"i下記a~gから本質的になり、かつpHが7~11である化学機械研磨組成物、及び研磨パッドと、基材を接触させること:a0.5質量~20質量の湿式法シリカ、b0.01質量~5質量の有機カルボン酸、c0.0005質量~2質量のアミノホスホン酸、d0.01質量~5質量のテトラアルキルアンモニウム塩、e水酸化カリウム、f随意に重炭酸塩、及び、g水、iiシリコンウェハの縁に対して前記研磨パッドを、前記化学機械研磨組成物を介在させて動かすこと、及び、iii前記縁の少なくとも一部を磨り減らして、前記シリコンウェハの縁を研磨すること、を含む、縁がシリコンから本質的になるシリコンウェハの縁の研磨方法。前記研磨組成物が、0.02質量~5質量の有機カルボン酸、0.02質量~2質量のアミノホスホン酸、及び0.1質量~5質量のテトラアルキルアンモニウム塩を含む、請求項1に記載の方法。前記研磨組成物が、5質量~20質量の湿式法シリカを含む、請求項2に記載の方法。前記研磨組成物が、10質量~15質量の湿式法シリカを含む、請求項3に記載の方法。前記湿式法シリカは平均粒子サイズが4nm~180nmである、請求項2に記載の方法。前記湿式法シリカは平均粒子サイズが20nm~50nmである、請求項5に記載の方法。前記研磨組成物が、0.1質量~2質量の有機カルボン酸を含む、請求項2に記載の方法。前記有機カルボン酸はヒドロキシカルボン酸である、請求項7に記載の方法。前記有機カルボン酸は乳酸、シュウ酸、2-ヒドロキシ酪酸、ベンジル酸、及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項8に記載の方法。前記研磨組成物が、0.1質量~1質量のアミノホスホン酸を含む、請求項2に記載の方法。前記アミノホスホン酸はエチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、アミノトリメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項10に記載の方法。前記アミノホスホン酸はアミノトリメチレンホスホン酸である、請求項11に記載の方法。前記研磨組成物が、重炭酸塩を含み、前記重炭酸塩は重炭酸カリウムである、請求項2に記載の方法。前記研磨組成物が、pHが8~10である、請求項2に記載の方法。前記研磨組成物が、下記a~gから本質的になる、請求項1に記載の方法:a0.5質量~20質量の湿式法シリカ、b0.01質量~5質量の、乳酸、シュウ酸、2-ヒドロキシ酪酸、ベンジル酸、及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる有機カルボン酸、c0.0005質量~2質量の、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、アミノトリメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれるアミノホスホン酸、d0.01質量~5質量のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、e0.05質量~2質量の水酸化カリウム、f0.05質量~5質量の重炭酸カリウム、及び、g水。i下記a~gから本質的になり、かつpHが7~11である化学機械研磨組成物、及び研磨パッドと、基材を接触させること:a0.5質量~20質量のシリカ、b0.01質量~5質量の有機カルボン酸、c0.0005質量~1質量のアミノホスホン酸、d0.01質量~5質量のテトラアルキルアンモニウム塩、e随意に重炭酸塩、f随意に水酸化カリウム、及び、g水、iiウェハの縁に対して前記研磨パッドを、前記化学機械研磨組成物を介在させて動かすこと、及び、iii前記縁の少なくとも一部を磨り減らして、前記ウェハの縁を研磨すること、を含む、縁がシリコン及び酸化シリコンから本質的になる表面を有するウェハの縁の研磨方法。前記研磨組成物が、0.02質量~5質量の有機カルボン酸、0.02質量~2質量のアミノホスホン酸、及び0.1質量~5質量のテトラアルキルアンモニウム塩を含む、請求項16に記載の方法。前記シリカはヒュームドシリカである、請求項17に記載の方法。前記研磨組成物が、5質量~20質量のシリカを含む、請求項17に記載の方法。前記研磨組成物が、10質量~15質量のシリカを含む、請求項19に記載の方法。前記シリカは平均粒子サイズが4nm~180nmである、請求項17に記載の方法。前記シリカは平均粒子サイズが20nm~50nmである、請求項21に記載の方法。前記研磨組成物が、0.1質量~2質量の有機カルボン酸を含む、請求項17に記載の方法。前記有機カルボン酸はヒドロキシカルボン酸である、請求項23に記載の方法。前記有機カルボン酸は乳酸、シュウ酸、2-ヒドロキシ酪酸、ベンジル酸、及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項24に記載の方法。前記研磨組成物が、0.1質量~1質量のアミノホスホン酸を含む、請求項17に記載の方法。前記アミノホスホン酸はエチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、アミノトリメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項26に記載の方法。前記アミノホスホン酸はアミノトリメチレンホスホン酸である、請求項27に記載の方法。前記研磨組成物が、重炭酸塩を含み、前記重炭酸塩は重炭酸カリウムである、請求項17に記載の方法。前記研磨組成物が、水酸化カリウムを含む、請求項17に記載の方法。前記研磨組成物が、pHが8~10である、請求項17に記載の方法。前記研磨組成物が、下記a~gから本質的になる、請求項16に記載の方法:a0.5質量~20質量の湿式法シリカ、b0.01質量~5質量の、乳酸、シュウ酸、2-ヒドロキシ酪酸、ベンジル酸、及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる有機カルボン酸、c0.0005質量~2質量の、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、アミノトリメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれるアミノホスホン酸、d0.01質量~5質量のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、e0.05質量~2質量の水酸化カリウム、f0.05質量~5質量の重炭酸カリウム、及び、g水。本発明は、下記a~gを含み、pHが7~11である研磨組成物を提供する:aシリカ、bシリコンの除去速度を増加させる化合物1種又は複数種、c1種以上のテトラアルキルアンモニウム塩、及びg水。シリカは、湿式プロセス型シリカ、ヒュームドシリカ又はそれらの組み合わせなどの任意の適切な形態のシリカであることができる。例えばシリカは、湿式プロセス型シリカ粒子例えば縮合重合もしくは沈降シリカ粒子を含むことができる。縮合重合シリカ粒子は、通常、SiOH4を縮合させてコロイド粒子を形成することにより調製し、ここで、コロイド粒子は平均粒子サイズが1nm~1000nmであるものと定義される。このような研磨粒子は米国特許第5,230,833号明細書に従って調製でき、又は、種々の市販製品のいずれかとして、例えばAkzo-NobelBindzil50/80製品、NalcoDVSTS006製品及びFusoPL-2製品、並びに、DuPont,Bayer,AppliedResearch,NissanChemical及びClariantから入手可能な他の同様の製品として得ることができる。シリカはヒュームドシリカ粒子を含むことができる。ヒュームドシリカ粒子は、高熱プロセスにおいて揮発性前駆体例えばハロゲン化ケイ素から、高温炎H2/空気又はH2/CH4/空気中での前駆体の加水分解及び/又は酸化によりヒュームドシリカを生じることにより製造されうる。前駆体を含む溶液を、液滴発生器を用いて高温炎中に噴霧し、その後、金属酸化物を回収することができる。典型的な液滴発生器としては、バイフルイドアトマイザ、高圧噴霧ノズル及び超音波アトマイザが挙げられる。適切なヒュームドシリカ製品はCabot,Tokuyama及びDegussaなどの製造者から市販されている。シリカは任意の適切な平均粒子サイズすなわち、平均粒子直径を有することができる。シリカは、4nm以上、例えば10nm以上、15nm以上、20nm以上又は25nm以上の平均粒子サイズを有することができる。代わりに又は加えて、シリカは180nm以下、例えば120nm以下、110nm以下、100nm以下、90nm以下、80nm以下、70nm以下、60nm以下、50nm以下又は40nm以下の平均粒子サイズを有することができる。このように、シリカは、上記の任意の2つの末端によって限定される平均粒子サイズを有することができる。例えばシリカは、10nm~100nm、20nm~100nm、20nm~80nm、20nm~60nm又は20nm~40nmの平均粒子サイズを有することができる。非球状シリカ粒子では、粒子のサイズは粒子を包含する最小の球の直径である。研磨組成物は任意の適切な量のシリカを含むことができる。通常、研磨組成物は0.5質量以上、例えば1質量以上、2質量以上、又は、5質量以上のシリカを含むことができる。代わりに又は加えて、研磨組成物は20質量以下、例えば15質量以下、10質量以下、8質量以下、6質量以下又は5質量以下のシリカを含むことができる。このように、研磨組成物はシリカを、シリカに関して記載した上記の任意の2つの末端により限定される量で含むことができる。例えば研磨組成物は0.5質量~20質量、1質量~15質量、5質量~15質量又は0.5質量~5質量のシリカを含むことができる。シリカ粒子は、好ましくは、コロイド安定である。用語コロイドは液体キャリア中のシリカ粒子の懸濁液を指す。コロイド安定は懸濁液を長時間維持することを意味する。本発明の関係で、もし、研磨材を100mlメスシリンダ中に入れ、攪拌せずに2時間放置したときに、メスシリンダのボトム50ml中の粒子の濃度g/mlでの[B]とメスシリンダのトップ50ml中の粒子の濃度g/mlでの[T]との差異を、研磨材組成物中の粒子の初期濃度g/mlでの[C]で割ったものが0.5以下であるすなわち、{[B]-[T]}/[C]≦0.5であるならば、研磨材はコロイド安定と考えられる。より好ましくは、[B]-[T]/[C]の値は0.3以下であり、最も好ましくは0.1以下である。研磨組成物は水を含む。研磨粒子、シリコンの除去速度を増加させる化合物1種又は複数種、研磨され又は平坦化される適切な基材の表面に対する任意の他の添加剤の適用を促進するために水を用いる。好ましくは、水は脱イオン水である。研磨組成物は、pHが11以下例えば10以下である。好ましくは、研磨組成物は、pHが7以上例えば8以上である。さらにより好ましくは、研磨組成物は、pHが7~11例えば8~10である。研磨組成物は、随意に水酸化カリウム、水酸化アンモニウム及び/又は硝酸などのpH調節剤を含む。研磨組成物は、また、随意にpH緩衝剤系を含む。多くのこのようなpH緩衝剤系は当該分野で周知である。pH緩衝剤は、例えば重炭酸塩-炭酸塩緩衝系、アミノアルキルスルホン酸などの任意の適切な緩衝剤であることができる。研磨組成物は、適切な範囲内の研磨組成物のpHを達成し及び/又は維持するために適量が使用されるかぎり、任意の適量のpH調整剤及び/又はpH緩衝剤を含むことができる。本発明の化学機械研磨組成物の第一の実施形態は、下記a~gから本質的になり又はからなり、かつpHが7~11である化学機械研磨組成物を提供する:a0.5質量~20質量のシリカ、b0.01質量~5質量の有機カルボン酸、c0.0005質量~2質量のアミノホスホン酸、d0.01質量~5質量のテトラアルキルアンモニウム塩、e随意に重炭酸塩、f随意に水酸化カリウム、及びg水。第一の実施形態の研磨組成物は1種以上の適切な有機カルボン酸又はその塩を含む。有機カルボン酸はアルキルカルボン酸又はアリールカルボン酸であることができ、随意にC1~C12アルキル、アミノ、置換アミノ基例えばメチルアミノ、ジメチルアミノなど、ヒドロキシル、ハロゲン又はそれらの組み合わせからなる群より選ばれる基で置換されていてよい。好ましくは、有機カルボン酸はヒドロキシカルボン酸例えば脂肪族ヒドロキシカルボン酸又はヒドロキシ安息香酸、アミノ酸、アミノヒドロキシ安息香酸又はピリジンカルボン酸である。適切なヒドロキシカルボン酸の非限定的な例としては、マロン酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、アセトヒドロキサム酸、グリコール酸、2-ヒドロキシ酪酸、ベンジル酸、サリチル酸、及び2,6-ジヒドロキシ安息香酸が挙げられる。適切なアミノ酸の非限定的な例としては、グリシン、アラニン、プロリン、リジン、システイン、ロイシン、アスパラギン酸、グルタミン酸、及び2-アミノ-4-チアゾール酢酸が挙げられる。アミノヒドロキシ安息香酸の非限定的な例としては、3-アミノサリチル酸、及び3-アミノ-4-ヒドロキシ安息香酸が挙げられる。ピリジンカルボン酸の非限定的な例としては、ピコリン酸、及びニコチン酸が挙げられる。第一の実施形態の研磨組成物は任意の適量の有機カルボン酸を含むことができる。研磨組成物は、0.01質量以上、例えば0.02質量以上、例えば0.05質量以上、0.1質量以上、又は、0.5質量以上の有機カルボン酸を含むことができる。代わりに又は加えて、研磨組成物は、5質量以下、例えば4質量以下、3質量以下、2質量以下又は1質量以下の有機カルボン酸を含むことができる。このように、研磨組成物は、有機カルボン酸を、有機カルボン酸に関して記載した上記の任意の2つの末端により限定される量で含むことができる。例えば研磨組成物は0.01質量~5質量、0.02質量~5質量、0.05質量~4質量又は0.1質量~3質量の有機カルボン酸を含むことができる。第一の実施形態の研磨組成物は1種以上の適切なアミノホスホン酸を含む。好ましくは、アミノホスホン酸はエチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、アミノトリメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、それらの塩及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる。より好ましくは、アミノホスホン酸はアミノトリメチレンホスホン酸である。第一の実施形態の研磨組成物は、任意の適量のアミノホスホン酸を含むことができる。通常、研磨組成物は、0.0005質量以上、例えば0.001質量以上、0.01質量以上、0.02質量以上、又は、0.05質量以上、0.1質量以上、0.2質量以上、又は、0.5質量以上のアミノホスホン酸を含むことができる。代わりに又は加えて、研磨組成物は、2質量以下、例えば1.5質量以下、又は、1質量以下のアミノホスホン酸を含むことができる。このように、研磨組成物は、アミノホスホン酸を、アミノホスホン酸に関して記載した上記の任意の2つの末端により限定される量で含むことができる。例えば研磨組成物は0.0005質量~2質量、0.02質量~2質量、0.05質量~2質量、0.1質量~1.5質量又は0.5質量~1質量のアミノホスホン酸を含むことができる。第一の実施形態の研磨組成物は1種以上の適切なテトラアルキルアンモニウム塩を含む。テトラアルキルアンモニウム塩は、好ましくは、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム及びテトラブチルアンモニウムからなる群より選ばれるカチオンを含む。テトラアルキルアンモニウム塩は、任意の適切なカチオンを有することができ、そして限定するわけではないが、水酸化物、塩化物、臭化物、硫酸塩又は硫酸水素塩が挙げられる。ある実施形態において、テトラアルキルアンモニウム塩はテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシドである。第一の実施形態の研磨組成物は任意の適量のテトラアルキルアンモニウム塩を含むことができる。通常、研磨組成物は、0.01質量以上、例えば0.1質量以上、0.2質量以上、又は、0.5質量以上のテトラアルキルアンモニウム塩を含むことができる。代わりに又は加えて、研磨組成物は、5質量以下、例えば4質量以下、3質量以下、2質量以下、又は、1質量以下のテトラアルキルアンモニウム塩を含むことができる。このように、研磨組成物は、テトラアルキルアンモニウム塩を、テトラアルキルアンモニウム塩に関して記載した上記の任意の2つの末端により限定される量で含むことができる。例えば研磨組成物は0.01質量~5質量、0.1質量~5質量、0.2質量~4質量又は0.5質量~3質量のテトラアルキルアンモニウム塩を含むことができる。ある実施形態において、研磨組成物は、下記a~gから本質的になる:a0.5質量~20質量の湿式法シリカ、b0.01質量~5質量の、乳酸、シュウ酸、2-ヒドロキシ酪酸、ベンジル酸、及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる有機カルボン酸、c0.0005質量~2質量の、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、アミノトリメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれるアミノホスホン酸、d0.01質量~5質量のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、e0.05質量~2質量の水酸化カリウム、f0.05質量~5質量の重炭酸カリウム、及びg水。本発明の化学機械研磨組成物の第二の実施形態は、下記a~gから本質的になり又はからなり、かつpHが7~11である化学機械研磨組成物を提供する:a0.5質量~20質量のシリカ、b0.01質量~2質量のポリアミノカルボン酸、c0.1質量~5質量のアミン、d0.1質量~5質量のテトラアルキルアンモニウム塩、e0.001質量~1質量のジオール化合物、f随意に重炭酸塩、及びg水。第二の実施形態の研磨組成物は1種以上の適切なポリアミノカルボン酸を含む。本明細書中に使用されるときに、用語ポリアミノカルボン酸は2個以上のアミノ基及び2個以上のカルボン酸基を有する化合物を指す。好ましくは、ポリアミノカルボン酸はエチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、N-ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ニトリロ三酢酸、メチルグリシン二酢酸、それらの塩及びそれらの組み合わせ酸からなる群より選ばれる。より好ましくは、ポリアミノカルボン酸はエチレンジアミン四酢酸又はその塩例えば一、二、三又は四ナトリウム塩からなる群より選ばれる。第二の実施形態の研磨組成物は任意の適量のポリアミノカルボン酸を含むことができる。通常、研磨組成物は、0.01質量以上、例えば0.1質量以上、0.2質量以上、又は、0.5質量以上のポリアミノカルボン酸を含むことができる。代わりに又は加えて、研磨組成物は、2質量以下、例えば1.5質量以下、又は、1.0質量以下のポリアミノカルボン酸を含むことができる。このように、研磨組成物は、ポリアミノカルボン酸を、ポリアミノカルボン酸に関して記載した上記の任意の2つの末端により限定される量で含むことができる。例えば研磨組成物は0.01質量~2質量、0.1質量~1.5質量又は0.5質量~1質量のポリアミノカルボン酸を含むことができる。第二の実施形態の研磨組成物は1種以上の適切なアミンを含む。適切なアミンの非限定的な例としては、ピペラジン、アミノエチルピペラジン、2-メチル-2-アミノエタノール、2-アミノエチル-2-アミノエタノール、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、テトラエチレンペンタアミン、ヒドラジン、2-ヒドロキシエチルヒドラジン、セミカルバジド、ヒドロキシルアミン、N-メチルヒドロキシルアミン、O-メチルヒドロキシルアミン及びO-カルボキシメチルヒドロキシルアミンが挙げられる。より好ましくは、アミンはピペラジン又はアミノエチルピペラジンである。第二の実施形態の研磨組成物は任意の適量のアミンを含むことができる。通常、研磨組成物は、0.05質量以上、例えば0.1質量以上、0.2質量以上、又は、0.5質量以上のアミンを含むことができる。代わりに又は加えて、研磨組成物は、5質量以下、例えば4質量以下、3質量以下、2質量以下、又は、1質量以下のアミンを含むことができる。このように、研磨組成物は、アミンを、アミンに関して記載した上記の任意の2つの末端により限定される量で含むことができる。例えば研磨組成物は0.05質量~5質量、0.2質量~4質量、又は、0.5質量~3質量のアミンを含むことができる。第二の実施形態の研磨組成物は1種以上の適切なテトラアルキルアンモニウム塩を含む。テトラアルキルアンモニウム塩及びその量は研磨組成物の第一の実施形態に関して記載したのと同様であることができる。第二実施形態の研磨組成物は1種以上の適切なジオール化合物を含む。ジオール化合物は任意の適切なジオール化合物であることができ、通常、1,2-ジオール化合物又は1,3-ジオール化合物である。通常、ジオール化合物は、直鎖又は枝分かれ鎖C2~C10ジオール化合物である。適切な1,2-ジオール化合物の非限定的な例としては、1,2-プロパンジオール、1,2-ブタンジオール、1,2-ペンタンジオール、2,3-ペンタンジオール及びそれらの組み合わせが挙げられる。適切な1,3-ジオール化合物の非限定的な例としては、1,3-プロパンジオール、1,3-ブタンジオール、1,3-ペンタンジオール、2,4-ペンタンジオール及びそれらの組み合わせが挙げられる。第二の実施形態の研磨組成物は任意の適量のジオール化合物を含むことができる。通常、研磨組成物は、0.001質量以上、例えば0.005質量以上、0.01質量以上、又は、0.05質量以上のジオール化合物を含むことができる。代わりに又は加えて、研磨組成物は、1質量以下、例えば0.75質量以下、0.5質量以下、0.25質量以下、又は、0.1質量以下のジオール化合物を含むことができる。このように、研磨組成物は、ジオール化合物を、ジオール化合物に関して記載した上記の任意の2つの末端により限定される量で含むことができる。例えば研磨組成物は0.001質量~1質量、0.005質量~0.75質量、又は、0.01質量~0.5質量のジオール化合物を含むことができる。本発明の化学機械研磨組成物の第三の実施形態は、下記a~gから本質的になり又はからなり、かつpHが7~11である化学機械研磨組成物を含む:a0.5質量~20質量のシリカ、b0.01質量~2質量のポリアミノカルボン酸、c0.1質量~5質量のテトラアルキルアンモニウム塩、d0.1質量~5質量の有機カルボン酸、e随意に0.1質量~5質量のアミン、f随意に1種以上の重炭酸塩、及びg水。本発明の化学機械研磨組成物の第三の実施形態中に含まれるポリアミノカルボン酸、テトラアルキルアンモニウム塩、有機カルボン酸、アミン及びそれらの量は本発明の研磨組成物の第一の実施形態及び第二の実施形態に関して本明細書中に記載したのと同様であることができる。本発明の化学機械研磨組成物の第四の実施形態は、下記a~gから本質的になり又はからなり、かつpHが7~11である化学機械研磨組成物を提供する:a0.5質量~20質量のシリカ、b0.02質量~5質量の窒素含有複素環式化合物、c0.05質量~2質量のアミノホスホン酸、d0.1質量~5質量のテトラアルキルアンモニウム塩、e随意に重炭酸塩、及びg水。本発明の化学機械研磨組成物の第四の実施形態中に含まれるアミノホスホン酸、テトラアルキルアンモニウム塩及びそれらの量は本発明の研磨組成物の第一の実施形態に関して本明細書中に記載したのと同様であることができる。第四の実施形態の研磨組成物は1種以上の適切な窒素含有複素環式化合物を含む。本明細書中に使用されるときに、用語窒素含有複素環式化合物は、環系の一部として含まれる1個以上の窒素原子を有する5-、6-又は7-員環化合物を指す。ある実施形態において、窒素含有複素環式化合物はトリアゾールである。好ましい実施形態において、窒素含有複素環式化合物はアミノトリアゾールである。適切なアミノトリアゾールの非限定的な例としては、3-アミノ-1,2,4-トリアゾール、3-アミノ-1,2,4-トリアゾール-5-カルボン酸、3-アミノ-5-メルカプト-1,2,4-トリアゾール及び4-アミノ-5-ヒドラジノ-1,2,4-トリアゾール-3-チオールが挙げられる。別の実施形態において、窒素含有複素環式化合物はチアゾールである。適切なチアゾールの非限定的な例としては、2-アミノ-5-メチルチアゾール、2-アミノ-4-チアゾール酢酸、及びチアゾールが挙げられる。別の実施形態において、窒素含有複素環式化合物は複素環式N-オキシドである。適切な複素環式N-オキシドの非限定的な例としては、2-ヒドロキシピリジン-N-オキシド、4-メチルモルホリン-N-オキシド及びピコリン酸N-オキシドが挙げられる。第四の実施形態の研磨組成物は任意の適量の窒素含有複素環式化合物を含むことができる。研磨組成物は、0.02質量以上、例えば0.05質量以上、0.1質量以上、又は、0.5質量以上の窒素含有複素環式化合物を含むことができる。代わりに又は加えて、研磨組成物は、5質量以下、例えば4質量以下、3質量以下、2質量以下、又は、1質量以下の窒素含有複素環式化合物を含むことができる。このように、研磨組成物は、窒素含有複素環式化合物を、窒素含有複素環式化合物に関して記載した上記の任意の2つの末端により限定される量で含むことができる。例えば研磨組成物は0.02質量~5質量、0.05質量~4質量又は0.1質量~3質量の窒素含有複素環式化合物を含むことができる。研磨組成物は、随意に1種以上の重炭酸塩をさらに含む。重炭酸塩は、任意の適切な重炭酸塩であることができ、例えば重炭酸カリウム、重炭酸ナトリウム、重炭酸アンモニウム又はそれらの組み合わせであることができる。研磨組成物は任意の適量の重炭酸塩を含むことができる。通常、研磨組成物は、0.05質量以上、例えば0.1質量以上、0.25質量以上、又は、0.5質量以上の重炭酸塩を含むことができる。代わりに又は加えて、研磨組成物は、5質量以下、例えば4質量以下、3質量以下、2質量以下、又は、1質量以下の重炭酸塩を含むことができる。このように、研磨組成物は、重炭酸塩を、重炭酸塩に関して記載した上記の任意の2つの末端により限定される量で含むことができる。例えば研磨組成物は0.05質量~1質量、0.1質量~4質量、0.25質量~3質量又は0.5質量~2質量の重炭酸塩を含むことができる。研磨組成物は、随意に水酸化カリウムをさらに含む。研磨組成物は任意の適量の水酸化カリウムを含むことができる。通常、研磨組成物は、0.05質量以上、例えば0.1質量以上、又は、0.25質量以上の水酸化カリウムを含むことができる。代わりに又は加えて、研磨組成物は、2質量以下、例えば1.5質量以下、1質量以下、0.8質量以下、又は、0.6質量以下の水酸化カリウムを含むことができる。このように、研磨組成物は、水酸化カリウムを、水酸化カリウムに関して記載した上記の任意の2つの末端により限定される量で含むことができる。例えば研磨組成物は0.05質量~1質量、0.1質量~2質量、0.1質量~1質量、又は、0.25質量~0.8質量の水酸化カリウムを含むことができる。研磨組成物は、随意に1種以上の他の添加剤をさらに含む。このような添加剤としては、任意の適切な分散剤が挙げられ、例えばホモポリマー又はランダム、ブロックもしくはグラジエントアクリレートコポリマーであって、1種以上のアクリルモノマーを含むもの例えばポリアクリレート、ポリメタクリレート、ビニルアクリレート及びスチレンアクリレート、それらの組み合わせ及びそれらの塩である。他の適切な添加剤としては殺生物剤が挙げられる。殺生物剤は任意の適切な殺生物剤、例えばイソチアゾーリノン殺生物剤であることができる。本発明の研磨組成物は任意の適切な技術により調製でき、その多くは当業者に知られている。研磨組成物はバッチ又は連続プロセスで調製できる。一般に、研磨組成物はその成分を任意の順序で混合することにより調製できる。本明細書中で使用するときに、用語成分は個々の要素例えばシリカ、シリコンの除去速度を増加させる化合物、テトラアルキルアンモニウム塩など、並びに、要素例えばシリカ、シリコンの除去速度を増加させる化合物、テトラアルキルアンモニウム塩、バッファーなどの任意の組み合わせを包含する。例えば1つの実施形態において、シリカは水中に分散されうる。有機カルボン酸、アミノホスホン酸、及びテトラアルキルアンモニウム塩を添加し、そして研磨組成物中に成分を取り込むことができる任意の方法により混合することができる。シリコンの除去速度を増加させる他の化合物は、同様に、研磨組成物の調製に使用されうる。研磨組成物は、使用の直前例えば使用の7日前以内、又は、使用の1時間前以内、又は、使用の1分前以内に、pH調節成分などの1種以上の成分を研磨組成物に添加して、使用前に調製できる。研磨組成物は、また、研磨操作の間に基材の表面で成分を混合することによっても調製されうる。研磨組成物は、また、使用前に適量の水で希釈されることが意図された濃縮物としても提供されうる。このような実施形態において、研磨組成物濃縮物は、適量の水による濃縮物の希釈時に、研磨組成物の各成分が各成分に関して上述した適切な範囲の量で研磨組成物中に存在するように、例えばシリカ、シリコンの除去速度を増加させる化合物1種又は複数種、テトラアルキルアンモニウム塩及び水を含むことができる。例えばシリコンの除去速度を上げる研磨性化合物1種又は複数種及びテトラアルキルアンモニウム塩は、濃縮物を等体積の水例えばそれぞれ2倍等体積の水、3倍等体積の水、4倍等体積の水、9倍等体積の水又は14倍等体積の水により希釈したときに、研磨組成物中の各成分が各成分に関して上述した範囲内の量で存在するように、各成分に関して上述した濃度よりも2倍例えば3倍、4倍、5倍、10倍又は15倍高い量で濃縮物中に存在することができる。さらに、当業者に理解されるとおり、濃縮物は最終研磨組成物中に存在する水の適切な分率で水を含むことができ、それにより、シリコンの除去速度を増加させる化合物1種又は複数種及び他の適切な添加剤が濃縮物中に少なくとも部分的に又は完全に溶解されるようにすることができる。本発明は、i本明細書中に記載された研磨組成物、及び研磨パッドと、基材を接触させること、ii基材に対して研磨パッドを研磨組成物を介在させて動かすこと、及びiii基材の少なくとも一部を磨り減らして、基材を研磨することを含む、基材の化学機械研磨方法をさらに提供する。本発明の研磨組成物を用いていかなる基材を研磨することもできるが、研磨組成物はシリコンを含む基材、例えばエレクトロニクス産業に使用されるシリコンウェハの研磨に特に有用である。この点に関し、シリコンは、ドーピングされていないシリコンでも、又は、例えばホウ素又はアルミニウムによりドーピングされたp-型シリコンのように、ドーピングされたシリコンであってもよい。さらに、シリコンはポリシリコンであることができる。本発明の研磨組成物及びその使用方法は、ダイアモンドソー及び粗グラインディングによりシリコン単結晶から製造されるようなシリコンウェハの事前研磨又は最終研磨、並びに、シリコンウェハの縁研磨及び研磨によるシリコンウェハの再生利用における使用に適する。有利には、本発明の研磨方法は、ダイアモンドソーで切ったシリコンウェハのラッピング及びエッチングの後に、シリコンウェハを研磨するのに使用される際に、改良されたナノトポグラフィーを示す。化学機械研磨の間のナノトポログラフィーの変化を測定するための1つの方法はパラメータΔRz/dの値を決定することであり、ここで、Rzはプロファイルの平均最大高さであり、ΔRzは1つの時点から別の時点、例えば化学機械研磨の前及び後でのRzの変化であり、そしてdは同じ時間スパンにわたってミクロンとして除去される材料の量であり、結果をナノメートルとして表現している。図を参照し、Rmaxは所与のサンプリング長さLにおける最も高いピークから谷への高さを表し、そしてRzは5つの隣接するサンプリング長さにおける5つのRmax値の平均を表す。サンプリング長さLは約5mmである。RmaxRzの計算を可能にするを測定するための適切な技術としては針形状測定、光学形状測定及び原子間力顕微鏡が挙げられる。針形状測定及び光学形状測定のために適切な計器はVeecoInstrumentsPlainview,NYから入手可能である。望ましくは、本発明の研磨方法では約0以下であるΔRz/dとなり、すなわち、基材ナノトポグラフィーは本発明の研磨方法の使用後に無変化であるか又は改良されている。本発明の研磨方法は化学機械研磨装置と組み合わせて使用するのに特に適している。通常、装置は使用時に動きそして環状、直線又は円形運動から生じる速度を有する平板、平板と接触しておりそして運動時に平板とともに動く研磨パッド、及び、研磨パッドの表面に対して基材を接触させそして動かすことにより研磨される基材を保持するキャリアを含む。基材の研磨は、基材を研磨パッド及び本発明の研磨組成物と接触させ、その後、基材に対して研磨パッドを動し、それにより、基材の少なくとも一部を磨り減らして、基材を研磨することにより行う。化学機械研磨組成物を用いて任意の適切な研磨パッド例えば研磨表面により基材を研磨することができる。適切な研磨パッドとしては、例えば織物研磨パッド及び不織布研磨パッドが挙げられる。さらに、適切な研磨パッドは種々の密度、硬度、厚さ、圧縮性、圧縮時に反発する能力及び圧縮弾性率の任意の適切なポリマーを含むことができる。適切なポリマーとしては、例えばポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ナイロン、フルオロカーボン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリエーテル、ポリエチレン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリプロピレン、それらの共生成品及びそれらの混合物が挙げられる。硬質ポリウレタン研磨パッドは本発明の研磨方法との組み合わせで特に有用である。望ましくは、化学機械研磨装置は現場研磨終点検知装置をさらに含み、その多くは当該技術分野において知られている。研磨される基材の表面から反射される光又は他の放射線を分析することにより研磨プロセスを検査しそしてモニタリングする技術は当該技術分野において知られている。このような方法は、例えば米国特許第5,196,353号、同第5,433,651号、同第5,609,511号、同第5,643,046号、同第5,658,183号、同第5,730,642号、同第5,838,447号、同第5,872,633号、同第5,893,796号、同第5,949,927号及び同第5,964,643号明細書に記載されている。望ましくは、研磨される基材に関する研磨プロセスの進行の検査又はモニタリングにより、研磨の終点の決定、すなわち、特定の基材に対して研磨プロセスを止める時の決定が可能になる。ある実施形態において、本発明の方法はシリコンウェハの縁の研磨方法を提供し、ここで、その縁はシリコンから本質的になる。別の実施形態において、本発明の方法はウェハの縁の研磨方法を提供し、ここで、その縁はシリコン及び酸化シリコンから本質的になる表面を有する。縁研磨は当該技術分野においてよく知られている技術を用いて行うことができる。例えば縁研磨はSpeedFamCo.,Ltd.,Kanagawa,Japanにより供給される縁研磨機を用いて行うことができる。有利には、シリコンウェハの縁がシリコンから本質的になり又はシリコン及び酸化シリコンから本質的なる、シリコンウェハの縁を研磨するために使用するときに、改良されたチャッキングマーク性能を示す。縁研磨において、シリコンウェハは、通常、ウェハの裏面に取り付けられる真空チャックを用いて保持される。真空はしばしば研磨の間にウェハの裏に研磨組成物を引き付け、そこでそれが乾燥することができる。乾燥した残留物はチャッキングマークと呼ばれる。もし、研磨組成物の乾燥により生じる残留物が容易に除去されなければ、ウェハは研磨後に追加のクリーニング工程を必要とすし、それにより、製造コストが追加されるであろう。望ましくは、本発明の方法は乾燥した白色残留物でありそしてウェハのさらなる加工の間に容易に除去されるチャックマークを残す。有利には、本発明の方法は、本質的にシリコンからなるウェハ縁を研磨するために使用されるときに、改良された除去速度をさらに提供し、それにより、ウェハの生産処理能力を改良する。さらに、シリコン及び酸化シリコンから本質的なるウェハを研磨するために使用されるときに、本発明の方法はシリコンと比較して酸化シリコンの除去速度の改良を示し、それにより、ウェハ縁の均一な研磨をもたらす。下記の実施例は本発明をさらに例示するが、もちろん、その範囲をいかようにも限定するものと解釈されるべきでない。例1本例は本発明の研磨組成物により達成されうる、シリコン基材に対して観測される除去速度及び表面粗さに対する有機カルボン酸、アミノホスホン酸、及びテトラアルキルアンモニウム塩の効果を示す。102cm4インチ直径円形シリコンウェハを含む7つの同様の基材を7つの異なる研磨組成物研磨組成物1A~1Gを用いて研磨した。すべての研磨組成物は、pH10.5にて、1質量の湿式法シリカ研磨組成物1A、1B、1D及び1F又はヒュームドシリカ研磨組成物1C、1E及び1G、0.27質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド及び0.05質量の重炭酸カリウムを水中に含んでいた。研磨組成物1A比較は0.017質量のエチレンジアミン四酢酸、及び0.067質量のピペラジンをさらに含んでいた。組成物1B~1Gは0.033質量のジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸及び有機カルボン酸をさらに含み、その有機カルボン酸は0.08質量のマロン酸研磨組成物1B及び1C、0.067質量の乳酸研磨組成物1D及び1E又は0.107質量のリンゴ酸研磨組成物1F及び1Gのいずれかであった。研磨に続いて、シリコンの除去速度及びナノトポグラフィーの変化の大きさであるΔRz/dを各々の研磨組成物に対して決定した。結果を表1に要約する。表1に示す結果から明らかなとおり、本発明の研磨組成物は比較の研磨組成物により示される除去速度の約79~88であるシリコン除去速度を示したが、本発明の研磨組成物は研磨により生じる表面粗さの変化が約0.2nmの表面粗さの減少研磨組成物1Fから約0.4nmの表面粗さの増加研磨組成物1D及び1Eの範囲であることを示し、一方、比較の研磨組成物は約6nmの表面粗さの増加を示した。例2本例は本発明の研磨組成物により達成されうる、シリコン基材に対して観測される除去速度及び表面粗さに対する有機カルボン酸、ポリアミノカルボン酸、及びテトラアルキルアンモニウム塩の効果を示す。102cm4インチ直径円形シリコンウェハを含む3つの同様の基材を3つの異なる研磨組成物研磨組成物2A~2Cを用いて研磨した。研磨組成物2A比較は、1質量の湿式法シリカ、0.0167質量のエチレンジアミン四酢酸、0.067質量のピペラジン、0.27質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド及び0.05質量の重炭酸カリウムを含んでいた。研磨組成物2B本発明は0.85質量の湿式法シリカ、0.02質量のエチレンジアミン四酢酸、0.083質量のシュウ酸、0.2質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド及び0.1質量の重炭酸カリウムを含んでいた。研磨組成物2C本発明は0.53質量の湿式法シリカ、0.0167質量のエチレンジアミン四酢酸、0.007質量のシュウ酸、0.067質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド及び0.05質量の重炭酸カリウムを含んでいた。研磨に続いて、シリコンの除去速度及びナノトポグラフィーの変化の大きさであるΔRz/dを各々の研磨組成物に対して決定した。結果を表2に要約する。表2に示す結果から明らかなとおり、本発明の研磨組成物は比較の研磨組成物により示される除去速度の約82~88であるシリコン除去速度を示したが、比較の研磨組成物での研磨により生じる表面粗さが約4nmの増加であることを示したのと比較して、本発明の研磨組成物は、研磨により生じる表面粗さが約4nm及び7nmの減少であることを示した。例3本例は本発明の研磨組成物により達成されうる、シリコン基材に対して観測される除去速度及び表面粗さに対する有機カルボン酸、ポリアミノカルボン酸、アミン及びテトラアルキルアンモニウム塩の効果を示す。102cm4インチ直径円形シリコンウェハを含む2つの同様の基材を2つの異なる研磨組成物研磨組成物3A及び3Bを用いて研磨した。研磨組成物3A及び3Bは、1質量の湿式法シリカ、0.0167質量のエチレンジアミン四酢酸、0.067質量のピペラジン、0.27質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド及び0.05質量の重炭酸カリウムを含んでいた。研磨組成物3B本発明は0.033質量のベンジル酸をさらに含んでいた。研磨に続いて、シリコンの除去速度及びナノトポグラフィーの変化の大きさであるΔRz/dを各々の研磨組成物に対して決定した。結果を表2に要約する。表3に示す結果から明らかなとおり、本発明の研磨組成物は比較の研磨組成物により示される除去速度の約42であるシリコン除去速度を示したが、比較の研磨組成物での研磨により生じる表面粗さが約6nmの増加であることを示したのと比較して、本発明の研磨組成物は、研磨により生じる表面粗さが約6nmの減少であることを示した。例4本例は本発明の研磨組成物により達成されうる、シリコン基材に対して観測される除去速度及び表面粗さに対するジオール化合物、ポリアミノカルボン酸、アミン及びテトラアルキルアンモニウム塩の効果を示す。102cm4インチ直径円形シリコンウェハを含む2つの同様の基材を2つの異なる研磨組成物研磨組成物4A及び4Bを用いて研磨した。研磨組成物4A及び4Bは、1質量の湿式法シリカ、0.0167質量のエチレンジアミン四酢酸、0.067質量のピペラジン、0.27質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド及び0.05質量の重炭酸カリウムを含んでいた。研磨組成物3B本発明は0.033質量の2,4-ペンタンジオールすなわち、ジオール化合物をさらに含んでいた。研磨に続いて、シリコンの除去速度及びナノトポグラフィーの変化の大きさであるΔRz/dを各々の研磨組成物に対して決定した。結果を表4に要約する。表4に示す結果から明らかなとおり、本発明の研磨組成物は比較の研磨組成物により示される除去速度の約82であるシリコン除去速度を示したが、比較の研磨組成物での研磨により生じる表面粗さが約0.5nmの減少であることを示したのと比較して、本発明の研磨組成物は、研磨により生じる表面粗さが約5nmの減少であることを示した。例5本例は本発明の実施形態のチャッキングマーク性能を示す。ポリ塩化ビニルPVCのシートを含む2つの別々の基材に2つの異なる研磨組成物研磨組成物5A及び5Bを噴霧した。研磨組成物5A比較は0.04質量のアミノホスホン酸、0.2質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、0.1質量の重炭酸カリウム、0.044質量のシュウ酸、及び0.85質量の湿式法シリカを含んでいた。研磨組成物5B本発明は0.02質量のアミノホスホン酸、0.13質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、0.7質量の重炭酸カリウム、0.04質量の水酸化カリウム、0.022質量の乳酸、及び0.67質量の湿式法シリカを含んでいた。噴霧の後に、組成物を乾燥させた。研磨組成物5Aはゲル化した残留物を残した。研磨組成物5Bは乾燥した白色残留物を残した。例6本例は本発明の研磨組成物により達成されうるシリコン除去速度を示す。2つの別々のシリコン基材を2つの異なる研磨組成物研磨組成物6A及び6Bを用いて研磨した。研磨組成物6A及び6Bは0.02質量のアミノホスホン酸、0.13質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、0.7質量の重炭酸カリウム、0.04質量の水酸化カリウム及び0.022質量の乳酸を含んでいた。研磨組成物6Aはさらに10.0質量の湿式法シリカ、すなわち、NalcoDVSTS006を含んでいた。研磨組成物6Bはさらに10.0質量の異なる湿式法シリカ、すなわち、NalcoTX11005を含んでいた。研磨に続いて、シリコンの除去速度を、1分間の研磨あたりに除去されるシリコンのmgで決定した。研磨組成物6Aは13.5mgSi/分のシリコン除去速度を示した。研磨組成物6Bは14.2mgSi/分のシリコン除去速度を示した。例7本例は本発明の研磨組成物により達成されうるシリコン除去速度を示す。2つの別々のシリコン基材を2つの異なる研磨組成物研磨組成物7A及び7Bを用いて研磨した。研磨組成物7Aは0.004質量のアミノホスホン酸、0.027質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、0.007質量の重炭酸カリウム、0.08質量の水酸化カリウム、0.013質量の乳酸、及び1.2質量のヒュームドシリカを含んでいた。研磨組成物7Bは0.004質量のアミノホスホン酸、0.053質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、0.013質量の重炭酸カリウム、0.08質量の水酸化カリウム、0.027質量の乳酸、及び1.2質量のヒュームドシリカを含んでいた。研磨に続いて、シリコンの除去速度を、1分間の研磨あたりに除去されるシリコンのmgで決定した。研磨組成物7Aは11.2mgSi/分のシリコン除去速度を示した。研磨組成物7Bは11.8mgSi/分のシリコン除去速度を示した。例8本例は本発明の研磨組成物により達成されうる酸化シリコン除去速度を示す。2つの別々の酸化シリコン基材を2つの異なる研磨組成物研磨組成物8A及び8Bを用いて研磨した。酸化シリコンはテトラエチルオルトシリケートから誘導された。研磨組成物8Aは0.015質量のアミノホスホン酸、0.1質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、0.025質量の重炭酸カリウム、0.3質量の水酸化カリウム、0.05質量の乳酸、及び4.4質量のヒュームドシリカを含んでいた。研磨組成物8Bは0.015質量のアミノホスホン酸、0.2質量のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、0.05質量の重炭酸カリウム、0.3質量の水酸化カリウム、0.1質量の乳酸、及び4.3質量のヒュームドシリカを含んでいた。研磨に続いて、酸化シリコンの除去速度を、1分間の研磨あたりに除去されるシリコンのmgで決定した。研磨組成物8Aは2.7mgSiO/分の酸化シリコン除去速度を示した。研磨組成物8Bは4.9mgSiO/分の酸化シリコン除去速度を示した。本発明の好ましい実施形態を本明細書中に記載し、その中には、本発明を実施するための発明者が知っている最良の形態を含む。好ましい実施形態の変更は上述の記載を読んだときに当業者に明らかになるであろう。本発明の発明者は当業者がこのような変更を適宜使用することを期待し、そして発明者は本明細書中に具体的に記載したものとは異なって発明が実施されることを意図している。したがって、本発明は適用可能な法によって認められるとおりの添付の特許請求の範囲に記載される対象のすべての変更及び均等を包含する。さらに、そのすべての可能な変更中の上述の要素の任意の組み合わせは、本明細書中に示されておらず又は内容から明らかに矛盾していないかぎり本発明に包含される。"