"半導体ウエハの裏面に接着層を形成する工程と、加熱処理を行うとともに、押当部材を前記接着層に埋め込み、前記半導体ウエハの裏面と前記押当部材とが接触した状態で、前記押当部材が前記半導体ウエハのダイシングラインに沿って移動することにより、前記接着層から前記半導体ウエハの裏面が露出する溝を前記接着層に形成する工程と、前記半導体ウエハのダイシングラインに沿って前記半導体ウエハを切断する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。前記押圧部材を、前記半導体ウエハと平行方向、かつ、前記押圧部材の移動方向の直交方向に振動させた状態で、前記押圧部材の移動を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。前記接着層に溝を形成する前に、前記半導体ウエハのダイシングラインに沿って前記接着層の一部を削る工程を更に備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。前記溝の周囲の前記接着層に、前記溝と繋がる切り欠きを形成する工程を更に備えることを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記加熱処理は、前記接着層を加熱する処理であることを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記加熱処理は、前記押圧部材を加熱する処理であることを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記加熱処理は、前記接着層及び前記押圧部材を加熱する処理であることを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記半導体ウエハを切断する工程は、ダイシングブレードによって前記半導体ウエハを切断することを含む請求項1から7の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記溝の幅は、前記ダイシングブレードの幅と同じ又は前記ダイシングブレードの幅よりも広いことを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。前記半導体ウエハを切断する工程は、レーザ光を前記半導体ウエハに照射することによって前記半導体ウエハの内部に変質層を形成し、前記変質層を起点として前記半導体ウエハを切断することを含む請求項1から7の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。前記溝の幅は、前記変質層の幅と同じ又は前記変質層の幅よりも広いことを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。半導体ウエハを個片化する一例を以下に示す。図36に示すように、半導体ウエハ101の裏面下面にダイアタッチ材102を貼り付けた後、フレームリング103の内側に半導体ウエハ101を設置し、半導体ウエハ101の裏面にダイシングテープ104を貼り付ける。次に、図37に示すように、半導体ウエハ101を反転した後、ダイシングにより半導体ウエハ101を個片化する。例えば、ダイシングブレード105を高速回転させ、半導体ウエハ101のダイシングラインに沿って半導体ウエハ101を切断することにより、半導体ウエハ101を個片化する。次いで、図38に示すように、半導体チップ106をピックアップし、支持基板107に半導体チップ106を実装する。半導体チップ106の裏面に貼り付けられたダイアタッチ材接着層102によって、半導体チップ106が支持基板107に固着される。その後、ワイヤボンディング及び樹脂封止を行うことにより、半導体チップ106がパッケージ化される。図39は、図37の点線N-N’における部分拡大断面図である。図40は、図37の点線O-O’における部分拡大断面図である。図39に示すように、ダイシングブレード105により、半導体ウエハ101及びダイアタッチ材102が削られる。ダイアタッチ材102は、粘着性及び延性を有している。そのため、回転するダイシングブレード105によってダイアタッチ材102が擦れて、ダイアタッチ材102が削り出される際に、削られたダイアタッチ材102の残滓108が、半導体ウエハ101の裏面に貼付されたダイアタッチ材102と部分的に繋がる。したがって、図39に示すように、ダイアタッチ材102の残滓108が、半導体ウエハ101に形成された溝の中に残る。また、図40に示すように、ダイアタッチ材102の残滓108が繋がり、引き延ばされたひげ状物質109が、半導体ウエハ101に形成された溝の中に残ると共に、半導体ウエハ101の主面上面に形成されている配線層110上に残る。図41は、図40の点線P-P’をQ方向から見た場合における部分拡大断面図である。図41に示すように、ひげ状物質109は、ダイシングブレード105の回転方向に沿って引き伸ばされている。半導体チップ106の配線層110上に残ったひげ状物質109が、配線層110に形成された電極パッドに接触すると、電気的接続の不良が発生する可能性がある。本件は、半導体ウエハを個片化する際の接着層の残滓の発生を抑制する技術を提供する。本件の一観点による半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの裏面に接着層を形成する工程と、加熱処理を行うとともに、押当部材を前記接着層に埋め込み、前記半導体ウエハの裏面と前記押当部材とが接触した状態で、前記押当部材が前記半導体ウエハのダイシングラインに沿って移動することにより、前記接着層から前記半導体ウエハの裏面が露出する溝を前記接着層に形成する工程と、前記半導体ウエハのダイシングラインに沿って前記半導体ウエハを切断する工程と、を備える。本件によれば、半導体ウエハを個片化する際の接着層の残滓の発生を抑制することができる。以下、図面を参照して、実施形態に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法について説明する。以下の実施例1から実施例5の構成は例示であり、実施形態に係る半導体装置及び半導体装置の製造方法は実施例1から実施例5の構成に限定されない。図1に示すフローチャートは、実施例1から実施例4における半導体装置の製造方法の各工程を示している。実施例1における半導体装置の製造方法では、まず、図1のステップS10に示すように、半導体ウエハ1の表面に表面保護テープ2を貼り付ける工程を実施する。図1のステップS10に示す工程では、図2Aに示すように、半導体ウエハ1を用意する。半導体ウエハ1は、例えば、シリコンウエハ基板である。半導体ウエハ1の表面上面には、トランジスタ等の機能素子、コンデンサ等の受動素子及び配線層等によって電子回路11が形成されている。半導体ウエハ1の表面には、複数の第1のダイシングライン図示せずと、複数の第2のダイシングライン図示せずとが直交して設けられている。複数の第1のダイシングライン及び複数の第2のダイシングラインによって画定された複数の領域に電子回路11が形成されている。ダイシングラインは、スクライブラインとも呼ばれ、半導体ウエハ1を個片化する場合の切断予定線である。図2Bに示すように、半導体ウエハ1の表面上面に表面保護テープ2を貼り付ける。表面保護テープ2は、半導体ウエハ1の裏面下面の研磨BackGrindの際に半導体ウエハ1の表面を保護するテープである。表面保護テープ2を半導体ウエハ1の表面に貼ることにより、半導体ウエハ1の表面の損傷、研磨水及び研磨屑の浸入による半導体ウエハ1の表面の汚染を抑止する。実施例1における半導体装置の製造方法では、次に、図1のステップS20に示すように、表面保護テープ2を切り取る工程を実施する。図1のステップS20に示す工程では、半導体ウエハ1の表面に貼り付けた表面保護テープ2を、半導体ウエハ1の表面形状とほぼ同等の形状で切り取る。実施例1における半導体装置の製造方法では、次いで、図1のステップS30に示すように、半導体ウエハ1の裏面を研磨する工程を実施する。図1のステップS30に示す工程では、図3に示すように、半導体ウエハ1を反転し、砥石3を用いて、半導体ウエハ1の裏面を研磨することにより、半導体ウエハ1を所定の厚さにする。実施例1における半導体装置の製造方法では、次に、図1のステップS40に示すように、半導体ウエハ1の裏面にダイアタッチ材4を貼り付ける工程を実施する。図1のステップS40に示す工程では、図4Aに示すように、半導体ウエハ1の裏面にフィルムタイプのダイアタッチ材4を貼り付ける。ダイアタッチ材4は、ポリイミドを主成分とする樹脂であり、粘着性及び延性を有する。ダイアタッチ材4は、ダイボンディング用の接着剤であって、接着層の一例である。実施例1における半導体装置の製造方法では、次いで、図1のステップS50に示すように、ダイアタッチ材4を切り取る工程を実施する。図1のステップS50に示す工程では、図4Bに示すように、ダイアタッチ材4を半導体ウエハ1の裏面形状とほぼ同等の形状で切り取ることにより、半導体ウエハ1の裏面にダイアタッチ材4を形成する。実施例1における半導体装置の製造方法では、次に、図1のステップS60に示すように、ダイアタッチ材4に溝6を形成する工程を実施する。図1のステップS60に示す工程では、図5に示すように、加熱処理を行うとともに、押圧部材5の一部例えば、先端部分をダイアタッチ材4に埋め込み、半導体ウエハ1の裏面と押圧部材5とが接触した状態で、押圧部材5が移動する。図5は、半導体ウエハ1及び押圧部材5の斜視図、押圧部材5の拡大斜視図及び断面図である。図6Aは、図5の点線A-A’における部分拡大断面図である。図6Bは、図5の点線B-B’における部分拡大断面図である。図6Aに示すように、半導体ウエハ1の裏面と押圧部材5とが接触した状態で、押圧部材5が移動することにより、図6Bに示すように、ダイアタッチ材4には、ダイアタッチ材4から半導体ウエハ1の裏面が露出する溝6が形成される。押圧部材5が移動する際に、ダイアタッチ材4が押し退けられ、ダイアタッチ材4には溝6が形成される。半導体ウエハ1の表面には、配線層7が形成されている。押圧部材5は、半導体ウエハ1のダイシングラインに沿って移動する。そのため、ダイアタッチ材4には、半導体ウエハ1のダイシングラインに沿って溝6が形成される。換言すれば、半導体ウエハ1のダイシングラインと対向する位置にダイアタッチ材4の溝6が形成され、半導体ウエハ1の厚さ方向において、半導体ウエハ1のダイシングラインとダイアタッチ材4の溝6とが重なる。なお、ダイアタッチ材4の材料の種類やダイアタッチ材4の厚さに応じて、ダイアタッチ材4に押圧部材5を押し当てる際の荷重を設定してもよい。加熱処理は、押圧部材5を加熱する処理であってもよいし、ダイアタッチ材4を加熱する処理であってよいし、ダイアタッチ材4及び押圧部材5を加熱する処理であってもよい。押圧部材5を加熱する処理は、押圧部材5にヒーターを接続し、ヒーターによって押圧部材5を加熱してもよい。押圧部材5を加熱することにより、押圧部材5からダイアタッチ材4に熱が伝わり、ダイアタッチ材4が軟化温度以上になる。ダイアタッチ材4が軟化温度以上になることにより、ダイアタッチ材4が軟らかくなり、押圧部材5の一部をダイアタッチ材4に埋め込むことが可能となるとともに、ダイアタッチ材4に溝6を形成することが可能となる。ダイアタッチ材4を加熱する処理は、ダイアタッチ材4に温風又は熱風を当てることにより、ダイアタッチ材4を加熱してもよい。例えば、図7に示すように、加熱器20によって、押圧部材5の移動予定部位のダイアタッチ材4に、所定の温度、流量に設定された温風又は熱風を当てることにより、押圧部材5の移動予定部位のダイアタッチ材4を加熱してもよい。ダイアタッチ材4を加熱することにより、ダイアタッチ材4が軟化温度以上になる。ダイアタッチ材4が軟化温度以上になることにより、ダイアタッチ材4が軟らかくなり、押圧部材5の一部をダイアタッチ材4に埋め込むことが可能となるとともに、ダイアタッチ材4に溝6を形成することが可能となる。また、加熱器20によって、ダイアタッチ材4の全体に温風又は熱風を当てることにより、ダイアタッチ材4の全体を加熱してもよい。ダイアタッチ材4の軟化温度は、ダイアタッチ材4の材料によって異なる。したがって、ダイアタッチ材4の材料に応じて、ダイアタッチ材4の加熱温度又は押圧部材5の加熱温度を調整することが好ましい。押圧部材5は、半導体ウエハ1よりも軟らかい硬度が小さい材料を用いることが好ましい。押圧部材5は、例えば、テフロン登録商標等のフッ素樹脂を材料としてもよい。押圧部材5として半導体ウエハ1よりも軟らかい材料を用いることにより、押圧部材5を半導体ウエハ1の裏面に接触させた状態において、半導体ウエハ1の裏面に傷が付くのを抑制することができる。半導体ウエハ1の裏面に傷が付くと、以降の工程において半導体ウエハ1が破損する可能性がある。したがって、半導体ウエハ1の裏面と押圧部材5とを接触させた場合、半導体ウエハ1の裏面に傷を付けないようにすることが好ましい。また、押圧部材5は、内側に金属材料が設けられ、金属材料をフッ素樹脂が覆っている部材であってもよい。押圧部材5の内側に金属材料を設けることにより、押圧部材5を加熱する際、金属材料を覆っているフッ素樹脂に熱を効率的に伝えることができる。押圧部材5の形状を、例えば、底面が楕円形の円柱としてもよいし、押圧部材5の形状を、他の形状としてもよい。押圧部材5は円盤形状であってもよく、押圧部材5をダイアタッチ材4に埋め込み、半導体ウエハ1の裏面と押圧部材5とが接触した状態で、押圧部材5を回転移動してもよい。押圧部材5の幅を、後に行われる半導体ウエハ1のダイシング工程におけるブレードの幅と同等以上としてもよい。例えば、押圧部材5の幅と、ブレードの幅とを同じにしてもよいし、押圧部材5の幅をブレードの幅よりも広くしてもよい。実施例1における半導体装置の製造方法では、次いで、図1のステップS70に示すように、半導体ウエハ1の裏面にダイシングテープ8を貼り付ける工程を実施する。図1のステップS70に示す工程では、図8に示すように、フレームリング9の内側に半導体ウエハ1を設置し、半導体ウエハ1の裏面及びフレームリング9にダイシングテープ8を貼り付ける。半導体ウエハ1の裏面及びフレームリング9にダイシングテープ8を貼り付けることにより、半導体ウエハ1をフレームリング9に固定する。実施例1における半導体装置の製造方法では、次に、図1のステップS80に示すように、表面保護テープ2を剥がす工程を実施する。図1のステップS80に示す工程では、図9に示すように、半導体ウエハ1を反転し、半導体ウエハ1の表面に貼り付けた表面保護テープ2を剥がす。実施例1における半導体装置の製造方法では、次いで、図1のステップS90に示すように、ダイシング工程を実施する。図1のステップS90に示す工程では、図10に示すように、ダイシングブレード10を用いたダイシングにより半導体ウエハ1を個片化する。例えば、ダイシングブレード10を高速回転させ、半導体ウエハ1のダイシングラインに沿って半導体ウエハ1を切断することにより、半導体ウエハ1を個片化する。図11Aは、図10の点線C-C’における部分拡大断面図である。図11Bは、図10の点線D-D’における部分拡大断面図である。図11A及び11Bに示すように、ダイアタッチ材4に形成された溝6によって、半導体ウエハ1の切断箇所の下方には空間が存在する。すなわち、半導体ウエハ1の切断箇所の下方にはダイアタッチ材4が存在していない。押圧部材5の幅がダイシングブレードの幅と同等以上である場合、ダイアタッチ材4の溝6の幅はダイシングブレード10の幅と同等以上となる。ダイアタッチ材4の溝6の幅がダイシングブレード10の幅と同等以上である場合、半導体ウエハ1を切断する際に、ダイシングブレード10がダイアタッチ材4に接触しない。したがって、半導体ウエハ1を切断する際に、ダイアタッチ材4が削られないため、ダイアタッチ材4の残滓の発生を抑止することができる。これにより、ダイアタッチ材4の残滓が繋がることによって形成されるひげ状物質が、半導体ウエハ1の配線層7上に残ることを抑止することができる。なお、ダイアタッチ材4の溝6の幅がダイシングブレード10の幅よりも狭い場合であっても、半導体ウエハ1を切断する際に、ダイアタッチ材4の削り量は少なくなるため、ダイアタッチ材4の残滓の発生を抑止することができる。実施例1における半導体装置の製造方法では、次に、図1のステップS100に示すように、UVultraviolet照射工程を実施する。図1のステップS100に示す工程では、図12に示すように、紫外線ランプ図示せずを用いてダイシングテープ8の裏面からUVを照射する。UVタイプのダイシングテープ8を用いる場合、ダイシングテープ8にUVを照射すると、ダイシングテープ8の粘着力が低下し、次工程におけるピックアップが容易となる。実施例1における半導体装置の製造方法では、次いで、図1のステップS110に示すように、チップピックアップ工程を実施する。図1のステップS110に示す工程では、図13に示すように、個片化された半導体チップ12がピックアップされる。ピックアップされた半導体チップ12の裏面には、ダイアタッチ材4が貼り付いた状態となっている。実施例1における半導体装置の製造方法では、次に、図1のステップS120に示すように、基板実装工程を実施する。図1のステップS120に示す工程では、図13に示すように、個片化された半導体チップ12が所定温度で支持基板13に実装される。図14は、図13の点線E-E’における断面図である。図14に示すように、半導体チップ12の裏面に貼り付けられたダイアタッチ材4を介して、半導体チップ12が支持基板13に固着されている。したがって、ダイアタッチ材4は、半導体チップ12と支持基板13とを接着する接着剤としての役割を果たす。ワイヤボンディング及び樹脂封止を行うことにより、半導体チップ12がパッケージ化される。半導体ウエハ1の裏面に貼り付けられたダイアタッチ材4の全体を覆う部材をダイアタッチ材4に押し当てることによりダイアタッチ材4に溝6を形成する方法がある。しかし、当該方法の場合、ダイアタッチ材4の全体を覆う部材をダイアタッチ材4に押し当てた際に、ダイアタッチ材4の全体を覆う部材とダイアタッチ材4とが接着される可能性がある。ダイアタッチ材4の全体を覆う部材とダイアタッチ材4とが接着されてしまうと、ダイアタッチ材4の全体を覆う部材をダイアタッチ4材から引き離す際、ダイアタッチ材4が半導体ウエハ1の裏面から取れる可能性がある。実施例1によれば、押圧部材5が移動することによりダイアタッチ材4に溝6を形成するため、ダイアタッチ材4が半導体ウエハ1の裏面から取れることなく、ダイアタッチ材4に溝6を形成することができる。実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の第2の実施例について説明する。実施例2の構成は例示であり、実施形態に係る半導体装置及びその製造方法は実施例2の構成に限定されない。なお、実施例1と同一の構成要素については、実施例1と同一の符号を付し、その説明を省略する。実施例1と実施例2との相違点は、図1のステップS60に示す工程であるので、実施例2では、当該相違点に着目して説明を行う。図1のステップS10~S50に示す工程、及び、図1のステップS70~S120に示す工程については、実施例2は、実施例1と同様であるのでその説明を省略する。実施例2において、図1のステップS60に示す工程では、図15及び図16に示すように、押圧部材5を半導体ウエハ1と平行方向、かつ、押圧部材5の移動方向の直交方向に振動させた状態で、押圧部材5の移動を行う。押圧部材5を振動させた状態で、押圧部材5の移動を行うことにより、ダイアタッチ材4がより確実に押し退けられ、ダイアタッチ材4に溝6が形成される。図16は、図15の点線F-F’における部分拡大断面図である。図15及び図16に示すように、押圧部材5を振動させながら押圧部材5が移動することで、ダイアタッチ材4が押圧部材5の移動方向に引っ張られることが抑制され、ダイアタッチ材4をより確実に押し退けることが可能となる。実施例2では、押圧部材5の幅をダイシングブレード10の幅よりも狭くし、押圧部材5の振動の幅が、ダイシングブレード10の幅と同等以上になるようにしてもよい。ダイアタッチ材4の材料の種類やダイアタッチ材4の厚さに応じて、押圧部材5の振動数を設定するようにしてもよい。例えば、図17に示すように、押圧部材5が移動した際に、ダイアタッチ材4に形成された溝6の交差部分では、ダイアタッチ材4に形成された溝6が変形する可能性がある。図17は、ダイアタッチ材4に形成された溝6の交差部分の拡大斜視図である。ダイアタッチ材4に形成された溝6が変形すると、半導体ウエハ1を切断する際に、ダイシングブレード10がダイアタッチ材4に接触する可能性がある。押圧部材5を振動させながら押圧部材5が移動することで、ダイアタッチ材4に形成された溝6が変形することを抑止することができる。実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の第3の実施例について説明する。実施例3の構成は例示であり、実施形態に係る半導体装置及びその製造方法は実施例3の構成に限定されない。なお、実施例1と同一の構成要素については、実施例1と同一の符号を付し、その説明を省略する。ダイアタッチ材4に溝6を形成した際、例えば、ダイアタッチ材4の材料の種類やダイアタッチ材4の厚さによっては、図18に示すように、溝6の周辺のダイアタッチ材4が盛り上がる場合がある。図19に示すように、溝6の周辺のダイアタッチ材4が盛り上がった状態で、半導体ウエハ1の裏面及びフレームリング9にダイシングテープ8を貼り付けた場合、半導体ウエハ1の裏面とダイシングテープ8との間に気泡が入り込む。半導体ウエハ1の裏面とダイシングテープ8との間に気泡が入り込むと、半導体ウエハ1とダイシングテープ8との密着性が弱くなり、半導体ウエハ1を切断した際に、個片化された半導体チップ12がダイシングテープ8から取れてしまう可能性がある。実施例3では、半導体ウエハ1を切断した際に、個片化された半導体チップ12がダイシングテープ8から取れることを抑止する第1の方法について説明する。実施例1と実施例3との相違点は、図1のステップS60に示す工程であるので、実施例3では、当該相違点に着目して説明を行う。図1のステップS10~S50に示す工程、及び、図1のステップS70~S120に示す工程については、実施例3は、実施例1と同様であるのでその説明を省略する。実施例3において、図1のステップS60に示す工程では、図20に示すように、溝6が形成される箇所のダイアタッチ材4の一部をダイシングブレード10によって削り取る。図21は、図20の点線G-G’における断面図である。図21に示すように、ダイシングブレード10によって、ダイアタッチ材4の半導体ウエハ1の裏面に至らない深さまでの部分を削り取る。ダイアタッチ材4の削り量を、例えば、ダイアタッチ材4の厚さの約半分としてもよい。また、ダイアタッチ材4の材料の種類やダイアタッチ材4の厚さに応じて、ダイアタッチ材4の削り量を設定してもよい。例えば、ダイシングブレード10を50,000rpm程度の回転数に設定することにより、ダイアタッチ材4を削るようにしてもよい。ダイアタッチ材4の一部を削り取ることにより、ダイアタッチ材4の削り取られた部分の周辺におけるダイアタッチ材4の盛り上がりの発生を抑制することができる。ダイアタッチ材4の一部を削り取った後、図22に示すように、加熱処理を行うとともに、押圧部材5の一部をダイアタッチ材4に埋め込み、半導体ウエハ1の裏面と押圧部材5とが接触した状態で、押圧部材5が移動する。図22は、半導体ウエハ1及び押圧部材5の斜視図である。図23Aは、図22の点線H-H’における部分拡大断面図である。図23Bは、図22の点線I-I’における部分拡大断面図である。図23Aに示すように、半導体ウエハ1の裏面と押圧部材5とが接触した状態で、押圧部材5が移動することにより、図23Bに示すように、ダイアタッチ材4には、ダイアタッチ材4から半導体ウエハ1の裏面が露出する溝6が形成される。図23Aに示すように、ダイアタッチ材4の削り幅を、ダイアタッチ材4に形成される溝6の幅よりも広くする。図23Bに示すように、溝6の周辺のダイアタッチ材4の盛り上がりが抑制されている。溝6の周辺のダイアタッチ材4の盛り上がった部分は、ダイアタッチ材4の上面の高さよりも低い。そのため、半導体ウエハ1の裏面にダイシングテープ8を貼り付けた場合、半導体ウエハ1の裏面とダイシングテープ8との間における気泡の発生を抑制することができる。実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の第4の実施例について説明する。実施例4の構成は例示であり、実施形態に係る半導体装置及びその製造方法は実施例4の構成に限定されない。なお、実施例1と同一の構成要素については、実施例1と同一の符号を付し、その説明を省略する。ダイアタッチ材4に溝6を形成した際、例えば、ダイアタッチ材4の材料の種類やダイアタッチ材4の厚さによっては、図24に示すように、溝6の周辺のダイアタッチ材4が盛り上がる場合がある。図24は、半導体ウエハ1の部分拡大斜視図である。図24に示すように、溝6の周辺のダイアタッチ材4が盛り上がった状態で、半導体ウエハ1の裏面及びフレームリング9にダイシングテープ8を貼り付けた場合、半導体ウエハ1の裏面とダイシングテープ8との間に気泡が入り込む。半導体ウエハ1の裏面とダイシングテープ8との間に気泡が入り込むと、半導体ウエハ1とダイシングテープ8との密着性が弱くなり、半導体ウエハ1を切断した際に、個片化された半導体チップ12がダイシングテープ8から取れてしまう可能性がある。実施例4では、半導体ウエハ1を切断した際に、個片化された半導体チップ12がダイシングテープ8から取れることを抑止する第2の方法について説明する。実施例4では、図1のステップS60に示す工程において、ダイアタッチフィルム4に溝6を形成した後、図25及び図26に示すように、溝6の周辺のダイアタッチ材4の盛り上がった部分に切り欠き溝30を形成する。切り欠き30は、溝6に向かって形成され、溝6と繋がっている。例えば、ダイシングブレード10に替えて先端が鋭利な形状のブレードをダイシング装置に取り付けて、先端が鋭利な形状のブレードによって、ダイアタッチ材4に切り欠き30を形成してもよい。図25及び図26は、溝6の周辺のダイアタッチ材4の盛り上がった部分に切り欠き30を形成した場合の半導体ウエハ1の部分拡大斜視図である。半導体ウエハ1の裏面にダイシングテープ8を貼り付ける際、切り欠き30が、半導体ウエハ1の裏面とダイシングテープ8との間の空気の逃げ道となり、半導体ウエハ1の裏面とダイシングテープ8との間における気泡の発生を抑制することができる。実施形態に係る半導体装置及びその製造方法の第5の実施例について説明する。実施例5の構成は例示であり、実施形態に係る半導体装置及びその製造方法は実施例5の構成に限定されない。なお、実施例1と同一の構成要素については、実施例1と同一の符号を付し、その説明を省略する。実施例1では、ダイシングブレード10を用いたダイシングにより半導体ウエハ1を個片化する例を示した。実施例5では、ステルスダイシング登録商標により半導体ウエハ1を個片化する例を示す。ステルスダイシングは、半導体ウエハ1の内部にレーザを照射して改質層変質層を形成し、外部応力を加えることにより改質層を起点として半導体ウエハ1を切断し、半導体ウエハ1を個片化する技術である。比較例として、ダイアタッチ材4に溝6を形成せずに、ステルスダイシングにより、半導体ウエハ1を個片化する例を説明する。比較例では、図27に示すように、レーザ光40を半導体ウエハ1のダイシングラインに沿って半導体ウエハ1の内部に照射する。レーザ光40は、半導体ウエハ1のダイシングラインに沿って移動する。図28は、図27の点線J-J’における部分拡大断面図である。図28に示すように、半導体ウエハ1にレーザ光40が照射されることにより、半導体ウエハ1の内部に改質層41が形成される。図28に示すように、比較例では、半導体ウエハ1の裏面に貼り付けられたダイアタッチ材4には、溝6は形成されていない。次に、図29に示すように、フレームリング9を押し下げることにより、ダイシングテープ8を面方向に拡張するテープエキスパンド工程。ダイシングテープ8を面方向に拡張することにより、半導体ウエハ1の内部に形成された改質層41を起点として半導体ウエハ1を切断し、半導体ウエハ1を個片化する。図30は、図29の点線K-K’における部分拡大断面図である。図30に示すように、ダイシングテープ8を面方向に拡張した際、ダイアタッチ材4が切断されない場合がある。ダイアタッチ材4が切断されない場合、個片化された半導体チップ12をピックアップした際、半導体チップ12の裏面からダイアタッチ材4が取れる可能性がある。上記課題を解決するために、実施例5では、ダイアタッチ材4に溝6を形成し、ステルスダイシングにより半導体ウエハ1を個片化する例を示す。図31に示すフローチャートは、実施例5における半導体装置の製造方法の各工程を示している。図31のステップS210からS280に示す工程は、図1のステップS10からS80に示す工程と同様に行われるため、図31のステップS210からS280に示す工程の説明を省略する。実施例5における半導体装置の製造方法では、図31のステップS290に示すように、ステルスダイシング工程を実施する。図31のステップS290に示す工程では、図32に示すように、レーザ光40を半導体ウエハ1のダイシングラインに沿って半導体ウエハ1の内部に照射する。レーザ光40は、半導体ウエハ1のダイシングラインに沿って移動する。図33は、図32の点線L-L’における部分拡大断面図である。図33に示すように、半導体ウエハ1にレーザ光40が照射されることにより、半導体ウエハ1の内部に改質層41が形成される。図33に示すように、半導体ウエハ1の裏面に貼り付けられたダイアタッチ材4に溝6が形成されている。実施例5における半導体装置の製造方法では、次に、図31のステップS300に示すように、テープエキスパンド工程を実施する。図31のステップS300に示す工程では、図34に示すように、フレームリング9を押し下げることにより、ダイシングテープ8を面方向に拡張する。ダイシングテープ8を面方向に拡張することにより、半導体ウエハ1の改質層41を起点として半導体ウエハ1を切断し、半導体ウエハ1を個片化する。図35は、図34の点線M-M’における部分拡大断面図である。図35に示すように、ダイアタッチ材4には溝6が形成されているため、半導体ウエハ1を切断する際、ダイアタッチ材4は既に切断された状態となっている。したがって、個片化された半導体チップ12をピックアップした際、半導体チップ12の裏面からダイアタッチ材4が取れることがなくなる。ダイアタッチ材4の溝6の幅を、半導体ウエハ1の改質層41の幅と同等以上としてもよい。例えば、ダイアタッチ材4の溝6の幅と、半導体ウエハ1の改質層41の幅とを同じにしてもよいし、ダイアタッチ材4の溝6の幅を半導体ウエハ1の改質層41の幅よりも広くしてもよい。半導体ウエハ1の内部に形成された改質層41には、多くの微小なクラックが含まれている。ダイアタッチ材4の溝6の幅が半導体ウエハ1の改質層41の幅と同等以上である場合、半導体ウエハ1を切断する際、改質層41が砕け落ちたとしても、改質層41の破片の全部がダイアタッチ材4の溝6に落ちる。したがって、個片化された半導体チップ12をピックアップした際、ダイアタッチ材4の上に改質層41の破片が残ることを抑止することができる。なお、ダイアタッチ材4の溝6の幅が半導体ウエハ1の改質層41の幅よりも狭い場合であっても、半導体ウエハ1を切断する際に、改質層41の破片がダイアタッチ材4の溝6に落ちる。したがって、個片化された半導体チップ12をピックアップした際、ダイアタッチ材4の上に改質層41の破片が残ることを抑止することができる。実施例5における半導体装置の製造方法では、次に、図31のステップS310に示すように、テープ固定工程を実施する。図31のステップS310に示す工程では、拡張されたダイシングテープ8を固定治具によって固定する。図31のステップS320からS340に示す工程は、図1のステップS100からS120に示す工程と同様に行われるため、図31のステップS320からS340に示す工程の説明を省略する。"