外表面を有するダイと、前記外表面に一体的に形成され、パッケージからの熱を分散するためにそこから外側に延長するフィンと、を備える、電気パッケージ。前記フィンが、導体材料で形成される、請求項1に記載の電気パッケージ。前記フィンが、円筒形、正方形又は長方形の断面を有する、請求項1に記載の電気パッケージ。前記フィンが、複数のフィンを含む、請求項1に記載の電気パッケージ。前記複数のフィンの間に画定されるチャネルをさらに備える、請求項4に記載の電気パッケージ。前記複数のフィンが、前記ダイの外表面を実質的に占める、請求項4に記載の電気パッケージ。前記複数のフィンの各々の断面が、前記外表面の形状と実質的に同様である、請求項4に記載の電気パッケージ。前記フィンが、約3:1から約10:1の間のアスペクト比を有する、請求項1に記載の電気パッケージ。前記ダイに形成されるビアをさらに備える、請求項1に記載の電気パッケージ。前記外表面が、周囲環境に曝される、請求項1に記載の電気パッケージ。各々が外表面を有する複数のダイと、前記少なくとも1つのダイの表面から外側に延長する複数のフィンと、をさらに備える電気パッケージであって、前記複数のダイが、連結され、前記パッケージ内に積層される、電気パッケージ。前記複数のフィンが、前記少なくとも1つのダイの外表面に一体的に形成される、請求項11に記載の電気パッケージ。前記複数のフィンが、上部ダイ及び下部ダイを備え、前記上部ダイが、複数のマイクロバンプによって前記下部ダイに連結される、請求項11に記載の電気パッケージ。前記複数のフィンが、前記上部ダイの表面及び前記下部ダイの表面の一部から外側に延長する、請求項13に記載の電気パッケージ。前記複数のダイが、少なくとも1つの中間ダイを含み、前記中間ダイの背面が、前記上部ダイに連結するための複数のマイクロバンプを備え、前記中間ダイの前面が、前記下部ダイに連結するための複数のマイクロバンプを備える、請求項13に記載の電気パッケージ。前記少なくとも1つの中間ダイの背面の一部が、そこから外側に延長する複数のフィンを備える、請求項15に記載の電気パッケージ。ウエハにダイを組み立てる段階と、前記ダイの表面にピラーフィンの断面形状を形成する段階と、前記ダイの表面にピラーフィンを一体的に形成する段階と、前記ダイを分離するために前記ウエハをダイシングする段階と、を含む、ダイの組立方法。前記ピラーフィンが、フォトリソグラフィを用いて形成される、請求項17に記載の方法。前記ダイの表面にマイクロバンプを組み立てる段階をさらに含む、請求項17に記載の方法。前記ピラーフィンの断面形状を形成する段階が、前記ダイの表面にフォトレジストを堆積する段階を含む、請求項17に記載の方法。前記ピラーフィンの断面形状を形成する段階が、マスクを介して紫外線光に前記フォトレジストを曝す段階を含む、請求項20に記載の方法。前記マスクが、パターンを有し、前記ピラーフィンの断面が、前記マスクを通過した光の前記パターンによって形成される、請求項21に記載の方法。前記ピラーフィンを形成する段階が、電解槽に前記フォトレジスト浸漬する段階を含む、請求項20に記載の方法。前記槽の電流、及び、前記フォトレジストが前記槽に浸漬される時間の量を制御する段階をさらに含む、請求項23に記載の方法。前記形成されたフィラーピンの高さが、前記槽の電流、及び、前記フォトレジストが前記槽に浸漬される時間の量によって決定され、請求項24に記載の方法。前記表面から前記フォトレジストを除去する段階をさらに含む、請求項20に記載の方法。前記表面に熱接触を形成する段階をさらに含む、請求項17に記載の方法。前記表面に被覆層を堆積する段階をさらに含む、請求項17に記載の方法。前記被覆層を堆積する段階が、スピンコーティング又は化学気相堆積を含む、請求項28に記載の方法。リソグラフィ工程によって前記被覆層に開口部を形成する段階をさらに含む、請求項28に記載の方法。前記表面にシード層を堆積する段階をさらに含む、請求項17に記載の方法。プラズマ衝撃工程によって前記表面から前記シード層をエッチングする段階をさらに含む、請求項31に記載の方法。前記ピラーフィンを形成する段階が、前記ダイの表面に一体的に複数のピラーフィンを形成する段階を含む、請求項17に記載の方法。従来のパッケージにおいて、放熱板は、サーマルペーストを用いてダイの背面に取り付けられる。例えば図1において、従来のパッケージ100が示される。パッケージ100は、複数の半田ボール108によってシステムボード106に連結された基板102を含む。基板102及びシステムボード106の間の領域はまた、アンダーフィル層110を含む。従来のダイ104は、複数の半田ボール116又はバンプによって基板102の背面に連結される。パッケージ100が組み立てられた後、放熱板112は、基板102の背面及びダイ104の背面に載置される。サーマルペースト114は、放熱板112を基板102及びダイ104にしっかりと固定し、基板102及びダイ104から放熱板112への熱伝導性を改善するために使用される。動作中、パッケージ100によって生成された熱は、放熱板112を介して分散され得る。しかしながら、パッケージ100に放熱板112を載置した結果、パッケージサイズを大幅に増加することになる。さらに、従来のパッケージ100に放熱板を取り付けることは、パッケージを製造し組み立てる工程に追加の段階を必要とする。従って、機能及び電力消費を低減することなくチップから熱を分散するために小型で増加した表面領域の解決方法を開発することが望まれる。本明細書のより完全な理解のために、以下の詳細な説明及び添付の図面がここで参照される。例示的な実施形態において、電気パッケージが提供される。パッケージは、外表面を有するダイと、外表面に一体的に形成されるフィンと、を含む。フィンは、パッケージからの熱を分散するために外表面から外側に延長する。フィンは、導体材料で形成され得、円筒形、正方形又は長方形の断面を有し得る。ダイの外表面は、周囲環境に曝され得る。この実施形態において、フィンは、約3:1のアスペクト比を有し得る。このフィンはまた、複数のフィンを含み得る。チャネルは、複数のフィンの間に画定され得、複数のフィンは、ダイの外表面を実質的に占め得る。複数のフィンの各々の断面は、実質的に外表面の形状と同様であり得る。他の実施形態において、各々が外表面を有する複数のダイを含む電気パッケージが提供される。パッケージは、少なくとも1つのダイの表面から外側に延長する複数のフィンをさらに含む。この実施形態において、複数のダイは、互いに連結され、パッケージ内に積層される。複数のフィンは、少なくとも1つのダイの背面に一体的に形成され得る。さらに、複数のダイは、上部ダイが複数のマイクロバンプによって下部ダイに連結されるような上部ダイ及び下部ダイを含み得る。一側面において、上部ダイの外表面は、複数のフィンを備え、下部ダイの外表面の一部は、そこから外側に延長する複数のフィンを備える。他の側面において、下部ダイの外表面の一部は、そこから外側に延長する複数のフィンを備える。複数のダイはまた、少なくとも1つの中間のダイを備え得る。少なくとも1つの中間のダイの背面は、上部ダイに連結するための複数のマイクロバンプを備え得、少なくとも1つの中間のダイの前面は、下部ダイに連結するための複数のマイクロバンプを備え得る。あるいは、少なくとも1つの中間のダイの背面の一部は、そこから外側に延長する複数のフィンを備え得る。様々な実施形態において。ダイの組立方法が提供される。この方法は、ウエハにダイを組み立てる段階と、ダイの表面にピラーフィンの断面形状を形成する段階とを含む。ピラーフィンは、ダイの表面に一体に形成され、ウエハは、ダイを分離するためにダイシングされる。ピラーフィンは、フォトリソグラフィを用いて形成され得る。さらに、マイクロバンプは、ダイの表面に組み立てられ得る。ピラーフィンの断面形状がダイに形成されると、フォトレジストは、ダイの表面に曝される。さらに、マスクがパターンを有し、ピラーフィンの断面が、マスクを通過する光のパターンによって形成されるように、紫外光は、マスクを通過し得る。ピラーフィンは、電解槽にフォトレジストを浸漬することによって形成され得る。形成されるピラーフィンの高さが電流及び浸漬時間によって形成されるように、槽の電流及びフォトレジストが槽に浸漬される時間の量は制御される。フォトレジストは、表面から除去され得、熱接触部は、表面に形成され得る。被覆層は、スピンコーティング又は化学気相堆積によって表面に堆積され得る。さらに、開口部は、リソグラフィ工程によって被覆層に形成され得る。シード層はまた、表面に堆積され、次いで、プラズマ衝撃工程によって表面からエッチング除去される。図2に示される例示的な実施形態を参照して、改善された熱管理を有する電気パッケージ200が提供される。パッケージ200は、システムボード202及び基板204を含む。基板204は、シリコン又は他の基板材料で形成され得るが、半田ボール208、バンプ又は他の連結手段によってシステムボード202に連結され得る。ダイ206は、フリップチップバンプ212によって基板204に電気的に連結され得、アンダーフィル層210は、パッケージの信頼性を高めるためにそれらの間に加えられ得る。ダイ206は、シリコン又はダイを形成する他の材料で作られ得る。ダイ206は、フロントエンドFEOL:Front-End-of-the-Line及びバックエドBEOL:Back-End-of-the-Lineの両方の部分単層214として単純化されて示されるを含み得る。FEOL部分は、アクティブ素子用のいくつかの上部層を含み得、BEOL部分は、複数の金属層を含み得る。複数のピラーフィン220は、パッケージ200の熱管理を改善するためにダイ206の背面から外側に延長する。ピラーフィン220が形成され得るダイの位置は、背面に限定されず、むしろ、他の実施形態においては、複数のピラーフィンは、ダイの様々な表面に形成され得る例えば、前面。一実施形態において、複数のピラーフィン220は、フォトリソグラフィによってダイ206の背面に一体的に形成され得る。複数のピラーフィンを形成する工程は、図7を参照して以下に記載される。複数のピラーフィン220の各々は、例えば、銅、ニッケル、錫、銀又は金などの金属で形成される。ピラーフィン220を形成するために使用される金属のタイプは、所望の特性、例えば酸化抵抗、熱伝導、コスト及びリソグラフィ特性に依存し得る。ピラーフィン220は、例えば円形、正方形又は長方形の断面を含む様々な断面形状を有し得る。各々のピラーフィン220の形状は、ピラーフィン220が形成されるダイ206の表面領域に依存し得る。各々のピラーフィン220が形成される断面形状のタイプに対して与えられる他の考慮は、強制対流系が使用されるか否かである。ピラーフィン220は、パッケージからの所望の量の熱移動を実現するために空気が強行され得るダイ206の背面に沿ったチャネル又は通路図4参照を形成し得る。各々ピラーフィン220は、約3.1のアスペクト比、すなわち直径に対する高さの比を有して形成され得る。各々のピラーフィン220における直径及び高さは、例えば、それぞれ10から30μm及び10から70μmの間であり得る。しかしながら、他の実施形態において、直径及び高さは、所望の熱管理を実現するためにより小さく又はより大きくあり得る。ダイ206の背面に形成される場合、複数のピラーフィン220は、特定の用途に望まれるように間隔が空けられる。例えば、ピラー220は、互いに30から100μm間隔が空けられ得る。ダイ206の背面に互いに近接してピラーフィン220を形成することによって、パッケージ200は、より小さな領域からより多くの熱を分散し得る。結果として、チップは、より小さく形成することができ、パッケージの全体の大きさは、低減され得る。ダイ206の前面はまた、複数の金属充填ビア216によって同一のダイ206の背面に電気的に連結され得る。複数のビア216は、例えば貫通シリコンビアであり得、ビア最終工程又はビアを形成する他の工程によって形成され得る。複数のビアは、銅又は他の導体材料で充填され得る。複数のビア216は、ダイ206の前面からダイ206の背面のピラーフィン220までの熱伝導性を増加する。これは、ダイ206及び基板204の前面からのより多くの熱分散を可能にする。さらに、金属層218は、シード層とも称されるが、ダイ206の背面に組み立てられ得る。金属層218は、例えば銅又はチタンなどの導体材料で形成され得る。金属層218は、様々なピラーフィン220間の増加した熱伝導性を提供し得、ピラーフィン220を介した分散のために熱がより良好に分布されることを可能にする。また、図2に示されるように、ダイ206の背面は、周囲環境に曝される。これは、ダイ104の背面が、ダイ104に放熱板112を取り付けるためのサーマルペーストで被覆された、図1に示されるパッケージなどの従来のパッケージとは異なる。放熱板112及びサーマルペースト114は、ダイ104の背面が周囲環境に曝されるのを防止する。そのため、パッケージ200は、従来のパッケージ100より小さい高さ及びサイズを有し得る。さらに、従来のパッケージ100は、サーマルペースト114及び放熱板112のために周囲環境とダイ104との間に増加した熱抵抗を有し得る。対照的に、ピラーフィン220は、たとえあったとしても周囲環境とダイ206との間にほんの僅かな熱抵抗を有する。図3において、改善された熱管理を有する電気パッケージ300の異なる実施形態が示される。パッケージ300は、ダイ304が直接連結するシステムボード302を含む。フリップチップバンプ306及びその等価物は、ダイ304をシステムボード302に連結するために使用され得る。アンダーフィル層308は、パッケージに信頼性を与えるために、それらの間に加えられ得る。ダイ304の前面の付近で、FEOL及びBEOL部分は、以上に記載されたように提供され得る。図3において、FEOL及びBEOL部分は、層310として示される。1つ又はそれ以上の金属層312は、ダイ304の背面に形成され得、複数の金属充填ビア316は、背面にダイ304の前面を連結することができる。1つ又はそれ以上の金属層312は、例えば銅又はチタンなどの導体材料で形成され得、複数のビアは、銅又は他の導体材料で充填され得る。複数のビア316は、有利には追加の熱伝導のためにダイ304に形成され得る。複数のピラーフィン314はまた、ダイ304の背面に形成される。複数のピラーフィン314は、例えば銅、ニッケル、錫、銀、金などの導体材料又は他の導体材料で作られ得る。パッケージ内に生成される熱は、複数のビア316及びピラーフィン314を介して伝達され得、対流又は強制対流を介してパッケージの外側に移動され得る。強制対流系において、例えば矢印318によって示される方向に沿った空気流は、パッケージ300を冷却するために使用され得る。また、図2のダイ206と同様に、ダイ304の背面は、周囲環境に曝される。図4を参照して、ダイ400の背面402が提供される。複数のピラーフィン404は、ダイ400の背面402に形成され、そこから外側に延長する。以上に示すように、ダイの何れかの表面は、ピラーフィンを形成するために使用され得るが、図4の実施形態において、ダイ400の背面402のみが、ピラーフィン404を有して示される。各々のピラーフィン404は、円形状の断面を有するが、他の実施形態において、異なる形状の断面を有し得る。複数のピラーフィン404は、チャネル又は通路406がそれらの間に画定されるように背面402に配置され得る。図4の実施形態において、例えば、空気は、矢印408によって示される長手方向及び/又は矢印410によって示される逆方向の強制対流系に流れ得る。空気がチャネル406を介して流れ得るだけではなく、空気が流れることを可能にするためにフィンが30から100μmの間隔を空けられるので、空気はまた、各々のピラーフィン間に流れ得る。他の実施形態において、複数のピラーフィン404は、画定された追加の又は少しのチャネルに配置され得る。図5の実施形態において、電気パッケージ500は、複数のダイが備えられる。パッケージ500は、システムボード502、基板504、第1ダイ506及び第2ダイ524を含む。第1ダイ506は、下部ダイと称され得、第2ダイ524は、上部ダイと称され得る。基板504は、シリコン又は他の基板材料で作られるが、複数の半田ボール508又はバンプによってシステムボード502に連結され得る。同様に、第1ダイ506は、複数のフリップチップバンプ512によって基板504に連結され得る。アンダーフィル層510はまた、第1ダイ506及び基板504の間に加えられ得る。FEOL及びBEOL部分は、第1ダイ506の前面付近に提供され得、図5において層514によって示される。1つ又はそれ以上の金属層516は、第1ダイ506の背面に配置され得る。1つ又はそれ以上の金属層516は、銅などの熱伝導材料で形成され得る。第2ダイ524は、複数のマイクロバンプ522によって第1ダイ506に連結され得る。2つのダイを連結する他の手段は、様々な実施形態において使用され得る。第1ダイ506及び第2ダイ524は、シリコン又は他の材料で作られ得る。1つ又はそれ以上の金属層526は、第2ダイ524の背面に形成され得る。1つ又はそれ以上の金属層526は、銅などの導体材料で作られ得る。複数の金属充填ビア518は、ダイ506の前面から背面までパッケージを介して熱伝導するために第1ダイ506に形成され得る。同様に、複数のビア530はまた、第2ダイ524の前面から背面まで熱伝導するために第2ダイ524に形成され得る。複数のビア518、530は、銅又は他の熱伝導材料で充填され得る。複数のピラーフィン528は、第2ダイ524の背面に一体的に形成され得、そこから外側に延長し得る。複数のピラーフィン528は、円形、正方形又は長方形を含む断面形状であり得る。さらに、複数のフィン528は、銅、ニッケル、錫、銀、金又は他の導体材料で形成され得る。複数のピラーフィン528は、パッケージ500の熱管理を改善するために第2ダイ524の背面に配置され得る。さらに、複数のピラーフィン520はまた、第1ダイ506の背面に形成され得る。第1ダイ506の背面がまた、第1及び第2ダイを連結するための複数のマイクロバンプ522を含むけれども、複数のピラーフィン520は、第1ダイ506の背面に沿った異なる領域又は部分に形成され得る。この実施形態において、追加の熱は、第1ダイ516の複数のビア518、金属層516及びピラーフィン520、並びに、第2ダイ524の複数のビア530、金属層526及びピラーフィン528から伝達され得る。さらに、ピラーフィン520が第1ダイ506の背面に形成される位置において、背面は、周囲環境に曝される。同様に、第2ダイ524の背面はまた、周囲環境に曝される。従って、パッケージ500は、より小さく、ダイのより小さい表面領域から熱を良好に分散することができる。図6を参照して、他の電気パッケージ600は、マルチダイ積層を用いて示される。パッケージ600は、システムボード602及びそれに直接連結される第1ダイ604を含む。第1ダイ604は、複数のフリップチップバンプ610によってシステムボード602に連結され得る。アンダーフィル層608はまた、第1ダイ604及びシステムボード602の間に加えられ得る。第2又は上部ダイ606はまた、パッケージ600に提供され得、複数のマイクロバンプ620によって第1又は下部ダイ604に連結される。FEOL及びBEOLは、第1ダイ604の前面付近に提供され得、図6において層612によって示される。1つ又はそれ以上の金属層614は、第1ダイ604の背面に配置され得る。1つ又はそれ以上の金属層614は、銅などの導体材料で形成され得る。第2ダイ606は、複数のマイクロバンプ620によって第1ダイ604に連結され得る。2つのダイを連結するための他の手段は、様々な実施形態において使用され得る。第1ダイ604及び第2ダイ606は、例えばシリコン、又はダイを形成するために使用される他の材料で作られ得る。1つ又はそれ以上の金属層622は、第2ダイ606の背面に形成され得、これらの層622は、銅などの導体材料で作られ得る。複数の金属充填ビア616は、パッケージを介して熱伝導するための第1ダイ604に形成され得る。同様に、複数のビア626はまた、同一の機能を行なうために第2ダイ606に形成され得る。従って、例えばトランジスタによって生成される熱は、FEOL部分において、第1ダイ604の複数のビア616、第1及び第2ダイの間の複数のマイクロバンプ620、及び、第2ダイ606の複数のビア626を介して熱伝導され得る。複数のビア616、626は、銅又は他の導体材料で充填され得る。複数のピラーフィン624は、第2ダイ606の背面に一体的に形成され得、そこから外側に延長し得る。繰り返しになるが、第2ダイ606の背面は、周囲環境に曝される。複数のピラーフィン624は、円形、正方形又は長方形を含む何れかの断面を有し得る。さらに、複数のフィン624は、銅、ニッケル、錫、銀、金又は他の導体材料で形成され得る。複数のピラーフィン624は、パッケージ600の熱管理を改善するために第2ダイ606の背面に配置され得る。従って、第2ダイ606における複数のビアを介して熱伝達されるので、熱は、複数のピラーフィン624を介してパッケージ600から放出され得る。さらに、複数のピラーフィン618はまた、第1ダイ604の背面に形成され得る。第1ダイ604の背面がまた、第1及び第2ダイを連結するための複数のマイクロバンプ620を含むけれども、複数のピラーフィン618は、周囲環境に曝される例えば、第2ダイ606によって覆われない第1ダイ604の背面に沿った様々な領域又は部分に形成され得る。この実施形態において、第1ダイ604の複数のビアを介して伝導される熱は、複数のピラーフィン618を介して周囲環境に伝達され得る。上部及び下部ダイのみが図5及び図6の実施形態に示されるけれども、1つ又は複数のダイは、それらの間に積層され得る。例えば、第3ダイは、第1ダイ604及び第2ダイ606の間に積層され得、ビア及びピラーフィンを含み得る。例えば、マイクロバンプは、この実施形態において第1及び第2ダイに第3ダイを連結するために使用され得る。図7を参照して、電気パッケージの改善された熱管理のためにダイを形成する方法700が提供される。方法700は、複数のダイが形成されるウエハを用意する段階を含む。ブロック702において、例えば、ウエハを用意する段階は、フロントエンド処理及びバックエンド処理を含む。周知のフロントエンド処理中に、トランジスタ及び他の装置がウエハ上に形成される。同様に周知のバックエンド処理は、電気回路を形成するための金属相互接続ワイヤを生成する段階と、ワイヤを絶縁材料で絶縁する段階を含む。ウエハは、例えば、プラスチックテープなどのキャリアに載置される。熱接触部は、ピラーフィンが形成される位置においてウエハに形成され得る。このために、ブロック704において、被覆層は、ピラーフィンが組み立てられるウエハの前面又は背面に堆積される。被覆層は、ダイの保護層として機能し得る。例えば、被覆層は、ボンディングなどの製造工程中に破片からダイを保護する。この材料は、ダイ上にスピンコーティングされ又は化学気相堆積CVDされ得る。ブロック706を参照して、被覆層が堆積された後、被覆層に開口が形成され、熱接触部が下層であるウエハと直ぐに形成される予定のピラーフィンとの間に組み立てられ得るようになる。言い換えると、被覆層は、熱的及び電気的に絶縁性であり、そこに開口部が形成された際に、熱通路がダイ及びフィン形成後にの間に提供されるようになる。被覆層がフォトレジストである場合、被覆層の開口部は、フォトリソグラフィを用いて形成される。この場合、マスクは、ピラーフィンが組み立てられるウエハの表面に配置され、紫外線又は強い光がマスクに向けられる。次いで、マスクされたウエハは、光に曝された領域を洗浄又は除去するために化学溶液、例えば現像液に配される。しかしながら、被覆がフォトレジストではない場合、感光レジスト材料は、スピンコーティングされ又は積層され、同様のリソグラフィ工程が行なわれる。ブロック708において、シード金属の薄層は、物理気相堆積PVD工程によってウエハに堆積される。この工程において、シード金属からなるターゲットは、例えば電子線又はイオン線などの高エネルギー源によって衝撃が与えられる。そのようのものとして、ターゲットの表面からの原子は、取り除かれ又は蒸発され、ウエハ表面に堆積される。ダイ206の背面に組み立てられた金属層218として例えば図2に示されるシード層は、鍍金工程中に導電層として機能し、ミクロン未満の厚さを有し得る。シード金属は、例えば銅又はチタンであり得る。他の金属はまた、シード層を形成するために使用され得る。ブロック710を参照して、フォトレジストは、スピンコーティング又はCVD工程によってウエハに堆積される。次いで、ウエハは、例えば紫外線又は強い光のパターンに曝される。この工程中に、形成されるピラーフィンの断面又はパターンは、組み立てられる。そのようなものとして、ウエハ上のある領域がマスクを介して強い光の円形のパターンに曝される場合、その領域に形成されるピラーフィンは、円形の断面を有するだろう。ピラーフィンがあらゆる形状の断面を有し得るように、マスクは、ウエハのその領域に曝される紫外線又は強い光のパターンを変更し得る。ダイ上の熱移動に対して利用可能な領域が特定の形状を有する場合、これは特に重要であり、この領域に形成されるピラーフィンの量がダイからの所望の熱移動を実現するために最大化され得るようになる。例えば、ダイ上の利用可能な領域が実質的に環状である場合、紫外線又は強い光のマスクされたパターンは、実質的に環状の領域を占めるための特定の断面を有する複数のピラーフィンをダイ上に形成するために実質的に環状であり得る。ブロック712において、フォトレジストは、電流及び時間を制御しながら電解槽に浸漬される。銅又は他の熱伝導性の電解金属は、露出されたシード層を有するそれらの領域に電解堆積され得る。そのようなものとして、複数のピラーフィンは、ウエハに一体的に形成される。複数のピラーフィンの高さ及び直径は、フォトレジストが電解槽に浸漬される時間の量を変えることによって変更され得る。ブロック710において堆積されるフォトレジストは、所望の高さを支えるために十分な厚さを有することがまた重要である。以上に記載されたように、例えば、ピラーフィンは、約3:1のアスペクト比を有し得る。あるいは、ピラーフィンの表面積を増加するために、各々のピラーフィンは、約10:1のアスペクト比を有し得る。ブロック714において、フォトレジストは、剥がされ得る。フォトレジストを剥がす1つの方法は、乾式工程においてプラズマ衝撃を用いることによるものである。あるいは、湿式工程において、残っているレジストは、それがもはやウエハに固着されていないように化学的にレジストを変えることによって溶解することができる。他の実施形態において、レジストは、ウエハから剥離することができる。フォトレジストが高い例えば、厚い実施形態において、プラズマ衝撃又は剥離方法が好まれる。ブロック716において、シード層は、エッチング除去される。このブロックにおいて、少量の材料は、プラズマ衝撃を用いて除去される。ダイの少なくとも一部がピラーフィンなしに形成される例えば、マルチダイ積層における中間のダイとして場合において、複数のマイクロバンプは、ウエハの前面及び背面に形成され得る。あるいは、複数のマイクロバンプ及びピラーフィンは、単一のダイにおいてウエハの前面及び背面に形成され得る。この場合、例えば、ピラーフィン及びマイクロバンプの両方を含むダイは、図5及び図6の第1ダイと同様のパッケージに組み込まれ得る。複数のピラーフィンがウエハの前面又は背面に形成された後、ブロック718において、ウエハは、複数のダイに切断され又はダイシングされる。単一のダイは、例えば、基板にダイを取り付けることによって電気パッケージに集積され得る。第2ダイは、第1ダイに載置され得、追加のダイは、マルチダイパッケージを形成するために積層され得る。パッケージに集積された後、パッケージバックエンドアセンブリは、電気パッケージを形成するために完成され得る。ブロック712に関して以上に記載されたように、ピラーフィンは、ウエハに一体的に形成される。そのようなものとして、複数のピラーフィンを有するダイを有する電気パッケージを用意する製造及び組立工程は、有利には、放熱板を有する従来のパッケージと比較してより少ない工程を必要とする。例えば、複数のピラーフィンを有するダイがダイシングされ、ウエハから分離された後、ダイは、パッケージに集積するための用意ができている。一方、図1に示されるものなどの従来のパッケージに関して、放熱板112は、ダイ104がウエハから分離された後に、ダイ104に物理的に又は機械的に取り付けられる。ダイシング工程前にウエハに取り付けられる放熱板に関して、放熱板は、効果的な放熱板であるために非常に小さいものでなければならないだろう。より大きな放熱板が、行なわれるダイシング工程におけるウエハに大き過ぎる空間を占めるので、より大きな放熱板は、ダイシング前にウエハに取り付けることができない。同様に、複数のダイは、ウエハにダイシングされて分離され、マルチチップアセンブリ工程は、各々のダイに放熱板を取り付けるために要求される例えば、ダイにサーマルペーストを付け、ダイに放熱板を載置する等。従って、従来のダイ104は、ウエハからダイシングされて分離された後に、従来型のパッケージ100に集積される用意がされていない。熱管理のためにピラーフィンを形成する方法は、熱管理のために放熱板を製造する従来の工程に対していくつかの他の利点を有する。例えば、従来の放熱板形成工程は、ダイに取り付けられる放熱板に対してダイの大きな表面領域を増加し及び/又は要求する。対照的に、複数のピラーフィンは、ダイの比較的小さな領域に形成され得るすなわち、ダイ上により少ない空間を要求する。さらに、ピラーフィンを形成する工程は、異なる形状の断面のピラーフィンが、フォトレジストマスクのパターンを変えることによって所望の熱管理を実現するために容易に形成され得るようなものである。一方、従来の工程は、様々な形状及び大きさの放熱板を容易に組み立てることができない。また、ピラーフィンを形成する工程がマイクロバンプを形成する工程に類似し得る一方で、いくつかの重要な差異がある。第1に、マイクロバンプが形成されると、この工程は、半田、ニッケル、金などでマイクロバンプをキャッピングする又は鍍金することを含み、マイクロバンプが他の材料に接合するために使用され得るようになる。言い換えると、マイクロバンプをキャッピング又は鍍金するために使用される金属は、マイクロバンプをダイなどの他の材料に接合又は連結するために必須である。対照的に、ピラーフィンは、他の金属層でキャッピングされる又は鍍金されることを必要としない。その代わり、ピラーフィンは、他の材料に接合又は連結されないが、むしろ熱移動に使用される。従って、ピラーフィンの外部金属は、銅などの高い導電性の金属である。さらに、マイクロバンプ及び/又はバンプは、円筒形断面でのみ形成されるが、ピラーフィンは、所望の熱特性を実現するために、円筒形及び非円筒形断面で組み立てられることができる。図8は、その背面から外側に延長するピラーフィンを有するダイを有する電気パッケージの実施形態が有利に採用され得る例示的な無線通信システム800を示す。例示の目的において、図8は、3つのリモートユニット820、830、850及び2つのベースステーション840を示す。典型的な無線通信システムがより多くのリモートユニット及びベースステーションを有し得ることが認識されるべきである。ベースステーション840と同様にリモートユニット820、830、850の何れかは、ここに開示されているような、その背面から外側に延長するピラーフィンを有するダイを有する電気パッケージを含み得る。図8は、ベースステーション840及びリモートユニット820、830、850からのフォワードリンク信号880、並びに、リモートユニット820、830、850からベースステーション840へのリバースリンク信号890を示す。図8において、リモートユニット820は、携帯電話として示され、リモートユニット830は、ポータブルコンピュータとして示され、リモートユニット850は、ワイヤレルローカルループシステムにおける固定位置リモートユニットとして示される。例えば、リモートユニットは、携帯電話、ノート型パーソナルコミュニケーションシステムPCSユニット、携帯情報端末などの携帯型データユニット、又は、メーターリーディング装備などの固定位置データユニットであり得る。図8が、ここに開示されたような、その背面から外側に延長するピラーフィンを有するダイを有するパッケージを含み得る特定の例示的なリモートユニットを示すが、このパッケージは、これらの例示的な示されたユニットに限定されない。実施形態は、その背面から外側に延長するピラーフィンを有するダイを有する電気パッケージが望まれるあらゆる電子装置に適切に採用され得る。本発明の原理を含む例示的な実施形態が以上に示されたが、本発明は、開示された実施形態に限定されない。それどころか、本願は、その一般的な原理を用いた本発明の他の変更、用途又は適合の何れかを対象とするものである。さらに、本願は、本発明が関係し、添付の特許請求の範囲の制限に含まれる、当業者に周知である本明細書からのこのような発展を対象とするものである。