"第1半導体層11と第2半導体層12と両層の間に挟まれた絶縁膜13とを有する半導体基板10を備え、前記第2半導体層12と前記絶縁膜13とを所定形状にエッチングすることで形成された、第1半導体層11に対して可動な可動部23と、前記絶縁膜13を介して前記第1半導体層11に固定された固定部22と、前記可動部23及び前記固定部22を連結する梁24とが前記第2半導体層12に形成されたMEMSデバイス100の前記絶縁膜13の膜厚を検査する膜厚検査方法であって、前記梁24は、前記第1半導体層11と前記第2半導体層12との積層方向に可撓性を有しており、前記可動部23と前記第1半導体層11との間に働く静電気力が徐々に高くなるように、前記可動部23と前記第1半導体層11とに検査電圧を印加することで、前記可動部23を前記絶縁膜13に近づける第1電圧印加工程と、該第1電圧印加工程時にて、前記可動部23が前記絶縁膜13に接触した際の接触電圧を計測する第1電圧計測工程と、該第1電圧計測工程後、前記可動部23と前記第1半導体層11との間に働く静電気力が徐々に低くなるように前記検査電圧を下げることで、前記可動部23を前記絶縁膜13から離反させる第2電圧印加工程と、該第2電圧印加工程時にて、前記可動部23が前記絶縁膜13から離反する際の離反電圧を計測する第2電圧計測工程と、該第2電圧計測工程後、前記検査電圧が印加されていない場合における前記可動部23と前記絶縁膜13との間の平均間隔をd0、前記可動部23の下に位置する絶縁膜13の最大厚さをd1、前記固定部22の絶縁膜13の厚さをd2、空気誘電率をε、前記絶縁膜13の比誘電率をεr、前記可動部23における前記絶縁膜13及び前記第1半導体層11との対向面積をA、前記梁24における積層方向のバネ定数をk、前記接触電圧をV1、前記離反電圧をV2とすると、下記式に基づいて、平均間隔d0、最大厚さd1を求めた後、d2-d0より、前記可動部23の下に位置する前記絶縁膜13の平均厚さd3を演算する演算工程と、を有することを特徴とする膜厚検査方法。前記第1電圧計測工程において、前記可動部23の変位量に基づいて、前記接触電圧を計測することを特徴とする請求項1に記載の膜厚検査方法。前記第2電圧計測工程において、前記可動部23の変位量に基づいて、前記離反電圧を計測することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の膜厚検査方法。ドップラー効果型レーザー干渉計によって、前記可動部23の変位量を計測することを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の膜厚検査方法。前記第1電圧計測工程において、前記可動部23と前記第1半導体層11との間に形成されるコンデンサの静電容量に基づいて、前記接触電圧を計測することを特徴とする請求項1に記載の膜厚検査方法。前記第2電圧計測工程において、前記可動部23と前記第1半導体層11との間に形成されるコンデンサの静電容量に基づいて、前記離反電圧を計測することを特徴とする請求項5に記載の膜厚検査方法。前記MEMSデバイス100は、加速度センサ、若しくは、角速度センサであることを特徴とする膜厚検査方法。ところで、特許文献1に示される検査方法では、測定された静電容量値と、絶縁膜の膜厚を一定と仮定した場合に成立するコンデンサの静電容量値とが等しいという等式に基づいて、絶縁膜の膜厚を評価している。しかしながら、絶縁膜の膜厚は、実際には一定でなく、ばらつきがある。そのため、測定した静電容量値には、上記したばらつきの影響が含まれることになる。その値は、膜厚が一定であると仮定した場合のコンデンサの静電容量とは異なるため、上記した等式に基づいて膜厚を検査する方法では、膜厚の検査精度が十分ではなかった。そこで、本発明は上記問題点に鑑み、絶縁膜の膜厚の検査精度が向上された膜厚検査方法を提供することを目的とする。上記した目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、第1半導体層11と第2半導体層12と両層の間に挟まれた絶縁膜13とを有する半導体基板10を備え、第2半導体層12と絶縁膜13とを所定形状にエッチングすることで形成された、第1半導体層11に対して可動な可動部23と、絶縁膜13を介して第1半導体層11に固定された固定部22と、可動部23及び固定部22を連結する梁24とが第2半導体層12に形成されたMEMSデバイス100の絶縁膜13の膜厚を検査する膜厚検査方法であって、梁24は、第1半導体層11と第2半導体層12との積層方向に可撓性を有しており、可動部23と第1半導体層11との間に働く静電気力が徐々に高くなるように、可動部23と第1半導体層11とに検査電圧を印加することで、可動部23を絶縁膜13に近づける第1電圧印加工程と、該第1電圧印加工程時にて、可動部23が絶縁膜13に接触した際の接触電圧を計測する第1電圧計測工程と、該第1電圧計測工程後、可動部23と第1半導体層11との間に働く静電気力が徐々に低くなるように検査電圧を下げることで、可動部23を絶縁膜13から離反させる第2電圧印加工程と、該第2電圧印加工程時にて、可動部23が絶縁膜13から離反する際の離反電圧を計測する第2電圧計測工程と、該第2電圧計測工程後、検査電圧が印加されていない場合における可動部23と絶縁膜13との間の平均間隔をd0、可動部23の下に位置する絶縁膜13の最大厚さをd1、固定部22の絶縁膜13の厚さをd2、空気誘電率をε、絶縁膜13の比誘電率をεr、可動部23における絶縁膜13及び第1半導体層11との対向面積をA、梁24における積層方向のバネ定数をk、接触電圧をV1、離反電圧をV2とすると、下記式に基づいて、平均間隔d0、最大厚さd1を求めた後、d2-d0より、可動部23の下に位置する絶縁膜13の平均厚さd3を演算する演算工程と、を有することを特徴とする。可動部23の下に位置する絶縁膜13、すなわち、エッチングされた絶縁膜13の表面には突起があり、突起形成部分において、絶縁膜13の厚さが最大となっている。これに対して、本発明では、絶縁膜13の最大厚さd1を除いた、絶縁膜13の平均厚さd3を求めている。これによれば、絶縁膜の表面に形成された突起膜厚のばらつきを含む静電容量と、絶縁膜の膜厚が一定とした場合の静電容量とが等しいという等式に基づいて、絶縁膜13の膜厚d3を検査する方法と比べて、膜厚d3の検査精度が向上される。なお、上記した数1,2の成立する理由は、実施形態にて詳説する。請求項2に記載のように、第1電圧計測工程において、可動部23の変位量に基づいて、接触電圧を計測する構成が良い。第1電圧印加工程にて、可動部23と第1半導体層11とに検査電圧が印加された際、可動部23には、梁24の復元力と静電気力とが互いに逆向きに生じる。当初、可動部23は、上記した2つの力が釣り合った状態で、徐々に絶縁膜13に近づく。しかしながら、静電気力が復元力を上回ると、可動部23は瞬時に絶縁膜13に接触して、停止する。したがって、可動部23の変位における、急激な振る舞いの後に、停止した瞬間の検査電圧をモニタリングすれば、接触電圧を計測することができる。請求項3に記載のように、第2電圧計測工程において、可動部23の変位量に基づいて、離反電圧を計測する構成が良い。第2電圧印加工程にて、可動部23と第1半導体層11とに印加している検査電圧を徐々に弱めた結果、復元力が静電気力を上回ると、可動部23は瞬時に絶縁膜13から離反する。したがって、可動部23の変位における、急激な振る舞いを示す瞬間の検査電圧をモニタリングすれば、離反電圧を計測することができる。請求項4に記載のように、ドップラー効果型レーザー干渉計によって、可動部23の変位量を計測する構成を採用することができる。これによれば、非接触で可動部23の変位量を計測することができる。請求項5に記載のように、第1電圧計測工程において、可動部23と第1半導体層11との間に形成されるコンデンサの静電容量に基づいて、接触電圧を計測する構成が良い。第1電圧印加工程にて、可動部23が、復元力と静電気力とが釣り合った状態で、徐々に絶縁膜13に近づいている場合、可動部23と第1半導体層11との間に構成されるコンデンサの静電容量は、徐々に変化する。しかしながら、静電気力が復元力を上回り、可動部23が絶縁膜13に接触すると、コンデンサの静電容量が瞬時に上昇する。したがって、コンデンサの静電容量における、瞬時に上昇した瞬間の検査電圧をモニタリングすれば、接触電圧を計測することができる。請求項6に記載のように、第2電圧計測工程において、可動部23と第1半導体層11との間に形成されるコンデンサの静電容量に基づいて、離反電圧を計測する構成が良い。第2電圧印加工程にて、復元力が静電気力を上回ると、可動部23は瞬時に絶縁膜13から離反し、コンデンサの静電容量が瞬時に下降する。したがって、コンデンサの静電容量における、瞬時に下降した瞬間の検査電圧をモニタリングすれば、離反電圧を計測することができる。請求項7に記載のように、MEMSデバイス100としては、加速度センサや角速度センサを採用することができる。以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。第1実施形態図1~図6に基づいて、本実施形態に係る膜厚検査方法を説明する。なお、以下においては、互いに直交の関係にある方向をx方向及びy方向、これら2つの方向に直交する方向をz方向と示す。なお、z方向が、特許請求の範囲に記載の積層方向に相当する。図1に示すように、MEMSデバイス100は、半導体基板10と、半導体基板10に形成された微細構造体20と、を有する。半導体基板10は、第1半導体層11と第2半導体層12との間に絶縁膜13が挟まれて成るSOI基板であり、第1半導体層11の主面11aは、x方向とy方向とによって規定されるx-y平面に沿っている。なお、半導体基板10の厚さ、及び、構成材料は設計時に決定されるため、絶縁膜13の厚さ、及び、誘電率などは既知となっている。微細構造体20は、周知の露光技術を用いて、第2半導体層12と絶縁膜13とを所定形状にエッチングすることで形成されたものである。微細構造体20は、絶縁膜13を介さずに、第1半導体層11に対して第2半導体層12が浮いた浮遊部21と、絶縁膜13を介して、第1半導体層11に第2半導体層12が固定された固定部22と、を有する。浮遊部21は、可動部23と、該可動部23と固定部22とを連結する、z方向に可撓性を有する梁24と、を有する。これら可動部23と梁24の形状は、設計時に決定される。そのため、可動部23における絶縁膜13及び第1半導体層11との対向面積と、梁24のz方向のバネ定数などは既知となっている。なお、上記した微細構造体20を形成する際、第2半導体層12の不要部位はウエットエッチングなどによって除去される。しかしながら、可動部23の下にエッチング液が侵入し難いため、可動部23の下に意図しない突起13aが生じ、その部位だけ局所的に厚みを増している。次に、図2~図5に基づいて、絶縁膜13の膜厚検査方法を説明する。図2に示すように、第1半導体層11と第2半導体層12とに検査電圧を印加する。こうすることで、第1半導体層11と第2半導体層12とに静電気力を発生させ、図3に示すように、可動部23を絶縁膜13側に引き寄せる。この可動部23のz方向への変位は、可動部23の変位によって生じるレーザーのドップラー効果によって測定される。本実施形態では、可動部23の変位測定手段30として、ドップラー効果型レーザー干渉計を用いている。図5に示すように、可動部23に働く静電気力が徐々に高くなるよう、検査電圧を徐々に高める。こうすることで、可動部23は絶縁膜13の方へと徐々に変位させる。この際、可動部23には、梁24の復元力と静電気力とが互いに逆向きに生じる。可動部23は、これら2つの力が釣り合った状態で、徐々に絶縁膜13に近づく。以上が、第1電圧印加工程である。検査電圧の上昇に伴って、可動部23に生じる復元力と静電気力は徐々に高まる。そして、静電気力が復元力を上回ると、図4及び図5に示すように、可動部23は瞬時に絶縁膜13突起13aに接触して、停止する。この瞬間の検査電圧が、特許請求の範囲に記載の接触電圧に相当する。この接触電圧を計測しておく。以上が、第1電圧計測工程である。第1電圧計測工程後、今度は、可動部23に働く静電気力が徐々に低くなるよう、検査電圧を徐々に低める。以上が、第2電圧印加工程である。検査電圧の低下に伴って、可動部23に生じる静電気力が徐々に低まる。復元力が静電気力を上回ると、図5に示すように、可動部23は瞬時に絶縁膜13突起13aから離反する。この瞬間の検査電圧が、特許請求の範囲に記載の離反電圧に相当する。この離反電圧を計測しておく。以上が、第2電圧計測工程である。第2電圧計測工程後、計測した接触電圧V1、離反電圧V2、既知である、固定部22を構成する絶縁膜13の厚さd2、空気誘電率ε、絶縁膜13の比誘電率εr、可動部23における絶縁膜13及び第1半導体層11との対向面積A、梁24におけるz方向のバネ定数k、及び、後述する演算式に基づいて、検査電圧が印加されていない場合における可動部23と絶縁膜13との間の平均間隔d0、可動部23の下に位置する絶縁膜13の最大厚さ、すなわち、突起13aの主面11aからの長さd1を求める。その後、d2-d0より、可動部23の下に位置する絶縁膜13の平均厚さd3を演算する。以上が、演算工程である。上記した各工程を経ることで、可動部23の下に位置する絶縁膜13の平均厚さd3が求められる。これにより、可動部23を構成する第1半導体層11と、可動部23の下に位置する第2半導体層12との絶縁性が確保される程度に、絶縁膜13の膜厚が確保されているか否かが判断される。また、図示しないが、可動部23に形成された櫛歯電極間の隙間から、可動部23と絶縁膜13との間に異物が入り込んだとしても、可動部23と異物との接触が抑制される程度に絶縁膜13が除去されているか否かが判断される。次に、電圧V1,V2と、平均間隔d0、突起13aの長さd1の関係式の導出を図6に基づいて説明する。梁24の機能としては、可動部23を壁に連結し、z方向にバネ定数kのバネ性を有することである。そのため、図6では、梁24に相当する、z方向のバネ定数がkであるバネによって、可動部23が壁に連結された絵になっている。図6bに示すように、検査電圧Vの印加によって、可動部23が絶縁膜13へ変位し、可動部23と絶縁膜13の表面との間の距離がxに変位したとする。この場合、可動部23に生じる静電気力Feは、可動部23と該可動部23と対向する第1半導体層11とによってコンデンサが構成されているので、下記式で表される。ただし、α=d2-d0/εrである。また、可動部23に生じる復元力Fkは、下記式で表される。第1電圧印加工程において、静電気力Feと復元力Fkとが釣り合っている場合、数3、数4から、下記式が成立する。これを検査電圧Vについて求めると、下記式となる。上記したように、検査電圧が上昇して、静電気力が復元力を上回ると、可動部23は絶縁膜13突起13aに接触して停止する。これは、数6で言うと、∂V/∂x=0を意味している。したがって、下記式が成立する。これを整理すると、下記式が成立する。以上により、数8をxについて解き、それを数6に代入すると、接触電圧V1が下記式で表される。また、離反する際のxは、下記式を満たす。したがって、数10を数6に代入すると、離反電圧V2が下記式で表される。数9、数11は、d0,d1を変数とする関係式なので、これら2式より、d0,d1が求められる。なお、数9,11は、特許請求の範囲に記載の数1,2に相当する。次に、本発明に係る膜厚検査方法の作用効果について説明する。上記したように、本検査方法では、意図せずして形成された突起13aを除いた、絶縁膜13の平均厚さd3を求めている。これによれば、絶縁膜の表面に形成された突起膜厚のばらつきを含む静電容量と、絶縁膜の膜厚が一定とした場合の静電容量とが等しいという等式に基づいて、絶縁膜13の膜厚を検査する方法と比べて、絶縁膜13の膜厚の検査精度が向上される。ドップラー効果型レーザー干渉計によって、可動部23の変位量を計測している。これによれば、非接触で可動部23の変位量を計測することができる。上記したように、第1電圧印加工程にて、当初、可動部23は、静電気力と復元力とが釣り合った状態で、徐々に絶縁膜13に近づく。しかしながら、静電気力が復元力を上回ると、可動部23は瞬時に絶縁膜13に接触して、停止する。この可動部23の振る舞いをドップラー効果型レーザー干渉計によって観測し、可動部23の変位における、急激な振る舞いの後に停止した瞬間の検査電圧をモニタリングすれば、接触電圧を計測することができる。上記したように、第2電圧印加工程にて、可動部23と第1半導体層11とに印加している検査電圧を徐々に弱めた結果、復元力が静電気力を上回ると、可動部23は瞬時に絶縁膜13から離反する。この可動部23の振る舞いをドップラー効果型レーザー干渉計によって観測し、可動部23の変位における、急激な振る舞いを示す瞬間の検査電圧をモニタリングすれば、離反電圧を計測することができる。以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。本実施形態では、可動部23の変位測定手段30として、ドップラー効果型レーザー干渉計を用いた例を示した。しかしながら、可動部23の変位測定手段30としては、上記例に限定されず、例えば、図7に示すように、静電容量計を採用することもできる。第1電圧印加工程にて、静電気力が復元力を上回り、可動部23が絶縁膜13に接触すると、可動部23と対向する第1半導体層11とによって構成されたコンデンサの静電容量が瞬時に上昇する。したがって、コンデンサの静電容量における、瞬時に上昇した瞬間の検査電圧をモニタリングすれば、接触電圧V1を計測することができる。また、第2電圧印加工程にて、復元力が静電気力を上回ると、可動部23は瞬時に絶縁膜13から離反し、コンデンサの静電容量が瞬時に下降する。したがって、コンデンサの静電容量における、瞬時に下降した瞬間の検査電圧をモニタリングすれば、離反電圧V2を計測することができる。図7は、変位測定手段の変形例を示す断面図である。なお、本実施形態では、特に、MEMSデバイス100の用途を限定していなかったが、MEMSデバイス100としては、加速度センサや角速度センサを採用することができる。"