"電子部品が実装された回路基板における任意の2点間の電気的特性値を測定する測定部と、前記測定された電気的特性値に基づいて前記2点間に実装された前記電子部品を検査対象部品として検査する処理部とを備えている回路基板実装部品の検査装置であって、一方の電極が前記回路基板に実装されたスイッチ素子の一方の入出力電極に接続され、かつ他方の電極が前記回路基板に形成された導体パターンに接続された前記検査対象部品としての第1部品の検査に際し、前記測定部は、前記スイッチ素子の他方の入出力電極と前記導体パターンとの2点間の前記電気的特性値を測定し、前記処理部は、前記スイッチ素子をオン状態に移行させたときに前記測定部によって測定される前記電気的特性値である第1電気的特性値に基づいて前記第1部品の電気的特性値を算出し、当該算出した電気的特性値に基づいて当該第1部品を検査する回路基板実装部品の検査装置。前記回路基板には、前記第1部品と同種の他の前記電子部品であって、一方の電極が前記他方の入出力電極に接続されると共に他方の電極が前記導体パターンに接続された第2部品が実装され、前記処理部は、前記スイッチ素子をオン状態に移行させたときに前記測定部によって測定される前記第1電気的特性値としての前記第1部品および前記第2部品の合成電気的特性値と、前記スイッチ素子をオフ状態に移行させたときに前記測定部によって測定される第2電気的特性値としての前記第2部品の電気的特性値とに基づいて、当該第1部品の前記電気的特性値を算出し、当該算出した電気的特性値に基づいて当該第1部品を検査する請求項1記載の回路基板実装部品の検査装置。電子部品が実装された回路基板における任意の2点間の電気的特性値を測定する測定部と、前記測定された電気的特性値に基づいて前記2点間に実装された前記電子部品を検査対象部品として検査する処理部とを備えている回路基板実装部品の検査装置であって、常態においてオン状態となっているスイッチ素子を介して同種の他の前記電子部品と並列接続された状態で回路基板に実装されている前記検査対象部品の検査に際し、前記処理部は、前記スイッチ素子をオフ状態に移行させた状態において前記検査対象部品の前記電気的特性値を測定し、当該測定された電気的特性値に基づいて当該検査対象部品を検査する回路基板実装部品の検査装置。回路基板に実装された電子部品のうちの検査対象部品の電気的特性値を測定し、当該測定した電気的特性値に基づいて当該検査対象部品を検査する回路基板実装部品の検査方法であって、一方の電極が前記回路基板に実装されたスイッチ素子の一方の入出力電極に接続され、かつ他方の電極が前記回路基板に形成された導体パターンに接続された前記検査対象部品としての第1部品の検査に際し、前記スイッチ素子をオン状態に移行させて、当該スイッチ素子の他方の入出力電極と前記導体パターンとの2点間の前記電気的特性値を第1電気的特性値として測定し、当該測定した第1電気的特性値に基づいて前記第1部品の電気的特性値を算出し、前記算出した電気的特性値に基づいて前記第1部品を検査する回路基板実装部品の検査方法。前記回路基板には、前記第1部品と同種の他の前記電子部品であって、一方の電極が前記他方の入出力電極に接続されると共に他方の電極が前記導体パターンに接続された第2部品が実装され、前記スイッチ素子をオン状態に移行させたときに測定される前記第1電気的特性値としての前記第1部品および前記第2部品の合成電気的特性値と、前記スイッチ素子をオフ状態に移行させたときに測定される前記第2電気的特性値としての前記第2部品の電気的特性値とに基づいて、前記第1部品の前記電気的特性値を算出し、当該算出した電気的特性値に基づいて当該第1部品を検査する請求項4記載の回路基板実装部品の検査方法。常態においてオン状態となっているスイッチ素子を介して同種の他の電子部品と並列接続された状態で回路基板に実装されている検査対象部品の電気的特性値に基づいて当該検査対象部品を検査する回路基板実装部品の検査方法であって、前記スイッチ素子をオフ状態に移行させて、前記検査対象部品の前記電気的特性値を測定する回路基板実装部品の検査方法。ところが、この従来の回路基板検査装置には、以下の改善すべき課題が存在している。すなわち、この回路基板検査装置では、静電容量値や抵抗値などの電気的特性値を計測すべき電子部品検査対象部品が例えば他の電子部品に近接して配置されていることが原因となって、一方の電極およびこの電極に接続されている導体パターンのいずれかと、他方の電極およびこの電極に接続されている導体パターンのいずれかとにプローブを同時に接触させることができないときには、この検査対象部品の電気的特性値を計測できない。このため、回路基板検査装置には、このような検査対象部品について検査を実行するのが困難であるという課題が存在している。また、検査対象部品がその一方の電極およびこの電極に接続されている導体パターンのいずれかと、その他方の電極およびこの電極に接続されている導体パターンのいずれかとにプローブを同時に接触させることができるものであっても、同種の他の電子部品と並列接続されているときには、これが原因となって、このような検査対象部品についての電気的特性値を計測できない。このため、この回路基板検査装置には、このような電子部品についての検査が困難であるという解決すべき課題も存在している。本発明は、かかる課題を改善すべくなされたものであり、プローブを各電極に同時に接触させることが困難な検査対象部品や、同種の他の電子部品と並列接続されている検査対象部品についての検査を可能とする回路基板実装部品の検査装置、および回路基板実装部品の検査方法を提供することを主目的とする。上記目的を達成すべく請求項1記載の回路基板実装部品の検査装置は、電子部品が実装された回路基板における任意の2点間の電気的特性値を測定する測定部と、前記測定された電気的特性値に基づいて前記2点間に実装された前記電子部品を検査対象部品として検査する処理部とを備えている回路基板実装部品の検査装置であって、一方の電極が前記回路基板に実装されたスイッチ素子の一方の入出力電極に接続され、かつ他方の電極が前記回路基板に形成された導体パターンに接続された前記検査対象部品としての第1部品の検査に際し、前記測定部は、前記スイッチ素子の他方の入出力電極と前記導体パターンとの2点間の前記電気的特性値を測定し、前記処理部は、前記スイッチ素子をオン状態に移行させたときに前記測定部によって測定される前記電気的特性値である第1電気的特性値に基づいて前記第1部品の電気的特性値を算出し、当該算出した電気的特性値に基づいて当該第1部品を検査する。また、請求項2記載の回路基板実装部品の検査装置は、請求項1記載の回路基板実装部品の検査装置において、前記回路基板には、前記第1部品と同種の他の前記電子部品であって、一方の電極が前記他方の入出力電極に接続されると共に他方の電極が前記導体パターンに接続された第2部品が実装され、前記処理部は、前記スイッチ素子をオン状態に移行させたときに前記測定部によって測定される前記第1電気的特性値としての前記第1部品および前記第2部品の合成電気的特性値と、前記スイッチ素子をオフ状態に移行させたときに前記測定部によって測定される第2電気的特性値としての前記第2部品の電気的特性値とに基づいて、当該第1部品の前記電気的特性値を算出し、当該算出した電気的特性値に基づいて当該第1部品を検査する。また、請求項3記載の回路基板実装部品の検査装置は、電子部品が実装された回路基板における任意の2点間の電気的特性値を測定する測定部と、前記測定された電気的特性値に基づいて前記2点間に実装された前記電子部品を検査対象部品として検査する処理部とを備えている回路基板実装部品の検査装置であって、常態においてオン状態となっているスイッチ素子を介して同種の他の前記電子部品と並列接続された状態で回路基板に実装されている前記検査対象部品の検査に際し、前記処理部は、前記スイッチ素子をオフ状態に移行させた状態において前記検査対象部品の前記電気的特性値を測定し、当該測定された電気的特性値に基づいて当該検査対象部品を検査する。また、上記目的を達成すべく請求項4記載の回路基板実装部品の検査方法は、回路基板に実装された電子部品のうちの検査対象部品の電気的特性値を測定し、当該測定した電気的特性値に基づいて当該検査対象部品を検査する回路基板実装部品の検査方法であって、一方の電極が前記回路基板に実装されたスイッチ素子の一方の入出力電極に接続され、かつ他方の電極が前記回路基板に形成された導体パターンに接続された前記検査対象部品としての第1部品の検査に際し、前記スイッチ素子をオン状態に移行させて、当該スイッチ素子の他方の入出力電極と前記導体パターンとの2点間の前記電気的特性値を第1電気的特性値として測定し、当該測定した第1電気的特性値に基づいて前記第1部品の電気的特性値を算出し、前記算出した電気的特性値に基づいて前記第1部品を検査する。また、請求項5記載の回路基板実装部品の検査方法は、請求項4記載の回路基板実装部品の検査方法において、前記回路基板には、前記第1部品と同種の他の前記電子部品であって、一方の電極が前記他方の入出力電極に接続されると共に他方の電極が前記導体パターンに接続された第2部品が実装され、前記スイッチ素子をオン状態に移行させたときに測定される前記第1電気的特性値としての前記第1部品および前記第2部品の合成電気的特性値と、前記スイッチ素子をオフ状態に移行させたときに測定される前記第2電気的特性値としての前記第2部品の電気的特性値とに基づいて、前記第1部品の前記電気的特性値を算出し、当該算出した電気的特性値に基づいて当該第1部品を検査する。また、請求項6記載の回路基板実装部品の検査方法は、常態においてオン状態となっているスイッチ素子を介して同種の他の電子部品と並列接続された状態で回路基板に実装されている検査対象部品の電気的特性値に基づいて当該検査対象部品を検査する回路基板実装部品の検査方法であって、前記スイッチ素子をオフ状態に移行させて、前記検査対象部品の前記電気的特性値を測定する。請求項1記載の回路基板実装部品の検査装置および請求項4記載の回路基板実装部品の検査方法によれば、スイッチ素子をオン状態に移行させたときに測定される電気的特性値である第1電気的特性値に基づいて第1部品の電気的特性値を算出し、算出した電気的特性値に基づいて第1部品を検査することにより、両電極にプローブを同時に直接接触させてその電気的特性値を測定できない検査対象部品に対する検査を可能とすることができるため、回路基板に実装されている検査すべき検査対象部品に占める実際に検査し得る検査対象部品の割合である検査率を高めることができる。請求項2記載の回路基板実装部品の検査装置および請求項5記載の回路基板実装部品の検査方法では、スイッチ素子をオン状態に移行させたときに測定部によって測定される第1電気的特性値としての第1部品および第2部品の合成電気的特性値と、スイッチ素子をオフ状態に移行させたときに測定部によって測定される第2電気的特性値としての第2部品の電気的特性値とに基づいて、第1部品の電気的特性値を算出し、算出した電気的特性値に基づいて第1部品を検査する。したがって、この回路基板実装部品の検査装置および回路基板実装部品の検査方法によれば、このような検査対象部品に対する検査についても可能とすることができるため、検査率を一層高めることができる。請求項3記載の回路基板実装部品の検査装置および請求項6記載の回路基板実装部品の検査方法では、自らの一方の電極および他方の電極に対してプローブを直接接続することが可能となっているものの、常態においては、オン状態のスイッチ素子によって互いに並列接続された状態となっている2つの検査対象部品については、スイッチ素子をオフ状態に制御して並列状態を解除することにより、各検査対象部品の電気的特性値を個別に測定し、この測定したそれぞれの電気的特性値に基づいて検査する。したがって、この回路基板実装部品の検査装置および回路基板実装部品の検査方法によれば、このような検査対象部品に対する検査についても可能とすることができるため、検査率をより一層高めることができる。以下、添付図面を参照して、回路基板実装部品の検査装置および検査方法の実施の形態について説明する。最初に、検査装置1の構成について、図1を参照して説明する。検査装置1は、一例として、回路基板2に予め規定された接触ポイント3に接触させられる複数本例では一例として2本のプローブ4、プローブ4を移動させる移動機構不図示、測定部5、処理部6および出力部7を備え、回路基板2に実装されている電子部品実装部品のうちの検査対象部品に対する検査を実行する。2本のプローブ4は、処理部6によって制御された移動機構により、回路基板2に規定された複数の接触ポイント3のうちから選択された任意の2つの接触ポイント3に接触させられる。測定部5は、一例としてデジタルマルチメータ図示せずを用いて構成されて、2本のプローブ4を介して接続された2点つまり、2つの接触ポイント3間の電気的特性値Dmを測定する。また、測定部5は、測定した電気的特性値Dmを処理部6に出力する。本例では、後述するように、コンデンサが検査対象部品であるため、測定部5は、コンデンサの静電容量値を電気的特性値Dmとして測定して出力する。処理部6は、一例として、CPUおよびメモリいずれも図示せずを備え、移動機構に対する制御処理、回路基板2に実装されたスイッチ素子に対する制御処理オン状態またはオフ状態に移行させる制御処理、検査対象部品に対する検査処理、および検査処理の結果を出力部7に出力させる出力処理を実行する。メモリには、検査対象部品毎の接触ポイント3についての位置情報と、検査対象部品毎の基準電気的特性値が予め記憶されている。出力部7は、一例として、LCDLiquidCrystalDisplayなどの表示装置で構成されている。また、出力部7は、処理部6が実行した検査処理での結果を処理部6から入力して、画面に表示する。次に、検査装置1の動作と併せて回路基板実装部品の検査方法について、図面を参照して説明する。最初に、回路基板2の構成について説明する。本例では、一例として、図1に示すように、回路基板2には、電子部品として、複数のコンデンサ本例では7つのコンデンサ11,12,13,14,15,16,17、スイッチ素子としてのアナログスイッチ18、および他のスイッチ素子としてのリレー19,20が実装されている。なお、各コンデンサ11~17は検査対象部品であるため、処理部6のメモリには、検査対象部品毎の基準電気的特性値として、コンデンサ11~17のそれぞれに対する基準容量値が予め記憶されている。本例では、各コンデンサ11~17の基準電気的特性値の一例として、各コンデンサ11~17として正規の静電容量のコンデンサが正常な状態で実装されているときに、測定部5によって測定される静電容量値の範囲を示す上限容量値および下限容量値が記憶されている。コンデンサ11は、一方の電極が接触ポイント3として規定されると共に導体パターン31に接続され、他方の電極が導体パターン32本例では一例として回路基板2内の基準電位導体パターンいわゆるグランドパターンに接続されている。この導体パターン32の一部は、接触ポイント3として規定されている。コンデンサ12は、一方の電極が接触ポイント3として規定されて導体パターン33に接続され、かつ他方の電極が導体パターン32に接続されている。コンデンサ13第1部品は、一方の電極13aが導体パターン34を介してアナログスイッチ18の一方の入出力電極18aに接続され、他方の電極13bが導体パターン32に接続されている。本例では、コンデンサ13およびアナログスイッチ18のそれぞれの構造上、および導体パターン34の引き回しの構造上、コンデンサ13の電極13a、アナログスイッチ18の各入出力電極18a,18b、および導体パターン34のいずれに対してもプローブ4を直接接触させることが不能となっている。このため、電極13a、各入出力電極18a,18b、および導体パターン34のいずれにも接触ポイント3は規定されていない状態となっている。コンデンサ14他の第1部品は、一方の電極14aが導体パターン35を介してリレー19の一方の入出力電極19aに接続され、他方の電極14bが導体パターン32に接続されている。コンデンサ15第2部品は、コンデンサ14と同種の他の電子部品であって、一方の電極が接触ポイント3として規定されると共に導体パターン36に接続され、他方の電極が導体パターン32に接続されている。また、コンデンサ15は、一方の電極が導体パターン36を介してリレー19の他方の入出力電極19bに接続されている。本例では、コンデンサ14およびリレー19のそれぞれの構造上、および導体パターン35の引き回しの構造上、コンデンサ14の電極14a、リレー19の各入出力電極19a,19b、および導体パターン35のいずれに対してもプローブ4を直接接触させることが不能となっている。このため、電極14a、各入出力電極19a,19b、および導体パターン35のいずれにも接触ポイント3は規定されていない状態となっている。コンデンサ16は、一方の電極が接触ポイント3として規定されると共に導体パターン37に接続され、他方の電極が導体パターン32に接続されている。また、コンデンサ16は、一方の電極が導体パターン37を介してリレー20の一方の入出力電極20aに接続されている。コンデンサ17は、コンデンサ16と同種の他の電子部品であって、一方の電極が接触ポイント3として規定されると共に導体パターン38に接続され、他方の電極が導体パターン32に接続されている。また、コンデンサ17は、一方の電極が導体パターン38を介してリレー20の他方の入出力電極20bに接続されている。アナログスイッチ18は、処理部6から出力される制御信号S1に基づいて、そのオンオフ状態が制御される。また、アナログスイッチ18は、上記したように、その一方の入出力電極18aが導体パターン34を介してコンデンサ13の一方の電極13aに接続されている。また、アナログスイッチ18の他方の入出力電極18bは、一部の部位が接触ポイント3として規定された導体パターン39に接続されている。リレー19は、処理部6から出力される制御信号S2に基づいて、そのオンオフ状態が制御される。具体的には、リレー19は、常態においてはオフ状態に維持され、制御信号S2を入力している間だけ、オン状態に移行させられる。リレー20は、処理部6から出力される制御信号S3に基づいて、そのオンオフ状態が制御される。具体的には、リレー20は、常態においてはオン状態に維持され、制御信号S3を入力している間だけ、オフ状態に移行させられる。また、各導体パターン31~39は互いに接続されておらず、また、各導体パターン31~39には図示したコンデンサ以外のコンデンサは接続されていないものとする。以上のようにして回路基板2に実装されている各コンデンサ11~17に対して検査を実行する際には、検査装置1では、処理部6が、メモリに記憶されているコンデンサ11~17以下、単に、検査対象部品ともいう毎の2つの接触ポイント3についての位置情報を順次読み出して、移動機構に対する制御処理を実行することにより、2つのプローブ4を検査を実施する検査対象部品に対応する2つの接触ポイント3読み出した位置情報で規定される2つの接触ポイント3に接触させる。次いで、処理部6は、測定部5から処理部6に対して出力される2つの接触ポイント3間の電気的特性値静電容量値Dmに基づいて、各接触ポイント3に対応する検査対象部品に対する検査処理を実行する。まず、常態において、他のコンデンサと並列接続されておらず、かつ自らの一方の電極に規定された接触ポイント3と、それぞれの他方の電極が接続された導体パターン32に規定されている共通の接触ポイント3とが、それぞれの2つの接触ポイント3として規定されているコンデンサ11,12,15に対する検査処理について説明する。このコンデンサ11,12,15の検査処理では、処理部6は、上記した2つの接触ポイント3を使用することにより、各コンデンサ11,12,15の両電極にプローブ4を直接電極それ自体に直接、または電極に直接接続された導体パターンを介して直接接触させた状態において、測定部5によって測定される電気的特性値静電容量値Dmを測定部5から取得入力し、この取得した電気的特性値Dmをメモリから読み出した基準電気的特性値基準容量値と比較することにより、コンデンサ11,12,15についての検査を実行する。上記したように、各コンデンサ11~17の電気的特性値Dmに対する基準電気的特性値として、各コンデンサ11~17として正規の静電容量のコンデンサが正常な状態で実装されているときの上限容量値および下限容量値が記憶されているため、処理部6は、取得した電気的特性値Dmをメモリから読み出した基準電気的特性値と比較して、取得した電気的特性値Dmが基準電気的特性値の範囲内下限容量値以上であって上限容量値以下の範囲内に含まれているときには、検査を実施しているコンデンサは正常であると判別し、基準電気的特性値の範囲内に含まれていないときには、検査を実施しているコンデンサに異常が生じている判別する。また、処理部6は、この判別結果をコンデンサの識別情報と共にメモリに記憶する。次に、他方の電極については、導体パターン32に規定されている共通の接触ポイント3にプローブ4を直接接触させることができるものの、一方の電極については、この電極およびこの電極に接続された導体パターンのいずれにもプローブ4を接触させるための接触ポイント3が規定されていないコンデンサ13,14に対する検査処理について説明する。まず、コンデンサ13については、導体パターン39に規定された接触ポイント3、および導体パターン32に規定された接触ポイント3がプローブ4を接触させる2つの接触ポイント3として規定されている。このため、処理部6は、メモリに記憶されている検査対象部品としてのコンデンサ13に対する2つの接触ポイント3についての位置情報を読み出して、2つのプローブ4をこの2つの接触ポイント3に接触させる。次いで、処理部6は、制御信号S1を出力することによってアナログスイッチ18に対する制御処理を実行して、アナログスイッチ18をオン状態に移行させたときに測定部5によって測定される電気的特性値Dmである第1電気的特性値Dm1と、アナログスイッチ18をオフ状態に移行させたときに測定部5によって測定される電気的特性値である第2電気的特性値Dm2とを取得する。次いで、処理部6は、取得した第1電気的特性値Dm1および第2電気的特性値Dm2に基づいて、コンデンサ13の電気的特性値静電容量値を算出する。この場合、アナログスイッチ18のオン抵抗オン状態のときの抵抗値は、一般的に数Ωと小さい値である。したがって、アナログスイッチ18がオン状態のときには、アナログスイッチ18の一方の入出力電極18aに導体パターン34を介して接続されているコンデンサ13と、アナログスイッチ18の他方の入出力電極18bに接続されている導体パターン39とグランド電位に規定された導体パターン32との間に形成される静電容量例えば、浮遊容量Cfとは並列接続の状態となる。このため、処理部6は、コンデンサ13と静電容量Cfとの並列合成容量の容量値を示す第1電気的特性値Dm1と、静電容量Cfの容量値を示す第2電気的特性値Dm2とに基づいて、コンデンサ13の電気的特性値Dmを算出する。具体的には、並列合成容量の容量値から静電容量Cfを減算して、コンデンサ13の電気的特性値Dmを算出する。続いて、処理部6は、メモリからコンデンサ13についての基準電気的特性値基準容量値を読み出すと共に、算出した電気的特性値Dmをこの基準電気的特性値と比較して、取得した電気的特性値Dmが基準電気的特性値の範囲内に含まれているときには、検査を実施しているコンデンサ13は正常であると判別し、基準電気的特性値の範囲内に含まれていないときには、コンデンサ13に異常が生じていると判別して、判別結果をコンデンサ13の識別情報と共にメモリに記憶する。なお、一般的に、静電容量Cfの容量値は、コンデンサ13の静電容量値と比較して十分に小さい。このため、コンデンサ13と静電容量Cfとの並列合成容量の容量値を示す第1電気的特性値Dm1が、コンデンサ13の静電容量値とほぼ等しい場合がある。この場合には、アナログスイッチ18をオン状態に移行させたときに測定部5によって測定される電気的特性値Dmである第1電気的特性値Dm1をコンデンサ13の静電容量値として測定する構成を採用することもできる。また、コンデンサ14については、導体パターン36に接続されているコンデンサ15の電極に規定された接触ポイント3、および導体パターン32に規定された接触ポイント3がプローブ4を接触させる2つの接触ポイント3として規定されている。このため、処理部6は、メモリに記憶されている検査対象部品としてのコンデンサ14に対する2つの接触ポイント3についての位置情報を読み出して、2つのプローブ4をこの2つの接触ポイント3に接触させる。次いで、処理部6は、制御信号S2を出力することによってリレー19に対する制御処理を実行して、リレー19をオン状態に移行させたときに測定部5によって測定される電気的特性値Dmである第1電気的特性値Dm1と、リレー19をオフ状態に移行させたときに測定部5によって測定される電気的特性値である第2電気的特性値Dm2コンデンサ15の静電容量値とを取得する。次いで、処理部6は、取得した第1電気的特性値Dm1および第2電気的特性値Dm2に基づいて、コンデンサ14,15の各電気的特性値静電容量値を算出する。この場合、リレー19のオン抵抗オン状態のときの抵抗値は、一般的に1Ω未満の小さい値である。したがって、リレー19がオン状態のときには、リレー19の一方の入出力電極19aに導体パターン35を介して接続されているコンデンサ14と、リレー19の他方の入出力電極19bに接続されている導体パターン36と導体パターン32との間に接続されたコンデンサ15とは並列接続の状態となる。このため、処理部6は、各コンデンサ14,15の並列合成容量の容量値を示す第1電気的特性値Dm1と、コンデンサ15の静電容量値を示す第2電気的特性値Dm2とに基づいて、コンデンサ14,15の各電気的特性値Dmを算出する。具体的には、コンデンサ15の電気的特性値Dmについては、第2電気的特性値Dm2に基づいて算出する。一方、コンデンサ14の電気的特性値Dmについては、第1電気的特性値Dm1から第2電気的特性値Dm2を減算して算出する。続いて、処理部6は、メモリからコンデンサ14,15についての各基準電気的特性値を読み出すと共に、算出した各電気的特性値Dmを対応する基準電気的特性値と比較して、取得した電気的特性値Dmが対応する基準電気的特性値の範囲内に含まれているときには、検査を実施しているコンデンサ14,15は正常であると判別し、基準電気的特性値の範囲内に含まれていないときには、コンデンサ14,15に異常が生じていると判別して、それぞれの判別結果を対応するコンデンサ14,15の識別情報と共にメモリに記憶する。続いて、自らの一方の電極および他方の電極に対してプローブ4を直接接続することが可能となっているものの、常態においては、オン状態のスイッチ素子本例では、リレー20によって互いに並列に接続された状態となっているコンデンサ16,17に対する検査処理について説明する。まず、コンデンサ16については、その一方の電極に規定された接触ポイント3、および導体パターン32に規定された接触ポイント3がプローブ4を接触させる2つの接触ポイント3として規定されている。このため、処理部6は、まず、コンデンサ16に対する2つの接触ポイント3についての位置情報をメモリから読み出して、2つのプローブ4をこの2つの接触ポイント3に接触させる。次いで、処理部6は、制御信号S3を出力することによってリレー20に対する制御処理を実行して、リレー20をオン状態からオフ状態に移行させる。これにより、コンデンサ16とコンデンサ17の並列接続状態が解除される。処理部6は、この状態において測定部5によって測定される電気的特性値Dmをコンデンサ16の電気的特性値Dmとして取得する。続いて、処理部6は、メモリからコンデンサ16についての基準電気的特性値を読み出すと共に、取得した電気的特性値Dmを対応する基準電気的特性値と比較して、この電気的特性値Dmが対応する基準電気的特性値の範囲内に含まれているときには、コンデンサ16は正常であると判別し、基準電気的特性値の範囲内に含まれていないときには、コンデンサ16に異常が生じていると判別して、判別結果をコンデンサ16の識別情報と共にメモリに記憶する。一方、コンデンサ17については、その一方の電極に規定された接触ポイント3、および導体パターン32に規定された接触ポイント3がプローブ4を接触させる2つの接触ポイント3として規定されている。このため、処理部6は、コンデンサ17に対する2つの接触ポイント3についての位置情報をメモリから読み出して、2つのプローブ4をこの2つの接触ポイント3に接触させる。次いで、処理部6は、コンデンサ16とコンデンサ17の並列接続状態が解除されている状態において測定部5によって測定される電気的特性値Dmをコンデンサ17の電気的特性値Dmとして取得する。続いて、処理部6は、メモリからコンデンサ17についての基準電気的特性値を読み出すと共に、取得した電気的特性値Dmを対応する基準電気的特性値と比較して、この電気的特性値Dmが対応する基準電気的特性値の範囲内に含まれているときには、コンデンサ17は正常であると判別し、基準電気的特性値の範囲内に含まれていないときには、コンデンサ17に異常が生じていると判別して、判別結果をコンデンサ17の識別情報と共にメモリに記憶する。これにより、検査対象部品として回路基板2に実装されているコンデンサ11~17に対する検査が完了する。最後に、処理部6は、出力処理を実行して、メモリに記憶している検査対象部品であるコンデンサ11~17についての検査結果を表示装置で構成されている出力部7に表示させる。このように、この検査装置1および回路基板実装部品の検査方法では、両電極にプローブ4を同時に直接接触させてその電気的特性値Dmを測定できないコンデンサであっても、スイッチ素子としてのアナログスイッチ18に接続されている第1部品としてのコンデンサ13や、スイッチ素子としてのリレー19に接続されている他の第1部品としてのコンデンサ14については、これらのスイッチ素子をオン状態に移行させたときに測定される電気的特性値Dmである第1電気的特性値Dmに基づいてコンデンサ13やコンデンサ14の電気的特性値Dmを個別に算出し、算出した電気的特性値Dmに基づいて各コンデンサ13,14を検査する。したがって、この検査装置1および回路基板実装部品の検査方法によれば、両電極にプローブ4を同時に直接接触させてその電気的特性値Dmを測定できないコンデンサ13,14に対する検査を可能とすることができるため、回路基板2に実装されている検査対象部品検査すべき電子部品に占める実際に検査し得る検査対象部品の割合である検査率を高めることができる。また、この検査装置1および回路基板実装部品の検査方法では、第1部品としてのコンデンサ14のように、スイッチ素子としてのリレー19をオン状態に制御したときに第2部品としてのコンデンサ15コンデンサ14と同種の他の電子部品と並列接続されるコンデンサについては、リレー19をオン状態に移行させたときに測定される電気的特性値Dmである第1電気的特性値Dmコンデンサ14,15の合成電気的特性値と、リレー19をオフ状態に移行させたときに測定される電気的特性値Dmである第2電気的特性値Dmコンデンサ15の電気的特性値とに基づいて、コンデンサ14,15の各電気的特性値Dmを個別に算出し、算出した各電気的特性値Dmに基づいてコンデンサ14,15をそれぞれ検査する。したがって、この検査装置1および回路基板実装部品の検査方法によれば、このようなコンデンサ14に対する検査についても可能とすることができるため、検査率を一層高めることができる。また、この検査装置1および回路基板実装部品の検査方法では、自らの一方の電極および他方の電極に対してプローブ4を直接接続することが可能となっているものの、常態においては、オン状態のスイッチ素子リレー20によって互いに並列接続された状態となっているコンデンサ16,17については、スイッチ素子リレー20をオフ状態に制御して並列状態を解除することにより、各コンデンサ16,17の電気的特性値Dmを個別に測定し、この測定したそれぞれの電気的特性値Dmに基づいて検査する。したがって、この検査装置1および回路基板実装部品の検査方法によれば、このようなコンデンサ16,17に対する検査についても可能とすることができるため、検査率をより一層高めることができる。なお、上記の検査装置1および回路基板実装部品の検査方法では、検査対象部品としてコンデンサを例に挙げて説明したが、コンデンサに限定されるものではなく、回路基板2に実装されている抵抗やインダクタに対しても適用できるのは勿論である。また、この場合における電気的特性値は、抵抗のときには抵抗値となり、インダクタのときにはインダクタンスとなる。"