基板に触媒金属を介して形成させたカーボンナノチューブから、ナノ粒子である当該触媒金属を除去する触媒金属の除去方法であって、上記基板の近傍に配置された上記触媒金属と同種の金属からなる金属材を、当該金属材の溶解温度未満である蒸着用温度で加熱し、所定の真空度において、上記基板を上記触媒金属の蒸発温度以上である蒸発用温度で加熱することにより、当該触媒金属を蒸発させて上記金属材に蒸着させることを特徴とする触媒金属の除去方法。金属材が、蒸発した触媒金属を蒸着させ得る蒸着面を有し、上記蒸着面が、鏡面加工されていることを特徴とする請求項1に記載の触媒金属の除去方法。金属材の蒸着面と、基板のカーボンナノチューブが形成された面とが略平行であることを特徴とする請求項2に記載の触媒金属の除去方法。蒸着用温度が、蒸発用温度以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の触媒金属の除去方法。触媒金属および金属材が、鉄、コバルトまたはニッケルからなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の触媒金属の除去方法。所定の真空度が、10-5~10-2Paであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の触媒金属の除去方法。しかしながら、上記特許文献1に記載の除去方法では、蒸発した触媒金属がカーボンナノチューブに再付着するという問題が考えられる。蒸発した触媒金属がカーボンナノチューブに再付着するのであれば、当然ながら、カーボンナノチューブから触媒金属を確実に除去することができず、高品質のカーボンナノチューブを得ることができない。そこで、本発明は、蒸発した触媒金属がカーボンナノチューブに再付着することを防止し、配向を崩すことなくカーボンナノチューブから確実に触媒金属を除去することで、高純度で高品質のカーボンナノチューブを得ることができる触媒金属の除去方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するため、本発明の請求項1に係る触媒金属の除去方法は、基板に触媒金属を介して形成させたカーボンナノチューブから、ナノ粒子である当該触媒金属を除去する触媒金属の除去方法であって、上記基板の近傍に配置された上記触媒金属と同種の金属からなる金属材を、当該金属材の溶解温度未満である蒸着用温度で加熱し、所定の真空度において、上記基板を上記触媒金属の蒸発温度以上である蒸発用温度で加熱することにより、当該触媒金属を蒸発させて上記金属材に蒸着させるものである。また、本発明の請求項2に係る触媒金属の除去方法は、請求項1に記載の触媒金属の除去方法において、金属材が、蒸発した触媒金属を蒸着させ得る蒸着面を有し、上記蒸着面が、鏡面加工されているものである。さらに、本発明の請求項3に係る触媒金属の除去方法は、請求項2に記載の触媒金属の除去方法において、金属材の蒸着面と、基板のカーボンナノチューブが形成された面とが略平行であるものである。また、本発明の請求項4に係る触媒金属の除去方法は、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の触媒金属の除去方法において、蒸着用温度が、蒸発用温度以下であるものである。また、本発明の請求項5に係る触媒金属の除去方法は、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の触媒金属の除去方法において、触媒金属および金属材が、鉄、コバルトまたはニッケルからなるものである。また、本発明の請求項6に係る触媒金属の除去方法は、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の触媒金属の除去方法において、所定の真空度が、10-5~10-2Paであるものである。上記触媒金属の除去方法によると、蒸発した触媒金属がカーボンナノチューブに再付着することを防止し、配向を崩すことなくカーボンナノチューブから確実に触媒金属を除去することで、高純度で高品質のカーボンナノチューブを得ることができる。以下、本発明の実施の形態に係る触媒金属の除去方法について、図面に基づき説明する。本発明の実施の形態に係る触媒金属の除去方法は、基板に形成された垂直配向のカーボンナノチューブから、その垂直配向を維持しつつ、当該カーボンナノチューブに残存する触媒金属を確実に除去することで、高純度で高品質のカーボンナノチューブを得るものである。まず、上記垂直配向のカーボンナノチューブについて簡単に説明する。このカーボンナノチューブは、例えば、熱CVD法により形成されるものである。熱CVD法では、基板に金属微粒子である触媒金属を塗布した後に、当該基板を加熱するとともにアセチレンガスなどの原料ガスを当該基板に供給することで、当該触媒金属上に垂直配向のカーボンナノチューブが形成される。このようなカーボンナノチューブには触媒金属が残存しており、当該触媒金属金属微粒子は個々の粒径がナノメートルオーダ1~100nmのナノ粒子である。また、上記カーボンナノチューブは、個々のチューブが互いに支え合っているため、触媒金属が除去されても垂直配向を維持し得る。ところで、上記触媒金属には、鉄、コバルトまたはニッケルが用いられる。また、基板Kは、後述するが触媒金属金属微粒子の蒸発温度以上に加熱されるので、この加熱に耐え得るシートまたは板材であればよく、例えば、ステンレス鋼板、石英ガラス、カーボンクロスシートなど、またはこれらの複合材が用いられる。以下、基板に形成されたカーボンナノチューブから、ナノ粒子である触媒金属を除去する装置および方法について説明する。図1に示すように、触媒金属を除去する装置1は、基板Kを内部に配置するとともに加熱して当該基板Kに形成されたカーボンナノチューブCから触媒金属を蒸発させて除去する除去室2と、この除去室2内の温度を制御する温度制御装置図示しないとを有している。上記除去室2は、その両側壁部にそれぞれ形成された基板K交換用の連通口3と、これら連通口3にそれぞれ配置された仕切弁4とを備えている。また、上記除去室2は、その内部に配置される基板Kを載置する水平支持台5と、この水平支持台5の下方に配置されて基板Kを下方から加熱する基板加熱用ヒータ6と、除去室2内の上壁部に設けられて基板Kの上方にバルク材7金属材の一例であるを配置するバルク材保持具8と、図示しないがバルク材7の近傍に配置されて当該バルク材7を加熱するバルク材加熱用ヒータと、除去室2の内壁面に配置された断熱材9とを備えている。さらに、上記除去室2には、還元ガス例えばH2ガスなどをガス供給管11により除去室2内に供給するガス供給部12と、還元ガスとともに蒸発させた触媒金属を除去室2内からガス排出管21により排出する真空ポンプ22とが設けられている。ここで、上記バルク材7は、上記触媒金属と同種の金属つまり、鉄、コバルトまたはニッケルであるからなる直方体であり、少なくとも底面が、カーボンナノチューブCから蒸発させた触媒金属を蒸着させ得る蒸着面7Dとして鏡面加工されたものである。このバルク材7は、上面が上記バルク材保持具8で保持されるとともに、蒸着面7Dである底面が基板Kに対して平行に且つ間隔が10~200mm程度となるようにして、除去室2内に配置される。蒸着面7Dに酸化膜が生成すると、バルク材7に触媒金属が蒸着するのを妨げることになるが、ガス供給管11により除去室2内に還元ガス例えばH2ガスなどを供給することで、蒸着面7Dに酸化膜が生成するのを防ぐようにされている。また、上記真空ポンプ22は、除去室2内の圧力を10-5~10-2Pa程度にし得る性能を有するものである。なぜなら、除去室2内の圧力が高ければ、蒸発した触媒金属金属微粒子は、その原子の平均自由行程が短くなり、バルク材7に到達する効率が低下するからである。ところで、除去室2内は基板加熱用ヒータ6およびバルク材加熱用ヒータにより高温となるため、除去室2内に配置される上記バルク材保持具8、水平支持台5、仕切弁4、ガス供給管11およびガス排出管21は、いずれも耐熱性を有する材料で構成されている。また、バルク材保持具8および仕切弁4は断熱性も必要であり、例えば炭素系材料や耐熱レンガなどで構成されている。上記温度制御装置は、図示しないが、バルク材加熱用ヒータによる加熱温度を制御するバルク材温度制御部と、基板加熱用ヒータ6による加熱温度を制御する基板温度制御部とを備えている。上記バルク材温度制御部は、バルク材7を、当該バルク材7を構成する金属の溶解温度未満の温度以下、蒸着用温度というに加熱し得るようにされており、上記基板温度制御部は、基板Kを、触媒金属金属微粒子の蒸発温度以上で且つカーボンナノチューブCの耐熱温度以下の温度以下、蒸発用温度というにし得るようにされている。なお、触媒金属の蒸発温度は、この触媒金属がナノ粒子であるから、バルク材7の蒸発温度より低いのは勿論のこと、バルク材7の溶解温度よりも低い。また、カーボンナノチューブCの耐熱温度は、還元ガス下酸化性物質が無い状態だと高くなり、2000°C以上である。ここで、蒸着用温度は、バルク材7を構成する金属の溶解温度を超えないものとして、蒸発用温度よりも0~100°C好ましくは40~80°C低い温度で設定される。なぜなら、バルク材7の温度蒸着用温度が基板Kの温度蒸発用温度よりも遥かに低ければ、蒸発してバルク材7に蒸着した触媒金属が、バルク材7と一体化せずナノ粒子のままとなり、再び蒸発してカーボンナノチューブCに再付着するからである。次に、上述した装置1を用いて触媒金属を除去する方法について説明する。予め、バルク材7を、底面が水平支持台5に対して平行となるようにして、バルク材保持具8で除去室2内に配置しておく。そして、仕切弁4を開にして、基板Kを連通口3から除去室2内に入れ、カーボンナノチューブCが形成された面を上にして基板Kを水平支持台5に載置し、仕切弁4を閉にする。その後、ガス供給部12により除去室2内に還元ガスを供給するとともに、真空ポンプ22により除去室2内から還元ガスを排出して、除去室2内の圧力を10-5~10-2Pa程度にしておく。そして、温度制御装置により、バルク材7が蒸着用温度、基板Kが蒸発用温度となるように加熱する。基板Kの加熱時間は、蒸発用温度にもよるが、触媒金属が確実に蒸発して除去されるためにも、1~10時間程度である。基板Kが蒸発用温度に達すると、この基板Kに形成されたカーボンナノチューブCから触媒金属が蒸発する。なお、蒸発用温度はカーボンナノチューブCの耐熱温度以下であるから、基板Kが蒸発用温度に達しても、カーボンナノチューブCは損傷しない。カーボンナノチューブCから蒸発した触媒金属のうち、一部は真空ポンプ22により除去室2から排出され、残りはバルク材7の蒸着面7Dに蒸着する図1の破線矢印参照。バルク材7は、蒸着用温度蒸発用温度より0~100°C低い温度であるとともに、触媒金属と同種の金属からなるので、バルク材7に蒸着した触媒金属は、バルク材7と一体化する。また、除去室2内に還元ガスが供給されているので、蒸着を妨げる酸化膜が蒸着面7Dに生成しない。さらに、蒸着面7Dが鏡面加工されているので、蒸着面7Dに蒸着した触媒金属は、よりバルク材7と一体化しやすくなり、再び蒸発しない。カーボンナノチューブCから触媒金属が十分に除去されると、温度制御装置により除去室2内を常温に戻し、仕切弁4を開にして基板Kを取り出す。以下、上記実施の形態をより具体的に示した実施例に係る触媒金属の除去方法について説明する。カーボンナノチューブCを形成した熱CVD法では、触媒金属として鉄触媒を用いた。したがって、触媒金属を除去する装置1には、バルク材7として、鉄触媒と同種の金属である鉄からなるものを用いた。ここで、鉄のナノ粒子の蒸発温度は1100°C程度で且つカーボンナノチューブCの耐熱温度は上述の通り2000°C以上であるから、蒸発用温度を1100~2000°C程度の任意の温度にした。また、鉄の融点当然ながら、溶解温度は融点以下であるは1535°Cであるから、蒸発用温度が1500°C未満であれば蒸着用温度を蒸発用温度と同一または少し低温とし、蒸発用温度が1500°C以上であれば蒸着用温度を1500°C以下の温度で一定にした。さらに、除去室2内を10-5~10-2Paの任意の圧力にし、基板Kの加熱時間を鉄触媒が確実に除去される時間1~10時間の任意の時間とした。また、還元ガスとしてH2ガスを用いた。このような条件下で、カーボンナノチューブCから鉄触媒を確実に除去して、高純度で高品質のカーボンナノチューブCを得ることができた。このように、上述した実施の形態および実施例に係る触媒金属の除去方法によると、垂直配向のカーボンナノチューブCから、触媒金属を蒸発させてバルク鉄に蒸着させるので、カーボンナノチューブCの垂直配向を維持したまま、触媒金属を除去することができる。また、バルク材7が、触媒金属と同種の金属からなるとともに、蒸着した触媒金属がバルク材7と一体化する温度蒸着用温度に設定されているので、蒸着した触媒金属がバルク材7と一体化することで、当該触媒金属が再蒸発してカーボンナノチューブCに再付着することを防止し、確実に触媒金属を除去することができる。さらに、蒸着面7Dが基板Kと平行に配置されるとともに、蒸着を妨げる酸化膜が蒸着面7Dに生成しないので、蒸発した触媒金属が蒸着面7Dに蒸着しやすく、また蒸着面7Dが鏡面加工されているので、蒸着した触媒金属がよりバルク材7と一体化しやすくなり、したがって、より確実に触媒金属を除去することができる。また、カーボンナノチューブCの垂直配向を維持したまま、より確実に触媒金属が除去されることで、高純度で高品質のカーボンナノチューブを得ることができる。ところで、上記実施の形態および実施例では、還元ガスの例としてH2ガスについて説明したが、これに限定されるものではなく、バルク材7の蒸着面7Dに酸化膜が生成するのを防ぐものであれば、COガスなど他の還元ガスであってもよい。また、上記実施の形態では、触媒金属およびバルク材が、鉄、コバルトまたはニッケルからなるとして説明したが、鉄、コバルトおよび/またはニッケルを含む合金からなるものであってもよい。ところで、上記実施の形態および実施例で説明した触媒金属を除去する装置1は、バッチ式の装置1として説明したが、図2に示すように、カーボンナノチューブ製造装置の一部に組み込まれた装置1’であってもよい。すなわち、この装置1’は、カーボンナノチューブ供給室40の下流側で且つカーボンナノチューブ冷却室50の上流側に隣接して配置されたものである。また、上記装置1’は、除去室2内から仕切弁4が撤去され、水平支持台5の代わりに上流側から下流側に基板Kを搬送するカーボンファイバークロスコンベア31が設けられ、このカーボンファイバークロスコンベア31を回動させるカーボンローラ32が当該カーボンファイバークロスコンベア31の下面に接して配置されたものである。この装置1’によると、高純度で高品質のカーボンナノチューブを連続して得ることができる。また、図2に示す基板KおよびカーボンナノチューブCは、分断されたものであるが、連続的な帯状のものであってもよい。