"エッチング対象を収容する真空槽と、前記エッチング対象に引き込まれるプラズマを生成するプラズマ生成部とを備えるプラズマエッチング装置であって、前記エッチング対象は、モリブデン層上に積層された窒化アルミニウム層であり、前記プラズマ生成部は、前記モリブデン層の少なくとも一部が露出している状態で、窒素ガスから前記プラズマを生成することを特徴とするプラズマエッチング装置。前記プラズマ生成部は、前記モリブデン層の全てが前記窒化アルミニウム層に覆われている状態で、前記窒素ガスからのプラズマの生成を開始する請求項1に記載のプラズマエッチング装置。前記プラズマ生成部は、前記モリブデン層の全てが前記窒化アルミニウム層に覆われている状態で、フッ素及び塩素の少なくとも一つを含むガスから前記プラズマを生成する請求項1又は2に記載のプラズマエッチング装置。前記プラズマ生成部は、13.56MHzの高周波電力で前記プラズマを引き込む請求項1~3のいずれか一項に記載のプラズマエッチング装置。電極層上に積層された誘電体層をエッチングして誘電体デバイスを製造する誘電体デバイスの製造方法であって、前記電極層はモリブデンからなり、前記誘電体層は窒化アルミニウムからなり、前記誘電体層のエッチングでは、前記電極層の少なくとも一部が露出している状態で、窒素ガスから生成されたプラズマが用いられることを特徴とする誘電体デバイスの製造方法。ところで、上記圧電素子を有する誘電体デバイスの製造に際しては、AlN層と一対のMo層とからなる積層体が、ドライエッチングによって所定の形状に加工される。この積層体の加工について図7を参照して説明する。図7aに示されるように、ガラス基板51上には、下部Mo層52、AlN層53、及び上部Mo層54が順に積層されている。上部Mo層54上には、所定の形状に加工されたレジストマスク55が形成されている。こうした積層体の加工に際しては、まず、図7bに示されるように、最上層である上部Mo層54が、レジストマスク55の形状に応じてエッチングされる。次いで、上部Mo層54下のAlN層53のエッチングが行われる。このとき、特許文献1に記載のような塩素Cl2ガスや、あるいは、フッ素F2ガス等のハロゲン系ガスから生成されるプラズマが用いられることも少なくない。ハロゲン系ガスのプラズマによれば、AlN層53のエッチングを行うことができるものの、AlN層53と下部Mo層52とのエッチングレートが略同一であることから、AlN層53から露出した下部Mo層52もAlN層43と同程度にエッチングされてしまう。そのため、AlN層53のエッチングを行うと、図7cに示されるように、下部Mo層52の表面が部分的にエッチングされて、該表面に開口する凹部52aが形成される。これにより、下部Mo層52においては、凹部52aの形成された箇所が断線しやすくなってしまう。また、下部Mo層52上に層間絶縁層を形成した場合には、層間絶縁層における上面の平坦性が低くなり、ひいては、層間絶縁層上に形成される配線の形状における精度も低くなってしまう。本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、Mo層上に積層されたAlN層のエッチングにおいて、Mo層のエッチングを抑えることのできるプラズマエッチング装置、及び誘電体デバイスの製造方法を提供することにある。以下、上記課題を解決するための手段及びその作用効果について記載する。本発明の一態様は、エッチング対象を収容する真空槽と、前記エッチング対象に引き込まれるプラズマを生成するプラズマ生成部とを備えるプラズマエッチング装置であって、前記エッチング対象は、モリブデン層上に積層された窒化アルミニウム層であり、前記プラズマ生成部は、前記モリブデン層の少なくとも一部が露出している状態で、窒素ガスから前記プラズマを生成することを要旨とする。本願発明者らは、モリブデン層上に積層された窒化アルミニウム層のエッチングについて鋭意研究する中で以下のことを見出した。すなわち、モリブデン層のエッチングレートに対する窒化アルミニウム層のエッチングレートの比としての選択比が、窒素ガスから生成されたプラズマを用いることによって、他のガス、例えば上記塩素ガスやアルゴンガス等から生成されたプラズマを用いたときの選択比よりも大きくなることを見出した。この点、本発明の一態様では、モリブデン層の少なくとも一部が露出している状態で、モリブデン層上に積層された窒化アルミニウム層のエッチングに窒素ガスから生成されたプラズマを用いるようにしている。そのため、窒化アルミニウム層のエッチングにおいて、モリブデン層のエッチングを抑えることができる。本発明の一態様は、前記プラズマ生成部は、前記モリブデン層の全てが前記窒化アルミニウム層に覆われている状態で、前記窒素ガスからのプラズマの生成を開始することを要旨とする。本発明の一態様では、窒化アルミニウム層からモリブデン層が露出される以前に、プラズマ生成部が、窒素ガスからプラズマを生成するようにしている。そのため、モリブデン層には、窒素ガス以外のガスから生成されたプラズマが供給されなくなる。それゆえに、窒化アルミニウム層のエッチングに際して、モリブデン層のエッチングがその全体において抑えられるようになる。本発明の一態様は、前記プラズマ生成部は、前記モリブデン層の全てが前記窒化アルミニウム層に覆われている状態で、フッ素及び塩素の少なくとも一つを含むガスから前記プラズマを生成することを要旨とする。上述のように、窒素ガスから生成したプラズマによれば、窒化アルミニウム層とモリブデン層との間での選択比は相対的に大きくなる。しかしながら、窒素ガスから生成したプラズマによる窒化アルミニウム層のエッチングレートは、プラズマエッチングにおいて一般的に用いられるガス、例えば、フッ素含有ガスや塩素含有ガスから生成したプラズマを用いたときのエッチングレートよりも小さい。そこで、本発明の一態様では、モリブデン層の全てが窒化アルミニウム層に覆われている状態で、フッ素及び塩素の少なくとも一つを含むガスからプラズマが生成されるため、窒化アルミニウム層が、少なからずフッ素含有ガスから生成されたプラズマによってエッチングされることになる。そのため、窒化アルミニウム層の全てを窒素ガスから生成されたプラズマによってエッチングする場合と比較して、該窒化アルミニウム層のエッチングに要する時間を短くすることができる。本発明の一態様は、前記プラズマ生成部は、13.56MHzの高周波電力で前記プラズマを引き込むことを要旨とする。本願発明者らは、窒素ガスから生成されたプラズマによる窒化アルミニウム層のエッチングについて鋭意研究する中で以下のことを見出した。すなわち、上記選択比が、窒化アルミニウム層に負の電圧を印加するための高周波電力の周波数に依存性を有し、しかも、該周波数が13.56MHz以上であると、5以上という高い選択比を得られることを見出した。この点、本発明の一態様では、プラズマの引き込むための高周波電力の周波数を13.56MHzとしている。そのため、5以上という高い選択比が得られることとなり、ひいては、モリブデン層のエッチングが、より確実に抑えられることになる。本発明の一態様は、電極層上に積層された誘電体層をエッチングして誘電体デバイスを製造する誘電体デバイスの製造方法であって、前記電極層はモリブデンからなり、前記誘電体層は窒化アルミニウムからなり、前記誘電体層のエッチングでは、前記電極層の少なくとも一部が露出している状態で、窒素ガスから生成されたプラズマが用いられることを要旨とする。本発明の一態様では、モリブデンからなる電極層の少なくとも一部が露出している状態で、該電極層上に積層された窒化アルミニウムからなる誘電体層のエッチングに窒素ガスから生成されたプラズマを用いるようにしている。そのため、誘電体層のエッチングにおいて、電極層のエッチングを抑えることができる。[第1実施形態]以下、本発明におけるプラズマエッチング装置を具体化した第1実施形態、及び、誘電体デバイスの製造方法を具体化した第1実施形態について図1~図3を参照して説明する。まず、プラズマエッチング装置の第1実施形態について図1を参照して説明する。[プラズマエッチング装置の構成]図1に示されるように、プラズマエッチング装置10には、接地電位に接続された円筒状の真空槽11が搭載されている。真空槽11の上面における開口部には、円板状の石英窓12が、開口部を封止するように取り付けられている。真空槽11内における石英窓12の下方には、円板状の処理基板Sを保持するステージ13が設置されている。なお、処理基板Sとは、先に示した図7と同様、ガラス基板上に、下部Mo層下部モリブデン層、エッチング対象としてのAlN層窒化アルミニウム層、上部Mo層、及びレジストマスクがこの順に積層された積層体である。つまり、処理基板Sは、プラズマエッチング装置10における処理や、他の装置における処置を通じて圧電素子の下部電極となる下部Mo層、誘電体層となるAlN層、及び、上部電極となる上部Mo層を有している。ステージ13には、処理基板Sに負のバイアス電圧を印加するバイアス用高周波電源RF1が、バイアス用整合器MB1を介して接続されている。バイアス用高周波電源RF1は、例えば周波数が13.56MHzである高周波電力を出力する。バイアス用高周波電源RF1の出力周波数は、13.56MHz以上であることが好ましい。バイアス用高周波電源RF1が高周波電力を出力するとき、バイアス用整合器MB1は、バイアス用高周波電源RF1の出力インピーダンスと負荷の入力インピーダンスとを整合させる。また、ステージ13には、該ステージ13に載置された処理基板Sの温度を調整するための温調部14が接続されている。温調部14は、処理基板Sの温度が所定の温度に保たれるように、ステージ13に形成された通路におけるヘリウムHeガスの圧力を調節する。真空槽11内には、防着板15が、ステージ13の全周を囲うように取り付けられている。防着板15は、処理基板Sのエッチングによって生じた生成物をステージ13側の面に付着させることで、生成物が真空槽11の内壁面に付着することを抑える。真空槽11には、該真空槽11内を所定の圧力に減圧する排気部16が接続されている。排気部16は、例えば、ターボ分子ポンプと、その後段に接続されたドライポンプと、これらポンプの排気速度を調節するバルブとから構成されている。また、真空槽11には、該真空槽11内に窒素N2ガスを供給する窒素ガス供給部17と、ハロゲン元素を含有するガス、例えば六フッ化硫黄SF6ガス及び塩素Cl2ガスを供給するハロゲンガス供給部18とが接続されている。窒素ガス供給部17及びハロゲンガス供給部18は、真空槽11内に供給する各ガスの流量を調節するマスフローコントローラである。処理基板Sのエッチング時には、これら排気部16及びガス供給部17,18によって、真空槽11内が所定の圧力とされる。上記石英窓12の上方には、N2ガス、SF6ガス、あるいはCl2ガスに高周波電力を供給する誘導アンテナ19が設置されている。誘導アンテナ19には、アンテナ用高周波電源RF2が、アンテナ用整合器MB2を介して接続されている。アンテナ用高周波電源RF2は、例えば周波数が13.56MHzである高周波電力を誘導アンテナ19に供給する。アンテナ用整合器MB2は、アンテナ用高周波電源RF2が高周波電力を出力するときに、該アンテナ用高周波電源RF2の出力インピーダンスと負荷の入力インピーダンスとを整合させる。アンテナ用高周波電源RF2が誘導アンテナ19に高周波電力を供給すると、誘導アンテナ19を介して真空槽11内のガスに高周波電力が供給されることで、該ガスからプラズマが生成される。なお、本実施形態のプラズマエッチング装置10では、上記誘導アンテナ19、アンテナ用高周波電源RF2、及びバイアス用高周波電源RF1がプラズマ生成部を構成している。プラズマエッチング装置10には、バイアス用高周波電源RF1、アンテナ用高周波電源RF2、排気部16、窒素ガス供給部17、及びハロゲンガス供給部18に接続されるとともに、これらの動作を制御する制御装置10Cが搭載されている。また、制御装置10Cには、プラズマエッチング装置10を動作させるための命令並びに手順と、各手順における動作の条件とから構成される複数のレシピが記憶されている。制御装置10Cに記憶されたレシピのうち、処理基板Sをエッチングするためのレシピには、SF6ガス及びCl2ガスの流量、N2ガスの流量、アンテナ用高周波電源RF2から高周波電力を供給する期間、バイアス用高周波電源RF1から高周波電源を供給する期間、及び真空槽11内の圧力等が設定されている。[プラズマエッチングのレシピ]次に、上記プラズマエッチングのレシピについて詳述する。プラズマエッチングのレシピには、以下の第1ステップ及び第2ステップが、プラズマエッチング装置10においてこの順に実行されるように設定されている。第1ステップ第1ステップでは、ハロゲンガス供給部18及び排気部16が駆動されることで、SF6ガスの流量、Cl2ガスの流量、及び排気速度の協働によって真空槽11内が所定の圧力に維持される。また、アンテナ用高周波電源RF2及びバイアス用高周波電源RF1から所定の高周波電力が出力される。第1ステップが行われる時間は、上部Mo層におけるレジストマスクによって覆われていない領域が、確実にエッチングされるために必要な時間が設定されている。第2ステップ第2ステップでは、窒素ガス供給部17及び排気部16が駆動されることで、真空槽11内が所定の圧力に維持される。また、アンテナ用高周波電源RF2及びバイアス用高周波電源RF1から所定の高周波電力が出力される。第2ステップが行われる時間は、AlN層におけるレジストマスク及び上部Mo層によって覆われていない領域が、確実にエッチングされるために必要な時間に設定されている。制御装置10Cは、こうしたプラズマエッチングのレシピに基づいて、上記アンテナ用高周波電源RF2、バイアス用高周波電源RF1、排気部16、窒素ガス供給部17、及びハロゲンガス供給部18の駆動の態様を制御する。[プラズマエッチング装置の作用]上記プラズマエッチング装置10が行う動作の一つである処理基板Sのエッチングに関わる動作、並びに、上記圧電素子を有した誘電体デバイスの製造方法を具体化した第1実施形態について、図2を参照して説明する。まず、処理基板Sが、プラズマエッチング装置10に形成された図示されない搬出入口から、排気部16によって減圧された真空槽11内に搬入される。なお、排気部16は、処理基板Sのエッチングが行われている間中、所定の排気速度にて駆動されている。このエッチングが行われる以前の処理基板Sは、図2aに示されるように、また上述のように、ガラス基板21上に、下部Mo層22、AlN層23、及び上部Mo層24がこの順に積層されるとともに、上部Mo層24上には、所定の形状に加工されたレジストマスク25が形成されたものである。真空槽11内に搬入された処理基板Sがステージ13に保持されると、ハロゲンガス供給部18、アンテナ用高周波電源RF2、及びバイアス用高周波電源RF1がこの順に駆動されることで、真空槽11内にSF6ガス及びCl2ガスからプラズマが生成される。すなわち、上記第1ステップに基づき、SF6ガス及びCl2ガスを所定流量で供給させるための駆動信号が、制御装置10Cからハロゲンガス供給部18に対して出力される。次いで、所定の高周波電力を供給させるための駆動信号が、制御装置10Cからアンテナ用高周波電源RF2及びバイアス用高周波電源RF1に対してこの順に出力される。これにより、SF6ガス及びCl2ガスから生成されたプラズマ中の正イオンやラジカルが処理基板Sに到達することで、図2bに示されるように、上部Mo層24におけるレジストマスク25で覆われていない領域がエッチングされる。上部Mo層24のエッチングが行われると、ハロゲンガス供給部18、アンテナ用高周波電源RF2、及びバイアス用高周波電源RF1の駆動が停止される。すなわち、上記第1ステップに基づき、ハロゲンガス供給部18、及び各高周波電源RF1,RF2の駆動を停止させるための駆動信号が、制御装置10Cからハロゲンガス供給部18、及び各高周波電源RF1,RF2に対して出力される。そして、窒素ガス供給部17、アンテナ用高周波電源RF2、及びバイアス用高周波電源RF1がこの順に駆動されることで、真空槽11内に窒素ガスからプラズマが生成される。すなわち、上記第2ステップに基づき、N2ガスを所定流量で供給させるための駆動信号が、制御装置10Cから窒素ガス供給部17に対して出力される。次いで、所定の高周波電力を供給させるための駆動信号が、制御装置10Cからアンテナ用高周波電源RF2及びバイアス用高周波電源RF1に対してこの順に出力される。これにより、図2cに示されるように、N2ガスから生成されたプラズマ中のNイオンがAlN層23に引き込まれることで、AlN層23における上部Mo層24及びレジストマスク25で覆われていない領域がエッチングされる。なお、AlN層23のエッチングには、プラズマ中のラジカルのうちで、AlN層23の表面に到達したものも寄与しているものの、AlN層23の大分部は、Nイオンによってエッチングされる。このように、AlN層23のエッチングに際してN2ガスから生成されたプラズマを用いるようにしている。そのため、下部Mo層22のエッチングレートに対するAlN層23のエッチングレートの比[AlN層23のエッチングレート]/[下部Mo層22のエッチングレート]としての選択比が、他のガス、例えば上述のようなSF6ガスやCl2ガスから生成されたプラズマを用いた場合よりも大きくなる。そえゆえに、AlN層23がエッチングされて下部Mo層22が露出したとしても、下部Mo層22のエッチングが抑えられることになる。なお、こうして下部Mo層22のエッチングが抑えられることから、AlN層23のエッチング時間、すなわち上記第2ステップが行われる時間は、レジストマスク25によって覆われていないAlN層23の領域が、エッチングによって除去される以上の時間に設定することも可能になる。そのため、下部Mo層22の表面やAlN層23の側面には、AlNの残渣が生じにくくなり、ひいては、AlN層23の形状における精度が高められることになる。また、AlN層23のエッチングに際しては、レジストマスク25の形状にパターニングされた上部Mo層24が、AlN層23上に形成されている。そのため、上記下部Mo層22と同様、上部Mo層24についても、AlN層23との選択比が、他のガスから生成されたプラズマを用いた場合よりも大きくなる。そのため、レジストマスク25に加えて、上部Mo層24が、AlN層23をエッチングするときのマスクとして機能する。それゆえに、たとえ、AlN層23のエッチングの途中にてレジストマスク25のほとんどが除去されてしまったとしても、AlN層23は所望の形状にエッチングされることになる。また、他のガスを用いたエッチングを行う場合よりも、上部Mo層24上に積層するレジストマスク25の膜厚を薄くすることができる。[第2実施形態]以下、本発明におけるプラズマエッチング装置を具体化した第2実施形態、及び、誘電体デバイスの製造方法を具体化した第2実施形態について、図3を参照して説明する。なお、本実施形態は、上記第1実施形態と比較して、上記制御装置10Cに記憶されたプラズマエッチングのレシピが異なる。そのため、以下では、こうした相違点について特に説明する。[プラズマエッチングのレシピ]制御装置10Cに記憶されたプラズマエッチングのレシピには、以下の第1ステップ及び第2ステップが、上記プラズマエッチング装置10にてこの順に実行されるように設定されている。第1ステップ第1ステップでは、ハロゲンガス供給部18及び排気部16が駆動されることで、フッ素を含むガスの一つであるSF6ガスの流量、及び排気速度の協働によって真空槽11内が所定の圧力に維持される。また、アンテナ用高周波電源RF2及びバイアス用高周波電源RF1から所定の高周波電力が出力される。第1ステップが行われる時間は、上部Mo層におけるレジストマスクによって覆われていない領域が確実にエッチングされ、且つ、AlN層から下部Mo層が露出しない程度に、該AlN層がその厚さ方向の途中までエッチングされるために必要な時間に設定されている。第2ステップ第2ステップでは、窒素ガス供給部17及び排気部16が駆動されることで、真空槽11内が所定の圧力に維持される。また、アンテナ用高周波電源RF2及びバイアス用高周波電源RF1から所定の高周波電力が出力される。第2ステップが行われる時間は、AlN層におけるレジストマスク及び上部Mo層によって覆われていない領域であって、上記第1ステップにてエッチングされなかった領域が、確実にエッチングされるために必要な時間に設定されている。[プラズマエッチング装置の作用]上記プラズマエッチング装置10が行う動作の一つである処理基板Sのエッチングに関わる動作、並びに誘電体デバイスの製造方法を具体化した第2実施形態について、図3を参照して説明する。まず、上記第1実施形態と同様、処理基板Sが真空槽11内に搬入され、そして、ステージ13によって保持される。このエッチングが行われる以前の処理基板Sも、図3aに示されるように、また、上記第1実施形態と同様、ガラス基板31上に、下部Mo層32、AlN層33、及び上部Mo層34がこの順に積層されるとともに、上部Mo層34上には、所定の形状に加工されたレジストマスク35が形成されたものである。処理基板Sがステージ13に保持されると、ハロゲンガス供給部18、アンテナ用高周波電源RF2、及びバイアス用高周波電源RF1がこの順に駆動されることで、真空槽11内にSF6ガスからプラズマが生成される。すなわち、上記第1ステップに基づき、SF6ガスを所定流量で供給させるための駆動信号が、制御装置10Cからハロゲンガス供給部18に対して出力される。次いで、所定の高周波電力を供給させるための駆動信号が、制御装置10Cからアンテナ用高周波電源RF2及びバイアス用高周波電源RF1に対してこの順に出力される。これにより、プラズマ中の正イオン及びラジカルが処理基板Sに到達することで、図3bに示されるように、上部Mo層34におけるレジストマスク35で覆われていない領域と、AlN層33におけるレジストマスク35で覆われていない領域における厚さ方向の途中までがエッチングされる。上部Mo層34及びAlN層33のエッチングが行われると、ハロゲンガス供給部18、アンテナ用高周波電源RF2、及びバイアス用高周波電源RF1の駆動が停止される。すなわち、上記第1ステップに基づき、ハロゲンガス供給部18、及び各高周波電源RF1,RF2の駆動を停止させるための駆動信号が、制御装置10Cからハロゲンガス供給部18、及び各高周波電源RF1,RF2に対して出力される。そして、窒素ガス供給部17、アンテナ用高周波電源RF2、及びバイアス用高周波電源RF1がこの順に駆動されることで、真空槽11内に窒素ガスからプラズマが生成される。すなわち、上記第2ステップに基づき、N2ガスを所定流量で供給させるための駆動信号が、制御装置10Cから窒素ガス供給部17に対して出力される。次いで、所定の高周波電力を供給するための駆動信号が、アンテナ用高周波電源RF2及びバイアス用高周波電源RF1に対してこの順に出力される。これにより、図3cに示されるように、N2ガスから生成されたプラズマ中のNイオンがAlN層33に引き込まれることで、AlN層33における上部Mo層34及びレジストマスク35で覆われていない領域の残部がエッチングされる。このように、AlN層33をSF6ガスから生成されたプラズマでエッチングした後、AlN層33から下部Mo層32が露出する前に、同AlN層33をN2ガスから生成されたプラズマによってエッチングするようにしている。そのため、下部Mo層32が露出するときには、N2ガスのプラズマによってAlN層33のエッチングが行われていることから、第1実施形態と同様、上記選択比が大きくなる。それゆえに、AlN層33のエッチングに際して、下部Mo層32のエッチングを抑えることができる。加えて、本実施形態では、AlN層33をその厚さ方向の途中まで、N2ガスのプラズマよりも高いエッチングレートを得ることができるSF6ガスから生成されたプラズマによってエッチングするようにしている。そのため、下部Mo層32のエッチングを抑えつつ、AlN層33のエッチング時間を短くすることができる。しかも、上記第1ステップでは、上部Mo層34とAlN層33の一部とが、一括してエッチングされる。そのため、AlN層33のエッチングの途中において、プラズマの生成に用いられるガスをSF6ガスからN2ガスに切り替えたとしても、処理基板Sのエッチングが煩雑になることを抑えられる。[試験例][AlN層、Mo層のエッチングレートと選択比]直径8インチのガラス基板上に、50nmのMo層と、1000nmのAlN層とをこの順にスパッタ成膜した。そして、AlN層のエッチングレートnm/minを測定するための試験用基板AlN層用基板を作成した。また、同じく直径8インチのガラス基板上に、200nmのMo層をスパッタ成膜した。そして、Mo層のエッチングレートnm/minを測定するための試験用基板Mo層用基板を作成した。AlN層用基板とMo層用基板とをN2ガス、Arガス、SF6ガス、及びCl2ガスのいずれかから生成したプラズマによってエッチングした後、各基板におけるAlN層の厚さとMo層の厚さとを走査型電子顕微鏡を用いて測定した。この測定結果に基づき算出したAlN層及びMo層のエッチングレートと、Mo層のエッチングレートに対するAlN層のエッチングレートの比[AlN層のエッチングレート]/[Mo層のエッチングレート]としての選択比を図4に示す。なお、AlN層用基板及びMo層用基板のエッチングは、以下の条件にて行われた。各ガスの流量20sccmアンテナ用高周波電源の出力周波数13.56MHzアンテナ用高周波電源の出力600Wバイアス用高周波電源の出力周波数600kHzバイアス用高周波電源の出力300W真空槽内の圧力0.5Pa試験用基板の温度20°C図4に示されるように、N2ガスから生成したプラズマを用いたエッチングによれば、3を超える選択比が得られることが認められた。これに対し、Arガス、SF6ガス、及びCl2ガスから生成されたプラズマを用いたエッチングでは、2を超えない選択比しか得られないことが認められた。詳細には、N2ガスを用いたときの選択比が3.6、Arガスを用いたときの選択比が1.2、SF6ガスを用いたときの選択比が1.0、Cl2ガスを用いたときの選択比が1.65であった。また、同図4に示されるように、SF6ガスから生成したプラズマを用いたAlN層のエッチングレートは、N2ガスから生成したプラズマを用いたAlN層のエッチングレートの略6倍であることが認められた。[選択比の周波数依存性]上記AlN層用基板、及びMo層用基板をN2ガスから生成されたプラズマによってエッチングし、そのときのエッチングレートを算出した。なお、エッチング時の各種条件は、上述の条件からバイアス用高周波電源の出力周波数を13.56MHz、及び27MHzに変更したものとした。また、エッチングレートは上述の方法で算出した。こうして算出したエッチングレート、及びエッチングレートに基づく選択比[AlN層のエッチングレート]/[Mo層のエッチングレート]を図5に示す。同図5に示されるように、出力周波数が大きくなるほど、AlN層のエッチングレートが大きくなる一方、Mo層のエッチングレートが小さくなることが認められた。すなわち、出力周波数が大きくなるほど、上記選択比が大きくなることが認められた。しかも、出力周波数が13.56MHz以上であると、5以上という高い選択比が得られることが認められた。詳細には、出力周波数が13.56MHzであるときの選択比が5、同出力周波数が27MHzであるときの選択比が6.4であった。[選択比獲得のメカニズム]上述のような結果から、N2ガスから生成されたプラズマによれば、図6に示されるようなメカニズムにてAlN層がエッチングされるものと考えられる。なお、図6では、図示の便宜上、上記処理基板における下部Mo層、AlN層、及び上部Mo層のみを図示し、これらが積層されるガラス基板、及び上部Mo層上に形成されたレジストマスクの図示を割愛している。AlN層43のエッチング時には、図6aに示されるように、負の電圧が印加された処理基板に対して、N2ガスから生成されたプラズマP中のNイオンが、上部Mo層44に覆われていないAlN層43の表面に引き込まれる。Nイオンが引き込まれると、AlN層43の表面に露出するAl原子及びN原子のうち、N原子が該Nイオンと反応してN2分子を形成し、これにより、AlN層43中のN原子がN2ガスとして脱離しやすくなる。そのため、AlN層43の表面では、Alが多くなることから、図6bに示されるように、NイオンによるAl原子の物理的なエッチングが生じやすくなる。こうしたN原子の脱離とAl原子のエッチングとが繰り返されることによって、AlN層43がその厚さ方向にエッチングされる。AlN層43がエッチングされると、下部Mo層42が露出し、そして、下部Mo層42の表面にプラズマP中のNイオンが引き込まれることになる。下部Mo層42には、AlN層43と異なりN原子が含まれていないことから、上述のようなNイオンとの反応が生じない。そのため、N原子の脱離したAlN層43よりもMo原子の密度が高く、また、Mo原子そのものがAl原子よりも大きいことから、図6cに示されるように、下部Mo層42は、AlN層43よりも物理的にエッチングされにくい。つまり、下部Mo層42の表面にて反跳するNイオンが多くなる。なお、下部Mo層42の表面では、下部Mo層42そのものの表面にてNイオンが反跳すること以外に、以下のようなメカニズムにより下部Mo層42のエッチングが抑えられることも考えられる。すなわち、下部Mo層42の表面においては、AlN層43のようなNイオンのN2分子化が起こりにくいために、下部Mo層42の表面に引き込まれたNイオンが該下部Mo層42の表面に付着しやすい。そして、こうして付着したNイオンのために、新たに下部Mo層42の表面に引き込まれたNイオンは、下部Mo層42の表面に到達しにくくなることから、該下部Mo層42がエッチングされにくくなる。これに対し、上記SF6ガスやCl2ガスから生成されたプラズマによるエッチングでは、AlN層43において上述のような反応が生じないことから、AlN層43と下部Mo層42とにおいては、プラズマ中に含まれる正イオンによる物理的なエッチングが主に生じることになる。そのため、AlN層43のエッチングレートと下部Mo層42とのエッチングレートとには、N2ガスから生成したプラズマを用いた場合ほどの違いが生じない。したがって、AlN層43のエッチングにN2ガスのプラズマを用いることにより、他のガスから生成したプラズマを用いるよりも、高い選択比を得ることができる。以上説明したように、上記第1実施形態及び第2実施形態によれば、以下に列挙する効果を得ることができる。1第1実施形態及び第2実施形態では、下部Mo層22,32上に積層されたAlN層23,33のエッチングにおいて、下部Mo層22,32の少なくとも一部が露出する状態で、N2ガスから生成されたプラズマを用いるようにしている。そのため、上記選択比が、他のガスから生成されたプラズマを用いてエッチングした場合よりも大きくなることから、AlN層23,33のエッチングにおいて、下部Mo層22,32のエッチングを抑えることができる。2第1実施形態及び第2実施形態では、バイアス用高周波電源RF1の出力周波数を13.56MHz以上としている。そのため、5以上という高い選択比が得られることとなり、ひいては、下部Mo層22,32のエッチングが、より確実に抑えられることになる。3第1実施形態及び第2実施形態では、AlN層23,33上に上部電極としての上部Mo層24,34が形成されている。そのため、上部Mo層24,34とAlN層23,33との選択比も、他のガスから生成されたプラズマを用いた場合よりも大きくなる。そのため、レジストマスク25,35に加えて、上部Mo層24,34が、AlN層23,33をエッチングするときのマスクとして機能する。それゆえに、たとえ、AlN層23,33のエッチングの途中にてレジストマスク25,35のほとんどが除去されてしまったとしても、AlN層23,33が所望の形状にエッチングされる。また、他のガスを用いたエッチングを行う場合よりも、上部Mo層24上に積層するレジストマスク25の膜厚を薄くすることができる。4第2実施形態では、AlN層33のエッチングに際して、SF6ガスからプラズマが生成された後に、N2ガスからプラズマが生成されるため、AlN層33が、少なからずSF6ガスから生成されたプラズマによってエッチングされることになる。これにより、AlN層33の全てをN2ガスから生成されたプラズマによってエッチングする場合と比較して、該AlN層33のエッチングに要する時間を短くすることができる。5第2実施形態では、AlN層33から下部Mo層32が露出される以前に、N2ガスからプラズマを生成するようにしている。そのため、下部Mo層32には、上記SF6ガスから生成されたプラズマのようなN2ガス以外のガスから生成されたプラズマが供給されなくなる。それゆえに、AlN層33のエッチングに際して、下部Mo層32のエッチングがその全体において抑えられるようになる。6第2実施形態では、上部Mo層34とAlN層33の一部とが、一括してエッチングされる。そのため、AlN層33のエッチングの途中において、プラズマの生成に用いられるガスをSF6ガスからN2ガスに切り替えたとしても、処理基板Sのエッチングが煩雑になることを抑えられる。なお、上記実施形態は、以下のように適宜変更して実施することができる。バイアス用高周波電源RF1の出力周波数は、13.56MHzより小さくてもよい。こうした構成であっても、上記1、3~6に準じた効果を得ることができる。上部Mo層24,34に代えて、他の金属、例えば白金等から上部電極を形成するようにしてもよい。こうした構成であっても、上記1、2、4、5に準じた効果を得ることができる。また、上記他の金属にて上部電極を形成した場合にも、該上部電極のエッチングに、SF6ガスから生成されたプラズマを用いることが可能であれば、上記6に準じた効果を得ることもできる。第2実施形態では、SF6ガス以外のフッ素含有ガス、例えばF2ガス、CF4ガス、C3F8ガス、C4F8ガス、及びCHF3ガス等から生成されたプラズマをAlN層33のエッチングに用いるようにしてもよい。こうした構成であっても、上記1~3に準じた効果を得ることができる。第2実施形態では、SF6ガス以外のガス、例えばCl2ガス、BCl3ガス等、フッ素及び塩素の少なくとも一つが含まれるガスから生成されたプラズマを用いるようにしてもよい。要は、AlN層のエッチングレートが、N2ガスから生成されたプラズマよりも大きいガスから生成されたプラズマによってエッチングを行うようにすればよい。こうした構成であっても、上記1~3に準じた効果を得ることができる。第2実施形態では、下部Mo層32の一部が露出された後に、SF6ガスから生成されたプラズマから、N2ガスから生成されたプラズマに切り替えるようにしてもよい。こうした構成によっても、下部Mo層32の一部においては該下部Mo層32のエッチングが抑えられるようになることから、上記1~4、6に準じた効果を得ることができる。AlN層のエッチングにおける各種条件、例えば、N2ガスの流量、アンテナ用高周波電源RF2の出力周波数、アンテナ用高周波電源RF2の出力、バイアス用高周波電源RF1の出力周波数、バイアス用高周波電源RF1の出力、真空槽11内の圧力、及び処理基板Sの温度等は、上記以外の条件にて行うことができる。つまり、AlN層のエッチングが可能である範囲で、上記各種条件は適宜変更することができる。また、各種条件が変更されたとしても、AlN層のエッチングをN2ガスから生成されたプラズマによって行う限りは、上記1に準じた効果を得ることができる。下部Mo層22,32,42、AlN層23,33,43、及び上部Mo層24,34,44は、ガラス基板に代えてシリコン基板等の半導体基板上に積層されてもよい。第1実施形態及び第2実施形態では、上部Mo層24,34のエッチングとAlN層のエッチングとの間に、レジストマスクの形成を行うようにしてもよい。"