輪郭部分についてエッジ強調処理がなされる。加算器59は、入力データYにエッジ強調処理された輪郭部分を加算した輪郭強調画像を出力選択部61に与える。また、8近傍平滑フィルタ可変フィルタ51の出力は輪郭ぼかし画像として出力選択部61に与えられる。最適強調係数算出部55は、演算したエッジ強調係数に基づいて、出力選択部61に輪郭強調画像か輪郭ぼかし画像のいずれかを選択する選択命令を与える。出力選択部61は、選択命令に応じて出力データY’を出力する。本実施形態において、図7に示すウインドウを153画素としたのは、必要なラインメモリとの関係で、コストパフォーマンスが良いサイズであり、これに限定されるものではない。本実施形態においては、エッジ検出処理に、ソーベルSobelフィルタを採用したが、プレヴィットフィルタなど、他のエッジ検出処理を採用してもよい。また、X方向とY方向の値を単純に加算するのではなく、二乗したものを加算して、その平方根を求めるという従来の手法を採用してもよい。本実施形態においては、1画面の画像データを保持するフレームメモリ27を採用したが、数ライン画像データを保持するラインメモリがあれは、フレームメモリは必須ではない。また、本実施形態においては、エッジ画素か否かを、対象画素とその周辺画素との画素値勾配に基づいて、判断するようにしたが、他の手法によって実現するようにしてもよい。本実施形態においては、エッジ強調装置として把握した場合について説明したが、エッジ強調度の演算装置として把握することもできる。本実施形態においては、1フレーム分の画素についてエッジか否か判断し、その後、注目画素についての重み付き総エッジ強調影響度を演算している。しかし、これに限定されず、注目画素が特定された段階で必要な範囲についてエッジ画素であるかを判断するようにしてもよい。本実施形態においては、エッジ画素の判定において、過去の16フレームの平均値を閾値として採用したが、これに限定されず、全画素が同じ値でもよい。特に、静止画の場合は前フレームが存在しない為、有効である。また、本実施形態に開示した演算方法を、下記発明として把握することもできる。マトリックス状に配置された複数の画素から注目画素が指定されるとその注目画素に対する注目画素周辺領域を決定する注目画素周辺領域特定規則を記憶しておき、前記複数の画素についてエッジ画素か否か判断し、注目画素が指定されると、前記注目画素周辺領域特定規則によって決定された注目画素周辺領域内に存在するエッジ画素に基づいて前記注目画素のエッジ強調度を演算するエッジ強調度演算方法であって、前記注目画素周辺領域内に存在するエッジ画素の重み付きエッジ強調影響度を総計した重み付き総エッジ強調影響度を演算し、予め定めた下限閾値および上限閾値と前記エッジ強調度を比較して、前記下限閾値よりも小さい場合は前記注目画素のエッジ強調度をゼロとし、前記上限閾値よりも大きい場合は、前記注目画素のエッジ強調度を予め定めた上限係数値とし、前記上限閾値と前記下限閾値の中間である場合には、前記注目画素のエッジ強調度を前記上限係数値前記重み付き総エッジ強調影響度-前記下限閾値/前記上限閾値-前記下限閾値とすること、を特徴とするエッジ強調度演算方法。本実施形態においては、注目画素が指定されると、前記注目画素周辺領域特定規則によって決定された注目画素周辺領域内に存在するエッジ画素について、前記注目画素との距離が近いエッジ画素数が多いほど、前記注目画素のエッジ強調度を大きくするようにした。しかし、これに限定されず、注目画素が指定されると、前記注目画素周辺領域特定規則によって決定された注目画素周辺領域内に存在するエッジ画素について、前記注目画素との距離を重み付けとして考慮した重み付きエッジ強調影響度を演算する発明として把握するようにしてもよい。"