欠陥の存在により弱化される埋め込み帯域を形成するように、ソース基板中にイオンまたはガス種を注入するステップ、前記弱化された帯域中で分割を起こすことによって、前記ソース基板から薄膜を分離するステップを含む、ソース基板から薄膜を分離する方法であって、前記注入ステップが、一方では、欠陥を形成するようになされた第1の種を注入するサブステップと、他方では、実質的にこれと同じ深さに、欠陥を占有するようになされた第2の種を注入するサブステップとを含み、前記第1のステップの注入が、その注入単独で、第1の温度で前記薄膜の分離が可能となるのに十分な線量で行われ、かつ前記第2の種の注入が、前記第1の種の線量よりも低線量で行われ、前記分割が前記第1の温度よりも低い第2の温度で実施されることを特徴とする方法。前記第1の種の注入が、前記第2の種の注入より先に実施されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記第1の種の注入が、前記第2の種の注入より後に実施されることを特徴とする請求項1に記載の方法。前記ソース基板が、単結晶、多結晶、または非晶質の半導体および絶縁体からなる群から選択される材料から作製されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。前記ソース基板が第IV族半導体から選択される材料から作製されていることを特徴とする請求項4に記載の方法。前記ソース基板がシリコンから作製されていることを特徴とする請求項5に記載の方法。前記ソース基板がIII-V族半導体材料から作製されていることを特徴とする請求項4に記載の方法。前記ソース基板が、LiNbO3およびLiTaO3からなる群から選択される絶縁体から作製されていることを特徴とする請求項4に記載の方法。前記第1の種が水素であることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。前記第1の種が水素Hであることを特徴とする請求項9に記載の方法。前記第1の種が、2~3afew×1016原子/cm2程度の線量で注入されることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。前記第2の種がヘリウムであることを特徴とする請求項1、2、または9のうちのいずれか一項に記載の方法。前記ヘリウムが、1×1016~5×1016原子/cm2程度の線量で注入されることを特徴とする請求項12に記載の方法。前記第1の温度が500°C程度であり、前記第2の温度が300°C程度未満であることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。前記弱化された帯域中で分割を起こす前に、前記ソース基板の注入面をターゲット基板に接合させることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。前記ターゲット基板が非晶質材料からなることを特徴とする請求項15に記載の方法。前記ターゲット基板が溶融石英からなることを特徴とする請求項16に記載の方法。前記ターゲット基板が単結晶または多結晶材料からなることを特徴とする請求項15に記載の方法。前記ターゲット基板がサファイヤからなることを特徴とする請求項18に記載の方法。前記ソース基板および前記ターゲット基板が、直接接合によって密着されることを特徴とする請求項15から19のいずれか一項に記載の方法。分割を行った後に、前記接合界面に熱安定化ステップを施すことを特徴とする請求項15から20のいずれか一項に記載の方法。前記弱化された帯域中で分割を起こす前に、前記ソース基板の注入面に硬化層を堆積させることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。本発明は、ソース基板例えばこれは、有利にはソース基板とは異なる材質からなるターゲット基板上に予め固定されているから薄膜を分離する方法であって、注入量を過度に高くすることも、注入後にソース基板をアニールすることもそのような場合が生じるのは、それをターゲット基板に接合させる前である必要とせず、それと同時に、ソース基板が熱膨張係数の異なるターゲット基板上に固定されている場合においても、2種類の基板から構成されたヘテロ構造体に過度の機械的応力を生じさせず、かつ/または分離前に一方の基板上に形成されている可能性のある成分を劣化させる恐れのない、十分に低い温度での分離を可能とするものである。この目的のため、本発明は、a欠陥の存在により弱化される埋め込み帯域を形成するように、ソース基板内にイオンまたはガス種を注入するステップ、b上記弱化された帯域中で分割を起こすことによって上記ソース基板から薄膜を分離するステップを含み、上記注入ステップが、一方では、欠陥を形成するようになされた第1の種を注入するサブステップを含み、他方では、実質的にこれと同じ深さに、欠陥を占有するようになされた第2の種を注入するサブステップを含み、上記第1ステップが、その注入単独でも第1の温度において上記薄膜の分離が可能となるのに十分な線量で行われ、かつ上記第2の種の注入が、上記第1の種の線量よりも低線量で行われ、かつ上記分割が上記第1の温度よりも低い第2の温度で実施されることを特徴とする、上記ソース基板から上記薄膜を分離する方法を提供する。このように本発明は、2種類の異なる化学種を注入することに基づいており、これらが異なる効力をもって共同でソース基板内に弱化帯域を形成することを特徴とする。一方の注入種は、後で分離を起こそうとする帯域を特定の欠陥の形成によって局在化するように選択され、他方は、予め指定した特定の欠陥の拡張を、特にその内圧を増大させることによって促進することになるガス貯留部を形成するように選択される。好ましくは、分離を促す欠陥を生成する第1の種の注入がまず最初に行われるとともに、第1の種によって生成した欠陥の帯域に第2の種が局在化するようにもう一方の化学種がその後に注入される。注入の順序をこのようにすることによってより好ましい分離力を得ることが可能となる。言い換えれば、弱化層弱化とは、微小空洞および/または小板等の種類の特定の欠陥の形成を意味するものと理解されるを生成させる効果の高い第1の種の注入をまず最初に実施する一方、弱化欠陥を形成する効果がより低い第2の種をこの弱化層内に適度な線量で注入すると有利である。この弱化帯域中に存在する場合、最初の注入時に生成した微小空洞および/または小板上またはその付近に、この第2の種の原子が捕捉されることになろう。分離の誘発を目的とした熱処理時においては、この第2の種の原子は、弱化層内に存在する空洞の加圧に関与し、かつそれらを成長させるための適所に納まっていよう。したがって、第2の種としては、弱化層内に位置する空洞および/または微小クラック内で圧力を生じさせる能力の高い化学種を選択すると有用である。しかしながら、第2の種を最初に注入することも可能であり、これらは後に利用されて、第1の種の注入によって生成する欠陥を徐々に満たすことになろう。有利には、第1の化学種は水素例えばHイオン形態などの一形態をとるであり、その注入方式はよく知られているが、他の化学種も使用できることを理解されたい。さらには、第2の化学種を、加圧作用を効果的に生じさせることができるヘリウムとすると有利である。この方法とアガーワルらの文献に記載されている実験的な方法との根本的な違いは、第1の種の注入量が、第1の温度において分離可能な弱化帯域を形成するのに十分な量であることであり、したがってこの第1の種の線量は、1016原子/cm2程度の従来の水準内水素の場合に留まる。第2の種の注入量は、第1の種によって生成された欠陥内に第2の種の原子が実質的にすべて配され、かつ/または分割の伝播を阻む傾向にある他の欠陥をできるだけ生成しない適度な量である。そしてこの分離は第1の温度よりも低い第2の温度で実施される。米国特許第5877070号においては、欠陥を生成させることを目的とする化学種例えばホウ素に推奨されている線量は水素の線量よりもはるかに少なく典型的にはその線量の0.1から1の間、しかも中間アニールを行うことが必須であるが、これと比較すると、本発明の方法が教示する比率はその逆であり、かつ中間熱処理を行う必要もないしかしながら、分離を開始させないほど十分に低い温度で行うという条件下であれば、このような中間熱処理は依然として可能であることは勿論である。本方法は、上で述べた米国特許出願第2002/0025604号の教示とは異なり、第2の種の注入量が第1の種よりも少ないこと、および第1の種単独で分割が起こると予想される温度実際は約500°Cよりも、分割が実施される温度が低いことが認められる。本発明の好ましい条件を示す既に提示したものもそうでないものもある。場合によりこれらを組み合わせてもよい。第1の種の注入を第2の種の注入よりも先に行う。または、この第1の種の注入を第2の種の注入よりも後に行う。ソース基板は、単結晶、多結晶、または非晶質の半導体および絶縁体からなる群から選択される材料から作製されたものとする。したがって半導体は、元素周期律表の第IV族、例えばシリコン技術的重要性の高い場合に相当するおよび/またはゲルマニウムから選択してもよく、III-V族半導体例えば特に、AsGaまたはInPも選択してもよく、絶縁体も、例えば特にニオブ酸リチウムLiNbO3またはリチウムタンタル石LiTaO3から選択してもよい。第1の種を、シリコンその他多数の基板に容易に注入することができる化学種である水素、有利にはH水素とする。第1の種水素その他を注入する際の線量を、1016原子/cm2程度とする。これは現行の水素単独の注入における典型的な線量であり、よく知られている注入方式に相当する。第2の種は、Hイオンの注入によって生成した欠陥と特に効率よく相互作用し、かつ結晶欠陥を有効に加圧することができるヘリウムとし、ヘリウムの注入量は、有利には1×1016~5×1016原子/cm2程度とする。これは様々な基板の注入に用いられる通常の線量であり、したがって容易に実施することができる。これは、一般的に当てはまるが、特にソース基板がシリコンおよび/またはその化合物酸化物、炭化物等の1種からなる場合にも当てはまることであり第1の種のみで分割が起こると予想される、第1の温度は500°C程度これは特にシリコン中に水素を注入した場合の典型的な分割温度であるであり、実際に分割が起こる第2の温度は300°C程度未満であり、それによって、たとえ2つの基板の熱膨張係数の差が顕著な場合であっても機械的力が耐えられる程度に維持される。弱化領域を分割させる前に、ソース基板の注入面をターゲット基板に接合させることによって、必要に応じて中間的または最終的な支持体を形成する。分割を行った後に、ターゲット基板と薄膜との間の接合を熱安定化させるステップを実施する。ターゲット基板は、単結晶もしくは多結晶材料例えばサファイヤから作製されたものかまたは非晶質例えば溶融石英、任意の種類のガラス、さらにはポリマーのものとする。サファイヤおよび溶融石英は、現時点において実際に実用上重要な例であることに留意されたい。ターゲット基板は、現時点において実際に実用上重要な例に相当する溶融石英またはサファイヤからなるものとする。しかし一般には、ターゲット基板は、任意の単結晶類または多結晶類であっても、さらには非晶質例えばガラス類またはポリマー類であってもよい。2種類の化学種の線量の差を非常に大きくする。すなわち、好ましくは少なくとも10とする。好ましくは、ソース基板とターゲット基板とを直接接合させることによって密着させる剛率を制御できるパラメータをうまく取り扱う方法は知られており、それにより、この固定化手段の実施が特に容易となる。変形形態においては、弱化帯域を分割させる前に、ソース基板の注入面に硬化層を堆積させる。本発明の目的、特徴、および利点は、以下に示す限定しない例示的な実施例の説明および添付の図面を参照することによって明らかになるであろう。したがって図1は、例えばシリコン有利にはその表面4が酸化されているからなる基板1を示し、矢印2で示される、例えばイオンまたはガス化学種の衝突による注入処理を施される間は保護層10で覆われていてもよい。この注入は、同じ所与の深さに2種類の化学種が必要であるが、そのうちの一方は、欠陥を形成するようになされた例えばH水素であり、他方は、その第1の種によって予めまたは後に形成される欠陥内を満たすようになされた例えばヘリウムである。第1の種の注入を実施する際の線量は、それ単独でも後に第1の温度以下参照での分離が可能となるのに十分な量である。一方、第2の種の線量はそれを下回る。検討対象の実施例においては、有利には第1の種である水素の注入から開始されるしかしながらその変形として第2の種を先に注入してもよい。次いで第2の種が注入されるが、その線量は、有利には、第1の種によって生成された欠陥をちょうど満たすことができ、かつ/または後の分割を妨げる傾向のある他の欠陥をできるだけ生成しない量である。これによって生じるのが埋め込み帯域3であり、これは、主に第1の種によって生成される欠陥の存在により弱化されている。その成長には、特に第2の種のこのような欠陥を加圧する能力が寄与するであろう。弱化領域3は、ソース基板内において後に薄膜となる部分5と基板残部6すなわち薄膜の分離後にソース基板に残留する部分との境界となる。この手順を繰り返す場合はこの残部をソース基板とすることができるであろう。図2は、弱化された埋め込み帯域を含むソース基板の面4とターゲット基板7とを、例えば直接分子結合させることによって接合するステップを示す図である。その後のステップにおいては、中間熱処理を何ら必要とすることなく、図3に示すように弱化帯域を分割させることによって薄膜がソース基板残部から分離される。この分割が実施される温度は、第1の種を単独で注入した場合に得られるであろう分割温度よりも低い。図3のステップのための第2の温度は、有利には、第1の種単独の注入量で分離ができると予想される温度よりも少なくとも200°C程度低い。したがって、第1の温度が500°C程度である場合、実際に分割すなわち分離が行われる温度は有利には最高でも300°Cである。勿論、これらの温度は妥当な処理時間、典型的には数十分間~数時間例えば3時間まで維持される。換言すれば、熱収支温度-時間の組合せが工業的に現実的なものとなる。この分離ステップには、熱効果以外に力例えば機械的力の適用が含まれていてもよく、その場合は、第1および第2の温度に関し述べられていることが同様に力の適用についても当てはまる。すなわち、第1の種を単独で注入した後に所与の機械的力を適用することによって第1の温度で可能となると思われる分離が、同じ機械的力を適用することによって第2の温度で達成される。有利には、この分離すなわち分割ステップの後に、ターゲット基板7と薄膜との間の接合を熱的に安定化させるステップを実施する。このステップにはある程度の時間、1000°Cを超える温度、好ましくは約1100°Cという温度が含まれてもよい。この処理は一定の温度で実施しても温度を変化させても例えば2つの値の間で振幅させてもよい。このことは、接合界面の欠陥を防止したり、ターゲット基板から薄膜層が剥離するのを防ぐのに役立つ。ソース基板1はシリコンだけでなく、より一般的には、知られている任意の適切な材料例えばIII~V族半導体の単結晶または多結晶であっても、さらには非晶質であってもよい。ターゲット基板7に関しては必要に応じて選択される多種多様な材料からなるものであってもよく、単結晶または多結晶例えば半導体であっても、さらには非晶質例えばガラスやポリマー類などであってもよい。本発明の第1実施形態によれば、表面に熱酸化シリコン層例えば200nmを備えたSi基板~700μmに、まず水素原子を30keV-4.5×1016H/cm2という条件下で注入し、次いでヘリウムを45keV-2×1016He/cm2という条件下で注入してもよい。次いでこのソース基板を溶融石英からなるターゲット基板~1000μmに直接接合させることによって接合してもよい。これら2種の材料間に熱膨張係数の差室温下においてシリコン2.56×10-6/°C、溶融石英0.5×10-6/°Cが存在することから、分離のための熱処理を低温典型的には約250~300°Cで実施することが必要となってくる。約275°Cで熱処理を行うと、水素濃度の最も高い部分に局在化している空洞の成長が促され、これにヘリウム原子が加わってこれらの空洞を加圧して成長させる。この濃度の水素プロファイルにおいて最終的に分割を行うと、分割一方はSi薄膜を有する溶融石英基板、他方は最初のSi基板から表層の薄膜が剥離されたもの後もヘテロ構造由来の両基板に破損も劣化も起こすことなくSi層が溶融石英の基板上に移設される。本発明の別の実施形態によれば、表面に熱酸化シリコン層例えば400nmを備えたSiの基板~300μmに、まず水素原子を95keV-6×1016H/cm2という条件下で注入し、次いでヘリウムを145keV-2×1016He/cm2という条件下で注入してもよい。次いでこのソース基板をサファイヤからなるターゲット基板~500μmに直接接合させることによって接合してもよい。場合によっては、接合前のサファイヤ基板表面に酸化物の層が堆積されるであろう。これら2種類の材料間に熱膨張係数の差室温下においてシリコン2.56×10-6/°C、サファイヤ5×10-6/°Cが存在することから、基板が厚い場合は、分離のための熱処理を低温典型的には250°C未満で実施することが必要になってくる。約200°Cで熱処理を行うと、水素濃度が最も高い部分に局在化している空洞の成長が促され、これにヘリウム原子が加わってこれらの空洞が加圧されて成長する。この水素プロファイルにおいて最終的に分割を行うと、分離一方はSi薄膜を有するサファイヤ基板、他方は最初のSi基板から表層の薄膜が剥離されたもの後もヘテロ構造由来の両基板に破損も劣化も起こすことなくSi層がサファイヤの基板上に移設される。上述した2つの実施例においては、第2の種の線量が最大でも第1ステップの線量と多くとも同量からその半量であることが認められる。さらなる実施形態によれば、熱SiO2層約200nmを備えたシリコン基板にまずヘリウム原子を100keVで1×1016原子/cm2の注入条件で注入し、次いで水素を52keVで4×1016原子/cm2で注入してもよい。次いでこのソース基板をシリコン支持基板に接合する。約275°Cで15時間未満の熱処理を行うと、水素濃度が最も高い部分に局在化している空洞の成長を誘発し、これにヘリウム原子が関与して、その移動によって空洞が加圧される。最終的な分割が同低温で起こり、シリコン層がシリコン支持基板上に移設される。詳述しないが、変形形態を以下に示す。ソース基板はゲルマニウム等の、IV族の他の半導体である。ソース基板は半導体化合物、例えばIII-V族例えば特にAsGaまたはInPである。ソース基板は絶縁体、例えばニオブ酸塩またはタンタル石型特にLiNbO3またはLiTaO3等である。ターゲット基板はサファイヤ以外の結晶性材料から作製されたものである。ターゲット基板は溶融石英以外のガラス等の非晶質材料またはポリマーから作製されたものである。ターゲット基板は単なる硬化層であり、例えば、任意の適切な堆積技術によって堆積された厚さが数十ナノメータの酸化物である。これは上に示した例のようなバルクのターゲット基板とはもはや異なるものである。ターゲット基板存在する場合は単なる中間支持体であってもよい。