酸化マグネシウムターゲットと離間して基板を配置する工程と、スパッタリングにより前記基板上に酸化マグネシウムを成膜する工程とを有し、前記成膜する工程は、前記酸化マグネシウムターゲットに電力を印加することにより該酸化マグネシウムターゲットの近傍にプラズマを発生させて前記酸化マグネシウムターゲットをスパッタリングし、前記プラズマとは別個の電子供給手段により前記スパッタリングにより生じた粒子に向かって電子を供給することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。前記粒子に向かって供給された別個の電子により、前記基板に向かって到来している前記マグネシウム原子および前記酸素原子をイオン化させることを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。前記プラズマとは別個の電子供給手段により前記基板に向かって電子を供給することを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。前記成膜する工程は、前記酸化マグネシウムターゲットのスパッタリングの開始前に、前記プラズマとは別個の電子供給手段からの電子の供給を開始することを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。ターゲットを保持可能なターゲットホルダと、前記ターゲットホルダ近傍にプラズマを発生させるためのプラズマ発生手段と、基板を保持可能な基板ホルダであって、前記ターゲットホルダに保持されたターゲットから生じたスパッタ粒子が前記基板ホルダに保持された基板に到達するように前記ターゲットホルダから離間して設けられた基板ホルダと、前記基板ホルダに向かって電子を放出する電子放出部とを備えることを特徴とするスパッタリング成膜装置。しかし大容量メモリの実現あるいは更なる高密度磁気記録媒体の読み出しにおいては一層の低抵抗化およびMR比の向上が求められている。低抵抗化のためにはバリア層を薄くする必要があるが、バリア層を薄くすると良好なMR比が得難いという問題がある。これはMgOバリア層が成膜初期即ち強磁性層との界面近傍において結晶性が悪く、その結果良質なバリア層が得られていないためであると考えられる。本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、成膜初期においても結晶性が良好なMgO層例えば、バリア層を形成することが可能な磁気抵抗効果素子の製造方法、およびスパッタリング成膜装置を提供することにある。このような目的を達成するために、本発明の第1の態様は、磁気抵抗効果素子の製造方法であって、酸化マグネシウムターゲットと離間して基板を配置する工程と、スパッタリングにより前記基板上に酸化マグネシウムを成膜する工程とを有し、前記成膜する工程は、前記酸化マグネシウムターゲットに電力を印加することにより該酸化マグネシウムターゲット近傍にプラズマを発生させて前記酸化マグネシウムターゲットをスパッタリングし、前記プラズマとは別個の電子供給手段により前記スパッタリングにより生じた粒子に向かって電子を供給することを特徴とする。本発明の第2の態様は、スパッタリング成膜装置であって、ターゲットを保持可能なターゲットホルダと、前記ターゲットホルダ近傍にプラズマを発生させるためのプラズマ発生手段と、基板を保持可能な基板ホルダであって、前記ターゲットホルダに保持されたターゲットから生じたスパッタ粒子が前記基板ホルダに保持された基板に到達するように前記ターゲットホルダから離間して設けられた基板ホルダと、前記基板ホルダに向かって電子を放出する電子放出部とを備えることを特徴とする。本発明によれば、成膜初期においても結晶性が良好なMgO層例えば、バリア層を成膜することが可能となる。以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は本実施形態に限定されるものではない。なお、以下で説明する図面で、同機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略することもある。図1を参照して、本発明の一実施形態に係るスパッタリング成膜装置以下、成膜装置ともいうの全体構成について説明する。図1は、本発明の一実施形態にかかる成膜装置1の概略図である。成膜装置1は、処理チャンバとしての真空容器2と、排気ポート8を通じて真空容器2内を排気するターボ分子ポンプ48とドライポンプ49とを有する真空排気装置と、真空容器2内へガスを導入することのできるガス導入系15とを備えている。排気ポート8は、例えば矩形断面の導管であり、真空容器2とターボ分子ポンプ48との間を繋いでいる。排気ポート8とターボ分子ポンプ48との間にはメインバルブ47が設けられている。ガス導入系15は、アルゴンといった不活性ガススパッタガスを供給するためのガス供給装置ガスボンベ15aと、ガスの流量を制御するためのマスフローコントローラ15bと、ガスの供給を遮断したり開始したりするためのバルブ15cと、ガスを真空容器2内に導入するガス導入口15dとを有している。ガス導入系15のそれぞれの構成要素は配管により接続されており、不活性ガスは、ガス供給装置15aから、マスフローコントローラ15b、バルブ15c、およびガス導入口15dを介して、ターゲット4付近から真空容器内に導入される。ガス導入系15は、必要に応じて減圧弁やフィルタなどを有しても良い。このようなガス導入系15は、不図示の制御装置により指定されるガス流量を安定して流すことができる構成である。真空容器2内処理チャンバ内には、ターゲットを保持可能に構成されたターゲットホルダが設けられており、被スパッタ面が露出しているターゲット4がバックプレート5を介してターゲットホルダ6が保持されている。ターゲットホルダ6に対向して基板10を保持する基板ホルダ7が設けられている。すなわち、基板ホルダ7は、ターゲットから生じたスパッタ粒子が基板10に到来するようにターゲットホルダ6から離間して配置されている。該基板ホルダ7は、基板10を保持するための基板保持面7aを有しており、後述する回転駆動機構としての基板ホルダ駆動機構31により該基板保持面7aが回転軸Aに対して回転可能に構成されている。真空容器2の内面は接地されている。ターゲットホルダ6と基板ホルダ7との間の真空容器2の内面には接地された筒状のシールド40防着シールド部材が設けられている。シールド40防着シールド部材は、スパッタ粒子が真空容器2の内面に直接付着するのを防止ないしは低減させている。スパッタ面から見たターゲット4の背後には、マグネトロンスパッタリングを実現するためのマグネット13が配設されている。マグネット13は、マグネットホルダ3に保持されている。該マグネットホルダ3は、マグネットホルダ回転機構不図示に接続されており、該マグネットホルダ回転機構の駆動により回転可能に構成されている。ターゲット4は、酸化マグネシウムからなる酸化マグネシウムターゲットであり、基板10に対して斜め上方に配置された位置オフセット位置に設置されている。ターゲット4のスパッタ面の中心点は、基板10の中心点の法線に対して所定の寸法ずれた位置にある。すなわち、基板ホルダ7の回転軸Aが上記ターゲット4の中心点を通る垂線と不一致となるようにターゲットホルダ6は設けられている。ターゲットホルダ6には、スパッタ放電用電力を印加する電圧供給機構としての電源12が接続されている。図1に示す成膜装置1は、DC電源を備えているが、これに限定されるものではなく、例えば、RF電源を備えていてもよい。RF電源を用いた場合には電源12とターゲットホルダ6との間に整合器を設置する必要がある。ターゲットホルダ6は、絶縁体34により真空容器2から絶縁されており、またCu等の金属製であるのでDC又はRFの電力が印加された場合には電極となる。ターゲットホルダ6に電力所定の電圧が供給されることで、ターゲット近傍ターゲットホルダ近傍にプラズマ発生し、スパッタリングによる成膜が行われる。ターゲットホルダ6の近傍には、ターゲットシャッタ14がターゲットホルダ6を覆うように設置されている。ターゲットシャッタ14は、それぞれのシャッタ部材を独立して開閉することが可能な2重回転シャッタの構造を有している。ただしシャッタの枚数は特に問わない。ターゲットシャッタ14によって、基板ホルダ7とターゲットホルダ6との間を遮蔽する閉状態、または基板ホルダ7とターゲットホルダ6との間を開放する開状態を切り替えることができる。また、ターゲットシャッタ14には、二重シャッタを別々に開閉可能なように、ターゲットシャッタ駆動機構33が設けられている。基板ホルダ7には、基板ホルダ7を上下動したり、所定の速度で回転したりするための基板ホルダ駆動機構31が設けられている。すなわち、該基板ホルダ駆動機構31が有するモータの駆動により、回転軸Aを中心に基板保持面10を回転させることにより、基板10は該回転軸Aに対して回転する。真空容器2内には、基板ホルダ7に向かって、すなわち基板保持面7に向かって電子を放出する電子放出部としての電子銃9aが設けられている。該電子銃9aは、ターゲットホルダ6近傍に形成されたプラズマにて生じた電子とは別個の電子を、ターゲットから飛散したスパッタ粒子に向かって供給する。また、基板保持面7a上に載置された基板10近傍に向かって供給してもよい。本実施形態では、電子銃9aから照射される電子のエネルギーは、上記プラズマ中のマグネシウム原子および酸素原子をイオン化するのに必要なエネルギーであることが好ましい。よって、電子銃9aは、マグネシウム原子および酸素原子をイオン化するのに必要なエネルギーを有する電子を照射可能に構成されていることが好ましい。電子銃9aとしては、ホローカソードタイプ、フィラメントタイプなど種々のものを適用することができる。電子銃9aをホローカソードタイプの電子銃とすることにより、フィラメントが切れることがないため交換頻度が低く、量産性を向上させることが可能となる。本実施形態においては、上記電子銃9aは、基板ホルダ7に向けて電子を放出するように設けられている。すなわち、電子銃9aの電子が放出される電子放出口が基板ホルダ7に向かうように配置されている。この電子銃9aを、MgO層77の成膜中に動作させることにより、スパッタ粒子およびスパッタガスに対して、プラズマ電子を供給することが可能となる。従って、酸化マグネシウムからなるターゲット4からスパッタされて発生したマグネシウム原子および酸素原子に効率良く電子を照射することができ、該マグネシウム原子および酸素原子の反応性の制御を容易にすることができる。また、本実施形態では、電子銃9aを、ターゲット4の表面から見えない位置ターゲットホルダ6のターゲット保持面から見えない位置に配置することが好ましい。このように電子銃9aを配置することにより、電子銃9aへのスパッタ膜の堆積を低減することができ、これによりパーティクルの発生を低減することができる。スパッタ放電用電力を印加する電源12、ガス導入系15、基板ホルダ駆動機構31、ターゲットシャッタ駆動機構33、電子銃9a及びゲートバルブ等はそれぞれ電気的に制御装置不図示に接続されており、該制御装置が各構成部品を制御できるように構成されている。次に、図1の成膜装置を用いて成膜した磁気抵抗効果膜を図3に示す。図3は本実施形態に係る磁気抵抗効果素子の積層構造の一例を示し、TMR素子の積層構造を示している。このTMR素子70は、基板71の上に積層された、例えば8層の多層膜を備えている。この8層の多層膜では、最下層の第1層から最上層の第8層に向かって、Ta層72、PtMn層73、CoFe層74、Ru層、75、CoFeB層76、MgO77、CoFeB層78、Ta層79の順序で磁性膜等が積層されている。第1層としてのTa層71は下地層であり、第2層としてのPtMn層72は反強磁性層である。第3層としてのCoFe層74、第4層としてのRu層75、および第5層としてのCoFeB層76の積層体は磁化固定層である。実質的な磁化固定層は第5層であるCoFeB層76である。第6層としてのMgO酸化マグネシウム層77は絶縁層であってトンネルバリア層である。第7層としてのCoFeB層78は強磁性層であり、磁化自由層である。第6層であるMgO層77は、その上下に位置する一対の強磁性層CoFeBの間の中間層である。第8層としてのTa層79はハードマスク層である。上記の磁化固定層である第5層のCoFeB層76とトンネルバリア層である第6層のMgO層77と磁化自由層である第7層のCoFeB層78とによって、基本的構造として狭義な意味でのTMR素子部80が形成される。磁化固定層である第5層のCoFeB層76と磁化自由層である第7層のCoFeB78とはアモルファス状態の強磁性体として知られている。トンネルバリア層であるMgO層77は厚さ方向に渡って単結晶構造を有するように形成されている。なお、図2において、各層において括弧の中に記載された数値は各層の厚みを示し、単位はnmナノメートルである。当該厚みは一例であって、これに限定されるものではない。TMR素子の製造方法における、TMR素子の主要な素子部であるTMR素子部72の成膜条件の一例を述べる。磁化固定層第5層のCoFeB層76については、CoFeB組成比602020atのターゲットを用い、マグネトロンDCスパッタにより成膜する。続いて、トンネルバリア層第6層のMgO層77は、MgOのターゲットを用いたRFスパッタにより成膜を行う。さらに続けて、磁化自由層第7層のCoFeB層78を磁化固定層第5層のCoFeB76と同じ成膜条件で成膜する。以下で、図1に示した成膜装置にて、上記トンネルバリア層としてのMgO層77を成膜する方法について説明する。まずは、該Ta72~CoFeB層76までが形成された基板71である基板10を用意する。該基板10を基板ホルダ7の基板保持面10a上に載置する。このようにして、酸化マグネシウムターゲットでるターゲット4から離間して基板10が配置される。次いで、ターゲットシャッタ14が閉状態である場合は、ターゲットシャッタ駆動機構33を駆動してターゲットシャッタ14を開状態にする。そして、基板ホルダ7およびマグネットホルダ3の回転を開始し、ガス導入系15からアルゴンガスを真空容器2内に導入し、電源12からターゲットホルダ6にプラズマ生成のための電力を印加する。これにより、基板保持面7aに載置された基板上に、スパッタリングによりMgO層77が成膜される。すなわち、電源12よりターゲット4に対して上記電力を印加することによりターゲット4近傍にプラズマを発生させてターゲット4をスパッタリングする。このときに、上記プラズマとは別個の電子供給手段としての電子銃9aにより基板10に向かって電子を供給する。本実施形態では、電子銃9aから、上記プラズマ中のマグネシウム原子および酸素原子をイオン化するのに必要なエネルギーを有する電子を放出する。本実施形態では、電子銃9aからの電子の放出を、MgO層77の成膜動作の開始前に行う。上述のように、ターゲットシャッタ14を開状態とした後にターゲットホルダ6にプラズマ生成用の電力を印加する場合においては、電源12が該ターゲットホルダ6に電力を印加する前に電子銃9aから電子を放出すれば良い。また、ターゲットシャッタ14が閉状態においてターゲットホルダ6へのプラズマ生成用の電力の印加を開始する場合には、ターゲットホルダ6への電力印加後のターゲットシャッタ14を開状態とした後に、電子銃9aから電子を放出すれば良い。すなわち、プラズマによるターゲット4のスパッタリングの開始前に、電子銃9aから電子を放出すれば良いのである。このように、ターゲット4のスパッタリングの前に電子銃9aから電子を放出することにより、電子銃9aと基板ホルダ7との間の電子銃9aから照射された電子が存在することになる領域以降、電子の照射領域と呼ぶに、スパッタリングにより生じた粒子が到着する際には、上記電子の照射領域には電子銃9aから供給された電子がすでに存在することになる。よって、基板10には、上記電子銃9aから供給された電子の作用を受けた、マグネシウム原子および酸素原子を到来させることができる。しかしながら、本発明で重要なことは、MgOの成膜初期において、電子銃9aから供給された電子を、スパッタリングによりターゲット4から発生したマグネシウム原子および酸素原子に作用させることである。よって、電子銃9aからの電子の放出のタイミングは、許容範囲内であればターゲット4のスパッタリングの開始後であっても良い。上述のように、本実施形態では、MgO層77の成膜のためのスパッタリングの際に、真空容器2内に形成されたプラズマにて生じた電子とは別個の電子を、基板10に向かって供給している。このとき、上記プラズマによるスパッタリングによりターゲット4からは少なくともマグネシウム原子および酸素原子が発生しており、これらマグネシウム原子および酸素原子は、ターゲット4から離間して配置された基板10に到達する。すなわち、スパッタで生じたマグネシウム原子および酸素原子は、基板10に供給される。上述のように、プラズマによるスパッタリングによりターゲット4から生じたマグネシウム原子および酸素原子が到来している基板10に向かって、電子銃9aにより該プラズマと別個に電子を供給しているので、該供給された電子はスパッタガス中の原子やスパッタ粒子であるマグネシウム原子や酸素原子と衝突し、少なくともマグネシウムイオンおよび酸素イオンが生成され、マグネシウムおよび酸素の反応性が向上する。これによりMgとOの反応が促進され、成膜初期において結晶性が、従来よりも改善されたMgOバリア層を得ることが可能となる。すなわち、本実施形態では、ターゲット4から発生したスパッタ粒子が基板10に到着する前に該スパッタ粒子に対して、スパッタリングのために生成したプラズマとは別個に電子を供給している。従って、上記スパッタ粒子に含まれるマグネシウム原子および酸素原子に、マグネシウム原子および酸素原子を電離するのに十分なエネルギーを持った、電子銃9aからの電子が作用する。該電子の作用により、基板10に向かっているスパッタ粒子に含まれるマグネシウムおよび酸素は、マグネシウムイオンおよび酸素イオンとなり基板10に供給される。よって、基板10の表面層であるCoFeB層76には、電子銃9aからの電子により生成されたマグネシウムイオンおよび酸素イオンも供給されることになる。よって、CoFeB層76上に反応性良くMgOを形成することができる。すなわち、プラズマにより酸化マグネシウムターゲットであるターゲット4から発生したスパッタ粒子には、MgO粒子、およびその割合を多くしたマグネシウムイオンおよび酸素イオンを含ませることができ、その結果、MgO成膜の初期においてもCoFeB層76上に結晶性が良好なMgOを成膜することができる。特に、CoFeB層76との界面においても結晶性が高いMgOを形成することができる。このように、本実施形態では、MgOターゲットをスパッタリングして基板上にMgO層を形成する際に、MgOの成膜初期においても、MgとOとの反応性を向上させるために、プラズマとは別個の電子供給源から該プラズマにより生じた電子とは別個の電子を供給するのである。さらに電子銃9aに加え基板10近傍基板ホルダ7の近傍に磁石を設けることも可能である。このように磁石を設けることで基板10近傍に磁界が形成される。電子は磁力線に沿って運動するため、磁石を設けることで電子のエネルギーをより効率よくイオンに供給、あるいはイオン化することが可能となる。これによりマグネシウム原子と酸素原子の反応性を向上させることが可能となる。上述のように、イオンの軌道を制御するために基板近傍に設ける磁石は、永久磁石または電磁石のどちらでも良いが、電磁石が本実施形態により適している。永久磁石の場合は常に基板近傍に磁界が発生するため、MgO膜以外の成膜時にも影響およぼす。電磁石の場合は電圧の制御によりMgO成膜中のみに磁界を発生させることが可能となる。第2の実施形態本実施形態では、プラズマとは別個の電子供給源としてフィラメントを用いている。図3は、本実施形態に係るスパッタリング成膜装置の構成の概略図である。図3において、プラズマとは別個の電子供給源としてのフィラメント9bが、基板ホルダ7に載置された基板10を囲むように設けられている。すなわち、基板保持面7aにおける基板10が載置される領域を囲むようにフィラメント9bが設けられている。本実施形態では、このフィラメント9bから基板に向かって電子が供給される。本実施形態では、フィラメント9bを基板10近傍に配置することで、MgO成膜中のプラズマにて生じた電子とは別個に供給する電子の供給量の制御を容易に行うことができる。