"基板と、該基板上に互いに間隔をあけて設けられた第1の下部電極層および第2の下部電極層と、前記第1の下部電極層上から前記第2の下部電極層上にかけて設けられた第1の導電型を有する第1の半導体層と、該第1の半導体層上に設けられた前記第1の導電型とは異なる第2の導電型を有する第2の半導体層と、前記第2の下部電極層と前記第2の半導体層とを電気的に接続する接続導体と、前記第1の下部電極層上であって前記第1の半導体層から離れた部位に接合された、前記第1の半導体層および前記第2の半導体層で生じた電気出力を外部に取り出すための配線導体と、前記第1の下部電極層上であって前記第1の半導体層と前記配線導体との間の部位に、前記第1の半導体層と間隔をあけて設けられた、前記配線導体よりも熱膨張係数の低い壁部とを具備することを特徴とする光電変換モジュール。前記壁部は前記第1の半導体層と同じ材料を含んでいることを特徴とする請求項1に記載の光電変換モジュール。前記壁部の前記配線導体に対向する端面および前記第1の下部電極層の上面を連続して覆う金属被覆層をさらに具備することを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換モジュール。光電変換モジュールは、太陽光等の熱によって配線導体近傍で熱応力が生じやすい。このような熱応力によって、配線導体近傍の光電変換部が剥離したり損傷したりし、光電変換モジュールの信頼性が低下する場合があった。本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであり、その目的は光電変換部の剥離や損傷を低減し、信頼性の高い光電変換モジュールを提供することにある。本発明の一実施形態に係る光電変換モジュールは、基板と、該基板上に互いに間隔をあけて設けられた第1の下部電極層および第2の下部電極層と、前記第1の下部電極層上から前記第2の下部電極層上にかけて設けられた第1の導電型を有する第1の半導体層と、該第1の半導体層上に設けられた前記第1の導電型とは異なる第2の導電型を有する第2の半導体層と、前記第2の下部電極層と前記第2の半導体層とを電気的に接続する接続導体と、前記第1の下部電極層上であって前記第1の半導体層から離れた部位に接合された、前記第1の半導体層および前記第2の半導体層で生じた電気出力を外部に取り出すための配線導体と、前記第1の下部電極層上であって前記第1の半導体層と前記配線導体との間の部位に、前記第1の半導体層と間隔をあけて設けられた、前記配線導体よりも熱膨張係数の低い壁部とを具備する。本発明の一実施形態に係る光電変換モジュールによれば、光電変換モジュールの信頼性が向上する。以下に本発明の一実施形態に係る光電変換モジュールについて、図面を参照しながら詳細に説明する。<光電変換モジュールの構成>図1は、本発明の一実施形態に係る光電変換モジュールの一例を示す要部拡大斜視図であり、図2はそのX-Z断面図である。また、図5は図1の光電変換モジュールの全体を示す斜視図であり、図6はその裏面側から見た斜視図である。光電変換モジュール13は、基板1上に光電変換部11と一対の引き出し配線部12一対の引き出し配線部12のうち、X軸方向の負側は12a、正側は12bで示されているとを具備している。光電変換部11はX軸方向に沿って並んだ複数の光電変換セル10を具備している。光電変換セル10は、下部電極層2と、第1の導電型を有する第1の半導体層3と、第1の導電型とは異なる第2の導電型を有する第2の半導体層4と、上部電極層5とが順に積層されている。例えば、第1の導電型がp型であれば第2の導電型はn型であり、その逆の関係であってもよい。図2では、第1の半導体層3bは、下部電極層2a上から下部電極層2b上にかけて設けられている。同様に、第1の半導体層3cは、下部電極層2b上から下部電極層2c上にかけて設けられており、第1の半導体層3dは、下部電極層2c上から下部電極層2d上にかけて設けられている。各第1の半導体層3b~3dと、それらの上に積層された第2の半導体層4とで光電変換によってキャリア分離が良好に行なわれる。光電変換によって生じた第1の導電型のキャリアは第1の半導体層3から下部電極層2へ移動する。一方、光電変換によって生じた第2の導電型のキャリアは第2の半導体層3から上部電極層4へ移動し、接続導体7を介して隣接する下部電極層2へ移動する。このような構成により、隣接する光電変換セル10同士が直列接続されている。引き出し配線部12は、上記光電変換部11で生じたキャリアを光電変換モジュール13の外部へ取り出すためのものである。つまり、引き出し配線部12によって、光電変換部11で発電した電気出力が外部へ引き出されることとなる。引き出し配線部12は、光電変換部11の下部電極層2が延伸された部位上で、第1の半導体層3から離れた部位に配線導体9の一方の端部が接続されている。また、配線導体9の他方の端部は、図5に示されるように、基板1を上下方向に貫通する孔30を介して裏面に導出され、図6に示されるように光電変換モジュール13の裏面非受光面に配置された端子ボックス31の内部に接続されている。そして、この端子ボックス31を介して、光電変換モジュール13で発電した電気出力が外部回路に導出されることとなる。配線導体9は、光電変換部11に設けられた下部電極層2の延伸部上に接合されている。配線導体9と下部電極層2との接合性を高めるため、配線導体9は下部電極層2上に金属ペースト等で形成された接続部8を介して接合されていてもよい。図1、2では一対の配線導体9a,9bが接続部8a,8bを介して下部電極層2a、2d上にそれぞれ接合されている。光電変換モジュール13は、第1の下部電極層2a上であって第1の半導体層3bと配線導体9aとの間の部位に、第1の半導体層3bと間隔をあけて設けられた、配線導体9aよりも熱膨張係数の低い壁部Wを具備している。つまり、光電変換部11のX軸方向の2つの端部のうち、光電変換に寄与する領域が位置している端部X軸方向の負側の端部と間隔をあけて壁部Wが設けられている。このような構成によって、太陽光等の熱によって配線導体9a近傍で熱応力が生じたとしても、配線導体9aと光電変換部11との間に設けられた、配線導体9aよりも熱膨張係数の低い壁部Wが応力を緩和することにより、配線導体9a近傍の第1の半導体層3bが剥離したり損傷したりするのが有効に低減される。その結果、光電変換モジュール13の信頼性が高くなる。壁部Wの熱膨張係数は、配線導体9aの熱膨張係数よりも第1の半導体層3の熱膨張係数に近くてもよい。これにより、第1の半導体層3の端部での熱応力をより有効に緩和できる。壁部Wが第1の半導体層3と同じ材料を含んでいる場合、第1の半導体層3への熱応力をさらに低減できる。図1、2に示される光電変換モジュール13では、壁部Wは光電変換セル10の端部が分断されたもので構成されている。このように光電変換セル10が分断されて壁部Wが構成されている場合、第1の半導体層3への熱応力を低減できるとともに、壁部Wが容易に形成され、製造工程が簡略化可能となる。<光電変換モジュールの構成部材>次に上述した光電変換モジュール13の各構成部材について詳細に説明する。基板1は、光電変換部11を支持するためのものである。基板1に用いられる材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が挙げられる。基板1としては、例えば、厚さ1~3mm程度の青板ガラスソーダライムガラスが用いられてもよい。下部電極層2下部電極層2a~2dは、基板1上に設けられた、Mo、Al、TiまたはAu等の導電体である。下部電極層2は、スパッタリング法または蒸着法などの公知の薄膜形成手法を用いて、0.2μm~1μm程度の厚みに形成される。第1の半導体層3は第1の導電型を有する半導体層である。第1の半導体層3は、例えば1μm~3μm程度の厚みを有する。第1の半導体層3の材料としては特に限定されないが、比較的高い光電変換効率を有するという観点で、例えば、I-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物およびII-VI族化合物等が用いられてもよい。I-III-VI族化合物とは、I-B族元素11族元素ともいうとIII-B族元素13族元素ともいうとVIB族元素16族元素ともいうとの化合物である。I-III-VI族化合物としては、例えば、CuInSe2二セレン化銅インジウム、CISともいう、CuIn,GaSe2二セレン化銅インジウムガリウム、CIGSともいう、CuIn,GaSe,S2二セレンイオウ化銅インジウムガリウム、CIGSSともいう等が挙げられる。あるいは、第1の半導体層3は、薄膜の二セレンイオウ化銅インジウムガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウムガリウム等の多元化合物半導体薄膜にて構成されていてもよい。I-III-VI族化合物は光吸収係数が比較的高く、第1の半導体層3が薄くても良好な光電変換効率が得られる。I-II-IV-VI族化合物とは、I-B族元素とII-B族元素12族元素ともいうとIV-B族元素14族元素ともいうとVI-B族元素との化合物半導体である。I-II-IV-VI族化合物としては、例えば、Cu2ZnSnS4CZTSともいう、Cu2ZnSnS4-xSexCZTSSeともいう。なお、xは0より大きく4より小さい数である。、およびCu2ZnSnSe4CZTSeともいう等が挙げられる。II-VI族化合物とは、II-B族元素とVI-B族元素との化合物半導体である。II-VI族化合物としてはCdTe等が挙げられる。第2の半導体層4は、第1の半導体層3とは異なる第2導電型を有する半導体層である。第2の半導体層4は、第1の半導体層3とは異なる材料が第1の半導体層3上に積層されたものであってもよく、あるいは第1の半導体層3の表面部が他の元素のドーピングによって改質されたものであってもよい。また、第1の半導体層3と第2の半導体層4との間に高抵抗のバッファ層等が介在していてもよい。第2の半導体層4としては、CdS、ZnS、ZnO、In2S3、In2Se3、InOH,S、Zn,InSe,OH、およびZn,MgO等が挙げられる。この場合、第2の半導体層4は、例えばケミカルバスデポジションCBD法等で10~200nmの厚みで形成される。なお、InOH,Sとは、InとOHとSとを主に含む化合物をいう。Zn,InSe,OHは、ZnとInとSeとOHとを主に含む化合物をいう。Zn,MgOは、ZnとMgとOとを主に含む化合物をいう。図1、図2のように、第2の半導体層4上にさらに上部電極層5が設けられていてもよい。上部電極層5は、第2の半導体層4よりも抵抗率の低い層であり、第1の半導体層3および第2の半導体層4で生じたキャリアが良好に取り出される。光電変換効率をより高めるという観点からは、上部電極層5の抵抗率が1Ωcm未満でシート抵抗が50Ω/□以下であってもよい。上部電極層5は、例えばITO、ZnO等の0.05~3μmの透明導電膜である。透光性および導電性を高めるため、上部電極層5は第2の半導体層4と同じ導電型の半導体で構成されてもよい。上部電極層5は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長CVD法等で形成され得る。また、図1、図2に示すように、上部電極層5上にさらに集電電極6が形成されていてもよい。集電電極6は、第1の半導体層3および第2の半導体層4で生じたキャリアをさらに良好に取り出すためのものである。集電電極6は、例えば、図1に示すように、光電変換セル10の一端から接続導体7にかけて線状に形成されている。これにより、第1の半導体層3および第4の半導体層4で生じた電流が上部電極層5を介して集電電極6に集電され、接続導体7を介して隣接する光電変換セル10に良好に導電される。集電電極6は、第1の半導体層3への光透過率を高めるとともに良好な導電性を有するという観点から、50~400μmの幅を有していてもよい。また、集電電極6は、枝分かれした複数の分岐部を有していてもよい。集電電極6は、例えば、Ag等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた金属ペーストがパターン状に印刷され、これが硬化されることによって形成される。図1、図2において、接続導体7は、第1の半導体層3、第2の半導体層4および第2の電極層5を貫通する溝内に設けられた導体である。接続導体7は、金属や導電ペースト等が用いられ得る。図1、図2においては、集電電極6を延伸して接続導体7が形成されているが、これに限定されない。例えば、上部電極層5が延伸したものであってもよい。配線導体9は、例えば、厚さ0.1~0.5mm程度、幅が1~7mm程度の銅Cuなどの金属箔が挙げられる。また。この金属箔の表面には、下部電極層2または接続部8との電気的な接続を良好にすべく、錫、ニッケルまたは半田などがめっき等によってコーティングされていてもよい。<光電変換モジュールの他の例>次に、光電変換モジュールの他の例について説明する。図3は光電変換モジュールの他の例を示す要部拡大斜視図であり、図4はその断面図である。図3、4に示される光電変換モジュール23において、上述した図1、2に示される光電変換モジュール13と同じ構成の部位は、図1、2と同じ符号が付されている。光電変換モジュール23において、接続部28は壁部Wの一方側の端面側面から下部電極層2a上にかけて連続して覆っている。つまり、接続部28は金属被覆層として壁部の端面および下部電極層2a上を連続して覆っている。この点で光電変換モジュール13と異なっている。このような構成により、外部から配線導体9aを伝って光電変換モジュール23内に侵入してきた水分が侵入してきたとしても、光電変換部11へ水分が侵入するのを金属被覆層としての接続部28で有効に低減され得る。なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更が施されることは何等差し支えない。光電変換モジュール13、23では光電変換部11における光電変換セル10が3列の例が示されているが、これに限定されず、1列、2列あるいは4列以上であってもよい。"