高誘電体材料で構成され、供給された原料ガスをその微小開口を通じて外部に噴射するイオン源容器と、前記イオン源容器の内部にあってその先端が同容器の前記微小開口に配置された電界電離電極と、前記イオン源容器の外部に配設された外部電極とからなり、前記電界電離電極と前記外部電極との間に電圧を印加して電界電離電極の先端近傍に電界を形成し、前記イオン源容器の微小開口より噴射される原料ガスを電界電離することによりイオンビームを生成するガスイオン源において、前記電界電離電極の先端に近い領域に位置する、イオン源容器の一部の表面、前記外部電極の一部若しくは全部の表面、または同外部電極の全部を二次電子放出抑制材で構成したことを特徴とするガスイオン源。前記二次電子放出抑制材の二次電子放出係数が2以下である請求項1に記載のガスイオン源。前記二次電子放出抑制材の二次電子放出係数が05~15である請求項2に記載のガスイオン源。前記二次電子放出抑制材が薄膜である請求項1または2に記載のガスイオン源。前記イオン源容器がその微小開口を形成する内周側先端部を有するとともに、前記外部電極が、同容器の前記内周側先端部の外周部に一体的に配設されたものにおいて、前記二次電子放出抑制材の薄膜が、前記イオン源容器の内周側先端部の前面及び/または内周面及び/または前記外部電極の前面に被覆されてなる請求項3に記載のガスイオン源。そこで、本発明ではこうした事情に鑑み、イオン源容器のチャージアップに伴う同容器表面からの2次電子の放出を抑制、防止し、電界電離電極の先端近傍の電界強度の低下や不安定化もたらすことなく長期に亘って継続して高輝度の安定したイオンビームを生成することが可能なガスイオン源を提供することをその課題としたものである。本発明は、上記課題を解決するための具体的手段として、以下のガスイオン源を提案する。1高誘電体材料で構成され、供給された原料ガスをその微小開口を通じて外部に噴射するイオン源容器と、前記イオン源容器の内部にあってその先端が同容器の前記微小開口に配置された電界電離電極と、前記イオン源容器の外部に配設された外部電極とからなり、前記電界電離電極と前記外部電極との間に電圧を印加して電界電離電極の先端近傍に電界を形成し、前記イオン源容器の微小開口より噴射される原料ガスを電界電離することによりイオンビームを生成するガスイオン源において、前記電界電離電極の先端に近い領域に位置する、イオン源容器の一部の表面、前記外部電極の一部若しくは全部の表面、または同外部電極の全部を二次電子放出抑制材で構成したことを特徴とするガスイオン源請求項1。2前記二次電子放出抑制材の二次電子放出係数が2以下である請求項1に記載のガスイオン源請求項2。3前記二次電子放出抑制材の二次電子放出係数が05~15である請求項2に記載のガスイオン源請求項34前記二次電子放出抑制材が薄膜である請求項1~3のいずれかに記載のガスイオン源請求項4。5前記イオン源容器がその微小開口を形成する内周側先端部を有するとともに、前記外部電極が、同容器の前記内周側先端部の外周部に一体的に配設されたものにおいて、前記二次電子放出抑制材の薄膜が、前記イオン源容器の内周側先端部の前面及び/または内周面及び/または前記外部電極の前面に被覆されてなる請求項4に記載のガスイオン源請求項5。本発明のガスイオン源によれば、上記解決手段によりイオン源容器のチャージアップ及びこれに伴って発生する同容器表面からの2次電子の放出を有効に抑制、防止することができるから、アルミナなどの高誘電体材料をイオン源容器として用いた場合においても、電界電離電極の先端近傍の電界強度の低下や不安定化もたらすことなく長期に亘って継続して高輝度の安定したイオンビームを生成することが可能であるという優れた効果を奏する。本発明について、その実施形態を中心に図面を参照しながら以下に説明して行くことにする。図1は本発明ガスイオン源の典型的な実施形態1に関する構成を示したもので、本実施形態を参照して本発明の概要並びに特徴を含めてその構成を全体的に詳述する。本発明のガスイオン源の前提となる基本構成は、同図1のように、ベース7に固設され、その内部先端に5~100μmの微小開口Oを有するノズル状のイオン源容器本体1と、原料ガス制御手段5を備えてこのイオン源容器1に接続された原料ガス供給管2と、同容器1の内部中心の軸線方向に沿って設けられ、その先端が前記微小開口Oに挿通して配置された針状の電界電離電極2と、外部電極である対向電極3と、これら電界電離電極2と対向電極3の間に電圧を印加する強電界印加用電源6とから成っている。また、これらは図示しないが真空槽に設置され、1×106Pa前後の高真空状態に保たれる。こうした基本構成を有する電界電離型のガスイオン源により、ヘリウムやアルゴンなどの不活性ガスを原料ガスとして原料ガス供給管4からイオン源容器1に供給し、上記両電極2、3間に電圧を印加すると、電界電離電極2の先端近傍に数10Vnmの強電界が形成され、原料ガスは高真空中で電離して微小開口Oを起点とする高速のイオンビーム8が連続的に前方図では下方に引き出されて得られる。イオン源容器1はアルミナ、ジルコニア、高純度シリコン、ガラスなどの好ましくはεが5以上の高誘電体材料を使用する。ところで、前述したようにイオン源容器1として高誘電体材料を用いた場合、容器1がチャージアップして、同容器1の表面より、二次電子が電界電離電極2の先端に大量に放出、逆流する問題が生じる。本発明は、この問題を解決するため、電界電離電極2の先端に近い領域に位置する、イオン源容器1や外部電極2の表面などを、二次電子放出抑制材で構成し、容器1の二次電子によるチャージアップ並びに容器1からの二次電子の放出を阻止することをその重要な特徴とするものである。この二次電子放出抑制材は文字通り、二次電子放出を抑制できるものであれば如何なる材料を選択しても良いが、その二次電子放出係数γが2以下、特に05~15の値を有する材料が好ましい。これに該当する具体的材料としては、TiN、Cr2O3、Ti、Al、Si、Ni、Cu、Ba、DLCダイヤモンドライクカーボンなどを挙げることができる。また、これら材料は薄膜の形態は、容器及びまたは外部電極の必要箇所、部分の表面に予めPVD、CVDなどのコーティング手段により成膜することにより実現できる。特にコーティング手段としてはスパッタリンッグを採用することが好適である。例えばアルミナ製の容器ノズルを対象としてこれにTINを成膜する際はTiをターゲットとし、アルゴンガス、窒素ガス雰囲気下で直流放電させ、反応性スパッタリンッグ法によりアルミナ表面に直接コーティングすることが望ましい。そこで、図1に示す本実施形態においては、対向電極3がイオン源容器1の微小開口Oを形成する内周側先端部11の外周部が一体的に配設されたタイプで、この内周側先端部11の前面a図では下面及び内周面bが二次電子放出抑制材、例えばTINからなる薄膜Ta及びTbで構成されている。この内周側先端部11は電界電離電極2の先端に最も近く位置電極先端近傍し、電極2に正の電圧が印加されており、且つアパーチャなどから逆流した二次電子が集中的にここに衝突するところからこの部分が最も帯電しやすい容器1の領域となり、とりわけ、前面aを二次電子放出抑制材の薄膜Taで構成することが重要且つ必須となる。ここに適用される薄膜の厚みについて検討すると、二次電子が10kV前後で入射する標準的な条件においては、上記薄膜Ta及びTbの厚みは、2nm以上とすることが好ましい。2nm以上の厚みにすることで電極先端近傍の導電性が確保され、電界強度を向上させることができる。次に、図2に示す実施形態2は、前記図1の実施形態1の領域に加えて、容器1の内周側先端部11の外周部に一体的に配設された対向電極3の前面c図では下面も二次電子放出抑制材の薄膜Tcで構成されている例である。ここに適用される薄膜Ta、Tbの厚みは前実施形態1と同様に2nm以上とすることが好ましい。対して、針先から離れたTcにおいては2nm以下とし、電子放出係数を1に近づけてチャージアップの可能性を極力防ぐことが好ましいと考えられる。また、図3に示す実施形態3は前記実施形態の変形例で、容器1の内周側先端部11の前面aと容器1一体的に配設された対向電極3の前面cに二次電子放出抑制材の薄膜Taと薄膜Tcが構成され、内周面bは薄膜を有さない例である。ここでも同じく、適用される薄膜Taの厚みは2nm以上とし、対してTcでは2nm以下とすることが好ましい。次に、図4に示す実施形態4は、対向電極3が前記実施形態1~3のように容器1に一体的に配設されたものでなく、その少し前方図では下方に独立して設置されたタイプのものであって、容器1の内周側先端部11の前面aと、その外周部の全面dが二次電子放出抑制材の薄膜Taと薄膜Tdで構成されている例である。ここに適用される薄膜Taに関しては前記実施形態1~3と異なり、2nm未満とすることが好ましい。これは膜厚を2nm以上に厚くすると導電性を有し、電極2の先端部の電界強度を低下させることになるためである。対して、Tdについては他の構成とおなじく2nm以下としてチャージアップを防ぐのが好ましい。次に、図5に示す実施形態5は、前記図4の実施形態4の領域に加えて、さらに独立した対向電極3の全表面eが二次電子放出抑制材の薄膜Teで構成されている例である。この実施形態は容器1の前方に位置する対向電極3の全表面eが薄膜を有するため、アパーチャから逆流してくる二次電子自体が容器1に到達するのを抑止する効果も併せ持っている。この実施形態に適用される薄膜については前記実施形態1~3と同じ考え方に基づき、電極先端近傍の導電性を確保して電界強度を上げる意味で、2nm以上とすることが好ましい。一方、薄膜Teについては二次電子の跳ね返りや針先での電界強度低下を防ぐため、2nm未満とすることが望ましい。さらに、図6に示す実施形態6は、図3の前記実施形態3においては容器1に一体的に配設された対向電極3の前面cに薄膜Tcが構成されていたが、これに替えてその表面だけでなく対向電極3そのものを薄膜Tdで構成した例である。この場合のTaは2nm以上とし、対してTdの厚みは二次電子の跳ね返りを考慮して2nm未満とすることが望ましい。