"銅-インジウム、銅-ガリウム、又は、銅-インジウム-ガリウムのいずれか一つからなる積層膜が形成された複数の基板を収納する処理室と、前記処理室を構成するように形成される反応管と、前記処理室にセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを導入するガス供給管と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気管と、前記反応管を囲うように設けられた加熱部と、前記複数のガラス基板の表面において、前記複数のガラス基板の短辺方向に前記処理室内の雰囲気を強制対流させるファンと、を具備する基板処理装置。請求項1において、前記ファンは、前記基板の長辺方向に沿って複数配置される基板処理装置。請求項1において、前記複数の基板の長辺方向に延在し、前記複数の基板を挟むように設けられた一対のインナーウォールを更に具備する基板処理装置。請求項3において、前記一対のインナーウォールは、更に前記ファンの側面を挟むように設けられる基板処理装置。複数の基板を保持するカセットを処理室内に搬送する搬送装置であって、前記カセットを支持する支持部と、前記支持部に固定される車輪部と、前記支持部及び前記車輪部を一体的に動作させるアームと、を具備する搬送装置。特許文献1に記載されるようにファンを円筒状の石英チャンバーの軸方向の端部に配置した場合、石英チャンバー内の雰囲気の対流は、石英チャンバー内を横方向、即ち、ガラス基板の長辺方向に流れることになる。ここで、CIS系太陽電池の製造コストを下げるためガラス基板を大型化するとガラス基板の長辺も長くなる。従って、昇降温時のガラス基板の面内の温度の均一性を保つためには、対流するガスの流速を大きくするか、若しくは、昇降温の速度を緩やかにする必要がある。前者の場合、ファンの能力を高くする必要があるが、ファンが高価になってしまう。また、ファンの能力にも限界があり実現が困難になってしまう可能性がある。更には、複数のガラス基板間の狭い空間を速い速度のガスが流れると、ガラス基板を引きつけようとする力が大きくなりガラス基板が揺らぐ可能性がある。その結果、ガラス基板とホルダーが擦れてパーティクルの発生等の問題を引き起こすことになる。一方、昇降温の速度を小さくすると、処理時間が長くなるため、スループットが低下し、製造コストが増加する。従って、ガラス基板の大型化が困難である。また、ガラス基板が大型化すると重量も重くなり、複数のガラス基板を石英チャンバー内に搬入することが難しくなる。本発明の好ましい一態様によれば、銅-インジウム、銅-ガリウム、又は、銅-インジウム-ガリウムのいずれか一つからなる積層膜が形成された複数の基板を収納する処理室と、前記処理室を構成するように形成される反応管と、前記処理室にセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを導入するガス供給管と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気管と、前記反応管を囲うように設けられた加熱部と、前記複数のガラス基板の表面において、前記複数のガラス基板の短辺方向に前記処理室内の雰囲気を強制対流させるファンと、を具備する基板処理装置が提供される。本発明の好ましい他の態様によれば、複数の基板を保持するカセットを処理室内に搬送する搬送装置であって、前記カセットを支持する支持部と、前記支持部に固定される車輪部と、前記支持部及び前記車輪部を一体的に動作させるアームと、を具備する搬送装置が提供される。本発明によれば、製造コストを小さくすることができる。<第1の実施形態>以下、図面を参照しつつ本発明の第1の実施形態を説明する。図1は、本発明に係るセレン化処理を行う基板処理装置に組み込まれる処理炉10の側面断面図を示している。また、図2は、図1の紙面左側から見た処理炉の断面図を示している。処理炉10は、ステンレス等の金属材料で形成される炉体としての反応管100を有する。ステンレス等の金属材料を用いることで、石英製とするよりも加工が容易で反応管100を大型しやすくなる。反応管100は、中空の円筒形状をしており、その一端が閉塞し、他端が開口する構造を有する。反応管100の中空部分により、処理室30が形成される。反応管100の開口側には、反応管100と同心円上に、その両端が開口した円筒形状のマニホールド120が設けられる。反応管100とマニホールド120との間には、シール部材としてのOリング図示せずが設けられている。マニホールド120の反応管100が設けられない開口部には、可動性のシールキャップ110が設けられる。シールキャップ110は、ステンレス等の金属材料で形成され、マニホールド120の開口部に、その一部が挿入される凸型形状をしている。可動性のシールキャップ110とマニホールド120との間には、シール部材としてのOリング図示せずが設けられ、処理を行う際には、シールキャップ110が反応管100の開口側を気密に閉塞する。反応管100の内部には、銅Cu、インジウムIn、及び、ガリウムGaを含有する積層膜が形成された複数のガラス基板例えば、30~40枚を保持するカセット410を載置するためのインナーウォール400が設けられる。インナーウォール400は、図2に示されるように、その一端が反応管100の内周面に固定されると共に、反応管100の中心部にカセット410が設置台420を介して載置されるように構成される。インナーウォール400は、カセット410を挟むように設けられた一対の部材が、その両端で繋がるように構成され、その強度を高くしている。カセット410は、図1に示されるように、複数のガラス基板20を立てた状態で横方向に並んで保持する。また、カセット410は、図3に示すように、直方体を形成する枠組みで形成される。カセット410には、ガラス基板20を保持する保持部材411を有する。保持部材411は、カセット410の直方体の長辺方向の両端、及び、直方体の枠組みの下部に設けられている。更にカセット410の長辺方向の上部側は、直方体から外側に突出するように設けられたつば部412を有する図2参照。後に詳述するが、つば部412は、カセット410の搬入出に用いられる。なお、インナーウォール400は、つば部412を格納できるように中央部が凸状に形成されている。また、反応管100を囲うように一端が閉塞し、他端が開口する中空の円筒形状をした炉体加熱部200が設けられる。また、シールキャップ110の反応管100と反対側の側面には、キャップ加熱部210が設けられる。この炉体加熱部200とキャップ加熱部210により処理室30内が加熱される。なお、炉体加熱部200は、図示しない固定部材により反応管100に固定され、キャップ加熱部210は、図示しない固定部材によりシールキャップ110に固定される。また、シールキャップ110やマニホールド120には、耐熱性の低いOリングを保護するため図示しない水冷部等の冷却手段が設けられる。マニホールド120には、セレン元素含有ガスセレン化源としての水素化セレン以下、H2Seを供給するためのガス供給管300が設けられる。ガス供給管300から供給されたH2Seは、ガス供給管300からマニホールド120とシールキャップ110との間の間隙を介して処理室30へ供給される。また、マニホールド120のガス供給管300と異なる位置には、排気管310が設けられる。処理室30内の雰囲気は、マニホールド120とシールキャップ110との間の間隙を介して排気管310より排気される。なお、上述の冷却手段により冷却される箇所は、150°C以下まで冷却すると、その部分に未反応のセレンが凝縮してしまうため、150°Cから170°C程度に温度制御すると良い。反応管100は、ステンレス等の金属材料で形成されている。ステンレス等の金属材料は、石英と比較して加工が容易である。そのため、CIS系太陽電池のセレン化処理を行う基板処理装置に用いられるような大型の反応管100を容易に製造することが可能となる。反応管100内に収納できるガラス基板の数を多くすることができ、CIS系太陽電池の製造コストを下げることができる。処理炉10の上部側には、ガラス基板の長辺方向に沿って、複数の電動ファン500が設けられる。複数の電動ファン500の夫々は、回転することにより処理室30内の対流を形成する羽部510と、円筒状の反応管100の側壁、及び、炉体加熱部200の側壁を貫通するように設けられた回転軸部520と、炉体加熱部200の外部に設けられ、回転軸部520を回転させる動力部530を有する。更に、回転軸部520と反応管100及び炉体加熱部200との間には、保護部材540を設け、保護部材540と回転軸部520との間の狭い間隙に窒素パージを行うことにより、回転軸部520から動力部530に反応ガスが浸入するのを極力抑えるようにしている。複数の電動ファン500により、処理室30内はガラス基板20の短辺方向のガスの流れが形成される。このように、電動ファン500を動作させ、強制対流をガラス基板の短辺方向に向かうようにすることで、ガラス基板20の面内の温度を均一化するために必要なガスの流速を下げることができる。図7は、電動ファンの位置以外は、同じ構造をした処理炉において、5°C/分の速度で昇温した場合のガラス基板間の流速を変化させ、ガラス基板の面内の温度差を約30°Cに抑えるために必要な流速をシュミレーションした結果である。aは、電動ファンを処理炉の側面に配置し、ガラス基板の表面のガスの流れをガラス基板の長辺方向とした場合の結果であり、ガラス基板の面内の温度差を約30°Cに抑えるために必要なガスの流速は10m/秒であった。bは、本実施形態のように電動ファンを処理炉の上面に配置し、ガラス基板の表面のガスの流れをガラス基板の短辺方向にした場合の結果であり、ガラス基板の面内の温度差を約30°Cに抑えるために必要なガスの流速は2m/秒であった。なお、a及びbの左側は、加熱20分後400K=123°Cの状態を示し、右側は、加熱60分後600K=323°Cの状態を示している。図7の結果からもわかるように本実施形態のようにガスの流れをガラス基板の短辺方向とすることにより、ガスの流速を抑えることが可能となり、ガラス基板を大型化することが可能となる。図2に示されるように、ガラス基板20の表面を通過したガスは、反応管100の内壁に沿って上部に戻る。従って、処理室30内の雰囲気は循環するようになっている。また、インナーウォール400を電動ファン500の側部を挟むように構成することで、電動ファン500により強制対流されるガス流をガラス基板20に向かうようすることができる。更には、ガラス基板の長辺方向に複数の電動ファン500を設けたことにより、長辺方向のガスの均一性を向上させることができる。処理炉10は、ガラス基板20のガスの上流側に、インナーウォール400に固定された複数の開口部431を有する板状部材の第1整流板430を有している。この第1整流板430の開口部431の開口率を調整し、ガスのコンダクタンスを調整することにより、更に均一に複数のガラス基板20の表面にガスを流すことができる。特に、本実施形態では、電動ファン500を長辺方向に複数並べる構成をしているため、電動ファン500の直下と、電動ファン500の間の空間ではガスの流れが異なってしまう可能性もある。この場合、電動ファン500の直下と電動ファン500の間の空間の第1整流板430の開口率を異ならせ、ガスのコンダクタンスを調整することにより、均一にガスを流すことが可能となる。なお、図2において、開口部431は、複数のガラス基板20に対して一つの開口部431を持つように記載してあるが、これに限らず、ガラス基板20の間の一つの空間に対応して一つの開口部431を設けても良い。図8は、開口率の異なる領域を有する第1整流板430の効果をシミュレーションした際の構成図を示している。今回のシミュレーションでは、40枚のガラス基板を対称面で4分割した20枚分の半分の長さのモデル1/4対称モデルを用いている。また、電動ファン500に対応して第1流入口IN1及び第2流入口IN2があり、第1流入口IN1からは12m3/分の、第2流入口IN2からは6m3/分のガスが供給され、流出口OUTから流出するようにしている。また、第1整流板430に対応して、ガス流の抵抗体を領域R1,R2,R3に設けている。具体的には、開口率の異なる領域を有する第1整流板430に対応させるため、電動ファンの直下に該当する領域R1の開口率は40に、電動ファンの間に該当する領域R2の開口率は30に設定してある。また、複数のガラス基板が並ぶ方向の端の領域R3は、図示されていないが、ガスが外側に流出しないように設定してある。このように複数のガラス基板が並ぶ方向の端に流れるガス量を絞り、また、電動ファン直下のガス流速を抑え、複数の電動ファンの合流による流速低下を抑えることにより、総循環ガス流量72m3/分とした際のガラス基板間の平均ガス流速が2m/秒以上、ガラス基板間の最低ガス流速が1.2m/秒以上となる結果を得ることができた。図9は、図8と同様の構成において、同様のガス流速条件下でガラス基板を加熱した場合に発生するガラス基板面内の温度偏差ΔTについてシミュレーションした結果である。なお、本シミュレーションでは、図8の1/4対称モデルではなく、ガラス基板の長辺方向に電動ファンが2つ分並んだ長さでシミュレーションを行っている。図9aは、5°C/分で昇温し、室温25°Cから加熱を開始して、温度偏差ΔTが最大となる1時間45分後の550°C823Kでの温度分布を示している。また、a-1は、端から1枚目付近、a-2は、端から11枚目付近、a-3は、端から20枚目付近中央部を示しており、その上部に記載されている数字は、その面内の最大温度と最小温度である。40枚のガラスのうち両端と中央の間にある端か11枚目付近の2つの電動ファンの間の下流部分で最も温度低下していることが分かったが、ガラス全体が約550°Cに加熱された状態で、28°Cの偏差ΔTとなっており、十分許容できる範囲に収まっている。また、図9bは、図9aから炉体温度を552°C825Kに固定し、約10分経過した後の温度偏差ΔTを示している。aと同様にb-1は端から1枚目付近、b-2は端から11枚目付近、b-3は端から20枚目付近中央部を示しており、その上部に面内の最大温度と最小温度が示されている。bからもわかるようにプロセス時温度が安定した時は、十分な温度均一性が保てていることがわかる。図10は、図9が端から1枚目付近、11枚目付近、中央部付近にあるガラスの面内分布を示したが、炉体において加熱中に発生するガラス基板面内の最大温度差を40枚全てについてプロットしたものである。Aは、550°Cに加熱時の温度偏差図9aに対応、Bは、552°Cに到達した後、ガスの温度を552°Cに保持したままガス循環させ10分経過した後の温度偏差図9bを示している。2つのファンの影響により端から6~8枚目の間で比較的大きな温度偏差が発生するものの、整流板などによるコンダクタンス調整を行うことにより、加熱時に30°C以内、プロセス時に10°C以内という極めて良好な均一性が実現できている。なお、本シミュレーションは、電動ファンの直下の領域の開口率が電動ファンの間の領域の開口率より高いことで行ったが、これに限らず、反応炉の構成により反対の関係にしたほうが望ましい場合もある。但し、電動ファンの直下の領域と電動ファンの間の領域では、ガス流の条件が異なるため、本実施形態のように電動ファンの直下の領域と電動ファンの間の領域の開口率を異ならせることでガス流のコンダクタンスの調整ができ、均一性を向上させることができる。更に、処理炉10は、ガラス基板20の下流側に、インナーウォール400に固定された複数の開口部431を有する板状部材の第2整流板430を有する。上流側の第1整流板に加えて、下流側にも第2整流板を有することにより、ガスの均一化の調整できる要因を増やすことができ、ガスの流れをより均一化しやすくなる。なお、図2において、開口部431は、複数のガラス基板20に対して一つの開口部431を持つように記載してあるが、これに限らず、ガラス基板20の間の一つの空間に対応して一つの開口部431を設けても良い。更に、本実施形態では、反応管100の少なくとも処理室30内の雰囲気に曝される表面、及び、電動ファン500の少なくとも羽部510および回転軸部520は、図4で示されるように、基材101となるステンレス等の金属材料の上に、ステンレス等の金属材料と比較してセレン化耐性の高いコーティング膜が形成される。広く用いられるステンレス等の金属材料は、H2Se等のガスが200°C以上に加熱されると、非常に高い反応性により腐食してしまうが、本実施形態のようにセレン化耐性の高いコーティング膜を形成することにより、H2Se等のガスによる腐食を抑制できため、広く用いられるステンレス等の金属材料を用いることができ、基板処理装置の製造コストを下げることが可能となる。なお、このセレン化耐性の高いコーティング膜としては、セラミックを主成分とするコーティング膜がよく、例えば、酸化クロムCrxOy:x,yは1以上の任意数、アルミナAlxOy:x,yは1以上の任意数、シリカSixOy:x,yは1以上の任意数の夫々単独あるいは混合物が挙げられる。また、本実施形態のコーティング膜102は、ポーラス状の膜で形成している。これにより、ステンレス等の金属材料で形成される基材101とコーティング膜102との線膨張係数の違いによる熱膨張収縮に柔軟に追従することが可能となる。その結果、熱処理を繰り返し行ったとしても、コーティング膜への亀裂の発生が最小限に抑えることができる。なお、コーティング膜102は、2~200μm、望ましくは50~120μmの厚さで形成するのが望ましい。また、基材101とコーティング膜102との線膨張係数の偏差が20以下、望ましくは、5以下とするのが望ましい。また、シールキャップ110、マニホールド120、ガス供給管300、及び、排気管310も同様にセレン化源に曝される部分を上述のコーティング膜を形成しても良い。但し、Oリング等を保護するために冷却手段により200°C以下に冷却されている部分は、ステンレス等の金属材料がセレン化源と接触しても反応しないためコーティングしなくとも良い。次に、カセット410の処理室30内への搬入出について説明する。図5は、カセット410の搬入時、又は、搬出時の状態を示しており、aは、図2に対応する断面図、bは、処理炉を側面から見た場合の図で、説明に必要な部分のみを記載している。また、図6は、本発明の搬送装置600を抜き出した図であり、aが側面図、bが上面図、cが搬送装置600の後方から見た図を示している。ガラス基板20を大型化するとカセット410が重くなる。そのため、カセット410の下部に板状部材を挿入して持ち上げることが困難になる。そこで、本実施形態では、カセット410につば部412を設け、つば部412を持ち上げることが可能な車輪付きの搬送装置600によりカセット410を搬送する。搬送装置600は、つば部412を支持する支持部601、支持部601を昇降する複数の昇降部602、昇降部の下部に設けられた複数の車輪部603、複数の昇降部602及び複数の車輪部603を一体的に動作可能とする固定部材604、固定部に設けられたアーム605とを有する。搬送装置600全体は、図6に示すように、支持部601及び固定部材604で左右の昇降部602及び車輪部603が一体的に動作するように構成され、アーム605を前後に動かすことにより、搬送装置600全体が一体的に動作可能になっている。カセット410を搬送する際には、昇降部602が支持部601を上昇させ、つば部412を持ち上げることによりカセット410全体を持ち上げる。その結果、カセット410は、設置台420と接触することなく移動可能となる。また、カセット410は、複数の車輪部603により支持されているため、カセット410が重くなったとしても荷重を分散することができ、より重いカセット410を搬送することが可能となる。また、インナーウォール400には、複数の車輪部603が移動可能なように外側に突出した凸部搬送路を有している。従って、アーム605を前後させることにより、車輪部603がインナーウォール400の搬送路を移動し、スムーズにカセット410の搬送することが可能となる。また、カセット410を所定位置まで搬入した後、昇降部602により支持部601を下降させる。カセット410は、支持部601の下降に従って下降するが、カセット410の下面が設置台420と接触するとそれ以上を下降しない。ここで、更に昇降部602により支持部601を下降させると、カセット410はこれ以上下降しないため、支持部601とつば部412が離れる。その結果、アーム605を後退させることにより、カセット410を処理室30内に載置した状態で搬送装置600を処理室30から取り出すことができる。カセット410を搬出したい場合は、この逆の手順を踏めばよい。このように、支持部601と複数の車輪部603を有する搬送装置600により、カセット410を持ち上げ移動させることにより、ガラス基板20の大型化に対応することができる。また、支持部601を昇降可能な昇降部602を設けることで、カセット410と搬送装置600とを分離することが可能となり、搬送装置600のみを処理室30内に搬入出することが可能となる。次に、本実施形態の処理炉を用いて行う、CIS系太陽電池の製造方法の一部である基板の製造方法について説明する。まず、銅Cu、インジウムIn、及び、ガリウムGaを含有する積層膜が形成された30枚から40枚のガラス基板をカセット410内に準備する。次に、カセット410のつば部412を搬送装置600の支持部601により持ち上げる。これにより、カセット410の移動が可能となる。その後、搬送装置600の車輪部603をインナーウォール400の搬送路に乗せ、アーム605を前進させることにより、カセット410及び搬送装置600を処理室30内の所定の位置まで移動する。次に、搬送装置600の昇降部602により支持部601及びカセット410を下降させる。カセット410が設置台420に載置された後、昇降部602により支持部601を更に下降させ、搬送装置600とカセット410を分離する。その後、アーム605を後退させることにより、搬送装置600を処理室30の外に搬出する。次に、可動性のシールキャップ110により処理室を密閉する搬入工程。その後、処理室30内を窒素ガス等の不活性ガスで置換する置換工程。不活性ガスで処理室30内の雰囲気を置換した後、常温の状態で、不活性ガスにて1~20望ましくは、2~10に希釈したH2Seガス等のセレン化源をガス供給管300から導入する。次に、上記セレン化源を封じ込めた状態、若しくは、排気管310から一定量排気することにより上記セレン化源が一定量フローした状態で、400~550°C、望ましくは450°C~550°Cまで、毎分3~50°Cで昇温する。この際に電動ファン500を動作させ、処理室30内の雰囲気をガラス基板の短辺方向にガス流が向くように強制対流させる。所定温度まで昇温した後、10~180分間、望ましくは、20~120分間保持することにより、セレン化処理が行われ、CIS系太陽電池の光吸収層が形成される形成工程。その後、ガス供給管300から不活性ガスを導入し、処理室30内の雰囲気を置換し、また、所定温度まで降温する降温工程。所定温度まで降温した後、シールキャップ110を移動させることにより、処理室30を開口する。処理室30が開口したら、搬送装置600の昇降部602により支持部601を下降させた状態で、車輪部603をインナーウォール400の搬送路に乗せる。次に、アーム605を前進させ、搬送装置600を所定位置まで移動させた後、昇降部602により支持部601を上昇させ、カセット410を持ち上げる。そして、アーム605を後退させることにより、カセット410を搬出する搬出工程ことにより一連の処理が終了する。以上の第1の実施形態における発明は、以下記載する効果の少なくとも一つを有する。1処理室30内のガスの流れをガラス基板の短辺方向にしたことにより、ガスの流れをガラス基板の長辺方向とした場合と比較して、対流させるガスの流速を高くしなくてもガラス基板の温度均一性を保つことが可能となり、ガラス基板を大型化することができる。21において、複数の電動ファンをガラス基板の長辺方向に複数配置したことにより、ガラス基板の長辺方向のガス流の均一化を実現できる。31又は2において、ガラス基板を挟むように一対のインナーウォールを設けたことにより、対流させたガス流をガラス基板に効率的に向かわせることができる。43において、電動ファンの側面まで一対のインナーウォールを延在させることにより、ガス流をガラス基板により効率的に向かわせることができる。52乃至4の何れか一つにおいて、電動ファンの少なくとも羽部および回転軸を、羽部の基材よりもセレン化耐性が高い物質でコーティングすることにより、ステンレス等の金属材料で複雑な加工が必要な羽部の基材を構成できる。61乃至5の何れか一つにおいて、反応管をステンレス等の金属材料で形成することにより、反応管を大きくすることができ、ガラス基板を大型化することができる。76において、反応管の少なくとも処理室の雰囲気に曝される部分を、反応管の基材よりもセレン化耐性の高い物質でコーティングすることにより、基板処理装置のコストを小さくすることができる。81乃至7の何れか一つにおいて、複数のガラス基板の表面におけるガスの流れ方向の上流側に複数の開口部を有する整流板を配置したことにより、ガス流のコンダクタンスを調整することができる。その結果、電動ファンによる強制対流のガス流れの調整を行うことができ、ガス流の均一化を実現できる。98において、整流板の開口部の開口率を電動ファンの直下の領域と電動ファンの間の領域とで異ならせることにより、電動ファンの配置によるガス流の乱れを調整することが可能となる。108又は9において、ガラス基板の下流側にも整流板を設けることにより、より細やかにガスのコンダクタンスを調整することが可能となる。11複数のガラス基板を保持するカセットを処理室内に搬入出する搬送装置を、複数の車輪部を有する構成としたことにより、複数のガラス基板を大型化した場合も容易に搬送できる。言い換えれば、ガラス基板の大型化を実現できる。1211において、カセットを持ち上げる昇降部を搬送装置に設けたことにより、カセットを搬送後、処理室から搬送装置を取り出すことが可能となる。<第2の実施形態>次に、図1及び図2に示される処理炉10の他の実施形態を図11を用いて説明する。図11では、図1及び図2と同一の機能を有する部材には同一番号を付してある。また、ここでは、第1の実施形態と相違する点について主に説明する。図11に示す第2の実施形態では、複数のガラス基板20を保持するカセット410を一つのみ載置した第1の実施形態と異なり、複数のカセット410ここでは、3つを複数のガラス基板の表面と平行な方向に並べて配置している点が異なる。本発明では、電動ファン500による処理室30内の雰囲気の強制対流をガラス基板20の短辺方向としているため、ガラス基板20の長辺方向に複数カセット410を配置しても、夫々のガラス基板20の表面を流れるガスの流れは、第1の実施形態と同様になる。従って、複数のガラス基板を長辺方向に複数並べることが可能となり、一度に処理できるガラス基板の数を増やすことができる。また、第1の実施形態で説明したように、本発明では、車輪部603を有する搬送装置600によりカセット410を処理室内に搬送する。従って、本実施形態のようにカセット410を搬入口から順に並べて配置したとしても、アーム605の長さを調整することにより、遠くまでカセット410搬送することが可能となる。更に、従来の石英製の反応管を用いるのではなく、ステンレス等の金属材料を反応管100の基材として用いている。従って、反応管100を大型化したとしても、石英製と比較してその成型が容易であり、また、そのコストの増加も石英製と比較して小さい。そのため、一度に処理できるガラス基板20の数を多くすることができ、CIS系太陽電池の製造コストを下げることができる。また、ステンレス等の金属材料を反応管の基材として使用することにより、石英製の反応管と比較して、その取り扱いも容易であり、反応管を大型化をすることができる。第2の実施形態における本発明では、第1の実施形態の効果に加えて、以下に記す効果のうち少なくとも一つを実現できる。1反応管100内には、複数のガラス基板20を保持するカセット410をガラス基板20の表面と平行な方向に並んで複数配置することにより、一度に処理できるガラス基板の数を多くすることができ、CIS系太陽電池の製造コストを小さくすることができる。以上、本発明の実施形態を図面を用いて説明してきたが、本発明の趣旨を逸脱しない限り、様々な変更が可能である。例えば、上述の実施形態では、銅Cu、インジウムIn、ガリウムGaが形成された複数のガラス基板をセレン化処理することで説明したが、これに限らず、銅Cu/インジウムInや銅Cu/ガリウムGa等が形成された複数のガラス基板をセレン化処理するようにしてもよい。また、本実施形態では、金属材料との反応性の高いセレン化について言及したが、CIS系太陽電池では、セレン化処理に変えて、若しくは、セレン化処理の後に硫黄元素含有ガスを供給し硫化処理を行う場合もある。その際も、本実施形態の大型反応炉を用いることにより、一度に硫化処理をできる枚数を増やすことができるため、製造コストの低下を実現できる。最後に本発明の好ましい主な態様を以下に付記する。1銅-インジウム、銅-ガリウム、又は、銅-インジウム-ガリウムのいずれか一つからなる積層膜が形成された複数の基板を収納する処理室と、前記処理室を構成するように形成される反応管と、前記処理室にセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを導入するガス供給管と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気管と、前記反応管を囲うように設けられた加熱部と、前記複数のガラス基板の表面において、前記複数のガラス基板の短辺方向に前記処理室内の雰囲気を強制対流させるファンと、を具備する基板処理装置。2上記1において、前記ファンは、前記基板の長辺方向に沿って複数配置される基板処理装置。3上記1又は2において、前記複数の基板の長辺方向に延在し、前記複数の基板を挟むように設けられた一対のインナーウォールを更に具備する基板処理装置。4上記3において、前記一対のインナーウォールは、更に前記ファンの側面を挟むように設けられる基板処理装置。5上記2乃至4の何れか一つにおいて、前記ファンは、前記処理室内で回転する羽部を有し、前記羽部は、前記羽部の基材よりセレン化耐性又は硫化耐性が高い物質を主成分するコーティング膜により前記羽部の基材がコーティングされている基板処理装置。6上記1乃至5の何れか一つにおいて、前記反応管の基材は、金属材料で形成される基板処理装置。7上記6において、前記反応管の少なくとも前記処理室内の雰囲気に曝される部分は、前記反応管の基材よりセレン化耐性又は硫化耐性が高い物質でコーティングされる基板処理装置。8上記1乃至7の何れか一つにおいて、前記複数の基板の表面における前記セレン元素含有ガス又は前記硫黄元素含有ガスが流れる方向の前記複数の基板の上流側に複数の開口部を有する第1整流板が設けられる基板処理装置。9上記8において、前記複数の基板の表面における前記セレン元素含有ガス又は前記硫黄元素含有ガスが流れる方向の前記複数の基板の下流側に複数の開口部を有する第2整流板が設けられる基板処理装置。10上記8又は9において、前記ファンは、前記複数の基板の長辺方向に沿って複数設けられ、前記第1整流板のうち前記ファンの真下の領域の前記開口部の開口率は、複数配置された前記ファンの間の領域の前記開口部の開口率と異なる基板処理装置。11上記1乃至10の何れか一つにおいて、前記複数の基板は、カセットに保持され、前記カセットは、前記複数の基板の長辺方向に複数配置される基板処理装置。12複数の基板を保持するカセットを処理室内に搬送する搬送装置であって、前記カセットを支持する支持部と、前記支持部に固定される車輪部と、前記支持部及び前記車輪部を一体的に動作させるアームとを具備する搬送装置。13上記12において、前記搬送装置は、前記支持部と前記車輪部との間に設けられ昇降可能な昇降部を更に具備する搬送装置。"