"それぞれが少なくとも一つの半導体モジュールを含む複数の電力変換回路を有する電力変換装置であって、前記半導体モジュールは積層され、さらに、積層された半導体モジュールとコンデンサを接続するための、当該半導体モジュールに共通のバスバーと、バスバーの縁に沿って配列され、バスバーの前記縁と個々の半導体モジュールの端子とを接続する接続部材と、を有し、バスバーは、接続部材によって当該バスバーと接続される半導体モジュールが属する電力変換装置の各々に対応して画定された変換回路対応領域を有し、変換回路対応領域の間の少なくとも一つに、バスバーの前記縁から切り込まれたスリットを有する、電力変換装置。請求項1に記載の電力変換装置であって、前記スリットを有するバスバーは、半導体モジュールの正極端子に接続される、電力変換装置。請求項1または2に記載の電力変換装置であって、複数の電力変換回路は、第1の回転電機に対応して設けられる第1インバータと、第2の回転電機に対応して設けられる第2インバータを含み、バスバーの変換回路対応領域は、第1インバータに対応する第1インバータ対応領域と、第2インバータに対応する第2インバータ対応領域を有し、第1インバータ対応領域と、第2インバータ対応領域の間に前記スリットが設けられる、電力変換装置。請求項3に記載の電力変換装置であって、複数の電力変換回路は、更に昇圧コンバータを含み、昇圧コンバータに属する半導体モジュールは、第1インバータに属する半導体モジュールと第2インバータに属する半導体モジュールの間に配置され、バスバーの変換回路対応領域は、昇圧コンバータ対応領域を有し、第1インバータ対応領域と昇圧コンバータ対応領域の間に、また第1インバータ対応領域と昇圧コンバータ対応領域の間に、それぞれ前記スリットが設けられる、電力変換装置。請求項4に記載の電力変換装置であって、第1インバータ対応領域と昇圧コンバータ対応領域の間に設けられたスリットの長さは、これら二つの対応領域の間を流れる電流と、バスバーの発熱量の上限値に基づき定められ、第2インバータ対応領域と昇圧コンバータ対応領域の間に設けられたスリットの長さは、これら二つの対応領域の間を流れる電流と、バスバーの発熱量の上限値に基づき定められる、電力変換装置。それぞれが少なくとも一つの半導体モジュールを含む複数の電力変換回路を有する電力変換装置であって、前記半導体モジュールは積層され、さらに、積層された半導体モジュールの端子同士を接続するためのバスバーと、バスバーの縁に沿って配列され、バスバーの前記縁と複数の電力変換回路の端子とを接続する接続部材と、を有し、バスバーは、接続部材によって当該バスバーと接続される半導体モジュールが属する電力変換装置の各々に対応して画定された変換回路対応領域を有し、変換回路対応領域の間の少なくとも一つに、バスバーの前記縁から切り込まれたスリットを有する、電力変換装置。それぞれが少なくとも一つの半導体モジュールを含む複数の電力変換回路を有する電力変換装置であって、前記半導体モジュールは積層され、さらに、積層された半導体モジュールの端子同士を接続するためのバスバーと、バスバーの縁に沿って等ピッチで配列され、バスバーの前記縁と複数の電力変換回路の端子とを接続する接続部材と、を有し、バスバーは、接続部材によって当該バスバーと接続される半導体モジュールが属する電力変換装置の各々に対応して画定された変換回路対応領域を有し、変換回路対応領域の間の少なくとも一つに、これらの変換回路対応領域のバスバーの前記縁の間の電流経路を長くする構造を有する、電力変換装置。それぞれが少なくとも一つの半導体モジュールを含む複数の電力変換回路を有する電力変換装置であって、前記半導体モジュールは積層され、さらに、積層された半導体モジュールの端子同士を接続する接続プレートを有し、接続プレートは、半導体モジュールの積層方向に沿って延びるバスバー部と、バスバー部から延び、バスバー部と個々の半導体モジュールの端子とを接続する接続片と、を含み、バスバー部は、接続片を介して接続する半導体モジュールが属する電力変換装置の各々に対応して画定された変換回路対応領域を有し、変換回路対応領域の間の少なくとも一つに、接続片の付け根の位置より深く切り込まれたスリットを有する、電力変換装置。複数の電力変換回路を組み合わせて電力変換装置を構成し、各電力変換回路の半導体モジュールの端子をバスバーで接続する場合、複数の電力変換回路の間で、サージ電圧に因る干渉が生じる場合がある。本発明は、電力変換回路間でのサージ電圧による干渉を抑制することを目的とする。本発明に係る電力変換装置は、それぞれが少なくとも一つの半導体モジュールを含む複数の電力変換回路を有する電力変換装置である。半導体モジュールは積層され、積層された半導体モジュールとコンデンサを接続するためのバスバーと、バスバーと個々の半導体モジュールの端子を接続する接続部材とを有する。バスバーは、半導体モジュールに共通に設けられる。接続部材は、バスバーの縁に沿って配列され、バスバーの、接続部材が配列された縁と個々の半導体モジュールの端子とを接続する。バスバーは、接続部材によって当該バスバーと接続される半導体モジュールが属する電力変換装置の各々に対応して仮想的に区分された変換回路対応領域を有する。つまり、一つの電力変換回路に属する半導体モジュールの端子に接続する接続部材が接続されるバスバーの領域が一つの変換回路対応領域として画定される。複数の電力変換装置に一対一に対応して変換回路対応領域が画定される。バスバーは、変換回路対応領域の間に、バスバーの、接続部材が配列された縁から切り込まれたスリットを有する。バスバーにスリットを設けることで、電力変換回路同士の間の電流経路が長くなり、他の電力変換回路へのサージ電圧の影響を少なくすることができる。半導体モジュールの正極端子同士を接続するバスバーを、前記スリットを有するバスバーとすることができる。複数の電力変換回路は、第1の回転電機に対応して設けられる第1インバータと、第2の回転電機に対応して設けられる第2インバータを含むことができる。2個のインバータに対応して、バスバーの変換回路対応領域は、第1インバータに対応する第1インバータ対応領域と、第2インバータに対応する第2インバータ対応領域を有する。第1インバータ対応領域と第2インバータ対応領域の間にスリットを設けるようにできる。複数の電力変換回路は、二つの回転電機に対応した2個のインバータに加え、昇圧コンバータを含むようにできる。昇圧コンバータに属する半導体モジュールは、2個のインバータに属する半導体モジュールの間に配置されて、インバータに属する半導体モジュールと共に積層される。昇圧コンバータに属する半導体モジュールに対応して、バスバーの変換回路対応領域は昇圧コンバータ対応領域を有するようにできる。スリットは、インバータ対応領域と昇圧コンバータ対応領域の間に設けるようにできる。スリットの長さは、バスバーの、スリットを設けたことにより幅が削減された部分を流れる電流と、この部分で許容される発熱量に基づき決定することができる。2個のインバータに属する半導体モジュールの間に、昇圧コンバータに属する半導体モジュールを挟んで配置した電力変換装置においては、バスバーの一つのインバータ対応領域と昇圧コンバータの対応領域との境界に設けられたスリットの長さは、これら二つの対応領域間を流れる電流と、バスバーの発熱量の上限値に基づき定めることができる。本発明の他の態様に係る電力変換装置は、それぞれが少なくとも一つの半導体モジュールを含む複数の電力変換回路を有する電力変換装置であって、前記半導体モジュールは積層され、さらに、積層された半導体モジュールの端子同士を接続するためのバスバーと、バスバーの縁に沿って配列され、バスバーの前記縁と複数の電力変換回路の端子とを接続する接続部材と、を有し、バスバーは、接続部材によって当該バスバーと接続される半導体モジュールが属する電力変換装置の各々に対応して画定された変換回路対応領域を有し、変換回路対応領域の間に、バスバーの前記縁から切り込まれたスリットを有する。本発明の更に他の態様に係る電力変換装置は、それぞれが少なくとも一つの半導体モジュールを含む複数の電力変換回路を有する電力変換装置であって、前記半導体モジュールは積層され、さらに、積層された半導体モジュールの端子同士を接続するためのバスバーと、バスバーの縁に沿って配列され、バスバーの前記縁と複数の電力変換回路の端子とを接続する接続部材と、を有し、バスバーは、接続部材によって当該バスバーと接続される半導体モジュールが属する電力変換装置の各々に対応して画定された変換回路対応領域を有し、変換回路対応領域の間に、これらの変換回路対応領域のバスバーの前記縁の間の電流経路を長くする構造を有する。本発明の更に他の態様に係る電力変換装置は、それぞれが少なくとも一つの半導体モジュールを含む複数の電力変換回路を有する電力変換装置であって、前記半導体モジュールは積層され、さらに、積層された半導体モジュールの端子同士を接続する接続プレートを有し、接続プレートは、半導体モジュールの積層方向に沿って延びるバスバー部と、バスバー部から延び、バスバー部と個々の半導体モジュールの端子とを接続する接続片と、を含み、バスバー部は、接続片を介して接続する半導体モジュールが属する電力変換装置の各々に対応して画定された変換回路対応領域を有し、変換回路対応領域の間に、接続片の付け根の位置より深く切り込まれたスリットを有する。二つの電力変換回路間のバスバー上の電流経路が延長される構造を採ることにより、二つの電力変換回路間におけるサージ電圧による干渉が低減される。以下、本発明の実施形態を、図面に従って説明する。図1は、本実施形態の電力変換装置10を含む回路構成図である。図1は、ハイブリッド車両の駆動用原動機としての第1および第2回転電機12,14を駆動する制御システムの回路構成を示す図である。二つの回転電機12,14は、二次電池16からの電力により回転駆動され、また回転電機12,14により発電された電力が二次電池16に充電される。この駆動および充電を行うのが電力変換装置10である。電力変換装置10は、二次電池16の電圧を昇圧する昇圧コンバータ18と、二次電池16の直流電力を三相交流電力に変換し、また回転電機12,14の発電した交流電力を直流電力に変換するインバータ20,22とを含む。第1回転電機12に対して第1インバータ20が、第2回転電気14に対して第2インバータ22が設けられている。昇圧コンバータ18は、電圧という電力の特性値を変換する電力変換装置または回路であり、インバータ20,22は、交流、直流という電力の特性を変換する電力変換装置または回路である。この実施形態の二つの回転電機12,14は、いずれも電動機、発電機として機能するが、電動機および発電機のいずれか一方として機能する回転電機であってもよい。昇圧コンバータ18は、リアクトル24とIGBT等のパワートランジスタを含む半導体モジュール26を有する。半導体モジュール26は、インバータ20,22の正極端子と接続される正極端子28、インバータ20,22の負極端子と接続される負極端子30、リアクトル24と接続される出力極端子32を有する。第1インバータ20は、IGBT等のパワートランジスタを含む同一構造の三つの半導体モジュール34を有する。三つの半導体モジュール34の各々は、第1回転電機12に供給される三相交流電力の各相に対応している。半導体モジュール34は、正極端子36、負極端子38および出力極端子40を有する。三つの半導体モジュール34の正極端子36同士は正極母線42により接続され、さらに正極母線42により昇圧コンバータの正極端子28とも接続される。一方、三つの半導体モジュール34の負極端子38同士は、負極母線44により接続され、さらに負極母線44により昇圧コンバータの負極端子30とも接続される。三つの出力極端子40は、それぞれ第1回転電機12のコイルに電力を供給する三相の動力線に接続される。第2インバータ22は、IGBT等のパワートランジスタを含む同一構造の三つの半導体モジュール46を有する。三つの半導体モジュール46の各々は、第2回転電機14に供給される三相交流電力の各相に対応している。半導体モジュール46は、正極端子48、負極端子50および出力極端子52を有する。三つの半導体モジュール46の正極端子48同士は正極母線42により接続され、さらに正極母線42により昇圧コンバータの正極端子28とも接続される。一方、三つの半導体モジュール46の負極端子50同士は、負極母線44により接続され、さらに負極母線44により昇圧コンバータの負極端子30とも接続される。三つの出力極端子52は、それぞれ第2回転電機14のコイルに電力を供給する三相の動力線に接続される。正極母線42と負極母線44の間には、平滑用のコンデンサ54が配置される。さらに、昇圧コンバータ18、第1および第2インバータ20,22の動作を制御する制御装置56を電力変換装置10は備える。制御装置56は、各半導体モジュール26,34,46のパワートランジスタを制御することにより、昇圧コンバータ18、第1および第2インバータ20,22の動作を制御する。図2は、電力変換装置10の一部の概観を示す斜視図である。昇圧コンバータ18、第1および第2インバータ20,22の各半導体モジュール26,34,46は、積層され半導体モジュールユニット58を構成している。好適には、各半導体モジュール26,34,46は、等ピッチで積層される。第1インバータ20に属する3個の半導体モジュール34と、第2インバータ22に属する3個の半導体モジュール46が両側に配置され、これらの間に昇圧コンバータ18に属する3個の半導体モジュール26が配置されている。第1および第2インバータに属する半導体モジュール34,46は、三相交流電力の相数に対応して3個でセットであるが、昇圧コンバータ18については、半導体モジュール26の個数は3個に限定されない。半導体モジュール26の数を決定するのは、半導体モジュール26に属するトランジスタ等の素子の許容電流値に因る。半導体モジュールの数を増やすことにより、1個当たりの電流を減らすことができ、使用条件に基づき、モジュールの個数が決定される。半導体モジュール26,34,46の外観は共通であり、図2において上面に各端子が配置されている。第1インバータに属する半導体モジュール34において、図2に示すように奧から正極端子36、負極端子38、出力極端子40の順で配列されている。簡略化のために図示はしないが、昇圧コンバータに属する半導体モジュール26および第2インバータに属する半導体モジュール46においても同様に奧から正極端子28,48、負極端子30,50、出力極端子32,52の順で配列される。各出力極端子に接続される配線は、図示を省略されている。半導体モジュール26,34,46が等ピッチで積層される場合、各端子も等ピッチで配列される。半導体モジュールユニット58は、更に各半導体モジュール26,34,46を冷却する冷却器を有する。冷却器は、各半導体モジュール26,34,46を挟むように配置される冷却板60と送液管62,64を含む。冷却板60は中空であり、内部の空間は送液管62,64と連通している。一方の送液管62から送られた冷却液は、複数ある冷却板60に分配され、各冷却板60内を流れて、もう一方の送液管64に達する。冷却板60を流れる冷却液が半導体モジュール26,34,46から熱を奪い、これらの半導体モジュールが冷却される。送液管64に集まった冷却液は、送液管64を介して不図示の放熱器に送られ、放熱後再び送液管62により冷却板60に送られる。各半導体モジュールの正極端子28,36,48は、共通の正極接続プレート66に接続される。正極接続プレート66は、固定台68の上面に固定され、支持される。また、負極端子30,38,50は、共通の負極接続プレート70に接続される。負極接続プレート70図3および図4参照は、固定台68の下面に固定され、支持されている。このため、図2では、負極接続プレート70は固定台68に隠れて現れていない。正極接続プレート66はコンデンサ正極端子72に接続され、負極接続プレート70はコンデンサ負極端子74に接続されている。コンデンサ正極端子72およびコンデンサ負極端子74は、コンデンサケース76に収められるコンデンサ54に、ケース内部で接続されている。図3は、半導体モジュール26,34,46の積層方向に直交する断面を示す図である。図3に示されるように、負極接続プレート70は、固定台68の下面に配置されている。また、コンデンサ正極端子72およびコンデンサ負極端子74がコンデンサケース76内に延び、コンデンサ54に接続されていることが分かる。図4および図5は、正極接続プレート66および負極接続プレート70を抜き出して示した図である。図6は正極接続プレート66の平面図、図7は負極接続プレート70の平面図である。正極接続プレート66は、半導体モジュールの積層方向に延びる板状の部分78と、板状の部分78の各半導体モジュールの正極端子28,36,48に面する縁から延びる正極接続片80とを含む。板状の部分78は、各半導体モジュールの正極端子28,36,48に共通の導体であり、いわゆるバスバーとして機能する。以降、この部分を正極バスバー部78と記す。正極バスバー部78は、図6において一点鎖線で囲まれている部分である。正極接続片80は、各正極端子28,36,48に対して一つずつ設けられ、半導体モジュールの積層方向に沿って配列され、それぞれ対応する正極端子に接続されている。正極端子28,36,48が等ピッチで配列される場合、正極接続片80も等ピッチで配列することが望ましい。正極接続片80は、正極バスバー部78の縁82からバスバー部78を延長するように延び、その延長方向に延びる折れ線に沿って先端部81が屈曲されている。先端部81は、バスバー部78の板面に対し直交し、半導体モジュールの正極端子28,36,48に平行となっている。正極接続片の先端部81の面と、板状の正極端子28,36,48の板面同士が密着して固定される。正極バスバー部78には、コンデンサ正極端子72が結合されるコンデンサ接続点84が設けられている。コンデンサ接続点84は2箇所に設けることができ、その間には、正極接続片80が設けられた縁82と反対側の縁からえぐられるように設けられた凹部85が設けられている。コンデンサ正極端子72と正極接続プレート66の結合は、図2に示されるように、ボルトによって行われている。正極接続プレート66は、各半導体モジュールの正極端子28,36,48およびコンデンサ正極端子72を接続する正極母線42として機能する。正極バスバー部78と正極接続片80は、一体に、例えば一枚の板金から打ち抜きおよび曲げ加工によって一体に形成することができる。また、板金製の正極バスバー部に、別に設けられた接続部材を接続するようにしてもよい。接続部材は板金以外の部材、例えば導線であってもよい。負極接続プレート70は、半導体モジュールの積層方向に延びる板状の部分86と、板状の部分86の各半導体モジュールの負極端子30,38,50に面する縁から延びる負極接続片88とを含む。板状の部分86は、各半導体モジュールの負極端子30,38,50に共通の導体であり、いわゆるバスバーとして機能する。以降、この部分を負極バスバー部86と記す。負極バスバー部86は、図7において一点鎖線で囲まれている部分である。負極接続片88は、各負極端子30,38,50に対して一つずつ設けられ、半導体モジュールの積層方向に沿って配列され、それぞれ対応する負極端子に接続されている。負極端子30,38,50が等ピッチで配列される場合、負極接続片88も等ピッチで配列することが望ましい。負極接続片88は、負極バスバー部86の縁90からバスバー部86を延長するように延び、その延長方向に延びる折れ線に沿って先端部89が屈曲されている。先端部89は、バスバー部86の板面に対し直交し、半導体モジュールの負極端子30,38,50に平行となっている。負極接続片の先端部89の面と、板状の負極端子30,38,50の板面同士が密着して固定される。負極バスバー部86には、コンデンサ負極端子74が結合されるコンデンサ接続点92が設けられている。コンデンサ接続点92は1箇所に設けられ、この位置は、正極接続プレート66に設けられた凹部85の位置に対応する。これにより、コンデンサ接続点92は、図2または図4に示されるように上方に露出し、負極接続プレート70も上方からボルトにより固定することができる。負極バスバー部86は、図7に示されるように、コンデンサ接続点92周囲の幅が広く、その左右において幅が狭くなっている。この狭くなった部分が、正極接続プレート66を固定するためのボルトが通る部分を提供する。コンデンサ負極端子74と負極接続プレート70の結合は、図2に示されるように、ボルトによって行われている。上述のように、コンデンサ接続点84,92の数を、正極バスバー部78に2箇所、負極バスバー部86に1箇所とすることで、コンデンサ接続点を共に2箇所に設ける場合に比較して、負極バスバー部86を小形にすることができる。なお、コンデンサ接続点の数を、正極バスバー部において1箇所、負極バスバー部において2箇所とすることもできる。負極接続プレート70は、各半導体モジュールの負極端子30,38,50およびコンデンサ負極端子74を接続する負極母線44として機能する。負極バスバー部86と負極接続片88は、一体に、例えば一枚の板金から打ち抜きおよび曲げ加工によって一体に形成することができる。また、板金製の正極バスバー部に、別に設けられた接続部材を接続するようにしてもよい。接続部材は板金以外の部材、例えば導線であってもよい。図6には、各半導体モジュールの正極端子28,36,48が示されている。正極接続片80を、接続片が接続される半導体モジュールの種類に応じて区別するために、符号80に添え字a,b,cを付す。すなわち、第1インバータ20に属する半導体モジュールの正極端子36に接続している正極接続片を符号80aで、第2インバータ22に属する半導体モジュールの正極端子48に接続している正極接続片を符号80bで、昇圧コンバータ18に属する半導体モジュールの正極端子28に接続している正極接続片を符号80cで示す。さらに、以降の説明のために、正極バスバー部78を、前記区別された正極接続片80a,80b,80cがそれぞれ対応する領域94,96,98に仮想的に区分する。この領域は、例えば図6に示す一点鎖線で囲まれた三つの領域である。なお、図6において、領域94,96,98の境界は、縁82に直交するよう描かれているが、これは便宜上のものである。正極接続片80aが繋がっている正極バスバー部の領域94は、第1インバータ20に属する半導体モジュール34に対応して画定された領域であり、以降第1インバータ対応領域94と記す。正極接続片80bが繋がっている正極バスバー部の領域96は、第2インバータ22に属する半導体モジュール46に対応して画定された領域であり、以降第2インバータ対応領域96と記す。正極接続片80cが繋がっている正極バスバー部の領域98は、昇圧コンバータ18に属する半導体モジュール26に対応して画定された領域であり、以降昇圧コンバータ対応領域98と記す。正極バスバー部78は、当該バスバー部の長手方向、すなわち各半導体モジュールの積層方向に並ぶ仮想的な三つの領域94,96,98を有する。各電力変換回路、すなわち第1,第2インバータ20,22および昇圧コンバータ18は、別個に制御されている。一方、これらの電力変換回路に属する半導体モジュールの端子は、いずれも正極および負極接続プレート66,70に接続されている。このため、一つの電力変換回路で生じるサージ電圧が、接続プレート66,70を介して他の電力変換回路に影響を与え制御に干渉する場合がある。特に、半導体モジュールユニット58では、冷却器の構造を簡単にするために、半導体モジュール26,34,46と冷却板60を積層しており、さらに全体を小形としているために、電力変換回路の間の距離が短くなる。サージ電圧の干渉は、第1インバータ20と第2インバータ22の間で生じやすい。電力変換装置10においては、電力変換回路間の干渉を防止するため、電力変換回路の間の電流経路を長くする構造を正極接続プレート66に設けている。具体的には、正極接続プレート66のバスバー部78において、第1インバータ対応領域94と昇圧コンバータ対応領域98の間にスリット100を設け、また第2インバータ対応領域96と昇圧コンバータ対応領域98の間にスリット102を設けている。スリット100は、正極バスバー部78の、各半導体モジュールの正極端子に対向する縁82から内側に、第1インバータ対応領域94と昇圧コンバータ対応領域98の境界に沿って延びている。スリット102は、正極バスバー部の縁82から内側に、第2インバータ対応領域96と昇圧コンバータ対応領域98の境界に沿って延びている。電力変換回路間の電流経路が、スリット100,102を迂回することになり長くなる。接続部材である正極接続片80が等ピッチで配列されていても、各対応領域94,96,98の間の電流経路を、一つの対応領域に属する接続部材間の電流経路より長くすることができる。これらのスリット100,102により、電力変換回路間の電流経路が長くされることにより、一つの電力変換回路で生じたサージ電圧が他の電力回路に伝わる間に減衰し、干渉が抑制される。また、スリット100,102は、コンデンサ接続点84が2箇所設けられた正極バスバー部78と、コンデンサ接続点92が1箇所設けられた負極バスバー部86のうち、コンデンサ接続点が2箇所設けられた正極バスバー部78に設けられ、さらに、コンデンサ接続点84は、スリット100,102の延設方向の延長線上近傍に配置されている。そのため、例えば、コンデンサ接続点84を、接続部材の配列方向におけるバスバー部の端部に集めて設ける場合と異なり、各端子からコンデンサ接続点84への距離を短くしつつ、スリットにより、第1インバータ対応領域94に対向する端子と昇圧コンバータ対応領域98に対応する端子間の電流経路も長くできるため、サージ電圧の影響を好適に少なくできる。スリット100の長さは、第1インバータ対応領域94と昇圧コンバータ対応領域98の間を流れる電流と、正極接続プレート66の発熱量の上限値に基づき決定することができる。正極接続プレート66の周囲にある部品、部材ごとに耐熱要件が定められており、この要件を満たすために正極接続プレート66の発熱量上限値が設定できる。スリット100の長さを長くすると、正極バスバー部78の、スリット100により狭められた残余の幅が狭くなり、この部分の発熱量が大きくなる。この発熱量が、上記のように定められた上限値以下となるようスリット100の長さを定める。スリット102の長さも同様に定めることができる。正極接続プレート66の複数の正極接続片80は、接続プレートに設けたスリットによって分けられて形成されたものと見ることもできる。しかし、上記のスリット100,102は、このスリットとは区別されるものである。スリット100,102は、接続片を分けたスリットの底の部分から更に深く切り込まれたものである。図8は、電力変換回路間の電流経路を長くする構造の別の例を示す図である。第1インバータ対応領域94と昇圧コンバータ対応領域98の間に、前述のスリット100に替えて湾曲部104を設ける。また、第2インバータ対応領域96と昇圧コンバータ対応領域98の間に、前述のスリット102に替えて湾曲部106を設ける。湾曲部104,106は、正極バスバー部78の縁82の近傍において、正極バスバー部78の平らに形成された板面の部分から盛り上がるようにして形成された部分である。湾曲部104,106を設けることにより、板形状の平面的な構成の場合よりも、電力変換回路間の電流経路を長くすることができる。また、接続部材が等ピッチで配列されていても、各対応領域94,96,98の間の電流経路を、一つの対応領域に属する接続部材間の電流経路より長くすることができる。電流経路は、湾曲部104,106に沿って湾曲することになり、長くされて、サージ電圧による干渉が抑制される。電力変換装置10において、負極接続プレート70については、スリット等の電流経路を長くする構造を採用していないが、正極接続プレート66と同様に採用することも可能である。図9は、スリットを設けた負極接続プレート108の構成を示す図である。負極接続プレート70と共通する構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。負極接続片88を、これらの接続片が接続される半導体モジュールの種類に応じて区別するために、符号88に添え字a,b,cを付す。すなわち、第1インバータ20に属する半導体モジュールの負極端子38に接続している負極接続片を符号88aで、第2インバータ22に属する半導体モジュールの負極端子50に接続している負極接続片を符号88bで、昇圧コンバータ18に属する半導体モジュールの負極端子30に接続している負極接続片を符号88cで示す。さらに、以降の説明のために、負極バスバー部86を、前記区別された負極接続片88a,88b,88cがそれぞれ対応する領域110,112,114に仮想的に区分する。この領域は、例えば図9に示す一点鎖線で囲まれた領域である。なお、図9において、領域110,112,114の境界は、縁90に直交するよう描かれているが、これは便宜上のものである。負極接続片88aが繋がっている負極バスバー部の領域110は、第1インバータ20に属する半導体モジュール34に対応して画定された領域であり、以降第1インバータ対応領域110と記す。負極接続片88bが繋がっている負極バスバー部の領域112は、第2インバータ22に属する半導体モジュール46に対応して画定された領域であり、以降第2インバータ対応領域112と記す。負極接続片88cが繋がっている負極バスバー部の領域114は、昇圧コンバータ18に属する半導体モジュール26に対応して画定された領域であり、以降昇圧コンバータ対応領域114と記す。負極バスバー部86は、当該バスバー部の長手方向、すなわち各半導体モジュールの積層方向に並ぶ仮想的な三つの領域110,112,114を有する。負極接続プレート108においても、正極接続プレート66と同様、電力変換回路間の干渉を防止するため、電力変換回路の間の電流経路を長くする構造に設けている。具体的には、負極接続プレート108のバスバー部86において、第1インバータ対応領域110と昇圧コンバータ対応領域114の間にスリット116を設け、また第2インバータ対応領域112と昇圧コンバータ対応領域114の間にスリット118を設けている。スリット116は、負極バスバー部86の、各半導体モジュールの負極端子に対向する縁90から内側に、第1インバータ対応領域110と昇圧コンバータ対応領域114の境界に沿って延びている。スリット118は、負極バスバー部の縁90から内側に、第2インバータ対応領域112と昇圧コンバータ対応領域114の境界に沿って延びている。電力変換回路間の電流経路が、スリット116,118を迂回することになり長くなる。接続部材である負極接続片88が等ピッチで配列されていても、各対応領域110,112,114の間の電流経路を、一つの対応領域に属する接続部材間の電流経路より長くすることができる。これらのスリット116,118により、電力変換回路間の電流経路が長くされることにより、一つの電力変換回路で生じたサージ電圧が他の電力回路に伝わる間に減衰し、干渉が抑制される。スリット116,118の長さについては、前述の正極接続プレート66のスリット100,102の場合と同様、周囲の部品の耐熱要件と、負極接続プレート108の発熱量から定めることができる。また、負極側にスリットを有する負極接続プレート108を採用し、正極側にはスリットを有さない接続プレートを採用してもよい。さらに、正極接続プレートと負極接続プレートの双方にスリットを設ける場合に、それぞれに1本ずつのスリットを設けるようにしてよい。一例を図10に示す。前述の正極および負極接続プレートと共通する構成については、同一の符号を付し、その説明を省略する。正極接続プレート120は、第1インバータ対応領域94と昇圧コンバータ対応領域98の間にスリット100が設けられ、第2インバータ対応領域96と昇圧コンバータ対応領域98の間には、スリットが設けられていない。一方、負極接続プレート122は、逆に、第1インバータ対応領域110と昇圧コンバータ対応領域114の間にスリットが設けられておらず、第2インバータ対応領域112と昇圧コンバータ対応領域114の間に、スリット118が設けられている。図10に示す態様とは反対に、正極接続プレートにおいては、図6の正極接続プレート66の一方のスリット102のみを設け、負極接続プレートにおいては、図9の負極接続プレート108の一方のスリット116のみ設けるようにすることもできる。複数ある境界のうち一部の境界にスリットを設ける場合、上記のように、正極側と負極側で、異なる電力変換回路の間にスリットを設けるようにすることが好適である。上記の実施形態では、スリット100,102は、半導体モジュールの積層方向と直交する方向に沿って直線状に形成されていたが、前記直交方向に対して傾斜する方向に形成してもよく、また曲線、折れ線状に形成してもよい。例えば、図11に示す正極接続プレート124のように、縁82から内側に向けて互いに離れるように延びる二つのスリット126,128を形成するようにできる。正極接続プレート124の構成のうち、前述の図6に示す正極接続プレート66の構成と同一の構成については、同じ符号を付し、説明を省略する。スリット126,128の先端が、コンデンサ接続点84の方向に向かって延びるように傾斜して形成することが好ましい。また、二つのスリットの長さを異なるものとしてもよい。また、電力変換回路第1コンバータ、昇圧コンバータ、第2コンバータの配列は、上記の実施形態の例に限られない。例えば、第1コンバータを構成する半導体モジュール群、第2インバータを構成する半導体モジュール群、昇圧コンバータを構成する半導体モジュール群の順番で積層、配列してよい。この場合、第2インバータ対応領域と昇圧コンバータ対応領域間のスリット長より、第1インバータ対応領域と第2インバータ対応領域間のスリット長を短くしてもよいし、第1インバータ対応領域と第2インバータ対応領域間にはスリットを設けなくてもよい。このようにしても、昇圧コンバータによりサージの影響が大きい場合には、昇圧コンバータと第1インバータとはバスバー上で離間するため、電流経路を長くしなくても、好適にサージ電圧の影響を抑えることも可能となる。なお、第1インバータを構成する半導体モジュール群と、第2インバータを構成する半導体モジュール群を入れ替えることも可能である。電力変換装置10は、三つの電力変換回路、すなわち2個のインバータ、1個の昇圧コンバータを備えたものであるが、二つ、または4個以上の電力変換回路を備える電力変換装置においても、本発明は適用可能である。サージ電圧の干渉が生じやすい電力変換回路に対応する、バスバー上の変換回路対応領域の間に、スリット等の電流経路を長くする構造を設ける。隣接する変換回路対応領域同士の境界全てにスリット等を設けることもできる。上記の実施形態では、半導体モジュール26,34,46は、一つの半導体モジュールに二つのパワートランジスタを設け、各半導体モジュール26,34,46が、正極端子28,36,48、負極端子30,38,50、および出力端子32,40,52を有する態様であった。しかし、パワートランジスタを一つ備えた半導体モジュールを組み合わせて半導体モジュールユニットを構成してもよい。例えば、図12に示すように、一つのパワートランジスタを備えた半導体モジュールを2個組み合わせて用いる構成を採用することができる。具体的には、前述の半導体モジュール34を、それぞれ一つのパワートランジスタを備えた二つの半導体モジュール34A,34Bに置き換える構成とすることができる。一方の半導体モジュール34Aは、正極端子36と出力端子40Aを備え、他方の半導体モジュール34Bは、負極端子38と出力端子40Bを備える。出力端子40Aと出力端子40Bは電気的に接続されている。半導体モジュール26,46についても同様に、それぞれ2個の半導体モジュール26A,26B、半導体モジュール46A,46Bを組み合わせて構成することができる。さらに、第1インバータ20の、各相ごとに設けられた3個の半導体モジュール34を一体化することもできる。すなわち、三相の全てのパワートランジスタを備えた半導体モジュールを構成することもできる。第2インバータ22についても同様である。本発明の望ましい実施の態様を以下に記す。13個の半導体モジュールを有する第1インバータと、3個の半導体モジュールを有する第2インバータと、第1および第2インバータを構成する半導体モジュールの端子とコンデンサとを接続する接続プレートと、を有し、第1および第2のインバータに属する半導体モジュールは積層され、接続プレートは、半導体モジュールの積層方向に沿って延びるバスバー部と、バスバー部から延び、バスバー部と半導体モジュールの端子とを接続する接続片と、を含み、バスバー部は、第1インバータに属する半導体モジュールの端子に接続される接続片に繋がる部分である第1インバータ対応領域と、第2インバータに属する半導体モジュールの端子に接続される接続片に繋がる部分である第2インバータ対応領域と、を含み、バスバー部の、第1インバータ対応領域と第2インバータ対応領域の間には、接続片の付け根の位置より深く切り込まれたスリットが設けられる、電力変換装置。2上記1に記載の電力変換装置であって、前記半導体モジュールの積層方向において第1インバータに属する半導体モジュールと第2インバータに属する半導体モジュールの間に、昇圧コンバータに属する少なくとも1個の半導体モジュールが配置され、接続プレートは、バスバー部と昇圧コンバータに属する半導体モジュールの端子とを接続する接続片を有し、バスバー部は、昇圧コンバータに属する半導体モジュールの端子に接続される接続片に繋がる部分である昇圧コンバータ対応領域と、を含み、前記スリットは、第1インバータ対応領域と昇圧コンバータ対応領域の間と、第2インバータ対応領域と昇圧コンバータ対応領域の間との少なくとも一方に設けられる、電力変換装置。33個の半導体モジュールを有する第1インバータと、3個の半導体モジュールを有する第2インバータと、第1および第2インバータの半導体モジュールの端子とコンデンサとを接続する接続プレートと、を有し、半導体モジュールは積層され、接続プレートは、半導体モジュールの積層方向に沿う縁から切り込まれた第1のスリットにより分けられた接続片を有し、接続片の各々は個々の半導体モジュールの端子に接続し、第1インバータに関連する接続片と第2インバータに関連する接続片との間に設けられる少なくとも一つの第1のスリットの奥には、更に深く第2のスリットが設けられている、電力変換装置。43個の半導体モジュールを有する第1インバータと、3個の半導体モジュールを有する第2インバータと、少なくとも一つの半導体モジュールを有する昇圧コンバータと、第1および第2インバータと昇圧コンバータに属する半導体モジュールの端子とコンデンサとを接続する接続プレートと、を有し、半導体モジュールは、第1インバータに属する半導体モジュールと第2インバータに属する半導体モジュールの間に昇圧コンバータに属する半導体モジュールが配置されるよう積層され、接続プレートは、半導体モジュールの積層方向に沿う縁から切り込まれた第1スリットにより分けられた接続片を有し、接続片の各々は個々の半導体モジュールの端子に接続し、第1インバータに関連する接続片と昇圧コンバータに関連する接続片を分ける第1スリットと第2インバータに関連する接続片と昇圧コンバータに関連する接続片を分ける第1スリットとの少なくとも一方の奥には、更に深く第2スリットが設けられている。電力変換装置。"