複数のメモリセルが配列されたメモリセルアレイと、選択される候補となる複数の動作パラメータを予め記憶する記憶部と、ユーザからの変更指示に応じて、前記複数の動作パラメータのうち前記メモリセルを動作させるために使用すべき動作パラメータを選択する選択部と、ユーザからの起動指示に応じて、電源を起動するとともに、前記選択部により選択された動作パラメータを前記記憶部から読み出して使用可能な状態に設定する起動処理部と、前記起動処理部により使用可能な状態に設定された動作パラメータを使用して、前記メモリセルを動作させる動作制御部と、を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。信頼性を優先する第1の動作モードとパフォーマンスを優先する第2の動作モードとを含む複数の動作モードのうち、ユーザからの前記変更指示に応じた動作モードを決定する決定部をさらに備え、前記選択部は、前記変更指示により決定された動作モードに応じて、前記メモリセルを動作させるために使用すべき動作パラメータを選択することを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。前記記憶部は、前記メモリセルアレイの周辺に配されたOTPOneTimeProgrammable型のROM領域であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体記憶装置。前記記憶部は、前記メモリセルアレイ内に配されたROM領域であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体記憶装置。初期動作パラメータを予め記憶する第2の記憶部と、ユーザからの前記変更指示に応じて、前記選択部により選択された動作パラメータを前記記憶部から読み出し前記初期動作パラメータに代えて前記第2の記憶部に記憶させる記憶制御部と、ユーザからの第2の起動指示に応じて、前記選択部により選択された動作パラメータを前記第2の記憶部から読み出して使用可能な状態に設定する第2の起動処理部と、をさらに備えたことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体記憶装置。1つの実施形態は、例えば、出荷後においてメモリセルの動作特性を変更できる半導体記憶装置を提供することを目的とする。1つの実施形態によれば、メモリセルアレイと記憶部と選択部と起動処理部と動作制御部とを備えたことを特徴とする半導体記憶装置が提供される。メモリセルアレイでは、複数のメモリセルが配列されている。記憶部は、選択される候補となる複数の動作パラメータを予め記憶する。選択部は、ユーザからの変更指示に応じて、前記複数の動作パラメータのうち前記メモリセルを動作させるために使用すべき動作パラメータを選択する。起動処理部は、ユーザからの起動指示に応じて、電源を起動するとともに、前記選択部により選択された動作パラメータを前記記憶部から読み出して使用可能な状態に設定する。動作制御部は、前記起動処理部により使用可能な状態に設定された動作パラメータを使用して、前記メモリセルを動作させる。以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体記憶装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。第1の実施形態第1の実施形態にかかる半導体記憶装置について図1を用いて説明する。図1は、半導体記憶装置の構成を示す図である。半導体記憶装置は、不揮発性半導体メモリであり、例えばNAND型フラッシュメモリ以下、NANDメモリとする1を含む。以下では、半導体記憶装置がNANDメモリ1である場合について例示的に説明する。NANDメモリ1は、メモリセルアレイMA1、MA2、ROMヒューズ10、OTPOneTimeProgrammable型のROM20、コントローラ30、レジスタ40を備える。メモリセルアレイMA1、MA2では、それぞれ、複数のメモリセルが例えば行方向及び列方向に配列されている。メモリセルアレイMA1、MA2では、行方向に延びた複数のワードラインにおける選択ワードラインと列方向に延びた複数のビットラインにおける選択ビットラインとによりメモリセルが選択され動作する。各メモリセルは、上位ページおよび下位ページを使用して多値記憶が可能である。メモリセルアレイMA1、MA2では、データ消去の単位である物理ブロックを複数配列して構成される。メモリセルアレイMA1、MA2では、物理ページごとにデータの書き込みおよびデータの読み出しが行われる。物理ブロックは、複数の物理ページによって構成されている。ROMヒューズ10には、初期動作パラメータが予め出荷前に記憶されている。初期動作パラメータは、各メモリセルの初期設定時出荷時の状態に適したものとして出荷前に決定された各メモリセルの動作条件に関するパラメータである。初期動作パラメータは、例えば、以下のようなパラメータのセットを含む。1書き込みprog時startVpgm:1回目に印加する書き込み電圧ΔVpgm:書き込み電圧のstepsizepulse幅:書き込み電圧のパルスの幅ProgramVerifylevel:書き込み時のベリファイ電圧非選択WLWordLineVoltage:書き込み時に選択されていないワードラインに印加される電圧2読み込みread時Vread:読み出し時に選択されていないワードラインに印加される電圧Tsense:読み出し時のセンス時間Tblch:選択BLBitLineを充電する時間BL充電時間readlevel:メモリセルの閾値を判断する読み出し電圧3消去Erase時startVera:1回目に印加する消去電圧ΔVera:消去電圧のstepsize消去VeraVoltagePulse幅:消去電圧のパルスの幅EraseVerifylevel:消去時のベリファイ電圧OTP型のROM20は、メモリセルアレイMA1、MA2の周辺に配されている。OTP型のROM20は、OTP機能を有するROM領域である。すなわち、OTP型のROM20は消去コマンドを受け付けないように構成されており、OTP型のROM20に1回書き込まれたデータは消去できないようになっている。OTP型のROM20には、後述する選択部32により選択される候補となる複数の動作パラメータを予め出荷前に記憶されている。複数の動作パラメータは、例えば、各メモリセルの出荷後の経時的な劣化状態の複数レベルに対応したものとして出荷前に決定された各メモリセルの動作条件に関するパラメータを含む。複数の動作パラメータのそれぞれは、例えば、上記のような初期動作パラメータと同様の項目について初期動作パラメータの値からシフトさせた値を有するパラメータを含む。複数の動作パラメータは、例えば、初期動作パラメータの書き込み電圧Vpgmよりも低い値の書き込み電圧Vpgm1、Vpgm2を含む。複数の動作パラメータは、例えば、初期動作パラメータの消去電圧Veraよりも高い値の消去電圧Vera1、Vera2を含む。複数の動作パラメータは、例えば、初期動作パラメータのセンス時間Tsenseよりも長い値のセンス時間Tsense1、Tsense2を含む。複数の動作パラメータは、例えば、初期動作パラメータのBL充電時間Tblchよりも長い値のBL充電時間Tblch1、Tblch2を含む。コントローラ30は、NANDメモリ1における各部の動作を制御する。具体的には、コントローラ30は、起動処理部31、選択部32、起動処理部33、及び動作制御部34を有する。起動処理部31は、ユーザからの起動指示PowerOnReadに応じて生成された電源起動コマンド及び第1の読み出しコマンドを外部例えば、図10に示すコントローラ3から受ける。起動処理部31は、電源起動コマンドに従って、NANDメモリ1内の電源回路図示せずを起動する。起動処理部31は、電源回路の起動が完了したことを認識したら、第1の読み出しコマンドに従って、ROMヒューズ10に記憶された初期動作パラメータを読み出してレジスタ40に転送し記憶する。これにより、初期動作パラメータは、使用可能な状態に設定される。また、起動処理部31は、ユーザからの起動指示Parameterreadandsetに応じて生成された第1の読み出しコマンドを外部例えば、図10に示すコントローラ3から受ける。起動処理部31は、電源回路の起動が完了したことを認識したら、第1の読み出しコマンドに従って、ROMヒューズ10に記憶された初期動作パラメータを読み出してレジスタ40に転送し記憶する。これにより、初期動作パラメータは、使用可能な状態に設定される。選択部32は、ユーザからの変更指示に応じて生成された変更コマンドを外部から受ける。選択部32は、変更コマンド変更命令に従って、OTP型のROM20に記憶された複数の動作パラメータのうち各メモリセルを動作させるために使用すべき動作パラメータを選択する。具体的には、選択部32は、OTP型のROM20にアクセスしてOTP型のROM20に記憶された複数の動作パラメータ及びそれらのアドレスを認識し、複数の動作パラメータのうちユーザからの変更指示に応じたものを選択し、選択された動作パラメータのアドレスを保持する。起動処理部33は、ユーザからの起動指示Parameterreadandsetに応じて生成された電源起動コマンド及び第2の読み出しコマンドを外部から受ける。起動処理部33は、電源起動コマンドに従って、NANDメモリ1内の電源回路図示せずを起動する。起動処理部33は、電源回路の起動が完了したことを認識したら、第2の読み出しコマンドに従って、選択部32により選択された動作パラメータをOTP型のROM20から読み出す。すなわち、起動処理部33は、第2の読み出しコマンドに従って、選択部32により保持されたOTP型のROM20内のアドレスにアクセスして動作パラメータを読み出す。起動処理部33は、読み出された動作パラメータをレジスタ40に転送し記憶する。これにより、読み出された動作パラメータは、使用可能な状態に設定される。動作制御部34は、レジスタ40にアクセスして、各メモリセルを動作させるために使用すべき動作パラメータを認識する。動作制御部34は、その認識した動作パラメータを用いて、メモリセルアレイMA1、MA2における各メモリセルに対して、書き込み動作、読み出し動作、消去動作を行わせる。すなわち、動作制御部34は、起動処理部33により使用可能な状態に設定された動作パラメータを使用して、各メモリセルを動作させる。次に、第2の読み出しコマンドのシーケンスについて図2を用いて説明する。図2は、第2の読み出しコマンドのシーケンスを示す図である。起動処理部33は、電源回路の起動が完了したことを認識したら、NANDメモリ1の動作モードをテストモードにする。起動処理部33は、読み出しを示すコマンド5Ah、コマンドBEh、アドレスAddを入力して、OTP型のROM20から動作パラメータを読み出す読み出し処理を実行する。起動処理部33は、読み出した動作パラメータのデータをコントローラ30内のキャッシュメモリ図示せずに転送して一時記憶する。そして、起動処理部33は、キャッシュメモリに一時記憶されている動作パラメータのデータをレジスタ40へ転送し、レジスタ40に既に記憶されている初期動作パラメータを転送された動作パラメータで上書き記憶する。これにより、レジスタ40内の動作パラメータが書き換わる。例えば、過去に行われた第1の読み出しコマンドに従って初期動作パラメータがレジスタ40に既に記憶されている場合、レジスタ40に保持された各メモリセルの動作に使用されるべき動作パラメータが、初期動作パラメータから上記の動作パラメータに書き換わる。次に、NANDメモリ1の動作について図3を用いて説明する。図3は、NANDメモリ1の動作を示すフローチャートである。図3に示す処理のうち、ステップS1の処理はNANDメモリ1の出荷前に行われ、ステップS2以降の処理はNANDメモリ1の出荷後に行われる。ステップS1では、ROMヒューズ10に、初期動作パラメータを記憶する。また、OTP型のROM20に、選択部32により選択される候補となる複数の動作パラメータを記憶する。すなわち、出荷前において、各メモリセルの出荷後の予想される経時的な劣化状態を複数のレベルにランク付けし、各レベルに応じて初期動作パラメータの値からシフトさせた値を決定する。そのようにシフトされた値を有する複数の動作パラメータOP1、OP2をOTP型のROM20に記憶する。ステップS2では、選択部32が、ユーザからの変更指示に応じて生成された変更コマンドを外部から受けたか否かを判断する。選択部32は、変更コマンドを受けていない場合ステップS2でNo、処理をステップS2に戻し、変更コマンドを受けた場合ステップS2でYes、処理をステップS3に進める。ステップS3では、選択部32が、OTP型のROM20に記憶された複数の動作パラメータのうち各メモリセルを動作させるために使用すべき動作パラメータを選択する。具体的には、選択部32は、OTP型のROM20にアクセスしてOTP型のROM20に記憶された複数の動作パラメータ及びそれらのアドレスAddを認識し、複数の動作パラメータのうちユーザからの変更指示に応じたものを選択し、選択された動作パラメータのアドレスAddを保持する。ステップS4では、起動処理部33が、ユーザからの起動指示Parameterreadandsetに応じて生成された電源起動コマンド及び第2の読み出しコマンドを外部から受けたか否かを判断する。起動処理部33は、電源起動コマンド及び第2の読み出しコマンドを受けていない場合ステップS4でNo、処理をステップS4に戻し、電源起動コマンド及び第2の読み出しコマンドを受けた場合ステップS4でYes、処理をステップS5に進める。ステップS5では、起動処理部33が、電源起動コマンドに従って、NANDメモリ1内の電源回路図示せずを起動する。そして、起動処理部33は、例えば、NANDメモリ1内の電源ライン図示せずのレベルをモニターすることにより、電源回路の起動が完了したことを認識する。起動処理部33は、電源回路の起動が完了したことを認識したら、処理をステップS6へ進める。ステップS6では、起動処理部31が、ユーザからの起動指示Parameterreadandsetに応じて生成された第1の読み出しコマンドを外部例えば、図10に示すコントローラ3から受ける。起動処理部31は、電源回路の起動が完了したことを認識したら、第1の読み出しコマンドに従って、ROMヒューズ10に記憶された初期動作パラメータを読み出してレジスタ40に転送し記憶する。これにより、初期動作パラメータは、使用可能な状態に設定される。そして、起動処理部33は、第2の読み出しコマンドに従って、選択部32により選択された動作パラメータをOTP型のROM20から読み出す。具体的には、以下のステップS6A及びS6Bの処理を行う。ステップS6Aでは、起動処理部33は、第2の読み出しコマンドに従って、選択された動作パラメータのアドレスAddを選択部32から受ける。これにより、起動処理部33は、選択された動作パラメータのアドレスAddを認識する。ステップS6Bでは、起動処理部33が、第2の読み出しコマンドに従って、選択部32により選択された動作パラメータをOTP型のROM20から読み出す。すなわち、起動処理部33は、第2の読み出しコマンドに従って、選択部32により保持されたOTP型のROM20内のアドレスAddにアクセスして動作パラメータを読み出す。例えば、起動処理部33は、OTP型のROM20内の記憶領域20aのアドレスにアクセスして動作パラメータOP1を読み出す。あるいは、例えば、起動処理部33は、OTP型のROM20内の記憶領域20bのアドレスにアクセスして動作パラメータOP2を読み出す。起動処理部33は、読み出された動作パラメータをレジスタ40に転送し、レジスタ40に既に記憶されている初期動作パラメータを転送された動作パラメータで上書き記憶する。これにより、読み出された動作パラメータは、使用可能な状態に設定される。ステップS7では、動作制御部34が、レジスタ40にアクセスして、各メモリセルを動作させるために使用すべき動作パラメータすなわち、変更後の動作パラメータを認識する。動作制御部34は、その認識した動作パラメータを用いて、メモリセルアレイMA1、MA2における各メモリセルに対して、書き込み動作、読み出し動作、消去動作を行わせる。すなわち、動作制御部34は、起動処理部33により使用可能な状態に設定された動作パラメータを使用して、各メモリセルを動作させる。次に、動作パラメータを選択する処理ステップS3の詳細について図4を用いて説明する。図4は、動作パラメータを選択する処理ステップS3における処理の流れを示すフローチャートである。ステップS11では、選択部32が、ユーザからの変更指示に応じて生成された変更コマンドを外部から受ける。選択部32は、変更コマンドの内容に基づき、ユーザからの変更指示の内容が信頼性向上に関するものか否かを判断する。選択部32は、信頼性向上に関するものである場合ステップS11でYes、処理をステップS12へ進め、信頼性向上に関するものでない場合ステップS11でNo、処理をステップS13へ進める。ステップS12では、選択部32が、書き換え回数/消去回数の情報を外部例えば、図10に示すコントローラ3から受ける。書き換え回数/消去回数は、例えば、多数の物理ブロックについての検証データの平均をとった物理ブロック単位の平均値である。選択部32は、書き換え回数/消去回数が閾値TH以上であるか否かを判断する。選択部32は、書き換え回数/消去回数が閾値TH未満である場合ステップS12でTH未満、処理をステップS13へ進め、書き換え回数/消去回数が閾値TH以上である場合ステップS12でTH以上、処理をステップS14へ進める。ステップS13では、選択部32が、OTP型のROM20に記憶された複数の動作パラメータのうち、信頼性RL1の動作パラメータOP1を選択する。動作パラメータOP1は、初期動作パラメータよりも信頼性が向上するように予め決定されたパラメータである。動作パラメータOP1は、例えば、初期動作パラメータの書き込み電圧Vpgmよりも低い値の書き込み電圧Vpgm1を含む。動作パラメータOP1は、例えば、初期動作パラメータの消去電圧Veraよりも高い値の消去電圧Vera1を含む。動作パラメータOP1は、例えば、初期動作パラメータのセンス時間Tsenseよりも長い値のセンス時間Tsense1を含む。動作パラメータOP1は、例えば、初期動作パラメータのBL充電時間Tblchよりも長い値のBL充電時間Tblch1を含む。ステップS14では、選択部32が、OTP型のROM20に記憶された複数の動作パラメータのうち、信頼性RL2>RL1の動作パラメータOP2を選択する。すなわち、選択部32は、ステップS12で書き換え回数/消去回数が閾値TH以上であると判断されたことから信頼性のレベルをステップS13より高い信頼性RL2まで向上させるべきであると認識し、信頼性RL2>RL1の動作パラメータOP2を選択する。動作パラメータOP2は、初期動作パラメータ及び動作パラメータOP1よりも信頼性が向上するように予め決定されたパラメータである。動作パラメータOP2は、例えば、初期動作パラメータの書き込み電圧Vpgmよりも低く、且つ、上記の書き込み電圧Vpgm1よりも低い値の書き込み電圧Vpgm2を含む。動作パラメータOP2は、例えば、初期動作パラメータの消去電圧Veraよりも高く、且つ、上記の消去電圧Vera1よりも高い値の消去電圧Vera2を含む。動作パラメータOP2は、例えば、初期動作パラメータのセンス時間Tsenseよりも長く、且つ、上記のセンス時間Tsense1よりも長い値のTsense2を含む。動作パラメータOP2は、例えば、初期動作パラメータのBL充電時間Tblchよりも長く、且つ、上記のBL充電時間Tblch1よりも長い値のBL充電時間Tblch2を含む。以上のように、第1の実施形態では、OTP型のROM20にROMヒューズ10とは異なる複数の動作パラメータのデータをあらかじめ書き込んでおき、ユーザからの変更指示に応じて複数の動作パラメータのうち各メモリセルの動作に使用すべき動作パラメータを選択する。そして、ユーザからの起動指示Parameterreadandsetに応じて上記の選択された動作パラメータをOTP型のROM20から読み出してレジスタ40に設定し、その設定された動作パラメータで各メモリセルを動作させる。これにより、出荷後においてメモリセルの動作特性を変更できる。また、第1の実施形態では、ユーザからの変更指示に応じた動作パラメータを自動的に選択するので、動作パラメータの値についての高度な知識を要することなく、簡易な操作でメモリセルの動作特性を変更できる。すなわち、ユーザが簡単な操作を行うことでNANDメモリ1の信頼性を上げることができる。また、第1の実施形態では、OTP型のROM20が、メモリセルアレイMA1、MA2の周辺に配されている。これにより、メモリセルアレイMA1、MA2が消費されることを抑制できる。また、消去コマンドを受け付けないようにOTP型のROM20を構成することが容易であるので、OTP型のROM20に記憶された複数の動作パラメータがユーザにより誤って消去されることを避けることができる。また、第1の実施形態では、OTP型のROM20に予め記憶された複数の動作パラメータが、例えば、各メモリセルの出荷後の経時的な劣化状態の複数のレベルに対応したものとして出荷前に決定された各メモリセルの動作条件に関するパラメータを含む。これにより、ユーザからの変更指示と各メモリセルの出荷後の経時的な劣化状態のレベルとに応じて、多段階的にNANDメモリ1の信頼性を向上できる。具体的には、図4に示されるように、ユーザからの変更指示が信頼性向上に関するものでない場合、信頼性向上の要求レベルはそれほど高くないがユーザが現状の信頼性に満足しているわけではないものとして、現状から若干信頼性を向上するように信頼性RL1の動作パラメータOP1を選択する。また、ユーザからの変更指示が信頼性向上に関するものであっても、書き換え回数/消去回数が閾値TH未満である場合、信頼性向上の要求レベルは高いが各メモリセルの劣化状態を考慮して信頼性向上の必要性がそれほど高くないものとして、現状から若干信頼性を向上するように信頼性RL1の動作パラメータOP1を選択する。さらに、ユーザからの変更指示が信頼性向上に関するものであり、書き換え回数/消去回数が閾値TH以上である場合、信頼性向上の要求レベルは高く、且つ、各メモリセルの劣化状態を考慮して信頼性向上の必要性が高いものとして、現状から大幅に信頼性を向上するように信頼性RL2の動作パラメータOP2を選択する。これにより、ユーザからの変更指示と各メモリセルの出荷後の経時的な劣化状態のレベルとに応じて、多段階的にNANDメモリ1の信頼性を向上できる図5参照。なお、選択部32により選択される候補となる複数の動作パラメータは、OTP型のROM20に記憶されている代わりに、メモリセルアレイMA1、MA2内の消去コマンドを受け付けないように設定されたROM領域に記憶されていても良い。また、NANDメモリ1が高信頼性向けである場合、動作パラメータを選択する処理ステップS3は、図4のステップS11が省略されたものであってもよい。すなわち、ユーザからの変更指示の内容に関わらず、図4のステップS12の処理が行われてもよい。これにより、高信頼性向けのNANDメモリ1において、W/E回数に応じて必要な動作パラメータを選択してメモリセルの動作に用いて信頼性を上げることができる。第2の実施形態次に、第2の実施形態にかかる半導体記憶装置について図6を用いて説明する。図6は、半導体記憶装置の構成を示す図である。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。第2の実施形態にかかる半導体記憶装置としてのNANDメモリ100は、信頼性を優先する動作モードBモードとパフォーマンスを優先する動作モードCモードとを含む複数の動作モードAモード~Eモードを有する。NANDメモリ100は、コントローラ130を備える。コントローラ130は、決定部135を有する。決定部135は、ユーザからの変更指示に応じて生成された変更コマンドを外部から受ける。決定部135は、変更コマンドに従って、NANDメモリ100の複数の動作モードAモード~Eモードのうち、ユーザからの変更指示に応じた動作モードを決定する。選択部32は、ユーザからの変更指示に応じて決定された動作モードに応じて、各メモリセルを動作させるために使用すべき動作パラメータを選択する。選択部32は、複数の動作パラメータのうち動作モードに応じたものを選択し、選択された動作パラメータのアドレスを保持する。また、動作パラメータを選択する処理ステップS3の詳細が、図7に示すように、第1の実施形態と異なる。図7は、動作パラメータを選択する処理ステップS3における処理の流れを示すフローチャートである。ステップS21では、決定部135が、ユーザからの変更指示に応じて生成された変更コマンドを外部から受ける。決定部135は、変更コマンドの内容に基づき、ユーザからの変更指示の内容が何に関するものかを判断する。決定部135は、ユーザからの変更指示の内容が、書き換え回数/消去回数に応じて信頼性を上げるものである場合ステップS21でW/E回数、処理をステップS22へ進める。決定部135は、ユーザからの変更指示の内容が、パフォーマンス読み出し処理時間tR/書き込み処理時間tPROG/消去処理時間tERASEを犠牲にして信頼性を上げるものである場合ステップS21で信頼性優先、処理をステップS23へ進める。決定部135は、ユーザからの変更指示の内容が、信頼性を犠牲にしてパフォーマンスを上げるものである場合ステップS21でパフォーマンス優先、処理をステップS24へ進める。決定部135は、ユーザからの変更指示の内容が、信頼性要求要求W/E回数、ECC数に関するものである場合ステップS21で信頼性要求、処理をステップS25へ進める。決定部135は、ユーザからの変更指示の内容が、アプリケーション用途に関するものである場合ステップS21でアプリケーション用途、処理をステップS26へ進める。ステップS22では、決定部135が、NANDメモリ100の動作モードをAモードに決定する。決定部135は、動作モードがAモードであることを示す情報を選択部32へ供給する。選択部32は、動作モードがAモードであることに応じて、書き換え回数/消去回数を判断するための閾値THにAモード用の閾値TH1を設定する。閾値TH1は、例えば、標準的な閾値である。そして、選択部32は、処理をステップS27へ進める。ステップS23では、決定部135が、NANDメモリ100の動作モードをBモードに決定する。決定部135は、動作モードがBモードであることを示す情報を選択部32へ供給する。選択部32は、動作モードがBモードであることに応じて、書き換え回数/消去回数を判断するための閾値THにBモード用の閾値TH2<TH1を設定する。閾値TH2は、閾値TH1に対して、信頼性が優先されるように低くした閾値である。そして、選択部32は、処理をステップS27へ進める。ステップS24では、決定部135が、NANDメモリ100の動作モードをCモードに決定する。決定部135は、動作モードがCモードであることを示す情報を選択部32へ供給する。選択部32は、動作モードがCモードであることに応じて、書き換え回数/消去回数を判断するための閾値THにCモード用の閾値TH3>TH1を設定する。閾値TH3は、閾値TH1に対して、パフォーマンスが優先されるように高くした閾値である。そして、選択部32は、処理をステップS27へ進める。ステップS25では、決定部135が、NANDメモリ100の動作モードをDモードに決定する。決定部135は、動作モードがDモードであることを示す情報を選択部32へ供給する。選択部32は、動作モードがDモードであることに応じて、要求される書き換え回数/消去回数を判断するための閾値THにDモード用の閾値TH4<TH1を設定する。閾値TH4は、閾値TH1に対して、信頼性が優先されるように高くした閾値である。また、選択部32は、動作モードがDモードであることに応じて、ECCErrorCheckingandCorrection数すなわち、ECC処理により救済されたビット数を判断するための閾値ETHにDモード用の閾値ETH4を設定する。そして、選択部32は、処理をステップS28へ進める。ステップS26では、決定部135が、NANDメモリ100の動作モードをEモードに決定する。決定部135は、動作モードがEモードであることを示す情報を選択部32へ供給する。選択部32は、動作モードがEモードであることに応じて、書き換え回数/消去回数を判断するための閾値THにEモード用の閾値TH5を設定する。閾値TH5は、閾値TH1に対して、アプリケーション用に変更された閾値である。そして、選択部32は、処理をステップS27へ進める。ステップS27では、選択部32が、書き換え回数/消去回数の情報を外部例えば、図10に示すコントローラ3から受ける。選択部32は、書き換え回数/消去回数が閾値TH以上であるか否かを判断する。選択部32は、書き換え回数/消去回数が閾値TH未満である場合ステップS27でTH未満、処理をステップS31へ進め、書き換え回数/消去回数が閾値TH以上である場合ステップS27でTH以上、処理をステップS33へ進める。ステップS28では、選択部32が、要求される書き換え回数/消去回数の情報を外部例えば、図10に示すコントローラ3から受ける。選択部32は、要求される書き換え回数/消去回数が閾値TH以上であるか否かを判断する。選択部32は、要求される書き換え回数/消去回数が閾値TH未満である場合ステップS28でTH未満、処理をステップS29へ進め、書き換え回数/消去回数が閾値TH以上である場合ステップS28でTH以上、処理をステップS30へ進める。ステップS29では、選択部32が、ECC数の情報を外部例えば、図10に示すECC回路2から受ける。選択部32は、ECC数が閾値ETH以上であるか否かを判断する。選択部32は、ECC数が閾値ETH未満である場合ステップS29でETH未満、処理をステップS31へ進め、ECC数が閾値ETH以上である場合ステップS29でETH以上、処理をステップS32へ進める。ステップS30では、選択部32が、ECC数の情報を外部例えば、図10に示すECC回路2から受ける。選択部32は、ECC数が閾値ETH以上であるか否かを判断する。選択部32は、ECC数が閾値ETH未満である場合ステップS30でETH未満、処理をステップS33へ進め、ECC数が閾値ETH以上である場合ステップS30でETH以上、処理をステップS34へ進める。ステップS31では、選択部32が、OTP型のROM20に記憶された複数の動作パラメータのうち、信頼性RL11の動作パラメータOP11を選択する。動作パラメータOP11は、初期動作パラメータよりも信頼性が低くなるがパフォーマンスを向上できるように予め決定されたパラメータである。動作パラメータOP11は、例えば、初期動作パラメータの書き込み電圧Vpgmよりも高い値の書き込み電圧Vpgm11を含む。動作パラメータOP11は、例えば、初期動作パラメータの消去電圧Veraよりも低い値の消去電圧Vera11を含む。動作パラメータOP11は、例えば、初期動作パラメータのセンス時間Tsenseよりも短い値のセンス時間Tsense11を含む。動作パラメータOP11は、例えば、初期動作パラメータのBL充電時間Tblchよりも短い値のBL充電時間Tblch11を含む。ステップS32では、選択部32が、OTP型のROM20に記憶された複数の動作パラメータのうち、信頼性RL12>RL11の動作パラメータOP12を選択する。動作パラメータOP12は、初期動作パラメータよりも信頼性を向上できるように予め決定されたパラメータである。動作パラメータOP12は、例えば、初期動作パラメータの書き込み電圧Vpgmよりも低い値の書き込み電圧Vpgm12を含む。動作パラメータOP12は、例えば、初期動作パラメータの消去電圧Veraよりも高い値の消去電圧Vera12を含む。動作パラメータOP12は、例えば、初期動作パラメータのセンス時間Tsenseよりも短い値のセンス時間Tsense12を含む。動作パラメータOP12は、例えば、初期動作パラメータのBL充電時間Tblchよりも短い値のBL充電時間Tblch12を含む。ステップS33では、選択部32が、OTP型のROM20に記憶された複数の動作パラメータのうち、信頼性RL13>RL12の動作パラメータOP13を選択する。動作パラメータOP13は、初期動作パラメータ及び動作パラメータOP12よりも信頼性を向上できるように予め決定されたパラメータである。動作パラメータOP13は、例えば、初期動作パラメータの書き込み電圧Vpgmよりも低く、且つ、上記の書き込み電圧Vpgm12よりも低い値の書き込み電圧Vpgm13を含む。動作パラメータOP13は、例えば、初期動作パラメータの消去電圧Veraよりも高く、且つ、上記の消去電圧Vera12よりも高い値の消去電圧Vera13を含む。動作パラメータOP13は、例えば、初期動作パラメータのセンス時間Tsenseよりも長く、且つ、上記のセンス時間Tsense12よりも長い値のTsense13を含む。動作パラメータOP13は、例えば、初期動作パラメータのBL充電時間Tblchよりも長く、且つ、上記のBL充電時間Tblch12よりも長い値のBL充電時間Tblch13を含む。ステップS34では、選択部32が、OTP型のROM20に記憶された複数の動作パラメータのうち、信頼性RL14>RL13の動作パラメータOP14を選択する。動作パラメータOP14は、初期動作パラメータ及び動作パラメータOP12、OP13よりも信頼性を向上できるように予め決定されたパラメータである。動作パラメータOP14は、例えば、初期動作パラメータの書き込み電圧Vpgmよりも低く、且つ、上記の書き込み電圧Vpgm12、Vpgm13よりも低い値の書き込み電圧Vpgm14を含む。動作パラメータOP14は、例えば、初期動作パラメータの消去電圧Veraよりも高く、且つ、上記の消去電圧Vera12、Vera13よりも高い値の消去電圧Vera14を含む。動作パラメータOP14は、例えば、初期動作パラメータのセンス時間Tsenseよりも長く、且つ、上記のセンス時間Tsense12、Tsense13よりも長い値のTsense14を含む。動作パラメータOP14は、例えば、初期動作パラメータのBL充電時間Tblchよりも長く、且つ、上記のBL充電時間Tblch12、Tblch13よりも長い値のBL充電時間Tblch14を含む。以上のように、第2の実施形態では、信頼性を優先する動作モードとパフォーマンスを優先する動作モードとを含む複数の動作モードのうち、ユーザからの変更指示に応じた動作モードを決定し、その決定された動作モードに応じて、メモリセルを動作させるために使用すべき動作パラメータを選択する。これにより、ユーザからの多様な変更要求に応じて、多段階的にNANDメモリ100の信頼性を向上できる。具体的には、NANDメモリ100の動作モードとして、ユーザからの多様な変更要求に応じた多様な動作モードAモード~Eモードを用意しておき、ユーザからの変更指示に応じた動作モードを自動的に決定する。これにより、動作パラメータの値についての高度な知識を要することなく、簡易な操作でメモリセルの動作特性を変更できる。すなわち、ユーザが簡単な操作を行うことで、例えば、NANDメモリ100の信頼性を向上させたりパフォーマンスを向上させたりすることができる。言い換えると、NANDメモリ100の複数の動作モードに対応した複数の動作パラメータを、用途や目的に応じてユーザが自由に選択できる。第3の実施形態次に、第3の実施形態にかかる半導体記憶装置について説明する。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。第3の実施形態に係る半導体記憶装置としてのNANDメモリ1は、動作パラメータを選択する処理ステップS3の詳細が、図8に示すように、第1の実施形態と異なる。図8は、動作パラメータを選択する処理ステップS3における処理の流れを示すフローチャートである。ステップS31では、選択部32が、ユーザからの変更指示に応じて生成された変更コマンドを外部から受ける。選択部32は、変更コマンドの内容に基づき、ユーザからの変更指示の内容がどんな用途に関するものかを判断する。選択部32は、ユーザからの変更指示の内容が、第1の用途に関するものである場合ステップS21で第1の用途、処理をステップS32へ進める。選択部32は、ユーザからの変更指示の内容が、第2の用途に関するものである場合ステップS21で第2の用途、処理をステップS33へ進める。ステップS32では、選択部32が、OTP型のROM20に記憶された複数の動作パラメータのうち、第1の用途に対応した第1の動作パラメータOP31を選択する。動作パラメータOP31は、初期動作パラメータよりも第1の用途に適したものになるように予め決定されたパラメータである。ステップS33では、選択部32が、OTP型のROM20に記憶された複数の動作パラメータのうち、第2の用途に対応した第2の動作パラメータOP32を選択する。動作パラメータOP32は、初期動作パラメータよりも第2の用途に適したものになるように予め決定されたパラメータである。以上のように、第3の実施形態では、ユーザからの変更指示の内容がどんな用途に関するものであるかに応じて、その用途に応じた動作パラメータを自動的に選択するので、動作パラメータの値についての高度な知識を要することなく、簡易な操作でメモリセルの動作特性を変更できる。すなわち、メーカ側としては、ユーザに公開したくないノウハウや特殊な内部動作やタイミングに関するものを動作パラメータに入れておくことができる。第4の実施形態次に、第4の実施形態にかかる半導体記憶装置について図9を用いて説明する。図9は、半導体記憶装置の構成を示す図である。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。第4の実施形態にかかる半導体記憶装置としてのNANDメモリ200は、コントローラ230及びROMヒューズ210を備える。コントローラ230は、記憶制御部236及び起動処理部231を有する。記憶制御部236は、ユーザからの変更指示に応じて生成された変更コマンドを外部例えば、図10に示すコントローラ3から受ける。記憶制御部236は、変更コマンドに従って、選択部32により選択された動作パラメータをOTP型のROM20から読み出し、読み出した動作パラメータを初期動作パラメータに代えてROMヒューズ210に記憶させる。具体的には、記憶制御部236は、変更コマンドに従って、選択部32により保持されたOTP型のROM20内のアドレスにアクセスして動作パラメータを読み出す。記憶制御部236は、読み出された動作パラメータでROMヒューズ210内の初期動作パラメータを書き換える。言い換えると、記憶制御部236は、読み出された動作パラメータを、ROMヒューズ210内の初期動作パラメータが記憶されているアドレスの記憶領域に上書き記憶する。起動処理部231は、ユーザからの起動指示PowerOnReadに応じて生成された電源起動コマンド及び第1の読み出しコマンドを外部例えば、図10に示すコントローラ3から受ける。起動処理部231は、電源起動コマンドに従って、NANDメモリ200内の電源回路図示せずを起動する。起動処理部231は、電源回路の起動が完了したことを認識したら、第1の読み出しコマンドに従って、ROMヒューズ210に記憶された上記の動作パラメータを読み出してレジスタ40に転送し記憶する。これにより、選択部32により選択されROMヒューズ210に記憶されている動作パラメータは、使用可能な状態に設定される。ROMヒューズ210は、記憶制御部236により初期動作パラメータが書き換える前に、初期動作パラメータをその記憶されているアドレスから別のアドレスにコピーしてバックアップをとっておく。これにより、記憶制御部236により初期動作パラメータが書き換えられた後に、必要に応じて、バックアップされた初期動作パラメータを再度その記憶されていたアドレスへ戻すことができる。以上のように、第4の実施形態では、ユーザからの変更指示に応じて、選択された動作パラメータをOTP型のROM20から読み出し、読み出した動作パラメータでROMヒューズ210を書き換えておく。そして、ユーザからの起動指示PowerOnReadに応じて、上記の選択された動作パラメータをROMヒューズ210から読み出して使用可能な状態に設定する。これにより、動作パラメータをOTP型のROM20から読み出して使用可能な状態に設定する場合に比べて、読み出し処理の内容を簡略化することができるので、読み出し処理に要する時間を短縮することができる。次に、第1~第4の実施形態にかかる半導体記憶装置を適用したメモリシステム4について図10を用いて説明する。メモリシステム4は、通信媒体を介してホスト装置HAの外部に接続され、ホスト装置HAに対する外部記憶媒体として機能する。ホスト装置HAは、例えば、パーソナルコンピュータ又はCPUコアを含む。メモリシステム4は、例えば、SSDSolidStateDrive又はメモリカードを含む。以下では、第1の実施形態にかかる半導体記憶装置としてのNANDメモリ1を適用したメモリシステム4について例示的に説明する。メモリシステム4は、コントローラ3、ECCErrorCheckingandCorrection回路2、及びNANDメモリ1を備える。コントローラ3は、メモリシステム4の各構成要素を統括的に制御するもので、ホスト装置HAから命令を受けた場合に、その命令に従った制御を行う。例えば、コントローラ3は、ホスト装置HAからの命令に従って、NANDメモリ1へのデータの書き込み、NANDメモリ1からのデータの読み出し、NANDメモリ1内のデータの消去などを制御する。また、コントローラ3は、NANDメモリ1に対する書き換え回数/消去回数を管理しており、必要に応じて書き換え回数/消去回数の情報をECC回路2経由でNANDメモリ1へ供給する。例えば、コントローラ3は、ユーザからの起動指示PowerOnReadに応じて、電源起動コマンド及び第1の読み出しコマンドを生成してECC回路2経由でNANDメモリ1へ供給する。例えば、コントローラ3は、ユーザからの起動指示Parameterreadandsetに応じて、電源起動コマンド、第1の読み出しコマンド、及び第2の読み出しコマンドを生成してECC回路2経由でNANDメモリ1へ供給する。ECC回路2は、NANDメモリ1に書き込まれるべきデータやNANDメモリ1から読み出されたデータに対してECC処理を行う。また、ECC回路2は、ECC数すなわち、ECC処理により救済されたビット数を管理しており、必要に応じてECC数の情報をNANDメモリ1へ供給する。なお、メモリシステム4aにおいて、起動制御部31a、選択部32a、起動処理部33a、動作制御部34aが、NANDメモリ1a内のコントローラ30aに備えられておらずに、コントローラ3aに備えられていても良い。起動制御部31a、選択部32a、起動処理部33a、動作制御部34aの動作内容は、それぞれ、第1の実施形態におけるNANDメモリ1内のコントローラ30に備えられた起動制御部31、選択部32、起動処理部33、動作制御部34の動作内容と同様である。本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。