"試料溶液に含有される化学物質を定量する方法であって、以下の工程a~eを具備する:センサチップを用意する工程a、ここで、前記センサチップは、基板、一対の作用電極、対極、ストリッピング電極、およびストリッピングゲルを具備し、一対の作用電極は、第1作用電極および第2作用電極から構成され、前記ストリッピング電極の表面は金、白金、またはグラッシーカーボンを具備し、前記ストリッピングゲルは、前記ストリッピング電極を覆い、前記ストリッピングゲルは、一対の作用電極および対極のいずれをも覆わず、前記ストリッピングゲルは、基準電解質およびイオン液体を含有し、前記ストリッピングゲルは、水を含有せず、前記イオン液体は疎水性かつ不揮発性であり、前記イオン液体は、陽イオンおよび陰イオンから構成され、前記基準電解質は、前記陰イオンおよび金属イオンから構成され、センサチップの表面に、前記試料溶液を供給し、前記表面を前記試料溶液により被覆する工程b、ここで、前記試料溶液は、前記化学物質および酸化還元物質を含有するか、または酸化還元物質により修飾された化学物質を含有し、ポテンシオスタットにより前記第1作用電極に電位を印加し、かつ前記第2作用電極を前記ストリッピング電極に電気的に接続し、第1作用電極、前記第2作用電極、および前記ストリッピング電極の各表面上において以下の化学式I~IIIによって表される反応をそれぞれ生じさせる工程c、前記第1作用電極:式中、nは整数を示し、mは正の整数を示す。前記第2作用電極:式中、nは整数を示し、mは正の整数を示す。前記ストリッピング電極:式中、Mは金属元素を示し、sは正の整数を示す。ここで、前記金属は、前記ストリッピング電極の表面上に堆積し、前記第1作用電極および前記第2作用電極に電位が印加されない状態でストリッピング電極34に電位を印加し、ストリッピング電極を流れた電流量を測定する工程d、および前記電流量に基づいて前記酸化還元物質酸化体の濃度を算出し、前記算出された濃度に基づいて前記化学物質を定量する工程e。請求項1に記載の方法であって、前記センサチップは、注入口を有するカバーをさらに具備し、前記カバーと前記センサチップとの間には空間が形成されており、前記工程bにおいて、前記試料溶液は前記注入口を介して前記センサチップの表面に供給される。請求項2に記載の方法であって、前記カバーはさらに空気孔を具備し、前記工程bにおいて、前記空間に満たされていた空気が、前記空気孔から排出される。請求項2に記載の方法であって、前記工程bの後には、前記空間に試料溶液が満たされる。請求項1に記載の方法であって、前記陽イオンおよび前記陰イオンは、それぞれ以下の群Iおよび群IIから選択される。群I:下記式IV~IVで表される陽イオン式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、およびR8は、同一又は異なって、水素原子、ヘテロ原子を含んでいてもよい直鎖若しくは分岐鎖状アルキル基、アラルキル基、又はアリール基を示し、R9、R10、R11、およびR12は、同一又は異なって、ヘテロ原子を含んでいてもよい直鎖若しくは分岐鎖状脂肪族炭化水素基基、アラルキル基、又はアリール基を示す。群II:下記式V又はVで表される陰イオン式中、Rf1およびRf2は同一又は互いに異なって、炭素数1~4のペルフルオロアルキル基を示す。請求項1に記載の方法であって、前記イオン液体は、以下から選択される:1,3-ジメチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムトリフレート、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムビスペンタフルオロエタンスルフォニルイミド、1,3-ジエチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1,3-ジエチルイミダゾリウムトリフレート、1-ブチル-3-エチルイミダゾリウムトリフレート、1,2-ジメチル-3-エチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムトリフレート、1-イロプロピル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1,2-ジメチル-3-プロピルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、N,N-プロピルメチルピロリジニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、プロピルトリメチルアンモニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、N,N-メチルプロピルピペリジニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、およびN-ブチルピリジニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド。請求項1に記載の方法であって、前記金属イオンは、銀イオンまたは銅イオンIIである。変換ストリッピング法のためのセンサチップであって、以下を具備する:基板、一対の作用電極、対極、ストリッピング電極、およびストリッピングゲル、ここで、一対の作用電極は、第1作用電極および第2作用電極から構成され、前記ストリッピング電極の表面は金、白金、またはグラッシーカーボンを具備し、前記ストリッピングゲルは、前記ストリッピング電極を覆い、前記ストリッピングゲルは、一対の作用電極および対極のいずれをも覆わず、前記ストリッピングゲルは、基準電解質およびイオン液体を含有し、前記イオン液体は疎水性であり、前記イオン液体は、陽イオンおよび陰イオンから構成され、前記基準電解質は、前記陰イオンおよび金属イオンから構成される。請求項8に記載のセンサチップであって、前記センサチップは、注入口を有するカバーをさらに具備し、前記カバーと前記センサチップとの間には空間が形成されている。請求項9に記載のセンサチップであって、前記カバーはさらに空気孔を具備する。請求項8に記載のセンサチップであって、前記陽イオンおよび前記陰イオンは、それぞれ以下の群Iおよび群IIから選択される。群I:下記式IV~IVで表される陽イオン式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、およびR8は、同一又は異なって、水素原子、ヘテロ原子を含んでいてもよい直鎖又若しくは分岐鎖状アルキル基、アラルキル基、又はアリール基を示し、R9、R10、R11、およびR12は、同一又は異なって、ヘテロ原子を含んでいてもよい直鎖若しくは分岐鎖状脂肪族炭化水素基、アラルキル基、又はアリール基を示す。群II:下記式V又はVで表される陰イオン式中、Rf1およびRf2は同一又は互いに異なって、炭素数1~4のペルフルオロアルキル基を示す。請求項8に記載のセンサチップであって、前記イオン液体は、以下から選択される:1,3-ジメチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムトリフレート、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムビスペンタフルオロエタンスルフォニルイミド、1,3-ジエチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド1,3-ジエチルイミダゾリウムトリフレート、1-ブチル-3-エチルイミダゾリウムトリフレート、1,2-ジメチル-3-エチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムトリフレート、1-イロプロピル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド1,2-ジメチル-3-プロピルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、N,N-プロピルメチルピロリジニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、プロピルトリメチルアンモニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、N,N-メチルプロピルピペリジニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、およびN-ブチルピリジニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド。請求項8に記載のセンサチップであって、前記金属イオンは、銀イオンまたは銅イオンIIである。ストリッピング液6の蒸発が、基準電解質の濃度を変化させる。このことは、化学物質の定量精度を低下させる。本発明の目的は、変換ストリッピング法により高精度に化学物質を定量する方法およびそのために用いられるセンサーチップを提供することにある。下記項目1~13が上記課題を解決する。[1]:試料溶液に含有される化学物質を定量する方法であって、以下の工程a~eを具備する:センサチップを用意する工程a、ここで、前記センサチップは、基板、一対の作用電極、対極、ストリッピング電極、およびストリッピングゲルを具備し、一対の作用電極は、第1作用電極および第2作用電極から構成され、前記ストリッピング電極の表面は金、白金、またはグラッシーカーボンを具備し、前記ストリッピングゲルは、前記ストリッピング電極を覆い、前記ストリッピングゲルは、一対の作用電極および対極のいずれをも覆わず、前記ストリッピングゲルは、基準電解質およびイオン液体を含有し、前記ストリッピングゲルは、水を含有せず、前記イオン液体は疎水性かつ不揮発性であり、前記イオン液体は、陽イオンおよび陰イオンから構成され、前記基準電解質は、前記陰イオンおよび金属イオンから構成され、センサチップの表面に、前記試料溶液を供給し、前記表面を前記試料溶液により被覆する工程b、ここで、前記試料溶液は、前記化学物質および酸化還元物質を含有するか、または酸化還元物質により修飾された化学物質を含有し、ポテンシオスタットにより前記第1作用電極に電位を印加し、かつ前記第2作用電極を前記ストリッピング電極に電気的に接続し、第1作用電極、前記第2作用電極、および前記ストリッピング電極の各表面上において以下の化学式I~IIIによって表される反応をそれぞれ生じさせる工程c、前記第1作用電極:式中、nは整数を示し、mは正の整数を示す。前記第2作用電極:式中、nは整数を示し、mは正の整数を示す。前記ストリッピング電極:式中、Mは金属元素を示し、sは正の整数を示す。ここで、前記金属は、前記ストリッピング電極の表面上に堆積し、前記第1作用電極および前記第2作用電極に電位が印加されない状態でストリッピング電極34に電位を印加し、ストリッピング電極を流れた電流量を測定する工程d、および前記電流量に基づいて前記酸化還元物質酸化体の濃度を算出し、前記算出された濃度に基づいて前記化学物質を定量する工程e。[2]:上記項目[1]に記載の方法であって、前記センサチップは、注入口を有するカバーをさらに具備し、前記カバーと前記センサチップとの間には空間が形成されており、前記工程bにおいて、前記試料溶液は前記注入口を介して前記センサチップの表面に供給される。[3]:上記項目[2]に記載の方法であって、前記カバーはさらに空気孔を具備し、前記工程bにおいて、前記空間に満たされていた空気が、前記空気孔から排出される。[4]:上記項目[2]に記載の方法であって、前記工程bの後には、前記空間に試料溶液が満たされる。[5]:上記項目[1]に記載の方法であって、前記陽イオンおよび前記陰イオンは、それぞれ以下の群Iおよび群IIから選択される。群I:下記式IV~IVで表される陽イオン式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、およびR8は、同一又は異なって、水素原子、ヘテロ原子を含んでいてもよい直鎖若しくは分岐鎖状アルキル基、アラルキル基、又はアリール基を示し、R9、R10、R11、およびR12は、同一又は異なって、ヘテロ原子を含んでいてもよい直鎖若しくは分岐鎖状脂肪族炭化水素基基、アラルキル基、又はアリール基を示す。群II:下記式V又はVで表される陰イオン式中、Rf1およびRf2は同一又は互いに異なって、炭素数1~4のペルフルオロアルキル基を示す。[6]:上記項目[1]に記載の方法であって、前記イオン液体は、以下から選択される:1,3-ジメチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムトリフレート、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムビスペンタフルオロエタンスルフォニルイミド、1,3-ジエチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1,3-ジエチルイミダゾリウムトリフレート、1-ブチル-3-エチルイミダゾリウムトリフレート、1,2-ジメチル-3-エチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムトリフレート、1-イロプロピル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1,2-ジメチル-3-プロピルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、N,N-プロピルメチルピロリジニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、プロピルトリメチルアンモニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、N,N-メチルプロピルピペリジニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、およびN-ブチルピリジニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド。[7]:上記項目[1]に記載の方法であって、前記金属イオンは、銀イオンまたは銅イオンIIである。[8]:変換ストリッピング法のためのセンサチップであって、以下を具備する:基板、一対の作用電極、対極、ストリッピング電極、およびストリッピングゲル、ここで、一対の作用電極は、第1作用電極および第2作用電極から構成され、前記ストリッピング電極の表面は金、白金、またはグラッシーカーボンを具備し、前記ストリッピングゲルは、前記ストリッピング電極を覆い、前記ストリッピングゲルは、一対の作用電極および対極のいずれをも覆わず、前記ストリッピングゲルは、基準電解質およびイオン液体を含有し、前記イオン液体は疎水性であり、前記イオン液体は、陽イオンおよび陰イオンから構成され、前記基準電解質は、前記陰イオンおよび金属イオンから構成される。[9]:上記項目[8]に記載のセンサチップであって、前記センサチップは、注入口を有するカバーをさらに具備し、前記カバーと前記センサチップとの間には空間が形成されている。[10]:上記項目[9]に記載のセンサチップであって、前記カバーはさらに空気孔を具備する。[11]:上記項目[8]に記載のセンサチップであって、前記陽イオンおよび前記陰イオンは、それぞれ以下の群Iおよび群IIから選択される。群I:下記式IV~IVで表される陽イオン式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、およびR8は、同一又は異なって、水素原子、ヘテロ原子を含んでいてもよい直鎖又若しくは分岐鎖状アルキル基、アラルキル基、又はアリール基を示し、R9、R10、R11、およびR12は、同一又は異なって、ヘテロ原子を含んでいてもよい直鎖若しくは分岐鎖状脂肪族炭化水素基、アラルキル基、又はアリール基を示す。群II:下記式V又はVで表される陰イオン式中、Rf1およびRf2は同一又は互いに異なって、炭素数1~4のペルフルオロアルキル基を示す。[12]:上記項目[8]に記載のセンサチップであって、前記イオン液体は、以下から選択される:1,3-ジメチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムトリフレート、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムビスペンタフルオロエタンスルフォニルイミド、1,3-ジエチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド1,3-ジエチルイミダゾリウムトリフレート、1-ブチル-3-エチルイミダゾリウムトリフレート、1,2-ジメチル-3-エチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムトリフレート、1-イロプロピル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド1,2-ジメチル-3-プロピルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、N,N-プロピルメチルピロリジニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、プロピルトリメチルアンモニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、N,N-メチルプロピルピペリジニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、およびN-ブチルピリジニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド。[13]:上記項目[8]に記載のセンサチップであって、前記金属イオンは、銀イオンまたは銅イオンIIである。本発明は、変換ストリッピング法により高精度に化学物質を定量する方法およびそのために用いられるセンサーチップを提供する。以下、図3および4を参照しながら本発明の実施形態が説明される。工程aまず、センサーチップ300が用意される。図3は、実施の形態1によるセンサーチップ300を示す。図4は、ポテンシオスタット42に接続されたセンサーチップ300を概念的に示す。センサーチップ300は、基板30、一対のくし型作用電極31a/31b、参照極32、対極33、ストリッピング電極34、ストリッピングゲル35、およびカバー37を具備している。カバー37は、必要に応じて具備され、試料溶液を注入するための注入口36および空気孔38を具備する。一対のくし型作用電極31a/31bは、第1作用電極31aおよび第2作用電極31bから構成される。参照極32は、必要に応じて具備される。高い定量精度を考慮すれば、センサーチップ300は参照極32を具備することが好ましい。基板30は、電極領域30aおよび接続領域30bを具備する。化学物質の定量時に、カバー37が電極領域30aを覆う。一方、カバー37は接続領域30bを覆わない。一対のくし型電極31a/31b、参照極32、対極33、およびストリッピング電極34は、電極領域30aに形成されている。これらの各電極は、リード線39を有する。全てのリード線39は互いに接触しておらず、電極領域30aでは絶縁膜図示せず。によって覆われており、試料溶液との接触を防いでいる。全てのリード線39の一端は、接続領域30bに延伸している。接続領域30bは、図4に示すポテンショスタット42のコネクタ図示せず。に挿入される。基板30の形状の例は、長方形、正方形、および楕円形である。基板30の表面は絶縁層図示せずを具備する。基板30の表面は、電極の形成を考慮すれば、平面であることが好ましい。一対のくし型作用電極31a/31bは電極領域30aであれば、ストリッピングゲル35および他の電極と接触しない限りどこに配置してもよいが、電極領域30aの中心付近に配置されることが好ましい。一対のくし型作用電極31a/31bの材料の例は、電気化学反応に対する安定性を考慮して、金、白金、およびグラッシーカーボンである。一対のくし型作用電極31a/31bは、互いに対向し、かつ噛み合っている。参照極32もまた、電極領域30aのどこに配置してもよいが、一対のくし型作用電極31a/31bの近傍にあることが好ましい。参照極32は、電気化学測定時に一定の電位を有する。参照極32の例は、銀/塩化銀電極である。対極33は電極領域30aのどこにでも配置され得る。対極33の形状も制限されない。対極33の面積は、一対のくし型電極31a/31bの面積およびストリッピング電極34の面積のおよそ20~30倍であることが好ましい。一対のくし型作用電極31a/31bと同様、対極33の材料の例は、電気化学反応に対する安定性を考慮して、金、白金、およびグラッシーカーボンである。一対のくし型電極31a/31b、および対極33と同様、ストリッピング電極34の材料の例は、電気化学反応に対する安定性を考慮して、金、白金、およびグラッシーカーボンである。ストリッピングゲル35はストリッピング電極34を覆い、ストリッピング電極34と試料溶液の接触を防ぐ。ストリッピングゲル35は、一対のくし型作用電極31a/31bの近傍に位置し、その間の抵抗を低下させることが好ましい。ストリッピングゲル35は好ましくは薄膜である。ストリッピングゲル35は、ストリッピング電極34以外の他の電極31~33を覆わない。ストリッピングゲル35が、他の電極31~33のうちの少なくとも1つと接触する場合、ストリッピングゲル35が当該少なくとも1つの電極に電気的に接続される。これは、化学物質の定量を不可能にすることをもたらす。注入口36および空気孔38は、カバー37の上面、側面のどこにあってもよい、注入口36および空気孔38の形状も制限されない。カバー37は、電極領域30aを覆い、試料溶液が接続領域30bおよびチップの外に流出することを防ぐ。カバー37は必要に応じて設けられる。カバー37によらずに、試料溶液はセンサーチップ300の表面に塗布され得る。次に、ストリッピングゲル35が詳細に説明される。ストリッピングゲル35は、基準電解質とイオン液体とを含有する。イオン液体は支持電解質として機能する。ストリッピングゲル35は、基準電解質およびイオン性液体が、試料溶液と混合しない様に設定される。ストリッピングゲル35の設定方法は特に制限されない。一例は、疎水性ポリマー中に、基準電解質及びイオン液体を担持および/又は封入することである。当該疎水性ポリマーの例は、フッ化ビニリデン‐ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、およびポリブチルアクリレートである。イオン液体は疎水性である。疎水性のイオン液体は、以下の陽イオンおよび以下の陰イオンから構成される。陽イオン:下記式IV~IVにより表される陽イオン。式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、およびR8は、同一又は異なって、水素原子、ヘテロ原子を含んでいてもよい直鎖若しくは分岐鎖状アルキル基、アラルキル基、又はアリール基を示し、R9、R10、R11、およびR12は、同一又は異なって、ヘテロ原子を含んでいてもよい直鎖若しくは分岐鎖状脂肪族炭化水素基、アラルキル基、又はアリール基を示す。式IVで表されるイミダゾリウムイオンにおいて、好ましくは、R1はメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、およびt-ブチル基からなる群より選択され、R2は水素原子、又はメチル基であり、R3はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1~6のアルキル基であり、R4およびR5は水素原子である。式IVで表されるイソキノリウムイオンにおいて、好ましくは、R2は炭素数1~6のヘテロ原子を含んでいてもよい炭素原子であり、R1、R3、R4、R5、R6、R7、およびR8は水素原子である。式IVで表されるピリジニウムイオンにおいて、好ましくは、R1はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1~6のアルキル基であり、R2、R3、R4、R5、R6は水素原子である。式IV-で表されるピロリジニウムイオンにおいて、好ましくは、R1はメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、およびt-ブチル基からなる群より選択され、R2は炭素数1~6のヘテロ原子を含んでいてもよい炭素原子であり、R3、R4、R5、およびR6は水素原子である。式IV-で表されるピペリジニウムイオンにおいて、好ましくは、R1はメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、およびt-ブチル基からなる群より選択され、R2は炭素数1~6のヘテロ原子を含んでいてもよい炭素原子であり、R3、R4、R5、R6およびR7は水素原子である。式IVで表されるアンモニウムイオンにおいて、好ましくは、R9、R10、R11、およびR12は、同一又は互いに異なって、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1~6のアルキル基、フェニル基、又はベンジル基である。陰イオン:下記式V又はVで表される陰イオン。式中、Rf1およびRf2は同一又は互いに異なって、炭素数1~4のペルフルオロアルキル基を示す。式Vで表される陰イオンにおいて、好ましくは、Rf1およびRf2はともに、ペルフルオロメチル基、又はペルフルオロエチル基である。式Vで表される陰イオンにおいて、好ましくはRf1は、トリフルオロメチル基である。より具体的には、イオン液体は、以下に例示される。1,3-ジメチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムトリフレート、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムビスペンタフルオロエタンスルフォニルイミド、1,3-ジエチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1,3-ジエチルイミダゾリウムトリフレート、1-ブチル-3-エチルイミダゾリウムトリフレート1,2-ジメチル-3-エチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムトリフレート、1-イロプロピル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、1,2-ジメチル-3-プロピルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、N,N-プロピルメチルピロリジニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、プロピルトリメチルアンモニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、N,N-メチルプロピルピペリジニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド、N-ブチルピリジニウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミド。基準電解質は、上記陰イオンおよび金属イオンから構成される。金属イオンとは、銀イオン、または銅IIイオンであることが好ましい。なぜなら、銀イオンまたは銅イオンIIを含有する基準電解質を入手することは容易であるからである。溶解度の観点から、基準電解質の陰イオンは、イオン液体を構成する陰イオンと同一または類似であることが好ましい。類似の陰イオンとは、イオン液体の陰イオンが式Vで表される陰イオンである場合は、式Vで表されるいずれかの陰イオンである。具体的には、例えば、イオン液体が1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミドである場合は、基準電解質を構成する陰イオンはビストリフルオロメタンスルフォニルイミドイオンであることが好ましい。センサーチップの作製方法本実施形態によるセンサーチップを作製する手順が以下、説明される。電極の形成フォトレジストにより被覆された絶縁性基板が、パターン作製用のマスクを介して紫外光に照射され、続いてアルカリ現像を行う。パターンが形成された基板30上に、金属がスパッタされる。有機溶媒中に残りのフォトレジストが溶解され、不要な金属を除去する。基板30の全面が絶縁膜により被覆される。電極上の絶縁膜がドライエッチングによって除去され、一対のくし型作用電極31a/31b、参照極32、対極33、およびストリッピング電極34を形成する。銀/塩化銀電極は、銀/塩化銀のペーストを参照電極32上に塗布して形成される。ストリッピングゲル35の形成ストリッピングゲル35は、以下のように形成され得る。まず、密閉容器中においてフッ化ビニリデン-ヘキサフルオロプロピレン共重合体が超音波によって、氷冷しながらアセトンに溶解され、アセトン溶液を調製する。銀ビストリフルオロメタンスルフォニルイミドを含有する1-ブチル-3-メチルイミダゾリウムビストリフルオロメタンスルフォニルイミドがアセトン溶液に添加される。その後、アセトン溶液は攪拌され、ストリッピング電極34上に滴下される。最後に、アセトンは蒸発されて、ストリッピングゲル35を形成する。工程b上述されたセンサーチップ300の表面に、試料溶液が供給され、前記表面を前記試料溶液により被覆する。試料溶液は、本発明により定量される化学物質を含有する。当該化学物質の例は、抗原、抗体、核酸、細胞、細菌、ウィルス、ハプテン、および糖類である。好ましくは、カバー37がセンサーチップ300に設けられる。注入孔36から供給された試料溶液は、センサーチップ300の電極領域30a表面を覆う。カバー37とセンサーチップ300との間の空間における空気は、空気孔38から排出される。より好ましくは、試料溶液は、カバー37とセンサーチップ300との間の空間を満たす。これにより、試料溶液の容量を一定にすることが可能になる。試料溶液は、定量される化学物質および酸化還元物質を含有する。本発明では、試料溶液は、酸化状態の酸化還元物質を含有する。定量される化学物質および酸化還元物質は別々の物質であり得る。例えば、定量される化学物質は酵素であり、かつ、酸化還元物質はフェリシアン化カリウムやルテニウムヘキサミンのような電子メディエータである。または、定量される化学物質は、酸化還元物質により修飾され得る。変換ストリッピング法は、工程cおよび工程dを具備する。工程c工程cにおいては、スイッチ41aおよび41bは、いずれも各端子Aに接続され、第1作用電極31aに一定電位が印加される。さらに、第2作用電極31bはストリッピング電極34に電気的に接続され、一対のくし型作用電極31a/31bの間におけるレドックスサイクルを形成する。酸化還元物質がフェリシアン化カリウムであって、かつ、基準電解質が銀ビストリフルオロメタンスルフォニルイミドである場合、くし型作用電極31a/31bおよびストリッピング電極34上では、以下の化学式VI~VIIIに示される反応が生じる。くし型作用電極31a:くし型作用電極31b:ストリッピング電極34:銀が、金、白金またはグラッシーカーボンからなるストリッピング電極34の表面上に析出される。工程d工程dでは、スイッチ41aおよび41bは、いずれも端子Bに接続される。第1作用電極31aおよび第2作用電極31bのいずれにも、電位は印加されない。ポテンショスタット42により、ストリッピング電極34が掃引され、以下の化学式IXに示されるように、工程c時に析出した銀がストリッピングゲルに溶解する。ストリッピング電極34:ストリッピングゲル35が水を含有すると、当該水が式VIIIに示される反応を抑制する。なぜならば、水は銀イオンと親和性を有するからである。従って、ストリッピングゲル35は水を含有しない。しかしながら、水の含有量が定量精度に悪影響を与えない範囲内であれば、ストリッピングゲルは水を含んでいてもよい。イオン液体は不揮発性である。そのため、工程cおよび工程dにおいて、従来技術とは異なり、ストリッピングゲル35の蒸発は抑制される。これにより、基準電解質の濃度は維持される。その結果、化学物質の定量はより正確になる。このことが、本発明を特徴付ける。工程cにおいて一定電位の印加時間が長いほど、銀の析出量が増加するので、より高い感度が達成される。工程e工程dの溶解時において流れる電流量は、銀の析出量に比例する。銀の析出量は、酸化還元物質酸化体の濃度および工程cにおいて電位が印加された時間の積に比例する。すなわち、以下の等式が充足される。従って、工程dにおいて流れた電流量から、酸化還元物質酸化体の濃度が算出される。酸化還元物質酸化体の濃度に基づいて、化学物質が定量される。言うまでもないが、一般的な手法と同様に、電流量から化学物質が定量される際には、予め用意された検量線が用いられる。"