"シリコン、ゲルマニウム、シリサイド及びゲルマサイドからなる群から選択された少なくとも1種の半導体材料と金属材料との複合材料であって、前記金属材料が前記半導体材料の表面及び内部の少なくとも一部に、粒状及び板状の少なくとも1種の形態で分散されており、前記半導体材料と前記金属材料との複合化により、バンドギャップが前記半導体材料単独の場合より広がっていることを特徴とする光触媒複合材料。前記半導体材料は、粉末、微粒子及び板状からなる群から選択された少なくとも一種の形態で存在していることを特徴とする請求項1に記載の光触媒複合材料。前記金属材料は、金、銀、銅及び白金からなる群から選択された少なくとも1種であることを特徴とする請求項1又は2に記載の光触媒複合材料。光触媒反応により反応を起こさせようとする反応物質の還元反応の標準電極電位をE1、酸化反応の標準電極電位をE2とし、半導体材料の伝導体の標準電極電位をe1、価電子体の標準電極電位をe2としたとき、前記半導体材料に、その価電子体の標準電極電位e2よりも正電位側に高い標準電極電位e3をもつ金属材料を付着させ、e1~e3のバンドギャップをもつ半導体材料と金属材料との複合材料としたことを特徴とする光触媒複合材料。前記反応物質が水であり、前記半導体材料がβ-FeSi2、シリコン、ゲルマニウム、シリサイド又はゲルマサイドであり、前記金属材料がAuであることを特徴とする請求項4に記載の光触媒複合材料。前記反応物質がメチルアルコールであり、前記半導体材料がβ-FeSi2、シリコン、ゲルマニウム、シリサイド又はゲルマサイドであり、前記金属材料がAu、Pt又はAgであることを特徴とする請求項4に記載の光触媒複合材料。しかし、このTiO2の禁制帯幅は3.2eVであり、400nmより短波長の近赤外の光にのみ応答し、太陽光の約4の波長帯域活用に留まっている。つまり、TiO2は、太陽光の可視光に対する応答性は極めて少ない。この可視光応答性への課題に対し、CdS及びZnS等のII-VI族半導体材料の検討、並びに、TiO2へのN又はCr等のドーピングが検討されているものの、前者には光腐食の問題、後者には量子収率の低下の問題がある。また、半導体材料の光触媒への応用については、光触媒効果には、発生した光励起キャリアが反応に必要なポテンシャルを持つ必要があるが、酸化チタンのようにバンドギャップが広く3.2eV以上、伝導帯の標準電極電位が水からの水素発生電位0eVより負電位側に位置し、価電子帯のそれが酸素発生電位1.23eVより正電位側に位置しなければ、酸化還元反応が発現しない。なお、酸化チタンTiO2以外の光触媒として、酸化鉄Fe2O3等の酸化物半導体が紫外線吸収層として開示されている特許文献2。本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、太陽光及び室内照明に含まれているエネルギの高い紫外光に加えて、これよりエネルギが低いが波長が長い可視光領域の光に対して触媒活性を有し、太陽光を効率よく利用できる光触媒複合材料を提供することを目的とする。本発明に係る光触媒複合材料は、シリコン、ゲルマニウム、シリサイド及びゲルマサイドからなる群から選択された少なくとも1種の半導体材料と金属材料との複合材料であって、前記金属材料が前記半導体材料の表面及び内部の少なくとも一部に、粒状及び板状の少なくとも1種の形態で分散されており、前記半導体材料と前記金属材料との複合化により、バンドギャップが前記半導体材料単独の場合より広がっていることを特徴とする。この光触媒複合材料において、前記半導体材料は、例えば、粉末、微粒子及び板状からなる群から選択された少なくとも一種の形態で存在している。また、前記金属材料は、金、銀、銅及び白金からなる群から選択された少なくとも1種であることが好ましい。また、本発明に係る他の光触媒複合材料は、光触媒反応により反応を起こさせようとする反応物質の還元反応の標準電極電位をE1、酸化反応の標準電極電位をE2とし、半導体材料の伝導体の標準電極電位をe1、価電子体の標準電極電位をe2としたとき、前記半導体材料に、その価電子体の標準電極電位e2よりも正電位側に高い標準電極電位e3をもつ金属材料を付着させ、e1~e3のバンドギャップをもつ半導体材料と金属材料との複合材料としたことを特徴とする。この光触媒複合材料において、例えば、前記反応物質が水であり、前記半導体材料がβ-FeSi2、シリコン、ゲルマニウム、シリサイド又はゲルマサイドであり、前記金属材料がAuである。また、例えば、前記反応物質がメチルアルコールであり、前記半導体材料がβ-FeSi2、シリコン、ゲルマニウム、シリサイド又はゲルマサイドであり、前記金属材料がAu、Pt又はAgである。本発明によれば、紫外領域から、近赤外領域までの太陽光を効率よく利用できるという効果を奏する。以下、本発明の実施形態について、具体的に説明する。本発明の光触媒複合材料は、半導体材料の表面及び内部の少なくとも一部に、金属材料が、粒状又は板状の形態で分散されている。前記半導体材料は、シリコン、ゲルマニウム、シリサイド及びゲルマサイドからなる群から選択された少なくとも1種である。また、前記金属材料は、例えば、金、銀、銅及び白金からなる群から選択された少なくとも1種である。そして、前記半導体材料と前記金属材料との複合化により、光触媒複合材料のバンドギャップが前記半導体材料単独の場合より広がっている。この光触媒複合材料において、半導体材料部分でバンドギャップエネルギよりも高い波長エネルギをもつ光は吸収され、半導体材料内部に光キャリア対電子及び正孔が生成する。この光励起キャリアのうち、電子が半導体材料部分に集まり、正孔が金属材料部分に集まって、電子と正孔とが分離する。これにより、半導体材料部分にて還元反応が生じ、金属材料部分にて酸化反応が生じて、光触媒機能が発現する。本発明に係る光触媒は、従来の可視光応答性光触媒と比較して優れた可視光応答性を示す。更に、半導体のバンドギャップよりも高いエネルギをもつ近赤外領域の光に対しても応答可能となる。このため、本発明に係る光触媒複合材料を用いれば、太陽光を含めた紫外領域から近赤外領域の光を効率よく利用でき、有機物の分解反応等及び水を分解して水素を発生する反応等を高い効率で行うことができる。また、本発明に係る光触媒複合材料は、優れた可視光応答性を示すため、室内のように十分な光強度が得られない場所であっても、高い有機物分解性能及び水の分解による水素発生性能を発揮することが可能となる。更に、水の分解反応に限らず、メチルアルコール及びエタノール等のアルコールの分解に対しても触媒機能を発現させる。以下、本発明の実施形態に係る光化学ダイオードについて、具体的に説明する。図1は本発明の第1実施形態の光化学ダイオードの断面構造を示す図である。基板1はガラス又はセラミックス等の任意の物質で構成されている。この基板1の上に、金、銀、銅又は白金等の金属材料2が真空蒸着法、スパッタ法又はメッキ法等の任意の方法によって、例えば20~200nmの厚さの薄膜状又は分散した粒子の状態で堆積されている。更に、この金属材料2上に、蒸着法、スパッタ法、化学気相成長法等の既存の半導体合成方法により、シリコン、ゲルマニウム、シリサイド又はゲルマサイドからなる半導体材料3の粒子を堆積させる。その半導体材料3の粒子の大きさは数100μm以下とし、その形状は任意である。更に、その半導体材料3の粒子の底部又は側面が金属材料2と接触している。半導体材料3の電気伝導型は問わないものの、水溶液中で光触媒として利用するには、液体とのショットキー界面での電子移動のために、p型であることが望ましい。図2は本発明の第2実施形態の光化学ダイオードの断面構造を示す図である。基板1はガラス又はセラミックス等の任意の物質で構成されている。この基板1の上に、蒸着法、スパッタ法、又は化学気相成長法等の既存の半導体合成方法にて、シリコン、ゲルマニウム、シリサイド又はゲルマサイドからなる半導体材料3の粒子が堆積されている。この半導体材料3の粒子の大きさは例えば数100μm以下であるが、その形状は任意である。更に、蒸着法又はアークプラズマ堆積法等により、金、銀、銅又は白金からなる金属材料2の粒子が半導体材料3の粒子に付着されている。この金属材料2の粒子の大きさは例えば数nm~数10μmである。金属材料2の粒子は半導体材料3の粒子の上部あるいは側面の一部に接触している。半導体材料3の電気伝導型は問わないものの、水溶液中で光触媒として利用するには、液体とのショットキー界面での電子移動のためにp型であることが望ましい。図3は本発明の第3実施形態の光化学ダイオードの断面構造を示す図である。シリコン、ゲルマニウム、シリサイド又はゲルマサイドからなる半導体材料3で構成された基板上に、蒸着法又はアークプラズマ堆積法等により、金属材料2を付着させる。その金属材料2の大きさは、例えば、数nm~数10μmである。この金属材料2は、半導体材料3からなる基板の表面上に薄膜状ではなく、分散して付着しており、薄膜化の手前の島状に形成されていて、半導体材料3からなる基板の表面の一部が露出している。半導体材料3の電気伝導型は問わないものの、水溶液中で光触媒として利用するには、液体とのショットキー界面での電子移動のためにp型であることが望ましい。図4は本発明の第4実施形態の光化学ダイオードの断面構造を示す図である。基板1はガラス又はセラミックス等の任意の物質で構成されており、この基板1の上に蒸着法、スパッタ法、又は化学気相成長法等の既存の半導体合成方法にて、シリコン、ゲルマニウム、シリサイド又はゲルマサイドからなる半導体材料3の層が堆積されている。この半導体材料3層上に、蒸着法又はアークプラズマ堆積法等により、金属材料2が付着されている。この金属材料2の大きさは、数nm~数10μmであり、半導体材料3の基板上に分散して付着している。半導体の電気伝導型は問わないものの、水溶液中で光触媒として利用するには、液体とのショットキー界面での電子移動のためにp型であることが望ましい。本実施形態の金属材料2の粒子も半導体材料3からなる基板の表面を覆うものではなく、基板表面上に島状等に分散して存在する。本実施形態は、半導体材料3からなる基板と、ガラス等の基板1との積層体を基板としているが、光触媒として必要な基板の厚さは、薄くて足り、強度を保持する部分は、ガラス基板等でも良い。これにより、本実施形態は低コスト化が可能である。上述のように構成された上記のような構造を有する光化学ダイオードに光照射すると、半導体内で光励起キャリアが発生する。それらの電子のポテンシャルは、伝導帯の標準電極電位で決まり、水からの水素発生電位より負電位側に位置する場合は、還元反応に寄与する。図5は半導体材料3がβ-FeSi2であり、金属材料2がAuである場合のバンド構造と、水の酸化還元電位と、Auの標準電極電位を示す図である。水が水素と酸素とに分解されて水素及び酸素が発生するときの電位は、夫々0eV及び1.32eVである。TiO2のバンドギャップは、水素の発生電位0eVよりも負電位側に高く、酸素の発生電位1.32eVよりも正電位側に高い。このため、光触媒がTiO2である場合は、それ単独で、水の分解に寄与し、光触媒として機能する。一方、半導体材料3としてのβ-FeSi2のバンドギャップは、-1.0eV~0.2eVである。このβ-FeSi2単独であると、この半導体材料3では、水の分解は生じない。しかしながら、本発明においては、このβ-FeSi2半導体材料3に、金属材料2としてAuが付着している。このAuは図5に示すように、標準電極電位が1.52eVであるので、Auが付着していることにより、本発明の複合材料は、バンドギャップが、-1.0eV~1.52eV程度になる。このバンドギャップは、水からの水素発生電位0eVよりも負電位側に高く、水からの酸素発生電位1.32eVよりも正電位側に高いため、水からの水素及び酸素の発生が生じ、水の分解に寄与し、光触媒として機能する。即ち、光励起によって生成した正孔は、半導体材料3β-FeSi2に付着した金属材料2金に移動することによって、Auは1.52eVの標準電極電位を有し、水からの酸素発生電位よりも正電位側に位置し、酸化反応に寄与する。実際、図1に示すような構造を有する金担持された鉄シリサイドβ-FeSi2を含むメチレンブルー水溶液0.02ミリモル/リットル、50ミリリットルに、ソーラシュミレータによるAM1.5の光疑似太陽光を100mW/cm2の強度で照射した場合には、図6に示すように、メチレンブルーの褪色反応が起きることによって光触媒機能の発現が確認された。この図6のデータは、Au/β-FeSi2光化学ダイオードによるメチレンブルーの濃度変化を示す図であり、このメチレンブルーの濃度が減少することが、光触媒の作用によりメチレンブルーの分解が生じていることを示している。上述のように、本発明は、半導体材料の単独では水溶液等の反応を起こさせようとする反応物質を、光触媒反応により反応させることができないが、この半導体材料に金属材料を担持させることにより、そのバンドギャップを、反応分解させようとする反応物質の酸化還元電極電位よりも広げることを特徴とするものである。これは、上述のように、鉄シリサイドβ-FeSi2にAuを付着させて、水の分解のための酸化還元電位よりも広げる場合に限らず、種々の反応物質の反応に適用することができる。図7は半導体材料として、β-FeSi2と、Siと、Geの標準電極電位を示し、金属材料として、Au,Pt,Ag,Cuの標準電極電位を示す。更に、図7には、水が水素と酸素に分解されるときの電位と、メタノールCH3OHの分解電位も示す。この図7に示すように、上述の実施形態では、β-FeSi2にAuを付着させることにより、水の酸化還元電位よりも広いバンドギャップを得て、光触媒作用を得ている。同様にして、例えば、半導体材料としてのSiにAuを付着させると、水の酸化還元電位よりも広いバンドギャップを得て、光触媒作用を得ることができる。図8は、地表に到達する太陽放射エネルギと、太陽光の波長との関係を示すグラフ図である。TiO2光触媒の場合には、400nmより短い短波長側で応答するので、この場合は、4程度のエネルギしか利用できていない。これに対し、β-FeSi2にAuを付着させた場合は、波長1.5μmまで応答するので、太陽光の84のエネルギを利用することができる。Geの場合も波長1.5μmまで応答し、Siの場合は、波長1.1μmまで応答する。よって、これらの半導体材料は、TiO2よりも多量の太陽光エネルギを利用することができ、光触媒として、高効率であるといえる。半導体材料がGeである場合も、同様であり、Auを付着させることにより、水の酸化還元電位よりも広いバンドギャップを得て、光触媒作用を得ることができる。また、反応物質が、水ではなく、メタノールCH3OHの場合は、金属材料として、Auに加えて、白金Pt及び銀Agを使用しても、半導体材料としてのβ-FeSi2、Si又はGeに複合化することにより、バンドギャップをメタノールの酸化還元電位よりも広げることができ、光触媒作用を得ることができる。金属材料がCuの場合は、正電位側にバンドギャップを有する半導体材料と組み合わせることにより、メタノールの酸化還元電位よりもバンドギャップを広げることができる。このようにして、本発明は、光触媒反応により反応を起こさせようとする反応物質の還元反応の標準電極電位をE1、酸化反応の標準電極電位をE2としたとき、伝導体の標準電極電位がe1、価電子体の標準電極電位がe2の半導体材料に、この半導体材料の価電子体の標準電極電位e2よりも正電位側に高い標準電極電位e3をもつ金属材料を付着させたことを特徴とするものである。このような半導体材料と金属材料とを組み合わせることにより、本発明の光触媒複合材料は、e1~e3のバンドギャップをもつ光触媒となり、反応物質の還元反応の電極電位E1と、酸化反応の標準電極電位E2との間の電位よりも、広いバンドギャップを得ることができ、反応物質を分解して、光触媒作用を発揮する。特に、本発明においては、Si及びGeのように、半導体材料として十分に実用化されている材料に対し、光触媒作用をもたらすことができるので、光触媒材料の分野に極めて有益な材料を提供できる。この光触媒複合材料の一例としては、反応物質が水である場合は、半導体材料がβ-FeSi2、シリコン、ゲルマニウム、シリサイド又はゲルマサイドFeGe2等であり、金属材料がAuである。また、反応物質がメチルアルコールである場合は、半導体材料がβ-FeSi2、シリコン、ゲルマニウム、シリサイド又はゲルマサイドであり、金属材料がAu、Pt又はAgである。しかし、本発明は、これらの具体的な材料に限らず、本発明の原理によれば、種々の半導体材料と、種々の金属材料との組み合わせにより、そのバンドギャップを、光触媒により反応を起こさせようとする反応物質の標準電極電位より広げることが可能である。"