"RFIDアンテナを構成するアンテナエレメントと、前記アンテナエレメントが接続されたRFID回路ブロックと、前記アンテナエレメントの一端に、一端が接続されたコンデンサと、前記コンデンサの他端にドレイン端子が接続され、プルアップ抵抗がドレイン端子と電源との間に接続され、ゲート端子が抵抗を介して接地され、ソース端子が接地されたFETと、を有する第1の共振周波数調整回路と、を備える、RFIDモジュール。上記特許文献1に記載の従来技術では、下記の様な問題点があった。第1に、部品点数が多くなるため、コストと実装面積の観点で携帯機器への採用が困難である。第2に、レベル検出器15内に整流部151が必要なため、GSM登録商標等、他の無線通信用の送信波がRFID用アンテナに重畳した場合に、整流部151のダイオード152にてスプリアスが発生する場合がある。このような背景において、本願発明者は、許容できる共振周波数範囲を拡大することができる新規な構成を有するRFIDモジュールおよびこれを用いた携帯機器を比較的低コストで提供することの必要性を認識している。本発明の一実施形態によるRFIDモジュールは、RFIDアンテナを構成するアンテナエレメントと、前記アンテナエレメントが接続されたRFID回路ブロックと、前記アンテナエレメントに接続され、RFIDアンテナの共振周波数を調整する共振周波数調整回路とを備える。前記共振周波数調整回路は、前記アンテナエレメントの一端に、一端が接続されたコンデンサと、前記コンデンサの他端にドレイン端子が接続されるとともにソース端子が接地されたFETと、前記FETのドレイン端子と電源との間に接続されたプルアップ抵抗とを有し、前記FETのゲート端子が抵抗を介して接地される。RFIDモジュールがR/W機器に接近したときにRFIDアンテナに励起される電圧に基づき、所定振幅以上のAC波形が入力された際に、上記コンデンサを介してドレイン端子のDCレベルの低下が生じる。これに基づき、ドレイン-ソース間の寄生容量値が増加する。その結果、ループアンテナの共振周波数が低い側へシフトする。これにより、R/W近傍で発生するnullが回避される。前記共振周波数調整回路は、前記コンデンサと前記FETとの接続点に一端が接続され、他端が接地された他のコンデンサをさらに有してもよい。これにより、共振周波数特性のヒステリシス性を強化することができ、ひいては共振周波数の安定化が図れる。前記アンテナエレメントの一端および他端にそれぞれ設けられた第1および第2の共振周波数調整回路を備えてもよい。これにより、平衡方式のRFIDアンテナの平衡を保つことができる。上記RFIDモジュールにおいて、さらに、前記第1および第2の共振周波数調整回路内の各FETのゲート端子に接続された抵抗は、直列接続された第1および第2の抵抗を含み、前記第1の共振周波数調整回路内の前記第1および第2の抵抗の接続点と前記第2の共振周波数調整回路内の前記FETのドレイン端子との間に接続された第1の受動素子と、前記第2の共振周波数調整回路内の前記第1および第2の抵抗の接続点と前記第1の共振周波数調整回路内の前記FETのドレイン端子との間に接続された第2の受動素子とをさらに備えてもよい。これにより、共振周波数のシフトが生じる通信距離の閾値を調整することができる。前記FETのゲート端子は、前記抵抗を介して、出力をHighまたはLowに切り換えることができるIOポートに接続されてもよい。本発明の一実施の形態による携帯機器は、ユーザに対して表示インタフェースを提供する表示部と、ユーザに対して入力インタフェースを提供する操作部と、RFID部と、各部の制御および必要なデータ処理を行う制御部とを備える。前記RFID部は、RFIDアンテナを構成するアンテナエレメントと、前記アンテナエレメントが接続されたRFID回路ブロックと、前記アンテナエレメントに接続され、RFIDアンテナの共振周波数を調整する共振周波数調整回路とを備える。前記共振周波数調整回路は、前記アンテナエレメントの一端に、一端が接続されたコンデンサと、前記コンデンサの他端にドレイン端子が接続されるとともにソース端子が接地されたFETと、前記FETのドレイン端子と電源との間に接続されたプルアップ抵抗とを有し、前記FETのゲート端子が抵抗を介して接地される。本発明によれば、旧式のリーダライタ機器に対しても位相反転nullの発生を大きく抑制することが可能になる。特に、許容できる共振周波数範囲を拡大することができる新規な構成を有するRFIDモジュールおよびこれを用いた携帯機器を比較的低コストで提供することができる。以下、本発明の好適な実施の形態について、さらに他の図面を参照して詳細に説明する。本実施の形態では、代表的な電磁誘導方式のRFIDシステムとして、FeliCaソニー株式会社の登録商標を例にとって説明するが、特にこれに限るものではない。例えば、本発明はNFCNearFieldCommunication、その他任意のRFIDシステムに適用可能である。図5に示した様なnullの発生傾向において、もし携帯機器がR/Wへ接近した際に携帯機器の共振周波数f0を動的に低い側に自動的にシフトさせることが出来れば、携帯機器の許容できる共振周波数範囲を飛躍的に拡大することができる。図6abは図5に示したグラフにおいて、本実施の形態による改善の適用前後を説明するための図である。例えば、R/Wに対して携帯機器が所定の閾値距離Dより遠い位置から閾値距離Dをまたいで近い位置へ移動する際、閾値距離D付近で携帯機器の共振周波数が低い側に移動する場合を考える。通信距離に応じた共振周波数のシフトが生じない場合図6aの許容できる共振周波数範囲がΔF1であるのに対して、シフトが生じる場合図6bの許容できる共振周波数範囲はΔF1より十分に大きいΔF2となる。このように許容できる共振周波数範囲が拡大することは、f0調整回路のbit数削減や、製造工程のタクトタイム削減等に寄与する。図7に、本発明の第1の実施の形態によるRFIDモジュールの構成例を示す。このRFIDモジュールは、通常、RFIDアンテナとしてのループアンテナ220を構成するアンテナエレメントと、このアンテナエレメントが接続されたRFID回路ブロック240とにより構成される。ループアンテナ220のインダクタンスと並列共振をとるために、ループアンテナ220の両端のアンテナライン間に同調用コンデンサC0が設けられる。本実施の形態では、さらに、アンテナエレメントの両端に接続され、RFIDアンテナの共振周波数を調整する共振周波数調整部230を備える。この共振周波数調整部230は、第1の共振周波数調整回路231と第2の共振周波数調整回路232とを有する。RFID回路ブロック240は、ループアンテナ220の両端間に励起された電圧を受けて整流を行う整流部241、同じく励起された電圧を受けて包絡線検波を行う復調部243等を有する。このようなRFID回路ブロック240は、その構成自体は既知であり、既存のRFID用LSIで構成することができる。共振周波数調整部230の第1の共振周波数調整回路231は、アンテナエレメントの一端に、一端が接続されたコンデンサDCカットコンデンサC1と、このコンデンサC1の他端にドレイン端子Dが接続されるとともにソース端子Sが接地された電界効果トランジスタFieldEffectTransistorFET1と、このFET1のドレイン端子と電源電源電圧VDDとの間に接続された比較的高抵抗値のプルアップ抵抗R1とを有する。FET1のゲート端子Gは抵抗R3を介して接地される。共振周波数調整部230の第2の共振周波数調整回路232は、同様に、アンテナエレメントの他端に、一端が接続されたコンデンサDCカットコンデンサC2と、このコンデンサC2の他端にドレイン端子Dが接続されるとともにソース端子Sが接地された電界効果トランジスタFET2と、このFET2のドレイン端子と電源電源電圧VDDとの間に接続された比較的高抵抗値のプルアップ抵抗R2とを有する。FET2のゲート端子Gは抵抗R4を介して接地される。第1および第2の共振周波数調整回路231と232の動作は同じなので、以下、主として、第1の共振周波数調整回路231について説明する。FET1はそのゲート端子Gが抵抗R3を介して接地されるので、OFF状態に設定される。このようにOFF状態に設定されたFET1のドレイン端子Dは高抵抗値の抵抗R1で電源電圧へプルアップされ、この状態で、ループアンテナ220の両端に励起された搬送波のAC成分がドレイン端子Dに与えられる。カード側機器すなわち携帯機器がR/Wに接近するとアンテナに励起される搬送波の振幅は大きくなり、ドレイン端子Dに掛かるAC振幅も大きくなる。ドレイン端子Dに掛かるAC波形はFET1の帰還容量Cdgを通じてゲート端子Dに伝わるため、FET1は完全なOFF状態から僅かにドレイン遮断電流が流れる状態に遷移する。これにより、高抵抗値のプルアップ抵抗R1でプルアップされたドレイン端子DのDC電位が低下する。ドレイン-ソース間容量Cdsは、DCバイアス特性を持つ、すなわち、DCバイアスに依存して変化する。ドレイン端子DのDC電位の低下によりドレイン-ソース容量Cdsが増加する。これに伴い、アンテナの共振周波数f0が下がる。これら一連の動作によって、R/Wに接近したときにカード側アンテナの共振周波数を下げることができる。なお、アンテナの平衡を保つためにアンテナエレメントの両端に対して対称形に第1および第2の共振周波数調整回路231,232を構成しているが、使用するRFID回路ブロック240が平衡方式でなければ、励起電圧の高い側一方のアンテナラインに対して単一の共振周波数調整回路を設ける構成であってもよい。また、FETはゲート端子内に抵抗を内蔵しているタイプのものを想定しているが、抵抗を内蔵していないFETを使用する場合は、抵抗素子を外付けしてもよい。各素子の定数の目安としては、例えば、C1,C2=5~20pF程度、R1,R2=1MΩ程度、C0=アンテナのL値と合わせて13.56MHz付近で共振する様な値、とすることができる。ここで、図7のRFIDモジュールの典型的な動作について説明する。FET1のゲート端子はGNDに接続されているので、FET1は常にOFF状態であり、ドレイン電流はスタンバイ時にはほぼゼロとなる。このため、FET1のドレイン端子のDC電位はプルアップ先の電源電圧VDDにほぼ等しくなる。R1,R2の定数は、ゲート電位=0V時のドレイン遮断電流に対し有意な電圧降下を生じない範囲でなるべく高い抵抗値にあらかじめ設定しておく。携帯機器がR/Wにかざされてアンテナ端子に搬送波が励起されると、DCカットコンデンサC1を介して、FET1のドレイン端子に搬送波のAC成分が重畳される。このとき、FET1の帰還容量Cdgを介してAC成分はゲート端子D内部にも伝わるが、AC成分の振幅が十分に小さい間はFET1は完全なOFF状態を維持し、FET1のドレイン端子にはVDD電位を中心としたAC波形が現れる。携帯機器がR/Wに接近すると、ドレイン端子に掛かるAC波形の振幅がR/Wとの距離に応じて大きくなる。このとき、容量Cdgを介してゲート端子内部に伝わるAC波形の振幅も大きくなる。この振幅が所定のレベルに達すると僅かにドレイン電流が流れはじめ、プルアップ抵抗R1の値に応じてドレイン端子DのDC電位が低下する。プルアップ抵抗値が高いほど、ドレイン電流の変化に対してDC電位の変動が大きくなる。ここで、図8により、FETのドレイン-ソース間電圧と、FETの各部の寄生容量の容量値の関係を示した特性の一例を示す。図8aはFETのドレインソース間電圧VdsVと、Ciss、Coss、Crssの各静電容量CpFとの関係を示したグラフである。ここでは、図8bに示すように、FETは、そのドレイン端子Dとソース端子Sとゲート端子Gとの間の相互の寄生容量Cds、Cdg、Cgsを呈する。寄生容量Cds、Cdg、CgsとCiss、Coss、Crssとの関係は次のように規定されている。Ciss=CgsCdgCoss=CdsCdgCrss=Cdg図8cは、Vgs=0V、f=1MHz、Ta=25°Cの条件下でのソース接地FETにおける、ドレインソース間電圧Vdsの具体的な電圧値に対する、容量Ciss、Coss、Crssの容量値pFの具体例を示している。この具体例から類推されるように、一般に、ドレイン-ソース間電圧Vdsが高くなるほど、各部の容量値は減少する。容量の絶対値はFETの種類によって異なるが、電位差が大きくなると容量が下がるという関係は一般的な性質である。この性質により、ドレイン端子DのDC電位が低下したFETでは、各部の容量値が大きくなる。仮にVDDが3V程度であったとすると、ドレイン端子DのDC電位が0.5V程度まで低下した場合のCissは9.3pFから15pFへ、Cossは9.8pFから20pFへ、Crssは4.5pFから12pFへ、とそれぞれ変化上昇する。次に、図9によりFET容量の並列共振回路への影響について説明する。図9aは図7のRFIDモジュールの容量の接続関係を示した図であり、図9bはこれを並列共振回路として簡略化した図である。第1の実施の形態におけるFET各部の容量は、図9aに示すようにループアンテナ220に対しGNDを介して閉回路を形成している。このため、FET各部の容量は、C0に対して並列に挿入された複数のコンデンサとして作用し、並列共振回路の一部となっている。FET1のCds,Cdg,Cgsの合成容量以下Cfet1と呼ぶおよびFET2のCds,Cdg,Cgsの合成容量以下Cfet2と呼ぶが増加した場合、アンテナの共振周波数f0は下記の式で表されるため、容量増加によりf0は低い側へ変化する。アンテナの共振周波数:f0=1/2π√LantCantアンテナの合成容量:Cant=C0{C1Cfet1/2C1Cfet1}但し、C1=C2,Cfet1=Cfet2とする。FETの合成容量:Cfet1=Cfet2=Coss-Crss^2/Cissここに、Crss^2はCrssの2乗を表す。先の例で挙げたCissの9.3pFから15pFへの変化、Cossの9.8pFから20pFへの変化、Crssの4.5pFから12pFへの変化を適用した場合、Cfet1およびCfet2は7.6pFから10.4pFへ変化し、容量値は2.8pFだけ増加する。このとき、仮にループアンテナのインダクタンス値が2.5μH,C0=51pF,C1=C2=22pFであると仮定すると、Cds,Cdg,Cgsの合成容量が7.6pFから10.4pFに変化したときの共振周波数f0は13.721MHzから13.631MHzへ変化する。すなわち、f0は低い側へ90kHzシフトする。尚、FET1,FET2共に、ドレイン電流がある程度増加すると、ドレイン-ソース間の抵抗値の低下に伴ってドレインに現れるAC波形の振幅が低下するため、この使い方ではFETが完全なON状態に至ることは無い。上述した第1の実施の形態によれば、RFID機能を搭載した携帯機器において、FETのドレイン-ソース間容量Cdsの持つDCバイアス特性を利用して、受信している搬送波レベルが高いときにだけRFIDアンテナの共振周波数を低い側へシフトさせることができる。これにより、FETの持つ特性を活用し、極めて少ない部品点数で所望の効果を得ることができる。上記のとおり、本実施の形態では、OFF状態に制御されたFETのドレイン端子へ13.56MHzのAC波形が印加された際に、AC波形の振幅に応じてドレイン遮断電流が僅かに増加する現象を利用する。本実施の形態の第1の機能は、このドレイン遮断電流の増加に伴い、ドレイン端子に接続されたプルアップ抵抗との分圧比の変化によってドレイン端子のDC電位が変化低下することにより、AC波形の振幅レベルを検出することである。本実施の形態の第2の機能は、所定振幅以上のAC波形が入力された際に生じるドレイン端子のDCレベルの低下に基づきドレイン-ソース間の寄生容量値が増加する性質を利用して、AC波形の振幅レベルを容量値に変換するACレベル-容量変換を行うことである。本実施の形態の第3の機能は、第2の機能に基づいて、所定以上の搬送波強度を受信した時にループアンテナの共振周波数を低い側へシフトさせることでR/W近傍で発生するNullを回避することである。次に、図10により第1の実施の形態の変形例を説明する。図10は、第1の実施の形態の変形例の構成を示している。この図において、図7に示した構成要素と同様の構成要素には同じ参照番号を付して、重複した説明は省略する。第1の実施の形態ではFET1,FET2のゲート端子をGNDに直接落とした。これに対して、この変形例では、ゲート端子をRFID回路ブロック240の入出力ポートIOポートへ接続する。このIOポートは、RFID回路ブロック240内または外部の制御部図示せずにより、出力HighまたはLowのいずれかに切り替えて設定することができる。携帯機器の工場での出荷検査時に、IOポート出力をHighに切り替えることでループアンテナの共振周波数f0が変化するため、これを測定することによりFET1,FET2周辺の部品の実装不良等をチェックすることが出来る。チェック後、IOポート出力をLowとすることにより、基本的に工場出荷後は常時Low状態となり、電気的な動作は第1の実施の形態と変わらない。尚、図10ではRFID回路ブロック240のIOポートを使用しているが、他の回路ブロックICのIOポートを使用することも可能である。次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。FETのゲート端子内部に現れるAC波形は、そのドレイン端子に現れるAC成分がCdgとCgsによって分圧される形となっている。仮にドレインのDC電位が3Vから1Vに低下したとすると、例えば、そのFETのCdgは、4.5pFから8pFへ変化する一方、Cgs=Ciss-Cdgは4.8pFから4pFへ変化する。これにより、CdgとCgsの分圧比は、ゲート端子内部に伝わるAC波形がより大きくなる方向に変化する。このため、ドレイン電位の低下がさらなるドレイン電位の低下を引き起こす動作となる。その結果、ドレイン電位は1Vで安定せずに0V付近までスイッチ的に変動する。すなわち、AC波形の大きさの変化に対するドレイン電位の変化は、ヒステリシス性を持った動作となる。図11に、通信距離とFETのドレイン電位の関係を示す。通信距離の変化に伴うドレイン電位の変化の軌跡は往路と復路で異なる経路をとる。すなわち、共振周波数特性についてもヒステリシス性を呈する。上述したように、ドレイン電位は寄生容量に寄与し、寄生容量は最終的に共振周波数に寄与する。したがって、ヒステリシス性が不足していると、ドレイン電位の変化時に寄生容量ひいては共振周波数のばたつきが発生し、通信特性に影響を与える場合がある。図12は、図6bと同じグラフにおいて、ヒステリシスの効果を示したものである。ここでは、携帯機器の共振周波数と通信距離との関係でヒステリシス性を示している。すなわち、共振周波数のシフトが生じる通信距離が、通信距離の変化の往路と復路とで異なっている。ところで、ドレイン端子に現れるAC波形振幅は、アンテナ端子aに現れる波形がCds,Cdg,Cgsの合成容量以下Cfetと呼ぶと、C1とによって分圧されたものである。このことに着目すると、ドレイン電位の低下時にC1の容量値が殆ど変化しないのに対してCfetは増加する。このため、ドレイン端子に掛かるAC波形振幅が小さくなる方向に分圧比が変化することになる。この現象は、逆に、ヒステリシス性を弱める作用となる。従って、通常は前述のヒステリシス性を強める作用と、ヒステリシスを弱める作用は同時に作用することになる。図7に示した構成のRFIDモジュールにおいてもヒステリシス性は期待できるが、動作の安定性の観点から、ヒステリシス性をさらに強めることができれば好ましい。ヒステリシス性を強めたい場合には、ヒステリシスを弱める作用の方を軽減させることによって調整が可能である。図13に、このようなヒステリシス性を強めることができるRFIDモジュールの構成例を示す。この図において、図7に示した構成要素と同様の構成要素には同じ参照番号を付して、重複した説明は省略する。図7に示した構成と異なる点は、次の点である。すなわち、共振周波数調整部230aの第1の共振周波数調整回路231a内のDCカットコンデンサC1とFET1との接続点に一端が接続され、他端が接地されたコンデンサC3を設けている。同様に、第2の共振周波数調整回路232a内においても、そのDCカットコンデンサC2とFET2との接続点に一端が接続され、他端が接地されたコンデンサC4を設けている。上述のように、ヒステリシスを強める作用がCdgとCgsの分圧比に依存しているのに対して、ヒステリシスを弱める作用はC1とCfetの分圧比に依存している。そこで、コンデンサC3を加えると、FET1のドレイン端子Dに掛かるAC波形振幅は、アンテナ端子aに現れる波形がC1とCfetC3で分圧されたものになる。このため、Cfetの値が変化した際の分圧比への影響は小さくなる。これにより、Cfetが増加した時のドレイン端子Dに現れるAC振幅の低下は抑えられ、CdgとCgsの分圧比によるヒステリシスを強める効果が優勢になる。その結果、全体としてヒステリシス性は強化される方向になる。なお、上述した第1の実施の形態の変形例は第2の実施の形態にも適用可能である。次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。図14に示すように、上述した共振周波数f0のシフトが生じる通信距離の閾値距離DがR/Wからあまり遠方にあると、領域R3のように、共振周波数f0のシフトによって通信可能なf0範囲から逸脱してしまう可能性がある。このため、携帯機器が十分R/Wに接近してから共振周波数f0が変化するように、閾値距離Dひいてはドレイン電位低下の閾値を調整することが望ましい。図7に示した第1の実施の形態の共振周波数調整部230において、ドレイン電位低下の閾値を、よりR/Wの近傍に近づけるにはC1,C2の容量値を小さくし、ドレイン端子に伝わるAC波形振幅を小さくすればよい。しかしながら、C1,C2の容量値を小さくするとドレイン電位低下時の共振周波数f0のシフト量も小さくなるため、R/W密着付近で発生するnullの回避性能も低下してしまう。そこで、第3の実施の形態では、充分なf0シフト量を確保しつつ閾値をR/W近傍に調整する方策を示す。図15は第3の実施の形態に係るRFIDモジュールの構成例を示している。この図において、図7に示した構成要素と同様の構成要素には同じ参照番号を付して、重複した説明は省略する。本実施の形態では、ループアンテナの性質として、ループアンテナ220の両端の端子a,端子bに現れる波形が、互いに逆位相であることを利用している。そのために、図7に示した構成と異なる点は、抵抗R5,R6、および、閾値調整用の受動素子としてのコンデンサC5,C6を追加したものである。これにより、FET1のゲート端子には、FET2のドレイン端子からコンデンサC5を介して波形を引き込み、FET2のゲート端子には、FET1のドレイン端子からコンデンサC6を介して波形を引き込んでいる。これにより、共振周波数調整部内の一方の共振周波数調整回路内においてCdgを介して伝わってくる波形に、他方の共振周波数調整回路から逆相の波形を合成する。より具体的には、共振周波数調整部230b内の第1の共振周波数調整回路231b内のゲート抵抗は抵抗R3と抵抗R5とを直列接続したものとする。また、共振周波数調整部230b内の第2の共振周波数調整回路232b内のゲート抵抗は抵抗R4と抵抗R6とを直列接続したものとする。さらに、共振周波数調整回路231b内の抵抗R3と抵抗R5の接続点と他方の共振周波数調整回路232b内のFET2のドレイン端子Dとの間に、第1の受動素子としてのコンデンサC5を接続する。同様に、共振周波数調整回路232b内の抵抗R4と抵抗R6の接続点と他方の共振周波数調整回路231b内のFET1のドレイン端子Dとの間に、第2の受動素子としてのコンデンサC6を接続する。共振周波数f0のシフト量を大きくとるためには、コンデンサC1,C2の容量値を上げる必要がある。しかし、そのままではドレイン端子Dから容量Cdgを経てゲート内部に伝播するAC成分が大きくなってしまい、R/Wから遠方でのf0シフトを引き起こしてしまう。そのため、これと逆位相を持つ波形をゲート端子側から注入し、ゲート内部にて互いに打ち消し合うことを意図して、コンデンサC5,C6を配置している。R5,R6は、ゲート端子のDC電位をGNDレベルに保ちつつゲート内部にAC波形を伝えるための抵抗である。なお、定数の目安として、C5,C6はCdgと同程度またはそれ以下、R5,R6は10kΩ~100kΩ程度である。ゲート端子に抵抗が内蔵されている場合には、抵抗通過時に位相差が生じ、打消しの効果が低下するため、Cdgのインピーダンスの絶対値に対して抵抗値が同等以下であることが望ましい。また、第3の実施の形態においても、上記第1の実施の形態の変形例、および、第2の実施の形態の特徴を併用することが可能である。図16は、第3の実施の形態の変形例を示している。この図において、図15に示したと同様の構成要素には同じ参照番号を付して、重複した説明は省略する。図15に示した構成と異なる点は、受動素子として、コンデンサC5,C6の代わりに、抵抗R7,R8を用いたことである。受動素子としては、コンデンサ、抵抗、インダクタ、またはこれらの任意の組み合わせとすることが可能である。この場合、アンテナのQが低下する可能性があるが、その低下が許容範囲であれば、問題なく本発明の効果を享受できる。上述した本発明の代表的な実施の形態である第1の実施の形態の効果について説明する。第1の実施の形態に依れば次のような格別な効果が得られる。第1は部品点数削減の効果である。図17は、レベル検出器を用いてその検出出力に基づく容量値の切り替えを行う従来技術と第1の実施の形態における回路規模の比較するための図である。本実施の形態ではコンデンサ、FET、プルアップ抵抗だけで、アンテナの誘起電圧のレベル検出から容量値の切り替えまでを行う。このため、従来技術のレベル検出器で必要であった整流ダイオードやコンパレータ周辺回路を削減することができる。特に、従来技術におけるコンパレータ周辺回路は閾値設定用の抵抗や電位安定化のためのコンデンサ、ヒステリシスを持たせるための帰還抵抗、電源未投入状態でアンテナから大きな入力電圧が入った時のための保護抵抗等、多くの部品を必要とする。本実施の形態ではこれらの部品が不要となるので削減効果が大きい。第2に、アンテナの誘起電圧のAC成分の振幅の大きさによってレベル検出を行うため整流回路が必要無く、GSM登録商標等、他の無線通信用の送信波がRFID用アンテナに重畳した場合に、整流部151のダイオード152にてスプリアスが発生する懸念が減る。第3に、コンパレータを使用しないため、コンパレータのスタンバイ電流や、閾値設定のための抵抗分圧で消費される電流が削減できる。これらの効果は、基本的に、上述した他の実施の形態および変形例についても共通に得られるものである。上述したRFIDモジュールは、非接触ICカードの形態として具現されるだけでなく、携帯機器に組み込んで使用することも可能である。図18に、上記実施の形態のいずれかに係るRFIDモジュールを内蔵した携帯機器300の構成例を示す。携帯機器300は、制御部310、アンテナ311、通信部312、表示部313、操作部314、記憶部315、音声処理部316、スピーカ317、マイクロホン318および、RFIDモジュールを含むRFID部319を備える。制御部310は、バス320を介して各部と接続され、各部の制御および必要なデータ処理を行うプロセッサであり、MPU等のプロセッサを有する。通信部312は、アンテナを介して基地局と電波による無線通信を行う部位である。表示部313は、ユーザに対して表示インタフェースを提供する部位であり、表示画面上に情報を表示するLCD、有機EL等の表示デバイスを有する。操作部314は、ユーザに対して入力インタフェースを提供する部位であり、テンキーや各種制御キー等の入力装置を有する。記憶部315は、制御部310が実行するプログラムとしてOSおよび通信アプリケーションプログラム等の各種アプリケーションプログラム、および必要なデータを格納する部位であり、ROM、RAM等のメモリを含む。音声処理部316は、受話音声、動画ファイルの音声、音楽データの処理部であり、コーデック等を有し、音声を出力するスピーカ317および送話音声等を集音するマイクロホン318が接続される。RFID部319は、好ましくは、RFIDモジュール319bと制御部310との間のインタフェースをとるためのインタフェース部319aを備える。制御部310は、RFIDモジュール319bの能動化/不能化等の制御を行うとともに、能動化した状態で、インタフェース部319aを介して、RFIDモジュール319bとの間のデータの授受を行うことが可能である。RFIDモジュール319bは通常、データを記憶するメモリ図示せずを内蔵している。携帯機器300としては、携帯電話端末の他、PDA、ゲーム機、PC、家電装置等を含みうる。本発明は、また、別の実施の形態として、通信方法、特に、RFIDモジュールの通信方法を提供する。この通信方法は、次の各ステップを有する。RFIDアンテナのアンテナエレメントの一端にコンデンサを介してソース接地FETを接続し、そのFETのドレイン端子を所定の電源電圧にプルアップし、前記FETのゲート端子を抵抗を介して接地し、RFIDモジュールがR/W機器に接近したときにRFIDアンテナに励起される電圧に基づき、所定振幅以上のAC波形が入力された際に、上記コンデンサを介してドレイン端子のDCレベルを低下させ、このDCレベルの低下に基づき、ドレイン-ソース間の寄生容量値が増加させることにより、ループアンテナの共振周波数を低い側へシフトさせる。以上、本発明の好適な実施の形態について説明したが、上記で言及した以外にも種々の変形、変更を行うことが可能である。すなわち、請求項または請求項と均等の範囲内にある限り、デザイン又はその他の要素によって種々の改変、組み合わせ、他の実施形態が生じうることは、当業者にとって当然のことと理解される。例えば、RFモジュールを備えた携帯機器について説明したが、カード形態、その他任意の形態のRFモジュールに適用することができる。また、上記実施の形態で挙げた具体的な数値はあくまで説明のための例示であり、本発明はそれらの数値に限定されるものではない。上述の本発明の実施の形態では、RFIDアンテナを構成するアンテナエレメントと、前記アンテナエレメントが接続されたRFID回路ブロックと、前記アンテナエレメントに接続され、RFIDアンテナの共振周波数を調整する共振周波数調整回路とを備え、前記共振周波数調整回路は、前記アンテナエレメントの一端に、一端が接続されたコンデンサと、前記コンデンサの他端にドレイン端子が接続されるとともにソース端子が接地されたFETと、前記FETのドレイン端子と電源との間に接続されたプルアップ抵抗とを有し、前記FETのゲート端子が抵抗を介して接地されたRFIDモジュール、について説明している。また、前記共振周波数調整回路は、前記コンデンサと前記FETとの接続点に一端が接続され、他端が接地された他のコンデンサをさらに有する請求項1に記載のRFIDモジュール、についても説明している。また、前記アンテナエレメントの一端および他端にそれぞれ設けられた第1および第2の共振周波数調整回路を備えた請求項1または2に記載のRFIDモジュール、についても説明している。また、前記第1および第2の共振周波数調整回路内の各FETのゲート端子に接続された抵抗は、直列接続された第1および第2の抵抗を含み、前記第1の共振周波数調整回路内の前記第1および第2の抵抗の接続点と前記第2の共振周波数調整回路内の前記FETのドレイン端子との間に接続された第1の受動素子と、前記第2の共振周波数調整回路内の前記第1および第2の抵抗の接続点と前記第1の共振周波数調整回路内の前記FETのドレイン端子との間に接続された第2の受動素子とをさらに備えた請求項3に記載のRFIDモジュール、についても説明している。また、前記FETのゲート端子は、前記抵抗を介して、前記RFID回路ブロックのIOポートに接続され、前記IOポートはその出力をHighまたはLowに切り替えて設定される請求項1に記載のRFIDモジュール、についても説明している。また、ユーザに対して表示インタフェースを提供する表示部と、ユーザに対して入力インタフェースを提供する操作部と、RFID部と、各部の制御および必要なデータ処理を行う制御部とを備え、前記RFID部は、RFIDアンテナを構成するアンテナエレメントと、前記アンテナエレメントが接続されたRFID回路ブロックと、前記アンテナエレメントに接続され、RFIDアンテナの共振周波数を調整する共振周波数調整回路とを備え、前記共振周波数調整回路は、前記アンテナエレメントの一端に、一端が接続されたコンデンサと、前記コンデンサの他端にドレイン端子が接続されるとともにソース端子が接地されたFETと、前記FETのドレイン端子と電源との間に接続されたプルアップ抵抗とを有し、前記FETのゲート端子が抵抗を介して接地された携帯機器、についても説明している。"