"磁化方向が変化可能な磁化自由層、磁化方向が一方向に固定された磁化固定層、及び、前記磁化自由層と前記磁化固定層との間に介在したトンネルバリア層を有する磁気抵抗素子と、前記磁化自由層上に設けられ、かつ前記磁化自由層を保護するための保護層と、前記保護層上に設けられ、前記保護層との間で部分的に電気的接触するポイントコンタクト部を有する電極と、前記ポイントコンタクト部以外の前記電極と前記保護層との間に設けられた層間絶縁膜と、を備え、前記磁化自由層の前記トンネルバリア層との界面の面積が、前記ポイントコンタクト部と前記保護層との界面の面積よりも大きく、前記電極のポイントコンタクト部に接している前記保護層の部分の面直方向の厚さよりも、前記層間絶縁膜に接している前記保護層の部分の面直方向の厚さが薄いことを特徴とする発振素子。前記磁化自由層の前記トンネルバリア層との界面の面積が、前記ポイントコンタクト部と前記保護層との界面の面積よりも2倍以上大きいことを特徴とする請求項1に記載の発振素子。前記保護層は、凸部を有しており、前記凸部の頂面と前記ポイントコンタクト部とが接触していることを特徴とする請求項1に記載の発振素子。磁化方向が変化可能な磁化自由層、磁化方向が一方向に固定された磁化固定層、及び、前記磁化自由層と前記磁化固定層との間に介在したトンネルバリア層を有する磁気抵抗素子と、前記磁化自由層上に積層され、前記磁化自由層を保護するための保護層とを有する基板を用意する工程と、前記磁化自由層の前記トンネルバリア層との界面の面積よりも小さな面積を有する前記保護層の領域上に、マスク層を形成する工程と、前記マスク層をマスクとして前記磁化自由層の全面上に前記保護層が存在するように前記保護層をエッチングする工程であって、前記保護層の、前記マスクが形成されている領域以外の領域の、前記磁気抵抗素子と前記保護層との積層方向の厚さが、前記保護層の前記マスクが形成されている領域の前記積層方向の厚さよりも薄くなるように、前記保護層をエッチングする工程と、前記エッチングにより露出した前記保護層の部分を少なくとも覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、前記マスク層を除去する工程と、前記マスク層の除去により露出した前記保護層の領域と接する部分がポイントコンタクト部となるように電極を形成する工程とを有することを特徴とする発振素子の製造方法。以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。なお、本発明は本実施形態に限定されるものではないことは言うまでも無い。また、以下で説明する図面で、同機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略することもある。図1は本発明に係るマイクロ波発振素子10の概略断面図である。マイクロ波発振素子10は、磁化方向が変化可能な磁化自由層103、磁化方向が一方向に固定された磁化固定層105SAF112の一部図7参照であり、図1では不図示、及び、磁化自由層103と磁化固定層105との間に介在したトンネルバリア層104を有する磁気抵抗素子を備える。さらに、マイクロ波発振素子10は、磁化自由層103上に設けられ、かつ磁化自由層103を保護するための保護層101、102と、保護層101、102上に設けられ、保護層との間で部分的に電気的接触をするポイントコンタクト部140を有する電極151、152と、電極151、152と保護層101、102との間に設けられ、かつポイントコンタクト部140以外の部分での電気的接触を防ぐための層間絶縁膜150を備えている。具体的には、マイクロ波発振素子10では、Si基板である基板120と、SiO2層111と、下部電極110と、Ta層109と、PtMn層108とが順に積層されている。また、PtMn層108には、CoFe層107、Ru層106、及びCoFeBからなる磁化固定層105を備えたSAFSynthticanti-ferri層112が積層されているCoFe層107、Ru層106、および磁化固定層105は、SAF112の一部図7参照であり、図1では不図示。さらに、SAF112上には、酸化マグネシウムMgOからなるトンネルバリア層104と、CoFeBからなる磁化自由層103と、Taからなる第一保護層102と、Ruからなる第二保護層101と、Crからなる第一電極層151と、Auからなる第二電極層152とが順に積層されている。なお、本実施形態では基板120にSiを用いたが、これに限定されず、例えばセラミック基板やガラス基板、プラスチック基板、有機フィルム上など様々な基板を用いることができる。磁化方向が実質的に一方向に固定された磁化固定層105の磁性材料は、CoFeBに限らず、例えば、NiFe,CoFeなどのNi、Fe、Coなどの磁性材元素を含む強磁性材料を挙げることができる。図7に示すように、磁化固定層105の磁化方向は、反強磁性層108との交換結合によって固定されている。磁化方向が変化可能な磁化自由層103の材料はCoFeBに限らず、例えば、NiFe,CoFeなどのNi、Fe、Coなどの磁性材元素を含む強磁性材料を用いることもできる。本実施形態ではトンネルバリア層104として、高いMR比を得るため酸化マグネシウムMgOを用いたが、これに限るものではなく、例えばアルミナや酸化チタン等の金属酸化物を用いることもできる。また、層間絶縁膜150としてSiO2を用いたが、例えばAl2O3やAlN、エアブリッジ等を用いることもできる。本実施形態では保護層101、102を2層の積層膜で構成したが、これに限るものではなく、例えば単層の保護層や、2層以上のより多層構造を持つ保護層であっても構わない。また、保護層に用いられる材料はTaやRuに限られるものではなく、導電性材料であれば何でもよい。本実施形態のマイクロ波発振素子10は、磁化自由層103のトンネルバリア層104との界面の面積が、保護層101と電極層151との接触面積ポイントコンタクト部140の表面積ポイントコンタクト部140と保護層101との界面の面積よりも大きい、より好ましくは、2倍以上大きいことを特徴とする。これは、磁化自由層103の磁化を安定に歳差運動させるためであると考えられる。さらに磁化自由層103が層間絶縁膜150に直接接することがないように、少なくとも保護層102が磁化自由層103上に形成されている。さらに、本実施形態のマイクロ波発振素子10は、電極層151に接している部分の保護層101、102の面直方向マイクロ波発振素子10の積層体の積層方向の厚さよりも、層間絶縁膜150に接している第一保護層102の部分の、該第一保護層102の面直方向上記積層方向の厚さが薄いことを特徴としている。図1では、X部分の膜厚よりも、Y部分の膜厚の方が薄くなっている。すなわち、保護層101、102の積層体が凸部を有するように形成し、該凸部の頂面上面と電極層151のポイントコンタクト部140とが接触するようにし、上記凸部の上記積層方向の厚さを、上記保護層101、102の積層体の凸部以外の部分の上記積層方向の厚さよりも大きくする。こうすることで、第一保護層102の面内方向磁化自由層103の上面と平行な方向における保護層102の厚さYを相対的に小さくすることができ、磁化自由層103と接する保護層部分である第一保護層102の、ポイントコンタクト部140と対応する領域以外の領域における、横方向の電流に対する抵抗を実質的に高めることができる。よって、金属保護層が電気的パスとして働いてしまう現象を抑制することができる。なお、例えば保護層102の一層を保護層として用いる場合は、電極層151に接している部分の保護層102の面直方向の厚さを、保護層102のこれ以外の部分の厚さよりも厚くすれば良いことは言うまでも無い。本実施形態では、電極と保護層の接するポイントコンタクト部140のサイズを50nm×150nmとしている。但し、ポイントコンタクト部140のサイズは、これに限定されず、300nm×500nm以下であれば良く、より好ましくは100nm×100nm以下である。図2は、本実施形態の第一比較例としてのマイクロ波発振素子20の構造を説明する図である。マイクロ波発振素子20の膜構成は基本的に図1で示した本実施形態のマイクロ波発振素子10の膜構成と同一であり、同一部分には同一符号を付与して説明を省略する。しかしながら、図2の第一比較例のマイクロ波発振素子20は、パターニングを施した部分以外の第二保護層101、第一保護層102、磁化自由層103、トンネルバリア層104、SAF層磁化固定層112はドライエッチングによって除去しており、いわゆるピラー構造になっている。ピラー構造のサイズは50nm×150nmとしている。つまり、磁化自由層103のトンネルバリア層104との界面の面積が、保護層101と電極層151との接触面積ポイントコンタクト部140の表面積と同程度となっている。図3は本実施形態の第二比較例としてのマイクロ波発振素子30の構造を説明する図である。マイクロ波発振素子30の膜構成は基本的に図1で示した本発明のマイクロ波発振素子10の膜構成と同一であり、同一部分には同一符号を付与して説明を省略する。しかしながら、第二比較例では、電極層151、152でポイントコンタクト部を形成し、保護層101、102は、ポイントコンタクト部を構成しない構造となっている。つまり、第二比較例のマイクロ波発振素子30は、電極層151に接している部分の保護層101の厚さと、SiO2からなる層間絶縁膜に接している保護層との厚さを等しくしたものであるつまり、保護層をドライエッチングなどによって除去していない。電極層151と保護層の接するサイズを50nm×150nmとしている。まず、図4に、図1に示した本実施形態のマイクロ波発振素子10の評価結果を示す。評価にはスペクトラムアナライザーを用い、電力密度スペクトラムPowerspectrumdensity:PDSの測定を行った。測定時には適当な外部磁場をマイクロ波発振素子10に印加する。また、マイクロ波発振素子10の上部電極152と下部電極110とに、スピン注入トルクを引き起こすためのバイアス電流7.2mAを印加する。図4に示すPSD曲線を積分することによって出力電力を求めることができる。また、PSDの中心周波数最大PSD値を示す周波数を発振線幅で割ることによって、Q値を求めることが出来る。その結果、発振出力が2.43マイクロワット、Q値として350が得られている。本実施形態のマイクロ波発振素子10を用いることで、目的であったマイクロワットオーダーの発振出力と、200以上の高Q値の両立を実現することができる。次に、図5に、図2に示した第一比較例のマイクロ波発振素子20を用いて、図4で示したPSD測定と同様の測定を行った評価結果を示す。測定方法は、上述した本発明のマイクロ波発振素子10を用いた場合と基本的に同一である。但し、符号51は、マイクロ波発振素子20に有効磁場50Oeを印加して測定した結果を示すスペクトルであり、符号52は、マイクロ波発振素子20に有効磁界を200Oeを印加して測定した結果を示すスペクトルである。第一比較例のマイクロ波発振素子20では、発振出力が最大の場合符号51、グラフより出力とQ値を求めると、0.13マイクロワットと比較的大きな出力が得られているが、Q値は11程度であり、高発振出力、高Q値の両立は実現来ていない。また、Q値110程度と比較的高い場合符号52は、逆に、発振出力が0.04マイクロワット程度しか得られず、同様に高発振出力と高Q値との両立は実現できない。次に、図6に、図3に示した第二比較例のマイクロ波発振素子30を用いて、図4で示したのと同様の測定を行った評価結果を示す。第二比較例のマイクロ波発振素子30では、Q値は280程度得られているが、最大発振出力は0.02マイクロワット程度しか得られておらず、高発振出力および高Q値の両立は実現できない。これらの結果から、同一の膜構成の磁気抵抗薄膜を用いても、磁化自由層103をドライエッチングによってエッチング処理を施した場合や、保護層101、102の除去等を行わず、電極層151に接している部分の保護層の厚さと、層間絶縁膜150に接している保護層の厚さを等しくした場合には、高発振出力と高Q値の両立が難しいことが分かる。次に、本発明に係るマイクロ波発振素子10の製造方法を示す。まず、図7に本実施形態のマイクロ波発振素子10に用いられる磁気抵抗薄膜の断面図を示す。磁気抵抗薄膜100は、Siからなる基板120と、SiO2層111と、下部電極110と、Ta層109と、PtMn層108、Co70Fe30層107、Ru層106と、80B20からなる磁化固定層105と、MgOからなるトンネルバリア層104と、Co40Fe40B20からなる磁化自由層103と、Taからなる第1保護層102と、Ruからなる第2保護層101とを積層した構造を有する。符号112は80B20層105、Ru層106およびCo70Fe30層107を有する、いわゆる反強磁性的層間交換結合SAFであり、Co70Fe30層107は、PtMn108の反強磁性層との交換結合によって磁化方向が固定されている。本磁気抵抗薄膜100においては、SAF112が磁化固定層として機能し、Co40Fe40B20層103が磁化自由層として機能する。以上の磁気抵抗薄膜100の各層をスパッタリング法を用いて作製する。あるいは、他の方法例えば、蒸着等で各層を形成しても良いし、図7に示すような積層体を有する基板を予め作製して作り置きしておいても良い。すなわち、図7に示す積層体を有する基板を用意する。成膜された磁気抵抗薄膜100は、真空装置内から大気中に露出したり、パターニングのために有機レジストを塗布したりするので、磁化自由層103は、酸化などの化学的ダメージを受けて、これが、磁気特性や磁気抵抗比の劣化の原因となる。この化学的ダメージを防止ないしは低減するため、磁化自由層103上に保護膜101、102が設けられている。ただし、本実施形態では保護層102、101として2層の積層膜を成膜したが、これに限るものではなく、例えば単層の保護層や、2層以上のより多層構造を持つ保護層であっても構わない。また、保護層に用いられる材料はTaやRuに限られるものではなく、導電性材料であれば何でもよい。マイクロ波発振素子10では、高発振出力を得るためにMR比の大きな磁気抵抗薄膜を用いることが好ましい。そのため、本実施形態ではトンネルバリア層112に酸化マグネシウムMgOを用いている。しかし、これに限るものではなく、本発明に必要な磁気抵抗素子のトンネルバリア層112には、例えばアルミナや酸化チタン等の金属酸化物を用いることもできる。また、本実施形態におけるマイクロ波発振素子は、主にマイクロ波帯域付近で応用されるので、伝送路や他の電子部品などとインピーダンス整合ができることが好ましい。例えば、伝送系が50Ω程度の場合、磁気抵抗素子のインピーダンスも50Ω程度にするのが良い。図8に示すように、磁気抵抗薄膜100を作製後、磁気抵抗薄膜100にEBリソグラフィーを用いて、後にポイントコンタクト部140となるパターン130を作製する。すなわち、第二保護層101の、ポイントコンタクト部140に対応する領域、すなわち、磁化自由層103のトンネルバリア層104との界面の面積よりも小さな面積を有する領域上にマスク層としてのEBレジスト130を形成する。パターンサイズは50×150nmであり、レジストの厚さはおおよそ300nmである。次に、このレジストパターン130をマスクにして、保護層101、102のドライエッチングを行う。保護層101、102の一部をエッチングし、保護層101、102の積層体の、電極層151、152のポイントコンタクト部140と接する領域の積層方向の厚さが、それ以外の領域の厚さよりも厚くなるように、ドライエッチングを行う。すなわち、上記保護層の積層体のEBレジスト130が形成されている領域以外の積層方向の厚さが、上記保護層の積層体のEBレジスト130が形成されている領域の積層方向の厚さよりも薄くなるように、上記保護層の積層体のドライエッチングを行う。なお、磁化自由層103が保護層101、102から露出しないようにする必要がある。よって、磁化自由層103の、保護層101、102側の表面の全面に少なくとも保護層が存在するようにエッチングする。ドライエッチングには、Arイオンミリング法を用いている。この際、2次イオン質量分析法SIMSを用いて、エッチング深さの制御が行われる。図9は、磁気抵抗薄膜100をエッチング中に、測定されたSIMSSecondaryIon-microprobeMassSpectrometerスペクトルを示す。このように本実施形態では、2次イオン質量分析法を用いることで、第二保護層101から第一保護層102の途中まで除去した後、精確にドライエッチングを終了することができる。すなわち、図10に示すように、保護層101、102の積層体の、EBレジスト130が堆積されている部分ポイントコンタクト部140と接する面を有する領域を凸状に残し、該凸部以外の部分が相対的に薄くなるように、エッチングを行うことができる。次に、層間絶縁膜150となるSiO2の成膜を行う。すなわち、エッチングにより露出した保護層101、102の面が層間絶縁膜150により少なくとも覆われるように、層間絶縁膜150を形成する。従って、第二保護層101からEBレジスト130を除去すると、電極層151、152のポイントコンタクト部140と接すべき第二保護層101の面のみが露出されることになる。従って、後の電極層151の形成の際に、第二保護層101の上面にて上記ポイントコンタクト部140が接する構成を簡単に得ることができる。本実施形態では、50Ω系の伝送路とのインピーダンスマッチングを考慮し、層間絶縁層150の膜厚を決定している。図11にこの状態を示す。次に、図12に示すように、磁気抵抗薄膜と上部電極とのコンタクトを作製するため、レジスト130およびレジスト130上に積層されたSiO2層150を、リフトオフ法によって除去する。リフトオフ法は、数十度に加熱したNMPをジェット状に基板上に噴霧して行っている。その後、図13に示すように、第二保護層101と層間絶縁層150の上に、上部電極151、152をスパッタ成膜する。これにより、第二保護層101の上記EBレジスト130が形成されていた領域と接する部分がポイントコンタクト部140となる電極151、152が形成される。本実施形態では最表面の第二保護層101にRuを用いているため、大気に晒して酸化しても、第二保護層101は導電性酸化物となり、電気抵抗が下がらない利点がある。導電性酸化物になる金属を保護層の最表面に用いることで、上部電極との良好な電気的コンタクトを容易に得ることができる。導電性酸化物を用いない場合には、ドライエッチングなどの方法によって保護層表面の酸化層を除去して、上部電極層を形成する等の工夫を行う必要がある。まずは、第二保護層101上に電極152をスパッタ成膜し、次に、第二保護層101上に、上部電極152をスパッタ成膜する。上部電極152にはAuを用いているが、膜の密着性を向上させるために、Crからなる電極層151をバッファー層として挿入している。本実施形態では、上部電極としてCr/Auの組み合わせを用いたが、良好な電気的コンタクトが可能な材料であればこれに限るものではない。図13に上部電極を形成した後の状態を示す。このように作製したマイクロ波発振素子10は、磁化自由層103にはエッチングを施していないため、磁化自由層130への化学的ダメージもなく、また、素子形状に起因する面内方向の形状磁気異方性も存在しない。そのため、磁化自由層103の上に、電流を流すためのポイントコンタクト構造を形成することで、金属保護膜が電気的パスとして働いて、横方向に電流が流れてしまう現象を抑制し、期待されるような状態を実現できると考えられる。また、本実施形態の発振素子は製造においても有利である。図14に、基板上に複数個のピラー構造を有するマイクロ波発振素子20と、本実施形態に係るマイクロ波発振素子10とを比較した、シフト磁界と保磁力との関係を示す。比較例のピラー構造のマイクロ波発振素子20では、シフト磁界及び保磁力のばらつきが非常に大きい。一方、本実施形態に係るポイントコンタクト構造のマイクロ波発振素子0では、シフト磁界及び保磁力のばらつきが小さい。べた膜のばらつきに近い結果が得られている。これは、本実施形態による発振素子の場合、磁化自由層に対してエッチングを行わないため、形状のばらつきや酸化などのダメージが磁化自由層に生じないためだと考えられる。つまり、磁気特性のばらつきには、製造工程で生じるパターニングのばらつきやエッチングのばらつきをほとんど含まないと言える。また、本発明のマイクロ波発振素子を磁気センサーとして用いることもできる。上述した実施形態では、保護層としてTa層とRu層の2層を設けたが、これに限定されず、1層の保護層でもかまわない。同様に、電極層としてCr層とAu層の2層を設けたが、これに限定されず、1層の電極層でもかまわない。"