少なくとも半導体デバイスが形成される表面が鏡面研磨されたシリコンウェーハをフッ化水素系溶液により前記表面のシリコン原子を水素で終端させて、前記表面の水素終端密度を5×1014atoms/cm2以上1×1016atoms/cm2以下とする工程と、前記水素で終端させたシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中、1300°C以上1400°C以下の温度範囲に急速昇温し保持した後、急速降温する急速昇降温熱処理を行う工程と、を備えることを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。前記水素終端密度は、1.5×1015atoms/cm2以上4.0×1015atoms/cm2以下であることを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハの熱処理方法。このような特許文献2に記載の方法は、フッ酸処理によってウェーハ表面のシリコン原子に水素が終端されるため、前記表面に自然酸化膜が形成されにくい状態となる。従って、前記RTPを行ってもウェーハ表面における表面粗さの悪化を抑制することができる。しかしながら、ウェーハの表層部に存在するボイド欠陥をRTPで消滅させるためには、前記不活性ガス雰囲気や還元性ガス雰囲気にて、最低でも1000°C以上の高温熱処理が必要であり、このような高温下では、シリコン原子に終端された水素原子の結合が切れやすくなり、ウェーハ表面にシリコン原子が露出しやすくなる。このように露出したシリコン原子は不安定であり、他の原子と反応しやすい状態となっている。そのため、例えば、前記雰囲気中に他の反応性ガス窒素等が存在すると、これが露出したシリコン原子と反応して結合し、更には、その結合が前記雰囲気によってエッチングされるという現象が繰り返し発生するため、ウェーハの表面形状が変化し、表面粗さが悪化するという問題がある。更に、前記雰囲気に微量の酸素が含まれている場合には、前記露出したシリコン原子と酸素が反応して、ウェーハ表面にアイランド状に酸化膜が形成され、この酸化膜は前記雰囲気によってエッチングされるが、当該エッチングされた部分には凹形状のピットが形成されてしまうという問題もある。以上の問題は、RTPにおける熱処理温度が高くなるほどより顕著となるものであるが、その一方で熱処理温度が高くなるほど、ウェーハの表層部のボイド欠陥の消滅力が高くなるという利点を有している。本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、ボイド欠陥の消滅力が高い高温下でRTPを行っても、表面粗さの悪化を抑制することができ、更に、凹形状のピットの発生も抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供することを目的とする。本発明に係るシリコンウェーハの熱処理方法は、少なくとも半導体デバイスが形成される表面が鏡面研磨されたシリコンウェーハをフッ化水素系溶液により前記表面のシリコン原子を水素で終端させて、前記表面の水素終端密度を5×1014atoms/cm2以上1×1016atoms/cm2以下とする工程と、前記水素で終端させたシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中、1300°C以上1400°C以下の温度範囲に急速昇温し保持した後、急速降温する急速昇降温熱処理を行う工程と、を備えることを特徴とする。前記水素終端密度は、1.5×1015atoms/cm2以上4.0×1015atoms/cm2以下であることが好ましい。本発明によれば、ボイド欠陥の消滅力が高い高温下でRTPを行っても、表面粗さの悪化を抑制することができ、更に、凹形状のピットの発生も抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法が提供される。以下、本発明の実施形態について図面等を参照して詳細に説明する。本発明に係るシリコンウェーハの熱処理方法は、少なくとも半導体デバイスが形成される表面が鏡面研磨されたシリコンウェーハをフッ化水素系溶液により前記表面のシリコン原子を水素で終端させて、前記表面の水素終端密度を5×1014atoms/cm2以上1×1016atoms/cm2以下とする工程と、前記水素で終端させたシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中、1300°C以上1400°C以下の温度範囲に急速昇温し保持した後、急速降温するRTPを行う工程と、を備える。ここでいう水素終端密度は、X線光電子分光法XPSにより、RTP前において、前記水素で終端させた研磨面を測定した値である。このように、フッ化水素系溶液によりシリコンウェーハの少なくとも半導体デバイスが形成される研磨面のシリコン原子を水素で高密度に終端させることで、ボイド欠陥の消滅力が高い1300°C以上1400°C以下の高温下でRTPを行っても、表面粗さの悪化を抑制することができ、更に、雰囲気中に含まれる微量の酸素の影響による凹形状のピットの発生も抑制することができる。すなわち、水素を高密度に終端させることにより、水素とシリコン原子との結合力を高めることができる。従って、1300°C以上1400°C以下の高温下であっても前記結合が切れにくく安定した状態となる。そのため、雰囲気中に他の反応性ガス窒素等が存在しても、シリコン原子と当該反応性ガスとの結合を抑制することができるため、ウェーハの研磨面の表面粗さの悪化を抑制することができる。また、前記雰囲気に微量の酸素が含まれている場合であっても、酸素とシリコン原子との反応を抑制することができるため、凹形状のピットの発生も抑制することができる。前記フッ化水素系溶液により水素を高密度に終端させる方法は、周知の方法前記溶液に少なくともウェーハの研磨面を浸漬させる方法、前記ウェーハを回転させながら前記研磨面に前記溶液をスピンコートする方法等により行うことができる。好ましくは、前記ウェーハの研磨面を浸漬させる方法が生産性及びコスト面において好適である。なお、本方法における水素終端密度の調整は、前記研磨面に前記溶液を接触浸漬、スピンコート等させる時間や前記フッ化水素系溶液の濃度を変更することで行うことができる。前記フッ化水素系溶液の濃度や接触させる時間は、例えば、前記フッ化水素系溶液として濃度5のフッ酸溶液HFを用いた場合には、接触させる時間を10分以上15分以下として行い、濃度30のフッ酸溶液HFを用いた場合には、接触させる時間を3分以上7分以下として行うことが好ましい。前記水素終端密度は5×1014atoms/cm2以上1×1016atoms/cm2以下であることが好ましい。前記水素終端密度が5×1014atoms/cm2未満である場合には、水素とシリコン原子との結合力を高めることが難しい。従って、表面粗さの悪化及び凹形状のピットの発生を抑制することが難しい。前記水素終端密度が1×1016atoms/cm2を超える場合には、前記研磨面を前記溶液に接触させる時間が長くなるため、生産性が低下し好ましくない。前記水素終端密度は、より好ましくは、1.5×1015atoms/cm2以上4.0×1015atoms/cm2以下である。前記フッ化水素系溶液は、主に、フッ酸溶液HF、バッファードHF溶液NH4FHFが含まれる。前記RTPは、不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。このような雰囲気でRTPを行うことで、ボイド欠陥の消滅力が高く、かつ、効率よく表面粗さの悪化を抑制することができる。前記不活性ガスは、アルゴンガスArが好適に用いられる。前記RTPは、1300°C以上1400°C以下の温度範囲に急速昇温し保持することが好ましい。前記温度範囲が1300°C未満である場合には、ボイド欠陥の消滅力が低下すると共に、表面粗さを向上させることが難しい。前記温度範囲が1400°Cを超える場合には、シリコンの融点に近くなるため、シリコンウェーハが軟化又は融解する可能性があり好ましくない。前記温度範囲は、前記RTPを行うために使用するRTP装置後述としての装置寿命の観点から1300°C以上1380°C以下であることがより好ましい。前記水素終端前のシリコンウェーハは、主に、チョクラルスキー法以下、CZ法というにより育成したシリコン単結晶インゴットから切り出して製造される。CZ法によるシリコン単結晶インゴットの育成は周知の方法で行う。具体的には、シリコン単結晶インゴットは、石英ルツボに充填したシリコン原料を加熱してシリコン融液とし、該シリコン融液の液面に種結晶を接触させて、種結晶と石英ルツボを回転させながら種結晶を引上げて、種結晶にネック部、クラウン部及び直胴部を結晶成長させて、その後、シリコン融液から切り離すことで育成することができる。次に、周知の方法により、前記育成したシリコン単結晶インゴットを切り出して、少なくとも半導体デバイスが形成される表面が鏡面研磨されたシリコンウェーハに加工する。具体的には、シリコン単結晶インゴットの直胴部を内周刃又はワイヤソーによりウェーハ状に切り出し、外周部の面取り、ラッピング、エッチング、鏡面研磨等の加工を行う。図1は、本発明に係わるシリコンウェーハの熱処理方法に適用されるRTP装置の一例を示す断面概念図である。図1に示すRTP装置10は、ウェーハWを収容して熱処理を施すための反応室20と、反応室20内に設けられ、ウェーハWを保持するウェーハ保持部30と、ウェーハWを加熱する加熱部40と、を備える。ウェーハWがウェーハ保持部30に保持された状態では、反応室20の内壁とウェーハWの表面デバイス形成面W1側とで囲まれた空間である第1空間20aと、反応室20の内壁と表面W1側に対向するウェーハWの裏面W2側とで囲まれた空間である第2空間20bとが形成される。反応室20は、第1空間20a及び第2空間20b内に雰囲気ガスFA実線矢印を供給する供給口22と、前記供給した雰囲気ガスFAを第1空間20a及び第2空間20bから排出する排出口26と、を備える。反応室20は、例えば、石英で構成されている。ウェーハ保持部30は、ウェーハWの裏面W2の外周部をリング状に保持するサセプタ32と、サセプタ32を保持すると共に、ウェーハWの中心を軸としてサセプタ32を回転させる回転体34とを備える。サセプタ32及び回転体34は、例えば、SiCで構成されている。加熱部40は、ウェーハ保持部30に保持されたウェーハWの表面W1の上方及び裏面W2の下方の反応室20外に配置され、ウェーハWを両面から加熱する。加熱部40は、例えば、複数のハロゲンランプ50で構成されている。図1に示すRTP装置10を用いて、RTPを行う場合は、反応室20に設けられた図示しないウェーハ導入口より、ウェーハWを反応室20内に導入して、ウェーハWの裏面W2の外周部をウェーハ保持部30のサセプタ32上にリング状に保持し、雰囲気ガスFAを供給すると共に、ウェーハWを回転させながら、加熱部40によってウェーハWを加熱することで行う。前記RTPは、400°C以下の温度範囲で保持された図1に示すようなRTP装置10の反応室20内に前記水素で終端されたシリコンウェーハを投入し、前記1300°C以上1400°C以下の温度範囲に急速昇温し保持することが好ましい。このような温度範囲で投入することにより、前記RTPにおいて、生産性が低下するのを抑制しつつ、投入時の急激な温度変化によるスリップの発生を抑制することができる。図2は、本発明に係わるシリコンウェーハの熱処理方法に適用されるRTPにおける熱処理シーケンスの一例を示す概念図である。前記RTPに用いられる熱処理シーケンスは、図2に示すように、温度T0例えば、500°Cで保持された図1に示すようなRTP装置10の反応室20内に少なくとも半導体デバイスが形成される表面W1側が鏡面研磨され、更に、前記表面W1のシリコン原子を高密度の水素で終端させたウェーハWを設置し、前記第1空間20a及び第2空間20b内に不活性ガスを供給する。次に、温度T0°Cから1300°C以上1400°C以下温度T1°Cの温度範囲まで、昇温速度ΔTu°C/秒で急速昇温し、その後、温度T1°Cにて所定時間t1秒一定に保持した後、例えば、温度T0°Cまで、降温速度ΔTd°C/秒で急速降温する。なお、温度T0、T1は、図1に示すようなRTP装置10の反応室20内にウェーハWを設置した場合において、ウェーハ保持部30の下方に設置された図示しない放射温度計によって測定されたウェーハWの表面温度放射温度計がウェーハWの径方向に複数配置されている場合はその平均温度である。前記RTPにおける昇温速度ΔTuは、10°C/秒以上150°C/秒以下であることが好ましい。このような昇温速度ΔTuとすることで、前記RTPにおいて、生産性が低下するのを抑制しつつ、急速昇温時の急激な温度変化による接触痕やスリップの発生を抑制することができる。前記RTPにおける降温速度ΔTdは、10°C/秒以上150°C/秒以下であることが好ましい。このような降温速度ΔTdとすることで、前記RTPにおいて、生産性が低下するのを抑制しつつ、急速降温時の急激な温度変化による接触痕やスリップの発生を抑制することができる。前記RTPにおける1300°C以上1400°C以下の温度範囲温度T1°Cにおける保持時間t1は、1秒以上30秒以下であることが好ましい。このような保持時間t1とすることで、生産性が低下することなく、効率よくボイド欠陥の消滅を図ることができる。以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は、下記実施例により限定解釈されるものではない。試験1CZ法によりv/Gv:引上速度、G:単結晶内の引上軸方向の温度勾配を制御して空孔型点欠陥が存在する領域を有するシリコン単結晶インゴットを製造し、該領域から切り出して得られた両面が鏡面研磨されたシリコンウェーハ直径300mm、面方位{100}、厚さ775μm、酸素濃度1.2~1.3×1018atoms/cm3を、濃度5のフッ酸溶液にウェーハ全体を浸漬し、その後、純水洗浄して乾燥させた水素終端処理。その際、フッ酸溶液による浸漬時間を変化させた複数のサンプルシリコンウェーハを作製した。次に、前記複数のサンプルの各々の研磨面の水素終端密度をX線光電子分光法XPSにより、測定した。次に、水素終端密度を測定した各々のサンプルに対して、図1に示すようなRTP装置10を用いて、図2に示すような熱処理シーケンスにて温度T1°Cを変化させたRTPを行い、アニールウェーハを作製した。具体的には、200°Cで保持された反応室内に前記測定したウェーハを投入し、雰囲気として、アルゴンガスArを供給し、昇温速度75°C/秒で、温度T1°Cを1100°C、1200°C、1300°C、1350°Cと変化させて各々急速昇温し、温度T1°Cを各々15秒間保持した後に、降温速度90°C/秒で500°Cまで急速降温させた。なお、このアルゴンガスArには、反応室内に設置された酸素濃度計による測定において0.1ppm以下の非常に微量の酸素が含まれていることが分かっている。得られたアニールウェーハの半導体デバイス形成面における表面粗さをAFMAtomicForceMicroscopeを用いて、RMS測定範囲:3μm×3μmを評価した。また、半導体デバイス形成面における凹形状のピットの発生密度をAFM画像から算出した。更に、ウェーハ表面から深さ5μmまでの表層部における欠陥密度に関し、LSTDスキャナLaserScatteringTopographyDefectScannerにて波長680nmで評価した。また、参考例として水素終端処理前のウェーハの半導体デバイス形成面における表面粗さを、同様に、AFMを用いて、RMS測定範囲:3μm×3μmを評価した。表1に本試験における試験条件及び評価結果を、図3に表1における水素終端密度を横軸として表面粗さを縦軸として温度T1°Cにおける各々の測定値をプロットしたときのプロット図をそれぞれ示す。表1及び図3に示すように、水素終端密度を5.0×1014atoms/cm2以上とし、温度T1°Cを1300°C以上とすることで、表面粗さRMSの悪化を抑制することができ、更に、表面粗さRMSが水素終端処理前よりも良化し、凹形状のピットも発生せず、かつ、欠陥密度が低いことが認められる。また、水素終端密度が1.5×1015atoms/cm2以上4.0×1015atoms/cm2以下である場合には表面粗さRMSが0.10nm未満と特に良化することが認められる。