"真空装置内の必要な箇所に配置される熱伝導駆動方式の圧力センサ部2と真空装置外に配置される制御部3からなるマイクロ圧力センサであって、圧力センサ部2は、底面と円筒状または四角状の枠で形成され空洞部25を有する高分子フィルム支持体24と、その高分子フィルム支持体24の枠の上面に、高分子フィルム21が接着剤26で貼られ、その高分子フィルム21の中央部に一つの圧力センサ22と、その圧力センサ22の周辺に、一つ又は複数の温度センサ23を備え、各圧力センサ22と、温度センサ23はそれぞれ、電極を介して制御部3に接続され、制御部3は圧力センサ22に、加熱電力を与え一定温度に加熱制御し、温度センサ23で圧力センサ22の周りの温度を抵抗変化で計測し、その計測した抵抗変化で加熱電力に対応する真空装置内の圧力値を補正することで正確な真空装置内の圧力値を測定するようにしたことを特徴とするマイクロ圧力センサ。圧力センサ22はタンタルーアルミニウム複合窒化物であることを特徴とする請求項1記載のマイクロ圧力センサ。圧力センサ22が搭載された高分子フィルム21の下部は、高分子フィルム支持体24の空洞部25にすることにより、熱容量を小さくして、圧力センサ22感度と応答性を向上させたことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のマイクロ圧力センサ。高分子フィルム21の材料はポリイミドであることを特徴とする請求項1から請求項3の何れかに記載のマイクロ圧力センサ。真空応用加工装置を用いた薄膜形成プロセスにおいて、計測が必要な大気圧105Paから10-5Paの広範囲にわたる圧力を単一のセンサのみで計測可能な測定機器は存在せず、また現状ではセンササイズの問題から真空装置外壁の特定の場所に設置せざるを得ず、実際に薄膜が形成されている装置内部や、配管部等の狭小スペースの圧力値を知ることはできない。気体の熱伝導変化を検出するセンサのマイクロ化にはシリコンを基板材料とした微細加工技術が用いられることが一般的であるが、複雑な作成プロセスを必要とする上に架橋構造が脆弱であり、使用可能な温度範囲等に制約がある。また、真空環境という特殊空間内においてその環境を乱さずに圧力値を計測する方法は現在確立されていない。真空装置内の必要な箇所に配置される熱伝導型方式の圧力センサ部2と真空装置外壁に配置される制御部3からなるマイクロ圧力センサであって、圧力センサ部2は、底面と円筒状または四角状の枠で形成され空洞部25を有する高分子フィルム支持体24と、その高分子フィルム支持体24の枠の上面に、高分子フィルム21が接着剤26で貼られ、その高分子フィルム21の中央部に一つの圧力センサ22と、その圧力センサ22の周辺に、一つ又は複数の温度センサ23を備え、各圧力センサ22と、温度センサ23はそれぞれ、電極を介して制御部3に接続され、制御部3は圧力センサ22に、加熱電力を与え一定温度に加熱制御し、温度センサ23で圧力センサ22の周りの温度を抵抗変化で計測し、その計測した抵抗変化で加熱電力に対応する真空装置内の圧力値を補正することで正確な真空装置内の圧力値を計測するようにしたことを特徴とするマイクロ圧力センサ。圧力センサ22はタンタルーアルミニウム複合窒化物であることを特徴とするマイクロ圧力センサ。圧力センサ22が搭載された高分子フィルム21の下部は、高分子フィルム支持体24の空洞部25にすることにより、熱容量を小さくして、圧力センサ22感度と応答性を向上させたことを特徴とするマイクロ圧力センサ。高分子フィルム21の材料はポリイミドであることを特徴とするマイクロ圧力センサ。1有効熱交換面積を確保したまま微小化が可能な上に、薄膜ならびに高分子フィルムの使用によるセンサ熱容量の低減により応答速度も速いことから、装置内の適正な真空の質と量の計測制御が実現できる。2大気圧105Paから10-5Paの広範囲にわたる圧力を計測できる。3薄膜を用いるため、有効熱交換面積を保持したまま、小型化できる。4実際に薄膜が形成されている真空装置におけるチャンバ内における圧力値の位置的時間的変化ならびに、配管部等の狭小スペースの圧力値をリアルタイムで計測することが可能となる5圧力センサの材料であるタンタルーアルミニウム複合窒化物材料の特性より、単純なセンサパターンを用いることができ、基板に極薄の耐熱性高分子フィルムを用いたセンサ形成プロセスで、必要に応じて有効熱交換面積の変更やセンサパターンの変更を容易に行うことができる。本発明のマイクロ圧力センサは、高い抵抗温度係数を持つ薄膜材料を高分子フィルム上に形成し、センサ温度と周囲温度温度定点との差を精密に測定できる構造を有することにより、従来型では不可能であった大気圧から10-5Paまでの広い圧力範囲を単一の熱伝導センサにより計測するものである。高い抵抗温度係数を持つセンサ材料の薄膜化と、高分子フィルムとして非常に薄いポリイミドの基板を用いることにより熱容量の低減をはかり、センサ温度と周囲温度温度定点との差を精密に測定できる構造とし、小型、広範囲、高速応答を実現した。成膜にメタルマスクを用いることで、複雑な微細加工技術を必要としない簡単な作製プロセスであるため、必要に応じて有効熱交換面積の変更やセンサパターンの変更を容易に行うことができる。図1と図2で本発明のマイクロ圧力センサの構成を示す。本発明のマイクロ圧力センサ1は、真空装置内の必要な箇所に配置される熱伝導型方式の圧力センサ部2と真空装置外壁に配置される制御部3からなる。圧力センサ部2は、高分子フィルム21、圧力センサ22、温度センサ23、高分子フィルム支持体24、空洞部25、接着剤26からなる。高分子フィルム支持体24は、底面と円筒状または四角状の枠で形成され、内部に空洞部25を形成する容器形状である。その高分子フィルム支持体24の枠の上面に、高分子フィルム支持体24の上面全体を覆うように高分子フィルム21を接着剤26で貼り、その高分子フィルム21の中央部に一つの圧力センサ22と、その周辺、例えば、高分子フィルム支持体24の枠の上面に一つ又は複数の温度センサ23を設ける。各圧力センサ22と、温度センサ23はそれぞれ、電極221,222と電極231、232を介してリード線4により制御部3に接続される。高い抵抗温度係数を持つ圧力センサ22は、高分子フィルム21の中央部に搭載され、その置かれる高分子フィルム21の下は、高分子フィルム支持体24の空洞部25にすることにより、熱容量を小さくし、感度を応答性を向上させている。高い抵抗温度係数を持つ温度センサ23を、高分子フィルム21の中央部に設けた圧力センサ22から、距離をとり、高分子フィルム支持体24の筒型の枠の上部に配置しているので、真空装置の内部温度の計測の精度を得て、後述するような圧力センサの温度補正を正確に行うことができる。このように、圧力センサ22と温度センサ23を、同一高分子フィルム21上に配置し、センサ温度と周囲温度温度定点との差を精密に測定できる構造にすることで、従来型では不可能であった大気圧から10-5Paまでの広い圧力範囲を単一の熱伝導センサにより計測可能としている。圧力センサ22の材料は、タンタルとアルミニウムからなる複合窒化物で、高い抵抗温度係数をもっている。圧力センサ22は、制御部3で電圧駆動し、電極21,22を介して一定温度に加熱制御する。加熱された圧力センサ22は気体により熱量を奪われるが、制御部3の圧力センサ駆動部31より一定温度に加熱制御する。圧力センサ22の材料であるタンタルとアルミニウムからなる複合窒化物は、高い抵抗温度係数をもっている。センサ材料である複合窒化物材料の抵抗温度係数は-7000~-14000ppm/°Cであるが、特に-12000~-14000ppm/°Cであることが好ましい。また、比抵抗は1.0×10-1~2.0Ωcmであるが、特に1.0×10-1~1.0Ωcmであることが好ましい。圧力センサ22の薄膜の厚みは、200~500nm程度が好ましい。温度センサ23の材料は、圧力センサ22と同じタンタルとアルミニウムからなる複合窒化物で、高い抵抗温度係数をもっている。微小電流を印加し、得られた抵抗値より周囲温度を算出し補正に用いる。高分子フィルム21の材料は、ポリイミドで、厚みは1から50μm程である。電極221、222、231、232の材料は、Pt、Ni、Cu、Ag、Au、Alなどの金属薄膜を用いる。センサの使用環境雰囲気や温度、腐食性ガスの有無などに応じて1種もしくは複数選択する。これらの電極の薄膜は、スパッタリング法、イオンプレーティング法、CVD法等の気相法で形成する、その中でも、スパッタリング法が好ましい。スパッタリング完了後、必要に応じて、得られた薄膜を150~500°Cで熱処理し、使用する基板材料に応じて適宜選択する。例えば、高分子フィルム21を基板に用いた場合は、フィルムの耐熱温度を考慮して150~300°C程度であることが好ましい。高分子フィルム支持体24は、底面と円筒状または四角状の枠で形成され、内部に空洞部25を形成する容器形状である。材質はステンレスである。接着剤26は、高分子フィルム支持体24に高分子フィルム21を貼るのに用いる。接着剤26は熱可塑性の熱伝導接着剤である。リード線は10~100μmのニッケル線、Ag線、Au線、Al線、Cu線もしくはそれらを原材料とした金属箔をIn、半田、Agペースト等を用いて気密素子に接続し、計測対象外に取り出す。線径100μmのニッケル線もしくは5μm以下のニッケル箔を用い、Inもしくは半田で接続することが好ましい。図3は、本発明のマイクロ圧力センサの原理図である。真空装置の気体分子Pが、圧力センサ22の熱量を奪うと温度が変化して抵抗値が変化する。その抵抗値の変化を圧力値として検出する。図4は、本発明のマイクロ圧力センサの温度補正原理を示す。横軸は基準圧力、縦軸は圧力センサの加熱電力から求められた圧力値である。圧力センサ22を一定温度に保つ加熱制御を行い、その加熱電力から圧力値へ対応付けしている。圧力センサ22の加熱電力は気体分子Pの温度に依存し、温度が低ければ圧力センサ22から奪う熱量は多いため加熱電力は大きくなり、温度が高ければ圧力センサ22から奪う熱量は少ないため加熱電力は小さくなる。そのため圧力センサ温度と、気体分子Pの温度とを精密に測定し、正規化した温度への補正を行っている。図5は本発明のマイクロ圧力センサの制御部の構成を示す。制御部3は圧力センサ駆動部31、温度計測部32、温度補正部33及び表示部34から構成される。高分子フィルム21の中央部に配置した圧力センサ22を、電極221、222を介して一定温度に加熱制御する。加熱された圧力センサは22気体により熱量を奪われるが、圧力センサ駆動部31により一定温度に加熱制御する。温度センサ計測部32は、温度センサ23の抵抗変化を、電極231,232を介して計測する。温度センサ23は高分子フィルム支持体24の枠の高分子フィルム21上に配置しているため、高分子フィルム21の中央に配置した圧力センサ22が加熱しても、その温度の影響を受けない。この構造により気体の温度を正確に計測することが出来る。温度補正部33は、圧力センサ駆動部31で加熱制御した圧力センサ22は気体により熱量を奪われるが、気体の温度により奪われる熱量が異なる。その気体の温度の変化を温度センサ23の抵抗変化として温度計測部32で計測し温度補正部33で温度の補正演算を行う。温度補正部33が行った圧力センサ駆動部31の加熱電力に対応付けされた真空装置の圧力値予め得られた加熱電力と真空装置の圧力値の対応表に基づくとして表示部34に表示する。このように、制御部3は圧力センサ22を、真空装置内の圧力値と対応付けられる加熱電力で一定温度に加熱制御し、温度センサ23で圧力センサ22の周りの温度を抵抗変化で計測し、その計測した抵抗変化で加熱電力と対応する真空装置内の圧力の値を補正することで正確な真空装置内の圧力を測定できる。"