"外部磁界に対して磁化方向のなす相対角度が変化する第1及び第2の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に位置するスペーサ層と、を有し、前記スペーサ層は、酸化ガリウムを主成分とし、マグネシウム、亜鉛、インジウム、及びアルミニウムからなる群から選択された少なくとも1つの金属元素を含む主スペーサ層を有する、磁気抵抗効果素子。前記主スペーサ層と前記第1の磁性層との間に位置し、銅もしくは少なくとも一部が酸化された銅、または亜鉛もしくは少なくとも一部が酸化された亜鉛からなる第1の非磁性層と、前記主スペーサ層と前記第2の磁性層との間に位置し、銅もしくは少なくとも一部が酸化された銅、または亜鉛もしくは少なくとも一部が酸化された亜鉛からなる第2の非磁性層と、を有する、請求項1に記載の磁気抵抗効果素子。前記主スペーサ層は前記群から選択された1つの前記金属元素を含み、前記主スペーサ層におけるガリウムと前記1つの金属元素の合計含有量に対する前記1つの金属元素の含有量の比は、1原子分率以上30原子分率以下である、請求項1または2に記載の磁気抵抗効果素子。前記主スペーサ層は前記群から選択された2以上の前記金属元素を含み、前記主スペーサ層におけるガリウムと前記2以上の金属元素の合計含有量に対する前記2以上の金属元素の合計含有量の比は、1原子分率以上30原子分率以下である、請求項1または2に記載の磁気抵抗効果素子。請求項1から4のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッド。前記第1の磁性層と前記第2の磁性層の一方が、外部磁界に対して磁化方向が変化する磁化自由層であり、他方が、外部磁界に対して磁化方向が固定された磁化固定層であり、前記磁気抵抗効果素子のトラック幅方向両側に設けられ、前記磁化自由層に前記トラック幅方向のバイアス磁界を印加する一対のバイアス磁界印加層を有する、請求項5に記載の磁気ヘッド。前記第1の磁性層と前記第2の磁性層が共に、外部磁界に対して磁化方向が変化する磁化自由層であり、媒体対向面から見て前記磁気抵抗効果素子の裏面側に設けられ、前記第1及び第2の磁性層に前記媒体対向面と直交する方向のバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加層を有する、請求項5に記載の磁気ヘッド。請求項5から7のいずれか1項に記載の磁気ヘッドを有する磁気ヘッドスライダ。請求項5から7のいずれか1項に記載の磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリ。請求項5から7のいずれか1項に記載の磁気ヘッドを有するハードディスクドライブ装置。磁気抵抗効果素子の面積抵抗は通常、1つのウエハー内でもばらついている。ばらつきが大きいと、1つのウエハーから生産できる磁気抵抗効果素子あるいは磁気ヘッドの個数が減少し、歩留まりが悪化する問題がある。本発明は、スペーサ層の構成を改善し、面積抵抗のばらつきを抑えつつ、大きなMR変化率を実現することができる磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。本発明の磁気抵抗効果素子は、外部磁界に対して磁化方向のなす相対角度が変化する第1及び第2の磁性層と、第1の磁性層と第2の磁性層との間に位置するスペーサ層と、を有している。スペーサ層は、酸化ガリウムを主成分とし、マグネシウム、亜鉛、インジウム、及びアルミニウムからなる群から選択された少なくとも1つの金属元素を含む主スペーサ層を有している。酸化ガリウムを主成分とする主スペーサ層を備えるスペーサ層は、銅などの金属層または酸化亜鉛等で形成された公知のスペーサ層と比べ、大きなMR変化率を実現することができる。一例では、主スペーサ層に酸化亜鉛を用いた従来技術の磁気抵抗効果素子に対して2倍程度のMR変化率を得ることができる。酸化ガリウムは薄膜状態では通常アモルファス状態で存在するが、アモルファス状態であっても大きなバンドギャップを持つことができ、また、スペーサ層と隣接する強磁性層との格子整合隣接する2つの材料の格子定数が一致することが不要であるという利点も持っている。一方、酸化ガリウムをスペーサ層に用いる場合においても、面積抵抗のばらつき、すなわち1つのウエハーから製造される磁気抵抗効果素子の面積抵抗のばらつきの問題が存在する。面積抵抗のばらつきは、酸化ガリウムの内部構造のばらつき、例えば酸素欠損のばらつきや粒界分布のばらつきに起因していると考えられる。本発明では、主スペーサ層は、マグネシウム、亜鉛、インジウム、及びアルミニウムからなる群から選択された少なくとも1つの金属元素を含んでいる。本願発明者は、このような異種金属元素を酸化ガリウムに添加することにより、酸化ガリウムの原子配置が変化し、酸化ガリウムの内部構造の均一性が高められると考えている。この結果、面積抵抗のばらつきが抑えられ、歩留まりの向上が可能となる。本発明によれば、スペーサ層の構成を改善し、面積抵抗のばらつきを抑えつつ、大きなMR変化率を実現することができる磁気抵抗効果素子を提供することができる。本発明の実施形態に係る磁気抵抗効果素子と、その磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッドのいくつかの実施形態を、図面を用いて説明する。第1の実施形態図1は、第1の実施形態に係る薄膜磁気ヘッド1の要部断面図を示している。薄膜磁気ヘッド1は基板W上に形成され、再生ヘッド2と記録ヘッド3とを有している。図2は、図1のA-A方向から見た再生ヘッド2の側面図、すなわち媒体対向面Sにおける再生ヘッド2の層構成を示している。媒体対向面Sとは、薄膜磁気ヘッド1の、記録媒体Mと対向する面である。まず、図2を参照して、再生ヘッド2の構成について説明する。再生ヘッド2は、スピンバルブタイプの磁気抵抗効果素子4と、磁気抵抗効果素子4を膜面直交方向積層方向Pに挟むように設けられた上部及び下部シールド層6,5と、磁気抵抗効果素子4のトラック幅方向T図1においては紙面直交方向両側に設けられたバイアス磁界印加層32と、を有している。磁気抵抗効果素子4の先端部は図1に示すように、媒体対向面Sに配置されている。磁気抵抗効果素子4は、上部シールド層6と下部シールド層5との間にかかる電圧によって、センス電流Sが膜面直交方向Pに流れるようにされている。磁気抵抗効果素子4と対向する位置における記録媒体Mからの磁場は、記録媒体Mの回転につれて変化する。磁界の変化は磁気抵抗効果に基づくセンス電流Sの電気抵抗変化として検出される。磁気抵抗効果素子4は、この原理を利用して、記録媒体Mに書き込まれた磁気情報を読み出す。表1には、磁気抵抗効果素子4の層構成の一例を示す。表1は、下部シールド層5から上部シールド層6まで、積層順に下から上に記載している。磁気抵抗効果素子4は、NiFe層からなる下部シールド層5の上に、下地層11、反強磁性層12、外側磁化固定層13、交換結合伝達層14、内側磁化固定層15第1の磁性層L1、スペーサ層16、磁化自由層17第2の磁性層L2、保護層18がこの順に積層された層構成を有している。保護層18はNiFe層からなる上部シールド層6に覆われている。下地層11はTaとRuの積層膜からなり、その上に積層される反強磁性層12と外側磁化固定層13との良好な交換結合を得るために設けられている。下地層11は、Ruの代わりにNiCrを用いて、TaとNiCrの積層膜から形成することもできる。外側磁化固定層13はIrMnからなる反強磁性層12と交換結合している。外側磁化固定層13はRuからなる交換結合伝達層14を介して、内側磁化固定層15と交換結合している。この結果、内側磁化固定層15の磁化方向は強固に固定されている。内側磁化固定層15は膜面内で、媒体対向面Sと直交する方向に磁化されていることが望ましい。内側磁化固定層15と外側磁化固定層13は互いに反平行の向きに磁化方向が固定されているため、これらを合わせた部分の全体的な磁化が抑制される。内側磁化固定層15の上には、スペーサ層16を挟んで、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層17が設けられている。保護層18は、積層された各層が劣化することを防止するために設けられている。外側及び内側磁化固定層13,15並びに磁化自由層17は典型的にはCoFeからなるが、Niを含んでいてもよい。磁気抵抗効果素子4のトラック幅方向T両側には、絶縁膜31を介してバイアス磁界印加層32が形成されている。バイアス磁界印加層32は磁化自由層17を単磁区化するための磁区制御膜であり、磁化自由層17にトラック幅方向Tのバイアス磁界を印加する。絶縁膜31はAl2O3、バイアス磁界印加層32はCoPt,CoCrPtなどで形成される。センス電流Sは、磁気抵抗効果素子4に、膜面直交方向Pに流れるようにされている。センス電流Sは、電極を兼ねる上部及び下部シールド層6,5から供給される。磁化自由層17の磁化方向は、外部磁界が印加されていない状態では、バイアス磁界印加層32からのバイアス磁界によって、トラック幅方向T、すなわち内側磁化固定層15の磁化方向と直交する向きに制御されている。記録媒体Mからの外部磁界が磁化自由層17に印加されると、磁化自由層17の磁化方向は外部磁界の向き及び強さに応じて、膜面内を所定の方向に所定の角度だけ回転する。磁化自由層17の磁化方向は内側磁化固定層15の磁化方向に対して、外部磁界の向き及び強さに応じた相対角度をなし、相対角度に応じて伝導電子のスピン依存散乱が変化して磁気抵抗変化が生じる。磁気抵抗効果素子4は、この磁気抵抗変化を検出して、記録媒体Mの磁気情報を読み取る。磁化自由層17と外側及び内側磁化固定層13,15とはスペーサ層16に関して上下逆に設けられてもよい。換言すれば、磁化自由層17が外側及び内側磁化固定層13,15よりも基板Wに近い側に位置していてもよい。具体的には、内側磁化固定層15から反強磁性層12までの各層が保護層18とスペーサ層16の間に内側磁化固定層15が最も下側に、反強磁性層12が最も上側になるように配置される、磁化自由層17が下地層11とスペーサ層16の間に配置される。本明細書では、磁化自由層17と内側磁化固定層15のうち、磁気抵抗効果素子4が形成される基板Wに近い側、すなわち積層方向に見てスペーサ層16の下側に位置する層を第1の磁性層L1と呼び、基板Wから見て第1の磁性層L1より遠い側、すなわち積層方向に見てスペーサ層16の上側に位置する層を第2の磁性層L2と呼ぶ。表1に示す層構成では、内側磁化固定層15が第1の磁性層L1、磁化自由層17が第2の磁性層L2であり、逆の位置関係の層構成では、磁化自由層17が第1の磁性層L1、内側磁化固定層15が第2の磁性層L2となる。スペーサ層16は、酸化ガリウムを主成分とする主スペーサ層16bを含んでいる。表1の例では主スペーサ層16bの膜厚は09nmであるが、例えば05nm以上12nm以下の範囲から選択することができる。主スペーサ層16bはさらに、マグネシウム、亜鉛、インジウム、及びアルミニウムからなる群から選択された少なくとも1つの金属元素を含んでいる。これらの金属元素は酸素と結合した状態酸化状態で存在してもよいし、酸素と結合していない状態で存在してもよい。主スペーサ層16bは上記の金属元素以外の添加物、例えば他の金属や金属酸化物を含んでいてもよいが、主スペーサ層16b中の酸化ガリウムはモル分率で50以上であることが好ましい。酸化ガリウムの組成は一般式GaOxで表わされ、xの範囲は145≦x≦155である。主スペーサ層16bは、通常はアモルファスの状態で形成される。GaOxは、従来スペーサ層に用いられていたCuと比べて抵抗値が大きく、抵抗変化も大きい。このため、Cuをスペーサ層として用いた従来の磁気抵抗効果素子と比べて大きなMR変化率を得ることができる。主スペーサ層は上記の群から選択された金属元素のうち、1つの金属元素だけを含んでいてもよい。この場合、主スペーサ層16bにおけるガリウムと当該1つの金属元素の合計含有量に対する当該1つの金属元素の含有量の比は、1原子分率以上、30原子分率以下であることが望ましい。例えば、主スペーサ層16bが上記の金属元素のうちMgだけを含んでいる場合、主スペーサ層中のGaとMgの合計含有量合計原子分率に対するMgの含有量原子分率の比が1以上、30以下であればよい。主スペーサ層16bは上記の群から選択された金属元素のうち、2以上の金属元素を含んでいてもよい。この場合、主スペーサ層16bにおけるガリウムと当該2以上の金属元素の合計含有量に対する当該2以上の金属元素の合計含有量の比が、1原子分率以上、30原子分率以下であることが望ましい。例えば、主スペーサ層16bが上記の金属元素のうちMgとZnだけを含んでいる場合、主スペーサ層中のGaとMgとZnの合計含有量合計原子分率に対するMgとZnの合計含有量合計原子分率の比が1以上、30以下であればよい。この際、ガリウムと当該2以上の金属元素の合計含有量に対する個々の金属元素の含有量の比が1以上、30以下である必要はない。これは、マグネシウム、亜鉛、インジウム、及びアルミニウムは、いずれも酸化ガリウムの面積抵抗のばらつきを抑えるという共通の効果を有するためである。すなわち、酸化ガリウム中に1種類の金属元素だけが存在する場合であっても、複数種類の金属元素が存在する場合であっても、酸化ガリウムの面積抵抗のばらつきを抑える効果は同程度に得られる。従って、面積抵抗のばらつきを抑える上では、これらの金属元素の合計含有量が重要である。酸化ガリウムは高いMR変化率を実現するために有望な材料であるが、酸素を含んでいるため、第1及び第2の磁性層L1,L2が主スペーサ層16bに隣接していると、第1及び第2の磁性層L1,L2に含まれるFe,Co,Ni等の元素、特にFeを酸化する傾向がある。これらの元素が酸化するとMR変化率は低下する傾向にある。そのため、主スペーサ層16bと第1の磁性層L1とが直接接触するのを避け、第1の磁性層L1の酸化を効果的に防止する目的で、スペーサ層16は、銅もしくは少なくとも一部が酸化された銅からなる第1の非磁性層16aを有していることが好ましい。第1の非磁性層16aは、亜鉛もしくは少なくとも一部が酸化された亜鉛であってもよい。銅または亜鉛の酸化は、主スペーサ層16bからの酸素の拡散により生じてもよい。第1の非磁性層16aは主スペーサ層16bと第1の磁性層L1との間に、双方に接して位置している。同様の目的で、スペーサ層16は、主スペーサ層16bと第2の磁性層L2との間に双方に接して位置する、亜鉛もしくは少なくとも一部が酸化された亜鉛からなる第2の非磁性層16cを有している。第2の非磁性層16cは、銅もしくは少なくとも一部が酸化された銅であってもよい。銅または亜鉛の酸化は、主スペーサ層16bからの酸素の拡散により生じてもよい。同様の原理により、第2の非磁性層16cは第2の磁性層L2の酸化を防止することができる。再び図1を参照すると、再生ヘッド2の上には、スパッタリング等によって形成された素子間シールド層8を介して記録ヘッド3が設けられている。記録ヘッド3はいわゆる垂直磁気記録用の構成を有している。書込のための磁極層は主磁極層21と補助磁極層22とからなる。これらの磁極層は、フレームめっき法等によって形成される。主磁極層21は、FeCoから形成され、媒体対向面Sにおいて、媒体対向面Sとほぼ直交する向きで配置されている。主磁極層21の周囲には、絶縁材料からなるギャップ層24の上を延びるコイル層23が巻回しており、コイル層23によって主磁極層21に磁束が誘導される。コイル層23は、フレームめっき法等によって形成される。この磁束は主磁極層21の内部を導かれ、媒体対向面Sから記録媒体Mに向けて放出される。主磁極層21は、媒体対向面S付近で、膜面直交方向Pだけでなく、トラック幅方向Tにも絞られており、高記録密度化に対応した微細で強い書込磁場を発生する。補助磁極層22は主磁極層21と磁気的に結合した磁性層である。補助磁極層22はNi,Fe,Coのいずれか2つまたは3つからなる合金などで形成された、膜厚約0.01μm~約0.5μmの磁極層である。補助磁極層22は主磁極層21から分岐して設けられ、媒体対向面S側ではギャップ層24及びコイル絶縁層25を介して主磁極層21と対向している。補助磁極層22の媒体対向面S側の端部は、補助磁極層22の他の部分より層断面が広いトレーリングシールド部を形成している。このような補助磁極層22を設けることによって、媒体対向面S近傍において、補助磁極層22と主磁極層21との間の磁場勾配がより急峻になる。この結果、信号出力のジッタが小さくなり、読み出し時のエラーレートを小さくすることができる。第2の実施形態本実施形態の薄膜磁気ヘッド1は、再生ヘッド2の構成を除いて、図1に示す第1の実施形態と同一である。図3及び表2には、このような磁気抵抗効果素子の層構成を示している。再生ヘッド102は、第1の実施形態と同様に多数の層が積層された磁気抵抗効果素子104と、磁気抵抗効果素子104を膜面直交方向P積層方向に挟むように設けられた上部及び下部シールド層106,105と、を有している。上部及び下部シールド層106,105はセンス電流Sの電極としても用いられ、センス電流Sを磁気抵抗効果素子104の膜面直交方向Pに流す。本実施形態では、第1の磁性層L1と第2の磁性層L2は共に、外部磁界に対して磁化方向が変化する磁化自由層115,117である。バイアス磁界印加層132は媒体対向面Sから見て磁気抵抗効果素子104の裏面側に、絶縁層131を介して設けられ、第1及び第2の磁化自由層115,117第1及び第2の磁性層L1,L2に媒体対向面Sと直交する方向のバイアス磁界を印加する。第1、第2の磁化自由層115,117の間にはスペーサ層116が設けられている。第1の磁化自由層115と下部シールド層105の間には、第1の磁気的連結層111が、第2の磁化自由層117と上部シールド層106の間には、第2の磁気的連結層118がそれぞれ設けられている。下部シールド層105は、第1の主シールド層105aと、第1の主シールド層105a上に積層された第1の反強磁性層105b及び第1の交換結合磁界印加層105cと、を有している。第1の交換結合磁界印加層105cは第1の反強磁性層105bとの反強磁性結合によって、トラック幅方向T紙面直交方向に磁化方向が固定されている。同様に、上部シールド層106は、第2の主シールド層106aと、第2の主シールド層106aの下方に積層された第2の反強磁性層106b及び第2の交換結合磁界印加層106cと、を有している。第2の交換結合磁界印加層106cは第2の反強磁性層106bとの反強磁性結合によって、トラック幅方向Tに磁化方向が固定されている。第1及び第2の交換結合磁界印加層105c,106cは、共に同じ方向に磁化されている。他の実施形態では、第1及び第2の反強磁性層105b,106bと第1及び第2の交換結合磁界印加層105c,106cを設ける代わりに、第1及び第2の主シールド層105a,106aをトラック幅方向Tに細長い形状として、形状異方性効果を用いて単磁区化し、磁化方向が同じ方向を向くようにすることもできる。第1の磁気的連結層111は、CoFeからなるギャップ調整層111b,111dとRuからなる交換結合伝達層111a,111c,111eとが交互に積層された構造を有し、交換結合伝達層111a,111eが両側端面に位置している。第2の磁気的連結層118も第1の磁気的連結層111と同様、CoFeからなるギャップ調整層118bとRuからなる交換結合伝達層118a,118cとが交互に積層された構造を有し、交換結合伝達層118a,118cが両側端面に位置している。交換結合伝達層111a,111c,111eを挟む一対の磁性層105c,111b,111d,115、及び交換結合伝達層118a,118cを挟む一対の磁性層106c,118b,117は交換結合をし、図3に示すように、磁化方向が交互に反転しているバイアス磁界は印加されていないとしている。ギャップ調整層111b,111d,118bの膜厚を調整することで、磁気抵抗効果素子104の総膜厚をシールドギャップに合わせて調整することができる。高記録密度を実現するためにはシールドギャップは小さいほど有利であるが、シールドギャップはバイアス磁界印加層132の必要膜厚によって決定される場合がある。そのような場合、ギャップ調整層111b,111d,118bの膜厚を変えることで、磁気抵抗効果素子104の総膜厚、すなわちシールドギャップを調整することが好ましい。以上説明した磁気抵抗効果素子104は以下のように作動する。まず、バイアス磁界印加層132がない仮想的な状態を考える。図4は、第1及び第2の磁化自由層115,117の磁化を示す模式図である。第1及び第2の交換結合磁界印加層105c,106cの磁化方向は交換結合伝達層111a,111c,111e,118a,118cを介してギャップ調整層111b111d118bで反転しながら、第1及び第2の磁化自由層115,117まで伝達される。従って、第1の磁化自由層115はトラック幅方向Tに、第1の交換結合磁界印加層105cの磁化方向と反平行の向きy1に磁化される。第2の磁化自由層117はトラック幅方向Tに、第2の交換結合磁界印加層106cの磁化方向と同じ向きy2に磁化される。次に、バイアス磁界が印加された状態を考える。バイアス磁界はトラック幅方向Tを向いた第1及び第2の磁化自由層115,117の磁化方向を媒体対向面Sと直交する方向に向けて回転させる。図4の実線矢印x1,x2で示すように、破線矢印y1,y2から互いに逆回りの方向に所定の角度θだけ回転し、理想的には互いに直交する。これが、外部磁界の掛っていない場合の第1及び第2の磁化自由層115,117の磁化状態である。この状態で、図中白抜き矢印で示すように外部磁界が印加されると、第1及び第2の磁化自由層115,117の磁化方向は、外部磁界の向きに応じて、互いに逆回りの方向に回転する。図中A方向に外部磁界が印加されると、第1及び第2の磁化自由層115,117の磁化方向実線矢印x1,x2は図中a方向に回転し、図中B方向に外部磁界が印加されると、第1及び第2の磁化自由層115,117の磁化方向は図中b方向に回転する。このようにして、外部磁界に応じて第1及び第2の磁化自由層115,117の磁化方向のなす相対角度が変化し、磁気抵抗効果に基づき、センス電流Sの抵抗値が変動する。この原理を利用して、磁気抵抗効果素子104は外部磁界の向き及び強度を検出することができる。このように、本実施形態の磁気抵抗効果素子104は、外部磁界に応じて磁化方向が変化する一対の磁化自由層115,117と、これらに挟まれたスペーサ層116と、を有している。磁気抵抗効果素子104は、一対の磁化自由層115,117の磁化方向がともに外部磁界に応じて回転する点で第1の実施形態と異なるが、スペーサ層116としては第1の実施形態におけるスペーサ層16と同じ構成を利用することができる。すなわち、スペーサ層116は、酸化ガリウムを主成分とする主スペーサ層116bを含んでいる。主スペーサ層116bはさらに、マグネシウム、亜鉛、インジウム、及びアルミニウムからなる群から選択された少なくとも1つの金属元素を含んでいる。スペーサ層116は、主スペーサ層116bと第1の磁性層L1との間に双方に接して位置する、銅もしくは少なくとも一部が酸化された銅からなる第1の非磁性層116aを有している。第1の非磁性層116aは、亜鉛もしくは少なくとも一部が酸化された亜鉛であってもよい。同様に、スペーサ層116は、主スペーサ層116bと第2の磁性層L2との間に双方に接して位置する、亜鉛もしくは少なくとも一部が酸化された亜鉛からなる第2の非磁性層116cを有している。第2の非磁性層116cは、銅もしくは少なくとも一部が酸化された銅であってもよい。第1及び第2の磁化自由層115,117の磁化方向は、第1及び第2の磁気的連結層111,118に含まれるRu層およびギャップ調整層の総数を調整することによって反転させることができる。例えば、上部シールド層106と下部シールド層105の磁化方向が反平行である場合、表3に示すように、第1の磁気的連結層111を2層のRu層111a,111cとその間に挿入される1層のギャップ調整層111bとで構成することによって、第1の磁化自由層115の磁化方向を反転させることができる。同様に、図示は省略するが、表2に示す構成において、第2の磁気的連結層118を第1の磁気的連結層111と同様の5層構成とすることによっても同様の効果を得ることができる。第1の実施例表1に示す層構成の多層膜を、RFスパッタリング装置を用いて、Al2O3-TiCALTICからなる基板W上に成膜した。主スペーサ層に添加する金属元素として、Mg,Zn,InまたはAlを用いた。本実施例では、これらの元素は酸化物として添加した。以下の説明では、Mg,Zn,In,Alの酸化物を総称してMOxという。主スペーサ層の膜厚は09nmとした。主スペーサ層は、Ga2O3のターゲットとMOxのターゲットを反応チャンバ内に設置し、アルゴンガスをこれらのターゲットに同時に衝突させることによって成膜した。Ga2O3にMOxを添加したターゲットを用いてもよい。第1の非磁性層16aは銅、第2の非磁性層16cは亜鉛を用いた。成膜後、250°Cで3時間熱処理を行った。磁気抵抗効果素子の平面寸法ジャンクションサイズは0.2μm×0.2μmとした。このような磁気抵抗効果素子において、Mg,Zn,In及びAlの原子分率を変化させて、MR変化率と、面積抵抗RAの平均値及びばらつきと、を求めた。Mg,Zn,In及びAlの原子分率は、Gaとこれらの金属元素の合計含有量合計原子分率に対する当該金属原子の含有量原子分率の比として規定した。つまり、原子分率の算出に当たって酸素は除外している。結果を表4及び図5に示す。面積抵抗のばらつきは各サンプルにおける面積抵抗RAの平均値をN,標準偏差をσとした時に、σ/Nとして定義した。比較例として金属酸化物を添加しない、すなわち主スペーサ層が酸化ガリウムからなる磁気抵抗効果素子を同様の工程で作成し、同様にMR変化率と、面積抵抗RAの平均値及びばらつきと、を求めた。各サンプルにおけるMR変化率は比較例におけるMR変化率を1として規格化した。どの金属酸化物を用いた場合も、金属元素1原子分率の含有量で、面積抵抗のばらつきが大きく抑制され、少なくとも30程度までの範囲ではこの効果が期待できる。一方、30原子分率を超えるとMR変化率が低下する傾向がある。含有量が30を超えると、添加された金属元素が不純物のように振舞い、スピン偏極電子を散乱してしまうためと考えられる。以上より、金属元素の含有量の上限は30原子分率、下限は1原子分率とすることが望ましい。面積抵抗の平均値は0.1~0.3Ωμm2の範囲が望ましく、ほとんどのサンプルでこの範囲内にある。Mg及びZnは、面積抵抗のばらつきを抑える効果が特に優れており、なかでもMgが最も優れている。Mgの場合、含有量が10~20の範囲が特に好ましく、Znの場合、含有量が5~20の範囲が特に好ましい。第2の実施例表2に示す層構成の多層膜を、RFスパッタリング装置を用いて、Al2O3-TiCALTICからなる基板W上に成膜した。主スペーサ層の金属酸化物MOxとしてMgO,ZnO,In2O3,及びAl2O3を用い、主スペーサ層の膜厚は09nmとした。主スペーサ層は第1の実施例と同様の工程で成膜した。第1の非磁性層116aは銅、第2の非磁性層116cは亜鉛を用いた。成膜後、250°Cで3時間熱処理を行った。磁気抵抗効果素子の平面寸法ジャンクションサイズは0.2μm×0.2μmとした。第1の実施例と同様に、Mg,Zn,In及びAlの原子分率を変化させて、MR変化率、面積抵抗RAの平均値及びばらつきを求めた。結果を表5及び図6に示す。基本的な傾向は第1の実施例と同様である。すなわち、これらの金属元素を僅かに添加しただけで面積抵抗のばらつきが大きく低下し、少なくとも30程度までの含有量の範囲ではこの効果が期待できる。MR変化率は30を上回ると低下する傾向がある。従って、金属元素の含有量の上限は第1の実施例と同様、30とすることが望ましい。金属元素の含有量と面積抵抗のばらつきの関係が第1の実施例と極めて類似していることから、本実施例においても1の含有量で十分な効果が生じると考えられる。従って、金属元素の含有量の下限は第1の実施例と同様、1とすることができる。次に、薄膜磁気ヘッド1を搭載した磁気ヘッドスライダについて説明する。図7を参照すると、磁気ヘッドスライダ210は、ほぼ六面体形状をなしており、そのうちの一面はハードディスクと対向する記録媒体対向面Sとなっている。磁気ヘッドスライダ210は、回転駆動される円盤状の記録媒体Mであるハードディスクに対向するように、ハードディスク装置内に配置されている。ハードディスクが図8におけるz方向に回転すると、ハードディスクと磁気ヘッドスライダ210との間を通過する空気流によって、磁気ヘッドスライダ210に、y方向下向きに揚力が生じる。磁気ヘッドスライダ210は、この揚力によってハードディスクの表面から浮上するようになっている。磁気ヘッドスライダ210の空気流出側の端部図8における左下の端部の近傍には、薄膜磁気ヘッド1が形成されている。図8を参照すると、ヘッドジンバルアセンブリ220は、磁気ヘッドスライダ210と、磁気ヘッドスライダ210を弾性的に支持するサスペンション221と、を備えている。サスペンション221は、ステンレス鋼によって形成された板ばね状のロードビーム222と、ロードビーム222の一端部に設けられたフレクシャ223と、ロードビーム222の他端部に設けられたベースプレート224と、を有している。フレクシャ223には磁気ヘッドスライダ210が接合され、磁気ヘッドスライダ210に適度な自由度を与える。フレクシャ223の、磁気ヘッドスライダ210が取り付けられる部分には、磁気ヘッドスライダ210の姿勢を一定に保つためのジンバル部が設けられている。ヘッドジンバルアセンブリ220をアーム230に取り付けたものはヘッドアームアセンブリ221と呼ばれる。アーム230は、磁気ヘッドスライダ210をハードディスク262のトラック横断方向xに移動させる。アーム230の一端はベースプレート224に取り付けられている。アーム230の他端部には、ボイスコイルモータの一部となるコイル231が取り付けられている。アーム230の中間部には軸受け部233が設けられている。アーム230は、軸受け部233に取り付けられた軸234によって回動自在に支持されている。アーム230及び、アーム230を駆動するボイスコイルモータは、アクチュエータを構成する。次に、図9及び図10を参照して、上述した磁気ヘッドスライダが組込まれたヘッドスタックアセンブリとハードディスク装置について説明する。ヘッドスタックアセンブリとは、複数のアームを有するキャリッジの各アームにヘッドジンバルアセンブリ220を取り付けたものである。図9はヘッドスタックアセンブリの側面図、図10はハードディスク装置の平面図である。ヘッドスタックアセンブリ250は、複数のアーム230を有するキャリッジ251を有している。各アーム230には、ヘッドジンバルアセンブリ220が、互いに間隔を開けて垂直方向に並ぶように取り付けられている。キャリッジ251の、アーム230の反対側には、ボイスコイルモータの一部となるコイル253が取り付けられている。ボイスコイルモータは、コイル253を挟んで対向する位置に配置された永久磁石263を有している。図10を参照すると、ヘッドスタックアセンブリ250は、ハードディスク装置に組込まれている。ハードディスク装置は、スピンドルモータ261に取り付けられた複数枚のハードディスク262を有している。ハードディスク262毎に、ハードディスク262を挟んで対向するように2つの磁気ヘッドスライダ210が配置されている。磁気ヘッドスライダ210を除くヘッドスタックアセンブリ250及びアクチュエータは、位置決め装置に対応し、磁気ヘッドスライダ210を支持すると共に、磁気ヘッドスライダ210をハードディスク262に対して位置決めする。磁気ヘッドスライダ210はアクチュエータによって、ハードディスク262のトラック横断方向に動かされ、ハードディスク262に対して位置決めされる。磁気ヘッドスライダ210に含まれる薄膜磁気ヘッド11は、記録ヘッド3によってハードディスク262に情報を記録し、再生ヘッド2102によってハードディスク262に記録されている情報を再生する。"