"絶縁層の一方の面に回路層が形成され、前記絶縁層の他方の面に金属層が形成されており、この金属層の他方の面にフラックスを使用して被接合体が接合されるパワーモジュール用基板であって、前記絶縁層と前記金属層との接合面の周縁部には、酸化物と樹脂とを含有するフラックス成分侵入防止層が形成されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。前記フラックス成分侵入防止層の組成は、前記酸化物を5体積以上60体積以下の範囲内で含み、残部が前記樹脂とされていることを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュール用基板。前記フラックス成分侵入防止層は、フィレット形状をなしていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のパワーモジュール用基板。前記酸化物が、TiO2、SiO2、Al2O3のうちのいずれか1種又は2種以上とされていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板。前記樹脂が、アクリル樹脂であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板。請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板と、前記パワーモジュール用基板の前記金属層にフラックスを用いて接合されたヒートシンクと、を備えたことを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板。請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板と、前記回路層上に配設された電子部品と、を備えたことを特徴とするパワーモジュール。ところで、パワーモジュール用基板とヒートシンクをノコロックろう付けで接合する場合には、フラックス成分であるKAlF4がパワーモジュール用基板のセラミックス板と金属板との接合面に侵入し、セラミックス板と金属板との間の接合信頼性が低下するおそれがあった。そのため、特許文献2では、セラミックス板と金属板との接合端部にホウ素や酸化チタン等で構成された接触防止材フラックス侵入防止層を塗布することが提案されている。しかし、このフラックス侵入防止層はパワーモジュール用基板とヒートシンクとの接合前に予め塗布する必要があるが、パワーモジュール用基板とヒートシンクとの接合工程に至るまでには、工場間の輸送、工場内の搬送、接合冶具へのセッティングなどの工程を経る必要があり、そのような工程を経てもフラックス侵入防止層を確実に付着させておく必要がある。この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、フラックスを用いて被接合材を接合した場合であっても、フラックス侵入防止層を確実に付着させておくことができ、絶縁層と金属層との接合信頼性が低下することを抑制できるパワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュールを提供することを目的とする。このような課題を解決して、前記目的を達成するために、本発明のパワーモジュール用基板は、絶縁層の一方の面に回路層が形成され、前記絶縁層の他方の面に金属層が形成されており、この金属層の他方の面にフラックスを使用して被接合体が接合されるパワーモジュール用基板であって、前記絶縁層と前記金属層との接合面の周縁部には、酸化物と樹脂とを含有するフラックス成分侵入防止層が形成されていることを特徴としている。この構成のパワーモジュール用基板によれば、前記絶縁層と前記金属層との接合面の周縁部に、酸化物と樹脂とを含有するフラックス成分侵入防止層が形成されているので、金属層の他方の面にフラックスを使用して被接合体を接合する際に、フラックス成分が前記絶縁層側に移動してきても、フラックス成分が前記酸化物に接触して分解されるため、前記絶縁層と前記金属層との接合面にフラックス成分が進入することを抑制できる。これは、フラックス成分侵入防止層に含まれる酸化物とフラックス成分が反応することにより、フラックス成分が分解し、フラックスとしての活性を失うことによるものと考えられる。また、樹脂を含有しているので、輸送、搬送またはセッティング等で振動が生じたとしてもフラックス成分侵入防止層を、前記絶縁層と前記金属層との接合面の周縁部に形状を保持したまま確実に付着させておくことができる。なお、被接合体を接合した際には、その熱によってフラックス成分侵入防止層内の樹脂が分解されることから、被接合体を接合後のパワーモジュール用基板におけるフラックス成分侵入防止層は、ほとんどが酸化物のみで構成されることになる。ここで、前記フラックス成分侵入防止層の組成は、前記酸化物を5体積以上60体積以下の範囲内で含み、残部が前記樹脂とされていることが好ましい。この場合、酸化物の含有量が5体積以上とされているので、フラックス成分を確実に分解することができ、前記絶縁層と前記金属層との接合面にフラックス成分が進入することを確実に抑制できる。また、酸化物の含有量が60体積以下とされているので、フラックス成分侵入防止層内の樹脂の含有量が確保され、フラックス成分侵入防止層が脱落することを防止できる。また、前記フラックス成分侵入防止層は、フィレット形状をなしていることが好ましい。この場合、絶縁層の他方の面及び金属層の側面にそれぞれ延在するようにフラックス成分侵入防止層が形成されることになり、前記絶縁層と前記金属層との接合面にフラックス成分が進入することを確実に抑制できる。さらに、前記酸化物が、TiO2、SiO2、Al2O3のうちのいずれか1種又は2種以上とされていることが好ましい。これら酸化物はフラックス成分と反応することによりフラックス成分を分解し、フラックスを失活することができる。特に、ノコロックろう付けで使用されるKAlF4を主成分とするフラックスを、確実に分解することが可能となる。また、前記樹脂が、アクリル樹脂であることが好ましい。アクリル樹脂は、加熱時に解重合を起こすため、不活性ガス雰囲気下においても良好な熱分解特性を有することになり、焼成後のフラックス成分侵入防止層内に樹脂が残存することを抑制できる。本発明のヒートシンク付パワーモジュール用基板は、上述のパワーモジュール用基板と、前記パワーモジュール用基板の前記金属層にフラックスを用いて接合されたヒートシンクと、を備えたことを特徴としている。この構成のヒートシンク付パワーモジュール用基板によれば、絶縁層と金属層との接合面の周縁に前述のフラックス成分侵入防止層が形成されているので、ヒートシンクを接合する際に、フラックス成分が絶縁層と金属層との接合面に侵入することが防止されていることになる。よって、絶縁層と金属層との接合信頼性に優れたヒートシンク付パワーモジュール用基板を提供することが可能となる。なお、ヒートシンクを接合した際には、その熱によってフラックス成分侵入防止層内の樹脂が分解されることから、ヒートシンク付パワーモジュール用基板におけるフラックス成分侵入防止層は、ほとんどが酸化物のみで構成されることなる。本発明のパワーモジュールは、上述のパワーモジュール用基板と、前記回路層上に配設された電子部品と、を備えたことを特徴としている。この構成のパワーモジュールによれば、絶縁層と金属層とが確実に接合されることになり、信頼性を大幅に向上させることができる。本発明によれば、フラックスを用いて被接合材を接合した場合であっても、フラックス侵入防止層を確実に付着させておくことができ、絶縁層と金属板との接合信頼性が低下することを抑制できるパワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュールを提供することができる。以下に、本発明の実施形態であるパワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュールについて、添付した図面を参照して説明する。本実施形態であるパワーモジュール用基板10は、図1に示すように、絶縁層を構成するセラミックス基板11と、このセラミックス基板11の一方の面図1において上面に配設された回路層12と、セラミックス基板11の他方の面図1において下面に配設された金属層13とを備えている。セラミックス基板11は、回路層12と金属層13との間の電気的接続を防止するものであって、絶縁性の高いAlN窒化アルミで構成されている。また、セラミックス基板11の厚さは、0.2~1.5mmの範囲内に設定されており、本実施形態では、0.635mmに設定されている。回路層12は、セラミックス基板11の一方の面に、導電性を有する金属板22が接合されることにより形成されている図5参照。本実施形態においては、回路層12は、純度が99.99以上のアルミニウムいわゆる4Nアルミニウムの圧延板からなるアルミニウム板がセラミックス基板11に接合されることにより形成されている。ここで、回路層12の厚さAは、0.2mm以上3.0mm以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、0.6mmに設定されている。金属層13は、セラミックス基板11の他方の面に、金属板23が接合されることにより形成されている図5参照。本実施形態においては、金属層13は、回路層12と同様に、純度が99.99以上のアルミニウムいわゆる4Nアルミニウムの圧延板からなるアルミニウム板がセラミックス基板11に接合されることで形成されている。ここで、金属層13の厚さBは、0.2mm以上3.0mm以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、1.6mmに設定されている。なお、本実施形態においては、回路層12の厚さと金属層13の厚さとの比B/Aは、1.5≦B/A≦20の範囲内に設定されており、本実施形態では、B/A=1.6/0.6=2.667に設定されている。そして、本実施形態においては、パワーモジュール用基板10のうちセラミックス基板11と金属層13との接合面の周縁部に、フラックス成分侵入防止層51が形成されている。このフラックス成分侵入防止層51は、図1に示すように、フィレット形状をなしている。すなわち、セラミックス基板11の下面及び金属層13の側面にわたってフラックス成分侵入防止層51が形成されており、フラックス成分侵入防止層51によって、セラミックス基板11と金属層13との接合面の周縁部が完全に覆われている。このフラックス成分侵入防止層51は、酸化物と樹脂とを含有するものであり、より具体的には、酸化物の含有量が5体積以上60体積以下、残部が樹脂とされている。酸化物としては、TiO2、SiO2、Al2O3のうちのいずれか1種又は2種以上が用いられている。なお、酸化物の粒径は、0.01μm以上20μm以下の範囲内とされている。本実施形態では、後述するように、このパワーモジュール用基板10の金属層13の他方の面側にヒートシンク40を、KAlF4を主成分とするフラックスを用いたノコロックろう付けによって接合する。よって、フラックス成分であるKAlF4を分解する酸化物として好適なTiO2が用いられている。より具体的には、TiO2を5体積以上60体積以下の範囲内で含有しているのである。樹脂としては、アクリル樹脂、セルロース樹脂、ブチラール樹脂等を用いることができる。本実施形態では、アクリル樹脂が用いられている。次に、本実施形態であるパワーモジュール用基板10を用いたヒートシンク付パワーモジュール用基板30及びパワーモジュール1について、図2を参照して説明する。このパワーモジュール1は、ヒートシンク付パワーモジュール用基板30と、回路層12の表面にはんだ層2を介して接合された半導体チップ3と、を備えている。また、本実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール用基板30は、上述したパワーモジュール用基板10に、ヒートシンク40を接合したものである。本実施形態においては、ヒートシンク40とパワーモジュール用基板10とは、KAlF4を主成分とするフラックスを用いたノコロックろう付けによって接合されている。ヒートシンク40は、前述のパワーモジュール用基板10を冷却するためのものである。本実施形態であるヒートシンク40は、パワーモジュール用基板10と接合される天板部41と、この天板部41に対向するように配置された底板部45と、天板部41と底板部45との間に介装されたコルゲートフィン46と、を備えており、これら天板部41と底板部45とコルゲートフィン46とによって、冷却媒体が流通する流路42が画成されている。ここで、ヒートシンク40が接合される際の熱によって、上述のパワーモジュール用基板10のフラックス成分侵入防止層51中の樹脂が熱分解して除去されることになる。したがって、図2に示すヒートシンク付パワーモジュール基板30におけるフラックス成分侵入防止層51においては、樹脂成分がほとんどなく、酸化物本実施形態ではTiO2で構成されていることになる。次に、本実施形態であるパワーモジュール用基板10のフラックス成分防止層51を形成する際に用いられるフラックス成分侵入防止層形成用ペースト50について説明する。このフラックス成分侵入防止層形成用ペースト50は、酸化物と、樹脂と、溶剤と、を含有するものであり、より具体的には、酸化物の含有量が10質量以上80質量以下、樹脂の含有量が5質量以上30質量以下、残部が溶剤とされている。酸化物としては、TiO2、SiO2、Al2O3のうちのいずれか1種又は2種以上が用いられている。なお、酸化物の粒径は、0.01μm以上20μm以下の範囲内とされている。本実施形態では、上述のように、KAlF4を主成分とするフラックスを用いることから、フラックス成分であるKAlF4を分解する酸化物として好適なTiO2が用いられている。より具体的には、TiO2を10質量以上80質量以下の範囲内で含有しているのである。樹脂としては、アクリル樹脂、セルロース樹脂、ブチラール樹脂等を用いることができる。本実施形態では、アクリル樹脂が用いられており、その含有量が、5質量以上30質量以下の範囲内とされている。溶剤としては、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジブチルエーテル等の非極性溶媒が用いられている。そして、本実施形態であるフラックス成分侵入防止層形成用ペースト50においては、温度25°Cでのずり速度10s-1における粘度が、10mPas以上20000mPas以下の範囲内とされ、温度25°Cでのずり速度100s-1における粘度が、10mPas以上5000mPas以下の範囲内とされている。さらに、本実施形態においては、温度25°Cでのずり速度10s-1における粘度を、100mPas以上10000mPas以下の範囲内とされ、温度25°Cでのずり速度100s-1における粘度を、50mPas以上2500mPas以下の範囲内とされている。ここで、所定のずり速度における粘度は、ストレスメータにおいて、測定治具としてコーン4°、直径40mmを用い、このコーンを回転させてフラックス成分侵入防止層形成用ペースト50に所定のずり速度を与えて、3分後における粘度値とした。次に、このフラックス成分侵入防止層形成用ペースト50の製造方法について、図3に示すフロー図を参照して説明する。まず、溶剤と樹脂とを混合して遊星式撹拌装置によって撹拌し、溶剤中に樹脂を溶解したビークルを作製するビークル作製工程S01。そして、酸化物粉末TiO2粉末と、ビークルと、を遊星式撹拌装置によって撹拌する混錬工程S02。このようにして、フラックス成分侵入防止層形成用ペースト50が製出されることになる。次に、本実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法について、図4から図7を参照にして説明する。回路層及び金属層接合工程S11まず、図5に示すように、セラミックス基板11の一面側に、回路層12となる金属板224Nアルミニウムの圧延板が、厚さ5~50μm本実施形態では14μmのろう材箔24を介して積層され、セラミックス基板11の他面側に、金属層13となる金属板234Nアルミニウムの圧延板が厚さ5~50μm本実施形態では14μmのろう材箔25を介して積層される。なお、本実施形態においては、ろう材箔24、25は、融点降下元素であるSiを含有したAl-Si系のろう材とされている。次に、金属板22、セラミックス基板11、金属板23を積層方向に加圧圧力1~5kgf/cm2した状態で加熱炉内に装入して加熱する。すると、ろう材箔24、25と金属板22、23の一部とが溶融し、金属板22、23とセラミックス基板11との界面にそれぞれ溶融金属領域が形成される。ここで、加熱温度は550°C以上650°C以下、加熱時間は30分以上180分以下とされている。次に、金属板22、23とセラミックス基板11との界面にそれぞれに形成された溶融金属領域を凝固させることにより、セラミックス基板11と金属板22及び金属板23とを接合する。フラックス成分侵入防止層形成工程S12そして、次に、セラミックス基板11と金属層13金属板23との接合面の周縁に、フラックス成分侵入防止層51を形成する。ここで、フラックス成分侵入防止層51の形成方法について、図6を用いて説明する。まず、セラミックス基板11と金属層13金属板23との接合面の周縁に向けて、ディスペンサー53を用いて、フラックス成分侵入防止層用ペースト50を塗布するペースト塗布工程S21。塗布したフラックス成分侵入防止層用ペースト50を放置しておく。すると、自重によってフラックス成分侵入防止層用ペースト50が適度にダレて、図6に示すようにフィレット形状が形成されることになるフィレット形状形成工程S22。そして、50~150°C×3~30分間の条件で乾燥を実施する乾燥工程S23。このとき、フラックス成分侵入防止層形成用ペースト50内の溶剤が除去され、酸化物本実施形態ではTiO2と樹脂本実施形態ではアクリル樹脂とからなるフラックス成分侵入防止層51が形成されることになる。ヒートシンク接合工程S13次に、図7に示すように、パワーモジュール用基板10の金属層13の他方の面側に、ヒートシンク40を接合する。具体的には、パワーモジュール用基板10の金属層13とヒートシンク40の天板部41との間に、Al-Si系ろう材箔27と、KAlF4を主成分とするフラックス図示なしとを介在させる。次に、積層されたパワーモジュール用基板10、ヒートシンク40を積層方向に加圧圧力0~10kgf/cm2した状態で、雰囲気加熱炉内に装入して加熱し、金属層13とヒートシンク40の天板部41との間に溶融金属領域を形成する。ここで、本実施形態では、雰囲気加熱炉内は、窒素ガス雰囲気とされており、加熱温度は550°C以上630°C以下の範囲内に設定している。そして、上述の溶融金属領域が凝固することにより、パワーモジュール用基板10の金属層13とヒートシンク40の天板部41とが接合される。このとき、金属層13、天板部41の表面には、酸化被膜が形成されているが、前述のフラックスによってこれらの酸化被膜が除去される。このとき、金属層13、天板部41の表面には、酸化被膜が形成されているが、前述のフラックスによってこれらの酸化被膜が除去される。このとき、フラックス成分が液化、気化して、セラミックス基板11側へと移動することになる。このようにして、ヒートシンク40とパワーモジュール用基板10とが接合されて本実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール用基板30が製造されることになる。以上のような構成とされた本実施形態であるパワーモジュール用基板10によれば、セラミックス基板11と金属層13との接合面の周縁部に、酸化物と樹脂とを含有するフラックス成分侵入防止層51が形成されているので、金属層13の他方の面に、フラックスを用いてヒートシンク40を接合する際に、フラックス成分であるKAlF4がセラミックス基板11側に移動してきても、KAlF4がフラックス成分侵入防止層51の中の酸化物に接触して分解されるため、セラミックス基板11と金属層13との接合面にフラックス成分であるKAlF4が進入することを抑制できる。ここで、フラックス成分侵入防止層51の組成は、酸化物を5体積以上60体積以下の範囲内で含み、残部が樹脂とされているので、フラックス成分を確実に分解することができ、セラミックス基板11と金属層13との接合面にフラックス成分が進入することを確実に抑制できる。また、酸化物の含有量が60体積以下とされているので、フラックス成分侵入防止層51内の樹脂の含有量が確保されることになり、ヒートシンク40を接合するヒートシンク接合工程S13までに、パワーモジュール用基板10からフラックス成分侵入防止層51が脱落することを防止できる。また、本実施形態においては、フラックス成分侵入防止層51がフィレット形状をなしているので、セラミックス基板11の他方の面及び金属層13の側面にそれぞれ延在するようにフラックス成分侵入防止層51が形成されることになり、セラミックス基板11と金属層13との接合面にフラックス成分が進入することを確実に抑制できる。さらに、フラックス成分侵入防止層51に含まれる酸化物が、TiO2、SiO2、Al2O3のうちのいずれか1種又は2種以上とされており、本実施形態では、TiO2を含有しているので、ノコロックろう付けで使用されるKAlF4を主成分とするフラックスを、確実に分解することが可能となる。また、フラックス成分侵入防止層51に含まれる樹脂としてアクリル樹脂が用いられている。ここで、アクリル樹脂は、加熱時に解重合を起こし、不活性ガス雰囲気下においても良好な熱分解特性を有することになり、焼成後のフラックス成分侵入防止層51内に残存することを抑制できる。さらに、本実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール用基板30によれば、セラミックス基板11と金属層13との接合面の周縁に前述のフラックス成分侵入防止層51が形成されているので、ヒートシンク40を接合する際に、フラックス成分であるKAlF4がセラミックス基板11と金属層13との接合面に侵入することが防止されていることになる。よって、セラミックス基板11と金属層13との接合信頼性に優れたヒートシンク付パワーモジュール用基板30を提供することが可能となる。また、本実施形態においては、フラックス成分侵入防止層51を形成する際に用いられるフラックス成分侵入防止層用ペースト50として、温度25°Cでのずり速度10s-1における粘度が、10mPas以上20000mPas以下の範囲内とされ、温度25°Cでのずり速度100s-1における粘度が、10mPas以上5000mPas以下の範囲内とされたものを適用しているので、セラミックス基板11と金属層13との接合面の周囲に対して、フラックス成分侵入防止層形成用ペースト50を良好に塗布することができる。また、塗布したフラックス成分侵入防止層形成用ペースト50が適度にダレることによって、図1、図2に示すような良好なフィレット形状が形成されることになり、フラックス成分侵入防止層51を確実に形成することができる。以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、回路層としてアルミニウム板を用いたもので説明したが、これに限定されることはなく、回路層が銅板で構成されたものであってもよい。また、AlNからなるセラミックス基板を用いたものとして説明したが、これに限定されることはなく、Al2O3、Si3N4等の他のセラミックス基板でもよいし、他の絶縁材を用いたものであってもよい。さらに、セラミックス基板と回路層及び金属層との接合方法については、本実施形態に限定されることはなく、他の方法で接合されていてもよい。また、セラミックス基板と金属層との接合面の周縁にフラックス成分侵入防止層を形成したもので説明したが、これに限定されることはなく、図8に示すパワーモジュール用基板110のように、セラミックス基板111と金属層113との接合面の周縁にフラックス成分侵入防止層151を形成するのみでなく、回路層112とセラミックス基板111との接合面の周縁にもフラックス成分侵入防止層152を形成してもよい。特に、フラックス成分が気化する場合には、セラミックス基板111を越えて回路層112とセラミックス基板111との接合面に侵入するおそれがあることから、回路層112とセラミックス基板111との接合面の周縁にもフラックス成分侵入防止層152を形成することが好ましい。フラックスを分解する酸化物としてTiO2を含有するものとして説明したが、これに限定されることはなく、TiO2、SiO2、Al2O3のうちのいずれか1種又は2種以上とされていてもよいし、その他の酸化物であってもよい。この酸化物の種類については、接合に使用されるフラックスに応じて選択することが好ましい。また、樹脂としてアクリル樹脂を用いたもので説明したが、これに限定されることはなく、他の樹脂を用いてもよい。以下に、本発明の効果を確認すべく実施した確認実験の結果について説明する。図3のフロー図に記載した手順で、表1に示す組成のフラックス成分侵入防止層用ペーストを製出した。なお、比較例2では、フラックス成分侵入防止層用ペーストを使用しなかった。ここで、有機物混合工程S1においては、遊星式撹拌装置株式会社シンキー社製AR-250を用いて30分間の撹拌を実施し、樹脂を溶剤に溶解させた。また、混錬工程S2においては、遊星式撹拌装置株式会社シンキー社製AR-250を用いて30分間の撹拌を実施した。得られたフラックス成分侵入防止層用ペーストを用いて、上述の実施形態で開示されたパワーモジュール用基板にフラックス成分侵入防止層を形成した。なお、比較例2では、フラックス成分侵入防止層を形成しなかった。ディスペンサー武蔵エンジニアリング株式会社社製SuperΣX-V2に内径0.26mmのニードルを付け、塗布圧0.20kPaにて、上述のパワーモジュール用基板のセラミックス基板と金属層との接合面の周縁にフラックス成分侵入防止層用ペーストを塗布した。塗布後、ホットプレート上で80°C、5分間の乾燥処理を実施した。まず、フラックス成分進入防止層の脱落試験を実施した。フラックス成分侵入防止層を形成したパワーモジュール用基板をプラスチックのトレイの上に置き、振盪機にて300rpmで3時間振盪を行い、フラックス成分侵入防止層の脱落の有無を観察した。脱落が認められないものを○、0.5mm以下の欠片が僅かに脱落したと認められたものを△、0.5mm以上の欠片が脱落したと認められたものを×と評価した。なお、0,5mm以下の欠片が僅かに脱落しただけであれば実用上問題ないレベルである。次に、上述のパワーモジュール用基板にヒートシンクの天板部のみを、ノコロックろう付けによって接合して、ヒートシンク付パワーモジュール用基板とした。まず、得られたヒートシンク付パワーモジュール用基板に対して、セラミックス基板と金属層との接合面を超音波探傷装置株式会社日立エンジニアリングアンドサービス社製FineSATFS-200によって観察し、剥離の有無によって、初期の接合信頼性を評価した。次に、このヒートシンク付パワーモジュール用基板に対して、-40°C←→125°Cの冷熱サイクルを1000サイクル負荷した。そして、セラミックス基板と金属層との接合面を超音波探傷装置株式会社日立エンジニアリングアンドサービス社製FineSATFS-200によって観察し、剥離の有無によって、冷熱サイクル後の接合信頼性を評価した。剥離無しを◎、剥離長さが接合面の一辺の30以下の場合を○、剥離長さが接合面の一辺の30を超える場合を×と評価した。なお、剥離長さが接合面の一辺の30以下であれば実際上支障がないと評価した。なお、本実施例では、セラミックス基板を30mm×20mm×0.635mmとし、回路層を13mm×10mm×0.6mmとし、金属層を13mm×10mm×1.6mmとし、ヒートシンクの天板部を50mm×50mm×7mmとした。評価結果を表2に示す。酸化物を含有していないフラックス成分侵入防止層が形成された比較例1においては、脱落試験の評価は良好であったが、接合信頼性に劣ることが確認された。これは、フラックス成分侵入防止層が酸化物を有していないため、フラックス成分を分解できず、フラックス成分がセラミックス基板と金属層の接合面に侵入し、接合信頼性が低下したと推測される。フラックス成分侵入防止層形成用ペーストを形成しなかった比較例2においては、接合信頼性に劣ることが確認された。これは、フラックス成分がセラミックス基板と金属層の接合面に侵入し、接合信頼性が低下したと推測される。これに対して、酸化物を含有したフラックス成分侵入防止層が形成された実施例1-7においては、接合信頼性が良好であることが確認された。フラックス成分であるKAlF4がフラックス成分侵入防止層と接触した際に分解されることから、フラックス成分がセラミックス基板と金属層の接合面に侵入することが防止され、接合信頼性が良好となったと推測される。さらに、フラックス成分侵入防止層における酸化物の含有量乾燥後の酸化物量が70.1とされた実施例6においては、樹脂の含有量が少ないため、脱落試験でフラックス成分侵入防止層の一部で脱落が認められた。また、フラックス成分侵入防止層における酸化物の含有量乾燥後の酸化物量が4.5とされた実施例7においては、酸化物の含有量が少なかったため、実施例1-6と比較すると、若干の接合信頼性の低下が認められた。以上の確認実験の結果、本発明によれば、ヒートシンクを接合した際に、セラミックス基板と金属層との接合信頼性の低下を防止できることが確認された。さらに、フラックス成分侵入防止層における酸化物の含有量を望ましくは5体積以上60体積以下の範囲内とすることによって、フラックス成分侵入防止層の脱落を防止できるとともに、より確実に接合信頼性の低下を防止できることが確認された。"