プローブ筐体208と、前記プローブ筐体に結合された放射源本体300と、前記放射源本体に結合され、少なくとも1つのマイクロ波信号から電磁場を生成するように構成された放射源206と、前記放射源を介して送信された電流と前記放射源によって生成された電磁放射のうちの少なくとも1つを吸収するように構成された少なくとも1つの電磁吸収部材302とを備えたマイクロ波センサプローブ202。前記少なくとも1つの電磁吸収部材302が、前記放射源206に結合された少なくとも1つの電磁吸収パッド304を備えている請求項1記載のマイクロ波センサプローブ202。前記放射源206が、第1の端部320、および前記第1の端部から半径方向外側に延びる第2の端部322を備えた少なくとも1つの放射源アーム316を備え、前記少なくとも1つの電磁吸収部材302が前記第2の端部に結合される請求項1記載のマイクロ波センサプローブ202。前記放射源206が、第1の端部320、および第1の放射源アームの前記第1の端部から半径方向外側に延びる第2の端部322を備えた第1の放射源アーム316と、第1の端部324、および第2の放射源アームの前記第1の端部から半径方向外側に延びる第2の端部326を備えた第2の放射源アーム318とを備えている請求項1記載のマイクロ波センサプローブ202。前記少なくとも1つの電磁吸収部材302は、前記第1の放射源アーム第2の端部322に結合された第1の電磁吸収パッド304と、前記第2の放射源アーム第2の端部326に結合された第2の電磁吸収パッド306と、を備えている請求項4記載のマイクロ波センサプローブ202。前記放射源本体300が、前面308と、背面310とを備え、前記少なくとも1つの電磁吸収部材302が、前記背面に結合された少なくとも1つの電磁吸収ディスク400を備えている請求項1記載のマイクロ波センサプローブ202。前記少なくとも1つの電磁吸収部材302が、前記マイクロ波センサプローブの内部に画定された空洞404を少なくとも部分的に取り囲む少なくとも1つの電磁吸収外板402を備えている請求項1記載のマイクロ波センサプローブ202。プローブ筐体208、前記プローブ筐体に結合された放射源本体300、前記放射源本体に結合され、少なくとも1つのマイクロ波信号から電磁場を生成するように構成されている放射源206、および前記放射源を介して送られた電流と前記放射源によって生成された電磁放射のうちの少なくとも1つを吸収するように構成された少なくとも1つの電磁吸収部材302を備えた少なくとも1つのプローブ202と、前記少なくとも1つのプローブに結合され、前記放射源に誘導された負荷に基づき近接度測定値を生成するように構成された信号処理デバイス200とを備えたマイクロ波センサ組立体110。前記少なくとも1つの電磁吸収部材302が、前記放射源206に結合された少なくとも1つの電磁吸収パッド304を備えている請求項8記載のマイクロ波センサ組立体110。前記放射源206が、第1の端部320、および前記第1の端部から半径方向外側に延びる第2の端部322を備えた少なくとも1つの放射源アーム316を備え、前記少なくとも1つの電磁吸収部材302が前記第2の端部に結合される請求項8記載のマイクロ波センサ組立体110。図1は機械102を含む例示的電力システム100を示す。この例示的実施形態において、機械102は風力タービン、水力発電タービン、ガスタービン、または、圧縮機であってよいが、それらのみには限定されない。代替として、機械102は電力システムで使用している任意の他の機械であってもよい。例示的実施形態では、発電機などの負荷106に結合された駆動軸104を機械102が回転させる。この例示的実施形態において、駆動軸104は、機械102および/または負荷106内に収納された図示しない1つまたは複数の軸受によって少なくとも部分的に支持されている。代替として、または、加えて、これらの軸受はギヤボックスなどの分離支持構造体108内に、もしくは、本明細書に説明している通りに電力システム100が機能することを可能にする任意の他の構造体または構成部分内にも収納可能である。この例示的実施形態において、電力システム100は、機械102、駆動軸104、負荷106、および/または、本明細書に説明している通りに電力システム100が機能することを可能にする電力システム100のいずれか他の構成部分の少なくとも1つの動作状態を測定および/またはモニタする少なくとも1つのセンサ組立体110を含む。より具体的には、この例示的実施形態では、センサ組立体110が、駆動軸104とセンサ組立体110との間で規定された図1には示していない距離を測定および/またはモニタするために、駆動軸104に対して非常に近接して位置決めされた近接センサ組立体110となっている。さらに、例示的実施形態では、センサ組立体110が、センサ組立体110について電力システム100の構成部分の近接度を測定するためにマイクロ波信号を使用する。本明細書で使用しているように、用語マイクロ波は、約300メガヘルツMHzと約300ギガヘルツGHzとの間の1つまたは複数の周波数を有する信号を受信および/送信する信号または成分を指す。代替として、センサ組立体110は、電力システム100のいずれか他の構成部分を測定および/もしくはモニタすることが可能であり、かつ/または、本明細書に説明している通りに電力システム100が機能することを可能にする任意の他のセンサもしくはトランスデューサ組立体であってもよい。例示的実施形態において、各センサ組立体110は電力システム100内のいずれの場所にも配置されている。さらに、例示的実施形態において、少なくとも1つのセンサ組立体110は、センサ組立体110によって生成された1つまたは複数の信号の処理および/または解析で使用するための診断システム112に結合される。動作中、例示的実施形態では、機械102の動作が、駆動軸104などの電力システム100の1つまたは複数の構成部分に、少なくとも1つのセンサ組立体110に関して位置を変更させることが可能である。例えば、各構成部分に対して振動が誘発されることがあり、かつ/または、各構成部分は電力システム100内の動作温度が変化するに従って膨張または収縮することがある。例示的実施形態において、センサ組立体110は、各センサ組立体110を基準として構成部分の近接度、位置、および/または、振動の量を測定および/またはモニタし、かつ、構成部分の測定された近接度、位置、および/または、振動の量を示す信号以下、近接度測定値信号と称するを、処理および/または解析するために診断システム112に送信する。図2は図1に示した電力システム100とともに使用可能な例示的センサ組立体110の概略図である。例示的実施形態において、センサ組立体110は、信号処理デバイス200と、データ用ダクト204を介して信号処理デバイス200に結合されたプローブ202と、を含む。さらに、例示的実施形態において、プローブ202は、プローブ筐体208に結合され、かつ/または、その内部に配置された放射源206を含む。より具体的には、例示的実施形態では、プローブ202がマイクロ波放射源を含むマイクロ波プローブ202となっている。このため、例示的実施形態では、放射源206がマイクロ波周波数範囲内の少なくとも1つの共鳴周波数を有している。例示的実施形態において、信号処理デバイス200は、送信電力検出器212と、受信電力検出器214と、信号調整デバイス216と、に結合された指向性結合デバイス210を含む。さらに、例示的実施形態において、信号状態調整デバイス216は信号ジェネレータ218と、減算器220と、線形化器222と、を含む。放射源206を介してマイクロ波信号が放射すると、放射源206は電磁場224を放射する。動作中、例示的実施形態において、信号ジェネレータ218は、放射源206の共鳴周波数と等しいか、または、ほぼ等しいマイクロ波周波数を有する少なくとも1つの電気信号以下、マイクロ波信号と称するを生成する。信号ジェネレータ218は指向性結合デバイス210にマイクロ波信号を送信する。指向性結合デバイス210は、送信電力検出器212と、放射源206と、にマイクロ波信号を送信する。放射源206を介してマイクロ波信号が放射すると、放射源206から、かつ、プローブ筐体208の外に電磁場224が放射される。図1に示した機械102および/または電力システム100の駆動軸104または他の構成部分などの物体が電磁場224に進入し、かつ/または、電磁場224内での相対位置を変えた場合、その物体と場224との間には電磁結合が起きることがある。より具体的には、電磁場224内の物体の存在によって、および/または、その物体の動きによって電磁場224は乱される。これは、例えば、電磁場224の少なくとも一部を、電流および/または電荷として物体に誘電的、および/または容量的に結合させることが可能な物体内で誘導される誘導効果および/または容量効果によるものである。このような場合、放射源206は離調されすなわち、放射源206の共鳴周波数が低下および/または変更され、放射源206に負荷が誘導される。放射源206に誘導された負荷は、データ用ダクト204を介して指向性結合デバイス210に送信されるマイクロ波信号の反射以下、離調負荷信号と称するを引き起こす。例示的実施形態において、離調負荷信号は、マイクロ波信号の電力の振幅および/または位相より小さな電力の振幅および/または異なった位相を有する。さらに、例示的実施形態において、離調負荷信号の電力の振幅は物体の放射源206に対する近接度に左右される。指向性結合デバイス210は離調負荷信号を受信電力検出器214に送信する。例示的実施形態において、受信電力検出器214は、離調負荷信号に基づく、かつ/または、この信号に含まれている電力量を決定し、かつ、離調負荷信号の電力を示す信号を信号状態調整デバイス216に送信する。さらに、送信電力検出器212は、マイクロ波信号に基づく、かつ/または、この信号に含まれている電力量を決定し、かつ、マイクロ波信号の電力を示す信号を信号状態調整デバイス216に送信する。例示的実施形態において、減算器220はマイクロ波信号の電力および離調負荷信号の電力を受信し、かつ、マイクロ波信号の電力と離調負荷信号の電力との間の差を算出する。減算器220は算出した差を示す信号以下、電力差信号と称するを線形化器222に送信する。例示的実施形態において、電力差信号の振幅は、電磁場224内の駆動軸104などの物体とプローブ202および/または放射源206との間で規定された距離226すなわち、距離226は物体の近接度として知られているに、逆比例または指数比例などの比例関係にある。例えば、放射源206の幾何形状などの放射源206の特徴によっては、電力差信号の振幅が物体の近接度に関して少なくとも部分的に非線形な関係を示すことがある。例示的実施形態において、線形化器222は、電力差信号を、物体の近接度と近接度測定値信号の振幅との間のほぼ線形的な関係を示す電圧出力信号すなわち、近接度測定値信号に変換する。さらに、例示的実施形態において、線形化器222は近接度測定値信号を、診断システム112内での処理および/または解析に適した換算係数とともに図1に示した診断システム112に送信する。例示的実施形態において、近接度測定信号はミリメートル当たりの電圧の換算係数を有する。代替として、近接度測定値信号は、本明細書に説明する通りに診断システム112および/または電力システム100が機能することを可能にする任意の他の換算係数も有することが可能である。図3は図2に示したセンサ組立体110とともに使用可能な例示的放射源本体300の前面図である。例示的実施形態において、放射源本体300は図2に示したプローブ筐体208内に、かつ/または、筐体208に結合され配置されている。さらに、例示的実施形態において、放射源206は放射源本体300に結合され、少なくとも1つの電磁吸収部材302はプローブ202および/または放射源本体300に対して、かつ/または、これに結合され位置決めされている。より具体的には、例示的実施形態において、複数の部材302は第1の電磁吸収パッド304と、第2の電磁吸収パッド306と、を含む。例示的実施形態において、放射源本体300は前面308と、反対側の背面310と、を含む。例示的実施形態において、放射源206は前面308に結合され、前面308の中心312から半径方向外側に延びている。より具体的には、例示的実施形態において、放射源本体300は実質的に平面の印刷回路板であり、放射源206は、前面308と一体に形成された、かつ/または、前面308に結合された1つまたは複数のトレースまたは導体314を含む。代替として、放射源206および/または放射源本体300は、本明細書に説明する通りにセンサ組立体110が機能することを可能にする任意の他の配列に構成する、かつ/または、そのような構造にすることも可能である。さらに、例示的実施形態において、導体314は、それぞれが中心312から半径方向外側に延長する第1のアーム316および第2のアーム318を形成する。第1のアーム316は中心312に近接して配置された第1の端部320と、中心312から半径方向外側に配置された第2の端部322と、を含む。第2の端部318は中心312に近接して配置された第1の端部324と、中心312から半径方向外側に配置された第2の端部326と、を含む。さらに、例示的実施形態において、放射源206が前面308から軸に関して外側にかなりの距離に延びないように、第1のアーム316および第2のアーム318は前面308とほぼ同一平面上にある。代替として、放射源206および/または放射源本体300は、任意の数の放射源アームも含むことが可能であり、かつ/または、本明細書で説明する通りにマイクロ波センサ組立体110が機能することを可能にする任意の形状とすることも可能である。例示的実施形態において、放射源本体300は第1の電磁吸収パッド304と、第2の電磁吸収パッド306と、を含む。例示的実施形態において、第1および第2の電磁吸収パッド304および306は高い透磁率を有する誘電負荷材料から製造されている。例えば、そのような材料は樹脂、熱可塑性材料、および/または、ゴム系材料内に混入された複数の金属繊維を含むことが可能である。代替として、第1の電磁吸収パッド304および/または第2の電磁吸収パッド306は、積層インピーダンス構造、約10を超えるような高い誘電定数、および/または、約1を超えるような高い透磁率を有する任意の他の材料からも製造可能である。さらに、例示的実施形態において、第1および第2の電磁吸収パッド304および306はほぼ立方体または直方体である。第1および第2の電磁吸収パッド304および306は、それぞれ第2の端部322および326に結合される。代替として、第1および/または第2の電磁吸収パッド304および/または306はいかなる形状を有してもよく、かつ、放射源206が本明細書で説明する通りに機能することを可能にする任意の他の位置においても第1のアーム316および/または第2のアーム318に接続可能である。例示的実施形態において、放射源206は、中心312の近くで約50オームなどのかなり低いインピーダンスを有している。第1および第2のアーム316および318が中心312から延長するに従って、アーム316および318のインピーダンスは、第2の端部322および326において最大インピーダンスに到達するまで上昇する。第1および第2の電磁吸収パッド304および306を含まない知られているシステムでは、第2の端部322および326でのインピーダンスが無限大に近づくことがある。放射源206内でインピーダンスを変えた結果、放射源206を介して送られた電流の少なくとも一部は、第1の端部322および326から第1の端部320および324に向けて反射されて戻る。したがって、放射源206内に定常波が不要に生成されることがある。例示的実施形態において、第1および第2の電磁吸収パッド304および306を放射源206に接続することは、第2の端部322および326から反射された電流の量の低減を促進する。さらに、第1および第2の電磁吸収パッド304および306は、放射源206が第1の端部320および324から第2の端部322および326にわたってさらに均一なインピーダンスを有するように、第2の端部322および326における放射源206の有効インピーダンスの低減を促進する。したがって、エネルギーの増加分は、第1および第2の電磁吸収パッド304および306を含まないシステムに比較して、電磁場224の図示しない中心に集中可能である。図4は図2に示したセンサ組立体110とともに使用可能な例示的マイクロ波プローブ202の部分切開図である。例示的実施形態において、プローブ202は図3に示した放射源本体300と、第1および第2の放射源アーム316および318を含む放射源206と、を含む。さらに、例示的実施形態において、放射源300はプローブ筐体208に結合され、かつ/または、筐体208の内部に配置されている。プローブ筐体208は熱可塑性材料、および/または、本明細書に説明する通りにプローブ202が機能することを可能にする任意の他の材料からも製造可能である。例示的実施形態において、複数の電磁吸収部材302は、プローブ202および/放射源本体300に対して、かつ/または、これに結合され位置決めされている。より具体的には、部材302は両方ともに図3に示した第1の電磁吸収パッド304と、第2の電磁吸収パッド306と、電磁吸収ディスク400と、および/または、電磁吸収外板402と、を含む。例示的実施形態において、プローブ筐体208内に空洞404が画定されている。さらに、データ用ダクト204は、プローブ筐体208の中心線406にほぼ沿って空洞404を介して延びている。データ用ダクト204は、図2に示した信号処理デバイス200に、および、デバイス200から信号を受信および送信する際に使用するために背面310を介して放射源206に結合される。例示的実施形態において、電磁吸収ディスク400はほぼ円形であり、かつ、背面310がディスク400によってほぼ覆われるように背面310に結合される。代替として、ディスク400は、本明細書に説明する通りにプローブ202が機能することを可能にする背面310のいずれの部分にも接続可能である。例示的実施形態において、データ用ダクト204が放射源206に結合される場合、ディスク400はこのダクトを少なくとも部分的に取り囲んでいる。例示的実施形態において、電磁吸収外板402はほぼ円筒形であり、プローブ筐体208の内部表面408に結合される。例示的実施形態において、電磁吸収外板402は、外板402が空洞404の少なくとも一部を取り囲むようにデータ用ダクト204の付近に配置されている。代替として、外板402はかなり固く、空洞404の少なくとも一部を満たしている。さらに、例示的実施形態において、外板402の下流側環状辺縁部410は背面310に結合される。代替として、この環状辺縁部410は、電磁吸収ディスク400の上流側表面412に結合される。例示的実施形態において、ディスク400および外板402は、第1および第2の電磁吸収パッド304および306と同じ材料から製造されている。代替として、ディスク400および/または外板402は、任意の他の誘電負荷材料、および/または、積層インピーダンス構造、約10を超えるような高い誘電定数、および/または、1を超えるような高い透磁率を有するいずれの材料からも製造可能である。本明細書で使用しているように、用語上流側は、放射源206からプローブ筐体208の背面部414に向かう中心線406にほぼ沿った方向を指す。本明細書で使用しているように、用語下流側は、背面部414から放射源206に向かう中心線406にほぼ沿った方向を指す。動作中、マイクロ波信号はデータ用ダクト204を介して放射源206に送信される。マイクロ波信号は、電磁場224が放射されるように第1のアーム316および第2のアーム318を介して送信される。第1および第2の電磁吸収パッド304および306は全て図3に示した第2の端部322および326から第1の端部320および324に向かって反射される可能性のある電流を吸収および/または抑制する。このため、データ用ダクト204を介して放射源206から信号処理デバイス200に反射および/または送信し戻される可能性のある一定量の一般的なモードの雑音が低減される。電磁吸収ディスク400および外板402は、放射源206から上流側に、すなわち、空洞404および/または背面部414を介して放射する可能性がある電磁場224の図示しない一部の低減および/または抑制を促進する。このため、電磁場224は放射源206からほぼ下流側に整形および/または指し向けられている。マイクロ波のエネルギーの増加分は放射源206から下流に差し向けることが可能であるため、センサ組立体110の検出範囲は増大可能である。さらに、放射源206への物体の近接度は、上記にさらに完全に説明した通り、センサ組立体110によって決定可能である。本明細書に説明したように、現在のセンサ組立体は、センサ組立体の動作を調整するために電磁吸収部材302を使用して改良可能である。例えば、少なくとも1つの電磁吸収部材302は放射源本体に対して位置決め可能である。電磁場が生成されるようにマイクロ波信号が放射源を介して送信されると、電磁吸収部材302は放射源を介して送られた反射電流を吸収可能であり、かつ/または、放射源から後方にすなわち、上流側に放射している電磁場の一部を吸収可能である。このため、本明細書に説明した実施形態は、さらに安定した近接度センサを提供することによって従来技術の欠点を克服する。プローブ202は、放射源206を介して反射した電流の低減および/または抑制を促進する第1および第2の電磁吸収パッド304および306を含む。このため、放射源本体300は反射電流を吸収するために接地面を含む必要がない。したがって、従来技術のシステムよりも多くのエネルギーを電磁場224に送信可能である。さらに、プローブ202は、放射源本体300から少なくとも部分的に上流側に差し向けることが可能な電磁場224の一部の低減および/抑制を促進する電磁場吸収ディスク400および外板402を含む。このため、エネルギーの増加分は、測定された物体に向かって差し向けられた電磁場224の下流部分に集中可能である。したがって、センサ組立体110の検出範囲は従来技術のシステムに比較して増大が促進されている。説明した実施形態は、機械の構成部分の放射源に対する近接度の測定で使用するための効率的かつ費用対効果の大きいセンサ組立体を提供する。このセンサ組立体は、電磁場を生成するためにマイクロ波信号を使用して放射源を駆動する。機械の構成部分などの物体を電磁場内に配置すると、電磁場の乱れのために放射源に負荷が誘導される。センサ組立体は、放射源に誘導された負荷に基づき物体の放射源への近接度を算出する。複数の電磁吸収部材が、放射源を収納するプローブに対して位置決めされ、または、プローブに結合される。電磁吸収部材は、放射源を介して反射される可能性のある電流の低減を促進し、かつ、放射源から上流側に放射する可能性のある電磁場の一部の低減を促進する。このため、センサ組立体の検出範囲および測定精度を向上可能である。センサ組立体およびセンサの動作を調整する方法の例示的実施形態を上記に詳細に説明した。これらのセンサ組立体および方法は、本明細書に説明した具体的な実施形態には限定しないが、むしろ、センサ組立体の各構成部分および/または方法の各ステップは、本明細書に説明した他の構成部分および/またはステップから独立かつ分離して使用可能である。例えば、センサ組立体は他の測定のシステムおよび方法と組み合わせても使用可能であり、かつ、本明細書に説明した電力システムのみを伴った実施に限定もしない。むしろ、例示的実施形態は、多くの他の測定および/またはモニタの用途を伴った実施および利用が可能である。本発明の様々な実施形態の具体的な特徴は、一部の図面に示され、他の図面に示されていないことがあるが、これは便宜的なものである。本発明の原理によれば、一図面のどの特徴も、任意の他の図面のどの特徴とも組み合わせて参照および/または特許請求可能である。本書では、最良の形態を含めて本発明を開示するために、また任意のデバイスまたはシステムを作成および使用すること、ならびに、任意の組み込まれた方法を実行することを含めて、当業者による本発明の実施を可能にするためにも、例を使用している。本発明の特許性のある範囲は特許請求の範囲によって規定されており、当業者が考えつく他の例も含むことが可能である。そのような他の例が特許請求の範囲の文字通りの文言と異ならない構造要素を有する場合、または、特許請求の範囲の文字通りの文言とほとんど差のない均等な構造要素を含む場合、そのような他の例は特許請求の範囲内にあるものとする。