"下層配線層Lと、上層配線層Hと、前記下層配線層Lと前記上層配線層Hとの間に設けられたビア層Iと、前記下層配線層Lに設けられたパターンlの導体部と、前記上層配線層Hに設けられたパターンhの導体部と、前記ビア層Iに設けられたパターンiの導体部とを具備するTEG構造であって、前記下層配線層Lのパターンlの導体部は、所定の方向Xに沿って、複数本、点線状に設けられた導体部と、前記方向Xに交差する所定の方向Yに沿って、複数本、点線状に設けられた導体部とを具備し、前記上層配線層Hのパターンhの導体部は、所定の方向Xに沿って、複数本、点線状に設けられた導体部と、前記方向Xに交差する所定の方向Yに沿って、複数本、点線状に設けられた導体部とを具備し、前記方向Xに沿って設けられた前記下層配線層Lのパターンlにおける点線状の或る1本の導体部と、前記方向Xに沿って設けられた前記上層配線層Hのパターンhにおける点線状の或る1本の導体部とは、平面視において、互いに、食い違うように、かつ、全体で、一つの連続した線が描かれるように設けられてなり、前記方向Yに沿って設けられた前記下層配線層Lのパターンlにおける点線状の或る1本の導体部と、前記方向Yに沿って設けられた前記上層配線層Hのパターンhにおける点線状の或る1本の導体部とは、平面視において、互いに、食い違うように、かつ、全体で、一つの連続した線が描かれるように設けられてなり、前記パターンiの導体部は、平面視において共通する或る位置において、前記下層配線層Lのパターンlの点線状の導体部と前記上層配線層Hのパターンhの点線状の導体部との間を電気的に接続するものであり、前記方向Xに沿って設けられた前記下層配線層Lの配線パターンlの点線状の1本の導体部と、前記方向Xに沿って設けられた前記上層配線層Hの配線パターンhの点線状の1本の導体部と、これ等の導体部を電気的に接続するパターンiの導体部とによって、前記方向Xの一つのラインに沿った一つの導通ラインが構成され、前記方向Yに沿って設けられた前記下層配線層Lの配線パターンlの点線状の1本の導体部と、前記方向Yに沿って設けられた前記上層配線層Hの配線パターンhの点線状の1本の導体部と、これ等の導体部を電気的に接続するパターンiの導体部とによって、前記方向Yの一つのラインに沿った一つの導通ラインが構成されてなることを特徴とするTEG構造。前記下層配線層Lのパターンlの導体部と、前記上層配線層Hのパターンhの導体部と、前記ビア層Iのパターンiの導体部とによって、網状の導通ラインが構成されてなることを特徴とする請求項1のTEG構造。前記方向Xに沿って点線状に設けられた或る1本の導体部と、この1本の導体部に隣接する前記方向Xに沿って点線状に設けられた1本の導体部とが、その端部において、電気的に接続される導体部を更に具備してなり、この端部において電気的に接続される導体部と、前記下層配線層Lのパターンlの前記方向Xに沿った複数本の導体部と、前記上層配線層Hのパターンhの前記方向Xに沿った複数本の導体部と、前記ビア層Iのパターンiの導体部とによって、前記方向Xの複数本のラインが電気的に繋がった一つの導通ラインが構成されてなることを特徴とする請求項1又は請求項2のTEG構造。前記方向Yに沿って点線状に設けられた或る1本の導体部と、この1本の導体部に隣接する前記方向Yに沿って点線状に設けられた1本の導体部とが、その端部において、電気的に接続される導体部を更に具備してなり、この端部において電気的に接続される導体部と、前記下層配線層Lのパターンlの前記方向Yに沿った複数本の導体部と、前記上層配線層Hのパターンhの前記方向Yに沿った複数本の導体部と、前記ビア層Iのパターンiの導体部とによって、前記方向Yの複数本のラインが電気的に繋がった一つの導通ラインが構成されてなることを特徴とする請求項1~請求項3いずれかのTEG構造。請求項1~請求項4いずれかのTEG構造を用いることによって層間剥離箇所を探索する方法であって、導通ラインに電流を流す通電工程と、サーモグラフにより発熱していない箇所を探索する探索工程とを具備することを特徴とする層間剥離箇所探索方法。請求項1~請求項4いずれかのTEG構造を用いることによって層間剥離箇所を探索する方法であって、方向Xの導通ラインに電流を流す通電工程と、方向Yの導通ラインに電流を流す通電工程と、前記通電工程において、電流が流れない導通ラインを検出する検出工程とを具備することを特徴とする層間剥離箇所探索方法。前記提案の技術は、平面的に何所で剥離が起きているかの特定が出来たり、不良断線が発生したことが検出できる点で、一定の効果を奏している。しかしながら、どの程度の広さで剥離が起きているのかと言った剥離の全容を特定することは出来ない。そして、実際の配線構造から大きく影響を受ける剥離の分布を観測することが出来ない。因みに、従来の断線不良解析では、超音波や赤外線による顕微鏡観察を経て断線箇所を特定した後、断面のSEM観察を行なっている。従って、断線箇所の特定には多くの計測機器と労力が必要であった。従って、本発明が解決しようとする課題は、配線層とビア層との剥離断線箇所を簡単に特定できる技術を提供することである。前記の課題は、下層配線層Lと、上層配線層Hと、前記下層配線層Lと前記上層配線層Hとの間に設けられたビア層Iと、前記下層配線層Lに設けられたパターンlの導体部と、前記上層配線層Hに設けられたパターンhの導体部と、前記ビア層Iに設けられたパターンiの導体部とを具備するTEG構造であって、前記下層配線層Lのパターンlの導体部は、所定の方向Xに沿って、複数本、点線状に設けられた導体部と、前記方向Xに交差する所定の方向Yに沿って、複数本、点線状に設けられた導体部とを具備し、前記上層配線層Hのパターンhの導体部は、所定の方向Xに沿って、複数本、点線状に設けられた導体部と、前記方向Xに交差する所定の方向Yに沿って、複数本、点線状に設けられた導体部とを具備し、前記方向Xに沿って設けられた前記下層配線層Lのパターンlにおける点線状の或る1本の導体部と、前記方向Xに沿って設けられた前記上層配線層Hのパターンhにおける点線状の或る1本の導体部とは、平面視において、互いに、食い違うように、かつ、全体で、一つの連続した線が描かれるように設けられてなり、前記方向Yに沿って設けられた前記下層配線層Lのパターンlにおける点線状の或る1本の導体部と、前記方向Yに沿って設けられた前記上層配線層Hのパターンhにおける点線状の或る1本の導体部とは、平面視において、互いに、食い違うように、かつ、全体で、一つの連続した線が描かれるように設けられてなり、前記パターンiの導体部は、平面視において共通する或る位置において、前記下層配線層Lのパターンlの点線状の導体部と前記上層配線層Hのパターンhの点線状の導体部との間を電気的に接続するものであり、前記方向Xに沿って設けられた前記下層配線層Lの配線パターンlの点線状の1本の導体部と、前記方向Xに沿って設けられた前記上層配線層Hの配線パターンhの点線状の1本の導体部と、これ等の導体部を電気的に接続するパターンiの導体部とによって、前記方向Xの一つのラインに沿った一つの導通ラインが構成され、前記方向Yに沿って設けられた前記下層配線層Lの配線パターンlの点線状の1本の導体部と、前記方向Yに沿って設けられた前記上層配線層Hの配線パターンhの点線状の1本の導体部と、これ等の導体部を電気的に接続するパターンiの導体部とによって、前記方向Yの一つのラインに沿った一つの導通ラインが構成されてなることを特徴とするTEG構造によって解決される。前記TEG構造であって、前記下層配線層Lのパターンlの導体部と、前記上層配線層Hのパターンhの導体部と、前記ビア層Iのパターンiの導体部とによって、網状の導通ラインが構成されてなることを特徴とするTEG構造によって解決される。前記TEG構造であって、好ましくは、前記方向Xに沿って点線状に設けられた或る1本の導体部と、この1本の導体部に隣接する前記方向Xに沿って点線状に設けられた1本の導体部とが、その端部において、電気的に接続される導体部を更に具備してなり、この端部において電気的に接続される導体部と、前記下層配線層Lのパターンlの前記方向Xに沿った複数本の導体部と、前記上層配線層Hのパターンhの前記方向Xに沿った複数本の導体部と、前記ビア層Iのパターンiの導体部とによって、前記方向Xの複数本のラインが電気的に繋がった一つの導通ラインが構成されてなることを特徴とするTEG構造によって解決される。前記TEG構造であって、好ましくは、前記方向Yに沿って点線状に設けられた或る1本の導体部と、この1本の導体部に隣接する前記方向Yに沿って点線状に設けられた1本の導体部とが、その端部において、電気的に接続される導体部を更に具備してなり、この端部において電気的に接続される導体部と、前記下層配線層Lのパターンlの前記方向Yに沿った複数本の導体部と、前記上層配線層Hのパターンhの前記方向Yに沿った複数本の導体部と、前記ビア層Iのパターンiの導体部とによって、前記方向Yの複数本のラインが電気的に繋がった一つの導通ラインが構成されてなることを特徴とするTEG構造によって解決される。前記の課題は、前記TEG構造を用いることによって層間剥離箇所を探索する方法であって、導通ラインに電流を流す通電工程と、サーモグラフにより発熱していない箇所を探索する探索工程とを具備することを特徴とする層間剥離箇所探索方法によって解決される。前記の課題は、前記TEG構造を用いることによって層間剥離箇所を探索する方法であって、方向Xの導通ラインに電流を流す通電工程と、方向Yの導通ラインに電流を流す通電工程と、前記通電工程において、電流が流れない導通ラインを検出する検出工程とを具備することを特徴とする層間剥離箇所探索方法によって解決される。配線層とビア層との剥離個所、例えば断線箇所を簡単に特定できる。第1の本発明はTEG構造である。本TEG構造は、下層配線層Lを具備する。又、上層配線層Hを具備する。又、前記下層配線層Lと前記上層配線層Hとの間に設けられたビア層Iを具備する。前記下層配線層Lはパターンlの導体部を具備する。前記上層配線層Hはパターンhの導体部を具備する。前記ビア層Iはパターンiの導体部を具備する。前記下層配線層Lのパターンlの導体部は、所定の方向Xに沿って、複数本の導体部を具備する。かつ、所定の方向Yに沿って、複数本の導体部を具備する。前記上層配線層Hのパターンhの導体部も、所定の方向Xに沿って、複数本の導体部を具備する。かつ、所定の方向Yに沿って、複数本の導体部を具備する。前記方向Xと前記方向Yとは交差する。前記方向Xと前記方向Yとは、直交する場合と、斜交する場合とが有る。どちらの場合でも良い。好ましくは直交である。前記1本1本各々の導体部は、点線状のものである。前記方向Xに沿って設けられた前記下層配線層Lのパターンlにおける点線状の或る1本の導体部と、前記方向Xに沿って設けられた前記上層配線層Hのパターンhにおける点線状の或る1本の導体部とは、平面視において、互いに、食い違うように、かつ、全体で、一つの連続した線が描かれるように設けられたものである。前記方向Yに沿って設けられた前記下層配線層Lのパターンlにおける点線状の或る1本の導体部と、前記方向Yに沿って設けられた前記上層配線層Hのパターンhにおける点線状の或る1本の導体部とは、平面視において、互いに、食い違うように、かつ、全体で、一つの連続した線が描かれるように設けられたものである。前記パターンiの導体部は、平面視において共通する或る位置において、前記下層配線層Lのパターンlの点線状の導体部と前記上層配線層Hのパターンhの点線状の導体部との間を電気的に接続するものである。前記方向Xに沿って設けられた前記下層配線層Lの配線パターンlの点線状の1本の導体部と、前記方向Xに沿って設けられた前記上層配線層Hの配線パターンhの点線状の1本の導体部と、これ等の導体部を電気的に接続するパターンiの導体部とによって、前記方向Xの一つのラインに沿った一つの導通ラインが構成される。前記方向Yに沿って設けられた前記下層配線層Lの配線パターンlの点線状の1本の導体部と、前記方向Yに沿って設けられた前記上層配線層Hの配線パターンhの点線状の1本の導体部と、これ等の導体部を電気的に接続するパターンiの導体部とによって、前記方向Yの一つのラインに沿った一つの導通ラインが構成される。例えば、前記下層配線層Lのパターンlの導体部と、前記上層配線層Hのパターンhの導体部と、前記ビア層Iのパターンiの導体部とによって、網状の導通ラインが構成される。すなわち、経糸と緯糸とが用いられて織られた織物の如きの網状の導通ラインが構成される。本TEG構造は、好ましくは、前記方向Xに沿って点線状に設けられた或る1本の導体部と、この1本の導体部に隣接する前記方向Xに沿って点線状に設けられた1本の導体部とが、その端部において、電気的に接続される導体部を更に具備する。そして、この端部において電気的に接続される導体部と、前記下層配線層Lのパターンlの前記方向Xに沿った複数本の導体部と、前記上層配線層Hのパターンhの前記方向Xに沿った複数本の導体部と、前記ビア層Iのパターンiの導体部とによって、前記方向Xの複数本のラインが電気的に繋がった一つの導通ラインが構成される。本TEG構造は、好ましくは、前記方向Yに沿って点線状に設けられた或る1本の導体部と、この1本の導体部に隣接する前記方向Yに沿って点線状に設けられた1本の導体部とが、その端部において、電気的に接続される導体部を更に具備する。そして、この端部において電気的に接続される導体部と、前記下層配線層Lのパターンlの前記方向Yに沿った複数本の導体部と、前記上層配線層Hのパターンhの前記方向Yに沿った複数本の導体部と、前記ビア層Iのパターンiの導体部とによって、前記方向Yの複数本のラインが電気的に繋がった一つの導通ラインが構成される。本TEG構造は次のように言うことも出来る。1本TEG構造は、基板とこの基板上に設けられた上下の配線層と、この上下の配線層との間に設けられたビア層を具備する。2上下の配線層に設けた配線との間のビア層に所定間隔で設けられたジグザグ状の導通回路がチップ横断的に形成されている。3前記導通回路は、ジグザグの上下位置をずらして、相互に交差して、組み合わされて形成されている。4各々の配線は、配線の終端部で、相互に、恰も、1本の配線が形成される如く接続され、終端部からパッドに引出されるようにしていても良く、相互に、全く、接続されておらず、独立していても良い。5更に、配線の終端に設けられたパッド部から外部の測定装置に接続できるよう構成されている。前記TEG構造の任意の導通回路を1本選択し、その電気的特性を測定装置で計測する。そして、次々に、順次、計測する。このようにすることで、配線層がチップの何所からどのような剥離やクラックによる断線破壊が進行するのかを特定できる。前記1本1本の配線の間隔は、均一でも、そうでなくても良い。つまり、部分的に狭いものが有っても良い。部分的に狭くしておけば、その領域では検出感度が高まる。基板は、シリコン生地に回路を設けた場合だけでなく、ハンダボールでインターポーザとの導通回路を構成して、回路網として一体としても良い。上層下層を走る配線を接続する導通路ビアの形状は、円柱や角柱形状が一般的であるが、これに限られるものでは無い。形状は問わない。材料の違いも問わない。上下の配線層とビアを介する導通路の層数は、一層でも、複数層でも良い。一般的には、ビアないしはビアと配線部分の接続部が破壊され易いので、他の導通回路部分、例えば上下の配線層における配線幅は問わない。ビアの数を制約しない様に決めれば足りる。第2の本発明は層間剥離箇所探索方法である。この方法は上記TEG構造を用いる方法である。本方法は導通ラインに電流を流す通電工程を有する。サーモグラフにより発熱していない箇所を探索する探索工程を有する。第3の本発明は層間剥離箇所探索方法である。この方法は上記TEG構造を用いる方法である。本方法は方向Xの導通ラインに電流を流す通電工程を有する。方向Yの導通ラインに電流を流す通電工程を有する。前記通電工程において、電流が流れない導通ラインを検出する検出工程を有する。これによって断線箇所を探索検出できる。断線のモードは、上下層間の剥離、強度の低い絶縁層内の破壊などの諸原因がある。上下層の剥離では、水分の侵入などによりリークが発生したりすることもあり、導通配線の抵抗値が不安定になる傾向がある。絶縁層内部のビア破壊では、或る領域で全て高い抵抗値となる傾向が有る。測定値の傾向を見るだけでも、当業者ならば、破壊モードの大凡の判断が出来る。図1~図3は本発明になるTEG構造の基本を示す図である。図1の実線で示される通り、上層配線層第2層に、第1本目、第2本目、第3本目、......、第m本目の点線状導体部第2層配線:上層配線が、x-y座標系のx軸方向に沿って、設けられている。かつ、第1本目、第2本目、第3本目、......、第n本目の点線状導体部第2層配線:上層配線が、x-y座標系のy軸方向に沿って、設けられている。図1の点線で示される通り、下層配線層第1層に、第1本目、第2本目、第3本目、......、第m本目の点線状導体部第1層配線:下層配線が、x-y座標系のx軸方向に沿って、設けられている。かつ、第1本目、第2本目、第3本目、......、第n本目の点線状導体部第1層配線:下層配線が、x-y座標系のy軸方向に沿って、設けられている。図1の●印位置は、第1層配線の導体部の端部と第2層配線の導体部の端部とが上下平面視で重なっている位置である。この●印位置において、第1層と第2層との間のビア層にビア導通路が、図1の紙面に垂直方向に設けられているので、上下の配線導体部の間で導通がなされている。すなわち、x軸方向に沿って設けられた実線で示される第2層配線の第kk=1~m本目の点線状導体部と、x軸方向に沿って設けられた点線で示される第1層配線の第kk=1~m本目の点線状導体部とは、上下平面視において、同一の線上に位置しているものの、導体部は、互いに、食い違い状のものとなっている。そして、各々の導体部の端部●印で示される位置が、図1の紙面に垂直方向に伸びたビア導通路によって、連結されているので、図3に示される如く、ジグザグ状九十九折状:オンオフが繰り返して行われる如きの矩形波状となって電気的に繋がったものとなり、x軸方向に沿って、一つの導通ラインが構成されている。すなわち、平面視で一直線状但し、上下方向においてくねくね折れ曲がっているの導通ラインが、x軸方向に沿って、合計、m本、設けられているかの如くになっている。又、y軸方向に沿って設けられた実線で示される第2層配線の第kk=1~n本目の点線状導体部と、y軸方向に沿って設けられた点線で示される第1層配線の第kk=1~m本目の点線状導体部とは、上下平面視において、同一の線上に位置しているものの、導体部は、互いに、食い違い状のものとなっている。そして、各々の導体部の端部●印で示される位置が、図1の紙面に垂直方向に伸びたビア導通路によって、連結されているので、図3に示される場合と同様、ジグザグ状九十九折状:オンオフが繰り返して行われる如きの矩形波状となって電気的に繋がったものとなり、y軸方向に沿って、一つの導通ラインが構成されている。そして、平面視で一直線状但し、上下方向においてくねくね折れ曲がっている。の導通ラインが、y軸方向に沿って、合計、n本、設けられているかの如くになっている。又、図1に示される如く、y軸方向に沿った第n本目の導体部位置の右側外側位置において、x軸方向に沿った第2層配線における第1本目の導体部の端部とx軸方向に沿った第2層配線における第2本目の導体部の端部とが電気的に接続され、y軸方向に沿った第1本目の導体部位置の左側外側位置において、x軸方向に沿った第2層配線における第2本目の導体部の端部とx軸方向に沿った第2層配線における第3本目の導体部の端部とが電気的に接続され、以下、順に、同様に、電気的に接続されている。従って、x軸方向に沿って設けられた合計m本の導通ラインは全てが一筆書きの如くに電気的に接続されたものとなっており、結局、一つの導通ラインが構成された如きのものとなっている。又、図1に示される如く、x軸方向に沿った第m-1本目の導体部位置と第m本目の導体部位置との間において、y軸方向に沿った第2層配線における第1本目の導体部の端部とy軸方向に沿った第2層配線における第2本目の導体部の端部とが電気的に接続され、x軸方向に沿った第1本目の導体部位置と第2本目の導体部位置との間において、y軸方向に沿った第2層配線における第2本目の導体部の端部とy軸方向に沿った第2層配線における第3本目の導体部の端部とが電気的に接続され、以下、順に、同様に、電気的に接続されている。従って、y軸方向に沿って設けられた合計n本の導通ラインは全てが一筆書きの如くに電気的に接続されたものとなっており、結局、一つの導通ラインが構成された如きのものとなっている。尚、図1からも判る通り、x軸方向に沿って設けられた合計m本の導通ラインは、独立して、各々の導通ライン間で電気的導通の計測抵抗値の測定が出来るように、かつ、上記合計m本の導通ラインが一つに繋がった導通ライン間で電気的導通の計測抵抗値の測定が出来るように、外部測定器の接続部であるパッドに接続できるよう構成されている。又、y軸方向に沿って設けられた合計n本の導通ラインは、独立して、各々の導通ライン間で電気的導通の計測抵抗値の測定が出来るように、かつ、上記合計n本の導通ラインが一つに繋がった導通ライン間で電気的導通の計測抵抗値の測定が出来るように、外部測定器の接続部であるパッドに接続できるよう構成されている。さて、上記x軸方向またはy軸方向に沿った導通ライン1本1本の抵抗は、途中に断線が無い場合、或る有限の値、例えば数百kΩである。しかしながら、何れかの個所で剥離、即ち、断線が生じた場合、該当する配線の抵抗値は無限大になる。そして、剥離断線個所は、ピンポイントでは無く、或る一定の領域で生じる。従って、x軸方向に沿った導通ラインにおける抵抗測定、及びy軸方向に沿った導通ラインにおける抵抗測定が行われることで、剥離断線個所領域を検出できる。勿論、x軸方向に沿った導通ライン間の間隔、y軸方向に沿った導通ライン間の間隔を狭くすることによって、剥離断線個所領域の検出精度は高まる。上記は二層配線の例で説明された。すなわち、上層配線層-ビア層-下層配線層の例で説明された。しかし、これは、図4に示される如く、三層以上の配線の場合も同様に考えられる。例えば、ビアが接続する配線層数を何層にしてもビアで連結しておけば、結果は同様である。寸法においても、LSIに用いられる数十nmから数μmレベルの配線とビア径から、PCBで用いられる数百μmから数mmの範囲の配線とビア径までであっても、サイズのレベルに依らず同じ効果が得られることは明白である。本発明はTEGに関するものであるから、製品性能には何ら寄与しない。しかしながら、構造が簡単で、かつ、寸法や本数を任意に設定できるばかりでなく、既存の技術で、数十nmレベルという微細なビアや配線を形成できる。従って、製品チップの外側や内側に組み込むことが出来る。製品チップの内側にトレーサ、或いは断線を検出するセンサとして組み込み、使用中のモニタとすることも出来る。検出計測:探索方法に関しては、前述のx軸方向とy軸方向との各々の任意の導通ライン間の導通を測定することになるが、その導通ルートについては、次の様な方法が有効である。抵抗測定の場合では、第1本目から第n本目まで、又は第1本目から第m本目までが、デイジーチェーンの様に全面で恰も1本の配線のように測定できるので、断線が検出された場合には、その測定範囲を1/zzは、例えば1.5~5の数、例えば1/2ずつ減じて行き、最終的に断線箇所の特定へと導くことが出来る。単純な抵抗測定以外にも、例えば独立した1本1本の引き出しパッド部から、配線金属の溶断しない程度の電流密度で電流を流して発熱させ、チップ上方から配線およびビアの温度を計測することで、温度の低い断線部と高温になった健全な配線部とを検出識別して特定することもできる。そして、顕微鏡を用いて行っていた従来の剥離断線個所の検出手法に代わって、通電と言った簡単な手法で剥離断線個所の検出が可能になった。図5は、x軸方向に沿って設けられた7本の導通ライン1b-1b’,2b-2b’,3b-3b’,4b-4b’,5b-5b’,6b-6b’,7b-7b’と、y軸方向に沿って設けられた8本の導通ライン1a-1a’,2a-2a’,3a-3a’,4a-4a’,5a-5a’,6a-6a’,7a-7a’,8a-8a’とを有する場合の例である。剥離断線個所は点線で囲まれる領域である。上層配線層第2層と下層配線層第1層とを接続するビア層或いは、ビア層との境界領域で剥離が起きている為、○で示されたビアには電気的導通が無い。このことは、以下に示す測定の前には知り得ない。その他の●で示したビアは、導通している正常なビアである。このTEGをy軸方向の8本の導通ライン1a-1a’,2a-2a’,3a-3a’,4a-4a’,5a-5a’,6a-6a’,7a-7a’,8a-8a’で抵抗を測定する。そうすると、剥離により断線が起きているビア○個所を有する導通ライン5a-5a’における抵抗は無限大となり、他の7本の導通ライン1a-1a’,2a-2a’,3a-3a’,4a-4a’,6a-6a’,7a-7a’,8a-8a’における抵抗は或る有限な抵抗値である。同様に、x軸方向の7本の導通ライン1b-1b’,2b-2b’,3b-3b’,4b-4b’,5b-5b’,6b-6b’,7b-7b’で抵抗を測定する。そうすると、剥離により断線が起きているビア○個所を有する導通ライン6b-6b’における抵抗は無限大となり、他の6本の導通ライン1b-1b’,2b-2b’,3b-3b’,4b-4b’,5b-5b’,7b-7b’における抵抗は或る有限な抵抗値である。この結果、導通ライン5a-5a’と導通ライン6b-6b’とが交差する4個のビア全てか何れかにおいて断線が起きていると瞬時に予想できる。上記の如く、導通ライン1a-1a’,2a-2a’,3a-3a’,4a-4a’,6a-6a’,7a-7a’,8a-8a’の1本1本、又、導通ライン1b-1b’,2b-2b’,3b-3b’,4b-4b’,5b-5b’,6b-6b’,7b-7b’の1本1本の導通を調べても良い。しかしながら、この場合、測定回数が多くなる。そこで、少ない測定回数で検出できる方法を説明する。図5においてy軸方向に沿った導通ラインでは、1a-1a’-2a’-2a-3a-3a’-4a’-4a-5a-5a’-6a’-6a-7a-7a’-8a’-8aと直列に連結されている為、1aと8aとの間で恰も1本の如きの配線の抵抗を測定することが出来る。この場合でも、断線が無い場合、或る有限の抵抗値を示す。従って、断線の有無を一度の測定で判断できる。本例の場合は、途中に断線が有るから、抵抗値は無限大になる。それで、次に、例えば1aと4aとの間で抵抗を測定する。ここでは、抵抗値が有限の値であるから、断線が無いと判断できる。今度は、5aと8aとの間で抵抗を測定する。ここでは、抵抗値が無限大の値であるから、断線が有ると判断できる。そこで、次に、5aと6aとの間で抵抗を測定する。ここでは、抵抗値が無限大の値であるから、断線が有ると判断できる。又、7aと8aとの間で抵抗を測定する。ここでは、抵抗値が有限の値であるから、断線が無いと判断できる。又、5aと5a’との間、及び6aと6a’との間で抵抗を測定する。この結果より、5a-5a’ラインのみが抵抗値は無限大であることを知るので、ここに断線が有ると判断できる。この判断に至るまでの抵抗測定回数は前記の場合よりも少ない。上記説明はy軸方向に沿った導通ラインでの説明であるが、x軸方向に沿った導通ラインの場合も同様である。上記測定には、プロービングによる機械的な動作によっても、或いは電気的なスイッチングで、順次、計測するようにしても良い。仮に、各配線が短絡されておらず、電気的に独立した配線で形成されている場合には、引き出しパッド間を外部の計測機器で短絡すれば、同じ効果が得られる。ここで言う外部の計測機器には公知のスイッチングマトリクス等が利用できる。上記は抵抗値の測定により断線個所を検出するものであった。しかしながら、サーモグラフを用いた手法を用いることも出来る。すなわち、先ず、導通ライン1a-1a’,2a-2a’,3a-3a’,4a-4a’,6a-6a’,7a-7a’,8a-8a’の1本1本、又、導通ライン1b-1b’,2b-2b’,3b-3b’,4b-4b’,5b-5b’,6b-6b’,7b-7b’の1本1本に、各々の導通ラインに溶断が起きない程度の電流密度の電流を流す。溶断しない程度の電流密度とは、Cu配線である場合には1MA/cm2程度、Al配線の場合では100A/cm2程度である。この程度の電流を流すと、断線が無い導通ラインではジュール熱による発熱が有る。断線している導通ラインでは電流が流れないから、発熱は無い。従って、断線個所は冷えたままである。この状態にて、サーモグラフを用いて温度を観測すれば、直ちに、冷温個所断線個所を知ることが出来る。図5の例では、導通ライン5a-5a’と導通ライン6b-6b’との交点個所が断線個所であることを検出できる。図5は断線個所が一個所の例であった。断線個所が二個所の例が図6に示される。図5と同様に、○は断線しているビア、●は断線していないビアである。点線で囲まれる領域が剥離断線個所である。この場合でも、実線で囲まれる領域を検出できる。そして、複数個所において断線剥離が有っても、その複数個所を検出できる。上記は配線層が二層の場合であった。しかしながら、配線層が三層以上の場合でも基本原理は同じである。例えば、最下層と最上層だけに導通ラインを設け、その間の層に導通路ビアを設けておけば図4参照、上記と同様にして剥離個所を検出できる。勿論、隣接する二層に上記本発明の技術を用いたならば、平面方向における断線個所のみならず、垂直方向、即ち、どの層で断線が起きているかを知ることも出来る。以下、具体的な実施例を挙げて説明する。尚、以下で説明される実施例に本発明は限定されず、本発明の技術思想の範囲内において実施例は適宜変更され得ることは明らかである。[実施例1]本発明が半導体ウエハの大規模ポリイミドフィルム評価実験に適用された場合で説明図7参照される。直径300mmのウエハにアルミニウムのパターンを形成し、その上にポリイミドをフィルム状にコーティングして絶縁層を形成し、2層の再配線層を形成した。下層のアルミニウム配線へはビアを形成して導通させた。そして、再配線層の最上層に形成したCuビアの上に半田のボールを融着し、フリップチップを形成した。チップのアルミニウム配線層に有る端子はそのまま使用される。すなわち、第1層のアルミニウム配線と絶縁膜であるポリイミド、そして第2層となる銅配線との間で、矩形状のジグザグ配線が形成された。本例では基板は実装基板とチップが一体になった導通回路網を持つTEG構造となる。チップサイズは約20mm角で、アルミニウムと銅の配線幅は30μm、配線導通ライン数はx軸方向、y軸方向いずれもが130本である。配線端部には端子パッド部が有り、プローブなどの手段でコンタクトできる。このフリップチップを単独で、温度サイクル試験なのどの環境試験に掛けて、その導通状況を測定することも出来る。このフリップチップを基板実装して組立て、基板上に測定端子を設けることで、実装後の信頼性試験が出来る。測定器には、測定端子へのプロービングを逐次行い、その抵抗値を計測する方法でもよいが、本実施例では、パッドに固定した測定端子の先に順次導通配線を測定するプログラムを可能とする測定装置を用いた。合計16900個のビアの初期の電気抵抗を測定した。測定機器のセットアップを含め約10分で完了した。環境試験後に剥離が生じれば、初期測定と同様に即座に特定できる。使用したプログラムには、全ての配線に結線した測定端子の測定機側では、測定開始のスイッチ操作、一筆書きとなるような結線による導通配線の測定とその後の結果表示、次に不良が存在する結果に基づくスイッチ操作と配線の半分に当たる導通配線群の測定とその結果表示、不良表示のある配線群を更に分割しての測定とその結果の表示、最終的には、どの部分が不良箇所なのかの表示を行う一連の操作を含んでいる。図8に測定フローチャートが示される。従来は、TEG配線として一筆書き状のデイジーチェーンが形成されていた為、破壊箇所の特定は超音波や赤外線観察などの顕微鏡を駆使した外観検査が主体で得られた画像の濃淡で判断していた。この方法では、測定感度が不安定な上、破断箇所の特定は、断面観察で確認せざるを得ず、剥離個所の特定に10時間以上も掛っていた。従って、本発明の特長を容易に理解できる。[実施例2]本発明が低誘電率層間絶縁膜を用いた配線形成評価用パターンに適用された例で説明される。TEGとしてはシリコン生地に形成した簡単な層構造であって、基板はシリコンチップである。使用されるLowk膜の機械的強度は低いので、例えばチップの端部に設けたガードリングの効果を確認する為に有効である。ウエハ状で配線が形成され、その後ダイシングで個片に分割される。この時のダイシングでのガードリングのダメージにより、その影響が配線にも及ぶ。このことは本発明により評価できる。本実施例では、比誘電率が2.8のMSQ系のLowk材が用いられた配線TEGが作製された。電気的に評価する櫛や九十九折りパターンの平面的な隙間に、100nmずつの配線と絶縁膜で導通ラインを形成した。測定方法は、上記実施例1と同様に行われた。TEGを温度サイクル試験で300サイクル行った処、従来は検出できなかったチップ角で複数箇所に亘って剥がれが顕在化した。そこで、ダイシングなどの工程条件の変更などの対策を講じた結果、剥離を防ぐことが出来た。[実施例3]本発明が、製品着工直前にPCBを形成する装置間の最終検査の為、不具合検出トレーサとして用いられた。本発明を搭載し完成したPCBに大電流を流し発熱させ、サーモグラフによる検査が実施された。或る特定の領域において、フラックスの塗布ムラを原因とする断線箇所が検出された。すなわち、市場に出荷する前に製品不良を防止できた。"