集積回路パッケージの少なくとも一部分を構築する方法であって、複数のビア開口を備える未加工の物質のベース構造を形成する段階、前記未加工の物質が焼結セラミック物質になりおよび前記ベース構造が前記複数のビア開口を有する焼結セラミックベース構造になるように前記未加工の物質を焼結する段階、前記焼結セラミックベース構造のそれぞれのビア開口の中に導電性ビアを形成する段階であって、前記複数のビアは、少なくとも電源ビアおよびグランドビアを有する段階、および前記焼結セラミックベース構造の上にキャパシタ構造を形成する段階であって、前記キャパシタ構造は、導電性の電源プレーンおよびグランドプレーンならびに前記電源プレーンと前記グランドプレーンとの間の誘電性レイヤを有し、前記電源プレーンおよび前記グランドプレーンは、それぞれ少なくとも前記複数の電源ビアの1つおよび前記複数のグランドビアの1つに電気的に接続する段階を備える方法。前記複数のビアは、複数の信号ビアを備え、それぞれの信号ビアは、前記電源プレーンおよび前記グランドプレーンの両方から電気的に切断されている請求項1に記載の方法。前記キャパシタ構造の前記誘電性レイヤは、高k値の誘電性物質からできており、前記基板は、第一のおよび第二の複数の部分を有し、前記第一の部分は、前記高k値の誘電性物質を含み、前記第二の部分は、前記高k値を含まず、前記複数の信号ビアは、前記第二の部分に形成される請求項2に記載の方法。前記パッケージ基板の上に前記キャパシタ構造を伴う前記ベース構造を実装する段階であって、連帯してインターポーザ基板を形成する段階、および形成される超小型電子回路を有するダイを前記インターポーザ基板に実装する段階をさらに備える請求項1に記載の方法。キャリア基板との相互接続のために、前記パッケージ基板に接する複数の導電性メンバーを形成する段階をさらに備える請求項4に記載の方法。形成される複数のビア開口を有する焼結セラミックベース構造、少なくとも電源ビアおよびグランドビアを有する、それぞれのビア開口の中の導電性ビア、および前記焼結セラミックベース構造の上のキャパシタ構造であって、前記キャパシタ構造は、導電性の電源プレーンおよびグランドプレーンならびに前記電源プレーンと前記グランドプレーンとの間の誘電性レイヤを有し、前記電源プレーンおよび前記グランドプレーンは、それぞれ前記電源ビアおよび前記グランドビアの少なくとも1つに電気的に接続されているキャパシタ構造を備える集積回路パッケージの基板。前記複数のビアは、複数の信号ビアを備え、それぞれの信号ビアは、前記電源プレーンおよび前記グランドプレーンから電気的に切断されている請求項6に記載の基板。前記キャパシタ構造の前記誘電性レイヤは、高k値の誘電性物質からできており、前記基板は、第一のおよび第二の複数の部分を有しており、前記第一の部分は、前記高k値の誘電性物質を有しており、前記第二の部分は、前記高k値の誘電性物質を有しておらず、前記複数の信号ビアは、前記第二の部分に形成される請求項7に記載の基板。集積回路ダイのためのパッケージ基板であって、水平の複数の誘電性レイヤおよび前記複数の誘電性レイヤの2つの間の、複数の金属コンダクタの少なくとも1つの水平のレイヤを有し、複数の垂直に拡張する複数のビア開口を有するベース構造、それぞれのビア開口の中の導電性のビアであって、前記複数の導電性のビアは、少なくとも導電性の電源ビアおよび導電性のグランドビアを有するビア、および前記ベース構造の上のキャパシタ構造であって、前記キャパシタ構造は、水平の電源プレーンおよびグランドプレーンならびに前記電源プレーンと前記グランドプレーンとの間の水平の誘電性レイヤを有し、前記電源プレーンおよび前記グランドプレーンは、それぞれ前記電源ビアおよび前記グランドビアの少なくとも1つに電気的に接続されているキャパシタ構造を備えるパッケージ基板。前記ベース構造は、焼結セラミック物質からできている請求項9に記載のパッケージ基板。前記複数のビアは、複数の信号ビアを備え、それぞれの信号ビアは、前記電源プレーンおよび前記グランドプレーンから電気的に切断されている請求項9に記載のパッケージ基板。前記複数の電源、グランドおよび信号ビアは、それぞれ前記キャパシタ構造の複数の電源、グランドおよび信号コンダクタに接続されている請求項11に記載のパッケージ基板。前記ベース構造に接するの第一の複数のコンタクト、および前記キャパシタ構造の上の第二の複数のコンタクトであって、前記複数の金属コンダクタは、前記第一の複数のコンタクトから前記第二の複数のコンタクトへのx-y変換を作り出す第二の複数のコンタクトをさらに備える請求項9に記載のパッケージ基板。形成された複数のビア開口を含む焼結セラミックベース構造を有する基板、それぞれのビア開口の中の導電性ビアであって、前記複数の導電性ビアは、少なくとも電源ビアおよびグランドビアを有する導電性ビア、前記焼結セラミックベース構造の上のキャパシタ構造であって、前記キャパシタ構造は、導電性電源プレーンおよび導電性グランドプレーンならびに前記電源プレーンと前記グランドプレーンとの間の誘電性レイヤを有し、前記電源プレーンおよび前記グランドプレーンは、それぞれ前記複数の電源およぼグランドバイアスの少なくとも1つに電気的に接続されているキャパシタ構造、および前記基板の上に実装され、形成された集積回路を有するダイを備える集積回路パッケージ。前記基板は、インターポーザ基板であり、前記インターポーザ基板が実装されるパッケージ基板をさらに備える請求項14に記載の集積回路パッケージ。前記複数のビアは、x-y変換なしに、前記パッケージ基板の上の複数のコンタクトに接続される請求項15に記載の集積回路パッケージ。前記複数のビアは、複数の信号ビアを備え、それぞれの信号ビアは、前記電源プレーンおよび前記グランドプレーンの両方から電気的に切断されている請求項14に記載の集積回路パッケージ。水平の複数の誘電性レイヤおよび前記複数の誘電性レイヤの2つの間の、複数の金属コンダクタの少なくとも1つの水平のレイヤを含み、複数の垂直に拡張する複数のビア開口を含むベース構造を有する基板、少なくとも電源ビアおよびグランドビアを有する、それぞれのビア開口の中の導電性ビア、前記ベース構造の上のキャパシタ構造であって、前記キャパシタ構造は、水平の電源プレーンおよびグランドプレーンならびに前記電源プレーンと前記グランドプレーンとの間の水平の誘電性レイヤを有し、前記電源プレーンおよび前記グランドプレーンは、それぞれ前記電源ビアおよび前記グランドビアの少なくとも1つに電気的に接続されているキャパシタ構造、および前記基板の上に実装され、形成された集積回路を有するダイを備える集積回路パッケージ。前記ベース構造は、焼結セラミック物質からできている請求項18に記載の集積回路パッケージ。前記複数のビアは、複数の信号ビアを備え、それぞれの信号ビアは、前記電源プレーンおよび前記グランドプレーンから電気的に切断されている請求項18に記載の集積回路パッケージ。前記複数の電源、グランドおよび信号ビアは、それぞれ前記複数の金属コンダクタの複数の電源、グランドおよび信号コンダクタに接続されている請求項20に記載の集積回路パッケージ。前記ダイは、介在するインターポーザ基板なしに前記基板に実装される請求項18に記載の集積回路パッケージ。