"一対の透明電極と、前記透明電極の間に配置された発光層を含む有機化合物層とを有する有機EL素子と、前記有機EL素子の光取り出し面とは逆側の透明電極が、前記有機化合物層よりも屈折率が高く、前記有機EL素子の光取り出し面とは逆側に、有機化合物層よりも屈折率が低い低屈折率層と、金属反射膜とを前記有機化合物層側からこの順で有し、前記低屈折率層の膜厚が、前記透明電極との界面において、低屈折率層から臨界角以上で入射する光が全反射を起こす厚さを有し、導波光を取り出す光取り出し構造が設けられていることを特徴とする発光装置。前記低屈折率層の膜厚が、前記有機EL素子の発光ピーク波長以上であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。前記光取り出し構造が、前記有機EL素子の面内方向端部に配置された、有機化合物層よりも屈折率の低い低屈折率構造体であることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置。前記光取り出し構造が、導波光を反射、回折、或いは散乱することにより外部に取り出す構造体であることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置。前記金属反射膜が可視光における反射率が20以下の低反射膜であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の発光装置。赤色を発する有機EL素子と、緑色を発する有機EL素子と、青色を発する有機EL素子を備えた表示装置であって、前記有機EL素子は、一対の透明電極と、前記透明電極の間に配置された発光層を含む有機化合物層とを有し、前記有機EL素子の光取り出し面とは逆側の透明電極が、前記有機化合物層よりも屈折率が高く、前記有機EL素子の光取り出し面とは逆側に、有機化合物層よりも屈折率が低い低屈折率層と、金属反射膜とを前記有機化合物層側からこの順で有し、前記低屈折率層の膜厚が、前記透明電極との界面において、低屈折率層から臨界角以上で入射する光が全反射を起こす厚さを有し、導波光を取り出す光取り出し構造が設けられ、前記低屈折率層の厚さが全ての有機EL素子に共通しており、且つ、赤色発光の発光ピーク波長以上であることを特徴とする表示装置。しかしながら、有機EL発光装置内を伝搬する導波光は金属からなる反射膜で反射する際に一部が該反射膜に吸収され、減衰するため、単純に光取り出し構造を設けるだけでは大きな光取り出し効率の向上は望めない。本発明の目的は、導波光の金属膜での吸収による減衰を抑制することで、光取り出し効率を向上させた発光装置及び表示装置を提供することにある。本発明の第1は、一対の透明電極と、前記透明電極の間に配置された発光層を含む有機化合物層とを有する有機EL素子と、前記有機EL素子の光取り出し面とは逆側の透明電極が、前記有機化合物層よりも屈折率が高く、前記有機EL素子の光取り出し面とは逆側に、有機化合物層よりも屈折率が低い低屈折率層と、金属反射膜とを前記有機化合物層側からこの順で有し、前記低屈折率層の膜厚が、前記透明電極との界面において、低屈折率層から臨界角以上で入射する光が全反射を起こす厚さを有し、導波光を取り出す光取り出し構造が設けられていることを特徴とする発光装置である。本発明の第2は、赤色を発する有機EL素子と、緑色を発する有機EL素子と、青色を発する有機EL素子を備えた表示装置であって、前記有機EL素子は、一対の透明電極と、前記透明電極の間に配置された発光層を含む有機化合物層とを有し、前記有機EL素子の光取り出し面とは逆側の透明電極が、前記有機化合物層よりも屈折率が高く、前記有機EL素子の光取り出し面とは逆側に、有機化合物層よりも屈折率が低い低屈折率層と、金属反射膜とを前記有機化合物層側からこの順で有し、前記低屈折率層の膜厚が、前記透明電極との界面において、低屈折率層から臨界角以上で入射する光が全反射を起こす厚さを有し、導波光を取り出す光取り出し構造が設けられ、前記低屈折率層の厚さが全ての有機EL素子に共通しており、且つ、赤色発光の発光ピーク波長以上であることを特徴とする表示装置である。本発明によれば、有機EL素子の光取り出し側とは反対側の電極を透明電極とし、該透明電極側に所定の厚さの低屈折率層と金属反射膜とを設けることにより、金属反射膜での導波光の吸収による減衰を抑制することができる。よって、導波光の取り出し効率を上げ、発光効率が向上した発光装置及び表示装置が提供される。本発明の発光装置及び表示装置は、有機EL素子の光取り出し側とは逆側に、低屈折率層と金属反射膜とを備えており、光取り出し側の電極が有機化合物層よりも屈折率が高い。よって、有機EL素子内で伝播する導波光の一部は光取り出し側の電極と低屈折率層との間で全反射し、従来の金属電極で反射する場合よりも光の吸収が低減される。さらに、本発明においては、低屈折率層を所定の厚さに調整することで、光取り出し側の電極と低屈折率層との間で導波光が全反射する際に低屈折率層側にしみ出すエバネッセント光の金属反射膜への吸収が防止され、導波光の減衰がさらに低減される。以下、本発明の発光装置の実施の形態について図面を参照して説明する。尚、本明細書で特に図示又は記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。また以下に説明する実施形態は、発明の一つの実施形態であって、これらに限定されるものではない。図1は、本発明の発光装置の一実施形態の構成を模式的に示す断面図である。本実施形態の発光装置は、有機EL素子が形成された基板側に光を取り出すボトムエミッション型である。本実施形態では、透明な絶縁性基板1上に有機EL素子5が配置されている。有機EL素子5は、一対の透明電極2,4間に挟まれた、発光層を含む有機化合物層有機EL層3を備えたものである。具体的には、基板1の上にアノード電極2と、アノード電極2上に設けられた有機化合物層3と、有機化合物層3の上に設けられたカソード電極4とを有している。本発明においては、アノード電極2、有機化合物層3、カソード電極4、を合わせて有機EL素子5とする。絶縁性基板1には屈折率1.5程度のガラス基板が一般的に用いられる。アノード電極2としては、正孔注入性の観点から仕事関数の高い電極が好ましく、ITO,IZOといった透明電極が挙げられる。尚、絶縁性基板1の屈折率が有機化合物層3の屈折率よりも低い場合には、アノード電極2と絶縁性基板1との界面で全反射が起こる。有機化合物層3には発光層以外に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層を含むことができ、各層には公知の材料を使用することができ、成膜手法も蒸着や転写等公知の成膜手法を用いることができる。カソード電極4としては、ITO,IZOといった透明電極を用い、必要に応じて公知の電子注入層を用いることで電子注入性を確保するのがよい。ここで、従来の有機EL素子においてはカソード電極4が高反射な金属膜からなる。そのため、絶縁性基板1と空気との界面と、カソード電極4との間、もしくは、アノード電極2と絶縁性基板1との界面と、カソード電極4との間を、反射を繰り返しながら導波光は伝搬していくことになる。しかしながら、一般的に高反射金属と言われるAlやAgでの反射率は90乃至95程度であり、5乃至10程度は金属膜に吸収される。従って、有機EL素子内を5往復すると金属膜における吸収は20乃至40程度になり、導波光を取り出す構造を設けたとしても大きな光取り出し効率の向上は望めない。そこで本発明では、光取り出し側とは反対側に位置する電極本実施形態ではカソード電極4に接して、有機化合物層3よりも屈折率の低い材料からなる低屈折率層6と、金属反射膜7とをこの順に設ける。そして、光取り出し側とは反対側の電極本実施形態ではカソード電極4を、有機化合物層3よりも屈折率の高い透明電極とする。これにより、有機EL素子5内を伝搬する導波光は、カソード電極4と低屈折率層6との界面で全反射し、金属反射膜7に導波光が入射しないため、金属反射膜7への導波光の吸収が抑制される。ここで、導波光をカソード電極4と低屈折率層6との界面で全反射させるための条件は2つあり、低屈折率層6の屈折率が有機化合物層3の屈折率よりも小さいことと、低屈折率層6が導波光が全反射を起こすのに十分な厚みを有していることである。有機化合物層3の屈折率以上の屈折率を有するカソード電極4と低屈折率層6との界面において、臨界角以上の入射角度で導波光が入射すると近接場光であるエバネッセント波が生じる。低屈折率層6の膜厚が薄いとエバネッセント波が金属反射膜7に入射することで金属吸収もしくは表面プラズモンによる反射率低下が起こる。ここで、金属反射膜7に入射したエバネッセント波は全て吸収されると仮定して、低屈折率層6の膜厚dと吸収率の関係を示したのが図2である。横軸は基板に垂直な方向を0°とした時の有機化合物層3内における導波光の入射角度であり、縦軸は低屈折率層6の膜厚を波長で規格化d/λしたものである。計算条件としては有機化合物層3の屈折率を1.8、カソード電極4の屈折率を2.0、低屈折率層6の屈折率を1.4とした。図2から分かる通り、本条件では60°以上の入射角度を有する導波光の吸収率を5以下にするには低屈折率層6の膜厚dを入射波長λ以上にすればよい。さらには、60°以上の入射角度を有する導波光の吸収率を1以下にするには低屈折率層6の膜厚dを入射波長λの1.5倍以上にすればよい。実際は金属反射膜7に入射したエバネッセント波全てが吸収されるわけではないので、低屈折率層6の膜厚dを波長λ以上にすれば従来の有機EL素子に比べて金属膜による吸収を抑えることができる。尚、通常有機化合物層3で発光した光のうち入射角が約35°乃至90°の光が全反射により有機EL素子5内に閉じ込められるため、入射角60°以上の光は導波光の内の半分以上を占める。入射角が60°未満の導波光の大部分は、カソード電極4と低屈折率層6との界面において臨界角内のため、金属反射膜7と、絶縁性基板1と空気との界面との間で反射を繰り返すことになる。しかしながら、入射角が60°以上の導波光において金属膜による吸収を抑制しておけば、本発明の効果は期待できる。本発明の効果についてさらに詳しく説明する。本発明における有機化合物層3から金属反射膜7に入射した光の反射率を示したものが図3である。低屈折率層6の膜厚は波長と同じ520nmとし、金属反射膜7はAlとして波長520nmの光の反射率の計算を行った。比較例として従来の有機EL素子における有機化合物層3から直接金属反射膜に光が入射した際の結果も記載した。低屈折率層6の屈折率を、1.2と1.4の2通りで計算しているが、どちらの場合でも従来の構成よりも反射率が高く、金属反射膜での吸収が抑えられていることが分かる。一般的に有機EL素子におけるカソード電極からアノード電極までの膜厚は200nm乃至300nm程度であるため、5μm導波すると導波光はカソード電極とアノード電極との間を5乃至10往復程度することになる。導波光が5往復したという前提で図3における反射率を5乗したものが図4であるが、5往復すると従来の構成における導波光は半減することが分かる。それに対して本構成では、低屈折率層6の屈折率が1.4の場合は従来構成に比べて略1.5倍、低屈折率層6の屈折率が1.2の場合は従来構成に比べて略2.0倍の導波光が存在することが分かる。尚、有機EL素子を構成する有機材料やITO,IZOといった透明電極は短波長領域で若干吸収があるものの、可視光のほとんどの波長帯域において吸収はほぼ無視できる。従って、導波光の減衰の大半は金属反射膜による吸収であり、係る吸収を抑制する本発明は効果的である。また、金属反射膜7による吸収を抑制された導波光を、光取り出し構造を設けて空気中に取り出すと光取り出し効率の向上が見込める。図1においては、光取り出し構造として光取り出し層8を設けている。本発明において、光取り出し構造としては、反射、回折、散乱等を利用して導波光を空気中に取り出す構造や、有機EL素子の端面に低屈折率材料を配置する構造がある。光取り出し構造を狭ピッチで配置すると、発光画素の開口率低下や作製手法が難解になることから、数μmピッチで配置されることが多い。光取り出し構造の具体例として、以下の実施例に有機EL素子の端面に低屈折率材料を配置する構造実施例1、回折格子構造実施例2、反射ミラー構造実施例3を挙げるが、本発明は他の光取り出し構造にも適用できる。例えば、導波光を散乱により取り出す手法は、回折格子同様、発光装置内を往復しながら散乱により外部に取り出すことになるため本発明による色度調整は有効である。上記の発光装置は表示装置にも適用できる。本発明の表示装置においては、赤色を発する有機EL素子と、緑色を発する有機EL素子と、青色を発する有機EL素子を備え、これらの有機EL素子に対して共通の低屈折率層を設け、その厚さとしては、赤色発光のピーク波長以上とすることが好ましい。実施例1光取り出し構造として、青色発光の有機EL素子の端面面内方向端部に低屈折率材料を配置した実施例を図5を用いて説明する。アノード電極2としてITOが成膜された透明な絶縁性基板1上に、低屈折率材料n=1.2であるポーラスシリカを低屈折率構造体18として成膜する。そして通常のフォトリソ工程により幅1μm、高さ0.3μmのグリッドを作製する。この際、有機EL発光領域として5μm×5μmの開口部を設ける。さらに、正孔注入層、正孔輸送層、青色発光の有機発光層、電子輸送層、電子注入層からなる有機化合物層3を蒸着により成膜し、カソード電極4としてIZOをスパッタする。尚、有機化合物層の材料としては公知のものが使用できるため詳細は省略する。低屈折率層6としてLiFn=1.4蒸着により、有機EL素子の発光ピーク波長と同程度の膜厚で成膜し、さらに、金属反射膜7としてAgを蒸着により成膜した。さらに最後にキャップ缶で封止を行った。以上の工程を真空一貫で行うことで、色純度が改善された導波光を有機EL素子5の端面に配置された低屈折率構造体18より空気中に取り出すことができる。実施例2図6は、本実施例の構成を模式的に示す断面図であり、本実施例の発光装置は、有機EL素子が形成された基板とは逆側に光を取り出すトップエミッション型である。光取り出し構造としては、有機EL素子の光取り出し側に回折格子を有する。回折格子の回折効率は通常5乃至20程度と低いため、回折により取り出すまでに導波光は発光装置内を往復することになる。従って、光取り出し構造として回折格子を設けた場合にも、導波光の色度を調整する本発明は有効である。以下具体的に説明する。本実施例は、絶縁性基板1の上に、金属反射膜7、低屈折率層6、アノード電極2、有機化合物層3、カソード電極4を形成したものである。カソード電極4の上部には有機EL素子5を水分や酸素から保護する保護膜28と光取り出し構造として機能する回折格子層29がある。保護膜28は光の透過率が高く、防湿性に優れた部材が好ましく、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜が好適であり、成膜法としてはCVD法のような公知の手法が適用できる。回折格子層29は樹脂材料にナノインプリント法を適用すれば作製できる。樹脂材料としては熱硬化型樹脂、熱可塑性樹脂、光硬化型樹脂を用いることができる。一例としては、塗布した熱硬化型樹脂に対して所望の周期構造を成形するための型を押し当てたまま、熱により硬化させ、型を剥離すればよい。回折格子の周期は発光ピーク波長の0.5倍乃至1.5倍程度が、回折効率が高いため好適である。実施例3図7は、本実施例の構成を模式的に示す断面図であり、本実施例の発光装置は、有機EL素子が形成された基板とは逆側に光を取り出すトップエミッション型である。光取り出し構造としては、導波光を反射により空気中に取り出す反射ミラー38を有する。本実施例における有機EL素子は、絶縁性基板1の上に、金属反射膜37、低屈折率層6、アノード電極2、有機化合物層3、カソード電極4を形成したものである。本実施例では外光の反射を抑えるために有機EL素子5の光取り出し面とは逆側に低反射膜である金属反射膜37を有する。低反射膜の定義としては可視光における反射率が20以下、より好ましくは10以下であることとする。導波光はアノード電極2と低屈折率層3との界面と、カソード電極4と空気との界面、との間を、全反射を繰り返して反射ミラー38により空気中に取り出される。低屈折率層6の膜厚を有機EL素子5の発光ピーク波長以上の膜厚にすることで、導波光は低反射膜である金属反射膜7に吸収されること無く、反射ミラーに入射する。従って、本実施例では、外光反射の低減と光取り出し効率の向上が両立される。"