基板上に並列して形成されたnnは自然数個の光電変換装置を有し、前記光電変換装置は、複数のセルが直列に接続された集積化構造であり、n-1個以下の前記光電変換装置が電気的に並列接続されていることを特徴とする光電変換モジュール。請求項1において、前記並列接続される光電変換装置にはショートした光電変換装置が含まれないことを特徴とする光電変換モジュール。請求項1または2において、並列接続されない光電変換装置には、前記並列接続される光電変換装置と同等の電気特性を有する光電変換装置を含むことを特徴とする光電変換モジュール。請求項1乃至3のいずれか一項において、前記並列接続された光電変換装置の一つと並列接続されていない光電変換装置の一つを入れ替えて動作することを特徴とする光電変換モジュール。請求項1乃至4のいずれか一項において、前記セルはpin型であり、非晶質シリコンを含んで形成されていることを特徴とする光電変換モジュール。基板上に第1の導電膜を形成し、前記第1の導電膜に第1の分離溝を形成して第1の電極を複数形成し、前記第1の電極及び前記第1の分離溝上に一導電型を有する半導体層、真性半導体層、及び一導電型とは逆の導電型を有する半導体層を積層し、前記積層した半導体層に第2の分離溝を形成して島状の半導体層を複数形成し、前記島状の半導体層及び前記第2の分離溝を覆う様に第2の導電膜を形成し、前記第2の導電膜に第3の分離溝を形成して複数の第2の電極、及び光電変換モジュールの一対の電極を形成し、前記第1の電極、前記島状の半導体層及び前記第2の電極を含む集積化構造の光電変換装置をn個nは自然数並列して形成し、前記並列して形成したn個の光電変換装置の中からn-1個以下の光電変換装置を選択し、前記選択された光電変換装置の第1の電極と光電変換モジュールの一方の電極を電気的に接続し、前記選択された光電変換装置の第2の電極と光電変換モジュールの他方の電極を電気的に接続することを特徴とする光電変換モジュールの作製方法。請求項6において、前記選択された光電変換装置にはショートした光電変換装置が含まれないことを特徴とする光電変換モジュールの作製方法。請求項6または7において、並列接続されていない光電変換装置には、前記並列接続される光電変換装置と同等の電気特性を有する光電変換装置を含むことを特徴とする光電変換モジュールの作製方法。請求項6乃至8のいずれか一項において、前記真性半導体層は、非晶質シリコンで形成することを特徴とする光電変換モジュールの作製方法。しかしながら、半導体層に不本意に形成される構造欠陥は多種多様で、上記手法によって全てが解決される訳ではない。なお、本明細書において構造欠陥とは、膜の一部が欠損する欠陥のことを言い、結晶構造の乱れなどの結晶欠陥を意味するものではない。例えば、構造欠陥の形状によっては、フォトレジストの充填不良や絶縁膜のカバレージ不良などが起こり、上下電極間のショートが防ぎきれないこともある。また、電極を含む全ての層を形成した後に傷などの構造欠陥が発生する場合や、異物による押圧などで上下電極間のショートが起こる場合などは、上記手法では対処できない。また、複数のセルを直列接続した集積化光電変換装置においては、一つでもショートしたセルがあると出力電圧が低下してしまう問題を有している。従って、本発明の一態様は、電気特性に異常のあるセルを排除することのできる光電変換モジュール及びその作製方法を提供することを目的とする。本明細書で開示する本発明の一態様は、基板上に並列して形成されたnnは自然数個の光電変換装置を有し、光電変換装置は、複数のセルが直列に接続された集積化構造であり、n-1個以下の光電変換装置が電気的に並列接続されていることを特徴とする光電変換モジュールである。上記並列接続される光電変換装置にはショートした光電変換装置が含まれず、設計仕様を満足した電気特性を有する光電変換装置が選ばれる。このとき、全ての光電変換装置が設計仕様を満足していたとしても、電気的に並列接続される光電変換装置の数はn-1個以下とする冗長設計とする。また、電気特性が良好であっても電気的に並列接続されない光電変換装置は、予備として用いることができる。例えば、並列接続された光電変換装置の一部が不良となった場合には、並列接続されていない光電変換装置の一部と入れ替えて動作させることができる。上記セルはpin型であり、非晶質シリコンを含んで形成することが好ましい。上記光電変換装置の電気的な並列接続は、スイッチング回路にて行われる構成としても良い。本明細書で開示する本発明の他の一態様は、基板上に第1の導電膜を形成し、第1の導電膜に第1の分離溝を形成して第1の電極を複数形成し、第1の電極及び第1の分離溝上に一導電型を有する半導体層、真性半導体層、及び一導電型とは逆の導電型を有する半導体層を積層し、積層した半導体層に第2の分離溝を形成して島状の半導体層を複数形成し、島状の半導体層及び第2の分離溝を覆う様に第2の導電膜を形成し、第2の導電膜に第3の分離溝を形成して複数の第2の電極、及び光電変換モジュールの一対の電極を形成し、第1の電極、島状の半導体層及び第2の電極を含む集積化構造の光電変換装置をn個nは自然数並列して形成し、並列して形成したn個の光電変換装置の中からn-1個以下の光電変換装置を選択し、選択された光電変換装置の第1の電極と光電変換モジュールの一方の電極を電気的に接続し、選択された光電変換装置の第2の電極と光電変換モジュールの他方の電極を電気的に接続することを特徴とする光電変換モジュールの作製方法である。本明細書において第1、第2等の数詞の付く用語は、要素を区別するために便宜的に付与しているものであり、数的に限定するものではなく、また配置及び段階の順序を限定するものでもない。上記光電変換装置の第1の電極と光電変換モジュールの一方の電極、及び\または光電変換装置の第2の電極と光電変換モジュールの他方の電極との電気的な接続をするスイッチング回路を形成しても良い。本発明の一態様によって、出力電圧不良が抑制された光電変換モジュール及びその作製方法を提供することができる。以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略することがある。実施の形態1本実施の形態では、本発明の一態様である光電変換モジュールの構造、及びその作製方法について説明する。なお、本発明の一態様における光電変換モジュールの説明において、セルとは、発電に寄与する一つの光電変換素子のことを言い、例えばpin接合が形成された半導体層と上下の電極を含んだ構成がある。また、光電変換装置とは、複数のセルが電気的に直列に接続された構成のことを言う。図1A、Bは、本発明の一態様における光電変換モジュールの平面図及び断面図の一例である。本実施の形態における光電変換モジュールは、基板100、第1の電極110、第1の半導体層120、第2の半導体層130、第3の半導体層140、第2の電極150、接続電極160a、160b、第3の電極170、第4の電極180を含んで構成される。第3の電極170及び第4の電極180は、光電変換モジュールの正負電極となる一対の電極である。例えば、第1の半導体層120の導電型をp型、第3の半導体層140の導電型をn型とした場合には、第3の電極170は正極、第4の電極180は負極となる。また、接続電極160aは、第3の電極170と光電変換装置の第1の電極110を接続するために設けられ、接続電極160bは、第4の電極180と光電変換装置の第2の電極150を接続するために設けられる。なお、図2A、Bの断面図に示す様に、接続電極160aまたは接続電極160bを省く構成であっても良い。ここで、図2Aにおいて、第4の電極180は光電変換モジュールの電極であるが、右端のセルの第2の電極150としても作用する。なお、本明細書における光電変換モジュールの平面図及び断面図は、光電変換モジュールの一例を示すものであり、直列に接続されるセルの段数は限られず、所望の電圧が得られる様に実施者が適宜決定すれば良い。また、一つのセルの構成は、隣接するセルの構成と同等であることから、その符号を付すことを省略することがある。図8A、Bに従来の光電変換モジュール構造の平面図及び断面図を例示する。該光電変換モジュールはpin型であり、基板1100、第1の電極1110、第1の半導体層1120、第2の半導体層1130、第3の半導体層1140、第2の電極1150、第3の電極1170、第4の電極1180を含んで構成されている。ここで、第4の電極1180は光電変換モジュールの電極であるが、セルの第2の電極1150としても作用する。また、セルを構成する半導体層には非晶質シリコンを用いるものとする。この構成ではセルが5段直列に接続されているため、正常品であれば、例えば蛍光灯の様な低照度の室内灯下において開放電圧Vocは、1セルあたり約0.7V、5段で3.5V程度が得られる。従って、設計上は駆動電圧が最大3V程度の機器の電源として使用することができる。ここで、図8Aの平面図に示した様に5段直列に接続されたうちの一つのセルに構造欠陥200があり、その部分で第1の電極1110と第2の電極1150がショートしていたとする。このとき、一つのセルは導通状態であるため、開放電圧は2.8V程度となり、駆動電圧が3Vの機器を動作することはできなくなる。つまり、従来の光電変換モジュールの構成においては、1箇所でも一定以上の電圧を出力できない様な欠陥を有していると、不良品となってしまう。特に低照度下では、出力される電流が小さいために、上下の電極間に僅かなリーク電流があっても問題になる。これらのショートやリーク電流の原因は、半導体膜の形成時に不本意に形成されるピンホールや傷などの構造欠陥であることが多い。そのため、樹脂や無機膜などの絶縁物を構造欠陥に埋め込むなど、上下の電極間でショートやリーク電流が生じない様な工夫がされていた。しかしながら、これらの方法は、絶縁物の充填不良やカバレージ不良などの問題を有しているだけでなく、セルの完成後に異物による押圧などで形成される構造欠陥には対処ができないものであった。従って、本発明の一態様では、光電変換モジュールを構成する複数のセルに電気特性を損なう様な構造欠陥があった場合においても、設計された電圧を出力できる冗長設計の光電変換モジュールを提供するものである。例えば、図3の平面図に示す様に、左から1、3、4列目の光電変換装置にセルの上下電極間がショートするような構造欠陥200a、200b、200cがあった場合、前述した従来構造の光電変換モジュールであれば、5段中3段のセルが所定の電圧を発生しないことになる。しかしながら、図3に示す様に、上から2、4、8行目の構造欠陥を有する光電変換装置には、接続電極160a及び/または接続電極160bを設けない構成とし、残る正常な電気特性を有する光電変換装置を並列接続すれば正常な5段分の出力電圧を得ることができる。なお、正常な電気特性を有する光電変換装置とは、ショートなどの致命的な欠陥を有さないものだけではなく、光電変換モジュール全体の電気特性を設計仕様以下に低下させる要因を含まないものも含まれる。従って、光電変換装置の電気特性に不良があっても、その程度が軽微なもの、または設計仕様を満足するものであれば正常な電気特性を有する光電変換装置と見なされ、その判別基準は実施者が適宜決定できる。また、本明細書では正常な電気特性を有する物のことを良品、良品ではない物のことを不良品とも言う。ただし、接続されない光電変換装置からは電流が得られないため、図3の光電変換モジュールの構成では、10行個形成された光電変換装置の7行個分の電流、すなわち、電流が最大に得られる構成に対して70の電流しか得られないことになる。ここで、70の電流値が設計値の許容範囲であれば、図3の構成の光電変換モジュールは良品とすることができる。また、構造欠陥が少なく、良品の光電変換装置を全て接続すると電流値が設計仕様の上限を超えてしまう様な場合は、いくつかの光電変換装置に接続電極160a及び/または接続電極160bを設けない構成とし、電流値を設計値の許容範囲にあわせこめば良い。すなわち、n個の光電変換装置を基板上に作製し、n-1個以下の光電変換装置を並列接続する冗長設計とすることで良品歩留まりを向上させることができる。また、上記の様に初期の状態で並列接続されない良品の光電変換装置を有する光電変換モジュールでは、並列接続された光電変換装置の一つが不良品となった場合に、並列接続されない良品の光電変換装置に接続電極160a及び接続電極160bを設ければ正常に機能させることができる。つまり、予備の光電変換装置が含まれた光電変換モジュールを構成することができる。また、経時変化や突発的な要因で並列接続された光電変換装置の一部にショートなどの不良が起きた場合は、その光電変換装置を切り離し、出力電圧を確保することもできる。この場合、光電変換モジュールに接続する負荷の動作に問題がなければ、予備の光電変換装置を接続させなくても良い。次に、これまで説明した光電変換モジュールとは異なる構成の光電変換モジュールの平面図及び断面図を図4A、Bに示す。図1乃至3の構成では、光電変換装置の電極と光電変換モジュールの電極を接続電極で電気的に接続する構成であった。図4に示す光電変換モジュールは、光電変換装置上に絶縁層190及び光電変換モジュールの電極が形成され、該絶縁層に形成された接続溝161a、161bによって光電変換装置の電極と光電変換モジュールの電極が接続された構成となっている。つまり、電気的に並列接続する必要のある光電変換装置上の絶縁層190に接続溝161a、161bを形成することで、光電変換モジュールを完成させることができる。また、良品の光電変換装置が出力する電力を合成させる手段として、外部回路を用いても良い。この場合、一定以上の電圧を出力する光電変換装置の電力を合成するような回路を用いることができる。本発明の一態様における光電変換モジュールを構成する基板100には、例えば、青板ガラス、白板ガラス、鉛ガラス、または結晶化ガラスなどのガラス板を用いることができる。また、アルミノシリケートガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどの無アルカリガラス基板や石英基板を用いることができる。本実施の形態では、基板100にガラス基板を用い、基板100上に半導体層等が形成される表面と反対側の面を光入射側とする。また、基板100には、樹脂基板を用いることもできる。例えば、ポリエーテルスルホンPES、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリエチレンナフタレートPEN、ポリカーボネートPC、ポリアミド系合成繊維、ポリエーテルエーテルケトンPEEK、ポリスルホンPSF、ポリエーテルイミドPEI、ポリアリレートPAR、ポリブチレンテレフタレートPBT、ポリイミド、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂などが挙げられる。第1の電極110には、例えば、インジウム錫酸化物ITO、珪素を含むインジウム錫酸化物ITSO、亜鉛を含む酸化インジウムIZO、酸化亜鉛ZnO、ガリウムを含む酸化亜鉛GZO、アルミニウムを含む酸化亜鉛AZO、酸化錫SnO2、フッ素を含む酸化錫FTO、またはアンチモンを含む酸化錫ATO等の透光性導電膜を用いることができる。上記透光性導電膜は単層に限らず、異なる膜の積層でも良い。例えば、ITOとAZOの積層や、ITOとFTOの積層などを用いることができる。膜厚は総厚で10nm以上1000nm以下とする。また、図示はしていないが、光閉じ込め効果を付与するために第1の電極110の表面をテクスチャ構造としても良い。また、第2の電極150には、アルミニウム、チタン、ニッケル、銀、モリブデン、タンタル、タングステン、クロム、銅またはステンレス等の金属膜を用いることができる。金属膜は単層に限らず、異なる膜の積層でも良い。例えば、ステンレスとアルミニウムの積層や、銀とアルミニウムの積層などを用いることができる。膜厚は総厚で100nm以上600nm以下、好ましくは100nm以上300nm以下とする。なお、第2の電極150は、上記透光性導電膜と金属膜の積層であっても良い。この場合は、半導体層と接する側を透光性導電膜とすることで、光閉じ込め効果を付与することができる。このとき、該透光性導電膜の膜厚は、10nm以上100nm以下とすることが好ましい。例えば、半導体層側からITO、銀、アルミニウムの順で形成した積層を用いることができる。光電変換モジュールの一対の電極である第3の電極170及び第4の電極180は、上記第2の電極150と同様の構成とすることができる。本実施の形態では、基板100を介してセルに光を入射するため、第1の電極110には透光性導電膜であるITO、第2の電極150にはステンレスとアルミニウムの積層を用いる構成とする。光入射を第2の電極側からとした場合は、それぞれの電極に用いる材料を逆にすれば良い。なお、光入射側の電極には透光性導電膜を用いるが、対向する電極の種類は問われず、実施者が適宜選択することができる。第1の半導体層120には一導電型を有する半導体膜を用いることができ、第3の半導体層140には一導電型とは逆の導電型を有する半導体膜を用いることができる。本実施の形態では、第1の半導体層120にはp型のシリコン半導体膜を用い、第3の半導体層140にはn型のシリコン半導体膜を用いるが、それぞれ逆の導電型としても良い。なお、第1の半導体層120の膜厚は、5nm以上30nm以下、第3の半導体層140の膜厚は、10nm以上30nm以下とすることが好ましい。また、第1の半導体層120及び第3の半導体層140には非晶質シリコンを用いることもできるが、より低抵抗の微結晶シリコンまたは多結晶シリコンを用いることが好ましい。第2の半導体層130には、真性半導体を用いる。なお、本明細書において、真性半導体とは、フェルミ準位がバンドギャップの中央に位置する所謂真性半導体の他、半導体に含まれるp型若しくはn型を付与する不純物が1×1020cm-3以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が100倍以上である半導体を指す。この真性半導体には、周期表第13族または第15族の元素が不純物として含まれるものであっても良い。なお、第2の半導体層130の膜厚は、100nm以上600nm以下とすることが好ましい。第2の半導体層130に用いる真性半導体には、非晶質シリコンを用いることが好ましい。非晶質シリコンは、可視光線に対する光吸収が大きく、蛍光灯下の様な低照度の環境で高い光電変換能力を示す光電変換装置を形成することができる。接続電極160a、160bに用いることのできる材料としては、銀ペースト等の導電ペーストを用いることが好ましく、銅ペースト、ニッケルペースト、モリブデンペースト、またはカーボンペーストなどを用いても良い。また、図4の構成における絶縁層190としては、酸化珪素膜などの無機絶縁膜の他、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの有機絶縁樹脂を用いることができる。なお、図示はされていないが、図1乃至3の構成においても上記絶縁膜を光電変換装置上に設けても良い。また、図4の構成において、光電変換モジュールの一対の電極である第3の電極171及び第4の電極181は、金属膜などの他、上述した接続電極160a、160bに用いることのできる導電ペーストなどで形成することができる。次に、図1乃至図3の構成を有する光電変換モジュールの作製方法を詳細に説明する。まず、基板100上に第1の電極110となる透光性導電膜を形成する。ここでは、スパッタ法を用い、膜厚100nmのインジウム錫酸化物ITOを形成する。本実施の形態では基板100にガラス基板を用いるが、例えば100μm前後の上記樹脂基板を用いれば、Roll-to-Rollプロセスを行うことができる。Roll-to-Rollプロセスには、スパッタ法やプラズマCVD法などの成膜工程だけでなく、スクリーン印刷法やレーザ加工法などの工程も含まれる。従って、光電変換装置のほぼ全ての製造工程をRoll-to-Rollプロセスで行うこともできる。また、途中までの工程をRoll-to-Rollプロセスで行い、シート状に分断して、その後の工程をシート単位で行っても良い。例えば、分断したシートをセラミックや金属、またはそれらの複合体等で形成された枠に貼付けることで、ガラス基板等と同様に取り扱うことができる。次に、該透光性導電膜を複数に分離する第1の分離溝210を形成する図5A参照。該分離溝は、レーザ加工等で形成することができる。このレーザ加工に用いられるレーザは、可視光領域または赤外光領域の連続発振またはパルス発振レーザを用いることが好ましい。例えば、Nd-YAGレーザの基本波波長1064nmや第二高調波波長532nmを用いることができる。なお、ここで該分離溝の一部が基板100に達しても良い。また、この段階で透光性導電膜が分離加工されることにより第1の電極110が形成される。なお、第1の分離溝210は、図5Aに図示された領域のみに形成するものではなく、図1Aの平面図に示す光電変換装置の間の領域にも形成し、並列して形成される複数の光電変換装置が電気的に接続されないようにする。次に、プラズマCVD法を用い、第1の半導体層120として膜厚30nmのp型の微結晶シリコンを成膜する。p型の微結晶シリコンは、p型を付与する不純物を含むドーピングガスを原料ガスに混合して形成する。p型を付与する不純物としては、代表的には周期表第13族元素であるホウ素またはアルミニウムなどが挙げられる。例えば、ジボラン等のドーピングガスをシラン等の原料ガスに混合してp型の微結晶シリコンを形成することができる。なお、第1の半導体層120は、非晶質シリコンで形成しても良いが、より低抵抗で、かつ第1の電極110との密着性が良好な微結晶シリコンで形成することが好ましい。続いて、プラズマCVD法を用いて、第2の半導体層130として膜厚600nmのi型の非晶質シリコンを成膜する。原料ガスには、シランまたはジシランを用いることができ、水素を添加しても良い。このとき、膜中に含まれる大気成分がドナーとなる場合があるため、導電型がよりi型に近づくように、原料ガス中にホウ素Bを添加しても良い。この場合、i型の非晶質シリコン中のホウ素濃度が0.001at.以上0.1at.以下となる様にする。更に、第3の半導体層140として、膜厚30nmのn型の微結晶シリコンを成膜する図5B参照。本実施の形態では、プラズマCVD法を用い、n型を付与する不純物を含むドーピングガスを原料ガスに混合してn型の微結晶シリコンを形成する。n型を付与する不純物としては、代表的には周期表第15族元素であるリン、ヒ素、またはアンチモンなどが挙げられる。例えば、ホスフィンなどのドーピングガスをシラン等の原料ガスに混合することで、n型の微結晶シリコンを形成することができる。なお、第3の半導体層140は、非晶質シリコンで形成しても良いが、より低抵抗な微結晶シリコンで形成することが好ましい。次に、第1の半導体層120、第2の半導体層130及び第3の半導体層140を複数に分離する第2の分離溝220を形成する図5C参照。該分離溝は、レーザ加工等で形成することができる。このレーザ加工に用いられるレーザは、可視光領域の連続発振またはパルス発振レーザを用いることが好ましい。例えば、Nd-YAGレーザの第二高調波波長532nmなどを用いることができる。なお、第2の分離溝220は、図5Cに図示された領域のみに形成するものではなく、第1の分離溝210と同様に図1Aの平面図に示す光電変換装置の間の領域にも形成しても良い。この場合、第1の電極110と第2の電極150とのショートを防ぐために、この領域に形成した第1の分離溝210の幅よりも第2の分離溝220の幅を狭くし、第1の電極が第2の分離溝220内に露出しない様にすると良い。また、この領域に第2の分離溝220を設けなくても良い。次に、第2の分離溝220を充填し、かつ第3の半導体層140を覆う様に導電膜を形成する。ここでは、スパッタ法を用い、膜厚5nmのステンレスと膜厚300nmのアルミニウムを順に積層する。そして、該導電膜を複数に分離する第3の分離溝230を形成する図5D参照。該分離溝は、レーザ加工等で形成することができる。このレーザ加工に用いられるレーザは、赤外光領域の連続発振またはパルス発振レーザを用いることが好ましい。例えば、Nd-YAGレーザの基本波波長1064nmなどを用いることができる。また、この段階で導電膜が分離加工されることにより第2の電極150、第3の電極170及び第4の電極180が形成される。第3の分離溝230は、図5Dに図示された領域のみに形成するものではなく、第1の分離溝210と同様に図1Aの平面図に示す光電変換装置の間の領域にも形成する。なお、この領域における前述した処理を行わずに、この段階で第1の電極110、第1の半導体層120、第2の半導体層130、第3の半導体層140、及び第2の電極150を同時に加工し、並列して形成される複数の光電変換装置が電気的に接続されないようにしても良い。この段階図5Dの構成における平面図を図6Aに示す。図5Dは、図6AのX-Yの断面図に相当する。図6Aには、並列して形成された10行個の光電変換装置が示されているが、それぞれの光電変換装置は、互いに電気的に接続されていない状態である。ここで、全ての光電変換装置について電気特性を取得し、良品の光電変換装置の第1の電極と第3の電極とを接続電極160aを用いて電気的に接続し、該光電変換装置の第2の電極と第4の電極とを接続電極160bを用いて接続する。例えば、図4に示すような構造欠陥200a、200b、200cに起因して、上から2、4、8行目の光電変換装置が不良品である場合は、その他の良品の光電変換装置のみを接続電極160a、160b、第3の電極170及び第4の電極180を用いて電気的に並列接続する図5E、図6B参照。また、図6Bの構成では、並列接続しない光電変換装置は、接続電極160a及び接続電極160bの両方が設けられていない構成となっているが、接続電極160a及び接続電極160bのどちらか一方が設けられている構成であってもよい。ただし、良品の光電変換装置を全て並列接続すると光電変換モジュールの設計仕様の電流値を超えてしまう様な場合は、一部の良品の光電変換装置を接続せず、電流値を設計仕様に合わせ込めば良い。この様に、図6Bの様な構成の光電変換モジュールとすることで、不良要因を排除することができ、設計に従った電圧を出力することができる。次に、図4の構成の光電変換モジュールの作製方法について説明する。図5Cの構成に対して第2の電極150となる導電膜を形成する工程までは、図1乃至3の構成の光電変換モジュールの作製方法と同様であり、上述の作製方法に従って工程を行えばよい。次に、導電膜を複数に分離する分離溝231を形成する図7A参照。該分離溝は、図5Dに示す第3の分離溝230の形成方法と同様の方法で形成することができる。この段階で導電膜が分離加工されることにより第2の電極150が形成される。なお、分離溝231は、図7Aに図示された領域のみに形成するものではなく、図4Aの平面図に示す光電変換装置の間の領域にも形成する。なお、図5A乃至図5Cで説明したこの領域における処理を行わずに、この段階で第1の電極110、第1の半導体層120、第2の半導体層130、第3の半導体層140、及び第2の電極150を同時に加工し、並列して形成される複数の光電変換装置が電気的に接続されないようにしても良い。この段階で、全ての光電変換装置について電気特性の取得を行い、設計仕様に従って良品及び不良品を判別しておく。次に、光電変換装置を覆う様に絶縁層190を形成する。ここでは、300nmの酸化珪素膜を形成する図7B参照。次に、光電変換装置の両端にある第1の電極110及び第2の電極150上に、光電変換モジュールの一対の電極である第3の電極171及び第4の電極181を形成する図7C参照。ここでは、第3の電極171及び第4の電極181として銀ペーストをスクリーン印刷法で形成する。次に、先に取得した電気特性が良品判定であった光電変換装置において、第3の電極171及び第4の電極181上からレーザ光250の照射を行う図7D参照。このレーザ照射による熱的な作用によって、絶縁層190に接続溝161a、161bが形成され、該接続溝を通じて第1の電極110と第3の電極171、及び第2の電極150と第4の電極181が電気的に接続されるようになる。なお、この工程には、図5Aに示す第1の分離溝210の形成に用いることのできるレーザを使用することができる。なお、図7Eに示すようにレーザ光250の出力を調整することによって、接続溝161a、161bを延在し、第3の電極171及び第4の電極181をそれぞれの下方にある第1の電極110と接続する構成としても良い。該第1の電極は、光電変換装置の電極としては作用していないものであり、第3の電極171及び第4の電極181の抵抗を下げることができる。以上によって、図1乃至3の構成と同様に良品の光電変換装置のみを電気的に並列接続することができる。ただし、良品の光電変換装置を全て並列接続すると光電変換モジュールの設計仕様の電流値を超えてしまう様な場合は、一部の良品の光電変換装置を接続せず、電流値を設計仕様に合わせ込めば良い。この様に、正常な電気特性を示す光電変換装置のみを電気的に並列接続できる冗長性を持った構成とすることで光電変換モジュールの製品歩留まりを向上させることができる。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。実施の形態2本明細書に開示する光電変換モジュールは、さまざまな電子機器に用いることができる。本実施の形態では、その一例として、電子書籍の電源として用いる例を説明する。図9Aは電子書籍E-bookともいうであり、筐体9630、表示部9631、操作キー9632、光電変換モジュール9633、充放電制御回路9634を有することができる。図9Aに示した電子書籍は、様々な情報静止画、動画、テキスト画像などを表示する機能、カレンダー、日付または時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報を操作または編集する機能、様々なソフトウェアプログラムによって処理を制御する機能等を有することができる。なお、図9Aでは充放電制御回路9634の一例としてバッテリー9635、DCDCコンバータ9636、DCDCコンバータ9637を有する構成について示している。光電変換モジュール9633として、他の実施の形態で示した光電変換モジュールを用いることにより、低照度下でも効率良く発電することができるため、屋内においても商用電源が不要な電子書籍を構成することができる。図9Aに示す電子書籍は、表示部9631を半透過型または反射型の液晶表示装置とすることで、消費電力を抑えることができる。なお、光電変換モジュール9633は、図示した領域に限らず、筐体9630の空きスペース表面や裏面に適宜設けることができる。なおバッテリー9635としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。また、図9Aに示す充放電制御回路9634の構成及び動作について、図9Bのブロック図を用いて説明する。図9Bには、光電変換モジュール9633、充放電制御回路9634、表示部9631について示している。ここで、充放電制御回路9634は、バッテリー9635、DCDCコンバータ9636、DCDCコンバータ9637、スイッチSW1乃至SW3を含んでいる。まず、外光により光電変換モジュール9633が発電する場合の動作の例について説明する。光電変換モジュールで発電した電力は、バッテリー9635を充電するための好適な電圧となるよう、DCDCコンバータ9636で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部9631で表示を行う際には、スイッチSW1をオンし、DCDCコンバータ9637で表示部9631に必要な電圧に昇圧または降圧して、表示部9631に電力供給を行う。一方、表示部9631での表示を行わない際には、SW1をオフ、SW2をオンにしてバッテリー9635の充電を行う構成とすればよい。次いで、外光が乏しく、光電変換モジュール9633による発電がされない場合の動作の例について説明する。バッテリー9635に蓄電された電力は、スイッチSW3をオンにすることでDCDCコンバータ9637により表示部9631に必要な電圧に昇圧または降圧がなされ、表示部9631に供給される。なお、本実施の形態では、光電変換モジュールと表示部との間にDCDCコンバータを2つ設けた構成としているが、光電変換モジュールから表示部への電源供給、光電変換モジュールからバッテリーへの充電、またはバッテリーから表示部への電源供給が直接行える様な構成では、その間のDCDCコンバータを省いても良い。なお、発電手段の一例として光電変換モジュール9633のみを用いる例を示したが、光電変換モジュール9633と構成の異なる光電変換モジュールとの組み合わせによりバッテリー9635を充電する構成であっても良い。また、光電変換モジュール9633と他の発電手段との組み合わせであっても良い。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。