照明システムを使用して放射ビームを供給すること、パターニングデバイスを使用して前記放射ビームの断面にパターンを付与すること、および、前記パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分上へ投影することを含み、前記照明システムが、前記放射ビームを所望の照明モードに変換するように構成された、個別に制御可能なエレメントのアレイおよび関連光学コンポーネントを含み、個別に制御可能な異なるエレメントを前記照明モードの異なる部分に割り当てる割当方式が使用され、前記割当方式が、前記照明モードまたは前記放射ビームの1つまたは複数の特性の所望の変更を提供するように選択される方法。前記割当方式が、前記アレイの異なる部分に位置する個別に制御可能なエレメントを使用して、前記照明モードの隣接する位置に放射を誘導することを含む、請求項1に記載の方法。前記割当方式が、前記個別に制御可能なエレメントをランダムに割当てることを含む、請求項2に記載の方法。前記割当方式が、一対の個別に制御可能なエレメントを、前記照明モードの所与の位置に放射を誘導するように割当てることを含み、前記一対の個別に制御可能なエレメントがそれぞれ、前記アレイの異なる部分に位置する、請求項2に記載の方法。前記割当方式が、前記モードの所与の位置に放射を誘導する個別に制御可能ないくつかのエレメントを選択することを含み、前記選択が、個別に制御可能なそれぞれのエレメントから供給される放射の強度に依存する、請求項1に記載の方法。前記選択が、前記個別に制御可能なエレメントの反射率に基づく、請求項5に記載の方法。前記選択が、前記個別に制御可能なエレメントに入射する前記放射ビームの強度に基づく、請求項5に記載の方法。前記割当方式が、前記パターニングされた放射ビームを前記基板上へ投影する間の前記放射ビームのアポダイゼーション効果を低減させるために、前記放射ビームの中心部分に放射を誘導するように割当てられる個別に制御可能なエレメントの数よりも多くの個別に制御可能なエレメントを、前記放射ビームの外側部分に放射を誘導するように割当てることを含む、請求項1に記載の方法。前記割当方式が、個別に制御可能な異なるエレメントを順番に使用して、前記照明モードの所与の位置に放射を誘導することを含み、前記放射ビームの強度変動の影響を低減させるために、前記個別に制御可能なエレメントが、前記アレイの異なる部分から選択される、請求項1に記載の方法。前記割当方式が、個別に制御可能なエレメントの前記アレイの異なる部分を使用して、前記照明モードの異なる領域に放射を誘導することを含み、前記アレイの前記部分が、前記放射ビームのエネルギー分布の所望の変更を与えるように選択される、請求項1に記載の方法。エネルギー分布の前記変更が、前記放射ビームのテレセントリシティまたは楕円度の変更である、請求項10に記載の方法。前記部分の形状が、前記放射ビームの前記エネルギー分布の前記所望の変更を与えるように選択される、請求項10に記載の方法。前記部分の位置が、前記放射ビームの前記エネルギー分布の前記所望の変更を与えるように選択される、請求項10に記載の方法。前記割当方式が、個別に制御可能なエレメントの前記アレイの異なる部分を使用して、前記照明モードの異なる領域に放射を誘導することを含み、前記アレイの前記部分が、前記照明モードの異なる部分に、前記放射ビームの所望の割合を誘導するように選択される、請求項1に記載の方法。前記部分のサイズが、前記照明モードの異なる部分に誘導される前記放射ビームの割合を変更するように変更される、請求項14に記載の方法。前記照明モードの異なるエリア間に境界が存在し、前記照明モードの異なる部分が、個別に制御可能なエレメントの前記アレイの異なる部分を使用して形成され、前記アレイのそれらの部分の境界の近くに位置する個別に制御可能なエレメントが、前記照明モードの隣接するエリアに放射を誘導するために使用される、請求項14に記載の方法。前記割当方式が、大多数のミラーよりも少量の放射を誘導するミラーを考慮し、これらのミラーのうちの1つまたは複数のミラーを使用して、前記照明モードの異なる部分に誘導される前記放射ビームの割合の微調整を提供する、請求項14に記載の方法。それぞれの前記個別に制御可能なエレメントに入射する放射が選択的に遮断される、請求項1から17のいずれかに記載の方法。前記個別に制御可能なエレメントが、ピストン運動を実行するように構成される、請求項1から18のいずれかに記載の方法。前記個別に制御可能なエレメントがミラーである、請求項1に記載の方法。放射ビームを所望の照明モードに変換するように構成された個別に制御可能なエレメントのアレイおよび関連光学コンポーネントを含む照明システムを使用して、前記放射ビームを供給すること、パターニングデバイスを使用して前記放射ビームの断面にパターンを付与すること、前記パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分上へ投影すること、および、個別に制御可能なエレメントの前記アレイを使用して、前記放射ビームを第1の照明モードに変換し、次いで、個別に制御可能なエレメントの前記アレイを使用して、前記放射ビームを第2の照明モードに変換すること、を含み、前記アレイが割当方式に従って、前記第1の照明モードの位置に放射を誘導する個別に制御可能なエレメントが前記第2の照明モードの位置に放射を誘導するために使用されるように制御され、前記位置が、モード間で切り換わるときに必要な前記個別に制御可能なエレメントの動きが、ランダムな割当方式が使用される場合に必要な動きよりも小さくなるように選択されることを含む方法。放射ビームを所望の照明モードに変換するように構成された個別に制御可能なエレメントのアレイおよび関連光学コンポーネントを含む照明システムを使用して、前記放射ビームを供給すること、パターニングデバイスを使用して前記放射ビームの断面にパターンを付与すること、パターニングされた前記放射ビームを基板のターゲット部分上へ投影すること、ディテクタを使用して前記放射ビームのビームポインティング変動を検出すること、および、前記個別に制御可能なエレメントを調整して前記ビームポインティング変動を少なくとも部分的に補正することを含む、方法。放射ビームを供給するように構成された照明システムを備え、前記照明システムが、前記放射ビームを所望の照明モードに変換するように構成された、個別に制御可能なエレメントのアレイおよび関連光学コンポーネントと、前記照明モードまたは前記放射ビームの1つまたは複数の特性の所望の変更を提供するように選択される割当方式に従って、個別に制御可能な異なるエレメントを前記照明モードの異なる部分に割当てるように構成されたコントローラとを含み、前記放射ビームの断面にパターンを付与するパターニングデバイスを支持するように構成された支持構造体と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、前記パターニングされた放射ビームを前記基板のターゲット部分上へ投影する投影システムとをさらに備える、リソグラフィ装置。個別に制御可能なエレメントに、低減された割合の放射を誘導するように構成されたビームスプリッタまたは減衰器をさらに含む、請求項23に記載の装置。照明システムを使用して放射ビームを調整することを含み、前記調整ステップが、前記放射ビームを所望の照明モードに変換するように、前記照明システムの個別に制御可能なエレメントのアレイおよび関連光学コンポーネントを制御することを含み、前記制御ステップが、前記照明モード、前記放射ビーム、またはその両方の1つまたは複数の特性の所望の変更を提供するように選択される割当方式に従って、個別に制御可能な異なるエレメントを前記照明モードの異なる部分に割当てることを含み、該方法が、さらに、前記放射ビームの断面がパターンを有するように前記放射ビームをパターニングしてパターニングされた放射ビームを形成すること、および、前記パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分上へ投影することを含む、デバイス製造方法。照明システムを使用して放射ビームを調整することを含み、前記調整ステップが、第1の照明モードの位置に放射を誘導する個別に制御可能なエレメントが第2の照明モードの位置に放射を誘導するために使用されるように、前記照明システムの個別に制御可能なエレメントのアレイを制御して、割当方式に従って前記放射ビームを前記第1の照明モードおよび前記第2の照明モードに変換することを含み、前記位置が、前記第1の照明モードと前記第2の照明モードとの間で切り換わるときの前記個別に制御可能なエレメントの動きが、ランダムな割当方式が使用されたときの動きよりも小さくなるように選択され、該方法が、さらに、前記放射ビームの断面がパターンを有するように前記放射ビームをパターニングして、パターニングされた放射ビームを形成すること、および、前記パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分上へ投影することを含む、デバイス製造方法。0004例えば、米国特許第6737662号に記載された装置の1つまたは複数の短所を克服しまたは軽減するリソグラフィ装置を提供することが望ましい。0005本発明の一実施形態によれば、基板を提供すること、照明システムを使用して放射ビームを供給すること、パターニングデバイスを使用して放射ビームの断面にパターンを付与すること、および、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分上へ投影することを含み、照明システムが、放射ビームを所望の照明モードに変換するように構成された、個別に制御可能なエレメントのアレイおよび関連光学コンポーネントを含み、個別に制御可能な異なるエレメントを照明モードの異なる部分に割当てる割当方式が使用され、この割当方式が、照明モードまたは放射ビームの1つまたは複数の特性の所望の変更を提供するように選択される方法が提供される。0006本発明の他の実施形態によれば、基板を提供すること、照明システムを使用して放射ビームを供給すること、パターニングデバイスを使用して放射ビームの断面にパターンを付与すること、および、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分上へ投影することを含み、照明システムが、放射ビームを所望の照明モードに変換するように構成された、個別に制御可能なエレメントのアレイおよび関連光学コンポーネントを含み、さらに、個別に制御可能なエレメントのアレイを使用して、放射ビームを第1の照明モードに変換し、次いで、個別に制御可能なエレメントのアレイを使用して、放射ビームを第2の照明モードに変換することを含み、第1の照明モードの位置に放射を誘導する個別に制御可能なエレメントが、第2の照明モードの位置に放射を誘導するために使用されるように割当方式が使用され、これらの位置が、モード間で切り換わるときに必要な個別に制御可能なエレメントの動きが、ランダムな割当方式が使用される場合に必要な動きよりも小さくなるように選択されることを含む方法が提供される。0007本発明の他の実施形態によれば、基板を提供すること、照明システムを使用して放射ビームを供給すること、パターニングデバイスを使用して、放射ビームの断面にパターンを付与すること、および、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分上へ投影することを含み、照明システムが、放射ビームを所望の照明モードに変換するように構成された、個別に制御可能なエレメントのアレイおよび関連光学コンポーネントを含むことを含み、さらに、ディテクタを使用して放射ビームのビームポインティング変動を検出すること、および、個別に制御可能なエレメントを調整してビームポインティング変動を少なくとも部分的に補正することを含む方法が提供される。0008本発明の他の実施形態によれば、放射ビームを供給するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与するパターニングデバイスを支持するように構成された支持構造体と、基板を保持する基板テーブルと、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分上へ投影する投影システムとを含み、照明システムが、放射ビームを所望の照明モードに変換するように構成された、個別に制御可能なエレメントのアレイおよび関連光学コンポーネントを含み、照明システムがさらに、照明モードの1つまたは複数の特性の所望の変更を提供するように選択される割当方式に従って、個別に制御可能な異なるエレメントを照明モードの異なる部分に割当てるように構成されたコントローラを含むリソグラフィ装置が提供される。0009本発明の一実施形態によれば、照明システムを使用して放射ビームを調整することを含み、この調整ステップが、放射ビームを所望の照明モードに変換するように、照明システムの個別に制御可能なエレメントのアレイおよび関連光学コンポーネントを制御することを含み、この制御ステップが、照明モードまたは放射ビームあるいはその両方の1つまたは複数の特性の所望の変更を提供するように選択される割当方式に従って、個別に制御可能な異なるエレメントを照明モードの異なる部分に割当てることを含み、さらに、放射ビームの断面がパターンを有するように放射ビームをパターニングして、パターニングされた放射ビームを形成すること、および、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分上へ投影することを含むデバイス製造方法が提供される。0010本発明の一実施形態によれば、照明システムを使用して放射ビームを調整することを含み、この調整ステップが、第1の照明モードの位置に放射を誘導する個別に制御可能なエレメントが、第2の照明モードの位置に放射を誘導するために使用されるように、照明システムの個別に制御可能なエレメントのアレイを制御して、割当方式に従って放射ビームを第1の照明モードおよび第2の照明モードに変換することを含み、これらの位置が、第1の照明モードと第2の照明モードとの間で切り換わるときの個別に制御可能なエレメントの動きが、ランダムな割当方式が使用されたときの動きよりも小さくなるように選択され、さらに、放射ビームの断面がパターンを有するように放射ビームをパターニングして、パターニングされた放射ビームを形成すること、および、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分上へ投影することを含むデバイス製造方法が提供される。0011次に、添付の概略図を参照して、本発明の実施形態を、単に例として説明する。図中、対応する参照符号は対応する部分を示す。0021本明細書ではIC製造でのリソグラフィ装置の使用を特に参照するが、本明細書に記載のリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリの誘導および検出パターン、液晶ディスプレイLCD、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、この他の応用も有することを理解されたい。このような代替応用の文脈において、本明細書で使用される用語ウェーハまたはダイはそれぞれ、より一般的な用語基板またはターゲット部分と同義であると考えることができることを当業者は理解されたい。本明細書で参照する基板は、例えばトラック一般にレジストの層を基板に塗布し、露光後にレジストを現像するツール、メトロロジーツールまたはインスペクションツールで、露光の前または後に処理することができる。適用可能な場合、本明細書の開示を、このような基板処理ツールおよび他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、例えばマルチレイヤICを製造するために基板を2回以上処理することができ、そのため、本明細書で使用される用語基板は、処理済みの複数の層をすでに含む基板を指すことがある。0022本明細書で使用する用語放射およびビームは、紫外UV放射例えば波長365、248、193、157または126nmの放射、極端紫外EUV放射例えば5~20nmの範囲の波長を有する放射、およびイオンビーム、電子ビームなどの粒子線を含む、全てのタイプの電磁放射を包含する。0023本明細書で使用する用語パターニングデバイスは、例えば基板のターゲット部分にパターンを生成するために放射ビームの断面にパターンを付与する目的に使用することができるデバイスを指すものと広く解釈しなければならない。放射ビームに付与されるパターンは、基板のターゲット部分の所望のパターンに正確に一致するわけではないことに留意されたい。一般に、放射ビームに付与されるパターンは、ターゲット部分に生み出される集積回路などのデバイスの特定の機能層に対応する。0024パターニングデバイスは透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルなどがある。マスクはリソグラフィにおいてよく知られており、これには、バイナリ、レベンソン型Alternating位相シフト、ハーフトーン型Attenuated位相シフトなどのマスクタイプ、ならびにさまざまなハイブリッドマスクタイプが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例では、入射放射ビームをさまざまな方向に反射するようにそれぞれを個別に傾けることができる小さなミラーのマトリックス配置を使用し、このようにして、反射ビームがパターニングされる。0025支持構造体はパターニングデバイスを保持する。支持構造体は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および例えばパターニングデバイスが真空環境中に保持されるか否かなどの他の条件に応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。支持構造体は、機械式クランプ、真空または他のクランプ技法、例えば真空条件下での静電クランプを使用することができる。支持構造体は例えばフレームまたはテーブルとすることができ、これらは必要に応じて固定または可動とすることができ、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して所望の位置にあることを保証することができる。本明細書では用語レチクルまたはマスクを、より一般的な用語パターニングデバイスと同義と考えてよい。0026本明細書で使用する用語投影システムは、例えば使用している露光放射、または浸漬流体の使用、真空の使用などの他の因子に対して適当な、屈折光学システム、反射光学システムおよび反射屈折光学システムを含むさまざまなタイプの投影システムを包含するものと広く解釈しなければならない。本明細書における用語投影レンズの使用はより一般的な用語投影システムと同義と考えてよい。0027照明システムも、放射ビームを誘導、成形または制御する屈折、反射および反射屈折光学コンポーネントを含むさまざまなタイプの光学コンポーネントを包含することができ、以下では、このようなコンポーネントを、集合的にまたは単独で、レンズと呼ぶことがある。0028リソグラフィ装置は、2つデュアルステージまたはそれ以上の基板テーブルおよび/あるいは2つ以上の支持構造体を有するタイプの装置とすることができる。このようなマルチステージ機械では、これらの追加のテーブルを並行して同時に使用することができ、あるいは、1つまたは複数のテーブルを露光に使用している間に他の1つまたは複数のテーブル上で準備ステップを実施することができる。0029リソグラフィ装置は、例えばUS2007-0013890A1に記載されている装置のように、2つ以上のマスク間または制御可能なパターニングデバイス上に与えられたパターン間で迅速に切り換わることができるタイプの装置とすることができる。0030このリソグラフィ装置はさらに、基板を、比較的に高い屈折率を有する液体、例えば水に浸して、投影システムの最後のエレメントと基板の間の空間を満たすことができるタイプの装置とすることができる。浸液は、例えばマスクと投影システムの最初のエレメントとの間など、リソグラフィ装置内の他の空間に与えることもできる。投影システムの開口数を増大させる液浸法は、当技術分野でよく知られている。0031図1に、本発明の特定の実施形態に基づくリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射例えばUV放射またはEUV放射の放射ビームPBを調整する照明システムイルミネータILと、パターニングデバイス例えばマスクMAを支持する支持構造体例えばサポート構造MTであって、パターニングデバイスをアイテムPLに対して正確に配置する第1の位置決めデバイスPMに接続された支持構造体MTと、基板例えばレジストコートウェーハWを保持するように構成された基板テーブル例えばウェーハテーブルWTであって、基板をアイテムPLに対して正確に配置する第2の位置決めデバイスPWに接続された基板テーブルWTと、パターニングデバイスMAによって放射ビームPBに付与されたパターンを、基板Wの例えば1つまたは複数のダイを含むターゲット部分Cの表面に結像させるように構成された投影システム例えば屈折投影レンズPLとを含む。0032図示されているように、この装置は、例えば透過マスクを使用する透過型の装置である。この装置はあるいは、例えば、先に述べたタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する反射型の装置とすることもできる。0033イルミネータILは放射源SOから放射ビームを受け取る。例えば放射源がエキシマレーザであるときには、放射源とリソグラフィ装置とを別個の実体とすることができる。このような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を構成するとはみなされず、放射ビームは、例えば適当な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムBDを用いて放射源SOからイルミネータILに渡される。この他の場合、例えば放射源が水銀ランプであるときには、放射源をリソグラフィ装置と一体の部分とすることができる。放射源SOおよびイルミネータIL、ならびに必要な場合にビームデリバリシステムBDを合わせて放射システムと呼ぶ。0034イルミネータILは後にさらに説明される。0035イルミネータILを出た後、放射ビームPBは、支持構造体MT上に保持されたパターニングデバイス例えばマスクMAに入射する。ターニングデバイスMAを横切った後、放射ビームPBはレンズPLを通過する。レンズPLは、基板Wのターゲット部分C上にこのビームを集束させる。第2の位置決めデバイスPWおよび位置センサIF例えば干渉計デバイスを用いて、基板テーブルWTを、例えば放射ビームPBの通り道に別のターゲット部分Cが配置されるように正確に移動させることができる。同様に、第1の位置決めデバイスPMおよび他の位置センサ図1には明示されていないを使用して、例えばパターニングデバイスMAをマスクライブラリから機械的に取り出した後に、またはスキャン中に、マスクMAを放射ビームPBの経路に対して正確に配置することができる。物体テーブルMTおよびWTの移動は一般に、位置決めデバイスPMおよびPWの一部分を構成するロングストロークモジュール粗動位置決めおよびショートストロークモジュール微動位置決めを用いて実現することができる。しかし、ステッパの場合にはスキャナとは対照的に、支持構造体MTをショートストロークアクチュエータにだけ接続し、または支持構造体MTを固定することができる。パターニングデバイスMAおよび基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1、M2および基板アライメントマークPl、P2を使用して位置合せすることができる。0036図示の装置は下記の好ましいモードで使用することができる。00371.ステップモードでは、支持構造体MTおよび基板テーブルWTを本質的に静止した状態に保ち、放射ビームPBに付与されたパターン全体を、1つのターゲット部分Cの表面に一度に投影するすなわち1回の静的露光。次いで、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTをXおよび/またはY方向に移動させる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズを限定する。00382.スキャンモードでは、支持構造体MTと基板テーブルWTとを同時にスキャンし、放射ビームPBに付与されたパターンをターゲット部分Cに投影するすなわち1回の動的露光。支持構造体MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPLの拡大縮小倍率および像反転特性によって決まる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の動的露光におけるターゲット部分の非スキャン方向の幅を限定し、スキャン運動の長さがターゲット部分のスキャン方向の高さを決定する。00393.他のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した支持構造体MTを本質的に固定し、放射ビームPBに付与されたパターンをターゲット部分Cに投影する間、基板テーブルWTを移動させまたはスキャンする。このモードでは一般に、パルス放射源を使用し、基板テーブルWTを移動させるごとに、またはスキャン中の放射パルスとパルスの間に、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、先に参照したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。0040上で説明した使用モードの組合せおよび/または変形を使用し、あるいは全く異なる使用モードを使用することもできる。0041イルミネータILは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタAMを含むことができる。アジャスタAMは、例えばイルミネータの瞳面における強度分布の外側および/または内側半径範囲普通はそれぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれるの調整を可能にすることができる。さらに、イルミネータILは一般に、インテグレータIN、結合光学系COなど他のさまざまなコンポーネントを含む。このインテグレータは、例えば石英ロッドとすることができ、放射ビームの均質性を向上させる。0042イルミネータ瞳面における放射ビームの空間強度分布は、放射ビームがパターニングデバイス例えばマスクMAに入射する前に、角度強度分布に変換される。言い換えると、イルミネータの瞳面とパターニングデバイスMAパターニングデバイスはフィールド面にあるとの間にはフーリエの関係がある。これは、イルミネータ瞳面が、放射ビームの焦点をパターニングデバイスMAに合わせる結合光学系COの前焦点面と実質的に一致するからである。0043瞳面における空間強度分布の制御を使用して、パターニングデバイスMAの像が基板W上へ投影される正確さを向上させることができる。具体的には、双極子、環状または四極子オフアクシス照明プロファイルを有する空間強度分布を使用して、パターンが投影される解像度を高め、または投影レンズ収差に対する感度、露出寛容度、焦点深度などの他のパラメータを向上させることができる。0044図2は、放射ビームPBの角度強度分布と空間強度分布を対応させる原理を概略的に示す。従来技術の一配置によれば、回折エレメント4のアレイを使用して、放射ビームの外側および/または内側半径範囲それぞれσ-outerおよびσ-innerを設定することができる。回折エレメント4はそれぞれ発散光線束5を形成する。それぞれの光線束5は、放射ビームPBの部分ないしサブビームに対応する。束5は集束レンズ6に入射する。集束レンズ6の後焦点面8において、束5はそれぞれ、1つの照明されたエリア被照明エリアに対応する。このエリアのサイズは、束5の光線がその中へ伝搬する方向の範囲に依存する。この方向の範囲が小さい場合、後焦点面8の被照明エリアのサイズも小さい。この方向の範囲が大きい場合、後焦点面8の被照明エリアのサイズも大きい。さらに、理想的な光学条件があてはまる場合方向が同一の全ての束5、すなわち互いに平行な全ての光線は、後焦点面8の同じ特定の点に対応する。0045放射ビームPBの断面特に放射ビームの瞳面に、環の形状環形を有する空間強度分布を生み出すことは知られている。これは、環状照明モードとして知られている。この環形の一例が、図4に、2つの同心円によって示されている。この環形の内側半径範囲σ-innerは、強度がゼロまたはゼロに近い中心エリアに対応し、このような範囲は、回折光学エレメントの適当なアレイを使用することによって設定することができる。例えば、図2を参照すると、光線束5が中心エリアには一切入射せず、環状エリアにだけ入射するように構成された回折エレメント4のアレイを選択することができるただし、実際には、分散などの効果のため、ゼロよりも大きな強度が中心エリアに見られることもある。回折エレメントアレイ4を適当に選択することによって、この断面エリア内に、双極子、四極子照明などの他の空間強度分布を生み出すこともできる。ズームレンズ、アキシコンなどの追加の光学エレメント図示せずを使用して、放射ビームの角度分布にさらに変更を加えることもできる。0046図3は、従来技術の代替配置を概略的に示す。ソース31図1のLAの等価物は、比較的に幅の狭い平行放射ビームを出力し、このビームはシャッタ11を通過する。このビームは次いでビーム発散光学系32に通され、ビーム発散光学系32はこのビームを、反射エレメント33a、33b、33c、33d、33eのアレイ33のサイズに対応するサイズに拡大する。理想的には、放射ビーム発散光学系32は平行ビームを出力すべきである。拡大された放射ビームのサイズは、放射ビームが全ての反射エレメント33aから33eに入射する十分なサイズであることが好ましい。図3には、例として、拡大された放射ビームの3つのサブビームが示されている。0047第1のサブビームは反射エレメント33bに入射する。アレイ33の他の反射エレメント33a、33cから33eと同様に、このサブビームが所望の所定の方向に反射されるようその向きを調整するように、反射エレメント33bを制御することができる。集束レンズを含んでもよい再誘導光学系16が、このサブビームを、放射ビームの断面18内の所望の点または小さなエリアに入射するように再誘導する。断面18は、イルミネータの他の部分図3には示されていないに対する仮想放射源の働きをする瞳面と一致してもよい。図3に示された残りのサブビームは、反射エレメント33c、33dによって反射され、再誘導光学系16によって、断面18の他の点に入射するように再誘導される。反射エレメント33aから33eの向きを制御することによって、ほとんど全ての空間強度分布を断面18内に生み出すことができる。0048図3は5つの反射エレメント33a~eしか示していないが、アレイ33は、例えば2次元格子として配置されたこれよりも多くの反射エレメントを含むことができる。例えば、アレイ33は、1024例えば32×32個、または4096例えば64×64個、あるいは他の適当な数のミラーを含むことができる。2つ以上のミラーアレイを使用することもできる。例えば、32×32個のミラーを有する4つの一群のミラーアレイを使用することができる。以下の文では、用語アレイが、単一のアレイまたは一群のミラーアレイを意味する。0049アレイ33のそれぞれのミラーの向きは別々に調整することができる。ミラーの向きは、コントローラCT図1参照によって制御することができる。0050図4は、リソグラフィ装置のイルミネータによって生み出すことができる、瞳面における空間強度分布を示す。図4は、複数のサブビームを使用して空間強度分布を生み出す原理を示す概略図であると理解することができる。図4の図面は、放射ビームの断面、例えば図3の断面18と一致する。図4は、あるしきい値よりも大きな照明強度を有するエリアを表す15個の円形エリア23を示している。図4に示された強度分布は、ほぼ平行四辺形の形状を有する。放射ビームのサブビームは、断面エリアの所望の任意の位置に誘導することができるため、ほとんど全ての強度プロファイルを生み出すことができる。しかし、例えば環形、双極子形、四極子形などを有する従来の強度分布と考えることができる強度分布を生み出すことも可能である。図4では、内側の円と外側の円の間のエリア21を、円形のエリア23で満たすことができる。内円と外円の間の対応する位置にサブビームを誘導することによって、σ-outerおよびσ-innerを調整することができる。0051図5a~bは、反射エレメントの一例を概略的に示し、この反射エレメントは例えば、図3に概略的に示された反射エレメントのアレイの部分を構成することができる。図3の反射エレメントのアレイは例えば、このような反射エレメントを1000個以上含むことができ、これらの反射エレメントは例えば、放射ビームと交差する平面内に格子状に配置することができる。図5a~bに示された反射エレメントは、図5aは上から見た図であり、図5bは透視図である。分かりやすくするため、図5aに示されている細目のいくつかは図5bには含まれていない。この反射エレメントは、長方形の反射面を有するミラー61を含む。一般に、このミラーは、所望の任意の形状、例えば正方形、長方形、円形、六角形などの形状を有することができる。ミラー61は、回転接続65によって支持部材63に接続されている。ミラー61は、支持部材63に関して回転させることができ、この回転は、第1の軸X点線で指示されているを軸に起こる。支持部材63は、基板図示せずによって支持された脚67に回転可能に接続されている。この支持部材は、第2の軸Y点線によって指示されているを軸に回転させることができる。したがって、X軸回転とY軸回転の組合せを必要とする方向に、ミラー61を向けることが可能である。0052ミラー61の向きは、静電アクチュエータ71を使用して制御することができる。静電アクチュエータ71は、所定の電荷が与えられたプレートを含む。これらの電荷は、静電引力によってミラー61を引き寄せ、これらの電荷を変化させて、ミラーの向きを調整する。ミラー61の向きをフィードバック制御するために、センサを使用することができる。センサは例えば光学センサとすることができ、または例えば容量性フィードバックセンサとすることができる。静電アクチュエータとして使用されるプレートは、容量性フィードバックセンサとして機能することもできる。図5a~bには2つの静電アクチュエータ71しか示されていないが、3つ以上のアクチュエータを使用することもできる。他の適当な形態のアクチュエータを使用することもできる。例えば、圧電アクチュエータを使用してもよい。0053入射放射ビームを半球の任意の所望の方向に反射するようにミラー61の向きを調整することができる。図6に示されたタイプの反射エレメントおよびその他のタイプの反射エレメントに関する他の詳細は、例えば米国特許第6031946号に開示されている。0054アレイ33のミラーの割当ては、単純な方法を使用する際に実行することができる。例えば、図6は、ミラーアレイ33と、ミラーによる適当な放射の誘導によって形成された環形21とを概略的に示す。従来技術の典型的な単純なミラー割当方式では、第1のミラーAは、環形の最上部の領域に放射を誘導するために使用される。その位置に誘導された放射は円形エリアAとして示されている。アレイの第2のミラーBは、環形の隣接する位置Bに放射を誘導するために使用される。アレイの第3のミラーCは、別の隣接位置Cに放射を誘導するために使用される。以下同様である。見て分かるとおり、このミラー割当方式は非常に単純である。図6が概略図であることは言うまでもない。実際には、これよりも多くのミラーが使用される。隣接する被照明エリアどうしがより重なり合うこともある。被照明エリアはこれよりも小さいことがある。0055後述する本発明の実施形態では、図6に関して上で説明したような方法でミラーを単に割当てる代わりに、有益な効果をもたらすようにミラーの割当てが構成される。有益な効果には例えば、リソグラフィ装置の不必要な特性の補償、リソグラフィを改善するための放射ビームの特性の調整などが含まれる。0056図7を参照すると、環形21内の放射強度の均一性を向上させるために使用することができるミラー割当方式が示されている。図7では、環形の所与の部分を形成するときに、ミラーアレイ33の異なる部分が使用される。この例では、第1の円形エリアAが、図6と同様にアレイ33の左上角にある第1のミラーAを使用して形成される。環形の隣接する円形エリアBは、ミラーアレイ33の下半分に位置するミラーDを使用して形成される。隣接する別の円形エリアCは、やはりミラーアレイの下半分に位置するミラーを使用して形成される。隣接する円形エリアD、Eは、アレイの上半分に位置するミラーを使用して形成される。このように、環形21を形成するために使用される円形のエリアが、ミラーアレイ33の上半分および下半分から選択される。ミラーアレイ33の異なる部分からの放射をこのように組み合わせると、環形21を構成する放射の強度の変動を低減させるのに役立つ。0057ミラーアレイを構成するミラーの反射率が均一でないことがある。例えば、アレイの最上部のミラーは、アレイの最下部のミラーよりも高い反射率を有することがある。これは例えば、ミラーのコーティングを形成するために使用された材料の変動によって起こる可能性がある。一般に、ミラーの反射率の変動は、低い空間周波数を有する。すなわち、反射率は、隣接するミラー間ではあまり変化しないが、アレイの表面を横切って徐々に変化する。0058ミラーの反射率の変動に加えてまたはその代わりに、放射ビームの断面を横切る放射ビームの強度の変動が見られることもある。0059アレイの反射率または放射ビームの強度が図7に見られるようにアレイの上から下へ徐々に増大する状況では、図6に示された方法でミラーを割当てると、これに対応して、ミラーを使用して形成された環形21内の放射強度が変動する。すなわち、環形の強度は図7に見られるように上から下へ徐々に増大する。しかし、図7に示されたミラー割当方式が使用される場合、このミラー割当方式によって強度の変動が平均されるため、このような強度の変動は見られない。0060図7に示されたミラー割当方式は、ミラーを使用して形成される形状内の強度の変動を排除しまたは低減させるために本発明の一実施形態において使用することができるミラー割当方式の単純な例である。同じ目的に対して他のミラー割当方式を使用することもできる。0061本発明の代替実施形態では、ミラーアレイを例えば、ミラーを使用して形成される形状のそれぞれの部分にそれぞれの領域がある放射を誘導する、4つの領域、8つの領域等からなると考えることができる。これによって例えば、例えば図7に見られるようにミラーの反射率が左から右への徐々に増大することによって、または図7に見られるように左上角から右下角へ徐々に増大することによって生じうる強度の変動を排除し、または低減させることができる。0062強度の変動を低減させるため、あるいは他のある効果を低減させまたは軽減するためには一般に、ミラーを、アレイの異なる部分から割当てることができる。これらの部分のサイズおよびそれらの間隔は一般に、低減または軽減される効果の空間周波数または他のある特性に依存する。したがって、この文においてアレイの異なる部分と言うときには、これらが、アレイの異なる半分、アレイの異なる四半分などに限定されると解釈すべきではない。一般に、アレイの異なる部分のミラーと言うとき、それは、それらのミラーが隣り合っていないことを意味すると解釈することができる。0063他の代替実施形態では、ミラーの割当てをランダムに実行することができる。言い換えると、第1の円形エリアAを形成するのに、アレイ33の任意のミラーを使用することができ、第2の円形エリアBを形成するのに、別の任意のミラーを使用することができる。次いで、使用されていない任意のミラーを使用して、円形エリアCを形成することができる。以下同様である。これらのミラーはランダムに選択される。ランダムなミラー割当ては、ミラーアレイのミラー間の反射率の差に起因する強度の変動を低減または排除することができる。ランダムなミラー割当てはさらに、ソースSOによって生成された放射ビームの断面における強度の不均質性によって生じる強度の変動を低減または排除する。これについては後にさらに説明される。0064図6が、ほとんど重なり合うことなく互いに隣接した円形放射エリアA~Eを概略的に示しているという意味で、本発明の上記の実施形態は単純化されている。しかし、ある場合には、いくつかの円形エリアが任意の所与の位置で互いに重なり合って位置した配置を有する環形または他の形状を形成することができる。これを単純化した概略的な例が図8に示されている。環形21内に位置する5つの円形エリアはそれぞれ、アレイの異なる8つのミラーによって誘導された放射を受け取るこれらのエリアは8と標識されている。4つの円形エリア2と標識されているはそれぞれ、アレイの2つのミラーから放射を受け取る。例えば環形を形成する放射の強度を漸減させることが望まれる場合には、このような構成を使用することができる。この例は単純化されたものであり、実際には円形エリアはこれよりも小さくし、より多くのエリアを重ね合わせ、それによって強度をなめらかにまたはよりなめらかに漸減させることができる。複数の円形放射エリアが互いに重なり合い、または互いに非常に近いこのような状況では、使用されるミラー割当方式が、上述の方式に基づくことができる。あるいは、ミラー割当方式が別の方式でもよい。0065本発明の一実施形態では、ミラーの割当てを決定するときに、特定の円形エリアを照明するためにどのミラーを使用するかを決定する際に、ミラーの反射率を考慮することができる。例えば、平均ミラー反射率を決定することができる。これよりも15高い反射率を有するミラーを、これよりも15低い反射率を有するミラーと対にすることができる。次いで、アレイの2つのミラーからの放射を受け取る円形エリアを照明するのに、これらの2つのミラーを使用することができる。このようにして、平均ミラー反射率からのミラーの反射率の偏差が考慮される。0066例えば、8つのミラーから放射を受け取る円形エリア、または2つ以上のミラーから放射を受け取る他の任意の円形エリアを照明するためにどのミラーを使用するのかを決定するときに、同様の方法を使用することができる。ある場合には、センサまたは他の測定デバイスを使用して、それぞれのミラーの反射率を測定することができ、測定された反射率は記憶される。これは次いで、ミラーの割当てを決定するときに、個々のそれぞれのミラーの反射率を考慮することを可能にするであろう。代替構成では、個々のミラーの反射率は測定せず、ミラーアレイの部分の反射率を測定する。この場合も、この情報を記憶し、ミラーの割当てを決定するときにその情報を考慮することができる。0067本発明の一実施形態では、所与の位置に放射を誘導するためにどれくらいの数のミラーを使用するのかを決定するときに、アレイのミラーの反射率を使用することができる。これを達成することができる1つの方法は、所与の円形エリアに対して、所望の放射強度を記録する方法である。ミラーがその位置に割当てられるたびに、そのミラーによって送達される放射強度を所望の合計強度から差し引く。このようにして、所望の放射強度が得られるまで、その所望の位置にミラーを割当て続ける。このミラー割当方式を利用するときには、例えば、ミラー1つあたりに必要な出力を決定するために所望の合計出力をミラーの数で割ることによって、正規化を使用することができる。0068本発明の実施形態の上記の説明は、あるミラー割当方式を使用して、ミラーの反射率の差を補償することについてであったが、同じ方法で、リソグラフィ装置の他の欠陥または特性を補償することもできる。例えば、ミラーの割当てを使用して、アレイを照明するために使用される放射ビームの強度の非均一性を補償することができる。この補償は例えば、一定であることが分かっている、または一定であると仮定される以前に測定された特性に関係する。あるいは、この補償は、例えばリソグラフィ装置の特性の周期的な測定に基づいて、時間とともに変化する。0069ある場合には、リソグラフィ装置が、テレセントリシティオフセットを欠陥として有する。このテレセントリシティオフセットがあるときには、これに対する補償を提供するある所定の角度だけ、ミラーアレイ33のそれぞれのミラーを回転させることができる。ミラーのこの回転は以降、ミラーのゼロまたはヌル位置とみなされる。所望の形状の放射ビームを形成するための以降のミラーの回転は全て、このゼロまたはヌル位置を出発点として与えられる。それによってアレイのミラーは、リソグラフィ装置のテレセントリシティオフセットを補償する。0070あるリソグラフィ装置は、ビームポインティングエラーとして知られるエラーを欠陥として有する。放射ビームを生成するために使用されるレーザまたは他のソースは、ある方向を指す放射ビームを生成し、この方向は、時おり変化することがある。従来技術のあるリソグラフィ装置では、このエラーが、放射ビームの方向を補正するいわゆるステアリングミラーを使用することによって補正される。このステアリングミラーは、ポインティングエラーを検出し、そのビームポインティングエラーを補正するためのビームポインティングエラーに対する適当な向きを決定するように構成されたコントローラによって制御される。本発明の一実施形態では、図3に示されたアレイ33などのアレイのミラーを使用して、このエラーを補正し、それによってステアリングミラーを使用する必要性を排除することができる。この補正は、ビームポインティングエラーを検出し、アレイのミラーに与えるべき適当な角度オフセットを計算するコントローラを使用することによって達成することができる。0071本発明の一実施形態では、あるミラー割当方式を使用して、リソグラフィ装置においてときどき起こる瞳アポダイゼーションpupilapodizationとして知られる効果を補償することができる。瞳アポダイゼーションは、リソグラフィ装置の投影レンズによる放射の透過が角度依存性を有することを意味する。言い換えると、投影システムに入る前の放射ビームを考えたときに、投影システムの縁の近くの放射ビームの部分が、投影システムの中心領域を通るビームの部分よりも低い強度で、投影システムによって透過される。図9は、図3に示されたアレイなどのアレイのミラーを使用して、瞳アポダイゼーションをどのようにして補償することができるのかを概略的に示している。図9は、投影システムに入る前の瞳面における放射ビームの断面強度を概略的に示す。このミラーアレイは、放射ビームの中心部分に誘導される部分よりも放射ビームの瞳面内の外側部分に放射がより多く誘導されるように構成されている。放射ビームの強度は、投影システムの瞳アポダイゼーションを補償するように選択された曲線に従う。これは例えば、瞳面の放射ビームの中心部分に放射を誘導するために使用されるミラーの数よりも、瞳面の放射ビームの外側部分に放射を誘導するために使用されるミラーの数を多くすることによって達成することができる。瞳アポダイゼーションはこのミラー割当方式によって補償される。0072コヒーレントソース例えばレーザを使用して放射ビームを生成するときには、ソースのコヒーレンスが、放射ビームの断面を横切って強度の変動を生じさせることがある。これは、スペックルの形態であると考えることができる。放射ビームのこの強度変動は一般に、時間が経過しても変化しない。ある場合には、この強度変動が、基板上へ投影されるパターンの劣化を引き起こす。本発明の一実施形態では、あるミラー割当方式を使用して、この効果を低減させることができる。放射源がパルス源、例えばパルスレーザである場合、これは、放射パルス間にミラーの割当てを変更することによって、または一連のパルスの途中でミラーの割当てを変更することによって達成することができる。これが図10に概略的に示されている。0073図10に示された例では、円形エリアAに十分な放射強度を送達するために3つの放射パルスが必要である。ミラーアレイ33は、第1の放射パルスを送達するために第1のミラーA1が使用されるように構成されている。第2の放射パルスを送達するためには、異なるミラーA2が使用される。最後の第3の放射パルスを送達するためには、第3のミラーA3が使用される。円形エリアAに誘導される放射は、放射ビームの断面の異なる領域から誘導されるため、ビームに存在する強度の変動は平均され、またはかなり低減される。ミラーA1~A3の選択はランダムとすることができ、強度変動の空間周波数に基づくことができ、かつ/または強度パルス間のミラーの動きの必要な範囲を考慮することができる。0074一実施形態では、所定のミラーセットに対応する光路長を選択的に変更することによって、スペックルの効果を低減させることができる。第1のミラーの光路長を、近隣の第2のミラーの光路長に対して変更することによって、第1および第2のミラーに入射する2つのサブビーム間の位相関係が変更される。位相関係を変更することによって、スペックルの効果が低減される。ミラーに対応する光路長は、ミラーのピストン運動を導入することによって変更することができる。必要なピストン運動は光の波長程度であり、それにより、0.30m程度である照明ビームのコヒーレンス長に比べて小さい。そのため、サブビームの位相関係だけが調整され、そのコヒーレンス特性は調整されない。ミラーのピストン運動は、ミラーの傾きは変化せずに、X-Y平面に垂直な方向にミラーが変位するように、パルス間に、静電アクチュエータ71の駆動電圧を予め決めたとおりに変更することによって導入することができる。これは、静電アクチュエータの電圧間の電圧の差を一定に保ちながら、全ての静電アクチュエータの電圧を小さな電圧だけ増大させることによって達成することができる。0075高強度の放射ビームを送達したい場合には、ほとんどの場合に、それぞれの放射パルスに対してアレイの全てのミラーまたは大部分のミラーを使用することが望ましい。これらの放射パルスは時間的に短い間隔で発射されることがある。このことは、環形または他の形状内の1つの位置の円形エリアを照明するために使用される所与のミラーが、後続のパルスのために、環形の反対側の円形エリアを照明するように回転する十分な時間がないことを意味する。そのため、所与のミラーが放射パルス間に所定の小さな角度範囲よりも大きな角度で回転する必要のないミラー割当方式を選択することができる。言い換えると、所与のミラーを、全てが環形または他の形状の同じ部分にある円形エリアに放射を誘導するために使用することができる。0076一般に、アレイ33のミラーは限られた寿命を有すると言える。ミラーの寿命は、1つには、ミラーを回転させた回数と回転の大きさとの組合せに依存する。本発明の一実施形態では、あるミラー割当方式を使用して、ミラーが回転する角度の平均サイズを低減させる。0077ある場合には、2つの照明モード、例えば環形を有するモードと四極子形を有するモードが交互に起こることが望ましい。これが図11に概略的に示されている。これらのモード間の比較を助けるため、点線22はシグマ=1を示している。本発明の一実施形態では、環形の所与の部分を照明するために使用されるミラーが、概ね同じエリアに位置する四極子形の一部を照明するために使用されるようなミラー割当方式を選択することができる。図11では、環形の左上部分の3つの円形エリアA~Cが照明されている。これらの円形エリアを照明するために使用されるミラーは、環形のその領域に最も近い四極子部分、すなわち四極子の左上部分を照明するために使用される。同様に、円形エリアD、Eは、特定のミラーによってそれらに誘導される放射によって照明される。これらの同じミラーが、環形の関連部分に最も近い四極子形の部分すなわち右下角に放射を誘導するために使用される。このミラー割当方式は、概ね同じ位置に位置する四極子形の部分を照明するのにどのミラーを使用するのかを決定するときに、環形の所与の部分を照明するために使用されるミラーの位置を考慮する。これを実行することによって、ミラーが回転する必要がある角度を低減させ、それによってミラーの寿命を長くすることができる。本発明のこの実施形態は、環状モードと四極子モードの間の切換えに関するが、本発明のこの実施形態は、任意のモード間の切換えに適用することができる。0078場合によっては、アレイ33に含める必要があるミラーの数が多すぎると感じることがある。これは例えば、アレイ内のミラーの数が増えるにつれて、ミラーを提供するコストがかなり増大することがあるためである。ミラーアレイの必要なミラー数は、その解像度で照明モードを構成したい解像度に依存する。言い換えると、その外縁に非常になめらかな円形の湾曲を有する環形を形成したい場合には、環形の縁に沿ってある程度の凸凹があることが受け入れられるとみなされる場合よりも多くのミラーが必要である。0079本発明の一実施形態では、放射パルスと放射パルスの間または一連の放射パルスと一連の放射パルスの間にミラーを動かすことによって、所与の解像度の環形または他の形状を得るために必要なミラーの数を減らすことができる。例えば、基板上の所与の位置の露光に4つの放射パルスが必要な場合には、それぞれのパルス間にミラーを動かすことによって、ミラーの有効数を4倍に増やすことができる。言い換えると、所与のミラーを使用して、1つの位置だけを照明する代わりに、4つパルスごとに1つの異なる位置を照明することができる。これは、4倍の数のミラーによって提供される解像度に等しい解像度を達成することを可能にする。代替例では、ミラーの数を4倍に増やす代わりに、ミラーの数が効果的に2倍になるように、第2のパルスと第3のパルスの間にミラーを動かすことができる。他の例では、パルスの数を50とし、10パルスごとにミラーを動かすことができ、それによって、アレイ内のミラーの数を5倍に増やしたのに等しい解像度を得ることができる。0080知られているリソグラフィ装置では、1よりも大きなシグマを有する照明モードを使用することが知られている。これは、パターニングデバイス例えばマスクMAを照明するために、1次またはより高次の回折の放射を使用することを可能にする。1よりも大きなシグマは、アレイ33のミラーの適当な向きによって達成することができる。0081本発明の一実施形態では、1つまたは複数のミラー割当方式を使用して、放射ビームのパラメータ、例えば瞳面における楕円度、極のバランスおよびフィールドを通したエネルギーテレセントリシティなどを操作することができる。楕円度またはテレセントリシティの操作は、エネルギー不均衡操作の例であると考えることができる。0082図12は、リソグラフィ装置が、マスクまたは他のパターニングデバイスMAに誘導された放射のテレセントリシティエラーをどのように引き起こすのかを概略的に示す。このテレセントリシティエラーは、リソグラフィ装置によって基板上へ投影されるパターンの質を低下させる可能性があることから、有害であることがある。本発明の一実施形態は、ミラー33のアレイを使用して、このテレセントリシティエラーを補正することができる。この補正は、照明モードの1つまたは複数の特性の変更ではなくむしろ、放射ビームの1つまたは複数の特性の変更と記述することができる。0083一般に、本発明の実施形態は、あるミラー割当方式を使用して、照明モードまたは放射ビームの1つまたは複数の特性の所望の変更を提供すると記述することができる。用語変更は、ミラーのアレイ上に入射する前の照明モードまたは放射ビームと、ミラーのアレイによって反射された後の照明モードまたは放射ビームとの比較を指す。本発明の実施形態はミラーアレイを使用して記述されるが、他の形態の個別に制御可能なエレメントのアレイを使用することもできる。0084図12を参照すると、放射ビームは、ミラーアレイ33によって、コンデンサレンズ50を通して、フィールドデファイニングエレメントfielddefiningelement51に向かって反射される。図12は概略図であり、実際には、ミラーアレイ33、コンデンサレンズ50およびフィールドデファイニングエレメント51の間にはかなりの間隔があることがあることを理解されたい。コンデンサレンズ50は一連のレンズを含むことができる。0085ミラーアレイ33のミラーは、コンデンサレンズ50のところで放射ビームが互いに離隔した2つの領域に分離されるすなわち双極子モードように配置される。放射ビームのそれぞれの領域は、コンデンサレンズ50から、フィールドデファイニングエレメント51に向かって誘導される。コンデンサレンズを出た放射ビーム領域52a、52bは、光軸OAに向かってある角度に曲げられている。0086放射ビーム領域52a、52bは、レンズ群53この図では単一のレンズとして表されているを通過し、これらのレンズは、放射ビームをパターニングデバイス例えばマスクMA上に集束させる。パターニングデバイス例えばマスクMAはレンズ群53の出口焦点面に位置する。パターニングデバイス例えばマスクMAはしたがって、異なる角度分布を有する2つの領域52a、52bを含む放射ビームによって照明される双極子モード。0087パターニングデバイス例えばマスクMAにおける放射の全体強度は、パターニングデバイス例えばマスクの表面を横切って一定である。しかし、放射ビームの第1の領域52aと放射ビームの第2の領域52bの割合は、パターニングデバイス例えばマスクを横切って変化する。例えば、パターニングデバイス例えばマスクの最上部においては図12に見られるように、放射ビームの第1の領域52aの割合が、放射ビームの第2の領域52bの割合よりも小さい。この差が生じるのは、フィールドデファイニングエレメント51に入射する放射が光軸に対して平行でないためである。パターニングデバイス例えばマスクMAの最下部においては、放射ビームの第1の領域52aからの放射の割合は、放射ビームの第2の領域52bからの放射の割合よりも大きい。この場合も、そうなるのは、フィールドデファイニングエレメント51に入射する放射が光軸に対して平行でないためである。パターニングデバイス例えばマスクMAの中央においては、放射ビームの第1の領域と第2の領域52a、bからの放射の割合が等しい。0088マスクを横切る方向の放射の変動が現れる他の方法は、放射のテレセントリシティが変化することである。図12にはx方向が示されており、テレセントリシティの変動の説明を助けるために、これを使用することができる。小さなx値図の最下部では、グラフ55に示されているように、テレセントリシティは負である。テレセントリシティは増大し、パターニングデバイス例えばマスクの中央で値ゼロを通る。xの値が増大するにつれ、テレセントリシティは正となり、次第に大きくなる。グラフ55に示されているように、テレセントリシティの変動は、パターニングデバイス例えばマスクを横切って直線的に変化する。0089テレセントリシティは、マスクを横切る方向の異なる位置における等価瞳面を示す概略図54にも示されている。これらの図では、が、その放射の50超が放射ビームの特定の極からであることを示し、-が、その放射の50未満が放射ビームの特定の極からであることを示す。小さなx値図の最下部では、放射の半分超が、放射ビームの第1の領域52aからであり、放射の半分未満が、放射ビームの第2の領域52bからである。パターニングデバイス例えばマスクの最上部では、放射の半分超が、放射ビームの第2の領域52bからであり、放射の半分未満が、放射ビームの第1の領域52aからである。パターニングデバイス例えばマスクの中央では、放射ビームの第1および第2の領域52a、bから等量の放射が受け取られる。0090本発明の一実施形態では、ミラーアレイ33であるミラー割当方式を使用して、例えばリソグラフィ装置内の放射のテレセントリシティを調整することができる。例えば、あるミラー割当方式を使用して、図12に示されたテレセントリシティエラーを、放射ビームから排除しまたは低減させることができる。例えば、パターニングデバイス例えばマスクMA上に、等しい割合の放射ビームの第1および第2の領域52a、52bを、xの全ての値に対して供給するミラー割当方式を使用することができる従来のリソグラフィ装置では、y方向にテレセントリシティエラーは生じない。0091テレセントリシティに対するミラー割当ての効果を、図13に関して説明する。0092図13は、3つの異なる構成を有するミラーアレイ63a、b、cを概略的に示し、これらはそれぞれ、いわゆるC四極子照明モード60を生成するために使用される。C四極子モードは、瞳面にそれぞれ互いから離隔された4つのビーム領域を含む。0093ミラーアレイ63a、b、cは、約1000個のミラーを含む。それぞれのミラーには、そのミラーが放射をどのモードに誘導するかを支持する陰影が与えられている。例えば、あるミラーが白の場合、これは、そのミラーがC四極子の左極60aに放射を誘導することを示す。あるミラーが黒の場合、これは、そのミラーがC四極子の上極60bに放射を誘導することを示す。0094図13aでは、ミラーが列ごとに割当てられている。第1の列163aは、C四極子の左右の極60a、cに放射を誘導し、第2の列163bは、C四極子の上下の極60b、dに放射を誘導する。それぞれの列の中で、ミラーは、極と極の間で交互に割当てられている。このミラー割当方式は、ミラーの反射率の変動または放射ビームの不均質性に起因する強度の変動を排除しまたは低減させる。しかし、このミラー割当方式は、パターニングデバイス例えばマスクMAにおいて見られる放射ビームのテレセントリシティを変更しない。したがって、リソグラフィ装置がテレセントリシティエラーを導入する場合、このミラー割当方式はこのエラーを排除せず、または低減もさせない。0095図13bでは、C四極子の一番上の極60bに誘導される放射が全て、ミラーアレイ63bの一番上の四半分164aに由来するように、ミラーが割当てられる。C四極子の一番下の極に入射する放射は全て、ミラーアレイの一番下の四半分164cから受け取られる。このミラー割当方式は、四極子モードの中央の2つの極で受け取られる放射が、ミラーアレイの中心部分164bの全ての部分から等しく受け取られるように配置されている。このミラー割当方式は、パターニングデバイス例えばマスクMAに入射する放射のx方向のテレセントリシティ変動をかなり導入する。このミラー割当方式によって、y方向のテレセントリシティ変動は導入されない。0096図13bは、x方向のテレセントリシティの変動が放射ビームにどのように与えられるのかを示す。この変動の大きさは、上下の極60b、dに割当てられるミラーを変更することによって低減させることができる。例えば、ミラーアレイ63bの一番上の四半分164aの全てのミラーを上極60bに割当てる代わりに、それらのミラーの80を上極60bに割当てることができる。残りの20のミラーは、下極60dに割当てることができる。同様に、ミラーアレイ63bの一番下の四半分164cのミラーの80を下極60dに割当て、20を、上極60bに割当てることもできる。このようにして、低いテレセントリシティ変動が、放射ビームに与えられる。このミラー割当方式を逆にすることによって、このミラー割当方式によって与えられるテレセントリシティの符号を逆にすることができる。0097図13bに示された方式を使用して上下の極60b、dに割当てられるミラーの割合を調整することによって、放射ビームのx方向のテレセントリシティの変動を、希望どおりに調整することができる。リソグラフィ装置の他の部分によって与えられる不必要なテレセントリシティとは正反対のテレセントリシティを与えることができる。これが実行された場合、ミラーによって与えられるテレセントリシティは、不必要なテレセントリシティを打ち消しまたは低減させ、その結果、パターニングデバイス例えばマスクMAに入射する放射は、マスク上の全てのx値について、テレセントリシティを持たないまたは低減されたテレセントリシティ変動を有する。これは例えば、マスクにおけるまたは基板レベルのテレセントリシティをセンサを使用して測定し、ミラー割当方式を調整し、次いでテレセントリシティを再測定することなどによって、反復的な方法で実行することができる。0098図13cを参照すると、代替ミラー割当方式において、四極子モードの上下の極60b、dが、ミラーアレイ33cの上半分165aから放射を受け取り、左右の極60a、cがミラーアレイの下半分165bから放射を受け取る。0099このミラー割当方式は、左右の極60a、cに誘導される放射の割合を、上下の極60b、dに誘導される放射の割合との比較で制御したいときに使用することができる。上下の極60b、dに誘導される放射の割合は例えば、それらの極に放射を割当てるミラーの数を増やすことによって増大させることができる。例えば、これは、左右の極60a、cに放射を誘導する代わりに、上下の極60b、dに放射を誘導するように、ミラーの列を再割当てすることによって実行することができる。再割当てされる列は例えば、ミラーアレイ63cの上半分164aに隣接したミラーの列とすることができる。再割当てされるミラーの数は、左右の極60a、cに存在する放射の割合を、上下の極60b、dに存在する放射の割合との比較で変更したい程度に基づいて、選択することができる。00100図13cに関して説明した調整は、例えば、水平および垂直ラインすなわちxおよびy方向に延びるラインが、リソグラフィ装置を使用して基板上に投影される場合に有用である。この調整を実施しない場合、例えば放射ビームのポラライゼーションによって垂直ラインよりも水平ラインにより多くの放射が送達されることがある。これによって、基板上に形成される水平ラインが垂直ラインよりも太くなるまたはその逆。基板上に提供されるレジストの性質による可能性がある。左右の極60a、cに送達される放射の割合を、上下の極60b、dとの比較で調整することによって、この差を排除しまたは低減させることができる。したがって、このミラー割当ての調整を使用して、基板上へ投影される水平ラインと垂直ラインの間の強度およびそれに続く太さの変動を低減させることができる。00101このミラー割当方式は、双極子または四極子モード以外の照明モードに対しても同じ方法で使用することができる。例えば、図14を参照すると、ミラーアレイの異なる部分から放射を誘導するミラー割当方式を使用して、環状照明モードを形成することができる。これが実行される場合、ミラーアレイの異なる部分を使用して形成された照明モードの異なる部分67間に境界66が生じる。所望ならば、ミラーアレイ上の対応する境界68の近くのミラーの一部を、照明モードの隣接領域に割当てることができる。これが実行される場合、照明モードの異なる領域間の境界を図14aに示されているように不鮮明にすることができる。これが実行されない場合には、図14bに示されているように硬調な境界が見られる。00102ある場合には、y方向よりもx方向のほうが長いミラーアレイを有することが望ましいことがある。これは、照明モードの特性、例えばテレセントリシティのより顕著な変更を可能にすることができる。00103前述のとおり、ある極から別の極に放射が移動するようにミラー割当方式を変更することができる。このことを使用して、極間の不必要な強度差を排除しまたは低減させることができる。強度が相対的に高い極へ放射を誘導する1つまたは複数のミラーを、強度が相対的に低い極に放射を誘導するように向きを変更することができる。向きを変更するミラーの数は、極間の強度差に依存する。00104ある場合には、測定された極間の強度差は、望ましくないと考えられるほどに大きいものの、それぞれのミラーによって反射される放射量が2極間の差よりも大きいため、一方の極からもう一方の極への放射の転用を使用して、その差を補正することができないことがある。これがあてはまる場合、本発明の一実施形態では、より少ない量の放射をそのモードに誘導するように、1つまたは複数のミラーを配置することができる。例えば、図15を参照すると、ミラーアレイ33とミラーアレイ上に放射ビームを集束させるために使用されるオプションの光学系71との間に、減衰器attenuator70が位置する。減衰器70は例えば、放射を50減衰させることができ、その結果、2つのミラーが、通常の強度の50の強度を有する放射を照明モードに誘導する。これらのミラーを使用して、例えば、あるモードの特定の極の強度に対して小さな調整を実施することができ、または他のモードに対する他の強度調整を実施することができる。00105示された減衰器は50の減衰を有するが、他の減衰を提供する減衰器を使用することもできる。減衰は、1つのミラー、2つのミラーまたは他の任意の数のミラーに対して提供することができる。ミラーは、互いに隣接して位置することができ、または、ミラーアレイ33上の異なる位置に位置することができる。00106図16は、減衰器70の代わりにビームスプリッタ72が使用される配置を示す。ビームスプリッタ72は、入射した放射がミラーアレイ33の1つのミラーにではなく、ミラーアレイ33の2つのミラーに受け取られるように配置されている。放射の一部は、ビームスプリッタ72を通過して第1のミラーへ達する。残りの放射はビームスプリッタによって反射され、ミラー74によって隣接するミラー上へ誘導される。これらのミラーを使用して、低減された強度を有する放射を照明モードに誘導することができる。この配置は、図15に示された配置とは違い、放射の損失を伴わない。ビームスプリッタの反射率を変更することによって、それぞれのミラーに誘導される放射の割合を変更することができる。00107他の代替配置図示せずでは、放射ビームの強度プロファイルをその縁のところで漸減させることができる。したがって、放射ビームの縁から放射を受け取るミラーは、放射ビームの中心から放射を受け取るミラーよりも少ない量の放射を受け取る。少ない量の放射を受け取るミラーを使用して、照明モードの異なる領域に供給される放射の強度の小さな調整を提供することができる。00108他の代替配置図示せずでは、光学系71がフィルタを保持するスロットを含むことができる。図15に示されているように、光学系71は、それぞれがミラーアレイ33のそれぞれのミラーに対応する複数のレンズエレメントを含む。1つまたは複数のミラーに欠陥がある場合には問題が生じる可能性がある。欠陥のあるミラーは例えば、固定された位置から動かず、図5aに示されたX軸およびY軸を軸にもはや回転させることができないミラーである。このような欠陥のあるミラーが1つまたは複数ある場合、欠陥のあるそれぞれのミラーは、放射ビームのサブビームを固定された方向に反射する。したがって、瞳面における空間強度分布は、瞳面を横切って移動させることができない固定された放射スポットを含む。1つまたは複数のミラーに欠陥があるこの問題を軽減するため、機能しているミラーに対する放射は透過させ、欠陥のあるミラーに対する放射は遮断するように配置されたフィルタを、スロット内に配置することができる。欠陥のあるミラーが増えた場合には、このようなフィルタに代えて、新たなフィルタを使用することができる。欠陥のあるミラーは、段落56で述べられたセンサを使用して決定することができる。あるいは、光学系71とは別個にスロットを配置することもできる。00109放射を使用した環形の形成に関して先に説明した本発明の実施形態を使用して、他の任意の適当な形状を形成することができる。言い換えると、説明が環状照明モードを形成することに関する場合、このモードを、他の適当な照明モード例えば双極子、四極子などに置き換えることができる。00110図1に示されたコントローラCTは、例えばミラーアレイのミラーに所望のミラー割当方式を適用するために、それらのミラーの向きを制御するように配置することができる。00111本発明の実施形態を提供することができるリソグラフィ装置は、2つ以上のマスク間または制御可能なパターニングデバイス上に与えられたパターン間で迅速に切り換わることができるタイプの装置とすることができる。それぞれのマスクまたはパターニングデバイス上のパターンが異なる照明モードを必要としてもよい。したがって、本発明の実施形態は、照明モード間で迅速に切り換わることができるため、このタイプのリソグラフィ装置に特に適している。00112ミラーアレイに関して本発明の実施形態を説明したが、個別に制御可能なエレメントの他の適当なアレイを使用することもできる。00113以上に、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明した以外の方法でも本発明を実施することができることを理解された。以上の説明は、本発明を限定することを意図したものではない。