第1金属板と、前記第1金属板に実装される複数の半導体素子と、前記複数の半導体素子の前記第1金属板への実装面とは反対側の面に接続されるスペーサと、前記スペーサの前記半導体素子との接続面とは反対側の面に接続される第2金属板と、前記第1金属板及び前記第2金属板との間で前記複数の半導体素子を封止する封止樹脂とを含み、前記複数の半導体素子の間において前記封止樹脂の収縮によって生じる応力は、前記複数の半導体素子の間以外の部位において前記封止樹脂の収縮によって生じる応力よりも緩和される、半導体装置。前記応力は、前記封止樹脂と前記第1金属板との間において収縮によって前記封止樹脂に生じる応力である、請求項1記載の半導体装置。前記スペーサは、前記複数の半導体素子のうちの一の半導体素子と前記第2金属板との間の第1部分と、前記複数の半導体素子のうちの他の半導体素子と前記第2金属板との間の第2部分と、前記第1部分と前記第2部分との間を連結する連結部分とを有し、前記封止樹脂は、前記複数の半導体素子の間における前記第1金属板と前記連結部分との間における第1の厚さが、前記複数の半導体素子の間以外の部位における前記第1金属板と前記第1金属板との間における第2の厚さよりも薄くされることにより、前記複数の半導体素子の間において応力が緩和される、請求項1記載の半導体装置。前記スペーサは、前記第1部分及び前記第2部分において、前記第2金属板と接合される、請求項3記載の半導体装置。前記スペーサは、前記連結部分の前記第2金属板側に、凹部を有する、請求項3記載の半導体装置。前記凹部には、前記スペーサよりも剛性の低い金属が充填される、請求項5記載の半導体装置。前記スペーサは、前記複数の半導体素子のうちの一の半導体素子と前記第2金属板との間の第1部分と、前記複数の半導体素子のうちの他の半導体素子と前記第2金属板との間の第2部分とを有し、前記第2金属板は、平面視における前記第1部分と前記第2部分との間において、前記第1金属板側又は前記第1金属板とは反対側に形成される凹部を有し、前記封止樹脂は、前記複数の半導体素子の間において前記第2金属板の前記凹部が前記封止樹脂との間の応力を吸収することにより、前記複数の半導体素子の間において応力が緩和される、請求項1記載の半導体装置。前記スペーサは、前記複数の半導体素子のうちの一の半導体素子と前記第2金属板との間の第1部分と、前記複数の半導体素子のうちの他の半導体素子と前記第2金属板との間の第2部分とを有し、前記第2金属板には、平面視における前記第1部分と前記第2部分との間において、前記封止樹脂との界面における応力を緩和する応力緩和部が形成されており、前記封止樹脂は、前記応力緩和部によって応力が緩和されることにより、前記複数の半導体素子の間において応力が緩和される、請求項1記載の半導体装置。前記第2金属板は、平面視における前記第1部分と前記第2部分との間において、前記第1金属板側に形成される凹部を有し、前記応力緩和部は、前記凹部内に形成される、請求項8記載の半導体装置。前記凹部は、複数の溝部、又は、複数の穴部によって構成される、請求項9記載の半導体装置。前記第2金属板は、平面視における前記第1部分と前記第2部分との間において、前記第1金属板側に突出する凸部を有し、前記凹部は、前記凸部に形成される、請求項9記載の半導体装置。前記スペーサは、前記複数の半導体素子のうちの一の半導体素子と前記第2金属板との間の第1部分と、前記複数の半導体素子のうちの他の半導体素子と前記第2金属板との間の第2部分とを有し、前記第2金属板の前記第1金属板側の面には、平面視における前記第1部分と前記第2部分との間において、前記封止樹脂の剥離を促す剥離誘発膜が形成される、請求項1記載の半導体装置。前記スペーサは、前記複数の半導体素子のうちの一の半導体素子と前記第2金属板との間の第1部分と、前記複数の半導体素子のうちの他の半導体素子と前記第2金属板との間の第2部分と、前記第1部分から前記第2部分側に突出する第1突出部と、前記第2部分から前記第2部分側に突出する第2突出部とを有する、請求項1記載の半導体装置。前記第1突出部と前記第2突出部との間に、前記第1突出部及び前記第2突出部と前記封止樹脂との間の応力を緩和する応力緩和部が形成される、請求項14記載の半導体装置。前記スペーサは、前記第1突出部の先端部に前記第2金属板側の面から形成される第1凹部を有するとともに、前記第2突出部の先端部に前記第2金属板側の面から形成される第2凹部を有する、請求項14記載の半導体装置。前記第1突出部及び前記第2突出部は、前記スペーサの高さ方向における位置が異なっている、請求項13記載の半導体装置。前記第1突出部及び前記第2突出部は、平面視において重複する重複部を有する、請求項16記載の半導体装置。ところで、従来の半導体装置では、半導体素子を複数含む場合に、封止樹脂の収縮により、半導体素子間において封止樹脂が放熱板から剥離する場合がある。放熱板から封止樹脂が剥離すると、半導体素子と放熱板の線膨張率の違いにより、半導体素子と放熱板の間に応力がかかり、疲労破断が生じる虞があった。半導体素子と放熱板との間で疲労破断が生じると、電極として用いられる放熱板と半導体素子の端子との電気的な接続が損傷を受け、半導体装置の動作不良や破損が生じる虞があった。そこで、半導体素子と電極との疲労破断を抑制した半導体装置を提供することを目的とする。本発明の実施の形態の半導体装置は、第1金属板と、前記第1金属板に実装される複数の半導体素子と、前記複数の半導体素子の前記第1金属板への実装面とは反対側の面に接続されるスペーサと、前記スペーサの前記半導体素子との接続面とは反対側の面に接続される第2金属板と、前記第1金属板及び前記第2金属板との間で前記複数の半導体素子を封止する封止樹脂とを含み、前記複数の半導体素子の間において前記封止樹脂に生じる収縮による応力は、前記複数の半導体素子の間以外の部位において前記封止樹脂に生じる収縮による応力よりも緩和される。半導体素子と電極との疲労破断を抑制した半導体装置を提供できる。以下、本発明の半導体装置を適用した実施の形態について説明する。実施の形態の半導体装置について説明する前に、図1及び図2を用いて比較例の半導体装置について説明する。図1Aは、比較例の半導体装置の断面構造を示す図である。図1Bは、比較例の半導体装置の平面視における構造を示す透視図である。図2Aは、比較例の半導体装置に剥離が生じた状態の断面構造を示す図であり、図2Bは、比較例の半導体装置に剥離が生じた状態を示す平面図である。比較例の半導体装置1は、電極10、半導体素子20A、20B、スペーサ30A、30B、電極40、及び封止樹脂50を含む。電極10は、半導体素子20A、20Bの下面にある端子に接続されており、半導体素子20A、20Bを駆動するための電極として機能するとともに、半導体素子20A、20Bが発生する熱を放射する放熱板として機能する。半導体素子20A、20Bは、それぞれ、上面及び下面に端子を有し、下面側の端子が電極10に接続され、上面側の端子がスペーサ30A、30Bを介して電極40に接続されている。なお、ここでは、半導体素子20A、20Bは、平面視におけるサイズが等しいものとする。スペーサ30Aは、半導体素子20Aと電極40との間に配設され、半導体素子20Aの上面にある端子と電極40とを接続している。スペーサ30Bは、半導体素子20Bと電極40との間に配設され、半導体素子20Bの上面にある端子と電極40とを接続している。スペーサ30A、30Bは、平面視において、半導体素子20A、20Bより小さく、かつ、半導体素子20A、20Bの内側に位置するように配設される。電極40は、スペーサ30A、30Bを介して、それぞれ、半導体素子20A、20Bの上面にある端子に接続されており、半導体素子20A、20Bを駆動するための電極として機能するとともに、半導体素子20A、20Bが発生する熱を放射する放熱板として機能する。封止樹脂50は、電極10と電極40との間において、半導体素子20A、20B、及びスペーサ30A、30Bを封止する樹脂である。半導体素子20A、20B、及びスペーサ30A、30Bは、電極10と電極40との間で、封止樹脂50によって封止されており、封止樹脂50は、電極10及び電極40と密着している。このような比較例の半導体装置1において、半導体素子20A、20Bは、例えば、それぞれ、インバータに含まれるIGBTとFWDである。例えば、IGBTのコレクタと電極10が接続され、エミッタはスペーサ30Aを介して電極40に接続される。また、例えば、FWDのカソードは電極10に接続され、アノードはスペーサ30Bを介して電極40に接続される。すなわち、IGBTのコレクタは電極10を介してFWDのカソードに接続され、IGBTのエミッタはスペーサ30A、電極40、及びスペーサ30Bを介してFWDのアノードに接続されている。ところで、封止樹脂50は、熱硬化性の樹脂で構成され、例えば、80°C~200°C程度まで加熱されて硬化され、その後に冷却される。この際に、封止樹脂50には熱収縮が生じる。また、化学的な架橋反応の進行に伴う硬化収縮が生じ、封止樹脂50の体積は数パーセント減少する。このように、封止樹脂50は、熱硬化が行われた後に収縮する。一方、電極10と電極40との間の間隔は、半導体素子20A、20B、及びスペーサ30A、30Bによって一定に保たれているため、封止樹脂50には、電極10及び電極40との接合面に剥離しようとする応力が加わる。このような応力が封止樹脂50に加わると、半導体素子20Aと半導体素子20Bよりも外側の領域では、電極10及び40が微少量撓むことにより、応力の一部が緩和される。しかしながら、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域では、電極10及び40が撓む量が半導体素子20Aと半導体素子20Bよりも外側の領域に比べて少ないため、封止樹脂50に加わる応力が緩和されない。このため、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域の中でも、封止樹脂50の横方向の幅が狭い下側の電極10との接合面において、剥離が生じる場合がある。剥離は、図2A及び図2Bに矢印Aで示すように、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間に生じる。このように封止樹脂50が剥離すると、電極10と半導体素子20A、20Bとの接合面に応力がかかり、電極10と半導体素子20A、20Bとの電気的な接続が損傷を受け、半導体装置1の動作不良や破損が生じる場合があった。また、封止樹脂50を熱硬化させる段階において剥離が生じなくても、半導体装置1を繰り返し使用する段階において半導体素子20A、20Bの発熱による加熱と冷却が繰り返されることにより、封止樹脂50の剥離が進行する場合もあった。このような封止樹脂50の剥離は、半導体素子20A、20Bの大型化や、半導体装置1の小型化により、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の間隔が狭くなることによって顕著になる傾向にある。従って、以下で説明する実施の形態1乃至9では、上述のような問題を解決した半導体装置を提供する。<実施の形態1>図3は、実施の形態1の半導体装置を含む電源回路によって駆動される電動機を含む駆動システムを示す図である。駆動システム90は、電動機91、電源回路92、駆動制御部93、HVECUHybridVehicleElectronicControlUnit94、及びレゾルバ95を含み、例えば、ハイブリッド車HybridVehicleに用いられる。電動機91は、車両に搭載されるモータジェネレータMGであって、電源回路92に含まれるバッテリ96から電力が供給されるときはモータとして機能し、図示されていないエンジンによる駆動時、あるいは車両の制動時には発電機として機能する三相同期型回転電機である。ここでは、電動機91として、1台でモータの機能と発電機の機能とを有するモータジェネレータを用いる形態について説明するが、これは例示であって、モータの機能のみを有する回転電機を1台、発電機の機能のみを有する回転電機を1台用いるものとしてもよい。また、モータジェネレータを複数用いてもよい。モータジェネレータを複数用いる場合は、いずれか1つの電動機91をバッテリ96の充電のための発電機、いずれか他の電動機91を主として動力を発生する駆動モータとして用いてもよい。電源回路92は、バッテリ96、平滑キャパシタ97A、昇降圧コンバータ98、平滑キャパシタ97B、及びインバータ99を含む。バッテリ96は、充放電可能な二次電池である。バッテリ96としては、例えば、約200Vから約300Vの端子電圧を有するリチウムイオン組電池あるいはニッケル水素組電池、又はキャパシタ等を用いることができる。平滑キャパシタ97Aは、バッテリ96と昇降圧コンバータ98との間に設けられ、電源回路92内におけるバッテリ96側の電圧変動を抑制する。昇降圧コンバータ98は、リアクトルと、複数のスイッチング素子を含み、電源回路92内におけるバッテリ96側の電圧を昇圧してインバータ99側に出力するとともに、インバータ99側の電圧を降圧してバッテリ96側に出力する。昇降圧コンバータ98は、例えば、バッテリ96側の約200Vから約300V程度の電圧を、リアクトルのエネルギ蓄積作用を利用して、例えば約600Vの高電圧に昇圧する。また、昇降圧コンバータ98は、インバータ99側からの電力をバッテリ96側に充電電力として供給するときには、インバータ99側の電圧を降圧してバッテリ96側に出力する。平滑キャパシタ97Bは、昇降圧コンバータ98とインバータ99の間に設けられ、電源回路92内におけるインバータ99側の電圧変動を抑制する。インバータ99は、直流電力を交流三相駆動電力に変換して電動機91に供給するとともに、電動機91で回生された交流三相回生電力を直流電力に変換してバッテリ96に供給する。インバータ99は、2つのスイッチング素子が直列に接続され、さらに各スイッチング素子にそれぞれダイオードが並列に接続されるアームを三相分有する。各アームの中点は、電動機91の三相巻線91u、91v、91wに接続される。なお、インバータ99の入力電圧及び出力電圧の電圧値を表す信号は、駆動制御部93に入力される。インバータ99の各アームに含まれる2つのスイッチング素子と2つのダイオードは、実施の形態1の半導体装置に含まれる半導体素子である。スイッチング素子は、例えばIGBTであり、ダイオードは例えばFWDである。実施の形態1の半導体装置は、電力の供給及び回生を行うパワーカードとして、インバータ99の各アームに用いられている。駆動制御部93は、電源回路92のインバータ99の駆動制御を行うことにより、電動機91の駆動制御を行う装置である。駆動制御部93は、例えば、正弦波制御モード、過変調制御モード、又は矩形波制御モードによる電圧指令を生成し、インバータ99を介して電動機91の駆動制御を行う。駆動制御部93は、例えばECUによって構成される。HVECU94は、スロットルポジションセンサに接続されており、車両の運転者がスロットルを踏み込む度合いに応じたトルク指令値を出力する。トルク指令値は、電動機91に要求されるトルクを表す。HVECU94が出力するトルク指令値は、駆動制御部93に入力される。レゾルバ95は、電動機91の回転軸の回転数を検出する回転数検出部の一例である。レゾルバ95によって検出される電動機91の回転数を表す信号は、駆動制御部93に入力される。図4Aは、実施の形態1の半導体装置の斜視分解図である。図4Bは、実施の形態1の半導体装置の内部構造を示す斜視図である。図4Cは、実施の形態1の半導体装置を示す斜視図である。図5は、実施の形態1の半導体装置の断面図である。実施の形態1の半導体装置100は、電極10、半導体素子20A、20B、スペーサ130、電極40、及び封止樹脂150を含む。実施の形態1の半導体装置100の構成要素のうち、比較例の半導体装置1の構成要素と同一又は同等の構成要素には同一符号を付して説明する。分かり易さのために、図4A及び図4Bでは封止樹脂150を省略してある。図4Bと図4Cの違いは、封止樹脂150の有無である。すなわち、図4Bに示す電極10、半導体素子20A、20B、スペーサ130、電極40を封止樹脂150で封止すると、図4Cに示す半導体装置100が得られる。図5は、図4Cに破線で示す平面Aで切断した断面を示しており、半導体装置100の長手方向に平行な中心軸に沿って厚さ方向に切断した場合に得られる断面を示す。ここでは、半導体素子20AがIGBTであり、半導体素子20BがFWDである形態について説明する。半導体素子20A、20Bを含む半導体装置100は、図3に示すインバータ99に含まれる。電極10は、半導体素子20A、20Bを駆動するための電極として機能するとともに、半導体素子20A、20Bが発生する熱を放射する放熱板として機能する。電極10は、例えば、銅又は銅合金で構成される。電極10は、第1金属板の一例である。電極10の上面には半導体素子20A、20Bが接続される。半導体素子20Aの下面には、IGBTのコレクタがある。半導体素子20Aのコレクタは、例えば、半田によって電極10の上面に接続される。また、半導体素子20Bの下面には、FWDのカソードがある。半導体素子20Bのカソードは、例えば、半田によって電極10の上面に接続される。また、図4Aに示すように、電極10にはバスバー11が接続されている。電極10は、バスバー11を介して、電動機91又は平滑キャパシタ97B等図3参照に接続されている。半導体素子20Aの上面にある端子21A、21B、21C、21Dは、それぞれ、ボンディングワイヤ61A、61B、61C、61Dによって制御端子62A、62B、62C、62Dに接続されている。制御端子62A~62Dは図示しないリードフレームによって固定されており、図4Cに示すように封止樹脂150によって封止された後に、リードフレームが切除される。制御端子62A~62Dは、電極10とは絶縁されている。制御端子62A~62Dのうちの少なくとも1つはIGBTのゲートに接続されている。制御端子62A~62Dは、半導体素子20Aの駆動制御を行う制御信号の入力等に用いられる。なお、ボンディングワイヤ61A~61Dは、例えば、アルミニウム合金、又は、高純度のアルミニウムで構成される。制御端子62A~62Dは、例えば、銅又は銅合金で構成される。半導体素子20Aの上面には、端子21A~21Dに加えて、IGBTのエミッタ21Eがある。エミッタ21Eは、スペーサ130の第1部分130Aに接続される。エミッタ21Eと第1部分130Aとは、例えば、半田によって接続される。半導体素子20Bの上面には、FWDのアノード22Aがある。アノード22Aは、スペーサ130の第2部分130Bが接続される。アノード22Aと第2部分130Bとは、例えば、半田によって接続される。半導体素子20Aのエミッタ21Eと、半導体素子20Bのアノード22Aは、スペーサ130によって互いに接続されるとともに、スペーサ130を介して電極40に接続される。図4A及び図5に示すように、スペーサ130は、第1部分130A、第2部分130B、及び連結部分130Cを有する。なお、図4Bでは、スペーサ130は電極40の陰にあるため見えていない。図5では、スペーサ130は封止樹脂150によって覆われている。連結部分130Cは、第1部分130Aと第2部分130Bの間を連結している。連結部分130Cの厚さは、第1部分130A及び第2部分130Bの厚さよりも薄く、連結部分130Cの上面は、第1部分130A及び第2部分130Bの上面と同一面を構成している。このため、スペーサ130は、連結部分130Cの底面側に、第1部分130Aと第2部分130Bの間に位置する凹部130Dを有する。第1部分130Aは、半導体素子20Aと電極40との間に配設され、半導体素子20Aの上面にあるエミッタ21Eと電極40とを接続している。第2部分130Bは、半導体素子20Bと電極40との間に配設され、半導体素子20Bの上面にあるアノード22Aと電極40とを接続している。スペーサ130は、例えば、電極40と同様に、銅又は銅合金で構成される。なお、第1部分130Aと第2部分130Bとは、それぞれ、平面視において半導体素子20A、20Bよりも小さい。電極40は、スペーサ130を介して、半導体素子20Aの上面にあるエミッタ21Eと、半導体素子20Bの上面にあるアノード22Aとに接続されており、半導体素子20A、20Bを駆動するための電極として機能するとともに、半導体素子20A、20Bが発生する熱を放射する放熱板として機能する。電極40は、例えば、銅又は銅合金で構成される。電極40には、バスバー41が接続されている。電極40は、バスバー41を介して、電動機91又は平滑キャパシタ97Bに接続されている。電極40は、第2金属板の一例である。図4C及び図5に示すように、封止樹脂150は、電極10と電極40との間において、半導体素子20A、20B、及びスペーサ130Bを封止する樹脂である。封止樹脂150は、電極10、40の側面も覆う。封止樹脂150は熱硬化性の樹脂で構成される。封止樹脂150は、例えば、エポキシ樹脂で構成され、ガラス繊維等が混入されていてもよい。封止樹脂150は、例えば、80°C~200°C程度まで加熱されて硬化され、その後に冷却される。半導体素子20A、20B、及びスペーサ130は、電極10と電極40との間で、封止樹脂150によって封止されており、封止樹脂150は、電極10及び電極40と密着している。図4Cには、説明の便宜上、封止樹脂150から電極40の上面が表出するとともに、バスバー41及び制御端子62A~62Dが延出する状態を示すが、封止樹脂150からは電極10の下面が表出するとともに、バスバー11も延出する。図6は、実施の形態1の半導体装置100の等価回路を示す図である。IGBTで構成される半導体素子20Aのコレクタは、電極10図5参照を介して、FWDで構成される半導体素子20Bのカソードに接続され、IGBTで構成される半導体素子20Aのエミッタは、スペーサ130図5参照を介して、FWDで構成される半導体素子20Bのアノードに接続されている。IGBTで構成される半導体素子20Aのゲートは、ボンディングワイヤ61A~61D及び制御端子62A~62Dのうちの少なくとも一組を介して、駆動制御部30図3参照に接続される。半導体装置100の半導体素子20Aは、駆動制御部30からゲートに入力される制御信号によってオン/オフが行われる。半導体素子20Bには、半導体素子20Aがオフの時に、電流が流れる。次に、実施の形態1の半導体装置100の製造方法について説明する。図7乃至図11は、実施の形態1の半導体装置100の製造工程を示す図である。まず、電極10、半田箔71A、71B、半導体素子20A、20B、半田箔72A、72B、スペーサ130、半田箔73A、73B、及び制御端子62A~62Dの位置合わせを行う。位置合わせには、周知の治具を用いればよい。なお、電極10にはバスバー11が接続されている。半田箔71A、71B、72A、72B、73A、73Bは、例えば、錫と銀を含むAnAg半田、又は、錫と銅を含むSnCu半田等の材料を圧延することにより、シート状にした半田である。半田箔71Aは、電極10と半導体素子20Aとの間に配設される。半田箔71Bは、電極10と半導体素子20Bとの間に配設される。半田箔72Aは、半導体素子20Aとスペーサ130の第1部分130Aとの間に配設される。半田箔72Bは、半導体素子20Bとスペーサ130の第2部分130Bとの間に配設される。半田箔73Aは、スペーサ130の第1部分130Aの上に配設される。半田箔73Bは、スペーサ130の第2部分130Bの上に配設される。なお、電極10、40、及びスペーサ130の表面には、ニッケルメッキ等が施されていてもよい。また、電極10、40、及びスペーサ130の表面のうち、半田箔71A、71B、72A、72B、73A、73Bと接する部分には、濡れ性をよくするために金メッキを施してもよい。図7に示すように位置合わせを行った状態で、半田箔71A、71B、72A、72B、73A、73Bを溶融させることにより、電極10、半導体素子20A、20B、及びスペーサ130を接続する。次に、図8に示すように、半導体素子20Aの端子21A~21Dと、制御端子62A~62Dとをそれぞれボンディングワイヤ61A~61Dで接続する。なお、半田箔73A、73Bは、図7に示す工程において溶融してスペーサ130の上面に固着しているため、図8では半田箔73A、73Bの図示を省略する。また、半田箔71A、71B、72A、72Bは、それぞれ、電極10、半導体素子20A、20B、及びスペーサ130の間を固着しているため、図8では図示を省略する。次に、図9に示すように、電極40の位置合わせを行い、スペーサ130の上面に固着している半田半田箔73A、73Bが溶融して固着した半田を溶融させて、スペーサ130の上面に電極40を接合する。電極40にはバスバー41が接続されている。これにより、電極10、半導体素子20A、20B、スペーサ130、及び電極40は接合され、図10に示す状態が完成する。図10に示すように接合した電極10、半導体素子20A、20B、スペーサ130、及び電極40は、封止樹脂150で封止する前に、ポリアミド又はポリイミド等を有機溶媒に溶解させた溶液に含浸させることにより、表面にポリアミド又はポリイミド等の被膜をコーティングする。これは、電極10、半導体素子20A、20B、スペーサ130、及び電極40の表面に封止樹脂150が密着しやすくするためである。最後に、電極10、半導体素子20A、20B、スペーサ130、電極40、バスバー11、41、及び制御端子62A~62Dを封止樹脂150で封止する。封止樹脂150による封止は、封止樹脂150に熱硬化処理を行うことによって行われる。熱硬化処理では、図10に示す半導体素子20A、20B、スペーサ130、電極40、バスバー11、41、及び制御端子62A~62Dを加熱した金型に入れ、熱硬化樹脂を加熱しながら金型内に流し込み、金型内の熱硬化樹脂に補圧を与えるとともに加熱を行うことにより、熱硬化樹脂の硬化反応を促進させる。熱硬化樹脂の加熱は、例えば、80°C~200°C程度の温度で行い、その後に冷却することにより、図11に示す封止樹脂150が得られる。封止樹脂150は、電極10の側面、半導体素子20A、20B、スペーサ130、電極40の側面を封止する。また、封止樹脂150からは、電極10の下面、電極40の上面、バスバー11、41、及び制御端子62A~62Dの外側の一部が露出する。以上のような実施の形態1の半導体装置100は、図5に示すように、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域では、スペーサ130の連結部分130Cがあるため、比較例の半導体装置1図1参照の封止樹脂50に比べて、封止樹脂150の厚さD1が薄くなっている。換言すれば、実施の形態1の半導体装置100は、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域では、スペーサ130の連結部分130Cがあるため、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間における封止樹脂150の厚さD1は、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間以外の部位における封止樹脂150の厚さよりも薄くされている。このため、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域における封止樹脂150の収縮量が減り、封止樹脂150にかかる応力が低減される。すなわち、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域において封止樹脂150の収縮によって生じる応力は、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間以外の部位において封止樹脂150の収縮によって生じる応力よりも緩和されている。従って、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域において、封止樹脂150が電極10から剥離することを抑制できる。また、封止樹脂150の剥離が抑制されることにより、電極10と半導体素子20A、20Bとの良好な接続状態を保持できる。この結果、実施の形態1によれば、封止樹脂150の剥離を抑制することにより、半導体素子20A、20Bと電極10との疲労破断を抑制した半導体装置100を提供できる。なお、ここで、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域とは、平面視において、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間に位置する領域である。また、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間以外の部位領域とは、平面視において、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間以外の部位領域である。また、実施の形態1によれば、封止樹脂150を熱硬化させる段階での剥離を抑制できるだけでなく、半導体装置100を繰り返し使用する段階において半導体素子20A、20Bの発熱による加熱と冷却が繰り返されても、封止樹脂150の剥離を抑制できる半導体装置100を提供することができる。また、実施の形態1の半導体装置100によれば、スペーサ130は、連結部分130Cを有する分だけ、比較例の半導体装置1のスペーサ30A、30Bよりも大きい。このため、スペーサ130の熱容量が大きくなり、半導体素子20A、20Bが発生する熱を過渡的に吸収し、半導体素子20A、20Bの冷却性能を向上させることができる。特に、半導体装置100がハイブリッド車に搭載される場合は、電動機10の駆動及び回生の度に、インバータ99は高温に晒される。このような状況では、冷却性能の改善された実施の形態1の半導体装置100を用いることは、非常に有益である。また、実施の形態1の半導体装置100は、スペーサ130が連結部分130Cを有することにより、比較例の半導体装置1よりも、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の接続経路が短くなる。このため、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間における抵抗成分の抵抗値、寄生インダクタンスが低減し、発熱量の低減や、スイッチングに伴って発生するサージ電圧が低減される。また、スペーサ130と電極40との間は、半田箔73A、73B図7参照によって第1部分130A及び第2部分130Bと電極40との間が接続されている。すなわち、スペーサ130の連結部分130Cと電極40との間は半田によって接続されていないため、連結部分130Cは電極10の方向に変形可能である。このため、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の封止樹脂150に収縮による応力が生じても、連結部分130Cが撓むことにより、封止樹脂150の応力を吸収できる。なお、半田箔73A、73Bによってスペーサ130と電極40を接合しても、連結部分130Cと電極40は密着しているため、封止樹脂150がスペーサ130と電極40の間に進入することはない。また、スペーサ130の連結部分130Cの厚さは、連結部分130Cと電極10との間に位置する封止樹脂150に剥離が生じないように、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の距離や、封止樹脂150を構成する熱硬化樹脂の種類等に応じて設定すればよい。以上では、スペーサ130の第1部分130A及び第2部分130Bと電極40との間を半田箔73A、73Bで接合する形態について説明したが、スペーサ130の上面全体と電極40との間を半田箔で接合してもよい。すなわち、スペーサ130の第1部分130A、第2部分130B、及び連結部分130Cの上面全体と電極40との間を半田箔で接合してもよい。この場合でも、連結部分130Cと電極10との間の封止樹脂150の厚さは、比較例の半導体装置1図1参照の半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域におけるスペーサ30と電極10との間の封止樹脂50図1参照の厚さよりも薄くなるため、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域において、封止樹脂150が電極10から剥離することを抑制できる。また、封止樹脂150の剥離が抑制されることにより、電極10と半導体素子20A、20Bとの良好な接続状態を保持できる。この結果、実施の形態1によれば、封止樹脂150の剥離を抑制することにより、半導体素子20A、20Bと電極10との疲労破断を抑制した半導体装置100を提供できる。なお、以上では、半導体装置100が2つの半導体素子20A、20Bを含み、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域における封止樹脂150の厚さを薄くする形態について説明した。しかしながら、半導体装置100は、3つ以上の半導体素子を含んでもよい。このような場合には、半導体素子同士の間の領域にスペーサ130の連結部130Cを位置させることにより、封止樹脂150の厚さが薄くなるようにすればよい。これにより、半導体素子同士の間において電極10から封止樹脂150が剥離することを抑制できる。なお、以上では、第1金属板の一例としての電極10と、第2金属板の一例としての電極40がX軸方向及びY軸方向において封止樹脂150の内側に位置する形態について説明したが、電極10及び/又は電極40は、X軸方向及び/又はY軸方向において、封止樹脂から突出していてもよい。この場合において、電極10及び/又は電極40の封止樹脂150よりも突出する部分を、例えば、リードとして用いてもよい。<実施の形態2>図12Aは、実施の形態2の半導体装置の断面図であり、図12Bは、実施の形態2の半導体装置のスペーサを示す斜視図である。実施の形態2の半導体装置200は、スペーサ230の構成が実施の形態1の半導体装置100と異なる。実施の形態2の半導体装置200のその他の構成は、実施の形態1の半導体装置100と同様であるため、同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。スペーサ230は、凹部230Dを有すること以外は、実施の形態1のスペーサ130と同様であり、同一の寸法を有する。図12Aに示す断面は、図5に示す断面に対応しており、半導体装置200の長手方向に平行な中心軸に沿って厚さ方向に切断した場合に得られる断面を表す。実施の形態2の半導体装置200は、電極10、半導体素子20A、20B、スペーサ230、電極40、及び封止樹脂150を含む。スペーサ230は、第1部分230A、第2部分230B、及び連結部分230Cを有する。第1部分230A及び第2部分230Bは、実施の形態1のスペーサ130の第1部分130A及び第2部分130Bと同一である。連結部分230Cには、上面側の中央部に凹部230Dが形成されている。凹部230Dは、平面視において、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間に位置する。スペーサ230の上面には、図示しない半田箔により、電極40が接合される。スペーサ230と電極40との接合は、実施の形態1のスペーサ130と同様に、第1部分230A及び第2部分230Bの上面と電極40との間のみを半田箔で接合する。これは、図7に示すように、実施の形態1において、第1部分130A及び第2部分130Bと電極40との間を半田箔73A、73Bで接合したことと同様である。このため、連結部分230Cは、連結部分230Cと電極10との間の封止樹脂150に応力が生じた場合には、凹部230Dが形成されて薄くなっている分だけ、実施の形態1のスペーサ130の連結部分130Cよりも撓み易くなっている。従って、封止樹脂150の収縮によって半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の封止樹脂150に応力が生じた場合でも、連結部分230Cが撓むことによって応力が緩和され、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間において封止樹脂50が電極10から剥離することを抑制できる。なお、半田箔によって電極40と接合された後のスペーサ230の凹部230Dは、スペーサ230と電極40とによって囲まれた空間になるため、封止樹脂150は侵入しない。以上、実施の形態2によれば、スペーサ230の連結部分230Cの上面側に凹部230Dを設けることにより、連結部分230Cを実施の形態1のスペーサ130の連結部分130Cよりも撓み易くすることができる。従って、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域において封止樹脂150の収縮によって生じる応力は、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間以外の部位において封止樹脂150の収縮によって生じる応力よりも緩和される。この結果、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間において封止樹脂150が電極10から剥離することを抑制できる。<実施の形態3>図13Aは、実施の形態3の半導体装置の断面図であり、図13Bは、実施の形態3の電極の斜視分解図である。なお、図13Bでは、封止樹脂450及び半田箔を省略する。また、図13Bでは、制御端子62A~62D、及びバスバー11、41図4A参照を省略する。実施の形態3の半導体装置400は、スペーサ330A、330B、及び電極440の構成が実施の形態1の半導体装置100のスペーサ130及び電極40の構成と異なる。また、これに伴い、封止樹脂450の構成が、実施の形態1の半導体装置100の封止樹脂150の構成と異なる。その他の構成は、実施の形態1の半導体装置100の構成と同様であるため、同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。ここで、図13Bに示すようにXYZ座標を定義する。X軸は半導体装置400、電極10、及び電極440の長手方向に平行であり、Y軸は半導体装置400、電極10、及び電極440の短手方向に平行であり、Z軸は半導体装置400、電極10、及び電極440の厚さ方向に平行である。図13Bの斜視分解図は、実施の形態1の図4Aに対応する斜視分解図である。図13Aに示す断面図は、実施の形態3の半導体装置400の長手方向X軸方向の中心軸を通る平面で厚さ方向に切断して得られる断面を示す図である。実施の形態3の半導体装置400は、電極10、半導体素子20A、20B、スペーサ330A、330B、電極440、及び封止樹脂450を含む。スペーサ330A、330Bは、実施の形態1のスペーサ130から連結部分130Cを取り除いた部分であり、それぞれ、第1部分130A、第2部分130Bに対応する。すなわち、実施の形態3の半導体装置400のスペーサ330A、330Bは、互いに分離されている。スペーサ330Aは、実施の形態1の第1部分130Aと同様に、半導体素子20Aの上面に半田箔によって接合される。スペーサ330Bは、実施の形態1の第2部分130Bと同様に、半導体素子20Bの上面に半田箔によって接合される。また、スペーサ330A、330Bの上面は、図示しない半田箔により、電極440に接合される。スペーサ330Aは、第1部分の一例であり、スペーサ330Bは、第2部分の一例である。電極440は、平面視において、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間に位置する部分に、凹部440Aを有する。凹部440Aは、電極440の短手方向Y軸方向の一端から他端まで形成されている。電極440の薄部440Bは、凹部440Aによって厚さが薄くされている部分である。封止樹脂450は、スペーサ330Aとスペーサ330Bとの間の領域において、電極10と電極440との間に形成されること以外は、実施の形態1の封止樹脂150と同様である。実施の形態3の半導体装置400において、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域における封止樹脂450の厚さD4は、比較例の半導体装置1の半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域における封止樹脂50の厚さと同一である。しかしながら、電極440は、平面視で半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域の内部に位置する薄部440Bを有する。薄部440Bの深さは、例えば、電極440の薄部440B以外の部分における厚さの半分である。このため、電極440は、薄部440Bにおいて撓み易い。従って、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域において、封止樹脂450の収縮に伴って、電極10と封止樹脂450の間、又は、電極440と封止樹脂450との間に応力が発生した場合には、電極440の薄部440Bが撓むことにより、封止樹脂450に生じた応力が緩和される。従って、封止樹脂450の収縮によって半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の封止樹脂450に応力が生じた場合でも、薄部440Bが撓むことによって応力が緩和される。すなわち、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域において封止樹脂450の収縮による応力は、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間以外の領域において封止樹脂450の収縮による応力よりも緩和される。この結果、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間において封止樹脂450が電極10から剥離することを抑制できる。以上より、実施の形態3によれば、電極10と半導体素子20A及び20Bとの良好な接合状態を維持できる。この結果、実施の形態3によれば、半導体素子20A、20Bと電極10との疲労破断を抑制した半導体装置400を提供することができる。なお、凹部440Aの幅及び深さ、又は、薄部440Bの幅及び厚さは、半導体素子20A及び20Bとの位置関係等に応じて設定すればよい。以上では、凹部440Aが電極440の上面側に形成される形態について説明したが、凹部440Aは、電極440の下面側封止樹脂450と接する側に形成されていてもよく、また、電極440の上面及び下面の両方に形成されていてもよい。また、凹部440Aには、電極440を構成する材料例えば、銅又は銅合金よりも剛性の低い金属が充填されていてもよい。電極440を構成する材料よりも剛性の低い金属としては、例えば、アルミニウム、錫、インジウム、又は、これらの金属を含む合金等を用いることができる。凹部440Aにこのような金属を充填すれば、電極440の放熱性をさらに向上させることができる。なお、以上では、半導体装置400が2つの半導体素子20A、20Bを含み、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域において、電極440に薄部440Bを設ける形態について説明した。しかしながら、半導体装置400は、3つ以上の半導体素子を含んでもよい。このような場合には、半導体素子同士の間の領域に薄部440Bを位置させることにより、封止樹脂450の応力を緩和するようにすればよい。これにより、半導体素子同士の間において電極10から封止樹脂450が剥離することを抑制できる。なお、凹部440Aは図13Bにおける短手方向Y軸方向において、電極440の一端から他端まで形成されている必要はない。電極440は、凹部440Aのどちらか一端、又は、両端が電極440の端部まで達していない形状であってもよい。<実施の形態4>図14Aは、実施の形態4の半導体装置の断面図であり、図14Bは、実施の形態4の電極の斜視分解図である。図14Cは、図14Bに示す実施の形態4の電極を天地反転させて示す図である。なお、図14B及び図14Cでは、封止樹脂550及び半田箔を省略する。また、図14B及び図14Cでは、制御端子62A~62D、及びバスバー11、41図4A参照を省略する。実施の形態4の半導体装置500は、電極540の構成が実施の形態3の半導体装置400の電極440の構成と異なる。その他の構成は、実施の形態3の半導体装置400の構成と同様であるため、同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。図14Bの斜視分解図は、実施の形態1の図4Aに対応する斜視分解図である。図14Aに示す断面図は、実施の形態4の半導体装置500の長手方向X軸方向の中心軸を通る平面で厚さ方向に切断して得られる断面を示す図である。実施の形態4の半導体装置500は、電極10、半導体素子20A、20B、スペーサ330A、330B、電極540、封止樹脂550、及び応力緩和部560を含む。ここで、図14A乃至図14Cに示すようにXYZ座標を定義する。X軸は半導体装置500、電極10、及び電極540の長手方向に平行であり、Y軸は半導体装置500、電極10、及び電極540の短手方向に平行であり、Z軸は半導体装置500、電極10、及び電極540の厚さ方向に平行である。図14Aに示すように、電極540は上面541と下面542を有する。図14Cは、図14Bに示す電極540を天地逆にして示すため、図14Bには電極540の上面541を示し、図14Cには電極540の下面542を示す。図14B及び図14Cに示すように、実施の形態4の半導体装置500の電極540は、下面542から凹む凹部540Aを有する。凹部540Aは、図14Cに示すように、電極540の下面542の中央部に形成されている。凹部540Aは、電極540とスペーサ330A、330Bを接合した状態において、平面視において、スペーサ330Aとスペーサ330Bとの間に位置するように形成されている。すなわち、凹部540Aは、半導体装置500が完成した状態において、平面視で、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間に位置する。なお、凹部540Aの深さは、例えば、電極540の深さの半分である。凹部540Aによって厚さが薄くされた部分は、薄部540Bである。薄部540Bの厚さは、電極540の厚さから凹部540Aの深さを引いた厚さである。このため、凹部540Aの深さが電極540の厚さの半分である場合は、薄部540Bの厚さは、電極540の厚さの半分である。電極540の凹部540Aには、図14Aに示すように、応力緩和部560が配設される。応力緩和部560は、電極40又はスペーサ330A、330Bよりも十分に弾性率が低い材料であればよく、例えば、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、又はゴム系樹脂等の応力緩和材で作製することができる。応力緩和部560は、例えば、電極540の凹部540Aを上側に向けた状態で、凹部540A内に応力緩和材を塗布又は流し込むことによって形成すればよい。なお、応力緩和部560は、封止樹脂550よりも弾性率が低い材料であってもよい。応力緩和部560は、封止樹脂550が収縮して封止樹脂550と応力緩和部560との間に応力が生じたときに、弾性変形することによって封止樹脂550に生じた応力を緩和する部材である。封止樹脂550は、スペーサ330Aとスペーサ330Bとの間の領域において、電極10と応力緩和部560との間に形成されること以外は、実施の形態3の封止樹脂450と同様である。実施の形態4の半導体装置500において、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域における封止樹脂550の厚さD5は、比較例の半導体装置1の半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域における封止樹脂50の厚さと略同一である。しかしながら、電極540は、平面視で半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域の内部に位置する凹部540Aを有する。電極540の下面542に形成される凹部540A内には、応力緩和部560が形成される。応力緩和部560は、封止樹脂550が収縮して封止樹脂550と応力緩和部560との間に応力が生じたときに、弾性変形することによって封止樹脂550に生じた応力を緩和する。また、電極540は、平面視で半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域の内部に位置する薄部540Bを有する。薄部540Bの深さは、例えば、電極540の薄部540B以外の部分における厚さの半分である。このため、電極540は、薄部540Bにおいて撓み易い。従って、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域において、封止樹脂550の収縮に伴って、電極10と封止樹脂550の間、又は、応力緩和部560と封止樹脂550との間に応力が発生した場合には、封止樹脂550に生じた応力が緩和される。すなわち、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域において封止樹脂550の収縮によって生じる応力は、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間以外の領域において封止樹脂550の収縮によって生じる応力よりも緩和される。また、これに加えて、上述のような応力が封止樹脂550に生じた場合には、電極540の薄部540Bが撓むことにより、応力が緩和される。このため、封止樹脂550の収縮によって半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の封止樹脂550に応力が生じた場合でも、応力緩和部560が封止樹脂550に生じた応力を緩和する。また、これに加えて、薄部540Bが撓むことによっても応力が緩和される。従って、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間において封止樹脂550が電極10から剥離することを抑制できる。以上より、実施の形態4によれば、電極10と半導体素子20A及び20Bとの良好な接合状態を維持できる。この結果、実施の形態4によれば、半導体素子20A、20Bと電極10との疲労破断を抑制した半導体装置500を提供することができる。なお、応力緩和部560の幅、深さ、及び弾性率は、封止樹脂550に生じうる応力との関係に応じて設定すればよい。また、凹部540Aの幅及び深さ、又は、薄部540Bの幅及び厚さは、半導体素子20A及び20Bとの位置関係等に応じて設定すればよい。以上では、応力緩和部560が電極540の下面542の中央部に形成される1つの凹部540A内に配設される形態について説明したが、凹部540Aは、複数の溝状の凹部であってもよく、又は、マトリクス状に配列される複数の穴部であってもよい。なお、以上では、半導体装置500が2つの半導体素子20A、20Bを含み、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域における封止樹脂550と電極540との間に応力緩和部560を配設する形態について説明した。しかしながら、半導体装置500は、3つ以上の半導体素子を含んでもよい。このような場合には、半導体素子同士の間の領域に応力緩和部560を位置させることにより、封止樹脂550の応力を緩和するようにすればよい。これにより、半導体素子同士の間において電極10から封止樹脂550が剥離することを抑制できる。図14Dは、実施の形態4の第1変形例の半導体装置を示す断面図である。実施の形態4の第1変形例の半導体装置は、図14A及び図14Bに示す凹部540Aと応力緩和部560の構成を変形したものである。図14D及び図14Eでは、図14A乃至図14Cと同様に、XYZ座標を定義する。図14Eは、図14Dに示す実施の形態4の第1変形例の半導体装置500Aの電極543を天地を逆にして示す図である。図14Dに示す実施の形態4の第1変形例の半導体装置500Aは、電極10、半導体素子20A、20B、スペーサ330A、330B、電極543、封止樹脂550、及び応力緩和部561を含む。図14Dには、応力緩和部561を示すが、図14Eには応力緩和部561を形成する前の状態の電極543を示す。実施の形態4の第1変形例の半導体装置500Aは、実施の形態4の半導体装置500の電極540及び応力緩和部560を電極543及び応力緩和部561に入れ替えたものである。電極543は、上面544及び下面545を有する。電極543は、凹部543A及び薄部543Bを有する。凹部543A及び薄部543Bは、凹部540A及び薄部540B図14A及び図14B参照を変形したものである。凹部543Aは、電極543の下面545の中央部に形成された5本の溝状の凹部である。薄部543Bは、5本の凹部543Aによって部分的かつ周期的に電極543の厚さが薄くされている部分である。応力緩和部561は、図14Dに示すように、5本の溝状の凹部543Aの各々の内部に形成されている。応力緩和部561は、実施の形態4の応力緩和部560と同様に、応力緩和材によって構成される。凹部543Aは、実施の形態4の凹部540Aよりも幅が細いため、応力緩和材を毛細管現象によって凹部540Aの内部に注入することができる。従って、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域において、封止樹脂550の収縮に伴って、電極10と封止樹脂550の間、又は、応力緩和部561と封止樹脂550との間に応力が発生した場合には、封止樹脂550に生じた応力が応力緩和部561によって緩和される。すなわち、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域において封止樹脂550の収縮によって生じる応力は、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間以外の領域において封止樹脂550の収縮によって生じる応力よりも緩和される。また、これに加えて、上述のような応力が封止樹脂550に生じた場合には、電極543の薄部543Bが撓むことにより、応力が緩和される。このため、封止樹脂550の収縮によって半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の封止樹脂550に応力が生じた場合でも、応力緩和部561が封止樹脂550に生じた応力を緩和する。また、これに加えて、薄部543Bが撓むことによっても応力が緩和される。従って、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間において封止樹脂550が電極10から剥離することを抑制できる。以上より、実施の形態4の第1変形例によれば、電極10と半導体素子20A及び20Bとの良好な接合状態を維持できる。この結果、実施の形態4の第1変形例によれば、半導体素子20A、20Bと電極10との疲労破断を抑制した半導体装置500Aを提供することができる。なお、溝部543Aは、例えば、ドリル加工等で形成すればよい。また、凹部543Aは、溝状ではなく、例えば、開口部が円形又は矩形の円筒型に凹んだ穴部であってもよい。このような凹部は、電極543の下面545にマトリクス状に形成されていてもよい。マトリクス状に配列される凹部は、例えば、ドリル加工によって形成すればよい。円形又は矩形の円筒型に凹んだ凹部は、毛細管減少によって応力緩和材を内部に注入するのが溝状の凹部543Aよりもさらに容易になる。なお、以上では、半導体装置500Aが2つの半導体素子20A、20Bを含み、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域における封止樹脂550と電極540との間に応力緩和部561を配設する形態について説明した。しかしながら、半導体装置500Aは、3つ以上の半導体素子を含んでもよい。このような場合には、半導体素子同士の間の領域に応力緩和部561を位置させることにより、封止樹脂550の応力を緩和するようにすればよい。これにより、半導体素子同士の間において電極10から封止樹脂550が剥離することを抑制できる。図14Fは、実施の形態4の第2変形例の半導体装置を示す断面図である。実施の形態4の第2変形例の半導体装置は、図14A及び図14Bに示す凹部540Aと応力緩和部560の構成を変形したものである。なお、図14F及び図14Gでは、図14A乃至図14Cと同様に、XYZ座標を定義する。図14Gは、図14Fに示す実施の形態4の第2変形例の半導体装置500Bの電極546を天地を逆にして示す図である。図14Fに示す実施の形態4の第2変形例の半導体装置500Bは、電極10、半導体素子20A、20B、スペーサ330A、330B、電極546、封止樹脂550、及び応力緩和部562を含む。実施の形態4の第2変形例の半導体装置500Bは、実施の形態4の半導体装置500の電極540及び応力緩和部560を電極546及び応力緩和部562に入れ替えたものである。図14Fには、応力緩和部562を示すが、図14Gには応力緩和部562を形成する前の状態の電極546を示す。電極546は、上面547及び下面548を有する。電極546は、下面548の中央部に凸部549を有する。凸部549は、平面視において、スペーサ330Aとスペーサ330Bとの間に位置する部分が下側に突出した部分である。凸部549は、X軸方向において、スペーサ330Aとスペーサ330Bとの間に収まる長さを有し、Y軸方向において、スペーサ330A、330Bと同一の長さを有する。また、凸部549の高さZ軸方向の長さは、例えば、スペーサ330A、330Bの高さの半分に設定されている。電極546は、凸部549の下面側に形成される凹部546Aを有する。凹部546Aは、電極546の下面548の中央部にある凸部549に、底面視においてマトリクス状に配列される凹部である。図14FにはX軸方向に配列される5つの凹部546Aを示すが、凹部546Aは、Y軸方向には3列配列される。図14Gには、凹部546Aの開口部の形状が四角形である形態を示すが、凹部546Aの開口部の形状は、円形、又は、その他の形状であってもよい。また、図14Gには、凹部546AがX軸方向に5列、Y軸方向に3列配列される形態を示すが、これは一例であり、凹部546Aの数は任意の数に設定できる。応力緩和部562は、マトリクス状に配列される複数の凹部546Aの各々の内部に形成されている。応力緩和部562は、実施の形態4の応力緩和部560と同様に、応力緩和材によって構成される。凹部546Aは、筒状にくり抜かれているため、応力緩和材を毛細管現象によって凹部546Aの内部に注入することができる。従って、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域において、封止樹脂550の収縮に伴って、電極10と封止樹脂550の間、又は、応力緩和部562と封止樹脂550との間に応力が発生した場合には、封止樹脂550に生じた応力が緩和される。すなわち、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域において封止樹脂550の収縮によって生じる応力は、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間以外の領域において封止樹脂550の収縮によって生じる応力よりも緩和される。また、電極546は、凸部549を有するため、凸部549と電極10との間における封止樹脂550の厚さD5Aは、電極10と電極550の間の距離よりも、凸部549の高さの分だけ薄くなっている。このため、封止樹脂550と電極10との間に生じる応力を緩和することができる。また、封止樹脂550の収縮によって半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の封止樹脂550に応力が生じた場合でも、応力緩和部562が封止樹脂550に生じた応力を緩和する。従って、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間において封止樹脂550が電極10から剥離することを抑制できる。以上より、実施の形態4の第2変形例によれば、電極10と半導体素子20A及び20Bとの良好な接合状態を維持できる。この結果、実施の形態4の第2変形例によれば、半導体素子20A、20Bと電極10との疲労破断を抑制した半導体装置500Bを提供することができる。なお、以上では、半導体装置500Bが2つの半導体素子20A、20Bを含み、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域における封止樹脂550と電極540との間に凸部549及び応力緩和部562を配設する形態について説明した。しかしながら、半導体装置500Bは、3つ以上の半導体素子を含んでもよい。このような場合には、半導体素子同士の間の領域に凸部549及び応力緩和部562を位置させることにより、封止樹脂550の応力を緩和するようにすればよい。これにより、半導体素子同士の間において電極10から封止樹脂550が剥離することを抑制できる。<実施の形態5>図15Aは、実施の形態5の半導体装置の断面図である。図15Bは、実施の形態5の半導体装置の剥離層を示す図である。図15A及び図15Bでは、図示するように、XYZ座標を定義する。図15Aに示す断面図は、実施の形態5の半導体装置600の長手方向X軸方向の中心軸を通る平面で厚さ方向に切断して得られる断面を示す図である。図15Bは、図15Aに示す半導体装置600の電極640を天地を逆にして示す図である。図15Aに示すように、実施の形態5の半導体装置600は、電極10、半導体素子20A、20B、スペーサ30A、30B、電極640、封止樹脂650、及び剥離膜660を含む。実施の形態5の半導体装置600は、実施の形態4の半導体装置500の応力緩和部560の代わりに、剥離膜660を設けたものである。なお、実施の形態5では、電極640の下面は、平坦になっている。その他の構成は、実施の形態4の半導体装置500の構成と同様であるため、同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。電極640は、平板状の電極であり、上面641及び下面642を有する。電極640の下面642は、スペーサ30A、30Bに接合されている。図15Bに示すように、剥離膜660は、電極640の下面642の中央部に形成される。剥離膜660は、X軸方向において、スペーサ30Aとスペーサ30Bとの間に位置し、Y軸方向において、スペーサ30A、30Bと同一の長さを有する。剥離膜660は、例えば、ゴム系樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂テフロン登録商標樹脂等の樹脂製の膜の他、例えば、金、ニッケル、銅等の金属膜であってもよい。また、剥離膜660として、粘着性があり非硬化性のグリス、油性のペースト、高粘性の液体を電極640の下面642の中央部に塗布又は形成してもよい。なお、樹脂製の膜は、電極640の下面642に塗布すればよく、金属膜は、電極640の下面642にスパッタリング法等で形成すればよい。また、剥離膜660を形成する部分には、ポリアミド又はポリイミド等の被膜をコーティングしなくてよい。剥離膜660は、スペーサ30Aとスペーサ30Bとの間の領域において、封止樹脂650と電極640との間にある程度の応力が生じた場合に、封止樹脂650を電極640から剥離させる。剥離膜660は、剥離誘発膜の一例である。電極10と半導体素子20A、20Bとは線膨張係数に差があるため、熱応力が生じるが、スペーサ30A、30Bと電極640とは、ともに銅又は銅合金で構成されるため、熱応力は生じない。このため、スペーサ30Aとスペーサ30Bとの間の領域において、電極640から封止樹脂650が剥離しても、半導体装置600に問題は生じない。従って、封止樹脂650と電極640との間にある程度の応力が生じた場合に、剥離膜660が封止樹脂650を電極640から剥離させることにより、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域において、電極10と封止樹脂650との間に生じる応力を緩和することができる。このように、実施の形態5によれば、電極640の下面642の中央部に剥離膜660を形成することにより、スペーサ30Aとスペーサ30Bとの間の領域において、電極640と封止樹脂650との間にある程度の応力が生じた場合に、剥離膜660で封止樹脂650を電極640から剥離させる。これにより、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域において封止樹脂650の収縮によって生じる応力は、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間以外のの領域において封止樹脂650の収縮によって生じる応力よりも緩和される。この結果、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間において封止樹脂650が電極10から剥離することを抑制できる。なお、電極640の下面642のうち、剥離膜660が形成されない部分は、封止樹脂650と密着されるため、半導体素子20A、20B、及びスペーサ30A、30Bは、封止樹脂650によって封止されている。以上より、実施の形態5によれば、電極10と半導体素子20A及び20Bとの良好な接合状態を維持できる。この結果、実施の形態5によれば、半導体素子20A、20Bと電極10との疲労破断を抑制した半導体装置600を提供することができる。なお、以上では、半導体装置600が2つの半導体素子20A、20Bを含み、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域における封止樹脂650と電極640との間に剥離膜660を配設する形態について説明した。しかしながら、半導体装置600は、3つ以上の半導体素子を含んでもよい。このような場合には、半導体素子同士の間の領域に剥離膜660を位置させることにより、封止樹脂650の応力を緩和するようにすればよい。これにより、半導体素子同士の間において電極10から封止樹脂650が剥離することを抑制できる。<実施の形態6>実施の形態6の半導体装置は、スペーサの構成が実施の形態1乃至6の半導体装置100乃至600と異なる。図16Aは、実施の形態6の半導体装置を示す断面図である。図16Bは、実施の形態6の半導体装置のスペーサを示す斜視図である。図16A及び図16Bでは、図示するように、XYZ座標を定義する。図16Aに示す断面図は、実施の形態6の半導体装置700の長手方向X軸方向の中心軸を通る平面で厚さ方向に切断して得られる断面を示す図である。実施の形態6の半導体装置700は、電極10、半導体素子20A、20B、スペーサ730A、730B、電極40、封止樹脂750、応力緩和部760を含む。実施の形態6の半導体装置700は、スペーサ730A、730B、封止樹脂750、及び応力緩和部760の構成が実施の形態1の半導体装置100と異なる。その他の構成要素は、実施の形態1の半導体装置100と同様であるため、同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。図16A及び図16Bに示すように、スペーサ730Aとスペーサ730Bは分離されている。スペーサ730Aは、基部731Aと突出部732Aを有する。スペーサ730Bは、基部731Bと突出部732Bを有する。スペーサ730Aの基部731Aは、実施の形態1の半導体装置100のスペーサ130の第1部分130A図5参照と同様である。突出部732Aは、基部731Aの上部からX軸プラス方向に突出している。実施の形態6のスペーサ730Aは、実施の形態1の第1部分130Aに突出部732Aを接合した形状を有する。基部731Aは第1部分の一例であり、突出部732Aは第1突出部の一例である。スペーサ730Bの基部731Bは、実施の形態1の半導体装置100のスペーサ130の第2部分130B図5参照と同様である。突出部732Bは、基部731Bの上部からX軸マイナス方向に突出している。実施の形態6のスペーサ730Bは、実施の形態1の第2部分130Bに突出部732Bを接合した形状を有する。基部731Bは第2部分の一例であり、突出部732Bは第2突出部の一例である。なお、実施の形態6のスペーサ730A、730Bの基部731A、731BのX軸方向の寸法は、実施の形態1のスペーサ130の第1部分130A、第2部分130BのX軸方向の寸法よりも長い。この詳細については図22を用いて後述する。スペーサ730Aの基部731Aは、半導体素子20Aの上面にあるエミッタに接続され、スペーサ730Bの基部731Bは、半導体素子20Bの上面にあるアノードに接続される。スペーサ730Aの突出部732Aの先端と、スペーサ730Bの突出部732Bの先端との間には間隔があり、突出部732Aの先端と、突出部732Bの先端との間には、応力緩和部760が配設されている。応力緩和部760は、電極40又はスペーサ730A、730Bよりも十分に弾性率が低い材料であればよく、例えば、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、又はゴム系樹脂等の応力緩和材で作製することができる。なお、応力緩和部760は、封止樹脂750よりも弾性率が低い材料であってもよい。応力緩和部760は、例えば、スペーサ730A、730Bをそれぞれ半導体素子20A、20Bの上面に接合し、さらに、スペーサ730A、730Bの上面に電極40を接合した状態で、突出部732Aと突出部732Bとの間に応力緩和材を塗布することによって形成される。なお、突出部732Aの先端と、突出部732Bの先端との間が毛細管現象が得られる程度に狭い場合は、毛細管現象を利用して、応力緩和部760を突出部732Aと突出部732Bとの間に形成してもよい。電極40は、スペーサ730A、730Bの上面に接合される。なお、スペーサ730A、730Bの上に電極40を接合する前に、応力緩和部760を形成してもよい。封止樹脂750は、電極10、半導体素子20A、20B、スペーサ730A、730B、電極40、及び応力緩和部760を封止する。封止樹脂750は、実施の形態1の封止樹脂150と同様に形成すればよい。次に、実施の形態6の半導体装置700の製造方法について説明する。図17乃至図21は、実施の形態6の半導体装置700の製造工程を示す図である。まず、電極10、半田箔71A、71B、半導体素子20A、20B、半田箔72A、72B、スペーサ730A、730B、半田箔73A、73B、及び制御端子62A~62Dの位置合わせを行う。位置合わせには、周知の治具を用いればよい。なお、電極10にはバスバー11が接続されている。半田箔71A、71B、72A、72B、73A、73Bは、例えば、錫と銀を含むAnAg半田、又は、錫と銅を含むSnCu半田等の材料を圧延することにより、シート状にした半田である。半田箔71Aは、電極10と半導体素子20Aとの間に配設される。半田箔71Bは、電極10と半導体素子20Bとの間に配設される。半田箔72Aは、半導体素子20Aとスペーサ730の基部731Aとの間に配設される。半田箔72Bは、半導体素子20Bとスペーサ730Bの基部731Bとの間に配設される。半田箔73Aは、スペーサ730Aの基部731Aの上に配設される。半田箔73Bは、スペーサ730Bの基部731Bの上に配設される。なお、電極10、40、及びスペーサ730A、730Bの表面には、ニッケルメッキ等が施されていてもよい。また、電極10、40、及びスペーサ730A、730Bの表面のうち、半田箔71A、71B、72A、72B、73A、73Bと接する部分には、濡れ性をよくするために金メッキを施してもよい。図17に示すように位置合わせを行った状態で、半田箔71A、71B、72A、72B、73A、73Bを溶融させることにより、電極10、半導体素子20A、20B、及びスペーサ730A、730Bを接続する。次に、図18に示すように、半導体素子20Aの端子21A~21Dと、制御端子62A~62Dとをそれぞれボンディングワイヤ61A~61Dで接続する。なお、半田箔73A、73Bは、図17に示す工程において溶融してスペーサ730A、730Bの上面に固着しているため、図18では半田箔73A、73Bの図示を省略する。また、半田箔71A、71B、72A、72Bは、それぞれ、電極10、半導体素子20A、20B、及びスペーサ730A、730Bの間を固着しているため、図18では図示を省略する。次に、図19に示すように、電極40の位置合わせを行い、スペーサ730A、730Bの上面に固着している半田半田箔73A、73Bが溶融して固着した半田を溶融させて、スペーサ730A、730Bの上面に電極40を接合する。電極40にはバスバー41が接続されている。これにより、電極10、半導体素子20A、20B、スペーサ730A、730B、及び電極40は接合され、図20に示す状態が完成する。次に、スペーサ730Aの突出部732Aと、スペーサ730Bの突出部732Bとの間の隙間に、応力緩和部760を形成する。応力緩和部760は、上述のように、電極40又はスペーサ730A、730Bよりも十分に弾性率が低い材料であればよく、例えば、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、又はゴム系樹脂等の応力緩和材で作製することができる。応力緩和部760は、例えば、突出部732Aと突出部732Bとの間に応力緩和材を塗布することによって形成される。なお、突出部732Aの先端と、突出部732Bの先端との間が毛細管現象が得られる程度に狭い場合は、毛細管現象を利用して、応力緩和部760を突出部732Aと突出部732Bとの間に形成してもよい。図20に示すように接合した電極10、半導体素子20A、20B、スペーサ730A、730B、電極40、及び応力緩和部760は、封止樹脂750で封止する前に、ポリアミド又はポリイミド等を有機溶媒に溶解させた溶液に含浸させることにより、表面にポリアミド又はポリイミド等の被膜をコーティングする。これは、電極10、半導体素子20A、20B、スペーサ730A、730B、電極40、及び応力緩和部760の表面に封止樹脂750が密着しやすくするためである。最後に、電極10、半導体素子20A、20B、スペーサ730A、730B、電極40、応力緩和部760、バスバー11、41、及び制御端子62A~62Dを封止樹脂750で封止する。封止樹脂750による封止は、封止樹脂750に熱硬化処理を行うことによって行われる。熱硬化処理では、図20に示す半導体素子20A、20B、スペーサ730A、730B、電極40、応力緩和部760、バスバー11、41、及び制御端子62A~62Dを加熱した金型に入れ、熱硬化樹脂を加熱しながら金型内に流し込み、金型内の熱硬化樹脂に補圧を与えるとともに加熱を行うことにより、熱硬化樹脂の硬化反応を促進させる。熱硬化樹脂の加熱は、例えば、80°C~200°C程度の温度で行い、その後に冷却することにより、図21に示す封止樹脂750が得られる。封止樹脂750は、電極10の側面、半導体素子20A、20B、スペーサ730A、730B、電極40、及び応力緩和部760の側面を封止する。また、封止樹脂750からは、電極10の下面、電極40の上面、バスバー11、41、及び制御端子62A~62Dの外側の一部が露出する。以上のような実施の形態6の半導体装置700は、図16Aに示すように、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域では、スペーサ730A、730Bの突出部732A、732B、及び応力緩和部760があるため、実施の形態1の半導体装置100図5参照と同様に、封止樹脂750の厚さD7が薄くなっている。このため、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域における封止樹脂750の収縮量が減り、封止樹脂750にかかる応力が低減される。すなわち、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域において封止樹脂750の収縮によって生じる応力は、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間以外の領域において封止樹脂750の収縮によって生じる応力よりも緩和される。また、突出部732Aと突出部732Bとの間には、応力緩和部760が形成されている。このため、スペーサ730Aとスペーサ730Bとの間の領域において、封止樹脂750に応力が発生しても、応力は応力緩和部760によって緩和される。従って、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域において、封止樹脂750が電極10から剥離することを抑制できる。また、封止樹脂750の剥離が抑制されることにより、電極10と半導体素子20A、20Bとの良好な接続状態を保持できる。この結果、実施の形態6によれば、封止樹脂750の剥離を抑制することにより、半導体素子20A、20Bと電極10との疲労破断を抑制した半導体装置700を提供できる。また、実施の形態6によれば、封止樹脂750を熱硬化させる段階での剥離を抑制できるだけでなく、半導体装置700を繰り返し使用する段階において半導体素子20A、20Bの発熱による加熱と冷却が繰り返されても、封止樹脂750の剥離を抑制できる半導体装置700を提供することができる。また、実施の形態6の半導体装置700によれば、スペーサ730A、730Bは、突出部732A、732Bを有する分だけ、比較例の半導体装置1のスペーサ30A、30Bよりも大きい。このため、スペーサ730A、730Bの熱容量が大きくなり、半導体素子20A、20Bが発生する熱を過渡的に吸収し、半導体素子20A、20Bの冷却性能を向上させることができる。特に、半導体装置700がハイブリッド車に搭載される場合は、電動機10の駆動及び回生の度に、インバータ99は高温に晒される。このような状況では、冷却性能の改善された実施の形態6の半導体装置700を用いることは、非常に有益である。また、実施の形態6の半導体装置700は、スペーサ730A、730Bが突出部732A、732Bを有することにより、比較例の半導体装置1よりも、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の接続経路が短くなる。このため、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間における抵抗成分の抵抗値、寄生インダクタンスが低減し、発熱量の低減や、スイッチングに伴って発生するサージ電圧が低減される。なお、スペーサ730A、730Bの突出部732A、732Bの厚さは、応力緩和部760として必要な厚さ、応力緩和部760の応力緩和材の種類、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の距離、封止樹脂750を構成する熱硬化樹脂の種類等に応じて設定すればよい。以上、実施の形態6によれば、封止樹脂750の剥離を抑制することにより、半導体素子20A、20Bと電極10との疲労破断を抑制した半導体装置700を提供できる。ここで、実施の形態6の半導体装置のスペーサ730A、730Bの外寸の公差と、実施の形態1の半導体装置100のスペーサ130の外寸の公差について説明する。図22は、実施の形態1の半導体装置100のスペーサ130の外寸の公差を説明するための図である。図22Aは、図5と同一であり、実施の形態1の半導体装置100の長手方向に平行な中心軸に沿って厚さ方向に切断した場合に得られる断面を示す。図22Bは、平面視における電極10、半導体素子20A、20B、スペーサ130、電極40、及び封止樹脂150の位置関係を示す図である。なお、電極10と電極40は同一の寸法を有し、平面視での位置は一致している。また、説明の便宜上、半導体素子20A、20Bのサイズは等しいものとする。ここで、スペーサ130の外寸の公差のみを考え、他の構成要素の公差を省略する。半導体装置100では、図22Bに示すように、スペーサ130の第1部分130A及び第2部分130Bは、平面視で半導体素子20A、20Bよりも小さく、かつ、内側に収まっている必要がある。半導体素子20AのX軸方向の長さをL、第1部分130AのX軸方向の長さをA、第1部分130AのX軸方向の公差をa、連結部分130CのX軸方向の長さをC、連結部分130CのX軸方向の公差をbとする。すなわち、第1部分130AのX軸方向の長さは、公差aを考慮すると、L±aと表せる。また、連結部分130CのX軸方向の長さは、公差bを考慮すると、C±bと表せる。ここで、連結部分130Cを考慮に入れずに、半導体素子20Aと第1部分130Aとについて考えると、半導体素子20Aと第1部分130Aとの間には、式1の関係が成り立つ。L>Aa1これより、スペーサ130の第1部分130Aの長さAは、式2で表せる。A<L-a2また、連結部分130Cの長さが±bだけ変動すると、公差がbである場合には半導体素子20Aの左側において第1部分130Aが半導体素子20Aの寸法内に収まっている必要があり、公差が-bである場合には半導体素子20Aの右側において第1部分130Aが半導体素子20Aの寸法内に収まっている必要がある。このため、式2に連結部分130Cの公差bを加味すると、第1部分130A及び連結部分130Cについて式3が成り立つ。A<L-a-2b3なお、スペーサ130は、連結部分130Cに対して左右対称であり、第1部分130A及び第2部分130Bの寸法は等しいため、第2部分130Bと連結部分130Cについても式3が成り立つ。このように、連結部分130Cを有するスペーサ130の場合、第1部分130A及び第2部分130BのX軸方向の寸法は、式3を満たす必要がある。図22Aに示すように、実施の形態1の半導体装置100では、スペーサ130の第1部分130A及び第2部分130BのX軸方向の長さAは、式3を満たす必要がある。これに対して、実施の形態6の半導体装置700では、スペーサ730Aとスペーサ730Bとは分離されているため、実施の形態1のスペーサ130の連結部分130CのX軸方向の長さCの公差±bを考慮する必要がない。また、スペーサ730A、730Bの基部731A、731BのX軸方向の長さは、実施の形態1のスペーサ130の第1部分130AのX軸方向の長さAに等しい。従って、実施の形態6のスペーサ730A、730Bの基部731A、731BのX軸方向の長さをA7とすると、長さA7は、式3における公差bを除去して得られる式4を満たせばよい。A7<L-a4ここで、実施の形態1のスペーサ130の第1部分130A及び第2部分130BのY軸方向の長さと、実施の形態6のスペーサ730A、730Bの基部731A、731BのY軸方向の長さは等しいものとする。このような条件下では、実施の形態6のスペーサ730A、730Bの基部731A、731Bが半導体素子20A、20Bにそれぞれ接する面積は、実施の形態1のスペーサ130の第1部分130A、第2部分130Bが半導体素子20A、20Bに接する面積のL-a/L-a-2b倍になる。すなわち、実施の形態6の半導体装置700のスペーサ730A、730Bは、実施の形態1の半導体装置100のスペーサ130よりも、L-a/L-a-2b倍だけ冷却効率を改善することができる。以上、実施の形態6によれば、封止樹脂750の剥離を抑制することにより、半導体素子20A、20Bと電極10との疲労破断を抑制するとともに、半導体素子20A、20Bの冷却効率を改善した半導体装置700を提供できる。なお、以上では、半導体装置700が2つの半導体素子20A、20Bを含み、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域に、スペーサ730A、730Bの突出部732A、732Bを配設する形態について説明した。しかしながら、半導体装置700は、3つ以上の半導体素子を含んでもよい。このような場合には、半導体素子同士の間の領域にスペーサの突出部を位置させることにより、封止樹脂750の応力を緩和するようにすればよい。これにより、半導体素子同士の間において電極10から封止樹脂750が剥離することを抑制できる。なお、以上では、スペーサ730Aの突出部732Aと、スペーサ730Bの突出部732Bとの間に応力緩和部760を形成する形態について説明したが、応力緩和部760を形成しなくてもよい。応力緩和部760を有しなくても、スペーサ730Aの突出部732Aと、スペーサ730Bの突出部732Bとによって半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域における封止樹脂750の厚さが薄くされるので、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域において封止樹脂750にかかる応力は緩和される。従って、スペーサ730Aの突出部732Aと、スペーサ730Bの突出部732Bとによって封止樹脂750の応力を十分に緩和できる場合は、応力緩和部760を有しなくてもよい。また、スペーサ730Aの突出部732Aと、スペーサ730Bの突出部732Bとの間隔は、任意の間隔に設定することができ、突出部732Aの先端と、突出部732Bの先端とが接触していてもよい。<実施の形態7>実施の形態7の半導体装置は、スペーサの構成が実施の形態6の半導体装置700と異なる。図23Aは、実施の形態7の半導体装置を示す断面図である。図23Bは、実施の形態7の半導体装置のスペーサを示す斜視図である。図23A及び図23Bでは、図示するように、XYZ座標を定義する。図23Aに示す断面図は、実施の形態7の半導体装置800の長手方向X軸方向の中心軸を通る平面で厚さ方向に切断して得られる断面を示す図である。実施の形態7の半導体装置800は、電極10、半導体素子20A、20B、スペーサ830A、830B、電極40、封止樹脂850、応力緩和部860を含む。実施の形態7の半導体装置800は、スペーサ830A、830B、封止樹脂850、及び応力緩和部860の構成が実施の形態6の半導体装置700と異なる。その他の構成要素は、実施の形態6の半導体装置700と同様であるため、同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。図23A及び図23Bに示すように、スペーサ830Aとスペーサ830Bは分離されている。スペーサ830Aは、基部831Aと突出部832Aを有する。スペーサ830Bは、基部831Bと突出部832Bを有する。スペーサ830Aの基部831Aは、実施の形態6の半導体装置700のスペーサ730Aの基部731A図16A及び図16B参照と同様である。突出部832Aは、基部831Aの上部からX軸プラス方向に突出している。また、基部831Aには凹部833Aが形成されている。凹部833Aは、突出部832Aの先端部において、Y軸方向における中央部に形成されている。すなわち、凹部833AのY軸方向における両側には、壁部834A、835Aが形成されている。また、突出部832Aのうち、凹部833Aによって厚さが薄くなっている部分は、薄部836Aを構成する。スペーサ830Bの基部831Bは、実施の形態6の半導体装置700のスペーサ730Bの基部731B図16A及び図16B参照と同様である。突出部832Bは、基部831Bの上部からX軸マイナス方向に突出している。また、基部831Bには凹部833Bが形成されている。凹部833Bは、突出部832Bの先端部において、Y軸方向における中央部に形成されている。すなわち、凹部833BのY軸方向における両側には、壁部834B、835Bが形成されている。また、突出部832Bのうち、凹部833Bによって厚さが薄くなっている部分は、薄部836Bを構成する。ここで、凹部833Aは、第1突出部の一例である突出部832Aの先端部に第2金属板の一例である電極40側の面から形成される第1凹部の一例である。凹部833Bは、第2突出部の一例である突出部832Bの先端部に第2金属板の一例である電極40側の面から形成される第2凹部の一例である。スペーサ830Aの基部831Aは、半導体素子20Aの上面にあるエミッタに接続され、スペーサ830Bの基部831Bは、半導体素子20Bの上面にあるアノードに接続される。スペーサ830Aの突出部832Aの先端と、スペーサ830Bの突出部832Bの先端との間には間隔があり、突出部832Aの先端と、突出部832Bの先端との間には、応力緩和部860が配設されている。応力緩和部860は、電極40又はスペーサ830A、830Bよりも十分に弾性率が低い材料であればよく、例えば、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、又はゴム系樹脂等の応力緩和材で作製することができる。なお、応力緩和部860は、封止樹脂850よりも弾性率が低い材料であってもよい。応力緩和部860は、例えば、スペーサ830A、830Bをそれぞれ半導体素子20A、20Bの上面に接合し、さらに、スペーサ830A、830Bの上面に電極40を接合した状態で、突出部832Aと突出部832Bとの間に応力緩和材を塗布することによって形成される。なお、突出部832Aの先端と、突出部832Bの先端との間が毛細管現象が得られる程度に狭い場合は、毛細管現象を利用して、応力緩和部860を突出部832Aと突出部832Bとの間に形成してもよい。電極40は、スペーサ830A、830Bの上面に接合される。なお、スペーサ830A、830Bの上に電極40を接合する前に、応力緩和部860を形成してもよい。応力緩和部860は、突出部832Aと突出部832Bとの間に形成される。このため、応力緩和部860を形成した後には、図23Bに白抜きで示すように、凹部833A、833B、応力緩和部860、及び電極40で囲まれる部分は、封止樹脂850が流入せずに空洞となる。封止樹脂850は、電極10、半導体素子20A、20B、スペーサ830A、830B、電極40、及び応力緩和部860を封止する。封止樹脂850は、実施の形態1の封止樹脂150と同様に形成すればよい。以上のような実施の形態7の半導体装置800は、図23Aに示すように、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域では、スペーサ830A、830Bの突出部832A、832B、及び応力緩和部860があるため、実施の形態1の半導体装置100図5参照と同様に、封止樹脂850の厚さD8が薄くなっている。このため、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域における封止樹脂850の収縮量が減り、封止樹脂850にかかる応力が低減される。また、突出部832Aと突出部832Bとの間には、応力緩和部860が形成されている。このため、スペーサ830Aとスペーサ830Bとの間の領域において、封止樹脂860に応力が発生しても、応力は応力緩和部860によって緩和される。すなわち、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域において封止樹脂850の収縮によって生じる応力は、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間以外の領域において封止樹脂850の収縮によって生じる応力よりも緩和される。さらに、突出部832A、832Bの薄部836A、836Bは、厚さが薄いため、封止樹脂850から応力を受けると撓むことができる。従って、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域において、封止樹脂850が電極10から剥離することを抑制できる。また、封止樹脂850の剥離が抑制されることにより、電極10と半導体素子20A、20Bとの良好な接続状態を保持できる。この結果、実施の形態7によれば、封止樹脂850の剥離を抑制することにより、半導体素子20A、20Bと電極10との疲労破断を抑制した半導体装置800を提供できる。また、実施の形態7によれば、封止樹脂850を熱硬化させる段階での剥離を抑制できるだけでなく、半導体装置800を繰り返し使用する段階において半導体素子20A、20Bの発熱による加熱と冷却が繰り返されても、封止樹脂850の剥離を抑制できる半導体装置800を提供することができる。また、実施の形態7の半導体装置800によれば、スペーサ830A、830Bは、突出部832A、832Bを有する分だけ、比較例の半導体装置1のスペーサ30A、30Bよりも大きい。このため、スペーサ830A、830Bの熱容量が大きくなり、半導体素子20A、20Bが発生する熱を過渡的に吸収し、半導体素子20A、20Bの冷却性能を向上させることができる。特に、半導体装置800がハイブリッド車に搭載される場合は、電動機10の駆動及び回生の度に、インバータ99は高温に晒される。このような状況では、冷却性能の改善された実施の形態7の半導体装置800を用いることは、非常に有益である。また、実施の形態7の半導体装置800は、スペーサ830A、830Bが突出部832A、832Bを有することにより、比較例の半導体装置1よりも、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の接続経路が短くなる。このため、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間における抵抗成分の抵抗値、寄生インダクタンスが低減し、発熱量の低減や、スイッチングに伴って発生するサージ電圧が低減される。なお、スペーサ830A、830Bの突出部832A、832Bの厚さは、応力緩和部860として必要な厚さ、応力緩和部860の応力緩和材の種類、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の距離、封止樹脂850を構成する熱硬化樹脂の種類等に応じて設定すればよい。以上、実施の形態7によれば、封止樹脂850の剥離を抑制することにより、半導体素子20A、20Bと電極10との疲労破断を抑制した半導体装置800を提供できる。なお、以上では、半導体装置800が2つの半導体素子20A、20Bを含み、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域に、凹部833A、凹部833Bを有する突出部832A、832Bを配設する形態について説明した。しかしながら、半導体装置800は、3つ以上の半導体素子を含んでもよい。このような場合には、半導体素子同士の間の領域にスペーサの突出部の凹部を位置させることにより、封止樹脂850の応力を緩和するようにすればよい。これにより、半導体素子同士の間において電極10から封止樹脂850が剥離することを抑制できる。<実施の形態8>実施の形態8の半導体装置は、スペーサの構成が実施の形態6の半導体装置700と異なる。図24Aは、実施の形態8の半導体装置を示す断面図である。図24Bは、実施の形態8の半導体装置のスペーサを示す斜視図である。図24A及び図24Bでは、図示するように、XYZ座標を定義する。図24Aに示す断面図は、実施の形態8の半導体装置900の長手方向X軸方向の中心軸を通る平面で厚さ方向に切断して得られる断面を示す図である。実施の形態8の半導体装置900は、電極10、半導体素子20A、20B、スペーサ930A、930B、電極40、及び封止樹脂950を含む。図24Bでは、分かり易さの観点から、図24Aに示すスペーサ930A、930BをX軸方向に離間させて示す。実施の形態8の半導体装置900は、スペーサ930A、930B、及び封止樹脂950の構成が実施の形態6の半導体装置700と異なる。その他の構成要素は、実施の形態6の半導体装置700と同様であるため、同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。図24A及び図24Bに示すように、スペーサ930Aとスペーサ930Bは分離されている。スペーサ930Aは、基部931Aと突出部932Aを有する。スペーサ930Bは、基部931Bと突出部932Bを有する。スペーサ930Aの基部931Aは、実施の形態6の半導体装置700のスペーサ730Aの基部731A図16A及び図16B参照と同様である。突出部932Aは、基部931Aの高さ方向の中間部からX軸プラス方向に突出している。スペーサ930Bの基部931Bは、実施の形態6の半導体装置700のスペーサ730Bの基部731B図16A及び図16B参照と同様である。突出部932Bは、基部931Bの上部からX軸マイナス方向に突出している。スペーサ930Aの突出部932Aの高さと、スペーサ930Bの突出部932Bの高さは、図24Aに示すように、スペーサ930A、930Bを半導体素子20A、20Bの上面に接合した状態で、突出部932Aの上面と、突出部932Bの下面とが当接するように設定されている。また、スペーサ930Aの突出部932AのX軸方向の長さと、スペーサ930Bの突出部932BのX軸方向の長さは、図24Aに示すように、スペーサ930A、930Bを半導体素子20A、20Bの上面に接合した状態で、突出部932Aの先端部と、突出部932Bの先端部とが重なり合う長さに設定されている。ここで、基部931Aの先端部と、突出部932Aの先端部のうち、平面視で互いに重なり合う部分は、重複部の一例である。なお、突出部932A、932Bは、Y軸方向において基部931A、931Bと同一の幅を有する。従って、突出部932Aと突出部932Bとは、スペーサ930A、930Bが半導体素子20A、20Bの上面に接合された状態で、重なり合っており、突出部932Aの上面と突出部932Bの下面とが当接している。スペーサ930Aの基部931Aは、半導体素子20Aの上面にあるエミッタに接続され、スペーサ930Bの基部931Bは、半導体素子20Bの上面にあるアノードに接続される。電極40は、スペーサ930A、930Bの上面に接合される。封止樹脂950は、電極10、半導体素子20A、20B、スペーサ930A、930B、及び電極40を封止する。封止樹脂950は、実施の形態1の封止樹脂150と同様に形成すればよい。封止樹脂950は、図24Aに示すように、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域において、突出部932A及び932Bと電極10との間に形成される。また、封止樹脂950は、突出部932Aの上側にも形成される。以上のような実施の形態8の半導体装置900は、図24Aに示すように、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域では、スペーサ930A、930Bの突出部932A、932Bがあるため、実施の形態1の半導体装置100図5参照と同様に、封止樹脂950の厚さD9が薄くなっている。このため、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域における封止樹脂950の収縮量が減り、封止樹脂950にかかる応力が低減される。すなわち、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域において封止樹脂950の収縮によって生じる応力は、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間以外の領域において封止樹脂950の収縮によって生じる応力よりも緩和される。従って、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域において、封止樹脂950が電極10から剥離することを抑制できる。また、封止樹脂950の剥離が抑制されることにより、電極10と半導体素子20A、20Bとの良好な接続状態を保持できる。この結果、実施の形態8によれば、封止樹脂950の剥離を抑制することにより、半導体素子20A、20Bと電極10との疲労破断を抑制した半導体装置900を提供できる。また、実施の形態8によれば、封止樹脂950を熱硬化させる段階での剥離を抑制できるだけでなく、半導体装置900を繰り返し使用する段階において半導体素子20A、20Bの発熱による加熱と冷却が繰り返されても、封止樹脂950の剥離を抑制できる半導体装置900を提供することができる。また、実施の形態8の半導体装置900によれば、スペーサ930A、930Bは、突出部932A、932Bを有する分だけ、比較例の半導体装置1のスペーサ30A、30Bよりも大きい。このため、スペーサ930A、930Bの熱容量が大きくなり、半導体素子20A、20Bが発生する熱を過渡的に吸収し、半導体素子20A、20Bの冷却性能を向上させることができる。特に、半導体装置900がハイブリッド車に搭載される場合は、電動機10の駆動及び回生の度に、インバータ99は高温に晒される。このような状況では、冷却性能の改善された実施の形態8の半導体装置900を用いることは、非常に有益である。また、実施の形態8の半導体装置900は、スペーサ930A、930Bが突出部932A、932Bを有することにより、比較例の半導体装置1よりも、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の接続経路が短くなる。このため、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間における抵抗成分の抵抗値、寄生インダクタンスが低減し、発熱量の低減や、スイッチングに伴って発生するサージ電圧が低減される。また、実施の形態8の半導体装置900では、スペーサ930Aとスペーサ930Bが分離されているため、実施の形態6の半導体装置700と同様に、実施の形態1のスペーサ130の連結部分130CのX軸方向の長さCの公差±bを考慮する必要がない。なお、スペーサ930A、930Bの突出部932A、932Bの厚さは、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の距離、封止樹脂950を構成する熱硬化樹脂の種類等に応じて設定すればよい。以上、実施の形態8によれば、封止樹脂950の剥離を抑制することにより、半導体素子20A、20Bと電極10との疲労破断を抑制した半導体装置900を提供できる。なお、以上では、半導体装置900が2つの半導体素子20A、20Bを含み、半導体素子20Aと半導体素子20Bとの間の領域に、スペーサ930A、930Bの突出部932A、932Bを配設する形態について説明した。しかしながら、半導体装置900は、3つ以上の半導体素子を含んでもよい。このような場合には、半導体素子同士の間の領域にスペーサの突出部の凹部を位置させることにより、封止樹脂950の応力を緩和するようにすればよい。これにより、半導体素子同士の間において電極10から封止樹脂950が剥離することを抑制できる。また、突出部932Aと突出部932Bとの間に応力緩和材を塗布すること等により、突出部932Aと突出部932Bとの間に応力緩和部を設けてもよい。以上、本発明の例示的な実施の形態の半導体装置について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。