"基板と、前記基板上にピクセルごとに形成される第1電極と、隣り合う前記第1電極の間に位置する第1画素定義膜、及び前記第1画素定義膜と前記第1電極の外郭部とを覆う第2画素定義膜を備える画素定義膜と、前記第1電極の上部に形成され、発光層を備える中間層と、前記第1電極に対向して位置する第2電極と、を備えることを特徴とする、有機発光ディスプレイ装置。前記第2画素定義膜は、中央部に開口を備えることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記第1画素定義膜は、有機膜で形成されることを特徴とする、請求項1または2に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記第1画素定義膜は、ポリアクリル、ポリイミド、ポリアミドPA、ベンゾシクロブテンBCB及びフェノール樹脂からなる群から選択される一つで形成されることを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記第1画素定義膜は、0.2μm~3μmの厚さに形成されることを特徴とする、請求項1~4のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記第2画素定義膜は、無機膜で形成されることを特徴とする、請求項1~5のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記第2画素定義膜は、SiO2、SiNx、Al2O3、CuOx、Tb4O7、Y2O3、Nb2O5、Pr2O3からなる群から選択される一つで形成されることを特徴とする、請求項1~6のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。前記第2画素定義膜は、0.1μm~1μmの厚さに形成されることを特徴とする、請求項1~7のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置。基板上にピクセルごとに第1電極を形成する工程と、隣り合う前記第1電極の間に位置する第1画素定義膜を形成する工程と、前記第1画素定義膜と前記第1電極の外郭部とを覆う第2画素定義膜を形成する工程と、前記第1電極の上部に発光層を備える中間層を形成する工程と、前記第1電極に対向して第2電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする、有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第2画素定義膜の中央部に開口を形成する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項9に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記開口は、フォトリソグラフィ工程によって形成されることを特徴とする、請求項10に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第1画素定義膜は、有機膜で形成されることを特徴とする、請求項9~11のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第1画素定義膜は、ポリアクリル、ポリイミド、ポリアミドPA、ベンゾシクロブテンBCB及びフェノール樹脂からなる群から選択される一つで形成されることを特徴とする、請求項9~12のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第1画素定義膜は、0.2μm~3μmの厚さに形成されることを特徴とする、請求項9~13のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第2画素定義膜は、無機膜で形成されることを特徴とする、請求項9~14のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第2画素定義膜は、SiO2、SiNx、Al2O3、CuOx、Tb4O7、Y2O3、Nb2O5、Pr2O3からなる群から選択される一つで形成されることを特徴とする、請求項9~15のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。前記第2画素定義膜は、0.1μm~1μmの厚さに形成されることを特徴とする、請求項9~16のいずれか1項に記載の有機発光ディスプレイ装置の製造方法。本発明が解決しようとする課題は、ピクセル発光部の膜厚を均一に形成し、画素定義膜からのアウトガスによる発光部の劣化を防止できる有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供することである。前記課題を達成するために、本発明の有機発光ディスプレイ装置は、基板と、前記基板上にピクセルごとに形成される第1電極と、隣り合う前記第1電極の間に位置する第1画素定義膜、及び前記第1画素定義膜と前記第1電極の外郭部とを覆う第2画素定義膜とを備える画素定義膜と、前記第1電極の上部に形成され、発光層を備える中間層と、前記第1電極に対向して位置する第2電極と、を備える。望ましくは、前記第2画素定義膜は、中央部に開口を備えうる。さらに望ましくは、前記第1画素定義膜は、有機膜で形成でき、ポリアクリル、ポリイミド、ポリアミドPA、ベンゾシクロブテンBCB及びフェノール樹脂で形成された群から選択される一つで形成しうる。さらに望ましくは、前記第1画素定義膜は、0.2μm~3μmの厚さに形成しうる。さらに望ましくは、前記第2画素定義膜は、無機膜で形成でき、SiO2、SiNx、Al2O3、CuOx、Tb4O7、Y2O3、Nb2O5、Pr2O3で形成された群から選択される一つで形成しうる。さらに望ましくは、前記第2画素定義膜は、0.1μm~1μmの厚さに形成しうる。本発明の有機発光ディスプレイ装置の製造方法は、基板上にピクセルごとに第1電極を形成する工程と、隣り合う前記第1電極の間に位置する第1画素定義膜を形成する工程と、前記第1画素定義膜と前記第1電極の外郭部とを覆う第2画素定義膜を形成する工程と、前記第1電極の上部に発光層を備える中間層を形成する工程と、前記第1電極に対向して第2電極を形成する工程と、を含む。さらに望ましくは、前記第2画素定義膜の中央部に開口を形成する工程と、をさらに含みうる。さらに望ましくは、前記開口は、フォトリソグラフィ工程によって形成しうる。本発明によれば、有機画素定義膜の上部に薄い無機画素定義膜を形成することによって、ピクセル発光部の膜厚を均一に形成しうる。また、本発明によれば、有機画素定義膜から発生したアウトガスを容易に放出させることによって、無機画素定義膜の損傷を防止し、発光部の劣化を防止することができる。以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。本発明の実施形態を説明する図面において、ある層や領域は、明細書の明確性のために、厚さを拡大して示した。また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分上にあるとする時、これは、他の部分真上直上にある場合だけでなく、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。図1は、本発明の望ましい一実施形態による有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す断面図である。図2は、本発明の一実施形態による図1の有機発光ディスプレイ装置の一部を概略的に示す断面図である。図1及び図2を参照すれば、本発明の有機発光ディスプレイ装置は、上面にディスプレイ部120が形成された下部基板100、前記ディスプレイ部120の上部を覆う封止基板300を備える。前記下部基板100と封止基板300とは、シーラント400で合着される。下部基板100は、SiO2を主成分とする透明なガラス材質で形成されうる。下部基板100は、必ずしもこれに限定されず、透明なプラスチック材または金属材など、多様な材質の基板を利用しうる。下部基板100の上部に備えられたディスプレイ部120は、複数のピクセル230と、ピクセル230と電気的に連結される薄膜トランジスタTFT:ThinFilmTransistor220とを備えうる。各ピクセル230は、第1電極231、第1電極231に対向した第2電極235、及び第1電極231と第2電極235との間に介される中間層233を備える。画素定義膜219’は、各ピクセル230の隣り合う第1電極231の間に備えられて、発光領域を定義する。画素定義膜219’は、第1及び第2画素定義膜219a’,219b’を備える。第1画素定義膜219a’は、第1電極231間に形成され、第2画素定義膜219b’は、第1電極231の外郭部edgeと第1画素定義膜219a’とを覆うように形成される。有機発光層をインクジェット、ノズルなどのプリンティング方法を通じて形成するためには、ピクセル間の混色を防止するために、ピクセルの間に高さの高い画素定義膜を形成し、画素定義膜の撥液性表面処理が必要となる。この際、画素定義膜の高さが高い場合、画素定義膜と接触するピクセルの外郭部の膜厚と中心部の膜厚が変わる問題点がある。また、第1電極に印加された電界が第1電極の外郭部に集中するので、外郭部に劣化をもたらすか、または第2電極と第1電極との電気的なショートを誘発する。したがって、このような膜厚の不均一、劣化及び電気的なショートを最小化させる必要がある。このために、本発明は、有機膜で形成された第1画素定義膜219a’と無機膜で形成された第2画素定義膜219b’とによる層状構造を有する。前記第1画素定義膜219a’は、有機膜で形成され、下部膜の平坦化及びピクセル間の混色防止のために、約0.2~3μmの厚さを有する。前記第2画素定義膜219b’は、無機膜で薄く形成され、テーパ角度が低ければ低いほど良く、45°以下に設定することが望ましい。その厚さは、約0.1~1μmに設定することが望ましい。この時、前記第1画素定義膜219a’の高さによる有機発光層の膜厚段差の均一化のために、前記第1画素定義膜219a’と前記第2画素定義膜219b’とのエッジ間の間隔Tは、約1μm以上に設定することが望ましく、前記第1電極231の開口率及び発光有効領域を考慮して決定しうる。中間層233は、基板全面、または図2に示したように、各ピクセル別に積層形成されうる。中間層233は、第1電極231の上部を覆い、第1電極231の外郭部で第2画素定義膜219b’と接触する。この時、第1電極231の外郭部には、第1画素定義膜219a’と第2画素定義膜219b’とのエッジが一定間隔で離隔されており、中間層223は、薄い第2画素定義膜219b’と接触するため、中間層233の中央部と外郭部との膜厚の段差が最小化しうる。中間層233は、少なくとも有機発光層EML:EmissionLayerを備え、それ以外に、正孔注入層HIL:HoleInjectionLayer、正孔輸送層HTL:HoleTransportLayer、電子輸送層ETL:ElectronTransportLayer、電子注入層EIL:ElectronInjectionLayerのうちいずれか一つ以上の層をさらに備えうる。ディスプレイ部12が備えられた下部基板100は、シーラント400によって封止基板300と合着される。この封止基板300も、ガラス材基板だけでなく、アクリルのような多様なプラスチック材基板を使用することができ、さらに、金属板を使用することもできる。シーラント400としては、ガラスフリットが使われうる。図3は、本発明の望ましい他の実施形態による図1の有機発光ディスプレイ装置を概略的に示す断面図である。図3は、画素定義膜219の構造を除いては、図2の有機発光ディスプレイ装置と同一であるので、同一構成についての詳細な説明は、省略する。図3を参照すれば、画素定義膜219は、有機膜で形成された第1画素定義膜219aと、無機膜で形成された第2画素定義膜219bとを備える。前記第1画素定義膜219aは、有機膜で形成され、下部膜の平坦化及びピクセル間の混色防止のために、約0.2~3μmの厚さを有する。前記第2画素定義膜219bは、無機膜で薄く形成され、テーパ角度が低ければ低いほど良く、45°以下に設定することが望ましい。その厚さは、約0.1~1μmに設定することが望ましい。この際、前記第1画素定義膜219aの高さによる有機発光層の膜厚段差の均一化のために、前記第1画素定義膜219aと前記第2画素定義膜219bとのエッジ間の間隔Tは、約1μm以上に設定することが望ましく、前記第1電極231の開口率及び発光有効領域を考慮して決定しうる。中間層233は、基板全面、または各ピクセルごとに積層形成されうる。中間層233は、第1電極231の上部を覆い、第1電極231の外郭部で第2画素定義膜219bと接触する。この時、第1電極231の外郭部には、第1画素定義膜219aと第2画素定義膜219bとのエッジが一定間隔で離隔されており、中間層223は、薄い第2画素定義膜219bと接触するため、中間層233の中央部と外郭部の膜厚段差が最小化しうる。第2画素定義膜219bには、有機膜である第1画素定義膜219aの短期的または長期的な化学分解によって発生するアウトガスを排出させるための開口218が形成されうる。これは、製造工程中に高温熱処理によって、第1画素定義膜219aから発生するアウトガスによって、第2画素定義膜219bにクラックが発生するか、または穴が生じる現象が発生しうる。したがって、本発明は、第2画素定義膜219bの中央部に開口218を形成して、製造工程中でのアウトガスの放出を容易にする。図4から図6は、本発明の一実施形態による有機発光ディスプレイ装置の画素定義膜219を形成する工程を説明する断面図である。図4を参照すれば、TFT220が形成された下部基板100の上部に、TFT220と電気的に連結される第1電極231を形成し、次いで、隣り合う第1電極231の間に第1画素定義膜219aを形成する。下部基板100は、画像が下部基板100の方向に具現される背面発光型である場合には、透明な材質で形成せねばならない。しかし、画像が下部基板100の逆方向に具現される前面発光型である場合には、必ずしも透明な材質で形成する必要はない。この場合、金属で下部基板100を形成しうる。金属で下部基板100を形成する場合、下部基板100は、炭素鋼carbonsteel、鉄、クロム、マンガン、ニッケル、チタン、モリブデン、ステンレススチールSUS、インバー合金Invaralloy、インコネル合金Inconelalloy及びコバール合金Kovaralloyからなる群から選択された一つ以上を含みうるが、これらに限定されるものではない。下部基板100は、金属フォイルで形成しうる。下部基板100の上面には、不純物イオンの拡散を防止し、水分や外気の浸透を防止し、表面を平坦化するためのバリヤ層及び/またはバッファ層のような絶縁層211が形成されうる。前記絶縁層211上に、駆動回路としてTFT220を形成する。本実施形態では、TFTの一例であって、トップゲート方式のTFTを示している。しかし、これと異なり、他の構造のTFTが備えられることもある。前記絶縁層211上にTFTの活性層221が半導体材料によって形成され、これを覆うように、ゲート絶縁膜213が形成される。活性層221は、アモルファスシリコンまたはポリシリコンのような無機材半導体や有機半導体が使われることができ、ソース領域、ドレイン領域、及びこれら間のチャネル領域を有する。ゲート絶縁膜213上には、ゲート電極227が備えられ、これを覆うように、層間絶縁膜215が形成される。そして、層間絶縁膜215上には、ソース及びドレイン電極223がコンタクトホール225を通じて活性層221と連結され、これを覆うように、平坦化膜217が順次に備えられる。前述したようなTFTの積層構造は、必ずしもこれに限定されず、多様な構造のTFTがいずれも適用可能である。前記平坦化膜217の上部には、ピクセルごとに第1電極231が形成され、ビアホ―ル229を通じてソース及びドレイン電極223と電気的に連結される。第1電極231は、アノード電極またはカソード電極の機能を行い、透明電極または反射型電極で備えられうる。透明電極で備えられる時には、ITOIndiumTinOxide、IZOIndiumZincOxide、ZnOまたはIn2O3で備えられ、反射型電極で備えられる時には、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Crまたはこれらの化合物で形成された反射膜と、ITO、IZO、ZnOまたはIn2O3で形成された透明膜とを備えうる。第1電極231は、電極層の形成後、フォトレジストの塗布、露光、現像、エッチング、及びフォトレジスト剥離などの一連の工程で進められるフォトリソグラフィ工程を通じてパターニングされうる。第1電極231の間に、第1電極231の側面と外郭部との一部と接触する第1画素定義膜219aが形成される。第1画素定義膜219aは、アウトガシングoutgassing特性が優秀であり、絶縁特性のある材料で形成されうる。例えば、第1画素定義膜219aは、有機系であって、ポリアクリル、ポリイミド、ポリアミドPA、ベンゾシクロブテンBCB及びフェノール樹脂からなる群から選択される一つで形成されうる。第1画素定義膜219aは、スピンコーティング、スロットコーティングなどのコーティング法によって膜を形成した後、フォトリソグラフィ工程を通じて、前記第1電極231を露出させるようにパターニングされうる。また、第1画素定義膜219aは、インクジェットなどの方法でパターニングされうる。第1画素定義膜219aは、図面に示したように、第1電極231の外郭部の側面及び外郭部の上部の一部を覆うように形成し、必要に応じて、第1電極231の外郭部から単純接触して、側面を覆うように形成するか、または第1電極231の外郭部から数μmほど離隔して形成することもできる。この時、前記第1電極231の表面を最大限広く露出させることが望ましい。第1画素定義膜219aの厚さは、約0.2μm~3μmの範囲内で設定されることが望ましい。図5を参照すれば、第1画素定義膜219aの上部に第2画素定義膜219bを形成する。第2画素定義膜219bは、絶縁特性を有するSiO2、SiNx、Al2O3、CuOx、Tb4O7、Y2O3、Nb2O5、Pr2O3から選択された無機材料で形成されうる。第2画素定義膜219bは、スパッタ法、化学真空蒸着CVD:ChemicalVaporDeposition法、蒸着法によって、第1電極231と第1画素定義膜219aとを覆うように膜を形成した後、フォトリソグラフィ工程を通じて、前記第1電極231を露出させるようにパターニングされうる。この時、前記第1電極231の表面を最大限広く露出させて、有機発光素子の開口率を高める。第2画素定義膜219bは、テーパ角度が低ければ低いほど良く、約0.1μm~1μmの厚さに薄く形成することが望ましい。第1画素定義膜219aの高さによる有機発光層の膜厚段差の均一化のために、第1画素定義膜219aと第2画素定義膜219bのエッジとの間隔Tは、約1μm以上に設定することが望ましい。第1電極231の外郭部で第1画素定義膜219aと第2画素定義膜219bとのエッジが一定間隔を有し、第2画素定義膜219bが薄く形成されることによって、第1電極231の上部に形成される有機発光層の段差を最小化して、有機発光層の平坦化が可能になる。また、第1電極231の段差による有機発光層のショートを防止し、第1電極231と有機発光層との接着力を向上させうる。第2画素定義膜219bの上部には、開口218が形成される。前記開口218は、前記第2画素定義膜219bの中央部に形成され、高温熱処理時、第1画素定義膜219aから発生するアウトガスを容易に排出させることによって、第2画素定義膜219bの損傷を防止する。第2画素定義膜219bの開口218は、フォトリソグラフィ工程を通じて形成でき、FMMFineMetalMaskを利用して形成することもできる。第2画素定義膜219bの上部に開口218を形成しない場合には、第2画素定義膜219bの形成後、第1電極231の上部に中間層233を形成する工程に進む。図6を参照すれば、前記露出された第1電極231の上部に、有機発光層を含む中間層233と、中間層233の上部に第2電極235とを形成する。中間層233は、低分子または高分子有機物で備えられうる。低分子有機物を使用する場合、正孔注入層HIL:HoleInjectionLayer、正孔輸送層HTL:HoleTransportLayer、有機発光層EML:EmissionLayer、電子輸送層ETL:ElectronTransportLayer及び電子注入層EIL:ElectronInjectionLayerなどが単一あるいは複合の構造で積層されて形成され、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニンCuPc、N,N-ジナフタレン-1-イル-N,N’-ジフェニル-ベンジジンNPB、トリス-8-ヒドロキシキノリンアルミニウムAlq3を始めとして、多様に適用可能である。これらの低分子有機物は、マスクを利用して真空蒸着の方法で基板前面にまたはピクセル別に形成されうる。高分子有機物の場合には、ホール輸送層HTL及び発光層EMLで備えられた構造を有し、この時、前記ホール輸送層HTLとしてPEDOTPoly3,4-EthyleneDioxythiopheneを使用し、発光層EMLとしてPPVPoly-PhenyleneVinylene系及びポリフルオレン系などの高分子有機物質を使用する。第2電極235は、第1電極231に対向して位置し、カソード電極またはアノード電極の機能を行い、基板前面上に蒸着して、すべてのピクセルにわたって相互連結されている共通電極で形成されうる。第2電極235は、透明電極または反射型電極で備えられうるが、透明電極で備えられる時には、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mgまたはこれらの化合物が中間層に向かうように蒸着して形成された膜と、その上のITO、IZO、ZnOまたはIn2O3などの透明な導電性物質で形成された補助電極やバス電極ラインとを備えうる。そして、反射型電極で備えられる時には、前記Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg及びこれらの化合物で形成されうる。前記のように製造された基板結果物を、ガラス、プラスチックまたは導電性金属からなる封止基板と合着することによって、本発明による有機発光ディスプレイ装置の製造が完成される。一方、前記実施形態においては、AM型有機発光ディスプレイ装置に本発明が適用された例を説明したが、AM型有機発光ディスプレイ装置以外にも、PM型有機発光ディスプレイ装置など、画素定義膜が備えられるディスプレイ装置ならば、いかなる装置にも本発明が適用されうる。以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。"