"下記一般式1で表されることを特徴とするアルキン誘導体、その互変異性体若しくは立体異性体、またはそれらの塩。前記式1中、Dは、電子供与性置換基を含む有機基を表し、Xは、酸性基を有する基を表し、Zは、チオフェン環、フラン環およびピロール環からなる群から選択される少なくとも一種の複素環を有する連結基を表す。Xが、下記式Xa~Xmのいずれかで表される基であることを特徴とする請求項1記載のアルキン誘導体、その互変異性体若しくは立体異性体、またはそれらの塩。前記式Xa~Xm中、Mは、水素原子または塩形成性陽イオンを表し、B-は、水酸化物イオンまたは塩形成性陰イオンを表す。Zが、下記一般式3で表される構造を含む原子団であることを特徴とする請求項1または2記載のアルキン誘導体、その互変異性体若しくは立体異性体、またはそれらの塩。前記式3中、R1、R2は、それぞれ独立に水素原子、置換若しくは無置換の直鎖若しくは分枝アルキル基、または置換若しくは無置換の直鎖若しくは分枝アルコキシ基を表し、R1、R2は互いに連結されて環を形成してもよく、Yは、酸素原子、硫黄原子またはNRaを表し、Raは、水素原子、置換若しくは無置換の直鎖若しくは分枝アルキル基、または置換若しくは無置換の直鎖若しくは分枝アリール基を表す。下記一般式4で表されることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のアルキン誘導体、その互変異性体若しくは立体異性体、またはそれらの塩。前記式4中、Ar1およびAr2は、それぞれ独立に置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、または、置換若しくは無置換の複素環基を表し、Ar3は置換若しくは無置換のアリーレン基、または置換もしくは無置換の二価の複素環基を表し、Mは、水素原子または塩形成性陽イオンを表し、Zは、下記一般式3で表される構造を含む連結基を表す。前記式3中、R1、R2は、それぞれ独立に水素原子、置換若しくは無置換の直鎖若しくは分枝アルキル基、または置換若しくは無置換の直鎖若しくは分枝アルコキシ基を表し、R1、R2は互いに連結されて環を形成してもよく、Yは、酸素原子、硫黄原子、またはNRaを表し、Raは、水素原子、置換若しくは無置換の直鎖若しくは分枝アルキル基、または置換若しくは無置換のアリール基を表す。請求項1から4のいずれか一項に記載のアルキン誘導体、その互変異性体若しくは立体異性体、またはそれらの塩の少なくとも一種を含むことを特徴とする光電変換用色素。請求項5記載の光電変換用色素を含む半導体層を有することを特徴とする光電気化学電池用半導体電極。前記半導体層が、酸化チタンまたは酸化亜鉛を含むことを特徴とする請求項6記載の光電気化学電池用半導体電極。請求項6または7記載の光電気化学電池用半導体電極を有することを特徴とする光電気化学電池用光電変換素子。さらに、前記光電気化学電池用半導体電極に対向する対電極を有しており、前記光電気化学電池用半導体電極と前記対電極との間に電荷輸送材料を含んでいることを特徴とする請求項8に記載の光電気化学電池用光電変換素子。請求項8または9記載の光電気化学電池用光電変換素子を有することを特徴とする光電気化学電池。上述のように、関連技術の色素増感太陽電池にはルテニウム等の貴金属を含む金属錯体が用いられているが、大量生産をする場合に、資源的な制約という点で問題が生じるおそれがある。また、太陽電池が高価なものになり、普及の妨げにもなる。このため、色素増感太陽電池における増感色素として、ルテニウム等の貴金属を含まない有機色素の開発が求められている。一般に有機色素はルテニウム錯体等の金属錯体に比べてモル吸光係数が大きく、さらに分子設計の自由度も大きいことから高い光電変換効率の色素の開発が期待されている。本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、光電変換特性に優れた光電変換用色素などに使用可能なアルキン誘導体、前記アルキン誘導体を含む光電変換特性に優れた光電変換用色素、これを用いた光電気化学電池用半導体電極、光電気化学電池用光電変換素子および光電気化学電池を提供することにある。本発明の化合物は、下記一般式1で表されることを特徴とするアルキン誘導体、その互変異性体若しくは立体異性体、またはそれらの塩である。前記式1中、Dは、電子供与性置換基を含む有機基を表し、Xは、酸性基を有する基を表し、Zは、チオフェン環、フラン環およびピロール環からなる群から選択される少なくとも一種の複素環を有する連結基を表す。本発明の光電変換用色素は、前記本発明のアルキン誘導体、その互変異性体若しくは立体異性体、またはそれらの塩の少なくとも一種を含むことを特徴とする。本発明の光電気化学電池用半導体電極は、前記本発明の光電変換用色素を含む半導体層を有することを特徴とする。本発明の光電気化学電池用光電変換素子は、前記本発明の光電気化学電池用半導体電極を有することを特徴とする。また、本発明の光電気化学電池は、前記本発明の光電気化学電池用光電変換素子を有することを特徴とする。本発明によれば、光電変換特性に優れた光電変換用色素などに使用可能なアルキン誘導体、前記アルキン誘導体を含む光電変換特性に優れた光電変換用色素、これを用いた光電気化学電池用半導体電極、光電気化学電池用光電変換素子および光電気化学電池を提供することができる。以下、本発明について例をあげて詳細に説明する。<アルキン誘導体>本発明の化合物は、前記のとおり、下記の一般式1で表されることを特徴とするアルキン誘導体、その互変異性体若しくは立体異性体、またはそれらの塩である。前記一般式1中、Dは、電子供与性置換基を含む有機基を表し、Xは、酸性基を有する基を表し、Zは、チオフェン環、フラン環およびピロール環からなる群から選択される少なくとも一種の複素環を有する連結基を表す。なお、本発明のアルキン誘導体に互変異性体または立体異性体例:幾何異性体、配座異性体および光学異性体等の異性体が存在する場合は、いずれの異性体も本発明に用いることができる。また、本発明のアルキン誘導体の塩は、酸付加塩でもよいが、塩基付加塩でもよい。さらに、前記酸付加塩を形成する酸は無機酸でも有機酸でも良く、前記塩基付加塩を形成する塩基は無機塩基でも有機塩基でもよい。前記無機酸としては、特に限定されないが、例えば、硫酸、リン酸、フッ化水素酸、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、次亜フッ素酸、次亜塩素酸、次亜臭素酸、次亜ヨウ素酸、亜フッ素酸、亜塩素酸、亜臭素酸、亜ヨウ素酸、フッ素酸、塩素酸、臭素酸、ヨウ素酸、過フッ素酸、過塩素酸、過臭素酸および過ヨウ素酸等が挙げられる。前記有機酸も特に限定されないが、例えば、p-トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、シュウ酸、p-ブロモベンゼンスルホン酸、炭酸、コハク酸、クエン酸、安息香酸および酢酸等が挙げられる。前記無機塩基としては、特に限定されないが、例えば、水酸化アンモニウム、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、炭酸塩および炭酸水素塩等があげられ、より具体的には、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、水酸化カルシウムおよび炭酸カルシウム等が挙げられる。前記有機塩基も特に限定されないが、例えば、アルコールアミン、トリアルキルアミン、テトラアルキルアンモニウム、およびトリスヒドロキシメチルアミノメタン等が挙げられる。前記アルコールアミンとしては、例えば、エタノールアミン等が挙げられる。前記トリアルキルアミンとしては、例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン等が挙げられる。前記テトラアルキルアンモニウムとしては、例えば、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラオクチルアンモニウム等が挙げられる。これらの塩の製造方法も特に限定されず、例えば、前記アルキン誘導体に、前記のような酸や塩基を公知の方法により適宜付加させる等の方法で製造することができる。また、本発明において、アルキル基の炭素数は、例えば1~12、好ましくは1~8であり、アリール基の炭素数は、例えば5~24、好ましくは6~12である。置換アルキル基または置換アリール基の場合、前記炭素数には、置換基の炭素数は含まないものとする。本発明において、アルキル基は、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、nプロピル基、イソプロピル基、nブチル基、イソブチル基、secブチル基、tertブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等が挙げられる。アルキル基を構造中に含む基アルキルアミノ基、アルコキシ基、アルカノイル基等においても同様である。本発明において、置換アルキル基は、前記アルキル基無置換アルキル基が任意の置換基で置換された置換アルキル基でよい。前記置換アルキル基の置換基は、1でも複数でもよく、複数の場合は、同一でも異なっていてもよい。前記置換アルキル基の置換基は、例えば、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリール基例えばフェニル基等が挙げられる。前記置換アルキル基としては、具体的には、例えば、ベンジル基等のアラアルキル基が挙げられる。本発明において、アリール基は、特に制限しない限り、ヘテロアリール基も含むものとし、具体的には、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、ピリジル基、キノリル基、アクリジル基、ピレニル基、フラニル基、チエニル基、カルバゾイル基、フルオレニル基等が挙げられる。本発明において、置換アリール基は、前記アリール基無置換アリール基が、任意の置換基で置換された置換アリール基でよい。前記置換アリール基の置換基は、1でも複数でもよく、複数の場合は、同一でも異なっていてもよい。前記置換アリール基の置換基は、例えば、アルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基等が挙げられる。本発明において置換または無置換のアリール基としては、具体的には、例えば、フェニル基、トリル基、4-t-ブチルフェニル基、3,5-ジ-t-ブチルフェニル基、4-メトキシフェニル基、4-N,N-ジメチルアミノフェニル基、4-ヘキシルオキシフェニル基、4-オクチルオキシフェニル基、4-α,α-ジメチルベンジルフェニル基、および、9,9-ジメチルフルオレン-2-イル基等が挙げられる。本発明において、アルケニル基は、アルキル基の任意の炭素間結合が脱水素により二重結合に変換された構造であってよい。本発明において、アシル基としては、特に限定されないが、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、シクロヘキサノイル基、ベンゾイル基、エトキシカルボニル基、等が挙げられ、アシル基を構造中に含む基アシルオキシ基、アルカノイルオキシ基等においても同様である。また、本発明において、アシル基の炭素数にはカルボニル炭素を含み、例えば、炭素数1のアルカノイル基アシル基とはホルミル基を指すものとする。本発明において、ハロゲンとは、任意のハロゲン元素を指すが、例えば、フッ素、塩素、臭素およびヨウ素が挙げられる。なお、本発明において、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルカノイル基等の鎖状の基は、特に制限しない限り、直鎖状でも分枝状でもよい。また、本発明において、置換基等に異性体が存在する場合は、特に制限しない限り、どの異性体でもよい。例えば、単にプロピル基という場合はnプロピル基およびイソプロピル基のどちらでもよい。単にブチル基という場合は、nブチル基、イソブチル基、secブチル基およびtertブチル基のいずれでもよい。単にナフチル基という場合は、1-ナフチル基および2-ナフチル基のいずれでもよい。前記一般式1中のDは、前記のとおり、電子供与性置換基を含む有機基を表す。電子供与性置換基を含む有機基Dとしては、下記一般式5で表わされる基であることが好ましい。前記式5中、Ar1およびAr2は、それぞれ独立に置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリール基または複素環基を表す。置換若しくは無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等の炭素数1~8のアルキル基、ベンジル基等のアラルキル基が挙げられ、アルキル基に結合する置換基としては、ヒドロキシ基、アルコキシ基例えば炭素数1~4のアルコキシ基、フェニル基等が挙げられる。置換若しくは無置換のアリール基としては、フェニル基、トリル基、4-t-ブチルフェニル基、3,5-ジ-t-ブチルフェニル基、4-メトキシフェニル基、4-ヘキシルオキシフェニル基、4-オクチルオキシフェニル基、4-N,N-ジメチルアミノフェニル基、4-N,N-ジフェニルアミノフェニル基、4-α,α-ジメチルベンジルフェニル基、9,9-ジメチルフルオレン-2-イル基等の炭素数6~22の置換若しくは無置換のアリール基が挙げられ、アリール基に結合する置換基としては、アルキル基例えば炭素数1~8のアルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基例えば炭素数1~8のアルコキシ基、N,N-ジアルキルアミノ基アルキル基部分は例えば炭素数1~8のアルキル基、N,N-ジフェニルアミノ基等が挙げられる。置換若しくは無置換の複素環基としては、チエニル基、フリル基、ピロリル基、インドリル基、カルバゾイル基等が挙げられ、複素環基に結合する置換基としては、アルキル基例えば炭素数1~8のアルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基例えば炭素数1~8のアルコキシ基等が挙げられる。また、Ar3は置換若しくは無置換のアリーレン基、または置換もしくは無置換の二価の複素環基を表す。置換若しくは無置換のアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられ、アリーレン基に結合する置換基としては、アルキル基例えば炭素数1~8のアルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基例えば炭素数1~8のアルコキシ基等が挙げられる。置換もしくは無置換の二価の複素環基としては、チオフェンジイル基、フランジイル基、ピロールジイル基等が挙げられ、二価の複素環に結合する置換基としては、アルキル基例えば炭素数1~8のアルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基例えば炭素数1~8のアルコキシ基等が挙げられる。前記一般式5で表わされる基以外の前記電子供与性置換基を含む有機基Dの具体的な例を、下記化学式D1~D9に示すが、これらに限定されるものではない。なお、下記化学式D3~D6、D9中のRは、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等の炭素数1~8のアルキル基を表す。前記一般式1中のXは、前記のとおり、酸性基を有する基を表す。Xは、酸性基のみからなっていてもよいし、他の基に酸性基が結合した基でもよい。Xは、酸性基を有する有機基であることが好ましい。例えば、前記酸性基が結合している前記他の基が、有機基であってもよい。前記有機基は、特に限定されないが、好ましくは、Zと共役可能な基である。前記Zと共役可能な基は、炭素間二重結合を有する基であることが、より好ましい。前記酸性基としては、例えば、カルボキシ基、スルホン酸基、若しくはホスホン酸基、またはそれらの塩が挙げられ、カルボキシ基またはその塩が特に好ましい。前記酸性基が塩の場合は、1価若しくは2価の金属塩、アンモニウム塩または有機アンモニウム塩が好ましい。1価または2価の金属塩としては、Li、Na、K、Cs等のアルカリ金属塩、Mg、Ca、Sr等のアルカリ土類金属塩が挙げられる。有機アンモニウム塩の有機基としては、炭素数1~8のアルキル基、炭素数1~8のアルケニル基、炭素数6~12のアリール基が挙げられる。前記一般式1で表わされるアルキン誘導体は、Xが酸性基を有していることで、後述の光電気化学電池用半導体電極に用いられる半導体層に吸着させることができる。酸性基を有する有機基Xの具体的な例を下記化学式Xa~Xmに示す。これらの有機基Xは、酸性基の他に、炭素間炭素炭素二重結合を有し、この炭素炭素二重結合の一方の炭素に連結基Zの一方の結合手が結合し、他方の炭素にシアノ基、カルボニル基、他の炭素炭素二重結合の炭素、炭素窒素二重結合の炭素のいずれかが結合している。ただし、有機基Xは、これらに限定されるものではない。また、化学式Xa~Xmで表される有機基Xは、Z体およびE体のいずれでもよい。すなわち、これらの有機基Xは、化学式Xa~Xmで表されるとおりの構造でもよいし、その幾何異性体でもよい。前記式Xa~Xm中、Mは、水素原子または塩形成性陽イオンを表し、B-は、水酸化物イオンまたは塩形成性陰イオンを表す。なお、MおよびB-は、1価のイオンであってもよいが、多価イオンであってもよい。MまたはB-が多価イオンである場合は、前記式Xa~Xm中における個数が、価数分の1であってもよい。例えば、Mは、1/2Mg2であってもよいし、B-は、1/2SO42-であってもよいが、これらに限定されるものではない。塩形成性陽イオンMとしては、カルボキシ基と塩を形成し得る各種の陽イオンが挙げられる。このような陽イオンとしては、例えば、アンモニウムカチオンNH4;アミンから誘導された有機アンモニウムカチオンA1A2A3A4N、A1~A4は水素原子または有機基を示すが、その少なくとも1つは有機基である;Li、Na、K、Cs等のアルカリ金属イオン;Mg2、Ca2、Sr2等のアルカリ土類金属イオン等が挙げられる。有機アンモニウムカチオンの有機基としては、例えば、炭素数1~8のアルキル基、炭素数1~8のアルケニル基、炭素数6~12のアリール基が挙げられる。酸性基を有する有機基Xは、下記化学式X1~X16で表されることがより好ましい。また、化学式X1~X16で表される有機基Xは、Z体およびE体のいずれでもよい。すなわち、これらの有機基Xは、化学式X1~X16で表されるとおりの構造でもよいし、その幾何異性体でもよい。前記有機基Xは、下記一般式2で表される基であることがさらに好ましい。前記一般式2中、Mは、水素原子または塩形成性陽イオンを表し、前記式Xa~Xm中のMと同様である。前記一般式1中のZは、チオフェン環、フラン環およびピロール環の中から選ばれる少なくとも一種の複素環を有する連結基を表す。連結基Zは、特に限定されないが、Zが結合している炭素炭素三重結合すなわち、前記一般式1中に示す-C≡C-と共役可能な原子団であることが好ましい。また、連結基Zは、少なくとも下記一般式3で表される構造を有する連結基であることが好ましい。前記一般式3中、R1、R2は、それぞれ独立に水素原子、置換若しくは無置換の直鎖若しくは分枝アルキル基、または置換若しくは無置換の直鎖若しくは分枝アルコキシ基を表し、R1、R2は互いに連結されて環を形成してもよい。置換若しくは無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等の炭素数1~8のアルキル基が挙げられ、アルキル基に結合する置換基としては、ヒドロキシ基、アルコキシ基等が挙げられる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1~4のアルコキシ基が挙げられる。前記一般式3中、Yは酸素原子、硫黄原子またはNRaを表し、Raは水素原子、置換若しくは無置換の直鎖若しくは分枝アルキル基、または置換若しくは無置換のアリール基を表す。置換若しくは無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等の炭素数1~8のアルキル基、ベンジル基等のアラルキル基が挙げられ、アルキル基に結合する置換基としては、ヒドロキシ基、アルコキシ基例えば、炭素数1~4のアルコキシ基、フェニル基等が挙げられる。置換若しくは無置換のアリール基としては、フェニル基、トリル基、4-t-ブチルフェニル基、3,5-ジ-t-ブチルフェニル基、4-メトキシフェニル基、4-N,N-ジメチルアミノフェニル基等の炭素数6~22の置換若しくは無置換のアリール基が挙げられる。アリール基に結合する置換基としては、アルキル基例えば、炭素数1~8のアルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基例えば、炭素数1~4のアルコキシ基、N,N-ジアルキルアミノ基アルキル基部分は、例えば、炭素数1~8のアルキル基等が挙げられる。前記連結基Zの具体的な例を化学式Z1~Z24に示すが、これらに限定されるものではない。これらの例は、複素環に結合手を有する二価基であり、複素環が複数ある場合は、複素環を構成する炭素同士が直接結合するか、または縮合環を形成して結合している。また、これらの連結基が複数個連結した基であってもよい。また、前記一般式1で表されるアルキン誘導体、その互変異性体若しくは立体異性体、またはそれらの塩におけるXおよびZの組合せとしては、例えば、下記a~m-1~24が挙げられる。下記表中、XaはX1~X4に置き換えてもよく、XbはX5に置き換えてもよく、XcはX6に置き換えてもよく、XdはX7に置き換えてもよく、XeはX8に置き換えてもよく、XfはX9に置き換えてもよく、XgはX10に置き換えてもよく、XhはX11に置き換えてもよく、XiはX12に置き換えてもよく、XjはX13に置き換えてもよく、XkはX14に置き換えてもよく、XlはX15に置き換えてもよく、XmはX16に置き換えてもよい。また、前記一般式1で表されるアルキン誘導体、その互変異性体若しくは立体異性体、またはそれらの塩において、電子供与性置換基を含む有機基Dが式5で表わされる場合、Ar1~Ar3の組合せとしては、例えば、下記Ar-1~Ar-16が挙げられる。下記Ar-1~Ar-16は、Ar1およびAr2が同じ原子団である組合せを示しているが、これに限定されず、Ar1およびAr2は異なっていてもよい。本発明のアルキン誘導体は、下記一般式4で表わされるアルキン誘導体であることがさらに好ましい。前記一般式4中、Ar1およびAr2は、それぞれ独立に置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリール基、または、置換若しくは無置換の複素環基を表す。置換若しくは無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等の炭素数1~8のアルキル基、ベンジル基等のアラルキル基が挙げられ、アルキル基に結合する置換基としては、ヒドロキシ基、アルコキシ基例えば炭素数1~4のアルコキシ基、フェニル基等が挙げられる。置換若しくは無置換のアリール基としては、フェニル基、トリル基、4-t-ブチルフェニル基、3,5-ジ-t-ブチルフェニル基、4-メトキシフェニル基、4-ヘキシルオキシフェニル基、4-オクチルオキシフェニル基、4-N,N-ジメチルアミノフェニル基、4-N,N-ジフェニルアミノフェニル基、4-α,α-ジメチルベンジルフェニル基、9,9-ジメチルフルオレン-2-イル基等の炭素数6~22の置換若しくは無置換のアリール基が挙げられ、アリール基に結合する置換基としては、アルキル基例えば炭素数1~8のアルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基例えば炭素数1~8のアルコキシ基、N,N-ジアルキルアミノ基アルキル基部分は例えば炭素数1~8のアルキル基、N,N-ジフェニルアミノ基等が挙げられる。置換若しくは無置換の複素環基としては、チエニル基、フリル基、ピロリル基、インドリル基、カルバゾイル基等が挙げられ、複素環基に結合する置換基としては、アルキル基例えば炭素数1~8のアルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基例えば炭素数1~8のアルコキシ基等が挙げられる。また、Ar3は置換若しくは無置換のアリーレン基、または置換もしくは無置換の二価の複素環基を表す。置換若しくは無置換のアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられ、アリーレン基に結合する置換基としては、アルキル基例えば炭素数1~8のアルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基例えば炭素数1~8のアルコキシ基等が挙げられる。置換もしくは無置換の二価の複素環基としては、チオフェンジイル基、フランジイル基、ピロールジイル基等が挙げられ、二価の複素環に結合する置換基としては、アルキル基例えば炭素数1~8のアルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基例えば炭素数1~8のアルコキシ基等が挙げられる。前記一般式4中のMは、水素原子または塩形成性陽イオンを表し、前記式Xa~Xm中のMと同様である。また、前記一般式4中のZは、前記一般式1中のZと同じであり、好ましくは、前記一般式3で表される構造を含む連結基を表す。本発明の化合物は、下記式TA-1で表されるアルキン誘導体、その互変異性体若しくは立体異性体、またはそれらの塩であることが特に好ましい。また、本発明の化合物は、下記式TA-2で表されるアルキン誘導体、その互変異性体若しくは立体異性体、またはそれらの塩であることも特に好ましい。また、前記化合物TA-1およびTA-2の他には、例えば、下記表7に示す化合物TA-3~TA-6等が特に好ましい。下記表7に、化合物TA-3~TA-6の構造を、前記式1におけるD、XおよびZの組み合わせで示す。また、これら化合物TA-3~TA-6は、後述の製造方法および実施例を参照することにより、当業者であれば、過度の試行錯誤や複雑高度な実験等をすることなく、化合物TA-1またはTA-2に準じて容易に製造し、かつ使用することができる。なお、下記表7中の化合物TA-1~TA-6のそれぞれにおけるXおよびZの組み合わせは、例えば、上記表1~5におけるXおよびZの組み合わせのいずれかで置き換えてもよい。また、本発明の化合物は、これらの例に限定されず、D、XおよびZの組み合わせは任意であり、例えば、前記表1~5の任意の組み合わせと、前記D1~D9とを、それぞれ組み合わせることが可能である。また、例えば、Dが式5で表わされる場合、前記表1~5の任意の組み合わせと、前記表6の任意の組み合わせとを、組み合わせることが可能である。また、本発明のアルキン誘導体、その互変異性体若しくは立体異性体、またはそれらの塩は、電子供与性置換基を含む有機基と連結基が炭素炭素三重結合-C≡C-で連結した構造を有している。炭素炭素三重結合の解離エネルギーは956.6kJ/molであり、炭素炭素二重結合-C=C-の解離エネルギー719kJ/mol化学便覧基礎編II、p317に記載より大きい。そのため、電子供与性置換基を含む有機基と連結基を炭素炭素二重結合で連結するより、炭素炭素三重結合で連結する方が、熱安定性に優れた色素となることが期待できる。さらに炭素炭素二重結合を有する化合物は、一般に光によりシス-トランス異性化を起こすことが知られており、炭素炭素二重結合を有する色素は耐光性に課題を有すると考えられる。しかし、本発明のアルキン誘導体のような炭素炭素三重結合では、そのような異性化反応が起こらないため、より耐光性に優れた色素となりうる。本発明のアルキン誘導体、その互変異性体若しくは立体異性体、またはそれらの塩は、例えば、光電変換特性に優れた光電変換用色素に有用であるが、これに限定されず、どのような用途に用いてもよい。<アルキン誘導体の製造方法>前記一般式1で表されるアルキン誘導体、その互変異性体若しくは立体異性体、またはそれらの塩の製造方法は、特に限定されず、任意であるが、例えば、下記スキームに示す製造方法でもよい。下記スキームは、具体的には、下記一般式Iで表される化合物と、下記一般式IIで表される化合物とのカップリング反応により、下記一般式IIIで表される化合物を製造する第1カップリング工程、下記一般式IIIで表される化合物を脱保護して下記一般式IVで表される化合物を製造する脱保護工程、下記一般式IVで表される化合物と下記一般式Vで表される化合物とをカップリング反応させて下記一般式VIで表される化合物を製造する第2カップリング工程、および、下記一般式VI中のQ2を変換して酸性基Xを導入し、前記一般式1で表される化合物を製造する酸性基導入工程を含む。前記一般式I、III、IVおよびVI中、Dは、前記一般式1と同じであり、前記一般式IIおよびIII中、Q1は、保護基であり、前記一般式I中、Hal1は、ハロゲンであり、前記一般式V中、Hal2は、ハロゲンであり、Hal1とHal2は同一でも異なっていてもよく、前記一般式VおよびVI中、Zは、前記一般式1と同じであり、Q2は、酸性基Xに変換可能な任意の置換基である。前記第1カップリング工程、前記脱保護工程、前記第2カップリング工程、および前記酸性基導入工程において、反応時間、反応温度、各反応物質の使用量等は特に限定されず、例えば、公知の類似の反応等を参考にして適宜設定してもよい。また、前記各工程において、前記各反応物質以外に、溶媒、触媒等を適宜使用してもよいし、使用しなくてもよい。Hal1およびHal2は、特に限定されないが、反応性の観点から、塩素、臭素またはヨウ素が好ましく、臭素またはヨウ素がより好ましい。前記第1カップリング工程および前記第2カップリング工程は、それぞれ、パラジウム触媒および塩基の存在下で行うことが好ましく、さらに銅触媒を共存させて行っても良い。このようなカップリング反応は、例えば、薗頭カップリングなどと呼ばれることがある。前記一般式VおよびVI中、Q2が、下記一般式VIIで表されるアシル基であり、前記一般式I中、Xが、下記一般式VIIIで表される酸性基であり、前記酸性基導入工程において、Q2にシアノ酢酸を反応させてXに変換することが好ましい。前記一般式VIIおよびVIII中、R10は、水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、または置換若しくは無置換のアリール基であり、前記一般式VIII中、-COOHのHは、例えば、前記一般式2と同じMで置換してもよい。<光電変換用色素>本発明の光電変換用色素は、前記本発明のアルキン誘導体、その互変異性体若しくは立体異性体、またはそれらの塩の少なくとも一種を含む。前記化合物等は、光電変換特性に優れた光電変換用色素として有用である。<光電気化学電池用光電変換素子>本発明の光電気化学電池用光電変換素子の一例の断面構造を模式的に図1に示す。図1に示した光電変換素子は、光電気化学電池用半導体電極4と、対電極8と、両極間に保持された電解質層電荷輸送層5とを備える。光電気化学電池用半導体電極4は、光透過性基板3および透明導電層2を含む導電性基板と、半導体層1とを備える。対電極8は、触媒層6と、基板7とを備える。なお、半導体層1には前記光電変換用色素が吸着されている。この光電気化学電池用光電変換素子に光を入射すると、半導体層1に吸着している光電変換用色素が励起され、電子を放出する。この電子は、半導体の伝導帯に移動し、さらに拡散により透明導電層2に移動する。透明導電層2中の電子は、外部回路図示せずを経由して、対電極8に移動する。そして、電子を放出した光電変換用色素酸化された色素は、電解質層5から電子を受け取り還元され、もとの状態に戻り、光電変換用色素が再生する。一方、対極に移動した電子は電解質層5に付与され、電解質が還元される。このようにして光電変換素子は電池として機能する構成となっている。以下、図1に示す光電気化学電池用光電変換素子を例に挙げて各構成要素を説明する。<光電気化学電池用半導体電極>光電気化学電池用半導体電極4は、上述のとおり、光透過性基板3および透明導電層2を含む導電性基板と、半導体層1とを備える。図1に示すように、光透過性基板3と、透明導電層2と、半導体層1とが素子の外側から内側に向かってこの順に積層されている。この半導体層1には光電変換用色素図示せずが吸着されている。<導電性基板>光電気化学電池用半導体電極4を構成する導電性基板は、基板自体が導電性を有している単層構造であってもよいし、基板上に導電層を形成した2層構造であってもよい。図1に示す光電気化学電池用光電変換素子の導電性基板は、光透過性基板3上に、透明導電層2を形成した2層構造を有している。導電性基板に用いられる基板としては、例えば、ガラス基板、プラスチック基板、金属板などが挙げられる。中でも光透過性の高い基板、例えば、透明なプラスチック基板が特に好ましい。透明なプラスチック基板の材料としては、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリカーボネートPC、ポリシクロオレフィン、ポリフェニレンスルフィド等が挙げられる。また、基板例えば光透過性基板3上に形成される導電層例えば透明導電層2は、特に限定されるものではないが、例えば酸化インジウムスズIndium-Tin-Oxide:ITO、フッ素ドープ酸化スズFluorinedopedTinOxide:FTO、インジウム-亜鉛酸化物IndiumZincOxide:IZO、酸化スズSnO2などの透明材料から構成された透明導電層が好ましい。基板上に形成される導電層は、基板の全面または一部の面に膜状に形成することができる。この導電層の膜厚は、適宜選択することができるが、0.02μm以上10μm以下程度が好ましい。このような導電層は、通常の成膜技術を利用して形成できる。なお、本実施形態における導電性基板は、導電性基板の抵抗を下げる目的で、金属リード線を付与することもできる。前記金属リード線の材質としては、アルミニウム、銅、金、銀、白金、ニッケル等の金属が挙げられる。前記金属リード線は、蒸着、スパッタリング等で作製できる。前記基板例えば光透過性基板3上に金属リード線を形成した後、この金属リード線上に導電層例えばITOやFTO等の透明導電層2を設けることができる。または基板例えば光透過性基板3上に導電層例えば透明導電層2を設けた後、この導電層上に金属リード線を作製してもよい。以下の実施形態の説明は、光電気化学電池用半導体電極4における導電性基板として、光透過性基板3上に透明導電層2を形成した2層構造の導電性基板を用いた例を前提に説明するが、この例に限定されるものではない。<半導体層>半導体層1を構成する材料としては、シリコン、ゲルマニウム等の単体半導体、金属カルコゲニド等の化合物半導体、ペロブスカイト構造を有する化合物等を使用することができる。金属カルコゲニドとしては、チタン、スズ、亜鉛、鉄、タングステン、インジウム、ジルコニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、ストロンチウム、ハフニウム、セリウム、ランタン等の酸化物;カドミウム、亜鉛、鉛、銀、アンチモン、ビスマス等の硫化物;カドミウム、鉛等のセレン化物;カドミウムのテルル化物等が挙げられる。他の化合物半導体としては、亜鉛、ガリウム、インジウム、カドミウム等のリン化物;ガリウム砒素;銅-インジウム-セレン化物;銅-インジウム-硫化物等が挙げられる。また、ペロブスカイト構造を有する化合物としては、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、ニオブ酸カリウム等の通常知られている半導体化合物が挙げられる。これらの半導体材料は単独で用いることも2種類以上を混合して用いることもできる。これらの半導体材料の中でも、変換効率、安定性、安全性の観点から、酸化チタンまたは酸化亜鉛を含む半導体材料が好ましく、酸化チタンを含む半導体材料がより好ましい。酸化チタンとしては、アナターゼ型酸化チタン、ルチル型酸化チタン、無定形酸化チタン、メタチタン酸、オルソチタン酸などの種々のタイプの酸化チタンが挙げられ、また、含酸化チタン複合体を用いることができる。これらの中でも、光電変換の安定性をさらに向上させる観点からは、アナターゼ型酸化チタンが好ましい。半導体層の形態としては、半導体微粒子などを焼結することにより得られる多孔性の半導体層、ゾル-ゲル法やスパッタ法、スプレー熱分解法などにより得られる薄膜状半導体層等が挙げられる。また、繊維状半導体層や、針状晶からなる半導体層としてもよい。これらの半導体層の形態は、光電変換素子の使用目的に応じて、適宜選択することができる。これらの中でも、色素吸着量などの観点から、多孔性の半導体層、針状晶からなる半導体層などの比表面積の大きな半導体層が好ましい。さらに、半導体微粒子の粒径により入射光の利用率などを調整できる観点から、半導体微粒子から形成される多孔性の半導体層が好ましい。また、半導体層は、単層であっても多層であってもよい。多層にすることによって、充分な厚さの半導体層をさらに容易に形成することができる。また、半導体微粒子から形成される多孔性の半導体層が多層の場合は、半導体微粒子の平均粒径の異なる複数の半導体層を形成してもよい。例えば、光入射側に近い方の半導体層第1半導体層の半導体微粒子の平均粒径を、光入射側から遠い方の半導体層第2半導体層より小さくしてもよい。このようにすれば、第1半導体層で多くの光を吸収させるとともに、第1半導体層を通過した光を第2半導体層で効率よく散乱させて第1半導体層に戻し、戻した光を第1半導体層で吸収させることにより、全体の光吸収率をより一層向上させることができる。半導体層の膜厚は、特に限定されるものではないが、透過性、変換効率などの観点より、例えば0.5μm以上45μm以下とすることができる。より好ましくは、1μm以上30μm以下である。半導体層の比表面積は、多量の色素を吸着させる観点から、例えば10m2/g以上200m2/g以下とすることができる。また、多孔性の半導体層に前記色素を吸着させた構成の場合、電解質中のイオンがさらに充分に拡散して電荷輸送が行われる観点から、多孔性の半導体層の空隙率は例えば40以上80以下とすることが好ましい。ここで、空隙率とは、半導体層の体積のうち当該半導体層中の細孔が占める体積の割合をパーセントで示したものである。<半導体層の形成方法>次に、半導体層1の形成方法について、多孔性の半導体層である場合を例にとって説明する。多孔性の半導体層は、例えば、次のようにして形成することができる。まず、半導体微粒子を樹脂などの有機化合物および分散剤とともに、有機溶媒や水などの分散媒に加えて懸濁液を調製する。そして、この懸濁液を、導電性基板図1における透明導電層2上に塗布し、これを乾燥、焼成することで半導体層が得られる。半導体微粒子とともに分散媒に有機化合物を添加しておくと、焼成時に有機化合物が燃焼して、多孔性の半導体層内に、さらに充分な隙間空隙を確保することが可能となる。また焼成時に燃焼する有機化合物の分子量や添加量を制御することで、空隙率を変化させることができる。前記有機化合物としては、懸濁液中に溶解し、焼成するときに燃焼して除去できるものであれば特に制限されない。例えば、ポリエチレングリコール、セルロースエステル樹脂、セルロースエーテル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、シリコン樹脂が挙げられ、また、スチレン、酢酸ビニル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル等のビニル化合物の重合体や共重合体等が挙げられる。有機化合物の種類や配合量は、使用する微粒子の種類や状態、懸濁液の組成比や総重量等に応じて適宜選択することができる。前記半導体微粒子の割合は懸濁液全体の総重量に対して10質量以上40質量以下であることが好ましい。前記半導体微粒子の割合が懸濁液全体の総重量に対して10質量以上のときは、作製した膜の強度をより一層充分に強くすることができる。また、前記半導体微粒子の割合が懸濁液全体の総重量に対して40質量以下であれば、空隙率が大きな多孔性の半導体層をより一層安定的に得ることができる。前記半導体微粒子としては、適当な平均粒径、例えば、1nm以上500nm以下程度の平均粒径を有する単一または複数の化合物半導体の粒子などを用いることができる。その中でも比表面積を大きくするという点からは、1nm以上50nm以下程度の平均粒径のものが望ましい。また入射光の利用率を高めるために、200nm以上400nm以下程度の平均粒径の比較的大きな半導体粒子を添加してもよい。また、前記半導体微粒子の製造方法としては、水熱合成法などのゾル-ゲル法、硫酸法、塩素法などが挙げられ、目的の微粒子を製造できる方法であれば制限されないが、結晶性の観点からは、水熱合成法により合成することが好ましい。前記懸濁液に用いる分散媒としては、エチレングリコールモノメチルエーテル等のグライム系溶媒;イソプロピルアルコール等のアルコール類;イソプロピルアルコール/トルエン等の混合溶媒;水等が挙げられる。前記懸濁液の塗布は、ドクターブレード法、スキージ法、スピンコート法、スクリーン印刷法等の通常の塗布方法により行うことができる。懸濁液の塗布後に行う塗膜の乾燥、焼成の条件は、例えば、大気下または不活性ガス雰囲気下、50°C以上800°C以下程度の範囲内で、10秒から12時間程度とすることができる。この乾燥および焼成は、単一の温度で1回または複数回行ってもよく、温度を変化させて複数回行ってもよい。多孔性の半導体層以外の他の種類の半導体層は、光電気化学電池用光電変換素子に用いられる半導体層の通常の形成方法を用いて形成することができる。<光電変換用色素の吸着方法>前記光電変換用色素は、上述したとおりである。半導体層1に前記色素を吸着させる方法としては、例えば、前記色素を溶かした溶液に、半導体基板すなわち半導体層1を備えた導電性基板を浸漬させる方法、あるいは前記色素の溶液を半導体層1に塗布して吸着させる方法が挙げられる。この色素溶液の溶媒としては、アセトニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等のニトリル系溶媒;メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒;酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒;テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒;N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン等のアミド系溶媒;ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン等のハロゲン系溶媒;トルエン、キシレン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒;水を挙げることができる。これらは、単独で用いても、2種以上混合して用いてもよい。色素溶液に半導体基板を浸漬させる方法を採用する場合、前記色素溶液に前記半導体基板を浸漬させている際に、溶液を攪拌したり、加熱還流をしたり、超音波を印加したりすることもできる。色素の吸着処理を行った後、吸着されずに残った色素を取り除くために、アルコール等の溶媒で洗浄することが望ましい。色素の担持量は、例えば、1×10-10mol/cm2以上1×10-4mol/cm2以下の範囲内に設定でき、1×10-9mol/cm2以上9.0×10-6mol/cm2以下の範囲が好ましい。この範囲内であれば、経済的且つ十分に光電変換効率向上の効果を得ることができる。また、光電変換できる波長域をできるだけ広くするとともに変換効率を上げるために、二種以上の光電変換用色素を混合して用いてもよく、その場合、前記色素の吸収波長域と強度を考慮して、前記色素の種類と割合を適宜選択することが好ましい。また、色素同士の会合による変換効率の低下を抑制するため、色素を吸着させる際に添加剤を併用してもよい。このような添加剤としては、カルボキシ基を有するステロイド系化合物例えば、デオキシコール酸、コール酸、ケノデオキシコール酸等が挙げられる。<対電極>本例における対電極8は、基板7上に触媒層6を有している。この光電気化学電池用光電変換素子では、光の入射に起因して半導体層1に吸着した色素から発生したホールが、電解質層5を通して対電極8まで運ばれるが、対電極8は電子とホールが効率よく対消滅するという機能を果たせれば材料に制限はない。触媒層6は、例えば、蒸着法などによって、例えば、基板7上に金属蒸着膜として形成することができる。触媒層6は、例えば、基板7に形成されたPt層であってもよい。また、触媒層6は、ナノカーボン材料を含んでいてもよい。例えば、カーボンナノチューブ、カーボンナノホーンまたはカーボンファイバーを含んだペーストを多孔性絶縁膜上に焼結して触媒層6を形成してもよい。ナノカーボン材料は比表面積が大きく、電子とホールの対消滅確率を向上できる。基板7としては、ガラスや高分子フィルム等の透明基板、金属板箔などが挙げられる。光透過性の対電極8を作製する場合は、基板7として透明電導膜付きガラスを選択し、その上に蒸着法やスパッタ法を用いて白金やカーボンなどを触媒層6として形成して作製することができる。<電解質層電荷輸送層>電解質層電荷輸送層5は、光の入射に起因して半導体層1に吸着した色素から発生したホールを対電極8へ輸送する機能を有する。電解質層5には電荷輸送材料が含まれている。電解質層5としては、酸化還元対を有機溶媒に溶解した電解液、酸化還元対を有機溶媒に溶解した液体をポリマーマトリックスに含浸したゲル電解質、酸化還元対を含有する溶融塩、固体電解質、有機正孔輸送材料等を用いることができる。前記電解質層は、電解質、溶媒および添加剤から構成することができる。電解質としては、LiI、NaI、KI、CsI、CaI2等の金属ヨウ化物、テトラアルキルアンモニウムヨーダイド、ピリジニウムヨーダイド、イミダゾリウムヨーダイド等の4級アンモニウム化合物のヨウ素塩等のヨウ化物とI2との組み合わせ;LiBr、NaBr、KBr、CsBr、CaBr2等の金属臭化物、テトラアルキルアンモニウムブロマイド、ピリジニウムブロマイド等の4級アンモニウム化合物の臭素塩等の臭化物とBr2との組み合わせ;フェロシアン酸塩-フェリシアン酸塩やフェロセン-フェリシニウムイオン等の金属錯体;ポリ硫化ナトリウム、アルキルチオール-アルキルジスルフィドなどのイオウ化合物;ビオロゲン色素;ヒドロキノン-キノン等が挙げられる。これらの中でも、LiIとピリジニウムヨーダイドとの組み合わせ、またはイミダゾリウムヨーダイドとI2との組み合わせが好ましい。また、上記の電解質は単独で用いても、2種以上を混合して用いてもよい。また、電解質として、室温で溶融状態の溶融塩を用いることもでき、この場合は溶媒を用いなくてもよい。前記溶媒としては、例えば、エチレンカーボネート、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート系溶媒;N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミドなどのアミド系溶媒;メトキシプロピオニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル、アセトニトリル等のニトリル系溶媒;γ-ブチロラクトンやバレロラクトン等のラクトン系溶媒;テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールジアルキルエーテル等のエーテル系溶媒;メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒;ジメチルスルホキシド、スルホラン等の非プロトン性極性溶媒;2-メチル-3-オキサゾリジノン、2-メチル-1,3-ジオキソラン等の複素環化合物等が挙げられる。これらの溶媒は単独で用いても、二種以上を混合して用いてもよい。前記電解質層には、暗電流を抑制するために塩基性化合物を加えてもよい。塩基性化合物の種類としては、特に限定されるものではないが、t-ブチルピリジン、2-ピコリン、2,6-ルチジン等が挙げられる。塩基性化合物を添加する場合の添加濃度は、例えば、0.05mol/L以上2mol/L以下程度とすることができる。前記電解質層として、固体状の電解質を用いることもできる。この固体状の電解質としては、ゲル電解質や完全固体電解質を用いることができる。ゲル電解質としては、ゲル化剤中に電解質若しくは常温溶融塩を添加したもの等を用いることができる。ゲル化の方法としては、ポリマーやオイルゲル化剤の添加、共存する多官能モノマー類の重合、または、ポリマーの架橋反応等の手法によりゲル化できる。ポリマーの添加によりゲル化させる際のポリマーとしては、ポリアクリロニトリルやポリフッ化ビニリデン等が挙げられる。オイルゲル化剤としては、ジベンジルデン-D-ソルビトール、コレステロール誘導体、アミノ酸誘導体、トランス-1R,2R-1,2-シクロヘキサンジアミンのアルキルアミド誘導体、アルキル尿素誘導体、N-オクチル-D-グルコンアミドベンゾエート、双頭型アミノ酸誘導体、4級アンモニウム塩誘導体等が挙げられる。多官能モノマーの重合によりゲル化を行う場合、使用するモノマーとしては、エチレン性不飽和基を2個以上有する化合物であるのが好ましく、例えば、ジビニルベンゼン、エチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート等が挙げられる。ゲル化の際、多官能モノマー以外に単官能モノマーを含んでもよい。単官能モノマーとしては、アクリルアミド、N-イソプロピルアクリルアミド、メチルアクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート等のアクリル酸やα-アルキルアクリル酸類から誘導されるエステル類;アミド類;マレイン酸ジメチル、フマル酸ジエチル、マレイン酸ジブチル等のマレイン酸やフマル酸から誘導されるエステル類;ブタジエン、イソプレン、シクロペンタジエン等のジエン類;スチレン、p-クロロスチレン、スチレンスルホン酸ナトリルム等の芳香族ビニル化合物;酢酸ビニル等のビニルエステル類;アクリロニトリル、メタクリロニトリル等のニトリル類;ビニルカルバゾール等の含窒素複素環を有するビニル化合物;4級アンモニウム塩を有するビニル化合物;その他、N-ビニルホルムアミド、ビニルスルホン酸、ビニリデンフルオライド、ビニルアルキルエーテル類、N-フェニルマレイミド等が挙げられる。モノマー全量に占める多官能モノマーは、0.5質量以上70質量以下が好ましく、1.0質量以上50質量以下がより好ましい。ゲル化のための前記モノマーの重合は、ラジカル重合法等により行うことができる。このラジカル重合は、加熱、光、紫外線若しくは電子線により、または電気化学的に行うことができる。加熱により架橋高分子を形成する場合に用いる重合開始剤としては、例えば、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、2,2’-アゾビスジメチルバレロニトリル等のアゾ系開始剤、ベンゾイルパーオキシド等の過酸化物系開始剤等が挙げられる。重合開始剤の添加量は、モノマーの総量に対して0.01質量以上15質量以下が好ましく、0.05質量以上10質量以下がより好ましい。ポリマーの架橋反応によりゲル化を行う場合、架橋反応に必要な反応性基を有するポリマーおよび架橋剤を併用することが望ましい。好ましい架橋性反応基は、ピリジン環、イミダゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、トリアゾール環、モルホリン環、ピペリジン環、ピペラジン環等の含窒素複素環であり、好ましい架橋剤は、ハロゲン化アルキル、ハロゲン化アラルキル、スルホン酸エステル、酸無水物、酸クロライド、イソシアネート等の窒素原子に対して求電子置換反応可能な2官能以上の化合物が挙げられる。前記完全固体電解質としては、例えば、電解質とイオン伝導性高分子化合物の混合物を用いることができる。このイオン伝導性高分子化合物としては、例えば、ポリエーテル類、ポリエステル類、ポリアミン類、ポリスルフィド類等の極性高分子化合物が挙げられる。前記電荷輸送材料としては、例えば、ヨウ化銅、チオシアン化銅等の無機の正孔輸送材料を用いることができる。前記無機の正孔輸送材料は、キャスト法、塗布法、スピンコート法、浸漬法、電解めっき等の方法により電極内部に導入することができる。本例の光電気化学電池用光電変換素子においては、電荷輸送材料として有機の正孔輸送材料を使用することもできる。前記有機の正孔輸送材料としては、2,2’,7,7’-テトラキスN,N-ジ-p-メトキシフェニルアミン-9,9’-スピロビフルオレン例えばAdv.Mater.2005,17,813に記載の化合物、N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス3-メチルフェニル-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミン等の芳香族ジアミン例えば米国特許第4,764,625号明細書に記載の化合物、トリフェニルアミン誘導体例えば特開平4-129271号公報に記載の化合物、スチルベン誘導体例えば特開平2-51162号公報に記載の化合物、ヒドラゾン誘導体例えば特開平2-226160号公報に記載の化合物等が挙げられる。前記有機の正孔輸送材料は、真空蒸着法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法、電解重合法等の方法により電極内部に導入することができる。前記電解質層5の作製は、例えば、以下の2通りの方法により行うことができる。一つは、光電変換用色素を吸着させた半導体層1の上に、先に対電極8を貼り合わせて、その隙間に液状の電解質層5を導入する方法である。もう一つは、半導体層1の上に直接電解質層5を形成する方法である。後者の場合、対電極8は電解質層5を形成した後その上に形成することになる。以上に説明した光電気化学電池用光電変換素子を用いて光電気化学電池を提供することができる。この光電気化学電池は、太陽電池として好適に利用することができる。以下、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。実施例1<アルキン誘導体TA-1の合成>下記の反応式に従って、下記の通り、アルキン誘導体TA-1を合成した。4-ヨード-4’,4’’-ジメトキシトリフェニルアミン30gをジエチルアミン630mLに溶解し、そこにヨウ化銅CuI317mgとビストリフェニルホスフィンパラジウムIIジクロリド2.22gを加え、さらにトリメチルシリルアセチレン11.4mLを加え、60°Cで1.5時間攪拌した。室温に戻した後、溶媒を減圧下留去し、残渣に水100mLを加え、ジエチルエーテルで抽出し、水100mLで洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下留去し、残渣をシリカゲルカラム溶出液:ヘキサン/クロロホルム=3/1で精製することで化合物A1を31g得た。次に、15.5gのA1をメタノール100mLに溶解し、そこに炭酸カリウム6.92gを加え、室温で1時間攪拌した。セライトろ過し、溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルカラム溶出液:ヘキサン/クロロホルム=3/1で精製することで、A2を7.7g得た。次に、1gのA2と5-ブロモ-5’-ホルミル-2,2’-ビチオフェン0.912gとジイソプロピルアミン60mLの混合溶液に、トリフェニルホスフィン95.4mgとビストリフェニルホスフィンパラジウムIIジクロリド128mgを加え、1時間加熱還流した。室温に戻し、溶媒を減圧下留去し、残渣に水を加え、クロロホルムで抽出した。有機層を水で洗浄し、硫酸マウネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去した。残渣をシリカゲルカラム溶出液:ヘキサン/トルエン=2/8で精製することで化合物A3を0.285g得た収率12。次に、1gのA3をクロロホルム50mLに溶解し、そこにシアノ酢酸0.245gとピペリジン0.41gを加え、9.5時間加熱還流させる。放冷後、クロロホルム200mLを加え、0.04N塩酸で洗浄し、さらに水で洗浄した後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下留去し、残渣をテトラヒドロフランTHFに溶解し、ヘキサン/酢酸エチル5/1360mL中に再沈させることで、目的のアルキン誘導体TA-1を0.297g得た収率26。得られたアルキン誘導体TA-1の1H-NMRTHF-d8の測定結果は次の通りであった:δが8.441H,s、8.011H,s、7.951H,d、7.53-7.552H,m、7.332H,d、7.291H,d、7.124H,d、6.954H,d、6.772H,dまた、得られたアルキン誘導体TA-1色素のTHF中の吸収スペクトル曲線を図2に示す。本アルキン誘導体TA-1のλmaxは462nmであった。実施例2<アルキン誘導体TA-2の合成>下記の反応式に従って、下記の通り、アルキン誘導体TA-2を合成した。3,4’-ジヘキシル-2,2’-ビチオフェン39.5gのN,N-ジメチルホルムアミドDMF溶液に、0°CにてN-ブロモコハク酸イミドNBS21.1gをDMF280mLに溶解したものを滴下した。1時間攪拌した後、ジエチルエーテルで500mLで抽出し、有機層を水、飽和炭酸ナトリウム水溶液、食塩水の順で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下留去し、残渣をシリカゲルカラム溶出溶媒:ヘキサンで精製することで、B1を49.3g得た。次に、49.3gのB1と4-ヘキシルチオフェン-2-ボラン酸ピナコールエステル38.2gのトルエン溶液に2Mの炭酸ナトリウム水溶液585mLとテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0を加え、48時間加熱還流した。室温に戻し、有機層を水、食塩水の順に洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下留去し、残渣をシリカゲルカラム溶出溶媒:ヘキサンで精製することで、B2を58.3g得た。次に、58.3gのB2のTHF700mL溶液に、-78°Cで、n-ブチルリチウム1.64Mヘキサン溶液77.7mLを滴下し、2時間攪拌した。同温でDMF13.5mLを加え、1時間攪拌した。室温に戻し、さらに1時間攪拌した。水を加え、ジエチルエーテルで抽出した。有機層を食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下留去し、残渣をシリカゲルカラム溶出溶媒:ヘキサン/酢酸エチル=20/1で精製することで、B3を39.84g得た。次に39.84gのB3を480mLのDMFに溶解し、そこに-20°CでNBS13.41gを加え、1時間攪拌した。室温に戻し、2時間攪拌した。ジエチルエーテルで抽出し、水、飽和炭酸ナトリウム水溶液、食塩水の順で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下留去し、残渣をシリカゲルカラム溶出溶媒:ヘキサン/酢酸エチル=20/1で精製することで、B4を44.59g得た。次に、実施例1で合成したA2を19.5gと30gのB4をジイソプロピルアミン1150mLに溶解し、そこに、トリフェニルホスフィン1.55gとビストリフェニルホスフィンパラジウムIIジクロリド2.08g、ヨウ化銅CuI564mgを加え、室温で1時間攪拌後、50°Cで30分攪拌した。その後、30分間加熱還流した。室温に戻し、溶媒を減圧下留去した。残渣をシリカゲルカラム溶出溶媒:ヘキサン/酢酸エチル=20/1で精製することで、B5を35.3g得た。次に、2gのB5とシアノ酢酸0.298gとピペリジン0.497gをクロロホルム60mLに溶解し、9時間加熱還流した。室温に戻し、溶媒を減圧下留去し、クロロホルム200mLを加え、0.04N塩酸で洗浄し、さらに水で洗浄した後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下留去し、残渣を少量のTHFに溶解し、ヘキサン400mLに再沈することで、目的のTA-2を1.251g得た収率57。得られたアルキン誘導体TA-2の1H-NMRTHF-d8の測定結果は次の通りであった:δが8.221H,s、7.681H,s、7.24-7.273H,m、7.05-7.085H,m、6.874H,d、6.812H,d、3.766H,s、2.7-2.96H,m、1.3-1.924H,m、0.89-0.939H,mまた、得られたアルキン誘導体TA-2色素のTHF中の吸収スペクトル曲線を図3に示す。本アルキン誘導体TA-2のλmaxは453nmであった。実施例3<光電気化学電池用光電変換素子の作製>光電気化学電池用光電変換素子を次のようにして作製した。a光電気化学電池用半導体電極および対電極の作製まず、光電気化学電池用半導体電極を次の順序で作製した。サイズが15mm×15mmで厚さが1.1mmのFTO付きガラス10Ωcm2を、導電性基板透明導電層付き光透過性基板として準備した。また、酸化チタンペースト半導体層の材料を次のようにして調製した。市販の酸化チタン粉末商品名:P25、日本アエロジル株製、平均一次粒子径:21nm5g、15vol酢酸水溶液20mL、界面活性剤0.1mL商品名:Triton登録商標X-100、シグマアルドリッチ社製、およびポリエチレングリコール分子量20000和光純薬工業社製、商品コード:168-112850.3gを混合し、この混合物を攪拌ミキサーで約1時間攪拌し、酸化チタンペーストを得た。次いで、この酸化チタンペーストをFTO付きガラス上にドクターブレード法で膜厚が50μm程度となるように塗布塗布面積:10mm×10mmした。その後、酸化チタンペーストを塗布したFTO付きガラスを電気炉に入れ、大気雰囲気にて450°Cで約30分間焼成し、自然冷却させることで、FTO付きガラス上の多孔性の酸化チタン膜を得た。さらに、この酸化チタン膜上に、次のようにして光散乱層を形成した。平均粒子径が400nmの酸化チタンペースト商品名:PST-400C、日揮触媒化成株製をスクリーン印刷法により、上述の酸化チタン膜上に20μmの厚さで塗布した。その後、大気雰囲気にて450°Cで約30分間焼成し、自然冷却させることで、酸化チタン膜上の光散乱層を得た。以上のようして、色素が吸着される前の半導体電極を得た。一方、ソーダライムガラス板厚さ1.1mm上に、触媒層として平均膜厚1μmの白金層を真空蒸着法により蒸着し、対電極を得た。b色素の吸着次に、上述の酸化チタン膜および光散乱層からなる半導体層に光電変換用色素を吸着させた。光電変換用色素の吸着には、実施例1のアルキン誘導体TA-1を、2×10-4M程度の濃度でTHF中に溶かした溶液を用いた。この色素溶液中に上述の半導体電極を浸して一晩保管した。その後、色素溶液から半導体電極を取り出し、アセトニトリルでリンスして余分な色素を除去し、空気中で乾燥させ、光電変換用色素が吸着された半導体電極を得た。cセル組み立て上述の光電変換用色素吸着処理後の光電気化学電池用半導体電極と上述の対電極とを、半導体層と触媒層が対向するように配置し、電解質注入前のセルを形成した。次に、電解質が半導体電極と対極との隙間に浸透できるだけの切り目を入れた熱硬化性樹脂フィルムを、セルの外周部に熱圧着した。d電解質の注入上述のセルに、ヨウ素系電解質を上述の切り目を入れたところから注入し、半導体電極と対極との間に浸透させた。ヨウ素系電解質は、溶剤としてアセトニトリルを用い、ヨウ素の濃度が0.5mol/L、ヨウ化リチウムの濃度が0.1mol/L、4-tert-ブチルピリジンの濃度が0.05mol/L、1,2-ジメチル-3-プロピルイミダゾリウムアイオダイドの濃度が0.6mol/Lである溶液を用いた。e光電流測定上述のようにして作製した光電気化学電池用光電変換素子に、ソーラーシミュレータでAM1.5条件下の100mW/cm2の強度の光を照射して、発生した電気を電流電圧測定装置で測定し、光電変換特性を評価した。その結果、3.3の光電変換効率であった。実施例4アルキン誘導体TA-1に代えて、アルキン誘導体TA-2を用いた以外は、実施例3と同様にして光電変換素子を作製した。得られた光電変換素子の光電変換特性を評価した結果、TA-2を用いた素子では、3.5の光電変換効率が得られた。"