坩堝内でCのSi溶液からSiC単結晶を成長させる方法であって、成長しつつあるSiC単結晶とSi溶液との成長界面におけるSi溶液中のCの過飽和度を、平坦成長が維持できる上限の臨界値より高く維持して成長を進行させる高過飽和度成長期と、上記過飽和度を上記臨界値より低く維持して成長を進行させる低過飽和度成長期とを、交互に繰り返すことを特徴とするSiC単結晶の製造方法。請求項1において、上記高過飽和度と上記臨界値との差分を上記高過飽和度成長期の継続時間に亘って積算した値Saと、上記低高過飽和度と上記臨界値との差分を上記低過飽和度成長期の継続時間に亘って積算した値Sbとの比率を最適化パラメータとして用いることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。請求項1または2において、上記成長界面から上記坩堝内のSi溶液表面まで形成されるメニスカスの高さを増減させることにより、上記過飽和度を増減させることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。請求項1または2において、上記坩堝内のSi溶液中の温度勾配を増減させることにより、上記過飽和度を増減させることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。請求項2において、Sb/Sa≧1.25とすることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。本発明は、溶液法によりSiC単結晶を成長させる際に、均一な単結晶成長が持続できる平坦成長を維持しつつ、高い生産性を実現するために必要な成長速度の向上を達成できるSiC単結晶の製造方法を提供することを目的とする。上記の目的を達成するために、本発明によれば、坩堝内でCのSi溶液からSiC単結晶を成長させる方法であって、成長しつつあるSiC単結晶とSi溶液との成長界面におけるSi溶液中のCの過飽和度を、平坦成長が維持できる上限の臨界値より高く維持して成長を進行させる高過飽和度成長期と、上記過飽和度を上記臨界値より低く維持して成長を進行させる低過飽和度成長期とを、交互に繰り返すことを特徴とするSiC単結晶の製造方法が提供される。Si融液を溶媒としCを溶質とする溶液をCのSi溶液と呼ぶ。このSi溶液は、溶質としてCの他にCr、Ni等を含むことがある。本発明によれば、高過飽和度での成長区間において高い成長速度を得ると同時に荒れた成長界面が生成するが、低過飽和度での成長区間において成長速度は低下するが上記の荒れた成長界面が回復して平坦化することにより、SiC単結晶の全区間についてみれば、臨界値より低い過飽和度を維持して成長させた場合に比べて高い成長速度で均一な単結晶成長が実現できる。一般に、溶液からの結晶成長において、過飽和度は成長の駆動力になるので、過飽和度を高くすることで成長速度を上げることができる。一方、過飽和度は成長界面の状態にも強く影響する。過飽和度がある臨界値以下の範囲では、ファセット成長が持続して成長界面は平坦なまま維持される。しかし、過飽和度が臨界値を超えると2次元臨界核が発生し、成長に伴って成長界面に荒れが発生する。そのまま成長を続けると、成長界面の荒れに起因する欠陥溶媒の巻き込みなどが発生してしまう。本発明は、このような従来の問題を解消する。図1を参照して、本発明の原理を説明する。図11に示すように、本発明においては、過飽和度Dが、その臨界値臨界過飽和度Dcに対して高い高過飽和度成長期Aと低い低過飽和度成長期Bとを交互に繰り返すことが特徴である。図12<1>に示すように、高過飽和度D>Dcでの成長では、成長速度は速いが、成長界面のあれが増加し、成長結晶中に欠陥が発生する。これに対して、図12<2>に示すように、低過飽和度D<Dcでの成長では、ファセット成長が持続して平坦な成長界面が維持されて均一な単結晶成長が確保されるが、成長速度は遅く、結局高コストになり実用性の妨げになる。本発明者は、過飽和度Dとその臨界値Dcの関係について、高い過飽和度D>Dcで成長を行なっても、成長途中で低い過飽和度D<Dcに切り替えれば、荒れた成長界面を平坦に回復できることを新規に見出して本発明を完成させた。すなわち、図11に示すように、D>Dcの高過飽和度成長期Aと、D<Dcの低過飽和度成長期Bとを交互に繰り返すことで、成長界面の荒れに起因する欠陥を発生させることなく、D<Dcでの低過飽和度成長を維持した従来の成長法に比べて高い成長速度で成長を行なうことが可能となる。以下に、実施例により本発明を更に詳細に説明する。以下の実施例1、2、3において、黒鉛坩堝内への仕込み量をSi/Cr/Ni=54at/40at/6atの組成とし、これに黒鉛坩堝からのCを溶解させたSi溶液を用いた。実施例1メニスカス高さの増減による過飽和度の増減図2に溶液法による単結晶成長時の成長界面付近の状態を示す。黒鉛製等の支持軸の下端に種結晶を保持し、坩堝図示せず内のSi溶液面に種結晶を接触させた後に少し引き上げると、種結晶とSi溶液面との間にはSi溶液の表面張力によってメニスカスが形成される。図には、種結晶の下面にSiC単結晶が成長し、そのSiC単結晶の成長界面とSi溶液との間にメニスカスが形成された時点を示してある。メニスカス高さとは、種結晶下面に成長したSiC単結晶の成長界面の、坩堝内のSi溶液の表面からの高さである。メニスカス高さが増加するほど、メニスカスからの放熱が増加するのでメニスカス内の溶液温度が低下し、それに伴って成長界面直下でのCの過飽和度が高くなる。過飽和度の増加によって成長速度も増加するが、臨界値を超えると平坦成長が維持できなくなる。まず、予備実験として、メニスカス高さを種々の一定値に維持して成長を行なった。表1に、メニスカス高さの変化に対する、成長速度の変化と、平坦成長の可否○×を示す。Si溶液は、表面温度1996°C、表面から深さ1cmの内部温度2011°C、温度勾配15°C/cmであった。表1に示したように、メニスカス高さを0.5~2.5mmの5水準に維持して成長を行なった。その結果、メニスカス高さの増加に対応して、成長速度は0.26mm/hrから1.0mm/hrまで増加した。メニスカス高さが0.5mmから1.5mmまでは平坦成長が維持されたが表中○、メニスカス高さが2.0mm以上では平坦成長は維持できなかった表中×。図3に、このとき得られた成長結晶の端面の写真を示す。図31はメニスカス高さが1.0mmで平坦成長が維持された場合であり、平滑な端面が得られている。なお、写真中の溶液付着部とは、成長後に溶液面から引き上げた際に端面に付着した溶液の痕跡であり、結晶成長の成否とは関係ない。これに対し、図32はメニスカス高さが2.0mmで平坦成長が維持できなかった場合であり、成長界面の荒れが激しく、引き上げ時に溶液が多量に付着している。上記予備実験の結果に基づき、平坦成長が維持できるメニスカス高さの上限値すなわち臨界値を1.5mmとした。次に、過飽和度を変化させるためにメニスカス高さを臨界値の上下に変動させて成長を行なった。図4に示す3種類の変動パターンを用いた。図示したように、高過飽和度D>Dcでの成長期Aと、低過飽和度D<Dcでの成長期Bとを交互に繰り返した。図41の変動パターンにおいては、高過飽和度成長期Aにおいて高メニスカス高さ2.5mmと臨界高さ1.5mmとの差分を成長期Aに亘って積算した値Saに対して、低過飽和度成長期Bにおいて低メニスカス高さ1.0mmと臨界高さ1.5mmとの差分を成長期Bに亘って積算した値Sbが1/2になるように、すなわちSb=0.5Saとした。図42の変動パターンでは、高過飽和度成長期Aの積算値Saと、低過飽和度成長期Bの積算値Sbとが等しくなるように、すなわちSb=Saとした。図43の変動パターンでは、高過飽和度成長期Aの積算値Saに対して、低過飽和度成長期Bの積算値Sbが1.5倍になるように、すなわちSb=1.5Saとした。図5に、上記3種類の変動パターンにより成長したSiC単結晶の端面の写真を示す。図51は、図41の変動パターンによる端面の状態であり、成長速度0.57mm/hrが得られたが、成長界面の荒れが激しく、溶液が多量に付着している。図52は、図42の変動パターンによる端面の状態であり、成長速度0.51mm/hrが得られたが、やはり成長界面の荒れが激しく、溶液が多量に付着している。図53は、図43の変動パターンによる端面の状態であり、成長速度0.52mm/hrが得られ、しかも平滑な端面であり平坦成長が達成された。この成長速度は、予備実験において平坦成長の得られる臨界のメニスカス高さ1.5mmで得られた成長速度0.37mm/hrに対して大幅に向上している。このように、本発明により、メニスカス高さを臨界高さに対して周期的に増減させ、それに伴って成長界面でのCの過飽和度Dをその臨界値Dcに対して周期的に増減させ、高過飽和度成長期Aと低過飽和度成長期Bについての差分積算値SaとSbとの比率を適正に選択することにより、平坦成長を確保しつつ、成長速度を大幅に向上させることができる。本実施例においては、差分の積算値の関係がSb≧1.5Saとなる範囲で、平坦成長を維持しつつ成長速度を高めることができると判断される。ただしSbが大きくなるほど、成長速度は遅くなると想定される。実施例2溶液内温度勾配の増減による過飽和度の増減Si溶液内の温度勾配を、坩堝加熱用の2段の高周波誘導コイルによって種々に制御した。温度勾配が高いほど成長界面直下の過飽和度は高くなる。それに伴って成長速度も高くなるが、臨界値を超えると平坦成長が維持できなくなる。まず、予備実験として、温度勾配を種々の一定値に維持して成長を行なった。ただし、Si溶液の表面温度と、表面から1cmの深さの内部温度との差を温度勾配とした。表2に、温度勾配の変化に対する、成長速度の変化と、平坦成長の可否○×を示す。Si溶液の表面温度は表2に示したとおりであり、メニスカス高さは1mmの一定値とした。表2に示したように、Si溶液内の温度勾配を15、30、40°C/cmの3水準に維持して成長を行なった。その結果、温度勾配の増加に対応して、成長速度は0.30、0.39、0.85mm/hrと増加した。温度勾配が15~30°C/cmの範囲では平坦成長が維持されたが表中○、温度勾配が40°C/cmに増加すると平坦成長は維持できなかった表中×。図6に、このとき得られた成長結晶の端面の写真を示す。図61は温度勾配が30°C/cmで平坦成長が維持された場合であり、平滑な端面が得られている。これに対し、図62は温度勾配が40°C/cmで平坦成長が維持できなかった場合であり、成長界面の荒れが激しく、引き上げ時に溶液が多量に付着している。上記予備実験の結果に基づき、平坦成長が維持できる温度勾配の上限値すなわち臨界値を30°C/cmとした。次に、過飽和度を変化させるために温度勾配を臨界値の上下に変動させて成長を行なった。変動パターンは、実施例1の結果に基づき、図7に示すように、高過飽和度成長期Aにおける高温度勾配40°C/cmと臨界値30°C/cmとの差分の積算値Saに対して、低過飽和度成長期Bにおける低温度勾配15°C/cmと臨界値30°C/cmとの差分の積算値Sbが1.5倍になるように、すなわちSb=1.5Saとした。ただし、実施例1のパターンと比べて、増減にかかる時間が長いので、図7に示すように温度勾配の変化はその変わり目で曲線的になる度合いが強い。図8に、この変動パターンにより成長したSiC単結晶の端面の写真を示す。図示したように、平滑な端面であり平坦成長が達成された。しかも成長速度は0.48mm/hrであり、予備実験において平坦成長の得られる臨界の温度勾配30°C/cmで得られた成長速度0.39mm/hrに対して大幅に向上している。このように、本発明により、温度勾配をその臨界値に対して周期的に増減させ、それに伴って成長界面でのCの過飽和度Dをその臨界値Dcに対して周期的に増減させ、高過飽和度成長期Aと低過飽和度成長期Bについての差分積算値SaとSbとの比率を適正に選択することにより、平坦成長を確保しつつ、成長速度を大幅に向上させることができる。本実施例においては、差分の積算値の関係がSb≧1.5Saとなる範囲で、平坦成長を維持しつつ成長速度を高めることができると判断される。ただしSbが大きくなるほど、成長速度は遅くなると想定される。実施例3支持軸内の鉛直方向温度勾配の影響本実施例においては、支持軸内の鉛直方向温度勾配ΔXの影響を調べた。ΔXが大きいと支持軸からの抜熱量が増加し、過飽和度が高まり、成長速度が大きくなる。すなわち、実施例1、2においては、ΔX=80°C/cmであった。これに対して本実施例においては、ΔX=85°C/cmと大きくして、実施例1のようにメニスカス高さの増減により過飽和度を増減させた。なお、ΔXは種結晶から支持軸内の20cm上部までの平均温度勾配である。まず、予備実験として、メニスカス高さを種々の一定値に維持して成長を行った。表3に、メニスカス高さの変化に対する、成長速度の変化と、平坦成長の可否○×を示す。Si溶液は、表面温度1996°C、表面から深さ1cmの内部温度2011°C、温度勾配15°C/cmであった。表3に示したように、メニスカス高さを1.0~2.0mmの4水準に維持して成長を行なった。その結果、メニスカス高さの増加に対応して、成長速度は0.56mm/hrから1.0mm/hrまで増加した。本実施例では支持軸からの抜熱量が増加したことにより、実施例1における同じメニスカス高さ範囲1.0~2.0mmの成長速度0.30~0.62mm/hrと比べて、高い成長速度が得られている。メニスカス高さが1.0から1.3mmまでは平坦成長が維持されたが表中○、メニスカス高さが1.5mm以上では平坦成長は維持できなかった表中×。図9に、このとき得られた成長結晶の端面の写真を示す。図91はメニスカス高さが1.0mmで平坦成長が維持された場合であり、平滑な端面が得られている。なお、写真中の溶液付着部とは、成長後に溶液面から引き上げた際に端面に付着した溶液の痕跡であり、結晶成長の成否とは関係ない。これに対し、図92はメニスカス高さが2.0mmで平坦成長が維持できなかった場合であり、成長界面の荒れが激しく、引き上げ時に溶液が多量に付着している。上記予備実験の結果に基づき、平坦成長が維持できるメニスカス高さの上限値すなわち臨界値を1.3mmとした。次に、過飽和度を変化させるためにメニスカス高さを臨界値の上下に変動させて成長を行なった。図10に示す2種類の変動パターンを用いた。図示したように、高過飽和度D>Dcでの成長期Aと、低過飽和度D<Dcでの成長期Bとを交互に繰り返した。図101の変動パターンにおいては、高過飽和度成長期Aにおいて高メニスカス高さ2.5mmと臨界高さ1.3mmとの差分を成長期Aに亘って積算した値Saに対して、低過飽和度成長期Bにおいて低メニスカス高さ1.0mmと臨界高さ1.5mmとの差分を成長期Bに亘って積算した値Sbが1/4になるように、すなわちSb=0.25Saとした。図102の変動パターンでは、高過飽和度成長期Aの積算値Saに対して、低過飽和度成長期Bの積算値Sbが1.25倍になるように、すなわちSb=1.25Saとした。図11に、上記2種類の変動パターンにより成長したSiC単結晶の端面の写真を示す。図111は、図101の変動パターンによる端面の状態であり、成長速度0.68mm/hrが得られたが、成長界面の荒れが激しく、溶液が多量に付着している。図112は、図102の変動パターンによる端面の状態であり、成長速度0.72mm/hrが得られ、しかも平坦な端面であり平坦成長が達成された。この成長速度は、予備実験において平坦成長が得られる臨界メニスカス高さ1.3mmで得られた成長速度0.60mm/hrに対して大幅に向上している。更に、この成長速度は、実施例1で変動パターン3で得られた最大の成長速度0.52mm/hrに対して、大幅に向上している。このように、本発明により、支持軸内の鉛直方向温度勾配を増加させる支持軸からの抜熱作用を強化することにより、本発明の変動パターンによる平坦成長速度の向上効果が一段と顕著になる。更に、実施例2、3より、平坦成長を維持しつつ成長速度を向上させるには、Sb≧1.25Saの関係が適切であると判断される。