"圧電振動素子と、温度を検出する感温部品と、前記圧電振動素子を収容する第1の収容部を有し、前記感温部品を収容する第2の収容部を有した容器と、を備えた圧電デバイスであって、前記容器は、前記第2の収容部を構成する貫通孔を有し且つ底部に複数の実装端子を備えた第1の絶縁基板と、前記第1の絶縁基板の前記底部とは反対側の表部に対して裏面を積層固定され、前記裏面とは反対側の表面に前記圧電振動素子搭載用の第1の電極パッドが設けられ、前記裏面に前記実装端子と前記第1の電極パッドとを導通させる第1の配線パターン、前記実装端子と前記感温部品とを導通させる第2の配線パターン、及び前記感温部品搭載用の第2の電極パッドが設けられた第2の絶縁基板と、前記第2の絶縁基板の前記表面に積層固定され、前記第1の収容部を構成する第3の基板と、を備え、少なくとも1つの前記実装端子と前記第1の電極パッドとは、第1の熱伝導部及び前記第1の配線パターンにより電気的に接続され、他の少なくとも1つの前記実装端子と前記第2の電極パッドとは、第2の熱伝導部及び前記第2の配線パターンにより電気的に接続されていることを特徴とする圧電デバイス。圧電振動素子と、温度を検出する感温部品と、前記圧電振動素子を収容する第1の収容部を有し、前記感温部品を収容する第2の収容部を有した容器と、を備えた圧電デバイスであって、前記容器は、前記第2の収容部を構成する貫通孔を有し且つ底部に複数の実装端子を備えた第1の絶縁基板と、前記第1の絶縁基板の前記底部とは反対側の表部に対してを積層固定され、前記裏面とは反対側の表面に前記圧電振動素子搭載用の第1の電極パッドが設けられ、前記裏面に前記実装端子と前記第1の電極パッドとを導通させる第1の配線パターン、前記実装端子と前記感温部品とを導通させる第2の配線パターン、及び前記感温部品搭載用の第2の電極パッドが設けられた第2の絶縁基板と、前記第2の絶縁基板の前記表面に積層固定され、前記第1の収容部を構成する第3の基板と、を備え、少なくとも1つの前記実装端子と前記第1の電極パッドとは、第1の熱伝導部により電気的に接続され、他の少なくとも1つの前記実装端子と前記第2の電極パッドとは、第2の熱伝導部及び前記第2の配線パターンにより電気的に接続されていることを特徴とする圧電デバイス。前記第1、第2の熱伝導部の少なくとも何れか一方の少なくとも一部は、前記第1の絶縁基板の内部に貫通配置されていることを特徴とする請求項1、又は2に記載の圧電デバイス。前記第1、第2の熱伝導部の少なくとも何れか一方の少なくとも一部は、前記容器の外側面に設けられたキャスタレーション内に配置されていることを特徴とする請求項1、又は2に記載の圧電デバイス。前記第1、第2の熱伝導部のうちの一方の少なくとも一部は、前記第1の絶縁基板の内部に貫通配置され、他方の少なくとも一部は前記容器の外側面に設けられたキャスタレーション内に配置されていることを特徴とする請求項1、又は2に記載の圧電デバイス。前記第1、第2の熱伝導部の少なくとも何れか一方は、前記第1の絶縁基板の内部に貫通配置された熱伝導部と、前記絶縁容器外側面に設けられたキャスタレーション内に配置された熱伝導部と、が連結していることを特徴とする請求項1、又は2に記載の圧電デバイス。前記第1の収容部を気密封止する蓋部材を備え、前記蓋部材は、前記容器の内部を貫通する第3の熱伝導部により、前記感温部品と接続する実装端子と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1乃至6のうち何れか一項に記載の圧電デバイス。前記圧電振動素子の圧電基板は、水晶の結晶軸である電気軸としてのX軸と、機械軸としてのY軸と、光学軸としてのZ軸と、からなる直交座標系の前記X軸を中心として、前記Z軸を前記Y軸の-Y方向へ所定の角度だけ傾けた軸をZ’軸とし、前記Y軸を前記Z軸のZ方向へ前記所定の角度だけ傾けた軸をY’軸とし、前記X軸と前記Z’軸に平行な面で構成され、前記Y’軸に平行な方向を厚みとする水晶基板であり、前記X軸に平行な辺を長辺とし、前記Z’軸に平行な辺を短辺とした水晶基板を用いたATカット水晶振動素子であることを特徴とする請求項1乃至7のうち何れか一項に記載の圧電デバイス。前記圧電振動素子は、音叉型水晶振動素子であることを特徴とする請求項1乃至7のうち何れか一項に記載の圧電デバイス。前記圧電振動素子は、ATカット水晶振動素子と音叉型水晶振動素子とが前記第1の収容部に併置されていることを特徴とする請求項1乃至7のうち何れか一項に記載の圧電デバイス。請求項1乃至10のうち何れか一項に記載の圧電デバイスを備えたことを特徴とする電子機器。本願発明者らは、特許文献12や特許文献13の技術を活用し、所謂H型パッケージ容器を用いて、第1の収納部上部に圧電振動素子を搭載し、第1の収納部と反対側の第2の収納部下部に、温度センサーとして、サーミスタ等の感温部品を搭載する圧電デバイスの構造を検討した。しかしながら、特許文献10の問題と同様に、圧電デバイスの圧電振動素子を収容する第1の収納部は、その底部セラミック製を介して反対側の第2の収納部に感温部品サーミスタを搭載する構造をしており、容器が絶縁性のセラミックであるため、熱伝導性の点から、第1の収納部内の圧電振動素子の温度と、第2の収納部内の感温部品が検知する温度との間に温度差が生じるという問題があった。つまり、開示された構造では、本願発明者の検証した結果からは、携帯電話に搭載されるGPS用の規格を満たすには不十分であり、更なる改善が必要とされることが明らかとなった。本発明は上記に鑑みてなされたものであり、圧電振動素子の第1の収容部の外に感温部品温度センサーを配置した構成の圧電デバイスであっても、圧電振動素子の温度を高精度に検出することを可能とし、主回路基板マザーボード上に搭載され補償回路と組合せることにより、高安定、高精度の周波数温度特性の発振器を可能とする、表面実装型の圧電デバイスを提供することを目的としている。本発明は、上記の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。[適用例1]本発明に係る圧電デバイスは、圧電振動素子と、温度を検出する感温部品と、前記圧電振動素子を収容する第1の収容部を有し、前記感温部品を収容する第2の収容部を有した容器と、を備えた圧電デバイスであって、前記容器は、前記第2の収容部を構成する貫通孔を有し且つ底部に複数の実装端子を備えた第1の絶縁基板と、前記第1の絶縁基板の前記底部とは反対側の表部に対して裏面を積層固定され、前記裏面とは反対側の表面に前記圧電振動素子搭載用の第1の電極パッドが設けられ、前記裏面に前記実装端子と前記第1の電極パッドとを導通させる第1の配線パターン、前記実装端子と前記感温部品とを導通させる第2の配線パターン、及び前記感温部品搭載用の第2の電極パッドが設けられた第2の絶縁基板と、前記第2の絶縁基板の前記表面に積層固定され、前記第1の収容部を構成する第3の基板と、を備え、少なくとも1つの前記実装端子と前記第1の電極パッドとは、第1の熱伝導部及び前記第1の配線パターンにより電気的に接続され、他の少なくとも1つの前記実装端子と前記第2の電極パッドとは、第2の熱伝導部及び前記第2の配線パターンにより電気的に接続されていることを特徴とする圧電デバイスである。上記のように圧電デバイスを構成することにより、圧電振動素子の温度と、感温部品の検知する温度との温度差を縮小することが可能となり、外部回路と接続されて良好な周波数温度特性が得られ、また優れた周波数ドリフト特性短期安定度特性を有する温度補償型圧電発振器が実現できるという効果がある。[適用例2]また圧電デバイスは、圧電振動素子と、温度を検出する感温部品と、前記圧電振動素子を収容する第1の収容部を有し、前記感温部品を収容する第2の収容部を有した容器と、を備えた圧電デバイスであって、前記容器は、前記第2の収容部を構成形成する貫通孔を有し且つ底部に複数の実装端子を備えた第1の絶縁基板と、前記第1の絶縁基板の前記底部とは反対側の表部に対して裏面を積層固定され、前記裏面とは反対側の表面に前記圧電振動素子搭載用の第1の電極パッドが設けられ、前記裏面に前記実装端子と前記第1の電極パッドとを導通させる第1の配線パターン、前記実装端子と前記感温部品とを導通させる第2の配線パターン、及び前記感温部品搭載用の第2の電極パッドが設けら形成された第2の絶縁基板と、前記第2の絶縁基板の前記表面に積層固定され、前記第1の収容部を構成する第3の基板と、を備え、少なくとも1つの前記実装端子と前記第1の電極パッドとは、第1の熱伝導部により電気的に接続され、他の少なくとも1つの前記実装端子と前記第2の電極パッドとは、第2の熱伝導部及び前記第2の配線パターンにより電気的に接続されていることを特徴とする圧電デバイスである。上記のように圧電デバイスを構成することにより、極めて短時間で圧電振動素子の温度と、感温部品の検出する温度との温度差を縮小することが可能となり、外部回路と接続されて、優れた周波数ドリフト特性短期安定度特性を有する温度補償型圧電発振器が実現できるので、GPS等の性能を改善できるという効果がある。[適用例3]また圧電デバイスは、前記第1、第2の熱伝導部の少なくとも何れか一方の少なくとも一部は、前記第1基板の内部に貫通配置されていることを特徴とする圧電デバイスである。上記のように構成することにより、第1、第2の熱伝導部を経由するため、実装端子から伝わる熱の流れ熱伝導の速度は、速く、極めて短時間で圧電振動素子の温度と、感温部品の検出する温度との温度差を縮小できるという効果がある。[適用例4]また圧電デバイスは、前記第1、第2の熱伝導部の少なくとも何れか一方の少なくとも一部は、前記容器の外側面に設けられたキャスタレーション内に配置されていることを特徴とする圧電デバイスである。上記のように構成することにより、第1、第2の熱伝導部少なくとも何れか一方をキャスタレーション内に設けることにより、実装端子から伝わる熱の流れ熱伝導の速度は速く、極めて短時間で圧電振動素子の検出する温度と、感温部品の検出する温度との温度差を縮小できるという効果がある。[適用例5]また圧電デバイスは、前記第1、第2の熱伝導部のうちの一方の少なくとも一部は、前記第1の絶縁基板の内部に貫通配置され、他方の少なくとも一部は前記容器の外側面に設けられたキャスタレーション内に配置されていることを特徴とする圧電デバイスである。上記のように構成することにより、実装端子から伝わる熱の流れ熱伝導は、基板内に設けた熱伝導部と、容器の側面に設けたキャスタレーション電極と、を経由するため熱伝導の速度が速く、極めて小さい時間で圧電振動素子の温度と、感温部品の検出する温度との温度差を縮小できるという効果がある。[適用例6]また圧電デバイスは、前記第1、第2の熱伝導部の少なくとも何れか一方が、前記第1の絶縁基板の内部に貫通配置された熱伝導部と、前記絶縁容器外側面に設けられたキャスタレーション内に配置された熱伝導部と、が連結していることを特徴とする圧電デバイスである。上記のように構成することにより、実装端子から伝わる熱の流れ熱伝導は、基板内に設けた熱伝導部と、容器の側面に設けたキャスタレーション電極と、を経由するため熱伝導の速度が速く、極めて小さい時間で圧電振動素子の温度と、感温部品の検出する温度との温度差を縮小できるという効果がある。[適用例7]また圧電デバイスは、前記第1の収容部を気密封止する蓋部材を備え、前記蓋部材は、前記容器の内部を貫通する第3の熱伝導部により前記感温部品と接続する実装端子と電気的に接続されていることを特徴とする圧電デバイスである。上記のように構成することにより、実装端子と蓋部材との熱伝導の速度は速くなり、実装端子と接続する感温部品の温度と、蓋部材に近接して配置された圧電振動素子の温度と、の温度差を極めて短時間で縮小できるという効果がある。[適用例8]また圧電デバイスは、前記圧電振動素子は、前記圧電振動素子の圧電基板が、水晶の結晶軸である電気軸としてのX軸と、機械軸としてのY軸と、光学軸としてのZ軸と、からなる直交座標系の前記X軸を中心として、前記Z軸を前記Y軸の-Y方向へ所定の角度だけ傾けた軸をZ’軸とし、前記Y軸を前記Z軸のZ方向へ前記所定の角度だけ傾けた軸をY’軸とし、前記X軸と前記Z’軸に平行な面で構成され、前記Y’軸に平行な方向を厚みとする水晶基板であり、前記X軸に平行な辺を長辺とし、前記Z’軸に平行な辺を短辺とした水晶基板を用いたATカット水晶振動素子であることを特徴とする圧電デバイスである。上記のように、圧電基板にATカット水晶基板を用いることにより、圧電デバイスの周波数温度特性は優れた3次特性となり、今までに蓄積された温度補償技術が有効に活用できるという効果がある。また、ATカット水晶基板のエッチング手法も長い間の経験に裏打ちされているので、高周波で小型の圧電基板が量産できるという利点がある。[適用例9]また圧電デバイスは、前記圧電振動素子が、音叉型水晶振動素子であることを特徴とする圧電デバイスである。上記のように、圧電振動素子に音叉型水晶振動素子を用いることにより、高周波を分周することなく低周波が得られるという利点がある。[適用例10]また圧電デバイスは、前記圧電振動素子が、ATカット水晶振動素子と音叉型水晶振動素子とが前記第1の収容部に併置されていることを特徴とする圧電デバイスである。上記のように構成すると、外部回路を用いることにより、高周波と低周波の2つの圧電発振器が温度補償され、高安定で短期安定度の優れた基準周波数が得られるという効果がある。[適用例11]本発明に係る電子機器は、上記の圧電デバイスを備えたことを特徴とする電子機器である。上記の圧電デバイスを用いて電子機器を製作すると、高安定で短期安定度の優れた基準周波数源が容易に構成できるという効果がある。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る圧電デバイス1の構成を示す概略図である。図1aは蓋部材を省略した平面図であり、同図bはaのQ-Q断面図であり、同図cは底面図である。圧電デバイス1は、図1bに示すように、外部の発振回路及び補償回路主回路基板上に搭載された発振回路部品及び補償回路部品と接続されて、所望の周波数を出力する圧電振動素子10と、圧電振動素子10の温度を検出する感温部品30と、圧電振動素子10を収容する第1の収容部27を表部図1bでは上部に有すると共に、感温部品30を収容する第2の収容部21を第1の収容部と反対側の底部下部に有した容器パッケージ20と、第1の収容部27を封止する蓋部材38と、を備えている。容器20の一例は、図1bに示すように、中央部に貫通孔21を有する矩形状の第1の絶縁基板20aと、矩形平板状の第2の絶縁基板20bと、中央に大きな貫通孔を有する額縁平板状の第3の基板20cと、を積層して形成されている。第2の絶縁基板20bの表面と、第3の基板20cの貫通孔とで、圧電振動素子10を収容する第1の収容部キャビティー27を形成する。更に、第1の絶縁基板20aの貫通孔21と、第2の絶縁基板20bの裏面とで、感温部品30を収容する第2の収容部21を形成する。なお、第1の絶縁基板20a、第2の絶縁基板20b、及び第3の基板20cの角隅部の側壁には、キャスタレーションC1、C2、C3、C4が形成されている。図2は、図1bに示す容器20に用いる第1の絶縁基板20aと、第2の絶縁基板20bの構成を示す図である。図2a、bは、夫々第2の絶縁基板20bの表面と裏面の構成を示す平面図と裏面図である。第2の絶縁基板20bの表面には、図2aに示すように、長手方向と直交して端部寄りに、圧電振動素子10を搭載する一対の第1の電極パッド28a、28bが直線上に形成されている。また、裏面には、図2bに示すように、実装端子22b、22dと第1の電極パッド28b、28aとを夫々導通接続するための第1の配線パターン26a、26aが形成されている。更に、実装端子22a、22cと、第2の電極パッド29a、29bとを夫々導通接続するための第2の配線パターン26b、26bが形成されている。図2cは、第1の絶縁基板20aの底部の構成を示す裏面図であり、矩形状の第1の絶縁基板20aの中央部には貫通孔21が設けられ、底部の4つの隅部に実装端子22a、22b、22c、22dが形成されている。なお、第1の絶縁基板20aの表部には、配線パターン等は形成されていない。また、第3の基板20cは、中央部を中空とした環状体であり、環状囲繞部の上部周縁にシールリングが焼成された絶縁基板である。第1及び第2の絶縁基板20a、20bの絶縁体内部には、ビア電極ビアホール貫通孔にビア電極ペーストを充填し、焼成形成した導体が形成されている。図1に示す実施形態例を図2a、b、cを参照して説明する。第1の絶縁基板20aの絶縁体の肉厚内部には、底部に形成された実装端子22a、22b、22c、22dと、第2の絶縁基板20bの裏面に設けられた中継パッド40a、40b、40c、40dと、を夫々導通接続するビア電極24a、23a、24b、23bが貫通形成されている。また、第2の絶縁基板20bの絶縁体内部には、表面の第1の電極パッド28a、28bと、裏面の第1の配線パターン26a、26aとを夫々導通接続するビア電極23c、23dが貫通形成されている。実装端子22a、22cは、夫々ビア電極24a、24bを介して中継パッド40a、40cに接続し、中継パッド40a、40cは夫々第2の配線パターン26b、26bを介して感温部品30を搭載する第2の電極パッド29a、29bと導通接続している。また、実装端子22b、22dは、夫々第1の絶縁基板20aを貫通するビア電極23a、23bを介して中継パッド40b、40dに導通接続し、中継パッド40b、40dは第1の配線パターン26a、26aを介して、第2の絶縁基板20bを貫通するビア電極23d、23cと接続している。そして、ビア電極23d、23cは、夫々第1の電極パッド28b、28aと導通接続している。つまり、実装端子22b、22dは、圧電振動素子10搭載用の第1の電極パッド28b、28aと導通接続し、実装端子22a、22cは、感温部品30搭載用の第2の電極パッド29a、29bと導通接続している。ここで、第1の電極パッド28a、28bに接続するビア電極23a、23b、23c、23dを第1の熱伝導部と称し、第2の電極パッド29a、29bに接続するビア電極24a、24bを第2の熱伝導部と称する。なお、図2a、bに示す第2の絶縁基板20b、同図cに示す第1の絶縁基板20aのキャスタレーションC1~C4の壁面には電極が焼成されていない例である。図3は他の例に係る圧電デバイス1を構成する第1及び第2の絶縁基板20a1、20b1の構成を示す図である。図3aは他の例に係る第2の絶縁基板20b1の平面表面図であり、同図bは第2の絶縁基板20b1の裏面図であり、同図cは他の例に係る第1の絶縁基板20a1の裏面図である。図2に示した第1及び第2の絶縁基板20a、20bと、図3に示した他の第1及び第2の絶縁基板20a1、20b1との違いは、図3に示す例では、キャスタレーションC1~C4の側面には金属膜が焼成されてキャスタレーション電極Ce1~Ce4となり、実装端子22a~22d、中継パッド40a~40dとキャスタレーション電極Ce1~Ce4とが配線により導通している点である。従って、実装端子22a~22dと、第1及び第2の電極パッド28a、28b、及び29a、29bとの導通接続は、第1及び第2の熱伝導部を経由しても可能であり、またキャスタレーション電極Ce1~Ce4を経由しても可能である。また、図4は他の例に係る圧電デバイス1を構成する第1及び第2の絶縁基板20a2、20b2の構成を示す図である。図4aは他の例に係る第2の絶縁基板20b2の表面図であり、同図bは第2の絶縁基板20b2の裏面図であり、同図cは他の例に係る第1の絶縁基板20a2の裏面図である。図4に示すキャスタレーションC1~C4の側面には金属膜が焼成されてキャスタレーション電極Ce1~Ce4となっている。しかし、第1の絶縁基板20a2と第2の絶縁基板20b2とを導通接続するビア電極は設けていない。従って、実装端子22a~22dと、第1及び第2の電極パッド28a、28b、及び29a、29bとの導通接続は、キャスタレーション電極Ce1~Ce4を経由して行われる。図1に示す実施形態の圧電デバイス1は、容器20が、第2の収容部21を形成する貫通孔を有し、且つ底部の角隅部に複数の実装端子2222a、22b、22c、22d図1の実施例を備えた第1の絶縁基板20aを有している。更に、容器20は、第1の絶縁基板20aの表部に対して裏面を積層固定され、裏面とは反対側の表面に圧電振動素子10を搭載する第1の電極パッド28a、28bが形成されると共に、裏面には実装端子22b、22dと、第1の電極パッド28b、28aとを導通する第1の配線パターン26a、26aと、実装端子22a、22cと第2の電極パッド29a、29bとを導通接続する第2の配線パターン26b、26bと、が形成された第2の絶縁基板20bを有している。更に、容器20は、図1bに示した実施形態例では、第2の絶縁基板20bの表面に対して底部を積層固定され、上部にメタライズ部図示せずが焼成された枠状の第3の基板20cを有している。つまり、図1bに示した実施形態例では、容器20は、第1の絶縁基板20a、第2の絶縁基板20b、及び第3の基板20cを積層して構成されている。容器20の実装端子2222a、22b、22c、22d、第1の熱伝導部ビア電極23a、23b、23c、23dと、第2の熱伝導部ビア電極24a、24bと、第1及び第2の配線パターン26a、26bに用いる金属材料としては、例えばタングステン材を例示することができる。第3の基板20cの上面周縁に形成されるメタライズ部としてもタングステン材を用いることができる。図1、図2に示した圧電デバイス1の構成例では、ビア電極第1の熱伝導部23a、23b、23c、23dと、ビア電極第2の熱伝導部24a、24bと、を用いて、実装端子22と、圧電振動素子10、感温部品30との導通を図っている。図3に示した絶縁基板を用いて形成した容器20を使用して圧電デバイス1を構成した場合は、第1の熱伝導部ビア電極23a、23b、23c、23d、及び第2の熱伝導部ビア電極24a、24bと、キャスタレーション電極Ce1~Ce4と、を使って、実装端子22と、圧電振動素子10、感温部品30との導通を図っている。しかし、電気的には第1の熱伝導部及び第2の熱伝導部と、キャスタレーション電極Ce1~Ce4との両方を共に必要とするわけではないが、圧電振動素子10と感温部品30との熱的平衡状態、即ち両者がほぼ同じ温度となる状態をつくるには、必要となる場合がある。また、図4に示した第1及び第2の絶縁基板20a2、20b2を用いて形成した容器20を使って圧電デバイス1を構成する例では、実装端子22と、圧電振動素子10、感温部品30との導通接続は、キャスタレーション電極Ce1~Ce4を経由して行われる。図1の実施形態例に用いられる圧電振動素子10には、例えばATカット水晶振動素子がある。水晶等の圧電材料は三方晶系に属し、図5に示すように互いに直交する結晶軸X、Y、Zを有する。X軸、Y軸、Z軸は、夫々電気軸、機械軸、光学軸と呼称される。ATカット水晶基板12は、XZ面をX軸の回りに角度θだけ回転させた平面に沿って、水晶から切り出された平板である。ATカット水晶基板12の場合は、θは略35°15′である。なお、Y軸及びZ軸もX軸の周りにθ回転させて、夫々Y’軸、及びZ’軸とする。従って、ATカット水晶基板12は、直交する結晶軸X、Y’、Z’を有する。ATカット水晶基板12は、厚み方向がY’軸であって、Y’軸に直交するXZ’面X軸及びZ’軸を含む面が主面であり、厚みすべり振動が主振動として励振される。即ち、図1に示す圧電基板12は、図5に示すようにX軸電気軸、Y軸機械軸、Z軸光学軸からなる直交座標系のX軸を中心として、Z軸をY軸の-Y方向へ傾けた軸をZ’軸とし、Y軸をZ軸のZ方向へ傾けた軸をY’軸とし、X軸とZ’軸に平行な面で構成され、Y’軸に平行な方向を厚みとするATカット水晶基板からなる。ATカット水晶基板の外形形状は、一般的にX軸方向を長手方向とする矩形状であり、Y’軸方向の厚さで周波数が決まる。周波数が高い場合には平板形状の水晶基板が用いられるが、周波数が低い場合にはメサ型水晶基板周辺部に比べ中央部を厚くした水晶基板12が用いられる。図6はメサ型水晶振動素子の一例であり、同図aは平面図であり、同図bはQ-Q断面図である。水晶基板12は、その中央に位置し主たる振動領域となる励振部13と、励振部13より薄肉で励振部13の周縁に沿って形成された、従たる振動領域となる周辺部15と、を有している。つまり、振動領域は、後述するように、励振部13と、周辺部15の一部に跨っている。平面形状がほぼ矩形である励振部13の対向する2つの側面短手方向に沿った両側面は夫々無段差状の1つの平面であり、励振部13の他の対向する2つの側面長手方向に沿った2つの側面は夫々厚み方向に段差部を有した構造をしている。水晶基板12の励振部13の表裏に励振電極14a、14bを形成し、励振電極14a、14bの夫々から、水晶基板12の端部に設けた端子電極18a、18bに向かって延びるリード電極16a、16bを形成する。励振電極14a、14bに交番電圧を印加すると、水晶振動素子10は固有の振動周波数で励振される。また、図1に示す圧電デバイス1に用いる感温部品30は、温度変化に応じて物理量、例えば電気抵抗が変わるサーミスタを用いる。サーミスタ30の電気抵抗を外部回路で検出し、サーミスタ30の検出する温度が測定できる。本発明に係る圧電デバイス1によれば、圧電振動素子10の温度と、感温部品30の検出する温度と、がほぼ等しくなるように、圧電振動素子10、感温部品30の熱容量を考慮し、第1の熱伝導部ビア電極23a、23b、23c、23d、及び第1の配線パターン26aと、第2の熱伝導部ビア電極24a、24b、及び第2の配線パターン26bと、を適切に設定することができる。つまり、実装端子22b、22dと圧電振動素子10とを接続する第1の熱伝導部ビア電極23a、23b、23c、23dの熱伝導率、長さ及び太さ、及び配線パターン26aの熱伝導率、幅、厚さ、長さと、実装端子22a、22cと感温部品30とを接続する第2の熱伝導部ビア電極24a、24bの熱伝導率、長さ及び太さ、及び第2の配線パターン26bの熱伝導率、幅、厚さ、長さと、を圧電振動素子10の温度と、感温部品30の温度と、がほぼ等しくなるように、即ち両者の熱的平衡状態が素早く達成されるように、上記部材の種類、寸法形状を適切に設定することでができる。図7aは、圧電デバイス1の熱の主伝導経路を示す断面図であり、同図bは圧電デバイス1に使用される部材の熱伝導率を示す表である。圧電デバイス1を包む雰囲気内の空気の熱伝導率は極めて小さい。また、容器20を主に構成するセラミック材Al2O3の熱伝導率は、例えば第1、第2の熱伝導部ビア電極23a、23b、23c、23d、24a、24bや第1、第2の配線パターン26a、26bに用いるタングステンの熱伝導率に比べて1/10程度である。従って、主回路基板マザーボードの各種の増幅器等から生じる熱の大部分は、実装端子22からビア電極、配線パターンを経由して、圧電振動素子10と感温部品30とに伝導する。圧電振動素子10の温度上昇に関与する経路においては、端子電極22b、22dに伝達した熱は、ビア電極23a、23bを経由して第1の配線パターン26a、26aに伝わり、ビア電極23d、23cを経由して、第1の電極パッド28b、28a、導電性接着剤35を介して圧電振動素子10の端子電極18b、18a、リード電極16b、16aを経て励振電極14b、14aに伝わり、圧電基板12の温度を上昇させる。また、感温部品30の温度上昇に関与する経路としては、端子電極22a、22cに伝達した熱は、ビア電極24a、24bを経由して第2の配線パターン26b、26bに伝わり、第2の配線パターン26b、26bから第2の電極パッド29a、29bを介し、半田層を経て感温部品30に伝導して感温部品30の温度を上昇させる。容器20の形状寸法とメタライズ材を設定した後は、圧電振動素子10、感温部品30の夫々の熱容量に応じて実装端子22から熱が流れるように、第1の絶縁基板20aのビア電極23a、23bの径φ1、第1の配線パターン26a、26aの幅と厚さ、第2の絶縁基板20bのビア電極23c、23dの径φ2と、第1の絶縁基板20aのビア電極24a、24bの径φ3、第2の配線パターン26bの幅と厚さと、を圧電振動素子10、感温部品30の温度が夫々ほぼ等しくなるように設定する。また、第1の熱伝導部23a、23b、23c、23dと、第2の熱伝導部24a、24bの熱量の伝導が等しい場合には、圧電振動素子10、感温部品30の夫々の熱容量に応じて第1、第2の配線パターンの夫々の長さ、幅を設定する必要がある。図16は圧電デバイスの配線導体の長さを説明する模式図である。図7bに示す各部材の熱伝導率から明らかなように、圧電振動素子10の励振電極、リード電極の材料である金Auを除けば、容器20のメタライズを構成するタングステンWの熱伝導率が圧倒的に大きい。従って、圧電振動素子10、感温部品30への熱の伝導は、主として配線導体を経由すると考えてよい。圧電振動素子10用の実装端子に接続するビア電極の中心T1、T2と、圧電振動素子10の端子電極18a、18bとの配線導体の長さを夫々L1、L2とする。また、感温部品用30の実装端子に接続するビア電極の中心T3、T4と、感温部品用30の端子30a、30bとの配線導体の長さを夫々L3、L4とする。実装端子の中心T1、T2と、圧電振動素子10の端子電極18a、18bとの配線導体の長さの合計はL1L2であり、実装端子の中心T3,T4と、感温部品30の端子30a、30bとの配線導体の長さの合計はL3L4である。夫々の配線導体の長さを等しく、つまりL1L2=L3L4に設定した場合に、圧電振動素子10と感温部品30との温度が夫々ほぼ等しくなるように設定できる。図1の実施形態例に示すように圧電デバイス1を構成すると、圧電振動素子10の温度と、感温部品30の検出する温度との温度差を縮小することが可能となり、外部回路と接続されて良好な周波数温度特性が得られ、また優れた周波数ドリフト特性短期安定度特性を有する温度補償型圧電発振器が実現できるという効果がある。また、第1、第2の熱伝導部を経由するため、実装端子から伝わる熱の流れ熱伝導の速度は、速く、極めて短時間で圧電振動素子10の検出する温度と、感温部品30の検出する温度との温度差を縮小できるという効果がある。また、圧電基板12にATカット水晶基板を用いることにより、圧電デバイス1の周波数温度特性は優れた3次特性となり、今までに蓄積された温度補償技術が有効に活用できるという効果がある。さらに、ATカット水晶基板のエッチング手法も長い間の経験に裏打ちされているので、高周波で小型の圧電基板が量産できるという利点がある。図8は、図3に示した第1及び第2の絶縁基板20a1、20b1を用いた第2の実施形態例である圧電デバイス2の断面図と、その図に重ねて熱の伝導経路を示した図である。図1の圧電デバイス1と異なる点は、図3に示すように、キャスタレーションC1~C4内にメタライズを施し、キャスタレーション電極Ce1~Ce4とした点である。つまり、実装端子22からキャスタレーション電極Ce1~Ce4を経由して、圧電振動素子10、感温部品30へ伝導される熱も考慮している。キャスタレーション電極Ce1~Ce4の形状は対称であるので、これらを流れる熱量はほぼ等しいと考えられ、キャスタレーション電極Ce1~Ce4から圧電振動素子10、感温部品30への配線パターンの長さと、幅は両者の熱容量を考慮して設定する。図8に示す実施形態例の圧電デバイス2に示すように、第1、第2の熱伝導部の少なくとも何れか一方をキャスタレーションC1~C4内に設けることにより、実装端子22から伝わる熱の流れ熱伝導の速度は速く、極めて短時間で圧電振動素子10の検出する温度と、感温部品30の検出する温度との温度差を縮小できるという効果がある。実装端子22から伝わる熱の流れ熱伝導は、基板内に設けた熱伝導部と、容器の側面に設けたキャスタレーション電極Ce1~Ce4とを経由するため、熱伝導の速度が速く、極めて短い時間で圧電振動素子の検出する温度と、感温部品検出する温度との温度差を縮小できるという効果がある。図9aは第3の実施形態例の圧電デバイス3の構成を示す断面図であり、同図bは第2の絶縁基板20b3の裏面図であり、同図cは第1の絶縁基板20a3の裏面図である。図1に示す圧電デバイス1では、圧電振動素子10へ接続する実装端子22b、22dは、第1の絶縁基板20aの底部に対角状に配置されているが、図9に示す実施形態例の圧電デバイス3では、圧電振動素子10用の実装端子22a、22bを、第1の絶縁基板20aAの底部の短辺側の一方の端部に配置し、感温部品30用の実装端子を短辺側の他方の端部に配置している点が異なる。これは、実装端子22と圧電振動素子10との接続経路を配線パターンを介さないストレートな第1の熱伝導部で導通接続するようにしたからである。図1に示す実施形態の圧電デバイス1では、実装端子22b22dは、ビア電極23a23b、第1の配線パターン26a、ビア電極23d23c、第1の電極パッド28b28aを経由して圧電振動素子10に接続している。これに対し、図9に示す実施形態の圧電デバイス3では、実装端子22a、22bは、第1の絶縁基板20a3を貫通するビア電極23a、23bと、第2の絶縁基板20b3と貫通するビア電極23c、23dとがストレートに接続されており、第1の電極パッド28a、28bを経て圧電振動素子10に導通接続されている。つまり、第1の配線パターン26aを経ずに、実装端子22a、22bは、第1の熱伝導部ビア電極23a、23b、23c、23dのみで圧電振動素子10と導通接続されている。実装端子22c、22dと感温部品30との導通経路は、圧電デバイス1とほぼ同様である。このように、実装端子22と圧電振動素子10との伝導経路が第1の配線パターン26aを経由しないと、熱の伝導性も良く成り、圧電振動素子10の温度と、感温部品30の温度とをほぼ等しくするのが容易となる。図9の実施形態例に示すように圧電デバイス3を構成することにより、極めて短時間で圧電振動素子10の温度と、感温部品30の検出する温度との温度差を縮小することが可能となり、外部回路と接続されて、優れた周波数ドリフト特性短期安定度特性を有する温度補償型圧電発振器が実現できるので、GPS等の性能を改善できるという効果がある。図10は、第4の実施形態例の圧電デバイス4の構成を示す断面図である。圧電デバイス4が図8に示す第2の実施形態例の圧電デバイス2と異なる点は、第2の絶縁基板20b4と第3の基板20c4とを貫通するビア電極24gを設けている点である。図10aに示すように、ビア電極24bとビア電極24gとを直線的に導通接続し、1つの実装端子22c接地用と蓋部材38との導通を図っている。感温部品30の一方の端子電極は接地して用いる場合が多いので、感温部品30と接続する実装端子22cと、第3の基板20cの上部周縁に形成するシールリング図示せずとを導通接続するには、ビア電極24bに直結するビア電極24gを設ければよい。図10に示す断面図ではキャスタレーション電極CeCe1~Ce4も示している。蓋部材38を接地することにより圧電デバイス4からの高周波雑音の放射を防止できる。圧電デバイス感温部品内蔵の振動子において、感温部品サーミスタ30と蓋部材38とを接続する利点は、次の通りである。即ち、蓋部材38と圧電振動素子10とは温度分布的に近い温度となる。そこで、蓋部材38と感温部品30とを第2の熱伝導部ビア電極24b、24gで導通接続すると、圧電振動素子10の温度と感温部品30との温度差が小さくなることが期待できる。つまり、圧電振動素子10と、感温部品30とは、短時間で熱的平衡状態に近づくことが推測される。更に感温部品30の一方の端子電極が接続する実装端子を接地すると、主回路基板からの熱は接地から多く伝導されるので、この実装端子を経由して感温部品30と蓋部材38に熱が伝導し、熱的平衡状態が早まる。また、蓋部材38を接地することによりシールド効果も同時に得られる。感温部品サーミスタ30用に2つの実装端子と、圧電振動素子10用に2つの実装端子の計4つの実装端子22のうち、感温部品30の一方の端子に繋がる実装端子22cを接地すればよく、接地用の独立の実装端子を設けなくてもよい。第2の熱伝導部ビア電極24b、24gを用いると、実装端子22と蓋部材38との熱伝導の速度は速くなり、実装端子22と接続する感温部品30の温度と、蓋部材38に近接して配置された圧電振動素子10の温度との温度差を極めて短時間で縮小できるという効果がある。図11aは、第5の実施形態例の圧電デバイス5の構成を示す断面図であり、同図bは、第2の絶縁基板20b5の平面図であり、同図cは、bのQ-Q断面図である。圧電デバイス5の構成が図1に示す圧電デバイス1の構成と異なる点は、図1に示す第3の基板20cとして厚肉環状のシールリング42を用い、図11に示すように、第2の絶縁基板20b5の表面とシールリング42とで第1の収容部27を構成している点である。シールリング42の上部にコバール等の蓋部材38をシーム溶接することにより、第1の収容部27を気密封止することができる。圧電デバイス5の方が圧電デバイス1より低背化が可能となる。図12は、第6の実施形態の圧電デバイス6を用いる電子機器の一例としてデジタル携帯電話100の構成を示す概略ブロック図である。圧電デバイス6は、既に説明した容器20を用い、第1の収容部27に音叉型水晶振動素子50を、第2の収容部21に感温部品30を、収容し、蓋部材38で第1の収容部27を真空密封した圧電デバイスである。図12に示すデジタル携帯電話100で音声を送信する場合、使用者が自分の音声をマイクロフォンに入力すると、信号はパルス幅変調符号化の回路と変調器/復調器の回路を経てトランスミッター、アンテナスイッチを介しアンテナから送信される。一方、他者から送信された信号は、アンテナで受信され、アンテナスイッチ、受信フィルターアンプ回路等を経て、レシーバー回路に入り、このレシーバー回路から変調器/復調器回路に入力される。そして、復調器回路で復調された信号がパルス幅変調符号化回路を経てスピーカーから音声として出力されるように構成されている。アンテナスイッチや変調器/復調器ブ回路等を制御するためにコントローラが設けられている。このコントローラは、上述の機能の他に表示部であるLCDや、数字等の入力部であるキー、さらにRAMやROM等も制御するため、用いられる音叉振動子の周波数は、高精度、高安定度であることが求められる。この要求に応えるべく、感温部品30と音叉振動素子50とを、容器20に収容した圧電振動子が、図13に示す圧電デバイス6である。つまり、第6の実施形態例の圧電デバイス6と、図1に示す圧電デバイス1との異なる点は、圧電デバイス1では圧電振動素子10は厚みすべり振動素子を用いているが、圧電デバイス6では屈曲振動をする音叉型圧電振動素子50を用いている点である。高周波が必要とされる場合は、圧電デバイス1が適し、低周波が要求される場合は圧電デバイス6が適している。圧電振動素子10に音叉型水晶振動素子50を用いることにより、高周波を分周することなく所望の低周波得られるという利点がある。また、圧電デバイス1~6及び後述する圧電デバイス7を用いて電子機器を製作すると、高安定で短期安定度の優れた基準周波数源が容易に構成できるという効果がある。音叉型圧電振動素子について簡単に説明する。図14aは、音叉型圧電振動素子50の平面図であり、同図bはaのP-P断面図である。圧電基板52は、フォトリソグラフィ技術とエッチング手法を用いて形成される。図14aに示すように、互いに並行平行して直線状に延びる細幅帯状の複数の振動腕55a、55bと、各振動腕55a、55bの一方の端部基端部間を連接する基部54と、各振動腕55a、55bの振動中心線に沿った表面及び裏面に夫々形成された溝部57a、57b、58a、58bと、を備えている。図14bは、各振動腕55a、55bに夫々形成された励振電極60、62、64、66の配置を示すP-P断面図である。励振電極60、64は、各溝部57a57b、58a8bの表面、及び側面に形成され、励振電極62、66は各振動腕55a、55bの夫々両側面に形成されている。励振電極60、66と、励振電極62、64とは、互いに異符号の電圧が基部54の電極パッド図示せずを介して印加されるように構成されている。つまり、励振電極60、66に電圧が印加されるとき、励振電極62、64には-電圧が印加され、図14bの矢印で示すような電界が生じ、圧電振動素子50の重心を通る中心線に対し対称な音叉振動屈曲振動が励振される。なお、溝部57a57b、58a58bを形成することにより、電界強度が強まり、音叉振動をより効率的に励振することができる。即ち、圧電振動素子のCIクリスタルインピーダンスを小さくすることができる。図15は、第7の実施形態例の圧電デバイス7の構成を示す図である。図15aは平面図であり、同図bはaのQ-Q断面図であり、同図cは底面図である。図1に示す圧電デバイス1と異なる点は、第2の絶縁基板20b6の表面と、第3の絶縁基板20c6とで形成される第1の収容部27に、厚みすべり振動の圧電振動素子10aと、屈曲振動の音叉型圧電振動素子10bと、を併置して収容した点である。2つの圧電振動素子10a、10bを併置したので、第1の電極パッドは4個28a~28d必要となり、これに対応するビア電極も4つ必要となる。また、ビア電極の個数が増えるのに応じ、実装端子の数も多くなり、図15の実施形態例では実装端子22a~22fは、圧電デバイス7の裏面図に示すように、6個となる。圧電デバイス7は、低周波と高周波の両方の周波数を必要とする電子機器には有用であり、1つの感温部品30で2つの高精度の周波数を得ることができる。圧電デバイス7を用いると、外部回路を用いることにより、高周波と低周波の2つの圧電発振器が温度補償され、高安定で短期安定度の優れた基準周波数が得られるという効果がある。"