"非導電性の三次元表面を有する、剛性な基体と;前記基体の上に、半導体物質によって三次元に形成される、少なくとも1つの半導体物質コイルと;前記少なくとも1つの半導体物質コイルの上に配置され、導電性金属によって三次元に形成される金属コイルと、を有するコイル体。前記半導体物質は、光伝導物質を含む、請求項1に記載のコイル体。導電性金属によって形成される前記金属コイルは、前記少なくとも1つの半導体物質コイルの少なくとも一部が、光伝導を促進する照明の光に露出されるように配置される、請求項2に記載のコイル体。前記導電性金属によって形成される前記金属コイルは、前記金属コイルが低質量電子に誘導される場合、前記金属コイルが、前記半導体物質によって形成される前記少なくとも1つの半導体物質コイルにクーロンドラッグを引き起こすよう、少なくとも1つの前記半導体物質の近くに配置される、請求項1に記載のコイル体。前記少なくとも1つの半導体物質コイルは、前記基体の表面に、らせん状に形成される、請求項1に記載のコイル体。前記導電性金属によって形成される前記金属コイルは、前記基体の表面の前記半導体物質コイルの形状に合わせて、らせん状に形成される、請求項5に記載のコイル体。前記導電性金属によって形成される前記金属コイルは、前記基体の表面にらせん状に形成され;前記少なくとも1つの半導体物質コイルは、リング状に形成された複数のコイルを含む、請求項1に記載のコイル体。前記導電性金属によって形成される前記金属コイルは、前記基体の表面に形成された前記半導体物質コイルに電気的に接続する、請求項1に記載のコイル体。前記導電性金属によって形成される前記金属コイルは、前記基体の表面に形成された前記少なくとも1つの半導体物質コイルより、電気的に絶縁される、請求項1に記載のコイル体。前記基体は、第1端部と第2端部とを有する円筒状であり、前記第1端部及び前記第2端部は、少なくとも1つの凸部が形成され、前記凸部は前記少なくとも1つの半導体コイルに電気的に接続され、第1コイルの前記少なくとも1つの半導体コイルと、第2コイルの前記少なくとも1つの半導体コイルとは、前記凸部によって接続される、請求項1に記載のコイル体。前記第1端部及び前記第2端部には複数の凸部が形成され、前記複数の凸部はそれぞれ放射状に配置され、前記複数の凸部によって複数のコイル体が互いに接続される、請求項10に記載のコイル体。前記基体は、直径と、第1端部と、第2端部とを有する円筒部であり;前記第2端部は、直径が前記円筒部よりも大きいフランジを有しており、前記フランジは半導体物質コイルに電気的に接続され、第1コイル体の少なくとも1つの半導体コイルの第1端部と、第2コイル体の少なくとも1つの半導体コイルの第2端部とが、平行に接続される、請求項1に記載のコイル体。請求項1に記載された複数のコイル体が結合された、コイルアセンブリ。結合された前記コイル体の数は偶数であり、前記コイル体の前記少なくとも1つの半導体コイルは電気的に接続され、対応する前記導電性金属は電気的に接続される、請求項13に記載のコイルアセンブリ。前記コイル体の対応する前記コイルは、一組で接続される、請求項14に記載のコイルアセンブリ。前記コイル体の対応する前記コイルは、閉ループで接続される、請求項14に記載のコイルアセンブリ。前記コイル体の対応する前記コイルは、水平方向で接続される、請求項14に記載のコイルアセンブリ。さらに中心コイルを有しており、前記複数のコイル体は、前記中心コイルの周りに放射状に配置され、前記複数のコイル体は、前記中心コイルと平行である、請求項13に記載のコイルアセンブリ。非導電性の三次元表面を有する半導体面を、剛性な基体の上に形成する工程と;前記基体の上に、半導体物質によって三次元に形成される、少なくとも1つの半導体コイルを形成する工程と;前記少なくとも1つの半導体コイルの上に、導電性金属によって三次元に形成される金属コイルを配置する工程と、を含む、コイル体の製造方法。前記半導体物質によって三次元に形成される、前記少なくとも1つの半導体物質コイルの形成方法は:前記基体の表面の少なくとも一部に、前記半導体物質の薄膜を一面に形成する工程と;前記基体の表面から前記半導体物質の薄膜の一部を取り除き、残りの半導体物質の薄膜によって少なくとも1つの半導体物質の三次元コイルを形成する工程と、を含む、請求項19に記載のコイル体の製造方法。前記残りの半導体物質の薄膜は、らせん状である、請求項20に記載のコイル体の製造方法。前記残りの半導体物質の薄膜は、1つまたは複数の三次元で形成されたリングである、請求項20に記載のコイル体の製造方法。前記少なくとも1つの半導体物質コイルの上に、前記導電性金属によって三次元に形成される前記金属コイルを配置する方法は:前記半導体物質コイルとは別に、前記導電性金属によって三次元に形成される前記金属コイルを形成する工程と;前記少なくとも1つの半導体物質コイルの上に、前記導電性金属で三次元に形成される金属コイルを配置する工程と、を含む、請求項19に記載のコイル体の製造方法。前記薄膜の一部を取り除く工程は、切削ツールまたはレーザー光線を用いて、前記半導体物質の薄膜を取り除く工程である、請求項20に記載のコイル体の製造方法。非導電性の三次元表面を含む剛性な基体と、前記基体の表面に半導体物質によって三次元に形成される、少なくとも1つの半導体物質コイルと、前記少なくとも1つの半導体物質コイルの上に配置され、導電性金属によって形成される金属コイルと、によって構成され、軸に対して放射状に配置される複数のコイル体と;前記複数のコイル体とは同軸上で配置され、前記複数のコイル体とは誘導的に結合される出力コイルと;前記複数のコイル体の軸方向に対応して配置され、前記複数のコイル体が放射状に配置されることにより、前記複数のコイル体が誘導的に結合される、中心コイルと、を含む、電気回路。前記半導体物質は、光伝導性物質を含み、前記回路は、前記光伝導性物質を照射し、コイル体を励起する照射手段を含む、請求項25に記載の電気回路。実用的かつ信頼性のある三次元の半導体及び金属からなるコイルを形成する方法、およびその装置について、下記に開示する。特に、実施例に開示されている半導体金属からなるコイルは、三次元で形成された基体の誘電体の表面に、半導体物質の薄膜を形成する方法である。三次元コイルの大きさと形状によって、基体の表面の大きさ及び形が例えば円筒状に定められる。薄膜で形成された半導体物質のうち、指定された領域が誘電体の表面から取り除かれることにより、基体の表面の残りの半導体薄膜は、少なくとも1つの半導体コイルを形成し、半導体コイルは、らせん状または別の三次元形状を有する。好ましくは、半導体物質とは反応しない金属によって形成された導電性金属コイルは、半導体コイルの外部表面に配置されることにより、少なくとも1層の半導体コイルと、1層の金属コイルとを有するコイル体が形成される。各コイル体は、複数のコイル体が容易に機械的に接合され、隣接するコイル体が自動的に電気接続されるように構成される。半導体コイルを形成するための半導体物質は、硫化カドミウム、硫化鉛など、様々な光伝導性物質によって形成されることが好ましいが、材料はこれに限られない。光伝導性物質または、半導体物質は、複数の光伝導性物質または半導体の混合でもよい。本発明に開示されるコイル体は、様々な電気供給装置に使用されてもよい。図面は発明の一般的な設計方法を示すものであり、必ずしも実寸通りではない。本実施例は、本発明の内容を包括的に開示するものであり、当業者に対して発明の内容を十分に伝えるものである。しかし、本願における図面及び詳細の説明は、実施可能である全ての例を記載するものではなく、また本実施例の範囲を制限するものではない。本発明は、以下の実施例によって開示されるが、これは本実施例の範囲を制限するものではない。本明細書および特許請求の範囲に記載されている、単数形を示す用語a、an、theなどは、特に明確にされている場合を除き、複数形で用いられる場合を含む。さらに、含むには有するの意味も含まれる。さらに、結合されるには、機械的にまたは実質的に物を結合する意味を包含しており、結合される物と物との間に媒介物が存在する場合も含まれる。本開示における物や方法は、発明の内容を制限するものではない。本開示は全て、新規性及び非自明性を有する特徴及び開示された様々な実施例の効果について説明されている。開示された物及び方法は、本発明の特徴や解釈、及び組み合わせを限定するものではなく、また開示された物や方法によって問題を解決するには1つ以上の特別な利点が必要となることはない。開示された方法を実施するには、説明を容易にするために順番に記載されているが、下記に記された言語によって順番に実施することが必要である場合を除き、詳細の説明は変形してもよい。例えば、順番に説明されている操作は、いくつかの場合によっては、順番を変更し、または同時に行なってもよい。また、説明をシンプルにするために、添付の図面は他の物や方法と同時に使う、実施形態の変形例を記載しない場合がある。さらに、開示された方法を説明するために、詳細な説明には生成するまたは提供するなどの用語が用いられる。これらの用語は、実際に行われる機能の高いレベルの抽象である。これらの用語に対応する実際の機能は、特別な実現により、また当業者にとって実施可能である。以下の説明において、上、下、上部、下部、水平、垂直、左、右などの用語が用いられる。これらの用語は、相対的な位置関係を明確にする場合に用いられる。しかし、これらの用語は絶対的な位置、配置及び/または方向を示すものではない。例えば、物に関しては、上面をひっくり返すことによって、下面になるが、物は同じである。実施例1本開示では、コイル体、コイル体の製造方法、及び少なくとも1つ以上のコイル体を有するコイルアセンブリ及び電気装置について説明する。コイル体の一例の形状は三次元であり、基体はコイルを配置するに三次元で形成された非導電性の表面を有する。従って、対応するコイルの形状も三次元である。コイルは、基体の外面に配置され半導体物質によって形成される少なくとも1つのコイルと、半導体物質によって形成されるコイルの少なくとも一部を覆う、少なくとも1つの導電性金属コイルと、によって構成される。半導体物質による1つまたは複数のコイルが、基体の外側の表面に三次元で形成されることにより、半導体によるコイルは物理的に頑丈に支持される。半導体コイルに導電性コイルを形成、配置、塗布または付着しても、その頑丈性には影響を及ぼさない。本発明に開示されているコイル体によって、これまでは半導体を三次元構造でしっかりと支持することが難しかった問題が解決される。特に、コイル体を形成するために有利な半導体物質は、光伝導性の半導体物質である。これらの物質は、光伝導性物質と呼ばれる。光伝導性物質の例としては、硫化カドミウムCdSが挙げられるが、物質はこれに限定されない。本発明では、半導体には光伝導物質が含まれる。コイル体において、最も有用なコイルの形状はらせん状であり、誘電体または少なくとも1層以上の誘電体物質の層を含む円筒状の基体の外部表面に、コイルが三次元の構造で簡単に形成される。有用な実施形態として、半導体コイルはまず基体に形成され、その後半導体コイルの表面に金属コイルが配置される。三次元コイル体コイル体の実施例では、実質的に円筒状の管10または同様の形状を有する頑丈な非導電性誘電体基体の外側の表面に、半導体の物質の薄膜が形成される。尚、円筒状の管の外部表面は、三次元表面であることは自明である。半導体物質は、例えば多結晶または非結晶質であり、半導体薄膜の厚みは、物質の質を保つために、適切または有用な厚みで形成されてよい。半導体コイルは、半導体薄膜を形成するための様々な技術を用いて、基体に形成される。コイル体で使用する半導体物質のうち、特に有用な半導体物質は、様々な光伝導物質であり、光伝導物質有機化合物、光伝導物質シリコン、光伝導物質混合物、少なくとも1つの半導体を含む化合物及びグラフェンgrapheneなどが含まれる。光伝導物質は、物質が電圧低下の影響を受けている間に、適切な波長を有する少なくとも1つ以上の光に照らされることにより、電流を発する。標準質量の伝導電子の伝搬、及び質量が標準よりも低い伝導電子の伝搬によって、電流が発生する。特定の物質によって、このようないわゆる低質量電子は光によって移動され、電流を運ぶ。ある場合において、低質量電子は、特定の環境条件にある物質によって、自発的に生成される。基体の表面に薄膜の半導体物質を形成した後、半導体物質の選択した領域が取り除かれ、基体の表面の上には1つ以上のコイルが薄膜半導体の残りの領域によって形成される。半導体物質は例えば、剥離、機械加工、エッチング、レーザー剥離などによって取り除かれる。剥離は手作業、細い剥離、切削工具または自動切削器具などを使って行われる。レーザー剥離は、基体の表面にレーザー光線を照射し、レーザーが物質の位置に照射すると同時に、レーザー、基体、及び両方が取り除かれる工程である。結果として、基体の円筒状表面に形成された半導体の対応する領域が取り除かれ、薄膜で形成された半導体の残りの部分が基体上の半導体表面のコイル例:円状またはらせん状を形成する。例えば、薄膜の表面から半導体のらせん状の形成を補完する領域を取り除くことによって、薄膜の半導体物質が、らせん状のコイルを形成する。半導体物質の対応する領域を取り除くことにより、基体の表面に形成された残りの半導体は、らせん状またはその他三次元の形状を有する半導体を、基体に形成する。薄膜の半導体の一部を選択的に取り除いた後に形成される半導体コイルには、複数の折り返しまたは巻状が形成されており、かつ外部表面を有する。基体の表面にコイル状の半導体物質を形成した後、導電性金属によって形成される少なくとも1つのコイルが、半導体コイルの外面に形成、適合、付着または塗布される。導電性金属によるコイルを形成する特定の物質の条件は、一般的に、金属と半導体物質とが互いに反応しないことである。さもなければ、1つまたは両方のコイルは、互いに反応を起こすことによって、著しい劣化が起こる。従って、ステンレス鋼は、金属コイルを形成するために良い物質である。様々な実施形態において、金属コイルと半導体コイルとのピッチは同じであるため、金属コイルのループと対応する半導体コイルのループとは互いに適合する。金属コイルは、好ましくは下面に配置される半導体コイルに接触するが、他の実施形態においては、例えば金属コイルと半導体コイルとの間に1つまたはそれ以上の誘電体の層を配置することにより、金属コイルと半導体コイルとの接触を防いでもよい。金属コイルと半導体コイルとの間に誘電体の薄膜を配置する場合、金属コイルは半導体コイルに反応する物質によって形成されてもよい。半導体コイルとの適合性が高く、剛性な金属片を形成するにあたり、金属片は別々に形成されてもよく、半導体コイルの外部表面にコイルを適合する行う前に、半導体コイルの直径よりも小さく形成してもよい。いずれにしても、金属コイルは半導体コイルの付近に適切に配置され、コイルが励起された場合、金属コイルの巻状が対応する半導体コイルにクーロンドラッグCoulombicdragを引き起こす。この様な方法で形成されたコイル体は、導電性金属により形成されたコイルの表面に半導体物質により形成されたコイルを直接形成する際に、従来であれば発生していた課題をクリアすることができる。一般的に、コイル体の形成は、基体の外側の表面に、少なくとも1つの半導体物質による層または重ねられた層を形成することによって開始する。半導体の層が複数の半導体物質の層によって構成されている場合、これらの層は、組成上の観点または構成上の観点、または両方により、互いに同様の形状を有している、または異なる形状を有している。半導体の層は、化学浴析方法、化学蒸着方法、グラフェン等のスプレー、またはスラリー状の半導体物質の微結晶を塗布する技術など、様々な方法によって形成される。スラリー状の半導体物質を基体の表面に塗布する場合、スラリーに含まれる液体は例:オーブンで熱を加えるなど後程取り除かれ、必要であれば、残りの半導体物質に焼結が行われる。1度の薄膜形成プロトコルの実施によって所望の薄膜の厚みを形成できない場合、半導体物質が所望の厚みに達成するまで、このプロトコルを実施してもよい。基体の内部表面は、目的とする電流を抑制する制御不可能な電流を生成する、第2の薄膜半導体が形成されるのを防ぐよう、半導体物質によって覆われていないことが好ましい。半導体物質は、基体の外面全体に塗布された後に、上述の通りに特定の領域の半導体物質を取り除くことにより、基体の表面に形成された残りの半導体物質から、1つまたはそれ以上のコイルを形成することが可能となる。望ましくは、特定の領域における半導体の取り除きは、基体全体の長方向全体に対して行うことによって、コイル体を電気装置として使用する際に複数のコイル体の結合を促進する特徴を備えている。幾つかの電気装置においては、半導体及び金属コイルによって閉ループ回路を形成するために、複数のコイル体例えば、2、4、6、8個が結合及び接続される。コイル基体コイル体を形成するにあたり、一般的には円筒状または円筒状のような形状の基体が用いられる。変形例として、実施するコイルの用途により、基体の形状は様々な形状例:四角形であってもよい。基体は、コイルが使われる際に特に、励起光子が基体の内側ルーメンから活性化する際に励起光子の波長が通過し、剛性があり且つ不活性物質から製造される。さらに、基体は非導電性であり、例えばコイルが形成される層の上に、少なくとも1つまたはそれ以上の誘電材料または誘電体の層が形成される。誘電材料によって形成される基体の例としては、ホウケイ酸ガラス、硬質ポリマー、または同様の物質が考えられる。図1において、円筒状の基体10の実施例が記載されている。基体10は、第1端部12と、第2端部14と、第1端部12と、第2端部14との間に形成される三次元構造の基体表面16とによって構成される。基体表面16の直径は一定であることが好ましい。本実施例においては、第2端部14はフランジ18を含み、フランジ18の直径は第1端部12または基体表面16の直径よりも大きい。フランジ18が第1端部12には無く第2端部14のみに配置されることにより、隣接するコイルの結合が容易になるため、対応する半導体コイルと導電性の金属コイルとの接続が即時に行われる。第1実施例のコイル体図2において、コイル体30の実施例が記載されている。コイル体30は、上述の非導電性基体10と、半導体物質により形成される第1コイル32と、導電性物質により形成される第2コイル34とによって形成される。基体10は、三次元で構成される、円筒状の外部表面を有しており、外部表面の周りにコイル32,34が形成される。第1コイル32は、上述の通り、基体10の外部表面に薄膜の半導体物質が直接形成された後、薄膜のらせん状に形成された領域36が選択的に取り除かれるため、他の金属とは別々に形成される。細い剥離装置またはレーザーなどを用いて、半導体物質は、領域36から取り除かれることによって、基体の一方の端部から他方の端部に向けて、らせん状となる半導体の薄膜を形成する。取り除かれた領域36は、基体10の周りに、第1端部38から、フランジ42を含めて第2端部40にかけて巻きつく。従って、領域36は、残った半導体の層を、基体の外側に巻きつけられた半導体の第1コイル32として定義付ける。第1コイル32は外部表面を有している。導電性金属によって形成される第2コイル34は、第1コイル32の外側の表面に、第1コイル32の長さに合わせて形成される。第1コイル32及び第2コイル34は、どちらも基体の外側に配置されており、基体の周りに巻き付いて、らせん状を形成される。図2には、ほぼ同じピッチで形成される第1コイル32及び第2コイル34が図示されているが、形状はこれに限定されない。必要であれば、コイルのピッチはそれぞれ異なっていてもよい。また、図2の第1コイル及び第2コイルの巻きつけの幅は軸方向にほぼ一定となっているが、形状はこれに限定されない。必要であれば、第2コイル34の巻きつけの幅は、第1コイル32より狭くてもよい。第1コイル32の半導体物質が光伝導物質である場合、第2コイル34の巻き付けの幅が狭いことが有効であり、第2コイルの巻きつけの幅が狭いことによって第1コイルが光伝導または光の刺激を受ける領域を実質的に形成することが可能となる。例えば、第2コイル34の巻きつけの幅を狭くすることにより、第2コイル34による第1コイル32の過度の障害を防ぐ。また、図2の第1コイル32及び第2コイル34は、ほぼ同じピッチで形成され、巻きつけの幅はコイル30の軸方向にほぼ一定となっているが、形状はこれに限定されない。第1コイル32または第2コイル34の片方、または両方のコイルは、ピッチが異なっていてもよい。さらに、図2の第2コイル34の巻き付けは1層によって構成されているが、形状はこれに限定されない。第2コイル34の巻き付けは1層以上で構成されていてもよい。導電性金属による第2コイル34の巻きつけは、ワイヤ、テープ、または金属を第1コイルの上に、基体に沿ってらせん状に巻きつけることによって形成される。この巻き付けは、手作業または機械作業である。代替案として、例えば、第2コイル34は別々に形成した後、基体の上に配置された第1コイルにフィットするように適合例:slipped:はめ込みされてもよい。尚、この手順は手作業または機械作業でよい。さらに、第2コイルは、第1コイル32に影響を与えない限りは、あるがままの状態で適合または形成されてもよい。金属及び半導体物質の巻きつけは、基体の長さ方向ほぼ全体に伸びることが好ましい。基体の端部で、第1コイルの巻きつけは分岐し、第1コイルの巻きつけの端部はそれぞれの位置または基体の端部の付近に配置され、複数のコイル体がコイルアセンブリに例えば平行に結合され、それぞれの対応する半導体コイルの電気的接続が自動的に行われるのを促進することが望ましい。コイルアセンブリでは、隣接するコイル体の対応する金属コイルを接続するために、金属ストリップまたはジャンパ線を利用してもよい。ジャンパ線と金属コイルの端部とを接続するにあたり、クリップファスナー、小型のリベット、または小型のボルトを利用してもよい。一般的に、第2コイルの巻きつけは、第1コイルの巻きつけに精密に合わせる必要は無い。コイルの配置に関する主な基準は、第2コイルから第1コイルに流れる電子によってクーロンドラッグを引き起こすよう、第2コイルの巻きつけが第1コイルの巻きつけに隣接していることである。上述の通り、第1コイルと第2コイルとの接触は、一般的には問題ではない。但し、いくつかの実施例では、金属コイルと半導体コイルとの接触は無い;第1コイルと第2コイルとの間に、1層または複数層の誘電材料を配置することにより、接触を防ぐことが可能となる。コイル体の第2実施例図3A-3Bに記載されているコイル体60は、第1実施例と同様に、誘電材料で形成された円筒状三次元の基体62の外側に半導体物質が形成されている。半導体物質によって形成された細い帯64は、剥離、レーザー剥離などによって取り除かれ、基体62に巻きつけられる複数のリング66を形成する。リング66は、それぞれ1ループ状になっているコイルとみなすことができる。ステンレススチールなどの反応しない物質によって形成される帯状の細い金属は、半導体物質によって形成されるリング66の表面に、巻きつけられる、またはらせん状に配置される。金属コイル67は、基体62の一端から他端に向かって伸びるため、半導体物質のリング66の一部を覆う。半導体が光伝導物質である場合、金属帯68は適切な幅であり、それぞれの半導体物質のリング66の大半の部分が、近くに配置されたLED70などの光によって励起光子を受け取り、半導体物質によるリング状のコイルに適切な光が照射されることが望ましい。本実施形態によるコイル体を電気装置に適用するにあたり、装置の送信コイル図示しないはコイル体60に沿って平行に配置される。コイル体の金属コイルに振動を引き起こすために、コイル体60を互いに並行に配置し、放射状に送信コイルを囲むようにしてもよい。変形例の構造として、本実施例の金属コイル67は、第2コイルを使用せずに、送信コイルとして直接使用することも可能である。金属コイル67に供給される振動電流は、半導体物質のリング66にクーロンドラッグを引き起こす。半導体リング66の電気的振動は、出力コイル図示しないの電気的励振を引き起こすために使用されてもよい。金属コイル67の端部には孔部72が形成され、例えば導電性ジャンパ図示しないを使った相互接続を促進する。コイルアセンブリに複数のコイル体を相互接続図4は、第1コイル体82a、第2コイル体82bが隣接して配置され、第1コイル体82aの第1端部83と第2コイル体82bの第2端部84とが隣接して配置され、第1コイル体82aの第2端部85と第2コイル体82bの第1端部86とが隣接して配置された、コイルアセンブリ80の実施例である。この配置によって、隣接する半導体コイルの電気的接続半導体と半導体との接続が容易になり、幾つかの実施例では隣接する金属コイルの電気的接続が容易になる。特に、第1コイル体82aの半導体コイルの第1端部88は、フランジ92と第1コイル体82aの第1端部88の側面とを接続することにより、第2コイル体82bの半導体コイルの第2端部90に接続される。必要であれば、第1コイル体82aのフランジ96と、第2コイル体82bの第1端部98との間に誘電物質の板94を配置し、コイルアセンブリ80の反対側の端部の接触を防いでもよい。尚、本実施例において、第1コイル体82aの金属コイルの端部100と、第2コイル体82bの金属コイルの端部102とは、導電性ジャンパ線104によって電気的に接続される。ジャンパ線104と金属コイルの端部100、192とは、ろう付けはんだ付け、溶接、またはファスナ、リベット、ボルトなどのよって互いに接続されている。同様に、図4のコイル体に、別のコイル体を接続してもよく図示しない、複数の金属コイル及び複数の半導体コイルが互いに接続されてもよい。図4では、金属コイルはらせん状であり、影付きの帯状で図示されている。基体の表面に配置された半導体物質の一部が剥離された線は、らせん状のコイルで形成されており、図面中で太い波線で示されている。図5は、図2に示されている、4つのコイル体152a、コイル体152b、コイル体152c、コイル体152dを含むコイルアセンブリ150、または図4に示されている、2つのコイル体のアセンブリの上面図である。コイル体152同士の間隔を狭くし、機能性を上げるためにコイル体152a~152dを出来るだけ近づけて配置する方法を示している。特に、コイル体152a~152dを互いに平行に配置し、中心軸Aを囲むように放射状に配置することによって、機能性が向上する。さらに、第1コイル体152a及び第3コイル体152cのフランジ154a及び154c、並びに第2コイル体152b及び第4コイル体152dのフランジ154b及び154dがそれぞれ図示されている。フランジ154a及び154cは、実物を上から見た場合、フランジ154b及び154dよりも近くに配置される。さらに、第1コイル体152a及び第2コイル体152bのワイヤコイル156a及び156bを接続する金属ジャンパ155a、第2コイル体152b及び第3コイル体152cのワイヤコイル156b及び156cを接続する金属ジャンパ155b、第3コイル体152c及び第4コイル体152dのワイヤコイル152c、152dを接続する金属ジャンパ155c、及び第4コイル体152d及び第1コイル体152aのワイヤコイル152d、152aを接続する金属ジャンパ155dが図示されている。これらの半導体コイルは、図4及び上述の通り相互に接続されている。低質量電子を誘導するにあたり、半導体コイルは隣接して接続されることが重要である。必要であれば、円筒状の基体のルーメンに、出力コイル158a~158dを各軸に沿って設置してもよい。さらに、コイル体152a~152dによって構成されるアセンブリ150の軸A上に送信コイル160を配置してもよい。第3実施例のコイル体図6A、6Bには、コイル体の第3実施例が図示されている。図6Aにおいて、円筒状のコイル体120の基体122は、第1端部124と第2端部126とを有している。第1端部124には少なくとも1つ以上の凸部128、129が形成されており、第2端部126は少なくとも1つ以上の凸部130、131が形成されている図には、其々の端部に2つの凸部が図示されている。第1端部124の凸部128、129の反対側には、第2端部126の凸部130、131が、反対側の凸部とは直線状に配置される。図6Bには、図6Aに図示されている基体を含むコイル体140が開示される。半導体コイル143のらせん状の巻き付けを表す剥離線142が図示されている。さらに、金属コイルの巻き付け144及び凸部128-131が図示されている。向かい合った凸部128~131によって、隣接するコイルが機械的に接続される。例えば、図6Cに示される通り、4つのコイル体120a~120dは、それぞれのコイル体の端部にそれぞれ90度の間隔で配置される、凸部128~131によって接続されている。それぞれのコイル体の各端部には、少なくとも1個の凸部が半導体コイルの端部に接続されている。結果として、図示されている通り、4つのコイル体によってコイルアセンブリが形成される場合、それぞれの半導体コイルの全体が自動的に接続され、4個の半導体コイルによって閉ループ回路が形成される。アセンブリは、A軸を中心として放射状に配置され、それぞれのコイル体がA軸と平行となることが好ましい。上述の通り、コイル体のアセンブリを組み立てる際に金属ジャンパ線を使用してそれぞれのワイヤコイルを接続してもよく、またはそれぞれのコイル体の第2凸部を使用してもよい。いずれの場合でも、4つのコイルを配置することにより、さらにもう1個のコイル例:送信コイルをA軸方向に配置するための空間133が形成される。本実施例の凸部には、ナイロンまたは同様の物質によるボルト、またはファスナを挿入し、コイル体を保持するための孔部135が形成される。孔部は、スロットでもよい。また、ボルトの代わりにクリップ状のファスナを使用してもよい。図6Cには、4個のコイル体が形成されるコイルアセンブリが図示されているが、これに限定されない。複数の半導体コイル及び導電性コイルを含む、閉じた回路を形成するために、放射状に配置するコイル体の数は、偶数であれば数量は限られない。放射状に配置されるコイル体の数は、コイル体に放射状に配置された隣接する凸部の間の角度によって定められる。図示されている通り、隣接する凸部の間の角度が90度である場合、コイルアセンブリは4個のコイル体によって構成される。隣接する凸部の間の角度が135度である場合、コイルアセンブリは8個のコイル体によって構成される。図6Cに図示されている構成によると、回路が低質量電子を誘導するために使用される場合は、全てのコイル体の半導体コイルは閉ループで接続される。低質量で誘導される電子のドリフト速度は一般的に大きい。一定の用途で使用中に半導体コイルの破損が発生した場合、半導体コイル全体に電流が流れる代わりに、電流がほぼ一瞬で蓄積される。基体は、半導体コイルを物理的に支持するため、導電性金属コイルも物理的に支持している。低質量電子幾つかの物質における幾つかの条件によって、伝導電子は標準の伝導電子よりも慣性質量が小さい特性を有する。標準の質量よりも少ない電子は、同じ力によって標準の質量の電子が加速されるよりも大きい力の適用によって加速される。ラーモアLarmorの定理によると、誘導光子の放射電子などは運動している電荷の2乗に比例する。参考文献:LarmorOntheTheoryofMagneticInfluenceofSpectraandontheRadiationfromMovingIonsPhilMag63503578質量が標準よりも低い電子を生成することが出来る物質の例として、半導体、光伝導物質、及び超電導体が挙げられる。低質量電子は、光伝導性の有機化合物、光伝導性シリコン、グラフェン状の炭素などの物質によって生成される。このような物質の低質量誘導電子は、一般的に高い移動性とドリフト速度を有している。例えば、窒化ガリウムGaNによって形成される半導体の低質量誘導電子のドリフト速度は、約100km/sである。参考文献:RodriquesElectronDriftVelocityinnDopedWurtziteGaNグラフェンの低質量誘導電子のドリフト速度は、約1,000km/sである。標準質量の誘導電子のドリフト速度は、一般的には1cm/sよりも少ないが、全ての標準質量の誘導電子は互いにドリフトする。誘導力は、隣接する金属導体に対し、磁場によってではなく、偏光方向の光子によって伝搬される。これは、極性が適切な磁石はアルミホイルを通して引き付け合うが、ネストされたコイルなどの、コイル間の誘導力はアルミホイルによって妨げられることによって明らかである。金属における標準質量の誘導電子の濃度の高さと比較すると、殆どの半導体の低質量誘導電子は濃度が低いため、半導体の電気振動は誘導光子によって直接引き起こされないことがある。これは、化学的に生成された硫化鉛と鉛で形成されたワイヤとの組み合わせなど、薄膜の半導体物質がそのままの状態で金属ワイヤと組み合わせられている場合は、問題ではない。金属ワイヤより誘発された電子振動は、クーロンドラッグにより、金属の振動電流により硫化鉛に伝搬される。電力供給装置として使用されるコイル体図7には、4つのコイル体202によって形成される電源供給装置200の実施例が開示されている。コイル体202は、閉ループ回路204によって互いに接続されている。電源供給装置200には、閉ループ回路208によって振動電源205に接続される送信コイル中心コイル206が含まれる。必要であれば、送信コイル204は、鉄またはフェライト状のコア210を有してもよい。さらに、電源供給装置200には、閉ループ回路216で負荷214と共に接続されており、互いに接続されている4つの出力コイル212を有している。出力コイル212は、対応するコイル体202の内部に、同軸上にネストされていることが好ましく、さらに個別の鉄またはフェライト218を有している。振動電流が電源205から中心コイル206に供給されることにより、対応するコイル体202の金属コイルの振動電流が誘発される。金属コイルの振動電流は、クーロンドラッグによって、コイル体202のそれぞれの半導体コイルに伝搬される。コイル体202の半導体コイルから低質量電子を生成するために光伝導が必要である場合、半導体コイルは光誘導体を有しており、コイル体202の光伝導コイルの露出された領域に対して光振動が行われる。コイル体202の半導体コイルから生成される光子によって誘発されたエネルギーは、一般的な導電性ワイヤによって形成され、出力コイルとして使用されるコイル212に伝搬される。前述の通り、出力コイル212は対応するコイル体202の内部に、同軸上でネストされていることが好ましい。出力コイル212は、図示されている通り、電気的に接続されてもよく、または負荷214の機能を高めるために並列で接続してもよい。変形例として、これらは独立してワイヤされてもよい。実施例実施例として、長さ4インチ10cm及び直径1.5インチ3.8cmのコイル体を4つ用意した。それぞれのコイル体の半導体コイルには、円筒状のガラス筒に硫化カドミウムCdSの薄膜を塗布した。2つのコイル体の硫化カドミウムは比較的に厚めに形成され、測定可能な光伝導を示した。残り2つの硫化カドミウムが付着されたコイル体は、光伝導を示さなかった。しかし、硫化カドミウムが塗布された4つのコイルによる閉ループ回路を形成するために十分な低質量電子を誘導した。4つの全てのコイル体において、らせん状の半導体コイルの上にそれぞれ金属コイルが形成されていた。それぞれの金属コイルは、ステンレス鋼の薄板によって、らせん状に形成され、対応する硫化カドミウムコイルに適合された。金属コイルは、閉ループ回路を形成するために、互いに接続された。4つのコイルアセンブリは、図6Cに図示されている通り、放射状に接続された。コイルアセンブリの中心には、標準の絶縁体と強磁性コアとによって形成される、長さ3.5インチ8.9cmの送信コイルが配置された。コイルアセンブリには、強磁性コアをそれぞれ有する、長さ3.5インチ8.9cmの対応するワイヤコイルがネストされた。これらのコイルは電気的に接続され、回路には50オームの付加抵抗が接続された。ワイヤとコイルとの回路には、外部電源は供給されなかった。関数発生器から、50オームの抵抗が接続された中心コイルに向けて、正弦波の1kHz電流が供給された。半導体及び金属コイルの光伝導を引き起こさないよう、暗い状態で15分ほど放置した後、装置から生成された出力電源が特定された。以下の数式を用いて計算された出力電源は、入力電源の43にあたる。電源-アンプ=V2/R。その後、装置の4つの半導体及び金属コイルは、殆どのエネルギーは硫化カドミウムの光励起曲線外である標準の部屋の光に照射された。照射された硫化カドミウムの殆どは、半導体及び金属コイルの端部であった。その他の状態は暗い状態と同じであった。照射された状態においては、電源-アンプ=V2/Rで計算される出力電源は入力電源の3倍に増幅された。従って、照射によって、1kHzの出力が7倍に増幅された。前述の装置が受け取った照射の出力をテストするため、チューブの片方の端部に、色は507nm、電圧は3.7V、電流は20ミリアンプ74mWのLEDを照射した。尚、殆どの照射は硫化カドミウムを通過している。光伝導物質によってLEDからの光を遮断した照射は、LEDによって供給された出力よりも約1.4倍上昇した。装置はシールドされていないため、装置の金属コイルは、付近の電気機器による、60Hz及び47Hzの迷放射線を受信するアンテナとして、及び使用される電気装置としての役割を果たす。照射される条件において出力される60Hzの出力は、暗い条件において出力される60Hzの出力よりも、約2.6倍上昇した。照射される条件で得られる47Hzの出力は、暗い条件で得られる場合よりも約13倍上昇したため、周波数が高くなるにつれて、出力が上がることが確認された。本発明は、代表的な実施例を用いて詳細に記載されたが、本実施例の範囲を限定するものではない。本開示には、全ての代替案、変形例、及びそれに準じるものを含むとし、このようなバリエーションは本開示より離れるものではなく、全ての変形例は本開示の観点の範囲であると主張する。"