第1の基板2から始まり連続する、第1の電流コレクタ3と、第1の電極4と、電解質5と、第2の電極11と、第2の電流コレクタ7とを形成する複数の薄膜のアセンブリを備えるマイクロ電池であって、前記複数の薄膜のアセンブリは、前記第1の基板2と第2の基板8との間に配置され、前記第2の電極11は、半田接合により形成されており、且つ、前記第1及び第2の基板2、8の間の機械的接続を確保する、ことを特徴とするマイクロ電池。前記第2の基板8は少なくとも1つの電気素子9を備える、ことを特徴とする請求項1に記載のマイクロ電池。マイクロ電池の製造方法であって、-第1の基板2の上に複数の薄膜のスタック1を形成するステップであって、前記第1の基板2から始まり連続する、第1の電流コレクタ3と、第1の電極4と、電解質5と、第1の金属膜6とを備えるようなスタックを形成するステップと、-第2の基板8の面の上に第2の電流コレクタ7を形成するステップと、-第2の電極11を形成するステップであって、前記第2の電極11を形成するステップは、前記第1の金属膜6のコンタクト面6aの上に、もしくは、前記第2の電流コレクタ7のコンタクト面7aの上に、事前に堆積された少なくとも1つの半田ボール10を用いて、前記第1の金属膜6と前記第2の電流コレクタ7とを共に半田付することによって前記第1及び第2の基板2、8をアセンブルすることを備え、アセンブルの間、前記第1及び第2の基板2、8は互いに向かい合わせに配置されている、第2の電極を形成するステップと、を備えることを特徴とする製造方法。前記第2の電流コレクタ7は、前記コンタクト面7aが設けられた第2の金属膜を備える、ことを特徴とする請求項3に記載の製造方法。前記第2の電極11は、アセンブルの間に、前記半田ボール10を再溶解することにより形成される、ことを特徴とする請求項3又は4に記載の製造方法。前記第2の電極11は、前記半田ボール10及び前記第1の金属膜6からの金属種の内部拡散の結果により生じた少なくとも1つの金属間化合物により形成される、ことを特徴とする請求項3から5のいずれか1つに記載の製造方法。前記半田ボール10は、半田付の間、前記第2の電流コレクタ7と前記第2の電極11との間に前記第2の電極11と導電性膜12とを形成するように部分的に用いられ、前記導電性膜12は、前記半田ボール10を形成する材料から形成される、ことを特徴とする請求項3から6のいずれか1つに記載の製造方法。前記半田ボール10は、有利にはすず、銀、インジウム、金、及び/又は、銅の合金から選択され、好ましくはSnAgCu、AuSn、AgIn及びSnCu合金から選択される導電性材料から形成される、ことを特徴とする請求項3から7のいずれか1つに記載の製造方法。前記第1の金属膜6は、銅、すず、及び、銅-すず合金から選択される金属から形成される、ことを特徴とする請求項3から8のいずれか1つに記載の製造方法。前記第1の金属膜6は、金属ベースの複数の膜のスタックから形成され、前記複数の膜のうちの1つには、前記半田ボール10と接触する前記コンタクト面6aが設けられており、且つ、銅、すず、及び、銅-すず合金から選択される金属から形成される、ことを特徴とする請求項3から9のいずれか1つに記載の製造方法。前記第1及び第2の基板2、8の前記アセンブルは、前記第1の金属膜6に接するように前記半田ボール10を配置し、熱処理により前記半田ボール10を再溶解することを備える、ことを特徴とする請求項10に記載の製造方法。前記第1の金属膜6は銅から形成され、前記半田ボール10はSnAgCu合金から形成され、前記熱処理は、170°Cから260°Cの範囲の温度において行われる、ことを特徴とする請求項3から11のいずれか1つに記載の製造方法。前記第2の基板8は少なくとも1つの電気素子9を備える、ことを特徴とする請求項3から12のいずれか1つに記載の製造方法。前記第2の電極11を形成するステップに続いて、マイクロ電池を封止する封止ステップを行う、ことを特徴とする請求項3から13のいずれか1つに記載の製造方法。本発明の目的は、従来技術の欠点を克服するマイクロ電池とそのマイクロ電池の製造方法を作り出すことである。特に、本発明の目的は、良好な電気的パフォーマンスを有するマイクロ電池であり、実施が簡単で、経済的に実行可能であり、マイクロエレクトロニクス分野で用いられる技術と親和性のあるマイクロ電池の製造方法である。本発明によれば、この目的は、第1の基板と第2の基板との間に複数の薄膜のアセンブリを配置し、これらの第1の基板と第2の基板とを機械的に接続する半田接合を用いて第2の電極を形成することにより、達成することができる。本発明によれば、以下のステップを備えるマイクロ電池の製造方法によりこの目的は達成される:-第1の基板の上に複数の薄膜のスタックを形成し、このスタックは、第1の基板から、第1の電流コレクタと、第1の電極と、電解質と、第1の金属膜とを連続的に備え、-第2の基板の面の上に第2の電流コレクタを形成し、-第2の電極を形成し、この第2の電極を形成するステップは、あらかじめ第1の金属膜のコンタクト面又は第2の電流コレクタのコンタクト面の上にあらかじめ配置された少なくとも1つの半田ボールを用いて第1の金属膜と第2の電流コレクタとを半田付することによって、第1及び第2の基板をアセンブルすることを備え、アセンブルの間、第1及び第2の基板はアセンブルの間に互いに向かい合う。他の利点及び特徴は、本発明の特有の実施形態についての下記の説明により、さらに明らかにされる。本発明の特有の実施形態は、単なる例示であって、本発明を限定するものではない。本発明の特有の実施形態は、添付の図面により示される。図1から図4に示される第1の実施形態によれば、マイクロ電池の製造方法は、周知の形成方法による第1の基板2の上の複数の薄膜のスタック1の形成方法を備える。特に、マイクロ電池の複数の薄膜は、特に、物理気相成長法PVD又は化学気相成長法CVDといったマイクロエレクトロニク分野の従来技術により、第1の基板2上に連続的に堆積される。薄膜の厚さは、一般的には0.1μmから10μmの間となる。図1に示すように、スタック1は、第1の基板2から始めて、連続的に、第1の電流コレクタ3と、第1の電極4と、電解質5と、第1の金属膜6とから形成される。一般的には、第1の基板2はシリコンウエハ、又は、特定応用向け集積回路ASICを含むシリコンウエハである。第1の基板2は、第1の電流コレクタ3の下のパッシベーション膜不図示により覆われることができる。一般的には、パッシベーション膜は、シリコン酸化膜SiO2といった誘電体や、SiO2膜とシリコン窒化膜Si3N4との連続的な積層により形成される。一般的には、第1の電流コレクタ3は、例えば、白金Pt、クロムCr、金Au、チタンTi、タングステンW、モリブデンMo、ニッケルNi、又は、バナジウムVからなる金属である。第1の電極4は、Liイオンを生成し、すなわち、活性リチウム挿入材料を備える。第1の電極4の活性材料として用いられる材料は、例えば、硫化銅又は二硫化銅CuS又はCuS2、酸硫化タングステンWOySz、二硫化チタンTiS2、酸硫化チタンTiOxSy、酸化バナジウムVxOyといったリチウムを含まない材料、もしくは、例えば、酸化コバルトリチウムLiCoO2、酸化ニッケルリチウムLiNiO2、酸化マグネシウムリチウムLiMn2O4、五酸化バナジウムリチウムLiV2O5、又は、リン酸化鉄リチウムLiFePO4といったリチウムベースの酸化物の混合物といったリチウムを含む材料を用いることができる。電解質5は、イオン伝導が可能な材料からなり、好ましくは、リチウムイオンLiの伝導が可能な材料である。好ましくは、電気的絶縁性を持ち、且つ、イオン伝導性を有する材料が選択される。好ましくは、電解質5は、酸窒化リンリチウムLiPON、又は、窒素を含むリン酸化シリコンリチウムLiSiPONといった、リチウムベースの化合物である。図1に示すように、製造方法は、第2の基板8の表面の上に第2の電流コレクタ7を形成するステップを備える。このステップは、スタック1を形成する先に説明したステップとは独立して行われ、すなわち、スタック1を形成するステップの前又は後に行われる。第2の基板8は、第1の基板2とは異なり、且つ、第1の基板2から独立したものである。好ましくは、第2の基板8は少なくとも1つの電気素子9を備え、この素子は、マイクロ電池を電気的に接続するものである。第2の基板8は、基板2と同様に、シリコンウエハ、又は、1つ又は数個の集積回路の素子を含むシリコンウエハにより形成することができる。第2の基板8は、第2の基板8と第2の電流コレクタ7との間のパッシベーション膜不図示を備えることができる。半田ボール10は、第2の電流コレクタ7のコンタクト面7aの上に配置される。半田ボール10は、第2の基板8の面に突出部又はバンプを形成するように、周知の方法図1により第2の電流コレクタ7の上に形成される図1。有利には、第2の電流コレクタ7は、第2の基板8に対して良好な接着力を有し、半田ボール10を形成する材料に対して良好な濡れ性を有し、且つ、内部機械ストレスも低い。好ましくは、第2の電流コレクタ7は、その上に形成された半田ボール10を有するコンタクト面7aが設けられた第2の金属膜を備える。有利には、第2の金属膜は、半田ボール10と第2の金属膜との間の金属種の内部拡散を避けるために、第1の金属膜6とは異なる。第2の金属膜は、第2の基板8又は第2の基板8のパッシベーション膜と半田ボール10が結合することを促進させるような、UBM、又は、アンダーバンプメタリゼーションと呼ばれる金属化された膜を形成する。さらに、好ましくは、第2の金属膜は、特に、Liイオンのような化学種といった、マイクロ電池の中で生じる電気化学的反応を含む種の拡散に対するバリアを形成する。好ましくは、第2の金属膜は、Pt、Cr、Au、Ti、W、Mo、Ni又はVもしくはこれらの合金から選択される1つ又はいくつかの金属からなる。第2の金属膜は、適切な機械的特性を得るために、積層されたいくつかの金属膜から形成された積層からなる。図1に示されるように、第2の電流コレクタ7は、第2の金属膜を形成することができる。スタック1においては、好ましくは、第1の金属膜6は、銅、スズ、及び、銅スズ合金から選択される金属から形成される。変形例としては、第1の金属膜6は、金属ベースの複数の膜の積層から形成することができる。スタックの中の膜の1つには、コンタクト面6aが設けられ図1の上面、半田ボール10と接触し、銅、スズ、及び、銅スズ合金から選択される金属からなる。半田ボール10は、第1の金属膜6の材料と異なる材料から形成される。半田ボール10は、導電性材料から形成され、有利には、スズSn、銀Ag、インジウムIn、金Au、及び/又は、銅Cuから選択され、好ましくは、SnAgCu、AuSn、SnCu、及び、AgIn合金から選択された材料から形成される。マイクロ電池の製造方法の次のステップは、第2の電極11を形成することである。このステップは、少なくとも半田ボール10を用いて第1の金属膜6及び第2の電流コレクタ7を半田付することにより、第1の基板2及び第2の基板8をアセンブルすることを備える。ここでアセンブルとは、第1の基板2及び第2の基板8を機械的に接続する永久的なアセンブルを意味する。用いられる機械的アセンブルは、フリップチップとして知られる接続と似ており、それは、接続される表面を、従来のワイヤボンディングを用いてサイドとサイドとをアセンブルするというものではなく、面と面とでアセンブルする。このアセンブルは、容積を最適化することと、ボンディングのための第2の基板8の追加表面領域を確保する必要がない点で、優れている。第1の基板2及び第2の基板8は、半田ボール10が第1の金属膜6に接触するように、アセンブルの間、向かい合って配置される。従って、第2の基板8の半田ボール10は、半田ボール10が第1の金属膜6の前に配置されるように、第1の基板2のスタック1の前に配置される。図2及び図3に示すように、半田ボール10の再溶解のステップは、接触と同時に行われる。好ましくは、再溶解は熱処理である。熱処理は再溶解炉を用いることにより行われる。図2に示されるように、再溶解の初期には、半田ボール10及び第1の金属膜6から、それらの界面において金属種の内部拡散が生じる。金属種としては、例えば金属間化合物intermetalliccompoundsの形態で、充填されたload/charge又は充填されていない金属元素が指示的にdesignate用いられる。半田ボール10の再溶解は、半田ボール10から第1の金属膜6への金属種の移動を促進させる。熱処理及び金属種の移動は、半田ボール10と第1の金属膜6との間の界面における化学反応を誘発し、新しい金属間化合物を形成する。図3に示されるように、界面の反応は、半田ボール10と第1の金属膜6との間の界面において金属間化合物膜を形成し、それが第2の電極11を形成する。従って、アセンブルステップの間、第2の電極11は半田ボール10の再溶解により形成される。第2の電極11は、半田ボール10及び第1の金属膜6の金属種の内部拡散の結果、少なくとも1つの金属間化合物により形成された半田接合により形成される。半田ボール10は、このアセンブルステップの間に部分的に消耗し、第2の電流コレクタ7と第2の電極11との間に第2の電極11と導電性膜12とを形成する。導電性膜12は、半田ボール10の部分により形成され、第1の金属膜6とは反応しない。導電性膜12は、半田ボール10と同じ材料から形成される。さらに、第2の電極11を形成する半田接合は、第1の基板2と第2の基板8とを機械的に接続する。半田付ステップは、第2の電極11を形成し、第1の基板2及び第2の基板8をアセンブルすることを可能にする。熱処理のパラメータは、第1の金属膜6と第2の電流コレクタ7と半田ボール10との材料特性に依存する。特に、温度保持期間の継続durationは、第2の電極11の所定の厚さに従って決定される。半田付ステップの熱処理のパラメータは、特に、熱処理時間については、形成される金属間化合物膜の厚さを制御することができる。例えば、第1の銅金属膜と、SnAgCu合金により形成された半田ボール10とを用いる。SnAgCu合金は、95.5のSnと、3.8のAgと、0.7のCuとを備え、Snマトリックス中に分散した金属間化合物Cu6Sn5及びAg3Snから形成された公知の共晶混合物構造に対応する。熱処理は170°Cから260°Cの間の範囲の温度で実施され、温度維持期間の継続は1分から5分である。温度処理は、いくつかの温度ステージを備え、170°Cから260°Cの間である。Fouassierらの文献ConceptionofaconsumablecopperreactionzoneforaNiTi/SnAgCucompositematerialComposites、PartA3320021391-1395に示されるように、Sn-Cu金属間化合物膜は銅膜の上でSnAgCu合金を再溶解することにより得ることができる。さらに、Fouassierらは、Sn-Cu金属間化合物膜の組成と膜厚とは、一定の温度にある温度維持期間の継続に特に依存することを明らかにした。第2の電極11は、半田ボール10と第1の金属膜6との間の内部拡散結果から生じた少なくとも1つの銅及びスズの金属間化合物からなる。特に、第2の電極11は、金属間化合物Cu6Sn5、及び/又は、Cu3Snからなり、これらは、マイクロ電池の活性材料として活性化を示し、従来のリチウム挿入材料の代わりとして有望なものとしてこの技術において説明される。実際には、文献ElectorodepositionofSn-Cualloyanodesforlithiumbatteriesにおいて、Weihuaらは、Sn-Cu合金からなる電極は正常に動作すると書いている。Weihuaらは、Sn-Cu金属間化合物からなる電極は、特に、充電及び放電能力に関して、及び、サイクル抵抗に関して、良好なパフォーマンスを有することを明らかにした。先に説明した製造方法は、第1の基板2と第2の基板8との間に配置された複数の薄膜のアセンブリを備えるマイクロ電池を得ることができ、アセンブリは、第1の基板2から連続的に、第1の電流コレクタ3と、第1の電極4と、電解質5と、半田接合から形成された第2の電極11と、第2の電極7とを形成する図3。マイクロ電池は、第2の電極11と第2の電流コレクタ7との間に導電性膜12を備える。有利には、第2の電流コレクタ7は、第2の金属膜により形成され、第2の基板8と一体化した電気素子9と電気的に接続することができる。第2の電極11は、第1の基板2と第2の基板8との間に機械的接合を確保する。少なくとも1つの金属間化合物からなる第2の電極11は、体積膨張は小さく、マイクロ電池の機械的強度を確保する。図4に示すように、第2の電極11を形成するステップに続いて、周知の方法によるマイクロ電池を封止する封止ステップを行う。マイクロ電池は、封止膜13により封止され、この膜は、マイクロ電池を形成する素子に対して挿入されている。封止膜13は、マイクロ電池を密封し、外部環境からマイクロ電池を保護する。封止膜13は、フリップチップタイプの接合に用いられるアンダーフィルと呼ばれる樹脂又は半導体用封止樹脂からなる。好ましくは、封止膜13は、アモルファスシリカ粒が充填されたエポキシベースの樹脂化合物からなる。このタイプの樹脂にアモルファスシリカを含ませることは、全体的な剛性を増加させ、熱膨張係数を減少させ、内部湿度の生成に対する強い耐性を与える。図5に示される変形例によれば、製造方法は、第1の実施形態とは異なり、第2の電流コレクタ7のコンタクト面7aの代わりに、アセンブルステップの前に、半田ボール10を第1の金属膜6のコンタクト面6a上に堆積する。第1の基板2及び第2の基板8のアセンブリは、第2の電流コレクタ7のコンタクト面7aと接触するように半田ボール10を配置し、半田ボール10を再溶解することにより行われる。他のステップは、先に説明した第1の実施形態と同じである。他の変形例によれば、図示していないが、マイクロ電池は、電解質5と第2の電極11との間に配置された第3の電極を備える。このようなマイクロ電池の製造方法は、第1の基板2から始めて、第1の電流コレクタ3と、第1の電極4と、電解質5と、第3の電極と、第1の金属膜6とを連続的に備えるスタック1が最初に形成されることを除いて、先に説明した第1の実施形態と同じである。図6から図8に示される第2の実施形態によれば、マイクロ電池が平坦ではない構造を有することを除いて、マイクロ電池の製造方法は、先に説明した第1の実施形態と同じである。図6に示されるように、第1の基板2は模様を有する。模様とは、例えばトレンチであり、第1の基板2の上に複数の薄膜を連続的に堆積することによりスタック1が形成される前に、第1の基板2の表面に形成される。スタック1は、第1に基板2から始めて、第1の電流コレクタ3と、第1の電極4と、電解質5と、第1の金属膜6とを連続的に備える。第1の金属膜6は、スタック1の表面に、コンタクト面6aを形成する金属トラックを形成する。第2の基板8は、第2の電流コレクタ7を備え、半田ボール10は、先に説明した第1の実施形態と同様に、コンタクト面7aの上に形成される。図7に示されるように、第2の基板8の半田ボール10は金属トラック6aと並んでおり、金属トラック6aと接するように配置される。第1の基板2及び第2の基板8は、先に説明した方法と同様の方法により、第1の金属膜6と第2の電流コレクタ7とを半田付することによりアセンブルされる。好ましくは、第1の基板2に形成されたパターンは、半田ボール10と第1の金属膜6との再溶解物で満たされている図7。図8に示すように、第2の電極11は、方法におけるアセンブルステップの間に形成され、この後、形成されたマイクロ電池は第1の特有の実施形態と同様の方法により封止される。平坦ではない構成は、マイクロ電池のパフォーマンスを向上させる。第1の基板2の表面の模様は、電解質5と第1の電極4及び第2の電極11との間のコンタクト面を増加させることを可能にする。このような平坦ではない構造は、イオン交換を促進させ、よってマイクロ電池の能力を改善する。本発明は、ここに記載された実施形態に限定されるものではなく、この実施形態は単なる一例である。特に、半田付は、様々な半田ボール10を用いて周知の方法に従って行うことができる。本発明にかかる製造方法は、実施が簡単であり、且つ、マイクロエレクトロニクス分野で行われる技術と親和性を有する。一般的には、製造方法は、特に、このような集積回路のマイクロ素子の電力供給をするために、集積回路にマイクロ電池を組み入れることを低コストで行うことができる。従来技術の製造方法とは異なり、製造方法において2つの基板を用いることは、様々なサイズのマイクロ電池の製造を可能にし、集積回路の製造ステップに対する親和性をさらに増加させることができる。本発明にかかる製造方法は、基板に集積される複数のマイクロ素子が共有することができる製造ステップを含む。さらに、製造方法は、様々なマイクロ電池の間の接続と製造モードの共有とを考慮することができる。さらに、本発明によるマイクロ電池は、特に基板の面と面とのアセンブルにより、高い電気的パフォーマンスを有し、マイクロ素子とマイクロ電池とを接続する電気トラックの長さを減少させ、よって、ノイズや寄生信号を減少させる。