シリコン原料が装入されるシリコン溶融用二重坩堝;前記シリコン原料を溶融させてシリコン溶湯を形成するために前記シリコン溶融用二重坩堝を加熱する坩堝加熱部;前記シリコン溶融用二重坩堝の回転及び昇降運動を制御する坩堝駆動部;及び前記シリコン溶融用二重坩堝の上側に配置され、前記シリコン溶湯にディッピングされたシード結晶を引き上げてシリコンインゴットを成長させる引上駆動部;を含み、前記シリコン溶融用二重坩堝は、上側が開放される容器形態であり、内部底面と内壁とを連結する傾斜面を備える黒鉛坩堝と、前記黒鉛坩堝の内側に挿入されて結合され、内部に前記シリコン原料が装入されるクォーツ坩堝と、を有することを特徴とする単結晶シリコンインゴット成長装置。前記坩堝加熱部は、前記シリコン溶融用二重坩堝の外壁を取り囲むコイルを有することを特徴とする、請求項1に記載の単結晶シリコンインゴット成長装置。前記引上駆動部は、シード結晶を固定させるシード結晶固定軸と、前記シード結晶固定軸と連結され、前記シード結晶固定軸の回転及び昇降運動を制御する固定軸駆動ユニットと、を含むことを特徴とする、請求項1に記載の単結晶シリコンインゴット成長装置。前記坩堝駆動部は、前記シリコン溶融用二重坩堝の下側を支持する支持チャックと、前記支持チャックの回転及び昇降運動を制御する支持チャック駆動ユニットと、を含むことを特徴とする、請求項1に記載の単結晶シリコンインゴット成長装置。前記黒鉛坩堝は、壁面の一部が縦方向に切開された複数のスリットを備えることを特徴とする、請求項1に記載の単結晶シリコンインゴット成長装置。前記黒鉛坩堝は、内部底面を貫通する吐出口を備えることを特徴とする、請求項1に記載の単結晶シリコンインゴット成長装置。前記シリコンインゴット成長装置は、前記シリコン溶融用二重坩堝と坩堝駆動部との間に配置され、前記吐出口を開閉するゲートバーをさらに含むことを特徴とする、請求項6に記載の単結晶シリコンインゴット成長装置。前記黒鉛坩堝の傾斜面は、黒鉛坩堝の内部底面に対して3°以上の勾配を有することを特徴とする、請求項1に記載の単結晶シリコンインゴット成長装置。前記クォーツ坩堝は、少なくとも2回以上再使用されることを特徴とする、請求項1に記載の単結晶シリコンインゴット成長装置。前記クォーツ坩堝は、黒鉛坩堝とシリコン原料との接触を遮断するために前記黒鉛坩堝の内面全体を覆って形成することを特徴とする、請求項1記載の単結晶シリコンインゴット成長装置。請求項1~請求項10のうちいずれか1項の単結晶シリコンインゴット成長装置を用いて製造される単結晶シリコンインゴットをスライシングして形成され、前記シリコン溶融用二重坩堝の再使用回数とは関係なく比較的均一な面抵抗を有する単結晶シリコンウエハー。本発明の目的は、高価なクォーツ坩堝を少なくとも2回以上再使用できるシリコン溶融用二重坩堝を備える単結晶シリコンインゴット成長装置を提供することにある。前記目的を達成するための本発明の実施例に係る再使用が可能なシリコン溶融用二重坩堝を備える単結晶シリコンインゴット成長装置は、シリコン原料が装入されるシリコン溶融用二重坩堝;前記シリコン原料を溶融させてシリコン溶湯を形成するために前記シリコン溶融用二重坩堝を加熱する坩堝加熱部;前記シリコン溶融用二重坩堝の回転及び昇降運動を制御する坩堝駆動部;及び前記シリコン溶融用二重坩堝の上側に配置され、前記シリコン溶湯にディッピングされたシード結晶を引き上げてシリコンインゴットを成長させる引上駆動部;を含み、前記シリコン溶融用二重坩堝は、上側が開放される容器形態であり、内部底面と内壁とを連結する傾斜面を備える黒鉛坩堝と、前記黒鉛坩堝の内側に挿入されて結合され、内部に前記シリコン原料が装入されるクォーツ坩堝とを有することを特徴とする。本発明に係るシリコン溶融用二重坩堝は、内部底面と内壁とを連結する傾斜面が3°以上の勾配を有するように設計することによって、二重坩堝の内部にシリコン溶湯が残留せずに吐出口から全部吐出されるようにし、単結晶シリコンインゴット製造工程の完了後、簡単な洗浄工程で洗浄することによって内部のクォーツ坩堝を少なくとも2回以上再使用できるという効果がある。本発明の利点、特徴及びそれらを達成する方法は、添付の図面と共に詳細に説明する各実施例を参照すれば明確になるだろう。しかし、本発明は、以下で開示する各実施例に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で具現可能である。ただし、本実施例は、本発明の開示を完全にし、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるもので、本発明は、特許請求の範囲の範疇によって定義されるものに過ぎない。明細書全体にわたって同一の参照符号は、同一の構成要素を示す。以下、添付の図面を参照して本発明の好適な実施例に係る再使用が可能なシリコン溶融用二重坩堝を備える単結晶シリコンインゴット成長装置について詳細に説明する。図1は、本発明の実施例に係るシリコン溶融用二重坩堝を備える単結晶シリコンインゴット成長装置を示した断面図である。図1を参照すると、単結晶シリコンインゴット成長装置100は、シリコン溶融用二重坩堝120、坩堝加熱部140、坩堝駆動部160及び引上駆動部180を含む。シリコン溶融用二重坩堝120は、シリコン原料貯蔵部図示せずから一定量のシリコン原料を受ける。このようなシリコン溶融用二重坩堝120は、黒鉛坩堝122と、前記黒鉛坩堝122の内部に挿入されて結合されるクォーツ坩堝124とを含んで構成することができる。前記黒鉛坩堝122は、内部底面に吐出口126が形成され、上側が開放される容器形態であり、内部底面と内壁とを連結する傾斜面を備えることができる。一方、クォーツ坩堝124は、黒鉛坩堝122の内部に挿入されて結合され、内部にシリコン原料が装入される。このようなシリコン溶融用二重坩堝120の構造については、後で詳細に説明する。坩堝加熱部140は、シリコン原料を溶融させてシリコン溶湯Lを形成するためにシリコン溶融用二重坩堝120を加熱する。前記坩堝加熱部140は、シリコン溶融用二重坩堝120の外壁を取り囲むコイル142を備えており、このようなコイル142を用いてシリコン原料が装入されたシリコン溶融用二重坩堝120を加熱するようになる。このようなコイル142は、誘導加熱方式、抵抗加熱方式などの多様な方式でシリコン溶融用二重坩堝120を加熱することができ、以下では、誘導加熱方式を一例として説明する。前記シリコン溶融用二重坩堝120内で誘導加熱されるシリコン溶湯Lの表面温度は、1300~1500°Cに維持することができる。このとき、シリコンの場合、金属とは異なり、約700°C以下の温度では電気伝導度が低いので、電磁気誘導による直接加熱が難しい。したがって、シリコン原料は、二重坩堝120の熱による間接溶融方式で溶融することができる。シリコン溶融用二重坩堝120の外側に配置される黒鉛坩堝122の材質である黒鉛の場合、非金属材質であるにもかかわらず、電気伝導度及び熱伝導度が非常に高いので、電磁気誘導によって容易に加熱することができる。坩堝駆動部160は、シリコン溶融用二重坩堝120の回転及び昇降運動を制御する。坩堝駆動部160は、シリコン溶融用二重坩堝120の下側を支持する支持チャック162と、前記支持チャック162の回転及び昇降運動を制御する支持チャック駆動ユニット164とを含むことができる。このような坩堝駆動部160は、シリコン溶湯LからシリコンインゴットGを成長させる過程中、支持チャック162と、支持チャック162によって支持されるシリコン溶融用二重坩堝120とを支持チャック駆動ユニット164を用いて第1の方向に回転運動させるようになる。このとき、坩堝駆動部160は、支持チャック162と支持チャック駆動ユニット164の内部を貫通するように加工された吐出ホール166を備えることができる。このような吐出ホール166については、後で詳細に説明する。引上駆動部180は、シリコン溶融用二重坩堝120の上側に配置され、誘導加熱によって溶融されるシリコン溶湯Lにシード結晶Dをディッピングさせた後、これを引き上げることによってシリコンインゴットGを成長させる。引上駆動部180は、下側端部にシード結晶Dを固定させるために設置されるシード結晶固定軸182と、前記シード結晶固定軸182と連結され、前記シード結晶固定軸182の回転及び昇降運動を制御する固定軸駆動ユニット184とを含むことができる。シード結晶Dは、シリコン溶湯LからシリコンインゴットGを成長させるためのシードとしての役割をする。このとき、シード結晶固定軸182はシード結晶Dを固定させ、固定軸駆動ユニット184によって回転及び昇降運動が制御される。このとき、シリコンインゴットを成長させる過程は、誘導加熱によってシリコン原料が適正な水準に溶融されることによってシリコン溶湯が形成されると、シード結晶固定軸182に固定されるシード結晶Dをこれらと連動する固定軸駆動ユニット184を用いてシリコン溶湯Lにディッピングさせた後、前記シード結晶Dを徐々に引き上げ、シード結晶Dの端部からシリコン単結晶を成長させることによってシリコンインゴットGを製造できるようになる。このとき、シード結晶固定軸182は、シリコンインゴットGの荷重を支える部分であって、その材質としては弾性体を用いることが望ましい。このようなシリコンインゴットの成長過程時、引上駆動部180は、シリコンインゴットGを引き上げる引上作動と共に、第1の方向と相反する第2の方向への回転運動を行うようになる。一方、本発明の実施例に係るシリコンインゴット成長装置100は、ゲートバー190をさらに含むことができる。ゲートバー190は、位置運動が可能になるように設計され、シリコン溶融用二重坩堝120の吐出口126を開閉する役割をする。この場合、ゲートバー190は、上下及び左右方向への位置運動が可能になるように設計することができる。このとき、ゲートバー190は、単結晶シリコンインゴットの成長過程時、シリコン溶融用二重坩堝120からシリコン溶湯Lが流れ落ちないように吐出口126を閉鎖するようになる。この場合、ゲートバー190は、支持チャック162とシリコン溶融用二重坩堝120との間に配置され、支持チャック駆動ユニット164によって支持チャック162及びシリコン溶融用二重坩堝120と共に回転運動を行うようになる。このとき、支持チャック162と支持チャック駆動ユニット164の内部を貫通するように加工された吐出ホール166は、シリコン溶融用二重坩堝120の吐出口126に対応する位置に設計することが望ましい。すなわち、このようなゲートバー190は、単結晶シリコンインゴットの成長過程時、シリコン溶融用二重坩堝120からシリコン溶湯Lが流れ落ちないように吐出口126を閉鎖するようになる。その一方、単結晶シリコンインゴットの成長過程が完了した後は、シリコン溶融用二重坩堝120の再使用のためにゲートバー190を用いて吐出口126を開放し、二重坩堝120の内部に残留するシリコン溶湯Lを吐出口126と吐出ホール166を通して坩堝駆動部160の下部に全て吐出できるようになる。シリコン溶湯Lがほぼ残っていない二重坩堝120は、簡単な洗浄作業を行うことによって再使用することができる。以下、添付の図面を参照して本発明の実施例に係るシリコン溶融用二重坩堝についてより具体的に説明する。図2は、図1のシリコン溶融用二重坩堝を拡大して示した斜視図で、図3は、図2のIII―III’線断面図である。図2及び図3を参照すると、シリコン溶融用二重坩堝120は、黒鉛坩堝122及びクォーツ坩堝124を含む。黒鉛坩堝122は、上側が開放され、内部の底面Bと内壁Iとを連結する傾斜面Sを備える。このような黒鉛坩堝122は、上側が開放される容器形態を有することができる。この場合、黒鉛坩堝122は、平面上で見ると、多角形、円形、楕円形などの多様な形態に設計することができる。このとき、黒鉛坩堝122は、壁面の一部が縦方向に切開された複数のスリット128を備えることができる。このようなスリット128は、外壁Oと内壁Iを切開する形態で形成することができる。したがって、前記黒鉛坩堝122は、複数のスリット128によってそれぞれのセグメント129に分割される。また、黒鉛坩堝122は、内部底面Bを貫通する吐出口126を備えることができる。クォーツ坩堝124は、黒鉛坩堝122の内側に挿入されて結合され、内部にシリコン原料が装入される。このとき、クォーツ坩堝124は、黒鉛坩堝122と類似する形態で加工される。このようなクォーツ坩堝124の材質であるクォーツは、黒鉛に比べて耐熱性に優れ、熱膨張が少なく、化学的に安定した特性を有する。このように、黒鉛坩堝122の内側にクォーツ坩堝124が挿入されるシリコン溶融用二重坩堝120によると、誘導加熱によってシリコン原料が約1412°C以上の温度に加熱されるとしても、黒鉛坩堝122の内側に挿入されるクォーツ坩堝124が、黒鉛坩堝122からの炭素及び金属不純物がシリコン溶湯に流入することを遮断する遮断膜としての役割をし、シリコン溶湯の汚染を防止できるようになる。特に、クォーツ坩堝124は、黒鉛坩堝の内面全体を覆って形成することが望ましい。このように設計する場合、黒鉛坩堝122からの炭素不純物がシリコン溶湯に流入することを根本的に防止できるという効果がある。一方、前記傾斜面Sは、黒鉛坩堝122の内部底面Bに対して3°以上の勾配θを有するように設計することが望ましい。この場合、勾配θの上限は、限定される必要はないが、内部底面Bと内壁Iの最大勾配が90°であることを勘案すると、90°未満に設計することが望ましい。傾斜面Sの勾配θが3°未満に設計される場合、シリコン溶湯が吐出口126に移動する駆動力が大きくないので、シリコン溶湯の一部が二重坩堝120内に残留するという問題をもたらすおそれがある。このように、3°以上の勾配θを有するように傾斜面Sを形成する場合、重力によってシリコン溶湯が吐出口126に移動する駆動力が増加し、クォーツ坩堝124の内部にシリコン溶湯が残留せずに吐出口126を通して全て吐出されるようになる。したがって、シリコン薄板の製造工程後、シリコン溶融用二重坩堝の内部にはシリコン溶湯が残留せずに吐出口に全て吐出されるので、簡単な洗浄工程で洗浄することによって、内部のクォーツ坩堝を少なくとも2回以上再使用できるという効果がある。この結果、シリコン溶融用二重坩堝を含む単結晶シリコンインゴット成長装置を用いて製造されるシリコンインゴットをスライシングして形成されるシリコンウエハーは、シリコン溶融用二重坩堝の再使用回数とは関係なく80~200Ω/squareの面抵抗を有することができる。これについては、下記の表1を参照してより具体的に説明する。表1は、実施例1~7及び比較例1によって製造される単結晶シリコンウエハーの面抵抗及び標準偏差をそれぞれ測定して示したものである。このとき、実施例1~7では、再使用回数が1~7回であるシリコン溶融用二重坩堝が装着された単結晶シリコンインゴット成長装置を用いて単結晶シリコンインゴットをそれぞれ製造した後、それぞれの単結晶シリコンインゴットを0.3mmの厚さにスライシングして単結晶シリコンウエハーを製造した。また、比較例1では、黒鉛坩堝のみが装着された単結晶シリコンインゴット成長装置を用いて単結晶シリコンインゴットを製造した後、単結晶シリコンインゴットを0.3mmの厚さにスライシングして単結晶シリコンウエハーを製造した。表1を参照すると、実施例1~7の場合、再使用回数とは関係なく面抵抗が数百Ω/squareにそれぞれ測定されることを確認することができる。実施例1~7の標準偏差は1.4、1.6、1.1、2.1、1.4、1.2、2.5で、比較例1の標準偏差は0.1であった。一方、比較例1のようにクォーツ坩堝を使用せずに黒鉛坩堝のみを使用する場合、単結晶シリコンウエハーの面抵抗が数Ω/square、具体的には3Ω/squareに急激に低下することを確認することができる。これは、黒鉛坩堝からの炭素及び金属不純物がシリコン溶湯に混入し、単結晶シリコンウエハーの汚染をもたらしたためであると見なすことができる。しかし、実施例1~7の場合、再使用回数とは関係なく面抵抗が類似する水準で測定されるので、シリコン溶融用二重坩堝のクォーツ坩堝を再使用するのに何ら問題がないことが分かる。以上では、本発明の実施例を中心に説明したが、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する技術者の水準で多様な変更や変形が可能である。このような変更と変形は、本発明が提供する技術思想の範囲を逸脱しない限り、本発明に属するものといえる。したがって、本発明の権利範囲は、以下で記載する特許請求の範囲によって判断しなければならない。