"纏まって配置され、シリコンで製作された複数の第1半導体素子の第1素子群と、纏まって配置され、シリコンカーバイトで製作された複数の第2半導体素子の第2素子群と、前記第1半導体素子と前記第2半導体素子をそれぞれ接続する複数の配線導体と、前記第1半導体素子および前記第2半導体素子で発生した熱を放熱する突起付放熱ベースとを有する半導体装置であって、前記第1素子群下に配置される前記突起付放熱ベースの突起間隔に比べて、前記第2素子群下に配置される前記突起付放熱ベースの突起間隔が広いことを特徴とする半導体装置。前記第1半導体素子が、MOS型トランジスタであり、前記第2半導体素子が、ショットキーバリアダイオードであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第1半導体素子と前記第2半導体素子で電気回路を構成することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。前記突起が、概直方体もしくは概円柱の凸部であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記配線導体の前記第1半導体素子と前記第2半導体素子の接続箇所の間に第1熱干渉軽減部が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第1熱干渉軽減部が前記配線導体に設けた開口部もしくは凹部であることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。前記配線導体が前記第1半導体素子の接続箇所と前記第2半導体素子の接続箇所の間で分断されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第1素子群下とこれと対向する前記第2素子群下の間にある前記突起付放熱ベースに第2熱干渉軽減部が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記第2熱干渉軽減部が、前記突起付放熱ベースに形成した切り込みもしくは前記突起付放熱ベースを分断しその側面に固着した熱絶縁部材であることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。前記突起付放熱ベースをカバーで被覆し、該カバー内壁と突起の間および突起間に媒体を流して前記突起付放熱ベースからの熱を前記媒体に放熱し、前記カバーに仕切りを設けて、前記媒体の流れを蛇行させることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記突起付放熱ベースをカバーで被覆し、該カバー内壁と突起の間および突起間に媒体を流して前記突起付放熱ベースからの熱を前記媒体に放熱し、該媒体の流れる方向に長短の突起を設けることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。前記突起を三角配置とすることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。前記したように、Si-IGBTチップ54の動作可能温度である175°Cに律速されて、SiC-Diチップ55は、動作可能温度である250°Cで動作させることができない。また、Si-IGBTチップ54とSiC-Diチップ55が近接して配置されているので、相互の熱干渉が大きく、フィン51aの間隔を密にして冷却効率を高める必要がある。フィン51aの間隔が密になるため、冷媒61の圧力損失が大きくなり、冷媒循環用ポンプが大きくなる。その結果、インバータシステム全体のコストアップを招く。また、特許文献1では、Si-IGBTチップが位置する箇所の冷却器とSiC-Diチップが位置する箇所の冷却器の冷却構造は同一構造であり、しかも、Si-IGBTチップグループとSiC-Diチップグループは隣接して配置されており、SiC-Diチップを動作可能温度まで上げて動作させることができない。これは、Si-IGBTチップグループとSiC-Diチップグループの間は熱絶縁構造になっているが、各チップの上部に配置される特許文献1では図示していない点線で示した短い配線バーを介してSi-IGBTチップとSiC-Diチップの間に熱干渉があるためである。また、冷却器内を流れる冷媒の通路は2系統となっており複雑であり、その経路の長さが長いため冷媒の圧力損失が大きい。そのため、冷媒循環用ポンプが大きくなり、インバータシステム全体のコストアップを招く。この発明の目的は、前記の課題を解決して、Si-半導体素子とSiC-半導体素子を有する半導体装置において、それぞれの半導体素子を動作可能温度で動作させることができて、冷媒の圧力損失を小さくできるフィン付ベースを有する半導体装置を提供することにある。前記の目的を達成するために、特許請求の範囲の請求項1に記載の発明によれば、纏まって配置され、シリコンで製作された複数の第1半導体素子の第1素子群と、纏まって配置され、シリコンカーバイトで製作された複数の第2半導体素子の第2素子群と、前記第1半導体素子と前記第2半導体素子をそれぞれ接続する複数の配線導体と、前記第1半導体素子および前記第2半導体素子で発生した熱を放熱する突起付放熱ベースとを有する半導体装置であって、前記第1素子群下に配置される前記突起付放熱ベースの突起間隔に比べて、前記第2素子群下に配置される前記突起付放熱ベースの突起間隔が広い構成とする。また、特許請求の範囲の請求項2記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記第1半導体素子が、MOS型トランジスタであり、前記第2半導体素子が、ショットキーバリアダイオードであるとよい。また、特許請求の範囲の請求項3記載の発明によれば、請求項1または2に記載の発明において、前記第1半導体素子と前記第2半導体素子で電気回路を構成するとよい。また、特許請求の範囲の請求項4に記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記突起が、概直方体もしくは概円柱の凸部であるとよい。また、特許請求の範囲の請求項5に記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記配線導体の前記第1半導体素子と前記第2半導体素子の接続箇所の間に第1熱干渉軽減部が設けられているとよい。また、特許請求の範囲の請求項6に記載の発明によれば、請求項5に記載の発明において、前記第1熱干渉軽減部が前記配線導体に設けた開口部もしくは凹部であるとよい。また、特許請求の範囲の請求項7に記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記配線導体が前記第1半導体素子の接続箇所と前記第2半導体素子の接続箇所の間で分断されているとよい。また、特許請求の範囲の請求項8に記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記第1素子群下とこれと対向する前記第2素子群下の間にある前記突起付放熱ベースに第2熱干渉軽減部が配置されているとよい。また、特許請求の範囲の請求項9に記載の発明によれば、請求項8に記載の発明において、前記第2熱干渉軽減部が、前記突起付放熱ベースに形成した切り込みもしくは前記突起付放熱ベースを分断しその側面に固着した熱絶縁部材であるとよい。また、特許請求の範囲の請求項10に記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記突起付放熱ベースをカバーで被覆し、該カバー内壁と突起の間および突起間に媒体を流して前記突起付放熱ベースからの熱を前記媒体に放熱し、前記カバーに仕切りを設けて、前記媒体の流れを蛇行させるとよい。また、特許請求の範囲の請求項11に記載の発明によれば、請求項1に記載の発明において、前記突起付放熱ベースをカバーで被覆し、該カバー内壁と突起の間および突起間に媒体を流して前記突起付放熱ベースからの熱を前記媒体に放熱し、該媒体の流れる方向に長短の突起を設けるとよい。また、特許請求の範囲の請求項12に記載の発明によれば、請求項4に記載の発明において、前記突起を三角配置とするとよい。この発明によれば、Si-半導体素子チップ下のフィン構造と、SiC-半導体素子チップ下のフィン構造を違えることで、Si-半導体素子は175°Cまで動作させ、SiC-半導体素子はさらに高温まで動作させることができる。その結果、それぞれの半導体素子の性能を最大限に引き出すことができる。また、SiC-半導体素子下のフィン間隔を広くすることで、冷媒の圧力損失を低減できる。実施の形態を以下の実施例で説明する。図1~図3は、この発明の第1実施例の半導体装置の構成図であり、図1aは表側から見た要部平面図、図1bは裏側から見た要部平面図、図2aは図1aのX-X線で切断した要部断面図、図2bは図1aのY1-Y1線で切断した要部断面図、図2cは図1aのY2-Y2線で切断した要部断面図、図3aはU端子の要部平面図、図3bは図3aのX-X線で切断した要部断面図である。図1aは蓋12を外した状態の要部平面図である。この半導体装置100は三相インバータ回路を搭載しているパワー半導体モジュールである。半導体装置100は、フィン1a突起である凸部が密に配置された箇所31フィン1aの間隔が狭い箇所のフィン付ベース1突起付放熱ベース上に第1導電パターン付絶縁基板2を半田で固着する。このフィン1aは下駄の歯のような直方体をしている。フィン1aが疎に配置された箇所32フィン1aの間隔が広い箇所に第2導電パターン付絶縁基板3を半田で固着する。これらの導電パターン付絶縁基板2,3は熱伝導性が高く電気絶縁性が高いセラミックスなどの絶縁基板2b,3bと、この導電パターン付絶縁基板2,3はDCBDirectCopperBonding基板などである。裏面に形成された導電膜2c,3cと、表側に形成された導電パターン2a,3aからなる。この第1導電パターン付絶縁基板2に上下2列で各列3個配置された第1導電パターン2a上列は上アームを構成、下列は下アームを構成にそれぞれ1個のSi-IGBTチップ4のコレクタを半田で固着する。第2導電パターン付絶縁基板3に上下2列で各列それぞれ3個配置された第2導電パターン3a上列は上アームを構成、下列は下アームを構成にそれぞれ1個のSiC-Di5のカソードを半田で固着する。上3列の第1導電パターン2aおよび上3列の第2導電パターン3aをそれぞれP端子バー8にワイヤ34で接続する超音波接合する。下列の3個のSi-IGBTチップ4のそれぞれのエミッタおよび下列の3個のSiC-Diチップ5のそれぞれのアノードをN端子バー9にワイヤ35で接続する超音波接合する。上列の3個のSi-IGBTチップ4のそれぞれのエミッタと下列の3個の第1導電パターン2aを接続バー6下に形成された凸部6a,6bを介してそれぞれ半田で固着する。上列の3個のSiC-Diチップ5のそれぞれのアノードと下列の3個の第2導電パターン3aを接続バー6下に形成された凸部6a,6bを介してそれぞれ半田で固着する。前記の半田は全て融点300°C以上の高温半田にすると良い。また、6個ある接続バー6の内、左側から1番目と4番目の接続バー6上に形成された凸部6cとU端子バー7aをレーザー溶接で固着する。2番目と5番目の接続バー6上に形成された凸部6cとV端子バー7bをレーザー溶接で固着する。3番目と6番目の接続バー6上に形成された凸部6cとW端子バー7cをレーザー溶接で固着する。これらは樹脂枠10で囲まれ、内部にゲル11を注入して樹脂の蓋12をする。フィン1aの間隔が密な箇所31狭い箇所上に配置されるSi-IGBTチップ4は最高動作温度を動作可能温度である175°Cで動作させ、フィン1aの間隔が疎な箇所32広い箇所上に配置されるSiC-Diチップ5は最高動作温度を動作可能温度である250°Cで動作させる。フィン1aの間隔が密な箇所31狭い箇所とフィン1aの間隔が疎な箇所32を設けることで、それぞれのチップ4,5を動作可能温度で動作させることができる。図4は、図1の半導体装置100を冷却する場合にその仕方を説明した説明図であり、aは要部断面図、bは裏側の要部平面図である。フィン付ベース1にウォータジャケットであるカバー13をセットする。カバー13には冷媒14例えば、水などである冷媒14の入口13aと出口13bがある。入口13aから入った冷媒14はフィン1aの隙間を通って出口13bに向う。フィン1aの間隔が疎である箇所32を設けることで冷媒14の圧力損失を低減することができる。圧力損失を低減することで冷媒14を循環させる図示しないポンプを小型化できて、インバータシステム全体のコストダウンを図ることができる。なお、カバー13は、フィン付ベース1上に第1導電パターン付絶縁基板2を固着する段階で、あらかじめフィン付ベース1に固着し、一体化しておいてもよい。図5は、チップから発生した熱について説明した説明図であり、同図aは半導体装置100の要部平面図、同図bは同図aのX-X線で切断した要部断面図である。第1導電パターン付絶縁基板2と第2導電パターン付絶縁基板3を間隔L1を空けて配置することで、Si-IGBTチップ4とSiC-Diチップ5の間の熱干渉15を低減することができる。この間隔L1は例えば、数mm程度あれば効果がある。この熱干渉15としては、フィン付ベース1を介して起こる熱干渉15aとU端子バー7a,V端子バー7b,W端子バー7cを介して起こる熱干渉15bがあるが、熱干渉15aに比べて熱干渉15bは大きい。これは、間隔L1が数mm程度あれば、フィン付ベース1に到達した熱はフィン1aを介して殆ど冷媒14に放熱されるためである。一方、熱干渉15bは熱干渉15aに比べて大きいものの、Si-IGBTチップ4とSiC-Diチップ5が接続する箇所の間隔L2を数cm程度離せば、従来従来の間隔は数mm程度に比べると大幅に熱干渉15bを小さくすることができる。すなわち、本発明ではIGBT群とFWD群をそれぞれ纏めて、数cm離して配置するので、従来構造に比べて端子バーを介した熱干渉を低減することができる。その結果、SiC-Diチップ5を250°Cで動作させた場合でも、Si-IGBTチップ4の動作温度を175°C以下に抑制できるので、Si-IGBTチップ4を安全に動作させることができる。また、熱干渉15主に熱干渉15bが小さくなるので、従来よりSiC-Diチップ5下のフィン1a同士の間隔を広くすることができて、冷媒14の圧力損失を小さくすることができる。尚、前記のSi-IGBTチップ4をSi-MOSFETに代えてインバータ回路を形成する場合もある。また、三相インバータ回路を搭載した例に挙げたが単相インバータ回路やチョッパ回路などの電気回路を搭載する場合もある。前記したように、本実施例では、Si-IGBTチップ4同士をまとめ、SiC-Diチップ5同士をまとめ、それぞれの下に配置されるフィン1aの間隔を違えることで、Si-IGBTチップ4は175°Cまで動作させ、SiC-Diチップ5は250°Cまで動作させることができる。その結果、それぞれのチップ4,5の性能を最大限に引き出すことができる。また、SiC-Diチップ5下のフィン1aの間隔を広くすることで、冷媒14の圧力損失を低減できる。その結果、冷媒用のポンプファン等を簡素化できインバータシステム全体のコストダウンを図ることができる。図15は、図1bおよび図4bの変形例であり、同図aは仕切りを設けた図、同図bは仕切りを設けた別の図である。図15aと図1bおよび図4bとの違いは、カバー13に、カバー13の入り口13a側の内壁から突出し、密な間隔に配置されたフィン1aに接する仕切り40を設けた点である。仕切り40を設けることで、入り口13aから流入した媒体14の流れの方向が仕切り40で変わり、Si-IGBTチップ4下の密な間隔に配置されたフィン1aの間を均一に流れ、カバー13の中を蛇行するようになるので、図4bのように仕切り40が無い場合よりも冷却効率を向上でき、好ましい。また、図15bのようにカバー13の内壁から突出し、密な間隔に配置されたフィン1aに接する仕切り40を交互に配置し、さらに疎な間隔に配置されたフィン1aに接する仕切り40を配置することで、媒体14の流れの蛇行する回数が増えてSi-IGBTチップ4下のフィン1aの冷却効率が更に向上する。なお、図15bでは密な間隔に配置されたフィン1aに接する仕切り40および疎な間隔に配置されたフィン1aに接する仕切り40をそれぞれ2つずつ、全体で偶数個の仕切り40を交互に設けているので、カバー13の対角線上に出口13bおよび入り口13aを形成している。仕切り40を全体で奇数個形成する場合は、カバー13のひとつの辺に沿って出口13bおよび入り口13aを形成できる。図16は、図15bの変形例であり、仕切り40とフィン1aの間に隙間を設けた図である。図15bでは仕切り40を設ける箇所が多いので、媒体14の圧力損失が大きくなる。それを改善するために、仕切り40とフィン1aの間に隙間41を設けて、この隙間41にも媒体14を流すことで媒体14の圧力損失を低下させる。隙間41の大きさは適宜調整することができる。また、密な間隔に配置されたフィン1aと仕切り40の間の隙間41の大きさと、疎な間隔に配置されたフィン1aと仕切り40の間の隙間41の大きさを異なるものとして、媒体14の圧力損失を調整すると同時にフィン1a間に導かれる流量を調整してもよい。図17は、図1bおよび図4bの変形例であり、媒体の流れ方向に長さの異なるフィンを配置した図であり、同図aは平面図、同図bは同図aのX-X線で切断した要部断面図、同図c同図aのY1-Y1線で切断した要部断面図、同図dは同図aのY2-Y2線で切断した要部断面図である。フィン1aの間隔が密な箇所31には長短両方のフィン1aを配置し、疎の箇所には長いフィン1aを配置する。図6は、この発明の第2実施例の半導体装置の構成図であり、同図aは要部平面図、同図bは同図aのX-X線で切断した要部断面図である。図6はこの半導体装置200のフィン付ベース21の要部構成図である。第1実施例との違いは、フィン21aを円柱とした点である。この場合も、フィン21aの間隔が密な箇所31と疎な箇所32を設けることで、第1実施例と同様の効果がある。また、フィン21aの形状は直方体や円柱に限るものではなく、直方体の側壁が凹凸しているなど略直方体であったり、円柱も六方柱など略円柱であっても構わない。また、三角柱や四角柱であっても構わない。図18は、図6bの変形例であり、同図a疎に配置されたフィンを三角配置にした図、同図bは疎密に配置された全てのフィンを三角配置にした図である。媒体14の入り口13aをカバー13の一辺の中央に位置させる。フィン21aを三角配置とすることで、媒体14の流れが蛇行し冷却効率を高めることができる。但し、三角配置とは隣接するフィン21aの中心を結ぶ直線が三角形を作る場合をここでは言う。六角形配置という場合もある。図7は、この発明の第3実施例の半導体装置の構成図であり、同図aは要部平面図、同図bは同図aのX-X線で切断した要部断面図である。図7はこの半導体装置300のU端子バー7aV端子バー7bまたはW端子バー7cの構成図である。第1実施例との違いは、U端子バー7aV端子バー7bまたはW端子バー7cに開口部23が入っている点である。この開口部23のある箇所は熱抵抗が高くなり、Si-IGBTチップ4とSiC-Diチップ5の間の熱干渉を軽減することができる。熱干渉を軽減することで、フィン1aの間隔を広げることができて、圧力損失を小さくすることができる。また、点線で示すように、開口部23の代わりに貫通しない凹部を24を形成してもよい。この場合は開口部23で大きくなった配線インダクタンスを小さくすることができる。これらの開口部23や凹部24は熱干渉軽減部となる。このように、Si-IGBTチップ4Si-半導体素子とSiC-Diチップ5SiC-半導体素子に接続するU端子バー7aV端子バー7b,W端子7cやフィン付ベース1に熱干渉軽減部を設けることで、Si-半導体素子とSiC-半導体素子の相互の熱干渉15を小さくできる。その結果、全体のフィン1aの間隔をさらに広くすることができて、冷媒14の圧力損失を一層低減することができる。図8は、この発明の第4実施例の半導体装置の要部平面図である。この半導体装置400と図1の半導体装置100との違いは、U端子バー7a,V端子バー7b,W端子バー7cをSi-IGBTチップ4側とSiC-Diチップ5側に引き出し図1のように互いを接続しないようにした点である。こうすることで、Si-IGBTチップ4とSiC-Diチップ5の間の端子を介しての熱干渉15を遮断することができる。それによって、フィン1aを広げることができて、冷媒14の圧力損失を小さくできる。また、左右のU端子バー7a,V端子バー7b,W端子バー7cは半導体装置400の外に配置される図示しない外部配線で互いに接続される。図9は、この発明の第5実施例の半導体装置の構成図であり、同図aは要部断面図、同図bは同図aのA方向から見たフィン付ベースの要部平面図である。この半導体装置500と図1の半導体装置100との違いは、フィン付ベース1の熱干渉15aを起こす箇所に切り込み25を入れて、熱干渉15aを小さくした点にある。この切り込み25は熱干渉軽減部となる。切り込み25の代わりにこの箇所を切断して間に熱絶縁部材を挿入し、両側からフィン付ベース1でこの熱絶縁部材を挟み込んでもよい。この熱絶縁部材としては300°C以上の耐熱性を有し、フィン付ベース1を構成する銅やアルミニウムなどとの接触性が良好なものがよい。前記した、第1実施例から第5実施例を組み合わせることで、熱干渉を抑制し、圧力損失を小さくできる半導体装置を提供することができる。"