"天井部にマイクロ波を透過する誘電体窓を有すると共に、内部を気密に保つことが可能な処理容器と、前記処理容器の内部に設けられ、基板を載置する載置台と、前記処理容器の前記誘電体窓の上面に設けられ、前記処理容器の処理空間に多数のスロットを介してマイクロ波を導入するスロットアンテナと、所定の周波数のマイクロ波を発生するマイクロ波発生器と、前記マイクロ波発生器が発生するマイクロ波を前記スロットアンテナに導くマイクロ波導入路と、処理ガス源から供給される処理ガスを前記処理容器に導入する処理ガス導入手段と、前記処理容器内に導入された処理ガスを、前記載置台に載置された基板の上面より下方の排気口から排気する排気手段と、を備えるプラズマ処理装置において、前記処理ガス源は、共通ガスを供給するための共通ガス源と、添加ガスを供給するための添加ガス源と、を有し、前記処理ガス導入手段は、前記共通ガス源に接続される共通ガスラインと、前記共通ガスラインの途中に設けられ、前記共通ガスラインを二系統に分岐させると共に、二系統に分岐される前記共通ガスの流量の比率を調節可能なフロースプリッタと、二系統に分岐される分岐共通ガスラインの一方に接続され、前記共通ガスを前記載置台に載置される基板の中央部に供給するための中央導入口を有する中央導入部と、二系統に分岐される前記分岐共通ガスラインの他方に接続され、前記共通ガスを前記載置台に載置される基板の周辺部に供給するための、基板上方の周方向に配列される複数の周辺導入口を有する周辺導入部と、前記添加ガス源に接続されると共に、二系統に分岐される前記分岐共通ガスラインの少なくとも一方に前記添加ガスを添加する添加ガスラインと、前記添加ガスラインに設けられ、前記添加ガスの流量を調節する流量調節部と、を有し、前記中央導入口は、前記処理容器の前記誘電体窓の中央部に配置され、前記複数の周辺導入口は、前記処理容器の前記誘電体窓よりも下方にかつ前記載置台に載置された基板よりも上方に配置され、前記複数の周辺導入口が配置される領域のプラズマの電子温度は、前記中央導入口が配置される領域のプラズマの電子温度よりも低いことを特徴とするプラズマ処理装置。前記プラズマ処理装置はさらに、前記フロースプリッタが二系統に分岐させる前記共通ガスの流量の比率、及び前記流量調節部が調節する前記添加ガスの流量を制御する制御装置を備えることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記複数の周辺導入口は、前記誘電体窓に配置される前記中央導入口が基板に向かって噴射する処理ガスの流れの周囲に配置されると共に、前記中央導入口が噴射する処理ガスの流れに向かって処理ガスを噴射することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。前記共通ガス源は、前記共通ガスとして、プラズマ励起用ガスを含み、前記添加ガス源は、前記添加ガスとして、基板をエッチングするエッチング用ガスを含み、前記添加ガスラインは、前記二系統に分岐される分岐共通ガスラインのうち、前記複数の周辺導入口に前記共通ガスを供給する方の分岐共通ガスラインに、前記添加ガスを添加することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。天井部にプラズマを生成するためのマイクロ波を透過する誘電体窓を有すると共に、内部を気密に保つことが可能な処理容器に処理ガスを導入し、前記処理容器内に導入された処理ガスを載置台に載置された基板の上面より下方の排気口から排気し、前記処理容器の前記誘電体窓の上面に設けられるスロットアンテナの多数のスロットを介して前記処理容器の処理空間にプラズマを導入するプラズマ処理方法において、共通ガス源から供給される共通ガスをフロースプリッタによって二系統に分岐する工程と、二系統に分岐される前記共通ガスを、前記載置台に載置された基板の中央部に供給するための中央導入口を有する中央導入部、及び前記載置台に載置された基板の周辺部に供給するための、基板上方の周方向に配列される複数の周辺導入口を有する周辺導入部に導入する工程と、添加ガス源から供給される添加ガスを二系統に分岐される前記共通ガスの少なくとも一方に添加する工程と、を備え、前記中央導入口は、前記処理容器の前記誘電体窓の中央部に配置され、前記複数の周辺導入口は、前記処理容器の前記誘電体窓よりも下方にかつ前記載置台に載置された基板よりも上方に配置され、前記複数の周辺導入口が配置される領域のプラズマの電子温度は、前記中央導入口が配置される領域のプラズマの電子温度よりも低いことを特徴とするプラズマ処理方法。処理容器と、前記処理容器の上部に設けられ、処理空間を画成する誘電体窓と、前記処理容器の内部に設けられた載置台と、前記誘電体窓の上面に設けられたスロットアンテナと、マイクロ波発生器と前記スロットアンテナと接続するマイクロ波導入路と、前記処理容器の内部に連通した排気装置と、共通ガス源に接続される共通ガスラインと、前記共通ガスラインの途中に設けられ、前記共通ガスラインを、第1及び第2分岐共通ガスラインに分岐し、前記第1及び第2分岐共通ガスラインを流れるガスの流量の比率を調節可能なフロースプリッタと、前記第1分岐共通ガスラインに接続され、前記載置台に載置される基板の中央部の上方に位置する中央導入口を有する中央導入部と、前記第2分岐共通ガスラインに接続され前記基板上方の空間の周方向に沿って配列され、前記誘電体窓よりも下方に位置する複数の周辺導入口を有する周辺導入部と、添加ガス源と前記第1及び第2分岐共通ガスラインの少なくとも一方とを接続する添加ガスラインと、を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。近年、半導体デバイスの微細加工性能の向上や膜の多様化に伴い、エッチングガスの多様な解離制御、及び基板の面内均一性の制御の両立が要請されている。しかし、特許文献1に記載の平行平板型のプラズマエッチング装置にあっては、40mm以内の短距離に隔てられた上部電極と下部電極との間に生成されるプラズマを利用しており、プラズマの電子温度は上部電極から下部電極に至るまで高いまま維持され、しかも共通ガス及び添加ガスはいずれも上部電極に導入されるので、共通ガス及び添加ガスの解離を多様に制御することができないという課題がある。特許文献2に記載のラジアルラインスロットアンテナを使用したエッチング装置においては、基板の面内でのエッチングレートやエッチング形状等を一定にするのが困難であり、エッチング処理を基板の面内で均一に行なうことが課題となっている。そこで本発明は、処理ガスの解離状態を多様に制御することができると共に、基板処理の面内均一性も制御することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明の一態様は、天井部にマイクロ波を透過する誘電体窓を有すると共に、内部を気密に保つことが可能な処理容器と、前記処理容器の内部に設けられ、基板を載置する載置台と、前記処理容器の前記誘電体窓の上面に設けられ、前記処理容器の処理空間に多数のスロットを介してマイクロ波を導入するスロットアンテナと、所定の周波数のマイクロ波を発生するマイクロ波発生器と、前記マイクロ波発生器が発生するマイクロ波を前記スロットアンテナに導くマイクロ波導入路と、処理ガス源から供給される処理ガスを前記処理容器に導入する処理ガス導入手段と、前記処理容器内に導入された処理ガスを、前記載置台に載置された基板の上面より下方の排気口から排気する排気手段と、を備えるプラズマ処理装置において、前記処理ガス源は、共通ガスを供給するための共通ガス源と、添加ガスを供給するための添加ガス源と、を有し、前記処理ガス導入手段は、前記共通ガス源に接続される共通ガスラインと、前記共通ガスラインの途中に設けられ、前記共通ガスラインを二系統に分岐させると共に、二系統に分岐される前記共通ガスの流量の比率を調節可能なフロースプリッタと、二系統に分岐される分岐共通ガスラインの一方に接続され、前記共通ガスを前記載置台に載置される基板の中央部に供給するための中央導入口を有する中央導入部と、二系統に分岐される前記分岐共通ガスラインの他方に接続され、前記共通ガスを前記載置台に載置される基板の周辺部に供給するための、基板上方の周方向に配列される複数の周辺導入口を有する周辺導入部と、前記添加ガス源に接続されると共に、二系統に分岐される前記分岐共通ガスラインの少なくとも一方に前記添加ガスを添加する添加ガスラインと、前記添加ガスラインに設けられ、前記添加ガスの流量を調節する流量調節部と、を有し、前記中央導入口は、前記処理容器の前記誘電体窓の中央部に配置され、前記複数の周辺導入口は、前記処理容器の前記誘電体窓よりも下方にかつ前記載置台に載置された基板よりも上方に配置され、前記複数の周辺導入口が配置される領域のプラズマの電子温度は、前記中央導入口が配置される領域のプラズマの電子温度よりも低いことを特徴とする。本発明の他の態様は、天井部にプラズマを生成するためのマイクロ波を透過する誘電体窓を有すると共に、内部を気密に保つことが可能な処理容器に処理ガスを導入し、前記処理容器内に導入された処理ガスを載置台に載置された基板の上面より下方の排気口から排気し、前記処理容器の前記誘電体窓の上面に設けられるスロットアンテナの多数のスロットを介して前記処理容器の処理空間にプラズマを導入するプラズマ処理方法において、共通ガス源から供給される共通ガスをフロースプリッタによって二系統に分岐する工程と、二系統に分岐される前記共通ガスを、前記載置台に載置された基板の中央部に供給するための中央導入口を有する中央導入部、及び前記載置台に載置された基板の周辺部に供給するための、基板上方の周方向に配列される複数の周辺導入口を有する周辺導入部に導入する工程と、添加ガス源から供給される添加ガスを二系統に分岐される前記共通ガスの少なくとも一方に添加する工程と、を備え、前記中央導入口は、前記処理容器の前記誘電体窓の中央部に配置され、前記複数の周辺導入口は、前記処理容器の前記誘電体窓よりも下方にかつ前記載置台に載置された基板よりも上方に配置され、前記複数の周辺導入口が配置される領域のプラズマの電子温度は、前記中央導入口が配置される領域のプラズマの電子温度よりも低いことを特徴とする。本発明によれば、基板の中央部に処理ガスを供給する中央導入口、及び基板の周辺部に処理ガスを供給する複数の周辺導入口に二系統に分岐させた共通ガスを導入し、二系統に分岐させた共通ガスの少なくとも一方に添加ガスを添加するので、基板処理の面内均一性を制御することができる。しかも、中央導入口がプラズマの電子温度が高い領域に配置され、複数の周辺導入口がプラズマの電子温度が低い領域に配置されるので、処理ガスの解離も多様に制御することができる。プラズマ処理装置の構造以下添付図面に基づいて本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。本明細書及び図面において実質的に同一の構成要素については同一の符号を付す。図1に示すように、プラズマ処理装置1は、円筒形状の処理容器2を備える。処理容器2の天井部は誘電体からなる誘電体窓天板16で塞がれる。処理容器2は、例えばアルミニウムからなり、電気的に接地される。処理容器2の内壁面は、アルミナなどの絶縁性の保護膜2fで被覆されている。処理容器2の底部の中央には、基板としての半導体ウェハ以下ウェハというWを載置するための載置台3が設けられる。載置台3の上面にウェハWが保持される。載置台3は、例えばアルミナや窒化アルミナ等のセラミック材からなる。載置台3の内部には、ヒータ5が埋め込まれ、ウェハWを所定温度に加熱できるようになっている。ヒータ5は、支柱内に配された配線を介してヒータ電源4に接続される。載置台3の上面には、載置台3に載置されるウェハWを静電吸着する静電チャックCKが設けられる。静電チャックCKには、整合器MGを介してバイアス用の高周波電力を印加するバイアス用高周波電源HFQが接続される。処理容器2の底部には、載置台3に載置されるウェハWの表面よりも下方の排気口11aから処理ガスを排気する排気管11が設けられる。排気管11には、圧力制御弁PCV、真空ポンプ10が接続される。圧力制御弁PCV及び真空ポンプ10によって、処理容器2内の圧力が所定の圧力に調節される。これら、排気管11、圧力制御弁PCV及び真空ポンプ排気装置10が排気手段を構成する。すなわち、排気装置10は、圧力制御弁PCVを介して、処理容器2の内部に連通している。処理容器2の天井部には気密性を確保するためのOリングなどのシール15を介して誘電体窓16が設けられる。誘電体窓16は、例えば、石英、アルミナAl2O3、あるいは窒化アルミニウムAlNなどの誘電体からなり、マイクロ波に対して透過性を有する。誘電体窓16の上面には、円板形状のスロットアンテナ20が設けられる。スロットアンテナ20は、導電性を有する材質、例えばAg,Au等でメッキやコーティングされた銅からなる。スロットアンテナ20には、例えば複数のT字形状のスロット21が同心円状に配列されている。スロットアンテナ20の上面には、マイクロ波の波長を圧縮するための誘電体板25が配置される。誘電体板25は、例えば、石英SiO2、アルミナAl2O3、あるいは窒化アルミニウムAlNなどの誘電体からなる。誘電体板25は導電性のカバー26で覆われる。カバー26には円環状の熱媒流路27が設けられる。この熱媒流路27を流れる熱媒によってカバー26及び誘電体板25が所定の温度に調節される。2.45GHzの波長のマイクロ波を例にとると、真空中の波長は約12cmであり、アルミナ製の誘電体窓16中での波長は約3~4cmとなる。カバー26の中央には、マイクロ波を伝播する同軸導波管30が接続される。同軸導波管30は、内側導体31と外側導体32から構成される、内側導体31は、誘電体板25の中央を貫通してスロットアンテナ20の中央に接続される。同軸導波管30には、モード変換器37及び矩形導波管36を介してマイクロ波発生器35が接続される。マイクロ波は、2.45GHzの他、860MHz,915MHzや8.35GHzなどのマイクロ波を用いることができる。マイクロ波発生器35が発生したマイクロ波は、マイクロ波導入路としての、矩形導波管36、モード変換器37、同軸導波管30、及び誘電体板25に伝播する。誘電体板25に伝播したマイクロ波はスロットアンテナ20の多数のスロット21から誘電体窓16を介して処理容器2内に供給される。マイクロ波によって誘電体窓16の下方に電界が形成され、処理容器2内の処理ガスがプラズマ化する。スロットアンテナ20に接続される内側導体31の下端は円錐台形状に形成される。これにより、同軸導波管30から誘電体板25及びスロットアンテナ20にマイクロ波が効率よく損失なく伝播される。ラジアルラインスロットアンテナによって生成されたマイクロ波プラズマの特徴は、誘電体窓16直下プラズマ励起領域と呼ばれるで生成された比較的電子温度の高い数eVのプラズマが拡散し、ウェハW直上拡散プラズマ領域では約1~2eV程度の低い電子温度のプラズマとなることにある。すなわち、平行平板等のプラズマとは異なり、プラズマの電子温度の分布が誘電体窓16からの距離の関数として明確に生ずることに特徴がある。より詳細には、図3に示したとおり、誘電体窓16直下からの距離Zの関数として、誘電体窓16直下での数eV~約10eVの電子温度が、ウェハW上では約1~2eV程度に減衰する。ウェハWの処理はプラズマの電子温度の低い領域拡散プラズマ領域で行なわれるため、ウェハWへリセス等の大きなダメージを与えることがない。プラズマの電子温度の高い領域プラズマ励起領域へ処理ガスが供給されると、処理ガスは容易に励起され、解離される。一方、プラズマの電子温度の低い領域プラズマ拡散領域へ処理ガスが供給されると、プラズマ励起領域近傍へ供給された場合に比べ、解離の程度は抑えられる。処理容器2の天井部の誘電体窓16中央には、ウェハWの中心部に処理ガスを導入する中央導入部55が設けられる。同軸導波管30の内側導体31には、処理ガスの供給路52が形成される。中央導入部55は供給路52に接続される。中央導入部55は、誘電体窓16の中央に設けられた円筒形状の空間部59に嵌め込まれる円柱形状のブロック57と、同軸導波管30の内側導体31の下面とブロック57の上面との間に適当な間隔を持って空けられたガス溜め部60と、から構成される。ブロック57は、例えばアルミニウムなどの導電性材料からなり、電気的に接地されている。ブロック57には上下方向に貫通する複数の中央導入口58図2参照が形成される。中央導入口58の平面形状は、必要なコンダクタンス等を考慮して真円又は長孔に形成される。アルミニウム製のブロック57は、陽極酸化被膜アルミナAl2O3、イットリアY2O3等でコーティングされる。内側導体31を貫通する供給路52からガス溜め部60に供給された処理ガスは、ガス溜め部60内を拡散した後、ブロック57の複数の中央導入口58から下方にかつウェハWの中心部に向かって噴射される。処理容器2の内部には、ウェハWの上方の周辺を囲むように、ウェハWの周辺部に処理ガスを供給するリング形状の周辺導入部61が配置される。周辺導入部61は、天井部に配置される中央導入口58よりも下方であって、かつ載置台に載置されたウェハWよりも上方に配置される。周辺導入部61は中空のパイプを環状にしたものであり、その内周側には周方向に一定の間隔を空けて複数の周辺導入口62が空けられる。周辺導入口62は、周辺導入部61の中心に向かって処理ガスを噴射する。周辺導入部61は、例えば、石英からなる。処理容器2の側面には、ステンレス製の供給路53が貫通する。供給路53は周辺導入部61に接続される。供給路53から周辺導入部61の内部に供給された処理ガスは、周辺導入部61の内部の空間を拡散した後、複数の周辺導入口62から周辺導入部61の内側に向かって噴射される。複数の周辺導入口62から噴射された処理ガスはウェハWの周辺上部に供給される。なお、リング形状の周辺導入部61を設ける替わりに、処理容器2の内側面に複数の周辺導入口62を形成してもよい。処理容器2内に処理ガスを供給する処理ガス源は、共通ガス源41及び添加ガス源42から構成される。共通ガス源41及び添加ガス源42は、プラズマエッチング処理、プラズマCVD処理に応じた処理ガスを供給する。例えばPoly-Si等のシリコン系の膜をエッチングするときは、Arガス、HBrガス又はCl2ガス、O2ガスを供給し、SiO2等の酸化膜をエッチングするときはArガス、CHF系ガス、CF系ガス、O2ガスを供給し、SiN等の窒化膜をエッチングするときはArガス、CF系ガス、CHF系ガス、O2ガスを供給する。なお、CHF系ガスとしてはCH3CH23CH2F、CH3CH24CH2F、CH3CH27CH2F、CHCH3F2、CHF3、CH3F及びCH2F2などを挙げることができる。CF系ガスとしては、CCF34、CC2F54、C4F8、C2F2、及びC5F8などを挙げることができる。共通ガス源41と添加ガス源42で同じ種類のガスを供給してもよいし、共通ガス源41と添加ガス源42とで違う種類のガスを供給してもよい。後述するようにエッチングガスの解離を抑制するためには、共通ガス源41からプラズマ励起用ガスを供給し、添加ガス源42からエッチングガスを供給してもよい。例えば、シリコン系の膜をエッチングするときは、共通ガス源41からプラズマ励起用ガスとしてArガスのみを供給し、添加ガス源42からエッチングガスとしてHBrガス、O2ガスのみを供給する等である。共通ガス源41はさらに、O2、SF6等のクリーニングガスその他の共通ガスを供給する。共通ガス源41が供給する共通ガスは、後述するフロースプリッタ44によって二系統に分けられる。共通ガス源41を設けることで、添加ガス源42に共通ガス源を設ける必要がなくなり、ガスラインを簡素化することができる。共通ガス源41には、各ガスの流量を制御する流量制御バルブ41a,41b,41cが設けられる。また、流量を制御するための制御装置49が、流量制御バルブ41a,41b,41c、フロースプリッタ44及び流量制御バルブ42a,42b,42cに接続される。複数の流量制御バルブ41a,41b,41cは複数本の共通ガスライン45に接続される。ガスを混合するために、複数本の共通ガスライン45は一本にまとめられ、フロースプリッタ44の上流側に接続される。複数の流量制御バルブ41a,41b,41cは、制御装置49によって制御される。制御装置49は各ガスの流量を調節し、フロースプリッタ44に供給される共通ガスのガス種毎の流量分圧を決定する。共通ガス源から供給される共通ガスは混合された後、共通ガスラインの途中に設けられるフロースプリッタ44に導入される。フロースプリッタ44は、共通ガスを二系統に分ける。フロースプリッタ44の下流側には、二系統の分岐共通ガスライン46,47が設けられる。二系統の分岐共通ガスラインの一方46は、処理容器2の天井部の中央導入口58に接続され、他方47は処理容器2の内部の周辺導入部61に接続される。フロースプリッタ44は、二系統に分けられる共通ガスの分岐比率、すなわち分岐共通ガスラインの一方46の流量と他方47の流量の比を調節する。フロースプリッタ44は制御装置49によって制御され、制御装置49が共通ガスの分岐比率を決定する。ここで、均一なプラズマの生成、面内均一なウェハWの処理を目的とし、フロースプリッタ44によって共通ガスの分岐比率を調節し、中央導入口58及び周辺導入部61からのガス導入量を調節する技術をRDCRadialDistributionControlと呼ぶ。RDCは、中央導入口58からのガス導入量と周辺導入部61からのガス導入量との比により表わされる。中央導入部55及び周辺導入部61に導入するガス種が共通である場合が、一般的なRDCである。最適なRDC値は、エッチング対象の膜種や種々の条件により実験的に決定される。エッチング処理では、エッチングに従い副生成物エッチングされたかすや堆積物が生成する。そのため、処理容器2内でのガス流れを改善し、副生成物の処理容器外への排出を促進するため、中央導入部55からのガス導入と周辺導入部61からのガス導入とを交互に行うことが検討されている。これは、RDC値を時間的に切り替えることにより実現可能である。例えば、ウェハWの中心部分に多くのガスを導入するステップと、周辺部に多くのガスを導入するステップを所定周期で繰り返し、気流を調節することによって、処理容器2から副生成物を掃き出すことにより均一なエッチングレートを達成しようとするものである。添加ガス源42には、各ガスの流量を制御する流量制御バルブ42a,42b,42cが設けられる。複数の流量制御バルブ42a,42b,42cは複数本の添加ガスライン48に接続される。ガスを混合するために、複数本の添加ガスライン48は一本にまとめられる。そして、添加ガスライン48はフロースプリッタ44の下流側の、分岐共通ガスラインの他方47に接続される。制御装置49は添加ガス源42の各ガスの流量を制御し、分岐共通ガスラインの他方47に添加される添加ガスのガス種毎の分圧を制御する。なお、この実施形態では、添加ガスラインは周辺導入部61に接続される分岐共通ガスラインの他方47に接続されているが、これとは反対に、分岐共通ガスラインの一方46に接続されてもよい。本実施形態のプラズマ処理装置1によれば、フロースプリッタ44から二系統に分岐する分岐共通ガスラインのうちの他方47に添加ガスラインを接続し、当該他方に添加ガスを添加するので、二系統の分岐共通ガスライン46,47間でガス種毎の分圧やガス種自体を任意に変化させることができる。ウェハWの中心部分と周辺部分とで、導入される処理ガスのガス種毎の分圧やガス種自体を変化させることができるので、プラズマ処理の特性を多様に変化させることがきる。プラズマ処理装置1を使用したエッチングの一例以上のように構成されたプラズマ処理装置1を使用したプラズマ処理の一例として、HBrを含む処理ガスを使用して、ウェハWの上面のPoly-Si膜をエッチングする例を説明する。図1に示すように、まずウェハWが処理容器2内に搬入され、載置台3上に載置され静電チャックCK上に吸着される。静電チャックCKには、直流電流及び/又は、高周波電源HFQから整合器MGを介して高周波電圧が印加される。圧力制御弁PCVがコントローラCONTにより制御され、排気管11から排気が行われて処理容器2内が減圧される。コントローラCONTは、圧力制御弁PCVの他、流量の制御装置49、高周波電源HFQ、ヒータ電源4、及びマイクロ波発生器35などの要素を制御している。なお、コントローラCONTは、制御装置49へ流量の制御指示を出力している。次に、共通ガス源41からArガスからなる共通ガスがフロースプリッタ44に供給される。フロースプリッタ44に供給されるArガスの圧力は制御装置49によって決定される。これと同時に、添加ガス源42からHBrガス、O2ガスを含む添加ガスを分岐共通ガスラインの他方47に供給する。分岐共通ガスラインの他方47に添加されるHBrガス及びO2ガスの分圧は制御装置49によって制御される。フロースプリッタ44はArガスからなる共通ガスを二系統に分ける。フロースプリッタ44の分岐比率は制御装置49によって決定される。フロースプリッタ44によって二系統に分けられた共通ガスのうちの一系統は、分岐共通ガスラインの一方46を介して処理容器2の天井部の中央導入口58に導入される。そして、中央導入口58から処理容器1内へ導入される。二系統に分けられた共通ガスのうちの他方の系統は、分岐共通ガスラインの他方47を介して、処理容器2の内部の周辺導入部61に導入される。分岐共通ガスラインの他方47には、HBrガス、O2ガスを含む添加ガスが添加されている。このため、周辺導入部61には、共通ガスと添加ガスの混合ガスであるArガス、HBrガス、O2ガスが供給される。混合ガスは周辺導入部61から処理容器2内へ供給される。マイクロ波発生器35を作動させると、まず、Arガスがマイクロ波により励起され、Arプラズマが生成される。次に、ArプラズマによりHBrガス、O2ガスが励起され、生成したラジカル、イオンによって、Poly-Si膜がエッチングされる。所定時間エッチング処理が行われた後、マイクロ波発生器35の作動と処理容器2内への処理ガスの供給が停止される。その後、ウェハWが処理容器2から搬出されて一連のプラズマエッチング処理が終了する。ロット単位でウェハWのプラズマエッチングが終了したときには、共通ガス源41から処理容器2内にO2ガス等のクリーニングガスが供給され、処理容器2の内部がクリーニングされる。エッチングガスの最適な解離状態を実現するための対策微細パターンのエッチングは、被エッチング膜の側壁を保護堆積しつつ、エッチング種によりエッチングを行なう必要がある。特に選択比を要するエッチングにおいては、堆積によるエッチングマスクの保護と、エッチングのバランスを保ってエッチングすることが重要となる。エッチングガスの過剰解離を抑制し、エッチングに必要なイオン種、ラジカル種をエッチングガスの解離をコントロールして作り出す必要がある。本発明に係るプラズマ処理装置1においては、プラズマ処理空間が広く、プラズマの電子温度が誘電体窓16からの距離により減衰することを特徴とするため、エッチングガスを導入する位置によって、エッチングガスが解離する状態を変えることができる。誘電体窓16直下にエッチングガスを導入すれば、プラズマの電子温度が高いので、エッチングガスの解離は進みやすくなる。その一方、誘電体窓16から比較的遠い位置にエッチングガスを導入すると、プラズマの電子温度が低いので、エッチングガスの解離を低度に抑えられる。よって、所望のエッチングガスの解離状態を得ようとするとき、誘電体窓16直下に供給するガスの量と、誘電体窓16から遠い位置へ供給するガスの量を調節することにより容易に解離状態をコントロールすることができる。前述の通り、ラジアルラインスロットアンテナによりマイクロ波プラズマを発生させれば、ウェハWを処理する領域に低電子温度かつ高密度のプラズマ1012cm-3程度を均一に生成できる。すなわち、誘電体窓16の直下の発生領域でのプラズマは高密度で電子温度も比較的高いが、プラズマは下方のウェハWの処理を行う領域に拡散し、電子温度も低下する。当該プラズマは、発生領域のプラズマが高密度であるため、拡散領域においても十分に高密度が維持される。これらのことより、具体的には、過剰解離を抑制したエッチング種ラジカルを生成するためには、マイクロ波プラズマの拡散領域にエッチングガスを多く供給すればよいことになる。本実施形態においては、プラズマの拡散領域には周辺導入部61が配置されるので、周辺導入部61にエッチングガスを供給すれば解離を抑制することができる。つまり、プラズマ処理中に共通ガス源41からプラズマ励起用ガスとしてのArガスを供給し、添加ガス源42からエッチングガスとしてのHBrガス及びO2ガスを供給すれば、エッチングガスの解離を抑制することができる。さらに、誘電体窓16に配置される中央導入口58がウェハWに向かって噴射する処理ガスの流れの周囲に複数の周辺導入口62を配置すると共に、複数の周辺導入口62が、中央導入口58が噴射する処理ガスの流れに向かって処理ガスを噴射する構成としたことで、ウェハWの表面に達したプラズマおよびエッチングガスをウェハWの中央部において制御すること、及びウェハWの周辺部において制御することを、独立して制御することが可能となるので、エッチングレートの面内均一性制御に優れた効果をもたらす。さらに、エッチングガスの選択、ウェハW上の対象デバイスや対象膜例えばポリシリコン膜、酸化膜、窒化膜等の組み合わせに応じて、誘電体窓16近傍の中央導入口58からのガス供給とウェハW近くの周辺導入部61からのガス供給量比率を組み合わせて決定することで、最適な均一性制御が可能になる。マイクロ波プラズマは、生成場所の誘電体窓16近傍では電子温度が高いが、生成場所から離れると急速に拡散して電子温度が低くなる。このためウェハWの被処理表面では、ウェハWを傷めないエッチングが可能となる。リング状の周辺導入部61は、プラズマの下方方向へのプラズマの拡散の通路として、中央部が大きく開口しており、プラズマはウェハWの被処理表面に向かって下降してゆく。周辺導入部61には複数の周辺導入口62がプラズマの拡散の通路に対して直交する方向に設けられており、エッチングガスとして、HBr、O2等が噴射される。プラズマの電子温度が低いため、複数の周辺導入口62から供給されたエッチングガスは、低い解離のままウェハW表面に達する。例えばポリシリコン膜に対して、イオンエネルギーとしては小さいが、エッチングの化学反応の促進には好適なイオンとして作用し、例えばポリシリコン膜のエッチング形状を側壁の直角を維持した状態でホールを形成する反応を引き起こす。さらに、ウェハWの中央部に対向した中央導入口58からもエッチングガスを追加して供給し、ウェハWの周辺部に対向した複数の周辺導入口62からエッチングガスを供給して両者の供給量と比率を選択することで、ウェハWの面内におけるエッチングレートエッチング速度の均一性を望むように制御することができる。エッチングガスを周辺導入部61から供給することで、以下の装置的なメリットもある。すなわち、HBr等のエッチングガスは腐食性ガスであり、アルミニウムを腐食させる。中央導入口58のブロック57はアルミニウム製なので、たとえ表面を陽極酸化膜で被覆したとしても腐食するおそれがある。周辺導入部61は石英等の非腐食性材料からなるので、周辺導入部61にエッチングガスを流しても腐食するおそれはない。また、シリコン酸化膜等をエッチングする場合、エッチングガスとしてCF系又はCHF系のガス例えば、堆積性のCH2F2を使用する。誘電体窓16を貫通して設けられた中央導入口58からCF系のガスを導入すると、高い電子温度のプラズマによって生成したラジカルや電子が中央導入口58を逆流し、ガスが処理室内に導入される前にCF系のガスを解離させ、中央導入口58に反応生成物が堆積することにより、中央導入口58が詰まるおそれがある。プラズマの電子温度が低い位置の周辺導入部61からCF系のガスを処理室内に導入することで、高い電子温度のプラズマによって生成したラジカル等によるガスの解離を抑制し、中央導入口58に反応生成物が付着するのを防止することができる。なお、上記には本発明の好ましい一実施形態を示したが、本発明は上記実施形態に限られることはなく、本発明の要旨を変更しない範囲で様々に変更可能である。例えば、本発明のエッチング装置で処理される基板は、半導体ウェハW、有機EL基板、FDPフラットパネルディスプレイ用の基板のいずれでもよい。処理容器2の誘電体窓16からマイクロ波を導入し、処理容器内にマイクロ波励起プラズマを生成することができれば、プラズマソースはラジアルラインスロットアンテナに限られることはない。実施例図4に示すように、添加ガス源42から、添加ガスとしてHBrガス、CH2F2ガス又はCHF3ガス、Arガス、及びO2ガスを供給できるようにした。なお、同図では説明の明確化のため、図1に示した静電チャックなどの詳細な構成の記載は省略してある。ガスボックスには各ガスの流量を制御する流量調節部としての流量制御バルブ42a~42dを設けられ、それぞれのガスの流量が、それぞれの流量制御バルブ42a~42dによって制御される。各流量制御バルブ42a~42dは、図1に示した制御装置49により制御される。なお、共通ガス源41にも、複数の異なる種類のガス種の流量を、それぞれ制御可能な流量調節部としての複数の流量制御バルブ41a、41b、41c、41xが設けられており、これらも図1に示した制御装置49により制御される。共通ガス源41から共通ガスとして、HBrガス、CH2F2ガス又はCHF3ガス、Arガス、O2ガス、及びクリーニングガスその他の共通ガスを供給できるようにした。ガス種は、エッチング対象となる膜種に応じて選択される。例えば、Poly-SiをエッチングするときはArガス、HBrガス、O2ガスが選択され、SiO2膜をエッチングするときはArガス、CHF系ガス、O2ガスが選択される。共通ガスをフロースプリッタ44によって二系統に分け、一系統の処理ガスを処理容器2の天井部の中央導入口58から処理容器2の内部に導入でき、残りの一系統の処理ガスを処理容器2の周辺導入部61から導入できるようにした。Poly-Siのエッチングの実施例1共通ガスとしてArガスを使用し、添加ガスとしてHBr/O2を使用し、ウェハW上のPoly-Siをエッチングした。共通ガスライン45にはArガスのみを流した。Arガスをフロースプリッタ44で二系統に分け、中央導入口58及び周辺導入部61から処理容器2内にArガスを導入した。Arガスの導入量比以下、RDCというは以下の表1のとおりである。ここで、RDCは、中央導入口58からのガス導入量と、周辺導入部61からのガス導入量との比で表される。この実施例1では、RDCを17:93,250:50,380:20の三パターンに変化させた。それぞれのRDCのパターン毎、分岐共通ガスラインにHBr及びO2を添加した。ここで、MWとはマイクロ波のパワー、RFとはウェハに印加するバイアスのパワー、圧力とは処理容器2内の圧力を示す。Poly-Siのエッチングの比較例1添加ガス源42から処理ガスを添加しない比較例を行った。添加ガス源42からHBr及びO2を添加することなく、共通ガス源41のみからAr/HBr/O2を供給した。この比較例1において、RDCを17:93,250:50の二パターンに変化させた。表2は比較例1の処理条件を示す。図5は、実施例1及び比較例1で、ウェハWのX軸方向のエッチングレートを比較したグラフである。縦軸はエッチングレートPolyE/Rを示し、横軸はウェハWの中心部からの距離Xmmを示している。グラフ中の線が平らな直線に近ければ近いほど、エッチングレートの面内均一性が高いことになる。比較例1では、RDC50のときつまり中央導入口中心部から導入されるガス導入量を50、周辺導入部エッジから導入されるガス導入量を50の場合、ウェハWの周辺部のエッチングレートが中心部のエッチングレートよりも低く、均一性を確保しにくかった。また、RDCを7:93に設定したときウェハWの中心部に導入されるガス導入量を7にしたとき、ウェハWの中心部のエッチングレートが低下した。これに対して、実施例1では、RDCを変化させることで、エッチングレートの均一性の分布が、中央が凹んだものから中央が膨らんだものまで多様に変化させることができた。ウェハWの周辺部にHBr及びO2を供給することで、ウェハWの周辺部が中心部よりもエッチングされる傾向を強くすることができるからだと推測される。例えば、RDCを7:93に設定すると、ウェハWの中心部のエッチングレートを低くすることができる。RDCを50:50に設定すると、エッチングレートの分布をフラットにすることができる。特にRDC7で比較例と比べると、中心部のエッチングレートをより大きく変化させることができる。図6は、比較例1、実施例1及び実施例2における均一性を評価したグラフである。横軸がRDCの比の最初の値ウェハWの中心部に導入されるガス導入量の比率であり、縦軸が不均一性nonuniformityである。縦軸のプラスの値が大きければ大きいほど、ウェハWの中心部のエッチングレートが高くなる傾向にあることを意味し、縦軸のマイナスの値が小さければ小さいほど絶対値が大きければ大きいほど、ウェハWの周辺部のエッチングレートが高くなる傾向にあることを意味する。比較例1では、RDCが12~13のときに不均一性縦軸が0になる言い換えれば最も均一になる。しかし、RDCが12~13を超えると、不均一性が正の値になるつまりウェハWの周辺部にくらべ、中心部のエッチングレートが大きくなる。これに対して、実施例1では、臭化水素HBrと酸素3sccmをエッジから導入し、RDCが35~36のときに、縦軸の不均一性が0になる言い換えれば最も均一になる。不均一性が0になるときのRDCの値が大きくなり、50に近づくと、不均一性が大きくなる。さらに、導入する酸素量を増加させ、6sccmとする実施例2とすると、均一性が良くなるRDCの値が約55となる。以上から、アルゴンと酸素3sccmと臭化水素HBr580sccmをすべて混合し、RDC値を変化させる場合に比べ、臭化水素HBrと酸素ガスをエッジから添加ガスとして別に添加して導入することによって、均一性を得ることができるRDC値を大きく移動させることが可能となる。特に酸素量を増加させると、均一性が最も良くなるRDC値がグラフの右方向に移動するので、酸素の流量比が処理に大きな影響を与えることがわかる。また、RDCの変化に対して不均一性の値が正と負とにバランスよく分布するので、ウェハWの周辺部がエッチングされる傾向を比較例1よりも強めることができることがわかる。図6中の実施例2は、O2の添加量を実施例1の二倍にしたときのデータを示す。O2の添加量を二倍にすると、不均一性が0になるときのRDCをさらに上げることができる。ただし、RDCの変化に対して不均一性の変化の割合が急峻になることに留意する必要がある。すなわち、実施例1において酸素を3sccm添加した場合と、実施例2のように6sccm添加した場合とを比較すると、RDCの変化量に対する不均一性の変化量つまり傾きが変化する。酸素を6sccm加えたときのほうが、より敏感に不均一性に影響するということがわかる。言い換えれば、6sccmの酸素を加えるとき、均一性を担保できるRDC値の幅は非常に狭い範囲にある。一方、酸素を3sccm加えた場合には、均一性を担保できるRDC値の幅は広くよりロバストであるといえる。処理容器内へ導入される総エッチングガスの流量が等しい場合であっても、このようにRDC値に変化が生じるのは、処理装置内へ供給したガスの解離状態の違いによるものと考えることができる。エッチング処理を多数のウェハに対して連続的に行うと、処理容器2内にエッチング堆積物が堆積すること等により処理容器内の状態が経時的に変化し、ウェハ間でエッチング処理にばらつきが生じる。本発明は、経時変化によるウェハの処理の不均一を抑制するのにも有効に用いられる。具体的にはウェハのエッチングの均一性を所定枚数おきに検査して、エッチングガスの組成を変化させたり、RDC値を最適値にフィードバックして調整しやすくなることができる。エッチング処理後のウェハを光学的な手法を用い、例えば25枚おきにエッチング形状エッチング深さ等を検査し、面内のエッチング均一性を算出し、その値が基準範囲内であるかどうか判定する。その値が基準値範囲内でないとき、RDCの値を微調整する。具体的には、不均一性が正の場合は、RDC値を下げる、負の場合は、RDC値を上げるというふうに調整することができる。図6において、比較例1に示す場合よりも実施例に係る構成のほうが、RDC値を変化させることができる幅が大きく、いわゆる調整しろが大きく、制御性が高いということができる。さらに、図6に示したようなデータをそれぞれの酸素量について、記憶装置を含むコントローラCONT内に蓄積しておき、各流量制御バルブを流れる流量を調整することで、上述のようにRDC値を制御するよう、自動的にフィードバック制御することも可能である。図6に示すように、ウェハWの中央部に対向した中央導入口58から供給するガスよりも、よりウェハWに近い位置でかつウェハWの周辺部に対向してガスを供給する周辺導入口62からのガス供給量のほうを相対的に増加させることで、ウェハWの表面全体のエッチングレートの均一性を、両者のガスの供給量の比率を同じ割合で変化させたときよりも、より大きなエッチングレートの変化が得られる。Poly-Siのエッチングの実施例3上記実施例1では、図4に示すように、周辺導入部61に接続される分岐共通ガスライン47にHBr及びO2を添加した。これに対し、実施例3では、中央導入口58に接続される分岐共通ガスライン46に添加ガスを添加した。すなわち、図4における添加ガスライン48に換えて、これを添加ガスライン48’点線で示すとし、添加ガスライン48’を分岐共通ガスライン46に接続した。共通ガスライン45内を流れる共通ガスとして、Ar/HBr/O2を使用し、添加ガスライン48’内を流れる添加ガスとしてO2を使用した。表3に処理条件を示す。図7は、O2を添加した実施例3におけるウェハWのX軸方向のエッチングレートを、RDCを7:93に設定した比較例1のエッチングレートと共に示したグラフであり、縦軸はエッチングレートPolyE/Rを示し、横軸はウェハWの中心部からの距離Xmmを示している。実施例3のように、O2ガスを中央導入口58に添加すると、周辺導入部61に添加する場合に比べて、ウェハWの中心部のエッチングレートが局所的に減少することがわかる。エッチングレートの分布を広い範囲で均一に制御したい場合には、実施例1のように周辺導入部61にエッチングガスを添加することが有効と考えられる。実施例3と実施例1とを比べるとエッチングレートは同様の挙動を示した。なお、装置構成としては、双方の添加ガスライン48,48’を用いる構造を採用することもできる。STIShallowTrenchIsolation形成用のエッチングの実施例4実施例4では、実施例1と同じ装置構成であって、ガス流量比などの条件を以下の表4に示す条件とし、エッチング対象物をシリコン基板とし、STI形成用のシリコンエッチングを行った。ウェハWの中心部及び周辺部それぞれにパターンが密につまっている部分Denseとパターンが疎の部分Isolatedのあるサンプルに対しエッチングを行なった。図8はシリコン基板上に形成したパターンの断面写真を示す図であり、上記密につまっている部分をDenseとして示し、疎の部分をIsoとして示している。パターンの幅、テーパ角、トレンチの深さを測定したところ、ウェハWの中心部と周辺部とでその差は要求される値に収まるものであり、またパターンの密と疎とでもその差は要求される値に収まるものであった。なお、RDC値は、被エッチング膜とその下地膜とのエッチング選択比を考慮し適宜調節が可能である。例えば、下地膜が酸化膜であり、酸素が含まれるプラズマを用いてエッチングする際には、下地膜とのエッチング選択性が高く形状制御性がよいエッチングが可能であるので、均一性の高いエッチングに必要なRDC値の幅をより広くとることが可能である。以上説明したように、上述のプラズマ処理装置は、処理容器2と、処理容器2の上部に設けられ、処理空間を画成する誘電体窓16と、処理容器2の内部に設けられた載置台3と、誘電体窓16の上面に設けられたスロットアンテナ20と、マイクロ波発生器35とスロットアンテナ20と接続するマイクロ波導入路36、37、30と、処理容器2の内部に連通した排気装置10と、希ガスなどのプラズマ励起用ガスを含む共通ガス源41に接続される共通ガスライン45と、共通ガスライン45の途中に設けられ、共通ガスライン45を、第1及び第2分岐共通ガスライン46,47に分岐し、第1及び第2分岐共通ガスライン46,47を流れるガスの流量の比率を調節可能なフロースプリッタ44と、第1分岐共通ガスライン46に接続され、載置台3に載置される基板Wの中央部の上方に位置する中央導入口58を有する中央導入部55と、第2分岐共通ガスライン47に接続され基板Wの上方の空間の周方向に沿って配列され、誘電体窓16よりも下方に位置する複数の周辺導入口62を有する周辺導入部61と、エッチングガスなどを含む添加ガス源42と第1及び第2分岐共通ガスライン46,47の少なくとも一方とを接続する添加ガスラインとを備えている。この装置によれば、処理ガスの解離状態を多様に制御することができると共に、基板処理の面内均一性も制御することができる。"