"窒化物半導体とは異なる基板の上面に窒化物半導体が成長されたウエハから前記窒化物半導体を除去して前記基板を再利用可能な状態に再生する方法であって、第1の方法で前記窒化物半導体の一部を除去する第1の工程と、前記第1の工程の後、前記第1の方法とは異なる第2の方法で前記窒化物半導体の少なくとも一部を除去する第2の工程と、を含み、前記第2の方法は、前記ウエハを加熱炉で加熱することである基板の再生方法。前記第1の工程において、前記窒化物半導体の一部を除去することにより形成される凹部の底面に前記基板の上面を露出させる請求項1に記載の基板の再生方法。前記第1の工程において、前記窒化物半導体を複数の島状領域に分断する請求項2に記載の基板の再生方法。前記第1の方法は、レーザ照射である請求項1乃至3のいずれか一項に記載の基板の再生方法。前記第2の工程の後、前記基板の上面を化学機械的研磨する第3の工程を含み、前記基板は、前記第1~3の工程により再利用可能な状態に再生される請求項1乃至4のいずれか一項に記載の基板の再生方法。請求項1乃至5のいずれか一項に記載の方法を用いて再生された基板の上面に窒化物半導体の素子構造を形成する窒化物半導体素子の製造方法。しかしながら、基板上に成長される一般的な窒化物半導体は、通常、特許文献1に記載されているような熱分解に適した分離層を備えておらず、そのような窒化物半導体の全てを熱処理だけで除去するには、多くの工数を必要とする。また、特許文献2に記載されているように、窒化物半導体層の全面にレーザ照射を行う場合には、多くの工数が必要なうえ、基板に与えるダメージが大きくなり、基板にクラックや割れが発生したり、そのダメージを除去するために研磨量が増大したり、する虞がある。また、窒化物半導体を機械的に削って除去する場合、一般的には研削、ラップ研磨、化学機械的研磨CMP;ChemicalMechanicalPolishingの3工程の各装置設備が必要となり、コストが高くなりやすい。そこで、本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、比較的安価で且つ品質を維持しやすい基板の再生方法を提供することを目的とする。上記課題を解決するために、本発明は、窒化物半導体とは異なる基板の上面に窒化物半導体が成長されたウエハから前記窒化物半導体を除去して前記基板を再利用可能な状態に再生する方法であって、第1の方法で前記窒化物半導体の一部を除去する第1の工程と、前記第1の工程の後、前記第1の方法とは異なる第2の方法で前記窒化物半導体の少なくとも一部を除去する第2の工程と、を含み、前記第2の方法は、前記ウエハを加熱炉で加熱することであることを特徴とする。本発明によれば、処理によるダメージを抑えながら、比較的少ない工数で、基板を再生することができる。以下、発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。但し、以下に説明する基板の再生方法及び該再生方法を用いた窒化物半導体素子の製造方法は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。<実施の形態1>図1は、実施の形態1に係る基板の再生方法の各工程a~eを説明する概略断面図である。図1に示すように、本実施の形態1では、窒化物半導体とは異なる基板10の上面11に窒化物半導体20が成長されたウエハ30から窒化物半導体20を除去して基板10を再利用可能な状態に再生する。まず、図1aに示すように、ウエハ30を準備する。そして、図1bに示すように、第1の工程では、第1の方法で窒化物半導体20の一部を除去する。次に、図1cに示すように、第2の工程では、第1の工程の後、第1の方法とは異なる第2の方法で窒化物半導体20の少なくとも一部を除去する。ここで、第2の方法は、ウエハ30を加熱炉50で加熱することである。次に、図1dに示すように、第3の工程では、基板の上面11を化学機械的研磨する。これらの工程により、図1eに示すように、基板10を再利用可能な状態に再生することができる。このように、本発明では、基板10の上面11に成長された窒化物半導体20を除去する方法の1つとして、加熱炉50による加熱を用いる。この方法は、加熱炉50内にウエハ30を放置しておけばよく、非常に簡便であり、また複数のウエハ30を同時に処理することができる。さらに、基板10に与えるダメージが比較的少なく、基板10の品質を維持しやすい。ただ、多くのウエハ30において、基板の上面11に成長された窒化物半導体20の上面は、未加工の状態では略平坦である。また、窒化物半導体20の熱分解は、その露出面から内側に進行する傾向がある。窒化物半導体20を未加工の状態のまま、ウエハ30を加熱炉50で加熱するのが最も簡単であり、それでもよいのであるが、それでは窒化物半導体20の略全てを熱分解させるのに時間がかかりやすい。そこで、ウエハ30を加熱炉50で加熱する前に、窒化物半導体20の一部を除去して窒化物半導体20に凹部25を形成しておく。これにより、窒化物半導体20に露出面が多く設けられるので、窒化物半導体20を熱分解により効率良く除去することができる。また、窒化物半導体20の構成物質による加熱炉50内の汚染を抑制することができ、加熱炉50の保守点検作業の負担を軽減することができる。以下、実施の形態1の基板の再生方法における、各工程について詳述する。ウエハ基板10は、窒化物半導体より融点の高い材料で構成されていることが好ましい。基板10の具体的な材料としては、サファイア、スピネル、炭化珪素などが挙げられ、特にサファイアが好ましい。基板10の上面視形状は、矩形や三角形、扇形などでもよいが、円形が好ましい。オリエンテーションフラットやインデックスフラット、ノッチなどが形成されていてもよい。基板10の大きさは、例えば1インチ以上8インチ以下、好ましくは2インチ以上6インチ以下、より好ましくは2インチ以上4インチ以下とする。基板10の厚さは、例えば0.1mm以上3mm以下、好ましくは0.3mm以上2mm以下、より好ましくは0.5mm以上1mm以下とする。基板の上面11は、C面0001を有することが好ましいが、M面{1-100}、A面{11-20}、R面{1-102}などを有してもよい。また、基板の上面11が、これらの結晶面から、例えば0.5°以下、好ましくは0.1°以上0.2°以下の範囲で傾斜したオフ角を有するものでもよい。なお、本実施の形態1では、基板の上面11は、上記のような結晶面に略平行な平坦面である。窒化物半導体20は、主として、一般式InxAlyGa1-x-yN0≦x≦1、0≦y≦1、xy≦1で表されるものであり、シリコン、酸素などのn型不純物、及び/又はマグネシウム、炭素などのp型不純物が添加されていてもよい。また、窒化物半導体20は、薄膜、厚膜、単層膜、多層膜、素子構造のいずれであってもよい。さらに、窒化物半導体20は、基板10上に、バッファ層などを介して又は含んで、成長されてもよい。窒化物半導体20の厚さは、例えば100nm以上1mm以下であり、好ましくは1μm以上10μm以下である。窒化物半導体20は、有機金属化学気相堆積法MOCVD法、ハイドライド気相エピタキシ法HVPE法などにより成長させることができる。また、窒化物半導体20上に電極及び/又は絶縁膜が形成されていてもよい。第1の工程図2a及びbは、各々、第1及び第2の工程における窒化物半導体の状態の一例を示す概略上面図である。図1b及び図2aに示すように、第1の工程では、第1の方法で、窒化物半導体20の一部を除去して窒化物半導体20に凹部25を形成する。凹部25の上面視形状は、点状、線状、枠状、格子状四角格子のほか、三角格子、六角格子、ランダム格子なども含むなどが挙げられ、なかでも窒化物半導体20の露出面が多く設けられやすい格子状であることが好ましい。また、凹部25の底面は、窒化物半導体20の表面であってもよいが、窒化物半導体20の露出面がより大きく設けられるように、基板の上面11が露出されていることが好ましい。特に、図2aに示すように、凹部25によって、窒化物半導体20を複数の島状領域に分断することが好ましい。これにより、図2bに示すように、第2の工程において、各島状領域の窒化物半導体20を熱分解により速やかに除去しやすく、基板10の再生に要する工数を大幅に削減することができる。第1の工程と第2の工程で除去する窒化物半導体20の割合は、工数や基板の品質の維持などを考慮して決めればよい。第1の工程で除去する窒化物半導体20の割合は、例えば全体の10以上90以下、好ましくは20以上80以下とする。第1の方法としては、レーザ照射、反応性イオンエッチングなどのドライエッチング、研削、研磨、ダイシング、スクライビング、サンドブラスト又はこれらの方法の組み合わせ、が挙げられる。特に、レーザ照射は、保護膜の形成を必要とせず、レーザ光40の焦点付近の窒化物半導体20を選択的に除去可能であって、簡便で、基板10に与えるダメージが比較的少なく、好ましい。レーザ光40のスポットは、レンズ、フィルタ、スリットなどの光学部品を介することで、上記のような所望の凹部25の上面視形状と同様の形状に調整することができる。レーザ照射は、基板10に与えるダメージや窒化物半導体20の除去精度の観点では、点状のスポットのレーザ光40を走査して行うことが好ましいが、線状、枠状、格子状などのスポットのレーザ光40を単発的に照射して行うこともできる。レーザ光40は、ウエハ30に、窒化物半導体20側から照射してもよいが、基板10側基板の下面19側から照射することで、低い光出力で窒化物半導体20を除去しやすく、基板10に与えるダメージが少ないため、好ましい。レーザ照射は、エキシマレーザ、YAGレーザ、CO2レーザなどのレーザ装置を用いて行うことができる。第2の工程図1c及び図2bに示すように、第2の工程では、ウエハ30を加熱炉50で加熱することにより、第1の工程で残された窒化物半導体20の少なくとも一部、好ましくはその略全部、を除去する。加熱炉50内は、窒素雰囲気、水素雰囲気、又はこれらの混合雰囲気であることが好ましい。加熱の温度は、高いほど窒化物半導体20の熱分解を促進しやすいが、基板10に与えるダメージを考慮して、例えば1000°C以上2000°C以下とし、好ましくは1200°C以上1800°C以下とし、より好ましくは1400°C以上1600°C以下とする。加熱の時間は、窒化物半導体20の少なくとも一部、好ましくはその略全部が除去されるまでの時間であり、温度にも依存するため特に限定されないが、短いほど良い。なお、窒化物半導体20が除去された後、基板10にクラックや割れが発生するのを抑制するため、加熱炉内を徐冷することが好ましく、降温速度は、例えば0.5°C/分以上3°C/分以下、好ましくは1°C/分以上2°C/分以下とする。第3の工程図1dに示すように、第3の工程では、基板の上面11を化学機械的研磨する。具体的には、例えば、砥粒と薬液を含むスラリーを回転する定盤上に滴下しながら、基板の上面11を研磨する。本再生方法では、第2の工程後、基板10のダメージは比較的少ないため、基板の上面11を少ない研磨量で鏡面に仕上げることが可能である。このため、研削又はラップ研磨など粗研磨を省略して、工数を削減することができる。したがって、基板10は、第1~3の工程により再利用可能な状態に再生されることが好ましい。無論、必要であれば、研削及び/又はラップ研磨を介してもよい。そして、この第3の工程により、図1eに示すように、基板の上面11を鏡面に仕上げ、結晶成長用の下地基板として利用可能な基板10に再生することができる。なお、図1に示すように、基板10の下面裏面19は、梨地状など、未研磨であってもよい。そして、基板10は、この下面19を未処理のまま再生されることで、片面の処理で済み、歩留まりを高めることができる。<実施の形態2>図3は、実施の形態2に係る基板の再生方法の各工程a~fを説明する概略断面図である。本実施の形態2では、基板10の複数の凸部15を有する上面11に、窒化物半導体の素子構造21が成長されたウエハ31を使用する。素子構造21の一例としては、n型半導体層、活性層、p型半導体層がこの順に積層された発光素子構造がある。以下、各工程について詳述するが、図3a~eに示す工程は、上述の実施の形態1と実質的に同様であるため、説明を省略する。第4の工程本実施の形態の基板の再生方法は、図3fに示すように、第3の工程の後、基板の上面11に凹凸加工を施す第4の工程を含んでもよい。この凹凸は、例えば、基板の上面11に、保護膜をパターン形成した後、ウエットエッチング又はドライエッチングを施すことにより形成できる。特に、ウエットエッチングが、簡便且つ安価であり、好ましい。第4の工程は、第3の工程を省略して、第2の工程の後に行うこともできるが、第2の工程の後、基板の上面11に残存する金属ガリウムなどの残渣を第3の工程で予め除去し、第3の工程の後に行うことが好ましい。再利用以上、実施の形態1,2に記述するような再生方法を用いて再生された基板10は、窒化物半導体の結晶成長用基板として利用することができる。すなわち、この再生された基板の上面11に窒化物半導体の素子構造を形成して、窒化物半導体素子を製造することができる。本再生方法では、高い品質を維持しながら基板10を再生することができる。ひいては、新品の基板初めてその上に窒化物半導体が成長される基板を使用する場合とほぼ同等の特性を有する窒化物半導体素子を製造することができる。以下、本発明に係る実施例について詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定されないことは言うまでもない。<実施例1>直径3インチ、厚さ0.55mmのサファイア基板のC面0001を有する上面に、窒化物半導体の多層膜厚さ5μm程度が成長されたウエハを準備する。なお、この多層膜は、発光ダイオードの製造用MOCVD装置を調整するため、試験的に成長されたものである。また、このサファイア基板は、片面研磨品、より詳細には上面が鏡面に研磨され、下面が梨地状に加工されているものである。まず、サファイア基板の下面側からウエハにレーザ光を照射して、窒化物半導体の多層膜の一部を除去する。本実施例では、発振波長248nm、光出力320mJ、パルス数25ppsのエキシマレーザを用いる。レーザ光のスポットは、直径1~2mmの点状であって、そのレーザ光を60°ずつ回転した3方向に5mm程度の間隔で走査する。次に、ウエハを窒素雰囲気、大気圧の加熱炉内で加熱する。より詳細には、ウエハを加熱炉に入れ、1400°Cまで6時間かけて昇温させ、1400°Cで8時間保持し、その後12時間かけて室温まで降温させる。なお、本例では、上記のようにレーザ照射の処理を施した25枚のウエハを、加熱炉内に並べて配置し、同時に加熱する。これにより、窒化物半導体の多層膜は、そのほぼ全てが除去される。次に、ほぼ基板のみとなったウエハを、ステンレス製のプレートにワックスで固定し、コロイダルシリカ平均粒径75μm、41wtを純水で80に希釈したものをスラリーとして用い、シリンダ加圧0.2MPa、定盤回転数50rpm、2時間、化学機械的研磨する。以上のようにして、サファイア基板を再利用可能な状態に再生することができる。本実施例1の再生方法によれば、加熱炉による加熱処理のみで窒化物半導体20の全てを除去する場合に比べ、加熱炉内での高温保持時間を1時間以上短縮することができる。"