"電流が流れる導体と、磁気を検出する磁気検出素子を有し、前記磁気検出素子の検出した磁気量に基づいて電流値を算出するセンサ本体と、前記導体及び前記磁気検出素子を囲む外側位置に配置された磁気シールド部材とを備えた電流センサであって、前記磁気検出素子は、一方向の磁気感度を持ち、その磁気感度方向が前記導体を流れる電流による磁束の検出に適した方向とし、且つ、外部磁界による磁束の向きがほぼ直交する位置に配置されたことを特徴とする電流センサ。しかしながら、磁気シールド部材54は、外部磁界の内部侵入を完全に防止することができない。そのため、磁気シールド部材54の内部に侵入する外部磁界によって検出誤差が発生する恐れがある。特に、電流センサ50が外部磁界の強い状況下に設置される場合には、外部磁界に対して強い電流センサ50が要望される。そこで、本発明は、前記した課題を解決すべくなされたものであり、外部磁界に対して強い電流センサを提供することを目的とする。本発明は、電流が流れる導体と、磁気を検出する磁気検出素子を有し、前記磁気検出素子の検出した磁気量に基づいて電流値を算出するセンサ本体と、前記導体及び前記磁気検出素子を囲む外側位置に配置された磁気シールド部材とを備えた電流センサであって、前記磁気検出素子は、一方向の磁気感度を持ち、その磁気感度方向が前記導体を流れる電流による磁束の検出に適した方向とし、且つ、外部磁界による磁束の向きがほぼ直交する位置に配置されたことを特徴とする電流センサである。本発明によれば、磁気検出素子は、導体を流れる電流によって発生する磁界を検出するが、磁気シールド部材の内部に侵入する外部磁界を検出しない。従って、電流センサは、外部磁界に対して強い。以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。図1~図6は本発明の一実施形態を示す。図1及び図2に示すように、電流センサ1は、電流が流れる導体であるバスバー2と、バスバー2を流れる電流値を算出するセンサ本体3と、このセンサ本体3を収容する樹脂ケース6と、樹脂ケース6に固定され、バスバー2及びセンサ本体3を外側から囲む磁気シールド部材10とを備えている。バスバー2は、ストレート状の金属プレートである。バスバー2は、その中央箇所が樹脂ケース6内を貫通し、その両端部が樹脂ケース6より露出している。樹脂ケース6は、バスバー2、センサ本体3をインサート部品としてインサート樹脂成形により形成されている。樹脂ケース6は、外部出力用コネクタ部6aを一体に有する。磁気シールド部材10は、底面部11と、この底面部11の両端より上方に突出する一対の側面壁12とから略コ字形状に形成されている。磁気シールド部材10は、樹脂ケース6に例えば圧入によって固定されている。磁気シールド部材10は、強磁性材である。センサ本体3は、磁界強度磁束密度を検出する磁気検出素子であるホール素子4と、ホール素子4が固定され、ホール素子4の検出した磁気量に基づいて電流値を算出する演算回路を有する回路基板5とから構成されている。ホール素子4は、磁気シールド部材10の底面部11の上方位置に配置されている。ホール素子4は、一方向のみの磁気感度を持っている。ホール素子4は、その磁気感度方向がバスバー2を流れる電流による磁界強度磁束密度の検出に適した方向Z方向で、且つ、外部磁界による磁束の向きが直交する位置に配置されている。外部磁界による磁束の向きが直交する位置は、例えば次のようにして決定する。磁気シールド部材10への外部磁界の内部侵入は、磁気シールド部材10の形状等によって異なる。コ字形状のシールド部材10の内部領域について、想定される外部磁界他の電流経路からの磁界、磁石等に基づき磁場シュミレーションを行う。例えば、磁場シュミレーションで図3に示すような結果が得られる。図3のa,b,cの位置は、ホール素子4の磁気感度方向と外部磁界による磁束の向きY方向の向きが直交する位置となり、このいずれかの位置にホール素子4を配置する。図4に示すように、磁気シールド部材10の内部をZ方向の座標Z=0が中央とし、外部磁界のZ方向透過率を調べると、図5に示す特性線が得られた。つまり、外部磁界のZ方向透過率は、Z=4の位置で0ゼロとなり、この位置図3のa位置に相当に配置する。この位置では、Z方向を感度方向とするホール素子4は、外部磁界を検出しない。上記構成において、バスバー2に電流が通電されると、バスバー2から電流量に比例する磁界が発生する。センサ本体3は、この磁界をホール素子4が検出し、検出した磁界の大きさに基づいた電流値を算出する。ここで、ホール素子4は、バスバー2を流れる電流によって発生する磁界を検出するが、上記したように、磁気シールド部材10の内部に侵入する外部磁界を検出しない。従って、電流センサ1は、磁気シールド部材10内に侵入する外部磁界によって検出誤差を発生せず、外部磁界に対して強い。又、外部磁界について、各周波数毎のZ方向の磁束密度を示す特性線が図6に示されている。図6に示すように、外部磁界のZ方向透過率が0の位置Z=4は、磁束密度が周波数で変化し難い位置となる。従って、電流センサ1の出力応答特性が向上するという利点もある。前記実施形態では、ホール素子4は、その磁気感度方向に対し、外部磁界による磁束の向きY方向の向きが直交する位置に配置されているが、外部磁界による磁束の向きY方向の向きが正確に直交する位置がないときには、極力直交する位置、ほぼ直交する位置に配置する。前記実施形態では、導体は、バスバー2にて形成されているが、バスバー2以外で形成しても良い。前記実施形態では、磁気検出素子は、ホール素子4であるが、バスバー2に流れる電流による磁界強度磁束密度を検出できるものであれば良い。"