"離間して互いに対向配置された第1透明基板および第2透明基板と、前記第1透明基板または前記第2透明基板の第1端面に光を照射する光源と、前記第1透明基板および前記第2透明基板の間隙に設けられ、かつ電場の大きさに応じて、前記光源からの光に対して散乱性もしくは透明性を示す光変調層と、電圧が印加されたときに前記光変調層内に電場を発生させる電極とを備え、前記光変調層は、前記電極から三次元表示モードの電場が印加されることにより、前記光源からの光を利用して、前記第1端面と交差する方向に延在する複数の帯状照明光を生成するようになっており、各帯状照明光の、単位面積あたりの発光面積が、前記光源からの距離に応じて変化している照明装置。各帯状照明光は、連続する1本の帯状の発光形状となっているか、または、複数のブロック状の照明光が一列に配列された発光形状となっている請求項1に記載の照明装置。各帯状照明光の幅が、前記光源からの距離に応じて変化している請求項1に記載の照明装置。各帯状照明光の、幅方向の中心線は、互いに平行となっている請求項1に記載の照明装置。各帯状照明光のエッジが、凹凸形状となっており、前記凹凸形状の凹凸振幅が、前記光源からの距離に応じて変化している請求項1に記載の照明装置。各帯状照明光は、前記第1端面と直交する方向に延在している請求項1に記載の照明装置。各帯状照明光は、前記第1端面と交差する方向であって、かつ当該照明装置が、複数の画素を有する表示パネルのバックライトとして用いられたときの前記画素の配列方向と交差する方向に延在している請求項1に記載の照明装置。前記電極は、前記帯状照明光の発光形状に対応した形状となっている請求項1に記載の照明装置。前記電極は、前記帯状照明光の延在方向に延在する複数の帯状電極を有するか、または、前記帯状照明光の延在方向に配列されると共に前記帯状照明光と交差する方向に配列された複数の部分電極を有する請求項8に記載の照明装置。前記電極は、前記第1透明基板の表面に、前記複数の帯状電極もしくは前記複数の部分電極を有すると共に、前記複数の帯状電極もしくは前記複数の部分電極の全体または一部の端部同士を接続する配線を有し、前記電極は、さらに、前記第2透明基板の表面に、各帯状電極または各部分電極と対向する領域に主に形成された面状電極を有する請求項9に記載の照明装置。前記電極は、前記帯状照明光の延在方向に延在する複数の帯状電極を有しており、各帯状電極の幅が、前記光源からの距離に応じて変化している請求項8に記載の照明装置。前記電極は、前記帯状照明光の延在方向に配列されると共に前記帯状照明光と交差する方向に配列された複数の部分電極を有しており、各部分電極の幅が、前記光源からの距離に応じて変化している請求項8に記載の照明装置。前記電極は、前記帯状照明光の延在方向に延在する複数の帯状電極を有しており、各帯状電極のエッジが、凹凸形状となっており、前記凹凸形状の凹凸振幅が、前記光源からの距離に応じて変化している請求項8に記載の照明装置。前記電極は、前記帯状照明光の延在方向に配列されると共に前記帯状照明光と交差する方向に配列された複数の部分電極を有しており、各部分電極のエッジが、凹凸形状となっており、前記凹凸形状の凹凸振幅が、前記光源からの距離に応じて変化している請求項8に記載の照明装置。前記光変調層が散乱性を示す第1電圧の絶対値は、前記光変調層が透明性を示す第2電圧の絶対値よりも高い値となっており、各帯状照明光の幅の幅が、前記光源寄りの箇所で相対的に細く、前記光源から離れた箇所で相対的に太くなっている請求項3に記載の照明装置。前記光変調層が散乱性を示す第1電圧の絶対値は、前記光変調層が透明性を示す第2電圧の絶対値よりも高い値となっており、前記凹凸形状の凹凸振幅が、前記光源寄りの箇所で相対的に大きく、前記光源から離れた箇所で相対的に小さくなっている請求項5に記載の照明装置。前記光変調層が散乱性を示す第1電圧の絶対値は、前記光変調層が透明性を示す第2電圧の絶対値よりも高い値となっており、各帯状電極の幅、または、前記帯状照明光の延在方向に配列された複数の部分電極を1本の仮想帯状電極とみなしたときのその仮想帯状電極の幅が、前記光源寄りの箇所で相対的に細く、前記光源から離れた箇所で相対的に太くなっている請求項9に記載の照明装置。前記光変調層が散乱性を示す第1電圧の絶対値は、前記光変調層が透明性を示す第2電圧の絶対値よりも高い値となっており、前記凹凸形状の凹凸振幅が、前記光源寄りの箇所で相対的に大きく、前記光源から離れた箇所で相対的に小さくなっている請求項13に記載の照明装置。前記光変調層が散乱性を示す第1電圧の絶対値は、前記光変調層が透明性を示す第2電圧の絶対値よりも高い値となっており、前記凹凸形状の凹凸振幅が、前記光源寄りの箇所で相対的に大きく、前記光源から離れた箇所で相対的に小さくなっている請求項14に記載の照明装置。前記光変調層は、光学異方性を有すると共に電場に対する応答速度が互いに異なる第1領域および第2領域を含み、前記第1領域は、液晶材料を主に含んで構成され、前記第2領域は、高分子材料を主に含んで構成される前記光変調層が透明性を示すとき、前記第1領域の光軸の成分と前記第2領域の光軸の成分は平行な方向に揃っている請求項1に記載の照明装置。前記面状電極は、複数の開口を有し、前記開口の半径は、前記第1端面と直交する方向において、前記光源寄りの箇所で相対的に大きく、前記光源から離れた箇所で相対的に小さくなっている請求項20に記載の照明装置。前記開口の半径は、前記第1端面と平行な方向において、前記光源寄りの箇所で相対的に大きく、前記光源から離れた箇所で相対的に小さくなっている請求項20に記載の照明装置。映像信号に基づいて駆動される表示パネルと、前記表示パネルを照明する照明装置とを備え、前記照明装置は、離間して互いに対向配置された第1透明基板および第2透明基板と、前記第1透明基板の第1端面に光を照射する光源と、前記第1透明基板および前記第2透明基板の間隙に設けられ、かつ電場の大きさに応じて、前記光源からの光に対して散乱性もしくは透明性を示す光変調層と、電圧が印加されたときに前記光変調層内に電場を発生させる電極とを備え、前記光変調層は、前記電極から三次元表示モードの電場が印加されることにより、前記光源からの光を利用して、前記第1端面と交差する方向に延在する複数の帯状照明光を生成するようになっており、各帯状照明光の、単位面積あたりの発光面積が、前記光源からの距離に応じて変化している表示装置。前記表示パネルを間にして互いに対向する一対の偏光板をさらに備え、前記光変調層は、光学異方性を有すると共に電場に対する応答性が相対的に高い第1領域と、光学異方性を有すると共に電場に対する応答性が相対的に低い第2領域とを含み、前記光変調層が透明性を示すとき、前記第1領域および前記第2領域は、前記一対の偏光板のうち前記照明装置側の偏光板の透過軸と平行な方向に光軸の成分を主に有し、前記光変調層が散乱性を示すとき、前記第2領域は、前記一対の偏光板のうち前記照明装置側の偏光板の透過軸と平行な方向に光軸の成分を主に有し、前記第1領域は、前記第2領域の光軸と交差または直交すると共に前記第1透明基板と交差または直交する方向に光軸を有する請求項23に記載の表示装置。ところで、導光板内を伝播している光の取り出し技術としては、例えば、特許文献1において、透明と散乱を切り換える高分子分散液晶PDLC;PolymerDispersedLiquidCrystalを用いたディスプレイが提案されている。これは、写り込み防止などを目的としたものであり、PDLCに対して部分的に電圧を印加して、透明と散乱を切り換える技術である。一方、エッジライト方式のバックライトでは、面内輝度の均一化を行うことを目的として、例えば、LEDやCCFLなどの光源からの距離に応じて、印刷パターン、取り出し形状の粗密または一つのパターンの大きさを変える技術が知られている例えば、特許文献2参照。特許文献2に記載の技術は、言わば、導光板から光を均一に取り出す技術であり、光を取り出すことのみを考慮したものである。面内輝度を均一化する技術としては、その他に、例えば、拡散シートの光拡散率を光源からの距離に応じて徐々に変化させるものが知られている例えば、特許文献3参照。ここで、例えば、特許文献2または特許文献3の技術と、特許文献1のPDLCとを組み合わせることにより、バックライト光の面内輝度の均一化を行うことが考えられる。しかし、そのようにした場合には、輝度を均一化することは可能であるが、暗表示での輝度が高くなってしまい、明表示輝度と暗表示輝度の変調比を高くすることができないという問題がある。この問題は、二次元表示と三次元表示を行う表示装置において、特に大きな問題となる。二次元表示と三次元表示を行う表示装置には、専用の眼鏡をかけることが必要なものと、専用の眼鏡が不要なものがある。後者の表示装置では、裸眼で立体映像を視認することができるようにするために、例えば、視差バリアパララックスバリアが用いられる。しかし、視差バリアを用いた場合には、三次元表示のときに視差バリアによって、光が吸収され、表示輝度が低くなる。そのため、この表示装置に、上述のバックライトを適用した場合には、表示映像の変調比が小さくなってしまうという問題がある。本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、三次元表示において、面内輝度を均一化しつつ、変調比を高くすることの可能な照明装置およびそれを備えた表示装置を提供することにある。本技術による照明装置は、離間して互いに対向配置された第1透明基板および第2透明基板と、第1透明基板の第1端面に光を照射する光源とを備えている。この照明装置は、さらに、第1透明基板および第2透明基板の間隙に設けられ、かつ電場の大きさに応じて、光源からの光に対して散乱性もしくは透明性を示す光変調層と、電位差が印加されたときに光変調層内に電場を発生させる電極とを備えている。光変調層は、電極から三次元表示モードの電場が印加されることにより、光源からの光を利用して、第1端面と交差する方向に延在する複数の帯状照明光を生成するようになっている。ここで、各帯状照明光の、単位面積あたりの発光面積は、光源からの距離に応じて変化している。本技術による表示装置は、映像信号に基づいて駆動される表示パネルと、表示パネルを照明する照明装置とを備えている。この表示装置に含まれる照明装置は、上記の照明装置の構成と同一の構成を備えている。本技術による照明装置および表示装置では、電場の大きさに応じて、光源からの光に対して散乱性もしくは透明性を示す光変調層が照明装置内に設けられている。これにより、光源から発せられ、第1透明基板等を伝播する光は、光変調層のうち、電場制御によって透明性を示す領域を透過し、照明装置の上面において全反射されるか、または高反射率で反射される。その結果、照明装置の光射出領域のうち透明性を示す領域と対応する領域以下、単に光射出領域における透明領域とするの輝度が、全面を均一に発光させている場合と比べて低くなる。一方、第1透明基板等を伝播する光は、光変調層のうち、電場制御によって散乱性を示す領域で散乱され、照明装置の上面を透過する。その結果、照明装置の光射出領域のうち散乱性を示す領域と対応する領域以下、単に光射出領域における散乱領域とするの輝度が、全面を均一に発光させている場合と比べて高くなる。しかも、光射出領域における透明領域の輝度が低下した分だけ、部分的な白表示の輝度輝度突き上げが大きくなる。また、本技術では、光変調層で生成される、各帯状照明光の、単位面積あたりの発光面積が、光源からの距離に応じて変化している。これにより、光射出領域における透明領域および散乱領域の密度分布を所望の分布にすることができる。その結果、各帯状照明光の単位面積あたりの発光面積が光源からの距離に応じて変化していない場合と比べて、光射出領域のうち光源側の輝度を低く抑え、光射出領域のうち光源とは反対側の輝度を高くすることが可能である。ここで、光変調層は、高電位差を印加すると散乱性を示し、低電位差を印加するとまたは電位差を印加しないとき透明性を示すようになっていてもよい。この場合には、各帯状照明光の幅が、光源寄りの箇所で相対的に細く、光源から離れた箇所で相対的に太くなっていてもよい。また、光変調層が上述の性質を有している場合に、各帯状照明光のエッジが凹凸形状となっているときには、凹凸形状の凹凸振幅が、光源寄りの箇所で相対的に大きく、光源から離れた箇所で相対的に小さくなっていてもよい。なお、光変調層は、上記とは逆に、高電位差を印加すると透明性を示し、低電位差を印加するとまたは電位差を印加しないとき散乱性を示すようになっていてもよい。この場合には、各帯状照明光の幅の幅が、光源寄りの箇所で相対的に太く、光源から離れた箇所で相対的に細くなっていてもよい。また、光変調層が上述の性質を有している場合に、各帯状照明光のエッジが凹凸形状となっているときには、凹凸形状の凹凸振幅が、光源寄りの箇所で相対的に大きく、光源から離れた箇所で相対的に小さくなっていてもよい。このとき、非常に微細な凹凸形状である場合は、巨視的に帯状照明光の幅はほとんど変化は見られないが、微視的に発光面積は変化している。本技術による照明装置および表示装置によれば、各帯状照明光の単位面積あたりの発光面積が光源からの距離に応じて変化していない場合と比べて、光射出領域のうち光源側の輝度を低く抑え、光射出領域のうち光源とは反対側の輝度を高くすることができるようにしたので、三次元表示において、面内輝度を均一化しつつ、変調比を高くすることができる。以下、本開示に係る実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。1.第1の実施の形態図1~図38バックライト内に光変調素子水平配向反転PDLCを使用した例2.第2の実施の形態図39~図42バックライト内に光変調素子垂直配向反転PDLCを使用した例3.変形例図43~図914.実施例図92~図95<1.第1の実施の形態>テレビ放送信号の受送信システムの構成図1は、本技術の第1の実施の形態に係る受信側装置200を含むテレビ放送信号100Aの受送信システムの構成例を示すブロック図である。この受送信システムは、例えば、有線ケーブルTVなどや無線地上デジタル波、衛星波などを介してテレビ放送信号を送信する送信側装置100と、上記の有線や無線を介して送信側装置100からのテレビ放送信号を受信する受信側装置200とを備えている。なお、受信側装置200が本技術の表示装置の一具体例に相当する。テレビ放送信号100Aは、二次元表示平面表示用の映像データ、または三次元表示立体表示用の映像データを含んでいる。ここで、二次元表示用の映像データとは、視点情報を持たない二次元映像データを指している。また、三次元表示用の映像データとは、視点情報を持った二次元映像データを指しており、三次元表示用の映像データは、視点が互いに異なる複数の二次元映像データを含んで構成されている。送信側装置100は、例えば、放送局に設置されたテレビ放送信号送信装置、またはインターネット上のサーバなどである。[受信側装置200の機能ブロック]図2は、受信側装置200の構成例を示すブロック図である。受信側装置200は、例えば、上記の有線や無線に接続可能なテレビジョンである。受信側装置200は、例えば、アンテナ端子201、デジタルチューナ202、デマルチプレクサ203、演算回路204、およびメモリ205を有している。受信側装置200は、また、例えば、デコーダ206、映像信号処理回路207、グラフィック生成回路208、パネル駆動回路209、表示パネル210、バックライト211、音声信号処理回路212、音声増幅回路213、およびスピーカ214を有している。受信側装置200は、さらに、例えば、リモコン受信回路215、およびリモコン送信機216を有している。なお、表示パネル210が本技術の表示パネルの一具体例に相当し、バックライト211が本技術の照明装置の一具体例に相当する。アンテナ端子201は、受信アンテナ図示せずで受信されたテレビ放送信号を入力する端子である。デジタルチューナ202は、例えば、アンテナ端子201に入力されたテレビ放送信号を処理して、ユーザの選択チャネルに対応した所定のトランスポートストリームを出力するようになっている。デマルチプレクサ203は、例えば、デジタルチューナ202で得られたトランスポートストリームから、ユーザの選択チャネルに対応したパーシャルTSTransportStreamを抽出するようになっている。演算回路204は、受信側装置200の各部の動作を制御するものである。演算回路204は、例えば、デマルチプレクサ203で得られたパーシャルTSをメモリ205内に格納したり、メモリ205から読み出したパーシャルTSをデコーダ206に送信したりするようになっている。また、演算回路204は、例えば、二次元表示または三次元表示を指定する制御信号204Aを映像信号処理回路207およびバックライト211に送信するようになっている。演算回路204は、上記の制御信号204Aを、例えば、メモリ205内に格納された設定情報、パーシャルTSに含まれる所定の情報、またはリモコン受信回路215から入力された設定情報に基づいて設定するようになっている。メモリ205は、例えば、受信側装置200の設定情報の格納およびデータ管理を行うものである。メモリ205は、例えば、デマルチプレクサ203で得られたパーシャルTSや、表示方法などの設定情報を格納することが可能となっている。デコーダ206は、例えば、デマルチプレクサ203で得られたパーシャルTSに含まれる映像PESパケットに対してデコード処理を行うことにより映像データを得るようになっている。デコーダ206は、また、例えば、デマルチプレクサ203で得られたパーシャルTSに含まれる音声PESパケットに対してデコード処理を行うことにより音声データを得るようになっている。ここで、映像データとは、二次元表示用の映像データ、または三次元表示用の映像データを指している。映像信号処理回路207およびグラフィック生成回路208は、例えば、デコーダ206で得られた映像データに対して、必要に応じてマルチ画像処理、グラフィックスデータの重畳処理等を行うようになっている。映像信号処理回路207は、演算回路204から制御信号204Aとして三次元表示を指定する信号が入力された場合であって、かつ、デコーダ206から入力された映像データが三次元表示用の映像データであったときには、例えば、デコーダ206から入力された三次元表示用の映像データに含まれる、視点の互いに異なる複数の二次元映像データを用いて1つの二次元映像データを作成し、作成した二次元映像データを、グラフィック生成回路208に出力する映像データとして選択するようになっている。例えば、三次元表示用の映像データに、視点の互いに異なる2つの二次元映像データが含まれている場合には、映像信号処理回路207は、2つの二次元映像データを、水平方向に1つずつ交互に並べる処理を各行で行っていき、2つの二次元映像データが水平方向に交互に並んだ1つの映像データを作成するようになっている。同様に、例えば、三次元表示用の映像データに、視点の互いに異なる4つの二次元映像データが含まれている場合には、映像信号処理回路207は、4つの二次元映像データを、水平方向に1つずつ周期的に並べる処理を各行で行っていき、4つの二次元映像データが水平方向に1つずつ周期的に並んだ1つの映像データを作成するようになっている。映像信号処理回路207は、演算回路204から制御信号204Aとして二次元表示を指定する信号が入力された場合であって、かつ、デコーダ206から入力された映像データが三次元表示用の映像データであったときには、例えば、デコーダ206から入力された三次元表示用の映像データに含まれる、視点の互いに異なる複数の二次元映像データのいずれか1つの映像データを、グラフィック生成回路208に出力する映像データとして選択するようになっている。映像信号処理回路207は、演算回路204から制御信号204Aとして二次元表示を指定する信号が入力された場合であって、かつ、デコーダ206から入力された映像データが二次元表示用の映像データであったときには、例えば、デコーダ206から入力された二次元表示用の映像データを、グラフィック生成回路208に出力する映像データとして選択するようになっている。グラフィック生成回路208は、例えば、画面表示の際に使用するUIUserInterface画面を生成するようになっている。パネル駆動回路209は、例えば、グラフィック生成回路208から出力された映像データに基づいて表示パネル210を駆動するようになっている。表示パネル210およびバックライト211の構成は、後に詳述する。音声信号処理回路212は、例えば、デコーダ206で得られた音声データに対してD/A変換等の処理を行うようになっている。音声増幅回路213は、例えば、音声信号処理回路212から出力された音声信号を増幅してスピーカ214に供給するようになっている。リモコン受信回路215は、例えば、リモコン送信機216から送信されたリモートコントロール信号を受信し、演算回路204に供給するようになっている。演算回路204は、例えば、リモートコントロール信号に従って受信側装置200の各部を制御するようになっている。[受信側装置200の断面構成]図3は、受信側装置200における表示部の断面構成の一例を表したものである。なお、図3は、模式的に表したものであり、実際の寸法や形状と同一であるとは限らない。受信側装置200は、表示パネル210と、表示パネル210の背後に配置されたバックライト211とを備えている。表示パネル210は、2次元配置された複数の画素を有しており、各画素または特定の画素が駆動されることにより映像を表示するものである。表示パネル210は、例えば、映像信号に応じて各画素または特定の画素が駆動される透過型の液晶表示パネルLCDLiquidCrystalDisplayであり、液晶層を一対の透明基板で挟み込んだ構造を有している。表示パネル210は、例えば、バックライト211側から順に、偏光板、透明基板、画素電極、配向膜、液晶層、配向膜、共通電極、カラーフィルタ、透明基板および偏光板を有している。透明基板は、可視光に対して透明な基板、例えば板ガラスからなる。なお、バックライト211側の透明基板には、図示しないが、画素電極に電気的に接続されたTFTThinFilmTransistor;薄膜トランジスタおよび配線などを含むアクティブ型の駆動回路が形成されている。画素電極および共通電極は、例えば、酸化インジウムスズITO;IndiumTinOxideからなる。画素電極は、透明基板上に2次元配列されたものであり、画素ごとの電極として機能する。他方、共通電極は、カラーフィルタ上に一面に形成されたものであり、各画素電極に対して対向する共通電極として機能する。配向膜は、例えばポリイミドなどの高分子材料からなり、液晶に対して配向処理を行う。液晶層は、例えば、VAVerticalAlignmentモード、TNTwistedNematicモードまたはSTNSuperTwistedNematicモードの液晶からなり、駆動回路図示せずからの印加電圧により、バックライト211からの出射光の偏光軸の向きを画素ごとに変える機能を有する。なお、液晶の配列を多段階で変えることにより画素ごとの透過軸の向きが多段階で調整される。カラーフィルタは、液晶層を透過してきた光を、例えば、赤R、緑Gおよび青Bの三原色にそれぞれ色分離したり、または、R、G、Bおよび白Wなどの四色にそれぞれ色分離したりするカラーフィルタを、画素電極の配列と対応させて配列したものである。偏光板は、光学シャッタの一種であり、ある一定の振動方向の光偏光のみを通過させる。なお、偏光板は、透過軸以外の振動方向の光偏光を吸収する吸収型の偏光素子であってもよいが、バックライト211側に反射する反射型の偏光素子であることが輝度向上の観点から好ましい。2枚の偏光板はそれぞれ、偏光軸が互いに90°異なるように配置されており、これによりバックライト211からの出射光が液晶層を介して透過し、あるいは遮断されるようになっている。バックライト211は、例えば、表示パネル210を背後から照明するものであり、導光板10と、導光板10の側面に配置した光源20と、導光板10の背後に配置した光変調素子30および反射板40と、光変調素子30を駆動する駆動回路50とを備えている。なお、導光板10は、本技術の第1透明基板または第2透明基板の一具体例に相当する。光源20は、本技術の光源の一具体例に相当する。導光板10は、導光板10の側面に配置した光源20からの光を導光板10の上面に導くものである。この導光板10は、導光板10の上面に配置された表示パネル210に対応した形状、例えば、上面、下面および側面で囲まれた直方体状となっている。なお、以下では、導光板10の側面のうち光源20からの光が入射する側面を光入射面10Aと称するものとする。なお、光入射面10Aが本技術の第1端面の一具体例に相当する。導光板10は、例えば、上面および下面の少なくとも一方の面に、所定のパターン化された形状を有しており、光入射面10Aから入射した光を散乱し、均一化する機能を有している。なお、バックライト211に印加する電圧を変調することによって輝度の均一化を行う場合には、パターン化されていない平坦な導光板を導光板10として用いることも可能である。導光板10は、例えば、ポリカーボネート樹脂PCやアクリル樹脂ポリメチルメタクリレートPMMAなどの透明熱可塑性樹脂を主に含んで構成されている。光源20は、線状光源であり、例えば、熱陰極管、冷陰極管、または複数のLEDLightEmittingDiodeを一列に配置したものなどからなる。光源20が複数のLEDからなる場合には、効率、薄型化、均一性の観点から、全てのLEDがホワイトLEDであることが好ましい。なお、光源20が、例えば、赤色LED、緑色LEDおよび青色LEDを含んで構成されていてもよい。光源20は、導光板10の一の側面にだけ設けられていてもよいし図3参照、導光板10の2つの側面、3つの側面または全ての側面に設けられていてもよい。反射板40は、導光板10の背後から光変調素子30を介して漏れ出てきた光を導光板10側に戻すものであり、例えば、反射、拡散、散乱などの機能を有している。これにより、光源20からの出射光を効率的に利用することができ、また、正面輝度の向上にも役立っている。この反射板40は、例えば、発泡PETポリエチレンテレフタレートや銀蒸着フィルム、多層膜反射フィルム、白色PETなどからなる。なお、反射板40は、必要に応じて省略することも可能である。光変調素子30は、本実施の形態において、導光板10の背後下面に空気層を介さずに密着しており、例えば接着剤図示せずを介して導光板10の背後に接着されている。この光変調素子30は、例えば、図4に示したように、透明基板31、下側電極32、配向膜33、光変調層34、配向膜35、上側電極36および透明基板37を反射板40側から順に配置されたものである。透明基板31,37は、光変調層34を支持するものであり、一般に、可視光に対して透明な基板、例えば、ガラス板や、プラスチックフィルムによって構成されている。下側電極32は、透明基板31のうち透明基板37との対向面上に設けられたものであり、例えば、図4に示したように、複数の部分電極32Aによって構成されている。複数の部分電極32Aのうち特定の複数の部分電極32A以下、部分電極32aと称する。は、受信側装置200において三次元表示を行うときに、帯状照明光の生成に用いられるものである。なお、部分電極32aによって生成される帯状照明光が本技術の帯状照明光の一具体例に相当する。部分電極32aによって生成される帯状照明光は、部分電極32aに形状に対応した形状となっており、光入射面10Aと交差または直交もしくはほぼ直交する方向に延在する帯状の発光形状となっている。複数の部分電極32aは、受信側装置200において三次元表示を行うときの画素ピッチP2図17参照に対応するピッチP1画素ピッチP2と同一ピッチまたはそれに近いピッチで配列されている。複数の部分電極32Aのうち部分電極32aを除く複数の部分電極32A以下、部分電極32b,32cと称する。は、受信側装置200において二次元表示を行うときに、部分電極32aと共に、面状照明光の生成に用いられるものである。つまり、受信側装置200において二次元表示を行うときには、面状照明光を生成するために、全ての部分電極32Aが用いられる。部分電極32a,32b,32cは、配列方向光入射面10Aと直交する方向においてこの順に配列されており、さらに、一組の部分電極32a,32b,32cが複数、配列方向に配列されている。各部分電極32Aは、面内の一の方向であって、かつ光入射面10Aと交差または直交もしくはほぼ直交する方向に延在する帯状の形状となっている。例えば、図5に示したように、各部分電極32Aのうち、表示パネル210内の1つの画素210aに使われる部分の面積図中のグレー部分の面積が、光源20からの距離に応じて変化している。従って、部分電極32Aによって生成される帯状照明光の、単位面積あたりの発光面積も、光源20からの距離に応じて変化している。具体的には、各部分電極32Aの幅が、光源20からの距離に応じて変化しており、光源20寄りの箇所で相対的に細く、光源20から離れた箇所で相対的に太くなっている。例えば、図5に示したように、各部分電極32Aの幅が、光源20からの距離に比例して太くなっている。従って、部分電極32Aによって生成される帯状照明光の幅も、光源20からの距離に応じて変化しており、光源20寄りの箇所で相対的に細く、光源20から離れた箇所で相対的に太くなっている。例えば、図示しないが、部分電極32Aによって生成される帯状照明光の幅が、光源20からの距離に比例して太くなっている。なお、各部分電極32Aの幅が、光源20からの距離に応じて変化している場合に、各部分電極32Aの、幅方向の中心線が互いに平行となるように、各部分電極32Aの形状が調整されていることが好ましい。この場合、各帯状照明光の、幅方向の中心線も、互いに平行となっている。なお、各部分電極32Aの幅が、当該部分電極32Aの、光源20から最も離れた端部や、光源20に最も近い端部において、均一となっていてもよい。各部分電極32Aは、例えば、図5に示したように、互いに別個に形成され、互いに独立に駆動可能になっていてもよいが、各部分電極32aが互いに電気的に接続されていてもよい。例えば、図6に示したように、各部分電極32aが、配列方向に延在する配線32Bを介して互いに電気的に接続されていてもよい。また、例えば、各部分電極32b,32cが互いに電気的に接続されていてもよい。例えば、図6に示したように、各部分電極32b,32cが、配列方向に延在する配線32Cを介して互いに電気的に接続されていてもよい。なお、二次元表示に際して多視点表示を行う場合には、部分電極32bと部分電極32cとが互いに電気的に分離されていることが好ましい。この場合に、例えば、図7に示したように、各部分電極32bが、配列方向に延在する配線32Cを介して互いに電気的に接続されると共に、各部分電極32cが、配列方向に延在する配線32Dを介して互いに電気的に接続されていてもよい。各部分電極32Aは、例えば、図4、図8、図9、図10に示したように、光入射面10Aの法線と斜めに交差する方向に延在していてもよい。このとき、帯状照明光も、光入射面10Aの法線と斜めに交差する方向に延在していることになる。なお、各部分電極32Aまたは帯状照明光が光入射面10Aの法線と斜めに交差する方向に延在している場合に、各部分電極32Aまたは帯状照明光の延在方向が、表示パネル210の画素の配列方向と交差する方向に延在していることが好ましい。このようにした場合には、後に詳述するが、光入射面10Aの法線と平行な方向の解像度と、光入射面10Aと平行な方向の解像度との差を小さくすることができる。また、例えば、図11、図12、図13に示したように、各部分電極32Aが、ブロック形状となっており、かつ複数の部分電極32Aが2次元配置されていてもよい。なお、図11、図12には、複数の部分電極32Aがライン状に配列されている様子が例示されている。一方、図13は、各部分電極32Aが、隣接する他の部分電極32Aとの関係で、画素210aの幅の分だけ左右方向Y軸方向にずれて配置されている様子が例示されている。この場合に、複数の部分電極32Aを1つの線状電極32Eとみなしたときに、例えば、図11に示したように、各線状電極32Eのうち、表示パネル210内の1つの画素210aに使われる部分の面積図中のグレー部分の面積が、光源20からの距離に応じて変化している。従って、この場合には、線状電極32Eによって生成される帯状照明光の、単位面積あたりの発光面積も、光源20からの距離に応じて変化している。なお、線状電極32Eが本技術の仮想帯状電極の一具体例に相当する。具体的には、各線状電極32Eの幅が、光源20からの距離に応じて変化しており、光源20寄りの箇所で相対的に細く、光源20から離れた箇所で相対的に太くなっている。例えば、図11、図12、図13に示したように、各線状電極32Eの幅が、光源20からの距離に比例して太くなっている。従って、線状電極32Eによって生成される帯状照明光の幅も、光源20からの距離に応じて変化しており、光源20寄りの箇所で相対的に細く、光源20から離れた箇所で相対的に太くなっている。例えば、図示しないが、線状電極32Eによって生成される帯状照明光の幅が、光源20からの距離に比例して太くなっている。なお、各部分電極32Aの幅が、光源20からの距離に応じて変化している場合に、各部分電極32Aの重心が1本の線上に乗るように、各部分電極32Aの形状が調整されていることが好ましい。この場合、各線状電極32Eもしくは線状電極32Eによって生成される帯状照明光の、幅方向の中心線が互いに平行となっている。なお、各線状電極32Eの幅が、当該線状電極32Eの、光源20から最も離れた端部や、光源20に最も近い端部において、均一となっていてもよい。上側電極36は、面内全体に渡って形成された1枚のベタ膜面状電極である。上側電極36は、例えば、図14に示したように、下側電極32のうち各部分電極32Aと対向する領域に形成されている。上側電極36は、下側電極32のうち配線32B,32Cと対向する領域に、当該上側電極36に電圧を供給する引出配線図示せずを有しており、引出配線だけが配線32Bまたは配線32Cの一部と対向していることが好ましい。これは、上側電極36と配線32B,32Cとが互いに対向する部分が多くなると、配線32B,32Cに電圧が印加されたときに、光変調層34のうち配線32B,32Cと対向する部分が駆動されることにより生じる不要な光が多くなってしまうからである。下側電極32および上側電極36のうち少なくとも上側電極36バックライト211の上面側の電極は透明導電膜によって構成されている。この透明導電膜は、例えば、以下の式で示されるような特性を有していることが好ましい図15A参照。この透明導電膜は、例えば、ITOを含む膜以下、ITO膜と称する。によって構成されている。なお、下側電極32および上側電極36は、酸化インジウム亜鉛IZO;IndiumZincOxide、メタルナノワイヤ、カーボンナノチューブ、グラフェンなどによって構成されていてもよい。|A1-A2|≦2.00A1:450nm~650nmにおける最大光吸収率A2:450nm~650nmにおける最小光吸収率照明光としては、可視光が使用されるので、380~780nmの範囲で、透明導電膜の光吸収の差が少ないことが好ましい。380~780nmの範囲で光吸収率の最大値と最小値の差が、10.00以下であることが好ましく、7.00以下であることがより好ましい。特に、透明導電膜がバックライトなどに適用される場合は、使用する光源の波長領域の範囲内で光吸収率の最大値と最小値の差が2.00以下であることが好ましく、1.00以下であることがより好ましい。一般的なLEDを光源として光源などを用いた場合、450~650nm範囲で、光吸収率の最大値と最小値の差が、2.00以下であることが好ましく、1.00以下であることがより好ましい。なお、吸収率の測定は日本分光製V-550を用い、基板法線方向から5°入射にて反射率、透過率を測定し、100から反射率、透過率の値を引いた値を吸収率とした。このように、透明導電膜が上記の式に示した特性となっている場合には、光源20から出射された光が導光板10内を伝播していく過程で光変調素子30内の透明導電膜を繰り返し通過したときに、透明導電膜における、吸収の波長依存性が抑制される。透明導電膜が、一般的なITO膜からなる場合には、例えば、図15B,Cの破線および図16Aの矢印に示したように、光源20からの距離が遠くなるにつれて、長波長側の成分が増大していく。一方、透明導電膜が、上記の式に示した特性を有する、膜質改善されたITO膜からなる場合には、例えば、図15B,Cの実線および図16Bに示したように、長波長側の成分が光源20からの距離に応じて変化する割合が低減している。なお、図15B,Cの縦軸のΔu’v’は、その値が大きくなるほど、長波長側の成分が大きくなることに対応する指標である。また、例えば、光変調素子30に含まれる一対の下側電極32および上側電極36のうち少なくとも一方が、ITO膜によって構成されているとき、導光している光路中のどこか例えば、導光板10および光変調素子30の少なくとも一方に、例えば、長波長側の光を短波長側の光よりもより多く吸収する染料顔料が含まれていることが好ましい。上記の染料顔料として、公知の材料を使用することができる。特に、光変調層34の形成に紫外線照射によるプロセスを含む場合には、例えば、光変調素子30を形成した後に、染料顔料を含む導光板10と光変調素子30とを互いに貼り合わせたり、染料顔料が紫外線によってダメージを受けないように、染料顔料を含む部分を紫外線吸収層で紫外線から保護することが好ましい。このように、導光している光路中のどこかに上記の染料顔料を添加することにより、光源20から出射された光が導光板10内を伝播していく過程で光変調素子30を繰り返し通過したときに、ITO膜を含む光変調素子30の吸収の波長依存性が抑制される。ただし、下側電極32バックライト211の下面側の電極については、透明な材料でなくてもよく、例えば、金属によって構成されていてもよい。なお、下側電極32が金属によって構成されている場合には、下側電極32は、反射板40と同様、導光板10の背後から光変調素子30に入射する光を反射する機能も兼ね備えていることになる。従って、この場合には、反射板40を省略することも可能である。下側電極32および上側電極36を光変調素子30の法線方向から見たときに、光変調素子30のうち下側電極32および上側電極36が互いに対向している箇所に対応する部分が光変調セル30-1を構成している図4参照。光変調セル30-1は、光変調素子30のうち部分電極32Aおよび上側電極36が互いに対向している箇所に対応する部分である。各光変調セル30-1は、下側電極32部分電極32Aおよび上側電極36に所定の電位差を印加することにより別個独立に駆動することの可能なものであり、下側電極32および上側電極36に印加される電位差の大きさに応じて、光源20からの光に対して透明性を示したり、散乱性を示したりする。ただし、上述した配線32Bや配線32Cで部分電極32A同士が互いに接続されている場合には、光変調素子30のうち配線32Bまたは配線32Cで互いに接続された複数の部分電極32Aに対応する部分が、光変調セル30-1となる。なお、透明性、散乱性については、光変調層34を説明する際に詳細に説明する。配向膜33,35は、例えば、光変調層34に用いられる液晶やモノマーを配向させるものである。配向膜の種類としては、例えば、垂直用配向膜および水平配向膜があるが、本実施の形態では、配向膜33,35には水平配向膜が用いられる。水平配向膜としては、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルアルコールなどをラビング処理することにより形成された配向膜、転写やエッチングなどにより溝形状が付与された配向膜が挙げられる。また、水平配向膜としては、例えば、酸化ケイ素などの無機材料を斜方蒸着することにより形成された配向膜、イオンビーム照射により形成されたダイヤモンドライクカーボン配向膜、電極パターンスリットの形成された配向膜が挙げられる。透明基板31,37としてプラスチックフィルムを用いる場合には、製造工程において、透明基板31,37の表面に配向膜33,35を塗布した後の焼成温度ができるだけ低いことが好ましいことから、配向膜33,35として、100°C以下の温度で形成可能なポリアミドイミドを用いることが好ましい。また、垂直、水平いずれの配向膜においても、液晶とモノマーを配向させる機能があれば十分であり、通常の液晶ディスプレイに要求される電圧の繰り返し印加による信頼性などは必要ない。デバイス作成後の電圧印加による信頼性は、モノマーを重合したものと液晶との界面で決まるためである。また、配向膜を用いなくても、例えば、下側電極32および上側電極36間に電場や磁場を印加することによっても、光変調層34に用いられる液晶やモノマーを配向させることが可能である。つまり、下側電極32および上側電極36間に電場や磁場を印加しながら、紫外線照射して電圧印加状態での液晶やモノマーの配向状態を固定させることができる。配向膜の形成に電圧を用いる場合には、配向用と駆動用とで別々の電極を形成するか、液晶材料に周波数によって誘電率異方性の符号が反転する二周波液晶などを用いることができる。また、配向膜の形成に磁場を用いる場合、配向膜として磁化率異方性の大きい材料を用いることが好ましく、例えば、ベンゼン環の多い材料を用いることが好ましい。光変調層34は、電場の大きさに応じて、光源20からの光に対して散乱性もしくは透明性を示すものである。光変調層34は、例えば、図4に示したように、バルク34Aと、バルク34A内に分散された微粒子状の複数の微粒子34Bとを含んだ複合層となっている。バルク34Aおよび微粒子34Bは光学異方性を有している。なお、バルク34Aが本技術の第2領域の一具体例に相当し、微粒子34Bが本技術の第1領域の一具体例に相当する。図17Aは、下側電極32および上側電極36間に電位差が印加されていない時以下、単に電位差無印加時と称する。の、微粒子34B内の配向状態の一例を模式的に表したものである。なお、図17Aにおいて、バルク34A内の配向状態についての記載を省略した。ここで、第1電位差は、光変調層34が散乱性を示す電位差である。第2電位差は、光変調層34が透明性を示す電位差である。本明細書において、電位差無印加時とは、第1電位差よりも低い第2電位差が印加されている時も含む概念である。図17Bは、電位差無印加時の、バルク34Aおよび微粒子34Bの屈折率異方性を示す屈折率楕円体の一例を表したものである。この屈折率楕円体は、様々な方向から入射した直線偏光の屈折率をテンソル楕円体で表したものであり、光が入射する方向からの楕円体の断面を見ることによって、幾何的に屈折率を知ることができるものである。図17Cは、電位差無印加時の、正面方向に向かう光L1と、斜め方向に向かう光L2とが光変調層34を透過する様子の一例を模式的表したものである。図18Aは、下側電極32および上側電極36間に電位差が印加されている時以下、単に電位差印加時と称する。の、微粒子34B内の配向状態の一例を模式的に表したものである。なお、図18Aにおいて、バルク34A内の配向状態についての記載を省略した。本明細書において、電位差印加時は、第1電位差が印加されている時を意味しているものとする。図18Bは、電位差印加時の、バルク34Aおよび微粒子34Bの屈折率異方性を示す屈折率楕円体の一例を表したものである。図18Cは、下側電極32および上側電極36間に電位差が印加されている時の、正面方向に向かう光L1と、斜め方向に向かう光L2とが光変調層34において散乱される様子の一例を模式的表したものである。バルク34Aおよび微粒子34Bは、例えば、図17A,Bに示したように、電位差無印加時に、バルク34Aの光軸AX1および微粒子34Bの光軸AX2の向きが互いに一致する平行となる構成となっている。なお、光軸AX1,AX2とは、偏光方向によらず屈折率が一つの値になるような光線の進行方向と平行な線を指している。また、光軸AX1および光軸AX2の向きは常に互いに一致している必要はなく、光軸AX1の向きと光軸AX2の向きとが、例えば製造誤差などによって多少ずれていてもよい。また、微粒子34Bは、例えば、電位差無印加時に、光軸AX2が導光板10の光入射面10Aと平行となる構成となっている。微粒子34Bは、さらに、例えば、電位差無印加時に、光軸AX2が透明基板31,37の表面と僅かな角度θ1で交差する構成となっている図17B参照。なお、角度θ1については、微粒子34Bを構成する材料を説明する際に詳述する。一方、バルク34Aは、例えば、下側電極32および上側電極36間への電位差印加の有無に拘らず、バルク34Aの光軸AX1が一定となる構成となっている。具体的には、バルク34Aは、例えば、図17A,B,図18A,Bに示したように、バルク34Aの光軸AX1が導光板10の光入射面10Aと平行となると共に透明基板31,37の表面と所定の角度θ1で交差する構成となっている。つまり、バルク34Aの光軸AX1は、電位差無印加時に、微粒子34Bの光軸AX2と平行となっている。なお、光軸AX2が常に、光入射面10Aと平行となると共に透明基板31,37の表面と角度θ1で交差している必要はなく、例えば製造誤差などによって透明基板31,37の表面と、角度θ1とは若干異なる角度で交差していてもよい。また、光軸AX1,AX2が常に光入射面10Aと平行となっている必要はなく、例えば製造誤差などによって光入射面10Aと、小さな角度で交差していてもよい。ここで、バルク34Aおよび微粒子34Bの常光屈折率が互いに等しく、かつバルク34Aおよび微粒子34Bの異常光屈折率が互いに等しいことが好ましい。この場合に、例えば、電位差無印加時には、図17Aに示したように、正面方向および斜め方向を含むあらゆる方向において屈折率差がほとんどなく、高い透明性が得られる。これにより、例えば、図17Cに示したように、正面方向に向かう光L1および斜め方向に向かう光L2は、光変調層34内で散乱されることなく、光変調層34を透過する。その結果、例えば、図19A,Bに示したように、光源20からの光L斜め方向からの光は、光変調層34のうち透明な領域透明領域30Aの界面透明基板31の下面および導光板10の上面において全反射され、透明領域30Aの輝度黒表示の輝度が、全面を均一に発光させている場合図19B中の一点鎖線と比べて下がる。なお、図19Bの正面輝度のプロファイルは、導光板10上に拡散シート41を設置し、その拡散シート41を介して測定することにより得られたものである。なお、透明領域30Aの界面の1つである導光板10の上面は、表示パネル210と透光板10との間に存在する間隙と接しているが、その間隙は、導光板10の上面の屈折率よりも低い屈折率の材料で満たされていることが好ましい。そのような低屈折率材料からなる層低屈折率材料層220図3参照は、典型的には空気であるが、低屈折率材料からなる粘着剤もしくは接着剤であってもよい。バルク34Aおよび微粒子34Bは、例えば、電位差印加時には、図18Aに示したように、光軸AX1および光軸AX2の向きが互いに異なる交差または直交もしくはほぼ直交する構成となっている。また、微粒子34Bは、例えば、電位差印加時に、微粒子34Bの光軸AX2が導光板10の光入射面10Aと平行となると共に透明基板31,37の表面と角度θ1よりも大きな角度θ2例えば90°で交差する構成となっている。なお、角度θ2については、微粒子34Bを構成する材料を説明する際に詳述する。したがって、電位差印加時には、光変調層34において、正面方向および斜め方向を含むあらゆる方向において屈折率差が大きくなり、高い散乱性が得られる。これにより、例えば、図17Cに示したように、正面方向に向かう光L1および斜め方向に向かう光L2は、光変調層34内で散乱される。その結果、例えば、図19Aに示したように、光源20からの光L斜め方向からの光は、散乱領域30Bの界面透明基板31または導光板10と空気との界面を透過すると共に、反射板40側に透過した光は反射板40で反射され、光変調素子30を透過する。従って、散乱領域30Bの輝度は、全面を均一に発光させている場合図19B中の一点鎖線と比べて極めて高くなり、しかも、透明領域30Aの輝度が低下した分だけ、部分的な白表示の輝度輝度突き上げが大きくなる。なお、バルク34Aおよび微粒子34Bの常光屈折率は、例えば製造誤差などによって多少ずれていてもよく、例えば、0.1以下であることが好ましく、0.05以下であることがより好ましい。また、バルク34Aおよび微粒子34Bの異常光屈折率についても、例えば製造誤差などによって多少ずれていてもよく、例えば、0.1以下であることが好ましく、0.05以下であることがより好ましい。また、バルク34Aの屈折率差ΔnP=異常光屈折率neP-常光屈折率noPや、微粒子34Bの屈折率差ΔnL=異常光屈折率neL-常光屈折率noLは、できるだけ大きいことが好ましく、0.05以上であることが好ましく、0.1以上であることがより好ましく、0.15以上であることがさらに好ましい。バルク34Aおよび微粒子34Bの屈折率差が大きい場合には、光変調層34の散乱能が高くなり、導光条件を容易に破壊することができ、導光板10からの光を取り出しやすいからである。また、バルク34Aおよび微粒子34Bは、電場に対する応答速度が互いに異なっている。バルク34Aは、例えば、微粒子34Bの応答速度よりも遅い応答速度を有する筋状構造図20A,B参照、多孔質構造、または棒状構造となっている。なお、図20A,Bは、光変調素子30に対して電場を印加したときの偏光顕微鏡写真であり、図20A,B中で筋状に明るい箇所が上述した筋状構造に相当している。図20Aには、液晶とモノマーの重量比を95:5としたときのバルク34Aの筋状構造の様子が示されており、図20Bには、液晶とモノマーの重量比を90:10としたときのバルク34Aの筋状構造の様子が示されている。バルク34Aは、例えば、低分子モノマーを重合化することにより得られた高分子材料によって形成されている。バルク34Aは、例えば、微粒子34Bの配向方向または配向膜33,35の配向方向に沿って配向した、配向性および重合性を有する材料例えばモノマーを熱および光の少なくとも一方によって重合させることにより形成されている。バルク34Aの筋状構造、多孔質構造もしくは棒状構造は、例えば、導光板10の光入射面10Aと平行となると共に透明基板31,37の表面と僅かな角度θ1で交差する方向に長軸を有している。バルク34Aが筋状構造となっている場合に、短軸方向の平均的な筋状組織サイズは、導光光の散乱性を高くするという観点からは、0.1μm以上10μm以下となっていることが好ましく、0.2μm以上2.0μm以下の範囲であることがより好ましい。短軸方向の平均的な筋状組織サイズが0.1μm以上10μm以下となっている場合には、光変調素子30内での散乱能が、380~780nmの可視領域において略等しくなる。そのため、面内で、ある特定の波長成分の光のみが増加したり、減少したりすることがないので、可視領域でのバランスを面内で取ることができる。短軸方向の平均的な筋状組織サイズが0.1μm未満である場合や、10μmを超える場合には、波長に関係なく、光変調素子30の散乱能が低く、光変調素子30が光変調素子として機能しにくい。また、散乱の波長依存性を少なくするという観点からは、短軸方向の平均的な筋状組織サイズは、0.5μm以上5μm以下の範囲であることが好ましく、1~3μmの範囲であることがより好ましい。このようにした場合には、光源20から出射された光が導光板10内を伝播していく過程で光変調素子30内のバルク34Aを繰り返し通過したときに、バルク34Aにおける、散乱の波長依存性が抑制される。筋状組織のサイズは、偏光顕微鏡、共焦点顕微鏡、電子顕微鏡などで観察することができる。一方、微粒子34Bは、例えば、液晶材料を主に含んで構成されており、バルク34Aの応答速度よりも十分に早い応答速度を有している。微粒子34B内に含まれる液晶材料液晶分子は、例えば棒状分子である。微粒子34B内に含まれる液晶分子として、正の誘電率異方性を有するものいわゆるポジ型液晶を用いることが好ましい。ここで、電位差無印加時には、微粒子34B内において、液晶分子の長軸方向は、光軸AX1と平行となっている。このとき、微粒子34B内の液晶分子の長軸は、導光板10の光入射面10Aと平行となると共に透明基板31,37の表面と僅かな角度θ1で交差している。つまり、微粒子34B内の液晶分子は、電位差無印加時には、導光板10の光入射面10Aと平行な面内において角度θ1だけ傾斜した状態で配向している。この角度θ1は、プレチルト角と呼ばれるもので、例えば0.1°以上30°以下の範囲であることが好ましい。この角度θ1は、0.5°以上10°以下の範囲であることがより好ましく、0.7°以上2°以下の範囲であることがさらにより好ましい。角度θ1を大きくすると、後述するような理由から散乱の効率が低下する傾向にある。また、角度θ1を小さくし過ぎると、電位差印加時に液晶の立ち上がる方位角がばらつく。例えば、180°反対側の方位リバースチルトに液晶が立ち上がることもある。これにより、微粒子34Bとバルク34Aとの屈折率差を有効に利用できないので、散乱効率が低くなり、輝度が小さくなる傾向にある。また、電位差印加時には、微粒子34B内において、液晶分子の長軸方向は、光軸AX1と交差または直交もしくはほぼ直交している。このとき、微粒子34B内の液晶分子の長軸は、導光板10の光入射面10Aと平行となると共に透明基板31,37の表面と角度θ1よりも大きな角度θ2例えば90°で交差している。つまり、微粒子34B内の液晶分子は、電位差印加時には、導光板10の光入射面10Aと平行な面内において角度θ2だけ傾斜した状態もしくは角度θ2=90°で真っ直ぐ立った状態で配向している。上記した、配向性および重合性を有するモノマーとしては、光学的に異方性を有しており、かつ液晶と複合する材料であればよいが、本実施の形態では紫外線で硬化する低分子モノマーであることが好ましい。電圧無印加の状態で、液晶と、低分子モノマーを重合化することにより形成されたもの高分子材料との光学的異方性の方向が一致していることが好ましいので、紫外線硬化前において、液晶と低分子モノマーが同一方向に配向していることが好ましい。微粒子34Bとして液晶が用いられる場合に、その液晶が棒状分子であるときには、使用するモノマー材料の形状も棒状であることが好ましい。以上のことから、モノマー材料としては重合性と液晶性を併せ持つ材料を用いることが好ましく、例えば、重合性官能基として、アクリレート基、メタクリレート基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニルエーテル基およびエポキシ基からなる群から選ばれた少なくとも1つの官能基を有することが好ましい。これらの官能基は、紫外線、赤外線または電子線を照射したり、加熱したりすることによって重合させることができる。紫外線照射時の配向度低下を抑制するために、多官能基をもつ液晶性材料を添加することもできる。バルク34Aを上述した筋状構造とする場合には、バルク34Aの原料として、2官能液晶性モノマーを用いることが好ましい。また、バルク34Aの原料に対して、液晶性を示す温度の調整を目的に単官能モノマーを添加したり、架橋密度向上を目的に3官能以上のモノマーを添加したりすることもできる。駆動回路50は、例えば、一の光変調セル30-1において微粒子34Bの光軸AX2がバルク34Aの光軸AX1と平行もしくはほぼ平行となり、他の光変調セル30-1において微粒子34Bの光軸AX2がバルク34Aの光軸AX1と交差または直交もしくはほぼ直交するように各光変調セル30-1の一対の電極下側電極32、上側電極36へ印加する電位差の大きさを制御するようになっている。つまり、駆動回路50は、電場制御によって、バルク34Aおよび微粒子34Bの光軸AX1,AX2の向きを互いに一致もしくはほぼ一致させたり、互いに異ならせたりもしくは直交させたりすることができるようになっている。駆動回路50は、制御信号204Aとして三次元表示を指定する信号が入力されたとき三次元表示モードのときには、バックライト211から複数の帯状照明光を出力させるようになっている。具体的には、駆動回路50は、部分電極32aを含む各光変調セル30-1に、光変調層34が散乱性を示す電位差を印加するとともに、部分電極32bまたは部分電極32cを含む各光変調セル30-1に、光変調層34が透明性を示す電位差を印加するようになっている。言い換えると、駆動回路50は、部分電極32aを含む各光変調セル30-1において微粒子34Bの光軸AX2がバルク34Aの光軸AX1と交差または直交もしくはほぼ直交し、部分電極32bまたは部分電極32cを含む各光変調セル30-1において微粒子34Bの光軸AX2がバルク34Aの光軸AX1と平行となるように、各光変調セル30-1の一対の電極部分電極32A、上側電極36へ印加する電位差の大きさを制御するようになっている。これにより、光変調層34内に三次元表示モードの電場が発生する。なお、三次元表示モードの電場とは、部分電極32aを含む各光変調セル30-1の位置、形状および大きさに対応した面内分布を有する電場を指している。また、駆動回路50は、制御信号204Aとして二次元表示を指定する信号が入力されたとき二次元表示モードのときには、バックライト211から面状照明光を出力させるようになっている。具体的には、駆動回路50は、各光変調セル30-1に、光変調層34が散乱性を示す電位差を印加するようになっている。言い換えると、駆動回路50は、バックライト211に含まれる全ての光変調セル30-1において微粒子34Bの光軸AX2がバルク34Aの光軸AX1と交差または直交もしくはほぼ直交するように、各光変調セル30-1の一対の電極部分電極32A、上側電極36へ印加する電位差の大きさを制御するようになっている。これにより、光変調層34内に二次元表示モードの電場が発生する。なお、二次元表示モードの電場とは、面内全体に分布を有する電場を指している。なお、駆動回路50は、制御信号204Aとして二次元表示を指定する信号が入力されるとともに、映像データに関する信号も入力されるときデュアルビューモードのときには、バックライト211から、映像データに対応した輝度分布を持った面状照明光例えば、面内の一部が暗い面状照明光を出力させるようになっていてもよい。ただし、その場合には、下側電極32が表示パネル210の画素に対応したレイアウトになっていることが好ましい。下側電極32が表示パネル210の画素に対応したレイアウトになっている場合に、駆動回路50は、映像データに応じて、一部の光変調セル30-1に、光変調層34が散乱性を示す電位差を印加するとともに、他の光変調セル30-1に、光変調層34が透明性を示す電位差を印加するようになっている。これにより、光変調層34内にデュアルビューモードの電場が発生する。なお、デュアルビューモードの電場とは、変調層34が散乱性を示す電位差が印加されている各光変調セル30-1の位置、形状および大きさに対応した面内分布を有する電場を指している。以下に、本実施の形態のバックライト211の製造方法について、図21から図23を参照しながら説明する。まず、ガラス基板またはプラスチックフィルム基板からなる透明基板31上に、ITOなどの透明導電膜32Fを形成する図21A。次に、表面全体にレジスト層を形成したのち、パターニングによりレジスト層に電極パターンを形成する。続いて、露光、現像により下側電極32を形成し、レジスト層を除去する図21B。パターニングの方法としては、例えば、フォトリソグラフィ法、レーザー加工法、パターン印刷法、スクリーン印刷法などを用いることが可能である。また、例えば、メルク社の‘ハイパーエッチ’材料を用いてスクリーン印刷した後に所定の加熱を行い、その後、水洗することでパターニングを行うこともできる。電極パターンは駆動方法および部分駆動の分割数によって決定される。電極パターンは、例えば、使用する表示装置の画素ピッチか、それに近いピッチで加工される。電極の加工幅は、加工方法にも依存するが、光りの取り出し効率という観点においてできるだけ細いことが好ましい。電極の加工幅は、例えば、50μm以下、好ましくは20μm、さらに好ましくは5μm以下である。また、ITOナノ粒子をパターン印刷した後、それを焼成することによって電極パターンを形成してもよい。次に、表面全体に配向膜33を塗布したのち、乾燥させ、焼成する図21C。配向膜35としてポリイミド系材料を用いる場合には、溶媒にNMPN-メチル-2-ピロリドンを用いることが多いが、そのときには、大気下では200°C程度の温度が必要である。なお、この場合に、透明基板31としてプラスチック基板を用いる場合には、配向膜33を100°Cで真空乾燥させ、焼成することもできる。その後、配向膜33に対してラビング処理を行う。これにより、配向膜33が水平配向用の配向膜として機能し、さらに配向膜33のラビング方向にプレチルトを形成することが可能となる。同様にして、ガラス基板またはプラスチックフィルム基板からなる透明基板37上に、ITOなどの透明導電膜を形成する。次に、表面全体にレジスト層を形成したのち、パターニングによりレジスト層に電極パターンを形成する。続いて、露光、現像により上側電極36を形成し、レジスト層を除去する。次に、表面全体に配向膜35を塗布したのち、乾燥させ、焼成する。その後、配向膜35に対してラビング処理を行う。これにより、配向膜35が水平配向用の配向膜として機能し、さらに配向膜35のラビング方向にプレチルトを形成することが可能となる。次に、配向膜33上に、セルギャップを形成するためのスペーサ38を乾式または湿式で散布する図22A。なお、真空貼り合わせ法にて光変調セル30-1を作成する場合には、滴下する混合物中にスペーサ38を混合しておいてもよい。また、スペーサ38の替わりとして、フォトリソ法によって柱スペーサを形成することもできる。続いて、配向膜35上に、貼り合わせおよび液晶の漏れを防止するためのシール剤パターン39を、例えば額縁状に塗布する図22B。このシール剤パターン39はディスペンサー法やスクリーン印刷法にて形成することができる。以下に、真空貼り合わせ法OneDropFill法、ODF法について説明するが、真空注入法やロール貼合方式などで光変調セル30-1を作成することも可能である。まず、セルギャップ、セル面積などから決まる体積分にあたる液晶とモノマーの混合物42を面内に均一に滴下する図22C。混合物42の滴下にはリニアガイド方式の精密ディスペンサーを用いることが好ましいが、シール剤パターン39を土手として利用して、ダイコータなどを用いてもよい。液晶とモノマーは前述の材料を用いることができるが、液晶とモノマーの重量比は98:2~50:50、好ましくは95:5~75:25、より好ましくは92:8~85:15である。液晶の比率を多くすることで駆動電圧を低くすることができるが、あまり液晶を多くしすぎると電圧印加時の白色度が低下したり、電圧オフ後に応答速度が低下するなど透明時に戻りにくくなったりする傾向がある。混合物42には、液晶とモノマーの他には、重合開始剤を添加する。使用する紫外線波長に応じて、添加する重合開始剤のモノマー比を0.1~10重量の範囲内で調整する。混合物42には、この他に、重合禁止剤や可塑剤、粘度調整剤なども必要に応じて添加可能である。モノマーが室温で固体やゲル状である場合には、口金やシリンジ、基板を加温することが好ましい。透明基板31および透明基板37を真空貼り合わせ機図示せずに配置したのち、真空排気し、貼り合わせを行う図23A。その後、貼り合わせたものを大気に解放し、大気圧での均一加圧によってセルギャップを均一化する。セルギャップは白輝度白色度と駆動電圧の関係から適宜選定できるが、5~40μm、好ましくは6~20μm、より好ましくは7~10μmである。貼り合わせ後、必要に応じて配向処理を行うことが好ましい図示せず。クロスニコル偏光板の間に、貼り合わせたセルを挿入した際に、光り漏れが生じている場合には、セルをある一定時間加熱処理したり、室温で放置したりして配向させる。その後、紫外線L3を照射してモノマーを重合させてポリマー化する図23B。このようにして、光変調素子30が製造される。紫外線を照射している時には、セルの温度が変化しないようにすることが好ましい。赤外線カットフィルターを用いたり、光源にUV-LEDなどを用いたりすることが好ましい。紫外線照度は複合材料の組織構造に影響を与えるので、使用する液晶材料やモノマー材料、これらの組成から適宜調整することが好ましく、0.1~500mW/cm2の範囲が好ましく、さらに好ましくは0.5~30mW/cm2である。紫外線照度が低いほど駆動電圧が低くなる傾向にあり、生産性と特性の両面から好ましい紫外線照度を選定することができる。そして、導光板10に光変調素子30を貼り合わせる図23C。貼り合わせには、粘着、接着のいずれでもよいが、導光板10の屈折率と光変調素子30の基板材料の屈折率とにできるだけ近い屈折率の材料で粘着、接着することが好ましい。最後に、下側電極32および上側電極36に引き出し線図示せずを取り付ける。このようにして、本実施の形態のバックライト211が製造される。このように、光変調素子30を作成し、最後に導光板10に光変調素子30を貼り合わせるプロセスを説明したが、導光板10の表面に、配向膜35を形成した透明基板37を予め貼り合わせてから、バックライト211を作成することもできる。また、枚葉方式、ロールツーロール方式のいずれでもバックライト211を作成することができる。次に、本実施の形態のバックライト211の作用および効果について説明する。本実施の形態のバックライト211では、三次元表示のときに、部分電極32aを含む各光変調セル30-1において微粒子34Bの光軸AX2がバルク34Aの光軸AX1と交差または直交もしくはほぼ直交し、部分電極32bまたは部分電極32cを含む各光変調セル30-1において微粒子34Bの光軸AX2がバルク34Aの光軸AX1と平行もしくはほぼ平行となるように、各光変調セル30-1の一対の電極部分電極32A、上側電極36に電位差が印加される。これにより、光変調素子30において、部分電極32aを含む各光変調セル30-1が散乱領域30Bとなり、部分電極32bまたは部分電極32cを含む各光変調セル30-1が透過領域30Aとなる。その結果、光源20から出射され、導光板10内に入射した光は、光変調素子30のうち透過領域30Aを透過し、光変調素子30のうち散乱領域30Bにおいて散乱される図24。光変調素子30光変調層34は、このようにして、光源20からの光を利用して、光入射面10Aと交差または直交もしくはほぼ直交する方向に延在する複数の帯状照明光を生成する。各帯状照明光散乱光のうち散乱領域30Bの下面を透過した光は反射板40で反射され、再度、導光板10に戻されたのち、バックライト211の上面から出射される。また、各帯状照明光散乱光のうち、散乱領域30Bの上面に向かった光は、導光板10を透過したのち、バックライト211の上面から出射される。このように、三次元表示のときには、透明領域30Aの上面からは光はほとんど出射されず、散乱領域30Bの上面から光が出射される。このようにして、例えば、図24に示したように、正面方向に、複数の帯状照明光が出力される。これにより、正面方向に出力された各帯状照明光が表示パネル210の背面に入射するので、例えば、各帯状照明光に対応する画素配列において各画素行が三次元用画素210Dとなるように三次元表示用の二次元映像データが映像信号処理回路207で生成されたときには、各三次元用画素210D内の共通の位置にある画素例えば、図24では、210-1,210-2,210-3または210-4には、各帯状照明光が略同一の角度で入射する。その結果、各三次元用画素210D内の共通の位置にある画素からは、その画素によって変調された映像光が所定の角度で出力される。このとき、観察者は、左右の目で、互いに異なる視差の映像を観察することになるので、観察者は、表示パネル210に三次元映像立体映像が表示されていると認識する。また、本実施の形態のバックライト211では、二次元表示のときに、例えば、各光変調セル30-1において微粒子34Bの光軸AX2がバルク34Aの光軸AX1と交差または直交もしくはほぼ直交するように、各光変調セル30-1の一対の電極部分電極32A、上側電極36に電位差が印加される。これにより、光源20から出射され、導光板10内に入射した光は、光変調素子30の全体に形成された散乱領域30Bにおいて散乱される図25。この散乱光のうち散乱領域30Bの下面を透過した光は反射板40で反射され、再度、導光板10に戻されたのち、バックライト211の上面から出射される。また、散乱光のうち、散乱領域30Bの上面に向かった光は、導光板10を透過したのち、バックライト211の上面から出射される。このように、二次表示のときには、例えば、光変調素子30の上面全体から光が出射され、正面方向に、面状照明光が出力される。これにより、正面方向に出力された面状照明光が表示パネル210の背面に入射するので、例えば、各画素210Eに対応して二次元表示用の二次元映像データが映像信号処理回路207で生成されたときには、各画素210Eには、面状照明光があらゆる角度で入射し、各画素210Eからは、各画素210Eによって変調された映像光が出力される。このとき、観察者は、両目で互いに同一の映像を観察することになるので、観察者は、表示パネル210に二次元映像平面映像が表示されていると認識する。また、本実施の形態では、電場の大きさに応じて、光源からの光に対して散乱性もしくは透明性を示す光変調層34がバックライト211内に設けられている。これにより、光源20から発せられ、透明基板31等を伝播する光は、光変調層34のうち、電場制御によって透明性を示す領域を透過し、バックライト211の上面において全反射されるか、または高反射率で反射される。その結果、バックライト211の光射出領域のうち透明性を示す領域と対応する領域以下、単に光射出領域における透明領域とするの輝度が、全面を均一に発光させている場合と比べて低くなる。一方、透明基板等を伝播する光は、光変調層34のうち、電場制御によって散乱性を示す領域で散乱され、バックライト211の上面を透過する。その結果、バックライト211の光射出領域のうち散乱性を示す領域と対応する領域以下、単に光射出領域における散乱領域とするの輝度が、全面を均一に発光させている場合と比べて高くなる。しかも、光射出領域における透明領域の輝度が低下した分だけ、部分的な白表示の輝度輝度突き上げが大きくなる。また、本実施の形態では、各部分電極32Aまたは各線状電極32Eの、単位面積あたりの面積が、光源20からの距離に応じて変化している。これにより、光射出領域における透明領域および散乱領域の密度分布を所望の分布にすることができる。その結果、各帯状照明光の単位面積あたりの発光面積が光源20からの距離に応じて変化していない場合と比べて、光射出領域のうち光源20側の輝度を低く抑え、光射出領域のうち光源20とは反対側の輝度を高くすることが可能である。従って、三次元表示において、面内輝度を均一化しつつ、変調比を高くすることができる。ところで、本実施の形態では、三次元表示のときには、例えば、図26Aの太枠で示したように、表示パネル210の4つの画素210-1~210-4が1つの三次元用画素210Dとして駆動される。このとき、バックライト211は、例えば、図26Bに示したように、三次元用画素210Dごとに1つずつ散乱領域30Bを形成し、各画素210-1~210-4に、互いに異なる入射角でバックライト光を入射させる。これにより、各三次元用画素210D内の共通の位置にある画素例えば、図24では、210-1,210-2,210-3または210-4には、各帯状照明光が略同一の角度で入射する。その結果、各三次元用画素210D内の共通の位置にある画素からは、その画素によって変調された映像光が所定の角度で出力される。このとき、観察者は、例えば、図26Cに示した画素210aからの映像光を右目で観察すると同時に、図26Dに示した画素210aからの映像光を左目で観察することになる。つまり、観察者は、左右の目で、互いに異なる視差の映像を観察することになる。その結果、観察者は、表示パネル210に三次元映像立体映像が表示されていると認識する。ここで、横方向の画素ピッチPxと、縦方向の画素ピッチPyとを対比すると、縦方向の画素ピッチPyは、横方向の画素ピッチPxの数倍も大きくなっている。そのため、観察者は、縦方向と横方向とで画素ピッチの大きく異なる映像を観察することになる。このとき、観察者は、映像品質が劣化しているように感じる場合がある。そこで、例えば、図27Aに示したように、各散乱領域30Bを、隣接する他の散乱領域30Bとの関係で、画素210aの幅の分だけ左右方向Y軸方向にずらして配置する。このようにした場合には、図27Bに示したように、横方向の画素ピッチPxと、縦方向の画素ピッチPyとを、図26C,Dのときよりも近づけることができる。その結果、映像品質の劣化を抑えることができる。なお、図28Aに示したように、各散乱領域30Bを斜めストライプ状にして配置してもよい。このようにした場合であっても、図28Bに示したように、横方向の画素ピッチPxと、縦方向の画素ピッチPyとを、図26C,Dのときよりも近づけることができる。その結果、映像品質の劣化を抑えることができる。なお、パネルサイズが3.5インチ、画素数が縦800×横480×3RGBの表示パネルの場合には、各散乱領域30Bの傾斜角は、4視差で71.57度となる。なお、上述の映像品質の劣化を抑える目的だけを考えた場合には、各部分電極32Aのうち、表示パネル210内の1つの画素210aに使われる部分の面積が、光源20からの距離にかかわらず、均一となっていてもよい。例えば、図29、図30に示したように、各部分電極32Aの幅が、一定となっていてもよい。次に、本実施の形態の受信側装置200の他の効果について説明する。一般に、PDLCは、液晶材料と等方性の低分子材料とを混合し、紫外線照射や溶媒の乾燥などにより相分離を起こさせることによって形成され、液晶材料の微小粒子が高分子材料中に分散された複合層となっている。この複合層中の液晶材料は、電位差無印加時にはランダムな方向を向いているので散乱性を示すが、電位差印加時には電場方向に配向するので、液晶材料の常光屈折率と高分子材料の屈折率とが互いに等しい場合には、正面方向PDLCの法線方向において高い透明性を示す。しかし、この液晶材料では、斜め方向においては、液晶材料の異常光屈折率と高分子材料の屈折率との差が顕著となり、正面方向が透明性であっても斜め方向において散乱性が発現してしまう。通常、PDLCを使った光変調素子は、表面に透明導電膜の形成された2枚のガラス板の間にPDLCを挟み込んだ構造となっていることが多い。上述したような構造を有する光変調素子に対して空気中から斜めに光が入射した場合には、その斜め方向から入射した光は空気とガラス板の屈折率差によって屈折し、より小さな角度でPDLCに入射することになる。そのため、このような光変調素子においては、大きな散乱は生じない。例えば、空気中から80°の角度で光が入射した場合には、その光のPDLCへの入射角はガラス界面での屈折によって40°程度にまで小さくなる。しかし、導光板を用いたエッジライト方式では、導光板越しに光が入射するので、光が80°程度の大きな角度でPDLC中を横切ることになる。そのため、液晶材料の異常光屈折率と高分子材料の屈折率との差が大きく、さらに、より大きな角度で光がPDLC中を横切るので、散乱を受ける光路も長くなる。例えば、常光屈折率1.5、異常光屈折率1.65の液晶材料の微小粒子が屈折率1.5の高分子材料中に分散されている場合には、正面方向PDLCの法線方向においては屈折率差がないが、斜め方向においては屈折率差が大きくなる。このため、斜め方向の散乱性を小さくすることができないので、視野角特性が悪い。さらに、導光板上に拡散フィルムなどの光学フィルムを設けた場合には、斜め漏れ光が拡散フィルムなどによって正面方向にも拡散されるので、正面方向の光漏れが大きくなり、正面方向の変調比が低くなってしまう。一方、本実施の形態では、バルク34Aおよび微粒子34Bが光学異方性材料を主に含んで形成されているので、斜め方向において、散乱性が小さくなり、透明性を向上させることができる。例えば、バルク34Aおよび微粒子34Bが、互いに常光屈折率が等しく、かつ互いに異常光屈折率も等しい光学異方性材料を主に含んで構成され、かつ、下側電極32および上側電極36間に電位差が印加されていない領域では、これらの光軸の向きが一致もしくはほぼ一致する。これにより、正面方向光変調素子30の法線方向および斜め方向を含むあらゆる方向において屈折率差が少なくなるか、またはなくなり、高い透明性が得られる。その結果、視野角の大きい範囲における光の漏洩を低減またはほとんどなくすることができ、視野角特性を良くすることができる。例えば、常光屈折率1.5、異常光屈折率1.65の液晶と、常光屈折率1.5、異常光屈折率1.65の液晶性モノマーとを混合し、配向膜または電界によって液晶と液晶性モノマーを配向させた状態で液晶性モノマーを重合させると、液晶の光軸と、液晶性モノマーが重合することによって形成されたポリマーの光軸とが互いに一致する。これにより、あらゆる方向で屈折率を一致させることができるので、そのようにした場合には、透明性が高い状態を実現でき、より一層、視野角特性を良くすることができる。また、本実施の形態では、例えば、図19A,Bに示したように、透明領域30Aの輝度黒表示の輝度が、全面を均一に発光させている場合図19B中の一点鎖線と比べて下がっている。他方、散乱領域30Bの輝度は、全面を均一に発光させている場合図19B中の一点鎖線と比べて極めて高くなり、しかも、透明領域30Aの輝度が低下した分だけ、部分的な白表示の輝度輝度突き上げが大きくなる。ところで、輝度突き上げとは、全面白表示した場合に比べて、部分的に白表示を行った場合の輝度を高くする技術である。CRTやPDPなどでは一般によく使われている技術である。しかし、液晶ディスプレイでは、バックライトは画像にかかわらず全体に均一発光しているので、部分的に輝度を高くすることはできない。もっとも、バックライトを、複数のLEDを2次元配置したLEDバックライトとした場合には、LEDを部分的に消灯することは可能である。しかし、そのようにした場合には、LEDを消灯した暗領域からの拡散光がなくなるので、全てのLEDを点灯した場合と比べて、輝度が低くなってしまう。また、部分的に点灯しているLEDに対して流す電流を大きくすることにより、輝度を増やすことも可能であるが、そのようにした場合には、非常に短時間に大電流が流れるので、回路の負荷や信頼性の点で問題が残る。一方、本実施の形態では、バルク34Aおよび微粒子34Bが光学異方性材料を主に含んで形成されているので、斜め方向の散乱性が抑制され、暗状態での導光板からの漏れ光が少ない。これにより、部分的な暗状態の部分から部分的な明状態の部分に導光するので、バックライト211への投入電力を増やすことなく、輝度突き上げを実現することができる。また、本実施の形態では、下側電極32および上側電極36間に電位差が印加されていない領域において、微粒子34Bの光軸AX2が、導光板10の光入射面10Aと平行となっており、かつ透明基板31,37の表面と僅かな角度θ1で交差している。つまり、微粒子34B内に含まれる液晶分子が、光入射面10Aと平行な面内において角度θ1だけ傾斜した状態プレチルト角が付与された状態で配向している。そのため、下側電極32および上側電極36間に電位差が印加された時に、微粒子34B内に含まれる液晶材料は、ランダムな方位に立ち上がることはなく、光入射面10Aと平行な面内で立ち上がる。このとき、バルク34Aおよび微粒子34Bの光軸AX1,AX2が、光入射面10Aと平行な面内において互いに交差または直交もしくはほぼ直交する。この場合に、導光板10の光入射面10Aから入射した光において、透明基板31に対して垂直に振動する光は、微粒子34Bの異常光屈折率とバルク34Aの常光屈折率との差を感じる。このとき、微粒子34Bの異常光屈折率とバルク34Aの常光屈折率との差は大きいことから、透明基板31に対して垂直に振動する光の散乱効率が高くなる。一方、透明基板31に対して平行に振動する光は、微粒子34Bの常光屈折率とバルク34Aの異常光屈折率の差を感じる。このとき、微粒子34Bの常光屈折率とバルク34Aの異常光屈折率の差も大きいことから、透明基板31に対して平行に振動する光の散乱効率も高くなる。従って、下側電極32および上側電極36間に電位差が印加された領域を伝播する光は、斜め方向の成分を多く含む。例えば、導光板10としてアクリル導光板を用いた場合には、下側電極32および上側電極36間に電位差が印加された領域内の光は、41.8°以上の角度で伝播する。その結果、斜め方向を含むあらゆる方向において屈折率差が大きくなり、高い散乱性が得られるので、表示輝度を向上させることができる。また、上記の輝度突き上げの効果により、表示輝度をさらに向上させることができる。異方性拡散次に、本実施の形態における異方性拡散について説明する。図31、図32は、上記実施の形態の光変調層34におけるバルク34Aおよび微粒子34Bの屈折率楕円体の一例を表したものである。図33は、電位差無印加時の、バルク34Aおよび微粒子34Bの屈折率楕円体の一例を表したものであり、図34は、電位差印加時の、バルク34Aおよび微粒子34Bの屈折率楕円体の一例を表したものである。繰り返しになるが、図31に示したように、電位差無印加時に、バルク34Aの光軸および微粒子34Bの光軸は、導光板10の光入射面10Aと平行な方向であって、かつ透明基板31,37の表面と角度θ1で交差する方向を向いている。また、繰り返しになるが、図32に示したように、電位差印加時に、バルク34Aの光軸は、電位差無印加時と同じ方向を向いている。さらに、微粒子34Bの光軸は、導光板10の光入射面10Aと平行となると共に透明基板31,37の表面と角度θ1よりも大きな角度θ2例えば90°で交差する方向を向いている。このように、微粒子34B内の液晶分子は電位差の印加、無印加に応じて上述したような変化を示すが、この変化の過程で、バルク34Aは電位差変化に対して応答しないか、またはバルク34Aの応答速度が遅く、バルク34Aの筋状構造の長軸方向は、ラビング方向光入射面10Aと平行な方向図31、図32のY軸方向を向いている。そのため、電位差印加時には、光源20から出力され、光変調層34内を伝播する光は、バルク34Aの筋状構造の短軸方向の平均的な筋状組織サイズの周期で、微粒子34Bの異常光屈折率とバルク34Aの常光屈折率との差、または微粒子34Bの常光屈折率とバルク34Aの異常光屈折率との差を感じながら伝播する。その結果、光変調層34内を伝播する光は、光変調層34の厚さ方向に大きく散乱し、光入射面10Aと平行な方向にはあまり散乱しない。つまり、光変調層34では、光入射面10Aと平行な面YZ面内において、Y軸方向とZ軸方向とで散乱性に異方性がある。このように、光変調層34は、光源20から出力され、光変調層34内を伝播する光に対して異方性散乱を示す。光変調層34では、バルク34Aおよび微粒子34Bの屈折率楕円体から考えると、図32のZ軸方向に伝搬する光において、X軸方向の偏光成分に比べて、Y軸方向ラビング方向の偏光成分の方が、散乱能が高い。すなわち、光変調層34は、光変調層34の厚み方向に伝搬する光に対して、偏光方向においても異方的な散乱性を示す。これは、X軸方向に偏光した光は、バルク34Aの常光屈折率と微粒子34Bの常光屈折率との差で散乱するが、これらの値はほぼ同じような値であるため散乱性は低い。一方、Y軸方向に偏光した光は、バルク34Aの異常光屈折率と微粒子34Bの常光屈折率との差で散乱するが、これらの値は大きく異なるため散乱性は高い。以下で、光変調層34が実際に、どの程度の異方性散乱を示すか、その程度を検証する。図33A,Bは、導光板からの光の出射角特性を計測した結果を示したものである。図33Aには、変調層34を用いた場合の結果が示されており、図33Bには、面内で光学的等方性を示す光変調層を用いた場合の結果が示されている。通常、光変調層の下面には白色反射板を用いるが、光変調層と導光板からの出射特性を正確に知るために、白色反射板の代わりに、黒色吸収層を光変調層の下面に配置した。面内で光学的等方な光変調層を用いた場合には、導光板から取り出される光において、導光板すれすれの成分が多く、正面方向の成分は少ない。これに対して、面内に光学的異方性のある光変調層34を用いた場合には、導光板から取り出される時点で正面方向の光りが相対的に多くなっており、このようなプロファイルは照明装置に適している。さらに、黒状態では、光学的に等方的な変調層の場合でも斜めに漏れている光が、異方的な光変調層に比べて多くなっており、光変調比性能でも有利である。また、導光板上に空気界面を介して光学シートを用いた場合においても、光学シートと空気界面の反射などによってロスする光が多いと考えられるので、やはり導光板からの出射特性は正面方向の成分が多い方が好適である。検証に用いた2つの光変調層では、用いたモノマー材料、液晶材料が異なるので、これら2つの光取り出し強度自身を比較することは難しいが、光変調層として同じ光学物性を持った材料を用いた場合には、面内に光学的異方性のある光変調層34を用いた方が、光の利用効率を高くすることができる。上記の結果から、2つの光変調層を用いた場合に、それぞれの出射角特性が異なっていることがわかったので、次に、光変調層34自身の散乱特性を計測してみた。導光板を用いた状態では、導光板での全反射が生じてしまい、散乱の角度特性を計測することができないので、散乱の角度特性は図34A,Bに示した装置で計測した。具体的には、円柱ガラス容器300にマッチングオイル310と光変調層34を入れて、導光板中を導光するような大きな入射角θ例えば80度でレーザ光Lを変調層34に照射して散乱の角度特性を評価した。光変調層34に対して大きな入射角θ例えば80度でレーザ光Lを入射させたときに、被測定面330に映し出された輝度分布の様子を図35Aに示した。さらに、このときに、ラビング方向に対して垂直な面内図31、図32のZX平面内に相当で、光変調層34内のバルク34Aの光軸AX1図示せずと平行な軸を中心軸としてディテクタ320を走査させたときに得られた光強度分布を図35Bに示した。このときの光強度分布は、図35Aの1の方向の分布に対応している。また、ラビング方向に対して平行な面内であって、かつ光変調層34の光入射面と平行な面内図31、図32のZY平面内に相当で、光変調層34内のバルク34Aの光軸AX1図示せずと直交する軸を中心軸としてディテクタ320を走査させたときに得られた輝度分布を図35Cに示した。このときの光強度分布は、図35Aの2の方向の分布に対応している。図35A~Cから、ラビング方向に対して垂直な面内図31、図32のZX平面内に相当の方が、ラビング方向に対して平行な面内図31、図32のZY平面内よりも、散乱特性が高く、正面方向出射角0°では、50倍程度強度が異なっていた電位差印加時。すなわち、光変調層34は、例えば、図35A~Cに示したように、光変調層34の厚さ方向Z軸方向の散乱の方がラビング方向光入射面10Aと平行な方向Y軸方向の散乱よりも大きい異方性散乱特性を有していることがわかった。このことから、バルク34Aの筋状構造の長軸方向がラビング方向光入射面10Aと平行な方向図31、図32のY軸方向を向いている状態で、微粒子34B内の液晶分子を光変調層34の厚さ方向に配向させることにより、光変調層34が、光源20から出射された光に対して上述の異方性散乱を示すことがわかった。図36Aは、光変調層34の散乱特性である。図36Bは、液晶が電位差によって傾斜する方位が定まっていないプレチルト90度の光変調層の散乱特性である。図36Cは、等方性のポリマーを用いて面内の光学異方性がないノーマル光変調層の散乱特性である。図36A~Cから、光変調層34は、他の光変調層に比べて、入射した光が正面方向にまで大きく散乱しており、光変調層34だけが異方性散乱を示していることがわかった。次に、このような異方性散乱を示す場合、導光板からの光り取り出しに優れる理由を説明する。光変調層と導光板、光源を配置した場合、白色パターンが印刷された導光板や前述のノーマル光変調層は、例えば、図37A~Cに示したように、等方的な散乱特性を示すため、導光板面内と平行方向にも散乱する光が多く、導光条件を破壊するまでに角度を変える確率が小さくなる。一方、光変調層34のような異方性散乱を示す場合、入射した光は、例えば、図38A~Cに示したように、導光板の面内方向に垂直な方向によく散乱をするので、導光条件を破壊する方向に優先的に散乱をする。このようなことから、異方性散乱を示すことで導光板からの光り取り出し効率が高くなると考えられる。導光光の散乱性を高くするという観点からは、バルク34Aの、短軸方向の平均的な筋状組織サイズは、0.1μm以上10μm以下となっていることが好ましく、0.2μm以上2.0μm以下の範囲であることがより好ましい。変形例上記実施の形態では、光軸AX1,AX2が、電位差無印加時に、光入射面10Aおよび透明基板31と平行またはほぼ平行な方向を向き、電位差印加時に、光軸AX2が、透明基板31と交差または直交もしくはほぼ直交する方向に変位するようになっていた。しかし、光軸AX1,AX2が、電位差無印加時に、光入射面10Aと交差または直交もしくはほぼ直交する方向であって、かつ透明基板31と平行またはほぼ平行な方向を向き、電位差印加時に、光軸AX2が、透明基板31と交差または直交もしくはほぼ直交する方向に変位するようになっていてもよい。<2.第2の実施の形態>次に、本技術の第2の実施の形態に係る受信側装置200について説明する。本実施の形態の受信側装置200は、図39に示したように、光変調素子30の代わりに光変調素子60が用いられている点で、上記実施の形態の受信側装置200の構成と相違する。そこで、以下では、上記実施の形態の構成との共通点についての説明を適宜、省略し、上記実施の形態の構成との相違点について主に説明する。光変調素子60では、配向膜33,35として垂直用配向膜が用いられており、さらに、図40に示したように、光変調層34に代わって光変調層64が設けられている。配向膜33,35として垂直用配向膜が用いられている場合には、この垂直用配向膜によって、後述のバルク64Aおよび微粒子64Bが透明基板31から傾斜配向したプレチルトが形成されている。垂直用配向膜としては、シランカップリング材料や、ポリビニルアルコールPVA、ポリイミド系材料、界面活性剤などを用いることが可能である。例えば、これらの材料を塗布、乾燥した後にラビング処理を行うことにより、ラビング方向にプレチルトが形成される。また、透明基板31,37としてプラスチックフィルムを用いる場合には、製造工程において、透明基板31,37の表面に配向膜33,35を塗布した後の焼成温度ができるだけ低いことが好ましいことから、配向膜33,35としてアルコール系溶媒を使用することの可能なシランカップリング材料を用いることが好ましい。なお、配向膜33,35にラビング処理を施さずに、プレチルトを形成するようにしてもよい。それを実現する方法としては、例えば、配向膜33,35にセルを作成し、そのセルに対して磁場やスリット電極による斜め電場を印加しながら紫外線を照射する方法がある。ただし、配向膜33,35として垂直用配向膜を用いるに際しては、微粒子64B内に含まれる液晶分子として、負の誘電率異方性を有するものいわゆるネガ型液晶を用いることが好ましい。次に、本実施の形態の光変調層64について説明する。光変調層64は、バルク64Aと、バルク64A内に分散された微粒子状の複数の微粒子64Bとを含んだ複合層となっている。バルク64Aおよび微粒子64Bは光学異方性を有している。図41Aは、電位差無印加時の、微粒子64B内の配向状態の一例を模式的に表したものである。なお、図41Aにおいて、バルク64A内の配向状態についての記載を省略した。図41Bは、電位差無印加時の、バルク64Aおよび微粒子64Bの屈折率異方性を示す屈折率楕円体の一例を表したものである。図41Cは、電位差無印加時の、正面方向に向かう光L1と、斜め方向に向かう光L2とが光変調層64を透過する様子の一例を模式的表したものである。図42Aは、電位差印加時の、微粒子64B内の配向状態の一例を模式的に表したものである。なお、図42Aにおいて、バルク64A内の配向状態についての記載を省略した。図42Bは、電位差印加時の、バルク64Aおよび微粒子64Bの屈折率異方性を示す屈折率楕円体の一例を表したものである。図42Cは、電位差印加時の、正面方向に向かう光L1と、斜め方向に向かう光L2とが光変調層64において散乱される様子の一例を模式的表したものである。バルク64Aおよび微粒子64Bは、例えば、図41A,Bに示したように、電位差無印加時に、バルク64Aの光軸AX3および微粒子64Bの光軸AX4の向きが互いに一致する平行となる構成となっている。なお、光軸AX3,AX4とは、偏光方向によらず屈折率が一つの値になるような光線の進行方向と平行な線を指している。また、光軸AX3および光軸AX4の向きは常に互いに一致している必要はなく、光軸AX3の向きと光軸AX4の向きとが、例えば製造誤差などによって多少ずれていてもよい。また、微粒子64Bは、例えば、電位差無印加時に、光軸AX4が導光板10の光入射面10Aと平行となる構成となっている。微粒子64Bは、さらに、例えば、電位差無印加時に、光軸AX4が透明基板31,37の法線と僅かな角度θ3で交差する構成となっている図41B参照。なお、角度θ3については、微粒子64Bを構成する材料を説明する際に詳述する。一方、バルク64Aは、例えば、下側電極32および上側電極36間への電位差印加の有無に拘らず、バルク64Aの光軸AX4が一定となる構成となっている。具体的には、バルク64Aは、例えば、図41A,B,図42A,Bに示したように、バルク64Aの光軸AX3が導光板10の光入射面10Aと平行となると共に透明基板31,37の法線と僅かな角度θ3で交差する構成となっている。つまり、バルク64Aの光軸AX3は、電位差無印加時に、微粒子64Bの光軸AX4と平行となっている。なお、光軸AX4が常に、導光板10の光入射面10Aと平行となると共に透明基板31,37の法線と角度θ3で交差している必要はなく、例えば製造誤差などによって透明基板31,37の法線と、角度θ3とは若干異なる角度で交差していてもよい。また、光軸AX3,AX4が常に導光板10の光入射面10Aと平行となっている必要はなく、例えば製造誤差などによって導光板10の光入射面10Aと、小さな角度で交差していてもよい。ここで、バルク64Aおよび微粒子64Bの常光屈折率が互いに等しく、かつバルク64Aおよび微粒子64Bの異常光屈折率が互いに等しいことが好ましい。この場合に、例えば、電位差無印加時には、図41Aに示したように、正面方向および斜め方向を含むあらゆる方向において屈折率差がほとんどなく、高い透明性が得られる。これにより、例えば、図42Cに示したように、正面方向に向かう光L1および斜め方向に向かう光L2は、光変調層64内で散乱されることなく、光変調層64を透過する。その結果、上記実施の形態と同様、例えば、図19A,Bに示したように、光源20からの光L斜め方向からの光は、透明領域30Aの界面透明基板31または導光板10と空気との界面において全反射され、透明領域30Aの輝度黒表示の輝度が、全面を均一に発光させている場合図19B中の一点鎖線と比べて下がる。また、バルク64Aおよび微粒子64Bは、例えば、電位差印加時には、図42Aに示したように、光軸AX3および光軸AX4の向きが互いに異なる交差する構成となっている。また、微粒子64Bは、例えば、電位差印加時に、微粒子64Bの光軸AX4が導光板10の光入射面10Aと平行となると共に透明基板31,37の法線と角度θ3よりも大きな角度θ4で交差するか、または透明基板31,37の表面と平行となる構成となっている。なお、角度θ4については、微粒子64Bを構成する材料を説明する際に詳述する。したがって、下側電極32および上側電極36間に電位差が印加された領域内を伝播する光は、斜め方向の成分を多く含む。例えば、導光板10としてアクリル導光板を用いた場合には、下側電極32および上側電極36間に電位差が印加された領域内の光は、41.8°以上の角度で伝播する。その結果、下側電極32および上側電極36間に電位差が印加された領域内を伝播する光においては、屈折率差が大きくなり、高い散乱性が得られる。これにより、例えば、図42Cに示したように、正面方向に向かう光L1および斜め方向に向かう光L2は、光変調層64内で散乱される。その結果、上記実施の形態と同様、例えば、図19A,Bに示したように、光源20からの光L斜め方向からの光は、散乱領域30Bの界面透明基板31または導光板10と空気との界面を透過すると共に、反射板40側に透過した光は反射板40で反射され、光変調素子30を透過する。従って、散乱領域30Bの輝度は、全面を均一に発光させている場合図19B中の一点鎖線と比べて極めて高くなり、しかも、透明領域30Aの輝度が低下した分だけ、部分的な白表示の輝度輝度突き上げが大きくなる。なお、バルク64Aおよび微粒子64Bの常光屈折率は、例えば製造誤差などによって多少ずれていてもよく、例えば、0.1以下であることが好ましく、0.05以下であることがより好ましい。また、バルク64Aおよび微粒子64Bの異常光屈折率についても、例えば製造誤差などによって多少ずれていてもよく、例えば、0.1以下であることが好ましく、0.05以下であることがより好ましい。また、バルク64Aの屈折率差ΔnP=異常光屈折率neP-常光屈折率noPや、微粒子64Bの屈折率差ΔnL=異常光屈折率neL-常光屈折率noLは、できるだけ大きいことが好ましく、0.05以上であることが好ましく、0.1以上であることがより好ましく、0.15以上であることがさらに好ましい。バルク64Aおよび微粒子64Bの屈折率差が大きい場合には、光変調層64の散乱能が高くなり、導光条件を容易に破壊することができ、導光板10からの光を取り出しやすいからである。また、バルク64Aおよび微粒子64Bは、電場に対する応答速度が互いに異なっている。バルク64Aは、例えば、電場に対して応答しない筋状構造もしくは多孔質構造となっているか、または微粒子64Bの応答速度よりも遅い応答速度を有する棒状構造となっている。バルク64Aは、例えば、低分子モノマーを重合化することにより得られた高分子材料によって形成されている。バルク64Aは、例えば、微粒子64Bの配向方向または配向膜33,35の配向方向に沿って配向した、配向性および重合性を有する材料例えばモノマーを熱および光の少なくとも一方によって重合させることにより形成されている。一方、微粒子64Bは、例えば、液晶材料を主に含んで構成されており、バルク64Aの応答速度よりも十分に早い応答速度を有している。微粒子64B内に含まれる液晶材料液晶分子は、例えば棒状分子である。微粒子64B内に含まれる液晶分子として、負の誘電率異方性を有するものいわゆるネガ型液晶が用いられている。ここで、電位差無印加時には、微粒子64B内において、液晶分子の長軸方向は、光軸AX3と平行となっている。このとき、微粒子64B内の液晶分子の長軸は、導光板10の光入射面10Aと平行となると共に透明基板31,37の法線と僅かな角度θ3で交差している。つまり、微粒子64B内の液晶分子は、電位差無印加時には、導光板10の光入射面10Aと平行な面内において角度θ3だけ傾斜した状態で配向している。この角度θ3は、プレチルト角と呼ばれるもので、例えば0.1°以上30°以下の範囲であることが好ましい。この角度θ3は、0.5°以上10°以下の範囲であることがより好ましく、0.7°以上2°以下の範囲であることがさらにより好ましい。角度θ3を小さくすると、後述するような理由から散乱の効率が低下する傾向にある。また、角度θ3を大きくし過ぎると例えば、ほぼ90°にすると、電位差印加時に液晶の立ち下がる方位角がばらつく。例えば、180°反対側の方位リバースチルトに液晶が立ち下がることもある。これにより、微粒子64Bとバルク64Aとの屈折率差を有効に利用できないので、散乱効率が低くなり、輝度が小さくなる傾向にある。また、電位差印加時には、微粒子64B内において、液晶分子の長軸方向は、光軸AX3と交差または直交もしくはほぼ直交している。このとき、微粒子64B内の液晶分子の長軸は、導光板10の光入射面10Aと平行となると共に透明基板31,37の法線と角度θ3よりも大きな角度θ4で交差している。つまり、微粒子64B内の液晶分子は、電位差印加時には、導光板10の光入射面10Aと平行な面内において角度θ4だけ傾斜した状態もしくは角度θ4=90°で横に寝た状態で配向している。上記した、配向性および重合性を有するモノマーとしては、光学的に異方性を有しており、かつ液晶と複合する材料であればよいが、本実施の形態では紫外線で硬化する低分子モノマーであることが好ましい。電位差無印加の状態で、液晶と、低分子モノマーを重合化することにより形成されたもの高分子材料との光学的異方性の方向が一致していることが好ましいので、紫外線硬化前において、液晶と低分子モノマーが同一方向に配向していることが好ましい。微粒子64Bとして液晶が用いられる場合に、その液晶が棒状分子であるときには、使用するモノマー材料の形状も棒状であることが好ましい。以上のことから、モノマー材料としては重合性と液晶性を併せ持つ材料を用いることが好ましく、例えば、重合性官能基として、アクリレート基、メタクリレート基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニルエーテル基およびエポキシ基からなる群から選ばれた少なくとも1つの官能基を有することが好ましい。これらの官能基は、紫外線、赤外線または電子線を照射したり、加熱したりすることによって重合させることができる。紫外線照射時の配向度低下を抑制するために、多官能基をもつ液晶性材料を添加することもできる。バルク64Aを上述した筋状構造とする場合には、バルク64Aの原料として、2官能液晶性モノマーを用いることが好ましい。また、バルク64Aの原料に対して、液晶性を示す温度の調整を目的に単官能モノマーを添加したり、架橋密度向上を目的に3官能以上のモノマーを添加したりすることもできる。駆動回路50は、制御信号204Aとして三次元表示を指定する信号が入力されたとき三次元表示モードのときには、バックライト211から複数の帯状照明光を出力させるようになっている。具体的には、駆動回路50は、部分電極32aを含む各光変調セル30-1に、光変調層64が散乱性を示す電位差を印加するとともに、部分電極32bまたは部分電極32cを含む各光変調セル30-1に、光変調層64が透明性を示す電位差を印加するようになっている。言い換えると、駆動回路50は、部分電極32aを含む各光変調セル30-1において微粒子64Bの光軸AX4がバルク64Aの光軸AX3と交差または直交もしくはほぼ直交し、部分電極32bまたは部分電極32cを含む各光変調セル30-1において微粒子64Bの光軸AX4がバルク64Aの光軸AX3と平行となるように、各光変調セル30-1の一対の電極部分電極32A、上側電極36へ印加する電位差の大きさを制御するようになっている。これにより、光変調層64内に三次元表示モードの電場が発生する。また、駆動回路50は、制御信号204Aとして二次元表示を指定する信号が入力されたとき二次元表示モードのときには、バックライト211から面状照明光を出力させるようになっている。具体的には、駆動回路50は、各光変調セル30-1にに、光変調層64が散乱性を示す電位差を印加するようになっている。言い換えると、駆動回路50は、バックライト211に含まれる全ての光変調セル30-1において微粒子64Bの光軸AX4がバルク64Aの光軸AX3と交差または直交もしくはほぼ直交するように、各光変調セル30-1の一対の電極部分電極32A、上側電極36へ印加する電位差の大きさを制御するようになっている。これにより、光変調層64内に二次元表示モードの電場が発生する。なお、駆動回路50は、制御信号204Aとして二次元表示を指定する信号が入力されるとともに、映像データに関する信号も入力されるときデュアルビューモードのときには、バックライト211から、映像データに対応した輝度分布を持った面状照明光例えば、面内の一部が暗い面状照明光を出力させるようになっていてもよい。ただし、その場合には、下側電極32が表示パネル210の画素に対応したレイアウトになっていることが好ましい。下側電極32が表示パネル210の画素に対応したレイアウトになっている場合に、駆動回路50は、映像データに応じて、一部の光変調セル30-1に、光変調層64が散乱性を示す電位差を印加するとともに、複数の部分電極32Aのうち、光変調層64が散乱性を示す電位差を印加していない1または複数の部分電極32Aに、光変調層64が透明性を示す電位差を印加するようになっている。これにより、光変調層64内にデュアルビューモードの電場が発生する。次に、本実施の形態のバックライト211の作用および効果について説明する。本実施の形態のバックライト211では、三次元表示のときに、部分電極32aを含む各光変調セル30-1において微粒子64Bの光軸AX4がバルク64Aの光軸AX3と交差もしくは直交し、部分電極32bまたは部分電極32cを含む各光変調セル30-1において微粒子64Bの光軸AX4がバルク64Aの光軸AX3と平行もしくはほぼ平行となるように、各光変調セル30-1の一対の電極部分電極32A、上側電極36に電位差が印加される。これにより、光変調素子60において、部分電極32aを含む各光変調セル30-1が散乱領域30Bとなり、部分電極32bまたは部分電極32cを含む各光変調セル30-1が透過領域30Aとなる。その結果、光源20から出射され、導光板10内に入射した光は、光変調素子60のうち透過領域30Aを透過し、光変調素子60のうち散乱領域30Bにおいて散乱される図24参照。この散乱光のうち散乱領域30Bの下面を透過した光は反射板40で反射され、再度、導光板10に戻されたのち、バックライト211の上面から出射される。また、散乱光のうち、散乱領域30Bの上面に向かった光は、導光板10を透過したのち、バックライト211の上面から出射される。このように、三次元表示のときには、透明領域30Aの上面からは光はほとんど出射されず、散乱領域30Bの上面から光が出射される。このようにして、例えば、図24に示したように、正面方向に、複数の帯状照明光が出力される。これにより、正面方向に出力された各帯状照明光が表示パネル210の背面に入射するので、例えば、各帯状照明光に対応する画素配列において各画素行が三次元用画素210Dとなるように三次元表示用の二次元映像データが映像信号処理回路207で生成されたときには、各三次元用画素210D内の共通の位置にある画素例えば、図24では、210-1,210-2,210-3または210-4には、各帯状照明光が略同一の角度で入射する。その結果、各三次元用画素210D内の共通の位置にある画素からは、その画素によって変調された映像光が所定の角度で出力される。このとき、観察者は、左右の目で、互いに異なる視差の映像を観察することになるので、観察者は、表示パネル210に三次元映像立体映像が表示されていると認識する。また、本実施の形態のバックライト211では、二次元表示のときに、例えば、各光変調セル30-1において微粒子64Bの光軸AX4がバルク64Aの光軸AX3と交差もしくは直交するように、各光変調セル30-1の一対の電極部分電極32A、上側電極36に電位差が印加される。これにより、光源20から出射され、導光板10内に入射した光は、光変調素子60の全体に形成された散乱領域30Bにおいて散乱される図25参照。この散乱光のうち散乱領域30Bの下面を透過した光は反射板40で反射され、再度、導光板10に戻されたのち、バックライト211の上面から出射される。また、散乱光のうち、散乱領域30Bの上面に向かった光は、導光板10を透過したのち、バックライト211の上面から出射される。このように、二次表示のときには、例えば、光変調素子60の上面全体から光が出射され、正面方向に、面状照明光が出力される。これにより、正面方向に出力された面状照明光が表示パネル210の背面に入射するので、例えば、各画素210Eに対応して二次元表示用の二次元映像データが映像信号処理回路207で生成されたときには、各画素210Eには、面状照明光があらゆる角度で入射し、各画素210Eからは、各画素210Eによって変調された映像光が出力される。このとき、観察者は、両目で互いに同一の映像を観察することになるので、観察者は、表示パネル210に二次元映像平面映像が表示されていると認識する。また、本実施の形態では、電場の大きさに応じて、光源からの光に対して散乱性もしくは透明性を示す光変調層64がバックライト211内に設けられている。これにより、光源20から発せられ、透明基板31等を伝播する光は、光変調層64のうち、電場制御によって透明性を示す領域を透過し、バックライト211の上面において全反射されるか、または高反射率で反射される。その結果、バックライト211の光射出領域における透明領域の輝度が、全面を均一に発光させている場合と比べて低くなる。一方、透明基板等を伝播する光は、光変調層64のうち、電場制御によって散乱性を示す領域で散乱され、バックライト211の上面を透過する。その結果、バックライト211の光射出領域における散乱領域の輝度が、全面を均一に発光させている場合と比べて高くなる。しかも、光射出領域における透明領域の輝度が低下した分だけ、部分的な白表示の輝度輝度突き上げが大きくなる。また、本実施の形態では、各部分電極32Aまたは各線状電極32Eの、単位面積あたりの面積が、光源20からの距離に応じて変化している。これにより、光射出領域における透明領域および散乱領域の密度分布を所望の分布にすることができる。その結果、各帯状照明光の単位面積あたりの発光面積が光源20からの距離に応じて変化していない場合と比べて、光射出領域のうち光源20側の輝度を低く抑え、光射出領域のうち光源20とは反対側の輝度を高くすることが可能である。従って、三次元表示において、面内輝度を均一化しつつ、変調比を高くすることができる。また、本実施の形態でも、上記実施の形態と同様、散乱領域30Bのレイアウトを調整することにより、横方向の画素ピッチPxと、縦方向の画素ピッチPyとを近づけることができる。その結果、映像品質の劣化を抑えることができる。ところで、本実施の形態では、バルク64Aおよび微粒子64Bが光学異方性材料を主に含んで形成されているので、斜め方向において、散乱性が小さくなり、透明性を向上させることができる。例えば、バルク64Aおよび微粒子64Bが、互いに常光屈折率が等しく、かつ互いに異常光屈折率も等しい光学異方性材料を主に含んで構成され、かつ、下側電極32および上側電極36間に電位差が印加されていない領域では、これらの光軸の向きが一致もしくはほぼ一致する。これにより、正面方向光変調素子60の法線方向および斜め方向を含むあらゆる方向において屈折率差が少なくなるか、またはなくなり、高い透明性が得られる。その結果、視野角の大きい範囲における光の漏洩を低減またはほとんどなくすることができ、視野角特性を良くすることができる。例えば、常光屈折率1.5、異常光屈折率1.65の液晶と、常光屈折率1.5、異常光屈折率1.65の液晶性モノマーとを混合し、配向膜または電界によって液晶と液晶性モノマーを配向させた状態で液晶性モノマーを重合させると、液晶の光軸と、液晶性モノマーが重合することによって形成されたポリマーの光軸とが互いに一致する。これにより、あらゆる方向で屈折率を一致させることができるので、そのようにした場合には、透明性が高い状態を実現でき、より一層、視野角特性を良くすることができる。また、本実施の形態では、例えば、図19A,Bに示したように、透明領域30Aの輝度黒表示の輝度が、全面を均一に発光させている場合図19B中の一点鎖線と比べて下がっている。他方、散乱領域30Bの輝度は、全面を均一に発光させている場合図19B中の一点鎖線と比べて極めて高くなり、しかも、透明領域30Aの輝度が低下した分だけ、部分的な白表示の輝度輝度突き上げが大きくなる。これは、バルク64Aおよび微粒子64Bが光学異方性材料を主に含んで形成されており、斜め方向の散乱性が抑制され、暗状態での導光板からの漏れ光が少ないからである。従って、部分的な暗状態の部分から部分的な明状態の部分に導光するので、バックライトへの投入電力を増やすことなく、輝度突き上げを実現することができる。また、本実施の形態では、下側電極32および上側電極36間に電位差が印加されていない領域において、微粒子64Bの光軸AX4が、導光板10の光入射面10Aと平行となっており、かつ透明基板31,37の法線と僅かな角度θ3で交差している。つまり、微粒子64B内に含まれる液晶分子が、光入射面10Aと平行な面内において角度θ3だけ傾斜した状態プレチルト角が付与された状態で配向している。そのため、下側電極32および上側電極36間に電位差が印加された時に、微粒子64B内に含まれる液晶材料は、ランダムな方位に倒れることはなく、光入射面10Aと平行な面内で倒れる。このとき、バルク64Aおよび微粒子64Bの光軸AX3,AX4が、光入射面10Aと平行な面内において互いに交差もしくは直交する。この場合に、導光板10の光入射面10Aから入射した光において、透明基板31に対して垂直に振動する光は、微粒子64Bの常光屈折率とバルク64Aの異常光屈折率との差を感じる。このとき、微粒子64Bの常光屈折率とバルク64Aの異常光屈折率との差は大きいことから、透明基板31に対して垂直に振動する光の散乱効率が高くなる。一方、透明基板31に対して平行に振動する光は、微粒子64Bの異常光屈折率とバルク64Aの常光屈折率の差を感じる。このとき、微粒子64Bの異常光屈折率とバルク64Aの常光屈折率の差も大きいことから、透明基板31に対して平行に振動する光の散乱効率も高くなる。従って、下側電極32および上側電極36間に電位差が印加された領域を伝播する光は、斜め方向の成分を多く含む。例えば、導光板10としてアクリル導光板を用いた場合には、下側電極32および上側電極36間に電位差が印加された領域内の光は、41.8°以上の角度で伝播する。その結果、屈折率差が大きくなり、高い散乱性が得られるので、表示輝度を向上させることができる。また、上記の輝度突き上げの効果により、表示輝度をさらに向上させることができる。ところで、例えば、電位差無印加時に導光板10の光入射面10Aに垂直に、バルク64Aおよび微粒子64Bの光軸AX3,AX4を配置し、下側電極32および上側電極36間に電位差を印加した時に、微粒子64B内に含まれる液晶材料が、光入射面10Aと垂直な面内で倒れるようにした場合には、透明基板31に対して垂直に振動する光は、前述した場合と同様に、微粒子64Bの常光屈折率とバルク64Aの異常光屈折率との差を感じるが、透明基板31に対して平行方向に振動する光は、微粒子64Bの常光屈折率とバルク64Aの常光屈折率との差を感じることになる。ここで、微粒子64Bの常光屈折率とバルク64Aの常光屈折率との差は、ほとんどないか、または全くない。そのため、光入射面10Aから入射した光において、透明基板31に対して垂直に振動する光は、前述した場合と同様に大きな屈折率差を感じるが、透明基板31に対して平行方向に振動する光は、屈折率差をほとんど感じないか、または全く感じない。その結果、透明基板31に対して垂直に振動する光の散乱効率は高くなるが、透明基板31に対して平行に振動する光の散乱効率は低いか、または、ゼロとなる。従って、光入射面10Aに対して光軸AX3,AX4を垂直に配置した場合には、光入射面10Aに対して光軸AX3,AX4を平行に配置した場合に比べて、散乱効率が低くなるので、導光板10から取り出せる輝度が、本実施の形態の光変調素子30よりも低くなる。また、プレチルトを形成しない場合、または、実質的にプレチルト角がほぼ90°となっている場合には、液晶が倒れる方位はランダムになるので、屈折率差は、バルク64Aおよび微粒子64Bの光軸AX3,AX4を導光板10の光入射面10Aと平行にした場合の屈折率差と垂直にした場合の屈折率差との平均になる。従って、これらの場合においても、バルク64Aおよび微粒子64Bの光軸AX3,AX4を導光板10の光入射面10Aと平行にした場合に比べて、取り出せる輝度が低くなる。以上のことから、本実施の形態では、視野角の大きい範囲における光の漏洩を低減またはほとんどなくしつつ、表示輝度を向上させることができる。その結果、正面方向の変調比を高くすることができる。変形例上記第2の実施の形態では、光軸AX3,AX4が、電位差無印加時に、透明基板31と交差または直交もしくはほぼ直交する方向を向き、電位差印加時に、光軸AX4が、光入射面10Aおよび透明基板31と平行またはほぼ平行な方向に変位するようになっていた。しかし、光軸AX3,AX4が、電位差無印加時に、透明基板31と交差または直交もしくはほぼ直交する方向を向き、電位差印加時に、光軸AX2が、透明基板31と平行またはほぼ平行な方向であって、かつ光入射面10Aと交差または直交もしくはほぼ直交する方向に変位するようになっていてもよい。<3.変形例>[第1変形例]上記各実施の形態では、反射板40が設けられていたが、例えば、図43に示したように、反射板40が省略されていてもよい。ただし、その場合には、下側電極32が、金属などの光反射機能を有する材料によって構成されていることが好ましい。[第2変形例]上記各実施の形態では、光変調素子30,60は、導光板10の背後下面に空気層を介さずに密着して接合されていたが、例えば、図44に示したように、導光板10の上面に空気層を介さずに密着して接合されていてもよい。また、光変調素子30,60は、例えば、図45に示したように、導光板10の内部に設けられていてもよい。ただし、この場合でも、光変調素子30,60は、導光板10と空気層を介さずに密着して接合されていることが必要である。[第3変形例]また、上記各実施の形態およびそれらの変形例では、導光板10の上に特に何も設けられていなかったが、例えば、図46に示したように、光学シート71例えば、拡散板、拡散シート、レンズフィルム、偏光分離シートなどを設けてもよい。このようにした場合には、導光板10から斜め方向に出射した光の一部が正面方向に立ち上がるので、変調比を効果的に向上させることができる。[第4変形例]また、上記各実施の形態およびそれらの変形例では、上側電極36が面全体に形成されたベタ膜となっており、下側電極32が帯状の複数の部分電極32Aによって構成されていたが、例えば、図47に示したように、上側電極36が帯状の複数の部分電極32Aによって構成され、下側電極32が面全体に形成されたベタ膜となっていてもよい。[第5変形例]また、上記各実施の形態ならびに第1変形例ないし第3変形例では、上側電極36が面全体に形成されたベタ膜となっていたが、例えば、図48~図53に示したように、上記第4変形例における上側電極36を面内で90°回転させたもので構成されていてもよい。このようにした場合に、駆動回路50は、図示しないジャイロセンサーなどから入力される表示パネル211の姿勢情報に基づいて、下側電極32に含まれる複数の部分電極32aおよび上側電極36に含まれる複数の部分電極32aのいずれか一方を用いて帯状照明光を出力するようになっている。これにより、受信側装置200のユーザが表示パネル210を90°回した場合であっても、その動きをジャイロセンサーなどで検知し、その検知結果を利用して、3D表示に使用する部分電極32aを選択することにより、表示パネル210の向きにかかわらず、3次元映像を得ることができる。[第6変形例]また、上記各実施の形態ならびに第1変形例ないし第3変形例では、上側電極36が面全体に形成されたベタ膜となっていたが、例えば、図48に示したように、複数の部分電極36Aによって構成されていてもよい。このとき、複数の部分電極36Aのうち特定の複数の部分電極36A以下、部分電極36aと称する。は、受信側装置200において三次元表示を行うときに、帯状照明光の生成に用いられるものである。複数の部分電極36aは、受信側装置200において三次元表示を行うときの画素ピッチP2図24参照に対応するピッチP3画素ピッチP2と同一ピッチまたはそれに近いピッチで配列されている。複数の部分電極36Aのうち部分電極36aを除く複数の部分電極36A以下、部分電極36b,36cと称する。は、受信側装置200において二次元表示を行うときに、部分電極36aと共に、面状照明光の生成に用いられるものである。つまり、受信側装置200において二次元表示を行うときには、面状照明光を生成するために、全ての部分電極36Aが用いられる。部分電極36a,36b,36cは、配列方向光入射面10Aと直交する方向においてこの順に配列されており、さらに、一組の部分電極36a,36b,36cが複数、配列方向に配列されている。各部分電極36Aは、面内の一の方向であって、かつ光入射面10Aの法線と交差または直交もしくはほぼ直交する方向に延在する帯状の形状となっている。各部分電極36Aのうち、表示パネル210内の1つの画素210aに使われる部分の面積図中のグレー部分の面積が、光源20からの距離に拘わらず均一となっている。例えば、図48に示したように、各部分電極36Aの幅が、一定となっている。なお、場合によっては、各部分電極36Aの幅が、不均一となっていてもよい。各部分電極36Aは、例えば、図48に示したように、互いに別個に形成され、互いに独立に駆動可能になっていてもよいが、各部分電極36aが互いに電気的に接続されていてもよい。例えば、図49に示したように、各部分電極36aが、配列方向に延在する配線36Bを介して互いに電気的に接続されていてもよい。また、例えば、各部分電極36b,36cが互いに電気的に接続されていてもよい。例えば、図49に示したように、各部分電極36b,36cが、配列方向に延在する配線36Cを介して互いに電気的に接続されていてもよい。なお、二次元表示に際して多視点表示を行う場合には、部分電極36bと部分電極36cとが互いに電気的に分離されていることが好ましい。この場合に、例えば、図50に示したように、各部分電極36bが、配列方向に延在する配線36Cを介して互いに電気的に接続されると共に、各部分電極36cが、配列方向に延在する配線36Dを介して互いに電気的に接続されていてもよい。各部分電極36Aは、例えば、図47、図51、図52、図53に示したように、光入射面10Aと斜めに交差する方向に延在していてもよい。このようにした場合には、各部分電極36Aの延在方向が、光入射面10Aと平行な方向からずれるので、光入射面10Aの法線と平行な方向の解像度と、光入射面10Aと平行な方向の解像度との差を小さくすることができる。また、例えば、図54、図55に示したように、各部分電極36Aが、ブロック形状となっており、かつ複数の部分電極36Aが2次元配置されていてもよい。この場合には、複数の部分電極36Aを1つの線状電極36Eとみなしたときに、各線状電極36Eのうち、表示パネル210内の1つの画素210aに使われる部分の面積図中のグレー部分の面積が、例えば、光源20からの距離に拘わらず均一となっている。例えば、各線状電極36Eの幅が、一定となっている。なお、各線状電極36Eの幅が、不均一となっていてもよい。[第7変形例]また、上記各実施の形態ならびに第1変形例ないし第3変形例では、上側電極36が面全体に形成されたベタ膜となっていたが、例えば、図56に示したように、上側電極36が、光入射面10Aと平行な方向に延在する複数の部分電極36Aで構成されていてもよい。このとき、駆動回路50が、1つの部分電極36Aを選択することにより、選択した部分電極36Aに対応する箇所から帯状照明光を出力させることができる。さらに、駆動回路50が、各部分電極36Aを順次、選択することにより、例えば、図57、図58、図59に示したように、光入射面10Aと平行な方向に延在する帯状照明光L1を走査させることができる。また、本変形例において、各部分電極36Aは、例えば、図56に示したように、隣接する他の部分電極36Aと近接するエッジに凹凸部36-1凹凸形状を有していることが好ましい。ここで、凹凸部36-1の凹凸ピッチは、一部の部分電極36Aを駆動する場合部分駆動を行う場合に境界のコントラスト比を下げる観点から、部分電極32Aの幅と同程度例えば数十μm以下であることが好ましい。このように、各部分電極36Aに凹凸部36-1を設けた場合には、互いに隣り合う2つの部分電極36Aに印加される電圧が異なるときに、バックライト211の照明光のエッジが過度に目立つのを抑えることができる。また、本変形例において、駆動回路50が、各部分電極36Aに対して、光源20からの距離に拘わらず同一の電圧を印加するようにしてもよい。また、必要に応じて、駆動回路50が、各部分電極36Aに対して、光源20からの距離に応じた電圧を印加するようにしてもよい。このようにした場合には、バックライト211上面の一部分だけが白輝度となるような照明光を出力したときに、その白輝度となる部分が光源20に近いときと、光源20から遠いときとで、白輝度の大きさに差が生じる虞をより一層、低減することができる。[第8変形例]また、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、光源20は、例えば、図60Aに示したように、線状光源21と、反射ミラー22とにより構成されていてもよい。線状光源21は、例えば、HCFL、またはCCFLからなる。反射ミラー22は、線状光源21から発せられた光のうち光入射面10Aに直接入射しない方向に向かう光を光入射面10A側に反射するものである。光源20は、例えば、図60Bまたは図60Cに示したように、複数の点状光源23を一列に配置して構成されたものであってもよい。各点状光源23は、光入射面10Aに向かって光を射出するようになっており、例えば、光入射面10Aとの対向面に発光スポットを有する発光素子からなる。そのような発光素子としては、例えば、LED、または、レーザダイオードLD;LaserDiodeなどが挙げられる。効率、薄型化、均一性の観点からは、各点状光源21がホワイトLEDであることが好ましい。なお、光源20に含まれる複数の点状光源21が、例えば、赤色LED、緑色LEDおよび青色LEDを含んで構成されていてもよい。複数の点状光源21は、例えば、図60B,Cに示したように、2個以上の点状光源23ごとに、共通の基板24上に設けられていてもよい。この場合、1つの基板24と、その基板24上に設けられた複数の点状光源23とにより、光源ブロック25が構成されている。基板24は、例えば、点状光源23と駆動回路50とを電気的に接続する配線が形成された回路基板であり、各点状光源23は、この回路基板上に実装されている。共通の基板24上に設けられた各点状光源23光源ブロック25内の各点状光源23は、駆動回路50によって一括で非独立に駆動されるようになっており、例えば、図示しないが、互いに並列に、または互いに直列に、接続されている。また、互いに異なる基板24上に設けられた点状光源23各光源ブロック25内の点状光源23は、駆動回路50によって互いに独立に駆動されるようになっていてもよい。このとき、互いに異なる基板24上に設けられた点状光源23各光源ブロック25内の点状光源23は、例えば、図60Cに示したように、互いに異なる電流経路に接続されている。光源20は、図60A~Cに示したように、導光板10の1つの側面にだけ設けられていてもよいし、図示しないが、導光板10の2つの側面、3つの側面または全ての側面に設けられていてもよい。また、光源20が3つの側面または全ての側面に設けられている場合には、部分点灯を行うときにだけ、互いに対向する2つの側面に設けられた光源20だけを点灯させ、全面点灯を行うときに全ての光源20を点灯させるようにしてもよい。[第9の変形例]また、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、導光板10が、例えば、図61Aに示したように、帯状の複数の凸部11を上面に有していてもよい。なお、導光板10は、例えば、図61Bに示したように、帯状の複数の凸部11を下面に有していてもよい。また、導光板10は、例えば、図示しないが、帯状の複数の凸部11を導光板10の内部に有していてもよい。また、導光板10の内部が空洞状になっていてもよいし、密に充填されていてもよい。各凸部11は、光入射面10Aの法線と平行な方向に延在しており、例えば、図61A,Bに示したように、導光板10の一の側面から、その側面と対向する他の側面まで連続して形成されている。各凸部11の配列方向の断面は、例えば、矩形状、台形状、または三角形状となっている。各凸部11の配列方向の断面が矩形状となっている場合には、光の直進性が非常に高く、大型のバックライトに適している。各凸部11の配列方向の断面が台形状となっている場合には、射出成型、溶融押し出し成型、熱プレス成型などで各凸部11を形成する際に使用する金型の加工が容易であり、かつ成型時の離型性もよく、欠陥の減少による歩留まりや成型速度を向上させることができる。互いに隣り合う凸部11同士の間には、平坦面が設けられていてもよいし、平坦面がなくてもよい。各凸部11の高さは、面内で均一になっていてもよいし、面内で不均一になっていてもよい。例えば、図62A,Bに示したように、導光板10の1つの側面が光入射面10Aとなっているときに、各凸部11の高さが、光入射面10A側で相対的に低く、光入射面10Aと対向する側面側で相対的に高くなっていてもよい。また、例えば、導光板10の側面のうち互いに対向する一対の側面が光入射面10Aとなっているときに、各凸部11の高さが、双方の光入射面10Aおよびその近傍で相対的に低く、それ以外の部分で相対的に高くなっていてもよい。各凸部11のうち、光入射面10Aおよびその近傍の高さは、ゼロまたは実質的にゼロとなっていてもよい。例えば、図62A,Bに示したように、各凸部11の高さが、光入射面10A側から、光入射面10Aから遠ざかるにつれて高くなっていてもよい。このとき、各凸部11の高さが、光入射面10A側から、光入射面10Aと対向する側面側に向かう中途で、一定になるようになっていてもよい。なお、図62Aに示したような高さの不均一な複数の凸部11が導光板10の上面以外の箇所に設けられていてもよく、例えば、導光板10の下面または内部に設けられていてもよい。上述のように、凸部11の高さ言い換えると、凸部11同士の間に形成される溝の深さを変えることにより、光の直進性を変化させることができる。例えば、図61A,Bに示したように、各凸部11を光入射面10Aおよびその近傍にも設けた場合には、例えば、図63Aに例示したように、1つの光源ブロック25を点灯させると、その光源ブロック25から出力された光L1は、横方向幅方向にあまり広がらずに導光板10内を伝播するようになる。この場合、光入射面10Aの近傍において、点状光源23同士の間に暗い部分が発生する場合があり、その場合には、画質が低下する虞がある。そこで、そのような場合には、例えば、図62A,Bに示したように、各凸部11の高さを光入射面10Aおよびその近傍で相対的に低くしたり、またはゼロにしたりすることが好ましい。このようにすることにより、光源ブロック23から出力された光L1を、例えば、図63Bに示したように、光入射面10Aおよびその近傍において、点状光源23の発散角で横方向幅方向に広げ、光入射面10Aから離れた領域においては、ほぼ一定の幅で伝播させることができる。[第10変形例]また、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、例えば、図64Aに示したように、上側電極36が、複数の部分電極36Aと、配線36B,36Cとからなる部分電極36Fを複数有していてもよい。各部分電極36Fは、互いに独立に駆動可能になっていてもよいし、互いに一括して駆動されるようになっていてもよい。例えば、各部分電極36Fが互いに独立に駆動可能になっている場合に、光源20が互いに独立駆動可能な複数の光源ブロック25からなり、さらに、導光板10が帯状の複数の凸部11を上面、下面または内部に有していてもよい。このとき、駆動回路50が、1つの部分電極36Fを選択するとともに、1つの光源ブロック25を選択することにより、例えば、図64Bに示したように、選択した部分電極36Fと、選択した光源ブロック25から出力された光の光路とが互いに交差する箇所だけを選択的に照明させることができる。[第11変形例]また、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、部分電極32Aの幅が光源20からの距離に応じて変化していたが、部分電極32Aのエッジが凹凸形状となっていてもよい。凹凸形状の凹凸振幅が、光源20寄りの箇所で相対的に大きく、光源20から離れた箇所で相対的に小さくなっている。例えば、図65、図66に示したように、部分電極32Aが、長手の辺部のエッジに、凹凸部43を有している。凹凸部43の凹凸振幅は、光源20寄りの箇所で相対的に大きく、光源20から離れた箇所で相対的に小さくなっている。部分電極32Aがそのような形状となっている場合であっても、部分電極32Aのうち、表示パネル210内の1つの画素210aに使われる部分の面積が、光源20からの距離に応じて変化しているといえる。[第12変形例]また、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、例えば、図67に示したように、バックライト211の光出射側に、パララックスバリア80が設けられていてもよい。パララックスバリア80は、三次元表示を行うときに、バックライト211の光出力領域を、複数の部分電極32aとの対向領域またはそれに対応する領域に限定し、散乱領域30Bに隣接する領域例えば、透過領域30Aの端部から出力され得るノイズ光を遮断するものである。また、パララックスバリア80は、二次元表示を行うときに、バックライト211の光出力領域を、下側電極32と上側電極36とが互いに対向する領域との対向領域またはそれに対応する領域に拡張し、光変調素子30,60,70から出力される光を透過するものである。パララックスバリア80は、例えば、図68に示したように、導光板10側から順に、偏光板81、透明基板82、透明電極83、配向膜84、液晶層85、配向膜86、透明電極87、透明基板88および偏光板89を有している。透明基板82,88は、可視光に対して透明な基板、例えば板ガラスからなる。なお、導光板10側の透明基板には、例えば、図示しないが、透明電極83に電気的に接続されたTFTおよび配線などを含むアクティブ型の駆動回路が形成されている。透明電極83,87は、例えばITOからなる。透明電極83は、例えば、図68に示したように、複数の部分電極83Aによって構成されている。複数の部分電極83Aは、透明基板82上に形成されている。各部分電極83Aは、面内の一の方向であって、かつ光入射面10Aと交差または直交もしくはほぼ直交する方向に延在する帯状の形状となっている。各部分電極83Aは、部分電極32a,32b,32cとの対向領域またはそれに対応する領域に形成されている。各部分電極83Aは、受信側装置200において三次元表示を行うときに、帯状照明光の透過、遮断に用いられるものである。複数の部分電極83Aのうち部分電極32aとの対向領域またはそれに対応する領域に形成された電極は、受信側装置200において三次元表示を行うときの画素ピッチP2図24参照に対応するピッチP3画素ピッチP2と同一ピッチまたはそれに近いピッチで配列されている。複数の部分電極83Aのうち部分電極32b,32cとの対向領域またはそれに対応する領域に形成された電極は、受信側装置200において三次元表示を行うときには使用されない。なお、受信側装置200におい二次元表示を行うときには、面状照明光を生成するために、全ての部分電極83Aが用いられる。各部分電極83Aは、面内の一の方向であって、かつ光入射面10Aと交差または直交もしくはほぼ直交する方向に延在する帯状の形状となっている。各部分電極83Aの、単位面積あたりの面積被覆率は、光源20からの距離とは無関係に一定となっている。具体的には、各部分電極83Aの幅は、均一となっている。各部分電極83Aは、例えば、図69に示したように、互いに別個に形成され、互いに独立に駆動可能になっている。各部分電極32Aが図4、図5、図6、図7に示した態様となっている場合には、各部分電極83Aは、例えば、図69に示したように、光入射面10Aの法線と平行またはほぼ平行な方向に延在している。また、各部分電極32Aが図4、図8、図9、図10に示した態様となっている場合には、各部分電極83Aは、例えば、図70に示したように、光入射面10Aの法線と斜めに交差する方向に延在している。また、各部分電極32Aが図11に示した態様となっている場合には、各部分電極83Aは、例えば、図71に示したように、ブロック形状となっており、かつ複数の部分電極83Aが光入射面10Aの法線と平行またはほぼ平行な方向と、光入射面10Aの法線と直交またはほぼ直交する方向とに2次元配置されている。また、各部分電極32Aが図12、図13に示した態様となっている場合には、各部分電極83Aは、例えば、図72に示したように、ブロック形状となっており、かつ光入射面10Aの法線と斜めに交差す方向と、光入射面10Aの法線と直交またはほぼ直交する方向とに2次元配置されている。また、多視点表示を行わない場合には、例えば、図73、図74に示したように、部分電極32bに対応する部分電極83Aと、部分電極32cに対応する部分電極83Aとを1つにまとめてもよい。透明電極87は、透明基板88上に一面に形成されたものであり、各部分電極83Aに対して対向する共通電極として機能する。配向膜84,86は、例えばポリイミドなどの高分子材料からなり、液晶に対して配向処理を行う。液晶層85は、例えば、VAモード、TNモードまたはSTNモードの液晶からなり、駆動回路50からの印加電圧により、導光板10側からの光の偏光軸の向きを部分電極83Aとの対向部分ごとに変える機能を有する。偏光板81,89は、光学シャッタの一種であり、ある一定の振動方向の光偏光のみを通過させる。なお、偏光板81,89は、透過軸以外の振動方向の光偏光を吸収する吸収型の偏光素子であってもよいが、導光板10側に反射する反射型の偏光素子であってもよい。偏光板81,89はそれぞれ、偏光軸が互いに90°異なるように又は平行に配置されており、これにより導光板10側からの光が液晶層85を介して透過し、あるいは遮断されるようになっている。駆動回路50は、制御信号204Aとして三次元表示を指定する信号が入力されたときには、パララックスバリア80をスリット状の光透過部として機能させるようになっている。具体的には、駆動回路50は、複数の部分電極83Aのうち部分電極32aとの対向領域またはそれに対応する領域に形成された電極に、パララックスバリア80が透過性を示す電圧を印加するとともに、複数の部分電極83Aのうち部分電極32b,32cとの対向領域またはそれに対応する領域に形成された電極に、パララックスバリア80が遮光性を示す電圧を印加するようになっている。また、駆動回路50は、制御信号204Aとして二次元表示を指定する信号が入力されたときには、パララックスバリア80全体を光透過部として機能させるようになっている。具体的には、駆動回路50は、各部分電極83Aに、パララックスバリア80が透過性を示す電圧を印加するようになっている。本変形例では、バックライト211の光出射側に、パララックスバリア80が設けられているので、光変調素子30,60,70から複数の帯状照明光が出力されているときに、散乱領域30Bに隣接する領域から出力され得るノイズ光を遮断することができる。これにより、三次元表示の際に、各画素210-1,210-2,210-3または210-4図22参照に対して各帯状照明光が入射する角度とは異なる角度で入射する光を低減することができる。その結果、鮮明な3次元映像を得ることができる。[第13変形例]また、上記第13変形例において、例えば、図75に示したように、各部分電極83Aは、面内の一の方向であって、かつ光入射面10Aと交差または直交もしくはほぼ直交する方向に延在する帯状の形状となっていてもよい。各部分電極83Aのうち、表示パネル210内の1つの画素210aに使われる部分の面積が、光源20からの距離に応じて変化している。具体的には、各部分電極83Aの幅が、光源20からの距離に応じて変化しており、光源20寄りの箇所で相対的に細く、光源20から離れた箇所で相対的に太くなっている。例えば、図75に示したように、各部分電極83Aの幅が、光源20からの距離に比例して太くなっている。なお、各部分電極83Aの幅が、当該部分電極83Aの、光源20から最も離れた端部や、光源20に最も近い端部において、均一となっていてもよい。各部分電極83Aは、例えば、図75に示したように、互いに別個に形成され、互いに独立に駆動可能になっていてもよいが、各部分電極83Aが互いに電気的に接続されていてもよい。例えば、三次元表示に使用する各部分電極83Aが互いに電気的に接続されていてもよい。また、例えば、二次元表示にだけ使用する各部分電極83Aが互いに電気的に接続されていてもよい。なお、二次元表示に際して多視点表示を行う場合には、視点ごとに、部分電極83Aが互いに電気的に分離されていることが好ましい。例えば、2視点表示を行う場合には、ある視点に使用する各部分電極83Aが互いに電気的に接続されると共に、他の視点に使用する各部分電極83Aが互いに電気的に接続されていてもよい。各部分電極83Aは、例えば、図76に示したように、光入射面10Aの法線または光源20の光軸と斜めに交差する方向に延在していてもよい。このようにした場合には、各部分電極83Aの延在方向が、表示パネル210の画素配列方向からずれるので、部分電極83Aと画素との配列関係に起因するモアレの発生を低減することができる。また、例えば、図77、図78に示したように、各部分電極83Aが、ブロック形状となっており、かつ複数の部分電極83Aが2次元配置されていてもよい。この場合には、複数の部分電極83Aを1つの線状電極83Bとみなしたときに、各線状電極83Bのうち、表示パネル210内の1つの画素210aに使われる部分の面積が、光源20からの距離に応じて変化している。具体的には、各線状電極83Bの幅が、光源20からの距離に応じて変化しており、光源20寄りの箇所で相対的に細く、光源20から離れた箇所で相対的に太くなっている。例えば、図77、78に示したように、各線状電極83Bの幅が、光源20からの距離に比例して太くなっている。なお、各線状電極83Bの幅が、当該線状電極83Bの、光源20から最も離れた端部や、光源20に最も近い端部において、均一となっていてもよい。[第14変形例]また、上記第13変形例では、各部分電極83Aの幅が光源20からの距離に応じて変化していたが、部分電極83Aのエッジが凹凸形状となっていてもよい。凹凸形状の凹凸振幅が、光源20寄りの箇所で相対的に大きく、光源20から離れた箇所で相対的に小さくなっている。例えば、図79、図80に示したように、部分電極83Aが、長手の辺部のエッジに、凹凸部43を有している。凹凸部43の凹凸振幅は、光源20寄りの箇所で相対的に大きく、光源20から離れた箇所で相対的に小さくなっている。部分電極83Aがそのような形状となっている場合には、部分電極83Aのうち、表示パネル210内の1つの画素210aに使われる部分の面積が、光源20からの距離に応じて変化しているといえる。[第15変形例]また、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、表示パネル210を駆動する駆動回路図示せずは、表示パネル210を時分割に駆動するようにしてもよい。この場合に、駆動回路50は、所定の周期内において、表示パネル210の表示が、視差の数と等しい数の画素行内で1画素行ずつ順次切り換わるのと同期して、バックライト211からの帯状照明光の出力箇所を切り替える。例えば、図81、図82、図83、図84に順に示したように、駆動回路50は、1フレーム期間1/60秒内において、表示パネル210の表示が、4画素行内で1画素行ずつ順次切り換わるのと同期して、バックライト211からの帯状照明光の出力箇所を切り替える。このとき、表示パネル210を駆動する駆動回路図示せずは、1フレーム期間1/60秒内において、表示パネル210の表示が、視差の数と等しい数の画素行内で1画素行ずつ順次切り換わるように、各画素に対して映像信号に対応する電圧を印加する。このように、切り替えを高速に行うことにより、観察者は、瞬間に光っている画素数の4倍の画素を知覚するようになり、実質的な解像度をあげることができる。[第16変形例]また、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、透明基板31および透明基板37のうち少なくとも一方が、導光板10と一体に形成されたものであってもよい。例えば、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、透明基板37が導光板10と接している場合には、透明基板37が導光板10と一体に形成されていてもよい。このとき、透明基板37は、本技術の第1透明基板または第2透明基板の一具体例に相当する。また、例えば、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、透明基板31が導光板10と接している場合には、透明基板31が導光板10と一体に形成されていてもよい。このとき、透明基板31は、本技術の第1透明基板または第2透明基板の一具体例に相当する。また、例えば、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、透明基板31,37がともに導光板10と接している場合には、透明基板31,37が導光板10と一体に形成されていてもよい。このとき、透明基板31または透明基板37が、本技術の第1透明基板または第2透明基板の一具体例に相当する。[第17変形例]また、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、反射板40の代わりに、光反射抑制層が設けられていてもよい。光反射抑制層は、例えば、低反射率材料が基材の表面に塗布されたものであってもよいし、光を吸収する材料が基材の表面に塗布されたものであってもよい。例えば、図85に示したように、反射板40の代わりに、光反射抑制層90が設けられていてもよい。光反射抑制層90は、例えば、低反射率材料が基材の表面に塗布されたもの、または、光を吸収する材料が基材の表面に塗布されたものからなる。このように、光反射抑制層90を設けることにより、反射板40を設けたときに反射板40で反射された光が透明領域30Aを透過して表示パネル210に入射する割合を低く抑えることができる。その結果、コントラストを上げることができる。[第18変形例]また、上記第1の実施の形態において、電位差無印加時に、バルク34Aの光軸AX1および微粒子34Bの光軸AX2は、同一の方向に光軸の成分を主に有しており、例えば、図86および図88に示したように、配向膜33,35のラビング方向を向いていることが好ましい。さらに、電位差無印加時には、光軸AX1,AX2は、例えば、図86および図88に示したように、バックライト211側の偏光板210Bの透過軸AX10と平行な方向に光軸の成分を主に有していることが好ましい。透過軸AX10は、例えば、図86に示したように、配向膜33,35のラビング方向を向いていることが好ましい。電位差無印加時には、光軸AX1,AX2は、例えば、図86に示したように、光入射面10Aの法線AX5と交差または直交もしくはほぼ直交する方向を向いていることが好ましい。さらに、電位差無印加時には、光軸AX1,AX2は、例えば、図4、図86に示したように、透明基板31と平行またはほぼ平行となっていることが好ましい。つまり、電位差無印加時には、光軸AX1,AX2は、概ね図86中のY軸方向を向いていることが好ましい。その理由は、上記実施の形態中の異方性散乱の欄に記載されている。また、上述したように、電位差印加時には、光軸AX1は、電位差無印加時と同一またはほぼ同一の方向を向いていることが好ましい。電位差印加時には、光軸AX1は、偏光板210Bの透過軸AX10と平行な方向に光軸の成分を主に有しており、例えば、図87に示したように、透過軸AX10と平行な方向を向いていることが好ましい。電位差印加時には、光軸AX1は、光源20の光軸AX5と交差または直交もしくはほぼ直交する方向を向いており、さらに、透明基板31と平行またはほぼ平行となっていることが好ましい。一方、光軸AX2は、電位差印加時には、下側電極32および上側電極36に印加された電位差によって生成される電場の影響を受けて所定の方向に変位していることが好ましい。電位差印加時には、光軸AX2は、例えば、図4、図87に示したように、透明基板31と交差または直交もしくはほぼ直交していることが好ましい。つまり、光軸AX2は、下側電極32および上側電極36への電位差印加により、光軸AX2と透明基板31の法線とのなす角度が小さくなる方向に変位していることが好ましい。このとき、光軸AX2は、光軸AX1と交差または直交もしくはほぼ直交しており、透明基板31と交差または直交もしくはほぼ直交していることが好ましい。また、電位差無印加時には、光軸AX1,AX2はともに、例えば、図88に示したように、光源20の光軸AX5と平行またはほぼ平行となっていてもよい。電位差無印加時には、光軸AX1,AX2は、例えば、図40、図88に示したように、透明基板31と平行またはほぼ平行となっていてもよい。つまり、電位差無印加時には、光軸AX1,AX2は、概ね図88中のX軸方向を向いていてもよい。また、電位差印加時には、光軸AX1は、電位差無印加時と同一またはほぼ同一の方向を向いていてもよい。電位差印加時には、光軸AX1は、偏光板210Bの透過軸AX10と平行な方向に光軸の成分を主に有しており、例えば、図88に示したように、透過軸AX10と平行な方向を向いていてもよい。電位差印加時には、光軸AX1は、例えば、光源20の光軸AX5と平行またはほぼ平行となっており、さらに、透明基板31と平行またはほぼ平行となっていてもよい。一方、光軸AX2は、電位差印加時には、下側電極32および上側電極36に印加された電位差によって生成される電場の影響を受けて所定の方向に変位していてもよい。電位差印加時には、光軸AX2は、例えば、図40、図89に示したように、透明基板31と直交またはほぼ直交もしくは交差していてもよい。つまり、光軸AX2は、下側電極32および上側電極36への電圧印加により、光軸AX2と透明基板31の法線とのなす角度が小さくなる方向に変位していてもよい。このとき、光軸AX2は、光軸AX1と直交またはほぼ直交もしくは交差しており、透明基板31と直交またはほぼ直交もしくは交差していてもよい。[第19変形例]また、上記各実施の形態およびそれらの変形例において、上側電極36が、面内全体に渡って形成された1枚のベタ膜面状電極となっている場合に、その面状電極内に、パターニングを有していてもよい。例えば、図90、図91に例示したように、上側電極36が、複数の開口Hを有していてもよい。開口Hは、例えば、円形状、楕円形状、方形状、多角形状など、種々の形状を採ることができる。ここで、開口Hの半径は光源20からの距離に応じて異なっていてもよい。照明装置1の面内輝度の均一化を考慮する場合には、開口Hの半径は、光入射面10Aと直交する方向において、光源20寄りの箇所で相対的に大きく、光源20から離れた箇所で相対的に小さくなっていることが好ましい。例えば、図90、図91に示したように、開口Hの半径rは、光入射面10Aと直交する方向において、光源20寄りの箇所でraとなっており、光源20から離れた箇所でrb<raとなっている。さらに、光源20が、複数の光源ブロック25からなる場合に、互いに隣接する2つの光源ブロック25間の距離が、互いに隣接する2つの部分電極32A間の距離と比べて長い場合には、開口Hの半径は、光入射面10Aと平行な方向において、光源20寄りの箇所で相対的に大きく、光源20から離れた箇所で相対的に小さくなっていることが好ましい。例えば、図91に示したように、開口Hの半径rは、光入射面10Aと平行な方向において、光源20寄りの箇所でr1となっており、光源20から少し離れた箇所でr2<r1となっており、光源20から最も離れた箇所でr3<r2となっている。開口Hのピッチは、モアレを考慮する場合には、光入射面10Aと平行な方向において、部分電極32Aの最大幅の半整数分の1となっていることが好ましい。また、開口の半径rは、部分電極32Aの最大幅よりも小さくなっていることが好ましい、例えば、部分電極32Aの最大幅の4分の1程度となっていることが好ましい。また、開口Hの配列方向は、特に限定されるものではないが、例えば、光入射面10Aの法線と平行な方向となっていてもよいし、例えば、部分電極32Aの延在方向と平行な方向となっていてもよい。なお、開口Hは、ランダムな位置につまり、規則性無く配置されていてもよい。<4.実施例>次に、上記各実施の形態およびそれらの変形例に係るバックライト211の一実施例ついて説明する。図92は、本実施例に係るバックライト211の下側電極32部分電極32A,配線32B,32Cおよび上側電極36のレイアウトの一例を表したものである。図93は、図92中の下側電極32部分電極32A,配線32B,32Cの一部を拡大して表したものである。横60mm×縦85mm×厚さ0.7mmの基板上に、ITO膜を成膜し、パターニングすることにより、下側電極32部分電極32A,配線32B,32Cを形成した。このとき、部分電極32Aを、三次元表示および二次元表示に際して用いられる1本の部分電極32aと、二次元表示にだけ用いられる3本の部分電極32b,32c,32dとで構成し、各部分電極32a,32b,32c,32dを、光入射面10Aと71.56度で交差する方向に傾けた。各部分電極32b,32c,32dの最大幅da_max,db_max,dc_max,dd_max,を40μmとし、光源20に近い方の幅を、光源20から遠い方の幅よりも狭くした。部分電極32Aを横50mm×縦75mmのエリアに配置した。また、横60mm×縦85mm×厚さ0.7mmの基板上に、ITO膜を成膜し、パターニングすることにより、上側電極36を形成した。このとき、上側電極36を、横50mm×縦75mmの面状電極36Sと、面状電極36Sから引き出した配線36Sとで構成した。下側電極32および上側電極36の表面上に配向膜を塗布後、それぞれの配向膜を所定の方向にラビングし、下側電極32上の配向膜の表面に4μmのスペーサを散布し、上側電極36上の配向膜の表面に、環状の封止剤を描画した。その後、面状電極36Sが部分電極32Aと対向する領域に配置されるとともに、配線36Sが配線32Cと対向する領域であって、光源20からできるだけ離れた箇所となるように、下側電極32と、上側電極36とを貼り合わせた。次に、下側電極32と、上側電極36との隙間にPDLCを真空注入し、表示パネルを完成させた。次に、LED光源を7mm間隔で7個、長さが60mmの方の端面に配置し、表示パネルの背面に黒色板を配置し、照明装置を完成させた。この照明装置を、三次元表示時には、部分電極32aを60Hz100Vパルスで駆動するとともに、部分電極32b,32c,32dと上側電極36をGNDとした。また、必要に応じて、照明装置上に表示パネルを配置し、表示装置として評価を行った。各実施例の詳細を以下に示す。実施例1光軸AX2を光入射面10Aと平行にするとともに、偏光板210Bの透過軸AX10と平行にした。部分電極32b,32c,32dの線幅変化を、図94に示したようにした。実施例2光軸AX2を光入射面10Aと平行にするとともに、偏光板210Bの透過軸AX10と45度をなす方向にした。部分電極32b,32c,32dの線幅変化を、実施例1と同様にした。実施例3光軸AX2を光入射面10Aと平行にするとともに、偏光板210Bの透過軸AX10と90度をなす方向にした。部分電極32b,32c,32dの線幅変化を、実施例1と同様にした。実施例4光軸AX2を光入射面10Aと垂直にするとともに、偏光板210Bの透過軸AX10と平行にした。部分電極32b,32c,32dの線幅変化を、実施例1と同様にした。比較例1光軸AX2を光入射面10Aと平行にするとともに、偏光板210Bの透過軸AX10と平行にした。部分電極32b,32c,32dの線幅を一定40μmとした。比較例2出射面に固定バリアを配置し、固定バリアとPDLCとの間に、拡散シート、プリズムシートおよび拡散シートを配置した。表示エリアを、各実施例と同様、50mm×75mmとした。ガラス面に、パターニングしたクロム膜を設けたものを固定バリアとして用いた。部分電極32aに対応する部分を透過領域とし、部分電極32b,32c,32dに対応する部分を遮光した。透過領域の線幅を一定40μmとした。次に、評価結果を示す。実施例1および比較例1、比較例2において、照明装置として中央部分の輝度を測定した。実施例1および比較例1は三次元表示時/二次元表示時の比で、比較例2は固定バリア有り固定バリア無しの比で比較した。その結果、実施例172比較例172比較例218となり、比較例2では三次元表示時の輝度が激減した。実施例1および比較例1では輝度突き上げ効果により、三次元表示時も効率的に光が利用されていることがわかった。次に、実施例1および比較例1、比較例2において三次元表示時および三次元表示時の画質を評価した。3D時実施例1:3Dに見えた。比較例1:3Dに見えた。比較例2:3Dに見えたが非常に暗かった。二次元表示時実施例1:2Dに見えた比較例1:2Dに見えたがLED近傍が非常に明るく、明るさが不均一であった。比較例2:2D表示は出来ない実施例1及び比較例1の二次元表示時の輝度分布の計算結果を図95横軸:LEDからの距離、縦軸:輝度に示した。比較例1に比べ実施例1は輝度分布が均一になっていることが分かった。尚、LEDからの距離5mmまでと80mm以降は下側基板のITOが表示エリア外ためにエッチングされており、散乱が小さいため不要な光が取り出されていない。次に、実施例1から実施例4に関して、表示パネルを配置し、二次元表示時の輝度を測定した。実施例1:輝度1102cd/m2実施例2:輝度660cd/m2実施例3:輝度114cd/m2実施例4:輝度370cd/m2実施例1から実施例3の結果により、この照明装置からはPDLC配向方向の偏光の光:PDLC配向方向と垂直方向の偏光の光=9:1となっており、液晶パネルの入射側の偏光板の透過軸はPDLC配向方向、例えばラビング方向にあわせることで光を効率的に利用できることが分かった。実施例1及び実施例4の結果により、PDLCの異方性散乱の効果は、LED光源の光軸方向光入射面の法線方向とPDLC配向方向が垂直の場合に大きく現れ、輝度が高くなることが分かった。続いて、上側電極36に開口Hを設けた実施例5について説明する。実施例5は、上側電極36に開口Hを設けたこと以外は、実施例1と同じ構成となっている。上側電極36の開口Hを、パターン密度単位面積当たりのITOがある部分の面積が75となるように、表示部の全体に形成した。部分電極32のITOパターンは、図93のようにした。実施例1、実施例5および比較例1の二次元表示時の輝度分布の計算結果を図95に示した。比較例1に比べ実施例6は輝度分布が均一になっていることが分かった。尚、LEDからの距離5mmまでと80mm以降は下側基板のITOが表示エリア外ためにエッチングされており、散乱ガ小さいため不要な光が取り出されていない。また、実施例1に比べ実施例6は輝度が全体的に高い。これは、ITOに開口を設けることで不要な吸収が抑えられているからである。続いて、上側電極36に開口Hを設けた実施例6について説明する。実施例6では、上側電極36のITOパターンが実施例5とは異なっており、さらに、光入射面10Aから表示エリアまでの距離を2mmと狭くしたこと以外は、実施例1と同じ構成となっている。実施例6の上側電極36では、光入射面10Aと平行な方向において、LED光源に近いところで開口Hの半径を大きくし、LED光源から遠いところで開口Hの半径を小さくした。光入射面10Aから距離が2mmの部分でのパターン密度を、図96のようにした。なお、図中の目盛り3.5mmと10.5mmの位置にLED光源を配置した。比較例3は、比較例1において光入射面から表示エリアまでの距離が2mmと狭くなっていること以外は、比較例1と同じである。光入射面からの距離が2mmの位置でのY方向の輝度分布を計算すると、図97に示したようになった。実施例6では輝度が均一となっており、LED光源による明るさムラが改善されており、画質が良くなっていることがわかった。なお、本技術は以下のような態様をとることもできる。1離間して互いに対向配置された第1透明基板および第2透明基板と、前記第1透明基板または前記第2透明基板の第1端面に光を照射する光源と、前記第1透明基板および前記第2透明基板の間隙に設けられ、かつ電場の大きさに応じて、前記光源からの光に対して散乱性もしくは透明性を示す光変調層と、電圧が印加されたときに前記光変調層内に電場を発生させる電極とを備え、前記光変調層は、前記電極から三次元表示モードの電場が印加されることにより、前記光源からの光を利用して、前記第1端面と交差する方向に延在する複数の帯状照明光を生成するようになっており、各帯状照明光の、単位面積あたりの発光面積が、前記光源からの距離に応じて変化している照明装置。2各帯状照明光は、連続する1本の帯状の発光形状となっているか、または、複数のブロック状の照明光が一列に配列された発光形状となっている1に記載の照明装置。3各帯状照明光の幅が、前記光源からの距離に応じて変化している1または2に記載の照明装置。4各帯状照明光の、幅方向の中心線は、互いに平行となっている1ないし3のいずれか一項に記載の照明装置。5各帯状照明光のエッジが、凹凸形状となっており、前記凹凸形状の凹凸振幅が、前記光源からの距離に応じて変化している1または2に記載の照明装置。6各帯状照明光は、前記第1端面と直交する方向に延在している1ないし5のいずれか一項に記載の照明装置。7各帯状照明光は、前記第1端面と交差する方向であって、かつ当該照明装置が、複数の画素を有する表示パネルのバックライトとして用いられたときの前記画素の配列方向と交差する方向に延在している1ないし5のいずれか一項に記載の照明装置。8前記電極は、前記帯状照明光の発光形状に対応した形状となっている1ないし7のいずれか一項に記載の照明装置。9前記電極は、前記帯状照明光の延在方向に延在する複数の帯状電極を有するか、または、前記帯状照明光の延在方向に配列されると共に前記帯状照明光と交差する方向に配列された複数の部分電極を有する8に記載の照明装置。10前記電極は、前記第1透明基板の表面に、前記複数の帯状電極もしくは前記複数の部分電極を有すると共に、前記複数の帯状電極もしくは前記複数の部分電極の全体または一部の端部同士を接続する配線を有し、前記電極は、さらに、前記第2透明基板の表面に、各帯状電極または各部分電極と対向する領域に主に形成された面状電極を有する9に記載の照明装置。11前記電極は、前記帯状照明光の延在方向に延在する複数の帯状電極を有しており、各帯状電極の幅が、前記光源からの距離に応じて変化している8に記載の照明装置。12前記電極は、前記帯状照明光の延在方向に配列されると共に前記帯状照明光と交差する方向に配列された複数の部分電極を有しており、各部分電極の幅が、前記光源からの距離に応じて変化している8に記載の照明装置。13前記電極は、前記帯状照明光の延在方向に延在する複数の帯状電極を有しており、各帯状電極のエッジが、凹凸形状となっており、前記凹凸形状の凹凸振幅が、前記光源からの距離に応じて変化している8に記載の照明装置。14前記電極は、前記帯状照明光の延在方向に配列されると共に前記帯状照明光と交差する方向に配列された複数の部分電極を有しており、各部分電極のエッジが、凹凸形状となっており、前記凹凸形状の凹凸振幅が、前記光源からの距離に応じて変化している8に記載の照明装置。15前記光変調層が散乱性を示す第1電圧の絶対値は、前記光変調層が透明性を示す第2電圧の絶対値よりも高い値となっており、各帯状照明光の幅の幅が、前記光源寄りの箇所で相対的に細く、前記光源から離れた箇所で相対的に太くなっている3に記載の照明装置。16前記光変調層が散乱性を示す第1電圧の絶対値は、前記光変調層が透明性を示す第2電圧の絶対値よりも高い値となっており、前記凹凸形状の凹凸振幅が、前記光源寄りの箇所で相対的に大きく、前記光源から離れた箇所で相対的に小さくなっている5に記載の照明装置。17前記光変調層が散乱性を示す第1電圧の絶対値は、前記光変調層が透明性を示す第2電圧の絶対値よりも高い値となっており、各帯状電極の幅、または、前記帯状照明光の延在方向に配列された複数の部分電極を1本の仮想帯状電極とみなしたときのその仮想帯状電極の幅が、前記光源寄りの箇所で相対的に細く、前記光源から離れた箇所で相対的に太くなっている9に記載の照明装置。18前記光変調層が散乱性を示す第1電圧の絶対値は、前記光変調層が透明性を示す第2電圧の絶対値よりも高い値となっており、前記凹凸形状の凹凸振幅が、前記光源寄りの箇所で相対的に大きく、前記光源から離れた箇所で相対的に小さくなっている13に記載の照明装置。19前記光変調層が散乱性を示す第1電圧の絶対値は、前記光変調層が透明性を示す第2電圧の絶対値よりも高い値となっており、前記凹凸形状の凹凸振幅が、前記光源寄りの箇所で相対的に大きく、前記光源から離れた箇所で相対的に小さくなっている14に記載の照明装置。20前記光変調層は、光学異方性を有すると共に電場に対する応答速度が互いに異なる第1領域および第2領域を含み、前記第1領域は、液晶材料を主に含んで構成され、前記第2領域は、高分子材料を主に含んで構成される1に記載の照明装置。21前記面状電極は、複数の開口を有し、前記開口の半径は、前記第1端面と直交する方向において、前記光源寄りの箇所で相対的に大きく、前記光源から離れた箇所で相対的に小さくなっている20に記載の照明装置。22前記開口の半径は、前記第1端面と平行な方向において、前記光源寄りの箇所で相対的に大きく、前記光源から離れた箇所で相対的に小さくなっている20に記載の照明装置。23映像信号に基づいて駆動される表示パネルと、前記表示パネルを照明する照明装置とを備え、前記照明装置は、離間して互いに対向配置された第1透明基板および第2透明基板と、前記第1透明基板の第1端面に光を照射する光源と、前記第1透明基板および前記第2透明基板の間隙に設けられ、かつ電場の大きさに応じて、前記光源からの光に対して散乱性もしくは透明性を示す光変調層と、電圧が印加されたときに前記光変調層内に電場を発生させる電極とを備え、前記光変調層は、前記電極から三次元表示モードの電場が印加されることにより、前記光源からの光を利用して、前記第1端面と交差する方向に延在する複数の帯状照明光を生成するようになっており、各帯状照明光の、単位面積あたりの発光面積が、前記光源からの距離に応じて変化している表示装置。24前記表示パネルを間にして互いに対向する一対の偏光板をさらに備え、前記光変調層は、光学異方性を有すると共に電場に対する応答性が相対的に高い第1領域と、光学異方性を有すると共に電場に対する応答性が相対的に低い第2領域とを含み、前記光変調層が透明性を示すとき、前記第1領域および前記第2領域は、前記一対の偏光板のうち前記照明装置側の偏光板の透過軸と平行な方向に光軸の成分を主に有し、前記光変調層が散乱性を示すとき、前記第2領域は、前記一対の偏光板のうち前記照明装置側の偏光板の透過軸と平行な方向に光軸の成分を主に有し、前記第1領域は、前記第2領域の光軸と交差または直交すると共に前記第1透明基板と交差または直交するする方向に光軸を有する23に記載の表示装置。"