"A分子内にアルコール性水酸基を有するメタアクリル酸エステル化合物と、一般式1で示される繰り返しユニットの両末端が水酸基である化合物と、芳香族環を有しない環状ジイソシアネートとを反応させて得られる反応生成物、B主鎖骨格に一般式2で示される構造を含み、かつ少なくとも2つのラジカル重合可能な炭素-炭素不飽和結合を有し、ウレタン結合を有しない化合物、C光重合開始剤ではないラジカル重合開始剤、D充填材を必須成分とすることを特徴とする樹脂組成物。一般式1中のR1は炭素数3~6の炭化水素であり、nは2~20の整数である。一般式2中のR2は炭素数3~6の炭化水素であり、mは2~20の整数である。一般式1で示される繰り返しユニットの両末端が水酸基である化合物がポリテトラメチレンオキサイドジオールである請求項1記載の樹脂組成物。芳香族環を有しない環状ジイソシアネートがイソホロンジイソシアネートである請求項1又は2記載の樹脂組成物。主鎖骨格に一般式2で示される構造を含み、かつ少なくとも2つのラジカル重合可能な炭素-炭素不飽和結合を有し、ウレタン結合を有しない化合物BのR2がテトラメチレンである請求項1、2又は3記載の樹脂組成物。D充填材が銀粉である請求項1~4のいずれか1項に記載の樹脂組成物。D充填材が樹脂組成物中に80重量以上含まれる請求項1~5のいずれか1項に記載の樹脂組成物。請求項1~6のいずれか1項に記載の樹脂組成物をダイアタッチ材料又はヒートシンクアタッチ材料として用いて製作されることを特徴とする半導体装置。本発明は、大面積の接着用途に使用しても十分な低応力性を有し、かつ良好な接着性を示す樹脂組成物及び該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチ材料あるいはヒートシンクアタッチ材料として使用することで信頼性に優れた半導体装置を提供することである。このような目的は、下記[1]~[7]に記載の本発明により達成される。[1]A分子内にアルコール性水酸基を有するメタアクリル酸エステル化合物と、一般式1で示される繰り返しユニットの両末端が水酸基である化合物と、芳香族環を有しない環状ジイソシアネートとを反応させて得られる反応生成物、B主鎖骨格に一般式2で示される構造を含み、かつ少なくとも2つのラジカル重合可能な炭素-炭素不飽和結合を有し、ウレタン結合を有しない化合物、C光重合開始剤ではないラジカル重合開始剤、D充填材を必須成分とすることを特徴とする樹脂組成物。一般式1中のR1は炭素数3~6の炭化水素であり、nは2~20の整数である。一般式2中のR2は炭素数3~6の炭化水素であり、mは2~20の整数である。[2]一般式1で示される繰り返しユニットの両末端が水酸基である化合物がポリテトラメチレンオキサイドジオールである[1]項記載の樹脂組成物。[3]芳香族環を有しない環状ジイソシアネートがイソホロンジイソシアネートである[1]又は[2]項記載の樹脂組成物。[4]主鎖骨格に一般式2で示される構造を含み、かつ少なくとも2つのラジカル重合可能な炭素-炭素不飽和結合を有し、ウレタン結合を有しない化合物BのR2がテトラメチレンである[1][2]又は[3]項記載の樹脂組成物。[5]D充填材が銀粉である[1]~[4]項のいずれか1項に記載の樹脂組成物。[6]D充填材が樹脂組成物中に80重量以上含まれる[1]~[5]項のいずれか1項に記載の樹脂組成物。[7][1]~[6]項のいずれか1項に記載の樹脂組成物をダイアタッチ材料又はヒートシンクアタッチ材料として用いて製作されることを特徴とする半導体装置。本発明により、低応力性、接着性に優れた樹脂組成物及び該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチ材料あるいはヒートシンクアタッチ材料として使用した信頼性に優れた半導体装置を提供することが可能となる。本発明では以下の原料を反応して得られるウレタンアクリレートを使用する。分子内にアルコール性水酸基を有するメタアクリル酸エステル化合物はウレタンアクリレートの両末端にメタアクリル基を導入する目的で使用される。代表的なものとしては2ヒドロキシエチルメタアクリレートがあげられるがこれに限定されるわけではない。一般式1で示される繰り返しユニットの両末端が水酸基である化合物としては、R1部の炭素数が3から6の炭化水素に限定されるがこれは炭素数がこれより少ない場合には極性が強すぎ得られた樹脂組成物の耐湿性が悪化するため好ましくなく、これより多い多い場合には逆に極性が低くなりすぎ目的とする接着力が得られず好ましくないためである。繰り返し単位数nは2~20の整数に限定されるがこれは繰り返し単位がこれより少ない場合に目的とする柔軟性を発揮し得ず、逆に多い場合には粘度が高くなりすぎ作業性上好ましくないためである。ジイソシアネートとしては、芳香族環を有しない環状ジイソシアネートを使用するがこれは芳香族環を有するジイソシアネートに比較し芳香族環を有しない環状ジイソシアネートを使用した方が柔軟性、接着性に優れる硬化物を得ることが可能なためで、また直鎖状ジイソシアネートを使用する場合に比べ接着性に優れるからである。芳香族環を有しない環状イソシアネートであれば特に限定はされないが、好ましくはイソホロンジイソシアネートが使用される。これら3種の成分は公知の方法により反応し生成物を得ることが可能である。本発明に用いる主鎖骨格に一般式2で示される構造、かつ少なくとも2つのラジカル重合可能な炭素-炭素不飽和結合を有し、ウレタン結合を有しない化合物BのR2部は炭素数が3から6の炭化水素に限定されるが、これは炭素数がこれより少ない場合には極性が強すぎ得られた樹脂組成物の耐湿性が悪化するため好ましくなく、これより多い場合には逆に極性が低くなりすぎ目的とする接着力が得られず好ましくないためである。繰り返し単位数mは2~20の整数に限定されるがこれは繰り返し単位がこれより少ない場合に目的とする柔軟性を発揮し得ず、逆に多い場合には粘度が高くなりすぎ作業性上好ましくないためである。成分Aと成分Bの配合量は十分な低応力性と接着性を両立するために、成分A:成分Bが重量比で4:1から1:4が好ましいが特に限定されるわけではない。本発明に用いる光重合開始剤ではないラジカル重合開始剤Cとしては、通常熱ラジカル重合開始剤として用いられるものであれば特に限定しないが、望ましいものとしては、急速加熱試験試料1gを電熱板の上にのせ、4°C/分で昇温した時の分解開始温度における分解温度が40~140°Cとなるものが好ましい。分解温度が40°C未満だと、樹脂組成物の常温における保存性が悪くなり、140°Cを越えると硬化時間が極端に長くため好ましくない。これを満たすラジカル重合開始剤の具体例としては、メチルエチルケトンパーオキサイド、メチルシクロヘキサノンパーオキサイド、メチルアセトアセテートパーオキサイド、アセチルアセトンパーオキサイド、1,1-ビスt-ブチルパーオキシ3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、1,1-ビスt-ヘキシルパーオキシシクロヘキサン、1,1-ビスt-ヘキシルパーオキシ3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、1,1-ビスt-ブチルパーオキシシクロヘキサン、2,2-ビス4,4-ジ-t-ブチルパーオキシシクロヘキシルプロパン、1,1-ビスt-ブチルパーオキシシクロドデカン、n-ブチル4,4-ビスt-ブチルパーオキシバレレート、2,2-ビスt-ブチルパーオキシブタン、1,1-ビスt-ブチルパーオキシ-2-メチルシクロヘキサン、t-ブチルハイドロパーオキサイド、P-メンタンハイドロパーオキサイド、1,1,3,3-テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、t-ヘキシルハイドロパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、2,5-ジメチル-2,5-ビスt-ブチルパーオキシヘキサン、α、α’-ビスt-ブチルパーオキシジイソプロピルベンゼン、t-ブチルクミルパーオキサイド、ジ-t-ブチルパーオキサイド、2,5-ジメチル-2,5-ビスt-ブチルパーオキシヘキシン-3、イソブチリルパーオキサイド、3,5,5-トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、桂皮酸パーオキサイド、m-トルオイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ビス4-t-ブチルシクロヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ-3-メトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジ-2-エチルヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ-sec-ブチルパーオキシジカーボネート、ジ3-メチル-3-メトキシブチルパーオキシジカーボネート、α、α’-ビスネオデカノイルパーオキシジイソプロピルベンゼン、クミルパーオキシネオデカノエート、1,1,3,3,-テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、1-シクロヘキシル-1-メチ-ルエチルパーオキシネオデカノエート、t-ヘキシルパーオキシネオデカノエート、t-ブチルパーオキシネオデカノエート、t-ヘキシルパーオキシピバレート、t-ブチルパーオキシピバレート、2,5-ジメチル-2,5-ビス2-エチルヘキサノイルパーオキシヘキサン、1,1,3,3-テトラメチルブチルパーオキシ-2-エチルへキサノエート、1-シクロヘキシル-1-メチルエチルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、t-ヘキシルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、t-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、t-ブチルパーオキシイソブチレート、t-ブチルパーオキシマレイックアシッド、t-ブチルパーオキシラウレート、t-ブチルパーオキシ-3,5,5-トリメチルヘキサノエート、t-ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキシルモノカーボネート、2,5-ジメチル-2,5-ビスベンゾイルパーオキシヘキサン、t-ブチルパーオキシアセテート、t-ヘキシルパーオキシベンゾエート、t-ブチルパーオキシ-m-トルオイルベンゾエート、t-ブチルパーオキシベンゾエート、ビスt-ブチルパーオキシイソフタレート、t-ブチルパーオキシアリルモノカーボネート、3,3’,4,4’-テトラt-ブチルパーオキシカルボニルベンゾフェノン等が挙げられるが、これらは単独或いは硬化性を制御するため2種類以上を混合して用いることもできる。特に限定されるわけではないが成分A成分Bに対して0.5~5重量配合されるのが好ましい。本発明は通常蛍光灯等の照明下で使用されるので光開始剤が含まれていると使用中に反応により粘度上昇が観察されるため配合することはできない。更に樹脂組成物の保存性を向上するために各種重合禁止剤、酸化防止剤を予め添加してもよい。本発明に用いる充填材Dとしては、通常銀粉が使用されるが、金粉、窒化アルミニウム、ボロンアイトライド、シリカ、アルミナ等も使用可能である。特に硬化物に高熱伝導率を付与する必要がある場合には銀粉を樹脂組成物中に80重量含まれることが好ましい。本発明の樹脂組成物には、必要により反応性希釈剤、カップリング剤、消泡剤、界面活性剤等の添加剤を用いることができる。本発明の樹脂組成物は、例えば各成分を予備混合した後、3本ロールを用いて混練した後真空下脱泡することにより製造することができる。本発明の樹脂組成物を用いて半導体装置を製作する方法は、公知の方法を用いることができる。[実施例1、2]成分AとしてはNKオリゴUA160TM新中村化学工業製、2-ヒドロキシエチルアクリレートとポリテトラメチレングリコールジオール、イソホロンジイソシアネートの反応物、以下、ウレタンアクリレートを、成分BとしてはNKエステルA-PTMG65新中村化学工業製、繰り返し単位がテトラメチレンオキサイド、以下、A-PTMG65、成分Cとしてはジクミルパーオキサイド日本油脂株製、パークミルD、急速加熱試験における分解温度:126°C、以下開始剤、成分Dとしては、平均粒径3μm、最大粒径20μmのフレーク状銀粉以下銀粉を使用した。ラウリルアクリレート共栄社化学株製、ライトエステルLA、以下LA、メタクリル基を有するシランカップリング剤信越化学工業株製、KBM-503、以下メタクリルシランを表1のように配合し、3本ロールを用いて混練し、脱泡することで樹脂組成物を得た。配合割合は重量部である。[実施例3]使用する成分BとしてNKエステルA-CHD-4E新中村化学工業製、繰り返し単位がプロピレンオキサイド、以下、A-CHD-4Eを使用する以外は実施例1と同様に樹脂組成物を作成した。[比較例1]表1に示す割合で配合し実施例1と同様に樹脂組成物を得た。[比較例2]A-PTMG65に変えてNKエステルA-400新中村化学工業製、繰り返し単位がポリエチレンオキサイド、以下A-400を使用する以外は実施例1と同様に樹脂組成物を作成した。[比較例3]A-PTMG65に変えてライトエステル1,4BG共栄社化学株製、1,4ブタンジオールジメタクリレート、以下1,4BGを使用する以外は実施例1と同様に樹脂組成物を作成した。得られた樹脂組成物ダイアタッチペーストを以下の方法により評価した。評価結果を表1に示す。評価方法粘度:E型粘度計3°コーンを用い25°C、2.5rpmでの値をダイアタッチペースト作製直後と25°C、48時間放置後に測定した。作製直後の粘度が15~25Pa.sの範囲内で、かつ48時間後の粘度増加率が20未満の場合を合格とした。粘度の単位はPa.sで粘度増加率の単位はである。接着強度:6×6mmのシリコンチップを銀めっきした銅フレームにマウントし、150°Cオーブン中15分硬化した。硬化後ならびに吸湿85°C、85、72時間処理後に自動接着力測定装置を用い260°Cでの熱時ダイシェア強度を測定した。260°C熱時ダイシェア強度が30N/チップ以上の場合を合格とした。接着強度の単位はN/チップである。反り量及び耐リフロー性:表1に示す樹脂組成物を用い、下記の基板とシリコンチップを150°C15分間硬化し接着した。硬化後のチップ表面の反り量を表面粗さ計にて測定した。反り量の単位はμmで20μm以下のものを合格とした。また同様にしてダイボンドしたリードフレームを封止材料スミコンEME-7026、住友ベークライト株製を用い封止し、60°C、相対湿度60、192時間吸湿処理した後、IRリフロー処理260°C、10秒、3回リフローを行なった。処理後のパッケージを超音波探傷装置透過型により剥離の程度を測定した。ダイアタッチ部の剥離面積が10未満の場合を合格とした。剥離面積の単位はである。パッケージ:QFP14x20x2.0mmリードフレーム:銀めっきした銅フレームチップサイズ:9×9mmダイアタッチペースト硬化条件:オーブン中150°C、15分"