チャンバーの内部を排気することにより、前記チャンバーの内部に真空雰囲気を生成する排気装置と、前記真空雰囲気に配置される第1基板と第2基板とに粒子を出射する活性化装置と、前記第1基板のうちの第1活性化表面と第2基板のうちの第2活性化表面とから形成される活性化表面のうちの互いに異なる複数の領域が複数の期間にそれぞれ照射されるように、前記活性化装置を制御する制御装置と、前記活性化表面の全部が照射された後に、前記第1活性化表面と前記第2活性化表面とを接触させることにより、前記第1基板と前記第2基板とを接合する圧接機構とを具備し、前記複数の領域のうちの任意の領域の面積は、所定の面積より小さく、前記制御装置は、さらに、前記複数の期間のうちの前記任意の領域が照射される任意の期間に前記活性化表面のうちの前記任意の領域を除く他の領域が照射されないように、前記活性化装置を制御する常温接合装置。請求項1において、前記活性化装置は、前記複数の領域に粒子をそれぞれ出射する複数のビーム源を備え、前記制御装置は、前記任意の期間に前記複数のビーム源のうちの前記任意の領域を照射する任意のビーム源が前記粒子を出射するように、かつ、前記任意の期間に前記複数のビーム源のうちの前記任意のビーム源を除く他のビーム源が前記粒子を出射しないように、前記複数のビーム源を制御する常温接合装置。請求項1~請求項2のいずれかにおいて、前記制御装置は、前記複数の領域が他の複数の期間にそれぞれさらに照射されるように、かつ、前記任意の領域と前記他の複数の期間のうちの前記任意の領域が照射される期間との間に前記複数の領域のうちの前記任意の領域と異なる領域が照射されるように、前記活性化装置を制御する常温接合装置。請求項1において、前記活性化装置は、粒子を出射するビーム源と、前記ビーム源を移動させるアクチュエータとを備え、前記制御装置は、前記アクチュエータを制御することにより、前記任意の期間に前記任意の領域が照射されるように、かつ、前記任意の期間に前記他の領域が照射されないように、前記ビーム源を移動させる常温接合装置。チャンバーの内部に真空雰囲気が生成されるように、前記チャンバーの内部を排気するステップと、前記真空雰囲気に配置される第1基板と第2基板とに粒子を出射する活性化装置を、前記第1基板のうちの第1活性化表面と第2基板のうちの第2活性化表面とから形成される活性化表面のうちの互いに異なる複数の領域が複数の期間にそれぞれ照射されるように、制御するステップと、前記活性化表面の全部が照射された後に、前記第1活性化表面と前記第2活性化表面とを接触させることにより、前記第1基板と前記第2基板とを接合するステップとを具備し、前記複数の領域のうちの任意の領域の面積は、所定の面積より小さく、前記活性化装置は、さらに、前記複数の期間のうちの前記任意の領域が照射される任意の期間に前記活性化表面のうちの前記任意の領域を除く他の領域が照射されないように、制御される常温接合方法。請求項5において、前記活性化装置は、前記複数の領域に粒子をそれぞれ出射する複数のビーム源を備え、前記複数のビーム源は、前記任意の期間に前記複数のビーム源のうちの前記任意の領域を照射する任意のビーム源が前記粒子を出射するように、かつ、前記任意の期間に前記複数のビーム源のうちの前記任意のビーム源を除く他のビーム源が前記粒子を出射しないように、制御される常温接合方法。請求項5~請求項6のいずれかにおいて、前記活性化装置は、前記複数の領域が他の複数の期間にそれぞれさらに照射されるように、かつ、前記任意の領域と前記他の複数の期間のうちの前記任意の領域が照射される期間との間に前記複数の領域のうちの前記任意の領域と異なる領域が照射されるように、制御される常温接合方法。請求項5において、前記活性化装置は、粒子を出射するビーム源と、前記ビーム源を移動させるアクチュエータとを備え、前記ビーム源は、前記アクチュエータが制御されることにより、前記任意の期間に前記任意の領域が照射されるように、かつ、前記任意の期間に前記他の領域が照射されないように、移動する常温接合方法。本発明の課題は、よりコンパクトである常温接合装置を提供することにある。本発明の他の課題は、複数の基板を接合する常温接合装置をよりコンパクトにする常温接合方法を提供することにある。本発明のさらに他の課題は、複数の基板をより適切に接合する常温接合装置および常温接合方法を提供することにある。以下に、発明を実施するための形態実施例で使用される符号を括弧付きで用いて、課題を解決するための手段を記載する。この符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための形態実施例の記載との対応を明らかにするために付加されたものであり、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。本発明による常温接合装置は、真空排気装置8と活性化装置1641と制御装置31と圧接機構15とを備えている。真空排気装置8は、チャンバー3の内部を排気することにより、チャンバー3の内部に真空雰囲気を生成する。活性化装置1641は、その真空雰囲気に配置される第1基板22と第2基板26とに粒子を出射する。制御装置31は、第1基板22のうちの第1活性化表面23と第2基板26のうちの第2活性化表面27とから形成される活性化表面23、27のうちの互いに異なる複数の領域24-1~24-4、28-1~28-423、27が複数の期間にそれぞれ照射されるように、活性化装置1641を制御する。複数の領域24-1~24-4、28-1~28-423、27のうちの任意の領域の面積は、所定の面積より小さくなるように設計されている。制御装置31は、さらに、その複数の期間のうちのその任意の領域が照射される任意の期間に活性化表面23、27のうちのその任意の領域を除く他の領域が照射されないように、活性化装置1641を制御する。圧接機構15は、活性化表面23、27の全部が照射された後に、第1活性化表面23と第2活性化表面27とを接触させることにより、第1基板22と第2基板26とを接合する。このような常温接合装置は、活性化表面23、27の全体を一斉に照射するときに必要である排気速度でチャンバー3の内部を排気する必要がなく、その所定の面積より小さい領域だけを活性化するときに必要である排気速度で排気することにより、活性化表面23、27を適切に活性化させることができ、第1基板22と第2基板26とを適切に接合することができる。このような常温接合装置は、活性化表面23、27の全体を一斉に活性化するときに必要である排気速度で排気することができないで、かつ、その所定の面積より小さい領域だけを活性化するときに必要である排気速度で排気することができる小型の真空排気装置が真空排気装置8として適用されることができる。このような常温接合装置は、このような小型の真空排気装置を適用することにより、活性化表面23、27の全体を一斉に活性化するときに必要である排気速度で排気することができる大型の真空排気装置が適用された他の常温接合装置に比較して、よりコンパクトに、より安価に作製されることができる。活性化装置16は、複数の領域24-1~24-4、28-1~28-4に粒子をそれぞれ出射する複数のビーム源17-1~17-4、18-1~18-4を備えている。制御装置31は、その任意の期間に複数のビーム源17-1~17-4、18-1~18-4のうちのその任意の領域を照射する任意のビーム源がその粒子を出射するように、かつ、その任意の期間に複数のビーム源17-1~17-4、18-1~18-4のうちのその任意のビーム源を除く他のビーム源がその粒子を出射しないように、複数のビーム源17-1~17-4、18-1~18-4を制御する。このような常温接合装置は、固定された1つのビーム源のみを備えている他の常温接合装置に比較して、複数のビーム源17-1~17-4、18-1~18-4を移動させることなく、より広い領域を粒子で照射することができる。このため、このような常温接合装置は、より大型の基板の表面の全体を活性化することができ、その大型の基板をより適切に接合することができる。このような常温接合装置は、さらに、複数のビーム源17-1~17-4、18-1~18-4の全部が一斉に粒子を出射するときに必要である排気速度でチャンバー3の内部を排気する必要がなく、その任意のビーム源が粒子を出射するときに必要である排気速度で排気することにより、活性化表面23、27を適切に活性化させることができ、第1基板22と第2基板26とを適切に接合することができる。このような常温接合装置は、複数のビーム源17-1~17-4、18-1~18-4の全部が一斉に粒子を出射するときに必要である排気速度で排気することができないで、かつ、その任意のビーム源が粒子を出射するときに必要である排気速度で排気することができる小型の真空排気装置が真空排気装置8として適用されることができる。このような常温接合装置は、このような小型の真空排気装置を適用することにより、複数のビーム源17-1~17-4、18-1~18-4の全部が一斉に粒子を出射するときに必要である排気速度で排気することができる大型の真空排気装置が適用された他の常温接合装置に比較して、よりコンパクトに、より安価に作製されることができる。制御装置31は、複数の領域24-1~24-4、28-1~28-423、27が他の複数の期間にそれぞれさらに照射されるように、かつ、その任意の領域とその他の複数の期間のうちのその任意の領域が照射される期間との間に複数の領域24-1~24-4、28-1~28-423、27のうちのその任意の領域と異なる領域が照射されるように、活性化装置1641を制御する。このような常温接合装置は、活性化表面23、27がより均一に冷却されることにより、第1基板22と第2基板26との熱膨張の程度のばらつきが小さく、第1基板22と第2基板26との反りを防止することができ、第1基板22と第2基板26とを適切に接合することができる。活性化装置41は、粒子を出射するビーム源42と、ビーム源42を移動させるアクチュエータ43とを備えている。制御装置31は、アクチュエータ43を制御することにより、その任意の期間にその任意の領域が照射されるように、かつ、その任意の期間にその他の領域が照射されないように、ビーム源42を移動させる。本発明による常温接合方法は、チャンバー3の内部に真空雰囲気が生成されるように、チャンバー3の内部を排気するステップと、その真空雰囲気に配置される第1基板22と第2基板26とに粒子を出射する活性化装置1641を、第1基板22のうちの第1活性化表面23と第2基板26のうちの第2活性化表面27とから形成される活性化表面23、27のうちの互いに異なる複数の領域24-1~24-4、28-1~28-423、27が複数の期間にそれぞれ照射されるように、制御するステップS11と、活性化表面23、27の全部が照射された後に、第1活性化表面23と第2活性化表面27とを接触させることにより、第1基板22と第2基板26とを接合するステップS6とを備えている。複数の領域24-1~24-4、28-1~28-423、27のうちの任意の領域の面積は、所定の面積より小さく、活性化装置1641は、さらに、その複数の期間のうちのその任意の領域が照射される任意の期間に活性化表面23、27のうちのその任意の領域を除く他の領域が照射されないように、制御される。このような常温接合方法は、活性化表面23、27の全体を一斉に照射するときに必要である排気速度でチャンバー3の内部を排気する必要がなく、その所定の面積より小さい領域だけを活性化するときに必要である排気速度で排気することにより、活性化表面23、27を適切に活性化させることができ、第1基板22と第2基板26とを適切に接合することができる。このような常温接合方法を実行する常温接合装置は、活性化表面23、27の全体を一斉に活性化するときに必要である排気速度で排気することができないで、かつ、その所定の面積より小さい領域だけを活性化するときに必要である排気速度で排気することができる小型の真空排気装置が、チャンバー3の内部を排気する真空排気装置8として適用されることができる。このような常温接合方法は、このような小型の真空排気装置を適用することにより、活性化表面23、27の全体を一斉に活性化するときに必要である排気速度で排気することができる大型の真空排気装置が適用された他の常温接合方法に比較して、よりコンパクトに、より安価に作製されることができる。活性化装置16は、複数の領域24-1~24-4、28-1~28-4に粒子をそれぞれ出射する複数のビーム源17-1~17-4、18-1~18-4を備えている。複数のビーム源17-1~17-4、18-1~18-4は、その任意の期間に複数のビーム源17-1~17-4、18-1~18-4のうちのその任意の領域を照射する任意のビーム源がその粒子を出射するように、かつ、その任意の期間に複数のビーム源17-1~17-4、18-1~18-4のうちのその任意のビーム源を除く他のビーム源がその粒子を出射しないように、制御される。このような活性化装置16を備えている常温接合装置は、固定された1つのビーム源のみを備えている他の常温接合装置に比較して、複数のビーム源17-1~17-4、18-1~18-4を移動させることなく、より広い領域を粒子で照射することができる。このため、このような常温接合装置は、より大型の基板の表面の全体を活性化することができ、その大型の基板をより適切に接合することができる。このような常温接合方法は、さらに、複数のビーム源17-1~17-4、18-1~18-4の全部が一斉に粒子を出射するときに必要である排気速度でチャンバー3の内部を排気する必要がなく、その任意のビーム源が粒子を出射するときに必要である排気速度で排気することにより、活性化表面23、27を適切に活性化させることができ、第1基板22と第2基板26とを適切に接合することができる。このような常温接合方法を実行する常温接合装置は、複数のビーム源17-1~17-4、18-1~18-4の全部が一斉に粒子を出射するときに必要である排気速度で排気することができないで、かつ、その任意のビーム源が粒子を出射するときに必要である排気速度で排気することができる小型の真空排気装置が、チャンバー3を排気する真空排気装置8として適用されることができる。このような常温接合装置は、このような小型の真空排気装置を適用することにより、複数のビーム源17-1~17-4、18-1~18-4の全部が一斉に粒子を出射するときに必要である排気速度で排気することができる大型の真空排気装置が適用された他の常温接合装置に比較して、よりコンパクトに、より安価に作製されることができる。活性化装置1641は、複数の領域24-1~24-4、28-1~28-423、27が他の複数の期間にそれぞれさらに照射されるように、かつ、その任意の領域とその他の複数の期間のうちのその任意の領域が照射される期間との間に複数の領域24-1~24-4、28-1~28-423、27のうちのその任意の領域と異なる領域が照射されるように、制御される。このような常温接合方法は、活性化表面23、27がより均一に冷却されることにより、第1基板22と第2基板26との熱膨張の程度のばらつきが小さく、第1基板22と第2基板26との反りを防止することができ、第1基板22と第2基板26とを適切に接合することができる。活性化装置41は、粒子を出射するビーム源42と、ビーム源42を移動させるアクチュエータ43とを備えている。ビーム源42は、アクチュエータ43が制御されることにより、その任意の期間にその任意の領域が照射されるように、かつ、その任意の期間にその他の領域が照射されないように、移動する。本発明による常温接合装置は、活性化が必要である表面の全体を一斉に活性化させるときに必要である排気速度で排気する必要がなく、その表面のうちの所定の面積より小さい領域だけを活性化するときに必要である排気速度で排気することができる小型の真空排気装置を適用することにより、よりコンパクトに作製されることができる。本発明による常温接合方法は、活性化が必要である表面の全体を一斉に活性化させるときに必要である排気速度で排気する必要がなく、その表面のうちの所定の面積より小さい領域だけを活性化するときに必要である排気速度で排気することができる小型の真空排気装置を常温接合装置に適用することにより、その常温接合装置をよりコンパクトにすることができる。図面を参照して、本発明による常温接合装置の実施の形態を記載する。その常温接合装置は、常温接合装置本体と常温接合装置制御装置とを備えている。その常温接合装置本体1は、図1に示されているように、ロードロックチャンバー2と接合チャンバー3とを備えている。ロードロックチャンバー2と接合チャンバー3とは、それぞれ、内部を環境から密閉する容器に形成されている。常温接合装置本体1は、さらに、ゲート4とゲートバルブ5とを備えている。ゲート4は、ロードロックチャンバー2と接合チャンバー3との間に介設され、接合チャンバー3の内部とロードロックチャンバー2の内部とを接続している。ゲートバルブ5は、その常温接合装置制御装置に制御されることにより、ゲート4を閉鎖し、または、ゲート4を開放する。ロードロックチャンバー2は、図示されていない蓋と真空排気装置とを備えている。その蓋は、環境とロードロックチャンバー2の内部とを接続する開口部を閉鎖し、または、その開口部を開放する。その真空排気装置は、その開口部とゲート4とが閉鎖されているときに、その常温接合装置制御装置に制御されることにより、ロードロックチャンバー2の内部から気体を排気する。その真空排気装置としては、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、油拡散ポンプが例示される。ロードロックチャンバー2は、さらに、複数の棚6と搬送ロボット7とを内部に備えている。複数の棚6には、複数のカートリッジが載せられる。その複数のカートリッジは、アルミニウムまたはステンレス鋼または窒化アルミニウムから形成され、概ね円盤状に形成されている。そのカートリッジは、そのカートリッジの上にウェハが載せられて利用される。搬送ロボット7は、ゲート4が開放されているときに、その常温接合装置制御装置に制御されることにより、複数の棚6に配置されたカートリッジを接合チャンバー3の内部に搬送し、または、接合チャンバー3の内部に配置されたカートリッジを複数の棚6に搬送する。接合チャンバー3は、真空排気装置8を備えている。真空排気装置8は、ゲート4が閉鎖されているときに、その常温接合装置制御装置に制御されることにより、接合チャンバー3の内部から気体を排気する。真空排気装置8としては、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、油拡散ポンプが例示される。接合チャンバー3は、図2に示されているように、さらに、位置決めステージキャリッジ11と位置合わせ機構12とを備えている。位置決めステージキャリッジ11は、板状に形成されている。位置決めステージキャリッジ11は、接合チャンバー3の内部に配置され、鉛直方向に垂直である水平方向に平行移動可能に、かつ、鉛直方向に平行である回転軸を中心に回転移動可能に支持されている。位置決めステージキャリッジ11は、ウェハが載せられたカートリッジを保持することにより、そのウェハを保持する。位置合わせ機構12は、その常温接合装置制御装置に制御されることにより、位置決めステージキャリッジ11が水平方向に平行移動するように、または、位置決めステージキャリッジ11が鉛直方向に平行である回転軸を中心に回転移動するように、位置決めステージキャリッジ11を移動させる。接合チャンバー3は、さらに、静電チャック14と圧接機構15とを備えている。静電チャック14は、接合チャンバー3の内部に配置され、位置決めステージキャリッジ11の鉛直上方に配置されている。静電チャック14は、鉛直方向に平行移動可能に接合チャンバー3に支持されている。静電チャック14は、アルミナ系セラミックに例示される絶縁体から形成されている誘電層から形成されている。静電チャック14は、鉛直方向に概ね垂直に配置される平坦な面が下端に形成されている。静電チャック14は、さらに、その誘電層の内部に配置される内部電極を備えている。静電チャック14は、その常温接合装置制御装置に制御されることにより、その内部電極に所定の印加電圧が印加される。静電チャック14は、その内部電極に所定の印加電圧が印加されることにより、その誘電層の平坦な面の近傍に配置されるウェハまたは基板を静電力によって保持する。圧接機構15は、その常温接合装置制御装置に制御されることにより、接合チャンバー3に対して鉛直方向に静電チャック14を平行移動させる。圧接機構15は、さらに、その常温接合装置制御装置に制御されることにより、静電チャック14が配置される位置を測定し、その位置をその常温接合装置制御装置に出力する。圧接機構15は、さらに、その常温接合装置制御装置に制御されることにより、静電チャック14により保持されたウェハに印加される荷重を測定し、その荷重をその常温接合装置制御装置に出力する。接合チャンバー3は、さらに、活性化装置16を備えている。活性化装置16は、複数の第1原子ビーム源17-1~17-4と複数の第2原子ビーム源18-1~18-4とを備えている。複数の第1原子ビーム源17-1~17-4は、接合チャンバー3の内部に配置され、接合チャンバー3に固定されている。複数の第2原子ビーム源18-1~18-4は、接合チャンバー3の内部に配置され、接合チャンバー3に固定されている。複数の第1原子ビーム源17-1~17-4のうちの任意の第1原子ビーム源17-ii=1、2、3、4は、図示されていない管路に接続され、その管路を介して接合チャンバー3の外部からアルゴンガスが供給されている。第1原子ビーム源17-iは、その常温接合装置制御装置に制御されることにより、図3に示されているように、そのアルゴンから形成される高速原子ビームFAB:FASTATOMBEAM21-iを出射する。位置決めステージキャリッジ11は、第1ウェハ22が載せられているカートリッジを保持することにより、第1ウェハ22の活性化表面23が鉛直上方を向くように、接合チャンバー3の内部に第1ウェハ22を保持する。第1原子ビーム源17-iは、第1ウェハ22が位置決めステージキャリッジ11に保持されているときに、活性化表面23のうちの領域24-iに高速原子ビーム21-iが照射されるように、接合チャンバー3に固定されている。このとき、複数の領域24-1~24-4は、互いに異なるように、かつ、活性化表面23が複数の領域24-1~24-4のいずれにも含まれない領域を有していないように、設計される。複数の第2原子ビーム源18-1~18-4のうちの任意の第2原子ビーム源18-iは、図示されていない管路に接獄され、その管路を介して接合チャンバー3の外部からアルゴンガスが供給されている。第2原子ビーム源18-iは、その常温接合装置制御装置に制御されることにより、図4に示されているように、そのアルゴンから形成される高速原子ビーム25-iを出射する。静電チャック14は、第2ウェハ26の活性化表面27が鉛直下方を向くように、接合チャンバー3の内部に第2ウェハ26を保持する。静電チャック14は、圧接機構15により平行移動することにより、複数の位置に配置されることができる。その複数の位置は、アライメント位置と活性化位置とを含んでいる。そのアライメント位置は、第1ウェハ22が位置決めステージキャリッジ11に保持されている場合で、第2ウェハ26が静電チャック14に保持されているときに、第1ウェハ22の活性化表面23と第2ウェハ26の活性化表面27とが所定の距離たとえば、1mmだけ離れるように、設計される。その活性化位置は、そのアライメント位置よりさらに鉛直上方である。第2原子ビーム源18-iは、第2ウェハ26が静電チャック14に保持されている場合で、静電チャック14がその活性化位置に配置されているときに、活性化表面27のうちの領域28-iに高速原子ビーム25-iが照射されるように、接合チャンバー3に固定されている。このとき、複数の領域28-1~28-4は、互いに異なるように、かつ、活性化表面23が複数の領域28-1~28-4のいずれにも含まれない領域を有していないように、設計される。このとき、常温接合装置本体1は、複数の第1原子ビーム源17-1~17-4と複数の第2原子ビーム源18-1~18-4とを備えることにより、固定された1つの原子ビーム源を備える他の常温接合装置に比較して、より広い領域を粒子で照射することができる。このため、常温接合装置本体1は、より大型の基板の表面の全体を活性化することができ、その大型の基板をより適切に接合することができる。なお、複数の第1原子ビーム源17-1~17-4の個数と複数の第2原子ビーム源18-1~18-4の個数とは、4個と異なるn個nは、2以上の自然数。に置換することができる。この場合も、既述の実施の形態における常温接合装置本体1と同様にして、より広い領域を粒子で照射することができる。図5は、常温接合装置制御装置31を示している。常温接合装置制御装置31は、コンピュータであり、図示されていないCPUと記憶装置と通信装置とリムーバルメモリドライブと入力装置と出力装置とインターフェースとを備えている。そのCPUは、常温接合装置制御装置31にインストールされるコンピュータプログラムを実行することにより、その記憶装置と入力装置と出力装置と通信装置とリムーバルメモリドライブとを制御する。その記憶装置は、そのコンピュータプログラムを記録し、そのCPUにより作成される情報を一時的に記録する。その通信装置は、常温接合装置制御装置31が通信ネットワークに接続されているときに、その通信ネットワークを介してそのCPUにより作成された情報を他のコンピュータに送信し、その通信ネットワークを介して他のコンピュータから受信された情報をそのCPUに出力する。その通信装置は、さらに、常温接合装置制御装置31にインストールされるコンピュータプログラムを他のコンピュータからダウンロードすることに利用される。そのリムーバルメモリドライブは、記録媒体が挿入されたときに、その記録媒体に記録されているデータを読み出すことに利用される。そのリムーバルメモリドライブは、さらに、コンピュータプログラムが記録されている記録媒体が挿入されたときに、そのコンピュータプログラムを常温接合装置制御装置31にインストールするときに利用される。その記録媒体としては、フラッシュメモリ、磁気ディスクフレキシブルディスク、ハードディスク、光ディスクCD、DVDが例示される。その入力装置は、ユーザに操作されることにより、外部機器から情報をそのCPUに出力する。その入力装置としては、ユーザの操作に基づいて文字列を作成するキーボードが例示される。その出力装置は、そのCPUにより作成される情報をユーザに認識可能に外部機器に出力する。その出力装置としては、そのCPUにより作成される画像を表示するディスプレイが例示される。そのインターフェースは、常温接合装置制御装置31に接続される外部機器により作成される情報をそのCPUに出力し、そのCPUにより作成された情報をその外部機器に出力する。その外部機器は、ゲートバルブ5と搬送ロボット7とロードロックチャンバー2から排気する真空排気装置と真空排気装置8と位置合わせ機構12と静電チャック14と圧接機構15と活性化装置16とを含んでいる。常温接合装置制御装置31にインストールされるコンピュータプログラムは、常温接合装置制御装置31に複数の機能をそれぞれ実現させるための複数のコンピュータプログラムから形成されている。その複数の機能は、搬送部32と活性化部33と接合部34とを含んでいる。搬送部32は、ゲート4が閉鎖されているときに、ロードロックチャンバー2の内部に所定の真空度の予備雰囲気が生成されるように、または、ロードロックチャンバー2の内部に大気圧雰囲気が生成されるように、ロードロックチャンバー2の真空排気装置を制御する。搬送部32は、ロードロックチャンバー2の内部にその予備雰囲気が生成されているときに、ゲート4が開閉するようにゲートバルブ5を制御する。搬送部32は、ゲート4が開放されているときに、複数の棚6に配置されているカートリッジが接合チャンバー3の位置決めステージキャリッジ11に搬送されるように、または、位置決めステージキャリッジ11に保持されているカートリッジがロードロックチャンバー2の複数の棚6に搬送されるように、搬送ロボット7を制御する。搬送部32は、静電チャック14にウェハが保持されていない場合で、第2ウェハ26が載せられているカートリッジが位置決めステージキャリッジ11に保持されているときに、第2ウェハ26が静電チャック14に保持されるように、常温接合装置本体1を制御する。すなわち、搬送部32は、静電チャック14にウェハが保持されていない場合で、第2ウェハ26が載せられているカートリッジが位置決めステージキャリッジ11に保持されているときに、静電チャック14が下降するように、圧接機構15を制御する。搬送部32は、静電チャック14が下降しているときに、静電チャック14に印加される荷重が測定されるように、圧接機構15を制御する。搬送部32は、そのカートリッジに載っている第2ウェハ26が静電チャック14に接触するタイミングをその荷重に基づいて算出する。搬送部32は、そのタイミングで静電チャック14が停止するように、圧接機構15を制御する。搬送部32は、第2ウェハ26が静電チャック14に接触しているときに、静電チャック14に第2ウェハ26が保持されるように、静電チャック14を制御する。搬送部32は、第2ウェハ26が静電チャック14に保持されているときに、静電チャック14が上昇するように、圧接機構15を制御する。活性化部33は、ゲート4が閉鎖されているときに、接合チャンバー3の内部に所定の真空度の活性化雰囲気が生成されるように、かつ、接合チャンバー3の内部から気体が所定の排気速度で排気されるように、真空排気装置8を制御する。その所定の排気速度は、複数の第1原子ビーム源17-1~17-4と複数の第2原子ビーム源18-1~18-4とのうちの1つのビーム源だけが高速原子ビームを出射するときに必要である最小排気速度より大きく、複数の第1原子ビーム源17-1~17-4と複数の第2原子ビーム源18-1~18-4とが一斉に高速原子ビームを出射するときに必要である最大排気速度より小さい。活性化部33は、静電チャック14に第2ウェハ26が保持されている場合で、第1ウェハ22が載せられているカートリッジが位置決めステージキャリッジ11に保持されているときに、静電チャック14がその活性化位置に配置されるように、圧接機構15を制御する。活性化部33は、静電チャック14がその活性化位置に配置されている場合で、真空排気装置8により接合チャンバー3の内部から気体が所定の排気速度で排気されているときに、第1ウェハ22の活性化表面23と第2ウェハ26の活性化表面27との全部が活性化されるように、かつ、第1ウェハ22の活性化表面23と第2ウェハ26の活性化表面27との全部が一斉に活性化されないように、活性化装置16を制御する。すなわち、活性化部33は、任意の時刻に複数の第1原子ビーム源17-1~17-4と複数の第2原子ビーム源18-1~18-4とのうちの1つのビーム源だけが高速原子ビームを出射するように、複数の第1原子ビーム源17-1~17-4と複数の第2原子ビーム源18-1~18-4とのうちのその1つのビーム源を除く他のビーム源が高速原子ビームを出射しないように、複数の第1原子ビーム源17-1~17-4と複数の第2原子ビーム源18-1~18-4とを制御する。接合部34は、静電チャック14に第2ウェハ26が保持されている場合で、位置決めステージキャリッジ11に第1ウェハ22が保持されているときに、静電チャック14がそのアライメント位置に配置されるように、圧接機構15を制御する。接合部34は、静電チャック14がそのアライメント位置に配置されているときに、第2ウェハ26に対して第1ウェハ22が所定の位置合わせ位置に配置されるように、位置合わせ機構12を制御する。その位置合わせ位置は、静電チャック14が下降したときに、第2ウェハ26と第1ウェハ22とが設計通りに接合されるように、設定される。接合部34は、さらに、第1ウェハ22がその位置合わせ位置に配置されているときに、静電チャック14が下降するように、圧接機構15を制御する。接合部34は、静電チャック14が下降しているときに、静電チャック14に印加される荷重が測定されるように、圧接機構15を制御する。接合部34は、その荷重が所定の接合荷重に到達するタイミングを算出する。接合部34は、そのタイミングで静電チャック14が停止するように、すなわち、第2ウェハ26と第1ウェハ22とにその接合荷重が印加されるように、圧接機構15を制御する。接合部34は、第2ウェハ26と第1ウェハ22とにその接合荷重が所定の接合時間印加された後に、第2ウェハ26と第1ウェハ22とから作製された接合ウェハが静電チャック14から離脱されるように、静電チャック14を制御する。接合部34は、その接合ウェハが静電チャック14から離脱された後に、静電チャック14が上昇するように、圧接機構15を制御する。図6は、本発明による常温接合方法の実施の形態を示している。その常温接合方法は、本発明による常温接合装置を用いて実行される。常温接合装置制御装置31は、まず、ゲートバルブ5を制御することにより、ゲート4を閉鎖する。常温接合装置制御装置31は、ゲート4が閉鎖されているときに、ロードロックチャンバー2の真空排気装置を制御することにより、ロードロックチャンバー2の内部に大気圧雰囲気を生成し、真空排気装置8を制御することにより、接合チャンバー3の内部に接合雰囲気を生成する。ユーザは、ロードロックチャンバー2の内部に大気圧雰囲気が生成されているときに、ロードロックチャンバー2の蓋を開けて、複数の棚6に複数のカートリッジを配置する。複数のカートリッジは、複数の第1カートリッジと複数の第2カートリッジとを含んでいる。その複数の第1カートリッジの各々には、第1ウェハ22が載せられている。その複数の第2カートリッジの各々には、第2ウェハ26が載せられている。ユーザは、複数の棚6にその複数のカートリッジを配置した後に、ロードロックチャンバー2の蓋を閉鎖する。常温接合装置制御装置31は、ロードロックチャンバー2の蓋が閉鎖されているときに、ロードロックチャンバー2の真空排気装置を制御することにより、ロードロックチャンバー2の内部に予備雰囲気を生成するステップS1。常温接合装置制御装置31は、ロードロックチャンバー2の内部に予備雰囲気が生成されているときに、ゲートバルブ5を制御することにより、ゲート4を開放する。常温接合装置制御装置31は、ゲート4が開放しているときに、搬送ロボット7を制御することにより、第2ウェハ26が接合チャンバー3の位置決めステージキャリッジ11に保持されるように、第2ウェハ26が載っている第2カートリッジを複数の棚6から位置決めステージキャリッジ11に搬送する。常温接合装置制御装置31は、第2ウェハ26が位置決めステージキャリッジ11に保持されているときに、圧接機構15を制御することにより、静電チャック14を下降させる。常温接合装置制御装置31は、静電チャック14が下降しているときに、圧接機構15を制御することにより、静電チャック14に印加される荷重を測定する。常温接合装置制御装置31は、その荷重が所定の接触荷重に到達するタイミングをその荷重の変化に基づいて算出し、すなわち、その第2カートリッジに載っている第2ウェハ26が静電チャック14に接触するタイミングをその荷重の変化に基づいて算出する。常温接合装置制御装置31は、圧接機構15を制御することにより、そのタイミングで静電チャック14の下降を停止させる。常温接合装置制御装置31は、第2ウェハ26に静電チャック14が接触しているときに、静電チャック14を制御することにより、静電チャック14に第2ウェハ26を保持させる。常温接合装置制御装置31は、第2ウェハ26が静電チャック14に保持されているときに、圧接機構15を制御することにより、静電チャック14がその活性化位置に配置されるまで静電チャック14を上昇させる。常温接合装置制御装置31は、静電チャック14がその活性化位置に配置された後に、搬送ロボット7を制御することにより、第2ウェハ26が載っていない第2カートリッジを位置決めステージキャリッジ11から複数の棚6に搬送する。常温接合装置制御装置31は、その第2カートリッジが複数の棚6に搬送された後に、搬送ロボット7を制御することにより、第1ウェハ22が接合チャンバー3の位置決めステージキャリッジ11に保持されるように、第1ウェハ22が載っている第1カートリッジを複数の棚6から位置決めステージキャリッジ11に搬送する。常温接合装置制御装置31は、その第1カートリッジが位置決めステージキャリッジ11に保持された後に、ゲートバルブ5を制御することにより、ゲート4を閉鎖するステップS2。常温接合装置制御装置31は、ゲート4が閉鎖されているときに、真空排気装置8を制御することにより、接合チャンバー3の内部に活性化雰囲気を生成するステップS3。常温接合装置制御装置31は、さらに、接合チャンバー3の内部にその活性化雰囲気が生成されているときに、活性化装置16を制御することにより、第2ウェハ26の活性化表面23と第1ウェハ22の活性化表面27とを活性化させるステップS4。常温接合装置制御装置31は、第2ウェハ26の活性化表面23と第1ウェハ22の活性化表面27とが活性化した後に、圧接機構15を制御することにより、静電チャック14を下降させ、静電チャック14をそのアライメント位置に配置する。常温接合装置制御装置31は、第2ウェハ26と第1ウェハ22とがその位置合わせ距離だけ離れているときに、位置合わせ機構12を制御することにより、第1ウェハ22を第2ウェハ26に対して所定の位置合わせ位置に配置するステップS5。常温接合装置制御装置31は、第1ウェハ22がその位置合わせ位置に配置された後に、圧接機構15を制御することにより、静電チャック14を下降させる。常温接合装置制御装置31は、静電チャック14が下降しているときに、圧接機構15を制御することにより、静電チャック14に印加される荷重を測定する。常温接合装置制御装置31は、その荷重が所定の接合荷重に到達するタイミングを算出する。常温接合装置制御装置31は、圧接機構15を制御することにより、そのタイミングで静電チャック14の下降を停止させ、すなわち、第2ウェハ26と第1ウェハ22とにその接合荷重を印加するステップS6。第1ウェハ22と第2ウェハ26とは、その接合荷重が印加されることにより、接合され、1枚の接合ウェハに形成される。常温接合装置制御装置31は、その接合ウェハにその接合荷重が所定の接合時間印加された後に、静電チャック14を制御することにより、その接合ウェハを静電チャック14から離脱させる。常温接合装置制御装置31は、その接合ウェハが静電チャック14から離脱された後に、圧接機構15を制御することにより、静電チャック14を上昇させる。常温接合装置制御装置31は、静電チャック14が十分に上昇した後に、ゲートバルブ5を制御することにより、ゲート4を開放する。常温接合装置制御装置31は、ゲート4が開放されているときに、搬送ロボット7を制御することにより、その接合ウェハが載せられている第1カートリッジを位置決めステージキャリッジ11からロードロックチャンバー2に搬送するステップS7。常温接合装置制御装置31は、第2ウェハ26が載せられている第2カートリッジと第1ウェハ22が載せられている第1カートリッジとが複数の棚6に配置されているときにステップS8、YES、ステップS2~ステップS7の動作を再度繰り返して実行する。常温接合装置制御装置31は、接合することが予定されているウェハが複数の棚6に配置されていないときにステップS8、NO、ゲートバルブ5を制御することにより、ゲート4を閉鎖する。常温接合装置制御装置31は、ゲート4が閉鎖された後に、ロードロックチャンバー2の真空排気装置を制御することにより、ロードロックチャンバー2の内部に大気圧雰囲気を生成するステップS9。ユーザは、ロードロックチャンバー2の内部に大気圧雰囲気が生成された後に、ロードロックチャンバー2の蓋を開けて、複数の棚6から複数のカートリッジを取り出す。その複数のカートリッジは、その接合ウェハが載せられているカートリッジとウェハが載せられていないカートリッジとを含んでいる。ユーザは、さらに第2ウェハ26と第1ウェハ22とを常温接合したいときに、第2ウェハ26が載せられている第2カートリッジと第1ウェハ22が載せられている第1カートリッジとを複数の棚6に配置した後に、このような常温接合方法を再度実行する。図7は、ステップS4を示し、第1ウェハ22の活性化表面23と第2ウェハ26の活性化表面27とを活性化させる活性化シーケンスを示している。常温接合装置制御装置31は、真空排気装置8を制御することにより、接合チャンバー3の内部から気体を所定の排気速度で排気する。その所定の排気速度は、複数の第1原子ビーム源17-1~17-4と複数の第2原子ビーム源18-1~18-4とのうちの1つのビーム源だけが高速原子ビームを出射するときに必要である最小排気速度より大きく、かつ、複数の第1原子ビーム源17-1~17-4と複数の第2原子ビーム源18-1~18-4とが一斉に高速原子ビームを出射するときに必要である最大排気速度より小さい。常温接合装置制御装置31は、静電チャック14がその活性化位置に配置されている場合で、接合チャンバー3の内部から気体がその所定の排気速度で排気されている最中に、活性化装置16を制御することにより、複数の領域24-1~24-4と複数の領域28-1~28-4とを1つずつ高速原子ビームで照射する。すなわち、複数の第1原子ビーム源17-1~17-4と複数の第2原子ビーム源18-1~18-4とは、順番に対応づけられている。常温接合装置制御装置31は、まず、1番に対応づけられているビーム源を制御することにより、所定の時間だけそのビーム源から高速原子ビームを出射させる。常温接合装置制御装置31は、j番jは、自然数。に対応づけられているビーム源による高速原子ビームの出射が停止した後に、j1番に対応づけられているビーム源を制御することにより、所定の時間だけそのビーム源から高速原子ビームを出射させるステップS11。常温接合装置制御装置31は、最後の順番に対応づけられているビーム源による高速原子ビームの出射が停止した後に、第1ウェハ22の活性化表面23と第2ウェハ26の活性化表面27とが所定のエッチング積算時間だけ高速原子ビームに照射されたかどうかを判別するステップS12。たとえば、常温接合装置制御装置31は、ステップS11がt回tは、自然数実行されたときに、その所定の時間のt倍の時間がそのエッチング積算時間より大きいかどうかを判別する。常温接合装置制御装置31は、第1ウェハ22の活性化表面23と第2ウェハ26の活性化表面27とが高速原子ビームに照射された時間がそのエッチング積算時間より小さいときにステップS12、NO、再度ステップS11を実行し、活性化装置16を制御することにより、複数の領域24-1~24-4と複数の領域28-1~28-4とを1つずつ高速原子ビームで照射する。接合チャンバー3の内部は、複数の第1原子ビーム源17-1~17-4と複数の第2原子ビーム源18-1~18-4とにより高速原子ビームが出射されることにより、アルゴンガスが供給される。このため、真空排気装置8は、高速原子ビームが出射される最中にも、接合チャンバー3の内部から気体を排気する必要がある。第1ウェハ22の活性化表面23と第2ウェハ26の活性化表面27とが活性化されている最中に必要である排気速度は、活性化表面23と活性化表面27とのうちの活性化装置16により同時に活性化される領域の面積が大きいほど大きく、すなわち、複数の第1原子ビーム源17-1~17-4と複数の第2原子ビーム源18-1~18-4とのうちの高速原子ビームを同時に出射しているビーム源の個数が多いほど大きい。このような活性化シーケンスによれば、活性化表面23と活性化表面27とは、複数の領域24-1~24-4と複数の領域28-1~28-4とのうちの1つの領域だけを高速度原子ビームで照射するときに必要である最小排気速度より大きい排気速度で真空排気装置8が接合チャンバー3の内部を排気することにより、適切に活性化される。このような活性化シーケンスによれば、真空排気装置8は、その活性化シーケンスが実行されている最中に、活性化表面23と活性化表面27との全体を一斉に高速度原子ビームで照射するときに必要である最大排気速度より大きい排気速度で接合チャンバー3の内部を排気する必要がない。このため、本発明による常温接合装置は、その最大排気速度より大きい排気速度で排気することができないで、かつ、その最小排気速度より大きい排気速度で排気することができる小型の真空排気装置が真空排気装置8として適用されることができる。本発明による常温接合装置は、このような小型の真空排気装置が真空排気装置8として適用されることにより、その最大排気速度より大きい排気速度で排気することができる大型の真空排気装置が適用された他の常温接合装置に比較して、よりコンパクトに、より安価に作製されることができる。なお、ステップS11で同時に高速原子ビームを出射する原子ビーム源の個数は、1個と異なるk個kは、複数の第1原子ビーム源17-1~17-4と複数の第2原子ビーム源18-1~18-4との総数より小さい自然数。に置換することができる。このとき、その最小排気速度は、第1原子ビーム源17-1~17-4と複数の第2原子ビーム源18-1~18-4とのうちのk個のビーム源だけが高速原子ビームを出射するときに必要である排気速度を示している。この場合も、本発明による常温接合装置は、その最大排気速度より大きい排気速度で排気することができないで、かつ、その最小排気速度より大きい排気速度で排気することができる小型の真空排気装置が真空排気装置8として適用されることができ、このような小型の真空排気装置が真空排気装置8として適用されることにより、コンパクトに、安価に作製されることができる。第1ウェハ22と第2ウェハ26とは、高速原子ビームに照射されることにより、加熱される。このような活性化シーケンスによれば、複数の領域24-1~24-4と複数の領域28-1~28-4とは、複数の領域24-1~24-4と複数の領域28-1~28-4とが断続的に高速原子ビームに複数回照射されることにより、複数の領域24-1~24-4と複数の領域28-1~28-4とが1つずつ高速原子ビームに1回だけ照射されることに比較して、高速原子ビームの照射が完了した時刻から第1ウェハ22と第2ウェハ26とが接合される時刻までの時間のばらつきが小さい。このため、第1ウェハ22と第2ウェハ26とは、複数の領域24-1~24-4と複数の領域28-1~28-4とがより均一に放冷されることにより、位置による温度のばらつきが小さく、位置による熱膨張の程度のばらつきが小さい。その結果、このような活性化シーケンスによれば、第1ウェハ22と第2ウェハ26との反りを防止することができ、第1ウェハ22と第2ウェハ26とを適切に接合することができ、品質が良い製品をより安定して作製することができる。なお、本発明による常温接合方法は、ステップS11を1回だけ実行したときのその熱膨張の程度の位置によるばらつきが所定のばらつきより小さいときに、ステップS11を複数回繰り返して実行することを省略することもできる。この場合も、既述の実施の形態における常温接合方法と同様にして、常温接合装置本体1は、よりコンパクトに、より安価に作製されることができる。本発明による常温接合装置の実施の他の形態は、既述の実施の形態における活性化装置16が他の活性化装置に置換されている。その活性化装置41は、図8に示されているように、原子ビーム源42とアクチュエータ43とを備えている。原子ビーム源42は、図示されていない管路に接続され、その管路を介して接合チャンバー3の外部からアルゴンガスが供給されている。原子ビーム源42は、常温接合装置制御装置31に制御されることにより、そのアルゴンから形成される高速原子ビームを出射する。アクチュエータ43は、常温接合装置制御装置31に制御されることにより、原子ビーム源42から出射される高速原子ビームが第1ウェハ22の活性化表面23または第2ウェハ26の活性化表面27の一方にだけ照射されるように、原子ビーム源42を移動させる。本発明による常温接合方法の実施の他の形態は、活性化装置41を備えている常温接合装置本体を用いて実行され、既述の実施の形態における常温接合方法のステップS4の活性化シーケンスが他の活性化シーケンスに置換されている。図9は、その活性化シーケンスを示している。常温接合装置制御装置31は、その活性化シーケンスが実行される前に、圧接機構15を制御することにより、静電チャック14がその活性化位置に配置されるように、静電チャック14を移動させる。さらに、常温接合装置制御装置31は、真空排気装置8を制御することにより、接合チャンバー3の内部から気体を所定の排気速度で排気する。その所定の排気速度は、原子ビーム源42が高速原子ビームを出射するときに必要である最小排気速度より大きく、かつ、第1ウェハ22の活性化表面23と第2ウェハ26の活性化表面27とが一斉に高速原子ビームに照射されるときに必要である最大排気速度より小さい。常温接合装置制御装置31は、まず、アクチュエータ43を制御することにより、原子ビーム源42から出射される高速原子ビームが第1ウェハ22の活性化表面23に照射されるように、原子ビーム源42を移動させるステップS21。常温接合装置制御装置31は、原子ビーム源42が第1ウェハ22に向けられているときに、原子ビーム源42を制御することにより、活性化表面23を高速原子ビームで所定の時間だけ照射するステップS11。常温接合装置制御装置31は、活性化表面23が高速原子ビームで所定の時間だけ照射された後に、アクチュエータ43を制御することにより、原子ビーム源42から出射される高速原子ビームが第2ウェハ26の活性化表面27に照射されるように、原子ビーム源42を移動させるステップS23。常温接合装置制御装置31は、原子ビーム源42が第2ウェハ26に向けられているときに、原子ビーム源42を制御することにより、活性化表面27を高速原子ビームで所定の時間だけ照射するステップS24。常温接合装置制御装置31は、活性化表面27が高速原子ビームで所定の時間だけ照射された後に、第1ウェハ22の活性化表面23と第2ウェハ26の活性化表面27とが所定のエッチング積算時間だけ高速原子ビームに照射されたかどうかを判別するステップS25。たとえば、常温接合装置制御装置31は、ステップS21~S24がt回実行されたときに、その所定の時間のt倍の時間がそのエッチング積算時間より大きいかどうかを判別する。常温接合装置制御装置31は、第1ウェハ22の活性化表面23と第2ウェハ26の活性化表面27とが高速原子ビームに照射された時間がそのエッチング積算時間より小さいときにステップS25、NO、再度ステップS21~S24を実行し、活性化装置41を制御することにより、活性化表面23と活性化表面27とを1つずつ高速原子ビームで照射する。このような活性化シーケンスによれば、活性化表面23と活性化表面27とは、その最小排気速度より大きい排気速度で真空排気装置8が接合チャンバー3の内部を排気することにより、適切に活性化される。さらに、このような活性化シーケンスによれば、真空排気装置8は、その活性化シーケンスが実行されている最中に、活性化表面23と活性化表面27との全体を一斉に高速度原子ビームで照射するときに必要である最大排気速度より大きい排気速度で接合チャンバー3の内部を排気する必要がない。このため、本発明による常温接合装置は、その最大排気速度より大きい排気速度で排気することができないで、かつ、その最小排気速度より大きい排気速度で排気することができる小型の真空排気装置が真空排気装置8として適用されることができる。本発明による常温接合装置は、このような小型の真空排気装置が真空排気装置8として適用されることにより、その最大排気速度より大きい排気速度で排気することができる大型の真空排気装置が適用された他の常温接合装置に比較して、よりコンパクトに、より安価に作製されることができる。第1ウェハ22と第2ウェハ26とは、高速原子ビームに照射されることにより、加熱される。このような活性化シーケンスによれば、活性化表面23と活性化表面27とは、活性化表面23と活性化表面27とが断続的に高速原子ビームに複数回照射されることにより、活性化表面23と活性化表面27とが1つずつ高速原子ビームに1回だけ照射されることに比較して、高速原子ビームの照射が完了した時刻から第1ウェハ22と第2ウェハ26とが接合される時刻までの時間のばらつきが小さい。このため、第1ウェハ22と第2ウェハ26とは、活性化表面23と活性化表面27とがより均一に放冷されることにより、第1ウェハ22の温度と第2ウェハ26の温度との差が小さく、第1ウェハ22の熱膨張の程度と第2ウェハ26の熱膨張の程度との差が小さい。その結果、このような活性化シーケンスによれば、第1ウェハ22と第2ウェハ26との反りを防止することができ、第1ウェハ22と第2ウェハ26とを適切に接合することができ、品質が良い製品をより安定して作製することができる。なお、本発明による常温接合方法は、ステップS21~S24を1回だけ実行したときの第1ウェハ22の熱膨張の程度と第2ウェハ26の熱膨張の程度との差が所定の差より小さいときに、ステップS21~S24を複数回繰り返して実行することを省略することもできる。この場合も、既述の実施の形態における常温接合方法と同様にして、常温接合装置本体1は、よりコンパクトに、より安価に作製されることができる。なお、既述の実施の形態における活性化装置16は、さらに、複数の第1原子ビーム源17-1~17-4に対応する複数のアクチュエータを備えることができる。その複数のアクチュエータのうちの第1原子ビーム源17-iに対応するアクチュエータは、常温接合装置制御装置31に制御されることにより、第1原子ビーム源17-iから出射される高速原子ビーム21-iが領域24-iまたは領域28-iの一方にだけ照射されるように、第1原子ビーム源17-iを移動させる。本発明による常温接合方法の実施のさらに他の形態は、このような活性化装置を備えている常温接合装置本体を用いて実行され、既述の実施の形態における常温接合方法のステップS4の活性化シーケンスがさらに他の活性化シーケンスに置換されている。常温接合装置制御装置31は、その活性化シーケンスが実行される前に、圧接機構15を制御することにより、静電チャック14がその活性化位置に配置されるように、静電チャック14を移動させる。常温接合装置制御装置31は、さらに、真空排気装置8を制御することにより、接合チャンバー3の内部から気体を所定の排気速度で排気する。その所定の排気速度は、複数の第1原子ビーム源17-1~17-4のうちの1つのビーム源だけが高速原子ビームを出射するときに必要である最小排気速度より大きく、かつ、複数の第1原子ビーム源17-1~17-4が一斉に高速原子ビームを出射するときに必要である最大排気速度より小さい。常温接合装置制御装置31は、静電チャック14がその活性化位置に配置されている場合で、接合チャンバー3の内部から気体がその所定の排気速度で排気されている最中に、その活性化装置を制御することにより、複数の領域24-1~24-4と複数の領域28-1~28-4とを1つずつ高速原子ビームで照射する。たとえば、複数の領域24-1~24-4と複数の領域28-1~28-4とは、順番に対応づけられている。常温接合装置制御装置31は、まず、その活性化装置を制御することにより、複数の領域24-1~24-4と複数の領域28-1~28-4とのうちの1番に対応づけられている領域を原子ビームで所定の時間だけ照射する。常温接合装置制御装置31は、j番jは、自然数。に対応づけられている領域が照射された後に、その活性化装置を制御することにより、j1番に対応づけられている領域を原子ビームで照射する。すなわち、常温接合装置制御装置31は、領域28-iを原子ビームで照射するときに、その複数のアクチュエータのうちの第1原子ビーム源17-iに対応するアクチュエータを制御することにより、第1原子ビーム源17-iを領域28-iに向け、第1原子ビーム源17-iを制御することにより、領域28-iを原子ビームで照射する。常温接合装置制御装置31は、最後の順番に対応づけられている領域の照射が完了した後に、第1ウェハ22の活性化表面23と第2ウェハ26の活性化表面27とが所定のエッチング積算時間だけ高速原子ビームに照射されたかどうかを判別する。常温接合装置制御装置31は、第1ウェハ22の活性化表面23と第2ウェハ26の活性化表面27とが高速原子ビームに照射された時間がそのエッチング積算時間より小さいときに、再度、その活性化装置を制御することにより、複数の領域24-1~24-4と複数の領域28-1~28-4とを1つずつ高速原子ビームで照射する。すなわち、このような複数のアクチュエータが適用された常温接合装置は、既述の実施の形態における常温接合装置と同様にして、複数の領域24-1~24-4と複数の領域28-1~28-4とのうちの1つの領域だけを高速度原子ビームで照射するときに必要である最小排気速度より大きく、かつ、活性化表面23と活性化表面27との全体を一斉に高速度原子ビームで照射するときに必要である最大排気速度より小さい排気速度で接合チャンバー3の内部を排気した場合でも、活性化表面23と活性化表面27との全体を適切に活性化させることができる。このため、このような常温接合装置は、既述の実施の形態における常温接合装置と同様にして、小型の真空排気装置が真空排気装置8として適用されることができ、このような小型の真空排気装置が真空排気装置8として適用されることにより、コンパクトに、安価に作製されることができる。このような常温接合装置は、さらに、複数の第2原子ビーム源18-1~18-4を省略することができ、コンパクトに、安価に作製されることができる。なお、複数の第1原子ビーム源17-1~17-4と複数の第2原子ビーム源18-1~18-4と原子ビーム源42とは、それぞれ、活性化表面23、26を活性化させる活性化ビームを出射する他の活性化ビーム源に置換されることができる。その活性化ビーム源としては、イオンガン、プラズマガンが例示される。活性化表面23、26がその活性化ビームにより活性化されている最中に必要である排気速度は、既述の原子ビーム源と同様にして、活性化されている領域の面積が大きいほど大きく、その活性化ビームを同時に出射している活性化ビーム源の個数が多いほど大きい。このため、このような活性化ビーム源が適用された常温接合装置は、既述の実施の形態における常温接合装置と同様にして、小型の真空排気装置が真空排気装置8として適用されることができ、このような小型の真空排気装置が真空排気装置8として適用されることにより、コンパクトに、安価に作製されることができる。