集積回路と前記集積回路と電気的に接続されて表面に形成されたパッド電極とを備えた半導体チップを準備する工程と、前記半導体チップ上に、前記パッド電極と電気的に接続され、かつ側面に凹凸形状を備えた柱状電極を形成する工程と、前記半導体チップ上に、前記柱状電極の側面に密着する樹脂層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。前記側面に凹凸形状を備えた柱状電極を形成する工程は、前記半導体チップ上に、解像度が異なる2種以上の感光性樹脂層の積層体を形成する工程と、露光現象処理により、前記感光性樹脂層の積層体に開口部を形成する工程と、前記開口部内に金属材料を埋め込む工程と、前記感光性樹脂層の積層体を除去する工程と、を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記感光性樹脂層の積層体は、2層の感光性樹脂層の間に当該2層の感光性樹脂層よりも解像度が高い感光性樹脂層を介在させた積層構造、又は、2層の感光性樹脂層の間に当該2層の感光性樹脂層よりも解像度が低い感光性樹脂層を介在させた積層構造を有することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記感光性樹脂層の積層体は、第1の解像度を備えた感光性樹脂層と、前記第1の解像度を備えた感光性樹脂層よりも解像度の高い第2の解像度を備えた感光性樹脂層と、が交互に積層されて形成されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。前記側面に凹凸形状を備えた柱状電極を形成する工程は、前記半導体チップ上に、感光性樹脂層を形成する工程と、露光現象処理により、前記感光性樹脂層に開口部を形成する工程と、前記開口部内に順次形成される金属材料のグレインサイズを段階的に変更して、前記開口部内に前記金属材料を埋め込む工程と、前記感光性樹脂層を除去する工程と、エッチング液を前記埋め込まれた金属材料の側面に接触させる工程と、を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記開口部内に前記金属材料を埋め込む工程は、金属材料のグレインサイズの増加減少を繰り返して行うことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。集積回路と前記集積回路と電気的に接続されて表面に形成されたパッド電極とを備えた半導体チップと、前記半導体チップ上に、前記パッド電極と電気的に接続され、かつ側面に凹凸形状を備えて形成された柱状電極と、前記半導体チップ上に、前記柱状電極の側面に密着して形成された樹脂層と、を有することを特徴とする半導体装置。これら、WCSPWaferLevelChipSizePackage等と呼ばれる半導体装置では、その配線構造として、柱状電極を形成し、その側面を樹脂層により密着する構造を取ることが多い。無論、本構造と取る半導体装置は、WCSPWaferLevelChipSizePackage等に限られるわけではなく、半導体装置全般に、このような配線構造を取ることが多い。しかしながら、柱状電極の側面は平坦面であることから、樹脂層との密着性が十分でない場合が多い。柱状電極と樹脂層との密着性が悪い場合、柱状電極に対して応力が加わったりすると半導体装置の特性変動が生じてしまうことがある。このため、半導体装置の信頼性の改善が望まれているのが現状である。そこで、本発明の課題は、柱状電極とその側面に密着する樹脂層との密着性を向上させる半導体装置の製造方法、及びそれにより得られる半導体装置を提供することである。上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、本発明の半導体装置の製造方法は、集積回路と前記集積回路と電気的に接続されて表面に形成されたパッド電極とを備えた半導体チップを準備する工程と、前記半導体チップ上に、前記パッド電極と電気的に接続され、かつ側面に凹凸形状を備えた柱状電極を形成する工程と、前記半導体チップ上に、前記柱状電極の側面に密着する樹脂層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明の半導体装置は、集積回路と前記集積回路と電気的に接続されて表面に形成されたパッド電極とを備えた半導体チップと、前記半導体チップ上に、前記パッド電極と電気的に接続され、かつ側面に凹凸形状を備えて形成された柱状電極と、前記半導体チップ上に、前記柱状電極の側面に密着して形成された樹脂層と、を有することを特徴とする半導体装置である。本発明によれば、柱状電極とその側面に密着する樹脂層との密着性を向上させる半導体装置の製造方法、及びそれにより得られる半導体装置を提供できる。以下、本発明の一例である実施形態について図面を参照しつつ説明する。第1実施形態図1は、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程図である。本実施形態に係る半導体装置101は、例えば、図1に示すように、半導体チップ10と、半導体チップ10上にパッド電極12を露出するコンタクトホール18Aを備えて形成された層間絶縁膜18と、コンタクトホール18Aを介してパッド電極12と電気的に接続されて層間絶縁膜18上に形成された再配線22と、再配線22の一部を露出する開口部25Aを備えて層間絶縁膜18上に形成された樹脂層25と、開口部25Aを充填しかつ再配線22と電気的に接続されて形成された柱状電極24と、柱状電極24と電気的に接続されて形成された外部接続端子26と、を備えている。半導体チップ10は、内部に図示しない集積回路を備え、かつ該集積回路と電気的に接続されて表面に形成されたパッド電極12を備えている。また、半導体チップ10の表面上には、表面上にパッド電極12を露出する保護膜16が形成されていても良い。なお、パッド電極12と再配線22とは、下地金属密着層20、及び下地金属酸化防止膜21を介して電気的に接続されていても良い。なお、半導体チップ10には、例えば、半導体チップ10の主面には、例えば、パッド電極12が露出するように、保護層16が設けられている。そして、柱状電極24は、周方向に沿って形成された段差部例えば凸部24Aの境界部を側面に複数有した構造となっている。言い換えれば、柱状電極24は、当該段差部で構成された凹凸形状を有している。具体的には、柱状電極24は、例えば、凸部24Aが柱状電極24の高さ方向に向かって間隔をもって設けられ、凸部24A同士の間で、周方向に沿って形成された凹部24Bが形成された側面構造となっている。つまり、柱状電極24の側面は、高さ方向の一端部底部から他端部上部に向かって、異なる径の部位が高さ方向に沿って交互に有し、凹凸形状に構成されている。以下、本実施形態に係る半導体装置101の詳細と共に、本実施形態に係る半導体装置101の製造方法について説明する。図2~図5は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程図である。本実施形態に係る半導体装置101の製造方法では、まず、例えば、図2Aに示すように、集積回路を備えた複数の半導体チップ領域を有する半導体ウエハ11を準備する。そして、半導体ウエハ11の表面に、例えば、集積回路と電気的に接続するパッド電極12を形成すると共に、パッド電極12が露出するように、保護層16を形成する。なお、保護層16としては、例えば、シリコン酸化層や、シリコン窒化層を用いることができる。次に、図2Bに示すように、半導体ウエハ上に層間絶縁層18例えば、感光性の樹脂層例えばポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、BCB樹脂、PBO樹脂等を形成する。具体的には、例えば、スピンコート法、印刷法等を利用して、層間絶縁層18を半導体ウエハ11上に形成する。次に、図2Cに示すように、例えば、フォリソグラフィー法等を利用して、半導体チップ10のパッド電極12と電気的な接続を図るためのコンタクトを取るコンタクトホール18Aを層間絶縁層18に形成する。次に、図3Dに示すように、例えば、スパッタリング法等を利用して、層間絶縁層18上と共に、コンタクトホール18Aの側壁及びこれから露出したパッド電極12上に、下地金属密着層20例えばチタンTi層及び下地金属酸化防止層21例えば銅Cu層を順次形成する。次に、図3Eに示すように、例えば、めっき法を利用して、コンタクトホール18Aを埋め込むようにして、下地金属密着層20及び下地金属酸化防止層21を介して半導体チップ10のパッド電極12と電気的な接続を図りつつ、層間絶縁層18上に再配線22例えばタングステンW、銅Cu、アルミニウムAl等の層を形成する。具体的には、例えば、層間絶縁層18下地金属酸化防止層21上に、感光性レジスト層感光性樹脂層:図示せずを形成した後、フォトリソグラフィー法を利用して、露光現像を行い、再配線22の形成領域となる開口部を感光性レジスト層に形成する。そして、下地金属酸化防止層21を共通電極とするめっき法により、感光性レジスト層の開口内に金属材料を電着する。その後、感光性レジスト層を除去する。このようにして、例えば、半導体チップ10のパッド電極12から、柱状電極24を形成する部分へ引き回すための所定パターンの再配線22を形成する。なお、再配線18は、コンタクトホール18を完全に埋め込む必要はなく、コンタクトホール18Aの底部でパッド電極12との電気的接続が図れるように形成すればよい。次に、図3Fに示すように、例えば、層間絶縁層18下地金属酸化防止層21上に、再配線22を覆うようにして、解像度が異なる2種以上の感光性樹脂層の積層体28以下、感光性レジスト層28と称する。を形成する。具体的には、例えば、第1感光性樹脂層28A例えばi線に感度が高い感光性樹脂膜と第1感光性樹脂層28Aよりも解像度が低い感光性樹脂層28B例えばg線に感度が高い感光性樹脂膜とが交互に積層された感光性レジスト層28を層間絶縁層18下地金属酸化防止層21上に形成する。感光性レジスト層28は、予め各感光性樹脂層が積層されたものを貼り合せて層間絶縁層18下地金属酸化防止層21上に形成してもよいし、各感光性樹脂層をスピンコート法等により層間絶縁層18下地金属酸化防止層21上に順次形成してもよい。感光性レジスト層28において、2種以上の感光性樹脂層の解像度の差は、例えば、80μm~120μmであることがよい。なお、感光性レジスト層28は、上記構成に限られず、2層の感光性樹脂層の間に当該2層の感光性樹脂層よりも解像度が高い感光性樹脂層を介在させた積層構造、又は、2層の感光性樹脂層の間に当該2層の感光性樹脂層よりも解像度が低い感光性樹脂層を介在させた積層構造を有していればよい。また、感光性レジスト層28は、解像度が異なる2種の感光性樹脂層の積層体に限られず、解像度が異なる3種以上の感光性樹脂層の積層体であってもよい。次に、図4Gに示すように、例えば、柱状電極24を形成するための開口部30を感光性レジスト層28に形成する。具体的には、例えば、フォトリソグラフィー法を利用して、露光現像を行い、下層の再配線22の一部が露出するようにして、開口部30貫通孔を感光性レジスト層28に形成する。このとき、感光性レジスト層28は、解像度の異なる2種以上の感光性樹脂層の積層体で構成されていることから、この解像度の違いにより、各感光性樹脂層毎に開口径が異なって開口部30が形成される。つまり、例えば、感光性レジスト層28の開口部30は、これを構成する壁面に周方向に沿って形成された段差部を複数有するように形成される。具体的には、例えば、第1感光性樹脂層28Aと第1感光性樹脂層28Aよりも解像度が低い感光性樹脂層28Bとが交互に積層された感光性レジスト層28では、第1感光性樹脂層28Aの開口径よりも、第2感光性樹脂層28Bの開口径が大きくなる。つまり、感光性レジスト層28に形成される開口部30は、開口径が増減して形成されることになる。言い換えれば、感光性レジスト層28に形成される開口部30を構成する壁面では、第1感光性樹脂層28Aの部分が周方向に沿って形成された凸部30Aとなり、第2感光性樹脂層28Bの部分が周方向に沿って形成された凹部30Bとなり、これが開口部30の高さ方向感光性レジスト層28の厚み方向に沿って交互に存在し、凹凸形状となる。次に、図4Hに示すように、例えば、感光性レジスト層28の開口部30内に金属材料例えばタングステンW、銅Cu、アルミニウムAl等を埋め込み、金属材料で構成された柱状電極24を形成する。具体的には、例えば、下地金属酸化防止層21を共通電極とするめっき法により、感光性レジスト層28の開口部30内に金属材料を電着する。そして、感光性レジスト層28の開口部30内に金属材料を埋め込んで形成される柱状電極24は、開口部30を構成する壁面に模られて形成される。つまり、柱状電極24は、例えば、その側面に、周方向に沿って形成された段差部例えば凸部24Aの境界部を複数有した構造となって形成される。具体的には、例えば、第1感光性樹脂層28Aと第1感光性樹脂層28Aよりも解像度が低い感光性樹脂層28Bとが交互に積層された感光性レジスト層28に形成された開口部30内に金属材料を埋め込んで形成される柱状電極24は、例えば、凸部24Aが柱状電極24の高さ方向に向かって間隔をもって設けられ、凸部24A同士の間で、周方向に沿って形成された凹部24Bが形成された側面構造となって形成される。感光性レジスト層28の開口部30内に金属材料を埋め込む処理としては、めっき法に限られず、スパッタリング法等を利用して行ってもよい。次に、図5Iに示すように、例えば、溶剤等により、感光性レジスト層28を除去した後、ウエットエッチング等により、再配線22及び柱状電極24が形成されていない領域の下地金属密着層20及び下地金属酸化防止層21を除去する。次に、図5Jに示すように、柱状電極24の側面に密着するようにして、再配線22が形成された層間絶縁層18上に樹脂層25を形成する。具体的には、例えば、スピンコート法等を利用して、再配線22及び柱状電極24が形成された層間絶縁層18上に、再配線22及び柱状電極24を覆うようにして、樹脂層を形成し、これを柱状電極24の頂面が露出するように、切削加工を施し、樹脂層25を形成する。次に、図5Kに示すように、例えば、柱状電極24の頂面上に外部接続端子26を形成する。具体的には、ハンダボール、ハンダペーストの半田付けにより、柱状電極24の頂面樹脂層25から露出した面に、外部接続端子26を形成する。その後、図示しないが、例えば、必要に応じて、バックグラインダーにより半導体ウエハの裏面を削り、薄層化した後、ダイシングにより個片化を行う。以上の構成を経て、本実施形態に係る半導体装置101が製造される。以上説明した本実施形態では、半導体チップ10を準備する工程と、半導体チップ10上に、パッド電極12と電気的に接続され、かつ側面に凹凸形状を備えた柱状電極24を形成する工程と、半導体チップ10上に、柱状電極24の側面に密着する樹脂層25を形成する工程と、を経て、半導体装置101を製造している。特に、本実施形態では、例えば、解像度が異なる2種以上の感光性樹脂層の積層体として感光性レジスト層28を形成する工程と、露光現象処理により、感光性レジスト層28に開口部30を形成する工程と、感光性レジスト層28の開口部30内に金属材料を埋め込む工程と、感光性レジスト層28を除去する工程と、を経て、側面に凹凸形状を備えた柱状電極24を形成している。解像度が異なる2種以上の感光性樹脂層が積層された感光性レジスト層28に対して、露光現像を行うことにより、感光性レジスト層28に開口部30は、これを構成する壁面が周方向に沿った段差部例えば凸部30Aの境界部を複数有するように形成される。そして、感光性レジスト層28に開口部30に金属材料を埋め込んで形成される柱状電極24の側面は、感光性レジスト層28の開口部30を構成する壁面に模られて形成されることから、周方向に沿って形成された段差部を複数有した構造となっている。つまり、柱状電極24の側面は、段差部による凹凸形状が備えた構成となっている。柱状電極24の側面は、段差部による凹凸形状を有することにより、平坦な側面に比べ、表面積が増すこととなる。したがって、本実施形態では、柱状電極24とこの側面を密着する樹脂層25との密着性を向上させることができる。その結果、柱状電極24に対して応力が加わったりしても、特性変動が生じ難い信頼性の高い半導体装置101となる。また、本実施形態では、感光性レジスト層28として、例えば、第1感光性樹脂層28Aと第1感光性樹脂層28Aよりも解像度が低い感光性樹脂層28Bとが交互に積層された感光性レジスト層28を適用している。本構成の感光性レジスト層28は、例えば、2層の感光性樹脂層の間に当該2層の感光性樹脂層よりも解像度が高い感光性樹脂層を介在させた積層構造、又は、2層の感光性樹脂層の間に当該2層の感光性樹脂層よりも解像度が低い感光性樹脂層を介在させた積層構造を有している。2層の感光性樹脂層の間に当該2層の感光性樹脂層よりも解像度が高い感光性樹脂層を介在させた積層構造を有する感光性レジスト層28に対して、露光現象処理を行うと、形成される開口部30を構成する壁面は、当該解像度が高い感光性樹脂層の部分が凸部30Aとなる。一方、2層の感光性樹脂層の間に当該2層の感光性樹脂層よりも解像度が低い感光性樹脂層を介在させた積層構造を有する感光性レジスト層28に対して、露光現象処理を行うと、形成される開口部30を構成する壁面は、当該解像度が低い感光性樹脂層の部分が凹部30Bとなる。このため、この2つの積層構造のいずれか、又は組み合わせることにより、感光性レジスト層28の開口部を構成する壁面に、凸部30A、又は凹部30Bを有する構造、そして、凹凸形状の構造を付与できる。その結果、形成される柱状電極24も、凸部24A、又は凹部24Bを有する構造、そして、凹凸形状の側面構造を付与できる。これにより、柱状電極24の側面は、表面積が増すこととなり、柱状電極24とこの側面を密着する樹脂層25との密着性を向上させることができる。第2実施形態図6~図9は、第2実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程図である。第2実施形態に係る半導体装置102の製造方法では、まず、例えば、図6Aに示すように、集積回路を備えた複数の半導体チップ領域を有する半導体ウエハ11を準備する。そして、半導体ウエハ11の表面に、例えば、集積回路と電気的に接続するパッド電極12を形成すると共に、パッド電極12が露出するように、保護層16を形成する。次に、図6Bに示すように、半導体ウエハ上に層間絶縁層18例えば、感光性の樹脂層例えばポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、BCB樹脂、PBO樹脂等を形成する。具体的には、例えば、スピンコート法、印刷法等を利用して、層間絶縁層18を半導体ウエハ11上に形成する。次に、図6Cに示すように、例えば、フォリソグラフィー法等を利用して、半導体チップ10のパッド電極12と電気的な接続を図るためのコンタクトを取るコンタクトホール18Aを層間絶縁層18に形成する。次に、図7Dに示すように、例えば、スパッタリング法等を利用して、層間絶縁層18上と共に、コンタクトホール18Aの側壁及びこれから露出したパッド電極12上に、下地金属密着層20例えばチタンTi層及び下地金属酸化防止層21例えば銅Cu層を順次形成する。次に、図7Eに示すように、例えば、めっき法を利用して、コンタクトホール18Aを埋め込むようにして、下地金属密着層20及び下地金属酸化防止層21を介して半導体チップ10のパッド電極12と電気的な接続を図りつつ、層間絶縁層18上に再配線22例えばタングステンW、銅Cu、アルミニウムAl等の層を形成する。具体的には、例えば、層間絶縁層18下地金属酸化防止層21上に、感光性レジスト層感光性樹脂層:図示せずを形成した後、フォトリソグラフィー法を利用して、露光現像を行い、再配線22の形成領域となる開口部を感光性レジスト層に形成する。そして、下地金属酸化防止層21を共通電極とするめっき法により、感光性レジスト層の開口内に金属材料を電着する。その後、感光性レジスト層を除去する。このようにして、例えば、半導体チップ10のパッド電極12から、柱状電極24を形成する部分へ引き回すための所定パターンの再配線22を形成する。次に、図7Fに示すように、例えば、層間絶縁層18下地金属酸化防止層21上に、再配線22を覆うようにして、感光性レジスト層32を形成する。なお、本感光性レジスト層32は、第1実施形態で形成する感光性レジスト層32とは異なり、解像度が一定の通常の感光性レジスト層を適用する。次に、図8Gに示すように、例えば、柱状電極24を形成するための開口部34感光性レジスト層32に形成する。具体的には、例えば、フォトリソグラフィー法を利用して、露光現像を行い、下層の再配線22の一部が露出するようにして、開口部34貫通孔感光性レジスト層32に形成する。次に、図8Hに示すように、例えば、感光性レジスト層32の開口部34内に順次形成される金属材料のグレインサイズ結晶粒径を段階的に変更しつつ、感光性レジスト層32の開口部34内に金属材料例えばタングステンW、銅Cu、アルミニウムAl等を埋め込み、金属材料で構成された柱状電極24を形成する。具体的には、例えば、下地金属酸化防止層21を共通電極とするめっき法により、当該めっき条件を段階的に変更して、電着する金属材料のグレインサイズを段階的に変更しつつ、感光性レジスト層32の開口部34内に金属材料を電着する。特に、感光性レジスト層32の開口部34内に金属材料の埋め込みは、金属材料のグレインサイズの増加減少を繰り返して行うことがよい。具体的には、上記めっき法によって金属材料を電着させて開口部34に埋め込む場合、例えば、めっき条件、例えば、第1めっき条件例えばめっき液噴出流量30L/min、温度20°C、電流密度40A/dm2による金属材料の電着と、第1めっき条件よりも金属材料のグレインサイズが大きくなる第2めっき条件例えばめっき液噴出流量40L/min、温度30°C、電流密度1.0A/dm2による金属材料の電着と、を交互に行う。これにより、金属材料のグレインサイズの増加減少を繰り返して、感光性レジスト層32の開口部34内に金属材料を埋め込める。次に、図9Iに示すように、例えば、溶剤等により、感光性レジスト層32を除去した後、ウエットエッチングにより、再配線22及び柱状電極24が形成されていない領域の下地金属密着層20及び下地金属酸化防止層21を除去する。ウエットエッチングのエッチング液としては、例えば、無機酸塩、硫酸水素カリウム、ペルオキソニ硫酸カリウム、過酸化水素水、又はこれらの混合液が挙げられる。ここで、ウエットエッチングのとき、形成した柱状電極24の側面も、エッチング液に接触され、エッチングされることとなる。金属材料のグレインサイズ結晶粒径を段階的に変更しつつ形成した柱状電極24では、グレインサイズが異なる領域でエッチングレートが異なるため、エッチング液に接触され、エッチングされると、グレインサイズを変更した箇所を境とし、周方向に沿って形成された段差部例えば凸部24Aの境界部が側面に有した構造となって形成される。そして、金属材料のグレインサイズの増加減少を繰り返して、感光性レジスト層32の開口部34内に金属材料を埋め込んで形成した柱状電極24の側面では、グレインサイズの増加減少した個所を境とし、上記段差部が柱状電極24の高さ方向に向かって間隔をもって形成されることとなり、その結果、柱状電極24は、例えば、凸部24Aが柱状電極24の高さ方向に向かって間隔をもって設けられ、凸部24A同士の間で、周方向に沿って形成された凹部24Bが形成された凹凸形状の側面構造となって形成される。なお、柱状電極24の側面におけるエッチング液によるエッチングレートは、グレインサイズが小さい程、エッチングレートが高まる傾向となる。次に、図9Jに示すように、柱状電極24の側面に密着するようにして、再配線22が形成された層間絶縁層18上に樹脂層25を形成する。具体的には、例えば、スピンコート法等を利用して、再配線22及び柱状電極24が形成された層間絶縁層18上に、再配線22及び柱状電極24を覆うようにして、樹脂層を形成し、これを柱状電極24の頂面が露出するように、切削加工を施し、樹脂層25を形成する。次に、図9Kに示すように、例えば、柱状電極24の頂面上に外部接続端子26を形成する。具体的には、ハンダボール、ハンダペーストの半田付けにより、柱状電極24の頂面樹脂層25から露出した面に、外部接続端子26を形成する。その後、図示しないが、例えば、必要に応じて、バックグラインダーにより半導体ウエハの裏面を削り、薄層化した後、ダイシングにより個片化を行う。以上の構成を経て、本実施形態に係る半導体装置102が製造される。以上説明した本実施形態でも、半導体チップ10を準備する工程と、半導体チップ10上に、パッド電極12と電気的に接続され、かつ側面に凹凸形状を備えた柱状電極24を形成する工程と、半導体チップ10上に、柱状電極24の側面に密着する樹脂層25を形成する工程と、を経て、半導体装置102を製造している。特に、本実施形態では、例えば、感光性樹脂層として感光性レジスト層32を形成する工程と、露光現象処理により、感光性レジスト層32に開口部34を形成する工程と、感光性レジスト層32の開口部34内に順次形成される金属材料のグレインサイズを段階的に変更して、感光性レジスト層32の開口部34内に金属材料を埋め込む工程と、感光性レジスト層32を除去する工程と、エッチング液を埋め込まれた金属材料の側面に接触させる工程と、を経て、側面に凹凸形状を備えた柱状電極24を形成している。金属材料のグレインサイズを段階的に変更して、感光性レジスト層32の開口部34内に金属材料を埋め込み、その埋め込んだ金属材料の側面にエッチング液と接触させエッチングを行って、柱状電極24を形成していることから、柱状電極24の側面は、周方向に沿って形成された段差部例えば凸部24Aの境界部を複数有した構造となっている。つまり、柱状電極24の側面は、段差部による凹凸形状が備えた構成となっている。柱状電極24の側面は、段差部による凹凸形状を有することにより、平坦な側面に比べ、表面積が増すこととなる。したがって、本実施形態でも、柱状電極24とこの側面を密着する樹脂層25との密着性を向上させることができる。その結果、柱状電極24に対して応力が加わったりしても、特性変動が生じ難い信頼性の高い半導体装置101となる。また、本実施形態では、金属材料のグレインサイズの増加減少を繰り返して、感光性レジスト層32の開口部34内に金属材料を埋め込み、その埋め込んだ金属材料の側面にエッチング液と接触させエッチングを行って、柱状電極24を形成すると、グレインサイズの増加減少した個所を境とし、段差部が繰り返し形成され、その結果、柱状電極24は、凸部24A、又は凹部24Bを有する構造、そして、凹凸形状の側面構造を付与できる。これにより、柱状電極24の側面は、表面積が増すこととなり、柱状電極24とこの側面を密着する樹脂層25との密着性を向上させることができる。なお、本実施形態は、限定的に解釈されるものではなく、本発明の要件を満足する範囲内で実現可能であることは、言うまでもない。