フレキシブル基板を処理する基板処理装置であって、真空にされるように構成され、処理ガスがその中に供給されるように構成された真空チャンバと、前記フレキシブル基板を処理するように適合された処理モジュールであり、前記真空チャンバ内に設けられた処理モジュールと、荷電粒子の流れを発生させて前記フレキシブル基板に放電させるように構成された放電アセンブリであり、前記処理ガスをイオン化する電場を発生させるように構成された放電アセンブリとを備える基板処理装置。前記放電アセンブリが、高電圧が供給されるように構成された1つまたは複数のスパイクを含む、請求項1に記載の基板処理装置。前記スパイクが、1つまたは複数のランス上に設けられた、請求項2に記載の基板処理装置。少なくとも1つのランスが、前記基板の第1の表面に面するように配置された、請求項3に記載の基板処理装置。少なくとも1つの他のランスが、前記基板の前記第1の表面の反対側の前記基板の第2の表面に面するように配置された、請求項4に記載の基板処理装置。高電圧を供給するため、前記1つまたは複数のスパイクに接続された電力供給装置をさらに含む、請求項1ないし5のいずれか一項に記載の基板処理装置。放電する前の前記基板上の電荷を検出する電荷検出手段をさらに含む、請求項1ないし6のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記電力供給装置および前記電荷検出手段に接続され、前記電力供給装置の極性および電圧値を制御するように適合されたコントローラをさらに含む、請求項6または7に記載の基板処理装置。前記コントローラおよび/または電力供給装置が前記真空チャンバの外側に配置された、請求項6ないし8のいずれか一項に記載の基板処理装置。前記1つまたは複数のスパイクがタングステン製である、請求項2ないし9のいずれか一項に記載の基板処理装置。真空チャンバ内においてフレキシブル基板に放電させる方法であって、荷電粒子の流れによって前記フレキシブル基板が放電するように、前記真空チャンバ内において処理ガスをイオン化することを含む方法。放電アセンブリの1つまたは複数のランスの1つまたは複数のスパイクに高電圧を供給することをさらに含む、請求項11に記載の方法。前記フレキシブル基板上の電荷を検出し、対応する反対の電荷を供給して前記フレキシブル基板に放電させることをさらに含む、請求項11または12に記載の方法。前記フレキシブル基板を巻出しモジュールから巻取りモジュールへ移動させることをさらに含む、請求項11ないし13のいずれか一項に記載の方法。ポリマーウエブ基板に向かって前記荷電粒子の流れを導くことをさらに含む、請求項11ないし14のいずれか一項に記載の方法。次に、さまざまな実施形態を詳細に参照する。各図には、それらの実施形態の1つまたは複数の例が示されている。それぞれの例は、本発明を説明する手段として提供されるものであり、本発明を限定するものではない。例えば、1つの実施形態の部分として図示または記載された特徴を、他の実施形態で使用し、または他の実施形態とともに使用して、さらに別の実施形態を得ることができる。本開示は、そのような変更および改変を含むことが意図されている。本明細書に記載された実施形態は一般に、処理チャンバ内に配置された放電アセンブリを含むウエブ形材料コーティング装置に関する。放電アセンブリは、処理ガスの電気的破壊によって生じた荷電粒子の流れをウエブ形材料の表面に供給する。それによって、ウエブ形材料に放電させることができ、このことは、ウエブ形材料の表面に不要粒子が確実に引きつけられないようにする。すなわち、処理チャンバ内に放電アセンブリを設置することよってコーティング工程中のアークおよびウエブ形材料のすりきずを防ぐことができる。本発明の実施形態の典型的な用途は、ウエブ形フレキシブル材料をロールツーロール法roll-to-rollprocessでコーティングするシステムでの使用である。このようなシステムは例えば、薄膜堆積システムまたはクリーンルーム適合真空ウエブコータcleanroomcomptiblevacuumwebcoaterであり、クリーンルーム適合真空ウエブコータには例えば、フレキシブルウエブロールカップリングを含むウエブロール駆動ユニットが含まれ、このウエブロール駆動ユニットは任意選択で制御デバイスによって制御される。コーティングされるウエブ形材料の例は、合成フィルムのウエブまたは紙匹である。このコーティング処理は例えば、真空条件、例えば10-7ミリバールの範囲のベース圧力でのCVD、スパッタリングまたは蒸着によって達成することができる。コーティングは、スパッタリングおよび蒸着よりも高い圧力でのプラズマ化学気相堆積PECVDによっても成し遂げることができる。典型的には、コーティング材料はアルミニウムなどの金属、ポリマーとすることができ、またはコーティング材料は有機小分子を含むことができる。コーティングは、多結晶シリコンまたは非晶質シリコンなどの多結晶質または非晶質とすることもできる。したがって、本発明の実施形態は例えば、フレキシブルプリント回路板、有機発光デバイスを使用したフレキシブルディスプレイまたはフレキシブル太陽電池を生産するための真空ウエブコータにおいて有用である。さらに、本発明の実施形態は、アルミニウムでコーティングされた薄いプラスチックフィルムおよび紙などの金属被覆された保護包装材料を生産するシステムで使用することができる。窓フィルム、プリント回路板、タッチパネル、TVスクリーンまたは他のディスプレイを生産するためのコーティングシステムなど、例えば光学層もしくは磁気層または反射防止コーティング、導電性コーティングおよび/もしくは誘電性コーティングをフレキシブル基板上に堆積させる他のコーティングシステムで、本発明の実施形態を使用することもできる。本明細書に記載されたプロセッサおよびコントローラは、複数の電気および電子デバイスから送信された情報を処理する。これらの電気および電子デバイスには、限定はされないが、センサ、アクチュエータ、例えば基板の面積抵抗率、光学密度、スペクトル透過またはスペクトル反射を測定することができるインライン測定機器が含まれる。さらに、例えばコーティング工程の間、一貫した全体の層厚を実現するために、プロセス制御デバイスおよびプロセス監視デバイスを使用した永久閉ループ制御を使用することができる。その上、欠陥のない巻取りを担うウエブ形材料の張力をディジタル制御することができる。プロセッサは一般に、例えば制御もしくは監視システム、センサ、監視デバイス、デスクトップコンピュータ、ラップトップコンピュータ、プログラマブルロジックコントローラPLCキャビネットおよび/または分散制御システムDCSキャビネット内に物理的に配置することができる。RAMおよび記憶デバイスは、プロセッサ1つまたは複数によって実行される情報および命令を記憶し送信する。RAMおよび記憶デバイスを使用して、プロセッサ1つまたは複数による命令の実行中に一時変数、静的なすなわち変化しない情報および命令または他の中間情報を記憶し、プロセッサに提供することもできる。実行される命令には、限定はされないが、設備制御システム制御コマンドが含まれる。この命令シーケンスの実行は、ハードウェア回路とソフトウェア命令との特定の組合せに限定されない。例示的な実施形態では、コンピュータシステムなどのプロセッサベースまたはマイクロプロセッサベースの任意の適当なシステムを含むリアルタイムコントローラが、例えば本明細書に記載された制御ユニットによって機能を実行することができるマイクロコントローラ、縮小命令セット回路RISC、特定用途向け集積回路ASIC、論理回路および/または任意の他の回路もしくはプロセッサを含む。一実施形態では、コントローラが、リードオンリーメモリROMおよび/またはランダムアクセスメモリRAMを含むマイクロプロセッサ、例えば2メガビットROMおよび64キロビットRAMを含む32ビットマイクロコンピュータであってもよい。本明細書で使用されるとき、用語リアルタイムは、入力の変化が結果に影響を及ぼした後かなり短い時間のうちにその結果が生じることを指し、この時間は、その結果の重要性および/または入力を処理してその結果を生じさせるシステムの能力に基づいて選択することができる設計パラメータである。本明細書で使用されるとき、用語放電アセンブリは、電場によってガスをイオン化することができる任意のデバイスを表すことが意図されている。放電アセンブリは、受動ユニットもしくは能動ユニット、またはその両方であってもよい。さらに、能動放電アセンブリの電力供給装置および任意選択の制御ユニットは真空チャンバの外側に配置することができる。その上、前述の放電アセンブリは、電力供給装置および制御ユニットに接続することができる1つまたは複数の中和デバイスを含むことができる。本発明の範囲を限定はしないが、本明細書に記載された実施形態は一般に、真空環境中でフレキシブル基板を処理する基板処理装置、および真空チャンバ内においてフレキシブル基板に放電させる方法を対象とする。本発明の実施形態は特定の処理システムに限定されず、ロールツーロール法でウエブ形フレキシブル材料をコーティングする全ての種類のシステムに対して適用することができる。本明細書に記載されたいくつかの実施形態では、フレキシブル基板を処理する基板処理装置の真空チャンバ内に少なくとも1つの放電アセンブリが設置される。典型的には、この少なくとも1つの放電アセンブリが、処理チャンバの内の、例えば実際に問題が発生する箇所の近くに配置される。さらに、この少なくとも1つの放電アセンブリを、帯電の主な原因の近くに配置することもできる。帯電の主な原因は、処理設備の実際のレイアウトおよび設計によって異なることがある。経験する問題のタイプによっては、ウエブ形材料の片面だけに放電させたいことがある。これは、案内ローラ上でのウエブ形材料の正確なアライメントおよび結合を確実にするためにウエブ形材料の片面に電荷が存在することが望まれる用途に関係することがある。しかしながら、別の場合には、完全な中和を実現するためにウエブ形材料の両面に放電させたいことがある。これは、電荷の電場が、ウエブ形材料の縁を通して作用する、またはウエブ形材料の縁を超えてリークする可能性があるためである。この目的のために、少なくとも1つの放電アセンブリが一方の表面に面し、他方の少なくとも1つの放電アセンブリがウエブの他方の表面に面するように、ウエブ形材料のそれぞれの面に少なくとも1つの放電アセンブリを配置することができる。このようにすると、ウエブ形材料のそれぞれの表面の電荷を完全に中和することができる。本明細書に記載された実施形態では、ウエブ形材料上の特定の電荷分布のために、アークまたは粒子蓄積の問題が特定の位置だけで発生する状況において、この少なくとも1つの放電アセンブリがこれらの領域を特異的に中和することができる、または、例えばウエブ形材料の正味の中性neutralityを確保することができる。完全な中和が必要な場合には、ウエブ形材料のそれぞれの表面に少なくとも1つの放電アセンブリが面するように、2つ以上の放電アセンブリを配置することができる。ウエブ形材料の個々の表面の電荷のレベルは例えば、接地されたローラの上をウエブが通るときに電荷密度を測定する高感度の電場計fieldmeterなどのデバイスによって評価することができる。このような電場計は、予めプログラムされた電荷プロファイルを実行することによってこの少なくとも1つの放電アセンブリを自発的に制御することができるプロセッサを介して、この少なくとも1つの放電アセンブリに直接に接続することができる。この予めプログラムされた電荷プロファイルは例えば、ウエブ形材料の一方の表面の完全な電荷中和を確実にし、同時に他方の表面の電荷をあるレベルに維持する。さらに、この電荷レベルを検出し、その電荷レベルを、ウエブ形材料全体にわたる電荷分布のリアルタイム監視およびリアルタイム調整を可能にする機器を装備した視覚インタフェース、制御または監視ステーションに送信することができる。本明細書の実施形態に記載された放電アセンブリは、能動または受動中和器またはイオン化器を含むことができる。受動中和器は一般に電源を必要とせず、放電させる表面の電荷を使用することによって、接地された近くの表面に電場を発生させるように動作することができる。この電場を、小さな曲率半径のいくつかの点に集中させて、これらの点の付近のガスの局所的な電気的破壊を引き起こすことができる。通常、この電気的破壊は、小さな曲率半径によりコロナとして限局され、この破壊過程の間に、電場内をコロナ放電領域と放電させる表面の間で移動することができるイオンを生み出し、その結果、ウエブ形材料の表面の電荷とは極性が反対のイオンがウエブ形材料の表面に移動し、そこで電荷を中和する。受動中和器として適合された放電アセンブリは、小さな曲率半径の点における電場が、使用されるガスの破壊強度よりも局所的に強い限り、動作することができる。イオン化電位は、使用されるガスまたはガス混合物のタイプによって異なることがある。したがって、受動中和器は、例えば利用可能な電荷強度、ガスのタイプ、周囲環境内の圧力、および放電電極の曲率半径のサイズなどの変量によって規定される範囲内で動作することができる。受動中和器の動作はウエブ形材料の静電荷に依存するため、ウエブ形材料の表面の電荷密度が小さすぎると受動中和器は機能しないことがある。その結果、受動中和器は、ウエブ形材料に完全に放電させることができないことがある。ウエブ形材料に完全に放電させなければならない場合、またはウエブ形材料上で例えば0から0.1kV/cmなどの非常に低い静電荷レベルだけが許容される場合には、放電アセンブリを能動中和器として適合させることができる。能動中和器は一般に、上で説明した受動中和器と同じように機能するが、能動中和器は典型的に、ガスをイオン化する電場を発生させる目的に使用される高圧電源を備える。したがって、イオンの発生は、ウエブ形材料の電荷レベルから独立しており、高圧電源によってウエブ形材料上に発生する電場は、ウエブ形材料に放電させるのに適当な極性および量のイオンを運ぶ手段として関与するだけである。ウエブ形材料に完全に放電させるため、ウエブ形材料の移動速度に応じて、供給する電力または周波数を変更することができる。能動中和器および能動中和器の制御装置の電力供給装置は一般に真空チャンバの外側に配置される。さらに、能動中和器は、電力供給装置と1つまたは複数のそれぞれの放電点との容量結合を含むことができる。その上、この1つまたは複数の放電点を接地することもできる。本明細書に記載された実施形態では、高圧電力供給装置が遮断されるまたは故障した場合に能動中和器が受動中和器として動作することもできる。典型的には、本明細書に記載された放電アセンブリは、ウエブ形材料の全幅にわたって延びるランスlanceまたはロッドの形状とすることができる。このランスは、いくつかの、すなわち2つ以上の、好ましくは等間隔に配置されたスパイクspikeを含むことができる。ガスの電気的破壊はこれらのスパイクにおいて起こる。ランスは一般に、正または負に帯電した適当なイオンを自発的に供給して、ウエブ形材料上の静電荷を打ち消すように機能する。図1は、実施形態の一例として、フレキシブル基板を処理する基板処理装置27を示し、基板処理装置27は、巻取りチャンバ3および巻出しチャンバ4に接続された処理チャンバ2を含む。処理チャンバ2は、ウエブ形基板12上に薄膜を堆積させるコーティングモジュール6を含む。ウエブ形基板12は、処理チャンバ2を通過することによって巻出しチャンバ4から巻取りチャンバ3内へ移動することができる。処理チャンバ2内には、ウエブ形基板12、すなわちこれからコーティングするウエブまたは既にコーティングされたウエブをそれぞれ案内するガイドローラ5が配置されている。巻出しチャンバ4は、これからコーティングするウエブ形基板12を供給するために処理チャンバ2に接続されている。巻出しチャンバ4は、これからコーティングするウエブ形基板12の貯蔵品が巻き付けられた巻出しモジュール8例えば巻出しシリンダまたは巻出しドラムを含む。このウエブ形基板を処理チャンバ2内へ供給することができ、処理チャンバ2内では、例えば3つのガイドローラ5が、そのウエブ形基板に所望の張力を加えることができる。この張力は例えば、コーティング工程中の薄膜コーティング材料の均質な堆積を確実にすることができる。さらに、基板処理装置27には放電アセンブリ1が含まれる。処理チャンバ2の外側に、接続9を介して中和デバイス10、11に高圧電力を供給する高圧電力供給装置13を配置することができる。その上、放電アセンブリ1に制御ユニット28を設けることもできる。この制御ユニットは、高圧電力供給装置13に接続することができ、さらに接続9を介して中和デバイス10、11に接続することができる。その上、制御ユニット28は、ウエブ形基板12の表面12a、12bに存在する電荷に関する情報を中和デバイス10、11から得ることができる。ウエブ形基板の表面の電荷レベルに関する情報は、中和デバイスから離れた位置に配置されるが制御ユニットを介して中和デバイスに接続された電場計図示せずから集めてもよい。制御ユニット28は、中和デバイス10、11および/または例えば電場計などの他のデバイスから受け取ったデータに基づいて、放電アセンブリ1のさまざまなパラメータを制御および調節することができる。制御ユニット28は例えば、高圧電力供給装置13から中和デバイスに供給される周波数および電力強度を調節することができる。その上、本明細書に記載された実施形態では、制御ユニットおよび/または電力供給装置を中和デバイス10、11に一体として接続し、機械的に中和デバイス10、11の部分とし、それによって制御ユニットおよび/または電力供給装置を中和デバイス10、11と一緒に処理チャンバ内に配置することもできる図示せず。一般に、制御ユニット28は、負または正に帯電したイオンの流れが中和デバイス10、11によって生み出され、生み出されたイオンがウエブ形基板の表面へ流れるようなコマンドを開始する、または予めプログラムされたそのような放電プロファイルを実行することができ、それにより、ウエブ形基板の表面の電荷とは反対の極性のイオンがウエブ形基板の表面へ移動し、ウエブ形基板の表面の電荷を中和することができる。放電アセンブリ1の中和デバイス10、11は、1つまたは複数のスパイク11を備える中和ランス10として提供することができる。高圧電力供給装置13は、典型的には小さな曲率半径を有するこの1つまたは複数のスパイク11に高電圧を供給することができる。この小さな曲率半径により、処理チャンバ内における処理ガスの電気的破壊はコロナとして限局され、この破壊は一般に、ウエブ形基板の表面までの隙間を埋める電気火花経路を形成することができない。しかしながら、生み出されたイオンが前述のように移動してウエブ形基板の表面の電荷を中和する。本明細書に開示された実施形態では一般に、放電アセンブリが、電力供給装置を必要としない受動中和器を含むことができる。他の実施形態では、能動中和器の使用が、能動中和器に一体として接続された電力供給装置および制御ユニットを含むことができ、したがって、電力供給装置および制御ユニットはともに、能動中和器と一緒に、フレキシブル基板処理装置の処理チャンバ内に配置することができる。中和デバイス10、11は、3つのガイドローラ5からなるガイドローラセットの後、コーティングモジュール6の前に、ウエブ形基板12の表面12aに面するように配置することができる。図1による実施形態では、ウエブ形基板12の表面12aにコーティング材料の薄膜が堆積するように、コーティングモジュール6もウエブ形基板12の表面12aに面する。図2は、本明細書に開示された実施形態の一例によるウエブ形材料コーティング装置27を示す。図2に示された例によれば、コーティング装置27は、巻取りチャンバ3および巻出しチャンバ4に接続された処理チャンバ2を含む。図2のコーティング装置27は、図1のウエブ形材料処理装置27に似たレイアウトを有するが、以下の点が異なる。図2のウエブ形処理装置27の処理チャンバ2は、ウエブ形基板12の表面12aに面するように配置された第1のコーティングモジュール15および第2のコーティングモジュール16を含む。本明細書に記載された他の態様および他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態によれば、フレキシブル基板を処理する装置内における基板処理を、例えばコーティングモジュール内に含まれるCVD源を有する化学気相堆積CVDとすることができる。それに加えてまたはその代わりに、コーティングモジュール15、16を例えば平面DCまたはACマグネトロンとすることもできる。さらに、コーティングモジュール15、16を、回転可能なDCもしくはACマグネトロン、または回転可能なマグネトロンと前述の平面マグネトロンの任意の組合せとすることもできる。ウエブ形材料コーティング装置27は、対応するそれぞれの中和デバイスが処理チャンバ2内にあるように配置された3つの放電アセンブリ1、34および35を示す。第1の放電アセンブリ1は、中和デバイス10、11および20、21がガイドローラ5の第1のセットと第1のコーティングモジュール15の間にあるように配置されている。ウエブ形基板12の両方の表面に放電させることができるように、中和デバイス10、11は、ウエブ形基板12の表面12aに面するように配置されており、中和デバイス20、21は、ウエブ形基板12の表面12bに面するように配置されている。本明細書に開示された実施形態によるこの例では、両方の中和デバイス10、11および20、21が同じ高圧電力供給装置13に接続されており、さらに両方とも同じ制御ユニット28によって制御される。第1の接続9が、制御ユニット28、電力供給装置13および第1の中和デバイス10、11の間の接触電気または通信接触を提供する。第2の接続14が、制御ユニット28、電力供給装置13および第2の中和デバイス20、21の間の接触電気または通信接触を提供する。さらに、接地記号19によって示されているように電力供給装置13を接地してもよい電力供給装置の接地は、本明細書に記載されたいずれの特定の1つの実施形態にも限定されない。その上、2つ以上の中和デバイスを、例えば電力供給装置および制御ユニットに直列に接続することもできる図示せず。典型的には、制御ユニットは、電力供給装置によって1つまたは複数の中和デバイスに供給される電力を制御することができる。制御ユニットは特に、電力供給装置が例えば1つまたは複数の中和デバイス例えば中和ランスの1つまたは複数のそれぞれのスパイクに供給する電力の量および周波数を調節することができる。第2の放電アセンブリ34は、第2のコーティングモジュール16の後ろ、ガイドローラ33の第2のセットの後に配置された中和デバイス29、30を含む。荷電イオンの流れをその電気的破壊位置から表面12aに導くことによって表面12aに放電させることができるように、中和デバイス29、30はウエブ形基板12の表面12aに面する。中和デバイス29、30は、接続9を介して制御ユニット28および電力供給装置13に接続されている。第3の放電アセンブリ35は、前述の第2の放電アセンブリ34と同じように設定されている。第3の放電アセンブリ35も、第2のコーティングモジュール16の後ろ、ガイドローラ33の第2のセットの後に配置された中和デバイス31、32を含む。しかしながら、荷電イオンの流れをその電気的破壊位置から表面12bに導くことによって表面12bに放電させることができるように、中和デバイス31、32はウエブ形基板12の表面12bに面する。図3は、本明細書に開示された実施形態の一例によるウエブ形材料コーティング装置27を示す。図3に示された例によれば、コーティング装置27は、巻取りチャンバ3および巻出しチャンバ4に接続された処理チャンバ2を含む。図3のコーティング装置27は、図1のウエブ形材料処理装置27に似たレイアウトを有するが、その処理チャンバ2内に4つのコーティングモジュールを含む点が異なる。コーティングモジュール15および16は、ウエブ形基板12の表面12aに面し、表面12aを薄膜でコーティングすることができるように配置されている。コーティングモジュール17および18は、ウエブ形基板12の表面12bに面し、表面12bを、例えば金属薄膜でコーティングすることができるように配置されている。一般に、単一の処理モジュールは、2つ以上の堆積源を、別々にポンピングされる処理区画内に含むことができる。その上、処理効率を最大化するために、ウエブ形基板の両面を1回の処理ステップでコーティングすることが望まれることがある。図4は、本明細書に開示された実施形態の一例によるウエブ形材料コーティング装置の部分を示す。図4に示された例によれば、ウエブ形フレキシブル基板12は、コーティングする平面すなわちウエブ形基板12の表面が垂直配置をとるように、巻出しチャンバ4内に配置された巻出しモジュール8から、処理チャンバ2内を通過することができる。放電アセンブリ1が、中和デバイス10、11および20、21が処理チャンバ2内に配置されるように配置されている。本明細書に記載された実施形態では、中和デバイス10、11および20、21が、多数のスパイク11、21を備える中和バーまたは中和ランス10、20の形状であってもよく、スパイク11、21には、処理ガスの電気的破壊によってイオンを生み出すことを可能にする高電圧が供給され、生み出されたイオンは、電場内をウエブ形基板12の表面に向かって移動し、それによってウエブ形基板12の表面の電荷を中和することができる。典型的には、この高電圧は、高圧電力供給装置13により、接続9、14を介して、対応するそれぞれの中和デバイス10、11および20、21に供給される。さらに、任意選択で、処理チャンバ2の外側に制御ユニット28を配置することもできる。図4は特に、ウエブ形基板12の第1の領域25に電荷が蓄積することがあることを、本明細書に記載された実施形態に従って示している。例えば、巻出しチャンバ4内においてウエブ形基板上に正および/または負の電荷が蓄積することがある。この電荷は、巻出しモジュール8からウエブ形基板12が巻き出されている間に生じることがある。この静電荷は、ウエブが処理チャンバ2内へ移動してもウエブ形基板12上に留まることがあり、したがってウエブ形基板12の表面に漂遊粒子を引きつけることがある。中和デバイス10、11および20、21は、ウエブ形基板12の表面へ移動して電荷を中和する反対極性のイオンを供給することができる。それによって、蓄積した漂遊粒子は、ウエブ形基板の表面から効果的に離れることができる。したがって、次いで、ウエブの表面に蓄積した漂遊粒子が原因で起こっていた可能性があるアークを誘起することなく、領域26のウエブ形基板の清浄な放電した表面をコーティングすることができる。本明細書の実施形態によれば、図5は、図4に示された装置と同様のウエブ形材料コーティング装置の部分を示す。しかしながら、この場合には、処理チャンバ2がさらにコーティングドラム22を示しており、例示目的でコーティングドラム22は、第1のコーティング領域23および第2のコーティング領域24を示している。ウエブ形材料を例えば2種類の異なる材料でコーティングすることができるように、これらの領域を互いから分離することができる。さらに、巻出しチャンバ8およびコーティングチャンバ2は、処理環境および巻出し環境を制御された大気条件下に置くことを可能にする1つまたは複数のポンプ、例えば真空ポンプ36を含むことができる。図5に示された放電アセンブリ1は、ウエブ形基板12の両側に配置された2つの放電デバイス10、11および20、21を含む。放電デバイス10、11および20、21はそれぞれ、接地された高圧電力供給装置13から高電圧が印加される多数のスパイク11、21を備えるランス10、20として提供することができる。さらに、放電アセンブリ1は、処理チャンバ2の外側に配置された制御ユニット28を含むことができ、制御ユニット28は例えば、供給された電力のレベルを制御し、それによってスパイク11、21における処理ガスの電気的破壊を制御する。以上に説明した実施形態では一般に、ウエブ形材料の一方または両方の表面に放電させる荷電イオンの流れを提供するために、1つまたは複数の放電デバイスを含む放電アセンブリが真空チャンバ内に配置される。放電したウエブ形基板12はさらにコーティングドラム22の上を通ることができ、コーティングドラム22において、1つまたは複数の薄い材料膜がウエブ形基板12の表面に堆積する。以上の実施形態では、特定の寸法および材料のウエブ形材料またはウエブ形フィルムに対しておよび特定のコーティング材料に対してコーティング機が設計されることを当業者は理解するであろう。したがって、ウエブ巻取りデバイスもしくはウエブ巻出しデバイスの寸法、またはウエブ巻取りチャンバもしくはウエブ巻出しチャンバの寸法、および対応する巻取り方法もしくは巻出し方法の特徴を、コーティングするウエブの寸法および/または材料に合わせて特に調整することができる。したがって、コーティングチャンバおよびコーティング方法がそれに対して設計されたウエブの寸法および/または材料を知ることによって、当業者は、ウエブの適当な巻取りおよび/または巻出しを実現するようなウエブ巻取りデバイスもしくはウエブ巻出しデバイスの適当な寸法、および/またはウエブ巻取りチャンバもしくはウエブ巻出しチャンバの適当な寸法、および対応する巻取り方法または巻出し方法の適当な特徴を決定することができる。さらに、コーティング機の他の例では、前述の1つまたは複数の放電デバイスを含む1つまたは複数の放電アセンブリをコーティング機の処理チャンバ内のさまざまな位置に設置することができることを当業者は理解するであろう。図6は、本明細書に開示された実施形態の一例による典型的なウエブ形材料コーティング機の一例のより詳細な略側面図を示す。図6に示された例によれば、ウエブ形材料コーティング機37は、コーティングチャンバ2に接続された巻取りチャンバ3および巻出しチャンバ4を含む。図6のウエブ形材料コーティング機37は典型的には4本の支持柱48上に支持され、図1の基板処理装置27と比べると、ウエブ形材料コーティング機37は、巻取りチャンバの位置と巻出しチャンバの位置とが入れ替えられた形で鏡像反転されていると考えることができる。巻出しチャンバ4は、コーティングするウエブを供給するためにコーティングチャンバ2に取り付けられている。巻出しチャンバ4は、ウエブロールとしての巻出しモジュール8および2つのガイドローラ38を含む。巻出しチャンバ4の上面には、巻出しチャンバ4を真空にする真空ポンプ36が設けられている。巻出しチャンバ4の供給開口39は扉40で閉じることができる。コーティングチャンバ2の巻出しチャンバ4とは反対側の側面に取り付けられた巻取りチャンバ3は、鏡像反転の形で巻取りチャンバ3の構造に対応する構造を有する。したがって、巻取りチャンバ3は、ウエブロールとしての巻取りモジュール7およびガイドローラ41を含み、真空ポンプ36が設けられている。巻取りチャンバ3の取出し開口は扉で閉じることができる。巻出しチャンバ4はさらに、外側へ展開してウエブロールを支持することができるウエブロール交換デバイス42、すなわち巻取りシリンダを交換するための装置を含む。本明細書に記載されたウエブロール交換デバイス42の効果は、巻取りチャンバ3もしくは巻出しチャンバ4の外側でウエブロールを交換することができること、および/または巻取りチャンバ3もしくは巻出しチャンバ4に横方向からウエブロールを導入することができることである。処理チャンバ2は、支持要素47上に取り付けられたコーティングシリンダ44を含む。コーティングシリンダ44は、本明細書ではフィルム43とも呼ぶコーティングされていないウエブを案内して、壁45、46によって互いに分離された一連の個々の堆積チャンバ内を通過させる。各チャンバは、個別に動作可能な真空ポンプ36を有することができる。処理チャンバ2内には、コーティング材料を放出する1つまたは複数のスパッタリングカソード図示せずが含まれる。処理チャンバ2内にはさらに、コーティングされていないフィルム43またはコーティングされたフィルム43’の一方または両方の表面に放電させるように配置された1つまたは複数の放電アセンブリ1および典型的には放電アセンブリ1の中和デバイスも含まれる。次に、コーティング機37の例示的な操作を図6に基づいて説明する。巻取りチャンバ3の扉を開き、ウエブロール交換デバイス42を展開し、ウエブロール交換デバイス42を使用して、巻取りチャンバ3の外側のある位置において空の巻取りモジュール7をウエブロール交換デバイス42上に配置することにより、巻取りチャンバ3に空の巻取りモジュール7を導入する。次いで、空の巻取りモジュール7を、巻取りチャンバ3内の巻取りモジュール7の動作位置まで水平に移動させ、ウエブロール交換デバイス42を再び折り畳む。フィルム43を支持する巻出しモジュール8を設置するために巻出しチャンバ4の扉40を開く。ウエブロール交換デバイス42上に巻出しモジュール8を配置し、巻出しチャンバ4の外側から巻出しモジュール8の動作位置まで水平に移動させる。その後、コーティング工程を開始するため巻取りチャンバ3および巻出しチャンバ4の扉を閉め、チャンバ2から4を真空にする。コーティングされていないフィルム43は、ガイドローラ38の上を通り、コーティングされていないフィルム43の両面が放電するように配置された2つの放電アセンブリのそばを通り過ぎ、コーティングシリンダ44の下側に達し、そこでコーティングされる。本明細書ではフィルム43’とも呼ぶコーティングされたウエブは、ガイドローラ41を介してコーティングチャンバ2を出、コーティングされたフィルム43’の両面に放電させるさらに2つの放電アセンブリ1を通過し、その後、巻取りモジュール7で最終的に巻き取られる。コーティングされたフィルム43’が巻取りモジュール7に完全に移された後、巻取りチャンバ3の扉を開き、対応するウエブロール交換デバイス42を展開し、巻取りチャンバ3の外側へ巻取りモジュール7を運ぶことによって、巻取りチャンバ3から巻取りモジュール7を取り出す。そこで、いっぱいになった巻取りモジュール7を空の別の巻取りモジュールと取り換える。同様に、前述のとおりに巻出しチャンバ4の扉40を開き、ウエブロール交換デバイス42を展開し、空の巻出しモジュール8を巻出しチャンバ4の外側の位置へ運び、そこで、空の巻出しモジュール8を、巻き取られたコーティングされていないフィルムを支持する巻出しモジュールと取り換えることによって、空の巻出しモジュール8を交換する。図7は、真空チャンバ内においてフレキシブル基板に放電させる本明細書に記載された実施形態による方法を示す図である。ブロック700で、荷電粒子の流れによってフレキシブル基板が放電するように、真空チャンバ内において処理ガスをイオン化する。典型的には、図8のブロック800に示されているように、上記の方法が、任意選択で、以下の要素の中から選択された1つまたは複数の要素をさらに含んでもよい:ブロック810に従って、放電アセンブリの1つまたは複数のランスの1つまたは複数のスパイクに高電圧を供給すること、ブロック820に従って、フレキシブル基板上の電荷を検出し、対応する反対の電荷を供給してフレキシブル基板に放電させること、およびブロック830に従って、ポリマーウエブ基板に向かって荷電粒子の流れを導くこと。その上、この方法は、フレキシブル基板を、巻出しモジュールから巻取りモジュールへ、任意選択で可変速度で移動させることを含むこともできる図示せず。以上に説明したシステムおよび方法は、基板処理装置の真空処理チャンバ内においてフレキシブル基板に放電させることを可能にする。より詳細には、フレキシブル基板の放電は、放電アセンブリにより処理ガスを電気的に破壊し、その結果荷電粒子の流れによりフレキシブル基板が放電することによって実現することができる。それらのシステムおよび方法は、本明細書に記載された特定の実施形態だけに限定されず、むしろそれらのシステムの構成要素および/またはそれらの方法のステップは、本明細書に記載された他の構成要素および/またはステップから独立して別々に利用することができる。本発明のさまざまな実施形態の特定の特徴が一部の図面に示され、別の図面には示されていないことがあるが、これは単に便宜上のことである。本発明の原理によれば、ある図面のいかなる特徴も、任意の別の図面のいかなる特徴とも組み合わせて言及することができ、かつ/または請求することができる。本発明をその最良の形態を含めて開示するため、ならびに任意のデバイスまたはシステムを製作し使用すること、および組み込まれた任意の方法を実行することを含め、当業者が本発明を実施することを可能にするために、本明細書はいくつかの例を使用する。以上に特定のさまざまな実施形態を開示したが、特許請求の趣旨および範囲には等しく有効な変更を認める余地があることを当業者は認識するであろう。特に、以上に説明した実施形態の非相互排除的な特徴は互いに組み合わせることができる。本発明の特許を受けられる範囲は特許請求の範囲によって定義され、この範囲が、当業者が思いつくその他の例を含むことがある。このようなその他の例は、それらが特許請求の範囲の文字表現と異ならない構造要素を有する場合、またはそれらが特許請求の範囲の文字表現との差異が実質的にない等価の構造要素を含む場合に、特許請求の範囲に含まれることが意図されている。