電荷中和目標の誘引性非イオン化電界に向かって清浄なイオン化気体流を方向付けるイオン化バーであって、非イオン化気体流を受け取り、前記電荷中和目標から離れて汚染気体流を排出し、複数の電極にコロナ放電を誘起するのに十分なイオン化電位が印加されるイオン化バーにおいて、前記非イオン化気体流を受け取り、前記電荷中和目標に向けて前記清浄なイオン化気体流を方向付ける少なくとも1つの気体通路と、該イオン化バーから、また、前記電荷中和目標から離れて前記汚染気体流を排出する少なくとも1つの排気通路と、複数のシェル組立体とを具備し、各シェル組立体が、シェルであって、前記非イオン化気体流の一部が該シェルに入るように、前記気体通路に気体連通するオリフィスを有するシェルと、前記イオン化電位の印加に応答してイオンと汚染副生成物とを含むプラズマ領域を生成する少なくとも1つのイオン化電極であって、前記プラズマ領域のサイズに少なくとも実質的に等しい距離だけ、該電極が前記シェルのオリフィスから奥まった位置に配置されるように前記シェル内に配設されており、それにより、前記生成されるイオンの少なくとも実質的な部分が前記非イオン化気体流内に移動し、それにより、前記非イオン化電界によって前記電荷中和目標に向かって引き寄せられる前記清浄なイオン化気体流が形成される、少なくとも1つのイオン化電極と、前記排気通路および前記シェルに気体連通する少なくとも1つの排気ポートであって、前記シェル内でかつ前記シェルのオリフィスの近くに、前記シェル外でかつ前記オリフィスの近くの前記非イオン化気体流の圧力よりも低い気体圧を与え、それにより、前記非イオン化気体流の一部が前記シェル内に流れ、前記汚染副生成物の少なくとも実質的な部分を、前記排気通路によって排出される前記汚染気体流内に一掃する、少なくとも1つの排気ポートとを備えるイオン化バー。前記イオン化電極は、前記シェルのオリフィスに向く鋭利な尖端点を有するテーパ付きピンを含み、前記排気ポートは、導電性中空ソケットを備え、該導電性中空ソケット内で、前記テーパ付きピンは、前記イオン化電位を、前記排気ポートを通して前記ピンに印加されるように着座する請求項1に記載のイオン化バー。前記イオン化電位は、前記イオン化電極の正のコロナ放電閾値および負のコロナ放電閾値の双方を周期的に超える無線周波数電位であり、それにより、前記プラズマ領域が実質的に電気的に平衡し、前記副生成物が実質的に中和される請求項1に記載のイオン化バー。前記副生成物の少なくとも実質的な部分は、前記排気ポートを通して排気され、オゾンおよび窒素酸化物からなる群から選択される気体である請求項1に記載のイオン化バー。前記イオン化電位は、前記イオン化電極の正のコロナ放電閾値および負のコロナ放電閾値の双方を周期的に超える無線周波数電位であり、それにより、前記イオン化電極が正イオンおよび負イオンの双方を生成する請求項1に記載のイオン化バー。前記シェルのオリフィスは所定直径の概ね円形であり、前記シェルのオリフィスの直径と前記奥まった位置の距離との比は、約0.5~約2.0である請求項1に記載のイオン化バー。前記イオン化電極は、金属導体、非金属導体、半導体、単結晶シリコンおよびポリシリコンからなる群から選択される材料で作られ、前記排気ポートは、低圧源に接続されており、約1リットル/分~20リットル/分の範囲で前記シェル内に気体流を提供し、それにより、前記副生成物の少なくとも実質的な部分を排気する請求項1に記載のイオン化バー。前記非イオン化気体は正電荷を持った気体であり、前記イオン化電位は無線周波数イオン化電位であり、前記イオン化電極は、電子、正イオンおよび負イオン、並びに副生成物を含むプラズマ領域を生成する請求項1に記載のイオン化バー。前記気体通路は、前記シェル組立体の隣接する組立体の間に配設された複数のノズルを更に備え、該複数のノズルを通して、非イオン化気体が、前記電荷中和目標に向けて方向付けられ、それにより、前記イオン化気体流を前記電荷中和目標に向けて押しやることができる請求項1に記載のイオン化バー。前記イオンの少なくとも実質的な部分を前記シェルのオリフィスに通して、前記電荷中和目標に向けて方向付けられる前記非イオン化気体流内に移動させる非イオン化電界を前記プラズマ領域内に重ね合わせる少なくとも1つの非イオン化電極を更に備える請求項1に記載のイオン化バー。電荷中和目標の誘引性非イオン化電界に向かって清浄なイオン化気体流を方向付けるイオン化バーであって、非イオン化気体流を受け取り、前記電荷中和目標から離れて汚染気体流を排出し、コロナ放電を誘起するのに十分なイオン化電位が印加されるイオン化バーにおいて、前記非イオン化気体流を受け取るとともに、前記電荷中和目標に向けて前記清浄なイオン化気体流を方向付ける手段と、該イオン化バーから、また、前記電荷中和目標から離れて前記汚染気体流を排出する手段と、複数のシェル組立体とを具備し、前記シェル組立体は、シェルであって、前記非イオン化気体流の一部が該シェルに入ることができるように、前記受け取る手段に気体連通するオリフィスを有するシェルと、前記イオン化電位の印加に応答してイオンと汚染副生成物とを生成する生成手段であって、それにより、前記生成されるイオンの少なくとも実質的な部分が前記非イオン化気体流内に移動し、それにより、前記非イオン化電界によって前記電荷中和目標に向かって引き寄せられる前記清浄なイオン化気体流が形成される、イオンと汚染副生成物とを生成する生成手段と、前記シェル内でかつ前記オリフィスの近くに、前記シェル外でかつ前記オリフィスの近くの前記非イオン化気体流の圧力よりも低い気体圧を付与する付与手段であって、前記排出する手段および前記シェルに気体連通し、それにより、前記非イオン化気体流の一部が前記シェル内に流れ、前記汚染副生成物の少なくとも実質的な部分を、前記排出する手段によって排出される前記汚染気体流内に一掃する付与手段と、を備えるイオン化バー。前記生成手段は、前記イオン化電位の印加に応答してイオンと汚染副生成物とを含むプラズマ領域を生成する、先端を有する少なくとも1つのイオン化電極であって、前記プラズマ領域のサイズに実質的に等しい距離だけ、前記先端が前記シェルのオリフィスから奥まった位置に配置されるように前記シェル内に配設される、少なくとも1つのイオン化電極を備え、前記付与手段は、導電性中空ソケットを備え、該導電性中空ソケット内で、前記イオン化電極は、前記イオン化電位を、前記付与手段を通して前記電極に印加することができるように着座する請求項11に記載のイオン化バー。前記イオン化電位は、前記イオン化電極の正のコロナ放電閾値および負のコロナ放電閾値の双方を周期的に超える無線周波数電位であり、それにより、前記プラズマ領域が実質的に電気的に平衡し、前記副生成物が実質的に中和される請求項12に記載のイオン化バー。前記副生成物の少なくとも実質的な部分は、前記付与手段を通して排気され、オゾンおよび窒素酸化物からなる群から選択される気体である請求項11に記載のイオン化バー。前記イオン化電位は、前記生成手段の正のコロナ放電閾値と負のコロナ放電閾値の双方を周期的に超える無線周波数電位であり、それにより、前記生成手段が正イオンと負イオンの双方を生成する請求項11に記載のイオン化バー。前記生成手段は、イオンのコロナ放電中にプラズマ領域を生成する、鋭利な尖端点を有するテーパ付きエミッターピンを含み、前記尖端点は、前記シェルのオリフィスに向き、かつ、前記プラズマ領域のサイズに実質的に等しい距離だけ前記シェルのオリフィスから奥まった位置に配置され、前記シェルのオリフィスは所定直径の概ね円形であり、前記シェルのオリフィスの直径と前記奥まった位置との距離との比は、約0.5~約2.0である請求項11に記載のイオン化バー。前記生成手段は、金属導体、非金属導体、半導体、単結晶シリコンおよびポリシリコンからなる群から選択される材料で作られ、前記付与手段は、低圧源に接続されており、約0.1リットル/分~20リットル/分の範囲で前記シェル内に気体流を提供し、それにより、前記副生成物の少なくとも実質的な部分を排気する請求項11に記載のイオン化バー。前記非イオン化気体は正電荷を持った気体であり、前記イオン化電位は無線周波数イオン化電位であり、前記生成手段は、電子、正イオンおよび負イオン並びに副生成物を含むプラズマ領域を生成する請求項11に記載のイオン化バー。前記非イオン化電界は、前記イオンの少なくとも実質的な部分を前記シェルのオリフィスに通して、前記電荷中和目標に向けて方向付けられる前記非イオン化気体流内に移動させる非イオン化電界を前記プラズマ領域内に重ね合わせる少なくとも1つの非イオン化電極を更に備える請求項11に記載のイオン化バー。電荷中和目標の誘引性非イオン化電界に向かって清浄なイオン化気体流を方向付けるイオン化バーであって、非イオン化気体流を受け取り、前記電荷中和目標から離れて汚染気体流を排出し、少なくとも1つの電極においてコロナ放電を誘起するのに十分なイオン化電位が印加されるイオン化バーにおいて、前記非イオン化気体流を受け取り、前記電荷中和目標に向けて前記清浄なイオン化気体流を方向付ける少なくとも1つの気体通路と、イオン化バーから、また、前記電荷中和目標から離れて前記汚染気体流を排出する少なくとも1つの排気通路と、少なくとも1つのシェル組立体とを具備し、前記シェル組立体は、シェルであって、前記非イオン化気体流の一部が該シェルに入るように、前記気体通路に気体連通するオリフィスを有するシェルと、前記イオン化電位の印加に応答して電荷キャリアと汚染副生成物とを含むプラズマ領域を生成する少なくとも1つのイオン化電極であって、前記プラズマ領域が前記シェルのオオリフィスから奥まった位置に配置されるように前記シェル内に配設されており、それにより、前記生成される電荷キャリアの少なくとも実質的な部分が前記非イオン化気体流内に移動し、それにより、前記非イオン化電界によって前記電荷中和目標に向かって引き寄せられる前記清浄なイオン化気体流が形成される、少なくとも1つのイオン化電極と、前記排気通路および前記シェルに気体連通する少なくとも1つの排気ポートであって、前記シェル内でかつ前記シェルのオリフィスの近くに、前記シェル外でかつ前記シェルのオリフィスの近くの前記非イオン化気体流の圧力よりも低い気体圧を与え、それにより、前記非イオン化気体流の一部が前記シェル内に流れ、前記汚染副生成物の少なくとも実質的な部分を、前記排気通路によって排出される前記汚染気体流内に一掃する、少なくとも1つの排気ポートとを備えるイオン化バー。複数のシェル組立体を具備し、各シェル組立体は、前記シェルのオリフィスに向く鋭利な尖端点を有するテーパ付きピンを有する1つのイオン化電極を有し、各シェル組立体は、導電性中空ソケットを備える排気ポートを有し、該導電性中空ソケット内で、前記テーパ付きピンは、前記イオン化電位を、前記排気ポートを通して前記ピンに印加することができるように着座する請求項20に記載のイオン化バー。実質的に直線状のコロナワイヤを備える1つのイオン化電極を有する1つのシェル組立体が存在し、前記1つのイオン化電極は、イオン化電位を与えられると、電荷キャリアと汚染副生成物とを含む概ね円柱状のプラズマ領域を生成し、前記シェルのオリフィスは、前記コロナワイヤに少なくとも概ね平行である方向に細長いスロットである請求項20に記載のイオン化バー。実質的に直線状のコロナソーブレードを備える1つのイオン化電極を有する1つのシェル組立体が存在し、前記1つのイオン化電極は、イオン化電位を与えられると、電荷キャリアと汚染副生成物とを含む概ね平坦なプラズマ領域を生成し、前記シェルのオリフィスは、前記コロナソーブレードに少なくとも概ね平行である方向に細長いスロットである請求項20に記載のイオン化バー。前記非イオン化電界は、前記イオンの少なくとも実質的な部分を、前記シェルのオリフィスに通して、前記電荷中和目標に向けて方向付けられる前記非イオン化気体流内に移動させる非イオン化電界を前記プラズマ領域内に重ね合わせる少なくとも1つの非イオン化電極を更に備える請求項20に記載のイオン化バー。電荷中和目標の誘引性非イオン化電界に向かって清浄なイオン化気体流を方向付けるイオン化バーであって、非イオン化気体流を受け取り、前記電荷中和目標から離れて汚染気体流を排出し、正イオン化電極においてコロナ放電を誘起するのに十分な正イオン化電位を受け取り、負イオン化電極においてコロナ放電を誘起するのに十分な負イオン化電位が印加されるようにしたイオン化バーにおいて、前記非イオン化気体流を受け取り、前記電荷中和目標に向けて前記清浄なイオン化気体流を方向付ける少なくとも1つの気体通路と、該イオン化バーから、また、前記電荷中和目標から離れて前記汚染気体流を排出する少なくとも1つの排気通路と、少なくとも1つの正シェル組立体と、少なくとも1つの負シェル組立体とを具備し、前記少なくとも1つの正シェル組立体が、前記気体通路に気体連通するオリフィスを有し、前記非イオン化気体流の一部が流入するようにした正シェルと、前記正イオン化電位の印加に応答してイオンと汚染副生成物とを含むプラズマ領域を生成する、先端を有する少なくとも1つの正イオン化電極であって、前記プラズマ領域のサイズに実質的に等しい距離だけ、前記先端が前記シェルのオリフィスから奥まった位置に配置されるように前記正シェル内に配設されており、それにより、前記生成されるイオンの少なくとも実質的な部分が前記非イオン化気体流内に移動し、それにより、前記非イオン化電界によって前記電荷中和目標に向かって引き寄せられる前記清浄なイオン化気体流が形成される少なくとも1つの正イオン化電極と、前記排気通路および前記シェルに気体連通する少なくとも1つの排気ポートであって、前記正シェル内でかつ前記オリフィスの近くに、前記正シェル外でかつ前記オリフィスの近くの前記非イオン化気体流の圧力よりも低い気体圧を与え、それにより、前記非イオン化気体流の一部が前記正シェル内に流れ、前記汚染副生成物の少なくとも実質的な部分を、前記排気通路によって排出される前記汚染気体流内に一掃する、少なくとも1つの排気ポートとを備え、前記少なくとも1つの負シェル組立体が、前記気体通路に気体連通するオリフィスを有し、前記非イオン化気体流の一部が流入する負シェルと、前記負イオン化電位の印加に応答して、イオンと汚染副生成物とを含むプラズマ領域を生成する、先端を有する少なくとも1つの負イオン化電極であって、前記プラズマ領域のサイズに実質的に等しい距離だけ、前記先端が前記シェルのオリフィスから奥まった位置に配置されるように前記負シェル内に配設されており、それにより、前記生成されるイオンの少なくとも実質的な部分が前記非イオン化気体流内に移動し、それにより、前記非イオン化電界によって前記電荷中和目標に向かって引き寄せられる前記清浄なイオン化気体流が形成される、少なくとも1つの負イオン化電極と、前記排気通路および前記シェルに気体連通する少なくとも1つの排気ポートであって、前記負シェル内でかつ前記オリフィスの近くに、前記負シェル外でかつ前記オリフィスの近くの前記非イオン化気体流の圧力より低い気体圧を与え、それにより、前記非イオン化気体流の一部が前記負シェル内に流れ、前記汚染副生成物の少なくとも実質的な部分を、前記排気通路によって排出される前記汚染気体流内に一掃する、少なくとも1つの排気ポートとを備えて成るイオン化バー。複数対の正シェル組立体および負シェル組立体を備え、該正シェル組立体および負シェル組立体は、負シェル組立体が1つおきに配置され、かつ、前記シェルのオリフィスが全て、少なくとも概ね前記電荷中和目標に向くように配置される請求項25に記載のイオン化バー。前記気体通路は、前記シェル組立体の隣接する組立体の間に配設された複数のノズルを更に備え、該複数のノズルを通して、非イオン化気体が、前記電荷中和目標に向けて方向付けられ、それにより、前記清浄なイオン化気体流が前記電荷中和目標に向けて押しやることができる請求項26に記載のイオン化バー。前記正イオン化電位を受け取り、該正イオン化電位を前記複数の正イオン化電極に提供する、前記複数の正イオン化電極に電気結合された正導電性バスと、前記負イオン化電位を受け取り、該負イオン化電位を前記複数の負イオン化電極に提供する、前記複数の負イオン化電極に電気結合された負導電性バスとを更に備える請求項26に記載のイオン化バー。前記排気通路は電気絶縁表面を更に備え、前記正のバスおよび前記負のバスの少なくとも一方は、前記排気通路の前記電気絶縁表面上に配設される請求項28に記載のイオン化バー。前記イオン化バーは、前記正イオン化電位が印加される正導電性バスを更に備え、前記正イオン化電極はテーパ付きピンを含み、前記先端は前記テーパ付きピンの自由端に鋭利な尖端点を備え、前記排気ポートは、導電性中空ソケットを備え、該導電性中空ソケット内に前記テーパ付きピンが着座し、前記導電性中空ソケットは前記正導電性バスに電気結合し、それにより、前記正イオン化電位を、前記排気ポートおよび前記正のバスを通して前記テーパ付きピンに印加することができる請求項25に記載のイオン化バー。前記副生成物の少なくとも実質的な部分は、前記排気ポートを通して排気され、かつ、オゾンおよび窒素酸化物からなる群から選択される気体である請求項25に記載のイオン化バー。前記負イオン化電極はテーパ付きピンを含み、前記先端は、前記テーパ付きピンの自由端に鋭利な尖端点を備え、前記負シェルのオリフィスは所定直径の概ね円形であり、前記負シェルのオリフィスの直径と前記奥まった位置の距離との比は、約0.5~約2.0である請求項25に記載のイオン化バー。前記負イオン化電極は、金属導体、非金属導体、半導体、単結晶シリコンおよびポリシリコンからなる群から選択される材料で作られ、前記負排気ポートは、低圧源に接続されており、約1リットル/分~20リットル/分の範囲で前記負シェル内に気体流を提供し、それにより、前記副生成物の少なくとも実質的な部分を排気する請求項25に記載のイオン化バー。前記正および負のシェル組立体は、前記正イオン化電極に印加される前記イオン化電位が、前記負イオンの少なくとも実質的な部分を前記非イオン化気体流内に移動させるのに十分な非イオン化電界を、前記負シェル組立体の前記プラズマ領域にかけるように、また、前記負イオン化電極に印加される前記イオン化電位が、前記正イオンの少なくとも実質的な部分を前記非イオン化気体流内に移動させるのに十分な非イオン化電界を、前記正シェル組立体の前記プラズマ領域にかけるように、前記イオン化バーに沿って位置決めされる請求項25に記載のイオン化バー。前記非イオン化電界は、前記イオンの少なくとも実質的な部分を、前記シェルのオリフィスに通して、前記電荷中和目標に向けて方向付けられる前記非イオン化気体流内に移動させる非イオン化電界を前記プラズマ領域内に重ね合わせる少なくとも1つの非イオン化電極を更に備える請求項25に記載のイオン化バー。好ましい超清浄ACコロナ放電によるイオン化バー100の本発明の概念が、図1aの部分断面図に示される。図1aに示すように、好ましい直線状イオン化バー100は、複数のノズル/ポート29によって分離することができる複数の直線的に配設されたシェル組立体20それぞれ、エミッター5およびシェル4を有するを備えることができ、複数のノズル/ポート29は、非イオン化空気/気体通路2′に気体連通し、また、中和すべき帯電した目標または対象物Tに向けられる。空気/気体ポート複数の場合もあり/ノズル複数の場合もあり29は、帯電した目標または対象物Tに向かって電荷キャリア10、11を輸送するのを補助することができる。さらに、イオン化バー100は、低圧排気通路14を含むことができる。排気通路14は、インツールintool/生産真空ライン図示せずか、組込み式真空源図示せずか、または、エミッターシェルのオリフィス7の近くの気体圧およびエミッターシェル4の外の気体圧より低い圧力を維持することができる当該技術分野で知られている多くの同様の機構の任意の機構に接続することができる。通路2′は、高圧気体源図示せずに接続することができ、高圧気体源は、イオン化装置および/または非イオン化ノズル/オリフィス/ジェット29/29′について約0.1リットル/分~20.00リットル/分の範囲の容積で通路2′に清浄気体流3を供給することができる。しかし、約0.1リットル/分~10.00リットル/分の範囲の流量が最も好ましい。気体は、CDA清浄乾燥空気若しくは窒素若しくは別の正電荷を有する気体または、当該技術分野で知られている多くの同様の機構高清浄度気体例えば窒素源等のうちのいずれかとすることができる。少なくとも1つの高電圧バス17を、例えば、少なくともバス17に隣接する部分が好ましくは非導電性である真空/排気通路14の下側壁上に配置することができる。バス17は、好ましくは、管路26に電気的に連通し、管路26は、中空導電性管路の形態をとることができ、また、少なくとも2つの機能を果たすことができる。すなわち、エミッター5との電気的な連通を提供すること、および、エミッターシェル4から低圧副生成物流コロナ放電により生成される汚染物質を含むを排出することである。管路26は、真空通路14で終端する1つの開口端、および、コロナ放電電極またはエミッター5を内部に受け入れることができる保持ソケットを形成する別の端を有することができる。管路26は、導電性材料または半導電性材料で部分的にまたは全体的に形成することができ、また同様に、バス17に印加されるイオン化電圧がエミッター5に印加されるように、イオン化電極5に電気的に連通していることができる。気体イオン化は、高圧電源HVPS-図示せずからのAC電圧出力が、エミッター5のコロナ放電閾値を超えると始まる。当該技術分野で知られているように、これは、エミッター先端の近くにありかつ概してエミッター先端から出る、概ね球状のプラズマ領域12内のACまたは、以下で論じる代替的な実施形態では、DCまたはパルス状のDCコロナ放電による正のイオン10および負のイオン11の生成をもたらす。このコロナ放電は、また、望ましくない汚染副生成物15の生成をもたらす。保護エミッターシェル4がなければ、副生成物15は、エミッター5の先端から出るイオンの風、拡散および電気反発力に起因して目標または対象物Tに向かって連続して移動することになることが認識されるであろう。そのため、汚染副生成物15は、新たに生成されたイオンとともに非イオン化気体流3内に一掃され、電荷中和目標または対象物Tに向かって方向付けられ、目標または対象物は、汚染されることになる清浄な電荷中和の目的を損なう。一方で、エミッターシェル4の存在および排気通路14が与える低気体圧に起因して、エミッター5によって生成されるプラズマ領域12内のおよび/またはプラズマ領域12の近くの気体流パターンは、汚染物質15が気体流3に入ることを防止する。特に、図1aに示す構成は、オリフィス7の近くの非イオン化気体流とシェル4内のプラズマ領域12との間に圧力差を生成する。この圧力差のため、高速気体流3の一部が、通路2′からオリフィス7を通りシェル4内に漏れる。この気体流は、コロナ放電により生成される副生成物15の実質的に全てを、プラズマ領域12から排気ポート14内に誘導する誘引力を生成する。副生成物15は、既述したようにイオン10、11を主気体流内に押しやる同じイオンの風、拡散および電気的力を受けることを当業者は理解するであろう。しかし、本発明は、気体流部分が、こうした対向する力を克服するのに十分に強い条件を生成することを意図する。結果として、イオン10、11並びに副生成物15は、空気力学的にかつ電気的に分離され、異なる方向に移動する。すなわち、正のイオン10および負のイオン11は、非イオン化気体流内に移動し、それにより、帯電した対象物Tに向かって下流に流れるイオン化気体流が形成される。対照的に、副生成物15は、排気ポート14に向かって、また好ましくは、副生成物コレクター、フィルターまたはトラップ図示せずに排気および/または一掃される。図1aを更に参照すると、管路26は、管路26のエミッターソケット端の近くでかつエミッター5に非常に近接して少なくとも1つの開口複数の場合もありまたは小孔複数の場合もありを有することができる。図示するように、エミッター5および管路26のエミッターソケット端は、好ましくは、中空シェル4の内部に配置され、エミッター5の放電端は、距離Rだけオリフィス7の内側に間隔を空けて配置されるまたは、同義的にオリフィス7から奥まった位置に配置される例えば、図1bを参照のこと。この奥まった位置の距離Rが大きくなればなるほど、プラズマ領域12からの汚染副生成物が、より容易に、低圧排気流によって排気通路14に向かって一掃される可能性がある。通路を通る約0.1リットル/分~約20リットル/分の範囲の低圧気体流が、この目的のために適切であり得ることが判明している。より好ましくは、広範囲例えば、10ナノメートル~1000ナノメートルの粒子サイズを確実に排気するために、流量は、イオン化装置またはイオン化組立体について約1リットル/分~10リットル/分とすることができる。一方で、奥まった位置の距離Rが小さくなればなるほど、プラズマ領域12からのイオンが、より容易に、オリフィス7を通って、所望に応じて主気体流2のイオンドリフト領域内に移動する可能性がある。これらの競合する考慮事項の最適なバランスのために、距離Rが、エミッター5の先端でコロナ放電によって生成されるプラズマ領域12のサイズプラズマ領域は通常、幅が約1ミリメートルであるに少なくとも概ねまた好ましくは実質的に等しくなるように選択される場合に、最適なイオン/副生成物分離を達成することができることが判明している。さらに、好ましい距離Rは、円形オリフィス7の直径D約2ミリメートル~3ミリメートルの範囲にあると概ね同程度とすることができる。最も好ましくは、D/R比は、約0.5~約2.0の範囲とすることができる。図1aを更に参照すると、図1aに示すイオン化バー100の中には複数の方向矢印が示されている。これらの矢印が、イオン化バー100を通って移動する2つの主要な気体流、すなわち、シェル4の周りで流動して電荷キャリア10、11を目標または対象物Tへ向けて押し流す気体流3、および、真空通路14と周囲環境との間の圧力差に起因して排気通路14を通して汚染気体および汚染粒子を引き寄せる低圧吸引流れである真空流15を表していることは、当業者は容易に理解するであろう。こうして、低圧吸引流または真空流15によって、エミッター5の先端は周囲環境からを少なくとも実質的に隔離される。さらに、また、既述したように、低圧吸引流または真空流15は、固体汚染粒子および他のコロナ放電に伴う副生成物や気体を取り込み、それらを、管路26を通して真空通路14内へまた、重要なことには、目標または対象物Tから離れて輸送する。実際には、気体流3の大きさと粒子を伴った気体流15の大きさとの間の関係例えば、気体流比3/15は、イオン化装置の清浄度およびイオン輸送効率を規定するうえで重要である。そして、この気体流比は、種々の環境や用途の下で最適性能を達成するために変わる可能性がある。例えば、帯電した目標または対象物Tが、イオン化バー100に非常に近接して位置決めされる半導体作製用途ではしばしばそうであるが場合、気体流3の速度は、例えば約23mmin~30mmin75フィート/分~約100フィート/分に制限すべきである。或る特定の気体流比3/15において、イオンエミッター複数の場合もあり5のプラズマ領域12が周囲雰囲気から隔離され、エミッター5の先端上でのデブリ蓄積が大幅に抑制され、コロナ放電により生成される汚染副生成物の実質的に全てが除去されよう。そのため、幾つかの最も好ましい実施形態では、気体流3、15の双方および、特に気体流比3/15が、種々の因子イオン化組立体20と帯電した目標または対象物Tとの間の距離等に応じて調整され、それにより、汚染副生成物の移動を管理することができる。対照的に、中和すべき帯電した目標または対象物Tが、イオン化バー100から更に一層遠位に配置される場合、気体流3を増加すべきである。その理由は、こうした条件下では、帯電した目標または対象物Tが形成する電界が弱くなりすなわち、より低い電界強度がイオン化バーに存在することになり、イオン輸送が、主に気流つまり気体流3によって行われることになるからである。しかし、気体流3は、汚染粒子15がプラズマ空間12から流出し、目標または対象物Tに向かって流れることを可能にするほど大きくてはならない。再び図1aを参照すると、既述のようにイオン化バー100をAC電源とともに使用する場合には、参照電極複数の場合もあり6を設けて、1エミッター5の先端でのイオン生成を容易にし、2エミッター5の先端から電荷キャリア10、11を移動させるための電界を形成するようにしてもよい。電気絶縁された参照電極6は、好ましくは、イオン化バー100の1つの外側表面を形成する概ね平坦な面として配設され、それにより、プラズマ領域12を形成するイオン化電界に加えて、比較的低い強度の非イオン化電界が同イオン化電界に形成される。エミッター5に印加される電位は、約3キロボルト~約15キロボルトの範囲とすることができ、また、通常、約9キロボルトである。参照電極6に印加される電位は、約0ボルト~約1000ボルトの範囲とすることができ、約30ボルトが最も好ましい。非イオン化気体が空気である場合、この非イオン化電圧は、0零ボルト未満に振れる場合がある。無線周波数のイオン化電位が好ましくはキャパシタを通してイオン化電極5に印加されることに留意されたい。同様に、参照電極は、フィードバック信号を引き出すことができるキャパシタ-インダクタ受動LC回路を通して接地するgroundedことができる。こうして、この構成によって、イオン化電極5と非イオン化電極6との間に電界が形成される。電極間の電位差がコロナ放電を確立するのに十分であれば、電流が、エミッター5から参照電極6に向かって流れることになる。エミッター5と参照電極6の双方は、キャパシタによって絶縁されるため、比較的小さなDCオフセット電圧が自動的に確立され、存在する場合がある任意の過渡的イオン化バランスオフセットが、約0零ボルトの不活性状態quiescentstateに減少することになる。代替形態として、イオン化シェル組立体20の近傍および/またはイオン化シェル組立体20の間に配置される専用ノズル29図2aの速度キャップを有するノズル29′も参照のことからの別の気体流によって、帯電した対象物へのイオン雲を移動させるようにしてもよい。ノズル29は、高圧の清浄気体通路2′に連通させることができ、各ノズル29の断面積は、好ましくは、各シェルのオリフィス7の断面積よりも著しく小さい。その結果、各ノズル29によってシェル組立体と比較して一層高速の気体流が生成され、該高速の気体流に周囲空気を効率的に取り込み、イオンを取入れ収集し、該イオンを遠位の例えば、1000mm以上離れた帯電した目標または対象物Tに移動させることが可能となる。こうして、ノズル29からの気体流は、イオンを、中和すべき帯電した目標または対象物Tに輸送し、それにより、イオン化装置の効率を著しく高めるのに役立つ。この概念は、2006年10月6日に出願され、2010年4月13日に発行された、AirAssistForACIonizersという名称の米国特許第7697258号に開示されており、その内容全体が参照により本明細書に援用される。本発明は、すぐ上に述べた米国特許第7697258号に開示されている発明複数の場合もありに適合する。多周波数高電圧波形は、イオン化電位として、本明細書に開示される本発明のイオン化バーに印加することができ、こうした波形の代表的な例が図1cに示される。この特性を有する波形は、2008年3月14日に出願され、2010年10月12日に発行された、PreventionOfEmitterContaminationWithElectronicWaveformsという名称の米国特許第7813102号に詳細に開示されており、その内容全体が参照により本明細書に援用される。これらの教示によれば、多周波数AC電圧成分12kHz~15kHzは、信号の振幅がイオン化電極複数の場合もありのコロナ放電閾値電圧可能な最低電圧に略等しいとき、効率的なイオン化を提供する。これはまた、エミッター侵食およびコロナ放電による副生成物の生成速度を減少させる。さらに、高周波イオン化は、固体粒子およびエミッターシェルの壁の起こり得る電荷を中和する。同様に、上述した米国特許第7813102号の教示によれば、イオン化電位は、イオンを目標に向けて偏向させるpolarizeまたは押出すpush低周波成分を有することができる。この成分の電圧振幅は、一般に、イオン化電極と目標との間の距離の関数である。こうして、電気的および固有の拡散力は、イオン10、11の少なくとも実質的な部分を、プラズマ領域12から移動させ、シェル4を出るように同様に参照電極6の方向に横方向に移動しながら、出口オリフィス7を通って、目標または対象物Tに向かうようにさせる。電界強度が、電極5の近くにおいて低いため、イオン10、11は、主非イオン化気体流3内に一掃されそれにより、清浄なイオン化気体流が形成され、中和目標表面または対象物Tに向かって方向付けられる。したがって、本発明の幾つかの実施形態は、イオン化装置から中和すべき帯電した目標へ移動するようにイオンを押しやるために、気体流とACイオン化電位の低周波成分との双方を使用することができる。本明細書で述べる本発明に適合するイオン化電位を提供するための更なるオプションは、2010年10月20日に出願された、SelfBalancingIonizedGasStreamsという名称の米国特許出願第12925360号に見出すことができ、その内容全体が参照により本明細書に援用される。イオン化電極5は、好ましくは、鋭利な尖端点を有するテーパ付きピンとして構成されるが、当該技術分野で知られている多くの異なるエミッター構成が、本発明によるイオン化シェル組立体で使用するのに適することは理解されよう。限定されないが、これらは、尖端点、小さな径のワイヤ、ワイヤループ等を含むことができる。さらに、エミッター5は、それが使用されることになる特定の用途または環境に主に応じて金属、並びに、シリコン、単結晶シリコン、ポリシリコン、シリコンカーバイド、セラミックスおよびガラスのような導電性および半導電性である非金属を含む、当該技術分野で知られている非常に様々な材料から作ることができる。通路2′および14は、それが使用されることになる特定の用途/環境に応じて多数の既知の金属材料および非金属材料から作ることができ、それらの材料は、ポリカーボネート、テフロン商標、非導電性セラミック、石英、またはガラス等のプラズマ耐性のある絶縁材料を含むことができる。代替的には、通路の限られた部分は、所望に応じて上述した材料から作ることができる。別のオプションの代替形態として、通路2′および/または14の一部または全ては、所望に応じてプラズマ耐性絶縁材料のスキンでコーティングすることができる。エミッターシェル4は、それが使用されることになる特定の用途/環境に応じて多数の既知の金属材料および非金属材料から作ることができ、それらの材料は、ポリカーボネート、テフロン商標、非導電性セラミック、石英、またはガラス等のプラズマ耐性のある絶縁材料を含むことができる。代替的には、シェルのオリフィスの近くのシェルの部分だけを、上述した材料から作ることができる。別のオプションの代替形態として、エミッターシェル4の一部または全ては、プラズマ耐性絶縁材料のスキンでコーティングすることができる。ここで図1bを考慮すると、複数の等価な設計の変形形態を示すのに役立つ、本発明の関連する好ましい実施形態による超清浄イオン化バーの一部が示される。図1bに示すように、イオン化バー100′は、同様の参照符号の使用によって示されるような図1aのイオン化バー100の物理特性と同様の幾つかの物理特性を有することができ、この実施形態の動作の原理は、既述したものと同じである。したがって、上記のバー100の説明は、すぐ下で論じる差異を除いて、バー100′にも適用される。図1bに示す第1の差異は、通路2′の壁およびシェル4′の壁が、図1aに示すものと僅かに異なることである。さらに、設計の選択の問題として、通路2′の壁と参照電極6′との間に、ギャップが付加されている。さらに、管路26′に電気的に連通されないが、イオン化高圧電源に電気的に連通されるイオン化ワイヤ5′が、テーパ付きピン5と置換されている。さらに、イオン化ワイヤ5′が、管路26′からイオン化電位を受け取らないため、管路26′は、絶縁材料で形成することができる。ワイヤ5′は、管路26′に軸方向に位置合わせされるしたがって、同心であることができ、管路26′は、プラズマ領域12の近くに概ね円形のアパーチャを提供するために、概ねストロー状strawshapedとすることができる。当然ながら、副生成物15は、このアパーチャに流入し、それにより、管路26′の対向端を介して排気通路に輸送されることができる。図1dに示す別の代替的な実施形態では、スロットイオン化バー100aは、細長い実質的に直線状のコロナワイヤ5′′を備える1つのイオン化電極を有する1つのみの細長いシェル組立体20′′を有することができ、コロナワイヤ5′′は、排気ポート26′′を有する細長いシェル4′′内に位置決めされ、イオン化電位を与えられると、電荷キャリア10、11および汚染副生成物を含む概ね円柱状のプラズマ領域12aを生成する。細長いシェル4′′は、コロナワイヤ5′′に少なくとも概ね平行であるページの平面から出る方向に細長いシェルのオリフィス7′スロット等を有することができる。本明細書で論じた他の実施形態の場合と同様に、この実施形態も、細長いシェル4′′を包囲する気体通路2′′より大きく細長い高圧通路等を含むことができ、それにより、気体通路2′′を通過する清浄気体3の僅かな部分が、細長いシェルに入って、汚染物質15を、排気ポート26′′を通して排気通路14′内に一掃する。当然ながら、他の実施形態に関して論じられるように、コロナ放電により生成されるイオン10、11の実質的な部分が、依然として非イオン化気体流3に入って、目標に方向付けられる清浄なイオン化気体流が形成される。1つまたは複数の参照電極複数の場合もあり6′の使用はオプションであり、また、全体を通して提供される記述に基づいて通常の当業者の技量内にある。この実施形態の変形形態では、実質的に直線でかつ細長いコロナソーブレード図示せずを、当業者の技量内の等価な設計の選択として、コロナワイヤ5′′の代わりに用いることができる。ここで図1cを参照すると、図1aおよび図1bの実施形態に示すイオン化電極複数の場合もありに印加することができる代表的な無線周波数ACイオン化電位40が示される。ACイオン化信号40は、好ましくは、約3kV~約15kVの振幅および約12kHzの好ましい周波数を有する無線周波数成分を有することができる。ACイオン化信号40は、好ましくは、約100V~約2kVの振幅および0.1Hz~約100Hzの好ましい周波数を有する低周波AC押出し成分を有することもできる。当該技術分野で知られているように、この一般的な特質のイオン化信号は、イオン化を起こさせるだけでなく、生成されたイオンを、プラズマ領域の外へ、また、所望の方向に押出すのにも役立つことができる。本発明の超清浄イオン化バーの別の好ましい実施形態は、DC動作モードまたはパルス状DC動作モードで働くように構成することができる。図2aに示すように、超清浄イオン化バー100′′は、同様の参照符号の使用によって示される図1aおよび図1bのイオン化バー100および100′の物理構成と同様の物理構成を有することができる。したがって、上記のバー100および100′の説明は、すぐ下で論じる差異を除いて、バー100′′にも適用される。図2aに示すように、バー100′′は、それぞれ、正の高電圧バス17bおよび負の高電圧バス17aに電気的に連通する少なくとも2つのシェル組立体20′および20′′専用の正のエミッターおよび負のエミッターをそれぞれ有するを有することができる。バス17aおよび17bは、高圧/清浄気体通路2′および/または排気通路14の非導電性部分上に位置決めすることができる。イオン化バー100′′が非イオン化参照電極を全く必要としないことを当業者は本明細書に含まれる開示を考慮して容易に理解するであろう。それは、正シェル組立体20′′および負シェル組立体20′が、コロナ放電により生成されるイオン雲を、これらの正シェル組立体と負シェル組立体との間で横方向に移動させる反対極性の対で配列されるからである。すなわち、図2aに示すような参照電極6の存在は、純粋にオプションであることが理解され、この理由は、以下の段落で更に説明される。最も好ましい実施形態では、複数対の正シェル組立体20′′および負シェル組立体20′は、負シェル組立体が1つおきに配置され、かつ、シェルのオリフィスが全て、少なくとも概ね電荷中和目標に向くようにイオン化バー100′′に沿って位置決めされる。この構成では、正イオン化電極に印加されるイオン化電位は、負イオン10の少なくとも実質的な部分を非イオン化気体流内に移動させるのに十分な非イオン化電界を、負シェル組立体20′のプラズマ領域12′にかける。これに関して、当該技術分野で知られているように、約99のイオン再結合レートが一般的であり、したがって、1未満のイオンでさえも、文脈を考慮すると、生成されるイオンの実質的な部分と考えることができることが留意される。同様に、負イオン化電極に印加されるイオン化電位は、正イオンの少なくとも実質的な部分を非イオン化気体流内に移動させるのに十分な非イオン化電界を、正シェル組立体20′′のプラズマ領域12′′にかける。当該技術分野で知られているように、正エミッターは、負エミッターよりも、エミッター侵食に起因してより多くの汚染粒子およびデブリを生成する傾向がある。本発明の特定のDCまたはパルス状DCの実施形態によれば、正シェル組立体20′′用の真空流15すなわち気体流比3/15は、好ましくは、汚染除去が、不等のレートで、また、異なるタイプのシェル組立体20′および20′′における汚染生成レートに比例して行われることができるように、負シェル組立体20′のものよりも高くするべきである。イオン化バー100′′に印加することができるパルス状DC正および負のイオン化波形それぞれ、50pおよび50nの代表的な例が図2bに示される。代表的な波形50pおよび50nで示すように、電圧振幅、パルス周波数および/または継続時間は、任意の所与の用途において目標または対象物に均衡した正のイオン雲および負のイオン雲を輸送するために必要に応じて変更することができる。さらに、高電圧パルスは、真空および/または可変上流気体流と同期して、イオン化装置の効率を高め、粒子生成/デブリ蓄積を最小限に抑えることができる。図2aの好ましい実施形態に適用されると、正のパルス状DC信号50pは、バス17aを介してシェル組立体20′に与えられ、負のパルス状DC信号50nは、バス17bを介してシェル組立体20′′に与えられることになる。信号50pおよび50nのそれぞれについて、従来のパルス状DC振幅範囲および周波数範囲を使用することができる。単に例として、信号50pおよび50nの振幅は、約3kV~約15kVとすることができ、信号50pおよび50nの周波数は、約0.1Hz~約200Hzとすることができる。当該技術分野で知られているように、この一般的な特質を有するイオン化信号は、イオン化を起こさせるだけでなく、生成されたイオンを、プラズマ領域の外へ、また、所望の方向に押出すのにも役立つことができる。本発明を、最も実用的でかつ好ましい実施形態であると現在のところ考えられるものに関連して述べたが、本発明が、開示された実施形態に限定されるのではなく、添付の特許請求の範囲の趣旨および範囲内に含まれる種々の変更および均等な構成を包含することを意図されることが理解されるべきである。上記の説明に関して、例えば、サイズ、材料、形状、形態、機能および動作方法、組立ておよび使用の変形形態を含め、本発明の部品についての最適な寸法関係は、当業者に容易に明らかになると思われ、また、図面に示され、明細書で述べられるものに対する全ての均等な関係は、添付の特許請求の範囲によって包含されることが意図されることが認識されるべきである。したがって、上記は、本発明の原理の例証的な、網羅的でない説明であると考えられる。動作例においてまたは別途指示される場合以外は、明細書および特許請求の範囲で使用される、成分の量、反応条件等を指す全ての数字または表現は、全ての事例で用語約aboutによって修飾されるものとして理解されるべきである。したがって、それとは反対であることが指示されない限り、以下の明細書および添付の特許請求の範囲に示される数値パラメーターは、本発明が得ることを所望する所望の特性に応じて変化し得る近似値である。最低でも、また、特許請求の範囲に対する均等論の適用を制限しようとする試みとしてではなく、各数値パラメーターは、報告される有効桁数を考慮して、また、通常の丸め技法を適用することによって、少なくとも解釈されるべきである。本発明の広い範囲を記載する数値範囲およびパラメーターは近似値ではあるが、特定の例で記載される数値は、できる限り厳密に報告される。しかし、どの数値も、本質的に、それらのそれぞれの試験的測定において見出される標準偏差から必然的に生じる一定の誤差を含む。同様に、本明細書で列挙されるどの数値範囲も、その範囲内で部分和を取られる全てのサブ範囲を含むことを意図されることが理解されるべきである。例えば、1~10の範囲は、1という列挙される最小値および10という列挙される最大値間の全てのサブ範囲を含み、かつ、1という列挙される最小値および10という列挙される最大値を含み、すなわち、1以上の最小値および10以下の最大値を有することが意図される。開示される数値範囲は、連続しているため、最小値と最大値との間の全ての値を含む。別途明確に指示されない限り、本願で指定される種々の数値範囲は近似値である。以下の説明のために、用語上側、下側、右、左、垂直、水平、上部、底部およびそれらの派生語は、図面の図において方向を示すものとして本発明に関連するものとする。しかし、本発明は、それとは反対であることが明記される場合を除いて、種々の代替的な変形形態およびステップシーケンスを仮定することが理解される。添付の図面に示し、以下の明細書に述べる特定のデバイスおよびプロセスは、単に本発明の例示的な実施形態であることも理解されるべきである。したがって、本明細書で開示する実施形態に関連する特定の寸法および他の物理的特性は、制限するものとして考えられるべきではない。