III族窒化物半導体レーザであって、基板、半導体領域及び絶縁層を含むレーザ構造体と、前記レーザ構造体の前記半導体領域の上に設けられたオーミック電極と、前記レーザ構造体及び前記オーミック電極に接触を成す金属電極と、前記レーザ構造体及び前記金属電極に接触を成す熱伝搬金属層と、前記レーザ構造体の前記基板の裏面の上に設けられた裏面電極と、を備え、前記基板は、III族窒化物半導体からなる半極性主面を有し、前記半導体領域は、前記半極性主面の上に設けられ、前記絶縁層は、前記半導体領域の主面を覆い、前記基板の前記半極性主面は基準面に沿って延在し、該基準面は、前記III族窒化物半導体の<0001>軸及び<000-1>軸のいずれかの方向に延びる基準軸に直交する面に対して、ゼロより大きな傾斜角を成し、前記レーザ構造体の前記半導体領域は、前記レーザ構造体の一端面から他端面への第1方向に延在する半導体リッジを有し、前記オーミック電極は前記半導体リッジの上面の上に設けられ、前記半導体リッジの上において前記熱伝搬金属層の厚さは前記金属電極の厚さより大きく、前記半導体リッジの上において前記熱伝搬金属層の厚さは3μm以上であり、前記半導体領域は、第1導電型III族窒化物半導体層と、活性層と、第2導電型III族窒化物半導体層とを含み、前記第1導電型III族窒化物半導体層、前記活性層及び前記第2導電型III族窒化物半導体層は、前記基板の前記半極性主面の法線軸の方向を示す第2方向に配列されており、前記オーミック電極の幅、前記金属電極の幅、及び前記熱伝搬金属層の幅は、前記第1方向及び前記第2方向に交差する第3方向に規定され、前記金属電極の前記幅は前記オーミック電極の前記幅より大きく、前記熱伝搬金属層の前記幅は前記金属電極の前記幅より大きい、III族窒化物半導体レーザ。前記熱伝搬金属層の前記幅は150μm以上である、請求項1に記載されたIII族窒化物半導体レーザ。前記半導体リッジの上において前記金属電極の厚さは0.3μm以上であり、前記オーミック電極は前記一端面の上縁から前記他端面の上縁まで延在し、前記金属電極は前記一端面の上縁から前記他端面の上縁まで延在し、前記熱伝搬金属層は前記一端面の前記上縁及び前記他端面の前記上縁から離れている、請求項1又は請求項2に記載されたIII族窒化物半導体レーザ。前記レーザ構造体の前記一端面の上に設けられた誘電体多層膜を更に備え、前記半導体リッジの上において前記金属電極の厚さは1μm以下である、請求項1~請求項3のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ。前記熱伝搬金属層は銀層を含み、前記銀層は前記熱伝搬金属層の全厚の0.8倍以上である、請求項1~請求項4のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ。前記熱伝搬金属層の厚みは10μm以下である、請求項1~請求項5のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ。前記熱伝搬金属層は、前記金属電極に接触を成すセンタ部と、前記絶縁層に接触する第1ウイング部及び第2ウイング部とを含み、前記熱伝搬金属層において前記センタ部は前記第1ウイング部と前記第2ウイング部との間にある、請求項1~請求項6のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ。前記オーミック電極は前記半導体リッジの上面に接触を成し、前記半導体リッジの側面は、前記半導体リッジの前記上面に対して、90度より小さい角度で傾斜しており、前記絶縁層は前記オーミック電極の側面の上に設けられ、前記金属電極は、前記半導体リッジの前記上面及び前記側面の上に設けられたセンタ部と、前記絶縁層に接触する第1及び第2ウイング部とを含み、前記金属電極において前記センタ部は前記第1ウイング部と前記第2ウイング部との間にある、請求項1~請求項7のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ。前記レーザ構造体は、第1部分、第2部分、第3部分、第4部分及び第5部分を備え、前記第1部分、前記第2部分、前記第3部分、前記第4部分及び前記第5部分は前記第3方向に順に配列されており、前記第1部分、前記第2部分、前記第3部分、前記第4部分及び前記第5部分の各々は前記第1方向に延在し、前記第3部分は前記半導体リッジを含み、前記金属電極は前記第2部分、前記第3部分及び前記第4部分の上に設けられると共に、前記第1部分及び前記第5部分の上に設けられておらず、前記熱伝搬金属層は前記第1部分、前記第2部分、前記第3部分、前記第4部分及び前記第5部分の上に設けられる、請求項8に記載されたIII族窒化物半導体レーザ。前記レーザ構造体は、第6部分及び第7部分を更に備え、前記半導体領域の前記第6部分及び第7部分の各々は、当該III族窒化物半導体レーザの側面を含み、前記第1部分、前記第2部分、前記第3部分、前記第4部分及び前記第5部分は前記第6部分と前記第7部分との間に設けられ、前記熱伝搬金属層は前記第6部分及び前記第7部分の上に設けられていない、請求項9に記載されたIII族窒化物半導体レーザ。前記オーミック電極は、Pd、Ni、Pt、及びAuの少なくともいずれかの金属から成る、請求項1~請求項10のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ。前記金属電極は、Ti、Pt、及びAuの少なくともいずれかの金属から成る、請求項1~請求項11のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ。前記熱伝搬金属層は、Au、Ag、Pt、及びTiの少なくともいずれかの金属から成る、請求項1~請求項12のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ。前記基板はIII族窒化物半導体からなり、前記基板の前記半極性主面は、前記基準軸に直交する面から10度以上80度未満の角度で傾斜しており、前記基板の前記裏面は、前記基準軸に直交する面から10度以上80度未満の角度で傾斜している、請求項1~請求項13のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ。前記III族窒化物半導体レーザの光ガイド層と活性層との界面は、前記基準軸に直交する面から10度以上80度未満の角度で傾斜している、請求項1~請求項14のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ。前記III族窒化物半導体レーザの光ガイド層と活性層との界面は、前記基準軸に直交する面からm軸方向に63度以上80度未満の角度で傾斜しており、前記活性層はInGaN層を含む、請求項1~請求項15のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ。前記III族窒化物半導体レーザの発振波長が、480nm以上540nm以下である、請求項1~請求項16のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ。前記III族窒化物半導体レーザの発振波長が、510nm以上540nm以下である、請求項1~請求項17のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザ。半導体レーザ装置であって、搭載面を有するサブマウントと、請求項1~請求項18のいずれか一項に記載されたIII族窒化物半導体レーザと、前記III族窒化物半導体レーザの前記裏面電極を前記搭載面に固定する導電性接着部材と、を備える、半導体レーザ装置。特許文献1では、メッキ層が一方の共振器端面から他方の共振器端面にわたってp電極上に形成されている。共振器端面の付近のメッキ層幅は、共振器端面の間に位置する中央部分のメッキ層幅より大きい。これにより、端面付近における放熱性を向上させると共に、共振器端面を形成するようなへき開を可能にしている。III族窒化物半導体発光素子では、青や青紫の発光だけでなく、発光波長範囲が拡大されている。III族窒化物半導体レーザは、発光の際に、GaAsやInPといった半導体を用いる発光素子に比べて多量の熱を発生する。この熱の放出経路は、III族窒化物半導体レーザが実装された形態に応じて異なる。実装形態は、以下の2つがある:III族窒化物半導体レーザのエピ面上の電極をサブマウントに搭載する形態pダウン形態と呼ぶ;III族窒化物半導体レーザの基板上の電極をサブマウントに搭載する形態pアップ形態と呼ぶ。pダウン形態では、III族窒化物半導体レーザの活性層からの熱は、エピタキシャル層を伝搬して、アノード電極に到達する。エピ面上のアノード電極がサブマウントに向けられているので、活性層からの熱はアノード電極からサブマウントに伝搬する。これ故に、pダウン形態の実装は、比較的良好な放熱をIII族窒化物半導体レーザに提供できる。pアップ形態では、III族窒化物半導体レーザの活性層からの熱は、エピタキシャル層及び基板を伝搬して、裏面電極に到達する。活性層からの熱は裏面電極からサブマウントに伝搬する。基板の厚さは、基板上に成長されたエピタキシャル層の厚さより大きいので、pアップ形態の実装における放熱経路は、pダウン形態の実装における放熱経路より長い。このように、III族窒化物半導体レーザにおいては、pダウン形態の実装とpアップ形態の実装との間に放熱特性の差がある。上記の説明によれば、pダウン形態の実装は、pアップ形態の実装に比べて優れた放熱をIII族窒化物半導体レーザに提供できる。本発明は、このような事情を鑑みて為されたものであり、pダウン実装における放熱特性とpアップ実装における放熱特性との差を低減可能な構造を有するIII族窒化物半導体レーザを提供することを目的とし、また、III族窒化物半導体レーザを含む半導体レーザ装置を提供することを目的とする。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザは、a基板、半導体領域及び絶縁層を含むレーザ構造体と、b前記レーザ構造体の前記半導体領域の上に設けられたオーミック電極と、c前記レーザ構造体及び前記オーミック電極に接触を成す金属電極と、d前記レーザ構造体及び前記金属電極に接触を成す熱伝搬金属層と、e前記レーザ構造体の前記基板の裏面の上に設けられた裏面電極とを備える。前記基板は、III族窒化物半導体からなる半極性主面を有し、前記半導体領域は、前記半極性主面の上に設けられ、前記絶縁層は、前記半導体領域の主面を覆い、前記基板の前記半極性主面は基準面に沿って延在し、該基準面は、前記III族窒化物半導体の<0001>軸及び<000-1>軸のいずれかの方向に延びる基準軸に直交する面に対して、ゼロより大きな傾斜角を成し、前記レーザ構造体の前記半導体領域は、前記レーザ構造体の一端面から他端面への第1方向に延在する半導体リッジを有し、前記オーミック電極は前記半導体リッジの上面の上に設けられ、前記半導体リッジの上において前記熱伝搬金属層の厚さは前記金属電極の厚さより大きく、前記半導体リッジの上において前記熱伝搬金属層の厚さは3μm以上であり、前記半導体領域は、第1導電型III族窒化物半導体層と、活性層と、第2導電型III族窒化物半導体層とを含み、前記第1導電型III族窒化物半導体層、前記活性層及び前記第2導電型III族窒化物半導体層は、前記基板の前記半極性主面の法線軸の方向を示す第2方向に配列されており、前記オーミック電極の幅、前記金属電極の幅、及び前記熱伝搬金属層の幅は、前記第1方向及び前記第2方向に交差する第3方向に規定され、前記金属電極の前記幅は前記オーミック電極の前記幅より大きく、前記熱伝搬金属層の前記幅は前記金属電極の前記幅より大きい。このIII族窒化物半導体レーザによれば、活性層へ供給される電流は、半導体リッジによる狭窄幅からやや拡がって活性層に到達し、活性層は半導体リッジにより狭窄された電流により発光する。活性層の発光領域は発熱する。この熱の一部は、半導体リッジを介してオーミック電極へ伝わり、この熱の別の一部は、活性層の発光領域から半導体領域及び基板を介して基板裏面に伝わる。また、このIII族窒化物半導体レーザによれば、金属電極がレーザ構造体及びオーミック電極に接触を成すので、活性層からの熱が半導体リッジ及びオーミック電極を介して金属電極に伝わる。オーミック電極からの熱は、オーミック電極の幅より大きい幅の金属電極を伝搬して、半導体リッジから離れた半導体リッジ外側に伝わる。金属電極はオーミック電極だけでなくレーザ構造体に接触するので、金属電極からの熱の一部は再びレーザ構造体に伝わり、この熱はレーザ構造体を伝搬して基板裏面に向けて伝搬する。さらに、このIII族窒化物半導体レーザによれば、熱伝搬金属層は金属電極に接触を成すので、金属電極からの熱の残りの一部は、金属電極の幅より広い幅の熱伝搬金属層を伝搬して、半導体リッジ及び金属電極から離れた熱伝搬金属層に伝わる。熱伝搬金属層は金属電極だけでなくレーザ構造体に接触するので、熱伝搬金属層からの熱は再びレーザ構造体に伝わり、この熱はレーザ構造体を伝搬して基板裏面に向けて伝搬する。熱伝搬金属層の厚さは3μm以上であると共に熱伝搬金属層は3つの電極の最上層に位置するので、半導体リッジ、オーミック電極及び金属電極を介して活性層から伝搬してきた熱は、半導体リッジから離れたレーザ構造体上の熱伝搬金属層まで伝搬し、また熱伝搬属層を伝導してきた熱は再びレーザ構造体に伝わる。熱伝搬属層からの熱の一部は再びレーザ構造体に伝わり、この熱はレーザ構造体を伝搬して基板裏面に向けて伝搬する。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザでは、前記熱伝搬金属層の前記幅は150μm以上であることができる。このIII族窒化物半導体レーザによれば、熱伝搬金属層の幅が150μm以上であるとき、半導体リッジからの熱を半導体リッジから離れた遠方にまで伝搬させることができる。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザでは、前記半導体リッジ上において前記金属電極の厚さは0.3μm以上であり、前記オーミック電極は前記一端面の上縁から前記他端面の上縁まで延在し、前記金属電極は前記一端面の上縁から前記他端面の上縁まで延在し、前記熱伝搬金属層は前記一端面の前記上縁及び前記他端面の前記上縁から離れていることができる。このIII族窒化物半導体レーザによれば、オーミック電極及び金属電極は一端面の上縁から他端面の上縁まで延在するので、半導体リッジ全体にわたって電流を供給できると共に、半導体リッジからの熱はオーミック電極を介して金属電極に伝わる。熱伝搬金属層が一端面の上縁及び他端面の上縁から離れているので、III族窒化物半導体レーザの作製における半導体チップへの分離の際に、厚膜の熱伝搬金属層による影響を受けない。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザは、前記レーザ構造体の前記一端面の上に設けられた誘電体多層膜を更に備えることができる。前記半導体リッジ上において前記金属電極の厚さは1μm以下であることが好ましい。このIII族窒化物半導体レーザによれば、金属電極の厚さが1μm以下であるとき、誘電体多層膜の異常成長を低減できる。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザでは、前記熱伝搬金属層は銀層を含み、前記銀層は前記熱伝搬金属層の全厚の0.8倍以上であることが好ましい。このIII族窒化物半導体レーザによれば、銀の高熱伝導性及び十分な厚みの銀層の利用により、熱伝搬金属層は良好な熱伝導を有する。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザでは、前記熱伝搬金属層の厚みは10μm以下であることが好ましい。このIII族窒化物半導体レーザによれば、熱伝搬金属層からレーザ構造体への応力による信頼性低下を避けることができる。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザでは、前記熱伝搬金属層は、前記金属電極に接触を成すセンタ部と、前記絶縁層に接触する第1及び第2ウイング部とを含み、前記熱伝搬金属層において前記センタ部は前記第1ウイング部と前記第2ウイング部との間にあることができる。このIII族窒化物半導体レーザによれば、熱伝搬金属層は、金属電極に接触を成すセンタ部の外側に絶縁層に接触する第1及び第2ウイング部を有するので、半導体リッジからの熱をセンタ部に受けて、この熱はセンタ部から第1及び第2ウイング部に伝搬し、この熱は第1及び第2ウイング部から絶縁層を介して半導体領域に伝わる。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザでは、前記オーミック電極は前記半導体リッジの上面に接触を成し、前記半導体リッジの側面は、90度より小さい角度で前記半導体リッジの前記上面に対して傾斜しており、前記絶縁層は前記オーミック電極の側面上に設けられ、前記金属電極は、前記半導体リッジの前記上面及び前記側面の上に設けられたセンタ部と、前記絶縁層に接触する第1及び第2ウイング部とを含み、前記金属電極において前記センタ部は前記第1ウイング部と前記第2ウイング部との間にあることができる。このIII族窒化物半導体レーザによれば、半導体リッジからの熱は、半導体リッジの側面を介して金属電極に伝わる。金属電極は、半導体リッジの上面及び側面の上に設けられたセンタ部の外側に絶縁層に接触する第1及び第2ウイング部を有するので、半導体リッジからの熱をセンタ部に受けて、この熱はセンタ部から第1及び第2ウイング部に伝搬し、この熱は第1及び第2ウイング部から絶縁層を介して半導体領域に伝わる。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザでは、前記レーザ構造体は、第1部分、第2部分、第3部分、第4部分及び第5部分を備えることができる。前記第1部分、前記第2部分、前記第3部分、前記第4部分及び前記第5部分は前記第2方向に順に配列されており、前記第1部分、前記第2部分、前記第3部分、前記第4部分及び前記第5部分の各々は前記第1方向に延在し、前記第3部分は前記半導体リッジを含み、前記金属電極は前記第2部分、前記第3部分及び前記第4部分の上に設けられると共に、前記第1部分及び前記第5部分の上に設けられておらず、前記熱伝搬金属層は前記第1部分~前記第5部分上に設けられることができる。また、本発明に係るIII族窒化物半導体レーザでは、前記レーザ構造体は、第6部分及び第7部分を更に備えることができる。前記半導体領域の前記第6部分及び第7部分の各々は、当該III族窒化物半導体レーザの側面を含み、前記第1部分、前記第2部分、前記第3部分、前記第4部分及び前記第5部分は前記第6部分と前記第7部分との間に設けられ、前記熱伝搬金属層は前記第6部分及び前記第7部分の上に設けられていない。このIII族窒化物半導体レーザによれば、半導体領域の第6部分及び第7部分の各々は当該III族窒化物半導体レーザの側面を含むと共に、熱伝搬金属層は第6部分及び前記第7部分の上に設けられていない。これ故に、熱伝搬金属層の側縁は、第1方向に延在するIII族窒化物半導体レーザ側面から離れるように設けられる。III族窒化物半導体レーザを作製する際に、厚膜の熱伝搬金属層の剥がれを避けることができる。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザでは、前記オーミック電極は、Pd、Ni、Pt、及びAuの少なくともいずれかの金属から成ることが好ましい。このIII族窒化物半導体レーザによれば、これらの金属は、半極性面に対して良好な電気接触を提供できる。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザでは、前記金属電極は、Ti、Pt、及びAuの少なくともいずれかの金属から成ることが好ましい。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザでは、前記熱伝搬金属層は、Au、Ag、Pt、及びTiの少なくともいずれかの金属から成ることができる。このIII族窒化物半導体レーザによれば、これらの金属は、良好な熱伝導性を有する。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザでは、前記基板はIII族窒化物半導体からなり、前記基板の前記半極性主面は、前記基準軸に直交する面から10度以上80度未満の角度で傾斜しており、前記基板の前記裏面は、前記基準軸に直交する面から10度以上80度未満の角度で傾斜していることができる。このIII族窒化物半導体レーザによれば、基板裏面において、第1方向の熱膨張係数は第3方向の熱膨張係数と異なる。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザでは、前記III族窒化物半導体レーザの光ガイド層と活性層との界面は、前記基準軸に直交する面から10度以上80度未満の角度で傾斜していることができる。このIII族窒化物半導体レーザによれば、III族窒化物半導体レーザのレーザ特性は、c面の極性やm面及びa面の無極性ではない半極性の性質に基づく。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザでは、前記III族窒化物半導体レーザの光ガイド層と活性層との界面は、前記基準軸に直交する面からm軸方向に63度以上80度未満の角度で傾斜しており、前記活性層はInGaN層を含むことができる。このIII族窒化物半導体レーザによれば、上記の角度範囲では、活性層のInGaN層に、高In組成及び均一なIn組成を提供できる。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザでは、前記半導体レーザ素子の発振波長が、480nm以上540nm以下であることができる。このIII族窒化物半導体レーザによれば、この波長領域の光を生成する発光素子は、高放熱特性を必要とする。本発明に係るIII族窒化物半導体レーザでは、前記半導体レーザ素子の発振波長が、510nm以上540nm以下であることができる。このIII族窒化物半導体レーザによれば、この波長領域緑色の光を生成する発光素子は、高放熱特性を必要とする。本発明に係る半導体レーザ装置は、a搭載面を有するサブマウントと、b上記のいずれかのIII族窒化物半導体レーザと、c前記III族窒化物半導体レーザの前記裏面電極を前記搭載面に固定する導電性接着部材とを備える。この半導体レーザ装置によれば、III族窒化物半導体レーザはいわゆるpアップ形態で実装される。本発明に係る半導体レーザ装置は、a搭載面を有するサブマウントと、b上記のいずれかのIII族窒化物半導体レーザと、c前記III族窒化物半導体レーザの前記熱伝搬金属層を前記搭載面に固定する導電性接着部材とを備える。この半導体レーザ装置によれば、III族窒化物半導体レーザはいわゆるpダウン形態で実装される。以上説明したように、本発明によれば、pダウン形態における放熱特性とpアップ形態における放熱特性との差を低減可能な構造を有するIII族窒化物半導体レーザを提供でき、また、III族窒化物半導体レーザを含む半導体レーザ装置を提供できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、III族窒化物半導体レーザ、及び半導体レーザ装置に係る本発明の実施形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。図1は、本実施の形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子の構造を概略的に示す図面である。図2は、本実施の形態に係るIII族窒化物半導体レーザ素子の断面構造を概略的に示す図面である。III族窒化物半導体レーザ素子11は、リッジ構造を有する。III族窒化物半導体レーザ素子11は、レーザ構造体13及びオーミック電極15を備える。レーザ構造体13は、基板17、半導体領域19、及び絶縁層31を含む。基板17は、六方晶系のIII族窒化物半導体からなり、また半極性主面17a及び裏面17bを有する。基板17の半極性主面17aは基準面に沿って延在し、この基準面は基板11のIII族窒化物半導体の<0001>軸及び<000-1>軸のいずれかの方向に延びる基準軸に直交する面に対して、ゼロより大きな傾斜角を成す。半導体領域19は、基板17の半極性主面17a上に設けられている。オーミック電極15は、レーザ構造体13の半導体領域19上に設けられる。半導体領域19は、第1のクラッド層21と、第2のクラッド層23と、活性層25とを含む。第1のクラッド層21は、第1導電型III族窒化物半導体層を含み、例えばn型AlGaN、n型InAlGaN等からなる。第2のクラッド層23は、第2導電型III族窒化物半導体層を含み、例えばp型AlGaN、p型InAlGaN等からなる。活性層25は、第1のクラッド層21と第2のクラッド層23との間に設けられる。活性層25は窒化ガリウム系半導体層を含み、この窒化ガリウム系半導体層は例えば井戸層25aである。活性層25は窒化ガリウム系半導体からなる障壁層25bを含み、井戸層25a及び障壁層25bは交互に配列されている。井戸層25aは、例えばInGaN等からなり、障壁層25bは例えばGaN、InGaN等からなる。活性層25は、480nm以上540nm以下の波長の範囲内の光を発生するように設けられた量子井戸構造を含むことができる。この発振波長の領域の光を生成する発光素子は、高放熱特性を必要とする。また、半極性面の利用により、波長510nm以上540nm以下の光の発生に好適である。この波長領域緑色の光を生成する発光素子は、高放熱特性を必要とする。第1のクラッド層21、第2のクラッド層23及び活性層25は、半極性主面17aの法線軸NXに沿って配列されている。III族窒化物半導体レーザ素子11では、レーザ構造体13は、六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び法線軸NXによって規定されるm-n面に交差する第1の割断面27及び第2の割断面29を含む。図1を参照すると、直交座標系S及び結晶座標系CRが描かれている。法線軸NXは、直交座標系SのZ軸の方向に向く。半極性主面17aは、直交座標系SのX軸及びY軸により規定される所定の平面に平行に延在する。図1には、代表的なc面Scが描かれている。六方晶系のIII族窒化物半導体のc軸を示す基準軸Cxは、III族窒化物半導体のc軸からm軸へ向かう方向に法線軸NXに対してゼロより大きな角度ALPHAで傾斜している。基準軸Cxは、<0001>軸及び<000-1>軸のいずれかの方向を向いている。また、基板17の半極性主面17aは、ある基準面に沿って延在しており、この基準面は、III族窒化物半導体のc軸の方向に延びる基準軸Cxに直交する面例えばScに対して角度ALPHAで傾斜する。III族窒化物半導体レーザ素子11では、絶縁層31はレーザ構造体13の半導体領域19の表面19aを覆っており、半導体領域19は絶縁層31と基板17との間に位置する。絶縁層31は開口31aを有し、開口31aは半導体領域19の表面19aと上記のm-n面との交差線LIXの方向に延在し、例えばストライプ形状を成す。オーミック電極15は、開口31aを介して半導体領域19の、例えばp型コンタクト層33の表面に接触を成しており、上記の交差線LIXの方向に延在する。III族窒化物半導体レーザ素子11では、レーザ導波路は、第1のクラッド層21、第2のクラッド層23及び活性層25を含み、また上記の交差線LIXの方向に延在する。III族窒化物半導体レーザ素子11では、第1の割断面27及び第2の割断面29は、六方晶系III族窒化物半導体のm軸及び法線軸NX又はc軸によって規定されるm-n面又はm-c面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子11のレーザ共振器は第1及び第2の割断面27、29を含み、第1の割断面27及び第2の割断面29の一方から他方に、上記のレーザ導波路が延在している。レーザ構造体13は第1の面13a及び第2の面13bを含み、第1の面13aは第2の面13bの反対側の面である。第1及び第2の割断面27、29は、第1の面13aのエッジ13cから第2の面13bのエッジ13dまで延在する。本実施例では、第1及び第2の割断面27、29は、c面、m面又はa面といったこれまでのへき開面とは異なることができる。このIII族窒化物半導体レーザ素子11によれば、レーザ共振器を構成する第1及び第2の割断面27、29がm-n面に交差する。これ故に、m-n面と半極性面17aとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を設けることができる。これ故に、III族窒化物半導体レーザ素子11は、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有することになる。III族窒化物半導体レーザ素子11は、n側光ガイド層35及びp側光ガイド層37を含む。n側光ガイド層35は、第1の部分35a及び第2の部分35bを含み、n側光ガイド層35は例えばGaN、InGaN等からなる。p側光ガイド層37は、第1の部分37a及び第2の部分37bを含み、p側光ガイド層37は例えばGaN、InGaN等からなる。電子ブロック層39は、例えば第1の部分37aと第2の部分37bとの間に設けられる。基板17の裏面17bには裏面電極41が設けられ、裏面電極41は例えば基板17の裏面17bを覆っている。第1及び第2の割断面27、29の少なくとも一方、又はそれぞれに設けられた誘電体多層膜43を更に備えることができる。破断面27、29にも端面コートを適用できる。端面コートにより反射率を調整できる。図1及び図2を参照すると、III族窒化物半導体レーザ素子11は、金属電極45及び熱伝搬金属層47を更に備える。III族窒化物半導体レーザ素子11では、オーミック電極15はレーザ構造体13の半導体領域19上に設けられる。金属電極45は、レーザ構造体13及びオーミック電極15に接触を成す。熱伝搬金属層47はレーザ構造体13及び金属電極45に接触を成す。レーザ構造体13は、レーザ構造体13の一端面43aから他端面43bへの第1方向例えばX軸に延在する半導体リッジ49を有する。オーミック電極15は半導体リッジ49の上面49a上に設けられる。半導体領域19の主面19aは半導体リッジ49を構成するような形状を有する。半導体リッジ49上において、熱伝搬金属層47の厚さD47は金属電極45の厚さD45より大きい。半導体リッジ49上において、熱伝搬金属層47の厚さD47は3μm以上である。金属電極45の幅W45はオーミック電極15の幅W15より大きく、熱伝搬金属層47の幅は金属電極45の幅W45より大きい。オーミック電極15の幅W15、金属電極45の幅W45、及び熱伝搬金属層47の幅W47は、第1方向X軸方向及び第2方向Z軸方向に交差する第3方向Y軸方向に規定される。このIII族窒化物半導体レーザ11によれば、図3を参照すると、活性層25へ供給される電流Iは、半導体リッジによる狭窄幅からやや拡がって活性層25に到達する。活性層25は半導体リッジ49により狭窄された電流により発光し、活性層25の発光領域は発熱する。この熱の一部TE1は、半導体リッジ49を介してオーミック電極15へ伝わり、この熱の別の一部TE2は、活性層25の発光領域から半導体領域19及び基板17を介して基板裏面17bに伝わる。金属電極45がオーミック電極15に接触を成すので、半導体リッジ49及びオーミック電極15を介して活性層25からの熱TE3が金属電極45に伝わる。オーミック電極15からの熱TE3は、オーミック電極15の幅より大きい幅の金属電極45を伝搬して、半導体リッジ49から離れた半導体リッジ49外側に伝わる。金属電極45はオーミック電極15だけでなくレーザ構造体13に接触するので、オーミック電極15からの熱の一部TE4はレーザ構造体に伝わり、この熱TE4はレーザ構造体13を伝搬して基板裏面17bに向けて伝搬する。熱伝搬金属層47は金属電極45に接触を成すので、熱伝搬金属層47は金属電極45から熱TE5を受ける。この熱の一部TE6は、金属電極45の幅より大きい幅の熱伝搬金属層47を伝搬して、半導体リッジ49及び金属電極45から離れた熱伝搬金属層47に伝わる。熱伝搬金属層47は金属電極45だけでなくレーザ構造体13に接触するので、熱伝搬金属層47からの熱TE6は再びレーザ構造体に伝わり、この熱TE6はレーザ構造体13を伝搬して基板裏面17bに向けて伝搬する。熱伝搬金属層47の厚さD47は3μm以上であると共に熱伝搬金属層47は3つの電極15、45、47のうちの最上層に位置するので、半導体リッジ49、オーミック電極15及び金属電極45を介して活性層25から伝搬してきた熱を、金属電極45とは別の経路で、半導体リッジ49から離れたレーザ構造体13上の熱伝搬金属層47まで伝搬する。熱伝搬属層47を伝導してきた熱はレーザ構造体13に伝わる。熱伝搬属層47からの熱の一部は再びレーザ構造体13に伝わり、この熱はレーザ構造体を伝搬して基板裏面に向けて伝搬する。図1に示されるように、半導体リッジ49上において金属電極45の厚さD45は0.3μm以上であり、オーミック電極15は割断面27の上縁13cから割断面29の上縁13eまで延在する。また、金属電極45は割断面27の上縁13cから割断面29の上縁13eまで延在する。熱伝搬金属層47は割断面27の上縁13c及び割断面29の上縁13eから離れていることができる。このIII族窒化物半導体レーザによれば、オーミック電極15及び金属電極45が割断面27の上縁13cから割断面29の上縁13eまで延在するので、半導体リッジ49全体にわたって電流を供給できると共に、半導体リッジ49からの熱はオーミック電極15を介して金属電極45に伝わる。また、熱伝搬金属層47が割断面27の上縁13c及び割断面29の上縁13eから離れているので、III族窒化物半導体レーザ11の作製における半導体チップへの分離の際に、厚膜の熱伝搬金属層47による影響を受けず、また熱伝搬金属層47の剥がれが生じない。熱伝搬金属層47の厚みは10μm以下であることが好ましい。熱伝搬金属層47からレーザ構造体13への応力による信頼性低下を避けることができる。誘電体多層膜43がレーザ構造体13の割断面27、29上に設けられる。半導体リッジ49上において金属電極45の厚さは1μm以下であることが好ましい。金属電極45の厚さD45が1μm以下であるとき、誘電体多層膜43の異常成長を低減できる。厚膜の熱伝搬金属層47が上縁13c及び上縁13eから離れているので、誘電体多層膜43の異常成長を引き起こすことがない。熱伝搬金属層47は銀層を含み、この銀層は熱伝搬金属層47の全厚の0.8倍以上であることが好ましい。銀の高熱伝導性及び十分な厚みの銀層の利用により、熱伝搬金属層47は良好な熱伝導を有する。例えば、この銀層の厚さは2.4μm以上であることが好ましい。オーミック電極15は、Pd、Ni、Pt、及びAuの少なくともいずれかの金属から成ることが好ましい。これらの金属は、半極性面に対して良好な電気接触を提供できる。金属電極45は、Ti、Pt、及びAuの少なくともいずれかの金属から成ることが好ましい。これらの金属は、オーミック電極に対して良好な密着性を提供できる。熱伝搬金属層47は、Au、Ag、Pt、及びTiの少なくともいずれかの金属から成ることができる。これらの金属は、金属電極に対して良好な密着性を提供できると共に良好な熱伝導性を有する。III族窒化物半導体レーザの光ガイド層35と活性層15との界面は、基準軸Cxに直交する面から10度以上80度未満の角度で傾斜している。このIII族窒化物半導体レーザ11のレーザ特性は、c面の極性やm面及びa面の無極性ではない半極性の性質に基づく。また、基板17の半極性主面17aは、例えば基準軸Cxに直交する面から10度以上80度未満の角度ALPHAで傾斜している。基板17の裏面17bは、例えば基準軸Cxに直交する面から10度以上80度未満の角度で傾斜していることができる。このIII族窒化物半導体レーザ11では、基板裏面17bにおいて、第1方向X軸方向の熱膨張係数は第3方向Y軸方向の熱膨張係数と異なる。III族窒化物半導体レーザ11では、基板17の半極性主面17aは、III族窒化物半導体のc軸からIII族窒化物半導体のm軸の方向に傾斜することができる。III族窒化物半導体レーザ11の光ガイド層35と活性層25との界面は、例えば基準軸Cxに直交する面からm軸方向に63度以上80度未満の角度で傾斜しており、活性層25はInGaN層を含むことができる。上記の角度範囲では、活性層25のInGaN層に、高In組成及び均一なIn組成を提供できる。図4は、III族窒化物半導体レーザ11を示す平面図である。図4に示されるように、熱伝搬金属層47の幅W47は150μm以上であることができる。熱伝搬金属層47の幅W47が150μm以上であるとき、半導体リッジ49からの熱を半導体リッジ49から離れた遠方にまで伝搬させることができる。半導体リッジ49の上部幅WT49は、例えば1μm~10μm程度であり、半導体リッジ49の下部幅WT49は、例えば1.5μm~10μm程度であることができる。金属電極45の幅W45は、例えば10μm~100μm程度であることができる。オーミック電極15の幅W15は例えば1μm~10μm程度であることができる。図4に示されるように、熱伝搬金属層47は、金属電極45に接触を成すセンタ部47aと、金属電極45に接触することなく絶縁層31に接触する第1及び第2ウイング部47b、47cとを含む。熱伝搬金属層47においてセンタ部47aは第1ウイング部47bと第2ウイング部47cとの間にある。熱伝搬金属層47は、金属電極45に接触を成すセンタ部47aに隣接してその両側に第1及び第2ウイング部47b、47cを有するので、半導体リッジ49からの熱をセンタ部47aに受けて、この熱をセンタ部47aからくみ出すための第1及び第2ウイング部47b、47cを介して、センタ部47aからの熱が第1及び第2ウイング部47b、47cを介して半導体領域19に伝搬する。オーミック電極15は半導体リッジ49の上面49aに接触を成し、半導体リッジ49の側面49bは、ある角度で半導体リッジ49の上面49aに対して傾斜しており、その角度は90度より小さい或いは90度以下であることができる。絶縁層31は、図2に示されるようにオーミック電極15の側面を覆うように設けられる。半導体リッジ49からの熱は、半導体リッジの側面を介して金属電極に伝わる。金属電極45は、半導体リッジ49の上面49a及び側面49bの上に設けられたセンタ部45aの外側に、絶縁層31に接触する第1及び第2ウイング部45b、45cを有するので、半導体リッジ49からの熱をセンタ部45aに受けて、この熱はセンタ部45aから第1及び第2ウイング部45b、45c並びに熱伝搬金属層47に伝搬し、伝搬した熱は第1及び第2ウイング部45b、45cから絶縁層31又は熱伝搬金属層47に伝わる。III族窒化物半導体レーザ11では、レーザ構造体13は、第1部分12a、第2部分12b、第3部分12c、第4部分12d及び第5部分12eを備えることができる。第1部分12a、第2部分12b、第3部分12c、第4部分12d及び第5部分12eは第2方向座標系SのY軸の方向に順に配列されており、第1部分12a、第2部分12b、第3部分12c、第4部分12d及び第5部分12eの各々は第1方向座標系SのX軸の方向に延在する。第3部分12cは半導体リッジ49を含む。金属電極45は第2部分12b、第3部分12c及び第4部分12d上に設けられると共に、第1部分12a及び第5部分12e上に設けられていない。熱伝搬金属層49は第1部分12a、第2部分12b、第3部分12c、第4部分12d及び第5部分12e上に設けられることができる。また、III族窒化物半導体レーザ11では、レーザ構造体13は、第6部分12f及び第7部分12gを更に備えることができる。第6部分12f及び第7部分12gは、それぞれ、当該III族窒化物半導体レーザ11の側面51d、51eを含む。第1部分12a~第5部分12eは第6部分12fと第7部分12gとの間に設けられる。熱伝搬金属層47は第6部分12f及び第7部分12g上に設けられていない。これ故に、熱伝搬金属層47の側縁47d、47eは、第1方向に延在するIII族窒化物半導体レーザ側面51d、51eから離れるように設けられる。III族窒化物半導体レーザを作製する際に、厚膜の熱伝搬金属層47の剥がれを避けることができる。熱伝搬金属層47の縁と素子側面の上縁との距離DE2は例えば20μm以上であることができる。熱伝搬金属層47の縁47f、47gと割断面27、29の上縁との距離DE1は例えば20μm以上であることができる。ディスプレイ用の半導体レーザとして、赤色半導体レーザ、緑色半導体レーザ、及び青色半導体レーザを用いることができる。モバイルプロジェクター用途の半導体レーザでは、光学ディスク用半導体レーザや通信用半導体レーザとは異なり十分な冷却機構を備えることができず、動作中の半導体レーザの素子温度が高い。また、ディスプレイ用の半導体レーザの発熱が大きい。特に、緑色半導体レーザの動作電圧は、赤色半導体レーザ及び青色半導体レーザに比べて高く、その外部量子効率も低い。これ故に、緑色半導体レーザの発熱量がより大きい。そこで、緑色半導体レーザにも適用可能な高い放熱性を有する素子構造が求められている。実施例1放熱性を良くするためには、半導体レーザのp側電極をサブマウントに接着する実装形態いわゆる、pダウン実装Pdowngが好ましい。しかしながら、このpダウン実装に比べて、n側電極をサブマウントに接着する実装形態いわゆる、pアップ実装Pupは、量産性に優れる。発明者らの数値実験によれば、図5に示されるように、半導体レーザの最上層の金属層の膜厚を厚くすることによって、半導体レーザにおける放熱性を向上できる。また、厚膜の金属層を用いることにより、図6に示されるように、例えば10μm厚の金属層をエピ面上に設けることにより、pアップ実装における放熱性をpダウン実装における放熱性に近づけ、また同等にまで向上させることができる。これを適用するとき、熱抵抗投入電力に対するジャンクション温度の上昇幅を示す値を下げることができる。図5及び図6から理解されるように、金属中で最も熱伝導率の良い銀を使用した場合でも、10μm程度にまで厚いパッド電極を必要とする。このような厚膜のパッド電極を半導体レーザのエピ面上に設けることは以下のような不具合を生じさせる可能性がある:例えば端面コートの異常成長。このような不具合を避けるために、発明者らの検討により、以下の構造を採用するに至る。その構造では、オーミック金属に接触を成す金属電極に加えて、新たに厚膜の熱伝達金属層を設ける。2層目の金属電極は端面コートに影響がない程度の膜厚で光導波路構造上の半導体リッジを覆い、3層目の熱伝達金属層は、放熱性を向上させるための厚積みになる。発明者らの見積もりによれば、緑色半導体レーザの放熱能力は、熱抵抗20°C/W以下であることが好ましい。図5に示されるように、熱伝達金属層の材料に銀を適用するとき、必要な銀層厚は約3μm以上であり、熱伝達金属層の材料に金を適用するとき、必要な金層厚は約4μm以上である。いずれの金属を採用する場合、10μmを越えて厚積みするとき、厚膜からの応力により半導体レーザの寿命を低下させることがある。これ故に、金属膜の厚さの上限を10μmである。また、共振器のための端面のエッジにおいて、パッド電極の厚さが1μmを超えるとき、レーザバー作製の際に電極バリの発生頻度が高くなる。電極バリの発生による歩留まり低下を避けるために、共振器のための端面における金属層厚の上限は1μmである。また、共振器のための端面における金属層厚が薄いとき、共振器端面付近の放熱性が低下する。この放熱性の低下を避けるために、金属層厚の下限は0.3μmである。放熱性向上のためには熱伝導率の最も高い銀が適している。ワイヤーボンディングのために最表層に金層を用い、下層との密着性を得るために最下層にチタン層を用いる。このとき、銀層の厚さは、熱伝達金属層の厚さの0.8倍以上であることが良い。図7は、本実施の形態に係る半導体レーザ装置及び半導体レーザモジュールを模式的に示す図面である。図7のa部を参照すると、半導体レーザ装置61が示される。半導体レーザ装置61は、サブマウント63、III族窒化物半導体レーザ11、及び導電性接着部材65を備える。サブマウント63は搭載面63a、及び搭載面63aの反対側の裏面63bを有する。搭載面63aは電極層63cを含むことができる。導電性接着部材65はIII族窒化物半導体レーザ11の裏面電極41を搭載面63aに固定する。この半導体レーザ装置61では、III族窒化物半導体レーザはいわゆるpアップ形態で実装される。サブマウント63の材料は例えばAlN、SiC、ダイヤモンド等からなる。図7のb部を参照すると、半導体レーザモジュール71が示される。半導体レーザ装置61は、ステム73の台座75上に搭載される。ステム73はリード端子77a、77b、77cを支持している。リード端子77aは、ボンディングワイヤ79aを介してIII族窒化物半導体レーザ11のアノード電極に接続される。リード端子77bは、サブマウント63の搭載面63a上の電極層63cにボンディングワイヤ79bを介して接続される。リード端子77cは、金属製のステム73に接続される。これらの半導体レーザモジュール71及び半導体レーザ装置61におけるIII族窒化物半導体レーザ11の放熱性に関しては、pダウン形態における放熱特性とpアップ形態における放熱特性との差を低減されている。図8は、半導体レーザの放熱性、及び半導体レーザ装置の放熱性に係るシミュレーション結果を示す図面である。図8のa部は、通常厚みのパッド電極を有しpダウン実装された半導体レーザの活性層及びアノード電極の近傍の温度分布を示す。図8のb部は、通常厚みのパッド電極を有しpアップ実装された半導体レーザの活性層及びアノード電極の近傍の温度分布を示す。図8のc部は、本実施の形態に係る電極構造を有しpアップ実装された半導体レーザの活性層及びアノード電極の近傍の温度分布を示す。これらの図面では、シミュレーションにより得られた温度分布を破線T123~T247で示しており、文字Tに続く複数桁の数字は温度の違いを表しており、大きい数値は高い温度を意味する。図8のb部における温度分布T160~T247と図8のc部における温度分布T136~T197とを比較すると、大幅な温度分布の改善が示される。また、図8のa部における温度分布T123~T197と図8のc部における温度分布T136~T197とを比較すると、通常の電極構造を有する半導体レーザのpダウン形態における放熱特性と本実施形態に係る半導体レーザのpアップ形態における放熱特性との差を低減できることが示される。図8のd部は、通常厚みのパッド電極を有しpダウン実装された半導体レーザとサブマウントとの接合近傍の温度分布を示す。図8のb部は、通常厚みのパッド電極を有しpアップ実装された半導体レーザとサブマウントとの接合近傍の温度分布を示す。図8のf部は、本実施の形態に係る電極構造を有しpアップ実装された半導体レーザとサブマウントとの接合近傍の温度分布を示す。これらの図面では、シミュレーションにより得られた温度分布を破線T37~T136で示しており、文字Tに続く複数桁の数字は温度の違いを表しており、大きい数値は高い温度を意味する。図8のe部における温度分布T37~T136と図8のf部における温度分布T37~T123とを比較すると、エピ面上の厚膜金属層の作用により、半導体リッジからの熱が半導体レーザの全体に拡がっている。また、図8のd部における温度分布T37~T111と図8のf部における温度分布T37~T123とを比較すると、本実施形態に係る半導体レーザの全体を通してサブマウントに熱が伝わる様子を示し、実装形態による放熱特性の差が縮小されていることを示す。図9を参照しながら、本実施形態に係る半導体レーザを作製する方法を簡単に説明する。{20-21}面GaN基板上に、n型InAlGaNクラッド層In組成:0.03、Al組成0.14、n型GaN光ガイド層、n型InGaN光ガイド層In組成0.03、アンドープInGaN光ガイド層In組成0.03、InGaN活性層In組成0.30、アンドープInGaN光ガイド層In組成0.03、p型GaN光ガイド層、n型InAlGaNクラッド層In組成:0.03、Al組成0.14、p型GaNコンタクト層を成長してエピタキシャル基板を作製する。次いで、この準備されたエピタキシャル基板上に、図9のa部に示されるように、Pd膜を成長する。図9のb部に示されるように、リッジを規定するマスクAl/Ti/SiO2をPd膜上に形成する。図9のc部に示されるように、このマスクを用いて、Pd膜のドライエッチングを行い、Pd電極層を形成する。図9のd部に示されるように、同じマスクを用いて窒化ガリウム系半導体領域のドライエッチングを行って半導体リッジを形成する。ドライエッチングの後に、図9のe部に示されるように、SiO2膜を成長する。次いで、図9のf部に示されるように、Al膜のリフトオフにより半導体リッジを形成する。半導体リッジの上には、Pd電極層が位置する。この上に、図9のg部に示されるように、Auからなる金属電極をリフトオフ法で形成する。さらに、図9のg部に示されるように、Ti層、Ag層及びAu層からなる熱伝搬金属層をリフトオフ法で形成する。次いで、基板研磨の後に、図9のi部に示されるように、Ti/Auからなる裏面電極を形成する。これらの工程により基板生産物が作製される。この基板生産物にスクライブ及び押厚を行って、レーザバーを作製する。レーザ端面に端面コートを形成する。端面コートとしては、例えばSiO2/TiO2多層膜、やSiO2/ZrO2多層膜を用いることができる。多層膜の繰り返し数は例えば2~5層である。この後に、レーザバーの分離により、個々の半導体レーザを作製する。この半導体レーザをpアップ形態でサブマウントに搭載して、半導体レーザ装置を作製する。この半導体レーザ装置をキャンケースに実装する。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。