"少なくとも1つのオプトエレクトロニクス半導体部品100を製造する方法であって、aキャリア1を形成するステップであって、前記キャリア1が、上面12と、前記キャリア1の前記上面12とは反対側に位置する下面11と、前記上面12に横方向Lに互いに並んで配置される複数の接続領域13とを有する、前記ステップと、b前記キャリア1の前記上面12に、横方向Lに互いに隔てて配置される複数のオプトエレクトロニクス部品2を貼り付けるステップであって、前記オプトエレクトロニクス部品2それぞれが、前記キャリア1とは反対側に少なくとも1つのコンタクト領域22を有する、前記ステップと、c前記コンタクト領域22と前記接続領域13とに保護要素41,42を形成するステップと、d前記キャリア1の露出した領域と、前記コンタクト領域22の露出した領域と、前記保護要素41,42の露出した領域とに、少なくとも1層の電気的絶縁層3を形成するステップと、e前記保護要素41,42を除去するステップであって、その結果として前記電気的絶縁層3に開口部5が形成される、前記ステップと、f前記電気的絶縁層3の上と、前記開口部5の少なくとも一部分とに、導電性材料8を配置するステップであって、前記導電性材料8それぞれが、前記コンタクト領域22を、前記コンタクト領域22に割り当てられている前記接続領域13に導電接続する、前記ステップと、を含んでいる、方法。前記電気的絶縁層3が、放射に対して反射性である、または、放射に対して吸収性である、請求項1に記載の方法。前記電気的絶縁層3が、ポッティング工程によって形成されるポッティング体33である、請求項1または請求項2に記載の方法。前記保護要素41,42の少なくとも1つが、半導体材料、セラミック材料、プラスチック材料、のうちの少なくとも1種類によって形成されている、または、少なくとも1種類を含んでいる、請求項1から請求項3のいずれかに記載の方法。前記保護要素41,42の少なくとも1つが、噴射、積層、ディスペンシング、スクリーン印刷、射出、のうちの少なくとも1種類の工程によって形成される、請求項1から請求項4のいずれかに記載の方法。前記保護要素41,42の少なくとも一方の横方向範囲45が、前記キャリア1とは反対側の前記保護要素41,42の面から前記キャリア1の前記下面11の方向に、減少していく、請求項1から請求項5のいずれかに記載の方法。ステップdの前に、前記キャリア1の前記上面12における保護要素43が、分離線Sに沿って前記キャリア1に形成される、請求項1から請求項6のいずれかに記載の方法。前記保護要素43を除去した後、前記キャリア1が、前記分離線Sに沿って、個々のオプトエレクトロニクス半導体部品100に個片化される、請求項7に記載の方法。前記保護要素41,42が、垂直方向Vにおいて前記電気的絶縁層3と同じ高さにある、請求項1から請求項8のいずれかに記載の方法。ステップdの前に、オプトエレクトロニクス部品2の放射通過領域21に、少なくとも1つの変換要素9が形成される、請求項1から請求項9のいずれかに記載の方法。ステップdの前に、オプトエレクトロニクス部品2の放射通過領域21に保護層44が形成され、前記保護層44が、前記放射通過領域21の少なくとも一部分を覆っており、ステップdの後に、前記保護層44が除去され、その結果として、前記電気的絶縁層3に窓部31が形成される、請求項1から請求項9のいずれかに記載の方法。前記窓部31に、少なくとも1つの変換要素9もしくはさらなるポッティング体32またはその両方が配置され、前記さらなるポッティング体32が、少なくとも1種類のルミネセンス変換材料を含んでいる、請求項11に記載の方法。オプトエレクトロニクス半導体部品100であって、キャリア1であって、上面12と、前記キャリア1の前記上面12とは反対側に位置する下面11と、前記上面12に配置されている少なくとも1つの接続領域13と、を有する、前記キャリア1と、前記キャリア1の前記上面12に配置されている少なくとも1個のオプトエレクトロニクス部品2であって、前記キャリア1とは反対側に少なくとも1つのコンタクト領域22を有する、前記少なくとも1個のオプトエレクトロニクス部品2と、前記キャリア1の露出した領域と、前記オプトエレクトロニクス部品2の露出した領域とに形成されている少なくとも1層の電気的絶縁層3と、前記電気的絶縁層3における少なくとも2つの開口部5であって、前記接続領域13および前記コンタクト領域22の上に、横方向Lに互いに隔てて配置されている、前記少なくとも2つの開口部5と、前記電気的絶縁層3の上と、前記開口部5の少なくとも一部分とに配置されている導電性材料8と、を備えており、少なくとも1つの前記開口部5の横方向範囲45が、前記キャリア1とは反対側の前記電気的絶縁層3の面から前記キャリア1の前記下面11の方向に、減少していき、前記導電性材料8それぞれが、前記接続領域22を前記コンタクト領域13に導電接続している、オプトエレクトロニクス半導体部品100。請求項1から請求項12のいずれかの方法に従って製造される、請求項13に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品100。本発明の目的は、費用効果の高い、オプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法を開示することである。本方法の少なくとも一実施形態によると、最初のステップにおいて、キャリアを形成し、このキャリアは、上面と、キャリアの上面とは反対側に位置する下面とを有する。キャリアは、回路基板または金属リードフレームとすることができる。さらには、例えば膜としてフレキシブルにキャリアを具体化することも考えられる。キャリアは、導電性材料例えば金属、電気的絶縁材料例えば熱硬化性プラスチック、熱可塑性プラスチック材料、セラミック材料、のうちの少なくとも1種類によって、形成することができる。上面および下面には、それぞれ、キャリアの外側領域の一部分によって形成される領域が存在する。このうち下面における領域は、キャリアが実装された状態においてコンタクトキャリア例えば回路基板に面しているキャリアの外側領域の一部分である。キャリアの下面のこの領域は、一例として、実装領域であり、実装領域は、作製後の半導体部品をコンタクトキャリア上に実装する役割を果たすことができる。さらに、キャリアは、その上面に、横方向に互いに並んで配置された複数の接続領域を有する。この場合、横方向とは、キャリアの主延在方向に平行な方向を意味する。互いに並んでとは、接続領域が横方向に互いに隔てて配置されていることを意味する。本方法の少なくとも一実施形態によると、次のステップにおいて、キャリアの上面に、横方向に互いに隔てて配置される複数のオプトエレクトロニクス部品を貼り付ける。オプトエレクトロニクス部品それぞれは、キャリアとは反対側に少なくとも1つのコンタクト領域を有する。横方向において個々のオプトエレクトロニクス部品の間には、一例として、間隙が存在する。キャリアの平面視において、間隙の境界は、隣り合う2個のオプトエレクトロニクス部品の側面領域と、オプトエレクトロニクス部品の側のキャリアの実装領域とによって、形成されている。少なくとも1つのコンタクト領域は、オプトエレクトロニクス半導体部品との電気的接触を形成する役割を果たし、導電性材料例えば金属によって形成されている。オプトエレクトロニクス部品のコンタクト領域それぞれには、一意または1対1の関係で、キャリアの接続領域が割り当てられていることが好ましい。接続領域とオプトエレクトロニクス部品は、一例として、横方向に互いに並んで配置されている。言い換えれば、接続領域それぞれは、それに割り当てられているオプトエレクトロニクス部品のコンタクト領域と隣り合っている。オプトエレクトロニクス部品は、一例として、コンタクト領域とは反対側の外側領域において、キャリアのコンタクト領域の上に、接合されている、はんだ付けされている、または導電的に接着接合されている。オプトエレクトロニクス部品は、放射を受信する半導体チップ、または放射を放出する半導体チップとすることができる。一例として、半導体チップはルミネセンスダイオードチップである。ルミネセンスダイオードチップは、発光ダイオードチップまたはレーザダイオードチップとすることができる。本方法の少なくとも一実施形態によると、次のステップにおいて、コンタクト領域と接続領域とに保護要素を形成する。すなわち、保護要素は、少なくとも一部分が、接続領域およびコンタクト領域に直接接触している。キャリアの平面視において、保護要素は、少なくとも一部分が、接続領域およびコンタクト領域と垂直方向に重なっている。この場合、垂直方向は、横方向に垂直な方向を意味する。本方法の少なくとも一実施形態によると、次のステップにおいて、キャリアの露出した領域と、コンタクト領域の露出した領域と、保護要素の露出した領域とに、少なくとも1層の電気的絶縁層を形成する。キャリア、コンタクト領域、および保護要素それぞれの露出した領域と、電気的絶縁層との間には、隙間および中断部のいずれも形成されないことが好ましい。本方法の少なくとも一実施形態によると、次のステップにおいて、保護要素を除去し、その結果として、電気的絶縁層に開口部が形成される。開口部それぞれは、垂直方向において電気的絶縁層を完全に貫いている。開口部は、一例として、少なくとも1つの側面領域を有する。開口部の少なくとも1つの側面領域は、少なくとも一部分が電気的絶縁層によって形成されている。本方法の少なくとも一実施形態によると、次のステップにおいて、電気的絶縁層の上と、開口部の少なくとも一部分とに、導電性材料を配置し、この場合、導電性材料それぞれは、コンタクト領域を、そのコンタクト領域に割り当てられている接続領域に導電接続する。すなわち、導電性材料それぞれは、オプトエレクトロニクス部品を、そのオプトエレクトロニクス部品に割り当てられているキャリアの接続領域に導電接続し、この場合、導電性材料それぞれは、少なくとも一部分が、キャリアとは反対側の電気的絶縁層の上面に、オプトエレクトロニクス部品と接続領域との間に延在している。この場合、導電性材料の一部分を、電気的絶縁層の外側領域の上に直接配置することができる。導電性材料は、一例として、金属または導電性接着剤によって形成されている。オプトエレクトロニクス部品と、オプトエレクトロニクス部品に割り当てられているキャリアの接続領域との間の導電接続は、完全に導電性材料によって形成されていることが好ましい。開口部は、一例として、導電性材料によって完全に満たされている。本方法の少なくとも一実施形態によると、最初のステップにおいて、キャリアを形成し、このキャリアは、上面と、キャリアの上面とは反対側に位置する下面と、上面に横方向に互いに並んで配置される複数の接続領域とを有する。次のステップにおいて、キャリアの上面に、横方向に互いに隔てて配置される複数のオプトエレクトロニクス部品を配置し、この場合、オプトエレクトロニクス部品それぞれは、キャリアとは反対側に少なくとも1つのコンタクト領域を有する。次のステップにおいて、コンタクト領域と接続領域とに保護要素を形成する。さらなるステップにおいて、キャリアの露出した領域と、コンタクト領域の露出した領域と、保護要素の露出した領域とに、少なくとも1層の電気的絶縁層を形成する。次のステップにおいて、保護要素を除去し、その結果として、電気的絶縁層に開口部が形成される。次のステップにおいて、電気的絶縁層の上と、開口部の少なくとも一部分とに、導電性材料を配置し、この場合、導電性材料それぞれは、コンタクト領域を、そのコンタクト領域に割り当てられている接続領域に導電接続する。この場合、本発明のオプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法は、特に、以下の洞察に基づいている。すなわち、電気的絶縁層を除去することで接触が形成されるようにオプトエレクトロニクス半導体部品を製造する方法は、コストが高くなりうる。例えば、電気的絶縁層によって覆われているオプトエレクトロニクス部品のコンタクトを露出させる目的で、これらの位置において、材料除去例えば穴あけdrillingによって電気的絶縁層を除去することができる。材料を除去すると、コンタクト領域が露出し、外部からこの領域との電気的接触を形成することができる。しかしながら、後からこのようにコンタクト領域を露出させる方法は、コストが高く時間もかかる。さらには、このように材料を除去することで、オプトエレクトロニクス部品のコンタクト領域が損傷することがある。したがって、少なくとも1個のオプトエレクトロニクス半導体部品を製造する方法として、費用効果が高く時間のかからない製造方法を開示する目的で、本発明の方法は、特に、以下の発想を利用する。すなわち、オプトエレクトロニクス部品に電気的絶縁層を形成する前に、オプトエレクトロニクス部品の各コンタクトの上に保護要素を配置する。言い換えれば、コンタクトの少なくとも一部分が保護要素によって覆われる。次のステップにおいて、オプトエレクトロニクス半導体部品の露出した領域に電気的絶縁層を形成すると、コンタクト領域の少なくとも一部分は、電気的絶縁層に直接接触しない。そして次のステップにおいて、コンタクト領域から保護要素を除去することができる。保護要素を除去すると、電気的絶縁層に開口部が形成され、その結果として、コンタクト領域の少なくとも一部分が露出し、開口部を介して外部からこの領域との接触を形成することができる。言い換えれば、保護要素は、コンタクト領域の上の電気的絶縁層の材料を除去することに相当する。このような方法は、費用効果が高く時間がかからないのみならず、コンタクト領域を露出させる工程において材料が特に節約され、なぜなら、コンタクト領域を露出させる目的で電気的絶縁層を除去する必要がないためである。さらに、本発明の方法では、例えば電気的絶縁層の開口部において後からクリーニングする工程高いコストを伴うが不要である。さらに、本方法は、製造順序に関して柔軟性があり、なぜなら、例えば保護要素を段階的に形成できるためである。本方法の場合、例えば高エネルギのレーザ光によってコンタクト領域が損傷することがなく、これは有利である。コンタクト領域の表面の損傷が回避されることによって、コンタクト領域との接触接続を高い信頼性で形成することができ、その結果として、完成時の半導体部品の光出力が高まる。少なくとも一実施形態によると、電気的絶縁層は、放射に対して反射性である、または放射に対して吸収性である。放射に対して反射性とは、特に、電気的絶縁層が、自身に入射する光の少なくとも80、好ましくは90以上を反射することを意味する。電気的絶縁層は、一例として、外部の観察者から白色に見える。この目的のため、放射に対して透過性の粒子として、一例として、TiO2、BaSo4、ZnO、AlxOyのうちの少なくとも1種類の材料によって形成されている粒子、またはこれらの材料のうちの1種類を含んでいる粒子を、電気的絶縁層の中に導入する。電気的絶縁層が放射に対して吸収性である場合、電気的絶縁層は外部の観察者から黒またはそれ以外の色に見える。この場合、一例として、電気的絶縁層にカーボンブラック粒子を導入する。少なくとも一実施形態によると、電気的絶縁層は、ポッティング工程によって形成されるポッティング体である。この目的のため、一例として、キャリアの露出した領域と、コンタクト領域の露出した領域と、保護要素の露出した領域とに、ポッティング工程およびその後の硬化によって、電気的絶縁層を形成する。少なくとも一実施形態によると、保護要素の少なくとも1つは、半導体材料、セラミック材料、プラスチック材料のうちの少なくとも1種類の材料によって形成されている、またはこれらの材料の少なくとも1種類を含んでいる。少なくとも一実施形態によると、保護要素は、噴射、積層、ディスペンシング、スクリーン印刷、射出のうちの少なくとも1種類の工程によって形成される。一例として、噴射工程の場合、電気的絶縁層は印刷によって形成される。ディスペンシングの場合、電気的絶縁層を、例えばピペット装置によって滴の形で形成することが考えられる。少なくとも一実施形態によると、少なくとも1つの保護要素の横方向範囲は、キャリアとは反対側の保護要素の面からキャリアの下面の方向に、減少していく。横方向範囲とは、それぞれの保護要素の、横方向における同じ平面内に位置する2点間の最大距離を意味する。平面視において保護要素が例えば円形である場合、横方向範囲は直径である。少なくとも1つの保護要素は、側面視において、一例として円錐形である。この場合、少なくとも1つの保護要素は、キャリアとは反対側の保護要素の面からキャリアの下面の方向に、次第に細くなっている。本方法の少なくとも一実施形態によると、ステップdの前に、キャリアの上面における保護要素を、分離線に沿ってキャリアに形成する。この場合も、分離線の領域において保護要素を除去した後、さらなる開口部が形成される。本方法の少なくとも一実施形態によると、保護要素を除去した後、キャリアを、分離線に沿って、個々のオプトエレクトロニクス半導体部品に個片化する。分離線の領域において電気的絶縁層が除去されているため、個片化はキャリアを切断するのみでよい。結果として、分離工程のコストと節約性を改善することが可能である。言い換えれば、個片化工程のうち、高いコストと時間のかかる工程をなくすことができる。これにより、オプトエレクトロニクス半導体部品の製造コストが節約され、製造時間が短縮される。少なくとも一実施形態によると、保護要素は、垂直方向において電気的絶縁層と同じ高さにある。すなわち、横方向において保護要素と電気的絶縁層との間に隙間および中断部のいずれも形成されていない。一例として、保護要素と電気的絶縁層は、途切れのない連続的な平面を形成している。保護要素は外側から見えることが好ましい。少なくとも一実施形態によると、ステップdの前に、オプトエレクトロニクス部品の放射通過領域に、少なくとも1つの変換要素を形成する。一例として、オプトエレクトロニクス部品において生成された電磁放射が、放射通過領域を介してオプトエレクトロニクス部品から取り出される、または、放射通過領域を通じてオプトエレクトロニクス部品に入射する電磁放射が、オプトエレクトロニクス部品によって検出される。変換要素は、主としてオプトエレクトロニクス部品において生成された電磁放射の少なくとも一部分を、異なる波長を有する電磁放射に変換する役割を果たす。変換要素は、一例として、放射通過領域の上に接着接合される。本方法の少なくとも一実施形態によると、ステップdの前に、オプトエレクトロニクス部品の放射通過領域に保護層を形成し、この保護層は、放射通過領域の少なくとも一部分を覆っており、この場合、ステップdの後に保護層を除去し、その結果として、電気的絶縁層に窓部が形成される。保護層は、例えば、オプトエレクトロニクス部品の放射通過領域に直接形成され、放射通過領域の少なくとも一部分を覆う。放射通過領域のうち保護層が形成されている領域においては、ステップdの後、電気的絶縁層がオプトエレクトロニクス部品に直接的には接触していない。言い換えれば、これらの領域においては、放射通過領域と電気的絶縁層との間に保護層が配置されている。電気的絶縁層を形成した後、例えば高エネルギのレーザ光によって、保護層から電気的絶縁層を除去することができる。その後、オプトエレクトロニクス部品の放射通過領域から保護層も除去することができる。保護層の除去は、例えば水酸化カリウムKOHを使用して保護層をエッチングすることによって行うことができる。保護層を除去した後に電気的絶縁層に形成される窓部は、一例として、少なくとも1つの側面領域と、底面領域と、底面領域とは反対側に位置する上面領域とによって形成される。側面領域は、一例として、その全体が電気的絶縁層によって形成され、下面領域は、例えばその全体をオプトエレクトロニクス部品によって形成することができる。保護層は、保護要素と同じ材料によって形成することが考えられる。この場合、同じ材料とは、保護層の材料と保護要素の材料とが同一であることを意味する。さらに、保護層は、保護要素と同じ方法によって形成することができる。本方法の少なくとも一実施形態によると、窓部に、少なくとも1つの変換要素もしくはさらなるポッティング体またはその両方を配置し、この場合、さらなるポッティング体は、少なくとも1種類のルミネセンス変換材料を含んでいる。ルミネセンス変換材料は、主としてオプトエレクトロニクス部品において生成された電磁放射の少なくとも一部分を、異なる波長を有する電磁放射に変換する役割を果たす。さらには、オプトエレクトロニクス半導体部品を開示する。本オプトエレクトロニクス半導体部品は、一例として、上に記載した1つまたは複数の実施形態に関連して説明したように、本発明の方法によって製造することができる。すなわち、本発明の方法に関して開示した特徴は、本発明のオプトエレクトロニクス半導体部品にもあてはまり、逆も同様である。少なくとも一実施形態によると、本オプトエレクトロニクス半導体部品は、上面と、上面とは反対側に位置する下面と、上面に配置されている少なくとも1つの接続領域と、を有するキャリア、を備えている。少なくとも一実施形態によると、本オプトエレクトロニクス半導体部品は、キャリアの上面に配置されている少なくとも1個のオプトエレクトロニクス部品であって、キャリアとは反対側に少なくとも1つのコンタクト領域を有する、少なくとも1個のオプトエレクトロニクス部品、を備えている。少なくとも一実施形態によると、本オプトエレクトロニクス半導体部品は、キャリアの露出した領域と、オプトエレクトロニクス部品の露出した領域とに形成されている少なくとも1層の電気的絶縁層、を備えている。電気的絶縁層は、一例として、オプトエレクトロニクス部品の露出した領域全体を、固定した状態でinapositivelylockingmanner覆っている。少なくとも一実施形態によると、本オプトエレクトロニクス半導体部品は、電気的絶縁層における少なくとも2つの開口部であって、接続領域およびコンタクト領域の上に、横方向に互いに隔てて配置されている、少なくとも2つの開口部、を備えている。すなわち、接続領域およびコンタクト領域は、少なくとも一部分が、垂直方向に開口部と重なっており、これらの領域には電気的絶縁層が存在しない。少なくとも一実施形態によると、本オプトエレクトロニクス半導体部品は、電気的絶縁層の上と、開口部の少なくとも一部分とに配置された導電性材料、を備えている。少なくとも一実施形態によると、少なくとも1つの開口部の横方向範囲は、キャリアとは反対側の電気的絶縁層の面からキャリアの下面の方向に、減少していく。開口部は、側面視において円錐形とすることができる。特に、開口部は、電気的絶縁層において材料を除去することによって形成されるのではない。一例として、開口部、コンタクト領域、および接続領域は、その表面に機械的な損傷を受けない。特に、開口部の側面領域と、さらには例えばコンタクト領域の外側領域、および接続領域の外側領域には、材料を除去した痕跡例えば熱による表面の損傷の形での痕跡が存在しない。すなわち、これらの側面領域および外側領域は、高エネルギのレーザ光によって加工されることがなく、レーザ光によって損傷することもない。言い換えれば、開口部は、本発明の保護要素が電気的絶縁層から除去されることによって、形成することができる。少なくとも一実施形態によると、導電性材料それぞれは、コンタクト領域を接続領域に導電接続している。以下では、本発明の方法および本発明のオプトエレクトロニクス半導体部品について、例示的な実施形態および関連する図面に基づいて詳しく説明する。例示的な実施形態および図面において、同じ構成要素または同じ機能の構成要素には、同じ参照数字を付してある。図示した要素は正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、深く理解できるようにする目的で、個々の要素を誇張した大きさで示してある。図1のセクションAは、ステップaおよびステップbを示しており、最初に、上面12と、上面12とは反対側に位置する下面11とを有するキャリア1を形成する。さらに、キャリア1は、上面12に、横方向Lに互いに並んで配置された複数の接続領域13を有する。キャリア1の上にオプトエレクトロニクス部品2を配置する。オプトエレクトロニクス部品2それぞれは、キャリア1とは反対側にコンタクト領域22を有する。オプトエレクトロニクス部品2は、紫外線放射または可視光を放出する放射放出半導体チップとすることができる。図1のセクションA~セクションHに示したように、接続領域13それぞれは、めっきスルーホール14によって形成されている。めっきスルーホール14は、キャリア1の上面12からキャリア1の下面11の方向に、キャリア1を完全に貫いている。めっきスルーホール14それぞれは、下面11において、さらなる接続領域15を形成している。一例として、このタイプのさらなる接続領域15によって、完成時のオプトエレクトロニクス半導体部品100は表面実装可能である。図1のセクションBに示したように、ステップcにおいて、保護要素41をオプトエレクトロニクス部品2のコンタクト領域22に、保護要素42を接続領域13に、それぞれ形成する。この実施形態の場合、保護要素41,42は、噴射工程によって形成される。さらに、図1のセクションBから理解できるように、これに加えて、分離線Sに沿って保護要素43を形成する。この場合、保護要素41、保護要素42、保護要素43の少なくとも1つは、フォトレジストもしくはホットメルト接着剤またはその両方によって形成することができる。図1のセクションCに示したように、オプトエレクトロニクス部品2の放射通過領域21に変換要素9を形成する。この実施形態の場合、変換要素9は、層の形で具体化されており、オプトエレクトロニクス部品2の放射通過領域21の少なくとも一部分を覆っている。変換要素9は、一例として、オプトエレクトロニクス部品2によって放出される青色光の一部分を黄色光に変換し、この黄色光を青色光と混合して白色光を生成することができる。図1のセクションDに示したように、次のステップdにおいて、保護要素41,42,43の露出した領域と、オプトエレクトロニクス部品2の露出した領域と、変換要素9の露出した領域と、キャリア1の露出した領域とに、ポッティング工程によって、電気的絶縁層3を形成する。言い換えれば、電気的絶縁層3は、ポッティング工程によって形成されるポッティング体33である。この実施形態の場合、保護要素41,42および変換要素9は、垂直方向Vにおいて電気的絶縁層3と同じ高さにある。これとは異なり、保護要素43は、電気的絶縁層3によって、その露出した領域全体が、固定された状態で覆われている。キャリア1の平面視において、保護要素41,42は外側から見える状態にあり、例えば自由にアクセスすることができる。図1のセクションEは、ステップeを示しており、保護要素41,42を再び除去する。この実施形態の場合、保護要素41の横方向範囲45は、キャリア1とは反対側の保護要素41,42の面からキャリア1の下面11の方向に、減少していく。言い換えれば、保護要素41,42は、円錐形状に具体化されている。保護要素41,42がこのように円錐形状に具体化されていることによって、保護要素41,42を特に簡単かつ高い費用効果で再び除去することができる。保護要素41,42の除去は、一例として、保護要素41,42の水性剥離aqueousstrippingによってすなわち湿式化学エッチングによって行うことができる。図1のセクションFに示したように、次のステップfにおいて、電気的絶縁層3の上と、保護要素41,42の除去によって電気的絶縁層3に形成された開口部5とに、導電性材料8を配置する。保護要素41,42が円錐形であるため、開口部5も円錐形である。したがって、開口部5は、電気的絶縁層における材料の除去例えば穴あけによって形成されるものではない。導電性材料8は、開口部5全体と、横方向Lにおいてはキャリア1とは反対側の電気的絶縁層3の外側領域の上、2つの開口部5の間に、配置される。開口部5が円錐形状であるため、特に簡単な方法で開口部5を導電性材料8によって満たすことができる。導電性材料8を堆積させるステップは、一例として、スパッタリングもしくは噴射工程またはその両方によって行う。導電性材料8は、一例として、TiもしくはCuまたはその両方によって形成されている。導電性材料8は、オプトエレクトロニクス部品2の各コンタクト領域22と、接続領域13とに、直接接触している。言い換えれば、この実施形態の場合、オプトエレクトロニクス部品2それぞれが、導電性材料8によって、接続領域13およびめっきスルーホール14を介して、さらなる接続領域15に導電的に接触接続されている。図1のセクションGに示したように、保護要素43の領域において保護要素43の上の電気的絶縁層3を除去する。この除去は、一例として、高エネルギのレーザ光によって行う。さらに、図1のセクションHに示したように、次のステップにおいて、保護要素43を除去し、その結果として電気的絶縁層3にさらなる開口部55を形成する。個々のオプトエレクトロニクス半導体部品100に個片化するとき、電気的絶縁層3を切断して個片化を行う必要がなく、分離線Sに沿ってキャリア1を切断するのみでよく、これは有利である。図2は、さらなる例示的な実施形態を本発明の方法によって製造する場合の個々の製造ステップを示している。図2に示した方法においては、図1に示した方法とは異なり、変換要素9を形成するステップが省かれる。代わりに、図2のセクションBにおいて、オプトエレクトロニクス部品2それぞれの放射通過領域21に保護層44を形成する。言い換えれば、保護層44は、オプトエレクトロニクス部品2の放射通過領域21の少なくとも一部分を覆っている。図2のセクションCから理解できるように、保護層44は、露出した領域全体が、電気的絶縁層3によって完全に、かつ固定された状態で覆われる。図2のセクションDおよびセクションEに示したように、ステップeにおいて、図1に関連して説明したように保護要素41,42を除去することによって開口部5を形成し、次いで、これらの開口部5に導電性材料8を配置する。図2のセクションFに示したように、保護層44から電気的絶縁層3を除去する。言い換えれば、保護層44の少なくとも一部分には電気的絶縁層3が存在しない。この場合、存在しないとは、保護層44が電気的絶縁層3によってもはや覆われていないことを意味する。ただし製造公差の範囲内で、電気的絶縁層3の材料残渣が、保護層44の露出した領域に残っていてもよい。図2のセクションGに示した次のステップにおいて、放射通過領域21から保護層44を除去する。除去する結果として、電気的絶縁層3に窓部31が形成され、この窓部は、この実施形態の場合、底面領域311と、底面領域311とは反対側に位置する開口部313と、側面領域312とを有する。側面領域312は、その全体が電気的絶縁層3によって形成されており、窓部31の底面領域311は、その全体が放射通過領域21によって形成されている。さらに、図2のセクションHに示したように、ルミネセンス変換材料を含んださらなるポッティング体32を窓部31に配置する。ルミネセンス変換材料は、この実施形態の場合、さらなるポッティング体32の材料の中に導入されたリンである。オプトエレクトロニクス部品2は、一例として、RGB発光ダイオードチップであり、放出される白色光の一部分が異なる波長の光に変換される。図3は、本発明のオプトエレクトロニクス半導体部品100を側面図として示している。このオプトエレクトロニクス半導体部品100は、上面12と、上面12とは反対側に位置する下面11とを有するキャリア1を備えている。上面12に形成されている実装領域122において、オプトエレクトロニクス部品2がキャリア1に固定されて導電的に接触接続されている。電気的絶縁層3における開口部5に導電性材料8が配置されており、開口部5を完全に満たしている。さらに導電性材料8は、2つの開口部5の間、電気的絶縁層3の上面35に沿って、横方向Lに延在している。導電性材料8は、接続領域13とコンタクト領域22との間に連続的な導電接続部を形成している。特に、開口部5は、電気的絶縁層3における材料除去によって形成されるのではない。すなわち、開口部5、コンタクト領域22、および接続領域13は、その表面が穴あけによって損傷することがない。ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。本特許出願は、独国特許出願第102010034565.2号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。"