"鉄II及びトリアゾールリガンドをベースとする化合物を含むスピン転移材料の低スピン状態から高スピン状態への光スイッチング方法であって、周囲温度において且つ1mW/cm2~1W/cm2の出力で赤外範囲内の波長の非偏光レーザー放射線に前記材料を曝露する段階を少なくとも1つ含むことを特徴とする、前記方法。前記材料の曝露を0.78~30μmの範囲の波長において実施することを特徴とする、請求項1に記載の方法。前記スピン転移材料を連続的レーザー放射に付すことを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。前記レーザー放射の出力が80~500mW/cm2の範囲であることを特徴とする、請求項1~3のいずれかに記載の方法。レーザー放射線へのスピン転移材料の曝露時間が100mW/cm2の出力において数ミリ秒から1mW/cm2の出力においてほぼ100秒までの範囲であることを特徴とする、請求項1~4のいずれかに記載の方法。レーザービームの寸法が100mW/cm2の出力において直径100μmから1W/cm2の出力において1mmまでの範囲であることを特徴とする、請求項1~5のいずれかに記載の方法。前記スピン転移材料が粒子の形にあるか又は固体状マトリックス中に分散された形で組み込まれるかのいずれかであることを特徴とする、請求項1~6のいずれかに記載の方法。前記固体状マトリックスがプラスター、ワニス、セメント、ペイント及びポリマーマトリックスから選択されることを特徴とする、請求項7に記載の方法。前記スピン転移材料が次式I:[ここで、Lは4位の窒素上にR置換基を有する1,2,4-トリアゾールリガンドを表し;Xは1≦x≦2の価数xを有するアニオンであり;Yは1≦x≦2の価数xを有するX以外のアニオンであり;Rはアルキル基又はR1R2N-基ここで、R1及びR2は互いに独立してぞれぞれH又はアルキル基を表すであり;MはFe以外の3d4、3d5、3d6又は3d7配置を有する金属であり;0≦y≦1、0≦z≦2且つ3≦w≦1500である]に相当する化合物を本質的に含むナノメートル粒子から選択されることを特徴とする、請求項1~8のいずれかに記載の方法。前記スピン転移材料が次式II:AXbYcII[ここで、Aは式Fe1mMmR-Trz3に相当し;MはFe以外の3d4、3d5、3d6又は3d7配置を有する金属であり;mは0≦m≦1であり;R-Trzは4位の窒素上にR置換基を有する1,2,4-トリアゾールリガンドを表し;Rはアルキル基又はR1R2N-基ここで、R1及びR2は互いに独立してぞれぞれH又はアルキル基を表すであり;Xは少なくとも1種の一価又は二価アニオンを表し;Yは発色団を有する少なくとも1種のアニオンを表し;b及びcは化合物IIの電気的中性が尊重されるように選択される]に相当する少なくとも1種の化合物から成る材料から選択されることを特徴とする、請求項1~8のいずれかに記載の方法。Yが少なくとも2個の芳香環及び少なくとも1個のSO3基を有する発色性アニオンから選択されることを特徴とする、請求項10に記載の方法。前記スピン転移材料が、その高スピン状態から低スピン状態へのスピン転移が周囲温度において不可逆的である材料であり、該材料が式IIにおいて1,2,4-トリアゾールリガンドのR置換基がヒドロキシアルキル基であり且つXが3-ニトロフェニルスルホネートアニオンである化合物から選択されることを特徴とする、請求項10に記載の方法。鉄II及びトリアゾールリガンドをベースとする化合物を含む少なくとも1種のスピン転移化合物の粒子を含む材料のマーキングにおける、請求項1~12のいずれかに記載の方法の使用。情報処理、データ蓄積又は光アドレッシングにおける、請求項1~12のいずれかに記載の方法の使用。従って、本発明者らは、スピン転移化合物をLS状態からHS状態に変化させるために周囲温度において効率よく実施することができる方法を開発するという課題を自分自身に課した。本発明者らはここに、驚くべきことに、赤外範囲内の波長を有するレーザー放射の適用が、ある種の条件下では、スピン転移材料をLS状態からHS状態にスイッチさせることを可能にするということを見出した。従って、本発明の第1の主題事項は、鉄II及びトリアゾールリガンドをベースとする化合物を含むスピン転移材料の低スピン状態から高スピン状態への光スイッチング方法であって、周囲温度において且つ1mW/cm2~1W/cm2の出力で赤外範囲内の波長の非偏光レーザー放射線に曝露露光する段階を少なくとも1つ含むことを特徴とする、前記方法にある。本発明者らは、実際、鉄II及びトリアゾールリガンドをベースとする化合物を含むスピン転移材料が周囲温度においてこのような条件に付された時には、光照射された材料の局所的温度上昇が観察され、これがLS状態からHS状態へのそのスイッチングをもたらすということを立証した。この現象は、LIESST効果とは全く無関係のものであり、周囲温度においてスピン転移をもたらすことができ、これはこれまでは先行技術の方法を適用することによって想定することができなかったことである。本発明に従う方法はさらに、次の利点をも示す:この方法は、鉄II及びトリアゾールリガンドをベースとする化合物を含むすべてのスピン転移化合物に対して適用可能である;材料を光スイッチさせるために必要な出力が低く、コンパクトで低価格な小型レーザー源に適合できる;この方法は、鉄II及びトリアゾールリガンドをベースとする化合物を含む液体又は固体状態の任意のタイプのスピン転移化合物の光スイッチングに好適である;この方法は、純粋な材料及び/又は様々なマトリックス中に希釈された材料を光スイッチさせることを可能にする;光スイッチング領域を、サンプル上の放射線の焦点のサイズによって、容易に調整することができる;化合物の光スイッチングの度合いを光学的に調節することができる;光スイッチさせることが望まれる化合物のスイープ速度を、波長及び用いるレーザーの出力密度の関数として、調整することができる;光スイッチングを引き起こさせるサンプルの深さを調節することができる:これは用いるレーザー出力及びスイープ速度に依存する;コヒーレント光の利用が、サンプルの表面をスイープすることなくプログラムされたデザインを記すことを可能にする;プロセスが適用するスピン転移材料の性状に応じて、光スイッチングが周囲温度において可逆的又は不可逆的である;光スイッチングが不可逆的に引き起こされる材料に関しては、プロセスは周囲温度において不可逆的な光アドレッシングをもたらし、これは特に任意のタイプのデータ蓄積用途又は記入刻印用途:広告、マーキング、デッサン、アート、装飾、検出等:にとって有利である;この方法は、鉄II及びトリアゾールリガンドをベースとする化合物を含むスピン転移材料の光アドレッシングを可能にする。本発明に従う方法の好ましい実施形態に従えば、前記材料の曝露は、0.78~30μmの波長、さらにより一層好ましくは約5~20μmの波長で、実施される。レーザー放射は、連続的なものであってもいいし、パルス的なものであってもよい。好ましい実施形態に従えば、スピン転移材料を連続的なレーザー放射に付す。レーザー放射の出力は、好ましくは80~500mW/cm2の範囲であり、100mW/cm2程度の出力が特に好ましい。スピン転移材料のレーザー放射線への曝露時間は、100mW/cm2の出力において数ミリ秒から1mW/cm2の出力においてほぼ100秒までの範囲であることができる。レーザー放射線の寸法は、光スイッチさせることが望まれるサンプルの表面積及びプロセスに与えることが望まれる用途に応じて、変えることができる。一般的に、レーザービームの寸法は、100mW/cm2の出力において直径100μmから1W/cm2の出力において1mmまでの範囲であることができる。本発明に従えば、レーザー放射線は、未加工状態、即ち粒子の形のスピン転移材料、及び固体状マトリックス例えばプラスター、ワニス、セメント、ペイント及びポリマーマトリックスPPMA、PVA等から選択されるもの中に分散した形で組み込まれたスピン転移材料STMの両方に適用することができる。本発明の方法に従って用いることができるSTM粒子は、ナノメートル又はマイクロメートル寸法であるのが好ましい。ナノメートル粒子とは、平均直径が1nm~500nmの範囲、より特定的には1~100nmの範囲境界を含むである粒子を意味するものとする。マイクロメートル粒子とは、平均直径が1μm~500μmの範囲、より特定的には100~200μmの範囲境界を含むである粒子を意味するものとする。本発明の方法に従って用いることができるスピン転移材料は、先行技術に記載された鉄II及びトリアゾールリガンドをベースとする化合物を含む多くのスピン転移材料であってそのスピン転移が周囲温度において可逆的又は不可逆的であるものから選択することができる。特に、国際出願公開WO2007/065996号に記載されたようなナノメートル粒子の形のSTMを挙げることができる。さらに、所定のスピン転移と共に変化する色を示すナノメートル又はマイクロメートル粒子の形のスピン転移材料、さらに実際上、それらの内のいくつかについては、特に仏国特許出願2917410号に記載されたように、少なくとも2つのスピン転移温度を示すものを挙げることができる。国際出願公開WO2007/065996号に記載されたスピン転移材料以下、材料Iと称するは、次式Iに相当する化合物を本質的に含むナノメートル粒子から成る:[ここで、Lは4位の窒素上にR置換基を有する1,2,4-トリアゾールリガンドを表し;Xは1≦x≦2の価数xを有するアニオンであり;Yは1≦x≦2の価数xを有するX以外のアニオンであり;Rはアルキル基又はR1R2N-基ここで、R1及びR2は互いに独立してぞれぞれH又はアルキル基を表すであり;MはFe以外の3d4、3d5、3d6又は3d7配置を有する金属であり;0≦y≦1、0≦z≦2且つ3≦w≦1500である。]式I中のwが3、300又は1500である時、粒子の平均寸法はそれぞれ約1nm、100nm又は500nmである。仏国特許出願2917410号に記載されたスピン転移材料以下、材料IIと称するは、次式IIに相当する少なくとも1種の化合物から成る:AXbYcII[ここで、Aは式Fe1mMmR-Trz3に相当し;MはFe以外の3d4、3d5、3d6又は3d7配置を有する金属であり;mは0≦m≦1であり;R-Trzは4位の窒素上にR置換基を有する1,2,4-トリアゾールリガンドを表し;Rはアルキル基又はR1R2N-基ここで、R1及びR2は互いに独立してぞれぞれH又はアルキル基を表すであり;Xは少なくとも1種の一価又は二価アニオンを表し;Yは発色団を有する少なくとも1種のアニオンを表し;b及びcは化合物IIの電気的中性が尊重されるように選択される。]本明細書において、4位の窒素上にR置換基を有する1,2,4-トリアゾールリガンドは、LによるかR-Trzによるかで違いはない。材料IIは、1又は2以上の異なる発色用アニオンを有する単一の化合物IIから成ることもでき、IIについて上で与えた定義に相当する少なくとも2種の化合物の混合物から成ることもできる。化合物IIにおいて、Xは1又は2以上のアニオン、好ましくは1又は2個のアニオンX1及びX2を表すことができる。該アニオンは、一価アニオン又は二価アニオンから選択される。一価アニオンは、BF4、ClO4、Br、Cl、NO3、CF3SO3、CH3SO3及び3-ニトロフェニルスルホネートから選択することができる。二価アニオンは、SO42及びCO32から選択するのが好ましい。アニオンの混合物の例としては、BF4とNO3との組合せ、BrとNO3との組合せ又はClとNO3との組合せを挙げることができる。Yは1又は2以上の発色性アニオン、好ましくは1又は2個のアニオンY1及びY2を表す。アニオンYは、少なくとも2個の芳香環及び少なくとも1個のSO3基を有する発色性アニオンから選択するのが好ましい。かかるアニオンは特に、酸性染料又は直接染料又はブリリアント染料又は媒染染料と称される化合物によって、提供される。これらの染料のアニオンYは、次の基を含むことができる:アゾ基、例えばC.I.アシッドオレンジ5これは4-[[4-フェニルアミノ-フェニル]アゾ]ベンゼンスルホン酸の一ナトリウム塩である又はアシッドイエロー23これは式:に相当するタルトラジンである又は式:に相当するメチルオレンジ若しくはアシッドオレンジ52ヘリアンチン又は各種ダイレクトスカーレット;或は式:に相当するC.I.ダイレクトブルー1又は式:に相当するC.I.アシッドレッド27等;アントラキノンから誘導される基、例えば式:に相当するC.I.リアクティブブルー4;キノリンから誘導される基C.I.アシッドイエロー3;DCイエローNo.30。材料II中のアニオンX及びYの割合は、当該化合物の電気的中性が尊重されるように選択される。材料IIのそれぞれのスピン状態の色は、アニオンX及びYを適宜選択すること及び材料中のそれらそれぞれの割合を調整することによって、調節することができる。低スピン状態におけるピンク色及び高スピン状態における白色を示す化合物が得られることを回避するためには、発色用アニオンYの割合を所定閾値より高くすることが必要である。また、発色用アニオンの割合は、所定の閾値即ちそれ以上では低スピン状態に対応する色と高スピン状態に対応する色とを区別することが困難になる値より低くすることも必要である。2つの条件が尊重されるべきである:1.c/b即ち、Yのモル数/Xのモル数のモル比:これは0.1又はそれより小さく、105又はそれより大きい;2.Yアニオンの限界濃度、一般的には107~5×104モル/L例えば、PatentBlueについては4×107~2×104モル/Lの範囲、タルトラジンについては2.2×107~1.1×104モル/Lの範囲。上記の式IIのSTMの中で、1,2,4-トリアゾールリガンドのR置換基がヒドロキシアルキル基、例えばβ-ヒドロキシエチル基であり且つXが3-ニトロフェニルスルホネートアニオンであるものは、不可逆的なSTM、即ち高スピン状態から低スピン状態へのスピン転移が本発明に従う方法の光スイッチングの後に周囲温度において不可逆的であるSTMである。不可逆的なSTMの光スイッチングは、脱溶媒現象によって達成される。さらに、本発明の主題事項は、鉄II及びトリアゾールリガンドをベースとする化合物を含む少なくとも1種のスピン転移化合物の粒子を含む最良のマーキングのために上で規定した方法を利用することにもある。前記マーキングは、スピン転移化合物の性状に応じて、一時的なものであることもでき、最終的なものであることもできる。例えば、スピン転移化合物が可逆的な化合物である場合、即ちHS状態への変化が周囲温度において可逆的である化合物の場合には、マーキングは一時的なものである。一方、スピン転移化合物が不可逆的な化合物である場合、即ち周囲温度においてHS状態のままである化合物の場合には、マーキングは永続的なものである。かくして、本発明に従う方法は、任意のタイプの産業において有用であり、特に情報処理、データ蓄積、光アドレッシング、材料科学、プラスチック技術、ワニス、装飾等の分野において用いることができる。以下、実施例を用いて本発明をより一層詳細に説明するが、これら実施例は単に例示として与えたものであり、もちろん本発明がそれらに限定されるものではない。下記の実施例において用いた出発材料及び装置を以下に挙げる:[FeR-Trz3NO3]R=NH2その調製は、仏国特許出願第2917410号に記載されている;[FeR-Trz3X2]R=-CH22OH、X=3-ニトロフェニルスルホネートその調製は、仏国特許出願第2917410号に記載されている;金属用無色ワニス[商品名VernisMetauxleSecretdelEbeniste登録商標の下でSyntilor社より販売されているもの];石膏プラスター商品名EnduitdeRebouchagePoudreChronoの下でToupret社より販売されているもの;ポリメチルメタクリレートPMMA参照名MW38000Beadsの下でAcrosOrganics社より販売されているもの;白色アルキドラッカーペイント参照名BasePGammePrestigeの下でTollens社より販売されているもの;純度99のアセトニトリルアルドリッチ社;CO2レーザー[DuoLase登録商標モデル、Synrad社より販売されているもの]。赤外領域において約100mWの連続放出のレーザー源の前にスピン転移化合物を置く。この源によって放射される非偏光放射線を、特に注意事項なしで、材料に対して直接用いた。光スイッチングを記録するために、実験者の手によって又はスイープ速度の調節を可能にするマイクロメーターテーブルを用いることによって、サンプルをレーザービームの前に置いた。例1鉄IIR-トリアゾール化合物の類のスピン転移化合物の光スイッチングこの例では、次の化合物:[FeNH2-Trz3NO3]に対して、可逆的な光スイッチングを実施した。マイクロメーターグレーンから成る粉体の形の[FeNH2-Trz3NO3]サンプルを、150mW/cm2の出力のレーザー放射線下に置いた。レーザーの波長は10.6μmだった。化合物を数ミリ秒間だけ曝露した。添付した図1は、照射前1a、レーザー照射中1b及び照射後1cの材料の写真である。光励起の後に、これらの化合物はLS状態におけるピンク色からHS状態における白色になる。この化合物は完全に光スイッチされたことが観察される。例2ポリマーマトリックス中に入れた鉄IIR-トリアゾール化合物の類のスピン転移化合物の光スイッチングこの例では、商品名VernisMetauxleSecretdelEbeniste登録商標の下でSyntilor社より販売されている金属用無色ワニスから成るポリマーマトリックス中に5重量の割合で入れた後に、[FeNH2-Trz3NO3]の可逆的な光スイッチングを実施した。サンプルをコンピューター制御された転移テーブル上に置いた。これもまたコンピューター制御されたインターラプターによって、サンプルのレーザー照射を中断させることができるようにした。コンピューターによって調整可能なスイープ速度を1cm/秒に調節し、レーザーの出力は100mW/cm2にした。レーザービームの直径は1mmだった。照射は10.6μmの波長で実施した。この例では、サンプルに文字を記した;各文字は、単一のレーザースイープで記した。各文字を記す前にはレーザービームをブロックした。添付した図2は、転移材料を組み込んだマトリックスの、照射前2a及び照射後2bの写真である。サンプルの照射及びスイープは、マトリックスの表面にICMCBという記述が得られるように実施した。例3スパックリングフィルターマトリックスプラスター中に入れた鉄IIR-トリアゾール化合物の類のスピン転移化合物の光スイッチングこの例では、エタノール10ミリリットル当たりプラスター粉体1gから成るスパックリングフィルターマトリックスプラスター中に5重量の割合で入れた後に、[FeNH2-Trz3NO3]の可逆的な光スイッチングを実施した。例2において上で用いたものと同じ記入システムを、この例でも用いた。サンプル上のレーザービームの直径は2mmだった。スイープ速度は1cm/秒に調節し、レーザーの出力は100mW/cm2に調節した。照射は10.6μmの波長で実施した。各文字は、単一のレーザースイープで書き、各文字を記す前にはビームをブロックした。図3は、スピン転移材料を組み込んだマトリックスの、照射前3a及び照射後3bの写真である。この場合、サンプルの照射及びスイープは、マトリックスの表面にCPMOHという記述が得られるように実施した。例4鉄IIR-トリアゾール化合物の類の不可逆的なスピン転移化合物の光スイッチングこの例では、純粋な粉体の状態で、又はポリマーPMMAマトリックス中若しくはペイント中に入れた後に、化合物[FeR-Trz3X2]R=-CH22OH、X=3-ニトロフェニルスルホネートの光スイッチングを実施した。ポリマーマトリックス中への組み込み:40°Cにおいてアセトニトリル中にPMMA1.2gを溶解させることによって前もって調製したポリマーマトリックス中にスピン転移化合物を5重量の割合で組み込んだ。プレキシガラスシート上に塗布して乾燥させた後に、PMMAマトリックス中にスピン転移化合物が分散されて成る材料が得られた。ペイント中への組み込み:アルキドラッカーペイント中にスピン転移化合物を10重量の割合で組み込んだ。Leneta社製の商品名OpacityChartsのシートに塗布し、乾燥させた後に、ペイント中にスピン転移化合物が分散されて成る材料が得られた。各サンプルに直径1mmで出力150mW/cm2のレーザービームを照射した。照射は10.6μmの波長で実施した。添付した図4は、原材料、即ち粉体状態のスピン転移化合物に対して4a、スピン転移化合物を組み込んだPMMAマトリックスから成る材料に対して4b、及びスピン転移材料を組み込んだペイントから成る材料に対して4c、照射の前及び後に撮ったそれぞれの材料の写真である。例5ポリマーマトリックス中に入れた鉄IIR-トリアゾール化合物の類の不可逆的なスピン転移化合物の光スイッチングこの例では、化合物[FeR-Trz3X2]R=-CH22OH、X=3-ニトロフェニルスルホネートの不可逆的な光スイッチングを実施した。研究した化合物は、マイクロメーターグレーンから成る粉体の形だった。サンプルに、直径約1mm、出力150mW/cm2のレーザービームを照射した。サンプルを取扱者が手で移動させた。添付した図5は、サンプルの温度の関数としての粉体の磁化率及び色の変化を示すグラフ及び写真である。単純な熱処理プロセス本発明の一部を構成するものではないプロセスによって、初期の低スピン状態におけるピンク色の粉体が高温において白色になることが可能である。単一の加熱サイクルの後に、サンプルは、非常に低温T<100Kにおいてのみ、その最初の色ピンクを取り戻した。この化合物のスピン状態の変化は、磁化率測定によって確認された。この同じ化合物であってしかし事前の熱処理に付していないものLS状態、図5bを、本発明に従う方法に従ってレーザービームに曝露した。放射線の出力及び波長はそれぞれ150mW/cm2及び10.6μmだった。照射領域は白色になった図5a。次いでサンプルの温度を100K以下に下げたら、サンプル全体がピンク色になった。レーザー放射線に曝露されなかった部分は、サンプルの温度を130Kより高くしたらすぐにその白色を取り戻し、レーザービームを照射された領域と照射されなかった領域とがはっきりわかった図5c。最後に、サンプルを360K超に加熱したら、化合物全体が白色になった。この化合物の温度挙動は、加熱されたサンプルのものと同様である。"