裏面側にポリシリコン膜を形成したシリコンウェーハの電気特性測定方法において、前記シリコンウェーハの表面側には、陽極となる金属を蒸着させ、裏面側には、前記ポリシリコン膜の表面上に金属ペーストを塗布した後に、該金属ペーストを乾燥させ、該乾燥させた金属ペーストを介して陰極に接触させ、前記陽極及び陰極の間に電圧をかけることによりC-V特性を測定することを特徴とするウェーハの電気特性測定方法。前記シリコンウェーハとして、表面にエピタキシャル層を形成したエピタキシャルシリコンウェーハとすることを特徴とする請求項1に記載のウェーハの電気特性測定方法。前記金属ペーストを銀ペーストとすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のウェーハの電気特性測定方法。半導体ウェーハの抵抗率測定には、上記のようなC-V法による電気特性測定方法が広く用いられている。しかし、本発明者が鋭意研究を重ねた結果、裏面側にポリバックシールとしてポリシリコン膜が形成されたシリコンウェーハでは、該ポリシリコン膜の影響により、シリコンウェーハの表面側で抵抗率が上がってしまうことがあり、C-Vプロファイルがばらついてしまうことがわかった。このため、裏面側にポリシリコン膜が形成されたシリコンウェーハを用いて、同一条件でエピタキシャルシリコンウェーハの製造を行っていても、C-Vプロファイルのばらつきによって、製造されるエピタキシャルシリコンウェーハの抵抗率の測定値が安定しない等の問題があった。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、裏面側にポリバックシールとしてポリシリコン膜が形成されたウェーハの表面側のC-Vプロファイルのばらつきを効果的に抑制しながら、正確かつ容易にシリコンウェーハの電気特性を測定することができる電気特性測定方法を提供することを目的とする。上記目的を達成するために、本発明は、裏面側にポリシリコン膜を形成したシリコンウェーハの電気特性測定方法において、前記シリコンウェーハの表面側には、陽極となる金属を蒸着させ、裏面側には、前記ポリシリコン膜の表面上に金属ペーストを塗布した後に、該金属ペーストを乾燥させ、該乾燥させた金属ペーストを介して陰極に接触させ、前記陽極及び陰極の間に電圧をかけることによりC-V特性を測定することを特徴とするウェーハの電気特性測定方法を提供する。このように電気特性を測定することによって、金属ペーストによって導電性を向上させ、測定結果として得られるウェーハ表面側のC-Vプロファイルのばらつきを効果的に抑制しながら、正確にシリコンウェーハの電気特性を測定することができる。また、通常のC-V法による電気特性測定を行う準備段階として、ウェーハの裏面側に形成されたポリシリコン膜の表面上に金属ペーストを塗布するだけで良いため、非常に容易に実施でき、その効果を得ることができる。またこのとき、前記シリコンウェーハとして、表面にエピタキシャル層を形成したエピタキシャルシリコンウェーハとすることができる。このように、本発明はエピタキシャルシリコンウェーハにも適用可能である。また、裏面側にポリシリコン膜が形成されたエピタキシャルシリコンウェーハは、その表面側における抵抗率が不安定となりやすいため、本発明が好適である。またこのとき、前記金属ペーストを銀ペーストとすることが好ましい。このように、銀ペーストは導電性が高く安価であり、耐湿性に優れるため、本発明において、ポリシリコン膜の表面上に形成する金属ペーストとしては好適である。以上のように、本発明によれば、ウェーハ表面側のC-Vプロファイルのばらつきを効果的に抑制しながら、正確にシリコンウェーハの電気特性を測定することができる。また、通常のC-V法による電気特性測定を行う準備段階として、ポリシリコン膜の表面上に金属ペーストを塗布するだけで良いため、非常に容易に実施することができ、その効果を得ることができる。以下、本発明の実施形態の一例として、図面を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。まず、本発明において用いられる一般的なC-V特性測定装置について簡単に説明する。図4に、C-V特性測定装置の模式図の一例を示す。一般的なC-V特性測定装置10は、裏面電極となり、かつ測定対象のウェーハ11を載置するためのステージ13に、真空ポンプ19に接続された真空吸着穴20が形成されており、ウェーハ11は真空吸着穴20に真空吸着されることにより固定される。測定対象ウェーハ11としては鏡面ウェーハ、エピタキシャルウェーハなどいずれであってもよく、ここでは通常の鏡面ウェーハを測定対象ウェーハとした場合を示している。ウェーハ11の表面には、例えばショットキー電極12が形成されている。ショットキー電極12は、一般に市販されている真空蒸着装置を用いて、例えば金を真空蒸着することにより形成される。尚、測定装置10は、測定中における電気的ノイズの発生を防止するために、被測定物がグランド電位になるように設定したシールドボックス18内に、測定対象ウェーハ11や金属製ステージ13が設置されている。測定の際には、ウェーハ11の表面に形成されたショットキー電極12に、測定用プローブ14が接触される。プローブ14にはキャパシタンスメータ15とパルス電圧発生器16が接続されており、キャパシタンスメータ15とパルス電圧発生器16は制御用コンピュータ17に接続されている。そしてパルス電圧発生器16で階段状に変化する電圧を発生させて、電圧をショットキー電極12に接触するプローブ14を通してウェーハ11に印加することにより、キャパシタンスメータ15で空乏層容量キャパシタンスを測定することができる。本発明においては、上記のような一般的なC-V特性測定装置を用いることができる。以下に、本発明の電気特性測定方法の一例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。まず、図1aに示したように、ポリバックシールとして裏面側にポリシリコン膜2が形成されたシリコンウェーハ1をフッ酸処理し、ウェーハ表面上の酸化膜等を除去する。その後、シリコンウェーハ1の表面側に、例えば一般に市販されている真空蒸着装置を用いて、蒸着法により陽極となる金属電極3を蒸着させる。これによってシリコンウェーハ1と金属電極3とがショットキー接合され、これらの間には空乏層が形成される。このとき、前記シリコンウェーハ1としては特には限定されず、例えばエピタキシャルシリコンウェーハとすることができる。また、金属電極3の材質としては、金やアルミニウム等を用いることができる。次に、図1bに示したように、ポリシリコン膜2の表面上に金属ペースト5を厚さ5.0~15.0μm程度で塗布し、その後該金属ペースト5を乾燥させる。この金属ペースト5としては、特には限定されないが、導電性が高く安価であり、耐湿性に優れる銀ペーストを用いることが好ましい。また金属ペースト5の乾燥方法としては、室温で自然乾燥させても良いし、70°C~150°C程度で加熱乾燥させても良い。加熱乾燥させた場合には、自然乾燥に比べ乾燥時間を短縮させることができるため、測定効率を向上させることができる。その後、図1cに示したように、シリコンウェーハ1を、金属ペースト5が塗布されている面を下にして、金属製のステージ4上に載置する。これによって、金属ペースト5とステージ4とは、電気的に接続される。そして、陽極を前記金属電極3とし、陰極を前記ステージ4として、これらをパルス電圧発生器不図示等に接続して電圧をかけ、キャパシタンスメータ不図示等によって、前記シリコンウェーハ1と金属電極3との間の空乏層容量を測定することにより、前記シリコンウェーハ1のC-V特性を測定する。このように、前記ポリシリコン膜2の表面上に金属ペースト5を塗布することにより、ウェーハ表面側のC-Vプロファイルのばらつきを抑制できる。金属ペーストを塗布することによって、ばらつきを抑制できるのは、金属ペースト中の金属がポリシリコン膜中の結晶粒界を通して、ポリシリコン膜と単結晶シリコンウェーハの界面まで達していることが確認されており、これによりポリシリコン膜の電気伝導率が高くなったためであると解される。以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例直径が200mmであって、裏面側に、ポリバックシールとして厚さ1.0μmのポリシリコン膜が形成されたエピタキシャルシリコンウェーハエピ膜厚:5μm、エピ抵抗率:0.78Ωcmを用意した。そして、ポリシリコン膜の表面上に厚さ10μmの金属ペーストAgペーストを塗布し、その後室温で60分間自然乾燥させた。このようにして、ウェーハ裏面側に形成されたポリシリコン膜の表面上にAgペーストが塗布されたエピタキシャルシリコンウェーハをフッ酸HF処理し、ウェーハ表面上の酸化膜等を除去した後、前記エピタキシャルシリコンウェーハの表面側に金Auを蒸着させて、金属電極を形成した。この状態で、図4に示したような一般的なC-V特性測定装置を用いて前記エピタキシャルシリコンウェーハの抵抗率測定を実施した。1回測定を行った後は、ウェーハを一度ステージ上から取り外し、再度ステージ上に載置して測定を行い、これを繰り返すことによって計10回の測定を行った。このときのC-Vプロファイル結果を図2aに示す。図2aより、ウェーハ表面側の抵抗率は高くなることなく、C-Vプロファイルも安定していることが確認された。比較例エピタキシャルシリコンウェーハの裏面側に形成されたポリシリコン膜の表面上に金属ペーストを塗布しなかったこと以外は実施例と同様にして、エピタキシャルシリコンウェーハの抵抗率測定を計10回実施した。このときのC-Vプロファイル結果を図2bに示す。図2bより、ウェーハ表面側の抵抗率が高くなっており、C-Vプロファイルがばらついてしまっていることが確認された。また、上記測定結果において、ウェーハ表面側からの深さが1.0μmのときの抵抗率面内分布を比較したグラフを図3に示す。ここで、抵抗率面内分布とは、ウェーハ面内9点の抵抗率を測定し、その最大値と最小値から、以下の式で求めている。最大値-最小値/最大値最小値×100[]その結果、抵抗率面内分布の平均値が、図3aのAgペースト塗布有のウェーハでは1.107であるのに対し、図3bのAgペースト塗布無のウェーハでは1.503となっており、面内分布に改善傾向がみられることがわかった。以上の結果より、シリコンウェーハ裏面側に、ポリバックシールとして形成されたポリシリコン膜の表面上に金属ペーストAgペーストを塗布してからシリコンウェーハの電気特性を測定することによって、シリコンウェーハの抵抗率の測定結果のバラツキが低減され、これによって正確にシリコンウェーハの電気特性を測定できることがわかった。なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。