"細胞の形状または硬度の温度依存性を決定する工程を含んでなる、細胞の耐熱性評価法。加熱手段を備えた走査型プローブ型顕微鏡SPMを用いて、細胞の形状または硬度の温度依存性を決定する、請求項1に記載の方法。細胞が、細菌、真菌および酵母からなる群から選択される微生物である、請求項1または2に記載の方法。所望のD値を示す前記細胞の加熱温度を算出する工程を更に含んでなる、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。所望の加熱温度における前記細胞のD値を算出する工程を更に含んでなる、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。細胞が存在する環境下における前記細胞の耐熱性を評価する、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。本発明は、細胞の耐熱性を簡便かつ迅速に評価する方法を提供することを目的とする。本発明者らは、細胞の形状または硬度の温度依存性を決定することによって、細胞の耐熱性を簡便かつ迅速に評価できることを見いだした。本発明は、このような知見に基づくものである。すなわち、本発明によれば、以下の発明が提供される。1細胞の形状または硬度の温度依存性を決定する工程を含んでなる、細胞の耐熱性評価法。2加熱手段を備えた走査型プローブ顕微鏡SPMを用いて、細胞の形状または硬度の温度依存性を決定する、1に記載の方法。3細胞が、細菌、真菌および酵母からなる群から選択される微生物である、1または2に記載の方法。4所望のD値を示す前記細胞の加熱温度を算出する工程を更に含んでなる、1~3のいずれかに記載の方法。5所望の加熱温度における前記細胞のD値を算出する工程を更に含んでなる、1~3のいずれかに記載の方法。6細胞が存在する環境下における前記細胞の耐熱性を評価する、1~5のいずれかに記載の方法。本発明では、測定対象となる細胞の形状または硬度の温度依存性を決定することによって、簡便かつ迅速に細胞の耐熱性を評価することができる。細胞の単離が不要なため、細胞の混合物をそのまま測定に供することもできる。そのため、細胞の存在環境下における耐熱性を評価することができる。また、本発明によれば、任意の加熱温度におけるD値、または任意のD値を示す加熱温度を簡便かつ迅速に評価することができる。従って、本発明によれば、例えば、細菌類の存在環境下における耐熱性を評価し、飲食品の加熱処理時間を現状に即して決定することができる。以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。実施例1:加熱機能を有する走査プローブ型顕微鏡SPMの構築本願の実施例では局所加熱機能を有するSPMとして、カンチレバーを局所加熱型カンチレバー日本サーマルコンサルティング社製に交換したナノサーチ顕微鏡SFT-3500島津製作所社製を用いた。このカンチレバーは、試料表面に数十N~100Nの任意の一定の力を加えながら、少なくとも毎秒20°Cで、200°Cまたは400°Cまで細胞を昇温させるために十分な昇温能力を有していた。以下の実施例では、カンチレバーにより、細胞表面の中央部に数十N~約100Nの負荷をかけながら、毎秒20°Cの昇温速度で室温25°Cから200°Cまで好熱性偏性嫌気性芽胞形成細菌の場合は400°Cまで細胞を昇温させ、その際の細胞の厚みの変化nmを測定した。細胞の厚みまたは細胞の厚みの変化は、SPM付属の取扱説明書などを参照して当業者に周知の方法により算出することができる。実施例2:供試微生物株試料の調製2-1.供試微生物株供試微生物株として、Bacillus属の芽胞形成細菌芽胞および栄養相、好熱性偏性嫌気性芽胞形成細菌、細菌、カビ、酵母などの幅広い生物種を用いた。具体的には、Bacillus属の芽胞形成細菌としてGeobacillusstearothermophillusNBRC13737株、BacilluscoagulansDSM1株、BacillussubtilisNBRC13719T株、BacilluslicheniformisNBRC12200株およびBacillusmegateriumNBRC15308T株を用い、好熱性偏性嫌気性芽胞形成細菌としては、ThermoanaerobactermathraniiDSM11426株およびMoorellathermoaceticaDSM521T株を用い、細菌としては、StaphylococcusaureussubspaureusNBRC100910株、EscherichiacoliNBRC3301株およびBacillussubtilisNBRC13719T株の栄養相の細胞を用い、カビの子嚢胞子としては、ByssochlamysfulvaDSM1808株およびTalaromycesflavusDSM63536株の子嚢胞子を用い、酵母としては、SaccharomycespastorianusRIB2010株を用いた。2-2.培養条件酵母SaccharomycespastorianusRIB2010株は、YM培地Difco社製、製品番号:271120を用いて25°Cで48時間培養した。好熱性偏性嫌気性芽胞形成細菌は、変法TGC培地日水製薬社製、製品番号:302056293を用いて55°Cで72時間~96時間培養した。その他の供試微生物株は、肉汁培地Difco社製、製品番号:234000を用いて35°Cで24時間培養した。好熱性偏性嫌気性芽胞形成細菌に関しては、嫌気ガス発生試薬アネロパック登録商標嫌気培養用ガス発生剤三菱ガス化学社製を用いて嫌気培養を行った。2-3.測定用試料の調製その後、酵母および細菌の測定用試料は、遠心分離5,000rpmにより菌体を回収し、純水で2回洗浄を行うことにより、調製した。芽胞の測定用試料は、近藤雅臣、渡部一仁編スポア実験マニュアル技報堂出版1995の19~30頁に記載された方法により調製した。具体的には、50mLの肉汁培地で芽胞形成細菌を35°Cで48時間培養して増殖させた後、遠心分離5,000rpmで回収した菌体に、100μg/mLのリゾチーム和光純薬を溶解した200μLの10mMトリス塩酸緩衝溶液pH7.6を加えた。さらに35°Cにて30分間培養し、再び菌体を遠心分離5,000rpmで回収し、500mM塩化ナトリウムを溶解した1mLの10mMトリス塩酸緩衝溶液pH7.6を加えて洗浄し、遠心分離10,000rpmで菌体を回収した。その後、さらに菌体を10mLの純水で洗浄し、遠心分離10,000rpmで菌体を回収する工程を2回繰り返した。得られた菌体を芽胞の測定試料芽胞試料とした。カビの子嚢胞子の測定用試料は、高島浩介、かび検査マニュアルカラー図譜、テクノシステム2002の130~131頁に記載された方法により調製した。具体的には、ポテトデキストロース培地日水製薬社製、製品番号:302057092を用いて、カビを25°Cで1ヶ月間培養し、光学顕微鏡下で子嚢胞子の形成が確認できたものをカビの子嚢胞子の測定用試料子嚢胞子試料とした。このようにして調製した細胞または芽胞懸濁液の試料をスライドグラス上に滴下し、風乾固定した。風乾固定後の試料は、直ちに測定に用いた。風乾固定後の細胞は生きた状態であると考えられる。実施例3:熱分析による測定用試料細胞の厚みの増加量nmの測定スライドグラス上で風乾固定した測定試料細胞の中心表面に、SPMの局所加熱型カンチレバーを接触させ、細胞の厚み方向に一定の力約数十N~100Nを加え続けた。その状態で、カンチレバーの先端温度を一定速度毎秒20°Cで200°Cまで好熱性偏性嫌気性芽胞形成細菌の場合は400°Cまで昇温させながら、細胞の厚みの増加量nmをモニターした。供試微生物株における代表的な細胞の厚みの増加量nmと加熱温度°Cとの関係は、図1に示される通りであった。供試微生物株から調製した試料のうち、芽胞試料BlicheniformisおよびBcoagulansにおける細胞の厚みnmと加熱温度°Cとの関係を図1Aに示す。これらの芽胞試料では、加熱温度の上昇に伴い細胞の厚みの増加量nmが単調増加を示す傾向にあった図1A。いずれの芽胞試料においても、加熱温度に対する細胞の厚みの増加量nmのグラフの傾きが急激に低下する温度T1°Cが存在することが分かった図1A下向き矢印。供試微生物株から調製した試料のうち、好熱性偏性嫌気性芽胞形成細菌の芽胞の試料TmathraniiおよびMthermoaceticaにおける細胞の厚みの増加量nmと加熱温度°Cとの関係を図1Bに示す。これらの芽胞試料では、加熱温度の上昇に伴い細胞の厚みの増加量nmが単調増加を示す傾向にあった図1B。いずれの芽胞試料においても、加熱温度に対する細胞の厚みの増加量nmのグラフの傾きが急激に低下する温度T1°Cが存在することが分かった図1B下向き矢印。供試微生物株から調整した試料のうち、細菌の試料Ecoli、SpastrianusおよびSaureussubspaureusにおける細胞の厚みの増加量nmと加熱温度°Cとの関係を図1Cに示す。図1Cでは、いずれの細菌試料においても加熱温度に対する細胞の厚みの増加量nmのグラフが山なりの形状を示す傾向が見られ、細胞の厚みの増加量nmが極大値最大値をとる温度T2°Cが存在することが分かった図1C下向き矢印。試供微生物株から調製した試料のうち、カビの子嚢胞子試料TflavusおよびBfulvaにおける細胞の厚みの増加量nmと加熱温度°Cとの関係を図1Dに示す。カビの子嚢胞子試料では、加熱温度に対する細胞の厚みの増加量nmのグラフが山なりの形状を示す傾向が見られ、細胞の厚みの増加量nmが極大値最大値をとる温度T2°Cが存在することが分かった図1D下向き矢印。すなわち、細胞の厚みの増加量nmと加熱温度°Cとの関係は、温度T1またはT2を境に大きく変化する。このような温度T1またはT2では、細胞の物性は大きく変化すると考えられる。実施例4:細胞の厚みの増加量nmと細胞の死滅との関係温度T1またはT2の前後では、このような細胞の物性の変化に伴って、細胞の生理的な状態も大きく変化したものと考えられる。温度T1またはT2と細胞の死滅との関係を検討するために、一般的な加熱殺菌の理論例えば、現場必携微生物殺菌実用データ集第1版、31~42頁に記載の理論に従って、加熱殺菌の理論におけるD値と温度T1またはT2との関係を調べた。まず、D値と加熱温度T1との関係を調べるために、一般的な手法によりBlicheniformis株およびBcoagulans株の芽胞試料におけるD値を測定し、加熱温度との関係をグラフ上にプロット●:Blicheniformis株、▲:Bcoagulans株した図2。各微生物株におけるTDT曲線図2の実線の回帰式から加熱温度T1で加熱した際のD値の推定値を求めたところ、どちらの芽胞試料においても推定値は0.005分であることが分かった図2の点線。すなわち、上記2種の芽胞試料においては、細胞の厚みの増加量nmの熱分析により求められたT1と、D値が0.005分となる温度TD=0.005とがほぼ一致することが分かった。同様の方法により、すべての供試微生物株においてT1またはT2を測定し、TDT曲線の回帰式から求めたTD=0.005と比較した。結果は表1に示される通りであった。表1は、各供試微生物株における、細胞の形状の温度依存性から求めたT1またはT2の実測値°Cと従来法で調べたD値およびZ値から算出したTD=0.005の理論値°Cとを比較するための表である。表1で示されるように、カビ、細菌、酵母に関わらず、いずれの供試微生物株においてもT1およびT2の温度を測定することができた。また、温度T1およびT2は、微生物種毎に大きく異なっていた。さらに、温度T1およびT2とTD=0.005とを比較したところ、いずれの供試微生物株においても、温度T1およびT2とTD=0.005とがほぼ一致した。このように、温度T1およびT2とTD=0.005との一致は、界を超えた広範な微生物種カビ真菌、細菌、酵母において共通した現象であることから、細胞の厚みの増加量nmの熱分析は、広範な微生物種を対象とした簡便かつ迅速な耐熱性の評価の有用なツールになりうる。特に、幅広い微生物種において、細胞の厚みの増加量nmの熱分析によりT1またはT2を決定することで、D値が0.005分となる温度TD=0.005を予測することが可能であった。このことから、温度T1およびT2の大小は、その微生物の耐熱性を評価する上で重要な判断基準となり、例えば、温度T1およびT2が高いほど、微生物の耐熱性が高いと評価できることが示された。今回の実施例では一例として一定応力負荷時の細胞の厚みの変化をモニターしているが、仮に、細胞の硬度、ヤング率または細胞の直径、長さ、若しくは幅、またはそれらの変化をモニターしたとしても、同様の結果が得られると考えられる。実施例5:熱分析において算出されるD値の特性温度T1およびT2とD値との関係を更に詳細に調べるために、カンチレバーの昇温速度を変化させて、温度T1またはT2°Cを決定し、D値との関係を調べた。まず、昇温速度を変化させても、温度上昇と細胞の厚みの増加量nmとの関係から、T1またはT2°Cを求められることを確認した図3。次に、TDT曲線の回帰式から求められた温度T1またはT2に対応するD値を算出したところD値は0.01分であることが分かった図2。表2は、細胞の形状の温度依存性から求めたT1またはT2の実測値°Cと従来法により算出したTD=0.005およびTD=0.01の理論値°Cとを比較するための表である。表2により、確かに細胞の熱分析時の昇温速度を変化させることで、異なるD値を示す温度を算出することが可能であることが分かった。微生物の加熱理論によれば、微生物は一定温度で加熱すると細胞数が10分の1となる加熱時間D値を有し、D値は微生物の耐熱性の指標とされている。一般的に、加熱時間を短くして同等の加熱殺菌効果を得るためには、加熱温度を高める必要があり、逆に、加熱温度を低くして同等の加熱殺菌効果を得るためには、加熱時間を長くする必要がある。すなわち、同等の加熱殺菌効果を得るための加熱時間と加熱時間とは一方を増やせば他方が減る関係にある。この点を考慮した上で、本実施例におけるこの熱分析結果を検討してみると、昇温速度を速めるほど、より短い加熱時間で温度TここでTは任意の温度に到達するので、同等の加熱殺菌効果を得るためには、結果としてより長時間の加熱が必要となり、昇温速度の速い測定環境下では、温度T1またはT2°Cが上昇すると考えられる。また、一般的に、T1またはT2°Cが上昇するとD値は低下することとなる。これが、昇温速度を速めると温度T1またはT2°Cが上昇し、D値が低下する理由であると考えられる。同様に、昇温速度を遅くするほど、より長い時間をかけなければ温度Tに到達さないので、より低い温度で温度Tに達する前に同等の加熱殺菌効果を得ることとなり、昇温速度の遅い測定環境下では、温度T1またはT2°Cが低下する。また、一般的に、T1またはT2°Cが低下するとD値は上昇することとなる。これが、昇温速度を遅くすると温度T1またはT2°Cが低下し、D値が上昇する理由であると考えられる。このように、熱分析時の昇温速度条件によって異なるD値を示す加熱温度を導出できるとの結果は、一般的な加熱殺菌理論によれば合理的に解釈することができる。"