"シード成長システムにおいて、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、炭化珪素シード結晶とシードホルダとの間の伝導熱伝搬が、シードホルダに隣接する炭化珪素シード結晶のすべての表面の上のこれらの間の放射熱伝搬よりも優勢になるまで、炭化珪素シード結晶とシードホルダとの間の距離を低減させるステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項1記載の方法において、該方法は、シード昇華成長システムにおいて単結晶を生成するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項1記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。シード成長システムにおいて、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、シード結晶とシードホルダとの間の距離が10μm以上とならないように、シード結晶のシードホルダに対向する表面とシードホルダとを適合させるステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項4記載の方法において、該方法は、シード結晶とシードホルダとの間の距離を5μm以上とならないようにするステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項4記載の方法において、該方法は、シード結晶とシードホルダとの間の距離を2μm以上とならないようにするステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項4記載の方法において、該方法は、シード昇華成長システムにおいて単結晶を生成するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項4記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項4記載の方法において、該方法は、シード結晶のサイズとほぼ同一サイズで単結晶を成長させるステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項4記載の方法において、シード結晶とシードホルダとを適合させるステップは、シード結晶を、シードホルダに対向する表面が10μm未満の偏差の平坦度となるように提供するステップからなることを特徴とする方法。請求項4記載の方法において、シード結晶とシードホルダとを適合させるステップは、シード結晶を、シードホルダに対向する表面が5μm未満の偏差の平坦度となるように提供するステップからなることを特徴とする方法。請求項4記載の方法において、シード結晶とシードホルダとを適合させるステップは、シード結晶を、シードホルダに対向する表面が2μm未満の偏差の平坦度となるように提供するステップからなることを特徴とする方法。請求項4記載の方法において、シード結晶とシードホルダとを適合させるステップは、シードホルダを、シード結晶に対向する表面が10μm未満の偏差の平坦度となるように提供するステップからなることを特徴とする方法。請求項4記載の方法において、シード結晶とシードホルダとを適合させるステップは、シードホルダを、シード結晶に対向する表面が5μm未満の偏差の平坦度となるように提供するステップからなることを特徴とする方法。請求項4記載の方法において、シード結晶とシードホルダとを適合させるステップは、シードホルダを、シード結晶に対向する表面が2μm未満の偏差の平坦度となるように提供するステップからなることを特徴とする方法。請求項4記載の方法において、該方法は、少なくとも2インチ約50.8mmのサイズのシード結晶をラッピング仕上げするステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項4記載の方法において、該方法は、少なくとも100mmのサイズのシード結晶をラッピング仕上げするステップを含んでいることを特徴とする方法。シード成長システムにおいて、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、シード成長の前に、シード結晶の両面をラッピング仕上げするステップを備えていることを特徴とする方法。請求項18記載の方法において、ラッピング仕上げするステップは、シード結晶の両面を10μm未満の平坦度の表面となるようにラッピング仕上げするステップからなることを特徴とする方法。請求項18記載の方法において、ラッピング仕上げするステップは、シード結晶の両面を5μm未満の平坦度の表面となるようにラッピング仕上げするステップからなることを特徴とする方法。請求項18記載の方法において、ラッピング仕上げするステップは、シード結晶の両面を2μm未満の平坦度の表面となるようにラッピング仕上げするステップからなることを特徴とする方法。請求項18記載の方法において、該方法は、シード昇華成長システムにおいて炭化珪素の結晶を成長させるステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項18記載の方法において、該方法は、固い表面とともに研磨スラリを用いてシード結晶をラッピング仕上げして、材料の大部分を取り除くステップと、その後にシード結晶を研磨して、最終的な表面を形成するステップとを含んでいることを特徴とする方法。請求項18記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。シード成長システムにおいて、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、シードホルダに対向する表面が10ミクロン未満の偏差の平坦度を有するシード結晶から、単結晶を成長させるステップを備えていることを特徴とする方法。請求項25記載の方法において、シードホルダに対向する表面が5ミクロン未満の偏差の平坦度を有するシード結晶から、単結晶を成長させるステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項25記載の方法において、シードホルダに対向する表面が2ミクロン未満の偏差の平坦度を有するシード結晶から、単結晶を成長させるステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項25記載の方法において、シードホルダに対向する表面が1ミクロン未満の偏差の平坦度を有するシード結晶から、単結晶を成長させるステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項25記載の方法において、該方法は、シード昇華成長システムにおいて炭化珪素の結晶を成長させるステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項25記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。シード成長システムにおいて、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、10ミクロン未満の平坦度のシードホルダ上に、成長用のシード結晶を配置するステップを備えていることを特徴とする方法。請求項31記載の方法において、該方法は、偏差が5ミクロン未満の平坦度のシードホルダ上に、成長用のシード結晶を配置するステップを備えていることを特徴とする方法。請求項31記載の方法において、該方法は、偏差が2ミクロン未満の平坦度のシードホルダ上に、成長用のシード結晶を配置するステップを備えていることを特徴とする方法。請求項31記載の方法において、該方法は、偏差が1ミクロン未満の平坦度のシードホルダ上に、成長用のシード結晶を配置するステップを備えていることを特徴とする方法。請求項31記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項31記載の方法において、該方法は、シード昇華成長システムにおいて炭化珪素の結晶を成長させるステップを含んでいることを特徴とする方法。シード成長システムにおいて、固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、成長の前に、シード結晶の両面をラッピング仕上げするステップを備えていることを特徴とする方法。請求項37記載の方法において、ラッピング仕上げするステップは、シード結晶の両面を10μm未満の平坦度の表面となるように、ラッピング仕上げすることを特徴とする方法。請求項37記載の方法において、ラッピング仕上げするステップは、シード結晶の両面を5μm未満の平坦度の表面となるように、ラッピング仕上げすることを特徴とする方法。請求項37記載の方法において、ラッピング仕上げするステップは、シード結晶の両面を2μm未満の平坦度の表面となるようにラッピング仕上げするステップからなることを特徴とする方法。請求項37記載の方法において、該方法は、固い表面とともに研磨スラリを用いてシード結晶をラッピング仕上げして、材料の大部分を取り除くステップと、その後にシード結晶を研磨して、最終的な表面を形成するステップとを含んでいることを特徴とする方法。請求項37記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。シード成長システムにおいて、固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、厚みが少なくとも1mmのシード結晶上に単結晶を成長させるステップを備えていることを特徴とする方法。請求項43記載の方法において、該方法は、10μm未満の平坦度を有するシードホルダ上に成長用のシード結晶を配置するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項43記載の方法において、該方法は、厚みが少なくとも1.4μmのシード結晶上に単結晶を成長させるステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項43記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素基板のシード結晶上で結晶を成長させるステップを含んでいることを特徴とする方法。シード成長システムにおいて、固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、高温接着剤により、シードホルダ上にシード結晶を配置させるステップを備えていることを特徴とする方法。請求項47記載の方法において、該方法は、グラファイト接着剤により、シードホルダ上にシード結晶を配置させるステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項47記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。シード成長システムにおいて、固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、成長状態下におけるシードホルダの温度均一性を改善するために、有機材料を炭素のシードホルダに適用するステップを備えていることを特徴とする方法。請求項50記載の方法において、該方法は、フェノール樹脂をシードホルダに適用するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項50記載の方法において、該方法は、アルコール及びフェノール樹脂の混合物を用いて、シードホルダの密度を増大させるステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項50記載の方法において、該方法は、アルコール及びフェノール樹脂の2.5:1混合物を用いて、シードホルダの密度を増大させるステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項50記載の方法において、該方法は、シードホルダの熱膨張係数を炭化珪素シードの熱膨張係数と一致させるステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項50記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。シード成長システムにおいて、固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、シードホルダの熱膨張係数と炭化珪素からなるシードの熱膨張係数とを合致させるステップを備えていることを特徴とする方法。請求項56記載の方法において、該方法は、炭素のシードホルダを炭化珪素のシード材料と合致させるステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項56記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。シード成長システムにおいて、固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、シードホルダに対向する表面であって、10μm未満の平坦度の表面を有するシード結晶から単結晶を成長させるステップを備えていることを特徴とする方法。請求項59記載の方法において、該方法は、シードホルダに対向する表面であって、5μm未満の平坦度の表面を有するシード結晶から単結晶を成長させるステップを備えていることを特徴とする方法。請求項59記載の方法において、該方法は、シードホルダに対向する表面であって、2μm未満の平坦度の表面を有するシード結晶から単結晶を成長させるステップを備えていることを特徴とする方法。請求項59記載の方法において、該方法は、シードホルダに対向する表面であって、1μm未満の平坦度の表面を有するシード結晶から単結晶を成長させるステップを備えていることを特徴とする方法。請求項59記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。シード成長システムにおいて、固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、10μm未満の平坦度を有するシードホルダ上に成長用のシード結晶を配置するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項64記載の方法において、5μm未満の平坦度を有するシードホルダ上に成長用のシード結晶を配置するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項64記載の方法において、2μm未満の平坦度を有するシードホルダ上に成長用のシード結晶を配置するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項64記載の方法において、1μm未満の平坦度を有するシードホルダ上に成長用のシード結晶を配置するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項64記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。シード成長システムにおいて、固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、シード結晶のシードホルダに対向する表面とシードホルダとを、シード結晶とシードホルダとの間の距離が10μmを超えないように、適合させるステップを備えていることを特徴とする方法。請求項69記載の方法において、該方法は、シード結晶とシードホルダとの間の距離が5μmを超えないようにするステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項69記載の方法において、該方法は、シード結晶とシードホルダとの間の距離が2μmを超えないようにするステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項69記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項69記載の方法において、該方法は、単結晶をシード結晶とほぼ同一の直径に成長させるステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項69記載の方法において、シード結晶のシードホルダに対向する表面とシードホルダとを適合させるステップは、シードホルダに対向する表面であって、10μm未満の平坦度の表面を有するシード結晶を準備するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項69記載の方法において、シード結晶のシードホルダに対向する表面とシードホルダとを適合させるステップは、シードホルダに対向する表面であって、5μm未満の平坦度の表面を有するシード結晶を準備するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項69記載の方法において、シード結晶のシードホルダに対向する表面とシードホルダとを適合させるステップは、シードホルダに対向する表面であって、2μm未満の平坦度の表面を有するシード結晶を準備するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項69記載の方法において、シード結晶のシードホルダに対向する表面とシードホルダとを適合させるステップは、シードに対向する表面であって、10μm未満の平坦度の表面を有するシードホルダを準備するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項69記載の方法において、シード結晶のシードホルダに対向する表面とシードホルダとを適合させるステップは、シードに対向する表面であって、5μm未満の平坦度の表面を有するシードホルダを準備するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項69記載の方法において、シード結晶のシードホルダに対向する表面とシードホルダとを適合させるステップは、シードに対向する表面であって、2μm未満の平坦度の表面を有するシードホルダを準備するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項69記載の方法において、該方法は、少なくとも2インチの直径のシード結晶をラッピング仕上げするステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項69記載の方法において、該方法は、少なくとも100mmの直径のシード結晶をラッピング仕上げするステップを含んでいることを特徴とする方法。シード成長システムにおいて、固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、結晶の有用領域を超える最初の10mm未満の成長において、凸状表面を示す局所化された領域が生じないようにしつつ、結晶の成長の間、平坦部をやや凸状の成長表面に保持するステップを備えていることを特徴とする方法。請求項82記載の方法において、該方法は、結晶の有用領域を超えて500μm未満の結晶成長の間、平坦部をやや凸状の成長表面に保持するステップを備えていることを特徴とする方法。請求項82記載の方法において、該方法は、凸状部の半径が40cmを超えない凸状表面を有するように、平坦部をやや凸状の成長表面に保持するステップを備えていることを特徴とする方法。請求項82記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。シード成長システムにおいて、固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、炭化珪素の結晶の裏面がシードホルダから、放射性熱転移に十分な距離だけ離間させるステップであって、該放射性熱転移がシード結晶とシードホルダとの間の伝導性熱転移を上回るようにする、ステップを備えていることを特徴とする方法。請求項86記載の方法において、該方法は、シード結晶と該シード結晶の直後のシードホルダとの間に真空状態を保持するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項86記載の方法において、該方法は、シード結晶と該シード結晶の直後のシードホルダとの間にガス充満の空間を保持するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項86記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。シード成長システムにおいて、固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、ねじり力によりシード結晶がゆがめられたり曲げられたりすることがないように、最小ねじり力を働かせながらシード結晶をるつぼに配置するステップであって、シード結晶の背面からの昇華、またはシード結晶中の不所望の温度差が助長されないようにする、ステップを備えていることを特徴とする方法。請求項90記載の方法において、該方法は、シード結晶をエッジリングのシードキャップに搭載し、該エッジリングのシードキャップをシードホルダに位置決めするステップであって、シード結晶への機械的力を最小化し、かつ、シードホルダ上のシード結晶の配置により生じるシード結晶の歪を最小化又は無くすことができるようにした、ステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項90記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。シード成長システムにおいて、固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、結晶成長の間にシードホルダがひずみを生じないようにするために結晶成長の前にシードホルダをアニールするステップであって、シード結晶内の温度差を最小化又は除去して、成長中の結晶に欠陥が生じたり伝搬することがないようにする、ステップを備えていることを特徴とする方法。請求項93記載の方法において、該方法は、単結晶をシード結晶とほぼ同一の直径に成長させるステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項90記載の方法において、該方法は、少なくとも2インチの直径の炭化珪素のシード結晶を用いて成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項90記載の方法において、該方法は、少なくとも100mmの直径の炭化珪素のシード結晶を用いて成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項90記載の方法において、該方法は、少なくとも2500°Cで約30分間、シードホルダをアニールするステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項90記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。シード成長システムにおいて、固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、シード結晶からの炭化珪素の昇華に対して蒸気バリアを提供する低多孔性の支持材料であって、シード結晶と支持材料との間の熱導電性の差を最小化し、シード結晶内の温度差を最小化又は排除し、成長中の結晶に欠陥が生じたり伝搬したりしないように、シード結晶の裏面からの蒸気移動を最小化又は排除する支持材料で、シードホルダ上にシード結晶を位置決めするステップを備えていることを特徴とする方法。請求項99記載の方法において、該方法は、シードホルダ上にシード結晶を、炭素含有率が高い有機充填剤で位置決めするステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項99記載の方法において、該方法は、シードホルダ上のシード結晶を、高温度で位置決めするステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項99記載の方法において、支持材料は、炭化珪素のシード結晶の熱膨張係数にほぼ同一の熱膨張係数を有していることを特徴とする方法。請求項99記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。シード成長システムにおいて、固体炭化珪素源が存在しない状態で、高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップと、炭化珪素のシード結晶とシードホルダとの間の距離を、シードホルダに隣接するシード結晶の表面全体に渡って、これらの間の伝導性熱転移が放射性熱転移よりも大きくなるまで、減少させるステップを備えていることを特徴とする方法。シード成長システムにおいて、固体炭化珪素源から高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、シード結晶からの炭化珪素の昇華に対して蒸気バリアを提供する低多孔性の支持材料であって、シード結晶と支持材料との間の熱導電性の差を最小化し、シード結晶内の温度差を最小化又は排除し、成長中の結晶に欠陥が生じたり伝搬したりしないように、シード結晶の裏面からの蒸気移動を最小化又は排除する支持材料で、シードホルダ上にシード結晶を位置決めするステップを備えていることを特徴とする方法。請求項105記載の方法において、該方法は、シードホルダ上にシード結晶を、炭素含有率が高い有機充填剤で位置決めするステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項105記載の方法において、該方法は、シードホルダ上のシード結晶を、高温度で位置決めするステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項105記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項105記載の方法において、該方法は、固体炭化珪素源の昇華を実行するステップを含んでいることを特徴とする方法。シード成長システムにおいて、固体炭化珪素源から高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、結晶成長の間にシードホルダがひずみを生じないようにするために、結晶成長の前にシードホルダをアニールするステップであって、シード結晶内の温度差を最小化又は除去して、成長中の結晶に欠陥が生じたり伝搬することがないようにする、ステップと、その後、シード結晶でシード成長を開始するステップとを備えていることを特徴とする方法。請求項110記載の方法において、該方法は、シード結晶とほぼ同一の直径で単結晶を成長させるステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項110記載の方法において、該方法は、少なくとも2インチ直径の炭化珪素のシード結晶を用いて成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項110記載の方法において、該方法は、少なくとも100mm直径の炭化珪素のシード結晶を用いて成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項110記載の方法において、該方法は、少なくとも2500°Cで約30分間、シードホルダをアニールするステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項110記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項110記載の方法において、該方法は、固体炭化珪素源を昇華するステップを含んでいることを特徴とする方法。シード成長システムにおいて、固体炭化珪素源から高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、成長状態下におけるシードホルダの温度均一性を改善するために、有機材料を炭素のシードホルダに適用するステップを備えていることを特徴とする方法。請求項117記載の方法において、該方法は、フェノール樹脂とシードホルダに適用するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項117記載の方法において、アルコールとフェノール樹脂との混合を用いて、シードホルダの密度を高めるステップを備えていることを特徴とする方法。請求項117記載の方法において、フルフリルアルコールとフェノール樹脂との2.5:1の混合を用いて、シードホルダの密度を高めるステップを備えていることを特徴とする方法。請求項117記載の方法において、シードホルダの熱膨張係数と炭化珪素のシード結晶の熱膨張係数とを一致させるステップを含むことを特徴とする方法。請求項117記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項117記載の方法において、該方法は、固体炭化珪素源を昇華するステップを含んでいることを特徴とする方法。固体炭化珪素源から高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、シードホルダの熱膨張係数と炭化珪素のシード結晶の熱膨張係数とを選択的に一致させるステップを含むことを特徴とする方法。請求項124記載の方法において、該方法は、シードホルダと炭化珪素のシード結晶との材料を一致されるステップを含むことを特徴とする方法。請求項124記載の方法において、該方法は、固体炭化珪素源を昇華するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項124記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。固体炭化珪素源から高品質の炭化珪素の単結晶を生成する方法であって、シードホルダにシード結晶を高温度接着剤で位置決めするステップを含むことを特徴とする方法。請求項128記載の方法において、シードホルダにシード結晶をグラファイト接着剤で位置決めするステップを含むことを特徴とする方法。請求項128記載の方法において、該方法は、3C、4H、6H及び15Rポリタイプからなるグループから選択されたポリタイプの炭化珪素のシード結晶で成長を開始するステップを含んでいることを特徴とする方法。請求項128記載の方法において、該方法は、固体炭化珪素源を昇華するステップを含んでいることを特徴とする方法。したがって、単結晶炭化珪素のバルク結晶の品質を改良し続けるため、そして欠陥密度を低下させ続けるためには、シードにおける欠陥源を特定し、その取り組みに成功することが必要である。本発明は、直径が75mm3インチよりも大きく125mm5インチより小さく、抵抗率が10,000オーム-cmよりも高く、マイクロパイプ密度が200cm-2よりも低く、浅準位のドーパントの総合濃度が5E16cm-3未満である、単一ポリタイプ結晶炭化珪素ウエハを提供する。本発明は、直径が75mm3インチよりも大きく125mm5インチより小さく、抵抗率が10,000オームセンチメートルΩ-cmよりも高く、マイクロパイプ密度が平方センチメートル当たり200cm-2よりも低く、浅準位のドーパントの総合濃度が立方センチメートル当たりcm-35E165×1016未満である、単一ポリタイプ結晶炭化珪素ウエハである。当業者には十分に理解されようが、単結晶又はそれと同等のモノクリスタルという用語は、特にここに記載し特許請求するサイズの結晶については、これらが小面積、小領域、又は少量の他のポリタイプの炭化珪素を含有していても、このような大きな結晶に適用可能とする。つまり、単一のポリタイプが圧倒的に支配する、大きな高品質結晶ウエハを、ここでは単結晶と呼ぶ。好適な実施形態では、ウエハの直径は約100mm即ち4インチである。別途注記するが、メートル単位と英国単位との関係では、4インチウエハは直径が101.6mmとなる。当業者はこれらの要素を認識しており、本発明は直径が100mm丁度のウエハだけでなく、直径が4インチ丁度のウエハにも該当することは勿論である。本発明によるウエハは、高周波電力デバイス、高電力デバイス、高温デバイス、光電デバイス、及びIII族窒化物堆積に適している。ウエハは、3C、4H、6H、及び15Rポリタイプの炭化珪素から選択することができ、4Hポリタイプが現在では最も好ましい。ウエハは、3.5 ゚、4 ゚、及び8 ゚というようなしかし、これらに限定されるのではない軸上方位又は種々の軸はずれ方位で使用可能である。一例として、軸はずれ、即ち、オフ-方位ウエハは、最も近い方向の0001面上の投影における法線ベクトルの0001面上の表面への投影間の角度を指すことができるただし、必ずしもそうとも限らない。本発明によるウエハは、平方センチメートルcm-2当たりのマイクロパイプの数が200未満であり、更に好ましくは平方センチメートル当たりのマイクロパイプが100未満であり、更に好適な実施形態では、平方センチメートル当たりマイクロパイプは30未満であり、低密度及び超低密度ではそれぞれ、平方センチメートル当たりマイクロパイプは15未満及び5未満である。ウエハは、単一研磨面を含み、シリコン又はカーボンのいずれかの面がエピタキシャル成長の準備ができていればよく、あるいは両面研磨し、シリコン又は炭素のいずれの面もエピタキシャル成長の準備ができていてもよい。ウエハは、化学機械式研磨で仕上げて、シリコン面をエピタキシャルに用いることができ、あるいは両面を化学機械式研磨して、シリコン面をエピタキシャルに用いることもできる。ここで用いる場合、ウエハの直径とは、個々のウエハ各々の上でANSI認証のデジタルキャリパを用いて手作業で行う幅測定法で、表面を横切る直線寸法のことである。厚さは、ANSI認証の非接触ツールを用いて、中心点において測定する。平面性は、インゴット毎に1枚のウエハのサンプル上で、認証されたデジタルキャリパを用いて同様に行う。100mmウエハでは、許容範囲は0.015インチ0.38mm以内である。本発明によるウエハの標準的な厚さは、意図する最終使用に応じて、約350~700ミクロンμmの間である。軸はずれ表面方位とは、格子構造内における結晶面に対するウエハの表面の方位のことである。表面方位は、ウエハの中心において、インゴット当たり1枚のウエハのサンプル上で、x-線角度計を用いて測定する。商用の目的では、主及び副双方のフラットを有するウエハが入手可能である。半導体用語では通常であるが、主フラットは、ウエハ上で最も大きな長さのフラットを表し、コートが指定された低屈折率結晶面に平行となるように配向されている。主フラットは、インゴット当たり1枚のウエハ上で、角度測定を手作業で行う反射技法を用いて測定する。副フラットは、主フラットよりも長さが短いフラットであり、主フラットに対する副フラットの位置がウエハの面を特定する。好適な実施形態では、個々のウエハ各々の炭素面に、半導体業界における定義及び特性と一致する光学キャラクタ認識互換フォントをレーザでマークする。また、本発明によるウエハは、表面上に1~5枚までのエピタキシャル層を備えることもでき、これらの層は、通常そして好ましくは、炭化珪素及びIII族窒化物から成る群から選択される。これらの材料の各々の電子特性及び利点は、当技術分野では十分に認識されており十分に理解されているので、ここでは、これ以上詳細に論じないことにする。本発明は、したがって、ウエハと、上述のエピタキシャル層とを組み込んだデバイスを含み、殆どの状況において、比較的大きな複数のこのようなデバイスがウエハ上に形成され、最終使用のために個々のデバイスに分離される前に、ウエハ上で検査される可能性がある。本発明の半絶縁炭化珪素ウエハは、FET、MOSFET、JFET、MESFET、HFET、HEMT、拡張ドレインMOSFET、及び横型DMOSトランジスタのような、デバイスにしかるべき基板を設ける個々の設計に応じて異なる。その半絶縁特性において、ウエハの窒素原子濃度は、約2×1015cm-3未満であり、バナジウム濃度は1×1014cm-3未満である。好適な実施形態では、ウエハの抵抗率は、常温において少なくとも約50,000Ω-cmである。本明細書の別部分で明記したように、点欠陥の存在は、半絶縁特性に影響を及ぼす可能性があり、したがって、実施形態の中には、ウエハの点欠陥の濃度が5×1017cm-3を超過しない場合もある。別の実施形態では、ウエハは、ドナードーパントと、アクセプタドーパントと、真性点欠陥とを備えることができる。一実施形態では、第1導電型のドーパント数は、別の第2導電型のドーパント数よりも大きく、優勢な第1の型のドーパントを補償するように作用する真性点欠陥の数は、第1の型のドーピングが第2の型のドーピングを支配する数値差よりも大きく、遷移元素の濃度は、1×1016cm-3である。この実施形態の好適な態様では、第1型のドーパントはドナーであり、第2型のドーパントはアクセプタであり、真性点欠陥はアクセプタとして作用する。最も好ましくは、アクセプタは硼素を含む。他の実施形態におけると同様、ウエハにおけるバナジウムの濃度は、1×1014cm-3未満であることが好ましい。別の実施形態では、本発明のウエハは、窒素と、単結晶炭化珪素の価電子帯に対して0.3~1.4電子ボルトの電子エネルギ準位を有する少なくとも1つのアクセプタ元素とを含み、存在する1つのアクセプタ元素の量は、窒素を過剰補償し、炭化珪素基板のフェルミ準位を、少なくとも1つのアクセプタ元素の電子エネルギ準位に貼り付ける程度である。別の実施形態では、ウエハは、ある量の電気的にアクティブな窒素、アクセプタとして作用し電気的にアクティブなある量の点欠陥、及び単結晶炭化珪素の価電子帯に対して0.3~1.4電子ボルトの電子エネルギ準位を有する、ある量の少なくとも1つのアクセプタ元素とを含み、アクセプタ元素と点欠陥を合わせた量は、電気的にアクティブな窒素の量よりも多く、したがって炭化珪素単結晶のフェルミ準位を、少なくとも1つのアクセプタ元素の電子エネルギ準位に貼り付ける。別の実施形態では、本発明によるウエハは、無作為で混入した窒素、スカンジウム、及び硼素を含み、窒素の濃度は、スカンジウムの濃度よりも高く、硼素の濃度は、硼素及びスカンジウムの総濃度に対して十分であり、窒素を過剰補償し、炭化珪素のフェルミ準位をスカンジウムの準位に貼り付ける。本発明によるウエハの生産を向上させる多数の技法がある。最初に、本発明者はいずれの特定の理論にも縛られることを望んでいないが、一態様では、熱力学的な意味で、適切な方法を最良に理解することができる。先に注記したように、本発明の目的の1つは、炭化珪素において半絶縁性を得るために、バナジウムの使用を回避することである。代わりに、本発明は、炭化珪素内に十分に大きな濃度の点欠陥状態を作成し、通常の半導体処理及びデバイス製造後に残留する濃度がなおも、半絶縁性を得るのに必要な数値を超過するようにしている。炭化珪素の本質及び半絶縁特性の基礎に精通している者であれば、この要件を満たす点欠陥には具体的な数値即ち濃度がないことが明らかであろう。代わりに、目標は、導電性特性に寄与する可能性がある格子内における他のドーパント点欠陥を含むの濃度を極力抑え、そして、更にその濃度を、所望の半絶縁特性を生ずるアイテム、この場合、点欠陥とこれらが結果的に形成する状態の濃度が、上回ることである。言い方を代えると、補償された結晶では、所望の深準位状態を生成する点欠陥の濃度、及びその結果得られる半絶縁特性は、浅補償ドーパントの正味の濃度よりも高くなければならない。したがって、炭化珪素の半絶縁補償結晶は、点欠陥の数が、アクセプタ及びドナー原子の濃度の差を上回るのであれば、これら双方の原子の濃度を比較的高くすることができる。この点欠陥の濃度は、あらゆる未補償の浅ドーパントをも超過するのに必要な濃度と表現することもできる。勿論、深準位自体が補償要素でない、即ち、深ドナーは浅ドナーを補償するのではないことは言外である。逆に、深アクセプタは浅ドナーを補償し、その逆も成り立つことは、当業者には認められるであろう。しかしながら、一般に、潜在的に補償するドナー及びアクセプタ原子の数を最少に抑え、したがって相応する数値差を超過するのに必要な点欠陥の数を最少に抑える方が効率的であることが分かっている。例えば、そして説明の目的でのみ、ドナー原子の濃度が2E172×1017cm-3であり、アクセプタ原子の濃度が3E173×1017cm-3である場合、点欠陥の濃度は1E17即ち、3E17-2E17よりも大きくなければならない。したがって、ドナー及びアクセプタ原子の数を最少に抑えることが、必ずしも本発明を実施する様式ではないが、好ましい。何故なら、これによって、結晶において半絶縁性を生ずるために発生させる必要がある状態の数が減少するからである。別の態様では、本発明は、相応の量の深準位の捕獲元素がない場合に、高品質の半絶縁炭化珪素結晶を生成する方法である。この態様では、本発明は、炭化珪素結晶を、ソースガスからの炭化珪素の化学蒸着CVD成長に必要な温度よりも高いが、環境条件の下で高速の炭化珪素の昇華が発生してしまう不利な温度よりは低い温度に、炭化珪素結晶を加熱することにより、点欠陥の濃度、及びその結果生ずる結晶内の状態を熱力学的に増大させることを含む。開始結晶は、純度が高いことが好ましく、米国特許第RE34,861号第4,866,005号から再発行されたに記述されているように、又はMuellerStatusofSiCBulkGrowthfromanIndustrialPointofView産業の視点からのSiCバルク成長のステータス、JCrystalGrowthv211No1pp325332において論じられているように、シード昇華技法によって生成する。次いで、本方法は、加熱した結晶を、十分に高い速度で冷却して常温に近づけ、第1濃度よりも高いままとなっている、冷却した結晶における点欠陥の濃度を維持する。別の言い方をすれば、本方法は、加熱した結晶を、十分に高い速度で冷却して常温に近づけて、加熱工程によって生じた欠陥を含むがこれらには限定されない欠陥が十分な移動度を有し、結晶に再度アニールされる温度範囲において費やす時間を短縮することにより、このように加熱及び冷却を受けていないものと全く同じように成長した炭化珪素結晶におけるこのような状態の濃度よりも高い、点欠陥に関する深準位の濃度を有する炭化珪素結晶を生成することを含む。炭化珪素は、単結晶炭化珪素ウエハ又は単結晶炭化珪素原石原石は通例単結晶構造として定義されるの形態で加熱することができる。最も好適な実施形態では、結晶は、炭化珪素の3C、4H、6H、及び15Rプロトタイプから選択したポリタイプを有する。更に好適な実施形態では、本方法は、補償した炭化珪素結晶を加熱及び冷却することを含み、最も好適な実施形態では、補償した結晶を加熱及び冷却し、最も集中したドーパントの量が約5E16以下となる。先に明記したように、補償結晶を用いる場合、本方法は、結晶を加熱及び冷却して、点欠陥の数を、未補償の浅ドーパントの濃度よりも大きな量に増大させる。通常の状況の下では、冷却工程は、加熱した結晶を常温に冷却することを含む。したがって、別の態様では、本発明は、本発明の方法及びその種々の実施形態によって製作した半絶縁炭化珪素結晶である。好適な実施形態では、炭化珪素結晶を加熱する工程は、結晶を少なくとも約2000°Cの温度に加熱することを含む。2000°Cは正確な下限でも必要な下限でもないが、点結晶の生成は、熱力学的に活性化されていると仮定され、恐らく温度とこれらの欠陥の濃度との間に指数的な関係を含む。有用な数の点欠陥は、2000°C以上の温度において生成されることが観察されている。好適な実施形態では、結晶を大気圧において約2,000°C~2,400°Cの間の温度まで加熱する。これらの温度は、大気圧において有用な範囲となる。2400°Cよりも高い温度では、炭化珪素は議論の余地がない程の高い速度で昇華することが多く、したがって2400°Cよりも高い温度は、大気圧では優位性が劣り、不利となる。尚、炭化珪素の物理的特性に精通する者には理解されようが、昇華は比較的広い範囲の高温で発生する可能性がある。この範囲の低い部分では、昇華の速度は、殆ど又は全く問題にならない程低い。しかしながら、この範囲の高い部分では、昇華の速度は、不利になる程に高くなる。したがって、本発明の方法の温度上限は、ある程度、個々の状況において厄介となることがわかっている対象の昇華度によって拘束される。先に注記したように、大気圧においては、2400°Cが好都合な上限であることが分かっているが、これは絶対的なものではない。温度を2000°C以上に高くする目的は、熱力学的なものである。通常に予期される有り様では、結晶のエントロピは温度が高い程高くなり、したがって、温度が高い程、半絶縁性を生成することができる点欠陥及びその結果生ずる状態が多くなる。加えて、炭化珪素及び結晶の熱力学に精通する者であれば、温度が上昇するに連れて、低い温度では発生しない状態が存在しその数が増大する可能性がある。本発明にしたがって加熱した結晶を適正に冷却すれば、これら追加の種類の状態を保存することができ、所望の半絶縁特性に寄与する。したがって、これらの温度に結晶を加熱することにより、生ずる結晶が一層不規則となり、本発明は、結晶を常温に戻すことにより、これらの望ましい状態を結晶内に相対的な意味で凍結する。冷却工程は重要である。何故なら、結晶が約1400°Cよりも高い温度というような中間の温度範囲で費やす時間が余りに長い場合、結晶は前述のアニーリングプロセスを受け、異なる平衡又は略平衡状態に達する可能性があり、この状態では、結晶が規則正しく並ぶに連れて、状態が消失する又は機能的に不相応な数に減少する。好ましい上限である2400°Cに関して、炭化珪素及び結晶成長技法に精通しているものには理解されるであろうが、これは、絶対的なものではなく、大気圧における実際上の限界である。言い方を代えると、2400°Cは、大気圧で動作する比較的典型的な機器を用いる場合に好ましい上限温度である。この分野において期待される通常の技術を有する者であれば、これよりも高い温度での加熱も、さほどの経験がなくても実行できようが、このような高温において統計的にかなりの量の炭化珪素の昇華が発生し始めるのを防止するために、重複シリコン及び炭素雰囲気を組み込む、又は何らかの他の高圧技法を用いる、というような追加の機器及び技法を追加しなければならないであろう。このため、本発明の方法は、結晶を実際と同じ位の温度まで加熱して、結晶の劣化や昇華を回避又は最小限にくい止めつつ、結晶内にできるだけ多くの状態を生成する。加熱工程の間、結晶を少なくとも約2分の期間高温に維持することが好ましい。この間隔には、実用上及び機能的な考慮がある。実用上の観点からは、殆どの状況下では、炭化珪素結晶をこの温度まで加熱するに数分かかる。機能的な観点からは、これは、結晶が生成することが望ましい状態に対して平衡又は略平衡状態に達するのに十分な時間を与える。加熱時間は、現在では、所望の数の状態を有する結晶において熱的平衡又は略平衡を得るのに十分な時間と表現するのが、機能的には最良である。尚、結晶は、平衡という用語の最も適正な又は厳格な意味では、完全な平衡に達する必要なないが、ここでこの用語を用いるのは、結晶が所与の温度に到達し、所望数の状態を生ずるのに十分な時間その温度に維持する状態を記載するためである。結晶を加熱する工程は、好ましくは、誘導型ヒータにおいて結晶を加熱することを含み、その場合、結晶を冷却する工程は少なくとも誘導コイルへの電力を低減することを含む。半導体製造における誘導加熱及びその動作方法は、一般に当技術分野では周知であり、特殊な実験をしなくても、本発明にしたがって組み入れることができる。このように、個々の誘導型ヒータは、特許請求の範囲に記載した発明にとっては重要ではないので、これ以上ここでは詳細に論じないことにする。加えて、他の種類の加熱も、そして特殊な実験をしなくても用いることができる。一旦2000°C以上の温度で所望の時間結晶を加熱したならば、結晶の移動性が高くなって消失したり、又はシステム内に再アニールされる温度範囲に無意味に長時間停留することを回避するように、これを冷却する。この好適な実施形態では、冷却速度が毎分約30°Cを上回ることが好ましく、毎分150°Cの速度が有用な上限であると考えられる。熱力学ならびに材料、特に比較的高温における材料の加熱及び冷却に精通する者には理解されるであろうが、冷却速度は、冷却プロセス全体にわたって一定であることも正確である必要もない。言い代えると、結晶が冷却している間、特に再アニーリングがかなりの速度で発生する可能性がある温度範囲において冷却している間、冷却速度は、好ましくは、毎分30°C及び好ましい限度である毎分150°Cの間の範囲であるとよい。通常のそして周知の熱力学上の理由のため、熱損失つまり冷却速度は、結晶が最高温度から冷却する際に最も速くなる傾向があり、結晶が低温に近づき到達するに連れて穏やかになる傾向がある。即ち、一旦再アニーリングがかなりの速度で発生する温度範囲よりも低く結晶を冷却したなら、冷却速度を低くしても、機能的な不利は生じない。したがって、個々の結晶を冷却する際、これを冷却する速度は、好ましい範囲である毎分30°C~150°C以内であれば変動してもよく、それでもなお本発明の方法を利用することができる。冷却速度が低すぎると、状態が消滅し結晶が十分に規則正しくなって状態の数が、半絶縁特性を維持するのに必要な数未満に減少する温度範囲に、結晶を余りに長い時間停留させることになる。逆に、過剰に高い速度で冷却すると、熱応力が十分に大きい場合、破壊を含む力学的応力を結晶に生成する可能性がある。好適な実施形態では、冷却工程は、受動及び能動双方の工程を含む。第1工程として、誘導型ヒータへの電力を低減するか、又は完全に遮断する。比較的高い温度に結晶を加熱した場合、初期の熱損失は放射熱損失である。温度が低下するに連れて、伝導及び対流冷却の機構が代わりに生ずる。したがって、冷却速度を更に促進し制御するためには、不活性ガス、通例、アルゴンを加熱室に注ぐことができる。加えて、結晶、及びそれが接触して置かれる材料の熱質量を用いて、冷却速度を制御するのに役立てることができる。つまり、冷却速度を制御するには基本的に3つあり、誘導コイル又は抵抗加熱のような当技術分野において周知のその他のいずれかの相応の加熱機構への電力を調節すること、炭化珪素結晶の周囲及び全体に冷却ガスを流すこと、ならびに、結晶及びヒートシンクの使用のような、その周囲の熱質量を制御することが含まれる。これらは熱力学的条件であるので、これらは多数の異なる方法で対処することができるが、本発明には重要ではなく、特殊な実験をせずとも、当業者には実行可能である。毎分約30 ゚~150°Cの好ましい冷却速度は、約70分未満で結晶を常温に冷却する、又はそれよりも速いペースで、結晶をほぼ常温に約20分未満で冷却するというように表現することもできる。本発明は、基板ウエハを含む、有益な半絶縁炭化珪素結晶を提供するので、本発明の方法は、更に、炭化珪素基板ウエハを約2000°Cそして、好ましくは2000 ゚~2400°Cの間に加熱する工程と、加熱したウエハ毎分少なくとも約30°Cの速度で常温に近づける好ましくは、毎分150°Cで近づける工程と、次いで基板ウエハ上に1つ以上の半導体のエピタキシャル層を堆積する工程とを備えることができる。炭化珪素の利点は、多くの場合その広いバンドギャップ特性に関するのでこれに限られる訳ではないが、好適な実施形態では、エピタキシャル層を堆積する工程は、炭化珪素又はIII族窒化物のような、別の広バンドギャップ半導体から成る群から選択したエピタキシャル層を堆積することを含む。炭化珪素の場合、エピタキシャル層を堆積する工程は、通例、約1400°Cよりも高い温度で実行する。先に注記したように、従来技術では、このような温度で実行する工程は、欠陥数が、基板がもはやしかるべき半絶縁特性を有さなくなるところまで減少する傾向があった。本発明は、成長しつつある結晶と比較して、点欠陥及びその結果生ずる深準位状態の数を制御可能に増大する方法を提供するので、これら後の処理工程は、欠陥の一部が消失することが予測されても、結晶の半絶縁性を損なうことはない。したがって、別の態様では、本発明は、本発明のこの態様及び実施形態によって生成したウエハ及びエピタキシャル層複数のエピタキシャル層を備えている。本発明は、基板ウエハ又は単結晶原石上で実行することができ、基板は、その大きな表面対堆積比のために、当な又は破滅的な熱応力を受けることなく、本発明において有用な比較的高い速度で冷却することが可能であるので、基板の方が好ましい実施形態である。しかしながら、この実用的観点以外に、追加の状態を形成できる態様には、ウエハと原石との間には概念的な差はない。したがって、本発明は、炭化珪素原石を少なくとも約2,000°Cの温度に加熱する工程と、毎分約30°Cの速度で、加熱した原石を冷却して常温に近づける工程と、次いで原石から炭化珪素ウエハを薄切りし、次いで薄切りしたウエハ上に1つ以上の半導体のエピタキシャル層を堆積する工程を備えることもできる。代替実施形態では、本方法は、単結晶原石から炭化珪素ウエハを薄切りする工程と、次いで薄切りしたウエハを大気圧にて少なくとも約2,000°Cの温度まで加熱する工程と、次いで加熱したウエハを少なくとも毎分30°Cの速度で冷却して常温に近づける工程と、その後、薄切りしたウエハ上に半導体材料のエピタキシャル層複数の層を堆積する工程とを備えることができる。半導体ウエハの準備及びエピタキシャル層の成長に精通する者には周知のように、薄切りした炭化珪素ウエハは、一般に、薄切りした直後には用いられず、代わりに洗浄し研磨して、エピタキシャル成長に一層相応しい表面を準備する。一般に半導体材料、そして具体的には炭化珪素の研磨及び洗浄工程は、この技術分野では揺るぎ無く定着しており、特殊な実験をせずとも実施できるので、ここではこれ以上詳細には説明しない。いずれの場合でも、本発明は更に、ウエハ及び1つ以上のエピタキシャル層を備えており、本発明の実施形態の方法にしたがって形成されたウエハ及びエピタキシャル層を組み込んだデバイスも備えることができる。本発明は、いずれの特定のデバイスとの使用にも限定されず、半絶縁炭化珪素基板を組み込んだ、一般的に用いられるマイクロ波デバイスは、様々な種類の電界効果トランジスタFET、金属酸化物半導体電界効果トランジスタMOSFET、接合型電界効果トランジスタJFET、金属半導体電界効果トランジスタMESFET、ヘテロ構造電界効果トランジスタHFET、高電子移動度トランジスタHEMT、及びDMOSトランジスタを含む。半導体デバイス及びマイクロ波周波数動作に有用なデバイスに精通する者であれば、この一覧は限定ではなく、全てを網羅したのでもないことは認められるであろう。しかしながら、これは、ここに記載し特許請求の範囲に記載する発明が提供する利点の例示である。"